Address https://gelex.eu/eli/EU/act/2006/394@2006-02-27/el

Contents

1. Preamble
2. ANNEX
3. ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ Ι ΚΑΤΑΛΟΓΟΣ ΕΙΔΩΝ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΔΙΠΛΗΣ ΧΡΗΣΗΣ [Κατάλογος αναφερόμενος στο άρθρο 3 του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 1334/2000]
4. ΓΕΝΙΚΕΣ ΠΑΡΑΤΗΡΗΣΕΙΣ ΣΤΟ ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ I 1.2.3.
5. ΣΗΜΕΙΩΣΗ ΠΥΡΗΝΙΚΗΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ (ΝΤΝ) (Να διαβασθεί σε σχέση με το τμήμα Ε της κατηγορίας 0)
6. ΓΕΝΙΚΗ ΣΗΜΕΙΩΣΗ ΠΕΡΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ (GTN) (Να διαβασθεί σε σχέση με το τμήμα Ε των κατηγοριών 1 ως 9)
7. ΓΕΝΙΚΗ ΣΗΜΕΙΩΣΗ ΠΕΡΙ ΛΟΓΙΣΜΙΚΟΥ (GSN) (Οι παρατηρήσεις αυτές υπερισχύουν οποιουδήποτε ελέγχου στα πλαίσια του τμήματος Δ των κατηγοριών 0 ως 9)
8. 1. α.
9. ΟΡΙΣΜΟΙ ΟΡΩΝ ΧΡΗΣΙΜΟΠΟΙΟΥΜΕΝΩΝ ΣΤΟ ΠΑΡΟΝ ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ
10. pt_48 α.
11. pt_51 α.
12. pt_56 α.
13. pt_65 α.
14. pt_66 α.
15. pt_72 α.
16. pt_99 α.
17. pt_114 α.
18. pt_130 α.
19. pt_158 α.
20. pt_160 α.
21. pt_161 α.
22. pt_177 α.
23. pt_181 α.
24. ΑΚΡΩΝΥΜΙΑ ΚΑΙ ΣΥΝΤΟΜΟΓΡΑΦΙΕΣ ΧΡΗΣΙΜΟΠΟΙΟΥΜΕΝΑ ΣΤΟ ΠΑΡΟΝ ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ
25. ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 0 ΠΥΡΗΝΙΚΑ ΥΛΙΚΑ, ΕΓΚΑΤΑΣΤΑΣΕΙΣ ΚΑΙ ΕΞΟΠΛΙΣΜΟΣ
26. 0AΕξοπλισμός, Τμήματα Εξοπλισμού και Κατασκευαστικά μέρη
27. 0BΕξοπλισμός δοκιμών, ελέγχου και παραγωγής
28. α.
29. β.
30. γ.
31. 13. α.
32. 7. α.
33. 5. α.
34. 6. α.
35. 0CΥλικά α.
36. ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 1 ΥΛΙΚΑ, ΧΗΜΙΚΕΣ ΟΥΣΙΕΣ, ΜΙΚΡΟΟΡΓΑΝΙΣΜΟΙ & ΤΟΞΙΝΕΣ
37. 1AΣυστήματα, Εξοπλισμός και Εξαρτήματα Τεχνική παρατήρηση:
38. 1AΣυστήματα, Εξοπλισμός και Εξαρτήματα α.
39. 1. α.
40. 1BΕξοπλισμός δοκιμών, επιθεώρησης και παραγωγής
41. 1CΥλικά Τεχνική Σημείωση: Τεχνικές Παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική Παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική Σημείωση: Τεχνικές σημειώσεις: 1.2.
42. 1CΥλικά Τεχνική Σημείωση: α.
43. α.
44. β.
45. γ.
46. 1. Τεχνική παρατήρηση:
47. 1. α.
48. δ.
49. 1CΥλικά Τεχνική Σημείωση: Τεχνικές Παρατηρήσεις:
50. 1. α.
51. 2. α.
52. 3. α.
53. 4. α.
54. 5. α.
55. 1. Τεχνική παρατήρηση:
56. 2. Τεχνική παρατήρηση:
57. 1CΥλικά Τεχνική Σημείωση: Τεχνικές Παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: α.
58. 1. α.
59. 2. α.
60. 1CΥλικά Τεχνική Σημείωση: Τεχνικές Παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική Παρατήρηση: α.
61. 1. α.
62. 2. α.
63. α.
64. β.
65. 1CΥλικά Τεχνική Σημείωση: Τεχνικές Παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική Παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α.
66. α.
67. β.
68. 1CΥλικά Τεχνική Σημείωση: Τεχνικές Παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική Παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α.
69. 1. Τεχνική παρατήρηση
70. 2. Τεχνική παρατήρηση:
71. 2. α.
72. 3. α.
73. 6. α.
74. 1CΥλικά Τεχνική Σημείωση: Τεχνικές Παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική Παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α.
75. 1CΥλικά Τεχνική Σημείωση: Τεχνικές Παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική Παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α.
76. 1CΥλικά Τεχνική Σημείωση: Τεχνικές Παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική Παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α.
77. 1CΥλικά Τεχνική Σημείωση: Τεχνικές Παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική Παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική Σημείωση:
78. 2. α.
79. 5. α.
80. 1EΤεχνολογία α.
81. 1. α.
82. 3. α.
83. ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 2 ΕΠΕΞΕΡΓΑΣΙΑ ΥΛΙΚΩΝ
84. 2AΕξοπλισμός, συναρμολογήματα και συστατικά μέρη Τεχνική παρατήρηση:
85. 2AΕξοπλισμός, συναρμολογήματα και συστατικά μέρη α.
86. 2. α.
87. 2BΕξοπλισμός δοκιμών, ελέγχων και παραγωγής Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση:
88. 2BΕξοπλισμός δοκιμών, ελέγχων και παραγωγής Τεχνικές παρατηρήσεις:
89. 2. α.
90. 5. α.
91. 1. α.
92. 4. α.
93. 2BΕξοπλισμός δοκιμών, ελέγχων και παραγωγής Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: α.
94. 2BΕξοπλισμός δοκιμών, ελέγχων και παραγωγής Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α.
95. 1. α.
96. 2. α.
97. 1. Τεχνική σημείωση:
98. 2. α.
99. 2BΕξοπλισμός δοκιμών, ελέγχων και παραγωγής Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α.
100. 2BΕξοπλισμός δοκιμών, ελέγχων και παραγωγής Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α.
101. 2BΕξοπλισμός δοκιμών, ελέγχων και παραγωγής Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α.
102. 1. α.
103. 2. α.
104. α.
105. β.
106. γ.
107. δ.
108. 2BΕξοπλισμός δοκιμών, ελέγχων και παραγωγής Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α.
109. 2BΕξοπλισμός δοκιμών, ελέγχων και παραγωγής Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση:
110. 2BΕξοπλισμός δοκιμών, ελέγχων και παραγωγής Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α.
111. 2BΕξοπλισμός δοκιμών, ελέγχων και παραγωγής Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α.
112. 2BΕξοπλισμός δοκιμών, ελέγχων και παραγωγής Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις:
113. 1. α.
114. 2EΤεχνολογία α.
115. 1. α.
116. 2. α.
117. Πίνακας 1.2.3.A.B.B.1.B.2.B.3.B.4.Γ.Δ.E.ΣΤ.Ζ. Πίνακας — τεχνικές εναπόθεσης — σημειώσεις Τεχνικές εναπόθεσης
118. 5. α.
119. α.
120. β.
121. γ.
122. δ.
123. ε.
124. στ.
125. ζ.
126. ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 3 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ
127. 3AΣυστήματα, εξοπλισμός και δομικά στοιχεία Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση:
128. 3AΣυστήματα, εξοπλισμός και δομικά στοιχεία α.
129. 1. α.
130. 2. α.
131. 5. Τεχνικές παρατηρήσεις:
132. 5. α.
133. 6. α.
134. 7. α.
135. 10. α.
136. 11. α.
137. 12. Τεχνική Παρατήρηση
138. 4. α.
139. 3. α.
140. 4. Τεχνική Παρατήρηση
141. 4. α.
142. 8. α.
143. 5. Τεχνική παρατήρηση
144. 4. Τεχνική παρατήρηση:
145. 3AΣυστήματα, εξοπλισμός και δομικά στοιχεία Τεχνική παρατήρηση: α.
146. 3AΣυστήματα, εξοπλισμός και δομικά στοιχεία Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α.
147. 3BΕξοπλισμός για δοκιμές, επιθεωρήσεις και παραγωγή
148. 1. α.
149. 2. α.
150. 3CΥλικά α.
151. 3DΛογισμικό Τεχνική παρατήρηση:
152. 3DΛογισμικό α.
153. 3EΤεχνολογία Τεχνική παρατήρηση:
154. 3EΤεχνολογία
155. ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 4 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΕΣ
156. 4AΣυστήματα, Εξοπλισμός και Δομικά στοιχεία
157. 4BΕξοπλισμός δοκιμών, επιθεώρησης και παραγωγής
158. 4DΛογισμικό
159. 4EΤεχνολογία
160. Τεχνική σημείωση σχετικά με τη Σύνθετη θεωρητική απόδοση (CTP) Χρησιμοποιούμενες στην παρούσα Τεχνική Σημείωση Συντμήσεις
161. ΤΕΧΝΙΚΗ ΣΗΜΕΙΩΣΗ ΣΧΕΤΙΚΑ ΜΕ ΤΗ CTP
162. ΤΕΧΝΙΚΗ ΠΑΡΑΤΗΡΗΣΗ ΣΧΕΤΙΚΑ ΜΕ ΤΗΝ ΠΡΟΣΑΡΜΟΣΜΕΝΗ ΚΟΡΥΦΑΙΑ ΑΠΟΔΟΣΗ (APP)
163. ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 5 ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ ΚΑΙ ΑΣΦΑΛΕΙΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΩΝ
164. ΜΕΡΟΣ 1 ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ
165. 5A1Συστήματα, εξοπλισμός και δομικά στοιχεία Τεχνική παρατήρηση:
166. 5A1Συστήματα, εξοπλισμός και δομικά στοιχεία
167. 5A001α.
168. 1. α.
169. 2. α.
170. 3. α.
171. 4. α.
172. 5. α.
173. 6. Τεχνικές παρατηρήσεις:
174. 1. Τεχνική Σημείωση:
175. 5B1Εξοπλισμός δοκιμών, επιθεώρησης και παραγωγής
176. 1. Τεχνική παρατήρηση:
177. 2. α.
178. 5D1Λογισμικό
179. 1. Τεχνική παρατήρηση:
180. 2. α.
181. 5E1Τεχνολογία
182. 1. Τεχνική παρατήρηση:
183. 2. α.
184. 4. α.
185. ΜΕΡΟΣ 2 Σημ. 3: Τεχνική Σημείωση: ΑΣΦΑΛΕΙΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΩΝ Σημείωση για την κρυπτογράφηση
186. α.
187. β.
188. γ.
189. δ.
190. 5A2Συστήματα, Εξοπλισμός και Δομικά Στοιχεία 5A002α. Τεχνική παρατήρηση:
191. 5A2Συστήματα, Εξοπλισμός και Δομικά Στοιχεία 5A002α.
192. 1. Τεχνικές Σημειώσεις:
193. 6. α.
194. 2. α.
195. 5B2Εξοπλισμός δοκιμών, Επιθεώρησης και Παραγωγής
196. 5B002α.
197. 5D2Λογισμικό
198. 5E2Τεχνολογία
199. ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 6 ΑΙΣΘΗΤΗΡΕΣ ΚΑΙ ΛΕΪΖΕΡ
200. 6AΣυστήματα, εξοπλισμός και δομικά μέρη α.
201. 1. α.
202. 3. α.

ΤΟ ΣΥΜΒΟΥΛΙΟ ΤΗΣ ΕΥΡΩΠΑΪΚΗΣ ΕΝΩΣΗΣ,Έχοντας υπόψη:

τη Συνθήκη για την ίδρυση της Ευρωπαϊκής Κοινότητας, και ιδίως το άρθρο 133,

την πρόταση της Επιτροπής,

Εκτιμώντας τα ακόλουθα:

(1) Ο κανονισμός (ΕΚ) αριθ. 1334/2000, απαιτεί να υπόκεινται τα είδη διπλής χρήσης (συμπεριλαμβανομένων του λογισμικού και της τεχνολογίας) σε αποτελεσματικό έλεγχο κατά την εξαγωγή τους από την Κοινότητα.

(2) Για να μπορούν τα κράτη μέλη και η Κοινότητα να εκπληρώνουν τις διεθνείς υποχρεώσεις τους, το παράρτημα I του εν λόγω κανονισμού περιλαμβάνει τον κοινό κατάλογο ειδών και τεχνολογίας διπλής χρήσης που αναφέρεται στο άρθρο 3 του ιδίου κανονισμού, που εφαρμόζει διεθνώς αναγνωρισμένους έλεγχους ειδών και τεχνολογίας διπλής χρήσης, συμπεριλαμβανομένων των ελέγχων στο πλαίσιο του διακανονισμού του Wassenaar, του Καθεστώτος Ελέγχου της Τεχνολογίας Πυραύλων (MTCR), της Ομάδας Προμηθευτών Πυρηνικών Υλικών (NSG), της Ομάδας της Αυστραλίας και της Σύμβασης για τα Χημικά Όπλα (CWC).

(3) Το άρθρο 11 του εν λόγω κανονισμού προβλέπει ότι τα Παραρτήματα Ι και IV πρέπει να ενημερώνονται σύμφωνα με τις συναφείς υποχρεώσεις και δεσμεύσεις, και τις τυχόν τροποποιήσεις αυτών, που έχει αποδεχθεί κάθε κράτος μέλος ως μέρος των διεθνών καθεστώτων μη διάδοσης και των διευθετήσεων ελέγχου των εξαγωγών ή με την κύρωση των οικείων διεθνών συνθηκών.

(4) Τα Παραρτήματα Ι και IV του εν λόγω κανονισμού θα πρέπει να τροποποιηθούν έτσι ώστε να ληφθούν υπόψη οι τροποποιήσεις που θεσπίζονται από τον διακανονισμό του Wassenaar, την Ομάδα της Αυστραλίας και το Καθεστώς Ελέγχου της Τεχνολογίας Πυραύλων καθώς και την Ομάδα Προμηθευτών Πυρηνικών Όπλων, μετά τις τροποποιήσεις που επήλθαν με τον κανονισμό (ΕΚ) αριθ. 1504/2004.

(5) Προς διευκόλυνση των αρχών ελέγχου των εξαγωγών και των οικονομικών φορέων, όσον αφορά τις παραπομπές, θα πρέπει να δημοσιευθεί αναπροσαρμοσμένη και ενοποιημένη έκδοση των Παραρτημάτων του εν λόγω κανονισμού.

(6) Ο κανονισμός (ΕΚ) αριθ. 1334/2000 θα πρέπει να τροποποιηθεί αναλόγως,

ΕΞΕΔΩΣΕ ΤΟΝ ΠΑΡΟΝΤΑ ΚΑΝΟΝΙΣΜΟ:

Άρθρο 1 Τα παραρτήματα του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 1334/2000 αντικαθίστανται από το κείμενο του παραρτήματος του παρόντος κανονισμού.

Άρθρο 2 Ο παρών κανονισμός αρχίζει να ισχύει την τριακοστή ημέρα από τη δημοσίευσή του στην Επίσημη Εφημερίδα της Ευρωπαϊκής Ένωσης.

Ο παρών κανονισμός είναι δεσμευτικός ως προς όλα τα μέρη του και ισχύει άμεσα σε κάθε κράτος μέλος. Βρυξέλλες, 27 Φεβρουαρίου 2006. Για το Συμβούλιο Η Πρόεδρος U. Plassnik

ANNEX

ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ

ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ Ι ΚΑΤΑΛΟΓΟΣ ΕΙΔΩΝ ΚΑΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ ΔΙΠΛΗΣ ΧΡΗΣΗΣ [Κατάλογος αναφερόμενος στο άρθρο 3 του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 1334/2000]

ΓΕΝΙΚΕΣ ΠΑΡΑΤΗΡΗΣΕΙΣ ΣΤΟ ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ I 1.2.3.

Για τον έλεγχο των προϊόντων που προορίζονται ή έχουν τροποποιηθεί για στρατιωτική χρήση βλέπε τον(τους) σχετικό(-ους) κατάλογο(-ους) ελέγχων στρατιωτικών υλικών οι οποίοι διατηρούνται από τα κράτη μέλη. Οι αναφορές στο παράρτημα ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ αφορούν τους καταλόγους αυτούς. Ο στόχος των ελέγχων που περιλαμβάνονται στο παρόν παράρτημα δεν πρέπει να παραβιάζεται με την εξαγωγή οποιωνδήποτε μη ελεγχόμενων προϊόντων (συμπεριλαμβανομένων και των εγκαταστάσεων) που περιέχουν ένα ή περισσότερα ελεγχόμενα κατασκευαστικά μέρη, όταν το ελεγχόμενο κατασκευαστικό μέρος ή μέρη αποτελούν κύρια στοιχεία των προϊόντων και είναι δυνατόν να αφαιρεθούν ή να χρησιμοποιηθούν για άλλους σκοπούς. ΣΗΜ.: Για να κριθεί κατά πόσο ένα κατασκευαστικό μέρος ή μέρη πρέπει να θεωρούνται κύριο στοιχείο, είναι αναγκαίο να σταθμισθούν οι παράγοντες της ποσότητας, της αξίας και της τεχνογνωσίας που υπεισέρχονται καθώς και άλλες ειδικές συνθήκες που δύνανται να καταστήσουν το ελεγχόμενο κατασκευαστικό μέρος ή μέρη κύριο στοιχείο των προϊόντων που παράγονται. Τα προϊόντα που απαριθμούνται στο παρόν παράρτημα περιλαμβάνουν τόσο νέα όσο και μεταχειρισμένα προϊόντα.

ΣΗΜΕΙΩΣΗ ΠΥΡΗΝΙΚΗΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ (ΝΤΝ) (Να διαβασθεί σε σχέση με το τμήμα Ε της κατηγορίας 0)

Η τεχνολογία που συνδέεται άμεσα με οποιοδήποτε από τα προϊόντα που υπάγονται στην κατηγορία 0 ελέγχεται σύμφωνα με τις διατάξεις της κατηγορίας 0. Η τεχνολογία για την ανάπτυξη, παραγωγή ή χρήση ελεγχόμενων προϊόντων παραμένει υπό έλεγχο ακόμα και αν είναι δυνατό να χρησιμοποιηθεί και στην περίπτωση μη ελεγχόμενων προϊόντων. Η έγκριση εξαγωγής προϊόντων επιτρέπει επίσης την εξαγωγή στον ίδιο τελικό χρήστη της ελάχιστης τεχνολογίας που απαιτείται για την εγκατάσταση, τη λειτουργία, τη συντήρηση και την επισκευή αυτών των προϊόντων. Οι έλεγχοι που αφορούν τη μεταφορά τεχνολογίας δεν εφαρμόζονται στις πληροφορίες ελευθέρας χρήσεως ή στη βασική επιστημονική έρευνα.

ΓΕΝΙΚΗ ΣΗΜΕΙΩΣΗ ΠΕΡΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ (GTN) (Να διαβασθεί σε σχέση με το τμήμα Ε των κατηγοριών 1 ως 9)

Η εξαγωγή τεχνολογίας η οποία απαιτείται για την ανάπτυξη, την παραγωγή ή τη χρήση ελεγχόμενων προϊόντων των κατηγοριών 1 ως 9, ελέγχεται σύμφωνα με τις διατάξεις των κατηγοριών 1 ως 9. Η τεχνολογία που απαιτείται για την ανάπτυξη, παραγωγή ή τη χρήση ελεγχόμενων προϊόντων, παραμένει υπό έλεγχο ακόμα και όταν εφαρμόζεται σε μη ελεγχόμενα προϊόντα. Έλεγχοι δεν εφαρμόζονται στην τεχνολογία την ελάχιστη που απαιτείται για την εγκατάσταση, τη λειτουργία, τη συντήρηση (έλεγχο) και την επισκευή των προϊόντων που δεν ελέγχονται ή των οποίων η εξαγωγή έχει εγκριθεί: ΣΗΜ.: Αυτό δεν καθιστά ελεύθερη την τεχνολογία που καθορίζεται στα σημεία 1Ε002.ε., 1Ε002.στ., 8Ε002.α. και 8Ε002.β. Έλεγχοι στη μεταφορά τεχνολογίας δεν εφαρμόζονται στις πληροφορίες ελευθέρας χρήσεως, στην βασική επιστημονική έρευνα ή στις ελάχιστες απαραίτητες πληροφορίες για τις αιτήσεις διπλωμάτων ευρεσιτεχνίας.

ΓΕΝΙΚΗ ΣΗΜΕΙΩΣΗ ΠΕΡΙ ΛΟΓΙΣΜΙΚΟΥ (GSN) (Οι παρατηρήσεις αυτές υπερισχύουν οποιουδήποτε ελέγχου στα πλαίσια του τμήματος Δ των κατηγοριών 0 ως 9)

Οι κατηγορίες 0 ως 9 του παρόντος καταλόγου δεν ελέγχουν το λογισμικό το οποίο είτε:

α.

Διατίθεται ελεύθερα στην αγορά: ΣΗΜ.: Το στοιχείο α. της Γενικής Σημείωσης περί Λογισμικού δεν καθιστά ελεύθερο το λογισμικό που προσδιορίζεται στην Κατηγορία 5 — Μέρος 2 (Ασφάλεια Πληροφοριών).

1. Διατίθεται στην χονδρική και λιανική πώληση, χωρίς περιορισμούς, μέσω:

1. α.

Συνήθων συναλλαγών,

β.

Ταχυδρομικών παραγγελιών,

γ.

Ηλεκτρονικών συναλλαγών, ή

δ.

Τηλεφωνικών παραγγελιών και

2. Έχει σχεδιασθεί κατά τρόπο που να επιτρέπει την εγκατάστασή του από τον χρήστη χωρίς σημαντική περαιτέρω βοήθεια από τον προμηθευτή, είτε:

β.

Είναι ελευθέρας χρήσεως.

ΟΡΙΣΜΟΙ ΟΡΩΝ ΧΡΗΣΙΜΟΠΟΙΟΥΜΕΝΩΝ ΣΤΟ ΠΑΡΟΝ ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ

Οι ορισμοί των εντός μονών εισαγωγικών όρων περιέχονται σε Τεχνική Παρατήρηση του οικείου σημείου. Οι ορισμοί των εντός διπλών εισαγωγικών όρων έχουν ως εξής: ΣΗΜ.: Η αναφορά στην κατηγορία δίνεται εντός παρενθέσεων μετά τον οριζόμενο όρο.

Αβεβαιότητα μετρήσεων (2) είναι η χαρακτηριστική παράμετρος η οποία καθορίζει την περιοχή γύρω από την τιμή εξόδου στην οποία περιέχεται η ορθή τιμή της μετρούμενης μεταβλητής με ποσοστό εμπιστοσύνης 95 %. Περιλαμβάνει τις μη διορθωμένες συστηματικές αποκλίσεις, τη μη διορθωμένη υστέρηση του οργάνου και τις τυχαίες αποκλίσεις (βλέπε VDI/VDE 2617).

Αέριος ψεκασμός (1) είναι η διεργασία με την οποία μια ροή τηγμένου μεταλλικού κράματος μετατρέπεται σε σταγονίδια διαμέτρου 500 μικρομέτρων και κάτω μέσω μιας ροής αερίου υπό υψηλή πίεση.

Αεροσκάφος (1 7 9) είναι κάθε ιπτάμενο μέσο σταθερών πτερύγων, στρεπτών πτερύγων, περιστρεφόμενων πτερύγων (ελικόπτερα), πτυσσόμενων πτερύγων ή πτυσσόμενων περιστρεφόμενων πτερύγων. ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης πολιτικό αεροσκάφος.

Αεροτομές μεταβλητής γεωμετρίας (7) είναι η χρήση πτερυγίων η θέση των οποίων είναι δυνατόν να ελέγχεται κατά την πτήση.

Ακρίβεια (2 6), συνήθως μετρούμενη ως μέγεθος σφάλματος, είναι η μέγιστη απόκλιση, θετική ή αρνητική, μιας δεδομένης τιμής από ένα αποδεκτό πρότυπο ή μία πραγματική τιμή.

Ανακλινόμενη άτρακτος (2) είναι ένας βραχίονας που συγκρατεί εργαλείο ο οποίος μεταβάλλει, κατά τη διάρκεια της μηχανικής κατεργασίας, τη γωνιακή θέση του κεντρικού του άξονα σε σχέση με οποιονδήποτε άλλο άξονα.

Αναλυτές σημάτων (3) είναι συσκευές ικανές να μετρήσουν και να εμφανίσουν τις βασικές ιδιότητες των επί μέρους συχνοτήτων σημάτων πολλαπλών συχνοτήτων.

Αναπροσαρμογή για πολεμική χρήση (1) είναι κάθε τροποποίηση ή επιλογή (όπως τροποποίηση της καθαρότητας, του χρόνου αποθήκευσης, της τοξικότητας, των χαρακτηριστικών διάδοσης ή της αντίστασης στην υπεριώδη ακτινοβολία) που προορίζεται να αυξήσει την αποτελεσματικότητα όσον αφορά τον αριθμό των θυμάτων, ανθρώπων ή ζώων, την αλλοίωση του εξοπλισμού ή τη φθορά των καλλιεργειών ή του περιβάλλοντος.

Ανάπτυξη (GTN NTN ALL) σχετίζεται με όλες τις φάσεις πριν από την μαζική παραγωγή, όπως είναι: ο σχεδιασμός, η έρευνα σχεδιασμού, η ανάλυση σχεδιασμού, οι αρχές σχεδιασμού, η συναρμολόγηση και η δοκιμή πρωτοτύπων, η πειραματική παραγωγή, τα δεδομένα σχεδιασμού, η διαδικασία μετατροπής των δεδομένων σχεδιασμού σε προϊόν, ο σχεδιασμός ολοκλήρωσης, το layout.

Ανοσοτοξίνη (1) είναι η συνένωση μονοκλωνικού αντισώματος ειδικού για συγκεκριμένο τύπο κυττάρων, με μία τοξίνη ή υπο-ενότητα τοξίνης η οποία προσβάλει επιλεκτικά τα ασθενή κύτταρα.

Ανοχή σφαλμάτων (4) είναι η ικανότητα ενός συστήματος υπολογιστή να συνεχίσει, μετά από δυσλειτουργία οποιουδήποτε συστατικού του υλικού ή του λογισμικού να λειτουργεί, χωρίς ανθρώπινη παρέμβαση, διατηρώντας την ποιότητα της υπηρεσίας που παρέχει: συνεχή λειτουργία, ακεραιότητα των δεδομένων και παροχή της υπηρεσίας εντός δεδομένου χρόνου.

Αντικειμενικός κώδικας (9) είναι η εκτελέσιμη από εξοπλισμό μορφή της κατάλληλης έκφρασης μίας ή περισσοτέρων διαδικασιών [πηγαίος κώδικας (γλώσσα πηγής)] η οποία έχει μετατραπεί από σύστημα προγραμματισμού.

Η έννοια απαιτούμενη (-ο) (GTN 1-9), όπως εφαρμόζεται σε σχέση με την τεχνολογία ή το λογισμικό, αφορά μόνον αυτό το μέρος της τεχνολογίας ή του λογισμικού το οποίο είναι ιδιαίτερα απαραίτητο για την επίτευξη ή την επέκταση των επιπέδων ελεγχόμενων επιδόσεων, των χαρακτηριστικών ή των λειτουργιών. Τέτοιου είδους απαιτούμενητεχνολογία ή λογισμικό ενδέχεται να είναι κοινή για διαφορετικά προϊόντα.

Απόληψη τήγματος (1) είναι η διαδικασία με την οποία επιτυγχάνεται η ταχεία στερεοποίηση και η εξαγωγή υπό μορφή λωρίδας ενός προϊόντος κράματος με την εισαγωγή ενός βραχέως τομέα ενός περιστρεφόμενου και ψυχόμενου κυλίνδρου σε μια λεκάνη με τηγμένο κράμα μετάλλου. ΣΗΜ.:Ταχεία στερεοποίηση: στερεοποίηση τηγμένου μετάλλου με ρυθμό ψύξεως άνω των 1000 K/s.

Απόλυτος ψηφιακός έλεγχος κινητήρα (Full Authority Digital Engine Control — FADEC) (7 9) είναι ένα ηλεκτρονικό σύστημα ελέγχου για στροβιλοκινητήρες ή κινητήρες συνδυασμένου κύκλου το οποίο χρησιμοποιεί ψηφιακό υπολογιστή για τον έλεγχο των μεταβλητών που απαιτούνται για τη ρύθμιση της ώσης του κινητήρα ή την ισχύ στον άξονα σε όλη την περιοχή λειτουργίας από την αρχή της μέτρησης μέχρι τη διακοπή της παροχής του καυσίμου.

Απομονωμένες ζωντανές καλλιέργειες (1) περιλαμβάνουν ζωντανές καλλιέργειες σε λανθάνουσα κατάσταση και σε ξηραμένα παρασκευάσματα.

Ασφάλεια των πληροφοριών (4 5) είναι όλα τα μέσα και οι λειτουργίες που εξασφαλίζουν την διαθεσιμότητα, το απόρρητο ή την ακεραιότητα των πληροφοριών ή των επικοινωνιών, εκτός από τα μέσα και τις λειτουργίες που αποβλέπουν στην προστασία των πληροφοριών από τις δυσλειτουργίες. Περιλαμβάνεται η κρυπτογραφία, η κρυπτανάλυση, η προστασία από επιβλαβείς διαρροές και η ασφάλεια των υπολογιστών. ΣΗΜ.:Κρυπτανάλυση: η ανάλυση ενός κρυπτογραφικού συστήματος ή των σημάτων εισόδου και εξόδου στα συστήματα αυτά προκειμένου να εξαχθούν οι εμπιστευτικές μεταβλητές ή ευαίσθητα δεδομένα καθώς και συνήθη κείμενα.

Ασυμμετρικός αλγόριθμος (5) είναι ο κρυπτογραφικός αλγόριθμος που χρησιμοποιεί διαφορετικές αλλά μαθηματικά σχετιζόμενες μεταξύ τους κλείδες για την κρυπτογράφηση και την αποκρυπτογράφηση. ΣΗΜ.: Μια συνήθης χρήση ασυμμετρικών αλγορίθμων είναι η διαχείριση κλειδών.

Αυτόματη παρακολούθηση στόχου (6) είναι η τεχνική επεξεργασίας δεδομένων με την οποία καθορίζεται αυτομάτως και παρέχεται ως εξερχόμενο σήμα σε πραγματικό χρόνο η εκάστοτε παρατεταμένη τιμή για την πιθανότερη θέση του στόχου.

Βάση (1 2 8 9) είναι μια ουσιαστικά συνεχής φάση η οποία πληροί το χώρο μεταξύ σωματιδίων, ινοκρυστάλλων ή νημάτων.

Βασική επιστημονική έρευνα (GTN NTN) είναι οι πειραματικές ή θεωρητικές εργασίες που διεξάγονται κυρίως με σκοπό την απόκτηση νέων γνώσεων σχετικά με τις βασικές αρχές των φαινομένων, οι οποίες δεν στρέφονται κατά κύριο λόγο προς έναν ειδικό πρακτικό σκοπό ή στόχο.

Βελτιστοποίηση ίχνους πτήσης (7) είναι μια διαδικασία που περιορίζει στο ελάχιστο τις παρεκκλίσεις από την επιθυμητή τροχιά τεσσάρων διαστάσεων (χώρος και χρόνος) χάρη στη μέγιστη αξιοποίηση της επίδοσης ή της αποτελεσματικότητας για την εκτέλεση ειδικών αποστολών.

Βελτίωση εικόνας (4) είναι η επεξεργασία εξωτερικών πληροφοριών που περιλαμβάνουν εικόνες με τη βοήθεια αλγορίθμων όπως είναι η χρονική συμπύκνωση, το φιλτράρισμα, η εξαγωγή, η επιλογή, ο συσχετισμός, η συνέλιξη ή οι μετασχηματισμοί μεταξύ περιοχών (π.χ. ταχύς μετασχηματισμός Fourier ή μετασχηματισμός Walsh). Δεν περιλαμβάνονται οι αλγόριθμοι που χρησιμοποιούν γραμμικό μετασχηματισμό ή μετασχηματισμό περιστροφής μιας και μόνον εικόνας, όπως είναι η παράλληλη μετατόπιση, η απομόνωση χαρακτηριστικών, η καταγραφή ή ο τεχνητός χρωματισμός της εικόνας.

Βλήματα (1 3 6 7 9) είναι τα πλήρη πυραυλικά συστήματα και τα συστήματα μη επανδρωμένων οχημάτων αέρος ικανά να μεταφέρουν ωφέλιμο φορτίο τουλάχιστον 500 Kg σε απόσταση τουλάχιστον 300 Km.

Γραμμική εκτροπή (2) σημαίνει την ακτινική μετατόπιση της κύριας ατράκτου σε μια περιστροφή, μετρούμενη σε επίπεδο κάθετο προς τον άξονα της ατράκτου σε σημείο επί της εξωτερικής ή εσωτερική περιστρεφόμενης επιφάνειας υπό δοκιμή (στοιχεία: ISO 230/1 1986, σημείο 5.61).

Γεωγραφικά διεσπαρμένες (6) είναι τοποθεσίες όταν από κάθε μια η απόσταση προς οποιαδήποτε άλλη είναι μεγαλύτερη από 1500 m προς όλες τις κατευθύνσεις. Οι κινητοί αισθητήρες θεωρούνται πάντα ότι είναι γεωγραφικά διεσπαρμένοι.

Γραμμικότητα (2) (συνήθως μετρούμενη ως μη-γραμμικότητα) είναι η μέγιστη απόκλιση, θετική ή αρνητική, των πραγματικών χαρακτηριστικών μέση τιμή των αναγνώσεων προς τα άνω και προς τα κάτω της κλίμακας) από την ευθεία η οποία φέρεται ώστε να εξισορροπεί και να ελαχιστοποιεί τις μέγιστες αποκλίσεις.

Γωνιακή απόκλιση θέσεως (2) είναι η μέγιστη διαφορά μεταξύ της οριακής θέσεως και της πραγματικής γωνιακής θέσεως η οποία έχει μετρηθεί με μεγάλη ακρίβεια αφότου η βάση στηρίξεως του κατεργαζόμενου αντικειμένου έχει στραφεί σε σχέση με την αρχική του θέση (αναφ. VDI/VDE 2617, Πρόχειρο: στρεφόμενες τράπεζες σε μηχανές προσδιορισμού συντεταγμένων).

Δεδομένα εντοπισμού (6) είναι επεξεργασμένες, συσχετισμένες και ενημερωμένες πληροφορίες σχετικά με τη θέση πτήσεως αεροσκαφών οι οποίες παρέχονται από τους ελεγκτές εναερίου κυκλοφορίας. Ο συσχετισμός γίνεται μεταξύ των δεδομένων ραδιοεντοπισμού και των θέσεων αεροσκαφών σύμφωνα με το πρόγραμμα πτήσεων.

Διακριτική ικανότητα (2) είναι το ελάχιστο βήμα ενός μετρητή. Στην περίπτωση ψηφιακών οργάνων, είναι το ελάχιστο σημαντικό bit (βλέπε ANSI Β-89.1.12).

Διάρκεια παλμού (6) είναι η διάρκεια ενός παλμού λέιζερ η οποία μετριέται ως συνολικό εύρος στην ημιτιμή της έντασης (FWHI)

Διαστημικό όχημα (7 9) είναι ενεργητικοί και παθητικοί δορυφόροι και διαστημικοί ανιχνευτές.

Διασυνδεδεμένοι αισθητήρες ραντάρ (6) είναι δύο ή περισσότεροι αισθητήρες ραντάρ οι οποίοι ανταλλάσσουν μεταξύ τους δεδομένα σε πραγματικό χρόνο.

Διατεθεί από την ITU (3 5) αναφέρεται στην κατανομή των ζωνών συχνοτήτων σύμφωνα με την τρέχουσα έκδοση των Κανονισμών Ραδιοσυχνοτήτων της Διεθνούς Ένωσης Τηλεπικοινωνιών (ITU), για τις πρωτογενείς επιτρεπόμενες και δευτερογενείς υπηρεσίες. ΣΗΜ.: Δεν συμπεριλαμβάνονται οι πρόσθετες και εναλλακτικές κατανομές συχνοτήτων.

Διαχείριση ισχύος (7) είναι η μεταβολή της μεταβιβαζόμενης ισχύος του σήματος του υψομετρικού οργάνου ώστε η λαμβανόμενη ισχύς στο ύψος του αεροσκάφους είναι πάντα η ελάχιστη ισχύς η οποία απαιτείται για τον προσδιορισμό του ύψους.

Διεύρυνση φάσματος ραντάρ (6) είναι κάθε τεχνική διαμόρφωσης για την κατανομή της ενέργειας, που προέρχεται από σήμα με σχετικά στενή ζώνη συχνοτήτων, σε ευρύτερη ζώνη συχνοτήτων χρησιμοποιώντας τυχαία ή ψευδο-τυχαία κωδικοποίηση.

Δυναμικά προσαρμοζόμενη δρομολόγηση (5) είναι η αυτόματη επαναδρομολόγηση της κυκλοφορίας η οποία βασίζεται στη διάγνωση και την ανάλυση των πραγματικών συνθηκών του δικτύου σε κάθε χρονική στιγμή. ΣΗΜ.: Δεν περιλαμβάνονται οι περιπτώσεις αποφάσεων σχετικά με τη δρομολόγηση οι οποίες λαμβάνονται βάσει προκαθορισμένων πληροφοριών.

Δυναμικοί αναλυτές σημάτων (3) είναι οι αναλυτές σημάτων οι οποίοι χρησιμοποιούν τεχνικές δειγματοληψίας και μετατροπής για την ανάλυση κατά Fourier της δεδομένης κυματομορφής. ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης αναλυτές σημάτων.

Εγκαταστάσεις παραγωγής (7 9) είναι ο εξοπλισμός και το ειδικά σχεδιασμένο σχετικό λογισμικό που ενσωματώνονται σε εγκαταστάσεις που χρησιμεύουν στην ανάπτυξη ή σε μια ή περισσότερες φάσεις της παραγωγής.

Ειδικά σχάσιμα υλικά (0) είναι το πλουτώνιο-239, το ουράνιο-233, το ουράνιο εμπλουτισμένο σε ισότοπα 235 ή 233 και κάθε υλικό που περιέχει τα παραπάνω υλικά.

Ειδική αντοχή σε εφελκυσμό (0 1 9) είναι η ανώτατη τάση εφελκυσμού σε pascal, η οποία ισοδυναμεί με το λόγο Ν/m2 προς το ειδικό βάρος σε Ν/m3, σε θερμοκρασία (296 ± 2) Κ ((23 ± 2) °C) και σχετική υγρασία (50 ± 5) %.

Ειδικό μέτρο ελαστικότητας (0 1 9) είναι το μέτρο Young εκφρασμένο σε pascal, το οποίο ισοδυναμεί με το λόγο Ν/m2 προς το ειδικό βάρος σε Ν/m3, μετρούμενο σε θερμοκρασία (296 ± 2) Κ ((23 ± 2) °C) και σχετική υγρασία (50 ± 5) %.

Εκκεντρότητα (2) σημαίνει την αξονική μετατόπιση της κύριας ατράκτου σε μια περιστροφή, μετρούμενη σε επίπεδο κάθετο προς το επίπεδο της πρόσθιας πλάκας της ατράκτου, σε σημείο δίπλα στην περιφέρειά της (στοιχεία: ISO 230/1 1986, σημείο 5.63).

Ελεγκτής διαύλου επικοινωνίας (4 4) είναι η φυσική διεπαφή η οποία ελέγχει την ροή σύγχρονων και ασύγχρονων ψηφιακών πληροφοριών. Είναι ένα σύνολο το οποίο είναι δυνατόν να ενσωματωθεί σε συσκευές υπολογιστών ή τηλεπικοινωνιών ώστε να παρέχει πρόσβαση στο επικοινωνιακό δίκτυο.

Ελεγκτής πρόσβασης στο δίκτυο (4) είναι μια υλική διεπαφή με ένα κατανεμημένο μεταγωγικό δίκτυο. Χρησιμοποιεί ένα κοινό μέσο το οποίο λειτουργεί πάντα με τον ίδιο ρυθμό ψηφιακής μεταβίβασης και επιτρέπει οποιαδήποτε μεταβίβαση μέσω του δικτύου (π.χ. ανίχνευση αδειοπλαισίου ή φέρουσας) για την μεταβίβαση. Ανεξάρτητα από οποιοδήποτε άλλο, επιλέγει πακέτα δεδομένων ή ομάδες δεδομένων (π.χ. IEEE 802) που απευθύνονται σε αυτόν. Είναι ένα συναρμολογημένο σύνολο το οποίο είναι δυνατό να ενσωματωθεί σε υπολογιστή ή τηλεπικοινωνιακό εξοπλισμό ώστε να παρέχει πρόσβαση επικοινωνίας.

Ελευθέρας χρήσεως (GTN NTN GSN), κατά την έννοια του παρόντος εγγράφου, είναι η τεχνολογία ή το λογισμικό το οποίο επιτρέπεται να διατίθεται χωρίς περιορισμούς (οι περιορισμοί που απορρέουν από τα πνευματικά δικαιώματα δεν εξαιρούν την τεχνολογία ή το λογισμικό από την ελεύθερη χρήση).

Εμβόλιο (1) είναι ένα φαρμακευτικό προϊόν σε φαρμακευτικό σκεύασμα για το οποίο έχει χορηγηθεί γενική άδεια ή άδεια εμπορίας ή κλινικών δοκιμών από τις ρυθμιστικές αρχές είτε της χώρας παρασκευής είτε της χώρας χρήσης, που προορίζεται να προκαλέσει προστατευτική ανοσοποιητική αντίδραση σε ανθρώπους και ζώα για την πρόληψη ασθενειών σε όσους χορηγείται.

Έμπειρα συστήματα (7) είναι συστήματα που παρέχουν αποτελέσματα βασιζόμενα στην εφαρμογή κανόνων επί των δεδομένων που είναι αποθηκευμένα ανεξάρτητα από το πρόγραμμα τα οποία είναι ικανά να επιτελέσουν μια από τις ακόλουθες λειτουργίες:

pt_48 α.

Να τροποποιήσουν αυτομάτως το πρωτογενές πρόγραμμα που έχει εισαχθεί από τον χρήστη,

β.

Να προσφέρουν γνώσεις σχετιζόμενες με ένα σύνολο προβλημάτων σε σχεδόν φυσική γλώσσα, ή

γ.

Να αποκτήσουν τις απαιτούμενες γνώσεις για την ανάπτυξή τους (συμβολική κατάρτιση).

Εμπλουτισμένο ουράνιο ως προς τα ισότοπα 235 ή 233 (0) είναι το ουράνιο που περιέχει τα ισότοπα 235 ή 233, ή και τα δύο σε ποσότητες τέτοιες ώστε ο λόγος περιεκτικότητας του συνόλου αυτών των ισοτόπων προς το ισότοπο 238 να είναι μεγαλύτερος από το λόγο του ισοτόπου 235 προς το ισότοπο 238 στο φυσικό ουράνιο (λόγος περιεκτικότητας 0,71 %).

Ενεργά συστήματα ελέγχου πτήσεως (7) είναι τα συστήματα των οποίων η λειτουργία είναι η πρόληψη ανεπιθύμητων κινήσεων των αεροσκαφών και των βλημάτων ή ανεπιθύμητων φορτίσεων, τα οποία βασίζονται στην αυτόματη επεξεργασία δεδομένων προερχόμενων από πληθώρα αισθητήρων και στην παροχή των κατάλληλων προληπτικών εντολών για την επίτευξη του αυτομάτου ελέγχου.

Ενεργό γραμμάριο (0 1) ειδικών σχάσιμων υλικών ή λοιπών σχάσιμων υλικών είναι:

pt_51 α.

Για τα ισότοπα πλουτωνίου και ουρανίου-233, το βάρος του ισοτόπου σε γραμμάρια,

β.

Για εμπλουτισμένο ουράνιο με περιεκτικότητα σε ισότοπο ουράνιο-235 ένα τοις εκατό και άνω, το βάρος του στοιχείου σε γραμμάρια πολλαπλασιασμένο επί το τετράγωνο του εμπλουτισμού του εκφραζόμενο ως δεκαδικό κλάσμα κατά βάρος,

γ.

Για εμπλουτισμένο ουράνιο με περιεκτικότητα σε ισότοπο ουράνιο-235 κάτω του 1 τοις εκατό, το βάρος του στοιχείου σε γραμμάρια πολλαπλασιασμένο επί 0,0001.

Ενεργό εικονοκύτταρο (6 8) είναι ένα ελάχιστο (μεμονωμένο) στοιχείο ενός πίνακα ημιαγωγού ο οποίος λειτουργεί ως φωτοηλεκτρικό μέσο όταν εκτίθεται σε φωτεινή (ηλεκτρομαγνητική) ακτινοβολία.

Εξαντλημένο ουράνιο (0) είναι το ουράνιο στο οποίο η συγκέντρωση του ισοτόπου 235 έχει μειωθεί και είναι χαμηλότερη από αυτή που απαντά στη φύση.

Εξοπλισμός παραγωγής (1 7 9) είναι ο μηχανικός εξοπλισμός, τα ιχνάρια, τα περιτυπώματα, τα μαντρέλια, οι τύποι, οι μήτρες, οι στηρίξεις, οι μηχανισμοί ευθυγράμμισης, ο εξοπλισμός δοκιμών, άλλες μηχανές και κατασκευαστικά μέρη των μηχανών αυτών οι οποίες έχουν σχεδιαστεί ή μετασκευαστεί ώστε να χρησιμεύουν στην ανάπτυξη ή σε μια ή περισσότερες φάσεις της παραγωγής.

Επενεργητές πέρατος (2) είναι οι αρπάγες, οι ενεργητικές εργαλειακές διατάξεις καθώς και κάθε άλλη εργαλειακή διάταξη προσαρμοσμένη στο βασικό έλασμα στο άκρο του βραχίονα χειρισμού ενός ρομπότ. ΣΗΜ.:Ενεργητική εργαλειακή διάταξη σημαίνει διάταξη με την οποία ασκείται κινητήριος δύναμη, μεταβιβάζεται ενέργεια ή η οποία χρησιμεύει ως αισθητήρας επί του υπό κατεργασία αντικειμένου.

Επεξεργασία πολλαπλών ροών δεδομένων (4) είναι ένα μικροπρόγραμμα ή μια αρχιτεκτονική η οποία επιτρέπει την ταυτόχρονη επεξεργασία δύο ή περισσότερων ακολουθιών δεδομένων υπό τον έλεγχο μιας ή περισσότερων ακολουθιών εντολών με τη βοήθεια μέσων όπως είναι: ΣΗΜ.:Μικροπρόγραμμα είναι μια ακολουθία στοιχειωδών εντολών, αποθηκευμένων σε ειδική μνήμη, η εκτέλεση των οποίων ξεκινά με την εισαγωγή της εντολής αναφοράς του μικροπρογράμματος σε έναν καταγραφέα εντολών.

pt_56 α.

Οι αρχιτεκτονικές SIMD (Single Instruction Multiple Data), όπως οι ανυσματικοί ή σύστοιχοι επεξεργαστές,

β.

Αρχιτεκτονικές MSIMD (Multiple Single Instruction Multiple Data),

γ.

Αρχιτεκτονικές MIMD (Multiple Instruction Multiple Data), που περιλαμβάνονται αυτές οι οποίες είναι άμεσα συνδεδεμένες, στενά συνδεδεμένες ή χαλαρά συνδεδεμένες, ή

δ.

Διαρθρωμένοι πίνακες στοιχείων επεξεργαστών, όπου περιλαμβάνονται και οι συστολικοί πίνακες.

Επεξεργασία σε πραγματικό χρόνο (6 7) είναι η επεξεργασία δεδομένων με σύστημα ηλεκτρονικού υπολογιστή, το οποίο παρέχει απαιτούμενο επίπεδο υπηρεσίας ως συνάρτηση των διαθέσιμων πόρων, εντός ενός εγγυημένου χρόνου απότφισης, ανεξάρτητα από το φόρτωμα του συστήματος, όταν δεχθεί εξωτερικό ερέθισμα.

Επεξεργασία σημάτων (3 4 5 6) είναι η επεξεργασία εξωτερικών σημάτων που εμπεριέχουν πληροφορίες με τη βοήθεια αλγορίθμων όπως είναι η χρονική συμπίεση, το φιλτράρισμα, η εξαγωγή, η επιλογή, ο συσχετισμός, η συνέλιξη ή μετατροπή συναρτήσεων (π.χ ταχύς μετασχηματισμός Fourier ή μετασχηματισμός Walsh).

Εσωτερική επένδυση (9) είναι κατάλληλη για την διεπαφή μεταξύ του στερεού καυσίμου και του περιβλήματος ή του μονωτικού στρώματος. Συνήθως το εσωτερικό του περιβλήματος ψεκάζεται ή επιστρώνεται με διασπορά πυρίμαχων ή μονωτικών υλικών πολυμερούς βάσεως εντός υγρού, π.χ. HTPB (πολυβουταδιένιο με υδροξύλια στα άκρα) με πλήρωση άνθρακα ή άλλο πολυμερές με πρόσθετα σκληρυντικά μέσα.

Ευελιξία μεταβολής συχνότητας (frequency hopping) (5) είναι μια μορφή διευρύνσεως φάσματος, στο οποίο η συχνότητα μεταβιβάσεως ενός μεμονωμένου διαύλου επικοινωνίας μεταβάλλεται κατά μία τυχαία ή ψευδοτυχαία ακολουθία διακριτών βημάτων.

Ευελιξία μεταβολής συχνότητας ραντάρ (6) είναι μια τεχνική με την οποία μεταβάλλεται η φέρουσα συχνότητα ενός παλμοπομπού ραντάρ σε ψευδο-τυχαία ακολουθία μεταξύ μεμονωμένων παλμών ραντάρ ή ομάδων παλμών ραντάρ κατά τιμή ίση ή μεγαλύτερη από το εύρος ζώνης των παλμών ραντάρ.

Εύρος ζώνης πραγματικού χρόνου (2 3) για δυναμικούς αναλυτές σημάτων είναι η ευρύτερη περιοχή συχνοτήτων στην έξοδο του αναλυτή προς τη μονάδα απεικόνισης ή μαζικής μνήμης, η οποία δεν συνεπάγεται ασυνέχεια στην ανάλυση των δεδομένων εισόδου. Για τους αναλυτές με ένα ή περισσότερα κανάλια, για τον υπολογισμό λαμβάνεται αυτός ο συνδυασμός καναλιών ο οποίος παρέχει το μεγαλύτερο εύρος ζώνης πραγματικού χρόνου.

Ηλεκτρονικό συναρμολόγημα (2 3 4 5) είναι ένα σύνολο ηλεκτρονικών μερών (π.χ, στοιχεία κυκλωμάτων, διακεκριμένων κατασκευαστικών μερών, ολοκληρωμένων κυκλωμάτων κ.λπ) συνδεδεμένων μεταξύ τους ώστε να επιτελούν ειδικές λειτουργίες, το οποίο είναι δυνατόν να αντικατασταθεί ως σύνολο και να αποσυναρμολογηθεί. ΣΗΜ. 1:Στοιχείο κυκλώματος: ένα χωριστό ή παθητικό λειτουργικό μέρος ενός ηλεκτρονικού κυκλώματος, όπως μία δίοδος, ένα τρανζίστορ, μία αντίσταση, ένας πυκνωτής κ.λπ. ΣΗΜ. 2:Διακεκριμένο κατασκευαστικό μέρος: ένα χωριστά συσκευασμένο στοιχείο κυκλώματος με τις δικές του εξωτερικές συνδέσεις.

Ηλεκτρονικώς οδηγούμενη φασικώς συγχρονισμένη συστοιχιοκεραία (5 6) είναι μία κεραία η οποία εκπέμπει μια δέσμη καθοδηγούμενη με ζεύξη φάσεως, δηλαδή, η διεύθυνση της δέσμης ελέγχεται μέσω των μιγαδικών συντελεστών διεγέρσεως των στοιχείων εκπομπής και δύναται να μεταβληθεί ως προς την κλίση ή το ύψος ή και ως προς τα δύο μέσω ενός ηλεκτρικού σήματος, τόσο κατά την εκπομπή όσο και κατά τη λήψη.

Ικανότητα προγραμματισμού από το χρήστη (6) είναι η δυνατότητα που παρέχεται στο χρήστη να εισαγάγει, να τροποποιήσει ή να αντικαταστήσει προγράμματα με μεθόδους διαφορετικές από:

pt_65 α.

Τη φυσική αλλαγή της συνδεσμολογίας ή των διασυνδέσεων· ή

β.

Την εφαρμογή μέσων ελέγχου των λειτουργιών συμπεριλαμβανομένης και της εισαγωγής παραμέτρων.

Στα ινώδη ή νηματώδη υλικά (0 1 2 8) περιλαμβάνονται:

pt_66 α.

Συνεχή μονόκλωνα νήματα,

β.

Συνεχή νήματα και rovings με τυχαία διάταξη,

γ.

Ταινίες, υφάσματα, πιλήματα και πλεκτά,

δ.

Κομμένα νήματα, υφαντικές ίνες, συνεχή καλύμματα,

ε.

Ινοκρύσταλλοι, είτε υπό μονοκρυσταλλική είτε πολυκρυσταλλική μορφή οποιουδήποτε μήκους,

στ.

Πολτός αρωματικού πολυαμιδίου.

Ισοδύναμη πυκνότητα (6) είναι η μάζα ενός οπτικού στοιχείου ανά μονάδα οπτικής επιφανείας προβαλλόμενης στο οπτικό επίπεδο.

Ισοστατικές πρέσες (2) είναι συσκευές ικανές να συμπιέσουν διάφορα υλικά (αέρια, υγρά, στερεά σωματίδια κ.λπ.) μέσα σε κλειστό θάλαμο ώστε η πίεση που ασκείται επί ενός κατεργαζόμενου αντικειμένου ή υλικού να είναι ίση προς κάθε κατεύθυνση.

Ισοστατική πύκνωση εν θερμώ (2) είναι η διαδικασία της συμπίεσης ενός χυτεύματος σε θερμοκρασίες άνω των 375 K (120 °C) σε έναν κλειστό θάλαμο διαφόρων μέσων (αερίων, υγρών, στερεών σωματιδίων κ.λπ.) για την δημιουργία ίσων δυνάμεων προς όλες τις κατευθύνσεις ώστε να μειωθούν ή να εξαλειφθούν τα εσωτερικά κενά στο χύτευμα.

Ισχύς αιχμής (6) είναι το πηλίκο της ενέργειας ανά παλμό σε joule δια τη διάρκεια του παλμού σε δευτερόλεπτα.

Καθοδήγηση τροχιάς (2) είναι δύο ή περισσότερες ψηφιακά ελεγχόμενες κινήσεις εκτελούμενες βάσει εντολών που καθορίζουν την επόμενη θέση καθώς και τις επιθυμητές ταχύτητες προσαγωγής. Μεταβάλλονται σε αλληλεξάρτηση μεταξύ τους ώστε να διαγράφεται η επιθυμητή τροχιά (βλέπε ISO/DIS 2806 — 1980).

Καθυστέρηση χρόνου διέλευσης της βασικής πύλης (3) είναι η καθυστέρηση του χρόνου διέλευσης που αντιστοιχεί στη βασική πύλη που χρησιμοποιείται σ’ ένα μονολιθικό ολοκληρωμένο κύκλωμα. Για μία δεδομένη οικογένειαμονολιθικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων, η τιμή αυτή είναι δυνατό να προσδιορισθεί είτε ως καθυστέρηση ανά τυπική πύλη εντός της δεδομένης οικογένειας, είτε ως τυπική καθυστέρηση ανά πύλη εντός της δεδομένης οικογένειας. ΣΗΜ. 1: Η καθυστέρηση χρόνου διέλευσης της βασικής πύλης δεν πρέπει να συγχέεται με την καθυστέρηση εισόδου/εξόδου ενός πολύπλοκου μονολιθικού ολοκληρωμένου κυκλώματος. ΣΗΜ. 2: Ως οικογένεια νοούνται όλα τα ολοκληρωμένα κυκλώματα στα οποία έχουν εφαρμοστεί όλα τα παρακάτω ως κατασκευαστική μεθοδολογία και προδιαγραφές, εκτός από τις λειτουργίες καθενός:

pt_72 α.

Η κοινή αρχιτεκτονική υλικού και λογισμικού,

β.

Η κοινή τεχνολογία σχεδιασμού και διεργασιών, και

γ.

Τα κοινά βασικά χαρακτηριστικά.

Κατάλληλα για διαστημική χρήση (3 6) είναι τα προϊόντα που έχουν σχεδιαστεί, κατασκευαστεί και δοκιμαστεί ώστε να πληρούν τις ηλεκτρικές, μηχανικές ή περιβαλλοντικές απαιτήσεις για τη χρήση τους στην εκτόξευση και τη θέση σε τροχιά δορυφόρων ή σε ιπτάμενα συστήματα μεγάλου ύψους, δηλαδή συστήματα προοριζόμενα να λειτουργήσουν σε ύψος 100 Κm και άνω.

Κατανεμημένο φάσμα (5) είναι μια τεχνική με την οποία η ενέργεια ενός επικοινωνιακού καναλιού σχετικά στενής ζώνης κατανέμεται σε ένα κατά πολύ ευρύτερο ενεργειακό φάσμα.

Κβαντική κρυπτογραφία (5) είναι μια οικογένεια τεχνικών για τη δημιουργία κοινής κλέιδας για κρυπτογραφία μέσω της μέτρησης των κβαντομηχανικών ιδιοτήτων ενός φυσικού συστήματος (συμπεριλαμβανομένων των φυσικών ιδιοτήτων που διέπονται σαφώς από την κβαντική οπτική, την κβαντική θεωρία πεδίων ή την κβαντική ηλεκτροδυναμική).

ΚΙΠ (κύκλος ίσων πιθανοτήτων) (7) είναι μέτρο για την ακρίβεια ενός οργάνου. Η ακτίνα του κύκλου με κέντρο το στόχο εκτείνεται σε απόσταση τέτοια ώστε να προσπίπτουν εντός του κύκλου το 50 % των βολών.

Κλασματικό εύρος ζώνης (3) είναι ο λόγος, εκφρασμένος ως ποσοστό επί τοις εκατό, του στιγμιαίου εύρους ζώνης προς την κεντρική συχνότητα.

Κονιορτοποίηση (1) είναι κάθε διαδικασία για την μετατροπή ενός υλικού σε σωματίδια με σύνθλιψη ή άλεση.

Κράτη (μη) μέρη της Σύμβασης Χημικών Όπλων (1) είναι εκείνα τα κράτη για τα οποία (δεν) έχει τεθεί σε ισχύ η Σύμβαση για την Απαγόρευση της Ανάπτυξης, Παραγωγής, Αποθεματοποίησης και Χρήσης Χημικών Όπλων (βλ. www.opcw.org).

Κρίσιμη θερμοκρασία (1 3 6) (ορισμένες φορές αναφερόμενη ως μεταβατική θερμοκρασία) ενός συγκεκριμένου υπεραγώγιμου υλικού είναι η θερμοκρασία στην οποία το υλικό αυτό παύει να έχει ωμική αντίσταση στο σταθερό ηλεκτρικό ρεύμα.

Κρυπτογραφία (5) είναι ο κλάδος που συνδυάζει τις αρχές, τα μέσα και τις μεθόδους για τη μετατροπή δεδομένων με σκοπό την απόκρυψη των πληροφοριών που περιέχουν, την πρόληψη της μη αντιληπτής τροποποίησής του ή της μη επιτρεπτής χρήσης του. Η κρυπτογραφία περιορίζεται στη μετατροπή πληροφοριών χρησιμοποιώντας μία ή περισσότερες μυστικές παραμέτρους (π.χ. κρυπτομεταβλητές) ή σχετική διαχείριση κλειδιών. ΣΗΜ.:Μυστική παράμετρος: μία σταθερά ή κλείδα η οποία κρατείται μυστική από τους άλλους ή είναι γνωστή μόνο στα μέλη μίας ομάδας.

Κύρια μνήμη (4) είναι η κύρια μνήμη δεδομένων ή εντολών η οποία είναι ταχέως προσπελάσιμη από μια κεντρική μονάδα επεξεργασίας. Αποτελείται από την εσωτερική μνήμη ενός ψηφιακού υπολογιστή και την ιεραρχική επέκταση της μνήμης αυτής, όπως είναι μια κρυφή μνήμη ή εκτεταμένη μνήμη τυχαίας προσπελάσεως.

Κύριο στοιχείο (4), όπως χρησιμοποιείται στην κατηγορία 4, είναι ένα κύριο στοιχείο, όταν το κόστος για την αντικατάστασή του υπερβαίνει το 35 % της συνολικής αξίας του συστήματος, στοιχείο του οποίου αποτελεί. Η αξία του στοιχείου είναι η τιμή που καταβάλλεται για την αγορά του στοιχείου από τον κατασκευαστή ή από το συναρμολογητή του συστήματος. Η συνολική αξία είναι η συνήθης διεθνής τιμή πωλήσεως σε ανεξάρτητους αγοραστές στον τόπο κατασκευής ή αποστολής.

Κύριο χειριστήριο πτήσης (7) σημαίνει χειριστήριο σταθερότητας ή ελιγμών αεροσκάφους δια της χρήσης γεννητριών δύναμης/ροπής, δηλ. επιφάνειες αεροδυναμικού ελέγχου ή ρύθμιση της διεύθυνσης της ωστικής δύναμης.

Λέιζερ (0 2 3 5 6 7 8 9) είναι μια διάταξη η οποία παράγει μια χωρικά και χρονικά σύμφωνη δέσμη φωτός, η οποία ενισχύεται από τη διεγειρόμενη εκπομπή ακτινοβολίας. ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης:

Χημικό λέιζερ,

Q-switched λέίζερ,

Λέιζερ εξαιρετικά υψηλής ισχύος,

Transfer λέιζερ.

Λέιζερ πολύ μεγάλης ισχύος (SHPL) (6) είναι ένα λέιζερ ικανό να αποδώσει στην έξοδο (το σύνολο ή μέρος του συνόλου) ενέργειες άνω του 1 κj εντός 50 ms ή μέση ισχύ ή CW άνω των 20 KW.

Λογισμικό (GSN All) είναι μια συλλογή ενός ή περισσοτέρων προγραμμάτων ή μικροπρογραμμάτων τα οποία έχουν εγγραφεί σε ένα οποιοδήποτε υλικό μέσο. ΣΗΜ.:Μικροπρόγραμμα είναι μια ακολουθία στοιχειωδών εντολών, αποθηκευμένων σε ειδική μνήμη, η εκτέλεση των οποίων ξεκινά με την εισαγωγή της εντολής αναφοράς του μικροπρογράμματος σε έναν καταγραφέα εντολών.

Μαγνητικά κλισιόμετρα (6) είναι όργανα προοριζόμενα να ανιχνεύουν τις μεταβολές στο χώρο μαγνητικών πεδίων από πηγές εκτός του οργάνου. Αποτελούνται από πολλαπλά μαγνητόμετρα και τα σχετικά ηλεκτρονικά κυκλώματα, το σήμα εξόδου των οποίων αποτελεί μέτρο της κλίσης του μαγνητικού πεδίου. ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης στοιχειώδη μαγνητικά κλισίμετρα.

Μαγνητόμετρα (6) είναι όργανα προοριζόμενα να ανιχνεύουν μαγνητικά πεδία από πηγές εκτός του οργάνου. Αποτελούνται από ένα μεμονωμένο αισθητήριο στοιχείο και τα σχετικά ηλεκτρονικά κυκλώματα, το σήμα εξόδου των οποίων αποτελεί μέτρο του μαγνητικού πεδίου.

Μετατροπείς πίεσης (2) είναι συσκευές που μετατρέπουν μετρήσεις πίεσης σε ηλεκτρικό σήμα.

Μη επανδρωμένο όχημα αέρος (UAV) (9) είναι αεροσκάφος ικανό να αρχίζει πτήση και να διατηρεί ελεγχόμενη πτήση χωρίς την παρουσία ανθρώπων επ' αυτού.

Μηχανική κραματοποίηση (1) είναι η κραματοποίηση που γίνεται με συγκόλληση, θραύση και επανασυγκόλληση κόνεων καθαρών στοιχείων και προσθετικών κραμάτων με μηχανική κρούση. Μη μεταλλικά σωματίδια είναι δυνατόν να ενσωματωθούν στο κράμα με την προσθήκη των κατάλληλων κόνεων.

Μηχανισμός αυτόματης πλοήγησης (7) είναι ένα σύνολο συστημάτων που ολοκληρώνουν τη μέτρηση και τον υπολογισμό της θέσεως και της ταχύτητας ενός οχήματος με τον υπολογισμό και τη διαβίβαση εντολών στα συστήματα ελέγχου πτήσεως του οχήματος ώστε να διορθωθεί η πορεία του.

Μικροκύκλωμα μικροεπεξεργαστή (3) είναι ένα μονολιθικό ολοκληρωμένο κύκλωμα ή σύνθετο ολοκληρωμένο κύκλωμα το οποίο περιλαμβάνει μια αριθμητική λογική μονάδα (ΑLU) ικανή να εκτελεί γενικές εντολές προερχόμενες από μια εσωτερική μνήμη για την επεξεργασία δεδομένων που περιλαμβάνονται στην εσωτερική μνήμη. ΣΗΜ. 1: Το μικροκύκλωμα μικροεπεξεργαστή κατά κανόνα δεν περιλαμβάνει ενσωματωμένη μνήμη προσπελάσιμη από το χρήστη, μολονότι ενδεχομένως διαθέτει μνήμη για την πραγματοποίηση των λογικών του λειτουργιών. ΣΗΜ. 2: Περιλαμβάνει σύνολα μικροκυκλωμάτων τα οποία είναι σχεδιασμένα να λειτουργούν μαζί ώστε να εξασφαλίζουν την λειτουργία ενός μικροκυκλώματος μικροεπεξεργαστή.

Μικροκύκλωμα μικροϋπολογιστή (3) είναι ένα μονολιθικό ολοκληρωμένο κύκλωμα ή σύνθετο ολοκληρωμένο κύκλωμα το οποίο περιλαμβάνει μια αριθμητική λογική μονάδα (ΑLU) ικανή να εκτελεί γενικές εντολές προερχόμενες από μια εσωτερική μνήμη για την επεξεργασία δεδομένων που περιλαμβάνονται στην εσωτερική μνήμη. ΣΗΜ.: Η εσωτερική μνήμη πρέπει να διευρύνεται από μια εξωτερική μνήμη.

Μικροοργανισμοί (1 2) είναι τα βακτηρίδια, οι ιοί, τα μυκοπλάσματα, τα ρικέτσια, τα χλαμύδια ή οι μύκητες, σε φυσική κατάσταση, ενισχυμένη ή τροποποιημένη, είτε υπό μορφή μεμονωμένων ζωντανών καλλιεργειών είτε ως υλικό το οποίο περιλαμβάνει ζωντανό υλικό που έχει εκουσίως εμβολιαστεί ή μολυνθεί από τις καλλιέργειες αυτές.

Μονόκλωνο νήμα (1) ή νήμα είναι η μικρότερη μονάδα ίνας, συνήθως διαμέτρου αρκετών μικρών.

Μονολιθικά υποστρώματα (6) είναι μονολιθικά υλικά (ενώσεις) με κατάλληλες διαστάσεις για την παραγωγή οπτικών στοιχείων όπως είναι κάτοπτρα ή φακοί.

Μονολιθικό ολοκληρωμένο κύκλωμα (3) είναι συνδυασμός ενεργών ή παθητικών στοιχείων κυκλώματος ή και των δύο, τα οποία: ΣΗΜ.:Στοιχείο κυκλώματος: ένα μεμονωμένο ενεργητικό ή παθητικό λειτουργικό μέρος ηλεκτρονικού κυκλώματος, όπως δίοδος, τρανζίστορ, αντίσταση ή ένας πυκνωτής κ.λπ.

pt_99 α.

Κατασκευάζονται με τη βοήθεια διεργασιών που βασίζονται στη διάχυση, την εμφύτευση ή την εναπόθεση εντός ή επί ενός πλακιδίου ημιαγωγού υλικού που ονομάζεται τσιπ,

β.

Είναι δυνατόν να θεωρηθούν ως άρρηκτα συνδεδεμένα και

γ.

Επιτελούν την(τις) λειτουργία(ες) ενός κυκλώματος.

