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Inhalt

1. Präambel
2. 1. Artikel 1
   2. Artikel 2
3. ANNEX
4. ANHANG
5. ANHANG I LISTE DER DUAL-USE-GÜTER UND -TECHNOLOGIE (Gemäß Artikel 3 der Verordnung (EG) Nr. 1334/2000)
6. ALLGEMEINE ANMERKUNGEN ZU ANHANG I 1.2.3.
7. NUKLEARTECHNOLOGIE-ANMERKUNG (NTA) (gültig im Zusammenhang mit Gattung E der Kategorie 0)
8. ALLGEMEINE TECHNOLOGIE-ANMERKUNG (ATA) (gültig im Zusammenhang mit Gattung E der Kategorien 1 bis 9)
9. ALLGEMEINE SOFTWARE-ANMERKUNG (ASA) (Soweit in Gattung D der Kategorien 0 bis 9 Software erfasst wird, entfallen die Kontrollen, wenn nachstehende Voraussetzungen erfüllt sind.)
10. 1. a)
11. BEGRIFFSBESTIMMUNGEN Anmerkung:
12. pt_8 a)
13. pt_25 a)
14. pt_33 a)
15. pt_41 a)
16. pt_44 a)
17. pt_53 a)
18. pt_71 a)
19. pt_78 a)
20. pt_95 a)
21. pt_102 a)
22. pt_112 a)
23. pt_137 a)
24. pt_148 a)
25. pt_174 a)
26. VERZEICHNIS DER VERWENDETEN ABKÜRZUNGEN
27. KATEGORIE 0 KERNTECHNISCHE MATERIALIEN, ANLAGEN UND AUSRÜSTUNG
28. 0ASysteme, Ausrüstung und Bestandteile
29. 0BPrüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen
30. a)
31. b)
32. c)
33. 13. a)
34. 7. a)
35. 5. a)
36. 6. a)
37. 0CWerkstoffe und Materialien
38. 0DDatenverarbeitungsprogramme (Software)
39. 0ETechnologie
40. KATEGORIE 1 WERKSTOFFE, CHEMIKALIEN, MIKROORGANISMEN UND TOXINE
41. 1ASysteme, Ausrüstung und Bestandteile Technische Anmerkung:
42. 1ASysteme, Ausrüstung und Bestandteile a)
43. 1. a)
44. 1BPrüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen
45. 1CWerkstoffe und Materialien Technische Anmerkung: Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkungen:
46. 1CWerkstoffe und Materialien Technische Anmerkung: a)
47. a)
48. b)
49. c)
50. 1. Technische Anmerkung:
51. 1. a)
52. d)
53. 1CWerkstoffe und Materialien Technische Anmerkung: Technische Anmerkungen:
54. 1. a)
55. 2. a)
56. 3. a)
57. 4. a)
58. 5. a)
59. 1. Technische Anmerkung:
60. 2. Technische Anmerkung:
61. 1CWerkstoffe und Materialien Technische Anmerkung: Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: a)
62. 1. a)
63. 2. a)
64. 1CWerkstoffe und Materialien Technische Anmerkung: Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: a)
65. 1. a)
66. 2. a)
67. a)
68. b)
69. 1CWerkstoffe und Materialien Technische Anmerkung: Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: a)
70. a)
71. b)
72. 1CWerkstoffe und Materialien Technische Anmerkung: Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: a)
73. 1. Technische Anmerkung:
74. 2. Technische Anmerkung:
75. 2. a)
76. 3. a)
77. 6. a)
78. 1CWerkstoffe und Materialien Technische Anmerkung: Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: a)
79. 1CWerkstoffe und Materialien Technische Anmerkung: Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: a)
80. 1CWerkstoffe und Materialien Technische Anmerkung: Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: a)
81. 1CWerkstoffe und Materialien Technische Anmerkung: Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung:
82. 2. a)
83. 2. a)
84. 5. a)
85. 1DDatenverarbeitungsprogramme (Software)
86. 1ETechnologie
87. 1. a)
88. 3. a)
89. KATEGORIE 2 WERKSTOFFBEARBEITUNG
90. 2ASysteme, Ausrüstung und Bestandteile Technische Anmerkung:
91. 2ASysteme, Ausrüstung und Bestandteile a)
92. 2. a)
93. 2BPrüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung:
94. 2BPrüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen Technische Anmerkungen:
95. 2. a)
96. 5. a)
97. 1. a)
98. 4. a)
99. 2BPrüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: a)
100. 2BPrüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: a)
101. 1. a)
102. 2. a)
103. 1. Technische Anmerkung:
104. 2. a)
105. 2BPrüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: a)
106. 2BPrüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: a)
107. 2BPrüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: a)
108. 1. a)
109. 2. a)
110. a)
111. b)
112. c)
113. d)
114. 2BPrüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: a)
115. 2BPrüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkungen:
116. 2BPrüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: a)
117. 2BPrüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: a)
118. 2BPrüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkungen:
119. 1. a)
120. 2CWerkstoffe und Materialien
121. 2DDatenverarbeitungsprogramme (Software)
122. 2ETechnologie
123. 1. a)
124. 2. a)
125. Tabelle Abscheidungsverfahren 1.2.3.A)B)B) 1.B) 2.B) 3.B) 4.C)D)E)F)G) ANMERKUNGEN ZUR TABELLE — ABSCHEIDUNGSVERFAHREN: TECHNISCHE ANMERKUNG ZUR TABELLE — ABSCHEIDUNGSVERFAHREN:
126. Tabelle Abscheidungsverfahren 1.2.3.A)B)B) 1.B) 2.B) 3.B) 4.C)D)E)F)G) ANMERKUNGEN ZUR TABELLE — ABSCHEIDUNGSVERFAHREN:
127. 5. a)
128. KATEGORIE 3 ALLGEMEINE ELEKTRONIK
129. 3ASysteme, Ausrüstung und Bestandteile Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung:
130. 3ASysteme, Ausrüstung und Bestandteile a)
131. 1. a)
132. 2. a)
133. 5. Technische Anmerkungen:
134. 5. a)
135. 6. a)
136. 7. a)
137. 10. a)
138. 11. a)
139. 12. Technische Anmerkung:
140. 4. a)
141. 3. a)
142. 4. Technische Anmerkung:
143. 4. a)
144. 8. a)
145. 5. Technische Anmerkung:
146. 3ASysteme, Ausrüstung und Bestandteile Technische Anmerkung: a)
147. 3ASysteme, Ausrüstung und Bestandteile Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: a)
148. 3BPrüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen
149. 1. a)
150. 2. a)
151. 3CWerkstoffe und Materialien
152. 3DDatenverarbeitungsprogramme (Software) Technische Anmerkung:
153. 3DDatenverarbeitungsprogramme (Software) a)
154. 3ETechnologie Technische Anmerkung:
155. 3ETechnologie
156. KATEGORIE 4 RECHNER
157. 4ASysteme, Ausrüstung und Bestandteile
158. 4BPrüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen
159. 4CWerkstoffe und Materialien
160. 4DDatenverarbeitungsprogramme (Software)
161. 4ETechnologie
162. Technische Anmerkung zur zusammengesetzten theoretischen VerarbeitungsrateCTP (Composite Theoretical Performance) Abkürzungen:
163. grp_7
164. TECHNISCHE ANMERKUNG ZUR ANGEPASSTEN SPITZENLEISTUNGAPP (ADJUSTED PEAK PERFORMANCE)
165. KATEGORIE 5 TELEKOMMUNIKATION UND INFORMATIONSSICHERHEIT
166. TEIL 1 TELEKOMMUNIKATION
167. 5A1Systeme, Ausrüstung und Bestandteile Technische Anmerkung:
168. 5A1Systeme, Ausrüstung und Bestandteile
169. 5A001a)
170. 1. a)
171. 2. a)
172. 3. a)
173. 4. a)
174. 5. a)
175. 6. Technische Anmerkungen:
176. 1. Technische Anmerkung:
177. 5B1Prüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen
178. 1. Technische Anmerkung:
179. 2. a)
180. 5C1Werkstoffe und Materialien
181. 5D1Datenverarbeitungsprogramme (Software)
182. 1. Technische Anmerkung:
183. 2. a)
184. 5E1Technologie
185. 1. Technische Anmerkung:
186. 2. a)
187. 4. a)
188. TEIL 2 Anmerkung 3: Technische Anmerkung: INFORMATIONSSICHERHEIT Kryptotechnik-Anmerkung:
189. a)
190. b)
191. c)
192. d)
193. 5A2Systeme, Ausrüstung und Bestandteile a) Technische Anmerkung:
194. 5A2Systeme, Ausrüstung und Bestandteile a)
195. 1. Technische Anmerkungen:
196. 6. a)
197. 2. a)
198. 5B2Prüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen
199. 5B002a)
200. 5C2Werkstoffe und Materialien
201. 5D2Datenverarbeitungsprogramme (Software)
202. 5E2Technologie
203. KATEGORIE 6 SENSOREN UND LASER
204. 6ASysteme, Ausrüstung und Bestandteile a)
205. 1. a)
206. 3. a)

DER RAT DER EUROPÄISCHEN UNION —

gestützt auf den Vertrag zur Gründung der Europäischen Gemeinschaft, insbesondere auf Artikel 133,

auf Vorschlag der Kommission,

in Erwägung nachstehender Gründe:

(1) Gemäß der Verordnung (EG) Nr. 1334/2000 müssen Güter mit doppeltem Verwendungszweck (einschließlich Software und Technologien) bei ihrer Ausfuhr aus der Gemeinschaft wirksam kontrolliert werden.

(2) Damit die Mitgliedstaaten und die Gemeinschaft ihren internationalen Verpflichtungen nachkommen können, enthält Anhang I der genannten Verordnung die gemeinsame Liste der Güter und Technologien mit doppeltem Verwendungszweck, auf die in Artikel 3 der genannten Verordnung verwiesen wird und mit der die international vereinbarten Kontrollen dieser Güter und Technologien — einschließlich der Wassenaar-Vereinbarung, des Trägertechnologie-Kontrollsystems (Missile Technology Control Regime — MTCR), der Gruppe der Nuklearen Lieferländer (Nuclear Suppliers' Group — NSG), der Australiengruppe und des Chemiewaffen-Übereinkommens (CWC) — umgesetzt werden.

(3) Artikel 11 der genannten Verordnung sieht vor, dass Anhang I und Anhang IV im Einklang mit den einschlägigen Verpflichtungen und Bindungen und deren Änderungen, die jeder Mitgliedstaat als Mitglied der internationalen Nichtverbreitungsregime und Ausfuhrkontrollvereinbarungen oder durch die Ratifizierung einschlägiger internationaler Verträge übernommen hat, aktualisiert werden.

(4) Anhang I und Anhang IV der genannten Verordnung sollten geändert werden, um den Änderungen, die nach den Änderungen durch die Verordnung (EG) Nr. 1504/2004 im Rahmen der Wassenaar-Vereinbarung, der Australiengruppe, des Trägertechnologie-Kontrollsystems und der Gruppe der Nuklearen Lieferländer angenommen wurden, Rechnung zu tragen.

(5) Zur übersichtlicheren Gestaltung für die Ausfuhrkontrollbehörden und die Wirtschaftsakteure sollte eine aktualisierte und konsolidierte Fassung der Anhänge der genannten Verordnung veröffentlicht werden.

(6) Die Verordnung (EG) Nr. 1334/2000 sollte entsprechend geändert werden —

HAT FOLGENDE VERORDNUNG ERLASSEN:

Artikel 1

Die Anhänge der Verordnung (EG) Nr. 1334/2000 werden durch den Wortlaut im Anhang der vorliegenden Verordnung ersetzt.

Artikel 2

Diese Verordnung tritt am dreißigsten Tag nach ihrer Veröffentlichung im Amtsblatt der Europäischen Union in Kraft.

Diese Verordnung ist in allen ihren Teilen verbindlich und gilt unmittelbar in jedem Mitgliedstaat. Geschehen zu Brüssel am 27. Februar 2006. Im Namen des Rates Die Präsidentin U. Plassnik

ANNEX

ANHANG

ANHANG I LISTE DER DUAL-USE-GÜTER UND -TECHNOLOGIE (Gemäß Artikel 3 der Verordnung (EG) Nr. 1334/2000)

ALLGEMEINE ANMERKUNGEN ZU ANHANG I 1.2.3.

Für die Kontrolle von Gütern, die für militärische Zwecke entwickelt oder geändert sind, gelten die entsprechenden Kontrolllisten für militärische Güter, die von den einzelnen Mitgliedstaaten geführt werden. Bei den in Anhang I verwendeten Verweisen mit dem Inhalt SIEHE AUCH LISTE FÜR WAFFEN, MUNITION UND RÜSTUNGSMATERIAL sind genau diese Listen gemeint. Der Zweck der in Anhang I angegebenen Kontrollen darf nicht dadurch unterlaufen werden, dass nicht erfasste Güter (einschließlich Anlagen) mit einem oder mehreren erfassten Bestandteilen ausgeführt werden, wenn das (die) erfasste(n) Bestandteil(e) ein Hauptelement des Ausfuhrgutes ist (sind) und leicht entfernt oder für andere Zwecke verwendet werden kann (können). Anmerkung: Bei der Beurteilung darüber, ob das (die) erfasste(n) Bestandteil(e) ein Hauptelement bildet (bilden), müssen Menge, Wert und eingesetztes technologisches Know-how sowie andere besondere Bedingungen berücksichtigt werden. Die von Anhang I erfassten Güter umfassen sowohl neue als auch gebrauchte Güter.

NUKLEARTECHNOLOGIE-ANMERKUNG (NTA) (gültig im Zusammenhang mit Gattung E der Kategorie 0)

Die Kontrolle der Ausfuhr von Technologie, die direkt mit den von Kategorie 0 erfassten Gütern in Verbindung steht, erfolgt entsprechend den Vorgaben der Kategorie 0. Technologie für die Entwicklung, Herstellung oder Verwendung von erfassten Gütern bleibt auch dann erfasst, wenn sie für nicht erfasste Güter einsetzbar ist. Mit einer Genehmigung der Ausfuhr von Gütern wird auch die Ausfuhr der Technologie an denselben Endverwender genehmigt, die für Aufbau, Betrieb, Wartung und Reparatur der jeweiligen Güter unbedingt erforderlich ist. Die Beschränkungen hinsichtlich der Ausfuhr von Technologie gelten nicht für allgemein zugängliche Informationen oder wissenschaftliche Grundlagenforschung.

ALLGEMEINE TECHNOLOGIE-ANMERKUNG (ATA) (gültig im Zusammenhang mit Gattung E der Kategorien 1 bis 9)

Die Kontrolle der Ausfuhr von Technologie, die für die Entwicklung, Herstellung oder Verwendung der von den Kategorien 1 bis 9 erfassten Güter unverzichtbar ist, erfolgt entsprechend den Vorgaben der Kategorien 1 bis 9. Technologie, die für die Entwicklung, Herstellung oder Verwendung von erfassten Gütern unverzichtbar ist, bleibt auch dann erfasst, wenn sie für nicht erfasste Güter einsetzbar ist. Nicht erfasst ist Technologie, die das unbedingt notwendige Minimum für Aufbau, Betrieb, Wartung und Reparatur derjenigen Güter darstellt, die nicht erfasst sind oder für die eine Ausfuhrgenehmigung erteilt wurde. Anmerkung: Hierdurch werden die von den Unternummern 1E002e, 1E002f, 8E002a und 8E002b erfassten Reparatur-Technologien nicht freigestellt. Die Beschränkungen hinsichtlich der Ausfuhr von Technologie gelten nicht für allgemein zugängliche Informationen, wissenschaftliche Grundlagenforschung oder für die für Patentanmeldungen erforderlichen Informationen.

ALLGEMEINE SOFTWARE-ANMERKUNG (ASA) (Soweit in Gattung D der Kategorien 0 bis 9 Software erfasst wird, entfallen die Kontrollen, wenn nachstehende Voraussetzungen erfüllt sind.)

Die Gattungen der Kategorien 0 bis 9 dieser Liste erfassen keine Software, die entweder:

a)

frei erhältlich ist und oder Anmerkung: Buchstabe a der Allgemeinen Software-Anmerkung stellt keine Software frei, die von Kategorie 5, Teil 2 (Informationssicherheit) erfasst wird.

1. im Einzelhandel ohne Einschränkungen mittels einer der folgenden Geschäftspraktiken verkauft wird: und

1. a)

Barverkauf,

b)

Versandverkauf,

c)

Verkauf über elektronische Medien oder

d)

Telefonverkauf

2. dazu entwickelt ist, vom Benutzer ohne umfangreiche Unterstützung durch den Anbieter installiert zu werden,

b)

allgemein zugänglich ist.

BEGRIFFSBESTIMMUNGEN Anmerkung:

Begriffe in einfachen Anführungszeichen werden in einer Anmerkung zu dem entsprechenden Eintrag erläutert. Begriffe in doppelten Anführungszeichen werden in folgenden Begriffsbestimmungen erläutert: Ergänzende Anmerkung: Der Bezug zur Kategorie steht in Klammern nach dem definierten Begriff.

Abgereichertes Uran (0) (depleted uranium): Uran, dessen Gehalt an 235U-Isotopen so verringert wurde, dass er geringer ist als bei natürlichem Uran.

Abschrecken aus der Schmelze (1) (splat quenching): ein Verfahren, bei dem der Strom einer Metallschmelze zur schnellen Erstarrung auf einen Abschreck-Block aufprallt, wobei ein flockiges Erzeugnis entsteht. Anmerkung:Schnelle Erstarrung (solidify rapidly) ist die Erstarrung geschmolzenen Materials bei Abkühlungsraten größer als 1000 K/s.

Abstimmbar (6) (tunable): die Fähigkeit eines Lasers, eine Ausgangsstrahlung mit jeder beliebigen Wellenlänge über den Bereich von mehreren Laserübergängen zu erzeugen. Ein Laser, der verschiedene auswählbare Linien mit diskreten Wellenlängen innerhalb eines Laserübergangs erzeugt, gilt nicht als abstimmbar.

Aktives Bildelement (6 8) (active pixel): das kleinste Einzelelement einer Halbleiter-Matrix (Sensor), das eine fotoelektrische Übertragungsfunktion hat, wenn es Licht (elektromagnetischer Strahlung) ausgesetzt ist.

Aktives Flugsteuerungssystem (7) (active flight control system): Funktionseinheit zur Vermeidung unerwünschter Luftfahrzeug- und Flugkörperbewegungen oder unerwünschter Strukturbelastungen durch die autonome Verarbeitung der von mehreren Sensoren gelieferten Signale und die Bereitstellung der erforderlichen Steuerbefehle für die automatische Steuerung.

Alle verfügbaren Kompensationen (2) (all compensation available): alle dem Hersteller zur Verfügung stehenden Maßnahmen zur Minimierung aller systematischer Positionsfehler für die betreffende Werkzeugmaschine sind berücksichtigt.

Allgemein zugänglich (ASA ATA NTA) (in the public domain): bezieht sich auf Technologie oder Software, die ohne Beschränkung ihrer weiteren Verbreitung erhältlich ist (Copyright-Beschränkungen heben die allgemeine Zugänglichkeit nicht auf).

Anwenderzugängliche Programmierbarkeit (6) (user accessible programmability): die Möglichkeit für den Anwender, Programme einzufügen, zu ändern oder auszutauschen durch andere Maßnahmen als durch

pt_8 a)

eine physikalische Veränderung der Verdrahtung oder von Verbindungen oder

b)

das Setzen von Funktionsbedienelementen einschließlich Parametereingaben.

Äquivalente Dichte (6) (equivalent density): die Masse einer Optik pro Einheit der optischen Fläche, die auf die optisch wirksame Oberfläche projiziert wird.

Asymmetrischer Algorithmus (5) (asymmetric algorithm): ein kryptografischer Algorithmus, der für die Verschlüsselung und die Entschlüsselung unterschiedliche, mathematisch miteinander verknüpfte Schlüssel verwendet. Anmerkung: Eine übliche Anwendung asymmetrischer Algorithmen ist das Schlüsselmanagement.

Auflösung (2) (resolution): das kleinste Inkrement einer Messeinrichtung, bei digitalen Geräten das kleinste bedeutsame Bit (Bezug: ANSI B-89.1.12).

Automatische Zielverfolgung (6) (automatic target tracking): ein Verarbeitungsverfahren, bei dem automatisch ein extrapolierter Wert der wahrscheinlichsten Position des Ziels in Echtzeit ermittelt und ausgegeben wird.

Bahnsteuerung (2) (contouring control): zwei oder mehr numerisch gesteuerte Bewegungen, die nach Befehlen ausgeführt werden, welche die nächste benötigte Position und die zum Erreichen dieser Position benötigten Vorschubgeschwindigkeiten vorgeben. Diese Vorschubgeschwindigkeiten werden im Verhältnis zueinander so geändert, dass eine gewünschte Bahn erzeugt wird (Bezug: ISO/DIS 2806-1980).

Band (1) (tape): ein Material aus geflochtenen oder in eine Richtung verlaufenden Einzelfäden (monofilaments), Litzen, Faserbündeln (rovings), Seilen oder Garnen usw., die normalerweise mit Harz imprägniert sind. Anmerkung:Litze (strand): ein Bündel von typischerweise mehr als 200 Einzelfäden (monofilaments), die annähernd parallel verlaufen.

Besonderes spaltbares Material (0) (special fissile material): Plutonium-239, Uran-233, mit den Isotopen 235 oder 233 angereichertes Uran und jedes Material, das die vorgenannten Stoffe enthält.

Bildverarbeitung (4) (image enhancement): Verarbeitung von außen abgeleiteter, informationstragender Bilddaten durch Algorithmen wie Zeitkompression, Filterung, Auszug, Auswahl, Korrelation, Konvolution oder Transformation zwischen Bereichen (z. B. Fast-Fourier-Transformation oder Walsh-Transformation). Dazu gehören keine Algorithmen, die nur lineare oder Drehtransformation eines einzelnen Bildes verwenden wie Translation, Merkmalauszug, Bilderfassung oder Falschfarbendarstellung.

CE: siehe Rechenelement.

CEP-Wert (7) ((Kreisfehlerwahrscheinlichkeit) CEP — circle of equal probability): ein Maß für die Genauigkeit; der Wert wird als der Radius des bei einer spezifischen Entfernung auf das Ziel zentrierten Kreises definiert, innerhalb dessen die Nutzlasten in 50 % der Fälle auftreffen.

Chemischer Laser (6) (chemical laser): ein Laser, bei dem die angeregten Elemente durch die Ausgangsenergie einer chemischen Reaktion erzeugt werden.

CTP: siehe zusammengesetzte theoretische Verarbeitungsrate (composite theoretical performance).

Datenbankgestützte Navigationssysteme (7) (Data-Based Referenced Navigation, DBRN): Systeme, die verschiedene Quellen von vorher gemessenen geophysikalischen Daten kombinieren, um exakte Navigationsdaten unter veränderlichen Bedingungen bereitzustellen. Solche Datenquellen schließen Tiefseekarten, Sternenkarten, Gravitationskarten, Magnetismuskarten oder digitale 3-D-Geländekarten ein.

DBRN (7): siehe Datenbankgestützte Navigationssysteme (Data-Based Referenced Navigation).

Diffusionsschweißen (1 2 9) (diffusion bonding): molekulares Zusammenfügen von mindestens zwei verschiedenen Metallen im festen Zustand zu einem Stück mit einer Festigkeit der Schweißverbindung, die der des schwächsten Werkstoffs entspricht.

Digitale Übertragungsrate (digital transfer rate): die gesamte Informationsbitrate, die direkt über ein beliebiges Medium übertragen wird. Anmerkung: Siehe auch gesamte digitale Übertragungsrate.

Digitalrechner (4 5) (digital computer): Geräte, die alle folgenden Operationen in Form einer oder mehrerer diskreter Variablen ausführen können: Anmerkung: Veränderungen einer gespeicherten Befehlsfolge schließen den Austausch von festprogrammierten Speichervorrichtungen mit ein, nicht aber physische Veränderungen der Verdrahtung oder von Verbindungen.

pt_25 a)

Daten aufnehmen,

b)

Daten oder Befehle in einem festen oder veränderbaren (beschreibbaren) Speicher speichern,

c)

Daten durch eine gespeicherte und veränderbare Befehlsfolge verarbeiten und

d)

Daten ausgeben.

Drehmomentausgleichs- oder Richtungssteuerungssysteme mit regelbarer Zirkulation (7) (circulation-controlled anti-torque or circulation controlled direction control systems): Systeme, bei denen Luft über aerodynamische Oberflächen geblasen wird, um die von den Oberflächen erzeugten Luftkräfte zu erhöhen oder zu steuern.

Driftrate (Kreisel) (7) (drift rate (gyro)): Abweichung des Kreiselausgangssignals vom Sollwert als Funktion der Zeit. Die Abweichung besteht aus statistisch verteilten und systematischen Komponenten und wird als äquivalente Winkelverschiebung pro Zeiteinheit in Bezug auf den Inertialraum ausgedrückt.

Druckmessgeräte (2) (pressure transducers): Geräte, die Druckmessungen in elektrische Signale umwandeln.

Dynamisch adaptive Leitweglenkung (5) (dynamic adaptive routing): automatische Verkehrsumleitung, basierend auf Erkennung und Auswertung des momentanen aktuellen Netzzustandes. Anmerkung: Hierzu gehören keine Verkehrsleitungsentscheidungen, die auf vorher festgelegter Information beruhen.

Dynamische Signalanalysatoren (3) (dynamic signal analysers): Signalanalysatoren, die digitale Abtast- und Umsetzungsverfahren verwenden, um eine Fourier-Spektren-Darstellung der vorhandenen Wellenform einschließlich Amplituden- und Phaseninformation zu liefern.

Echtzeit-Bandbreite (2 3) (real-time bandwidth): bei dynamischen Signalanalysatoren die größte Frequenzbandbreite, die der Analysator zur Anzeige oder Massenspeicherung ausgeben kann, ohne bei der Analyse der Eingabedaten eine Unstetigkeit zu verursachen. Bei Analysatoren mit mehr als einem Kanal wird für die Berechnung die Kanalanordnung verwendet, die die größte Echtzeit-Bandbreite ergibt.

Echtzeitverarbeitung (6 7) (real-time processing): Verarbeitung von Daten durch ein Rechnersystem, das in Abhängigkeit der verfügbaren Mittel eine bestimmte Leistung innerhalb einer garantierten Antwortzeit als Reaktion auf ein äußeres Ereignis erbringt, unabhängig von der aktuellen Systemauslastung.

Effektives Gramm (0 1) (effective gramme): von besonderem spaltbarem Material ist

pt_33 a)

für Plutonium und Uran-233 die Isotopen-Masse in Gramm,

b)

für angereichertes Uran mit 1 % oder mehr Uran-235 die Uran-Masse in Gramm multipliziert mit dem Quadrat seiner Anreicherung (in dezimaler Schreibweise),

c)

für angereichertes Uran mit weniger als 1 % Uran-235 die Uran-Masse in Gramm multipliziert mit 0,0001.

Einstellzeit (3) (settling time): die Zeit, welche der Ausgang beim Umschalten zwischen zwei beliebigen Werten benötigt, um bis auf ein halbes Bit den Endwert zu erreichen.

Einzelfaden (1) (monofilament): die kleinste Unterteilung einer Faser, normalerweise mit einem Durchmesser von einigen μm.

Elektronische Baugruppe (2 3 4 5) (electronic assembly): eine Anzahl elektronischer Bauelemente (d. h. Schaltungselemente, diskrete Bauelemente, integrierte Schaltungen u. ä.), die miteinander verbunden sind, um eine bestimmte Funktion oder mehrere bestimmte Funktionen zu erfüllen. Die elektronische Baugruppe ist als Ganzes austauschbar und normalerweise demontierbar. Anmerkung 1:Schaltungselement (circuit element): eine einzelne aktive oder passive Funktionseinheit einer elektronischen Schaltung, z. B. eine Diode, ein Transistor, ein Widerstand, ein Kondensator. Anmerkung 2:Diskretes Bauelement (discrete component): ein in einem eigenen Gehäuse befindliches Schaltungselement mit eigenen äußeren Anschlüssen.

Elektronisch phasengesteuerte Antennengruppen (5 6) (electronically steerable phased array antenna): eine Antenne, deren Strahl durch Phasenkopplung gebildet wird (d. h. die Strahlungsrichtung wird durch die komplexen Erregungskoeffizienten der Strahlerelemente gesteuert), und die Strahlungsrichtung (beim Senden und beim Empfang) kann durch ein elektrisches Signal im Azimut und/oder Höhenwinkel verändert werden.

Endeffektoren (2) (end-effectors): umfassen Greifer, aktive Werkzeugeinheiten und alle anderen Werkzeuge, die am Anschlussflansch am Ende des Roboter-Greifarms bzw. der -Greifarme angebaut sind. Anmerkung:Aktive Werkzeugeinheit (active tooling unit): eine Einrichtung, die dem Werkzeug Bewegungskraft, Prozessenergie oder Sensorsignale zuführt.

Entwicklung (ATA NTA 0 bis 9) (development): schließt alle Stufen vor der Serienfertigung ein, z. B. Konstruktion, Forschung, Analyse, Konzepte, Zusammenbau und Test von Prototypen, Pilotserienpläne, Konstruktionsdaten, Verfahren zur Umsetzung der Konstruktionsdaten ins Produkt, Konfigurationsplanung, Integrationsplanung, Lay-out.

Erfassungsbereich (6) (instrumented range): der spezifizierte Sichtanzeigebereich eines Radargeräts, in dem Ziele eindeutig dargestellt werden.

Expertensysteme (7) (expert systems): Systeme, die Ergebnisse durch Anwendungen von Regeln auf Daten erzielen, die unabhängig von einem Programm gespeichert sind, mit einer der folgenden Fähigkeiten:

pt_41 a)

automatische Modifikation des vom Benutzer eingegebenen Quellcodes,

b)

Bereitstellung von Kenntnissen zu Problemklassen in quasi-natürlicher Sprache oder

c)

Erwerb des zur systemeigenen Weiterentwicklung nötigen Wissens (symbolisches Training).

FADEC: siehe Volldigitale Triebwerksregelung (full authority digital engine control).

Faserbündel (1) (roving): ein Bündel von typischerweise 12-120 annähernd parallel verlaufenden Litzen. Anmerkung:Litze (strand): ein Bündel von typischerweise mehr als 200 Einzelfäden (monofilaments), die annähernd parallel verlaufen.

Faser- oder fadenförmige Materialien (0 1 2 8) (fibrous or filamentary materials): umfassen

pt_44 a)

endlose Einzelfäden (monofilaments),

b)

endlose Garne und Faserbündel (rovings),

c)

Bänder, Webwaren, regellos geschichtete Matten und Flechtwaren,

d)

geschnittene Fasern, Stapelfasern und zusammenhängende Oberflächenvliese,

e)

frei gewachsene Mikrokristalle (Whiskers), monokristallin oder polykristallin, in jeder Länge,

f)

Pulpe aus aromatischen Polyamiden.

Fehlertoleranz (4) (fault tolerance): die Fähigkeit eines Rechnersystems, nach beliebiger Fehlfunktion einer beliebigen Hardware- oder Softwarekomponente ohne menschlichen Eingriff mit einer bestimmten Leistung weiterzuarbeiten, die eine Aufrechterhaltung des Betriebs, die Datenintegrität und die Wiederherstellung der vollen Funktionsfähigkeit innerhalb einer bestimmten Zeit garantiert.

Fest (5) (fixed): die Codier- oder Kompressions-Algorithmen sind nicht durch externe Parameter (z. B.: kryptografische oder Schlüssel-Variable) beeinflussbar und können nicht durch den Anwender geändert werden.

Flugkörper (1 3 6 7 9) (missiles): vollständige Raketensysteme und unbemannte Luftfahrzeugsysteme, die eine Nutzlast von mindestens 500 kg über eine Reichweite von mindestens 300 km verbringen können.

Flugwegoptimierung (7) (flight path optimisation): ein Verfahren, mittels dessen Abweichungen von einem vierdimensionalen (Raum und Zeit) gewünschten Flugweg auf der Grundlage einer Maximierung der Leistung oder Effektivität für Einsätze minimiert werden.

Focal plane array (6): eine lineare oder zweidimensionale planare Schicht aus einzelnen Detektorelementen bzw. die Kombination aus mehreren solchen Schichten, die in der fokalen Ebene arbeitet. Die Detektorelemente können sowohl mit als auch ohne Ausleseelektronik sein. Anmerkung: Diese Definition beschreibt keine schichtweise Anordnung (Stack) von einzelnen Detektorelementen oder beliebige Detektoren mit zwei, drei oder vier Elementen, vorausgesetzt, sie arbeiten nicht nach dem Time-delay-and-integration-Prinzip.

Frequenzsprung (Radar) (6) (radar frequency agility): jedes Verfahren, bei dem die Trägerfrequenz eines Impulsradarsenders in pseudo-zufälliger Folge zwischen einzelnen Radarimpulsen oder Gruppen von Radarimpulsen um einen Betrag verändert wird, der gleich der oder größer als die Bandbreite des Radarimpulses ist.

Frequenzsprungverfahren (5) (frequency hopping): ein Verfahren des gespreizten Spektrums. Dabei wird die Übertragungsfrequenz eines einzelnen Nachrichtenkanals durch eine zufällige oder pseudozufällige Folge von diskreten Stufen geändert.

Frequenz-Syntheziser (3) (frequency syntheziser): ungeachtet der im Einzelfall benutzten Technik jede Art von Frequenzquelle oder Messsender, die an einem oder mehreren Ausgängen eine Vielfalt gleichzeitig oder abwechselnd vorhandener Ausgangsfrequenzen liefert, die durch eine kleinere Anzahl von Normal- oder Steuerfrequenzen geregelt, von ihr abgeleitet oder von ihr gesteuert sind.

Frequenzumschaltzeit (3 5) (frequency switching time): die maximal benötigte Zeit (d. h. Verzögerung) eines Signals bei der Umschaltung von einer gewählten Ausgangsfrequenz zu einer anderen gewählten Ausgangsfrequenz zur Erreichung einer der folgenden Eigenschaften:

pt_53 a)

einer Frequenz innerhalb von 100 Hz der Endfrequenz oder

b)

eines Ausgangspegels innerhalb von 1,0 dB des Endausgangspegels.

Für den Kriegsgebrauch (1) (adapted for use in war): jede Änderung oder zielgerichtete Auslese (z. B. Änderung der Reinheit, Lagerbeständigkeit, Virulenz, Verbreitungsmerkmale oder Widerstandsfähigkeit gegen UV-Strahlung), die für die Steigerung der Wirksamkeit bei der Außergefechtsetzung von Menschen oder Tieren, der Schädigung von Ausrüstung oder Vernichtung von Ernten oder der Umwelt ausgeführt wird.

Garn (1) (yarn): ein Bündel von verdrillten Litzen. Anmerkung:Litze (strand): ein Bündel von typischerweise mehr als 200 Einzelfäden (monofilaments), die annähernd parallel verlaufen.

Gaszerstäubung (1) (gas atomisation): ein Verfahren, bei dem der Strom einer Metalllegierungsschmelze durch einen Hochdruck-Gasstrom zu Tröpfchen mit einem Durchmesser kleiner/gleich 500 μm zerstäubt wird.

Genauigkeit (2 6) (accuracy): die maximale positive oder negative Abweichung eines angezeigten Wertes von einem anerkannten Richtmaß oder dem wahren Wert. Sie wird gewöhnlich als Ungenauigkeit (Positionsunsicherheit, Messunsicherheit) gemessen.

Geografisch verteilt (6) (geografically dispersed): Sensoren gelten als geografisch verteilt, wenn der Abstand zwischen jedem Sensor mehr als 1500 m in jeder Richtung beträgt. Mobile Sensoren gelten grundsätzlich als geografisch verteilt.

Gesamte digitale Übertragungsrate (5) (total digital transfer rate): die Anzahl Bits einschließlich der für Leitungscodierung, Overhead usw. pro Zeiteinheit, die zwischen korrespondierenden Geräten in einem digitalen Übertragungssystem übertragen wird. Anmerkung: Siehe auch digitale Übertragungsrate.

Gesamtstromdichte (3) (overall current density): die Gesamtzahl der Amperewindungen in der Spule (das ist die Summe der Windungen multipliziert mit dem maximalen Strom, der in jeder Windung fließt), geteilt durch die gesamte Querschnittfläche der Spule (einschließlich der supraleitenden Drähte, der metallischen Matrizen, in denen die supraleitenden Drähte eingebettet sind, des Ummantelungsmaterials, aller Kühlkanäle u. ä.).

Gespreiztes-Spektrum-Verfahren (5) (spread spectrum): die Technik, bei der die Energie in einem relativ engen Nachrichtenkanal über ein wesentlich breiteres Spektrum verteilt wird.

Gespreiztes Spektrum (Radar) (6) (radar spread spectrum): jedes Modulationsverfahren, um die Bandbreite des relativ schmalbandigen Spektrums eines Signals durch Zufalls- oder Pseudozufallscodierung zu verbreitern.

Gütegeschalteter Laser (6) (Q-switched laser): ein Laser, bei dem die Energie in der Besetzungsinversion oder im optischen Resonator gespeichert und nachfolgend in einem Puls emittiert wird.

Hauptbestandteil (4) (principal element): ein Bestandteil, dessen Austauschwert mehr als 35 % des Gesamtwertes für das vollständige System beträgt. Bestandteilwert ist der vom Systemhersteller oder -integrator für den Bestandteil gezahlte Preis. Gesamtwert ist der übliche internationale Verkaufspreis an unverbundene Käufer im Zeitpunkt der Fertigstellung oder Lieferung.

Hauptspeicher (4) (main storage): Primärspeicher für Daten oder Befehle zum schnellen Zugriff durch eine Zentraleinheit. Er besteht aus dem internen Speicher eines Digitalrechners und jeder Art von hierarchischer Erweiterung wie Pufferspeicher (cache) oder zusätzliche Speicher mit nichtsequenziellem Direktzugriff.

Hauptsteuerung (7) (primary flight control): Steuerorgane zum Stabilisieren oder Manövrieren eines Luftfahrzeugs unter Verwendung von Kraft/Momenterzeugern, d. h. aerodynamischer Steuerflächen oder Schubvektorsteuerung.

Heißisostatisches Verdichten (2) (hot isostatic densification): ein Verfahren, bei dem ein Gussstück bei Temperaturen größer als 375 K (+ 102 °C) in einer geschlossenen Kammer über ein Medium (Gas, Flüssigkeit, Feststoffteilchen, usw.) gleichmäßig in allen Richtungen so mit Druck beaufschlagt wird, dass Hohlräume im Innern des Gussstücks verkleinert oder beseitigt werden.

Herstellung (ATA NTA 0 bis 9) (production): schließt alle Fabrikationsstufen ein, z. B. Fertigungsvorbereitung, Fertigung, Integration, Zusammenbau, Kontrolle, Prüfung (Test), Qualitätssicherung.

Herstellungsanlagen (7 9) (production facilities): Ausrüstung und besonders entwickelte Software hierfür, eingebaut in Anlagen für die Entwicklung oder für eine oder mehrere Phasen der Herstellung.

Herstellungsausrüstung (1 7 9) (production equipment): Werkzeuge, Schablonen, werkzeugführende Vorrichtungen, Dorne, Gussformen, Gesenke, Spann- und Ausrichtungsvorrichtungen, Prüfeinrichtungen sowie andere Einrichtungen und Bestandteile hierfür, besonders konstruiert oder geändert für die Entwicklung oder für eine oder mehrere Phasen der Herstellung.

Hybridrechner (4) (hybrid computer): Geräte, die alle folgenden Operationen ausführen können:

pt_71 a)

Daten aufnehmen,

b)

Daten sowohl in analoger als auch in digitaler Darstellung verarbeiten und

c)

Daten ausgeben.

Hydrostatisches Umformen mit direkter Druckbeaufschlagung (2) (direct acting hydraulic pressing): ein Umformverfahren, bei dem ein flüssigkeitsgefülltes, elastisches Kissen in unmittelbarem Kontakt mit dem Werkstück steht.

Immunotoxin (1) (immunotoxin): ein Konjugat eines zellspezifischen monoklonalen Antikörpers und eines Toxins oder einer Toxinuntereinheit, das selektiv erkrankte Zellen befällt.

Impfstoff (1) (vaccine): ein Arzneimittel, das dazu bestimmt ist, eine schützende Immunreaktion bei Menschen oder Tieren zur Verhütung einer Erkrankung derjenigen, denen es verabreicht wurde, hervorzurufen, und das in einer Darreichungsform (pharmaceutical formulation) von der zuständigen Behörde des Herstellungs- oder Verbrauchslandes für das Inverkehrbringen oder die klinische Prüfung genehmigt oder zugelassen wurde.

Impulskompression (6) (pulse compression): die Codierung und Verarbeitung eines Radarimpulses großer Impulsbreite mit dem Resultat eines Impulses geringerer Breite unter Beibehaltung der Vorteile hoher Impulsenergie.

Informationssicherheit (4 5) (information security): sämtliche Mittel und Funktionen, die die Zugriffsmöglichkeit, die Vertraulichkeit oder Unversehrtheit von Information oder Kommunikation sichern, ausgenommen die Mittel und Funktionen zur Absicherung gegen Funktionsstörungen. Eingeschlossen sind: Kryptotechnik, Kryptoanalyse, Schutz gegen kompromittierende Abstrahlung und Rechnersicherheit. Anmerkung:Kryptoanalyse (cryptanalysis): die Analyse eines Kryptosystems oder seiner Eingänge und Ausgänge, um vertrauliche variable oder sensitive Daten einschließlich Klartext abzuleiten.

Innenbeschichtung (9) (interior lining): geeignet für die Nahtstelle zwischen dem Festtreibstoff und dem Gehäuse oder der Isolierschicht; normalerweise eine flüssige Dispersion auf Polymerbasis aus feuerfestem oder isolierendem Material, z. B. kohlenstoffgefülltes Hydroxyl Terminated Polybutadiene (HTPB) oder ein anderes Polymer mit Aushärtungszusatz, mit dem das Gehäuseinnere durch Besprühen oder Aufziehen beschichtet wird.

Integrierte Hybrid-Schaltung (3) (hybrid integrated circuit): jede Kombination aus integrierten Schaltungen oder integrierter Schaltung mit Schaltungselementen oder diskreten Bauelementen, die miteinander verbunden sind, um eine bestimmte Funktion oder mehrere bestimmte Funktionen zu erfüllen, mit allen folgenden Eigenschaften: Anmerkung 1:Schaltungselement (circuit element): eine unteilbare aktive oder passive Funktionseinheit einer elektronischen Schaltung, z. B. eine Diode, ein Transistor, ein Widerstand, ein Kondensator. Anmerkung 2:Diskretes Bauelement (discrete component): ein in einem eigenen Gehäuse befindliches Schaltungselement mit eigenen äußeren Anschlüssen.

pt_78 a)

mit mindestens einem Bauelement ohne eigenes Gehäuse,

b)

miteinander verbunden unter Verwendung typischer IC-Herstellungsverfahren,

c)

als Ganzes austauschbar und

d)

üblicherweise nicht zerlegbar.

Integrierte Multichip-Schaltung (3) (multichip integrated circuit): zwei oder mehrere monolithisch integrierte Schaltungen, die auf ein gemeinsames Substrat aufgebracht sind.

Integrierte optische Schaltung (3) (optical integrated circuit): eine monolithisch integrierte Schaltung oder eine integrierte Hybrid-Schaltung mit einem oder mehreren integrierten Elementen, die als Fotosensor oder Fotosender oder zur Durchführung einer optischen oder elektrooptischen Funktion oder mehrerer optischer oder elektrooptischer Funktionen konstruiert sind.

Integrierte Schichtschaltung (3) (film type integrated circuit): eine Anordnung von Schaltungselementen und metallischen Leitverbindungen, die durch Abscheiden einer dicken oder dünnen Schicht auf einem isolierenden Substrat gebildet wird. Anmerkung:Schaltungselement (circuit element): eine einzelne aktive oder passive Funktionseinheit einer elektronischen Schaltung, z. B. eine Diode, ein Transistor, ein Widerstand, ein Kondensator.

Intrinsische Magnetfeldgradientenmesser (6) (intrinsic magnetic gradiometers): Geräte zur Messung des Gradienten eines Magnetfelds, die einen einzelnen Magnetfeldgradienten-Messwertaufnehmer sowie zugehörige Elektronikschaltungen enthalten und ein zum gemessenen Magnetfeldgradienten proportionales Ausgangssignal liefern. Anmerkung: Siehe auch Magnetfeldgradientenmesser.

Isolierte lebende Kulturen (1) (isolated live cultures): schließen lebende Kulturen in gefrorener Form und als Trockenpräparat ein.

Isolierung (9) (insulation): für die Bestandteile eines Raketenmotors (d. h. Gehäuse, Düseneinlass, Gehäusedeckel); schließt gehärtetes oder halbgehärtetes Gummiverbundmaterial ein, das isolierendes oder feuerfestes Material enthält, und kann auch zur Spannungsentlastung eingebracht sein.

Isostatische Pressen (2) (isostatic presses): haben eine geschlossene Druckkammer, in der über verschiedene Medien (Gas, Flüssigkeit, Feststoffteilchen) ein in allen Richtungen gleicher, auf Werkstück oder Werkstoff wirkender Druck erzeugt wird.

Kernreaktor (0) (nuclear reactor): umfasst alle Bauteile im Inneren des Reaktorbehälters oder die mit dem Reaktorbehälter direkt verbundenen Bauteile, die Einrichtungen für die Steuerung des Leistungspegels des Reaktorkerns und die Bestandteile, die üblicherweise das Primärkühlmittel des Reaktorkerns enthalten und damit in unmittelbaren Kontakt kommen oder es steuern.

Kohlenstofffaser-Preform (1) (carbon fibre preform): eine geregelte Anordnung unbeschichteter oder beschichteter Fasern für die Errichtung der Rahmenkonstruktion von einem Teil, bevor die Matrix zur Bildung eines Verbundwerkstoffs eingefügt wird.

Kombinierter Schwenkrundtisch (2) (compound rotary table): ein Tisch, mit dem ein Werkstück in zwei nicht parallelen Achsen gedreht und geschwenkt werden kann, wobei die Achsen simultan durch eine Bahnsteuerung koordiniert werden können.

Kommunikationskanalsteuerung (4) (communications channel controller): physikalische Schnittstelle zur Steuerung des Ablaufs von synchronen oder asynchronen digitalen Datenströmen. Es handelt sich um eine Baugruppe, die in Rechner oder in Telekommunikationseinrichtungen integriert werden kann, um Kommunikation zu ermöglichen.

Kritische Temperatur (auch als Sprungtemperatur bezeichnet) (1 3 6) (critical temperature (or transition temperature)) eines speziellen supraleitenden Materials ist die Temperatur, bei der das Material den Widerstand gegen den Gleichstromfluss vollständig verliert.

Kryptotechnik (5) (cryptografy): die Technik der Prinzipien, Mittel und Methoden zur Transformation von Daten, um ihren Informationsinhalt unkenntlich zu machen, ihre unbemerkte Änderung oder ihren unerlaubten Gebrauch zu verhindern. Kryptotechnik beschränkt sich auf die Transformation von Informationen unter Benutzung eines oder mehrerer geheimer Parameter (z. B. Schlüssel-Variable) oder des zugehörigen Schlüssel-Managements. Anmerkung:Geheimer Parameter (secret parameter): eine Konstante oder ein Schlüssel, der vor anderen geheim gehalten wird oder nur innerhalb einer Gruppe bekannt ist.

Laser (0 2 3 5 6 7 8 9) (laser): eine Anordnung von Bauteilen zum Erzeugen von räumlich und zeitlich kohärentem Licht, das durch stimulierte Emission von Strahlung verstärkt wird. Anmerkung: siehe auch

Chemische Laser,

Gütegeschaltete Laser,

Super-High Power Laser,

Transfer-Laser.

Leistungsmanagement (7) (power management): verändert die auf das Höhenmessersignal übertragene Leistung so, dass die erhaltene Leistung in der Luftfahrzeug-Höhe stets die geringstnötige zur Bestimmung der Höhe ist.

Linearität (2) (linearity): die maximale Abweichung der Ist-Kennlinie (Mittelwert der oberen und unteren Messwerte), in positiver oder negativer Richtung, von einer Geraden, die so gelegt ist, dass die größten Abweichungen ausgeglichen und so klein wie möglich gehalten werden.

Local Area Network (4) (local area network): ein Datenkommunikationssystem mit allen folgenden Eigenschaften: Anmerkung:Datengerät (data device): Geräte, die digitale Datenfolgen senden oder empfangen können.

pt_95 a)

es erlaubt die direkte Kommunikation einer beliebigen Anzahl unabhängiger Datengeräte miteinander, und

b)

es ist beschränkt auf einen engen geografischen Bereich (z. B. Bürohaus, Fabrik, Universitätsgelände, Warenhaus).

Luftfahrtgerät nach dem Prinzip leichter-als-Luft (9) (lighter-than-air-vehicles): Ballone und Luftschiffe, deren Auftrieb auf der Verwendung von Heißluft oder Gasen mit einer geringeren Dichte als die der Umgebungsluft, wie zum Beispiel Helium oder Wasserstoff, beruht.

Luftfahrzeug (1 7 9) (aircraft): ein Fluggerät mit feststehenden, schwenkbaren oder rotierenden (Hubschrauber) Tragflächen, mit Kipprotoren oder Kippflügeln. Anmerkung: Siehe auch zivile Luftfahrzeuge.

Magnetfeldgradientenmesser (6) (magnetic gradiometers): Geräte zur Messung der räumlichen Veränderung der Magnetfelder von Quellen außerhalb des Geräts. Ein Magnetfeldgradientenmesser besteht aus mehreren Magnetometern sowie zugehörigen Elektronikschaltungen, deren Ausgangssignal ein Maß für den Magnetfeldgradienten ist. Anmerkung: Siehe auch intrinsische Magnetfeldgradientenmesser.

Magnetometer (6) (magnetometers): Geräte zur Messung der Magnetfelder von Quellen außerhalb des Geräts. Ein Magnetometer besteht aus einem einzelnen Magnetfeld-Messwertaufnehmer sowie zugehörigen Elektronikschaltungen und liefert ein zum gemessenen Magnetfeld proportionales Ausgangssignal.

Matrix (1 2 8 9) (matrix): eine im Wesentlichen einheitliche Phase, die den Raum zwischen Partikeln, Whiskern oder Fasern füllt.

Mechanisches Legieren (1) (mechanical alloying): ein Legierungsverfahren, das sich aus der Bindung, Zerbrechung und Wiederbindung elementarer und Vorlegierungspulver durch mechanischen Aufprall ergibt. Nichtmetallische Teilchen können durch Zugabe des geeigneten Pulvers in die Legierung eingebracht werden.

Mehrfachdatenstromverarbeitung (4) (multi-data-stream processing): Mikroprogramm- oder Rechnerarchitektur-Technik zur simultanen Verarbeitung von mindestens zwei Datenfolgen unter der Steuerung mindestens einer Befehlsfolge, wie: Anmerkung:Mikroprogramm (microprogramme): eine in einem speziellen Speicherbereich dauerhaft gespeicherte Folge von elementaren Befehlen, deren Ausführung durch das Einbringen des Referenzbefehls in ein Befehlsregister eingeleitet wird.

pt_102 a)

SIMD (single instruction multiple data) für z. B. Vektor- oder Array-Rechner,

b)

MSIMD (multiple single instruction multiple data),

c)

MIMD (multiple instruction multiple data) einschließlich straff (tightly), eng (closely) oder lose (loosely) gekoppelter Architekturen oder

d)

strukturierte Anordnungen (Datenfelder) von Recheneinheiten einschließlich systolischer Array-Rechner.

Messunsicherheit (2) (measurement uncertainty): die Kenngröße, die angibt, in welchem Bereich um den angegebenen Wert der richtige Wert der Messgröße mit einer statistischen Sicherheit von 95 % liegt. Sie umfasst die nicht korrigierten, systematischen Abweichungen, die nicht korrigierte Umkehrspanne und die zufälligen Abweichungen (Bezug: ISO 10360-2 oder VDI/VDE 2617).

Mikrocomputer (3) (microcomputer microcircuit): eine monolithisch integrierte Schaltung oder integrierte Multichip-Schaltung mit einer arithmetischen Logikeinheit (ALU), die geeignet ist, allgemeine Befehle aus einem internen Speicher zur Abarbeitung von Daten, die in dem internen Speicher enthalten sind, auszuführen. Anmerkung: Der interne Speicher kann durch einen externen Speicher erweitert werden.

Mikroorganismen (1 2) (microorganisms): Bakterien, Viren, Mycoplasma, Rickettsiae, Chlamydiae oder Pilze in natürlicher, adaptierter oder modifizierter Form entweder in Form isolierter lebender Kulturen oder als Material, das gezielt mit solchen Kulturen geimpft oder kontaminiert wurde.

Mikroprozessor (3) (microprocessor microcircuit): eine monolithisch integrierte Schaltung oder integrierte Multichip-Schaltung mit einer arithmetischen Logikeinheit (ALU), die geeignet ist, eine Reihe allgemeiner Befehle von einem externen Speicher auszuführen. Anmerkung 1: Der Mikroprozessor enthält üblicherweise keinen anwenderzugänglichen Speicher als integralen Bestandteil, es kann jedoch auf dem Chip vorhandener Speicherplatz zur Erfüllung seiner Logikfunktionen genutzt werden. Anmerkung 2: Diese Definition schließt auch Chipsets ein, die entwickelt wurden, um zusammengeschaltet wie ein Mikroprozessor zu arbeiten.

Mischungen von Chemikalien (1) (chemical mixture): ein festes, flüssiges oder gasförmiges Produkt, zusammengesetzt aus zwei oder mehreren Komponenten, die unter den Bedingungen, unter denen die Mischung gelagert wird, nicht miteinander reagieren.

