Règlement (CE) no 394/2006 du Conseil du 27 février 2006 portant modification et mise à jour du règlement (CE) no 1334/2000 instituant un régime communautaire de contrôles des exportations de biens et technologies à double usage

En vigueurVersion 2006-02-27depuis le 2006-04-12

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Sommaire

Préambule
1. Article premier
2. Article 2
ANNEX
ANNEXE
ANNEXE I LISTE DES BIENS ET TECHNOLOGIES À DOUBLE USAGE [visée à l'article 3 du règlement (CE) no 1334/2000]
REMARQUES GÉNÉRALES CONCERNANT L'ANNEXE I 1.2.3.
NOTE RELATIVE À LA TECHNOLOGIE NUCLÉAIRE (NTN) (À lire en relation avec le chapitre E de la catégorie 0)
NOTE GÉNÉRALE RELATIVE À LA TECHNOLOGIE (NGT) (À lire en relation avec le chapitre E des catégories 1 à 9)
NOTE GÉNÉRALE RELATIVE AUX LOGICIELS (NGL) (La présente note exempte des contrôles prévus au chapitre D des catégories 0 à 9)
1. a.
DÉFINITION DES TERMES UTILISÉS DANS LA PRÉSENTE ANNEXE
pt_24 a.
pt_26 a.
pt_35 a.
pt_36 a.
pt_83 a.
pt_96 a.
pt_108 a.
pt_127 a.
pt_138 a.
pt_141 a.
pt_143 a.
pt_163 a.
pt_168 a.
pt_173 a.
ACRONYMES ET ABRÉVIATIONS UTILISÉS DANS LA PRÉSENTE ANNEXE
CATÉGORIE 0 MATIÈRES, INSTALLATIONS ET ÉQUIPEMENTS NUCLÉAIRES
0AÉquipements, ensembles et composants
0BÉquipement d'essai, d'inspection et de production
a.
b.
c.
13. a.
7. a.
5. a.
6. a.
0CMatières a.
0ETechnologie
CATÉGORIE 1 MATÉRIAUX, PRODUITS CHIMIQUES, MICRO-ORGANISMES ET TOXINES
1AÉquipements, ensembles et composants Note technique:
1AÉquipements, ensembles et composants a.
1. a.
1BÉquipement d'essai, d'inspection et de production
1CMatières Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Notes techniques: 1.2.
1CMatières Note technique: a.
a.
b.
c.
1. Note technique:
1. a.
d.
1CMatières Note technique: Note technique:
1. a.
2. a.
3. a.
4. a.
5. a.
1. Note technique:
2. Note technique:
1CMatières Note technique: Note technique: Note technique: a.
1. a.
2. a.
1CMatières Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: a.
1. a.
2. a.
a.
b.
1CMatières Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: a.
a.
b.
1CMatières Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: a.
1. Note technique:
2. Note technique:
2. a.
3. a.
6. a.
1CMatières Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: a.
1CMatières Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: a.
1CMatières Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: a.
1CMatières Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique:
2. a.
5. a.
1ETechnologie
1. a.
3. a.
CATÉGORIE 2 TRAITEMENT DES MATÉRIAUX
2AÉquipements, ensembles et composants Note technique:
2AÉquipements, ensembles et composants a.
2. a.
2BÉquipement d'essai, d'inspection et de production Notes techniques: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Notes techniques: Note technique: Note technique: Notes techniques: Note technique:
2BÉquipement d'essai, d'inspection et de production Notes techniques:
2. a.
5. a.
1. a.
4. a.
2BÉquipement d'essai, d'inspection et de production Notes techniques: Note technique: a.
2BÉquipement d'essai, d'inspection et de production Notes techniques: Note technique: Note technique: a.
1. a.
2. a.
1. Note technique:
2. a.
2BÉquipement d'essai, d'inspection et de production Notes techniques: Note technique: Note technique: Note technique: a.
2BÉquipement d'essai, d'inspection et de production Notes techniques: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: a.
2BÉquipement d'essai, d'inspection et de production Notes techniques: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: a.
1. a.
2. a.
a.
b.
c.
d.
2BÉquipement d'essai, d'inspection et de production Notes techniques: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: a.
2BÉquipement d'essai, d'inspection et de production Notes techniques: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Notes techniques:
2BÉquipement d'essai, d'inspection et de production Notes techniques: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Notes techniques: Note technique: a.
2BÉquipement d'essai, d'inspection et de production Notes techniques: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Notes techniques: Note technique: Note technique: a.
2BÉquipement d'essai, d'inspection et de production Notes techniques: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Notes techniques: Note technique: Note technique: Notes techniques:
1. a.
2ETechnologie
1. a.
2. a.
Tableau 1.2.3.A.B.B.1.B.2.B.3.B.4.C.D.E.F.G. Notes relatives au tableau — Méthodes de dépôt Méthodes de dépôt
5. a.
a.
b.
c.
d.
e.
f.
g.
CATÉGORIE 3 ÉLECTRONIQUE
3AÉquipements, ensembles et composants Note technique: Note technique: Note technique:
3AÉquipements, ensembles et composants a.
1. a.
2. a.
5. Notes techniques:
5. a.
6. a.
7. a.
10. a.
11. a.
12. Note technique:
4. a.
3. a.
4. Note technique:
4. a.
8. a.
5. Note technique:
3AÉquipements, ensembles et composants Note technique: a.
3AÉquipements, ensembles et composants Note technique: Note technique: a.
3BÉquipement d'essai, d'inspection et de production
1. a.
2. a.
3CMatières a.
3DLogiciel Note technique:
3DLogiciel a.
3ETechnologie Note technique:
3ETechnologie
CATÉGORIE 4 CALCULATEURS
4AÉquipements, ensembles et composants
4BÉquipement d'essai, d'inspection et de production
4DLogiciel
4ETechnologie
Note technique relative à la Performance théorique pondérée (PTP) Abréviations utilisées dans la présente technique
NOTE TECHNIQUE RELATIVE À LA PTP
NOTE TECHNIQUE SUR LA PERFORMANCE DE CRÊTE CORRIGÉE (PCC)
CATÉGORIE 5 TÉLÉCOMMUNICATIONS ET SÉCURITÉ DE L'INFORMATION
PARTIE 1 TÉLÉCOMMUNICATIONS
5A1Équipements, ensembles et composants Note technique:
5A1Équipements, ensembles et composants
5A001a.
1. a.
2. a.
3. a.
4. a.
5. a.
6. Note technique: 1.2.
1. Note technique:
5B1Équipement d'essai, d'inspection et de production
1. Note technique:
2. a.
5D1Logiciel
1. Note technique:
2. a.
5E1Technologie
1. Note technique:
2. a.
4. a.
PARTIE 2 Note 3: Note technique: SÉCURITÉ DE L'INFORMATION Note cryptographique
a.
b.
c.
d.
5A2Équipements, ensembles et composants 5A002a. Note technique:
5A2Équipements, ensembles et composants 5A002a.
1. Notes techniques:
6. a.
2. a.
5B2Équipement d'essai, d'inspection et de production
5B002a.
5D2Logiciel
5E2Technologie
CATÉGORIE 6 CAPTEURS ET LASERS
6AÉquipements, ensembles et composants a.
1. a.
3. a.
6. a.

