Address https://gelex.eu/eli/EU/act/2006/394@2006-02-27/et

Contents

1. Preamble
2. 1. Artikkel 1
   2. Artikkel 2
3. ANNEX
4. KAHESUGUSE KASUTUSEGA KAUPADE JA TEHNOLOOGIA LOETELU (vastavalt määruse (EÜ) nr 1334/2000 artiklile 3)
5. ÜLDMÄRKUSED I LISA KOHTA 1.2.3.
6. a.
7. 1. a.
8. b.
9. pt_11 a.
10. pt_35 a.
11. pt_39 a.
12. pt_45 a.
13. pt_50 a.
14. pt_53 a.
15. pt_61 a.
16. pt_68 a.
17. pt_69 a.
18. pt_86 a.
19. pt_99 a.
20. pt_102 a.
21. pt_138 a.
22. pt_182 a.
23. 0. KATEGOORIA – TUUMAMATERJALID, RAJATISED JA SEADMED
24. 0ASüsteemid, seadmed ja komponendid
25. 0BTestimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed
26. a.
27. b.
28. c.
29. 13. a.
30. 7. a.
31. 5. a.
32. 6. a.
33. 0CMaterjalid a.
34. 0ETehnoloogia
35. 1. KATEGOORIA – MATERJALID, KEMIKAALID, MIKROORGANISMID JA TOKSIINID
36. 1ASüsteemid, seadmed ja komponendid Tehniline märkus:
37. 1ASüsteemid, seadmed ja komponendid a.
38. 1. a.
39. 1BTestimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed
40. 1CMaterjalid Tehniline märkus: Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehnilised märkused:
41. 1CMaterjalid Tehniline märkus: a.
42. a.
43. b.
44. c.
45. 1. Tehniline märkus:
46. 1. a.
47. d.
48. 1CMaterjalid Tehniline märkus: Tehnilised märkused:
49. 1. a.
50. 2. a.
51. 3. a.
52. 4. a.
53. 5. a.
54. 1. Tehniline märkus:
55. 2. Tehniline märkus:
56. 1CMaterjalid Tehniline märkus: Tehnilised märkused: Tehniline märkus: a.
57. 1. a.
58. 2. a.
59. 1CMaterjalid Tehniline märkus: Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: a.
60. 1. a.
61. 2. a.
62. a.
63. b.
64. 1CMaterjalid Tehniline märkus: Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: a.
65. a.
66. b.
67. 1CMaterjalid Tehniline märkus: Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: a.
68. 1. Tehniline märkus:
69. 2. Tehniline märkus:
70. 2. a.
71. 3. a.
72. 6. a.
73. 1CMaterjalid Tehniline märkus: Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: a.
74. 1CMaterjalid Tehniline märkus: Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: a.
75. 1CMaterjalid Tehniline märkus: Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: a.
76. 1CMaterjalid Tehniline märkus: Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus:
77. 2. a.
78. 5. a.
79. 1ETehnoloogia
80. 1. a.
81. 3. a.
82. 2. KATEGOORIA – MATERJALIDE TÖÖTLEMINE
83. 2ASüsteemid, seadmed ja komponendid Tehniline märkus:
84. 2ASüsteemid, seadmed ja komponendid a.
85. 2. a.
86. 2BTestimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehnilised märkused: Tehniline märkus:
87. 2BTestimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed Tehnilised märkused:
88. 2. a.
89. 5. a.
90. 1. a.
91. 4. a.
92. 2BTestimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed Tehnilised märkused: Tehniline märkus: a.
93. 2BTestimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: a.
94. 1. a.
95. 2. a.
96. 1. Tehniline märkus:
97. 2. a.
98. 2BTestimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: a.
99. 2BTestimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: a.
100. 2BTestimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: a.
101. 1. a.
102. 2. a.
103. a.
104. b.
105. c.
106. d.
107. 2BTestimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: a.
108. 2BTestimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehnilised märkused:
109. 2BTestimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehnilised märkused: Tehniline märkus: a.
110. 2BTestimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: a.
111. 2BTestimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehnilised märkused:
112. 1. a.
113. 2ETehnoloogia
114. 1. a.
115. 2. a.
116. Tabel 1.2.3.A.B.B.1.B.2.B.3.B.4.C.D.E.F.G. Tabel – pinnakatmise tehnikad – märkused Pinnakatmise tehnikad
117. 5. a.
118. a.
119. b.
120. c.
121. d.
122. e.
123. f.
124. g.
125. 3. KATEGOORIA – ELEKTROONIKA
126. 3ASüsteemid, seadmed ja komponendid Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus:
127. 3ASüsteemid, seadmed ja komponendid a.
128. 1. a.
129. 2. a.
130. 5. Tehnilised märkused:
131. 5. a.
132. 6. a.
133. 7. a.
134. 10. a.
135. 11. a.
136. 12. Tehniline märkus:
137. 4. a.
138. 3. a.
139. 4. Tehniline märkus:
140. 4. a.
141. 8. a.
142. 5. Tehniline märkus:
143. 3ASüsteemid, seadmed ja komponendid Tehniline märkus: a.
144. 3ASüsteemid, seadmed ja komponendid Tehniline märkus: Tehniline märkus: a.
145. 3BTestimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed
146. 1. a.
147. 2. a.
148. 3CMaterjalid a.
149. 3DTarkvara Tehniline märkus:
150. 3DTarkvara a.
151. 3ETehnoloogia Tehniline märkus:
152. 3ETehnoloogia
153. 4. KATEGOORIA – ARVUTID
154. 4ASüsteemid, seadmed ja komponendid
155. 4BTestimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed
156. 4DTarkvara
157. 4ETehnoloogia
158. Tehnilises märkuses kasutatud lühendid
159. Ühendatud teoreetilise jõudluse (CTP) arvutamismeetodi kirjeldus
160. Käesolevas tehnilises märkuses kasutatud lühendid:
161. EMJ arvutusmeetodi ülevaade 1.2.3.4.
162. 5. KATEGOORIA – TELEKOMMUNIKATSIOON JA INFOTURVE
163. 1. OSA TELEKOMMUNIKATSIOON
164. 5A1Süsteemid, seadmed ja komponendid Tehniline märkus:
165. 5A1Süsteemid, seadmed ja komponendid
166. 5A001a.
167. 1. a.
168. 2. a.
169. 3. a.
170. 4. a.
171. 5. a.
172. 6. Tehnilised märkused:
173. 1. Tehniline märkus:
174. 5B1Testimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed
175. 1. Tehniline märkus:
176. 2. a.
177. 5C1Materjalid
178. 5D1Tarkvara
179. 1. Tehniline märkus:
180. 2. a.
181. 5E1Tehnoloogia
182. 1. Tehniline märkus:
183. 2. a.
184. 4. a.
185. 2. OSA Märkus 3: Tehniline märkus: INFOTURVE Märkus krüptograafia kohta:
186. 2. OSA Märkus 3: INFOTURVE Märkus krüptograafia kohta: a.
187. 5A2Süsteemid, seadmed ja komponendid 5A002a. Tehniline märkus:
188. 5A2Süsteemid, seadmed ja komponendid 5A002a.
189. 1. Tehnilised märkused:
190. 6. a.
191. 2. a.
192. 5B2Testimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed
193. 5B002a.
194. 5C2Materjalid
195. 5D2Tarkvara
196. 5E2Tehnoloogia
197. 6. KATEGOORIA – SENSORID JA LASERID
198. 6ASüsteemid, seadmed ja komponendid a.
199. 1. a.
200. 3. a.

EUROOPA LIIDU NÕUKOGU,

võttes arvesse Euroopa Ühenduse asutamislepingut, eriti selle artiklit 133,

võttes arvesse komisjoni ettepanekut,

ning arvestades järgmist:

(1) Määruse (EÜ) nr 1334/2000 kohaselt tuleb kahesuguse kasutusega kaupade (sealhulgas tarkvara ja tehnoloogia) eksporti ühendusest tõhusalt kontrollida.

(2) Selleks et liikmesriigid ja ühendus saaksid täita oma rahvusvahelisi kohustusi, on kõnealuse määruse I lisas esitatud kõnealuse määruse artiklis 3 osutatud kahesuguse kasutusega kaupade ja tehnoloogia ühine loetelu, mille abil teostatakse kahesuguse kasutusega kaupade rahvusvaheliselt kokkulepitud kontrolli, mis hõlmab Wassenaari kokkulepet, raketitehnoloogia kontrollrežiimi (MTCR), tuumatarneriikide gruppi (NSG), Austraalia gruppi ja keemiarelvade keelustamise konventsiooni (CWC).

(3) Kõnealuse määruse artiklis 11 on sätestatud, et I ja IV lisas esitatud kahesuguse kasutusega kaupade loetelusid ajakohastatakse kooskõlas selliste ülesannete ja kohustustega ning nende võimalike muudatustega, mida iga liikmesriik on võtnud tuumarelva leviku tõkestamise rahvusvahelise korra ja ekspordi kontrollimise korra raames või asjakohaste rahvusvaheliste lepingute ratifitseerimise tulemusel.

(4) Kõnealuse määruse I ja IV lisa tuleb muuta, et võtta arvesse muudatusi, mis Wassenaari kokkuleppe täiskogu, Austraalia rühm, raketitehnoloogia kontrollrežiimi rühm ja NSG on vastu võtnud pärast määrusega (EÜ) nr 1504/2004 tehtud muudatusi.

(5) Et eksporti kontrollivatel asutustel ja ettevõtjatel oleks lihtsam viidetest aru saada, tuleks avaldada nimetatud määruse lisade ajakohastatud ja konsolideeritud versioon.

(7) Seepärast tuleks määrust (EÜ) nr 1334/2000 vastavalt muuta,

ON VASTU VÕTNUD KÄESOLEVA MÄÄRUSE:

Artikkel 1

Määruse (EÜ) nr 1334/2000 lisad asendatakse käesoleva määruse lisa tekstiga.

Artikkel 2

Käesolev määrus jõustub 30. päeval pärast selle avaldamist Euroopa Liidu Teatajas.

Käesolev määrus on tervikuna siduv ja vahetult kohaldatav kõikides liikmesriikides. Brüssel, 27. veebruar 2006 Nõukogu nimel eesistuja U. Plassnik

ANNEX

LISA

I LISA

KAHESUGUSE KASUTUSEGA KAUPADE JA TEHNOLOOGIA LOETELU (vastavalt määruse (EÜ) nr 1334/2000 artiklile 3)

ÜLDMÄRKUSED I LISA KOHTA 1.2.3.

Sõjaliseks kasutuseks ettenähtud või kohandatud kaupade kontrolli osas vaadake üksikute liikmesriikide sõjaliste kaupade kontrollimist käsitlevaid loetelusid. Käesolevas lisas esinevad viited VT KA SŌJALISTE KAUPADE NIMEKIRJA osutavad nimetatud loeteludele. Käesolevas lisas käsitletud kontrollimiste eesmärki ei tohiks kahjustada kontrolli alla mittekuuluvate mis tahes kaupade (kaasa arvatud tehas) ekspordiga, mis sisaldavad üht või mitut kontrolli alla kuuluvat komponenti, kusjuures kontrolli alla kuuluv komponent või komponendid on kaupade põhiliseks koostisosaks ja seda (neid) on võimalik kergesti eraldada või kasutada muudel eesmärkidel. NB! Otsustades, kas kontrolli alla kuuluvat komponenti või komponente võib pidada põhiliseks koostisosaks, on vaja kaaluda koguse, väärtuse ja tehnoloogilise oskusteabega seotud tegureid ning muid eriasjaolusid, mis võiksid määrata kontrolli alla kuuluva komponendi või komponendid hangitavate kaupade põhiliseks koostisosaks. Käesolevas lisas määratletud kaubad hõlmavad nii uusi kui ka kasutatud kaupu.

TUUMATEHNOLOOGIAT KÄSITLEV MÄRKUS (NTN) (Lugeda koos 0. kategooria E osaga.)

0. kategoorias kontrollitud kaupadega otseselt seotud tehnoloogiat kontrollitakse vastavalt 0. kategooria sätetele. Tehnoloogia, mis on ette nähtud kontrolli alla kuuluvate kaupade arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks, jääb kontrolli alla kuuluvaks ka siis, kui seda kohaldatakse kontrolli alla mittekuuluvate kaupade suhtes. Kaupade lubamine ekspordiks annab loa eksportida samale lõppkasutajale ka minimaalse tehnoloogia, mis on vajalik kõnealuste kaupade paigaldamiseks, kasutamiseks, hoolduseks ja remondiks. Tehnosiirde kontrollimisi ei kohaldata üldkasutatava teabe või fundamentaalteaduslike uuringute suhtes.

ÜLDMÄRKUS TEHNOLOOGIA KOHTA (GTN) (Lugeda koos 1.–9. kategooria E osaga.)

Sellise tehnoloogia eksporti, mis on vajalik 1.–9. kategoorias nimetatud kontrolli alla kuuluvate kaupade arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks, kontrollitakse 1.–9. kategooria sätete kohaselt. Tehnoloogia, mis on vajalik kontrolli alla kuuluvate kaupade arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks, jääb kontrolli alla kuuluvaks ka siis, kui seda kohaldatakse kontrolli alla mittekuuluvate kaupade suhtes. Kontrolli ei kohaldata sellise tehnoloogia suhtes, mis on minimaalselt vajalik selliste kaupade paigaldamiseks, kasutamiseks, hoolduseks (kontrolliks) ja remondiks, mis ei kuulu kontrolli alla või mille eksport on lubatud. NB! See ei vabasta kontrolli alla kuulumisest punktides IE002.e, IE002.f, 8E002.a ja 8E002.b määratletud vastavat tehnoloogiat. Tehnosiirde kontrolli ei kohaldata üldkasutatavateabe või fundamentaalteaduslike uuringute või patenditaotluste tegemiseks vajaliku miinimumteabe suhtes.

ÜLDMÄRKUS TARKVARA KOHTA (GSN) (Käesolev märkus on ülimusliku iseloomuga kõigi 0.–9. kategooria D osas loetletud kontrollimiste suhtes.)

Käesoleva loetelu 0.–9. kategoorias ei kontrollita tarkvara, mis on:

a.

üldiselt avalikkusele kättesaadav, kuna: NB! Tarkvara üldmärkuse punkt a ei vabasta kontrolli alla kuulumisest 5. kategooria 2. osas määratletud tehnoloogiat (Infoturve).

1. seda müüakse varudest jaemüügikohtades piiramatult järgmistel viisidel:

1. a.

käsimüügi teel;

b.

postimüügi teel;

c.

elektrooniliste tehingute teel või

d.

telefonimüügi teel; ning

2. nad on ette nähtud paigaldamiseks kasutaja oma jõududega, ilma tarnija olulise abita; või

b.

üldkasutatav.

KÄESOLEVAS LISAS KASUTATUD MÕISTED

Allajoonitud terminite definitsioonid on antud vastava kauba tehnilises märkuses. Kursiivkirjas (ja jutumärkides) olevate terminite definitsioonid on järgmised: NB! Viide kategooria kohta on märgitud defineeritava mõiste järele sulgudesse.

Täpsus (Accuracy) (2 6) – väljendab antud väärtuse maksimaalset positiivset või negatiivset kõrvalekallet tunnustatud standardi märgitud väärtusest või tegelikust väärtusest; enamasti mõõdetakse ebatäpsuse kaudu.

Lennujuhtimise aktiivsüsteemid (Active flight control systems) (7) – lennujuhtimise süsteemid, mille ülesandeks on vältida õhusõidukite ja rakettide soovimatuid liikumisi või soovimatuid kerestruktuuri koormusi, käsitledes autonoomselt paljudelt anduritelt tulevat teavet ning andes vajalikud ennetavad juhtimiskäsud automaatjuhtimisele.

Aktiivpiksel (Active pixel) (6 8) – väikseim tahkismassiivi (üksik) element, millel on fotoelektriline ülekandefunktsioon valguskiirguse (elektromagnetiline kiirgus) kasutamisel.

Kohandatud kasutamiseks sõja tingimustes (Adapted for use in war) (1) – tähendab igat muudatust või eesmärgipärast valikut (nt puhtuse, säilivusaja, virulentsuse, levimisomaduste või ultraviolettkiirguskindluse muutmine), mille sihiks on inim- ja loomkaotuste tekitamise efektiivsuse tõstmine, vigastades seadmeid või kahjustades viljasaaki või keskkonda.

Õhusõiduk (Aircraft) (1 7 9) – kas jäigatiivaline, muudetava tiivakujuga, pöörleva tiivaga (helikopter), kaldrootoriga või kaldtiivaga lennuaparaat. NB! Vt ka tsiviilõhusõiduk.

Kõik olemasolevad kompensatsioonid (All compensations available) (2) – võetakse arvesse kõik valmistaja käsutuses olevad võimalikud meetmed konkreetse tööpingi kõigi süstemaatiliste positsioneerimisvigade minimeerimiseks.

ITU poolt eraldatud (Allocated by ITU) (3 5) – sagedusribade eraldamine vastavalt Rahvusvahelise Telekommunikatsiooni Liidu (ITU) kehtivatele raadioside-eeskirjadele esmastele, lubatud ja teisestele teenustele. NB! Ei hõlma täiendavaid ja alternatiivseid eraldusi.

Pöördenurga hälve (Angular position deviation) (2) – maksimaalne erinevus osutatud pöördenurga ja tegeliku, eriti täpselt mõõdetud pöördenurga vahel, kui pöördlaua töödeldava detaili alus on oma algasendist ära pööratud (vt VDI/VDE 2617 visand: Rotary table on coordinate measuring machines).

Asümmeetriline algoritm (Asymmetric algorithm) (5) – kodeerimisalgoritm, mis kasutab kodeerimiseks ja dekodeerimiseks erinevaid matemaatiliselt omavahel seotud võtmeid. NB!Asümmeetrilise algoritmi tavaline kasutus seisneb võtme haldamises.

Automaatne sihtmärgi järgimine (Automatic target tracking) (6) – andmetöötlustehnika, mis automaatselt määrab ning väljastab reaalajas sihtmärgi kõige tõenäolisema asukoha ekstrapoleeritud väärtuse.

Hilistus põhiventiilis levimisel (Basic gate propagation delay time) (3) – hilinemine levimisel, mis vastab monoliit-integraallülituses kasutatud põhivärati viivitusele. Monoliit-integraallülitusteperekonnale võib seda määratleda kas kui viivitust levimisel teatud perekonna tüüpilises ventiilis või kui tüüpilist viivitust levimisel ventiili kohta teatud perekonna sees. NB! 1: Hilistus põhiventiilis levimisel ei tohi segi ajada monoliit-integraallülituse kompleksse sisend-/ väljundviivitusega. NB! 2: Perekond sisaldab kõiki integraallülitusi, millistele kõik alljärgnev on rakendatud kui tootmismetoodikad ja spetsifikatsioonid, arvesse võtmata nende konkreetseid funktsioone:

pt_11 a.

ühtne riistvara ja tarkvara arhitektuur,

b.

ühtne konstruktsioon ja tootmistehnoloogia ning

c.

ühtsed põhiparameetrid.

Fundamentaalteaduslikud uuringud (Basic scientific research) (GTN NTN) – eksperimentaalne või teoreetiline töö, mida teostatakse põhiliselt uute teadmiste saamiseks nähtustest või vaadeldud faktide fundamentaalsetest põhimõtetest, ning mis ei ole otseselt suunatud mingi praktilise rakenduse või eesmärgi saavutamiseks.

Kiirendusmõõtur (Accelerometer) (7) – tähendab kiirendusmõõturi väljundi väärtust, kui kiirendust ei rakendata.

Aksiaallõtk (Camming) (2) – teljesuunaline nihe peavõlli ühe pöörde jooksul, mõõdetuna peavõlli plaanseibiga risti asetseval tasapinnal punktis, mis on lähim peavõlli plaanseibile (vt ISO 230/1 1986, lõik 5.63).

Süsinikkiu eelvormid (Carbon fibre preforms) (1) – kaetud või katmata kiu reeglipärast asetust, mis on kavandatud moodustama detaili tugikarkassi enne põhimassi sisseviimist komposiidi moodustamiseks.

CE – vt arvutuselement.

CEP (samavõrdne tõenäosusring) (Circle of equal probability) (7) – täpsuse mõõt; märklauale tsentreeritud sellise spetsiifilise ulatusega ringi raadius, millesse jääb 50 % lõhkelaengu mõjust.

Kemolaser (Chemical laser) (6) – laser, millel ergastatud osakesed tekitatakse keemilisel reaktsioonil vabanenud energia arvel.

Keemiline segu (Chemical mixture) (1) – tahke, vedel või gaasiline toode, mis koosneb kahest või enamast komponendist, mis ei reageeri üksteisega segu säilitamise tingimustes.

Õhuvoolu abil juhitud pöörlemisvastane või õhuvoolu abil juhitud suunajuhtimise süsteem (Circulation-controlled anti-torque or circulation controlled direction control systems) (7) – süsteemid, mis kasutavad õhu voolu piki aerodünaamilisi pindu, et tugevdada või juhtida pinnale tekitatud jõude.

Tsiviilõhusõidukid (Civil aircraft) (1 7 9) – need õhusõidukid, mis on loendatud kasutusotstarbe järgi tsiviillennunduse ameti poolt avaldatud lennukõlblikkuse sertifitseerimise nimekirjas, lendamiseks sisemaistel ja välismaistel tsiviilkaubanduslikel marsruutidel või seaduslikuks kasutamiseks tsiviil-, era- ja ärilisel otstarbel. NB! Vt ka õhusõiduk.

Segatud (Commingled) (1) – kiudude segu termoplastsetest kiududest ja tugevduskiududest, kiukujulise tugevduskiu ja põhiaine segu tootmiseks.

Peenestamine (Comminution) (1) – materjali muutmine osakesteks purustamise või jahvatamise teel.

Ühiskanaliga signaalimine (Common channel signalling) (5) – signaalimisviis, mille korral üks kanal vahendajate vahel vahendab märgistatud sõnumite abil signaalteateid ühenduste või kõnede arvu kohta ning muud informatsiooni, mida näiteks kasutatakse võrgu haldamiseks.

Teabevahetuskanali kontroller (Communications channel controller) (4) – füüsiline liides, mis juhib sünkroonse või asünkroonse digitaalse info liikumist. Selle sõlme võib liita arvutile või telekommunikatsiooniseadmele, et tagada juurdepääs teabevahetusele.

Komposiit (Composite) (1 2 6 8 9) – põhiaine ja sellesse teatud eesmärgil lisatud lisafaas või faasid, mis koosnevad osakestest, niitkristallidest, kiududest või mis tahes nende kombinatsioonist.

Ühendatud teoreetiline suutlikkus (Composite theoretical performance) (CTP) (3 4) – arvutussuutlikkuse mõõt, mis esitatakse miljonites teoreetilistes operatsioonides sekundis (Mtops) ning mis on arvutatud arvutuselementide (CE) arvutusvõimsuste ühendamise teel. NB! Vt 4. kategooria tehnilist märkust.

Kombineeritud pöördlauad (Compound rotary table) (2) – laud, mille abil saab töödeldavat detaili pöörata ning kallutada ümber kahe mitteparalleelse telje ning milliseid on võimalik kontuurjuhtimise jaoks samaaegselt koordineerida.

Arvutuselement (Computing element) (CE) (4) – tähistab vähimat arvutuslikku ühikut, mis annab aritmeetilise või loogilise tulemuse.

Kontuurjuhtimine (Contouring control) (2) – tööorgani kahe või enama liikumise numbriline juhtimine käskudega, mis määravad ära järgmise nõutava asukoha ning vajalikud etteandmiskiirused sellele asukohale siirdumiseks. Neid etteandmiskiirusi varieeritakse üksteise suhtes soovitud kontuuri saavutamiseks (vt ISO/DIS 2806–1980).

Kriitiline temperatuur (Critical temperature) (1 3 6) (vahel nimetatud ka üleminekutemperatuuriks) – temperatuur, mille juures konkreetne ülijuhtiv aine kaotab täielikult oma elektrilise takistuse alalisvoolule.

Krüptograafia (Cryptography) (5) – teadusharu, mis hõlmab andmete muutmise põhimõtteid, vahendeid ja meetodeid eesmärgiga varjata nende informatiivset sisu, takistada andmete kontrollimatut muutmist või loata kasutamist. Krüptograafia all mõistetakse teabe muutmist, kasutades üht või mitut salajast parameetrit (nt salamuutujad) või nendega seotud võtmete kasutamist. NB!Salajane parameeter on konstant või võti, mida varjatakse teiste eest või mida teatakse üksnes teatavas rühmas.

CTP – tähistab ühendatud teoreetilist suutlikkust.

Andmebaasidega toetatavad navigatsioonisüsteemid (Data-Based Referenced Navigation – DBRN) (7) – süsteemid, milles kasutatakse eri allikatest pärinevaid eelnevalt mõõdetud geofüüsikalisi paikkonna koondandmeid, et saada muutuvates tingimustes täpset informatsiooni navigeerimiseks. Allikandmeteks võivad olla mere sügavuskaardid, tähekaardid, gravimeetrilised kaardid, magnetvälja tugevuse kaardid või kolmemõõtmelised digitaalsed maastikukaardid.

Deformeeritavad peeglid (Deformable mirrors) (6) (ka kohandatavad optilised peeglid) – peeglid, millel on:

pt_35 a.

üks pidev optiliselt peegeldav pind, mida saab dünaamiliselt deformeerida, kohaldades üksikuid väändemomente või jõude, et kompenseerida peeglile langeva optilise laine kuju moonutused, või

b.

palju optilisi peegelduvaid elemente, mida on võimalik eraldi ja dünaamiliselt väändemomente või jõude kasutades ümber paigutada, et kompenseerida peeglile langeva optilise laine kuju moonutused.

Vaesestatud uraan (Depleted uranium) (0) – uraan, milles isotoobi 235 sisaldus on kahandatud allapoole looduses esinevat taset.

Arendus (Development) (GTN NTN kõik) – on seotud kõikide seeriatootmisele eelnevate järkudega, näiteks: toote projektlahendus, projektlahenduse otsing, projektlahenduse analüüs, projektlahenduse põhimõtted, prototüüpide koostamine ja katsetamine, katsetootmiskavad, projektlahenduse andmed, projektlahenduse andmete tooteks muutmise protsess, osade suhtelise paigutuse kavand, terviku moodustamise kavand, skeemid.

Difusioonkeevitus (Diffusion bonding) (1 2 9) – vähemalt kahe erineva metalli molekulaarne tahkisliitmine üheks tükiks, mille ühine tugevus on sama suur kui kõige nõrgemal materjalil.

Digitaalarvuti (Digital computer) (4 5) – seade, mis ühe või mitme diskreetse muutuja kujul võib teha järgmist: NB! Salvestatud käsujada muutmine hõlmab muudetamatute salvestusseadmete asendamist, kuid mitte füüsilisi muutusi juhtmestikus või ühendustes.

pt_39 a.

võtta vastu andmeid;

b.

säilitada andmeid või käske muudetamatus või muudetavas (ülekirjutatavas) salvestusseadmes;

c.

töödelda andmeid salvestatud käsujada abil, mida on võimalik muuta; ning

d.

esitada töödeldud andmeid.

Digitaalne edastuskiirus (Digital transfer rate) – mis tahes kandjale edastatud informatsiooni täielik bitikiirus. NB! Vt ka täielik digitaalne edastuskiirus.

Otsetoimehüdropressimine (Direct-acting hydraulic pressing) (2) – deformeerimisprotsess, milles kasutatakse töödeldava detailiga kontaktis olevat vedeliktäitega elastset rakku.

Triivi kiirus (güroskoop) (Drift rate) (7) – güroskoobi väljundi ajast sõltuv hälve soovitud väärtusest. Hälve koosneb juhuslikest ja süstemaatilistest komponentidest ning on väljendatav ekvivalentse sisendnurga nihkega ajaühikus inertsiaalsüsteemi suhtes.

Dünaamiline adaptiivne suunamine (Dynamic adaptive routing) (5) – liikluse automaatne suunamine, mis põhineb momendil võrgu aktuaalse seisundi määramisel ning analüüsil. NB! Siia ei kuulu suunamisotsused, mis on tehtud eelnevalt antud informatsiooni põhjal.

Dünaamilised signaalianalüsaatorid (Dynamic signal analysers) (3) – signaalianalüsaatorid, mis kasutavad digitaalset andmekogumis- ja muundustehnikat, et antud lainekuju Fourier’ esitusele lisada ka amplituudi- ja faasiteave. NB! Vt ka signaalianalüsaatorid.

Lõhustuvate erimaterjalide efektiivgramm (Effective gramme) (0 1) –

pt_45 a.

plutooniumi isotoopide ja uraan-233 puhul isotoobi kaal grammides;

b.

uraan-235 suhtes 1 % võrra või enam rikastatud uraani puhul elemendi kaal grammides, mis on mõõdetud kaalu ja rikastusastme ruudu korrutisena ja väljendatud kümnendmurruna;

c.

uraan-235 suhtes alla 1 % rikastatud uraani puhul elemendi kaal grammides korrutatuna 0,0001-ga.

Elektroonikasõlm (Electronic assembly) (2 3 4 5) – teatud hulk elektroonilisi komponente (st vooluahela elemente, diskreetkomponente, integraallülitusi jne), mis on ühendatud omavahel spetsiifilis(t) e funktsiooni(de) täitmiseks ning mida on võimalik tervikuna asendada ja mis on tavaliselt algkomponentideks lahtiühendatav. NB! 1: Vooluahela element on vooluahela üksik aktiivne või passiivne funktsionaalne osa, näiteks üks diood, üks transistor, üks takisti, üks kondensaator jne. NB! 2: Diskreetkomponent on eraldi pakitud vooluahela element, millel on oma välisühendused.

Elektrooniliselt formeeritava suunadiagrammiga antenn (Electronically steerable phased array antenna) (5 6) – antenn, mis moodustab kiire faasisidestuse abil, st et kiire suund määratakse kiirgavate elementide omavahel seostatud komplekssete ergastuskoefitsientide kaudu ning kiire tõusunurka ja asimuuti nii koos kui ka eraldivõetuna saab muuta nii ülekande kui ka vastuvõtu korral elektrilise signaali abil.

Tööorganid (End-effectors) (2) – tähendab haaratseid, aktiivseid tööriistühikuid ja kõiki muid töövahendeid, mis on kinnitatud roboti manipulaatori otsa kinnitusplaadile. NB!Aktiivne tööriistühik (active tooling unit) on seade, mille abil rakendatakse töödeldavale detailile liigutavat jõudu, töötlemisenergiat või sondeeritakse seda.

Ekvivalenttihedus (Equivalent Density) (6) – optika mass optilise pindalaühiku kohta, mis on projitseeritud optilisele pinnale.

Ekspertsüsteemid (Expert systems) (7) – süsteemid, mis esitavad tulemusi, kohaldades eeskirju nende andmete suhtes, mis on salvestatud programmist sõltumatult ning millel on järgmised omadused:

pt_50 a.

muudavad automaatselt kasutaja antud lähtekoodi;

b.

tekitavad teavet mingi kvaasi-loomuliku keele probleemide kohta või

c.

omandavad enda arenguks vajalikke teadmisi (sümbolite õppimine).

FADEC (full authority digital engine control) – täisautomaatne digitaalne mootori juhtimine.

Tõrketaluvus (Fault tolerance) (4) – arvutisüsteemi võime jätkata inimsekkumiseta tööd pärast mis tahes riist- või tarkvarakomponentide tõrget teataval toimimistasemel, mis tagab teatava aja jooksul töötamise pidevuse, andmete säilimise ja toimimistaseme taastumise teatud aja jooksul.

Kiud- või niitmaterjalid (Fibrous or filamentary materials) (0 1 2 8) hõlmavad järgmisi materjale:

pt_53 a.

pidevad monokiud;

b.

pidev lõng ja heie;

c.

paelad, kudumid, reeglipäratud matid ja punutised;

d.

tükeldatud kiud, staapelkiud ja vanutatud viltvaibad;

e.

mis tahes pikkusega monokristallilised või polükristallilised niitkristallid;

f.

aromaatse polüamiidi pulp.

Kile-tüüpi integraallülitused (Film type integrated circuit) (3) – vooluahela elementide ja metallist ühendusradade kogu, mis moodustatakse paksude või õhukeste kilede sadestamisega isolatsioonpõhimikule. NB!Vooluahela element on vooluahela üksik aktiivne või passiivne funktsionaalne osa, näiteks üks diood, üks transistor, üks takisti, üks kondensaator jne.

Fikseeritud (Fixed) (5) – kodeerimis- või pakkimisalgoritm ei võta vastu väljastpoolt antud parameetreid (nt šifreerimis- või võtmemuutujaid) ning kasutaja ei saa seda muuta.

Lennujuhtimise optiliste andurite massiiv (Flight control optical sensor array) (7) – jaotatud optiliste andurite võrgustik, mis kasutab laserikiiri, et edastada lennujuhtimise andmeid reaalajas pardal töötlemiseks.

Lennutrajektoori optimeerimine (Flight path optimisation) (7) – toiming, mis muudab minimaalseks kõrvalekalded soovitud neljamõõtmelisest (aeg ja ruum) trajektoorist ning põhineb sihtülesannete teostuse või efektiivsuse suurendamisel.

Fokaaltasandiline massiiv (Focal plane array) (6) – lineaarne või kahemõõtmeline üksikutest detektorelementidest koosnev tasapinnaline kiht või tasapinnaliste kihtide kombinatsioon, koos lugemiselektroonikaga või ilma, mis töötab fokaaltasandil. NB! Antud definitsioon ei kirjelda üksikute detektorelementide pinu või mingeid kahe-, kolme- või neljaelemendilisi detektoreid eeldusel, et ajaline viivitus ning integreerimine ei ole teostatud elementides.

Fraktsionaalne ribalaius (Fractional bandwith) (3) – hetkelise ribalaiuse jagatis selle kesksageduse väärtusega, väljendatuna protsentides.

Sagedushüplemine (Frequency hopping) (5) – hajaspektri üks kujudest, milles üksiku sidekanali ülekandesagedust muudetakse diskreetselt sammhaaval juhusliku või pseudojuhusliku järjestuse alusel.

Sageduse ümberlülitusaeg (Frequency switching time) (3 5) – maksimaalne aeg (st viivitus), mis kulub signaalil, kui lülitutakse ühelt valitud väljundsageduselt teisele väljundsagedusele, et jõuda:

pt_61 a.

sageduseni, mis erineb lõppsagedusest vähem kui 100 Hz; või

b.

väljundtasemeni, mis erineb lõplikust väljundtasemest vähem kui 1 dB.

Sagedussüntesaator (Frequency synthesiser) (3) – mis tahes sagedusallikas või signaaligeneraator, olenemata kasutatavast tehnikast, mis tekitab mitmeid üheaegseid või vahelduvaid väljundsagedusi ühest või mitmest väljundist, mis on juhitud tuletatud või määratud vähema hulga standardsageduste (või põhisageduste) poolt.

Täisautomaatne digitaalne mootori juhtimine (Full Authority Digital Engine Control) (FADEC) (7 9) – gaasiturbiini või kombineeritud tsükliga mootori elektroonne juhtimissüsteem, mis kasutab digitaalset arvutit, et juhtida muutujaid, mis on vajalikud mootori veojõu ja võlli väljundvõimsuse reguleerimiseks kogu mootori tööulatuses alates kütuse arvestamisest kuni kütuse sulgemiseni.

Gaaspulverisatsioon (Gas atomisation) (1) – protsess, mille käigus sula metallisulamijuga pihustatakse kõrgsurvelise gaasijoaga piiskadeks, mille läbimõõt on 500 mikromeetrit või vähem.

Geograafiliselt hajutatud (Geographically dispersed) (6) – olukord, kus iga asukoht asub mis tahes suunas enam kui 1500 meetri kaugusel igast teisest. Liikuvad andurid loetakse alati geograafiliselt hajutatud olevateks.

Juhtimissüsteem (Guidance set) (7) – süsteem, mis ühendab sõiduki asukoha ja kiiruse mõõtmise ning arvutamise protsessi (st navigeerimise) sõiduki lennujuhtimise süsteemile lennu trajektoori korrigeerimiseks käskude arvutamise ja saatmise protsessiga.

Kuumisostaattihendamine (Hot isostatic densification) (2) – valu survestamise protsess üle 375 K (102 °C) temperatuuri juures suletud ruumis erinevate keskkondade (gaas, vedelik, tahked osakesed jne) vahendusel, tekitades valule võrdset survet kõigist suundadest, et vähendada või väljutada seal olevaid tühimikke.

Hübriidarvuti (Hybrid computer) (4) – seadmed, mis võimaldavad teha järgmist:

pt_68 a.

võtta vastu andmeid;

b.

töödelda andmeid nii analoog- kui ka digitaalkujul ning

c.

esitada töödeldud andmeid.

Hübriidintegraallülitus (Hybrid integrated circuit) (3) – mis tahes integraallülitus(t)e kombinatsioon või integraallülitus, mille vooluahela elemendid või diskreetkomponendid on ühendatud spetsiifiliste funktsioonide täitmiseks ning millel on kõik järgmised omadused:

pt_69 a.

sisaldab vähemalt üht korpuseta seadet;

b.

ühendamisel on kasutatud tüüpilisi integraallülituste tootmismeetodeid;

c.

on tervikuna asendatav ja

d.

tavaliselt ei ole demonteeritav.

NB! 1: Vooluahela element on vooluahela üksik aktiivne või passiivne funktsionaalne osa, näiteks üks diood, üks transistor, üks takisti, üks kondensaator jne. NB! 2: Diskreetkomponent on eraldi pakitud vooluahela element, millel on oma välisühendused.

Pildiväärindus (Image enhancement) (4) – väljastpoolt saadud, informatsiooni sisaldavate piltide töötlemine selliste algoritmidega nagu ajaline kokkusurumine, filtreerimine, väljaeraldamine, väljavalimine, korrelatsioon, konvolutsioon või piirkondadevahelised teisendused (nt Fourier’ kiirteisendus või Walsh’i teisendus). Siia hulka ei ole loetud algoritmid, mis kasutavad ainult üksiku kujutise lineaar- või rotatsioonteisendust nagu translatsioon, piirjoone eraldamine, registreerimine või vale värvimine.

Immuunotoksiin (Immunotoxin) (1) – on ühe rakuspetsiifilise monoklonaalse antikeha ja toksiini või toksiini alamühiku konjugaat, mis mõjutab valikuliselt haigeid rakke.

Üldkasutatav (In the public domain) (GTN NTN GSN) – siinkohal tähistab tehnoloogiat või tarkvara, mis on tehtud kättesaadavaks, seadmata piiranguid selle edasise levitamise suhtes (autoriõigusega seatud piirangud ei takista tehnoloogiat või tarkvara olemast üldkasutatav).

Infoturve (Information security) (4 5) – kõik vahendid ja funktsioonid, mis tagavad info või teabevahetuse kättesaadavuse, konfidentsiaalsuse või terviklikkuse, välja arvatud vahendid ja funktsioonid, mis on ette nähtud kaitseks tõrgete eest. Siia kuuluvad krüptograafia, krüptoanalüüs, kaitse ohustavate lekete eest ja arvutiturve. NB!Krüptoanalüüs on krüptograafiasüsteemi või selle sisendite ja väljundite analüüs, et kätte saada salamuutujaid või tundlikku teavet, kaasa arvatud selge tekst.

Hetkeline ribalaius (Instantaneous bandwidth) (3 5 7) – ribalaius, mille puhul väljundvõimsus jääb 3 dB piirides konstantseks, ilma et peaks kohandama teisi tööparameetreid.

Näitepiirkond (Instrumented range) (6) – radari määratletud nägevuspiirkond, milles objektid on ühemõtteliselt eristatavad.

Isolatsioon (Insulation) (9) – kasutatakse rakettmootorite komponentide juures, st korpuse, düüsi sisselaskeava, korpusekattes ning kujutab endast isoleerivaid või tulekindlaid lisandeid sisaldavaid kõvastatud või poolkõvastatud kummimassist lehti. Seda võib kasutada ka pakiruumi või stabilisaatorite mehhaanilise pingetustajana.

Ühendatud radar-andurid (Interconnected radar sensors) (6) – kaks või enam omavahel ühendatud radar-andurit, mis vahetavad reaalajas vastastikku andmeid.

Sisekatend (Interior lining) (9) – siduv sobituskatend tahke kütuse ja kesta või isoleeriva vooderduse vahel. Tavaliselt kuumuskindlate või isoleerivate ainete vedelatel polümeeridel, nagu näiteks süsiniktäitega hüdroksüüliga termineeritud (lõpetatud) polübutadieenil (HTPB) või muul polümeeril põhinev dispersioon, millesse on lisatud tahkestavaid toimeaineid ning mis on pihustatud või kantud kesta sisepinnale.

Sisemine magnetvälja gradiomeeter (Intrinsic Magnetic Gradiometer) (6) – üksik magnetvälja gradiendi tajur ning selle juurde kuuluv elektroonika, mille väljundiks on magnetvälja gradiendi mõõt. NB! Vt ka magnetgradiomeetrid.

Isoleeritud eluskultuurid (Isolated live cultures) (1) – eluskultuurid soikeseisundis ja kuivatatud preparaatidena.

Isostaatpressid (Isostatic presses) (2) – seadmed, mille abil on võimalik survestada suletud ruumi erinevate keskkondade abil (gaas, vedelik, tahked osakesed) nii, et selles asuvale töödeldavale detailile või ainele mõjub kõikidest suundadest võrdne rõhk.

Laser (Laser) (0 2 3 5 6 7 8 9) – komponentide koost, mis toodab nii ruumiliselt kui ka ajaliselt koherentset valgust, mida võimendab stimuleeritud kiirgusemissioon. NB! Vt ka:

kemolaser,

hiidvälkelaser,

ülivõimas laser,

siirdelaser.

Õhust kergemad õhusõidukid (Lighter-than-air vehicles) (9) – õhupallid ja õhulaevad, mille õhkutõstmiseks kasutatakse kuuma õhku või muid õhust kergemaid gaase, näiteks heeliumi või vesinikku.

Lineaarsus (Linearity) (2) (enamasti mõõdetakse mittelineaarsuse kaudu) – maksimaalne tegeliku omaduse (skaala alumiste ja ülemiste näitude keskmine) positiivne või negatiivne kõrvalekalle sirgjoonest, mis on paigutatud selliselt, et võrdsustada ja vähendada maksimaalseid kõrvalekaldeid.

Kohtvõrk (Local area network) (4) – andmesidesüsteem, millel on kõik järgmised omadused: NB!Andmesideseade on seade, millega on võimalik edastada või vastu võtta digitaalset infot.

pt_86 a.

võimaldab mis tahes arvul sõltumatutel andmesideseadmetel üksteisega otse suhelda ning

b.

piirdub mõõduka suurusega geograafilise alaga (nt kontorihoone, tehas, ülikoolilinnak, ladu).

Magnetvälja gradiomeetrid (Magnetic gradiometers) (6) – seadmed, mis on ette nähtud väljaspool seadet ennast olevatest allikatest pärinevate magnetväljade ruumilise erinevuse kindlakstegemiseks. Koosnevad mitmest magnetomeetrist ja nendega seotud elektroonikast, mille väljundiks on magnetvälja gradiendi mõõt. NB! Vt ka sisemised magnetvälja gradiomeetrid.

Magnetomeetrid (Magnetometers) (6) – seadmed, mis on ette nähtud väljaspool seadet ennast olevatest allikatest tulenevate magnetväljade kindlakstegemiseks. Koosnevad ühest magnetvälja tajurist ja sellega seotud elektroonikast, mille väljundiks on magnetvälja mõõt.

Põhimälu (Main storage) (4) – peamine andmete või käskude salvesti, millele keskprotsessoril on kiire juurdepääs. Koosneb digitaalarvuti sisemisest mälust ja selle hierarhilistest laiendustest, näiteks vahemälu või suvapöördusega välismälu.

UF6 korrosioonile vastupidavad materjalid (Materials resistant to corrosion by UF6) (0) – võivad olla vask, roostevaba teras, alumiinium, alumiiniumoksiid, alumiiniumisulamid, nikkel või sulam, mis sisaldab niklit 60 % kaalust või rohkem, ja UF6 korrosiooni suhtes vastupidavad fluorosüsivesinikpolümeerid, vastavalt sellele, mis on vajalik eraldusprotsessi liigist lähtuvalt.

Põhiaine (Matrix) (1 2 8 9) – oluliselt ühtlane aine faas, mis täidab osakeste, niitkristallide ja kiududevahelise ruumi.

Mõõtehälve (Measurement uncertainty) (2) – iseloomustav parameeter, mis 95 % usutavusega määrab ära, missuguses piirkonnas väljundväärtuse ümber mõõdetava muutuja õige väärtus asub. See võtab arvesse korrigeerimata süstemaatilised kõrvalekalded, korrigeerimata lõtku ja juhuslikud kõrvalekalded (vt ISO 10360–2 või VDI/VDE 2617).

Mehaaniline legeerimine (Mechanical Alloying) (1) – legeerimisprotsess, mis tekib elementide ja põhisulami pulbrite seostumisel, seose katkemisel ja uuesti seostumisel mehhaanilise põrke tagajärjel. Mittemetallilisi osakesi võib sulamisse segada, lisades vastavaid pulbreid.

Sulandi eraldamine (Melt Extraction) (1) – protsess, mille käigus kiirel tahkestamisel eraldatakse paelakujuline metallisulamist toode, mis saadakse pöörleva ja jahutatud lühikese plokisegmendi uputamisel sulametallisulami vanni. NB!Kiire tahkestamine on sula aine tahkestamine jahutuskiirusega üle 1000 K/s.

Sulandi ketramine (Melt Spinning) (1) – protsess, mille käigus tahkestatakse kiiresti sulametallijuga, mis põrkub vastu pöörlevat jahutatud plokki, tekitades helbe-, paela- või vardakujulisi saadusi. NB!Kiire tahkestamine on sula aine tahkestamine jahutuskiirusega üle 1000 K/s.

Mikroarvuti mikroskeem (Microcomputer microcircuit) (3) – monoliit-integraallülitus või mitmekiibiline integraallülitus, mis sisaldab aritmeetika-loogikaseadet (ALU), mis on võimeline täitma põhimälus asuvaid üldotstarbelisi käske põhimälus sisalduvate andmete kohta. NB! Põhimälu võib olla laiendatud välismälu abil.

Mikroprotsessor mikroskeem (Microprocessor microcircuit) (3) – monoliit-integraallülitus või mitmekiibiline integraallülitus, mis sisaldab aritmeetika-loogikaseadet (ALU), mis on võimeline täitma välismälus asuvaid üldotstarbelisi käskude jadasid. NB! 1: Mikroprotsessor mikroskeem ei sisalda üldjuhul integraalse komponendina mälu, kuhu kasutajal oleks võimalik pöörduda, kuigi võib kasutada samal kiibil asuvat mälu oma loogiliste funktsioonide täitmiseks. NB! 2: See definitsioon hõlmab ka kiibikomplekte, mis on kavandatud mikroprotsessor mikroskeemina koos toimima.

Mikroorganismid (Microorganisms) (1 2) – bakterid, viirused, mükoplasmad, riketsiad, klamüüdiad või seened, nii looduslikult, parandatud või modifitseeritud, kas isoleeritud eluskultuuride või aine kujul, kaasa arvatud elusained, mida on teadlikult nakatatud või saastatud nimetatud kultuuridega.

Monoliit-integraallülitus (Monolithic integrated circuit) (3) – passiivsete või aktiivsete või mõlemat liiki vooluahela elementide kombinatsioon, mis: NB!Vooluahela element on vooluahela üksik aktiivne või passiivne funktsionaalne osa, näiteks üks diood, üks transistor, üks takisti, üks kondensaator jne.

pt_99 a.

moodustatakse difusioonimenetluse, sisestusmenetluse või sadestusmenetluse teel ühe pooljuhtmaterjali tüki (nn kiibi) sees või peal;

b.

mida võib käsitleda kui lahutamatut tervikut ning

c.

mis täidab vooluahela ülesannet (ülesandeid).

Monospektraalsed pildiandurid (Monospectral imaging sensors) (6) – võimelised omandama kujutise andmeid ühest diskreetsest spektriribast.

Mitmekiibiline integraallülitus (Multichip integrated circuit) (3) – kaks või enam monoliit-integraallülitust, mis on ühendatud ühisele põhimikule.

Mitme andmevoo töötlus (Multi-data-stream processing) (4) – mikroprogramm- või seadmearhitektuuritehnika, mis võimaldab samaaegselt töödelda kaht või enamat andmejada ühe või enama käsujada abil, kasutades seejuures: NB!Mikroprogramm on elementaarsete käskude jada, mida säilitatakse erilises mäluseadmes ja mille täitmise käivitab tema viitekäsu saabumine käsuregistrisse.

pt_102 a.

ühe käsuvoo ja mitme andmevooga (SIMD) arvutiarhitektuuri nagu vektor- või maatriksprotsessorites;

b.

mitmekordset ühe käsuvoo ja mitme andmevooga (MSIMD) arhitektuuri;

c.

mitme käsuvoo ja mitme andmevooga (MIMD) arhitektuuri, kaasa arvatud need arhitektuurid, mis on tihedalt sidestatud, lähedalt sidestatud või nõrgalt sidestatud, või

d.

struktureeritud töötlevate elementide massiive, kaasa arvatud süstoolsed massiivid.

Multispektraalsed pildiandurid (Multispectral imaging sensors) (6) – võimelised üheaegselt või järjestikku omandama kujutise andmeid kahes või enamas diskreetses spektriribas. Andureid, mis on tundlikud rohkem kui kahekümnes diskreetses spektraalribas, kutsutakse ka hüperspektraalseteks pildianduriteks.