Mit den Isotopen 235 oder 233 angereichertes Uran (uranium enriched in the isotopes 235 or 233): Uran, das die Isotope 235 oder 233 oder beide zusammen im Verhältnis zum Isotop 238 in einer größeren Menge enthält als natürliches Uran (Isotopenverhältnis im natürlichen Uran: 0,71 %).

Miteinander verbundene Radarsensoren (6) (interconnected radar sensors): zwei oder mehrere Radarsensoren, die miteinander Daten in Echtzeit austauschen können.

Momentan-Bandbreite (3 5 7) (instantaneous bandwidth): die Bandbreite, bei der die Ausgangsleistung innerhalb einer Toleranz von 3 dB konstant bleibt, ohne dass andere Funktionsparameter angepasst werden müssen.

Monolithische Substrate (6) (substrate blanks): monolithische Verbindungen mit Abmessungen, die geeignet sind zur Herstellung optischer Bauteile wie Spiegel oder Linsen.

Monolithisch integrierte Schaltung (3) (monolithic integrated circuit): eine Kombination aus passiven oder aktiven Schaltungselementen oder aus beiden, die Anmerkung:Schaltungselement (circuit element): eine einzelne aktive oder passive Funktionseinheit einer elektronischen Schaltung, z. B. eine Diode, ein Transistor, ein Widerstand, ein Kondensator.

pt_112 a)

durch Diffusions-, Implantations- oder Abscheidungsverfahren in oder auf einem einzelnen Halbleiter-Substrat, einem so genannten Chip, gebildet sind,

b)

unteilbar miteinander verbunden sind und

c)

eine oder mehrere Funktionen einer Schaltung ausführen.

Monospektrale Bildsensoren (6) (monospectral imaging sensors): können Bilddaten von einem diskreten Spektralband erfassen.

Multispektrale Bildsensoren (6) (multispectral imaging sensors): können Bilddaten von zwei oder mehreren diskreten Spektralbändern gleichzeitig oder seriell erfassen. Sensoren mit mehr als zwanzig diskreten Spektralbändern werden auch als hyperspektrale Bildsensoren bezeichnet.

Natürliches Uran (0) (natural uranium): Uran mit einer natürlich vorkommenden Mischung von Isotopen.

Netzzugangssteuerung (4) (network access controller): physikalische Schnittstelle zu einem dezentralen Netzwerk. Hierbei wird ein gemeinsames Übertragungsmedium eingesetzt, das überall mit derselben digitalen Übertragungsrate arbeitet und beliebige Übermittlung durch das Netz bietet (z. B. Token oder Carrier sense). Es werden voneinander unabhängige Datenpakete oder Datengruppen, die entsprechend adressiert sind, angenommen (z. B. IEEE 802). Die Netzzugangssteuerung ist eine Baugruppe, die in Rechnern oder Telekommunikationseinrichtungen integriert sein kann, um diesen Telekommunikationszugang zu verschaffen.

Neuronaler Rechner (4) (neural computer): Rechengerät, konstruiert oder geändert zur Nachahmung des Verhaltens eines oder mehrerer Neuronen, d. h. ein Rechengerät, das durch seine Hardwareeigenschaften geeignet ist, die Gewichtungen und Anzahl von Verbindungen einer Vielzahl von Recheneinheiten in Abhängigkeit von verarbeiteten Daten zu regulieren.

(Nicht-) Vertragsstaaten des Chemiewaffenübereinkommens (1) (States (not) Party to the Chemical Weapons Convention): solche Staaten, die das Übereinkommen über das Verbot der Entwicklung, Herstellung, Lagerung und des Einsatzes chemischer Waffen (nicht) ratifiziert haben. (siehe: www.opcw.org)

Normierte Bandbreite (3) (fractional bandwidth): die Momentan-Bandbreite geteilt durch die Mittenfrequenz, angegeben in Prozent.

Nullpunkt (Beschleunigungsmesser) (7) (bias (accelerometer)): das von einem Beschleunigungsmesser ohne vorhandene Beschleunigung ausgegebene Signal.

Numerische Steuerung (2) (numerical control): die automatische Steuerung eines Prozesses durch ein Gerät, das numerische Daten benutzt, die normalerweise während des Arbeitsgangs eingegeben werden (Bezug: ISO 2382).

Objektcode (9) (object code): die maschinenlauffähige Form einer geeigneten Beschreibung eines oder mehrerer Prozesse, die durch ein Programmiersystem umgewandelt wurde.

Optische Sensor-Arrays für Flugsteuerungszwecke (7) (flight control optical sensor array): miteinander verbundene optische Sensoren auf Laserbasis, die Echtzeit-Flugdaten für die bordseitige Verarbeitung liefern.

Optische Vermittlung (5) (optical switching): das Vermitteln oder Durchschalten optischer Signale ohne Umwandlung in elektrische Signale.

Optische Verstärkung (5) (optical amplification): eine Verstärkertechnik für die optische Kommunikation, die eine Verstärkung optischer Signale, die durch eine separate optische Quelle generiert werden, ohne Umwandlung in elektrische Signale erlaubt, z. B. durch Verwendung von optischen Halbleiterverstärkern, LWL-Luminiszenzverstärkern.

Optischer Rechner (4) (optical computer): Rechner, konstruiert oder geändert zur Darstellung von Daten durch Licht. Seine logischen Schaltungen basieren auf direkt gekoppelten Optoschaltelementen.

Personenbezogene Mikroprozessor-Karte (5) (personalized smart card): eine Chip-Karte mit einer Mikroprozessor-/Mikrocomputerschaltung, die für eine bestimmte Anwendung programmiert wurde und die vom Benutzer nicht für eine andere Anwendung umprogrammiert werden kann.

Planlaufabweichung (2) (camming): die axiale Verlagerung bei einer Umdrehung der Hauptspindel, gemessen senkrecht zur Stirnfläche der Spindel in der Nähe des Umfangs der Stirnfläche (Bezug: ISO 230/1 1986, Nr. 5.63).

Programm (2 6) (programme): eine Folge von Befehlen zur Ausführung eines Prozesses in einer Form oder umsetzbar in eine Form, die von einem Elektronenrechner ausführbar ist.

Pulsdauer (6) (pulse duration): Dauer eines Laser-Pulses, gemessen als volle Halbwertsbreite des Intensitätsmaximums (FWHI).

Pulverisierung (1) (comminution): ein Verfahren, bei dem ein Material durch Zerbrechen, Zerstoßen oder Zerreiben zu Teilchen zerkleinert wird.

Quantenkryptografie (5) (quantum cryptography): eine Familie von Verfahren zum Austausch von geheimen Schlüsseln für die Kryptotechnik, die auf der Messung von quantenmechanischen Eigenschaften eines physikalischen Systems beruhen (einschließlich solcher physikalischer Eigenschaften, die direkt durch Quantenoptik, Quantenfeldtheorie oder Quantenelektrodynamik bestimmt werden).

Quellcode oder Quell-Programmiersprache (4 6 7 9) (source code or source language): geeignete Beschreibung eines oder mehrerer Prozesse, die durch ein Programmiersystem in maschinenablauffähigen Code (Objectcode oder Object-Programmiersprache) umgewandelt werden kann.

Raumfahrzeuge (7 9) (spacecraft): aktive und passive Satelliten und Raumsonden.

Rauschpegel (6) (noise level): ein Maß, basierend auf der spektralen Leistungsdichte eines elektrischen Signals. Der Spitze-Spitze-Wert des Rauschpegels ist gleich S2pp = 8 No (f2-f1), wobei Spp die Spitze-Spitze-Amplitude des Signals (z. B. in nT), No die spektrale Leistungsdichte (z. B. nT2/Hz) und f2-f1 die interessierende Bandbreite ist.

Rechenelement (4) (computing element, CE): kleinste rechnende Einheit, die ein arithmetisches oder logisches Ergebnis liefert.

Roboter (2 8) (robot): ein Handhabungssystem, das bahn- oder punktgesteuert sein kann, Sensoren benutzen kann und alle folgenden Eigenschaften aufweist: Anmerkung: Diese Definition umfasst nicht folgende Geräte:

pt_137 a)

multifunktional,

b)

fähig, Material, Teile, Werkzeuge oder Spezialvorrichtungen durch veränderliche Bewegungen im dreidimensionalen Raum zu positionieren oder auszurichten,

c)

mit drei oder mehr Regel- oder Stellantrieben, die Schrittmotoren einschließen können, und

d)

mit anwenderzugänglicher Programmierbarkeit durch Eingabe-/Wiedergabe-Verfahren (teach/playback) oder durch einen Elektronenrechner, der auch eine speicherprogrammierbare Steuerung sein kann, d. h. ohne mechanischen Eingriff.

1. ausschließlich hand- oder fernsteuerbare Handhabungssysteme,

2. Handhabungssysteme mit festem Ablauf (Bewegungsautomaten), die mechanisch festgelegte Bewegungen ausführen. Das Programm wird durch feste Anschläge wie Stifte oder Nocken mechanisch begrenzt. Der Bewegungsablauf und die Wahl der Bahnen oder Winkel können mechanisch, elektronisch oder elektrisch nicht geändert werden,

3. mechanisch gesteuerte Handhabungssysteme mit veränderlichem Ablauf (Bewegungsautomaten), die mechanisch festgelegte Bewegungen ausführen. Das Programm wird durch feste, aber verstellbare Anschläge wie Stifte und Nocken mechanisch begrenzt. Der Bewegungsablauf und die Wahl der Bahnen oder Winkel sind innerhalb des festgelegten Programmablaufs veränderbar. Veränderungen oder Modifikationen des Programmablaufs (z. B. durch Wechsel von Stiften oder Austausch von Nocken) in einer oder mehreren Bewegungsachsen werden nur durch mechanische Vorgänge ausgeführt,

4. nicht antriebsgeregelte Handhabungssysteme mit veränderlichem Ablauf (Bewegungsautomaten), die mechanisch festgelegte Bewegungen ausführen. Das Programm ist veränderbar, der Ablauf erfolgt aber nur nach dem Binärsignal von mechanisch festgelegten elektrischen Binärgeräten oder verstellbaren Anschlägen,

5. Regalförderzeuge, die als Handhabungssysteme mit kartesischen Koordinaten bezeichnet werden und als wesentlicher Bestandteil vertikaler Lagereinrichtungen gefertigt und so konstruiert sind, dass sie Lagergut in die Lagereinrichtungen einbringen und aus diesen entnehmen.

Rotationszerstäubung (1) (rotary atomisation): ein Verfahren, bei dem ein schmelzflüssiger Metallstrom oder eine Metallschmelze durch Zentrifugalkraft zu Tröpfchen mit einem Durchmesser kleiner/gleich 500 μm zerstäubt wird.

Rundlaufabweichung (2) (run-out): die radiale Verlagerung bei einer Umdrehung der Hauptspindel, gemessen senkrecht zur Spindelachse auf der zu prüfenden inneren und äußeren Oberfläche der Spindel (Bezug: ISO 230/1 1986, Nr. 5.61).

Schmelzextraktion (1) (melt extraction): ein Verfahren, bei dem zur schnellen Erstarrung und Extraktion eines streifenförmigen Legierungserzeugnisses ein kurzes Segment eines rotierenden Abschreckblockes in eine Metalllegierungsschmelze eingetaucht wird. Anmerkung:Schnelle Erstarrung (solidify rapidly) ist die Erstarrung geschmolzenen Materials bei Abkühlungsraten größer als 1000 K/s.

Schmelzspinnen (1) (melt spinning): ein Verfahren, bei dem der Strom einer Metallschmelze zur schnellen Erstarrung auf einen rotierenden Abschreckblock aufprallt, wobei flockige, streifen- oder stäbchenförmige Erzeugnisse entstehen. Anmerkung:Schnelle Erstarrung (solidify rapidly) ist die Erstarrung geschmolzenen Materials bei Abkühlungsraten größer als 1000 K/s.

Schwenkspindel (2) (tilting spindle): eine Werkzeugspindel, die die Winkelposition ihrer Spindel-Mittellinie zu jeder anderen Achse während des Bearbeitungsvorgangs verändert.

Seil (1) (tow): ein Bündel von Einzelfäden (monofilaments), die normalerweise annähernd parallel verlaufen.

SHPL: siehe Super High Power Laser.

Signalanalysatoren (3) (signal analysers): Geräte, die Hauptmerkmale der Einzelfrequenzanteile aus Mehrfrequenzsignalen messen und anzeigen können.

Signaldatenverarbeitung (3 4 5 6) (signal processing): die Verarbeitung von außen kommender, informationstragender Signale durch Algorithmen wie Zeitkompression, Filterung, Auszug, Auswahl, Korrelation, Konvolution oder Transformationen zwischen Bereichen (z. B. Fast-Fourier-Transformation oder Walsh-Transformation).

Signalisierung über zentralen Zeichengabekanal (5) (common channel signalling): ein Signalisierungsverfahren zwischen Vermittlungen, bei dem über einen einzelnen Kanal Signalisierungsinformationen für eine Vielzahl von Verbindungen oder Rufen und anderen Informationen, z. B. für die Netzwerksteuerung (Network Management), übermittelt werden, wobei adressierte Nachrichten (labelled messages) verwendet werden.

Signallaufzeit des Grundgatters (3) (basic gate propagation delay time): der Wert der Signallaufzeit, bezogen auf das Grundgatter, welches in einer monolithisch integrierten Schaltung verwendet wird. Für eine Familie von monolithisch integrierten Schaltungen kann dieser Wert entweder als Signallaufzeit je typisches Grundgatter in dieser Familie oder als typische Signallaufzeit je Gatter in dieser Familie angegeben werden. Anmerkung 1: Die Signallaufzeit des Grundgatters ist nicht mit der Eingangs-/Ausgangsverzögerungszeit einer komplexen, monolithisch integrierten Schaltung zu verwechseln. Anmerkung 2: Eine Familie besteht aus allen integrierten Schaltungen, bei denen alle folgenden Eigenschaften bei ihren Herstellmethoden und -regeln sowie Spezifikationen angewendet worden sind, ausgenommen ihre speziellen Funktionen:

pt_148 a)

gemeinsame Hard- und Softwarearchitektur,

b)

gemeinsame Entwurfs- und Prozess-Technologie und

c)

gemeinsame Grundcharakteristiken.

Skalierungsfaktor (Kreisel oder Beschleunigungsmesser) (7) (scale factor (gyro or accelerometer)): das Verhältnis zwischen einer Änderung der Ausgangsgröße und der Änderung der zu messenden Größe. Als Skalierungsfaktor wird im Allgemeinen die Steigung einer geraden Linie bezeichnet, die nach dem Verfahren der kleinsten Quadrate an die Ein- und Ausgangswerte angepasst werden kann, indem die Eingangsgröße zyklisch über den Eingangsgrößenbereich verändert wird.

Software (ASA 0 bis 9) (software): eine Sammlung eines oder mehrerer Programme oder Mikroprogramme, die auf einem beliebigen greifbaren (Ausdrucks-) Medium fixiert sind. Anmerkung:Mikroprogramm (microprogramme): eine in einem speziellen Speicherbereich dauerhaft gespeicherte Folge von elementaren Befehlen, deren Ausführung durch das Einbringen des Referenzbefehls in ein Befehlsregister eingeleitet wird.

Spezifischer Modul (0 1 9) (specific modulus): der Young'sche Modul gemessen in Pascal, entsprechend N/m2, dividiert durch das spezifische Gewicht gemessen in N/m3, bei einer Temperatur von 296 K ± 2 K (23 °C ± 2 °C) und bei einer relativen Luftfeuchtigkeit von 50 % ± 5 %.

Spezifische Zugfestigkeit (0 1 9) (specific tensile strength): Höchstfestigkeit gemessen in Pascal, entsprechend N/m2, dividiert durch das spezifische Gewicht gemessen in N/m3, bei einer Temperatur von 296 K ± 2 K (23 °C ± 2 °C) und bei einer relativen Luftfeuchtigkeit von 50 % ± 5 %.

Spitzenleistung (6) (peak power): Energie je Puls in Joule geteilt durch die Pulsdauer in Sekunden.

Stabilität (7) (stability): die Standardabweichung (1 sigma) der Änderung eines bestimmten Parameters von seinem Kalibrierwert, der unter stabilen Temperaturbedingungen gemessen wurde. Die Stabilität kann als Funktion der Zeit ausgedrückt werden.

Steuerungssysteme (7) (guidance set): Systeme, die das Mess- und Berechnungsverfahren zur Ermittlung von Position und Geschwindigkeit (d. h. zur Navigation) eines Flugkörpers mit dem Verfahren integrieren, das für die Berechnung und Übertragung von Kommandos zu den Flugsteuerungssystemen des Flugkörpers eingesetzt wird, um die Flugbahn zu korrigieren.

Substrat (3) (substrate): ein Träger aus Basismaterial mit oder ohne Leiterbahnen, auf oder in dem diskrete Bauelemente oder integrierte Schaltungen oder beide angebracht werden können. Anmerkung 1:Diskretes Bauelement (discrete component): ein in einem eigenen Gehäuse befindliches Schaltungselement mit eigenen äußeren Anschlüssen. Anmerkung 2:Schaltungselement (circuit element): eine einzelne aktive oder passive Funktionseinheit einer elektronischen Schaltung, z. B. eine Diode, ein Transistor, ein Widerstand, ein Kondensator.

Super High Power Laser (6) (SHPL): ein Laser, der eine Ausgangsleistung von mehr als 1 kJ über 50 ms oder eine mittlere oder eine Dauerstrich-Ausgangsleistung von mehr als 20 kW abgeben kann.

Superlegierungen (2 9) (superalloys): Legierungen auf der Basis von Nickel, Kobalt oder Eisen mit höheren Festigkeiten als denen in der AISI-300-Serie bei Temperaturen über 922 K (649 °C) unter schweren Umwelt- und Betriebsbedingungen.

Superplastisches Umformen (1 2) (superplastic forming): ein Warmumformverfahren für Metalle, deren im herkömmlichen Zugversuch bei Raumtemperatur ermittelte Bruchdehnung weniger als 20 % beträgt; durch Wärmezufuhr werden Dehnungen erzielt, die mindestens das Zweifache des vorgenannten Wertes betragen.

Supraleitend (1 3 6 8) (superconductive): Materialien (d. h. Metalle, Legierungen oder Verbindungen), die ihren elektrischen Widerstand vollständig verlieren können, d. h., sie können unbegrenzte elektrische Leitfähigkeit erreichen und sehr große elektrische Ströme ohne Joulesche Erwärmung übertragen. Anmerkung: Der supraleitende Zustand eines Materials ist jeweils gekennzeichnet durch eine kritische Temperatur, ein kritisches Magnetfeld, das eine Funktion der Temperatur ist, und eine kritische Stromdichte, die eine Funktion des Magnetfelds und der Temperatur ist.

Symmetrischer Algorithmus (5) (symmetric algorithm): ein kryptografischer Algorithmus, der für die Verschlüsselung und die Entschlüsselung den identischen Schlüssel verwendet. Anmerkung: Eine übliche Anwendung symmetrischer Algorithmen ist die Gewährleistung der Vertraulichkeit von Daten.

Systemzieldaten (6) (system tracks): die verarbeiteten, korrelierten und aktualisierten Informationen über die Flugpositionen von Luftfahrzeugen, die dem Personal einer Luftverkehrskontrollzentrale zur Verfügung gestellt werden. Bei diesen Informationen handelt es sich um mit Flugplanpositionen kombinierte Radarzieldaten.

Systolischer Array-Rechner (4) (systolic array computer): ein Rechner, bei dem Datenfluss und -modifikation durch den Benutzer auf der Ebene der Schaltkreistechnik dynamisch gesteuert werden können.

Technologie (ATA NTA 0 bis 9) (technology): spezifisches technisches Wissen, das für die Entwicklung, Herstellung oder Verwendung eines Produkts nötig ist. Das technische Wissen wird in der Form von technischen Unterlagen oder technischer Unterstützung verkörpert. Anmerkung 1:Technische Unterlagen (technical data): können verschiedenartig sein, z. B. Blaupausen, Pläne, Diagramme, Modelle, Formeln, Tabellen, Konstruktionspläne und -spezifikationen, Beschreibungen und Anweisungen in Schriftform oder auf anderen Medien aufgezeichnet, wie Magnetplatten, Bänder oder Lesespeicher. Anmerkung 2:Technische Unterstützung (technical assistance): kann verschiedenartig sein, z. B. Unterweisung, Vermittlung von Fertigkeiten, Schulung, Arbeitshilfe, Beratungsdienste, und kann auch die Weitergabe von technischen Unterlagen einbeziehen.

Teilnehmerstaat (7 9) (participating state): Mitgliedstaat des Wassenaar-Arrangements (siehe www.wassenaar.org).

Toxine (1 2) (toxins): Toxine in der Form gezielt isolierter Zubereitungen oder Mischungen, unabhängig von ihrer Herstellungsart, mit Ausnahme von Toxinen als Kontaminanten anderer Materialien wie pathologische Präparate, Kulturpflanzen, Lebensmittel oder Mutterkulturen von Mikroorganismen.

Toxinuntereinheit (1) (sub-unit of toxin): ein strukturell und funktional diskreter Bestandteil eines ganzen Toxins.

Transfer-Laser (6) (transfer laser): ein Laser, bei dem das Laser-Material durch den Energietransfer erregt wird, der durch Stoß eines Nicht-Laser-Atoms oder -Moleküls mit einem Laser-Atom oder -Molekül bewirkt wird.

UF6-resistente Werkstoffe (0) (materials resistant to corrosion by UF6): können — je nach Art des Trennverfahrens — Kupfer, nicht rostender Stahl, Aluminium, Aluminiumoxid, Aluminiumlegierungen, Nickel oder Nickellegierungen mit mindestens 60 Gew.-% Nickel und UF6-resistente vollfluorierte Kohlenwasserstoff-Polymere sein.

Unbemanntes Luftfahrzeug (UAV) (9) (unmanned ariel vehicle (UAV)): Luftfahrzeug, das in der Lage ist, ohne Anwesenheit einer Person an Bord einen Flug zu beginnen und einen kontrollierten Flug beizubehalten und die Navigation durchzuführen.

Unverzichtbar (ATA 1 bis 9) (required): bezieht sich — auf Technologie oder Software angewendet — ausschließlich auf den Teil der Technologie oder Software, der besonders dafür verantwortlich ist, dass die erfassten Leistungsmerkmale, Charakteristiken oder Funktionen erreicht oder überschritten werden. Diese unverzichtbareTechnologie oder Software kann auch für verschiedenartige Produkte einsetzbar sein.

Vakuum-Zerstäubung (1) (vacuum atomisation): ein Verfahren, bei dem der Strom einer Metallschmelze durch die schnelle Abgabe eines verflüssigten Gases, das einem Vakuum ausgesetzt wird, zu Tröpfchen mit einem Durchmesser kleiner/gleich 500 μm zerstäubt wird.

Verbundwerkstoff (1 2 6 8 9 ) (composite): eine Matrix und eine oder mehrere zusätzliche Phasen, die aus Partikeln, Whiskern, Fasern oder beliebigen Kombinationen hiervon bestehen und die zum Erreichen von bestimmten Eigenschaften eingebracht werden.

Verformbare Spiegel (6) (deformable mirrors):

pt_174 a)

Kontinuierlich verformbarer Spiegel (Einzelspiegel), dessen optisch wirksame Oberfläche dynamisch durch Drehmomente oder Kräfte verformt werden kann, um Verzerrungen der Form der optischen Welle, die auf den Spiegel auftrifft, auszugleichen, oder

b)

Segmentierter Spiegel, aus mehreren Einzelelementen bestehend; diese können jeweils für sich dynamisch durch Drehmomente oder Kräfte positioniert werden, um Verzerrungen der Form der optischen Welle, die auf den Gesamtspiegel auftrifft, auszugleichen.

Verformbare Spiegel werden auch adaptive Spiegel genannt.

Vermischt (1) (commingled): Mischung von Filamenten aus thermoplastischen Fasern und Verstärkungsfasern zur Herstellung eines Gemischs von Verstärkungs- und Matrix-Material in Form von Fasern.

Verstellbare Blattprofilgeometrie (7) (variable geometry airfoils): Verwendung von Klappen oder Trimmblechen an der Blatthinterkante oder an der Blattvorderkante, angebauten Vorflügeln oder einer beweglichen Blattnase, deren Position während des Fluges gesteuert werden kann.

Verwendung (ATA NTA 0 bis 9) (use): Betrieb, Aufbau (einschließlich Vor-Ort-Aufbau), Wartung (Test), Reparatur, Überholung, Wiederaufarbeitung.

Vollautomatische Regelung eines Fluges (7) (total control of flight): bedeutet eine automatisierte Regelung der Zustandsgrößen oder des Flugweges von Luftfahrzeugen zur Erfüllung von Einsatzzielen, die auf Echtzeitänderungen von Daten bezüglich Zielen, Gefahren oder anderer Luftfahrzeuge anspricht.

Volldigitale Triebwerksregelung (FADEC) (7 9) (full authority digital engine control): ein elektronisches Regelungssystem für Gasturbinentriebwerke oder Triebwerke mit kombiniertem Arbeitszyklus unter Verwendung eines Digitalrechners zur Steuerung der Variablen, die für die Regelung des Triebwerksschubes oder der Triebwerkswellenleistung über den gesamten Betriebsbereich des Triebwerkes vom Beginn der Kraftstoffzumessung bis zum Absperren des Kraftstoffes erforderlich sind.

Von der ITU zugewiesen (3 5) (allocated by the ITU): die Zuweisung von Frequenzbändern in Übereinstimmung mit der aktuellen Ausgabe der ITU Radio Regulations für primäre, zugelassene und sekundäre Funkdienste. Anmerkung: Zusätzliche und alternative Zuweisungen sind nicht eingeschlossen.

Vorher abgetrennt (0 1) (previously separated): Material, das nach seiner Abtrennung durch einen Prozess hergestellt wurde, der zu einer Erhöhung der Konzentration des erfassten Isotops führt.

Weltraumgeeignet (3 6) (space qualified): Produkte, die so konstruiert, gefertigt und geprüft wurden, dass sie die besonderen elektrischen, mechanischen oder umgebungsbedingten Anforderungen für die Verwendung beim Start und Einsatz von Satelliten oder Höhen-Flugsystemen, die in Höhen von 100 km und mehr operieren, erfüllen.

Winkelpositionsabweichung (2) (angular position deviation): die maximale Differenz zwischen der angezeigten Winkelposition und der richtigen Winkelposition, die mit Hilfe eines genauen Messverfahrens nach Drehung der Werkstückaufnahme eines Drehtisches aus einer Anfangsposition ermittelt wird (Bezug: VDI/VDE 2617, Blatt 4/Teil 4 Drehtische auf Koordinatenmaschinen).

Wissenschaftliche Grundlagenforschung (ATA NTA) (basic scientific research): experimentelle oder theoretische Arbeiten hauptsächlich zur Erlangung von neuen Erkenntnissen über grundlegende Prinzipien von Phänomenen oder Tatsachen, die nicht in erster Linie auf ein spezifisches praktisches Ziel oder einen spezifischen praktischen Zweck gerichtet sind.

Zeitkonstante (6) (time constant): die Zeit, gerechnet vom Beginn des Lichteinfalls, in der der Strom auf das 1-1/e-fache des Endwertes anwächst (das sind 63 % des Endwertes).

Zivile Luftfahrzeuge (1 7 9) (civil aircraft): sind solche Luftfahrzeuge, die mit genauer Bezeichnung in veröffentlichten Zulassungsverzeichnissen der zivilen Luftfahrtbehörden für den zivilen Verkehr auf Inlands- und Auslandsrouten oder für rechtmäßige zivile Privat- oder Geschäftsflüge registriert sind. Anmerkung: Siehe auch Luftfahrzeug.

Zusammengesetzte theoretische Verarbeitungsrate (3 4) (composite theoretical performance, CTP): eine Maßzahl für die Rechnerleistung, angegeben in Millionen theoretischer Operationen je Sekunde (Mtops) und berechnet durch die Summierung von RechenelementenCEs. Anmerkung: Siehe Kategorie 4, Technische Anmerkung.

VERZEICHNIS DER VERWENDETEN ABKÜRZUNGEN

Abkürzungen, für die eine Definition vorliegt: Siehe Begriffsbestimmungen Abkürzung Bedeutung ABEC Qualitätsnorm des Verbandes der amerikanischen Wälzlagerhersteller (Annular Bearing Engineers Committee) AGMA Qualitätsnorm des Verbandes der amerikanischen Getriebehersteller (American Gear Manufacturers' Association) AHRS Lage- und Kurs-Referenzsystem (attitude and heading reference systems) ALU Arithmetisch-logische Einheit (arithmetic logic unit) ANSI American National Standards Institute ASTM American Society for Testing and Materials AVLIS Isotopentrennung nach dem atomaren Laserverfahren (Atomic Vapour Laser Isotope Separation) CAD Rechnerunterstützter Entwurf (computer aided design) CAS Chemical Abstracts Service CEP CEP-Wert (circular error probable) CNTD Thermische Zersetzung mit geregelter Keimbildung (controlled nucleation thermal deposition) CRISLA Laserangeregtes chemisches Verfahren (Chemical Reaction by Isotope Selective Laser Activation) CVD Chemische Beschichtung aus der Gasphase (chemical vapour deposition) CW (für Laser) Dauerstrich (continuous wave) DME Entfernungsmesseinrichtung (distance measuring equipment) DS Gerichtete Erstarrung (directionally solidified) EB-PVD Physikalische Beschichtung aus der Gasphase durch thermisches Verdampfen (electron beam physical vapour deposition) EBU European Broadcasting Union EDM Funkenerosionsmaschinen (electrical discharge machines) EEPROM Elektrisch programmierbarer und löschbarer Festwertspeicher (electrically erasable programmable read only memory) EIA Verband der Elektronikindustrie (Electronic Industries Association) EMV Elektromagnetische Verträglichkeit (electromagnetic compatibility) ETSI European Telecommunications Standards Institute FFT Schnelle Fouriertransformation (Fast Fourier Transform) GLONASS Weltweites Satellitennavigationssystem (global navigation satellite system) GNSS Global Navigation Satellite System GPS Globales Positionierungssystem (global positioning system) HBT Hetero-Bipolartransistor (hetero-bipolar transistors) HDDR Digitale Aufzeichnung hoher Dichte (high density digital recording) HEMT Transistor auf der Basis hoher Elektronenbeweglichkeit (high electron mobility transistors) ICAO Internationale Zivilluftfahrt-Organisation (International Civil Aviation Organisation) IEC Internationale Elektrotechnische Kommission (International Electrotechnical Commission) IEEE Institute of Electrical and Electronic Engineers IFOV Momentaner Bildfeldwinkel (instantaneous-field-of-view) ILS Instrumentenlandesystem (instrument landing system) IRIG Ausschuss zur Normung von Aufzeichnungsmethoden (inter-range instrumentation group) ISAR Radar mit inverser künstlicher Apertur (inverse synthetic aperture radar) ISO Internationale Organisation für Standardisierung (International Organization for Standardization) ITU Internationale Fernmeldeunion (International Telecommunication Union) JIS Japanischer Industriestandard (Japanese Industrial Standard) LIDAR Laser- oder Lichtradar (light detection and ranging) LRU Auswechselbare Einheit (line replaceable unit) Mach Verhältnis der Geschwindigkeit eines Objektes zu der von Schall (nach Ernst Mach) (ratio of speed of an object to speed of sound (after Ernst Mach)) MLIS Isotopentrennung nach dem molekularen Laserverfahren (Molecular Laser Isotope Separation) MLS Mikrowellenlandesystem (microwave landing systems) MOCVD CVD-Verfahren auf der Basis metallorganischer Verbindungen (metal organic chemical vapour deposition) MTBF Mittlere ausfallfreie Zeit (mean time between failures) Mtops Millionen theoretischer Operationen pro Sekunde (million theoretical operations per second) MTTF Mittlere Zeit bis zum beobachteten Fehler (mean time to failure) PAR Präzisionsanflugradar (precision approach radar) PIN Persönliche Identifikationsnummer (personal identification number) ppm Entspricht 1 × 10– 6 (parts per million) PSD Spektrale Leistungsdichte (power spectral density) QAM Quadratur-Amplituden-Modulation (quadrature-amplitude-modulation) RF Hochfrequenz (radio frequency) SACMA Qualitätsnorm des Verbandes der amerikanischen Hersteller von modernen Verbundwerkstoffen (Suppliers of Advanced Composite Materials Association) SAR Radar mit künstlicher Apertur (synthetic aperture radar) SC Einkristall [monokristallin] (single crystal) SLAR Seitensicht-Luftfahrzeug-Bordradarsystem (sidelooking airborne radar) SMPTE Society of Motion Picture and Television Engineers SRA Auswechselbare Baugruppe (shop replaceable assembly) SRAM Statischer Schreib-Lese-Speicher (static random access memory) SRM Ausschuss zur Normung von Materialprüfmethoden (SACMA Recommended Methods) SSB Einseitenband (single sideband) SSR Sekundärüberwachungsradar (secondary surveillance radar) TIR Gesamtmessuhrausschlag (total indicated reading) UV ultraviolett VOR UKW-Drehfunkfeuer (very high frequency omni-directional range) YAG Yttrium-Aluminium-Granat (yttrium/aluminum garnet) ZfP Zerstörungsfreie Prüfverfahren

KATEGORIE 0 KERNTECHNISCHE MATERIALIEN, ANLAGEN UND AUSRÜSTUNG

0ASysteme, Ausrüstung und Bestandteile

0A001Kernreaktoren und besonders konstruierte oder hergerichtete Ausrüstung und Bestandteile hierfür wie folgt:

a)

Kernreaktoren, geeignet für den Betrieb mit einer kontrollierten, sich selbst erhaltenden Kernspaltungs-Kettenreaktion;

b)

Metallbehälter oder wichtige vorgefertigte Teile hierfür, besonders konstruiert oder hergerichtet zur Aufnahme des Kerns eines Kernreaktors, einschließlich des Reaktorbehälter-Deckels des Reaktordruckbehälters;

c)

Bedienungseinrichtungen, besonders konstruiert oder hergerichtet zum Be- und Entladen von Kernbrennstoff in einem Kernreaktor;

d)

Steuerstäbe, besonders konstruiert oder hergerichtet für die Steuerung der Spaltprozesse in einem Kernreaktor, Trage- oder Aufhängevorrichtungen hierfür, Steuerstabantriebe und Stabführungsrohre;

e)

Druckrohre, besonders konstruiert oder hergerichtet für die Aufnahme der Brennelemente und des Primärkühlmittels in einem Kernreaktor bei einem Betriebsdruck von mehr als 5,1 MPa;

f)

Rohre oder Rohrsysteme aus Zirkoniummetall oder -legierungen, bei denen der Hafniumgehalt weniger als 0,2 Gew.-% beträgt, besonders konstruiert oder hergerichtet zur Verwendung in einem Kernreaktor;

g)

Kühlmittelpumpen, besonders konstruiert oder hergerichtet für den Kreislauf des Primärkühlmittels von Kernreaktoren;

h)

innere Einbauten eines Kernreaktors, besonders konstruiert oder hergerichtet für die Verwendung in einem Kernreaktor, einschließlich Trägerkonstruktionen für den Reaktorkern, Brennelementkanäle, thermische Abschirmungen, Leitbleche, Kerngitter- und Strömungsplatten; Anmerkung: Innere Einbauten eines Kernreaktors (nuclear reactor internals) im Sinne von Unternummer 0A001h sind Hauptstrukturen innerhalb des Reaktorbehälters mit einer oder mehreren Aufgaben wie z. B. Stützfunktion für den Kern, Aufrechterhaltung der Brennstoff-Anordnung, Führung des Primärkühlmittelflusses, Bereitstellung von Strahlungsabschirmungen für den Reaktorbehälter und Steuerung der Innenkern-Instrumentierung.

i)

Wärmetauscher (Dampferzeuger), besonders konstruiert oder hergerichtet für die Verwendung im Primärkühlmittel-Kreislauf eines Kernreaktors;

j)

Neutronenerfassungs- und -messeinrichtungen, besonders konstruiert oder hergerichtet für die Bestimmung von Neutronenflusshöhen innerhalb des Kerns eines Kernreaktors.

0BPrüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen

0B001Anlagen für die Isotopentrennung von natürlichem Uran, abgereichertem Uran und besonderem spaltbaren Material sowie besonders konstruierte oder hergerichtete Ausrüstung und Bestandteile hierfür, wie folgt: 0B002Zusatzsysteme, Ausrüstung und Bestandteile, besonders konstruiert oder hergerichtet für von Nummer 0B001 erfasste Anlagen zur Isotopentrennung, hergestellt aus oder geschützt mit UF6-resistenten Werkstoffen, wie folgt: 0B003Anlagen zur Konversion von Uran und besonders konstruierte oder hergerichtete Ausrüstung hierfür, wie folgt: 0B004Anlagen zur Herstellung oder Konzentration von Schwerem Wasser, Deuterium oder Deuteriumverbindungen und besonders konstruierte oder hergerichtete Ausrüstung und Bestandteile hierfür, wie folgt: 0B005Anlagen, besonders konstruiert für die Herstellung von Kernreaktor-Brennelementen, und besonders konstruierte oder hergerichtete Ausrüstung hierfür. Anmerkung: Eine Anlage, besonders konstruiert für die Herstellung von Kernreaktor-Brennelementen, schließt Ausrüstung ein, die 0B006Anlagen für die Wiederaufarbeitung bestrahlter Kernreaktor-Brennelemente und besonders konstruierte oder hergerichtete Ausrüstung und Bestandteile hierfür. Anmerkung: Nummer 0B006 schließt ein: 0B007Anlagen zur Konversion von Plutonium und besonders konstruierte oder hergerichtete Ausrüstung hierfür, wie folgt:

a)

Anlagen, besonders konstruiert für die Isotopentrennung von natürlichem Uran, abgereichertem Uran und besonderem spaltbaren Material, wie folgt:

1. Gaszentrifugen-Trennanlagen,

2. Gasdiffusions-Trennanlagen

3. aerodynamische Trennanlagen,

4. Trennanlagen durch chemischen Austausch,

5. Trennanlagen durch Ionenaustausch,

6. Isotopentrennanlagen nach dem atomaren Laserverfahren (AVLIS = Atomic Vapour Laser Isotope Separation),

7. Isotopentrennanlagen nach dem molekularen Laserverfahren (MLIS = Molecular Laser Isotope Separation),

8. Plasmatrennanlagen,

9. Trennanlagen nach dem elektromagnetischen Verfahren;

b)

Gaszentrifugen sowie Zentrifugensysteme und Bestandteile, besonders konstruiert oder hergerichtet für das Gaszentrifugen-Trennverfahren, wie folgt: Anmerkung:Hochfeste Materialien im Sinne von Unternummer 0B001b sind die folgenden Materialien:

a)

martensitaushärtender Stahl (maraging steel) mit einer erreichbaren Zugfestigkeit größer/gleich 2050 MPa,

b)

Aluminiumlegierungen mit einer erreichbaren Zugfestigkeit größer/gleich 460 MPa oder

c)

faser- oder fadenförmige Materialien mit einem spezifischen Modul größer als 3,18 × 106 m und einer spezifischen Zugfestigkeit größer als 76,2 × 103 m.

1. Gaszentrifugen,

2. vollständige Rotorsysteme,

3. Rotorrohre mit einer Wandstärke kleiner/gleich 12 mm, einem Durchmesser zwischen 75 mm und 400 mm, hergestellt aus hochfesten Materialien,

4. Ringe oder Sickenbänder mit einer Wandstärke kleiner/gleich 3 mm, einem Durchmesser zwischen 75 mm und 400 mm und konstruiert für die Verstärkung oder Verbindung der Rotorteile untereinander, hergestellt aus hochfesten Materialien,

5. Leitbleche mit einem Durchmesser zwischen 75 mm und 400 mm zur Montage innerhalb der Rotorrohre, hergestellt aus hochfesten Materialien,

6. obere und untere Deckel mit einem Durchmesser zwischen 75 mm und 400 mm als Rotorrohrenden, hergestellt aus hochfesten Materialien,

7. magnetisch aufgehängte Lager, die aus einem Ringmagneten bestehen, der innerhalb eines Gehäuses aufgehängt ist, hergestellt aus oder geschützt mit UF6-resistenten Werkstoffen, das ein Dämpfungsmedium enthält. Der Magnet ist mit einem am Rotordeckel montierten Polstück oder zweiten Magneten gekoppelt,

8. besonders hergerichtete Lager, die ein halbkugelförmiges Gegenlager (pivot-cup) enthalten und auf einem Dämpfer montiert sind,

9. Molekularpumpen aus Zylindern mit inneren spiralförmigen gepressten oder gefrästen Nuten und inneren Bohrungen,

10. ringförmige Motorstatoren für mehrphasige Wechselstromhysteresemotoren (oder -reluktanzmotoren) für Synchronbetrieb unter Vakuumbedingungen im Frequenzbereich von 600 Hz bis 2000 Hz und mit einem Leistungsbereich von 50 VA bis 1000 VA,

11. Zentrifugenrezipienten oder Zentrifugengehäuse, um den Gesamtrotor der Gaszentrifuge aufzunehmen, bestehend aus einem starren Zylinder mit einer Wandstärke bis zu 30 mm mit präzisionsgefertigten Enden und hergestellt aus oder geschützt mit UF6-resistenten Werkstoffen,

12. Entnahmevorrichtungen, bestehend aus Röhren mit Innendurchmessern bis zu 12 mm, zur Entnahme von UF6-Gas aus dem Inneren des Zentrifugenrotors nach dem Pitot-Prinzip, hergestellt aus oder geschützt mit UF6-resistenten Werkstoffen,

13. Frequenzumwandler (Konverter oder Inverter), besonders konstruiert oder hergerichtet für die Spannungsversorgung von Motorstatoren für die Gaszentrifugenanreicherung, mit allen folgenden Eigenschaften, und besonders konstruierte Bestandteile hierfür:

13. a)

Mehrphasenausgang von 600 Hz bis 2000 Hz,

b)

Frequenzstabilisierung besser als 0,1 %,

c)

Klirrfaktor kleiner als 2 % und

d)

Wirkungsgrad besser als 80 %;

c)

Ausrüstung und Bestandteile, besonders konstruiert oder hergerichtet für das Gasdiffusions-Trennverfahren, wie folgt:

1. Gasdiffusionstrennwände aus porometallischen, polymeren oder keramischen UF6-resistenten Werkstoffen mit einer Porengröße von 10 nm bis 100 nm, einer Dicke kleiner/gleich 5 mm und, bei Röhrenform, mit einem Durchmesser kleiner/gleich 25 mm,

2. Gasdiffusorgehäuse, hergestellt aus oder geschützt mit UF6-resistenten Werkstoffen,

3. Kompressoren (volumenfördernd in Zentrifugal- oder Axialbauweise) oder Ventilatoren mit einem Ansaugvermögen größer/gleich 1 m3/min UF6 und einem Förderdruck bis zu 666,7 kPa, hergestellt aus oder geschützt mit UF6-resistenten Werkstoffen,

4. Wellendichtungen für Kompressoren oder Ventilatoren, erfasst von Unternummer 0B001c3, konstruiert für eine Einwärtsleckrate des Puffergases von weniger als 1000 cm3/min,

5. Wärmetauscher, hergestellt aus Aluminium, Kupfer, Nickel oder Nickellegierungen mit mehr als 60 Gew.-% Nickel oder bei Verwendung plattierter Rohre aus Kombinationen dieser Metalle untereinander und konstruiert für den Betrieb bei Unterdruck mit einer Leckrate, die den Druckanstieg auf weniger als 10 Pa/h bei einem Druckunterschied von 100 kPa begrenzt,

6. Federbalgventile, hergestellt aus oder geschützt mit UF6-resistenten Werkstoffen, mit einer Nennweite von 40 mm bis 1500 mm;

d)

Ausrüstung und Bestandteile, besonders konstruiert oder hergerichtet für das aerodynamische Trennverfahren, wie folgt:

1. Trenndüsen mit schlitzförmigen, gekrümmten Kanälen mit einem Krümmungsradius kleiner als 1 mm, hergestellt aus UF6-resistenten Werkstoffen, mit einem Trennblech innerhalb der Düse, welches das durch die Düse strömende Gas in zwei Ströme teilt,

2. zylindrische oder konische Wirbelrohre mit tangentialem Gaseintritt, hergestellt aus oder geschützt mit UF6-resistenten Werkstoffen, mit einem Durchmesser zwischen 0,5 cm und 4 cm, mit einem Verhältnis Länge/Durchmesser von kleiner/gleich 20 zu 1 und mit einem oder mehreren tangentialen Gaseinlässen,

3. Kompressoren (volumenfördernd in Zentrifugal- oder Axialbauweise) oder Ventilatoren mit einem Ansaugvermögen von 2 m3/min oder mehr, hergestellt aus oder geschützt mit UF6-resistenten Werkstoffen, und Kompressorwellendichtungen hierfür,

4. Wärmetauscher, hergestellt aus oder geschützt mit UF6-resistenten Werkstoffen,

5. Gehäuse für aerodynamische Trennelemente, hergestellt aus oder geschützt mit UF6-resistenten Werkstoffen, entwickelt zur Aufnahme von Wirbelrohren oder Trenndüsen,

6. Federbalgventile, hergestellt aus oder geschützt mit UF6-resistenten Werkstoffen, mit einem Durchmesser von 40 mm bis 1500 mm,

7. Verfahrenssysteme zur Trennung von UF6 und Trägergas (Wasserstoff oder Helium) bis zu einem UF6-Gehalt von kleiner/gleich 1 ppm, einschließlich:

7. a)

Tieftemperatur-Wärmetauscher und -Trennanlagen, ausgelegt für Temperaturen kleiner/gleich 153 K (– 120 °C),

b)

Tieftemperatur-Kühlgeräte, ausgelegt für Temperaturen kleiner/gleich 153 K (– 120 °C),

c)

Trenndüsen oder Wirbelrohre zum Trennen von UF6 und Trägergas,

d)

UF6-Kühlfallen, ausgelegt für Temperaturen kleiner/gleich 253 K (– 20 °C);

e)

Ausrüstung und Bestandteile, besonders konstruiert oder hergerichtet für das Trennverfahren durch chemischen Austausch, wie folgt:

1. Pulsationskolonnen für schnelle Flüssig-Flüssig-Extraktion mit Stufenverweilzeiten kleiner/gleich 30 Sekunden und resistent gegen konzentrierte Salzsäure (HCl) (z. B. hergestellt aus oder geschützt mit geeigneten Kunststoffmaterialien wie Fluorkohlenwasserstoff-Polymeren oder Glas),

2. Zentrifugalextraktoren für schnelle Flüssig-Flüssig-Extraktion mit Stufenverweilzeiten kleiner/gleich 30 Sekunden und resistent gegen konzentrierte Salzsäure (HCl) (z. B. hergestellt aus oder geschützt mit geeigneten Kunststoffmaterialien wie Fluorkohlenwasserstoff-Polymeren oder Glas),

3. elektrochemische Reduktionszellen, resistent gegen konzentrierte Salzsäure (HCl), entwickelt zur Reduktion von Uran von einer Valenzstufe zu einer anderen,

4. elektrochemische Reduktionszellen, Einspeiseausrüstung zur Aufnahme von U4+ aus dem organischen Materialstrom und Teile, die im Kontakt mit dem Prozessstrom stehen, hergestellt aus oder geschützt mit geeigneten Materialien (z. B. Glas, Fluorkohlenwasserstoff-Polymere, Polyphenylsulfat, Polyethersulfon und harzimprägniertes Grafit),

5. Einspeise-Aufbereitungssysteme zur Herstellung hochreiner Uranchloridlösung, bestehend aus Lösemitteltrennungs-, Lösungsabscheidungs- und/oder Ionenaustauschausrüstung für die Reinigung, sowie Elektrolysezellen zur Reduzierung von U6+ oder U4+ zu U3+,

6. Uranoxidationssysteme zur Oxidation von U3+ zu U4+;

f)

Ausrüstung und Bestandteile, besonders konstruiert oder hergerichtet für das Trennverfahren durch Ionenaustausch, wie folgt:

1. schnell reagierende Ionenaustauschharze, membranartig- oder porös-makrovernetzte Harze, in denen die aktiven chemischen Austauschgruppen auf eine Oberflächenschicht eines inaktiven porösen Trägermaterials begrenzt sind und andere zusammengesetzte Strukturen in geeigneter Form, einschließlich Teilchen oder Fasern mit Durchmessern von 0,2 mm oder weniger, resistent gegen konzentrierte Salzsäure, präpariert für eine Austauschhalbwertszeit von weniger als 10 Sekunden und geeignet für den Betrieb bei Temperaturen im Bereich von 373 K (100 °C) bis 473 K (200 °C),

2. Ionenaustauschsäulen (zylindrisch) mit einem Durchmesser größer als 1000 mm, hergestellt aus oder geschützt mit Materialien, die resistent sind gegen konzentrierte Salzsäure (z. B. Titan oder fluorkohlenwasserstoffhaltige Kunststoffe) und die geeignet sind zum Betrieb bei Temperaturen im Bereich von 373 K (100 °C) bis 473 K (200 °C) und Drücken oberhalb 0,7 MPa,

3. Ionenaustausch-Rückflusssysteme (chemische oder elektrochemische Oxidations- oder Reduktionssysteme) zur Wiederaufbereitung der chemischen Reduktions- oder Oxidationsmittel, die in Anreicherungskaskaden nach dem Ionenaustauschverfahren benutzt werden;

g)

Ausrüstung und Bestandteile, besonders konstruiert oder hergerichtet für Anlagen zur Isotopentrennung nach dem atomaren Laserverfahren (AVLIS = Atomic Vapour Laser Isotope Separation), wie folgt:

1. Hochleistungs-Elektronenstrahlkanonen, linienbestrahlend oder rasternd, mit einer Auftreffleistung von mehr als 2,5 kW/cm zur Verwendung in Uranverdampfungssystemen,

2. Handhabungssysteme für flüssiges Uranmetall oder Uranlegierungen, bestehend aus Tiegeln, hergestellt aus oder geschützt mit geeigneten wärme- und korrosionsbeständigen Materialien (z. B. Tantal, yttriumoxid(Y2O3)-beschichtetem Grafit, Grafit, beschichtet mit anderen Oxiden Seltener Erden, oder Mischungen daraus) und Ausrüstung zur Kühlung der Tiegel, ANMERKUNG: SIEHE AUCH NUMMER 2A225.

3. Product(angereichertes Uran)- und Tails(abgereichertes Uran)-Sammler, hergestellt aus oder beschichtet mit Materialien, die wärme- und korrosionsbeständig gegenüber Uranmetalldampf oder flüssigem Uran sind, wie yttriumoxid(Y2O3)-beschichteter Grafit oder Tantal,

4. Behälter für Separatoren (zylindrische oder rechteckige Kessel) zur Aufnahme der Uranmetalldampfquelle, der Elektronenstrahlkanone und der Sammler für Product(angereichertes Uran) und Tails(abgereichertes Uran),

5. Laser oder Lasersysteme zur Trennung von Uranisotopen mit einer Wellenlängenstabilisierung, geeignet für den Betrieb über längere Zeitabstände; ANMERKUNG: SIEHE AUCH NUMMERN 6A005 UND 6A205.

h)

Ausrüstung und Bestandteile, besonders konstruiert oder hergerichtet für Anlagen zur Isotopentrennung nach dem molekularen Laserverfahren (MLIS = Molecular Laser Isotope Separation) oder nach dem laserangeregten chemischen Verfahren (CRISLA = Chemical Reaction by Isotope Selective Laser Activation), wie folgt:

1. Überschallexpansionsdüsen zur Kühlung von Mischungen aus UF6 und Trägergas auf Temperaturen kleiner/gleich 150 K (– 123 °C), hergestellt aus UF6-resistenten Werkstoffen,

2. Uranpentafluorid(UF5)-Product-Sammler, bestehend aus Filter, Prallabscheider, Zyklonen oder Kombinationen daraus, hergestellt aus UF5/UF6-resistenten Werkstoffen,

3. Kompressoren, hergestellt aus oder geschützt mit UF6-resistenten Werkstoffen, und Kompressorwellendichtungen hierfür,

4. Ausrüstung zur Fluorierung von UF5 (fest) zu UF6 (gasförmig),

5. Verfahrenssysteme zur Trennung von UF6 und Trägergas (z. B. Stickstoff oder Argon), einschließlich:

5. a)

Tieftemperatur-Wärmetauscher und -Trennanlagen, geeignet für Temperaturen kleiner/gleich 153 K (– 120 °C),

b)

Tieftemperatur-Kühlgeräte, geeignet für Temperaturen kleiner/gleich 153 K (– 120 °C),

c)

UF6-Kühlfallen, geeignet für Temperaturen kleiner/gleich 253 K (– 20 °C),

6. Laser oder Lasersysteme zur Trennung von Uranisotopen mit einer Wellenlängenstabilisierung, geeignet für den Betrieb über längere Zeitabstände; ANMERKUNG: SIEHE AUCH NUMMERN 6A005 UND 6A205.

i)

Ausrüstung und Bestandteile, besonders konstruiert oder hergerichtet für das Plasmatrennverfahren, wie folgt:

1. Mikrowellenleistungsquellen und -sender zur Produktion oder Beschleunigung von Ionen mit einer Ausgangsfrequenz größer als 30 GHz und einer mittleren Ausgangsleistung größer als 50 kW,

2. Anregungsspulen für Radiofrequenzen größer als 100 kHz und geeignet für eine mittlere Leistung größer als 40 kW,

3. Uranplasmaerzeugungssysteme,

4. Handhabungssysteme für flüssiges Uranmetall oder Uranlegierungen, bestehend aus Tiegeln, hergestellt aus oder geschützt mit geeigneten wärme- und korrosionsbeständigen Materialien (z. B. Tantal, yttriumoxid(Y2O3)-beschichtetem Grafit, Grafit, beschichtet mit anderen Oxiden Seltener Erden, oder Mischungen daraus) und Ausrüstung zur Kühlung der Tiegel, ANMERKUNG: SIEHE AUCH NUMMER 2A225.

