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Índice

1. Preámbulo
2. 1. Artículo 1
   2. Artículo 2
3. ANNEX
4. ANEXO
5. ANEXO I LISTA DE PRODUCTOS Y TECNOLOGÍA DE DOBLE USO [contemplada en el artículo 3 del Reglamento (CE) no 1334/2000]
6. NOTAS GENERALES AL ANEXO I 1.2.3.
7. NOTA DE TECNOLOGÍA NUCLEAR (NTN) (Deberá verse en conjunción con la sección E de la categoría 0.)
8. NOTA GENERAL DE TECNOLOGÍA (NGT) (Deberá verse en conjunción con la sección E de las categorías 1 a 9.)
9. NOTA GENERAL PARA EL EQUIPO LÓGICO (NGEL) (La presente nota tiene primacía sobre los controles de la sección D en las categorías 0 a 9.)
10. 1. a.
11. DEFINICIONES DE LOS TÉRMINOS EMPLEADOS EN EL PRESENTE ANEXO
12. pt_24 a.
13. pt_25 a.
14. pt_71 a.
15. pt_86 a.
16. pt_100 a.
17. pt_118 a.
18. pt_119 a.
19. pt_129 a.
20. pt_134 a.
21. pt_138 a.
22. pt_142 a.
23. pt_143 a
24. pt_158 a
25. pt_170 a.
26. ACRÓNIMOS Y ABREVIATURAS EMPLEADOS EN EL PRESENTE ANEXO
27. CATEGORÍA 0 MATERIALES, INSTALACIONES Y EQUIPOS NUCLEARES
28. 0ASistemas, equipos y componentes
29. 0BEquipos de ensayo, inspección y producción
30. a.
31. b.
32. c.
33. 13. a.
34. 7. a.
35. 5. a.
36. 6. a.
37. 0CMateriales a.
38. 0DEquipo lógico
39. CATEGORÍA 1 MATERIALES, SUSTANCIAS QUÍMICAS, MICROORGANISMOS Y TOXINAS
40. 1ASistemas, equipos y componentes Nota técnica:
41. 1ASistemas, equipos y componentes a.
42. 1. a.
43. 1BEquipos de ensayo, inspección y producción
44. 1CMateriales Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.
45. 1CMateriales Nota técnica: a.
46. a.
47. b.
48. c.
49. 1. Nota técnica:
50. 1. a.
51. d.
52. 1CMateriales Nota técnica: Notas técnicas:
53. 1. a.
54. 2. a.
55. 3. a.
56. 4. a.
57. 5. a.
58. 1. Nota técnica:
59. 2. Nota técnica:
60. 1CMateriales Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: a.
61. 1. a.
62. 2. a.
63. 1CMateriales Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: a.
64. 1. a.
65. 2. a.
66. a.
67. b.
68. 1CMateriales Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.
69. a.
70. b.
71. 1CMateriales Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.
72. 1. Nota técnica:
73. 2. Nota técnica:
74. 2. a.
75. 3. a.
76. 6. a.
77. 1CMateriales Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.
78. 1CMateriales Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.
79. 1CMateriales Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.
80. 1CMateriales Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica:
81. 2. a.
82. 5. a.
83. 1DEquipo lógico
84. 1ETecnología a.
85. 1. a.
86. 3. a.
87. CATEGORÍA 2 TRATAMIENTO DE LOS MATERIALES
88. 2ASistemas, equipos y componentes Nota técnica:
89. 2ASistemas, equipos y componentes a.
90. 2. a.
91. 2BEquipos de ensayo, inspección y producción Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica:
92. 2BEquipos de ensayo, inspección y producción Notas técnicas:
93. 2. a.
94. 5. a.
95. 1. a.
96. 4. a.
97. 2BEquipos de ensayo, inspección y producción Notas técnicas: Nota técnica: a.
98. 2BEquipos de ensayo, inspección y producción Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: a.
99. 1. a.
100. 2. a.
101. 1. Nota técnica:
102. 2. a.
103. 2BEquipos de ensayo, inspección y producción Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.
104. 2BEquipos de ensayo, inspección y producción Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.
105. 2BEquipos de ensayo, inspección y producción Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.
106. 1. a.
107. 2. a.
108. a.
109. b.
110. c.
111. d.
112. 2BEquipos de ensayo, inspección y producción Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.
113. 2BEquipos de ensayo, inspección y producción Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas:
114. 2BEquipos de ensayo, inspección y producción Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: a.
115. 2BEquipos de ensayo, inspección y producción Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: a.
116. 2BEquipos de ensayo, inspección y producción Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas:
117. 1. a.
118. 2DEquipo lógico
119. 2ETecnología a.
120. 1. a.
121. 2. a.
122. Tabla 1.2.3.A.B.B.1.B.2.B.3.B.4.C.D.E.F.G. Tabla — Métodos de depósito — Notas Métodos de depósito
123. 5. a.
124. a.
125. b.
126. c.
127. d.
128. e.
129. f.
130. g.
131. CATEGORÍA 3 ELECTRÓNICA
132. 3ASistemas, equipos y componentes Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica:
133. 3ASistemas, equipos y componentes a.
134. 1. a.
135. 2. a.
136. 5. Notas técnicas:
137. 5. a.
138. 6. a.
139. 7. a.
140. 10. a.
141. 11. a.
142. 12. Nota técnica:
143. 4. a.
144. 3. a.
145. 4. Nota técnica:
146. 4. a.
147. 8. a.
148. 5. Nota técnica:
149. 3ASistemas, equipos y componentes Nota técnica: a.
150. 3ASistemas, equipos y componentes Nota técnica: Nota técnica: a.
151. 3BEquipos de ensayo, inspección y producción
152. 1. a.
153. 2. a.
154. 3CMateriales a.
155. 3DEquipo lógico Nota técnica:
156. 3DEquipo lógico a.
157. 3ETecnología Nota técnica:
158. 3ETecnología
159. CATEGORÍA 4 ORDENADORES
160. 4ASistemas, equipos y componentes
161. 4BEquipos de ensayo, inspección y producción
162. 4DEquipo lógico
163. 4ETecnología
164. Nota técnica sobre el funcionamiento teórico compuesto (CTP) Abreviaturas utilizadas en la presente nota técnica
165. NOTA TÉCNICA SOBRE EL CTP
166. NOTA TÉCNICA SOBRE EL FUNCIONAMIENTO MÁXIMO AJUSTADO (APP)
167. CATEGORÍA 5 TELECOMUNICACIONES Y SEGURIDAD DE LA INFORMACIÓN
168. PRIMERA PARTE TELECOMUNICACIONES
169. 5A1Sistemas, equipos y componentes Nota técnica:
170. 5A1Sistemas, equipos y componentes
171. 5A001a.
172. 1. a.
173. 2. a.
174. 3. a.
175. 4. a.
176. 5. a.
177. 6. Notas técnicas:
178. 1. Nota técnica:
179. 5B1Equipos de ensayo, inspección y producción
180. 1. Nota técnica:
181. 2. a.
182. 5C1Materiales
183. 5D1Equipo lógico
184. 1. Nota técnica:
185. 2. a.
186. 5E1Tecnología
187. 1. Nota técnica:
188. 2. a.
189. 4. a.
190. SEGUNDA PARTE Nota 3: Nota técnica SEGURIDAD DE LA INFORMACIÓN Nota de criptografía
191. SEGUNDA PARTE Nota 3: SEGURIDAD DE LA INFORMACIÓN Nota de criptografía a.
192. 5A2Sistemas, equipos y componentes 5A002a. Nota técnica:
193. 5A2Sistemas, equipos y componentes 5A002a.
194. 1. Notas técnicas:
195. 6. a.
196. 2. a.
197. 5B2Equipos de ensayo, inspección y producción
198. 5B002a.
199. 5C2Materiales
200. 5D2Equipo lógico
201. 5E2Tecnología
202. CATEGORÍA 6 SENSORES Y LÁSERES
203. 6ASistemas, equipos y componentes a.
204. 1. a.
205. 3. a.

EL CONSEJO DE LA UNIÓN EUROPEA,

Visto el Tratado constitutivo de la Comunidad Europea y, en particular, su artículo 133,

Vista la propuesta de la Comisión,

Considerando lo siguiente:

(1) El Reglamento (CE) no 1334/2000 del Consejo exige que los productos de doble uso [incluido el equipo lógico (software) y la tecnología] se sometan a un control eficaz cuando sean exportados desde la Comunidad.

(2) Con objeto de que los Estados miembros y la Comunidad puedan cumplir sus compromisos internacionales, el anexo I del Reglamento establece la lista común de productos y tecnología de doble uso contemplada en el artículo 3 de dicho Reglamento que aplica los controles de doble uso acordados internacionalmente, incluidos los del Arreglo de Wassenaar (AW), el Régimen de Control de Tecnología de Misiles (RCTM), el Grupo de Suministradores Nucleares (GSN), el Grupo Australia (GA) y la Convención sobre las Armas Químicas (CAQ).

(3) En el artículo 11 del Reglamento se establece que los anexos I y IV se actualicen de conformidad con las correspondientes obligaciones y compromisos, y sus respectivas modificaciones, que haya asumido cada Estado miembro como miembro de los regímenes internacionales de no proliferación y de los acuerdos internacionales de control de las exportaciones, o en virtud de la ratificación de tratados internacionales pertinentes.

(4) Con objeto de tener en cuenta los cambios adoptados por el Arreglo de Wassenaar, el Grupo Australia, el Régimen de Control de Tecnología de Misiles y el GSN a raíz de las modificaciones introducidas por el Reglamento (CE) no 1504/2004, deben modificarse los anexos I y IV del Reglamento.

(5) Para facilitar las referencias a las autoridades de control de las exportaciones y a los operadores, es necesario publicar una versión actualizada y consolidada de los anexos del Reglamento

(6) El Reglamento (CE) no 1334/2000 debe modificarse en consecuencia.

HA ADOPTADO EL PRESENTE REGLAMENTO:

Artículo 1

Los anexos del Reglamento (CE) no 1334/2000 se sustituyen por el texto que figura en el anexo del presente Reglamento.

Artículo 2

El presente Reglamento entrará en vigor a los treinta días de su publicación en el Diario Oficial de la Unión Europea.

El presente Reglamento será obligatorio en todos sus elementos y directamente aplicable en cada Estado miembro. Hecho en Bruselas, el 27 de febrero de 2006. Por el Consejo La Presidenta U. Plassnik

ANNEX

ANEXO

.

ANEXO I LISTA DE PRODUCTOS Y TECNOLOGÍA DE DOBLE USO [contemplada en el artículo 3 del Reglamento (CE) no 1334/2000]

NOTAS GENERALES AL ANEXO I 1.2.3.

En relación con el control de productos diseñados o modificados para uso militar, véanse las correspondientes listas de control de material de defensa que mantienen los respectivos Estados miembros. Las referencias del presente anexo en las que figura la frase VÉASE ASIMISMO LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA hacen alusión a las mismas listas. El objeto de los controles contenidos en el presente Anexo no deberá quedar sin efecto por la exportación de bienes no controlados (incluidas las plantas) que contengan uno o más componentes controlados cuando el componente o componentes controlados sean elementos principales de los productos exportados y sea viable separarlos o emplearlos para otros fines. N.B.: A la hora de juzgar si el componente o componentes controlados deben considerarse como el elemento principal, se habrán de ponderar los factores de cantidad, valor y conocimientos tecnológicos involucrados, así como otras circunstancias especiales que pudieran determinar que el componente o componentes controlados sean elementos principales de los productos suministrados. Los productos incluidos en el presente anexo pueden ser nuevos o usados.

NOTA DE TECNOLOGÍA NUCLEAR (NTN) (Deberá verse en conjunción con la sección E de la categoría 0.)

La tecnología directamente asociada a cualquier producto controlado de la categoría 0 se controlará con arreglo a las disposiciones de la categoría 0. La tecnología para el desarrollo, la producción o la utilización de los productos sometidos a control será a su vez objeto de control, aun en el caso de que también sea aplicable a productos no sometidos a control. La licencia de exportación concedida para un producto autoriza también la exportación, al mismo usuario final, de la tecnología mínima requerida para la instalación, el funcionamiento, el mantenimiento y las reparaciones de dicho producto. Los controles de transferencia de tecnología no se aplicarán a la información de conocimiento público ni a la investigación científica básica.

NOTA GENERAL DE TECNOLOGÍA (NGT) (Deberá verse en conjunción con la sección E de las categorías 1 a 9.)

La exportación de tecnologíarequerida para el desarrollo, la producción o la utilización de productos sometidos a control incluidos en las categorías 1 a 9 se someterá a control de conformidad con lo dispuesto en las categorías 1 a 9. La tecnologíarequerida para el desarrollo, la producción o la utilización de los productos sometidos a control será a su vez objeto de control, aun en el caso de que también sea aplicable a productos no sometidos a control. No se aplicarán controles a aquella tecnología que sea la mínima necesaria para la instalación, el funcionamiento, el mantenimiento (revisión) y las reparaciones de aquellos productos no sometidos a control o cuya exportación se haya autorizado. N.B.: Esta disposición no libera la tecnología de ese tipo que figura en los subartículos 1E002.e., 1E002.f., 8E002.a. y 8E002.b. Los controles de transferencia de tecnología no se aplicarán a la información de conocimiento público, a la investigación científica básica ni a la información mínima necesaria para solicitudes de patentes.

NOTA GENERAL PARA EL EQUIPO LÓGICO (NGEL) (La presente nota tiene primacía sobre los controles de la sección D en las categorías 0 a 9.)

Las categorías 0 a 9 de esta lista no someten a control el equipo lógico (software) que cumpla al menos una de las dos condiciones siguientes:

a.

Que se halle generalmente a disposición del público por estar: N.B.: La entrada a de la Nota general para el equipo lógico (software) no libera el equipo lógico (software) especificado en la segunda parte de la categoría 5 (Seguridad de la información).

1. A la venta, sin limitaciones, en puntos de venta al por menor, por medio de:

1. a.

Transacciones en mostrador;

b.

Transacciones por correo;

c.

Transacciones electrónicas; o

d.

Transacciones por teléfono; y

2. Que esté diseñado para su instalación por el usuario sin asistencia ulterior importante del proveedor; o

b.

Sea de conocimiento público.

DEFINICIONES DE LOS TÉRMINOS EMPLEADOS EN EL PRESENTE ANEXO

Las definiciones de los términos entre comillas simples (...) se dan en la nota de Tecnología correspondiente al artículo pertinente. Las definiciones de los términos entre comillas dobles (...) son las siguientes: N.B.: La referencia a la correspondiente categoría aparece entre paréntesis tras el término definido.

Adaptado para utilización en guerra (1) significa toda modificación o selección (como alteración de la pureza, caducidad, virulencia, características de diseminación o resistencia a la radiación UV) diseñadas para aumentar la eficacia para producir bajas en personas o animales, deteriorar material o dañar las cosechas o el medio ambiente.

Aeronave civil (1 7 9) es la aeronave mencionada por su denominación en las listas de certificados de navegabilidad publicadas por las autoridades de aviación civil, por prestar servicio en líneas comerciales civiles interiores o exteriores o destinada a un uso lícito civil, privado o de negocios. N.B.: Véase también aeronave.

Aeronave (1 7 9) es un vehículo aéreo de superficies de sustentación fijas, pivotantes, rotatorias (helicóptero), de rotor basculante o de superficies de sustentación basculantes. N.B.: Véase también aeronave civil.

Aislamiento (9) se aplica a los componentes de motores de cohetes, es decir, a la carcasa, toberas, aberturas de admisión y los cierres de la carcasa, e incluye las capas de goma curada o semicurada que contengan material aislante o refractario. Puede estar incorporado también como botas o aletas de alivio de tensión.

Aleación mecánica (1) es un proceso de aleación resultante de la unión, fractura y nueva unión de polvos de aleación, (polvos elementales y polvos madre), mediante choque mecánico. Se pueden incorporar a la aleación partículas no metálicas mediante la adición de polvos apropiados.

Algoritmo asimétrico (5) es un algoritmo criptográfico que requiere diferentes claves de naturaleza matemática para el cifrado y el descifrado. N.B.: Un uso común de los algoritmos asimétricos es la gestión de clave.

Amplificación óptica (5) en las comunicaciones ópticas, es una técnica de amplificación que introduce una ganancia de señales ópticas que han sido generadas por una fuente óptica distinta, sin conversión a señales eléctricas, es decir, utilizando amplificadores ópticos de semiconductores o amplificadores luminiscentes de fibra óptica.

Analizadores de señal (3) son instrumentos capaces de medir y presentar visualmente las propiedades fundamentales de los componentes de frecuencia (tonos) de señales multifrecuencia.

Analizadores de señales dinámicas (3) son analizadores de señal que utilizan técnicas digitales de muestreo y de transformación para formar una presentación visual del espectro de Fourier de la forma de onda dada, incluida la información relativa a la amplitud y a la fase. N.B.: Véase también analizadores de señal.

Ancho de banda en tiempo real (2 3) es, en los analizadores de señales dinámicas, la gama de frecuencia más ancha que el analizador puede suministrar al visualizador o a la memoria de masa sin causar discontinuidad en el análisis de los datos de entrada. En los analizadores con más de un canal, se utilizará para el cálculo la configuración de canales que proporcione el mayor ancho de banda en tiempo real.

Ancho de banda fraccional (3) es el ancho de banda instantáneo dividido entre la frecuencia central y expresado como porcentaje.

Ancho de banda instantáneo (3 5 7) es el ancho de banda sobre el cual la potencia de salida permanece constante dentro de un margen de 3 dB sin ajuste de otros parámetros de funcionamiento.

Antena (array), orientable electrónicamente mediante ajuste de fases (5 6) es una antena que forma un haz mediante acoplamiento de fase, es decir, en la que la dirección del haz es controlada por los coeficientes de excitación complejos de los elementos radiantes y puede ser modificada en azimut, en elevación o en ambos, mediante la aplicación de una señal eléctrica, tanto en emisión como en recepción.

Asignada por la UIT (3 5) se refiere a la asignación de bandas de frecuencia, según la última edición del Reglamento de Radiocomunicaciones de la UIT, a los servicios primarios, autorizados y secundarios. N.B.: No están incluidas las asignaciones adicionales ni alternativas.

Atomización al vacío (1) es un procedimiento para reducir un flujo de metal fundido a gotas de 500 micras de diámetro o menos, por la liberación rápida de un gas disuelto, mediante la exposición al vacío.

Atomización por gas (1) es un procedimiento para reducir un flujo de aleación metálica fundida a gotas de 500 micras de diámetro o menos mediante una corriente de gas a alta presión.

Atomización rotatoria (1) es un procedimiento destinado a reducir un flujo o un depósito de metal fundido a gotas de 500 micras de diámetro o menos mediante la fuerza centrífuga.

Cable (1) es un haz de cordones (generalmente de 12 a 120) aproximadamente paralelos. N.B.:Cordón es un haz de monofilamentos (generalmente más de 200) colocados en forma aproximadamente paralela.

Cabo (1) es un haz de monofilamentos, por lo general en forma aproximadamente paralela.

Calificados para uso espacial (3 6) dícese de los productos diseñados, fabricados y ensayados para cumplir los requisitos eléctricos, mecánicos o ambientales especiales necesarios para el lanzamiento y despliegue de satélites o de sistemas de vuelo a gran altitud que operen a altitudes de 100 km o más.

CE equivale a elemento de cálculo.

CEP (círculo de igual probabilidad) (7) es una medida de exactitud; círculo centrado en el blanco, con radio de alcance determinado, en el que hacen impacto el 50 % de la carga útil.

Cinta (1) es un material construido de monofilamentos, cordones, cables, cabos o hilos, etc., entrelazados o unidireccionales, generalmente preimpregnados con resina. N.B.:Cordón es un haz de monofilamentos (generalmente más de 200) colocados en forma aproximadamente paralela.

Circuito integrado híbrido (3) es cualquier combinación de circuitos integrados, o un circuito integrado que contenga elementos de circuito o componentes discretos conectados entre sí para realizar una o varias funciones específicas, y que reúna todas las características siguientes: N.B. 1:Elemento de circuito: una sola pieza funcional activa o pasiva de un circuito electrónico, como un diodo, un transistor, una resistencia, un condensador, etc. N.B. 2:Componente discreto: elemento de circuito encapsulado por separado, con sus propias conexiones exteriores.

pt_24 a.

Contener al menos un dispositivo no encapsulado;

b.

Estar conectados entre sí por medio de métodos típicos de producción de circuitos integrados (IC);

c.

Ser sustituibles como una sola entidad; y

d.

Normalmente no ser desensamblables.

Circuito integrado monolítico (3) es una combinación de elementos de circuito pasivos, activos o de ambos tipos que: N.B.:Elemento de circuito es una sola pieza funcional activa o pasiva de un circuito electrónico, como un diodo, un transistor, una resistencia, un condensador, etc.

pt_25 a.

Se fabriquen mediante procesos de difusión, de implantación o de depósito, resultando en una sola pieza de material semiconductor, denominada pastilla o chip;

b.

Se consideren asociados de modo indivisible; y

c.

Realicen la función o funciones de un circuito.

Circuito integrado multipastilla (3) es un conjunto de dos o más circuitos integrados monolíticos fijados a un sustrato común.

Circuito integrado óptico (3) es un circuito integrado monolítico o circuito integrado híbrido que contiene una o más piezas diseñadas para funcionar como fotosensor o fotoemisor, o para realizar una o varias funciones ópticas o electroópticas.

Circuito integrado pelicular (3) es un conjunto de elementos de circuito y de interconexiones metálicas formado por depósito de una capa delgada o gruesa sobre un sustrato aislante. N.B.:Elemento de circuito es una sola pieza funcional activa o pasiva de un circuito electrónico, como un diodo, transistor, resistencia, condensador, etc.

Código fuente (o lenguaje fuente) (4 6 7 9) es la expresión adecuada de uno o varios procesos que puede convertirse en forma ejecutable por el equipo [código objeto (o lenguaje objeto)] mediante un sistema de programación.

Código objeto (9) es una forma ejecutable por el equipo de una expresión adecuada de uno o varios procesos [código fuente (o lenguaje fuente)] que ha sido convertido mediante un sistema de programación.

Compresión de impulso (6) es la codificación y procesado de un impulso de señal de radar de larga duración a un impulso de corta duración, conservando las ventajas de una elevada energía del impulso.

Conformación superplástica (1 2) es un procedimiento de deformación en el que se utiliza calor para metales que se caracterizan normalmente por valores de alargamiento bajos (menos del 20 %) en el punto de ruptura, determinado a temperatura ambiente de acuerdo con los ensayos convencionales de resistencia a la tracción, con objeto de conseguir durante el tratamiento alargamientos de al menos el doble de dichos valores.

Conjunto de guiado (7) son sistemas que integran el proceso de medida y cómputo de la posición y la velocidad de un vehículo (es decir, la navegación) con el de computación y envío de órdenes al sistema de control de vuelo del vehículo, para la corrección de su trayectoria.

Conjunto de plano focal (6) significa una capa planar lineal o bidimensional, de elementos detectores individuales, con o sin lectura electrónica, que funciona en el plano focal. N.B.: Lo anterior no incluye las pilas de elementos detectores simples ni las de dos, tres o cuatro elementos detectores siempre que no se realice en dichos elementos retardo e integración.

Conjunto de sensores ópticos de control de vuelo (7) es una red de sensores ópticos distribuidos, que utiliza rayos láser para suministrar datos de control de vuelo en tiempo real para su tratamiento a bordo

Conjunto electrónico (2 3 4 5) es un grupo de componentes electrónicos (elementos de circuitos, componentes discretos, circuitos integrados, etc.) conectados juntos para realizar una o varias funciones específicas, sustituibles conjuntamente y por lo general desmontables. N.B. 1:Elemento de circuito una sola pieza funcional activa o pasiva de un circuito electrónico, como un diodo, un transistor, una resistencia, un condensador, etc. N.B. 2:Componente discreto: elemento de circuito encapsulado por separado, con sus propias conexiones exteriores.

Conmutación óptica (5) es el encaminamiento o conmutación de las señales en forma óptica sin conversión a señales eléctricas.

Constante de tiempo (6) es el tiempo transcurrido entre la aplicación de un estímulo y el momento en que el aumento de corriente alcanza un valor de 1-1/e) veces el valor final (es decir, el 63 % del valor final).

Control de contorneado (2) se realiza mediante dos o más movimientos controlados numéricamente ejecutados siguiendo instrucciones que especifican la siguiente posición requerida y las velocidades de avance necesarias hacia esa posición. Estas velocidades de avance varían unas con respecto a otras con el fin de producir el contorno deseado (Ref. ISO/DIS 2806-1980).

Control digital del motor con plena autoridad (FADEC) (7 9) es un sistema electrónico de control para turbinas de gas o máquinas de ciclo combinado que utilizan un ordenador digital para controlar las variables necesarias para regular el empuje de la máquina o la potencia de salida en el eje en todo el régimen de funcionamiento de la máquina desde el comienzo de la dosificación del combustible hasta el cierre de la entrada de combustible.

Control numérico (2) es el control automático de un proceso realizado por un dispositivo que utiliza datos numéricos introducidos, por lo general, durante el funcionamiento (Ref. ISO 2382).

Control principal de vuelo (7) es el control de estabilidad o de maniobra de una aeronave mediante generadores de fuerza/momento, es decir, superficies de control aerodinámico o vectorización de empuje de propulsión.

Control total de vuelo (7) es un control automático de las variables de situación y de la trayectoria de vuelo de una aeronave para el cumplimiento de misiones objetivas, que responde en tiempo real a los cambios de los datos correspondientes a los objetivos, riesgos u otra aeronave.

Controlador de acceso a la red (4) es una interfaz física con una red de conmutación distribuida. Utiliza un soporte común que funciona a la misma tasa de transferencia digital empleando el arbitraje [por ejemplo, detección de señal (token) o de portadora] para la transmisión. Con independencia de cualquier otro dispositivo, selecciona los paquetes de datos o los grupos de datos (por ejemplo, IEEE 802) a él dirigidos. Es un conjunto que puede integrarse en equipos informáticos o de telecomunicaciones para proporcionar el acceso a las comunicaciones.

Controlador del canal de comunicaciones (4) es la interfaz física que controla el flujo de información digital síncrona o asíncrona. Se trata de un conjunto que puede integrarse en un equipo informático o de telecomunicaciones para proporcionar el acceso a las comunicaciones.

Criptografía (5) es la disciplina que engloba los principios, medios y métodos para la transformación de los datos con el fin de ocultar su contenido informativo, impedir la no detección de modificaciones o impedir su uso no autorizado. La Criptografía se limita a la transformación de información utilizando uno o varios parámetros secretos (por ejemplo, variables criptográficas) o la gestión de clave asociada. N.B.:Parámetro secreto: constante o clave mantenida oculta a otras personas o compartida únicamente en el seno de un grupo.

Criptografía cuántica (5) es un conjunto de técnicas para establecer claves compartidas de la criptografía mediante la medición de propiedades de la mecánica cuántica de su sistema físico (incluidas las propiedades físicas regidas específicamente por la óptica cuántica, la teoría cuántica o la electrodinámica cuántica).

CTP equivale a funcionamiento teórico compuesto.

Cultivos vivos aislados (1) incluye cultivos vivos en forma latente y en preparaciones en seco.

De conocimiento público (NGT, NTN, NGEL), en el marco del presente documento, dícese de la tecnología o equipo lógico (software) divulgados sin ningún tipo de restricción para su difusión posterior (las restricciones derivadas del derecho de propiedad intelectual no impiden que la tecnología o el equipo lógico (software) se consideren de conocimiento público).

Densidad de corriente global (3) es el número total de amperios-vuelta de la bobina (es decir, el sumatorio de las corrientes máximas transportadas por cada espira) dividido por la sección transversal total de la bobina (incluidos los filamentos superconductores, la matriz metálica en la que van incorporados los filamentos superconductores, el material de encapsulado, canales de refrigeración, etc.).

Densidad equivalente (6) es la masa de un (componente) óptico por unidad de área óptica proyectada sobre la superficie óptica.

Densificación isostática en caliente (2) es el procedimiento en el que se somete a presión una pieza de fundición a temperatura superior a 375 K (102 °C) en un recinto cerrado, por diferentes medios (gas, líquido, partículas sólidas, etc.), para generar una fuerza de igual intensidad en todas las direcciones encaminada a reducir o eliminar los rechupes (cavidades) de la pieza de fundición.

Desarrollo (NGT, NTN, TODO) es el conjunto de las etapas previas a la producción en serie, tales como: diseño, investigación de diseño, análisis de diseño, conceptos de diseño, montaje y ensayo de prototipos, esquemas de producción piloto, datos de diseño, proceso de transformación de los datos de diseño en un producto, diseño de configuración, diseño de integración, planos.

Desplazamiento axial periódico longitudinal (camming) (2) es el desplazamiento longitudinal del husillo principal durante una rotación de éste, medido en un plano perpendicular a la cara del husillo en un punto próximo a la circunferencia de la cara del husillo (Ref. ISO 230/1-1986, párrafo 5.63).

Desplazamiento axial periódico radial (descentrado) (run out) (2) es el desplazamiento radial del husillo principal durante una rotación de éste, medido en un plano perpendicular al eje del husillo en un punto de la superficie rotativa externa o interna a verificar (Ref. ISO 230/1-1986, párrafo 5.61).

Desviación de posición angular (2) es la diferencia máxima entre la posición angular y la posición angular real, medida con gran exactitud, después de que el portapieza de la mesa se haya desplazado con respecto a su posición inicial (Ref. VDI/VDE 2617, Borrador: Mesas rotativas de las máquinas de medida de coordenadas).

Distancia medida con instrumentos (6) significa la medida por un radar, una vez resuelta la ambigüedad.

Duración de impulso (6) es la anchura total (duración) de un impulso láser medida al nivel de intensidad mitad (FWHI).

Efectores terminales (2). Los efectores terminales son las garras, las herramientas activas y cualquier otra herramienta que se fije en la placa base del extremo del brazo manipulador de un robot. N.B.: Una herramienta activa es un dispositivo destinado a aplicar a la pieza de trabajo la fuerza motriz, la energía necesaria para el proceso o los sensores.

Elemento de cálculo (CE) (4) es la unidad de cálculo más pequeña que produce un resultado aritmético o lógico.

Elemento principal (4), en lo que se refiere a la categoría 4, es un elemento cuyo valor de sustitución supera el 35 % del valor total del sistema del que forma parte. El valor del elemento es el precio pagado por éste por el fabricante o el integrador del sistema. El valor total es el precio de venta internacional normal a clientes que no tengan relación con el vendedor, en el punto de fabricación o en el punto de consolidación de la expedición.

Encaminamiento adaptativo dinámico (5) es el reencaminamiento automático del tráfico basado en la detección y el análisis de las condiciones presentes y reales de la red. N.B.: No incluye las decisiones de encaminamiento tomadas en función de una información predefinida.

Enfriamiento brusco por colisión y rotación (1) es un proceso para solidificar rápidamente un chorro de metal fundido mediante la colisión contra un bloque enfriado en rotación, para obtener un producto en forma de escamas, cintas o varillas. N.B.:Solidificar rápidamente: solidificar material fundido a velocidades de enfriamiento superiores a 1000 K/s.

Enfriamiento brusco por impacto (1) es un procedimiento para solidificar rápidamente un chorro de metal fundido mediante el impacto contra un bloque enfriado, para obtener un producto en forma de escamas. N.B.:Solidificar rápidamente: solidificar material fundido a velocidades de enfriamiento superiores a 1000 K/s.

Entremezclado (1) es la mezcla, filamento a filamento, de fibras termoplásticas y de fibras de refuerzo a fin de producir una mezcla matriz de refuerzo fibroso en forma totalmente fibrosa.

Equipo de producción (1 7 9) son las herramientas, plantillas, utillaje, mandriles, moldes, matrices, utillaje de sujeción, mecanismos de alineación, equipo de ensayos, la restante maquinaria y componentes para ellos, limitados a los diseñados especialmente o modificados para el desarrollo o para una o más fases de la producción.

Equipo lógico (software) (NGEL, TODO) es una colección de uno o más programas o microprogramas fijada a cualquier soporte tangible de expresión. N.B.:microprograma es una secuencia de instrucciones elementales, contenidas en una memoria especial, cuya ejecución se inicia mediante la introducción de su instrucción de referencia en un registro de instrucción.

Espectro ensanchado (5) es una técnica mediante la cual la energía de un canal de comunicaciones de banda relativamente estrecha se extiende sobre un espectro de energía mucho más ancho.

Espectro ensanchado en radar (6): ver radar, espectro ensanchado.

Espejos deformables (6) (También conocidos como espejos de óptica adaptativa) significa espejos que tengan:

pt_71 a.

Una única superficie continua reflectora óptica que es dinámicamente deformada por la aplicación de pares o fuerzas individuales para compensar las distorsiones de las ondas ópticas que incidan en el espejo; o

b.

Elementos ópticos reflectantes múltiples que pueden ser individual y dinámicamente reposicionados mediante la aplicación de pares o fuerzas para compensar las distorsiones de las ondas ópticas que incidan en el espejo.

Estabilidad (7) es la desviación típica (1 sigma) de la variación de un parámetro determinado respecto de su valor calibrado, medido en condiciones de temperatura estables. Puede expresarse en función del tiempo.

Estado participante (7 9) significa un Estado que participa en el Arreglo Wassenaar. (Véase www.wassenaar.org).

Estados Parte/Estados que no son Parte son aquellos Estados en que ha entrado en vigor/no ha entrado en vigor la Convención sobre la Prohibición del Desarrollo, la Producción, el Almacenamiento y el Empleo de Armas Químicas y sobre su destrucción (Véase www.opcw.org).

Exactitud (2 6) medida generalmente, por referencia a la inexactitud, es la desviación máxima, positiva o negativa, de un valor indicado con respecto a un patrón aceptado o a un valor verdadero.

Extracción en fusión (1) es un proceso utilizado para solidificar rápidamente y extraer una aleación en forma de cinta mediante la inserción de un segmento corto de un bloque frío en rotación, en un baño de una aleación metálica fundida. N.B.:Solidificar rápidamente: solidificar un material fundido a velocidades de enfriamiento superiores a 1000 K/s.

Factor de escala (giroscopio o acelerómetro) (7) es la relación entre un cambio en la salida y un cambio en la entrada a medir. El factor de escala se evalúa generalmente como la pendiente de la línea recta que puede ajustarse por el método de los mínimos cuadrados a los datos de entrada-salida obtenidos haciendo variar la entrada de manera cíclica sobre la gama de entrada.

FADEC equivale a control digital del motor con plena autoridad.

Fijo (5) dícese del algoritmo de codificación o de compresión que no puede aceptar parámetros suministrados desde el exterior (por ejemplo, variables criptográficas o de claves) y no puede ser modificado por el usuario.

Forro protector (9) es apropiado para la interfaz de unión entre el propulsante sólido y la cámara, o el aislante. Normalmente se trata de una dispersión de materiales refractarios o aislantes en una base polímera líquida, por ejemplo polibutadieno con grupos terminales hidroxílicos (HTPB) cargado con carbono, u otro polímero con agentes de curado añadidos, pulverizado o colocado por tiras en el interior de la carcasa.

Funcionamiento teórico compuesto (CTP) (3 4) es la medida de la capacidad computacional expresada en millones de operaciones teóricas por segundo (Mtops), calculada utilizando la agregación de los elementos de cálculo (CEs). N.B.: Ver Nota técnica en la categoría 4.

Geográficamente dispersos (6) se usa cuando cada emplazamiento dista más de 1500 m de cualquier otro, en cualquier dirección. Los sensores móviles se consideran siempre geográficamente dispersos.

Gestión de potencia (7) es la modificación de la potencia transmitida de la señal del altímetro de manera que la potencia recibida a la altitud de la aeronave esté siempre al nivel mínimo necesario para determinar la altitud.

Gradiómetro magnético intrínseco (6) es un elemento individual de detección de gradiente de campo magnético y la electrónica asociada, cuya salida es una medida del gradiente de campo magnético. N.B.: Véase también gradiómetro magnético.

Gradiómetros magnéticos (6) son instrumentos diseñados para detectar la variación espacial de los campos magnéticos procedentes de fuentes exteriores al instrumento. Constan de múltiples magnetómetros y su electrónica asociada, cuya salida es una medida del gradiente de campo magnético. N.B.: Véase también gradiómetro magnético intrínseco.

Gramo efectivo (0 1) de un material fisionable especial equivale a:

pt_86 a.

En el caso de isótopos de plutonio y de uranio-233, el peso del isótopo en gramos;

b.

En el caso de uranio enriquecido al 1 por ciento o más en el isótopo uranio-235, el peso del elemento en gramos, multiplicado por el cuadrado de su enriquecimiento expresado como fracción decimal del peso;

c.

En el caso de uranio enriquecido a menos del 1 por ciento en el isótopo uranio-235, el peso del elemento en gramos, multiplicado por 0,0001.

Hilo (1) es un haz de cordones retorcidos. N.B.:Cordón es un haz de monofilamentos (generalmente más de 200) colocados en forma aproximadamente paralela.

Husillo basculante (2) es un husillo portaherramientas que modifica, durante el proceso de mecanizado, la posición angular de su eje de referencia con respecto a cualquier otro eje.

Incertidumbre de medida (2) es el parámetro característico que especifica, con un grado de confianza del 95 %, la escala alrededor del valor de salida en la que se sitúa el valor correcto de la variable a medir. Este parámetro incluye las desviaciones sistemáticas no corregidas, el juego no corregido y las desviaciones aleatorias (Ref. ISO 10360-2, o VDI/VDE 2617).

Inmunotoxina (1) es la conjugación de un anticuerpo monoclonal específico de célula y una toxina o subunidad de toxina, que afecta selectivamente a las células enfermas.

Investigación científica básica (NGT, NTN) es la labor experimental o teórica emprendida principalmente para adquirir nuevos conocimientos sobre los principios fundamentales de fenómenos o hechos observables y que no se orienten primordialmente hacia un fin u objetivo práctico específico.

Láser de conmutación de Q (6) es un láser en el cual la energía se almacena en invertir la población o en el resonador óptico y seguidamente se emite en un impulso.

Láser de potencia super alta (SHPL) (6) es un láser capaz de emitir (la totalidad o una parte) una energía de salida que exceda de 1 kJ dentro de 50 ms o que tenga una potencia media o en ondas continuas superior a 20 kW.

Láser de transferencia (6) es un láser excitado por una transferencia de energía obtenida por la colisión de un átomo o una molécula que no produce efecto láser con un átomo o una molécula que produce efecto láser.

Láser químico (6) es un láser en el cual los agentes activos son excitados por la energía emanada de una reacción química.

Láser (0 2 3 5 6 7 8 9) es un conjunto de componentes que producen luz coherente en el espacio y en el tiempo amplificada por emisión estimulada de radiación. N.B.: Véase también:

Láser químico

Láser de conmutación de Q

Láser de potencia super alta

Láser de transferencia

Linealidad (2) (Se mide generalmente por referencia a la no linealidad) es la desviación máxima de la característica real (media de las lecturas en el sentido ascendente y descendente de la escala), positiva o negativa, con respecto a una línea recta situada de manera que se igualen y reduzcan al mínimo las desviaciones máximas.

Magnetómetros (6) son instrumentos diseñados para detectar campos magnéticos procedentes de fuentes exteriores al instrumento. Constan de un elemento individual de detección de campo magnético y su electrónica asociada, cuya salida es una medida del campo magnético.

Materiales compuestos (composites) (1 2 6 8 9) son el conjunto de una matriz y una o varias fases adicionales constituidas por partículas, triquitos, fibras o cualquier combinación de ellas, presentes para uno o varios fines específicos.

Materiales fibrosos o filamentosos (0 1 2 8) incluyen:

pt_100 a.

Monofilamentos continuos;

b.

Hilos y cables continuos;

c.

Cintas, tejidos, esterillas irregulares y trenzados;

d.

Mantas de fibras picadas, fibrana y fibras aglomeradas;

e.

Triquitos monocristalinos o policristalinos de cualquier longitud;

f.

Pulpa de poliamida aromática.

Materiales fisionables especiales (0) son el plutonio-239, el uranio-233, el uranio enriquecido en los isótopos 235 o 233 y cualquier material que contenga los anteriores.

Materiales resistentes a la corrosión por UF6 (0) pueden ser el cobre, acero inoxidable, aluminio, óxido de aluminio, aleaciones de aluminio, níquel o aleaciones que contengan un 60 por ciento de su peso o más de níquel y polímeros de hidrocarburos fluorados resistentes al hexafluoruro de uranio, según exija el tipo de proceso de separación.

Matriz (1 2 8 9) es una fase sustancialmente continua que rellena el espacio entre las partículas, los triquitos o las fibras.

Medios de producción (7 9) son los equipos y el equipo lógico (software) diseñado especialmente para ellos que estén integrados en instalaciones para el desarrollo o para una o más fases de la producción.

Memoria principal (4) es la memoria primaria de datos o instrucciones para acceso rápido desde la unidad central de proceso. Consta de la memoria interna de un ordenador digital y cualquier ampliación jerárquica de la misma, como la memoria cache o ampliaciones de memoria de acceso no secuencial.

Mesa rotativa compuesta (2) es una mesa que permite a la pieza girar e inclinarse alrededor de dos ejes no paralelos, que pueden coordinarse simultáneamente para el control de contorneado.

Mezcla química (1) es un producto sólido, líquido o gaseoso, formado por dos o más componentes que no reaccionan entre sí en las condiciones en que se almacena la mezcla.

Microcircuito de microordenador (3) es un circuito integrado monolítico o circuito integrado multipastilla que contiene una unidad aritmética lógica (ALU) capaz de ejecutar instrucciones de propósito general almacenadas en una memoria interna, sobre datos obtenidos en la memoria interna. N.B.: La memoria interna puede ser ampliada por un almacenamiento externo.

Microcircuito de microprocesador (3) es un circuito integrado monolítico o circuito integrado multipastilla que contiene una unidad aritmética lógica (ALU) capaz de ejecutar unas series de instrucciones de propósito general almacenadas en un almacenamiento externo. N.B. 1: Aunque el microcircuito de microprocesador no contiene normalmente una memoria integral accesible por el usuario, durante la realización de sus funciones lógicas puede utilizar dicha memoria interna. N.B. 2: Se incluyen conjuntos de pastillas (chips) que están diseñados para operar juntos para proveer las funciones de un microcircuito de microprocesador.

Microorganismos (1 2) son bacterias, virus, micoplasmas, rickettsias, clamidias u hongos, bien naturales, potenciados o modificados, o en forma de cultivos vivos aislados o como material que incluya materia viva que haya sido deliberadamente inoculado o contaminado con estos cultivos.

Misiles (1 3 6 7 9) son sistemas completos de cohetes y sistemas de vehículos aéreos no tripulados, capaces de llevar, al menos, una carga útil de 500 kg a una distancia de, al menos, 300 kms.

Módulo específico (0 1 9) es el módulo de Young en pascales, equivalente a N/m2 divididos por el peso específico en N/m3, medido a una temperatura de (296 ± 2) K [(23 ± 2) °C] y a una humedad relativa del (50 ± 5)%.

Monofilamento (1) o filamento es el incremento más pequeño de fibra, generalmente de varias micras de diámetro.

Necesaria (NGT 1-9) aplicado a la tecnología o equipo lógico (software), se refiere únicamente a la parte específica de la tecnología o del equipo lógico (software) que es particularmente responsable de alcanzar o sobrepasar los niveles de prestaciones, características o funciones sometidos a control. Tales tecnología o equipo lógico (software) necesarios pueden ser comunes a diferentes productos.

Nivel de ruido (6) es una señal eléctrica expresada en función de la densidad espectral de potencia. La relación entre el nivel de ruido expresado en valor pico a pico viene dada por la fórmula siguiente: S2pp = 8No(f2–f1), siendo Spp el valor pico a pico de la señal (por ejemplo, nanoteslas), No la densidad espectral de potencia [por ejemplo, (nanotesla)2/Hz] y (f2–f1) la anchura de banda de interés.

Optimización de la ruta de vuelo (7) es el procedimiento que reduce al mínimo las desviaciones de una trayectoria deseada en cuatro dimensiones (espacio y tiempo) basándose en el mejor funcionamiento o mejor eficacia para cumplir una misión.

Ordenador de conjunto sistólico (4) es un ordenador en el que el flujo y la modificación de los datos son controlables dinámicamente por el usuario a nivel de puerta lógica.

Ordenador digital (4 5) es el equipo que puede, en forma de una o más variables discretas, realizar todas las operaciones siguientes: N.B.: Las modificaciones de una secuencia de instrucciones almacenadas incluyen la sustitución de dispositivos fijos de memoria, pero no el cambio físico del cableado o las interconexiones.

pt_118 a.

Aceptar datos;

b.

Almacenar datos o instrucciones en dispositivos de almacenamiento fijos o alterables (por escritura);

c.

Procesar datos con ayuda de una secuencia de instrucciones almacenadas modificables; y

d.

Proporcionar datos de salida.

Ordenador híbrido (4) es el equipo que puede realizar todas las operaciones siguientes:

pt_119 a.

Aceptar datos;

b.

Procesar datos, en representación analógica o digital; y

c.

Proporcionar datos de salida.

Ordenador neuronal (4) es un dispositivo de cómputo diseñado o modificado para imitar el comportamiento de una neurona o de un grupo de neuronas, es decir, que se distingue por su capacidad (en hardware) de modular los pesos y los números de las interconexiones de múltiples componentes de cómputo basándose en datos anteriores.

Ordenador óptico (4) es un ordenador diseñado o modificado con objeto de utilizar la luz para representar los datos y cuyos elementos lógicos de cómputo se basan en dispositivos ópticos acoplados directamente.