Looduslik uraan (Natural uranium) (0) – looduses esinevat isotoopide segu sisaldav uraan.

Võrgu juurdepääsu kontroller (Network access controller) (4) – hajutatud teabevõrgu füüsiline liides. See kasutab sama edastusmeediumi, mis töötab kõikjal sama digitaalse edastuskiirusega, kasutades edastamisel arbitreerimist (nt loa või liikluse tuvastust). Sõltumata teistest, valib ta andmepaketid või andmegrupid (nt IEEE 802), mis on talle adresseeritud. Selle sõlme võib liita arvutile või telekommunikatsiooniseadmele, et tagada juurdepääs teabevahetusele.

Neuroarvuti (Neural computer) (4) – arvutusseade, mis on konstrueeritud või muudetud jäljendama üksiku neuroni või enamate neuronite käitumist, st arvutusseade, mille riistvaral on võime reguleerida eelnevate andmete põhjal suure hulga arvutuselementide omavaheliste seoste kaalu ja arvu.

Müratase (Noise level) (6) – elektrisignaal, mida esitatakse võimsuse spektraaltihedusena. Tippudevaheline müranivoo on esitatud valemina S2PP = 8N0(f2-f1), kus SPP on signaali tippudevaheline väärtus (nt nanoteslades), N0 on võimsuse spektraaltihedus (nt (nanotesla)2/Hz) ja (f2-f1) tähistab meid huvitavat sagedusriba.

Tuumareaktor (Nuclear reactor) (0) – reaktorianumas paiknevad või vahetult selle külge kinnitatud osad, seadmed, mis reguleerivad reaktori südamiku võimsustaset, ning komponendid, mis tavaliselt sisaldavad reaktori südamiku primaarset jahutusainet, puutuvad sellega vahetult kokku või kontrollivad seda.

Arvjuhtimine (Numerical control) (2) – sooritatava toimingu automaatjuhtimisseade, mis kasutab tavaliselt toimingu kestel sisestatavaid arvandmeid (vt ISO 2382).

Objektkood (Object code) (9) – ühe või mitme protsessi mugava esitusviisi (lähtekoodi (lähtekeele)), seadme poolt täidetav vorm, mis on muundatud programmeerimissüsteemi abil.

Optiline võimendamine (Optical amplification) (5) – optilises sides kasutatav võimendustehnika, kus võimendatakse eraldiasetseva optilise allika genereeritud optilisi signaale neid elektrilisteks signaalideks muundamata, st kasutades optilisi pooljuhtvõimendeid, kiudoptilisi luminestsentsvõimendeid.

Optiline arvuti (Optical computer) (4) – arvuti, mis on konstrueeritud või kohandatud kasutama andmete esitamiseks valgust ning mille loogilised arvutuselemendid põhinevad omavahel vahetult seotud optilistel lülitustel.

Optiline integraallülitus (Optical integrated circuit) (3) – monoliit-integraallülitus või hübriidintegraallülitus, mis sisaldab üht või mitut osa, mis on kavandatud toimima valgusandurina või valguskiirgurina või täitma optilisi või elektro-optilisi funktsioone.

Optiline kommuteerimine (Optical switching) (5) – optiliste signaalide marsruutimine või kommuteerimine ilma nende muundamiseta elektrilisteks.

Üldine voolutihedus (Overall current density) (3) – mähise amperkeerdude arv (st mähise keerdude arv, mis on korrutatud maksimaalse voolu tugevusega, mis igas keerus voolab) jagatud kogu mähise ristlõikepindalaga (kaasa arvatud ülijuhtivad kiud, metallist maatriksid, milles asuvad ülijuhtivad kiud, kattematerjalid, jahutuskanalid jne).

Osalisriik (Participating state) (7 9) – Wassenaari kokkuleppes osalev riik (vt www.wassenaar.org).

Tippvõimsus (Peak power) (6) – džaulides väljendatud impulsi energia, mis on jagatud impulsi kestusega sekundites.

Personaalne kiipkaart (Personalized smart card) (5) – spetsiifiliseks kasutuseks programmeeritud mikrolülitust sisaldav kiipkaart, mida ei ole võimalik ringi programmeerida muudeks kasutajapoolseteks rakendusteks.

Võimsuse juhtimine (Power management) (7) – kõrgusmõõturi lähetatud signaali võimsuse muutmine selliselt, et õhusõidukil kõrgusemõõtmiseks vastuvõetud võimsus oleks alati minimaalne.

Rõhuandurid (Pressure transducers) (2) – seadmed, mis muudavad rõhu mõõtmised elektrisignaaliks.

Eelnevalt eraldatud (Previously separated) (0 1) – suvaliselt valitud protsessi kasutamine, mille eesmärgiks on jälgitava isotoobi kontsentratsiooni tõstmine.

Põhijuhtimine (Primary flight control) (7) – õhusõiduki stabiilsuse ja manöövrite juhtimine, kasutades jõudude/momentide tekitajaid, st aerodünaamilisi juhtpindu või tõukejõu reaktsiooni (vektorjuhtimist).

Põhiline koostisosa (Principal element) (4) – 4. kategooria kohaselt on põhilise koostisosaga tegemist siis, kui selle asendamisväärtus on üle 35 % sellise süsteemi koguväärtusest, mille koostisosa see on. Koostisosa väärtus on hind, mida süsteemi valmistaja või koostaja selle koostisosa eest maksab. Koguväärtus on tavapärane rahvusvaheline müügihind, mille eest toimub müük mitteasjaomastele pooltele valmistamiskohas või kaubasaadetise kinnitamisel.

Tootmine (GTN NTN kõik) – kõik tootmisetapid, näiteks: konstrueerimine, toote insenerlahendus, valmistamine, integreerimine, montaaž, järelevalve, katsetamine, kvaliteedi tagamine.

Tootmisvahendid (Production equipment) (1 7 9) – instrumendid, šabloonid, rakised, tööriistatornid, valuvormid, stantsid, kinnitusvahendid, joondamisseadmed, katseseadmed, muud masinad ning nende osad, mis on eraldi konstrueeritud või modifitseeritud arenduse või tootmise ühe või enama järgu jaoks.

Tootmisseadmed (Production facilities) (7 9) – seadmed ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud tarkvara, mis on integreeritud arenduseks mõeldud seadeldistesse või ühte või mitmesse tootmisjärku.

Programm (Programme) (2 6) – käskude jada protsessi sooritamiseks elektronarvuti abil kas vahetult täidetaval või täidetavaks muundataval kujul.

Impulsi kokkusurumine (Pulse compression) (6) – radari signaalimpulsi kodeerimine ja töötlemine pikaajalisest lühiajaliseks, säilitades kõrge impulsienergia eelised.

Impulsi kestus (Pulse duration) (6) – laseri impulsi kestus mõõdetuna impulsi poollaiusena (FWHI) (st impulsi täislaius tema tippintensiivsuse poolkõrgusel).

Kvantkrüptograafia (5) – krüptograafia meetodite kogum, milles kodeeringu jagatud võti moodustub mingi füüsikalise süsteemi kvantmehhaaniliste omaduste (sh kvantoptikast, kvantväljateooriast või kvantelektrodünaamikast otseselt tulenevate omaduste) mõõtetulemustest.

Hiidvälkelaser (Q-switched laser) (6) – laser, milles pöördasustuses või optilises resonaatoris salvestatud energia kiiratakse salvestusele järgnevalt impulsis.

Radari sagedusliikuvus (Radar frequency agility) (6) – mis tahes tehnika, mis muudab pooljuhuslikus järjestuses radari impulss-saatja kandesagedust impulsside või impulsigruppide vahel vähemalt samavõrra kui impulsi ribalaius või rohkem.

Radari hajaspekter (Radar spread spectrum) (6) – hajutab suhteliselt kitsa sagedusribaga signaali energia oluliselt laiemale sagedusribale, kasutades juhuslikku või pooljuhuslikku kodeerimist.

Reaalajaline ribalaius (Real-time bandwidth) (2 3) – dünaamiliste signaalianalüsaatorite kõige laiem sageduspiirkond, mille juures analüsaator on veel võimeline tulemusi näitama või salvestama mällu, põhjustamata seejuures sissetulevate andmete analüüsi katkestusi. Enama kui ühe kanaliga analüsaatorite korral tuleb arvutustes kasutada sellist kanalikonfiguratsiooni, mille puhul saavutatakse kõige laiem reaalajaline ribalaius.

Reaalajas töötlemine (Real time processing) (6 7) – andmetöötlus arvutisüsteemis, mis tagab nõutava teenindustaseme garanteeritud kosteajaga, sõltudes olemasolevatest vahenditest ja olenemata süsteemi koormusest, kui see teenus on käivitatud mingi välise sündmuse poolt.

Nõuetekohane (Required) (GTN 1-9) – kasutatuna koos sõnadega tehnoloogia või tarkvara, tähendab üksnes seda tehnoloogia või tarkvara osa, mis peab tagama kontrollitud toimimistaseme, näitajate või funktsioonide saavutamise või laiendamise. Sellist nõuetekohast tehnoloogiat või tarkvara võivad omavahel jagada mitmed tooted.

Eraldusvõime (Resolution) (2) – mõõteseadme väikseim inkrement; digitaalsetes mõõteseadmetes väikseim väärtust omav bitt (vt ANSI B-89.1.12).

Robot (Robot) (2 8) – manipulatsioonimehhanism, mis võib olla nii pideval rajal kui ka punktist punkti kulgev, võib kasutada andureid ning millel on kõik järgmised omadused: NB! Eespool esitatud definitsioon ei hõlma järgmisi seadmeid:

pt_138 a.

multifunktsionaalsus;

b.

selle abil saab erinevate liikumiste kaudu kohale asetada või suunata materjali, osi, tööriistu või Spetsiaalseid seadmeid kolmemõõtmelises ruumis;

c.

koosneb kolmest või enamast suletud või avatud ahelaga servoseadmest, mille hulka võivad kuuluda ka samm-mootorid ning

d.

on kasutaja-programmeeritav kas kasutades õpetamine/kordamine meetodit või elektronarvuti abil, mis võib olla programmeeritav loogiline kontroller, st ilma mehaanilise vahelesegamiseta.

1. manipulaatorid, mis on ainult käsi- või kaugjuhitavad;

2. fikseeritud järjestusega manipulatsioonimehhanismid, mis on automaatselt liikuvad seadmed ning mis teostavad mehaaniliselt programmeeritud liikumisi. Programm on mehaaniliselt piiratud asetatavate peatustega, nagu tapid ja nukid. Liikumiste järjekord ja radade ning nurkade valik ei ole varieeritav ega muudetav ei mehaaniliselt, elektrooniliselt ega elektriliselt;

3. mehaaniliselt juhitud muudetava järjestusega manipulatsioonimehhanismid, mis on automaatselt liikuvad seadmed ning teostavad mehaaniliselt kindlaid programmeeritud liikumisi. Programm on mehaaniliselt piiratud fikseeritud, kuid reguleeritavate peatustega, nagu tapid ja nukid. Liikumiste järjestus ning radade ja nurkade valik on varieeritav etteantud programmi mallide siseselt. Ühe või mitme liikumistelje programmi mallide varieerimine või muutmine (st tappide muutmine või nukkide ümberasetamine) on teostatav vaid mehaaniliste operatsioonide abil;

4. muud kui servo-juhitud muutuva järjestusega manipulatsioonimehhanismid, mis on automaatselt liikuvad seadmed, ning mis teostavad fikseeritud, mehaaniliselt programmeeritud liikumisi. Programm on varieeritav, kuid järjestus toimub vaid mehaaniliselt kinnitatud elektriliste kahendseadmete või reguleeritavate peatustest saadavate kahendsignaalide põhjal;

5. virnastamisseadmed, mis on defineeritud kui Descartes’i koordinaatidega manipulatsiooniseadmed ning mis on vertikaalselt asetatud laokastide virna integraalseks osaks ning on ette nähtud kastide sisu kättesaamiseks või taastamiseks.

Rotatsioonpulverisatsioon (Rotary atomisation) (1) – protsess, mille käigus tsentrifugaaljõu mõjul sulametallijuga või seisev sulametall pihustatakse mitte üle 500 mikromeetrise läbimõõduga tilkadeks.

Eelketrus (Roving) (1) – ligikaudu paralleelsetest heictest (tavaliselt 12–120) koosnev kimp. NB!Heie on kogum monokiude (tavaliselt üle 200), mis on ligikaudu paralleelsed.

Viskumine (Run out, out-of-true running) (2) – telje radiaalne nihe peavõlli ühe pöörde jooksul, mõõdetuna peavõlli teljega risti asetseval tasapinnal, uuritava pöörleva sise- või välispinna punktis (vt ISO 230/1 1986, lõik 5.61).

Mastaabitegur (Scale factor) (güroskoop või kiirendusmõõtur) (7) – väljundi väärtuse muudu suhe sisendi väärtuse muutu, mida kavatsetakse mõõta. Mastaabiteguri väärtus hinnatakse üldiselt sirge tõusust, mis saadakse sisend- ja väljundväärtusi vähimruutude meetodiga sobitades, muutes tsükliliselt sisendväärtusi üle kogu sisendväärtuste piirkonna.

Seadumisaeg (Settling time) (3) – aeg, mis kulub muundaja suvalise kahe nivoo vahel ümberlülitamise korral, et väljund saavutaks poolebitilise täpsusega lõppväärtuse.

SHPL (Super high power laser) – ülivõimas laser.

Signaalianalüsaatorid (Signal analysers) (3) – seadmed, mis on võimelised mõõtma ja näitama mitmesageduslike signaalide ühesageduslike komponentide põhiomadusi.

Signaalitöötlus (Signal processing) (3 4 5 6) – väljastpoolt tulnud infot kandvate signaalide töötlemine selliste algoritmidega nagu ajaline kokkusurumine, filtreerimine, väljaeraldamine, väljavalimine, korrelatsioon, domeenidevaheline konvolutsioon või teisendused (nt Fourier’ kiirteisendus või Walsh'i teisendus).

Tarkvara (Software) (GSN kõik) – ühest või mitmest programmist või mikroprogrammist koosnev kogum, mis on paigutatud mis tahes kättesaadavale väljundmeediale. NB!Mikroprogramm on elementaarsete käskude jada, mida säilitatakse erilises mäluseadmes ja mille täitmise käivitab tema viitekäsu saabumine käsuregistrisse.

Lähtekood (või lähtekeel) (Source code or language) (4 6 7 9) – ühe või mitme protsessi otstarbekohane avaldis, mida võib programmeerimissüsteemi abil viia masinas täidetavale kujule (objektkood (või objektkeel)).

Kosmoseaparaat (Spacecraft) (7 9) – aktiiv- ja passiivsatelliidid ja kosmosesondid.

Kosmosekindel (Space qualified) (3 6) – kasutatakse toodete puhul, mis on konstrueeritud, valmistatud ja katsetatud nii, et need vastavad satelliitide või suurtes kõrgustes kasutatavate lennusüsteemide, mis töötavad 100 km kõrgusel või kõrgemal, väljasaatmise ja paigutamise suhtes kehtivatele erilistele elektri-, mehhaanika- või keskkonnanõuetele.

Lõhustuv erimaterjal (Special fissile material) (0) – plutoonium-239, uraan-233, uraaniisotoobi U-235 või U-233 suhtes rikastatud uraan ja kõiki eelnimetatuid sisaldavad materjalid.

Erimoodul (Specific modulus) (0 1 9) – Young’i moodul paskalites, vastavalt N/m2 jagatud erikaaluga N/m3 mõõdetuna temperatuuril (296 ± 2) K ((23 ± 2) °C), (50 ± 5) % suhtelise niiskuse juures.

Eritõmbetugevus (Specific tensile strength) (0 1 9) – maksimaalne tõmbetugevus paskalites, vastavalt N/m2 jagatud erikaaluga N/m3 mõõdetuna temperatuuril (296 ± 2) K ((23 ± 2) °C), (50 ± 5) % suhtelise niiskuse juures.

Lamepulbri tootmine sulametallist (Splat quenching) (1) – sulametalli joa kiire tahkestamise protsess joa põrkumisel jahutatud plokkide vastu, mille tulemusena moodustuvad helbed. NB!Kiire tahkestamine on sula aine tahkestamine jahutuskiirusega üle 1000 K/s.

Hajaspekter (Spread spectrum) (5) – tehnika, milles suhteliselt kitsaribalise sidekanali energia on levitatud üle palju laiema energiaspektri.

Hajaspektriga radar (Spread spectrum radar) (6) – vt radari hajaspekter.

Stabiilsus (Stability) (7) – teatava parameetri variatsiooni standardhälve (1 sigma) oma kalibreeritud väärtusest, mis on mõõdetud muutumatu temperatuuri tingimustes. Seda võib väljendada aja funktsioonina.

Keemiarelvade konventsiooniga (mitte) ühinenud riigid (States (not) Party to the Chemical Weapon Convention) (1) – riigid, kelle suhtes keemiarelvade väljatöötamise, tootmise, varumise ja kasutamise keelustamise konventsioon on/ei ole jõustunud (vt www.opcw.org).

Põhimik (Substrate) (3) – alusmaterjali kiht koos ühendusradadega või ilma, mille peale või sisse võib paigutada diskreetkomponente või integraallülitusi. NB! 1: Diskreetkomponent on eraldi pakitud vooluahela element, millel on oma välisühendused. NB! 2: Vooluahela element on vooluahela üksik aktiivne või passiivne funktsionaalne osa, näiteks üks diood, üks transistor, üks takisti, üks kondensaator jne.

Substraattoorikud (Substrate blanks) (6) – monoliitsed ühendid, mille suurus on sobiv selliste optiliste elementide tootmiseks nagu peeglid või optilised aknad.

Toksiini alarühm (Sub-unit of toxin) (1) – struktuurselt ja funktsionaalselt kogu toksiini diskreetkomponent.

Supersulamid (Superalloys) (2 9) – nikli-, koobalti- või rauapõhised sulamid, mis on tugevamad kui mis tahes AISI 300 seeria sulamid temperatuuridel üle 922 K (649 °C) ja rasketes keskkonna- ja töötingimustes.

Ülijuhtivad materjalid (Superconductive) (1 3 6 8) – materjalid, näiteks metallid, sulamid või ühendid, mis võivad kaotada täielikult oma elektritakistuse, st võivad omandada lõpmatult suure elektrijuhtivuse ning kanda üle väga suuri elektrivoole ilma Joule’i soojenemiseta. NB! Aine ülijuhtivat olekut iseloomustavad individuaalselt kriitiline temperatuur, kriitiline magnetväli, mis sõltub temperatuurist, ning kriitiline voolutihedus, mis sõltub nii temperatuurist kui ka magnetväljast.

Ülivõimas laser (Super High Power Laser) (SHPL) (6) – laser, mille väljundenergia impulsis (tervikuna või osana sellest) ületab 1 kJ 50 ms jooksul või mille keskmine või pidevlaine (CW) võimsus ületab 20 kW.

Üliplastne vormimine (Superplastic forming) (1 2) – kuumvormimisprotsess, mille käigus saavutatakse metallidel, millistel toatemperatuuril tavalisel venitamiskatsel on katkemispunktis väike suhteline pikenemine (vähem kui 20 %), kuumutamist kasutades vähemalt kahekordne suhtelise pikenemise kasv.

Sümmeetriline algoritm (Symmetric algorithm) (5) – krüptograafiline algoritm, mis kasutab nii krüpteerimise kui ka dekrüpteerimise puhul ühesugust võtit. NB!Sümmeetriliste algoritmide tavakasutuseks on andmete konfidentsiaalsuse tagamine.

Marsruudid (System track) (6) – töödeldud, korreleeritud (radari sihtmärgi ja lennu plaanijärgse asukoha andmed) ning ajakohastatud õhusõiduki asukoha raport, mis on lennujuhtimiskeskuse lennujuhtidele kättesaadav.

Süstoolsed maatriksarvutid (Systolic array computer) (4) – arvutid, milles kasutaja võib dünaamiliselt ohjata andmete voogu ja muutumist loogikalülituste tasemel.

Lint (Tape) (1) – materjal, mis on valmistatud põimitud või ühesuunalistest monokiududest, heidest, eelketrusest, köisikutest või lõngadest jm, tavaliselt vaiguga impregneeritud. NB!Heie on kogum monokiude (tavaliselt üle 200), mis on ligikaudu paralleelsed.

Tehnoloogia (Technology) (GTN NTN kõik) – spetsiifiline teave, mis on ette nähtud kaupade arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks. See teave esineb tehnilise informatsiooni või tehnilise abi kujul. NB! 1: Tehniline abi võib esineda juhiste, oskuste, väljaõppe, tööalaste teadmiste ja konsultatsiooniteenuste vormis ning võib sisaldada ka tehniliste andmete edastamist. NB! 2: Tehnilised andmed võivad esineda tehniliste jooniste, plaanide, diagrammide, mudelite, valemite, tabelite, insener-tehniliste projektide ja spetsifikatsioonide, käsiraamatute ja juhiste kujul kas kirjalikult või muudele andmekandjatele või seadmetele, nagu näiteks magnetkettad, helilindid, püsimälud, salvestatuna.

Kallutatav spindel (Tilting spindle) (2) – tööriista hoidev spindel, mis muudab masintöötlemisprotsessi käigus oma kesktelje pöördenurka mis tahes muu telje suhtes.

Ajakonstant (Time constant) (6) – aeg, mis kulub valgusmõjustuse andmisest 1-1/e-kordseks voolutugevuse kasvuks tema lõppväärtusest (st 63 %-ni lõppväärtusest).

Täielikult automatiseeritud lennujuhtimine (Total control of flight) (7) – õhusõidukite seisundi muutujate ja lennutrajektoori automatiseeritud kontroll, et tagada ülesande eesmärkide saavutamine vastavalt reaalajas muutunud eesmärkidele, ohtudele või teistele õhusõidukitele.

Täielik digitaalne edastuskiirus (Total digital transfer rate) (5) – ajaühikus digitaalse andmeedastussüsteemi vastavate seadmete vahel liikuvate bittide arv, kaasa arvatud reakodeerimisbitid, talitusbitid jne. NB! Vt ka digitaalne edastuskiirus.

Köisik (Tow) (1) – kogum monokiude, mis on tavaliselt ligikaudu paralleelsed.

Toksiinid (Toxins) (1) – toksiinid, mis esinevad sihilikult isoleeritud preparaatide või segudena, olenemata tootmisviisist, välja arvatud toksiinid, mis esinevad selliste teiste materjalide nagu patoloogiliste näidiste, põllukultuuride, toiduainete või mikroorganismide külvivarude saasteainetena.

Siirdelaser (Transfer laser) (6) – laser, milles laseri aktiivaine osakesi ergastatakse mitteaktiivaine aatomite või molekulide põrkumisel aktiivaine aatomite või molekulidega ülekantud energia abil.

Timmitav (Tunable) (6) – laseri võime tekitada pidevat väljundvõimsust igal sagedusel üle paljude lasersiirete piirkonna. Laserit, mis võimaldab saada diskreetseid lainepikkusi ühel lasersiirdel, ei loeta timmitavaks.

Mehitamata õhusõiduk (Unmanned Aerial Vechicle – UAV) – igasugune õhusõiduk, mis on võimeline lendu alustama ja sooritama kontrollitavat ja juhitavat lendu ning navigeerima ilma inimpiloodita pardal.

Uraaniisotoobi U235 või U233 suhtes rikastatud uraan (Uranium enriched in the isotopes 235 or 233) (0) – uraan, mis sisaldab uraaniisotoopi U235 või U233 või mõlemat nimetatud uraaniisotoopi sellisel hulgal, et nende isotoopide summaarse koguse suhe isotoobi 238 kogusesse on suurem kui looduslikult esinev isotoopide 235 ja 238 suhe (0,71 %).

Kasutamine (Use) (GTN NTN kõik) – toimimine, paigaldus (sh kohapealne paigaldus), hooldus (kontroll), remont, kapitaalremont ja renoveerimine.

Kasutajal juurdepääsetav programmeeritavus (User-accessible programmability) (6) – omadus, mis lubab kasutajal sisestada, modifitseerida või asendada programme teisiti kui:

pt_182 a.

muutes füüsiliselt lülitusskeemi või ühendusi või

b.

talitlusviiside sättimine, kaasa arvatud parameetrite sisestuse abil.

Vaktsiin (Vaccine) (1) – ravimvormis olev ravim, millel on valmistaja- või kasutajariigi reguleerivate asutuste antud litsents või müügiluba või kliiniliste uuringutega seotud luba ja mis on mõeldud nende inimeste või loomade immunoloogilise kaitsesüsteemi tõhustamiseks haiguste ärahoidmise eesmärgil, kellele seda manustatakse.

Vaakumpulverisatsioon (Vacuum atomisation) (1) – protsess, mille käigus vaakumisse suunatud sula metallisulamijuga pihustub seal lahustunud gaasi kiirel paisumisel piiskadeks, mille läbimõõt on 500 mikromeetrit ja vähem.

Muudetava tiivageomeetriaga aerodünaamilised pinnad (Variable geometry airfoils) (7) – kandepinna tagumisel serval tagatiibade ja trimmerite või esiserval eestiibade või kallutatava nina langetamise kasutamine, mille asendit saab lennu ajal juhtida.

Lõng (Yarn) (1) – kimp keerutatud heiet. NB!Heie on kogum monokiude (tavaliselt üle 200), mis on ligikaudu paralleelsed.

KÄESOLEVAS LISAS KASUTATUD AKRONÜÜMID JA LÜHENDID

Defineeritud terminina akronüümi või lühendi leiab ka pealkirja alt Käesolevas lisas kasutatud mõisted. AKRONÜÜM VÕI LÜHEND TÄHENDUS ABEC Annular Bearing Engineers Committee (rull-laagritootjate ühendus) AGMA American Gear Manufacturers' Association (Ameerika ajamitootjate ühendus) AHRS attitude and heading reference systems (suuna ja positsiooni määramise süsteemid) AISI American Iron and Steel Institute (Ameerika Raua ja Terase Instituut) ALU arithmetic logic unit (aritmeetika-loogikaseade) ANSI American National Standards Institute (Ameerika Riiklik Standardiinstituut) ASTM American Society for Testing and Materials (USA Materjalide Katsetamise Ühing) ATC air traffic control (lennujuhtimine) AVLIS atomic vapour laser isotope separation (atomaarse gaasi isotoopiline laser-eraldus) CAD computer-aided-design (raalprojekteerimine) CAS Chemical Abstracts Service (keemiaalane referaatteenindus) CCITT International Telegraph and Telephone Consultative Committee (Rahvusvaheline Telegraafi ja Telefoni Konsultatiivkomitee) CDU control and display unit (juhtimis- ja kuvarmoodul) CEP circular error probable (tõenäolise vea ring) CNTD controlled nucleation thermal deposition (kontrollitud idustamisega termiline sadestamine) CRISLA chemical reaction by isotope selective laser activation (laseraktiveeritud keemiline reaktsioon) CVD chemical vapour deposition (keemiline aurustamine-sadestamine) CW chemical warfare (keemiasõda) CW (for lasers) continuous wave (pidevlaine) DME distance measuring equipment (kaugusmõõtur) DS directionally solidified (suunatult tahkestatud) EB-PVD electron beam physical vapour deposition (elektronkiire abil toimuv füüsikaline aurustamine-sadestamine) EBU European Broadcasting Union (Euroopa Ringhäälinguliit) ECM electro-chemical machining (elektrokeemiline töötlus) ECR electron cyclotron resonance (elektrontsüklotronresonants) EDM electrical discharge machines (elektroerosioontöötlus) EEPROMS electrically erasable programmable read only memory (programmeeritav elekterkustutusega püsimälu) EIA Electronic Industries Association (Elektroonikatööstuste Ühendus) EMC electromagnetic compatibility (elektromagnetiline ühilduvus) ETSI European Telecommunications Standards Institute (Euroopa Telekommunikatsiooni Standardiinstituut) FFT Fast Fourier Transform (Fourier’ kiirteisendus) GLONASS global navigation satellite system (globaalne sattelliitnavigatsioonisüsteem) GPS global positioning system (globaalne positsioneerimissüsteem) HBT hetero-bipolar transistors (hetero-bipolaarsed transistorid) HDDR high density digital recording (kõrglahutuslik digitaalsalvestus) HEMT high electron mobility transistors (elektronide kõrgliikuvusega transistor) ICAO International Civil Aviation Organisation (Rahvusvaheline Tsiviillennundusorganisatsioon) IEC International Electro-technical Commission (Rahvusvaheline Elektrotehnikakomisjon) IEEE Institute of Electrical and Electronic Engineers (Elektri- ja Elektroonikainseneride Instituut) IFOV instantaneous-field-of-view (hetkeline vaateväli) ILS instrument landing system (instrumentaalmaandumissüsteem) IRIG inter-range instrumentation group (salvestusmeetodite normeerimise komisjon) ISAR inverse synthetic aperture radar (inverteeritud sünteesapertuuriga radar) ISO-kood International Organization for Standardization (Rahvusvaheline Standardiorganisatsioon) ITU International Telecommunication Union (Rahvusvaheline Telekommunikatsiooni Liit) JIS Japanese Industrial Standard (Jaapani tööstusstandard) JT Joule-Thomson LIDAR light detection and ranging (laserlokaator) LRU line replaceable unit (liini vahetatav moodul) MAC message authentication code (sõnumi autentimiskood) Mach ratio of speed of an object to speed of sound (after Ernst Mach) (eseme kiiruse suhe heli kiirusesse samas keskkonnas (Ernst Machi järgi)) MLIS molecular laser isotopic separation (molekulide laserergastusel põhinev eraldamine) MLS microwave landing systems (mikrolainemaandumissüsteemid) MOCVD metal organic chemical vapour deposition (keemiline aurustamine-sadestamine metallorgaanilistest ühenditest) MRI magnetic resonance imaging (magnetresonantskuvamine) MTBF mean-time-between-failures (keskmine tõrketusvältus) Mtops million theoretical operations per second (miljon teoreetilist operatsiooni sekundis) MTTF mean-time-to-failure (keskmine kasutusaeg tõrkeni) NBC Nuclear, Biological and Chemical (tuuma-, bioloogiline ja keemiline ehk massihävitus-) NDT non-destructive test (mittepurustav katsetus) PAR precision approach radar (täppislähenemisradar) PIN personal identification number (PIN-kood) ppm parts per million (miljondikosa) PSD power spectral density (võimsuse spektraaltihedus) QAM quadrature-amplitude-modulation (kvadratuurne amplituudmodulatsioon) RF radio frequency (raadiosagedus) SACMA Suppliers of Advanced Composite Materials Association (Edendatud Komposiitmaterjalide Tarnijate Assotsiatsioon) SAR synthetic aperture radar (sünteesapertuuriga radar) SC single crystal (monokristall) SLAR sidelooking airborne radar (õhusõiduki pardal külgvaateradar) SMPTE Society of Motion Picture and Television Engineers (Filmi- ja Televisiooniinseneride Ühing) SRA shop replaceable assembly (töökojas vahetatav agregaat) SRAM static random access memory (staatiline muutmälu) SRM SACMA Recommended Methods (SACMA soovitatavad meetodid) SSB single sideband (ühe külgribaga) SSR secondary surveillance radar (sekundaarseireradar) TCSEC trusted computer system evaluation criteria (Ameerika arvutisüsteemide informatsiooniturvalisuse hindamisnorm) TIR total indicated reading (kogu tulemus) UV ultraviolett UTS ultimate tensile strength (tõmbetugevus) VOR very high frequency omni-directional range (ülikõrgsageduslik ringsuunaline raadiomajakas) YAG yttrium/aluminum garnet (ütrium/alumiiniumgranaat)

0. KATEGOORIA – TUUMAMATERJALID, RAJATISED JA SEADMED

0ASüsteemid, seadmed ja komponendid

0A001Tuumareaktorid ja spetsiaalselt nende jaoks projekteeritud või valmistatud seadmed ja komponendid:

a.

tuumareaktorid, mis on võimelised käigus hoidma kontrollitavat isekulgevat tuumade lõhastumise ahelreaktsiooni;

b.

metallanumad või nende olulised osad, spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud hoidma tuumareaktori südamikku, kaasa arvatud reaktorianuma kaas reaktori surveanuma jaoks;

c.

manipuleeritavad seadmed, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud tuumakütuse tuumareaktorisse sisseviimiseks või sealt eemaldamiseks;

d.

reaktori kontrollvardad, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud tuumareaktoris toimuva tuuma lõhustumise protsessi kontrollimiseks, nende toetus- ja riputustarindid, varraste ajamid ning varraste juhiktorud;

e.

reaktori survetorud, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud sisaldama tuumareaktoris kütuseelemente ja primaarjahutit töörõhul üle 5,1 MPa;

f.

tsirkooniumist ja selle sulamitest valmistatud torud või torusõlmed, milles hafniumi ja tsirkooniumi suhe kaalu järgi on väiksem kui 1:500 ja mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud kasutamiseks tuumareaktorites;

g.

jahuti pumbad, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud primaarjahuti tsirkulatsiooni tekitamiseks tuumareaktoris;

h.

tuumareaktori siseosad, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud kasutamiseks tuumareaktoris, sealhulgas südamiku kandetarindid, kütusekanalid, soojusekraanid, deflektorid, südamiku restplaadid ja hajutiplaadid; Märkus: Punkti 0A001.h tähendavad reaktori siseosad kõiki olulisi struktuure reaktorianumas, millel on üks või enam ülesannet, nagu südamiku toestamine, kütuse asetuse säilitamine, primaarjahuti voolu suunamine, reaktorianuma kiirgusvarje ning südamikusiseste seadmete juhtimine.

i.

soojusvahetid (aurugeneraatorid), mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud kasutamiseks tuumareaktori primaarjahutusringis;

j.

neutronite detekteerimis- ja mõõteriistad, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud neutronvoo taseme kindlaksmääramiseks tuumareaktori südamikus.

0BTestimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed

0B001Isotoopide eraldustehased loodusliku uraani isotoopide, vaesestatud uraani isotoopide ja lõhustuvate erimaterjalide isotoopide eraldamiseks ning nende jaoks spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud seadmed ja komponendid: 0B002Spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud abisüsteemid, seadmed ja komponendid punktis 0B001 nimetatud isotoopide eraldusjaamadele, mis on valmistatud UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest või nendega kaitstud: 0B003Uraani konversiooniks ettenähtud tööjaam ja spetsiaalselt selleks projekteeritud või valmistatud seadmed: 0B004Raske vee, deuteeriumi ja selle ühendite tootmiseks või kontsentreerimiseks ettenähtud tehased ja spetsiaalselt selleks projekteeritud ja valmistatud seadmed ja komponendid: 0B005Tuumareaktorite kütuseelementide tootmiseks ettenähtud tehased ja spetsiaalselt selleks projekteeritud või valmistatud seadmed. Märkus:Tuumareaktori kütuseelementide tootmise tehas sisaldab seadmeid, mis: 0B006Tuumareaktoris kiiritatud kütuseelementide ümbertöötamiseks ettenähtud tehased ja spetsiaalselt selleks projekteeritud või valmistatud seadmed ja komponendid. Märkus: Punkt 0B006 hõlmab järgmist: 0B007Plutooniumi konversiooniks ettenähtud tööjaam ja spetsiaalselt selleks projekteeritud või valmistatud seadmed:

a.

tehased, mis on spetsiaalselt kavandatud loodusliku uraani isotoopide, vaesestatud uraani isotoopide, lõhustuvate erimaterjalide isotoopide eraldamiseks järgnevalt:

1. gaastsentrifugaaleraldustehas;

2. gaasdifusiooneraldustehas;

3. aerodünaamiline eraldustehas;

4. keemilise vahetusprotsessiga eraldustehas;

5. ioonvahetuseraldustehas;

6. atomaarse gaasi isotoopide lasereraldustehas (AVLIS);

7. molekulaarne isotoopide lasereraldustehas (MLIS);

8. plasmaeraldustehas;

9. elektromagnetiline eraldustehas;

b.

gaasitsentrifuugid, komplektid ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud gaasilise tsentrifugaaleraldusprotsessi jaoks, nagu: Märkus: Punktis 0B001.b tähendab kõrge tugevus/tihedussuhtega materjal järgmist:

a.

martensiitvanandatud teras, mille tõmbetugevus on 2050 MPa või rohkem;

b.

alumiiniumisulamid, mille tõmbetugevus on 460 MPa või rohkem; või

c.

kiud- või niitmaterjal, mille erimoodul on suurem kui 3,18 × 106 m ning mille eritõmbetugevus on suurem kui 76,2 × 103 m;

1. gaasitsentrifuugid;

2. terviklikud rootorsõlmed;

3. kõrge tugevuse/tiheduse suhtega materjalist valmistatud rootori torusilindrid seinapaksusega 12 mm või vähem ja diameetriga 75–400 mm;

4. kõrge tugevuse/tiheduse suhtega materjalist valmistatud rõngad või lõõtsad seinapaksusega 3 mm või vähem ja diameetriga 75–400 mm, mis on mõeldud rootortoru kohalikuks toetamiseks või mitme sellise ühendamiseks;

5. kõrge tugevuse/tiheduse suhtega materjalist valmistatud ja rootortoru sisse paigaldamiseks mõeldud tõkestid diameetriga 75–400 mm;

6. kõrge tugevuse/tiheduse suhtega materjalist valmistatud ja rootortoru otstele mõeldud ülemised ja alumised korgid diameetriga 75–400 mm;

7. magnetilised ripplaagrid, milles rõngasmagnet hõljub UF6 vastupidavatest materjalidest valmistatud ümbrises, sisaldades summutavat keskkonda ja omades magnetilist sidestust magnetpooluse või teise, rootori ülemisele kaanele sobitatud magnetiga;

8. spetsiaalselt valmistatud laagrid, mis sisaldavad poolkerakujulisi vastaslaagreid (pivot-cup) ning on monteeritud summutile;

9. molekulaarpumbad, mis koosnevad silindritest, millel on sisse freesitud või pressitud spiraalsed sooned ning puuritud augud;

10. rõngakujulised mootori staatorid mitmefaasiliste vahelduvvoolu hüsterees- (või reluktants-) mootorite sünkroonseks tööks vaakumis sagedusvahemikus 600–2000 Hz ja võimsuse vahemikus 50–1000 VA;

11. UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud gaasitsentrifuugi rootortoru agregaadi korpus/vastuvõtja, mis koosneb jäigast silindrist seinapaksusega kuni 30 mm ja on täpselt töödeldud otstega;

12. UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud kulbid, mis koosnevad kuni 12mm sisediameetriga torudest ja on ette nähtud UF6 gaasi eraldamiseks tsentrifuugrootortorust Pitot’ toru meetodil;

13. gaasi tsentrifuugrikastamise mootorite staatorite toiteks spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud sagedusmuundurid (konverterid või inverterid) ja nende spetsiaalselt konstrueeritud osad, millel on kõik järgmised tunnused:

13. a.

mitmefaasiline väljund 600–2000 Hz;

b.

sageduse stabiilsus on parem kui 0,1 %;

c.

harmoonmoonutused on alla 2 % ning

d.

efektiivsus on üle 80 %;

c.

seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud gaasilise difusiooneraldusprotsessi jaoks:

1. gaasilise difusiooni tõkked, mis on valmistatud UF6 korrosioonile vastupidavast poorsest metallist, polümeerist või keraamikast, pooride suurusega 10–100 nm, paksusega 5 mm või vähem ja torukujulised diameetriga 25 mm või vähem;

2. UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud gaasi difuusori korpused;

3. kompressorid (sundtoitega, tsentrifugaalse ja teljesihilise vooluga) või gaasipuhurid imivõimsusega 1 m3/min või rohkem ja väljundrõhuga kuni 666,7 kPa ning mis on valmistatud UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest või nendega kaitstud;

4. punktis 0B001.c.3 nimetatud pöörleva võlli tihendid kompressoritele ja puhuritele, mille kavandatud puhvergaasi sisselekke kiirus on väiksem kui 1000 cm3/min;

5. soojusvahetid, mis on valmistatud alumiiniumist, vasest, niklist või sulamitest, mis sisaldavad rohkem kui 60 massiprotsenti niklit, või nende metallide kombinatsioonidest kattetorudena, mis on kavandatud tööks alarõhul sellise lekkekiirusega, mis piirab rõhutõusu väiksemaks kui 10 Pa tunnis, rõhuerinevusel 100 kPa;

6. UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud lõõtsklapid diameetriga 40–1500 mm;

d.

seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud aerodünaamilise eraldusprotsessi jaoks:

1. UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest eraldusdüüsid, mis koosnevad pilukujulistest kumeratest kanalitest kõverusraadiusega alla 1 mm, millel on düüsi sees eralduslaba düüsist läbivoolava gaasi jaotamiseks kaheks vooks;

2. UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud tangentsiaalse sissevooluga juhitavad silindrilised või koonilised torud (turbulentstorud) diameetriga 0,5–4 cm ning pikkuse-diameetri suhtega 20:1 või vähem, mis on ühe või mitme tangentsiaalse sissevooluavaga;

3. UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud kompressorid (sundtoitega, tsentrifugaalse ja teljesihilise vooluga) või gaasipuhurid imivõimsusega 2 m3/min või enam ja pöörleva võlli tihendid nende jaoks;

4. UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud soojusvahetid;

5. UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud aerodünaamilise eralduselemendi korpused turbulentstorude või eraldusdüüside jaoks;

6. UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud lõõtsklapid diameetriga 40–1500 mm;

7. protsessisüsteemid UF6 eraldamiseks kandevgaasist (vesinik või heelium) UF6 sisaldusega kuni üks miljondikosa või vähem, kaasa arvatud:

7. a.

krüogeensed soojusvahetid ja krüoseparaatorid, mis taluvad –120 °C (153 K) või madalamat temperatuuri;

b.

krüogeensed jahutusseadmed, mis taluvad –120 °C (153 K) või madalamat temperatuuri;

c.

eraldusdüüsi- või turbulentstoruseadmed UF6 eraldamiseks kandevgaasist;

d.

UF6 külmlõksud, mis taluvad 253 K (–20 °C) või madalamat temperatuuri;

e.

seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud keemilisel vahetusel põhineva eraldusprotsessi jaoks:

1. kontsentreeritud soolhappele vastupidavad kiirvahetuse vedelik-vedelik impulsskolonnid ühel astmel viibimisajaga 30 s või vähem (valmistatud või vooderdatud sobivate plastmaterjalidega, nt fluorosüsivesinikpolümeerid või klaas);

2. kontsentreeritud soolhappele vastupidavad kiirvahetuse vedelik-vedelik tsentrifugaalsed kontaktorid töölava resideerimisajaga 30 s või vähem (valmistatud või vooderdatud sobivate plastmaterjalidega, nt fluorosüsivesinikpolümeerid või klaas);

3. kontsentreeritud soolhappe lahusele vastupidavad elektrokeemilise reduktsiooni kambrid uraani taandamiseks ühest valentsolekust teise;

4. sobivatest materjalidest (nt klaas, fluorosüsivesinikpolümeerid, polüfenüülsulfaat, polüeetersulfoon ja vaiguga immutatud grafiit) valmistatud või nendega kaitstud elektrokeemilise reduktsiooni kambrite etteandmise seadmed U+4 võtmiseks orgaanilisest voost ja nende protsessivooga kontaktis olevad osad;

5. etteannet ettevalmistavad süsteemid kõrge puhtusega uraankloriidlahuse valmistamiseks, mis koosnevad lahustamise, lahusti eraldamise ja/või ioonvahetuse seadmetest lahuse puhastamiseks, ja elektrolüütilised rakud U+6 või U+4 taandamiseks U+3-ks;

6. uraani oksüdeerimissüsteemid U+3 oksüdeerimiseks U+4;

f.

seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud ioonvahetusega eraldusprotsessi jaoks:

1. kiirelt reageerivad ioonvahetusvaigud, membraanikujulised või poorsed makrovõrgustikuga vaigud, milles aktiivsed keemilised vahetusrühmad piirduvad mitteaktiivse poorse tugistruktuuri pinnakattega ning teised komposiitstruktuurid mis tahes sobival kujul, kaasa arvatud osakesed või kiud diameetriga 0,2 mm või vähem, vastupidavad kontsentreeritud soolhappele ning projekteeritud omama väiksemat vahetuskiiruse poolaega kui 10 sekundit ja on töövõimelised temperatuuride vahemikus 100–200 °C (373–473 K);

2. kontsentreeritud soolhappele vastupidavatest materjalidest (nt titaan või fluorosüsinikplast) valmistatud või nendega kaitstud ja temperatuuride vahemikus 373–473 K (100–200 °C) ning rõhul üle 0,7 MPa töövõimelised (silindrilised) ioonvahetuskolonnid, mille diameeter on üle 1000 mm;

3. ioonvahetuse tagasijooksu süsteemid (keemilised või elektrokeemilised oksüdatsioon- või reduktsioonsüsteemid) ioonvahetuse rikastuskaskaadides kasutatavate keemilise redutseerimise või oksüdeerumise toimeainete regenereerimiseks;

g.

seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud atomaarse gaasi isotoopide lasereraldusprotsessi (AVLIS) jaoks, nagu:

1. uraani aurustamissüsteemides kasutamiseks mõeldud suure võimsusega riba või skaneerivad elektronkiirte kahurid väljastatava võimsusega üle 2,5 kW/cm;

2. sulauraani või uraanisulamite käsitlemiseks sobivad sulauraani kuumusele ja korrosioonile vastupidavatest materjalidest käitlemissüsteemid, mis koosnevad sobivatest korrosiooni- ja kuumakindlatest või nendega kaitstud materjalidest (nt tantaal, ütriumiga kaetud grafiit, grafiit, mis on kaetud teiste haruldaste muldmetallide oksiididega või nende segudega) valmistatud tiiglitest ning tiiglite jahutusseadmetest; NB! VT KA PUNKTI 2A225.

3. uraani korrosioonile vastupidavatest materjalidest (nt ütriumiga kaetud grafiit või tantaal) valmistatud või nendega vooderdatud saaduse ja jäätmete kogumissüsteemid;

4. uraani auru allika, elektronkiirte kahuri ning saaduse- ja jäätmekogujate jaoks ettenähtud eraldusmoodulite korpused (silindrilised või täisnurksed anumad);

5. pikemate ajavahemike jooksul töötamiseks mõeldud spektri sagedusstabilisaatoriga laserid või lasersüsteemid uraani isotoopide eraldamiseks; NB! VT KA PUNKTE 6A005 JA 6A205.

h.

seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud isotoopide molekulaarseks lasereraldamiseks (MLIS) või isotoopselektiivselt laseraktiveeritud keemilise reaktsiooni (CRISLA) jaoks, järgmiselt:

1. UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud ülehelikiirusliku paisumise düüsid UF6 ja kandevgaasi segude jahutamiseks temperatuurini –123 °C (150 K) või alla selle;

2. UF5/UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest uraanpentafluoriidi (UF5) saaduse kogujad, mis sisaldavad filtrit, põrke- või tsüklon-tüüpi kogujaid või nende kombinatsioone;

3. UF6 korrosioonile vastupidavatest materjalidest valmistatud või nendega kaitstud kompressorid ja nende jaoks ettenähtud pöörlevate võllide tihendid;

4. seadmed UF5 (tahke) fluoreerimiseks UF6-ks (gaasiline);

5. protsessisüsteemid UF6 eraldamiseks kandevgaasist (nt lämmastik või argoon), kaasa arvatud:

5. a.

krüogeensed soojusvahetid ja krüoseparaatorid, mis taluvad –120 °C (153 K) või madalamat temperatuuri;

b.

krüogeensed jahutusseadmed, mis taluvad –120 °C (153 K) või madalamat temperatuuri;

c.

UF6 külmlõksud, mis taluvad –20 °C (253 K) või madalamat temperatuuri;

6. pikemate ajavahemike jooksul töötamiseks mõeldud spektri sagedusstabilisaatoriga laserid või lasersüsteemid uraani isotoopide eraldamiseks; NB! VT KA PUNKTE 6A005 JA 6A205.

i.

seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud plasmaeraldusprotsessi jaoks:

1. üle 30 GHz väljundsagedusega ja üle 50 kW keskmise väljundvõimsusega võimsad mikrolaineallikad ja antennid ioonide tekitamiseks ja kiirendamiseks;

2. üle 40 kW keskmist võimsust käsitleda võimaldavad raadiosageduslikud ioonergastuse poolid üle 100 kHz sagedustele;

3. uraaniplasma genereerimissüsteemid;

4. sulametalli käitlemissüsteemid sulauraani või uraanisulamite käitlemiseks, mis koosnevad sobivatest korrosiooni- ja kuumakindlatest või nendega kaitstud materjalidest (nt tantaal, ütriumiga kaetud grafiit, grafiit, mis on kaetud teiste haruldaste muldmetallide oksiididega või nende segudega) valmistatud tiiglitest ning tiiglite jahutusseadmetest; NB! VT KA PUNKTI 2A225.