Μονοφασματικοί αισθητήρες εικόνας (6) είναι ικανοί να εκτελούν λήψη δεδομένων εικόνας από μία διακριτή ζώνη φάσματος.

Μόνωση (9) χρησιμοποιείται στα κατασκευαστικά μέρη ενός κινητήρα πυραύλου δηλαδή το περίβλημα, το ακροφύσιο, τις εισόδους, τα καλύμματα του περιβλήματος και περιλαμβάνει βουλκανισμένο ή ημιβουλκανισμένο σύμμικτο ελαστικό υπό μορφή φύλλων το οποίο περιλαμβάνει μονωτικό ή αντιπυρικό υλικό. Χρησιμοποιείται επίσης για τη μείωση των εντάσεων στα πτερύγια.

Νευρωνικός υπολογιστής (4) είναι μια υπολογιστική διάταξη που έχει σχεδιαστεί ή μετασκευαστεί ώστε να μιμείται τη συμπεριφορά ενός νευρώνα ή ενός συνόλου νευρώνων, δηλαδή μια υπολογιστική διάταξη η οποία διακρίνεται λόγω της ικανότητας του υλικού να διαμορφώνει το βάρος και τις διασυνδέσεις μιας πληθώρας υπολογιστικών στοιχείων που βασίζονται σε προηγούμενα δεδομένα.

Νήμα (1) είναι μια δέσμη περιελιγμένων εμβόλων. ΣΗΜ.:Έμβολο είναι δέσμη μονοκλώνων νημάτων (τυπικά άνω των 200) με περίπου παράλληλη διάταξη.

Όλες οι διαθέσιμες αντισταθμίσεις (2) σημαίνει μετά την εξέταση όλων των εφικτών μέτρων που έχει στη διάθεσή του ο κατασκευαστής για να ελαχιστοποιήσει όλα τα συστηματικά σφάλματα τοποθέτησης για τη συγκεκριμένη θεωρούμενη εργαλειομηχανή.

Ολική πυκνότητα εντάσεως (3) είναι ο συνολικός αριθμός αμπερο-σπειρών ενός πηνίου (δηλαδή το σύνολο του αριθμού των σπειρών πολλαπλασιαζόμενο επί την μέγιστη ένταση σε κάθε σπείρα και διαιρούμενο δια της ολικής διατομής του πηνίου, όπου περιλαμβάνονται οι υπεραγώγιμες ίνες, το μεταλλικό υλικό στο οποίο είναι ενσωματωμένες οι υπεραγώγιμες ίνες, το υλικό του περιβλήματος, οι τυχόν ψυκτικοί δίαυλοι κ.λπ.).

Ολοκληρωμένο κύκλωμα περισσοτέρων τσιπ (3) είναι δύο ή περισσότερα μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα συνενωμένα σε ένα κοινό υπόβαθρο.

Ολοκληρωμένο κύκλωμα τύπου υμενίου (3) είναι μια διάταξη στοιχείων κυκλώματος και μεταλλικών διασυνδέσεων η οποία κατασκευάζεται με απόθεση μιας μεμβράνης μεγάλου ή μικρού πάχους σε ένα μονωτικό υπόβαθρο. ΣΗΜ.:Στοιχείο κυκλώματος: ένα ενεργητικό ή παθητικό λειτουργικό μέρος ενός ηλεκτρονικού κυκλώματος, όπως είναι μια δίοδος, ένα τρανζίστορ, μια αντίσταση, ένας πυκνωτής κ.λπ.

Οπτική ενίσχυση (5) στις οπτικές επικοινωνίες είναι η τεχνική με την οποία επιτυγχάνεται η ενίσχυση των οπτικών σημάτων που παράγονται από μια χωριστή πηγή χωρίς να μετατρέπονται αυτά σε ηλεκτρικά σήματα, δηλαδή χρησιμοποιώντας ημιαγωγούς ενισχυτές οπτικών σημάτων, και ενισχυτές φωταύγειας οπτικών ινών.

Οπτική μεταγωγή (5) είναι η δρομολήγηση ή η μεταγωγή οπτικών σημάτων χωρίς τη μετατροπή τους σε ηλεκτρικά σήματα.

Οπτικό ολοκληρωμένο κύκλωμα (3) είναι ένα μονολιθικό ολοκληρωμένο κύκλωμα ή ένα υβριδικό ολοκληρωμένο κύκλωμα, το οποίο περιέχει ένα ή περισσότερα μέρη προοριζόμενα να λειτουργήσουν ως φωτοαισθητήρας ή φωτοπομπός ή για να επιτελέσουν μια ή περισσότερες οπτικές ή ηλεκτροοπτικές λειτουργίες.

Οπτικός υπολογιστής (4) είναι ένας υπολογιστής που έχει σχεδιαστεί ή μετασκευαστεί ώστε να χρησιμοποιεί φωτεινά σήματα για το συμβολισμό δεδομένων και του οποίου τα στοιχεία λογικής επεξεργασίας βασίζονται σε απ’ ευθείας συνδεδεμένες οπτικές διατάξεις.

Οχήματα ελαφρότερα του αέρος (9) υπονοούνται τα αερόστατα και αερόπλοια που για την άνωσή τους βασίζονται στο ζεστό άερα ή σε άλλα αέρια ελαφρότερα από τον αέρα, όπως υδρογόνο και ήλιο.

Παραγωγή (GTN όλες οι φάσεις) είναι όλες οι φάσεις παραγωγής όπως: κατασκευή, μηχανολογική μελέτη, βιομηχανική παραγωγή, ολοκλήρωση, συναρμολόγηση, έλεγχος, δοκιμή, διασφάλιση της ποιότητας.

Παραμορφώσιμα κάτοπτρα (6) (γνωστά επίσης και ως προσαρμόσιμα οπτικά κάτοπτρα) είναι τα κάτοπτρα που διαθέτουν:

pt_114 α.

Μία συνεχή οπτική αντανακλώσα επιφάνεια, η οποία παραμορφώνεται δυναμικά με την εξάσκηση ροπών ή δυνάμεων ώστε να αντισταθμίζονται παραμορφώσεις του οπτικού κύματος που προσπίπτει επί του κατόπτρου, ή

β.

Πολλαπλά οπτικά αντανακλώντα στοιχεία τα οποία μπορούν να αναδιατάσσονται χωριστά και δυναμικά με την εξάσκηση ροπών ή δυνάμεων, ώστε να αντισταθμίζονται παραμορφώσεις του οπτικού κύματος που προσπίπτει επί του κατόπτρου.

Περιδίνηση τήγματος (1) είναι η διαδικασία με την οποία επιτυγχάνεται η ταχεία στερεοποίηση δέσμης τηγμένου μετάλλου η οποία προσπίπτει σε περιστρεφόμενο ψυχόμενο κύλινδρο και μετατρέπεται σε ένα προϊόν που έχει τη μορφή φολίδων, λωρίδων ή ράβδων. ΣΗΜ.:Ταχεία στερεοποίηση: στερεοποίηση τηγμένου μετάλλου με ρυθμούς ψύξεως άνω των 1000 K/sec.

Περιοχή ενδείξεων (6) είναι το προδιαγεγραμμένο πεδίο ευκρινών ενδείξεων ενός ραντάρ.

Πηγαίος κώδικας (ή πρωτογενής γλώσσα) (4 6 7 9) είναι ένας εύχρηστος χαρακτηρισμός μιας ή περισσοτέρων διαδικασιών οι οποίες είναι δυνατό να μετασχηματισθούν από ένα σύστημα προγραμματισμού σε μια μορφή εκτελέσιμη από υπολογιστή (καταληκτικός κώδικας (ή καταληκτική γλώσσα).

Πλήρης έλεγχος πτήσης (7) είναι πλήρης έλεγχος των μεταβλητών της κατάστασης του αεροσκάφους και του ίχνους πτήσης για την αντιμετώπιση στόχων της αποστολής του, που ανταποκρίνονται σε αλλαγές σε πραγματικό χρόνο στοιχείων σχετικά με τους στόχους, τους κινδύνους ή άλλα αεροσκάφη.

Πολιτικά αεροσκάφη (1 7 9) είναι τα αεροσκάφη που περιλαμβάνονται, κατόπιν δηλώσεως, σε δημοσιευμένους καταλόγους πτητικής ικανότητας από τις αρχές της πολιτικής αεροπορίας για να χρησιμοποιηθούν σε εμπορικά εσωτερικά και εξωτερικά δρομολόγια ή για κάθε νόμιμη μη στρατιωτική, ιδιωτική ή εμπορική χρήση. ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης αεροσκάφη.

Πολυφασματικοί αισθητήρες εικόνας (6) είναι ικανοί να εκτελούν ταυτόχρονη ή σειριακή λήψη δεδομένων εικόνας από δύο ή περισσότερες διακριτές ζώνες φάσματος. Οι αισθητήρες που έχουν περισσότερες από 20 διακριτές ζώνες φάσματος ονομάζονται ορισμένες φορές υπερφασματικοί αισθητήρες εικόνας.

Πόλωση (μετρητής επιτάχυνσης) (7) είναι το σήμα εξόδου ενός μετρητή επιτάχυνσης όταν η εφαρμοζόμενη επιτάχυνση είναι μηδενική.

Πρόγραμμα (2 6) είναι μια αλληλουχία εντολών για την διεξαγωγή μιας διαδικασίας, υπό μορφή εκτελέσιμη από ηλεκτρονικό υπολογιστή ή μετατρέψιμη σε εκτελέσιμη μορφή.

Προηγουμένως διαχωρισμένο (0 1) είναι η εφαρμογή μιας διαδικασίας που αποβλέπει στην αύξηση της συγκέντρωσης ενός ελεγχομένου ισοτόπου.

Προπλάσματα ανθρακικών ινών (1) είναι μια τακτική διάταξη ανεπικάλυπτων ή επικαλυμμένων ινών που προορίζεται να αποτελέσει πλαίσιο μέρους προτού εισαχθεί η μήτρα για να σχηματισθεί σύνθετο υλικό.

Προσωπική έξυπνη κάρτα (5) είναι μια έξυπνη κάρτα που περιέχει ένα μικροκύκλωμα το οποίο έχει προγραμματιστεί για συγκεκριμένη εφαρμογή και δεν είναι δυνατό να επαναπρογραμματιστεί για οιαδήποτε άλλη εφαρμογή από τον χρήστη.

Πυρηνικός αντιδραστήρας (0) είναι το σύνολο των διατάξεων που βρίσκονται εντός ή είναι απ’ ευθείας προσαρμοσμένες στον λέβητα του αντιδραστήρα, ο εξοπλισμός ο οποίος ρυθμίζει την στάθμη ισχύος στον πυρήνα, και τα κατασκευαστικά μέρη τα οποία κανονικά περιλαμβάνουν, έρχονται σε απ’ ευθείας επαφή ή ρυθμίζουν το πρωτεύον ψυκτικό μέσο στον πυρήνα του αντιδραστήρα.

Ραντάρ διεύρυνσης φάσματος (6) — βλ. Διεύρυνση φάσματος ραντάρ.

Ρυθμός αποκλίσεως (gyro) (7) είναι ο χρονορυθμός της αποκλίσεως των δεδομένων εξόδου από τα επιθυμητά δεδομένα εξόδου. Περιλαμβάνει τυχαίες και συστηματικές συνιστώσες και εκφράζεται σε ισοδύναμη γωνιακή απόκλιση των δεδομένων εισόδου ανά μονάδα χρόνου ως προς τον αδρανειακό χώρο.

Ρυθμός μεταβίβασης ψηφιακών δεδομένων είναι ο συνολικός ρυθμός σε bit της πληροφορίας που μεταβιβάζεται απευθείας με οποιοδήποτε μέσον. ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης συνολικός ρυθμός μεταβίβασης ψηφιακών πληροφοριών.

Ρομπότ (2 8) είναι ένας μηχανισμός χειρισμού συνεχούς ή ασυνεχούς τροχιάς, ο οποίος ενδέχεται να χρησιμοποιεί αισθητήρες και ο οποίος έχει όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: ΣΗΜ.: Ο παραπάνω ορισμός δεν περιλαμβάνει τις ακόλουθες διατάξεις:

pt_130 α.

Είναι πολυλειτουργικός,

β.

Είναι σε θέση να τοποθετεί ή να προσανατολίζει ειδικά, κατασκευαστικά τμήματα, εργαλεία ή ειδικές διατάξεις με τη βοήθεια μεταβλητών κινήσεων στον τρισδιάστατο χώρο,

γ.

Ενσωματώνει τρεις ή περισσότερους σερβομηχανισμούς κλειστού ή ανοιχτού κυκλώματος στους οποίους ενδέχεται να περιλαμβάνονται κλιμακωτοί κινητήρες· και

δ.

Διαθέτει δυνατότητα προγραμματισμού από το χρήστη με τη βοήθεια της μεθόδου teach/playback ή με τη βοήθεια ενός ηλεκτρονικού υπολογιστή που ενδέχεται να είναι μια προγραμματιζόμενη μονάδα λογικού ελέγχου, δηλαδή χωρίς μηχανική παρεμβολή.

1. Μηχανισμοί χειρισμού ελεγχόμενοι μόνον απ’ ευθείας από το χρήστη με τη βοήθεια τηλεχειριστή,

2. Μηχανισμοί χειρισμού καθορισμένης σειράς κινήσεων, οι οποίοι είναι διατάξεις που κινούνται αυτόματα και λειτουργούν σύμφωνα με μηχανικά καθοριζόμενες προγραμματισμένες κινήσεις. Το πρόγραμμα περιορίζεται μηχανικά με τη βοήθεια σταθερών διατάξεων, όπως ακίδων ή δοντιών. Η σειρά των κινήσεων και η επιλογή των τροχιών ή των γωνιών δεν είναι δυνατόν να κυμανθούν ή να μεταβληθούν μηχανικά, ηλεκτρονική ή ηλεκτρικά,

3. Μηχανισμοί χειρισμού μεταβλητής σειράς κινήσεων οι οποίοι ελέγχονται μηχανικά και είναι διατάξεις που κινούνται αυτόματα και λειτουργούν σύμφωνα με μηχανικά καθοριζόμενες προγραμματισμένες κινήσεις. Το πρόγραμμα περιορίζεται μηχανικά με τη βοήθεια σταθερών αλλά ρυθμιζόμενων διατάξεων, όπως ακίδων ή δοντιών. Η σειρά των κινήσεων και επιλογή των τροχιών ή των γωνιών μεταβάλλονται εντός των σταθερών ορίων που καθορίζονται από το πρόγραμμα. Οι μεταβολές ή οι τροποποιήσεις του προγράμματος (π.χ. αλλαγές των ακίδων ή των δοντιών) σε ένα ή περισσότερους άξονες κινήσεως πραγματοποιούνται μόνο με μηχανικούς χειρισμούς,

4. Μηχανισμοί χειρισμού μεταβλητής σειράς κινήσεων μη ελεγχόμενοι με τη βοήθεια σερβομηχανισμών, οι οποίοι είναι αυτόματα κινούμενες διατάξεις που εκτελούν μηχανικά καθοριζόμενες προγραμματισμένες κινήσεις. Το πρόγραμμα είναι δυνατό να μεταβληθεί αλλά η σειρά των κινήσεων κατευθύνεται από τα ψηφιακά σήματα που προέρχονται από μηχανικά καθοριζόμενες ηλεκτρικές δυαδικές διατάξεις ή ρυθμιζόμενες στάσεις,

5. Γερανοί στοιβασίας οριζόμενοι ως συστήματα χειρισμού, τριών βαθμών ελευθερίας, ενσωματωμένα σε μια κατακόρυφη σειρά δοχείων στοιβασίας, τα οποία επιτρέπουν την πρόσβαση στο εσωτερικό αυτών των δοχείων με σκοπό την αποθήκευση ή την ανάκτηση του περιεχομένου τους.

Σηματοδότηση μέσω κοινού διαύλου (5) είναι η μέθοδος σηματοδότησης στην οποία ένα μόνο κανάλι μεταξύ δύο κόμβων μεταβιβάζει, μέσω μηνυμάτων με ετικέτα, πληροφορίες σηματοδότησης που αφορούν πληθώρα κυκλωμάτων ή συνδιαλέξεων και άλλες πληροφορίες όπως αυτές που χρησιμοποιούνται στη διαχείριση δικτύων.

Σταθερότητα (7) είναι η τυπική απόκλιση (1 σ) της μεταβολής μιας συγκεκριμένης παραμέτρου από τη βαθμονομημένη τιμή της που μετριέται υπό σταθερές συνθήκες θερμοκρασίας. Η σταθερότητα είναι δυνατό να εκφραστεί ως συνάρτηση του χρόνου.

Στάθμη θορύβου (6) είναι ένα ηλεκτρικό σήμα εκφραζόμενο σε φασματική πυκνότητα ισχύος. Η σχέση μεταξύ της στάθμης θορύβου εκφραζόμενης από κορυφή σε κορυφή δίδεται με τον τύπο S 2pp — 8Νο(f2 — f1), όπου Spp είναι η τιμή του σήματος από κορυφή σε κορυφή (π.χ. σε nanotesla), Νο είναι η φασματική πυκνότητα ισχύος (π.χ σε (nanotesla)2/Hz) και (f2 — f1) ορίζει το αφορώμενο εύρος ζώνης.

Στεγανός (5) σημαίνει ότι ο αλγόριθμος για την κωδικοποίηση ή την συμπύκνωση δεν επιδέχεται εξωγενείς παραμέτρους (π.χ κρυπτογραφικές μεταβλητές ή κλείδες) και δεν είναι δυνατό να τροποποιηθεί από το χρήστη.

Στιγμιαίο εύρος ζώνης (3 5 7) είναι το εύρος ζώνης στο οποίο η ισχύς εξόδου παραμένει σταθερή με ακρίβεια 3 db χωρίς ρύθμιση ή χωρίς την παρέμβαση άλλων λειτουργικών παραμέτρων.

Στοιχειώδες μαγνητόμετρο (6) είναι ένας αυτοτελής αισθητήρας της κλίσεως του μαγνητικού πεδίου μαζί με τις σχετικές ηλεκτρονικές διατάξεις, του οποίου το σήμα εξόδου αποτελεί μέτρο της κλίσεως του μαγνητικού πεδίου. ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης μαγνητόμετρο.

Συγκόλληση μέσω διαχύσεως (1 2 9) είναι η βασιζόμενη στη φυσική στερεού μοριακή συγκόλληση δύο τουλάχιστον διαφορετικών μετάλλων σε ένα ενιαίο σώμα όπου η αντοχή της συγκόλλησης είναι ίση με την αντοχή του ασθενέστερου μετάλλου.

Σύμμειξη (1) νοείται η νήμα προς νήμα ανάμειξη θερμοπλαστικών και ενισχυτικών ινών για την παραγωγή μίγματος ενισχυτικού υλικού και υλικού βάσης υπό την μορφή ινών.

Συμμετέχον κράτος (7 9) είναι κάθε κράτος που συμμετέχει στη Ρύθμιση του Wassenaar (βλ. www.wassenaar.org).

Συμμετρικός αλγόριθμος (5) είναι ο κρυπτογραφικός αλγόριθμος που χρησιμοποιεί την ίδια κλείδα για την κρυπτογράφηση και την αποκρυπτογράφηση. ΣΗΜ.: Μια συνήθης χρήση συμμετρικών αλγορίθμων είναι η εμπιστευτικότητα των δεδομένων.

Συμπίεση παλμού (6) είναι η κωδικοποίηση και η επεξεργασία ενός παλμού (σήματος) ραντάρ μεγάλης διαρκείας σε έναν παλμό βραχείας διαρκείας, διατηρώντας τα πλεονεκτήματα της υψηλής παλμικής ενέργειας.

Συνθετητής συχνότητας (3) είναι κάθε πηγή συχνότητας ή γεννήτριας σημάτων, ανεξάρτητα από την τεχνική που χρησιμοποιείται, η οποία παρέχει μια ποικιλία ταυτόχρονων ή εναλλασσόμενων συχνοτήτων εξόδου, από μια ή περισσότερες εξόδους, οι οποίες ελέγχονται, παράγονται ή οδηγούνται από ένα μικρότερο αριθμό βασικών (master) συχνοτήτων ελέγχου.

Σύνθετο υλικό (1 2 6 8 9) είναι ένα πλέγμα και μία πρόσθετη φάση ή πρόσθετες φάσεις αποτελούμενες από σωματίδια, ινοκρυστάλλους, ίνες ή οποιονδήποτε συνδυασμό αυτών, των οποίων η παρουσία εξυπηρετεί ένα ή περισσότερους ειδικούς σκοπούς.

Συνολική θεωρητική επίδοση (CTP) (3 4) είναι μέτρο των υπολογιστικών επιδόσεων εκφρασμένων σε εκατομμύρια θεωρητικών πράξεων ανά δευτερόλεπτο (Mtops), το οποίο υπολογίζεται χρησιμοποιώντας την σύνθεση των υπολογιστικών στοιχείων (ΥΣ). ΣΗΜ.: Βλέπε κατηγορία 4, Τεχνικό Έγγραφο.

Συνολικός ρυθμός ψηφιακής μετάδοσης (5) είναι ο ρυθμός των bit, συμπεριλαμβανομένου και του κωδικού σύνδεσης, overhead κ.λπ. ανά μονάδα χρόνου ο οποίος διέρχεται μεταξύ των αντίστοιχων συσκευών σε ένα ψηφιακό σύστημα επικοινωνίας. ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης ψηφιακός ρυθμός μετάδοσης.

Συντελεστής κλίμακας (7) είναι ο λόγος της μεταβολής του μεγέθους εξόδου προς την μεταβολή του μεγέθους εισόδου το οποίο επιδιώκεται να μετρηθεί. Ο συντελεστής κλίμακας υπολογίζεται γενικά ως η κλίση της ευθείας που χαράσσεται με τη βοήθεια της μεθόδου των ελαχίστων τετραγώνων ώστε να προσαρμόζεται στα δεδομένα εισόδου-εξόδου τα οποία λαμβάνονται με την κυκλική μεταβολή των τιμών εισόδου εντός των ορίων μεταβολής των τιμών αυτών.

Συντονίσιμο (6) είναι ένα λέιζερ το οποίο είναι ικανό να παράγει συνεχές σήμα εξόδου σε όλα τα μήκη κύματος ενός φάσματος περισσότερων αποδιεγέρσεων λέιζερ. Ένα λέιζερ το οποίο εκπέμπει κατ’ επιλογή διάφορα διακεκριμένα μήκη κύματος (φασματικές γραμμές) εντός μιας αποδιεγέρσεως λέιζερ δεν θεωρείται ως συντονίσιμο.

Συστήματα εξουδετέρωσης ροπής με ρύθμιση ροής (7) είναι συστήματα τα οποία χρησιμοποιούν ρεύμα αέρος που διέρχεται πάνω από αεροδυναμικές επιφάνειες για να αυξήσουν τις δυνάμεις που παράγονται από τις επιφάνειες αυτές.

Συστοιχεία οπτικών αισθητήρων ελέγχου πτήσης (7) είναι ένα δίκτυο διανεμημένων οπτικών αισθητήρων, που χρησιμοποιούν ακτίνες laser, για την παροχή δεδομένων ελέγχου πτήσης σε πραγματικό χρόνο προς επεξεργασία επί του αεροσκάφους.

Συστήματα πλοήγησης βάσει καταχωρημένων δεδομένων (DBRN) (7) είναι συστήματα που χρησιμοποιούν διάφορες πηγές προμετρηθέντων χαρτογραφικών δεδομένων για να παρέχουν ακριβείς πληροφορίες ναυσιπλοΐας υπό δυναμικές συνθήκες. Οι πηγές δεδομένων περιλαμβάνουν βαθυμετρικούς χάρτες, αστρονομικούς χάρτες, χάρτες βαρύτητας, μαγνητικούς χάρτες ή τρισδιάστατους γεωγραφικούς χάρτες.

Συστοιχία εστιακού επιπέδου (6) είναι γραμμικό ή δισδιάστατο επίπεδο στρώμα, ή συνδυασμός επιπέδων στρωμάτων, επιμέρους στοιχείων ανιχνευτών με ή χωρίς ηλεκτρονικά συστήματα ανάγνωσης, που λειτουργούν στο εστιακό επίπεδο. ΣΗΜ.: Η συστοιχία δεν προορίζεται να περιλαμβάνει συστάδα μεμονωμένων στοιχείων ανιχνευτών ή ανιχνευτές των δύο, τριών ή τεσσάρων στοιχείων, με την προϋπόθεση ότι δεν εκτελούνται χρονική καθυστέρηση και ολοκλήρωση εντός του στοιχείου.

Συστολικός σύστοιχος υπολογιστής (4) είναι ένας υπολογιστής όπου η ροή και η μετατροπή των δεδομένων ελέγχεται δυναμικά από το χρήστη σε επίπεδο λογικής πύλης.

Ταινία (1) είναι ένα υλικό κατασκευασμένο από συμπεπλεγμένα ή μονής κατεύθυνσης μονόκλωνα νήματα, έμβολα, rovings, τίλματα ή νήματα κ.λπ. συνήθως προεμποτισμένα με ρητίνη. ΣΗΜ.:Έμβολο είναι δέσμη μονοκλώνων νημάτων (τυπικά άνω των 200) με περίπου παράλληλη διάταξη.

Ταχεία βαφή (1) είναι μια διαδικασία για την ταχεία στερεοποίηση ρέοντος τηγμένου μετάλλου το οποίο έρχεται σε επαφή με μια ψυχόμενη επιφάνεια όπου μετατρέπεται σε φολίδες. ΣΗΜ.:Ταχεία στερεοποίηση: στερεοποίηση τηγμένου υλικού με ρυθμούς ψύξεως άνω των 1000 Κ/sec.

Τεχνολογία (GTN NTN όλα) είναι οι εξειδικευμένες πληροφορίες που απαιτούνται για την ανάπτυξη, την παραγωγή ή τη χρήση προϊόντων. Οι πληροφορίες αυτές λαμβάνουν τη μορφή τεχνικών δεδομένων ή τεχνικής βοήθειας. ΣΗΜ. 1: Η τεχνική βοήθεια είναι δυνατό να λάβει τη μορφή παροχής οδηγιών, ανάπτυξης ικανοτήτων, κατάρτισης, μετάδοσης επαγγελματικής πείρας και παροχής συμβουλών και να συνοδεύεται από τη μετάβαση τεχνικών δεδομένων. ΣΗΜ. 2: Τα τεχνικά δεδομένα είναι δυνατό να λάβουν τη μορφή οδηγιών κατασκευής, σχεδίων, διαδρομών, μοντέλων, μαθηματικών τύπων, πινάκων, μηχανολογικών σχεδίων και προδιαγραφών, εγχειριδίων και οδηγιών υπό μορφή γραπτού κειμένου ή σε μαγνητική εγγραφή διάφορα μέσα ή διατάξεις όπως είναι οι μαγνητικοί δίσκοι, οι μαγνητοταινίες, οι μνήμες ROM.

Τίλμα (1) είναι μια δέσμη μονοκλώνων νημάτων, συνήθως περίπου παραλλήλων.

Τοξίνες (1 2) είναι οι τοξίνες υπό μορφή εκουσίως απομονωμένων σκευασμάτων ή μιγμάτων, ανεξάρτητα από τον τρόπο παρασκευής τους, στις οποίες δεν συμπεριλαμβάνονται οι τοξίνες οι οποίες περιέχονται ως μολυντικές προσμίξεις σε άλλα υλικά όπως παθολογικά δείγματα, φυτά, τρόφιμα ή σπόρια μικροοργανισμών.

Τοπικό δίκτυο (4) είναι ένα σύστημα μεταβίβασης δεδομένων το οποίο διαθέτει όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: ΣΗΜ.:Πομποδέκτης δεδομένων: συσκευή ικανή να μεταβιβάζει ή να λαμβάνει ακολουθίες ψηφιακών πληροφοριών.

pt_158 α.

Επιτρέπει σε ένα τυχόντα αριθμό ανεξάρτητων συσκευών δεδομένων να επικοινωνούν απ’ ευθείας η μια με την άλλη, και

β.

Περιορίζεται σε μια γεωγραφική περιοχή μικρού μεγέθους (π.χ ένα κτίριο γραφείων, ένα εργοστάσιο, μια πανεπιστημιούπολη, μια αποθήκη).

Τράπεζα σύνθετης περιστροφής (2) είναι μία επιφάνεια εργασίας που επιτρέπει την περιστροφή του κατεργαζόμενου τεμαχίου καθώς και την κλίση του γύρω από μη παράλληλους άξονες, οι οποίοι είναι δυνατό να συντονισθούν ταυτοχρόνως ώστε η κίνηση να ακολουθεί προκαθορισμένη τροχιά.

Υβριδικό ολοκληρωμένο κύκλωμα (3) είναι κάθε συνδυασμός ολοκληρωμένου(ων) κυκλώματος(ων), ή κάθε ολοκληρωμένο κύκλωμα με στοιχεία κυκλώματος ή διακριτά κατασκευαστικά μέρη τα οποία συνδέονται μεταξύ τους για να επιτελέσουν συγκεκριμένη(ες) λειτουργία(ες) και τα οποία έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: ΣΗΜ. 1:Στοιχείο κυκλώματος: ένα ενεργητικό ή παθητικό λειτουργικό μέρος ενός ηλεκτρονικού κυκλώματος, όπως μια δίοδος, ένα τρανζίστορ, μια αντίσταση, ένας πυκνωτής κ.λπ. ΣΗΜ. 2:Διακριτό κατασκευαστικό μέρος: ένα χωριστά συσκευασμένο στοιχείο κυκλώματος με τις δικές του εξωτερικές συνδέσεις.

pt_160 α.

Περιλαμβάνουν τουλάχιστον μια μη ενθυλακωμένη διάταξη,

β.

Είναι συνδεδεμένα μεταξύ τους με τη βοήθεια των συνήθων μεθόδων παραγωγής ολοκληρωμένων κυκλωμάτων,

γ.

Είναι δυνατόν να αντικατασταθούν ως ενιαίο σύνολο, και

δ.

Κατά κανόνα δεν είναι δυνατό να αποσυναρμολογηθούν.

Υβριδικός υπολογιστής (4) είναι κάθε διάταξη η οποία δύναται:

pt_161 α.

Να δέχεται δεδομένα,

β.

Να επεξεργάζεται δεδομένα, υπό αναλογική και υπό ψηφιακή μορφή, και

γ.

Να παρέχει δεδομένα στην έξοδο.

Υδραυλική συμπίεση αμέσου επενεργείας (2) είναι διαδικασία παραμόρφωσης στην οποία χρησιμοποιείται ένας εύκαμπτος ασκός γεμάτος υγρό ο οποίος έρχεται σε απευθείας επαφή με το κατεργαζόμενο υλικό.

Υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση UF6 (0) μπορούν να είναι χαλκός, ανοξείδωτος χάλυβας, αλουμίνιο, οξείδιο αλουμινίου, κράματα αλουμινίου, νικέλιο ή κράμα νικελίου με περιεκτικότητα σε νικέλιο 60 % και άνω κατά βάρος, καθώς και πλήρως φθοριωμένα πολυμερή υδρογονανθράκων ανθεκτικά στο UF6, ανάλογα με το είδος διεργασίας διαχωρισμού.

Υπεραγώγιμα (1 3 6 8) είναι υλικά, όπως μέταλλα, κράματα ή ενώσεις τα οποία παύουν να έχουν ηλεκτρική αντίσταση, δηλαδή τα οποία αποκτούν άπειρη ηλεκτρική αγωγιμότητα και είναι σε θέση να διοχετεύσουν πολύ υψηλές ηλεκτρικές εντάσεις χωρίς θερμικές απώλειες. ΣΗΜ.: Η υπεραγώγιμη κατάσταση ενός υλικού χαρακτηρίζεται από μια κρίσιμη θερμοκρασία, ένα κρίσιμο μαγνητικό πεδίο, το οποίο είναι συνάρτηση της θερμοκρασίας, και μια κρίσιμη πυκνότητα εντάσεως η οποία είναι επίσης συνάρτηση του μαγνητικού πεδίου και της θερμοκρασίας.

Υπερκράματα (2 9) είναι κράματα βασιζόμενα στο νικέλιο, το κοβάλτιο ή το σίδηρο, τα οποία έχουν ανώτερη αντοχή από οποιαδήποτε άλλα κράματα της σειράς ΑΙSI 300 σε θερμοκρασίες 922 Κ (649 °C) υπό δυσμενείς συνθήκες περιβάλλοντος και λειτουργίας.

Υπερπλαστική μορφοποίηση (1 2) είναι η θερμική διαμόρφωση μετάλλων των οποίων η επιμήκυνση θραύσης υπό κανονική θερμοκρασία είναι χαμηλή (κάτω του 20 %). Η θερμική διαμόρφωση έχει σκοπό να διπλασιάσει την επιμήκυνση αυτή.

Υποενότητα τοξίνης (1) είναι ένα δομικά και λειτουργικά ανεξάρτητο δομικό στοιχείο μιας πλήρους τοξίνης.

Υπολογιστικό στοιχείο (ΥΣ) (4) είναι η μικρότερη υπολογιστική μονάδα που παράγει ένα αριθμητικό ή λογικό αποτέλεσμα.

Υπόστρωμα (3) είναι ένα φύλλο υλικού που χρησιμεύει ως βάση, με ή χωρίς διασυνδέσεις, επί ή εντός του οποίου είναι δυνατό να τοποθετηθούν διακεκριμένα κατασκευαστικά στοιχεία ή ολοκληρωμένα κυκλώματα ή και τα δύο. ΣΗΜ. 1:Διακεκριμένο κατασκευαστικό στοιχείο: είναι ένα στοιχείο κυκλώματος τοποθετημένο σε χωριστό περίβλημα με τις δικές του εξωτερικές συνδέσεις. ΣΗΜ. 2:Στοιχείο κυκλώματος: ένα μεμονωμένο ενεργητικό ή παθητικό λειτουργικό μέρος ηλεκτρονικού κυκλώματος, όπως δίοδος, τρανζίστορ, αντίσταση ή ένας πυκνωτής κλπ.

ΥΣ ισοδυναμεί με υπολογιστικά στοιχεία

Φυγοκεντρικός ψεκασμός (1) είναι η διαδικασία για τη μετατροπή ρέοντος ή ηρεμούντος τηγμένου μετάλλου σε ψεκάδες διαμέτρου 500 μικρομέτρων δια φυγοκεντρίσεως.

Φυσικό ουράνιο (0) είναι το ουράνιο που περιέχει το μίγμα ισοτόπων που απαντά στη φύση.

Χημικό λέιζερ (6) είναι το λέιζερ στο οποίο η διέγερση προκαλείται από την ενέργεια που εκλύεται από μία χημική αντίδραση.

Χημικό μίγμα (1) είναι ένα στερεό, υγρό ή αέριο προϊόν αποτελούμενο από δύο ή περισσότερα συστατικά που δεν αντιδρούν μεταξύ τους υπό τις συνθήκες αποθήκευσης του προϊόντος.

Χρήση (GTN NTN όλα) είναι η λειτουργία, εγκατάσταση (όπου περιλαμβάνεται η εγκατάσταση στον τόπο λειτουργίας), συντήρηση (έλεγχος), επιδιόρθωση, ανακαίνιση και επανεξοπλισμό.

Χρονική σταθερά (6) είναι ο χρόνος ο οποίος απαιτείται ώστε η αύξηση του ρεύματος η οποία οφείλεται σε ένα φωτεινό ερέθισμα να φθάσει την τιμή 1-1/e φορές της τελικής της τιμής (δηλαδή το 63 % της τελικής της τιμής).

Χρόνος αλλαγής συχνότητας (3 5) είναι ο μέγιστος χρόνος για τη μεταγωγή ενός σήματος από μια επιλεγμένη συχνότητα εξόδου σε μια άλλη επιλεγμένη συχνότητα εξόδου, ώστε να φθάσει:

pt_177 α.

Σε μια συχνότητα που απέχει 100 Hz από την τελική συχνότητα ή

β.

Σε μία στάθμη εξόδου που απέχει 1 dB από την τελική στάθμη εξόδου.

Χρόνος ηρεμίας (3) είναι ο χρόνος που απαιτείται ώστε το σήμα εισόδου να μη διαφέρει πάνω από μισό bit από την τελική τιμή κατά τη μεταγωγή μεταξύ δύο επιπέδων ενός μετατροπέα.

Ψεκασμός εν κενώ (1) είναι η διαδικασία με την οποία μια ροή τηγμένου μετάλλου μεταβάλλεται σε σταγονίδια διαμέτρου 500 μικρομέτρων και κάτω με την ταχεία έκλυση ενός διαλελυμένου αερίου κατά την είσοδο του τήγματος σε κενό.

Ψηφιακός έλεγχος (2) είναι ο αυτόματος έλεγχος μιας διεργασίας που επιτελείται από μια διάταξη η οποία χρησιμοποιεί ψηφιακά δεδομένα τα οποία συνήθως εισάγονται κατά τη διάρκεια της διεργασίας (βλέπε ISO 2382).

Ψηφιακός υπολογιστής (4 5) είναι η συσκευή η οποία έχει τη δυνατότητα, υπό μορφή μιας ή περισσότερων συνεχών μεταβλητών, να εκτελέσει όλες τις ακόλουθες λειτουργίες: ΣΗΜ.: Στις τροποποιήσεις μιας αποθηκευμένης αλληλουχίας εντολών περιλαμβάνεται η αντικατάσταση σταθερών διατάξεων αποθήκευσης από μη υλικές αλλαγές στις διασυνδέσεις.

pt_181 α.

Να δεχθεί δεδομένα,

β.

Να αποθηκεύσει δεδομένα ή εντολές σε μόνιμες ή μεταβλητές διατάξεις αποθηκεύσεως,

γ.

Να επεξεργαστεί δεδομένα με τη βοήθεια μιας αποθηκευμένης αλληλουχίας εντολών η οποία είναι δυνατό να τροποποιηθεί, και

δ.

Να παρέχει δεδομένα στην έξοδο.

ΑΤΜ: αντιστοιχεί στην Ασύγχρονη μετάδοση.

CTP αντιστοιχεί στη συνολική θεωρητική επίδοση (composite theoretical performance).

FADEC ισοδυναμεί προς απόλυτος ψηφιακός έλεγχος κινητήρα (full authority digital engine control).

Q-switched laser (6) είναι ένα λέιζερ στο οποίο η ενέργεια αποθηκεύεται στην αντιστροφή πληθυσμού ή στον οπτικό συντονιστή και εκπέμπεται στη συνέχεια υπό μορφή παλμού.

Roving (1) είναι δέσμη (τυπικά 12-120) περίπου παραλλήλων εμβόλων. ΣΗΜ.:Έμβολο είναι η δέσμη μονοκλώνων νημάτων (τυπικά άνω των 200) με περίπου παράλληλη διάταξη.

SHPL αντιστοιχεί στο Laser πολύ μεγάλης ισχύος.

Τransfer laser (6) είναι ένα λέιζερ στο οποίο τα σωματίδιά του διεγείρονται από την ενέργεια που μεταδίδεται από τη σύγκρουση ατόμων ή μορίων μη φωτοενισχυτικού υλικού με τα άτομα ή τα μόρια του υλικού λέιζερ.

ΑΚΡΩΝΥΜΙΑ ΚΑΙ ΣΥΝΤΟΜΟΓΡΑΦΙΕΣ ΧΡΗΣΙΜΟΠΟΙΟΥΜΕΝΑ ΣΤΟ ΠΑΡΟΝ ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ

Τα ακρωνύμια ή οι συντομογραφίες που χρησιμοποιούνται ως οριζόμενοι όροι, περιλαμβάνονται στο τμήμα Ορισμοί των Όρων που χρησιμοποιούνται στο παρόν Παράρτημα. Ακρωνύμιο ή συντομογραφία Σημασία ABEC Annular Bearing Engineers Committee AGMA American Gear Manufacturers’ Association AHRS attitude and heading reference systems συστήματα αναφοράς θέσης και πορείας αεροσκάφους AISI American Iron and Steel Institute ALU arithmetic logic unit αριθμητική λογική μονάδα ANSI American National Standards Institute ASTM the American Society for Testing and Materials ATC air traffic control έλεγχος εναέριας κυκλοφορίας AVLIS atomic vapour laser isotope separation διαχωρισμός ισοτόπων με λέιζερ ατομικού ατμού CAD computer-aided-design σχεδίαση μέσω ηλεκτρονικού υπολογιστού CAS Chemical Abstracts Service CCITT International Telegraph and Telephone Consultative Committee Διεθνής Συμβουλευτική Επιτροπή Τηλεγραφίας και Τηλεφωνίας CDU control and display unit μονάδα ελέγχου και οπτικοποίησης CEP circular error probable πιθανότητα κυκλικού λάθους CNTD controlled nucleation thermal deposition θερμική αποσύνθεση με ελεγχόμενο πυρήνα αντιδράσεως CRISLA chemical reaction by isotope selective laser activation χημική αντίδραση με επιλεκτική ενεργοποίηση ισοτόπων με λέιζερ CVD chemical vapour deposition εναπόθεση ατμού με χημικές μεθόδους CW chemical warfare χημικός πόλεμος CW (για λέιζερ) continuous wave συνεχούς κύματος DME distance measuring equipment εξοπλισμός μέτρησης αποστάσεων DS directionally solidified κατευθυνόμενη στερεοποίηση EB-PVD electron beam physical vapour deposition εναπόθεση ατμού με φυσικές μεθόδους δέσμης ηλεκτρονίων EBU European Broadcasting Union Ευρωπαϊκή Ένωση Ραδιοφωνίας και Τηλεόρασης ECM electro-chemical machining ηλεκτροχημικές διεργασίες ECR electron cyclotron resonance συντονισμός ηλεκτρονικού κυκλοτρονίου EDM electrical discharge machines μηχανές ηλεκτρικής εκκένωσης EEPROMS electrically erasable programmable read only memory ηλεκτρικά αποσβέσιμες και προγραμματιζόμενες μνήμες ανάγνωσης μόνο EIA Electronic Industries Association EMC electromagnetic copatibility ηλεκτρομαγνητική συμβατότητα ETSI European Telecommunications Standards Institute Ευρωπαϊκό Ίδρυμα Τηλεπικοινωνιακών Προτύπων FFT Fast Fourier Transform ταχύς μετασχηματισμός Fourier GLONASS global navigation satellite system παγκόσμιο δορυφορικό σύστημα πλοήγησης GPS global positioning system εξοπλισμός λήψης ακριβούς θέσης HBT hetero-bipolar transistors ετεροδιπολικά τρανζίστορ HDDR high density digital recording ψηφιακή εγγραφή υψηλής πυκνότητας HEMT high electron mobility transistors τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα ICAO International Civil Aviation Organisation Διεθνής Οργανισμός Πολιτικής Αεροπορίας IEEE Institute of Electrical and Electronic Engineers IFOV instantaneous-field-of-view στιγμιαίο οπτικό πεδίο ILS instrument landing system σύστημα ενόργανης προσγείωσης IRIG inter-range instrumentation group ISAR inverse synthetic aperture radar ραντάρ με ανάστροφο συνθετικό διάφραγμα ΙSΟ Ιntrernational Organization for Standardization Διεθνής Οργανισμός Τυποποίησης ΙΤU Ιnternational Telecommunication Union Διεθνής Ένωση Τηλεπικοινωνιών(ΔΕΤ) JIS Japanese Industrial Standard ιαπωνικό βιομηχανικό πρότυπο JT Joule-Thomson LIDAR light detection and ranging Φωτοεντοπισμός LRU line replaceable unit μονάδα αντικαταστάτη στη γραμμή MAC message authentication code κωδικός ελέγχου γνησιότητας μηνύματος Mach ratio of speed of an object to speed of sound (after Ernest Mach) λόγος ταχύτητας αντικειμένου προς ταχύτητα ήχου (αριθμός Μαχ, από τον Ernst Mach) MLS microwave landing systems μικροκυματικά συστήματα προσγείωσης MLIS molecular laser isotope separation διαχωρισμός ισοτόπων με μοριακό λέιζερ MOCVD metal organic chemical vapour deposition χημική εναπόθεση ατμών οργανικών μεταλλικών ενώσεων MRI magnetic resonance imaging απεικόνιση με μαγνητικό συντονισμό MTBF mean-time-between-failures μέσος χρόνος μεταξύ αστοχιών Mtops million theoretical operations per second εκατομμ. θεωρητικές πράξεις ανά sec MTTF mean-time-to-failure μέσος χρόνος έως την αστοχία NBC Nuclear, Biological and Chemical Πυρηνικά, Βιολογικά και Χημικά NDT non-destructive test μη καταστρεπτικές τεχνικές δοκιμής PAR precision approach radar ραντάρ προσέγγισης ακριβείας PIN personal identification number προσωπικός αναγνωριστικός αριθμός ppm parts per million μέρη ανά εκατομμύριο PSD power spectral density φασματική πυκνότητα ισχύος QAM quadratures-amplitude-modulation τετραγωνισμένη διαμόρφωση πλάτους RF radio frequency Ραδιοσυχνότητες SACMA Suppliers of Advanced Composite Materials Association SAR synthetic aperture radar ραντάρ συνθετικού διαφράγματος SC single crystal Μονοκρυσταλλικά SLAR sidelooking airborne radar αερόφερτο ραντάρ πλευρικής σκόπευσης SMPTE Society of Monitor Pictures and Television Engineers SRA shop replaceable assembly συναρμολόγημα αντικαταστατό στο εργαστήριο SRAM static random access memory στατικές μνήμες RAM SSR secondary surveillance radar ραντάρ δευτερεύουσας επιτήρησης TCSEC trusted computer system evaluation criteria κριτήρια αξιολόγησης έμπιστων συστημάτων υπολογιστών TIR total indicated reading συνολική αναγραφόμενη ένδειξη UV ultraviolet υπεριώδης ακτινοβολία UTS ultimate tensile strength οριακή αντοχή σε εφελκυσμό VOR very high frequency omni-directional range YAG yttrium/aluminum garnet γρανάτης υττρίου-αργιλίου

ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 0 ΠΥΡΗΝΙΚΑ ΥΛΙΚΑ, ΕΓΚΑΤΑΣΤΑΣΕΙΣ ΚΑΙ ΕΞΟΠΛΙΣΜΟΣ

0AΕξοπλισμός, Τμήματα Εξοπλισμού και Κατασκευαστικά μέρη

0A001Πυρηνικοί αντιδραστήρες και τμήματα εξοπλισμού και κατασκευαστικά μέρη ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα γι' αυτούς, ως εξής:

α.

Πυρηνικοί αντιδραστήρες ικανοί να λειτουργούν κατά τρόπο ώστε να διατηρούν ελεγχόμενη αυτοσυντηρούμενη αλυσιδωτή αντίδραση σχάσεως,

β.

Μεταλλικά δοχεία ή μεγάλα μέρη τους κατασκευασμένα σε μηχανουργείο, ειδικά σχεδιασμένα ή ετοιμασμένα να περιλάβουν τον πυρήνα ενός πυρηνικού αντιδραστήρα, συμπεριλαμβανομένης της κεφαλής του δοχείου του αντιδραστήρα για δοχείο πιέσεως του αντιδραστήρα,

γ.

Εξοπλισμός χειρισμού ειδικά σχεδιασμένος ή κατασκευασμένος για την τοποθέτηση και αφαίρεση καυσίμου σε πυρηνικό αντιδραστήρα,

δ.

Ράβδοι ελέγχου ειδικά σχεδιασμένες ή κατασκευασμένες για τον έλεγχο της διεργασίας της σχάσης σε πυρηνικό αντιδραστήρα, όπου συμπεριλαμβάνεται και η βάση ή η ανάρτηση των ράβδων και οι καθοδηγητικοί μηχανισμοί και σωλήνες των ράβδων,

ε.

Σωλήνες πιέσεως ειδικά σχεδιασμένοι ή κατασκευασμένοι για να περιλάβουν τα στοιχεία καυσίμου ή το πρωτεύον ψυκτικό μέσο σε πυρηνικό αντιδραστήρα, όπου η πίεση λειτουργίας υπερβαίνει τα 5,1 ΜΡa,

στ.

Μεταλλικό ζιρκόνιο και κράματα ζιρκονίου υπό μορφή σωλήνων ή συνόλων σωλήνων, όπου ο λόγος του αφνίου προς το ζιρκόνιο είναι μικρότερος από 1:500 μέρη κατά βάρος, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για να χρησιμοποιηθούν σε πυρηνικό αντιδραστήρα,

ζ.

Αντλίες ψυκτικού μέσου ειδικά σχεδιασμένες ή κατασκευασμένες για την εξασφάλιση της κυκλοφορίας του πρωτεύοντος ψυκτικού μέσου σε πυρηνικούς αντιδραστήρες,

η.

Εσωτερικά στοιχεία πυρηνικών αντιδραστήρων, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για να χρησιμοποιηθούν σε πυρηνικό αντιδραστήρα, όπου περιλαμβάνονται οι στύλοι στήριξης του πυρήνα, οι δίαυλοι καυσίμου, οι θερμικοί θώρακες, τα πετάσματα εκτροπής, τα πετάσματα πλέγματος πυρήνα και τα πετάσματα διαχύτη, Σημείωση: Στο σημείο 0Α001.η., ως εσωτερικά στοιχεία πυρηνικών αντιδραστήρων νοείται κάθε σημαντική κατασκευή μέσα σε δοχείο αντιδραστήρα που επιτελεί μία ή περισσότερες λειτουργίες όπως να υποβαστάζει τον πυρήνα, να διατηρεί την ευθυγράμμιση του καυσίμου, να κατευθύνει τη ροή του πρωτογενούς ψυκτικού μέσου, να θωρακίζει το δοχείο του αντιδραστήρα κατά της ακτινοβολίας, και να καθοδηγεί τα εντός του πυρήνα όργανα,

θ.

Ανταλλακτήρες θερμότητας (ατμογεννήτριες), ειδικά σχεδιασμένοι ή κατασκευασμένοι για να χρησιμοποιηθούν στο πρωτεύον ψυκτικό κύκλωμα πυρηνικού αντιδραστήρα,

ι.

Όργανα ανίχνευσης και μέτρησης νετρονίων, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τον προσδιορισμό της ροής νετρονίων μέσα στον πυρήνα πυρηνικού αντιδραστήρα.

0BΕξοπλισμός δοκιμών, ελέγχου και παραγωγής

0B001Εγκαταστάσεις για το διαχωρισμό των ισοτόπων φυσικού ουρανίου, εξαντλημένου ουρανίου και ειδικών σχάσιμων υλικών και εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος ή κατασκευασμένος για το σκοπό αυτό, ως ακολούθως: 0B002Ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα βοηθητικά συστήματα, εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ως εξής για μονάδα διαχωρισμού ισοτόπων που προδιαγράφεται στο 0Β001, κατασκευασμένα ή με προστασία από υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6, 0B003Εγκαταστάσεις για τη μετατροπή ουρανίου και εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος ή κατασκευασμένος για το σκοπό αυτό, ως εξής: 0B004Εγκαταστάσεις για την παραγωγή ή τη συμπύκνωση βαρέος ύδατος, δευτερίου και ενώσεων δευτερίου και ειδικά σχεδιασμένος ή κατασκευασμένος προς τούτο εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη του εξοπλισμού αυτού, ως ακολούθως: 0B005Εγκαταστάσεις ειδικά σχεδιασμένες για την παραγωγή στοιχείων καυσίμου πυρηνικών αντιδραστήρων και εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος ή κατασκευασμένος για τις εγκαταστάσεις αυτές. Σημείωση: Εγκαταστάσεις για την παραγωγή στοιχείων καυσίμου για πυρηνικούς αντιδραστήρες περιλαμβάνουν εξοπλισμό ο οποίος: 0B006Εγκαταστάσεις για την επανεπεξεργασία ακτινοβολημένων στοιχείων καυσίμου πυρηνικών αντιδραστήρων και εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τις εγκαταστάσεις αυτές. Σημείωση: Το σημείο 0Β006 περιλαμβάνει: 0B007Εγκαταστάσεις μετατροπής πλουτωνίου και εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος ή κατασκευασμένος γι' αυτές, ως εξής:

α.

Εγκαταστάσεις ειδικά σχεδιασμένες για το διαχωρισμό ισοτόπων φυσικού ουρανίου, εξαντλημένου ουρανίου και ειδικών σχάσιμων υλικών, ως ακολούθως:

1. Εγκαταστάσεις διαχωρισμού με αέριο φυγοκέντρηση,

2. Εγκαταστάσεις διαχωρισμού με αέριο διάχυση,

3. Εγκαταστάσεις διαχωρισμού με αεροδυναμικές μεθόδους,

4. Εγκαταστάσεις διαχωρισμού με χημική ανταλλαγή,

5. Εγκαταστάσεις διαχωρισμού με ανταλλαγή ιόντων,

6. Εγκαταστάσεις διαχωρισμού ισοτόπων με λέιζερ ατομικού ατμού (AVLIS),

7. Εγκαταστάσεις διαχωρισμού ισοτόπων με μοριακό λέιζερ (MLIS),

8. Εγκαταστάσεις διαχωρισμού πλάσματος,

9. Ηλεκτρομαγνητικές εγκαταστάσεις διαχωρισμού,

β.

Φυγοκεντρητήρες αερίων, συγκροτήματα και κατασκευαστικά μέρη ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για το διαχωρισμό με αεριοφυγοκέντρηση, ως εξής: Σημείωση: Στο 0B001.β, ως υλικά με υψηλό λόγο αντοχής προς πυκνότητα νοούνται τα εξής:

α.

Βαμμένος μαρτενσιτικός χάλυβας με ανώτατο όριο εφελκυσμού 2050 MPa και άνω,

β.

Κράματα αλουμινίου με ανώτατο όριο εφελκυσμού 460 MPa και άνω,

γ.

Ινώδη ή νηματώδη υλικά με ειδικό μέτρο ελαστικότητας άνω των 3,18 × 106 m και ειδική αντοχή σε εφελκυσμό άνω των 76,2 × 103 m.

1. Φυγοκεντρητήρες αερίου,

2. Πλήρη σύνολα στροφέα,

3. Σωληνωτοί κύλινδροι στροφέα πάχους τοιχώματος 12 mm και κάτω, διαμέτρου μεταξύ 75 mm και 400 mm, κατασκευασμένοι από υλικά με υψηλό λόγο αντοχής προς πυκνότητα,

4. Δακτύλιοι ή φυσητήρες με πάχος τοιχώματος 3 mm και κάτω και διάμετρο μεταξύ 75 mm και 400 mm, σχεδιασμένοι για τη στήριξη ενός σωλήνα στροφέα ή για τη συνένωση πολλών τέτοιων σωλήνων, κατασκευασμένοι από υλικά με υψηλό λόγο αντοχής προς πυκνότητα,

5. Διαφράγματα διαμέτρου μεταξύ 75 mm και 400 mm προοριζόμενα να τοποθετηθούν μέσα σε σωλήνα στροφέα, κατασκευασμένα από υλικά με υψηλό λόγο αντοχής προς πυκνότητα,

6. Επάνω και κάτω καλύμματα διαμέτρου μεταξύ 75 mm και 400 mm τοποθετούμενα στα άκρα των σωλήνων στροφέα, κατασκευασμένα από υλικά με υψηλό λόγο αντοχής προς πυκνότητα,

7. Μαγνητικά έδρανα εξαρτήσεως αποτελούμενα από έναν δακτυλιοειδή μαγνήτη εξαρτημένο εντός περιβλήματος κατασκευασμένου από ή προστατευμένου με υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6, που περιέχουν αποσβεστικό μέσο και έχουν το μαγνήτη συζευγμένο με εξάρτημα πόλου ή με έναν δεύτερο μαγνήτη τοποθετημένο στην κεφαλή του στροφέα,

8. Ειδικά κατασκευασμένα έδρανα τα οποία περιλαμβάνουν σύνολο σφαιρικού άξονα και σφαιρικής υποδοχής, προσαρμοσμένο σε έναν αποσβεστήρα κραδασμών,

9. Μοριακές αντλίες αποτελούμενες από κυλίνδρους οι οποίοι φέρουν εσωτερικώς εκτορευμένες ή εξηλασμένες ελικοειδείς αύλακες και εσωτερικώς εκτορευμένες οπές,

10. Δακτυλιοειδείς στάτες κινητήρων για πολυφασικούς κινητήρες AC με υστέρηση για σύγχρονη λειτουργία εντός κενού στην περιοχή συχνοτήτων 600 ως 2000 Hz και στην περιοχή ισχύος από 50 ως 1000 VA,

11. Καλύμματα/δοχεία φυγοκεντρητήρων που περιέχουν το συναρμολογημένο σύνολο σωλήνων στροφέα ενός φυγοκεντρητήρα αερίων, αποτελούμενα από άκαμπτο κύλινδρο, πάχους τοιχωμάτων έως 30 mm, με άκρα επεξεργασμένα με υψηλή ακρίβεια και κατασκευασμένα ή φέροντα προστασία από υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6,

12. Απαγωγοί αποτελούμενοι από σωλήνες εσωτερικής διαμέτρου έως 12 mm για την αφαίρεση αερίου UF6 από το εσωτερικό του σωλήνα του στροφέα ενός φυγοκεντρητήρα με δράση σωλήνος Pitot, κατασκευασμένοι ή φέροντες προστασία από υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6,

13. Μετατροπείς συχνότητας (μεταλλάκτες ή αναστροφείς) ειδικά σχεδιασμένοι για την τροφοδοσία του στάτη του κινητήρα για τον εμπλουτισμό με αέρια φυγοκέντρηση, με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, και ειδικά σχεδιασμένα κατασκευαστικά μέρη των μετατροπέων αυτών:

13. α.

Πολυφασική έξοδος 600 έως 2000 Ηz,

β.

Έλεγχος συχνότητας καλύτερος από 0,1 %,

γ.

Αρμονική παραμόρφωση χαμηλότερη από 2 %, και

δ.

Αποδοτικότητα μεγαλύτερη από 80 %,

γ.

Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τον διαχωρισμό με αέριο διάχυση, ως ακολούθως:

1. Πετάσματα αερίου διαχύσεως από πορώδη μεταλλικά, πολυμερή ή κεραμικά υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6 με μέγεθος πόρων 10 έως 100 nm, πάχους 5 mm και κάτω και, στην περίπτωση σωληνωτής μορφής, διαμέτρου 25 mm και κάτω,

2. Περιβλήματα διαχύτη αερίου κατασκευασμένα ή φέροντα προστασία από υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6,

3. Συμπιεστές (τύποι ροής: θετικής μετατόπισης, φυγοκεντρικός και αξονικός) ή φυσητήρες αερίων, με δυναμικότητα αναρρόφησης όγκου 1 m3/min UF6 και πλέον και πίεση εκκένωσης μέχρι 666,7 kPa, κατασκευασμένοι ή φέροντες προστασία από υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6,

4. Στεγανοποιητικά παρεμβύσματα περιστροφικού άξονα για συμπιεστές ή φυσητήρες που προδιαγράφονται στο σημείο 0Β001.γ.3 και σχεδιασμένα για ρυθμό εισροής ρυθμιστικού αερίου κάτω των 1000 cm3/min.,

5. Εναλλάκτες θερμότητας κατασκευασμένοι από αλουμίνιο, χαλκό, νικέλιο ή κράματα με περιεκτικότητα άνω του 60 % σε νικέλιο ή από συνδυασμούς αυτών των μετάλλων υπό μορφή επενδεδυμένων σωλήνων, που προορίζονται να λειτουργούν σε πιέσεις υπό την ατμοσφαιρική, με ρυθμούς διαρροής που περιορίζουν την αύξηση της πιέσεως λιγότερο από 10 Pa ανά ώρα υπό διαφορά πιέσεως 100 kPa,

6. Βαλβίδες φυσητήρων κατασκευασμένες ή φέρουσες προστασία από υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6, διαμέτρου 40 mm έως 1500 mm,

δ.

Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τη διαδικασία αεροδυναμικού διαχωρισμού, ως ακολούθως:

1. Ακροφύσια διαχωρισμού αποτελούμενα από καμπύλους σωληνίσκους υπό μορφή εγκοπής με ακτίνα καμπυλότητας μικρότερη από 1 mm, ανθεκτικούς στη διάβρωση από UF6, τα οποία φέρουν διαχωριστική λεπίδα εντός του ακροφυσίου, η οποία διαχωρίζει το αέριο που διέρχεται από το ακροφύσιο σε δύο ρεύματα,

2. Κυλινδρικοί ή κωνικοί σωλήνες κινούμενοι από την ροή του αερίου με εφαπτομενικά τοποθετημένες εισόδους (σωλήνες περιδινήσεως) κατασκευασμένοι ή φέροντες προστασία από υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6, διαμέτρου μεταξύ 0,5 cm και 4 cm και λόγο μήκους προς διάμετρο το πολύ 20:1 και με μία ή περισσότερες εφαπτομενικές εισαγωγές,

3. Συμπιεστές (τύποι ροής: θετικής μετατόπισης, φυγοκεντρικός και αξονικός) ή φυσητήρες αερίων με δυναμικότητα αναρρόφησης όγκου 2 m3/min, ή περισσότερα, κατασκευασμένοι ή φέροντες προστασία από υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6, και στεγανοποιητικά παρεμβύσματα περιστροφικού άξονα για αυτούς,

4. Εναλλάκτες θερμότητας κατασκευασμένοι από υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6,

5. Περιβλήματα για τα στοιχεία των συστημάτων αεροδυναμικού διαχωρισμού, κατασκευασμένα ή φέροντα προστασία από υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6, για την κάλυψη σωλήνων περιδινήσεως ή ακροφυσίων διαχωρισμού,

6. Βαλβίδες φυσητήρων, κατασκευασμένες ή φέρουσες προστασία από υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6, διαμέτρου 40 έως 1500 mm,

7. Συστήματα επεξεργασίας για το διαχωρισμό του UF6 από το φέρον αέριο (υδρογόνο ή ήλιο) με περιεκτικότητα σε UF6 το πολύ 1 ppm, στα οποία περιλαμβάνονται:

7. α.

Κρυογονικοί εναλλάκτες θερμότητας και κρυοδιαχωριστές, ικανοί να επιτυγχάνουν θερμοκρασίες 153 K (– 120 °C) ή χαμηλότερες,

β.

κρυογονικές μονάδες ψύξεως, ικανές να επιτυγχάνουν θερμοκρασίες 153 K (– 120 °C) ή χαμηλότερες,

γ.

Μονάδες ακροφυσίων διαχωρισμού ή σωλήνων περιδινήσεως για τον διαχωρισμό του UF6 από το φέρον αέριο,

δ.

Ψυχρές παγίδες UF6, ικανές να επιτυγχάνουν θερμοκρασίες 253 K (– 20 °C) ή χαμηλότερες,

ε.

Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για την διαδικασία χημικού διαχωρισμού, ως ακολούθως:

1. Παλμικές στήλες ταχείας ανταλλαγής υγρού-υγρού, με χρόνους διαδικασίας το πολύ 30 sec και ανθεκτικές στο πυκνό υδροχλωρικό οξύ (π.χ. κατασκευασμένες ή φέρουσες προστασία από κατάλληλα πλαστικά υλικά, όπως πολυμερή φθορανθράκων ή ύαλο),

2. Φυγοκεντρικοί εκχειλιστές υγρού-υγρού ταχείας ανταλλαγής, με χρόνους διαδικασίας το πολύ 30 sec και ανθεκτικοί στο πυκνό υδροχλωρικό οξύ (π.χ. κατασκευασμένοι ή φέροντες προστασία από κατάλληλα πλαστικά υλικά όπως πολυμερή φθορανθράκων ή ύαλο),

3. Στοιχεία ηλεκτροχημικής αναγωγής ανθεκτικά στα διαλύματα πυκνού υδροχλωρικού οξέος, κατασκευασμένα για την αναγωγή ουρανίου από μία κατάσταση σθένους σε άλλη,

4. Εξοπλισμός τροφοδοσίας στοιχείων ηλεκτροχημικής αναγωγής για τη λήψη U+4 από το οργανικό ρεύμα και, όσον αφορά τα τμήματα που ευρίσκονται σε επαφή με το ρεύμα της διαδικασίας, κατασκευασμένος ή με προστασία από κατάλληλα υλικά (π.χ. ύαλος, πολυμερή φθορανθράκων, θειικό πολυφαινύλιο, σουλφονικός πολυαιθέρας και γραφίτης εμποτισμένος με ρητίνες),

5. Συστήματα προετοιμασίας της τροφοδοσίας για την παραγωγή διαλύματος χλωριούχου ουρανίου υψηλής καθαρότητας, αποτελούμενα από εξοπλισμό διάλυσης, αφαίρεσης του διαλύτη και/ή ανταλλαγής ιόντων για την κάθαρση και ηλεκτρολυτικά στοιχεία για την αναγωγή του U+6 ή U+4 σε U+3,

6. Συστήματα οξείδωσης ουρανίου, για την οξείδωση του U+3 σε U+4,

στ.

Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για την διαδικασία διαχωρισμού μέσω ανταλλαγής ιόντων, ως εξής:

1. Ρητίνες ανταλλαγής ιόντων ταχείας αντιδράσεως, υμενοειδείς ή πορώδεις ρητίνες διαμορφωμένες σε μακρο-πλέγμα, στο οποίο οι ενεργές ομάδες χημικής ανταλλαγής περιορίζονται σε ένα επίχρισμα στην επιφάνεια αδρανούς πορώδους βασικής δομής και άλλων συνθετικών δομών οποιασδήποτε κατάλληλης μορφής, περιλαμβανομένων σωματιδίων ή ινών με διαμέτρους το πολύ 0,2 mm, ανθεκτικές στο πυκνό υδροχλωρικό οξύ και κατασκευασμένες ώστε να έχουν χρόνο ημιζωής της ανταλλαγής κάτω των 10 sec και ικανές να λειτουργούν σε θερμοκρασίες στην περιοχή 373 K (– 100 °C) έως 473 K (– 200 °C),

2. Στήλες ανταλλαγής ιόντων (κυλινδρικές), διαμέτρου άνω των 1000 mm, κατασκευασμένες ή με προστασία από υλικά ανθεκτικά στο πυκνό υδροχλωρικό οξύ (π.χ. τιτάνιο ή πλαστικά με βάση φθοράνθρακες) και ικανές να λειτουργούν σε θερμοκρασίες στην περιοχή των 373 K (– 100 °C) έως 473 K (– 200 °C), και πιέσεις άνω των 0,7 ΜΡa,

3. Συστήματα ανταλλαγής ιόντων αντιστρόφου ροής (χημικά ή ηλεκτροχημικά συστήματα οξείδωσης ή αναγωγής) για την αναγέννηση των χημικών αναγωγικών ή οξειδωτικών ουσιών που χρησιμοποιούνται σε καταιονήσεις εμπλουτισμού ανταλλαγής ιόντων,

ζ.

Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για διαδικασίες διαχωρισμού ισοτόπων με λέιζερ ατομικού ατμού (AVLIS), ως ακολούθως:

1. Εκτοξευτές και σαρωτές δέσμης ηλεκτρονίων υψηλής ισχύος (strip or scanning electron beam guns) με ρευματική ισχύ άνω των 2,5 kW/cm για χρήση σε συστήματα εξατμίσεως του ουρανίου,

2. Συστήματα χειρισμού υγρού μεταλλικού ουρανίου, για λιωμένο ουράνιο ή κράματα ουρανίου, αποτελούμενα από πυριαντήρια κατασκευασμένα ή με προστασία από κατάλληλα υλικά ανθεκτικά στην θερμότητα και στη διάβρωση (π.χ. ταντάλιο, γραφίτης με επένδυση υττρίας, γραφίτης επενδεδυμένος με άλλα οξείδια σπανίων γαιών ή μιγμάτων τους) και εξοπλισμός ψύξεως των πυριαντηρίων, ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 2Α225.

3. Συστήματα συλλογής προϊόντων και υπολειμμάτων κατασκευασμένα ή επενδεδυμένα με υλικά ανθεκτικά στην θερμότητα και την διάβρωση από το μεταλλικό ουράνιο σε υγρή ή αέρια κατάσταση, όπως είναι ο γραφίτης με επένδυση από υττρία ή το ταντάλιο,

4. Περιβλήματα τμημάτων διαχωριστών (κυλινδρικά ή παραλληλεπίπεδα δοχεία) για την συγκράτηση της πηγής ατμών μετάλλου ουρανίου, του εκτοξευτή δέσμης ηλεκτρονίων και των συλλεκτών των προϊόντων και υπολειμμάτων,

5. Λέιζερ ή συστήματα λέιζερ για τον διαχωρισμό ισοτόπων ουρανίου, με σταθεροποιητή συχνότητας φάσματος για χρονικά παρατεταμένη λειτουργία, ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΑ 6Α005 ΚΑΙ 6Α205.

η.

Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για την διαδικασία διαχωρισμού ισοτόπων με μοριακό λέιζερ (MLIS) ή για χημική αντίδραση με επιλεκτική ενεργοποίηση ισοτόπων με λέιζερ (CRISLA), ως ακολούθως:

1. Ακροφύσια υπερηχητικής εκτονώσεως για την ψύξη μιγμάτων UF6 και φέροντος αερίου στους 150 Κ (– 123 °C) ή χαμηλότερα και κατασκευασμένα από υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6,

2. Συλλέκτες προϊόντων πενταφθοριούχου ουρανίου (UF5), αποτελούμενοι από φίλτρο, συλλέκτες προσκρούσεως ή κυκλωνικού τύπου ή συνδυασμοί των ανωτέρω και κατασκευασμένοι από υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF5/UF6,

3. Συμπιεστές κατασκευασμένοι ή φέροντες προστασία από υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6, στεγανοποιητικά παρεμβύσματα περιστροφικού άξονα για αυτούς,

4. Εξοπλισμός για την φθορίωση του (στερεού) UF5 σε (αέριο) UF6,

5. Συστήματα επεξεργασίας για το διαχωρισμό του UF6 από το φέρον αέριο (π.χ. άζωτο ή αργό), όπου συμπεριλαμβάνονται:

5. α.

Κρυογονικοί εναλλάκτες θερμότητας και κρυοδιαχωριστές ικανοί να επιτυγχάνουν θερμοκρασίες 153 K (– 120 °C) ή χαμηλότερες,

β.

Κρυογονικές μονάδες ψύξεως ικανές να επιτυγχάνουν θερμοκρασίες 153 K (– 120 °C) ή χαμηλότερες,

γ.

Ψυχρές παγίδες UF6 ικανές να επιτυγχάνουν σε θερμοκρασίες 253 K (– 20 °C) ή χαμηλότερες,

6. Λέιζερ ή συστήματα λέιζερ για το διαχωρισμό των ισοτόπων του ουρανίου με σταθεροποιητή φασματικής συχνότητας για λειτουργία επί μακρές χρονικές περιόδους. ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΑ 6Α005 ΚΑΙ 6Α205.

θ.

Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για την διαδικασία διαχωρισμού πλάσματος, ως ακολούθως:

1. Πηγές ισχύος εκπομπής μικροκυμάτων και κεραίες για την παραγωγή ή την επιτάχυνση ιόντων, με συχνότητα εξόδου άνω των 30 GHz και μέση ισχύ εξόδου άνω των 50 kW,

2. Πηνία ραδιοσυχνοτήτων για την διέγερση των ιόντων με συχνότητες λειτουργίας άνω των 100 kHz και ικανά να αντέξουν μέση ισχύ άνω των 40 kW,

3. Συστήματα παραγωγής πλάσματος ουρανίου,

4. Συστήματα χειρισμού υγρού μετάλλου για λιωμένο ουράνιο ή κράματα ουρανίου, αποτελούμενα από πυριαντήρια, κατασκευασμένα ή φέροντα προστασίες από κατάλληλα υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση και στη θερμότητα (π.χ. ταντάλιο, γραφίτης με επένδυση υττρίας, γραφίτης με επένδυση οξειδίων άλλων σπανίων γαιών ή μίγματα των ανωτέρω) και εξοπλισμός ψύξεως για τα πυριαντήρια, ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 2Α225.

5. Συλλέκτες προϊόντων και καταλοίπων κατασκευασμένοι ή επενδεδυμένοι με υλικά ανθεκτικά στην θερμότητα και στην διάβρωση που προκαλούν οι ατμοί ουρανίου, όπως γραφίτη επενδεδυμένο με ύττριο, ή ταντάλιο,

6. Περιβλήματα τμημάτων διαχωριστών (κυλινδρικά), για την συγκράτηση της πηγής πλάσματος ουρανίου, του πηνίου παραγωγής ραδιοσυχνοτήτων και των συλλεκτών των προϊόντων και των υπολειμμάτων και κατασκευασμένα από κατάλληλο μη μαγνητικό υλικό (π.χ. ανοξείδωτο χάλυβα),

ι.

Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τη διαδικασία ηλεκτρομαγνητικού διαχωρισμού, ως εξής:

1. Πηγές ιόντων, απλές ή πολλαπλές, αποτελούμενες από πηγή ατμών, ιονιστή και επιταχυντή δέσμης κατασκευασμένες από κατάλληλα μη μαγνητικά υλικά (π.χ. γραφίτη, ανοξείδωτο χάλυβα ή χαλκό) και ικανές να παρέχουν συνολικό ρεύμα δέσμης ιόντων τάξεως τουλάχιστον 50 mA,

2. Πλάκες συλλογής ιόντων για τη συλλογή δεσμών ιόντων εμπλουτισμένου ή εξαντλημένου ουρανίου, αποτελούμενες από δύο ή περισσότερες σχισμές και εσοχές και κατασκευασμένες από κατάλληλα μη μαγνητικά υλικά (π.χ. γραφίτη ή ανοξείδωτο χάλυβα),

3. Περιβλήματα κενού για ηλεκτρομαγνητικούς διαχωριστές ουρανίου, κατασκευασμένα από μη μαγνητικά υλικά (π.χ. ανοξείδωτο χάλυβα) και σχεδιασμένα για να λειτουργούν σε πιέσεις το πολύ 0,1 Ρa,

4. Τμήματα μαγνητικών πόλων, διαμέτρου άνω των 2 m,

5. Τροφοδοτικά ισχύος υψηλής τάσεως για πηγές ιόντων, διαθέτοντα όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 3Α227.

5. α.

Ικανά για συνεχή λειτουργία,

β.

Τάση εξόδου τουλάχιστον 20000 V,

γ.

Ρεύμα εξόδου τουλάχιστον 1 Α, και

δ.

Ρύθμιση τάσεως καλύτερη του 0,01 % για χρονικό διάστημα 8 ωρών,

6. Τροφοδοτικά ισχύος μαγνητών (υψηλή ισχύς, συνεχές ρεύμα), διαθέτοντα όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 3Α226.

6. α.

Δυνατότητα συνεχούς λειτουργίας, με ρεύμα εξόδου τουλάχιστον 500 Α σε τάση τουλάχιστον 100 V, και

β.

Ρύθμιση ρεύματος ή τάσεως καλύτερη του 0,01 % σε διάστημα 8 ωρών,

α.

Αυτόκλειστα τροφοδοσίας, κλίβανοι ή συστήματα που χρησιμοποιούνται για τη διοχέτευση του UF6 στη διαδικασία εμπλουτισμού,

β.

Απεξαχνωτές ή ψυχρές παγίδες που χρησιμεύουν για την αφαίρεση του UF6 από την διαδικασία εμπλουτισμού για επακόλουθη μεταφορά κατόπιν θερμάνσεως,

γ.

Σταθμοί προϊόντων και υπολειμμάτων για την μεταφορά του UF6 σε περιέκτες,

δ.

Σταθμοί υγροποίησης ή στερεοποίησης για την αφαίρεση του UF6 από τη διαδικασία εμπλουτισμού μέσω συμπίεσης, ψύξης και μετατροπής του UF6 σε υγρή ή στερεή μορφή,

ε.

Συστήματα σωληνώσεων και συστήματα διανομής ειδικά σχεδιασμένα για τη λειτουργία με UF6 σε αέριο διάχυση, φυγοκέντρηση, ή αεροδυναμική καταιόνηση,

στ.

1. Συστήματα σωληναγωγών κενού ή κεφαλές σωληναγωγών κενού με απορροφητική ικανότητα 5 m3/min και άνω, ή

2. Αντλίες κενού ειδικά σχεδιασμένες για χρήση σε ατμόσφαιρες που περιέχουν UF6,

ζ.

Φασματόμετρα μάζας UF6/πηγές ιόντων ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για την δειγματοληψία on-line πρώτης ύλης, προϊόντων ή καταλοίπων από τις ροές UF6, τα οποία διαθέτουν το σύνολο των ακόλουθων χαρακτηριστικών:

1. Μοναδιαία διακριτική ικανότητα μάζας ανώτερη από 320 amu,

2. Πηγές ιόντων κατασκευασμένες ή επενδεδυμένες με nichrome ή monel, ή επινικελωμένες,

3. Πηγές ιονισμού μέσω βομβαρδισμού ηλεκτρονίων, και

4. Συστήματα συλλεκτών, κατάλληλα για ανάλυση ισοτόπων.

α.

Συστήματα για τη μετατροπή συμπυκνωμένου μεταλλεύματος ουρανίου σε UO3,

β.

Συστήματα για τη μετατροπή του UO3 σε UF6,

γ.

Συστήματα για τη μετατροπή του UO3 σε UO2,

δ.

Συστήματα για τη μετατροπή του UO2 σε UF4,

ε.

Συστήματα για τη μετατροπή του UF4 σε UF6,

στ.

Συστήματα για τη μετατροπή του UF4 σε μεταλλικό ουράνιο,

ζ.

Συστήματα για τη μετατροπή του UF6 σε UO2,

η.

Συστήματα για τη μετατροπή του UF6 σε UF4,

θ.

Συστήματα για τη μετατροπή του UΟ2 σε UCl4.

α.

Εγκαταστάσεις για την παραγωγή βαρέος ύδατος, δευτερίου ή ενώσεων δευτερίου ως ακολούθως:

1. Εγκαταστάσεις ανταλλαγής ύδατος-υδροθείου,

2. Εγκαταστάσεις ανταλλαγής αμμωνίας-υδρογόνου,

β.

Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ως ακολούθως:

1. Πύργοι ανταλλαγής ύδατος-υδροθείου κατασκευασμένοι από χάλυβα λεπτόκοκκου άνθρακα (π.χ. ASTM A516), με διάμετρο από 6 ως 9 μέτρα, ικανότητα λειτουργίας σε πιέσεις τουλάχιστον 2 MPa και ανοχή διάβρωσης τουλάχιστον 6 mm,

2. Μονοσταδιακοί φυγοκεντρικοί φυσητήρες ή συμπιεστές χαμηλής (δηλ. 0,2 MPa) υπερπίεσης για την κυκλοφορία του αέριου υδροθείου (δηλ. αερίου με περισσότερο από 70 % H2S), με ικανότητα συνολικής παροχής τουλάχιστον 56 m3/sec όταν λειτουργούν υπό αναρροφητική πίεση 1,8 MPa και άνω, και με στεγανοποιητές σχεδιασμένους για λειτουργία σε ατμόσφαιρα υδροθείου-υγρασίας,

3. Πύργοι ανταλλαγής αμμωνίας-υδρογόνου ύψους 35 μέτρων και άνω, με διάμετρο από 1,5 ως 2,5 μέτρα και ικανότητα λειτουργίας σε πιέσεις άνω των 15 MPa,

4. Εσωτερικά κατασκευαστικά στοιχεία πύργων, συμπεριλαμβανομένων των βαθμιδωτών επαφέων, και βαθμιδωτές αντλίες, συμπεριλαμβανομένων των βυθιζόμενων αντλιών, για την παραγωγή βαρέος ύδατος με τη μέθοδο της ανταλλαγής αμμωνίας-υδρογόνου,

5. Διασπαστήρες αμμωνίας σχεδιασμένοι για πιέσεις λειτουργίας άνω των 3 MPa, για την παραγωγή βαρέος ύδατος με τη μέθοδο της ανταλλαγής αμμωνίας-υδρογόνου,

6. Αναλυτές απορρόφησης υπέρυθρων ακτίνων για την on-line ανάλυση της αναλογίας υδρογόνου-δευτερίου, όπου οι συγκεντρώσεις του δευτερίου είναι ίσες ή μεγαλύτερες από 90 %,

7. Καταλυτικοί καυστήρες για τη μετατροπή εμπλουτισμένου αέριου δευτερίου σε βαρύ ύδωρ με τη μέθοδο της ανταλλαγής αμμωνίας-υδρογόνου,

8. Πλήρη συστήματα εμπλουτισμού βαρέος ύδατος, ή στήλες για τέτοια συστήματα, ώστε η περιεκτικότητά του σε δευτέριο να το καθιστά κατάλληλο να χρησιμοποιηθεί σε αντιδραστήρα.

α.

Κανονικά έρχεται σε άμεση επαφή ή χρησιμεύει άμεσα στην κατεργασία ή τον έλεγχο της ροής παραγωγής πυρηνικών υλικών,

β.

Περιβάλλει με στεγανό περίβλημα τα πυρηνικά υλικά,

γ.

Ελέγχει την ακεραιότητα των περιβλημάτων ή των επισυγκολλήσεων, ή

δ.

Ελέγχει την τελική κατεργασία του σφραγισμένου καυσίμου.

α.

Εγκαταστάσεις για την επανεπεξεργασία ακτινοβολημένων στοιχείων καυσίμου πυρηνικών αντιδραστήρων· περιλαμβάνονται εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη τα οποία κανονικά έρχονται σε άμεση επαφή και χρησιμεύουν άμεσα για τον έλεγχο του ακτινοβολημένου καυσίμου και των κυριοτέρων ροών κατεργασίας των πυρηνικών υλικών και των προϊόντων σχάσεως,

β.

Μηχανές κοπής ή τεμαχισμού των στοιχείων καυσίμου, δηλαδή τηλεχειριζόμενο εξοπλισμό για την κοπή, τον μικροτεμαχισμό, την απόσχιση ή τον ψαλιδισμό ακτινοβολημένων διατάξεων, δεσμών ή ράβδων καυσίμου πυρηνικών αντιδραστήρων,

γ.

Διαλυτοποιητές, ασφαλείς δεξαμενές για την αποφυγή της κρισιμότητας (π.χ. δακτυλιοειδείς ή ορθογώνιες δεξαμενές μικρής διαμέτρου) ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για την διάλυση ακτινοβολημένου καυσίμου πυρηνικών αντιδραστήρων, με αντοχή στην θερμότητα, τα ισχυρά διαβρωτικά υγρά, και που είναι δυνατόν να τροφοδοτηθούν και να συντηρηθούν με τηλεχειρισμό,

δ.

Συσκευές για την εξαγωγή του διαλύτη αντίστροφης ροής και εξοπλισμό κατεργασίας μέσω ανταλλαγής ιόντων ειδικά σχεδιασμένες ή κατασκευασμένες για να χρησιμοποιηθούν σε εγκαταστάσεις επανεπεξεργασίας ακτινοβολημένου φυσικού ουρανίου, εξαντλημένου ουρανίου ή ειδικών σχάσιμων υλικών,

ε.

Λέβητες συγκράτησης ή αποθήκευσης ειδικά σχεδιασμένους ώστε να είναι ασφαλείς από την άποψη της κρισιμότητας και ανθεκτικοί στην διαβρωτική ενέργεια του νιτρικού οξέος, Σημείωση: Οι λέβητες συγκράτησης ή αποθήκευσης είναι δυνατόν να έχουν τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Τοιχώματα ή εσωτερικές κατασκευές με ισοδύναμο βορίου (υπολογιζόμενο για όλα τα δομικά μέρη όπως ορίζεται στη σημείωση του σημείου 0C004) τουλάχιστον 2 %,

2. Μέγιστη διάμετρο 175 mm για τα κυλινδρικά δοχεία, ή

3. Μέγιστο πλάτος 75 mm για τα ορθογώνια ή τα δακτυλιοειδή δοχεία.

στ.

Όργανα ελέγχου των διεργασιών ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για την παρακολούθηση ή τον έλεγχο της επανεπεξεργασίας ακτινοβολημένου φυσικού ουρανίου, εξαντλημένου ουρανίου ή ειδικών σχάσιμων υλικών.

α.

Συστήματα για τη μετατροπή του νιτρικού πλουτωνίου σε οξείδιο του πλουτωνίου,

β.

Συστήματα για την παραγωγή μεταλλικού πλουτωνίου.

0CΥλικά 0C001Φυσικό ουράνιο ή εξαντλημένο ουράνιο ή θόριο υπό μορφή μετάλλου, κράματος, χημικής ένωσης ή συμπυκνώματος καθώς και κάθε άλλο υλικό το οποίο περιέχει ένα ή περισσότερα από τα προηγούμενα υλικά, Σημείωση: Το σημείο 0C001 δεν περιλαμβάνει τα εξής: 0C002Ειδικά σχάσιμα υλικά. Σημείωση: Το σημείο 0C002 δεν υπάγει σε έλεγχο τις ποσότητες μέχρι και τεσσάρων ενεργών γραμμαρίων όταν περιέχονται ως ανιχνευτικό συστατικό σε όργανα. 0C003Δευτέριο, βαρύ ύδωρ (οξείδιο του δευτερίου) και άλλες ενώσεις δευτερίου, καθώς και μείγματα και διαλύματα τα οποία περιέχουν δευτέριο, όπου η ισοτοπική αναλογία δευτερίου προς υδρογόνο υπερβαίνει το 1:5000. 0C004Γραφίτης κατάλληλος για πυρηνική χρήση, με καθαρότητα κάτω των 5 ppm ισοδυνάμου βορίου και πυκνότητα άνω του 1,5g/cm3. ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 1C107 Σημείωση 1: Το σημείο 1C004 δεν υπάγει σε έλεγχο τα ακόλουθα: Σημείωση 2: Στο σημείο 0C004, το ισοδύναμο βορίου (BE) ορίζεται ως το άθροισμα των BEz για τις προσμίξεις (πλην του BEC, αφού ο άνθρακας δεν θεωρείται πρόσμιξη), συμπεριλαμβανομένου του βορίου, όπου: BEz (ppm) = CF × συγκέντρωση στοιχείου Z σε ppm, CF είναι ο συντελεστής μετατροπής = σZABσBAZ και σB και σZ είναι αντιστοίχως οι διατομές δεσμεύσεως θερμικών νετρονίων του φυσικού βορίου και του στοιχείου Z σε barn, ενώ AB και AZ είναι αντιστοίχως οι ατομικές μάζες του φυσικού βορίου και του στοιχείου Z. 0C005Ενώσεις ή σκόνες ειδικά κατασκευασμένες για την παραγωγή διαφραγμάτων αερίου διαχύσεως, ανθεκτικές στη διάβρωση από το UF6 (π.χ. νικέλιο ή κράμα με περιεκτικότητα σε νικέλιο 60 % και άνω κατά βάρος, οξείδιο του αλουμινίου και πλήρως φθοριωμένα πολυμερή υδατανθράκων), με καθαρότητα 99,9 % κατά βάρος και άνω και μέσο μέγεθος σωματιδίων κάτω των 10 μικρομέτρων μετρημένο βάσει του προτύπου B330 της American Society for Testing and Materials (Αμερικανική Εταιρεία Δοκιμών και Υλικών) (ASTM) και με υψηλό βαθμό ομοιογένειας των σωματιδίων.

0CΥλικά α.

Τέσσερα γραμμάρια και κάτω φυσικό ουράνιο ή εξαντλημένο ουράνιο όταν περιέχεται ως ανιχνευτικό συστατικό σε όργανα,

β.

Εξαντλημένο ουράνιο το οποίο έχει ειδικά παραχθεί για τις ακόλουθες πολιτικές μη πυρηνικές χρήσεις:

1. Θωράκιση,

2. Συσκευασία,

3. Έρμα, μάζας όχι μεγαλύτερης των 100 kg,

4. Αντίβαρο, μάζας όχι μεγαλύτερης των 100 kg,

γ.

Κράματα με θόριο σε ποσοστό κάτω του 5 %,

δ.

Κεραμικά προϊόντα με θόριο, κατασκευασμένα για μη πυρηνική χρήση.

α.

Κατασκευάσματα από γραφίτη με μάζα κάτω του 1 Kg, εκτός από όσα έχουν σχεδιαστεί ή παρασκευαστεί ειδικά για να χρησιμοποιηθούν σε πυρηνικό αντιδραστήρα,

β.

Γραφιτόσκονη.

0DΛογισμικό 0D001Λογισμικό ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την ανάπτυξη, παραγωγή ή χρήση προϊόντων που καθορίζονται σε αυτήν την κατηγορία.

0EΤεχνολογία 0E001Τεχνολογία σύμφωνα με το σημείωμα για την Πυρηνική Τεχνολογία για την ανάπτυξη, παραγωγή ή χρήση προϊόντων που περιγράφονται σε αυτήν την κατηγορία.

ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 1 ΥΛΙΚΑ, ΧΗΜΙΚΕΣ ΟΥΣΙΕΣ, ΜΙΚΡΟΟΡΓΑΝΙΣΜΟΙ & ΤΟΞΙΝΕΣ

1AΣυστήματα, Εξοπλισμός και Εξαρτήματα Τεχνική παρατήρηση:

1A001Εξαρτήματα από φθοριωμένα προϊόντα, ως εξής: 1A002Σύνθετες δομές ή ελάσματα, που έχουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα: ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛ. ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΑ 1Α202, 9Α010 ΚΑΙ 9Α110 Σημ. 1: Στο σημείο 1Α002 δεν υπάγονται σύνθετες δομές ή ελάσματα κατασκευασμένα από υλικά ινώδους ή νηματώδους άνθρακα διαποτισμένου με εποξικές ρητίνες, για την επισκευή στοιχείων αεροσκαφών ή ελασμάτων, εφόσον οι διαστάσεις δεν υπερβαίνουν το 1 m2. Σημ. 2: Στο σημείο 1Α002 δεν υπάγονται τελικά ή ημικατεργασμένα προϊόντα που έχουν σχεδιαστεί για καθαρά πολιτικές εφαρμογές ως εξής: 1A003Προϊόντα από μη-φθοριωμένες πολυμερείς ουσίες που ορίζονται στο σημείο 1C008.α.3., σε φιλμ, φύλλα, ταινίες ή ιμάντες, με ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: Σημ.: Στο σημείο 1Α003 δεν υπάγονται προϊόντα που είναι επιχρισμένα ή ελασμένα με χαλκό και έχουν σχεδιαστεί για την παραγωγή ηλεκτρονικών τυπωμένων κυκλωμάτων. 1A004Εξοπλισμός και εξαρτήματα προστασίας και ανίχνευσης, εκτός εκείνων που ορίζονται στους ελέγχους στρατιωτικών υλικών, ως εξής: ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΑ 2B351 ΚΑΙ 2B352. Σημ.: Στο σημείο 1Α004 δεν υπάγονται: 1A005Προσωπικοί θώρακες και ειδικά σχεδιασμένα κατασκευαστικά μέρη τους, εκτός εκείνων που παρασκευάζονται για να καλύπτουν στρατιωτικά πρότυπα ή προδιαγραφών ή τα ισοδύναμά τους ως προς την απόδοση. ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ. ΣΗΜΕΙΩΣΗ: Για τα ινώδη ή νηματώδη υλικά που χρησιμοποιούνται στην κατασκευή προσωπικών θωράκων, βλ. σημείο 1C010. Σημ. 1: Στο σημείο 1Α005 δεν υπάγονται οι προσωπικοί θώρακες και τα προστατευτικά ενδύματα, όταν συνοδεύουν τον χρήστη τους για την προσωπική του προστασία. Σημ. 2: Στο σημείο 1Α005 δεν υπάγονται οι προσωπικοί θώρακες που έχουν σχεδιαστεί για να παρέχουν μετωπική προστασία μόνο από θραύσματα ή ωστικό κύμα από μη στρατιωτικά εκρηκτικά. 1A102Επανακορεσμένα κατασκευαστικά στοιχεία από πυρολυμένο άνθρακα-άνθρακα, σχεδιασμένα για οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή για πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104. 1A202Σύνθετες δομές, πλην εκείνων που ορίζονται στο σημείο 1Α002, υπό μορφή σωλήνων και που έχουν τα εξής δύο χαρακτηριστικά: ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΑ 9Α010 ΚΑΙ 9Α110. 1A225Καταλύτες λευκόχρυσου ειδικά σχεδιασμένοι ή παρασκευασμένοι για ισοτοπικές αντιδράσεις ανταλλαγής μεταξύ υδρογόνου και ύδατος, για την ανάκτηση τριτίου από βαρύ ύδωρ ή για την παραγωγή βαρέος ύδατος. 1A226Ειδικά συσκευάσματα που μπορούν να χρησιμοποιηθούν για τον διαχωρισμό βαρέος ύδατος από κανονικό ύδωρ, και που έχουν τα εξής δύο χαρακτηριστικά: 1A227Παράθυρα ασφαλείας έναντι ακτινοβολιών υψηλής πυκνότητας (μολυβδύαλος ή άλλα) που έχουν όλα τα εξής χαρακτηριστικά και ειδικά σχεδιασμένα για το σκοπό αυτό πλαίσια: Στο σημείο 1Α227, ο όρος ψυχρή περιοχή αφορά τη διαφανή επιφάνεια του παραθύρου που είναι εκτεθειμένη στη χαμηλότερη στάθμη ακτινοβολίας σύμφωνα με την εφαρμογή του σχεδίου.

1AΣυστήματα, Εξοπλισμός και Εξαρτήματα α.

Παρεμβύσματα, φλάντζες, σφραγιστικά ή πλωτήρες καυσίμου ειδικά σχεδιασμένα για αεροπλάνα ή διαστημικά σκάφη, κατασκευασμένα από οποιοδήποτε υλικό που ορίζεται στο σημείο 1C009.β. ή 1C009.γ, σε αναλογία 50 % και άνω,

β.

Πιεζοηλεκτρικά πολυμερή και συμπολυμερή κατασκευασμένα από φθοριούχο βινυλιδένιο που ορίζεται στο σημείο 1C009.α.:

1. σε φύλλα ή σε φιλμ, και

2. πάχους ανωτέρου των 200 μm,

γ.

Παρεμβύσματα, φλάντζες, έδρες βαλβίδων, πλωτήρες ή διαφράγματα κατασκευασμένα από φθοριοελαστομερή περιέχοντα τουλάχιστον μία βινυλαιθερική ομάδα ως συστατική μονάδα, ειδικά σχεδιασμένα για αεροπλάνα, διαστημικά σκάφη ή βλήματα. Σημείωση: Στο σημείο 1Α001.γ, βλήματα νοούνται τα πλήρη πυραυλικά συστήματα και τα συστήματα μη επανδρωμένων οχημάτων αέρος.

α.

Οργανική μήτρα και είναι κατασκευασμένα από τα υλικά που ορίζονται στα σημεία 1C010.γ., 1C010.δ. ή 1C010.ε., ή

β.

Μια μεταλλική ή ανθρακική μήτρα και είναι κατασκευασμένα από:

1. Ανθρακούχα ινώδη ή νηματώδη υλικά με:

1. α.

ειδικό συντελεστή άνω των 10,15 × 106 m, και

β.

ειδική αντίσταση εφελκυσμού άνω των 17,7 × 104 m, ή

2. Υλικά που ορίζονται στο σημείο 1C010.γ.

α.

Αθλητικά προϊόντα

β.

Αυτοκινητοβιομηχανία

γ.

Βιομηχανία εργαλειομηχανών

δ.

Ιατρικές εφαρμογές.

α.

Πάχος ανώτερο των 0,254 mm, ή

β.

Επιχρισμένα ή ελασμένα με άνθρακα, γραφίτη, μέταλλα ή μαγνητικές ουσίες.

α.

Μάσκες αερίου, κάνιστρα διηθήσεως και εξοπλισμός απολύμανσής τους, που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την άμυνα κατά βιολογικών παραγόντων ή ραδιενεργών υλικών προσαρμοσμένων για πολεμική χρήση ή παραγόντων χημικού πολέμου (CW) και ειδικά σχεδιασμένα εξαρτήματά τους,

β.

Προστατευτικές ενδυμασίες, γάντια και παπούτσια που έχουν ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την άμυνα κατά βιολογικών παραγόντων ή ραδιενεργών υλικών προσαρμοσμένων για πολεμική χρήση ή παραγόντων χημικού πολέμου (CW),

γ.

Πυρηνικά, βιολογικά και χημικά (ΝΒC) συστήματα ανίχνευσης που έχουν ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την ανίχνευση ή τον εντοπισμό βιολογικών παραγόντων ή ραδιενεργών υλικών προσαρμοσμένων για πολεμική χρήση ή παραγόντων χημικού πολέμου (CW) και ειδικά σχεδιασμένα εξαρτήματά τους,

α.

Προσωπικά δοσίμετρα παρακολούθησης της ακτινοβολίας,

β.

Εξοπλισμός ο οποίος από το σχεδιασμό ή τη λειτουργία του περιορίζεται στην προστασία από κινδύνους που ιδιάζουν στις πολιτικές βιομηχανίες, όπως οι βιομηχανίες στους τομείς των μεταλλείων, των λατομείων, της γεωργίας, των φαρμακευτικών προϊόντων, της ιατρικής, της κτηνιατρικής, του περιβάλλοντος, της διαχείρισης αποβλήτων ή των τροφίμων.

α.

Εσωτερική διάμετρο μεταξύ 75 mm και 400 mm, και

β.

Κατασκευασμένες από οιοδήποτε από τα ινώδη ή νηματώδη υλικά που ορίζονται στο σημείο 1C010.α. ή β. ή 1C210.α. ή από ανθρακούχα προ-εμποτίσματα που ορίζονται στο σημείο 1C210.γ.

α.

Παρασκευασμένα από πλέγμα φωσφορούχου χαλκού (αμφότερα χημικά επεξεργασμένα για βελτίωση της διαβρεκτικότητας), και

β.

Σχεδιασμένα για να χρησιμοποιούνται σε πύργους απόσταξης εν κενώ.

α.

Πλευράς μεγαλύτερης του 0,09 m2, σε ψυχρή περιοχή,

β.

Πυκνότητας ανώτερης των 3 g/cm3, και

γ.

Πάχους 100 mm ή ανωτέρου.

1BΕξοπλισμός δοκιμών, επιθεώρησης και παραγωγής

1B001Εξοπλισμός για την παραγωγή ινών, προ-εμποτισμάτων, προ-μορφωμάτων ή συνθέτων όπως ορίζονται στα σημεία 1Α002 ή 1C010, ως εξής, και ειδικά σχεδιασμένα για το σκοπό αυτό συστατικά και εξαρτήματα: ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΑ 1Β101 ΚΑΙ 1Β201. 1B002Εξοπλισμός για την παραγωγή κραμάτων μετάλλων, σκόνης μεταλλικών κραμάτων ή κραματικών υλικών, ειδικά σχεδιασμένος για την αποφυγή μόλυνσης και ειδικά σχεδιασμένος όπως ορίζονται στα σημεία για χρησιμοποίηση σε μία από τις διεργασίες του σημείου 1C002.γ.2 ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ ΙΒ102 1B003Εργαλεία, μήτρες, καλούπια ή εξαρτήματα για υπερελαστική διαμόρφωση ή για συγκόλληση με διάχυση (diffusion bonding) τιτανίου ή αλουμινίου ή κραμάτων τους ειδικά σχεδιασμένα για την παραγωγή: 1B101Εξοπλισμός, πλην αυτού που ορίζεται στο σημείο 1Β001, για την παραγωγή δομικών συνθέτων, ως εξής, και ειδικά σχεδιασμένων κατασκευαστικών μερών και εξαρτημάτων γι' αυτόν: ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 1Β201. Σημ.: Κατασκευαστικά μέρη και εξαρτήματα που ορίζονται στο σημείο 1B101 περιλαμβάνουν καλούπια, μαντρέλια, μήτρες, εξαρτήματα και εργαλεία για εκτύπωση προμορφωμάτων, για φινίρισμα, για έγχυση, για σύντηξη ή συγκόλληση σύνθετων δομών, ελασμάτων και προϊόντων τους. 1B102Εξοπλισμός παραγωγής μεταλλικών κόνεων, πλην του αναφερόμενου στο σημείο 1B002, και στοιχεία του, ως εξής: ΣΗΜΕΙΩΣΗ: Βλ. και σημείο 1B115.β. Σημ.: Το σημείο 1Β102 περιλαμβάνει: 1B115Εξοπλισμός, πλην του αναφερόμενου στα σημεία 1B002 και 1B102, για την παραγωγή προωθητικών και συστατικών για προωθητικά, ως εξής, και ειδικά σχεδιασμένα στοιχεία για τον σκοπό αυτό. Σημ. 1: Για εξοπλισμό ειδικά σχεδιασμένο για την παραγωγή στρατιωτικών υλικών, βλέπε Ελέγχους Στρατιωτικών Υλικών. Σημ. 2: Στο σημείο 1Β115 δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός για την παραγωγή διαχείριση και αποδοχή δοκιμών καρβιδίων βορίου. 1B116Ειδικά σχεδιασμένα ακροφύσια για την παραγωγή πυρολυτικώς λαμβανομένων υλικών εισαγομένων σε μήτρες, μαντρέλια, ή άλλα υποστρώματα από πρόδρομα αέρια που αποσυντίθενται μεταξύ 1573 Κ (1300 °C) έως 3173 Κ (2900 °C) και σε πιέσεις από 130 Ρa έως 20 kΡa. 1B117Αναμικτήρες παρτίδων με πρόβλεψη για ανάμιξη υπό κενό σε πιέσεις από 0 έως 13,326 kΡa και ικανότητα ελέγχου της θερμοκρασίας του θαλάμου ανάμιξης και με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά, καθώς και στοιχεία ειδικά σχεδιασμένα γι' αυτούς: 1B118Αναμικτήρες συνεχούς ανάμιξης με πρόβλεψη για ανάμιξη υπό κενό σε πιέσεις από 0 έως 13,326 kΡa και ικανότητα ελέγχου της θερμοκρασίας του θαλάμου ανάμιξης και με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά, καθώς και στοιχεία ειδικά σχεδιασμένα γι' αυτούς: 1B119Μύλοι ρευστής ενέργειας χρησιμοποιήσιμοι για το άλεσμα ή τη λειοτρίβηση ουσιών προσδιοριζόμενων στα σημεία 1C011.a., 1C011.b., 1C111 ή στους Ελέγχους Στρατιωτικών Υλικών, καθώς και στοιχεία ειδικά σχεδιασμένα γι' αυτούς: 1B201Μηχανές περιέλιξης νημάτων, εκτός αυτών που ορίζονται στο σημείο 1Β001 ή 1Β101, και συναφής εξοπλισμός, ως εξής: 1B225Ηλεκτρολυτικά κύτταρα για την παραγωγή φθορίου με παραγωγική δυνατότητα ανώτερη των 250 g φθορίου την ώρα. 1B226Ηλεκτρομαγνητικοί διαχωριστές ισοτόπων σχεδιασμένοι για ή εφοδιασμένοι με απλές ή πολλαπλές πηγές ιόντων, ικανοί να παράγουν συνολικό ρεύμα δέσμης ιόντων 50 mΑ και άνω. Σημ.: Το σημείο 1Β226 περιλαμβάνει διαχωριστές: 1B227Μετατροπείς για τη σύνθεση αμμωνίας ή μονάδες σύνθεσης αμμωνίας στις οποίες το αέριο σύνθεσης (άζωτο και υδρογόνο) λαμβάνεται από μία ανταλλακτική στήλη υψηλής πίεσης αμμωνίας/υδρογόνου και η παραγόμενη αμμωνία επιστρέφει στην προαναφερόμενη στήλη. 1B228Αποστακτικές κρυογονικές στήλες υδρογόνου που διαθέτουν όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά: 1B229Ανταλλακτικές στήλες νερού-υδροθείου, με δίσκους, και τα εσωτερικά εξαρτήματα επαφής τους, ως εξής: Σημ.: Για στήλες ειδικά σχεδιασμένες ή κατασκευασμένες για την παραγωγή βαρέος ύδατος βλέπε 0Β004. 1B230Αντλίες ικανές για την κυκλοφόρηση διαλυμάτων πυκνών ή αραιωμένων καταλυτών αμιδίου του καλίου σε υγρή αμμωνία (KNH2/NH3), με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά: 1B231Εγκαταστάσεις ή εργοστάσια τριτίου και εξοπλισμός τους, ως εξής: 1B232Στροβιλοδιαστολείς ή συστήματα στροβιλοδιαστολέως συμπιεστού μετά εξής δύο χαρακτηριστικά: 1B233Εγκαταστάσεις, ή εργοστάσια για τη διαχώριση ισοτόπων λιθίου και εξοπλισμός τους, ως εξής:

α.

Μηχανές περιέλιξης νημάτων στις οποίες οι κινήσεις τοποθέτησης, περιτύλιξης και περιέλιξης ινών συντονίζονται και προγραμματίζονται σε τρεις ή περισσότερους άξονες, ειδικά σχεδιασμένες για την κατασκευή σύνθετων δομών ή ελασμάτων από ινώδη ή νηματώδη υλικά,

β.

Μηχανές τοποθέτησης ταινιών ή τοποθέτησης καλωδίων των οποίων οι κινήσεις ρύθμισης και τοποθέτησης ταινιών, καλωδίων ή φύλλων συντονίζονται και προγραμματίζονται σε δύο ή περισσότερους άξονες, ειδικά σχεδιασμένες για την κατασκευή συνθέτων πλαισίων αεροσκαφών ή πυραυλικών κατασκευών, Σημ.: Στο σημείο 1Β001.β. πυραυλικά νοούνται τα πλήρη πυραυλικά συστήματα και τα συστήματα μη επανδρωμένων οχημάτων αέρος.

γ. Τεχνική παρατήρηση:

Μηχανές ύφανσης πολλαπλών κατευθύνσεων και πολλαπλών διαστάσεων ή μηχανές πλεξίματος, όπου συμπεριλαμβάνονται και οι προσαρμογές καθώς και τα σύνεργα μετατροπής, για την ύφανση και το πλέξιμο ινών στην παραγωγή συνθέτων δομών, Για τους σκοπούς του σημείου 1B001.γ, ο όρος πλέξιμο καλύπτει τους δύο αγγλικούς όρους interlacing και knitting. Σημ.: Στο σημείο 1Β001.γ. δεν υπάγονται οι μη τροποποιημένες για τις προαναφερόμενες τελικές χρήσεις μηχανές κλωστοϋφαντουργίας.

δ.

Εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος ή προσαρμοσμένος για την παραγωγή ενισχυτικών ινών, ως εξής:

1. Εξοπλισμός μετατροπής πολυμερών ινών (όπως από πολυακρυλονιτρίλια, από ρεγιόν, από φυσικές ρητίνες ή πολυκαρβοσιλάνια) σε ίνες άνθρακα ή ίνες σιλικονούχων καρβιδίων, συμπεριλαμβανομένου και του εξοπλισμού τάνυσης ινών εν θερμώ,

2. Εξοπλισμός για την χημική εναπόθεση ατμού στοιχείων ή ουσιών σε θερμά νηματώδη υποστρώματα, για την παραγωγή ινών σιλικονούχων καρβιδίων,

3. Εξοπλισμός υγράς ύφανσης αδρανών κεραμικών (όπως οξειδίων του αλουμινίου),

4. Εξοπλισμός μετατροπής προδρόμων ινών που περιέχουν αλουμίνιο σε ίνες αλουμίνας με εν θερμώ επεξεργασία,

ε.

Εξοπλισμός παραγωγής προ-εμποτισμάτων όπως ορίζονται στο 1C010.ε., με τη μέθοδο της εν θερμώ έγχυσης,

στ.

Εξοπλισμός μη καταστροφικού ελέγχου ικανός για τον έλεγχο ελαττωμάτων, τριών διαστάσεων, που χρησιμοποιεί τομογραφία υπερήχων ή ακτίνων Χ, ειδικά σχεδιασμένος για σύνθετα υλικά.

α.

Πλαισίων αεροσκαφών ή αεροδιαστημικών,

β.

Μηχανές αεροσκαφών ή αεροδιαστημικών, ή

γ.

Ειδικά σχεδιασμένα εξαρτήματα για τα εν λόγω πλαίσια ή τις μηχανές.

α.

Μηχανές περιέλιξης νημάτων των οποίων οι κινήσεις τοποθέτησης, περιτύλιξης και περιέλιξης ινών μπορούν να συντονίζονται και προγραμματίζονται σε τρεις ή περισσότερους άξονες, σχεδιασμένες για την παραγωγή συνθέτων δομών ή ελασμάτων από ινώδη ή νηματώδη υλικά και για τον συντονισμό και τον προγραμματισμό ελέγχων,

β.

Μηχανές τοποθέτησης ταινιών των οποίων οι κινήσεις τοποθέτησης και εγκατάστασης ταινιών και φύλλων μπορούν να συντονίζονται και προγραμματίζονται σε δύο ή περισσότερους άξονες, σχεδιασμένες για την κατασκευή συνθέτων πλαισίων αεροπλάνων και βλημάτων,

γ.

Εξοπλισμός σχεδιασμένος ή τροποποιημένος για την παραγωγήινωδών ή νηματωδών υλικών ως εξής:

1. Εξοπλισμός για την μετατροπή πολυμερών ινών (όπως πολυακρυλονιτρίλια, ρεγιόν ή πολυκαρβοσιλάνια) συμπεριλαμβανομένου και ειδικού μηχανισμού για το τάνυσμα ινών εν θερμώ,

2. Εξοπλισμός εναπόθεσης ατμού στοιχείων ή ουσιών σε θερμά ινώδη υποστρώματα,

3. Εξοπλισμός υγράς ύφανσης σε αδρανή κεραμικά (όπως οξείδια του αλουμινίου),

δ.

Εξοπλισμός σχεδιασμένος ή τροποποιημένος για την επεξεργασία επιφανείας ειδικών ινών ή για την παραγωγή προ-εμποτισμάτων και προ-μορφωμάτων που ορίζονται στο σημείο 9C110. Σημ.: Το σημείο 1Β101.δ. περιλαμβάνει έλαστρα, τεντωτήρες, εξοπλισμό επίχρισης, εξοπλισμό κοπής και διατρητικά μηχανήματα.

α.

Εξοπλισμός παραγωγής μεταλλικών κόνεων, χρησιμοποιήσιμος για την παραγωγή, σε ελεγχόμενο περιβάλλον, σφαιρικών ή σταγονιδιοποιημένων υλικών προσδιοριζόμενων στα σημεία 1C011.a, 1C011.b, 1C111.a.1, 1C111.b.2, ή στους Ελέγχους Στρατιωτικών Υλικών.

β.

Στοιχεία ειδικά σχεδιασμένα για τον εξοπλισμό παραγωγής που προσδιορίζεται στα σημεία 1Β002 ή 1Β102.α.

α.

Γεννήτριες πλάσματος (με πίδακα υψίσυχνου τόξου) για την απόκτηση έκπτυστων ή σφαιρικών μεταλλικών κόνεων με οργάνωση της διεργασίας σε περιβάλλον αργού/ύδατος,

β.

Ηλεκτροπαλμικό εξοπλισμό χρησιμοποιήσιμο για την απόκτηση έκπτυστων ή σφαιρικών μεταλλικών κόνεων με οργάνωση της διεργασίας σε περιβάλλον αργού/ύδατος,

γ.

Εξοπλισμό χρησιμοποιήσιμο για την παραγωγή σφαιρικών κόνεων αργιλίου με κονιοποίηση τήγματος εντός αδρανούς μέσου (π.χ. αζώτου).

α.

Εξοπλισμός παραγωγής για την παραγωγή, διαχείριση ή αποδοχή δοκιμών υγρών προωθητικών και συστατικών προωθητικών που προσδιορίζονται στα σημεία 1C011.a., 1C011.b., 1C111 ή στoυς Ελέγχους Στρατιωτικών Υλικών,

β.

Εξοπλισμός παραγωγής, για την παραγωγή, διαχείριση, ανάμιξη, παλαίωση, εντύπωση, εμπίεση, τόρνευση, εκπίεση ή αποδοχή δοκιμών στερεών προωθητικών και συστατικών προωθητικών που προσδιορίζονται στα σημεία 1C011.α., 1C011.β., 1C111 ή στους Ελέγχους Στρατιωτικών Υλικών. Σημ.: Το σημείο 1B115.b δεν θέτει υπό έλεγχο τους αναμικτήρες παρτίδων, τους αναμικτήρες συνεχούς ροής και τους μύλους ρευστής ενέργειας. Για τον έλεγχο των αναμικτήρων παρτίδων, των αναμικτήρων συνεχούς ανάμιξης και των μύλων ρευστής ενέργειας βλ. σημεία 1B117, 1B118 και 1B119.

α.

Συνολική ογκομετρική χωρητικότητα 110 λίτρων και άνω, και

β.

Τουλάχιστον έναν έκκεντρο αναμικτήρα/ζυμωτήρα.

α.

Δύο ή περισσότερους αναμικτήρες/ζυμωτήρες, ή

β.

Ένα μόνο παλλόμενο περιστρεφόμενο άξονα, και επάνω του, καθώς και μέσα στην επένδυση του θαλάμου ανάμιξης, ζυμωτικά δόντια/ακίδες.

α.

Μηχανές περιέλιξης νημάτων με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:

1. Στις οποίες οι κινήσεις τοποθέτησης, περιτύλιξης και περιέλιξης ινών συντονίζονται και προγραμματίζονται σε δύο ή περισσότερους άξονες,

2. Ειδικά σχεδιασμένες για την κατασκευή σύνθετων δομών ή ελασμάτων από ινώδη ή νηματώδη υλικάκαι

3. Ικανές για την περιέλιξη κυλινδρικών ροτόρων διαμέτρου μεταξύ 75 και 400 mm και μήκους 600 mm ή άνω,

β.

Για ελέγχους συντονισμού και προγραμματισμού καθώς και τα σχετικά μαντρέλια ακριβείας για τις μηχανές περιέλιξης νημάτων που ορίζονται στο σημείο 1Β201.α,

γ.

Για μαντρέλια ακριβείας για τις μηχανές περιέλιξης νημάτων που ορίζονται στο σημείο 1Β201.α.

α.

Για τον εμπλουτισμό σταθερών ισοτόπων,

β.

Με πηγές ιόντων και συλλέκτες τόσο σε μαγνητικά πεδία όσο και σε συστήματα στα οποία οι διαχωριστές αυτοί ευρίσκονται εκτός πεδίου.

α.

Σχεδιασμένες για λειτουργία σε εσωτερικές θερμοκρασίες 35 Κ (– 238 °C) ή λιγότερο,

β.

Σχεδιασμένες για λειτουργία με εσωτερική πίεση από 0,5 έως 5ΜΡa (5 έως 50 ατμόσφαιρες),

γ.

Κατασκευασμένες είτε:

1. Από ανοξείδωτο χάλυβα σειράς 300 και με ωστευτιτικό μέγεθος κόκκου ΑSΤΜ (ή ισοδύναμου προτύπου 5 ή μεγαλύτερο, ή

2. Από ισοδύναμα υλικά που είναι και κρυογονικά και συμβατά υδρογόνου, και

δ.

Εσωτερικής διαμέτρου 1 m και άνω και πραγματικού μήκους 5 m ή άνω.

α.

Ανταλλακτικές στήλες νερού-υδροθείου, με δίσκους, με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:

1. Μπορούν να λειτουργούν υπό πίεση 2 MPa ή άνω,

2. Κατασκευασμένες από ανθρακούχο χάλυβα με ωστευτιτικό ASTM (ή ισοδύναμου προτύπου μέγεθος κόκκου 5 ή άνω, και

3. Με διάμετρο 1,8 m ή άνω,

β. Τεχνική παρατήρηση

Εσωτερικά εξαρτήματα επαφής για τις ανταλλακτικές στήλες νερού-υδροθείου, με δίσκους, που ορίζονται στο σημείο 1Β229.α. Τα εσωτερικά εξαρτήματα επαφής των στηλών είναι αρθρωτοί δίσκοι με πραγματική ολική διάμετρο 1,8 m και άνω, και είναι σχεδιασμένοι για να διευκολύνουν την επαφή σε αντίστροφη ροή και κατασκευασμένοι από ανοξείδωτους χάλυβες με περιεκτικότητα άνθρακα 0,03 % το πολύ. Μπορούν να είναι διάτρητοι δίσκοι, δίσκοι με βαλβίδες, ημισφαιρικοί δίσκοι παφλασμού και δίσκοι πλέγματος turbo.

α.

Αεροστεγείς (δηλαδή ερμητικά σφραγισμένες),

β.

Απόδοσης άνω του 8,5 m3/h, και

γ.

Με ένα από τα εξής χαρακτηριστικά:

1. Για πυκνά διαλύματα αμιδίου του καλίου (1 % και άνω), πίεση λειτουργίας 1,5-60 ΜΡα, ή

2. Για αραιά διαλύματα αμιδίου του καλίου (κάτω του 1 %), πίεση λειτουργίας 20-60 ΜΡα.

α.

Εγκαταστάσεις ή εργοστάσια παραγωγής, ανάκτησης, εξαγωγής, συγκέντρωσης ή χειρισμού τριτίου, και εξοπλισμός ως εξής:

β.

Εξοπλισμός για εγκαταστάσεις ή εργοστάσια τριτίου, ως εξής:

1. Μονάδες ψύξης υδρογόνου ή ηλίου με δυνατότητες ψύξης 23 Κ (– 250 °C) και κάτω, με δυνατότητα απομάκρυνσης θερμότητας μεγαλύτερη των 150 w,

2. Συστήματα αποθήκευσης ή καθαρισμού ισοτόπων του υδρογόνου χρησιμοποιούντα μεταλλικά υδρίδια ως μέσα αποθήκευσης ή καθαρισμού.

α.

Σχεδιασμένοι για λειτουργία κάτω των 35 Κ (– 238 °Κ), και

β.

Σχεδιασμένοι για απόδοση διέλευση άνω των 1000kg/h.

α.

Εγκαταστάσεις ή εργοστάσια για τη διαχώριση ισοτόπων λιθίου.

β.

Εξοπλισμός για τη διαχώριση ισοτόπων λιθίου, ως εξής:

1. Στήλες ανταλλαγής υγρού-υγρού ειδικά σχεδιασμένες για αμαλγάματα λιθίου,

2. Αντλίες αμαλγάματος υδραργύρου ή λιθίου,

3. Στοιχεία ηλεκτρόλυσης αμαλγάματος λιθίου,

4. Εξατμιστήρες πυκνού διαλύματος υδροξειδίου του λιθίου.

1CΥλικά Τεχνική Σημείωση: Τεχνικές Παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική Παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική Σημείωση: Τεχνικές σημειώσεις: 1.2.

Μέταλλα και κράματα: Φυσικές μορφές: Ημικατεργασμένες μορφές (επικαλυμμένες, ελασματοποιημένες, αυλακωμένες, πεπιεσμένες ή όχι): Ο στόχος του ελέγχου δεν θα πρέπει να καταστρατηγείται με την εξαγωγή μορφών που δεν απαριθμούνται και που δήθεν αποτελούν τελικά προϊόντα, αλλά στην πραγματικότητα είναι φυσικές ή ημικατεργασμένες μορφές. 1C001Υλικά σχεδιασμένα για να χρησιμοποιηθούν ως απορροφητές ηλεκτρομαγνητικών κυμάτων ή πολυμερή εγγενούς αγωγιμότητας ως εξής: ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 1C101. 1C002Κράματα μετάλλων, σκόνη μεταλλικών κραμάτων ή κραματικά υλικά ως εξής: ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 1C202. Σημ.: Στο σημείο 1C002 δεν υπάγονται κράματα μετάλλων, σκόνες μεταλλικών κραμάτων ή κραματικά υλικά για υποστρώματα επίχρισης. 1C003Μαγνητικά μέταλλα, παντός τύπου και μορφής, εμφανίζοντα οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά: 1C004Κράματα ουρανίου-τιτανίου ή κράματα βολφραμίου με μήτρα βασιζόμενη σε σίδηρο, νικέλιο, ή χαλκό, με τα εξής χαρακτηριστικά: 1C005Υπεραγώγιμοισύνθετοι αγωγοί σε μήκη ανώτερα των 100 m ή μάζα ανώτερη των 100 g, ως εξής: 1C006Ρευστά και υλικά λίπανσης, ως εξής: Για τους σκοπούς του 1C006: 1C007Υλικά με βάση τα κεραμικά, μη σύνθετα κεραμικά υλικά, σύνθετα υλικά με μήτρα από κεραμικά και πρόδρομες ουσίες, ως εξής: ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 1C107. 1C008Μη φθοριωμένες πολυμερείς ουσίες, ως εξής: Το σημείο υαλώδους μετάπτωσης (Tg) για τα υλικά του σημείου 1C008 καθορίζεται με τη μέθοδο που περιγράφεται στο πρότυπο ISO 11357-2 (1999) ή εθνικό ισοδύναμο. 1C009Μη επεξεργασμένες φθοριούχες ουσίες, ως εξής: 1C010Ινώδη ή νηματώδη υλικά τα οποία μπορούν να χρησιμοποιηθούν σε οργανικές μήτρες, μεταλλικές μήτρες ή ανθρακικές μήτρεςσυνθέτων δομών ή ελασμάτων, ως εξής: ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 1C210. 1C011Μέταλλα και ενώσεις αυτών, ως εξής: ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ ΚΑΙ 1C111. 1C012Υλικά ως εξής: Τα υλικά αυτά χρησιμοποιούνται κατά κανόνα για πηγές πυρηνικής θερμότητας. 1C101Υλικά και συστήματα για μειωμένα παρατηρήσιμα χαρακτηριστικά όπως η ανακλαστικότητα, ραντάρ, η ταυτότητα σε υπεριώδη/υπέρυθρα και οι ακουστικές ταυτότητες, εκτός εκείνων που προσδιορίζονται στο σημείο 1C001, και μπορούν να χρησιμοποιηθούν σε βλήματα, υποσυστήματα βλημάτων ή σε μη επανδρωμένα οχήματα αέρος που ορίζονται στο σημείο 9Α012. Σημ. 1: Στο σημείο 1C101 περιλαμβάνονται: Σημ. 2: Στο σημείο 1C101 δεν περιλαμβάνονται επιχρίσματα που χρησιμοποιούνται ειδικά για τον θερμικό έλεγχο των δορυφόρων. Στο σημείο 1C101, βλήματα σημαίνει πλήρη πυραυλικά συστήματα και συστήματα μη επανδρωμένων οχημάτων αέρος ικανά για βεληνεκές άνω των 300 km. 1C102Υλικά από ανακεκορεσμένο πυρολυμένο άνθρακα-άνθρακα σχεδιασμένα για οχήματα εκτόξευσης προσδιοριζόμενα στο 9Α004 ή πυραυλοβολίδες προσδιοριζόμενες στο 9Α104. 1C107Γραφιτικά και κεραμικά υλικά, εκτός εκείνων που προσδιορίζονται στο 1C007, ως εξής: 1C111Προωθητικά και χημικές ουσίες για προωθητικά, εκτός εκείνων που προσδιορίζονται στο 1C011, ως εξής: Σημ.: Για προωθητικά και χημικές ουσίες προωθητικών που δεν προσδιορίζονται στο 1C111 βλέπε Ελέγχους Στρατιωτικών Προϊόντων 1C116Χάλυβες μαρτενγήρανσης (χάλυβες γενικά χαρακτηριζόμενοι από υψηλή περιεκτικότητα σε νικέλιο, πολύ χαμηλή περιεκτικότητα σε άνθρακα και χρήση υποκαταστάτων στοιχείων ή ιζημάτων για τη δημιουργία γήρανσης-σκλήρυνσης) έχοντες τελική αντίσταση εφελκυσμού 1500 ΜΡα και άνω, μετρούμενη σε 293 Κ (20 °C), υπό μορφή φύλλων, πλακών ή σωλήνων με πάχος τοιχώματος ή πλάκας ίσο ή κατώτερο των 5 mm. ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 1C216. 1C117Βολφράμιο, μολυβδαίνιο και κράματα αυτών των μετάλλων υπό μορφή ομοιόμορφων σφαιρικών ή κονιορτοποιημένων σωματιδίων διαμέτρου 500 μικρομέτρων και κάτω, καθαρότητας 97 % και άνω, για την παραγωγή στοιχείων σε κινητήρες βλημάτων, δηλ. θερμικά διαφράγματα, προϊόντα ακροφυσίων, στόμια ακροφυσίων και επιφάνειες ρύθμισης του προωστικού κύματος. 1C118Διπλοί ανοξείδωτοι χάλυβες σταθεροποιημένοι με τιτάνιο (Ti-DSS) με όλα τα εξής: 1C202Κράματα, εκτός αυτών που αναφέρονται στο σημείο 1C002.β.3. ή β.4., ως εξής: Η φράση κράματα εμφανίζοντα αναφέρεται σε κράματα πριν ή μετά από τη θερμική επεξεργασία τους. 1C210Ινώδη ή νηματώδη υλικά ή προεμποτίσματα, εκτός αυτών που αναφέρονται στο σημείο 1C010.α., β. ή ε., ως εξής: Σημ.: Στο σημείο 1C210, τα ινώδη ή νηματώδη υλικά αφορά μόνο τα συνεχή μονόκλωνα νήματα, τα στημονικά, τα πιλήματα, τα τίλματα ή τις ταινίες. 1C216Χάλυβας μαρτενγήρανσης, εκτός αυτού που αναφέρεται στο σημείο 1C116, εμφανίζων τελική αντίσταση εφελκυσμού 2050 ΜΡα και άνω, σε 293 Κ (20 °C). Σημ.: Στο σημείο 1C216 δεν υπάγονται προϊόντα των οποίων καμία γραμμική διάσταση δεν υπερβαίνει τα 75 mm. Η φράση χάλυβας μαρτενγήρανσης εμφανίζων αναφέρεται σε χάλυβα μαρτενγήρανσης πριν ή μετά από τη θερμική επεξεργασία. 1C225Βόριο εμπλουτισμένο στο ισότοπο βόριο-10 (10Β) σε αναλογία μεγαλύτερη της φυσικής, ως εξής: στοιχειακό βόριο, ενώσεις, μείγματα περιέχοντα βόριο, υλικά κατασκευασμένα από βόριο, απορρίμματα ή αποκόμματα των ανωτέρω. Σημ.: Στο σημείο 1C225, τα μείγματα περιέχοντα βόριο περιλαμβάνουν τα υλικά στα οποία έχει προστεθεί βόριο. Η φυσική ισοτοπική αναλογία του βορίου — 10 είναι περίπου 18,5 % κατά βάρος (20 % κατ' άτομο). 1C226Βολφράμιο, καρβίδιο του βολφραμίου και κράματα περιέχοντα περισσότερο από 90 % βολφράμιο, κατά βάρος, με τα εξής δύο χαρακτηριστικά: Σημ.: Στο σημείο 1C226 δεν υπάγονται κατασκευασμένα υλικά, ειδικά σχεδιασμένα να χρησιμοποιηθούν ως βάρη ή ως σκόπευτρα ακτίνων γ. 1C227Ασβέστιο με τα εξής δύο χαρακτηριστικά: 1C228Μαγνήσιο με τα εξής δύο χαρακτηριστικά: 1C229Βισμούθιο με τα εξής δύο χαρακτηριστικά: 1C230Μεταλλικό βηρύλλιο, κράματα περιέχοντα περισσότερο από 50 % βηρύλλιο κατά βάρος, ενώσεις βηρυλλίου, υλικά κατασκευασμένα από βηρύλλιο, και απορρίμματα ή αποκόμματα των ανωτέρω. Σημ.: Στο σημείο 1C230, δεν υπάγονται τα εξής: 1C231Μεταλλικό άφνιο, κράματα περιέχοντα περισσότερο από 60 % κατά βάρος άφνιο, ενώσεις αφνίου περιέχουσες περισσότερο από 60 % κατά βάρος άφνιο, υλικά κατασκευασμένα από αυτά, και απορρίμματα ή αποκόμματα οποιουδήποτε των ανωτέρω. 1C232Ήλιο-3 (3He) μείγματα που περιέχουν ήλιο-3, και προϊόντα ή μηχανισμοί που περιέχουν οποιοδήποτε από τα προαναφερθέντα: Σημ.: Στο σημείο 1C232, δεν ελέγχεται προϊόν ή συσκευή που περιέχει λιγότερο από 1 g ηλίου-3. 1C233Λίθιο εμπλουτισμένο στο ισότοπο λίθιο-6 (6Li) σε αναλογία μεγαλύτερη της φυσικής, και προϊόντα ή συσκευές που περιέχουν εμπλουτισμένο λίθιο, ως εξής: στοιχειακό λίθιο, κράματα, ενώσεις, μείγματα, περιέχοντα λίθιο, υλικά κατασκευασμένα από αυτά, απορρίμματα ή αποκόμματα οιουδήποτε των ανωτέρω. Σημ.: Στο σημείο 1C233, δεν υπάγονται τα δοσίμετρα θερμοφωταύγειας. Η φυσική περιεκτικότητα του λιθίου σε λίθιο -6 είναι περίπου 6,5 % κατά βάρος (7,5 % σε εκατοστιαία ποσοστά ατόμων). 1C234Ζιρκόνιο με σχέση συγκέντρωσης αφνίου προς ζιρκόνιο μικρότερη από 1 προς 500 μέρη κατά βάρος, ως εξής: μέταλλο, κράματα περιέχοντα περισσότερο από 50 % κατά βάρος ζιρκόνιο, ενώσεις, προϊόντα κατασκευασμένα από αυτό, απορρίμματα ή αποκόμματα οιουδήποτε των ανωτέρω. Σημ.: Στο σημείο 1C234, δεν ελέγχεται το ζιρκόνιο υπό μορφή φύλλων των οποίων το πάχος δεν υπερβαίνει τα 0,10 mm. 1C235Τρίτιο, ενώσεις τριτίου και μείγματα περιέχοντα τρίτιο στο οποίο η σχέση ατόμων τριτίου προς υδρογόνο υπερβαίνει το 1 προς 1000, και προϊόντα ή συσκευές περιέχοντα οποιοδήποτε από τα προαναφερθέντα. Σημ.: Στο σημείο 1C235, δεν ελέγχεται προϊόν ή συσκευή περιέχουσα όχι λιγότερο από 1,48 × 103 GΒq (40 Ci) τριτίου. 1C236Ραδιονουκλίδια εκπομπής ακτίνων α με χρόνο ημιζωής α 10 ημερών ή περισσότερο αλλά μικρότερο των 200 ετών, υπό τις εξής μορφές: Σημ.: Στο σημείο 1C236 δεν ελέγχεται προϊόν ή συσκευή περιέχουσα λιγότερο από 3,7 GΒq (100 millicuries) ενέργειας α. 1C237Ράδιο-226, (226 Ra), κράματα ραδίου-226, ενώσεις ραδίου-226, μείγματα περιέχοντα ράδιο-226, υλικά κατασκευασμένα από αυτά, και προϊόντα ή συσκευές περιέχοντα οποιοδήποτε από τα προαναφερθέντα. Σημ.: Στο σημείο 1C237 δεν υπάγονται τα εξής: 1C238Τριφθοριούχο χλώριο (CIF3). 1C239Ισχυρά εκρηκτικά, εκτός αυτών που καθορίζονται στους Ελέγχους Στρατιωτικών Προϊόντων, ή ουσίες ή μείγματα περιέχοντα περισσότερο από 2 % κατά βάρος εξ αυτών, με κρυσταλλική πυκνότητα μεγαλύτερη του 1,8 g/cm3 και εμφανίζοντα ταχύτητα έκρηξης μεγαλύτερη των 8000 m/s. 1C240Σκόνη νικελίου και πορώδες μέταλλο νικελίου εκτός εκείνων που προσδιορίζονται στο σημείο 0C005, ως εξής: Σημ.: Στο σημείο 1C240 δεν υπάγονται τα εξής: Το σημείο 1C240.β. αφορά πορώδες μέταλλο που σχηματίζεται με συμπίεση και περίτηξη των υλικών του σημείου 1C240.α. για σχηματισμό μεταλλικής μορφής με λεπτούς πόρους διασυνδεδεμένους με την όλη δομή. 1C350Χημικές ουσίες οι οποίες μπορούν να χρησιμοποιηθούν ως πρόδρομες ουσίες χημικών τοξικών παραγόντων ως εξής, και χημικά μείγματα περιέχοντα ένα ή περισσότερα από τα ακόλουθα: ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΣΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ ΚΑΙ 1C450. Σημείωση 1: Για τις εξαγωγές στα Κράτη που δεν είναι συμβαλλόμενα μέρη της Σύμβασης για τα Χημικά Όπλα, στο σημείο IC350 δεν υπάγονται τα χημικά μείγματα που περιέχουν μια ή περισσότερες από τις χημικές ενώσεις των σημείων IC350.1, .3, .5, .11, .2, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36, .54, .55, .56, .57 και .63 και τα οποία καμία από τις επιμέρους οριζόμενες ουσίες δεν υπερβαίνει το 10 % κατά βάρος του μείγματος. Σημείωση 2: Για τις εξαγωγές στα Κράτη που είναι συμβαλλόμενα μέρη της Σύμβασης για τα Χημικά Όπλα, στο σημείο IC350 δεν υπάγονται τα χημικά μείγματα που περιέχουν μια ή περισσότερες από τις χημικές ενώσεις των σημείων IC350.1, .3, .5, .11, .12, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36, .54, .55, .56, .57 και .63 και στα οποία καμία από τις επιμέρους οριζόμενες ουσίες δεν υπερβαίνει το 30 % κατά βάρος του μείγματος. Σημείωση 3: Στο σημείο IC350 δεν υπάγονται τα χημικά μείγματα που περιέχουν μια ή περισσότερες από τις χημικές ουσίες των σημείων IC350.2, .6, .7, .8, .9, .10, .14, .15, .16, .19, .20, .24, .25, .30, .37, .38, .40, .41, .42, .43, .44, .45, .46, .47, .48, .49, .50, .51, .52, .53, .58, .59, .60, .61 και .62 και στα οποία καμία από τις επιμέρους οριζόμενες ουσίες δεν υπερβαίνει το 30 % κατά βάρος του μείγματος. Σημείωση 4: Στο σημείο IC350 δεν υπάγονται προϊόντα που ορίζονται ως καταναλωτικά προϊόντα, συσκευασμένα για το λιανικό εμπόριο για προσωπική χρήση ή συσκευασμένα για προσωπική χρήση. 1C351Παθογόνα ανθρώπου, ζωονόσοι και τοξίνες, ως εξής: Σημ.: Στο σημείο 1C351 δεν υπάγονται τα εμβόλια ή οι ανοσοτοξίνες 1C352Ζωικά παθογόνα, ως εξής: Σημ.: Στο σημείο 1C352 δεν υπάγονται τα εμβόλια. 1C353Γενετικά στοιχεία και γενετικά τροποποιημένοι οργανισμοί, ως εξής: Στα γενετικά στοιχεία περιλαμβάνονται, μεταξύ άλλων, τα χρωμοσώματα, τα γονιδιώματα, τα πλασμίδια, τα μεταθετόνια και οι φορείς, είτε γενετικώς τροποποιημένα είτε όχι. Ως αλληλουχία νουκλεϊκών οξέων που συνεπάγεται παθογένεια οργανισμών που αναφέρονται στο σημείο 1C351.α. έως γ. ή 1C352 ή 1C354 νοείται κάθε αλληλουχία προσιδιάζουσα στο συγκεκριμένο μικροοργανισμό η οποία : Σημείωση: Το σημείο 1C353 δεν καλύπτει τις ακολουθίες πυρηνικών οξέων που συνδέονται με την παθογένεια της εντεροαιμορραγικής Escherichia coli, οροτύπου Ο157 και άλλων στελεχών που παράγουν βεροτοξίνες, πλην των ακολουθιών που κωδικοποιούν τη βεροτοξίνη ή τις υπομονάδες της. 1C354Παθογόνα φυτών, ως εξής: 1C450Τοξικές χημικές ουσίες και πρόδρομοι τοξικών χημικών ουσιών, ως εξής: ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΑ 1C350, 1C351.d. ΚΑΙ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ Σημ.: Στο σημείο IC450 δεν υπάγονται προϊόντα που ορίζονται ως καταναλωτικά προϊόντα, συσκευασμένα για το λιανικό εμπόριο για προσωπική χρήση ή συσκευασμένα για προσωπική χρήση.

Εκτός αντίθετης μνείας οι λέξεις μέταλλα και κράματα στο σημείο 1C001 έως 1C012 καλύπτουν φυσικές και ημικατεργασμένες μορφές, ως εξής:

Άνοδοι, σφαίρες, ράβδοι (συμπεριλαμβανομένων ράβδων με εγκοπές και συρμάτινων ράβδων), χελώνες σιδήρου, τρόχιλοι, χελώνες σφυρήλατου σιδήρου, πλίνθοι, συσσωματώματες, κάθοδοι, κρύσταλλα, κύβοι, δίσκοι, κόκκοι, όγκοι μετάλλου, σβώλοι, μικροί και μεγάλοι, χελώνες, σκόνη, ροδέλες, σκάγια, πλάκες, τεμάχια μεταλλεύματος, μάζες, λεπτές ράβδοι.

1CΥλικά Τεχνική Σημείωση: α.