Pistas producidas por el sistema (6) es el informe actualizado de la posición de vuelo de un avión, procesado, correlacionado (fusión de datos relativos a los blancos de radar con respecto a las posiciones del plan de vuelo), disponible a los controladores del centro de control del tráfico aéreo.

Píxel activo (6 8) es el elemento mínimo (único) de un conjunto de estado sólido que tenga una función de transferencia, fotoeléctrica, cuando está expuesto a una radiación luminosa (electromagnética).

Potencia de pico (6) es la energía de un impulso en julios, dividida por la duración del impulso en segundos.

Preformas de fibra de carbono (1) son un conjunto ordenado de fibras revestidas o no destinadas a constituir el marco de una parte antes de que se introduzca la matriz para formar un material compuesto.

Prensado hidráulico por acción directa (2) es un procedimiento de deformación que utiliza una vejiga flexible llena de líquido, que se pone en contacto directo con la pieza a prensar.

Prensas isostáticas (2) son equipos capaces de presurizar una cavidad cerrada, por diversos medios (gas, líquido, partículas sólidas, etc.), con objeto de generar dentro de ésta una presión igual en todas las direcciones sobre una pieza o un material a prensar.

Previamente separado (0 1) se dice de la aplicación de cualquier proceso tendente a aumentar la concentración del isótopo controlado.

Proceso de múltiples flujos de datos (4) es la técnica de microprograma o arquitectura de equipo que permite el proceso simultáneo de dos o más secuencias de datos bajo el control de una o más secuencias de instrucciones por medios como: N.B.:Microprograma es una secuencia de instrucciones elementales, contenidas en una memoria especial, cuya ejecución se inicia mediante la introducción de su instrucción de referencia en un registro de instrucción.

pt_129 a.

Arquitectura de instrucción única para datos múltiples (SIMD) tales como los procesadores vectoriales o conjuntos de ordenadores;

b.

Arquitectura de múltiples instrucciones únicas para datos múltiples (MSIMD);

c.

Arquitectura de instrucciones múltiples para datos múltiples (MIMD), incluidas las que están estrechamente acopladas, relativamente acopladas o ligeramente acopladas; o

d.

Conjuntos estructurados de elementos de proceso, incluidos los conjuntos sistólicos.

Proceso de señales (3 4 5 6) es el proceso de señales, derivadas externamente, que contienen información, por medio de algoritmos como compresión de tiempo, filtrado, extracción, selección, correlación, convolución o transformaciones entre dominios (por ejemplo, transformada rápida de Fourier o transformada de Walsh).

Proceso en tiempo real (6 7) es el proceso de datos por un sistema informático, que proporciona un nivel requerido de servicio en función de los recursos disponibles y en un tiempo de respuesta garantizado, sin considerar la carga del sistema, cuando es estimulado por un suceso externo.

Producción (NGT, NTN, TODO) es un término que abarca todas las fases de la producción tales como: construcción, ingeniería de productos, fabricación, integración, ensamblaje (montaje), inspección, ensayos y garantía de calidad.

Programa (2 6) es una secuencia de instrucciones para llevar a cabo un proceso, en, o convertible a, una forma ejecutable por un ordenador electrónico.

Programabilidad accesible al usuario (6) es la aptitud del sistema que permite que el usuario inserte, modifique o sustituya programas por medios distintos de:

pt_134 a.

El cambio físico del cableado o las interconexiones; o

b.

El establecimiento de controles de función, incluida la introducción de parámetros.

Radar, agilidad de frecuencia (6) es cualquier técnica por medio de la cual la frecuencia portadora de un emisor radar pulsante se modifica siguiendo una secuencia seudoaleatoria, entre impulsos o grupos de impulsos, en una cantidad igual o mayor que la anchura de banda del impulso.

Radar, espectro ensanchado (6) es cualquier técnica de modulación para extender la energía de una señal de una anchura de banda relativamente estrecha a una anchura de banda de frecuencias mucho mayor, usando un código aleatorio o seudoaleatorio.

Reactor nuclear (0) significa los dispositivos que se encuentran en el interior de la vasija del reactor o que están conectados directamente con ella, el equipo que controla el nivel de potencia en el núcleo, y los componentes que normalmente contienen el refrigerante primario del núcleo del reactor o que están directamente en contacto con dicho refrigerante o lo regulan.

Red de área local (4) es un sistema de comunicación de datos que tiene las características siguientes: N.B.:Equipo de datos es un equipo capaz de transmitir o recibir secuencias de información digital.

pt_138 a.

Permite la intercomunicación directa de un número arbitrario de equipos de datos independientes; y

b.

Está limitado a un ámbito geográfico de tamaño moderado (por ejemplo, edificio de oficinas, planta, campus, almacenes).

Resaltado de imagen (4) es el procesado de imágenes exteriores portadoras de información por medio de algoritmos tales como compresión de tiempos, filtrado, extracción, selección, correlación, convolución o transformaciones entre dominios (por ejemplo, transformada rápida de Fourier o transformada de Walsh). No se incluyen los algoritmos que sólo utilizan la transformación lineal o angular de una sola imagen, tales como la traslación, la extracción de características, el registro o la falsa coloración.

Resistencia específica a la tracción (0 1 9) es la resistencia a la tracción en pascales, equivalente a N/m2 divididos por el peso específico en N/m3, medido a una temperatura de (296 ± 2) K [(23 ± 2) °C] y una humedad relativa del (50 ± 5) %.

Resolución (2) es el incremento más pequeño de un dispositivo de medida, en instrumentos digitales, el bit menos significativo (Ref. ANSI B-89.1.12).

Retardo por propagación en la puerta básica (3) es el valor del retardo por propagación correspondiente a la puerta básica utilizada en un circuito integrado monolítico. Este valor puede especificarse, para una familia de circuitos integrados monolíticos, como retardo por propagación por puerta típica dentro de la familia considerada, o como retardo de propagación típico por puerta dentro de la misma familia. N.B. 1: No se debe confundir el retardo por propagación en la puerta básica con el retardo por entrada/salida de un circuito integrado monolítico complejo. N.B. 2:Familia: consiste en todos los circuitos integrados que tienen en común todos los elementos siguientes en el método de fabricación y en las especificaciones, con excepción de sus funciones respectivas:

pt_142 a.

Arquitectura de equipo físico (hardware) y de equipo lógico (software);

b.

Diseño y tecnología de procesos;

c.

Características básicas.

Robot (2 8) es un mecanismo de manipulación que puede ser del tipo de trayectoria continua o de la variedad punto a punto, puede utilizar sensores, y reúne todas las características siguientes: N.B.: La definición anterior no incluye los dispositivos siguientes:

pt_143 a

Es multifuncional;

b.

Es capaz de posicionar u orientar materiales, piezas, herramientas o dispositivos especiales mediante movimientos variables en un espacio tridimensional;

c.

Cuenta con tres o más servomecanismos de bucle abierto o cerrado, con la posible inclusión de motores paso a paso; y

d.

Está dotado de programabilidad accesible al usuario por el método de aprendizaje/reproducción o mediante un ordenador electrónico que puede ser un controlador lógico programable, es decir, sin intervención mecánica.

1. Mecanismos de manipulación que sólo se controlen de forma manual o por teleoperador;

2. Mecanismos de manipulación de secuencia fija que constituyan dispositivos móviles automatizados que funcionen de acuerdo con movimientos programados definidos mecánicamente. El programa estará limitado mecánicamente por medio de topes fijos del tipo de vástagos o levas. La secuencia de los movimientos y la selección de las trayectorias o los ángulos no serán variables ni modificables por medios mecánicos, electrónicos o eléctricos;

3. Mecanismos de manipulación de secuencia variable controlados mecánicamente que constituyan dispositivos móviles automatizados, que funcionen de acuerdo con movimientos fijos programados mecánicamente. El programa estará limitado mecánicamente por medio de topes fijos, pero regulables, del tipo de vástagos o levas. La secuencia de movimientos y la selección de las trayectorias o los ángulos son variables en el marco de la configuración fija programada. Las variaciones o modificaciones de la configuración programada (por ejemplo, el cambio de vástagos o de levas) en uno o varios ejes de movimiento, se efectúan exclusivamente mediante operaciones mecánicas;

4. Mecanismos de manipulación de secuencia variable sin servocontrol que constituyan dispositivos móviles automatizados, que funcionen de acuerdo con movimientos fijos programados mecánicamente. El programa será variable, pero la secuencia solo avanzará en función de una señal binaria procedente de dispositivos binarios eléctricos fijados mecánicamente o topes regulables;

5. Grúas apiladoras definidas como sistemas manipuladores por coordenadas cartesianas, construidos como partes integrantes de un conjunto vertical de estanterías de almacenamiento y diseñados para acceder al contenido de dichas estanterías para depositar o retirar.

Salto de frecuencia (5) una forma de espectro ensanchado en la que la frecuencia de la transmisión de un canal básico de comunicaciones se cambia mediante una secuencia al azar o al pseudo-azar de cambios discretos.

Seguimiento automático del blanco (6) es la técnica de proceso que automáticamente determina y proporciona como salida un valor extrapolado de la posición más probable del blanco, en tiempo real.

Seguridad de la información (4 5) es el conjunto de medios y funciones que aseguran la accesibilidad, el carácter confidencial o la integridad de la información o de las comunicaciones, exceptuando los previstos para la protección contra el mal funcionamiento. Se incluyen la Criptografía, el criptoanálisis, la protección contra las emanaciones comprometedoras y la seguridad de los ordenadores. N.B.:Criptoanálisis: análisis de un sistema criptográfico o de sus entradas o salidas para derivar variables confidenciales o datos sensibles, incluyendo texto claro.

Sensores monoespectrales de formación de imágenes (6) permiten la adquisición de datos de formación de imágenes en una banda espectral discreta.

Sensores multiespectrales de formación de imágenes (6) permiten la adquisición simultánea o en serie de datos de formación de imágenes, en dos o más bandas espectrales discretas. Los sensores con más de 20 bandas espectrales discretas, a veces se denominan sensores hiperespectrales de formación de imágenes.

Sensores radar interconectados (6) es un conjunto de dos o más sensores radar que intercambian datos entre sí en tiempo real.

Señalización por canal común (5) es un método de señalización en el cual un solo canal transporta entre centrales, mediante mensajes etiquetados, la información de señalización relativa a múltiples circuitos o llamadas y otra información, como la que se utiliza para la gestión de red.

SHPL equivale a láser de potencia super alta.

Sesgo (biass) (acelerómetro) (7) es la salida de un acelerómetro en ausencia de aceleración.

Sintetizador de frecuencia (3) es cualquier tipo de generador de frecuencias o de señales, con independencia de la técnica utilizada, que proporcione múltiples frecuencias de salida, simultánea o alternativamente, en una o más salidas, controladas por, derivadas de o gobernadas por un número inferior de frecuencias patrón (o maestras).

Sintonizable (6) dícese de la capacidad de un láser para producir una salida continua en todas las longitudes de onda de una gama de varias transiciones láser. Un láser de línea seleccionable produce longitudes de onda discretas dentro de una transición láser y no se considera sintonizable.

Sistemas antipar o sistemas de control de dirección, por control de circulación (7) son sistemas que utilizan aire proyectado sobre superficies aerodinámicas para aumentar o controlar las fuerzas generadas por esas superficies.

Sistemas de control activo de vuelo (7) tienen como función impedir los movimientos o las cargas estructurales no deseables en aeronaves y misiles, mediante el procesado autónomo de las salidas de múltiples sensores y el suministro a continuación de los comandos preventivos necesarios para el control automático.

Sistemas de navegación con referencia a bases de datos (NRBD) (7) son sistemas que emplean diversas fuentes de datos geocartográficos previamente medidos, e integrados de forma que proporcionen información precisa para la navegación en condiciones dinámicas. Entre las fuentes de datos figuran los mapas batimétricos, estelares, de gravedad, magnéticos y digitales en 3-D de terreno.

Sistemas expertos (7) son sistemas que proporcionan resultados mediante la aplicación de reglas a datos almacenados independientemente del programa y que poseen alguna de las capacidades siguientes:

pt_158 a

Modificación automática del código fuente introducido por el usuario;

b.

Aportación de conocimientos relacionados con una clase de problemas, en lenguaje cuasinatural; o

c.

Adquisición de los conocimientos necesarios para su desarrollo (aprendizaje simbólico).

Subunidad de toxina (1) es un componente estructuralmente y funcionalmente discreto de una toxina entera.

Superaleaciones (2 9) son aleaciones a base de níquel, cobalto o hierro que presentan resistencias superiores a las de la serie AISI 300 a temperaturas superiores a 922 K (649 °C) en condiciones ambientales y de funcionamiento severas.

Superconductores (1 3 6 8) son materiales esto es, metales, aleaciones o compuestos que pueden perder totalmente la resistencia eléctrica, es decir, que pueden alcanzar una conductividad eléctrica infinita y transportar corrientes eléctricas muy grandes sin calentamiento Joule. N.B.: El estado superconductor de un material se caracteriza individualmente por una temperatura crítica, un campo magnético crítico que es función de la temperatura, y una densidad de corriente crítica que es función del campo magnético y de la temperatura.

Superficies aerodinámicas de geometría variable (7) son superficies aerodinámicas que utilizan alerones o aletas compensadoras, de borde de salida, o perfiles del borde de ataque o morro basculante articulado, cuyas posiciones pueden modificarse en vuelo.

Sustrato (3) es una lámina de material de base con una estructura de interconexión o sin ella y sobre la cual, o dentro de la cual, se pueden situar componentes discretos, circuitos integrados o ambas cosas. N.B. 1:Componente discreto: elemento de circuito encapsulado por separado, con sus propias conexiones exteriores. N.B. 2:Elemento de circuito: una sola pieza funcional activa o pasiva de un circuito electrónico, como un diodo, un transistor, una resistencia, un condensador, etc.

Sustratos en bruto (6) son compuestos monolíticos de dimensiones adecuadas para la fabricación de elementos ópticos tales como espejos o ventanas ópticas.

Tarjeta inteligente personalizada (5) es una tarjeta inteligente que contiene un microcircuito que ha sido programado para una aplicación específica y que no puede ser reprogramado para cualquier otra aplicación por el usuario.

Tasa de transferencia digital total (5) es el número de bits, incluidos los de codificación en línea, los de encabezamiento, etc., por unidad de tiempo, que pasan entre los equipos correspondientes, en un sistema de transmisión digital. N.B.: Véase también tasa de transferencia digital.

Tasa de transferencia digital es la tasa (bits/seg.) total de información transferida directamente en cualquier tipo de soporte. N.B.: Véase también tasa de transferencia digital total.

Tecnología (NGT, NTN, TODO) es la información específica necesaria para el desarrollo, la producción o la utilización de un producto. Puede adoptar la forma de datos técnicos o de asistencia técnica. N.B. 1: La asistencia técnica puede asumir las formas de instrucción, adiestramiento especializado, formación, conocimientos prácticos, servicios consultivos y podrá entrañar la transferencia de datos técnicos. N.B. 2: Los datos técnicos pueden asumir la forma de copias heliográficas, planos, diagramas, modelos, fórmulas, tablas, diseño y especificaciones de ingeniería, manuales e instrucciones escritas o registradas en otros medios o soportes tales como discos, cintas o memorias ROM.

Temperatura crítica (1 3 6) (denominada en ocasiones temperatura de transición) de un material superconductor específico es aquella temperatura a la que el material pierde completamente la resistencia a la circulación de corriente continua.

Tiempo de conmutación de frecuencia (3 5) es el tiempo máximo (es decir, retardo) necesario, cuando se efectúa una conmutación entre dos frecuencias de salida, para que la frecuencia seleccionada alcance:

pt_170 a.

Un valor que no difiera en más de 100 Hz de la frecuencia final; o

b.

Un nivel de salida que no difiera en más de 1 dB del nivel de salida final.

Tiempo de estabilización (3) es el tiempo necesario para que la salida se encuentre en un entorno de medio bit del valor final, al conmutar entre dos niveles cualesquiera del convertidor.

Todas las compensaciones disponibles (2) significa tras haberse tenido en cuenta todas las medidas factibles de que dispone el fabricante para reducir al máximo todos los errores sistemáticos de posición para una máquina-herramienta concreta.

Tolerancia a fallos (4) es la capacidad de un sistema informático, tras un fallo de cualquiera de sus componentes del equipo físico (hardware) o del equipo lógico (software), de seguir funcionando sin intervención humana, a un nivel de servicio que permita: la continuidad del funcionamiento, la integridad de los datos y el restablecimiento del servicio en un tiempo dado.

Toxinas (1 2) son toxinas en forma de preparados o mezclas aisladas deliberadamente, independientemente de cómo se hayan obtenido, con excepción de las toxinas presentes como contaminantes en otros materiales, tales como especímenes patológicos, cultivos, alimentos o material de siembra de microorganismos.

Transductores de presión (2) son dispositivos que convierten las mediciones de la presión en una señal eléctrica.

Trituración (1) es el procedimiento destinado a reducir un material a partículas mediante machaqueo o amolado.

UAV equivale a vehículo aéreo no tripulado.

Unión por difusión (1 2 9) es una unión molecular de estado sólido de al menos dos metales independientes para formar una sola pieza, siendo la resistencia de la unión equivalente a la del material menos resistente.

Uranio empobrecido (0) es uranio con un contenido del isótopo 235 inferior al que se da en la naturaleza.

Uranio enriquecido en los isótopos 235 o 233 (0) es uranio que contiene los isótopos 235 o 233, o ambos, en tal cantidad que la relación entre la suma de las cantidades de estos isótopos y la de isótopo 238 sea mayor que la relación entre la cantidad de isótopo 235 y la de isótopo 238 tal y como se da en la naturaleza (relación isotópica del 0,71 %).

Uranio natural (0) es uranio que contenga las mezclas de isótopo que se dan en la naturaleza.

Utilización (NGT, NTN, TODO) comprende el funcionamiento, la instalación (incluida la instalación in situ), el mantenimiento (verificación), la reparación, la revisión y la renovación.

Vacuna (1) es un producto medicinal en formulación farmacéutica con licencia o con autorización de comercialización o de ensayo clínico de las autoridades de reglamentación ya sean del país de fabricación o de empleo, cuya finalidad es estimular una respuesta inmunológica protectora en seres humanos o en animales, con objeto de prevenir enfermedades en el individuo al que se administra.

Vehículo aéreo no tripulado (UAV) (9) es aquel vehículo que pueda despegar, mantenerse en vuelo y navegar de forma controlada, sin una presencia humana a bordo.

Vehículo espacial (7 9) son los satélites activos y pasivos y las sondas espaciales.

Velocidad de deriva (giróscopos) (7) es la velocidad de la desviación de la salida respecto del valor deseado. Está constituida por componentes aleatorios y sistemáticos y se expresa como un equivalente de desplazamiento angular de entrada por unidad de tiempo con respecto al espacio inercial.

Vehículos más ligeros que el aire (9) son globos y vehículos aéreos que se elevan mediante aire caliente u otros gases más ligeros que el aire, tales como el hidrógeno o el helio.

ACRÓNIMOS Y ABREVIATURAS EMPLEADOS EN EL PRESENTE ANEXO

Los acrónimos o abreviaturas que se empleen como términos definidos aparecen en las Definiciones de los términos empleados en el presente anexo Acrónimo o abreviatura Significado ABEC Comité Técnico de Cojinetes Anulares AGMA Asociación Americana de Fabricantes de Engranajes AHRS Sistema de referencia de actitud y rumbo AISI Instituto Americano del Hierro y del Acero ALU Unidad Aritmética Lógica ANSI Instituto Nacional Americano de Normas ASTM Sociedad Americana de Ensayos y Materiales ATC Control del Tráfico Aéreo CAD Diseño asistido por ordenador CAS Chemical Abstracts Service (Servicio de Abstractos Químicos) CCITT Comité Consultivo Internacional Telegráfico y Telefónico CDU Unidad de Control y Visualización CEI Comisión Electrotécnica Internacional CEP Círculo de igual probabilidad CNTD Deposición nuclearia térmica controlada CRISLA Reacción química mediante activación de isótopos por láser selectivo. CVD Depósito químico en fase de vapor CW Guerra química CW (para láseres) Onda continua DME Equipo para medición de la distancia DS Solidificado direccionalmente EB-PVD Deposición de vapores por método físico por haz de electrones EBU Unión Europea de Radiodifusión ECM Mecanizado electroquímico ECR Resonancia electrón ciclotrón EDM Máquinas de electroerosión EEPROMS Memoria sólo de lectura programable y borrable por medios electrónicos EIA Asociación de Industrias Electrónicas EMC Compatibilidad electromagnética ETSI Instituto Europeo de Normas de Telecomunicación FFT Transformación rápida de Fourier GLONASS Sistema de posicionamiento global por satélite (Rusia) GPS Sistema de posicionamiento global por satélite (USA) HBT Transistores bipolares de heterounión HDDR Registro digital de alta densidad HEMT Transistores de alta movilidad de electrones IEEE Instituto de Ingenieros Eléctricos y Electrónicos IFOV Campo de visión instantáneo ILS Sistema de aterrizaje por instrumentos IRIG Grupo instrumental interbandas ISAR Radar de apertura sintética inversa ISO Organización Internacional de Normalización ITU Unión Internacional de Telecomunicaciones JIS Norma Industrial Japonesa JT Joule-Thomson LIDAR Detección y medición de distancias por luz LRU Unidad sustituible en línea MAC Código de autenticación de mensaje Mach Cociente entre la velocidad de un objeto y la del sonido (por Ernst Mach) MLS Sistemas de microondas para aterrizaje MOCVD Deposición de vapores químicos organometálicos MRI Formación de imágenes por resonancia magnética MRS Métodos recomendados por la SACMA MTBF Tiempo medio entre fallos Mtops Millón de operaciones teóricas por segundo MTTF Tiempo medio hasta fallo NBC Nuclear, biológico y químico NDT Ensayo no destructivo OACI Organización de Aviación Civil Internacional PAR Radar de precisión de aproximación PIN Número de identificación personal ppm Partes por millón PSD Densidad espectral de potencia QAM Modulación de amplitud en cuadratura RF Radiofrecuencia SACMA Asociación de proveedores de materiales compuestos avanzados SAR Radar de apertura sintética SC Cristal único SILMO Separación de isótopos por láser molecular SILVA Separación de isótopos por láser de vapor atómico SLAR Radar aerotransportado de haz oblicuo SMPTE Society of Motion Picture and Television Engineers SRA Conjunto sustituible en taller SRAM Memoria estática de acceso aleatorio SRM Métodos recomendados por la SACMA SSB Banda lateral única SSR Radar secundario de vigilancia TCSEC Criterios fiables de evaluación de sistemas informáticos TIR Lectura indicada total UV Ultravioleta UTS Resistencia a la tracción VOR Sistema de medidas de distancia omnidireccional de muy alta frecuencia YAG Granate de itrio y aluminio (imitación de diamante)

CATEGORÍA 0 MATERIALES, INSTALACIONES Y EQUIPOS NUCLEARES

0ASistemas, equipos y componentes

0A001Reactores nucleares y equipos y componentes diseñados especialmente o preparados para los mismos, como los que se indican a continuación:

a.

Reactores nucleares capaces de funcionar de manera que se pueda mantener una reacción de fisión en cadena autosostenida y controlada;

b.

Vasijas metálicas o piezas importantes manufacturadas de las mismas, diseñadas especialmente o preparadas para contener el núcleo de un reactor nuclear, incluida la cabeza de la vasija de presión del reactor;

c.

Equipos de manipulación diseñados especialmente o preparados para cargar y descargar el combustible en un reactor nuclear;

d.

Barras de control diseñadas especialmente o preparadas para el control del proceso de fisión en un reactor nuclear, las estructuras de apoyo o suspensión de las mismas y los tubos guía de las barras de control;

e.

Tubos de presión diseñados especialmente o preparados para contener los elementos combustibles y el refrigerante primario en un reactor nuclear a una presión de funcionamiento superior a 5,1 MPa;

f.

Circonio metálico y aleaciones en forma de tubos o de ensamblajes de tubos en los que la razón entre hafnio y circonio sea inferior a 1:500 partes en peso, diseñados especialmente o preparados para su utilización en un reactor nuclear;

g.

Bombas de refrigerante diseñadas especialmente o preparadas para hacer circular el refrigerante primario en reactores nucleares;

h.

Componentes internos de reactor nuclear diseñados especialmente o preparados para su utilización en un reactor nuclear, incluidas las columnas de apoyo del núcleo, los canales de combustible, los blindajes térmicos, las placas deflectoras, las placas para el reticulado del núcleo y las placas difusoras; Nota: En el subartículo 0A001.h., componentes internos de reactor nuclear significa cualquier estructura importante en una vasija de reactor que desempeñe una o más funciones tales como apoyo del núcleo, mantenimiento de la alineación del combustible, orientación del flujo refrigerante primario, suministro de blindajes de radiación para la vasija del reactor y dirección de la instrumentación en el núcleo.

i.

Intercambiadores de calor (generadores de vapor) diseñados especialmente o preparados para su utilización en el circuito de refrigerante primario de un reactor nuclear;

j.

Instrumentos de detección y medición de neutrones, diseñados especialmente o preparados para determinar los niveles de flujo de neutrones en el núcleo de un reactor nuclear.

0BEquipos de ensayo, inspección y producción

0B001Plantas para la separación de isótopos de uranio natural, uranio empobrecido y materiales fisionables especiales, y equipos y componentes diseñados especialmente o preparados para ello, según se indica: 0B002Sistemas, equipos y componentes auxiliares diseñados especialmente o preparados, según se indica, para plantas de separación de isótopos especificadas en el artículo 0B001, fabricados con, o protegidas por materiales resistentes a la corrosión por UF6: 0B003Plantas para la conversión de uranio y equipos diseñados especialmente o preparados para ellas, según se indica: 0B004Plantas para la producción o concentración de agua pesada, deuterio y compuestos de deuterio y equipos y componentes diseñados especialmente o preparados para ello, según se indica: 0B005Plantas diseñadas especialmente para la fabricación de elementos combustibles para reactores nucleares y equipos diseñados especialmente o preparados para ellas. Nota: Las plantas para la fabricación de elementos combustibles del reactor nuclear incluyen equipos que: 0B006Plantas para el reprocesado de elementos combustibles irradiados de reactores nucleares, así como equipos y componentes diseñados especialmente o preparados para ellas. Nota: El artículo 0B006 incluye: 0B007Plantas para la conversión del plutonio, así como equipos y componentes diseñados especialmente o preparados para ellas, según se indica:

a.

Plantas diseñadas especialmente para la separación de isótopos de uranio natural, uranio empobrecido y materiales fisionables especiales, según se indica:

1. Plantas de separación por centrifugación gaseosa;

2. Plantas de separación por difusión gaseosa;

3. Plantas de separación aerodinámica;

4. Plantas de separación por intercambio químico;

5. Plantas de separación por intercambio iónico;

6. Plantas de separación de isótopos por láser de vapor atómico (SILVA);

7. Plantas de separación de isótopos por láser molecular (SILMO);

8. Plantas de separación de plasma;

9. Plantas de separación electromagnética;

b.

Centrifugadoras de gas y conjuntos y componentes, diseñados especialmente o preparados para procesos de separación por centrifugación gaseosa, según se indica: Nota: En el subartículo 0B001.b., se entenderá por materiales de elevada relación resistencia/densidad cualquiera de los siguientes:

a.

Acero martensítico envejecido con una carga de rotura por tracción de 2050 MPa o más;

b.

Aleaciones de aluminio con una carga de rotura por tracción de 460 MPa o más; o

c.

Materiales fibrosos o filamentosos con un módulo específico superior a 3,18 × 106 m y una resistencia específica a la tracción superior a 76,2 × 103 m.

1. Centrifugadoras de gas;

2. Conjuntos rotores completos;

3. Cilindros para tubos rotores con un espesor de paredes de 12 mm o menos y un diámetro entre 75 mm y 400 mm, fabricados con materiales de elevada relación resistencia/densidad;

4. Anillos o fuelles con un espesor de paredes de 3 mm o menos y con un diámetro entre 75 mm y 400 mm, diseñados para reforzar localmente un tubo rotor o para unir varios de ellos y fabricados con materiales de elevada relación resistencia/densidad;

5. Pantallas con un diámetro entre 75 mm y 400 mm, para ser montadas dentro del tubo rotor, fabricadas con materiales de elevada relación resistencia/densidad;

6. Tapones superiores e inferiores con un diámetro entre 75 mm y 400 mm para ajustarse a los extremos del tubo rotor, fabricados con materiales de elevada relación resistencia/densidad;

7. Soportes magnéticos de suspensión consistentes en un electroimán anular suspendido en un marco protegido o construido con materiales resistentes a la corrosión por UF6 y que contiene un medio amortiguador. El imán se acopla con una pieza polo o con un segundo imán ajustado a la tapa superior del rotor;

8. Soportes preparados especialmente que comprenden un conjunto pivote/copa montado en un amortiguador;

9. Bombas moleculares compuestas de cilindros con surcos helicoidales mecanizados o extrudidos internamente y con orificios mecanizados internamente;

10. Estatores, de forma anular, para motores multifásicos de corriente alterna por histéresis (o reluctancia) para funcionamiento síncrono en el vacío en la gama de frecuencias de 600 a 2000 Hz y el intervalo de potencias de 50 a 1000 voltios × amperios;

11. Recipientes/cajas de centrifugadoras para alojar el conjunto del tubo rotor de una centrifugadora de gas, consistente en un cilindro rígido de espesor de pared de hasta 30 mm con extremos mecanizados con precisión y fabricados o protegidos con materiales resistentes a la corrosión por UF6;

12. Paletas consistentes en tubos de hasta 12 mm de diámetro interno para la extracción de gas UF6 del tubo rotor de la centrifugadora por acción de un tubo de Pitot, fabricado o protegido con materiales resistentes a la corrosión por UF6;

13. Cambiadores de frecuencia (convertidores o inversores) diseñados especialmente o preparados para alimentar los estatores de motores para el enriquecimiento por centrifugación gaseosa, que tengan todas las características indicadas a continuación, así como los componentes diseñados especialmente para ellos:

13. a.

Salida eléctrica multifásica de 600 a 2000 Hz;

b.

Control de frecuencias superior al 0,1 %;

c.

Distorsión armónica menor del 2 %; y

d.

Eficiencia superior al 80 %;

c.

Equipos y componentes, diseñados especialmente o preparados para procesos de separación por difusión gaseosa, según se indica:

1. Barreras de difusión gaseosa fabricadas con materiales porosos metálicos, polímeros o cerámicos, materiales resistentes a la corrosión por UF6, con un tamaño de poro de 10 a 100 nm, un espesor de 5 mm o menos y, para aquellas de forma tubular, un diámetro de 25 mm o menos;

2. Cajas de difusores gaseosos, fabricados o protegidos con materiales resistentes a la corrosión por UF6;

3. Compresores (del tipo de flujo de desplazamiento positivo, centrífugos y axiales) o sopladores de gas con una capacidad de aspiración de 1 m3/min o mayor de UF6 y una presión de descarga de hasta 666,7 kPa, fabricados o protegidos con materiales resistentes a la corrosión por UF6;

4. Obturadores para ejes de rotación para los compresores o sopladores especificados en el subartículo 0B001.c.3 y diseñados para una tasa de penetración de gas separador inferior a 1000 cm3/min.;

5. Intercambiadores de calor fabricados con aluminio, cobre, níquel o aleaciones que contengan más del 60% de níquel, o combinaciones de dichos metales en forma de vainas, diseñados para funcionar a presiones inferiores a la atmosférica con una tasa de fugas que limite el aumento de presión a menos de 10 Pa por hora bajo una diferencia de presión de 100 kPa;

6. Válvulas de fuelle fabricadas o protegidas con materiales resistentes a la corrosión por UF6, con diámetros de 40 mm a 1500 mm;

d.

Equipos y componentes, según se indica, diseñados especialmente o preparados para procesos de separación aerodinámica:

1. Toberas de separación, formadas por canales curvos en forma de ranura con un radio de curvatura inferior a 1 mm, resistentes a la corrosión por UF6 y en cuyo interior hay una cuchilla que separa en dos el flujo de gas que circula por la tobera;

2. Tubos cilíndricos o cónicos propulsados por flujo de entrada tangencial (tubos vorticiales), fabricados o protegidos con materiales resistentes a la corrosión por UF6, con un diámetro entre 0,5 a 4 cm y una relación longitud a diámetro de 20 a 1 o inferior y con una o más entradas tangenciales;

3. Compresores (del tipo de flujo impelente, centrífugo y axial) o sopladores de gas con una capacidad de aspiración en volumen de 2 m3/min o superior, fabricados o protegidos con materiales resistentes a la corrosión por UF6 y obturadores para ejes de rotación para ellos;

4. Intercambiadores de calor fabricados o protegidos con materiales resistentes a la corrosión por UF6;

5. Cajas de los elementos de separación aerodinámica, fabricadas o protegidas con materiales resistentes a la corrosión por UF6, para alojar los tubos vorticiales o las toberas de separación;

6. Válvulas de fuelle fabricadas o protegidas con materiales resistentes a la corrosión por UF6 y con un diámetro de 40 a 1500 mm;

7. Sistemas de proceso para la separación del UF6 del gas portador (hidrógeno o helio) hasta 1 ppm de contenido de UF6 o menor, incluyendo:

7. a.

Intercambiadores de calor criogénicos y crioseparadores capaces de alcanzar temperaturas de 153 K (– 120 °C) o inferiores;

b.

Unidades refrigeradoras criogénicas capaces de alcanzar temperaturas de 153 K (– 120 °C) o inferiores;

c.

Toberas de separación o tubos vorticiales para separar el UF6 del gas portador;

d.

Trampas frías para el UF6 capaces de alcanzar temperaturas de 253 K (– 20 °C) o inferiores;

e.

Equipos y componentes, según se indica, diseñados especialmente o preparados para procesos de separación por intercambio químico:

1. Columnas pulsatorias de intercambio rápido líquido-líquido con tiempo de residencia correspondiente a una etapa de 30 segundos o inferior y resistentes al ácido clorhídrico concentrado (por ejemplo, fabricados o protegidos con materiales plásticos apropiados, tales como polímeros de fluorocarbono o vidrio);

2. Contactores centrífugos de intercambio rápido líquido-líquido con tiempo de residencia correspondiente a una etapa de 30 segundos o inferior y resistentes al ácido clorhídrico concentrado (por ejemplo, fabricadas o protegidas con materiales plásticos adecuados, tales como fluorocarburos polímeros o vidrio);

3. Celdas de reducción electroquímica resistentes a las soluciones de ácido clorhídrico concentrado para reducir uranio de un estado de valencia a otro;

4. Equipos para la alimentación de las celdas de reducción electroquímica para separar el U+4 de la corriente orgánica y, para aquellas partes en contacto con la corriente del proceso, hechos o protegidos por materiales adecuados (por ejemplo, vidrio, polímeros de hidrocarburos fluorados, sulfato de polifenilo, sulfonas de poliéter y grafito impregnado con resina);

5. Sistemas de preparación de la alimentación para producir soluciones de cloruro de uranio de elevada pureza consistentes en disolución, extracción del solvente y/o equipos de intercambio de iones para purificación y celdas electrolíticas para reducir el uranio U+6 o U+4 a U+3;

6. Sistemas de oxidación del uranio para la oxidación del U+3 a U+4;

f.

Equipos y componentes, diseñados especialmente o preparados para procesos de separación por intercambio de iones, según se indica:

1. Resinas de intercambio iónico de reacción rápida; resinas peliculares o macrorreticulares porosas, en las cuales los grupos de intercambio químico activo están limitados a un revestimiento superficial en un soporte poroso inactivo, y otras estructuras compuestas en forma adecuada, incluyendo partículas o fibras, con diámetros de 0,2 mm o inferior, resistentes al ácido clorhídrico concentrado y diseñadas para tener una tasa de intercambio de tiempo de semirreacción menor que 10 segundos y capaces de funcionar a temperaturas en la gama de 373 K (100 °C) a 473 K (200 °C);

2. Columnas de intercambio iónico (cilíndricas) con un diámetro mayor de 1000 mm, hechas de, o protegidas con, materiales resistentes al ácido clorhídrico concentrado (por ejemplo titanio o plásticos de fluorocarbono) y capaces de funcionar a temperaturas en la gama de 373 K (100 °C) a 473 K (200 °C) y presiones superiores a 0,7 MPa;

3. Sistemas de reflujo para el intercambio iónico (sistemas de oxidación o reducción, químicos o electroquímicos) para la regeneración del agente químico oxidante o reductor utilizado en las cascadas de enriquecimiento por intercambio iónico;

g.

Equipos y componentes, según se indica, diseñados especialmente o preparados para procesos de separación de isótopos por láser de vapor atómico (SILVA):

1. Cañones de haz electrónico de barrido o en franja (strip), de elevada potencia, con una potencia de salida de más de 2,5 kW/cm para su utilización en sistemas de vaporización de uranio;

2. Sistemas de manipulación del uranio metálico líquido para uranio fundido o aleaciones de uranio, formados por crisoles, fabricados o protegidos con materiales adecuados resistentes al calor y a la corrosión (por ejemplo, tántalo, grafito revestido con itria, grafito revestido con otros óxidos de tierras raras o mezclas de los mismos), y equipos de refrigeración para los crisoles; N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 2A225.

3. Sistemas colectores de productos y colas fabricados o revestidos con materiales resistentes al calor y a la corrosión por uranio metálico en forma líquida o de vapor, como el grafito revestido con itria o tántalo;

4. Cajas de módulo separador (vasijas cilíndricas o rectangulares) para contener la fuente de vapor de uranio metálico, el cañón de haz electrónico y los colectores del producto y de las colas;

5. Láseres o sistemas de láseres para la separación de los isótopos de uranio con un estabilizador del espectro de frecuencias para poder funcionar durante períodos de tiempo prolongados; N.B.: VÉANSE TAMBIÉN LOS ARTÍCULOS 6A005 Y 6A205.

h.

Equipos y componentes, según se indica, diseñados especialmente o preparados para procesos de separación de isótopos mediante láser molecular (SILMO) o de reacción química mediante activación de isótopos por láser selectivo (AILS), según se indica:

1. Toberas de expansión supersónica para enfriar mezclas de UF6 y gas portador a 150 K (– 123 °C) o menos y hechas de materiales resistentes a la corrosión por UF6;

2. Colectores para productos de pentafluoruro de uranio (UF5), constituidos por colectores de filtro, de impacto o de tipo-ciclón o combinaciones de ellos, y hechos de materiales resistentes a la corrosión por UF5/UF6;

3. Compresores hechos de, o protegidos con, materiales resistentes a la corrosión por UF6 y los obturadores para los ejes de rotación para ellos;

4. Equipos para fluorar UF5 (sólido) convirtiéndolo en UF6 (gas);

5. Sistemas de proceso para la separación del UF6 del gas portador (por ejemplo nitrógeno o argón), incluido lo siguiente:

5. a.

Intercambiadores de calor criogénicos y crioseparadores capaces de alcanzar temperaturas de 153 K (– 120 °C) o inferiores;

b.

Unidades de refrigeración criogénica capaces de alcanzar temperaturas de 153 K (– 120 °C) o inferiores;

c.

Trampas frías para el UF6 capaces de alcanzar temperaturas de 253 K (– 20 °C) o inferiores;

6. Láseres o sistemas de láseres para la separación de isótopos de uranio con un estabilizador del espectro de frecuencias para funcionar durante períodos de tiempo prolongados; N.B.: VÉANSE TAMBIÉN LOS ARTÍCULOS 6A005 Y 6A205.

i.

Equipos y componentes, según se indica, diseñados especialmente o preparados para procesos de separación en un plasma:

1. Fuentes de energía para microondas y antenas para producir o acelerar iones, con frecuencias de salida superiores a 30 GHz y potencia media de salida superior a 50 kW;

2. Bobinas excitadoras de iones por radiofrecuencias, para frecuencias superiores a 100 kHz, y capaces de funcionar con potencias medias superiores a 40 kW;

3. Sistemas generadores de plasma de uranio;

4. Sistemas de manipulación del uranio metálico líquido, para el uranio o las aleaciones de uranio fundidos, consistentes en crisoles, fabricados o protegidos con materiales de resistencia adecuada a la corrosión y al calor (por ejemplo tántalo, grafito revestido con itria, grafito revestido con otros óxidos de tierras raras o mezclas de ellos), y equipos de refrigeración para los crisoles; N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 2A225.

5. Colectores de productos y colas fabricados o protegidos con materiales resistentes al calor y a la corrosión por el vapor de uranio, como el grafito revestido con itria o tántalo;

6. Cajas de módulos separadores (cilíndricos) para alojar la fuente de plasma de uranio, la bobina excitadora de radiofrecuencia y los colectores del producto y las colas, hechos con un material no-magnético adecuado (por ejemplo acero inoxidable);

j.

Equipos y componentes, diseñados o preparados especialmente para el proceso de separación electromagnética, según se indica:

1. Fuentes de iones, únicas o múltiples, consistentes en una fuente de vapor, un ionizador y un acelerador de haz, hechas de unos materiales apropiados no magnéticos (por ejemplo, grafito, acero inoxidable o cobre) y capaces de proporcionar una corriente iónica de haz total de 50 mA o superior;

2. Placas colectoras de iones para recoger haces de iones de uranio enriquecido o empobrecido, formadas por dos o más ranuras y bolsas (slits and pockets) y hechas de materiales no magnéticos adecuados (por ejemplo grafito o acero inoxidable);

3. Cajas de vacío para los separadores electromagnéticos del uranio hechos de materiales no magnéticos (por ejemplo acero inoxidable) y diseñados para funcionar a presiones de 0,1 Pa o inferiores;

4. Piezas polares de los imanes con un diámetro superior a 2 m;

5. Fuentes de alimentación de alta tensión para las fuentes de iones, que tengan todas las siguientes características: N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 3A227.

5. a.

Capaces de funcionamiento continuo;

b.

Voltaje de salida de 20000 V o superior;

c.

Corriente de salida de 1 A o superior; y

d.

Regulación de tensión mejor que 0,01 % en un período de 8 horas;

6. Fuentes de alimentación para imanes (alta potencia, corriente continua) que tengan todas las siguientes características: N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 3A226.

6. a.

Capaces de funcionamiento continuo con una corriente de salida de 500 A o superior a una tensión de 100 V o superior; y

b.

Regulación de voltaje o corriente mejor que 0,01 % durante un período de 8 horas.

a.

Autoclaves de alimentación, hornos o sistemas usados para introducir el UF6 en el proceso de enriquecimiento;

b.

Desublimadores o trampas frías, utilizados para extraer el UF6 del proceso de enriquecimiento para la posterior transferencia una vez calentado;

c.

Estaciones para el producto y las colas para transferir UF6 a contenedores;

d.

Estaciones de licuefacción o solidificación, utilizadas para extraer el UF6 del proceso de enriquecimiento mediante la compresión, la refrigeración y la conversión del UF6 a una forma líquida o sólida;

e.

Sistemas de tuberías y sistemas de colectores diseñados especialmente para manipular el UF6, dentro de las cascadas de difusión gaseosa, de centrifugación o aerodinámicas;

f.

1. Distribuidores de vacío o colectores de vacío con una capacidad de aspiración igual o superior a 5 m3/min; o

2. Bombas de vacío diseñadas especialmente para funcionar en ambientes que contengan UF6;

g.

Espectrómetros de masas para UF6/fuentes de iones diseñados especialmente o preparados para tomar, en línea, de flujos de UF6 gaseoso, muestras de la alimentación, del producto o de las colas y que posean todas las características siguientes:

1. Resolución unitaria para masa superior a 320 uma;

2. Fuentes de iones construidas o revestidas con cromoníquel o monel o chapadas con níquel;

3. Fuentes de ionización por bombardeo electrónico; y

4. Sistemas de colectores apropiados para análisis isotópicos.

a.

Sistemas para la conversión de concentrado de mena de uranio en UO3;

b.

Sistemas para la conversión de UO3 en UF6;

c.

Sistemas para la conversión de UO3 en UO2;

d.

Sistemas para la conversión de UO2 en UF4;

e.

Sistemas para la conversión de UF4 en UF6;

f.

Sistemas para la conversión de UF4 en uranio metálico;

g.

Sistemas para la conversión de UF6 en UO2;

h.

Sistemas para la conversión de UF6 en UF4;

i.

Sistemas para la conversión de UO2 en UCl4.

a.

Plantas para la producción de agua pesada, deuterio o compuestos de deuterio, según se indica:

1. Plantas de intercambio de sulfuro de hidrógeno-agua;

2. Plantas de intercambio de amoníaco-hidrógeno;

b.

Equipos y componentes según se indica:

1. Torres de intercambio de sulfuro de hidrógeno-agua fabricadas con acero al carbono fino (por ejemplo, ASTM A516) con diámetros de 6 m a 9 m, capaces de funcionar a presiones superiores o iguales a 2 MPa y con un sobreespesor de corrosión de 6 mm o superior;

2. Sopladores o compresores centrífugos, de etapa única y baja presión (es decir, 0,2 MPa), para la circulación de sulfuro de hidrógeno gaseoso (es decir, gas que contiene más del 70 % de H2S) con una capacidad de caudal superior o igual a 56 m3/segundo al funcionar a presiones de aspiración superiores o iguales a 1,8 MPa, que tienen juntas diseñadas para trabajar en un medio húmedo con H2S;

3. Torres de intercambio amoníaco-hidrógeno de altura superior o igual a 35 m y diámetro de 1,5 m a 2,5 m capaces de funcionar a presiones mayores de 15 MPa;

4. Partes internas de las torres, que comprenden contactores de etapa y bombas de etapa, incluidas las bombas sumergibles, para la producción de agua pesada por el proceso de intercambio amoníaco-hidrógeno;

5. Fraccionadores de amoníaco con presiones de funcionamiento superiores o iguales a 3 MPa para la producción de agua pesada por el proceso de intercambio amoníaco-hidrógeno;

6. Analizadores de absorción infrarroja capaces de realizar análisis en línea de la razón hidrógeno/deuterio cuando las concentraciones de deuterio son superiores o iguales a 90 %;

7. Quemadores catalíticos para la conversión en agua pesada del deuterio gaseoso enriquecido por el proceso de intercambio amoníaco-hidrógeno;

8. Sistemas completos de enriquecimiento del agua pesada, o columnas para ellos, para elevar la concentración en deuterio del agua pesada hasta la de utilización en reactores.

a.