5. kuumusele ja uraaniaurude korrosioonile vastupidavatest materjalidest (nt ütriumiga kaetud grafiit või tantaal) valmistatud või nendega kaitstud saaduse- ja jäätmekogujad;

6. sobivast mittemagnetilisest materjalist (nt roostevaba teras) valmistatud eraldusmoodulite korpused (silindrilised) uraaniplasma allika, raadiosagedusliku ergutuspooli ning saaduse- ja jäätmekoguja jaoks;

j.

seadmed ja komponendid, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud elektromagnetilise eraldusprotsessi jaoks:

1. sobivatest mittemagnetilistest materjalidest (nt grafiit, roostevaba teras või vask) valmistatud üksikud või kombineeritud iooniallikad, mis koosnevad auruallikatest, ionisaatorist ja kiirte kiirendist ning mis on võimelised tekitama ioonkiire koguvooluga 50 mA või enam;

2. sobivast mittemagnetilisest materjalist (nt grafiit või roostevaba teras) valmistatud, kahest või enamast pilust ja kogumistaskust koosnevad ioonkollektori plaadid rikastatud või vaesestatud uraani ioonkiirte kogumiseks;

3. mittemagnetilistest materjalidest (nt roostevaba teras) valmistatud vaakumkorpused uraani elektromagnetilistele separaatoritele, mis on kavandatud tööks rõhul 0,1 Pa ja vähem;

4. magnetpooluse detailid diameetriga üle 2 m;

5. kõrgepinge toiteallikad iooniallikatele, millel on kõik järgmised omadused: NB! VT KA PUNKTI 3A227.

5. a.

võimelised pidevaks tööks;

b.

väljundpingega 20000 V või rohkem;

c.

väljundvooluga 1 A või rohkem ning

d.

pingetundlikkusega, mis on 8 tunni vältel parem kui 0,01 %;

6. magnetite toiteallikad (suure võimsusega, alalisvoolulised), millel on kõik järgmised omadused: NB! VT KA PUNKTI 3A226.

6. a.

võimelised pidevaks tööks väljundvooluga 500 A või rohkem ja pingega 100 V või rohkem ning

b.

voolu- ja pingetundlikkus on 8 tunni vältel parem kui 0,01 %.

a.

etteande autoklaavid, ahjud või süsteemid UF6 läbilaskmiseks rikastusprotsessis;

b.

desublimaatorid või külmlõksud, mida kasutatakse UF6 eraldamiseks rikastusprotsessist, selle järgnevaks kuumutamise abil toimuvaks edasitoimetamiseks;

c.

saaduse ja jäätmete jaamad UF6 toimetamiseks mahutitesse;

d.

veeldamis- või tahkestamisjaamad, mida kasutatakse UF6 eraldamiseks rikastusprotsessist UF6 kokkusurumise ja vedelasse või tahkesse olekusse viimise teel;

e.

toru- ja kogujasüsteemid, mis on spetsiaalselt ette nähtud UF6 käsitlemiseks gaasilise difusiooni, tsentrifuug- või aerodünaamilistes kaskaadides;

f.

1. vaakumkollektorid või vaakumkogujad imivõimsusega 5 m3/min või rohkem; või

2. vaakumpumbad, mis on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks UF6 sisaldavas atmosfääris;

g.

järgmiste omadustega UF6 mass-spektromeetrid/iooniallikad, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud jooksvaks proovide võtmiseks etteandest, saadusest või jäätmetest UF6 gaasivoos:

1. ühe aatommassiühiku lahutusvõime üle 320 amü (aatommassiühik) massi korral;

2. iooniallikad, mis on valmistatud või vooderdatud nikroomiga, moneliga või on nikeldatud;

3. elektronpommitamisel põhinevad ionisatsiooniallikad ning

4. isotoopanalüüsiks sobivad kollektorsüsteemid.

a.

süsteemid, mis on ette nähtud uraanimaagi kontsentraatide konversiooniks UO3ks;

b.

süsteemid, mis on ette nähtud UO3 konversiooniks UF6ks;

c.

süsteemid, mis on ette nähtud UO3 konversiooniks UO2ks;

d.

süsteemid, mis on ette nähtud UO2 konversiooniks UF4ks;

e.

süsteemid, mis on ette nähtud UF4 konversiooniks UF6ks;

f.

süsteemid, mis on ette nähtud UF4 konversiooniks uraanimetalliks;

g.

süsteemid, mis on ette nähtud UF6 konversiooniks UO2ks;

h.

süsteemid, mis on ette nähtud UF6 konversiooniks UF4ks;

i.

süsteemid, mis on ette nähtud U02 konversiooniks UCl4ks.

a.

järgmised süsteemid raske vee, deuteeriumi ja selle ühendite tootmiseks:

1. vesi-vesiniksulfiid-vahetustehased;

2. ammoniaak-vesinik-vahetustehased;

b.

järgmised seadmed ja komponendid:

1. peensüsinikterasest (nt ASTM A516) valmistatud vesi-vesiniksulfiid-vahetuskolonnid diameetriga 6–9 m, mis on töövõimelised 2 MPa või kõrgemal rõhul ning materjali korrosioonivaruga, mis on 6 mm või suurem;

2. üheastmelised madalsurvelised (st 0,2 MPa) tsentrifugaalventilaatorid või kompressorid vesiniksulfiidgaasi (st gaasi, mis sisaldab enam kui 70 % H2S) ringluse tagamiseks, mille jõudlus on 56 m3/sekundis või rohkem, imedes 1,8 MPa või kõrgemal rõhul, ning mille tihendid on ette nähtud taluma niisket H2S keskkonda;

3. ammoniaak-vesinik-vahetuskolonnid kõrgusega 35 m või rohkem, diameetriga 1,5 m–2,5 m, mis on töövõimelised üle 15 MPa suurusel rõhul;

4. torni siseosad, kaasa arvatud astmereaktorid ja astmepumbad, kaasa arvatud sukelpumbad, raske vee tootmiseks ammoniaak-vesinik-vahetusprotsessi abil;

5. 3MPa või suurema töörõhuga ammoniaagikrakkerid raske vee tootmiseks, kasutades ammoniaak-vesinik-vahetusprotsessi;

6. infrapuna-absorptsioonanalüsaatorid, mis on võimelised jätkuvaks samaaegseks vesinik/deuteeriumi suhte analüüsiks deuteeriumi kontsentratsioonil 90 % või rohkem;

7. katalüütilised põletid, ammoonium-vesinik-vahetusprotsessi abil rikastatud gaasilise deuteeriumi muutmiseks raskeks veeks;

8. täielikud raske vee parandamise süsteemid või nende kolonnid raske vee deuteeriumisisalduse muutmiseks reaktorikõlblikuks.

a.

on tavaolukorras kokkupuutes tuumamaterjalide tootevooga või osalevad otseselt selle tootmisel või juhtimisel;

b.

hermetiseerib tuumamaterjali kattesse;

c.

kontrollib katte terviklikkust või hermeetilisust või

d.

kontrollib hermeetiliselt suletud kütuse lõppkäsitlemist.

a.

tuumareaktori kiiritatud kütuseelementide ümbertöötlemistehased, kaasa arvatud seadmed ja nende osad, mis otseselt juhivad kiiritatud tuumakütuse ja enamiku tuumamaterjali lõhustumissaaduste käitlemisvooge ning on tavaolukorras sellega kokkupuutes;

b.

kütuseelemendi tükeldamise või hakkimismasinad, st kaugjuhitavad seadmed kiiritatud tuumakütuse agregaatide, kimpude või varraste lõikamiseks, tükeldamiseks, hakkimiseks või lõikumiseks;

c.

lahustuspaagid, kriitilisturvalised mahutid (nt väikse diameetriga, rõnga- või plaadikujulised mahutid), mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud kasutamiseks kiiritatud tuumakütuse lahustamisel ja mille tööpinnad on vastupidavad kuuma ja ülimalt korrodeeriva vedeliku suhtes ning mis on kaugjuhitavalt täidetavad ja hooldatavad;

d.

vastuvoolu lahustiekstraktorid ja ioonivahetusprotsessi seadmed, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud kasutamiseks kiiritatud loodusliku uraani, vaesestatud uraani või lõhustuvate erimaterjalide ümbertöötlemistehases;

e.

säilitus- ja ladustamisanumad, mis on projekteeritud kriitilisturvaliseks ning korrosioonikindlaks lämmastikhappe söövitavale mõjule; Märkus: Säilitus- ja ladustamisanumatel võivad olla järgmised omadused:

1. seinte ja sisestruktuuride booriekvivalendi väärtus on (arvutatakse kõikide koostisosade kohta, nagu on määratletud punkti 0C004 märkuses) vähemalt 2 %;

2. silindriliste anumate diameeter ei ületa 175 mm või

3. plaadi- või rõngakujuliste anumate laius ei ületa 75 mm;

f.

protsessi juhtimisseadmed, mis on spetsiaalselt projekteeritud või valmistatud kiiritatud loodusliku uraani, vaesestatud uraani või lõhustuvate erimaterjalide ümbertöötlemisprotsessi jälgimiseks ja juhtimiseks.

a.

süsteemid, mis on ette nähtud plutooniumnitraadi muutmiseks plutooniumoksiidiks;

b.

süsteemid, mis on ette nähtud metallilise plutooniumi tootmiseks.

0CMaterjalid 0C001Looduslik uraan, vaesestatud uraan või toorium metalli, sulami, keemilise ühendi või kontsentraadi kujul ja materjalid, mis sisaldavad mis tahes eelnevalt nimetatud ühendit või ühendeid; Märkus: Punkt 0C001 ei hõlma järgmist: 0C002Lõhustuvad erimaterjalid Märkus: Punkt 0C002 ei hõlma kogust, milleks on neli või vähem efektiivgrammi instrumentide anduriosades. 0C003Deuteerium, raske vesi (deuteeriumoksiid) ja teised deuteeriumiühendid ning segud ja deuteeriumi sisaldavad lahused, milles deuteeriumi ja vesiniku isotoopsuhe on suurem kui 1:5000. 0C004Tuumatehnoloogilise puhtuseastmega grafiit, mille booriekvivalent on väiksem kui 5 miljondikku ja tihedus üle 1,5 g/cm3. NB! VT KA PUNKTI 1C107. Märkus 1: Punkt 0C004 ei hõlma järgmist: Märkus 2: Punktis 0C004 on booriekvivalent (BE) määratletud kui lisandite BEz-de summa (v.a BEsüsinik, kuna süsinikku ei loeta lisandiks) koos booriga, kus: BEZ(ppm) = CF x elemendi Z kontsentratsioon ppm-des; kus CF on teisendustegur = σZABσBAZ ning σB ja σZ on vastavalt loodusliku boori ja elemendi Z soojuslike neutronite haarde ristlõige (barnides); AB ja AZ on vastavalt loodusliku boori ja elemendi Z aatommassid. 0C005Gaasilise difusiooni tõkete valmistamiseks ettenähtud UF6 korrosioonile vastupidavad ühendid või pulbrid (nt nikkel või sulam, mis sisaldab 60 massiprotsenti või rohkem niklit, alumiiniumoksiid ja täielikult fluoritud süsivesinikpolümeerid) puhtusastmega 99,9 massiprotsenti või rohkem, mille osakeste suurus mõõdetuna vastavalt USA Materjalide Katsetamise Ühingu (ASTM) standardile B330 on 10 μm või vähem ning milles osakeste jaotus suuruse järgi on väga väike.

0CMaterjalid a.

looduslik uraan või vaesestatud uraan, kui seda on instrumentide anduriosades neli grammi või vähem;

b.

vaesestatud uraan, mis on spetsiaalselt valmistatud tsiviilkasutuseks järgmistel mittetuuma-eesmärkidel:

1. kaitse;

2. pakendamine;

3. ballastid massiga kuni 100 kg;

4. vastukaalud massiga kuni 100 kg;

c.

sulamid, mis sisaldavad alla 5 % tooriumi;

d.

tooriumi sisaldavad keraamikatooted, mis on valmistatud mitte-tuuma eesmärkidel kasutamiseks.

a.

grafiittooted, mille mass on alla 1 kg ja mis ei ole spetsiaalselt projekteeritud ega valmistatud kasutamiseks tuumareaktorites;

b.

grafiidipulber.

0DTarkvara 0D001Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud käesolevas kategoorias nimetatud kaupade arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks.

0ETehnoloogia

0E001Tuumatehnoloogia märkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud käesolevas kategoorias nimetatud kaupade arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks.

1. KATEGOORIA – MATERJALID, KEMIKAALID, MIKROORGANISMID JA TOKSIINID

1ASüsteemid, seadmed ja komponendid Tehniline märkus:

1A001Järgmised fluoritud segudest valmistatud komponendid: 1A002Komposiitstruktuurid või -laminaadid, millel on: NB! VT KA PUNKTE 1A202, 9A010 ja 9A110. Märkus 1: Punkt 1A002 ei hõlma komposiitstruktuure või- laminaate, mis on valmistatud epoksüvaiguga immutatud süsinikkiust või niitmaterjalidest, mis on ettenähtud õhusõiduki tarindite või laminaatide parandamiseks, kui pindala ei ületa 1 m2. Märkus 2: Punkt 1A002 ei hõlma valmistooteid ega pooltooteid, mis on ette nähtud kasutamiseks tsiviilotstarbel: 1A003Punktis 1C008.a.3 nimetatud mittefluoritud polümeeridest valmistatud kile-, lehe-, lindi- või paelakujulised tooted, mis on järgmiste omadustega: Märkus: Punkt 1A003 ei käsitle tooteid, mis on kaetud või lamineeritud vasega ja on kavandatud trükkplaatide tootmiseks. 1A004Kaitse- ja avastamisseadmed ning nende komponendid, mida ei ole nimetatud sõjaliste kaupade nimekirjas: NB! VT KA PUNKTE 2B351 JA 2B352. Märkus: Punkt 1A004 ei hõlma järgmist: 1A005Kuulikindlad vestid ja spetsiaalselt nende jaoks kavandatud komponendid, välja arvatud need, mis on valmistatud sõjaliste standardite või spetsifikatsioonide kohaselt või nendega samaväärsete eeskirjade kohaselt. NB! VT KA SÕJALISTE KAUPADE NIMEKIRJA. NB! Kuulikindlate vestide valmistamiseks kasutatavate kiud- ja niitmaterjalide kohta vt punkti 1C010. Märkus 1: Punkt 1A005 ei hõlma kuulikindlaid veste või kaitserõivaid, kui inimene kasutab neid oma isiklikuks kaitseks. Märkus 2: Punkt 1A005 ei käsitle kuulikindlaid veste, mis on kavandatud pakkuma vaid frontaalset kaitset mittesõjaliste lõhkeseadeldiste kildude ja plahvatuse eest. 1A102Korduvküllastatud pürolüüsitud süsinik-süsinik-komponendid, mis on ette nähtud kasutamiseks punktis 9A004 nimetatud kanderakettides või punktis 9A104 nimetatud sondrakettides. 1A202Komposiitstruktuurid, muud kui punktis 1A002 nimetatud, torude kujul, millel on mõlemad järgmised omadused: NB! VT KA PUNKTE 9A010 ja 9A110. 1A225Platineeritud katalüsaatorid, mis on ispetsiaalselt projekteeritud või valmistatud vesiniku isotoopidevahetusreaktsiooni aktiveerimiseks vesiniku ja vee vahel, triitiumi tagasisaamiseks raskest veest või raske vee tootmiseks. 1A226Spetsiaalsed topendid, mida võib kasutada raske vee eraldamiseks tavalisest veest ja millel on on mõlemad järgmised omadused: 1A227Kõrgtihedad (pliiklaasist vms) kiirgusvarjeaknad, millel on kõik järgmised omadused, ning spetsiaalselt selliste akende jaoks projekteeritud raamid: Punktis 1A227 tähendab külm piirkond akna väljavaateala, mis on kavandatud kasutuse korral avatud madalaimale kiirgustasemele.

1ASüsteemid, seadmed ja komponendid a.

mansetid, tihendid, hermeetikud või kütusepõied, mis on spetsiaalselt kavandatud õhu- või kosmosesõidukitel kasutamiseks ning mille valmistamisel on kasutatud üle 50 massiprotsendi punktis 1C009.b või 1C009.c nimetatud materjale;

b.

piesoelektrilised polümeerid ja kopolümeerid, mis on valmistatud punktis 1C009.a nimetatud vinülideenfluoriidmaterjalidest:

1. lehe või kilena ning

2. paksusega üle 200 μm;

c.

mansetid, tihendid, klapipesad, põied ja membraanid, mis on spetsiaalselt kavandatud õhu- ja kosmosesõidukite ja rakettmürskude jaoks ning valmistatud fluoroelastomeeridest, mis sisaldavad vähemalt üht vinüüleetrirühma. Märkus: Punktis 1A001.c tähendab rakettmürsk terviklikke raketisüsteeme ja mehitamata õhusõidukisüsteeme.

a.

orgaaniline põhiaine, mis on valmistatud punktis 1C010.c, 1C010.d või 1C010.e nimetatud materjalidest või

b.

metall- või süsinikpõhiaine ning on valmistatud:

1. süsinikkiust või niitmaterjalist, mille:

1. a.

erimoodul on üle 10,15 × 106 m ning

b.

eritõmbetugevus on üle 17,7 × 104 m või

2. punktis 1C010.c nimetatud materjalidest.

a.

spordikaupadena;

b.

autotööstuses;

c.

tööpingitööstuses;

d.

meditsiinis.

a.

paksusega üle 0,254 mm või

b.

kaetud või lamineeritud süsiniku, grafiidi, metallide või magnetiliste ainetega.

a.

gaasimaskid, filtrid ja saaste kõrvaldamise seadmed, mis on kavandatud või kohandatud kaitseks bioloogiliste toimeainete või sõjaliseks kasutamiseks kohandatud radioaktiivsete ainete või keemiliste ründeainete eest ning nende jaoks kavandatud komponendid;

b.

kaitseülikonnad, -kindad ja -jalatsid, mis on spetsiaalselt kavandatud või kohandatud kaitseks bioloogiliste toimeainete või sõjaliseks kasutamiseks kohandatud radioaktiivsete ainete või keemiliste ründeainete eest;

c.

tuuma-, bioloogilise ja keemilise (NBC) saaste avastamise süsteemid, mis on spetsiaalselt kavandatud või kohandatud bioloogiliste toimeainete või sõjaliseks kasutamiseks kohandatud radioaktiivsete ainete või keemiliste ründeainete avastamiseks ja identifitseerimiseks, ning nende jaoks kavandatud komponendid.

a.

personaalsed radiatsioonidosimeetrid;

b.

seadmed, mille konstruktsioon või funktsioonid on piiratud kaitseks tsiviiltegevuses, nagu all- ja pealmaakaevandamine, põllumajandus, ravimitööstus, meditsiin, veterinaaria, keskkond, jäätmekäsitlus, või toiduainetööstus esinevate iseloomulike riskide eest.

a.

sisediameeter 75–400 mm ning

b.

valmistatud punktides 1C010.a või 1C010.b või punktis 1C210.a nimetatud kiud- või niitmaterjalist või punktis 1C210.c nimetatud süsinikprepregmaterjalist.

a.

valmistatud fosforpronksvõrgust, mida on märguvuse parandamiseks keemiliselt töödeldud ning

b.

kavandatud kasutamiseks vaakumdestillatsioonikolonnides.

a.

külm (kiirgusvaba) piirkond on suurem kui 0,09 m2;

b.

tihedus on üle 3 g/cm3ning

c.

paksus on 100 mm või rohkem.

1BTestimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed

1B001Järgmised seadmed punktides 1A002 ja 1C010 nimetatud kiudude, prepregmaterjalide, eelvormide ja komposiitide tootmiseks ning nende jaoks ettenähtud komponendid ja lisaseadmed: NB! VT KA PUNKTE 1B101 JA 1B201. 1B002Seadmed, mis on ette nähtud metallisulamite, metallisulamipulbrite või legeeritud materjalide tootmiseks ja saastumise vältimiseks ning kavandatud punktis 1C002.c2 nimetatud protsessides kasutamiseks. NB! VT KA PUNKTI 1B102. 1B003Titaani, alumiiniumi või nende sulamite üliplastseks vormimiseks või difusioonkeevitamiseks ettenähtud tööriistad, stantsid, vormid ja rakised järgmiste toodete valmistamiseks: 1B101Muud kui punktis 1B001 nimetatud seadmed, mis on ette nähtud järgmiste struktuurkomposiitide tootmiseks, ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud komponendid ja lisaseadmed: NB! VT KA PUNKTI 1B201. Märkus: Punktis 1B101 määratletud komponendid ja lisaseadmed hõlmavad valuvorme, torne, stantse, rakiseid ning tööriistasid komposiitstruktuuride, -laminaatide ja nende toodete eelvormi pressimiseks, tahkestamiseks, valamiseks, paagutamiseks või kleepimiseks. 1B102Muud kui punktis 1B002 nimetatud metallipulbri tootmisseadmed ja järgmised komponendid: NB! VT KA PUNKTI 1B115.b. Märkus: Punkt 1B102 hõlmab järgmist: 1B115Muud kui punktis 1B002 või 1B102 nimetatud seadmed raketikütuse ja raketikütuse koostisosade tootmiseks ja nende jaoks ettenähtud komponendid: Märkus: Punkt 1B115.b ei hõlma perioodilisi segisteid, pidevsegisteid ega paiskveskeid. Perioodiliste segistite, pidevsegistite ja paiskveskite kontrolli vaata punktidest 1B117, 1B118 ja 1B119. Märkus 1: Sõjaliste kaupade tootmiseks spetsiaalselt kavandatud seadmete kohta vaata sõjaliste kaupade nimekirja. Märkus 2: Punkt 1B115 ei hõlma boorkarbiidi tootmise, käitlemise ja heakskiidukatsete seadmeid. 1B116Düüsid, mis on spetsiaalselt kavandatud pürolüütiliselt saadud materjalide tootmiseks, mis on moodustunud valuvormil, spindlil või muul alusel lähtegaasidest, mis lagunevad temperatuurivahemikus 1573 K (1300 °C) kuni 3173 K (2900 °C), rõhul 130 Pa–20 kPa. 1B117Perioodilised segistid segamiseks vaakumis rõhuvahemikus 0–13326 kPa võimalusega reguleerida segamiskambri temperatuuri, millel on kõik järgmised omadused: 1B118Pidevsegistid segamiseks vaakumis rõhuvahemikus 0–13326 kPa reguleeritava temperatuuriga segamiskambris, millel on mis tahes järgmised omadused: 1B119Paiskveskid punktis 1C011.a, 1C011.b, 1C111 või sõjaliste kaupade nimekirjas nimetatud ainete peenestamiseks või jahvatamiseks ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud osad. 1B201Elementaarkiu poolimispingid, muud kui punktis 1B001 või 1B101 nimetatud, ja nendega seotud järgmised seadmed: 1B225Elektrolüüsivannid fluori tootmiseks, mille tootmisvõimsus on enam kui 250 g fluori tunnis. 1B226Elektromagnetilised isotoopseparaatorid, mis on kavandatud või varustatud ühe või mitme iooniallikaga, võimaldades maksimaalset ioonkiirte voolu 50 mA või rohkem. Märkus: Punkt 1B226 hõlmab separaatoreid: 1B227Ammoniaagi sünteesimiskonverterid või ammoniaagi sünteesiseadmed, milles sünteesgaas (lämmastik ja vesinik) eemaldatakse kõrgsurve ammoniaak/vesinik-vahetuskolonnist ja sünteesitud ammoniaak suunatakse tagasi samasse kolonni. 1B228Vesiniku krüodestillatsiooni kolonnid, millel on kõik järgmised omadused: 1B229Järgmised vesi-vesiniksulfiid-vahetuskolonnid ja nende sisekontaktorid: NB! Spetsiaalselt raske vee tootmiseks kavandatud või valmistatud kolonnide kohta vt punkti 0B004. 1B230Pumbad, mis tsirkuleerivad kontsentreeritud või lahjendatud kaaliumamiidi katalüsaatorlahuseid vedelas ammoniaagis (KNH2/NH3) ja millel on kõik järgmised omadused: 1B231Triitiumi tootmisrajatised või -tehased ning seadmed nende jaoks: 1B232Turboekspandrid või turboekspander-kompressorgarnituurid, millel on järgmised omadused: 1B233Liitiumi isotoopide eraldusrajatised või -tehased ning seadmed nende jaoks:

a.

elementaarkiu poolimispingid, mille liikumine positsioneerimiseks, kiudude poolimiseks ja mähkimiseks on koordineeritud ja programmeeritud kolme või enama telje suhtes ja mis on spetsiaalselt ette nähtud komposiitstruktuuride või -laminaatide tootmiseks kiud- või niitmaterjalidest;

b.

lintimis- ja köisikupaigalduspingid, mille liikumine lindi, köisiku või lehtede positsioneerimiseks ja paigaldamiseks on koordineeritud ja programmeeritud kahe või enama telje suhtes ja mis on spetsiaalselt ette nähtud komposiitsete õhusõiduki plaanerite või rakettmürskude tarindite tootmiseks; Märkus: Punktis 1B001.b tähendab rakettmürsk terviklikke raketisüsteeme ja mehitamata õhusõidukisüsteeme.

c. Tehniline märkus:

mitmesuunalised ja -dimensioonilised kudumisteljed või põimimispingid kiudude kudumiseks, põimimiseks või punumiseks komposiitstruktuuride tootmise eesmärgil ning nende adapterid ja ümberseadistamiskomplektid; Punkti 1B001.c tähenduses hõlmab põimimine kudumist. Märkus: Punkt 1B001.c ei hõlma tekstiilitööstuses kasutatavaid seadmeid, mida ei ole seadistatud eespool nimetatud lõppkasutuseks.

d.

järgmised armeerimiskiudude tootmiseks ettenähtud või kohandatud seadmed:

1. seadmed polümeerkiudude (nt polüakrüülnitriil, raion, pigi või polükarbosilaan) muutmiseks süsinikkiududeks või ränikarbiidkiududeks, kaasa arvatud eriseadmed kiudude pingutamiseks kuumutamise jooksul;

2. seadmed kuumutatud kiudsubstraatide katmiseks elementide või ühenditega keemilise aursadestamise abil ränikarbiidkiudude tootmiseks;

3. seadmed kuumuskindla portselani (nt alumiiniumoksiid) märgketruseks;

4. seadmed lähteaineks olevate alumiiniumisisaldusega kiudude muutmiseks termotöötlemisel alumiiniumoksiidkiududeks;

e.

seadmed punktis 1C010.e nimetatud prepregmaterjalide tootmiseks kuumsulatusmeetodil;

f.

spetsiaalsed mittepurustavad kontrollseadmed defektide kolmemõõtmeliseks otsinguks komposiitmaterjalides ultraheli- või röntgentomograafia abil.

a.

õhusõidukite plaanerite või kosmosesõidukite tarindid;

b.

õhu- või kosmosesõidukite mootorid või

c.

spetsiaalselt kavandatud komponendid nendele tarinditele või mootoritele.

a.

elementaarkiu poolimispingid, mille liikumine positsioneerimiseks, kiudude poolimiseks ja mähkimiseks on koordineeritud ja programmeeritud kolme või enama telje suhtes ja mis on spetsiaalselt ette nähtud komposiitstruktuuride või -laminaatide tootmiseks kiud- või kiudmaterjalidest, ning koordineerimise ja programmeerimise juhtseadmed;

b.

lintimispingid, mille liikumine lindi või lehtede positsioneerimiseks ja paigaldamiseks on koordineeritavad ja programmeeritavad kahe või enama telje suhtes ja mis on spetsiaalselt ette nähtud komposiitsete õhusõiduki plaanerite või rakettmürskude tarindite tootmiseks;

c.

järgmised kiud- või niitmaterjalide tootmiseks kavandatud või seadistatud seadmed:

1. seadmed polümeerkiudude (nt polüakrüülnitriil, raion või polükarbosilaan) muutmiseks, kaasa arvatud spetsiaalne varustus kiudude pingutamiseks kuumutamise jooksul;

2. kuumutatud kiudsubstraatidele elementide või ühendite aursadestamise seadmed;

3. seadmed kuumuskindla portselani (nt alumiiniumoksiid) märgketruseks;

d.

seadmed, mis on kavandatud või seadistatud spetsiaalseks kiudude pinnatöötluseks või punktis 9C110 nimetatud prepregmaterjalide ja eelvormide tootmiseks. Märkus: Punktis 1B101.d nimetatud seadmete hulka kuuluvad rullid, venitus-, pindamis- ja lõikeseadmed ning matriitsid.

a.

metallipulbri tootmisseadmed, mida saab kasutada punktis 1C011.a, 1C011.b, 1C111.a.1, 1C111.a.2 või sõjaliste kaupade nimekirjas nimetatud sfääriliste või pihustatud materjalide tootmiseks kontrollitavas keskkonnas;

b.

spetsiaalselt kavandatud punktis 1B002 või 1B102.a nimetatud tootmisseadmed.

a.

plasmageneraatorid (kõrgsageduslik kaarleek), mida kasutatakse pihustatud või sfääriliste metallipulbrite saamiseks argoon-vesi keskkonnas teostatava menetlusega;

b.

elektrilahendusseadmed, mida kasutatakse pihustatud või sfääriliste metallipulbrite saamiseks argoon-vesi keskkonnas teostatava menetlusega;

c.

seadmed, mida kasutatakse sfääriliste alumiiniumipulbrite tootmiseks, pihustades sulametalli inertsesse keskkonda (nt lämmastik).

a.

tootmisseadmed punktis 1C011.a, 1C011.b, 1C111 või sõjaliste kaupade nimekirjas nimetatud vedelate raketikütuste või raketikütuse koostisosade tootmiseks, käitlemiseks või heakskiidukatseteks;

b.

tootmisseadmed punktis 1C011.a, 1C011.b, 1C111 või sõjaliste kaupade nimekirjas nimetatud tahkete raketikütuste või raketikütuse koostisosade tootmiseks, käitlemiseks, segamiseks, tahkestamiseks, valuks, pressimiseks, töötlemiseks, ekstrusiooniks või heakskiidukatseteks.

a.

kogumaht 110 liitrit ja rohkem ning

b.

vähemalt ühe ekstsentrilise segamis-/sõtkumisvõlliga.

a.

kaks või rohkem segamis-/sõtkumisvõlli või

b.

üks pöörlev võnkliikuv võll, millel on sõtkumishambad/-sõrmed nii võllil kui ka segamiskambri seinte siseküljel.

a.

elementaarkiu poolimispingid, millel on kõik järgmised omadused:

1. mille liikumine positsioneerimiseks, kiudude poolimiseks ja mähkimiseks on koordineeritud ja programmeeritud kahe või enama telje suhtes;

2. mis on ette nähtud komposiitstruktuuride või -laminaatide tootmiseks kiud- või niitmaterjalidestning

3. mis võimaldavad 75–400 mm diameetriga ja 600 mm pikkuste või pikemate silindriliste rootorite mähkimist;

b.

punktis 1B201.a nimetatud elementaarkiu poolimispinkide koordineerimis- ja programmeerimisseadmed;

c.

punktis 1B201.a nimetatud elementaarkiu poolimispinkide täpsustornid.

a.

mis võimaldavad rikastada stabiilseid isotoope;

b.

millel mõlemad, nii iooniallikad kui ka kollektorid, võivad asuda kas magnetväljas või väljaspool magnetvälja.

a.

ette nähtud tööks temperatuuril 35 K (–238 °C) või vähem;

b.

ette nähtud töötama siserõhul 0,5–5 MPa;

c.

valmistatud:

1. vähese väävlisisaldusega 300-seeria roostevabast terasest, mille austeniitse tera suurus on 5 või suurem ASTM-i (või samaväärse standardi) järgi, või

2. samalaadsetest ülimadalat temperatuuri ja H2 keskkonda taluvatest materjalidest ning

d.

sisediameetriga 1 m või rohkem ning tegeliku pikkusega 5 m või üle selle.

a.

vesi-vesiniksulfiid-taldrikvahetuskolonnid, millel on kõik järgmised omadused:

1. võivad töötada rõhul 2 MPa või rohkem;

2. valmistatud süsinikterasest, mille austeniitse tera suurus on 5 või suurem ASTM-i (või samaväärse standardi) järgi, ning

3. diameetriga 1,8 m või rohkem;

b. Tehniline märkus:

punktis 1B229.a määratletud vesi-vesiniksulfiid-taldrikvahetuskolonnide jaoks ettenähtud sisekontaktorid. Kolonnide sisekontaktoriteks on segmenditud taldrikud efektiivdiameetriga 1,8 m või rohkem, mis on konstrueeritud hõlbustama vastuvoolukontakti ning on valmistatud roostevabast terasest süsinikusisaldusega 0,03 % või vähem. Need võivad olla sõeltaldrikud, ventiiltaldrikud, kellakujulised või turbovõretaldrikud.

a.

õhutihedad (st hermeetiliselt suletud);

b.

tootlikkusega 8,5 m3/h või rohkem ning

c.

üks järgmistest omadustest:

1. kontsentreeritud kaaliumamiidilahuste (1 %lise või suurema kontsentratsiooniga) jaoks on töörõhk 1,5–60 MPa või

2. lahjendatud kaaliumamiidilahuste (alla 1 %lise kontsentratsiooniga) jaoks on töörõhk 20–60 MPa.

a.

tootmisrajatised või -tehased triitiumi tootmiseks, taastamiseks, ekstraheerimiseks, kontsentreerimiseks või käitlemiseks;

b.

seadmed triitiumi tootmisrajatiste või -tehaste jaoks järgmiselt:

1. vesinik- või heeliumijahutusmoodulid jahutusvõimega 23 K (–250 °C) või sellest madalamale ning soojusärastamisvõimega 150 W või rohkem;

2. vesiniku isotoopide kogumis- ja puhastussüsteemid, mis koguvad ja puhastavad metallhüdriidide keskkonnas.

a.

projekteeritud töötamiseks väljundtemperatuuril 35 K (–238 °C) või madalamal ning

b.

projekteeritud vesinikgaasi tootlikkus 1000 kg/h või rohkem.

a.

rajatised või tehased liitiumi isotoopide eraldamiseks;

b.

seadmed liitiumi isotoopide eraldamiseks järgmiselt:

1. täidetud vedelik-vedelik-vahetuskolonnid, mis on spetsiaalselt kavandatud liitiumamalgaamidele;

2. elavhõbeda või liitiumamalgaami pumbad;

3. liitiumamalgaami elektrolüüsikambrid;

4. aurustid kontsentreeritud liitiumhüdroksiidilahuste jaoks.

1CMaterjalid Tehniline märkus: Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehnilised märkused:

Metallid ja sulamid töötlemata kujul: pooltöödeldud kujul (pinnatud või pindamata, kaetud teisest metallist kihiga (metallitud), puuritud või augustatud): Kontrolli eesmärki ei tohi nurjata materjalide eksport mitteloetletud kujul, mida väidetakse olevat lõpptooted, kuid mis tegelikult on töötlemata või pooltöödeldud kujul. 1C001Materjalid, mis on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks elektromagnetlainete neelajatena, või omajuhtivuslikud polümeerid. NB! VT KA PUNKTI 1C101. 1C002Metallisulamid, pulbrid metallisulamitest ja legeeritud materjalid. NB! VT KA PUNKTI 1C202. Märkus: Punkt 1C002 ei hõlma metallisulameid, metallisulamipulbreid ning sulandunud materjale põhimiku katmiseks. 1C003Magnetilised metallid, igat tüüpi ja mis tahes kujul, millel on järgmised omadused: 1C004Raua, nikli või vase baasil uraantitaan- või volframisulamid, millel on kõik järgmised omadused: 1C005Ülijuhtivad komposiitjuhtmed, pikkusega üle 100 m või massiga üle 100 g: 1C006Vedelikud ja määrdeained: Punkti 1C006 tähenduses kasutatakse: 1C007Keraamilised lähtematerjalid, mittekomposiitsed keraamilised materjalid, keraamilised põhimassimaterjalid ja nende lähteained: NB! VT KA PUNKTI 1C107. 1C008Mittefluoritud polümeersed ained: Klaasistumistemperatuui (Tg) määramisel punktis 1C008 nimetatud ainete puhul kasutatakse ISO 11357- 2 (1999) standardit või vastavaid siseriiklikke meetodeid. 1C009Töötlemata fluoritud ühendid: 1C010Kiud- või niitmaterjalid, mida võidakse kasutada orgaanilise, metallilise või süsinikpõhimassi komposiitstruktuurides või -laminaatides: NB! VT KA PUNKTI 1C210. 1C011Metallid ja ühendid: NB! VT KA SÕJALISTE KAUPADE NIMEKIRJA JA PUNKTI 1C111. 1C012Järgmised materjalid: Neid materjale kasutatakse enamasti tuumasoojusallikate puhul. 1C101Muud kui punktis 1C001 nimetatud rakettmürskudes, nende alamsüsteemides või punktis 9A012 nimetatud mehitamata õhusõidukites kasutatavad materjalid ja seadmed, mis vähendavad nende märgatavust, nagu radarikiirte tagasipeegeldumine, ultraviolett-/infrapuna-ja akustilised signaalid. Märkus 1: Punkt 1C101 hõlmab järgmist: Märkus 2: Punkt 1C101 ei hõlma pinnakatteid, mida kasutatakse satelliitide soojuse reguleerimiseks. Punktis 1C101 tähendab rakettmürsk terviklikke raketisüsteeme ja mehitamata õhusõidukisüsteeme, mille lennuulatus ületab 300 km. 1C102Korduvküllastatud pürolüüsitud süsinik-süsinik-materjalid, mis on ette nähtud punktis 9A004 nimetatud kanderakettidele või punktis 9A104 nimetatud sondrakettidele. 1C107Grafiit- ja keraamilised materjalid, muud kui punktis 1C007 nimetatud: 1C111Raketikütused ja raketikütuste keemilised komponendid, muud kui punktis 1C011 nimetatud: Märkus: Raketikütuste ja raketikütuste koostisse kuuluvate kemikaalide kohta, mida ei ole punktis 1C111 nimetatud, vaata sõjaliste kaupade nimekirja. 1C116Vanandatud martensiitterased (terased, mida reeglina iseloomustab kõrge nikli- ja väga madal süsinikusisaldus ning asenduselementide ja pretsipitaatide kasutamine vanandamise eesmärgil) lehtede, plaatide ja torude kujul, mille paksus või seinapaksus ei ületa 5 mm ning mille tõmbetugevus on 1500 MPa ja rohkem temperatuuril 293 K (20 °C). NB! VT KA PUNKTI 1C216. 1C117Volfram, molübdeen ja nende sulamid samakujuliste sfääriliste või pihustatud osakeste kujul, mille osakeste diameeter ei ületa 500 mikromeetrit, puhtusastmega 97 % või rohkem, mis on ette nähtud rakettmürskude mootorite komponentide, st soojusekraanide, düüsipõhimike, düüsikõride ja tõukevektori juhtimispindade valmistamiseks. 1C118Titaanstabiliseeritud roostevaba dupleksteras (Ti-DSS), millel on: 1C202Sulamid, muud kui punktis 1C002.b.3 või 1C002.b.4 nimetatud: Sulam tähistab antud juhul sulamit enne ja pärast termotöötlust. 1C210Kiud- või niitmaterjalid või prepregmaterjalid, muud kui punktides 1C010.a, 1C010.b või 1C010.e nimetatud: Märkus: Punktis 1C210 piirduvad kiud- ja niitmaterjalid pidevate monokiudude, lõngade, heiete, köisikute ja lintidega. 1C216Vanandatud martensiitteras, muu kui punktis 1C116 nimetatud, mille tõmbetugevus on temperatuuril 293 K (20 °C) 2050 MPa või rohkem. Märkus: Punkt 1C216 ei hõlma detaile, mille ükski lineaarmõõde ei ületa 75 mm. Vanandatud martensiitteras tähistab antud juhul vanandatud martentsiitterast enne ja pärast termotöötlust. 1C225Boor, mida on boor-10 isotoobi (10B) suhtes rikastatud üle selle isotoobi looduslikult esineva sisalduse, järgmiselt: elementkujul, ühenditena, boori sisaldavate segudena, nendest valmistatud toodetena, kõigi eelkirjeldatute heitmete või jäätmetena. Märkus: Punktis 1C225 boori sisaldavate segude hulka loetakse ka boori sisaldavad materjalid. Boor-10 looduslik sisaldus on ligikaudu 18,5 massiprotsenti (20 aatomprotsenti). 1C226Volfram, volframkarbiid ja sulamid, mis sisaldavad üle 90 massiprotsendi volframi, ja millel on mõlemad järgmised omadused: Märkus: Punkt 1C226 ei hõlma spetsiaalselt kaaluvihtidena või gammakiirguse kollimaatoritena kasutamiseks valmistatud tooteid. 1C227Kaltsium, millel on mõlemad järgmised omadused: 1C228Magneesium, millel on mõlemad järgmised omadused: 1C229Vismut, millel on mõlemad järgmised omadused: 1C230Berüllium metallina ja sulamitena, mis sisaldavad üle 50 massiprotsendi berülliumi, berülliumiühendid, tooted nendest ning nende heitmed või jäätmed. Märkus: Punkt 1C230 ei hõlma järgmist: 1C231Hafnium metallina ja sulamitena, mis sisaldavad üle 60 massiprotsendi hafniumi, hafniumiühendid, mis sisaldavad üle 60 massiprotsendi hafniumi, tooted nendest ning nende heitmed või jäätmed. 1C232Heelium-3 (3He) või seda sisaldavad segud ning tooted ja seadmed, mis neid sisaldavad. Märkus: Punkt 1C232 ei hõlma tooteid ega seadmeid, mis sisaldavad vähem kui 1 g heelium-3. 1C233Liitium, mida on liitium-6 isotoobi (6Li) suhtes rikastatud üle selle isotoobi looduslikult esineva sisalduse ning tooted ja seadmed, mis sisaldavad rikastatud liitiumi järgmiselt: elementkujul, sulamitena, ühenditena, liitiumi sisaldavate segudena, nendest valmistatud toodetena, kõigi eelkirjeldatute heitmete või jäätmetena. Märkus: Punkt 1C233 ei hõlma termoluminestsentsdosimeetreid. Liitium-6 looduslik sisaldus on ligikaudu 6,5 massiprotsenti (7,5 aatomprotsenti). 1C234Tsirkoonium, milles hafniumi on kaaluliselt vähem kui 1 osa hafniumi 500 osa tsirkooniumi kohta järgmiselt: tsirkoonium metallina, sulamitena, mis sisaldavad üle 50 massiprotsendi tsirkooniumi, ühendid, tooted nendest ning nende heitmed või jäätmed. Märkus: Punkt 1C234 ei hõlma tsirkooniumi fooliumi kujul, mille paksus on 0,10 mm või vähem. 1C235Triitium, triitiumiühendid, triitiumi sisaldavad segud, milles triitiumiaatomite suhe vesinikuaatomite suhtes on suurem kui 1:1000, ning neid sisaldavad tooted ja seadmed. Märkus: Punkt 1C235 ei hõlma kaupu ega seadmeid, milles triitiumisisaldus on kuni 1,48 × 103 GBq (40 Ci). 1C236Alfa-aktiivsed radionukliidid, poolestusajaga 10 päeva või rohkem, kuid vähem kui 200 aastat, järgmisel kujul: Märkus: Punkt 1C236 ei hõlma kaupu ja seadmeid, milles sisalduv alfa-aktiivsus on kuni 3,7 GBq (100 milliküriid). 1C237Raadium-226 (226Ra), raadium-226 sulamid, raadium-226 ühendid ja segud, mis sisaldavad raadium-226, nendest valmistatud tooted ning neid sisaldavad tooted ja seadmed. Märkus: Punkt 1C237 ei hõlma järgmist: 1C238Kloortrifluoriid (ClF3). 1C239Brisantlõhkeained, muud kui sõjaliste kaupade nimekirjas nimetatud, või ained või segud, mis sisaldavad neid üle 2 massiprotsendi ja mille kristalne tihedus on üle 1,8 g/cm3 ja detonatsiooni kiirus üle 8000 m/s. 1C240Niklipulber või poorne (käsn) nikkel, muu kui punktis 0C005 nimetatud: Märkus: Punkt 1C240 ei hõlma järgmist: Punktis 1C240.b peetakse silmas poorset metalli, mis saadakse punktis 1C240.a nimetatud materjalide kokkusurumisel ja paagutamisel metalseks materjaliks, mis sisaldab omavahel ühendatud peeneid poore läbi kogu selle struktuuri. 1C350Kemikaalid, mida võidakse kasutada lähteainena mürkkemikaalide valmistamisel, ja üht või mitut nimetatud kemikaali sisaldavad keemilised segud: NB! VT KA SÕJALISTE KAUPADE NIMEKIRJA JA PUNKTI 1C450. Märkus 1: Keemiarelvade konventsiooniga mitteühinenud riikidesse eksportimisel ei hõlma punkt 1C350 keemilisi segusid, mis sisaldavad üht või mitut punkti 1C350 alapunktides 1, 3, 5, 11, 12, 13, 17, 18, 21, 22, 26, 27, 28, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 54, 55, 56, 57 ja 63 nimetatud kemikaali ning milles ükski üksik kemikaal ei moodusta kõnealusest segust üle 10 massiprotsendi. Märkus 2: Keemiarelvade konventsiooniga ühinenud riikidesse eksportimisel ei hõlma punkt 1C350 keemilisi segusid, mis sisaldavad üht või mitut punkti 1C350 alapunktides 1, 3, 5, 11, 12, 13, 17, 18, 21, 22, 26, 27, 28, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 54, 55, 56, 57 ja 63 nimetatud kemikaali ning milles ükski üksik kemikaal ei moodusta kõnealusest segust üle 30 massiprotsendi. Märkus 3: Punkt 1C350 ei hõlma keemilisi segusid, mis sisaldavad üht või mitut punkti 1C350 alapunktides 2, 6, 7, 8, 9, 10, 14, 15, 16, 19, 20, 24, 25, 30, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 58, 59, 60, 61 ja 62 nimetatud kemikaali ning milles ükski üksik kemikaal ei moodusta kõnealusest segust üle 30 massiprotsendi. Märkus 4: Punkt 1C350 ei hõlma tarbekaupadena määratletavaid tooteid, mis on pakendatud jaemüügiks isiklikuks kasutamiseks või pakendatud üksikisikule kasutamiseks. 1C351Inimpatogeenid, zoonoosid ja toksiinid: Märkus: Punkt 1C351 ei hõlma vaktsiine ja immunotoksiine. 1C352Loompatogeenid: Märkus: Punkt 1C352 ei hõlma vaktsiine. 1C353Geneetilised elemendid ja geneetiliselt muundatud organismid: Geneetilised elemendid hõlmavad muu hulgas geneetiliselt muundatud või muundamata kromosoome, genoome, plasmiide, transponsoone ja vektoreid. Punktides 1C351.a–c või 1C352 või 1C354 nimetatud mikroorganismide patogeensusega seotud nukleiinhappejärjestused on kõik nimetatud mikroorganismile omased järjestused, mis: Märkus: Punkt 1C353 ei kehti nukleiinhappejärjestuste kohta, mis on seotud enterohemorraagilise Escherichia coli (serotüüp O157) ja muude verotoksiini produtseerivate tüvede patogeensusega, välja arvatud järjestused, mis kodeerivad verotoksiini või selle allühikuid. 1C354Taimpatogeenid: 1C450Mürkkemikaalid ja nende lähteained ning üht või mitut nimetatud kemikaali sisaldavad keemilised segud: NB! VT KA PUNKTE 1C350 JA 1C351.d NING SÕJALISTE KAUPADE NIMEKIRJA.

Kui ei ole sätestatud teisti, kuuluvad punktides 1C001–1C012 käsitletud mõistete metall ja sulam alla järgmised metallid ja sulamid töötlemata ja pooltöödeldud kujul:

anoodid, kuulid, varbmaterjalid (kaasa arvatud sarrusvarvad ja traadi varbtoorikud), valutoorikud, pangad, bluumid, briketid, kamakad, katoodid, kristallid, kuubikud, pooljuhtmaterjalide toorikkristallid, terad, graanulid, kangid, känkrad, tabletid, toormetalli plokid, pulbrid, helmed, haavlid, slääbid e valtsplaadid, toorikud, käsnmetallid, latid;

1CMaterjalid Tehniline märkus: a.

survetöödeldud või töödeldud materjalid, mida on valtsitud, tõmmatud, ekstrudeeritud, sepistatud, vormpressitud, pressitud, sõmerdatud, pihustatud ja jahvatatud, nagu: nurkmetall, karpmetall, ringmetall, kettad, tolm, helbed, fooliumid ning õhuke lehtmetall, sepis, plaat, pulber, pressitud ja stantsitud esemed, lindid, rõngad, vardad (sh katmata keevituselektroodid, traadi varbtoorikud ja valtstraat), profiilid, vormid, plekid (lehtmetall), laastud, torud (sh ümartorud, kandilised torud ning mis tahes ristlõikega õõnesmaterjalid), tõmmatud või ekstrudeeritud traat;

b.

valumaterjalid, mis on saadud valu valamisel mulda, matriitsi, metallist, kipsist või muudest materjalidest vormidesse, kaasa arvatud survevalu, paagutatud kujul ning pulbermetallurgia abil valmistatud kujul.

a.

Materjalid, mis neelavad sagedusi vahemikus 2 × 108 Hz kuni 3 × 1012 Hz. Märkus 1: Punkt 1C001.a ei hõlma järgmist: Märkus 2: Mitte miski punkti 1C001.a märkuses 1 ei vabasta värvis sisalduvaid neeldumisotstarbelisi magnetilisi materjale.

a.

naturaalsetest või sünteetilistest kiududest kokkuseatud karvtüüpi neelajad, mittemagnetilise koormusega neeldumise tekitamiseks;

b.

neelajad, milles ei esine magnetilisi kadusid ning mille kohtamispind ei ole kujult tasane, hõlmates püramiide, koonuseid, kiile ning keerdunud pindu;

c.

tasapinnalised neelajad, millel on kõik järgmised omadused:

1. Tehniline märkus:

valmistatud jägmistest materjalidest: Punkti 1C001.a märkuse 1.c.1 puhul peavad neeldumise proovikehad olema ruudukujulised, küljepikkusega vähemalt viis kesksageduse lainepikkust ning asetatud kiirgava elemendi kaugvälja.