5. Product(angereichertes Uran)- und Tails(abgereichertes Uran)-Sammler, hergestellt aus oder geschützt mit Materialien, die wärme- und korrosionsbeständig gegenüber Urandampf sind, wie yttriumoxid(Y2O3)-beschichteter Grafit oder Tantal,

6. Separatorbehälter (zylindrisch) zur Aufnahme der Uranplasmaquelle, Anregungsspulen der Radiofrequenz und der Product- und Tails-Sammler und hergestellt aus geeigneten nichtmagnetischen Materialien (z. B. Edelstahl);

j)

Ausrüstung und Bestandteile, besonders konstruiert oder hergerichtet für den Trennprozess nach dem elektromagnetischen Verfahren, wie folgt:

1. Einzel- oder Mehrfach-Ionenquellen, die eine Strahlquelle enthalten, Ionisierer und Strahlbeschleuniger, hergestellt aus geeigneten Materialien (z. B. Grafit, Edelstahl oder Kupfer) und geeignet zur Erzeugung eines Gesamtionenstroms größer/gleich 50 mA,

2. Ionenkollektorplatten zum Aufsammeln von angereicherten oder abgereicherten Uranionenstrahlen, die zwei oder mehr Spalte einschließlich Sammelbehälter enthalten und hergestellt sind aus geeigneten nichtmagnetischen Materialien (z. B. Grafit oder Edelstahl),

3. Vakuumbehälter für elektromagnetische Uranseparatoren, hergestellt aus nichtmagnetischen Materialien (z. B. Edelstahl) und konstruiert zum Betrieb bei Drücken kleiner/gleich 0,1 Pa,

4. Magnetpolstücke mit einem Durchmesser größer als 2 m,

5. Hochspannungsversorgungen für Ionenquellen mit allen folgenden Eigenschaften: ANMERKUNG: SIEHE AUCH NUMMER 3A227.

5. a)

geeignet für kontinuierlichen Betrieb,

b)

Ausgangsspannung größer/gleich 20000 V,

c)

Ausgangsstrom größer/gleich 1 A und

d)

Spannungsstabilisierung besser als 0,01 % über eine Zeitdauer von 8 Stunden,

6. Leistungsversorgungen für die Magnete (Hochleistung, Gleichstrom) mit allen folgenden Eigenschaften: ANMERKUNG: SIEHE AUCH NUMMER 3A226.

6. a)

geeignet für kontinuierlichen Betrieb mit einem Ausgangsstrom größer/gleich 500 A bei einer Spannung größer/gleich 100 V und

b)

Strom- oder Spannungsstabilisierung besser als 0,01 % über eine Zeitdauer von 8 Stunden.

a)

Speiseautoklaven, Öfen oder Systeme, mit denen UF6 zum Anreicherungsort geleitet wird;

b)

Desublimierer (Phasenübergang gasförmig-fest) oder Kühlfallen zur Entnahme von UF6 aus dem Anreicherungsprozess und zur nachfolgenden Weiterleitung mittels Heizung;

c)

Product- und Tails-Ausspeisesysteme zur Weiterleitung von UF6 in Behälter;

d)

Verflüssigungs- oder Erstarrungsstationen zur Entnahme von UF6 aus dem Anreicherungsprozess mittels Kompression, Kühlung und Umwandlung von UF6 in die flüssige oder feste Form;

e)

Rohr- und Verteilersysteme, besonders konstruiert zur Führung von UF6 innerhalb von Gasdiffusions-, Zentrifugen- oder aerodynamischen Kaskaden;

f)

1. Vakuumrohrleitungssysteme oder Vakuumsammelleitungen mit einem Durchsatz von mindestens 5 m3 pro Minute oder

2. Vakuumpumpen, besonders konstruiert zum Gebrauch in UF6-haltiger Atmosphäre;

g)

UF6-Massenspektrometer/Ionenquellen, besonders konstruiert oder hergerichtet zur Aufnahme von Online-Proben des Beschickungsgutes (feed), Products oder Tails des UF6-Gasstromes und mit allen folgenden Eigenschaften:

1. Auflösungsvermögen von 1 amu (atomic mass units) für Massen größer als 320 amu,

2. Ionenquellen, hergestellt aus oder beschichtet mit Nichrom oder Monel bzw. vernickelt,

3. Elektronenstoß-Ionenquellen und

4. Kollektorsystem, geeignet für die Isotopenanalyse.

a)

Systeme zur Umwandlung von Uranerzkonzentraten zu UO3;

b)

Systeme zur Umwandlung von UO3 zu UF6;

c)

Systeme zur Umwandlung von UO3 zu UO2;

d)

Systeme zur Umwandlung von UO2 zu UF4;

e)

Systeme zur Umwandlung von UF4 zu UF6;

f)

Systeme zur Umwandlung von UF4 zu Uranmetall;

g)

Systeme zur Umwandlung von UF6 zu UO2;

h)

Systeme zur Umwandlung von UF6 zu UF4;

i)

Systeme zur Umwandlung von UO2 zu UCl4.

a)

Anlagen zur Herstellung von Schwerem Wasser, Deuterium oder Deuteriumverbindungen wie folgt:

1. Schwefelwasserstoff-Wasser-Austauschanlagen,

2. Ammoniak-Wasserstoff-Austauschanlagen;

b)

Ausrüstung und Bestandteile wie folgt:

1. Schwefelwasserstoff-Wasser-Austauschkolonnen, hergestellt aus kohlenstoffarmem Stahl (z. B. ASTM A516) mit Durchmessern von 6 m bis 9 m, geeignet zum Betrieb bei Drücken größer/gleich 2 MPa und mit einer Materialstärke, die eine Korrosion von 6 mm oder mehr erlaubt,

2. einstufige Niederdruck (d. h. 0,2 MPa)-Zentrifugalgebläse oder Kompressoren für die Umwälzung von Schwefelwasserstoffgas (d. h. Gas mit mehr als 70 % H2S) mit einem Durchsatz größer/gleich 56 m3/s bei einem Ansaugdruck größer/gleich 1,8 MPa und ausgestattet mit Dichtungen, konstruiert zum Gebrauch bei feuchtem Schwefelwasserstoff,

3. Ammoniak-Wasserstoff-Austauschkolonnen mit einer Höhe größer/gleich 35 m und Durchmessern von 1,5 m bis 2,5 m, geeignet zum Betrieb bei Drücken größer als 15 MPa,

4. Kolonneneinrichtungen, einschließlich Stufenreaktoren, und Stufenpumpen, einschließlich Tauchpumpen, zur Produktion von Schwerem Wasser nach dem Ammoniak-Wasserstoff-Austauschverfahren,

5. Ammoniak-Cracker mit Betriebsdrücken größer/gleich 3 MPa zur Produktion von Schwerem Wasser nach dem Ammoniak-Wasserstoff-Austauschverfahren,

6. Infrarot-Absorptionsanalysegeräte, geeignet zur laufenden (online) Messung des Wasserstoff-Deuterium-Verhältnisses bei Deuterium-Konzentrationen größer/gleich 90 Gew.-%,

7. katalytische Verbrennungsanlagen zur Umwandlung von angereichertem Deuteriumgas zu Schwerem Wasser nach dem Ammoniak-Wasserstoff-Austauschverfahren,

8. vollständige Systeme zur Anreicherung oder Reinigung (upgrade systems) von Schwerem Wasser oder Säulen hierfür, zur Anreicherung oder Reinigung von Schwerem Wasser auf Reaktorkonzentration.

a)

üblicherweise mit dem Kernmaterial im Produktionsfluss in unmittelbaren Kontakt kommt oder dieses bearbeitet oder den Produktionsfluss steuert,

b)

das Kernmaterial innerhalb der Umhüllung verschließt,

c)

die Unversehrtheit der Umhüllung oder des Verschlusses prüft oder

d)

die Endbehandlung des umschlossenen Brennstoffs prüft.

a)

Anlagen für die Wiederaufarbeitung von bestrahlten Kernreaktor-Brennelementen, einschließlich Ausrüstung und Bestandteile, die üblicherweise mit dem bestrahlten Kernbrennstoff, den Hauptkernmaterialien und den Spaltprodukten der Prozessströme in direkten Kontakt kommen oder diese direkt steuern,

b)

Brennelementzerhacker- oder -Schreddermaschinen, d. h. fernbediente Ausrüstung zum Zerschneiden, Zerhacken, Schreddern oder Abscheren von bestrahlten Kernreaktor-Brennelementen, -stäben oder -stabbündeln,

c)

Auflösetanks und kritikalitätssichere Tanks (z. B. mit kleinem Durchmesser, ring- oder plattenförmige Tanks), besonders konstruiert oder hergerichtet zur Auflösung bestrahlten Kernreaktor-Brennstoffs, beständig gegen heiße, hochkorrosive Flüssigkeiten und geeignet, fernbedient befüllt und gewartet zu werden,

d)

Gegenstrom-Lösungsextraktoren und Ionenaustauscher, besonders konstruiert oder hergerichtet für die Verwendung in einer Anlage zur Wiederaufarbeitung von bestrahltem natürlichen Uran, abgereicherten Uran oder besonderen spaltbaren Material,

e)

Aufbewahrungs- oder Lagerbehälter, besonders konstruiert, um Kritikalitätssicherheit zu gewährleisten und den korrosiven Eigenschaften von Salpetersäure standzuhalten, Ergänzende Anmerkung: Aufbewahrungs- oder Lagerbehälter können folgende Eigenschaften besitzen:

1. Wände oder innere Strukturen mit einem Boräquivalent (berechnet für alle Anteile gemäß Anmerkung zu Nummer 0C004) von mindestens 2 %,

2. einen maximalen Durchmesser von 175 mm bei zylindrischen Behältern oder

3. eine maximale Breite von 75 mm bei platten- oder ringförmigen Behältern.

f)

Prozesssteuerungseinrichtungen, besonders konstruiert oder hergerichtet für die Überwachung oder Steuerung der Wiederaufarbeitung von bestrahltem natürlichen Uran, abgereicherten Uran oder besonderen spaltbaren Material.

a)

Systeme zur Umwandlung von Plutoniumnitrat in Plutoniumoxid;

b)

Systeme zur Herstellung von Plutoniummetall.

0CWerkstoffe und Materialien

0C001Natürliches Uran oder abgereichertes Uran oder Thorium als Metall, Legierung, chemische Verbindung oder Konzentrat, sowie jedes andere Material, das einen oder mehrere der vorstehend genannten Stoffe enthält. Anmerkung: Nummer 0C001 erfasst nicht: 0C002Besonderes spaltbares Material. Anmerkung: Nummer 0C002 erfasst nicht Mengen bis zu vier effektiven Gramm, wenn diese in einer Fühlanordnung von Instrumenten enthalten sind. 0C003Deuterium, Schweres Wasser (Deuteriumoxid), andere Deuteriumverbindungen sowie Mischungen und Lösungen, in denen das Isotopenverhältnis von Deuterium zu Wasserstoff 1 : 5000 überschreitet. 0C004Nuklearreiner Grafit mit einem Boräquivalent von weniger als 5 ppm und einer Dichte von mehr als 1,5 g/cm3. ANMERKUNG: SIEHE AUCH NUMMER 1C107. Anmerkung 1: Nummer 0C004 erfasst nicht: Anmerkung 2: In Nummer 0C004 wird Boräquivalent (BÄ) definiert als Summe der BÄZ für Verunreinigungen (ausgenommen BÄKohlenstoff, da Kohlenstoff nicht als Verunreinigung angesehen wird) einschließlich Bor, wobei: BÄZ (ppm) = UF × Konzentration des Elementes Z in ppm mit UF als Umrechnungsfaktor = σZ x ABσB x AZ dabei bedeuten: σB (sigma B) und σZ (sigma Z) die Wirkungsquerschnitte (in barn) für die Absorption thermischer Neutronen für Bor und das Element Z, AB und AZ die Atomgewichte der natürlich vorkommenden Elemente Bor und Z. 0C005Besonders hergerichtete Verbindungen oder Pulver zur Herstellung von Gasdiffusionstrennwänden, resistent gegen UF6 (z. B. Nickel oder Verbindungen, die 60 Gew.-% oder mehr Nickel enthalten, Aluminiumoxid und vollfluorierte Kohlenwasserstoff-Polymere), mit einer Reinheit von 99,9 Gew.-% oder mehr und einer mittleren Korngröße kleiner als 10 μm gemäß ASTM-Standard B 330 sowie einem hohen Grad einheitlicher Korngrößen.

a)

Mengen bis zu vier Gramm natürlichen Urans oder abgereicherten Urans, wenn es in einer Fühlanordnung von Instrumenten enthalten ist,

b)

abgereichertes Uran, besonders hergestellt für folgende, nichtnukleare, zivile Verwendungszwecke:

1. Abschirmungen,

2. Verpackungen,

3. Ballast mit einer Masse kleiner/gleich 100 kg,

4. Ausgleichsgewichte mit einer Masse kleiner/gleich 100 kg.

c)

Legierungen mit weniger als 5 % Thorium,

d)

thoriumhaltige keramische Erzeugnisse, die für nichtnukleare Zwecke hergestellt wurden.

a)

Erzeugnisse aus Grafit mit einer Masse kleiner als 1 kg, soweit diese nicht zur Verwendung in einem Kernreaktor besonders konstruiert oder hergerichtet sind,

b)

Grafitpulver.

0DDatenverarbeitungsprogramme (Software)

0D001Software, besonders entwickelt oder geändert für die Entwicklung, Herstellung oder Verwendung von Gütern, die von dieser Kategorie erfasst werden.

0ETechnologie

0E001Technologie entsprechend der Nukleartechnologie-Anmerkung für die Entwicklung, Herstellung oder Verwendung von Gütern, die von dieser Kategorie erfasst werden.

KATEGORIE 1 WERKSTOFFE, CHEMIKALIEN, MIKROORGANISMEN UND TOXINE

1ASysteme, Ausrüstung und Bestandteile Technische Anmerkung:

1A001Bauteile aus fluorierten Verbindungen wie folgt: 1A002Verbundwerkstoff-Strukturen oder Laminate mit einer der folgenden Eigenschaften: ANMERKUNG: SIEHE AUCH NUMMERN 1A202, 9A010 UND 9A110. Anmerkung 1: Nummer 1A002 erfasst nicht Verbundwerkstoff-Strukturen oder Laminate, hergestellt aus epoxyharzimprägnierten faser- oder fadenförmigen Materialien aus Kohlenstoff für die Reparatur von Luftfahrzeug-Strukturen oder Laminaten, sofern sie nicht größer sind als 1 m2. Anmerkung 2: Nummer 1A002 erfasst nicht Fertig- oder Halbfertigprodukte, besonders konstruiert für rein zivile Verwendungen wie folgt: 1A003Erzeugnisse aus von Unternummer 1C008a3 erfassten nichtfluorierten, polymeren Substanzen in Form von Folien, Planen, Bändern oder Streifen, mit einer der folgenden Eigenschaften: Anmerkung: Nummer 1A003 erfasst nicht Erzeugnisse, die mit Kupfer beschichtet oder laminiert sind, konstruiert für die Herstellung von elektronischen gedruckten Schaltungen. 1A004Schutz- und Nachweisausrüstung sowie Bestandteile, soweit nicht erfasst von der Liste für Waffen, Munition und Rüstungsmaterial, wie folgt: ANMERKUNG: SIEHE AUCH NUMMERN 2B351 UND 2B352. Anmerkung: Nummer 1A004 erfasst nicht: 1A005Körperpanzer und besonders konstruierte Bestandteile hierfür, die nicht gemäß militärischen Standards bzw. Spezifikationen oder hierzu äquivalenten Leistungsanforderungen hergestellt sind. ANMERKUNG: SIEHE AUCH LISTE FÜR WAFFEN, MUNITION UND RÜSTUNGSMATERIAL. Ergänzende Anmerkung: Zur Erfassung von faser- oder fadenförmige Materialien, die bei der Fertigung von Körperpanzern verwendet werden, siehe Nummer 1C010. Anmerkung 1: Nummer 1A005 erfasst nicht einzelne Körperpanzer oder Schutzbekleidung, wenn diese von ihren Benutzern zu deren eigenem persönlichen Schutz mitgeführt werden. Anmerkung 2: Nummer 1A005 erfasst nicht Körperpanzer, die nur zum frontalen Schutz gegen Splitter und Druckwellen von nichtmilitärischen Sprengkörpern konstruiert sind. 1A102Restaurierte, pyrolysierte Kohlenstoff-Kohlenstoff-Komponenten, konstruiert für von Nummer 9A004 erfasste Trägerraketen oder von Nummer 9A104 erfasste Höhenforschungsraketen. 1A202Verbundwerkstoff-Strukturen, soweit nicht erfasst von Nummer 1A002, in Rohrform und mit allen folgenden Eigenschaften: ANMERKUNG: SIEHE AUCH NUMMERN 9A010 UND 9A110. 1A225Platinierte Katalysatoren, besonders konstruiert oder hergerichtet zur Förderung der Wasserstoffaustauschreaktion zwischen Wasserstoff und Wasser zur Tritiumrückgewinnung aus Schwerem Wasser oder zur Schwerwasserproduktion. 1A226Besonders hergerichtete Füllstoffe, die zur Trennung von Schwerem Wasser aus Wasser verwendet werden können, mit allen folgenden Eigenschaften: 1A227Strahlenschutzfenster hoher Dichte (z. B. Bleiglas) mit allen folgenden Eigenschaften, sowie besonders konstruierte Rahmen hierfür: Aktivitätsfreie Seite im Sinne von Nummer 1A227 bezeichnet die Sichtfläche des Fensters, die bei der Soll-Anwendung der niedrigsten Strahlung ausgesetzt ist.

1ASysteme, Ausrüstung und Bestandteile a)

Verschlüsse, Dichtungen, Dichtungsmassen oder Brennstoffblasen (fuel bladders), besonders konstruiert für Luftfahrzeug- und Raumfahrtanwendungen und zu über 50 Gew.- % aus einem der von Unternummer 1C009b oder 1C009c erfassten Werkstoffe hergestellt;

b)

piezoelektrische Polymere und Copolymere aus Vinylidenfluorid, erfasst von Unternummer 1C009a, mit allen folgenden Eigenschaften:

1. in Form einer Plane oder einer Folie und

2. mit einer Dicke größer als 200 μm;

c)

Verschlüsse, Dichtungen, Ventilsitze, Blasen oder Membrane aus Fluorelastomeren, die mindestens eine Vinylethergruppe als Strukturbaustein enthalten, besonders konstruiert für Luftfahrzeug- und Raumfahrt- oder für Flugkörper-Anwendungen. Anmerkung:Flugkörper im Sinne von Unternummer 1A001c bedeutet vollständige Raketensysteme und unbemannte Luftfahrzeugsysteme.

a)

mit einer organischen Matrix und hergestellt aus von Unternummer 1C010c, 1C010d oder 1C010e erfassten Materialien oder

b)

mit einer Metall- oder Kohlenstoff-Matrix und hergestellt aus einem der folgenden Materialien:

1. faser- oder fadenförmige Materialien aus Kohlenstoff mit allen folgenden Eigenschaften:

1. a)

spezifischer Modul größer als 10,15 × 106 m und

b)

spezifische Zugfestigkeit größer als 17,7 × 104 m oder

2. Werkstoffe, die von Unternummer 1C010c erfasst werden.

a)

Sportartikel,

b)

Automobilindustrie,

c)

Werkzeugmaschinenindustrie,

d)

medizinischer Bereich.

a)

Dicke größer als 0,254 mm oder

b)

beschichtet oder laminiert mit Kohlenstoff, Grafit, Metallen oder magnetischen Substanzen.

a)

Gasmasken, Filter und Ausrüstung zur Dekontamination, konstruiert oder modifiziert zur Abwehr von biologischen Agenzien oder radioaktiven Stoffen für den Kriegsgebrauch oder chemischen Kampfstoffen und besonders konstruierte Bestandteile hierfür;

b)

Schutzanzüge, Handschuhe und Schuhe, besonders konstruiert oder modifiziert zur Abwehr von biologischen Agenzien oder radioaktiven Stoffen für den Kriegsgebrauch oder chemischen Kampfstoffen;

c)

ABC-Nachweisausrüstung, besonders konstruiert oder modifiziert zur Feststellung oder Identifizierung von biologischen Agenzien oder radioaktiven Stoffen für den Kriegsgebrauch oder chemischen Kampfstoffen und besonders konstruierte Bestandteile hierfür.

a)

Strahlendosimeter für den persönlichen Gebrauch,

b)

Ausrüstung, die durch Konstruktion oder Funktion auf den Schutz gegen bestimmte Gefahren im gewerblichen Bereich, wie Bergbau, Steinbrüche, Landwirtschaft, Pharmazie, Medizin, Tierheilkunde, Umwelt, Abfallwirtschaft oder Nahrungsmittelindustrie, begrenzt ist.

a)

einem Innendurchmesser zwischen 75 mm und 400 mm und

b)

hergestellt aus beliebigen faser- oder fadenförmigen Materialien gemäß Unternummer 1C010a, 1C010b oder 1C210a oder aus Prepreg-Materialien aus Kohlenstoff gemäß Unternummer 1C210c.

a)

hergestellt aus Phosphorbronze-Geflecht, chemisch behandelt zur Verbesserung der Benetzbarkeit und

b)

konstruiert zur Verwendung in Vakuum-Destillationskolonnen.

a)

einer Fläche größer als 0,09 m2 auf der aktivitätsfreien Seite,

b)

einer Dichte größer als 3 g/cm3und

c)

einer Dicke größer/gleich 100 mm.

1BPrüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen

1B001Ausrüstung für die Herstellung der von Nummer 1A002 oder 1C010 erfassten Fasern, Prepregs, Preforms oder Verbundwerkstoffe wie folgt sowie besonders konstruierte Bestandteile und besonders konstruiertes Zubehör hierfür: ANMERKUNG: SIEHE AUCH NUMMERN 1B101 UND 1B201. 1B002Ausrüstung zum Herstellen von Metalllegierungen, Metalllegierungspulver oder legierten Werkstoffen, besonders konstruiert zur Vermeidung von Verunreinigungen und besonders konstruiert zur Verwendung in einem der in Unternummer 1C002c2 genannten Verfahren. ANMERKUNG: SIEHE AUCH NUMMER 1B102. 1B003Werkzeuge, Matrizen, Formen oder Spannvorrichtungen für das superplastische Umformen oder Diffusionsschweißen von Titan oder Aluminium oder deren Legierungen, besonders konstruiert zur Fertigung von: 1B101Ausrüstung, die nicht von Nummer 1B001 erfasst wird, für die Herstellung von Struktur-Verbundwerkstoffen, wie folgt sowie besonders konstruierte Bestandteile und besonders konstruiertes Zubehör hierfür: ANMERKUNG: SIEHE AUCH NUMMER 1B201. Anmerkung: Von Nummer 1B101 erfasste Bestandteile und erfasstes Zubehör schließt Gussformen, Dorne, Gesenke, Vorrichtungen und Werkzeuge zum Formpressen, Aushärten, Gießen, Sintern oder Kleben von Verbundwerkstoff-Strukturen und Laminaten sowie Erzeugnisse daraus ein. 1B102Herstellungsausrüstung für Metallpulver, die nicht von Nummer 1B002 erfasst wird und Bestandteile wie folgt: ANMERKUNG: SIEHE AUCH UNTERNUMMER 1B115B. Anmerkung: Nummer 1B102 schließt ein: 1B115Ausrüstung, die nicht von Nummer 1B002 oder 1B102 erfasst wird, für die Herstellung von Treibstoffen oder Treibstoffzusätzen, wie folgt, und besonders konstruierte Bestandteile hierfür: Anmerkung 1: Ausrüstung, besonders konstruiert für die Herstellung militärischer Güter: Siehe Liste für Waffen, Munition und Rüstungsmaterial. Anmerkung 2: Nummer 1B115 erfasst nicht Ausrüstung für die Herstellung, Handhabung oder Abnahmeprüfung von Borkarbid. 1B116Düsen, besonders konstruiert zur Fertigung pyrolytisch erzeugter Materialien, die in einer Form, auf einem Dorn oder einem anderen Substrat aus Vorstufengasen abgeschieden werden, die in einem Temperaturbereich von 1573K (1300 °C) bis 3173 K (2900 °C) und bei einem Druck von 130 Pa bis 20 kPa zerfallen. 1B117Chargenmischer, die für das Mischen im Vakuum im Bereich von 0 bis 13,326 kPa geeignet sind, mit Temperaturregelung der Mischkammer und allen folgenden Eigenschaften und besonders konstruierte Bestandteile hierfür: 1B118Durchlaufmischer, die für das Mischen im Vakuum im Bereich von 0 bis 13,326 kPa geeignet sind, mit einer Temperaturregelung der Mischkammer und einer der folgenden Eigenschaften, sowie besonders konstruierte Bestandteile hierfür: 1B119Strahlmühlen (fluid energy mills), geeignet zum Zerkleinern oder Zermahlen von Materialien, die von Unternummer 1C011a, 1C011b, Nummer 1C111 oder der Liste für Waffen, Munition und Rüstungsmaterial erfasst werden, und besonders konstruierte Bestandteile hierfür. 1B201Faserwickelmaschinen, soweit nicht erfasst von Nummer 1B001 oder 1B101, und zugehörige Ausrüstung wie folgt: 1B225Elektrolytische Zellen für die Erzeugung von Fluor mit einer Fertigungskapazität von mehr als 250 g Fluor je Stunde. 1B226Separatoren zur elektromagnetischen Isotopentrennung, konstruiert für den Betrieb mit einer oder mehreren Ionenquellen, die einen Gesamtstrahlstrom von größer/gleich 50 mA liefern können, oder die mit solchen Ionenquellen ausgestattet sind. Anmerkung: Nummer 1B226 schließt Separatoren ein: 1B227Konverter oder Ausrüstung für die Ammoniak-Synthese, bei der das Synthesegas (Stickstoff und Wasserstoff) einer Ammoniak-Wasserstoff-Hochdruck-Austauschkolonne entnommen und das synthetisierte Ammoniak in die Kolonne zurückgeführt wird. 1B228Wasserstoff-Tieftemperaturdestillationskolonnen mit allen folgenden Eigenschaften: 1B229Wasser-Schwefelwasserstoff-Austauschkolonnen und interne Kontaktoren, wie folgt: Anmerkung: Kolonnen, besonders konstruiert oder hergerichtet für die Herstellung von Schwerem Wasser: Siehe Nummer 0B004. 1B230Umwälzpumpen für Kaliumamid-Katalysatoren (Kontaktmittel) in verdünnter oder konzentrierter Lösung in flüssigem Ammoniak (KNH2/NH3) mit allen folgenden Eigenschaften: 1B231Tritium-Anlagen oder -Einrichtungen und Ausrüstung hierfür, wie folgt: 1B232Expansionsturbinen oder Expansions-Kompressionsturbinen-Sätze, mit allen folgenden Eigenschaften: 1B233Anlagen oder Einrichtungen für die Lithium-Isotopentrennung und Ausrüstung hierfür, wie folgt:

a)

Faserwickelmaschinen, deren Bewegungen zum Positionieren, Wickeln und Aufrollen von Fäden in drei oder mehr Achsen koordiniert und programmiert sind, besonders konstruiert für die Fertigung von Verbundwerkstoff-Strukturen oder Laminaten aus faser- oder fadenförmigen Materialien;

b)

Bandlegemaschinen oder Kabelplatzierungsmaschinen, deren Bewegungen zum Positionieren und Legen von Bändern, Kabeln oder Bahnen in zwei oder mehr Achsen koordiniert und programmiert sind, besonders konstruiert zur Fertigung von Luftfahrzeugzellen und Flugkörper-Strukturen aus Verbundwerkstoffen; Anmerkung:Flugkörper im Sinne von Unternummer 1B001b bedeutet vollständige Raketensysteme und unbemannte Luftfahrzeugsysteme.

c) Technische Anmerkung:

mehrfachgerichtete und mehrdimensionale Web- oder interlacing-Maschinen einschließlich Anpassungsteilen und Umbauteilsätzen zum Weben, Stricken, Wirken, Flechten oder Umspinnen von Fasern für die Fertigung von Verbundwerkstoff-Strukturen; Interlacing-Verfahren im Sinne von Unternummer 1B001c schließen Stricken und Wirken ein. Anmerkung: Unternummer 1B001c erfasst nicht Textilmaschinen, die nicht für die oben genannten Endverwendungen geändert worden sind.

d)

Ausrüstung, besonders konstruiert oder angepasst für die Herstellung von Verstärkungsfasern, wie folgt:

1. Ausrüstung für die Umwandlung von Polymerfasern (wie Polyacrylnitril, Rayon, Pech oder Polycarbosilan) in Kohlenstofffasern oder Siliziumkarbidfasern, einschließlich besonderer Vorrichtungen zum Strecken der Faser während der Wärmebehandlung,

2. Ausrüstung für die chemische Beschichtung aus der Gasphase (CVD) mit Elementen oder Verbindungen auf erhitzte fadenförmige Substrate zur Fertigung von Siliziumkarbidfasern,

3. Ausrüstung für das Nassverspinnen hochtemperaturbeständiger Keramiken (z. B. Aluminiumoxid),

4. Ausrüstung für die Umwandlung durch Wärmebehandlung von aluminiumhaltigen Faser-Preforms in Aluminiumoxid-Fasern;

e)

Ausrüstung zur Herstellung der von Unternummer 1C010e erfassten Prepregs durch Heißschmelz-Verfahren;

f)

Ausrüstung zur zerstörungsfreien, dreidimensionalen Prüfung von Fehlern mittels Ultraschall- oder Röntgentomografie, besonders konstruiert für Verbundwerkstoffe.

a)

Strukturen für die Luft- und Raumfahrt,

b)

Motoren für Luftfahrzeuge oder Raumfahrt oder

c)

besonders konstruierten Bauteilen für solche Strukturen oder Motoren.

a)

Faserwickelmaschinen, deren Bewegungen zum Positionieren, Wickeln und Aufrollen von Fäden in drei oder mehr Achsen koordiniert und programmiert werden können, konstruiert für die Fertigung von Verbundwerkstoff-Strukturen oder Laminaten aus faser- oder fadenförmigen Materialien und Steuereinrichtungen zum Koordinieren und Programmieren hierfür;

b)

Bandlegemaschinen, deren Bewegungen zum Positionieren und Legen von Bändern oder Bahnen in zwei oder mehr Achsen koordiniert und programmiert werden können, konstruiert zur Fertigung von Luftfahrzeugzellen und Flugkörper-Strukturen aus Verbundwerkstoffen;

c)

Ausrüstung, konstruiert oder geändert für die Herstellung von faser- oder fadenförmigen Materialien, wie folgt:

1. Ausrüstung für die Umwandlung von Polymerfasern (z. B. Polyacrylnitril, Rayon oder Polycarbosilan) einschließlich besonderer Einrichtungen zum Strecken der Faser während der Wärmebehandlung,

2. Ausrüstung für die Beschichtung aus der Gasphase (VD) mit Elementen oder Verbindungen auf erhitzte fadenförmige Substrate,

3. Ausrüstung für das Nassverspinnen hochtemperaturbeständiger Keramiken (z. B. Aluminiumoxid);

d)

Ausrüstung, konstruiert oder geändert zur speziellen Faseroberflächenbehandlung oder für die Herstellung von Prepregs oder Preforms, erfasst von Nummer 9C110. Anmerkung: Von Unternummer 1B101d erfasste Ausrüstung schließt Rollen, Streckeinrichtungen, Beschichtungs- und Schneideinrichtungen sowie Stanzformen (clicker dies) ein.

a)

Herstellungsausrüstung für Metallpulver, verwendbar zur Herstellung von kugelförmigen oder atomisierten Materialien, die von Unternummer 1C011a, 1C011b, 1C111a1, 1C111a2 oder der Liste für Waffen, Munition und Rüstungsmaterial erfasst werden, in einer kontrollierten Umgebung;

b)

besonders konstruierte Bestandteile für Herstellungsausrüstung die von Nummer 1B002 oder Unternummer 1B102a erfasst werden.

a)

Plasmageneratoren (high frequency arc-jet), geeignet zur Erzeugung von gesputterten oder kugelförmigen Metallpulvern unter Argon-Wasser-Umgebung.

b)

Elektroburst-Ausrüstung, geeignet zur Erzeugung von gesputterten oder kugelförmigen Metallpulvern unter Argon-Wasser-Umgebung.

c)

Ausrüstung, geeignet zur Herstellung von kugelförmigen Aluminiumpulvern durch Pulverisieren einer Schmelze unter Schutzgas (z. B. Stickstoff).

a)

Herstellungsausrüstung für die Herstellung, Handhabung oder Abnahmeprüfung von Flüssigtreibstoffen oder Treibstoffzusätzen, die von Unternummer 1C011a, 1C011b, Nummer 1C111 oder der Liste für Waffen, Munition und Rüstungsmaterial erfasst werden;

b)

Herstellungsausrüstung für die Herstellung, Handhabung, das Mischen, Aushärten, Gießen, Pressen, Bearbeiten, Extrudieren oder die Abnahmeprüfung von Festtreibstoffen oder Treibstoffzusätzen, die von Unternummer 1C011a, 1C011b, Nummer 1C111 oder der Liste für Waffen, Munition und Rüstungsmaterial erfasst werden. Anmerkung: Unternummer 1B115b erfasst nicht Chargenmischer, Durchlaufmischer oder Strahlmühlen. Für die Erfassung von Chargenmischern, Durchlaufmischern oder Strahlmühlen siehe Nummer 1B117, 1B118 oder 1B119.

a)

Gesamtfassungsvermögen größer/gleich 110 l und

b)

mindestens einer exzentrischen Misch-/Knetwelle.

a)

zwei oder mehrere Misch-/Knetwellen oder

b)

eine einzige rotierende und oszillierende Welle mit Zähnen/Nocken sowohl auf der Welle als auch innen im Mischkammergehäuse.

a)

Faserwickelmaschinen mit allen folgenden Eigenschaften:

1. Bewegungen zum Positionieren, Wickeln und Aufrollen von Fäden in zwei oder mehr Achsen koordiniert und programmiert,

2. besonders konstruiert für die Fertigung von Verbundwerkstoff-Strukturen oder Laminaten aus faser- oder fadenförmigen Materialienund

3. geeignet zum Wickeln zylindrischer Rotoren mit Durchmessern zwischen 75 mm und 400 mm und Längen größer/gleich 600 mm;

b)

Steuereinrichtungen zum Koordinieren und Programmieren von Faserwickelmaschinen, die von Unternummer 1B201a erfasst werden;

c)

Präzisionsdorne für Faserwickelmaschinen, die von Unternummer 1B201a erfasst werden.

a)

die stabile Isotope anreichern können;

b)

mit Ionenquellen und Kollektoren innerhalb und außerhalb des magnetischen Feldes.

a)

konstruiert zum Einsatz bei Betriebstemperaturen kleiner/gleich 35 K (– 238 °C),

b)

konstruiert zum Einsatz bei Betriebsdrücken von 0,5 bis 5 MPa,

c)

hergestellt aus:

1. rostfreien Stählen der Serie 300 mit niedrigem Schwefelgehalt und mit einer austenitischen Korngrößenzahl nach ASTM (oder einer gleichwertigen Norm) von 5 oder darüber oder

2. vergleichbaren tieftemperatur- und wasserstoffverträglichen Werkstoffen und

d)

mit einem Innendurchmesser größer/gleich 1 m und effektiven Längen größer/gleich 5 m.

a)

Wasser-Schwefelwasserstoff-Austauschkolonnen mit allen folgenden Eigenschaften:

1. Betrieb bei Nenndrücken größer/gleich 2 MPa,

2. hergestellt aus kohlenstoffarmem Stahl mit einer austenitischen Korngrößenzahl nach ASTM (oder einer gleichwertigen Norm) von 5 oder darüber und

3. Durchmesser größer/gleich 1,8 m;

b) Technische Anmerkung:

Interne Kontaktoren für Wasser-Schwefelwasserstoff-Austauschkolonnen erfasst in Unternummer 1B229a. Interne Kontaktoren der Kolonnen sind segmentierte Böden mit einem effektiven Verbunddurchmesser größer/gleich 1,8 m, konstruiert zur Erleichterung der Gegenstromextraktion und hergestellt aus rostfreien Stählen mit einem Kohlenstoffgehalt kleiner/gleich 0,03 %. Hierbei kann es sich um Siebböden, Ventilböden, Glockenböden oder Turbogridböden handeln.

a)

hermetisch dicht,

b)

Leistung größer als 8,5 m3/h und

c)

mit einer der folgenden Eigenschaften:

1. für konzentrierte Kaliumamidlösungen größer/gleich 1 % bei einem Arbeitsdruck von 1,5 bis 60 MPa oder

2. für verdünnte Kaliumamidlösungen kleiner als 1 % bei einem Arbeitsdruck von 20 bis 60 MPa.

a)

Anlagen oder Einrichtungen für die Herstellung, Rückgewinnung, Extraktion, Konzentration oder Handhabung von Tritium;

b)

Ausrüstung für Tritium-Anlagen oder -Einrichtungen, wie folgt:

1. Wasserstoff- oder Helium-Kälteaggregate, die auf 23 K (– 250 °C) oder weniger kühlen können, mit einer Wärmeabfuhrkapazität größer als 150 W;

2. Wasserstoffisotopen-Speicher- oder Reinigungssysteme mit Metallhydriden als Speicher- oder Reinigungsmedium.

a)

konstruiert für den Betrieb bei Ausgangstemperaturen kleiner/gleich 35 K (– 238 °C) und

b)

konstruiert für einen Wasserstoffgas-Durchsatz größer/gleich 1000 kg/h.

a)

Anlagen oder Einrichtungen für die Trennung von Lithiumisotopen;

b)

Ausrüstung für die Trennung von Lithiumisotopen, wie folgt:

1. Flüssig-flüssig-Füllkörper-Extraktions-Kolonnen, besonders konstruiert für Lithiumamalgame,

2. Quecksilber- oder Lithium-Amalgampumpen,

3. Lithiumamalgam-Elektrolysezellen,

4. Verdampfer für konzentrierte Lithiumhydroxid-Lösung.

1CWerkstoffe und Materialien Technische Anmerkung: Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkungen:

Metalle und Legierungen: Rohformen: Halbzeugformen (auch überzogen, plattiert, gebohrt oder gestanzt): Der Kontrollzweck darf nicht unterlaufen werden durch die Ausfuhr von nicht gelisteten, angeblich fertigen Formen, die in Wirklichkeit aber Roh- oder Halbzeugformen darstellen. 1C001Werkstoffe, besonders entwickelt zum Gebrauch als Absorptionsmittel für elektromagnetische Wellen, oder eigenleitfähige Polymere wie folgt: ANMERKUNG: SIEHE AUCH NUMMER 1C101. 1C002Metalllegierungen, Metalllegierungspulver oder legierte Werkstoffe wie folgt: ANMERKUNG: SIEHE AUCH NUMMER 1C202. Anmerkung: Nummer 1C002 erfasst nicht Metalllegierungen, Metalllegierungspulver oder legierte Werkstoffe für die Beschichtung von Substraten. 1C003Magnetische Metalle aller Typen und in jeder Form mit einer der folgenden Eigenschaften: 1C004Uran-Titanlegierungen oder Wolframlegierungen mit einer Matrix auf Eisen-, Nickel- oder Kupferbasis mit allen folgenden Eigenschaften: 1C005Supraleitende Doppelleiter (composite conductors) mit einer Länge größer als 100 m oder einer Masse größer als 100 g wie folgt: 1C006Flüssigkeiten und Schmiermittel wie folgt: Im Sinne von Nummer 1C006 wird: 1C007Keramische Ausgangsmaterialien, keramische Nicht-Verbundwerkstoffe, Verbundwerkstoffe mit keramischer Matrix und keramische Vormaterialien wie folgt: ANMERKUNG: SIEHE AUCH NUMMER 1C107. 1C008Nichtfluorierte Polymere wie folgt: Die Glasübergangstemperatur (Tg) für die von Nummer 1C008 erfassten Materialien wird bestimmt nach der in ISO 11357-2 (1999) beschriebenen Methode oder vergleichbaren nationalen Verfahren. 1C009Unverarbeitete fluorierte Verbindungen wie folgt: 1C010Faser- oder fadenförmige Materialien, die in Verbundwerkstoff-Strukturen oder Laminaten mit organischer Matrix, Metall-Matrix oder Kohlenstoff-Matrix verwendet werden können, wie folgt: ANMERKUNG: SIEHE AUCH NUMMER 1C210. 1C011Metalle und Verbindungen, wie folgt: ANMERKUNG: SIEHE AUCH LISTE FÜR WAFFEN, MUNITION UND RÜSTUNGSMATERIAL UND NUMMER 1C111. 1C012Materialien, wie folgt: Diese Materialien werden typischerweise für nukleare Wärmequellen verwendet. 1C101Andere als die von Nummer 1C001 erfassten Werkstoffe und Geräte zur Verminderung von Messgrößen wie Radarreflexion, Ultraviolett-/Infrarot-Rückstrahlung und Schallsignatur, geeignet für Flugkörper und Flugkörper-Subsysteme oder von Nummer 9A012 erfasste unbemannte Luftfahrzeuge. Anmerkung 1: Nummer 1C101 schließt Folgendes ein: Anmerkung 2: Nummer 1C101 erfasst nicht Materialien für die Verwendung zur Temperaturregelung von Satelliten. Flugkörper im Sinne der Nummer 1C101 bedeutet vollständige Raketensysteme und unbemannte Luftfahrzeuge mit einer Reichweite größer als 300 km. 1C102Resaturierte, pyrolysierte Kohlenstoff-Kohlenstoff-Materialien, konstruiert für von Nummer 9A004 erfasste Trägerraketen oder von Nummer 9A104 erfasste Höhenforschungsraketen. 1C107Keramik- oder Grafitmaterialien, die nicht von Nummer 1C007 erfasst werden, wie folgt: 1C111Treibstoffe und chemische Bestandteile für Treibstoffe, die nicht von Nummer 1C011 erfasst werden, wie folgt: Anmerkung: Treibstoffe und chemische Treibstoffzusätze, die nicht von Nummer 1C111 erfasst werden: Siehe Liste für Waffen, Munition und Rüstungsmaterial. 1C116Martensitaushärtender Stahl (maraging steel) (im Allgemeinen mit hohem Nickel- und sehr geringem Kohlenstoffgehalt sowie gekennzeichnet durch die Verwendung von Substitutionselementen zur Ausscheidungshärtung) mit einer erreichbaren Zugfestigkeit größer/gleich 1500 MPa, gemessen bei 293 K (20 °C), in Form von Blechen, Platten oder Rohren mit einer Wand-/Plattenstärke kleiner/gleich 5 mm. ANMERKUNG SIEHE AUCH NUMMER 1C216. 1C117Wolfram, Molybdän und Legierungen dieser Metalle in Form einheitlich kugelförmiger oder staubförmiger Partikel mit einer Partikelgröße kleiner/gleich 500 μm und einer Reinheit von mindestens 97 %, für die Herstellung von Flugkörper-Motorteilen, d. h. Hitzeschilden, Düsensubstraten, Düsenhälsen und Steuerflächen zur Schubvektorsteuerung. 1C118Titanstabilisierter Duplexstahl (Ti-DSS) mit allen folgenden Eigenschaften: 1C202Legierungen, die nicht von Unternummer 1C002b3 oder 1C002b4 erfasst werden, wie folgt: Nummer 1C202 erfasst Legierungen vor und nach einer Wärmebehandlung. 1C210Faser- oder fadenförmige Materialien oder Prepregs, die nicht von Unternummer 1C010a, 1C010b oder 1C010e erfasst werden, wie folgt: Anmerkung: In Nummer 1C210 sind die faser- oder fadenförmigen Materialien begrenzt auf endlose Einzelfäden (monofilaments), Garne, Faserbündel (rovings), Seile oder Bänder. 1C216Martensitaushärtender Stahl (maraging steel), der nicht von Nummer 1C116 erfasst wird, mit einer erreichbaren Zugfestigkeit größer/gleich 2050 MPa bei 293 K (20 °C). Anmerkung: Nummer 1C216 erfasst nicht Teile, bei denen keine lineare Dimension 75 mm überschreitet. Nummer 1C216 erfasst martensitaushärtenden Stahl vor und nach einer Wärmebehandlung. 1C225Bor, angereichert mit dem Bor-10 (10B)-Isotop über seine natürliche Isotopenhäufigkeit hinaus, wie folgt: elementares Bor, Verbindungen, borhaltige Mischungen, Erzeugnisse hieraus und Abfall und Schrott aus einem der vorgenannten. Anmerkung: Borhaltige Mischungen im Sinne der Nummer 1C225 schließen mit Bor belastete Materialien ein. Die natürliche Isotopenhäufigkeit von Bor-10 beträgt etwa 18,5 Gew.-% (20 Atom-%). 1C226Wolfram, Wolframkarbid und Legierungen mit einem Wolframanteil von mehr als 90 Gew.-%, mit allen folgenden Eigenschaften: Anmerkung: Nummer 1C226 erfasst nicht Erzeugnisse, besonders konstruiert für die Verwendung als Gewichte oder Kollimatoren für Gammastrahlen. 1C227Kalzium mit allen folgenden Eigenschaften: 1C228Magnesium mit allen folgenden Eigenschaften: 1C229Wismut mit allen folgenden Eigenschaften: 1C230Beryllium-Metall, Legierungen mit einem Berylliumanteil von mehr als 50 Gew.-%, Berylliumverbindungen, Erzeugnisse hieraus und Abfall und Schrott aus einem der vorgenannten. Anmerkung: Nummer 1C230 erfasst nicht: 1C231Hafnium-Metall, Legierungen und Verbindungen mit einem Hafniumanteil von mehr als 60 Gew.-%, Erzeugnisse hieraus und Abfall und Schrott aus einem der vorgenannten. 1C232Helium-3 (3He), Mischungen, die Helium-3 enthalten, und Erzeugnisse oder Geräte, die einen der vorstehenden Stoffe enthalten. Anmerkung: Nummer 1C232 erfasst nicht Erzeugnisse und Geräte, die weniger als 1 g Helium-3 enthalten. 1C233Lithium, angereichert mit dem Lithium-6 (6Li)-Isotop über seine natürliche Isotopenhäufigkeit hinaus, und Erzeugnisse oder Geräte, die angereichertes Lithium enthalten, wie folgt: elementares Lithium, Legierungen, Verbindungen, lithiumhaltige Mischungen, Erzeugnisse hieraus und Abfall und Schrott aus einem der vorgenannten. Anmerkung: Nummer 1C233 erfasst nicht Thermolumineszenz-Dosimeter. Die natürliche Isotopenhäufigkeit von Lithium-6 beträgt etwa 6,5 Gew.-% (7,5 Atom-%). 1C234Zirkonium mit einem Gewichtsanteil Hafnium kleiner als 2000 ppm bezogen auf den Zirkoniumanteil, wie folgt: Metall, Legierungen mit einem Zirkoniumanteil größer als 50 Gew -%, Verbindungen, Erzeugnisse hieraus und Abfall und Schrott aus einem der vorgenannten. Anmerkung: Nummer 1C234 erfasst nicht Zirkonium in Form von Folien mit einer Dicke kleiner/gleich 0,10 mm. 1C235Tritium, Tritiumverbindungen, Mischungen mit einem Verhältnis der Anzahl der Tritiumatome zur Anzahl der Wasserstoffatome größer als 1:1000 und Erzeugnisse oder Geräte, die eines der vorgenannten enthalten. Anmerkung: Nummer 1C235 erfasst nicht Erzeugnisse oder Geräte mit weniger als 1,48 × 103 GBq (40 Ci) Tritium. 1C236Alphastrahlen emittierende Radionuklide mit einer Halbwertszeit größer/gleich 10 Tage, jedoch kleiner als 200 Jahre, in folgenden Formen: Anmerkung: Nummer 1C236 erfasst nicht Erzeugnisse oder Geräte mit einer Alphaaktivität kleiner als 3,7 GBq (100 Millicurie). 1C237Radium-226 (226Ra), Radium-226-Legierungen, Radium-226-Verbindungen, Mischungen, die Radium-226 enthalten, Erzeugnisse hieraus und Erzeugnisse oder Geräte, die eines der vorgenannten enthalten. Anmerkung: Nummer 1C237 erfasst nicht: 1C238Chlortrifluorid (ClF3). 1C239Sprengstoffe, die nicht von der Liste für Waffen, Munition und Rüstungsmaterial erfasst werden, mit einer Kristalldichte größer als 1,8 g/cm3 und einer Detonationsgeschwindigkeit größer als 8000 m/s oder Stoffe oder Mischungen, die diese Sprengstoffe mit mehr als 2 Gew -% enthalten. 1C240Nickelpulver und poröses Nickelmetall, soweit nicht von Nummer 0C005 erfasst, wie folgt: Anmerkung: Nummer 1C240 erfasst nicht: Unternummer 1C240b erstreckt sich auf das poröse Metall, das durch Verdichten und Sintern der von Unternummer 1C240a erfassten Materialien zu einem Metallmaterial mit feinen, über die ganze Struktur miteinander verbundenen Poren gewonnen wird. 1C350Chemikalien, die als Ausgangsstoffe für toxische Wirkstoffe verwendet werden können, wie folgt und Mischungen von Chemikalien, die eine oder mehrere dieser Chemikalien enthalten: ANMERKUNG: SIEHE AUCH LISTE FÜR WAFFEN, MUNITION UND RÜSTUNGSMATERIAL UND NUMMER 1C450. Anmerkung 1: Für Ausfuhren in Nichtvertragsstaaten des Chemiewaffenübereinkommens erfasst Nummer 1C350 nicht Mischungen von Chemikalien, die eine oder mehrere der von den Unternummern 1C350 1, 3, 5, 11, 12, 13, 17, 18, 21, 22, 26, 27, 28, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 54, 55, 56, 57 und 63 erfassten Chemikalien enthalten, in denen keine der einzeln erfassten Chemikalien zu mehr als 10 Gew.-% in der Mischung enthalten ist. Anmerkung 2: Für Ausfuhren in Vertragsstaaten des Chemiewaffenübereinkommens erfasst Nummer 1C350 nicht Mischungen von Chemikalien, die eine oder mehrere der von den Unternummern 1C350 1, 3, 5, 11, 12, 13, 17, 18, 21, 22, 26, 27, 28, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 54, 55, 56, 57 und 63 erfassten Chemikalien enthalten, in denen keine der einzeln erfassten Chemikalien zu mehr als 30 Gew.-% in der Mischung enthalten ist. Anmerkung 3: Nummer 1C350 erfasst nicht Mischungen von Chemikalien, die eine oder mehrere der von den Unternummern 1C350 2, 6, 7, 8, 9, 10, 14, 15, 16, 19, 20, 24, 25, 30, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 58, 59, 60, 61 und 62 erfassten Chemikalien enthalten, in denen keine der einzeln erfassten Chemikalien zu mehr als 30 Gew.-% in der Mischung enthalten ist. Anmerkung 4: Nummer 1C350 erfasst nicht als Verbrauchsgüter bestimmte Waren, die zum Verkauf im Einzelhandel verpackt und für den persönlichen Gebrauch bestimmt sind oder die zum einzelnen Gebrauch verpackt sind. 1C351Human- und tierpathogene Erreger sowie Toxine: Anmerkung: Nummer 1C351 erfasst keine Impfstoffe oder Immunotoxine. 1C352Tierpathogene Erreger wie folgt: Anmerkung: Nummer 1C352 erfasst keine Impfstoffe. 1C353Genetische Elemente und genetisch modifizierte Organismen wie folgt: Anmerkung: Nummer 1C353 erfasst keine Nukleinsäuresequenzen die mit der Pathogenität von enterohämorrhagischen Escherichia coli, Serotyp O157 und anderen Verotoxin bildenden Stämmen assoziert sind, ausgenommen jene, die Verotoxin selbst oder Untereinheiten davon kodieren. 1C354Pflanzenpathogene Erreger wie folgt: 1C450Toxische Chemikalien und Ausgangsstoffe für toxische Chemikalien wie folgt und Mischungen von Chemikalien, die eine oder mehrere dieser Chemikalien enthalten: ANMERKUNG: SIEHE AUCH NUMMER 1C350, UNTERNUMMER 1C351D und Liste für Waffen, Munition und Rüstungsmaterial.

Soweit in einzelnen Nummern nichts Gegenteiliges angegeben ist, umfassen im Sinne der Nummern 1C001 bis 1C012 die Begriffe Metalle und Legierungen folgende Roh- und Halbzeugformen:

Anoden, Kugeln, Barren (einschließlich Kerbbarren und Drahtbarren), Knüppel, Blöcke, Walzplatten, Briketts, Klumpen, Kathoden, Kristalle, Würfel, Kokillen, Körner, Granalien, Brammen, Kügelchen, Masseln, Pulver, Ronden, Schrot, Platten, Rohlinge, Schwamm, Stangen.