Normalmente están en contacto directo, o procesan o controlan directamente el flujo de producción de materiales nucleares;

b.

Sellan herméticamente los materiales nucleares dentro de la vaina;

c.

Comprueban la integridad de la vaina o el sellado; o

d.

Comprueban el tratamiento de acabado del combustible sellado.

a.

Las plantas para el reprocesado de elementos combustibles irradiados de reactores nucleares, incluidos los equipos y componentes que normalmente están en contacto directo con el combustible irradiado y los flujos de procesado de los principales materiales nucleares y productos de fisión, y los controlan directamente;

b.

Las máquinas troceadoras o desmenuzadoras de elementos combustibles, es decir, equipos accionados a distancia para cortar, trocear, desmenuzar o cizallar conjuntos, haces o varillas de combustible irradiado de reactores nucleares;

c.

Los recipientes de disolución, tanques críticamente seguros (por ejemplo, tanques de pequeño diámetro, anulares o de poca altura) diseñados especialmente o preparados para la disolución del combustible irradiado de reactores nucleares, capaces de resistir líquidos calientes y altamente corrosivos, y que puedan ser cargados y mantenidos a distancia;

d.

Los equipos de extracción por solvente en contracorriente y equipos para procesos de intercambio de iones diseñados especialmente o preparados para emplearse en plantas para el reprocesado de uranio natural, uranio empobrecido o materiales fisionables especiales;

e.

Los recipientes de recogida o de almacenamiento diseñados especialmente para ser seguros en condiciones críticas y resistentes a los efectos corrosivos del ácido nítrico; Nota: Los recipientes de recogida o de almacenamiento pueden tener las siguientes características:

1. Paredes o estructuras internas con un equivalente de boro (calculado para todos los elementos constitutivos tal como se definen en la nota del artículo 0C004) de al menos un dos por ciento;

2. Un diámetro máximo de 175 mm en el caso de recipientes cilíndricos; o

3. Una anchura máxima de 75 mm en el caso de recipientes anulares o de poca altura.

f.

La instrumentación de control de procesos diseñada o preparada para supervisar o controlar el reprocesado de uranio natural, uranio empobrecido o materiales fisionables especiales irradiados.

a.

Sistemas para la conversión de nitrato de plutonio a óxido;

b.

Sistemas para la producción de plutonio metal.

0CMateriales 0C001Uranio natural o uranio empobrecido o torio en forma de metal, aleación, compuesto químico o concentrado, así como cualquier otro material que contenga uno o más de los anteriores. Nota: El artículo 0C001 no somete a control lo siguiente: 0C002Materiales fisionables especiales Nota: El artículo 0C002 no somete a control cuatro gramos efectivos o menos cuando estén contenidos en el un elemento sensor de un instrumento. 0C003Deuterio, agua pesada (óxido de deuterio) y otros compuestos del deuterio, así como mezclas y soluciones que contengan deuterio, en las que la razón isotópica entre deuterio e hidrógeno sea superior a 1/5000. 0C004Grafito de pureza nuclear, con un nivel de pureza de menos de 5 partes por millón de equivalente de boro y con una densidad superior a 1,5 g/cm3. N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 1C107. Nota 1: El artículo 0C004 no somete a control: Nota 2: En el artículo 0C004, equivalente de boro (BE) se define como la suma de BEz por impurezas, (excluido el BEcarbono, ya que el carbono no se considera una impureza) incluyendo el boro, siendo: BEz (ppm) = CF × concentración del elemento Z en ppm; Siendo CF el factor de conversión = σZABσBAZ siendo σB y σZ las secciones eficaces de captura de neutrones térmicos (en barnios) del boro producido naturalmente y del elemento Z, respectivamente, y siendo AB y AZ las masas atómicas del boro producido naturalmente y del elemento Z, respectivamente. 0C005Compuestos o polvos preparados especialmente para la fabricación de barreras de difusión gaseosa resistentes a la corrosión por UF6 (por ejemplo, níquel o aleaciones que contengan el 60 % en peso o más de níquel, óxido de aluminio y polímeros de hidrocarburos totalmente fluorados) de una pureza igual o superior al 99,9 % (en peso) y un tamaño medio de las partículas inferior a 10 micras, de acuerdo con la norma ASTM B330, y una granulometría de alto grado de uniformidad.

0CMateriales a.

Cuatro gramos o menos de uranio natural o uranio empobrecido cuando estén contenidos en un elemento sensor de un instrumento;

b.

Uranio empobrecido fabricado especialmente para las siguientes aplicaciones civiles no nucleares:

1. Blindajes;

2. Embalajes;

3. Lastres de masa no superior a 100 kg;

4. Contrapesos de masa no superior a 100 kg;

c.

Aleaciones que contengan menos del 5 % de torio;

d.

Productos de cerámica que contengan torio, fabricados para aplicaciones no nucleares.

a.

Los productos manufacturados a base de grafito con una masa inferior a 1 kg, a excepción de los diseñados especialmente o preparados para uso en un reactor nuclear;

b.

El polvo de grafito.

0DEquipo lógico

0D001Equipo lógico (software) diseñado especialmente o modificado para el desarrollo, la producción o la utilización de productos incluidos en la presente categoría.

0ETecnología 0E001Tecnología, de acuerdo con la Nota General de Tecnología, para el desarrollo, la producción o la utilización de los productos incluidos en la presente categoría.

CATEGORÍA 1 MATERIALES, SUSTANCIAS QUÍMICAS, MICROORGANISMOS Y TOXINAS

1ASistemas, equipos y componentes Nota técnica:

1A001Componentes elaborados a partir de compuestos fluorados, según se indica: 1A002Estructuras y laminados de materiales compuestos (composites), que posean alguna de las siguientes características: N.B.: VÉANSE TAMBIÉN LOS ARTÍCULOS 1A202, 9A010 Y 9A110. Nota 1: El artículo 1A002 no somete a control las estructuras o productos laminados de materiales compuestos (composites) constituidos por materiales fibrosos o filamentosos de carbono impregnados con resina epoxídica, para la reparación de estructuras o productos laminados de aeronaves, a condición de que su tamaño no sea superior a 1 m2. Nota 2: El artículo 1A002 no somete a control los elementos acabados o semiacabados diseñados especialmente para aplicaciones de carácter exclusivamente civil, según se indica a continuación: 1A003Productos manufacturados de sustancias polímeras no fluoradas incluidas en el subartículo 1C008.a.3., en forma de película, hoja, banda o cinta que posean una de las dos características siguientes: Nota: El artículo 1A003 no somete a control los productos manufacturados que estén revestidos o laminados con cobre y diseñados especialmente para la producción de placas de circuitos impresos electrónicos. 1A004Equipos de protección y detección y sus componentes, distintos de los especificados en la Relación de Material de Defensa, según se indica: N.B.: VÉANSE TAMBIÉN LOS ARTÍCULOS 2B351 Y 2B352. Nota: El artículo 1A004 no somete a control: 1A005Trajes blindados y componentes diseñados especialmente para los mismos, distintos de los fabricados conforme a normas o especificaciones militares o a otras con prestaciones equivalentes. N.B.: VÉASE ASIMISMO LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA. N.B.: Para los materiales fibrosos o filamentosos utilizados en la fabricación de trajes blindados, véase el artículo 1C010. Nota 1: El artículo 1A005 no somete a control los trajes blindados o prendas protectoras, cuando son portados por sus usuarios para su protección personal. Nota 2: El artículo 1A005 no somete a control los trajes blindados diseñados para proporcionar una protección frontal exclusivamente contra la metralla y la onda expansiva procedentes de artefactos explosivos no militares. 1A102Componentes de carbono-carbono pirolizados resaturados diseñados para las lanzaderas espaciales incluidas en el artículo 9A004 o los cohetes de sondeo incluidos en el artículo 9A104. 1A202Estructuras de materiales compuestos (composites) distintas de las incluidas en el artículo 1A002, en forma de tubos que tengan las dos características siguientes: N.B.: VÉANSE TAMBIÉN LOS ARTÍCULOS 9A010 Y 9A110. 1A225Catalizadores platinizados diseñados especialmente o preparados para fomentar la reacción de intercambio de isótopos de hidrógeno entre hidrógeno y agua, para la recuperación de tritio a partir de agua pesada o para la producción de agua pesada. 1A226Rellenos especiales que puedan usarse en la separación de agua pesada del agua ordinaria, que tengan las dos características siguientes: 1A227Ventanas de protección contra radiaciones, de alta densidad (de vidrio de plomo u otro material), que tengan todas las características siguientes, y los marcos diseñados especialmente para ellas: En el artículo 1A227 superficie fría significa la superficie de visión de la ventana expuesta al nivel más bajo de radiación en la aplicación de diseño.

1ASistemas, equipos y componentes a.

Cierres herméticos, juntas de estanqueidad, sellantes y vejigas de combustible diseñados especialmente para uso en aeronaves o espacial, constituidos por más del 50 % en peso de cualquiera de los materiales incluidos en los subartículos 1C009.b. o 1C009.c.;

b.

Polímeros y copolímeros piezoeléctricos constituidos por materiales de fluoruro de vinilideno incluidos en el subartículo 1C009.a.:

1. En forma de hoja o de película; y

2. Con un espesor superior a 200 micras;

c.

Cierres herméticos, juntas de estanqueidad, asientos de válvulas, vejigas y diafragmas constituidos por fluoroelastómeros que contengan, como mínimo, un grupo viniléter como una unidad constitucional, diseñados especialmente para uso en aeronaves, espacial o en misiles. Nota: En 1A001.c., se entenderá por misiles, los sistemas completos de cohetes y sistemas de vehículos aéreos no tripulados.

a.

Una matriz orgánica y estar fabricados a partir de materiales incluidos en los subartículos 1C010.c, 1C010.d, o 1C010.e.; o

b.

Una matriz metálica o de carbono y estar fabricados a partir de:

1. Materiales fibrosos o filamentosos de carbono que posean las dos características siguientes:

1. a.

Módulo específico superior a 10,15 × 106 m, y

b.

Resistencia específica a la tracción superior a 17,7 × 104 m; o

2. Materiales incluidos en el subartículo 1C010.c.

a.

Artículos de deporte;

b.

Industria automotriz;

c.

Industria de máquinas herramienta;

d.

Aplicaciones médicas.

a.

Espesor superior a 0,254 mm; o

b.

Estar revestidos o laminados con carbono, grafito, metales o sustancias magnéticas.

a.

Máscaras antigás, cartuchos de filtros y equipos de descontaminación para las mismas, diseñados o modificados para la defensa contra agentes biológicos o materiales radiactivos adaptados para utilización en guerra o agentes químicos bélicos y componentes diseñados especialmente para ellos;

b.

Trajes, guantes y calzado de protección, diseñados especialmente o modificados para la defensa contra agentes biológicos o materiales radiactivos adaptados para utilización en guerra o agentes químicos bélicos;

c.

Sistemas de detección nuclear, biológica y química, diseñados especialmente o modificados para la detección o identificación de agentes biológicos o de materiales radiactivos adaptados para utilización en guerra o agentes químicos bélicos y componentes diseñados especialmente para ellos.

a.

Los dosímetros personales para control de radiación;

b.

Los equipos que por su diseño o función están limitados a la protección contra riesgos específicos de las industrias civiles, como la minería, la explotación de canteras, el sector agrario, la industria farmacéutica, los productos sanitarios, los productos veterinarios, el medio ambiente, la gestión de residuos o la industria alimentaria.

a.

Un diámetro interior de entre 75 mm y 400 mm, y

b.

Estar elaboradas con alguno de los materiales fibrosos o filamentosos incluidos en los subartículos 1C010.a., 1C010.b. o 1C210.a., o con los materiales de carbono preimpregnados especificados en el subartículo 1C210.c.

a.

Estar fabricados de malla de bronce fosforoso con un tratamiento químico que mejore la humectabilidad; y

b.

Estar diseñados para emplearse en columnas de destilación de vacío.

a.

Una superficie fría de más de 0,09 m2;

b.

Una densidad superior a 3 g/cm3; y

c.

Un grosor de 100 mm o más.

1BEquipos de ensayo, inspección y producción

1B001Equipos para la producción de fibras, preimpregnados, preformas o materiales compuestos (composites) incluidos en los artículos 1A002 o 1C010, según se indica, y componentes y accesorios diseñados especialmente para ellos: N.B.: VÉANSE TAMBIÉN LOS ARTÍCULOS 1B101 Y 1B201. 1B002Equipos para la producción de aleaciones metálicas, polvo de aleaciones metálicas o materiales aleados diseñados especialmente para evitar la contaminación y diseñados especialmente para ser utilizados en uno de los procesos especificados en 1C002.c.2. N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 1B102. 1B003Herramientas, troqueles, moldes o montajes para la conformación superplástica o para la unión por difusión del titanio, del aluminio o de sus aleaciones, diseñados especialmente para la fabricación de: 1B101Equipos, distintos de los especificados en el artículo 1B001, para la producción de materiales compuestos (composites) estructurales, según se indica, y los componentes y accesorios diseñados especialmente para ellos: N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 1B201. Nota: Son ejemplos de los componentes y accesorios para las máquinas incluidas en el artículo 1B101: los moldes, mandriles, matrices, dispositivos y utillaje para el prensado de preformación, el curado, la fundición, la sinterización o el enlace de estructuras de materiales compuestos (composites) y los laminados y productos de las mismas. 1B102Equipo de producción de polvo metálico, distinto de los incluidos en el artículo 1B002, y componentes según se indica: N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL SUBARTÍCULO 1B115.b. Nota: El artículo 1B102 incluye: 1B115Equipos, distintos de los incluidos en los artículos 1B002 o 1B102, para la producción de propulsantes o de constituyentes de propulsantes, según se indica, y componentes diseñados especialmente para ellos: Nota 1: Para los equipos diseñados especialmente para la producción de material militar, véase la Relación de Material de Defensa. Nota 2: El artículo 1B115 no somete a control el equipo para la producción, manipulación y ensayos de aceptación de carburo de boro. 1B116Toberas diseñadas especialmente para producir materiales derivados pirolíticamente formados en un molde, mandril u otro sustrato a partir gases precursores que se descompongan en la banda de temperatura de 1573 K (1300 °C) a 3173 K (2900 °C) a presiones de 130 Pa a 20 kPa. 1B117Mezcladoras por lotes provistas para mezcla en vacío en la banda de cero a 13,326 kPa y con capacidad de control de temperatura en la cámara de mezclado y que tengan todo lo siguiente, así como los componentes diseñados especialmente para ellas: 1B118Mezcladoras continuas provistas para mezcla en vacío en la banda de cero a 13,326 kPa y con capacidad de control de la temperatura en la cámara de mezclado, que tengan cualquiera de los siguientes componentes diseñados especialmente para ellas: 1B119Molinos de energía fluida utilizables para moler o triturar las sustancias incluidas en los subartículos 1C011.a.,1C011.b., 1C111 o en la Relación de Material de Defensa, así como los componentes diseñados especialmente para los mismos. 1B201Máquinas para el devanado de filamentos distintas de las incluidas en los artículos 1B001 o 1B101 y equipo relacionado, según se indica: 1B225Células electrolíticas para la producción de flúor con capacidad de producción superior a 250 g de flúor por hora. 1B226Separadores electromagnéticos de isótopos, diseñados para fuentes de iones únicos o múltiples, o equipados con éstas, capaces de proporcionar una corriente total de haz de iones de 50 mA o más. Nota: El artículo 1B226 incluye separadores: 1B227Convertidores de síntesis de amoníaco o unidades de síntesis de amoníaco en las que el gas de síntesis (nitrógeno e hidrógeno) se elimina de la columna de intercambio amoníaco/hidrógeno de alta presión y el amoníaco sintetizado se devuelve a dicha columna. 1B228Columnas de destilación criogénica de hidrógeno que tengan todas las características siguientes: 1B229Columnas de plato de intercambio de agua-sulfuro de hidrógeno y contactores internos como se indica a continuación: N.B.: Para las columnas diseñadas especialmente o preparadas para la producción de agua pesada, véase el artículo 0B004. 1B230Bombas capaces de hacer circular soluciones de catalizador concentrado o diluido de amida de potasio en amoníaco líquido (KNH2/NH3), con todas las características siguientes: 1B231Instalaciones o plantas de tritio y equipos para ellas, según se indica: 1B232Turboexpansores o conjuntos de turboexpansor y compresor con las dos características siguientes: 1B233Instalaciones, plantas de separación de isótopos de litio y equipos para ellas, según se indica:

a.

Máquinas para el devanado de filamentos en las que los movimientos de posicionado, enrollado y devanado de las fibras estén coordinados y programados en tres o más ejes, diseñadas especialmente para la fabricación de estructuras de materiales compuestos (composites) a partir de materiales fibrosos o filamentosos;

b.

Máquinas para el tendido de cintas o para la colocación de cabos en las que los movimientos de posicionado y de tendido de las cintas, los cabos o las hojas estén coordinados y programados en dos o más ejes, diseñadas especialmente para la fabricación de estructuras de materiales compuestos (composites) para fuselajes de aviones o misiles; Nota: En el presente subartículo 1B001.b., se entenderá por misiles los sistemas completos de cohetes y sistemas de vehículos aéreos no tripulados.

c. Nota técnica:

Máquinas de tejer o máquinas de entrelazar multidireccionales, multidimensionales, comprendidos los adaptadores y los conjuntos de modificación, para tejer, entrelazar o trenzar fibras a fin de fabricar estructuras de materiales compuestos(composites); A efectos de 1B001.c, la técnica de entrelazado incluye el punto tricotado. Nota: El subartículo 1B001.c. no somete a control la maquinaria textil que no haya sido modificada para los usos finales indicados.

d.

Equipos diseñados especialmente o adaptados para la fabricación de fibras de refuerzo, según se indica:

1. Equipos para la transformación de fibras polímeras (como poliacrilonitrilo, rayón, brea o policarbosilano) en fibras de carbono o en fibras de carburo de silicio, incluyendo el dispositivo especial para tensar la fibra durante el calentamiento;

2. Equipos para la deposición en fase de vapor mediante procedimiento químico, de elementos o de compuestos sobre sustratos filamentosos calentados para la fabricación de fibras de carburo de silicio;

3. Equipos para la hilatura húmeda de cerámica refractaria (por ejemplo, el óxido de aluminio);

4. Equipos para la transformación, mediante tratamiento térmico, de aluminio que contenga fibras de materiales precursores, en fibras de alúmina;

e.

Equipos para la fabricación, por el método de fusión en caliente, de los productos preimpregnados (prepregs) incluidos en el subartículo 1C010.e.;

f.

Equipos de inspección no destructiva capaces de realizar la inspección tridimensional de defectos mediante tomografía de rayos X o ultrasónica, y diseñados especialmente para los materiales compuestos (composites).

a.

Estructuras para fuselajes de aviones o estructuras aeroespaciales;

b.

Motores de aeronaves o aeroespaciales; o

c.

Componentes diseñados especialmente para dichas estructuras o motores.

a.

Máquinas para el devanado de filamentos en las que los movimientos para el posicionado, enrollado y devanado de las fibras estén coordinados y programados en tres o más ejes, diseñados para fabricar estructuras o laminados de materiales compuestos (composites) a partir de materiales fibrosos o filamentosos, y los controles de coordinación y programación;

b.

Máquinas posicionadoras de cintas cuyos movimientos para posicionar y tender las cintas y láminas estén coordinados y programados en dos o más ejes, diseñadas para la fabricación de estructuras de materiales compuestos (composites) para fuselajes de aviones y de misiles;

c.

Equipo diseñado o modificado para la producción de materiales fibrosos o filamentosos, según se indica:

1. Equipo para la conversión de fibras poliméricas (tales como el poliacrilonitrilo, el rayón o el policarbosilano), incluida una provisión especial para tensar la fibra durante el calentamiento;

2. Equipo de depósito por vapor de elementos o compuestos sobre sustratos filamentosos calentados;

3. Equipo para la hilatura en húmedo de cerámicas refractarias (como el óxido de aluminio);

d.

Equipo diseñado o modificado para el tratamiento especial de la superficie de las fibras o para producir preimpregnados y preformados incluidos en el artículo 9C110. Nota: El subartículo 1B101.d. incluye los rodillos, los tensores, los equipos de revestimiento y de corte y las matrices tipo clicker.

a.

Equipo de producción de polvo metálico utilizable para la producción, en un ambiente controlado, de materiales esféricos o atomizados incluidos en los subartículos 1C011.a., 1C011.b., 1C111.a.1., 1C111a.2. o en la Relación de Material de Defensa;

b.

Componentes diseñados especialmente para el equipo de producción especificado en el artículo 1B002 o en el subartículo 1B102.a.

a.

Generadores de plasma (chorro de arco de alta frecuencia) utilizable para la obtención de polvos metálicos esféricos o por deposición catódica (sputtered) con la organización del proceso en un ambiente de argón-agua;

b.

Equipo de electroexplosión (electroburst) utilizable para la obtención de polvos metálicos esféricos o por deposición catódica (sputtered) con la organización del proceso en un ambiente de argón-agua;

c.

Equipo utilizable para la producción de polvos esféricos de aluminio mediante el espolvoreado de un material fundido en un medio inerte (por ejemplo, nitrógeno).

a.

Equipo de producción para la producción, manejo o pruebas de aceptación de los propulsantes líquidos o constituyentes de propulsantes líquidos incluidos en los subartículos 1C011.a., 1C011.b., 1C111 o en la Relación de Material de Defensa;

b.

Equipo de producción para la producción, manipulación, mezcla, curado, moldeado, prensado, mecanizado, extrusión y ensayos de aceptación de los propulsantes sólidos o los constituyentes de propulsantes sólidos incluidos en los subartículos 1C011.a., 1C011.b., 1C111 o en la Relación de Material de Defensa. Nota: El subartículo 1B115.b. no somete a control las mezcladoras por lote, las mezcladoras continuas o los molinos de energía fluida. Para el control de las mezcladoras por lote, las mezcladoras continuas y los molinos de energía fluida véase los artículos 1B117, 1B118 y 1B119.

a.

Una capacidad volumétrica total de 110 litros o más; y

b.

Al menos un eje mezclador/amasador descentrado.

a.

Dos o más ejes mezcladores/amasadores; o

b.

Un eje único rotatorio oscilante y con púas o dientes amasadores en el eje así como en el interior de la carcasa de la cámara de mezcla.

a.

Máquinas para el devanado de filamentos con todas las siguientes características:

1. Efectuar movimientos de posicionado, enrollado y devanado de las fibras coordinados y programados en dos o más ejes;

2. Estar diseñadas especialmente para elaborar estructuras de materiales compuestos (composites) o laminados a partir de materiales fibrosos o filamentosos, y

3. Tener capacidad para devanar rotores cilíndricos de diámetro entre 75 mm y 400 mm y de longitud igual o superior a 600 mm;

b.

Controles de coordinación y programación para las máquinas para el devanado de filamentos especificadas en 1B201.a.

c.

Mandriles de precisión para las máquinas para el devanado de filamentos especificadas en 1B201.a.

a.

Capaces de enriquecer isótopos estables;

b.

Con las fuentes y colectores de iones situados en el campo magnético, y también aquéllos en los que estas configuraciones son externas al campo.

a.

Estar diseñadas para funcionar a temperaturas internas de 35 K (– 238 °C) o menos;

b.

Estar diseñadas para funcionar a una presión interna de 0,5 a 5 MPa;

c.

Estar fabricadas con:

1. Acero inoxidable de la serie 300, de bajo contenido de azufre con un número 5 o superior de tamaño de grano austenítico ASTM (o norma equivalente); o bien

2. Materiales equivalentes que sean criogénicos y compatibles con el H2; y

d.

Con diámetros interiores de 1 m o más y longitudes efectivas de 5 m o más.

a.

Columnas de plato de intercambio de agua-sulfuro de hidrógeno con todas las características siguientes:

1. Que puedan funcionar a una presión nominal de 2 MPa o superior;

2. Que estén fabricadas en acero al carbono con número 5 o superior de tamaño de grano austenítico ASTM (o norma equivalente); y

3. Con un diámetro de 1,8 m o más;

b. Nota técnica:

Contactores internos para las columnas de plato de intercambio de agua-sulfuro de hidrógeno especificadas en el subartículo 1B229.a. Los contactores internos de las columnas son platos segmentados con un diámetro efectivo ensamblado de 1,8 m o mayor, diseñados para facilitar el contacto contra corriente y construidos de aceros inoxidables con un contenido de carbono del 0,03 % o menos. Pueden ser platos de cedazo, platos de válvula, platos de campana burbujeadora y platos de turborrejillas.

a.

Ser estancas al aire (es decir, cerradas herméticamente);

b.

Tener una capacidad superior a 8,5 m3/h; y

c.

Tener una de las características siguientes:

1. Para soluciones concentradas de amida de potasio (1 % o más), una presión de funcionamiento de 1,5 a 60 MPa; o

2. Para soluciones diluidas de amida de potasio (menos del 1 %), una presión de funcionamiento de 20 a 60 MPa.

a.

Instalaciones o plantas para la producción, la recuperación, la extracción, la concentración o la manipulación de tritio;

b.

Equipos para instalaciones o plantas de tritio, según se indica a continuación:

1. Unidades de refrigeración de hidrógeno o helio capaces de refrigerar hasta 23 K (– 250 °C) o menos, con una capacidad de eliminación de calor superior a 150 W;

2. Sistemas de almacenamiento o purificación de isótopos de hidrógeno que utilicen hidruros de metal como medio de almacenamiento o de purificación.

a.

Estar diseñados para funcionar con una temperatura a la salida de 35 K (– 238 °C) o inferior; y

b.

Estar diseñados para un caudal de hidrógeno gaseoso de 1000 kg/hora o más.

a.

Instalaciones o plantas para la separación de isótopos de litio;

b.

Equipo para la separación de isótopos de litio, según se indica a continuación:

1. Columnas compactas de intercambio líquido-líquido, diseñadas especialmente para amalgamas de litio;

2. Bombas de amalgamas de mercurio o de litio;

3. Células de electrólisis para amalgamas de litio;

4. Evaporadores para solución concentrada de hidróxido de litio.

1CMateriales Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.

Metales y aleaciones: Formas brutas: Formas semielaboradas (estén o no revestidas, chapadas, perforadas o troqueladas): No debe poder eludirse el objetivo del control mediante la exportación de formas no citadas en la lista presentadas como productos acabados pero que sean en realidad formas brutas o semielaboradas. 1C001Materiales diseñados especialmente para absorber las ondas electromagnéticas, o polímeros intrínsecamente conductores, según se indica: N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 1C101. 1C002Aleaciones metálicas, polvo de aleaciones metálicas o materiales aleados según se indica: N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 1C202. Nota: El artículo 1C002 no somete a control las aleaciones metálicas, el polvo de aleaciones metálicas ni los materiales aleados para el revestimiento de sustratos. 1C003Metales magnéticos de todos los tipos y en todas las formas que posean cualquiera de las características siguientes: 1C004Aleaciones de uranio titanio o aleaciones de volframio con una matriz a base de hierro, de níquel o de cobre, que posean todas las características siguientes: 1C005Conductores de materiales compuestos (composites) superconductores en longitudes superiores a 100 m o que tengan una masa superior a 100 g, según se indica: 1C006Fluidos y sustancias lubricantes según se indica: A los fines del artículo 1C006: 1C007Materiales de base cerámica, materiales cerámicos que no sean materiales compuestos (composites), materiales compuestos (composites) de matriz cerámica y materiales precursores, según se indica: N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 1C107. 1C008Sustancias polímeras no fluoradas, según se indica: La temperatura de transición vítrea (Tg) para los materiales del artículo 1C008 se determina mediante el método descrito en ISO 11357-2 (1999), o sus equivalentes nacionales. 1C009Compuestos fluorados no tratados, según se indica: 1C010Materiales fibrosos o filamentosos que puedan utilizarse en estructuras o laminados de materiales compuestos (composites) que tengan una matriz orgánica, una matriz metálica o una matriz de carbono, según se indica: N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 1C210. 1C011Metales y compuestos, según se indica: N.B.: VÉANSE ASIMISMO LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA Y EL ARTÍCULO 1C111. 1C012Materiales según se indica: Estos materiales se usan típicamente para fuentes térmicas nucleares. 1C101Materiales y dispositivos para observaciones reducidas tales como la reflectividad al radar y las signaturas ultravioletas/infrarrojas y acústicas, distintos de los incluidos en el artículo 1C001, para utilización en los misiles, subsistemas, o los vehículos aéreos no tripulados que se mencionan en el punto 9A012. Nota 1: En el presente artículo 1C101 se incluyen: Nota 2: El artículo 1C101 no incluye los revestimientos cuando se utilicen especialmente para el control térmico de satélites. En el punto 1C101, deberá entenderse por misiles los sistemas completos de cohetes y sistemas de vehículos aéreos no tripulados capaces de alcanzar una distancia de, al menos, 300 km. 1C102Materiales carbono-carbono pirolizados resaturados diseñados para las lanzaderas espaciales incluidas en el artículo 9A004 o los cohetes de sondeo incluidos en el artículo 9A104. 1C107Grafito y materiales cerámicos distintos de los especificados en 1C007, según se indica: 1C111Propulsantes y productos químicos constituyentes de propulsantes, distintos de los especificados en 1C011, según se indica: Nota: Para los propulsantes y constituyentes químicos de propulsantes no especificados en el artículo 1C111, véase la Relación de Material de Defensa. 1C116Acero martensítico envejecido (aceros caracterizados por su elevado contenido de níquel y muy bajo contenido de carbono y por el uso de elementos sustitutivos o precipitados para producir el endurecimiento por envejecimiento) con una carga de rotura por tracción de 1500 MPa o superior, medida a 293 K (20 °C), en forma de hojas, láminas o tubos de grosor igual o inferior a 5 mm. N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 1C216. 1C117Volframio, molibdeno y aleaciones de estos metales en forma de partículas uniformes esféricas o atomizadas de 500 micras de diámetro o menos, con una pureza del 97 % o superior, para la fabricación de componentes de motores de misiles; es decir escudos térmicos, sustratos de toberas, gargantas de toberas, y superficies de control del vector de empuje. 1C118Acero inoxidable duplex estabilizado al titanio (Ti-DSS) que tenga todo lo siguiente: 1C202Aleaciones, distintas de las incluidas en los subartículos 1C002.b.3 o b.4, según se indica: La frase aleaciones capaces de incluye las aleaciones antes o después del tratamiento térmico. 1C210Materiales fibrosos o filamentosos o productos preimpregnados, distintos de los incluidos en los subartículos 1C010.a., b. o e., según se indica: Nota: En el artículo 1C210, el término materiales fibrosos o filamentosos se limita a los monofilamentos, hilos, cables, cabos o cintas continuos. 1C216Acero martensítico envejecido distinto del incluido en el artículo 1C116, capaz de soportar una carga de rotura por tracción de 2050 MPa o más a 293 K (20 °C). Nota: El artículo 1C216 no somete a control las piezas en las que todas las dimensiones lineales son de 75 mm o menos. La frase acero martensítico envejecido capaz de incluye el acero martensítico envejecido antes y después del tratamiento térmico. 1C225Boro enriquecido en el isótopo boro-10 (10B) hasta más de su abundancia isotópica natural, como se indica: boro elemental y compuestos de boro, mezclas que contengan boro, y productos fabricados con estos, desechos y desbastes de los elementos mencionados. Nota: En el artículo 1C225 las mezclas que contengan boro incluyen los materiales con añadido de boro. La abundancia natural isotópica del boro-10 es de aproximadamente 18,5 por ciento del peso (20 átomos por ciento). 1C226Volframio, carburo de volframio y aleaciones de volframio con más del 90 % de volframio en peso, con las dos características siguientes: Nota: El artículo 1C226 no somete a control los productos fabricados diseñados especialmente para emplearse como pesas o colimadores de rayos gamma. 1C227Calcio con las dos características siguientes: 1C228Magnesio con las dos características siguientes: 1C229Bismuto con las dos características siguientes: 1C230Berilio metal, aleaciones que contengan más del 50 % de berilio en peso, compuestos que contengan berilio, productos fabricados con éstos y desechos o desbastes de cualquiera de los anteriores; Nota: El artículo 1C230 no somete a control: 1C231Hafnio metal, aleaciones de hafnio que contengan más del 60 % de hafnio en peso, compuestos de hafnio que contengan más del 60 % de hafnio en peso, productos obtenidos de éste y desechos o desbastes de cualquiera de los anteriores. 1C232Helio-3 (3He), mezclas que contengan helio-3, y productos o dispositivos que contengan cualquiera de los anteriores; Nota: El artículo 1C232 no somete a control los productos o dispositivos que contengan menos de 1 g de helio 3. 1C233Litio enriquecido con el isótopo litio-6 (6Li) hasta más de su abundancia isotópica natural y productos o aparatos que contengan litio enriquecido, según se indica: litio elemental, aleaciones, compuestos, mezclas que contengan litio, productos fabricados con éstos, desechos o desbastes de cualquiera de los anteriores. Nota: El artículo 1C233 no somete a control los dosímetros termoluminiscentes. La proporción natural del isótopo litio-6 es de aproximadamente 6,5 por ciento del peso (7,5 por ciento de átomos). 1C234Circonio con un contenido de hafnio inferior a 1 parte de hafnio por 500 partes de circonio en peso, como se indica: metal, aleaciones que contengan más del 50 % de circonio en peso, compuestos, productos fabricados a partir de éstos, desechos o desbastes de cualquiera de los anteriores. Nota: El artículo 1C234 no somete a control el circonio en forma de láminas de grosor no superior a 0,10 mm. 1C235Tritio, compuestos de tritio y mezclas que contengan tritio y en las cuales la razón entre el número de átomos de tritio y de hidrógeno sea superior a 1 parte entre 1000, y productos o dispositivos que contengan cualquiera de los anteriores; Nota: El artículo 1C235 no somete a control los productos o dispositivos que contengan menos de 1,48 × 103 GBq (40 Ci) de tritio. 1C236Radionucleidos que emitan partículas alfa cuyo período de semidesintegración esté comprendido entre 10 días y 200 años, en una de las formas siguientes: Nota: El artículo 1C236 no somete a control los productos o dispositivos que contengan menos de 3,7 GBq (100 milicurios) de actividad alfa. 1C237Radio-226 (226Ra), aleaciones de radio-226, compuestos de radio-226, mezclas que contengan radio-226, productos fabricado con éstos y productos o dispositivos que contengan cualquiera de los anteriores; Nota: El artículo 1C237 no somete a control: 1C238Trifluoruro de cloro (ClF3). 1C239Explosivos de gran potencia, distintos de los incluidos en la Relación de Material de Defensa, o sustancias o mezclas que contengan más del 2 % en peso de los mismos, con densidad cristalina superior a 1,8 g/cm3 y una velocidad de detonación superior a 8000 m/s. 1C240Níquel en polvo y níquel metal poroso, distintos de los especificados en el artículo 0C005, según se indica: Nota: El artículo 1C240 no incluye: El subartículo 1C240.b. se refiere al metal poroso obtenido mediante la compresión y sinterización de los materiales del subartículo 1C240.a. para formar un material metálico con poros finos interconectados en toda la estructura. 1C350Sustancias químicas que puedan emplearse como precursoras de agentes químicos tóxicos, según se indica, y mezclas químicas que contengan una o varias de ellas: N.B.: VÉANSE TAMBIÉN LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA Y EL ARTÍCULO 1C450. Nota 1: En cuanto a las exportaciones a los Estados que no son Parte de la Convención sobre Armas Químicas, el artículo 1C350 no somete a control las mezclas químicas que contengan una o varias de las sustancias químicas especificadas en los subartículos 1C350.1, .3, .5, .11, .12, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36, .54, .55, .56, .57 y .63 cuando ninguna sustancia química específica constituya, ella sola, más del 10 %, en peso, de la mezcla. Nota 2: En cuanto a las exportaciones a los Estados Parte de la Convención sobre Armas Químicas, el artículo 1C350 no somete a control las mezclas químicas que contengan una o varias de las sustancias químicas especificadas en los subartículos 1C350.1, .3, .5, .11, .12, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36, .54, .55, .56, .57 y .63 cuando ninguna sustancia química específica constituya, ella sola, más del 30 %, en peso, de la mezcla. Nota 3: El artículo 1C350 no somete a control las mezclas químicas que contengan una o varias de las sustancias químicas especificadas en los subartículos 1C350 .2, .6, .7, .8, .9, .10, .14, .15, .16, .19, .20, .24, .25, .30, .37, .38, .39, .40, .41, .42, .43, .44, .45, .46, .47, .48, .49, .50, .51, .52, .53, .58, .59, .60, .61 y .62 cuando ninguna sustancia química específica constituya, ella sola, más del 30 %, en peso, de la mezcla. Nota 4: El artículo 1C350 no somete a control los productos definidos como productos de consumo envasados para la venta al por menor para uso personal o envasados para uso individual. 1C351Patógenos para los humanos, zoonosis y toxinas, según se indica: 1C352Patógenos para los animales, según se indica: Nota: El artículo 1C352 no somete a control las vacunas. 1C353Elementos genéticos y organismos modificados genéticamente, según se indica: Entre los elementos genéticos se incluyen, entre otros, los cromosomas, genomas, plásmidos, transposones y vectores, estén o no genéticamente modificados. Por secuencias de ácido nucleico asociadas con la patogenicidad de cualquiera de los microorganismos incluidos en el subartículo 1C351.a. a c. o en los artículos 1C352 o 1C354 se entenderá cualquier secuencia específica del microorganismo de que se trate: Nota: 1C153 no se aplica a las secuencias de ácidos nucleicos que están relacionadas con la patogenicidad de Escherichia coli enterohemorrágica, serotipo O157 y otras cepas productoras de verotoxina, exceptuando las secuencias que codifican la verotoxina o sus subunidades. 1C354Patógenos para los vegetales, según se indica: 1C450Sustancias químicas tóxicas y precursores de sustancias químicas tóxicas, según se indica, y mezclas químicas que contengan uno o varios de ellos: N.B.: VÉANSE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 1C350, EL SUBARTÍCULO 1C351.d. Y LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA. Nota: El artículo 1C450 no somete a control los productos definidos como productos de consumo envasados para la venta al por menor para uso personal o envasados para uso individual.

Salvo indicación contraria, las palabras metales y aleaciones en los artículos 1C001 a 1C012 abarcan las formas brutas y semielaboradas, según se indica a continuación:

Ánodos, bolas, varillas (incluidas las probetas entalladas y el alambrón), tochos, bloques, lupias, briquetas, tortas, cátodos, cristales, cubos, dados, granos, gránulos, lingotes, terrones, pastillas, panes, polvo, discos, granalla, zamarras, pepitas, esponja, estacas;

1CMateriales Nota técnica: a.

Materiales labrados o trabajados, elaborados mediante laminado, trefilado, extrusión, forja, extrusión por percusión, prensado, granulado, pulverización y rectificado, es decir: ángulos, hierros en U, círculos, discos, polvo, limaduras, hoja y láminas, forjados, planchas, microgránulos, piezas prensadas y estampadas, cintas, aros, varillas (incluidas varillas de soldadura sin revestimiento, varillas de alambre y alambre laminado), perfiles, perfiles laminados, flejes, caños y tubos (incluidos redondos, cuadrados y tubos cortos redondeados de paredes gruesas para fabricación de tubos sin costura), alambre trefilado o extrudido;

b.

Material vaciado mediante moldeado con arena, troquel, moldes de metal, de escayola o de otro tipo, incluida la fundición de alta presión, los sinterizados y las formas obtenidas por pulvimetalurgia.

a.

Materiales para la absorción de frecuencias superiores a 2 × 108 Hz e inferiores a 3 × 1012 Hz; Nota 1: El subartículo 1C001.a. no somete a control: Nota 2: Ninguna de las disposiciones de la nota 1 del subartículo 1C001.a. autoriza la exportación de los materiales magnéticos que permiten la absorción cuando están contenidos en pintura.

a.

Los absorbedores de tipo capilar, constituidos por fibras naturales o sintéticas, con carga no magnética para permitir la absorción;

b.

Los absorbedores sin pérdida magnética cuya superficie incidente no sea de forma plana, comprendidas las pirámides, conos, filos y superficies convolutas;

c.

Los absorbedores planos que posean todas las características siguientes:

1. Nota técnica:

Estar fabricados con cualquiera de los siguientes materiales: Las muestras para ensayos de absorción con respecto al subartículo 1C001.a. Nota: 1.c.1. deberán consistir en un cuadrado cuyo lado mida como mínimo cinco longitudes de onda de la frecuencia central situado en el campo lejano del elemento radiante.

1. a.

Materiales de espuma plástica (flexibles o no flexibles) con carga de carbono, o materiales orgánicos, incluidos los aglomerantes, que produzcan un eco superior al 5 % en comparación con el metal sobre un ancho de banda superior a ± 15 % de la frecuencia central de la energía incidente y que no sean capaces de resistir temperaturas superiores a 450 K (177°C); o

b.

Materiales cerámicos que produzcan un eco superior al 20 % en comparación con el metal sobre un ancho de banda superior a ± 15 % de la frecuencia central de la energía incidente y que no sean capaces de resistir temperaturas superiores a 800 K (527 °C);

2. Resistencia a la tracción inferior a 7 × 106 N/m2; y

3. Resistencia a la compresión inferior a 14 × 106 N/m2;

d.

Absorbedores planos fabricados con ferrita sinterizada que posean las dos características siguientes:

1. Peso específico superior a 4,4; y

2. Temperatura máxima de funcionamiento de 548 K (275 °C);

b.

Materiales para la absorción de frecuencias superiores a 1,5 × 1014 Hz e inferiores a 3,7 × 1014 Hz y no trasparentes a la luz visible;

c. Nota técnica:

Materiales polímeros intrínsecamente conductores con una conductividad eléctrica en volumen superior a 10000 S/m (siemens por metro) o una resistividad laminar (superficial) inferior a 100 ohmios/cuadrado, basados en uno de los polímeros siguientes: La conductividad eléctrica en volumen y la resistividad laminar (superficial) se determinarán con arreglo a la norma ASTM D-257 o equivalentes nacionales.

c.

1. Polianilina;

2. Polipirrol;

3. Politiofeno;

4. Polifenileno-vinileno; o

5. Politienileno-vinileno.

1CMateriales Nota técnica: Notas técnicas:

1. Las aleaciones metálicas incluidas en el artículo 1C002 son aquellas que contienen un porcentaje en peso más elevado del metal indicado que de cualquier otro elemento.

2. La longevidad a la rotura por esfuerzos se medirá con arreglo a la norma E-139 de la ASTM o sus equivalentes nacionales.

3. La resistencia a la fatiga por un pequeño número de ciclos se medirá con arreglo a la norma E-606 de la ASTM (Método Recomendado para el Ensayo de Resistencia a la Fatiga por un pequeño número de ciclos a amplitud constante) o sus equivalentes nacionales. El ensayo será axial, con una relación media de esfuerzos igual a 1 y un coeficiente de concentración de esfuerzos (Kt) igual a 1. La relación media de esfuerzos se define como el esfuerzo máximo menos el esfuerzo mínimo dividido por el esfuerzo máximo.

a.

Aluminuros, según se indica:

1. Aluminuros de níquel que contengan un porcentaje mínimo de aluminio del 15 por ciento en peso, un porcentaje máximo de aluminio del 38 por ciento en peso y al menos un elemento de aleación adicional;

2. Aluminuros de titanio que contengan al menos el 10 por ciento de aluminio en peso y al menos un elemento de aleación adicional;

b.

Aleaciones metálicas, según se indica, compuestas de los materiales incluidos en el subartículo 1C002.c.:

1. Aleaciones de níquel que posean:

1. a.

Una longevidad a la rotura por esfuerzos de 10000 horas o más, a 923 K (650 °C) con un esfuerzo de 676 MPa; o

b.

Una resistencia a la fatiga por un pequeño número de ciclos de 10000 ciclos o más, a 823 K (550 °C) con un esfuerzo máximo de 1095 MPa;

2. Aleaciones de niobio que posean:

2. a.

Una longevidad a la rotura por esfuerzos de 10000 horas o más, a 1073 K (800 °C) con un esfuerzo de 400 MPa; o

b.

Una resistencia a la fatiga por un pequeño número de ciclos de 10000 ciclos o más a 973 K (700 °C) con un esfuerzo máximo de 700 MPa;

3. Aleaciones de titanio que posean:

3. a.

Una longevidad a la rotura por esfuerzos de 10000 horas o más, a 723 K (450 °C) con un esfuerzo de 200 MPa; o

b.

Una resistencia a la fatiga por un pequeño número de ciclos de 10000 ciclos o más, a 723 K (450 °C) con un esfuerzo máximo de 400 MPa;

4. Aleaciones de aluminio que posean una resistencia a la tracción:

4. a.

Igual o superior a 240 MPa a 473 K (200 °C); o

b.