Σφυρήλατα ή επεξεργασμένα μέταλλα παρασκευασμένα με έλαση, συρματοποίηση, διαμόρφωση με ώθηση σε μήτρα, σφυρηλάτηση, εξέλαση με κρούση, συμπίεση, χονδροποίηση, τεμαχισμό και κονιοποίηση, δηλ.: γωνίες, αγωγοί, κύκλοι, δίσκοι, σκόνη, λέπια, λεπτά φύλλα, σφυρηλατήσεις, ελάσματα, κόνις, πεπιεσμένες μορφές, ταινίες, ελατήρια, ράβδοι (συμπεριλαμβανομένων γυμνών συγκολλημένων ράβδων), συρμάτινων ράβδων και συρμάτων εξελάσεως, τομές, σχήματα, φύλλα, λωρίδες και σωλήνες (συμπεριλαμβανομένων κοίλων διατομών κυκλικής και τετραγωνικής μορφής) καθώς και με κενά παραγόμενα δι' έλξης ή δι' εξέλασης, σύρματα,

β.

από υλικό παραγόμενο με χύσιμο σε άμμο, καλούπια, μέταλλα, εκμαγεία ή άλλα είδη καλουπιών, συμπεριλαμβανομένου του χυσίματος υψηλής πιέσεως, συντετηγμένων μορφών και μορφών που παράγονται από την μεταλλουργία των κόνεων.

α.

Υλικά απορρόφησης συχνοτήτων ανωτέρων των 2 × 108 Hz αλλά όχι ανωτέρων των 3 × 1012 Hz, Σημ. 1: Στο σημείο 1C001.α. δεν υπάγονται: Σημ. 2: Τίποτε στη Σημείωση 1 του σημείου 1C001.α. δεν απαλλάσσει μαγνητικά υλικά από του να προσφέρουν απορρόφηση όταν περιέχονται σε χρώματα.

α.

Απορροφητικά από τρίχα, κατασκευασμένα από φυσικές ή συνθετικές ίνες, περιέχοντα μη μαγνητική φόρτιση,

β.

Απορροφητικά μη εμφανίζοντα μαγνητική απώλεια και των οποίων η επιφάνεια πρόσπτωσης δεν είναι επίπεδη, περιλαμβάνοντα επιφάνειες υπό μορφή πυραμίδας, κώνου, κυματοειδείς και με ακμές,

γ.

Επίπεδα απορροφητικά με τα εξής χαρακτηριστικά:

1. Τεχνική παρατήρηση:

Κατασκευασμένα από: Τα δείγματα των δοκιμών απορρόφησης στο σημείο 1C001.α. σημείωση 1.γ.1. πρέπει να είναι ένα τετράγωνο 5 τουλάχιστον μηκών κύματος από την κεντρική συχνότητα, κατά την πλευρά, και τοποθετημένα στο ευρύτερο πεδίο του στοιχείου ακτινοβόλησης.

1. α.

Αφρώδη πλαστικά υλικά (εύκαμπτα ή μη-εύκαμπτα) με φόρτιση άνθρακα, ή οργανικά υλικά, συμπεριλαμβανομένων και συνδετικών, παρέχοντα ηχώ ανώτερη του 5 % σε σχέση με τα μέταλλα, σε εύρος ζώνης ανώτερης του ± 15 % από την κεντρική συχνότητα της προσπίπτουσας ενέργειας και μη ικανά να ανθέξουν σε θερμοκρασίες πέραν των 450 Κ (177 °C), ή

β.

Κεραμικά υλικά παρέχοντα ηχώ μεγαλύτερη του 20 % σε σχέση με τα μέταλλα, σε εύρος ζώνης ανώτερης του ± 15 % από την κεντρική συχνότητα της προσπίπτουσας ενέργειας, και μη ικανά να ανθέξουν σε θερμοκρασίες υπερβαίνουσες τους 800Κ (527 °C),

2. Αντίσταση εφελκυσμού μικρότερη του 7 × 106 Ν/m2, και

3. Αντίσταση σύνθλιψης μικρότερη του 14 × 106 Ν/m2,

δ.

Επίπεδα απορροφητικά κατασκευασμένα από συντετηγμένο σιδηρίτη (φερρίτη), με:

1. Ειδικό βάρος ανώτερο του 4,4, και

2. Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας 548 Κ (275 °C).

β.

Υλικά απορρόφησης συχνοτήτων που υπερβαίνουν το 1,5 × 1014 Hz αλλά είναι κατώτερες των 3,7 × 1014 Hz, αδιαφανή στο ορατό φως,

γ. Τεχνική παρατήρηση:

Πολυμερή υλικά εγγενώς αγώγιμα με ηλεκτρική αγωγιμότητα που υπερβαίνει σε γενικές γραμμές τις 10000 S/m (Siemens ανά μέτρο) ή με επιφανειακή ειδική αντίσταση μικρότερη των 100 ohm/τετράγωνο, κατασκευασμένα από οποιοδήποτε από τα παρακάτω πολυμερή: Η γενική ηλεκτρική αγωγιμότητα και η επιφανειακή ειδική αντίσταση προσδιορίζονται με βάση την προδιαγραφή ASTM D-257 ή άλλη ισοδύναμη.

γ.

1. Πολυανιλίνη,

2. Πολυπυρρόλιο,

3. Πολυθειοφένιο,

4. Πολυφαινυλένιο-βινυλένιο, ή

5. Πολυθειενυλένιο-βινυλένιο.

1CΥλικά Τεχνική Σημείωση: Τεχνικές Παρατηρήσεις:

1. Τα μεταλλικά κράματα που προσδιορίζονται στο σημείο 1C002.α. είναι αυτά που περιέχουν υψηλότερα κατά βάρος ποσοστά του αναφερόμενου μετάλλου από οποιοδήποτε άλλο περιεχόμενο στοιχείο.

2. Η αντοχή (ζωή) σε ρήξη λόγω τάσης πρέπει να μετράται σύμφωνα με την προδιαγραφή ASTM E-139 ή αντίστοιχη.

3. Χαμηλός κύκλος ζωής σε καταπόνηση μετράται σε συμφωνία με την προδιαγραφή ASTM E-606 Recommended Practice for Constant-Amplitude Low-Cycle Fatigue Testing ή εθνική ισοδύναμη. Η δοκιμασία διενεργείται κατά τον άξονα με μέση σχέση τάσης ίση προς 1 και συντελεστή συγκέντρωσης τάσης (Κt) ίσο προς 1. Ως μέση τάση ορίζεται η μέγιστη τάση μείον την ελάχιστη τάση δια της μέγιστης τάσης.

α.

Αγριλίδια (Αλουμινίδια) ως εξής:

1. Αγριλίδια του νικελίου περιέχοντα 15 % κατά βάρος και άνω αργίλιο και έως 38 % κατά βάρος αργιλίου, καθώς και τουλάχιστον ένα πρόσθετο στοιχείο κράματος,

2. Αγριλίδια του τιτανίου περιέχοντα 10 % κατά βάρος και άνω αργίλιο και τουλάχιστον ένα στοιχείο κράματος,

β.

Μεταλλικά κράματα, κατασκευασμένα από υλικό που προσδιορίζεται στο σημείο 1C002.γ., ως εξής:

1. Κράματα νικελίου με:

1. α.

Αντοχή σε ρήξη λόγω τάσης 10000 ωρών και άνω, σε 923 Κ (650 °C) και σε τάσεις 676 ΜΡα, ή

β.

Χαμηλό κύκλο ζωής σε καταπόνηση 10000 κύκλων και άνω, σε 823 Κ (550 °C), με μέγιστες τάσεις 1,095 ΜΡα,

2. Κράματα νιοβίου με:

2. α.

Αντοχή σε ρήξη λόγω τάσης 10000 ωρών και άνω, σε 1,073 Κ (800 °C), με τάσεις 400 ΜΡα, ή

β.

Χαμηλό κύκλο ζωής σε καταπόνηση 10000 κύκλων και άνω, σε 973 Κ (700 °C), με μέγιστες τάσεις 700 ΜΡα,

3. Κράματα τιτανίου με:

3. α.

Αντοχή σε ρήξη λόγω τάσης 10000 ωρών και άνω, σε 723 Κ (450 °C), με τάσεις 200 ΜΡα, ή

β.

Χαμηλό κύκλο ζωής σε καταπόνηση 10000 κύκλων και άνω, σε 723 Κ (450 °C), με μέγιστες τάσεις 400 ΜΡα,

4. Κράματα αλουμινίου με αντίσταση εφελκυσμού:

4. α.

240 ΜΡα και άνω, σε 473 Κ (200 °C), ή

β.

415 ΜΡα και άνω, σε 298 Κ (25 °C),

5. Κράματα μαγνησίου

5. α.

με αντίσταση εφελκυσμού 345 ΜΡα και άνω, και

β.

ταχύτητα διάβρωσης μικρότερη του 1mm/έτος, σε υδατικά διαλύματα χλωριούχου νατρίου 3 %, μετρούμενη σε συμφωνία με την προδιαγραφή ASTM G-31 ή αντίστοιχο εθνικό ισοδύναμο,

γ.

Σκόνες μεταλλικών κραμάτων ή σωματιδιακό υλικό για υλικά, με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

1. Τεχνική παρατήρηση:

Παραγόμενες με οποιαδήποτε από τις παρακάτω συνθέσεις: Το Χ ισούται με ένα ή περισσότερα κραματικά στοιχεία.

α.

Κράματα νικελίου (Ni-Al-X, Ni-X-Al) κατάλληλα για εξαρτήματα ή μέρη στροβιλομηχανών, δηλαδή με λιγότερα των 3 μη-μεταλλικών σωματιδίων (που εισάγονται κατά την παραγωγική διαδικασία μεγαλύτερα των 100 μικρομέτρων σε 109 κραματικά σωματίδια,

β.

Κράματα νιοβίου (Nb-Al-X ή Nb-X-Al, Nb-Si-X ή Nb-X-Si, Nb-Ti-X ή Nb-X-Τi),

γ.

Κράματα τιτανίου (Ti-Al-X ή Ti-X-Al),

δ.

Κράματα αλουμινίου (Al-Mg-X ή Al-X-Mg, Al-Zn-X ή Al-X-Zn, Al-Fe-X ή Al-X-Fe), ή

ε.

Κράματα μαγνησίου (Mg-Al-X ή Mg-X-Al),

2. Παραγόμενα σε ελεγχόμενο περιβάλλον με οποιαδήποτε από τις παρακάτω διαδικασίες:

2. α.

Ψεκασμό εν κενώ,

β.

Ψεκασμό αερίου,

γ.

Κυκλικό ψεκασμό,

δ.

Ράντισμα βαφής,

ε.

Κλώση τήγματος και κατακερματισμό,

ζ.

Διαχωρισμό τήγματος και κατακερματισμό, ή

η.

Μηχανική κραματοποίηση, και

3. Ικανά να σχηματίζουν υλικά προσδιοριζόμενα στα σημεία 1C002.α ή 1C002.β.

δ.

Κραματικά υλικά με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

1. Παραγόμενα με οποιαδήποτε από τις συνθέσεις που προσδιορίζονται στο σημείο 1C002.γ.1,

2. Υπό μορφή μη κατακερματισμένων φολίδων, ταινιών ή ραβδίων, και

3. Παραγόμενες σε ελεγχόμενο περιβάλλον με οποιαδήποτε από τις εξής μεθόδους:

3. α.

ράντισμα βαφής,

β.

κλώση τήγματοςή

γ.

διαχωρισμό τήγματος

α. Τεχνική παρατήρηση:

Αρχική σχετική διαπερατότητα 120000 και άνω και πάχος 0,05 mm και άνω, Η μέτρηση της αρχικής διαπερατότητας πρέπει να πραγματοποιείται σε πλήρως ανεπτηγμένα υλικά.

β.

Κράματα μαγνητικού μετασχηματισμού με οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:

1. Κορεσμό μαγνητικού μετασχηματισμού ανώτερο των 5 × 10–4, ή

2. Μαγνητο-μηχανικό συντελεστή ζεύξης (k) ανώτερο του 0,8, ή

γ. Τεχνική παρατήρηση:

Άμορφες ή νανοκρυστάλλινες κραματικές ταινίες με οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά: Τα νανοκρυστάλλινα υλικά στο 1C003.γ. είναι τα υλικά μεγέθους κρυστάλλου έως και 50 nm όπως ορίζεται με περίθλαση ακτίνων X.

γ.

1. Περιεκτικότητα σε σίδηρο, κοβάλτιο ή νικέλιο τουλάχιστον 75 %,

2. Μαγνητική επαγωγή κορεσμού (Βs) 1,6 Τ και άνω, και

3. Οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

3. α.

Πάχος λωρίδων 0,02 mm και κάτω, ή

β.

Ηλεκτρική ειδική αντίσταση 2 × 10–4 ohm.cm και άνω.

α.

Πυκνότητα ανώτερη του 17,5 g/cm3,

β.

Όριο ελαστικότητας ανώτερο του 880 ΜΡα,

γ.

Απώτερη αντίσταση εφελκυσμού ανώτερη των 1,270 ΜΡα, και

δ.

Επιμήκυνση ανώτερη του 8 %.

α.

Πολυ-νηματικοί υπεραγώγιμοισύνθετοι αγωγοί περιέχοντες ένα ή περισσότερα νήματα νιοβίου-τιτανίου:

1. Ενσωματωμένα σε μια μήτρα πλην αυτών που αποτελούνται από χαλκό ή χαλκοφόρες μικτές μήτρες, ή

2. Με επιφάνεια διατομής μικρότερη του 0,28 × 10–4 mm2 (6 μικρόμετρα σε διάμετρο, για τα στρόγγυλα νήματα),

β.

Υπεραγώγιμοισύνθετοι αγωγοί αποτελούμενοι από ένα ή περισσότερα υπεραγώγιμα νήματα εκτός αυτών που αποτελούνται από νιόβιο-τιτάνιο, με τα εξής χαρακτηριστικά:

1. Με κρίσιμη θερμοκρασία σε μηδενική μαγνητική επαγωγή, ανώτερη των 9,85 Κ (– 263,31 °C) αλλά κατώτερη των 24 Κ (– 249,16 °C),

2. Με επιφάνεια διατομής μικρότερη των 0,28 × 10–4 mm2, και

3. Παραμένοντα σε υπεραγώγιμη κατάσταση σε θερμοκρασία 4,2 Κ (– 268,96 °C) όταν εκτεθούν σε μαγνητικά πεδία που αντιστοιχούν σε μαγνητική επαγωγή 12 Τ.

α.

Υδραυλικά ρευστά περιέχοντα, ως κύρια συστατικά, οποιοδήποτε από τις εξής ουσίες ή υλικά:

1. Τεχνική παρατήρηση:

Έλαια πυριτιούχων υδρογονανθράκων με τα εξής χαρακτηριστικά: Για τους σκοπούς του 1C006.α.1., τα έλαια πυριτιούχων υδρογονανθράκων περιέχουν αποκλειστικά και μόνον πυρίτιο, υδρογόνο και άνθρακα.

α.

Σημείο ανάφλεξης ανώτερο των 477 Κ (204 °C),

β.

Σημείο ροής σε 239 Κ (– 34 °C) και κάτω,

γ.

Δείκτη ιξώδους 75 και άνω, και

δ.

Θερμική σταθερότητα στους 616 Κ (343 °C), ή

2. Τεχνική παρατήρηση:

Χλωροφθοράνθρακες με τα εξής χαρακτηριστικά: Για τους σκοπούς του 1C006.α.2., οι χλωροφθοράνθρακες περιέχουν αποκλειστικά άνθρακα, φθόριο και χλώριο.

α.

Χωρίς σημείο ανάφλεξης,

β.

Εγγενή θερμοκρασία ανάφλεξης ανώτερη των 977 Κ (704 °C),

γ.

Σημείο ροής 219 Κ (– 54 °C) και κάτω,

δ.

Δείκτη ιξώδους 80 και άνω, και

ε.

Σημείο ζέσεως σε 473 Κ (200 °C) και άνω.

β.

Τα λιπαντικά υλικά που περιέχουν, ως κύριο συστατικό τους οποιοδήποτε από τις εξής ουσίες ή υλικά:

1. Αιθέρες ή θειο-αιθέρες του φαινυλενίου ή του αλκυλοφαινυλενίου ή μίγματά τους περιέχοντα περισσότερες από δύο αιθερικές ή θειοαιθερικές ομάδες ή μίγματά τους, ή

2. Φθοριωμένα σιλικονούχα ρευστά με κινηματικό ιξώδες κατώτερο των 5000 mm2/s (5000 centistokes) μετρούμενο σε 298 Κ (25 °C).

γ.

Ρευστά απόσβεσης ή επίπλευσης με καθαρότητα ανώτερη των 99,8 %, περιέχοντα λιγότερα από 25 σωματίδια των 200 μικρομέτρων ή μεγαλύτερα ως προς το μέγεθος, ανά 100 ml και παρασκευασμένα από τα παρακάτω προϊόντα ή υλικά με περιεκτικότητα τουλάχιστο 85 %:

1. Διβρωμοτετραφθοροαιθάνιο,

2. Πολυχλωροτριφθοροαιθυλένιο (ελαιώδεις και κηρώδεις τροποποιήσεις μόνο), ή

3. Πολυβρωμοτριφθοροαιθυλένιο.

δ.

Φλωρανθρακικά υγρά ηλεκτρονικής ψύξης με τα εξής χαρακτηριστικά:

1. Περιέχοντα άνω του 85 % σε βάρος ένα από τα παρακάτω συστατικά ή μίγμα αυτών:

1. α.

Μονομερείς τριαζίνες υπερφθοροπολυαλκυλαιθέρα ή υπερφθοροαλειφατικούς αιθέρες,

β.

Υπερφθοροαλκυλαμίνες,

γ.

Υπερφθοροκυκλοαλκάνια,

δ.

Υπερφθοραλκάνια.

2. Πυκνότητα σε 298 Κ (25 °C) άνω του 1.5 g/ml,

3. Σε υγρή μορφή σε 273 Κ (0 °C), και

4. Περιέχοντα άνω του 60 % φθόριο κατά βάρος.

1CΥλικά Τεχνική Σημείωση: Τεχνικές Παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: α.

Το σημείο ανάφλεξης προσδιορίζεται με την μέθοδο ανοικτού δοχείου Cleveland όπως περιγράφεται στην προδιαγραφή ASTM D-92 ή εθνικές ισοδύναμες.

β.

Το σημείο ροής προσδιορίζεται χρησιμοποιώντας τη μέθοδο που περιγράφεται στην προδιαγραφή ASTM D-97 ή εθνικές ισοδύναμες.

γ.

Ο δείκτης ιξώδους προσδιορίζεται χρησιμοποιώντας τη μέθοδο που περιγράφεται στην προδιαγραφή ASTM D-2270 ή εθνικές ισοδύναμες.

δ.

Η θερμική σταθερότητα προσδιορίζεται με την εξής δοκιμασία ή εθνικές ισοδύναμες: Είκοσι ml του εξεταζόμενου ρευστού τοποθετείται σε θάλαμο ανοξείδωτου χάλυβα τύπου 317 των 46 ml που περιέχει ανά ένα σφαιρίδιο διαμέτρου 12,5 mm (ονομαστικής) από χάλυβα εργαλείων Μ-10, από χάλυβα 52100 και από ορείχαλκο ναυτικού (60 % Cu, 39 % Zn, 0,75 % Sn). Ο θάλαμος πληρούται με άζωτο, σφραγίζεται στην ατμοσφαιρική πίεση και η θερμοκρασία υψώνεται και διατηρείται στους 644 ± 6Κ (371 ± 6 °C) για έξι ώρες. Το δείγμα θα θεωρηθεί ως σταθερό από θερμική άποψη, μετά το πέρας της παραπάνω διαδικασίας, αν όλες οι εξής συνθήκες έχουν ικανοποιηθεί:

1. Η κατά βάρος απώλεια κάθε σφαιριδίου είναι μικρότερη από 10 mg/mm2 σφαιρικής.

2. Η μεταβολή στο αρχικό ιξώδες όπως προσδιορίστηκε σε 311 Κ (38 °C) είναι μικρότερη από 25 %· και

3. Ο ολικός αριθμός οξέως ή βάσεως είναι μικρότερος από 0,40.

ε.

Η εγγενής θερμοκρασία ανάφλεξης προσδιορίζεται με τη μέθοδο που περιγράφεται στην προδιαγραφή ASTM E-659 ή εθνικές ισοδύναμες.

α.

Βασικά υλικά από απλά ή σύνθετα βορίδια του τιτανίου με μεταλλικές προσμίξεις, εξαιρουμένων των σκοπούμενων προσμίξεων, κατώτερες των 5000 ppm, με μέση διάσταση σωματιδίων ίση ή μικρότερη των 5 μικρομέτρων και όχι περισσότερα των 10 % των σωματιδίων μεγαλύτερα των 10 μικρομέτρων,

β.

Μη σύνθετα κεραμικά υλικά σε ακατέργαστη ή μη κατεργασμένη μορφή, εξαιρουμένων των λειαντικών, αποτελούμενα από βορίδια του τιτανίου με πυκνότητα 98 % και άνω της θεωρητικής, Σημείωση: Το σημείο 1C007.β., δεν καλύπτει τα λειαντικά.

γ.

Σύνθετα υλικά από κεραμικό-κεραμικό με γυαλί ή με μήτρα οξειδίων και ενισχυμένα με ίνες με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

1. Κατασκευασμένες από κάποιο από τα εξής υλικά:

1. α.

Si-N,

β.

Si-C,

γ.

Si-Al-Ο-N, ή

δ.

Si-Ο-N, και

2. με ειδική ισχύ εφελκυσμού άνω του 12.7 × 103 m,

δ.

Σύνθετα υλικά από κεραμικό-κεραμικό, με ή χωρίς συνεχή μεταλλική φάση, περιέχοντα λεπτώς κατανεμημένα σωματίδια ή φάσεις από οποιοδήποτε ινώδες ή τρίχινο υλικό, στο οποίο καρβίδια ή νιτρίδια του πυριτίου, του ζιρκονίου ή του βορίου αποτελούν τη μήτρα.

ε.

Πρόδρομα υλικά (δηλαδή, ειδικά πολυμερή ή οργανο-μεταλλικά υλικά) για την παραγωγή οποιασδήποτε φάσης ή φάσεων από τα υλικά που αναφέρονται στο σημείο 1C007.γ., ως εξής:

1. Πολυδιοργανοσιλάνια (για την παραγωγή καρβιδίου του πυριτίου),

2. Πολυσιλαζάνια (για την παραγωγή νιτριδίων του πυριτίου),

3. Πολυκαρβοσιλαζάνια (για την παραγωγή κεραμικών από πυριτιούχες, ανθρακούχες και αζωτούχες ουσίες).

στ.

Σύνθετα υλικά από κεραμικό-κεραμικό με γυαλί ή με μήτρα οξειδίων και ενισχυμένα με ίνες οιασδήποτε σύνθεσης από τις παρακάτω: Σημ.: Το σημείο 1C007.στ. δεν καλύπτει σύνθετα υλικά με ίνες αυτών των συνθέσεων που διαθέτουν ισχύ εφελκυσμού κάτω των 700 MPa σε 1,273 Κ (1000 °C) ή αντοχή ερπυσμού σε εφελκυσμό των ινών άνω του 1 % της τάσης ερπυσμού σε 100 MPa φορτίου και 1,273 Κ (1000 °C) για 100 ώρες.

1. Al2O3, ή

2. Si-C-N

α.

Σημ.: Στο σημείο 1C008.α. δεν υπάγονται οι μη τηκόμενες σκόνες πιεστικού εκμαγείου ή διάφορα προϊόντα εκμαγείου.

1. Βισμαλεϊμίδια,

2. Αρωματικά πολυαμίδια-ιμίδια,

3. Αρωματικά πολυϊμίδια,

4. Αρωματικά πολυαιθεριμίδια διαθέτοντα σημείο υαλώδους μετάπτωσης (Tg) ανώτερο των 513 Κ (240 °C).

β.

Θερμοπλαστικά συμπολυμερή υγρών κρυστάλλων και με θερμοκρασία θερμικής παραμόρφωσης ανώτερη των 523 Κ (250 °C) μετρούμενη σύμφωνα με την προδιαγραφή ISO 75-3 (2004), ή εθνικές ισοδύναμες με φόρτιση 1,82 N/mm2 και αποτελούμενα από:

1. Κάποιο από τα εξής:

1. α.

Φανυλένιο, διφαινυλένιο ή ναφθαλένιο, ή

β.

Υποκατεστημένα φαινυλένια διφαινυλένια ή ναφθαλένια μεθυλίου, τριτοταγούς βουτυλίου ή φαινυλίου, και

2. Κάποιο από τα εξής οξέα:

2. α.

Τερεφθαλικό οξύ,

β.

6-υδροξυ-2 ναφθοϊκό οξύ, ή

γ.

4-υδροξυβενζοϊκό οξύ.

γ.

Αιθερικές κετόνες του πολυαρυλενίου ως εξής:

1. (Δεν χρησιμοποιείται),

2. Πολυαιθερικές κετόνες κετόνες (PEKK),

3. Πολυαιθερικές κετόνες (PEK),

4. Πολυαιθερικές κετόνες αιθέρων κετόνης κετόνης (PEKEKK),

δ.

Πολυαρυλενικές κετόνες,

ε.

Πολυαρυλενικά σουλφίδια, όπου η ομάδα του αρυλενίου είναι διφαινυλένιο, τριφαινυλένιο ή συνδυασμός τους,

στ.

Πολυδιφαινυλενικοί αιθέρες σουλφόνης με σημείο υαλώδους μετάπτωσης (Tg) άνω των 513 Κ (240 °C).

1CΥλικά Τεχνική Σημείωση: Τεχνικές Παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική Παρατήρηση: α.

Συμπολυμερή φθοριούχου βινυλιδενίου διαθέτοντα 75 % και άνω βήτα κρυσταλλική δομή, χωρίς επιμήκυνση,

β.

Φθοριωμένα πολυϊμίδια περιέχοντα 10 % βάρους και άνω συνδεδεμένου φθορίου,

γ.

Φθοριωμένα ελαστομερή του φωσφαζενίου περιέχοντα 30 % και άνω συνδεδεμένου φθορίου.

α.

Οργανικά ινώδη ή νηματώδη υλικά με όλα τα εξής χαρακτηριστικά: Σημείωση: Στο σημείο 1C010.α. δεν ελέγχεται το πολυαιθυλένιο.

1. Ειδικό συντελεστή (specific modulus), ανώτερο του 12,7 × 106 m· και

2. Ειδική αντίσταση εφελκυσμού ανώτερη του 23,5 × 104 m.

β. Τεχνική παρατήρηση:

Ανθρακούχα ινώδη ή νηματώδη υλικά με όλα τα εξής χαρακτηριστικά: Σημείωση: Στο σημείο 1C010.β. δεν υπάγονται υφάσματα κατασκευασμένα από ινώδη ή νηματώδη υλικά για την επισκευή τμημάτων αεροπλάνων ή ελασμάτων στα οποία το μέγεθος των επιμέρους φύλλων δεν υπερβαίνει τα 50 cm × 90 cm Οι ιδιότητες των υλικών που περιγράφονται στο σημείο 1C010.β. προσδιορίζονται σύμφωνα με τις συνιστώμενες μεθόδους SACMA (Suppliers of Advance Composite Materials) SRM 12 έως 17, ή εθνικές ισοδύναμες δοκιμασίες εφελκυσμού, όπως αυτή που περιγράφεται στο Japanese Industrial Standard JIS-R-7601, παράγραφος 6.6.2., και βασίζεται σε μέσες τιμές παρτίδων.

β.

1. Ειδικό συντελεστή ανώτερο του 12,7 × 106 m· και

2. Ειδική αντίσταση εφελκυσμού ανώτερη του 23,5 × 104 m.

γ.

Ανόργανα ινώδη ή νηματώδη υλικά με όλα τα εξής χαρακτηριστικά: Σημ.: Στο 1C010.γ. δεν υπάγονται:

1. Ειδικό συντελεστή ανώτερο του 2,54 × 106 m· και

2. Σημείο τήξεως, μαλακώματος, αποσύνθεσης ή εξάχνωσης ανώτερο των 1922 Κ (1649 °C) σε αδρανές περιβάλλον.

1. Ασυνεχείς, πολυφασικές, πολυκρυσταλλικές ίνες αλουμίνας υπό μορφή τεμαχισμένων ινών ή τυχαίας διαστρωμάτωσης, που περιέχουν 3 % κατά βάρος ή περισσότερο πυριτικά με ειδικό συντελεστή μικρότερο του 10 × 106 m,

2. Ίνες μολυβδαινίου και κραμάτων μολυβδαινίου,

3. Ίνες βορίου,

4. Ασυνεχείς κεραμικές ίνες με σημείο τήξεως, μαλακώματος, αποσύνθεσης ή εξάχνωσης κατώτερο των 2043 Κ (1770 °C) σε αδρανές περιβάλλον.

δ.

Ινώδη ή νηματώδη υλικά:

1. Αποτελούμενα από οποιοδήποτε από τα εξής:

1. α.

Πολυαιθεριμίδια όπως προσδιορίζονται στο σημείο 1C008.α., ή

β.

Υλικά όπως προσδιορίζονται στο σημείο 1C008.β. έως 1C008.στ., ή

2. Αποτελούμενα από υλικά όπως αυτά προσδιορίζονται στο σημείο 1C010.δ.1.α.,ή 1C010.δ.1.β και διαπλεγμένα με άλλες ίνες που ορίζονται στο σημείο 1C010.α., 1C010. β., ή 1C010.γ.,

ε. Τεχνική Παρατήρηση:

Ίνες προ-εμποτισμένες σε φυσικές ή μη ρητίνες (προ-εμποτίσματα), μεταλλικές ίνες ή ίνες επιχρισμένες με άνθρακα (προ-μορφώματα), προμορφώματα ανθρακούχων ινών, ως εξής: Σημ.: Στο σημείο 1C010.ε. δεν υπάγονται: Το σημείο υαλώδους μετάπτωσης (Tg) για τα υλικά του σημείου 1C010.ε. καθορίζεται βάσει του ASTM D 3418 με την ξηρά μέθοδο. Το σημείο υαλώδους μετάπτωσης για φαινολικές ή εποξεικές ρητίνες καθορίζεται βάσει του ΑSΤΜ D 4065 σε συχνότητα 1 Hz και βαθμό θέρμανσης 2 Κ (°C) ανά πρώτο λεπτό σύμφωνα με την ξηρά μέθοδο.

ε.

1. Κατασκευασμένες από ινώδη ή νηματώδη υλικά όπως προσδιορίζοντα στο σημείο 1C010.α., 1C010.β., ή 1C010.γ.·

2. Κατασκευασμένες από οργανικά ή ανθρακούχα ινώδη ή νηματώδη υλικά:

2. α.

Με ειδική αντίσταση εφελκυσμού ανώτερη του 17,7 × 104 m,

β.

Με ειδικό συντελεστή ανώτερο του 10,15 × 106 m,

γ.

Μη προσδιοριζόμενα στο σημείο 1C010.α., ή 1C010.β., και

δ.

Όταν είναι εμποτισμένα με υλικά που προσδιορίζονται στο σημείο 1C008 ή 1C009.β., σημείο υαλώδους μετάπτωσης με (Tg) άνω των 383 Κ (110 °C), ή εμποτισμένα με φαινολικές ή εποξεικές ρητίνες, εμφανίζοντα σημείο υαλώδους μετάπτωσης (Tg) ίσιο ή ανώτερο των 418 Κ (145 °C).

α.

τα ινώδη ή νηματώδη υλικά (προ-εμποτίσματα) με μήτρα εποξεικής ρητίνης εμποτισμένης με άνθρακα για την επισκευή τμημάτων αεροσκαφών ή ελασμάτων, στα οποία το μέγεθος των επιμέρους φύλλων του προ-εμποτίσματος δεν υπερβαίνει τα 50 cm × 90 cm,

β.

Προεμποτίσματα εμποτισμένα με φαινολικές ή εποξεικές ρητίνες και σημείο υαλώδους μετάπτωση (Τg) κάτω των 433 Κ (160 °C) και θερμοκρασία ωρίμανσης κάτω του σημείου υαλώδους μετάπτωσης.

α. Τεχνική παρατήρηση:

Μέταλλα σε μέγεθος σωματιδίων μικρότερων των 60μm, σφαιρικών κονιορτοποιημένων σφαιροειδών, σε φολίδες ή αλεσμένων, κατασκευασμένων από υλικό που συνίσταται κατά 99 % ή περισσότερο από ζιρκόνιο, μαγνήσιο και κράματα αυτών. Το φυσικώς εμπεριεχόμενο στο ζιρκόνιο άφνιο (συνήθως 2 % έως 7 %) συνυπολογίζεται με το ζιρκόνιο. ΣΗΜ: Τα μέταλλα ή κράματα που αναφέρονται στο σημείο 1C011.α. ελέγχονται ανεξάρτητα από το αν τα μέταλλα ή κράματα περικλείονται με αλουμίνιο, μαγνήσιο, ζιρκόνιο ή βηρύλλιο.

β.

Βόριο ή καρβίδια βορίου με καθαρότητα 85 % ή μεγαλύτερη και μέγεθος σωματιδίων 60 μm ή λιγότερο: ΣΗΜ: Τα μέταλλα ή κράματα που αναφέρονται στο σημείο 1C011.β. ελέγχονται ανεξάρτητα από το αν τα μέταλλα ή κράματα περικλείονται με αλουμίνιο, μαγνήσιο, ζιρκόνιο ή βηρύλλιο.

γ.

Νιτρική γουανιδίνη.

δ.

Νιτρογουανιδίνη (NQ) (CAS 556-88-7).

1CΥλικά Τεχνική Σημείωση: Τεχνικές Παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική Παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α.

Πλουτώνιο σε οποιαδήποτε μορφή σε ισοτοπική δοκιμή πλουτωνίου του πλουτωνίου 238 μεγαλύτερη του 50 % κατά βάρος· Σημ.: Στο σημείο 1C012.α. δεν υπάγονται:

α.

Τα φορτία με περιεκτικότητα σε πλουτώνιο 1 g ή λιγότερο.

β.

Τα φορτία με 3 ενεργά γραμμάρια ή λιγότερο όταν περιέχονται σε εξάρτημα αισθητήρα οργάνων.

β.

Προηγουμένως διαχωρισμένο ποσειδώνιο-237 σε οποιαδήποτε μορφή. Σημ.: Στο σημείο 1C012.β. δεν υπάγονται τα φορτία με περιεκτικότητα 1 g ή λιγότερο σε ποσειδώνιο-237.

α.

Δομικά υλικά και επιχρίσματα ειδικά σχεδιασμένα για χαμηλή ανακλαστικότητα ραντάρ,

β.

Επιχρίσματα, συμπεριλαμβανομένων και βαφών, ειδικά σχεδιασμένα για χαμηλή ή σκοπούμενη ανακλασιμότητα ή εκπομπή σε μικροκύματα, στις υπεριώδεις ή υπέρυθρες περιοχές του ηλεκτρομαγνητικού φάσματος,

1CΥλικά Τεχνική Σημείωση: Τεχνικές Παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική Παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α.

Λεπτόκοκκοι γραφίτες με γενική πυκνότητα 1,72 g/cm3 και άνω, μετρούμενη σε 288 Κ (15 °C) με διαστάσεις κόκκων το πολύ 100 μm, χρησιμοποιήσιμοι σε ακροφύσια πυραύλων και σε ρύγχη οχημάτων επαναφοράς στην ατμόσφαιρα, από τους οποίους μπορεί να κατασκευαστεί οποιοδήποτε από τα ακόλουθα προϊόντα: ΣΗΜΕΙΩΣΗ: Βλέπε επίσης: 0C004

1. Κύλινδροι διαμέτρου τουλάχιστον 120 mm και μήκους τουλάχιστον 50 mm,

2. Σωλήνες εσωτερικής διαμέτρου τουλάχιστον 65 mm και πάχους τοιχώματος τουλάχιστον 25 mm και μήκους τουλάχιστον 50 mm, ή

3. Τρόχιλοι μεγέθους τουλάχιστον 120 mm × 120 mm × 50 mm,

β.

Πυρολυτικοί ή ινώδεις ενισχυμένοι γραφίτες, χρησιμοποιήσιμοι σε ακροφύσια βλημάτων και σε ρύγχη οχημάτων επαναφοράς, ΣΗΜΕΙΩΣΗ: Βλέπε επίσης: 0C004

γ.

Κεραμικά σύνθετα υλικά (με διηλεκτρική σταθερά μικρότερη του 6 σε οποιαδήποτε συχνότητα από 100 ΜΗz έως 100 GHZ), που χρησιμοποιούνται σε σφαιρικούς θόλους βλημάτων,

δ.

Χύδην επεξεργάσιμο κεραμικό ενισχυμένο με πυριτιούχα καρβίδια χωρίς θερμική επεξεργασία, που χρησιμοποιείται σε ρύγχη βλημάτων.

α.

Προωστικές ουσίες:

1. Τεχνική παρατήρηση

Σκόνη σφαιρικού αλουμινίου, εκτός αυτής που αναφέρεται στους Ελέγχους Στρατιωτικών Υλικών, με σωματίδια ενιαίας διαμέτρου 200 μm και περιεκτικότητα κατά βάρος σε αλουμίνιο 97 % και άνω, εφόσον το 10% τουλάχιστον του συνολικού βάρους αποτελείται από σωματίδια κάτω των 63 μm, σύμφωνα με το ISO 2591 : 1998 ή τα εθνικά ισοδύναμα, Μέγεθος σωματιδίων 63 μm (ISO R-565) αντιστοιχεί σε κόσκινο 250 (Tyler) ή 230 (πρότυπο ASTM E-11).

2. Τεχνική παρατήρηση:

Μεταλλικά καύσιμα, εκτός αυτών που αναφέρονται στους Ελέγχους Στρατιωτικών Υλικών, σε σωματίδια διαστάσεων κάτω των 500 μικρομέτρων, σφαιρικά, κονιορτοποιημένα, σφαιροειδή, σε φολίδες ή αλεσμένα, περιέχοντα από τα παρακάτω υλικά σε αναλογία 97 % κατά βάρος και άνω: Το άφνιο που φυσικώς εμπεριέχεται στο ζιρκόνιο (κατά κανόνα 2 % έως 7 %) συνυπολογίζεται με το ζιρκόνιο.

2. α.

Ζιρκόνιο,

β.

Βηρύλλιο,

γ.

Μαγνήσιο, ή

δ.

Κράματα μετάλλων που προσδιορίζονται στο σημείο α. έως γ. παραπάνω,

3. Υγρές οξειδωτικές ουσίες ως εξής:

3. α.

Τριοξείδιο του διαζώτου,

β.

Διοξείδιο του αζώτου/τετροξείδιο του διαζώτου,

γ.

Πεντοξείδιο του διαζώτου,

δ. Τεχνική παρατήρηση:

Μικτά οξείδια του αζώτου (MON) Τα μικτά οξείδια του αζώτου (MON) είναι διαλύματα μονοξειδίου του αζώτου (NO) σε τετροξείδιο/διοξείδιο του αζώτου (N2O4/NO2), που μπορούν να χρησιμοποιηθούν σε πυραυλικά συστήματα. Ανάλογα με την αναλογία των συστατικών τους χαρακτηρίζονται ως MONi ή MONij, όπου i ή ij μονοψήφιος ή διψήφιος ακέραιος που εμφαίνει το ποσοστό μονοξειδίου του αζώτου που περιέχεται στο μίγμα (π.χ. το MON3 περιέχει 3 % μονοξείδιο του αζώτου, το MON25 περιέχει 25 %υ, με ανώτατο όριο το MON40, που περιέχει 40 % μονοξείδιο του αζώτου κατά βάρος)

ε.

ΒΛΕΠΕ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ ΓΙΑ ΤΟ Σαθεροποιημένο ερυθρό ατμίζον νιτρικό οξύ (IRFNA)·

στ.

ΒΛΕΠΕ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ ΚΑΙ ΣΗΜΕΙΟ 1C238 ΓΙΑ ΤΙΣ Εώσεις αποτελούμενες από φθόριο και ένα ή περισσότερα άλλα αλογόνα, οξυγόνο ή άζωτο.

4. Παράγωγα υδραζίνης που μπορούν να χρησιμοποιηθούν ως καύσιμα πυραύλων, πλην εκείνων που ορίζονται στους Ελέγχους Στρατιωτικών Υλικών,

β.

Πολυμερείς ουσίες:

1. Πολυβουταδιένιο με τελική καρβοξυλική ομάδα (CΤΡΒ),

2. Πολυβουταδιένιο με τελική υδροξυλική ομάδα, εκτός αυτών που προσδιορίζονται στους Ελέγχους Στρατιωτικών Υλικών,

3. Πολυβουταδιένιο-ακρυλικό οξύ (ΡΒΑΑ),

4. Πολυβουταδιένιο-ακρυλικό οξύ-ακρυλονιτρίλιο (ΡΒΑΝ),

γ.

Άλλα προωθητικά πρόσθετα και ουσίες:

1. ΒΛ. ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ ΓΙΑ ΤΑ καρβοβοράνια, τα δεκαβοράνια, τα πενταβοράνια και τα παράγωγά τους

2. Δινιτρική τριαιθυλενογλυκόλη (ΤΕGDΝ),

3. Νιτροδιφαινυλαμίνη,

4. Τρινιτρικό τριμεθυλαιθάνιο (ΤΜΕΤΝ),

5. Δινιτρική διαιθυλενογλυκόλη (DΕGDΝ).

6. Παράγωγα σιδηροκενίου (ferrocene) εκτός εκείνων που προσδιορίζονται στους Ελέγχους Στρατιωτικών Υλικών.

6. α.

Βλ. Ελέγχους Στρατιωτικών Υλικών για το κατοκένιο

β.

Αιθυλοσιδηροκένιο

γ.

Προπυλοσιδηροκένιο

δ.

Βλ. Ελέγχους Στρατιωτικών Υλικών για το n-βουτυλοσιδηροκένιο

ε.

Πεντυλοσιδηροκένιο

στ.

Δικυκλοπεντυλοσιδηροκένιο

ζ.

Δικυκλοεξυλοσιδηροκένιο

η.

Διαιθυλοσιδηροκένιο

θ.

Διπροπυλοσιδηροκένιο

ι.

Διβουτυλοσιδηροκένιο

ια.

Διεξυλοσιδηροκένιο

ιβ.

Ακετυλοσιδηροκένια

ιγ.

Βλ. Ελέγχους Στρατιωτικών Υλικών για τα καρβοξυλικά οξέα του σιδηροκενίου

ιδ.

Βλ. Ελέγχους Στρατιωτικών Υλικών για το βουτακένιο

ιε.

Άλλα παράγωγα του σιδηροκενίου που μπορούν να χρησιμοποιηθούν ως τροποποιητικά της ταχύτητας καύσης προωστικών πυραύλων, πλην εκείνων που προσδιορίζονται στους Ελέγχους στρατιωτικών υλικών.

α.

Όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

1. Περιεκτικότητα κατά βάρος 17,0-23,0 % σε χρώμιο και 4,5-7,0 % σε νικέλιο,

2. Περιεκτικότητα κατά βάρος άνω του 0,10 % σε τιτάνιο, και

3. Φερριτική-ωστενιτική (διφασική) μικροδομή με τουλάχιστον 10 % κατ' όγκο ωστενίτη (σύμφωνα με το ASTM E-1181-87 ή τα εθνικά του ισοδύναμα), και

β.

Ένα από τα παρακάτω σχήματα:

1. Πλινθώματα και ράβδοι μεγέθους 100 mm και άνω σε κάθε διάσταση,

2. Φύλλα πλάτους 600 mm και άνω και πάχους 3 mm και κάτω, ή

3. Σωλήνες με εξωτερική διάμετρο 600 mm και άνω και πάχος τοιχωμάτων 3 mm και κάτω.

α.

Κράματα αλουμινίου με τα εξής δύο χαρακτηριστικά:

1. Εμφανίζοντα τελική αντίσταση εφελκυσμού 460 ΜΡα και άνω σε 293 Κ (20 °C), και

2. Υπό μορφή σωλήνων ή κυλινδρικών στερεών σωμάτων (περιλαμβανομένων και των σφυρηλάτων) εξωτερικής διαμέτρου 75 mm και άνω,

β.

Κράματα τιτανίου με τα εξής δύο χαρακτηριστικά:

1. Εμφανίζοντα τελική αντίσταση εφελκυσμού 900 ΜΡα και άνω, σε 293 Κ (20 °C), και

2. Υπό μορφή σωλήνων ή κυλινδρικών στερεών σωμάτων (συμπεριλαμβανομένων και των σφυρηλάτων) με εξωτερική διάμετρο 75 mm και άνω,

1CΥλικά Τεχνική Σημείωση: Τεχνικές Παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική Παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α.

Ινώδη ή νηματώδη υλικά από άνθρακα ή αραμίδια με ένα από τα εξής χαρακτηριστικά: Σημ.: Στο σημείο 1C210.a., δεν υπάγονται τα ινώδη ή νηματώδη υλικά από αραμίδια με περιεκτικότητα 0,25 % και άνω κατά βάρος σε ινώδη τροποποιητή επιφανειών με βάση εστέρες,

1. Ειδικό συντελεστή 12,7 × 106 m και άνω ή

2. Ειδική αντίσταση εφελκυσμού 235 × 103 m και άνω·

β.

Υαλώδη ινώδη ή νηματώδη υλικά με τα εξής δύο χαρακτηριστικά:

1. Ειδικό συντελεστή 3,18 × 106 m και άνω, και

2. Ειδική αντίσταση εφελκυσμού 7,62 × 103 m και άνω.

γ. Τεχνική παρατήρηση:

Θερμοσκληρική ρητίνη εμποτισμένη με συνεχή στημόνια, πιλήματα, τέλματα ή ταινίες πλάτους 15 mm το πολύ (προεμποτίσματα), από ανθρακούχα ή υαλώδη ινώδη ή νηματώδη υλικά που προσδιορίζονται στο σημείο 1C210.α. ή β. Η ρητίνη αποτελεί το περίβλημα του συστατικού.

1CΥλικά Τεχνική Σημείωση: Τεχνικές Παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική Παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α.

Σε μορφές με κοίλη κυλινδρική συμμετρία (περιλαμβανομένων και κυλινδρικών τμημάτων) εσωτερικής διαμέτρου μεταξύ των 100 mm και 300 mm, και

β.

Μάζα άνω των 20 kg.

α.

Περιέχον λιγότερο από 1000 ppm κατά βάρος μεταλλικές προσμίξεις διαφορετικές από μαγνήσιο και

β.

Περιέχον λιγότερα από 10 ppm βορίου.

α.

Περιέχον λιγότερο από 200 ppm κατά βάρος μεταλλικές προσμίξεις, πλην του ασβεστίου, και

β.

Περιέχον λιγότερα από 10 ppm βορίου κατά βάρος.

α.

Καθαρότητας 99,99 % και άνω κατά βάρος και

β.

Περιέχον λιγότερο από 10 ppm κατά βάρος άργυρο.

α.

Μεταλλικά παράθυρα για μηχανήματα ακτίνων ·, ή συσκευές για την παρακολούθηση των τρημάτων,

β.

Οξείδια σε επεξεργασμένα ή ημιεπεξεργασμένα προϊόντα ειδικά σχεδιασμένα για εξαρτήματα ηλεκτρονικής ή ως υποστρώματα ηλεκτρονικών δικτύων,

γ.

Βήρυλλος (πυριτικό άλας βηρυλλίου και αλουμινίου) υπό μορφή σμαραγδιών ή ακουαμαρίνων.

1CΥλικά Τεχνική Σημείωση: Τεχνικές Παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική Παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α.

Στοιχειακά,

β.

Ενώσεις ολικής ενέργειας α 37 GBq/kg (1 Ci/kg) ή ανώτερης,

γ.

Μείγματα 37 GBq/kg (1 Ci/kg) ή ανώτερης,

δ.

Προϊόντα ή συσκευές περιέχοντα οποιοδήποτε από τα προαναφερόμενα.

α.

Ιατρικές συσκευές,

β.

Προϊόν ή συσκευή περιέχουσα λιγότερο από 0,37 GΒq (10 millicuries) ραδίου-226.

α.

Σκόνη νικελίου με τα εξής δύο χαρακτηριστικά:

1. Καθαρή περιεκτικότητα νικελίου 99,0 % κατά βάρος ή ανώτερη, και

2. Μέσο μέγεθος σωματιδίων μικρότερο των 10 μικρομέτρων με βάση μέτρηση σύμφωνα με το πρότυπο Β330 από την Αμερικανική Εταιρεία Δομικών Υλικών (ΑSΤΜ)·

β.

Πορώδης σκόνη μεταλλικού νικελίου παραγόμενη από υλικά που προσδιορίζονται στο σημείο 1C240.α.·

α.

Νηματώδης σκόνη νικελίου,

β.

Ενιαία ελάσματα πορώδους νικελίου με εμβαδόν μέχρι και 1000 cm2 ανά έλασμα.

1CΥλικά Τεχνική Σημείωση: Τεχνικές Παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική Παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική Σημείωση:

1. Θειοδιγλυκόλη (111-48-8),

2. Οξυχλωριούχος φώσφορος (10025-87-3),

3. Μεθυλοφωσφονικό διμεθύλιο (756-79-6),

4. ΒΛΕΠΕ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ ΓΙΑ ΤΟ φωσφονυλδιφθοριούχο μεθύλιο (676-99-3),

5. Φωσφονυλδιχλωριούχο μεθύλιο (676-97-1),

6. Φωσφορώδες διμεθύλιο (DΜΡ) (868-85-9),

7. Τριχλωριούχος φώσφορος (7719-12-2)

8. Φωσφορώδες τριμεθύλιο (ΤΜΡ) (121-45-9),

9. Χλωριούχο θειονύλιο (7719-09-7),

10. 3-υδροξυ-1-μεθυλοπιπεριδίνη (3554-74-3),

11. N,N-Διισοπροπυλ-β-αμινοαιθυλοχλωρίδιο (96-79-7),

12. Θειόλη του Ν,Ν-διισοπροπυλ-β-αμινοαιθανίου (5842-07-9),

13. Κινουοκλιδινόλη (1619-34-7),

14. Φθοριούχο κάλιο (7789-23-3),

15. 2-Χλωροαιθανόλη (107-07-3),

16. Διμεθυλαμίνη (124-40-3),

17. Αιθυλοφωσφονικό διαιθύλιο (78-38-6),

18. Ν,Ν-διμεθυλοφωσφοραμιδικό διαιθύλιο (2404-03-7),

19. Φωσφορώδες διαιθύλιο (762-04-9),

20. Υδροχλωρική διμεθυλαμίνη (506-59-2),

21. Διχλωριούχο αιθυλοφωσφινύλιο (1498-40-4),

22. Διχλωριούχο αιθυλοφωσφονύλιο (1066-50-8),

23. ΒΛΕΠΕ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ ΓΙΑ ΤΟ Διφθοριούχο αιθυλοφωσφονύλιο (753-98-0),

24. Υδροφθόριο (7664-39-3),

25. Βενζυλικό μεθύλιο (76-89-1),

26. Διχλωριούχο μεθυλοφωσφινύλιο (676-83-5),

27. Ν,Ν-διισοπροπυλ-β-αμινοαιθανόλη (96-80-0),

28. Πινακολυλική αλκοόλη (464-07-03),

29. ΒΛΕΠΕ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ ΓΙΑ ΤΟ Μεθυλοφωσφονικό Ο-αιθυλ-2-διισοπροπυλαμινοαιθύλιο (QL) (57856-11-8),

30. Φωσφορώδες τριαιθύλιο (122-52-1),

31. Τριχλωριούχο αρσενικό (7784-34-1),

32. Βενζυλικό οξύ (76-93-7),

33. Μεθυλοφωσφονικό διαιθύλιο (15715-41-0),

34. Αιθυλοφωσφονικό διμεθύλιο (6163-75-3),

35. Διφθοριούχο αιθυλοφωσφινύλιο (430-78-4),

36. Διφθοριούχο μεθυλοφωσφινύλιο (753-59-3),

37. 3-Κινουκλιδόνη (3731-38-2),

38. Πενταχλωριούχος φώσφορος (10026-13-8),

39. Πινακολόνη (75-97-8),

40. Κυανιούχο κάλιο (151-50-8),

41. Διφθοριούχο κάλιο (7789-29-9),

42. Υδροφθοριούχο αμμώνιο ή διφθοριούχο αμμώνιο (1341-49-7),

43. Φθοριούχο νάτριο (7681-49-4),

44. Διφθοριούχο νάτριο (1333-83-1),

45. Κυανιούχο νάτριο (143-33-9),

46. Τριαιθανολαμίνη (102-71-6),

47. Πενταθειούχος φώσφορος (1314-80-3),

48. Δι-ισοπροπυλαμίνη (108-18-9),

49. Διαιθυλαμινοαιθανόλη (100-37-8),

50. Θειούχο νάτριο (1313-82-2),

51. Μονοχλωριούχο θείο (10025-67-9),

52. Διχλωριούχο θείο (10545-99-0),

53. Υδροχλωρική τριαιθανολαμίνη (637-39-8),

54. Υδροχλωρικό Ν,Ν-διισοπροπυλ-β-αμινοαιθυλοχλωρίδιο (4261-68-1),

55. Μεθυλοφωσφονικό οξύ (993-13-5),

56. Μεθυλοφωσφονικός διαιθυλεστέρας (683-08-9),

57. Διχλωριούχο Ν,Ν-διμεθυλαμινοφωσφορύλιο (677-43-0),

58. Φωσφορώδες τριισαπροπύλιο (116-17-6),

59. Αιθυλοδιαιθανολαμίνη (139-87-7),

60. Φωσφοροθειικό 0,0-διαιθύλιο (2465-65-8),

61. Φωσφοροδιθειικό 0,0-διαιθύλιο (298-06-4,6),

62. Εξαφθοροπυριτικό νάτριο (16893-85-9),

63. Διχλωριούχος μεθυλοφωσφονοϊκοθειοϊκός εστέρας (676-98-2).

α.

Ιοί, φυσικοί, διεγερμένοι ή τροποποιημένοι, υπό μορφή απομονωμένων ζωντανών καλλιεργειών ή ως υλικό περιέχον ζώντες οργανισμούς το οποίο έχει σκοπίμως ενοφθαλμιστεί ή επιμολυνθεί με τέτοιου είδους καλλιέργειες, ως εξής:

1. Ιός τσικογκούνια (chikungunya),

2. Ιός αιμορραγικού πυρετού Κογκό-Κριμαίας,

3. Ιός δάγγειου πυρετού,

4. Ιός ανατολικής εγκεφαλίτιδας ιπποειδών,

5. Ιός Ebola,

6. Ιός Hantaan,

7. Ιός Junin,

8. Ιός πυρετού της Λάσσα,

9. Ιός λυμφοκυτταρικής χοριομηνιγγίτιδας,

10. Ιός του Ματσούπο (Machupo),

11. Ιός του Μάρμπουργκ (Marburg),

12. Ιός ευλογιάς πιθήκων,

13. Ιός πυρετού του Rift Valley,

14. Ιός επιδημικής εγκεφαλίτιδας (ρωσικός ιός εγκεφαλίτιδας),

15. Ιός ευλογιάς,

16. Ιός εγκεφαλίτιδας ιπποειδών της Βενεζουέλας,

17. Δυτικός ιός εγκεφαλίτιδας ιπποειδών,

18. Οιονεί ευλογιά (white pox),

19. Ιός κίτρινου πυρετού,

20. Ιός ιαπωνικής εγκεφαλίτιδας,

21. Ιός Δάσους Kvasanur

22. Ιός νόσου Louping

23. Ιός εγκεφαλίτιδας Κοιλάδας Murray

24. Ιός αιμορραγικού πυρετού Ομσκ

25. Ιός Oropouche

26. Ιός Powassan

27. Ιός Rocio

28. Ιός εγκεφαλίτιδας St. Louis

29. Ιός Hendra (ιλαράς των ίππων)

30. Ιός νοτιοαμερικανικού αιμορραγικού πυρετού (Sabia, Flexal, Guanario)

31. Ιoí αιμορραγικού πυρετού με πνευμονονεφρικό σύνδρομο (Σεούλ, Dobrava, Puumala, Sin Nombre)

32. Ιός Nipah

β.

Ρικέτσια, φυσικοί, διεγερμένοι ή τροποποιημένοι, υπό μορφή απομονωμένων ζωντανών καλλιεργειών ή ως υλικό περιέχον ζώντες οργανισμούς οι οποίοι έχουν σκοπίμως ενοφθαλμιστεί ή επιμολυνθεί με τέτοιες καλλιέργειες, ως εξής:

1. Coxiella burnetti,

2. Bartonella quintana (Rochalimaea quintana, Ρικέτσια quintana),

3. Rickettsia prowasecki,

4. Rickettsia rickettsii,

γ.

Βακτήρια, φυσικά, διεγερμένα ή τροποποιημένα, υπό μορφή απομονωμένων ζωντανών καλλιεργειών ή ως υλικό περιέχον ζώντες οργανισμούς οι οποίοι έχουν σκοπίμως ενοφθαλμιστεί ή επιμολυνθεί με τέτοιες καλλιέργειες, ως εξής:

1. Bacillus anthracis,

2. Brucella abortus,

3. Brucella melitensis,

4. Brucella suis,

5. Chlamydia psittaci,

6. Clostridium botulinum,

7. Francisella tularensis,

8. Burkholderia mallei (Pseudomonas mallei),

9. Burkholderia pseudomallei (Pseudomonas pseudomallei),

10. Salmonella typhi,

11. Shigella dysenteriae,

12. Vibrio cholerae,

13. Yersinia pestis,

14. Clostridium perfringens — τύποι που παράγουν ε-τοξίνη

15. Εντεροαιμορραγική Escherichia coli, οροτύπου Ο157 και άλλων που παράγουν βεροτοξίνες

δ.

Τοξίνες, ως εξής, και σχετική υπο-ομάδα τοξινών: Σημ.: Το 1C351.d.1. δεν θέτει υπό έλεγχο τις τοξίνες botulinum ή κωνοτοξίνες υπό μορφή προϊόντων που πληρούν όλα τα παρακάτω κριτήρια:

1. Botulinum toxins,

2. Clostridium perfringens toxins,

3. Conotoxin,

4. Ricin,

5. Saxitoxin,

6. Shiga toxin,

7. Staphylococcus aureus toxins,

8. Tetrodotoxin,

9. Verotoxin,

10. Microcystin (Cyanginosin),

11. Αφλατοξίνες,

12. Abrin,

13. Τοξίνη χολέρας,

14. Τοξίνη διακετοξυκιρπενόλης,

15. Τοξίνη Τ-2,

16. Τοξίνη ΗΤ-2,

17. Modeccin,

18. Volkensin,

19. Λεκτίνη 1 του Viscum album (Viscumin).

1. Είναι φαρμακευτικά σκευάσματα προοριζόμενα για χορήγηση από ανθρώπους για την αντιμετώπιση ιατρικών προβλημάτων,

2. Είναι προσυσκευασμένα προς διανομή ως ιατρικά προϊόντα,

3. Έχουν εγκριθεί από κρατική αρχή προς εμπορία ως ιατρικά προϊόντα.

α.

Ιοί, φυσικοί, διεγερμένοι ή τροποποιημένοι, υπό μορφή απομονωμένων ζωντανών καλλιεργειών ή ως υλικό περιέχον ζώντες οργανισμούς, οι οποίοι έχουν σκοπίμως ενοφθαλμιστεί ή επιμολυνθεί με τέτοιες καλλιέργειες, ως εξής:

1. Αφρικανικός ιός πανώλους χοίρων,

2. Ιοί γρίπης πτηνών, που είναι:

2. α.

Μη χαρακτηρισμένοι, ή

β.

Μεταξύ αυτών που ορίζονται στην κοινοτική οδηγία 92/40/ΕΚ (ΕΕ L 167 της 22.6.1992, σελ. 1). ως εμφανίζοντες υψηλή παθογένεια, ως εξής:

1. Ιοί του τύπου Α με ένα IVPI (δείκτη ενδοφλέβιας παθογένειας) σε κοτόπουλα 6 εβδομάδων, μεγαλύτερο του 1,2, ή

2. Ιοί του τύπου Α υποτύπου Η5 ή Η7 στους οποίους η αλληλουχία νουκλεϊδίων κατέδειξε την ύπαρξη πολλαπλών βασικών αμινοξέων στο σημείο διάσπασης της αιμοσυγκολλητίνης.

3. Ιός κυανής γλώσσης,

4. Ιός της ασθένειας ποδών και στόματος,

5. Ιός ευλογιάς αιγών,

6. Ιός ψευδόλυσσας (νόσος Aujeszky),

7. Ιός χοιρείου πυρετού (ιός χολέρας χοίρων),

8. Ιός λύσσας,

9. Ιός της ασθένειας του Newcastle,

10. Ιός πανώλους μικρών μηρυκαστικών,

11. Εντεροϊός χοίρων του τύπου 9 (ιός της φυσαλιδώδους νόσου των χοίρων),

12. Ιός πανώλους αγελάδων,

13. Ιός ευλογιάς προβάτων,

14. Ιός ασθένειας Teschen,

15. Ιός κυστικής στοματίτιδος,

16. Ιός οζώδους δερματίτιδας των βοοειδών,

17. Ιός αφρικανικής νόσου των ίππων.

β.

Mycoplasma mycoides, φυσικό, διεγερμένο ή τροποποιημένο, υπό μορφή απομονωμένων ζωντανών καλλιεργειών ή ως υλικό περιέχον ζώντες οργανισμούς οι οποίοι έχουν σκοπίμως ενοφθαλμιστεί ή επιμολυνθεί με τέτοιο Mycoplasma mycoides.

α.

Γενετικά τροποποιημένοι οργανισμοί ή γενετικά στοιχεία περιέχοντα αλληλουχία νουκλεϊκών οξέων που συνεπάγονται παθογένεια οργανισμών που αναφέρονται στο σημείο 1C351.α. έως γ. ή 1C352 ή 1C354·

β.

Γενετικά τροποποιημένοι οργανισμοί ή γενετικά στοιχεία που περιέχουν αλληλουχίες νουκλεϊκών οξέων που κωδικώς παράγουν οποιαδήποτε από τις τοξίνες που αναφέρονται στο σημείο 1C351.δ και σχετικές υπο-ομάδες τοξινών.

1CΥλικά Τεχνική Σημείωση: Τεχνικές Παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική Παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική Σημείωση: Τεχνικές σημειώσεις: 1.2. α.

αντιπροσωπεύει αφεαυτής ή μέσω των προϊόντων της μεταγραφής ή μετάφρασής της ουσιαστικό κίνδυνο για την υγεία των ανθρώπων, των ζώων ή των φυτών, ή

β.

είναι γνωστό ότι επιτείνει την ικανότητα ενός συγκεκριμένου μικροοργανισμού, ή οποιουδήποτε άλλου οργανισμού στον οποίoν ενδέχεται να παρεμβληθεί ή άλλως πώς να ενσωματωθεί, να προξενεί σοβαρή βλάβη στην υγεία των ανθρώπων, των ζώων ή των φυτών.

α.

Ιοί, φυσικοί, διεγερμένοι ή τροποποιημένοι, υπό μορφή απομονωμένων ζωντανών καλλιεργειών ή ως υλικό το οποίο έχει σκοπίμως ενοφθαλμιστεί ή επιμολυνθεί με τέτοιες καλλιέργειες, ως εξής:

1. Λανθάνων ιός των γεωμήλων των Άνδεων,

2. Ιός της ατράκτωσης των κονδύλων των γεωμήλων,

β.

Βακτήρια, φυσικά, διεγερμένα ή τροποποιημένα, υπό μορφή απομονωμένων ζωντανών καλλιεργειών ή ως υλικό περιέχον ζώντες οργανισμούς οι οποίοι έχουν σκοπίμως ενοφθαλμιστεί ή επιμολυνθεί με τέτοιες καλλιέργειες, ως εξής:

1. Xanthomonas albilineans,

2. Xanthomonas campestris pv. citri συμπεριλαμβανομένων των στελεχών που αναφέρονται ως Χanthomonas campestris pv. citri types A, B, C, D, E ή κατά τα άλλα ταξινομημένη ως Xanthomonas citri, Xanthomonas campestris pv. aurantifolia ή Xanthomonas campestris pv. citrumelo,

3. Xanthomonas oryzae pv. Oryzae (Pseudomonas campestris pv. Oryzae);

4. Clavibacter michiganensis subsp. Sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. Sepedonicum ή Corynebacterium Sepedonicum);

5. Ralstonia solanacearum φυλές 2 και 3 (Pseudomonas solanacearum φυλές 2 και 3 ή Burkholderia solanacearum φυλές 2 και 3)

γ.

Μύκητες, φυσικοί, διεγερμένοι ή τροποποιημένοι, υπό μορφή απομονωμένων ζωντανών καλλιεργειών ή ως υλικό περιέχον ζώντες οργανισμούς οι οποίοι έχουν σκοπίμως ενοφθαλμιστεί ή επιμολυνθεί με τέτοιες καλλιέργειες, ως εξής:

1. Colletotrichum coffeanum var. virulans (Colletotrichum kahawae),

2. Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae),

3. Microcyclus ulei (syn. Dothidella ulei),

4. Puccinia graminis (syn. Puccinia graminis f. sp. tritici),

5. Puccinia striiformis (syn. Puccinia glumarum),

6. Magnaporthe grisea (pyricularia grisea/pyricularia oryzae).

α.

Τοξικές χημικές ουσίες, ως εξής: Σημείωση 1: Για τις εξαγωγές στα Κράτη που δεν είναι συμβαλλόμενα μέρη της Σύμβασης για τα Χημικά Όπλα, στο σημείο IC450 δεν υπάγονται τα χημικά μείγματα που περιέχουν μια ή περισσότερες από τις χημικές ενώσεις των σημείων IC450.a.1 και .α.2 και στα οποία καμία από τις επιμέρους οριζόμενες ουσίες δεν υπερβαίνει το 1 % κατά βάρος του μείγματος. Σημείωση 2: Για τις εξαγωγές στα Κράτη που είναι συμβαλλόμενα μέρη της Σύμβασης για τα Χημικά Όπλα, στο σημείο IC450 δεν υπάγονται τα χημικά μείγματα που περιέχουν μια ή περισσότερες από τις χημικές ενώσεις των σημείων IC450.α.1 και .α.2 και στα οποία καμία από τις επιμέρους οριζόμενες ουσίες δεν υπερβαίνει το 30 % κατά βάρος του μείγματος. Σημείωση 3: Στο σημείο IC450 δεν υπάγονται τα χημικά μείγματα που περιέχουν μια ή περισσότερες από τις χημικές ουσίες των σημείων IC450.α.4, .α.5, .α.6 και .α.7 και στα οποία καμία από τις επιμέρους οριζόμενες ουσίες δεν υπερβαίνει το 30 % κατά βάρος του μείγματος.

1. αμιτόνη: Ο,Ο-διαίθυλο S-[2-(διαιθυλάμινο) αίθυλο] φωσφοροθειολικές ενώσεις (78-53-5) και τα αντίστοιχα αλκυλιωμένα ή πρωτονιωμένα άλατα,

2. PFIB: 1,1,3,3,3-πεντάφθορο-2-(τριφθορομεθύλο)-1-προπένιο (382-21-8),

3. ΒΛΕΠΕ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ ΓΙΑ ΤΟ BZ: 3 Κινουνκλιδινυλοβενζυλικές ενώσεις (6581 06 2),

4. Φωσγένιο: Διχλωριούχο καρβονύλιο (75-44-5),

5. Χλωριούχο δικυάνιο (506-77-4),

6. Υδροκυάνιο (74-90-8),

7. Χλωροπικρίνη: τριχλωρονιτρομεθάνιο (76-06-2),

β.

Πρόδρομοι τοξικών χημικών ουσιών, ως εξής: Σημείωση 1: Για τις εξαγωγές στα Κράτη που δεν είναι συμβαλλόμενα μέρη της Σύμβασης για τα Χημικά Όπλα, στο σημείο IC450 δεν υπάγονται τα χημικά μείγματα που περιέχουν μια ή περισσότερες από τις χημικές ενώσεις των σημείων IC450.b.1, .b.2, .b.3, .b.4, .b.5 και .b.6 και στα οποία καμία από τις επιμέρους οριζόμενες ουσίες δεν υπερβαίνει το 10 % κατά βάρος του μείγματος. Σημείωση 2: Για τις εξαγωγές στα Κράτη που είναι συμβαλλόμενα μέρη της Σύμβασης για τα Χημικά Όπλα, στο σημείο IC450 δεν υπάγονται τα χημικά μείγματα που περιέχουν μια ή περισσότερες από τις χημικές ενώσεις των σημείων IC450.b.1, .b.2, .b.3, .b.4, .b.5 και b.6 στα οποία καμία από τις επιμέρους οριζόμενες ουσίες δεν υπερβαίνει το 30 % κατά βάρος του μείγματος. Σημείωση 3: Στο σημείο 1C450 δεν υπάγονται χημικά μείγματα που περιέχουν μία ή περισσότερες από τις χημικές ουσίες που ορίζονται στο σημείο 1C450 b.8 στις οποίες καμιά από τις οριζόμενες χημικές ουσίες δεν συνιστά άνω του 30 % κατά βάρος του μείγματος.