1CWerkstoffe und Materialien Technische Anmerkung: a)

Geformte oder bearbeitete Materialien, hergestellt durch Walzen, Ziehen, Strangpressen, Schmieden, Schlagstrangpressen, Pressen, Granulieren, Pulverisieren und Mahlen, wie folgt: Winkel, U-Profile, Ronden, Scheiben, Staub, Schuppen, Folien und Blattmetall, Schmiedestücke, Platten, Pulver, Press- und Stanzstücke, Bänder, Ringe, Stäbe (einschließlich nicht umhüllter Schweißstäbe, Drahtstangen und Walzdraht), Profile aller Art, Formstücke, Bleche, Streifen, Rohre und Röhren (einschließlich solcher mit runden, quadratischen oder sonstigen Querschnitten), gezogener oder stranggepresster Draht.

b)

Gussmaterialien, hergestellt durch Gießen in Sand, Kokillen, Formen aus Metall, Gips oder anderen Materialien, einschließlich Druckguss, Sintererzeugnissen und pulvermetallurgischen Erzeugnissen.

a)

Werkstoffe für die Absorption von Frequenzen größer als 2 × 108 Hz und kleiner als 3 × 1012 Hz; Anmerkung 1: Unternummer 1C001a erfasst nicht: Anmerkung 2: Für Absorptionszwecke benutzte magnetische Stoffe, die in Farben enthalten sind, bleiben von Unternummer 1C001a erfasst.

a)

Absorptionsmittel (absorber) aus haarförmigen natürlichen oder synthetischen Fasern mit nichtmagnetischen Einlagerungen für die Absorption,

b)

Absorptionsmittel (absorber) mit nichtebener Einfallfläche, einschließlich Pyramiden, Kegeln, Keilen und gefalteten Oberflächen, die keinen Magnetverlust haben,

c)

ebene Absorptionsmittel (absorber) mit allen folgenden Eigenschaften:

1. Technische Anmerkung:

hergestellt aus einem der folgenden Materialien: Probekörper für Absorptionstests gemäß Anmerkung 1.c.1. zu Unternummer 1C001a sollten ein Quadrat der Seitenlänge von mindestens 5 Wellenlängen der Mittenfrequenz bilden und in das Fernfeld des abstrahlenden Teils gegeben werden.

1. a)

Schaumkunststoffen (biegsam oder nichtbiegsam) mit eingelagertem Kohlenstoff oder organischen Werkstoffen einschließlich Bindemitteln, mit Rückstrahlung (Echo) größer als 5 % im Vergleich zu Metall über eine Bandbreite größer als ± 15 % der Mittenfrequenz der einfallenden Energie und nicht geeignet, Temperaturen größer als 450 K (177 °C) zu widerstehen, oder

b)

keramischen Werkstoffen mit Rückstrahlung (Echo) größer als 20 % im Vergleich zu Metall über eine Bandbreite größer als ± 15 % der Mittenfrequenz der einfallenden Energie und nicht geeignet, Temperaturen größer als 800 K (527 °C) zu widerstehen,

2. Zugfestigkeit kleiner als 7 × 106 N/m2und

3. Druckfestigkeit kleiner als 14 × 106 N/m2,

d)

ebene Absorptionsmittel aus gesintertem Ferrit mit allen folgenden Eigenschaften:

1. spezifische Dichte größer als 4,4 und

2. maximale Betriebstemperatur 548 K (275 °C).

b)

Werkstoffe für die Absorption von Frequenzen größer als 1,5 × 1014 Hz und kleiner als 3,7 × 1014 Hz und nicht transparent für sichtbares Licht;

c) Technische Anmerkung:

eigenleitfähige polymere Werkstoffe mit einer elektrischen Volumenleitfähigkeit größer als 10000 S/m (Siemens pro m) oder einem Schicht-/Oberflächenwiderstand kleiner als 100 Ohm/Flächenquadrat, auf der Grundlage eines oder mehrerer der folgenden Polymere: Die elektrische Volumenleitfähigkeit und der Schicht-/Oberflächenwiderstand werden gemäß ASTM D-257 oder vergleichbaren nationalen Verfahren bestimmt.

c)

1. Polyanilin,

2. Polypyrrol,

3. Polythiophen,

4. Polyphenylenvinylen oder

5. Polythienylenvinylen.

1CWerkstoffe und Materialien Technische Anmerkung: Technische Anmerkungen:

1. Die von Nummer 1C002 erfassten Metalllegierungen sind solche, die einen höheren Gewichtsanteil des genannten Metalls enthalten als von jedem anderem Element.

2. Der Zeitstandskennwert wird gemäß ASTM-Standard E-139 oder vergleichbaren nationalen Verfahren ermittelt.

3. Die Ermüdung bei geringer Lastspielzahl wird gemäß ASTM-Standard E-606 Recommended Practice for Constant-Amplitude Low-Cycle Fatigue Testing oder vergleichbaren nationalen Verfahren ermittelt. Die Prüfung sollte axial erfolgen mit einem durchschnittlichen Spannungsverhältnis gleich 1 und einem Formfaktor (Kt) gleich 1. Das durchschnittliche Spannungsverhältnis wird als (maximale Beanspruchung — minimale Beanspruchung)/maximale Beanspruchung definiert.

a)

Aluminide wie folgt:

1. Nickelaluminide mit einem Aluminiumgehalt größer/gleich 15 Gew.-% und kleiner/gleich 38 Gew.-% und mindestens einem zusätzlichen Legierungselement,

2. Titanaluminide mit einem Aluminiumgehalt größer/gleich 10 Gew.-% und mindestens einem zusätzlichen Legierungselement;

b)

Metalllegierungen wie folgt, hergestellt aus den von Unternummer 1C002c erfassten Materialien:

1. Nickellegierungen mit:

1. a)

einem Zeitstandskennwert größer/gleich 10000 Stunden bei 923 K (650 °C) und bei einer Belastung von 676 MPa oder

b)

einer Ermüdung bei niedriger Lastspielzahl von 10000 Zyklen oder mehr bei 823 K (550 °C) bei einer maximalen Belastung von 1095 MPa,

2. Nioblegierungen mit:

2. a)

einem Zeitstandskennwert größer/gleich 10000 Stunden bei 1073 K (800 °C) und bei einer Belastung von 400 MPa oder

b)

einer Ermüdung bei niedriger Lastspielzahl von 10000 Zyklen oder mehr bei 973 K (700 °C) bei einer maximalen Belastung von 700 MPa,

3. Titanlegierungen mit:

3. a)

einem Zeitstandskennwert größer/gleich 10000 Stunden bei 723 K (450 °C) und bei einer Belastung von 200 MPa oder

b)

einer Ermüdung bei niedriger Lastspielzahl von 10000 Zyklen oder mehr bei 723 K (450 °C) bei einer maximalen Belastung von 400 MPa,

4. Aluminiumlegierungen mit einer Zugfestigkeit:

4. a)

größer/gleich 240 MPa bei 473 K (200 °C) oder

b)

größer/gleich 415 MPa bei 298 K (25 °C),

5. Magnesiumlegierungen mit:

5. a)

einer Zugfestigkeit größer/gleich 345 MPa und

b)

einer Korrosionsrate kleiner als 1 mm/Jahr in 3 %iger, wässriger Kochsalzlösung, gemessen unter Beachtung von ASTM-Standard G-31 oder vergleichbaren nationalen Verfahren;

c)

Metalllegierungspulver oder feine Materialpartikel mit allen folgenden Eigenschaften:

1. Technische Anmerkung:

hergestellt aus einem der folgenden Legierungs-Systeme: X in den folgenden Formeln entspricht einem Legierungselement oder mehreren Legierungselementen.

a)

Nickellegierungen (Ni-Al-X, Ni-X-Al), die sich für Turbinenmotorteile oder Bauteile eignen, die auf 109 Legierungspartikel weniger als 3 (während des Herstellprozesses eingeführte) nichtmetallische Partikel enthalten, die größer als 100 μm sind,

b)

Nioblegierungen (Nb-Al-X oder Nb-X-Al, Nb-Si-X oder Nb-X-Si, Nb-Ti-X oder Nb-X-Ti),

c)

Titanlegierungen (Ti-Al-X oder Ti-X-Al),

d)

Aluminiumlegierungen (Al-Mg-X oder Al-X-Mg, Al-Zn-X oder Al-X-Zn, Al-Fe-X oder Al-X-Fe) oder

e)

Magnesiumlegierungen (Mg-Al-X oder Mg-X-Al),

2. hergestellt unter kontrollierten Bedingungen mit einem der folgenden Verfahren:

2. a)

Vakuumzerstäubung,

b)

Gaszerstäubung,

c)

Rotationszerstäubung,

d)

Abschrecken aus der Schmelze (splat quenching),

e)

Schmelzspinnen und Pulverisierung,

f)

Schmelzextraktion und Pulverisierungoder

g)

mechanisches Legierenund

3. geeignet zur Herstellung der von Unternummer 1C002a oder 1C002b erfassten Materialien;

d)

legierte Werkstoffe mit allen folgenden Eigenschaften:

1. hergestellt aus einem der in Unternummer 1C002c1 erfassten Legierungs-Systeme,

2. in Form von unzerkleinerten Flocken, Bändern oder dünnen Stäben und

3. hergestellt unter kontrollierten Bedingungen mit einem der folgenden Verfahren:

3. a)

Abschrecken aus der Schmelze (splat quenching),

b)

Schmelzspinnenoder

c)

Schmelzextraktion.

a) Technische Anmerkung:

Anfangsrelativpermeabilität (initial relative permeability) größer/gleich 120000 und Dicke kleiner/gleich 0,05 mm; Die Messung der Anfangspermeabilität muss an vollständig geglühten Materialien vorgenommen werden.

b)

magnetostriktive Legierungen mit einer der folgenden Eigenschaften:

1. Sättigungsmagnetostriktion größer als 5 × 10–4oder

2. magnetomechanischer Kopplungsfaktor (k) größer als 0,8 oder

c) Technische Anmerkung:

Streifen aus amorphen oder nanokristallinen Legierungen mit allen folgenden Eigenschaften: Unternummer 1C003c erfasst nur nanokristalline Materialien mit einer Korngröße kleiner/gleich 50 nm, bestimmt durch Röntgenuntersuchungen.

c)

1. Legierungen, die mindestens 75 Gew.-% Eisen, Kobalt oder Nickel enthalten,

2. eine magnetische Sättigungsinduktion (Bs) größer/gleich 1,6 Tesla und

3. mit einer der folgenden Eigenscraften:

3. a)

Streifendicke kleiner/gleich 0,02 mm oder

b)

spezifischer elektrischer Widerstand größer/gleich 2 × 10-4 Ohm cm.

a)

Dichte größer als 17,5 g/cm3,

b)

Elastizitätsgrenze größer als 880 MPa,

c)

spezifische Zugfestigkeit größer als 1270 MPa und

d)

Dehnung größer als 8 %.

a)

supraleitende Multifilament-Doppelleiter (composite conductors), die ein Niob-Titan-Filament oder mehrere Niob-Titan-Filamente enthalten:

1. eingebettet in eine andere Matrix als eine Matrix aus Kupfer oder Kupferbasislegierungen oder

2. mit einem Flächenquerschnitt kleiner als 0,28 × 10–4 mm2 (d. h. 6 μm Durchmesser bei kreisrunden Filamenten);

b)

supraleitende Doppelleiter (composite conductors), die aus einem anderen supraleitenden Filament oder mehreren anderen supraleitenden Filamenten bestehen als aus Niob-Titan, mit allen folgenden Eigenschaften:

1. kritische Temperatur bei einer magnetischen Induktion von Null größer als 9,85 K (– 263,31 °C) und kleiner als 24 K (– 249,16 °C),

2. Flächenquerschnitt kleiner als 0,28 × 10-4 mm2und

3. die Filamente verbleiben im supraleitenden Zustand bei einer Temperatur von 4,2 K (– 268,96 °C), wenn sie einem magnetischen Feld ausgesetzt werden, das einer magnetischen Induktion von 12 Tesla entspricht.

a)

hydraulische Flüssigkeiten, die als Hauptbestandteil eine der folgenden Verbindungen oder einen der folgenden Stoffe enthalten:

1. Technische Anmerkung:

synthetische Sila-Kohlenwasserstofföle mit allen folgenden Eigenschaften: Sila-Kohlenwasserstofföle im Sinne von Unternummer 1C006a1 enthalten ausschließlich Silizium, Wasserstoff und Kohlenstoff.

a)

Flammpunkt größer als 477 K (204 °C),

b)

Pourpoint kleiner/gleich 239 K (– 34 °C),

c)

Viskositätsindex größer/gleich 75 und

d)

Wärmebeständigkeit bei 616 K (343 °C) oder

2. Technische Anmerkung:

Fluorchlorkohlenstoffe mit allen folgenden Eigenschaften: Fluorchlorkohlenstoffe im Sinne von Unternummer 1C006a2 enthalten ausschließlich Kohlenstoff, Fluor und Chlor.

a)

kein Flammpunkt,

b)

autogene Zündtemperatur größer als 977 K (704 °C),

c)

Pourpoint kleiner/gleich 219 K (– 54 °C),

d)

Viskositätsindex größer/gleich 80 und

e)

Siedepunkt größer/gleich 473 K (200 °C);

b)

Schmiermittel, die als Hauptbestandteil eine der folgenden Verbindungen oder einen der folgenden Stoffe enthalten:

1. Phenylether, Alkylphenylether, Thioether oder deren Mischungen, die mehr als zwei Ether- oder Thioether-Funktionen enthalten, oder Mischungen hieraus oder

2. fluorierte, flüssige Silikone mit einer kinematischen Viskosität kleiner als 5000 mm2/s (5000 Centistokes), gemessen bei 298 K (25 °C);

c)

Dämpfungs- oder Flotationsflüssigkeiten, die zu mindestens 85 % aus einer oder mehreren der folgenden Verbindungen oder einem oder mehreren der folgenden Stoffe bestehen, eine Reinheit größer als 99,8 % aufweisen und weniger als 25 Partikel größer/gleich 200 μm pro 100 ml enthalten:

1. Dibromtetrafluorethan,

2. Polychlortrifluorethylen (nur öl- oder wachsartige Modifikationen) oder

3. Polybromtrifluorethylen;

d)

Elektronikkühlflüssigkeiten auf Fluor-Kohlenstoff-Basis mit allen folgenden Eigenschaften:

1. mit einem Gehalt von 85 Gew.-% oder mehr eines der folgenden Stoffe oder Mischungen daraus:

1. a)

Monomere Formen der Perfluorpolyalkylethertriazine oder perfluoraliphatischen Ether,

b)

Perfluoralkylamine,

c)

Perfluorcycloalkane oder

d)

Perfluoralkane,

2. Dichte bei 298 K (25 °C) größer/gleich 1,5 g/ml,

3. in flüssigem Zustand bei 273 K (0 °C) und

4. mit einem Gehalt von 60 Gew.-% oder mehr gebundenem Fluor.

1CWerkstoffe und Materialien Technische Anmerkung: Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: a)

der Flammpunkt unter Anwendung des Cleveland-Verfahrens im offenen Tiegel gemäß ASTM-Standard D-92 oder vergleichbaren nationalen Verfahren bestimmt,

b)

der Pourpoint nach der im ASTM-Standard D-97 beschriebenen Methode oder vergleichbaren nationalen Verfahren ermittelt,

c)

der Viskositätsindex nach der im ASTM-Standard D-2270 beschriebenen Methode oder vergleichbaren nationalen Verfahren ermittelt,

d)

die Wärmebeständigkeit nach folgendem Prüfverfahren oder vergleichbaren nationalen Verfahren ermittelt: 20 ml der zu prüfenden Flüssigkeit werden in ein 46 ml fassendes Gefäß aus rostfreiem US-Normstahl 317 eingefüllt, das je eine Kugel mit einem Nenndurchmesser von 12,5 mm (0,5 Zoll) aus den US-Normstählen M10 (Werkzeugstahl) und SEA 52.100 (Chromstahl) sowie aus Schiffsbronze (60 % Kupfer, 39 % Zink und 0,75 % Zinn) enthält. Das Gefäß wird mit Stickstoff gespült und bei atmosphärischem Druck dicht verschlossen. Danach wird die Temperatur auf 644 ± 6 K (371 ± 6 °C) erhöht und 6 Stunden lang konstant gehalten. Die Probe gilt als wärmebeständig, wenn nach dem oben beschriebenen Verfahren alle folgenden Bedingungen erfüllt sind:

1. Gewichtsverlust jeder Kugel kleiner als 10 mg/mm2 der Kugeloberfläche,

2. Änderung der Viskosität gegenüber der bei 311 K (38 °C) ermittelten Anfangsviskosität kleiner als 25 % und

3. Gesamtsäure- oder -basenzahl kleiner als 0,40,

e)

die autogene Zündtemperatur nach der im ASTM-Standard E-659 beschriebenen Methode oder vergleichbaren nationalen Verfahren ermittelt.

a)

Ausgangsmaterialien aus einfachen oder komplexen Boriden des Elements Titan, wobei die Summe der metallischen Verunreinigungen, ohne beigemischte Zusätze, weniger als 5000 ppm beträgt, die durchschnittliche Partikelgröße kleiner/gleich 5 μm misst und nicht mehr als 10 % der Partikel größer als 10 μm sind;

b)

keramische Nicht-Verbundwerkstoffe in Roh- oder Halbzeugformen aus Boriden des Elements Titan mit einer Dichte größer/gleich 98 % der theoretischen Dichte; Anmerkung: Unternummer 1C007b erfasst nicht Schleifmittel.

c)

Keramik-Keramik-Verbundwerkstoffe mit einer Glas- oder Oxid-Matrix und verstärkt mit Fasern mit allen folgenden Eigenschaften:

1. hergestellt aus einem der folgenden Systeme:

1. a)

Si-N,

b)

Si-C,

c)

Si-Al-O-N oder

d)

Si-O-N und

2. mit einer spezifischen Zugfestigkeit größer als 12,7 × 103 m;

d)

Keramik-Keramik-Verbundwerkstoffe mit einer kontinuierlichen metallischen Phase oder ohne diese, die Partikel oder Phasen beliebiger Faser- oder Whiskermaterialien enthalten, wobei Karbide oder Nitride von Silizium, Zirkon oder Bor die Matrix bilden;

e)

Vormaterialien (d. h. spezielle polymere oder metallorganische Verbindungen) zur Herstellung einer beliebigen Phase oder beliebiger Phasen der von Unternummer 1C007c erfassten Materialien, wie folgt:

1. Polydiorganosilane (zur Herstellung von Siliziumkarbid),

2. Polysilazane (zur Herstellung von Siliziumnitrid),

3. Polycarbosilazane (zur Herstellung von Keramikprodukten, die Silizium, Kohlenstoff und Stickstoff enthalten);

f)

Keramik-Keramik-Verbundwerkstoffe mit einer Oxid- oder Glas-Matrix und verstärkt mit Endlosfasern aus einem der folgenden Systeme: Anmerkung: Unternummer 1C007f erfasst nicht Verbundwerkstoffe, die Fasern dieser Systeme mit einer Zugfestigkeit kleiner als 700 MPa bei 1273 K (1000 °C) oder einer Dauerstandzugfestigkeit größer als 1 % Kriechdehnung bei einer Belastung von 100 MPa bei 1273 K (1000 °C) über eine Zeitdauer von 100 Stunden enthalten.

1. Al2O3oder

2. Si-C-N.

a)

Anmerkung: Unternummer 1C008a erfasst keine nichtschmelzbaren, durch Pressen formbaren Pulver oder Pressteile.

1. Bismaleinimide,

2. aromatische Polyamidimide,

3. aromatische Polyimide,

4. aromatische Polyetherimide mit einer Glasübergangstemperatur (Tg) größer als 513 K (240 °C);

b)

thermoplastische Flüssigkristall-Copolymere mit einer Wärmeformbeständigkeitstemperatur größer als 523 K (250 °C), gemessen gemäß ISO 75-3 (2004) oder vergleichbaren nationalen Verfahren, mit einer Belastung von 1,82 N/mm2 und folgender Zusammensetzung:

1. einer der folgenden Stoffe:

1. a)

Phenylen, Biphenylen oder Naphthalin oder

b)

Methyl, tertiär-butyl- oder phenyl-substituiertes Phenylen, Biphenylen oder Naphthalin und

2. eine der folgenden Säuren:

2. a)

Terephthalsäure,

b)

6-Hydroxy-2-Naphthoesäure oder

c)

4-Hydroxybenzoesäure;

c)

aromatische Polyetherketone wie folgt:

1. nicht belegt,

2. Polyetherketonketon (PEKK),

3. Polyetherketon (PEK),

4. Polyetherketonetherketonketon (PEKEKK);

d)

aromatische Polyketone;

e)

aromatische Polysulfide, wobei es sich bei der Arylengruppe um Biphenylen, Triphenylen oder Kombinationen hieraus handelt;

f)

Polybiphenylenethersulfon mit einer Glasübergangstemperatur (Tg) größer als 513 K (240 °C).

1CWerkstoffe und Materialien Technische Anmerkung: Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: a)

Copolymere des Vinylidenfluorids, die ungereckt zu mindestens 75 % eine beta-kristalline Struktur aufweisen;

b)

fluorierte Polyimide, die mindestens 10 Gew.-% gebundenes Fluor enthalten;

c)

fluorierte Phosphazen-Elastomere, die mindestens 30 Gew.-% gebundenes Fluor enthalten.

a)

organische faser- oder fadenförmige Materialien mit allen folgenden Eigenschaften: Anmerkung: Unternummer 1C010a erfasst nicht Polyethylen.

1. spezifischer Modul größer als 12,7 × 106 m und

2. spezifische Zugfestigkeit größer als 23,5 × 104 m;

b) Technische Anmerkung:

faser- oder fadenförmige Kohlenstoff-Materialien mit allen folgenden Eigenschaften: Anmerkung: Unternummer 1C010b erfasst nicht Gewebe, hergestellt aus faser- oder fadenförmigen Materialien, für die Reparatur von Luftfahrzeug-Strukturen oder Laminaten, bei dem die Größe der Einzelmatten nicht größer ist als 50 cm × 90 cm. Die Eigenschaften der in Unternummer 1C010b beschriebenen Materialien sollten gemäß den von der SACMA empfohlenen Methoden SRM 12 bis 17 oder entsprechenden nationalen Zugprüfungen untersucht werden (z. B. der japanische Industriestandard JIS-R-7601, Absatz 6.6.2.) und sich auf Chargenmittelwerte stützen.

b)

1. spezifischer Modul größer als 12,7 × 106 m und

2. spezifische Zugfestigkeit größer als 23,5 × 104 m;

c)

anorganische faser- oder fadenförmige Materialien mit allen folgenden Eigenschaften: Anmerkung: Unternummer 1C010c erfasst nicht:

1. spezifischer Modul größer als 2,54 × 106 m und

2. Schmelz-, Erweichungs-, Zersetzungs- oder Sublimationspunkt größer als 1922 K (1649 °C) in einer inerten Umgebung;

1. diskontinuierliche, vielphasige, polykristalline Aluminiumoxidfasern als geschnittene Fasern oder regellos geschichtete Matten mit einem Siliziumoxidgehalt größer/gleich 3 Gew.-% und einem spezifischen Modul kleiner als 10 × 106 m,

2. Fasern aus Molybdän und Molybdänlegierungen,

3. Borfasern,

4. diskontinuierliche Keramikfasern mit einem Schmelz-, Erweichungs-, Zersetzungs- oder Sublimationspunkt kleiner als 2043 K (1770 °C) in einer inerten Umgebung.

d)

faser- oder fadenförmige Materialien:

1. bestehend aus einem der folgenden Stoffe:

1. a)

von Unternummer 1C008a erfasste Polyetherimide oder

b)

von Unternummer 1C008b bis 1C008f erfasste Materialien oder

2. bestehend aus den von Unternummer 1C010d1a oder 1C010d1b erfassten Stoffen, auch vermischt (commingled) mit anderen von Unternummer 1C010a, 1C010b oder 1C010c erfassten Fasern;

e) Technische Anmerkung:

harzimprägnierte oder pechimprägnierte Fasern (Prepregs), metall- oder kohlenstoffbeschichtete Fasern (Preforms) oder Kohlenstofffaser-Preforms wie folgt: Anmerkung: Unternummer 1C010e erfasst nicht: Die Glasübergangstemperatur (Tg) für die in Unternummer 1C010e genannten Materialien wird bestimmt nach der in ASTM D 3418 beschriebenen Methode mit dem Trockenverfahren. Die Glasübergangstemperatur (Tg) für Phenol- oder Epoxyharze wird bestimmt nach der in ASTM D 4065 beschriebenen Methode bei einer Frequenz von 1 Hz und einer Aufheizrate von 2 K (°C) pro Minute mit dem Trockenverfahren.

e)

1. hergestellt aus von Unternummer 1C010a, 1C010b oder 1C010c erfassten faser- oder fadenförmigen Materialien,

2. hergestellt aus faser- oder fadenförmigen Materialien aus organischen Stoffen oder Kohlenstoff mit allen folgenden Eigenschaften:

2. a)

spezifische Zugfestigkeit größer als 17,7 × 104 m,

b)

spezifischer Modul größer als 10,15 × 106 m,

c)

nicht erfasst von Unternummer 1C010a oder 1C010b und

d)

mit einer Glasübergangstemperatur (Tg) größer als 383 K (110 °C) bei Imprägnierung mit von Nummer 1C008 oder Unternummer 1C009b erfassten Materialien oder mit einer Glasübergangstemperatur (Tg) größer/gleich 418 K (145 °C) bei Imprägnierung mit Phenol- oder Epoxyharzen.

a)

epoxyharzimprägnierte Matrix aus faser- oder fadenförmigen Materialien aus Kohlenstoff (Prepregs) für die Reparatur von Luftfahrzeug-Strukturen oder Laminaten, bei der die Größe der Einzelmatte des Prepregs nicht größer ist als 50 cm × 90 cm,

b)

Prepregs, die mit Phenol- oder Epoxyharzen imprägniert sind, deren Glasübergangstemperatur (Tg) kleiner als 433 K (160 °C) und deren Aushärtungstemperatur kleiner als die Glasübergangstemperatur ist.

a) Technische Anmerkung:

Metalle mit Partikelgrößen kleiner als 60 μm (kugelförmig, staubförmig, kugelähnlich, flockenförmig oder gemahlen), die mindestens zu 99 % aus Zirkonium, Magnesium oder Legierungen dieser Metalle bestehen; Der natürliche Hafnium-Gehalt im Zirkonium (typischerweise 2 % bis 7 %) wird dem Zirkonium-Gehalt hinzugerechnet. Anmerkung: Die in Unternummer 1C011a aufgeführten Metalle und Legierungen werden auch dann erfasst, wenn sie in Aluminium, Magnesium, Zirkonium oder Beryllium eingekapselt sind.

b)

Bor oder Borkarbid mit einer Reinheit größer/gleich 85 % und einer Partikelgröße kleiner/gleich 60 μm; Anmerkung: Die in Unternummer 1C011b aufgeführten Stoffe werden auch dann erfasst, wenn sie in Aluminium, Magnesium, Zirkonium oder Beryllium eingekapselt sind.

c)

Guanidinnitrat;

d)

Nitroguanidin (NQ) (CAS-Nr. 556-88-7).

1CWerkstoffe und Materialien Technische Anmerkung: Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: a)

Plutonium in jeder Form, dessen Isotopenanteil an Plutonium-238 größer als 50 Gew.-% ist; Anmerkung: Unternummer 1C012a erfasst nicht:

a)

Lieferungen mit einem Gehalt an Plutonium von kleiner/gleich 1 Gramm,

b)

Lieferungen von kleiner/gleich drei effektiven Gramm, wenn in einer Fühlanordnung von Instrumenten enthalten.

b)

vorher abgetrenntes Neptunium-237 in jeder Form. Anmerkung: Unternummer 1C012b erfasst nicht Lieferungen mit einem Gehalt an Neptunium-237 kleiner/gleich 1 Gramm.

a)

Strukturwerkstoffe und Beschichtungen, besonders konstruiert für reduzierte Radarreflexion,

b)

Beschichtungen einschließlich Farbanstrichen, besonders konstruiert für reduzierte oder speziell zugeschnittene Reflexion oder Emission im Mikrowellen-, IR- oder UV-Spektrum.

1CWerkstoffe und Materialien Technische Anmerkung: Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: a)

feinkörnige Grafite mit einer Dichte größer/gleich 1,72 g/cm3, gemessen bei 288 K (15 °C), und einer Korngröße kleiner/gleich 100 μm, geeignet für Raketendüsen oder Bugspitzen von Wiedereintrittskörpern, mit denen eines der folgenden Erzeugnisse hergestellt werden kann: ANMERKUNG: SIEHE AUCH NUMMER 0C004.

1. Zylinder mit einem Durchmesser von größer/gleich 120 mm und einer Länge von größer/gleich 50 mm,

2. Rohre mit einem Innendurchmesser von größer/gleich 65 mm, einer Wandstärke von größer/gleich 25 mm und einer Länge von größer/gleich 50 mm, oder

3. Blöcke mit einer Abmessung von größer/gleich 120 mm × 120 mm × 50 mm.

b)

pyrolytische oder faserverstärkte Grafite, geeignet für Flugkörper-Düsen oder Bugspitzen von Wiedereintrittskörpern; ANMERKUNG: SIEHE AUCH NUMMER 0C004.

c)

keramische Verbundwerkstoffe mit einer Dielektrizitätskonstanten kleiner als 6 bei jeder Frequenz von 100 MHz bis 100 GHz, geeignet für Flugkörper-Radome;

d)

maschinell bearbeitbare, mit Siliziumkarbid verstärkte, ungebrannte keramische Werkstoffe, geeignet für Flugkörper-Bugspitzen.

a)

Treibstoffzusätze wie folgt:

1. Technische Anmerkung:

kugelförmiges Aluminiumpulver, das nicht von der Liste für Waffen, Munition und Rüstungsmaterial erfasst wird, aus Partikeln mit einem einheitlichen Durchmesser kleiner als 200 μm und einem Aluminiumgehalt von mindestens 97 Gew -%, falls mindestens 10 % des Gesamtgewichts aus Teilchen kleiner als 63 μm besteht, entsprechend ISO 2591 (1988) oder vergleichbaren nationalen Standards; Eine Teilchengröße von 63 μm (ISO R-565) entspricht 250 mesh (Tyler) oder 230 mesh (ASTM Standard E-11).

2. Technische Anmerkung:

metallische Brennstoffe, die nicht von der Liste für Waffen, Munition und Rüstungsmaterial erfasst werden, mit Partikelgrößen kleiner als 60 μm (kugelförmig, staubförmig, kugelähnlich, flockenförmig oder gemahlen), die mindestens zu 97 Gew -% aus einem der folgenden Elemente bestehen: Der natürliche Hafnium-Gehalt im Zirkonium (typischerweise 2 % bis 7 %) wird dem Zirkonium-Gehalt hinzugerechnet.

2. a)

Zirkonium,

b)

Beryllium,

c)

Magnesium oder

d)

Legierungen der Stoffe unter a) bis c),

3. Flüssigoxidatoren wie folgt:

3. a)

Distickstofftrioxid,

b)

Stickstoffdioxid/Distickstofftetroxid,

c)

Distickstoffpentoxid,

d) Technische Anmerkung:

Stickstoffmischoxide (MON), Stickstoffmischoxide (MON = Mixed Oxide of Nitrogen) sind Lösungen von Stickstoffoxid (NO) in Distickstofftetroxid/Stickstoffdioxid (N2O4/NO2), die in Flugkörpersystemen verwendet werden können. Es gibt unterschiedliche Konzentrationen, die mit MONi oder MONij gekennzeichnet werden, wobei i und j ganze Zahlen bedeuten, die den Prozentsatz des Stickstoffoxids in der Mischung angeben (z. B. MON3 enthält 3 % Stickstoffoxid, MON25 enthält 25 % Stickstoffoxid. Eine Obergrenze ist MON40 entsprechend 40 Gew -%).

e)

ZUR ERFASSUNG VON inhibierter rauchender Salpetersäure (IRFNA): SIEHE LISTE FÜR WAFFEN, MUNITION UND RÜSTUNGSMATERIAL,

f)

ZUR ERFASSUNG VON Verbindungen, die aus Fluor und einem oder mehreren der folgenden Elemente zusammengesetzt sind: sonstige Halogene, Sauerstoff oder Stickstoff: SIEHE LISTE FÜR WAFFEN, MUNITION UND RÜSTUNGSMATERIAL UND NUMMER 1C238;

4. Hydrazinderivate, geeignet als Raketentreibstoffbestandteile, die nicht von der Liste für Waffen, Munition und Rüstungsmaterial erfasst werden;

b)

Polymere wie folgt:

1. Carboxyl-terminiertes Polybutadien (CTPB),

2. Hydroxyl-terminiertes Polybutadien (HTPB), das nicht von der Liste für Waffen, Munition und Rüstungsmaterial erfasst wird,

3. Polybutadien-Akrylsäure (PBAA),

4. Polybutadien-Akrylsäure-Akrylnitril (PBAN);

c)

andere Additive und Agenzien wie folgt:

1. ZUR ERFASSUNG VON Carboranen, Decarboranen, Pentaboranen und Derivaten daraus: SIEHE Liste für Waffen, Munition und Rüstungsmaterial,

2. Triethylenglykoldinitrat (TEGDN),

3. 2-Nitrodiphenylamin,

4. Trimethylolethantrinitrat (TMETN),

5. Diethylenglykoldinitrat (DEGDN),

6. Ferrocenderivate wie folgt:

6. a)

zur Erfassung von Catocen siehe Liste für Waffen, Munition und Rüstungsmaterial,

b)

Ethylferrocen,

c)

Propylferrocen,

d)

zur Erfassung von n-Butylferrocen siehe Liste für Waffen, Munition und Rüstungsmaterial,

e)

Pentylferrocen,

f)

Dicyclopentylferrocen,

g)

Dicyclohexylferrocen,

h)

Diethylferrocen,

i)

Dipropylferrocen,

j)

Dibutylferrocen,

k)

Dihexylferrocen,

l)

Acetylferrocen,

m)

zur Erfassung von Ferrocencarbonsäuren siehe Liste für Waffen, Munition und Rüstungsmaterial,

n)

zur Erfassung von Butacen siehe Liste für Waffen, Munition und Rüstungsmaterial,

o)

andere Ferrocenderivate, verwendbar als Abbrandmoderatoren in Raketentreibmitteln, die nicht von der Liste für Waffen, Munition und Rüstungsmaterial erfasst werden.

a)

mit allen folgenden Eigenschaften:

1. 17,0—23,0 Gew.-% Chrom-Gehalt und 4,5—7,0 Gew.-% Nickel-Gehalt,

2. Titangehalt größer als 0,10 Gew.-% und

3. Zwei-Phasen-Mikrostruktur (ferritic-austenitic microstructure), wovon mindestens 10 % (gemäß ASTM E-118-87 oder vergleichbare nationale Standards) volumenbezogen Austenit ist und

b)

mit einer der folgenden Formen:

1. Blöcke oder Stangen, größer/gleich 100 mm in jeder Dimension,

2. Bleche mit einer Breite von größer/gleich 600 mm und einer Dicke von kleiner/gleich 3 mm oder

3. Rohre mit einem Außendurchmesser von größer/gleich 600 mm und einer Wandstärke von kleiner/gleich 3 mm.

a)

Aluminiumlegierungen mit allen folgenden Eigenschaften:

1. erreichbare Zugfestigkeit größer/gleich 460 MPa bei 293 K (20 °C) und

2. als Rohre oder massive zylindrische Formen (einschließlich Schmiedestücken) mit einem Außendurchmesser größer als 75 mm;

b)

Titanlegierungen mit allen folgenden Eigenschaften:

1. erreichbare Zugfestigkeit größer/gleich 900 MPa bei 293 K (20 °C) und

2. als Rohre oder massive zylindrische Formen (einschließlich Schmiedestücken) mit einem Außendurchmesser größer als 75 mm.

1CWerkstoffe und Materialien Technische Anmerkung: Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: a)

Faser- oder fadenförmige Materialien aus Kohlenstoff oder Aramid mit einer der folgenden Eigenschaften: Anmerkung: Unternummer 1C210a erfasst nicht faser- oder fadenförmige Materialien aus Aramid mit einem Anteil eines Faseroberflächen-Modifiziermittels auf Ester-Basis größer/gleich 0,25 Gew.-%;

1. spezifischer Modul größer/gleich 12,7 × 106 m oder

2. spezifische Zugfestigkeit größer/gleich 235 × 103 m;

b)

Faser- oder fadenförmige Materialien aus Glas mit allen folgenden Eigenschaften:

1. spezifischer Modul größer/gleich 3,18 × 106 m und

2. spezifische Zugfestigkeit größer/gleich 76,2 × 103 m;

c) Technische Anmerkung:

mit warmaushärtendem Harz imprägnierte endlose Garne, Faserbündel (rovings), Seile oder Bänder mit einer Breite kleiner/gleich 15 mm (Prepregs) aus faser- oder fadenförmigen Materialien aus Kohlenstoff oder Glas gemäß Unternummer 1C210a oder 1C210b. Das Harz bildet die Matrix des Verbundwerkstoffs.

1CWerkstoffe und Materialien Technische Anmerkung: Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: a)

in Formen mit hohlzylindrischer Symmetrie (einschließlich Zylindersegmente) mit einem Innendurchmesser zwischen 100 mm und 300 mm und

b)

einer Masse über 20 kg.

a)

weniger als 1000 ppm an Gewicht an metallischen Verunreinigungen außer Magnesium und

b)

weniger als 10 ppm an Gewicht Bor.

a)

weniger als 200 ppm an Gewicht an metallischen Verunreinigungen außer Kalzium und

b)

weniger als 10 ppm an Gewicht Bor.

a)

Reinheit größer (besser)/gleich 99,99 % an Gewicht und

b)

Silbergehalt kleiner als 10 ppm an Gewicht.

a)

Metallfenster für Röntgengeräte oder für Bohrlochmessgeräte,

b)

Oxidformteile in Fertig- oder Halbzeugformen, besonders konstruiert für Elektronikteile oder als Substrat für elektronische Schaltungen,

c)

Beryll (Silikat aus Beryllium und Aluminium) in Form von Smaragden oder Aquamarinen.

1CWerkstoffe und Materialien Technische Anmerkung: Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: a)

als Element;

b)

Verbindungen mit einer Gesamt-Alphaaktivität größer/gleich 37 GBq/kg (1 Ci/kg);

c)

Mischungen mit einer Gesamt-Alphaaktivität größer/gleich 37 GBq/kg (1 Ci/kg);

d)

Erzeugnisse oder Geräte, die einen der vorgenannten Stoffe enthalten.

a)

medizinische Geräte,

b)

Erzeugnisse oder Geräte, die weniger als 0,37 Gbq (10 Millicurie) Radium-226 enthalten.

a)

Nickelpulver mit allen folgenden Eigenschaften:

1. Reinheitsgrad größer/gleich 99,0 Gew -% und

2. mittlere Partikelgröße kleiner als 10 μm gemäß ASTM-Standard B 330;

b)

poröses Nickelmetall, hergestellt aus den von Unternummer 1C240a erfassten Materialien;

a)

fadenförmiges Nickelpulver;

b)

einzelne Bleche aus porösem Nickel mit einer Fläche kleiner/gleich 1000 cm2 je Blech.

1CWerkstoffe und Materialien Technische Anmerkung: Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung:

1. Thiodiglykol (CAS-Nr. 111-48-8);

2. Phosphoroxidchlorid (CAS-Nr. 10025-87-3);

3. Methylphosphonsäuredimethylester (CAS-Nr. 756-79-6);

4. ZUR ERFASSUNG VON Methylphosphonsäuredifluorid (CAS-Nr. 676-99-3): SIEHE Liste für Waffen, Munition und Rüstungsmaterial;

5. Methylphosphonsäuredichlorid (CAS-Nr. 676-97-1);

6. Dimethylphosphit (DMP) (CAS-Nr. 868-85-9);

7. Phosphortrichlorid (CAS-Nr. 7719-12-2);

8. Trimethylphosphit (TMP) (CAS-Nr. 121-45-9);

9. Thionylchlorid (CAS-Nr. 7719-09-7);

10. 3-Hydroxy-1-methylpiperidin (CAS-Nr. 3554-74-3);

11. N,N-Diisopropyl-2-aminochlorethan (CAS-Nr. 96-79-7);

12. N,N-Diisopropyl-2-aminoethanthiol (CAS-Nr. 5842-07-9);

13. 3-Chinuclidinol (CAS-Nr. 1619-34-7);

14. Kaliumfluorid (CAS-Nr. 7789-23-3);

15. 2-Chlorethanol (CAS-Nr. 107-07-3);

16. Dimethylamin (CAS-Nr. 124-40-3);

17. Ethylphosphonsäurediethylester (CAS-Nr. 78-38-6);

18. N,N-Dimethylaminodiethylphosphat (CAS-Nr. 2404-03-7);

19. Diethylphosphit (CAS-Nr. 762-04-9);

20. Dimethylaminhydrochlorid (CAS-Nr. 506-59-2);

21. Ethylphosphonigsäuredichlorid (CAS-Nr. 1498-40-4);

22. Ethylphosphonsäuredichlorid (CAS-Nr. 1066-50-8);

23. ZUR ERFASSUNG VON Ethylphosphonsäuredifluorid (CAS-Nr. 753-98-0): SIEHE Liste für Waffen, Munition und Rüstungsmaterial;

24. Fluorwasserstoff (CAS-Nr. 7664-39-3);

25. Methylbenzilat (CAS-Nr. 76-89-1);

26. Methylphosphonigsäuredichlorid (CAS-Nr. 676-83-5);

27. N,N-Diisopropyl-2-aminoethanol (CAS-Nr. 96-80-0);

28. Pinakolylalkohol (CAS-Nr. 464-07-3);

29. ZUR ERFASSUNG VON O-Ethyl-2-diisopropylaminoethylmethylphosphonit (QL) (CAS-Nr. 57856-11-8): SIEHE Liste für Waffen, Munition und Rüstungsmaterial;

30. Triethylphosphit (CAS-Nr. 122-52-1);

31. Arsentrichlorid (CAS-Nr. 7784-34-1);

32. Benzilsäure (CAS-Nr. 76-93-7);

33. Methylphosphonigsäurediethylester (CAS-Nr. 15715-41-0);

34. Ethylphosphonsäuredimethylester (CAS-Nr. 6163-75-3);

35. Ethylphosphonigsäuredifluorid (CAS-Nr. 430-78-4);

36. Methylphosphonigsäuredifluorid (CAS-Nr. 753-59-3);

37. 3-Chinuclidon (CAS-Nr. 3731-38-2);

38. Phosphorpentachlorid (CAS-Nr. 10026-13-8);

39. Pinakolon (CAS-Nr. 75-97-8);

40. Kaliumcyanid (CAS-Nr. 151-50-8);

41. Kaliumhydrogendifluorid (CAS-Nr. 7789-29-9);

42. Ammoniumhydrogendifluorid (oder Ammoniumbifluorid) (CAS-Nr. 1341-49-7);

43. Natriumfluorid (CAS-Nr. 7681-49-4);

44. Natriumhydrogendifluorid (CAS-Nr. 1333-83-1);

45. Natriumcyanid (CAS-Nr. 143-33-9);

46. Triethanolamin (CAS-Nr. 102-71-6);

47. Phosphorpentasulfid (CAS-Nr. 1314-80-3);

48. Diisopropylamin (CAS-Nr. 108-18-9);

49. Diethylaminoethanol (CAS-Nr. 100-37-8);

50. Natriumsulfid (CAS-Nr. 1313-82-2);

51. Schwefelmonochlorid (CAS-Nr. 10025-67-9);

52. Schwefeldichlorid (CAS-Nr. 10545-99-0);

53. Triethanolamin-Hydrochlorid (CAS-Nr. 637-39-8);

54. N,N-Diisopropyl-2-aminochlorethan-Hydrochlorid (CAS-Nr. 4261-68-1);

55. Methylphosphonsäure (CAS-Nr. 993-13-5);

56. Methylphosphonsäurediethylester (CAS-Nr. 683-08-09);

57. N,N-Dimethylamino-phosphoryldichlorid (CAS-Nr. 677-43-0);

58. Triisopropylphosphit (CAS-Nr. 116-17-6);

59. Ethyldiethanolamin (CAS-Nr. 139-87-7);

60. Thiophosphorsäurediethylester (CAS-Nr. 2465-65-8);

61. Dithiophosphorsäurediethylester (CAS-Nr. 298-06-6);

62. Natriumhexafluorosilikat (CAS-Nr. 16893-85-9);

63. Methylthiophosphonsäuredichlorid (CAS-Nr. 676-98-2).

a)

Viren (natürlich, adaptiert oder modifiziert, entweder in Form isolierter lebender Kulturen oder als Material mit lebendem Material, das gezielt mit solchen Kulturen geimpft oder kontaminiert ist) wie folgt:

1. Chikungunya-Virus,

2. Haemorrhagisches Kongo-Krim-Fieber-Virus,

3. Dengue-Fiebervirus,

4. Eastern Equine Enzephalitis-Virus,

5. Ebola-Virus,

6. Hantaan-Virus,

7. Junin-Virus,

8. Lassa-Virus,

9. Lymphozytäre-Choriomeningitis-Virus,

10. Machupo-Virus,

11. Marburg-Virus,

12. Affenpockenvirus,

13. Rift-Valley-Fieber-Virus,

14. Zeckenenzephalitis-Virus (Virus der russischen Frühjahr/Sommerenzephalitis),

15. Variola-Virus,

16. Venezuelan Equine Enzephalitis-Virus,

17. Westliches Pferdeenzephalitis-Virus (western equine encephalitis virus),

18. Whitepox-Virus,

19. Gelbfieber-Virus,

20. Japan-B-Enzephalitis-Virus,

21. Kyasanur-Waldfieber-Virus (Kyasanur Forest virus),

22. Louping-Ill-Virus,

23. Murray-Valley-Encephalitis-Virus,

24. Virus des Omsker hämorrhagischen Fiebers (OHF, Omsk haemorrhagic fever virus),

25. Oropouche-Virus,

26. Powassan-Virus,

27. Rocio-Virus,

28. St-Louis-Encephalitis-Virus,

29. Hendra-Virus (Equine-Morbillivirus),

30. Südamerikanisches hämorrhagisches Fieber-Virus (Sabia, Flexal, Guanarito),

31. andere Viren des hämorrhagischen Fiebers mit renalem Syndrom (HFRS) und des Hantavirus-Lungensyndroms (HPS) (Seoul, Dobrava, Puumala, Sin Nombre),

32. Nipah-Virus;

b)

Rickettsiae (natürlich, adaptiert oder modifiziert, entweder in Form isolierter lebender Kulturen oder als Material mit lebendem Material, das gezielt mit solchen Kulturen geimpft oder kontaminiert ist) wie folgt:

1. Coxiella burnetii,

2. Bartonella quintana (Rochalimaea quintana, Rickettsia quintana),

3. Rickettsia prowasecki,

4. Rickettsia rickettsii;

c)

Bakterien (natürlich, adaptiert oder modifiziert, entweder in Form isolierter lebender Kulturen oder als Material mit lebendem Material, das gezielt mit solchen Kulturen geimpft oder kontaminiert ist) wie folgt:

1. Bacillus anthracis,

2. Brucella abortus,

3. Brucella melitensis,

4. Brucella suis,

5. Chlamydia psittaci,

6. Clostridium botulinum,

7. Francisella tularensis,

8. Burkholderia mallei (Pseudomonas mallei),

9. Burkholderia pseudomallei (Pseudomonas pseudomallei),

10. Salmonella typhi,

11. Shigella dysenteriae,

12. Vibrio cholerae,

13. Yersinia pestis,

14. Clostridium perfringens Epsilon-Toxin bildende Typen,

15. Enterohämorrhagische Escherichia coli, Serotyp O157 und andere Verotoxin bildende Typen (EHEC bzw. VTEC).

d)

Toxine wie folgt und deren Toxinuntereinheiten: Anmerkung: Unternummer 1C351d erfasst nicht Botulinumtoxine oder Conotoxine in Fertigprodukten mit allen folgenden Eigenschaften:

1. Clostridium-botulinum-Toxine,

2. Clostridium-perfringens-Toxine,

3. Conotoxin,

4. Ricin,

5. Saxitoxin,

6. Shiga-Toxin,

7. Staphylococcus-aureus-Toxine,

8. Tetrodotoxin,

9. Verotoxin,

10. Microcystin (Cyanoginosin),

11. Aflatoxine,

12. Abrin,

13. Cholera toxin,

14. Diacetoxyscirpenol,

15. T-2-Toxin,

16. HT-2-Toxin,

17. Modeccin,

18. Volkensin,

19. Viscum album Lectin 1 (Viscumin).

1. pharmazeutische Zubereitungen, entwickelt für die Behandlung von Menschen mit entsprechender Indikation,

2. abgepackt in einer für medizinische Produkte handelsüblichen Form (Fertigarzneimittel) und

3. mit staatlicher Zulassung als medizinisches Produkt.

a)

Viren (natürlich, adaptiert oder modifiziert, entweder in Form isolierter lebender Kulturen oder als Material mit lebendem Material, das gezielt mit solchen Kulturen geimpft oder kontaminiert ist) wie folgt:

1. Afrikanisches Schweinepest-Virus,

2. Aviäre Influenza-Viren wie folgt:

2. a)

uncharakterisiert oder

b)

Viren mit hoher Pathogenität gemäß EU-Richtlinie 92/40/EWG (ABl. Nr. L 167 vom 22.6.1992, S. 1) wie folgt:

1. Typ-A-Viren mit einem IVPI (intravenöser Pathogenitätsindex) in 6 Wochen alten Hühnern größer als 1,2 oder

2. Typ-A-Viren vom Subtyp H5 oder H7, für welche die Nukleotid-Sequenzierung an der Spaltstelle für Hämagglutinin multiple basische Aminosäuren aufweist,

3. Bluetongue-Virus,

4. Maul- und Klauenseuche-Virus,

5. Ziegenpockenvirus,

6. Aujeszky-Virus,

7. Schweinepest-Virus (Hog cholera-Virus),

8. Lyssa-Virus,

9. Newcastle-Virus,

10. Virus der Pest der kleinen Wiederkäuer,

11. Schweine-Entero-Virus vom Typ 9 (Virus der vesikulären Schweinekrankheit),

12. Rinderpest-Virus,

13. Schafpocken-Virus,

14. Teschen-Virus,

15. Vesikuläre Stomatitis-Virus,

16. Lumpy Skin Disease-Virus,

17. African Horse Sickness-Virus;

b)

Mycoplasma mycoides (natürlich, adaptiert oder modifiziert, entweder in Form isolierter lebender Kulturen oder als Material mit lebendem Material, das gezielt mit solchen Mycoplasma mycoides geimpft oder kontaminiert ist).

a)

genetisch modifizierte Organismen oder genetische Elemente, die Nukleinsäuresequenzen enthalten, die mit der Pathogenität der von Unternummer 1C351a bis 1C351c, Nummer 1C352 oder 1C354 erfassten Organismen assoziiert sind;

b)

genetisch modifizierte Organismen oder genetische Elemente, die eine Nukleinsäuresequenz-Codierung für eines der von Unternummer 1C351d erfassten Toxine oder deren Toxinuntereinheiten enthalten.

1CWerkstoffe und Materialien Technische Anmerkung: Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkungen:

1. Genetische Elemente schließen unter anderem genetisch modifizierte oder unmodifizierte Chromosomen, Genome, Plasmide, Transposons und Vektoren ein.

2. Nukleinsäuresequenzen, die mit der Pathogenität der von Unternummer 1C351a bis 1C351c, Nummer 1C352 oder 1C354 erfassten Erregern assoziert sind, meint jede für einen gelisteten Erreger spezifische Sequenz,

2. a)

die selbst oder durch ihre Transkriptions- oder Translationsprodukte eine beträchtliche Gefahr für die Gesundheit von Menschen, Tieren oder Pflanzen darstellt, oder

b)

von der bekannt ist, dass sie die Fähigkeit eines erfassten Erregers oder jedes anderen Organismus, in den sie eingeführt oder in anderer Weise integriert werden könnte, erhöht, die Gesundheit von Menschen, Tieren oder Pflanzen ernsthaft zu gefährden.

a)

Viren (natürlich, adaptiert oder modifiziert, entweder in Form isolierter lebender Kulturen oder als Material mit lebendem Material, das gezielt mit solchen Kulturen geimpft oder kontaminiert ist) wie folgt:

1. Potato Andean latent tymovirus,

2. Potato Spindle Tuber Viroid;

b)

Bakterien (natürlich, adaptiert oder modifiziert, entweder in Form isolierter lebender Kulturen oder als Material, das gezielt mit solchen Kulturen geimpft oder kontaminiert ist) wie folgt:

1. Xanthomonas albilineans,

2. Xanthomonas campestris pv. citri, einschließlich der als Xanthomonas campestris pv. citri Typen A, B, C, D, E bezeichneten oder anders klassifizierter Stämme wie Xanthomonas citri, Xanthomonas campestris pv. aurantifolia oder Xanthomonas pv. campestris pv. citromelo,

3. Xanthomonas oryzae pv. Oryzae (Pseudomonas campestris pv. Oryzae),

4. Clavibacter michiganensis subsp. Sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. Sepedonicus oder Corynebacterium Sepedonicum),

5. Ralstonia solanacearum, Stamm 2 und 3 (Pseudomonas solanacearum, Stamm 2 und 3, oder Burkholderia solana, Stamm 2 und 3);

c)

Pilze (natürlich, adaptiert oder modifiziert, entweder in Form isolierter lebender Kulturen oder als Material, das gezielt mit solchen Kulturen geimpft oder kontaminiert ist) wie folgt:

1. Colletotrichum coffeanum var. virulans (Colletotrichum kahawae),

2. Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae),

3. Micricyclus ulei (syn. Dothidella ulei),

4. Puccinia graminis (syn. Puccinia graminis f. sp. tritici),

5. Puccinia striiformis (syn. Puccinia glumarum),

6. Magnaporthe grisea (Pyricularia grisea/Pyricularia oryzae).

a)

toxische Chemikalien wie folgt: Anmerkung 1: Für Ausfuhren in Nichtvertragsstaaten des Chemiewaffenübereinkommens erfasst Nummer 1C450 nicht Mischungen von Chemikalien, die eine oder mehrere der von den Unternummern 1C450a1 und 1C450a2 erfassten Chemikalien enthalten, in denen keine der einzeln erfassten Chemikalien zu mehr als 1 Gew.-% in der Mischung enthalten ist. Anmerkung 2: Für Ausfuhren in Vertragsstaaten des Chemiewaffenübereinkommens erfasst Nummer 1C450 nicht Mischungen von Chemikalien, die eine oder mehrere der von den Unternummern 1C450a1 und 1C450a2 erfassten Chemikalien enthalten, in denen keine der einzeln erfassten Chemikalien zu mehr als 30 Gew.-% in der Mischung enthalten ist. Anmerkung 3: Nummer 1C450 erfasst nicht Mischungen von Chemikalien, die eine oder mehrere der von den Unternummern 1C450a4, 1C450a5, 1C450a6 und 1C450a7 erfassten Chemikalien enthalten, in denen keine der einzeln erfassten Chemikalien zu mehr als 30 Gew.-% in der Mischung enthalten ist.