1. a.

süsiniktäitega (painduvad või paindumatud) vahtplastikud või orgaanilised materjalid, sh sideained, mis annavad metalliga võrreldes enam kui 5 %lise kaja sagedusribas, mis ulatub üle ±15 % pealelangeva energia kesksagedusest ning mis ei talu temperatuuri üle 450 K (177 °C), või

b.

keraamilised materjalid, mis annavad metalliga võrreldes enam kui 20 %lise kaja sagedusribas, mis ulatub üle ±15 % pealelangeva energia kesksagedusest ning mis ei talu temperatuuri üle 800 K (527 °C);

2. tõmbetugevus väiksem kui 7 × 106 N/m2ning

3. survetugevus väiksem kui 14 × 106 N/m2;

d.

paagutatud ferriidist valmistatud tasapinnalised neelajad, mille:

1. erikaal on üle 4,4 ning

2. maksimaalne töötemperatuur on 548 K (275 °C).

b.

Materjalid, mis neelavad sagedusi vahemikus 1,5 × 1014 Hz kuni 3,7 × 1014 Hz ega ole läbipaistvad nähtavale valgusele.

c. Tehniline märkus:

Omajuhtivusega polümeersed materjalid, mille elektriline mahtjuhtivus ületab 10000 S/m (siimensit meetri kohta) või mille kiht-/pindtakistus on vähem kui 100 oomi/m2 ning mis põhinevad mis tahes järgmisel polümeeril: Elektriline mahtjuhtivus ning kiht-/pindjuhtivus tuleb määrata kas ASTM D-257 või vastava siseriikliku standardi alusel.

c.

1. polüaniliin;

2. polüpürrool;

3. polütiofeen;

4. polüfenüleenvinüleen või

5. polütienüleenvinüleen.

1CMaterjalid Tehniline märkus: Tehnilised märkused:

1. Punktis 1C002 nimetatud metallisulamid on need, milles mainitud metalli sisaldus protsentuaalselt (massiprotsent) sulamis on suurem kui mis tahes teisel elemendil.

2. Pingetaluvusaega purunemiseni tuleb mõõta vastavalt ASTM-i standardile E-139 või vastavale siseriiklikule standardile.

3. Väsimisaeg vähetsüklilise väsitamise korral tuleb mõõta vastavalt ASTM-i standardile E-606 Recommended Practice for Constant-Amplitude Low-Cycle Fatigue Testing (tööjuhend konstantse amplituudiga vähetsüklilise väsimuse katsetamiseks) või vastavale siseriiklikule standardile. Katsetamine peab toimuma teljesuunaliselt keskmise pingesuhtega 1 ning pingekontsentratsiooniteguriga (Kt) 1. Keskmine pinge on defineeritud kui maksimaalse ja minimaalse pinge vahe jagatuna maksimaalse pinge väärtusega.

a.

Järgmised aluminiidid:

1. nikkelaluminiidid, mis sisaldavad vähemalt 15 massiprotsenti, kuid üle 38 massiprotsendi alumiiniumi ja lisaks vähemalt veel ühte legeerelementi;

2. titaanaluminiidid, mis sisaldavad 10 massiprotsendi või rohkem alumiiniumi ja lisaks vähemalt veel ühte legeerelementi.

b.

Metallisulamid, mis on valmistatud punktis 1C002.c nimetatud materjalidest:

1. niklisulamid, mille:

1. a.

pingetaluvusaeg purunemiseni on 10000 tundi või rohkem temperatuuril 923 K (650 °C) ning pingel 676 MPa või

b.

väsimisaeg vähesüklilisel väsitamisel on 10000 tsüklit või rohkem temperatuuril 823 K (+ 550 °C) ja maksimaalsel pingel 1095 MPa;

2. nioobiumisulamid, mille:

2. a.

pingetaluvusaeg purunemiseni on 10000 tundi või rohkem temperatuuril 1073 K (800 °C) ning pingel 400 MPa või

b.

väsimisaeg vähetsüklilisel väsitamisel on 10000 tsüklit või rohkem temperatuuril 973 K (700 °C) ja maksimaalsel pingel 700 MPa;

3. titaanisulamid, mille:

3. a.

pingetaluvusaeg purunemiseni on 10000 tundi või rohkem temperatuuril 723 K (450 °C) ning pingel 200 MPa või

b.

väsimisaeg vähetsüklilisel väsitamisel on 10000 tsüklit või rohkem temperatuuril 723 K (450 °C) ja maksimaalsel pingel 400 MPa;

4. alumiiniumisulamid tõmbetugevusega:

4. a.

240 MPa või rohkem temperatuuril 473 K (200 °C) või

b.

415 MPa või rohkem temperatuuril 298 K (25 °C);

5. magneesiumisulamid, mille:

5. a.

tõmbetugevus on 345 MPa või rohkem ning

b.

korrosioonikiirus vähem kui 1 mm aastas 3 %lises naatriumkloriidi vesilahuses mõõdetuna vastavuses ASTM-i standardile G-31 või vastavale siseriiklikule standardile.

c.

Metallisulamipulber või peeneteraline materjal, millel on järgmised omadused:

1. Tehniline märkus:

mis on valmistatud järgmistest segusüsteemidest: X tähistab järgmistes valemites üht või enamat legeerelementi.

a.

niklisulamid (Ni-Al-X, Ni-X-Al), mis sobivad turbiinmootorite detailidele ja komponentidele, st vähem kui 3 (valmistamisprotsessis lisatud) läbimõõdult suurema kui 100 μm mittemetalse osakesega 109 sulamiosakese kohta;

b.

nioobiumisulamid (Nb-Al-X või Nb-X-Al, Nb-Si-X, või Nb-X-Si, Nb-Ti-X või Nb-X-Ti);

c.

titaanisulamid (Ti-Al-X või Ti-X-Al);

d.

alumiiniumisulamid (Al-Mg-X või Al-X-Mg, Al-Zn-X või Al-X-Zn, Al-Fe-X või Al-X-Fe) või

e.

magneesiumisulamid (Mg-Al-X või Mg-X-Al);

2. valmistatud kontrollitavas keskkonnas, mis tahes järgmise protsessiga:

2. a.

vaakumpihustamine;

b.

gaaspihustamine;

c.

rootorpihustamine;

d.

lamepulbri tootmine sulametallist;

e.

sulandi ketramine ja peenestamine;

f.

sulandi eraldamine ja peenestamine või

g.

mehaaniline legeerimine, ja

3. need võivad moodustada punktis 1C002.a või 1C002.b nimetatud materjale.

d.

Lähtematerjalid, millel on kõik järgmised omadused:

1. valmistatud punktis 1C002.c.1 nimetatud segusüsteemidest;

2. mittepeenestatud helveste, ribade või peente varbade kujul ning

3. valmistatud kontrollitavas keskkonnas, mis tahes järgmise protsessiga:

3. a.

lamepulbri tootmine sulametallist;

b.

sulandi ketramine või

c.

sulandi eraldamine.

a. Tehniline märkus:

suhteline algne magnetiline läbitavus 120000 või rohkem ja paksus 0,05 mm või vähem; Suhtelise algse magnetilise läbitavuse mõõtmine peab olema teostatud täielikult lõõmutatud materjalidega.

b.

magnetostriktiivne sulamid, millel on järgmised omadused:

1. magnetomehaaniline küllastus rohkem kui 5 × 10–4või

2. magnetomehaaniline sidestustegur (k) üle 0,8 või

c. Tehniline märkus:

amorfsed või nanokristallilised sulamiliistakud, millel on kõik järgmised omadused: Punktis 1C003.c nimetatud nanokristallilised materjalid on sellised materjalid, mille röntgendifraktsiooni abil määratud tera suurus on 50 nm või vähem.

c.

1. koostis, mis sisaldab vähemalt 75 massiprotsendi rauda, koobaltit või niklit;

2. magnetilise induktsiooni küllastuse (BS) 1,6 T või rohkem ning

3. mis tahes järgmistest:

3. a.

liistaku paksus 0,02 mm või vähem või

b.

elektriline eritakistus 2 × 10–4 oomi/cm või rohkem.

a.

tihedus üle 17,5 g/cm3;

b.

elastsuspiir üle 880 MPa;

c.

tõmbetugevus üle 1270 MPa ning

d.

suhteline pikenemine üle 8 %.

a.

mitmekiulised ülijuhtivad komposiitjuhtmed, mis sisaldavad üht või enamat nioobium-titaankiudu, mis on:

1. asetatud muudesse põhiainetesse kui vask või vase baasil segude põhiainevõi

2. ristlõikepindalaga vähem kui 0,28 × 10–4 mm2 (väiksem kui 6 μm diameetriga ümarkiud);

b.

ülijuhtivad komposiitjuhtmed, mis koosnevad ühest või enamast ülijuhtivast kiust, muud kui nioobium-titaankiud, ning millel on kõik järgmised omadused:

1. kriitiline temperatuur magnetilise induktsiooni puudumise korral on üle 9,85 K (–263,31 °C), kuid vähem kui 24 °K (–249,16 °C),

2. ristlõikepindala on vähem kui 0,28 × 10–4 mm2ning

3. temperatuuril 4,2 °K (–268,96 °C) magnetvälja asetatuna säilitab ülijuhtiva oleku ka 12 T suuruse magnetvälja magnetilise induktsiooni korral.

a.

hüdraulilised vedelikud, mis sisaldavad oluliste koostisosadena mis tahes järgmist ühendit või ainet:

1. Tehniline märkus:

sünteetilised silasüsivesinikõlid, millel on kõik järgmised omadused: Punkti 1C006 a.1 tähenduses sisaldavad silasüsivesinikõlid eranditult räni, vesinikku ja süsinikku.

a.

süttimispunkt üle 477 K (204 °C),

b.

hangumispunkt 239 K (–34 °C) või madalam;

c.

viskoossusindeks 75 või suurem ning

d.

terminiline stabiilsus 616 K (343 °C) või

2. Tehniline märkus:

klorofluorosüsinik, millel on kõik järgmised omadused: Punkti 1C006.a.2 tähenduses sisaldab klorofluorosüsinik eranditult süsinikku, fluori ja kloori.

a.

süttimispunkt puudub;

b.

isesüttimistemperatuur üle 977 K (704 °C),

c.

hangumispunkt 219 K (–54 °C) või madalam;

d.

viskoossusindeks 80 või suure ning

e.

keemispunkt 473 K (200 °C) või kõrgem;

b.

määrdeained, mis sisaldavad oluliste koostisosadena mis tahes järgmist ühendit või ainet:

1. fenüleen- või alküülfenüleeneetrid või tioeetrid või nende segud, mis sisaldavad rohkem kui kaht eetri või tioeetri funktsiooni või nende segusid, või

2. fluoritud silikoonvedelikud, mille kinemaatiline viskoossus on temperatuuril 298 K (25 °C) väiksem kui 5000 mm2/s (5000 sentistooksi);

c.

summutus- ja flotovedelikud puhtusastmega üle 99,8 %, mis sisaldavad 100 ml kohta vähem kui 25 osakest suurusega 200 μm või rohkem ja mis koosnevad vähemalt 85 % ulatuses mis tahes järgmisest ühendist või ainest:

1. dibromotetrafluoroetaan;

2. polüklorotrifluoroetüleen (üksnes õli- ja vahalaadsed modifikatsioonid) või

3. polübromotrifluoroetüleen;

d.

fluorosüsivesinikel põhinevad elektroonika jahutusvedelikud, millel on kõik järgmised omadused:

1. sisaldavad 85 massiprotsenti või enam mis tahes järgmist ühendit või nende segu:

1. a.

perfluoropolüalküüleeter-triasiinide või perfluoroalifaatsete eetrite monomeersed vormid;

b.

perfluoroalküülamiinid;

c.

perfluorotsükloalkaanid või

d.

perfluoroalkaanid;

2. tihedus 1,5 g/ml või rohkem mõõdetuna temperatuuril 298 K (25 °C);

3. temperatuuril 273 K (0 °C) vedelas olekus ning

4. sisaldab 60 massiprotsenti või rohkem fluori.

1CMaterjalid Tehniline märkus: Tehnilised märkused: Tehniline märkus: a.

süttimistemperatuuri määramisel ASTM D-92s kirjeldatud Clevelandi lahtise tiigli meetodit või vastavat siseriiklikku meetodit;

b.

hangumispunkti määramisel ASTM D-97s kirjeldatud meetodit või vastavat siseriiklikku meetodit;

c.

viskoossusindeksi määramisel ASTM D-2270s kirjeldatud meetodit või vastavat siseriiklikku meetodit;

d.

termilise stabiilsuse määramisel järgmist katsemeetodit või vastavat siseriiklikku meetodit: Proov loetakse termiliselt stabiilseks, kui ülalkirjeldatud protseduuri lõppedes on täidetud järgmised tingimused:

20 ml uuritavat vedelikku valatakse 46 ml mahuga roostevabast terasest (tüüp-317) anumasse, millesse on eelnevalt asetatud 12,5 mm läbimõõduga kuulid: üks M-10 tööriistaterasest, üks 52100-tüüpi terasest ning üks laevapronksist (60 % Cu, 39 % Zn, 0,75 % Sn).

Anum uhutakse seest lämmastikuga, suletakse atmosfäärirõhul õhukindlalt ja kuumutatakse temperatuurini 644 ± 6 K (371 ± 6 °C) ning hoitakse sellel temperatuuril kuus tundi.

1. iga kuuli kaalukaotus on vähem kui 10 mg/mm2 kuuli pinna suhtes;

2. algse viskoossuse muutus, mis on määratud temperatuuril 311 K (38 °C), on väiksem kui 25 % ning

3. summaarne happe- või aluselisusnumber on väiksem kui 0,40;

e.

Isesüttimistemperatuuri määramisel kasutatakse standardis ASTM E-659 kirjeldatud meetodit või vastavat siseriiklikku meetodit.

a.

titaani liht- või kompleksboriidide lähteained, mille metalliliste lisandite hulk (v.a kavatsetult lisatud lisandid) on väiksem kui 5000 ppm ning osakeste keskmine suurus ei ületa 5 μm ja kuni 10 % osakeste suurus ei ületa 10 μm;

b.

mittekomposiitsed keraamilised materjalid töötlemata või pooltöödeldud kujul, mis koosnevad titaanboriididest tihedusega 98 % või rohkem teoreetilisest tihedusest; Märkus: Punkt 1C007.b ei hõlma abrasiive.

c.

keraamika-keraamika-komposiitmaterjalid klaas- või oksiidpõhimassiga, mis on armeeritud mis tahes järgmistest süsteemidest valmistatud kiududega:

1. valmistatud järgmistest materjalidest:

1. a.

Si-N;

b.

Si-C;

c.

Si-Al-O-N või

d.

Si-O-N ning

2. mille eritõmbetugevus on üle 12,7 × 103 m;

d.

keraamika-keraamika-komposiitmaterjalid, pideva metallfaasiga või mitte, mis liidavad osakesi, niitkristalle või kiude, milles räni, tsirkooniumi või boori karbiidid või nitriidid moodustavad põhimassi;

e.

lähteained (nt spetsiaalsed polümeersed või metallorgaanilised ühendid) punktis 1C007.c nimetatud materjalide mõne faasi või faaside tootmiseks:

1. polüdiorganosilaanid (ränikarbiidi tootmiseks);

2. polüsilatsaanid (räninitriidi tootmiseks);

3. polükarbosilatsaanid (räni-, süsinik- ja lämmastikkomponentidega keraamika tootmiseks);

f.

keraamika-keraamika-komposiitmaterjalid oksiid- või klaaspõhimassiga, mis on armeeritud mis tahes järgmistest süsteemidest saadud pidevkiududega: Märkus: Punkt 1C007.f ei hõlma komposiite, mis sisaldavad nendest süsteemidest kiude kiu tõmbetugevusega alla 700 MPa temperatuuril 1273 K (1000 °C) või kiudu tõmbe-roome-vastupanuga rohkem kui 1 % roomedeformatsiooni 100 MPa koormisel, 1273 K (1000 °C) temperatuuril 100 tunni kestel.

1. Al2O3või

2. Si-C-N.

a.

Märkus: Punkt 1C008.a ei hõlma surve all vormitavaid mittesulavaid pulbreid või vormitud detaile.

1. bismaleimiidid;

2. aromaatsed polüamidoimiidid;

3. aromaatsed polüimiidid;

4. aromaatsed polüeeterimiidid, mille klaasistumistemperatuur (Tg) on üle 513 K (240 °C);

b.

termoplastsed vedelkristallkopolümeerid, mille soojusliku deformeerumise temperatuur on üle 523 K (250 °C), mõõdetuna vastavalt AISO 75-3 (2004) standardile või vastavale siseriiklikule meetodile koormusega 1,82 N/mm2, ja mis koosnevad:

1. mis tahes järgmistest:

1. a.

fenüleen, bifenüleen või naftaleen või

b.

metüül, tertsiaarbutüül või fenüüliga asendatud fenüleen, bifenüleen või naftaleen ning

2. mis tahes järgmisest happest:

2. a.

tereftaalhape;

b.

6-hüdroksü-2-naftohape või

c.

4-hüdroksübensoehape;

c.

järgmised polüarüleeneeterketoonid:

1. ei kasutata;

2. polüeeterketoonketoon (PEKK);

3. polüeeterketoon (PEK);

4. polüeeterketooneeterketoonketoon (PEKEKK);

d.

polüarüleenketoonid;

e.

polüarüleensulfiidid, mille arüleeni grupp on bifenüleen, trifenüleen või nende kombinatsioon;

f.

polübifenüleeneetersulfoon, mille klaasistumistemperatuur (Tg) on üle 513 K (240 °C).

1CMaterjalid Tehniline märkus: Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: a.

vinülideenfluoriidi kopolümeerid, millel on ilma venituseta rohkem kui 75 % ulatuses beetakristalliline struktuur;

b.

fluoritud polüimiidid, mis sisaldavad 10 massiprotsenti või rohkem seotud fluori;

c.

fluoritud fosfatseenelastomeerid, mis sisaldavad 30 massiprotsenti või rohkem seotud fluori.

a.

orgaanilised kiud- või niitmaterjalid, millel on kõik järgmised omadused: Märkus: Punkt 1C010.a ei hõlma polüetüleeni.

1. erimoodul üle 12,7 × 106 m ning

2. eritõmbetugevus on üle 23,5 × 104 m;

b. Tehniline märkus:

süsinikust kiud- või niitmaterjalid, millel on kõik järgmised omadused: Märkus: Punkt 1C010.b ei hõlma kiud- või niitmaterjalidest kangast, mis on ette nähtud õhusõiduki tarindite või laminaatide parandamiseks eeldusel, et iga üksiku kangatüki mõõtmed ei ületa 50 cm × 90 cm. Punktis 1C010.b nimetatud materjalide omadused määratakse SACMA poolt soovitatud meetoditel SRM 12–17 või vastavate siseriiklike vedamiskatsetega nagu Jaapani tööstusstandard JIS-R-7601, punkt 6.6.2, mis põhinevad kõigi katsetulemuste keskmistamisel.

b.

1. erimoodul üle 12,7 × 106 m ning

2. eritõmbetugevus on üle 23,5 × 104 m;

c.

anorgaanilised kiud- või niitmaterjalid, millel on kõik järgmised omadused: Märkus: Punkt 1C010 ei hõlma järgmist:

1. erimoodul üle 2,54 × 106 m ning

2. sulamis-, pehmenemis-, lagunemis- või sublimatsioonipunkt on inertses keskkonnas üle 1922 K (1649 °C);

1. katkendlikud, mitmefaasilised, polükristallilised alumiiniumoksiidkiud tükeldatud kiudude või reeglipäratu mati kujul, mille ränisisaldus on 3 massiprotsenti või rohkem ning mille erimoodul on väiksem kui 10 × 106 m;

2. molübdeen- ja molübdeenisulamkiud;

3. boorkiud;

4. katkendlikud keraamilised kiud, mille sulamis-, pehmenemis-, lagunemis- või sublimatsioonipunkt on inertses keskkonnas madalam kui 2043 K (1770 °C).

d.

kiud või niitmaterjalid:

1. mis koosnevad järgmistest komponentidest:

1. a.

punktis 1C008.a nimetatud polüeeterimiidid või

b.

punktides 1C008.b–1C008.f nimetatud materjalid;

2. mis koosnevad punktis 1C010.d.1.a või 1C010.d.1.b nimetatud materjalidest, mis on segatud muude, punktides 1C010.a, 1C010.b või 1C010.c nimetatud kiududega;

e. Tehniline märkus:

vaigu või pigiga impregneeritud kiud (prepregmaterjalid), metalli või süsinikuga kaetud kiud (eelvormid) või süsinikkiu eelvormid: Märkused: Punkt 1C010.e ei hõlma järgmist: Klaasistumistemperatuuri (Tg) määramisel punktis 1C010.e nimetatud ainete puhul kasutatakse ASTM D 3418s kirjeldatud kuivmeetodit. Klaasistumistemperatuuri määramisel fenool- ja epoksüvaikude puhul kasutatakse ASTM D 4065s kirjeldatud meetodit 1 Hz sageduse juures ning kuumutamiskiirusel 2 K (°C) minutis, kasutades kuivmeetodit.

e.

1. mis on valmistatud punktis 1C010.a, 1C010.b või 1C010.c nimetatud kiud- või niitmaterjalidest;

2. mis on valmistatud orgaanilistest või süsiniku kiud- või niitmaterjalidest:

2. a.

eritõmbetugevusega üle 17,7 × 104 m;

b.

erimoodul on üle 10,15 × 106 m;

c.

mis ei ole hõlmatud punktidega 1C010.a ja 1C010.b ning

d.

mis on impregneeritud punktides 1C008 või 1C009.b nimetatud ainetega, mille klaasistumistemperatuur (Tg) on üle 383 K (110 °C), või fenool- või epoksüvaikudega, mille klaasistumistemperatuur (Tg) on 418 K (145 °C) või kõrgem.

a.

epoksüvaik-põhimassiga eelimpregneeritud süsinikkiud või -materjalid (prepregmaterjalid) õhusõidukite tarindite või laminaatide parandamiseks eeldusel, et iga üksiku lehe mõõtmed ei ületa 50 cm × 90 cm;

b.

prepregmaterjalid, mis on impregneeritud fenool- või epoksüvaikudega, mille klaasistumistemperatuur (Tg) on madalam kui 433 K (160 °C) ning tahkestumistemperatuur on madalam klaasistumistemperatuurist.

a. Tehniline märkus:

metallid, mille osakeste suurus ei ületa 60 μm, kas sfäärilistena, pihustatutena, sferoidsetena, helvestatutena või jahvatatutena, ja mis on valmistatud materjalidest, mis koosnevad 99 % või suuremas ulatuses tsirkooniumist, magneesiumist või nende sulamitest; Hafniumi loomulik sisaldus tsirkooniumis (tüüpiliselt 2–7 %) arvestatakse koos tsirkooniumiga. Märkus: Punktis 1C011.a loetletud metalle või sulameid kontrollitakse, olenemata sellest, kas metallid või sulamid on kapseldatud alumiiniumis, magneesiumis, tsirkooniumis või berülliumis.

b.

boor või boorkarbiid 85 % puhtusega või puhtam, mille osakeste suurus ei ületa 60 μm; Märkus: Punktis 1C011.b loetletud metalle või sulameid kontrollitakse, olenemata sellest, kas metallid või sulamid on kapseldatud alumiiniumis, magneesiumis, tsirkooniumis või berülliumis.

c.

guanidiinnitraat;

d.

nitroguanidiin (NQ) (CASi nr 556-88-7).

1CMaterjalid Tehniline märkus: Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: a.

plutoonium mis tahes kujul, milles plutoonium-238 isotoobi sisaldus on üle 50 massiprotsendi; Märkus: Punkt 1C012.a ei hõlma:

a.

saadetisi, milles on plutooniumi 1 gramm või vähem;

b.

saadetisi, milles on 3 efektiivgrammi või vähem plutooniumi, kui see sisaldub instrumentide anduriosades;

b.

eelnevalteraldatud neptuunium-237 mis tahes kujul. Märkus: Punkt 1C012 ei hõlma saadetisi, milles neptuunium-237 sisaldus on 1 gramm või vähem.

a.

konstruktsioonimaterjalid ja pinnakatted, mis on spetsiaalselt ette nähtud vähendama radarikiirte tagasipeegeldumist;

b.

pinnakatted, sh värvid, mis on ette nähtud vähendama või muundama peegeldavust või kiiratavust elektromagnetilise spektri mikrolaine, infrapuna või ultravioleti piirkonnas.

1CMaterjalid Tehniline märkus: Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: a.

peeneteraline rekristalliseeritud grafiit puistetihedusega 1,72 g/cm3 või rohkem, mõõdetud temperatuuril 288 K (15 °C), mille tera suurus on 100 μm või vähem ja mida kasutatakse raketti de düüside ja atmosfääri taassisenevate lennuaparaatide ninamike otste valmistamisel mis tahes järgneva toote jaoks: NB! Vt ka punkti 0C004.

1. silindrid diameetriga 120 mm või rohkem ja pikkusega 50 mm või rohkem;

2. torud sisediameetriga 65 mm või rohkem ja seinapaksusega 25 mm või rohkem ning pikkusega 50 mm või rohkem või

3. plokid mõõtudega 120 mm × 120 mm × 50 mm või rohkem;

b.

pürolüütiline või kiudarmeeritud grafiit, mida kasutatakse rakettmürskude düüside ja atmosfääri taassisenevate sõidukite ninamike otste valmistamisel; NB! Vt ka punkti 0C004.

c.

keraamilised komposiitmaterjalid (dielektrilise läbitavuse konstandiga 6 ja vähem, sagedusvahemikus 100 Hz kuni 100 GHz), mida kasutatakse rakettmürskude radoomide valmistamiseks;

d.

masintöödeldavad mahulised ränikarbiidiga tugevdatud põletamata keraamilised materjalid, mida kasutatakse rakettmürskude ninamike otste valmistamisel.

a.

tõukeained:

1. Tehniline märkus:

sfäärilistest osakestest alumiiniumipulber, muu kui sõjaliste kaupade nimekirjas nimetatud, mille osakeste ühtlane diameeter on vähem kui 200 μm ja alumiiniumisisaldus 97 massiprotsenti või rohkem, kui vähemalt 10 % kogukaalust moodustavad vähema kui 63 μm läbimõõduga osakesed, vastavalt standardile ISO 2591:1988 või vastavale siseriiklikule standardile; Osakese suurus 63 μm (ISO R-565) vastab 250 mešile (Tyler) või 230 mešile (ASTM standard E-11).

2. Tehniline märkus:

metallilised kütused, muud kui sõjaliste kaupade nimekirjas nimetatud, kas sfäärilised, pihustatud, helbekujulised või sferoidsed, mille osakesed on väiksemad kui 60 μm ja mis sisaldavad 97 massiprotsenti või rohkem mis tahes järgmist elementi: Hafniumi loomulik sisaldus tsirkooniumis (tüüpiliselt 2–7 %) arvestatakse koos tsirkooniumiga.

2. a.

tsirkoonium;

b.

berüllium;

c.

magneesium või

d.

eespool punktides a–c nimetatud metallide sulamid;

3. järgmised vedelad oksüdeerivad ained:

3. a.

dilämmastiktrioksiid;

b.

lämmastikdioksiid/dilämmastiktetroksiid;

c.

dilämmastikpentoksiid;

d. Tehniline märkus:

lämmastikoksiidide segud (MON – Mixed Oxides of Nitrogen); Lämmastikoksiidide segud (MON) on lämmastikoksiidi (NO) lahused dilämmastiktetroksiidis / lämmastikdioksiidis (N2O4/NO2), mida on võimalik kasutada raketisüsteemides. On olemas hulk erineva kontsentratsiooniga segusid, millele saab viidata lühendiga MONi või MONij, kus i ja j on täisarvud, mis näitavad lämmastikoksiidi kaalulist sisaldust protsentides antud segus (nt MON3 sisaldab 3 % lämmastikoksiidi, MON25 sisaldab 25 % lämmastikoksiidi). Ülempiiriks on MON40 ehk 40 % lämmastikoksiidi).

e.

VT SÕJALISTE KAUPADE NIMEKIRJAST inhibeeritud suitsev lämmastikhape (IRFNA);

f.

VT SÕJALISTE KAUPADE NIMEKIRJAST JA PUNKTIST 1C238, fluorist ja ühest või enamast muust halogeenist, hapnikust või lämmastikust koosnevad ühendid;

4. hüdrasiini derivaadid, mida kasutatakse raketikütusena ja mida ei ole nimetatud sõjaliste kaupade nimekirjas;

b.

polümeersed ained:

1. karboksüül-otsaga polübutadieen (CTPB);

2. hüdroksüül-otsaga polübutadieen (HTPB), muu kui sõjaliste kaupade nimekirjas nimetatud;

3. polübutadieen-akrüülhape (PBAA);

4. polübutadieen-akrüülhape-akrüülnitriil (PBAN);

c.

muud raketikütuse lisandid ja toimeained:

1. VT SÕJALISTE KAUPADE NIMEKIRJAST karboraanid, dekaboraanid, pentaboraanid ja nende derivaadid;

2. trietüleenglükooldinitraat (TEGDN);

3. 2-nitrodifenüülamiin;

4. trimetüüloletaantrinitraat (TMETN);

5. dietüleenglükooldinitraat (DEGDN);

6. ferrotseeni derivaadid:

6. a.

vt sõjaliste kaupade nimekirjast katotseen;

b.

etüülferrotseen;

c.

propüülferootseen;

d.

vt sõjaliste kaupade nimekirjast n-butüülferrotseen;

e.

pentüülferrotseen;

f.

ditsüklopentüülferrotseen;

g.

ditsükloheksüülferrotseen;

h.

dietüülferrotseen;

i.

dipropüülferrotseen;

j.

dibutüülferrotseen;

k.

diheksüülferrotseen;

l.

atsetüülferrotseenid;

m.

vt sõjaliste kaupade nimekirjast ferrotseenkarboksüülhapped;

n.

vt sõjaliste kaupade nimekirjast butatseen;

o.

muud ferrotseeni derivaadid, mida kasutatakse raketikütuse põlemiskiiruse modifikaatorina, v.a. sõjaliste kaupade nimekirjas nimetatud.

a.

kõik järgmised omadused:

1. sisaldavad 17,0–23,0 massiprotsenti kroomi ja 4,5–7,0 massiprotsenti niklit;

2. nende titaanisisaldus on üle 0,10 massiprotsendi; ning

3. nende raua-austeniidi mikrostruktuur (samuti viidatud kui kahefaasiline mikrostruktuur), millest vähemalt 10 mahuprotsenti on austeniiti (kooskõlas standardi ASTM E-1181-87 või vastavate siseriiklike standarditega) ning

b.

mis tahes järgmine omadus:

1. kangid või varvad mõõtmetega 100 mm või rohkem igas suunas;

2. lehed laiusega 600 mm või rohkem ja paksusega 3 mm või vähem või

3. torud välisläbimõõduga 600 mm või rohkem ja seinapaksusega 3 mm või vähem.

a.

alumiiniumisulamid, millel on mõlemad järgmised omadused:

1. tõmbetugevus 460 MPa või rohkem temperatuuril 293 K (20 °C) ning

2. torud või silindrikujulised täismaterjalid (sh sepised), mille välisläbimõõt on üle 75 mm;

b.

titaanisulamid, millel on mõlemad järgmised omadused:

1. tõmbetugevus 900 MPa või rohkem temperatuuril 293 K (20 °C) ning

2. torud või silindrikujulised täismaterjalid (sh sepised), mille välisläbimõõt on üle 75 mm.

1CMaterjalid Tehniline märkus: Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: a.

süsinik- või aramiidkiud või -niitmaterjalid, millel on üks järgmistest omadustest: Märkus: Punkt 1C210.a ei hõlma aramiidkiude ja -niitmaterjale, mis sisaldavad 0,25 massiprotsenti või rohkem estril põhinevat kiupinna modifikaatorit;

1. erimoodul 12,7 × 106 m või rohkem või

2. eritõmbetugevus 235 × 103 m või rohkem;

b.

klaaskiud või -niitmaterjalid, millel on mõlemad järgmised omadused:

1. erimoodul 3,18 × 106 m või rohkem ning

2. eritõmbetugevus 76,2 × 103 m või rohkem;

c. Tehniline märkus:

temperatuurikindla vaiguga impregneeritud pidevad lõngad, heided, köisikud ja lindid, mille laius ei ületa 15 mm (prepregmaterjalid) ja mis on valmistatud punktides 1C210.a või 1C210.b nimetatud süsinik- või klaaskiududest- või -niitmaterjalidest. Vaik moodustab siin komposiidi põhimassi.

1CMaterjalid Tehniline märkus: Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: a.

silindrikujulise sümmeetriaga detailid (sh silindrite segmendid) siseläbimõõduga üle 100 mm, kuid vähem kui 300 mm, ning

b.

kogumass üle 20 kg.

a.

sisaldab kaaluliselt vähem kui 1000 miljondikosa muid metallilisi lisandeid kui magneesium ning

b.

sisaldab kaaluliselt vähem kui 10 miljondikosa boori.

a.

sisaldab kaaluliselt vähem kui 200 miljondikosa muid metallilisi lisandeid kui kaltsium ning

b.

sisaldab kaaluliselt vähem kui 10 miljondikosa boori.

a.

puhtusaste 99,99 massiprotsenti või rohkem ning

b.

kaaluline hõbedasisaldus on vähem kui 10 miljondikosa.

a.

metallaknad röntgeniseadmetele või puuraukude sondidele;

b.

oksiidina kas valmistoodete või pooltoodete kujul, mis on spetsiaalselt ette nähtud elektroonika komponentide osadeks või elektronlülituste põhimikeks;

c.

berüll (berüllium- ja alumiiniumsilikaat) smaragdide või akvamariinide kujul.

1CMaterjalid Tehniline märkus: Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: a.

elementkujul;

b.

ühenditena, mille summaarne alfa-aktiivsus on 37 GBq/kg (1 Ci/kg) või rohkem;

c.

segudena, mille summaarne alfa-aktiivsus on 37 GBq/kg (1 Ci/kg) või rohkem;

d.

eelnimetatuid sisaldavate toodete või seadmetena.

a.

meditsiinilised seadmed;

b.

toode või seade, mis sisaldab vähem kui 0,37 GBq (10 milliküriid) raadium-226.

a.

niklipulber, millel on mõlemad järgmised omadused:

1. puhtusaste 99,0 massiprotsenti või rohkem ning

2. keskmine osakese suurus alla 10 μm mõõdetuna vastavalt ASTM standardile B330;

b.

poorne (käsn) nikkel, mis on toodetud punktis 1C240.a nimetatud materjalist.

a.

kiuline niklipulber;

b.

üksikud poorsest niklist lehed pindalaga 1000 cm2 või vähem lehe kohta.

1CMaterjalid Tehniline märkus: Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus:

1. tiodiglükool (111-48-8);

2. fosforoksükloriid (10025-87-3);

3. dimetüülmetüülfosfonaat (756-79-6);

4. VT SÕJALISTE KAUPADE NIMEKIRJAST metüülfosfonüüldifluoriid (676-99-3):

5. metüülfosfonüüldikloriid (676-97-1);

6. dimetüülfosfit (DMP) (868-85-9);

7. fosfortrikloriid (7719-12-2);

8. trimetüülfosfit (TMP) (121-45-9);

9. tionüülkloriid (7719-09-7);

10. 3-hüdroksü-1-metüülpiperidiin (3554-74-3);

11. N,N-diisopropüül-ß-aminoetüülkloriid (96-79-7);

12. N,N-diisopropüül-ß-aminoetaantiool (5842-07-9);

13. 3-kinoklidinool (1619-34-7);

14. kaaliumfluoriid (7789-23-3);

15. 2-kloroetanool (107-07-3);

16. dimetüülamiin (124-40-3);

17. dietüületüülfosfonaat (78-38-6);

18. dietüül-N,N-dimetüülfosforamidaat (2404-03-7);

19. dietüülfosfit (762-04-9);

20. dimetüülamiinhüdrokloriid (506-59-2);

21. etüülfosfinüüldikloriid (1498-40-4);

22. etüülfosfonüüldikloriid (1066-50-8);

23. VT SÕJALISTE KAUPADE NIMEKIRJAST etüülfosfonüüldifluoriid (753-98-0);

24. vesinikfluoriid (7664-39-3);

25. metüülbensilaat (76-89-1);

26. metüülfosfinüüldikloriid (676-83-5);

27. N,N-diisopropüül-ß-aminoetanool (96-80-0);

28. pinakolüülalkohol ( 464-07-3);

29. VT SÕJALISTE KAUPADE NIMEKIRJAST O-etüül-2-diisopropüülaminoetüülmetüülfosfoniit (57856-11-8);

30. trietüülfosfit (122-52-1);

31. arseentrikloriid (7784-34-1);

32. bensüülhape ( 76-93-7);

33. dietüülmetüülfosfoniit (15715-41-0);

34. dimetüületüülfosfonaat (6163-75-3);

35. etüülfosfinüüldifluoriid (430-78-4);

36. metüülfosfinüüldifluoriid (753-59-3);

37. 3-kinoklidoon (3731-38-2);

38. fosforpentakloriid (10026-13-8);

39. pinakoloon (75-97-89);

40. kaaliumtsüaniid (151-50-8);

41. kaaliumbifluoriid (7789-29-9);

42. ammooniumvesinikfluoriid (1341-49-7);

43. naatriumfluoriid (7681-49-4);

44. naatriumbifluoriid (1333-83-1);

45. naatriumtsüaniid (143-33-9);

46. trietanoolamiin (102-71-6);

47. fosforpentasulfiid (1314-80-3);

48. diisopropüülamiin (108-18-9);

49. dietüülaminoetanool (100-37-8);

50. naatriumsulfiid (1313-82-2);

51. väävelmonokloriid (10025-67-9);

52. vääveldikloriid (10545-99-0);

53. trietanoolamiinhüdrokloriid (637-39-8);

54. N,N-diisopropüül-2-aminoetüülkloriidhüdrokloriid (4261-68-1);

55. metüülfosfoonhape (993-13-5);

56. dimetüülmetüülfosfonaat (683-08-9);

57. N,N-dimetüülaminofosforüül dikloriid (677-43-0);

58. triisoporüülfosfit (116-17-6);

59. etüüldietanoolamiin (139-87-7);

60. O,O-dietüülfosforotioaat (2465-65-8);

61. O,O-dietüülfosforoditioaat (298-06-6);

62. naatriumheksafluorosilikaat (16893-85-9);

63. metüülfosfoontiohappe dikloriid (676-98-2).

a.

viirused, kas loomulikud, aktiveeritud või modifitseeritud, isoleeritud eluskultuuride või materjalide kujul, kaasa arvatud elusmaterjalid, mis on teadlikult nakatatud (inokuleeritud) või saastatud järgmiste kultuuridega:

1. chikungunya viirus;

2. Krimmi-Kongo hemorraagilise palaviku viirus;

3. Dengue’i palaviku viirus;

4. hobuste ida entsefalomüeliidi viirus;

5. Ebola viirus;

6. Hantaani viirus;

7. Junini viirus;

8. Lassa palaviku viirus;

9. lümfotsütaarse koriomeningiidi viirus;

10. Machupo viirus;

11. Marburgi viirus;

12. ahvide rõugeviirus;

13. Rifti oru palaviku viirus;

14. puukentsefaliidi viirus / Vene kevad-suve entsefaliidi viirus;

15. variola viirus (ehk tavaline rõugeviirus);

16. hobuste venetsueela entsefalomüeliidi viirus;

17. hobuste lääne entsefalomüeliidi viirus;

18. White-pox’i viirus;

19. kollapalaviku viirus;

20. Jaapani entsefaliidi viirus;

21. Kyasanur Foresti haiguse viirus;

22. lammaste (Šoti) entsefalomüeliidi viirus;

23. Murray Valley entsefaliidi viirus;

24. Omski hemorraagilise palaviku viirus;

25. Oropouche'i viirus;

26. Powassani viirus;

27. Rocio viirus;

28. St. Louis’i entsefaliidi viirus;

29. Hendra viirus (hobuste leetriviirus);

30. Lõuna-Ameerika hemorraagilise palaviku viirus (Sabia, Flexal, Guanarito);

31. kopsu-neerusündroomiga hemorraagilise palaviku viirused (Sõul, Dobrava, Puumala, Sin Nombre);

32. Nipah viirus;

b.

riketsiad, kas loomulikud, aktiveeritud või modifitseeritud, isoleeritud eluskultuuride või materjalide kujul, kaasa arvatud elusmaterjalid, mis on teadlikult nakatatud (inokuleeritud) või saastatud järgmiste kultuuridega:

1. Coxiella burnetii;

2. Bartonella quintana (Rochalimea quintana, Rickettsia quintana);

3. Rickettsia provazekii;

4. Rickettsia rickettsii;

c.

bakterid, kas loomulikud, aktiveeritud või modifitseeritud, isoleeritud eluskultuuride või materjalide kujul, kaasa arvatud elusmaterjalid, mis on teadlikult nakatatud (inokuleeritud) või saastatud järgmiste kultuuridega:

1. Bacillus anthracis;

2. Brucella abortus;

3. Brucella melitensis;

4. Brucella suis;

5. Chlamydia psittaci;

6. Clostridium botulinum;

7. Francisella tularensis;

8. Burkholderia mallei (Pseudomonas mallei);

9. Burkholderia pseudomallei (Pseudomonas pseudomallei);

10. Salmonella typhi;

11. Shigella dysenteriae;

12. Vibrio cholerae;

13. Yersinia pestis;

14. Clostridium perfringens, epsilontoksiini produtseerivad tüübid;

15. enterohemorraagiline Escherichia coli, serotüüp O157 ja muud verotoksiini produtseerivad serotüübid;

d.

toksiinid ja nende alarühmad: Märkus: Punkt 1C351.d ei hõlma botulismitoksiini või konotoksiini toote vormis, mis vastab kõikidele järgmistele kriteeriumidele:

1. botulismitoksiin;

2. Clostridium perfingens’i toksiin;

3. konotoksiin;

4. ritsiin;

5. saksitoksiin;

6. shigatoksiin;

7. Staphylococcus aureus’e toksiin;

8. tetrodotoksiin;

9. verotoksiin;

10. mikrotsüstiin (Cyanginosin);

11. aflatoksiinid;

12. abrin;

13. kooleratoksiin;

14. diatsetoksisksirpenooltoksiin;

15. T-2 toksiin;

16. HT-2 toksiin;

17. modeksiin;

18. volkensiin;

19. Viscum album Lectin 1 (viskumiin).

1. on farmatseutilised formulatsioonid, mis on mõeldud inimeste meditsiiniliseks raviks;

2. on eelnevalt pakendatud meditsiinitoodetena turustamiseks;

3. on riigi ametiasutuse poolt lubatud turustamiseks meditsiinitoodetena.

a.

viirused, kas loomulikud, aktiveeritud või modifitseeritud, isoleeritud eluskultuuride või materjalide kujul, kaasa arvatud elusmaterjalid, mis on teadlikult nakatatud (inokuleeritud) või saastatud järgmiste kultuuridega:

1. sigade aafrika katku viirus;

2. lindude gripiviirus, mis on:

2. a.

mittekirjeldatud või

b.

määratletud EÜ direktiivis 92/40/EÜ (EÜT L 16, 23.1.1992, lk 19) kui suure patogeensusega viirused:

1. A-tüüpi viirused, mille intravenoosse patogeensuse indeks (IVPI) kuuenädalastel tibudel on suurem kui 1,2, või

2. A-tüüpi viiruste alatüübid H5 või H7, mille korral nukleotiidide järjestusmääramine näitab mitmealuseliste aminohapete olemasolu hemaglutiniini lõhestamispiirkonnas;

3. lammaste katarraalse palaviku viirus;

4. suu- ja sõrataudi viirus;

5. kitsede rõugeviirus;

6. sigade herpesviirus/ Aujeszky haigus;

7. sigade katku viirus;

8. Lyssa-viirus;

9. Newcastle’i haiguse viirus;

10. väikemäletsejate katku viirus;

11. sigade enteroviirus, tüüp 9 (sigade vesikulaarhaiguste viirus);

12. veisekatku viirus;

13. lammaste rõugeviirus;

14. Tescheni haiguse viirus;

15. vesikulaarse stomatiidi viirus;

16. veiste nodulaarse dermatiidi viirus;

17. hobuste aafrika katku viirus;

b.

mükoplasma mükoidid, kas loomulikud, aktiveeritud või modifitseeritud, isoleeritud eluskultuuride või materjalide kujul, kaasa arvatud elusmaterjalid, mis on teadlikult idustatud või saastatud nimetatud mükoplasma mükoididega.

a.

geneetiliselt muundatud organismid või geneetilised elemendid, mis sisaldavad punktis 1C351.a–c, 1C352 või 1C354 määratletud organismide patogeensusega seotud nukleiinhappejärjestusi;

b.

geneetiliselt muundatud organismid või geneetilised elemendid, mis sisaldavad patogeensusega seotud nukleiinhappejärjestusi, mis kodeerivad punktis 1C351.d nimetatud mis tahes toksiine või nende toksiinide alarühmasid.

1CMaterjalid Tehniline märkus: Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehnilised märkused: a.

ise või mille transkribeeritud või transleeritud produktid kujutavad endast olulist ohtu inimeste, loomade või taimede tervisele või

b.

teatavalt suurendavad nimetatud mikroorganismi või mis tahes muu organismi, millesse neid võib sisestada või muul viisil integreerida, võimet kahjustada tõsiselt inimeste, loomade või taimede tervist.

a.

viirused, kas loomulikud, aktiveeritud või modifitseeritud, isoleeritud eluskultuuride või materjalide kujul, kaasa arvatud elusmaterjalid, mis on teadlikult nakatatud (inokuleeritud) või saastatud järgmiste kultuuridega:

1. Potato Andean latent tymovirus;

2. Potato spindle tuber viroid;

b.

bakterid, kas loomulikud, aktiveeritud või modifitseeritud, isoleeritud eluskultuuride või materjalide kujul, mis on teadlikult nakatatud (inokuleeritud) või saastatud järgmiste kultuuridega:

1. Xanthomonas albilineans;

2. Xanthomonas campestris pv. Citri, kaasa arvatud Xanthomonas campestris pv. citri tüüpidele A, B, C, D, E omistatavad tüved või teisiti klassifitseerituna Xanthomonas citri, Xanthomonas campestris pv. aurantifolia või Xanthomonas campestris pv. citrumelo;

3. Xanthomonas oryzae pv. Oryzae (Pseudomonas campestris pv. Oryzae);

4. Clavibacter michiganensis subsp. Sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. Sepedonicum või Corynebacterium Sepedonicum);

5. Ralstonia solanacearum rassid 2 ja 3 (Pseudomonas solanacearum rassid 2 ja 3 või Burkholderia solanacearum rassid 2 ja 3);

c.

seened, kas loomulikud, aktiveeritud või modifitseeritud, isoleeritud eluskultuuride või materjalide kujul, mis on teadlikult nakatatud (inokuleeritud) või saastatud järgmiste kultuuridega:

1. Colletotrichum coffeanum var. virulans (Colletotrichum kahawae);

2. Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae);

3. Microcycolus ulei (sünonüüm Dothidella ulei);

4. Puccinia graminis (sünonüüm Puccinia graminis f. sp. tritici);

5. Puccinia striiformis (sünonüüm Puccinia glumarum);

6. Magnaporthe grisea (pyricularia grisea/pyricularia oryzae).

a.

Mürkkemikaalid: Märkus 1: Keemiarelvade konventsiooniga mitteühinenud riikidesse eksportimisel ei hõlma punkt 1C450 keemilisi segusid, mis sisaldavad üht või mitut punktides 1C450.a.1 ja 1C450.a.2 nimetatud kemikaali ning milles ükski üksik kemikaal ei moodusta kõnealusest segust üle 1 massiprotsendi. Märkus 2: Keemiarelvade konventsiooniga ühinenud riikidesse eksportimisel ei hõlma punkt 1C450 keemilisi segusid, mis sisaldavad üht või mitut punktides 1C450.a.1 ja 1C450.a.2 nimetatud kemikaali ning milles ükski üksik kemikaal ei moodusta kõnealusest segust üle 30 massiprotsendi. Märkus 3: Punkt 1C450 ei hõlma keemilisi segusid, mis sisaldavad üht või mitut punktides 1C450.a.4, 1C450.a.5, 1C450.a.6 ja 1C450.a.7 nimetatud kemikaali ning milles ükski üksik kemikaal ei moodusta kõnealusest segust üle 30 massiprotsendi.

1. amiton: O,O-dietüül-S-[2-(dietüülamino) etüül]fosforotiolaat (78-53-5) ja vastavad alküülitud või protoneeritud soolad;

2. PFIB: 1,1,3,3,3-pentafluoro-2-(trifluorometüül)-1-propeen (382-21-8);

3. VT SÕJALISTE KAUPADE NIMEKIRJAST BZ: 3-kinoklidinüülbensülaat (6581-06-2);

4. fosgeen: karbonüüldikloriid (75-44-5);

5. tsüaankloriid (506-77-4);

6. vesiniktsüaniid (74-90-8);

7. kloropikriin: trikloronitrometaan (76-06-2);

b.

mürkkemikaalide lähteained: Märkus 1: Keemiarelvade konventsiooniga mitteühinenud riikidesse eksportimisel ei hõlma punkt 1C450 keemilisi segusid, mis sisaldavad üht või mitut punktides 1C450.b.1, 1C450.b.2, 1C450.b.3, 1C450.b.4, 1C450.b.5 ja 1C450.b.6 nimetatud kemikaali ning milles ükski üksik kemikaal ei moodusta kõnealusest segust üle 10 massiprotsendi. Märkus 2: Keemiarelvade konventsiooniga ühinenud riikidesse eksportimisel ei hõlma punkt 1C450 keemilisi segusid, mis sisaldavad üht või mitut punktides 1C450.b.1, 1C450.b.2, 1C450.b.3, 1C450.b.4, 1C450.b.5 ja 1C450.b.6 nimetatud kemikaali ning milles ükski üksik kemikaal ei moodusta kõnealusest segust üle 30 massiprotsendi. Märkus 3: Punkt 1C450 ei hõlma keemilisi segusid, mis sisaldavad üht või mitut punktis 1C450.b.8 nimetatud kemikaali ning milles ükski üksik kemikaal ei moodusta kõnealusest segust üle 30 massiprotsendi. Märkus: Punkt 1C450 ei hõlma tarbekaupadena määratletavaid tooteid, mis on pakendatud jaemüügiks isiklikuks kasutamiseks või pakendatud üksikisikule kasutamiseks.