LE CONSEIL DE L'UNION EUROPÉENNE,

vu le traité instituant la Communauté européenne, et notamment son article 133,

vu la proposition de la Commission,

considérant ce qui suit:

(1) Le règlement (CE) no 1334/2000 prévoit que les biens à double usage (y compris les logiciels et les technologies) doivent être soumis à un contrôle efficace lorsqu'ils sont exportés de la Communauté.

(2) Afin de permettre aux États membres et à la Communauté de respecter leurs engagements internationaux, l'annexe I du règlement (CE) no 1334/2000 établit la liste commune des biens et technologies à double usage visée à l'article 3 dudit règlement, qui met en œuvre les accords internationaux sur le contrôle des biens à double usage, y compris l'arrangement de Wassenaar, le régime de contrôle de la technologie relative aux missiles (MTCR), le Groupe des fournisseurs d'articles nucléaires (NSG), le Groupe Australie et la convention sur les armes chimiques (CWC).

(3) L'article 11 du règlement (CE) no 1334/2000 prévoit que les annexes I et IV sont mises à jour dans le respect des obligations et engagements pertinents, et de toute modification de ces derniers, que chaque État membre a acceptés en tant que membre des régimes internationaux de non-prolifération et de contrôle des exportations, ou du fait de la ratification des traités internationaux en la matière.

(4) Il convient de modifier les annexes I et IV du règlement (CE) no 1334/2000 afin de tenir compte des modifications adoptées par l'arrangement de Wassenaar, par le Groupe Australie, par le MTCR et le NSG après les modifications opérées par le règlement no 1504/2004.

(5) Afin de faciliter la consultation par les autorités chargées des contrôles à l'exportation et les opérateurs, il convient de publier une version actualisée et consolidée des annexes du règlement (CE) no 1334/2000.

(6) Il convient de modifier le règlement (CE) no 1334/2000 en conséquence,

A ARRÊTÉ LE PRÉSENT RÈGLEMENT:

Article premier

L'annexe du règlement (CE) no 1334/2000 est remplacée par le texte figurant à l'annexe du présent règlement.

Article 2

Le présent règlement entre en vigueur le trentième jour suivant celui de sa publication au Journal officiel de l'Union européenne.

Le présent règlement est obligatoire dans tous ses éléments et directement applicable dans tout État membre. Fait à Bruxelles, le 27 février 2006. Par le Conseil La présidente U. Plassnik

ANNEX

ANNEXE

ANNEXE I LISTE DES BIENS ET TECHNOLOGIES À DOUBLE USAGE [visée à l'article 3 du règlement (CE) no 1334/2000]

REMARQUES GÉNÉRALES CONCERNANT L'ANNEXE I 1.2.3.