1. Χημικές ουσίες, εκτός από όσες αναφέρονται στους Ελέγχους Στρατιωτικών Προϊόντων ή στο σημείο 1C350, οι οποίες περιέχουν ένα άτομο φωσφόρου με το οποίο συνδέεται μια μεθυλική, αιθυλική ή προπυλική (κανονική ή ισο-) ομάδα, όχι όμως άλλα άτομα άνθρακα, Σημ.: Στο σημείο 1C450.β.1 δεν ελέγχεται το Fonofos: Ο-αιθυλο S-φαινυλο αιθυλοφωσφονοθειολοθειονικές ενώσεις (944-22-9),

2. Ν,Ν-διάλκυλο [μέθυλο, αίθυλο ή πρόπυλο (κανονικό ή ισο-)] φωσφοραμιδικές διαλογονούχες ενώσεις,

3. Διάλκυλο [μέθυλο, αίθυλο ή πρόπυλο (κανονικό ή ισο-)] Ν,Ν-διάλκυλο [μέθυλο, αίθυλο ή πρόπυλο (κανονικό ή ισο-)]-φωσφοραμιδικές ενώσεις, εκτός από τις Διαίθυλο-Ν,Ν-διμεθυλοφωσφοραμιδικές ενώσεις που αναφέρονται στο σημείο 1C350,

4. Ν,Ν-Διάλκυλο [μέθυλο, αίθυλο ή πρόπυλο (κανονικό ή ισο-)] αμινοαίθυλο-2-χλωριούχες ενώσεις και αντίστοιχα πρωτονιωμένα άλατα, εκτός από το Ν,Ν-διισοπρόπυλο-(β)-αμινοαιθυλοχλωρίδιο ή το υδροχλωριούχο Ν,Ν-διισοπρόπυλο-(β)-αμινοαιθυλοχλωρίδιο που αναφέρονται στο σημείο 1C350,

5. Ν,Ν-διάλκυλο [μέθυλο, αίθυλο ή πρόπυλο (κανονικό ή ισο-)] αμινοαίθανο-2-όλες και τα αντίστοιχα πρωτονιωμένα άλατα, εκτός από την Ν,Ν-διισοπρόπυλο-(β)-αμινοαιθανόλη (96-80-0) και την Ν,Ν-διαιθυλαμινοαιθανόλη (100-37-8) που αναφέρονται στο σημείο 1C350, Σημ.: Στο σημείο 1C450.b.5, δεν υπάγονται τα εξής:

5. α.

Ν,Ν-διμεθυλαμινοαιθανόλη (108-01-0) και τα αντίστοιχα πρωτονιωμένα άλατα,

β.

πρωτονιωμένα άλατα της Ν,Ν-διαιθυλαμινοαιθανόλης (100-37-8),

6. Ν,Ν-διάλκυλο [μέθυλο, αίθυλο ή πρόπυλο (κανονικό ή ισο-)] αμινοαίθανο-2-θειόλες και τα αντίστοιχα πρωτονιωμένα άλατα, εκτός από την Ν,Ν-διισοπρόπυλο-(β)-αμινοαιθανοθειόλη που αναφέρεται στο σημείο 1C350,

7. Βλ. 1C350 για την αιθυλοδιαιθανολαμίνη (139-87-7),

8. μεθυλοδιαιθανολαμίνη (105-59-9).

1DΛογισμικό 1D001Λογισμικό ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την ανάπτυξη, την παραγωγή ή τη χρήση των προϊόντων εξοπλισμού που καθορίζονται στα σημεία 1Β001 ως 1Β003. 1D002Λογισμικό για την ανάπτυξη τελεσμάτων ή σύνθετων υλικών, με οργανικό συνθετικό υλικό, μεταλλικό συνθετικό υλικό ή ανθρακικό συνθετικό υλικό. 1D101Λογισμικό ειδικά σχεδιασμένο η τροποποιημένο για τη χρήση των προϊόντων που καθορίζονται στα σημεία 1Β101, ΙΒ102, ΙΒ115, ΙΒ117, ΙΒ118 ή ΙΒ119. 1D103Λογισμικό ειδικά σχεδιασμένο για την ανάλυση ανοιγμένων παρατηρήσιμων μεγεθών όπως είναι η αντανακλασιμότητα των ραντάρ, οι επισημάνσεις υπεριώδους/υπέρυθρης ακτινοβολίας και οι ακουστικές επισημάνσεις. 1D201Λογισμικό ειδικά σχεδιασμένο για τη χρήση προϊόντων που καθορίζονται στο σημείο 1Β201.

1EΤεχνολογία 1E001Σύμφωνα με τις γενικές παρατηρήσεις τεχνολογίας για την ανάπτυξη ή την παραγωγή εξοπλισμού ή υλικών που καθορίζονται στα σημεία 1Α001.β., 1Α001.γ., 1Α002 ως 1Α005, 1Β ή 1C. 1E002Λοιπές τεχνολογίες, ως εξής: 1E101Τεχνολογία σύμφωνα με τις γενικές παρατηρήσεις τεχνολογίας για τη χρήση προϊόντων που καθορίζονται στα σημεία 1Α102, 1Β001, 1Β101, 1Β115, 1Β116, 1C001, 1C101, 1C107, 1C111 ως 1C117, 1D101 ή 1D103. 1E102Τεχνολογία σύμφωνα με τις γενικές παρατηρήσεις τεχνολογίας για την ανάπτυξη ή το λογισμικό που περιγράφονται στα σημεία 1D001, 1D101 ή 1D103. 1E103Τεχνολογία για τη ρύθμιση της θερμοκρασίας, της πιέσεως ή της ατμόσφαιρας των αυτοκλείστων ή των υδροκλείστων όταν χρησιμοποιούνται για την παραγωγήσύνθετων υλικών ή ημικατεργασμένων σύνθετων υλικών. 1E104Τεχνολογία σχετική με την παραγωγή πυρολυτικώς λαμβανομένων υλικών που μορφοποιούνται σε τύπους, μαντρέλια ή άλλες μήτρες από πρόδρομα αέρια που διασπώνται σε θερμοκρασίες από 1573 Κ (1300 °C) ως 3173 Κ (2900 °C) και πιέσεις από 130 Pa ως 20 kPa. Σημ.: Στο σημείο 1Ε104 περιλαμβάνεται η τεχνολογία για τη σύνθεση των προδρόμων αερίων, των προγραμμάτων και τις παραμέτρους για τη ρύθμιση των ροών και των διεργασιών. 1E201Τεχνολογία σύμφωνα με τις γενικές παρατηρήσεις τεχνολογίας για τη [Ν] χρήση προϊόντων που καθορίζονται στα σημεία 1Α002, 1Α202, 1Α225 ως 1Α227, 1Β201, 1Β225 ως 1Β233, 1C002.β3. ή β4., 1C010.β., 1C202, 1C210, 1C216, 1C225 ως 1C240 ή 1D201. 1E202Τεχνολογία σύμφωνα με τις γενικές παρατηρήσεις τεχνολογίας για την ανάπτυξη ή την παραγωγή προϊόντων που καθορίζονται στα σημεία 1Α202 ή 1Α225 ως 1Α227. 1E203Τεχνολογία σύμφωνα με τις γενικές παρατηρήσεις τεχνολογίας για την ανάπτυξη του λογισμικού που καθορίζεται στο σημείο 1D201.

1EΤεχνολογία α.

Τεχνολογία για την ανάπτυξη ή την παραγωγή πολυβενζοθειαζολών ή πολυβενζοοξαζολών,

β.

Τεχνολογία για την ανάπτυξη ή την παραγωγή φθοριούχων ελαστομερών ενώσεων που περιέχουν τουλάχιστον ένα μονομερές βινυλαιθέρα,

γ.

Τεχνολογία για το σχεδιασμό ή την παραγωγή των ακολούθων βασικών υλικών ή μη σύνθετων κεραμικών υλικών:

1. Τα βασικά υλικά έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. α.

Η σύστασή τους είναι μια από τις ακόλουθες:

1. Απλά ή σύμπλοκα οξείδια ζιρκονίου και σύμπλοκα οξείδια πυριτίου ή αργιλίου,

2. Απλά νιτρίδια βορίου (κυβικής κρυσταλλικής μορφής),

3. Απλά ή σύμπλοκα καρβίδια πυριτίου ή βορίου, ή

4. Απλά ή σύμπλοκα νιτρίδια πυριτίου.

β.

Έχουν σύνολο μεταλλικών ακαθαρσιών, εκτός από εκούσιες προσθήκες, μικρότερο από:

1. 1000 ppm για τα απλά οξείδια ή καρβίδια ή

2. 5000 ppm για τις σύμπλοκες ενώσεις ή τα απλά νιτρίδια και

γ.

Αποτελούνται από ένα από τα εξής:

1. Ζιρκονία με μέσο μέγεθος σωματιδίων μέχρι και 1 μm και ποσοστό σωματιδίων μεγαλύτερων από 5 μm μέχρι και 10 %,

2. Άλλα βασικά υλικά με μέσο μέγεθος σωματιδίων μέχρι και 5 μm και ποσοστό σωματιδίων από 10 μm μέχρι και 10 %, ή

3. Υλικό με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:

3. α.

Πλακίδια με λόγο μήκους προς πάχος άνω του 5,

β.

Βελονοειδείς ίνες (whiskers) με λόγο μήκους προς διάμετρο άνω του 10 για διαμέτρους κάτω των 2 μm, και

γ.

Συνεχείς ή κομμένες ίνες με διάμετρο κάτω των 10 μm,

2. Μη σύνθετα κεραμικά υλικά αποτελούμενα από υλικά που περιγράφονται στο σημείο 1Ε002.γ.1.· Σημ.: Στο σημείο 1Ε002.γ.2. δεν υπάγεται η τεχνολογία για το σχεδιασμό ή την παραγωγή λειαντικών.

δ.

Τεχνολογία για την παραγωγή αρωματικών πολυαμιδικών ινών,

ε.

Τεχνολογία για την εγκατάσταση, τη συντήρηση ή την επιδιόρθωση υλικών που καθορίζονται στο σημείο 1C001,

στ.

Τεχνολογία για την επιδιόρθωση κατασκευών από σύνθετα υλικά, ελασμάτων ή υλικών που περιγράφονται στα σημεία 1Α002, 1C007.γ. ή δ. Σημ.: Το σημείο 1Ε002.στ. δεν αφορά την τεχνολογία για την επιδιόρθωση κατασκευαστών που χρησιμοποιούνται στα πολιτικά αεροσκάφη με ινώδη ή νηματώδη υλικά και τις εποξειρητίνες που περιέχονται στα εγχειρίδια του κατασκευαστή.

ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 2 ΕΠΕΞΕΡΓΑΣΙΑ ΥΛΙΚΩΝ

2AΕξοπλισμός, συναρμολογήματα και συστατικά μέρη Τεχνική παρατήρηση:

ΣΗΜ.: Για κανονικούς τριβείς, βλ. Έλεγχους Στρατιωτικών Προϊόντων. 2A001Αντιτριβικά κουζινέτα (έδρανα) και συστήματα εδράνων ως εξής, και σχετικά συστατικά: Σημείωση: Στο σημείο 2Α001 δεν υπάγονται τα σφαιρίδια με όρια ανοχής που προσδιορίζονται από τον κατασκευαστή σύμφωνα με το ISO 3290 ως βαθμός 5 ή κατώτερος. 2A225Χωνευτήρια από υλικά ανθεκτικά στα τήγματα ακτινιδών, ως εξής: 2A226Βαλβίδες με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: Για τις βαλβίδες με διαφορετικές διαμέτρους εισαγωγής και εξαγωγής, το ονομαστικό μέγεθος για το οποίο γίνεται λόγος στο σημείο 2A226 αφορά τη μικρότερη διάμετρο.

2AΕξοπλισμός, συναρμολογήματα και συστατικά μέρη α.

Σφαιροτριβείς και συμπαγείς κυλινδροτριβείς των οποίων όλες οι ανοχές προσδιορίζονται από τον κατασκευαστή σύμφωνα με την κατηγορία ανοχής 2 του ISO 492 (ή την κατηγορία ανοχής ABEC-7 ή RBEC-7 του προτύπου ANSI/ABMA std 20, ή άλλο εθνικό ισοδύναμο) και οι οποίοι έχουν και δακτυλίους και κυλινδρικά στοιχεία (ISO 5593) από υλικό monel ή από βηρύλλιο. Σημείωση: Στο σημείο 2Α001.α. δεν υπάγονται οι τριβείς με κωνικούς κυλίνδρους.

β.

Άλλοι σφαιροτριβείς και συμπαγείς κυλινδροτριβείς των οποίων όλες οι ανοχές προσδιορίζονται από τον κατασκευαστή σύμφωνα με την κατηγορία ανοχής 2 του ISO 492 (ή την κατηγορία ανοχής ABEC-7 ή RBEC-7 του προτύπου ANSI/ABMA std 20, ή άλλο εθνικό ισοδύναμο). Σημείωση: Στο σημείο 2Α001.β. δεν υπάγονται οι τριβείς με κωνικούς κυλίνδρους.

γ.

Συστήματα ενεργών μαγνητικών τριβέων που χρησιμοποιούν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1. Υλικά με πυκνότητες ροής 2.0 Τ και άνω και αποδόσεις ισχύος άνω των 414 ΜΡα.

2. Πλήρως ηλεκτρομαγνητικούς τρισδιάστατους τύπους ενεργοποιητών ομοπολικής διαμόρφωσης· ή

3. Αισθητήρες θέσεως υψηλής θερμοκρασίας [450 Κ (177 °C) και άνω].

α.

Χωνευτήρια με τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Χωρητικότητα 150 cm3 έως 8000 cm3, και

2. Κατασκευή ή επίχρισμα από οποιοδήποτε από τα παρακάτω υλικά, καθαρότητας 98 % ή μεγαλύτερης κατά βάρος:

2. α.

Φθοριούχο ασβέστιο (CaF2)

β.

Ζιρκονικό (μεταζιρκονικό) ασβέστιο (CaZrO3)

γ.

Θειούχο δημήτριο (Ce2S3)

δ.

Οξείδιο του ερβίου (ερβία) (Er2O3)

ε.

Οξείδιο του αφνίου (αφνία) (HfO2)

στ.

Οξείδιο του μαγνησίου (MgO)

ζ.

Νιτρίδιο κράματος νιοβίου-τιτανίου-βολφραμίου (με περιεκτικότητες περίπου 50 % Nb, 30 % Ti, 20 % W)

η.

Οξείδιο του υττρίου (υττρία) (Υ2Ο3) ή

θ.

Οξείδιο του ζιρκονίου (ζιρκονία) (ZrO2).

β.

Χωνευτήρια με τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Χωρητικότητα 50 cm3 έως 2000 cm3και

2. Κατασκευή ή επένδυση από ταντάλιο καθαρότητας 99,9 % ή μεγαλύτερης κατά βάρος.

γ.

Χωνευτήρια με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Χωρητικότητα 50 cm3 έως 2000 cm3.

2. Κατασκευή ή επένδυση από ταντάλιο καθαρότητας 98 % ή μεγαλύτερης κατά βάρος· και

3. Επίχρισμα με καρβίδιο, νιτρίδιο, ή βορίδιο του τανταλίου ή οποιοδήποτε συνδυασμό αυτών.

α.

ονομαστικό μέγεθος 5 mm και άνω,

β.

πτυσσόμενη στεγανοποιητική διάταξη (τύπου φυσητήρα), και

γ.

εξ ολοκλήρου κατασκευασμένες ή με επένδυση από αργίλιο, κράμα αργιλίου, νικέλιο ή κράμα νικελίου με περιεκτικότητα σε νικέλιο άνω του 60 % κατά βάρος.

2BΕξοπλισμός δοκιμών, ελέγχων και παραγωγής Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση:

2B001Εργαλειομηχανές και οποιοσδήποτε σχετικός συνδυασμός, για την αφαίρεση (ή κοπή) μεταλλικών, κεραμικών ή συνθέτων υλικών, οι οποίες, σύμφωνα με τις τεχνικές προδιαγραφές του κατασκευαστή, μπορούν να εφοδιαστούν με ηλεκτρονικές διατάξεις για ψηφιακό έλεγχο, και ειδικά σχεδιασμένα γι’ αυτές κατασκευαστικά στοιχεία, ως εξής: ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 2Β201. Σημείωση 1: Στο σημείο 2Β001 δεν υπάγονται οι εργαλειομηχανές ειδικών χρήσεων που προορίζονται μόνο για την κατασκευή οδοντωτών τροχών· για αυτές βλ. σημείο 2Β003. Σημείωση 2: Στο σημείο 2Β001 δεν υπάγονται οι εργαλειομηχανές ειδικών χρήσεων που προορίζονται μόνο για την κατασκευή ενός από τα ακόλουθα: Σημείωση 3: Οι εργαλειομηχανές που έχουν δύο τουλάχιστον από τις παρακάτω αναφερόμενες ικανότητες: τόρνευση, φρεζάρισμα, τρόχισμα (π.χ., τορνευτικές εργαλειομηχανές με ικανότητα φρεζαρίσματος), πρέπει να αξιολογούνται με βάση όλα τα αντίστοιχα υποσημεία α., β. ή/και γ. του σημείου 2Β001. 2B002Εργαλειομηχανές με ψηφιακό έλεγχο που χρησιμοποιούν μαγνητοροολογική διεργασία φινιρίσματος (MRF) εξοπλισμένες για την παραγωγή μη σφαιρικών επιφανειών και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: Κατά την έννοια του σημείου 2Β002, ως μαγνητοροολογικό φινίρισμα νοείται κάθε διεργασία αφαίρεσης υλικού που χρησιμοποιεί αποτριπτικό μαγνητικό ρευστό, το ιξώδες του οποίου ελέγχεται με μαγνητικό πεδίο. 2B003Εργαλειομηχανές με ψηφιακό έλεγχο ή χειροκίνητες, και τα ειδικά σχεδιασμένα κατασκευαστικά στοιχεία, όργανα χειρισμού και εξαρτήματά τους, ειδικά σχεδιασμένες για πλάνισμα, την τελική επεξεργασία, το τρόχισμα ή τη λείανση σκληρωμένων (Rc = 40 ή περισσότερο) ακτινωτών, ελικοειδών και διπλών ελικοειδών οδοντωτών τροχών με διάμετρο βήματος μεγαλύτερη από 1250 mm και εύρος κεφαλής των οδόντων εντός των ορίων του 15 % της διαμέτρου βήματος ή μεγαλύτερο οι οποίοι έχουν υποστεί τελική επεξεργασία για την επίτευξη της ποιότητας που ορίζεται στο πρότυπο AGMA 14 (ισοδύναμο με το πρότυπο ISO 1328 κατηγορία 3) ή ανώτερης ποιότητας. 2B004Ισοστατικές πρέσες για κατεργασία εν θερμώ που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, καθώς και τα ειδικά γι’ αυτές σχεδιασμένα κατασκευαστικά μέρη και εξαρτήματα, ως εξής: ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 2Β104 και 2Β204. Εσωτερική διάσταση θαλάμου είναι η εσωτερική διάσταση του θαλάμου, στον οποίο επιτυγχάνονται τόσο η θερμοκρασία όσο και η πίεση εργασίας και δεν περιλαμβάνει τον εξοπλισμό για τη συγκράτηση των προς κατεργασίαν αντικειμένων. Η διάσταση αυτή είναι η μικρότερη από τις εσωτερικές διαμέτρους είτε του θαλάμου πιέσεως είτε του μονωμένου θαλάμου του κλιβάνου, ανάλογα με το ποιός από τους δύο βρίσκεται μέσα στον άλλο. Σημ.: Για ειδικά σχεδιασμένες μήτρες, τύπους και εργαλεία βλ. σημεία 1B003, 9B009 και τους Ελέγχους των Στρατιωτικών Προϊόντων. 2B005Ειδικά σχεδιασμένος εξοπλισμός για την εναπόθεση, την επεξεργασία και [C] τον κατά τη διεργασία έλεγχο ανοργάνων επιστρώσεων, επιχρίσεων και μετατροπών επιφανειών σε μη ηλεκτρονικά υποστρώματα, με τις τεχνικές που αναφέρονται στον πίνακα μετά το εδάφιο 2Ε003.δ. και στις σχετικές με αυτόν σημειώσεις, καθώς και τα ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη αυτόματου χειρισμού, τοποθέτησης, κατεργασίας και ελέγχου για τον εν λόγω εξοπλισμό, ως εξής: Σημείωση: Στο σημείο 2Β005 δεν υπάγονται η εναπόθεση ατμού με χημικές μεθόδους, η καθοδική εκκένωση τόξου, η εναπόθεση με καθοδική διασκόρπιση, ο εξοπλισμός για ιοντική επιμετάλλωση ή εμφύτευση ιόντων ο ειδικά σχεδιασμένος για εργαλεία κοπής ή μηχανουργικής κατεργασίας. 2B006Συστήματα, εξοπλισμός και ηλεκτρονικά συναρμολογήματα ελέγχου ή μέτρησης διαστάσεων, ως εξής: ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 2Β206. Σημείωση: Οι εργαλειομηχανές που μπορούν να χρησιμοποιηθούν ως μηχανές μετρήσεων υπόκεινται στον έλεγχο, εφόσον πληρούν τα κριτήρια που καθορίζονται για τη λειτουργία των αντίστοιχων εργαλειομηχανών ή μηχανών μετρήσεων ή ανώτερα κριτήρια. 2B007Ρομπότ και τα ειδικά σχεδιασμένα όργανα αυτομάτου ελέγχου (αυτόματοι ρυθμιστές) και επενεργητές πέρατος αυτών, ως εξής: ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΠΑΡΑΓΡΑΦΟ 2Β207. 2B008Συναρμολογήματα ή μονάδες, ειδικά σχεδιασμένα για εργαλειομηχανές, ή συστήματα και εξοπλισμός ελέγχου και μέτρησης διαστάσεων, ως εξής: 2B009Μηχανές περιδινητικής μορφοποίησης και μηχανές υδραυλικής μορφοποίησης, οι οποίες, σύμφωνα με τις τεχνικές προδιαγραφές του κατασκευαστή, μπορούν να εφοδιαστούν με μονάδες ψηφιακού ελέγχου, ή όργανα ελέγχου με υπολογιστή, και οι οποίες έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 2Β109 ΚΑΙ 2Β209. Για τους σκοπούς του σημείου 2Β009, οι μηχανές που συνδυάζουν την περιδινητική και την υδραυλική μορφοποίηση θεωρούνται ως μηχανές υδραυλικής μορφοποίησης. 2B104Ισοστατικές πρέσσες εκτός από τις προσδιοριζόμενες στην παράγραφο 2Β004, με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 2Β204. 2B105Κάμινοι (CΝD) χημικής εναπόθεσης ατμού, εκτός των προσδιοριζομένων στο 2Β005.α, που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την πύκνωση συνθέτων υλικών άνθρακα-άνθρακα. 2B109Μηχανές υδραυλικής μορφοποίησης άλλες από εκείνες που προσδιορίζονται στο σημείο 2Β009, και ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη τους, ως εξής: ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 2Β209. Σημείωση: Στο σημείο 2Β109 δεν υπάγονται μηχανές που δεν χρησιμοποιούνται στην παραγωγή κατασκευαστικών μερών και εξοπλισμού προώθησης (π.χ. περιβλήματα κινητήρων) για συστήματα που καθορίζονται στα σημεία 9Α005, 9Α007.α. ή 9Α105.α. Για τους σκοπούς του σημείου 2Β109, οι μηχανές που συνδυάζουν την περιδινητική και την υδραυλική μορφοποίηση θεωρούνται ως μηχανές υδραυλικής μορφοποίησης. 2B116Συστήματα δονητικών δοκιμών, εξοπλισμός και σχετικά κατασκευαστικά μέρη, ως εξής: Στο σημείο 2Β116, ως ελεύθερος πάγκος νοείται επίπεδος πάγκος ή επιφάνεια, που δεν φέρει κατασκευές ή εξαρτήματα. 2B117Εξοπλισμός και όργανα ελέγχου διεργασιών, πλην των αναφερομένων στα σημεία 2Β004, 2Β005.α., 2Β104 ή 2Β105, που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την πύκνωση και την πυρόλυση δομικών σύνθετων ακροφυσίων πυραύλων και ρυγχών επανεισερχόμενων φορέων. 2B119Ζυγοσταθμιστικές μηχανές και συναφής εξοπλισμός, ως εξής: ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 2B219. 2B120Προσομοιωτές κίνησης ή περιστροφικές τράπεζες με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά: Σημ.: Το 2B120 δεν θέτει υπό έλεγχο τις περιστροφικές τράπεζες τις σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για εργαλειομηχανές ή για ιατρικό εξοπλισμό. Για τους ελέγχους επί των περιστροφικών τραπεζών εργαλειομηχανών βλ. 2B008. 2B121Τράπεζες τοποθέτησης (εξοπλισμός ικανός να καθορίζει με ακρίβεια την περιστροφική θέση σε οποιοδήποτε άξονα) πλην των προσδιοριζόμενων στο 2B210, με όλα, τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: Σημ.: Το 2B120 δεν θέτει υπό έλεγχο τις περιστροφικές τράπεζες τις σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για εργαλειομηχανές ή για ιατρικό εξοπλισμό. Για τους ελέγχους επί των περιστροφικών τραπεζών εργαλειομηχανών βλ. 2B008. 2B122Φυγοκεντρητές ικανοί να προσδίδουν επιταχύνσεις άνω των 100 g, εφοδιασμένοι με κινητούς δακτυλίους ικανούς να μεταδίδουν ηλεκτρική ισχύ ή/και πληροφορίες σήματος. 2B201Εργαλειομηχανές και συνδυασμοί τους, εκτός από εκείνες που προσδιορίζονται στο σημείο 2Β001, για την αφαίρεση ή την κοπή μεταλλικών, κεραμικών ή σύνθετων υλικών, οι οποίες, σύμφωνα με τις τεχνικές προδιαγραφές του κατασκευαστή, μπορούν να εφοδιαστούν με ηλεκτρονικές διατάξεις για ταυτόχρονο έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος σε δύο ή περισσότερους άξονες, ως εξής: 2B204Ισοστατικές πρέσες, εκτός από τις προσδιοριζόμενες στην παράγραφο 2Β004 ή 2Β104 και συναφής εξοπλισμός, ως εξής: Στο σημείο 2Β204, εσωτερική διάσταση θαλάμου είναι η εσωτερική διάσταση του θαλάμου, στον οποίο επιτυγχάνονται τόσο η θερμοκρασία όσο και η πίεση εργασίας και δεν περιλαμβάνει τον εξοπλισμό για τη συγκράτηση των προς κατεργασίαν αντικειμένων. Η διάσταση αυτή είναι η μικρότερη από τις εσωτερικές διαμέτρους είτε του θαλάμου πιέσεως είτε του μονωμένου θαλάμου του κλιβάνου, ανάλογα με το ποιός από τους δύο βρίσκεται μέσα στον άλλο. 2B206Μηχανές, όργανα ή συστήματα ελέγχου ή μέτρησης διαστάσεων, εκτός εκείνων που προσδιορίζονται στο σημείο 2Β006, ως εξής: Σημείωση 1: Οι εργαλειομηχανές που μπορούν να χρησιμοποιηθούν ως μηχανές μετρήσεων υπόκεινται στον έλεγχο, εφόσον πληρούν τα κριτήρια που καθορίζονται για τη λειτουργία των αντίστοιχων εργαλειομηχανών ή μηχανών μετρήσεων ή ανώτερα κριτήρια. Σημείωση 2: Μία μηχανή που περιγράφεται στην παράγραφο 2Β206 υπόκειται στον έλεγχο, εφόσον υπερκαλύπτει το κατώτερο όριο ελέγχου σε οποιοδήποτε σημείο της κλίμακας λειτουργίας της. 2B207Ρομπότ, επενεργητές πέρατος και μονάδες χειρισμού, εκτός από τα προσδιοριζόμενα στην παράγραφο 2Β007, ως εξής: 2B209Μηχανές υδραυλικής μορφοποίησης, μηχανές περιδινητικής μορφοποίησης, ικανές για λειτουργίες υδραυλικής μορφοποίησης, άλλες από εκείνες που προσδιορίζονται στα σημεία 2Β009 ή 2Β109 και βοηθητικοί άξονες (μαντρέλια), ως εξής: Σημείωση: Το σημείο 2Β209.α. περιλαμβάνει μηχανές που έχουν μόνο έναν ενιαίο κύλινδρο σχεδιασμένο για την παραμόρφωση μετάλλων και δύο επικουρικούς κυλίνδρους που υποστηρίζουν τον βοηθητικό άξονα (μαντρέλι), αλλά δεν συμμετέχουν άμεσα στη διαδικασία παραμόρφωσης. 2B219Φυγοκεντρικά μηχανήματα πολυεπίπεδης ζυγοστάθμισης, μόνιμα ή φορητά, οριζόντια ή κατακόρυφα, ως εξής: 2B225Τηλεχειριστές που μπορούν να χρησιμοποιηθούν για χειρισμούς εξ αποστάσεως σε εργασίες ραδιοχημικού διαχωρισμού ή θερμούς θαλάμους, με ένα από τα εξής δύο χαρακτηριστικά: Οι τηλεχειριστές επιτυγχάνουν μεταφορά των κινήσεων του ανθρώπου-χειριστή με ένα ενεργητικό βραχίονα και μία τελική διάταξη συγκράτησης. Πρέπει να είναι του τύπου κύριος/υπηρέτης (master/slaνe) ή να ελέγχονται μέσω joystick ή πληκτρολογίου. 2B226Επαγωγικές κάμινοι ελεγχόμενης ατμόσφαιρας (κενού ή αδρανούς αερίου), και τροφοδοτικά ισχύος γι’ αυτές, ως εξής: ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 3Β. Σημείωση: Στο σημείο 2Β226.α. δεν υπάγονται οι κάμινοι που προορίζονται για την επεξεργασία πλακιδίων μονοκρυστάλλου ημιαγωγών. 2B227Μεταλλουργικές κάμινοι κενού ή άλλης ελεγχόμενης ατμόσφαιρας για τήξη και χύτευση και συναφής εξοπλισμός, ως εξής: 2B228Εξοπλισμός κατασκευής ή συναρμολόγησης δρομέων (ροτόρων), εξοπλισμός ευθειασμού δρομέων, και βοηθητικοί άξονες (μαντρέλια) και μήτρες μορφοποίησης φυσητήρων, ως εξής: 2B230Μορφοτροπείς πιέσεως με ικανότητα μέτρησης απόλυτων πιέσεων σε οποιοδήποτε σημείο από 0 ως 13 kPa, και με τα εξής δύο χαρακτηριστικά: Για τους σκοπούς του σημείου 2Β230, η ακρίβεια περιλαμβάνει τη μη γραμμικότητα, την υστέρηση και την επαναληψιμότητα σε θερμοκρασία περιβάλλοντος χώρου. 2B231Αντλίες κενού με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: 2B232Πολυφασικά πυροβόλα ελαφρού αερίου ή άλλα συστήματα πυροβόλων υψηλής ταχύτητας (με πηνίο, ηλεκτρομαγνητικού και ηλεκτροθερμικού τύπου, και άλλα συστήματα προηγμένης τεχνολογίας), ικανά να επιταχύνουν βλήματα σε ταχύτητα 2 km/s ή μεγαλύτερη. 2B350Τεχνικά μέσα, εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη χημικής βιομηχανικής παραγωγής ως εξής: Ανθρακογραφίτης είναι μια σύνθεση που αποτελείται από άμορφο άνθρακα και γραφίτη, και στην οποία η κατά βάρος περιεκτικότητα σε γραφίτη ανέρχεται σε 8 % και άνω. 2B351Συστήματα ελέγχου και παρακολούθησης τοξικών αερίων ως εξής· και ειδικοί ανιχνευτές για αυτά: 2B352Εξοπλισμός με ικανότητα χρησιμοποίησης για τον χειρισμό βιολογικών υλικών, ως εξής:

2BΕξοπλισμός δοκιμών, ελέγχων και παραγωγής Τεχνικές παρατηρήσεις:

1. Οι δευτερεύοντες παράλληλοι άξονες διαμόρφωσης περιγράμματος, π.χ. άξονας w στις οριζόντιες φραίζες διάτρησης ή ένας δευτερεύων άξονας περιστροφής, του οποίου ο κεντροφορέας είναι παράλληλος προς τον κύριο άξονα περιστροφής, δεν υπολογίζονται στο συνολικό αριθμό των αξόνων διαμόρφωσης περιγράμματος. Οι άξονες περιστροφής δεν είναι αναγκαίο να περιστρέφονται επί 360°. Ο άξονας περιστροφής μπορεί να κατευθύνεται από γραμμική διάταξη, (π.χ., από κοχλία ή οδοντωτό τροχοκανόνα).

2. Για τους σκοπούς του σημείου 2Β, ο αριθμός αξόνων που μπορούν να συντονίζονται ταυτόχρονα για έλεγχο διαμόρφωσης περιγράμματος είναι ο αριθμός των αξόνων κατά μήκος των οποίων ή γύρω από τους οποίους, κατά την επεξεργασία του υπό επεξεργασία αντικειμένου, πραγματοποιούνται ταυτόχρονες και αλληλοσυσχετιζόμενες κινήσεις μεταξύ του υπό επεξεργασία αντικειμένου και ενός εργαλείου. Δεν συναριθμούνται οι τυχόν επιπλέον άξονες κατά μήκος των οποίων ή γύρω από τους οποίους πραγματοποιούνται άλλες σχετικά κινήσεις της μηχανής, όπως :

2. α.

Συστήματα αποκατάστασης της επιφάνειας των τροχών σε λειαντικές μηχανές,

β.

Παράλληλοι περιστροφικοί άξονες σχεδιασμένοι για τη συναρμογή χωριστών επεξεργαστέων αντικειμένων,

γ.

Συγγραμμικοί περιστροφικοί άξονες σχεδιασμένοι για να χειρίζονται ένα και το αυτό αντικείμενο κρατώντας το σε σφιγκτήρα από διαφορετικές άκρες.

3. Η ονοματολογία των αξόνων είναι σύμφωνη προς το διεθνές πρότυπο ISO 841 Μηχανές με ψηφιακό έλεγχο - Ονοματολογία αξόνων και κινήσεων.

4. Για τους σκοπούς των σημείων 2Β001 ως 2Β009, μια ανακλινόμενη άτρακτος συνυπολογίζεται ως άξονας περιστροφής.

5. Για κάθε μοντέλο εργαλειομηχανής μπορούν να χρησιμοποιούνται δηλωμένα επίπεδα ακρίβειας τοποθέτησης συναγόμενα από μετρήσεις που έχουν γίνει σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (1988) ή με εθνικά ισοδύναμα αντί για δοκιμές των επί μέρους μηχανών. Δηλωμένη ακρίβεια τοποθέτησης σημαίνει την τιμή ακρίβειας που γνωστοποιείται ως αντιπροσωπευτική της ακρίβειας ενός συγκεκριμένου μοντέλου μηχανής στις αρμόδιες αρχές του κράτους μέλους όπου είναι εγκατεστημένος ο εξαγωγέας. Προσδιορισμός των δηλωμένων τιμών

5. α.

Επιλέγονται πέντε μηχανές του περί ου ο λόγος μοντέλου,

β.

Μετρούνται οι ακρίβειες γραμμικού άξονα σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (1988),

γ.

Προσδιορίζονται οι τιμές Α για κάθε άξονα κάθε μηχανής. Η μέθοδος υπολογισμού της τιμής Α περιγράφεται στο πρότυπο ISO,

δ.

Προσδιορίζεται η μέση τιμή Â της τιμής Α κάθε άξονα, η οποία και γίνεται η δηλωμένη τιμή (Âx, Ây …) του αντίστοιχου άξονα για το συγκεκριμένο μοντέλο,

ε.

Αφού στον πίνακα της Κατηγορίας 2 γίνεται λόγος για κάθε γραμμικό άξονα, θα υπάρχουν τόσες δηλωμένες τιμές όσοι και άξονες,

στ.

Αν κάποιος άξονας μοντέλου μηχανής μη ελεγχόμενου δυνάμει των σημείων 2B001.α έως 2B001.γ ή 2B201 έχει δηλωμένη ακρίβεια Â 6 μικρομέτρων προκειμένου για μηχανές τροχίσματος ή 8 μικρομέτρων προκειμένου για μηχανές φραιζαρίσματος ή τόρνευσης, ή καλύτερη, πρέπει να απαιτείται από τον κατασκευαστή να επιβεβαιώνει το επίπεδο ακρίβειας κάθε 18 μήνες.

α.

Στροφαλοφόρων ή εκκεντροφόρων αξόνων,

β.

Εργαλείων ή κοπτικών εργαλείων,

γ.

Ατερμόνων κοχλιών διελαστήρων,

δ.

Εγχάρακτων ή πολυεδρικών στοιχείων κοσμημάτων.

α.

Εργαλειομηχανές για τόρνευση έχουσες όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: Σημείωση: Στο σημείο 2Β001.α. δεν υπάγονται μηχανές για τόρνευση ειδικά σχεδιασμένες για την παραγωγή φακών επαφής.

1. Ακρίβεια τοποθέτησης με διαθέσιμες όλες τις αντισταθμίσεις μικρότερη (καλύτερη) από ή ίση με 6 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (1988) ή με εθνικά ισοδύναμα κατά μήκος οποιουδήποτε γραμμικού άξονα, και

2. Δύο ή περισσότερους άξονες που μπορούν να συνδυαστούν ταυτοχρόνως για έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος.

β.

Εργαλειομηχανές για φραιζάρισμα, έχουσες οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Τα εξής χαρακτηριστικά ταυτοχρόνως:

1. α.

Ακρίβεια τοποθέτησης διαθέσιμες όλες τις αντισταθμίσεις μικρότερη (καλύτερη) από ή ίση με 6 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (1988)ή με εθνικά ισοδύναμα κατά μήκος οποιουδήποτε γραμμικού άξονα, και

β.

Τρεις γραμμικούς άξονες και έναν άξονα περιστροφής που μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για τον έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος.

2. Πέντε ή περισσότερους άξονες που μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για τον έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος,

3. Ακρίβεια τοποθέτησης για τις μηχανές διάτρησης με πρότυπο-οδηγό, με διαθέσιμες όλες τις αντισταθμίσεις μικρότερη (καλύτερη) από ή ίση με 4 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (1988) ή με εθνικά ισοδύναμα κατά μήκος οποιουδήποτε γραμμικού άξονα, ή

4. Κοπτικές μηχανές κινητού εργαλείου, με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:

4. α.

Γραμμική εκτροπή και εκκεντρότητα της ατράκτου κάτω των (καλύτερη από) 0,0004 mm TIR, και

β.

Γωνιακή παρέκκλιση της κίνησης του κινητού μέρους (κατά τους τρεις άξονες των συντεταγμένων) κάτω των (καλύτερη από) 2″ TIR επί διαδρομή 300 mm.

γ.

Εργαλειομηχανές για τρόχισμα έχουσες οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: Σημείωση: Στο σημείο 2Β001.γ. δεν υπάγονται οι μηχανές για τρόχισμα ως εξής:

1. Τα εξής χαρακτηριστικά ταυτοχρόνως:

1. α.

Ακρίβεια τοποθέτησης με διαθέσιμες όλες τις αντισταθμίσεις μικρότερη (καλύτερη) από ή ίση με 4 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (1988) με εθνικά ισοδύναμα κατά μήκος οποιουδήποτε γραμμικού άξονα, και

β.

Τρεις ή περισσότερους άξονες που μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για τον έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος· ή

2. Πέντε ή περισσότερους άξονες που μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για τον έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος.

1. Μηχανές για τρόχισμα κυλινδρικών εξωτερικών, εσωτερικών και εξωτερικών/εσωτερικών επιφανειών με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. α.

Περιορίζονται σε κυλινδρικό τρόχισμα· και

β.

Περιορίζονται στο να δέχονται αντικείμενα προς κατεργασία μέγιστης εξωτερικής διαμέτρου ή μέγιστου μήκους 150 mm.

2. Μηχανές ειδικά σχεδιασμένες για τρόχισμα με περιτύπωμα που δεν έχουν άξονα z ή άξονα w, με ακρίβεια τοποθέτησης με διαθέσιμες όλες τις αντισταθμίσεις μικρότερη (καλύτερη) από 4 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (1988) ή με εθνικά ισοδύναμα.

3. Μηχανές για τρόχισμα επιφανειών.

δ.

Μηχανές ηλεκτρικής εκκένωσης (EDM) όχι του τύπου μηχανισμού πρόωσης σύρματος, με δύο ή περισσότερους άξονες που μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για τον έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος.

ε.

Εργαλειομηχανές για την αφαίρεση μεταλλικών, κεραμικών ή σύνθετων υλικών με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Αφαίρεση υλικού με κάποιο από τα εξής μέσα:

1. α.

Εκτόξευση ύδατος ή άλλων υγρών, συμπεριλαμβανομένων όσων περιέχουν λειαντικά πρόσθετα,

β.

Δέσμη ηλεκτρονίων, ή

γ.

Δέσμη λέιζερκαι

2. Με δύο ή περισσότερους άξονες περιστροφής:

2. α.

Ικανούς να συνδυαστούν ταυτόχρονα για έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος· και

β.

Με ακρίβεια τοποθέτησης μικρότερη (καλύτερη) από 0,003°.

στ.

Μηχανές για διάτρηση βαθειών οπών και μηχανές για τόρνευση τροποποιημένες για διάτρηση βαθειών οπών, με μέγιστη ικανότητα βάθους διάτρησης που υπερβαίνει 5000 mm και ειδικά σχεδιασμένα προς τούτο συστατικά.

α.

Φινίρισμα του προϊόντος σε λιγότερο (καλύτερο) από 1,0 μm, ή

β.

Φινίρισμα με τραχύτητα μικρότερη (καλύτερη) από 100 nm rms.

2BΕξοπλισμός δοκιμών, ελέγχων και παραγωγής Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: α.

Περιβάλλον ελεγχόμενης θερμοκρασίας στο κλειστό κοίλωμα και κοίλωμα θαλάμου εσωτερικής διαμέτρου 406 mm ή μεγαλύτερης και

β.

Οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1. Μέγιστη πίεση εργασίας μεγαλύτερη από 207 MPa.

2. Περιβάλλον ελεγχόμενης θερμοκρασίας μεγαλύτερης από 1773 Κ (1500 °C)· ή

3. Εγκατάσταση για τον εμποτισμό υδρογονανθράκων και την απομάκρυνση των αερίων προϊόντων αποδόμησης που προκύπτουν.

2BΕξοπλισμός δοκιμών, ελέγχων και παραγωγής Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α.

Εξοπλισμός παραγωγής για εναπόθεση ατμού με χημικές μεθόδους (CΝD), ο οποίος έχει όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 2Β105.

1. Έχει τροποποιηθεί για μια από τις ακόλουθες τεχνικές:

1. α.

Παλμική εναπόθεση ατμού με χημικές μεθόδους,

β.

Θερμική εναπόθεση με ελεγχόμενο πυρήνα αντιδράσεως (CΝΤD), ή

γ.

Εναπόθεση ατμού με χημική μέθοδο βελτιωμένη με πλάσμα ή υποβοηθούμενη από πλάσμα, και

2. Φέρει ενσωματωμένο οποιοδήποτε από τα ακόλουθα συστήματα:

2. α.

Περιστρεφόμενες στεγανοποιητικές διατάξεις υψηλού κενού (μικρότερου ή ίσου προς 0,01 Pa), ή

β.

Σύστημα ελέγχου του πάχους του επιχρίσματος επιτόπου.

β.

Εξοπλισμός παραγωγής για εμφύτευση ιόντων, με ένταση ρεύματος δέσμης 5 mA ή μεγαλύτερη.

γ.

Εξοπλισμός παραγωγής για εναπόθεση ατμού με φυσική μέθοδο δέσμης ηλεκτρονίων (EB-PVD), ο οποίος φέρει ενσωματωμένα συστήματα τροφοδότησης ισχύος σχεδιασμένα για ισχύ μεγαλύτερη από 80 kW και έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1. Σύστημα ελέγχου στάθμης υγρού με λέιζερ, το οποίο ρυθμίζει με ακρίβεια την ταχύτητα προώσεως των τύπων, ή

2. Συσκευή παρακολούθησης (monitor) της ταχύτητας εναπόθεσης, η οποία ελέγχεται με υπολογιστή και λειτουργεί με βάση την αρχή της φωτοφωταύγειας των ιονισμένων ατόμων που περιέχονται στο ρεύμα του εξατμιζόμενου υλικού, για τον έλεγχο της ταχύτητας εναπόθεσης επιχρισμάτων που περιέχουν δύο ή περισσότερα χημικά στοιχεία.

δ.

Εξοπλισμός παραγωγής για ψεκασμό πλάσματος, ο οποίος έχει ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Λειτουργεί σε ελεγχόμενη ατμόσφαιρα υποπιέσεως (πίεση μικρότερη ή ίση προς 10 KPa, όπως μετράται σε απόσταση έως 300 mm επάνω από την έξοδο του ακροφυσίου του πιστολίου) μέσα σε θάλαμο κενού ικανό να επιτυγχάνει κενό έως 0,01 Ρα πριν αρχίσει η διεργασία ψεκασμού, ή

2. Φέρει ενσωματωμένο σύστημα ελέγχου του πάχους του επιχρίσματος επιτόπου

ε.

Εξοπλισμός παραγωγής για εναπόθεση με καθοδική διασκόρπιση, ικανός να επιτυγχάνει πυκνότητα ρεύματος 0,1 mA/mm2 ή υψηλότερη, με ταχύτητα εναπόθεσης 15 μικρόμετρα/ώρα ή υψηλότερη,

στ.

Εξοπλισμός παραγωγής για εναπόθεση καθοδικής εκκένωσης τόξου, ο οποίος φέρει ενσωματωμένο πλέγμα ηλεκτρομαγνητών για την καθοδήγηση της εστίασης του τόξου στην κάθοδο,

ζ.

Εξοπλισμός παραγωγής για ιοντική επιμετάλλωση, ο οποίος επιτρέπει την επιτόπια μέτρηση είτε:

1. Του πάχους του επιχρίσματος στο υπόστρωμα και της ταχύτητας εναπόθεσης· ή

2. Των οπτικών χαρακτηριστικών του επιχρίσματος.

α.

Μηχανές μέτρησης συντεταγμένων (CMM) με έλεγχο από υπολογιστή ή ψηφιακό έλεγχο, με τρισδιάστατο (ογκομετρικό) μέγιστο επιτρεπτό σφάλμα ένδειξης (MPEE) σε κάθε σημείο μέσα στην έκταση λειτουργίας της μηχανής (δηλ. στο μήκος των αξόνων) ίσο ή μικρότερο (καλύτερη επίδοση) από (1,7 + L/1000) μm (L είναι το μετρούμενο μήκος σε mm) έπειτα από δοκιμή σύμφωνα με το ISΟ 10360-2(2001).

β.

Όργανα μέτρησης της γραμμικής και γωνιακής μετατόπισης, ως εξής:

1. Τεχνική σημείωση:

Όργανα μέτρησης της γραμμικής μετατόπισης με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: Για το σκοπό του 2Β006.β.1., η γραμμική μετατόπιση είναι η μεταβολή της απόστασης μεταξύ του αισθητήρα μέτρησης και του μετρούμενου αντικειμένου. Σημείωση: Στο σημείο 2Β006.β.1. δεν υπάγονται τα συστήματα μέτρησης συμβολομέτρων, με αυτόματο σύστημα ελέγχου σχεδιασμένο για να μη χρησιμοποιεί τεχνικές ανάδρασης, που περιλαμβάνουν λέιζερ για τη μέτρηση των εσφαλμένων κινήσεων ολίσθησης των εργαλειομηχανών, μηχανών ελέγχου διαστάσεων ή παρόμοιου εξοπλισμού.

α.

Συστήματα μετρήσεων χωρίς απευθείας επαφή, με διακριτική ικανότητα ίση ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από 0,2 μm για κλίμακες μετρήσεων έως 0,2 mm,

β.

Γραμμικούς διαφορικούς μετασχηματιστές τάσεως με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Γραμμικότητα ίση ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από 0,1 % για κλίμακες μετρήσεων έως 5 mm, και

2. Έκπτωση ίση ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από 0,1 % ημερησίως σε κανονική θερμοκρασία περιβάλλοντος στην αίθουσα δοκιμών ± 1 Κ, ή

γ.

Συστήματα μετρήσεων που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Είναι εξοπλισμένα με λέιζερ, και

2. Μπορούν να διατηρούν, τουλάχιστον επί 12 ώρες σε θερμοκρασία ± 1 Κ περί την κανονική θερμοκρασία και σε κανονική πίεση:

2. α.

Διακριτική ικανότητα στην πλήρη κλίμακα αναγνώσεώς τους 0,1 μm ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση), και

β.

Αβεβαιότητα μέτρησης ίση ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από (0,2 + L/2000) μm (όπου L είναι το μετρούμενο μήκος, σε mm).

δ.

Ηλεκτρονικά συναρμολογήματα ειδικά σχεδιασμένα για να παρέχουν δυνατότητα ανάδρασης στα συστήματα που ορίζονται στο σημείο 2Β006.β.1.7.,

2. Όργανα μετρήσεων γωνιακής μετατόπισης με απόκλιση γωνιακής θέσεως ίση ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από 0,00025°. Σημείωση: Στο εδάφιο 2Β006.β.2. δεν υπάγονται τα οπτικά όργανα, όπως οι αυτοδιοπτήρες, που χρησιμοποιούν παράλληλες ακτίνες φωτός (π.χ. λέιζερ) για την ανίχνευση της γωνιακής μετατόπισης κατόπτρου.

γ.

Εξοπλισμός μέτρησης των ανωμαλιών των επιφανειών με μέτρηση της σκέδασης του φωτός συναρτήσει γωνίας, με ευαισθησία 0,5 nm ή λιγότερο (καλύτερη επίδοση).

α. Τεχνική παρατήρηση:

Με ικανότητα πλήρους τρισδιάστατης επεξεργασίας εικόνων ή πλήρους τρισδιάστατης ανάλυσης του πεδίου εικόνας για τη δημιουργία ή τροποποίηση προγραμμάτων ή για τη δημιουργία ή τροποποίηση ψηφιακών δεδομένων προγράμματος. Στον περιορισμό που αφορά την ανάλυση πεδίου εικόνας δεν συμπεριλαμβάνεται ο κατά προσέγγιση οπτικός προσδιορισμός της τρίτης διάστασης υπό δεδομένη γωνία ούτε η περιορισμένη ερμηνεία της χρωματικής κλίμακας του γκρι για την αντίληψη του βάθους ή της υφής στις εγκεκριμένες εργασίες (2 1/2 διαστάσεις).

β.

Ειδικά σχεδιασμένα ώστε να πληρούν τα εθνικά πρότυπα ασφαλείας για τους περιβάλλοντες χώρους εκρηκτικού πολεμικού υλικού.

γ. Τεχνική παρατήρηση:

Ειδικά σχεδιασμένα ή με ειδική πρόβλεψη ως αυξημένης αντοχής στις ακτινοβολίες, ώστε ν’αντέχουν σε συνολική δόση ακτινοβολίας μεγαλύτερη από 5 × 103 Gy (πυρίτιο) χωρίς υποβάθμιση της λειτουργίας τους· ή Ο όρος Gy (πυρίτιο) αναφέρεται στην ενέργεια, σε joule ανά χιλιόγραμμο, που απορροφάται από αθωράκιστο δείγμα πυριτίου όταν εκτίθεται στην ιοντίζουσα ακτινοβολία.

δ.

Ειδικά σχεδιασμένα για να λειτουργούν σε υψόμετρα που υπερβαίνουν τα 30000 m.

α.

Μονάδες ανάδρασης γραμμικής θέσης (π.χ. επαγωγικές διατάξεις, βαθμολογημένες κλίμακες, συστήματα υπερύθρου ακτινοβολίας ή συστήματα λέιζερ), με γενική ακρίβεια μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από [800 + (600 × L × 10–3)] nm (όπου L είναι το πραγματικό μήκος, σε nm). Σημ.: Για τα συστήματα λέιζερ βλ. επίσης τη σημείωση για το σημείο 2Β006.β.1.

β.

Μονάδες ανάδρασης γωνιακής θέσης, π.χ. επαγωγικές διατάξεις, βαθμολογημένες κλίμακες, συστήματα υπερύθρου ακτινοβολίας ή συστήματα λέιζερ, με ακρίβεια μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από 0,00025°. Σημ.: Για τα συστήματα λέιζερ βλ. επίσης τη σημείωση για το σημείο 2Β006.β.1.

γ.

Σύνθετες περιστροφικές τράπεζες και ανακλινόμενες άτρακτοι, που μπορούν να χρησιμοποιηθούν για την αναβάθμιση, σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή, εργαλειομηχανών μέχρι τα καθοριζόμενα στο 2Β επίπεδα ή ανώτερα επίπεδα.

α.

Δύο ή περισσότερους ελεγχόμενους άξονες από τους οποίους τουλάχιστον δύο μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος, και

β.

Δύναμη κυλίνδρου άνω των 60 kΝ.

2BΕξοπλισμός δοκιμών, ελέγχων και παραγωγής Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α.

Μεγίστη πίεση εργασίας 69 ΜΡα ή μεγαλύτερη.

β.

Επίτευξη και διατήρηση περιβάλλοντος ελεγχόμενης θερμοκρασίας 873 K (600 °C) ή μεγαλύτερης· και

γ.

Κοίλωμα θαλάμου εσωτερικής διαμέτρου 254 mm ή μεγαλύτερης.

α.

Μηχανές υδραυλικής μορφοποίησης με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:

1. Μπορούν να εφοδιαστούν, σύμφωνα με τις τεχνικές προδιαγραφές του κατασκευαστή, με μονάδες ψηφιακού ελέγχου ή όργανα ελέγχου με υπολογιστή, έστω και εάν δεν είναι εφοδιασμένες με τις μονάδες αυτές, και

2. Έχουν περισσότερους από δύο άξονες που μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος.

β.

Ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη για μηχανές προσδιοριζόμενες στο 2Β009 ή 2Β109.α.

2BΕξοπλισμός δοκιμών, ελέγχων και παραγωγής Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α.

Συστήματα δονητικών δοκιμών με τεχνικές ανάδρασης ή κλειστού βρόχου, που περιέχουν μονάδα ψηφιακού ελέγχου ικανά να δονούν συστήματα με επιτάχυνση τουλάχιστον 10 g RMS σε συχνότητα μεταξύ 20 Hz και 2 kHz και να ασκούν δυνάμεις τουλάχιστον 50 kN, μετρούμενες επί ελευθέρου πάγκου,

β.

Μονάδες ψηφιακού ελέγχου, σε συνδυασμό με ειδικά σχεδιασμένο λογισμικό δονητικών δοκιμών, με εύρος ζώνης πραγματικού χρόνου άνω των 5 kHz, σχεδιασμένοι για χρήση με τα συστήματα δονητικών δοκιμών που προσδιορίζονται στο σημείο 2Β116.α.,

γ.

Δονητές (μονάδες ταλάντωσης), με ή χωρίς συνδεδεμένο ενισχυτή, ικανοί να εξασκούν δυνάμεις τουλάχιστον 50 kN, μετρούμενες επί ελευθέρου πάγκου, και χρησιμοποιούμενοι σε συστήματα δονητικών δοκιμών που προσδιορίζονται στο σημείο 2Β116.α.,

δ.

Βοηθητικές κατασκευές διατάξεων δοκιμής και ηλεκτρονικές μονάδες, σχεδιασμένες να συνδυάζουν πολλαπλούς δονητές, σε σύστημα ικανό να εξασκεί πραγματική συνδυασμένη δύναμη τουλάχιστον 50 kN, μετρούμενη επί ελευθέρου πάγκου, που χρησιμοποιούνται σε συστήματα δονητικών δοκιμών που προσδιορίζονται στο σημείο 2Β116.α.

2BΕξοπλισμός δοκιμών, ελέγχων και παραγωγής Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α.

Ζυγοσταθμιστικές μηχανές με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά: Σημ.: το 2B119.α δεν θέτει υπό έλεγχο τις ζυγοσταθμιστικές μηχανές τις σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για οδοντιατρικό ή άλλον ιατρικό εξοπλισμό.

1. ανίκανες να ζυγοσταθμίζουν στροφείς/συγκροτήματα με μάζα άνω των 3 kg,

2. ικανές να ζυγοσταθμίζουν στροφείς/συγκροτήματα σε ταχύτητες άνω των 12500 rpm,

3. ικανές να διορθώνουν ανιστοσταθμίσεις σε δύο ή περισσότερα επίπεδα, και

4. ικανές να ζυγοσταθμίζουν μέχρι εναπομένουσα ειδική ανισοστάθμιση 0,2 g mm ανά kg μάζας στροφέα.

β. Τεχνική παρατήρηση:

Ενδεικτικές κεφαλές σχεδιασμένες ή τροποποιημένες προς χρήση με τις μηχανές του 2B119.α. Οι ενδεικτικές κεφαλές αποκαλούνται ενίοτε και ζυγοσταθμιστικά όργανα.

α.

Δύο ή περισσότερους άξονες,

β.

Κινητούς δακτυλίους ικανούς να μεταδίδουν ηλεκτρική ισχύ ή/και πληροφορίες σήματος, και

γ.

Οποιαδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

1. Όλα τα παρακάτω για κάθε έναν άξονα:

1. α.

ικανότητα ταχύτητας περιστροφής 400 μοιρών ανά sec και άνω, ή 30 μοιρών ανά sec και κάτω, και

β.

διαχωρισμό ταχυτήτων περιστροφής 6 μοιρών ανά sec ή λιγότερο και ακρίβεια 0,6 μοιρών ανά sec ή λιγότερο,

2. Ευστάθεια στη χειρότερη περίπτωση ± 0,05 % (μέσον όρο επί 10 μοίρες ή περισσότερο) ή καλύτερη (μικρότερο ποσοστό), ή

3. Ακρίβεια τοποθέτησης 5 δεύτερα της μοίρας ή καλύτερη.

α.

Δύο ή περισσότερους άξονες, και

β.

Ακρίβεια τοποθέτησης 5 δεύτερα της μοίρας ή καλύτερη.

α.

Εργαλειομηχανές για φραιζάρισμα, με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Ακρίβεια τοποθέτησης με διαθέσιμες όλες τις αντισταθμίσεις μικρότερη καλύτερη) από ή ίση με 6 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (1988) ή με εθνικά ισοδύναμα κατά μήκος οποιουδήποτε γραμμικού άξονα, ή

2. Δύο ή περισσότερους άξονες περιστροφής για τη διαμόρφωση περιγράμματος. Σημείωση: Στο σημείο 2Β201.α. δεν υπάγονται οι μηχανές για φρεζάρισμα με τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

2. α.

διαδρομή κατά τον άξονα μεγαλύτερη από 2 m: και

β.

γενική ακρίβεια τοποθέτησης στον άξονα των x μεγαλύτερη (χειρότερη) από 30 μm.

β.

Εργαλειομηχανές για τρόχισμα, με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: Σημείωση: Στο σημείο 2Β201.β. δεν υπάγονται οι ακόλουθες μηχανές για τρόχισμα: Σημείωση 1: Στο σημείο 2Β201 δεν υπάγονται εργαλειομηχανές ειδικών χρήσεων που προορίζονται μόνον για την κατασκευή ενός από τα ακόλουθα: Σημείωση 2: Οι εργαλειομηχανές που έχουν δύο τουλάχιστον από τις παρακάτω αναφερόμενες ικανότητες : τόρνευση, φρεζάρισμα, τρόχισμα (π.χ., τορνευτικές εργαλειομηχανές με ικανότητα φρεζαρίσματος), πρέπει να αξιολογούνται με βάση όλα τα αντίστοιχα σημεία 2Βοο1.α ή 2Β201.α. ή β.

1. Ακρίβεια τοποθέτησης με διαθέσιμες όλες τις αντισταθμίσεις μικρότερη (καλύτερη) από 6 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (1988) ή με εθνικά ισοδύναμα μικρότερη (καλύτερη) από ή ίση με 4 μm κατά μήκος οποιουδήποτε γραμμικού άξονα, ή

2. Δύο ή περισσότερους άξονες περιστροφής για τη διαμόρφωση περιγράμματος.

α.

Μηχανές για τρόχισμα κυλινδρικών εξωτερικών, εσωτερικών και εξωτερικών/εσωτερικών επιφανειών με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Περιορίζονται σε ικανότητα κατεργασίας αντικειμένων με εξωτερική διάμετρο ή μήκος 150 mm, και

2. Διαθέτουν μόνον άξονες x, z και c,

β.

Μηχανές για τρόχισμα με περιτύπωμα οι οποίες δεν διαθέτουν άξονα z ή άξονα w, με συνολική ακρίβεια τοποθέτησης μικρότερη (καλύτερη) από 4 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (1988) ή τα εθνικά ισοδύναμα.

α.

Οδοντωτών τροχών,

β.

Στροφαλοφόρων ή εκκεντροφόρων αξόνων,

γ.

Εργαλείων ή κοπτικών εργαλείων,

δ.

Ατερμόνων κοχλιών διελαστήρων.

α.

Ισοστατικές πρέσες με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Ικανές να επιτυγχάνουν μέγιστη πίεση εργασίας 69 MPa ή μεγαλύτερη, και

2. Με κοίλωμα θαλάμου εσωτερικής διαμέτρου άνω των 152 mm.

β.

Μήτρες, τύποι και όργανα χειρισμού, ειδικά σχεδιασμένα για ισοστατικές πρέσες που προσδιορίζονται στο σημείο 2B204.α.

2BΕξοπλισμός δοκιμών, ελέγχων και παραγωγής Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α.

Μηχανές ελέγχου διαστάσεων με έλεγχο από υπολογιστή ή ψηφιακό έλεγχο με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Δύο ή περισσότερους άξονες· και

2. Αβεβαιότητα μέτρησης του μήκους σε μια διάσταση ίση ή μικρότερη (καλύτερη) από (1,25 + L/1000) μm, εξακριβωμένη με καθετήρα, του οποίου η ακρίβεια είναι μικρότερη (καλύτερη) από 0,2 μm (L είναι το μετρούμενο μήκος, σε mm). (Σχετ.: ΝDI/ΝDE 2617 Μέρη 1 και 2).

β.

Συστήματα για τον ταυτόχρονο γραμμικό και γωνιακό έλεγχο ημισφαιρικών δομών με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Αβεβαιότητα μέτρησης κατά μήκος οποιουδήποτε γραμμικού άξονα ίση ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από 3,5 μm ανά 5 mm και

2. Απόκλιση γωνιακής θέσης ίση ή μικρότερη από 0,02°.

2BΕξοπλισμός δοκιμών, ελέγχων και παραγωγής Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση:

1. Το στέλεχος που χρησιμοποιείται στον καθορισμό της αβεβαιότητας μέτρησης σε επιθεώρηση των διαστάσεων περιγράφεται στο ΝDI/DE 2617, μέρος 2, 3 και 4.

2. Όλες οι παράμετροι των μετρούμενων τιμών στο 2B206 παριστούν τιμές συν/πλην και όχι συνολικό εύρος.

α.

Ρομπότ ή επενεργητές πέρατος ειδικά σχεδιασμένα ώστε να ανταποκρίνονται στα εθνικά πρότυπα ασφαλείας που εφαρμόζονται στο χειρισμό ισχυρών εκρηκτικών (π.χ. τιμές κανονισμού ηλεκτρολογικών εγκαταστάσεων για τα ισχυρά εκρηκτικά).

β.

Μονάδες χειρισμού ειδικά σχεδιασμένες για κάποιο από τα ρομπότ ή επενεργητές πέρατος του σημείου 2B207.α.

α.

Μηχανές με τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Τρεις ή περισσότερους κυλίνδρους (ενεργούς ή κατεύθυνσης)· και

2. Ικανότητα να εφοδιαστούν, σύμφωνα με τις τεχνικές προδιαγραφές του κατασκευαστή, με μονάδες ψηφιακού ελέγχου ή όργανα ελέγχου με υπολογιστή.

β.

Βοηθητικοί άξονες (μαντρέλια) για τη μορφοποίηση κυλινδρικών δρομέων (ροτόρων) εσωτερικής διαμέτρου 75 mm έως 400 mm.

α.

Φυγοκεντρικές μηχανές ζυγοστάθμισης, που έχουν σχεδιαστεί για τη ζυγοστάθμιση εύκαμπτων ροτόρων μήκους 600 mm ή μεγαλύτερου και διαθέτουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Διάμετρο ταλαντωτή ή στροφέα μεγαλύτερη από 75 mm,

2. Δυναμικότητα μάζας 0,9 έως 23 kg, και

3. κανότητα ζυγοστάθμισης σε ταχύτητες περιστροφής υψηλότερες από 5000 r.p.m.

β.

Φυγοκεντρικά μηχανήματα ζυγοστάθμισης, που έχουν σχεδιαστεί για τη ζυγοστάθμιση κοίλων κυλινδρικών συστατικών μερών ροτόρων και διαθέτουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Διάμετρο στροφέα μεγαλύτερη από 75 mm,

2. Δυναμικότητα μάζας 0,9 έως 23 kg,

3. Ικανότητα ζυγοστάθμισης μέχρι παραμένουσα έλλειψη ισορροπίας το πολύ 0,01 kg × mm/kg ανά επίπεδο και

4. Μετάδοση κινήσεως με ιμάντα.

α.

Ικανότητα να διαπερνούν τοιχώματα θερμών (θωρακισμένων) θαλάμων πάχους 0,6 m ή μεγαλύτερου (εργασία δια μέσου του τοιχώματος) ή

β.

Ικανότητα να υπερπηδούν τοιχώματα θερμών (θωρακισμένων) θαλάμων πάχους 0,6 m ή μεγαλύτερου (εργασία πάνω από το τοίχωμα).

2BΕξοπλισμός δοκιμών, ελέγχων και παραγωγής Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α.

Κάμινοι με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Ικανότητα λειτουργίας σε θερμοκρασίες άνω των 1123 K (850°C),

2. Επαγωγικά πηνία διαμέτρου 600 mm και κάτω, και

3. Σχεδιασμό για εισροή ισχύος 5 kw και άνω.

β.

Τροφοδοτικά ισχύος με προσδιορισμένη εκροή ισχύος 5 kw και άνω, ειδικά σχεδιασμένα για τις καμίνους που προσδιορίζονται στο σημείο 2B226.α.

α.

Κάμινοι ηλεκτρικού τόξου για ανάτηξη και χύτευση με τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Δυναμικότητα αναλώσιμου ηλεκτροδίου 1000 cm3 έως 20000 cm3και

2. Ικανότητα λειτουργίας σε θερμοκρασίες τήξεως υψηλότερες από 1973 K (1700 °C).

β.

Κάμινοι τήξεως με δέσμη ηλεκτρονίων και κάμινοι ψεκασμού και τήξεως με πλάσμα, με τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Ισχύς 50 kw ή μεγαλύτερης και

2. Ικανότητα λειτουργίας σε θερμοκρασίες τήξεως υψηλότερες από 1473 Κ (1200 °C).

γ.

Συστήματα ελέγχου και παρακολούθησης με υπολογιστή ειδικά σχεδιασμένα για οποιαδήποτε από τις καμίνους που προσδιορίζονται στα σημεία 2B227.α και β.

α.

Εξοπλισμός συναρμολόγησης ροτόρων για τη συναρμολόγηση αυλωτών διατομών ροτόρων, διαφραγμάτων και τερματικών πωμάτων ροτόρων για φυγοκέντρους αερίου, στον οποίο Σημείωση: Στο σημείο 2B228.α. περιλαμβάνονται τα ανάλογα μαντρέλια ακριβείας, οι σφιγκτήρες και τα μηχανήματα συναρμογής με σύσφιγξη διαστολής-συστολής.

β. Τεχνική παρατήρηση:

Εξοπλισμός ευθυγράμμισης ροτόρων για την ευθυγράμμιση επί κοινού άξονα αυλωτών διατομών ροτόρων για φυγοκέντρους αερίου. Ο προσδιοριζόμενος στο σημείο 2.Β.228.β εξοπλισμός συνίσταται κατά κανόνα από καθετήρες μετρήσεων ακριβείας συνδεδεμένους με υπολογιστή, ο οποίος ελέγχει την επενέργεια π.χ. πνευματικών εμβόλων, που ευθυγραμμίζουν τις αυλωτές διατομές των ροτόρων.