1. kemikaalid, välja arvatud sõjaliste kaupade nimekirjas või punktis 1C350 nimetatud, mis sisaldavad fosforiaatomit, millega on seotud üks (normaal- või iso-) metüül-, etüül- või propüülrühm, kuid mitte enam süsinikuaatomeid; Märkus: Punkt 1C450.b.1 ei hõlma järgmist: Fonofos: O-etüül-S-fenüületüülfosfonotiolotionaat (944-22-9);

2. N,N-dialküül[metüül, etüül, n-propüül- või isopropüül-]-fosforamiidi dihalogeniidid;

3. dialküül[metüül, etüül, n-propüül või isopropüül]-N,N-dialküül[metüül, etüül, n-propüül või isopropüül]-fosforamidaadid, muud kui punktis 1C350 nimetatud dietüül-N,N-dimetüülfosforamidaat;

4. N,N-dialküül[metüül, etüül, n-propüül või isopropüül]aminoetüül-2-kloriidid ja vastavad protoneeritud soolad, muud kui punktis 1C350 nimetatud N,N-diisopropüül-(beta)-aminoetüülkloriidhüdrokloriid;

5. N,N-dialküül-[metüül, etüül, n-propüül või isopropüül]aminoetaan-2-oolid ja vastavad protoneeritud soolad, muud kui punktis 1C350 nimetatud N,N-diisopropüül-(beta)-aminoetanool (96-80-0) ja N,N-dietüülaminoetanool (100-37-8); Märkus: Punkt 1C450.b.5 ei hõlma järgmist:

5. a.

N,N-dimetüülaminoetanool (108-01-0) ja vastavad protoneeritud soolad;

b.

N,N-dietüülaminoetanool ja vastavad protoneeritud soolad (100-37-8);

6. N,N-dialküül-[metüül, etüül, n-propüül või isopropüül]aminoetaan-2-tioolid ja vastavad protoneeritud soolad, muud kui punktis 1C350 nimetatud N,N-diisopropüül-(beta)-aminoetaantiool;

7. vt punktis 1C350 etüüldietanoolamiin (139-87-7);

8. metüüldietanoolamiin (105-59-9).

1DTarkvara 1D001Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktides 1B001–1B003 nimetatud seadmete arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks. 1D002Tarkvara, mis on ette nähtud orgaaniliste ja metalliliste põhimasside, süsinikpõhimassilaminaatide või -komposiitide arendamiseks. 1D101Tarkvara, mis on spetsiaalselt ette nähtud või kohandatud punktides 1B101,1B102, 1B115, 1B117, 1B118 või 1B119 nimetatud kaupade kasutamiseks. 1D103Tarkvara, mis on spetsiaalselt ette nähtud selliste vähendatud märgatavusega signaalide analüüsiks nagu radarikiirte tagasipeegeldumine, ultraviolett-/infrapuna- või akustilised signaalid. 1D201Tarkvara, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktis 1B201 nimetatud kaupade kasutamiseks.

1ETehnoloogia

1E001Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud punktides 1A001.b, 1A001.c, 1A002–1A005, 1B või 1C nimetatud materjalide arendamiseks või tootmiseks. 1E002Muu tehnoloogia: 1E101Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud punktides 1A102, 1B001, 1B101, 1B102, 1B115–1B119, 1C001, 1C101, 1C107, 1C111–1C117, 1D101 või 1D103 nimetatud kaupade kasutamiseks. 1E102Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia punktides 1D001, 1D101 või 1D103 nimetatud tarkvara arendamiseks. 1E103Tehnoloogia temperatuuri, rõhu või atmosfääri reguleerimiseks autoklaavides või hüdroklaavides komposiitide või osaliselt töödeldud komposiitide tootmisel. 1E104Tehnoloogia pürolüütiliselt saadud materjalide tootmiseks, mis on moodustunud valuvormil, spindlil või muul alusel lähtegaasidest, mis lagunevad temperatuurivahemikus 1573 K (1300 °C) kuni 3173 K (2900 °C), rõhkudel 130 Pa kuni 20 kPa. Märkus: Punkt 1E104 hõlmab tehnoloogiat lähtegaaside koostise jaoks, voolukiirusi ja protsessi juhtimise programmi ning parameetreid. 1E201Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud punktides 1A002, 1A202, 1A225–1A227, 1B201, 1B225–1B233, 1C002.b.3 või 1C002.b.4, 1C010.b., 1C202, 1C210, 1C216, 1C225–1C240 või 1D201 nimetatud kaupade kasutamiseks. 1E202Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud punktides 1A202 või 1A225–1A227 nimetatud seadmete või materjalide arendamiseks või tootmiseks. 1E203Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia punktis 1D201 nimetatud tarkvara arendamiseks.

a.

tehnoloogia polübensotiasoolide või polübensoksasoolide arendamiseks ja tootmiseks;

b.

tehnoloogia selliste fluoroelastomeerühendite arendamiseks ja tootmiseks, mis sisaldavad vähemalt ühte vinüüleetermonomeeri;

c.

tehnoloogia järgmiste lähtematerjalide või mittekomposiitsete keraamiliste materjalide tootmiseks:

1. lähtematerjalid, millel on kõik järgmised omadused:

1. a.

üks järgmisest loetelust:

1. tsirkooniumi liht- või kompleksoksiidid ja räni või alumiiniumi kompleksoksiidid;

2. boori lihtnitriidid (kuubilise võrega kristallide kujul);

3. räni või boori liht- või komplekskarbiidid või

4. räni liht- või kompleksnitriidid;

b.

summaarne metalliliste lisandite hulk, välja arvatud spetsiaalselt lisatavad, on väiksem kui:

1. 1000 miljondikosa lihtoksiidide või karbiidide korral või'

2. 5000 miljondikosa kompleksühendite või lihtnitriidide korral ning

c.

mis tahes järgmiste omadustega:

1. tsirkooniumid, mille keskmine osakeste suurus ei ületa 1 μm ja kuni 10 % osakeste suurus ei ületa 5 μm;

2. muud lähtematerjalid, mille keskmine osakeste suurus ei ületa 5 μm ja kuni 10 % osakeste suurus ei ületa 10 μm või

3. millel on kõik järgmised omadused:

3. a.

liistakud, mille pikkuse ja paksuse suhe ületab 5;

b.

niitkristallid, mille pikkuse ja läbimõõdu suhe ületab 10 läbimõõtude korral, mis on väiksemad kui 2 μm, ning

c.

pidev või tükeldatud kiud, mille läbimõõt on väiksem kui 10 μm;

2. mittekomposiitsed keraamilised materjalid, mis on valmistatud punktis 1E002.c.1 nimetatud materjalidest; Märkus: Punkt 1E002.c.2 ei hõlma tehnoloogiat abrasiivide kavandamiseks või tootmiseks.

d.

tehnoloogia aromaatsete polüamiidkiudude tootmiseks;

e.

tehnoloogia punktis 1C001 nimetatud materjalide installeerimiseks, hooldamiseks või parandamiseks;

f.

tehnoloogia punktides 1A002, 1C007.c või 1C007.d nimetatud komposiitstruktuuride, -laminaatide või -materjalide parandamiseks. Märkus: Punkt 1E002.f ei hõlma tehnoloogiat, mis on vajalik tsiviilõhusõidukite tarindite remondiks, kasutades süsinik kiud- ja niitmaterjale ning epoksüvaike, mis sisalduvad õhusõidukivalmistaja käsiraamatus.

2. KATEGOORIA – MATERJALIDE TÖÖTLEMINE

2ASüsteemid, seadmed ja komponendid Tehniline märkus:

NB! Müravabade laagrite kohta vaata sõjaliste kaupade nimekirja. 2A001Veerelaagrid ja laagrisüsteemid ning nende komponendid: Märkus: Punkt 2A001 ei hõlma kuule, mille tootja poolt määratud tolerantsid ISO 3290 standardi kohaselt vastavad täpsusklassile 5 või on halvemad. 2A225Tiiglid, mis on valmistatud vedelatele aktiniidmetallidele vastupidavatest materjalidest: 2A226Klapid, millel on kõik järgmised omadused: Erinevate sisendava ja väljundava läbimõõtudega klappide korral tähistab punktis 2A226 nimimõõt väikseimat läbimõõtu.

2ASüsteemid, seadmed ja komponendid a.

kuullaagrid või tervikrull-laagrid, mille tootja määratletud tolerantsid vastavad ISO 492 täpsusklassile 4 (või ANSI/ABMA Std 20 täpsusklassile ABEC-7 või RBEC-7 või vastavatele siseriiklikele normidele) või on paremad ja mille veerevõrud ja -kehad on valmistatud monelmetallist või berülliumist; Märkus: Punkt 2A001 ei hõlma koonusrull-laagreid.

b.

muud kuullaagrid või tervikrull-laagrid, mille tootja määratletud tolerantsid vastavad ISO 492 täpsusklassile 2 (või ANSI/ABMA Std 20 täpsusklassile ABEC-9 või RBEC-9 või vastavatele siseriiklikele normidele) või on paremad; Märkus: Punkt 2A001.b ei hõlma koonusrull-laagreid.

c.

aktiivsed magnetlaagrisüsteemid, mis kasutavad mõnda järgmistest:

1. materjalid, mille magnetvootihedus on 2,0 T või suurem ja voolavuspiir on üle 414 MPa;

2. täiselektromagnetilised 3D homopolaarsed eelmagneetimiskonstruktsioonid ajamitele või

3. kõrgetemperatuurilised (450 K (117 °C) ja kõrgem) asendiandurid.

a.

tiiglid, millel on mõlemad järgmised omadused:

1. mahutavus 150–8000 cm3ja

2. valmistatud järgmistest materjalidest või kaetud mis tahes järgmiste materjalidega, mille puhtusaste on 98 massiprotsenti või rohkem:

2. a.

kaltsiumfluoriid (CaF2);

b.

kaltsiumtsirkonaat (metatsirkonaat) (CaZrO3);

c.

tseeriumsulfiid (Ce2S3);

d.

erbiumoksiid (Er2O3);

e.

hafniumoksiid (HfO2);

f.

magneesiumoksiid (MgO);

g.

nitriiditud nioobiumi-titaani-volframisulam, mis sisaldab ligikaudu 50 % Nb, 30 % Ti ja 20 % W;

h.

ütriumoksiid (Y2O3) või

i.

tsirkooniumoksiid (ZrO2);

b.

tiiglid, millel on mõlemad järgmised omadused:

1. mahutavus 50–2000 cm3ja

2. valmistatud tantaalist või kaetud tantaaliga, mille puhtusaste on 99,9 massiprotsenti või rohkem;

c.

tiiglid, millel on kõik järgmised omadused:

1. mahutavus 50–2000 cm3;

2. valmistatud tantaalist või kaetud tantaaliga, mille puhtusaste on 98 massiprotsenti või rohkem ja

3. kaetud tantaalkarbiidi, -nitriidi või -boriidiga või nende kombinatsiooniga.

a.

nimisuurus 5 mm või rohkem;

b.

omab lõõtstihendit ja

c.

valmistatud alumiiniumist, alumiiniumisulamist, niklist või niklisulamist, mis sisaldab 60 massiprotsenti või rohkem niklit, või sellega kaetud.

2BTestimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehnilised märkused: Tehniline märkus:

2B001Tööpingid ja nende kombinatsioonid metallide, keraamika ja komposiitide töötlemiseks (või lõikamiseks), mis vastavalt tootja tehnilisele spetsifikatsioonile võivad olla varustatud elektroonsete arvjuhtimisseadmetega, ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud komponendid: NB! VT KA PUNKTI 2B201. Märkus 1: Punkt 2B001 ei hõlma eriotstarbelisi tööpinke, mida kasutatakse üksnes hammasrataste valmistamiseks. Selliste tööpinkide kohta vt punkti 2B003. Märkus 2: 2B001 ei hõlma eriotstarbelisi tööpinke, mida kasutatakse üksnes järgmiste detailide tootmiseks: Märkus 3: Tööpinke, millel on vähemalt kaks kolmest võimalusest – treimise, freesimise või lihvimise võimalus (nt treipink, millel on ka freesimise võimalus) tuleb hinnata kõigi kohaldatavate punktide 2B001.a., 2B001.b. või 2B001.c. järgi. 2B002Digitaalsed tööpingid, mis kasutavad magneto-reoloogilist viimistlusprotsessi (magnetorheological finishing process) (MRF) mittesfääriliste pindade tootmiseks ja millel on üks järgmistest omadustest: Punkti 2B002 tähenduses on MRF materjali eemaldamise protsess, milles kasutatakse abrasiivset magnetilist vedelikku, mille viskoossust reguleerib magnetväli. 2B003Arv- ja käsijuhtimisega tööpingid ning spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud komponendid, juhtimis- ja lisaseadmed, mis on ette nähtud karastatud (Rc = 40 või enam), sirghammastega silinderrataste, kaldhammasrataste ja noolhammasrataste, mille jaotusringjoone läbimõõt on suurem kui 1250 mm ning mille hamba tööpinna laius on 15 % jaotusringjoone läbimõõdust või enam ning mis on viimistletud AGMA 14 või parema kvaliteediga (võrdne ISO 1328 klass 3ga), lõikamiseks, viimistlemiseks, lihvimiseks või hoonimiseks. 2B004Kuumisostaatpressid ning spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud komponendid ja lisaseadmed, millel on kõik järgmised omadused: NB! VT KA PUNKTE B104 JA 2B204. Kambri sisemõõde tähendab kambri selle osa mõõte, milles saavutatakse samaaegselt nii töötemperatuur kui ka töörõhk, ning siia ei arvestata kinnitusrakiseid. See mõõde on väiksem kas rõhukambri sisediameetrist või isoleeritud ahju sisediameetrist, sõltuvalt sellest, kumb kahest eespool nimetatud kambrist asub teise sees. NB! Spetsiaalselt konstrueeritud stantside, valuvormide ning tööriistade kohta vaata punkte B003, 9B009 ja sõjaliste kaupade nimekirja. 2B005Seadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud anorgaaniliste kihtide, pinnakatete ja pinna modifikatsioonide sadestamiseks ja töötlemiseks mitteelektroonsetele põhimikele ning protsessi käigu kontrollimiseks selliste menetluste abil, mis on esitatud punkti 2E003.f tabelis ja märkustes ning spetsiaalselt nende seadmete automaatseks kasutamiseks, positsioneerimiseks, käsitsemiseks ja kontrolliks kavandatud komponendid: Märkus: Punkt B005 ei hõlma keemilise aurustamise-sadestamise, katoodsadestuse, atomisatsioonsadestuse, ioonpindamise või ioonlegeerimise seadmeid, mis on spetsiaalselt kavandatud lõikamis- või tööriistade jaoks. 2B006Mõõtmelised kontrolli- või mõõtesüsteemid, seadmed ja elektroonikasõlmed: NB! VT KA PUNKTI B206. Märkus: Tööpingid, mida võib kasutada mõõtemehhanismidena, kuuluvad kontrolli alla, kui nad vastavad või ületavad tööpinkide või mõõtemehhanismide funktsioonidele kindlaksmääratud kriteeriume. 2B007Robotid, millel on järgmised tehnilised omadused, ning spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud juhtimisseadmed ja tööorganid: NB! VT KA PUNKTI B207. 2B008Agregaadid või moodulid, mis on spetsiaalselt ette nähtud tööpinkide jaoks, või mõõtmelised kontrolli- või mõõtesüsteemid ja -seadmed: 2B009Trugimis- ja tõukamispingid, mis vastavalt tootja tehnilisele kirjeldusele võivad olla varustatud arvjuhtimismooduliga või arvutijuhtimisega ja millel on kõik järgmised omadused: NB! VT KA PUNKTE 2B109 JA 2B209. Tööpinke, milles on ühendatud nii trugimise kui ka tõukamise põhimõtted, käsitletakse punkti 2B009 tähenduses tõukamispinkidena. 2B104Isostaatpressid, muud kui punktis 2B004 nimetatud, millel on kõik järgmised omadused: NB! VT KA PUNKTI 2B204. 2B105Keemilise aurustamise-sadestamise (CVD) ahjud, muud kui punktis 2B005.a nimetatud, mis on kavandatud või kohandatud süsinik-süsinik-komposiitide tihendamiseks. 2B109Tõukamispingid, muud kui punktis 2B009 nimetatud, ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud komponendid: NB! VT KA PUNKTI 2B209. Märkus: Punkt 2B109 ei hõlma masinaid, mis ei ole kasutatavad tõukemootori komponentide ja seadmete (nt mootorikestad) tootmiseks punktis 9A005, 9A007.a või 9A105.a nimetatud süsteemidele. Tööpinke, milles on ühendatud nii trugimise kui ka tõukamise põhimõtted, käsitletakse punkti 2B009 tähenduses tõukamispinkidena. 2B116Vibratsiooni katsetamise süsteemid, seadmed ja komponendid: Punktis 2B116 tähendab tühi laud tasast lauda või pinda, millel puuduvad kinnitusrakised ja abidetailid. 2B117Seadmete ja protsesside juhtimissüsteemid, muud kui punktis 2B004, 2B005.a, 2B104 või 2B105 nimetatud, mis on kavandatud või kohandatud raketidüüside ja atmosfääri taassisenevate lennuaparaatide ninamike otste struktuurkomposiitide tihendamiseks ja pürolüüsiks. 2B119Järgmised balansseerpingid ja nendega seotud seadmed: NB! VT KA PUNKTI 2B219. 2B120Liikumissimulaatorid või pöörlemislauad, millel on kõik järgmised omadused: Märkus: Punkt 2B120 ei hõlma pöörlemislaudu, mis on konstrueeritud või kohandatud tööpinkide või meditsiiniseadmete jaoks. Tööpinkide pöörlemislaudade kontrolli kohta vaata punkti 2B008. 2B121Positsioneerimislauad (seadmed, mis võimaldavad täpset positsioneerimist mis tahes pöördteljel), muud kui punktis 2B120 nimetatud, millel on kõik järgmised omadused: Märkus: Punkt 2B121 ei hõlma pöörlemislaudu, mis on konstrueeritud või kohandatud tööpinkide või meditsiiniseadmete jaoks. Tööpinkide pöörlemislaudade kontrolli kohta vaata punkti 2B008. 2B122Tsentrifuugid, mis on võimelised tekitama kiirendusi üle 100 g ja millel on kontaktrõngad, mis võimaldavad elektrienergiat ja informatsiooni signaale edasi kanda. 2B201Tööpingid ja nende kombinatsioonid, muud kui punktis 2B001 nimetatud, metallide, keraamika ja komposiitide töötlemiseks või lõikamiseks, mis vastavalt tootja tehnilisele kirjeldusele võivad olla varustatud elektronseadmetega kahel või enamal teljel üheaegseks kontuurjuhtimiseks: 2B204Isostaatpressid, muud kui punktis 2B004 või 2B104 nimetatud, ning nende juurde kuuluvad seadmed: Punktis 2B204 tähendab kambri sisemõõde kambri selle osa mõõte, milles saavutatakse samaaegselt nii töötemperatuur kui ka töörõhk, ning siia ei arvestata kinnitusrakiseid. See mõõde on väiksem kas rõhukambri sisediameetrist või isoleeritud ahju sisediameetrist, sõltuvalt sellest, kumb kahest eespool nimetatud kambrist asub teise sees. 2B206Mõõtmelised kontrolliseadmed, -riistad või -süsteemid, muud kui punktis 2B006 nimetatud: Märkus 1: Tööpingid, mida võib kasutada mõõtemehhanismidena, kuuluvad kontrolli alla, kui nad vastavad tööpinkide või mõõtemehhanismide funktsioonidele kindlaksmääratud kriteeriumidele või ületavad neid. Märkus 2: Punktis 2B206 nimetatud seadmed kuuluvad kontrolli alla, kui nad ületavad kontroll-läve kus tahes oma toimimispiirkonnas. 2B207Robotid, nende tööorganid ja juhtimismoodulid, muud kui punktis 2B007 nimetatud: 2B209Tõukamispingid, trugimispingid, mis võimaldavad muude kui punktis 2B009 või 2B109 kirjeldatud tõukamisülesannete täitmist, ning südamikud: Märkus: Punkt 2B209.a hõlmab ka tööpinke, millel on ainult üks rull metalli deformeerimiseks ning kaks abirulli, mis toetavad südamikku, kuid ei osale otseselt deformeerimise protsessis. 2B219Tsentrifugaalsed mitmetasandilised balansseerpingid, jäigalt kinnitatud või teisaldatavad, horisontaalsed või vertikaalsed: 2B225Kaugjuhtimisega manipulaatorid, mis on kasutatavad kaugjuhitavaks tegutsemiseks radiokeemilistes eraldusprotsessides või kuumades kambrites ja millel on üks järgmistest omadustest: Kaugjuhitavad manipulaatorid võimaldavad üle kanda seda teenindava isiku liigutused kaugel asuvale tegutsevale käele ning lõppklambrile. Manipulaatorid võivad olla ülem-alluv-tüüpi või juhitavad juhtkangi või klaviatuuri abil. 2B226Kontrollitava keskkonnaga (vaakum või väärisgaas) induktsioonahjud ning nimetatud ahjude juurde kuuluvad toiteallikad: NB! VT KA PUNKTI 3B. Märkus: Punkt 2B226.a ei hõlma pooljuhtkristallide tootmiseks kavandatud ahjusid. 2B227Vaakum- või muu kontrollitava atmosfääriga metallurgilise sulatamise ja valuahjud ning nende juurde kuuluvad seadmed: 2B228Rootorite tootmis- ja koostamisseadmed, rootorite joondamisseadmed ning lõõtsade vormimiseks mõeldud tornid ja stantsid: 2B230Rõhuandurid, mis võimaldavad mõõta absoluutrõhku vahemikus 0–13 kPa ja millel on mõlemad järgmised omadused: Punkti 2B230 tähenduses sisaldab täpsus mittelineaarsust, hüstereesi ning ümbritseva keskkonna temperatuuril korratavust. 2B231Vaakumpumbad, millel on kõik järgmised omadused: 2B232Mitmeastmelised kerged gaasikahurid või teised suure lõppkiirusega relvasüsteemid (mähis, elektromagnetilist ja elektrotermilist tüüpi ning teised edasiarendatud süsteemid), mis on võimelised kiirendama mürsku kiiruseni 2 km/s või rohkem. 2B350Keemiatööstuse tootmisrajatised, -seadmed ja -komponendid: Süsinikgrafiit on amorfse süsiniku ja grafiidi segu, milles kaaluline grafiidisisaldus on 8 % või rohkem. 2B351Mürgiste gaaside seiresüsteemid ja nende eriotstarbelised detektorid: 2B352Seadmed bioloogiliste materjalide käitlemiseks:

2BTestimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed Tehnilised märkused:

1. Täiendavaid paralleelseid kontuurtelgesid (nt horisontaalsete karussellsisetreipinkide w-telg või teisene pöördtelg, mille pöörlemistelg on paralleelne põhitelje pöörlemisteljega) ei loeta kontuurtelgede koguhulka. Pöördteljed ei pea pöörlema üle 360°. Pöördtelge võib pöörlema panna lineaarseade (nt tigu- või hammaslattajam).

2. Punkti 2B tähenduses on nende telgede arv, mida võib samaaegselt koordineerida kontuurjuhtimiseks, telgede arv, piki mida või mille ümber toimub mis tahes töödeldava detaili või tööriista samaaegne ja omavahel seotud liikumine. Sinna hulka ei loeta lisatelgi, piki mida või mille ümber toimub muu suhteline liikumine seadmes, näiteks:

2. a.

lihvimisketaste rihtimissüsteemi lihvmasinaid;

b.

paralleelseid pöördtelgesid, mis on kavandatud eraldi asuvate töödeldavate detailide paigaldamiseks;

c.

kolineaarseid pöörlevaid abitelgesid, mis on kavandatud sama töödeldava detaili käsitsemiseks, hoides seda kinni erinevatest punktidest.

3. Telgede nimestik peab olema vastavuses rahvusvahelise standardiga ISO 841 Numerical Control Machines - Axis and Motion Nomenclature (numbrilised juhtimismasinad – telje ja liikumise nimestik).

4. Punktide 2B001–2B009 tähenduses loetakse kaldvõll pöördteljeks.

5. ISO 230/2 (1988) või vastava siseriikliku standardi kohaselt sooritatud mõõtmiste põhjal kindlaksmääratud positsioneerimise täpsusastmeid võib kasutada iga konkreetse tööpingimudeli puhul eraldi iga tööpingi katsetamise asemel. Kindlaksmääratud positsioneerimistäpsus tähendab täpsuse väärtust, mis on ette nähtud selle asukohaliikmesriigi pädevate asutuste jaoks, kus eksportija tööpingi mudeli täpsuse esindajana asub. Kindlaksmääratud väärtuste määramine:

5. a.

valida viis tööpinki hinnatavast mudelist;

b.

mõõta lineaartelje täpsused vastavalt ISO 230/2 (1988)le;

c.

määrata iga tööpingi iga telje A-väärtused. A-väärtuse arvutamine on kirjeldatud ISO standardis;

d.

määrata iga telje A-väärtuste keskväärtus. Sellest keskväärtusest  saab uuritava mudeli iga telje kindlaksmääratud väärtus (Âx Ây...);

e.

kuna 2. kategooria nimekiri viitab igale lineaarsele teljele eraldi, siis on kindlaksmääratud väärtusi sama palju kui lineaarseid telgi;

f.

kui mõni sellise tööpingi mudeli telg, mis ei ole hõlmatud punktide 2B001.a–2B001.c või 2B201-ga, omab kindlaksmääratud täpsust  6 mikronit lihvimispinkidel ja 8 mikronit frees- ja treipinkidel või paremat, peab valmistaja kinnitama täpsusastet kord kaheksateistkümne kuu jooksul.

a.

väntvõllid või nukkvõllid;

b.

tööriistad või lõiketerad;

c.

pressi tiguvõll;

d.

graveeritud või lihvitud juveeltooted.

a.

treipingid, millel on kõik järgmised omadused: Märkus: Punkt 2B001.a ei hõlma treipinke, mis on spetsiaalselt ette nähtud kontaktläätsede valmistamiseks.

1. positsioneerimistäpsus koos kõigi olemasolevate kompensatsioonidega on võrdne või väiksem (parem) kui 6 μm (mõõdetuna piki mis tahes lineaartelge) vastavalt ISO standardile 230/2 (1988) või vastavatele siseriiklikele standarditele ja

2. kaks või enam telge, mida võib üheaegselt koordineerida kontuurjuhtimiseks;

b.

freespingid, millel on üks järgmistest omadustest:

1. millel on kõik järgmised omadused:

1. a.

positsioneerimistäpsus koos kõigi olemasolevate kompensatsioonidega on võrdne või väiksem (parem) kui 6 μm (mõõdetuna piki mis tahes lineaartelge) vastavalt ISO standardile 230/2 (1988) või vastavatele siseriiklikele standarditele ja

b.

kolm lineaarset telge ja üks pöörlemistelg, mida saab üheaegselt koordineerida kontuurjuhtimiseks;

2. viis või enam telge, mida saab üheaegselt koordineerida kontuurjuhtimiseks;

3. koordinaatpuurpinkide positsioneerimistäpsus, mis koos kõigi olemasolevate kompensatsioonidega on võrdne või väiksem (parem) kui 4 μm (mõõdetuna piki mis tahes lineaartelge) vastavalt ISO standardile 230/2 (1988) või vastavatele siseriiklikele standarditele või

4. lendteraga lõikeseadmed, millel on kõik järgmised omadused:

4. a.

peavõlli aksiaallõtku ja viskumise koguväärtus on väiksem (parem) kui 0,0004 mm (TIR) ja

b.

liugliikumise nurkhälvete (võnkumine risti- ja pikisuunas ning pöördliikumine) koguväärtus 300 mm teekonnal on väiksem (parem) kui 2 kaaresekundit (TIR);

c.

lihvimispingid, millel on järgmised omadused: Märkus: Punkt 2B001.c ei hõlma järgmisi lihvimispinke:

1. millel on kõik järgmised omadused:

1. a.

positsioneerimistäpsus koos kõigi olemasolevate kompensatsioonidega on võrdne või väiksem (parem) kui 4 μm (mõõdetuna piki mis tahes lineaartelge) vastavalt ISO standardile 230/2 (1988) või vastavatele siseriiklikele standarditele ja

b.

kolm või enam telge, mida saab üheaegselt koordineerida kontuurjuhtimiseksvõi

2. viis või enam telge, mida saab üheaegselt koordineerida kontuurjuhtimiseks;

1. silindriliste välis-, sise- ja välis-sisepindade lihvimispingid järgmiste omadustega:

1. a.

ainult silindriliste pindade lihvimiseks ja

b.

töödeldava detaili maksimaalne välisläbimõõt või pikkus võib olla 150 mm;

2. tööpingid, mis on spetsiaalselt kavandatud koordinaatlihvimispinkideks, millel puuduvad z-telg või w-telg, mille positsioneerimistäpsus koos kõigi olemasolevate kompensatsioonidega on väiksem (parem) kui 4 μm (mõõdetuna piki mis tahes lineaartelge) vastavalt ISO standardile 230/2 (1988) 1 või vastavatele siseriiklikele standarditele;

3. pinnalihvimispingid.

d.

juhtmeteta elektroerosioonpingid (EDM), millel on kaks või enam pöördtelge, mida saab üheaegselt koordineerida kontuurjuhtimiseks;

e.

tööpingid metallide, keraamika ja komposiitide eemaldamiseks, millel on kõik järgmised omadused:

1. kasutavad materjalide eemaldamiseks üht järgmistest moodustest:

1. a.

vee- või muude vedelike joad, kaasa arvatud need, mis sisaldavad abrasiivlisandeid;

b.

elektronkiir või

c.

laserkiir ja

2. millel on kaks või enam pöördtelge:

2. a.

mida saab üheaegselt kontuurjuhtimiseks koordineerida ja

b.

mille positsioneerimistäpsus on väiksem (parem) kui 0,003°;

f.

puurpingid sügavate aukude puurimiseks ning sügavate aukude puurimiseks kohandatud treipingid, mis võimaldavad puuritava augu maksimaalseks sügavuseks enam kui 5000 mm, ning spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud komponendid.

a.

valmistamistäpsus (tolerants) on väiksem kui 1,0 μm või

b.

pinna karedus on väiksem kui 100 nm rms.

2BTestimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed Tehnilised märkused: Tehniline märkus: a.

termiliselt kontrollitav keskkond suletud töökambris ning kambri siseläbimõõt on 406 mm või rohkem ja

b.

mis tahes järgmistest:

1. maksimaalne töörõhk üle 207 MPa;

2. kontrollitava termilise keskkonna temperatuur üle 1773 K (1500 °C) või

3. võimalus süsivesinikega impregneerimiseks ja tekkivate gaasiliste lagunemisproduktide eemaldamiseks.

2BTestimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: a.

keemilise aurustamise-sadestamise (CVD) seadmed, millel on kõik järgmised omadused: NB! VT KA PUNKTI B105.

1. ühe järgneva modifitseeritud protsessi kasutamine:

1. a.

CVD-katmine pulseeriva rõhu juures;

b.

kontrollitud idustamisega termiline sadestamine (CNTD) või

c.

plasmaaktiveeritud või plasma osalusel CVD ja

2. mis tahes järgmistest:

2. a.

kasutatakse pöörlevaid kõrgvaakumtihendeid (rõhk 0,01 Pa või vähem) või

b.

protsessi käigus kontrollitakse pidevalt katte paksust reaalajas (in situ);

b.

ioonlegeerimisseadmed, milles ioonivoo vool on 5 mA või rohkem;

c.

elektronkiire abil toimuva aurustamise-sadestamise (EB-PVD) seadmed nimivõimsusega kokku üle 80 kW, millel on üks järgmistest omadustest:

1. vannis vedelikutaseme laserkontrollisüsteem, mis reguleerib täpselt kangide söötmiskiirust, või

2. arvuti abil juhitav kiirusemonitor, mis kontrollib kaht või enamat elementi sisaldava katte sadestamise kiirust ning toimib auruvoos ioniseeritud aatomite fotoluminestsentsi mõõtmise põhimõttel;

d.

plasmapihustusseadmed, millel on järgmised omadused:

1. protsess viiakse läbi madalal rõhul kontrollitavas atmosfääris (10 kPa või vähem, mõõdetuna kahuri väljunddüüsi kohal 300 mm piirides) vaakumkambris, milles on võimalik vähendada rõhku kuni 0,01 Pa enne pihustamisprotsessi algust, või

2. protsessi käigus kontrollitakse pidevalt katte paksust reaalajas (in situ);

e.

atomisatsioonsadestusseadmed, mis võimaldavad voolutihedust 0,1 mA/mm2 või rohkem sadestuskiirusel 15 μm/h või rohkem;

f.

katoodsadestusseadmed, mis sisaldavad elektromagnetitest võret kaare otspunkti juhtimiseks katoodil;

g.

ioonpindamisseadmed, mis võimaldavad protsessi käigus pidevalt reaalajas (in situ) mõõta ükskõik kumba järgmistest:

1. kattekihi paksus põhimikul ja sadestuskiirus või

2. optilised omadused.

a.

arvutiga juhitavad või arvjuhitavad koordinaatmõõtemasinad (CMM), millel kolmemõõtmeline (ruumiline) lubatud piirviga (MPEE) on masina tööpiirkonna igas punktis (st telgede pikkuse ulatuses) võrdne või väiksem (parem) kui (1,7 + L/1000) μm (L on mõõdetud pikkus millimeetrites), mõõtes vastavalt ISO standardile 10360-2 (2001);

b.

lineaarse ja nurknihke mõõtevahendid:

1. Tehniline märkus:

lineaarnihke mõõtevahendid, millel on mis tahes järgmised omadused: Punktis 2B006.b.1 tähendab lineaarnihe mõõtepea ja mõõdetava objekti vahelise kauguse muutust. Märkus: Punkt 2B006.b.1 ei hõlma interferomeetrilisi mõõtesüsteeme, millel on automaatkontrollsüsteem, mis ei kasuta tagasisidetehnoloogiat ja mis sisaldavad laserit tööpingi, mõõtekontrollimehhanismide või sarnaste seadmete nihkuri liikumise vigade mõõtmiseks.

a.

mittekontakt-tüüpi mõõtesüsteemid, mille eraldusvõime on kuni 0,2 mm mõõtepiirkonnas 0,2 μm või vähem (parem);

b.

lineaarpinge diferentsiaaltransformaatorsüsteemid, millel on kõik järgmised omadused:

1. lineaarsus on 0,1 % või vähem (parem) kuni 5mm mõõtepiirkonnas ja

2. triiv on väiksem (parem) kui 0,1 % päevas või sellega võrdne kontrollruumi standardtemperatuuri kõikumisel ± 1K või

c.

mõõtesüsteemid, millel on kõik järgmised omadused:

1. sisaldavad laseritja

2. säilitavad vähemalt 12 tunni jooksul standardtemperatuuri kõikumisel ± 1 K ja standardrõhul kõik järgmised omadused:

2. a.

eraldusvõime mõõteskaala täisulatuses 0,1 μm või vähem (parem) ja

b.

mõõtehälve on (0,2+L/2000) μm (L on mõõdetud pikkus millimeetrites) või sellest väiksem (parem);

d.

elektroonikasõlmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud tagasiside andmiseks punktis 2B006.b.1.c nimetatud süsteemides;

2. nurknihke mõõtevahendid, mille mõõtehälve on 0,00025° või vähem (parem); Märkus: Punkt 2B006.b.2 ei hõlma optilisi seadmeid, nagu autokollimaatorid, mis kasutavad kollimeeritud valgust (nt laservalgust) peegli nurknihke määramiseks.

c.

seadmed pinna ebakorrapärasuste mõõtmiseks, mis mõõdavad optilist hajumist nurga funktsioonina, tundlikkusega 0,5 nm või vähem (parem).

a. Tehniline märkus:

on võimelised kolmemõõtmelise kujutise täielikuks töötluseks või vaadeldava ruumilise tööala koos objektidega (stseeni) täielikuks kolmemõõtmeliseks analüüsiks reaalajas, et genereerida või teisendada programme või et genereerida või teisendada programmi arvandmeid; Stseenianalüüsi piirang ei hõlma kolmanda mõõtme lähendusi, kui vaadatakse antud nurga all, või piiratud hallskaala tõlgendusi sügavuse või tekstuuri tajumiseks heakskiidetud ülesannete jaoks (21/2 D).

b.

on spetsiaalselt projekteeritud täitma siseriiklikke ohutusnorme, mida kohaldatakse plahvatusohtliku sõjamoona ümbruses;

c. Tehniline märkus:

on spetsiaalselt projekteeritud või liigitatud kiirgustkestvana, võimelisena taluma suuremat kui 5×103 Gy (räni) summaarset kiirgusdoosi, ilma toimimisvõime languseta, või Termin Gy (räni) tähistab ühes kilogrammis ekraneerimata räniproovis seda ioniseeriva kiirgusega kiiritamisel neeldunud energiahulka džaulides.

d.

spetsiaalselt ette nähtud töötama kõrgemal kui 30000 m.

a.

lineaarasendi tagasiside moodulid (nt induktiivanduriga seadmed, kalibreerimisskaalad, infrapuna- ja lasersüsteemid), mille üldine täpsus on väiksem (parem) kui (800 + (600 × L × 10 –3)) nm (L on võrdne efektiivpikkusega mm-s); NB! Lasersüsteemide kohta vaata ka märkust punktis 2B006.b.1.

b.

pöördasendi tagasiside moodulid (nt induktiivanduriga seadmed, kalibreerimisskaalad, infrapuna- ja lasersüsteemid), mille täpsus on väiksem (parem) kui 0,00025°; NB! Lasersüsteemide kohta vaata ka märkust punktis 2B006.b.1.

c.

liitpöördlauad ja kallutatavad spindlid, mis võimaldavad metallilõikepinke vastavalt tootja spetsifikatsioonidele täiustada, saavutades või ületades punktis 2B kirjeldatud või kõrgema taseme.

a.

kahe või enama juhitava teljega, millest vähemalt kaht on võimalik üheaegselt kontuurjuhtimiseks koordineerida, ja

b.

valtsimisjõud üle 60 kN.

2BTestimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: a.

maksimaalne töörõhk 69 MPa või suurem;

b.

konstrueeritud reguleeritava soojusliku 873 K (600 °C) või kõrgema temperatuurilise keskkonna saavutamiseks ning säilitamiseks ja

c.

kambriõõnsuse siseläbimõõt on 254 mm või rohkem.

a.

tõukamispingid, millel on kõik järgmised omadused:

1. vastavalt tootja tehnilisele kirjeldusele võivad olla varustatud arvjuhtimismooduli või arvutijuhtimisega ka siis, kui nad seda algselt ei ole ja

2. kahe või enama juhitava teljega, millest vähemalt kaht on võimalik üheaegselt kontuurjuhtimiseks koordineerida;

b.

spetsiaalselt punktis 2B009 või 2B109.a nimetatud tõukamispinkide jaoks konstrueeritud komponendid.

2BTestimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: a.

vibratsiooni katsetamise süsteem, milles kasutatakse tagasisidet või suletud ahela tehnikat ja mis sisaldab numbrilist kontrollerit ning on võimeline väristama süsteemi kiirendusega 10 g (ruutkeskmine väärtus) või rohkem sagedusvahemikus 20 Hz–2 kHz ja tekitada jõudu 50 kN või rohkem, mõõdetuna tühjal aluslaual;

b.

digitaalkontrollerid, mis on varustatud spetsiaalse vibratsioonikatsetuste tarkvaraga, mille reaalajaline ribalaius on üle 5 kHz ja mis on ette nähtud punktis 2B116.a nimetatud vibratsiooni katsetamise süsteemidele;

c.

väristajad (raputusmoodulid), võimenditega või ilma, mis võimaldavad tekitada jõudu 50 kN või rohkem, mõõdetuna tühjal aluslaual, ning on kasutatavad punktis 2B116.a nimetatud vibratsiooni katsetamise süsteemides;

d.

katsekehade toetustarindid ja elektroonikamoodulid, mis on ette nähtud paljude raputusmoodulite kombineerimiseks süsteemi, mis võimaldab saavutada efektiivset kombineeritud jõudu 50 kN või rohkem, mõõdetuna tühjal aluslaual, ning on kasutatavad punktis 2B116.a nimetatud vibratsioonisüsteemides.

2BTestimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: a.

balansseerpingid, millel on kõik järgmised omadused: Märkus: Punkt 2B119 ei hõlma balansseerpinke, mis on kavandatud või kohandatud hambaravi- või muudeks meditsiiniseadmeteks.

1. ei suuda tasakaalustada rootoreid/sõlmi, mille mass on suurem kui 3 kg;

2. on võimelised tasakaalustama rootoreid/sõlmi suurematel kiirustel kui 12500 p/min;

3. on võimelised korrigeerima tasakaalustamatust kahel või rohkemal tasandil ja

4. on võimelised tasakaalustama spetsiifilise jääktasakaalustamatuseni 0,2 g mm kilogrammi rootori massi kohta;

b. Tehniline märkus:

indikaatorite pead, mis on kavandatud või kohandatud kasutamiseks punktis 2B119.a nimetatud masinatel. Indikaatorite pead on mõnel juhul tuntud tasakaalustusseadmestikuna.

a.

kaks või rohkem telge;

b.

kontaktrõngad, mis on võimelised edasi kandma elektrienergiat ja/või informatsiooni signaale, ja

c.

mis tahes järgmise omadusega:

1. mis tahes üksikul teljel on kõik järgmised omadused:

1. a.

võimaldavad kiirust 400 kraadi sekundis või rohkem või 30 kraadi sekundis või vähem ja

b.

nurkkiiruse eristamisvõime on 6 kraadi sekundis või vähem ja täpsus 0,6 kraadi sekundis või vähem;

2. halvimal juhul on kiiruse stabiilsus võrdne või parem (vähem) kui pluss või miinus 0,05 % keskmistatuna üle 10 kraadi või enama või

3. positsioneerimistäpsus on 5 kaaresekundit või rohkem.

a.

kaks või rohkem telge ja

b.

positsioneerimistäpsus on 5 kaaresekundit või rohkem.

a.

freespingid, millel on üks järgmistest omadustest:

1. positsioneerimistäpsus koos kõigi olemasolevate kompensatsioonidega on võrdne või väiksem (parem) kui 6 μm (mõõdetuna piki mis tahes lineaartelge) vastavalt ISO standardile 230/2 (1988) või vastavatele siseriiklikele standarditele või

2. kaks või enam kontuurjuhitavat pöörlevat telge: Märkus: Punkt 2B201.a ei hõlma järgmiste omadustega freespinke:

2. a.

X-telje käigupikkus on suurem kui 2 m ja

b.

X-telje üldine positsioneerimistäpsus on suurem (halvem) kui 30 μm.

b.

lihvimispingid, millel on järgmised omadused: Märkus: Punkt 2B201.b ei hõlma järgmisi lihvimispinke: Märkus 1: Punkt 2B201 ei hõlma eriotstarbelisi tööpinke, mida kasutatakse üksnes järgmiste detailide tootmiseks: Märkus 2: Tööpinke, millel on vähemalt kaks kolmest võimalusest – treimise, freesimise või lihvimise võimalus (nt treipink, millel on ka freesimise võimalus) tuleb hinnata kõigi kohaldatavate punktide 2B001.a., või 2B201.a. või b. järgi.

1. positsioneerimistäpsus koos kõigi olemasolevate kompensatsioonidega on võrdne või väiksem (parem) kui 4 μm (mõõdetuna piki mis tahes lineaartelge) vastavalt ISO standardile 230/2 (1988) või vastavatele siseriiklikele standarditele või

2. kaks või enam kontuurjuhitavat pöörlevat telge.

a.

silindriliste välis-, sise- ja välis-sisepindade lihvimispingid järgmiste omadustega:

1. ainult selliste detailide töötlemiseks, mille maksimaalne välisläbimõõt või pikkus võib olla 150 mm; ja

2. millel on vaid x-, y-, c- ja telg;

b.

koordinaatlihvimispingid, millel puuduvad z-telg või w-telg, mille positsioneerimistäpsus on väiksem (parem) kui 4 μm vastavalt ISO standardile 230/2 (1988) 1 või vastavatele siseriiklikele standarditele.

a.

hammasrattad;

b.

väntvõllid või nukkvõllid;

c.

tööriistad või lõiketerad;

d.

pressi tiguvõllid;

a.

isostaatpressid, millel on mõlemad järgmised omadused:

1. võimelised saavutama 69 MPa või suuremat maksimaalset töörõhku ja

2. rõhukambri siseläbimõõt on üle 152 mm;

b.

stantsid, valuvormid ning juhtimisseadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktis 2B204.a nimetatud isostaatpresside jaoks.

2BTestimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: a.

arvutiga juhitavad või arvjuhitavad koordinaatide kontrolliseadmed, millel on mõlemad järgmised omadused:

1. kaks või rohkem telge ja

2. ühemõõtmelise pikkuse mõõtemääramatus on võrdne või väiksem (parem) kui (1,25 + L/1000) μm, katsetades anduriga, mille täpsus on väiksem (parem) kui 0,2 μm (L on mõõdetud pikkus millimeetrites) (vt VDI/VDE 2617 osad 1 ja 2);

b.

süsteemid poolkoorikute lineaar- ja nurksiirde üheaegseks kontrolliks, millel on mõlemad järgmised omadused:

1. mõõtemääramatus (mõõdetuna piki mis tahes lineaartelge) on 5 mm kohta 3,5 μm või vähem (parem) ja

2. pöördenurga hälve on 0,02° või vähem.

2BTestimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehnilised märkused:

1. Andur, mida kasutatakse koordinaatide kontrollsüsteemi mõõtemääramatuse määramiseks, peab olema kirjeldatud VDI/VDE 2617 osades 2, 3 ja 4.

2. Kõik punktis 2B206 esitatud mõõteväärtuste parameetrid on antud pluss/miinus kõikumistena, st nad ei esinda kogu ribalaiust.

a.

robotid või nende tööorganid, mis on spetsiaalselt projekteeritud vastavalt siseriiklikele ohutusnormidele, mida kohaldatakse brisantlõhkeainete käsitlemisel (nt vastavad brisantlõhkeaineid käsitlevatele elektriohu eeskirjadele);

b.

juhtimismoodulid, mis on spetsiaalselt konstrueeritud punktis 2B207.a nimetatud mis tahes robotile või roboti tööorganile.

a.

tööpingid, millel on mõlemad järgmised omadused:

1. varustatud kolme või enama rullikuga (aktiiv- või juhikrullikud) ja

2. vastavalt tootja tehnilisele kirjeldusele võivad olla varustatud arvjuhtimismooduli või arvutijuhtimisega;

b.

rootori koolutussüdamikud, mis on ette nähtud sisediameetriga 75–400 mm silindriliste rootorite valmistamiseks.

a.

tsentrifugaalsed balansseerpingid, mis on ette nähtud painduvate, vähemalt 600 mm pikkuste rootorite tasakaalustamiseks ja millel on kõik järgmised omadused:

1. pingi tsentri kõrgus või võllitapi läbimõõt on suurem kui 75 mm;

2. kandevõime 0,9–23 kg ja

3. võimalik pöörlemiskiirus tasakaalustamisel on üle 5000 p/min;

b.

tsentrifugaalsed balansseerpingid, mis on ette nähtud õõnsate silindriliste rootorikomponentide tasakaalustamiseks ning millel on kõik järgnevad omadused:

1. võllitapi läbimõõt on üle 75 mm;

2. kandevõime 0,9–23 kg;

3. võimaldab tasakaalustada tasapinna kohta 0,01 kg × mm/kg jääktasakaalustamatusega või väiksemaga ja

4. rihmülekandega käitatavad.

a.

võime läbida 0,6 m või paksemat kuuma kambri seina (läbi seina tegutsemine) või

b.

võime ulatuda tegutsema üle kuuma kambri 0,6 m või paksema seina ülemise ääre (üle seina tegutsemine).

2BTestimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehnilised märkused: Tehniline märkus: a.

ahjud, millel on kõik järgmised omadused:

1. võimelised töötama temperatuuril üle 1123 K (+ 850 °C);

2. induktsioonimähiste läbimõõt on 600 mm või vähem ja

3. kavandatud sisendvõimsus on 5 kW või rohkem;

b.

toiteallikad väljundvõimsusega 5 kW või rohkem, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktis 2B226.a nimetatud ahjude jaoks.

a.

kaarleekümbersulatus- ja valuahjud, millel on mõlemad järgmised omadused:

1. kasutatavate elektroodide ruumala on 1000–20000 cm3ja

2. võimelised töötama sulamistemperatuuridega üle 1973 K (+1700 °C);

b.

elektronkiirsulatusahjud ja plasmapihustus- ning sulatusahjud, millel on mõlemad järgmised omadused:

1. võimsus 50 kW või rohkem ja

2. võimelised töötama sulamistemperatuuridega üle 1473 K (+1200 °C);

c.

arvutijuhtimis- ja valvesüsteemid, mis on konfigureeritud spetsiaalselt punktis 2B227.a või 2B227.b nimetatud ahjude jaoks.

a.

rootori koostamisseadmed gaastsentrifuugi rootortoru sektsioonide, tõkestite ja otsakorkide monteerimiseks; Märkus: Punkt 2B228.a hõlmab täpsustorne, fiksaatoreid ja kahandamissobituspinke.

b. Tehniline märkus:

rootori joondamisseadmed gaasitsentrifuugi rootori torusektsioonide reastamiseks ühisele teljele; Punktis 2B228.b nimetatud seadmed koosnevad üldjuhul arvutiga ühendatud täpsetest mõõteanduritest, mis järgnevalt kontrollivad näiteks selliste pneumaatiliste rammide tegevust, mida kasutatakse rootori torusektsioonide reastamisel.

c. Tehniline märkus:

Lõõtsa stantsimise tornid ja matriitsid, mis on ette nähtud ühe keeruga lõõtsade tootmiseks. Punktis 2B228.c on lõõtsadel kõik järgmised omadused:

1. siseläbimõõt 75–400 mm;

2. pikkus 12,7 mm või rohkem;

3. ühe keeru sügavus üle 2 mm ja

4. valmistatud ülitugevast alumiiniumisulamist, vanandatud martensiitterasest või ülitugevast kiud- või niitmaterjalist.

a.

rõhutundlikud elemendid on valmistatud alumiiniumist, alumiiniumisulamist, niklist või niklisulamist, milles on 60 massiprotsenti või rohkem niklit, või nendega kaetud ja

b.

millel üks järgmistest omadustest:

1. täisskaala ulatus on väiksem kui 13 kPa ning täpsus on parem kui ± 1 % täisskaala ulatusest või

2. täisskaala ulatus on 13 kPa või rohkem ning täpsus on parem kui ±130 Pa.

2BTestimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: a.

sisendtoru läbimõõt on 380 mm või rohkem;

b.

pumpamise kiirus 15 m3/s või rohkem ja

c.

võimeline saavutama madalamat (paremat) piirvaakumit kui 13 MPa.

2BTestimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehnilised märkused:

1. Pumpamise kiirus on määratud mõõtepunktis kas gaasilise lämmastiku või õhu abil.

2. Piirvaakum on määratud pumba sisendis suletud pumba sisendi korral.

a.

reaktsioonianumad või reaktorid, segistitega või ilma, mille kogu (geomeetriline) maht on üle 0,1 m3 (100 l), kuid alla 20 m3 (20000 l), kui nimetatud seadmete ja komponentide tööpinnad, mis puutuvad otseselt kokku töödeldava(te) või säilitatava(te) kemikaali(de)ga, on valmistatud mis tahes järgmistest materjalidest:

1. sulamid, milles on üle 25 massiprotsendi niklit ja üle 20 massiprotsendi kroomi;

2. fluorpolümeerid;

3. klaas (sh klaasistatud või emaileeritud katted või klaasvooderdus);

4. nikkel või sulamid, milles on üle 40 massiprotsentdi niklit;

5. tantaal või tantaalisulamid;

6. titaan või titaanisulamid või

7. tsirkoonium või tsirkooniumisulamid;

b.

punktis 2B350.a nimetatud reaktsioonianumates või reaktorites kasutatavad segistid ja selliste segistite jaoks ettenähtud rootorid, labad või võllid, mille töödeldava(te) või säilitatava(te) kemikaali(de)ga otseselt kokkupuutuvad tööpinnad on valmistatud mis tahes järgmistest materjalidest:

1. sulamid, milles on üle 25 massiprotsendi niklit ja üle 20 massiprotsendi kroomi;

2. fluorpolümeerid;

3. klaas (sh klaasistatud või emaileeritud katted või klaasvooderdus);

4. nikkel või sulamid, milles on üle 40 massiprotsendi niklit;

5. tantaal või tantaalisulamid;

6. titaan või titaanisulamid või

7. tsirkoonium või tsirkooniumisulamid;

c.

kogumismahutid, konteinerid ja vastuvõtuanumad, mille kogu (geomeetriline) maht on suurem kui 0,1 m3 (100 l) ning kui nimetatud seadmete tööpinnad, mis puutuvad otseselt kokku töödeldava(te) või säilitatava(te) kemikaali(de)ga, on valmistatud mis tahes järgmistest materjalidest:

1. sulamid, milles on üle 25 massiprotsendi niklit ja üle 20 massiprotsendi kroomi;

2. fluorpolümeerid;

3. klaas (sh klaasistatud või emaileeritud katted või klaasvooderdus);

4. nikkel või sulamid, milles on üle 40 massiprotsendi niklit;

5. tantaal või tantaalisulamid;

6. titaan või titaanisulamid või

7. tsirkoonium või tsirkooniumisulamid;

d.

soojusvahetid või kondensaatorid, mille soojust ülekandev pind on suurem kui 0,15 m2 ja väiksem kui 20 m2, ja selliste soojusvahetite või kondensaatorite jaoks ettenähtud torud, plaadid, spiraaltorud või plokid (südamikud), mille töödeldava(te) kemikaali(de)ga otseselt kokkupuutuvad tööpinnad on valmistatud mis tahes järgmistest materjalidest:

1. sulamid, milles on üle 25 massiprotsendi niklit ja üle 20 massiprotsendi kroomi;

2. fluorpolümeerid;

3. klaas (sh klaasistatud või emaileeritud katted või klaasvooderdus);

4. grafiit võisüsinikgrafiit;

5. nikkel või sulamid, milles on üle 40 massiprotsendi niklit;

6. tantaal või tantaalisulamid;

7. titaan või titaanisulamid;

8. tsirkoonium või tsirkooniumisulamid;

9. ränikarbiid või

10. titaankarbiid;

e.

destillatsiooni- või absorptsioonikolonnid, mille siseläbimõõt on üle 0,1 m, ja selliste destillatsiooni- või absorptsioonikolonnide jaoks ettenähtud vedeliku- ja aurujaoturid või vedelikukogujad, mille kõik töödeldava(te) kemikaali(de)ga otseselt kokkupuutuvad tööpinnad on valmistatud mis tahes järgmistest materjalidest:

1. sulamid, milles on üle 25 massiprotsendi niklit ja üle 20 massiprotsendi kroomi;

2. fluorpolümeerid;

3. klaas (sh klaasistatud või emaileeritud katted või klaasvooderdus);

4. grafiit või süsinikgrafiit;

5. nikkel või sulamid, milles on üle 40 massiprotsendi niklit;

6. tantaal või tantaalisulamid;

7. titaan või titaanisulamid või

8. tsirkoonium või tsirkooniumisulamid;

f.

kaugjuhitav tankimisaparatuur, mille töödeldava(te) kemikaali(de)ga otseselt kokkupuutuvad tööpinnad on valmistatud mis tahes järgmistest materjalidest:

1. sulamid, milles on üle 25 massiprotsendi niklit ja üle 20 massiprotsendi kroomi; või

2. nikkel või sulamid, milles on üle 40 massiprotsendi niklit;

g.

ventiilid nimimõõtmetega üle 10 mm ja korpused (ventiilikorpused) või selliste ventiilide jaoks valmistatud korpuse eelvormitud voodrid, mille töödeldava(te) või seda läbiva(te) kemikaali(de)ga otseselt kokkupuutuvad tööpinnad on valmistatud mis tahes järgmistest materjalidest:

1. sulamid, milles on üle 25 massiprotsendi niklit ja üle 20 massiprotsendi kroomi;

2. fluorpolümeerid;

3. klaas (sh klaasistatud või emaileeritud katted või klaasvooderdus);

4. nikkel või sulamid, milles on üle 40 massiprotsendi niklit;

5. tantaal või tantaalisulamid;

6. titaan või titaanisulamid või

7. tsirkoonium või tsirkooniumisulamid;

h.

mitmeseinalised torud lekkeavastamise avaga, mille töödeldava(te) või säilitatava(te) kemikaali(de)ga otseselt kokkupuutuvad tööpinnad on valmistatud mis tahes järgmistest materjalidest:

1. sulamid, milles on üle 25 massiprotsendi niklit ja üle 20 massiprotsendi kroomi;

2. fluorpolümeerid;

3. klaas (sh klaasistatud või emaileeritud katted või klaasvooderdus);

4. grafiit või süsinikgrafiit;

5. nikkel või sulamid, milles on üle 40 massiprotsendi niklit;

6. tantaal või tantaalisulamid;

7. titaan või titaanisulamid või

8. tsirkoonium või tsirkooniumisulamid;

i.

mitmetihendilised ja tihendita pumbad tootja poolt spetsifitseeritud maksimaalse voolukiirusega üle 0,6 m3/h või vaakumpumbad tootja poolt spetsifitseeritud maksimaalse voolukiirusega üle 5 m3/h (standardtingimustel: temperatuuril 273 K (0 °C) ja rõhul 101,3 kPa); ja selliste pumpade korpused (pumbakered), eelvormitud kerevooderdused, tiivikud, rootorid või jugapumbapihustid, mille otseselt töödeldava(te) kemikaali(de)ga kokkupuutuvad tööpinnad on valmistatud mis tahes järgmistest materjalidest:

1. sulamid, milles on üle 25 massiprotsendi niklit ja üle 20 massiprotsendi kroomi;

2. keraamika;

3. ferrosiliitsium;

4. fluorpolümeerid;

5. klaas (sh klaasistatud või emaileeritud katted või klaasvooderdus);

6. grafiit või süsinikgrafiit;

7. nikkel või sulamid, milles on üle 40 massiprotsendi niklit;

8. tantaal või tantaalisulamid;

9. titaan või titaanisulamid või

10. tsirkoonium või tsirkooniumisulamid;

j.

punktis 1C350 nimetatud kemikaalide hävitamiseks ettenähtud põletusseadmed, mis on varustatud spetsiaalselt kavandatud jäätmete etteandesüsteemiga, spetsiaalsete käsitsemisseadmetega ning põletuskambri keskmise temperatuuriga üle 1273 K (+1000 °C), mille jäätmete etteandesüsteemi kemikaalidega otseselt kokkupuutuvad tööpinnad on valmistatud mis tahes järgmistest materjalidest:

1. sulamid, milles on üle 25 massiprotsendi niklit ja üle 20 massiprotsendi kroomi;

2. keraamika või

3. nikkel või sulamid, milles on üle 40 massiprotsendi niklit.

2BTestimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehnilised märkused: Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehnilised märkused: Tehniline märkus: a.

kavandatud pidevaks toimimiseks ja kasutatavad keemiliste ründeainete ja punktis 1C350 nimetatud kemikaalide avastamiseks kontsentratsioonidel alla 0,3 mg/m3või

b.

ainete avastamiseks, millel on koliinesteraasi inhibeeriv mõju.

a. Tehniline märkus:

komplektsed isolaatorid, mis vastavad ohutustasemetele P3 või P4; P3 või P4 (BL3, BL4, L3, L4) ohutustasemed on määratletud Maailma Terviseorganisatsiooni Laboratooriumide bioohutuse käsiraamatus (WHO Laboratory Biosafety Manual) (teine väljaanne, Genf 1993).

b. Tehniline märkus:

fermentaatorid, mida on ilma aerosoolide keskkonda sattumise riskita võimalik kasutada patogeensete mikroorganismide ja viiruste kultiveerimiseks või toksiinide valmistamiseks, üldmahuga 20 liitrit või enam; Fermentaatorid sisaldavad bioreaktoreid, kemostaate ja pidevvoolusüsteeme.

c. Tehniline märkus:

tsentrifugaalseparaatorid, mis ilma aerosoolide keskkonda sattumise riskita võimaldavad pidevat separeerimist ning millel on kõik järgmised omadused: Tsentrifugaalseparaatorid sisaldavad ka dekanteerimisseadmeid.

c.

1. läbivoolukiirus üle 100 liitri tunnis;

2. komponendid on valmistatud poleeritud roostevabast terasest või titaanist;

3. ühe- või mitmekordse tihendusega ühendused auru sisaldavas keskkonnas ja

4. auruga kohapeal (in situ) steriliseeritav, ilma seadme eelneva demontaažita;

d.

ristvoolu filtratsiooniaparatuur ja järgmised komponendid: Märkus: Punkt 2B352.d. ei hõlma pöördosmoosseadmeid, nagu on kindlaks määratud tootja poolt.

1. ristvoolu filtratsiooniaparatuur, mis ilma aerosoolide keskkonda sattumise riskita võimaldavad patogeensete mikroorganismide, viiruste, toksiinide või rakukultuuride separeerimist ning millel on mõlemad järgmised omadused:

1. a.

filtri kogupindala 1 m2 või rohkem ja

b. Tehniline märkus:

kohapeal (in situ) steriliseeritav või desinfitseeritav; Punktis 2B352.d.1.b tähendab steriliseeritud kõigi eluvõimeliste mikroobide elimineerimist aparatuurilt füüsikaliste mõjurite (nt aur) või keemiliste toimeainete kasutamise teel. Desinfitseeritud tähendab potentsiaalse mikroobidega nakkavuse kõrvaldamist aparatuurilt bakteritsiidsete keemiliste toimeainete kasutamise teel. Desinfektsioon ja steriliseerimine erinevad hügieeniliseks tegemisest (sanitisation), mis tähendab puhastamist, mille eesmärk on aparatuuril mikroobe vähendada ilma, et saavutataks tingimata täielik mikroobidega nakkavuse või kõigi elujõuliste mikroobide kõrvaldamine.

2. ristvoolu filtratsiooniaparatuuri osad (nt moodulid, elemendid, kassetid, padrunid, plokid või plaadid), mille filtripindala on iga osa puhul vähemalt 0,2 m2 ja mis on kavandatud kasutamiseks punktis 2B352.d. määratletud ristvoolu filtratsiooniaparatuuris;

e.

auruga steriliseeritav vaakumsublimatsioonkuivatamise seade kondensaatori suutlikkusega 50–1000 kg jääd 24 tunni jooksul;

f.

järgmised kaitsevahendid:

1. pool- või täiskaitseülikonnad või mütsid, mis sõltuvad nende külge kinnitatud välisest õhuvarustussüsteemist ja töötavad ülerõhul; Märkus: Punkt 2B352.f.1 ei hõlma ülikondi, mis on ette nähtud kasutamiseks koos kompaktse hingamisseadmega.

2. III klassi bioloogiliselt ohutud ruumid või isolaatorid, mis vastavad samadele toimimisstandarditele; Märkus: Punktis 2B352.f.2 hõlmavad isolaatorid painduvaid isolaatoreid, eksikaatoreid, anaeroobseid kambreid, kinnasbokse ja laminaarse voolu kardinaid (suletud vertikaalse vooluga).

g.

aerosoolide inhalatsioonikambrid, mis on konstrueeritud katseteks mikroorganismide, viiruste või toksiinide aerosoolidega, mahuga 1 m3 või rohkem.

2CMaterjalid Puuduvad.

2DTarkvara 2D001Tarkvara, muu kui punktis 2D002 nimetatud, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktides 2A001 või 2B001–2B009 nimetatud seadmete arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks. 2D002Tarkvara elektroonsetele seadmetele, ka siis, kui see asub pidevalt salvestatuna elektroonses seadmes või süsteemis, mis võimaldab selliseid seadmeid või süsteeme toimida arvjuhitavate moodulitena ja mis suudab koordineerida üheaegselt enam kui nelja telje liikumist kontuurjuhtimiseks. Märkus 1: Punkt 2D002 ei hõlma tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud 2. kategoorias nimetamata tööpinkide kasutamiseks. Märkus 2: Punkt 2D002 ei hõlma tarkvara punktis 2B002 määratletud kaupadele. Punktis 2B002 määratletud kaupade tarkvara kontrolli vaata punktist 2D001. 2D101Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktides 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 või 2B119–2B122 nimetatud seadmete kasutamiseks. NB! VT KA PUNKTI 9D004. 2D201Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud punktides 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 või 2B227 nimetatud seadmete kasutamiseks. 2D202Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktis 2B201 nimetatud seadmete arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks.

2ETehnoloogia

2E001Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia punktides 2A, 2B või 2D nimetatud seadmete või tarkvara arendamiseks. 2E002Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia punktis 2A või 2B nimetatud seadmete tootmiseks. 2E003Muu tehnoloogia: 2E101Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud punktides 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119–2B122 või 2D101 nimetatud seadmete või tarkvara kasutamiseks. 2E201Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud punktides 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b, 2B007.c, 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225–2B232, 2D201 või 2D202 nimetatud seadmete või tarkvara kasutamiseks. 2E301Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud punktides 2B350–2B352 nimetatud kaupade kasutamiseks.

a.

tehnoloogia töötlemisprogrammide ettevalmistamiseks või muutmiseks vajaliku interaktiivgraafika arendamiseks arvjuhtimismoodulite integreeritud osana;

b.

metallitöötlemise tootmisprotsesside tehnoloogia:

1. spetsiaalselt järgnevalt loetletud protsesside jaoks loodud tööriistade, matriitside ja rakiste konstrueerimise tehnoloogia:

1. a.

üliplastne vormimine;

b.

difusioonkeevitusvõi

c.

otsetoimehüdropressimine;

2. tehnilised andmed protsessi meetodite või parameetrite kohta, millega juhitakse järgmist:

2. a.

alumiiniumi-, titaani- või supersulamite üliplastne vormimine:

1. pinna ettevalmistus;

2. deformatsiooni kiirus;

3. temperatuur;

4. rõhk;

b.

titaani- või supersulamite difusioonkeevitus:

1. pinna ettevalmistus;

2. temperatuur;

3. rõhk;

c.

alumiiniumi- või titaanisulamite otsetoimehüdropressimine:

1. rõhk;

2. protsessi kestus;

d.

titaani-, alumiiniumi- või supersulamite kuumisostaattihendamine:

1. temperatuur;

2. rõhk;

3. protsessi kestus;

c.

õhusõidukite tarindite tootmiseks hüdraulilise venitamisega vormimismasinate ja nende juurde kuuluvate matriitside arendamise või tootmise tehnoloogia;

d.

tööpingi arvjuhtimismoodulis olevatest projekteerimisandmetest juhtimiskäskude moodustamise generaatori (nt töötlemisprogrammid) arendamise tehnoloogia;

e.

tehnoloogia integratsioonitarkvara arendamiseks ekspertsüsteemide sisseviimiseks arvjuhitavatesse moodulitesse, tootmispindadel toiminguotsuste edendatud toetamiseks;

f.

tehnoloogia mitteelektroonsete põhimike (substraatide) (määratletud alljärgneva tabeli 2. veerus) anorgaaniliste pinnakatetega või anorgaanilise muundatud pinnakattega (määratletud alljärgneva tabeli 3. veerus) katmiseks protsessides, mis on määratletud alljärgneva tabeli 1. veerus ning on defineeritud tehnilises märkuses. Märkus: Tabel ning tehniline märkus on esitatud punkti 2E301 järel.

Tabel 1.2.3.A.B.B.1.B.2.B.3.B.4.C.D.E.F.G. Tabel – pinnakatmise tehnikad – märkused Pinnakatmise tehnikad

Pindamismenetlus (1) Substraat Lõplikud kihid Keemiline aurustamine-sadestamine (CVD) Supersulamid Aluminiidid sisemiste läbiviikude jaoks Keraamika (19) ja vähepaisuvad klaasid (14) Silitsiidid Karbiidid Dielektrilised kihid (15) Teemant Teemandilaadne süsinik (17) Süsinik-süsinik, keraamiliste- ja metallpõhiainete komposiidid Silitsiidid Karbiidid Rasksulavad metallid Nende segud (4) Dielektrilised kihid (15) Aluminiidid Legeeritud aluminiidid (2) Boornitriid Kõvasulam volframkarbiid (16), ränikarbiid (18) Karbiidid Volfram Nende segud (4) Dielektrilised kihid (15) Molübdeen ja molübdeenisulamid Dielektrilised kihid (15) Berüllium ja berülliumisulamid Dielektrilised kihid (15) Teemant Teemandilaadne süsinik (17) Andur-aknamaterjalid (9) Dielektrilised kihid (15) Teemant Teemandilaadne süsinik (17) Termoaurustamine Füüsikaline aurustamine-sadestamine (TE-PVD) Füüsikaline aurustamine-sadestamine (PVD) Elektronkiire abil toimuv aurustamine-sadestamine (EB-PVD) Supersulamid Legeeritud silitsiidid Legeeritud aluminiidid (2) MCrAlX (5) Muundatud tsirkooniumoksiid (12) Silitsiidid Aluminiidid Nende segud (4) Keraamika (19) ja vähepaisuvad klaasid (14) Dielektrilised kihid (15) Korrosioonikindel teras (7) MCrAlX (5) Muundatud tsirkooniumoksiid (12) Nende segud (4) Süsinik-süsinik, keraamiliste ja metallpõhiainete komposiidid Silitsiidid Karbiidid Rasksulavad metallid Nende segud (4) Dielektrilised kihid (15) Boornitriid Kõvasulam volframkarbiid (16), ränikarbiid (18) Karbiidid Volfram Nende segud (4) Dielektrilised kihid (15) Molübdeen ja molübdeenisulamid Dielektrilised kihid (15) Berüllium ja berülliumisulamid Dielektrilised kihid (15) Boriidid Berüllium Andur-aknamaterjalid (9) Dielektrilised kihid (15) Titaanisulamid (13) Boriidid Nitriidid Ioonide abil toimuv takistusliku kuumutamisega tekitatud aurustamine-sadestamine (PVD) (ioonpindamine) Keraamika (19) vähepaisu vad klaasid (14) Dielektrilised kihid (15) Teemandilaadne süsinik (17) Süsinik-süsinik, keraamiliste ja metallpõhiainete komposiidid Dielektrilised kihid (15) Kõvasulam volframkarbiid (16), ränikarbiid Dielektrilised kihid (15) Molübdeen ja molübdeenisulamid Dielektrilised kihid (15) Berüllium ja berülliumisulamid Dielektrilised kihid (15) Andur-aknamaterjalid (9) Dielektrilised kihid (15) Teemandilaadne süsinik (17) Füüsikaline aurustamine-sadestamine (PVD): laseraurustamine Keraamika (19) ja vähepaisuvad klaasid (14) Silitsiidid Dielektrilised kihid (15) Teemandilaadne süsinik (17) Süsinik-süsinik, keraamiliste ja metallpõhiainete komposiidid Dielektrilised kihid (15) Kõvasulam volframkarbiid (16), ränikarbiid Dielektrilised kihid (15) Molübdeen ja molübdeenisulamid Dielektrilised kihid (15) Berüllium ja berülliumisulamid Dielektrilised kihid (15) Andur-aknamaterjalid (9) Dielektrilised kihid (15) Teemandilaadne süsinik (17) Füüsikaline aurustamine-sadestamine (PVD): katoodkaarlahendus Supersulamid Legeeritud silitsiidid Legeeritud aluminiidid (2) MCrAlX (5) Polümeerid (11) ja orgaanilise põhimassi komposiidid Boriidid Karbiidid Nitriidid Teemandilaadne süsinik (17) Tahke tsementiitimine (vt A ülal pakendamata tsementiitimine) (10) Süsinik-süsinik, keraamiliste ja metallpõhiainete komposiidid Silitsiidid Karbiidid Nende segud (4) Titaanisulamid (13) Silitsiidid Aluminiidid Legeeritud aluminiidid (2) Rasksulavad metallid ja sulamid (8) Silitsiidid Oksiidid Plasmapihustus Supersulamid MCrAlX (5) Muundatud tsirkooniumoksiid (12) Nende segud (4) Kulutatav nikkelgrafiit Kulutatavad materjalid, mis sisaldavad Ni-Cr-Al Kulutatav Al-Si-polüester Legeeritud aluminiidid (2) Alumiiniumisulamid (6) MCrAlX (5) Muundatud tsirkooniumoksiid (12) Silitsiidid Nende segud (4) Rasksulavad metallid ja sulamid (8) Aluminiidid Silitsiidid Karbiidid Korrosioonikindel teras (7) MCrAlX (5) Muundatud tsirkooniumoksiid (12) Nende segud (4) Titaanisulamid (13) Karbiidid Aluminiidid Silitsiidid Legeeritud aluminiidid (2) Kulutatav nikkelgrafiit Kulutatavad materjalid, mis sisaldavad Ni-Cr-Al Kulutatav Al-Si-polüester Mudasadestus Rasksulavad metallid ja sulamid (8) Klaasistatud silitsiidid Klaasistatud aluminiidid, v.a takistuskütteelemendid Süsinik-süsinik, keraamiliste ja metallpõhiaine komposiidid Silitsiidid Karbiidid Nende segud (4) Atomisatsioonsadestamine Supersulamid Legeeritud silitsiidid Legeeritud aluminiidid (2) Väärismetallidega muundatud aluminiidid (3) MCrAlX (5) Muundatud tsirkooniumoksiid (12) Plaatina Nende segud (4) Keraamika ja vähepaisuvad klaasid (14) Silitsiidid Plaatina Nende segud (4) Dielektrilised kihid (15) Teemandilaadne süsinik (17) Titaanisulamid (13) Boriidid Nitriidid Oksiidid Silitsiidid Aluminiidid Legeeritud aluminiidid (2) Karbiidid Süsinik-süsinik, keraamiliste ja metallpõhiainete komposiidid Silitsiidid Karbiidid Rasksulavad metallid Nende segud (4) Dielektrilised kihid (15) Boornitriid Kõvasulam volframkarbiid (16), ränikarbiid (18) Karbiidid Volfram Nende segud (4) Dielektrilised kihid (15) Boornitriid Molübdeen ja molübdeenisulamid Dielektrilised kihid (15) Berüllium ja berülliumisulamid Boriidid Dielektrilised kihid (15) Berüllium Andur-aknamaterjalid (9) Dielektrilised kihid (15) Teemandilaadne süsinik (17) Rasksulavad metallid ja sulamid (8) Aluminiidid Silitsiidid Oksiidid Karbiidid Ioonlegeerimine Kõrgtemperatuursed laagriterased Lisandid: kroom, tantaal või nioobium (kolumbium) Titaanisulamid (13) Boriidid Nitriidid Berüllium ja berülliumisulamid Boriidid Kõvasulam volframkarbiid (16) Karbiidid Nitriidid Tabeli 1. veerus määratud menetlused on järgmised

1. Mõiste pindamismenetlus hõlmab nii pinnakatte parandamist ja uuendamist kui ka originaalpinnakatmist.

2. Mõiste legeeritud aluminiidkate sisaldab ühe- või mitmeastmelise katmise, mille kestel element või elemendid on sadestatud enne või ka samaaegselt aluminiidiga, ka siis, kui need elemendid sadestatakse erineva pindamismenetluse abil. See ei sisalda aga mitmekordset üheastmelist tahke tsementiitimise menetluse kasutamist legeeritud aluminiidikihi saamiseks.

3. Mõiste väärismetallidega muundatud aluminiidkate hõlmab mitmeastmelisi kihte, milles väärismetall või väärismetallid on kantud põhimikule enne aluminiidiga katmist mõne muu pindamismenetluse abil.

4. Mõiste nende segud sisaldab infiltreeritud aineid, nende astmelisi segusid, samaegseid kaassadestamisi ja mitmekihilisi sadestamisi ning on saadud ühe või enama tabelis nimetatud pindamismenetluse teel.

5. McrAlX tähistab pindamissulamit, kus M tähistab koobaltit, rauda, niklit või nende kombinatsioone ning X tähistab hafniumit, ütriumit, räni, tantaali mis tahes koguses või teisi tahtlikke lisandeid üle 0,01 massiprotsendi mitmesugustes kombinatsioonides ning suhetes, välja arvatud:

5. a.

CoCrAlY-katted, mis sisaldavad vähem kui 22 massiprotsenti kroomi, vähem kui 7 massiprotsenti alumiiniumi ja vähem kui 2 massiprotsenti ütriumi;

b.

CoCrAlY-katted, mis sisaldavad 22–24 massiprotsenti kroomi, 10–12 massiprotsenti alumiiniumi ja 0,5–0,7 massiprotsenti ütriumi; või

c.

NiCrAlY-katted, mis sisaldavad 21–23 massiprotsenti kroomi, 10–12 massiprotsenti alumiiniumi ja 0,9–1,1 massiprotsenti ütriumi.

6. Mõiste alumiiniumisulam tähendab sulameid, mille tõmbetugevus on 190 MPa või rohkem, mõõdetuna temperatuuril 293 K (20 °C).

7. Mõiste korrosioonikindel teras tähendab AISI (American Iron and Steel Institute (Ameerika Raua ja Terase Instituut) 300 seeria või vastavale siseriiklikule standardile vastavaid terasesorte.

8. Rasksulavad metallid ja sulamid hõlmavad järgmisi metalle ja nende sulameid: nioobium (kolumbium), molübdeen, volfram ja tantaal.

9. Andur-aknamaterjalid on järgmised: alumiiniumoksiid, räni, germaanium, tsinksulfiid, tsinkseleniid, galliumarseniid, teemant, galliumfosfiid, safiir ning järgmiste metallide halogeniidid: tsirkooniumfluoriididst ja hafniumfluoriidist koosnevad andur-aknamaterjalid, mille läbimõõt on üle 40 mm.

10. 2. kategooria ei hõlma üheastmelist massiivsete turbiinilabade tahke tsementiitimise tehnoloogiat.

11. Järgmised polümeerid: polüimiid, polüester, polüsulfiid, polükarbonaadid ja polüuretaanid.

12. Muundatud tsirkooniumoksiid tähendab, et tsirkooniumis on lisandina muude metallide oksiide (nt kaltsiumoksiid, magneesiumoksiid, ütriumoksiid, hafniumoksiid, haruldaste muldmetallide oksiidid), et stabiliseerida kindlaid kristallograafilisi faase ja faaside ühendeid. Termobarjäärpinne tsirkooniumoksiidist, mis on kaltsiumoksiidiga või magneesiumoksiidiga muundatud segamise või kokkusulatamise teel, ei kuulu kontrolli alla.

13. Titaanisulamid tähendavad ainult kosmoselendude jaoks kasutatavaid sulameid, mille temperatuuril 293 K (20 °C) mõõdetud tõmbetugevus on 900 MPa või rohkem.

14. Vähepaisuvad klaasid tähendavad klaase, mille temperatuuril 293 K (20 °C) mõõdetud soojusliku paisumise tegur on 1 × 10-7 K-1 või vähem.

15. Dielektrilised kihid on pinnakatted, mis koosnevad paljudest dielektrilise materjali kihtidest, mille erinevate murdumisnäitajatega ainete kombinatsioonide planeeritud interferentsiomadused on kasutatud erinevate lainepikkusvahemike peegeldamiseks, ülekandmiseks või neelamiseks. Dielektrilised kihid tähendavad rohkem kui nelja dielektrilist kihti või dielektrik/metall komposiitkihti.

16. Kõvasulamvolframkarbiid ei hõlma lõike- ja vormimisinstrumentide materjale, mis koosnevad volframkarbiidist/(koobalt, nikkel), titaankarbiidist/(koobalt, nikkel), kroomkarbiidist/nikkel-kroom ja kroomkarbiidist/nikkel.

17. Spetsiaalselt teemandilaadse süsiniku sadestamise tehnoloogia järgmistele materjalidele ei kuulu kontrolli alla:

magnetketta ajurid ja magnetpead, ühekordse kasutusega kaupade tootmisseadmed, kraanide klapid, valjuhääldite akustilised membraanid, autode mootoriosad, lõiketerad, stantsimise-pressimise matriitsid, kontorite automatiseerimisseadmed, mikrofonid ning meditsiinitehnika või vormid vähem kui 5 %lise berülliumi sisaldusega sulamitest toodetud plastide valamiseks või vormimiseks.

18. Ränikarbiid ei hõlma lõike- ning vormimisinstrumentide materjale.

19. Keraamilised põhimikud ei hõlma käesolevas tähenduses keraamilisi materjale, mis sisaldavad 5 massiprotsenti või rohkem savi või tsementi kas eraldi komponentidena või kombinatsioonis.

a.

Keemiline aurustamine-sadestamine (CVD) on pinnakatmise või pinna muundamise protsess, mille kestel metall, sulam, dielektriline või keraamiline komposiit, sadestatakse kuumutatud põhimikule. Gaasilised reageerivad ained lagunevad või ühinevad põhimiku läheduses, põhjustades soovitud elemendi, sulami või ühendi sadestumise põhimikule. Energiat sellise lagunemise või keemilise reaktsiooni läbiviimiseks saab juurde anda põhimiku kuumutamisega, huumlahendusplasma või laserkiirguse abil. NB 1! CVD sisaldab järgmisi menetlusi: sadestamine suunatud gaasivoo abil, ilma otsese põhimiku pulberkontaktita (out-of-pack), CVD-katmine pulseeriva rõhu juures, kontrollitud idustamisega termiline sadestamine (CNTD), plasmaaktiveeritud või plasma osalusel CVD menetlused. NB 2! Pulberkontakt tähendab, et põhimik on pulbrisegusse uputatud. NB 3! Gaasilisi reageerivaid aineid, mida kasutatakse pulberkontaktita menetlustes, toodetakse samu põhireaktsioone ja parameetreid kasutades nagu tahke tsementiitimise protsessiski, välja arvatud see, et kaetav põhimik pole otseses kokkupuutes pulbriseguga.

b.

Termoaurustamine – füüsikaline aurustamine-sadestamine (TE-PVD) on pinnakatmise menetlus, mis viiakse läbi vaakumis rõhul vähem kui 0,1 Pa ja milles kasutatakse kattematerjali aurustamiseks soojusallikat. Selle menetluse käigus kondenseerub või sadestub aurustunud aine sobivalt asetatud põhimiku pinnale. Lisagaaside juhtimine vaakumkambrisse pinnakatmise protsessi ajal sünteesimaks ühendkatteid on tavaline menetluse modifikatsioon. Ioon- või elektronkiirte või plasma kasutamine pinnakatte sadestumise aktiveerimiseks või aitamiseks on samuti selle tehnika tavaline modifikatsioon. Menetluse üheks iseloomulikuks jooneks võib olla protsessi käigus monitoride kasutamine katete paksuse ja optiliste parameetrite mõõtmiseks. Järgmised protsessid on iseloomulikud TE-PVD protsessid:

1. elektronkiire abil toimuval aurustamisel-sadestamisel (PVD) kasutatakse elektronkiirt katet moodustava aine soojendamiseks ning aurustamiseks;

2. ioonide abil toimuva takistusliku kuumutamisega tekitatud aurustamisel-sadestamisel kasutatakse takistuslikke elektrilisi soojusallikaid kombinatsioonis põrkuvate ioonkiirtega, et saavutada reguleeritud ühtlast aurustatud katteaine voogu;

3. laseraurustamisel kasutatakse kas impulss- või pidevlaine laserkiiri katet moodustava aine aurustamiseks;

4. katoodsadestamisel kasutatakse pinnakatet moodustavast ainest kuluvat katoodi ja kaarlahendust, mis süüdatakse hetkelisel katoodi ja pinna kokkupuutel. Kaare kontrollitav liikumine kulutab katoodi pinda, moodustades üliioniseeritud plasma. Anoodiks võib kasutada kas katoodi lähedusse isolaatori kaudu kinnitatud koonust või kambrit. Mittesirgjoonelise sadestamise korral kasutatakse põhimiku eelpingestamist; NB! See definitsioon ei hõlma juhuslikku katoodsadestamist eelpingestamata põhimikele.

5. ioonpindamine on üks erijuht üldisest termoaurustamise – füüsikalise aurustamise-sadestamise (TE-PVD) menetlusest, mille käigus kasutatakse plasmat või iooniallikat sadestatava aine ioniseerimiseks ning sadestatava aine eraldamiseks plasmast rakendatakse põhimikule negatiivset eelpinget. Reageerivate ainete protsessi kaasamine, tahkiste aurustamine protsessikambris ning protsessi käigus monitoride kasutamine katete paksuse ja optiliste parameetrite mõõtmiseks on selle menetluse tavalised modifikatsioonid.

c.

Tahke tsementiitimine on pinna muundamis- või katmismenetlus, milles põhimik on asetatud pulbrisegusse (pakend), mis koosneb järgmisest: Põhimik ja pulbrisegu asetatakse retorti, mida kuumutatakse katte sadestamiseks piisava aja jooksul temperatuurivahemikus 1030 K (757 °C) kuni 1375 K (1102 °C).

1. sadestatavad metallipulbrid (tavaliselt alumiinium, kroom, räni või nende segud);

2. aktivaator (tavaliselt halogeniidisool) ja

3. inertne pulber, tavaliselt alumiiniumoksiid.

d.

Plasmapihustus on üks pinnakatmismenetlus, milles plasmat tekitav ja juhtiv plasmakahur võtab vastu kattematerjali pulbrit või traati, sulatab selle ning paiskab põhimikule, millel moodustubki homogeenne seotud kiht. Plasmapihustus on kas madalrõhu plasma pihustus või ülikiire plasma pihustus. NB 1! Madal rõhk tähendab siin ümbritsevast rõhust madalamat rõhku. NB 2! Ülikiire tähendab düüsist väljuva gaasi kiirust, mis on suurem kui 750 m/s, arvutatuna 293 K (20 °C) juures rõhul 0,1 MPa.

e.

Mudasadestus on üks pinna muundamis- või katmismenetlus, milles orgaanilise sideainega vedelikus suspenseeritud metalli- või keraamikapulber kantakse põhimikule kas pihustamise, sukeldamise või pintsli abil, millele järgneb õhus või ahjus kuivatamine ning termotöötlemine, saavutamaks soovitud pinnakatet.

f.

Atomisatsioonsadestus on pinnakatmismenetlus, mis põhineb impulsi ülekande nähtusel, milles positiivsed ioonid kiirendatakse elektriväljas märklaua (kattev aine) pinna suunas. Põrkuvate ioonide kineetiline energia on piisav, et aatomeid märklauast välja lüüa ning sadestada sobivalt asetatud põhimikule. NB 1! Tabelis on viidatud vaid triood-, magnetron- või reaktiiv- atomisatsioonsadestamisele, mida kasutatakse katte nakkuvuse ja sadestuskiiruse suurendamiseks ning raadiosageduslikult suurendatud atomisatsioonsadestamisel, mis võimaldab aurustada ka mittemetallilisi kattematerjale. NB 2! Sadestumise aktiveerimiseks kasutatakse madalaenergeetilisi (alla 5 keV) ioonkiiri.

g.

Ioonlegeerimine on üks pinna muundamis- või katmismenetlus, milles sulandatav element ioniseeritakse, kiirendatakse potentsiaali gradiendi abil ning implanteeritakse põhimiku pinna piirkonnas. See hõlmab ka menetlusi, milles ioonlegeerimine teostatakse samaaegselt elektronkiire abil toimuva aurustamise-sadestamise või atomisatsioonsadestamisega.

3. KATEGOORIA – ELEKTROONIKA

3ASüsteemid, seadmed ja komponendid Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus:

Märkus 1: Punktis 3A001 või 3A002 nimetatud selliste seadmete ja komponentide kontrolli alla kuulumine (v.a punktides 3A001.a.3–3A001.a.10 või punktis 3A001.a.12 nimetatud), mis on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks muudes seadmetes või millel on muudele seadmetele iseloomulikud tunnused, määratakse nende muude seadmete kontrolli alla kuulumisega. Märkus 2: Punktides 3A001.a.3–3A001.a.9 või punktis 3A001.a.12 nimetatud selliste integraallülituste kontrolli alla kuulumine, mis on püsiprogrammeeritud või kavandatud muude seadmete spetsiifiliste funktsioonide täitmiseks, määratakse nende seadmete kontrolli alla kuulumise alusel, milles neid kasutatakse. NB! Kui tootja või loataotleja ei suuda kindlaks määrata nende muude seadmete kontrolli alla kuulumist, määratakse nende integraallülituste kontrolli alla kuulumine punktides 3A001.a.3–3A001.a.9 ja 3A001.a.12. Kui integraallülitus on punktis 3A001.a.3 nimetatud, ränist valmistatud mikroarvuti mikroskeem või mikrokontrolleri mikroskeem, mille operandi (andmed) sõna pikkuseks on 8 bitti või vähem, on selle integraallülituse kontrolli alla kuulumine määratud punktis 3A001.a.3. 3A001Elektroonilised komponendid: 3A002Järgmised üldotstarbelised elektroonilised seadmed: 3A003Pihustusjahutusega temperatuurikontrollisüsteemid, mis kasutavad hermeetilises korpuses suletud ahelaga vedeliku käitlemise ja uuestikasutuse seadmeid, kus dielektrilist vedelikku pihustatakse elektroonikakomponentidele, kasutades spetsiaalseid elektroonikakomponentide nõutud töötemperatuurivahemiku hoidmiseks mõeldud pihustusdüüse ning nende jaoks spetsiaalselt mõeldud komponente. 3A101Elektroonilised seadmed ja komponendid, muud kui punktis 3A001 nimetatud: 3A201Elektroonilised komponendid, muud kui punktis 3A001 nimetatud: 3A225Sagedusmuundurid või generaatorid, muud kui punktis 0B001.b.13 nimetatud, millel on kõik järgmised omadused: Sagedusmuundureid 3A225 tähenduses tuntakse ka konverterite või inverteritena. 3A226Suure võimsusega alalisvooluallikad, muud kui punktis 0B001.j.6 nimetatud, millel on mõlemad järgmised omadused: 3A227Kõrgepingelised alalisvooluallikad, muud kui punktis 0B001.j.5 nimetatud, millel on mõlemad järgmised omadused: 3A228Lülitusseadmed: 3A229Süütesüsteemid ja vastavad suure voolu impulssgeneraatorid: NB! VT KA SÕJALISTE KAUPADE NIMEKIRJA. 3A230Kiired impulssgeneraatorid, millel on mõlemad järgmised omadused: Punktis 3A230 on impulsi siirdeaeg defineeritud kui ajavahemik pinge amplituudi väärtuste 10 % ja 90 % vahel. 3A231Neutronite genereerimise süsteemid, kaasa arvatud lambid, millel on mõlemad järgmised omadused: 3A232Detonaatorid ja mitmepunktilised süütesüsteemid: NB! VT KA SÕJALISTE KAUPADE NIMEKIRJA. Märkus: Punkt 3A232 ei hõlma detonaatoreid, mis kasutavad ainult initsieerivaid lõhkeaineid, nagu näiteks pliiasiid. Kõigi punktis 3A232 nimetatud detonaatorite puhul kasutatakse väikest elektrijuhti (silda, sildtraati või fooliumi), mis aurustub plahvatuslikult, kui kiire suurevooluline elektriline impulss seda läbib. Mittelöök-tüüpi detonaatorites vallandab plahvatav voolujuht keemilise detonatsiooni nendega kontaktis olevas kergelt plahvatavas aines, nagu PETN (pentaerütritooltetranitraat). Löökdetonaatorites paiskab elektrijuhtide plahvatuslik aurustumine lööknõela üle vahemiku ning lööknõela põrge lõhkeaine pihta vallandab keemilise detonatsiooni. Mõnedes konstruktsioonides paisatakse lööknõela magnetjõudude abil. Mõiste plahvatav fooliumdetonaator võib osutada nii plahvatavale sillale kui ka löök-tüüpi detonaatorile. Samuti kasutatakse mõnikord sõna initsiaator sõna detonaator asemel. 3A233Massispektromeetrid, muud kui punktis 0B002.g nimetatud, mis võimaldavad mõõta ioone massiga 230 aatommassiühikut või rohkem ning mille lahutusvõime on parem kui 2 osa 230-st, ning nende iooniallikad:

3ASüsteemid, seadmed ja komponendid a.

üldise kasutusega integraallülitused: Märkus 1: Selliste (valmis või poolvalmis) pooljuhtplaatide kontrolli alla kuulumist, mille otstarve on kindlaks määratud, hinnatakse punkti 3A001.a parameetrite põhjal. Märkus 2: Integraallülituste tüübid:

monoliit-integraallülitused;

hübriidintegraallülitused;

mitmekiibilised integraallülitused;

kile-tüüpi integraallülitused, kaasa arvatud räni-safiir-tüüpi integraallülitused;

optilised integraallülitused.

1. integraallülitused, mis on planeeritud või arvestatud taluma kiirgust järgmiselt:

1. a.

kogudoos, mille väärtus on 5 × 103 Gy (räni) või rohkem;

b.

doosikiirus, mille väärtus on 5 × 106 (räni)/s või rohkem, või

c.

neutronite (1 MeV ekvivalent) integreeritud vootihedus 5 × 1013 n/cm2 või suurem räni korral või selle ekvivalent muude ainete korral; Märkus: Punkti 3A001.a.1.c ei kohaldata metall-isolaator-pooljuht- (MIS) struktuuride suhtes.

2. mikroprotsessor-mikroskeemid, mikroarvuti-mikroskeemid, mikrokontroller-mikroskeemid, liitpooljuhtidest valmistatud mäluintegraallülitused, analoog-digitaal muundajad, digitaal-analoog muundajad, signaalitöötluseks ettenähtud elektrooptilised või optilised integraallülitused, kasutaja-programmeeritavad loogilised seadmed, neurovõrgu integraallülitused, tundmatu otstarbega tavaintegraallülitused või integraallülitused, mis on ette nähtud kasutamiseks teadmata kontrollitavusega seadmes, Fourier’ kiirteisenduse (FFT) protsessorid, programmeeritavad elekterkustutusega püsimälud (EEPROM), välkmälud või staatilised muutmälud (SRAM), millel on mis tahes järgmine omadus: Märkus: Punkti 3A001.a.2 ei kohaldata integraallülituste suhtes, mida kasutatakse tsiviilotstarbelistes autodes või rongides.

2. a.

määratud toimima keskkonnatemperatuuril üle 398 K (+125 °C);

b.

määratud toimima keskkonnatemperatuuril alla 218 K (–55 °C) või

c.

määratud toimima keskkonnatemperatuuril 218 K (–55 °C) kuni 398 K (+125 °C);

3. mikroprotsessorite mikroskeemid, mikroarvutite mikroskeemid ja mikrokontrollerite mikroskeemid, mis on valmistatud liitpooljuhist ja toimivad taktsagedusel üle 40 MHz; Märkus: Punkt 3A001.a.3 hõlmab digitaalseid signaalprotsessoreid, digitaalmaatriksprotsessoreid ja digitaalseid kaasprotsessoreid.

4. liitpooljuhist valmistatud mälu integraallülitused;

5. Tehnilised märkused:

analoog-digitaalmuundur ja digitaal-analoogmuundur integraallülitused:

5. a.

analoog-digitaalmuundurid, millel on mis tahes järgmine omadus: NB! VT KA PUNKTI 3A101

1. eraldusvõime üle 8 biti, kuid vähem kui 10 bitti, väljundsagedusega rohkem kui 500 miljonit sõna sekundis;

2. eraldusvõime 10 bitti või rohkem, kuid vähem kui 12 bitti, väljundsagedusega rohkem kui 200 miljonit sõna sekundis;

3. eraldusvõime 12 bitti, väljundsagedusega rohkem kui 50 miljonit sõna sekundis;

4. eraldusvõime üle 12 biti, kuid võrdne või vähem kui 14 bitti, väljundsagedusega rohkem kui 5 miljonit sõna sekundis või

5. eraldusvõime üle 14 biti, väljundsagedusega rohkem kui 1 miljon sõna sekundis;

b.

digitaal-analoogmuundurid, mille eraldusvõime on 12 bitti või rohkem ning seadumisaeg on vähem kui 10 ns;

5. Tehnilised märkused:

1. Eraldusvõime n bitti vastab signaali amplituudi kvantimisele 2n tasemeks.

2. Bittide arv väljundsõnas vastab analoog-digitaalmuunduri eraldusvõimele.

3. Väljundsagedus on muunduri maksimaalne väljundsagedus, sõltumata muunduri arhitektuurist ja ülediskreetimisest. Tarnijad võivad väljundsagedust nimetada ka diskreetimissageduseks, muundussageduseks või läbilaskevõimeks. Sageli spetsifitseeritakse ta megahertsides (MHz) või megadiskreetidena sekundis (MSPS).

4. Väljundsageduse mõõtmise seisukohalt vastab ühele väljundsõnale sekundis üks herts või üks diskreet sekundis.

6. signaalitöötluseks arendatud elektro-optilised ja optilised integraallülitused, milles on:

6. a.

üks või enam kui üks sisemine laserdiood;

b.

üks või enam kui üks sisemine valgust detekteeriv element ja

c.

optilised lainejuhid;

7. väljaga programmeeritav loogikaseade, milles: Märkus: Punkti 3A001.a.7 alla kuuluvad: NB! Väljaga programmeeritavad loogikaseadmed on tuntud ka kui väljaga programmeeritav ventiil või väljaga programmeeritavad loogikamaatriksid.

7. a.

ekvivalentselt kasutatavate ventiilide arv on üle 30000 (kahe sisendiga ventiilid);

b.

tüüpiline hilistus põhiventiilis levimisel on alla 0,1 ns või

c.

ümberlülitamissagedus on üle 133 MHz;

lihtsad programmeeritavad loogikaseadmed (SPLD),

keerulised programmeeritavad loogikaseadmed (CPLD),

väljaga programmeeritavad ventiilmaatriksid (FPGA),

väljaga programmeeritavad loogikamaatriksid (FPLA),

väljaga programmeeritavad ühendused (FPIC).