Concernant le contrôle des biens conçus ou modifiés pour des usages militaires, se rapporter à la ou aux listes ad hoc relatives au contrôle des biens à usage militaire tenues par chaque État membre. Dans la présente annexe, la mention VOIR ÉGALEMENT LISTE DES MATÉRIELS DE GUERRE renvoie à ces listes. Les contrôles dont il est question dans la présente annexe ne doivent pas être rendus inopérants par le biais de l'exportation de biens non soumis à contrôle (y compris des installations) contenant un ou plusieurs composants soumis à contrôle, lorsque lesdits composants sont l'élément principal de ces biens et peuvent en pratique en être détachés et utilisés à d'autres fins. N.B.: Pour décider si le ou les composants soumis à contrôle doivent être considérés comme l'élément principal, il convient d'évaluer les facteurs de quantité, de valeur et de savoir-faire technologique les concernant, ainsi que d'autres circonstances particulières qui pourraient faire du ou des composants soumis à contrôle l'élément principal des biens fournis. Les biens figurant dans la présente annexe s'entendent comme neufs ou usagés.

NOTE RELATIVE À LA TECHNOLOGIE NUCLÉAIRE (NTN) (À lire en relation avec le chapitre E de la catégorie 0)

La technologie directement associée à des biens soumis à contrôle de la catégorie 0 est soumise à contrôle conformément aux dispositions de la catégorie 0. La technologie relative au développement, à la production ou à l'utilisation de biens soumis à contrôle demeure soumise à contrôle même lorsqu'elle s'applique à des biens non soumis à contrôle. La licence délivrée pour l'exportation de biens couvre également l'exportation, au bénéfice du même utilisateur final, de la technologie minimale nécessaire à l'installation, à l'exploitation, à l'entretien et à la réparation de ces biens. Le contrôle portant sur les transferts de technologie ne s'applique pas aux connaissances qui sont du domaine public ou relèvent de la recherche scientifique fondamentale.

NOTE GÉNÉRALE RELATIVE À LA TECHNOLOGIE (NGT) (À lire en relation avec le chapitre E des catégories 1 à 9)

L'exportation de technologie nécessaire au développement, à la production ou à l'utilisation des biens relevant des catégories 1 à 9 est soumise à contrôle selon les dispositions des catégories 1 à 9. La technologie nécessaire au développement, à la production ou à l'utilisation de biens soumis à contrôle demeure soumise à contrôle même lorsqu'elle est applicable à un bien non soumis à contrôle. Les contrôles ne s'appliquent pas à la technologie minimale nécessaire à l'installation, à l'exploitation, à l'entretien (vérification) et à la réparation des biens qui ne sont pas contrôlés ou dont l'exportation a été autorisée. N.B.: Cela ne couvre pas la technologie visée aux alinéas 1E002.e., 1E002.f., 8E002.a. et 8E002.b. Le contrôle portant sur les transferts de technologie ne s'applique pas aux connaissances qui sont du domaine public, à la recherche scientifique fondamentale ou aux connaissances minimales nécessaires pour les demandes de brevet.

NOTE GÉNÉRALE RELATIVE AUX LOGICIELS (NGL) (La présente note exempte des contrôles prévus au chapitre D des catégories 0 à 9)

Les catégories 0 à 9 de la présente liste ne sont pas applicables aux logiciels qui:

sont couramment à la disposition du public, en étant: N.B.: L'alinéa a. de la note générale relative aux logiciels n'exempte pas les logiciels mentionnés dans la catégorie 5, partie 2 (Sécurité de l'information).

1. vendus directement sur stock, sans restriction, à des points de vente au détail, que cette vente soit effectuée

1. a.

en magasin;

par correspondance;

par transaction électronique; ou

par téléphone; et

2. conçus pour être installés par l'utilisateur sans assistance ultérieure importante de la part du fournisseur; ou

sont du domaine public.

DÉFINITION DES TERMES UTILISÉS DANS LA PRÉSENTE ANNEXE

Les définitions des termes entre apostrophes simples sont données dans une note technique se rapportant au bien en question. Les définitions des termes entre apostrophes doubles sont les suivantes. N.B.: Les références aux catégories sont indiquées entre parenthèses après le terme défini.

Accordable (6): se dit d'un laser pouvant produire une énergie continue à toutes les longueurs d'onde sur une gamme de différentes transitions laser. Un laser à sélection de raie produit des longueurs d'onde discrètes lors d'une transition laser et n'est pas considéré comme accordable.

Adapté pour usage de guerre (1): toute modification ou sélection (notamment altération de la pureté, de la durée de conservation, de la virulence, des caractéristiques de diffusion ou de la résistance aux rayons UV) conçue pour augmenter la capacité à causer des pertes humaines ou animales, à dégrader les équipements ou à endommager les récoltes ou l'environnement.

Aéronef (1, 7 et 9): véhicule aérien à voilure fixe, à voilure pivotante, à voilure rotative (hélicoptère), à rotor basculant ou à voilure basculante. N.B.: Voir également aéronef civil.

Aéronef civil (1, 7 et 9): aéronef inscrit sous sa désignation propre sur les listes de certificats de navigabilité publiées par les services de l'aviation civile, comme desservant des lignes commerciales civiles intérieures et extérieures ou destinés à un usage civil légitime, privé ou professionnel. N.B.: Voir également aéronef.

Agilité de fréquence (radar) (6): toute technique par laquelle la fréquence porteuse d'un émetteur radar à impulsion est modifiée selon une séquence pseudo-aléatoire, entre impulsions ou groupes d'impulsions, d'une quantité supérieure ou égale à la bande passante de l'impulsion.