Igual o superior a 415 MPa a 298 K (25 °C);

5. Aleaciones de magnesio que posean:

5. a.

Una resistencia a la tracción igual o superior a 345 MPa; y

b.

Una velocidad de corrosión inferior a 1 mm/año en una solución acuosa de cloruro de sodio al 3 %, medida con arreglo a la norma G-31 de la ASTM o equivalentes nacionales;

c.

Polvo, o material en partículas, de aleaciones metálicas para materiales, que posea todas las características siguientes:

1. Nota técnica:

Constituidos por cualquiera de los sistemas de composición siguientes: En los artículos siguientes, X equivale a uno o más elementos de aleación.

a.

Aleaciones de níquel (Ni-Al-X, Ni-X-Al) calificadas para las piezas o componentes de motores de turbina, es decir, con menos de 3 partículas no metálicas (introducidas durante el proceso de fabricación) mayores de 100 micras en 109 partículas de aleación;

b.

Aleaciones de niobio (Nb-Al-X o Nb-X-Al, Nb-Si-X o Nb-X-Si, Nb-Ti-X o Nb-X-Ti);

c.

Aleaciones de titanio (Ti-Al-X o Ti-X-Al);

d.

Aleaciones de aluminio (Al-Mg-X o Al-X-Mg, Al-Zn-X o Al-X-Zn, Al-Fe-X o Al-X-Fe); o

e.

Aleaciones de magnesio (Mg-Al-X o Mg-X-Al);

2. Obtenidos en un ambiente controlado mediante cualquiera de los procedimientos siguientes:

2. a.

Atomización al vacío;

b.

Atomización por gas;

c.

Atomización rotatoria;

d.

Enfriamiento brusco por impacto;

e.

Enfriamiento brusco por colisión y rotación y trituración;

f.

Extracción en fusión y trituración; o

g.

Aleación mecánica; y

3. Capaces de formar los materiales especificados en los subartículos 1C002.a. o 1C002.b.

d.

Materiales aleados que posean todas las características siguientes:

1. Constituidos por cualquiera de los sistemas de composición especificados en el subartículo 1C002.c.1.;

2. En forma de escamas no pulverizadas, cintas o varillas; y

3. Obtenidos en un ambiente controlado por cualquiera de los siguientes métodos:

3. a.

enfriamiento brusco por impacto;

b.

enfriamiento brusco por colisión y rotación; o

c.

extracción en fusión.

a. Nota técnica:

Permeabilidad relativa inicial igual o superior a 120000 y espesor igual o inferior a 0,05 mm; La medida de la permeabilidad inicial debe realizarse sobre materiales completamente recocidos.

b.

Aleaciones magnetostrictivas que posean cualquiera de las características siguientes:

1. Una magnetostricción de saturación superior a 5 × 10-4; o

2. Un factor de acoplamiento magnetomecánico (k) superior a 0,8; o

c. Nota técnica:

Bandas de aleación amorfa o nanocristalina que tengan todas las características siguientes: Los materiales nanocristalinos del subartículo 1C003.c. son aquellos materiales con una granulometría de cristales de 50 nm o menos, determinada por difracción con rayos X.

c.

1. Composición que tenga un 75 % en peso como mínimo de hierro, cobalto o níquel; y

2. Inducción magnética de saturación (Bs) igual o superior a 1,6 T; y

3. Cualquiera de las características siguientes:

3. a.

Espesor de banda igual o inferior a 0,02 mm; o

b.

Resistividad eléctrica igual o superior a 2 × 10-4 ohmios cm.

a.

Densidad superior a 17,5 g/cm3;

b.

Límite de elasticidad superior a 880 MPa;

c.

Resistencia a la rotura por tracción superior a 1270 MPa; y

d.

Alargamiento superior al 8 %.

a.

Conductores de materiales compuestos (composites) superconductores multifilamentos que contengan uno o más filamentos de niobio-titanio:

1. Incluidos en una matriz que no sea de cobre ni de una mezcla a base de cobre; o

2. Que tengan un área de sección transversal inferior a 0,28 × 10-4 mm2 (diámetro de 6 micras para los filamentos circulares);

b.

Conductores de materiales compuestos (composites) superconductores constituidos por uno o más filamentos superconductores que no sean de niobio-titanio, que posean todas las características siguientes:

1. Una temperatura crítica a una inducción magnética nula superior a 9,85 K (– 263,31 °C) e inferior a 24 K (– 249,16 °C);

2. Un área de sección transversal inferior a 0,28 × 10-4 mm2; y

3. Que permanezcan en el estado superconductor a una temperatura de 4,2 K (– 268,96 °C) cuando estén expuestos a un campo magnético correspondiente a una inducción de 12 T.

a.

Líquidos hidráulicos que contengan como ingredientes principales cualquiera de los compuestos o sustancias siguientes:

1. Nota técnica:

Aceites de silahidrocarburos sintéticos que posean todas las características siguientes: A los fines del subartículo 1C006.a.1., los aceites de silahidrocarburos contienen exclusivamente silicio, hidrógeno y carbono.

a.

Un punto de encendido (flash point) superior a 477 K (204 °C);

b.

Un punto de fluidez crítica igual o inferior a 239 K (– 34 °C);

c.

Un índice de viscosidad igual o superior a 75; y

d.

Una estabilidad térmica a 616 K (343 °C); o

2. Nota técnica:

Clorofluorcarbonos que posean todas las características siguientes: A los fines del subartículo 1C006.a.2., los clorofluorcarbonos contienen exclusivamente carbono, flúor y cloro.

a.

Ningún punto de encendido (flash point);

b.

Una temperatura de ignición autógena superior a 977 K (704 °C);

c.

Un punto de fluidez crítica igual o inferior a 219 K (– 54 °C);

d.

Un índice de viscosidad igual o superior a 80; y

e.

Un punto de ebullición igual o superior a 473 K (200 °C);

b.

Sustancias lubricantes que contengan como ingredientes principales cualquiera de los compuestos o sustancias siguientes:

1. Éteres o tioéteres de fenilenos o de alquilfenilenos, o sus mezclas, que contengan más de dos funciones éter o tioéter o sus mezclas; o

2. Fluidos de siliconas fluoradas con una viscosidad cinemática inferior a 5000 mm2/s (5000 centistokes) medida a 298 K (25 °C);

c.

Fluidos de amortiguación o de flotación de una pureza superior al 99,8 % que contengan menos de 25 partículas de un tamaño igual o superior a 200 micras por 100 ml y constituidos en un 85 % como mínimo por cualquiera de los compuestos o sustancias siguientes:

1. Dibromotetrafluoretano;

2. Policlorotrifluoretileno (sólo modificaciones oleosas y céreas); o

3. Polibromotrifluoretileno;

d.

Fluidos refrigerantes electrónicos de fluorocarbonos que posean todas las características siguientes:

1. Que contengan como mínimo el 85 % en peso de cualquiera de las siguientes sustancias, o mezclas de las mismas:

1. a.

Formas monoméricas de perfluoropolialquiléter-triacinas o éteres trifluoroalifáticos;

b.

Perfluoroalquilaminas;

c.

Perfluorocicloalcanos; o

d.

Perfluoroalcanos;

2. Densidad a 298 K (25 °C) de 1,5 g/ml o más;

3. En estado líquido a 273 K (0 °C); y

4. Que contengan como mínimo el 60 % en peso de flúor.

1CMateriales Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: a.

El punto de encendido (flash point) se determina empleando el método en vaso abierto de Cleveland descrito en ASTM D-92, o equivalentes nacionales.

b.

El punto de fluidez crítica se determina empleando el método descrito en ASTM D-97, o equivalentes nacionales.

c.

El índice de viscosidad se determina empleando el método descrito en ASTM D-2270, o equivalentes nacionales.

d.

La estabilidad térmica se determina empleando el método de ensayo siguiente o sus equivalentes nacionales: La muestra se considerará térmicamente estable si al final del método descrito se cumplen todas las condiciones siguientes:

Se colocan 20 ml del fluido a ensayar en una cámara de acero inoxidable tipo 317 de 46 ml que contiene una bola de 12,5 mm de diámetro (nominal) de cada uno de los materiales siguientes: acero para herramientas M-10, acero 52100 y bronce naval (60 % Cu, 39 % Zn, 0,75 % Sn). La cámara se purga con nitrógeno y se cierra herméticamente a la presión atmosférica, su temperatura se eleva luego a 644 ± 6 K (371 ± 6 °C) y se mantiene a esa temperatura durante seis horas.

1. La pérdida de peso de cada bola es inferior a 10 mg/mm2 de superficie de la bola;

2. El cambio de la viscosidad original, determinada a 311 K (38 °C), es inferior al 25 %; y

3. El índice de acidez o alcalinidad total es inferior a 0,40.

e.

La temperatura de ignición autógena se determina empleando el método descrito en ASTM E-659, o sus equivalentes nacionales.

a.

Materiales de base de boruros de titanio simples o complejos que contengan un total de impurezas metálicas, excluidas las adiciones intencionales, inferior a 5000 ppm, un tamaño medio de partícula igual o inferior a 5 micras y no más de un 10 % de partículas mayores de 10 micras;

b.

Materiales cerámicos que no sean materiales compuestos (composites), en formas brutas o semielaboradas, compuestos de boruros de titanio que tengan una densidad igual o superior al 98 % de la densidad teórica; Nota: El subartículo 1C007.b. no somete a control los abrasivos.

c.

Materiales de materiales compuestos (composites) cerámica-cerámica con matriz de vidrio o de óxido, reforzados con fibras, que posean todas las características siguientes:

1. Constituidos por cualquiera de los siguientes materiales:

1. a.

Si-N;

b.

Si-C;

c.

Si-Al-O-N, o

d.

Si-O-N; y

2. Con una resistencia específica a la tracción superior a 12,7 × 103 m;

d.

Materiales de materiales compuestos (composites) cerámica-cerámica, con o sin fase metálica continua, que contengan partículas, triquitos o fibras, y en los que la matriz esté formada por carburos o nitruros de silicio, circonio o boro;

e.

Materiales precursores (es decir, materiales polímeros u organometálicos para fines especiales) destinados a la producción de cualquiera de las fases de los materiales incluidos en el subartículo 1C007.c., según se indica:

1. Polidiorganosilanos (para producir carburo de silicio);

2. Polisilazanos (para producir nitruro de silicio);

3. Policarbosilazanos (para producir materiales cerámicos con componentes de silicio, carbono y nitrógeno);

f.

Materiales compuestos (composites) cerámica-cerámica con una matriz de óxido o de vidrio, reforzados con fibras de cualquiera de los sistemas siguientes: Nota: El subartículo 1C007.f. no somete a control los materiales compuestos (composites) que contengan fibras de estos sistemas con una resistencia a la tracción de la fibra inferior a 700 MPa a 1273 K (1000 °C) o con una resistencia a la termofluencia por tracción de la fibra de más de 1 % de deformación con una carga de 100 MPa a 1273 K (1000 °C) durante 100 horas.

1. Al2O3, o

2. Si-C-N.

a.

Nota: El subartículo 1C008.a. no somete a control los polvos de moldeo por compresión sin fusión ni las formas moldeadas por compresión sin fusión.

1. Bismaleimidas;

2. Poliamidas-imidas aromáticas;

3. Poliimidas aromáticas;

4. Polieterimidas aromáticas que tengan una temperatura de transición vítrea (Tg) superior a 513 K (240 °C);

b.

Copolímeros de cristales líquidos termoplásticos que tengan una temperatura de termodeformación superior a 523 K (250 °C) medida de acuerdo con la norma ISO 75-3 (2004), o sus equivalentes nacionales, con una carga de 1,82 N/mm2 y compuestos de:

1. Cualquiera de las sustancias siguientes:

1. a.

Fenileno, bifenileno o naftaleno, o

b.

Fenileno, bifenileno o naftaleno sustituido por metilo, butilo terciario o fenilo; y

2. Cualquiera de los ácidos siguientes:

2. a.

Ácido tereftálico;

b.

Ácido 6-hidroxi-2 naftóico; o

c.

Ácido 4-hidroxibenzoico;

c.

Cetonas poliarileno éter, según se indica:

1. No utilizado;

2. Poliéter cetona cetona (PEKK);

3. Poliéter cetona (PEK);

4. Poliéter cetona éter cetona cetona (PEKEKK);

d.

Cetonas de poliarileno;

e.

Sulfuros de poliarileno en los que el grupo arileno está constituido por bifenileno, trifenileno o combinaciones de ellos;

f.

Polibifenilenetersulfona que tenga una temperatura de transición vítrea (Tg) superior a 513 K (240 oC).

1CMateriales Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: a.

Copolímeros de fluoruro de vinilideno que tengan una estructura cristalina beta del 75 % o más sin estirado;

b.

Poliimidas fluoradas que contengan el 10 % en peso o más de flúor combinado;

c.

Elastómeros de fosfaceno fluorado que contengan el 30 % en peso o más de flúor combinado.

a.

Materiales fibrosos o filamentosos orgánicos que posean todas las características siguientes: Nota: El subartículo 1C010.a. no somete a control el polietileno.

1. Módulo específico superior a 12,7 × 106 m; y

2. Resistencia específica a la tracción superior a 23,5 × 104 m;

b. Nota técnica:

Materiales fibrosos o filamentosos de carbono que posean todas las características siguientes: Nota: El subartículo 1C010.b. no somete a control los tejidos constituidos por materiales fibrosos o filamentosos para la reparación de estructuras o productos laminados de aeronaves en los que el tamaño de cada hoja no sea superior a 50 cm × 90 cm. Las propiedades de los materiales descritos en el subartículo 1C010.b. se determinarán empleando los métodos recomendados SRM 12 a 17 de la Suppliers of Advanced Composite Materials Association (SACMA) o por métodos equivalentes nacionales de ensayo de cables de filamentos, como por ejemplo la Japanese Industrial Standard JIS-R-7601, párrafo 6.6.2., y se basarán en la media de los lotes.

b.

1. Módulo específico superior a 12,7 × 106 m; y

2. Resistencia específica a la tracción superior a 23,5 × 104 m;

c.

Materiales fibrosos o filamentosos inorgánicos que posean todas las características siguientes: Nota: El subartículo 1C010.c. no somete a control:

1. Módulo específico superior a 2,54 × 106 m; y

2. Punto de fusión, de ablandamiento, de descomposición o de sublimación superior a 1922 K (1649 °C) en ambiente inerte;

1. Las fibras de alúmina policristalina multifásica discontinua en forma de fibras picadas o de esterillas irregulares, que contengan el 3 % en peso o más de sílice y tengan un módulo específico inferior a 10 × 106 m;

2. Las fibras de molibdeno y de aleaciones de molibdeno;

3. Las fibras de boro;

4. Las fibras cerámicas discontinuas que tengan un punto de fusión, de ablandamiento, de descomposición o de sublimación inferior a 2043 K (1770 °C) en ambiente inerte.

d.

Materiales fibrosos o filamentosos:

1. Constituidos por cualquiera de los elementos siguientes:

1. a.

Polieterimidas incluidas en el subartículo 1C008.a.; o

b.

Materiales incluidos en los subartículos 1C008.b. a 1C008.f.; o

2. Constituidos por materiales incluidos en los subartículos 1C010.d.1.a. o 1D010.d.1.b. y entremezclados con otras fibras incluidas en los subartículos 1C010.a., 1C010.b. o 1C010.c.;

e. Nota técnica:

Fibras impregnadas de resina o de brea (preimpregnados), fibras revestidas de metal o de carbono (preformas) o preformas de fibra de carbono, según se indica: Notas: El subartículo 1C010.e. no somete a control: La temperatura de transición vítrea (Tg) para los materiales del subartículo 1C010.e. se determina mediante el método descrito en ASTM D 3418 empleando el método en seco. La temperatura de transición vítrea para las resinas fenólicas y epoxídicas se determina por el método descrito en ASTM D 4065, a una frecuencia de 1 Hz y con una velocidad de calentamiento de 2 K (°C) por minuto, empleando el método en seco.

e.

1. Hechas de materiales fibrosos o filamentosos incluidos en los subartículos 1C010.a., 1C010.b. o 1C010.c.;

2. Elaboradas a partir de materiales fibrosos o filamentosos orgánicos o de carbonos:

2. a.

Con resistencia específica a la tracción superior a 17,7 × 104 m;

b.

Con módulo específico superior a 10,15 × 106 m;

c.

Que no estén incluidos en los subartículos 1C010.a. o 1C010.b.; y

d.

Cuando estén impregnados con sustancias incluidas en los artículos 1C008 o 1C009.b, que tengan una temperatura de transición vítrea (Tg) superior a 383 K (110 °C), o con resinas fenólicas o resinas epoxi, que tengan una temperatura de transición vítrea (Tg) igual o superior a 418 K (145 °C).

a.

Los materiales fibrosos o filamentosos de carbono con matriz impregnada de resina epoxídica (preimpregnados), para la reparación de estructuras o productos laminados de aeronaves, en los que el tamaño de las hojas individuales de material preimpregnado no supere los 50 cm × 90 cm;

b.

Los preimpregnados, cuando estén impregnados con resinas fenólicas o epoxídicas que tengan una temperatura de transición vítrea (Tg) inferior a 433 K (160 °C) y una temperatura de solidificación inferior a la temperatura de transición vítrea.

a. Nota técnica:

Metales en partículas de dimensiones inferiores a 60 micras, ya sean esféricas, atomizadas, esferoidales, en escamas o pulverizadas, fabricadas a partir de un material compuesto al menos en un 99 % de circonio, magnesio y aleaciones de los mismos; El contenido natural de hafnio en el circonio (2 % a 7 % típico) se cuenta con el circonio. Nota: Los metales y aleaciones enumerados en el subartículo 1C011.a. se someten a control, estén o no encapsulados en aluminio, magnesio, circonio o berilio.

b.

Boro o carburo de boro con un grado de pureza del 85 % como mínimo y un tamaño de partículas de 60 micras o menos; Nota: Los metales o aleaciones enumerados en el subartículo 1C011.b. se someten a control, estén o no encapsulados en aluminio, magnesio, circonio o berilio.

c.

Nitrato de guanidina;

d.

Nitroguanidina (NQ) (CAS 556-88-7).

1CMateriales Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.

Plutonio en cualquiera de sus formas, con un dosaje isotópico de plutonio de más del 50% en peso de plutonio-238; Nota: El subartículo 1C012.a. no somete a control:

a.

Las expediciones con un contenido de plutonio igual o inferior a 1 g;

b.

Las expediciones con 3 gramos efectivos o menos, cuando estén contenidas en un componente sensor de un instrumento.

b.

Neptunio-237 previamente separado en cualquiera de sus formas. Nota: El subartículo 1C012.b. no somete a control las expediciones con un contenido igual o inferior a 1 g de neptunio-237.

a.

Materiales estructurales y revestimientos diseñados especialmente para reducir la reflectividad al radar;

b.

Revestimientos, incluidas las pinturas, diseñados especialmente para reducir o ajustar la reflectividad o emisividad en la región del espectro electromagnético de microondas, infrarrojos o ultravioleta.

1CMateriales Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.

Grafitos de granulometría fina con una densidad aparente de 1,72 g/cm3 o superior, medida a 288 K (15 °C), y que tengan un tamaño de grano de 100 micras o menor, utilizables en toberas de cohetes y puntas de ojivas para vehículos de reentrada, con los que se puedan manufacturar cualquiera de los siguientes productos: N.B.: Véase también el artículo 0C004.

1. Cilindros con un diámetro de 120 mm o superior y una longitud de 50 mm o superior;

2. Tubos con un diámetro interior de 65 mm o superior y un espesor de pared de 25 mm o superior y una longitud de 50 mm o superior; o

3. Bloques de un tamaño de 120 mm × 120 mm × 50 mm o superior;

b.

Grafitos pirolíticos o grafitos fibrosos reforzados, utilizables en toberas de misiles y puntas de ojivas para vehículos de reentrada; N.B.: Véase también el artículo 0C004

c.

Materiales compuestos (composites) cerámicos (con constante dieléctrica menor que 6 a cualquier frecuencia desde 100 MHz a 100 GHz), utilizables en radomos para misiles;

d.

Cerámica reforzada-inexcitada de carburo de silicio de dimensiones mecanizables utilizable en puntas de ojiva de misiles.

a.

Sustancias propulsoras:

1. Nota técnica:

Polvo esférico de aluminio, distinto del incluido en la Relación de Material de Defensa, con partículas de diámetro uniforme inferior a 200 micras y un contenido en peso de aluminio del 97 % o más, si al menos el 10 % del peso total esta constituido por partículas inferiores a 63 micras, de acuerdo con la norma ISO 2591:1988 o equivalentes nacionales; Un tamaño de partícula de 63 micras (ISO R-565) corresponde a una trama 250 (Tyler) o una trama 230 (norma ASTM E-11).

2. Nota técnica:

Combustibles metálicos, distintos de los especificados en la Relación de Material de Defensa, con una granulometría inferior a 60 micras, lo mismo esféricas que atomizadas, esferoidales, en copos o molidas, que contengan el 97 % en peso o más de cualquiera de los siguientes elementos: El contenido natural de hafnio en el circonio (2 % a 7 % típico) se cuenta con el circonio.

2. a.

Circonio;

b.

Berilio;

c.

Magnesio; o

d.

Aleaciones de los metales especificados en las anteriores letras a. a c.;

3. Sustancias oxidantes líquidas, según se indica:

3. a.

Trióxido de dinitrógeno;

b.

Dióxido de nitrógeno/tetróxido de dinitrógeno;

c.

Pentóxido de dinitrógeno;

d. Nota técnica:

Óxidos mixtos de nitrógeno (MON); Los óxidos mixtos de nitrógeno (MON) son soluciones de óxido nítrico (NO) en tetróxido de dinitrógeno/dióxido de nitrógeno (N2O4/NO2) que pueden utilizarse en sistemas de misiles. Existen diversas composiciones que pueden designarse como MONi o MONij, siendo i y j números enteros que representan el porcentaje de óxido nítrico presente en la mezcla (p.ej. el MON3 contiene un 3 % de óxido nítrico, el MON25 contiene un 25 % de óxido nítrico). El límite máximo es MON40, el 40 % en peso.

e.

VÉASE ASIMISMO LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA para Ácido nítrico fumante inhibido rojo (IRFNA);

f.

VÉANSE ASIMISMO LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA Y EL ARTÍCULO 1C238 para Compuestos constituidos por flúor y cualquiera de los elementos siguientes: otros halógenos, oxígeno o nitrógeno.

4. Derivados de Hidracina, utilizables como sustancias combustibles para cohetes, distintos a los especificados en la relación de Material de Defensa.

b.

Sustancias polímeras:

1. Polibutadieno con grupos terminales carboxílicos (CTPB);

2. Polibutadieno con grupos terminales hidroxílicos (HTPB), excepto los incluidos en la Relación de Material de Defensa;

3. Ácido polibutadieno-acrílico (PBAA);

4. Ácido polibutadieno-acrílico acrilonitrilo (PBAN);

c.

Otros aditivos y agentes para propulsantes:

1. VÉASE ASIMISMO LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA PARA Carboranos, decaboranos, pentaboranos y derivados de los mismos

2. Trietileno glicol dinitrato (TEGDN);

3. 2-nitrodifenilamina;

4. Trinitrato de trimetiloletano (TMETN);

5. Dinitrato de dietilenglicol (DEGDN).

6. Derivados del ferroceno, según se indica:

6. a.

Véase la Relación de Material de Defensa para catoceno

b.

Etil-ferroceno

c.

Propil-ferroceno

d.

Véase la Relación de Material de Defensa para N-butil-ferroceno

e.

Pentil-ferroceno

f.

Diciclopentil-ferroceno

g.

Diciclohexil-ferroceno

h.

Dietil-ferroceno

i.

Dipropil-ferroceno

j.

Dibutil-ferroceno

k.

Dihexil-ferroceno

l.

Acetil-ferrocenos

m.

Véase la Relación de Material de Defensa para ácidos ferroceno-carboxílicos

n.

Véase la Relación de Material de Defensa para butaceno

o.

Otros derivados del ferroceno que pueden utilizarse como modificadores de la velocidad de combustión de los propulsantes de cohetes, distintos de los especificados en la Relación de Material de Defensa

a.

Todas las características siguientes:

1. Que contengan el 17,0-23,0 por ciento en peso de cromo y 4,5-7,0 por ciento en peso de níquel;

2. Que tenga un contenido de titanio superior al 0,10 por ciento en peso; y

3. Una microestructura ferrítica-austenítica (también referida como microestructura a dos fases) de la cual al menos 10 por ciento es austenítica en volumen (de acuerdo con la Norma ASTM E-1181-87 o equivalentes nacionales), y

b.

Que tenga cualquiera de las siguientes formas:

1. Lingotes o barras que tengan un tamaño de 100 mm o más en cada dimensión,

2. Hojas que tengan una anchura de 600 mm o más y un espesor de 3 mm o menos, o

3. Tubos que tengan un diámetro exterior de 600 mm o más y un espesor de la pared de 3 mm o menos.

a.

Aleaciones de aluminio con las dos características siguientes:

1. Capaces de soportar una carga de rotura por tracción de 460 MPa o más a 293 K (20 °C); y

2. En forma de tubos o piezas cilíndricas sólidas (incluidas las piezas forjadas) con un diámetro exterior superior a 75 mm.

b.

Aleaciones de titanio con las dos características siguientes:

1. Capaces de soportar una carga de rotura por tracción de 900 MPa o más a 293 K (20 °C); y

2. En forma de tubos o piezas cilíndricas sólidas (incluidas las piezas forjadas) con un diámetro exterior superior a 75 mm.;

1CMateriales Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.

Materiales fibrosos o filamentosos de carbono o aramida que tengan una de las dos características siguientes: Nota: El subartículo 1C210.a. no somete a control los materiales fibrosos o filamentosos de aramida que tengan un 0,25 por ciento en peso o más de un modificador de la superficie de la fibra basado en el éster;

1. Un módulo específico de 12,7 × 106 m o superior; o

2. Una resistencia específica a la tracción de 235 × 103 m o superior;

b.

Materiales fibrosos o filamentosos de vidrio con las dos características siguientes:

1. Un módulo específico de 3,18 × 106 m o superior; y

2. Una resistencia específica a la tracción de 76,2 × 103 m o superior;

c. Nota técnica:

Hilos, cables, cabos o cintas continuos impregnados con resinas termoendurecibles, de 15 mm o menos de espesor (productos preimpregnados), hechos de los materiales fibrosos o filamentosos de carbono o vidrio especificados en los subartículos 1C210.a. o b. La resina forma la matriz del material compuesto (composite).

1CMateriales Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.

En piezas que posean una simetría cilíndrica hueca (incluidos los segmentos de cilindro) con un diámetro interior entre 100 mm y 300 mm; y

b.

Cuya masa sea superior a 20 kg.

a.

Que contenga menos de 1000 partes por millón, en peso, de impurezas metálicas distintas del magnesio; y

b.

Menos de 10 partes por millón, en peso, de boro.

a.

Que contenga menos de 200 partes por millón, en peso, de impurezas metálicas distintas del calcio; y

b.

Menos de 10 partes por millón, en peso, de boro.

a.

Con una pureza de 99,99 % del peso o superior; y

b.

Con un contenido de plata inferior a 10 partes por millón en peso.

a.

Las ventanas metálicas para máquinas de rayos X, o para dispositivos de diagrafía de sondeos;

b.

Las piezas de óxido en forma fabricada o semifabricada, diseñadas especialmente como piezas de componentes electrónicos o como sustrato para circuitos electrónicos;

c.

El berilio (silicato de berilio y aluminio) en forma de esmeraldas y aguamarinas.

1CMateriales Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.

Elemental;

b.

Compuestos con una actividad alfa total igual o superior a 37 GBq/kg (1 Ci/kg);

c.

Mezclas con una actividad alfa total igual o superior a 37 GBq/kg (1 Ci/kg);

d.

Productos o dispositivos que contengan cualquiera de los anteriores;

a.

Las cápsulas médicas;

b.

Los productos o dispositivos que contengan menos de 0,37 GBq (10 milicurios) de radio-226.

a.

Níquel en polvo con las dos características siguientes:

1. Una pureza en níquel igual o superior al 99,0 % en peso; y

2. Un tamaño medio de partícula inferior a 10 micras de acuerdo con la norma ASTM B 330;

b.

Níquel metal poroso obtenido a partir de materiales incluidos en el subartículo 1C240.a.

a.

Los polvos de níquel filamentosos;

b.

Las chapas sueltas de níquel poroso de superficie no superior a 1000 cm2 por chapa.

1CMateriales Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica:

1. Tiodiglicol (111-48-8);

2. Oxicloruro de fósforo (10025-87-3);

3. Metilfosfonato de dimetilo (756-79-6);

4. VÉASE LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA EN LO QUE RESPECTA A Difluoruro de metilfosfonilo (676-99-3);

5. Dicloruro de metilfosfonilo (676-97-1);

6. Fosfito de dimetilo (DMP) (868-85-9);

7. Tricloruro de fósforo (7719-12-2);

8. Fosfito de trimetilo (TMP) (121-45-9);

9. Cloruro de tionilo (7719-09-7);

10. 3-Hidroxi-1-metilpiperidina (3554-74-3);

11. Cloruro de N,N-diisopropil-(beta)-aminoetilo (96-79-7);

12. N,N-diisopropil-(beta)-aminoetanotiol (5842-07-9);

13. Quinuclidinol-3 (1619-34-7);

14. Fluoruro de potasio (7789-23-3);

15. 2-Cloroetanol (107-07-3);

16. Dimetilamina (124-40-3);

17. Etilfosfonato de dietilo (78-38-6);

18. N,N-dimetilfosforamidato de dietilo (2404-03-7);

19. Fosfito de dietilo (762-04-9);

20. Hidrocloruro de dimetilamina (506-59-2);

21. Dicloruro de etilfosfinilo (1498-40-4);

22. Dicloruro de etilfosfonilo (1066-50-8);

23. VÉASE LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA EN LO QUE RESPECTA A Difluoruro de etilfosfonilo (753-98-0);

24. Fluoruro de hidrógeno (7664-39-3);

25. Bencilato de metilo (76-89-1);

26. Dicloruro de metilfosfinilo (676-83-5);

27. N,N-diisopropil-(beta)-aminoetanol (96-80-0);

28. Alcohol pinacólico (464-07-3);

29. VÉASE LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA EN LO QUE RESPECTA A Metilfosfonito de O-etil-2-diisopropilaminoetilo (QL) (57856-11-8);

30. Fosfito de trietilo (122-52-1);

31. Tricloruro de arsénico (7784-34-1);

32. Ácido bencílico (76-93-7);

33. Metilfosfonito de dietilo (15715-41-0);

34. Etilfosfonato de dimetilo (6163-75-3);

35. Difluoruro de etilfosfinilo (430-78-4);

36. Difluoruro de metilfosfinilo (753-59-3);

37. Quinuclidin-3-ona (3731-38-2);

38. Pentacloruro de fósforo (10026-13-8);

39. Pinacolona (75-97-8);

40. Cianuro de potasio (151-50-8);

41. Bifluoruro de potasio (7789-29-9);

42. Bifluoruro de amonio o fluoruro ácido de amonio (1341-49-7);

43. Fluoruro de sodio (7681-49-4);

44. Bifluoruro de sodio (1333-83-1);

45. Cianuro de sodio (143-33-9);

46. Trietanolamina (102-71-6);

47. Pentasulfuro de fósforo (1314-80-3);

48. Diisopropilamina (108-18-9);

49. Dietilaminoetanol (100-37-8);

50. Sulfuro de sodio (1313-82-2);

51. Monocloruro de azufre (10025-67-9);

52. Dicloruro de azufre (10545-99-0);

53. Hidrocloruro de trietanolamina (637-39-8);

54. Hidrocloruro de N,N-diisopropil-(beta)-aminoetilo cloruro (4261-68-1);

55. Ácido metilfosfónico (993-13-5);

56. Metilfosfonato de dietilo (683-08-9);

57. Dicloruro N,N-dimetilaminofosforilo (677-43-0);

58. Fosfito de triisopropilo (116-17-6);

59. Etildietanolamina (139-87-7);

60. O,O-dietil fosforotioato (2465-65-8);

61. O,O-dietil fosforoditioato (298-06-6);

62. Hexafluorosilicato de sodio (16893-85-9);

63. Dicloruro metilfosfonotioico (676-98-2).

a.

Virus, bien naturales, potenciados o modificados, o en forma de cultivos vivos aislados o como material que incluya materia viva que haya sido deliberadamente inoculado o contaminado con estos cultivos, según se indica:

1. Virus de Chikungunya;

2. Virus de la fiebre hemorrágica congo-crimeana;

3. Virus de la fiebre dengue;

4. Virus de la encefalitis equina del este;

5. Virus Ébola;

6. Virus Hantaan;

7. Virus Junín;

8. Virus de la fiebre de Lassa;

9. Virus de la coriomeningitis linfocítica;

10. Virus Machupo;

11. Virus Marburg;

12. Virus de la viruela del mono;

13. Virus de la fiebre del valle de Rift;

14. Virus de la encefalitis de vector/garrapata (tick-borne) (virus de la encefalitis rusa de primavera-verano);

15. Virus de la viruela;

16. Virus de la encefalitis equina de Venezuela;

17. Virus de la encefalitis equina del oeste;

18. Virus de la viruela blanca (white pox);

19. Virus de la fiebre amarilla;

20. Virus de la encefalitis japonesa;

21. Virus de la selva de Kyasanur;

22. Virus de la encefalomielitis ovina (louping ill);

23. Virus de la encefalitis del Valle Murray;

24. Virus de la fiebre hemorrágica de Omsk;

25. Virus Oropouche;

26. Virus Powassan;

27. Virus Rocío;

28. Virus de la encefalitis de San Luis;

29. Virus Hendra (Morbillivirus equino);

30. Fiebres hemorrágicas de América del Sur (Sabia, Flexal, Guanarito);

31. Virus de fiebres hemorrágicas con síndrome pulmonar y renal (Seúl, Dovraba, Puumula, Sin Nombre);

32. Virus Nipah.

b.

Rickettsias, bien naturales, potenciadas o modificadas, o en forma de cultivos vivos aislados o como material que incluya materia viva que haya sido deliberadamente inoculado o contaminado con estos cultivos, según se indica:

1. Coxiella burnetii;

2. Bartonella quintana (Rochalimaea quintana, Rickettsia quintana);

3. Rickettsia prowasecki;

4. Rickettsia rickettsii;

c.

Bacterias, bien naturales, potenciadas o modificadas, o en forma de cultivos vivos aislados o como material que incluya materia viva que haya sido deliberadamente inoculado o contaminado con estos cultivos, según se indica:

1. Bacillus anthracis;

2. Brucella abortus;

3. Brucella melitensis;

4. Brucella suis;

5. Chlamydia psittaci;

6. Clostridium botulinum;

7. Francisella tularensis;

8. Burkholderia mallei (Pseudomonas mallei);

9. Burkholderia pseudomallei (Pseudomonas pseudomallei);

10. Salmonella typhi;

11. Shigella dysenteriae;

12. Vibrio cholerae;

13. Yersinia pestis;

14. Tipos de Clostridium perfringens productores de toxina épsilon;

15. Escherichia coli enterohemorrágica, serotipo O157 y otros serotipos productores de verotoxina.

d.

Toxinas, según se indica, y las subunidades de toxina de las mismas: Nota: El subartículo 1C351.d. no somete a control las toxinas botulínicas o las conotoxinas en forma de productos que cumplan todos los criterios siguientes: Nota: El artículo 1C351 no somete a control las vacunas o inmunotoxinas.

1. Toxina botulínica;

2. Toxina del Clostridium perfringens;

3. Conotoxina;

4. Ricina;

5. Saxitoxina;

6. Toxina Shiga;

7. Toxina de Staphylococcus aureus;

8. Tetrodotoxina;

9. Verotoxina;

10. Microcistina (Cianginosina);

11. Aflatoxinas;

12. Abrina;

13. Toxina del cólera;

14. Toxina diacetoxyscirpenol;

15. Toxina T-2;

16. Toxina HT-2;

17. Modecina;

18. Volkensina:

19. Viscum album Lectin 1 (Viscumina).

1. Son formulaciones farmacéuticas diseñadas para ser administradas a seres humanos en tratamientos médicos;

2. Están preenvasados para ser distribuidos como productos médicos;

3. Una autoridad pública ha autorizado su comercialización como productos médicos.

a.

Virus, bien naturales, potenciados o modificados, o en forma de cultivos vivos aislados o como material que incluya materia viva que haya sido deliberadamente inoculado o contaminado con estos cultivos, según se indica:

1. Virus de la peste porcina africana;

2. Virus de influenza aviar que:

2. a.

No estén caracterizados; o

b.

Los que la Directiva 92/40/CE (DO L 167 de 22.6.1992, p. 1) define como altamente patogénicos, según se indica:

1. virus del tipo A con un IPIV (índice de patogenicidad intravenosa) superior a 1,2 en pollos de seis semanas de edad; o

2. virus del tipo A y del subtipo H5 o H7 para los cuales la secuenciación de nucleótidos haya mostrado aminoácidos básicos múltiples en el lugar de segmentación de la hemaglutinina;

3. Virus de la lengua azul;

4. Virus de la fiebre aftosa;

5. Virus de la viruela caprina;

6. Virus herpes porcino (enfermedad de Aujeszky);

7. Virus de la peste porcina;

8. Virus Lyssa;

9. Virus de la enfermedad de Newcastle;

10. Virus de la peste de los pequeños rumiantes;

11. Enterovirus porcino del tipo 9 (virus de la enfermedad vesicular porcina);

12. Virus de la peste bovina;

13. Virus de la viruela ovina;

14. Virus de la enfermedad de Teschen;

15. Virus de la estomatitis vesicular;

16. Virus de la dermatosis nodular contagiosa;

17. Virus de la peste equina.

b.

Mycoplasma mycoides, bien natural, potenciado o modificado, o en forma de cultivos vivos aislados o como material que incluya materia viva que haya sido deliberadamente inoculado o contaminado con dicho Mycoplasma mycoides.

a.

Organismos modificados genéticamente o elementos genéticos que contengan secuencias de ácido nucleico relacionadas con la patogenicidad de organismos incluidos en el subartículo 1C351.a. a c. o en los artículos 1C352 o 1C354;

b.

Organismos modificados genéticamente o elementos genéticos que contengan secuencias de ácido nucleico que codifican cualquiera de las toxinas que se especifican en el subartículo 1C351.d., o subunidades de toxina de las mismas.

1CMateriales Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: 1.2. a.

que por sí sola o a través de sus productos transcritos o traducidos represente un peligro considerable para la salud humana, animal o vegetal; o

b.

de la que se sepa que incrementa la capacidad de un microorganismo de la lista, o de cualquier otro organismo en el que sea insertada o integrada de otro modo, de causar daños graves para la salud humana, animal o vegetal.

a.

Virus, bien naturales, potenciados o modificados, o en forma de cultivos vivos aislados o como material que incluya materia viva que haya sido deliberadamente inoculado o contaminado con estos cultivos, según se indica:

1. Tymovirus latente andino de la patata;

2. Viroide del tubérculo fusiforme de la patata;

b.

Bacterias, bien naturales, potenciadas o modificadas, o en forma de cultivos vivos aislados o como material que haya sido deliberadamente inoculado o contaminado con estos cultivos, según se indica:

1. Xanthomonas albilineans;

2. Xanthomonas campestris pv. citri incluidas las cepas referidas como Xanthomonas campestris pv. citri tipos A, B, C, D, E o clasificadas de otra forma como Xanthomonas citri, Xanthomonas campestris pv. aurantifolia o Xanthomonas campestris pv. citrumelo;

3. Xanthomonas oryzae pv. oryzae (Pseudomonas campestris pv. oryzae);

4. Clavibacter michiganensis subsp. sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. sepedonicum o Corynebacterium sepedonicum);

5. Ralstonia solanacearum razas 2 y 3 (Pseudomonas solanacearum razas 2 y 3 o Burkholderia solanacearum razas 2 y 3);

c.

Hongos, bien naturales, potenciados o modificados, o en forma de cultivos vivos aislados o como material que haya sido deliberadamente inoculado o contaminado con estos cultivos, según se indica:

1. Colletotrichum coffeanum var. virulans (Colletotrichum kahawae);

2. Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae);

3. Microcyclus ulei (sin. Dothidella ulei);

4. Puccinia graminis (sin. Puccinia graminis f. sp. tritici);

5. Puccinia striiformis (sin. Puccinia glumarum);

6. Magnaporthe grisea (Pyricularia grisea/Pyricularia oryzae).

a.

Sustancias químicas tóxicas, según se indica: Nota 1: En cuanto a las exportaciones a los Estados que no son Parte de la Convención sobre Armas Químicas, el artículo 1C450 no somete a control las mezclas químicas que contengan una o varias de las sustancias químicas especificadas en los subartículos 1C450.a.1. y .a.2. cuando ninguna sustancia química específica constituya, ella sola, más del 1 %, en peso, de la mezcla. Nota 2: En cuanto a las exportaciones a los Estados Parte de la Convención sobre Armas Químicas, el artículo 1C450 no somete a control las mezclas químicas que contengan una o varias de las sustancias químicas especificadas en los subartículos 1C4350.a.1. y .a.2. cuando ninguna sustancia química específica constituya, ella sola, más del 30 %, en peso, de la mezcla. Nota 3: El artículo 1C450 no somete a control las mezclas químicas que contengan una o varias de las sustancias químicas especificadas en los subartículos 1C450.a.4., .a.5., .a.6. y .a.7. cuando ninguna sustancia química específica constituya, ella sola, más del 30 %, en peso, de la mezcla.

1. Amitón: fosforotiolato de O,O dietil S-[2-(dietilamino) etilo] (78-53-5) y sales alquiladas o protonadas correspondientes;

2. PFIB: 1,1,3,3,3-pentafluoro-2-(trifluorometil)-1-propeno (382-21-8);

3. VÉASE LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA EN LO QUE RESPECTA A BZ: Bencilato de quinuclidinilo (6581-06-2);

4. Fosgeno: oxicloruro de carbono (75-44-5);

5. Cloruro de cianógeno (506-77-4);

6. Cianuro de hidrógeno (74-90-8);

7. Cloropicrina: tricloronitrometano (76-06-2);

b.

Precursores de sustancias químicas tóxicas, según se indica: Nota 1: En cuanto a las exportaciones a los Estados que no son Parte de la Convención sobre Armas Químicas, el artículo 1C450 no somete a control las mezclas químicas que contengan una o varias de las sustancias químicas especificadas en los subartículos 1C450.b.1., .b.2., .b.3., .b.4., .b.5. y .b.6 cuando ninguna sustancia química específica constituya, ella sola, más del 10 %, en peso, de la mezcla. Nota 2: En cuanto a las exportaciones a los Estados Parte de la Convención sobre Armas Químicas, el artículo 1C450 no somete a control las mezclas químicas que contengan una o varias de las sustancias químicas especificadas en los subartículos 1C450.b.1., .b.2., .b.3., .b.4., .b.5. y .b.6. cuando ninguna sustancia química específica constituya, ella sola, más del 30 %, en peso, de la mezcla. Nota 3: El artículo 1C450 no somete a control las mezclas químicas que contengan una o varias de las sustancias químicas especificadas en el subartículo 1C450.b.8. cuando ninguna sustancia química específica constituya, ella sola, más del 30 %, en peso, de la mezcla.

1. Sustancias químicas distintas de las incluidas en la Relación de Material de Defensa o en el artículo 1C350, que contengan un átomo de fósforo en enlace con un grupo (normal o iso) metilo, etilo o propilo, pero no con otros átomos de carbono; Nota: El subartículo 1C450.b.1. no somete a control los Fonofos: Etilfosfonotiolotionato de O-etilo S-fenilo (944-22-9);

2. N,N-dialquil (metil, etil, n-propil o isopropil) dihaluros fosforamídicos;

3. Dialquil (metil, etil, n-propil o isopropil) N,N-dialquil [(normal o iso) metil, etil, n-propil o isopropil]-fosforamidatos, distintos del N,N-dimetilfosforamidato de dietilo incluido en el artículo 1C350;

4. Cloruros de N,N-dialquil (metil, etil, n-propil o isopropil) aminoetilo-2 y sales protonadas correspondientes, distintos del cloruro de N,N-diisopropil-(beta)-aminoetilo o del hidrocloruro de N,N-diisopropil-(beta)-aminoetilo cloruro incluido en el artículo 1C350;

5. N,N-dialquil (metil, etil, n-propil o isopropil) aminoetanoles-2 y sales protonadas correspondientes, distintos del N,N-diisopropil-(beta)-aminoetanol (96-80-0) y del N,N-dietilaminoetanol (100-37-8) incluido en el artículo 1C350; Nota: El subartículo 1C450.b.5. no somete a control:

5. a.

N,N-dimetilaminoetanol (108-01-0) y sales protonadas correspondientes;

b.

las sales protonadas de N,N-dietilaminoetanol (100-37-8);

6. N,N-dialquil (metil, etil, n-propil o isopropil) aminoetano-2-tioles y sales protonadas correspondientes, distintas del N,N-diisopropil-(beta)-aminoetanotiol incluido en el artículo 1C350;

7. Véase 1C350 para Etildietanolamina (139-87-7);

8. Metildietanolamina (105-59-9).

1DEquipo lógico

1D001Equipo lógico (software) diseñado especialmente o modificado para el desarrollo, la producción o la utilización de los equipos incluidos en los artículos 1B001 a 1B003. 1D002Equipo lógico (software) para el desarrollo de materiales compuestos (composites) o laminados que contengan una matriz orgánica, una matriz metálica o una matriz de carbono. 1D101Equipo lógico (software) diseñado especialmente o modificado para la utilización de productos especificados en los artículos 1B101, 1B102, 1B115, 1B117, 1B118 o 1B119. 1D103Equipo lógico (software) diseñado especialmente para el análisis de observables reducidas tales como la reflectividad al radar, las signaturas (firmas) ultravioletas/infrarrojas y las signaturas (firmas) acústicas. 1D201Equipo lógico (software) diseñado especialmente para la utilización de los productos incluidos en el artículo 1B201.