γ. Τεχνική παρατήρηση:

Μαντρέλια και μήτρες μορφοποίησης φυσητήρων για την κατασκευή φυσητήρων απλής έλικας (φυσητήρες). Οι φυσητήρες του σημείου 2B228.γ. έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Εσωτερική διάμετρο 75 mm έως 400 mm.

2. Μήκος 12,7 mm ή μεγαλύτερο.

3. Βάθος της απλής έλικας μεγαλύτερο από 2 mm· και

4. Κατασκευή από κράματα αργιλίου υψηλής αντοχής, χάλυβα μαρτενγήρανσης ή ινώδη ή νηματώδη υλικά υψηλής αντοχής.

α.

Αισθητήρες πιέσεως κατασκευασμένους ή προστατευόμενους από αλουμίνιο, κράματα αλουμινίου, νικέλιο, ή κράματα νικελίου με περιεκτικότητα σε νικέλιο άνω του 60 % κατά βάρος, και

β.

Οποιοδήποτε από τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Πλήρη κλίμακα κάτω των 13 kPa και ακρίβεια μεγαλύτερη από ± 1 % της πλήρους κλίμακας, ή

2. Πλήρη κλίμακα 13 kPa ή μεγαλύτερη και ακρίβεια μεγαλύτερη από ± 130 Pa.

2BΕξοπλισμός δοκιμών, ελέγχων και παραγωγής Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α.

Στόμιο εισόδου μεγέθους 380 mm ή μεγαλύτερο,

β.

Ταχύτητα άντλησης 15 m3/s ή υψηλότερη και

γ.

Ικανότητα επίτευξης τελικού κενού καλύτερου από 13 mPa.

2BΕξοπλισμός δοκιμών, ελέγχων και παραγωγής Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις:

1. Η ταχύτητα άντλησης προσδιορίζεται στο σημείο μέτρησης με άζωτο ή αέρα.

2. Το τελικό κενό προσδιορίζεται στην είσοδο της αντλίας ενώ αυτή είναι τελείως φραγμένη.

α.

Δοχεία αντιδραστήρων ή αντιδραστήρες, με ή χωρίς αναδευτήρες, συνολικού εσωτερικού (γεωμετρικού) όγκου άνω του 0,1 m3 (100 Lt) και κάτω των 20 m3 (20000 Lt), στους οποίους όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:

1. Κράματα περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κατά βάρος,

2. Φθοριούχα πολυμερή,

3. Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υαλίνων επενδύσεων),

4. Νικέλια ή κράματα περιεκτικότητας άνω του 40 % κατά βάρος σε νικέλιο,

5. Ταντάλιο ή κράματα τανταλίου,

6. Τιτάνιο ή κράματα τιτανίου, ή

7. Ζιρκόνιο ή κράματα ζιρκονίου.

β.

Αναδευτήρες χρησιμοποιούμενοι σε δοχεία αντιδραστήρων ή αντιδραστήρες που ορίζονται στο σημείο 2Β350.α.· και πτερωτές, πτερύγια ή άξονες προς χρήση στους αναδευτήρες αυτούς, όπου όλες οι επιφάνειες των αναδευτήρων που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:

1. Κράματα περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κατά βάρος,

2. Φθοριούχα πολυμερή,

3. Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υαλίνων επενδύσεων),

4. Νικέλια ή κράματα περιεκτικότητας άνω του 40 % κατά βάρος σε νικέλιο,

5. Ταντάλιο ή κράματα τανταλίου,

6. Τιτάνιο ή κράματα τιτανίου, ή

7. Ζιρκόνιο ή κράματα ζιρκονίου.

γ.

Δεξαμενές, περιέκτες ή υποδοχείς αποθήκευσης, συνολικού εσωτερικού (γεωμετρικού) όγκου άνω των 0,1 m3 (100 Lt), όπου όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:

1. Κράματα περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κατά βάρος,

2. Φθοριούχα πολυμερή,

3. Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υαλίνων επενδύσεων),

4. Νικέλια ή κράματα περιεκτικότητας άνω του 40 % κατά βάρος σε νικέλιο,

5. Ταντάλιο ή κράματα τανταλίου,

6. Τιτάνιο ή κράματα τιτανίου, ή

7. Ζιρκόνιο ή κράματα ζιρκονίου.

δ.

Εναλλάκτες θερμότητας ή συμπυκνωτές, με επιφάνεια μετάδοσης θερμότητας άνω των 0,15 m2 και κάτω των 20 m2· και σωλήνες, πετάσματα, πηνία ή τρόχιλοι (πυρήνες) προς χρήση σε αυτούς τους εναλλάκτες θερμότητας ή συμπυκνωτές, όπου όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:

1. Κράματα περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κατά βάρος,

2. Φθοριούχα πολυμερή,

3. Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υαλίνων επενδύσεων),

4. Γραφίτης ή ανθρακογραφίτης,

5. Νικέλια ή κράματα περιεκτικότητας άνω του 40 % κατά βάρος σε νικέλιο,

6. Ταντάλιο ή κράματα τανταλίου,

7. Τιτάνιο ή κράματα τιτανίου,

8. Ζιρκόνιο ή κράματα ζιρκονίου,

9. Καρβίδιο του πυριτίου, ή

10. Καρβίδιο του τιτανίου.

ε.

Στήλες απόσταξης ή απορρόφησης, εσωτερικής διαμέτρου άνω των 0,1 m· και διανομείς υγρών, διανομείς ατόμων ή συλλεκτήρες υγρών προς χρήση σε αυτές τις στήλες απόσταξης ή απορρόφησης, όπου όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:

1. Κράματα περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κατά βάρος,

2. Φθοριούχα πολυμερή,

3. Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υάλινων επενδύσεων),

4. Γραφίτης ή ανθρακογραφίτης,

5. Νικέλια ή κράματα περιεκτικότητας άνω του 40 % κατά βάρος σε νικέλιο,

6. Ταντάλιο ή κράματα τανταλίου,

7. Τιτάνιο ή κράματα τιτανίου, ή

8. Ζιρκόνιο ή κράματα ζιρκονίου.

στ.

Τηλεχειριζόμενος εξοπλισμός πληρώσεως, στον οποίο όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:

1. Κράματα περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κατά βάρος,

2. Νικέλιο ή κράματα περιεκτικότητας άνω του 40 % κατά βάρος σε νικέλιο.

ζ.

Βαλβίδες ονομαστικού μεγέθους άνω των 10 mm και περιβλήματα (σώματα βαλβίδων) ή προσχηματισμένες επενδύσεις περιβλημάτων σχεδιασμένες για τέτοιες βαλβίδες, όπου όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:

1. Κράματα περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κατά βάρος,

2. Φθοριούχα πολυμερή,

3. Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υάλινων επενδύσεων),

4. Νικέλια ή κράματα περιεκτικότητας άνω του 40 % κατά βάρος σε νικέλιο,

5. Ταντάλιο ή κράματα τανταλίου,

6. Τιτάνιο ή κράματα τιτανίου, ή

7. Ζιρκόνιο ή κράματα ζιρκονίου.

η.

Πολύτοιχες σωληνώσεις με ενσωματωμένη θυρίδα ανίχνευσης διαρροών, των οποίων όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:

1. Κράματα περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κατά βάρος,

2. Φθοριούχα πολυμερή,

3. Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υάλινων επενδύσεων),

4. Γραφίτης ή ανθρακογραφίτης,

5. Νικέλια ή κράματα περιεκτικότητας άνω του 40 % κατά βάρος σε νικέλιο,

6. Ταντάλιο ή κράματα τανταλίου,

7. Τιτάνιο ή κράματα τιτανίου, ή

8. Ζιρκόνιο ή κράματα ζιρκονίου.

θ.

Αντλίες πολλαπλής στεγανότητας και χωρίς σφραγίδες στεγανότητας, των οποίων ο μέγιστος ρυθμός ροής βάσει προδιαγραφών του κατασκευαστή είναι τουλάχιστον 0,6 m3/h ή αντλίες κενού, των οποίων ο μέγιστος ρυθμός ροής βάσει προδιαγραφών του κατασκευαστή είναι τουλάχιστον 5 m3/h (υπό κανονικές συνθήκες θερμοκρασίας [273 K (0° C)] και πίεσης (101,3 kPa)· και περιβλήματα (σώματα αντλιών), προσχηματισμένα χιτώνια περιβλημάτων, πτερωτές, ρότορες ή ακροφύσια αντλιών δι’ εκτοξεύσεως προς χρήση στις αντλίες αυτές, των οποίων όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:

1. Κράματα περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κατά βάρος,

2. Κεραμικά,

3. Σιδηρούχος σιλικόνη,

4. Φθοριούχα πολυμερή,

5. Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υαλίνων επενδύσεων),

6. Γραφίτης ή ανθρακογραφίτης,

7. Νικέλια ή κράματα περιεκτικότητας άνω του 40 % κατά βάρος σε νικέλιο,

8. Ταντάλιο ή κράματα τανταλίου,

9. Τιτάνιο ή κράματα τιτανίου, ή

10. Ζιρκόνιο ή κράματα ζιρκονίου.

ι.

Αποτεφρωτήρες για την καταστροφή των χημικών ουσιών που προσδιορίζονται στην παράγραφο 1C350, με ειδικά σχεδιασμένα συστήματα τροφοδοσίας αποβλήτων, ειδικές διατάξεις χειρισμού και μέση θερμοκρασία θαλάμου καύσεως άνω των 1273 Κ (1000 °C), στους οποίους όλες οι επιφάνειες του συστήματος τροφοδοσίας αποβλήτων που έρχονται σε άμεση επαφή με τα απόβλητα είναι κατασκευασμένες ή επενδυμένες με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:

1. Κράματα περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κατά βάρος,

2. Κεραμικά, ή

3. Νικέλιο ή κράματα περιεκτικότητας άνω του 40 % κατά βάρος σε νικέλιο.

2BΕξοπλισμός δοκιμών, ελέγχων και παραγωγής Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: α.

Σχεδιασμένα για συνεχή λειτουργία και χρησιμοποιούμενα για την ανίχνευση παραγόντων χημικού πολέμου ή των χημικών ουσιών που προσδιορίζονται στην παράγραφο 1C350, σε συγκεντρώσεις χαμηλότερες από 0,3 mg/m3, ή

β.

Σχεδιασμένα για την ανίχνευση ενώσεων που έχουν δράση παρεμποδιστική της χολινεστεράσης.

α. Τεχνική παρατήρηση:

Τεχνικά μέσα πλήρους βιολογικού περιορισμού σε κλειστό περιβάλλον επιπέδων Ρ3, Ρ4, Τα επίπεδα περιορισμού σε κλειστό περιβάλλον Ρ3 ή Ρ4 (ΒL3, BL4, L3, L4) προσδιορίζονται στο εγχειρίδιο Εργαστηριακής Βιοασφάλειας της ΠΟΥ (Β' Έκδοση, Γενεύη, 1993).

β. Τεχνική παρατήρηση:

Αντιδραστήρες με ικανότητα καλλιέργειας παθογόνων μικροοργανισμών, ιών ή με ικανότητα παραγωγής τοξινών, χωρίς διασπορά αερολυμάτων και με συνολική χωρητικότητα 20 λίτρων ή μεγαλύτερη. Στους αντιδραστήρες συμπεριλαμβάνονται οι βιοαντιδραστήρες, οι χημειοστάτες και τα συστήματα συνεχούς ροής.

γ. Τεχνική παρατήρηση:

Φυγοκεντρικοί διαχωριστές με ικανότητα συνεχούς διαχωρισμού χωρίς διασπορά αερολυμάτων και με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: Στους φυγοκεντρικούς διαχωριστές συμπεριλαμβάνονται τα δοχεία ή δεξαμενές απόχυσης.

γ.

1. Παροχή μεγαλύτερη από 100 λίτρα ανά ώρα,

2. Συστατικά μέρη από στιλβωμένο ανοξείδωτο χάλυβα ή τιτάνιο,

3. Έναν ή περισσότερους στεγανοποιητικούς συνδέσμους στο χώρο περιορισμού σε κλειστό περιβάλλον με ατμό, και

4. Δυνατότητα επιτόπιας υγρής αποστείρωσης σε κλειστή κατάσταση.

δ.

Εξοπλισμός διήθησης με εγκάρσια (εφαπτομενική) ροή και κατασκευαστικά του μέρη, ως εξής: Σημείωση: Στο σημείο 2B352.δ. δεν εμπίπτει ο εξοπλισμός αντίστροφης ώσμωσης, όπως προδιαγράφεται από τον κατασκευαστή του.

1. Εξοπλισμός διήθησης με εγκάρσια (εφαπτομενική) ροή, ικανός να διαχωρίζει παθογόνους μικροοργανισμούς, ιούς, τοξίνες ή κυτταροκαλλιέργειες χωρίς διασπορά αερολυμάτων, και με τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά

1. α.

Συνολική διηθητική επιφάνεια 1 m2 και άνω, και

β. Τεχνική παρατήρηση:

Δυνατότητα επιτόπιας αποστείρωσης ή απολύμανσης. Στο σημείο 2B352.δ.1.β, ως αποστείρωση νοείται η εξάλειψη όλων των βιώσιμων μικροβίων από τον εξοπλισμό με χρήση είτε φυσικών μέσων (π.χ. ατμού) είτε χημικών παραγόντων, ως απολύμανση δε η εξάλειψη της δυνητικής μικροβιακής μολυσματικότητας του εξοπλισμού με χρήση μικροβιοκτόνων χημικών παραγόντων. τα δύο αυτά διακρίνονται από την απλή εξυγίανση, τις διεργασίες δηλαδή καθαρισμού που μειώνουν το μικροβιακό περιεχόμενο του εξοπλισμού χωρίς αναγκαστικά να εξαλείφουν κάθε ίχνος μικροβιακής μολυσματικότητας ή βιωσιμότητας.

2. Κατασκευαστικά στοιχεία (π.χ. δομοστοιχεία, ηθμοστοιχεία, κασέτες, φυσίγγια, πλάκες και πλακίδια) εξοπλισμού διήθησης με εγκάρσια (εφαπτομενική) ροή, με διηθητική επιφάνεια 0,2 m2 και άνω για κάθε κατασκευαστικό στοιχείο, και σχεδιασμένα προς χρήση σε εξοπλισμό διήθησης με εγκάρσια (εφαπτομενική) ροή προσδιοριζόμενο στο σημείο 2B352.δ.

ε.

Εξοπλισμός λυοφιλίωσης, επιδεχόμενος υγρή αποστείρωση, με δυναμικότητα συμπυκνωτή μεγαλύτερη από 10 kg πάγου το 24ωρο και μικρότερη από 1000 kg πάγου το 24ωρο.

στ.

Προστατευτικός εξοπλισμός και εξοπλισμός περιορισμού, ως εξής:

1. Προστατευτικές ολόσωμες ή μερικές ενδυμασίες, ή κουκούλες οι οποίες συνδέονται με παροχή εξωτερικού αέρα και λειτουργούν υπό θετική πίεση, Σημείωση: Στο 2Β352.στ.1, δεν υπάγονται οι ενδυμασίες που πρέπει να φέρονται με ανεξάρτητη συσκευή αναπνοής.

2. Ερμάρια ή στεγανές απομονωμένες συσκευές (απομονωτήρες) βιολογικής ασφαλείας, κατηγορίας III, ή με παρόμοιες προδιαγραφές επιδόσεων. Σημείωση: Στις στεγανές απομονωμένες συσκευές του σημείου 2Β352.στ.2, συμπεριλαμβάνονται οι εύκαμπτοι απομονωτήρες, οι θάλαμοι εργασίας σε ατμόσφαιρα αδρανούς αερίου, οι θάλαμοι εργασίας σε αναερόβιες συνθήκες, τα κιβώτια με πλαστικά γάντια και οι καπνοθάλαμοι αστρόβιλης ροής (κλειστοί με κατακόρυφη ροή).

ζ.

Θάλαμοι για ανοσολογικές δοκιμές πρόκλησης (ερεθισμού) αερολυμάτων με μικροοργανισμούς, ιούς ή τοξίνες χωρητικότητας 1 m3 ή μεγαλύτερης.

2CΥλικά Ουδέν.

2DΛογισμικό 2D001Λογισμικό, πλην του λογισμικού που προσδιορίζεται στο σημείο 2D002, ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την ανάπτυξη, την παραγωγή ή τη χρήση του εξοπλισμού που προσδιορίζεται στις παραγράφους 2Α001 ή 2Β001 έως 2Β009. 2D002Λογισμικό για ηλεκτρονικές διατάξεις, ακόμη και όταν ευρίσκεται σε ηλεκτρονική διάταξη ή σύστημα, που επιτρέπει σε τέτοιες διατάξεις ή συστήματα να λειτουργούν ως μονάδα ψηφιακού ελέγχου ικανή για ταυτόχρονο συνδυασμό περισσοτέρων των τεσσάρων αξόνων για τον έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος. Σημείωση 1: Στο σημείο 2D002 δεν υπάγεται το λογισμικό που είναι ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για τη λειτουργία εργαλειομηχανών που δεν προσδιορίζονται στην κατηγορία 2. Σημείωση 2: Στο σημείο 2D002 δεν υπάγεται το λογισμικό για είδη που προσδιορίζονται στο 2Β002. Για τον έλεγχο του λογισμικού για τα είδη του σημείου 2Β002, βλ. σημείο 2D001. 2D101Λογισμικό, ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για τη χρήση του εξοπλισμού που προσδιορίζεται στις παραγράφους 2Β104, 2Β105, 2Β109, 2Β116, 2Β117 ή 2Β119 έως 2Β122. ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9D004. 2D201Λογισμικό, ειδικά σχεδιασμένο για τη χρήση του εξοπλισμού που προσδιορίζεται στις παραγράφους 2Β204, 2Β206, 2Β207, 2Β209, 2Β219 ή 2Β227. 2D202Λογισμικό ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την ανάπτυξη, παραγωγή ή χρήση εξοπλισμού που προσδιορίζεται στη παράγραφο 2Β201.

2EΤεχνολογία 2E001Τεχνολογία κατά την έννοια των Παρατηρήσεων Γενικής Τεχνολογίας για την ανάπτυξη του εξοπλισμού ή λογισμικού που προσδιορίζεται [Μ] στις υποκατηγορίες 2Α, 2Β ή 2D. 2E002Τεχνολογία κατά την έννοια των Παρατηρήσεων Γενικής Τεχνολογίας για την παραγωγή του εξοπλισμού που προσδιορίζεται στις υποκατηγορίες 2Α ή 2Β. 2E003Άλλη τεχνολογία, ως εξής: 2E101Τεχνολογία, κατά την έννοια της Γενικής Σημείωσης περί Τεχνολογίας, για τη χρήση του εξοπλισμού ή του λογισμικού που προσδιορίζεται στις παραγράφους 2Β004, 2Β009, 2Β104, 2Β109, 2Β116, 2Β119 έως 2Β122 ή 2D101. 2E201Τεχνολογία, κατά την έννοια της Γενικής Σημείωσης περί Τεχνολογίας, για τη χρήση του εξοπλισμού ή λογισμικού που προσδιορίζεται στις παραγράφους ή στα εδάφια 2Α225, 2Α226, 2Β001, 2Β006, 2Β007.β., 2Β007.γ., 2Β008, 2Β009, 2Β201, 2Β204, 2Β206, 2Β207, 2Β209, 2Β225 έως 2Β232, 2D201 ή 2D202. 2E301Τεχνολογία, κατά την έννοια της Γενικής Σημείωσης περί Τεχνολογίας, για τη χρήση των προϊόντων που προσδιορίζονται στις παραγράφους 2Β350 έως 2Β352.

2EΤεχνολογία α.

Τεχνολογία για την ανάπτυξη διαλογικών γραφικών (υπολογιστή) ως αναπόσπαστου μέρους μονάδων ψηφιακού ελέγχου για την προετοιμασία ή την τροποποίηση υπορουτινών προγράμματος.

β.

Τεχνολογία για διεργασίες μεταλλουργικής βιομηχανικής παραγωγής, ως εξής:

1. Τεχνολογία για το σχεδιασμό εργαλείων, μητρών ή διατάξεων συγκράτησης ειδικά για τις ακόλουθες διεργασίες:

1. α.

Μορφοποίηση σε υπερπλαστική κατάσταση,

β.

Συγκόλληση με διάχυση, ή

γ.

Υδραυλική συμπίεση άμεσης επενέργειας.

2. Τεχνικά δεδομένα, τα οποία συνίστανται από τις τεχνικές ή παραμέτρους διεργασίας που απαριθμούνται παρακάτω και χρησιμοποιούνται για τον έλεγχο:

2. α.

Της μορφοποίησης σε υπερπλαστική κατάσταση κραμάτων αργιλίου, κραμάτων τιτανίου ή υπερκραμάτων:

1. Προετοιμασία επιφανειών,

2. Ταχύτητα παραμόρφωσης,

3. Θερμοκρασία,

4. Πίεση.

β.

Της συγκόλλησης με διάχυση κραμάτων τιτανίου ή υπερκραμάτων:

1. Προετοιμασία επιφανειών,

2. Θερμοκρασία,

3. Πίεση.

γ.

Της υδραυλικής συμπίεσης άμεσης ενέργειας κραμάτων αργιλίου ή κραμάτων τιτανίου:

1. Πίεση,

2. Χρόνος κύκλου.

δ.

Της ισοστατικής πύκνωσης εν θερμώ κραμάτων τιτανίου, κραμάτων αργιλίου ή υπερκραμάτων:

1. Θερμοκρασία,

2. Πίεση,

3. Χρόνος κύκλου.

γ.

Τεχνολογία για την ανάπτυξη ή την παραγωγή υδραυλικών μηχανών μορφοποίησης με επιμήκυνση και μητρών για τις μηχανές αυτές για την κατασκευή δομών αεροσκαφών (αεροσκάφη χωρίς το προωθητικό σύστημα).

δ.

Τεχνολογία για την ανάπτυξη γεννητριών εντολών για εργαλειομηχανές (π.χ. υπορουτίνες προγράμματος) από δεδομένα σχεδιασμού, εγκατεστημένων σε μονάδες ψηφιακού ελέγχου.

ε.

Τεχνολογία για την ανάπτυξη λογισμικού ολοκλήρωσης με σκοπό την ενσωμάτωση στις μονάδες ψηφιακού ελέγχου έμπειρων συστημάτων που εξασφαλίζουν προηγμένη υποστήριξη αποφάσεων για τις εργασίες της αίθουσας παραγωγής.

στ.

Τεχνολογία για την εφαρμογή των ανοργάνων επιχρισμάτων επίστρωσης ή ανοργάνων επιχρισμάτων μετατροπής επιφανειών που προσδιορίζονται στην τρίτη στήλη του παρακάτω πίνακα· στα μη ηλεκτρονικά υποστρώματα που προσδιορίζονται στη δεύτερη στήλη του παρακάτω πίνακα· με τις τεχνικές που αναφέρονται στην πρώτη στήλη του παρακάτω πίνακα και ορίζονται στην Τεχνική Σημείωση. Σημείωση: Ο πίνακας και η Τεχνική Σημείωση εμφανίζονται μετά το σημείο 2E301.

Πίνακας 1.2.3.A.B.B.1.B.2.B.3.B.4.Γ.Δ.E.ΣΤ.Ζ. Πίνακας — τεχνικές εναπόθεσης — σημειώσεις Τεχνικές εναπόθεσης

Μέθοδος επίχρισης (1) Υπόστρωμα Λαμβανόμενο επίχρισμα Εναπόθεση ατμού με χημικές μεθόδους (CVD) Υπερκράματα Αργιλίδια για εσωτερικά αγωγών Κεραμικά υλικά (19) και γυαλί μικρής διαστολής (14) Πυριτίδια Καρβίδια Διηλεκτρικά στρώματα (15) Αδάμας Αδαμαντοειδής άνθρακας (17) Σύνθετα υλικά με βάση άνθρακα-άνθρακα, κεραμικό υλικό και μέταλλο Πυριτίδια Καρβίδια Πυρίμαχα μέταλλα Μίγματα αυτών (4) Διηλεκτρικά στρώματα (15) Αργιλίδια Κραματοποιημένα αργιλίδια (2) Νιτρίδιο βορίου Επιστοιχειωμένο (ενανθρακωμένο) καρβίδιο βολφραμίου (16), καρβίδιο πυριτίου (18) Καρβίδια Βολφράμιο Μίγματα αυτών (4) Διηλεκτρικά στρώματα (15) Μολυβδαίνιο και Κράματα μολυβδαινίου Διηλεκτρικά στρώματα (15) Βηρύλλιο και Κράματα βηρυλλίου Διηλεκτρικά στρώματα (15) Αδάμας Αδαμαντοειδής άνθρακας (17) Υλικά παραθύρων Αισθητήρων (9) Διηλεκτρικά στρώματα (15) Αδάμας Αδαμαντοειδής άνθρακας (17) Εναπόθεση ατμού με φυσικές μεθόδους θερμικής εξάτμισης (TE-PVD) Εναπόθεση ατμού με φυσικές μεθόδους (PVD): Δέσμη ηλεκτρονίων (EB-PVD) Υπερκράματα Κραματοποιημένα πυριτίδια Κραματοποιημένα αργιλίδια (2) MCrAlX (5) Τροποποιημένη ζιρκονία (12) Πυριτίδια Αργιλίδια Μίγματα αυτών (4) Κεραμικά υλικά (19) και γυαλί μικρής διαστολής (14) Διηλεκτρικά στρώματα (15) Χάλυβας ανθεκτικός στη διάβρωση (7) MCrAlX (5) Τροποποιημένη ζιρκονία (12) Μίγματα αυτών (4) Σύνθετα υλικά με βάση άνθρακα-άνθρακα, κεραμικό υλικό και μέταλλο Πυριτίδια Καρβίδια Πυρίμαχα μέταλλα Μίγματα αυτών (4) Διηλεκτρικά στρώματα (15) Νιτρίδιο βορίου Επιστοιχειωμένο (ενανθρακωμένο) καρβίδιο βολφραμίου (16), καρβίδιο πυριτίου (18) Καρβίδια Βολφράμιο Μίγματα αυτών (4) Διηλεκτρικά στρώματα (15) Μολυβδαίνιο και κράματα μολυβδαινίου Διηλεκτρικά στρώματα (15) Βηρύλλιο και κράματα βηρυλλίου Διηλεκτρικά στρώματα (15) Βορίδια Βηρύλλιο Υλικά παραθύρων αισθητήρων (9) Διηλεκτρικά στρώματα (15) Κράματα τιτανίου (13) Βορίδια Νιτρίδια Εναπόθεση ατμού με φυσική μέθοδο θέρμανσης με ηλεκτρική αντίσταση, υποβοηθούμενη από ιόντα (PVD) (ιοντική επιμετάλλωση) Κεραμικά υλικά (19) και γυαλί μικρής διαστολής (14) Διηλεκτρικά στρώματα (15) Αδαμαντοειδής άνθρακας (17) Σύνθετα υλικά με βάση άνθρακα- άνθρακα, κεραμικό υλικό και μέταλλο Διηλεκτρικά στρώματα (15) Επιστοιχειωμένο (ενανθρακωμένο) καρβίδιο βολφραμίου (16), καρβίδιο πυριτίου Διηλεκτρικά στρώματα (15) Μολυβδαίνιο και κράματα μολυβδαινίου Διηλεκτρικά στρώματα (15) Βηρύλλιο και κράματα βηρυλλίου Διηλεκτρικά στρώματα (15) Υλικά παραθύρων αισθητήρων (9) Διηλεκτρικά στρώματα (15) Αδαμαντοειδής άνθρακας (17) Εναπόθεση ατμού με φυσικές μεθόδους (PVD): εξάτμιση με λέιζερ Κεραμικά υλικά (19) και γυαλί μικρής διαστολής (14) Πυριτίδια Διηλεκτρικά στρώματα (15) Αδαμαντοειδής άνθρακας (17) Σύνθετα υλικά με βάση άνθρακα-άνθρακα, κεραμικό υλικό και μέταλλο Διηλεκτρικά στρώματα (15) Επιστοιχειωμένο (ενανθρακωμένο) καρβίδιο βολφραμίου (16), καρβίδιο πυριτίου Διηλεκτρικά στρώματα (15) Μολυβδαίνιο και κράματα μολυβδαινίου Διηλεκτρικά στρώματα (15) Βηρύλλιο και κράματα βηρυλλίου Διηλεκτρικά στρώματα (15) Υλικά παραθύρων αισθητήρων (9) Διηλεκτρικά στρώματα (15) Αδαμαντοειδής άνθρακας (17) Εναπόθεση ατμού με φυσικές μεθόδους (PVD): καθοδική εκκένωση τόξου Υπερκράματα Κραματοποιημένα πυριτίδια Κραματοποιημένα αργιλίδια (2) MCrAlX (5) Πολυμερή (11) και σύνθετα υλικά οργανικής βάσης Βορίδια Καρβίδια Νιτρίδια Αδαμαντοειδής άνθρακας (17) Επιστοιχείωση (ενανθράκωση) σε στήλη (για επιστοιχείωση εκτός στήλης, βλ. Α παραπάνω (10) Σύνθετα υλικά με βάση άνθρακα-άνθρακα, κεραμικό υλικό και μέταλλο Πυριτίδια Καρβίδια Μίγματα αυτών (4) Κράματα τιτανίου (13) Πυριτίδια Αργιλίδια Κραματοποιημένα αργιλίδια (2) Πυρίμαχα μέταλλα και κράματα (8) Πυριτίδια Οξείδια Ψεκασμός πλάσματος Υπερκράματα MCrAlX (5) Τροποποιημένη ζιρκονία (12) Μίγματα αυτών (4) Λειάνσιμος νικελιο-γραφίτης Λειάνσιμα υλικά περιέχοντα Ni-Cr-Al Λειάνσιμος Al-Si-πολυεστέρας Κραματοποημένα αργιλίδια (2) Κράματα αργιλίου (6) MCrAlX (5) Τροποποιημένη ζιρκονία (12) Πυριτίδια Μίγματα αυτών (4) Πυρίμαχα μέταλλα και κράματα (8) Αργιλίδια Πυριτίδια Καρβίδια Χάλυβας ανθεκτικός στη διάβρωση (7) MCrAlX (5) Τροποποιημένη ζιρκονία (12) Μίγματα αυτής (4) Κράματα τιτανίου (13) Καρβίδια Αργιλίδια Πυριτίδια Κραματοποιημένα αργιλίδια (2) Λειάνσιμος νικελιο-γραφίτης Λειάνσιμα υλικά περιέχοντα Νi-Cr-Al Λειάνσιμος Al-Si-πολυεστέρας Εναπόθεση πολτού Πυρίμαχα μέταλλα και κράματα (8) Συντηγμένα πυριτίδια Συντηγμένα αργιλίδια εκτός από τα στοιχεία θερμαντικών ηλεκτρικών αντιστάσεων Σύνθετα υλικά με βάση άνθρακα-άνθρακα, κεραμικό υλικό και μέταλλο Πυριτίδια Καρβίδια Μίγματα αυτών (4) Εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης Υπερκράματα Κραματοποιημένα πυριτίδια Κραματοποιημένα αργιλίδια (2) Αργιλίδια τροποποιημένα με ευγενή μέταλλα (3) MCrAlX (5) Τροποποιημένη ζιρκονία (12) Λευκόχρυσος Μίγματα αυτών (4) Κεραμικά υλικά και γυαλί μικρής διαστολής (14) Πυριτίδια Λευκόχρυσος Μίγματα αυτών (4) Διηλεκτρικά στρώματα (15) Αδαμαντοειδής άνθρακας (17) Κράματα τιτανίου (13) Βορίδια Νιτρίδια Οξείδια Πυριτίδια Αργιλίδια Κραματοποιημένα αργιλίδια (2) Καρβίδια Σύνθετα υλικά με βάση άνθρακα-άνθρακα, κεραμικό υλικό και μέταλλο Πυριτίδια Καρβίδια Πυρίμαχα μέταλλα Μίγματα αυτών (4) Διηλεκτρικά στρώματα (15) Νιτρίδιο βορίου Επιστοιχειωμένο (ενανθρακωμένο) καρβίδιο βολφραμίου (16), καρβίδιο πυριτίου (18) Καρβίδια Βολφράμιο Μίγματα αυτών (4) Διηλεκτρικά στρώματα (15) Νιτρίδιο βορίου Μολυβδαίνιο και κράματα μολυβδαινίου Διηλεκτρικά στρώματα (15) Βηρύλλιο και κράματα βηρυλλίου Βορίδια Διηλεκτρικά στρώματα (15) Βηρύλλιο Υλικά παραθύρων αισθητήρων (9) Διηλεκτρικά στρώματα (15) Αδαμαντοειδής άνθρακας (17) Πυρίμαχα μέταλλα και κράματα (8) Αργιλίδια Πυριτίδια Οξείδια Καρβίδια Εμφύτευση ιόντων Χάλυβες ανθεκτικοί σε υψηλές θερμοκρασίες Προσθήκες χρωμίου, τανταλίου ή νιοβίου (κολομβίου) Κράματα τιτανίου (13) Βορίδια Νιτρίδια Βηρύλλιο και κράματα βηρυλλίου Βορίδια Επιστοιχειωμένο (ενανθρακωμένο) καρβίδιο βολφραμίου (16) Καρβίδια Νιτρίδια Οι ορισμοί των μεθόδων που καθορίζονται στη στήλη 1 του πίνακα είναι οι εξής:

1. Η έννοια του όρου μέθοδος επίχρισης περιλαμβάνει τόσο την αρχική επίχριση όσο και την επιδιόρθωση και την ανανέωση των επιχρισμάτων.

2. Η έννοια του όρου επίχρισμα κραματοποιημένου αργιλιδίου περιλαμβάνει τις απλές ή πολλαπλές επιχρίσεις, κατά τις οποίες ένα ή περισσότερα χημικά στοιχεία εναποτίθενται πριν από την εφαρμογή του επιχρίσματος αργιλιδίου ή κατά τη διάρκειά της, έστω και αν για την εναπόθεση των στοιχείων αυτών χρησιμοποιείται άλλη μέθοδος επίχρισης. Δεν συμπεριλαμβάνεται όμως η πολλαπλή εφαρμογή μεθόδων απλής επιστοιχείωσης (ενανθράκωσης) στήλης για την επίτευξη κραματοποιημένων αργιλιδίων.

3. Η έννοια του όρου επίχριση αργιλιδίου τροποποιημένου με ευγενή μέταλλα περιλαμβάνει τις πολλαπλές επιχρίσεις, κατά τις οποίες το ή τα ευγενή μέταλλα εναποτίθενται με άλλη μέθοδο επίχρισης πριν από την εφαρμογή του επιχρίσματος αργιλιδίου.

4. Η έννοια του όρου μίγματα αυτών περιλαμβάνει διείσδυση υλικών, κλιμακωτές συνθέσεις, συνεναποθέσεις και πολυστρωματικές εναποθέσεις και λαμβάνονται με μία ή περισσότερες από τις μεθόδους επίχρισης που περιλαμβάνονται στον πίνακα.

5. Ο τύπος ΜcrΑlX αναφέρεται σε κράματα επίχρισης, όπου Μ είναι κοβάλτιο, σίδηρος, νικέλιο ή συνδυασμός αυτών των μετάλλων και X είναι άφνιο, ύττριο, πυρίτιο, ταντάλιο σε οποιαδήποτε ποσότητα ή άλλες σκόπιμες προσθήκες σε ποσοστό μεγαλύτερο από 0,01 % κατά βάρος σε ποικίλες αναλογίες και ποικίλους συνδυασμούς, εκτός από:

5. α.

τα επιχρίσματα CoCrAlY με κατά βάρος περιεκτικότητα σε χρώμιο μικρότερη από 22 %, σε αργίλιο μικρότερη από 7 % και σε ύττριο μικρότερη από 2 %,

β.

τα επιχρίσματα CoCrAlY με κατά βάρος περιεκτικότητα σε χρώμιο 22-24 %, σε αργίλιο 10-12 % και σε ύττριο 0,5-0,7 %, ή

γ.

τα επιχρίσματα NiCrAlY με κατά βάρος περιεκτικότητα σε χρώμιο 21-23 %, σε αργίλιο 10-12 % και σε ύττριο 0,9-1,1 %.

6. Ο όρος κράματα αργιλίου αναφέρεται σε κράματα με αντοχή στον εφελκυσμό 190 ΜΡa ή μεγαλύτερη, μετρώμενη στους 293 Κ (20 °C).

7. Ο όρος χάλυβας ανθεκτικός στη διάβρωση αναφέρεται σε χάλυβες που ανταποκρίνονται στο πρότυπο AISI (American Iron and Steel Institute/Αμερικανικό Ίδρυμα Σιδήρου και χάλυβα) σειρά 300 ή σε ισότιμο εθνικό πρότυπο.

8. Ο όρος πυρίμαχα μέταλλα και κράματα περιλαμβάνει τα ακόλουθα μέταλλα και τα κράματά τους: νιόβιο (κολόμβιο), μολυβδαίνιο, βολφράμιο και ταντάλιο.

9. Υλικά παραθύρων αισθητήρων, ως εξής: αλουμίνα, πυρίτιο, γερμάνιο, θειούχος ψευδάργυρος, σεληνίδιο του ψευδαργύρου, αρσενίδιο του γαλλίου, αδάμας, φωσφίδιο γαλλίου, σάπφειρος και τα ακόλουθα αλογονίδια μετάλλων: υλικά παραθύρων αισθητήρων διαμέτρου άνω των 40 mm, προκειμένου για βρωμιούχο ζιρκόνιο και φθοριούχο άφνιο.

10. Η τεχνολογία για την απλή επιστοιχείωση (ενανθράκωση) σε στήλη συμπαγών αεροτομών δεν περιλαμβάνεται στην κατηγορία 2.

11. Πολυμερή ως εξής: πολυϊμίδια, πολυεστέρες, πολυσουλφίδια, πολυανθρακικά πολυμερή και πολυουρεθάνες.

12. Η τροποποιημένη ζιρκονία αναφέρεται στο προϊόν προσθήκης στη ζιρκονία άλλων οξειδίων μετάλλων, (π.χ. ασβέστου, μαγνησίας, υττρίας, αφνίας, οξειδίων των σπανίων γαιών κ.λπ.), για τη σταθεροποίηση ορισμένων κρυσταλλογραφικών φάσεων και συνθέσεων φάσεων. Τα επιχρίσματα θερμικού φράγματος από ζιρκονία που τροποποιείται με ανάμιξη ή σύντηξη με άσβεστο ή μαγνησία, δεν υπόκεινται στον έλεγχο.

13. Τα κράματα τιτανίου αναφέρονται μόνον στα κράματα της αεροδιαστημικής τεχνολογίας με αντοχή στον εφελκυσμό 900 MPa ή μεγαλύτερη, μετρώμενη στους 293 Κ (20 °C).

14. Το γυαλί μικρής διαστολής αναφέρεται σε γυαλί με συντελεστή θερμικής διαστολής 1 × 10– 7 Κ– 1 ή μικρότερο, μετρώμενο στους 293 Κ (20 °C).

15. Τα διηλεκτρικά στρώματα είναι επιχρίσματα που συγκροτούνται από πολλαπλές επιστρώσεις μονωτικών υλικών και στα οποία οι ιδιότητες συμβολής μιας διάταξης υλικών με διάφορους δείκτες διαθλάσεως, χρησιμοποιούνται για την ανάκλαση, τη μετάδοση ή την απορρόφηση διαφόρων ζωνών μήκους κύματος. Τα διηλεκτρικά στρώματα αναφέρονται σε περισσότερες από τέσσερις διηλεκτρικές επιστρώσεις ή σύνθετες επιστρώσεις διηλεκτρικού υλικού/μετάλλου.

16. Στα επιστοιχειωμένα καρβίδια του βολφραμίου δεν περιλαμβάνονται τα υλικά κοπτικών εργαλείων και εργαλείων μορφοποίησης από καρβίδιο του βολφραμίου/(κοβάλτιο, νικέλιο), καρβίδιο του τιτανίου/(κοβάλτιο, νικέλιο), καρβίδιο του χρωμίου/νικελιο-χρώμιο και καρβίδιο του χρωμίου/νικέλιο.

17. Δεν ελέγχεται η τεχνολογία που έχει ειδικά σχεδιαστεί για την εναπόθεση αδαμαντοειδούς άνθρακα στα ακόλουθα:

οδηγοί και κεφαλές μαγνητικών δίσκων, εξοπλισμός για την κατασκευή ειδών μιας χρήσης, εξοπλισμός αρτοποιίας, βαλβίδες στροφίγγων, ακουστικά διαφράγματα μεγαφώνων, εξαρτήματα κινητήρων αυτοκινήτων, κοπτικά εργαλεία, διατμητικές και κοιλαντικές μήτρες, εξοπλισμός πληρογραφικής, μικρόφωνα ή ιατροτεχνολογικά βοηθήματα, ή καλούπια, για τη χύτευση ή το καλούπωμα πλαστικών, κατασκευασμένα από κράματα με περιεκτικότητα σε βερύλλιο κάτω του 5 %.

18. Το καρβίδιο του πυριτίου δεν περιλαμβάνει τα υλικά κοπτικών εργαλείων και εργαλείων μορφοποίησης.

19. Ο όρος κεραμικά υποστρώματα, όπως χρησιμοποιείται στο σημείο αυτό, δεν περιλαμβάνει τα κεραμικά υλικά με περιεκτικότητα τουλάχιστον 5 % σε άργιλο ή τσιμέντο, είτε χωριστά είτε σε συνδυασμό.

α.

Εναπόθεση ατμού με χημικές μεθόδους (CVD) είναι τεχνική επίχρισης με επίστρωση ή με μετατροπή επιφανειών, κατά την οποία ένα μέταλλο, κράμα, σύνθετο υλικό, διηλεκτρικό υλικό ή κεραμικό υλικό εναποτίθεται σε θερμαινόμενο υπόστρωμα. Τα αέρια αντιδρώντα στρώματα διασπώνται ή ενώνονται κοντά στο υπόστρωμα, με αποτέλεσμα την εναπόθεση σ’ αυτό του επιθυμητού υλικού — χημικού στοιχείου, κράματος ή ένωσης. Η απαιτούμενη ενέργεια για την παραπάνω διεργασία διάσπασης ή χημικής αντίδρασης παρέχεται από τη θερμότητα του υποστρώματος, από πλάσμα εκκένωσης αίγλης ή με ακτινοβόληση με λέιζερ. Σημ. 1: Στην τεχνική CVD περιλαμβάνονται οι ακόλουθες μέθοδοι: εναπόθεση εκτός στήλης με κατευθυνόμενη ροή αερίου, παλμική CVD, θερμική εναπόθεση με ελεγχόμενο πυρήνα αντιδράσεως (CNTD), CVD βελτιωμένη ή υποβοηθούμενη από πλάσμα. Σημ. 2: Ο όρος στήλη σημαίνει ότι το υπόστρωμα είναι βυθισμένο σε μίγμα κόνεων. Σημ. 3: Τα αέρια αντιδρώντα σώματα που χρησιμοποιούνται στην τεχνική εκτός στήλης σχηματίζονται με τις ίδιες βασικές αντιδράσεις και παραμέτρους όπως και στην τεχνική επιστοιχείωσης (ενανθράκωσης) σε στήλη, εκτός από το ότι το προς επίχριση υπόστρωμα δεν έρχεται σε επαφή με το μίγμα κόνεων.

β.

Εναπόθεση ατμών με φυσικές μεθόδους θερμικής εξάτμισης (ΤΕ-PVD) είναι τεχνική επίχρισης με επίστρωση, η οποία πραγματοποιείται σε θάλαμο κενού με πίεση μικρότερη από 0,1 Pa και κατά την οποία χρησιμοποιείται πηγή θερμικής ενέργειας για την εξάτμιση του επιχριστικού υλικού. Η διεργασία αυτή έχει ως αποτέλεσμα τη συμπύκνωση ή την εναπόθεση των εξατμισμένων σωματιδίων σε καταλλήλως τοποθετημένα υποστρώματα. Η προσθήκη αερίων στο θάλαμο κενού κατά τη διάρκεια της επίχρισης για τη δημιουργία σύνθετων επιχρισμάτων αποτελεί συνήθη παραλλαγή της μεθόδου. Συνήθης επίσης τροποποίηση αυτής της τεχνικής είναι η χρήση δέσμης ιόντων ή ηλεκτρονίων, ή και πλάσματος, για την ενεργοποίηση ή τη διευκόλυνση της εναπόθεσης του επιχρίσματος. Ένα επιπλέον γνώρισμα αυτών των διεργασιών μπορεί να είναι η χρήση συσκευών παρακολούθησης (monitor) για την κατά τη διεργασία μέτρηση των οπτικών χαρακτηριστικών και του πάχους του επιχρίσματος. Ειδικότερα, οι μέθοδοι TE-PVD είναι οι εξής:

1. Στην PVD δέσμης ηλεκτρονίων χρησιμοποιείται δέσμη ηλεκτρονίων για τη θέρμανση και την εξάτμιση του υλικού που σχηματίζει το επίχρισμα,

2. Στην υποβοηθούμενη από ιόντα PVD θέρμανση με ηλεκτρική αντίσταση χρησιμοποιούνται πηγές θερμότητας με ηλεκτρική αντίσταση, σε συνδυασμό με μία ή περισσότερες προσπίπτουσες δέσμες ιόντων, ικανές να δημιουργούν ελεγχόμενο και ομοιόμορφο ρεύμα εξατμισμένων επιχριστικών σωματιδίων,

3. Στην εξάτμιση με λέιζερ χρησιμοποιούνται δέσμες λέιζερ παλμικού ή συνεχούς κύματος για την εξάτμιση του υλικού που σχηματίζει το επίχρισμα,

4. Στην εναπόθεση καθοδικής εκκένωσης τόξου χρησιμοποιείται αναλώσιμη κάθοδος από το υλικό που σχηματίζει το επίχρισμα, στης οποίας την επιφάνεια προκαλείται μονίμως εκκένωση τόξου με τη στιγμιαία επαφή πολυδονητή (κύκλωμα σκανδάλης). Η ελεγχόμενη κίνηση του σχηματισμού του τόξου διαβρώνει την επιφάνεια της καθόδου δημιουργώντας εξαιρετικά ιονισμένο πλάσμα. Ως άνοδος χρησιμοποιείται είτε ένας κώνος, συνδεδεμένος με την περιφέρεια της καθόδου μέσω μονωτικού υλικού, είτε ο θάλαμος. Για εναπόθεση χωρίς σκοπευτικό άξονα χρησιμοποιείται πόλωση του υποστρώματος. Σημ.: Ο ορισμός αυτός δεν περιλαμβάνει την τυχαία εναπόθεση καθοδικής εκκένωσης τόξου με μη πολωμένα υποστρώματα.

5. Η ιοντική επιμετάλλωση αποτελεί ειδική τροποποίηση της γενικής τεχνικής ΤΕ-PVD, κατά την οποία χρησιμοποιείται πηγή πλάσματος ή ιόντων για τον ιονισμό των προς εναπόθεση σωματιδίων ενώ στο υπόστρωμα εφαρμόζεται αρνητικό δυναμικό πολώσεως για να διευκολυνθεί η έξοδος των σωματιδίων από το πλάσμα. Η εισαγωγή δραστικών σωματιδίων, η εξάτμιση στερεών μέσα στο θάλαμο εργασίας καθώς και η χρήση συσκευών παρακολούθησης (monitor) για την κατά τη διεργασία μέτρηση των οπτικών χαρακτηριστικών και του πάχους των επιχρισμάτων, αποτελούν συνήθεις παραλλαγές της τεχνικής.

γ.

Επιστοιχείωση (ενανθράκωση) σε στήλη είναι μέθοδος επίχρισης με μετατροπή επιφανειών ή με επίστρωση, κατά την οποία το υπόστρωμα βυθίζεται σε μίγμα κόνεων (στήλη) αποτελούμενο από: Το μίγμα υποστρώματος και κόνεων περιέχεται σε κάμινο κέρατος, που θερμαίνεται σε θερμοκρασία μεταξύ 1030 Κ (757 °C) και 1375 (1102 °C) για όσο χρόνο απαιτεί η εναπόθεση του επιχρίσματος.

1. τις κόνεις των μετάλλων που πρόκειται να εναποτεθούν (συνήθως αργίλιο, χρώμιο, πυρίτιο ή συνδυασμοί αυτών),

2. έναν ενεργοποιητή (συνήθως αλογονούχο άλας), και

3. μία αδρανή κόνι, ως επί το πλείστον αλουμίνα.

δ.

Ψεκασμός πλάσματος είναι τεχνική επίχρισης με επίστρωση, κατά την οποία τα επιχριστικά υλικά, σε μορφή κόνεως ή σύρματος, εισάγονται σε πιστόλι (δαυλό ψεκασμού) που παράγει πλάσμα και το ελέγχει, τήκονται και εκσφενδονίζονται από αυτό προς το υπόστρωμα, όπου σχηματίζουν άρρηκτα συνδεδεμένο επίχρισμα. Πρόκειται για ψεκασμό πλάσματος είτε χαμηλής πιέσεως είτε υψηλής ταχύτητας. Σημ. 1: Χαμηλή πίεση σημαίνει χαμηλότερη από την ατμοσφαιρική πίεση περιβάλλοντος. Σημ. 2: Η υψηλή ταχύτητα αναφέρεται σε ταχύτητες αερίου στην έξοδο του ακροφυσίου υψηλότερες από 750 m/s υπολογιζόμενες σε θερμοκρασία 293 Κ (20 °C) και πίεση 0,1 MPa.

ε.

Εναπόθεση πολτού είναι τεχνική επίχρισης με μετατροπή επιφανειών ή με επίστρωση, κατά την οποία σχηματίζεται εναιώρημα μεταλλικής ή κεραμικής κόνεως με οργανικό συνδετικό υλικό σε υγρό, το εναιώρημα αυτό εφαρμόζεται στο υπόστρωμα με ψεκασμό, εμβάπτιση ή βαφή και ακολουθεί ξήρανση στον αέρα ή σε κλίβανο και θερμική κατεργασία για την επίτευξη του επιθυμητού επιχρίσματος.

στ.

Εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης είναι τεχνική επίχρισης με επίστρωση, που βασίζεται σε ένα φαινόμενο μεταφοράς ορμής και κατά την οποία θετικά ιόντα επιταχύνονται από ηλεκτρικό πεδίο προς την επιφάνεια του στόχου (επιχριστικό υλικό). Η κινητική ενέργεια των προσπιπτόντων ιόντων αρκεί για να προκαλέσει την ελευθέρωση των ατόμων της επιφάνειας του στόχου και την εναπόθεσή τους σε καταλλήλως τοποθετημένο υπόστρωμα. Σημ. 1: Ο πίνακας αναφέρεται μόνο στην εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης τριόδου, μαγνήτρου ή χημικής αντίδρασης, που χρησιμοποιείται για την αύξηση της πρόσφυσης του επιχρίσματος και της ταχύτητας εναπόθεσης, και στην εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης ενισχυμένης με ραδιοσυχνότητες (RF), που χρησιμοποιείται για να επιτρέπει την εξάτμιση μη μεταλλικών επιχριστικών υλικών. Σημ. 2: Για την ενεργοποίηση της εναπόθεσης είναι δυνατόν να χρησιμοποιούνται δέσμες ιόντων χαμηλής ενέργειας (κάτω των 5 keV)

ζ.

Εμφύτευση ιόντων είναι τεχνική επίχρισης με μετατροπή επιφανειών, κατά την οποία το προς κραματοποίηση στοιχείο ιονίζεται, επιταχύνεται μέσω διαβαθμιζόμενου δυναμικού και εμφυτεύεται στην επιφάνεια του υποστρώματος. Ο ορισμός αυτός περιλαμβάνει τις μεθόδους, στις οποίες η εμφύτευση ιόντων πραγματοποιείται ταυτόχρονα με εναπόθεση ατμού με φυσική μέθοδο δέσμης ηλεκτρονίων ή εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης.

ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 3 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

3AΣυστήματα, εξοπλισμός και δομικά στοιχεία Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση:

Σημείωση 1: Η διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού και των δομικών στοιχείων που περιγράφονται στο σημείο 3Α001 ή 3Α002, εκτός από όσα περιγράφονται στα εδάφια 3Α001.a.10. ή 3Α001.a.12., που έχουν σχεδιασθεί ειδικά, ή έχουν τα ίδια λειτουργικά χαρακτηριστικά όπως ο υπόλοιπος εξοπλισμός, καθορίζεται από τη διαβάθμιση ελέγχου του υπόλοιπου εξοπλισμού. Σημείωση 2: Η διαβάθμιση ελέγχου των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων που περιγράφονται στα σημεία 3Α001.a.3. έως 3Α001.a.9. ή 3Α001.a.12., τα οποία έχουν προγραμματισθεί χωρίς δυνατότητα αλλαγής, ή έχουν σχεδιασθεί για μία επί μέρους λειτουργία άλλου εξοπλισμού, καθορίζεται από τη διαβάθμιση ελέγχου του υπόλοιπου εξοπλισμού. Υποσημείωση: Όταν ο κατασκευαστής ή αυτός που υποβάλλει την αίτηση δεν μπορεί να καθορίσει τη διαβάθμιση ελέγχου του υπόλοιπου εξοπλισμού, η διαβάθμιση ελέγχου των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων καθορίζεται στα σημεία 3Α001.a.3. έως 3Α001.a.9. και 3Α001.a.12. Εάν το ολοκληρωμένο κύκλωμα είναι τύπου μικροκυκλώματα μικροϋπολογιστών ή μικροκύκλωμα μικρομονάδας ελέγχου με βάση το πυρίτιο, όπως περιγράφεται στο σημείο 3Α001.a.3., με μήκος λέξεως τελεστού (δεδομένων) το πολύ 8 bit, η διαβάθμιση ελέγχου του ολοκληρωμένου κυκλώματος καθορίζεται στο 3Α001.a.3. 3A001Ηλεκτρονικά δομικά στοιχεία, ως εξής: 3A002Ηλεκτρονικός εξοπλισμός γενικής χρήσεως: 3A003Συστήματα θερμοδιαχείρισης με ψύξη διά ψεκασμού, που χρησιμοποιούν εξοπλισμό χειρισμού και επαναχρησιμοποίησης ρευστών σε κλειστό βρόχο μέσα σε σφραγισμένο περιβάλλον, όπου ψεκάζεται διηλεκτρικό ρευστό πάνω σε ηλεκτρονικά δομικά στοιχεία με χρήση ειδικά σχεδιασμένων ψεκαστικών ακροφυσίων σχεδιασμένων να διατηρούν τα ηλεκτρονικά δομικά στοιχεία εντός του αντίστοιχου φάσματος θερμοκρασιών λειτουργίας, και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία για τον εξοπλισμό αυτό. 3A101Ηλεκτρονικός εξοπλισμός, συσκευές και δομικά στοιχεία εκτός από αυτά που ορίζονται στο σημείο 3Α001, ως εξής: 3A201Ηλεκτρονικά δομικά στοιχεία εκτός από όσα καθορίζονται στο σημείο 3Α001, ως εξής: 3A225Μετατροπείς συχνότητας ή γεννήτριες, εκτός από τις συσκευές που καθορίζονται στο σημείο 0Β001.β.13., που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: Οι κατά το σημείο 3Α225 μετατροπείς συχνότητας είναι γνωστοί και ως μεταλλάκτες ή inverters. 3A226Τροφοδοτικά συνεχούς ρεύματος υψηλής ισχύος, εκτός εκείνων που καθορίζονται στο σημείο 0Β001.ι.6., που έχουν και τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά: 3A227Τροφοδοτικά συνεχούς ρεύματος υψηλής τάσης, εκτός εκείνων που καθορίζονται στο σημείο 0Β001.ι.5, που έχουν και τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά: 3A228Συσκευές μεταγωγής ως εξής: 3A229Συσκευές εκπυρσοκρότησης και ισοδύναμες γεννήτριες παλμών υψηλού ρεύματος, ως εξής: ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ. 3A230Παλμογεννήτριες υψηλής ταχύτητας με τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά: Στο σημείο 3Α230, ο χρόνος μετάβασης του παλμού ορίζεται σαν το χρονικό διάστημα μεταξύ του 10 % και του 90 % του πλάτους της τάσης. 3A231Συστήματα παραγωγής νετρονίων, συμπεριλαμβανομένων των σωλήνων, με τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά: 3A232Πυροκροτητές και συστήματα έναυσης πολλαπλών σημείων ως εξής: ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ. Σημείωση: Το σημείο 3Α232 δεν θέτει υπό έλεγχο πυροκροτητές που χρησιμοποιούν μόνο πρωτογενείς εκρηκτικές ύλες, όπως τον αζωτούχο μόλυβδο. Οι πυροκροτητές τους οποίους αφορά το σημείο 3Α232 χρησιμοποιούν όλοι ένα μικρό ηλεκτρικό αγωγό (γέφυρα, σύρμα γέφυρας ή μεταλλικό φύλλο) που εξατμίζεται εκρηκτικά όταν ένας ταχύς ηλεκτρικός παλμός υψηλού ρεύματος περνάει μέσα του. Στους τύπους πυροκροτητών χωρίς κολαφιστήρα ο αγωγός που εκρήγνυται αρχίζει μία χημική πυροδότηση σε ένα εξαιρετικά εκρηκτικό υλικό με το οποίο είναι σε επαφή όπως π.χ. το PETN (Pentaerythritoltetranitrate). Σε πυροκροτητές τύπου κολαφιστήρα (slapper) η εκρηκτική εξάτμιση του ηλεκτρικού αγωγού σπρώχνει ένα έλασμα ή κολαφιστήρα διαμέσου ενός διάκενου και η πρόσκρουσή του πάνω σε ένα εκρηκτικό υλικό αρχίζει μία χημική πυροδότηση. Σε μερικά προϊόντα ο κολαφιστήρας ωθείται από μαγνητική δύναμη. Ο όρος πυροκροτητής με εκρηγνυόμενο μεταλλικό φύλλο μπορεί να αναφέρεται είτε σε πυροκροτητή τύπου exploding bridge είτε σε πυροκροτητή τύπου slapper. Επίσης η λέξη initiator χρησιμοποιείται μερικές φορές αντί της λέξεως detonator (πυροκροτητής). 3A233Φασματογράφοι μάζας εκτός από αυτούς που αναφέρονται στο σημείο 0Β002.ζ., που μπορούν να μετρήσουν ιόντα μεγέθους 230 ατομικών μονάδων μάζας ή παραπάνω και οι οποίοι έχουν διακριτική ικανότητα καλύτερη από 2 μέρη στα 230, ως εξής, καθώς επίσης και πηγές ιόντων για τους φασματογράφους αυτούς:

3AΣυστήματα, εξοπλισμός και δομικά στοιχεία α.

Ολοκληρωμένα κυκλώματα για γενικούς σκοπούς, ως εξής: Σημείωση 1: Η διαβάθμιση ελέγχου των πλακιδίων (που έχουν υποστεί φινίρισμα ή όχι), στα οποία έχει καθοριστεί η λειτουργία, πρέπει να ελεγχθεί με τις παραμέτρους του σημείου 3Α001.α. Σημείωση 2: Τα ολοκληρωμένα κυκλώματα περιλαμβάνουν τους ακόλουθους τύπους:

Μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα,

Υβριδικά ολοκληρωμένα κυκλώματα,

Ολοκληρωμένα κυκλώματα πολλαπλών μικροπλακετών,

Ολοκληρωμένα κυκλώματα τύπου φιλμ, που περιλαμβάνουν ολοκληρωμένα κυκλώματα με πυρίτιο πάνω σε σάπφειρο,

Οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα.

1. Ολοκληρωμένα κυκλώματα σχεδιασμένα ή καθορισμένα ώστε να αντέχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1. α.

Ακτινοβολία, συνολικής δόσης τουλάχιστον 5 × 103 Gy (πυρίτιο),

β.

Διαταραχή ρυθμού ακτινοβολίας τουλάχιστον 5 × 106 Gy (πυρίτιο)/s ή υψηλότερη, ή

γ.

Ολοκληρωμένη ροή νετρονίων (ισοδύναμο 1 MeV) τουλάχιστον 5 × 1013 n/cm2 σε πυρίτιο, και το αντίστοιχο σε άλλα υλικά, Σημ: το 3A001.α.1.γ δεν έχει εφαρμογή στους μεταλλομονωτικούς ημιαγωγούς (MSI).

2. Μικροκυκλώματα με μικροεπεξεργαστές, μικροκυκλώματα μικροϋπολογιστών και μικροκυκλώματα για μικροσυσκευές ελέγχου, ολοκληρωμένα κυκλώματα μνήμης κατασκευασμένα από σύνθετο ημιαγωγό, μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό, μετατροπείς ψηφιακού σε αναλογικό, ηλεκτρο-οπτικά ή οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα σχεδιασμένα για επεξεργασία σημάτων, προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις πεδίου (field programmable logic devices), ολοκληρωμένα κυκλώματα νευρονικών δικτύων, ολοκληρωμένα κυκλώματα κατασκευασμένα κατά παραγγελία, για τα οποία είτε είναι άγνωστη η λειτουργία είτε αγνοείται η διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού, στον οποίον θα χρησιμοποιηθούν τα ολοκληρωμένα κυκλώματα, επεξεργαστές ταχείας μετατροπής Fourier (Fast Fourier Transform — FFT), ηλεκτρικά αποσβέσιμες και προγραμματιζόμενες μνήμες ανάγνωσης μόνο (EEPROM), στιγμιαίες μνήμες ή στατικές μνήμες RAM (SRAM) που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα : Σημείωση: Το σημείο 3Α001.α.2. δεν εφαρμόζεται στα ολοκληρωμένα κυκλώματα που προορίζονται για πολιτικά αυτοκίνητα/οχήματα ή για μηχανές σιδηροδρόμων.

2. α.

Καθορισμένα να λειτουργούν σε θερμοκρασία περιβάλλοντος άνω των 398 K (125 °C),

β.

Καθορισμένα να λειτουργούν σε θερμοκρασία περιβάλλοντος κάτω των 218 K (– 55 °C), ή

γ.

Καθορισμένα να λειτουργούν στο σύνολο της περιοχής θερμοκρασιών περιβάλλοντος από 218 K (– 55 °C) έως 398 K (125 °C).

3. Μικροκυκλώματα με μικροεπεξεργαστές, μικροκυκλώματα μικροϋπολογιστών και μικροκυκλώματα για μικροσυσκευές ελέγχου, που κατασκευάζονται από σύνθετο ημιαγωγό και με λειτουργία σε συχνότητα χρονισμού πάνω από 40 MHz. Σημείωση: Το σημείο 3Α001.α.3. περιλαμβάνει ψηφιακούς επεξεργαστές σημάτων, ψηφιακούς πολυεπεξεργαστές (array processors) και ψηφιακούς συνεπεξεργαστές (digital coprocessors).

4. Ολοκληρωμένα κυκλώματα μνήμης κατασκευασμένα από σύνθετο ημιαγωγό.

5. Τεχνικές παρατηρήσεις:

Ολοκληρωμένα κυκλώματα μετατροπής αναλογικού σε ψηφιακό και ψηφιακού σε αναλογικό, ως εξής :

5. α.

Μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό που έχουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα: ΣΗΜΕΙΩΣΗ ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 3Α101

1. Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 8 bit αλλά μικρότερη των 10 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 500 εκατομμυρίων λέξεων ανά δευτερόλεπτο,

2. Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 10 bit αλλά μικρότερη των 12 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 200 εκατομμυρίων λέξεων ανά δευτερόλεπτο,

3. Διακριτική ικανότητα 12 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 50 εκατομμυρίων λέξεων ανά δευτερόλεπτο,

4. Διακριτική ικανότητα άνω των 12 bit αλλά το πολύ 14 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 5 εκατομμυρίων λέξεων ανά δευτερόλεπτο, ή

5. Διακριτική ικανότητα άνω των 14 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο του 1 εκατομμυρίου, λέξεων ανά δευτερόλεπτο

β.

Μετατροπείς ψηφιακού σε αναλογικό με διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 12 bit και χρόνο αποκατάστασης (settling time) κάτω των 10 ns.

5. Τεχνικές παρατηρήσεις:

1. Διακριτική ικανότητα n bit αντιστοιχεί σε κβάντωση 2η σταθμών.

2. Ο αριθμός bit στη λέξη εξόδου ισούται προς τη διακριτική ικανότητα του μετατροπέα ψηφιακού σε αναλογικό.

3. Ο ρυθμός εξόδου είναι ο μέγιστος ρυθμός εξόδου του μετατροπέα, ανεξαρτήτως αρχιτεκτονικής ή υπερδειγματοληψίας. Οι πωλητές μπορούν επίσης να αναφέρουν το ρυθμό εξόδου ως ρυθμό δειγματοληψίας ή ως ρυθμό διεκπεραίωσης. Ο ρυθμός αυτός εκφράζεται συνήθως ως megahertz (MHz) ή ως μεγαδείγματα ανά δευτερόλεπτο (MSPS).

4. Για τη μέτρηση του ρυθμού διεκπεραίωσης, μια λέξη εξόδου ανά δευτερόλεπτο ισοδυναμεί προς ένα Hertz ή προς ένα δείγμα ανά δευτερόλεπτο.

6. Ηλεκτρο-οπτικά ή οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα για επεξεργασία σημάτων που έχουν όλα τα ακόλουθα:

6. α.

Μία ή περισσότερες εσωτερικές διόδους λέιζερ,

β.

Ένα ή περισσότερα εσωτερικά δομικά στοιχεία για την ανίχνευση φωτός, και

γ.

Οπτικούς κυματοδηγούς.

7. Προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις πεδίου (field programmable logic devices) που έχουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα: Σημείωση: Το 3Α001.α.7 περιλαμβάνει: Σημ.: Ο τρίτος και τέταρτος όρος είναι συνώνυμοι.

7. α.

Ισοδύναμο χρησιμοποιήσιμο αριθμό θυρών μεγαλύτερο από 30000 (για 2 θύρες εισόδου), ή

β.

Χαρακτηριστικό βασικό χρόνο διαβάσεως πύλης μικρότερο από 0,1 ns, ή

γ.

Συχνότητα αντιστροφής (toggle frequency) άνω των 133 MHz.

τις απλές προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις (SPLD)

τις πολύπλοκες προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις (CPLD)

τις προγραμματιζόμενες διατάξεις θυρών πεδίου (FPGA)

τις προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις θυρών πεδίου (FPLA)

τους προγραμματιζόμενους διασυνδέσμους θυρών πεδίου (FPIC)

8. (Δεν χρησιμοποιείται).

9. Ολοκληρωμένα κυκλώματα νευρονικών δικτύων.

10. Ολοκληρωμένα κυκλώματα κατασκευασμένα κατά παραγγελία, για τα οποία είτε είναι άγνωστη η λειτουργία είτε ο κατασκευαστής αγνοεί την διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού στον οποίον θα χρησιμοποιηθούν τα ολοκληρωμένα κυκλώματα και τα οποία έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

10. α.

Πάνω από 1000 τερματικές ακίδες.

β.

Χαρακτηριστικό βασικό χρόνο διαβάσεως πύλης χαμηλότερο από 0,1 ns, ή

γ.

Συχνότητα λειτουργίας που ξεπερνά τα 3 GHz.

11. Ψηφιακά ολοκληρωμένα κυκλώματα, εκτός αυτών που περιγράφονται στα σημεία 3Α001.α.3. έως 3Α001.α.10. και 3Α001.α.12., που έχουν κατασκευασθεί από οποιοδήποτε μικτό ημιαγωγό και παρουσιάζουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα :

11. α.

Ισοδύναμο αριθμό θυρών πάνω από 3000 (για 2 θύρες εισόδου), ή

β.

Συχνότητα αντιστροφής πάνω από 1,2 GHz.

12. Τεχνική Παρατήρηση

Επεξεργαστές ταχέος μετασχηματισμού Fourier (Fast Fourier Transform — FFT) με ονομαστικό χρόνο εκτέλεσης για σύνθετη FFT Ν σημείων, κάτω του (N log2N)/20480 ms, όπου N είναι ο αριθμός των σημείων. Όταν Ν = 1024 σημεία, ο τύπος του σημείου 3Α001.α.12 δίνει χρόνο εκτέλεσης 500 μs.

β.