Algorithme asymétrique (5): un algorithme cryptographique utilisant différentes clés mathématiques pour le chiffrement et le déchiffrement. N.B.: Une utilisation courante des algorithmes asymétriques est la gestion des clés.

Algorithme symétrique (5): un algorithme cryptographique utilisant la même clé pour le chiffrement et le déchiffrement. N.B.: Une utilisation courante des algorithmes symétriques est la confidentialité des données.

Alliage mécanique (1): procédé d'alliage résultant de la liaison, de la cassure et d'une nouvelle liaison de poudres élémentaires et de poudres d'alliage mères par choc mécanique. Des particules non métalliques peuvent être incorporées dans l'alliage par l'addition de poudres appropriées.

Alloué par l'UIT (3 et 5): allocation de bandes de fréquence conformément à l'édition actuelle des règlements des radiocommunications de l'UIT pour les services primaires, autorisés et secondaires. N.B.: Les allocations additionnelles et alternatives ne sont pas incluses.

Amplification optique (5): dans les communications optiques, technique d'amplification introduisant un gain dans des signaux optiques engendrés par une source optique distincte, sans conversion en signaux électriques, c'est-à-dire en utilisant des amplificateurs optiques à semi-conducteurs, des amplificateurs luminescents à fibres optiques.

Analyseur de signaux (3): appareil capable de mesurer et d'afficher les propriétés fondamentales de chaque composante de fréquence d'un signal multi-fréquences.

Analyseur de signaux dynamiques (3): analyseurs de signaux faisant appel à des techniques numériques d'échantillonnage et de transformation pour créer une représentation du spectre de Fourier de la forme d'onde donnée, y compris les informations relatives à l'amplitude et à la phase. N.B.: Voir également analyseur de signaux.

Antenne à réseau phasé, électroniquement orientable (5 et 6): antenne formant un faisceau au moyen d'un couplage de phase, c'est-à-dire que la direction du faisceau est commandée par les coefficients d'excitation complexes des éléments rayonnants et qu'elle peut être modifiée en azimut ou en élévation, ou les deux, par l'application d'un signal électrique, aussi bien en émission qu'en réception.

Atomisation par gaz (1): procédé servant à réduire une coulée d'alliage métallique en fusion en gouttelettes de 500 micromètres de diamètre ou moins au moyen d'un flux de gaz sous haute pression.

Atomisation centrifuge (1): procédé servant à réduire une coulée ou un cratère de métal en fusion en gouttelettes de 500 micromètres de diamètre ou moins par la force centrifuge.

Atomisation sous vide (1): procédé servant à réduire une coulée de métal en fusion en gouttelettes de 500 micromètres de diamètre ou moins par l'évaporation rapide d'un gaz dissous par application du vide.

Avec toutes les corrections disponibles (2): lorsque toutes les mesures pratiques dont dispose le fabricant pour réduire au minimum toutes les erreurs systématiques de positionnement ont été considérées pour le modèle de machine-outil en cause.

Bande (1): matériau constitué de monofilaments, brins, nappes, mèches ou torons, etc., entrelacés ou unidirectionnels, en général préimprégnés de résine. N.B.:Brin: faisceau de monofilaments (en général plus de 200) pratiquement parallèles.

Bande passante en temps réel (2 et 3), pour les analyseurs de signaux dynamiques: gamme de fréquence la plus large que l'analyseur puisse fournir au visuel ou à la mémoire de masse sans causer de discontinuité dans l'analyse des données d'entrée. Pour les analyseurs comportant plus d'un canal, on utilisera, pour effectuer le calcul, la configuration des canaux donnant la bande passante en temps réel la plus large.

Bande passante fractionnelle (3): la bande passante instantanée divisée par la fréquence centrale, exprimée en pourcentage.

Bande passante instantanée (3, 5 et 7): bande passante sur laquelle la puissance de sortie demeure constante à 3 dB près sans ajustement des autres paramètres de fonctionnement.

Biais (accéléromètre) (7): valeur indiquée par un accéléromètre en l'absence d'accélération.

Broche basculante (2): broche porte-outil qui modifie, au cours du processus d'usinage, la position angulaire de son axe de référence par rapport à tout autre axe.

Calculateur hybride (4): équipement apte à la fois à:

pt_24 a.

accepter des données;

traiter des données à la fois en représentations analogiques et en représentations numériques; et

assurer la sortie de données.

Calculateur neuronal (4): dispositif de calcul conçu ou modifié pour imiter le comportement d'un neurone ou d'une collection de neurones (c'est-à-dire un dispositif de calcul qui se distingue par sa capacité de moduler les poids et le nombre des interconnexions d'une multiplicité de composants de calcul basée sur des données précédentes).

Calculateur numérique (4 et 5): équipement qui, lorsque les données sont sous forme d'une ou de plusieurs variables discrètes, est apte à la fois à: N.B.: Les modifications de la séquence stockée d'instructions comprennent notamment le remplacement de dispositifs de stockage permanents, mais pas de modification matérielle du câblage ou des interconnexions.

pt_26 a.

accepter des données;

stocker des données ou des instructions dans des dispositifs de stockage permanents ou modifiables (par réécriture);

traiter des données au moyen d'une séquence stockée d'instructions modifiable; et

assurer la sortie de données.