1ETecnología 1E001Tecnología, de acuerdo con la Nota General de Tecnología: para el desarrollo o la producción de los equipos o materiales incluidos en los subartículos 1A001.b., 1A001.c. o en los artículos 1A002 a 1A005, 1B o 1C. 1E002Otras tecnologías, según se indica: 1E101Tecnología de acuerdo con la Nota General de Tecnología sobre la utilización de los productos incluidos en los artículos 1A102, 1B001, 1B101, 1B102, 1B115 a 1B119, 1C001, 1C101, 1C107, 1C111 a 1C117, 1D101 o 1D103. 1E102Tecnología de acuerdo con la Nota General de Tecnología para el desarrollo de Equipos lógicos (software) incluidos en los artículos 1D001, 1D101 o 1D103. 1E103Tecnología para la regulación de la temperatura, la presión o la atmósfera en autoclaves o en hidroclaves, cuando se utilicen para la producción de materiales compuestos (composites) o materiales compuestos (composites) parcialmente procesados. 1E104Tecnología para la producción de materiales derivados pirolíticamente formados en un molde, mandril u otro sustrato a partir de gases precursores que se descompongan entre 1573 K (1300 °C) y 3173 K (2900 °C) de temperatura a presiones de 130 Pa a 20 kPa. Nota: El artículo 1E104 incluye la tecnología para la composición de gases precursores, caudales y los programas y parámetros de control de procesos. 1E201Tecnología de acuerdo con la Nota General de Tecnología para la utilización de los productos incluidos en los artículos 1A002, 1A202, 1A225 a 1A227, 1B201, 1B225 a 1B233, 1C002.b.3. o b.4., 1C010.b., 1C202, 1C210, 1C216, 1C225 a 1C240 o 1D201. 1E202Tecnología de acuerdo con la Nota General de Tecnología para el desarrollo o la producción de los productos incluidos en los artículos 1A202 o 1A225 a 1A227. 1E203Tecnología de acuerdo con la Nota General de Tecnología para el desarrollo de Equipos lógicos (software) incluidos en el artículo 1D201.

1ETecnología a.

Tecnología para el desarrollo o la producción de polibenzotiazoles o de polibenzoxazoles;

b.

Tecnología para el desarrollo o la producción de compuestos de fluoroelastómeros que contengan al menos un monómero de viniléter;

c.

Tecnología para el diseño o la producción de los materiales de base o de los materiales cerámicos que no sean materiales compuestos (composites) que se indican a continuación:

1. Materiales de base que posean todas las características siguientes:

1. a.

Cualquiera de las composiciones siguientes:

1. Óxidos de circonio simples o complejos y óxidos complejos de silicio o de aluminio;

2. Nitruros de boro simples (formas cristalinas cúbicas);

3. Carburos de silicio o de boro, simples o complejos; o

4. Nitruros de silicio, simples o complejos;

b.

Total de impurezas metálicas, excluidas las adiciones intencionales, inferior a:

1. 1000 ppm para los carburos u óxidos simples; o

2. 5000 ppm para compuestos complejos o nitruros simples; y

c.

Sean cualquiera de los siguientes:

1. Circonios con un tamaño medio de partículas inferior o igual a 1 micras y con no más del 10 % de las partículas mayores de 5 micras

2. Otros materiales de base con un tamaño medio de partículas inferior o igual a 5 micras y con no más del 10 % de las partículas mayores de 10 micras; o

3. Que posean todas las características siguientes:

3. a.

Plaquetas con una relación de longitud a espesor superior a 5;

b.

Triquitos con una relación de longitud a diámetro superior a 10 para los diámetros inferiores a 2 micras; y

c.

Fibras continuas o troceadas de diámetro inferior a 10 micras;

2. Materiales cerámicos que no sean materiales compuestos (composites) compuestos de los materiales incluidos en el subartículo 1E002.c.1.; Nota: El subartículo 1E002.c.2. no somete a control la tecnología para el diseño o la producción de abrasivos.

d.

Tecnología para la producción de fibras de poliamidas aromáticas;

e.

Tecnología para la instalación, el mantenimiento o la reparación de los materiales incluidos en el artículo 1C001;

f.

Tecnología para la reparación de las estructuras de materiales compuestos (composites), laminados o materiales incluidos en el artículo 1A002 o en los subartículos 1C007.c. o 1C007.d. Nota: El subartículo 1E002.f. no somete a control la tecnología de reparación de estructuras de aeronaves civiles con materiales fibrosos o filamentosos de carbono y resinas epoxídicas, descrita en los manuales de los fabricantes de aeronaves.

CATEGORÍA 2 TRATAMIENTO DE LOS MATERIALES

2ASistemas, equipos y componentes Nota técnica:

N.B.: Para los rodamientos de funcionamiento silencioso ver la Relación de Material de Defensa. 2A001Rodamientos y sistemas de rodamiento antifricción, según se indica, y componentes para ellos: Nota: El artículo 2A001 no somete a control las bolas con tolerancias especificadas por el fabricante de acuerdo con la norma ISO 3290 como grado 5 o peor. 2A225Crisoles hechos de materiales resistentes a los metales actínidos líquidos, según se indica: 2A226Válvulas que reúnan todas las características siguientes: Para las válvulas con diferentes diámetros de entrada y de salida, el tamaño nominal en el artículo 2A226 se refiere al diámetro más pequeño.

2ASistemas, equipos y componentes a.

Rodamientos de bolas o rodamientos de rodillos macizos con todas las tolerancias especificadas por el fabricante de acuerdo con las normas ISO 492 Clase de Tolerancia 4 (o ANSI/ABMA Sdt 20 Clase de Tolerancia ABEC-7 o RBEC-7 u otros equivalentes nacionales) o mejores, y que tengan tanto anillos como elementos de rodadura (ISO 5539) de monel o de berilio; Nota: El subartículo 2A001.a. no somete a control los rodamientos de rodillos cónicos.

b.

Otros rodamientos de bolas o rodamientos de rodillos macizos con todas las tolerancias especificadas por el fabricante de acuerdo con las normas ISO 492 Clase de Tolerancia 2 (o ANSI/ABMA Sdt 20 Clase de Tolerancia ABEC-9 o RBEC-9 u otros equivalentes nacionales) o mejores; Nota: El subartículo 2A001.b. no somete a control los rodamientos de rodillos cónicos.

c.

Sistemas de rodamientos magnéticos activos que utilicen cualquiera de los siguientes elementos:

1. Materiales con densidades de flujo de 2,0 T o mayores y límites elásticos superiores a 414 MPa;

2. Diseños de polarización homopolar 3D totalmente electromagnéticos para actuadores; o

3. Sensores de posición de alta temperatura [450 K (117 °C) y superiores].

a.

Crisoles que reúnan las dos características siguientes:

1. Un volumen comprendido entre 150 cm3 y 8000 cm3; y

2. Estar hechos o revestidos de cualquiera de los siguientes materiales, cuya pureza sea del 98 % o más en peso:

2. a.

Fluoruro de calcio (CaF2);

b.

Circonato de calcio (metacirconato) (CaZrO3);

c.

Sulfuro de cerio (Ce2S3);

d.

Óxido de erbio (erbia) (Er2O3);

e.

Óxido de hafnio (hafnia) (HfO2);

f.

Óxido de Magnesio (MgO);

g.

Aleación nitrutada de niobio-titanio-wolframio (aproximadamente 50 % de Nb, 30 % de Ti, 20 % de W);

h.

Óxido de itrio (itria) (Y2O3); o

i.

Óxido de circonio (circonia) (ZrO2);

b.

Crisoles que reúnan las dos características siguientes:

1. Un volumen entre 50 cm3 y 2000 cm3; y

2. Estar hechos o revestidos de tántalo, de pureza igual o superior al 99,9 % en peso;

c.

Crisoles que reúnan todas las características siguientes:

1. Un volumen entre 50 cm3 y 2000 cm3;

2. Estar hechos o revestidos de tántalo, de pureza igual o superior al 98 % en peso; y

3. Estar revestidos con carburo, nitruro o boruro de tántalo, o cualquier combinación de éstos.

a.

Un tamaño nominal igual o superior a 5 mm;

b.

Disponer de un cierre de fuelle; y

c.

Estar fabricadas íntegramente o revestidas de aluminio, aleaciones de aluminio, níquel o aleaciones de níquel que contengan más de un 60 % de níquel en peso.

2BEquipos de ensayo, inspección y producción Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica:

2B001Máquinas herramienta y cualquier combinación de ellas, para el arranque (o corte) de metales, materiales cerámicos o materiales compuestos (composites), que, según las especificaciones técnicas del fabricante, puedan dotarse de dispositivos electrónicos para el control numérico, y componentes diseñados especialmente para ellas, según se indica: N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 2B201. Nota 1: El artículo 2B001 no somete a control las máquinas herramienta para fines específicos limitadas a la fabricación de engranajes. Para esas máquinas, véase el artículo 2B003. Nota 2: El artículo 2B001 no somete a control las máquinas herramienta para fines específicos limitadas a la fabricación de alguna de las siguientes piezas: Nota 3: La máquina herramienta que pueda realizar al menos dos de las tres funciones de torneado, fresado y rectificado (por ejemplo, una máquina de torneado que también sea fresadora) tendrá que ser evaluada respecto de cada uno de los subartículos 2B001.a., 2B001.b. o 2B001.c. que le sean aplicables. 2B002Máquinas herramienta de control numérico que apliquen un proceso de acabado magneto-reólico (MRF) equipadas para producir superficies no esféricas y que reúnan cualquiera de las características siguientes: A los efectos del artículo 2B002, MRF es un proceso de eliminación de materiales mediante un fluido abrasivo magnético cuya viscosidad se controla por medio de un campo magnético. 2B003Máquinas herramienta de control numérico o manuales, y los componentes, controles y accesorios diseñados especialmente para ellas, diseñadas especialmente para el rasurado, acabado, rectificado o bruñido de engranajes rectos, de dentado helicoidal y de doble dentado helicoidal, endurecidos (Rc = 40 o superior), con círculo primitivo de diámetro superior a 1250 mm y una anchura de diente del 15 % o superior del diámetro del círculo primitivo, acabados con calidad igual o superior al nivel AGMA (American Gear Manufacturers Asociation) 14 (equivalente a ISO 1328 clase 3). 2B004Prensas isostáticas en caliente, que reúnan todas las características siguientes, y los componentes y accesorios diseñados especialmente para ellas: N.B.: VÉANSE TAMBIÉN LOS ARTÍCULOS 2B104 Y 2B204. La dimensión interior de la cámara es la de la cavidad de trabajo en la que se generan la temperatura y la presión de trabajo y no incluye el utillaje de sujeción. Dicha dimensión será bien la del diámetro interior de la cámara de presión bien la del diámetro interior de la cámara aislada del horno, y concretamente la menor de ambas, en función de cuál de las cámaras esté situada en el interior de la otra. N.B.: Para matrices, moldes y herramientas diseñados especialmente véanse los artículos 1B003, 9B009 y la Relación de material de Defensa. 2B005Equipos diseñados especialmente para el depósito, proceso y control durante el proceso, de revestimientos, recubrimientos y modificaciones de superficies inorgánicas, según se indica, para sustratos no electrónicos, por los procedimientos que se especifican en la tabla y en las notas correspondientes a continuación del subartículo 2E003.f., y los componentes de manejo automático, posicionamiento, manipulación y control automatizados diseñados especialmente para ellos: Nota: El artículo 2B005 no somete a control los equipos para depósito químico en fase de vapor, de arco catódico, depósito por pulverización catódica, sedimentación iónica o implantación iónica diseñados especialmente para herramientas de corte o de mecanizado. 2B006Sistemas, equipos y conjuntos electrónicos de control dimensional o de medida según se indica: N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 2B206. Nota: Las máquinas herramienta que puedan utilizarse como máquinas de medida quedan sometidas a control si cumplen o sobrepasan los criterios establecidos para la función de máquinas herramienta o para la función de máquinas de medida. 2B007Robots que tengan cualquiera de las características siguientes y controladores y efectores terminales diseñados especialmente para ellos: N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 2B207. 2B008Conjuntos o unidades diseñados especialmente para máquinas herramienta o para sistemas y equipos de control dimensional o de medida, según se indica: 2B009Máquinas de conformación por rotación y máquinas de conformación por estirado que, de acuerdo con las especificaciones técnicas del fabricante, puedan ser equipadas con unidades de control numérico o controladas por ordenador y que reúnan todas las características siguientes: N.B.: VÉANSE TAMBIÉN LOS ARTÍCULOS 2B109 Y 2B209. Las máquinas que combinen las funciones de conformación por rotación y por estirado (spin forming y flow forming) se consideran, a efectos del artículo 2B009, como máquinas de conformación por estirado. 2B104Prensas isostáticas, distintas de las especificadas en el artículo 2B004, que tengan todas las características siguientes: N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 2B204. 2B105Hornos de depósito químico en fase de vapor (CVD), distintos de los incluidos en el subartículo 2B005.a., diseñados o modificados para la densificación de materiales compuestos (composites) carbono-carbono. 2B109Máquinas de conformación por estirado (flow forming), distintas de las incluidas en el artículo 2B009, y componentes diseñados especialmente según se indica: N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 2B209. Nota: El artículo 2B109 no somete a control las máquinas que no son utilizables en la producción de componentes y equipos (por ejemplo carcasas de motores) para la propulsión, para sistemas incluidos en los artículos 9A005, 9A007.a. o 9A105.a. Las máquinas que combinen las funciones de conformación por rotación y por estirado (spin forming y flow forming) se consideran, a efectos del artículo 2B109, como de conformación por estirado. 2B116Sistemas para ensayo de vibraciones, equipos y componentes para ellos, según se indica: En el artículo 2B116 mesa vacía (bare table) significa una mesa o superficie plana, sin guarniciones ni accesorios. 2B117Equipo y controles de proceso, distintos de los incluidos en los artículos 2B004, 2B005.a., 2B104 o 2B105, diseñados o modificados para la densificación y pirólisis para estructuras de toberas de cohetes y ojivas de vehículos de reentrada, de materiales compuestos (composites). 2B119Máquinas para equilibrar (balancing machines) y equipo relacionado, según se indica: N.B.: VÉASE TAMBIEN EL ARTÍCULO 2B219. 2B120Simuladores de movimientos o mesas de velocidad (rate tables) que tengan todas las características siguientes: Nota: El artículo 2B120 no somete a control las mesas rotativas diseñadas o modificadas como máquina-herramienta o para equipo médico. Para el control de mesas rotativas máquina-herramienta véase el artículo 2B008. 2B121Mesas de posicionado (positioning tables) (equipo capaz de un posicionado rotatorio preciso en cualquier eje), distinto del incluido en el artículo 2B120, que tengan todas las siguientes características: Nota: El artículo 2B121 no somete a control las mesas rotativas diseñadas o modificadas como máquina-herramienta o para equipo médico. Para el control de mesas rotativas máquina-herramienta véase el artículo 2B008. 2B122Centrífugas capaces de impartir aceleraciones superiores a 100 g y que tengan anillos deslizantes capaces de transmitir potencia eléctrica y señal de información. 2B201Máquinas herramienta, y cualquier combinación de ellas distintas de las indicadas en el artículo 2B001, según se indica, para el arranque o corte de metales, materiales cerámicos o materiales compuestos (composites), que, según las especificaciones técnicas del fabricante, puedan dotarse de dispositivos electrónicos para el control de contorneado simultáneo en dos o más ejes: 2B204Prensas isostáticas distintas de las incluidas en los artículos 2B004 o 2B104 y equipos correspondientes, según se indica: En el artículo 2B204 la dimensión de la cámara interior es la de la cámara en la que se alcanzan tanto la temperatura de funcionamiento como la presión de funcionamiento, y no incluye los accesorios. Esta dimensión será, bien la del diámetro interior de la cámara de presión, bien la del diámetro interior de la cámara aislada del horno, y concretamente la menor de ambas, según cuál de las dos cámaras esté colocada dentro de la otra. 2B206Máquinas, instrumentos o sistemas de control dimensional, distintos de los incluidos en el artículo 2B006, según se indica: Nota 1: Las máquinas herramienta que puedan utilizarse como máquinas de medida quedan sometidas a control si cumplen o sobrepasan los criterios establecidos para la función de máquinas herramienta o para la función de máquinas de medida. Nota 2: Toda máquina descrita en el artículo 2B206 queda sometida a control si sobrepasa el límite de control en cualquier punto de su régimen de funcionamiento. 2B207Robots, efectores terminales y unidades de control, distintos de los incluidos en el artículo 2B007, según se indica: 2B209Máquinas de conformación por estirado, máquinas de conformación por rotación, capaces de desempeñar funciones de conformación por estirado, distintas de las incluidas en los artículos 2B009 o 2B109, y mandriles, según se indica: Nota: El subartículo 2B209.a. incluye las máquinas que tengan solo un rodillo único diseñado para deformar el metal más dos rodillos auxiliares que sirvan de apoyo al mandril, pero que no participen directamente en el proceso de deformación. 2B219Máquinas de equilibrado multiplano de centrífugas, fijas o móviles, horizontales o verticales, según se indica 2B225Manipuladores a distancia que puedan usarse para efectuar acciones a distancia en las operaciones de separación radioquímica o en celdas calientes que posean cualquiera de las características siguientes: Los manipuladores a distancia traducen las acciones de un operador humano a un brazo operativo y sujeción terminal a distancia. Los manipuladores pueden ser del tipo maestro/esclavo o accionados por palanca universal o teclado numérico. 2B226Hornos de inducción en atmósfera controlada (al vacío o gas inerte) y fuentes de alimentación correspondientes, según se indica: N.B.: VÉASE TAMBIÉN LA CATEGORÍA 3B. Nota: El subartículo 2B226.a. no somete a control los hornos diseñados para la transformación de obleas de semiconductores. 2B227Hornos metalúrgicos de fusión y de fundición, de vacío u otras formas de atmósfera controlada, y equipos correspondientes, según se indica: 2B228Equipos de fabricación o ensamblado de rotores, mandriles y matrices par a la conformación de fuelles, según se indica: 2B230Transductores de presión capaces de medir la presión absoluta en cualquier punto en el intervalo de 0 a 13 kPa y que tengan todas las características siguientes: A los fines del artículo 2B230, exactitud incluye la no linealidad, histéresis y repetibilidad a temperatura ambiente. 2B231Bombas de vacío que reúnan todas las características siguientes: 2B232Cañones de gas ligero multietapas u otros sistemas de cañón de alta velocidad (de bobina, electromagnéticos, de tipo electrotérmico, y otros sistemas avanzados), capaces de acelerar proyectiles a una velocidad de 2 km/s o más. 2B350Instalaciones, equipos y componentes químicos de fabricación, según se indica: El grafito de carbono es un compuesto de carbono amorfo y grafito, que contiene más del 8 % de grafito en peso. 2B351Sistemas de supervisión de gases tóxicos, según se indica; y detectores asignados para ellos: 2B352Equipos que puedan usarse en la manipulación de materiales biológicos, según se indica:

2BEquipos de ensayo, inspección y producción Notas técnicas:

1. Los ejes de contorneado secundarios paralelos (por ejemplo, el eje w de las mandrinadoras horizontales o un eje de rotación secundario cuya línea central sea paralela al eje de rotación principal) no se incluyen en el número total de ejes de contorneado. Los ejes de rotación no necesitan cubrir 360°. Un eje de rotación podrá ser accionado por un dispositivo lineal (por ejemplo, un tornillo o un sistema de piñón y cremallera).

2. A efectos del artículo 2B, el número de ejes que pueden coordinarse simultáneamente para el control de contorneado es el número de ejes a lo largo o alrededor de los cuales se producen, durante el trabajo de la pieza, movimientos simultáneos e interrelacionados entre la pieza y una herramienta. Esto no incluye otros ejes adicionales a lo largo o alrededor de los cuales tengan lugar otros movimientos relativos dentro de la máquina. Tales ejes incluyen:

2. a.

Sistemas de reafilado de muelas de máquinas de rectificado;

b.

Ejes de rotación paralelos diseñados para montar piezas separadas;

c.

Ejes rotatorios colineales diseñados para manipular la misma pieza sujetándola sobre un mandril desde distintos lados.

3. La nomenclatura de los ejes se ajustará a la norma internacional ISO 841 Máquinas de Control Numérico — Nomenclatura de Ejes y Movimientos.

4. A los efectos de los artículos 2B001 a 2B009, un husillo basculante se considera eje de rotación.

5. Los niveles de exactitud de posicionamiento declarados a partir de mediciones efectuadas de acuerdo con la norma ISO 230/2 (1998) o sus equivalentes nacionales podrán utilizarse para cada modelo de máquina herramienta, en lugar de someter las máquinas a ensayos individuales. Por exactitud de posicionamiento declarada se entiende el valor de la exactitud declarado a las autoridades del Estado miembro donde esté ubicado el exportador en su calidad de representante de la exactitud del modelo de máquina. Fijación de los valores declarados

5. a.

Seleccionar cinco máquinas del modelo que se quiere evaluar;

b.

Medir las precisiones de los ejes lineales según la norma ISO 230/2 (1988);

c.

Establecer los valores A de cada eje de cada máquina. En la norma ISO se describe el método de cálculo del valor A;

d.

Establecer el valor medio A de cada eje. Ese valor medio  será el valor declarado de cada eje para el modelo (Âx Ây…);

e.

Como la lista de la categoría 2 se refiere a cada eje lineal, habrá tantos valores declarados como ejes lineales;

f.

En caso de que algún eje de un modelo de máquina no sometido a control por los subartículos 2B001.a. a 2B001.c. o el artículo 2B201 tenga una exactitud declarada  de 6 micras para las máquinas de rectificado y de 8 micras para las fresadoras y torneadoras o aún mejor, se podrá pedir al fabricante que compruebe el nivel de la exactitud cada 18 meses.

a.

cigüeñales o árboles de levas;

b.

herramientas o cuchillas;

c.

tornillos extrusores;

d.

piezas de joyería grabadas o talladas en facetas.

a.

Máquinas herramienta para torneado que reúnan todas las características siguientes: Nota: El subartículo 2B001.a. no somete a control las máquinas de torneado diseñadas especialmente para producir lentes de contacto.

1. Precisiones de posicionamiento, con todas las compensaciones disponibles, iguales o inferiores a (mejores que) 6 micras, de conformidad con la norma ISO 230/2 (1988) o equivalentes nacionales en cualquiera de los ejes lineales; y

2. Dos o más ejes que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado;

b.

Máquinas herramienta para fresado que reúnan cualquiera de las características siguientes:

1. Con todas las características siguientes:

1. a.

Precisiones de posicionamiento, con todas las compensaciones disponibles, iguales o inferiores a (mejores que) 6 micras, de conformidad con la norma ISO 230/2 (1988) o equivalentes nacionales en cualquiera de los ejes lineales; y

b.

Tres ejes lineales más un eje de rotación que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado;

2. Cinco o más ejes que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado;

3. Una exactitud de posicionamiento para las mandrinadoras de coordenadas, con todas las compensaciones disponibles, igual o inferior a (mejor que) 4 micras, de conformidad con la norma ISO 230/2 (1988) o equivalentes nacionales en cualquiera de los ejes lineales; o

4. Fresadoras simples con todas las características siguientes:

4. a.

Desplazamiento axial periódico radial y desplazamiento axial periódico longitudinal del husillo inferiores a (mejor que) 0,0004 mm TIR; y

b.

Desviación angular del movimiento del carro (guiñada, cabeceo y balanceo) inferior a (mejor que) 2 segundos de arco, TIR de más de 300 mm de avance;

c.

Máquinas herramienta para rectificado que reúnan cualquiera de las características siguientes: Nota: El subartículo 2B001.c. no somete a control las máquinas para rectificado, que se indican a continuación:

1. Con todas las características siguientes:

1. a.

Precisión de posicionamiento, con todas las compensaciones disponibles, igual o inferior a (mejor que) 4 micras, de conformidad con la norma ISO 230/2 (1988) o equivalentes nacionales en cualquiera de los ejes lineales; y

b.

Tres o más ejes que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado; o

2. Cinco o más ejes que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado;

1. Máquinas para rectificado cilíndrico externo, interno o externo-interno que reúnan todas las características siguientes:

1. a.

Limitarse al rectificado cilíndrico; y

b.

Limitarse a una capacidad máxima para piezas de 150 mm de diámetro exterior o longitud.

2. Máquinas diseñadas específicamente como rectificadoras de coordenadas que no tengan un eje z o un eje w, con una precisión de posicionamiento, con todas las compensaciones disponibles, inferior a (mejor que) 4 micras, de conformidad con la norma ISO 230/2 (1988) o sus equivalentes nacionales.

3. Rectificadoras de superficies.

d.

Máquinas de electroerosión (EDM) de tipo distinto al de hilo que tengan dos o más ejes de rotación que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado;

e.

Máquinas herramienta para el arranque de metales, materiales cerámicos o materiales compuestos (composites), que tengan todas las características siguientes:

1. que eliminen material por alguno de los siguientes medios:

1. a.

Chorros de agua o de otros líquidos, incluidos los que utilizan aditivos abrasivos;

b.

Haz electrónico; o

c.

Haz láser; y

2. estén dotadas de dos o más ejes rotativos, los cuales:

2. a.

Puedan coordinarse simultáneamente para el control del contorneado; y

b.

Tenga una exactitud de posicionamiento inferior a (mejor que) 0,003°;

f.

Máquinas para perforación profunda y máquinas para tornear modificadas para perforación profunda, que tengan una capacidad máxima de profundidad de perforación superior a 5000 mm, y componentes diseñados especialmente para ellas.

a.

Acabado de la forma inferior a (mejor que) 1,0 micra, o bien

b.

Acabado de la rugosidad inferior a (mejor que) 100 nm rms.

2BEquipos de ensayo, inspección y producción Notas técnicas: Nota técnica: a.

Un ambiente térmico controlado dentro de la cavidad cerrada y una cámara con un diámetro interior igual o superior a 406 mm; y

b.

Cualquiera de las características siguientes:

1. Capacidad para desarrollar una presión de trabajo máxima superior a 207 MPa;

2. Ambiente térmico controlado superior a 1773 K (1500 °C); o

3. Capacidad para efectuar impregnación con hidrocarburos y eliminar las sustancias gaseosas de descomposición resultantes.

2BEquipos de ensayo, inspección y producción Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: a.

Equipos de producción para el depósito químico en fase de vapor (CVD) que reúnan todas las características siguientes: N.B.: VÉASE TAMBIEN EL ARTÍCULO 2B105.

1. Proceso modificado para uno de los tipos de depósito siguientes:

1. a.

CVD pulsante;

b.

Deposición nuclearia térmica controlada (CNTD); o

c.

CVD intensificado por plasma o asistido por plasma; y

2. Que incorporen alguna de las características siguientes:

2. a.

Juntas rotatorias de alto vacío (igual o inferior a 0,01 Pa); o

b.

Control del espesor del revestimiento in situ;

b.

Equipos de producción para la implantación iónica que posean corrientes de haz iguales o superiores a 5 mA;

c.

Equipos de producción para el depósito físico mediante vapor, con haz de electrones (EB-PVD), que incorporen sistemas de alimentación tasados a más de 80 kW y reúnan alguna de las características siguientes:

1. Sistema de control láser del nivel del baño líquido que regule con precisión la velocidad de avance de los lingotes; o

2. Dispositivo de vigilancia de la velocidad controlado por ordenador, que funcione de acuerdo con el principio de la fotoluminiscencia de los átomos ionizados en la corriente en evaporación para controlar la velocidad de depósito de un revestimiento que contenga dos o más elementos;

d.

Equipos de producción para la pulverización de plasma que posean cualquiera de las características siguientes:

1. Funcionamiento en atmósfera controlada a baja presión (igual o inferior a 10 kPa, medida por encima de la salida de la boquilla de la pistola y a una distancia máxima de 300 mm de ésta) en una cámara de vacío capaz de evacuar hasta 0,01 Pa antes del proceso de pulverización; o

2. Control del espesor del revestimiento in situ;

e.

Equipos de producción para el depósito por pulverización catódica capaces de producir densidades de corriente iguales o superiores a 0,1 mA/mm2 a una velocidad de depósito igual o superior a 15 micras/h;

f.

Equipos de producción para el depósito por arco catódico, dotados de una retícula de electroimanes para el control de la dirección del punto de arco en el cátodo;

g.

Equipos de producción para la implantación iónica que permitan la medición in situ de una de las características siguientes:

1. Espesor del revestimiento sobre el sustrato y control de la velocidad; o

2. Características ópticas.

a.

Máquinas de medida de coordenadas (MMC) controladas por ordenador, o bien por control numérico, que tengan un error máximo tolerado (EMTe) de indicación en tres dimensiones (volumétrica) en cualquier punto dentro del alcance operacional de la máquina (es decir, dentro de la longitud de los ejes) igual o inferior a (mejor que) (1,7 + L/1000) micras (L es la longitud medida expresada en mm) ensayada según la norma ISO 10360 2 (2001);

b.

Instrumentos de medida de desplazamiento lineal y angular, según se indica:

1. Nota técnica:

Instrumentos de medida de desplazamiento lineal que posean cualquiera de las características siguientes: A efectos del subartículo 2B006.b.1, se entenderá por desplazamiento lineal el cambio de distancia entre la sonda de medición y el objeto medido. Nota: El subartículo 2B006.b.1. no somete a control los sistemas de medida con interferómetros, con un sistema de control automático que esté diseñado para no utilizar técnicas de realimentación, que contengan un láser para medir los errores de movimiento del carro de las máquinas herramienta, de las máquinas de control dimensional o de equipos similares.

a.

Sistemas de medida del tipo sin contacto que posean una resolución igual o inferior a (mejor que) 0,2 micras dentro de una gama de medida igual o inferior a 0,2 mm;

b.

Sistemas de transformadores diferenciales de tensión lineal que reúnan todas las características siguientes:

1. Linealidad igual o inferior a (mejor que) 0,1 % dentro de una gama de medida igual o inferior a 5 mm; y

2. Deriva igual o inferior a (mejor que) 0,1 % por día a la temperatura ambiente normalizada de las salas de verificación ± 1 K; o

c.

Sistemas de medida que reúnan todas las características siguientes:

1. Que contengan un láser; y

2. Que sean capaces de mantener durante 12 horas como mínimo, a una temperatura normalizada ± 1 K y a una presión normalizada, todas las características siguientes:

2. a.

Una resolución, en toda la escala, igual o inferior a (mejor que) 0,1 micras; y

b.

Una incertidumbre de medida igual o inferior a (mejor que) (0,2 + L/2000) micras (L es la longitud medida expresada en mm);

d.

Conjuntos electrónicos diseñados especialmente para proporcionar capacidad de realimentación en los sistemas sometidos a control en el subartículo 2B006.b.1.c.

2. Instrumentos de medida del desplazamiento angular con una desviación de posición angular igual o inferior a (mejor que) 0,00025°; Nota: El subartículo 2B006.b.2. no somete a control los instrumentos ópticos, como los autocolimadores, que utilicen luz colimada (i.e. luz láser) para detectar el desplazamiento angular de un espejo.

c.

Equipos destinados a medir irregularidades de superficie midiendo la dispersión (scatter) óptica en función del ángulo, con una sensibilidad igual o inferior a (mejor que) 0,5 nm.

a. Nota técnica:

Ser capaces de efectuar el proceso completo, en tiempo real, de imágenes tridimensionales o el análisis de escenas tridimensionales para crear o modificar programas o datos numéricos de programas; La limitación relativa al análisis de escena no incluye la aproximación de la tercera dimensión mediante la visión bajo un ángulo dado, o limitado a la interpretación de una escala de grises para la percepción de la profundidad o la textura para las tareas autorizadas (2 1/2 D).

b.

Estar diseñados especialmente para satisfacer las normas nacionales de seguridad relativas a entornos de armamento explosivo;

c. Nota técnica:

Estar diseñados especialmente o tener las características necesarias para resistir a la radiación por encima de los límites necesarios para soportar una radiación total de más de 5 × 103 Gy (silicio) sin degradación operativa; o El término Gy (silicio) se refiere a la energía en julios por kilo que absorbe una muestra de silicio expuesta sin protección a radiaciones ionizantes.

d.

Estar diseñados especialmente para trabajar a alturas superiores a 30000 m.

a.

Unidades de realimentación de posición lineal (por ejemplo, los dispositivos de tipo inductivo, escalas graduadas, sistemas de infrarrojos o sistemas láser) que posean una exactitud global inferior a (mejor que) [800 + (600 × L × 10 –3)] nm (siendo L la longitud efectiva en mm); N.B.: Para los sistemas láser véase también la nota al subartículo 2B006.b.1.

b.

Unidades de realimentación de posición rotatoria, por ejemplo dispositivos de tipo inductivo, escalas graduadas, sistemas de infrarrojos o sistemas láser que posean una exactitud inferior a (mejor que) 0,00025°; N.B.: Para los sistemas láser véase también la nota al subartículo 2B006.b.1.

c.

Mesas rotativas compuestas y husillos basculantes que, de acuerdo con las especificaciones del fabricante, puedan mejorar las máquinas herramienta hasta el punto de que alcancen o sobrepasen los niveles establecidos en el artículo 2B.

a.

Tener dos o más ejes controlados, de los que dos como mínimo puedan ser coordinados simultáneamente para el control de contorneado; y

b.

Una fuerza en rodillo superior a 60 kN.

2BEquipos de ensayo, inspección y producción Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.

Presión de trabajo máxima de 69 MPa o superior;

b.

Estar diseñadas para conseguir y mantener un ambiente termal controlado de 873 K (600 °C) superior; y

c.

Poseer una cavidad de la cámara con un diámetro interior de 254 mm o superior.

a.

Máquinas de conformación por estirado (flow forming) que tengan todo lo siguiente:

1. Que de acuerdo con las especificaciones técnicas del fabricante, puedan ser equipadas con unidades de control numérico o controladas por ordenador, aunque originariamente no estuviesen equipadas con tales unidades; y

2. Con más de dos ejes que puedan ser coordinados simultáneamente para el control de contorneado;

b.

Componentes diseñados especialmente para máquinas de conformación por estirado (flow forming) incluidas en los artículos 2B009 o 2B109.a.

2BEquipos de ensayo, inspección y producción Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.

Sistemas para ensayo de vibraciones que empleen técnicas de realimentación o de bucle cerrado y que incorporen un controlador digital, capaces de someter a un sistema a vibraciones con una aceleración igual o superior a 10 g RMS entre los 20 Hz y los 2 kHz y ejerciendo fuerzas iguales o superiores a 50 kN, medidas a mesa vacía (bare table);

b.

Controladores digitales, combinados con equipo lógico (software) diseñado especialmente para ensayos de vibraciones, con ancho de banda en tiempo real superior a 5 kHz, diseñados para uso en sistemas para ensayos de vibraciones incluidos en el subartículo 2B116.a.;

c.

Impulsores para vibración (unidades agitadoras), con o sin los amplificadores asociados, capaces de impartir una fuerza igual o superior a 50 kN, medida a mesa vacía, y utilizables en los sistemas para ensayos de vibraciones incluidos en el subartículo 2B116.a.;

d.

Estructuras de soporte de la pieza por ensayar y unidades electrónicas diseñadas para combinar unidades agitadoras múltiples en un sistema capaz de impartir una fuerza efectiva combinada igual o superior a 50 kN, medida a mesa vacía, y utilizables en los sistemas para ensayos de vibraciones incluidos en el subartículo 2B116.a.

2BEquipos de ensayo, inspección y producción Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.

Máquinas para equilibrar (balancing machines) que tengan todas las características siguientes: Nota: El subartículo 2B119.a. no somete a control las máquinas para equilibrar (balancing machines) diseñadas o modificadas para equipos dentales o otros fines médicos.

1. No sean capaces de equilibrar rotores/conjuntos que tengan una masa superior a 3 kg;

2. Capaces de equilibrar rotores/conjuntos a velocidades superiores a 12500 rpm;

3. Capaces de corregir el equilibrado en dos planos o más; y

4. Capaces de equilibrar hasta un desequilibrio residual específico de 0,2 g mm K-1 de la masa del rotor;

b. Nota técnica:

Cabezas indicadoras (indicator heads) diseñadas o modificadas para uso con máquinas incluidas en el subartículo 2B119.a. Las cabezas indicadoras (indicator heads) son a veces conocidas como instrumentación de equilibrado.

a.

Dos o más ejes;

b.

Anillos deslizantes capaces de transmitir potencia eléctrica y/o señal de información; y

c.

Que tengan cualquiera de las siguientes características:

1. Para cualquier eje único tengan todo lo siguiente:

1. a.

Capaz de velocidades de 400°/s o más, o 30°/s o menos; y

b.

Una resolución de velocidad igual o menor que 6°/s y una exactitud igual o menor a 0,6°/s;

2. Que tengan en las peores condiciones una estabilidad de velocidad igual o mejor (menor) que más o menos 0,05 % como valor medio sobre 10° o más; o

3. Una exactitud de posicionamiento igual o mejor que 5.

a.

Dos ejes o más; y

b.

Una exactitud de posicionamiento igual o mejor que 5 .

a.

Máquinas herramienta para fresado que posean cualquiera de las características siguientes:

1. Precisión de posicionamiento con todas las compensaciones disponibles iguales o inferiores a (mejores que) 6 micras, de conformidad con la norma ISO 230/2 (1988) o equivalentes nacionales en cualquiera de los ejes lineales; o

2. Dos o más ejes de rotación de contorneado; Nota: El subartículo 2B201.a. no somete a control las máquinas para fresado que reúnan las características siguientes:

2. a.

Desplazamiento en el eje x superior a 2 m; y

b.

Precisión de posicionamiento global en el eje x superior a (peor que) 30 micras.

b.

Máquinas herramienta para rectificado que posean cualquiera de las características siguientes: Nota: El subartículo 2B201.b. no somete a control las siguientes máquinas para rectificado: Nota 1: El subartículo 2B201 no somete a control las máquinas herramienta para fines específicos limitadas a la fabricación de cualquiera de las siguientes partes: Nota 2: La máquina herramienta que pueda realizar al menos dos de las tres funciones de torneado, fresado y rectificado (por ejemplo, una máquina de torneado que también sea fresadora) tendrá que ser evaluada respecto de cada uno de los subartículos 2B201.a. o 2B201.a. o b.

1. Precisión de posicionamiento, con todas las compensaciones disponibles, iguales o inferiores a (mejores que) 4 micras, de conformidad con la norma ISO 230/2 (1988) o equivalentes nacionales en cualquiera de los ejes lineales; o

2. Dos o más ejes de rotación de contorneado.

a.

Máquinas para rectificado cilíndrico externo, interno o externo-interno que reúnan todas las características siguientes:

1. Limitarse a 150 mm de diámetro o de longitud exteriores máximos de las piezas; y

2. Ejes limitados a x, z y c;

b.

Rectificadores de coordenadas que no dispongan del eje z o del eje w, con una exactitud de posicionamiento global inferior a (mejor que) y 4 μm, de conformidad con la norma ISO 230/2 (1998) o equivalentes nacionales.

a.

engranajes;

b.

cigüeñales o levas;

c.

herramientas o cuchillas;

d.

tornillos extrusores.

a.

Prensas isostáticas que reúnan las dos características siguientes:

1. Ser capaces de desarrollar una presión de funcionamiento máxima de 69 MPa o superior; y

2. Tener una cámara de diámetro interior superior a 152 mm;

b.

Matrices, moldes o controles, diseñados especialmente para prensas isostáticas especificadas en el subartículo 2B204.a.

2BEquipos de ensayo, inspección y producción Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.

Máquinas de control dimensional controladas por ordenador o por control numérico que reúnan las dos características siguientes:

1. Dos o más ejes; y

2. Una incertidumbre de medida de la longitud en una dimensión igual o inferior a (mejor que) (1,25 + L/1000) micras comprobadas mediante una sonda de exactitud de menos (mejor que) de 0,2 micras (L es la longitud medida expresada en mm) (Ref.: VDI/VDE 2617 Partes 1 y 2);

b.

Sistemas de control simultáneo lineal y angular de semicascos, que reúnan las dos características siguientes:

1. Incertidumbre de medida en cualquier eje lineal igual o inferior a (mejor que) 3,5 micras en 5 mm; y

2. Desviación de posición angular igual o inferior a 0,02°.

2BEquipos de ensayo, inspección y producción Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas:

1. La sonda utilizada para determinar la incertidumbre de medida de un sistema de control dimensional será la descrita en VDI/VDE 2617, Partes 2, 3 y 4.

2. Todos los parámetros de valores de medida en el artículo 2B206 representan más/menos, es decir, no toda la banda.

a.

Robots o efectores terminales diseñados especialmente para cumplir las normas nacionales de seguridad aplicables a la manipulación de explosivos de gran potencia (por ejemplo, satisfacer las especificaciones del código eléctrico para explosivos de gran potencia);

b.

Unidades de control diseñadas especialmente para cualquiera de los robots o efectores terminales especificados en el subartículo 2B207.a.

a.

Máquinas que reúnan todas las características siguientes:

1. Tres o más rodillos (activos o de guía); y

2. Que, de acuerdo con la especificación técnica del fabricante, puedan ser equipadas con unidades de control numérico o con control por ordenador;

b.

Mandriles para la conformación de rotores diseñados para formar rotores cilíndricos de diámetro interior entre 75 mm y 400 mm.

a.

Máquinas de equilibrado de centrífugas diseñadas para equilibrar rotores flexibles, que tengan una longitud igual o superior a 600 mm y todas las características siguientes:

1. Un diámetro nominal, o un diámetro máximo con oscilación, de más de 75 mm;

2. Capacidad para masas entre 0,9 y 23 kg; y

3. Capacidad de equilibrar velocidades de revolución superiores a 5000 r.p.m.;

b.

Máquinas de equilibrado de centrífugas diseñadas para equilibrar componentes de rotor cilíndricos huecos y que tenga todas las características siguientes:

1. Diámetro nominal igual o superior a 75 mm;

2. Capacidad para masas entre 0,9 y 23 kg;

3. Capacidad para equilibrar con un desequilibrio residual igual o inferior a 0,01 kg x mm/kg por plano; y

4. Del tipo accionado por correa.

a.

Capacidad para atravesar una pared de celda caliente de 0,6 m o más (operación a través de la pared); o

b.

Capacidad para pasar por encima de una pared de celda caliente de 0,6 m o más de grosor (operación por encima de la pared).

2BEquipos de ensayo, inspección y producción Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: a.

Hornos que reúnan todas las características siguientes:

1. Ser capaces de funcionar a más de 1123 K (850 °C);

2. Estar equipados con bobinas de inducción de 600 mm o menos de diámetro; y

3. Estar diseñados para potencias de entrada de 5 kW o más;

b.

Fuentes de alimentación diseñadas especialmente para los hornos especificados en 2B226.a., con una potencia de salida de 5 kW o más.

a.

Hornos de fundición y de refusión de arco que reúnan las dos características siguientes:

1. Electrodos consumibles de capacidad comprendida entre 1000 y 20000 cm3, y

2. Capacidad de funcionar a temperaturas de fusión superiores a 1973 K (1700 °C);

b.

Hornos de fusión de haz de electrones, y de atomización y difusión por plasma que reúnan las dos características siguientes:

1. Potencia igual o superior a 50 kW; y

2. Capacidad de funcionar a temperaturas de fusión superiores a 1473 K (1200 °C);

c.

Control por ordenador y sistemas de supervisión configurados especialmente para cualquiera de los hornos especificados en los subartículos 2B227.a. o b.

a.

Equipos de ensamblado de rotores para ensamblar secciones de tubos de rotor, pantallas y cofias de centrífugas gaseosas; Nota: El subartículo 2B228.a. incluye los mandriles de precisión, abrazaderas y máquinas de ajuste por contracción asociados.

b. Nota técnica:

Equipos de enderezamiento de rotores para alinear las secciones de los tubos de los rotores de las centrífugas gaseosas a un eje común; En el subartículo 2B228.b., estos equipos consistirán normalmente en probetas de medida de precisión conectadas con un ordenador que, subsiguientemente, controla la acción de, por ejemplo, arietes neumáticos utilizados para alinear las secciones del tubo del rotor.

c. Nota técnica:

Mandriles y matrices para la conformación de fuelles, para la producción de fuelles de forma convolutiva simple. En el subartículo 2B228.c. los fuelles tienen todas las características siguientes:

1. Diámetro interior comprendido entre 75 mm y 400 mm;

2. Longitud igual o superior a 12,7 mm;

3. Paso superior a 2 mm; y

4. Estar hechos con aleaciones de aluminio de gran tenacidad, acero martensítico envejecido o materiales fibrosos o filamentosos de gran tenacidad.

a.

Elementos sensores de la presión fabricados o protegidos con aluminio, aleaciones de aluminio, níquel, aleaciones de níquel con más del 60 % de níquel en peso; y

b.

Que cumplan cualquiera de las siguientes condiciones:

1. Una escala total de menos de 13 kPa y una exactitud superior a ± 1 % de la escala total; o

2. Una escala total de 13 kPa o más y una exactitud superior a ± 130 Pa.

2BEquipos de ensayo, inspección y producción Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: a.

Tamaño del orificio de entrada igual o superior a 380 mm;

b.