1. Amiton: 0,0-Diethyl-S-[-2-(diethylamino) ethyl]phosphorthiolat (CAS-Nr. 78-53-5) sowie die entsprechenden alkylierten oder protonierten Salze,

2. PFIB: 1,1,3,3,3-Pentafluor-2-(trifluormethyl)-1-propen (CAS-Nr. 382-21-8),

3. ZUR ERFASSUNG VON BZ: 3-Chinuklidinylbenzylat (CAS-Nr. 6581-06-2): SIEHE Liste für Waffen, Munition und Rüstungsmaterial,

4. Phosgen: Carbonyldichlorid (CAS-Nr. 75-44-5),

5. Cyanogenchlorid: Chlorcyan (CAS-Nr. 506-77-4),

6. Hydrogencyanid: Cyanwasserstoffsäure (CAS-Nr. 74-90-8),

7. Chlorpikrin: Trichlornitromethan (CAS-Nr. 76-06-2);

b)

Ausgangsstoffe für toxische Chemikalien wie folgt: Anmerkung 1: Für Ausfuhren in Nichtvertragsstaaten des Chemiewaffenübereinkommens erfasst Nummer 1C450 nicht Mischungen von Chemikalien, die eine oder mehrere der von den Unternummern 1C450b1, 1C450b2, 1C450b3, 1C450b4, 1C450b5 und 1C450b6 erfassten Chemikalien enthalten, in denen keine der einzeln erfassten Chemikalien zu mehr als 10 Gew.-% in der Mischung enthalten ist. Anmerkung 2: Für Ausfuhren in Vertragsstaaten des Chemiewaffenübereinkommens erfasst Nummer 1C450 nicht Mischungen von Chemikalien, die eine oder mehrere der von den Unternummern 1C450b1, 1C450b2, 1C450b3, 1C450b4, 1C450b5 und 1C450b6 erfassten Chemikalien enthalten, in denen keine der einzeln erfassten Chemikalien zu mehr als 30 Gew.-% in der Mischung enthalten ist. Anmerkung 3: Nummer 1C450 erfasst nicht Mischungen von Chemikalien, die die von Unternummer 1C450b8 erfasste Chemikalie enthalten, in der die einzeln erfasste Chemikalie zu nicht mehr als 30 Gew.-% in der Mischung enthalten ist. Anmerkung 4: Nummer 1C450 erfasst nicht als Verbrauchsgüter bestimmte Waren, die zum Verkauf im Einzelhandel verpackt und für den persönlichen Gebrauch bestimmt sind oder die zum einzelnen Gebrauch verpackt sind.

1. andere als die von der Liste für Waffen, Munition und Rüstungsmaterial oder Nummer 1C350 erfassten Chemikalien mit einem Phosphoratom, das mit einer (Normal- oder Iso-) methyl-, ethyl- oder propyl-Gruppe, nicht jedoch mit weiteren Kohlenstoffatomen gebunden ist, Anmerkung: Unternummer 1C450b1 erfasst nicht Fonofos: O-Ethyl-S-phenylethyldithiophosphonat (CAS-Nr. 944-22-9).

2. N,N-Dialkyl-(Methyl-, Ethyl-, n-Propyl- oder Isopropyl) phosphoramino-dihalogenide,

3. andere Dialkyl-(Methyl-, Ethyl-, n-Propyl- oder Isopropyl) phosphoramidate als das von Nummer 1C350 erfasste N,N-Dimethylaminodiethylphosphat,

4. N,N-Dialkyl-(Methyl-, Ethyl-, n-Propyl- oder Isopropyl) aminoethyl-2-chloride sowie die entsprechenden protonierten Salze, ausgenommen die von Nummer 1C350 erfassten Stoffe N,N-Diisopropyl-2-aminochlorethan und N,N-Diisopropyl-2-amino-chlorethan-Hydrochlorid,

5. N,N-Dialkyl-(Methyl-, Ethyl-, n-Propyl- oder Isopropyl) aminoethan-2-ole sowie die entsprechenden protonierten Salze, ausgenommen die von Nummer 1C350 erfassten Stoffe N,N-Diisopropyl-2-aminoethanol (CAS-Nr. 96-80-0) und N,N-Diethyl-aminoethanol (CAS-Nr. 100-37-8), Anmerkung: Unternummer 1C450b5 erfasst nicht:

5. a)

N,N-Dimethylaminoethanol (CAS-Nr. 108-01-0) und die entsprechenden protonierten Salze,

b)

protonierte Salze von N,N-Diethylaminoethanol (CAS-Nr. 100-37-8),

6. N,N-Dialkyl-(Methyl-, Ethyl-, n-Propyl- oder Isopropyl) aminoethan-2-thiole sowie die entsprechenden protonierten Salze, ausgenommen das von Nummer 1C350 erfasste N,N-Diisopropyl-2-amino-ethanthiol,

7. Zur Erfassung von Ethyldiethanolamin (CAS-Nr. 139-87-7), siehe Nummer 1C350,

8. Methyldiethanolamin (CAS-Nr. 105-59-9).

1DDatenverarbeitungsprogramme (Software)

1D001Software, besonders entwickelt oder geändert für die Entwicklung, Herstellung oder Verwendung der von Nummer 1B001, 1B002 oder 1B003 erfassten Ausrüstung. 1D002Software für die Entwicklung von Laminaten oder Verbundwerkstoffen mit einer Matrix aus organischen Stoffen, Metallen oder Kohlenstoff. 1D101Software, besonders entwickelt oder geändert für die Verwendung der von Nummer 1B101, 1B102, 1B115, 1B117, 1B118 oder 1B119 erfassten Ausrüstung. 1D103Software, besonders entwickelt für die Analyse zur Reduktion von Messgrößen, wie z. B. Radarreflexion, Ultraviolett-/Infrarot-Rückstrahlung oder Schallsignatur. 1D201Software, besonders entwickelt für die Verwendung der von Nummer 1B201 erfassten Ausrüstung.

1ETechnologie

1E001Technologie entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die Entwicklung oder Herstellung von Ausrüstung oder Werkstoffen, die von Unternummer 1A001b, 1A001c, Nummer 1A002 bis 1A005, 1B oder 1C erfasst werden. 1E002Technologie wie folgt: 1E101Technologie entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die Verwendung von Waren oder Software, erfasst von Nummer 1A102, 1B001, 1B101, 1B102, 1B115 bis 1B119, 1C001, 1C101, 1C107, 1C111 bis 1C117, 1D101 oder 1D103. 1E102Technologie entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die Entwicklung von Software, erfasst von Nummer 1D001, 1D101 oder 1D103. 1E103Technologie zur Temperatur-, Druck- und Atmosphärenregelung in Autoklaven oder Hydroklaven für die Herstellung von Verbundwerkstoffen oder von teilweise verarbeiteten Verbundwerkstoffen. 1E104Technologie zur Herstellung pyrolytisch erzeugter Materialien, die in einer Form, auf einem Dorn oder einem anderen Substrat aus Vorstufengasen abgeschieden werden, die in einem Temperaturbereich von 1573 K (1300 °C) bis 3173 K (2900 °C) bei einem Druck von 130 Pa bis 20 kPa zerfallen. Anmerkung: Nummer 1E104 gilt auch für Technologie für die Bildung von Vorstufengasen, Durchflussraten sowie Prozesssteuerungsplänen und -parametern. 1E201Technologie entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die Verwendung von Waren oder Software, erfasst von Nummer 1A002, 1A202, 1A225 bis 1A227, 1B201, 1B225 bis 1B233, Unternummer 1C002b3, 1C002b4, 1C010b, Nummer 1C202, 1C210, 1C216, 1C225 bis 1C240 oder 1D201. 1E202Technologie entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die Entwicklung oder Herstellung von Waren, erfasst von Nummer 1A202 oder Nummer 1A225 bis 1A227. 1E203Technologie entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die Entwicklung von Software, erfasst von Nummer 1D201.

a)

Technologie für die Entwicklung oder Herstellung von Polybenzothiazolen oder Polybenzoxazolen;

b)

Technologie für die Entwicklung oder Herstellung von Fluorelastomer-Verbindungen, die mindestens einen Vinylethermonomer enthalten;

c)

Technologie für die Entwicklung oder Herstellung folgender Ausgangsmaterialien oder keramischer Materialien, die keine Verbundwerkstoffe sind:

1. Ausgangsmaterialien mit allen folgenden Eigenschaften:

1. a)

eine der folgenden Zusammensetzungen:

1. einfache oder komplexe Oxide des Elements Zirkonium und komplexe Oxide der Elemente Silizium oder Aluminium,

2. einfache Nitride des Elements Bor (kubisch kristalline Formen),

3. einfache oder komplexe Karbide der Elemente Silizium oder Bor oder

4. einfache oder komplexe Nitride des Elements Silizium,

b)

Summe der metallischen Verunreinigungen, ohne beigemischte Zusätze, kleiner als:

1. 1000 ppm für einfache Oxide oder Karbide oder

2. 5000 ppm für komplexe Verbindungen oder einfache Nitride und

c)

mit einer der folgenden Eigenschaften:

1. Zirkonia mit einer durchschnittlichen Partikelgröße kleiner/gleich 1 μm und nicht mehr als 10 % aller Partikel größer als 5 μm;

2. die anderen Ausgangsmaterialien mit einer durchschnittlichen Partikelgröße kleiner/gleich 5 μm und nicht mehr als 10 % aller Partikel größer als 10 μm oder

3. mit allen folgenden Eigenschaften:

3. a)

Plättchen mit einem Verhältnis Länge zu Dicke größer als 5,

b)

Whiskers mit einem Verhältnis Länge zu Durchmesser größer als 10 bei Durchmessern kleiner als 2 μm und

c)

kontinuierliche oder geschnittene Fasern mit einem Durchmesser kleiner als 10 μm,

2. keramische Materialien, die keine Verbundwerkstoffe sind und die aus von Unternummer 1E002c1 erfassten Materialien bestehen; Anmerkung: Unternummer 1E002c2 erfasst nicht Technologie für die Entwicklung oder Herstellung von Schleifmitteln.

d)

Technologie für die Herstellung aromatischer Polyamidfasern;

e)

Technologie für die Installation, Wartung oder Reparatur der von Nummer 1C001 erfassten Werkstoffe;

f)

Technologie für die Reparatur der von Nummer 1A002, Unternummer 1C007c oder 1C007d erfassten Verbundwerkstoff-Strukturen, Laminate oder Werkstoffe. Anmerkung: Unternummer 1E002f erfasst nicht Technologie für die Reparatur von Strukturen ziviler Luftfahrzeuge unter Verwendung von faser- oder fadenförmigen Materialien aus Kohlenstoff und Epoxyharzen entsprechend den Handbüchern des Luftfahrzeugherstellers.

KATEGORIE 2 WERKSTOFFBEARBEITUNG

2ASysteme, Ausrüstung und Bestandteile Technische Anmerkung:

Anmerkung: Geräuscharme Lager: Siehe Liste für Waffen, Munition und Rüstungsmaterial. 2A001Wälzlager und Lagersysteme wie folgt und Bestandteile hierfür: Anmerkung: Nummer 2A001 erfasst nicht Kugeln mit einer vom Hersteller spezifizierten Toleranz gemäß ISO 3290 Grad 5 oder schlechter. 2A225Tiegel aus Materialien, die gegen flüssige Aktiniden-Metalle resistent sind, wie folgt: 2A226Ventile mit allen folgenden Eigenschaften: Bei Ventilen mit unterschiedlichem Einlass- und Auslassdurchmesser bezieht sich die in Nummer 2A226 genannte Nennweite auf den kleineren der beiden Durchmesser.

2ASysteme, Ausrüstung und Bestandteile a)

Kugel- und Rollenlager mit allen vom Hersteller spezifizierten Toleranzen gemäß ISO 492 Klasse 4 (oder ANSI/ABMA Std 20 Toleranz Klasse ABEC-7 oder RBEC-7 oder vergleichbaren nationalen Normen) oder besser und bei denen sowohl Ringe als auch Wälzkörper (ISO 5593) aus Monel-Metall oder Beryllium sind; Anmerkung: Unternummer 2A001a erfasst nicht Kegelrollenlager.

b)

Andere Kugel- und Rollenlager mit allen vom Hersteller spezifizierten Toleranzen gemäß ISO 492 Klasse 2 (oder ANSI/ABMA Std 20 Toleranz Klasse ABEC-9 oder RBEC-9 oder vergleichbaren nationalen Normen) oder besser; Anmerkung: Unternummer 2A001b erfasst nicht Kegelrollenlager

c)

Aktive Magnetlagersysteme mit einer der folgenden Eigenschaften:

1. Einsatz von Materialien mit einer magnetischen Flussdichte größer/gleich 2,0 T und einer Streckgrenze größer als 414 MPa,

2. Verwendung von vollelektromagnetischen 3D homopolar vormagnetisierten Konstruktionen für Aktuatoren oder

3. Verwendung von Hochtemperatur (450 K (177 °C) und höher)-Positionssensoren.

a)

Tiegel mit allen folgenden Eigenschaften:

1. Fassungsvermögen von 150 cm3 bis 8000 cm3und

2. hergestellt aus oder ausgekleidet mit einem der folgenden Materialien der Reinheit größer/gleich 98 Gew.-%:

2. a)

Kalziumfluorid (Ca F2),

b)

Kalziummetazirkonat (Ca Zr O3),

c)

Cersulfid (Ce2 S3),

d)

Erbiumoxid (Er2 O3),

e)

Hafniumoxid (Hf O2),

f)

Magnesiumoxid (Mg O),

g)

nitridhaltige Niob-Titan-Wolfram-Legierungen (etwa 50 % Nb, 30 % Ti, 20 % W),

h)

Yttriumoxid (Y2 O3) oder

i)

Zirkondioxid (Zr O2);

b)

Tiegel mit allen folgenden Eigenschaften:

1. Fassungsvermögen von 50 cm3 bis 2000 cm3und

2. hergestellt aus oder ausgekleidet mit Tantal der Reinheit größer/gleich 99,9 Gew.-%;

c)

Tiegel mit allen folgenden Eigenschaften:

1. Fassungsvermögen von 50 cm3 bis 2000 cm3,

2. hergestellt aus oder ausgekleidet mit Tantal der Reinheit größer/gleich 98 Gew.-% und

3. beschichtet mit Tantalkarbid, Tantalnitrid oder Tantalborid oder jeder Kombination hieraus.

a)

einer Nennweite größer/gleich 5 mm

b)

mit Federbalgabdichtung, und

c)

ganz aus Aluminium, Aluminiumlegierungen, Nickel oder Nickellegierungen mit mehr als 60 Gew.-% Nickel hergestellt oder damit ausgekleidet.

2BPrüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung:

2B001Werkzeugmaschinen und eine beliebige Kombination von diesen, für das Abtragen (oder Schneiden) von Metallen, Keramiken oder Verbundwerkstoffen, die gemäß den technischen Spezifikationen des Herstellers mit elektronischen Geräten zur numerischen Steuerung ausgerüstet werden können, und besonders konstruierte Bestandteile wie folgt: ANMERKUNG: SIEHE AUCH NUMMER 2B201. Anmerkung 1: Nummer 2B001 erfasst keine speziellen Werkzeugmaschinen zur Bearbeitung von Zahnrädern. Für diese Maschinen siehe Nummer 2B003. Anmerkung 2: Nummer 2B001 erfasst keine speziellen Werkzeugmaschinen zur Bearbeitung eines der folgenden Teile: Anmerkung 3: Eine Werkzeugmaschine, die mindestens zwei der drei Bearbeitungsverfahren Drehen, Fräsen oder Schleifen kombiniert (z. B. eine Drehmaschine mit Fräsfunktion), muss nach jeder der zutreffenden Unternummern 2B001a, b oder c geprüft werden. 2B002Numerisch gesteuerte Werkzeugmaschinen, die ein magnetorheologisches Feinbearbeitungsverfahren (MRF) zur Fertigung von asphärischen Flächen mit einer der folgenden Eigenschaften anwenden: Im Sinne von Nummer 2B002 ist MRF (magnetorheological finishing) ein Materialabtragungsverfahren, das eine abrasive Flüssigkeit verwendet, deren Viskosität durch ein magnetisches Feld gesteuert wird. 2B003Numerisch gesteuerte oder manuell bedienbare Werkzeugmaschinen und besonders konstruierte Bestandteile, Steuerungen und Zubehör hierfür, besonders konstruiert für Schabradbearbeitung, Feinbearbeitung, Schleifen oder Honen von gehärteten (Rc = 40 oder mehr) geradverzahnten, schrägverzahnten und pfeilverzahnten Rädern mit einem Teilkreisdurchmesser größer als 1250 mm und einer Zahnbreite von 15 % oder mehr des Teilkreisdurchmessers, fein bearbeitet mit einer Qualität AGMA 14 oder besser (entsprechend ISO 1328 Klasse 3). 2B004Heiß-Isostatische Pressen mit allen folgenden Eigenschaften und besonders konstruierte Bestandteile und Zubehör hierfür: ANMERKUNG: SIEHE AUCH NUMMERN 2B104 UND 2B204. Die lichte Weite des Kammerraums bezieht sich auf die Kammer, in der sowohl die Arbeitstemperatur als auch der Arbeitsdruck erreicht werden, und schließt Spannvorrichtungen nicht mit ein. Sie ist die Abmessung der kleineren Kammer, entweder die lichte Weite der Druckkammer oder die lichte Weite der isolierten Ofenkammer, je nachdem, welche der beiden Kammern sich innerhalb der anderen befindet. Anmerkung: Für besonders konstruierte Formen, Gesenke und Werkzeuge siehe Nummer 1B003, 9B009 und Liste für Waffen, Munition und Rüstungsmaterial. 2B005Ausrüstung, besonders konstruiert für die Abscheidung, Bearbeitung und Verfahrenskontrolle von anorganischen Auflageschichten, sonstigen Schichten und oberflächenverändernden Schichten, wie folgt, auf Substrate für nichtelektronische Anwendungen durch Verfahren, die in der nach Unternummer 2E003f aufgeführten Tabelle nebst zugehörigen Anmerkungen dargestellt sind, und besonders konstruierte Bauteile zur automatischen Handhabung, Positionierung, Bewegung und Regelung hierfür: Anmerkung: Nummer 2B005 erfasst nicht Ausrüstung für chemische Beschichtung aus der Gasphase, Bogenentladungs-Kathodenzerstäubungs-Beschichtung, Kathodenzerstäubungs-Beschichtung, Ionenplattierung oder Ionenimplantation, besonders konstruiert für Schneidwerkzeuge oder für Werkzeuge zur spanenden Bearbeitung. 2B006Messmaschinen oder -systeme, Ausrüstung und elektronische Baugruppen wie folgt: ANMERKUNG: SIEHE AUCH NUMMER 2B206. Anmerkung : Werkzeugmaschinen, die auch als Messmaschinen verwendet werden können, werden erfasst, wenn sie die für Werkzeugmaschinen- oder Messmaschinenfunktionen festgelegten Kriterien erreichen oder überschreiten. 2B007Roboter mit einer der folgenden Eigenschaften sowie besonders konstruierte Steuerungen und Endeffektoren hierfür: ANMERKUNG: SIEHE AUCH NUMMER 2B207. 2B008Baugruppen oder Baueinheiten, besonders konstruiert für Werkzeugmaschinen oder Koordinatenmessmaschinen oder Messsysteme und Messeinrichtungen, wie folgt: 2B009Drück- und Fließdrückmaschinen, die nach der technischen Beschreibung des Herstellers mitnumerischen Steuerungen oder Rechnersteuerungen ausgerüstet werden können und mit allen folgenden Eigenschaften: ANMERKUNG: SIEHE AUCH NUMMERN 2B109 UND 2B209. Maschinen mit kombinierter Drück- und Fließdrückfunktion werden im Sinne von Nummer 2B009 als Fließdrückmaschinen betrachtet. 2B104Isostatische Pressen, die nicht von Nummer 2B004 erfasst werden, mit allen folgenden Eigenschaften: ANMERKUNG: SIEHE AUCH NUMMER 2B204. 2B105Öfen zur chemischen Beschichtung aus der Gasphase (CVD), die nicht von Unternummer 2B005a erfasst werden, konstruiert oder geändert für die Verdichtung von Kohlenstoff-Kohlenstoff-Verbundwerkstoffen. 2B109Fließdrückmaschinen, die nicht von Nummer 2B009 erfasst werden, und besonders konstruierte Bestandteile wie folgt: ANMERKUNG: SIEHE AUCH NUMMER 2B209. Anmerkung: Nummer 2B109 erfasst nur Maschinen, die zur Herstellung von Antriebskomponenten und -ausrüstung (z. B. Motorgehäuse) für von Nummer 9A005, Unternummer 9A007a oder 9A105a erfasste Systeme geeignet sind. Maschinen mit kombinierter Fließdrück- und Drückfunktion werden im Sinne von Nummer 2B109 als Fließdrückmaschinen betrachtet. 2B116Vibrationsprüfsysteme, Ausrüstung und Bestandteile hierfür, wie folgt: Ein Prüftisch im Sinne von Nummer 2B116 ist ein flacher Tisch oder eine flache Oberfläche ohne Aufnahmen oder Halterungen. 2B117Ausrüstung und Prozesssteuerungen, die nicht von Nummer 2B004, Unternummer 2B005a, Nummer 2B104 oder 2B105 erfasst werden, konstruiert oder geändert zur Verdichtung und Pyrolyse von Raketendüsen und Bugspitzen von Wiedereintrittskörpern aus Struktur-Verbundwerkstoffen. 2B119Auswuchtmaschinen und zugehörige Ausrüstung, wie folgt: ANMERKUNG: SIEHE AUCH NUMMER 2B219. 2B120Bewegungssimulatoren oder Drehtische mit allen folgenden Eigenschaften: Anmerkung: Nummer 2B120 erfasst nicht Drehtische, konstruiert oder geändert für Werkzeugmaschinen oder für medizinische Ausrüstung. Für die Erfassung von Rundtischen für Werkzeugmaschinen: Siehe Nummer 2B008. 2B121Positioniertische (Ausrüstung, geeignet für Präzisionsteilung in jeder Achse), die nicht von Nummer 2B120 erfasst werden, mit allen folgenden Eigenschaften: Anmerkung: Nummer 2B121 erfasst nicht Drehtische, konstruiert oder geändert für Werkzeugmaschinen oder für medizinische Ausrüstung. Für die Erfassung von Rundtischen für Werkzeugmaschinen: Siehe Nummer 2B008. 2B122Zentrifugen, die Beschleunigungen größer als 100 g erzeugen können und mit Schleifringen, geeignet zur Übertragung von elektrischer Energie und von Signalen, ausgerüstet sind. 2B201Werkzeugmaschinen und eine beliebige Kombination von diesen, die nicht von Nummer 2B001 erfasst werden, wie folgt, für das Abtragen oder Schneiden von Metallen, Keramiken oder Verbundwerkstoffen, die gemäß den technischen Spezifikationen des Herstellers mit elektronischen Geräten zur simultanen Bahnsteuerung in zwei oder mehr Achsen ausgerüstet werden können: 2B204Isostatische Pressen, die nicht von Nummer 2B004 oder 2B104 erfasst werden, und zugehörige Ausrüstung, wie folgt: In Nummer 2B204 bezieht sich die lichte Weite des Kammerraums auf die Kammer, in der sowohl die Arbeitstemperatur als auch der Arbeitsdruck erreicht werden, und schließt Spannvorrichtungen nicht mit ein. Sie ist die Abmessung der kleineren Kammer, entweder die lichte Weite der Druckkammer oder die lichte Weite der isolierten Ofenkammer, je nachdem, welche der beiden Kammern sich innerhalb der anderen befindet. 2B206Messmaschinen oder Systeme, die nicht von Nummer 2B006 erfasst werden, wie folgt: Anmerkung 1: Werkzeugmaschinen, die auch als Messmaschinen verwendet werden können, werden erfasst, wenn sie die für Werkzeugmaschinen- oder Messmaschinenfunktionen festgelegten Kriterien erreichen oder überschreiten. Anmerkung 2: Eine in Nummer 2B206 genannte Maschine wird erfasst, wenn sie die Erfassungsschwelle innerhalb ihres Arbeitsbereiches überschreitet. 2B207Roboter, Endeffektoren und Steuerungen, die nicht von Nummer 2B007 erfasst werden, wie folgt: 2B209Fließdrückmaschinen und Drückmaschinen mit Fließdrückfunktion, die nicht von Nummer 2B009 oder 2B109 erfasst werden, und Dorne, wie folgt: Anmerkung: Nummer 2B209a schließt Maschinen ein, die nur eine einzige Rolle zur Verformung des Metalls und zwei Hilfsrollen aufweisen, die den Dorn abstützen, am Verformungsprozess aber nicht direkt beteiligt sind. 2B219Rotierende Mehrebenenauswuchtmaschinen, festinstalliert oder beweglich, horizontal oder vertikal, wie folgt: 2B225Fernlenk-Manipulatoren, die für ferngesteuerte Tätigkeiten bei radiochemischen Trennprozessen oder in Heißen Zellen eingesetzt werden können, mit einer der folgenden Eigenschaften: Fernlenk-Manipulatoren ermöglichen die Übertragung der Bewegungen einer Bedienungsperson auf einen ferngelenkten Funktionsarm und eine Endhalterung. Sie können über Master-Slave-Steuerung, Steuerknüppel oder Tastatur bedient werden. 2B226Mit kontrollierter Atmosphäre (Vakuum oder Schutzgas) betriebene Induktionsöfen und Netzgeräte hierfür, wie folgt: ANMERKUNG: SIEHE AUCH NUMMER 3B. Anmerkung: Unternummer 2B226a erfasst keine Öfen zur Bearbeitung von Halbleiterwafern; 2B227Vakuum- oder Schutzgas-Metallschmelz- und Metallgießöfen und zugehörige Ausrüstung, wie folgt: 2B228Rotorfertigungs- oder Rotormontageausrüstung, Rotorrichtausrüstung, Dorne zur Sickenformung und Gesenke hierfür, wie folgt: 2B230Druckmessgeräte, geeignet zum Messen von Absolutdrücken im Bereich von 0 bis 13 kPa, mit allen folgenden Eigenschaften: Messgenauigkeit im Sinne der Nummer 2B230 schließt Nichtlinearität, Hysterese und Reproduzierbarkeit bei Umgebungstemperatur ein. 2B231Vakuumpumpen mit allen folgenden Eigenschaften: 2B232Mehrkammer-Leichtgaskanonen oder andere Hochgeschwindigkeitsbeschleunigungssysteme (spulenartige, elektromagnetische und elektrothermische Typen und andere fortgeschrittene Systeme), die Projektile auf Geschwindigkeiten größer/gleich 2 km/s beschleunigen können. 2B350Chemische Herstellungseinrichtungen, Apparate und Bestandteile wie folgt: Carbon-Grafit besteht aus amorphem Kohlenstoff und Grafit, wobei der Grafitgehalt 8 Gew.-% oder mehr beträgt. 2B351Systeme zur Feststellung oder Überwachung toxischer Gase, wie folgt, sowie dafür bestimmte Detektoren: 2B352Ausrüstung, geeignet zur Handhabung biologischer Stoffe, wie folgt:

2BPrüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen Technische Anmerkungen:

1. In der Summe der bahnsteuerungsfähigen Achsen werden zweite parallele, bahnsteuerungsfähige Achsen nicht gezählt, z. B. die W-Achse in Horizontal-Bohrwerken oder ein zweiter Rundtisch, dessen Mittelpunktslinie parallel zu der des ersten Rundtisches verläuft. Als Rundachsen werden auch solche Achsen bezeichnet, die nicht 360° drehen können. Eine Rundachse kann von Linearsystemen angetrieben werden, z. B. einer Schraube oder einem Zahnrad und einer Zahnstange.

2. Im Sinne der Nummer 2B sind als Achsen zur simultanen Bahnsteuerung nur die Achsen zu zählen, entlang deren oder um welche während der Bearbeitung des Werkstücks simultane und in Wechselbeziehung stehende Bewegungen zwischen Werkstück und Werkzeug durchgeführt werden. Nicht mitzuzählen sind weitere Achsen, entlang deren oder um welche andere Relativbewegungen innerhalb der Maschine durchgeführt werden, wie z. B.:

2. a)

Schleifscheiben-Abrichtsysteme in Schleifmaschinen,

b)

parallele Rundachsen, konstruiert zur separaten Aufspannung von Werkstücken,

c)

Achsen von Gegenspindeln zur Handhabung eines Werkstücks beim Einspannen in ein Futter an unterschiedlichen Werkstückseiten.

3. Die Achsenbezeichnungen entsprechen der Internationalen Norm ISO 841, Numerisch gesteuerte Maschinen- Achsen- und Bewegungsbezeichnungen.

4. Im Sinne der Nummern 2B001 bis 2B009 zählt eine Schwenkspindel als Rundachse.

5. Anstelle von individuellen Testprotokollen können für jedes Werkzeugmaschinenmodell amtliche Werte für die Positioniergenauigkeit herangezogen werden, die aus Messungen nach ISO 230/2 (1988) oder entsprechenden nationalen Normen hergeleitet werden. Der amtliche Wert für die Positioniergenauigkeit bezeichnet den Genauigkeitswert, der mit den zuständigen Behörden des Mitgliedstaates, in dem der Ausführer niedergelassen ist, als repräsentativ für die Genauigkeit eines Maschinenmodells festgestellt wird. Bestimmung der amtlichen Werte:

5. a)

Auswahl von fünf Maschinen eines zu bewertenden Modells.

b)

Messung der Genauigkeiten entlang der Linearachse nach ISO 230/2 (1988).

c)

Bestimmung der A-Werte für jede Achse jeder Maschine. Das Verfahren für die Berechnung des A-Wertes ist in der ISO-Norm beschrieben.

d)

Bestimmung des Mittelwertes des A-Wertes für jede Achse. Dieser Mittelwert Â-Wert wird der amtliche Wert für jede Achse des Modells (Âx, Ây, …).

e)

Da sich die Liste der Kategorie 2 auf jede Linearachse bezieht, gibt es für jede Linearachse einen entsprechenden amtlichen Wert.

f)

Hat eine Achse eines Maschinenmodells, das nicht von den Unternummern 2B001a bis 2B001c oder von Nummer 2B201 erfasst wird, einen amtlichen Wert für die Genauigkeit  von 0,006 mm bei Schleifmaschinen und 0,008 mm bei Fräs- und Drehmaschinen oder bessere Werte, ist der Hersteller aufgefordert, den Genauigkeitswert alle 18 Monate zu bestätigen.

a)

Kurbelwellen oder Nockenwellen;

b)

Schneidwerkzeuge;

c)

Extruderschnecken;

d)

Gravierteile oder Juwelierwaren.

a)

Werkzeugmaschinen für Drehbearbeitung mit allen folgenden Eigenschaften: Anmerkung: Unternummer 2B001a erfasst keine Drehmaschinen, besonders konstruiert für die Bearbeitung von Kontaktlinsen.

1. Positioniergenauigkeit mit allen verfügbaren Kompensationen von kleiner (besser)/gleich 0,006 mm nach ISO 230/2 (1988) oder entsprechenden nationalen Normen entlang einer Linearachse und

2. zwei oder mehr Achsen zur simultanen Bahnsteuerung;

b)

Werkzeugmaschinen für Fräsbearbeitung mit einer der folgenden Eigenschaften:

1. mit allen folgenden Eigenschaften:

1. a)

Positioniergenauigkeit mit allen verfügbaren Kompensationen von kleiner (besser)/gleich 0,006 mm nach ISO 230/2 (1988) oder entsprechenden nationalen Normen entlang einer Linearachse und

b)

drei Linearachsen plus einer Rundachse zur simultanen Bahnsteuerung,

2. fünf oder mehr Achsen zur simultanen Bahnsteuerung,

3. Positioniergenauigkeit für Lehrenbohrmaschinen, mit allen verfügbaren Kompensationen, von kleiner (besser)/gleich 0,004 mm nach ISO 230/2 (1988) oder entsprechenden nationalen Normen entlang einer Linearachse oder

4. Schlagfräsmaschinen (fly cutting machines) mit allen folgenden Eigenschaften:

4. a)

Spindel-Rundlaufabweichung und Spindel-Planlaufabweichung kleiner (besser) 0,0004 mm Gesamtmessuhrausschlag (TIR) und

b)

Winkelabweichung der Schlittenbewegung (Gieren, Stampfen und Rollen) kleiner (besser) 2 Bogensekunden Gesamtmessuhrausschlag (TIR) über einen Verfahrweg von 300 mm.

c)

Werkzeugmaschinen für Schleifbearbeitung mit einer der folgenden Eigenschaften: Anmerkung: Unternummer 2B001c erfasst nicht folgende Schleifmaschinen:

1. mit allen folgenden Eigenschaften:

1. a)

Positioniergenauigkeit mit allen verfügbaren Kompensationen von kleiner (besser)/gleich 0,004 mm nach ISO 230/2 (1988) oder entsprechenden nationalen Normen entlang einer Linearachse und

b)

drei oder mehr Achsen zur simultanen Bahnsteuerungoder

2. fünf oder mehr Achsen zur simultanen Bahnsteuerung;

1. Außen-, Innen-, Außen-/Innen-Rundschleifmaschinen mit allen folgenden Eigenschaften:

1. a)

Begrenzung auf Rundschleifen und

b)

maximaler Arbeitsbereich von 150 mm Außendurchmesser oder Länge,

2. Maschinen, besonders konstruiert als Koordinatenschleifmaschinen, die keine Z- oder W-Achse mit einer Positioniergenauigkeit mit allen verfügbaren Kompensationen von kleiner (besser) als 0,004 mm nach ISO 230/2 (1988) oder vergleichbaren nationalen Verfahren haben,

3. Flachschleifmaschinen.

d)

Funkenerosionsmaschinen (EDM) — Senkerodiermaschinen — mit zwei oder mehr Drehachsen, die für eine Bahnsteuerung simultan koordiniert werden können;

e)

Werkzeugmaschinen zum Abtragen von Metallen, Keramiken oder Verbundwerkstoffen mit allen folgenden Eigenschaften:

1. zum Abtragen von Material mittels

1. a)

Wasser oder anderen Flüssigkeitsstrahlen, einschließlich solcher, die abrasive Zusätze enthalten,

b)

Elektronenstrahlen oder

c)

Laserstrahlen und

2. mit zwei oder mehr Drehachsen, welche

2. a)

für eine Bahnsteuerung simultan koordiniert werden können und

b)

eine Positioniergenauigkeit besser als 0,003° haben;

f)

Tiefloch-Bohrmaschinen und Drehmaschinen, hergerichtet zum Tieflochbohren, mit einer maximalen Bohrtiefe über 5000 mm und besonders konstruierte Bestandteile hierfür.

a)

Endbearbeitung (finishing) der Form kleiner (besser) als 1,0 μm oder

b)

Endbearbeitung (finishing) der Rautiefe kleiner (besser) als 100 nm rms.

2BPrüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: a)

mit geregelter thermischer Umgebung innerhalb des geschlossenen Kammerraums und Innendurchmesser (lichte Weite) des Kammerraums von 406 mm oder mehr und

b)

mit einer der folgenden Eigenschaften:

1. maximaler Arbeitsdruck größer als 207 MPa,

2. geregelte thermische Umgebung größer als 1773 K (1500 °C) oder

3. mit einer Einrichtung zum Imprägnieren mit Kohlenwasserstoffen und zur Entfernung entstehender gasförmiger Reaktionsprodukte.

2BPrüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: a)

Herstellungsausrüstung für die chemische Beschichtung aus der Gasphase (CVD = chemical vapour deposition) mit allen folgenden Eigenschaften: ANMERKUNG: SIEHE AUCH NUMMER 2B105.

1. Verwendung eines für eine der folgenden Beschichtungsarten abgeänderten Verfahrens:

1. a)

CVD-Beschichten bei pulsierendem Druck,

b)

thermische Beschichtung mit geregelter Keimbildung (CNTD = controlled nucleation thermal deposition) oder

c)

plasmaverstärktes oder -unterstütztes CVD-Beschichten und

2. mit einer der folgenden Eigenschaften:

2. a)

mit rotierenden Hochvakuumdichtungen (Druck kleiner/gleich 0,01 Pa) oder

b)

mit Schichtdickenüberwachung in der Anlage;

b)

Herstellungsausrüstung für die Ionenimplantation mit Strahlströmen größer/gleich 5 mA;

c)

Herstellungsausrüstung für die physikalische Beschichtung aus der Dampfphase (PVD = physical vapour deposition) mittels Elektronenstrahl (EB-PVD) mit einer Stromversorgungsanlage von mehr als 80 kW Nennleistung und mit einer der folgenden Eigenschaften:

1. mit eingebautem Laser-Regelsystem für den Stand des Flüssigkeitsbads, das die Zufuhrgeschwindigkeit des Schichtwerkstoffs genau regelt oder

2. mit eingebautem Monitor zur rechnergesteuerten Überwachung der Abscheiderate bei einer Schicht aus zwei oder mehreren Elementen, wobei das Verfahren auf dem Prinzip der Fotolumineszenz der ionisierten Atome im Dampfstrahl beruht;

d)

Herstellungsausrüstung für das Plasmaspritzen mit einer der folgenden Eigenschaften:

1. Betrieb in geregelter Schutzgasatmosphäre bei verringertem Druck (kleiner/gleich 10 kPa, gemessen oberhalb des Spritzdüsenaustritts und innerhalb eines Umkreises von 300 mm um den Austritt) in einer Vakuumkammer, in der der Druck vor dem Spritzvorgang auf 0,01 Pa reduziert werden kann oder

2. mit Schichtdickenüberwachung in der Anlage;

e)

Herstellungsausrüstung für die Kathodenzerstäubungs-(Sputter-) Beschichtung, geeignet für Stromdichten von 0,1 mA/mm2 oder höher bei einer Beschichtungsrate größer/gleich 15 μm/h;

f)

Herstellungsausrüstung für die Bogenentladungs-Kathodenzerstäubungs-Beschichtung (cathodic arc deposition), die über ein Gitter aus Elektromagneten zur Steuerung des Auftreffpunkts des Lichtbogens auf der Kathode verfügt;

g)

Herstellungsausrüstung zur Ionenplattierung, die in der Anlage die Messung einer der folgenden Eigenschaften ermöglicht:

1. Schichtdicke auf dem Substrat und Abscheidegeschwindigkeit oder

2. optische Eigenschaften.

a)

rechnergesteuerte oder numerisch gesteuerte Koordinatenmessmaschinen (CMM = coordinate measuring machines), mit einer dreidimensionalen (volumetrischen) Längenmessabweichung (MPEE = maximum permissible error of indication) an einem Punkt innerhalb des Arbeitsbereiches der Maschine (d. h. innerhalb der Achslängen) kleiner (besser)/gleich (1,7 + L/1000) μm (L ist die Messlänge in mm), geprüft nach ISO 10360-2 (2001);

b)

Längen- und Winkelmesseinrichtungen wie folgt:

1. Technische Anmerkung:

Längenmesseinrichtungen mit einer der folgenden Eigenschaften: Im Sinne der Unternummer 2B006b1 bedeutet Längenmessung die Änderung des Abstandes zwischen der Messeinrichtung und dem zu messenden Objekt. Anmerkung: Unternummer 2B006b1 erfasst keine Laser-Interferometermesssysteme mit einem automatischen Kontrollsystem ohne Rückmeldetechniken zur Messung der Verfahrbewegungsfehler von Werkzeugmaschinen, Messmaschinen oder ähnlicher Ausrüstung.

a)

berührungslose Messsysteme mit einer Auflösung kleiner (besser)/gleich 0,2 μm in einem Messbereich bis zu 0,2 mm,

b)

Linearspannungs-Differenzialtransformator-Systeme mit allen folgenden Eigenschaften:

1. Linearität kleiner (besser)/gleich 0,1 % innerhalb eines Messbereichs bis zu 5 mm und

2. Drift kleiner (besser)/gleich 0,1 % pro Tag bei Standardumgebungstemperatur im Prüfraum ± 1 K oder

c)

Messsysteme mit allen folgenden Eigenschaften:

1. sie enthalten einen Laserund

2. sie behalten über mindestens 12 Stunden über einen Temperaturbereich von ± 1 K um eine Standardtemperatur und bei einem Standarddruck alle folgenden Eigenschaften bei:

2. a)

Auflösung von 0,1 μm oder kleiner (besser) über den vollen Messbereich und

b)

Messunsicherheit kleiner (besser)/gleich (0,2 + L/2000) μm (Messlänge L in mm),

d)

elektronische Baugruppen, besonders konstruiert zur Positionsrückmeldung in Systemen, die von Unternummer 2B006b1c erfasst werden.

2. Winkelmesseinrichtungen mit einer Winkelpositionsabweichung kleiner (besser)/gleich 0,00025 Grad; Anmerkung: Unternummer 2B006b2 erfasst nicht optische Geräte, z. B. Autokollimatoren, die ausgeblendetes Licht (z. B. Laser-Licht) benutzen, um die Winkelverstellung eines Spiegels festzustellen.

c)

Ausrüstung zur Messung von Oberflächenunebenheiten mittels optischer Streuung als eine Funktion des Winkels mit einer Empfindlichkeit kleiner (besser)/gleich 0,5 nm.

a) Technische Anmerkung:

geeignet zur Verarbeitung oder Auswertung von vollständigen dreidimensionalen Bilddaten in Echtzeit, um Programme und numerische Programmdaten zu erzeugen oder zu verändern; Die Begrenzung der Bildauswertung schließt nicht die Annäherung an die dritte Dimension durch Wahl eines bestimmten Blickwinkels oder eine begrenzte Grauwert-Interpretation zur Wahrnehmung von Tiefe und Struktur für die jeweils vorgesehenen Aufgaben ein (21/2 D).

b)

besonders konstruiert zur Erfüllung nationaler Sicherheitsvorschriften für explosionsgefährliche Munitions-Umgebungen;

c) Technische Anmerkung:

besonders konstruiert oder ausgelegt als strahlungsgehärtet, um ohne Funktionseinbuße einer Strahlendosis von 5 x 103 Gy (Silizium) standhalten zu können oder Der Ausdruck Gy (Silizium) bezieht sich auf die in Joule pro Kilogramm ausgedrückte Energie, die von einer ionisierender Strahlung ausgesetzten Probe von nicht abgeschirmtem Silizium absorbiert wird.

d)

besonders konstruiert für Betriebsfähigkeit in Höhen über 30000 m.

a)

lineare Positions-Rückmeldeeinheiten (z. B. induktive Geber, Maßskalen, Infrarot-Systeme oder Laser-Systeme) mit einer Gesamtgenauigkeit besser als (800 + (600 × L × 10 -3)) nm (L ist die nutzbare Länge in mm); Anmerkung:Laser-Systeme: Siehe auch Anmerkung zu Unternummer 2B006b1.

b)

Winkel-Positions-Rückmeldeeinheiten (z. B. induktive Geber, Maßskalen, Infrarot-Systeme oder Laser-Systeme) mit einer Genauigkeit besser als ± 0,00025 Grad; Anmerkung:Laser-Systeme: Siehe auch Anmerkung zu Unternummer 2B006b1.

c)

Kombinierte Schwenk-Rundtische und Schwenkspindeln, die nach Spezifikation des Herstellers Werkzeugmaschinen auf oder über das in Nummer 2B angegebene Niveau verbessern können.

a)

mit zwei oder mehr Achsen, bei denen mindestens zwei simultan für die Bahnsteuerung koordiniert werden können und

b)

mit einer Supportkraft größer als 60 kN.

2BPrüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: a)

maximaler Arbeitsdruck größer/gleich 69 MPa;

b)

konstruiert, um eine geregelte thermische Umgebung größer/gleich 873 K (600 °C) zu erreichen und aufrechtzuerhalten und

c)

lichte Weite des Kammerraums (Innendurchmesser) größer/gleich 254 mm.

a)

Fließdrückmaschinen mit allen folgenden Eigenschaften:

1. die nach der technischen Spezifikation des Herstellers mit einer numerischen Steuerung oder einer Rechnersteuerung ausgerüstet werden können, auch wenn sie zum Zeitpunkt der Lieferung nicht damit ausgestattet sind, und

2. die über mehr als zwei Achsen verfügen, die simultan für die Bahnsteuerung koordiniert werden können;

b)

besonders konstruierte Bestandteile für Fließdrückmaschinen, die von Nummer 2B009 oder Unternummer 2B109a erfasst werden.

2BPrüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: a)

Vibrationsprüfsysteme mit Rückkopplungs- oder Closed-Loop-Technik mit integrierter digitaler Steuerung, geeignet für Vibrationsbeanspruchungen des Prüflings mit einer Beschleunigung größer/gleich 10 g rms zwischen 20 Hz und 2 kHz und bei Übertragungskräften größer/gleich 50 kN, gemessen am Prüftisch;

b)

digitale Steuerungen in Verbindung mit besonders für Vibrationsprüfung entwickelter Software, mit einer Echtzeit-Bandbreite größer/gleich 5 kHz und konstruiert zum Einsatz in den von Unternummer 2B116a erfassten Systemen;

c)

Schwingerreger (Shaker units) mit oder ohne zugehörige Verstärker, geeignet für Übertragungskräfte von größer/gleich 50 kN, gemessen am Prüftisch, und geeignet für die von Unternummer 2B116a erfassten Systeme;

d)

Prüflingshaltevorrichtungen und Elektronikeinheiten, konstruiert, um mehrere Schwingerreger zu einem Schwingerregersystem, das Übertragungskräfte größer/gleich 50 kN, gemessen am Prüftisch, erzeugen kann, zusammenzufassen, und geeignet für die von Unternummer 2B116a erfassten Systeme.

2BPrüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: a)

Auswuchtmaschinen mit allen folgenden Eigenschaften: Anmerkung: Unternummer 2B119a erfasst nicht Auswuchtmaschinen, konstruiert oder geändert für zahnmedizinische oder andere medizinische Ausrüstung.

1. nicht geeignet zum Auswuchten von Rotoren/Baugruppen mit einer Masse größer als 3 kg,

2. geeignet zum Auswuchten von Rotoren/Baugruppen bei Drehzahlen größer als 12500 U/min,

3. geeignet zur Korrektur von Unwuchten in zwei oder mehr Ebenen und

4. geeignet zum Auswuchten bis zu einer spezifischen Restunwucht von 0,2 gmm/kg der Rotormasse;

b) Technische Anmerkung:

Messgeräte (indicator heads/balancing instrumentation), konstruiert oder geändert für den Einsatz in Maschinen, erfasst von Unternummer 2B119a. Indicator heads werden auch als balancing instrumentation bezeichnet.

a)

zwei oder mehr Achsen;

b)

Schleifringe, geeignet zur Übertragung von elektrischer Energie und/oder von Signalen und

c)

mit einer der folgenden Eigenschaften:

1. mit allen folgenden Eigenschaften für jede einzelne Achse:

1. a)

geeignet für Drehraten (rate) größer/gleich 400 °/s oder kleiner/gleich 30 °/s und

b)

Auflösung der Drehrate (rate resolution) kleiner/gleich 6 °/s und Genauigkeit kleiner/gleich 0,6 °/s,

2. Mindeststabilität der Drehrate (worst-case rate stability) besser (kleiner)/gleich ± 0,05 %, gemittelt über einen Bereich größer/gleich 10° oder

3. Positioniergenauigkeit kleiner/gleich 5 Bogensekunden.

a)

zwei oder mehr Achsen und

b)

Positioniergenauigkeit kleiner/gleich 5 Bogensekunden.

a)

Werkzeugmaschinen für Fräsbearbeitung mit einer der folgenden Eigenschaften:

1. Positioniergenauigkeit mit allen verfügbaren Kompensationen von kleiner (besser)/gleich 0,006 mm nach ISO 230/2 (1988) oder entsprechenden nationalen Normen entlang einer Linearachse oder

2. zwei oder mehr bahnsteuerfähige Rundachsen; Anmerkung: Unternummer 2B201a erfasst keine Fräsmaschinen mit allen folgenden Eigenschaften:

2. a)

Verfahrweg der X-Achse größer als 2000 mm und

b)

Gesamtpositioniergenauigkeit der X-Achse größer (schlechter) als 0,03 mm.

b)

Werkzeugmaschinen für Schleifbearbeitung mit einer der folgenden Eigenschaften: Anmerkung: 2B201b erfasst nicht folgende Schleifmaschinen: Anmerkung 1: 2B201 erfasst keine speziellen Werkzeugmaschinen zur Bearbeitung eines der folgenden Teile: Anmerkung 2: Eine Werkzeugmaschine, die mindestens zwei der drei Bearbeitungsverfahren Drehen, Fräsen oder Schleifen kombiniert (z. B. eine Drehmaschine mit Fräsfunktion), muss nach jeder der zutreffenden Unternummern 2B001a oder 2B201a oder 2B201b geprüft werden.

1. Positioniergenauigkeit mit allen verfügbaren Kompensationen von kleiner (besser)/gleich 0,004 mm nach ISO 230/2 (1988) oder entsprechenden nationalen Normen entlang einer Linearachse oder

2. zwei oder mehr bahnsteuerfähige Rundachsen.

a)

Außen-, Innen- und Außen-/Innen-Rundschleifmaschinen mit allen folgenden Eigenschaften:

1. Maximaler Arbeitsbereich von 150 mm Außendurchmesser oder Länge und

2. Begrenzung auf die Achsen x, z und c;

b)

Koordinatenschleifmaschinen, die keine z-Achse oder w-Achse mit einer Positioniergenauigkeit mit allen verfügbaren Kompensationen von kleiner (besser) 0,004 mm nach ISO 230/2 (1988) oder entsprechenden nationalen Normen haben.

a)

Getriebe;

b)

Kurbelwellen oder Nockenwellen;

c)

Schneidwerkzeuge;

d)

Extruderschnecken.

a)

Isostatische Pressen, mit allen folgenden Eigenschaften:

1. einem maximalen Arbeitsdruck größer/gleich 69 MPa und

2. einer Druckkammer mit einer lichten Weite (Innendurchmesser) größer als 152 mm;

b)

besonders konstruierte Gesenke, Formen oder Steuerungen für Isostatische Pressen, efasst von 2B204a.

2BPrüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: a)

Rechnergesteuerte oder numerisch gesteuerte Koordinatenmessmaschinen mit allen folgenden Eigenschaften:

1. zwei oder mehr Achsen und

2. eine eindimensionale Längen-Messunsicherheit kleiner (besser)/gleich (1,25 + L/1000) μm, gemessen mit einem Prüfmittel mit einer Genauigkeit kleiner (besser) als 0,2 μm (L ist die Länge in mm) (Ref. VDI/VDE 2617 Teil 1 und Teil 2);

b)

Systeme zum simultanen Messen von Linear- und Winkelkoordinaten von Halbkugeln mit allen folgenden Eigenschaften:

1. Messunsicherheit in jeder Achse kleiner (besser)/gleich 3,5 μm auf 5 mm und

2. Winkelpositionsabweichung kleiner/gleich 0,02°.

2BPrüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkungen:

1. Das Prüfmittel, das bei Bestimmung der Messunsicherheit eines Längenmesssystems verwendet wird, soll dem in VDI/VDE 2617 Teile 2, 3 und 4 beschriebenen entsprechen.

2. Alle Parameter für die Messwerte unter 2B206 lassen positive und negative Abweichungen zu, d. h., sie stellen nicht die gesamte Bandbreite dar.

a)

Roboter oder Endeffektoren, besonders konstruiert zur Einhaltung nationaler Sicherheitsnormen für die Handhabung hochexplosiver Stoffe (z. B. Einhaltung elektrischer Kenndaten bei hochexplosiven Stoffen);

b)

besonders konstruierte Steuerungen für einen der Roboter oder Endeffektoren, erfasst von Unternummer 2B207a.

a)

Maschinen, mit allen folgenden Eigenschaften:

1. drei oder mehr Rollen (Drückrollen oder Führungsrollen) und

2. nach der technischen Spezifikation des Herstellers mit numerischer Steuerung oder Rechnersteuerung ausrüstbar;

b)

Dorne zum Formen von zylindrischen Rotoren mit einem Innendurchmesser zwischen 75 mm und 400 mm.

a)

Rotierende Mehrebenenauswuchtmaschinen, konstruiert zum Auswuchten von flexiblen Rotoren mit einer Länge größer/gleich 600 mm, mit allen folgenden Eigenschaften:

1. Rotor- oder Zapfen-Durchmesser größer als 75 mm,

2. Tragfähigkeit von 0,9 bis 23 kg und

3. nutzbare Auswuchtdrehzahl größer als 5000 U/min;

b)

Rotierende Mehrebenenauswuchtmaschinen, konstruiert zum Auswuchten von hohlzylindrischen Rotorbauteilen, mit allen folgenden Eigenschaften:

1. Aufnahme-Durchmesser größer als 75 mm,;

2. Tragfähigkeit von 0,9 bis 23 kg,

3. Eignung zum Auswuchten für eine Restunwucht kleiner (besser)/gleich 0,01 kgmm/kg pro Auswuchtebene und

4. Riemenantriebsausführung.

a)

Eignung zur Durchdringung der Wand einer Heißen Zelle mit einer Dicke größer/gleich 0,6 m (Durch-die-Wand-Modifikation) oder

b)

Eignung zur Überbrückung der Wand einer Heißen Zelle mit einer Dicke größer/gleich 0,6 m (Über-die-Wand-Modifikation).

2BPrüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: a)

Öfen mit allen folgenden Eigenschaften:

1. geeignet für Betriebstemperaturen größer 1123 K (850 °C);

2. ausgerüstet mit Induktionsspulen mit einem Innendurchmesser kleiner/gleich 600 mm und

3. konstruiert für Eingangsleistungen größer/gleich 5 kW;

b)

Netzgeräte, besonders konstruiert für von Unternummer 2B226a erfasste Öfen, mit einer angegebenen Ausgangsleistung größer/gleich 5 kW;

a)

Lichtbogenöfen (Schmelz-, Umschmelz- und Gießöfen) mit allen folgenden Eigenschaften:

1. Abschmelzelektrodenvolumen zwischen 1000 cm3 und 20000 cm3und

2. geeignet für den Betrieb bei Schmelztemperaturen über 1973 K (1700 °C);

b)

Elektronenstrahlschmelzöfen und Plasma-Schmelz- oder Plasma-Zerstäubungsschmelzöfen mit allen folgenden Eigenschaften:

1. Leistung größer/gleich 50 kW und

2. geeignet für den Betrieb bei Schmelztemperaturen über 1473 K (1200 °C);

c)

Rechnersteuerungs- und Überwachungssysteme besonders entwickelt für von Unternummer 2B227a oder 2B227b erfasste Öfen.

a)

Rotormontageausrüstung für den Zusammenbau von Gaszentrifugenteilrohren, Scheiben und Enddeckeln; Anmerkung: Unternummer 2B228a schließt Präzisionsdorne, Haltevorrichtungen und Einschrumpfvorrichtungen ein.

b) Technische Anmerkung:

Rotorrichtausrüstung zum Ausrichten von Gaszentrifugenteilrohren auf eine gemeinsame Achse; Im Sinne von Unternummer 2B228b besteht diese Ausrüstung üblicherweise aus Präzisionsmesssonden, die mit einem Rechner verbunden sind, der die Funktion, z.B. der pneumatisch betriebenen Backen zum Ausrichten der Teilrohre, steuert.

c) Technische Anmerkung:

Dorne zur Sickenformung und Gesenke zur Herstellung von Einfachsicken. Sicken gemäß Unternummer 2B228c besitzen alle folgenden Eigenschaften:

1. Innendurchmesser zwischen 75 mm und 400 mm,

2. Länge größer/gleich 12,7 mm,

3. Sickenhöhe größer als 2 mm und

4. hergestellt aus hochfesten Aluminiumlegierungen, martensitaushärtendem Stahl oder hochfesten faser- oder fadenförmigen Materialien.

a)

Drucksensoren, die aus Aluminium, Aluminiumlegierungen, Nickel oder Nickellegierungen mit mehr als 60 Gew.-% Nickel hergestellt oder damit geschützt sind und

b)

mit einer der folgenden Eigenschaften:

1. Messbereich kleiner als 13 kPa und Messgenauigkeit kleiner (besser) als ± 1 % vom Skalenendwert oder

2. Messbereich größer/gleich 13 kPa und Messgenauigkeit kleiner (besser) als ± 130 Pa.

2BPrüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: a)

Ansaugdurchmesser größer/gleich 380 mm;

b)

Saugvermögen größer/gleich 15 m3/s und

c)

geeignet zur Erzeugung eines Endvakuumdrucks kleiner als 13 mPa.

2BPrüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkungen:

1. Das Saugvermögen wird am Messpunkt mit Stickstoffgas oder Luft bestimmt.

2. Der Endvakuumdruck wird an der geschlossenen Saugseite der Pumpe bestimmt.

a)

Reaktionsbehälter oder Reaktoren, mit oder ohne Rührer, mit einem inneren (geometrischen) Gesamtvolumen größer als 0,1 m3 (100 l) und kleiner als 20 m3 (20000 l), bei denen die medienberührenden Flächen ganz aus einem der folgenden Werkstoffe bestehen:

1. Legierungen mit mehr als 25 Gew.-% Nickel und 20 Gew.-% Chrom,

2. Fluorpolymere,

3. Glas oder Email,

4. Nickel oder Nickel-Legierungen mit mehr als 40 Gew.-% Nickel,

5. Tantal oder Tantal-Legierungen,

6. Titan oder Titan-Legierungen oder

7. Zirkonium oder Zirkonium-Legierungen;

b)

Rührer für die Verwendung in den von Unternummer 2B350a erfassten Reaktionskesseln oder Reaktoren sowie für solche Rührer konstruierte Rührflügel, Rührblätter und Rührwellen, bei denen die medienberührenden Flächen ganz aus einem der folgenden Werkstoffe bestehen:

1. Legierungen mit mehr als 25 Gew.-% Nickel und 20 Gew.-% Chrom,

2. Fluorpolymere,

3. Glas oder Email,

4. Nickel oder Nickel-Legierungen mit mehr als 40 Gew.-% Nickel,

5. Tantal oder Tantal-Legierungen,

6. Titan oder Titan-Legierungen oder

7. Zirkonium oder Zirkonium-Legierungen;

c)

Lagertanks, Container oder Vorlagen mit einem inneren (geometrischen) Gesamtvolumen größer als 0,1 m3 (100 l), bei denen die medienberührenden Flächen ganz aus einem der folgenden Werkstoffe bestehen:

1. Legierungen mit mehr als 25 Gew.-% Nickel und 20 Gew.-% Chrom,

2. Fluorpolymere,

3. Glas oder Email,

4. Nickel oder Nickel-Legierungen mit mehr als 40 Gew.-% Nickel,

5. Tantal oder Tantal-Legierungen,

6. Titan oder Titan-Legierungen oder

7. Zirkonium oder Zirkonium-Legierungen;

d)

Wärmetauscher oder Kondensatoren mit einer Wärmeaustauschfläche größer als 0,15 m2 und kleiner als 20 m2 sowie für solche Wärmetauscher oder Kondensatoren konstruierte Rohre, Platten, Coils oder Blöcke, bei denen die medienberührenden Flächen ganz aus einem der foļgenden Werkstoffe bestehen:

1. Legierungen mit mehr als 25 Gew.-% Nickel und 20 Gew.-% Chrom,

2. Fluorpolymere,

3. Glas oder Email,

4. Grafit oder Carbon-Grafit,

5. Nickel oder Nickel-Legierungen mit mehr als 40 Gew.-% Nickel,

6. Tantal oder Tantal-Legierungen,

7. Titan oder Titan-Legierungen,

8. Zirkonium oder Zirkonium-Legierungen,

9. Siliziumkarbid oder

10. Titankarbid;

e)

Destillations- oder Absorptionskolonnen mit einem inneren Durchmesser größer als 0,1 m sowie für solche Destillations- oder Absorptionskolonnen konstruierte Flüssigkeitsverteiler, Dampfverteiler oder Flüssigkeitssammler, bei denen die medienberührenden Flächen ganz aus einem der folgenden Werkstoffe bestehen:

1. Legierungen mit mehr als 25 Gew.-% Nickel und 20 Gew.-% Chrom,

2. Fluorpolymere,

3. Glas oder Email,

4. Grafit oder Carbon-Grafit,

5. Nickel oder Nickel-Legierungen mit mehr als 40 Gew.-% Nickel,

6. Tantal oder Tantal-Legierungen,

7. Titan oder Titan-Legierungen oder

8. Zirkonium oder Zirkonium-Legierungen;

f)

fernbedienbare Abfülleinrichtungen, bei denen die medienberührenden Flächen ganz aus einem der folgenden Werkstoffe bestehen:

1. Legierungen mit mehr als 25 Gew.-% Nickel und 20 Gew.-% Chrom oder

2. Nickel oder Nickel-Legierungen mit mehr als 40 Gew.-% Nickel;

g)

Ventile mit einer Nennweite größer als 10 mm sowie für solche Ventile konstruierte Ventilgehäuse oder vorgeformte Gehäuseverkleidungen, bei denen die medienberührenden Flächen ganz aus einem der folgenden Werkstoffe bestehen:

1. Legierungen mit mehr als 25 Gew.-% Nickel und 20 Gew.-% Chrom,

2. Fluorpolymere,

3. Glas oder Email,

4. Nickel oder Nickel-Legierungen mit mehr als 40 Gew.-% Nickel,

5. Tantal oder Tantal-Legierungen,

6. Titan oder Titan-Legierungen oder

7. Zirkonium oder Zirkonium-Legierungen;

h)

Mehrwandige Rohre mit Leckdetektor-Anschluss, bei denen die medienberührenden Flächen ganz aus einem der folgenden Werkstoffe bestehen:

1. Legierungen mit mehr als 25 Gew.-% Nickel und 20 Gew.-% Chrom,

2. Fluorpolymere,

3. Glas oder Email,

4. Grafit oder Carbon-Grafit,

5. Nickel oder Nickel-Legierungen mit mehr als 40 Gew.-% Nickel,

6. Tantal oder Tantal-Legierungen,

7. Titan oder Titan-Legierungen oder

8. Zirkonium oder Zirkonium-Legierungen;

i)

Pumpen mit Mehrfachdichtung und dichtungslose Pumpen mit einer vom Hersteller angegebenen maximalen Förderleistung größer als 0,6 m3/h oder Vakuumpumpen mit einer vom Hersteller angegebenen maximalen Förderleistung größer als 5 m3/h (jeweils unter Standard-Bedingungen von 273 K (0 °C) und 101,3 kPa) sowie für solche Pumpen konstruierte Pumpengehäuse, vorgeformte Gehäuseauskleidungen, Laufräder, Rotoren oder Strahlpumpendüsen, bei denen die medienberührenden Flächen ganz aus einem der folgenden Werkstoffe bestehen:

1. Legierungen mit mehr als 25 Gew.-% Nickel und 20 Gew.-% Chrom,

2. Keramik,

3. Ferrosiliziumguss,

4. Fluorpolymere,

5. Glas oder Email,

6. Grafit oder Carbon-Grafit,

7. Nickel oder Nickel-Legierungen mit mehr als 40 Gew.-% Nickel,

8. Tantal oder Tantal-Legierungen,

9. Titan oder Titan-Legierungen oder

10. Zirkonium oder Zirkonium-Legierungen;

j)

Verbrennungseinrichtungen, entwickelt zur Vernichtung der in Nummer 1C350 genannten Substanzen, mit besonders entwickelten Abfall-Zuführungssystemen, speziellen Handhabungseinrichtungen und einer durchschnittlichen Brennraumtemperatur größer als 1273 K (1000 °C), wobei die medienberührenden Flächen des Zuführungssystems ganz aus einem der folgenden Werkstoffe bestehen:

1. Legierungen mit mehr als 25 Gew.-% Nickel und 20 Gew.-% Chrom,

2. Keramik oder

3. Nickel oder Nickel-Legierungen mit mehr als 40 Gew.-% Nickel.

2BPrüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkungen: Technische Anmerkung: a)

entwickelt für den kontinuierlichen Betrieb und verwendbar für die Detektion von chemischen Kampfstoffen oder den in Nummer 1C350 genannten Substanzen unterhalb einer Konzentration von 0,3 mg/m3oder

b)

entwickelt für die Detektion cholinesterase-hemmender Wirkung.

a) Technische Anmerkung:

Vollständige biologische Sicherheitsbereiche, ausgestattet nach den Richtlinien für die Sicherheitsstufen P3 oder P4; Die Sicherheitsstufen P3 oder P4 (BL3, BL4, L3, L4) entsprechen der Definition im WHO-Handbuch Laboratory Biosafety (2.Auflage, Genf 1993).

b) Technische Anmerkung:

Fermenter, geeignet zur Kultivierung pathogener Mikroorganismen oder Viren oder geeignet zur Erzeugung von Toxinen, ohne Aerosolfreisetzung, mit einer Gesamtkapazität größer/gleich 20 l; Fermenter schließen Bioreaktoren, Chemostate und kontinuierliche Fermentationssysteme ein.

c) Technische Anmerkung:

Zentrifugalseparatoren, geeignet zur kontinuierlichen Trennung ohne Aerosolfreisetzung, mit allen folgenden Eigenschaften: Zentrifugalseparatoren schließen Dekanter ein.

c)

1. Durchflussrate größer als 100 l/h,

2. Bestandteile aus poliertem Edelstahl oder Titan,

3. Ein- oder Mehrfachdichtung im Dampfsterilisationsbereich und

4. geeignet zur In-situ-Sterilisation im geschlossenen Zustand;

d)

Ausrüstung, geeignet zur Handhabung biologischer Stoffe, wie folgt: Anmerkung: Unternummer 2B352d erfasst nicht Umkehrosmose-Ausrüstung gemäß Herstellerangaben.

1. Kreuz-(Tangential-)stromfilter-Ausrüstung, geeignet zur Abtrennung von pathogenen Mikroorganismen, Viren, Toxinen oder Zellkulturen ohne Aerosolfreisetzung, mit beiden folgenden Eigenschaften:

1. a)

Gesamtfilterfläche größer/gleich 1 m2und

b) Technische Anmerkung:

geeignet zur In-situ-Sterilisation oder zur In-situ-Desinfektion; Im Sinne von Unternummer 2B352d1b bezeichnet Sterilisation die Entfernung aller vermehrungsfähigen Mikroben von der Ausrüstung durch die Verwendung physikalischer (z. B. Dampf) oder chemischer Agenzien.Desinfektion bezeichnet die Zerstörung der potenziellen mikrobiellen Infektiösität der Ausrüstung durch die Verwendung chemischer Agenzien mit germiziden Effekten. Desinfektion und Sterilisation unterscheiden sich von der Sanitisation. Die Sanitisation bezieht sich auf Reinigungsoperationen, die entwickelt wurden, um die Menge des mikrobiellen Materials auf der Ausrüstung zu verringern ohne notwendigerweise deren völlige Infektiösität oder Vermehrungsfähigkeit zu beseitigen.

2. Bestandteile von Kreuz-(Tangential-)stromfiltern (z. B. Module, Elemente, Kassetten, Kartuschen oder Platten) mit einer Filterfläche größer/gleich 0,2 m2 pro Bestandteil und konstruiert für die Verwendung in Kreuz-(Tangential-)stromfilter-Ausrüstung, die von Unternummer 2B352d1 erfasst wird.

e)

Dampfsterilisierbare Gefriertrocknungsanlagen mit einer Eiskapazität des Kondensators größer als 10 kg und kleiner als 1000 kg in 24 Stunden;

f)

Schutz- und Containment-Ausrüstungen wie folgt:

1. Voll- oder Halbschutzanzüge oder Hauben, die auf die Anbindung an eine externe Luftversorgung angewiesen sind und mit Überdruck betrieben werden, Anmerkung: Anzüge, entwickelt für das Tragen mit unabhängigen Atemgeräten, werden von Unternummer 2B352f1 nicht erfasst.

2. biologische Sicherheitswerkbänke der Klasse III oder Isolatoren mit ähnlichen Leistungsmerkmalen; Anmerkung: Die in Unternummer 2B352f2 genannten Isolatoren schließen flexible Isolatoren, Trockenkästen (dry boxes), Kästen für anaerobe Arbeiten, Handschuharbeitskästen und Hauben mit laminarer Strömung (geschlossen mit vertikaler Strömung) ein.

g)

Aerosolprüfkammern mit einem Volumen größer/gleich 1 m3, konstruiert für Aerosoleignungsprüfungen von Mikroorganismen, Viren oder Toxinen.

2CWerkstoffe und Materialien

Kein Eintrag.

2DDatenverarbeitungsprogramme (Software)

2D001Software, andere als von Nummer 2D002 erfasst, besonders entwickelt oder geändert für die Entwicklung, Herstellung oder Verwendung von Ausrüstung, die von Nummer 2A001 oder 2B001 bis 2B009 erfasst wird. 2D002Software für elektronische Bauteile, auch wenn sie in einem elektronischen Bauteil oder System dauerhaft gespeichert ist, die solche Bauteile oder Systeme zu Funktionen einer numerischen Steuerung befähigt, die mehr als vier interpolierende Achsen simultan zur Bahnsteuerung koordinieren kann. Anmerkung 1: Nummer 2D002 erfasst keine Software, besonders entwickelt oder geändert zur Verwendung in nicht von Kategorie 2 erfassten Werkzeugmaschinen. Anmerkung 2: Nummer 2D002 erfasst keine Software für Maschinen, die von Nummer 2B002 erfasst werden. Zur Erfassung von Software für MRF-Maschinen: Siehe Nummer 2D001. 2D101Software, besonders entwickelt oder geändert für die Verwendung von Ausrüstung, erfasst von Nummer 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 oder 2B119 bis 2B122. ANMERKUNG: SIEHE AUCH NUMMER 9D004. 2D201Software, besonders entwickelt für die Verwendung von Ausrüstung, erfasst von Nummer 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 oder 2B227. 2D202Software, besonders entwickelt oder geändert für die Entwicklung, Herstellung oder Verwendung von Ausrüstung, erfasst von Nummer 2B201.

2ETechnologie

2E001Technologie entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die Entwicklung von Ausrüstung oder Software, die von Nummer 2A, 2B oder 2D erfasst wird. 2E002Technologie entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die Herstellung von Ausrüstung, die von Nummer 2A oder 2B erfasst wird. 2E003Technologie wie folgt: 2E101Technologie entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die Verwendung von Ausrüstung oder Software, erfasst von Nummer 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 bis 2B122 oder 2D101. 2E201Technologie entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die Verwendung von Ausrüstung oder Software, erfasst von Nummer 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, Unternummer 2B007b oder 2B007c, Nummer 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 bis 2B232, 2D201 oder 2D202. 2E301Technologie entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die Verwendung von Waren, erfasst von Nummer 2B350 bis 2B352.

a)

Technologie für die Entwicklung von interaktiver Grafik als integraler Bestandteil numerischer Steuerungen zur Vorbereitung oder Änderung von Teileprogrammen;

b)

Technologie für metallbearbeitende Fertigungsverfahren wie folgt:

1. Technologie für den Entwurf von Werkzeugen, Gesenken oder Spannvorrichtungen, besonders entwickelt für eines der folgenden Verfahren:

1. a)

superplastisches Umformen,

b)

Diffusionsschweißenoder

c)

hydrostatisches Umformen mit direkter Druckbeaufschlagung,

2. technische Daten, d.h. Verfahrensbeschreibungen oder Parameter, wie folgt, für die Verfahrenssteuerung:

2. a)

superplastisches Umformen von Aluminium-, Titan- oder Superlegierungen:

1. Oberflächenbehandlung,

2. Dehngeschwindigkeit,

3. Temperatur,

4. Druck,

b)

Diffusionsschweißen von Superlegierungen oder Titanlegierungen:

1. Oberflächenbehandlung,

2. Temperatur,

3. Druck,

c)

hydrostatisches Umformen mit direkter Druckbeaufschlagung von Aluminium- oder Titanlegierungen:

1. Druck,

2. Dauer des Arbeitsvorgangs,

d)

heißisostatisches Verdichten von Titan-, Aluminium- oder Superlegierungen:

1. Temperatur,

2. Druck,

3. Dauer des Arbeitsvorgangs;

c)

Technologie für die Entwicklung oder Herstellung von hydraulischen Streckziehpressen und dazugehörigen Formwerkzeugen zur Fertigung von Bauelementen für Flugzeugzellen;

d)

Technologie für die Entwicklung von Generatoren für die Erstellung von Steuerbefehlen für Werkzeugmaschinen (z. B. Teileprogramme) aus Konstruktionsdaten innerhalb der numerischen Steuerungen;

e)

Technologie für die Entwicklung von Integrations-Software zum Einfügen von Expertensystemen in numerische Steuerungen zur weit gehenden Unterstützung von Entscheidungen im maschinennahen Bereich;

f)

Technologie für das Aufbringen von anorganischen Auflageschichten oder anorganischen, oberflächen-verändernden Schichten (gemäß Spalte 3 der nachstehenden Tabelle) auf Substrate für nichtelektronische Anwendungen (gemäß Spalte 2 der nachstehenden Tabelle) durch die in Spalte 1 der nachstehenden Tabelle aufgeführten und in der Technischen Anmerkung definierten Verfahren. Anmerkung: Tabelle und Technische Anmerkung folgen nach Nummer 2E301.

Tabelle Abscheidungsverfahren 1.2.3.A)B)B) 1.B) 2.B) 3.B) 4.C)D)E)F)G) ANMERKUNGEN ZUR TABELLE — ABSCHEIDUNGSVERFAHREN: TECHNISCHE ANMERKUNG ZUR TABELLE — ABSCHEIDUNGSVERFAHREN:

Beschichtungsverfahren (1) Substrat Schichten Chemische Beschichtung aus der Gasphase (CVD-Beschichten) Superlegierungen Aluminide für Innenbeschichtungen Keramik (19) und Glas mit niedriger Wärmeausdehnung (14) Silicide Karbide Dielektrische Schichten (15) Diamant Diamantartiger Kohlenstoff (17) Kohlenstoff-Kohlenstoff-, Keramik- und Metall-Matrix-Verbundwerkstoffe Silicide Karbide Hochschmelzende Metalle Mischschichten daraus (4) Dielektrische Schichten (15) Aluminide Legierte Aluminide (2) Bornitrid Gesintertes Wolframkarbid (16), Siliziumkarbid (18) Karbide Wolfram Mischschichten daraus (4) Dielektrische Schichten (15) Molybdän und Molybdänlegierungen Dielektrische Schichten (15) Beryllium und Berylliumlegierungen Dielektrische Schichten (15) Diamant Diamantartiger Kohlenstoff (17) Werkstoffe für Sensorenfenster (9) Dielektrische Schichten (15) Diamant Diamantartiger Kohlenstoff (17) Physikalische Beschichtung aus der Gasphase (PVD-Beschichten) durch thermisches Verdampfen (TE-PVD) PVD-Beschichten mittels Elektronenstrahl (EB-PVD) Superlegierungen Legierte Silicide Legierte Aluminide (2) MCrAlX (5) modifiziertes Zirkoniumdioxid (12) Silicide Aluminide Mischschichten daraus (4) Keramik (19) und Glas mit niedriger Wärmeausdehnung (14) Dielektrische Schichten (15) Korrosionsbeständiger Stahl (7) MCrAlX (5) Modifiziertes Zirkoniumdioxid (12) Mischschichten daraus (4) Kohlenstoff-Kohlenstoff-, Keramik- und Metall-Matrix-Verbundwerkstoffe Silicide Karbide Hochschmelzende Metalle Mischschichten daraus (4) Dielektrische Schichten (15) Bornitrid Gesintertes Wolframkarbid (16), Siliziumkarbid (18) Karbide Wolfram Mischschichten daraus (4) Dielektrische Schichten (15) Molybdän und Molybdänlegierungen Dielektrische Schichten (15) Beryllium und Berylliumlegierungen Dielektrische Schichten (15) Boride Beryllium Werkstoffe für Sensorenfenster (9) Dielektrische Schichten (15) Titanlegierungen (13) Boride Nitride Ionenunterstütztes PVD-Beschichten mittels Widerstandsheizung (PVD-Ionenplattieren) Keramik (19) und Glas mit niedriger Wärmeausdehnung (14) Dielektrische Schichten (15) Diamantartiger Kohlenstoff (17) Kohlenstoff-Kohlenstoff-, Keramik- und Metall-Matrix-Verbundwerkstoffe Dielektrische Schichten (15) Gesintertes Wolframkarbid (16), Siliziumkarbid Dielektrische Schichten (15) Molybdän und Molybdänlegierungen Dielektrische Schichten (15) Beryllium und Berylliumlegierungen Dielektrische Schichten (15) Werkstoffe für Sensorenfenster (9) Dielektrische Schichten (15) Diamantartiger Kohlenstoff (17) PVD-Beschichten: Laser-Verdampfung Keramik (19) und Glas mit niedriger Wärmeausdehnung (14) Silicide Dielektrische Schichten (15) Diamantartiger Kohlenstoff (17) Kohlenstoff-Kohlenstoff-, Keramik- und Metall-Matrix-Verbundwerkstoffe Dielektrische Schichten (15) Gesintertes Wolframkarbid (16), Siliziumkarbid Dielektrische Schichten (15) Molybdän und Molybdänlegierungen Dielektrische Schichten (15) Beryllium und Berylliumlegierungen Dielektrische Schichten (15) Werkstoffe für Sensorenfenster (9) Dielektrische Schichten (15) Diamantartiger Kohlenstoff Physikalische Abscheidung aus der Gasphase (PVD): Kathodenzerstäubung durch Bogenentladung (Arc-Verdampfen) Superlegierungen Legierte Silicide Legierte Aluminide (2) MCrAlX (5) Polymere (11) und Verbundwerkstoffe mit organischer Matrix Boride Karbide Nitride Diamantartiger Kohlenstoff (17) Pack-Beschichten (Pack-Beschichten ohne direkten Pulverkontakt (out-of-pack) (10): Siehe oben unter A) Kohlenstoff-Kohlenstoff-, Keramik- und Metall-Matrix-Verbundwerkstoffe Silicide Karbide Mischschichten daraus (4) Titanlegierungen (13) Silicide Aluminide Legierte Aluminide (2) Hochschmelzende Metalle und Legierungen (8) Silicide Oxide Plasmaspritzen Superlegierungen MCrAlX (5) Modifiziertes Zirkoniumdioxid (12) Mischschichten daraus (4) Nickel-Grafit-Einlaufbeläge Ni-Cr-Al-haltige Einlaufbeläge Al-Si-Polyester-Einlaufbeläge Legierte Aluminide (2) Aluminiumlegierungen (6) MCrAlX (5) Modifiziertes Zirkoniumdioxid (12) Silicide Mischschichten daraus (4) Hochschmelzende Metalle und Legierungen (8) Aluminide Silicide Karbide Korrosionsbeständiger Stahl (7) MCrAlX (5) Modifiziertes Zirkoniumdioxid (12) Mischschichten daraus (4) Titanlegierungen (13) Karbide Aluminide Silicide Legierte Aluminide (2) Nickel-Grafit-Einlaufbeläge Ni-Cr-Al-haltige Einlaufbeläge Al-Si-Polyester-Einlaufbeläge Schlickerbeschichten Hochschmelzende Metalle und Legierungen (8) Aufgeschmolzene Silicide Aufgeschmolzene Aluminide, ausgenommen für Widerstandsheizelemente Kohlenstoff-Kohlenstoff-, Keramik- und Metall-Matrix-Verbundwerkstoffe Silicide Karbide Mischschichten daraus (4) Kathodenzerstäubungsbeschichtung (Sputtern/Aufstäuben) Superlegierungen Legierte Silicide Legierte Aluminide (2) Mit Edelmetallen modifizierte Aluminide (3) MCrAlX (5) Modifiziertes Zirkoniumdioxid (12) Platin Mischschichten daraus (4) Keramik und Glas mit niedriger Wärmeausdehnung (14) Silicide Platin Mischschichten daraus (4) Dielektrische Schichten (15) Diamantartiger Kohlenstoff (17) Titanlegierungen (13) Boride Nitride Oxide Silicide Aluminide Legierte Aluminide (2) Karbide Kohlenstoff-Kohlenstoff-, Keramik- und Metall-Matrix-Verbundwerkstoffe Silicide Karbide Hochschmelzende Metalle Mischschichten daraus (4) Dielektrische Schichten (15) Bornitrid Gesintertes Wolframkarbid (16), Siliziumkarbid (18) Karbide Wolfram Mischschichten daraus (4) Dielektrische Schichten (15) Bornitrid Molybdän und Molybdänlegierungen Dielektrische Schichten (15) Beryllium und Berylliumlegierungen Boride Dielektrische Schichten (15) Beryllium Werkstoffe für Sensorenfenster (9) Dielektrische Schichten (15) Diamantartiger Kohlenstoff (17) Hochschmelzende Metalle und Legierungen (8) Aluminide Silicide Oxide Karbide Ionenimplantation Hochwarmfeste Lagerstähle Zusatz von Chrom, Tantal oder Niob (Columbium) Titanlegierungen (13) Boride Nitride Beryllium und Berylliumlegierungen Boride Gesintertes Wolframkarbid (16) Karbide Nitride Die in Spalte 1 der Tabelle angegebenen Verfahren sind wie folgt definiert:

Tabelle Abscheidungsverfahren 1.2.3.A)B)B) 1.B) 2.B) 3.B) 4.C)D)E)F)G) ANMERKUNGEN ZUR TABELLE — ABSCHEIDUNGSVERFAHREN:

1. Die Beschichtungsverfahren schließen das Ausbessern und Erneuern von Schichten ebenso ein wie die Originalbeschichtung.

2. Legierte Aluminid-Beschichtung schließt das Beschichten nach Einzel- oder Mehrschrittverfahren ein, bei denen ein oder mehrere Elemente vor oder während des Aufbringens der Aluminid-Schicht abgeschieden werden, selbst wenn diese Elemente nach einem anderen Beschichtungsverfahren aufgebracht werden. Es schließt jedoch nicht die mehrfache Anwendung von Einzelschritt-Packbeschichtungsverfahren zur Erzielung von legierten Aluminidschichten ein.

3. Mit Edelmetallen modifizierte Aluminid-Beschichtung schließt die Mehrschrittbeschichtungen ein, bei denen das Edelmetall oder die Edelmetalle vor der Aluminidschicht durch ein anderes Beschichtungsverfahren aufgebracht wird/werden.

4. Der Ausdruck Mischschichten daraus schließt infiltrierten Werkstoff, abgestufte Zusammensetzungen, Simultanabscheidungen und Mehrschichten-Abscheidungen ein. Sie werden durch Anwendung eines oder mehrerer der in der Tabelle aufgeführten Beschichtungsverfahren hergestellt.

5. MCrAlX bezieht sich auf eine Beschichtungslegierung, bei derM für Cobalt, Eisen, Nickel oder Kombinationen aus diesen Elementen und X für Hafnium, Yttrium, Silizium, Tantal in jeder gewünschten Menge oder für sonstige beabsichtigte Zusätze über 0,01 Masseprozent in unterschiedlichen Verhältnissen und Mischungen steht, ausgenommen

5. a)

CoCrAlY-Schichten, die weniger als 22 Masseprozent Chrom, weniger als 7 Masseprozent Aluminium und weniger als 2 Masseprozent Yttrium enthalten,

b)

CoCrAlY-Schichten, die 22 bis 24 Masseprozent Chrom, 10 bis 12 Masseprozent Aluminium und 0,5 bis 0,7 Masseprozent Yttrium enthalten oder

c)

NiCrAlY-Schichten, die 21 bis 23 Masseprozent Chrom, 10 bis 12 Masseprozent Aluminium und 0,9 bis 1,1 Masseprozent Yttrium enthalten.

6. Aluminiumlegierungen beziehen sich auf Legierungen mit einer Zugfestigkeit von 190 MPa oder mehr, gemessen bei einer Temperatur von 293 K (20 °C).

7. Korrosionsbeständige Stähle beziehen sich auf Stähle der AISI-Nummernreihe 300 (AISI = American Iron and Steel Institute) oder Stähle vergleichbarer nationaler Normen.

8. Hochschmelzende Metalle und Legierungen schließen die folgenden Metalle und ihre Legierungen ein: Niob (Columbium), Molybdän, Wolfram und Tantal.

9. Werkstoffe für Sensorenfenster wie folgt: Aluminiumoxid, Silizium, Germanium, Zinksulfid, Zinkselenid, Galliumarsenid, Diamant, Galliumphosphid, Saphir und die folgenden Metallhalogenide: Werkstoffe für Sensorenfenster mit einem Durchmesser von mehr als 40 mm bei Zirkoniumfluorid und Hafniumfluorid.

10. Kategorie 2 erfasst nicht die Technologie für das Pack-Beschichten im Einzelschrittverfahren von massiven Turbinenschaufelblättern.

11. Polymere wie folgt: Polyimid, Polyester, Polysulfid, Polycarbonate und Polyurethane.

12. Modifiziertes Zirkoniumdioxid bezieht sich auf Zirkoniumdioxid mit Zusätzen von anderen Metalloxiden (z.B. Calciumoxid, Magnesiumoxid, Yttriumoxid, Hafniumoxid, Seltenerdoxide) zur Stabilisierung bestimmter Kristallphasen und Phasenzusammensetzungen. Wärmedämmschichten aus Zirkoniumdioxid, das durch Mischung oder Verschmelzung mit Calciumoxid oder Magnesiumoxid modifiziert wurde, werden nicht erfasst.

13. Titanlegierungen beziehen sich nur auf in der Luft- und Raumfahrt verwendete Legierungen, die über eine Zugfestigkeit von 900 MPa oder mehr verfügen, gemessen bei einer Temperatur von 293 K (20 °C).

14. Glas mit niedriger Wärmeausdehnung bezieht sich auf Glas mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten von 1 × 10 –7 K–1 oder weniger, gemessen bei einer Temperatur von 293 K (20 °C).

15. Dielektrische Schichten sind Mehrfachschichten aus Isolierstoffen, wobei die Interferenzeigenschaften eines Schichtsystems, das aus Werkstoffen mit unterschiedlichem Brechungsindex besteht, zur Reflexion, Transmission oder Absorption von Wellen verschiedener Längenbereiche verwendet werden. Dielektrische Schichten bestehen aus mehr als vier dielektrischen Lagen oder mehr als vier Dielektrikum/Metall-Verbundwerkstofflagen.

16. Gesintertes Wolframkarbid bezieht sich nicht auf Werkstoffe für Schneid- und Formwerkzeuge aus Wolframkarbid/(Cobalt, Nickel), Titankarbid/(Cobalt, Nickel), Chromkarbid/Nickel-Chrom und Chromkarbid/Nickel.

17. Technologie, besonders entwickelt zum Abscheiden von diamantartigem Kohlenstoff auf den folgenden Gegenständen, unterliegt nicht der Ausfuhrgenehmigungspflicht:

Festplatten und Festplattenköpfe, Ausrüstung für die Herstellung von Einwegartikeln, Ventile für Wasserhähne, Lautsprechermembranen, Teile für Automobilmotoren, spangebende Werkzeuge, Stanz- und Presswerkzeuge, Ausrüstung für Büroautomation, Mikrofone, medizinische Geräte oder Formen für das Gießen oder Spritzen von Plastik, wenn sie aus Legierungen hergestellt sind, die weniger als 5 % Beryllium enthalten.

18. Siliziumkarbid schließt nicht Materialien für spanende und umformende Werkzeuge ein.

19. Keramiksubstrate, wie sie in dieser Position benutzt werden, beinhalten nicht Keramikmaterialien mit einem Anteil größer/gleich 5 Gew.-% an Lehm oder Bindemittel als separater Bestandteil oder als Kombination.

Tabelle Abscheidungsverfahren 1.2.3.A)B)B) 1.B) 2.B) 3.B) 4.C)D)E)F)G) ANMERKUNGEN ZUR TABELLE — ABSCHEIDUNGSVERFAHREN: TECHNISCHE ANMERKUNG ZUR TABELLE — ABSCHEIDUNGSVERFAHREN: a)

Chemische Beschichtung aus der Gasphase (CVD-Beschichten) ist ein Verfahren zum Aufbringen von Auflageschichten oder oberflächenverändernden Schichten, bei dem ein Metall, eine Legierung, ein Verbundwerkstoff, ein Dielektrikum oder Keramik auf einem erhitzten Substrat abgeschieden wird. Gasförmige Reaktanten werden im oberflächennahen Bereich eines Substrats zersetzt oder verbunden, wobei der gewünschte Schichtstoff als Element, Legierung oder Verbindung auf dem Substrat abgeschieden wird. Die für die Zersetzung oder chemische Reaktion benötigte Energie wird entweder durch die Hitze des Substrats, durch die elektrische Entladung in einem Glimmlichtplasma oder durch Laserstrahlen geliefert. Anmerkung 1: Das CVD-Beschichten schließt folgende Verfahren ein: Abscheidung mittels gerichtetem Gasfluss ohne direkten Pulverkontakt des Substrats (out of pack), CVD-Beschichten mit pulsierendem Druck, thermische Zersetzung mit geregelter Keimbildung (CNTD), plasmaverstärktes oder -unterstütztes CVD-Beschichten. Anmerkung 2: Pack-Beschichten bedeutet, dass ein Substrat in ein Pulvergemisch eingebettet wird. Anmerkung 3: Die beim Out-of-Pack-Verfahren verwendeten gasförmigen Reaktanten werden mit denselben Hauptreaktionen und Parametern erzeugt wie beim Pack-Beschichten, mit der Ausnahme, dass das zu beschichtende Substrat keinen Kontakt mit dem Pulvergemisch hat.

b)

Physikalische Beschichtung aus der Gasphase durch thermisches Verdampfen (TE-PVD = thermal evaporation physical vapour deposition) ist ein Beschichtungsverfahren zur Herstellung von Auflageschichten in einem Vakuum bei einem Druck von weniger als 0,1 Pa, wobei Wärmeenergie zum Verdampfen des Schichtwerkstoffes eingesetzt wird. Bei diesem Verfahren wird das dampfförmige Beschichtungsmaterial durch Kondensation oder Abscheidung auf entsprechend positionierten Substraten aufgebracht. Die Zufuhr von Gasen in die Vakuumkammer während des Beschichtungsvorgangs zum Zwecke der Synthese von zusammengesetzten Schichten ist eine übliche Variante dieses Verfahrens. Die Verwendung von Ionen- oder Elektronenstrahlen oder von Plasma zur Einleitung oder Förderung des Abscheidungsvorgangs ist ebenfalls eine übliche Variante dieses Verfahrens. Der Einsatz von Monitoren zur Messung der optischen Eigenschaften und der Schichtdicke während des Beschichtungsvorgangs kann ein Merkmal dieser Verfahren sein. Spezifische TE-PVD-Verfahren sind folgende:

1. Beim PVD-Beschichten mittels Elektronenstrahl wird das Beschichtungsmaterial mittels Elektronenstrahl erhitzt und verdampft.

2. Beim PVD-Beschichten mittels ionenunterstützter Widerstandsheizung werden Heizquellen mit elektrischem Widerstand in Kombination mit auftreffendem(n) Ionenstrahl(en) verwendet, mit dem ein kontrollierter und gleichmäßiger Fluss aus verdampftem Beschichtungsmaterial erzeugt wird.

3. Bei der Laser-Verdampfung werden zum Verdampfen des Beschichtungsmaterials Impulslaser oder Dauerstrich-Laser verwendet.

4. Bei der Kathodenzerstäubung durch Bogenentladung (Arc-Verdampfen) wird eine selbstverzehrende Kathode verwendet, die aus dem Beschichtungsmaterial besteht. Dabei wird durch den Momentkontakt einer geerdeten Zündelektrode auf der Kathodenoberfläche eine Lichtbogenentladung ausgelöst. Durch die kontrollierte Bewegung des Lichtbogens wird die Kathodenoberfläche abgetragen, wobei ein hochionisiertes Plasma entsteht. Als Anode kann entweder ein am Rande der Kathode über einem Isolator angebrachter Kegel oder die Kammer selbst verwendet werden. Bei nicht geradliniger Abscheidung wird an das Substrat eine Vorspannung angelegt. Anmerkung: Diese Definition beinhaltet nicht die Kathodenzerstäubungsabscheidung mit unkontrollierter Bogenentladung und Substraten ohne Vorspannung.

5. Ionenplattieren ist eine spezielle Variante eines allgemeinen TE-PVD-Verfahrens, bei dem ein Plasma oder eine Ionenquelle zur Ionisierung des Beschichtungsmaterials verwendet und an das Substrat eine negative Vorspannung angelegt wird, um die Abscheidung des Beschichtungsmaterials aus dem Plasma zu fördern. Die Einbringung von reaktiven Stoffen, die Verdampfung von Feststoffen im Reaktionsbehälter und der Einsatz von Monitoren zur Messung der optischen Eigenschaften und der Schichtdicke während des Beschichtungsvorgangs sind übliche Varianten dieses Verfahrens.

c)

Pack-Beschichten ist ein Verfahren zur Herstellung von oberflächenverändernden Schichten oder Auflageschichten, bei dem das Substrat in ein Pulvergemisch eingebettet wird, das aus folgenden Stoffen besteht: Das Substrat und das Pulvergemisch befinden sich in einer Retorte, die auf eine Temperatur zwischen 1030 K (757 °C) und 1375 K (1102 °C) erhitzt wird, wobei die Haltezeit ausreichend bemessen sein muss, um die Beschichtung abzuscheiden.

1. den Metallpulvern, die abgeschieden werden sollen (normalerweise Aluminium, Chrom, Silizium oder Gemische daraus),

2. einem Aktivator (normalerweise ein Halogenid) und

3. einem inerten Pulver, in der Regel Aluminiumoxid.

d)

Plasmaspritzen ist ein Verfahren zur Herstellung von Auflageschichten, wobei mit einer Plasmaspritzpistole, die ein Plasma erzeugt und regelt, Spritzwerkstoffe in Pulver- oder Drahtform aufgenommen, aufgeschmolzen und auf die Oberfläche des Substrats geschleudert werden. Dabei entsteht auf dem Substrat eine homogene, gut haftende Schicht. Plasmaspritzen bezieht sich auf Niederdruckplasmaspritzen oder Hochgeschwindigkeitsplasmaspritzen. Anmerkung 1 Niederdruck bezeichnet einen Druck unterhalb des normalen Atmosphärendrucks. Anmerkung 2 Hochgeschwindigkeit bezieht sich auf eine Gasgeschwindigkeit am Düsenaustritt von mehr als 750 m/s, bei einer Temperatur von 293 K (20 °C) und einem Druck von 0,1 MPa.

e)

Schlickerbeschichten (Aufbringen von Schichten durch Aufschlämmen) ist ein Verfahren zur Herstellung von oberflächenverändernden Schichten oder Auflageschichten, bei dem ein Metall- oder Keramikpulver zusammen mit einem organischen Binder in einer Flüssigkeit suspendiert und durch Aufspritzen, Tauchen oder Aufpinseln auf ein Substrat aufgebracht wird. Die gewünschte Schicht wird anschließend durch Luft- oder Ofentrocknung und Wärmebehandlung gebildet.

f)

Kathodenzerstäubungsbeschichtung (Sputtern/Aufstäuben) ist ein Verfahren zur Herstellung von Auflageschichten, das auf dem Prinzip der Impulsübertragung beruht. Dabei werden positiv geladene Ionen mit Hilfe eines elektrischen Feldes auf die Oberfläche eines Targets (Beschichtungsmaterial) geschossen. Die Bewegungsenergie der auftreffenden Ionen reicht aus, um Atome aus der Oberfläche des Targets herauszulösen, die sich auf einem entsprechend angebrachten Substrat niederschlagen. Anmerkung 1: Die Tabelle bezieht sich ausschließlich auf das Abscheiden mittels Trioden- oder Magnetronanlagen oder reaktivem Aufstäuben, wodurch die Haftfestigkeit der Schicht und die Beschichtungsrate erhöht werden, sowie auf das beschleunigte Aufstäuben mittels einer am Target anliegenden HF-Spannung, wodurch nichtmetallische Schichtwerkstoffe zerstäubt werden können. Anmerkung 2: Ionenstrahlen mit niedriger Energie (weniger als 5 keV) können verwendet werden, um die Abscheidung zu aktivieren.

g)

Ionenimplantation ist ein oberflächenveränderndes Beschichtungsverfahren, bei dem das zu legierende Element ionisiert, durch ein Spannungsgefälle beschleunigt und in die Oberfläche des Substrats implantiert wird. Dies schließt Verfahren ein, bei denen neben der Ionenimplantation gleichzeitig das PVD-Beschichten mittels Elektronenstrahl und das Sputtern/Aufstäuben zur Anwendung kommen.

KATEGORIE 3 ALLGEMEINE ELEKTRONIK

3ASysteme, Ausrüstung und Bestandteile Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung:

Anmerkung1: Die Erfassung der in den Nummern 3A001 oder 3A002 — ohne die Unternummern 3A001a3 bis 3A001a10 oder 3A001a12 — beschriebenen Ausrüstung, Baugruppen und Bauelemente, die besonders konstruiert sind oder dieselben Funktionsmerkmale wie andere Waren aufweisen, richtet sich nach deren Erfassungsstatus. Anmerkung2: Die Erfassung der in den Unternummern 3A001a3 bis 3A001a9 oder 3A001a12 beschriebenen integrierten Schaltungen, die festprogrammiert sind oder für eine bestimmte Funktion entwickelt wurden, richtet sich nach dem Erfassungsstatus der Waren, in denen sie verwendet werden. Ergänzende Anmerkung: Wenn der Hersteller oder Ausführer den Erfassungsstatus der anderen für die Endbenutzung vorgesehenen Ware nicht festlegen kann, richtet sich die Erfassung der integrierten Schaltungen nach den Unternummern 3A001a3 bis 3A001a9 oder 3A001a12. Ist die integrierte Schaltung aus Silizium und ein Mikrocomputer oder Mikrocontroller gemäß Unternummer 3A001a3 mit einer Datenwortlänge von kleiner/gleich 8 bit, gelten die Grenzwerte von Unternummer 3A001a3. 3A001Elektronische Bauelemente und Baugruppen wie folgt: 3A002Elektronische Ausrüstung für allgemeine Zwecke wie folgt: 3A003Sprühkühlsysteme (spray cooling thermal management systems), die geschlossene Kreisläufe für das Fördern und Wiederaufbereiten von Flüssigkeiten in hermetisch abgedichteten Gehäusen verwenden, in denen eine dielektrische Flüssigkeit mittels besonders konstruierter Sprühdüsen auf Bauteile gesprüht wird, dafür entwickelt, elektronische Bauelemente in ihrem Betriebstemperaturbereich zu halten, sowie besonders konstruierte Bestandteile hierfür. 3A101Elektronische Ausrüstung, Geräte und Komponenten, die nicht von Nummer 3A001 erfasst werden, wie folgt: 3A201Elektronische Ausrüstung, die nicht von Nummer 3A001 erfasst wird, wie folgt: 3A225Frequenzumwandler oder Generatoren, die nicht von Unternummer 0B001b13 erfasst werden, mit allen folgenden Eigenschaften: Frequenzumwandler im Sinne von Nummer 3A225 werden auch als Konverter oder Inverter bezeichnet. 3A226Hochenergie-Gleichstromversorgungsgeräte, die nicht von Unternummer 0B001j6 erfasst werden, mit allen folgenden Eigenschaften: 3A227Hochspannungs-Gleichstromversorgungsgeräte, die nicht von Unternummer 0B001j5 erfasst werden, mit allen folgenden Eigenschaften: 3A228Schaltelemente wie folgt: 3A229Zündvorrichtungen und gleichwertige Hochstrom-Impulsgeneratoren wie folgt: ANMERKUNG: SIEHE AUCH Liste für Waffen, Munition und Rüstungsmaterial. 3A230Hochgeschwindigkeits-Impulsgeneratoren mit allen folgenden Eigenschaften: Impulsanstiegszeit im Sinne von Nummer 3A230 ist das Zeitintervall, in dem die Spannungsamplitude zwischen 10 % und 90 % des Maximalwertes beträgt. 3A231Neutronengeneratorsysteme einschließlich Neutronengeneratorröhren mit allen folgenden Eigenschaften: 3A232Detonatoren und Mehrfachzündersysteme wie folgt: ANMERKUNG: SIEHE AUCH Liste für Waffen, Munition und Rüstungsmaterial. Anmerkung: Nummer 3A232 erfasst keine Detonatoren, die nur Initialsprengstoffe, wie z. B. Bleiazid, verwenden. Die von Nummer 3A232 erfassten Detonatoren basieren auf einem elektrischen Leiter (Brücke, Drahtbrücke, Folien), der explosionsartig verdampft, wenn ein schneller Hochstromimpuls angelegt wird. Außer bei den Slapperzündern wird durch den explodierenden Leiter die chemische Detonation im Material, wie z. B. PETN (Pentaerythrittetranitrat), in Gang gesetzt. Bei den Slapperzündern wird durch den explodierenden Leiter ein Zündhammer getrieben, der bei Aufschlag auf eine Zündmasse die chemische Detonation startet. Bei einigen Ausführungen wird der Zündhammer magnetisch angetrieben. Der Begriff Folienzünder kann sich sowohl auf Brückenzünder als auch auf Slapperzünder beziehen. Der Begriff Detonator wird auch anstelle von Zünder verwendet. 3A233Massenspektrometer, die nicht von Unternummer 0B002g erfasst werden, für die Messung von Ionen einer Atommasse größer/gleich 230 amu (atomic mass units) mit einer Auflösung besser als 2 amu bei 230 amu oder größer, und Ionenquellen hierfür wie folgt:

3ASysteme, Ausrüstung und Bestandteile a)

integrierte Schaltungen für allgemeine Anwendungen wie folgt: Anmerkung1: Die Erfassung von (fertigen oder noch nicht fertigen) Wafern, deren Funktion festliegt, richtet sich nach den Parametern von Unternummer 3A001a. Anmerkung2: Zu den integrierten Schaltungen gehören:

monolithisch integrierte Schaltungen,

integrierte Hybrid-Schaltungen,

integrierte Multichip-Schaltungen,

integrierte Schichtschaltungen einschließlich integrierter Schaltungen in SOS-Technologie,

integrierte optische Schaltungen.

1. integrierte Schaltungen, entwickelt oder ausgelegt für eine der folgenden Strahlungsfestigkeiten:

1. a)

Gesamtdosis größer/gleich 5 × 103 Gy (Silizium),

b)

Dosisrate größer/gleich 5 × 106 Gy (Silizium)/s oder

c)

integrierter Teilchenfluss (integrated flux) der Neutronen (1 MeV-Äquivalent) größer/gleich 5 × 1013 n/cm2 bezogen auf Silizium oder der äquivalente Wert für andere Materialien, Anmerkung: Unternummer 3A001a1c gilt nicht für Metall/Isolator/Halbleiter-Strukturen (MIS-Strukturen).

2. Mikroprozessoren, Mikrocomputer, Mikrocontroller, elektrisch löschbare, programmierbare Festwertspeicher (EEPROMs), Flash-Speicher, statische Speicher (SRAM), aus einem Verbindungshalbleiter hergestellte integrierte Speicherschaltungen, Analog-Digital-Wandler, Digital-Analog-Wandler, elektrooptische oder integrierte optische Schaltungen für die Signaldatenverarbeitung, anwenderprogrammierbare Logikschaltkreise (FPLDs), integrierte Schaltungen für neuronale Netze, kundenspezifische integrierte Schaltungen, deren Funktion oder deren Erfassungsstatus in Bezug auf die Endbenutzergeräte unbekannt ist, oder FFT-Prozessoren (Fast Fourier Transform) mit einer der folgenden Eigenschaften: Anmerkung: Unternummer 3A001a2 gilt nicht für integrierte Schaltungen, die in zivilen Kraftfahrzeugen oder Eisenbahnzügen verwendet werden.

2. a)

ausgelegt für eine Betriebstemperatur über 398 K (+ 125 °C),

b)

ausgelegt für eine Betriebstemperatur unter 218 K (– 55 °C) oder

c)

ausgelegt für einen Bereich von 218 K (– 55 °C) bis 398 K (+ 125 °C),

3. Mikroprozessoren, Mikrocomputer und Mikrocontroller, hergestellt aus einem Verbindungshalbleiter und mit einer Taktfrequenz größer als 40 MHz, Anmerkung: Unternummer 3A001a3 schließt digitale Signal-Prozessoren, Vektorprozessoren und Coprozessoren ein.

4. Speicherschaltungen aus einem Verbindungshalbleiter,

5. Technische Anmerkungen:

Analog-Digital- und Digital-Analog-Wandlerschaltungen wie folgt:

5. a)

Analog-Digital-Wandler mit einer der folgenden Eigenschaften: ANMERKUNG: SIEHE AUCH NUMMER 3A101.

1. Auflösung größer/gleich 8 bit, aber kleiner als 10 bit, mit einer Ausgaberate größer als 500 Millionen Datenwörter pro Sekunde,

2. Auflösung größer/gleich 10 bit, aber kleiner als 12 bit, mit einer Ausgaberate größer als 200 Millionen Datenwörter pro Sekunde,

3. Auflösung von 12 bit mit einer Ausgaberate größer als 50 Millionen Datenwörter pro Sekunde,

4. Auflösung größer als 12 bit, aber kleiner/gleich 14 bit, mit einer Ausgaberate größer als 5 Millionen Datenwörter pro Sekunde oder

5. Auflösung größer als 14 bit mit einer Ausgaberate größer als 1 Million Datenwörter pro Sekunde,

b)

Digital-Analog-Wandler mit einer Auflösung größer/gleich 12 bit und einer Einstellzeit (settling time) kleiner als 10 ns,

5. Technische Anmerkungen:

1. Eine Auflösung von n Bit entspricht einer Quantisierung von 2n Zuständen.

2. Die Anzahl der Bits im Ausgabewort ist gleich der Auflösung des Analog-Digital-Wandlers.

3. Die Ausgaberate ist die maximale Ausgaberate des Konverters, ungeachtet der Architektur oder der Übertastung (oversampling). Anbieter können die Ausgaberate auch als Abtastrate (sampling rate), Wandlungsrate (conversion rate) oder Durchsatzrate (throughput rate) bezeichnen. Sie wird oft in Megahertz (MHz) oder Megasample pro Sekunde (MSPS) angegeben.

4. Zum Zwecke der Messung der Ausgaberate entspricht ein Datenwort pro Sekunde einem Hertz oder einem Sample pro Sekunde.

6. elektrooptische oder integrierte optische Schaltungen, entwickelt für die Signaldatenverarbeitung mit allen folgenden Eigenschaften:

6. a)

mit einer oder mehreren internen Laser-Diode(n),

b)

mit einem oder mehreren internen lichtempfindlichen Element(en) und

c)

mit optischen Strahlführungselementen,

7. anwenderprogrammierbare Logikschaltkreise (FPLDs) mit einer der folgenden Eigenschaften: Anmerkung: Unternummer 3A001a7 schließt ein: Ergänzende Anmerkung: FPLAs und FPGAs werden auch FPLDs (Field Programmable Logic Devices) genannt.