Calculateur optique (4): calculateur conçu ou modifié pour utiliser la lumière pour représenter les données et dont les éléments de logique de calcul sont basés sur des dispositifs optiques directement connectés.

Calculateur à réseaux systoliques (4): calculateur où le débit et la modification des données sont contrôlables dynamiquement par l'utilisateur au niveau de la porte logique.

Capteurs d'imagerie monospectraux (6): capteurs capables d'effectuer une saisie d'imagerie à partir d'une bande spectrale discrète.

Capteurs d'imagerie multispectraux (6): capteurs capables d'effectuer une saisie simultanée ou en série de données d'imagerie à partir de deux ou plusieurs bandes spectrales discrètes. Les capteurs ayant plus de vingt bandes spectrales discrètes sont quelquefois appelés capteurs d'imagerie hyperspectraux.

Capteur de pression (2): dispositif qui transforme les mesures de pression en signal électrique.

Capteurs radar interconnectés (6): deux ou plus de deux capteurs radar échangeant entre eux des données en temps réel.

Carte à microprocesseur personnalisée (5): carte à microprocesseur (carte à puce) contenant un microcircuit qui a été programmé pour une application spécifique et ne peut être reprogrammé par l'utilisateur pour aucune autre application.

Circuit intégré à film (3): réseau d'éléments de circuits et d'interconnexions métalliques formé par le dépôt d'un film mince ou épais sur un substrat isolant. N.B.:Élément de circuit désigne un élément fonctionnel actif ou passif unique dans un circuit électronique, tel qu'une diode, un transistor, une résistance, un condensateur, etc.

Circuit intégré hybride (3): toute combinaison de circuits intégrés, ou circuits intégrés comportant des éléments de circuit ou des composants discrets reliés ensemble afin d'exécuter une ou plusieurs fonctions spécifiques et répondant à tous les critères suivants: N.B. 1:Élément de circuit: élément fonctionnel actif ou passif unique dans un circuit électronique, tel qu'une diode, un transistor, une résistance, un condensateur, etc. N.B. 2:Composant discret: élément de circuit en boîtier séparé possédant ses propres connexions externes.

pt_35 a.

contenant au moins un dispositif non encapsulé;

reliés ensemble au moyen de méthodes typiques de production de circuits intégrés;

remplaçables en tant qu'entités; et

ne pouvant normalement être désassemblés.

Circuit intégré monolithique (3): combinaison de plusieurs éléments de circuits passifs ou actifs ou des deux qui: N.B.:Élément de circuit désigne un élément fonctionnel actif ou passif unique dans un circuit électronique, tel qu'une diode, un transistor, une résistance, un condensateur, etc.

pt_36 a.

sont fabriqués par des processus de diffusion, d'implantation ou de dépôt sur ou dans un élément semi-conducteur unique, appelé plaquette;

sont considérés comme associés de manière indivisible; et

assurent la ou les fonctions d'un circuit.

Circuit intégré multiplaquettes (3): circuit contenant au moins deux circuits intégrés monolithiques fixés sur un substrat commun.

Circuit intégré optique (3): circuit intégré monolithique ou circuit intégré hybride contenant un ou plusieurs éléments, conçu pour fonctionner comme photocapteur ou photoémetteur, ou pour assurer une ou plusieurs fonctions optiques ou électro-optiques.

Code objet (4, 5 et 9): forme, permettant l'exécution par la machine, d'un moyen d'expression approprié pour donner une description d'un ou de plusieurs processus [code source (langage source)], qui a été converti par un système de programmation.

Code source ou langage source (4, 6, 7 et 9): moyen d'expression approprié pour donner une description d'un ou de plusieurs processus pouvant être traduite par un système de programmation en un programme sous une forme (code objet ou langage objet) permettant son exécution par la machine.

Commande de contournage (2): commande de deux mouvements ou plus par commande numérique, exécutés suivant des instructions qui désignent la position assignée suivante et la vitesse d'avance requise vers cette position; ces vitesses varient les unes par rapport aux autres de manière à produire le contour voulu (référence ISO/DIS2806-1980).

Commande électronique numérique de moteur pleine autorité (FADEC) (7 et 9): système de commande électronique pour moteurs à turbine à gaz ou moteurs combinés, utilisant un calculateur numérique pour contrôler les variables nécessaires pour régler la poussée du moteur ou la puissance de sortie sur l'arbre tout au long de la gamme de fonctionnement du moteur depuis le début du dosage du carburant jusqu'à l'arrêt du carburant.

Commande numérique (2): commande automatique d'un processus, réalisée par un dispositif qui interprète des données numériques introduites en général au fur et à mesure du déroulement de l'opération (norme ISO 2382).

Commande de vol primaire (7): commande de stabilité ou de manœuvre d'un aéronef utilisant des générateurs de force ou de moment, à savoir des surfaces de commande aérodynamiques ou la vectorisation de la poussée propulsive.

Commande de vol totale (7): commande automatisée des variables de l'état d'un aéronef et de la trajectoire de vol afin d'atteindre les objectifs de la mission répondant aux changements en temps réel des données relatives aux objectifs, risques ou autres aéronefs.

Commutation optique (5): routage ou commutation de signaux sous forme optique sans conversion en signaux électriques.