Velocidad de bombeo igual o superior a 15 m3 por segundo; y

c.

Capacidad de producir un vacío final mejor que 13 mPa.

2BEquipos de ensayo, inspección y producción Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas:

1. La velocidad de bombeo se determina en el punto de medición con nitrógeno gaseoso o aire.

2. El vacío final se determina en la entrada de la bomba, con la entrada de la bomba bloqueada.

a.

Cubas de reacción o reactores, con o sin agitadores, con un volumen interno total (geométrico) superior a 0,1 m3 (100 litros) e inferior a 20 m3 (20000 litros), en las que todas las superficies que entran en contacto directo con el componente o componentes químicos contenidos, o que están siendo procesados, estén hechas de cualquiera de los siguientes materiales:

1. Aleaciones con más del 25 % de níquel y 20 % de cromo, en peso;

2. Fluoropolímeros;

3. Vidrio (incluidos los recubrimientos vitrificados o esmaltados, o los forrados de vidrio);

4. Níquel o aleaciones con más del 40 % de níquel en peso;

5. Tántalo o aleaciones de tántalo;

6. Titanio o aleaciones de titanio; o

7. Circonio o aleaciones de circonio;

b.

Agitadores para uso en cubas de reacción o reactores, incluidos en el subartículo 2B350.a; e impulsadores, paletas o ejes diseñados para esos agitadores, donde todas las superficies del agitador que entran en contacto directo con el componente o componentes químicos contenidos, o que están siendo procesados, estén hechas de cualquiera de los siguientes materiales:

1. Aleaciones con más del 25 % de níquel y 20 % de cromo, en peso;

2. Fluoropolímeros;

3. Vidrio (incluidos los recubrimientos vitrificados o esmaltados, o los forrados de vidrio);

4. Níquel o aleaciones con más del 40 % de níquel en peso;

5. Tántalo o aleaciones de tántalo;

6. Titanio o aleaciones de titanio; o

7. Circonio o aleaciones de circonio;

c.

Tanques de almacenaje, contenedores o receptores con un volumen interno total (geométrico) superior a 0,1 m3 (100 litros), en los que todas las superficies que entran en contacto directo con el componente o componentes químicos contenidos, o que están siendo procesados, estén hechas de cualquiera de los siguientes materiales:

1. Aleaciones con más del 25 % de níquel y 20 % de cromo, en peso;

2. Fluoropolímeros;

3. Vidrio (incluidos los recubrimientos vitrificados o esmaltados, o los forrados de vidrio);

4. Níquel o aleaciones con más del 40 % de níquel en peso;

5. Tántalo o aleaciones de tántalo;

6. Titanio o aleaciones de titanio; o

7. Circonio o aleaciones de circonio;

d.

Intercambiadores de calor o condensadores con una superficie de transferencia de calor de más de 0,15 m2 y menos de 20 m2; y tubos, placas, bobinas o bloques (núcleos) diseñados para esos intercambiadores de calor o condensadores, en los que todas las superficies que entran en contacto directo con el componente o componentes químicos que están siendo procesados, estén hechas de cualquiera de los siguientes materiales:

1. Aleaciones con más del 25 % de níquel y 20 % de cromo, en peso;

2. Fluoropolímeros;

3. Vidrio (incluidos los recubrimientos vitrificados o esmaltados, o los forrados de vidrio);

4. Grafito o grafito de carbono;

5. Níquel o aleaciones con más del 40 % de níquel en peso;

6. Tántalo o aleaciones de tántalo;

7. Titanio o aleaciones de titanio;

8. Circonio o aleaciones de circonio;

9. Carburo de silicio; o

10. Carburo de titanio;

e.

Columnas de destilación o de absorción con un diámetro interior superior a 0,1 m; y distribuidores de líquido, distribuidores de vapor o colectores de líquido diseñados para esas columnas de destilación o de absorción, en las que todas las superficies que entran en contacto directo con el componente o componentes químicos que están siendo procesados, estén hechas de cualquiera de los siguientes materiales:

1. Aleaciones con más del 25 % de níquel y 20 % de cromo, en peso;

2. Fluoropolímeros;

3. Vidrio (incluidos los recubrimientos vitrificados o esmaltados, o los forrados de vidrio);

4. Grafito o grafito de carbono;

5. Níquel o aleaciones con más del 40 % de níquel en peso;

6. Tántalo o aleaciones de tántalo;

7. Titanio o aleaciones de titanio; o

8. Circonio o aleaciones de circonio;

f.

Equipos de llenado, manejados por control remoto, en los que todas las superficies que entran en contacto directo con el componente o componentes químicos que están siendo procesados estén hechas de cualquiera de los siguientes materiales:

1. Aleaciones con más del 25 % de níquel y 20 % de cromo, en peso; o

2. Níquel o aleaciones con más del 40 % de níquel en peso;

g.

Válvulas con tamaños nominales de más de 10 mm y camisas (cuerpos de válvula) o forros de camisas preformados diseñados para dichas válvulas, en las que todas las superficies que entren en contacto directo con el componente o componentes químicos contenidos, o que están siendo procesados, estén hechas de cualquiera de los siguientes materiales:

1. Aleaciones con más del 25 % de níquel y 20 % de cromo, en peso;

2. Fluoropolímeros;

3. Vidrio (incluidos los recubrimientos vitrificados o esmaltados, o los forrados de vidrio);

4. Níquel o aleaciones con más del 40 % de níquel en peso;

5. Tántalo o aleaciones de tántalo;

6. Titanio o aleaciones de titanio; o

7. Circonio o aleaciones de circonio;

h.

Sistemas de tuberías multipared que incorporen un puerto de detección de fugas, en los que todas las superficies que entran en contacto directo con el componente o componentes químicos contenidos, o que están siendo procesados, estén hechas de cualquiera de los siguientes materiales:

1. Aleaciones con más del 25 % de níquel y 20 % de cromo, en peso;

2. Fluoropolímeros;

3. Vidrio (incluidos los recubrimientos vitrificados o esmaltados, o los forrados de vidrio);

4. Grafito o grafito de carbono;

5. Níquel o aleaciones con más del 40 % de níquel en peso;

6. Tántalo o aleaciones de tántalo;

7. Titanio o aleaciones de titanio; o

8. Circonio o aleaciones de circonio;

i.

Bombas de sellado múltiple y bombas sin sello, con una tasa de flujo máxima especificada por el fabricante superior a 0,6 m3/hora, o bombas de vacío con una tasa de flujo máxima especificada por el fabricante superior a 5 m3/hora [bajo condiciones de temperatura normal (273 K (0 °C) y presión (101,3 kPa)]; y camisas (cuerpos de bomba), forros de camisas preformados, impulsadores, rotores o toberas de bombas de chorro diseñados para esas bombas, en los que todas las superficies que entren en contacto directo con el componente o componentes químicos que están siendo procesados, estén hechas de cualquiera de los siguientes materiales:

1. Aleaciones con más del 25 % de níquel y 20 % de cromo, en peso;

2. Cerámicos;

3. Ferrosilicio;

4. Fluoropolímeros;

5. Vidrio (incluidos los recubrimientos vitrificados o esmaltados, o los forrados de vidrio);

6. Grafito o grafito de carbono;

7. Níquel o aleaciones con más del 40 % de níquel en peso;

8. Tántalo o aleaciones de tántalo;

9. Titanio o aleaciones de titanio; o

10. Circonio o aleaciones de circonio;

j.

Incineradores diseñados para la destrucción de las sustancias químicas incluidas en el artículo 1C350, que tengan un sistema de aprovisionamiento de residuos diseñado especialmente, con sistema de manipulación especial y con una temperatura media de la cámara de combustión superior a 1273 K (1000 °C), en los que todas las superficies del sistema de aprovisionamiento de residuos que entran en contacto directo con los residuos estén hechas o revestidas con cualquiera de los siguientes materiales:

1. Aleaciones que contengan más del 25 % de níquel y 20 % de cromo en peso;

2. Materiales cerámicos; o

3. Níquel o aleaciones que contengan más del 40 % de níquel en peso.

2BEquipos de ensayo, inspección y producción Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: a.

Diseñados para funcionar continuamente y utilizables en la detección de agentes para la guerra química o las sustancias químicas especificadas en el artículo 1C350, a una concentración inferior a 0,3 mg/m3; o

b.

Diseñados para la detección de la actividad inhibidora de la colinesterasa.

a. Nota técnica:

Instalaciones completas de confinamiento biológico con nivel de contención P3, P4; Los niveles de confinamiento P3 o P4 (BL3, BL4, L3, L4) son los especificados en el Manual de bioseguridad en el laboratorio de la OMS (2.a edición, Ginebra, 1993).

b. Nota técnica:

Fermentadores capaces de cultivar microorganismos patógenos, virus o capaces de producir toxinas, sin propagación de aerosoles, y que tengan una capacidad total mínima de 20 litros; Los fermentadores incluyen biorreactores, quimiostatos y sistemas de flujo continuo.

c. Nota técnica:

Separadores centrífugos, capaces de separación continua sin propagación de aerosoles, que tengan todas las características siguientes: Los separadores centrífugos incluyen los decantadores.

c.

1. Velocidad de flujo superior a 100 litros por hora;

2. Componentes de acero inoxidable pulido o titanio;

3. Una o varias juntas de estanqueidad dentro de la zona de confinamiento del vapor; y

4. Capacidad de esterilización in situ estando cerrados;

d.

Equipos de filtración de flujo cruzado (tangencial) y componentes, según se indica: Nota: El subartículo 2B352.d. no somete a control los equipos de ósmosis inversa, según las especificaciones del fabricante.

1. Equipos de filtración de flujo cruzado (tangencial) capaces de separar microorganismos patógenos, virus, toxinas o cultivos de células, sin propagación de aerosoles, que tengan las dos características siguientes:

1. a.

Una superficie de filtración total igual o superior a 1 m2; y

b. Nota técnica:

Con posibilidad de esterilización o desinfección in situ; A los efectos del subartículo 2B352.d.1.b, se entiende por esterilización la eliminación de todos los microbios viables presentes en el equipo mediante el uso de agentes físicos (por ejemplo, vapor) o químicos. Por desinfección se entiende la eliminación de la infectividad microbiana potencial en el equipo mediante el empleo de agentes químicos de efecto germicida. La desinfección y la esterilización se diferencian del saneamiento en que este último se refiere a los procedimientos de limpieza destinados a reducir el contenido microbiano en el equipo sin tener que llegar necesariamente a una eliminación total de la infectividad o viabilidad microbiana.

2. Componentes de equipos de filtración de flujo cruzado (tangencial) (por ejemplo, módulos, elementos, carcasas, cartuchos, unidades o placas) con una superficie de filtración igual o superior a 0,2 m2 por componente, que estén diseñados para ser empleados en los equipos de filtración de flujo cruzado (tangencial) especificados en el subartículo 2B352.d.

e.

Equipos de liofilización esterilizables por vapor, con una capacidad del condensador superior a 10 kg de hielo en 24 horas e inferior a 1000 kg de hielo en 24 horas;

f.

Equipo protector y de confinamiento, según se indica:

1. Trajes de protección, totales o parciales o capuchas dependientes y unidos a un suministro de aire externo y que funcione bajo presión positiva; Nota: El subartículo 2B352.f.1. no somete a control los trajes diseñados para usarse con un aparato de respiración autocontenido.

2. Cámaras o aisladores de seguridad biológica de Clase III que proporcionen niveles de protección equivalente; Nota: En el subartículo 2B352.f.2., los aisladores incluyen aisladores flexibles, cajas secas, cámaras anaeróbicas, cajas de guante y campanas de flujo laminar (cerradas con flujo vertical).

g.

Cámaras diseñadas para ensayos de ataque de aerosoles con microorganismos, virus o toxinas, que tengan una capacidad de 1 m3 o mayor.

2CMateriales Ninguno.

2DEquipo lógico

2D001Equipo lógico (software), diferente del especificado en 2D002, diseñado especialmente o modificado para el desarrollo, la producción o la utilización de los equipos incluidos en los artículos 2A001 o 2B001 a 2B009. 2D002Equipo lógico (software) destinado a dispositivos electrónicos, incluido el contenido en un dispositivo o en un sistema electrónico, que permita a estos dispositivos o sistemas funcionar como una unidad de control numérico capaz de coordinar simultáneamente más de cuatro ejes para control de contorneado. Nota 1: El artículo 2D002 no somete a control el equipo lógico (software) diseñado especialmente o modificado para el funcionamiento de máquinas herramienta no especificadas en la Categoría 2. Nota 2: El artículo 2D002 no somete a control el equipo lógico (software) destinado a los productos especificados en el artículo 2B002. Para el control del equipo lógico (software) destinado a dichos productos, véase el artículo 2D001. 2D101Equipo lógico (software) diseñado especialmente o modificado para la utilización de los equipos especificados en los artículos 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 o 2B119 a 2B122. N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 9D004. 2D201Equipo lógico (software) diseñado especialmente para la utilización de los equipos especificados en los artículos 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 o 2B227. 2D202Equipo lógico (software) diseñado especialmente o modificado para el desarrollo, la producción o utilización de los equipos especificados en el artículo 2B201.

2ETecnología 2E001Tecnología de acuerdo con la Nota General de Tecnología, para el desarrollo de los equipos o del equipo lógico (software) incluidos en los artículos 2A, 2B o 2D. 2E002Tecnología de acuerdo con la Nota General de Tecnología para la producción de los equipos incluidos en los artículos 2A o 2B. 2E003Otras tecnologías, según se indica: 2E101Tecnología de acuerdo con la Nota General de Tecnología para la utilización de equipos o equipo lógico (software) especificados en los artículos 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 a 2B122 o 2D101. 2E201Tecnología de acuerdo con la Nota General de Tecnología para la utilización de equipos o equipo lógico (software) especificados en los artículos 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 a 2B232, 2D201 o 2D202. 2E301Tecnología de acuerdo con la Nota General de Tecnología para la utilización de productos incluidos en los artículos 2B350 a 2B352.

2ETecnología a.

Tecnología para el desarrollo de gráficos interactivos, como elemento integrado en las unidades de control numérico, para la preparación o la modificación de programas de piezas;

b.

Tecnología de los procesos industriales relativos al trabajo de los metales, según se indica:

1. Tecnología de diseño de herramientas, moldes o montajes diseñados especialmente para los procedimientos siguientes:

1. a.

Conformación superplástica;

b.

Unión por difusión; o

c.

Prensado hidráulico por acción directa;

2. Datos técnicos consistentes en métodos o parámetros de los procesos que se relacionan a continuación y que sirvan para controlar:

2. a.

La conformación superplástica de las aleaciones de aluminio, las aleaciones de titanio o las superaleaciones:

1. Preparación de superficies;

2. Grado de deformación;

3. Temperatura;

4. Presión;

b.

La unión por difusión de las superaleaciones o las aleaciones de titanio:

1. Preparación de superficies;

2. Temperatura;

3. Presión;

c.

El prensado hidráulico por acción directa de las aleaciones de aluminio o las aleaciones de titanio:

1. Presión;

2. Duración del ciclo;

d.

La densificación isostática en caliente de las aleaciones de titanio, las aleaciones de aluminio o las superaleaciones:

1. Temperatura;

2. Presión;

3. Duración del ciclo;

c.

Tecnología para el desarrollo o la producción de máquinas de conformación hidráulica por estirado y de moldes para ellas, para la fabricación de estructuras de fuselajes de aeronaves;

d.

Tecnología para el desarrollo de generadores de instrucciones (por ejemplo, de programas de piezas) para máquinas herramienta a partir de datos de diseño residentes en el interior de unidades de control numérico;

e.

Tecnología para el desarrollo de equipo lógico (software) de integración para su incorporación en unidades de control numérico de sistemas expertos destinados a servir de soporte de decisiones de alto nivel en relación con operaciones de taller;

f.

Tecnología para la aplicación de los revestimientos inorgánicos por recubrimiento o los revestimientos inorgánicos por modificación de superficie (especificados en la columna 3 de la tabla siguiente) sobre sustratos no electrónicos (especificados en la columna 2 de la tabla siguiente) por los procedimientos que se especifican en la columna 1 de la tabla siguiente y se definen en la nota técnica. Nota: La tabla y la nota técnica figuran tras el artículo 2E301.

Tabla 1.2.3.A.B.B.1.B.2.B.3.B.4.C.D.E.F.G. Tabla — Métodos de depósito — Notas Métodos de depósito

Proceso de revestimiento (1) Sustrato Revestimiento resultante Depósito químico en fase de vapor (CVD) Superaleaciones Aluminuros para superficies internas Cerámicas (19) y vidrios de baja dilatación (14) Siliciuros Carburos Capas dieléctricas (15) Diamante Carbono diamante (17) Materiales compuestos (composites) carbono-carbono, cerámicos y de matriz metálica Siliciuros Carburos Metales refractarios Mezclas de ellos (4) Capas dieléctricas (15) Aluminuros Aluminuros aleados (2) Nitruro de boro Carburo de wolframio cementado (16), Carburo de silicio (18) Carburos Wolframio Mezclas de ellos (4) Capas dieléctricas (15) Molibdeno y aleaciones de molibdeno Capas dieléctricas (15) Berilio y aleaciones de berilio Capas dieléctricas (15) Diamante Carbono diamante (17) Materiales para ventanas de sensores (9) Capas dieléctricas (15) Diamante Carbono diamante (17) Depósito en fase de vapor por método físico de evaporación térmica (TE-PVD) Depósito en fase de vapor por método físico (PVD) de haz de electrones (EB-PVD) Superaleaciones Siliciuros aleados Aluminuros aleados (2) MCrAlX (5) Circonia modificada (12) Siliciuros Aluminuros Mezclas de ellos (4) Cerámicas (19) y vidrios de baja dilatación (14) Capas dieléctricas (15) Acero resistente a la corrosión (7) MCrAlX (5) Circonia modificada (12) Mezclas de ellos (4) Materiales compuestos (composites) carbono-carbono, cerámicos y de matriz metálica Siliciuros Carburos Metales refractarios Mezclas de ellos (4) Capas dieléctricas (15) Nitruro de boro Carburo de wolframio cementado (16), Carburo de silicio (18) Carburos Wolframio Mezclas de ellos (4) Capas dieléctricas (15) Molibdeno y aleaciones de molibdeno Capas dieléctricas (15) Berilio y aleaciones de berilio Capas dieléctricas (15) Boruros Berilio Materiales para ventanas de sensores (9) Capas dieléctricas (15) Aleaciones de titanio (13) Boruros Nitruros Depósito en fase de vapor por método físico (PVD) mediante calentamiento por resistencia asistido por haz de iones (metalizado iónico) Cerámicas (19) y vidrios de baja dilatación (14) Capas dieléctricas (15) Carbono diamante (17) Materiales compuestos (composites) carbono-carbono, cerámicos y de matriz metálica Capas dieléctricas (15) Carburo de wolframio cementado (16), Carburo de silicio Capas dieléctricas (15) Molibdeno y aleaciones de molibdeno Capas dieléctricas (15) Berilio y aleaciones de berilio Capas dieléctricas (15) Materiales para ventanas de sensores (9) Capas dieléctricas (15) Carbono diamante (17) Depósito en fase de vapor por método físico (PVD) mediante evaporación por láser Cerámicas (19) y vidrios de baja dilatación (14) Siliciuros Capas dieléctricas (15) Carbono diamante (17) Materiales compuestos (composites) carbono-carbono, cerámicos y de matriz metálica Capas dieléctricas (15) Carburo de wolframio cementado (16), Carburo de silicio Capas dieléctricas (15) Molibdeno y aleaciones de molibdeno Capas dieléctricas (15) Berilio y aleaciones de berilio Capas dieléctricas (15) Materiales para ventanas de sensores (9) Capas dieléctricas (15) Carbono diamante Depósito en fase de vapor por método físico (PVD) de arco catódico Superaleaciones Siliciuros aleados Aluminuros aleados (2) MCrAlX (5) Polímeros (11) y materiales compuestos (composites) de matriz orgánica Boruros Carburos Nitruros Carbono diamante (17) Cementación en paquete (véase también el párrafo A anterior para cementación fuera de paquete) (10) Materiales compuestos (composites) carbono-carbono, cerámicos y de matriz metálica Siliciuros Carburos Mezclas de ellos (4) Aleaciones de titanio (13) Siliciuros Aluminuros Aluminuros aleados (2) Metales y aleaciones refractarios (8) Siliciuros Óxidos Atomización de plasma Superaleaciones MCrAlX (5) Circonia modificada (12) Mezclas de ellos (4) Níquel-grafito sujeto a abrasión Materiales que contienen Ni-Cr-Al sujetos a abrasión Al-Si-poliéster sujeto a abrasión Aluminuros aleados (2) Aleaciones de aluminio (6) MCrAlX (5) Circonia modificada (12) Siliciuros Mezclas de ellos (4) Metales y aleaciones refractarios (8) Aluminuros Siliciuros Carburos Acero resistente a la corrosión (7) MCrAlX (5) Circonia modificada (12) Mezclas de ellos (4) Aleaciones de titanio (13) Carburos Aluminuros Siliciuros Aluminuros aleados (2) Níquel-grafito sujeto a abrasión Materiales que contienen Ni-Cr-Al sujetos a abrasión Al-Si-poliéster sujeto a abrasión Depósito de barbotina Metales y aleaciones refractarios (8) Siliciuros fundidos Aluminuros fundidos excepto elementos de caldeo por resistencia Materiales compuestos (composites) carbono-carbono, cerámicos y de matriz metálica Siliciuros Carburos Mezclas de ellos (4) Deposición catódica Superaleaciones Siliciuros aleados Aluminuros aleados (2) Aluminuros modificados con metal noble (3) MCrAlX (5) Circonia modificada (12) Platino Mezclas de ellos (4) Cerámicas y vidrios de baja dilatación (14) Siliciuros Platino Mezclas de ellos (4) Capas dieléctricas (15) Carbono diamante (17) Aleaciones de titanio (13) Boruros Nitruros Óxidos Siliciuros Aluminuros Aluminuros aleados (2) Carburos Materiales compuestos (composites) carbono-carbono, cerámicos y de matriz metálica Siliciuros Carburos Metales refractarios Mezclas de ellos (4) Capas dieléctricas (15) Nitruro de boro Carburo de wolframio cementado (16), Carburo de silicio (18) Carburos Wolframio Mezclas de ellos (4) Capas dieléctricas (15) Nitruro de boro Molibdeno y aleaciones de molibdeno Capas dieléctricas (15) Berilio y aleaciones de berilio Boruros Capas dieléctricas (15) Berilio Materiales para ventanas de sensores (9) Capas dieléctricas (15) Carbono diamante (17) Metales y aleaciones refractarios (8) Aluminuros Siliciuros Óxidos Carburos Implantación iónica Aceros para rodamientos de alta temperatura Adiciones de cromo, tántalo o niobio (columbio) Aleaciones de titanio (13) Boruros Nitruros Berilio y aleaciones de berilio Boruros Carburo de wolframio cementado (16) Carburos Nitruros Las definiciones de los procesos que aparecen en la Columna 1 de la Tabla son las siguientes:

1. Se entenderá por proceso de revestimiento tanto la reparación y restauración del revestimiento como el revestimiento original.

2. La expresión revestimiento de aluminuro aleado designa los revestimientos realizados en una o varias fases en los que uno o varios elementos se depositan antes o durante la aplicación del revestimiento de aluminuro, aun cuando estos elementos se depositen por otro proceso de revestimiento. No obstante, el uso múltiple de procesos de cementación en paquete en una sola fase para conseguir aluminuros aleados no se incluye en la expresión revestimiento de aluminuro aleado.

3. Se entenderá por revestimiento de aluminuro modificado con metal noble todo revestimiento en varias fases en el que el metal o metales nobles se depositan por algún otro proceso de revestimiento antes de la aplicación del revestimiento de aluminuro.

4. Se entenderá por mezclas de ellos los materiales infiltrados, composiciones graduadas, depósitos simultáneos y depósitos de varias capas, obtenidos por uno o más de los procesos de revestimiento especificados en esta Tabla.

5. McrAlX hace referencia a una aleación de revestimiento en la que M representa cobalto, hierro, níquel o combinaciones de los mismos y X representa hafnio, itrio, silicio, tántalo en cualquier cantidad u otras adiciones menores de más de 0,01 % en peso, en proporciones y combinaciones diversas, excepto:

5. a.

Revestimientos de CoCrAlY que contengan menos de 22 % en peso de cromo, menos de 7 % en peso de aluminio y menos de 2 % en peso de itrio;

b.

Revestimientos de CoCrAlY que contengan 22 a 24 % en peso de cromo, 10 a 12 % en peso de aluminio y 0,5 a 0,7 % en peso de itrio; o

c.

Revestimientos de NiCrAlY que contengan 21 a 23 % en peso de cromo, 10 a 12 % en peso de aluminio y 0,9 a 1,1 % en peso de itrio.

6. Se entenderá por aleaciones de aluminio las que posean una resistencia a la rotura por tracción igual o superior a 190 MPa medida a 293 K (20 °C).

7. Se entenderá por acero resistente a la corrosión el acero de la serie AISI (American Iron and Steel Institute) 300 o acorde con normas nacionales equivalentes.

8. Se entenderá por metales y aleaciones refractarios los metales siguientes y sus aleaciones: niobio (columbio), molibdeno, wolframio (tungsteno) y tántalo.

9. Los materiales para ventanas de sensores son los siguientes: alúmina, silicio, germanio, sulfuro de zinc, seleniuro de zinc, arseniuro de galio, diamante, fosfuro de galio, zafiro y los haluros metálicos siguientes: materiales para ventanas de sensores de más de 40 mm de diámetro para el fluoruro de circonio y el fluoruro de hafnio.

10. La categoría 2 no somete a control la tecnología para la cementación en paquete en una sola fase de superficies aerodinámicas.

11. Polímeros según se indica: poliimida, poliéster, polisulfuro, policarbonatos y poliuretanos.

12. Se entenderá por circonia modificada la que haya recibido adiciones de otros óxidos metálicos, como por ejemplo óxidos de calcio, de magnesio, de itrio, de hafnio, de tierras raras, etc., con el fin de estabilizar ciertas fases cristalográficas y composiciones de las mismas. La presente categoría no somete a control los revestimientos destinados a servir de barrera térmica constituidos por circonia modificada con óxido de calcio o de magnesio mediante mezcla o fusión.

13. Se entenderá por aleaciones de titanio únicamente las aleaciones de uso aeroespacial que posean una resistencia a la rotura por tracción igual o superior a 900 MPa, medida a 293 K (20 °C).

14. Se entenderá por vidrios de baja dilatación los que posean un coeficiente de dilatación térmica igual o inferior a 1 × 10 –7 K-1 medido a 293 K (20 °C).

15. Las capas dieléctricas son revestimientos formados por varias capas de materiales aislantes en las que se utilizan las propiedades de interferencia de un conjunto de materiales con índices de refracción diferentes para reflejar, transmitir o absorber diferentes bandas de longitudes de onda. Se entenderá por capas dieléctricas más de cuatro capas dieléctricas o capas de materiales compuestos (composites) dieléctrico-metal.

16. El carburo de wolframio (tungsteno) cementado no incluye los materiales para herramientas de corte y de conformación consistentes en carburo de tungsteno/(cobalto, níquel), carburo de titanio/(cobalto, níquel), carburo de cromo/cromo-níquel y carburo de cromo/níquel.

17. No estará sometida a control la tecnología destinada especialmente a depositar carbono diamante en:

controladores y cabezales de discos magnéticos, equipos para fabricación de productos desechables, válvulas para grifos, membranas acústicas para altavoces, repuestos de motores de automóvil, herramientas para corte, troqueles para perforar y embutir, equipos de ofimática, micrófonos o instrumental sanitario, o moldes para el vaciado o moldeado de plásticos, fabricados a partir de aleaciones que contienen menos de 5 % de berilio.

18. El carburo de silicio no incluye los materiales para herramientas de corte y de conformación.

19. Los sustratos cerámicos a que se refiere este punto no incluyen los materiales cerámicos con un contenido igual o superior al 5 % en peso de arcilla o cemento como constituyentes separados o combinados.

a.

El depósito químico en fase de vapor (CVD) es un proceso de revestimiento por recubrimiento o de revestimiento por modificación de superficie en el que un metal, aleación, material compuesto (composite), material dieléctrico o material cerámico se deposita sobre un sustrato calentado. Los gases reactivos se reducen o combinan en las proximidades del sustrato, lo que origina el depósito del material elemental, de la aleación o del material compuesto sobre el sustrato. La energía necesaria para este proceso de descomposición o reacción química se obtiene del calor del sustrato, de un plasma de descarga luminiscente o de una irradiación láser. N.B. 1: El CVD incluye los procesos siguientes: depósito fuera de paquete con flujo de gas dirigido, CVD pulsante, deposición nuclearia térmica controlada (CNTD), intensificado por plasma o asistido por plasma. N.B. 2: Se entiende por paquete un sustrato sumergido en una mezcla de polvos. N.B. 3: El material gaseoso utilizado en el proceso fuera de paquete se produce utilizando las mismas reacciones y parámetros básicos del proceso de cementación en paquetes, excepto que el sustrato que va a revestirse no está en contacto con la mezcla de polvos.

b.

El depósito en fase de vapor por método físico de evaporación térmica (TE-PVD) es un proceso de revestimiento por recubrimiento que se lleva a cabo en una cámara de vacío a una presión inferior a 0,1 Pa, en el que se utiliza una fuente de energía térmica para vaporizar el material de revestimiento. Este proceso origina la condensación o el depósito de los vapores producidos sobre sustratos situados convenientemente. La adición de gases a la cámara de vacío durante el proceso de revestimiento para sintetizar los revestimientos compuestos es una modificación normal del proceso. La utilización de haces de iones o de electrones, o de plasma, para activar o asistir el depósito del revestimiento es también una modificación normal de este método. Se pueden utilizar monitores para medir durante el proceso las características ópticas y el espesor de los revestimientos. Los procesos TE-PVD específicos son los siguientes:

1. En el depósito en fase de vapor por método físico (PVD) mediante haz de electrones se utiliza un haz de electrones para calentar y vaporizar el material que constituye el revestimiento;

2. En el depósito en fase de vapor por método físico (PVD) mediante calentamiento por resistencia asistido por haz de iones se utilizan fuentes de calentamiento por resistencia eléctrica combinadas con haces de iones incidentes para producir un flujo controlado y uniforme de material de revestimiento vaporizado;

3. En la vaporización por láser se utilizan haces láser pulsados o en ondas continuas para vaporizar el material que constituye el revestimiento;

4. En el depósito por arco catódico se utiliza un cátodo consumible del material que constituye el revestimiento y que emite una descarga de arco en la superficie por el contacto momentáneo de un disparador puesto a masa. El movimiento controlado del arco erosiona la superficie del cátodo creando un plasma fuertemente ionizado. El ánodo puede ser un cono fijado a la periferia del cátodo por medio de un aislante o a la cámara. La polarización del sustrato permite el depósito fuera del alcance visual. N.B.: Esta definición no incluye el depósito por arco catódico aleatorio con sustratos no polarizados.

5. El metalizado iónico es una modificación especial de un proceso general TE-PVD en el que se utiliza un plasma o una fuente de iones para ionizar el material a depositar y se aplica una polarización negativa al sustrato para facilitar la operación consistente en extraer del plasma el material. La introducción de materiales reactivos, la evaporación de sólidos en el interior de la cámara de proceso y la utilización de monitores para medir durante el proceso las características ópticas y el espesor de los revestimientos son modificaciones normales del proceso.

c.

La cementación en paquete es un proceso de revestimiento por modificación de superficie o de revestimiento por recubrimiento en el que un sustrato se sumerge en una mezcla de polvos denominada paquete, formada por: El sustrato y la mezcla de polvo se introducen en una retorta que se calienta a una temperatura comprendida entre 1030 K (757 °C) y 1375 K (1102 °C) durante un tiempo suficiente para que se deposite el revestimiento.

1. Los polvos metálicos que han de depositarse (por lo general aluminio, cromo, silicio o combinaciones de ellos);

2. Un activador (normalmente una sal haloidea); y

3. Un polvo inerte, casi siempre alúmina.

d.

La pulverización de plasma es un proceso de revestimiento por recubrimiento en el que una pistola soplete de pulverización que produce y controla un plasma recibe los materiales de revestimiento en forma de polvo o de alambre, los funde y los proyecta hacia un sustrato en el que se forma así un revestimiento aglutinado integralmente. La pulverización de plasma puede ser una pulverización a baja presión o una pulverización a gran velocidad. N.B. 1: Se entiende por baja presión la inferior a la presión atmosférica ambiente. N.B. 2: Se entiende por gran velocidad una velocidad del gas a la salida de la tobera de más de 750 m/s calculada a 293 K (20 °C) a 0,1 MPa.

e.

El depósito de barbotina es un proceso de revestimiento por modificación de superficie o de revestimiento por recubrimiento en el que un polvo metálico o cerámico con un aglutinante orgánico se suspende en un líquido y se aplica a un sustrato por pulverización, inmersión o pintura; a continuación, se seca al aire o en horno, y se trata térmicamente para obtener el revestimiento deseado.

f.

La deposición catódica es un proceso de revestimiento por recubrimiento basado en un fenómeno de transferencia de energía cinética, en el que iones positivos son acelerados por un campo eléctrico hacia la superficie de un blanco (material de revestimiento). La energía cinética desprendida por el choque de los iones es suficiente para que se liberen átomos de la superficie del blanco y se depositen sobre un sustrato situado convenientemente. N.B. 1.: La Tabla hace referencia únicamente a la deposición por triodo, magnetrón o reactiva, para aumentar la adhesión del revestimiento y la velocidad del depósito, y a la deposición catódica aumentada por radiofrecuencia (RF) utilizada para permitir la vaporización de materiales de revestimiento no metálicos. N.B. 2.: Se pueden utilizar haces de iones de baja energía (inferior a 5 keV) para activar la deposición.

g.

La implantación iónica es un proceso de revestimiento por modificación de superficie en el que el elemento que se pretende alear es ionizado, acelerado mediante un gradiente de potencial e implantado en la zona superficial del sustrato. La definición incluye procesos en los que la implantación iónica se realiza simultáneamente con el depósito en fase de vapor por método físico de haz de electrones o la deposición catódica.

CATEGORÍA 3 ELECTRÓNICA

3ASistemas, equipos y componentes Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica:

Nota 1: El régimen de control de los equipos, dispositivos y componentes descritos en los artículos 3A001 o 3A002, excepto los que se describen en los subartículos 3A001.a.3. a 3A001.a.10. o 3A001.a.12., que estén diseñados especialmente o posean las mismas características funcionales que otros equipos, vendrá determinado por el régimen de control de los otros equipos. Nota 2: El régimen de control de los circuitos integrados descritos en los subartículos 3A001.a.3. a 3A001.a.9. o 3A001.a.12., que estén programados o diseñados de manera inalterable para una función específica para otros equipos, vendrá determinado por el régimen de control de los otros equipos. N.B.: Cuando el fabricante o el solicitante de la licencia no puedan determinar el régimen de control de los otros equipos, el régimen de control de los circuitos integrados será el que determinen los subartículos 3A001.a.3. a 3A001.a.9. y 3A001.a.12. Si el circuito integrado es un microcircuito de microordenador basado en el silicio o un microcircuito de microcontrolador descrito en el subartículo 3A001.a.3. que tenga una longitud de la palabra del operando (datos) de 8 bits o menos, el régimen de control del circuito integrado será el que se determina en el subartículo 3A001.a.3. 3A001Componentes electrónicos, según se indica: 3A002Equipos electrónicos de uso general, según se indica: 3A003Sistemas de control térmico mediante enfriamiento por pulverización (spray cooling) que utilicen equipos de tratamiento y reacondicionamiento del fluido en circuito cerrado en el interior de una cámara estanca en la que se pulveriza un fluido dieléctrico sobre los componentes electrónicos mediante boquillas aspersoras diseñadas especialmente con el fin de mantener dichos componentes electrónicos dentro de su gama de temperaturas de funcionamiento, y los componentes diseñados especialmente para ellos. 3A101Equipos, dispositivos y componentes electrónicos, distintos de los incluidos en el artículo 3A001, según se indica: 3A201Componentes electrónicos, distintos de los incluidos en el artículo 3A001, según se indica: 3A225Convertidores de frecuencia o generadores, distintos de los incluidos en el subartículo 0B001.b.13, que reúnan todas las características siguientes: Los convertidores de frecuencia incluidos en el artículo 3A225 también son conocidos como cambiadores o inversores. 3A226Fuentes de corriente continua de gran potencia, distintas de las incluidas en el subartículo 0B001.j.6., que reúnan las dos características siguientes: 3A227Fuentes de corriente continua de alto voltaje, distintas de las incluidas en el subartículo 0B001.j.5., que reúnan las dos características siguientes: 3A228Dispositivos de conmutación, según se indica: 3A229Conjuntos de ignición y generadores equivalentes de impulsos de corriente elevada, según se indica: N.B.: VÉASE TAMBIÉN LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA. 3A230Generadores de impulsos de gran velocidad que reúnan las dos características siguientes: En el artículo 3A230, el tiempo de transición de impulso se define como el intervalo de tiempo comprendido entre el 10 % y el 90 % de la amplitud del voltaje. 3A231Sistemas generadores de neutrones, incluidos los tubos, que reúnan las dos características siguientes: 3A232Detonadores y sistemas de iniciación multipunto, según se indica: N.B.: VÉASE TAMBIÉN LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA. Nota: El artículo 3A232 no somete a control los detonadores que empleen solamente explosivos primarios, como azida de plomo. En el artículo 3A232, todos los detonadores en cuestión utilizan un pequeño conductor eléctrico (de puente, de puente con filamento metálico o de laminilla) que se vaporiza de forma explosiva cuando lo atraviesa un rápido impulso eléctrico de corriente elevada. En los tipos que no son de percutor, el conductor inicia, al explotar, una detonación química en un material altamente explosivo en contacto con él, como el tetranitrato de pentaeritritol (PETN). En los detonadores de percusión, la vaporización explosiva del conductor eléctrico impulsa a un elemento volador o percutor (flyer o slapper) a través de un hueco, y el impacto de este elemento sobre el explosivo inicia una detonación química. En algunos modelos, el percutor va accionado por una fuerza magnética. El término detonador de laminilla puede referirse a un detonador EB o a un detonador de tipo percutor. Asimismo, a veces se utiliza el término iniciador en lugar de detonador. 3A233Espectrómetros de masas, distintos de los incluidos en el subartículo 0B002.g, capaces de medir iones de 230 unidades de masa atómica o mayores, y que tengan una resolución mejor que 2 partes por 230, según se indica, así como las fuentes de iones para ellos:

3ASistemas, equipos y componentes a.

Circuitos integrados de uso general, según se indica: Nota 1: El régimen de control de las obleas (terminadas o no) cuya función esté determinada se evaluará en función de los parámetros establecidos en el subartículo 3A001.a. Nota 2: Los circuitos integrados incluyen los tipos siguientes:

Circuitos integrados monolíticos;

Circuitos integrados híbridos;

Circuitos integrados multipastilla;

Circuitos integrados peliculares, incluidos los circuitos integrados silicio sobre zafiro;

Circuitos integrados ópticos.

1. Circuitos integrados, diseñados o tasados como resistentes a la radiación para resistir cualquiera de las siguientes dosis:

1. a.

Una dosis total igual o superior a 5 × 103 Gy (silicio);

b.

Una tasa de dosis igual o superior a 5 × 106 Gy (silicio)/s; o

c.

Una fluencia (flujo integrado) de neutrones (equivalente 1 MeV) de 5 × 1013 n/cm2 o superior sobre silicona, o su equivalente para otros materiales; Nota: El subartículo 3A001.a.1.c. no se aplica a los semiconductores de aislador metálico (MIS).

2. Microcircuitos de microprocesador, microcircuitos de microordenador, microcircuitos de microcontrolador, circuitos integrados para almacenamiento fabricados en un semiconductor compuesto, convertidores analógico-digital, convertidores digital-analógico, circuitos integrados ópticos o electro-ópticos diseñados para el proceso de señales, conjuntos de puertas programables por el usuario, conjuntos lógicos programables por el usuario, circuitos integrados para redes neuronales, circuitos integrados para el usuario en los que la función es desconocida o en los que el estado de control del equipo en el que se vaya a usar el circuito integrado es desconocido, procesadores de Transformada rápida de Fourier (FFT), memorias de solo lectura programables, con borrado eléctrico (EEPROM), memorias flash o memorias estáticas de acceso aleatorio (SRAM), que tengan cualquiera de las características siguientes: Nota: El subartículo 3A001.a.2. no se aplica a los circuitos integrados para aplicaciones civiles para automóviles o ferrocarriles.

2. a.

Preparados para operar a una temperatura ambiente superior a 398 K (125 °C);

b.

Preparados para operar a una temperatura ambiente inferior a 218 K (– 55 °C); o

c.

Preparados para operar en todo el intervalo de temperatura ambiente entre 218 K (– 55 °C) y 398 K (125 °C).

3. Microcircuitos de microprocesador, microcircuitos de microordenador y microcircuitos de microcontrolador fabricados a partir de un semiconductor compuesto y que funcionen a una frecuencia de reloj superior a 40 MHz; Nota: El subartículo 3A001.a.3. incluye los procesadores de señales digitales, los conjuntos de procesadores digitales y los coprocesadores digitales.

4. Circuitos integrados de almacenaje fabricados a partir de un semiconductor compuesto;

5. Notas técnicas:

Circuitos integrados convertidores analógico digital y digital analógico, según se indica:

5. a.

Convertidores analógico digital que tengan cualquiera de las características siguientes: N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 3A101

1. Resolución igual o superior a 8 bits, pero inferior a 10 bits, con una tasa de salida superior a 500 millones de palabras por segundo;

2. Resolución igual o superior a 10 bits, pero inferior a 12 bits, con una tasa de salida superior a 200 millones de palabras por segundo;

3. Resolución de 12 bits con una tasa de salida superior a 50 millones de palabras por segundo;

4. Resolución superior a 12 bits, pero igual o inferior a 14 bits, con una tasa de salida superior a 500 millones de palabras por segundo; o

5. Resolución superior a 14 bits con una tasa de salida superior a 1 millón de palabras por segundo;

b.

Convertidores digital analógico con una resolución igual o superior a 12 bits y un tiempo de estabilización inferior a 10 ns;

5. Notas técnicas:

1. Una resolución de n bits corresponde a una cuantificación de 2n niveles.

2. El número de bits en la palabra de salida es igual a la resolución del convertidor digital-analógico.

3. La velocidad de tasa es igual a la tasa de salida máxima del convertidor, independientemente de la arquitectura o sobremuestreo. El proveedor también puede referirse a la tasa de salida como velocidad de muestreo, tasa de conversión o tasa del flujo total (throughtput). Suele expresarse en megaherzios (MHz) o megamuestras por segundo (MSPS).

4. En el cálculo de la tasa de salida, una palabra de salida por segundo se considera equivalente a un herzio o a una muestra por segundo.

6. Circuitos integrados electroópticos o circuitos integrados ópticos diseñados para el proceso de señales, que reúnan todas las características siguientes:

6. a.

Uno o más diodos láser internos;

b.

Uno o más elementos fotodetectores internos, y

c.

Guiaondas ópticos;

7. Conjuntos de puertas programables por el usuario que tengan cualquiera de las características siguientes: Nota: El subartículo 3A001.a.7. incluye: N.B.: Los dispositivos lógicos programables por el usuario (field programmable logic devices) se denominan asimismo como puerta programable por el usuario (field programmable gate) o conjuntos lógicos programable por el usuario (field programmable logic arrays).

7. a.

Número de puertas equivalente utilizables superior a 30000 (puertas de 2 entradas);

b.

Un retardo por propagación en la puerta básica típico inferior a 0,1 ns; o

c.

Una frecuencia de basculación (toggle) superior a 133 MHz;

Dispositivos lógicos programables simples [Simple Programmable Logic Devices (SPLDs)]

Dispositivos Lógicos Programables Complejos [Complex Programmables Logic Devices (CPLDs)]

Conjunto de Puertas Programables por el Usuario [Field Programmable Logic Arrays (FPGAs)]

Conjunto Lógico Programable por el Usuario [Field Programmable Logic Arrays (FPLAs)]

Interconectables Programables por el Usuario [Field Programmable Interconnects (FPICs)]

8. Sin uso;

9. Circuitos integrados para redes neuronales;

10. Circuitos integrados para el usuario de los que la función es desconocida o en los que el estado de control del equipo en el que se vaya a usar el circuito integrado es desconocido para el fabricante y que tengan cualquiera de las características siguientes:

10. a.

Más de 1000 terminales;

b.

Un retardo por propagación en la puerta básica típico inferior a 0,1 ns; o

c.

Una frecuencia de funcionamiento superior a 3 GHz;

11. Circuitos integrados digitales distintos de los que se describen en los subartículos 3A001.a.3. a 3A001.a.10. o 3A001.a.12., fabricados a partir de un semiconductor compuesto cualquiera y que tengan cualquiera de las características siguientes:

11. a.

Un número de puertas equivalente superior a 3000 (puertas de 2 entradas); o

b.

Una frecuencia de conmutación superior a 1,2 GHz;

12. Nota técnica:

Procesadores de transformada rápida de Fourier (FFT) que tengan un tiempo de ejecución tasado para una transformación FFT compleja de menos de (N log2 N)/20480 ms, siendo N el número de puntos; Si N es igual a 1024 puntos, la fórmula que aparece en 3A001.a.12. arroja un tiempo de ejecución de 500 μs.

b.