7. a)

nutzbares Gatteräquivalent (equivalent usable gate count) größer als 30000 (Gatter mit zwei Eingängen),

b)

typische Signallaufzeit des Grundgatters (basic gate propagation delay time) kleiner als 0,1 ns oder

c)

Umschalt-Frequenz (toggle frequency) größer als 133 MHz,

SPLDs (Simple Programmable Logic Devices),

CPLDs (Complex Programmable Logic Devices),

FPGAs (Field Programmable Gate Arrays),

FPLAs (Field Programmable Logic Arrays),

FPICs (Field Programmable Interconnects).

8. nicht belegt,

9. integrierte Schaltungen für neuronale Netze,

10. kundenspezifische integrierte Schaltungen, deren Funktion unbekannt ist oder deren Erfassungsstatus in Bezug auf die Endbenutzergeräte dem Hersteller nicht bekannt ist, mit einer der folgenden Eigenschaften:

10. a)

mehr als 1000 Anschlüsse,

b)

typische Signallaufzeit des Grundgatters (basic gate propagation delay time) kleiner als 0,1 ns oder

c)

Betriebsfrequenz größer als 3 GHz,

11. andere als die in den Unternummern 3A001a3 bis 3A001a10 oder 3A001a12 beschriebenen digitalen, integrierten Schaltungen, die auf einem Verbindungshalbleiter basieren und eine der folgenden Eigenschaften aufweisen:

11. a)

Gatteräquivalent (equivalent gate count) größer als 3000 (Gatter mit zwei Eingängen) oder

b)

Umschalt-Frequenz (toggle frequency) größer als 1,2 GHz,

12. Technische Anmerkung:

FFT-Prozessoren (Fast Fourier Transform), ausgelegt für eine komplexe FFT mit n Punkten in weniger als n × log2n)/20480 ms; Wenn n gleich 1024 ist, dann ergibt die Formel in 3A001a12 eine Berechnungszeit von 500 μs.

b)

Mikro- oder Millimeterwellenbauelemente oder -baugruppen wie folgt:

1. elektronische Vakuumröhren und Kathoden wie folgt: Anmerkung 1: Unternummer 3A001b1 erfasst nicht Röhren, entwickelt oder ausgelegt für den Betrieb in einem Frequenzband, das alle folgenden Eigenschaften besitzt: Anmerkung 2: Unternummer 3A001b1 erfasst keine nicht weltraumgeeigneten Röhren, mit allen folgenden Eigenschaften:

1. a)

Das Frequenzband überschreitet nicht 31,8 GHz und

b)

ist von der ITU zugewiesen für Funkdienste, jedoch nicht für Ortungsfunkdienste.

a)

mittlere Ausgangsleistung kleiner/gleich 50 W und

b)

entwickelt oder ausgelegt für den Betrieb in einem Frequenzband, das alle folgenden Eigenschaften besitzt:

1. Das Frequenzband überschreitet 31,8 GHz, aber nicht 43,5 GHz und

2. ist von der ITU zugewiesen für Funkdienste, jedoch nicht für Ortungsfunkdienste.

a)

Wanderfeldröhren für Impuls- oder Dauerstrichbetrieb wie folgt:

1. Betriebsfrequenz größer als 31,8 GHz,

2. mit einem Kathodenheizelement, das eine Einschaltzeit von weniger als 3 Sekunden bis zum Erreichen der HF-Nennleistung ermöglicht,

3. hohlraumgekoppelte oder davon abgeleitete Röhren, mit einer normierten Bandbreite größer als 7 % oder einer Spitzenleistung größer als 2,5 kW,

4. Wendelröhren oder davon abgeleitete Röhren mit einer der folgenden Eigenschaften:

4. a)

Momentan-Bandbreite größer als eine Oktave und Produkt der mittleren Leistung (in Kilowatt) und der Frequenz (in Gigahertz) größer als 0,5,

b)

Momentan-Bandbreite kleiner/gleich eine Oktave und Produkt der mittleren Leistung (in Kilowatt) und der Frequenz (in Gigahertz) größer als 1 oder

c)

weltraumgeeignet,

b)

Cross-Field-Verstärkerröhren mit einem Verstärkungsfaktor größer als 17 dB,

c)

getränkte (impregnated) Kathoden, entwickelt für elektronische Röhren, zur Erzeugung einer Stromdichte größer als 5 A/cm2 bei kontinuierlicher Emission und Nenn-Betriebsbedingungen,

2. monolithisch integrierte Mikrowellen-Leistungsverstärkerschaltungen (MMIC power amplifiers) mit einer der folgenden Eigenschaften: Anmerkung 1: Unternummer 3A001b2 erfasst nicht Ausrüstung für Rundfunksatelliten, konstruiert oder ausgelegt für den Betrieb im Frequenzbereich von 40,5 GHz bis 42,5 GHz. Anmerkung 2: Der Erfassungsstatus von MMIC, deren Betriebsfrequenzbereich Frequenzen in mehr als einem der in Unternummer 3A001b2a bis 3A001b2f definierten Frequenzbereiche überstreicht, richtet sich nach dem niedrigsten Grenzwert für die mittlere Ausgangsleistung. Anmerkung 3: Die Anmerkungen 1 und 2 am Beginn der Kategorie 3 bedeuten, dass die Unternummer 3A001b2 keine MMIC erfasst, die für andere Anwendungen besonders konstruiert sind, wie z. B. Telekommunikation, Radar, Kraftfahrzeuge.

2. a)

ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer 3,2 GHz bis einschließlich 6 GHz und mit einer mittleren Ausgangsleistung größer als 4 Watt (36 dBm) bei einer normierten Bandbreite (fractional bandwidth) größer als 15 %,

b)

ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer 6 GHz bis einschließlich 16 GHz und mit einer mittleren Ausgangsleistung größer als 1 Watt (30 dBm) bei einer normierten Bandbreite (fractional bandwidth) größer als 10 %,

c)

ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer 16 GHz bis einschließlich 31,8 GHz und mit einer mittleren Ausgangsleistung größer als 0,8 Watt (29 dBm) bei einer normierten Bandbreite (fractional bandwidth) größer als 10 %,

d)

ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer 31,8 GHz bis einschließlich 37,5 GHz,

e)

ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer 37,5 GHz bis einschließlich 43,5 GHz und mit einer mittleren Ausgangsleistung größer als 0,25 Watt (24 dBm) bei einer normierten Bandbreite (fractional bandwidth) größer als 10 % oder

f)

ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer als 43,5 GHz,

3. Diskrete Mikrowellentransistoren mit einer der folgenden Eigenschaften: Anmerkung: Der Erfassungsstatus von Mikrowellentransistoren, deren Betriebsfrequenzbereich Frequenzen in mehr als einem der in Unternummer 3A001b3a bis 3A001b3e definierten Frequenzbereiche überstreicht, richtet sich nach dem niedrigsten Grenzwert für die mittlere Ausgangsleistung.

3. a)

ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer 3,2 GHz bis einschließlich 6 GHz und mit einer mittleren Ausgangsleistung größer als 60 Watt (47,8 dBm),

b)

ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer 6 GHz bis einschließlich 31,8 GHz und mit einer mittleren Ausgangsleistung größer als 20 Watt (43 dBm),

c)

ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer 31,8 GHz bis einschließlich 37,5 GHz und mit einer mittleren Ausgangsleistung größer als 0,5 Watt (27 dBm),

d)

ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer 37,5 GHz bis einschließlich 43,5 GHz und mit einer mittleren Ausgangsleistung größer als 1 Watt (30 dBm) oder

e)

ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer als 43,5 GHz,

4. Technische Anmerkung:

Halbleitermikrowellenverstärker, Mikrowellenbaugruppen, die Mikrowellenverstärker enthalten, und Mikrowellenmodule, die Mikrowellenverstärker enthalten, mit einer der folgenden Eigenschaften: Bei Verstärkern, deren spezifizierter Betriebsfrequenzbereich 3,2 GHz unterschreitet, soll in der Berechnungsformel nach Unternummer 3A001b4f3 als unterer Grenzwert 3,2 GHz verwendet werden [d. h. d ≤ 15cm*GHz/3,2 GHz]. Anmerkung 1: Unternummer 3A001b4 erfasst nicht Ausrüstung für Rundfunksatelliten, konstruiert oder ausgelegt für den Betrieb im Frequenzbereich von 40,5 GHz bis 42,5 GHz. Anmerkung 2: Der Erfassungsstatus von Ausrüstung, deren Betriebsfrequenzbereich Frequenzen in mehr als einem der in Unternummer 3A001b4a bis 3A001b4e definierten Frequenzbereiche überstreicht, richtet sich nach dem niedrigsten Grenzwert für die mittlere Ausgangsleistung. Ergänzende Anmerkung: Monolithisch integrierte Mikrowellen-Leistungsverstärkerschaltungen (MMIC power amplifiers) sind nach den Leistungsmerkmalen der Unternummer 3A001b2 zu bewerten.

4. a)

ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer 3,2 GHz bis einschließlich 6 GHz und mit einer mittleren Ausgangsleistung größer als 60 Watt (47,8 dBm) bei einer normierten Bandbreite (fractional bandwidth) größer als 15 %,

b)

ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer 6 GHz bis einschließlich 31,8 GHz und mit einer mittleren Ausgangsleistung größer als 15 Watt (42 dBm) bei einer normierten Bandbreite (fractional bandwidth) größer als 10 %,

c)

ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer 31,8 GHz bis einschließlich 37,5 GHz,

d)

ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer 37,5 GHz bis einschließlich 43,5 GHz und mit einer mittleren Ausgangsleistung größer als 1 Watt (30 dBm) bei einer normierten Bandbreite (fractional bandwidth) größer als 10 %,

e)

ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer als 43,5 GHz oder

f)

ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer 3,2 GHz und mit allen folgenden Eigenschaften:

1. mittlere Ausgangsleistung P (in Watt) größer als 150 geteilt durch das Quadrat der maximalen Betriebsfrequenz (in GHz) [P150 W*GHz2/fGHz2],

2. normierte Bandbreite größer/gleich 5 % und

3. Länge d (in cm) zweier zueinander rechtwinkliger Seiten kleiner/gleich 15 geteilt durch die kleinste Betriebsfrequenz in GHz [d ≤ 15cm*GHz/ fGHz],

5. elektronisch oder magnetisch abstimmbare Bandpassfilter oder Bandsperrfilter mit mehr als fünf abstimmbaren Resonatoren, die in weniger als 10 μs über einen Frequenzbereich im Verhältnis 1,5 : 1 (fmax/fmin) abgestimmt werden können, mit einer der folgenden Eigenschaften:

5. a)

mit einer Durchlassbandbreite größer als 0,5 % der Mittenfrequenz oder

b)

mit einer Sperrbandbreite kleiner als 0,5 % der Mittenfrequenz,

6. nicht belegt,

7. Mischer und Umsetzer, entwickelt um den Frequenzbereich von Ausrüstung gemäß Unternummer 3A002c, 3A002e oder 3A002f über die dort genannten Grenzwerte hinaus zu erweitern,

8. Mikrowellenleistungsverstärker mit von Unternummer 3A001b erfassten Röhren und allen folgenden Eigenschaften: Anmerkung: Unternummer 3A001b8 erfasst nicht Ausrüstung, konstruiert oder ausgelegt für den Einsatz in einem Frequenzband, das für Funkdienste, jedoch nicht für Ortungsfunkdienste, von der ITU zugewiesen ist.

8. a)

Betriebsfrequenz größer als 3 GHz,

b)

mittlere Ausgangsleistungsdichte größer als 80 W/kg und

c)

Volumen kleiner als 400 cm3;

c)

Akustikwellenvorrichtungen wie folgt und besonders konstruierte Bestandteile hierfür:

1. Vorrichtungen mit akustischen Oberflächenwellen (surface acoustic waves) und mit akustischen, oberflächennahen Volumenwellen (surface skimming [shallow bulk] acoustic waves), d. h. Signaldatenverarbeitungs-Vorrichtungen, die akustisch-mechanische Schwingungen (elastic waves) in Werkstoffen verwenden, mit einer der folgenden Eigenschaften:

1. a)

Trägerfrequenz größer als 2,5 GHz,

b)

Trägerfrequenz größer als 1 GHz und kleiner/gleich 2,5 GHz und mit einer der folgenden Eigenschaften:

1. Frequenz-Nebenkeulendämpfung größer als 55 dB,

2. Produkt aus maximaler Verzögerungszeit (in Mikrosekunden) und Bandbreite (in Megahertz) größer als 100,

3. Bandbreite größer als 250 MHz oder

4. dispergierende Verzögerung größer als 10 μs oder

c)

Trägerfrequenz kleiner/gleich 1 GHz und mit einer der folgenden Eigenschaften:

1. Produkt aus maximaler Verzögerungszeit (in Mikrosekunden) und Bandbreite (in Megahertz) größer als 100,

2. dispergierende Verzögerung größer als 10 μs oder

3. Frequenz-Nebenkeulendämpfung größer als 55 dB und Bandbreite größer als 50 MHz,

2. akustische Volumenwellenvorrichtungen, d. h. Signaldatenverarbeitungs-Vorrichtungen, die akustisch-mechanische Schwingungen verwenden, mit denen die unmittelbare Aufbereitung von Signalen bei einer Frequenz größer als 1 GHz möglich ist,

3. akustisch-optische Signaldatenverarbeitungs-Vorrichtungen, die die Wechselwirkung zwischen Schallwellen (Volumen- oder Oberflächenwellen) und Lichtwellen ausnutzen und die eine unmittelbare Aufbereitung von Signalen oder Bildern ermöglichen einschließlich Spektralanalyse, Korrelation oder Konvolution (Faltung);

d)

elektronische Bauelemente oder Schaltungen, die Bauteile aus supraleitenden Werkstoffen enthalten, besonders konstruiert für den Betrieb bei Temperaturen unter der kritischen Temperatur von wenigstens einem ihrer supraleitenden Bestandteile mit einer der folgenden Eigenschaften:

1. Stromschalter für digitale Schaltungen mit supraleitenden Gattern mit einem Produkt aus Laufzeit pro Gatter (in Sekunden) und Verlustleistung je Gatter (in Watt) kleiner als 10– 14 J oder

2. Frequenzselektion bei allen Frequenzen mit Resonanzkreisen, die Güte-Faktoren von mehr als 10000 aufweisen;

e)

hochenergietechnische Geräte wie folgt:

1. Batterien und fotovoltaische Generatoren (photovoltaic arrays) wie folgt: Anmerkung: Unternummer 3A001e1 erfasst nicht Batterien, deren Volumen kleiner/gleich 27 cm3 ist (wie z. B. Standard-C-Zellen oder R14-Batterien).

1. a)

Primärzellen und Batterien, die über eine Energiedichte größer als 480 Wh/kg verfügen und für den Betrieb in einem Temperaturbereich von unter 243 K (– 30 °C) bis über 343 K (70 °C) ausgelegt sind,

b) Technische Anmerkung:

wiederaufladbare Zellen und Batterien, die nach 75 Ladungs-/Entladungszyklen bei einem Entladungsstrom gleich C/5 Stunden (wobei C die Nennkapazität in Amperestunden ist) in einem Temperaturbereich von unter 253 K (– 20 °C) bis über 333 K (60 °C) über eine Energiedichte größer als 150 Wh/kg verfügen, Die Energiedichte' errechnet sich durch Multiplikation der Durchschnittsleistung in Watt (durchschnittliche Spannung in Volt mal durchschnittlicher Strom in Ampere) mit der Dauer der Entladung in Stunden bis auf 75 % der Leerlaufspannung und dividiert durch die gesamte Masse der Zelle (oder Batterie) in Kilogramm.

c)

weltraumgeeignete (space qualified) und strahlungsfeste Solargeneratoren mit einer spezifischen Leistung größer als 160 W/m2 bei einer Betriebstemperatur von 301 K (28 °C) und bei einer Beleuchtung mit 1 kW/m2 durch einen Wolframglühfaden von 2800 K (2527 °C),

2. Hochenergie-Speicherkondensatoren wie folgt: ANMERKUNG: SIEHE AUCH UNTERNUMMER 3A201A.

2. a)

Kondensatoren mit einer Folgefrequenz kleiner als 10 Hz (single shot capacitors) mit allen folgenden Eigenschaften:

1. Nennspannung größer/gleich 5 kV,

2. Energiedichte größer/gleich 250 J/kg und

3. Gesamtenergie größer/gleich 25 kJ,

b)

Kondensatoren mit einer Folgefrequenz größer/gleich 10 Hz (repetition rated capacitors) mit allen folgenden Eigenschaften:

1. Nennspannung größer/gleich 5 kV,

2. Energiedichte größer/gleich 50 J/kg,

3. Gesamtenergie größer/gleich 100 J und

4. Lebensdauer größer/gleich 10000 Ladungs-/Entladungszyklen,

3. supraleitende Elektromagnete oder Zylinderspulen, besonders konstruiert, um in weniger als einer Sekunde vollständig geladen oder entladen zu werden, mit allen folgenden Eigenschaften: ANMERKUNG: SIEHE AUCH UNTERNUMMER 3A201B. Anmerkung: Unternummer 3A001e3 erfasst nicht supraleitende Elektromagnete oder Zylinderspulen, besonders konstruiert für medizinisches Gerät für Magnetresonanzbilderzeugung (Magnetic Resonance Imaging).

3. a)

Energieabgabe während der ersten Sekunde der Entladung größer als 10 kJ,

b)

innerer Durchmesser der Strom führenden Windungen größer als 250 mm und

c)

spezifiziert für eine magnetische Induktion größer als 8 Tesla oder eine Gesamtstromdichte (overall current density) in der Windung größer als 300 A/mm2;

f)

Absolut-Drehwinkelgeber mit einer der folgenden Eigenschaften:

1. Auflösung besser als 1 zu 265000 vom Skalenendwert (Auflösung 18 bit) oder

2. Genauigkeit kleiner (besser) als ± 2,5 Bogensekunden.

a)

Aufzeichnungsgeräte wie folgt und besonders entwickelte Test-Magnetbänder hierfür:

1. analoge Messmagnetbandgeräte einschließlich solcher, die die Aufnahme digitaler Signale gestatten, z. B. mit einem high density digital recording (HDDR) module, mit einer der folgenden Eigenschaften: Anmerkung: Analoge Magnetbandgeräte, besonders konstruiert für zivile Videoanwendungen, werden nicht als Messmagnetbandgeräte im Sinne von Unternummer 3A002a1 betrachtet.

1. a)

Bandbreite größer als 4 MHz je elektronischem Kanal oder je Spur,

b)

Bandbreite größer als 2 MHz je elektronischem Kanal oder je Spur und mit mehr als 42 Spuren oder

c)

Zeitfehler gegenüber der Zeitbasis (time displacement [base] error), gemessen in Übereinstimmung mit den zutreffenden IRIG- oder EIA-Normen, kleiner als ± 0,1 μs,

2. digitale Videomagnetbandgeräte mit einer höchsten Bit-Übertragungsrate (der digitalen Schnittstelle) größer als 360 Mbit/s, Anmerkung: Unternummer 3A002a2 erfasst nicht digitale Videomagnetbandgeräte, besonders konstruiert für Fernsehaufzeichnungen mit einem Signalformat, das ein komprimiertes Signalformat enthalten kann, genormt oder empfohlen von ITU, IEC, SMPTE, EBU, ETSI oder IEEE für zivile Fernsehanwendungen.

3. digitale Mess-/Datenaufzeichnungsmagnetbandgeräte mit Schrägschriftverfahren oder Festkopfverfahren mit einer der folgenden Eigenschaften: Anmerkung: Unternummer 3A002a3 erfasst nicht Analogmagnetbandgeräte, die mit einer Umsetzelektronik für digitale Aufzeichnungen hoher Dichte (HDDR) ausgestattet und so konfiguriert sind, dass sie nur digitale Daten aufzeichnen können.

3. a)

maximale Übertragungsrate über die digitale Schnittstelle größer als 175 Mbit/s oder

b)

weltraumgeeignet,

4. Einrichtungen mit einer maximalen Übertragungsrate über die digitale Schnittstelle größer als 175 Mbit/s, konstruiert, um digitale Videobandgeräte als digitale Messmagnetbandgeräte einsetzen zu können,

5. Technische Anmerkung:

Signal-Digitalisierer (waveform digitisers) und Transientenrekorder mit allen folgenden Eigenschaften: Für solche Geräte mit einer parallelen Bus-Architektur ist der kontinuierliche Datendurchlauf die höchste Wortgeschwindigkeit (word rate) multipliziert mit der Anzahl der Bit pro Wort. Der kontinuierliche Datendurchlauf ist der schnellste Datenfluss (data rate), den das Gerät ohne Informationsverlust und bei gleich bleibender Abtastrate und A/D-Wandlung an den Massenspeicher ausgeben kann.

5. a)

Digitalisierungsrate größer/gleich 200 × 106 Abtastwerte (samples) pro Sekunde und einer Auflösung von 10 bit oder mehr und

b)

kontinuierlicher Datendurchlauf von 2 Gbit/s oder mehr,

6. digitale Instrumentenrekorder, die Magnetplatten als Speichermedium verwenden, mit allen folgenden Eigenschaften:

6. a)

Digitalisierungsrate größer/gleich 100 × 106 Abtastwerte (samples) pro Sekunde und einer Auflösung von 8 bit oder mehr und

b)

kontinuierlicher Datendurchlauf von 1 Gbit/s oder mehr;

b)

Elektronische Frequenz-Synthesizer-Baugruppen mit einer Frequenzumschaltzeit für das Umschalten von einer gewählten Frequenz zu einer anderen kleiner als 1 ms;

c)

Funkfrequenz-Signalanalysatoren wie folgt:

1. Signalanalysatoren, geeignet zur Analyse von Frequenzen größer als 31,8 GHz und kleiner/gleich 37,5 GHz mit einer 3-dB-Auflösebandbreite (resolution bandwidth, RBW) größer als 10 MHz,

2. Signalanalysatoren, geeignet zur Analyse von Frequenzen größer als 43,5 GHz,

3. dynamische Signalanalysatoren mit einer Echtzeitbandbreite größer als 500 kHz; Anmerkung: Unternummer 3A002c3 erfasst nicht dynamische Signalanalysatoren, die nur konstante, prozentuale Bandbreitenfilter verwenden (auch bekannt als Oktaven- oder Teiloktavenfilter).

d)

mit Frequenzsynthese arbeitende Signalgeneratoren, die Ausgangsfrequenzen erzeugen, deren Genauigkeit sowie Kurz- und Langzeitstabilität von der geräteeigenen Normalfrequenz gesteuert, abgeleitet oder geregelt werden, und die eine der folgenden Eigenschaften aufweisen: Anmerkung: Unternummer 3A002d erfasst nicht Geräte, in denen die Ausgangsfrequenz entweder durch Addition oder Subtraktion von zwei oder mehreren quarzgesteuerten Oszillatorfrequenzen oder durch Addition oder Subtraktion und darauf folgende Multiplikation des Ergebnisses erzeugt wird.

1. größte, durch Frequenzsynthese erzeugte Ausgangsfrequenz größer als 31,8 GHz, aber nicht größer als 43,5 GHz sowie ausgelegt, um eine Impulsbreite kleiner als 100 ns zu generieren,

2. größte, durch Frequenzsynthese erzeugte Ausgangsfrequenz größer als 43,5 GHz,

3. Frequenzumschaltzeit für das Umschalten von einer gewählten Frequenz zu einer anderen kleiner als 1 ms oder

4. Technische Anmerkung:

Phasenrauschen im Einseitenband (SSB) besser als – (126 + 20 log10F – 20 log10f) in dBc/Hz, wobei F für den Abstand von der Betriebsfrequenz (in Hertz) und f für die Betriebsfrequenz (in Megahertz) steht; Im Sinne der Unternummer 3A002d1 ist die 'Impulsbreite als das Zeitintervall definiert, in dem der Impuls an der Vorderflanke 90 % und an der Rückflanke 10 % seines Spitzenwertes erreicht.

e)

Netzwerkanalysatoren mit einer höchsten Betriebsfrequenz größer als 43,5 GHz;

f)

Mikrowellenmessempfänger mit allen folgenden Eigenschaften:

1. höchste Betriebsfrequenz größer als 43,5 GHz und

2. geeignet zur gleichzeitigen Messung von Amplitude und Phase;

g)

Atomfrequenznormale mit einer der folgenden Eigenschaften: Anmerkung: Unternummer 3A002g1 erfasst nicht Rubidiumnormale, die nicht weltraumgeeignet sind.

1. Langzeitstabilität (Alterung) kleiner (besser) als 1 × 10– 11 pro Monat oder

2. weltraumgeeignet.

a)

Analog-Digital-Wandler, geeignet für Flugkörper, besonders robust konstruiert (ruggedized), um militärischen Spezifikationen zu genügen;

b)

Beschleuniger, geeignet zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung, erzeugt durch Bremsstrahlung mit Elektronenenergien größer/gleich 2 MeV, und Systeme, die solche Beschleuniger enthalten. Anmerkung: Unternummer 3A101b erfasst nicht Ausrüstung, besonders konstruiert für medizinische Zwecke.

a)

Kondensatoren mit einer der folgenden Kombinationen von Eigenschaften:

1. a)

Betriebsspannung größer als 1,4 kV,

b)

gespeicherte Energie größer als 10 J,

c)

Kapazität größer als 0,5 μF und

d)

Reiheninduktivität kleiner als 50 nH oder

2. a)

Betriebsspannung größer als 750 V,

b)

Kapazität größer als 0,25 μF und

c)

Reiheninduktivität kleiner als 10 nH;

b)

Supraleitende Solenoid-Elektromagnete mit allen folgenden Eigenschaften: Anmerkung: Unternummer 3A201b erfasst nicht Magnete, die besonders konstruiert sind für medizinische NMR-Bildsysteme (nuclear magnetic resonance imaging systems) und als Teile davon exportiert werden. Dabei ist es nicht notwendig, dass alle Teile in einer Lieferung zusammengefasst sind. Jedoch muss aus den Ausfuhr-Dokumenten jeder Einzellieferung eindeutig hervorgehen, dass es sich um Teile der Gesamtlieferung handelt.

1. geeignet zum Aufbau magnetischer Felder größer als 2 Tesla,

2. Verhältnis Länge / innerer Durchmesser größer als 2,

3. Innendurchmesser größer als 300 mm und

4. Gleichmäßigkeit des Magnetfeldes im Bereich der innenliegenden 50 % des inneren Volumens besser als 1 %;

c) Technische Anmerkungen:

Röntgenblitzgeneratoren oder gepulste Elektronenbeschleuniger mit einer der folgenden Kombinationen von Eigenschaften: Anmerkung: Unternummer 3A201c erfasst nicht Beschleuniger als Bestandteile von Geräten, die für die Anwendungsgebiete außerhalb der Elektronen- oder Röntgenbestrahlung (z. B. Elektronenmikroskopie) oder für medizinische Zwecke entwickelt wurden.

c)

1. a)

Spitzenelektronenenergie des Beschleunigers größer/gleich 500 keV und kleiner als 25 MeV und

b)

ein Gütefaktor K größer/gleich 0,25 oder

2. a)

Spitzenelektronenenergie des Beschleunigers größer/gleich 25 MeV und

b)

Spitzenleistung größer als 50 MW.

c) Technische Anmerkungen:

1. Im Sinne von Unternummer 3A201c ist der Gütefaktor K definiert als: K = 1,7 × 10^3V^2,65Q V = Spitzenelektronenenergie in MeV Bei einer Dauer des Strahlpulses kleiner/gleich 1 μs ist Q die gesamte beschleunigte Ladung in Coulomb. Falls die Dauer größer ist als 1 μs, ist Q die maximale beschleunigte Ladung in 1 μs. ∫Q = Integral des Strahlstromes i in Ampere über der Dauer t in Sekunden bis zum kleineren Wert von 1 μs oder der Dauer des Strahlpulses.

2. Spitzenleistung = Produkt aus Spitzenpotenzial in Volt und Spitzenstrahlstrom in Ampere.

3. Im Sinne von Unternummer 3A201c ist bei Beschleunigern, die auf Hohlraumresonatoren basieren (microwave accelerating cavities), die Dauer des Strahlpulses der kleinere Wert von 1 μs oder der Dauer des Strahlbündels, das durch einen Modulatorimpuls erzeugt wird.

4. Bei Beschleunigern, die auf Hohlraumresonatoren basieren, ist der Spitzenstrahlstrom der Durchschnittsstrom während der Dauer eines Strahlbündels.

a)

Mehrphasenausgang mit einer Leistung größer/gleich 40 W;

b)

Frequenzbereich von 600 Hz bis 2000 Hz;

c)

Klirrfaktor kleiner (besser) als 10 % und

d)

Frequenzstabilisierung kleiner (besser) als 0,1 %.

3ASysteme, Ausrüstung und Bestandteile Technische Anmerkung: a)

Erzeugung von 100 V oder mehr im Dauerbetrieb über einen Zeitraum von 8 h mit einem Ausgangsstrom größer/gleich 500 A und

b)

Strom- oder Spannungsregelung kleiner (besser) als 0,1 % über einen Zeitraum von 8 h.

a)

Erzeugung von 20 kV oder mehr im Dauerbetrieb über einen Zeitraum von 8 h mit einem Ausgangsstrom größer/gleich 1 A und

b)

Strom- oder Spannungsregelung kleiner (besser) als 0,1 % über einen Zeitraum von 8 h.

a)

Kaltkathodenröhren mit oder ohne Gasfüllung, die wie Schaltfunkenstrecken funktionieren, mit allen folgenden Eigenschaften: Anmerkung: Nummer 3A228 schließt gasgefüllte Krytrons und Vakuum-Sprytrons ein.

1. mit drei oder mehr Elektroden,

2. spezifizierte Anodenspitzenspannung größer/gleich 2,5 kV,

3. spezifizierter Anodenspitzenstrom größer/gleich 100 A und

4. Zündverzögerungszeit kleiner/gleich 10 μs;

b)

getriggerte Schaltfunkenstrecken mit allen folgenden Eigenschaften:

1. Zündverzögerungszeit kleiner/gleich 15 μs und

2. spezifiziert für Spitzenströme größer/gleich 500 A;

c)

Module oder Baugruppen zum schnellen Schalten mit allen folgenden Eigenschaften:

1. spezifizierte Anodenspitzenspannung größer als 2 kV,

2. spezifizierter Anodenspitzenstrom größer/gleich 500 A und

3. Einschaltzeit kleiner/gleich 1 μs.

a)

Zündvorrichtungen für Explosivstoffdetonatoren, entwickelt zur gleichzeitigen Zündung mehrerer von Nummer 3A232 erfassten Detonatoren;

b) Technische Anmerkung:

modulare elektrische Impulsgeneratoren (Impulsgeber), mit allen folgenden Eigenschaften: Anmerkung: Unternummer 3A229b schließt Xenon-Blitzlampentreiber ein. Die Anstiegszeit im Sinne von Unternummer 3A229b5 ist definiert als das Zeitintervall von 10 % bis 90 % der Stromamplitude beim Treiben einer ohmschen Last.

b)

1. konstruiert für beweglichen oder besonders robusten (ruggedized) Einsatz,

2. staubdichte Ausführung,

3. Energieabgabe in weniger als 15 μs,

4. Ausgangsstrom größer als 100 A,

5. Anstiegszeit kleiner als 10 μs bei Lasten kleiner als 40 Ohm,

6. keine Abmessung größer als 25,4 cm,

7. Gewicht kleiner als 25 kg und

8. spezifiziert für einen erweiterten Temperaturbereich zwischen 223 K (– 50 °C) und 373 K (100 °C) oder luftfahrttauglich.

a)

Ausgangsspannung größer als 6 V an einer ohmschen Last kleiner als 55 Ohm und

b)

Impulsanstiegszeit kleiner als 500 ps.

3ASysteme, Ausrüstung und Bestandteile Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: a)

konstruiert für den Betrieb ohne äußeres Vakuumsystem und

b)

mit elektrostatischer Beschleunigung zur Auslösung einer Tritium-Deuterium-Kernreaktion.

a)

elektrisch betriebene Detonatoren wie folgt:

1. Brückenzünder (EB),

2. Brückenzünderdraht (EBW),

3. Slapperzünder,

4. Folienzünder (EFI);

b)

Vorrichtungen mit einzelnen oder mehreren Detonatoren zum annähernd gleichzeitigen Zünden explosiver Oberflächen größer als 5000 mm2, mit nur einem Zündsignal und mit einer maximalen zeitlichen Abweichung vom ursprünglichen Zündsignal über der gesamten zu zündenden Oberfläche kleiner als 2,5 μs.

3ASysteme, Ausrüstung und Bestandteile Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: Technische Anmerkung: a)

induktiv gekoppelte Plasma-Massenspektrometer (ICP/MS);

b)

Glühentladungs-Massenspektrometer (GDMS);

c)

Thermoionisations-Massenspektrometer (TIMS);

d)

Elektronenstoß-Massenspektrometer mit einer Quellenkammer, hergestellt aus UF6-resistenten Werkstoffen, damit ausgekleidet oder plattiert;

e)

Molekularstrahl-Massenspektrometer mit einer der folgenden Eigenschaften:

1. mit einer Quellenkammer, hergestellt aus rostfreiem Stahl oder Molybdän, damit ausgekleidet oder plattiert, und mit einer Kühlfalle, die auf 193 K (– 80 °C) oder weniger kühlen kann, oder

2. mit einer Quellenkammer, hergestellt aus UF6-resistenten Werkstoffen, damit ausgekleidet oder plattiert;

f)

Massenspektrometer, ausgestattet mit einer Mikrofluorierungs-Ionenquelle, konstruiert für Aktinide oder Aktinidenfluoride.

3BPrüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen

3B001Ausrüstung für die Fertigung von Halbleiterbauelementen oder -materialien wie folgt sowie besonders konstruierte Bestandteile und besonders konstruiertes Zubehör hierfür: 3B002Prüfgeräte, besonders konstruiert für das Testen von fertigen oder unfertigen Halbleiterbauelementen, wie folgt, sowie besonders konstruierte Bestandteile und besonders konstruiertes Zubehör hierfür:

a)

Epitaxieausrüstung wie folgt:

1. Ausrüstung, geeignet zur Herstellung einer Schicht aus einem anderen Material als Silizium mit einer gleichmäßigen Schichtdicke mit weniger als ±2,5 % Abweichung auf einer Strecke von größer/gleich 75 mm,

2. MOCVD-(Metal-Organic-Chemical-Vapour-Deposition-) Reaktoren, besonders konstruiert für das Kristallwachstum von Verbindungshalbleitern aus der chemischen Reaktion zwischen Substanzen (Materialien, Werkstoffen), die von Nummer 3C003 oder 3C004 erfasst werden,

3. Molekularstrahlepitaxie-Ausrüstung, die Gas- oder Feststoff-Quellen verwendet;

b)

Ausrüstung, konstruiert für Ionenimplantation, mit einer der folgenden Eigenschaften:

1. Elektronenenergie (Beschleunigungsspannung) größer als 1 MeV,

2. besonders konstruiert und optimiert, um bei einer Elektronenenergie (Beschleunigungsspannung) kleiner als 2 keV zu arbeiten,

3. mit Direktschreibbetrieb oder

4. Elektronenenergie größer/gleich 65 keV und Strahlstrom größer/gleich 45 mA für das Implantieren von Sauerstoff mit hoher Energie in ein erhitztes Halbleitersubstrat;

c)

Ausrüstung zum anisotropen Trockenätzen im Plasma wie folgt:

1. Ausrüstung mit Kassettenbetrieb und Ladeschleusen und mit einer der folgenden Eigenschaften:

1. a)

entwickelt oder optimiert, um einen CD-Wert (critical dimensions) von kleiner oder gleich 180 nm mit einer 3-Sigma-Abweichung von ± 5 % zu erreichen oder

b)

entwickelt, um eine Partikeldichte von weniger als 0,04 Partikel/cm2 mit einem messbaren Partikeldurchmesser größer als 0,1 μm zu verursachen,

2. Ausrüstung, besonders konstruiert für die von Unternummer 3B001e erfasste Ausrüstung und mit einer der folgenden Eigenschaften:

2. a)

entwickelt oder optimiert, um einen CD-Wert (critical dimensions) von kleiner oder gleich 180 nm mit einer 3-Sigma-Abweichung von ± 5 % zu erreichen oder

b)

entwickelt, um eine Partikeldichte von weniger als 0,04 Partikel/cm2 mit einem messbaren Partikeldurchmesser größer als 0,1 μm zu verursachen;

d)

Ausrüstung für plasmaunterstützte chemische Abscheidung (PECVD) wie folgt:

1. Ausrüstung mit Kassettenbetrieb und Ladeschleusen sowie entwickelt gemäß Herstellerangaben oder optimiert für die Verwendung bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen mit einem CD-Wert (critical dimensions) von kleiner/gleich 180 nm,

2. Ausrüstung, besonders konstruiert für die von Unternummer 3B001e erfasste Ausrüstung sowie entwickelt gemäß Herstellerangaben oder optimiert für die Verwendung bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen mit einem CD-Wert (critical dimensions) von kleiner/gleich 180 nm;

e)

zentrale Waferhandlingsysteme für das automatische Beladen von Mehrkammersystemen mit allen folgenden Eigenschaften: Anmerkung: Unternummer 3B001e erfasst nicht automatische Robotersysteme für das Waferhandling, die nicht für den Betrieb im Vakuum ausgelegt sind.

1. Schnittstellen für Waferein- und -ausgabe, an die mehr als zwei Halbleiterprozessgeräte angeschlossen werden können, und

2. entwickelt, um ein integrales System zur sequenziellen, multiplen Waferverarbeitung innerhalb einer geschlossenen Vakuumumgebung aufbauen zu können;

f)

Lithografieanlagen wie folgt:

1. Step-and-repeat (direct step on wafer)- oder step-and-scan (scanner)-Justier- und Belichtungsanlagen für die Waferfertigung, die lichtoptische oder röntgentechnische Verfahren verwenden, mit einer der folgenden Eigenschaften:

1. a)

Wellenlänge der Lichtquelle kleiner als 245 nm oder

b) Technische Anmerkung:

geeignet, kleinste auflösbare Strukturbreiten von kleiner/gleich 180 nm zu erzeugen, Die kleinste auflösbare Strukturbreite KAS wird berechnet nach der Formel: KAS = Wellenlänge der Belichtungsquelle in nm × Knumerische Apertur wobei K = 0,45 KAS = kleinste auflösbare Strukturbreite

2. Anlagen, besonders konstruiert für die Maskenherstellung oder die Herstellung von Halbleiterbauelementen, die abgelenkte, fokussierte Elektronenstrahlen, Ionenstrahlen oder Laserstrahlen verwenden, mit einer der folgenden Eigenschaften:

2. a)

Auflösungsvermögen kleiner als 0,2 μm,

b)

Fähigkeit, Strukturen mit Abmessungen kleiner als 1 μm zu erzeugen, oder

c)

Justiergenauigkeit (overlay accuracy) besser als ± 0,20 μm (3 Sigma);

g)

Masken oder Reticles, entwickelt für von Nummer 3A001 erfasste integrierte Schaltungen;

h)

Multilayer-Masken mit einer phasenverschiebenden Schicht. Anmerkung: Unternummer 3B001h erfasst nicht Multilayer-Masken mit einer phasenverschiebenden Schicht, entwickelt für die Fertigung von Speicherbauelementen, die nicht von Nummer 3A001erfasst sind.

a)

zum Prüfen der S-Parameter von Transistoren bei Frequenzen größer als 31,8 GHz;

b)

nicht belegt;

c)

zum Prüfen von integrierten Mikrowellenschaltungen, die von Unternummer 3A001b2 erfasst werden.

3CWerkstoffe und Materialien

3C001Hetero-epitaxiale Werkstoffe aus einem Substrat, das mehrere Epitaxieschichten aus einem der folgenden Materialien enthält: 3C002Fotoresists wie folgt und Substrate, die mit erfassten Fotoresists beschichtet sind: 3C003Organisch-anorganische Verbindungen wie folgt: Anmerkung: Nummer 3C003 erfasst nur Verbindungen, deren metallisches, halbmetallisches oder nichtmetallisches Element direkt an das Kohlenstoffatom im organischen Teil des Moleküls gebunden ist. 3C004Phosphor-, Arsen- oder Antimonhydride mit einer Reinheit größer als 99,999 %, auch verdünnt in Inertgasen oder Wasserstoff. Anmerkung: Nummer 3C004 erfasst nicht Hydride, die 20 Molprozent oder mehr Inertgase oder Wasserstoff enthalten.

a)

Silizium;

b)

Germanium;

c)

Siliziumkarbid oder

d) Technische Anmerkung:

III/V-Verbindungen von Gallium oder Indium. III/V-Verbindungen sind polykristalline, binäre oder komplexe monokristalline Produkte, die aus den Elementen der Gruppen IIIA und VA des Mendelejeffschen Periodensystems (z. B. Galliumarsenid, Galliumaluminiumarsenid, Indiumphosphid) bestehen.

a)

Positiv-Fotoresists, entwickelt für die Halbleiter-Lithografie, besonders eingestellt (optimiert) für den Einsatz bei Wellenlängen kleiner als 350 nm;

b)

alle Fotoresists, entwickelt zur Verwendung mit Elektronen- oder Ionenstrahlen mit einer Empfindlichkeit besser/gleich 0,01 μC/mm2;

c)

alle Fotoresists, entwickelt zur Verwendung mit Röntgenstrahlen mit einer Empfindlichkeit besser/gleich 2,5 mJ/mm2;

d) Technische Anmerkung:

alle Fotoresists, optimiert für Oberflächen-Belichtungstechnologien einschließlich silylierter Fotoresists (silylated resists). Silylation-Techniken sind Verfahren, bei denen Oxydation innerhalb der Resistschicht zur Verbesserung der Nass- und Trockenentwicklung angewendet wird.

a)

Metallorganische Verbindungen aus Aluminium, Gallium oder Indium mit einer Reinheit (bezogen auf das Metall) größer als 99,999 %;

b)

Organische Arsen-, Antimon- oder Phosphorverbindungen mit einer Reinheit (bezogen auf das anorganische Element) größer als 99,999 %.

3DDatenverarbeitungsprogramme (Software) Technische Anmerkung:

3D001Software, besonders entwickelt für die Entwicklung oder Herstellung von Ausrüstung, die von den Unternummern 3A001b bis 3A002g oder Nummer 3B erfasst wird. 3D002Software, besonders entwickelt für die Verwendung einer der folgenden Ausrüstungen: 3D003Physik-basierende (physics-based) Simulationssoftware, besonders entwickelt für die Entwicklung von lithografischen Prozessen, Ätz- oder Abscheidungsprozessen für das Übertragen von Maskenmustern in spezifische topografische Muster von Leiterbahnen, dielektrischen oder Halbleitermaterialien. Physik-basierend (physics-based) bedeutet in Nummer 3D003, eine Abfolge von physikalischen Kausalvorgängen auf der Grundlage physikalischer Kennwerte (z. B. Temperatur, Druck, Diffusionskonstanten sowie Materialeigenschaften von Halbleitern) rechnerisch zu ermitteln. Anmerkung: Die Bibliotheken, die Entwurfsattribute oder die zugehörigen Daten zum Entwurf von Halbleiterbauelementen oder integrierten Schaltungen gelten als Technologie. 3D004Software, besonders entwickelt für die Entwicklung der von Unternummer 3A003 erfassten Ausrüstung. 3D101Software, besonders entwickelt oder geändert für die Verwendung der von Unternummer 3A101b erfassten Ausrüstung.

3DDatenverarbeitungsprogramme (Software) a)

Ausrüstung, erfasst von Unternummer 3B001a bis f oder

b)

Ausrüstung, erfasst von Nummer 3B002.

3ETechnologie Technische Anmerkung:

3E001Technologie entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die Entwicklung oder Herstellung von Ausrüstung oder Werkstoffen, die von Nummer 3A, 3B oder 3C erfasst werden. Anmerkung 1: Nummer 3E001 erfasst nicht Technologie für die Herstellung von Ausrüstung oder Bestandteilen, die von Nummer 3A003 erfasst werden. Anmerkung 2: Nummer 3E001 erfasst nicht Technologie für die Entwicklung oder Herstellung von integrierten Schaltungen, die von den Unternummern 3A001a3 bis 3A001a12 erfasst werden und folgende Eigenschaften aufweisen: Der Begriff Multilayer-Strukturen schließt nicht Bauelemente mit höchstens drei Metallisierungsschichten und drei Polysiliziumschichten ein. 3E002Technologie entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung, die nicht von Nummer 3E001 erfasst wird, für die Entwicklung oder Herstellung von Mikroprozessoren, Mikrocomputern und Mikrocontrollern mit einer zusammengesetzten theoretischen VerarbeitungsrateCTP größer/gleich 530 Mtops (Millionen theoretischer Operationen pro Sekunde) und einer arithmetisch-logischen Einheit (ALU) mit einer Zugriffsbreite größer/gleich 32 bit. Anmerkung: Die Anmerkung 2 zu Nummer 3E001 gilt auch für Unternummer 3E002. 3E003Technologie wie folgt für die Entwicklung oder Herstellung von: 3E101Technologie entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die Verwendung von Ausrüstung oder Software, erfasst von Unternummer 3A001a1, 3A001a2, Nummer 3A101 oder 3D101. 3E102Technologie entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die Entwicklung von Software, erfasst von Nummer 3D101. 3E201Technologie entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die Verwendung von Ausrüstung, erfasst von Unternummer 3A001e2, 3A001e3, Nummer 3A201, 3A225 bis 3A233.

3ETechnologie

1. Verwendung einer Technologie mit minimalen Strukturbreiten größer/gleich 0,5 μm und

2. keine Multilayer-Strukturen.

3ETechnologie Technische Anmerkung: a)

mikroelektronischen Vakuumbauelementen;

b)

Halbleiterbauelementen mit heterogener Struktur, z. B. HEMT (high electron mobility transistors), HBT (hetero-bipolar transistors), quantum well devices oder super lattice devices; Anmerkung: Nummer 3E003b erfasst nicht Technologie für HEMT (high electron mobility transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz sowie HBT (hetero-bipolar transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz.

c)

supraleitenden elektronischen Bauelementen;

d)

Substraten mit Diamantfilmen für elektronische Bauelemente;

e)

Substraten aus silicon-on-insulator (SOI) für integrierte Schaltungen, wobei der Isolator aus Siliziumdioxid besteht;

f)

Substraten aus Siliziumkarbid für elektronische Bauelemente;

g)

elektronischen Vakuumröhren mit Betriebsfrequenzen größer/gleich 31,8 GHz.

KATEGORIE 4 RECHNER

Anmerkung 1: Rechner, verwandte Geräte und Software für Telekommunikations- oder Local Area Network-Funktionen sind auch nach den Leistungsmerkmalen der Kategorie 5, Teil 1 (Telekommunikation), zu bewerten. Anmerkung 2: Steuereinheiten, die Bussysteme oder Kanäle von Zentraleinheiten, Hauptspeicher oder Plattensteuerungen direkt verbinden, gelten nicht als Telekommunikationsgeräte im Sinne der Kategorie 5, Teil 1 (Telekommunikation). Ergänzende Anmerkung: Die Erfassung von Software, besonders entwickelt für die Paketvermittlung, richtet sich nach Nummer 5D001 Kategorie 5, Teil 1 (Telekommunikation). Anmerkung 3: Rechner, verwandte Geräte und Software mit kryptografischen, kryptoanalytischen, einstufbaren, mehrstufigen Sicherheits- oder einstufbaren Teilnehmerabgrenzungs-Funktionen oder mit einer Begrenzung elektromagnetischer Verträglichkeit (EMV) sind auch nach den Leistungsmerkmalen der Kategorie 5, Teil 2 (Informationssicherheit), zu bewerten.

4ASysteme, Ausrüstung und Bestandteile

4A001Elektronische Rechner und verwandte Geräte wie folgt sowie elektronische Baugruppen und besonders konstruierte Bestandteile hierfür: ANMERKUNG: SIEHE AUCH NUMMER 4A101. 4A003Digitalrechner, elektronische Baugruppen und verwandte Geräte wie folgt sowie besonders konstruierte Bestandteile hierfür: Anmerkung 1: Nummer 4A003 schließt Folgendes ein: Anmerkung 2: Die Erfassung von in Nummer 4A003 beschriebenen Digitalrechnern und verwandten Geräten richtet sich nach dem Erfassungsstatus anderer Geräte oder Systeme, sofern 4A004Rechner wie folgt und besonders konstruierte, verwandte Geräte, elektronische Baugruppen und Bauteile hierfür: 4A101Analogrechner, Digitalrechner oder digitale Differenzialanalysatoren, die nicht von Unternummer 4A001a1 erfasst werden, besonders robust (ruggedized) und konstruiert oder geändert zur Verwendung in von Nummer 9A004 erfassten Trägerraketen oder von Nummer 9A104 erfassten Höhenforschungsraketen. 4A102Hybridrechner, besonders konstruiert für die Modellbildung, Simulation oder Integrationsplanung der von Nummer 9A004 erfassten Trägerraketen oder von Nummer 9A104 erfassten Höhenforschungsraketen. Anmerkung: Nummer 4A102 erfasst nur Ausrüstung in Verbindung mit der von Nummer 7D103 oder 9D103 erfassten Software.

a)

besonders konstruiert für eine der folgenden Eigenschaften:

1. ausgelegt für den Betrieb bei Umgebungstemperaturen unterhalb 228 K (– 45 °C) oder oberhalb 358 K (+ 85 °C) oder Anmerkung: Unternummer 4A001a1 gilt nicht für Rechner, besonders konstruiert zur Verwendung in zivilen Kraftfahrzeugen oder Eisenbahnzügen.

2. unempfindlich gegen Strahlungsbelastungen (radiation-hardened), die höher sind als einer der folgenden Grenzwerte: a) Gesamtstrahlungsdosis 5 × 103 Gy (Silizium), b) kritische Strahlungsdosisleistung 5 × 106 Gy (Silizium)/s oder c) Einzelereignis-Grenzwerte (SEU) 1 × 10–7 Fehler/bit/Tag;

b)

mit Eigenschaften oder Funktionen, die die Grenzwerte der Kategorie 5, Teil 2 (Informationssicherheit), überschreiten. Anmerkung: Unternummer 4A001b erfasst nicht elektronische Rechner und verwandte Geräte, wenn diese von ihrem Benutzer zum persönlichen Gebrauch mitgeführt werden.

a)

Vektorrechner,

b)

Array-Rechner,

c)

digitale Signaldatenverarbeitungsrechner,

d)

Logikrechner,

e)

Geräte, entwickelt für Bildverarbeitung,

f)

Geräte, entwickelt für Signaldatenverarbeitung.

a)

die Digitalrechner oder die verwandten Geräte wesentlich sind für die Funktion der anderen Geräte oder Systeme,

b)

die Digitalrechner oder verwandten Geräte nicht einen Hauptbestandteil der anderen Geräte oder Systeme darstellen und Ergänzende Anmerkung 1: Die Erfassung von Geräten zur Signaldatenverarbeitung oder Bildverarbeitung, besonders konstruiert für andere Einrichtungen unter Einhaltung der Funktionsgrenzwerte dieser anderen Einrichtungen, wird durch den Erfassungsstatus der anderen Einrichtungen auch dann bestimmt, wenn das Kriterium des Hauptbestandteils nicht mehr erfüllt ist. Ergänzende Anmerkung 2: Die Erfassung von Digitalrechnern oder verwandten Geräten für Telekommunikationseinrichtungen richtet sich nach Kategorie 5, Teil 1 (Telekommunikation).

c)

die Technologie für die Digitalrechner oder verwandten Geräte von Nummer 4E geregelt wird.

a)

konstruiert oder geändert für Systeme mit Fehlertoleranz; Anmerkung: Im Sinne von Unternummer 4A003a gelten Digitalrechner und verwandte Geräte nicht als konstruiert oder geändert für Fehlertoleranz, wenn sie

1. Fehlererkennungs- oder Fehlerkorrekturalgorithmen im Hauptspeicher verwenden,

2. die gegenseitige Verbindung von zwei Digitalrechnern so verwenden, dass bei Ausfall der aktiven Zentraleinheit eine mitlaufende Zentraleinheit die Aufgaben des Systems fortführen kann,

3. die gegenseitige Verbindung von zwei Zentraleinheiten über Datenkanäle oder gemeinsame Speicher so verwenden, dass eine mitlaufende Zentraleinheit so lange andere Aufgaben ausführen kann, bis die aktive Zentraleinheit ausfällt; dann übernimmt die mitlaufende Zentraleinheit, um die Aufgaben des Systems fortzuführen, oder

4. die Synchronisierung von zwei Zentraleinheiten mittels Software so verwenden, dass die mitlaufende Zentraleinheit erkennt, wenn die aktive Zentraleinheit ausfällt, um dann die Aufgaben der ausgefallenen Zentraleinheit zu übernehmen.

b)

Digitalrechner mit einer angepassten SpitzenleistungAPP größer als 0,75 gewichtete Teraflops (WT);

c)

elektronische Baugruppen, besonders konstruiert oder geändert zur Steigerung der Rechenleistung durch Zusammenschalten von Prozessoren, so dass die angepasste SpitzenleistungAPP den Grenzwert von Unternummer 4A003b überschreiten kann; Anmerkung 1: Unternummer 4A003c gilt nur für elektronische Baugruppen und programmierbare Zusammenschaltungen, die die Grenzwerte der Unternummer 4A003b nicht überschreiten, soweit sie als einzelne elektronische Baugruppen geliefert werden. Unternummer 4A003c gilt nicht für elektronische Baugruppen, die aufgrund ihrer Konstruktion auf eine Verwendung als von Unternummer 4A003e erfasste verwandte Geräte beschränkt sind. Anmerkung 2: Unternummer 4A003c erfasst keine elektronischen Baugruppen, besonders konstruiert für Produkte oder Produktfamilien, deren Maximalkonfiguration den Grenzwert der Unternummer 4A003b nicht überschreitet.

d)

nicht belegt;

e)

Geräte für Analog/Digital-Umwandlungen, die die Grenzwerte der Unternummer 3A001a5 überschreiten;

f)

nicht belegt;

g)

Geräte, besonders konstruiert für die externe Vernetzung von Digitalrechnern oder verwandten Geräten, die eine Kommunikation mit Datenraten über 1,25 GByte/s erlauben. Anmerkung: Unternummer 4A003g erfasst keine Geräte zur internen Vernetzung (z. B. Rückwandplatinen, Bussysteme), passives Netzwerkzubehör, Netzzugangssteuerungen oder Kommunikationskanalsteuerungen.

a)

systolische Array-Rechner;

b)

neuronale Rechner;

c)

optische Rechner.

4BPrüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen

Kein Eintrag.

4CWerkstoffe und Materialien

Kein Eintrag.

4DDatenverarbeitungsprogramme (Software)

Anmerkung: Der Erfassungsstatus von Software für die Entwicklung, Herstellung oder Verwendung von in anderen Kategorien beschriebenen Einrichtungen wird in den zutreffenden Kategorien geregelt. Die Erfassung von Software für die in Kategorie 4 beschriebenen Einrichtungen richtet sich nach Nummer 4D. 4D002Software, besonders entwickelt oder geändert zur Unterstützung der Technologie, die von Nummer 4E erfasst wird. 4D003Software wie folgt:

4D001a) Software, besonders entwickelt oder geändert für die Entwicklung, Herstellung oder Verwendung von Einrichtungen oder Software, die von Nummer 4A001 bis 4A004 oder 4D erfasst werden;

b)

Software, die nicht von Unternummer 4D001a erfasst wird, besonders entwickelt oder geändert für die Entwicklung oder Herstellung von:

1. Digitalrechnern mit einer angepassten SpitzenleistungAPP größer als 0,04 WT (gewichtete Teraflops) oder

2. elektronischen Baugruppen, besonders konstruiert oder geändert zur Steigerung der Rechenleistung durch Zusammenschalten von Prozessoren, so dass die angepasste SpitzenleistungAPP den Grenzwert von Unternummer 4D001b1 überschreiten kann.

a)

Quellcodes von Betriebssystem-Software, Software-Entwicklungswerkzeugen und Compilern, besonders entwickelt für Geräte zur Mehrfachdatenstromverarbeitung;

b)

nicht belegt;

c)

Software mit Eigenschaften oder Funktionen, die die Grenzwerte der Kategorie 5, Teil 2 (Informationssicherheit), überschreiten. Anmerkung: Unternummer 4D003c erfasst nicht Software, wenn diese von ihrem Benutzer zum persönlichen Gebrauch mitgeführt wird.

4ETechnologie

4E001a) Technologie entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die Entwicklung, Herstellung oder Verwendung von Einrichtungen oder Software, die von Nummer 4A oder 4D erfasst werden;

b)

Technologie, die nicht von Unternummer 4E001a erfasst wird, besonders entwickelt oder geändert für die Entwicklung oder Herstellung von:

1. Digitalrechnern mit einer angepassten SpitzenleistungAPP größer als 0,04 WT (gewichtete Teraflops) oder

2. elektronischen Baugruppen, besonders konstruiert oder geändert zur Steigerung der Rechenleistung durch Zusammenschalten von Prozessoren, so dass die angepasste SpitzenleistungAPP den Grenzwert von Unternummer 4E001b1 überschreiten kann.

Technische Anmerkung zur zusammengesetzten theoretischen VerarbeitungsrateCTP (Composite Theoretical Performance) Abkürzungen:

CE Rechenelement (i.d.R. eine arithmetische oder logische Einheit) FP Gleitkomma XP Festkomma t Ausführungszeit eines Befehls (in Mikrosekunden) XOR exklusive ODER-Verknüpfung CPU Zentraleinheit TP theoretische Verarbeitungsrate (eines einzelnen RechenelementsCEs) (in Mtops, Millionen theoretischer Operationen pro Sekunde) CTP zusammengesetzte theoretische Verarbeitungsrate (in Mtops, Millionen theoretischer Operationen pro Sekunde) von mehreren RechenelementenCEs R effektive Verarbeitungsrate WL Wortlänge (in Bit) L Wortlängen-Normierung × Multiplikation

Berechnung der zusammengesetzten theoretischen VerarbeitungsrateCTP

Die zusammengesetzte theoretische VerarbeitungsrateCTP ist eine Maßzahl für die Rechnerleistung, angegeben in Millionen theoretischer Operationen pro Sekunde (Mtops). Zur Berechnung der zusammengesetzten theoretischen VerarbeitungsrateCTP eines Systems mit RechenelementenCEs sind folgende drei prinzipielle Schritte erforderlich: Die Einzelheiten dieser drei Schritte werden in den folgenden Abschnitten erläutert: Anmerkung 1: Für Zusammenschaltungen mehrerer RechenelementeCEs, die sowohl gemeinsamen Speicher als auch lokalen (keinen gemeinsamen) Speicher besitzen, ist die Berechnung der zusammengesetzten theoretischen VerarbeitungsrateCTP in zwei Schritten nacheinander durchzuführen: a) es ist die zusammengesetzte theoretische VerarbeitungsrateCTP der Zusammenschaltung (Gruppen) der RechenelementeCEs mit gemeinsamem Speicher und dann b) die zusammengesetzte theoretische VerarbeitungsrateCTP der Gruppen unter Verwendung der Rechenvorschrift für mehrere parallel arbeitende RechenelementeCEs ohne einen gemeinsamen Speicher zu berechnen. Anmerkung 2:RechenelementeCEs, deren Funktion beschränkt ist auf Ein-/Ausgabe und periphere Funktionen (z. B. Festplatten-, Kommunikations- und Bildschirm-Steuereinheiten), sind nicht in die CTP-Berechnung mit einzubeziehen.

1. Berechnung der effektiven Verarbeitungsrate R für jedes RechenelementCE.

2. Berechnung der theoretischen Verarbeitungsrate TP durch Verknüpfung der effektiven Verarbeitungsrate R und der zugehörigen Wortlängen-Normierung L je RechenelementCE.

3. Enthält ein System mehr als ein RechenelementCE, so sind zur Berechnung der zusammengesetzten theoretischen VerarbeitungsrateCTP die einzelnen theoretischen Verarbeitungsraten TP zu aggregieren.

Schritt 1: Berechnung der effektiven Verarbeitungsrate R verschiedener RechenelementeCEs: RechenelementCE Anmerkung: Jedes RechenelementCE muss unabhängig von den anderen berechnet warden. Effektive Verarbeitungsrate R mit Festkommabefehlen: Rxp = 13 × txp add Ist kein Additionsbefehl vorhanden, so ist die Ausführungszeit des schnellsten Multiplikationsbefehls zu verwenden: Rxp = 1txp mult Ist weder ein Additions- noch ein Multiplikationsbefehl vorhanden, so ist die Ausführungszeit des schnellsten arithmetischen Befehls zu verwenden: Rxp = 13 × txp Siehe Anmerkungen X und Z. mit Gleitkommabefehlen: Rfp = max 1tfp add, 1tfp mult Siehe Anmerkungen X und Y. mit Festkomma- und Gleitkommabefehlen: Sowohl Rxp als auch Rfp sind zu berechnen mit nur logischen Befehlen (keine arithmetischen Befehle vorhanden): R = 13 × tlog tlog ist die Ausführungszeit des schnellsten XOR-Befehls. Ist kein XOR-Befehl vorhanden, so ist die Ausführungszeit des schnellsten logischen Befehls zu verwenden. Siehe Anmerkungen X und Z. ohne die spezifizierten arithmetischen oder logischen Befehle (spezielle RechenelementeCEs): R = R' × WL/64 R' ist die Anzahl der Rechenoperationen je Sekunde. WL ist die Anzahl der Bits, die miteinander logisch verknüpft werden. 64 ist eine Konstante zur Normalisierung, bezogen auf Operationen mit einer Wortlänge von 64 bit. Anmerkung W: Für ein RechenelementCE in Fließbandtechnik (pipelined CE), das in einer seiner sequenziellen Funktionseinheiten bis zu einem Befehl pro Zyklus ausführen kann, nachdem das Fließband (pipeline) gefüllt ist, kann eine Verarbeitungsrate für RechenelementeCEs in Fließbandtechnik eingeführt werden. Die effektive Verarbeitungsrate R für ein derartiges RechenelementCE ist die größere der beiden Verarbeitungsraten für den Fließband-(Pipeline-) und den Nicht-Fließband-Betrieb des RechenelementesCE. Anmerkung X: Für ein RechenelementCE, das mehrere gleichartige arithmetische Operationen während eines Maschinenzyklusses ausführt (z. B. zwei Additionen je Zyklus oder zwei identische logische Operationen pro Zyklus), ergibt sich die Ausführungszeit t wie folgt: t = ZykluszeitAnzahl der identischen Operationen je Zyklus RechenelementeCEs, die verschiedenartige arithmetische oder logische Operationen in einem Maschinenzyklus ausführen, sind als mehrere selbstständige, simultan arbeitende RechenelementeCEs zu behandeln (z. B., führt ein RechenelementCE in demselben Zyklus einen Additions- und einen Multiplikationsbefehl aus, so ist diese Operation als in zwei RechenelementenCEs ausgeführt anzusehen. Das erste RechenelementCE führt in einem Zyklus den Additionsbefehl und das zweite in einem Zyklus den Multiplikationsbefehl aus). Kann ein RechenelementCE sowohl skalare Operationen als auch Vektoroperationen ausführen, so ist die kürzere Ausführungszeit zu verwenden. Anmerkung Y: Sind in einem RechenelementCE keine Gleitkomma-Additions- oder Gleitkomma-Multiplikationsbefehle vorhanden, hingegen Divisionsbefehle, so gilt: Rfp = ltfp div Wenn in einem Gleitkomma-RechenelementCE der Reziprok-Befehl implementiert ist, jedoch weder die Addition noch die Multiplikation oder Division implementiert ist, dann gilt: Rfp = ltfp reziprok Sind keine der angegebenen Befehle vorhanden, so ist die effektive Verarbeitungsrate R für Gleitkomma-Operationen gleich Null zu setzen. Anmerkung Z: Durch einfache logische Operationen werden von einem Befehl nicht mehr als zwei Operanden bestimmter Länge miteinander verknüpft. Durch komplexe logische Operationen werden von einem Befehl mehrere Verknüpfungen ausgeführt, um ein oder mehrere Ergebnisse aus zwei oder mehreren Operanden zu erzeugen. Die Verarbeitungsraten sind für alle im System vorhandenen Operandenlängen zu ermitteln, und zwar unter Berücksichtigung der schnellsten Befehlsausführungszeit je Operandenlänge, sowohl für Operationen in Fließbandtechnik (pipelined operations), wenn vorhanden, als auch für sequenzielle Befehle, basierend auf: In jedem der vorstehenden Fälle ist die vom Hersteller angegebene kürzeste Befehlsausführungszeit anzuwenden. Schritt 2: Berechnung der theoretischen Verarbeitungsrate TP unter Berücksichtigung der Wortlänge WL: Die effektive Verarbeitungsrate R (oder R') ist wie folgt durch die Wortlänge WL zu normalisieren: Anmerkung: Die Wortlänge WL entspricht der Länge der Operanden in Bits. Verwendet ein Befehl Operanden unterschiedlicher Länge, so ist die größte Wortlänge zu benutzen. Bei der Berechnung der zusammengesetzten theoretischen VerarbeitungsrateCTP ist die Kombination einer arithmetisch logischen Einheit ALU zur Berechnung der Mantisse mit einer ALU zur Berechnung des Exponenten einer Gleitkommazahl in einem Gleitkommaprozessor oder einer Gleitkommaeinheit als ein einziges RechenelementCE mit einer Wortlänge WL entsprechend der Anzahl der Datenbits in der Datendarstellung (typisch 32 oder 64 Bit) zu betrachten. Die Normalisierung der effektiven Verarbeitungsrate R (oder R') ist nicht für spezielle RechenelementeCEs ohne XOR-Befehle anzuwenden. Hier gilt TP = R. Die größtmögliche theoretische Verarbeitungsrate TP ergibt sich aus: Schritt 3: Berechnung der zusammengesetzten theoretischen VerarbeitungsrateCTP zusammengeschalteter RechenelementeCEs, einschließlich Rechenwerke CPUs: Für ein Rechenwerk mit nur einem RechenelementCE gilt: CTP = TP [Für RechenelementeCEs mit Fest- und Gleitkommaarithmetik gilt: TP = max (TPxp; TPfp)]. Für Systeme mit mehreren simultan arbeitenden RechenelementenCEs: Anmerkung 1: Für Zusammenschaltungen, in denen nicht alle RechenelementeCEs simultan arbeiten, ist diejenige mögliche Kombination simultan arbeitender RechenelementeCEs auszuwählen, die den höchsten CTP-Wert ergibt. Die zum Gesamtergebnis beitragende höchste erreichbare theoretische Verarbeitungsrate jedes RechenelementesCEs ist zu ermitteln, ehe die zusammengesetzte theoretische VerarbeitungsrateCTP des Systems berechnet wird. Ergänzende Anmerkung: Um die möglichen Kombinationen von gleichzeitig arbeitenden RechenelementenCEs zu bestimmen, soll eine Befehlssequenz erstellt werden, die Operationen in mehreren RechenelementenCEs in Gang setzt, beginnend mit dem langsamsten RechenelementCE (das RechenelementCE, das die größte Anzahl von Instruktionszyklen für die Ausführung der Operation benötigt) und endend mit dem schnellsten RechenelementCE. Während jedes Zyklus der Befehlssequenz ist jede Kombination von RechenelementenCEs, die arbeitet, eine mögliche Kombination. Die Befehlssequenz muss alle hardware- und/oder architekturbedingten Einschränkungen für überlappende Operationen berücksichtigen. Anmerkung 2: Ein einzelner integrierter Schaltkreis oder eine Platine kann mehrere RechenelementeCEs enthalten. Anmerkung 3: Es ist von simultan arbeitenden RechenelementenCEs auszugehen, wenn der Hersteller in seinen Handbüchern oder Datenblättern die parallele oder simultane Verarbeitung von Befehlen angibt. Anmerkung 4: Eine Aggregation der CTP-Werte einzelner RechenelementeCEs ist nicht vorzunehmen bei Kombinationen von RechenelementenCEs, die verbunden oder vernetzt sind über: Local Area Networks (LANs), Weitverkehrsnetze (WANs), Systeme, die über gemeinsame I/O-Verbindungen vernetzt sind, Systeme mit gemeinsamen I/O-Steuereinheiten und alle Systeme, bei denen die Kommunikationsverbindung ausschließlich durch Software implementiert ist. Anmerkung 5: Eine Aggregation der CTP-Werte ist vorzunehmen bei mehreren RechenelementenCEs, wenn diese besonders konstruiert sind, um die Rechenleistung durch Zusammenschaltung zu erhöhen, sie gleichzeitig arbeiten und gemeinsamen Speicher besitzen. Ebenfalls aggregiert werden müssen Speicher/Rechenelement-Kombinationen, die gleichzeitig arbeiten und besonders konstruierte Hardware zur Parallelverarbeitung benutzen. Diese Aggregation ist nicht für elektronische Baugruppen gemäß Unternummer 4A003c anzuwenden, wenn diese als Einzelbaugruppen exportiert werden. CTP = TP1 + C2 × TP2 + . . .+ Cn × TPn, wobei TP1 der höchste aller TP-Werte und Ci ein durch den Grad der Kopplung der RechenelementeCEs bestimmter Faktor ist wie folgt: Für mehrere parallel arbeitende RechenelementeCEs mit einem gemeinsamen Speicher: Anmerkung 1: Wenn die zusammengesetzte theoretische VerarbeitungsrateCTP, die nach vorstehender Methode berechnet wurde, 194 Mtops nicht übersteigt, kann folgende Formel zur Berechnung von Ci verwendet werden: Ci = 0,75m(i = 2,…,n) wobei m = Anzahl der RechenelementeCEs oder Gruppen von RechenelementenCEs, die auf einen gemeinsamen Speicher zugreifen, vorausgesetzt: Anmerkung 2:RechenelementeCEs haben einen gemeinsamen Speicher, falls sie zu mindestens einem gemeinsamen Segment eines Halbleiterspeichers zugreifen können. Der Speicher kann aus Pufferspeicher, Hauptspeicher oder einem anderen internem Speicher bestehen. Periphere Speichergeräte wie Plattenspeicher, Magnetbandspeicher oder RAM disk sind ausgeschlossen. Für parallel arbeitende RechenelementeCEs oder Rechenwerke ohne einen gemeinsamen Speicher, die über einen oder mehrere Datenkanäle verbunden sind: Ci Der Wert von Ci bezieht sich auf die Anzahl der RechenelementeCEs und nicht auf die Anzahl der Knoten mit: ki min (Si/Kr, 1) und Kr Normalisierungsfaktor auf 20 MByte/s. Si Summe der höchsten Datenraten in MByte/s aller Datenkanäle, die mit dem i-ten RechenelementCE oder Rechenwerk verbunden sind. Bei der Berechnung von Ci für ein Rechenwerk bestimmt die laufende Nummer des ersten RechenelementesCE den richtigen Grenzwert für Ci. Zum Beispiel, in einer Zusammenschaltung von Rechenwerken, die jeweils aus 3 RechenelementenCEs bestehen, enthält das 22. Rechenwerk die RechenelementeCEs Nr. 64, 65 und 66. Der richtige Ci-Wert für dieses Rechenwerk ist 0,60. Die Zusammenschaltung (von RechenelementenCEs oder Rechenwerken) sollte in der Reihenfolge vom schnellsten zum langsamsten geschehen, d. h. im Falle von TPi = TPi + 1 vom größten zum kleinsten Ci, d. h. Anmerkung: Der ki-Faktor wird nicht auf die RechenelementeCEs Nr. 2 bis Nr. 12 angewendet, wenn die TPi des RechenelementesCE oder des Rechenwerks größer als 50 Mtops ist, d. h. Ci für die RechenelementeCEs 2 bis 12 ist dann 0,75.

grp_7

1. Register-Register-Operationen oder Operationen in Fließbandtechnik (pipelined operations). Sehr kurze Befehlsausführungszeiten für Operationen mit vorab festgelegtem Operand oder bestimmten Operanden (z. B. eine Multiplikation mit 0 und 1) können außer Betracht bleiben. Sind keine Register-Register-Operationen vorhanden, so ist mit 2. fortzufahren.

2. Register-Speicher- oder Speicher-Register-Operationen. Sind keine Register-Speicher- oder Speicher-Register-Operationen vorhanden, so ist mit 3. fortzufahren.

3. Speicher-Speicher-Operationen.

TP = R × L wobei L = (1/3 + WL/96)

Rxp =RechenelementCE mit Festkommaarithmetik,

Rfp =RechenelementCE mit Gleitkommaarithmetik,

Rxp und Rfp=RechenelementCE mit Fest- und Gleitkommaarithmetik,

R = RechenelementCE mit nur logischen Befehlen (keine arithmetischen Befehle) und

R = RechenelementCE ohne die spezifizierten arithmetischen oder logischen Befehle.

C2 = C3 = C4 = . . . = Cn = 0,75

1. die TPi jedes RechenelementsCEs oder jeder Gruppe von RechenelementenCEs übersteigt nicht 30 Mtops;

2. die RechenelementeCEs oder Gruppen von RechenelementenCEs haben über einen einzelnen Kanal Zugriff zum Hauptspeicher, ausgenommen Cache-Speicher, und

3. nur ein RechenelementCE oder eine Gruppe von RechenelementenCEs kann den Kanal zu einer bestimmten Zeit benutzen. Ergänzende Anmerkung: Anmerkung 1 gilt nicht für Güter, die von Kategorie 3 erfasst werden.

= 0,75 × ki (i = 2, . . ., 32) (siehe unten)

= 0,60 × ki (i = 33, . . ., 64)

= 0,45 × ki (i = 65, . . ., 256)

= 0,30 × ki (i > 256)

TP1 ≥ TP2 ≥ TP3 ≥ . . . TPn und

Ci ≥ Ci + 1.

TECHNISCHE ANMERKUNG ZUR ANGEPASSTEN SPITZENLEISTUNGAPP (ADJUSTED PEAK PERFORMANCE)

Die APP ist ein Parameter, der beschreibt, mit welcher Leistung ein Digitalrechner Gleitkomma-Additionen und Multiplikationen mit einer Wortlänge von 64 Bit oder mehr ausführen kann. Die angepasste SpitzenleistungAPP ist eine Maßzahl für die Rechnerleistung, angegeben in gewichteten Teraflops (WT), d.h. in Einheiten von 1012 angepassten Gleitkomma-Operationen pro Sekunde. Anmerkung 1: Für Prozessoren, die zusammengesetzte Operationen in einem Taktzyklus ausführen, wie Addition und Multiplikation, wird jede Operation gezählt. Anmerkung 2: Für einen Prozessor mit einer Pipeline (pipelined processor) ist als effektive Verarbeitungsrate R der höhere aus den Werten ohne Pipeline oder mit vollständig gefüllter Pipeline zu nehmen. Anmerkung 3: Die Verarbeitungsrate R jedes beitragenden Prozessors ist zuerst zu ihrem theoretischen Maximum zu bestimmen, bevor die APP der Kombination ermittelt wird. Es ist von simultan ausführbaren Rechenoperationen auszugehen, wenn der Hersteller in seinen Handbüchern oder Datenblättern angibt, dass konkurrierende, parallele oder simultane Rechenoperationen oder Befehlsausführung existieren. Anmerkung 4: Prozessoren, die beschränkt sind auf Ein-/Ausgabe- oder periphere Funktionen (z. B. Plattenspeicher, Kommunikationsprozessoren oder Videoanzeigen), werden nicht in die Berechnung der APP eingeschlossen. Anmerkung 5:APP-Werte sind nicht zu berechnen für Prozessorkombinationen, die über lokale Netzwerkverbindungen, über Weitverkehrs-Netzwerkverbindungen, Verbindungen über gemeinsame Ein-/Ausgangsleitungen oder Geräte, Ein-/Ausgangskontroller oder jedwede Art von Kommunikationsverbindung, die durch Software implementiert ist, verbunden sind. Anmerkung 6:APP-Werte sind zu berechnen für: Anmerkung 7: Ein Vektorprozessor ist definiert als ein Prozessor mit eingebauten Befehlen, die Mehrfachrechnungen auf Gleitkomma-Vektoren (eindimensionale Felder aus Zahlen von 64 Bit oder länger) ausführen, der mindestens über 2 Vektor-Funktionseinheiten und mindesten über 8 Vektorregister von mindestens 64 Elementen verfügt.

Abkürzungen in dieser technischen Anmerkung

n Anzahl der Prozessoren im Digitalrechner i Nummer des Prozessors (i = 1,...,n) ti Prozessor-Zykluszeit (ti = 1/Fi) Fi Prozessor-Frequenz Ri Gleitkomma-Verarbeitungsrate des i-ten Prozessors (Maximalwert) Wi Korrekturfaktor (Anpassungsfaktor) für die Prozessorarchitektur

Übersicht über die Berechnung der APP 1.2.3.4.

Für jeden Prozessor i im Digitalrechner ist die höchste erreichbare Anzahl von 64 Bit oder größeren Gleitkomma-Operationen FPOi zu bestimmen, die pro Taktzyklus ausgeführt werden. Anmerkung: Zur Bestimmung der FPO werden nur Gleitkomma-Additionen oder Multiplikationen mit einer Wortlänge von 64 Bit oder größer berücksichtigt. Alle Gleitkomma-Operationen müssen als Operationen pro Prozessortakt angegeben werden; Operationen, die mehr als einen Taktzyklus benötigen, können in Bruchteilen pro Zyklus angegeben werden. Für Prozessoren, die keine Berechnungen mit Operandenlängen von 64 Bit oder mehr ausführen können, ist die effektive Verarbeitungsrate R gleich Null. Die Gleitkomma-Verarbeitungsrate Ri = FPOi/ti ist für jeden Prozessor zu berechnen. Die APP ist wie folgt zu berechnen: APP = W1 * R1 + W2 * R2 +.....+ Wn * Rn. Für Vektorprozessoren ist der Anpassungsfaktor Wi = 0,9, für Nicht-Vektorprozessoren ist Wi = 0,3.

1. Prozessorkombinationen, die simultan arbeitende und gemeinsamen Speicher besitzende Prozessoren enthalten, die besonders entwickelt sind zur Steigerung der Rechenleistung durch Zusammenschaltung, oder

2. Mehrfach-Speicher/Prozessor-Kombinationen, die simultan arbeiten und besonders dafür entwickelte Hardware nutzen.

KATEGORIE 5 TELEKOMMUNIKATION UND INFORMATIONSSICHERHEIT

TEIL 1 TELEKOMMUNIKATION

Anmerkung 1: Die Erfassung von Bauteilen, Lasern, Test- und Herstellungseinrichtungen und Software hierfür, die für Telekommunikationseinrichtungen oder -systeme besonders entwickelt sind, richtet sich nach Kategorie 5, Teil 1. Anmerkung 2:Digitalrechner, verwandte Geräte (Peripherie) oder Software, soweit notwendig für den Betrieb und die Unterstützung von in dieser Kategorie beschriebenen Telekommunikationsgeräten, gelten als besonders entwickelte Bestandteile, sofern sie standardmäßig vom Hersteller vorgesehene Typen sind. Dies schließt Betriebs-, Verwaltungs-, Wartungs-, Entwicklungs- oder Gebühren-(Billing-) Computer-Systeme ein.

5A1Systeme, Ausrüstung und Bestandteile Technische Anmerkung:

5A101Fernmess- und Fernsteuerungsausrüstung, einschließlich Bodenausrüstung konstruiert oder geändert für Flugkörper. Flugkörper im Sinne von Nummer 5A101 bedeutet vollständige Raketensysteme und unbemannte Luftfahrzeugsysteme mit einer Reichweite größer als 300 km. Anmerkung: Nummer 5A101 erfasst nicht:

5A1Systeme, Ausrüstung und Bestandteile

5A001a) Jede Art von Telekommunikationsgeräten mit einer der folgenden Eigenschaften, Funktionen oder einem der folgenden Leistungsmerkmale: Anmerkung: Unternummern 5A001a2 und 5A001a3 erfassen nicht Geräte, entwickelt oder geändert für den Einsatz in Satelliten.

5A001a)

1. besonders entwickelt, um transienten Störstrahlungen oder elektromagnetischen Impulsen (EMP), erzeugt durch eine Kernexplosion, zu widerstehen,

2. besonders geschützt, um Gamma-, Neutronen- oder Ionen-Strahlung zu widerstehen, oder

3. besonders entwickelt für den Betrieb unter 218 K (– 55 °C) oder über 397 K (124 °C); Anmerkung: Unternummer 5A001a3 gilt nur für elektronische Geräte.

b)

Telekommunikationsübertragungseinrichtungen und -systeme sowie besonders entwickelte Bestandteile und besonders entwickeltes Zubehör hierfür mit einer der folgenden Eigenschaften, Funktionen oder einem der folgenden Leistungsmerkmale:

1. Unterwasser-Kommunikationssysteme mit einer der folgenden Eigenschaften:

1. a)

akustische Trägerfrequenz außerhalb des Bereichs von 20 kHz bis 60 kHz,

b)

elektromagnetische Trägerfrequenz kleiner als 30 kHz oder

c)

elektronische Strahlsteuerungstechniken,

2. Funkgeräte für den Einsatz im Bereich 1,5 MHz bis 87,5 MHz mit einer der folgenden Eigenschaften:

2. a)

Einsatz von adaptiven Verfahren, die ein Störsignal größer als 15 dB kompensieren, oder

b)

mit allen folgenden Eigenschaften:

1. automatische Vorwahl und Auswahl der Frequenzen und der gesamten digitalen Übertragungsraten pro Kanal zur Optimierung der Übertragung und

2. ausgestattet mit einem Linear-Leistungsverstärker mit der Fähigkeit, gleichzeitig Mehrfachsignale mit einer Ausgangsleistung größer/gleich 1 kW im Frequenzbereich größer/gleich 1,5 MHz und kleiner als 30 MHz oder größer/gleich 250 W im Frequenzbereich größer/gleich 30 MHz und kleiner/gleich 87,5 MHz abzugeben, bei einer Momentan-Bandbreite größer/gleich einer Oktave und mit einem Oberwellen- und Klirranteil besser als –80 dB,

3. Funkgeräte, die nicht von Unternummer 5A001b4 erfasst werden, die Gespreiztes-Spektrum-Verfahren einschließlich Frequenzsprungverfahren verwenden, mit einer der folgenden Eigenschaften: Anmerkung: Unternummer 5A001b3 erfasst keine Geräte, entwickelt für eine Ausgangsleistung (Sendeleistung) von kleiner/gleich 1,0 W.

3. a)

anwenderprogrammierbare Spreizungs-Codes oder

b)

eine gesamte gesendete Bandbreite mit 100facher oder mehr als 100facher Bandbreite eines beliebigen einzelnen Informationskanals und mit mehr als 50 kHz Bandbreite, Anmerkung: Unternummer 5A001b3b erfasst keine Funkausrüstung, die besonders für die Verwendung in zivilen zellularen Funk-Kommunikationssystemen entwickelt ist.

4. Funkgeräte, die Ultrabreitbandmodulations-Verfahren verwenden, mit anwenderprogrammierbaren Channelization-, Scrambling- oder Netzwerkidentifizierungscodes, mit einer der folgenden Eigenschaften:

4. a)

Bandbreite größer als 500 MHz oder

b)

normierte Bandbreite (fractional bandwidth) größer/gleich 20 %,

5. digitale Funkempfänger mit allen folgenden Eigenschaften:

5. a)

mit mehr als 1000 Kanälen,

b)

Frequenzumschaltzeit kleiner als 1 ms,

c)

automatisches Absuchen eines Teils des elektromagnetischen Spektrums und

d)

Identifizierung der empfangenen Signale oder des Sendertyps oder Anmerkung: Unternummer 5A001b5 erfasst keine Funkausrüstung, die besonders für die Verwendung in zivilen zellularen Funk-Kommunikationssystemen entwickelt ist.

6. Technische Anmerkungen:

Funktionen der digitalen Signaldatenverarbeitung, die ein sprachcodiertes Ausgangssignal mit einer Übertragungsrate von weniger als 2400 bit/s erlauben;

1. Für Sprachcodierung mit variabler Codierrate (variable rate voice coding) ist die Unternummer 5A001b6 auf das sprachcodierte Ausgangssignal bei kontinuierlicher Sprache (voice coding output of continuous speech) anzuwenden.

2. Im Sinne von Unternummer 5A001b6 wird Sprachcodierung definiert als ein Verfahren, bei dem abgetastete Signale unter Berücksichtigung der Besonderheiten der menschlichen Sprache in ein digitales Signal umgesetzt werden.

c)

Lichtwellenleiterkabel, Lichtwellenleiter und Zubehör hierfür, wie folgt:

1. Technische Anmerkung:

Lichtwellenleiter von mehr als 500 m Länge mit einer vom Hersteller spezifizierten Prüf-Zugfestigkeit größer/gleich 2 × 109 N/m2, Prüf-Zugfestigkeit (proof test): Eine an den Produktionsprozess gekoppelte oder davon unabhängige Fertigungsprüfung, bei der die vorgeschriebene Zugbeanspruchung dynamisch auf eine Länge des Lichtwellenleiters von 0,5 bis 3 m und mit einer Geschwindigkeit von 2 bis 5 m/s beim Durchzug zwischen Antriebsrollen von ca. 150 mm Durchmesser aufgebracht wird. Die Umgebungstemperatur muss dabei nominell 293 K (20 °C) und die relative Feuchte 40 % betragen. Vergleichbare nationale Normen können zum Messen der Prüf-Zugfestigkeit verwendet werden.

2. Lichtwellenleiterkabel und Zubehör, entwickelt für Unterwasserbetrieb; Anmerkung: Unternummer 5A001c2 erfasst nicht Standard-Kabel für die zivile Telekommunikation sowie Zubehör. Ergänzende Anmerkung 1: Unterwasser-Versorgungskabel und -Steckverbinder hierfür: siehe Unternummer 8A002a3. Ergänzende Anmerkung 2: Faseroptische Schiffskörper-Durchführungen oder -Steckverbinder: siehe Unternummer 8A002c.

d)

Elektronisch phasengesteuerte Antennengruppen für Frequenzen über 31,8 GHz. Anmerkung: Unternummer 5A001d erfasst nicht elektronisch phasengesteuerte Antennengruppen für Instrumenten-Landesysteme gemäß ICAO-Empfehlungen (Mikrowellen-Landesysteme — MLS).

e)

Funkpeilausrüstung mit Betriebsfrequenzen größer 30 MHz und besonders konstruierte Bestandteile hierfür, mit allen folgenden Eigenschaften:

1. Momentan-Bandbreite größer/gleich 10 MHz und

2. geeignet, eine Peillinie (line of bearing, LOB) zu nicht kooperierenden Sendern, die mit einer Signaldauer kleiner 1 ms ausstrahlen, zu ermitteln.

f)

Störausrüstung, besonders entwickelt oder geändert, um absichtlich und selektiv zellulare Mobilfunkdienste zu überlagern, zurückzuweisen, zu blockieren, zu beeinträchtigen oder zu manipulieren, mit einer der folgenden Eigenschaften, und besonders konstruierte Bestandteile hierfür: Anmerkung: Ausrüstung zum Stören von weltweiten Satelliten-Navigationssystemen (GNSS): siehe Liste für Waffen, Munition und Rüstungsmaterial.

1. Vortäuschung der Funktionen von Einrichtungen eines Funkzugangsnetzes (RAN, Radio Access Network) oder

2. Erkennen und Ausnutzen spezifischer Merkmale des angewendeten Mobilfunkprotokolls (z.B. GSM).

5A1Systeme, Ausrüstung und Bestandteile Technische Anmerkung: a)

Ausrüstung, konstruiert oder geändert für bemannte Luftfahrzeuge oder Satelliten;

b)

bodengestützte Ausrüstung, konstruiert oder geändert für terrestrische oder maritime Anwendungen;

c)

Ausrüstung, konstruiert für kommerzielle, zivile oder Safety of life- (z. B. Datenintegrität, Flugsicherheit) GNSS-Dienste.

5B1Prüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen

5B001a) Einrichtungen und besonders konstruierte Bestandteile sowie besonders konstruiertes Zubehör hierfür, besonders entwickelt für die Entwicklung, Herstellung oder Verwendung von Einrichtungen, Funktionen oder Leistungsmerkmalen, die von Nummer 5A001, 5B001, 5D001 oder 5E001 erfasst werden; Anmerkung: Unternummer 5B001a erfasst nicht Ausrüstung zur Charakterisierung von Lichtwellenleitern.

b)

Einrichtungen und besonders konstruierte Bestandteile sowie besonders konstruiertes Zubehör hierfür, besonders entwickelt für die Entwicklung von Telekommunikationsübertragungseinrichtungen oder Vermittlungseinrichtungen wie folgt:

1. Technische Anmerkung:

Verwendung von digitalen Techniken, entwickelt für eine gesamte digitale Übertragungsrate größer als 15 Gbit/s, Bei Vermittlungseinrichtungen wird die gesamte digitale Übertragungsrate an dem Leitungsanschluss mit der höchsten Übermittlungsgeschwindigkeit gemessen.

2. Verwendung von Lasern mit einer der folgenden Eigenschaften:

2. a)

Übertragungswellenlänge größer als 1750 nm,

b)

Einsatz optischer Verstärkung,

c)

Einsatz von heterodynen oder homodynen optischen Techniken oder

d)

Bandbreite größer als 2,5 GHz bei Einsatz analoger Techniken, Anmerkung: Unternummer 5B001b2d erfasst nicht Ausrüstung, besonders entwickelt für die Entwicklung kommerzieller TV-Systeme.

3. Verwendung von optischer Vermittlung,

4. Funkgeräte mit Quadratur-Amplituden-Modulation (QAM) höher als Stufe 256 oder

5. Signalisierung über zentralen Zeichengabekanal bei nichtassoziierter Betriebsweise.

5C1Werkstoffe und Materialien

Kein Eintrag.

5D1Datenverarbeitungsprogramme (Software)

5D101Software, besonders entwickelt oder geändert für die Verwendung von Ausrüstung, erfasst von Nummer 5A101.

5D001a) Software, besonders entwickelt oder geändert für die Entwicklung, Herstellung oder Verwendung der von Nummer 5A001 oder 5B001 erfassten Einrichtungen, Funktionen oder Leistungsmerkmale;

b)

Software, besonders entwickelt oder geändert für die Unterstützung der von Nummer 5E001 erfassten Technologie;

c)

Software, besonders entwickelt oder geändert zur Erzielung der von Nummer 5A001 oder 5B001 erfassten Eigenschaften, Funktionen oder Leistungsmerkmale;

d)

Software, besonders entwickelt oder geändert für die Entwicklung einer der folgenden Telekommunikationsübertragungseinrichtungen oder Vermittlungseinrichtungen, wie folgt:

1. Technische Anmerkung:

Verwendung von digitalen Techniken, entwickelt für eine gesamte digitale Übertragungsrate größer als 15 Gbit/s, Bei Vermittlungseinrichtungen wird die gesamte digitale Übertragungsrate an dem Leitungsanschluss mit der höchsten Übermittlungsgeschwindigkeit gemessen.

2. Verwendung von Lasern mit einer der folgenden Eigenschaften:

2. a)

Übertragungswellenlänge größer als 1750 nm oder

b)

Bandbreite größer als 2,5 GHz bei Einsatz analoger Techniken, Anmerkung: Unternummer 5D001d2b erfasst keine Software, die besonders entwickelt oder geändert ist für die Entwicklung von kommerziellen TV-Systemen.

3. Verwendung von optischer Vermittlungoder

4. Funkgeräte mit Quadratur-Amplituden-Modulation (QAM) höher als Stufe 256.

5E1Technologie

5E101Technologie entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die Entwicklung, Herstellung oder Verwendung von Ausrüstung, erfasst von Nummer 5A101.

5E001a) Technologie entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die Entwicklung, Herstellung oder Verwendung (außer Betrieb) von Einrichtungen, Funktionen oder Leistungsmerkmalen oder Software, die von Nummer 5A001, 5B001 oder 5D001 erfasst werden;

b)

Technologie wie folgt:

1. unverzichtbareTechnologie für die Entwicklung oder Herstellung von Telekommunikationseinrichtungen, besonders entwickelt zur Verwendung in Satelliten,

2. Technologie für die Entwicklung oder Verwendung von Laser-Kommunikationstechniken mit der Fähigkeit, Signale automatisch zu erfassen und zu verfolgen und Kommunikationsverbindungen durch die Exoatmosphäre oder durch Wasser zu gewährleisten,

3. Technologie für die Entwicklung von Empfangsausrüstung für digitale, zellulare Mobilfunk-Basisstationen, die Multiband-, Multichannel-, Multimode-, Multicodingalgorithmen- oder Multiprotokollbetrieb erlaubt und deren Empfangsfähigkeiten durch Änderungen in der Software modifiziert werden können,

4. Technologie für die Entwicklung von Gepreiztem-Spektrum-Verfahren, einschließlich Frequenzsprungverfahren;

c)

Technologie entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die Entwicklung oder Herstellung von Telekommunikationsübertragungseinrichtungen oder Vermittlungseinrichtungen mit einer der folgenden Funktionen oder mit einem der folgenden Leistungsmerkmale:

1. Technische Anmerkung:

Verwendung von digitalen Techniken, entwickelt für eine gesamte digitale Übertragungsrate größer als 15 Gbit/s, Bei Vermittlungseinrichtungen wird die gesamte digitale Übertragungsrate an dem Leitungsanschluss mit der höchsten Übermittlungsgeschwindigkeit gemessen.

2. Verwendung von Lasern mit einer der folgenden Eigenschaften:

2. a)

Übertragungswellenlänge größer als 1750 nm,

b)

Einsatz optischer Verstärkung unter Verwendung Praseodym-dotierter Fluoridfaserverstärker (PDFFA),

c)

Einsatz von heterodynen oder homodynen optischen Techniken,

d)

Einsatz von Wellenlängen-Multiplex-Techniken, sofern die Anzahl der optischen Trägerwellen pro optischem Fenster größer als 8 ist, oder

e)

Bandbreite größer als 2,5 GHz beim Einsatz von analogen Techniken, Anmerkung: Unternummer 5E001c2e erfasst keine Technologie für Entwicklung oder Herstellung kommerzieller TV-Systeme.

3. Einsatz von optischer Vermittlung,

4. Funkgeräte mit einer der folgenden Eigenschaften:

4. a)

Quadratur-Amplituden-Modulation (QAM) höher als Stufe 256 oder

b)

Ein- oder Ausgangsfrequenzen größer als 31,8 GHz oder Anmerkung: Unternummer 5E001c4b erfasst keine Technologie für die Entwicklung oder Herstellung von Geräten, entwickelt oder geändert für den Betrieb in einem Frequenzband, das für Funkdienste, jedoch nicht für Ortungsfunkdienste, von der ITU zugewiesen ist.

5. Signalisierung über zentralen Zeichengabekanal bei nichtassoziierter Betriebsweise.

TEIL 2 Anmerkung 3: Technische Anmerkung: INFORMATIONSSICHERHEIT Kryptotechnik-Anmerkung:

Anmerkung 1: Die Erfassung von Einrichtungen, Software, Systemen, anwenderspezifischen elektronischen Baugruppen, Modulen, integrierten Schaltungen, Bauteilen oder Funktionen der Informationssicherheit richtet sich nach Kategorie 5, Teil 2 auch dann, wenn es sich um Komponenten oder elektronische Baugruppen anderer Einrichtungen handelt. Anmerkung 2: Die Kategorie 5, Teil 2 erfasst keine Güter, wenn diese von ihrem Benutzer für den persönlichen Gebrauch mitgeführt werden. Die Nummern 5A002 und 5D002 erfassen keine Güter, die alle folgenden Voraussetzungen erfüllen: Der in der Kategorie 5, Teil 2 verwendete Begriff der Schlüssellänge schließt Paritätsbits nicht mit ein.

Anmerkung 3: INFORMATIONSSICHERHEIT Kryptotechnik-Anmerkung:

a)

Die Güter sind frei erhältlich und werden im Einzelhandel ohne Einschränkungen mittels einer der folgenden Geschäftspraktiken verkauft:

1. Barverkauf,

2. Versandverkauf,

3. Verkauf über elektronische Medien oder

4. Telefonverkauf;

b)

die kryptografische Funktionalität der Güter kann nicht mit einfachen Mitteln durch den Benutzer geändert werden;

c)

die Güter sind entwickelt, um vom Benutzer ohne umfangreiche Unterstützung durch den Anbieter installiert zu werden, und

d)

um die Übereinstimmung mit den unter a bis c beschriebenen Voraussetzungen feststellen zu können, sind detaillierte technische Beschreibungen der Güter vorzuhalten und auf Verlangen der zuständigen Behörde des Mitgliedstaates, in dem der Ausführer niedergelassen ist, vorzulegen.

Anmerkung 3: Technische Anmerkung: INFORMATIONSSICHERHEIT Kryptotechnik-Anmerkung:

5A2Systeme, Ausrüstung und Bestandteile a) Technische Anmerkung:

5A002 Systeme, Geräte, anwenderspezifische elektronische Baugruppen, Module und integrierte Schaltungen für Informationssicherheit, wie folgt, und andere besonders entwickelte Bestandteile hierfür: Ergänzende Anmerkung: Bezüglich der Erfassung von GPS- oder GLONASS-Empfangseinrichtungen mit Kryptotechnik siehe Nummer 7A005. Quantenkryptografie ist auch bekannt als Quantum Key Distribution (QKD). Anmerkung: Nummer 5A002 erfasst nicht:

5A2Systeme, Ausrüstung und Bestandteile a)

1. Technische Anmerkungen:

entwickelt oder geändert zum Einsatz von Kryptotechnik unter Verwendung digitaler Verfahren, soweit es sich nicht um Authentisierung oder Digitale Signatur handelt, mit einer der folgenden Eigenschaften: Anmerkung: Die Unternummer 5A002a1 schließt Einrichtungen, entwickelt oder geändert zum Einsatz analoger Kryptotechnik, ein, wenn deren Funktion auf der Verwendung digitaler Verfahren beruht.

1. Funktionen der Authentisierung und Digitalen Signatur schließen zugehörige Schlüsselmanagementfunktionen ein.

2. Der Begriff der Authentisierung schließt alle Elemente der Zugangskontrolle ein, welche nicht die Verschlüsselung von Dateien oder Texten ermöglichen, mit Ausnahme derer, die im direkten Zusammenhang mit dem Schutz von Passwörtern, persönlicher Identifikationsnummern (PIN) oder vergleichbarer Daten stehen und den unbefugten Zugriff verhindern.

3. Der Begriff Kryptotechnik beinhaltet nicht feste Datenkompressions- oder Codierungstechniken.

a)

Verwendung symmetrischer Algorithmen mit einer Schlüssellänge größer 56 Bit oder

b)

Verwendung asymmetrischer Algorithmen, deren Sicherheit auf einem der folgenden Verfahren beruht:

1. Faktorisierung ganzer Zahlen, die größer als 2512 sind (z. B. RSA-Verfahren),

2. Berechnung des diskreten Logarithmus in der Multiplikationsgruppe eines endlichen Körpers mit mehr als 2512 Elementen (z. B. Diffie-Hellman-Verfahren über Z/pZ) oder

3. Berechnung des diskreten Logarithmus in anderen Gruppen als den unter 5A002a1b2 aufgeführten mit größerer Ordnung als 2112 (z. B. Diffie-Hellman-Verfahren über einer elliptischen Kurve),

2. entwickelt oder geändert zur Ausführung kryptoanalytischer Funktionen,

3. nicht belegt,

4. besonders entwickelt oder geändert, um kompromittierende Abstrahlung von Informationssignalen über das Maß hinaus zu unterdrücken, das aus Gründen des Gesundheitsschutzes, der Sicherheit oder der Einhaltung von Standards zur elektromagnetischen Verträglichkeit (EMV) erforderlich ist,

5. entwickelt oder geändert, um kryptografische Verfahren zur Erzeugung eines Spreizungscodes für Systeme mit Gespreiztem-Spektrum-Verfahren, die nicht von Unternummer 5A002a6 erfasst sind, einschließlich der Erzeugung von Sprung-Codes für Systeme mit Frequenzsprungverfahren, zu verwenden,

6. entwickelt oder geändert, um kryptografische Verfahren zur Erzeugung von Channelization-, Scrambling- oder Netzwerkidentifizierungscodes zu verwenden, für Systeme, die Ultrabreitbandmodulationsverfahren verwenden, mit einer der folgenden Eigenschaften:

6. a)

Bandbreite größer als 500 MHz oder

b)

normierte Bandbreite (fractional bandwidth) größer/gleich 20 %,

7. nicht belegt,

8. Kommunikations-Kabelsysteme, entwickelt oder geändert, um unter Einsatz von mechanischen, elektrischen oder elektronischen Mitteln heimliches Eindringen zu erkennen,

9. entwickelt oder geändert für die Verwendung von Quantenkryptografie.

5A2Systeme, Ausrüstung und Bestandteile a) Technische Anmerkung: a)

personenbezogene Mikroprozessor-Karten (personalized smart cards): Anmerkung: Falls eine personenbezogene Mikroprozessor-Karte über verschiedene Funktionen verfügt, ist jede einzelne Funktion hinsichtlich der Erfassung zu prüfen.

1. deren kryptografische Funktionalität beschränkt ist auf die Verwendung in Geräten oder Systemen, die gemäß den Buchstaben b bis f dieser Anmerkung von der Erfassung ausgenommen sind, oder

2. für allgemeine Anwendungen im öffentlichen Bereich, bei denen die kryptografischen Funktionen dem Anwender nicht zugänglich sind und die besonders entwickelt sowie darauf beschränkt sind, intern gespeicherte personenbezogene Daten zu schützen,

b)

Empfangseinrichtungen für Rundfunk, Pay-TV oder ähnliche Verteildienste mit eingeschränktem Empfängerkreis, für den allgemeinen Gebrauch, ohne digitale Verschlüsselungsfunktionen, ausgenommen derer, die ausschließlich für die Übermittlung von Zahlungs- bzw. programmbezogenen Informationen an den Dienstanbieter benutzt werden,

c)

Einrichtungen, deren kryptografische Funktionalität nicht anwenderzugänglich ist und die für folgende Anwendungen sowohl besonders entwickelt als auch beschränkt sind:

1. Ausführung kopiergeschützter Software,

2. Zugriff auf:

2. a)

kopiergeschützte Inhalte, gespeichert auf nur mit Leseberechtigung versehenen Medien (read-only media), oder

b)

in verschlüsselter Form gespeicherte Informationen (z. B. in Verbindung mit dem Schutz von Urheberrechten), wenn die entsprechenden Medien in jeweils identischer Form zum Verkauf im Einzelhandel angeboten werden,

3. Sicherung der Urheberrechte (copyrights) beim Kopieren von Audio/Video-Daten, oder

4. Verschlüsselung und/ oder Entschlüsselung zum Schutz von Bibliotheken, Design-Attributen oder zugehörigen Daten für den Entwurf von Halbleiterbauelementen oder integrierten Schaltungen,

d) Technische Anmerkung:

Kryptoeinrichtungen, besonders entwickelt für den Bankgebrauch oder Geldtransaktionen, soweit sie nur für diese Anwendungen einsetzbar sind, Geldtransaktionen im Sinne der Anmerkung d zur Nummer 5A002 schließen auch die Erfassung und den Einzug von Gebühren sowie Kreditfunktionen ein.

e)

tragbare oder mobile Funktelefone für zivilen Einsatz, z. B. für den Einsatz in kommerziellen, zivilen, zellularen Funksystemen, die keine Möglichkeit der End-zu-End-Verschlüsselung bieten,

f)

Ausrüstung für schnurlose Telefone, die keine Möglichkeit der End-zu-End-Verschlüsselung bieten und deren maximal erzielbare einfache Reichweite (das ist die Reichweite zwischen Terminal und Basisstation ohne Maßnahmen zur Reichweitenerhöhung) nach Angaben des Herstellers kleiner ist als 400 m.

5B2Prüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen

5B002a) Einrichtungen, besonders entwickelt für

5B002a)

1. die Entwicklung von Geräten oder Funktionen, die von Nummer 5A002, 5B002, 5D002 oder 5E002 erfasst werden, einschließlich entsprechender Mess- und Prüfeinrichtungen,

2. die Herstellung von Geräten oder Funktionen, die von Nummer 5A002, 5B002, 5D002 oder 5E002 erfasst werden, einschließlich entsprechender Mess-, Prüf-, Reparatur- oder Herstellungseinrichtungen;

b)

Messeinrichtungen, besonders entwickelt, um Informationssicherheits-Funktionen, die von Nummer 5A002 oder 5D002 erfasst werden, auszuwerten und zu bestätigen.

5C2Werkstoffe und Materialien

Kein Eintrag.

5D2Datenverarbeitungsprogramme (Software)

Anmerkung: Nummer 5D002 erfasst nicht:

5D002a) Software, besonders entwickelt oder geändert für die Entwicklung, Herstellung oder Verwendung von Einrichtungen oder Software, die von Nummer 5A002, 5B002 oder 5D002 erfasst werden;

b)

Software, besonders entwickelt oder geändert zur Unterstützung der von Nummer 5E002 erfassten Technologie;

c)

Software wie folgt:

1. Software, die die Eigenschaften der von Nummer 5A002 oder 5B002 erfassten Geräte besitzt oder deren Funktionen ausführt oder simuliert,

2. Software zur Zertifizierung der von Unternummer 5D002c1 erfassten Software.

a)

Software, erforderlich für die Verwendung von Einrichtungen, die gemäß der Anmerkung zu Nummer 5A002 von der Erfassung ausgenommen sind,

b)

Software, die Funktionen von Einrichtungen bereitstellt, die gemäß der Anmerkung zu Nummer 5A002 von der Erfassung ausgenommen sind.

5E2Technologie

5E002Technologie entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die Entwicklung, Herstellung oder Verwendung von Einrichtungen oder Software, die von Nummer 5A002, 5B002 oder 5D002 erfasst werden.

KATEGORIE 6 SENSOREN UND LASER

6ASysteme, Ausrüstung und Bestandteile a)

1. a)

akustische Tiefenmesser, die in vertikaler Richtung unter dem Geräteträger betrieben werden, keinen größeren selektiven Abtastwinkel als ± 20° haben und begrenzt sind auf das Messen der Wassertiefe, der Entfernung von unter der Wasseroberfläche oder im Boden befindlichen Objekten oder auf die Fischortung,

b)

akustische Baken wie folgt:

1. akustische Notfall-Baken,

2. Pinger, besonders konstruiert für das Wiederauffinden einer Unterwasser-Position oder die Rückkehr zu dieser.

a)

Fächer-Echolotsysteme, entwickelt zum Erstellen topografischer Meeresbodenkarten, mit allen folgenden Eigenschaften:

1. entwickelt für Messungen innerhalb eines Abtastwinkels größer als 20° von der Vertikalen,

2. entwickelt für die Messung von Tiefen größer als 600 m unter der Wasseroberfläche und

3. entwickelt zur Gewährleistung einer der folgenden Eigenschaften:

3. a)

Verwendung von mehrfachen Strahlkeulen, deren einzelne Keulenbreite kleiner als 1,9° ist oder

b)

Messgenauigkeit besser als 0,3 % der Wassertiefe über den gesamten Messwinkel, gemittelt über die Einzelmessungen innerhalb des Messwinkels,

b)

1. Sendefrequenz kleiner als 10 kHz,

2. Schalldruckpegel größer als 224 dB (bezogen auf 1 μPa in 1 m Entfernung) für Geräte mit Betriebsfrequenzen größer/gleich 10 kHz und kleiner/gleich 24 kHz,

3. Schalldruckpegel größer als 235 dB (bezogen auf 1 μPa in 1 m Entfernung) für Geräte mit Betriebsfrequenzen zwischen 24 kHz und 30 kHz,

1001 weitere Vorschriften werden hier nicht angezeigt; jede hat ihre eigene Adresse.

Fassungen

1. 2006-02-27