Composite (1, 2, 6, 8 et 9): se dit d'une matrice et d'une phase ou de phases supplémentaires, constituées de particules, de trichites, de fibres, ou de toute combinaison de celles-ci, présentes pour un but ou des buts spécifiques.

Compression d'impulsions (6): opération de codage et de traitement d'une impulsion d'un signal radar de longue durée la transformant en une impulsion de courte durée tout en conservant les avantages d'une énergie d'impulsion élevée.

Constante de temps (6): temps qui s'écoule entre l'excitation lumineuse et le moment où l'augmentation du courant atteint une valeur de 1 – 1/e fois la valeur finale, c'est-à-dire 63 % de sa valeur finale.

Contrôle de puissance rayonnée (7): désigne la modification de la puissance émise du signal de l'altimètre de sorte que la puissance reçue à l'altitude de l'aéronef soit toujours au niveau minimal nécessaire pour déterminer l'altitude.

Contrôleur d'accès au réseau (4): interface matérielle avec un réseau de commutation réparti. Il utilise un support commun qui fonctionne en permanence au même débit de transfert numérique en utilisant l'arbitrage (par exemple, détection de jeton ou de porteuse) pour la transmission. Indépendamment des autres, il choisit les paquets de données ou les groupes de données (par exemple, IEEE 802) qui lui sont adressés. C'est un ensemble qui peut être intégré à des équipements informatiques ou de télécommunications pour assurer l'accès aux communications.

Contrôleur de communication (4): interface matérielle réglant la circulation des informations numériques synchrones ou asynchrones. C'est un ensemble qui peut être intégré à des équipements informatiques ou de télécommunications pour assurer l'accès aux communications.

Cryptographie (5): discipline qui englobe les principes, moyens et méthodes servant à la transformation des données afin d'en dissimuler le contenu informatif, empêcher sa modification sans détection ou empêcher son utilisation sans autorisation. La cryptographie est limitée à la transformation d'informations par l'emploi d'un ou de plusieurs paramètres secrets (par exemple, des variables cryptographiques) ou de la gestion de clé associée. N.B.:Paramètre secret: désigne une constante ou une clé non portée à la connaissance d'autres personnes ou partagée uniquement au sein d'un groupe.

Cryptographie quantique (5): famille de techniques permettant d'établir une clé partagée pour la cryptographie en mesurant les propriétés relatives à la mécanique quantique d'un système physique (y compris les propriétés physiques explicitement régies par l'optique quantique, la théorie quantique des champs ou l'électrodynamique quantique).

Cultures vivantes isolées (1): comprend les cultures vivantes sous forme dormante ou en préparations sèches.

Débit de transfert numérique: débit total d'unités binaires d'information directement transférées sur tout type de support. N.B.: Voir également Débit de transfert numérique total.

Débit de transfert numérique total (5): nombre de bits, y compris les bits de codage en ligne et les bits supplémentaires, etc., passant, par unité de temps, entre les équipements correspondants dans un système de transmission numérique. N.B.: Voir également Débit de transfert numérique.

Densification isostatique à chaud (2): procédé consistant à exercer une pression sur un moulage à une température supérieure à 375 K (102 °C), dans une cavité fermée, par divers moyens (gaz, liquide, particules solides, etc.) afin de créer une force agissant également dans toutes les directions en vue de réduire ou d'éliminer les vides internes du moulage.

Densité de courant globale (3): nombre total d'ampères-tours dans la bobine (c'est-à-dire le nombre de tours multiplié par le courant maximal porté par chaque tour) divisé par la section transversale totale de la bobine (y compris les filaments supraconducteurs, la matrice métallique dans laquelle les filaments supraconducteurs sont incorporés, le matériau d'encapsulage, toute voie de refroidissement, etc.).

Développement (NGT, NTN, toutes catégories): opérations liées à toutes les étapes préalables à la production en série, telles que conception, recherches de conception, analyses de conception, principes de conception, montages et essais de prototypes, plans de production pilotes, données de conception, processus de transformation des données de conception en un produit, conception de configuration, conception d'intégration, plans.

Domaine public (du) (NGT, NTN, NGL): qualifie la technologie ou le logiciel ayant été rendus accessibles sans qu'il ait été apporté de restrictions à sa diffusion ultérieure [les restrictions relevant du droit d'auteur (copyright) n'empêchent pas une technologie ou un logiciel d'être considérés comme relevant du domaine public].

Durée d'impulsion (6): largeur d'une impulsion laser mesurée au niveau de la largeur totale demi-intensité.

EC signifie élément de calcul.

Écart de positionnement angulaire (2): différence maximale entre la position angulaire et la position angulaire réelle, mesurée avec une très grande précision, après que le porte-pièce a été déplacé par rapport à sa position initiale (cf. norme VDI/VDE 2617, projet: Tables rotatives sur les machines de mesure à coordonnées).

Effecteurs terminaux (2): dispositifs tels que les pinces, les outils actifs et tout autre outillage fixés sur l'embase placée à l'extrémité du bras manipulateur d'un robot. N.B.:Outil actif: dispositif destiné à appliquer à la pièce à usiner la puissance motrice, l'énergie nécessaire au processus ou les capteurs.

Élément de calcul (EC) (4): la plus petite unité de calcul produisant un résultat arithmétique ou logique final.