Δομικά στοιχεία μικροκυμάτων ή χιλιοστομετρικών κυμάτων, ως εξής:

1. Ηλεκτρονικές λυχνίες κενού και κάθοδοι ως εξής: Σημείωση 1: Στο σημείο 3Α001.β.1. δεν υπάγονται οι λυχνίες που έχουν σχεδιασθεί ή καθορίζονται για λειτουργία σε ζώνες συχνοτήτων που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: Σημείωση 2: Στο σημείο 3Α001.β.1., δεν υπάγονται οι ακατάλληλες για διαστημική χρήση λυχνίες που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. α.

Δεν υπερβαίνουν τα 31,8 GHz, και

β.

Έχουν διατεθεί από την ITU για υπηρεσίες ραδιοεπικοινωνιών αλλά όχι για ραδιοεντοπισμό.

α.

Μέση ισχύ εξόδου το πολύ 50 W, και

β.

Σχεδιασμένες ή καθορισμένες για λειτουργία σε οποιαδήποτε ζώνη συχνοτήτων που έχει όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Υπερβαίνει τα 31,8 GHz αλλά δεν υπερβαίνει τα 43,5 GHz, και

2. Έχουν διατεθεί από την ITU για υπηρεσίες ραδιοεπικοινωνιών αλλά όχι για ραδιοεντοπισμό.

α.

Λυχνίες οδεύοντος κύματος, παλμικού ή συνεχούς κύματος, ως εξής:

1. Που λειτουργούν σε συχνότητες πάνω από 31,8 GHz.

2. Που έχουν στοιχείο θέρμανσης καθόδου με χρόνο ανύψωσης ισχύος μέχρι την καθορισμένη ισχύ ραδιοσυχνότητας ο οποίος είναι μικρότερος από 3 δευτερόλεπτα.

3. Συζευγμένες λυχνίες cavity ή παράγωγά τους, με κλασματικό εύρος ζώνης άνω του 7 % ή ισχύ αιχμής άνω των 2,5 kW.

4. Ελικοειδείς λυχνίες ή παράγωγά τους με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

4. α.

Στιγμιαίο εύρος ζώνης άνω της μιας οκτάβας και γινόμενο μεταξύ της μέσης ισχύος (εκφρασμένης σε kw) και της συχνότητας (εκφρασμένης σε GHz) ανώτερο από 0,5,

β.

Στιγμιαίο εύρος ζώνης το πολύ μια οκτάβα, και γινόμενο της μέσης ισχύος (εκφρασμένης σε kw) και συχνότητας (εκφρασμένης σε GHz) πάνω από 1, ή

γ.

Είναι κατάλληλες για διαστημική χρήση.

β.

Ενισχυτικές λυχνίες διασταυρωμένου πεδίου με απολαβή άνω των 17 dB.

γ.

Εμποτισμένες κάθοδοι (impregnated cathodes) για ηλεκτρονικές λυχνίες που παράγουν σταθερή πυκνότητα ροής ρεύματος σε συνθήκες προκαθορισμένης λειτουργίας η οποία ξεπερνά τα 5 A/cm2.

2. Ενισχυτές ισχύος με μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα μικροκυμάτων, με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά: Σημείωση 1: Στο σημείο 3A001.β.2 δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός δορυφορικών ραδιοτηλεοπτικών μεταδόσεων που έχει σχεδιαστεί ή εγκριθεί για να λειτουργεί στη ζώνη συχνοτήτων 40,5 έως 42,5 GHz. Σημείωση 2: Το καθεστώς ελέγχου των μονολιθικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μικροκυμάτων, οι ονομαστικές συχνότητες λειτουργίας των οποίων περιλαμβάνουν συχνότητες περιεχόμενες σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων, κατά τα οριζόμενα στα σημεία 3A001.β.2.α έως 3Α001.β.2.στ., καθορίζεται βάσει του χαμηλότερου από τα όρια μέσης ισχύος εξόδου που αντιστοιχούν στις οικείες ζώνες. Σημείωση 3: Οι εισαγωγικές σημειώσεις 1 και 2 στην αρχή της κατηγορίας 3 σημαίνουν ότι με το σημείο 3A001.β.2 δεν τίθενται υπό έλεγχο τα μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα μικροκυμάτων όταν είναι ειδικά σχεδιασμένα για άλλες εφαρμογές, όπως π.χ. τηλεπικοινωνίες, ραντάρ, αυτοκίνητα

2. α.

εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 3,2 GHz μέχρι και 6.6 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 4 W (36 dBm) και κλασματικό εύρος ζώνης άνω του 15 %,

β.

εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6 GHz μέχρι και 16 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω του 1 W (30 dBm) και κλασματικό εύρος ζώνης άνω του 10 %,

γ.

εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 16 GHz μέχρι και 31,8 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 0,8 W (29 dBm) και κλασματικό εύρος ζώνης άνω του 10 %,

δ.

εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 31,8 GHz μέχρι και 37,5 GHz,

ε.

εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 37,5 GHz μέχρι και 43,5 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 0,25 W (24 dBm) και κλασματικό εύρος ζώνης άνω του 10 %, ή

στ.

εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 43,5 GHz.

3. Χωριστά τρανζίστορ μικροκυμάτων με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά: Σημείωση: Το καθεστώς ελέγχου των τρανζίστορ οι ονομαστικές συχνότητες λειτουργίας των οποίων περιλαμβάνουν συχνότητες περιεχόμενες σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων, κατά τα οριζόμενα στα σημεία 3A001.β.3α, έως 3Α001β.3.ε., καθορίζεται βάσει του χαμηλότερου από τα όρια μέσης ισχύος εξόδου που αντιστοιχούν στις οικείες ζώνες.

3. α.

εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 3,2 GHz μέχρι και 6,6 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 60 W (47,8 dBm),

β.

εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6 GHz μέχρι και 31,8 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 20 W (43 dBm),

γ.

εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 31,8 GHz μέχρι και 37,5 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 0,5 W (27 dBm),

δ.

εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 37,5 GHz μέχρι και 43,5 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω του 1 W (30 dBm), ή

ε.

εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 43,5 GHz.

4. Τεχνική Παρατήρηση

Ενισχυτές μικροκυμάτων στερεάς κατάστασης και μικροκυματικά συναρμολογήματα ή δομοστοιχεία που περιέχουν ενισχυτές μικροκυμάτων με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά: Η συχνότητα 3,2 GHz θα πρέπει να χρησιμοποιείται ως η κατώτατη συχνότητα λειτουργίας (fGHz) στον τύπο του σημείου 3Α001.β.4.στ.3., για τους ενισχυτές με ονομαστικό φάσμα λειτουργίας που εκτίνεται προς τα κάτω μέχρι τα 3,2 GHz και κατωτέρω [d<15cm*GHz/3,2GHz]. ΣΗΜΕΙΩΣΗ: Οι ενισχυτές ισχύος με μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα μικροκυμάτων πρέπει να αξιολογούνται βάσει των κριτηρίων του σημείου 3A001.β.2 Σημείωση 1: Στο σημείο 3A001.β.4 δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός δορυφορικών ραδιοτηλεοπτικών μεταδόσεων που έχει σχεδιαστεί ή εγκριθεί για να λειτουργεί στη ζώνη συχνοτήτων 40,5 έως 42,5 GHz. Σημείωση 2: Το καθεστώς ελέγχου των μονολιθικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μικροκυμάτων, οι ονομαστικές συχνότητες λειτουργίας των οποίων περιλαμβάνουν συχνότητες περιεχόμενες σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων κατά τα οριζόμενα στα σημεία 3A001.β.4.α. έως 3Α001.β.4.ε., καθορίζεται βάσει του χαμηλότερου από τα όρια μέσης ισχύος εξόδου που αντιστοιχούν στις οικείες ζώνες.

4. α.

εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 3,2 GHz μέχρι και 6 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 60 W (47,8 dBm) και κλασματικό εύρος ζώνης άνω του 15 %,

β.

εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6 GHz μέχρι και 31,8 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω των 15 W (42 dBm) και κλασματικό εύρος ζώνης άνω του 10 %,

γ.

εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 31,8 GHz μέχρι και 37,5 GHz,

δ.

εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 37,5 GHz μέχρι και 43,5 GHz, με μέγιστη ισχύ εξόδου άνω του 1 W (30 dBm) και κλασματικό εύρος ζώνης άνω του 10 %,

ε.

εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 43,5 GHz, ή

στ.

εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 3 GHz και με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

1. μέση ισχύ εξόδου P, σε βαττ, μεγαλύτερη από 150 διά το τετράγωνο της ανώτατης συχνότητας λειτουργίας σε GHz (P>150 W*GHz2/fGHz2),

2. κλασματικό εύρος ζώνης 5 % και άνω, και

3. δύο κάθετες πλευρές μήκους d (σε cm) το πολύ ίσου προς 15 διά την κατώτατη συχνότητα λειτουργίας σε GHz (d=15cm*GHz/ fGHz),

5. Ζωνοπερατά ή ζωνοαπέρατα φίλτρα που μπορούν να συντονισθούν ηλεκτρονικά ή μαγνητικά, που έχουν πάνω από 5 ρυθμιζόμενους συντονιστές και μπορούν να συντονισθούν μέσα σε μία ζώνη συχνοτήτων με λόγο 1,5:1 (fmax/fmin) σε χρόνο λιγότερο από 10 μs που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

5. α.

Εύρος ζώνης ζωνοπερατού φίλτρου πάνω από 0,5 % της κεντρικής συχνότητας, ή

β.

Εύρος ζώνης ζωνοαπέρατου φίλτρου λιγότερο από 0,5 % της κεντρικής συχνότητας.

6. (Δεν χρησιμοποιείται).

7. Μίκτες και μετατροπείς σχεδιασμένοι για την επέκταση του φάσματος συχνοτήτων του εξοπλισμού που περιγράφεται στα σημεία 3Α002.γ., 3Α002.ε. ή 3Α002.στ. πέραν των εκεί αναφερομένων ορίων.

8. Μικροκυματικοί ενισχυτές ισχύος που περιλαμβάνουν λυχνίες που καθορίζονται στο σημείο 3Α001.β. και έχουν όλα τα ακόλουθα: Σημείωση: Στο σημείο 3Α001.β.8. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός που έχει σχεδιασθεί για, ή καθορίζεται να λειτουργεί σε ζώνες συχνοτήτων που έχουν διατεθεί από την ITU για υπηρεσίες ραδιοεπικοινωνιών αλλά όχι για ραδιοεντοπισμό.

8. α.

Συχνότητες λειτουργίας πάνω από 3 GHz,

β.

Μέση πυκνότητα ισχύος εξόδου άνω των 80 W/kg, και

γ.

Όγκο μικρότερο από 400 cm3.

γ.

Συσκευές ακουστικών κυμάτων, και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία για τις συσκευές αυτές ως εξής:

1. Συσκευές επιφανειακών ακουστικών κυμάτων και συσκευές surface skimming (shallow bulk) ακουστικών κυμάτων (δηλαδή συσκευές για επεξεργασία σημάτων που χρησιμοποιούν ελαστικά κύματα σε υλικά) και οι οποίες έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1. α.

Φέρουσα συχνότητα πάνω από 2,5 GHz,

β.

Φέρουσα συχνότητα πάνω από 1 GHz αλλά όχι πάνω από 2,5 GHz και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1. Απόρριψη πλευρικών λοβών συχνότητας που ξεπερνάει τα 55 dB,

2. Το γινόμενο του μέγιστου χρόνου καθυστέρησης και του εύρους ζώνης (ο χρόνος σε μs και το εύρος ζώνης σε ΜΗz) το οποίο είναι ανώτερο του 100,

3. Εύρος ζώνης μεγαλύτερο από 250 MHz, ή

4. Καθυστέρηση με διασπορά (dispersive delay) περισσότερη από 10 μs, ή

γ.

Συχνότητα φέροντος 1 GHz ή λιγότερο, και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1. Το γινόμενο του μέγιστου χρόνου καθυστέρησης και του εύρους ζώνης (ο χρόνος σε μs και το εύρος ζώνης σε ΜΗz) το οποίο είναι ανώτερο του 100,

2. Καθυστέρηση με διασπορά (dispersive delay) περισσότερη από 10 μs, ή

3. Απόρριψη πλευρικών λοβών συχνότητας που ξεπερνάει τα 55 dB και εύρος ζώνης μεγαλύτερο από 50 MHz.

2. Συσκευές ακουστικών κυμάτων όγκου (δηλαδή συσκευές για επεξεργασία σημάτων που χρησιμοποιούν ελαστικά κύματα) που επιτρέπουν την κατ’ ευθείαν επεξεργασία σημάτων σε συχνότητες πάνω από 1 GHz.

3. Ακουστικο-οπτικές συσκευές επεξεργασίας σημάτων που βασίζονται στην αλληλεπίδραση μεταξύ ακουστικών κυμάτων (κυμάτων όγκου ή κυμάτων επιφανείας) και κυμάτων φωτός και οι οποίες επιτρέπουν την άμεση επεξεργασία σημάτων ή εικόνων. Περιλαμβάνουν φασματική ανάλυση, συσχέτιση ή συνέλιξη.

δ.

Ηλεκτρονικές συσκευές και κυκλώματα που περιέχουν δομικά στοιχεία κατασκευασμένα από υπεραγώγιμα υλικά και ειδικά σχεδιασμένα για λειτουργία σε θερμοκρασίες κάτω από την κρίσιμη θερμοκρασία τουλάχιστον ενός από τα υπεραγώγιμα συστατικά υλικά με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1. Μεταγωγή ρεύματος για ψηφιακά κυκλώματα όπου χρησιμοποιούνται υπεραγώγιμες πύλες με γινόμενο μεταξύ του χρόνου καθυστέρησης ανά πύλη (που εκφράζεται σε δευτερόλεπτα) και της κατανάλωσης ισχύος ανά πύλη (που εκφράζεται σε W) και το οποίο είναι λιγότερο από 10– 14 J, ή

2. Επιλογή συχνοτήτων σε όλες τις συχνότητες με τη χρήση συντονισμένων κυκλωμάτων με τιμές Q πάνω από 10000.

ε.

Συσκευές υψηλής ενέργειας, ως εξής:

1. Μπαταρίες και φωτοβολταϊκές συστοιχίες ως εξής: Σημείωση: Στο σημείο 3Α001.ε.1. δεν υπάγονται οι μπαταρίες που έχουν όγκο ίσο ή μικρότερο από 27 cm3 (δηλαδή τα τυποποιημένα στοιχεία C ή τις μπαταρίες τύπου R14).

1. α.

Πρωτογενή στοιχεία και μπαταρίες που έχουν ενεργειακή πυκνότητα πάνω από 480 Wh/kg και έχουν καθορισθεί για λειτουργία στο φάσμα θερμοκρασιών που εκτείνεται από κάτω από 243 K (– 30 °C) μέχρι πάνω από 343 K (70 °C).

β. Τεχνική παρατήρηση:

Επαναφορτιζόμενα στοιχεία και μπαταρίες που έχουν ενεργειακή πυκνότητα πάνω από 150 Wh/kg μετά από 75 κύκλους φόρτισης/εκφόρτισης με ρεύμα εκφόρτισης ίσο προς C/5 ώρες (όπου C είναι η ονομαστική χωρητικότητα σε αμπερώρες) όταν λειτουργούν στο φάσμα θερμοκρασιών που εκτείνεται κάτω από 253 Κ (-20° C) μέχρι πάνω από 333 Κ (60° C). Η ενεργειακή πυκνότητα λαμβάνεται με τον πολλαπλασιασμό της μέσης ισχύος σε Watts (η μέση τάση σε βολτ επί το μέσο ρεύμα σε αμπέρ) επί τη διάρκεια της εκφόρτισης σε ώρες μέχρι να φθάσει η εκφόρτιση στα 75 % της τάσεως του ανοικτού κυκλώματος και όλο αυτό διαιρεμένο με την συνολική μάζα του στοιχείου (ή της μπαταρίας) που εκφράζεται σε kg.

γ.

Φωτοβολταϊκές συστοιχίες οι οποίες είναι κατάλληλες για διαστημική χρήση και έχουν υποστεί επεξεργασία για να αντέχουν σε ακτινοβολία, με ειδική ισχύ που ξεπερνά τα 160 W/m2 σε θερμοκρασία λειτουργίας 301 K (28 °C) όταν υφίστανται φωτισμό από βολφράμιο ισχύος 1 kW/m2 στους 2800 K (2527 °C).

2. Πυκνωτές με υψηλή ενεργειακή χωρητικότητα ως εξής: ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 3Α201.α.

2. α.

Πυκνωτές με ρυθμό επανάληψης κάτω από 10 Hz (πυκνωτές μιας κρούσης) που έχουν όλα τα ακόλουθα:

1. Ονομαστική τάση ίση ή ανώτερη από 5 kV,

2. Ενεργειακή πυκνότητα ίση ή ανώτερη από 250 J/kg, και

3. Συνολική ενέργεια ίση ή ανώτερη από 25 kJ.

β.

Πυκνωτές με ρυθμό επανάληψης 10 Hz ή παραπάνω (επαναληπτικοί πυκνωτές) που έχουν όλα τα ακόλουθα:

1. Ονομαστική τάση ίση ή ανώτερη από 5 kV.

2. Ενεργειακή πυκνότητα ίση ή ανώτερη από 50 J/kg.

3. Συνολική ενέργεια ίση ή ανώτερη από 100 J, και

4. Κύκλο ζωής για φόρτιση και εκφόρτιση ίσο ή ανώτερο από 10000.

3. Υπεραγώγιμοι ηλεκτρομαγνήτες ή σωληνοειδή τα οποία έχουν σχεδιασθεί ειδικά ώστε να φορτίζονται πλήρως, ή να εκφορτίζονται, σε λιγότερο από ένα δευτερόλεπτο και που έχουν όλα τα ακόλουθα: ΣΗΜΕΙΩΣΗ: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 3Α201.β. Σημείωση: Στο σημείο 3Α001.ε.3 δεν υπάγονται υπεραγώγιμοι ηλεκτρομαγνήτες ή σωληνοειδή τα οποία έχουν κατασκευασθεί ειδικά για ιατρικό εξοπλισμό απεικόνισης με τη βοήθεια Μαγνητικού Συντονισμού (Magnetic Resonance Imaging).

3. α.

Ενέργεια που αποδίδεται κατά τη διάρκεια της εκφόρτισης η οποία υπερβαίνει τα 10 kJ το πρώτο δευτερόλεπτο,

β.

Εσωτερική διάμετρο των ρευματοφόρων περιελίξεων ανώτερη από 250 mm, και

γ.

Ονομαστική μαγνητική επαγωγή πάνω από 8 Τ ή συνολική πυκνότητα ρεύματος στις περιελίξεις που είναι ανώτερη από 300 A/mm2.

στ.

Rotary input type shaft absolute position encoders που έχουν ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Διακριτική ικανότητα καλύτερη από 1 μέρος στα 265000 της πλήρους κλίμακας (διακριτική ικανότητα 18 bit), ή

2. Ακρίβεια καλύτερη από ± 2,5 δευτερόλεπτα τόξου.

α.

Εξοπλισμός καταγραφής ως εξής και ειδικά σχεδιασμένες μαγνητικές ταινίες δοκιμής γι’ αυτόν:

1. Μαγνητόφωνα με αναλογικά όργανα, που περιλαμβάνουν μαγνητόφωνα που επιτρέπουν την καταγραφή ψηφιακών σημάτων (για παράδειγμα χρησιμοποιώντας μονάδα για ψηφιακή εγγραφή) Σημείωση: Τα αναλογικά μαγνητόφωνα που είναι ειδικά σχεδιασμένα για μη στρατιωτική χρήση βίντεο δεν θεωρούνται ως μαγνητόφωνα με αναλογικά όργανα.

1. α.

Εύρος ζώνης πάνω από 4 MHz ανά ηλεκτρονικό κανάλι ή ζώνη (trαck).

β.

Εύρος ζώνης πάνω από 2 MHz ανά ηλεκτρονικό κανάλι ή ζώνη και τα οποία έχουν πάνω από 42 ζώνες, ή

γ.

Χρονικό σφάλμα βάσης χρόνου (time displacement error) το οποίο μετριέται σύμφωνα με τα ισχύοντα έγγραφα κανονισμών IRIG (Inter Range Instrumentation Group) ή ΕΙΑ (Electronic Industries Association), το οποίο είναι μικρότερο από ± 0,1 μs.

2. Ψηφιακά μαγνητοσκόπια που έχουν μέγιστο ρυθμό μετάδοσης ψηφιακής διασύνδεσης πάνω από 360 Mbit/s, Σημείωση: Στο σημείο 3Α002.α.2 δεν υπάγονται τα ψηφιακά μαγνητοσκόπια που έχουν ειδικά σχεδιασθεί για τηλεοπτικές μαγνητοσκοπήσεις και χρησιμοποιούν μορφές σήματος, ενδεχομένως συμπιεσμένες, που έχουν τυποποιηθεί ή συνιστώνται από τους οργανισμούς ITU, IEC, SMPTE, EBU, ETSI ή IEEE για εφαρμογές πολιτικής τηλεόρασης.

3. Μαγνητόφωνα δεδομένων με ψηφιακά όργανα τα οποία χρησιμοποιούν ελικοειδείς τεχνικές σάρωσης ή τεχνικές σταθερής κεφαλής και τα οποία έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα: Σημείωση: Στο σημείο 3Α002.α.3. δεν υπάγονται αναλογικά μαγνητόφωνα εξοπλισμένα με ηλεκτρονικό εξοπλισμό μετατροπής ΗDDR τα οποία έχουν σχεδιασθεί για να καταγράφουν μόνο ψηφιακά δεδομένα.

3. α.

Μέγιστο ρυθμό μετάδοσης ψηφιακής διασύνδεσης πάνω από 175 Mbit/s, ή

β.

Είναι κατάλληλα για διαστημική χρήση.

4. Εξοπλισμός με μέγιστο ρυθμό μετάδοσης ψηφιακής διασύνδεσης πάνω από 175 Mbit/s που έχει σχεδιασθεί για να μετατρέπει ψηφιακά μαγνητοσκόπια ώστε να μπορούν να χρησιμοποιηθούν σαν ψηφιακά όργανα καταγραφής δεδομένων.

5. Τεχνική παρατήρηση

Μετατροπείς κυματομορφών σε ψηφιακή μορφή και καταγραφείς μεταβατικών φαινομένων, που έχουν όλα τα ακόλουθα: Για όργανα με αρτηρία (bus) παραλλήλου αρχιτεκτονικής, ο ρυθμός συνεχούς διεκπεραίωσης είναι ο υψηλότερος ρυθμός λέξεων πολλαπλασιασμένος επί τον αριθμό bits σε μια λέξη. Συνεχής διεκπεραίωση είναι ο ταχύτερος ρυθμός δεδομένων τον οποίο το όργανο μπορεί να προωθήσει στην εκροή προς τη μαζική μνήμη, χωρίς απώλεια πληροφοριών, διατηρώντας παράλληλα το ρυθμό δειγματοληψίας και τη μετατροπή αναλογικού προς ψηφιακό.

5. α.

Ρυθμό ψηφιακής μετατροπής τουλάχιστον 200 εκατ. δείγματα ανά δευτερόλεπτο και διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 10 bit, και

β.

Συνεχή διεκπεραίωση τουλάχιστον 2 Gbit/s.

6. Καταγραφείς δεδομένων με ψηφιακά όργανα που χρησιμοποιούν τεχνικές αποθήκευσης με μαγνητικούς δίσκους και έχουν όλα τα ακόλουθα:

6. α.

Ρυθμό ψηφιακής μετατροπής τουλάχιστον 100 εκατ. δείγματα ανά δευτερόλεπτο και διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 8 bit, και

β.

Συνεχή διεκπεραίωση τουλάχιστον 1 Gbit/s.

β.

Ηλεκτρονικές συναρμολογήσεις για γεννήτριες σύνθεσης συχνοτήτων που έχουν χρόνο μεταγωγής συχνότητας από μία επιλεγμένη συχνότητα σε άλλη κατώτερο από 1 ms.

γ.

Συστήματα ανάλυσης σημάτων ραδιοσυχνοτήτων ως εξής:

1. Συστήματα ανάλυσης σημάτων ικανά να αναλύουν συχνότητες πάνω από 31,8 GHz αλλά όχι άνω των 37,5 GHz και με διακριτική ικανότητα εύρους ζώνης (RBW) 3 dB άνω των 10 MHz,

2. Συστήματα ανάλυσης σημάτων ικανά να αναλύουν συχνότητες άνω των 43,5 GHz,

3. Συστήματα δυναμικής ανάλυσης σημάτων με εύρος ζώνης πραγματικού χρόνου ανώτερο από 500 kHz, Σημείωση: Στο σημείο 3Α002.γ.3. δεν υπάγονται τα συστήματα δυναμικής ανάλυσης σημάτων που χρησιμοποιούν μόνο φίλτρα σταθερού ποσοστιαίου εύρους ζώνης (γνωστά και σαν φίλτρα οκτάβας ή κλασματικής οκτάβας).

δ.

Γεννήτριες σημάτων με σύνθεση συχνοτήτων. Οι συχνότητες εξόδου που παράγονται έχουν ακρίβεια και βραχυπρόθεσμη και μακροπρόθεσμη σταθερότητα που ελέγχεται, ή παράγεται ή διορθώνεται από την εσωτερική κύρια συχνότητα. Οι γεννήτριες έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: Σημείωση: Στο σημείο 3Α002.δ. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός στον οποίο η συχνότητα εξόδου παράγεται, είτε μέσω της πρόσθεσης ή αφαίρεσης δύο ή περισσοτέρων συχνοτήτων που παράγει κρυσταλλικός ταλαντωτής, είτε από την πρόσθεση ή αφαίρεση την οποία ακολουθεί πολλαπλασιασμός του αποτελέσματος.

1. Μέγιστη συχνότητα που προκύπτει από σύνθεση πάνω από 31,8 GHz και μέχρι και 43,5 GHz , και εγκεκριμένες για την παραγωγή παλμών διαρκείας < 100 ns,

2. Μέγιστη συχνότητα που προκύπτει από σύνθεση άνω των 43,5 GHz,

3. Χρόνο μεταγωγής συχνότητας από μία επιλεγμένη συχνότητα στην άλλη μικρότερο από 1 ms, ή

4. Τεχνική παρατήρηση:

Θόρυβο φάσης απλής πλευρικής ζώνης (SSB) καλύτερο από – (126 + 20 log10F – 20 log10f), εκφρασμένο σε dBc/Hz, όπου F είναι η απόκλιση από τη συχνότητα λειτουργίας σε Hz και f είναι η συχνότητα λειτουργίας σε MHz. Για το σημείο 3Α002.δ. ως διάρκεια παλμού ορίζεται το χρονικό διάστημα μεταξύ του πρότερου άκρου του παλμού που αντιστοιχεί στο 90 % του μεγίστου και του ύστερου άρκου του παλμού που αντιστοιχεί στο 10 % του μεγίστου.

ε.

Αναλυτές δικτύου με μέγιστη λειτουργική συχνότητα πάνω από 43,5 GHz.

στ.

Δοκιμαστικοί μικροκυματικοί δέκτες που έχουν όλα τα ακόλουθα:

1. Μέγιστη λειτουργική συχνότητα πάνω από 43,5 GHz, και

2. Μπορούν να μετρήσουν συγχρόνως το πλάτος και τη φάση.

ζ.

Πρότυπα ατομικής συχνότητας που έχουν ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: Σημείωση: Στο σημείο 3Α002.ζ.1. δεν υπάγονται τα πρότυπα ρουβιδίου που δεν είναι κατάλληλα για διαστημική χρήση.

1. Μακροπρόθεσμη σταθερότητα (γήρανση) μικρότερη (καλύτερη) από 1 × 10– 11/μήνα, ή

2. Είναι κατάλληλα για διαστημική χρήση.

α.

Μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό που μπορούν να χρησιμοποιηθούν σε βλήματα και που έχουν σχεδιασθεί για να πληρούν στρατιωτικές προδιαγραφές για ανθεκτικό εξοπλισμό·

β.

Επιταχυντές ικανοί να αποδώσουν ηλεκτρομαγνητική ακτινοβολία που παράγεται από ακτινοβολία επιβράδυνσης από επιταχυνόμενα ηλεκτρόνια ύψους 2 MeV ή παραπάνω, και συστήματα που περιέχουν τους επιταχυντές αυτούς. Σημείωση: Το παραπάνω σημείο 3Α101.β. δεν περιλαμβάνει εξοπλισμό ο οποίος έχει ειδικά σχεδιασθεί για ιατρικούς σκοπούς.

α.

Πυκνωτές με μία από τις ακόλουθες ομάδες χαρακτηριστικών:

1. α.

Ονομαστική τάση πάνω από 1,4 kV,

β.

Αποθήκευση ενέργειας ανώτερη από 10 J,

γ.

Χωρητικότητα πάνω από 0,5 μF και

δ.

iΑυτεπαγωγή σειράς μικρότερη από 50 nH, ή

2. α.

Ονομαστική τάση πάνω από 750 V,

β.

Χωρητικότητα πάνω από 0,25 μF, και

γ.

Αυτεπαγωγή σειράς μικρότερη από 10 nH.

β.

Υπεραγώγιμοι σωληνοειδείς ηλεκτρομαγνήτες που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: Σημείωση: Το σημείο 3Α201.β. δεν θέτει υπό έλεγχο μαγνήτες που έχουν ειδικά σχεδιασθεί και εξάγονται ως μέρος ιατρικών συστημάτων απεικόνισης που βασίζονται σε πυρηνικό μαγνητικό συντονισμό (nuclear magnetic resonance). Η φράση ως μέρος δεν σημαίνει κατ’ ανάγκη ότι αποτελεί υλικό τμήμα της ίδιας αποστολής. Επιτρέπονται ξεχωριστές αποστολές από διαφορετικές πηγές υπό τον όρο τα σχετικά εξαγωγικά έγγραφα να καθορίζουν σαφώς ότι οι αποστολές διακινούνται ως μέρος των συστημάτων απεικόνισης.

1. Ικανότητα να δημιουργούν μαγνητικά πεδία πάνω από 2 T,

2. Λόγο μήκους προς εσωτερική διάμετρο μεγαλύτερο από 2,

3. Εσωτερική διάμετρο πάνω από 300 mm, και

4. Ομοιογένεια μαγνητικού πεδίου καλύτερη από 1 % όταν μετριέται στο κεντρικό 50 % του εσωτερικού όγκου.

γ. Τεχνικές παρατηρήσεις:

Γεννήτριες ακτίνων Χ στιγμιαίας λειτουργίας, ή παλμικοί επιταχυντές ηλεκτρονίων με ένα από τα ακόλουθα σύνολα χαρακτηριστικών: Σημείωση: Το σημείο 3Α201.γ. δεν καλύπτει τους επιταχυντές που αποτελούν δομικά στοιχεία συσκευών που έχουν σχεδιασθεί για σκοπούς άλλους εκτός από την ακτινοβολία με ακτίνες Χ ή με ηλεκτρονική δέσμη (για παράδειγμα ηλεκτρονικά μικροσκόπια), καθώς και συσκευών που έχουν σχεδιασθεί για ιατρικούς σκοπούς.

γ.

1. α.

Ανώτατη ενέργεια ηλεκτρονίων στον επιταχυντή 500 keV και άνω, αλλά κάτω των 25 MeV, και

β.

Συντελεστή κέρδους (Κ) 0,25 ή παραπάνω, ή

2. α.

Ανώτατη ενέργεια ηλεκτρονίων στον επιταχυντή 25 MeV και άνω, και

β.

Ανώτατη ισχύ μεγαλύτερη από 50 MW.

γ. Τεχνικές παρατηρήσεις:

1. Ο συντελεστής κέρδους Κ ορίζεται ως εξής: K = 1,7 ×10^3V^2,65Q όπου V είναι η ανώτατη ενέργεια των ηλεκτρονίων σε MeV, και Q είναι το συνολικό φορτίο σε Coulomb που έχει επιταχυνθεί, αν η διάρκεια της παλμικής δέσμης του επιταχυντή είναι μικρότερη από ή ίση προς 1 μικροδευτερόλεπτο. Αν η διάρκεια της παλμικής δέσμης του επιταχυντή είναι μεγαλύτερη από 1 μικροδευτερόλεπτο, τότε το Q είναι το μέγιστο φορτίο που επιταχύνεται σε 1 μικροδευτερόλεπτο. Το Q είναι ίσο με το ολοκλήρωμα του i ως προς το t επί το μικρότερο από τους δύο χρόνους, δηλαδή 1 μικροδευτερόλεπτο ή την διάρκεια σε χρόνο της παλμικής δέσμης (Q = idt), όπου i είναι το ρεύμα της δέσμης σε αμπέρ και t είναι ο χρόνος σε δευτερόλεπτα

2. Ανώτατη ισχύς είναι το γινόμενο του μέγιστου δυναμικού (σε βολτ) επί το μέγιστο ρεύμα δέσμης (σε αμπέρ).

3. Στις μηχανές που βασίζονται σε κοιλότητες επιταχύνσεως μικροκυμάτων, ο χρόνος διάρκειας της παλμικής δέσμης είναι το μικρότερο από τις δύο ποσότητες, δηλαδή 1 μs ή τη διάρκεια του συμπιεσμένου πακέτου δέσμης που προκύπτει από έναν παλμό μικροκυματικού διαμορφωτή.

4. Στις μηχανές που βασίζονται σε κοιλότητες επιτάχυνσης μικροκυμάτων το μέγιστο ρεύμα δέσμης ισούται με το μέσο ρεύμα κατά τη διάρκεια σε χρόνο ενός συμπιεσμένου πακέτου δέσμης.

α.

Πολυφασική έξοδο που μπορεί να αποδώσει ισχύ 40 W ή παραπάνω,

β.

Ικανότητα λειτουργίας στο φάσμα συχνοτήτων μεταξύ 600 και 2000 Hz,

γ.

Συνολική αρμονική παραμόρφωση καλύτερη (κάτω) από 10 %, και

δ.

Έλεγχο συχνότητας καλύτερο (κάτω) από 0,1 %.

3AΣυστήματα, εξοπλισμός και δομικά στοιχεία Τεχνική παρατήρηση: α.

μπορούν να παράγουν συνεχώς, σε χρονική περίοδο 8 ωρών, 100 V ή παραπάνω, με ρεύμα εξόδου 500 Α ή παραπάνω και

β.

εμφανίζουν σταθερότητα τάσης ή ρεύματος καλύτερη από 0,1 % σε χρονική περίοδο 8 ωρών.

α.

μπορούν να παράγουν συνεχώς, σε χρονική περίοδο 8 ωρών, 20 kV ή παραπάνω με ρεύμα εξόδου 1 Α ή παραπάνω, και

β.

εμφανίζουν σταθερότητα τάσης ή ρεύματος καλύτερη από 0,1 % σε χρονική περίοδο 8 ωρών.

α.

Λυχνίες κρύας καθόδου, είτε γεμισμένες με αέριο είτε όχι, που λειτουργούν παρόμοια με διάκενο σπινθηρισμού και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: Σημείωση: το σημείο 3Α228 περιλαμβάνει τις λυχνίες τύπου krytron με αέριο και sprytron με κενό.

1. Τρία ή περισσότερα ηλεκτρόδια,

2. Ανώτατη ονομαστική τάση ανόδου 2,5 kV ή παραπάνω,

3. Ανώτατη ονομαστική τιμή ρεύματος ανόδου 100 Α ή παραπάνω, και

4. Χρόνο καθυστέρησης ανόδου 10 μικροδευτερόλεπτα ή λιγότερο.

β.

Διάκενα σπινθηρισμού με σκανδαλισμό που έχουν και τα δύο ακόλουθα χαρακτηριστικά

1. Χρόνο καθυστέρησης ανόδου 15 μικροδευτερόλεπτα ή λιγότερο, και

2. Ονομαστική ανώτατη τιμή ρεύματος ανόδου 500 Α ή παραπάνω.

γ.

Βαθμιδωτά στοιχεία ή συναρμολογήσεις με ταχεία λειτουργία μεταγωγής που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Ανώτατη ονομαστική τάση ανόδου παραπάνω από 2 kV,

2. Ανώτατη ονομαστική τιμή ρεύματος ανόδου 500 Α ή παραπάνω, και

3. Χρόνο ενεργοποίησης 1 μικροδευτερολέπτου ή λιγότερο.

α.

Συσκευές πυροδότησης για εκρηκτικούς πυροκροτητές που έχουν σχεδιασθεί για να συνδέονται με πολλαπλούς ελεγχόμενους πυροκροτητές του σημείου 3Α232.

β. Τεχνική παρατήρηση:

Βαθμιδωτές ηλεκτρικές παλμογεννήτριες (pulsers) που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: Σημείωση: Το σημείο 3Α229.β. περιλαμβάνει και συσκευές με λυχνίες εκκενώσεως ξένου. Στο σημείο 3Α229.β.5 ως χρόνος ανύψωσης ορίζεται το χρονικό διάστημα από το 10 % μέχρι το 90 % του ύψους του ρεύματος όταν η συσκευή συνδέεται με φορτίο αντίστασης).

β.

1. Έχουν σχεδιασθεί για να είναι φορητές, κινητές ή ανθεκτικές,

2. Είναι τοποθετημένες μέσα σε περίβλημα στο οποίο δεν μπορεί να μπει σκόνη,

3. Μπορούν να αποδώσουν την ενέργειά τους σε λιγότερο από 15 μικροδευτερόλεπτα,

4. Έχουν ρεύμα εξόδου μεγαλύτερο από 100 Α,

5. Έχουν χρόνο ανύψωσης λιγότερο από 10 μικροδευτερόλεπτα όταν συνδέονται με φορτία μικρότερα από 40 Ω,

6. Καμία από τις διαστάσεις τους δεν είναι μεγαλύτερη από 254 mm,

7. Το βάρος τους είναι μικρότερο από 25 kg, και

8. Οι προδιαγραφές τους είναι για χρήση σε εκτεταμένο φάσμα θερμοκρασιών 223 K (– 50 °C) έως 373 K (100 °C) ή για αεροδιαστημικές εφαρμογές.

α.

Τάση εξόδου ανώτερη από 6 V όταν συνδέονται με φορτίο αντίστασης μικρότερο από 55 Ω, και

β.

Χρόνο μετάβασης παλμού κάτω από 500 πικο-δευτερόλεπτα.

3AΣυστήματα, εξοπλισμός και δομικά στοιχεία Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α.

Έχουν σχεδιασθεί για λειτουργία χωρίς εξωτερικό σύστημα κενού,

β.

Χρησιμοποιούν ηλεκτροστατική επιτάχυνση ώστε να προκαλέσουν πυρηνική αντίδραση τριτίου-δευτερίου.

α.

Εκρηκτικοί πυροκροτητές που λειτουργούν ηλεκτρικά, ως εξής:

1. Εκρηγνυόμενη γέφυρα (exploding bridge — ΕΒ).

2. Σύρμα εκρηγνυόμενης γέφυρας (exploding bridge wire — EBW).

3. Κολαφιστήρας (slapper).

4. Συστήματα έναυσης εκρηγνυόμενου μεταλλικού φύλλου (exploding foil initiators — EFI).

β.

Συστήματα που χρησιμοποιούν απλούς ή πολλαπλούς πυροκροτητές και έχουν σχεδιασθεί για να προκαλούν σχεδόν ταυτόχρονα την έναυση μιας εκρηκτικής επιφάνειας εμβαδού πάνω από 5000 mm2 από ένα μόνο σήμα πυροδότησης με χρόνο έναυσης όπως εκτείνεται στην επιφάνεια λιγότερο από 2,5 μικροδευτερόλεπτα.

3AΣυστήματα, εξοπλισμός και δομικά στοιχεία Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α.

Επαγωγικά συζευγμένοι φασματογράφοι μάζας πλάσματος (ICP/ΜS).

β.

Φασματογράφοι μάζας εκκένωσης με διαύγεια (GDMS).

γ.

Φασματογράφοι μάζας με θερμικό ιονισμό (TIMS).

δ.

Φασματογράφοι μάζας με βομβαρδισμό ηλεκτρονίων που έχουν θάλαμο πηγής κατασκευασμένο από, με επίστρωση, ή κάλυψη από, υλικά που αντέχουν στο UF6.

ε.

Φασματογράφοι μάζας δέσμης μορίων, με ένα από τα εξής χαρακτηριστικά:

1. Θάλαμο πηγής κατασκευασμένο από, με επίστρωση ή με κάλυψη από, ανοξείδωτο χάλυβα ή μολυβδαίνιο και εξοπλισμοί με ψυχρή παγίδα που μπορεί να ψυχθεί σε θερμοκρασία 193 K (– 80 °C) ή χαμηλότερη, ή

2. Θάλαμο πηγής κατασκευασμένο από, με επίστρωση ή με κάλυψη από υλικά που αντέχουν στο UF6.

στ.

Φασματογράφοι μάζας εξοπλισμένοι με πηγή ιόντων μικροφθορίωσης που έχουν σχεδιασθεί για ακτινίδες ή φθοριούχες ακτινίδες.

3BΕξοπλισμός για δοκιμές, επιθεωρήσεις και παραγωγή

3B001Εξοπλισμός για παραγωγή συσκευών με ημιαγωγούς, ή υλικών ημιαγωγών, ως εξής, και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία και εξαρτήματα για το σκοπό αυτό: 3B002Εξοπλισμός δοκιμών που έχει ειδικά σχεδιασθεί για να δοκιμάζονται τελειωμένες ή ημιτελείς συσκευές ημιαγωγών, ως εξής, και δομικά στοιχεία και εξαρτήματα που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για τον εξοπλισμό αυτό:

α.

Εξοπλισμός σχεδιασμένος για επιταξιακή ανάπτυξη, ως εξής:

1. Εξοπλισμός που μπορεί να παράγει στρώμα οποιουδήποτε άλλου υλικού πλην πυριτίου ομοιογενούς πάχους με διαφορά λιγότερη από ± 2,5 % σε απόσταση 75 mm ή παραπάνω,

2. Αντιδραστήρες για χημική εναπόθεση ατμών οργανικών μεταλλικών ενώσεων (ΜΟCVD), που έχουν ειδικά σχεδιασθεί για την παραγωγή κρυστάλλων από σύνθετους ημιαγωγούς μέσω της χημικής αντίδρασης μεταξύ υλικών που καθορίζονται στα σημεία 3C003 ή 3C004.

3. Εξοπλισμός επιταξιακής ανάπτυξης μέσω μοριακής δέσμης ο οποίος χρησιμοποιεί αέριες ή στερεές πηγές.

β.

Εξοπλισμός σχεδιασμένος για εμφύτευση ιόντων και έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Ενέργεια δέσμης (τάση επιτάχυνσης) ανώτερη από 1 MeV,

2. Ειδικό σχεδιασμό και βελτιστοποίηση για να λειτουργεί με ενέργεια δέσμης (τάση επιτάχυνσης) λιγότερη από 2 keV,

3. Δυνατότητα απ’ ευθείας εγγραφής, ή

4. Ενέργεια δέσμης 65 keV και άνω και ρεύμα δέσμης 45 mA και άνω, για εμφύτευση οξυγόνου υψηλής ενέργειας πάνω σε θερμαινόμενο υπόστρωμα ημιαγωγού.

γ.

Εξοπλισμός για ξερή χάραξη μέσω ανισότροπου πλάσματος, ως εξής:

1. Εξοπλισμός με λειτουργία από κασέτα προς κασέτα και κλείδωμα φορτίου, και που έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1. α.

Σχεδιασμένος ή βελτιστοποιημένος για να παράγει κρίσιμες διαστάσεις 180 nm ή μικρότερες, με ακρίβεια 3 σ ± 5 % ή

β.

Σχεδιασμένος για να παράγει λιγότερα από 0,04 σωματίδια/cm2 με μετρήσιμη διάμετρο σωματιδίου άνω του 0,1 μm.

2. Εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιασθεί για εξοπλισμό που καθορίζεται στο σημείο 3Β001.ε. και έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

2. α.

Σχεδιασμένος ή βελτιστοποιημένος για να παράγει κρίσιμες διαστάσεις 180 nm ή μικρότερες, με ακρίβεια 3 σ ± 5 % ή

β.

Σχεδιασμένος για να παράγει λιγότερα από 0,04 σωματίδια/cm2 με μετρήσιμη διάμετρο σωματιδίου άνω του 0,1 μm.

δ.

Εξοπλισμός για χημική εναπόθεση με εξάτμιση (CVD) και με την ενίσχυση πλάσματος, ως εξής:

1. Εξοπλισμός με λειτουργία από κασέτα προς κασέτα και κλείδωμα φορτίου, σχεδιασμένος σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή ή βελτιστοποιημένος προς χρήση στην παραγωγή συσκευών ημιαγωγών με κρίσιμες διαστάσεις έως και 180 mm.

2. Εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιασθεί για εξοπλισμό που καθορίζεται στο σημείο 3Β001.ε. και σχεδιασμένος σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή ή βελτιστοποιημένος προς χρήση στην παραγωγή συσκευών ημιαγωγών με κρίσιμες διαστάσεις έως και 180 mm.

ε.

Κεντρικά συστήματα χειρισμού πλακιδίων (wafer), πολλαπλών θαλάμων, αυτόματης φόρτωσης, τα οποία έχουν όλα τα ακόλουθα: Σημείωση: Στο σημείο 3Β001.ε. δεν υπάγονται τα αυτόματα ρομποτικά συστήματα χειρισμού πλακιδίων τα οποία δεν έχουν σχεδιασθεί για να λειτουργούν σε περιβάλλον κενού.

1. Διεπαφές για είσοδο και έξοδο πλακιδίων, στις οποίες μπορούν να συνδεθούν περισσότερα από δύο τμήματα εξοπλισμού επεξεργασίας ημιαγωγών, και

2. Είναι σχεδιασμένα για να αποτελέσουν ένα ολοκληρωμένο σύστημα σε περιβάλλον κενού για σειριακή επεξεργασία πολλαπλών πλακιδίων.

στ.

Εξοπλισμός λιθογραφίας, ως εξής:

1. Εξοπλισμός ευθυγράμμισης και έκθεσης step and repeat (με άμεσο βήμα πάνω στο πλακίδιο) ή step and scan (με σάρωση) για την επεξεργασία πλακιδίων με τη χρήση φωτο-οπτικών μεθόδων ή μεθόδων ακτίνων Χ, ο οποίος έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1. α.

Μήκος κύματος φωτεινής πηγής βραχύτερο από 245 nm, ή

β. Τεχνική παρατήρηση

Ικανότητα να συνθέτει σχήματα με ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος 180 nm ή μικρότερο. Το ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος υπολογίζεται με τον εξής τύπο: MRF = μήκος κύματος της φωτεινής πηγής έκθεσης σε μm × συντελςστής kαριθμητικό διάφραγμα όπου ο συντελεστής K ισούται προς 0,45 MRF = ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος

2. Εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιασθεί για την παραγωγή μασκών ή για επεξεργασία συσκευών ημιαγωγών με τη χρήση εκτρεπόμενης εστιασμένης δέσμης ηλεκτρονίων, δέσμης ιόντων ή δέσμης λέιζερ, που έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

2. α.

Εστιακό μέγεθος μικρότερο από 0,2 μm,

β.

Είναι ικανός να παράγει σχήμα με χαρακτηριστικό μέγεθος κάτω από 1 μm, ή

γ.

Ακρίβεια επικάλυψης καλύτερη από ± 0,20 μm (3 sigma).

ζ.

Μάσκες ή reticles που έχουν σχεδιαστεί για ολοκληρωμένα κυκλώματα που καθορίζονται στο σημείο 3Α001.

η.

Μάσκες με πολλαπλά στρώματα που περιλαμβάνουν στρώμα ολίσθησης φάσης. Σημείωση: Στο σημείο 3Β001.η. δεν υπάγονται οι μάσκες με πολλαπλά στρώματα που περιλαμβάνουν στρώμα ολίσθησης φάσης οι σχεδιασμένες για την κατασκευή συσκευών μνήμης που δεν υπάγονται στο σημείο 3Α001.

α.

Για να δοκιμάζονται οι παράμετροι S συσκευών τρανζίστορ σε συχνότητες πάνω από 31,8 GHz

β.

(Δεν χρησιμοποιείται).

γ.

Για την δοκιμή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μικροκυμάτων προσδιοριζόμενων στο 3Α001.β.2.

3CΥλικά 3C001Ετερο-επιταξιακά υλικά, που αποτελούνται από υπόστρωμα πάνω στο οποίο έχουν αποτεθεί επιταξιακά ανεπτυγμένα πολλαπλά στρώματα οποιουδήποτε από τα ακόλουθα υλικά: 3C002Φωτοανθεκτικά υλικά, ως εξής, καθώς και υποστρώματα που έχουν επίστρωση ελεγμένων φωτοανθεκτικών ουσιών: 3C003Ενώσεις οργανικού με ανόργανο στοιχείο ως εξής: Σημείωση: Στο σημείο 3C003 υπάγονται μόνο οι ενώσεις των οποίων το μεταλλικό, μερικώς μεταλλικό ή μη μεταλλικό στοιχείο συνδέεται άμεσα με άνθρακα στο οργανικό τμήμα του μορίου. 3C004Υδρίδια φωσφόρου, αρσενικού ή αντιμονίου που έχουν καθαρότητα καλύτερη από 99,999 %, ακόμη και αν έχουν διαλυθεί σε αδρανή αέρια ή υδρογόνο. Σημείωση: Στο σημείο 3C004 δεν υπάγονται υδρίδια που περιέχουν γραμμομοριακό ποσοστό 20 % και άνω αδρανή αέρια ή υδρογόνο.

3CΥλικά α.

Πυρίτιο.

β.

Γερμάνιο, ή

γ.

Καρβίδιο του πυριτίου, ή

δ. Τεχνική παρατήρηση:

dΣύνθετες ενώσεις γαλλίου ή ινδίου με στοιχεία του πίνακα III/V. Οι σύνθετες ενώσεις του πίνακα III/V είναι πολυκρυσταλλικά ή δυαδικά ή σύνθετα μονοκρυσταλλικά προϊόντα που περιλαμβάνουν στοιχεία των ομάδων ΙΙΙΑ και VΑ του περιοδικού πίνακα του Μεντελέγιεφ (π.χ. αρσενικούχο γάλλιο, αρσενικούχο γάλλιο-αργίλιο, φωσφορούχο ίνδιο).

α.

Θετικά φωτοανθεκτικά υλικά για λιθογραφικές εργασίες με ημιαγωγούς, ειδικώς ρυθμισμένα (αριστοποιημένα) για χρήση σε μήκη κύματος κάτω από 350 nm,

β.

Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά για χρήση με δέσμες ηλεκτρονίων ή ιόντων που έχουν ευαισθησία 0,01 μcoulomb/mm2 ή καλύτερη,

γ.

Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά για χρήση με ακτίνες Χ, με ευαισθησία 2,5 mJ/mm2 ή καλύτερη,

δ. Τεχνική παρατήρηση:

Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά αριστοποιημένα για τεχνολογίες απεικόνισης επιφανειών, συμπεριλαμβανομένων των πυριτικοποιημένων φωτοανθεκτικών υλικών. Οι τεχνικές μέθοδοι πυριτικοποίησης ορίζονται ως οι διαδικασίες που περιλαμβάνουν οξείδωση της επιφάνειας του φωτοανθεκτικού υλικού ώστε να ενισχυθεί η απόδοσή του τόσο για υγρή όσο και για ξηρά εμφάνιση.

α.

Οργανομεταλλικές ενώσεις αργιλίου, γαλλίου ή ινδίου που έχουν καθαρότητα (με βάση το μέταλλο) καλύτερη από 99,999 %,

β.

Οργανικές ενώσεις αρσενικού, αντιμονίου και φωσφόρου που έχουν καθαρότητα (με βάση το ανόργανο στοιχείο) καλύτερη από 99,999 %.

3DΛογισμικό Τεχνική παρατήρηση:

3D001Λογισμικό που έχει ειδικά σχεδιασθεί για την ανάπτυξη ή παραγωγή εξοπλισμού που καθορίζεται στα σημεία 3Α001.β. έως 3Α002.ζ. ή 3Β. 3D002Λογισμικό που έχει ειδικά σχεδιασθεί για τη χρήση εξοπλισμού που προσδιορίζεται 3D003Λογισμικό προσομοίωσης, βασισμένο στη φυσική, ειδικά σχεδιασμένο για την ανάπτυξη διεργασιών λιθογραφίας, χάραξης ή εναπόθεσης προκειμένου τα σχήματα μάσκας να μεταφράζονται σε επί μέρους τοπογραφικά σχήματα με αγωγούς, διηλεκτρικά ή υλικά ημιαγωγών. Στο σημείο 3.D003., οι λέξεις βασισμένο στη φυσική υποδηλώνουν ότι χρησιμοποιεί υπολογισμούς για να προσδιορίσει μια ακολουθία φυσικών αιτίων/αιτιατών βασισμένων σε φυσικές ιδιότητες (πχ. θερμοκρασία, πίεση, σταθερές διάχυσης και ιδιότητες υλικών ημιαγωγών). Σημεiωση: Οι βιβλιοθήκες, τα χαρακτηριστικά σχεδιασμού ή συναφή δεδομένα για το σχεδιασμό συσκευών ημιαγωγών ή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων θεωρούνται σαν τεχνολογία. 3D004Λογισμικό ειδικά σχεδιασμένο για την ανάπτυξη του εξοπλισμού που ορίζεται στο σημείο 3Α003. 3D101Λογισμικό που έχει ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για τη χρήση εξοπλισμού που ορίζεται στο σημείο 3Α101.β.

3DΛογισμικό α.

στα σημεία 3Β001.α. έως στ., ή

β.

στο σημείο 3Β002.

3EΤεχνολογία Τεχνική παρατήρηση:

3E001Τεχνολογία σύμφωνα με την Γενική Τεχνολογική Σημείωση για την ανάπτυξη ή παραγωγή εξοπλισμού ή υλικών που καθορίζονται στα σημεία 3Α, 3Β ή 3C. Σημείωση 1: Στο σημείο 3Ε001 δεν ελέγχεται η τεχνολογία για την παραγωγή εξοπλισμού ή δομικών στοιχείων που ελέγχονται σύμφωνα με το σημείο 3Α003. Σημείωση 2: Στο σημείο 3Ε001 δεν ελέγχεται η τεχνολογία για την ανάπτυξη ή παραγωγή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων προδιαγραφόμενων στα σημεία 3Α001.α.3. έως 3Α001.α.12., και που έχουν όλα τα ακόλουθα: Ο όρος δομές με πολλαπλά στρώματα δεν περιλαμβάνει συσκευές που περιλαμβάνουν το πολύ τρία μεταλλικά στρώματα και τρία στρώματα πολυπυριτίου. 3E002Τεχνολογία σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας, άλλη από την προσδιοριζόμενη στο 3Ε001, για την ανάπτυξη ή παραγωγή μικροκυκλωμάτων μικροεπεξεργαστών, μικροκυκλωμάτων μικροϋπολογιστών και μικροκυκλωμάτων μικροσυσκευών ελέγχου με σύνθετη θεωρητική επίδοση (CTP) 530000000 θεωρητικών πράξεων ανά δευτερόλεπτο (530 Μtpos) και άνω και αριθμητική λογική μονάδα με εύρος προσπέλασης 32 bit και άνω. Σημείωση: Η περί μη ελέγχου σημείωση 2 του 3Ε001 ισχύει και για το 3Ε00.2. 3E003Άλλη τεχνολογία για την ανάπτυξη ή παραγωγή: 3E101Τεχνολογία σύμφωνα με την Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για τη χρήση εξοπλισμού ή λογισμικού που καθορίζεται στα σημεία 3Α001.α.1 ή 2, 3Α101 ή 3D101. 3E102Τεχνολογία σύμφωνα με την Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την ανάπτυξη λογισμικού που καθορίζεται στο σημείο 3D101. 3E201Τεχνολογία σύμφωνα με την Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για τη χρήση εξοπλισμού που καθορίζεται στα σημεία 3Α001.ε.2, 3Α001.ε.3., 3Α201, 3Α225 έως 3Α233.

3EΤεχνολογία

1. Χρησιμοποιούν τεχνολογία 0,5 μm ή παραπάνω, και

2. Δεν περιλαμβάνουν δομές με πολλαπλά στρώματα.

3EΤεχνολογία Τεχνική παρατήρηση: α.

Μικροηλεκτρονικών συσκευών κενού,

β.

Ετερο-δομικών συσκευών ημιαγωγών, όπως τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων (ΗΕΜΤ), ετεροδιπολικών τρανζίστορ (ΗΒΤ), συσκευών κβαντικού πηγαδιού και υπέρ πλέγματος (super lattice devices). Σημείωση: Στο σημείο 3Ε003.β. δεν υπάγεται η τεχνολογία για τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων (ΗΕΜΤ) που λειτουργούν σε συχνότητες κάτω των 31,8 GHz και για ετεροδιπολικά τρανζίστορ (ΗΒΤ) που λειτουργούν σε συχνότητες κάτων των 31,8 GHz.

γ.

Υπεραγώγιμων ηλεκτρονικών συσκευών,

δ.

Υποστρωμάτων υμενίων αδάμαντος για ηλεκτρονικά δομοστοιχεία,

ε.

Υποστρωμάτων πυριτίου επί μονωτικού (SOI) για ολοκληρωμένα κυκλώματα, όπου το μονωτικό υλικό είναι διοξείδιο του πυριτίου,

στ.

Υποστρωμάτων καρβιδίου του πυριτίου για ηλεκτρονικά δομοστοιχεία,

ζ.

Ηλεκτρονικές λυχνίες που λειτουργούν σε συχνότητες τουλάχιστον 31,8 GHz.

ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 4 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΕΣ

Σημείωση 1: Ηλεκτρονικοί υπολογιστές, συναφής εξοπλισμός και λογισμικό το οποίο εκτελεί λειτουργίες τηλεπικοινωνιών ή τοπικού δικτύου (δίκτυο LAN) θα πρέπει να ελεγχθούν σύμφωνα επίσης με τα χαρακτηριστικά απόδοσης της κατηγορίας 5, Μέρος 1 (Τηλεπικοινωνίες). Σημείωση 2: Οι μονάδες ελέγχου που διασυνδέουν απ 'ευθείας τους διαδρόμους ή τους διαύλους των μονάδων κεντρικής επεξεργασίας, οι μονάδες ελέγχου της κυρίως μνήμης ή των δίσκων δεν θεωρούνται σαν εξοπλισμός τηλεπικοινωνιών όπως περιγράφεται στην κατηγορία 5, Μέρος 1o (Τηλεπικοινωνίες). ΣΗΜ.: Όσον αφορά τη διαβάθμιση ελέγχου του λογισμικού που έχει ειδικά σχεδιασθεί για μεταγωγή πακέτων βλέπε την κατηγορία 5D001. Σημείωση 3: Ηλεκτρονικοί υπολογιστές, συναφής εξοπλισμός και λογισμικό που εκτελεί λειτουργίες κρυπτογράφησης, κρυπτανάλυσης, ασφάλειας πολλαπλών βαθμίδων που μπορεί να επιβεβαιωθεί, ή απομόνωσης χρηστών που επίσης μπορεί να βεβαιωθεί, ή που περιορίζουν την ηλεκτρομαγνητική συμβατότητα, πρέπει επίσης να ελεγχθούν σύμφωνα με τα χαρακτηριστικά απόδοσης της κατηγορίας 5, Μέρος 2 (Ασφάλεια πληροφοριών).

4AΣυστήματα, Εξοπλισμός και Δομικά στοιχεία

4A001Ηλεκτρονικοί υπολογιστές και συναφής εξοπλισμός, ως εξής καθώς και ηλεκτρονικά συγκροτήματα και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία για τα συστήματα αυτά: ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 4Α101. 4A003Ψηφιακοί υπολογιστές, ηλεκτρονικά συγκροτήματα και συναφής εξοπλισμός γι' αυτούς, ως εξής, καθώς επίσης και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία γι' αυτά: Σημείωση 1: Το σημείο 4Α003 περιλαμβάνει τα ακόλουθα: Σημείωση 2: Η διαβάθμιση ελέγχου των ψηφιακών υπολογιστών και του συναφούς εξοπλισμού που περιγράφεται στο σημείο 4Α003 καθορίζεται από τη διαβάθμιση ελέγχου άλλου εξοπλισμού συστημάτων υπό τον όρο ότι: 4A004Υπολογιστές ως ακολούθως, και ειδικά σχεδιασμένος συναφής εξοπλισμός, ηλεκτρονικά συγκροτήματα και δομικά στοιχεία αυτών: 4A101Αναλογικοί υπολογιστές, ψηφιακοί υπολογιστές ή ψηφιακοί διαφορικοί αναλυτές διαφορετικοί από εκείνους του σημείου 4Α001.α.1., που είναι ανθεκτικοί και έχουν σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για να χρησιμοποιούνται σε οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή σε πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104. 4A102Υβριδικοί υπολογιστές που έχουν σχεδιασθεί ειδικά για την εκπόνηση μοντέλων, τη διενέργεια προσομοίωσης ή τη σχεδιαστική ενσωμάτωση οχημάτων εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή πυραυλοβολίδων που ορίζονται στο σημείο 9Α104. Σημείωση: Ο έλεγχος ισχύει μόνο για τον εξοπλισμό που παρέχεται μαζί με το λογισμικό το οποίο καθορίζεται στο σημείο 7D103 ή 9D103.

α.

Που έχουν ειδικά σχεδιασθεί ώστε να έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Ονομαστική λειτουργία σε θερμοκρασία περιβάλλοντος κάτω από 228 Κ (– 45° C) ή πάνω από 358 Κ (85 °C), Σημείωση: Το σημείο 4Α001.α.1 δεν αφορά τους υπολογιστές που έχουν ειδικά σχεδιασθεί για αυτοκινητικές ή σιδηροδρομικές πολιτικές εφαρμογές.

2. Που έχουν υποστεί ειδική επεξεργασία να αντέχουν στην ακτινοβολία που μπορεί να ξεπεράσει οποιαδήποτε από τις ακόλουθες προδιαγραφές: α. Συνολική δόση 5 × 103 Gy (πυρίτιο), β. Απότομη αλλαγή του ρυθμού ακτινοβολίας 5 × 106 Gy (πυρίτιο)/s, ή γ. Απότομη αλλαγή από ένα και μόνο γεγονός 1 × 10–7 Λάθη/bit/ημέρα.

β.

Που έχουν χαρακτηριστικά ή εκτελούν λειτουργίες πάνω από τα όρια της κατηγορίας 5, Μέρος 2 (Ασφάλεια πληροφοριών). Σημείωση: Στο σημείο 4A001.β. δεν υπάγονται οι ηλεκτρονικοί υπολογιστές και ο συναφής εξοπλισμός όταν συνοδεύουν το χρήστη τους για την προσωπική του χρήση.

α.

Ανυσματικούς επεξεργαστές (vector processors),

β.

Πολυεπεξεργαστές (array processors),

γ.

Επεξεργαστές ψηφιακού σήματος,

δ.

Λογικούς επεξεργαστές,

ε.

Εξοπλισμό σχεδιασμένο για βελτίωση εικόνων,

στ.

Εξοπλισμό σχεδιασμένο για επεξεργασία σημάτων.

α.

Οι ψηφιακοί υπολογιστές ή ο συναφής εξοπλισμός είναι απολύτως απαραίτητοι για την λειτουργία του λοιπού εξοπλισμού ή των λοιπών συστημάτων,

β.

Οι ψηφιακοί υπολογιστές ή ο συναφής εξοπλισμός δεν αποτελούν βασικό στοιχείο του έτερου εξοπλισμού ή συστημάτων, και ΣΗΜ. 1: Η διαβάθμιση ελέγχου εξοπλισμού για επεξεργασία σημάτων ή βελτίωση εικόνων που έχει ειδικά σχεδιασθεί για έτερο εξοπλισμό με λειτουργίες που περιορίζονται σε αυτές που απαιτούνται για τον έτερο εξοπλισμό, καθορίζεται από τη διαβάθμιση ελέγχου του έτερου εξοπλισμού ακόμη κι αν υπερβαίνει το κριτήριο του βασικού στοιχείου. ΣΗΜ. 2: Για διαβάθμιση ελέγχου των ψηφιακών υπολογιστών ή συναφούς εξοπλισμού για εξοπλισμό τηλεπικοινωνιών βλέπε την κατηγορία 5, Μέρος 1 (Τηλεπικοινωνίες).

γ.

Η τεχνολογία για τους ψηφιακούς υπολογιστές και το συναφή εξοπλισμό καθορίζεται στο σημείο 4Ε.

α.

Που έχουν σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για ανοχή λαθών. Σημείωση: Για τους σκοπούς του σημείου 4Α003.α., οι ψηφιακοί υπολογιστές και ο συναφής εξοπλισμός δεν θεωρούνται ότι έχουν σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για να παρέχουν ανοχή λαθών αν χρησιμοποιούν οιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1. Αλγόριθμους αναγνώρισης ή διόρθωσης λαθών που λειτουργούν στην κύρια μνήμη.

2. Τη διασύνδεση δύο ψηφιακών υπολογιστών έτσι ώστε, εάν σημειωθεί βλάβη στην ενεργό κεντρική μονάδα επεξεργασίας, να μπορεί να συνεχισθεί η λειτουργία του συστήματος από μία δεύτερη κεντρική μονάδα επεξεργασίας που παρακολουθεί τις λειτουργίες της πρώτης αλλά δεν είναι ενεργά συνδεδεμένη.

3. Τη διασύνδεση δύο κεντρικών μονάδων επεξεργασίας με διαύλους δεδομένων, ή με τη χρήση κοινής μνήμης, ώστε να επιτρέπουν σε μία κεντρική μονάδα επεξεργασίας να εκτελεί άλλες εργασίες μέχρις ότου σημειωθεί βλάβη στη δεύτερη κεντρική μονάδα επεξεργασίας οπότε η πρώτη κεντρική μονάδα επεξεργασίας αναλαμβάνει να λειτουργεί έτσι ώστε να συνεχισθεί η λειτουργία του συστήματος, ή

4. Το συγχρονισμό δύο κεντρικών μονάδων επεξεργασίας μέσω λογισμικού έτσι ώστε η μία κεντρική μονάδα επεξεργασίας να αναγνωρίζει πότε στην άλλη κεντρική μονάδα σημειώνεται βλάβη και να αναλαμβάνει τις λειτουργίες της μονάδας που έχει σταματήσει να λειτουργεί.

β.

Ψηφιακοί υπολογιστές που έχουν Προσαρμοσμένη Κορυφαία Απόδοση (APP) άνω των 0,75 σταθμισμένων TeraFLOPS (WT),

γ.

Ηλεκτρονικά συγκροτήματα που έχουν ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί ώστε να ενισχύουν την απόδοση με την συγκέντρωση επεξεργαστών ούτως ώστε η APP του συγκροτήματος να υπερβαίνει το τεθέν στο σημείο 4Α003.β. όριο. Σημείωση 1: Το σημείο 4Α003.γ., αφορά μόνον ηλεκτρονικά συγκροτήματα και προγραμματιζόμενες διασυνδέσεις που δεν υπερβαίνουν το όριο του σημείου 4Α003.β., όταν αποστέλλονται σαν μη ενσωματωμένα ηλεκτρονικά συγκροτήματα. Το σημείο αυτό δεν αφορά τα ηλεκτρονικά συγκροτήματα που περιορίζονται εγγενώς ως εκ της φύσεως της σχεδίασης τους να χρησιμοποιούνται σαν συναφής εξοπλισμός όπως αναφέρεται στο σημείο 4Α003.ε. Σημείωση 2: Στο σημείο 4Α003.γ. δεν υπάγονταιι τα ηλεκτρονικά συγκροτήματα που έχουν ειδικά σχεδιασθεί για ένα προϊόν ή οικογένεια προϊόντων για τα οποία η μέγιστη διάρθρωση δεν υπερβαίνει το όριο του σημείου 4Α003.β..

δ.

(Δεν χρησιμοποιείται).

ε.

Εξοπλισμός που επιτελεί μετατροπές αναλογικών σημάτων προς ψηφιακά υπερβαίνοντας τα όρια του σημείου 3Α001.α.5.

στ.

(Δεν χρησιμοποιείται).

ζ.

Ειδικώς σχεδιασμένος εξοπλισμός που εξασφαλίζει την εξωτερική διασύνδεση ψηφιακών υπολογιστών ή συναφής εξοπλισμός που επιτρέπει την επικοινωνία με ταχύτητες μεταβίβασης δεδομένων υπερβαίνουσες τα 1,25 Gbyte/s. Σημείωση: Στο σημείο 4Α003.ζ. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός εσωτερικής διασύνδεσης (π.χ. βασική πλακέτα, ζυγοί), ο εξοπλισμός παθητικής διασύνδεσης, οι ελεγκτές πρόσβασης δικτύου ή οι ελεγκτές διαύλων επικοινωνίας.