8. ei kasutata;

9. neurovõrkude integraallülitused;

10. tundmatu otstarbega tavaintegraallülitused või integraallülitused, mis on ette nähtud kasutamiseks seadmes, mille kontrolli alla kuulumine ei ole tootjale teada ja millel on järgmised omadused:

10. a.

rohkem kui 1000 klemmi;

b.

tüüpiline hilistus põhiventiilis levimisel on alla 0,1 ns või

c.

töösagedus on üle 3 GHz;

11. digitaalintegraallülitused, muud kui punktides 3A001.a.3–3A001.a.10 või punktis 3A001.a.12 nimetatud, mis on valmistatud liitpooljuhtide baasil ning millel on järgmised omadused:

11. a.

ekvivalentsete ventiilide arv on üle 3000 (kahe sisendiga ventiilid) või

b.

ümberlülitussagedus on üle 1,2 GHz;

12. Tehniline märkus:

Fourier’ kiirteisenduse (FFT) protsessorid, mille arvestuslik N-punktilise kompleksse Fourier’ kiirteisenduse tegemise aeg on lühem kui (N log2 N)/20480 ms, kus N on punktide arv; Kui N võrdub 1024 punktiga, siis on punktis 3A001.a.12 valemi järgi teisenduse tegemise aeg 500 μs.

b.

mikro- ja millimeeterlaine seadmete komponendid:

1. elektroonilised vaakumlambid ja katoodid: Märkus 1: Punkt 3A001.b.1 ei hõlma lampe, mis on kavandatud või arvestatud tööks sagedusribades, mis vastavad järgmistele omadustele: Märkus 2: Punkt 3A001.b.1 ei hõlma mitte kosmosekindlaid lampe, millel on kõik järgmised omadused:

1. a.

ei ole üle 31,8 GHz ja

b.

ITU poolt eraldatud raadioside jaoks ja mitte ette nähtud asukoha määramiseks.

a.

keskmine väljundvõimsus 50 W või vähem ja

b.

mis on kavandatud või arvestatud tööks sagedusribades, mis vastavad järgmistele omadustele:

1. on üle 31,8 GHz, kuid mitte üle 43,5 GHz ja

2. ITU poolt eraldatud raadioside jaoks ja mitte ette nähtud asukoha määramiseks.

a.

järgmised jooksva laine lambid, impulss- või pidevlainele:

1. mille töösagedus on üle 31,8 GHz;

2. mis on varustatud katoodi kütteelemendiga, mille käivitumisaeg raadiosagedusliku (RF) nimivõimsuse saavutamiseks on lühem kui 3 sekundit;

3. sidestatud õõnestorud või nende modifikatsioonid, fraktsionaalse ribalaiusega üle 7 % või tippvõimsusega üle 2,5 kW;

4. spiraallaine torud või nende modifikatsioonid, millel on järgmised omadused:

4. a.

hetkeline ribalaius on üle ühe oktaavi ja keskmine võimsus (väljendatud kW-des) korrutatud sagedusega (väljendatud GHz-des) on üle 0,5;

b.

hetkeline ribalaius on üks oktaav või vähem ja keskmine võimsus (väljendatud kW-des) korrutatud sagedusega (väljendatud GHz-des) on suurem kui 1 või

c.

on kosmosekindel:

b.

ristväli võimenduslambid võimendusega üle 17 dB;

c.

elektronlampidele määratud impregneeritud katoodid, mis tagavad pideva emissioonivoolu tiheduse, mis on arvestuslikes nimitingimustes üle 5 A/cm2;

2. mikrolaine monoliitsete integraallülituste (MMIC) võimsusvõimendid, millel on mis tahes järgmine omadus: Märkus 1: Punkt 3A001.b.2 ei hõlma raadioülekanneteks ettenähtud satelliitseadmeid, mis on kavandatud või arvestatud tööks sagedusalas 40,5 GHz kuni 42,5 GHz. Märkus 2: MMIC, mille arvestuslik töösagedus hõlmab rohkem kui üht punktides 3A001.b.2.a kuni 3A001.b.2.f. määratletud sagedusvahemikku, kontrolli alla kuulumine määratakse väikseima keskmise väljundvõimsuse kontroll-läve järgi. Märkus 3: 3. kategooria sissejuhatavas lõigus sisalduvad märkused 1 ja 2 tähendavad, et punkt 3A001.b.2 ei hõlma MMIC-e, kui nad on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks muudeks eesmärkideks, näiteks telekommunikatsioonis, radarites, autodes.

2. a.

määratud toimima sagedustel, mis ületavad 3,2 GHz ja ulatuvad kuni 6 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 4 W (36 dBm) fraktsionaalse ribalaiusega üle 15 %;

b.

määratud toimima sagedustel, mis ületavad 6 GHz ja ulatuvad kuni 16 GHz, (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 1 W (30 dBm) fraktsionaalse ribalaiusega üle 10 %;

c.

määratud toimima sagedustel, mis ületavad 16 GHz ja ulatuvad kuni 31,8 GHz, (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 0,8 W (29 dBm) fraktsionaalse ribalaiusega üle 10 %;

d.

määratud toimima sagedustel, mis ületavad 31,8 GHz ja ulatuvad kuni 37,5 GHz (kaasa arvatud);

e.

määratud toimima sagedustel, mis ületavad 37,5 GHz ja ulatuvad kuni 43,5 GHz, (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 0,25 W (24 dBm) fraktsionaalse ribalaiusega üle 10 %, või

f.

määratud toimima sagedustel, mis ületavad 43,5 GHz;

3. Diskreetsed mikrolainetransistorid, millel on mis tahes järgmine omadus: Märkus: Punktides 3A001.b.3.a. kuni 3A001b.3. määratletud rohkem kui üht sagedusvahemikku hõlmava arvestusliku töösagedusega transistori kontrolli alla kuulumine määratakse väikseima keskmise väljundvõimsuse kontroll-läve järgi.

3. a.

määratud toimima sagedustel, mis ületavad 3,2 GHz ja ulatuvad kuni 6 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 60 W (47,8 dBm);

b.

määratud toimima sagedustel, mis ületavad 6 GHz ja ulatuvad kuni 31,8 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 20 W (43 dBm);

c.

määratud toimima sagedustel, mis ületavad 31,8 GHz ja ulatuvad kuni 37,5 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 0,5 W (27 dBm);

d.

määratud toimima sagedustel, mis ületavad 37,5 GHz ja ulatuvad kuni 43,5 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 1 W (30 dBm) või

e.

määratud toimima sagedustel, mis ületavad 43,5 GHz;

4. Tehniline märkus:

mikrolaine pooljuhtvõimendid ja mikrolainevõimendeid sisaldavad mikrolainesõlmed/moodulid, millel on mis tahes järgmine omadus: 3,2 GHz tuleks kasutada kui väikseimat töösagedust gigahertsides (fGHz) punktis 3A001.b.4.f.3 toodud valemis selliste võimendite puhul, mille arvestuslik töörežiim hõlmab ka madalamate sageduste piirkonda kui 3,2 GHz [d≤ 15cm*GHz/3,2 GHz]. NB! MMIC võimsusvõimendeid tuleks hinnata punktis 3A001.b.2 määratletud kriteeriumide järgi. Märkus 1: Punkt 3A001.b.4 ei hõlma raadioülekanneteks ettenähtud satelliitseadmeid, mis kavandatud või arvestatud tööks sagedusalas 40,5 kuni 42,5 GHz. Märkus 2: Osa, mille arvestuslik töösagedus hõlmab rohkem kui üht punktides 3A001.b.4.a kuni 3A01.b.4.e määratletud sagedusvahemikku, kontrolli alla kuulumine määratakse väikseima keskmise väljundvõimsuse kontroll-läve järgi.

4. a.

määratud toimima sagedustel, mis ületavad 3,2 GHz ja ulatuvad kuni 6 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 60 W (47,8 dBm) fraktsionaalse ribalaiusega üle 15 %;

b.

määratud toimima sagedustel, mis ületavad 6 GHz ja ulatuvad kuni 31,8 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 15 W (42 dBm) fraktsionaalse ribalaiusega üle 10 %;

c.

määratud toimima sagedustel, mis ületavad 31,8 GHz ja ulatuvad kuni 37,5 GHz (kaasa arvatud);

d.

määratud toimima sagedustel, mis ületavad 37,5 GHz ja ulatuvad kuni 43,5 GHz (kaasa arvatud) ja keskmise väljundvõimsusega üle 1 W (30 dBm) fraktsionaalse ribalaiusega üle 10 %;

e.

määratud toimima sagedustel, mis ületavad 43,5 GHz või

f.

määratud toimima sagedustel üle 3,2 GHz ja millel on kõik järgnevad omadused:

1. keskmine väljundvõimsus (P, vattides), mis on suurem kui 150 jagatud maksimaalse töösageduse (gigahertsides) ruuduga [P>150 W*GHz2/fGHz2];

2. fraktsionaalne ribalaius 5 % või rohkem ja

3. mis tahes kaks teineteisega risti asetsevat külge, mille pikkus (d, sentimeetrites) on võrdne või väiksem kui 15 jagatud väikseima töösagedusega gigahertsides [d 15cm*GHz/ fGHz];

5. elektrooniliselt või magnetiliselt häälestatavad ribapääsfiltrid (band-pass) või ribatõkkefiltrid (band-stop), mis sisaldavad enam kui 5 timmitavat resonaatorit, mida on võimalik vähem kui 10 mikrosekundi jooksul häälestada sagedusribale, mille fmax/fmin on 1,5:1 ja millel on järgmised omadused:

5. a.

ribapääs (band-pass) ribalaiusega, mis on laiem kui 0,5 % kesksagedusest või

b.

ribatõke (band-stop) ribalaiusega, mis on kitsam kui 0,5 % kesksagedusest;

6. ei kasutata;

7. segustid ja muundajad, mis on konstrueeritud punktis 3A002.c, 3A002.e või 3A002.f nimetatud seadmete sagedusriba laiendamiseks üle eespool nimetatud punktides kehtestatud piiride;

8. mikrolaine võimsusvõimendid, mis sisaldavad punktis 3A001.b nimetatud lampe ja millel on kõik järgmised omadused: Märkus: Punkt 3A001.b.8 ei hõlma seadmeid, mis on kavandatud või kohandatud töötamiseks igas sagedusribas, mis on ITU poolt eraldatud raadioside jaoks ja mitte ette nähtud asukoha määramiseks.

8. a.

töösagedus üle 3 GHz;

b.

keskmine väljundvõimsuse tihedus üle 80 W/kg; ja

c.

maht on väiksem kui 400 cm3;

c.

järgmised akustilise laine seadmed ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud komponendid:

1. akustilise pinnalaine- ja akustilise pinnalähedase ruumlaine seadmed (st signaalitöötlusseadmed, mis kasutavad akustilis-mehhaanilisi võnkumisi aines), millel on mis tahes järgmine omadus:

1. a.

kandesagedus üle 2,5 GHz;

b.

kandesagedus üle 1 GHz, kuid mitte üle 2,5 GHz, ja millel on mis tahes järgmised omadused:

1. külghõlma summutus üle 55 dB;

2. maksimaalse viivise ja ribalaiuse korrutis (aeg mikrosekundites ja ribalaius MHz-des) üle 100;

3. ribalaius üle 250 MHz või

4. dispersiivne viivis on suurem kui 10 μs või

c.

kandesagedus on 1 GHz või vähem, ja millel on mis tahes järgmised omadused:

1. maksimaalse viivise ja ribalaiuse korrutis (aeg mikrosekundites ja ribalaius MHz-des) üle 100;

2. dispersiivne viivis on suurem kui 10 μs või

3. külghõlma summutus üle 55 dB ja ribalaius on suurem kui 50 MHz;

2. akustilise ruumlaine seadmed (st signaalitöötlusseadmed, mis kasutavad aines akustilis-mehhaanilisi võnkumisi), mis võimaldavad vahetult töödelda signaale sagedustel, mis ületavad 1 GHz;

3. akustilis-optilised signaalitöötlusseadmed, mis kasutavad akustiliste lainete (ruumlaine või pinnalaine) ja valguslainete vahelist vastasmõju, mis võimaldab vahetult töödelda signaale või kujutisi, kaasa arvatud spektraalanalüüs, korrelatsioon või konvolutsioon;

d.

elektroonilised seadmed või skeemid, mis sisaldavad ülijuhtivatest materjalidest valmistatud komponente ja on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks temperatuuril, mis on madalam kui vähemalt ühe ülijuhtivast materjalist komponendi kriitiline temperatuur, ja millel on järgmised omadused:

1. voolulülitid digitaalskeemidele, milles kasutatakse ülijuhtivaid ventiile, mille ventiili kohta viivise (sekundites) ja ventiilis hajunud võimsuse korrutis ventiili kohta (vattides) on väiksem kui 10– 14 J, või

2. sageduse selekteerimine kõikidel sagedustel, kasutades resonantsahelaid, mille hüveteguri Q väärtus on üle 10000;

e.

suurenergiaseadmed:

1. patareid ja fotoelektrilised paneelid: Märkus: Punkt 3A001.e.1 ei hõlma patareisid ruumalaga 27 cm3 ja alla selle (nt standardsed C-elemendid või R14 patareid).

1. a.

primaarelemendid ja patareid, mille energiatihedus on üle 480 Wh/kg, mis on ette nähtud kasutamiseks temperatuurivahemikus 243 K (–30 °C) kuni 343 K (+70 °C);

b. Tehniline märkus:

korduvlaetavad elemendid ja patareid, mille energiatihedus on üle 150 Wh/kg pärast 75 laadimis-/tühjendamistsüklit, tühjendamisel vooluga, mis on võrdne suurusega C/5 tundi (C – nimimahtuvuse väärtus ampertundides), nende kasutamisel temperatuurivahemikus 253 K (–20 °C) kuni 333 K (+60 °C); Energiatihedus saadakse, kui korrutatakse omavahel keskmine võimsus vattides (keskmine pinge voltides korrutatud keskmise voolutugevusega amprites) tühjenemise kestusega tundides 75 % väärtuseni avatud vooluringi pingest jagatuna elemendi (või patarei) kogumassiga kg-ds.

c.

kosmosekindlad ja kiirguskindlad fotoelektrilised paneelid, mille erivõimsus töötemperatuuril 301 K (+28 °C) on üle 160 W/m2, valgustades neid temperatuuril 2800 K (+2527 °C) hõõguva volframi kiirgusega 1 kW/m2;

2. järgmised suure energiaga kogumiskondensaatorid: NB! VT KA PUNKTI 3A201.a.

2. a.

kondensaatorid, mille kordussagedus on väiksem kui 10 Hz (üksiklahendusega kondensaator) ning millel on kõik järgmised omadused:

1. nimipinge 5 kV või rohkem;

2. energiatihedus 250 J/kg või rohkem ja

3. koguenergia 25 kJ või rohkem;

b.

kondensaatorid, mille kordussagedus on 10 Hz või rohkem (korduvlahendusega kondensaatorid) ja millel on kõik järgmised omadused:

1. nimipinge 5 kV või rohkem;

2. energiatihedus 50 J/kg või rohkem;

3. koguenergia 100 J või rohkem ja

4. laadimis-/tühjenemistsükleid 10000 või rohkem;

3. ülijuhtivad elektromagnetid või solenoidid, mis on spetsiaalselt konstrueeritud täieliku laadimis- või tühjenemisajaga alla ühe sekundi ja millel on kõik järgmised omadused: NB! VT KA PUNKTI 3A201.b. Märkus:Punkt 3A001.e.3 ei hõlma ülijuhtivaid elektromagneteid või solenoide, mis on spetsiaalselt ette nähtud magnetresonantskuva meditsiiniseadmetele.

3. a.

tühjenemise esimesel sekundil vabanev energia on üle 10 kJ;

b.

voolu kandva mähise sisediameeter on üle 250 mm ja

c.

magnetilise induktsiooni nimiväärtus on üle 8 T või üldine voolutihedus mähises üle 300 A/mm2;

f.

absoluutse pöördenurga andurid, millel on mis tahes järgmine omadus:

1. lahutusvõime parem kui 1 osa 265000 st (18 bitine lahutus) täisskaala ulatuses või

2. täpsus parem kui ±2,5 kaaresekundit.

a.

järgmised lindistusseadmed ja spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud testlindid:

1. analoogmagnetofonid, kaasa arvatud seadmed, mis võimaldavad salvestada digitaalsignaale (st kasutatakse kõrgtihedusliku digitaalsalvestuse moodulit (HDDR)) ja millel on mis tahes järgmine omadus: Märkus: Analoogmagnetofone, mis on spetsiaalselt kavandatud tsiviilotstarbelise videoseadmena, ei käsitleta aparatuuri lindistusseadmena.

1. a.

ribalaius üle 4 MHz ühe elektrontrakti või salvestusraja kohta;

b.

ribalaius üle 2 MHz ühe elektrontrakti või salvestusraja kohta, omades enam kui 42 salvestusrada või

c.

ajaline nihe (viga) ajabaasi suhtes (base error), mis on mõõdetud vastavalt salvestusmeetodite normeerimise komisjoni (IRIG) või Elektroonikatööstuste Ühenduse (EIA) nõuetele, on alla ± 0,1 μs;

2. digitaalsed videomagnetofonid, mille digitaalliidese maksimaalne edastuskiirus on üle 360 Mbit/s; Märkus: Punkt 3A002.a.2 ei hõlma digitaalset videomagnetofoni, mis on spetsiaalselt ette nähtud televisiooni tarbeks ja milles kasutatava signaali formaat (võib sisaldada ka kokkusurutud signaali formaati) on standardiseeritud või soovitatud Rahvusvahelise Telekommunikatsiooni Liidu (ITU), Rahvusvahelise Elektrotehnikakomisjoni (IEC), Filmi ja Televisiooniinseneride Ühingu (SMPTE), Euroopa Ringhäälinguliidu (EBU), Euroopa Telekommunikatsiooni Standardiinstituudi (ETSI) või Elektri- ja Elektroonikainseneride Instituudi (IEEE) poolt tsiviiltelevisiooni tarbeks.

3. kruvilaotustehnikat või liikumatu magnetpea tehnikat rakendavad digitaalsed magnetofonid, millel on mis tahes järgmine omadus: Märkus: Punkt 3A002.a.3 ei hõlma analoogmagnetofone, mis on varustatud HDDRi muundamise elektroonikaga ja ette nähtud ainult digitaalsete andmete salvestamiseks.

3. a.

digitaalliidese maksimaalne edastuskiirus on üle 175 Mbit/s või

b.

on kosmosekindel;

4. seadmed, mille digitaalliidese maksimaalne edastuskiirus on üle 17 Mbit/s ja mis on kavandatud digitaalse videomagnetofoni muutmiseks aparatuuri andmete digitaalseks salvestusseadmeks;

5. Tehniline märkus:

lainekuju digitaatorid ja ajutised salvestusseadmed, millel on kõik järgmised omadused: Paralleelsiinidega arhitektuuriga seadmete korral on pidev jõudlus suurim sõnakiirus, mis on korrutatud bittide arvuga sõnas. Pidevaks jõudluseks nimetatakse andmete suurimat väljastuskiirust massmälusse, mida seade võib arendada ilma mingisuguse informatsiooni kaota, säilitades valimi võtmise kiiruse ja selle analoog-digitaalse muundamise.

5. a.

digiteerimisiirus on 200 miljonit või rohkem valimit sekundis ja lahutusvõime 10 bitti või enam ja

b.

pidev jõudlus 2 Gbit/s või rohkem;

6. andmete digitaalsed salvestusseadmed, milles kasutatakse magnetkettale salvestamise tehnikat ja millel on mis tahes järgmine omadus:

6. a.

digiteerimisiirus on 100 miljonit või rohkem valimit sekundis ja lahutusvõime 8 bitti või enam ja

b.

pidev jõudlus 1 Gbit/s või rohkem;

b.

sagedussüntesaatori elektroonikasõlmed, mille sageduse ümberlülitusaeg ühelt valitud sageduselt teisele on alla 1 ms;

c.

järgmised raadiosageduse signaalianalüsaatorid:

1. signaalianalüsaatorid, mis on võimelised analüüsima sagedusi üle 31,8 GHz, kuid mitte üle 37,5 GHz ja millel on 3 dB eraldusvõimeriba (RBW) üle 10 MHz;

2. signaalianalüsaatorid, mis on võimelised analüüsima üle 43,5 GHz sagedusi;

3. dünaamilised signaalianalüsaatorid, mille reaalajaline ribalaius on üle 500 kHz; Märkus: Punkt 3A002.c.3 ei hõlma neid dünaamilisi signaalianalüsaatoreid, milles kasutatakse konstantseid protsentuaalse ribalaiusega filtreid (samuti tuntud kui oktaav- või murdosa-oktaavfiltrid).

d.

sagedussüntesaator-signaalgeneraatorid, mis toodavad väljundsagedusi, mille täpsus ning lühi- ja pikaajaline stabiilsus on juhitud, tuletatud ja kontrollitud sisemise etalonsageduse poolt ja millel on mis tahes järgmised omadused: Märkus: Punkt 3A002.d ei hõlma seadmeid, milles väljundsagedus saadakse kahe või enama kvartsostsillaatori sageduste lisamisel või mahaarvamisel või tulemuse korrutise lisamisel või mahaarvamisel.

1. maksimaalne sünteesitav sagedus ületab 31,8 GHz, kuid mitte 43,5 GHz ja genereeritava impulsi pikkus on alla 100 ns;

2. maksimaalne sünteesitav sagedus on üle 43,5 GHz;

3. sageduste ümberlülitusaeg ühelt valitud sageduselt teisele on lühem kui 1 ms või

4. Tehniline märkus:

ühe külgriba (SSB) faasimüra on parem kui –(126 + 20 log10F – 20 log10f), dBc/Hz, kus F on külgriba sageduse erinevus põhisagedusest hertsides ja f on põhisagedus megahertsides; Punkti 3A002.d.1 tähenduses määratletakse impulsikestust ajavahemikuna, mis jääb impulsi esifrondi, mis saavutab 90 % maksimumist, ja impulsi tagafrondi vahele, mis saavutab 10 % maksimumist.

e.

võrguanalüsaatorid, mille maksimaalne töösagedus on üle 43,5 GHz;

f.

mikrolaine testvastuvõtjad, millel on kõik järgmised omadused:

1. maksimaalne töösagedus on üle 43,5 GHz ja

2. võimaldavad amplituudi ja faasi üheaegset mõõtmist;

g.

aatomi võnkesageduse standardid, millel on mis tahes järgmine omadus: Märkus: Punkt 3A002.g.1 ei hõlma mittekosmosekindlaid rubiidiumistandardeid.

1. pikaajalise stabiilsusega (vananemine), mis on vähem (parem) kui 1 × 10– 11/kuu või

2. on kosmosekindel.

a.

analoog-digitaalmuundurid, mis on kasutatavad rakettmürskudes ja mis on kavandatud vastama robustsetele seadmetele kehtestatud sõjalistele nõuetele;

b.

kiirendid, mis on võimelised lähetama elektromagnetilist kiirgust, mis tekitatakse kuni 2 MeV või suurema energiani kiirendatud elektronide pidurdamisel (bremsstrahlung), ning neid kiirendeid sisaldavad süsteemid. Märkus: Punkt 3A101.b ei hõlma seadmeid, mis on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks meditsiinis.

a.

kondensaatorid, millel on järgmised omaduste kombinatsioonid:

1. a.

tööpinge suurem kui 1,4 kV;

b.

energiamahutavus suurem kui 10 J;

c.

elektrimahtuvus suurem kui 0,5 μF ja

d.

jadainduktiivsus väiksem kui 50 nH või

2. a.

tööpinge suurem kui 750 V;

b.

elektrimahtuvus suurem kui 0,25 μF ja

c.

jadainduktiivsus väiksem kui 10 nH;

b.

ülijuhtivad solenoid-elektromagnetid, millel on kõik järgmised omadused: Märkus: Punkt 3A201.b. ei hõlma magneteid, mis on spetsiaalselt kavandatud tuumamagnetresonantskuvamise süsteemi jaoks ja eksporditud tuumamagnetresonantskuvamise süsteemi osadena. Sõna osadena ei tähenda tingimata sama saadetise füüsilist osa; on lubatud erinevad saadetised ka erinevatest allikatest, kusjuures nende saadetiste ekspordidokumentides peab olema selgelt märgitud, et saadetis on saadetud kui kuvamissüsteemiosa.

1. võimaldavad tekitada magnetvälja tugevusega üle 2 tesla;

2. pikkuse ja sisediameetri suhe 2 või rohkem;

3. sisediameeter üle 300 mm ja

4. 50 % solenoidi südamiku keskses ruumalas on magnetvälja ühetasasus parem kui 1 %;

c. Tehnilised märkused:

impulssröntgenikiirguse generaatorid või impulsselektronkiirendid, millel on mis tahes järgmine omaduste kombinatsioon: Märkus: Punkt 3A201.c ei hõlma kiirendeid, mida kasutatakse muude seadmete komponentidena, mille eesmärgiks ei ole elektronkiire- või röntgenikiirguse tekitamine (nt elektronmikroskoopia) või mis on spetsiaalselt ette nähtud kasutamiseks meditsiinis.

c.

1. a.

kiirendatud elektronide tippenergia 500 keV või rohkem, kuid vähem kui 25 MeV, ja

b.

hüvetegur (K), 0,25 või rohkem või

2. a.

kiirendatud elektronide tippenergia 25 MeV või rohkem ja

b.

tippvõimsus on suurem kui 50 MW.

c. Tehnilised märkused:

1. Hüvetegur on defineeritud järgmiselt: K = 1,7 × 10^3V^2,65Q kus V on elektronide tippenergia megaelektronvoltides. Kui kiirendi impulsi kestus on 1 s või vähem, siis Q tähistab kogu kiirendatud laengut kulonites. Kui aga kiirendi impulsi kestvus on pikem kui 1 μs, siis tähistab Q 1 μs jooksul kiirendatud maksimaalset laengut. Q on võrdne elektronkiire voolu i amprites integraaliga aja t suhtes sekundites, üle impulsi kestvuse (Q = ∫ idt). Tippvõimsus = (tipp-pinge voltides) × (elektronkiire tippvool amprites).

2. Tippvõimsus = (tipp-pinge voltides) × (elektronkiire tippvool amprites).

3. Kiirendites, mis põhinevad mikrolaine õõnesresonaatoritel, loetakse impulsi kestvuseks järgmistest väikseim: kas 1 μs või ühe mikrolaine modulaatoriimpulsi tekitatud kokkusurutud kiirepaketi kestvus.

4. Kiirendites, mis põhinevad mikrolaine õõnesresonaatoritel, loetakse kiire tippvoolu väärtuseks kokkusurutud kiirepaketi keskmistatud voolu väärtust selle kiirepaketi kestel.

a.

mitmefaasiline väljund, võimaliku väljundvõimsusega 40 W või rohkem;

b.

sagedusvahemik 600–2000 Hz;

c.

täielik harmooniline moonutus alla 10 % ja

d.

sageduse stabiilsus parem kui 0,1 %.

3ASüsteemid, seadmed ja komponendid Tehniline märkus: a.

võimaldavad 8 tunni jooksul saada pidevalt väljundpinget 100 V või rohkem voolutugevusel 500 A või rohkem ja

b.

voolu ja pinge stabiilsus 8 tunni vältel on parem kui 0,1 %.

a.

võimaldavad 8 tunni jooksul saada pidevalt väljundpinget 20 kV või rohkem voolutugevusel 1 A või rohkem ja

b.

voolu ja pinge stabiilsus 8 tunni vältel on parem kui 0,1 %.

a.

külmkatoodiga lambid, gaasiga täidetult või mitte, mis töötavad analoogiliselt kaitsesädemikuga ja millel on kõik järgmised omadused: Märkus: Punkt 3A228 hõlmab gaastäitega krütrone ja vaakumsprütrone.

1. sisaldavad kolme või enamat elektroodi;

2. anoodpinge tippnimiväärtusega 2,5 kV või rohkem;

3. anoodvoolu tippnimiväärtus 100 A või rohkem ja

4. anoodi viiteaeg 10 μs või vähem;

b.

ümberlülitatavad sädevahemikud, millel on mõlemad järgmised omadused:

1. anoodi viiteaeg 15 μs või vähem ja

2. tippnimivoolatugerus 500 A või rohkem;

c.

kiirlülitustoimega moodulid või sõlmed, millel on kõik järgmised tehnilised omadused:

1. anoodpinge tippnimiväärtus üle 2000 V;

2. anoodvoolu tippnimiväärtus 500 A või rohkem ja

3. sisselülitusaeg 1 μs või vähem.

a.

lõhkeaine detonaatorite süütamise süsteemid, mis on ette nähtud punktis 3A232 nimetatud multidetonaatorite käivitamiseks;

b. Tehniline märkus:

moodul-elektriimpulsi generaatorid (pulsarid), millel on kõik järgmised tehnilised omadused: Märkus: Punkt 3A229.b hõlmab ka ksenoonvälklampide juhtimisseadmeid. Punktis 3A229.b.5 on tõusuaeg defineeritud kui ajavahemik, mis on vajalik voolu amplituudi kasvamiseks aktiivkoormusel 10 %st kuni 90 %ni.

b.

1. ette nähtud portatiivseks, mobiilseks või karmides tingimustes kasutamiseks;

2. suletud tolmukindlasse pakendisse;

3. võimelised andma energiat vähem kui 15 μs jooksul;

4. väljundvool üle 100 A;

5. tõusuaeg vähem kui 10 μs, koormusel vähem kui 40 oomi;

6. ükski mõõde ei ületa 254 mm;

7. raskus on vähem kui 25 kg ja

8. ette nähtud kasutamiseks laiendatud temperatuurivahemikus 223 K (–50 °C) kuni 373 K (+100 °C) või määratletud kohaseks kasutamiseks kosmoses.

a.

väljundpinge üle 6 V, aktiivkoormusel vähem kui 55 oomi ja

b.

impulsi siirdeaeg 500 ps või vähem.

3ASüsteemid, seadmed ja komponendid Tehniline märkus: Tehniline märkus: a.

nad on ette nähtud tööoperatsioonide täitmiseks ilma välise vaakumsüsteemita ja

b.

triitium-deuteerium tuumareaktsiooni esilekutsumiseks kasutatakse elektrostaatilist kiirendamist.

a.

elektriliselt käivitatavad lõhkeaine detonaatorid:

1. plahvatav sild (EB);

2. plahvatav sildtraat (EBW);

3. lööksütik;

4. plahvatava fooliumi initsiaatorid (EFI);

b.

süsteemid, mis kasutatavad üksik- või mitmikdetonaatoreid, mis on ette nähtud üle 5000 mm2 lõhkeaine pinna peaaegu samaaegseks initsieerimiseks ühe süütesignaaliga nii, et initsieerimise ajaline ulatus üle kogu pinna oleks vähem kui 2,5 μs.

3ASüsteemid, seadmed ja komponendid Tehniline märkus: Tehniline märkus: Tehniline märkus: a.

induktiivselt sidestatud plasma massispektromeetrid (ICP/MS);

b.

huumlahendus-massispektromeetrid (GDMS);

c.

termilise ionisatsiooni massispektromeetrid (TIMS);

d.

elektronpommitusega massispektromeetrid, mille allikakonteiner on valmistatud, vooderdatud või kaetud UF6 kindlate materjalidega;

e.

molekulaarkimbu massispektromeetrid, millel on üks järgmistest omadustest:

1. kiirgusallika konteiner on valmistatud, vooderdatud või kaetud roostevaba terasega või molübdeeniga ja varustatud külmalõksuga, mida on võimalik jahutada temperatuurini 193 K (–80 °C) või madalamale, või

2. kiirgusallika konteiner on valmistatud, vooderdatud või kaetud UF6 kindlate materjalidega;

f.

massispektromeetrid, mis on varustatud mikrofluorimisioonallikaga ja on ette nähtud aktiniididele või aktiniidfluoriididele.

3BTestimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed

3B001Seadmed pooljuhtseadmete ja -materjalide tootmiseks ning nende komponendid ja abiseadmed: 3B002Testimisseadmed ning spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud komponendid ja lisavarustus järgmiste lõpetatud või lõpetamata pooljuhtseadmete testimiseks:

a.

epitakskasvatamise seadmed:

1. seadmed, mis on võimelised tootma ühtlast muu materjali kihti kui räni 75 mm või pikemal vahemikul, mille ebaühtlus on väiksem kui ±2,5%;

2. metallorgaanilised keemilise aurustamise-sadestamise reaktorid (MOCVD), mis on spetsiaalselt kavandatud ühendpooljuhtkristallide kasvatamiseks punktis 3C003 või 3C004 nimetatud materjalide vahelise keemilise reaktsiooni abil;

3. molekulaarkimp-epitakskasvatamise seadmed milles kasutatakse gaasilisi või tahkeid allikaid;

b.

ioonlegeerimisseadmed, millel on mis tahes järgmine omadus:

1. kimbu energia (kiirenduspinge) on üle 1 MeV;

2. spetsiaalselt ette nähtud ja optimeeritud töötamaks kimbu energial (kiirenduspingel), mis on väiksem kui 2 keV;

3. otsekirje võimega või

4. kimbu energiaga 65 keV või rohkem ja kimbu vooluga 45 mA või rohkem kõrgenergeetiliseks hapniku istutamiseks kuumutatud pooljuhtmaterjali põhimikku;

c.

anisotroopsed plasmakuivsöövitusseadmed:

1. seadmed kassetist-kassetti tüüpi toimimisviisi ning täitelüüsidega, millel on mis tahes järgmine omadus:

1. a.

kavandatud või optimeeritud saavutama kriitilist mõõtu 180 nm või vähem ±5 % 3sigmalise täpsusega või

b.

kavandatud tekitama vähem kui 0,04 osakest/cm2, mille mõõdetav osakese diameeter on suurem kui 0,1 μm;

2. seadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktis 3B001.e nimetatud seadmetele ja millel on mis tahes järgmine omadus:

2. a.

kavandatud või optimeeritud saavutama kriitilist mõõtu 180 nm või vähem ± 5 % 3sigmalise täpsusega või

b.

kavandatud tekitama vähem kui 0,04 osakest/cm2, mille mõõdetav osakese diameeter on suurem kui 0,1 μm;

d.

plasmaaktiveeritud keemilise aurustamise-sadestamise (CVD) seadmed:

1. seadmed kassetist-kassetti tüüpi toimimisviisi ning täitelüüsidega, mis on tootja spetsifikatsioonide järgi ette nähtud või optimeeritud pooljuhtseadmete tootmises kasutamiseks kriitiliste mõõtmetega 180 nm või vähem;

2. seadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktiga 3B001.e hõlmatud seadmete jaoks ja mis on tootja spetsifikatsioonide järgi ette nähtud või optimeeritud pooljuhtseadmete tootmises kasutamiseks kriitiliste mõõtmetega 180 nm või vähem;

e.

automaatse laadimisega mitmekambrilised kesksed toorikkiipide käsitsemise süsteemid, millel on järgmised omadused: Märkus: Punkt 3B001.e ei hõlma automaatseid kiipide käsitlemise robotsüsteeme, mis pole ette nähtud toimima vaakumkeskkonnas.

1. liides toorikkiipide sisestamiseks ja väljavõtmiseks, millega võib liita enam kui kaks pooljuhte töötlevat seadet, ja

2. on arendatud moodustama integreeritud süsteemi kiipide järjestiktöötlemiseks vaakumkeskkonnas;

f.

järgmised litograafiaseadmed:

1. paiguta ja särita ning korda sammhaaval (otsene samm kiibil) või samm ja skaneeri (skanner) tüüpi seadmed kiipide töötlemiseks, mis kasutavad valgusoptilist või röntgenikiirte meetodeid ja millel on mis tahes järgmine omadus:

1. a.

valgusallika lainepikkus on lühem kui 25 nm või

b. Tehniline märkus:

on võimelised tekitama mustrit, milles vähimalahutatavaelemendi mõõt on 180 nm või vähem; Vähimalahutatavaelemendi mõõt arvutatakse järgmise valemi põhjal: MRF = Valgusallika lainepikkus, nm × K tegurnumbriline apertuur kus K tegur = 0,45 MRF = vähima lahutatava elemendi mõõt

2. seadmed pooljuhtide maskide valmistamiseks või pooljuhtseadiste töötlemiseks, rakendades hälvitatud-fokuseeritud elektronkimpu, ioonkimpu või laserikiirt, millel on mis tahes järgmine omadus:

2. a.

laotuspunkti suurus väiksem kui 0,2 μm;

b.

on võimelised tekitama mustreid, milles vähima lahutatava elemendi mõõt on väiksem kui 1 μm, või

c.

paigutustäpsus parem kui ±0,20 μm (3 sigmat);

g.

maskid ja niitvõrgustikud, mis on ette nähtud punktis 3A001 nimetatud integraallülitustele;

h.

mitmekihilised maskid faasinihke kihiga. Märkus: Punkt 3B001.h ei hõlma mitmekihilisi maske faasinihke kihiga, mis on ette nähtud punktis 3A001 mitte hõlmatud mäluseadmete tootmiseks.

a.

transistoride S parameetrite testimiseks sagedustel üle 31,8 GHz;

b.

ei kasutata;

c.

punktis 3A001.b.2 nimetatud mikrolaine integraallülituste testimiseks.

3CMaterjalid 3C001Hetero-epitaksiaalsed materjalid, mis koosnevad järgmiste materjalide epitakskasvatamisel saadud põhimikest: 3C002Resistmaterjalid ja põhimikud, mis on kaetud kontrolli alla kuuluvate resistmaterjalidega: 3C003Orgaanilis-anorgaanilised ühendid: Märkus: Punkt 3C003 hõlmab üksnes neid ühendeid, milles metalliline, poolmetalliline või mittemetalliline element on molekuli orgaanilises osas oleva süsinikuga otseses sidemes. 3C004Fosfori, arseeni või antimoni hüdriidid puhtusega üle 99,999 %, ka inertgaasides või vesinikus lahjendatuna. Märkus: Punkt 3C004 ei hõlma hüdriide, mis sisaldavad 20 moolprotsenti või enam inertgaase või vesinikku.

3CMaterjalid a.

räni;

b.

germaanium;

c.

ränikarbiid või

d. Tehniline märkus:

galliumi või indiumi III/V ühendid. III/V ühendid on polükristallilised, binaarsed või kompleksmonokristallilised tooted, mis koosnevad Mendelejevi perioodilisussüsteemi tabeli IIIA ja VA grupi elementidest (nt galliumarseniid, gallium-alumiiniumarseniid, indiumfosfiid).

a.

positiivsed resistid, mis on ette nähtud pooljuhtide litograafiaks ning spetsiaalselt kohandatud (optimeeritud) kasutamiseks lainepikkustel alla 350 nm;

b.

kõik resistid, mis on ette nähtud kasutamiseks elektron- või ioonkimpudega, tundlikkusega 0,01 μC/mm2 või parem;

c.

kõik resistid, mis on ette nähtud kasutamiseks röntgenikiirtega, tundlikkusega 2,5 mJ/mm2 või parem;

d. Tehniline märkus:

kõik resistid, mis on optimeeritud pinnakujundamise tehnoloogiate jaoks, sealhulgas ka silüleeritud resistid. Silüleerimistehnika tähendab protsesse, mis sisaldavad resisti pinna oksüdeerimist, et parandada selle omadusi nii märg- kui ka kuivilmutamisel.

a.

alumiiniumi, galliumi või indiumi metallorgaanilised ühendid puhtusega (metalli baasil) üle 99,999 %;

b.

arseeni, antimoni või fosfori orgaanilised ühendid puhtusega üle 99,999 % (anorgaaniliste elementide baasil).

3DTarkvara Tehniline märkus:

3D001Tarkvara, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktides 3A001.b–3A002.g või 3B nimetatud seadmete arendamiseks või tootmiseks. 3D002Tarkvara, mis on spetsiaalselt ette nähtud mis tahes järgmiste seadmete kasutamiseks: 3D003Füüsikalistel alustel põhinev simulatsioonitarkvara, mis on spetsiaalselt ette nähtud litograafia-, söövitus- või pinnakatmisprotsesside arendamiseks maskide struktuuri üleviimisel spetsiifiliseks juhtide, dielektrikute või pooljuhtide topograafiliseks struktuuriks. Füüsikalistel alustel põhinev tähendab punktis 3D003 arvutuste kasutamist füüsikalistel omadustel (nt temperatuur, rõhk, difusioonikonstandid ja pooljuhtmaterjalide omadused) põhinevate füüsikaliste põhjus-tagajärg sündmuste järjestuse kindlakstegemiseks. Märkus: Pooljuhtseadmete või integraallülituste projekteerimise raamatukogud, olulised tunnused ja projekteerimisega seotud andmed loetakse tehnoloogiaks. 3D004Tarkvara, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktis 3A003 nimetatud seadmete arendamiseks. 3D101Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktis 3A101.b nimetatud seadmete kasutamiseks.

3DTarkvara a.

punktides 3B001.a kuni 3B001.f nimetatud seadmed või

b.

punktis 3B002 nimetatud seadmed.

3ETehnoloogia Tehniline märkus:

3E001Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud punktides 3A, 3B või 3C nimetatud seadmete või materjalide arendamiseks või tootmiseks. Märkus 1: Punkt 3E001 ei hõlma tehnoloogiat seadmete või komponentide tootmiseks, mis on hõlmatud punktiga 3A003. Märkus 2: Punkt 3E001 ei hõlma tehnoloogiat punktides 3A001.a.3–3A001.a.12 nimetatud integraallülituste arendamiseks või tootmiseks, millel on kõik järgmised omadused: Väljend mitmekihilisedstruktuurid ei hõlma seadmeid, mis sisaldavad maksimaalselt kaht metallikihti ja kolme polükristalset ränikihti. 3E002Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, muu kui punktis 3E001 nimetatud, mikroprotsessor-mikroskeemide, mikroarvuti-mikroskeemide ja mikrokontroller-mikroskeemide arendamiseks või tootmiseks, mille ühendatud teoreetiline suutlikkus (CTP) on 530 miljonit teoreetilist operatsiooni sekundis (Mtops) või rohkem ja aritmeetika-loogikaseade juurdepääsu laius 32 bitti või rohkem; Märkus: Punktile 3E001 lisatud kontrolli alla mittekuulumise märkus 2 kehtib ka punkti 3E002 kohta. 3E003Muu tehnoloogia, mida kasutatakse järgmiste seadmete ja komponentide arendamiseks või tootmiseks: 3E101Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud punktis 3A001.a.1 või 3A001.a.2, 3A101 või 3D101 nimetatud seadmete või tarkvara kasutamiseks. 3E102Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia punktis 3D101 nimetatud tarkvara arendamiseks. 3E201Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on vajalik punktides 3A00l.e.2, 3A001.e.3, 3A201, 3A225–3A233 nimetatud seadmete kasutamiseks.

3ETehnoloogia

1. on kasutatud 0,5 μm või suurema struktuurielemendi tehnoloogiatja

2. ei sisalda mitmekihilisistruktuure.

3ETehnoloogia Tehniline märkus: a.

vaakummikroelektroonilised seadmed;

b.

heterostruktuuriga pooljuhtseadmed nt elektronide kõrgliikuvusega transistorid (HEMT), heterobipolaartransistorid (HBT) kvantkaev- ja supervõreseadmed; Märkus: Punkt 3E003.b ei hõlma suure liikuvusega elektronidega transistoride tehnoloogiat, mis töötavad sagedustel alla 31,8 GHz ja heterosiirdega bipolaarsete transistoride tehnoloogiat, mis töötavad sagedustel alla 31,8 GHz.

c.

ülijuhtivad elektroonilised seadmed;

d.

teemantpõhimikud või -kiled elektroonilistele komponentidele;

e.

räni-isolaator-põhimikud integraallülitustele, milles isolaatoriks on ränidioksiid;

f.

ränikarbiidpõhimikud elektroonilistele komponentidele;

g.

elektroonilised vaakumlambid, mille töösagedus on 31,8 GHz või üle selle.

4. KATEGOORIA – ARVUTID

Märkus 1: Arvuteid, vastavaid seadmeid ja tarkvara, mis täidavad telekommunikatsiooni- või kohtvõrgu ülesandeid, tuleb hinnata samuti 5. kategooria 1. osa jõudlusparameetrite järgi (Telekommunikatsioon). Märkus 2: Juhtimismoodulid, mis ühendavad otseselt keskseadet, põhimälu või ketta juhtseadet siinide või kanalitega, ei loeta 5. kategooria 1. osas (Telekommunikatsioon) nimetatud telekommunikatsiooniseadmeteks. NB! Pakettkommuteerimise jaoks spetsiaalselt loodud tarkvara kontrolli alla kuulumise kohta vaata punkti 5D001. Märkus 3: Arvuteid, vastavaid seadmeid ja tarkvara, mis täidavad krüptograafilisi, krüptoanalüüsi, tunnistavad mitmeastmelisi turva- või tunnistavaid kasutajate eraldamisülesandeid või mis piiravad elektromagnetilist ühilduvust (EMC), tuleb hinnata samuti 5. kategooria 2. osa jõudlusparameetrite järgi (Infoturve).

4ASüsteemid, seadmed ja komponendid

4A001Elektronarvutid ja nendega seotud seadmed, elektroonikasõlmed ja spetsiaalselt neile ette nähtud komponendid: NB! VT KA PUNKTI 4A101. 4A003Digitaalarvutid, elektroonikasõlmed ja nendega seotud seadmed nende jaoks ettenähtud komponentidega: Märkus 1: Punkt 4A003 hõlmab järgmist: Märkus 2: Punktis 4A003 nimetatud digitaalarvutite ja nendega seotud seadmete kontrolli alla kuulumine määratakse vastavalt muude seadmete või süsteemide osas ette nähtud kontrolli alla kuulumisele, juhul kui: 4A004Arvutid ja nende jaoks ettenähtud vastavad seadmed, elektroonikasõlmed ja komponendid: 4A101Analoogarvutid, digitaalarvutid või digitaalsed diferentsiaalanalüsaatorid, muud kui punktis 4A001.a.1 nimetatud, mis on karmide tingimuste jaoks ning spetsiaalselt ette nähtud või kohandatud kasutamiseks punktis 9A004 nimetatud kanderakettides või punktis 9A104 nimetatud sondrakettides 4A102Hübriidarvutid, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktis 9A004 nimetatud kanderakettide või punktis 9A104 nimetatud sondrakettide modelleerimiseks, simulatsiooniks või projektide integreerimiseks. Märkus: Nimetatud kontrolli kohaldatakse vaid juhul, kui nimetatud seadmed on varustatud punktis 7D103 või 9D103 nimetatud tarkvaraga.

a.

mis on spetsiaalselt konstrueeritud nii, et neil oleks mis tahes järgmine omadus:

1. ette nähtud tööülesannete täitmiseks keskkonnas, mille temperatuur on madalam kui 228 K (– 45 °C) või üle 358 K (+85 °C); Märkus: Punkti 4A001.a.1 ei kohaldata tsiviilotstarbeliste mootorsõidukites ja raudteerongides kasutamiseks ettenähtud arvutite suhtes.

2. kiirguskindlad, mis taluvad mis tahes järgmise piirväärtuse ületamist: a. kogudoos 5 × 103 Gy (räni); b. doosikiirus 5 × 106 Gy (räni)/s või c. ühele tuumasündmusele vastab 5 × 10–7 viga/bit/päev;

b.

mille tehnilised omadused ja jõudlus ületavad 5. kategooria 2. osas (Infoturve) kirjeldatud piire. Märkus: Punkt 4A001.b ei hõlma elektronarvuteid ja vastavaid seadmeid, kui need on kasutajal kaasas isiklikuks kasutamiseks.

a.

vektorprotsessorid;

b.

massiiviprotsessorid;

c.

digitaalsed signaaliprotsessorid;

d.

loogikaprotsessorid;

e.

pildiväärinduseks kavandatud seadmed;

f.

signaalitöötluseks kavandatud seadmed.

a.

digitaalarvutid või seotud seadmed on olulised teise süsteemi või seadme toimimiseks;

b.

digitaalarvutid või seotud seadmed ei ole muu süsteemi või seadme oluliseks osaks ja NB 1! Muudele seadmetele spetsiaalselt ettenähtud signaalitöötluse või pildiväärinduse seadmete kontrolli alla kuulumine määratakse vastavalt muude seadmete kontrolli alla kuulumisele isegi siis, kui nad ei täida olulise osa kriteeriumit. NB 2!Digitaalarvutite või telekommunikatsiooniseadmete kontrolli alla kuulumise kohta vaata 5. kategooria 1. osa (Telekommunikatsioon).

c.