Élément principal (4): élément dont la valeur de remplacement représente plus de 35 % de la valeur totale du système dont il est un élément. La valeur de l'élément est le prix payé pour cet élément par le fabricant ou l'intégrateur du système. La valeur totale est le prix de vente international à des parties qui n'ont aucun lien avec le vendeur, prix départ, lieu de fabrication ou lieu de groupage d'expédition.

Ensemble électronique (2, 3, 4 et 5): groupe de composants électroniques (éléments de circuits, composants discrets, circuits intégrés, etc.) reliés ensemble pour assurer une ou plusieurs fonctions spécifiques, remplaçables globalement et normalement démontables. N.B. 1:Élément de circuit: élément fonctionnel actif ou passif unique dans un circuit électronique, tel qu'une diode, un transistor, une résistance, un condensateur, etc. N.B. 2:Composant discret: élément de circuit en boîtier séparé possédant ses propres connexions externes.

Équipements d'assistance à la production (7 et 9): équipements et les logiciels conçus spécialement pour eux, intégrés dans les installations servant au développement ou à une ou plusieurs phases de la production.

Équipement de production (1, 7 et 9): outillages, gabarits, montages, mandrins, moules, matrices, appareillages, mécanismes d'alignement, équipements d'essais, autres machines et leurs composants, limités à ceux spécialement conçus ou modifiés pour le développement ou pour une ou plusieurs phases de la production.

Erreur circulaire probable (ECP) (7): mesure de la précision exprimée par le rayon du cercle centré sur la cible dans lequel, d'une distance donnée, 50 % des charges utiles font impact.

États (non) parties à la convention sur les armes chimiques (1): les États pour lesquels la convention sur l'interdiction de la mise au point, de la fabrication, du stockage et de l'emploi des armes chimiques est (n'est pas) entrée en vigueur (cf. www.opcw.org).

État participant (7 et 9): État participant à l'arrangement de Wassenaar (voir www.wassenaar.org).

Extraction en fusion (1): procédé servant à solidifier rapidement et à extraire à un alliage sous forme de ruban par l'introduction d'un petit segment d'un bloc refroidi en rotation dans le bain d'un alliage métallique en fusion. N.B.:Solidifier rapidement signifie solidifier un matériau fondu à des vitesses de refroidissement supérieures à 1000 K/s.

Facteur d'échelle (gyromètre ou accéléromètre) (7): rapport entre une modification à la sortie par rapport à une modification à l'entrée à mesurer. Le facteur d'échelle est généralement évalué comme la pente de la ligne droite qui peut être ajustée par la méthode des moindres carrés appliquée aux données d'entrée-sortie obtenues en faisant varier l'entrée de façon cyclique sur la gamme d'entrée.

FADEC signifie commandes électroniques numériques de moteur pleine autorité.

Faux-rond de rotation (2): déplacement radial en une révolution de la broche principale, mesuré dans un plan perpendiculaire à l'axe de la broche en un point de la surface tournante externe ou interne à essayer (cf. norme ISO 230/1, 1986, point 5.61).

Fixe (algorithme) (5): se dit d'un algorithme de codage ou de compression ne pouvant pas accepter de paramètres fournis de l'extérieur (par exemple variables cryptographiques ou clés) et ne pouvant être modifié par l'utilisateur.

Formage à l'état de superplasticité (1 et 2): procédé de déformation utilisant la chaleur pour des métaux qui se caractérisent normalement par un faible allongement à la rupture (moins de 20 %) à la température ambiante selon des essais classiques de résistance à la traction, afin d'atteindre, au cours du traitement, des allongements d'au moins deux fois cette valeur.

Géographiquement dispersés (Capteurs) (6): capteurs dont les emplacements sont éloignés de plus de 1500 mètres les uns des autres dans toute direction. Les capteurs mobiles sont toujours considérés comme géographiquement dispersés.

Gradiomètre magnétique (6): instrument conçu pour détecter la variation spatiale des champs magnétiques provenant de sources extérieures à l'instrument. Le gradiomètre magnétique consiste en un magnétomètre multiple et en matériels électroniques associés, donnant la mesure du gradient de champ magnétique. N.B.: Voir également gradiomètre magnétique intrinsèque.

Gradiomètre magnétique intrinsèque (6): élément unique de détection de gradient de champ magnétique simple et matériels électroniques associés, donnant la mesure du gradient de champ magnétique. N.B.: Voir également gradiomètre magnétique.

Grammes effectifs (Masse en) (0 et 1) de produits fissiles spéciaux:

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pour les isotopes de plutonium et l'uranium 233, la masse des isotopes en grammes;

pour l'uranium enrichi à 1 % ou plus en isotope U-235, la masse des éléments en grammes, multipliée par le carré de son enrichissement exprimé en fraction décimale de masse;

pour l'uranium enrichi à moins de 1 % en isotope U-235, la masse des éléments en grammes, multipliée par 0,0001.

Immunotoxine (1): association d'un anticorps monoclonal spécifique d'un type de cellules et d'une toxine ou d'une sous-unité de toxine, qui affecte sélectivement des cellules malades.