Componentes de microondas o de ondas milimétricas, según se indica:

1. Tubos electrónicos de vacío y cátodos, según se indica: Nota 1: El subartículo 3A001.b.1. no somete a control los tubos diseñados o tasados para funcionar en bandas de frecuencia que reúnan todas las características siguientes: Nota 2: El subartículo 3A001.b.1 no somete a control los tubos no calificados para uso espacial que reúnan todas las características siguientes:

1. a.

No superar los 31,8 GHz; y

b.

Esté asignados por la UIT para servicios de radiocomunicación, pero no para radiodeterminación.

a.

Una potencia media de salida igual o menor a 50 W; y

b.

Diseñados o tasados para operar en cualquier banda de frecuencia que reúna todas las características siguientes:

1. Supere 31,8 GHz pero no supere 43,5 GHz, y

2. Esté asignados por la UIT para servicios de radiocomunicación, pero no para radiodeterminación.

a.

Tubos de ondas progresivas, de impulsos o continuas, según se indica:

1. Funcionar en frecuencias superiores a 31,8 GHz;

2. Dotados de un elemento calefactor de cátodo con un tiempo de subida hasta la potencia de radiofrecuencia nominal inferior a 3 segundos;

3. Tubos de cavidades acopladas, o los derivados de ellos, con un ancho de banda fraccional superior al 7 % o una potencia de pico que exceda los 2,5 kW;

4. Tubos helicoidales, o los derivados de ellos, que tengan cualquiera de las características siguientes:

4. a.

Ancho de banda instantáneo superior a una octava, y un producto de la potencia media (expresada en kW) por la frecuencia (expresada en GHz) superior a 0,5;

b.

Ancho de banda instantáneo igual o inferior a una octava, y un producto de la potencia media (expresada en kW) por la frecuencia (expresada en GHz) superior a 1; o

c.

Ser calificados para uso espacial;

b.

Tubos amplificadores de campos cruzados con ganancia superior a 17 dB;

c.

Cátodos impregnados diseñados para tubos electrónicos que produzcan una densidad de corriente en emisión continua, en las condiciones de funcionamiento nominales, superior a 5 A/cm2;

2. Circuitos integrados monolíticos amplificadores de potencia de microondas (MMIC) que posean cualquiera de las características siguientes: Nota 1: El subartículo 3A001.b.2. no somete a control a los equipos de radiodifusión por satélite diseñados o tasados para funcionar en la gama de frecuencias de 40,5 GHz a 42,5 GHz. Nota 2: El régimen de control de los MMIC cuya frecuencia tasada de funcionamiento incluye frecuencias recogidas en más de una gama de frecuencias, con arreglo a las definiciones de 3A001.b.2.a. a 3A001.2b.2.f., vendrá determinado por el umbral de control correspondiente a la potencia media de salida más baja. Nota 3: Las notas 1 y 2 en la introducción a la categoría 3 suponen que el subartículo 3A001.b.2. no somete a control los MMIC que hayan sido diseñados especialmente para otras aplicaciones, por ejemplo, telecomunicaciones, radar, automóvil.

2. a.

Tasados para operar a frecuencias superiores a 3,2 GHz e inferiores o iguales a 6 GHz, con una potencia media de salida superior a 4 W (36 dBm) y un ancho de banda fraccional mayor del 15 %;

b.

Tasados para operar a frecuencias superiores a 6 GHz e inferiores o iguales a 16 GHz, con una potencia media de salida superior a 1 W (30 dBm) y un ancho de banda fraccional mayor del 10 %;

c.

Tasados para operar a frecuencias superiores a 16 GHz e inferiores o iguales a 31,8 GHz, con una potencia media de salida superior a 0,8 W (29 dBm) y un ancho de banda fraccional mayor del 10 %;

d.

Tasados para operar a frecuencias superiores a 31,8 GHz e inferiores o iguales a 37,5 GHz;

e.

Tasados para operar a frecuencias superiores a 37,5 GHz e inferiores o iguales a 43,5 GHz, con una potencia media de salida superior a 0,25 W (24 dBm) y un ancho de banda fraccional mayor de 10 %; o

f.

Tasados para operar a frecuencias superiores a 43,5 GHz.

3. Transistores discretos de microondas que posean cualquiera de las características siguientes: Nota: El régimen de control de un transistor cuya frecuencia tasada de funcionamiento incluye frecuencias recogidas en más de una gama de frecuencias, con arreglo a las definiciones de 3A001.b.3.a. a 3A001b.3.e., vendrá determinado por el umbral de control correspondiente a la potencia media de salida más baja.

3. a.

Tasados para operar a frecuencias superiores a 3,2 GHz e inferiores o iguales a 6 GHz y con una potencia media de salida superior a 60 W (47,8 dBm);

b.

Tasados para operar a frecuencias superiores a 6 GHz e inferiores o iguales a 31,8 GHz y con una potencia media de salida superior a 20 W (43 dBm);

c.

Tasados para operar a frecuencias superiores a 31,8 GHz e inferiores o iguales a 37,5 GHz y con una potencia media de salida superior a 0,5 W (27 dBm);

d.

Tasados para operar a frecuencias superiores a 37,5 GHz e inferiores o iguales a 43,5 GHz y con una potencia media de salida superior a 1 W (30 dBm); o

e.

Tasados para operar a frecuencias superiores a 43,5 GHz.

4. Nota técnica:

Amplificadores de microondas de estado sólido y conjuntos/módulos que contengan amplificadores de microondas con cualquiera de las características siguientes: El valor 3,2 GHz debe utilizarse como frecuencia mínima de funcionamiento (fGHz) en la fórmula del subartículo 3A001.b.4.f.3., para los amplificadores con una gama tasada de funcionamiento que descienda hasta 3,2 GHz y por debajo de [d≤ 15 cm*GHz/3,2 GHz]. N.B.: Los amplificadores de potencia MMIC se deben evaluar con arreglo a los criterios de 3A001.b.2. Nota 1: El subartículo 3A001.b.4. no somete a control a los equipos de radiodifusión por satélite diseñados o tasados para funcionar en la gama de frecuencias de 40,5 GHz a 42,5 GHz Nota 2: El régimen de control de un producto cuya frecuencia tasada de funcionamiento incluye frecuencias recogidas en más de una gama de frecuencias, con arreglo a las definiciones del subartículo 3A001.b.4.e., vendrá determinado por el umbral de control correspondiente a la potencia media de salida más baja.

4. a.

Tasados para operar a frecuencias superiores a 3,2 GHz e inferiores o iguales a 6 GHz, con una potencia media de salida superior a 60 W (47,8 dBm) y un ancho de banda fraccional mayor del 15 %;

b.

Tasados para operar a frecuencias superiores a 6 GHz e inferiores o iguales a 31,8 GHz, con una potencia media de salida superior a 15 W (42 dBm) y un ancho de banda fraccional mayor del 10 %;

c.

Tasados para operar a frecuencias superiores a 31,8 GHz e inferiores o iguales a 37,5 GHz;

d.

Tasados para operar a frecuencias superiores a 37,5 GHz e inferiores o iguales a 43,5 GHz y con una potencia media de salida superior a 1 W (30 dBm) y un ancho de banda fraccional mayor del 10 %;

e.

Tasados para operar a frecuencias superiores a 43,5 GHz, o

f.

Tasados para operar a frecuencias superiores a 3,2 GHz y que reúnan todas las características siguientes:

1. Una potencia media de salida (en Watios), P, mayor de 150 dividido por el cuadrado de la frecuencia máxima de funcionamiento (en GHz) [P>150W*GHz2/fGHz2];

2. Un ancho de banda fraccional mayor o igual del 5 %; y

3. Dos lados cualesquiera perpendiculares entre sí de longitud d (en cm) inferior o igual a 15 dividido por la frecuencia mínima de funcionamiento en GHz [d>15 cm *GHz/fGHz].

5. Filtros pasabanda o filtros supresores de banda sintonizables electrónica o magnéticamente, dotados de más de 5 resonadores sintonizables capaces de sintonizar en una banda de frecuencias de 1,5:1 (fmax/fmin) en menos de 10 μs, que tengan cualquiera de las características siguientes:

5. a.

Banda de paso de más de 0,5 % de la frecuencia central; o

b.

Banda de atenuación infinita de menos de 0,5 % de la frecuencia central;

6. Sin uso;

7. Mezcladores y convertidores diseñados para extender la gama de frecuencia de los equipos descritos en los subartículos 3A002.c., 3A002.e., o 3A002.f. más allá de los límites que allí se indican;

8. Amplificadores de potencia de microondas que contengan tubos incluidos en el subartículo 3A001.b. y que reúnan todas las características siguientes: Nota: El subartículo 3A001.b.8. no somete a control los equipos diseñados o tasados para funcionar en bandas de frecuencia que estén asignados por la UIT para servicios de radiocomunicación, pero no para radiodeterminación.

8. a.

Frecuencias de funcionamiento superiores a 3 GHz;

b.

Una densidad de potencia media de salida superior a 80 W/kg; y

c.

Un volumen menor que 400 cm3;

c.

Dispositivos de ondas acústicas, según se indica, y componentes diseñados especialmente para ellos:

1. Dispositivos de ondas acústicas de superficie y de ondas acústicas rasantes (poco profundas) (es decir, dispositivos de proceso de señales que utilicen ondas elásticas en materiales) y que tengan cualquiera de las características siguientes:

1. a.

Frecuencia portadora superior a 2,5 GHz;

b.

Frecuencia portadora superior a 1 GHz pero no superior a 2,5 GHz y que tengan cualquiera de las características siguientes:

1. Rechazo de lóbulos laterales superior a 55 dB;

2. Producto del retardo máximo (expresado en μs) por el ancho de banda (expresado en MHz) superior a 100;

3. Ancho de banda superior a 250 MHz; o

4. Retardo de dispersión superior a 10 μs; o

c.

Frecuencia portadora igual o inferior a 1 GHz, que tenga cualquiera de las características siguientes:

1. Producto del retardo máximo (expresado en μs) por el ancho de banda (expresado en MHz) superior a 100;

2. Retardo de dispersión superior a 10 μs; o

3. Rechazo de lóbulos laterales superior a 55 dB y ancho de banda superior a 50 MHz;

2. Dispositivos de ondas acústicas de volumen (es decir, dispositivos de proceso de señales que utilicen ondas elásticas) que permitan el procesado directo de señales a frecuencias superiores a 1 GHz;

3. Dispositivos optoacústicos de proceso de señales en los que se utilice una interacción entre ondas acústicas (de volumen o de superficie) y ondas luminosas que permita el procesado directo de señales o de imágenes, incluidos el análisis espectral, la correlación o la convolución;

d.

Dispositivos y circuitos electrónicos que contengan componentes fabricados a partir de materiales superconductores diseñados especialmente para funcionar a temperaturas inferiores a la temperatura crítica de al menos uno de los constituyentes superconductores, con cualquiera de las funciones siguientes:

1. Conmutación de corriente para circuitos digitales utilizando puertas superconductoras con un producto del tiempo de retardo por puerta (expresado en segundos) por la disipación de energía por puerta (expresada en vatios) inferior a 10 – 14 J; o

2. Selección de frecuencia a todas las frecuencias utilizando circuitos resonantes con valores de Q superiores a 10000;

e.

Dispositivos de alta energía, según se indica:

1. Baterías y paneles fotovoltaicos, según se indica: Nota: El subartículo 3A001.e.1. no somete a control las baterías de volumen igual o menor que 27 cm3 (por ejemplo, las células C o baterías R 14 normalizadas).

1. a.

Células y baterías primarias que posean una densidad de energía superior a 480 Wh/kg y tasadas para funcionar dentro de la gama de temperaturas comprendida entre menos de 243 K (– 30 °C) y más de 343 K (70 °C);

b. Nota técnica:

Células y baterías recargables que posean una densidad de energía superior a 150 Wh/kg después de 75 ciclos de carga y descarga a una corriente de descarga igual a C/5 horas (siendo C la capacidad nominal en amperios hora) funcionando dentro del intervalo de temperaturas entre menos de 253 K (– 20 °C) y más de 333 K (60 °C); La densidad de energía se obtiene multiplicando la potencia media expresada en vatios (igual al producto de la tensión media, expresada en voltios, por la corriente media expresada en amperios) por la duración de la descarga, expresada en horas, hasta el 75 % de la tensión en circuito abierto y dividiendo por la masa total de la célula (o de la batería) expresada en kg.

c.

Conjuntos fotovoltaicos calificados para uso espacial y endurecidos a la radiación que posean una potencia específica superior a 160 W/m2 a una temperatura de funcionamiento de 301 K (28 °C) bajo una iluminación, procedente de wolframio, de 1 kW/m2 a 2800 K (2527 °C);

2. Condensadores de alta capacidad de almacenamiento de energía, según se indica: N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL SUBARTÍCULO 3A201.a.

2. a.

Condensadores con una frecuencia de repetición inferior a 10 Hz (condensadores monopulsos) que reúnan todas las características siguientes:

1. Tensión nominal igual o superior a 5 kV;

2. Densidad de energía igual o superior a 250 J/kg; y

3. Energía total igual o superior a 25 kJ;

b.

Condensadores con una frecuencia de repetición igual o superior a 10 Hz (condensadores de descargas sucesivas) que reúnan todas las características siguientes:

1. Tensión nominal igual o superior a 5 kV;

2. Densidad de energía igual o superior a 50 J/kg;

3. Energía total igual o superior a 100 J; y

4. Vida útil igual o superior a 10000 ciclos de carga/descarga;

3. Electroimanes o solenoides superconductores diseñados especialmente para un tiempo de carga o descarga completa inferior a un segundo y que reúnan todas las características siguientes: N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL SUBARTÍCULO 3A201.b. Nota: El subartículo 3A001.e.3. no somete a control los electroimanes o solenoides superconductores diseñados especialmente para los equipos médicos de formación de imágenes por resonancia magnética (MRI)

3. a.

Energía suministrada durante la descarga superior a 10 kJ en el primer segundo;

b.

Diámetro interior de las bobinas portadoras de corriente superior a 250 mm; y

c.

Previstos para una inducción magnética superior a 8 T o una densidad de corriente global en las bobinas superior a 300 A/mm2;

f.

Codificadores de posición absoluta de ejes del tipo de entrada rotativa que tengan cualquiera de las características siguientes:

1. Resolución mejor que 1 parte por 265000 (resolución de 18 bits) a fondo de escala; o

2. Exactitud mejor que ± 2,5 segundos de arco.

a.

Equipos de grabación, según se indica, y las cintas magnéticas de prueba diseñadas especialmente para ellos:

1. Equipos de grabación analógica en cinta magnética para instrumentación, incluidos los que permitan la grabación de señales digitales [por ejemplo, utilizando un módulo de grabación digital de alta densidad (HDDR)] y que tengan cualquiera de las características siguientes: Nota: Los equipos de grabación analógica en cinta magnética diseñados especialmente para el uso en vídeo civil no se consideran equipos de grabación en cinta para instrumentación.

1. a.

Ancho de banda superior a 4 MHz por canal o pista electrónicos;

b.

Ancho de banda superior a 2 MHz por canal o pista electrónicos y que posean más de 42 pistas; o

c.

Error (de base) de desplazamiento de tiempo, medido de acuerdo con los documentos IRIG (Inter Range Instrumentation Group) o EIA (Electronic Industries Association) pertinentes, inferior a ± 0,1 μs;

2. Equipos de grabación digital de vídeo en cinta magnética que posean una velocidad máxima transferencia en la interfaz digital superior a 360 Mbit/s; Nota: El subartículo 3A002.a.2. no somete a control los equipos de grabación digital de vídeo en cinta magnética diseñados especialmente para la grabación de televisión usando un formato de señal normalizado o recomendado por la UIT (Unión Internacional de Telecomunicaciones), la CEI (Comisión Electrotécnica Internacional), la SMPTE (Society of Motion Picture and Television Engineers), la UER (Unión Europea de Radiodifusión), el ETSI (Instituto Europeo de Normas de Telecomunicación) o el IEEE (Instituto de ingenieros eléctricos y electrónicos) para aplicaciones civiles de la televisión. Dichos formatos de señal podrán incluir los formatos de señal comprimidos.

3. Equipos de grabación de datos digitales en cinta magnética para instrumentación, que empleen técnicas de exploración helicoidal o de cabeza fija y que tengan cualquiera de las características siguientes: Nota: El subartículo 3A002.a.3. no somete a control los equipos de grabación analógica en cinta magnética equipados con electrónica de conversión para la grabación digital de alta densidad (HDDR) y configurados para grabar únicamente datos digitales.

3. a.

Velocidad máxima de transferencia en la interfaz digital superior a 175 Mbit/s; o

b.

Calificados para uso espacial;

4. Equipos que tengan una velocidad máxima de transferencia en la interfaz digital superior a 175 Mbit/s, diseñados para la conversión de equipos de grabación digital de vídeo en cinta magnética para su utilización como equipos de grabación digitales para instrumentación;

5. Nota técnica:

Digitalizadores de formas de onda y grabadores de transitorios que reúnan todas las características siguientes: Para los instrumentos con arquitectura de bus paralelo, la tasa de tránsito continuo es la tasa más alta de palabras multiplicada por el número de bits por palabra. Tránsito continuo es la tasa de datos más rápida que el instrumento puede dar como salida al almacenamiento de masa sin pérdida de ninguna información, sosteniendo la tasa de muestreo y la conversión analógico-digital.

5. a.

Tasa de digitalización igual o superior a 200 millones de muestras por segundo y una resolución de 10 bits o superior; y

b.

Tránsito (throughput) continuo superior a 2 Gbits/s o superior;

6. Equipos de grabación de datos digitales para instrumentación que empleen una técnica de almacenamiento en disco magnético que reúnan todas las características siguientes:

6. a.

Tasa de digitalización igual o superior a 100 millones de muestras por segundo y una resolución de 8 bits o superior; y

b.

Tránsito (throughput) continuo superior a 1 Gbit/s o superior;

b.

Conjuntos electrónicos de sintetizadores de frecuencias con un tiempo de conmutación de frecuencia de una frecuencia dada a otra, inferior a 1 ms;

c.

Analizadores de señal de radiofrecuencia, según se indica:

1. Analizadores de señales capaces de analizar frecuencias superiores a 31,8 GHz pero no superiores a 37,5 HGz y con un ancho de banda (RBW) a 3 dB superior a 10 MHz;

2. Analizadores de señales capaces de analizar frecuencias superiores a 43,5 GHz;

3. Analizadores de señales dinámicas con un ancho de banda en tiempo real superior a 500 kHz; Nota: El subartículo 3A002.c.3. no somete a control los analizadores de señales dinámicas que utilicen únicamente filtros de ancho de banda de porcentaje constante (también llamados filtros de octavas o filtros de octavas parciales).

d.

Generadores de señales de frecuencia sintetizada que produzcan frecuencias de salida cuya exactitud y cuya estabilidad a corto y largo plazo estén controladas por, derivadas de o regidas por la frecuencia patrón interna y que tengan cualquiera de las características siguientes: Nota: El subartículo 3A002.d. no somete a control los equipos en los que la frecuencia de salida se produce mediante la adición o la sustracción de dos o más frecuencias obtenidas mediante osciladores a cristal, o por una adición o sustracción seguida por una multiplicación del resultado.

1. Frecuencia máxima sintetizada superior a 31,8 GHz pero no superior a 43,5 GHz y tasados para generar una duración del pulso de menos de 100 ns;

2. Una frecuencia máxima sintetizada superior a 43,5 GHz;

3. Tiempo de conmutación de frecuencia de una frecuencia seleccionada a otra, inferior a 1 ms; o

4. Nota técnica:

Ruido de fase en banda lateral única (SSB) mejor que – (126 + 20 log10F – 20 log10f), expresado en dBc/Hz, siendo F el desplazamiento con respecto a la frecuencia de funcionamiento expresada en Hz y f la frecuencia de funcionamiento expresada en MHz; A los efectos del subartículo 3A002.d.1., la duración de pulso se define como el intervalo de tiempo transcurrido entre que el flanco de subida del pulso alcanza el 90 % del pico y el flanco de bajada del pulso alcanza el 10 % del pico.

e.

Analizadores de redes con una frecuencia de funcionamiento máxima superior a 43,5 GHz;

f.

Receptores de prueba de microondas que reúnan todas las características siguientes:

1. Frecuencia máxima de funcionamiento superior a 43,5 GHz; y

2. Capacidad para medir simultáneamente la amplitud y la fase;

g.

Patrones de frecuencia atómicos que tengan cualquiera de las características siguientes: Nota: El subartículo 3A002.g.1. no somete a control los patrones de rubidio no calificados para uso espacial.

1. Estabilidad a largo plazo (envejecimiento) inferior a (mejor que) 1 × 10 – 11/mes; o

2. Calificados para uso espacial.

a.

Convertidores analógico-digital, que puedan utilizarse en misiles, diseñados para las especificaciones militares para equipos robustos (ruggedized);

b.

Aceleradores capaces de suministrar radiaciones electromagnéticas producidas por radiación de frenado (Bremsstrahlung) a partir de electrones acelerados de 2 MeV o más, y sistemas que contengan dichos aceleradores. Nota: El subartículo 3A101.b., no incluye los equipos diseñados especialmente para uso médico.

a.

Condensadores que tengan cualquiera de los siguientes conjuntos de características:

1. a.

Voltaje nominal superior a 1,4 kV;

b.

Almacenamiento de energía superior a 10 J;

c.

Capacitancia superior a 0,5 μF; y

d.

Inductancia en serie inferior a 50 nH; o

2. a.

Voltaje nominal superior a 750 V;

b.

Capacitancia superior a 0,25 μF; y

c.

Inductancia en serie inferior a 10 nH;

b.

Electroimanes solenoidales superconductores que reúnan todas las características siguientes: Nota: El subartículo 3A201.b. no somete a control los imanes diseñados especialmente para y exportados como piezas de sistemas médicos de formación de imágenes por resonancia magnética nuclear (NMR). La expresión como piezas de no significa necesariamente que se trate de una pieza física incluida en la misma expedición. Se permiten expediciones por separado, de orígenes distintos, siempre que los correspondientes documentos de exportación especifiquen claramente que los envíos se despachan como piezas de los sistemas de formación de imágenes.

1. Capacidad de crear campos magnéticos de más de 2 T;

2. Relación de longitud a diámetro interior superior a 2;

3. Diámetro interior superior a 300 mm; y

4. Campo magnético con un grado de uniformidad superior al 1 % en el 50 %, centrado, del volumen interior;

c. Notas técnicas:

Generadores de rayos X de descarga por destello o aceleradores por impulso de electrones que tengan alguno de los siguientes conjuntos de características: Nota: El subartículo 3A201.c no somete a control los aceleradores que sean componentes de dispositivos diseñados para fines distintos de la radiación por haz electrónico o rayos X (microscopia electrónica, por ejemplo) ni aquéllos diseñados para fines médicos:

c.

1. a.

Pico de energía de electrones, del acelerador, igual o superior a 500 keV pero inferior a 25 MeV; y

b.

Factor de mérito (K) igual o superior a 0,25; o

2. a.

Pico de energía de electrones, del acelerador, igual o superior a 25 MeV; y

b.

Pico de potencia superior a 50 MW.

c. Notas técnicas:

1. El factor de mérito K se define como: K = 1,7 ×10^3V^2,65Q V es el pico de energía de electrones en millones de electronvoltios. Si la duración del impulso del haz del acelerador es igual o inferior a 1 μs, Q es la carga acelerada total en culombios. Si la duración del impulso del haz del acelerador es superior a 1 μs, Q es la carga acelerada máxima en 1 μs. Q es igual a la integral de i respecto a t, a lo largo de 1 μs o la duración del impulso del haz (Q = ∫ idt), siendo i la corriente del haz en amperios y t el tiempo en segundos.

2. Pico de potencia = (pico de potencial en voltios) × (pico de corriente del haz en amperios).

3. En las máquinas basadas en cavidades aceleradoras para microondas la duración del impulso del haz es el valor inferior de los dos siguientes: 1 μs o la duración del paquete agrupado de l haz que resultó de un impulso del modulador de microondas.

4. En las máquinas basadas en cavidades aceleradoras paramicroondas, el pico de corriente del haz es la corriente media en la duración de un paquete agrupado del haz.

a.

Salida multifase capaz de suministrar una potencia igual o superior a 40 W;

b.

Capacidad para funcionar en la gama de frecuencias entre 600 y 2000 Hz;

c.

Distorsión armónica total inferior al 10 %; y

d.

Control de frecuencia mejor (inferior) que el 0,1%.

3ASistemas, equipos y componentes Nota técnica: a.

Capacidad de producir de modo continuo, a lo largo de 8 horas, 100 V o más con una corriente de salida de 500 amperios o más; y

b.

Estabilidad de la corriente o del voltaje mejor que el 0,1 % a lo largo de 8 horas.

a.

Capacidad de producir de modo continuo, a lo largo de 8 horas, 20 kV o más con una corriente de salida de 1 amperio o más; y

b.

Estabilidad de la corriente o del voltaje mejor que el 0,1 % a lo largo de 8 horas.

a.

Tubos de cátodo frío, llenos de gas o no, de funcionamiento similar a los descargadores de chispas, que reúnan todas las características siguientes: Nota: El artículo 3A228 incluye los tubos de gas krytron y los tubos de sprytron de vacío.

1. Tener tres o más electrodos;

2. Voltaje nominal de pico en el ánodo igual o superior a 2,5 kV;

3. Intensidad nominal de corriente de pico en el ánodo igual o superior a 100 A; y

4. Tiempo de retardo de ánodo igual o inferior a 10 μs;

b.

Descargadores de chispas con disparo que reúnan las dos características siguientes:

1. Tiempo de retardo de ánodo igual o inferior a 15 μs; y

2. Previstos para una intensidad de corriente nominal de pico igual o superior a 500 A;

c.

Módulos o conjuntos con una función de conmutación rápida que reúnan todas las características siguientes:

1. Voltaje nominal de pico en el ánodo superior a 2 kV;

2. Intensidad nominal de corriente de pico en el ánodo igual o superior a 500 A; y

3. Tiempo de conexión igual o inferior a 1 μs.

a.

Conjuntos de ignición de detonador explosivo diseñados para accionar los detonadores múltiples controlados incluidos en el artículo 3A232;

b. Nota técnica:

Generadores modulares de impulsos eléctricos (impulsadores), que reúnan todas las características siguientes: Nota: El subartículo 3A229.b. incluye los excitadores de lámparas de destello de xenón. En el subartículo 3A229.b.5., el tiempo de subida se define como el intervalo de tiempo comprendido entre el 10 % y el 90 % de la amplitud de corriente cuando se excita una carga resistiva.

b.

1. Diseñados para uso portátil, móvil o en condiciones severas (ruggedized);

2. Encerrados en un receptáculo estanco al polvo;

3. Capacidad para suministrar su energía en menos de 15 μs;

4. Salida superior a 100 A;

5. Tiempo de subida inferior a 10 μs en cargas inferiores a 40 ohmios;

6. Ninguna dimensión superior a 254 mm;

7. Peso inferior a 25 kg; y

8. Especificados para utilizarse en una amplia gama de temperaturas de 223 K (– 50 °C) a 373 K (100 °C) o especificados como adecuados para aplicaciones aeroespaciales.

a.

Voltajes de salida superiores a 6 V sobre una carga resistiva de menos de 55 ohmios; y

b.

Tiempo de transición de impulsos inferior a 500 ps.

3ASistemas, equipos y componentes Nota técnica: Nota técnica: a.

Diseñados para funcionar sin sistema de vacío externo; y

b.

Que utilicen una aceleración electrostática para inducir una reacción nuclear tritio-deuterio.

a.

Detonadores explosivos accionados eléctricamente, según se indica:

1. De tipo puente explosivo (EB);

2. De tipo puente explosivo con filamento metálico (EBW);

3. De percutor (slapper);

4. Iniciadores de laminilla (EFI);

b.

Montajes que empleen detonadores únicos o múltiples diseñados para iniciar casi simultáneamente una superficie explosiva de más de 5000 mm2 a partir de una sola señal de detonación, con un tiempo de iniciación distribuido por la superficie de menos de 2,5 μs.

3ASistemas, equipos y componentes Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.

Espectrómetros de masas de plasma acoplados inductivamente (ICP/MS);

b.

Espectrómetros de masas de descarga luminosa (GDMS);

c.

Espectrómetros de masas de ionización térmica (TIMS);

d.

Espectrómetros de masas de bombardeo electrónico que tengan una cámara fuente construida, revestida o chapada con materiales resistentes al UF6;

e.

Espectrómetros de masas de haz molecular que tengan cualquiera de las características siguientes:

1. Una cámara fuente construida, revestida o chapada con acero inoxidable o molibdeno, y equipada con una trampa fría capaz de enfriar hasta 193 K (– 80 °C) o menos; o

2. Una cámara fuente construida, revestida o chapada con materiales resistentes al UF6;

f.

Espectrómetros de masas equipados con una fuente de iones de microfluoración diseñada para actínidos o fluoruros de actínidos.

3BEquipos de ensayo, inspección y producción

3B001Equipos para la fabricación de dispositivos o de materiales semiconductores, según se indica, y componentes y accesorios diseñados especialmente para ellos: 3B002Equipos de ensayo diseñados especialmente para el ensayo de dispositivos semiconductores terminados o no terminados, según se indica, y componentes y accesorios de los mismos diseñados especialmente:

a.

Equipos diseñados para crecimiento epitaxial, según se indica:

1. Equipos capaces de producir una capa de cualquier material distinto al silicio con espesor uniforme con una precisión de + 2,5 % sobre una distancia igual o superior a 75 mm;

2. Reactores de depósito de vapores químicos organometálicos (MOCVD) diseñados especialmente para el crecimiento de cristales de semiconductores compuestos mediante reacción química entre materiales incluidos en los artículos 3C003 o 3C004;

3. Equipos de crecimiento epitaxial de haz molecular que utilicen fuentes sólidas o gaseosas.

b.

Equipos diseñados para la implantación iónica, que tengan cualquiera de las características siguientes:

1. Una energía del haz (tensión de aceleración) superior a 1 MeV;

2. Diseñados especialmente y optimizados para funcionar a una energía del haz (tensión de aceleración) inferior a 2 keV;

3. Capacidad de escritura directa; o

4. Una energía del haz igual o superior a 65 keV y una corriente del haz igual o superior a 45 mA para la implantación, a alta energía, de oxígeno en un sustrato de material semiconductor calentado.

c.

Equipos para el grabado, por plasma anisotrópico en seco, según se indica:

1. Equipos con funcionamiento cassette-a-cassette y bloqueos de carga, y que tengan cualquiera de las características siguientes:

1. a.

Diseñados u optimizados para producir unas dimensiones críticas iguales o inferiores a 180 nm, con una precisión 3 sigma de ± 5 %; o

b.

Diseñados para generar menos de 0,04 partículas/cm2, con un tamaño mensurable de las partículas mayor a 0,1 micra de diámetro;

2. Equipos diseñados especialmente para equipos incluidos en el subartículo 3B001.e. y que tengan cualquiera de las características siguientes:

2. a.

Diseñados u optimizados para producir unas dimensiones críticas iguales o inferiores a 180 nm, con una precisión 3 sigma de ± 5 %; o

b.

Diseñados para generar menos de 0,04 partículas/cm2, con un tamaño mensurable de las partículas mayor a 0,1 micra de diámetro;

d.

Equipos de CVD intensificado por plasma, según se indica:

1. Equipos con funcionamiento casette-a-casette y bloqueos de carga, diseñados de conformidad con las especificaciones del fabricante u optimizados para ser utilizados en la fabricación de dispositivos semiconductores con unas dimensiones críticas iguales o inferiores a 180 nm;

2. Equipos diseñados especialmente para el equipo sometido a control por el subartículo 3B001.e. y diseñados de conformidad con las especificaciones del fabricante u optimizados para ser utilizados en la fabricación de dispositivos semiconductores con unas dimensiones críticas iguales o inferiores a 180 nm;

e.

Sistemas centrales de manipulación de obleas para la carga automática de cámaras múltiples, que reúnan todas las características siguientes: Nota: El subartículo 3B001.e. no somete a control los sistemas robotizados automáticos de manipulación de obleas que no estén diseñados para funcionar en un ambiente bajo vacío.

1. Interfaces para la entrada y salida de obleas, a los que hayan de conectarse más de dos partes de equipos de proceso de semiconductores; y

2. Diseñados para formar un sistema integrado en un ambiente bajo vacío para el tratamiento secuencial múltiple de las obleas.

f.

Equipos de litografía, según se indica:

1. Equipos de alineación y exposición, por paso y repetición (paso directo en la oblea) o por paso y exploración (explorador), para el proceso de obleas utilizando métodos fotoópticos o de rayos X y que tengan cualquiera de las características siguientes:

1. a.

Longitud de onda de la fuente luminosa inferior a 245 nm; o

b. Nota técnica:

Capacidad de producir un patrón cuya característica resoluble mínima tenga un tamaño igual o inferior a 180 nm; El tamaño de la característica resoluble mínima se calcula mediante la siguiente fórmula: CRM = longitud de onda de la fuente de luz para la exposición en nm × factor Kapertura numérica siendo el factor K = 0,45 y CRM el tamaño de la característica resoluble mínima.

2. Equipos diseñados especialmente para la fabricación de máscaras o el proceso de dispositivos semiconductores utilizando un haz electrónico, un haz iónico o un haz laser, por enfoque y deflexión, y que tengan cualquiera de las características siguientes:

2. a.

Tamaño de punto (proyección) inferior a 0,2 micras;

b.

Capacidad de producir modelos de dimensión inferior a 1 micra; o

c.

Exactitud de recubrimiento mejor que ± 0,20 micras (3 sigma);

g.

Máscaras y retículas diseñadas para circuitos integrados incluidos en el artículo 3A001;

h.

Máscaras multicapas con una capa de cambio de fase. Nota: El subartículo 3B001.h. no somete a control las máscaras multicapas con una capa de cambio de fase diseñadas para la fabricación de dispositivos de memoria no sometidos a control por el artículo 3A001.

a.

Para ensayo de parámetros S de dispositivos de transistores a frecuencias superiores a 31,8 GHz;

b.

Sin uso;

c.

Para el ensayo de los circuitos integrados de microondas incluidos en el subartículo 3A001.b.2.

3CMateriales 3C001Materiales hetero epitaxiales consistentes en un sustrato con capas múltiples apiladas obtenidas por crecimiento epitaxial de cualquiera de los siguientes productos: 3C002Materiales de protección (resists), según se indica, y sustratos revestidos con materiales de protección sometidos a control: 3C003Compuestos organo-inorgánicos, según se indica: Nota: El artículo 3C003 sólo somete a control los compuestos cuyo componente metálico, parcialmente metálico o no metálico está directamente enlazado al carbono en la parte orgánica de la molécula. 3C004Hidruros de fósforo, de arsénico o de antimonio con una pureza superior al 99,999 %, incluso diluidos en gases inertes o de hidrógeno. Nota: El artículo 3C004 no somete a control los hidruros que contienen el 20 % molar o más de gases inertes o de hidrógeno.

3CMateriales a.

Silicio;

b.

Germanio;

c.

Carburo de silicio; o

d. Nota técnica:

Compuestos III/V de galio o indio. Los compuestos III/V son productos policristalinos o binarios o monocristalinos complejos constituidos por elementos de los grupos IIIA y VA de la tabla de clasificación periódica de Mendeleiev (por ejemplo, arseniuro de galio, arseniuro de galio-aluminio y fosfuro de indio).

a.

Materiales de protección positivos para litografía en semiconductores ajustados especialmente (optimizados) para su utilización a longitudes de onda inferiores a 350 nm;

b.

Todos los materiales de protección destinados a su utilización con haces de electrones o haces iónicos, y que posean una sensibilidad de 0,01 microculombios/mm2 o mejor;

c.

Todos los materiales de protección destinados a su utilización con rayos X y que posean una sensibilidad de 2,5 mJ/mm2 o mejor;

d. Nota técnica:

Todos los materiales de protección optimizados para tecnologías de formación de imágenes de superficie, incluidos los materiales de protección sililados. Los métodos de sililación se definen como procesos que incluyen la oxidación de la superficie del material de protección con el fin de mejorar la realización del revelado tanto en húmedo como en seco.

a.

Compuestos organometálicos de aluminio, de galio o de indio, con una pureza (del metal) superior al 99,999 %;

b.

Compuestos organoarsénicos, organoantimónicos y organofosfóricos con una pureza (del elemento inorgánico) superior a 99,999 %.

3DEquipo lógico Nota técnica:

3D001Equipo lógico (software) diseñado especialmente para el desarrollo o la producción de equipos incluidos en los subartículos 3A001.b. a 3A002.g. o en el artículo 3B. 3D002Equipo lógico (software) diseñado especialmente para la utilización de cualquiera de los equipos siguientes: 3D003Equipo lógico (software) de simulación basado en las leyes de la física y diseñado especialmente para el desarrollo de procesos litográficos, de grabado o depósito destinados a transformar patrones de enmascaramiento en patrones topográficos específicos en los materiales conductores, dieléctricos o semiconductores. En el artículo 3D003, por basado en la leyes de la física se entiende el empleo de cálculos para determinar una secuencia de procesos físicos, que implican relaciones causa/efecto, basándose en propiedades físicas (por ejemplo, temperatura, presión, constantes de difusión y propiedades de los materiales semiconductores). Nota: Las bibliotecas, los atributos de diseño y los datos conexos para el diseño de dispositivos semiconductores o de circuitos integrados se consideran tecnología. 3D004Equipo lógico (software) diseñado especialmente para el desarrollo de los equipos incluidos en el artículo 3A003. 3D101Equipo lógico (software) diseñado especialmente o modificado para la utilización de los equipos incluidos en el subartículo 3A101.b.

3DEquipo lógico a.

Equipos incluidos en los subartículos 3B001.a. a 3B001.f.; o

b.

Equipos incluidos en el artículo 3B002.

3ETecnología Nota técnica:

3E001Tecnología, de acuerdo con la Nota General de Tecnología, para el desarrollo o la produccion de equipos o materiales incluidos en los artículos 3A, 3B o 3C; Nota 1: El artículo 3E001 no somete a control la tecnología para la producción de equipos o componentes sometidos a control por el artículo 3A003. Nota 2: El artículo 3E001 no somete a control la tecnología para el desarrollo o la producción de circuitos integrados incluidos en los subartículos 3A001.a.3. a 3A001.a.12., que reúnan todas las características siguientes: Las estructuras multicapa no incluyen los dispositivos que contengan, como máximo, tres capas metálicas y tres capas de polisilicio. 3E002Tecnología de acuerdo con la Nota General de Tecnología distinta de la incluida en el artículo 3E001 para el desarrollo o la producción de microcircuitos de microprocesadores, microcircuitos de microordenadores y microcircuitos microcontroladores que tengan un funcionamiento teórico compuesto (CTP) de 530 millones de operaciones teóricas por segundo (Mtops) o superior y una unidad aritmética lógica con una capacidad de acceso paralelo de 32 bits o superior. Nota: La nota 2 de no control correspondiente al artículo 3E001 también aplica al artículo 3E002. 3E003Otras tecnologías para el desarrollo o la producción de: 3E101Tecnología de acuerdo con la Nota General de Tecnología para la utilización de equipos o de equipo lógico (software) incluidos en los artículos 3A001.a.1. o 2., 3A101 o 3D101. 3E102Tecnología de acuerdo con la Nota General de Tecnología, para el desarrollo del equipo lógico (software) incluido en el artículo 3D101. 3E201Tecnología de acuerdo con la Nota General de Tecnología, para la utilización de los equipos incluidos en los artículos 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A201, 3A225 a 3A233.

3ETecnología

1. Empleo de tecnología igual o superior a 0,5 micras; y

2. Que no incorporen estructuras multicapa.

3ETecnología Nota técnica: a.

Dispositivos microelectrónicos de vacío;

b.

Dispositivos semiconductores de hetero-estructura tales como los transistores de alta movilidad de electrones (HEMT), transistores bipolares de heterounión (HBT), dispositivos de pozo cuántico o de super redes; Nota: El subartículo 3E003.b. no somete a control la tecnología para los transistores de alta movilidad de electrones (HEMT) que funcionen a frecuencias inferiores a 31,8 GHz y los transistores bipolares de heterounión (HBT) que funcionen a frecuencias inferiores a 31,8 GHz.

c.

Dispositivos electrónicos superconductores;

d.

Sustratos o películas de diamante para componentes electrónicos.

e.

Sustratos de silicio sobre aislante (SOI) para circuitos integrados en los cuales el aislante es dióxido de silicio.

f.

Sustratos de carburo de silicio para componentes electrónicos.

g.

Tubos electrónicos de vacío que funcionen a frecuencias de 31,8 GHz o más.

CATEGORÍA 4 ORDENADORES

Nota 1: Los ordenadores, el equipo conexo y el equipo lógico (software) que realicen funciones de telecomunicaciones o de redes de área local deberán evaluarse también con arreglo a las características de funcionamiento definidas en la Categoría 5, primera parte (Telecomunicaciones). Nota 2: Las unidades de control que interconectan directamente los buses o canales de las unidades centrales de proceso, de la memoria principal o de controladores de discos no se consideran equipos de telecomunicaciones descritos en la Categoría 5, primera parte (Telecomunicaciones). N.B.: Para lo relacionado con el régimen de control del equipo lógico (software) diseñado especialmente para la conmutación de paquetes, véase 5D001. Nota 3: Los ordenadores, el equipo conexo y el equipo lógico (software) que realicen funciones criptográficas, criptoanalíticas, de seguridad multinivel certificable o de aislamiento del usuario certificable, o que limiten la compatibilidad electromagnética (EMC), deberán evaluarse igualmente con arreglo a las características de funcionamiento definidas en la Categoría 5, segunda parte (Seguridad de la información).

4ASistemas, equipos y componentes

4A001Ordenadores electrónicos y equipo conexo, según se indica, y los conjuntos electrónicos y componentes diseñados especialmente para ellos: N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 4A101. 4A002Sin uso. 4A003Ordenadores digitales, conjuntos electrónicos y equipo conexo para ellos, según se indica, y los componentes diseñados especialmente para ellos: Nota 1: El artículo 4A003 incluye lo siguiente: Nota 2: El régimen de control de los ordenadores digitales o equipo conexo descritos en el artículo 4A003 viene determinado por el régimen de control de los otros equipos o sistemas, siempre que: 4A004Ordenadores, según se indica, y equipo conexo, conjuntos electrónicos y componentes, diseñados especialmente para ellos: 4A101Ordenadores analógicos, ordenadores digitales o analizadores diferenciales digitales, distintos de los incluidos en el subartículo 4A001.a.1., para uso en condiciones severas (ruggedized) y diseñados o modificados para emplearlos en las lanzaderas espaciales incluidas en el artículo 9A004 o en los cohetes de sondeo incluidos en el artículo 9A104. 4A102Ordenadores híbridos diseñados especialmente para la modelización, la simulación o la integración de diseño de las lanzaderas espaciales incluidas en el artículo 9A004 o de los cohetes de sondeo incluidos en el artículo 9A104. Nota: Este control sólo se aplica si el equipo se suministra con el equipo lógico (software) especificado en los artículos 7D103 o 9D103.

a.

Diseñados especialmente para tener cualquiera de las características siguientes:

1. Proyectados para funcionar a una temperatura ambiente inferior a 228 K (– 45 °C) o superior a 358 K (85 °C); Nota: El subartículo 4A001.a.1. no es aplicable a los ordenadores diseñados especialmente para aplicaciones civiles en automóviles y ferrocarriles.

2. Resistentes a las radiaciones a un nivel que supere cualquiera de las especificaciones siguientes: a. Dosis total 5 × 103 Gy (silicio); b. Modificación de la tasa de dosis 5 × 106 Gy (silicio)/seg; o c. Modificación por fenómeno único 1 × 10-7 errores/bit/día;

b.

Que tengan características o realicen funciones que excedan los límites definidos en la Categoría 5, segunda parte (Seguridad de la información). Nota: El subartículo 4A001.b. no somete a control los ordenadores electrónicos y el equipo conexo a disposición del usuario para uso personal de éste.

a.

Los procesadores vectoriales;

b.

Los conjuntos de procesadores;

c.

Los procesadores de señales digitales;

d.

Los procesadores lógicos;

e.

Los equipos diseñados para resaltado de imagen;

f.

Los equipos diseñados para proceso de señales.

a.

Los ordenadores digitales o equipo conexo sean esenciales para el funcionamiento de los otros equipos o sistemas;

b.

Los ordenadores digitales o equipo conexo no sean un elemento principal de los otros equipos o sistemas; y N.B. 1: El régimen de control de los equipos de proceso de señales o de resaltado de imagen diseñados especialmente para otros equipos que posean funciones limitadas a las necesarias para los otros equipos viene determinado por la inclusión en el control de los otros equipos aunque se sobrepase el criterio de elemento principal. N.B. 2: En lo que se refiere a la inclusión en el control de los ordenadores digitales o equipo conexo para equipos de telecomunicaciones, véase la Categoría 5, primera parte (Telecomunicaciones).

c.

La tecnología relativa a los ordenadores digitales y equipo conexo se rija por el artículo 4E.

a.

Diseñados o modificados para tolerancia a fallos; Nota: A los efectos del subartículo 4A003.a., los ordenadores digitales y equipo conexo no se consideran diseñados ni modificados para tolerancia a fallos si utilizan cualquiera de los siguientes elementos:

1. Algoritmos de detección o corrección de errores en la memoria principal;

2. La interconexión de dos ordenadores digitales de modo que, si falla la unidad central de proceso activa, una unidad central de proceso de reserva, imagen de la anterior, pueda mantener el funcionamiento del sistema;

3. La interconexión de dos unidades centrales de proceso mediante canales de datos o mediante el uso de memoria compartida, para permitir a una unidad central de proceso realizar otro trabajo hasta que falle la segunda unidad central de proceso, en cuyo momento la primera unidad central de proceso toma el relevo para mantener el funcionamiento del sistema; o

4. La sincronización de dos unidades centrales de proceso por medio del equipo lógico (software), de modo que una unidad central de proceso reconozca cuándo falla la otra unidad central de proceso y se haga cargo de sus tareas.

b.