Tehnoloogiadigitaalarvutite või seotud seadmete jaoks määratakse kindlaks punktis 4E.

a.

kavandatud või kohandatud tõrketaluvusega süsteemi jaoks; Märkus: Punkt 4A003.a tähenduses ei käsitleta digitaalarvuteid ja nendega seotud seadmeid kavandatuna või kohandatuna tõrketaluvusega süsteemide jaoks, kui nendes on kasutatud järgmist:

1. arvuti põhimälu sisaldab vigade avastamise ja korrigeerimise algoritme;

2. kaks digitaalarvutit on omavahel ühendatud selliselt, et aktiivse keskseadme tõrke korral jätkab süsteemi toimimist seni tühikäigul jooksnud ja aktiivset keskseadet peegeldav keskseade;

3. kahe keskseadme omavaheline side andmekanalite või ühismälu kaudu, mis võimaldab ühel keskseadmel sooritada muid ülesandeid kuni teise keskseadme tõrkeni, millisest hetkest alates esimene keskseade võtab üle süsteemi toimimise tagamise, või

4. kahe keskseadme sünkroniseerimine tarkvara abil nii, et üks keskseade on võimeline avastama teises keskseadmes tekkinud tõrke ning taastama ja võtma üle selle seadme töö.

b.

arvutid, mille efektiivne maksimaalne jõudlus on suurem kui 0,75 kaalutud teraFLOPS (WT);

c.

elektroonikasõlmed, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või kohandatud, et suurendada jõudlust protsessorite liitmise teel nii, et sellise ühenduse EMJ ületab punktis 4A003.b. sätestatud piiri; Märkus 1: Punkti 4A003.c kohaldatakse üksnes elektroonikasõlmedele ja programmeeritavatele omavahelistele ühendustele, mis ei ületa punktis 4A003.b esitatud piire, kui neid toimetatakse kohale mitteühendatud elektroonikasõlmedena. Seda ei kohaldata elektroonikasõlmedele, mille rakendamine loomupäraselt oma konstruktsiooni tõttu punktides 4A003.e nimetatud seadmete vastava osana on piiratud. Märkus 2: Punkt 4A003.c ei hõlma elektroonikasõlmi, mis on spetsiaalselt konstrueeritud toodetele või tooteperekondadele, mille maksimaalne konfiguratsioon ei ületa punktis 4A003.b sätestatud piiri.

d.

ei kasutata;

e.

seadmed, mis teostavad analoog-digitaalmuundamist, mille parameetrid ületavad punktis 3A001.a.5 sätestatud piirid;

f.

ei kasutata;

g.

seadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud võimaldama digitaalarvutite või nende juurde kuuluvate seadmete omavahelist välist ühendust ja võimaldavad andmevahetust kiirusega üle 1,25 gigabaidi sekundis. Märkus: Punkt 4A003.g ei hõlma sisemise ühenduse seadmeid (nt põhiplaate, siine), passiivseid ühendusseadmeid, võrgu juurdepääsu kontrollereid või sidekanali kontrollereid.

a.

süstoolsed massiiviarvutid;

b.

neuronarvutid;

c.

optilised arvutid.

4BTestimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed

Puuduvad.

4CMaterjalid Puuduvad.

4DTarkvara Märkus:Tarkvara, mis on mõeldud teistes kategooriates nimetatud seadmete arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks, kontrolli alla kuulumine määratakse vastavates kategooriates. Käesolevas kategoorias nimetatud seadmete jaoks ettenähtud tarkvara kontrolli alla kuulumine määratakse siin. 4D002Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktis 4E nimetatud tehnoloogia toetamiseks. 4D003Järgmine spetsiifiline tarkvara:

4DTarkvara

4D001a. Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktides 4A001–4A004 või 4D nimetatud seadmete ja tarkvara arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks.

b.

Tarkvara, muu kui punktis 4D001.a nimetatud, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud järgmiste arendamiseks või tootmiseks:

1. digitaalarvutid, mille efektiivne maksimaalne jõudlus ületab 0,75 korrigeeritud teraFLOPS (WT), või

2. elektroonikasõlmed, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või kohandatud, et suurendada jõudlust protsessorite liitmise teel nii, et selline ühendatud efektiivne maksimaalne jõudlus ületab punktis 4D001.b.1 sätestatud piiri.

a.

lähtekeelne operatsioonisüsteemide tarkvara ja spetsiaalselt mitme andmevoo töötlemiseks ettenähtud seadmetele tarkvara arendamise vahendid ja kompilaatorid;

b.

ei kasutata;

c.

tarkvara, mille omadused või funktsioonid ületavad 5. kategooria 2. osas (Infoturve) sätestatud piire. Märkus: Punkt 4D003.c ei hõlma tarkvara, kui see on kasutajal kaasas isiklikuks kasutamiseks.

4ETehnoloogia

4E001a. Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud punktides 4A või 4D nimetatud seadmete või tarkvara arendamiseks või tootmiseks:

b.

Tehnoloogia, muu kui punktis 4E001.a nimetatud, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud alljärgneva arendamiseks või tootmiseks:

1. digitaalarvutid, mille efektiivne maksimaalne jõudlus ületab 0,75 korrigeeritud teraFLOPS (WT), või

2. elektroonikasõlmed, mis on spetsiaalselt konstrueeritud või kohandatud, et suurendada jõudlust protsessorite liitmise teel nii, et sellise ühenduse efektiivne maksimaalne jõudlus (EMJ) ületab punktis 4E001.b.1 sätestatud piiri.

Tehniline märkus ühendatud teoreetilise jõudluse (CTP) kohta

Tehnilises märkuses kasutatud lühendid

CE arvutuselement (tüüpiline aritmeetika-loogikaseade) FP ujukoma XP püsikoma t täitmisaeg XOR välistav VÕI CPU keskseade TP (üksiku arvutuselemendi (CE)) teoreetiline jõudlus CTP (mitme arvutuselemendi (CE)) ühendatud teoreetiline jõudlus R efektiivne arvutuskiirus WL sõnapikkus L sõnapikkuse normeerimine x korrutusmärk Täitmisaeg t väljendatakse mikrosekundites, teoreetilist jõudlust TP ja ühendatud teoreetilist jõudlust (CTP) väljendatakse miljonites teoreetilistes operatsioonides sekundis (Mtops) ning sõnapikkust WL väljendatakse bittides.

Ühendatud teoreetilise jõudluse (CTP) arvutamismeetodi kirjeldus

CTP on arvutusjõudluse mõõt, mida väljendatakse miljonites teoreetilistes operatsioonides sekundis (Mtops). Ühendatud CEde CTP arvutamine toimub kolmes etapis järgmiselt: Nende sammude üksikasjad on esitatud järgmistes lõikudes. Märkus 1: Kui mitmel CE-l on nii omi kui ka ühiseid mälu alamsüsteeme, siis CTP arvutamine teostatakse hierarhiliselt kahes jaos: esiteks liidetakse ühismäluga CEde grupid, teiseks arvutatakse gruppide CTP, kasutades paljude ühismäluta CEde korral kasutatavat arvutusmetoodikat. Märkus 2: CEd, mis piirduvad sisend-/väljund- ja välisfunktsioonidega (nt kettaseade, andmeside ja kuvari kontrollerid), ei liideta CTP arvutamisel.

1. arvutada eraldi igale CE-le efektiivne arvutuskiirus R;

2. rakendada sõnapikkuse normeerimist (L) efektiivsele arvutuskiirusele (R), saades teoreetilise jõudluse (TP) iga arvutuselemendi CE jaoks;

3. kui CEsid on rohkem kui üks, liita teoreetilised jõudlused TP kogu ühendatud teoreetilise jõudluse (CTP) saamiseks.

TEHNILINE MÄRKUS CTP KOHTA

Järgmises tabelis on esitatud igale CE-le efektiivse arvutuskiiruse R arvutamise meetod. 1. etapp: Efektiivne arvutuskiirus R CE: Märkus: Iga CE-d tuleb hinnata eraldi. Efektiivne arvutuskiirus R Ainult XP Rxp = 13 × txp add Kui ei ole liitmiskäsku: Rxp = 1txp mult Kui puudub nii liitmis- kui korrutamiskäsk, tuleb kasutada kiireima võimaliku aritmeetilise operatsiooni täitmisaega: Rxp = 13 × txp Vt märkusi X ja Z Ainult FP Rfp = max 1tfp add, 1tfp mult Vt märkusi X ja Y Nii FP kui ka XP (R) Arvutada mõlemad Rxp, Rfp Lihtsad loogikaprotsessorid, kus puuduvad aritmeetikakäsud. V = 13 × tlog Kus tlog on välistav-VÕI-käsu täitmise aeg või kui riistvaral pole välistav-VÕI-käsu täitmist ette nähtud, siis kiireima lihtsa loogikaoperatsiooni täitmise aeg. Vt märkusi X ja Z Spetsiaalsete loogikaprotsessorite jaoks, mis ei kasuta ühtki spetsifitseeritud aritmeetika- või loogikaoperatsiooni. R = R' × WL/64 Kus R' on vastuste arv sekundis, WL on loogikaoperatsiooni kohta tulev bittide arv ning 64 on koefitsient, millega normaliseeritakse tulemus 64 bitise operatsiooni tulemuseks. Märkus W Konveierrežiimil töötava CE korral, mis on võimeline iga kellatsükli jooksul sooritama ühe aritmeetika- või loogikaoperatsiooni, võib määrata konveierkiiruse, kui konveier on täis. Sellise arvutuselemendi (CE) efektiivseks arvutuskiiruseks (R) on kiireim kahest, kas konveierkiirus või mittekonveierrežiimil täitmiskiirus. Märkus X CE jaoks, mis täidab ühe tsükli kestel mitu spetsiifilist operatsiooni (nt kaks liitmist või kaks identset loogikaoperatsiooni ühe tsükli kestel), on täitmisaeg t esitatud järgmiselt: t = protsessi kestusidentsete operatsioonide arv tsükli jooksul CEsid, mis ühe masinatsükli jooksul sooritavad mitmeid eri tüüpi matemaatilisi või loogikaoperatsioone, tuleb käsitleda kui mitut erinevat üheaegselt töötavat CEd (nt CEd, mis ühe tsükli jooksul teostab liitmist ja korrutamist, tuleb käsitleda kui kaht arvutuselementi (CE), millest üks sooritab ühe tsükli liitmist jooksul ja teine korrutamist). Kui CE sooritab nii skalaarseid kui ka vektorarvutusi, kasutatakse lühima täitmisaja väärtust. Märkus Y Kui CE ei soorita ujukomaarvude liitmis- ega korrutamistehet, kuid sooritab ujukomaarvude jagamistehet, siis: Rfp = ltfp divide Kui CE arvutab ujukomaarvude pöördväärtusi, kuid ei teosta ujukomaarvude liitmis-, korrutamis- või jagamistehet, siis: Rfp = ltfp reciprocal Kui ülalmainitud käskudest ühtegi ei täideta, on efektiivne ujukomaarvutuskiirus null. Märkus Z Lihtsa loogikaoperatsiooni korral sooritab üksik käsk ühe loogilise operatsiooni mitte enam kui kahe antud pikkusega operandi vahel. Keerulise loogikaoperatsiooni korral sooritab üksik käsk mitmeid loogilisi operatsioone kahe või enama operandi vahel, et saada üht või enamat tulemust. Kiirused tuleb arvutada kõigi toetatavate operandi pikkuste jaoks, võttes arvesse nii konveierrežiimis operatsioone (kui neid toetatakse) kui ka mittekonveierrežiimis operatsioone, kasutades kiireimat täidetavat käsku iga operandi pikkuse jaoks, millel see põhineb: Iga eespool nimetatud juhu jaoks kasutada tootja poolt deklareeritud lühimat täitmisaega. 2. etapp: TP arvutamine igale toetatava operandi pikkusele WL Normaliseerida efektiivne kiirus R (või R’) sõna pikkuse L abil järgmiselt: Märkus Sõna pikkus WL, mida kasutatakse nendes arvutustes, on operandi pikkus bittides (kui operatsiooni sooritamisel kasutatakse erineva pikkusega operante, tuleb valida pikim). Ujukomaprotsessori või ujukomaploki mantissi aritmeetika-loogikaseadme ALU ja eksponendi aritmeetika-loogikaseadme ALU kombinatsiooni loetakse üheks CE-ks sõnapikkusega WL, mis on võrdne võetud bittide arvuga andmete esitamisel (tavaliselt 32 või 64), pidades silmas CTP arvutamist. Sellist normaliseerimist ei rakendata spetsiaalsete loogikaprotsessorite korral, mis ei kasuta välistav-VÕI-käskusid. Sel juhul TP = R. Valida välja saadud TP väärtustest maksimaalsed: 3. etapp: CTP leidmine CEde jaoks, mille hulka on arvatud ka CPUd CPU jaoks, millel on üks CE, CTP = TP (CEde jaoks, mis teostavad nii püsikoma kui ka ujukoma operatsioone TP = max (TPfp, TPxp)) Paljude liidetud samaaegselt töötavate CEde jaoks arvutatakse CTP järgmiselt: Märkus 1 Liidetud CEde korral, mis ei võimalda kõigi CEde samaaegset töötamist, kasutatakse võimalike CEde kombinatsiooni, mis annab suurima CTP. Iga osaleva CE jaoks tuleb leida selle teoreetiliselt maksimaalne TP, enne kui tuletatakse selle kogu CTP. NB! Et määrata samaaegselt töötavate CEde võimalikud kombinatsioonid, tuleb tekitada käskude jada, mis algataks paljudes CEdes töö, alustades kõige aeglasemast CEst (selline eksemplar, mis vajab kõige enam tsükleid oma operatsiooni sooritamiseks) ning lõpetades kiireima CEga. Iga jadatsükli korral CEde kombinatsioon, mis töötavad selle tsükli kestel, ongi võimalik kombinatsioon. Käskude jada peab arvesse võtma kõik riistvara- ja/või arhitektuuripiirangud vaheliti osaliselt kattuvatele operatsioonidele. Märkus 2 Üks integraallülitus või koostplaat võib sisaldada mitut CE-d. Märkus 3 Samaaegsed operatsioonid loetakse võimalikuks, kui arvutivalmistaja teatab arvuti juhendis või tutvustuses konkurentsetest, paralleelsetest või samaaegsetest operatsioonidest või täitmistest. Märkus 4 CTP väärtusi ei tohi liita CEde kombinatsioonide jaoks, mis on omavahel ühendatud kohtvõrgu, laivõrgu kaudu, ühise sisend-/väljund- ühenduste/seadmetega, sisend-/väljundkontrolleritega või muu tarkvara pakutava andmesidega. Märkus 5 CTP väärtused tuleb liita mitme CE korral, mille jõudlust on tõstetud ühendamise teel ja mis toimivad üheaegselt ning kasutavad samu üheaegselt toimivaid ühismälu- või ühismälu/CE kombinatsioone, kasutades spetsiaalselt kavandatud riistvara. Seda liitmist ei rakendata punktis 4A003.c nimetatud elektroonikasõlmede korral. CTP = TP1 + C2 × TP2 + … + Cn × TPn, kus TPd on järjestatud väärtuste järgi nii, et TP1 on suurim, TP2 on suuruselt järgmine, … ning TPn on väikseim. Ci tähistab koefitsenti, mis määratakse CE-de vahelise ühenduse tugevusega järgmiselt: Mitme üheaegselt töötava ja sama mälu kasutava CE korral: Märkus 1 Kui esitatud meetodil arvutatud CTP väärtus ei ole üle 194 Mtops’i, võib kasutada Ci arvutamiseks järgmist valemit: Ci = 0,75m(i = 2, …, n) kus m = on ühist mälu jagavate CE-de või nende rühmade arv. NB! See ei kehti 3. kategooriaga kontrollitavate kaubaartiklite puhul. Märkus 2 CEdel on ühine mälu, kui neil on ligipääs pooljuhtmälu ühisele segmendile. See mälu võib sisaldada vahemälu, põhimälu või muud sisemälu. Arvesse ei võeta välismäluseadmeid, nagu kettaseadmed, lindiseadmed või pseudoketas. Mitme CE või CE-rühmade jaoks, millel pole ühismälu ning mis on omavahel ühendatud ühe või enama kanali abil: Ci Ci väärtus põhineb CE-de arvul, mitte sõlmede arvul, kus: ki min (Si/Kr, 1), ja Kr 20 MB/s normaliseerimistegur; Si Si on kõigi andmekanalite, mis ühendavad ühismäluga i-ndat CEd või CE-rühma, maksimaalsete andmeedastuskiiruste summa (MB/s ühikutes). Arvutades CE-rühmale Ci määrab esimese CE järjekorranumber rühmas õige Ci piirkonna. Näiteks liites kolme CEd sisaldavaid rühmi, sisaldab 22. rühm liikmeid CE64, CE65 ja CE66. Sellise arvutusrühma Ci õige väärtus on järelikult 0,60. (CEde või CE-rühmade) liitmine tuleb teostada kiiremast aeglasema suunas, st: kui TPi = TPi + 1 suuremast väiksema suunas, st: Märkus Tegurit ki ei rakendata CE-dele 2–12, kui CE või CE-rühma TPi on suurem kui 50 Mtops’i; st et Ci on CE-de 2–12 jaoks 0,75.

1. konveierrežiim või registrist-registrisse operatsioonid. Ebatavaliselt lühikesed täitmisajad, mis tekivad ettemääratud operandi või operandide korral (nt korrutamine nulli või ühega), jäetakse kõrvale. Kui ei käsitleta registrist-registrisse operatsioone, jätkata punktiga 2;

2. kiireim registrist-mälusse või mälust-registrisse operatsioon; nende puudumisel jätkata punktiga 3;

3. mälust-mälusse operatsioonid.

TP = R × L, kus L = (1/3 ± WL/96)

igale ainult XP arvutuselemendile – Rxp;

igale ainult FP arvutuselemendile – Rfp;

igale kombineeritud FP ja XP arvutuselemendile – R;

igale lihtsale loogikaprotsessorile, mis ei teosta aritmeetilisi operatsioone, ja

igale spetsiaalsele loogikaprotsessorile, mis ei kasuta ühtegi nimetatud aritmeetilist või loogilist operatsiooni.

C2 = C3 = C4 = … = Cn = 0,75

1. tingimusel, et: ühegi CE või CE-rühma TPi ei ole üle 30 Mtops’i;

2. CEd või CE-rühmad jagavad juurdepääsu põhimälule (arvestamata vahemälu) üht kanalit pidi; ja

3. ainult üks CE või CE-rühm võib kasutada kanalit korraga etteantud ajal.

= 0,75 × ki (i = 2, …, 32) (vt allolevat märkust)

= 0,60 × ki (i = 33, …, 64)

= 0,45 × ki (i = 65, …, 256)

= 0,30 × ki (i > 256)

TP1 ≥ TP2 ≥ … ≥ TPn, ja

Ci ≥ Ci + 1

EFEKTIIVSE MAKSIMAALSE JÕUDLUSE (EMJ) (Adjusted Peak Performance – APP) KOHTA

EMJ on maksimaalne kiirus, millega digitaalarvuti teeb 64bitiseid või suuremaid ujukoma liitmis- ja korrutustehteid. EMJ ühikuks on kaalutud teraFLOPS (WT). (1 FLOPS = 1012 ujukomatehet sekundis)

Käesolevas tehnilises märkuses kasutatud lühendid:

n protsessorite arv digitaalarvutis i protsessori järjekorranumber (i, … n) ti protsessori tsükli (takti) aeg (ti=1/Fi) Fi protsessori taktsagedus Ri maksimaalne ujukomatehte arvutuskiirus Wi arhitektuurikoefitsient

EMJ arvutusmeetodi ülevaade 1.2.3.4.

Iga protsessori i jaoks leitakse maksimaalne arv 64bitiseid või suuremaid ujukomatehteid (FPOi), mis tehakse digitaalarvuti ühe protsessori ühe takti jooksul. Märkus Ainult 64bitised või suuremad ujukoma liitmis- ja/või korrutustehted võetakse FPO arvutamisel arvesse, kusjuures tehete arv esitatakse protsessori ühe takti kohta. Tehted, mis tehakse mitme protsessoritakti jooksul võib esitada murdarvuna. Ri = 0, kui protsessor ei ole suuteline tegema 64bitiseid või suuremaid ujukomatehteid Arvutatakse iga protsessori ujukomatehte kiirus Ri = FPOi/ti. Arvutatakse EMJ = W1 × R1 + W2 × R2 + … + Wn × Rn. Vektorprotsessorite puhul Wi = 0,9, ülejäänud juhtudel Wi = 0,3. Märkus 1 Kui protsessor teeb seotud tehteid (nt liitmine ja korrutamine) phe takti jooksul, võetakse arvesse iga tehtud tehe. Märkus 2 Konveierprotsessori (pipelined processor) efektiivseks arvutuskiiruseks loetakse kiireim järgnevaist: kiirus konveieri maksimaalse komplekteerituse korral või kiirus mittekonveierrežiimi korral. Märkus 3 Kombinatsioonis olevate protsessorite EMJ R leitakse enne, kui protsessorite kombinatsiooni summaarne EMJ. Paralleelarvutused võetakse arvesse, kui paralleel- või üheaegsed operatsioonid on loetletud tootjapoolsetes spetsifikatsioonides. Märkus 4 EMJ arvutusse ei kaasata protsessoreid, mis teostavad ainult I/O (sisend/väljund) ja/või lisaseadmetega seotud funktsioone (nt ketta-, kommunikatsiooni- või videoseadmed). Märkus 5 EMJ ei arvutata protsessorite suhtes, mis on omavahel ühendatud kohtvõrgu (Local Area Network – LAN), hajusvõrgu (Wide Area Networks), ühendatud või ühiste I/O (sisend/väljund) seadmete või tarkvaralise ühenduse abil. Märkus 6 Märkus 6 EMJ arvutus on vajalik, kui Märkus 7 Vektorprotsessor on protsessor, mille käsustik võimaldab üheaegseid tehteid ujukoma vektoritega (vektor - ühedimensionaalne 64-bitiste või suuremate arvude maatriks), milles on vähemalt kaks vektori funktsionaalüksust ning milles on vähemalt 8 vähemalt 64 bitiste elementidega vektorite registrit.

1. protsessorite kombinatsioon sisaldab protsessoreid, mis on spetsiaalselt ette nähtud jõudluse suurendamiseks agregatsiooni, üheaegsete operatsioonide ja mälu ühiskasutamise kaudu või

2. mälu/protsessorite kombinatsioonid sisaldavad spetsiaalseid komponente, mis on ette nähtud paralleeloperatsioonide teostamiseks.

5. KATEGOORIA – TELEKOMMUNIKATSIOON JA INFOTURVE

1. OSA TELEKOMMUNIKATSIOON

Märkus 1: Spetsiaalselt telekommunikatsiooniseadmete või -süsteemide jaoks kavandatud komponentide, laserite, katse- ja tootmisseadmete seadmete ning nendele loodud tarkvara kontrolli alla kuulumine määratakse 5. kategooria 1. osas. Märkus 2:Digitaalarvuteid, vastavaid seadmeid või tarkvara, mis on selles kategoorias nimetatud telekommunikatsiooniseadmete tööks või töö toetamiseks olulise tähtsusega, käsitletakse selleks ülesandeks spetsiaalselt kavandatud komponentidena tingimusel, et nad kujutavad endast tootja poolt üldjuhul tarnitavaid standardseid mudeleid. See hõlmab arvutisüsteemide tööd, haldamist, hooldust, ekspluatatsiooni või maksustamist.

5A1Süsteemid, seadmed ja komponendid Tehniline märkus:

NB! GNSS segamise seadmete kohta vaata sõjaliste kaupade nimekirja. 5A101Kaugmõõte- ja kaugjuhtimisseadmed, kaasa arvatud maapealsed seadmed, mis on kavandatud või kohandatud rakettmürskudel kasutamiseks. Punktis 5A101 tähendab rakettmürsk terviklikke raketisüsteeme ja mehitamata õhusõidukisüsteeme, mille lennuulatus ületab 300 km. Märkus: Punkt 5A101 ei hõlma järgmist:

5A1Süsteemid, seadmed ja komponendid

5A001a. Telekommunikatsiooniseadmed, millel on mis tahes järgmine omadus, funktsioon või iseärasus: Märkus: Punktid 5A00l.a.2. ja 5A001.a.3 ei hõlma seadmeid, mis on kavandatud või kohandatud kasutamiseks satelliitide pardal.

5A001a.

1. on spetsiaalselt ette nähtud taluma ajutisi elektroonilisi ilminguid või elektromagnetilist impulssi, mille tekitab tuumaplahvatus;

2. kõrgendatud vastupanuvõime gamma-, neutroni- või ioonkiirgusele või

3. on spetsiaalselt ette nähtud tööülesannete täitmiseks keskkonnas, mille temperatuur on madalam kui 218 K (–55 °C) ja kõrgem kui 397 K (+124 °C). Märkus: Punkt 5A001.a.3 kehtib üksnes elektrooniliste seadmete kohta.

b.

Telekommunikatsiooni ülekandeseadmed ja -süsteemid ning spetsiaalselt nende jaoks ettenähtud komponendid, millel on mis tahes järgmine omadus, funktsioon või eripära:

1. veealused sidesüsteemid, millel on mis tahes järgmine omadus:

1. a.

akustiline kandesagedus väljaspool sagedusvahemikku 20–60 kHz;

b.

elektromagnetiliste lainete kandesagedus sagedustel 30 kHz või

c.

kasutavad elektroonilist kiirejuhtimistehnikat;

2. raadioseadmestik, mis töötab sagedusribas 1,5–87,5 MHz ja millel on mis tahes järgmine omadus:

2. a.

sisaldab adaptiivtehnikat, mis võimaldab häiresignaalide enam kui 15 dB allasurumist või

b.

millel on kõik järgmised omadused:

1. prognoosib automaatselt ja valib sagedusi ning täielikke digitaalseid edastuskiirusi kanali kohta ülekande optimeerimise eesmärgil ja

2. sisaldab lineaarset võimsusvõimendit, mis suudab toetada samaaegselt mitut signaali väljundvõimsusega 1 kW või rohkem sagedusvahemikus 1,5–30 MHz või väljundvõimsusega 250 W või rohkem sagedusvahemikus 30–87,5 MHz, üheoktavilise või laiema hetkelise ribalaiusega ning ebalineaarmoonutuste sisaldusega väljundsignaalis vähem kui –80 dB;

3. raadioseadmestik, mis rakendab hajaspektri tehnikat, sealhulgas ka sagedushüplemise tehnikat, mida ei ole nimetatud punktis 5A001.b.4, millel on mis tahes järgmine omadus: Märkus: Punkt 5A001.b.3 ei hõlma seadmeid, mis on ette nähtud töötama väljundvõimsusel 1,0 W või vähem.

3. a.

kasutaja programmeeritavad hajutamiskoodid või

b.

ülekantaa riba kogulaius on 100 või enam korda laiem ükskõik millisest informatsioonikanali ribalaiusest ning laiem kui 50 kHz; Märkus: Punkt 5A001.b.3.b ei hõlma raadioseadmeid, mis on ette nähtud kasutamiseks tsiviilotstarbelistes kärgside (mobiiltelefoni) süsteemides.

4. raadioseadmed, mis kasutavad ultralairiba modulatsioonitehnikaid kasutaja programmeeritava kanalistamise koodidega, skrambleerimise koodidega või võrgu identifitseerimise koodidega, millel on üks järgmistest omadustest:

4. a.

ribalaius üle 500 MHz või

b.

fraktsionaalne ribalaius 20 % või rohkem;

5. digitaalselt tüüritavad raadiovastuvõtjad, millel on kõik järgmised omadused:

5. a.

üle 1000 kanali;

b.

sageduse ümberlülitusaeg lühem kui 1 ms;

c.

elektromagnetilises võnkespektris automaatne otsimis- või skaneerimisvõime ja

d.

vastuvõetud signaalide või saatjatüüpide identifitseerimisvõime või Märkus: Punkt 5A001.b.4 ei hõlma raadioseadmeid, mis on ette nähtud kasutamiseks tsiviilotstarbelistes kärgside (mobiiltelefoni) süsteemides.

6. Tehnilised märkused:

kasutavad digitaalset signaalitöötlust kõne kodeerimiseks kiirusega vähem kui 2400 bit/s.

1. Hääle kodeerimisel muutuvate kodeerimiskiirustega (variable rate voice coding) kohaldatakse punkti 5A001.b.6 pideva kõne häälkodeerimise väljundi suhtes.

2. Punkti 5A001.b6 tähenduses on kõne kodeerimine määratletud kui tehnika inimhääle näidete võtmiseks ja nende digitaalseks signaaliks muutmiseks, võttes arvesse inimkõne eripärasid.

c.

järgmised kiudoptilised sidekaablid, optilised kiud ja tarvikud:

1. Tehniline märkus:

optilised kiud, mis on üle 500 m pikad ja mis kannatavad tootja määratluse kohaselt tõestuskatsel tõmbepinget vähemalt 2 × 109 N/m2 või rohkem; Tõestuskatse: tootmisprotsessisisene või tootmisprotsessist sõltumatu toodangu katsetamine, mille käigus rakendatakse 0,5–3 meetri pikkusele kiule, mis liigub kiirusega 2–5 m/s umbes 150 mm läbimõõduga surverullide vahelt läbi, etteantud dünaamilist tõmbepinget. Keskkonna nominaalne temperatuur on seejuures 293 K (20 °C) ning suhteline õhuniiskus 40 %. Tõestuskatse sooritamisel võib kasutada vastavaid siseriiklikke standardeid.

2. kiudoptilised kaablid ja tarvikud, mis on ette nähtud veealuseks kasutamiseks. Märkus: Punkt 5A001.c.2 ei hõlma standardseid tsiviilkasutuses olevaid telekommunikatsioonikaableid ja -tarvikuid. NB 1! Veealuste teeninduskaablite ja nende pistikühenduste kohta vaata punkti 8A002.a.3. NB 2! Kiudoptiliste laevakere läbiviikude või pistikühenduste kohta vaata punkti 8A002.c.

d.

Elektrooniliselt formeeritava suunadiagrammiga antennid töösagedusega üle 31,8 GHz. Märkus: Punkt 5A001.d ei hõlma elektrooniliselt formeeritava suunadiagrammiga antenne maandumissüsteemide jaoks, milles on mikrolainemaandumissüsteemide (MLS) ICAO standardite kohased mõõteriistad.

e.

Raadiopeilimisseadmed, mis toimivad üle 30 MHz sagedustel ja millel on kõik järgmised omadused, ning nende jaoks spetsiaalselt ettenähtud komponendid:

1. hetkeline ribalaius on 10 MHz või rohkem ja

2. võimelised määrama (peilima) sünkroniseerimata ja alla 1 ms signaalikestvusega raadiosaatjate suunakoordinaadid.

f.

Raadiolainete segajad, mis on spetsiaalselt ette nähtud omadustega mobiilside teenuste tahtlikuks ja valikuliseks segamiseks, tõkestamiseks, blokeerimiseks, halvendamiseks vms:

1. raadiokommunikatsioonivõrgu (Radio Access Network –RAN) funktsioonide simuleerimine või

2. kasutatava mobiilsideprotokolli eriomaduste avastamine ja kasutamine (nt GSM).

5A1Süsteemid, seadmed ja komponendid Tehniline märkus: a.

seadmed, mis on kavandatud või kohandatud mehitatud õhusõidukites või satelliitides kasutamiseks;

b.

maapealsed seadmed, mis on kavandatud või kohandatud maismaa- või merekasutuseks;

c.

seadmed, mis on ette nähtud kaubanduslike, tsiviilotstarbeliste või inimelude ohutusega (nt andmete terviklikkus, lennuohutus) seotud GNSS teenuste jaoks.

5B1Testimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed

5B001a. Seadmed ja nende jaoks ettenähtud komponendid või tarvikud, mis on spetsiaalselt kavandatud punktis 5A001, 5B001, 5D001 või 5E001 nimetatud funktsioonide või eripäraga seadmete arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks. Märkus: Punkt 5B001.a ei hõlma optilise kiu omaduste uurimise seadmeid.

b.

Seadmed ning nende jaoks ettenähtud komponendid ja tarvikud, mis on spetsiaalselt kavandatud mis tahes järgmite telekommunikatsiooni ülekandeseadmete või kommutatsiooniseadmete arendamiseks:

1. Tehniline märkus:

seadmed, mis kasutavad digitaaltehnikat, mis on kavandatud toimima üle 15 Gbit/s täieliku digitaalse edastuskiirusega; Kommutatsiooniseadmete puhul on täielik digitaalne edastuskiirus kiireimas pordis või kiireimal liinil mõõdetav kiirus.

2. seadmed, mis kasutavad laserit ning millel on järgmised omadused:

2. a.

ülekandel kasutatav lainepikkus on üle 1750 nm;

b.

teostatakse optilist võimendamist;

c.

kasutatakse koherentset optilist ülekannet või koherentse optilise detekteerimise tehnikat (tuntud ka optilise heterodüün- või homodüüntehnikana) või

d.

kasutatakse analoogtehnikat ribalaiusel üle 2,5 GHz; Märkus: Punkt 5B001.b.2.d ei hõlma kommertstelevisioonisüsteemide arendamiseks spetsiaalselt kavandatud seadmeid.

3. seadmed, mis kasutavad optilist kommuteerimist;

4. raadioseadmed, mis kasutavad kvadratuur-amplituudmodulatsiooni (QAM) tehnikat kõrgemal kui 256. nivool, või

5. seadmed, mis kasutavad ühiskanaliga signaalimist ning töötavad mitteliitunud töörežiimil.

5C1Materjalid

Puuduvad.

5D1Tarkvara 5D101Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktis 3A101.b nimetatud seadmete kasutamiseks.

5D1Tarkvara

5D001a. Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktis 5A001 või 5B001 nimetatud seadmete, funktsioonide või tunnuste arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks.

b.

Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktis 5E001 nimetatud tehnoloogia toetamiseks.

c.

Järgmine spetsiifiline tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktis 5A001 või 5B001 nimetatud seadmete tehniliste näitajate, funktsioonide ja tunnuste tagamiseks.

d.

Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud mis tahes järgmiste telekommunikatsiooni ülekandeseadmete või kommutatsiooniseadmete arendamiseks:

1. Tehniline märkus:

seadmed, mis kasutavad digitaaltehnikat, mis on kavandatud toimima üle 15 Gbit/s täieliku digitaalse edastuskiirusega; Kommutatsiooniseadmete puhul on täielik digitaalne edastuskiirus kiireimas pordis või kiireimal liinil mõõdetav kiirus.

2. seadmed, mis kasutavad laserit ning millel on järgmised omadused:

2. a.

ülekandel kasutatav lainepikkus on üle 1750 nm või

b.

kasutatakse analoogtehnikat ribalaiusel üle 2,5 GHz; Märkus: Punkt 5D001.d.2.b. ei hõlma kommertstelevisioonisüsteemide arendamiseks spetsiaalselt loodud või kohandatud tarkvara.

3. seadmed, mis kasutavad optilist kommuteerimistvõi

4. raadioseadmed, mis kasutavad kvadratuur-amplituudmodulatsiooni (QAM) tehnikat kõrgemal kui 256. nivool.

5E1Tehnoloogia

5E101Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia punktis 5A101 nimetatud seadmete arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks.

5E001a. Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud punktis 5A001, 5B001 või 5D001 nimetatud seadmete, funktsioonide või tunnuste või tarkvara arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks (v.a töötamine).

b.

Spetsiifiline tehnoloogia:

1. nõuetekohane tehnoloogia satelliitidel kasutamiseks ettenähtud telekommunikatsiooniseadmete arendamiseks või tootmiseks;

2. tehnoloogia laserandmesidetehnika arendamiseks või kasutamiseks, mis on võimeline automaatselt signaale tabama ja neid jälgima ning andmesidet üleval hoidma nii läbi atmosfäärivälise kui ka veealuse keskkonna;

3. tehnoloogia selliste digitaalsete kärg-raadioside tugijaamade vastuvõtuseadmete arendamiseks, mille vastuvõtuvõimeid, mis võimaldavad paljuribalisust, paljukanalisust, paljumoodilisust, paljukoodilist algoritmi või paljuprotokollilist tööd, võib muuta muudatustega tarkvaras;

4. tehnoloogia hajaspektri tehnika, sh sagedushüplemise tehnika arendamiseks.

c.

Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia, mis on ette nähtud mis tahes järgmise telekommunikatsiooni ülekande- või kommutatsiooniseadmete, funktsioonide või iseärasuste arendamiseks või tootmiseks:

1. Tehniline märkus:

seadmed, mis kasutavad digitaaltehnikat, mis on kavandatud toimima üle 15 Gbit/s täieliku digitaalse edastuskiirusega; Kommutatsiooniseadmete puhul on täielik digitaalne edastuskiirus kiireimas pordis või kiireimal liinil mõõdetav kiirus.

2. seadmed, mis kasutavad laserit ning millel on järgmised omadused:

2. a.

ülekandel kasutatav lainepikkus on üle 1750 nm;

b.

teostatakse optilist võimendamist, kasutades praseodüümlisandiga fluoriidkiudvõimendeid (PDFFA);

c.

kasutatakse koherentset optilist ülekannet või koherentse optilise detekteerimise tehnikat (tuntud ka optilise heterodüün- või homodüüntehnikana);

d.

kasutatakse lainepikkuste jaotamise-multipleksimise tehnikat selliselt, et ühte optilisse aknasse mahub üle 8 kandelaine, või

e.

kasutatakse analoogtehnikat ribalaiusel üle 2,5 GHz; Märkus: Punkt 5E001.c.2.e ei hõlma kommertstelevisioonisüsteemide arendamiseks või tootmiseks ettenähtud tehnoloogiat.

3. seadmed, mis kasutavad optilist kommuteerimist;

4. raadioseadmed, millel on järgmised omadused:

4. a.

kasutavad kvadratuur-amplituudmodulatsiooni (QAM) tehnikat kõrgemal kui 256. nivool või

b.

töötavad sisend- ja väljundsagedustel üle 31,8 GHz või Märkus: Punkt 5E001.c.4.b ei hõlma selliste seadmete arendamiseks või tootmiseks ettenähtud tehnoloogiat, mis on kavandatud või kohandatud töötamiseks igas sagedusribas, mis on ITU poolt eraldatud raadioside jaoks ja mitte ette nähtud asukoha määramiseks.

5. seadmed, mis kasutavad ühiskanaliga signaalimist ning töötavad mitteliitunud töörežiimil.

2. OSA Märkus 3: Tehniline märkus: INFOTURVE Märkus krüptograafia kohta:

Märkus 1:Infoturbe seadmete, tarkvara, süsteemide, rakendusspetsiifiliste elektroonikasõlmede, moodulite, integraallülituste, komponentide või funktsioonide kontrolli alla kuulumine on määratud 5. kategooria 2. osas isegi juhul, kui nad on teiste seadmete komponendid või elektroonikasõlmed. Märkus 2: 5. kategooria 2. osa ei hõlma tooteid, mis on kasutajal kaasas isiklikuks kasutamiseks. Punktid 5A002 ja 5D002 ei hõlma kaupu, mis vastavad kõigile järgmistele tingimustele: 5. kategooria 2. osas ei arvestata paarsusbitte võtmepikkuse määramisel.

2. OSA Märkus 3: INFOTURVE Märkus krüptograafia kohta: a.

nad on avalikult ja kitsendusteta saadaval jaemüügikohtades mis tahes järgmisel viisil:

1. käsimüük;

2. postimüük;

3. elektronkaubandus või

4. telefonimüük;

b.

nende krüptograafilist funktsionaalsust ei saa kasutaja kergesti muuta;

c.

nad on ette nähtud paigaldamiseks kasutaja oma jõududega, ilma tarnija olulise abita, ja

d.

nende tehnilised üksikasjad on kättesaadavad ja need tehakse nõudmise korral teatavaks eksportija liikmesriigi pädevale asutusele nende vastavuse määramiseks käesoleva märkuse punktides a–d kirjeldatud nõuetele.

2. OSA Märkus 3: Tehniline märkus: INFOTURVE Märkus krüptograafia kohta:

5A2Süsteemid, seadmed ja komponendid 5A002a. Tehniline märkus:

Süsteemid, seadmed, rakendusspetsiifilised elektroonikasõlmed, moodulid ja integraallülitused infoturbeks vastavalt alljärgnevale ning muud spetsiaalselt selleks otstarbeks kavandatud komponendid: NB! Globaalsete navigatsioonisatelliitide süsteemide vastuvõtuseadmete, mis sisaldavad või kasutavad dekrüpteerimist (st GPS või GLONASS), kontrolli alla kuulumise kohta vt punkti 7A005. Kvantkrüptograafiat tuntakse samuti kvantmehhaanilise kodeerimese/dekodeerimise (quantum key distribution – QKD) nime all. Märkus: Punkt 5A002 ei hõlma järgmist:

5A2Süsteemid, seadmed ja komponendid 5A002a.

1. Tehnilised märkused:

kavandatud või kohandatud kasutama krüptograafiat, rakendades digitaalmeetodeid, mis täidavad mingeid krüptograafilisi funktsioone peale autentimise või digitaalsignatuuri ning millel on mis tahes järgmised omadused: Märkus: Punkt 5A002.a.1 hõlmab ka seadmeid, mis on kavandatud või kohandatud kasutama analoogpõhimõttel põhinevat krüptograafiat, mis on teostatud digitaalsete meetoditega.

1. Autentimis- ja digitaalsignatuurifunktsioonid sisaldavad nendega seotud võtmehaldusfunktsioone.

2. Autentimine hõlmab kõiki pääsu (access) reguleerimise aspekte, mille puhul ei ole tegemist failide või teksti krüpteerimisega, välja arvatud volitamatu pääsu vältimiseks otseselt paroolide, isiklike tunnusnumbrite (PIN-kood) või muude samalaadsete andmete kaitsega seotud otstarbel.

3. Krüptograafia ei hõlma fikseeritud andmetihenduse ega kodeerimise meetodeid.

a.

sümmeetriline algoritm võtmepikkusega üle 56 biti või

b.

asümmeetriline algoritm, kus algoritmi turvalisus põhineb mis tahes järgmisel omadusel:

1. 512 bitti ületavate täisarvude faktoriseerimine (nt RSA);

2. diskreetsete logaritmide arvutamine suurema kui 512-bitise lõpliku väljaga multiplikatiivses rühmas (nt Diffie-Hellmani algoritm üle Z/pZ) või

3. diskreetsed logaritmid teistes rühmades kui punktis 5A002.a.1.b.2 nimetatud, suuremates kui 112 bitti (nt Diffie-Hellmani meetod üle ellipsi);

2. kavandatud või kohandatud krüptoanalüütiliste funktsioonide täitmiseks;

3. ei kasutata;

4. spetsiaalselt kavandatud või kohandatud vähendama informatsiooni kandvaid signaale paljastavat kiirgust rohkem, kui seda nõuavad tervishoiu-, ohutus- või elektromagnetilise häire standardid;

5. kavandatud või kohandatud kasutama krüptograafiatehnikat hajutamiskoodi genereerimiseks hajaspektri süsteemidele, muud kui punktis 5A002.a.6. nimetatud. kaasa arvatud sagedushüplemise koodi genereerimiseks sagedushüplemise süsteemidele;

6. kavandatud või kohandatud kasutama krüptograafiatehnikat kanalistamise koodide, skrambleerimise koodide või võrgu sidentifitseerimise koodide genereerimiseks süsteemidele, mis kasutavad ultralairiba modulatsioonitehnikaid ja millel on üks järgmistest omadustest:

6. a.

ribalaius üle 500 MHz või

b.

fraktsionaalne ribalaius 20 % või suurem;

7. ei kasutata;

8. andmesidekaablisüsteemid, mis on kavandatud või kohandatud avastama mehaaniliste, elektriliste või elektrooniliste vahenditega kõrvalist (illegaalset) sisenemist süsteemi;

9. konstrueeritud või modifitseeritud kvantkrüptograafia kasutamiseks;

5A2Süsteemid, seadmed ja komponendid 5A002a. Tehniline märkus: a.

personaalsed kiipkaardid: NB! Kui personaalsel kiipkaardil on mitmeid funktsioone, tuleb iga funktsiooni kontrolli alla kuulumist hinnata eraldi;

1. mille krüptograafilised võimalused on piiratud kasutamisega seadmetes või süsteemides, mis ei kuulu kontrolli alla käesoleva märkuse punktide b–f alusel; või

2. üldkasutatavate rakenduste jaoks, mille krüpteerimisvõimet pole kasutajal võimalik mõjutada ja mis on spetsiaalselt kavandatud ja piiratud kaitsma nendele salvestatud isikuandmeid.

b.

vastuvõtuseadmed raadioringhäälingule, tasulisele televisioonile või sarnasele piiratud auditooriumiga tarbija tüüpi ringhäälingule, milles ei kasutata digitaalset krüpteerimist, v.a üksnes juhul, kui seda kasutatakse arvete või programmi käsitleva teabe saatmiseks ringhäälinguteenuse pakkujale;

c.

seadmed, mille krüpteerimisvõimet pole kasutajal võimalik mõjutada ja mis on spetsiaalselt kavandatud ja piiratud lubama järgmist:

1. kopeerimiskaitsega tarkvara käivitamine;

2. juurdepääs järgmisele:

2. a.

kopeerimiskaitsega, kirjutuskaitstud andmekandjatele salvestatud sisu või

b.

andmed, mis on salvestatud krüpteeritud kujul andmekandjale (nt seoses intellektuaalomandi õiguste kaitsega), kui andmekandjaid pakutakse identsel kujul avalikult müügiks;

3. autoriõigusega kaitstud audio-/videoandmete kopeerimise kontrollimine;

4. pooljuhtseadiste või integraallülituste projekteerimiseks kasutatavate andmekogude, projekteerimisatribuutide või nendega seotud andmete krüpteerimine ja/või dekrüpteerimine nende kaitsmiseks;

d. Tehniline märkus:

krüpteerimisseadmed, mis on spetsiaalselt konstrueeritud ning ette nähtud üksnes kasutamiseks panganduses või rahalisteks tehinguteks; Punkti 5A002 märkuses d kasutatud mõiste rahalised tehingud hõlmab nii maksude käsitlemist ja kogumist kui ka krediidifunktsioone.

e.

portatiivsed või mobiilsed tsiviilkasutusega raadiotelefonid (nt kasutamiseks kommertsliku tsiviilkasutusega kärgsidesüsteemides), mis ei ole võimelised otspunktkrüpteerimiseks;

f.

juhtmeta telefoniseadmed, mis pole võimelised otspunktkrüpteerimiseks, kui võimendamata, juhtmeta maksimaalselt efektiivne tööulatus (st ühekordne releetu hüpe terminali ja tugijaama vahel) on vastavalt valmistaja kirjeldusele vähem kui 400 meetrit.

5B2Testimis-, kontrolli- ja tootmisseadmed

5B002a. Seadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud järgmiseks:

5B002a.

1. punktides 5A002, 5B002, 5D002 või 5E002 nimetatud seadmete või funktsioonide arendamiseks, kaasa arvatud mõõte- või katseseadmed.

2. punktis 5A002, 5B002, 5D002 või 5E002 nimetatud seadmete või funktsioonide tootmine, kaasa arvatud mõõte-, katse-, parandus- ja tootmisseadmed.

b.

Mõõteseadmed, mis on spetsiaalselt ette nähtud punktis 5A002 või 5D002 nimetatud infoturbefunktsioonide hindamiseks või kinnitamiseks.

5C2Materjalid

Puuduvad.

5D2Tarkvara Märkus: Punkt 5D002 ei hõlma järgmist:

5D2Tarkvara

5D002a. Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktis 5A002, 5B002 või 5D002 nimetatud seadmete või tarkvara arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks.

b.

Tarkvara, mis on spetsiaalselt loodud või kohandatud punktis 5E002 nimetatud tehnoloogia toetamiseks.

c.

Järgmine spetsiifiline tarkvara:

1. tarkvara, millel on punktis 5A002 või 5B002 nimetatud seadmete tunnuseid või mis täidab või simuleerib nende funktsioone;

2. tarkvara, mis sertifitseerib punktis 5D002.c.1 nimetatud tarkvara.

a.

tarkvara, mida on vaja punkti 5A002 märkuse alusel kontrolli alt välja arvatud seadmete kasutamiseks;

b.

tarkvara, mis võimaldab punkti 5A002 märkuse alusel kontrolli alt välja arvatud seadmete funktsioneerimise.

5E2Tehnoloogia

5E002Tehnoloogia üldmärkusele vastav tehnoloogia punktis 5A002, 5B002 või 5D002 nimetatud seadmete või tarkvara arendamiseks, tootmiseks või kasutamiseks;

6. KATEGOORIA – SENSORID JA LASERID

6ASüsteemid, seadmed ja komponendid a.

1. a.

akustilised sügavusloodid, mis töötavad vertikaalselt aparatuuri all ja mis ei skaneeri üle ±20° ning mille ülesanded piirduvad vee sügavuse mõõtmisega, kauguse mõõtmisega uppunud või maetud objektideni või kalaparvede leidmisega;

b.

akustilised paakpoid:

1. akustilised avariipoid;

2. erilised veealuste lühikeste akustiliste signaalide saatjad (pinger), mis on spetsiaalselt kavandatud veealuse asukoha taasleidmiseks või sinna tagasipöördumiseks.

a.

laialehvikulised veesügavuse mõõtesüsteemid, mis on kavandatud merepõhja topograafiliseks kaardistamiseks ning millel on kõik järgmised omadused:

1. kavandatud mõõtmiseks vertikaali suhtes üle 20° nurga all;

2. kavandatud enam kui 600 m allpool veepinda olevate sügavuste mõõtmiseks ja

3. kavandatud võimaldama mis tahes järgnevat:

3. a.

paljude kimpude samaaegne kasutamine, millest igaüks on kitsam kui 1,9°, või

b.

andmete täpsus on parem kui 0,3 % vee sügavuse väärtusest kogu mõõtelehviku ulatuses, mis on saadud lehvikut moodustavate üksikute mõõtetulemuste keskmistamisel;

b.

1. saatesagedus alla 10 kHz;

2. sagedusribas 10 kHz kuni 24 kHz (kaasa arvatud) töötavate seadmete helirõhk on üle 224 dB (arvestatud 1 μPa kohta 1 m kaugusel);

3. sagedusribas 24–30 kHz töötavate seadmete helirõhk ületab 235 dB (arvestatud 1 μPa kohta 1 m kaugusel);

4. moodustab mis tahes telje suunas kitsamaid kui 1° kimpe ning mille töösagedus on väiksem kui 100 kHz;

5. kavandatud töötama üheselt mõistetava näidikuga, mille näitepiirkond ületab 5120 m, või

1000 more provisions are not shown here; each has its own address.

Versions

1. 2006-02-27