α.

Υπολογιστές συστολικής συστοιχίας,

β.

Νευρωνικοί υπολογιστές,

γ.

Οπτικοί υπολογιστές.

4BΕξοπλισμός δοκιμών, επιθεώρησης και παραγωγής

Ουδείς.

4CΥλικά Ουδείς.

4DΛογισμικό Σημείωση: Η διαβάθμιση ελέγχου του λογισμικού για την ανάπτυξη, παραγωγή ή χρήση εξοπλισμού που περιγράφεται σε άλλες κατηγορίες περιέχεται στην αντίστοιχη κατηγορία. Η διαβάθμιση ελέγχου του λογισμικού για εξοπλισμό που περιγράφεται στην παρούσα κατηγορία αναφέρεται εδώ. 4D002Λογισμικό που έχει ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για να λειτουργεί με τεχνολογία που καθορίζεται στο σημείο 4Ε. 4D003Ιδιαίτερο λογισμικό, ως εξής:

4DΛογισμικό

4D001α. Λογισμικό που έχει ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για την ανάπτυξη, παραγωγή ή χρήση εξοπλισμού ή λογισμικού που καθορίζονται στα σημεία 4Α001 έως 4Α004, ή 4D

β.

Λογισμικό, εκτός του περιγραφόμενου στο 4D001.α, που έχει ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για την ανάπτυξη ή παραγωγή:

1. Ψηφιακών ηλεκτρονικών υπολογιστών με Προσαρμοσμένη Κορυφαία Απόδοση (APP) άνω των 0,04 σταθμισμένων TeraFLOPS (WT), ή

2. Ηλεκτρονικών συγκροτημάτων που έχουν ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για την αύξηση της απόδοσης με τη συνάθροιση επεξεργαστών ούτως ώστε η APP του συνόλου να υπερβαίνει το όριο του 4D001.β.1.

α.

Λογισμικό λειτουργικών συστημάτων, εργαλεία ανάπτυξης λογισμικού και συμβολομεταφραστές που έχουν ειδικά σχεδιασθεί για εξοπλισμό επεξεργασίας ρεύματος πολλαπλών δεδομένων (multi-data-stream processing), σε πηγαίο κώδικα,

β.

(Δεν χρησιμοποιείται),

γ.

Λογισμικό που έχει χαρακτηριστικά ή εκτελεί λειτουργίες που υπερβαίνουν τα όρια της Κατηγορίας 5, Μέρος 2 (Ασφάλεια πληροφοριών), Σημείωση: Στο 4D003.γ. δεν υπάγεται το λογισμικό που συνοδεύει το χρήστη του για την προσωπική χρήση του χρήστη.

4EΤεχνολογία

4E001α. Τεχνολογία σύμφωνα με την Γενική Τεχνολογική Σημείωση για την ανάπτυξη, παραγωγή ή χρήση εξοπλισμού ή λογισμικού που καθορίζονται στα σημεία 4Α, ή 4D.

β.

Τεχνολογία, εκτός της περιγραφόμενης στο 4E001.α, που έχει ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για την ανάπτυξη ή παραγωγή:

1. Ψηφιακών ηλεκτρονικών υπολογιστών με Προσαρμοσμένη Κορυφαία Απόδοση (APP) άνω των 0,04 σταθμισμένων TeraFLOPS (WT),

2. Ηλεκτρονικών συγκροτημάτων που έχουν ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για την αύξηση της απόδοσης με τη συνάθροιση επεξεργαστών ούτως ώστε η APP του συνόλου να υπερβαίνει το όριο του 4D001.β.1.

Τεχνική σημείωση σχετικά με τη Σύνθετη θεωρητική απόδοση (CTP) Χρησιμοποιούμενες στην παρούσα Τεχνική Σημείωση Συντμήσεις

CE υπολογιστικό στοιχείο (computing element) (συνήθως μια αριθμητική λογική μονάδα) FP κινητή υποδιαστολή (floating point) XP σταθερή υποδιαστολή (fixed point) t χρόνος εκτέλεσης XOR αποκλειστικό Ή CPU κεντρική μονάδα επεξεργασίας TP θεωρητική απόδοση (theoretical performance) [ενός απλού υπολογιστικού στοιχείου (CE)] CTP σύνθετη θεωρητική απόδοση [πολλαπλά υπολογιστικά στοιχεία (CE)] R ενεργός ρυθμός υπολογισμού WL μήκος λέξης L συντελεστής προσαρμογής μήκους λέξης × επί (σημείο του πολλαπλασιασμού) Ο χρόνος εκτέλεσης t εκφράζεται σε μικροδευτερόλεπτα, η θεωρητική απόδοση ΤΡ και η σύνθετη θεωρητική απόδοση CTP εκφράζονται σε Mtops (εκατομ. θεωρητικών πράξεων ανά δευτερόλεπτο), ενώ το μήκος λέξης WL εκφράζεται σε bit.

Η μέθοδος υπολογισμού της CTP σε αδρές γραμμές

Η CTP αποτελεί μέτρο της υπολογιστικής απόδοσης που δίδεται σε Mtops. Κατά τον υπολογισμό της CTP δέσμης υπολογιστικών στοιχείων CE, απαιτούνται τα εξής τρία βήματα: Τα ανωτέρω βήματα αναλύονται κατωτέρω. Σημ. 1: Για δέσμες πολλαπλών CE που έχουν και επιμερισμένα και μη επιμερισμένα υποσυστήματα μνήμης, ο υπολογισμός της CTP γίνεται κατά εντελώς ιεραρχημένο τρόπο, σε δύο στάδια: κατά πρώτο συγκεντρώνονται οι ομάδες CE που μοιράζονται την μνήμη και κατά δεύτερο υπολογίζεται η CTP των ομάδων με τη χρήση της υπολογιστικής μεθόδου για πολλαπλά CE που δεν μοιράζονται μνήμη. Σημ. 2: Τα CE που περιορίζονται σε λειτουργίες εισόδου/εξόδου και περιφερειακών μονάδων (π.χ. μηχανισμού δίσκου, ελεγκτών επικοινωνίας και οθόνης) δεν συγκεντρώνονται στον υπολογισμό της CTP.

1. Να υπολογισθεί ο ενεργός ρυθμός υπολογισμού R για κάθε στοιχείο CE,

2. Να εφαρμοσθεί ο συντελεστής προσαρμογής μήκους λέξεως (L) στον ενεργό ρυθμό υπολογισμού (R), ώστε να προκύψει μια θεωρητική απόδοση (ΤΡ) για κάθε στοιχείο CE,

3. Εάν υπάρχουν περισσότερα από ένα CE, πρέπει να συνδυασθούν οι αποδόσεις ΤΡ έτσι ώστε να προκύψει μία CTP για όλη τη δέσμη.

ΤΕΧΝΙΚΗ ΣΗΜΕΙΩΣΗ ΣΧΕΤΙΚΑ ΜΕ ΤΗ CTP

Ο ακόλουθος πίνακας παρουσιάζει την μέθοδο υπολογισμού του ενεργού ρυθμού υπολογισμού R για κάθε Υπολογιστικό Στοιχείο CE: Βήμα 1: Ενεργός ρυθμός υπολογισμού R Για τα CE που εκτελούν: Σημ. Κάθε CE πρέπει να αξιολογείται ανεξάρτητα Ενεργός ρυθμός υπολογισμού μόνο XP Rxp = 13 × txp πρ. εάν δεν εκτελείται λειτουργία πρόσθεσης χρησιμοποιείστε τον τύπο: Rxp = 1txp πολλ. Εάν δεν εκτελούνται ούτε πρόσθεση ούτε πολλαπλασιασμός τότε χρησιμοποιείστε την ταχύτερη διαθέσιμη αριθμητική πράξη ως εξής: Rxp = 13 × txp Βλέπε σημειώσεις Χ & Ω μόνο FP Rfp = μεγ 1tfp πρ., 1tfp πολλ. Βλέπε σημειώσεις X & Ψ Πράξεις FP και XP (R) Να υπολογισθούν οι δύο τιμές Rxp, Rfp Για απλούς λογικούς επεξεργαστές που δεν εκτελούν καμία από τις προσδιοριζόμενες αριθμητικές πράξεις. R = 13 × tlog όπου t log είναι ο χρόνος εκτέλεσης του XOR, ή για λογικό εξοπλισμό που δεν μπορεί να εκτελέσει την πράξη XOR, ο χρόνος της πιο γρήγορης απλής λογικής πράξης. Βλέπε σημειώσεις Χ & Ω Για ειδικούς λογικούς επεξεργαστές που δεν χρησιμοποιούν καμία από τις προσδιοριζόμενες αριθμητικές ή λογικές πράξεις. R=R'×WL/64 όπου R' είναι ο αριθμός των αποτελεσμάτων ανά δευτερόλεπτο, WL είναι ο αριθμός των δυαδικών ψηφίων (bit) στα οποία εκτελείται η λογική πράξη και το 64 συντελεστής αναγωγής σε πράξη των 64 bit. Σημ. Φ: Για ένα CE συνεχούς διοχέτευσης, ικανό να εκτελεί μέχρι μία αριθμητική ή λογική πράξη σε κάθε ωρολογιακό κύκλο μετά την πλήρωση των σταδίων λειτουργίας, μπορεί να ευρεθεί ο ρυθμός κατά την επεξεργασία με συνεχή διοχέτευση. Για ένα τέτοιο CE ο ενεργός ρυθμός υπολογισμού (R) είναι ο ταχύτερος από τους ρυθμούς εκτέλεσης, με και χωρίς συνεχή διοχέτευση. Σημ. Χ: Για ένα CE που εκτελεί πολλαπλές πράξεις ενός καθορισμένου τύπου σε ένα μοναδικό κύκλο (για παράδειγμα δύο αθροιστικές πράξεις ανά κύκλο ή δύο πανομοιότυπες λογικές πράξεις ανά κύκλο), ο χρόνος εκτέλεσης t δίδεται από τον εξής τύπο: t =χρόνος κύκλουπλήθος πανομοιότυπων αριθμητικών πράξεων ανά κύκλο μηχανής Τα υπολογιστικά στοιχεία CE που εκτελούν διαφορετικούς τύπους αριθμητικών ή λογικών πράξεων σε ένα και μοναδικό κύκλο μηχανής θα πρέπει να θεωρούνται ως πολλαπλά χωριστά CE που εκτελούν πράξεις συγχρόνως (για παράδειγμα ένα CE που εκτελεί μία πρόσθεση και ένα πολλαπλασιασμό σε ένα κύκλο θα πρέπει να θεωρείται σαν δύο CE, εκ των οποίων το πρώτο εκτελεί μία πρόσθεση σε ένα κύκλο και το δεύτερο ένα πολλαπλασιασμό σε ένα κύκλο). Αν ένα μοναδικό CE μπορεί να εκτελέσει τόσο μονόμετρη όσο και διανυσματική πράξη, να χρησιμοποιηθεί η τιμή του ταχύτερου χρόνου εκτέλεσης. Σημ. Ψ: Για το CE που δεν εκτελεί προσθέσεις με FP ή πολλαπλασιασμούς με FP αλλά που εκτελεί διαίρεση με FP, τότε: Rfp = ltfp διαιρ. Αν το CE εκτελεί αντιστροφή με FP και όχι πρόσθεση με FP, πολλαπλασιασμό με FP ή διαίρεση με FP, τότε: Rfp = 1tfp αντιστρ. Αν δεν μπορεί να εκτελεσθεί καμιά από τις αναφερθείσες εντολές, ο ενεργός ρυθμός FP ισούται με 0. Σημ. Ω: Σε απλές λογικές πράξεις μία μοναδιαία εντολή εκτελεί μία μοναδιαία λογική πράξη μεταξύ το πολύ δύο τελεστών που έχουν ο καθένας δεδομένο μήκος. Σε σύνθετες λογικές πράξεις, μία απλή εντολή εκτελεί πολλαπλές λογικές πράξεις ώστε να δώσει ένα ή περισσότερα αποτελέσματα από δύο ή παραπάνω τελεστές. Οι ρυθμοί θα πρέπει να υπολογισθούν για όλα τα υποστηριζόμενα μήκη τελεστού, λαμβανομένων υπόψη τόσο των πράξεων συνεχούς διοχέτευσης (εάν υποστηρίζονται) όσο και των πράξεων μη συνεχούς διοχέτευσης, με τη χρήση της ταχύτερης εντολής εκτέλεσης για κάθε μήκος τελεστού με βάση τα ακόλουθα: Σε κάθε μία από τις ανωτέρω περιπτώσεις, να χρησιμοποιείται ο βραχύτερος χρόνος εκτέλεσης που δηλώνεται από τον κατασκευαστή. Βήμα 2: Θεωρητική απόδοση (TP) για καθένα από τα υποστηριζόμενα μήκη τελεστή WL Προσαρμόζεται ο ενεργός ρυθμός R (ή R') ανάλογα με το μήκος λέξης L ως εξής: Σημ.: Το μήκος λέξης WL που χρησιμοποιείται στους υπολογισμούς αυτούς είναι το μήκος του τελεστή σε δυαδικά ψηφία (bit). (Αν μια πράξη χρησιμοποιεί τελεστές που έχουν διαφορετικά μήκη, τότε επιλέγεται το μεγαλύτερο μήκος λέξης). Για τους σκοπούς υπολογισμού της CTP, ως συνδυασμός μιας αριθμητικής λογικής μονάδας ALU σημαντικών ψηφίων και μιας εκθετικής αριθμητικής λογικής μονάδας επεξεργαστή ή συγκροτήματος κινητής υποδιαστολής θεωρείται ένα CE με μήκος λέξης (WL) ίσο προς το πλήθος των δυαδικών ψηφίων (bit) στην παράσταση δεδομένων (τυπικώς 32 ή 64). Η προσαρμογή αυτή δεν εφαρμόζεται σε ειδικευμένους λογικούς επεξεργαστές που δεν χρησιμοποιούν εντολές αποκλειστικού 'Η. Στην περίπτωση αυτή το ΤΡ = R. Επιλέξατε την μέγιστη προκύπτουσα τιμή ΤΡ για: Βήμα 3: CTP για δέσμες CE, συμπεριλαμβανομένων και κεντρικών μονάδων επεξεργασίας (CPU) Για μία CPU με ένα μοναδιαίο CE, CTP = TP [για CE που εκτελούν τόσο πράξεις σταθερής όσο και κινητής υποδιαστολής, η τιμή TP = το μέγιστο (TPfp, TPxp)] Για συνδυασμούς πολλαπλών CE που λειτουργούν ταυτοχρόνως, η CTP υπολογίζεται ως εξής: Σημ. 1: Για τις δέσμες που δεν επιτρέπουν σε όλα τα CE να τρέχουν ταυτοχρόνως, θα πρέπει να χρησιμοποιείται ο δυνατός συνδυασμός CE που παρέχει την μεγαλύτερη CTP. Η ΤΡ εκάστου συμβάλλοντος CE θα πρέπει να υπολογίζεται στη θεωρητικά μέγιστη δυνατή τιμή της προτού εξαχθεί η CTP του συνδυασμού. ΣΗΜ.: Για να ευρεθούν οι δυνατοί συνδυασμοί λειτουργούντων ταυτοχρόνως CE, διατυπώσατε αλληλουχία εντολών που ενεργοποιεί πράξεις σε πολλαπλά CE, αρχίζοντας με το βραδύτερο CE (εκείνο που χρειάζεται το μεγαλύτερο πλήθος κύκλων για να ολοκληρώσει την λειτουργία του) και τελειώνοντας με το ταχύτερο CE. Σε έκαστο κύκλο της αλληλουχίας, δυνατό συνδυασμό αποτελεί ο συνδυασμός εκείνος CE που λειτουργούν στον υπόψη κύκλο. Η αλληλουχία εντολών πρέπει να λάβει υπόψη όλους τους περιορισμούς λόγω εξοπλισμού ή/και αρχιτεκτονικής του συστήματος σε επικαλυπτόμενες πράξεις. Σημ. 2: Ένα μοναδιαίο συγκρότημα ολοκληρωμένου μικροκυκλώματος ή μικροπλακέτας μπορεί να περιέχει πολλαπλά CE. Σημ. 3: Θεωρείται ότι υπάρχουν ταυτόχρονες λειτουργίες και πράξεις όταν ο κατασκευαστής του υπολογιστή αναφέρει παράλληλες, σύγχρονες, ή ταυτόχρονες πράξεις ή εκτελέσεις σε ένα εγχειρίδιο ή φυλλάδιο που αφορά τον υπολογιστή. Σημ. 4: Οι τιμές CTP δεν πρέπει να συγκεντρώνονται για συνδυασμούς CE (δια)συνδεόμενους με τοπικά δίκτυα υπολογιστών (Local Area Networks), δίκτυα ευρείας περιοχής, κατανεμημένες συνδέσεις/συσκευές εισόδου/εξόδου, ελεγκτές εισόδου/εξόδου και τυχόν διασύνδεση επικοινωνίας πραγματοποιούμενης μέσω λογισμικού. Σημ. 5: Οι τιμές CTP πρέπει να συγκεντρώνονται για πολλαπλά CE ειδικώς σχεδιασμένα για βελτίωση των επιδόσεων με την συγκέντρωση, τα οποία λειτουργούν ταυτοχρόνως και μοιράζονται μνήμη, ή για λειτουργούντες ταυτοχρόνως συνδυασμούς - πολλαπλής μνήμης/CE - που χρησιμοποιούν ειδικώς σχεδιασμένο εξοπλισμό. Η συγκέντρωση αυτή δεν ισχύει για ηλεκτρονικά συγκροτήματα περιγραφόμενα στο σημείο 4Α003.γ. CTP = TP1 + C2 × TP2 + … + Cn × TP n, όπου οι τιμές ΤΡ διατάσσονται κατά φθίνουσα σειρά μεγέθους, από την μεγαλύτερη ΤΡ1 έως την μικρότερη ΤΡn. Ci αποτελεί συντελεστή εξαρτώμενο από την ρώμη της διασύνδεσης μεταξύ CE και ευρισκόμενο ως εξής: Για πολλαπλά CE που λειτουργούν ταυτοχρόνως και μοιράζονται μνήμη: Σημ. 1: Όταν η υπολογιζόμενη με την ανωτέρω μέθοδο CTP δεν υπερβαίνει τα 194 Mtops, για να υπολογισθεί ο Ci μπορεί να χρησιμοποιηθεί ο εξής τύπος: Ci = 0,75m(i = 2,…,n) όπου m το πλήθος των CE ή ομάδων CE που μοιράζονται την πρόσβαση, υπό τον όρο ότι: Σημ. 2: Τα CE μοιράζονται μνήμη αν έχουν πρόσβαση σε κοινό τμήμα μιας μνήμης στερεάς κατάστασης. Η μνήμη αυτή μπορεί να είναι κρυφή, κύρια ή άλλου τύπου εσωτερική μνήμη. Δεν περιλαμβάνονται περιφερειακές συσκευές μνήμης όπως μηχανισμοί δίσκου, μαγνητοταινίας ή δίσκοι RAM. Για πολλαπλά CE ή ομάδες CE που δεν μοιράζονται μνήμη, τα οποία διασυνδέονται με έναν ή περισσότερους διαύλους μεταβίβασης δεδομένων: Ci Η τιμή Ci βασίζεται στο πλήθος των CE και όχι των κόμβων. όπου: ki min (Si/Kr, 1), και Kr συντελεστής αναγωγής στα 20 MByte/s. Si άθροισμα των μέγιστων ρυθμών ροής δεδομένων (σε Mbyte/s) για όλους τους διαύλους μεταβίβασης δεδομένων που συνδέονται με το i-οστό CE ή ομάδα CE που μοιράζονται τη μνήμη. Όταν υπολογίζεται ένας συντελεστής Ci για μια ομάδα CE, το πλήθος των πρώτων CE σε μια ομάδα προσδιορίζει το σωστό όριο για τον Ci. Π.χ., σε μια δέσμη ομάδων αποτελούμενων η καθεμιά από 3 CΕ, η 22η ομάδα θα περιέχει τα CE64, CE65 και CE66. Το σωστό όριο του συντελεστή Ci για την ομάδα αυτή είναι το 0.60. Η δέσμη (CE ή ομάδων από CE) θα πρέπει να συγκεντρώνεται από το ταχύτερο προς το βραδύτερο, δηλαδή: σε περίπτωση που TPi = TPi + 1 από το μεγαλύτερο προς το μικρότερο, δηλαδή: Σημ.: Ο συντελεστής ki δεν εφαρμόζεται στα CE 2 έως 12 αν η ΤΡi του CE ή της ομάδας CE υπερβαίνει τα 50 Μtops, δηλαδή Ci = 0,75 για τα CE 2 έως 12.

1. Πράξεις με συνεχή διοχέτευση ή από καταχωρητή σε καταχωρητή. Εξαιρούνται οι εξαιρετικά βραχείς χρόνοι εκτέλεσης που προκύπτουν από πράξεις πάνω σε ένα προκαθορισμένο τελεστή ή τελεστές (για παράδειγμα πολλαπλασιασμός με 0 ή 1). Εάν δεν εκτελούνται πράξεις από καταχωρητή σε καταχωρητή, τότε συνεχίζει κανείς με το δεύτερο στάδιο.

2. Η ταχύτερη μεταξύ των πράξεων:από καταχωρητή σε μνήμη ή από μνήμη σε καταχωρητή· αν ούτε και αυτές οι πράξεις υπάρχουν, τότε συνεχίζει κανείς με το τρίτο στάδιο.

3. Από μνήμη προς μνήμη.

TP = R × L όπου L = (1/3+WL/96)

Κάθε XP-μόνο CE (Rxp),

Κάθε FP-μόνο CE (Rfp),

Κάθε CE με συνδυασμένη FP και XP (R),

Κάθε απλό λογικό επεξεργαστή που δεν εκτελεί καμία από τις αναφερθείσες αριθμητικές πράξεις, και

Κάθε ειδικό λογικό επεξεργαστή που δεν χρησιμοποιεί καμία από τις αναφερθείσες αριθμητικές ή λογικές πράξεις.

C2 = C3 = C4 = … = Cn = 0.75

1. Το ΤΡi εκάστου CE ή ομάδας CE δεν υπερβαίνει τα 30 Mtops,

2. Τα CE ή ομάδες CE μοιράζονται πρόσβαση στην κύρια μνήμη (αποκλειόμενης της κρυφής μνήμης) σε ένα μοναδιαίο δίαυλο· και

3. Μόνο ένα CE ή μία ομάδα CE μπορεί να κάνει χρήση του διαύλου κάποια δεδομένη χρονική στιγμή. ΣΗΜ.: Τούτο δεν ισχύει για τα υπαγόμενα σε έλεγχο είδη της κατηγορίας 3.

= 0,75 × ki (i = 2, …, 32) (βλέπε σημείωση κατωτέρω)

= 0,60 × ki (i = 33, …, 64)

= 0,45 × ki (i = 65, …, 256)

= 0,30 × ki (i > 256)

TP1 ≥ TP2 ≥ … ≥ TPn, και

Ci ≥ Ci+1

ΤΕΧΝΙΚΗ ΠΑΡΑΤΗΡΗΣΗ ΣΧΕΤΙΚΑ ΜΕ ΤΗΝ ΠΡΟΣΑΡΜΟΣΜΕΝΗ ΚΟΡΥΦΑΙΑ ΑΠΟΔΟΣΗ (APP)

Η APP είναι ένας προσαρμοσμένος ρυθμός με τον οποίον οι ψηφιακοί υπολογιστές εκτελούν προσθέσεις και πολλαπλασιασμούς κινητής υποδιαστολής 64 bit και άνω. Η APP εκφράζονται ως σταθμισμένα TeraFLOPS (WT), σε μονάδες 1012 πράξεων κινητής υποδιαστολής ανά δευτερόλεπτο. Σημ. 1: Για τους επεξεργαστές που εκτελούν σύνθετες πράξεις σε έναν κύκλο, όπως πρόσθεση και πολλαπλασιασμό, λαμβάνεται υπόψη κάθε πράξη. Σημ. 2: Για έναν επεξεργαστή συνεχούς διοχέτευσης, o εvεργός ρυθμός υπoλoγισμoύ (R) είvαι o ταχύτερoς από τoυς ρυθμoύς εκτέλεσης, με και χωρίς συvεχή διoχέτευση. Σημ. 3: Ο ρυθμός υπολογισμού R για κάθε συμμετέχοντα επεξεργαστή υπολογίζεται στη μεγαλύτερη θεωρητικά δυνατή τιμή του πριν υπολογιστεί η APP του συνδυασμού. Θεωρείται ότι υπάρχoυv ταυτόχρovες λειτoυργίες και πράξεις όταv o κατασκευαστής τoυ υπoλoγιστή αvαφέρει παράλληλες, σύγχρovες, ή ταυτόχρovες πράξεις ή εκτελέσεις σε ένα εγχειρίδιo ή φυλλάδιo πoυ αφoρά τov υπoλoγιστή. Σημ. 4: Κατά τον υπολογισμό της APP, δεν λαμβάνονται υπόψη οι επεξεργαστές που χρησιμοποιούνται μόνον για λειτoυργίες εισόδoυ/εξόδoυ και περιφερειακών μoνάδων (π.χ. μηχανισμoύ δίσκoυ, ελεγκτών επικoινωνίας και oθόνης). Σημ. 5: Οι τιμές της APP δεν υπολογίζονται για συνδυασμούς επεξεργαστών που (δια)συνδεόμεvoυς με τoπικά δίκτυα, δίκτυα ευρείας περιoχής, κατανεμημένες συνδέσεις/συσκευές εισόδoυ/εξόδoυ, ελεγκτές εισόδoυ/εξόδoυ και τυχόv διασύvδεση επικoινωνίας πραγματoπoιoύμεvης μέσω λoγισμικoύ. Σημ. 6: Τιμές APP πρέπει να υπολογίζονται για τα εξής: Σημ. 7: Ως ανυσματικός επεξεργαστής νοείται ένας επεξεργαστής με ενσωματωμένες οδηγίες που εκτελούν ταυτόχρονα πολλαπλούς υπολογισμούς σε ανύσματα κινητής υποδιαστολής (μονοδιάστατες συστοιχίες αριθμών 64 bit ή μεγαλύτερων), ο οποίος έχει τουλάχιστον 2 ανυσματικές λειτουργικές μονάδες και τουλάχιστον 8 ανυσματικά αρχεία τουλάχιστον 64 στοιχείων το καθένα.

Χρησιμοποιούμενες στην παρούσα Τεχνική Παρατήρηση συντμήσεις

n αριθμός επεξεργαστών του ψηφιακού υπολογιστή i αριθμός επεξεργαστή (i, …n) ti χρόνος κύκλου επεξεργαστή (ti = 1/Fi) Fi συχνότητα επεξεργαστή Ri κορυφαίος ρυθμός υπολογισμού κινητής υποδιαστολής Wi συντελεστής προσαρμογής αρχιτεκτονικής

Η μέθοδος υπολογισμού της APP σε αδρές γραμμές 1. Σημείωση: 2.3.4.

Για κάθε επεξεργαστή I, προσδιορίζεται ο κορυφαίος αριθμός πράξεων κινητής υποδιαστολής 64 bit και άνω, FPOi, που εκτελούνται ανά κύκλο για κάθε επεξεργαστή του ψηφιακού υπολογιστή. Κατά τον προσδιορισμό του FPO, λαμβάνονται υπόψη μόνον οι προσθέσεις ή/και πολλαπλασιασμοί κινητής υποδιαστολής 64 bit και άνω. Όλες οι πράξεις κινητής υποδιαστολής πρέπει να εκφράζονται ως πράξεις ανά κύκλο επεξεργαστή· οι πράξεις για τις οποίες απαιτούνται περισσότεροι του ενός κύκλοι μπορούν να εκφράζονται ως κλασματικά αποτελέσματα ανά κύκλο. Για τους επεξεργαστές που δεν είναι ικανοί να εκτελούν υπολογισμούς σε τελεστές 64 bit ή άνω, ο ενεργός ρυθμός υπολογισμού R είναι μηδέν. Υπολογίζεται ο ρυθμός κινητής υποδιαστολής R για κάθε επεξεργαστή Ri = FPOi/ti. Υπολογίζεται η APP ως εξής: APP = W1 × R1 + W2 × R2 + … + Wn × Rn. Για τους ανυσματικούς επεξεργαστές, Wi = 0,9. Για τους μη ανυσματικούς επεξεργαστές, Wi = 0,3.

1. Συνδυασμούς επεξεργαστών που περιέχουν επεξεργαστές ειδικά σχεδιασμένους για την βελτίωση τωv επιδόσεωv με την συγκέvτρωση, οι οποίοι λειτoυργoύν ταυτoχρόνως και μoιράζoνται μνήμη, ή

2. Λειτoυργoύντες ταυτoχρόνως συνδυασμoύς — πoλλαπλής μνήμης/επεξεργαστή — πoυ χρησιμoπoιoύv ειδικώς σχεδιασμέvo εξoπλισμό.

ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 5 ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ ΚΑΙ ΑΣΦΑΛΕΙΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΩΝ

ΜΕΡΟΣ 1 ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ

Σημείωση 1: Η διαβάθμιση ελέγχου των δομικών στοιχείων, εξοπλισμού λέιζερ εξοπλισμού δοκιμών και παραγωγής καθώς και λογισμικού που προορίζεται γι’ αυτά, τα οποία είναι ειδικά σχεδιασμένα για τηλεπικοινωνιακό εξοπλισμό ή συστήματα καθορίζεται στην Κατηγορία 5, Μέρος 1. Σημείωση 2:Ψηφιακοί υπολογιστές, συναφής εξοπλισμός λογισμικό, όταν είναι απαραίτητα για την λειτουργία και υποστήριξη τηλεπικοινωνιακού εξοπλισμού που περιγράφεται στην παρούσα κατηγορία θεωρούνται σαν ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία υπό τον όρο ότι είναι τα τυποποιημένα μοντέλα που συνήθως προμηθεύει ο κατασκευαστής. Εδώ περιλαμβάνονται συστήματα υπολογιστών για λειτουργία, διαχείριση, συντήρηση, μηχανολογικές ή λογιστικές εφαρμογές.

5A1Συστήματα, εξοπλισμός και δομικά στοιχεία Τεχνική παρατήρηση:

5A101Εξοπλισμός τηλεμετρίας και τηλε-ελέγχου, συμπεριλαμβανομένου του εξοπλισμού εδάφους, σχεδιασμένος ή τροποποιήμενος για βλήματα. Στο σημείο 5Α101, βλήματα νοούνται τα πλήρη πυραυλικά συστήματα και τα συστήματα μη επανδρωμένων οχημάτων αέρος με βεληνεκές άνω των 300 km. Σημείωση: Στο σημείο 5Α101 δεν υπάγεται ο εξοπλισμός:

5A1Συστήματα, εξοπλισμός και δομικά στοιχεία

5A001α. Οποιοσδήποτε τύπος εξοπλισμού τηλεπικοινωνιών που έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, λειτουργίες ή γνωρίσματα: Σημείωση: Τα σημεία 5Α001.α.2. και 5Α001.α.3 δεν αφορούν εξοπλισμό που είναι εγκατεστημένος σε δορυφόρους.

5A001α.

1. Που είναι ειδικά σχεδιασμένος για να αντέχει σε μεταβατικά ηλεκτρονικά φαινόμενα ή ηλεκτρομαγνητικούς παλμούς που προκύπτουν από μία πυρηνική έκρηξη.

2. Που έχει υποστεί ειδική επεξεργασία για να αντέχει σε ακτινοβολία σωματιδίων γάμα, νετρονίων ή ιόντων, ή

3. Που έχει ειδικά σχεδιασθεί για να λειτουργεί εκτός του φάσματος θερμοκρασιών από 218 K (– 55 °C) έως 397 K (124 °C). Σημείωση: Το σημείο 5Α001.α.3. αφορά μόνο ηλεκτρονικό εξοπλισμό.

β.

Τηλεπικοινωνιακός εξοπλισμός και συστήματα μετάδοσης και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία και εξαρτήματα γι’ αυτά, που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, λειτουργίες ή γνωρίσματα:

1. Που είναι υποβρύχια συστήματα επικοινωνιών και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. α.

Ακουστική συχνότητα φέρουσας εκτός του φάσματος από 20 kHz έως 60 kHz,

β.

Χρησιμοποιούν ηλεκτρομαγνητική συχνότητα φέρουσας κάτω από 30 kHz, ή

γ.

Χρησιμοποιούν τεχνικές οδήγησης ηλεκτρονικής δέσμης.

2. Που είναι εξοπλισμός τηλεπικοινωνιών που λειτουργεί στο φάσμα συχνοτήτων 1,5 MHz έως 87,5 MHz και έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

2. α.

Έχει ενσωματωμένες προσαρμοστικές τεχνικές μεθόδους που επιτρέπουν εξάλειψη παραπάνω από 15 dB ενός παρεμβαλλόμενου σήματος, ή

β.

Έχει όλα τα ακόλουθα:

1. Προβλέπει και επιλέγει αυτόματα συχνότητες και συνολικούς ρυθμούς ψηφιακής μεταφοράς, ανά κανάλι για να βελτιστοποιήσει τη μετάδοση, και

2. Έχει ενσωματωμένη μία διάταξη γραμμικού ενισχυτή ισχύος, με δυνατότητα να υποστηρίζει πολλαπλά σήματα συγχρόνως με ισχύ εξόδου 1 kW ή παραπάνω στο φάσμα συχνοτήτων 1,5 MHz έως 30 MHz ή με έξοδο ισχύος 250 W ή παραπάνω στο φάσμα συχνοτήτων 30 MHz έως 87,5 MHz, σε στιγμιαίο εύρος ζώνης μίας οκτάβας ή παραπάνω και με παραμόρφωση και αρμονικές εξόδους καλύτερες από – 80 dB.

3. Που είναι εξοπλισμός τηλεπικοινωνιών που χρησιμοποιεί τεχνικές μεθόδους διασκορπισμένου φάσματος όπως π.χ. τεχνικές, μεταπήδησης συχνοτήτων, πλην των οριζόμενων στο σημείο 5Α001.β.4., και ο οποίος έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: Σημείωση: Στο σημείο 5Α001.β.3. δεν υπάγεται ο εξοπλισμός που έχει σχεδιασθεί για να λειτουργεί με ισχύ εξόδου 1,0 Watt ή λιγότερο.

3. α.

Χρησιμοποιεί κωδικούς διασκορπισμού του φάσματος που προγραμματίζονται, ή

β.

Ένα συνολικό εύρος ζώνης που μεταδίδεται που είναι 100 ή παραπάνω φορές το εύρος ζώνης ενός οποιουδήποτε καναλιού πληροφορίας και παραπάνω από 50 kHz. Σημείωση: Στο σημείο 5Α001.β.3.β. δεν υπάγεται ο ασύρματος εξοπλισμός ο ειδικά σχεδιασμένος για χρήση σε μη στρατιωτικά συστήματα κυψελωτών ραδιοεπικοινωνιών.

4. Που είναι εξοπλισμός τηλεπικοινωνιών που χρησιμοποιεί τεχνικές υπερευρείας διαμορφωμένης ζώνης και έχει κωδικούς κατανομής σε διαύλους που είναι δυνατόν να προγραμματίζονται από το χρήστη, ή κρυπτογράφησης ή κωδικούς αναγνώρισης δικτύου, και ο οποίος έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

4. α.

Εύρος ζώνης άνω των 500 MHz, ή

β.

Κλασματικό εύρος ζώνης τουλάχιστον 20 %,

5. Που είναι ψηφιακά ελεγχόμενοι ραδιοφωνικοί δέκτες οι οποίοι έχουν όλα τα ακόλουθα:

5. α.

Περισσότερα από 1000 κανάλια,

β.

Χρόνο μεταγωγής συχνοτήτων μικρότερο από ms,

γ.

Μπορούν να ψάξουν ή να σαρώσουν αυτόματα ένα τμήμα του ηλεκτρομαγνητικού φάσματος, και

δ.

Μπορούν να εξακριβώσουν από που προέρχονται τα σήματα που γίνονται δεκτά ή τον τύπο του πομπού, ή Σημείωση: Στο σημείο 5Α001.β.5. δεν ελέγχεται ο ασύρματος εξοπλισμός ο ειδικά σχεδιασμένος για χρήση σε μη στρατιωτικά συστήματα κυψελωτών ραδιοεπικοινωνιών.

6. Τεχνικές παρατηρήσεις:

Που χρησιμοποιεί λειτουργίες ψηφιακής επεξεργασίας σημάτων για την παροχή εξόδου κωδικοποίησης φωνής με ρυθμό χαμηλότερο από 2400 bits/s.

1. Για κωδικοποίηση φωνής μεταβλητού ρυθμού, το 5A001.β.6 εφαρμόζεται στην έξοδο κωδικοποίησης φωνής συνεχούς ομιλίας.

2. Για τους σκοπούς του σημείου 5Α001.β.6., η κωδικοποίηση φωνής ορίζεται ως η τεχνική δειγματοληψίας της ανθρώπινης φωνής και η μετατροπή των δειγμάτων αυτών σε ψηφιακό σήμα, λαμβάνοντας υπόψη συγκεκριμένα χαρακτηριστικά της ανθρώπινης ομιλίας.

γ.

Καλώδια επικοινωνιών με οπτικές ίνες, οπτικές ίνες και εξαρτήματα γι’ αυτά, ως εξής:

1. Τεχνική Σημείωση:

Οπτικές ίνες μήκους πάνω από 500 m που μπορούν σύμφωνα με τα στοιχεία του κατασκευαστή να αντέξουν δοκιμές αντοχής (tensile stress) της τάξεως των 2 × 109 N/m2 ή παραπάνω. Δοκιμή αντοχής (Proof test): δοκιμή επί της γραμμής παραγωγής, ή εκτός της γραμμής παραγωγής, όπου εφαρμόζεται μία προκαθορισμένη τάση επί ενός μήκους ίνας από 0,5 έως 3 m που κινείται με ταχύτητα 2 έως 5 m/s ενώ η ίνα περνάει ανάμεσα από άξονες περιστροφής της ίνας που έχουν περίπου 150 mm διάμετρο. Η θερμοκρασία περιβάλλοντος είναι ονομαστικά 293 K (20 °C) και η σχετική υγρασία είναι 40 %. Για την εκτέλεση της δοκιμής αντοχής μπορεί να χρησιμοποιηθούν ισοδύναμα εθνικά πρότυπα.

2. Καλώδια οπτικών ινών και εξαρτήματά τους που έχουν σχεδιασθεί για υποβρύχια χρήση. Σημείωση: Στο σημείο 5Α001.γ.2. δεν υπάγονται τα τυποποιημένα καλώδια και εξαρτήματά τους για πολιτικές τηλεπικοινωνίες. ΣΗΜ. 1: Για υποβρύχια καλώδια τροφοδοσίας και τις συνδέσεις τους βλ. το σημείο 8A002.a.3. ΣΗΜ. 2: Για hull penetrators ή για συνδέσεις τους μέσω οπτικών ινών βλ. το σημείο 8A002.γ.

δ.

Ηλεκτρονικά οδηγούμενες φασικά ελεγχόμενες στοιχειοκεραίεςσυχνότητα πάνω από 31,8 GHz. Σημείωση: Στο σημείο 5Α001.δ. δεν υπάγονται οι ηλεκτρονικά διευθυνόμενες φασικά ελεγχόμενες στοιχειοκεραίες για συστήματα προσγείωσης που περιλαμβάνουν όργανα που συμμορφώνονται με τα πρότυπα του Διεθνούς Οργανισμού Πολιτικής Αεροπορίας (ICAO) που καλύπτουν μικροκυματικά συστήματα προσγείωσης (ΜLS).

ε.

Εξοπλισμός ραδιοκαθορισμού κατεύθυνσης που λειτουργεί σε συχνότητες άνω των 30 MHz και παρουσιάζει όλα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, και ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη του :

1. Στιγμιαίο εύρος ζώνης τουλάχιστον 10 MHz, και

2. Ικανός να εντοπίζει προσανατολισμό (LOB) μη συνεργαζόμενων ραδιοπομπών με διάρκεια σήματος μικρότερη του 1 ms.

στ.

Εξοπλισμός ηλεκτρονικών παρεμβολών ειδικά σχεδιασμένος ή τροποποιημένος για τη σκόπιμη και επιλεκτική παρεμβολή, απαγόρευση, παρεμπόδιση, υποβάθμιση ή προσέλκυση κινητών ψηφιακών τηλεπικοινωνιακών υπηρεσιών, που παρουσιάζει όλα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, και ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη του: ΣΗΜ.Για τον εξοπλισμό ηλεκτρονικών παρεμβολών του GNSS, βλ. Ελέγχους Στρατιωτικών Υλικών.

1. Προσομοίωση των λειτουργιών εξοπλισμού Δικτύου Ραδιοπρόσβασης (RAN), ή

2. Ανίχνευση και εκμετάλλευση συγκεκριμένων χαρακτηριστικών του χρησιμοποιούμενου πρωτοκόλλου κινητής τηλεπικοινωνίας (π.χ., GSM).

5A1Συστήματα, εξοπλισμός και δομικά στοιχεία Τεχνική παρατήρηση: α.

ο σχεδιασμένος ή τροποποιημένος για επανδρωμένα αεροσκάφη ή δορυφόρους,

β.

εδάφους, ο σχεδιασμένος ή τροποποιημένος για χερσαίες ή θαλάσσιες εφαρμογές,

γ.

ο σχεδιασμένος για εμπορικές, πολιτικές ή Safety of Life (πχ. ακεραιότητα δεδομένων, ασφάλεια πτήσεων) υπηρεσίες GNSS.

5B1Εξοπλισμός δοκιμών, επιθεώρησης και παραγωγής

5B001α. Εξοπλισμός και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία ή εξαρτήματα για το σκοπό αυτό τα οποία έχουν σχεδιασθεί ειδικά για την ανάπτυξη, την παραγωγή, τη χρήση του εξοπλισμού, των λειτουργιών ή των γνωρισμάτων που ορίζονται στα σημεία 5Α001, 5Β001, 5D001 ή 5Ε001. Σημείωση: Στο σημείο 5B001.α δεν υπάγονται οι εξοπλισμοί χαρακτηρισμού οπτικών ινών.

β.

Εξοπλισμός και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία ή εξαρτήματα για το σκοπό αυτό που έχει ειδικά σχεδιαστεί για την ανάπτυξη οποιουδήποτε από τους ακόλουθους εξοπλισμούς μετάδοσης τηλεπικοινωνιών ή μεταγωγής:

1. Τεχνική παρατήρηση:

Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί ψηφιακές τεχνικές και που έχει σχεδιαστεί για να λειτουργεί με συνολική ψηφιακή ταχύτητα μεταφοράς που υπερβαίνει τα 15 Gbit/s. Για τον εξοπλισμό μεταγωγής, η συνολική ψηφιακή ταχύτητα μεταφοράς μετριέται στη θύρα ή τη γραμμή με τη μεγαλύτερη ταχύτητα.

2. Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί λέιζερ και έχει ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

2. α.

Μήκος κύματος μετάδοσης άνω των 1750 nm,

β.

Εκτελεί οπτική ενίσχυση,

γ.

Χρησιμοποιεί τεχνικές συνεκτικής οπτικής μετάδοσης ή συνεκτικής οπτικής ενίσχυσης (οι οποίες επίσης καλούνται οπτικές ετερόδυνες ή ομόδυνες τεχνικές, ή

δ.

Χρησιμοποιεί αναλογικές τεχνικές και έχει πλάτος ζώνης άνω των 2,5 GHz. Σημείωση: Στο σημείο 5B001.β.2.δ. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιαστεί για την ανάπτυξη εμπορικών συστημάτων τηλεόρασης.

3. Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί οπτική μεταγωγή.

4. Ασύρματος εξοπλισμός που χρησιμοποιεί τεχνικές τετραγωνικής διαμόρφωσης πλάτους (QAM) πάνω από το επίπεδο 256, ή

5. Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί common channel signalling – σήμανση κοινού διαύλου που λειτουργεί με μη συνδεδεμένο τρόπο λειτουργίας.

5C1Υλικά Ουδέν

5D1Λογισμικό 5D101Λογισμικό ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για χρήση σε εξοπλισμό προσδιοριζόμενο στο 5Α101.

5D1Λογισμικό

5D001α. Λογισμικό που έχει ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για την ανάπτυξη, παραγωγή ή χρήση εξοπλισμού, λειτουργιών ή γνωρισμάτων που καθορίζονται στα σημεία 5Α001, 5Β001.

β.

Λογισμικό που έχει ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί ώστε να μπορεί να χρησιμοποιηθεί με τεχνολογία που καθορίζεται στο σημείο 5Ε001.

γ.

Ειδικό λογισμικό που έχει ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί ώστε να παρέχει τα χαρακτηριστικά, τις λειτουργίες ή τα γνωρίσματα του εξοπλισμού που καθορίζεται στα σημεία 5Α001 ή 5Β001.

δ.

Λογισμικό ειδικά συνδυασμένο ή τροποποιημένο για την ανάπτυξη κάθε είδους από τους ακόλουθους εξοπλισμούς μετάδοσης τηλεπικοινωνιών ή μεταγωγής:

1. Τεχνική παρατήρηση:

Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί ψηφιακές τεχνικές και που έχει σχεδιαστεί για να λειτουργεί με συνολική ψηφιακή ταχύτητα μεταφοράς που υπερβαίνει τα 15 Gbit/s. Για τον εξοπλισμό μεταγωγής, η συνολική ψηφιακή ταχύτητα μεταφοράς μετριέται στη θύρα ή τη γραμμή με τη μεγαλύτερη ταχύτητα.

2. Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί λέιζερ και έχει ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

2. α.

Μήκος κύματος μετάδοσης άνω των 1750 nm, ή

β.

Χρησιμοποιεί αναλογικές τεχνικές και έχει πλάτος ζώνης άνω των 2,5 GHz. Σημείωση: Στο σημείο 5D001.δ.2.β. δεν ελέγχεται το λογισμικό έχει ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την ανάπτυξη εμπορικών συστημάτων τηλεόρασης.

3. Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί οπτική μεταγωγή, ή

4. Ασύρματος εξοπλισμός που χρησιμοποιεί τεχνικές τετραγωνικής διαμόρφωσης του πλάτους (QAM) πάνω από το επίπεδο 256.

5E1Τεχνολογία

5E101Τεχνολογία σύμφωνα με την Γενική Τεχνολογική Σημείωση για την ανάπτυξη, παραγωγή ή χρήση εξοπλισμού που καθορίζεται στο σημείο 5Α101.

5E001α. Τεχνολογία σύμφωνα με την Γενική Τεχνολογική Σημείωση για την ανάπτυξη, παραγωγή ή χρήση (εκτός της λειτουργίας) εξοπλισμού, λειτουργιών ή γνωρισμάτων υλικών ή λογισμικού που καθορίζονται στα σημεία 5Α001, 5Β001, ή 5D001.

β.

Επί μέρους τεχνολογίες ως εξής:

1. Τεχνολογία που απαιτείται για την ανάπτυξη ή παραγωγή τηλεπικονωνιακού εξοπλισμού που έχει ειδικά σχεδιασθεί για να χρησιμοποιείται επί των δορυφόρων.

2. Τεχνολογία για την ανάπτυξη ή χρήση τεχνικών μεθόδων επικοινωνίας μέσω λέιζερ με την δυνατότητα της αυτόματης σύλληψης και παρακολούθησης σημάτων καθώς και με την δυνατότητα να διατηρεί επικοινωνίες δια μέσου της εξωτερικής ατμόσφαιρας της γης ή υποβρυχίως.

3. Τεχνολογία για την ανάπτυξη ψηφιακού εξοπλισμού σταθμού βάσης για τη λήψη κυψελωτών επικοινωνιών του οποίου οι ικανότητες λήψης που επιτρέπουν τη λειτουργία βάσει πολλαπλών ζωνών, πολλαπλών διαύλων, πολλαπλών τρόπων, πολλαπλών αλγορίθμων κωδικοποίησης ή πολλαπλών πρωτοκόλλων μπορούν να τροποποιούνται με αλλαγή του λογισμικού.

4. Τεχνολογία για την ανάπτυξη τεχνικών διασκορπισμένου φάσματος, όπως π.χ. τεχνικών μεταπήδησης συχνοτήτων (frequency hopping).

γ.

Τεχνολογίες σύμφωνα με το σημείωμα για τη γενική τεχνολογία που αφορά την ανάπτυξη ή την παραγωγή οποιουδήποτε από τους ακόλουθους εξοπλισμούς μετάδοσης τηλεπικοινωνιών ή μεταγωγής λειτουργιών ή χαρακτηριστικών:

1. Τεχνική παρατήρηση:

Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί ψηφιακές τεχνικές και που έχει σχεδιαστεί για να λειτουργεί με συνολική ψηφιακή ταχύτητα μεταφοράς που υπερβαίνει τα 15 Gbit/s. Για τον εξοπλισμό μεταγωγής, η συνολική ψηφιακή ταχύτητα μεταφοράς μετριέται στη θύρα ή τη γραμμή με τη μεγαλύτερη ταχύτητα.

2. Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί λέιζερ και έχει ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

2. α.

Μήκος κύματος μετάδοσης άνω των 1750 nm.

β.

Εκτελεί οπτική ενίσχυση.

γ.

Χρησιμοποιεί τεχνικές συνεκτικής οπτικής μετάδοσης ή συνεκτικής οπτικής ενίσχυσης (οι οποίες επίσης καλούνται οπτικές ετερόδυνες ή ομόδυνες τεχνικές).

δ.

Χρησιμοποιεί τεχνικές multiplexing – πολύπλεξης που διαθέτουν άνω των 8 οπτικών φερουσών σε ένα μόνο οπτικό παράθυρο, ή

ε.

Χρησιμοποιεί αναλογικές τεχνικές και έχει πλάτος ζώνης άνω των 2,5 GHz. Σημείωση: Στο σημείο 5Ε001.γ.2.ε. δεν ελέγχεται η τεχνολογία για την ανάπτυξη ή την παραγωγή εμπορικών συστημάτων τηλεόρασης.

3. Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί οπτική μεταγωγή.

4. Ραδιοφωνικός εξοπλισμός με ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

4. α.

Τεχνικές Quadrature-amplitude-modulation — τετραγωνικής διαμόρφωσης του πλάτους (QAM) πάνω από το επίπεδο 256, ή

β.

Που λειτουργεί με συχνότητες εισόδου ή εξόδου άνω των 31,8 GHz, ή Σημείωση: Στο σημείο 5Ε001.γ.4.β. δεν ελέγχεται η τεχνολογία για την ανάπτυξη ή την παραγωγή εξοπλισμού που έχει σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για λειτουργία σε οποιαδήποτε ζώνη συχνοτήτων που διατίθεται από την ITU, για υπηρεσίες ραδιοεπικοινωνιών αλλά όχι για ραδιοεντοπισμό.

5. Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί Common channel signalling σήμανση κοινού διαύλου — που λειτουργεί με μη συνδεδεμένο τρόπο λειτουργίας (non-associated mode).

ΜΕΡΟΣ 2 Σημ. 3: Τεχνική Σημείωση: ΑΣΦΑΛΕΙΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΩΝ Σημείωση για την κρυπτογράφηση

Σημ. 1: Η διαβάθμιση ελέγχου εξοπλισμού ασφάλειας πληροφοριών, συστημάτων, ηλεκτρονικών συναρμολογήσεων που έχουν αναπτυχθεί ειδικά για εφαρμογές, ενοτήτων (modules) ολοκληρωμένων κυκλωμάτων, δομικών στοιχείων ή λειτουργιών καθορίζεται στην Κατηγορία 5, Μέρος 2, ακόμη και αν αυτά αποτελούν δομικά στοιχεία ή ηλεκτρονικές συναρμολογήσεις ετέρου εξοπλισμού. Σημ. 2: Στην Κατηγορία 5 — Μέρος 2 δεν υπάγονται τα προϊόντα όταν συνοδεύουν το χρήστη για την προσωπική του χρήση. Στα σημεία 5Α002 και 5D002 δεν υπάγονται τα αγαθά τα οποία ανταποκρίνονται σε όλες τις παρακάτω απαιτήσεις: Στην κατηγορία 5 — Μέρος 2, τα ψηφία ελέγχου (parity bits) δεν περιλαμβάνονται στο μήκος της κλείδας.

Σημ. 3: ΑΣΦΑΛΕΙΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΩΝ Σημείωση για την κρυπτογράφηση

α.

Είναι γενικά διαθέσιμα στο κοινό μέσω πώλησης χωρίς περιορισμούς, από απόθεμα σε σημεία λιανικής πώλησης με κάποιο από τους ακόλουθους τρόπους:

1. Απ’ ευθείας πώληση.

2. Πώληση δια αλληλογραφίας.

3. Ηλεκτρονικές πωλήσεις ή

4. Πωλήσεις δια τηλεφώνου.

β.

Η κρυπτογραφική λειτουργικότητά τους δεν μπορεί εύκολα να μεταβληθεί από το χρήστη.

γ.

Χρησιμοποιούνται για εγκατάσταση από το χρήστη χωρίς περαιτέρω ουσιαστική υποστήριξη από τον προμηθευτή, και

δ.

Όταν απαιτείται οι λεπτομέρειες για τα αγαθά αυτά είναι προσιτές και μπορούν να παρασχεθούν κατόπιν αιτήσεως στις αρμόδιες αρχές του κράτους μέλους στις οποίες ο εξαγωγέας είναι εγκατεστημένος προκειμένου να εξακριβωθεί η συμμόρφωση με τους όρους που περιγράφονται στις παραγράφους α. και γ. παραπάνω.

Σημ. 3: Τεχνική Σημείωση: ΑΣΦΑΛΕΙΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΩΝ Σημείωση για την κρυπτογράφηση

5A2Συστήματα, Εξοπλισμός και Δομικά Στοιχεία 5A002α. Τεχνική παρατήρηση:

Συστήματα, εξοπλισμός, ηλεκτρονικές συναρμολογήσεις που έχουν αναπτυχθεί ειδικά για εφαρμογές, ενότητες (modules) και ολοκληρωμένα κυκλώματα για ασφάλεια πληροφοριών ως εξής, καθώς και άλλα ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία για τον σκοπό αυτό: ΣΗΜ.: Για τον έλεγχο του εξοπλισμού λήψης ακριβούς θέσης από Δορυφόρο των παγκοσμίων δορυφορικών συστημάτων πλοήγησης που περιλαμβάνει ή χρησιμοποιεί αποκρυπτογράφηση (δηλ. GPS ή GLONASS), βλ. σημείο 7Α005. Η κβαντική κρυπτογραφία είναι γνωστή και ως κβαντική κατανομή κλείδας (QKD). Σημείωση: Στο σημείο 5A002 δεν υπάγονται:

5A2Συστήματα, Εξοπλισμός και Δομικά Στοιχεία 5A002α.

1. Τεχνικές Σημειώσεις:

Που να έχουν σχεδιαστεί ή να έχουν τροποποιηθεί για τη χρησιμοποίηση ψηφιακών τεχνικών που κάνουν χρήση κρυπτογράφησης και εκτελούν κρυπτογραφική λειτουργία πέραν του ελέγχου της γνησιότητας ή της ηλεκτρονικής υπογραφής και διαθέτουν οιοδήποτε των ακόλουθων χαρακτηριστικών: Σημείωση: Στο σημείο 5A002.a.1. περιλαμβάνεται ο εξοπλισμός που έχει σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί ούτως ώστε να χρησιμοποιεί κρυπτογράφηση μέσω της χρήσης αναλογικών αρχών όταν χρησιμοποιείται με ψηφιακές τεχνικές.

1. Οι λειτουργίες ελέγχου της γνησιότητας και ηλεκτρονικής υπογραφής περιλαμβάνουν συνδεδεμένη λειτουργία διαχείρισης της κλείδας.

2. Ο έλεγχος της γνησιότητας περιλαμβάνει όλες τις πτυχές του ελέγχου της πρόσβασης στην περίπτωση που δεν προβλέπεται κρυπτογράφηση αρχείων ή κειμένου εκτός από τις περιπτώσεις που άπτονται της προστασίας των κωδικών διέλευσης (passwords) των Personal Identification Numbers — Προσωπικών αριθμών αναγνώρισης (PINs) ή ανάλογων στοιχείων για την πρόληψη της άνευ αδείας πρόσβασης.

3. Η κρυπτογράφηση περιλαμβάνει τεχνικές σταθερής συμπίεσης των δεδομένων ή κωδικοποίησης.

α.

Συμμετρικό αλγόριθμο που χρησιμοποιεί μήκος κλείδας άνω των 56 bits, ή

β.

Κάθε είδος ασύμμετρου αλγορίθμου όπου η ασφάλειά του βασίζεται σε οποιαδήποτε από τις εξής μεθόδους:

1. Παραγοντοποίηση ακεραίων άνω των 512 bits (π.χ., RSA).

2. Υπολογισμός διαφορετικών λογαρίθμων σε πολλαπλασιαστική ομάδα ορισμένης περιοχής μεγαλύτερης των 512 bits (π.χ., Diffie-Hellman στην περιοχή Z/pZ), ή

3. Διαφορετικοί λογάριθμοι σε ομάδες διαφορετική από την αναφερόμενη στο σημείο 5Α002.α.1.β.2, άνω των 112 bits (π.χ., Diffie-Hellman σε ελλειπτική καμπύλη).

2. Που έχουν σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για να επιτελούν κρυπτοαναλυτικές λειτουργίες.

3. (Δεν χρησιμοποιείται).

4. Που έχουν σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για τη μείωση των επισφαλών παρασιτικών εκπομπών των σημάτων που μεταφέρουν πληροφορίες πέραν του επιπέδου που απαιτείται για την προστασία της υγείας, την ασφάλεια ή τις προδιαγραφές που αφορούν τις ηλεκτρομαγνητικές παρεμβολές.

5. Που έχουν σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για να χρησιμοποιούν μεθόδους κρυπτογράφησης ώστε να παράγουν τους κώδικες διασκορπισμού για συστήματα διασκορπισμένου φάσματος, πλην των οριζόμενων στο σημείο 5Α002.α.6., συμπεριλαμβανομένων των κωδίκων μεταπήδησης για συστήματα μεταπήδησης συχνοτήτων;

6. Που έχουν σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για να χρησιμοποιούν μεθόδους κρυπτογράφησης, ώστε να παράγουν κωδικούς κατανομής σε διαύλους, κωδικούς κρυπτογράφησης ή κωδικούς αναγνώρισης δικτύου, για συστήματα που χρησιμοποιούν τεχνικές υπερευρείας διαμορφωμένης ζώνης, και οι οποίοι έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

6. α.

Εύρος ζώνης άνω των 500 MHz, ή

β.

Κλασματικό εύρος ζώνης τουλάχιστον 20 %,

7. (Δεν χρησιμοποιείται).

8. Συστήματα τηλεπικοινωνιακών καλωδίων που έχουν σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί και χρησιμοποιούν μηχανικό, ηλεκτρικό ή ηλεκτρονικό τρόπο για να ανιχνεύουν ανεπιθύμητη παρουσία.

9. Που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για να χρησιμοποιούν κβαντική κρυπτογραφία.

5A2Συστήματα, Εξοπλισμός και Δομικά Στοιχεία 5A002α. Τεχνική παρατήρηση: α.

Προσωπικές έξυπνες κάρτες: Σημ.: Εάν μία προσωπική έξυπνη κάρτα έχει πολλαπλές λειτουργίες, η κατάσταση ελέγχου κάθε λειτουργίας αξιολογείται χώρια.

1. στις οποίες η κρυπτογραφική ικανότητα περιορίζεται για χρήση σε εξοπλισμό ή συστήματα που εξαιρούνται από τον έλεγχο δυνάμει των στοιχείων β. έως στ. της παρούσας Σημείωσης, ή

2. που προορίζονται για γενικές εφαρμογές δημόσιας χρήσης, εφόσον η κρυπτογραφική ικανότητα δεν είναι προσπελάσιμη από το χρήστη και έχει ειδικά σχεδιαστεί και περιοριστεί ώστε να επιτρέπει την προστασία των προσωπικών δεδομένων των αποθηκευμένων μέσα σ’ αυτές.

β.

Εξοπλισμός λήψης ραδιομεταδόσεων, τηλεοπτικών προγραμμάτων με πληρωμή ή παρόμοιων εκπομπών προγραμμάτων προοριζόμενων για περιορισμένο ακροατήριο καταναλωτών, χωρίς ψηφιακή κρυπτογράφηση πλην εκείνης που χρησιμοποιείται αποκλειστικά για την αποστολή της χρέωσης ή πληροφοριών σχετικά με τον προγραμματισμό στους φορείς εκπομπής.

γ.

Εξοπλισμός όπου η κρυπτογραφική δυνατότητα δεν είναι προσιτή στο χρήστη και ο οποίος έχει ειδικά σχεδιαστεί και περιορισθεί ώστε να επιτρέπει οποιαδήποτε από τις ακόλουθες λειτουργίες:

1. Εκτέλεση λογισμικού προστατευμένου κατά της αντιγραφής.

2. Πρόσβαση σε οποιαδήποτε από τα εξής:

2. α.

Περιεχόμενα προστατευμένα κατά της αντιγραφής αποθηκευμένα σε μέσα των οποίων επιτρέπεται μόνο η ανάγνωση, ή

β.

Πληροφορίες αποθηκευμένες υπό κρυπτογραφημένη μορφή σε μέσα (π.χ. σε σχέση με την προστασία των δικαιωμάτων πνευματικής ιδιοκτησίας) όταν τα μέσα διατίθενται προς πώληση στο κοινό σε όμοια σύνολα, ή

3. Έλεγχο της αντιγραφής ακουστικών και οπτικών δεδομένων τα οποία προστατεύονται όσον αφορά την πνευματική ιδιοκτησία, ή

4. Κρυπτογράφηση ή/και αποκρυπτογράφηση για την προστασία βιβλιοθηκών, χαρακτηριστικών σχεδιασμού, ή συναφών δεδομένων για το σχεδιασμό διατάξεων ημιαγωγών ή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων,

δ. Τεχνική Σημείωση:

Κρυπτογραφικός εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος και περιορισμένος για τραπεζική χρήση ή χρηματικές συναλλαγές. Οι χρηματικές συναλλαγές του σημείου 5A002. Σημ. δ. περιλαμβάνουν τη συλλογή και το συμψηφισμό λειτουργιών που αφορούν ναύλους ή τραπεζική πίστη.

ε.

Φορητά ή κινητά ραδιοτηλέφωνα για μη στρατιωτική χρήση, (π.χ. για χρήσεις στο πλαίσιο εμπορικών κυψελωτών συστημάτων ραδιοεπικοινωνιών), τα οποία δεν έχουν δυνατότητα κρυπτογράφησης από την πηγή έως τον προορισμό (end-to-end).

στ.

Ασύρματος τηλεφωνικός εξοπλισμός, χωρίς δυνατότητα κρυπτογράφησης από την πηγή, μέχρι τον προορισμό, όπου η πραγματική εμβέλεια της ασύρματης λειτουργίας χωρίς ενίσχυση (δηλαδή απλό, άνευ αναμετάδοσης άλμα μεταξύ του τερματικού και του σταθμού βάσης) σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή είναι μικρότερο των 400 μέτρων.

5B2Εξοπλισμός δοκιμών, Επιθεώρησης και Παραγωγής

5B002α. Εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιασθεί για:

5B002α.

1. Την ανάπτυξη εξοπλισμού ή λειτουργιών που καθορίζονται στα σημεία 5Α002, 5Β002, 5D002 ή 5Ε002, και όπου συμπεριλαμβάνεται εξοπλισμός μετρήσεων ή δοκιμών,

2. Την παραγωγή εξοπλισμού ή λειτουργιών που καθορίζονται στα σημεία 5Α002, 5Β002, 5D002 ή 5Ε002, όπου συμπεριλαμβάνεται εξοπλισμός μετρήσεων, δοκιμών, επιδιόρθωσης ή παραγωγής.

β.

Εξοπλισμός μετρήσεων που έχει ειδικά σχεδιασθεί για να αξιολογεί και να επικυρώνει τις λειτουργίες ασφάλειας πληροφοριών που καθορίζονται στα σημεία 5Α002 ή 5D002.

5C2Υλικά Ουδέν.

5D2Λογισμικό Σημείωση: Στο σημείο 5D002 δεν υπάγονται:

5D2Λογισμικό

5D002α. Λογισμικό που έχει ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για την ανάπτυξη, παραγωγή ή χρήση εξοπλισμού ή λογισμικού που καθορίζεται στα σημεία 5Α002, 5Β002 ή 5D002.

β.

Λογισμικό που έχει ειδικά σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί για την υποστήριξη τεχνολογίας που καθορίζεται στο σημείο 5Ε002.

γ.

Επί μέρους λογισμικό ως εξής:

1. Λογισμικό που έχει τα χαρακτηριστικά ή εκτελεί τις λειτουργίες ή προσομοιώνει τις λειτουργίες του εξοπλισμού που καθορίζεται στα σημεία 5Α002 ή 5Β002,

2. Λογισμικό για να παρέχει επικύρωση λογισμικού που καθορίζεται στο σημείο 5D002.γ.1.

α.

Λογισμικό που απαιτείται για τη χρήση εξοπλισμού που εξαιρείται από τον έλεγχο δυνάμει της Σημείωσης του σημείου 5A002,

β.

Λογισμικό που παρέχει οποιαδήποτε από τις λειτουργίες του εξοπλισμού που εξαιρείται από τον έλεγχο δυνάμει της Σημείωσης στο σημείο 5Α002.

5E2Τεχνολογία

5E002Τεχνολογία σύμφωνα με την Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την ανάπτυξη, παραγωγή ή χρήση εξοπλισμού ή λογισμικού που καθορίζεται στα σημεία 5Α002, 5Β002 ή 5D002.

ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 6 ΑΙΣΘΗΤΗΡΕΣ ΚΑΙ ΛΕΪΖΕΡ

6AΣυστήματα, εξοπλισμός και δομικά μέρη α.

1. α.

Βαθύμετρα που λειτουργούν κατακορύφως κάτω από τη συσκευή και δεν περιλαμβάνουν λειτουργία σάρωσης υπερβαίνουσα ± 20°, περιοριζόμενα στη μέτρηση του βάθους ύδατος, την απόσταση βυθισμένων ή θαμμένων αντικειμένων ή τον εντοπισμό κοπαδιών ψαριών.

β.

Ηχητικοί σηματοδότες, ως εξής:

1. Ηχητικοί σηματοδότες έκτακτης ανάγκης,

2. Σηματοδότες υποβρύχιων ηχοκυμάτων ειδικά σχεδιασμένοι για τον επανεντοπισμό ή την επιστροφή σε μια υποβρύχια θέση.

α.

Συστήματα βαθυμετρικής επισκόπησης ευρέων λωρίδων σχεδιασμένα για την τοπογραφική αποτύπωση του θαλάσσιου βυθού, που έχουν όλα τα ακόλουθα:

1. Είναι σχεδιασμένα για να λαμβάνουν μετρήσεις υπό γωνία υπερβαίνουσα τις 20° από την κατακόρυφο,

2. Είναι σχεδιασμένα για να μετρούν βάθη που υπερβαίνουν τα 600 m κάτω από την επιφάνεια του ύδατος· και

3. Είναι σχεδιασμένα για να εξασφαλίζουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

3. α.

Ενσωμάτωση πολλαπλών δεσμών, οποιαδήποτε από τις οποίες είναι κάτω του 1.9°· ή

β.

Ακρίβεια δεδομένων ανώτερη του 0,3 % του βάθους ύδατος στο πλάτος της λωρίδας, ως μέσου όρου των μεμονωμένων μετρήσεων στη λωρίδα αυτή.

β.

1. Συχνότητα εκπομπής κάτω των 10 kHz,

2. Ηχοστάθμη πίεσης υπερβαίνουσα τα 224 dΒ (τιμή αναφοράς 1 μΡa σε απόσταση 1 m) για εξοπλισμό λειτουργικής συχνότητας στη ζώνη συχνοτήτων από 10 kHz έως και τα 24 kHz,

3. Ηχοστάθμη πίεσης υπερβαίνουσα τα 235 dΒ (τιμή αναφοράς 1 μΡa σε απόσταση 1 m) για εξοπλισμό λειτουργικής συχνότητας στη ζώνη συχνοτήτων μεταξύ 24 kHz έως 30 kHz,

4. Σχηματίζουν δέσμες κάτω της 1° σε οποιοδήποτε άξονα και έχουν λειτουργική συχνότητα κάτω των 100 kHz,

5. Έχουν σχεδιασθεί για να παρέχουν καθαρή εικόνα από αποστάσεις άνω των 5,120 m· ή

997 more provisions are not shown here; each has its own address.

Versions

1. 2006-02-27