Ordenadores digitales que posean un funcionamiento máximo ajustado (APP) superior a 0,75 TeraFLOPS ponderados (WT);

c.

Conjuntos electrónicos diseñados especialmente o modificados para mejorar las prestaciones mediante agrupación de procesadores, de forma que el funcionamiento máximo ajustado del conjunto exceda el límite especificado en el subartículo 4A003.b.; Nota 1: El subartículo 4A003.c. sólo es aplicable a conjuntos electrónicos y a las interconexiones programables que no sobrepasen el límite especificado en el subartículo 4A003.b., cuando se expidan como conjuntos electrónicos no integrados. No se aplica a los conjuntos electrónicos limitados intrínsecamente por la naturaleza de su diseño a su utilización como equipo conexo incluidos en el subartículo 4A003.e. Nota 2: El subartículo 4A003.c. no somete a control los conjuntos electrónicos diseñados especialmente para un producto o una familia de productos cuya configuración máxima no sobrepase el límite especificado en el subartículo 4A003.b.

d.

Sin uso;

e.

Equipos que realicen conversiones analógico-digital que sobrepasen los límites especificados en el subartículo 3A001.a.5.;

f.

Sin uso;

g.

Equipos diseñados especialmente para proporcionar las interconexiones externas de ordenadores digitales o equipos asociados, que permitan comunicaciones con tasas de datos superiores a 1,25 Gigaoctetos/s. Nota: El subartículo 4A003.g. no somete a control los equipos de interconexión interna (por ejemplo backplanes, buses), los equipos pasivos de interconexión, los controladores de acceso a la red o los controladores de canal de comunicaciones.

a.

Ordenadores de conjunto sistólico;

b.

Ordenadores neuronales;

c.

Ordenadores ópticos.

4BEquipos de ensayo, inspección y producción

Ninguno.

4CMateriales Ninguno.

4DEquipo lógico

Nota: El régimen de control del equipo lógico (software) para el desarrollo, la producción o utilización de los equipos descritos en otras categorías se contempla en la categoría respectiva. El régimen de control del equipo lógico (software) para los equipos descritos en la presente categoría se contempla en esta categoría. 4D002Equipo lógico (software) diseñado especialmente o modificado para sustentar la tecnología incluida en el artículo 4E. 4D003Equipo lógico (software) específico, según se indica:

4D001a. Equipo lógico (software) diseñado especialmente o modificado para el desarrollo, la producción, o la utilización de equipos o equipo lógico (software) incluidos en los artículos 4A001 a 4A004, o 4D.

b.

Equipo lógico (software) distinto del especificado en 4D001.a. diseñado especialmente o modificado para el desarrollo o la producción de:

1. Ordenadores digitales con un funcionamiento máximo ajustado (APP) superior a 0,04 TeraFLOPS ponderados (WT); o

2. Conjuntos electrónicos diseñados especialmente o modificados para mejorar el funcionamiento mediante la agregación de procesadores de tal modo que el funcionamiento máximo ajustado (APP) del agregado supera el límite del subartículo 4D001.b.1.

a.

Equipo lógico (software) para sistemas operativos, equipo lógico (software) para herramientas de desarrollo y compiladores diseñados especialmente para equipos de proceso de múltiples flujos de datos, en código fuente;

b.

Sin uso;

c.

Equipo lógico (software) que posea características o realice funciones que sobrepasen los límites especificados en la Categoría 5, segunda parte (Seguridad de la información); Nota: El subartículo 4D003.c. no somete a control el equipo lógico (software) a disposición del usuario para uso personal de éste.

4ETecnología

4E001a. Tecnología, de acuerdo con la Nota General de Tecnología, para el desarrollo, la producción o la utilización de equipos, o equipo lógico (software) incluidos en los artículos 4A o 4D.

b.

Tecnología, distinta de la especificada en 4E001.a. diseñada especialmente o modificada para el desarrollo o la producción de:

1. Ordenadores digitales con un funcionamiento máximo ajustado (APP) superior a 0,04 TeraFLOPS ponderados (WT); o

2. Conjuntos electrónicos diseñados especialmente o modificados para mejorar el funcionamiento mediante la agregación de procesadores de tal modo que el funcionamiento máximo ajustado (APP) del agregado supera el límite del subartículo 4E001.b.1.

Nota técnica sobre el funcionamiento teórico compuesto (CTP) Abreviaturas utilizadas en la presente nota técnica

CE elemento de cálculo (generalmente una unidad aritmética lógica) FP coma flotante XP coma fija t tiempo de ejecución XOR OR exclusivo CPU unidad central de proceso TP funcionamiento teórico (de un solo CE) CTP funcionamiento teórico compuesto (de varios CEs) R tasa de cálculo efectiva WL longitud de la palabra L ajuste de la longitud de la palabra * multiplicación El tiempo de ejecución t se expresa en μs, TP y CTP en millones de operaciones teóricas por segundo (Mtops) y WL se expresa en bits.

Introducción al método de cálculo del CTP

El CTP es una medida de la velocidad de proceso expresada en millones de operaciones teóricas por segundo (Mtops). Para calcular el CTP de una configuración de elementos de cálculoCEs son necesarios los tres pasos siguientes: Los detalles para esos pasos se dan en las próximas secciones. Nota 1: Para subsistemas con agregaciones de múltiples CEs que tengan memoria compartida y no compartida, el cálculo del CTP se completa jerárquicamente, en dos pasos: primero, se agrega el grupo de CEs que comparten memoria, segundo, se calcula el CTP de los grupos usando el método de cálculo para múltiples CEs que no comparten memoria. Nota 2: Los CEs que estén limitados a funciones de entrada/salida y periféricas (por ejemplo controladores de disco, de comunicaciones y de presentación de vídeo) no se agregarán para calcular el CTP.

1. Calcular la tasa de cálculo efectiva R de cada CE;

2. Aplicar a esa tasa R el ajuste por longitud de palabra (L), a fin de obtener un funcionamiento teórico (TP) para cada CE;

3. Si hay más de un elemento de cálculoCE, combinar los TP obtenidos en un CTP para la configuración.

NOTA TÉCNICA SOBRE EL CTP

La tabla siguiente muestra el método de cálculo de la tasa de cálculo efectiva R para cada CE: Paso 1: Tasa de cálculo efectiva R Para CEs que tengan: Nota: Cada CE debe ser evaluado independientemente Tasa de cálculo efectiva R XP únicamente Rxp = 13 × txp add si no existe suma se utilizará: Rxp = 1txp mult Si no existe suma ni multiplicación se utilizará la operación aritmética más rápida disponible, según se indica: Rxp = 13 × txp Ver notas X y Z FP únicamente Rfp = max 1tfp add, 1tfp mult Ver notas X e Y FP y XP (ambas) (R) Se calcularán las dos tasas Rxp, Rfp Para los procesadores lógicos simples que no efectúen ninguna de las operaciones aritméticas especificadas. V = 13 × tlog Siendo tlog el tiempo de ejecución de XOR, o si el equipo físico lógico no tiene XOR, la operación lógica simple más rápida. Ver notas X y Z Para procesadores lógicos especiales que no efectúen ninguna de las operaciones aritméticas o lógicas especificadas. R = R' × WL/64 Siendo R' el número de resultados por segundo, WL el número de bits sobre el que se efectúa la operación lógica y 64 un factor para normalizar a operaciones de 64 bits. Nota W: Para un CE configurado en pipeline capaz de ejecutar hasta una operación aritmética o lógica cada ciclo de reloj después que la pipeline se llene, se puede establecer una tasa en la pipeline. La tasa de cálculo efectiva R para tal CE es la más rápida de la tasa con pipeline o la tasa de ejecución sin pipeline. Nota X: Para los CEs que realicen operaciones múltiples de un tipo determinado en un solo ciclo (por ejemplo dos sumas por ciclo o dos operaciones lógicas idénticas por ciclo) el tiempo de ejecución t será: t =duración del ciclonúmero de operaciones aritméticas idénticas por ciclo de máquina Los CEs que realicen diferentes tipos de operaciones aritméticas o lógicas en un solo ciclo de máquina se tratarán como varios CEs separados que funcionasen simultáneamente (por ejemplo un CE que ejecute una suma y una multiplicación en un ciclo se tratará como dos CEs, uno de los cuales efectuase una suma en un ciclo y el otro una multiplicación en un ciclo). Si un solo CE tiene función escalar y función vectorial se utilizará el valor del tiempo de ejecución más corto. Nota Y: Si el CE no realiza sumas en coma flotante ni multiplicaciones en coma flotante pero realiza divisiones en coma flotante: Rfp = ltfp división Si el CE realiza recíprocos en coma flotante, pero no sumas en coma flotante, multiplicaciones en coma flotante ni divisiones en coma flotante, entonces Rfp = ltfp recíproca Si no existe ninguna de las instrucciones especificadas, la tasa efectiva con coma flotante es igual a 0. Nota Z: En las operaciones lógicas simples, una sola instrucción realiza una sola manipulación lógica de no más de dos operandos de longitudes dadas. En las operaciones lógicas complejas, una sola instrucción efectúa varias manipulaciones lógicas para producir uno o más resultados a partir de dos o más operandos. Las tasas se calcularán para todas las longitudes de operando soportadas, considerando ambas operaciones, con pipeline (si es el caso) y sin pipeline, utilizando la instrucción de ejecución más rápida para cada una de las longitudes de operando, como sigue: En cada uno de los casos indicados se utilizará el tiempo de ejecución más corto certificado por el fabricante. Paso 2: TP para cada longitud de operando WL utilizada Se ajustará la tasa efectiva R (o R') mediante el ajuste por longitud de palabra L según se indica: Nota: La longitud de palabra WL utilizada en estos cálculos es la longitud en bits del operando. (Si en una operación se utilizan operandos de diferentes longitudes, se tomará la longitud de palabra mayor). La combinación de una unidad aritmética lógica (ALU) para mantisa y una unidad aritmética lógica (ALU) para exponente, de un procesador o unidad de coma flotante se considera que es un elemento de cálculoCE con una longitud de palabra WL igual al número de bits en la representación de los datos (típicamente 32 o 64) para los propósitos del cálculo del funcionamiento teórico compuestoCTP. Este ajuste no es aplicable a los procesadores lógicos especializados que no utilizan instrucciones XOR. En este caso TP = R. Se tomará el valor máximo obtenido de TP para: Paso 3: CTP para agrupaciones de CEs, incluidas unidades centrales de proceso CPUs Para una CPU con un solo CE, CTP = TP (para CEs que realicen tanto operaciones con coma fija como con coma flotante TP = max (TPfp, TPxp)) Para las agrupaciones de varios CEs que funcionen simultáneamente, el CTP se calcula del siguiente modo: Nota 1: Para las agrupaciones que no permitan el funcionamiento simultáneo de todos los CEs, se utilizará la configuración posible de CE que proporcione el mayor CTP. El TP de cada CE considerado se calculará con su máximo valor teóricamente posible, antes de obtener el CTP de la combinación. N.B. Para determinar las posibles combinaciones de CEs que operen simultáneamente, se genera una secuencia de instrucción que inicie operaciones en múltiples CEs, empezando con el CE inferior (el que necesite el mayor número de ciclos para completar su operación) y terminando con el CE más rápido. En cada ciclo de la secuencia, la combinación de CEs en operación durante ese ciclo es una combinación posible. La secuencia de instrucción tiene que tomar en cuenta todas las limitaciones del equipo físico (hardware) y/o de arquitectura en solape de las operaciones. Nota 2: Una sola pastilla o placa de circuitos integrados puede contener varios CEs. Nota 3: Se supone que existen operaciones simultáneas cuando el fabricante del ordenador asegura en un manual o en un folleto del ordenador la existencia de un funcionamiento o de una ejecución en modo concurrente, paralelo o simultáneo. Nota 4: Los valores de CTP no se agregarán para combinaciones de CEs (inter) conectadas por redes de área local, redes de área amplia, dispositivos de entrada/salida con conexiones compartidas, controladores de entrada/salida y cualquier interconexión de comunicaciones implementada mediante equipo lógico (software). Nota 5: Los valores de CTP han de ser agregados para CEs múltiples diseñadas especialmente para mejorar los resultados mediante agrupación, funcionando simultáneamente y compartiendo memoria, o combinaciones -memoria múltiple/ CE — operando simultáneamente y utilizando equipo físico (hardware) diseñado especialmente. Estas aplicaciones no aplican a los conjuntos electrónicos descritos en el subartículo 4A003.c. CTP = TP1 + C2 × TP2 + … + Cn × TPn, donde los TP se ordenan por valores, siendo TP1 el TP más elevado, TP2 el segundo más elevado,…, y TPn el más bajo. Ci es un coeficiente determinado por la fuerza de interconexión entre los CEs, según se indica: Para varios CEs operando simultáneamente y compartiendo memoria: Nota 1: Cuando el CTP calculado por el método anterior no exceda de 194 Mtops, la siguiente fórmula puede ser usada para calcular Ci: Ci = 0,75m(i = 2,…, n) donde m= número de CEs o grupos de CEs que comparten acceso. Siempre que: Nota 2: Los CEs comparten una memoria si tienen acceso a un segmento común de una memoria de estado sólido. Esta memoria puede ser una memoria oculta (cache), una memoria principal u otra memoria interna. No se incluyen los dispositivos de memoria periféricos tales como las unidades de cinta, las unidades de disco o los discos RAM. Para varios CEs o grupos de CEs que no comparten una memoria, e interconectados mediante uno o más canales de datos: Ci El valor de Ci se basa en el número de CEs, no en el número de nodos. Donde ki min (Si/Kr, 1), y Kr factor normalizador de 20 Megaoctetos/s. Si suma de la tasas máximas de datos (en unidades de Megaoctetos/s) para todos los canales de datos conectados con el imoCE o grupo de CEs que compartan memoria. Cuando se calcule un Ci para un grupo de CEs, el número del primer CE en un grupo determina los límites propios para Ci. Por ejemplo, en una agregación de grupos consistente de 3 CEs cada uno, el vigésimosegundo grupo contendrá CE64, CE65 y CE66. El límite propio para Ci para este grupo es 0,60. Las agregaciones (de CEs o grupos de CEs) deberán ser de las más rápidas a las más lentas, por ejemplo: en el caso de TPi = TPi+1 del mayor al menor, por ejemplo: Nota: El factor ki no se aplica a los CEs 2 al 12 si el TPi del CE o grupo de CEs es más de 50 Mtops; por ejemplo, el Ci para los CEs 2 a 12 es de 0,75.

1. Operaciones con pipeline o de registro a registro. Se excluirán los tiempos de ejecución excepcionalmente breves obtenidos para operaciones correspondientes a un determinado operando u operandos (por ejemplo, multiplicación por 0 o por 1). Si no se realiza operaciones de registro a registro, se aplicará el párrafo 2.

2. La más rápida de las operaciones de registro a memoria o de memoria a registro; si tampoco existen estas operaciones, se aplicará el párrafo 3.

3. De memoria a memoria.

TP = R × L, siendo L = (1/3 + WL/96)

Cada CE con coma fija únicamente (Rxp);

Cada CE con coma flotante únicamente (Rfp);

Cada CE con coma flotante y coma fija combinadas (R);

Cada procesador lógico simple que no efectúe ninguna de las operaciones aritméticas especificadas; y

Cada procesador lógico especial que no utilice ninguna de las operaciones aritméticas o lógicas especificadas.

C2 = C3 = C4 = … = Cn = 0,75

1. Los TPi de cada CE o grupo de CEs no excedan 30 Mtops

2. Los CE o grupos de CEs compartan acceso a la memoria principal [excluida la memoria oculta (cache)] en un canal único; y

3. Sólo un CE o grupo de CEs pueda hacer uso del canal en un instante determinado. N.B. Esto no se aplica a los artículos controlados en la categoría 3.

Ci = 0,75 × ki (i = 2, …,32) (ver nota más adelante)

= 0,60 × ki (i = 33, …,64)

= 0,45 × ki (i = 65, …,256)

= 0,30 × ki (i > 256)

TP1 ≥, TP2 ≥ … ≥TPn, y

Ci ≥ Ci+1

NOTA TÉCNICA SOBRE EL FUNCIONAMIENTO MÁXIMO AJUSTADO (APP)

El valor APP es un valor máximo ajustado en el que los ordenadores digitales realizan sumas y multiplicaciones en coma flotante de 64 bits o más. El valor APP se expresa en TeraFLOPS ponderados (WT), en unidades de 1012 operaciones ajustadas en coma flotante por segundo.

Abreviaturas utilizadas en la presente nota técnica

n número de procesadores del ordenador digital i número de procesador (i,...n) ti duración del ciclo del procesador (ti = 1/Fi) Fi frecuencia del procesador Ri valor máximo de cálculo en coma flotante Wi coeficiente de adaptación de arquitectura

Esquema del método de cálculo APP 1.2.3.4.

Para cada procesador i, determinar el número máximo de operaciones de 64 bits o más en coma flotante, FPOi, realizado por ciclo de cada procesador en el ordenador digital. Nota: Para determinar el FPO, solamente se incluyen las sumas y/o multiplicaciones de 64 bits o más con coma flotante. Todas las operaciones con coma flotante deben expresarse en operaciones por ciclo de procesador; las operaciones que requieran ciclos múltiples pueden expresarse en resultados fraccionarios por ciclo. Para los procesadores que no puedan realizar cálculos sobre operandos en coma flotante de 64 bits o más, la tasa de cálculo efectiva R es cero. Calcular el índice R en coma flotante para cada procesador Ri = FPOi/ti. Calcular el APP como APP = W1 × R1 + W2 × R2 + … + Wn × Rn. Para los procesadores vectoriales, Wi = 0,9. Para los procesadores no vectoriales, Wi = 0,3. Nota 1: Para los procesadores que realizan operaciones compuestas en un ciclo, como sumas y multiplicaciones, se cuenta cada operación. Nota 2: Para un procesador con pipeline la tasa de cálculo efectiva R es la más rápida de la tasa con pipeline, después de que la pipeline se llene, o de la tasa sin pipeline. Nota 3: La tasa de cálculo R de cada procesador se debe calcular en el valor máximo teóricamente posible antes de que se derive el APP de la combinación. Se considera que existen operaciones simultáneas cuando el fabricante del ordenador asegura en un manual o en un folleto del ordenador la existencia de un funcionamiento o de una ejecución en modo concurrente, paralelo o simultáneo. Nota 4: Al calcular el APP no se incluyen los procesadores limitados a funciones de entrada-salida y periféricas (por ejemplo, unidad de los discos, comunicación y presentación visual). Nota 5: No se calcularán los valores APP para combinaciones de procesadores (inter)conectados por redes de área local, redes de área amplia, dispositivos de entrada/salida con conexiones compartidas, controladores de entrada/salida y cualquier interconexión de comunicaciones implementada mediante equipo lógico. Nota 6: Los valores APP deberán calcularse para: Nota 7: Se entiende por procesador vectorial un procesador con instrucciones incorporadas que realice simultáneamente cálculos múltiples sobre vectores en coma flotante (órdenes unidimensionales de 64 bits o más), y disponga al menos de 2 unidades funcionales vectoriales y al menos de 8 registros vectoriales de al menos 64 elementos cada uno.

1. Las combinaciones de procesadores que contengan a procesadores diseñados especialmente para aumentar el rendimiento mediante agregación, funcionamiento simultáneo y memoria compartida; o bien

2. Las combinaciones múltiples de memoria/procesador con funcionamiento simultáneo que utilicen un equipo informático diseñado especialmente.

CATEGORÍA 5 TELECOMUNICACIONES Y SEGURIDAD DE LA INFORMACIÓN

PRIMERA PARTE TELECOMUNICACIONES

Nota 1: La Categoría 5, primera parte, define el régimen de control de los componentes, láseres, equipos de produccióny de prueba y equipo lógico (software) para los mismos, diseñados especialmente para equipos o sistemas de telecomunicaciones. Nota 2: Los ordenadores digitales, equipo conexo o equipo lógico (software), cuando sean esenciales para el funcionamiento y soporte de los equipos de telecomunicaciones descritos en esta categoría, se considerarán componentes diseñados especialmente siempre que sean los modelos standard suministrados normalmente por el fabricante. Esto incluye los sistemas informáticos de explotación, administración, mantenimiento, ingeniería o facturación.

5A1Sistemas, equipos y componentes Nota técnica:

N.B.: Para el equipo de interferencia del GNSS, véase la Relación de Material de Defensa. 5A101Equipos de telemedida y telecontrol, incluidos los equipos de tierra diseñados o modificados para misiles. En el artículo 5A101, misiles son sistemas completos de cohetes y sistemas de vehículos aéreos no tripulados, capaces de llegar a una distancia de al menos 300 kms. Nota: El artículo 5A101 no somete a control:

5A1Sistemas, equipos y componentes

5A001a. Cualquier tipo de equipo de telecomunicaciones que posea cualquiera de las características, funciones o elementos siguientes: Nota: Los subartículos 5A001.a.2. y 5A001.a.3. no someten a control los equipos diseñados o modificados para su uso a bordo de satélites.

5A001a.

1. Diseñado especialmente para resistir los efectos electrónicos transitorios o los efectos de impulso electromagnético, ambos consecutivos a una explosión nuclear;

2. Endurecido especialmente para resistir la radiación gamma, neutrónica o iónica; o

3. Diseñado especialmente para funcionar fuera de la gama de temperaturas de 218 K (– 55 °C) a 397 K (124 °C). Nota: el subartículo 5A001.a.3. sólo es aplicable a los equipos electrónicos.

b.

Equipos y sistemas de transmisión para telecomunicaciones y los componentes y accesorios diseñados especialmente para ellos, que posean cualquiera de las características, funciones o elementos siguientes:

1. Sistemas de comunicaciones subacuáticos que posean cualquiera de las características siguientes:

1. a.

Frecuencia portadora acústica fuera de la gama de 20 kHz a 60 kHz;

b.

Que utilicen una frecuencia portadora electromagnética inferior a 30 kHz; o

c.

Que utilicen técnicas electrónicas de orientación del haz;

2. Equipos de radio que funcionen en la banda de 1,5 a 87,5 MHz y posean cualquiera de las características siguientes:

2. a.

Provistos de técnicas adaptativas que permitan una supresión de más de 15 dB de una señal de interferencia; o

b.

Que posean las dos características siguientes:

1. Predicción y selección automáticas de frecuencias y de tasas de transferencia digital totalespor canal para optimizar la transmisión; y

2. Que contengan una configuración de amplificador de potencia lineal con capacidad para soportar simultáneamente señales múltiples a una potencia de salida igual o superior a 1 kW en la gama de frecuencia igual o superior a 1,5 MHz pero inferior a 30 MHz, o igual o superior a 250 W en la gama de frecuencia igual o superior a 30 MHz pero inferior a 87,5 MHz, sobre un ancho de banda instantáneo de una octava o más con un contenido de armónicos de salida y de distorsión mejor que – 80 dB;

3. Equipos de radio que utilicen técnicas de espectro ensanchado incluyendo el salto de frecuencia no sometidos a control en el subartículo 5A001.b.4., y posean cualquiera de las características siguientes: Nota: El subartículo 5A001.b.3. no somete a control los equipos que están diseñados para funcionar con una potencia de salida igual o menor que 1,0 watios.

3. a.

Códigos de ensanchamiento programables por el usuario; o

b.

Un ancho de banda de transmisión total igual o superior a 100 veces el ancho de banda de cualquiera de los canales de información y superior a 50 kHz; Nota: El subartículo 5A001.b.3.b. no somete a control los equipos de radio diseñados especialmente para su uso en sistemas de radiocomunicaciones celulares civiles.

4. Equipos de radio que utilicen técnicas de modulación ultraancha que tengan códigos de canalización, de embrollo o códigos de identificación de red, programables por el usuario, con alguna de las características siguientes:

4. a.

Ancho de banda superior a 500 MHz; o

b.

Ancho de banda fraccional de 20 % o más;

5. Receptores de radio controlados digitalmente que posean todas las características siguientes:

5. a.

Más de 1000 canales;

b.

Un tiempo de conmutación de frecuencias inferior a 1 ms;

c.

Búsqueda o exploración automática en una parte del espectro electromagnético; y

d.

Identificación de las señales recibidas por el tipo de transmisor; o Nota: El subartículo 5A001.b.5. no somete a control los equipos de radio diseñados especialmente para su uso en sistemas de radiocomunicaciones celulares civiles.

6. Notas técnicas:

Que utilicen funciones de proceso de señales digital para proporcionar una salida de codificación de la voz a tasas inferiores a 2400 bits/s.

1. Para la codificación de la voz de ritmo variable, el subartículo 5A001.b.6. se aplica a la salida de codificación de la voz del discurso continuo.

2. A efectos del subartículo 5A001.b.6., la codificación de la voz se define como la técnica consistente en tomar muestras de voz humana y convertirlas en señales digitales, teniendo en cuenta las características específicas del habla.

c.

Cables de fibra óptica para comunicaciones, fibras ópticas y accesorios según se indica:

1. Nota técnica:

Fibras ópticas de más de 500 m de longitud, con capacidad de soportar un ensayo de esfuerzo por tracción igual o superior a 2 x 109 N/m2 según las especificaciones del fabricante; Ensayos de resistencia: ensayos de producción en línea o fuera de línea selectivos que aplican dinámicamente un esfuerzo por tracción prescrito, a una fibra de 0,5 a 3 m de longitud a una velocidad de arrastre de 2 a 5 m/s mientras pasa entre cabrestantes de 150 mm de diámetro aproximadamente. La temperatura ambiente y nominal es de 293 K (20 °C), y la humedad relativa nominal, del 40 %. Pueden utilizarse normas nacionales equivalentes para realizar los ensayos de resistencia.

2. Cables de fibra óptica y accesorios diseñados para uso subacuático. Nota: El subartículo 5A001.c.2. no somete a control los cables y accesorios normalizados de telecomunicación civil. N.B. 1: Para los cables umbilicales subacuáticos y los conectores para los mismos véase el subartículo 8A00.2a.3. N.B. 2: Para los conectores o penetradores de casco de fibra óptica, véase el subartículo 8A002.c.

d.

Antenas orientables electrónicamente mediante ajuste de fases que funcionen a más de 31,8 GHz. Nota: El subartículo 5A001.d. no somete a control las antenas orientables electrónicamente mediante ajuste de fases para sistemas de aterrizaje con instrumentos que satisfagan las normas de la Organización de Aviación Civil Internacional (OACI) que se refieren a los sistemas de microondas para aterrizajes (MLS).

e.

Equipos radiogoniométricos que funcionen a frecuencias mayores de 30 MHz y que tengan todas las características siguientes, así como los componentes diseñados especialmente para ellos:

1. Un ancho de banda instantáneo igual o superior a 10 MHz; y

2. Capaz de encontrar una línea de marcación (LOB) con radio transmisores no cooperativos con una señal de duración inferior a 1 ms.

f.

Equipos de interferencia diseñados especialmente o modificados para interferir de forma intencional y selectiva, denegar, inhibir, degradar o engañar servicios de telecomunicación móvil celular que tengan alguna de las características siguientes, así como los componentes diseñados especialmente para ellos:

1. Simular las funciones de un equipo de Redes de Acceso Radioeléctrico (RAN); o

2. Detectar y explotar características específicas del protocolo utilizado en telecomunicaciones móviles (por ejemplo, GSM).

5A1Sistemas, equipos y componentes Nota técnica: a.

Los equipos diseñados o modificados para aeronaves tripuladas o satélites;

b.

Los equipos con base terrena diseñados o modificados para aplicaciones terrestres o marítimas;

c.

Los equipos diseñados para servicios de GNSS comerciales, civiles o de Seguridad de la vida humana (p.e. integridad de los datos, seguridad de vuelo).

5B1Equipos de ensayo, inspección y producción

5B001a. Equipos y componentes o accesorios diseñados especialmente para los mismos, diseñados especialmente para el desarrollo, la producción o la utilización de los equipos, funciones o elementos incluidos en los artículos 5A001, 5B001, 5D001 o 5E001. Nota: El subartículo 5B001.a. no somete a control el equipo de caracterización de la fibra óptica.

b.

Equipos y componentes diseñados especialmente o accesorios para los mismos, diseñados especialmente para el desarrollo de cualquiera de los siguientes equipos de telecomunicaciones, de transmisión o de conmutación:

1. Nota técnica:

Equipos que utilicen técnicas digitales, diseñados para funcionar a una tasa de transferencia digital total superior a 15 Gbit/s; Para el equipo de conmutación, la tasa de transferencia digital total se mide en el puerto o línea de mayor velocidad.

2. Equipos que utilicen un láser y posean cualquiera de las características siguientes:

2. a.

Una longitud de onda de transmisión superior a 1750 nm;

b.

Que efectúen la amplificación óptica;

c.

Que utilicen técnicas de transmisión óptica coherente o de detección óptica coherente (también denominadas técnicas ópticas heterodinas u homodinas); o

d.

Que utilicen técnicas analógicas y tengan un ancho de banda superior a 2,5 GHz; Nota: El subartículo 5B001.b.2.d. no somete a control los equipos diseñados especialmente para el desarrollo de sistemas de televisión comerciales.

3. Equipos que utilicen la conmutación óptica;

4. Equipos de radio que utilicen técnicas de modulación de amplitud en cuadratura (QAM) por encima del nivel 256; o

5. Equipos que utilicen la señalización por canal común que funcionen en modo de explotación no asociado.

5C1Materiales

Ninguno.

5D1Equipo lógico

5D101Equipo lógico (software) diseñado especialmente o modificado para la utilización de los equipos incluidos en el artículo 5A101.

5D001a. Equipo lógico (software) diseñado especialmente o modificado para el desarrollo, la producción o utilización de los equipos, funciones o elementos, incluidos en los artículos 5A001 o 5B001.

b.

Equipo lógico (software) diseñado especialmente o modificado para dar soporte a la tecnología incluida en el artículo 5E001.

c.

Equipo lógico (software) diseñado especialmente o modificado para proporcionar características, funciones o elementos de los equipos incluidos en los artículos 5A001 o 5B001.

d.

Equipo lógico (software) diseñado especialmente o modificado para el desarrollo de cualquiera de los siguientes equipos de telecomunicaciones, de transmisión o de conmutación:

1. Nota técnica:

Equipos que utilicen técnicas digitales diseñados para funcionar con una tasa de transferencia digital total superior a 15 Gbits/s; Para el equipo de conmutación, la tasa de transferencia digital total se mide en el puerto o línea de mayor velocidad.

2. Equipos que utilicen un láser y posean cualquiera de las características siguientes:

2. a.

Una longitud de onda de transmisión superior a 1750 nm; o

b.

Que utilicen técnicas analógicas y tengan un ancho de banda superior a 2,5 GHz; Nota: El subartículo 5D001.d.2.b. no somete a control el equipo lógico (software) diseñado especialmente o modificado para el desarrollo de sistemas de televisión comerciales.

3. Equipos que utilicen la conmutación óptica; o

4. Equipos de radio que utilicen técnicas de modulación de amplitud en cuadratura (QAM) por encima del nivel 256.

5E1Tecnología

5E101Tecnología de acuerdo con la Nota General de Tecnología, para el desarrollo, la producción o la utilización de los equipos incluidos en el artículo 5A101.

5E001a. Tecnología de acuerdo con la Nota general de tecnología, para el desarrollo, la producción o utilización (excepto la explotación) de los equipos, funciones o elementos o equipo lógico (software) incluidos en los artículos 5A001, 5B001 o 5D001.

b.

Tecnologías específicas según se indica:

1. Tecnologíanecesaria para el desarrollo o la producción de equipos de telecomunicaciones diseñados especialmente para su empleo a bordo de satélites;

2. Tecnología para el desarrollo o la utilización de técnicas de comunicación por láser que permitan la adquisición y el seguimiento automático de señales y el mantenimiento de comunicaciones a través de medios exoatmosféricos o subacuáticos;

3. Tecnología para el desarrollo de equipos receptores de estaciones base de radio celulares digitales cuyas capacidades de recepción que permiten el funcionamiento multibanda, multiplex, multimodo, algoritmo de multicodificación o de protocolo múltiple puedan modificarse mediante cambios en el equipo lógico (software).

4. Tecnología para el desarrollo de técnicas de espectro ensanchado, incluyendo salto de frecuencia.

c.

Tecnología, de acuerdo con la Nota General de Tecnología, para el desarrollo o la producción de cualquiera de los siguientes equipos de telecomunicaciones, de transmisión o de conmutación, funciones o elementos:

1. Nota técnica:

Equipos que utilicen técnicas digitales, diseñadas para funcionar con una tasa de transferencia digital total superior a 15 Gbits/s; Para el equipo de conmutación, la tasa de transferencia digital total se mide en el puerto o línea de mayor velocidad.

2. Equipos que utilicen un láser y posean cualquiera de las características siguientes:

2. a.

Una longitud de onda de transmisión superior a 1750 nm;

b.

Que realicen amplificación óptica por medio de amplificadores de fibra fluorada dopados con praseodimio (PDFFA);

c.

Que utilicen técnicas de transmisión óptica coherente o de detección óptica coherente (también denominadas técnicas ópticas heterodinas u homodinas);

d.

Que utilicen técnicas de multiplexado por división de longitudes de onda que superen los 8 portadores ópticos en una ventana óptica única; o

e.

Que utilicen técnicas analógicas y tengan un ancho de banda superior a 2,5 GHz; Nota: El subartículo 5E001.c.2.e. no somete a control la tecnología para el desarrollo o la producción de sistemas de televisión comerciales.

3. Equipos que utilicen la conmutación óptica;

4. Equipos de radio que utilicen cualquiera de las técnicas siguientes:

4. a.

Técnicas de modulación de amplitud en cuadratura (QAM) por encima del nivel 256; o

b.

Que funcionen a una frecuencia de entrada o salida superior a 31,8 GHz; o Nota: El subartículo 5E001.c.4.b. no somete a control la tecnología para el desarrollo o la producción de equipos diseñados o modificados para funcionar en una banda de frecuencias que esté asignada por la UIT para servicios de radiocomunicación, pero no para radiodeterminación.

5. Equipos que utilicen la señalización por canal común que funcionen en modo de explotación no asociado.

SEGUNDA PARTE Nota 3: Nota técnica SEGURIDAD DE LA INFORMACIÓN Nota de criptografía

Nota 1: El régimen de control de los equipos, equipo lógico (software), sistemas, conjuntos electrónicos específicos para aplicaciones determinadas, módulos, circuitos integrados, componentes o funciones destinados a la seguridad de la información se determina en la Categoría 5, segunda parte, aunque se trate de componentes o de conjuntos electrónicos de otros equipos. Nota 2: La Categoría 5, segunda parte, no somete a control los productos cuando acompañen a su usuario para el uso personal de éste. Los artículos 5A002 y 5D002 no contemplan el control de los productos que reúnan todas las características siguientes: En la Categoría 5, segunda parte, los bits de paridad no se cuentan en la longitud de la clave.

SEGUNDA PARTE Nota 3: SEGURIDAD DE LA INFORMACIÓN Nota de criptografía a.

Que se hallen generalmente a disposición del público por estar a la venta, sin restricciones, en puntos de venta al por menor por cualquiera de los medios siguientes:

1. Transacciones en mostrador;

2. Transacciones por correo;

3. Transacciones electrónicas; o

4. Transacciones por teléfono.

b.

Que la función de cifrado no pueda ser modificada fácilmente por el usuario;

c.

Que estén diseñados para que el usuario los instale sin asistencia ulterior importante del proveedor; y

d.

Que, en caso necesario, pueda disponerse de información detallada sobre los productos y se facilite, cuando así lo solicite, a las autoridades competentes del Estado miembro en el que esté establecido el exportador, con el fin de verificar el cumplimiento de las condiciones descritas en las letras a. a c. anteriores.

SEGUNDA PARTE Nota 3: Nota técnica SEGURIDAD DE LA INFORMACIÓN Nota de criptografía

5A2Sistemas, equipos y componentes 5A002a. Nota técnica:

Sistemas, equipos, conjuntos electrónicos específicos para aplicaciones determinadas, módulos y circuitos integrados destinados a la seguridad de la información, según se indica, y otros componentes diseñados especialmente para ellos: N.B.: Para el control de los sistemas mundiales de navegación por satélite que estén dotados de equipos que contengan o utilicen el descifrado (p. ej., GPS o GLONASS), véase el artículo 7A005. La criptografía cuántica también se conoce como distribución de clave cuántica (QKD). Nota: El artículo 5A002 no somete a control:

5A2Sistemas, equipos y componentes 5A002a.

1. Notas técnicas:

Diseñados o modificados para utilizar criptografía empleando técnicas digitales que realicen cualquier función criptográfica que no sea la autenticación ni la firma digital y posean alguna de las características siguientes: Nota: El subartículo 5A002.a.1. incluye los equipos diseñados o modificados para utilizar una criptografía que utilice los principios analógicos siempre que los aplique con técnicas digitales.

1. Las funciones de autenticación y firma digital incluyen su función asociada de gestión de la clave.

2. La autenticación incluye todos los aspectos del control del acceso cuando no haya cifrado de ficheros o de texto, salvo los relacionados directamente con la protección de códigos de identificación (passwords), números de identificación personal (PIN) o datos similares para evitar el acceso no autorizado.

3. La criptografía no incluye las técnicas fijas de compresión o codificación de datos.

a.

Un algoritmo simétrico que utilice una longitud de clave superior a 56 bits; o

b.

Un algoritmo asimétrico en el que la seguridad del algoritmo se base en alguna de las características siguientes:

1. Factorización de los números enteros por encima de los 512 bits (p. ej., RSA);

2. Cómputo de logaritmos discretos en un grupo multiplicativo de un campo finito de tamaño superior a los 512 bits (p. ej., Diffie-Hellman sobre Z/pZ); o

3. Logaritmos discretos en un grupo que no sea el mencionado en el subartículo 5A002.a.1.b.2 por encima de los 112 bits (p. ej., Diffie-Hellman sobre una elipse);

2. Diseñados o modificados para realizar funciones criptoanalíticas;

3. Sin uso;

4. Diseñados especialmente o modificados para reducir las emanaciones comprometedoras de señales portadoras de información por encima de lo dispuesto por las normas de salud, seguridad, o de interferencia electromagnética;

5. Diseñados o modificados para utilizar técnicas criptográficas con objeto de generar el código de ensanchamiento para sistemas de espectro ensanchado, distintos a los sometidos a control en el subartículo 5A002.a.6., incluido el código de salto para sistemas de salto de frecuencia;

6. Diseñados o modificados para emplear técnicas criptográficas con objeto de generar códigos de canalización o de embrollo o códigos de identificación de red para sistemas que usen técnicas de modulación de banda ultra-ancha, que tengan alguna de las características siguientes:

6. a.

Ancho de banda superior a 500 MHz; o

b.

Ancho de banda fraccional de 20 % o más.

7. Sin uso;

8. Sistemas de cables de comunicación diseñados o modificados por medios mecánicos, eléctricos o electrónicos para detectar intromisiones subrepticias.

9. Diseñados o modificados para utilizar criptografía cuántica.

5A2Sistemas, equipos y componentes 5A002a. Nota técnica: a.

Las tarjetas inteligentes personalizadas: N.B.: Si una tarjeta inteligente personalizada posee funciones múltiples, el régimen de control de cada función se evaluará individualmente.

1. Cuya capacidad criptográfica esté limitada para su uso en equipos o sistemas excluidos del control con arreglo a los párrafos b. a f. de la presente Nota; o

2. Para aplicaciones destinadas a ser usadas por el público en general cuando la capacidad criptográfica no sea accesible al usuario y esté diseñada especialmente y limitada para posibilitar la protección de los datos personales almacenados en ellas.

b.

Equipo receptor para radiodifusión, televisión de pago o difusión similar de audiencia restringida, de uso general, sin cifrado digital salvo el utilizado exclusivamente para remitir a los radiodifusores la información relativa a la facturación o la programación;

c.

Equipos cuya capacidad criptográfica no sea accesible al usuario y que estén diseñados especialmente y limitados para permitir cualquiera de las siguientes posibilidades:

1. Ejecución de equipo lógico (software) protegido contra la copia;

2. Acceso a cualquiera de las siguientes posibilidades:

2. a.

Contenidos almacenados en medios de comunicación de solo lectura (read only) protegidos contra la copia; o

b.

Información almacenada en forma cifrada en un medio (p. ej., en relación con la protección de los derechos de propiedad intelectual) cuando este medio sea puesto a la venta al público en presentaciones idénticas; o

3. Control de copiado de datos audiovisuales protegidos por derechos de autor, o

4. Cifrado y/o descifrado para la protección de bibliotecas, atributos de diseño y los datos conexos para el diseño de dispositivos semiconductores o de circuitos integrados.

d. Nota técnica:

Equipo criptográfico diseñado especialmente y limitado al uso bancario o a las transacciones monetarias; El término transacciones monetarias que figura en la Nota d. del artículo 5A002 incluye el cobro y la fijación de tarifas o las funciones crediticias.

e.

Radioteléfonos portátiles o móviles para uso civil (p. ej., para su uso con sistemas de radiocomunicación celular comercial civil) que carezcan de la capacidad de cifrado de extremo a extremo;

f.

Equipo de telefonía sin hilos que carezca de la capacidad de cifrado de extremo a extremo cuando el alcance máximo efectivo de funcionamiento sin repetición y sin hilos (es decir, un salto único y sin relevo entre la terminal y la base de origen) sea inferior a 400 metros conforme a la descripción del fabricante.

5B2Equipos de ensayo, inspección y producción

5B002a. Equipos diseñados especialmente para:

5B002a.

1. El desarrollo de equipos o de funciones incluidos en los artículos 5A002, 5B002, 5D002 o 5E002, incluidos los equipos de medida o ensayo;

2. La producción de equipos o de funciones incluidos en los artículos 5A002, 5B002, 5D002 o 5E002, incluidos los equipos de medida, ensayo, reparación o producción;

b.

Equipos de medida diseñados especialmente para evaluar y convalidar las funciones de seguridad de la información incluidas en los artículos 5A002 o 5D002.

5C2Materiales

Ninguno.

5D2Equipo lógico

Nota: El artículo 5D002 no somete a control:

5D002a. Equipo lógico (software) diseñado especialmente o modificado para el desarrollo, la producción o la utilizaciónde equipos o de equipo lógico (software) incluidos en los artículos 5A002, 5B002 o 5D002;

b.

Equipo lógico (software) diseñado especialmente o modificado para dar soporte a la tecnología incluida en el artículo 5E002;

c.

Equipo lógico (software) específico, según se indica:

1. Equipo lógico (software) que posea las características o realice o simule las funciones de los equipos incluidos en los artículos 5A002 o 5B002;

2. Equipo lógico (software) destinado a certificar el equipo lógico (software) incluido en el subartículo 5D002.c.1.

a.

El equipo lógico (software) necesario para la utilización de los equipos excluidos del control de acuerdo con la nota del artículo 5A002;

b.

El equipo lógico (software) que efectúe cualquiera de las funciones de los equipos excluidos del control de acuerdo con la nota del artículo 5A002.

5E2Tecnología

5E002Tecnología de acuerdo con la Nota General de Tecnología, para el desarrollo, la producción o la utilización de equipos o de equipo lógico (software) especificados en los artículos 5A002, 5B002 o 5D002.

CATEGORÍA 6 SENSORES Y LÁSERES

6ASistemas, equipos y componentes a.

1. a.

Las sondas de profundidad que funcionen en la vertical por debajo del aparato, no posean función de barrido de más de ± 20° y se utilicen exclusivamente para medir la profundidad del agua o la distancia de objetos sumergidos o enterrados o para la detección de bancos de peces;

b.

Las balizas acústicas, según se indica:

1. Balizas acústicas para emergencias;

2. Tintineadores (pingers) diseñados especialmente para relocalizar o retornar a una posición subacuática.

a.

Sistemas batimétricos de barrido ancho diseñados para cartografía topográfica del fondo marino que reúnan todas las condiciones siguientes:

1. Estar diseñados para efectuar mediciones en ángulos superiores a 20° respecto de la vertical;

2. Estar diseñados para medir profundidades superiores a 600 m por debajo de la superficie del agua; y

3. Estar diseñados para ofrecer cualquiera de las siguientes prestaciones:

3. a.

Incorporación de varios haces con alguno menor de 1,9°; o

b.

Exactitud en los datos mejor que un 0,3 % de la profundidad del agua a lo ancho del barrido promediada sobre las mediciones individuales durante el barrido;

b.

1. Frecuencia de transmisión inferior a 10 kHz;

2. Nivel de presión acústica superior a 224 dB (referencia 1 μPa a 1 m) para los equipos que funcionen a una frecuencia comprendida en la banda de 10 a 24 kHz inclusive;

3. Nivel de presión acústica superior a 235 dB (referencia 1 μPa a 1 m) para los equipos que funcionen a una frecuencia comprendida en la banda de 24 a 30 kHz;

4. Que formen haces de menos de 1° en cualquier eje y funcionen a una frecuencia inferior a 100 kHz;

5. Que estén diseñados para funcionar con un alcance no ambiguo, en presentación visual, superior a 5120 m; o

1000 disposiciones más no se muestran aquí; cada una tiene su propia dirección.

Versiones

1. 2006-02-27