Incertitude de mesure (2): paramètre caractéristique indiquant avec une fiabilité de 95 % dans quelle fourchette autour de la mesure indiquée se situe la valeur correcte de la variable à mesurer. Ce paramètre comprend les écarts systématiques non corrigés, la largeur du jeu non corrigée et les écarts aléatoires non corrigés (cf. norme ISO 10360-2 ou VDI/VDE 2617).

Isolation (9), dans le cas des composants d'un moteur de fusée, c'est-à-dire l'enveloppe, la tuyère, l'admission, les fermetures de l'enveloppe: désigne des feuilles de caoutchouc composite vulcanisé et semi-vulcanisé contenant un matériau isolant ou réfractaire. Il peut aussi être incorporé au moteur sous forme de gaine ou de clapet de décontrainte.

Laser (0, 2, 3, 5, 6, 7, 8 et 9): ensemble de composants produisant de la lumière à la fois temporellement et spatialement cohérente, amplifiée par émission stimulée de rayonnement. N.B.: Voir également:

laser chimique;

laser déclenché;

laser à transfert;

laser à très haute puissance.

Laser chimique (6): laser dans lequel les éléments excités proviennent de l'énergie issue d'une réaction chimique.

Laser déclenché (Q-switch) (6): laser dans lequel l'énergie est stockée dans la population d'inversion ou dans le résonateur optique et ultérieurement émise sous forme d'une impulsion.

Laser à transfert (6): laser dans lequel les éléments excités sont obtenus par collision d'un atome ou d'une molécule ne produisant pas d'effet laser avec un atome ou une molécule produisant un effet laser.

Laser à très haute puissance (SHPL) (6): laser capable d'émettre (la totalité ou une partie) de l'énergie émise en impulsions dépassant 1 kJ en un temps de 50 ms, ou ayant une puissance moyenne ou en ondes entretenues dépassant 20 kW.

Linéarité (2): caractéristique généralement exprimée sous forme de la non-linéarité, à savoir: l'écart maximal, positif ou négatif, de la caractéristique réelle (moyenne des lectures en échelle montante et en échelle descendante) par rapport à une ligne droite positionnée de manière à égaliser et à réduire autant que possible les écarts maximaux.

Logiciel (NGL, toutes catégories): N.B.:Microprogramme: séquence d'instructions élémentaires, enregistrées dans une mémoire spéciale, dont l'exécution est déclenchée par l'introduction de son instruction de référence dans un registre d'instructions.

Magnétomètre (6): instrument conçu pour détecter les champs magnétiques provenant de sources extérieures à l'instrument. Le magnétomètre consiste en un élément de détection du champ magnétique simple et en matériels électroniques associés, donnant la mesure du champ magnétique.

Masse surfacique équivalente (6): masse d'une optique par unité de surface projetée sur la surface optique.

Matériaux fibreux ou filamenteux (0, 1, 2 et 8) comprend:

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les monofilaments continus;

les torons et les nappes continues;

les bandes, tissus, nattes irrégulières et tresses;

les couvertures en fibres hachées, fibranne et fibres agglomérées;

les trichites monocristallines ou polycristallines de toutes longueurs;

la pulpe de polyamide aromatique.

Matériau résistant à la corrosion par l'UF6: peut être le cuivre, l'acier inoxydable, l'aluminium, l'oxyde d'aluminium, les alliages d'aluminium, le nickel ou les alliages contenant 60 % ou plus en poids de nickel et de polymères d'hydrocarbures totalement fluorés résistant à l'UF6, selon le procédé de séparation.

Matières fissiles spéciales (0) désigne le plutonium-239, l'uranium-233, l'uranium enrichi en isotopes 235 ou 233, et toute matière en contenant.

Matrice (1, 2, 8 et 9): phase presque continue qui remplit l'espace entre les particules, les trichites ou les fibres.

Matrice plan focal (6): désigne une couche plane linéaire ou à deux dimensions, ou une combinaison de couches planes, d'éléments détecteurs individuels, avec ou sans dispositifs électroniques de lecture opérant dans le plan focal. N.B.: La présente définition ne comprend pas un empilage d'éléments détecteurs uniques ni des détecteurs à deux, trois ou quatre éléments, à condition que ne soient pas réalisés dans chaque élément un retard temporel et une intégration.

Mèche (1): faisceau de monofilaments, en général pratiquement parallèles.

Mélange chimique (1): un produit solide, liquide ou gazeux comprenant deux composants ou plus qui ne réagissent pas ensemble dans les conditions de stockage du mélange.

Mélangées (1): se dit de fibres thermoplastiques et de fibres de renfort mélangées filament à filament, afin de produire un mélange fibre de renfort matrice sous une forme entièrement fibreuse.

Mémoire centrale (4): mémoire principale destinée aux données ou aux instructions et à laquelle l'unité centrale de traitement doit pouvoir accéder rapidement. Elle se compose de la mémoire interne d'un calculateur numérique et de toute extension hiérarchisée de cette mémoire, telle que antémémoire ou mémoire d'extension à accès non séquentiel.

Microcircuit microcalculateur (3): circuit intégré monolithique ou circuit intégré à multiplaquettes contenant une unité arithmétique et logique (UAL) capable d'exécuter des instructions universelles à partir d'une mémoire interne, sur des données contenues dans la mémoire interne. N.B.: La mémoire interne peut être renforcée par une mémoire externe.

Microcircuit microprocesseur (3): circuit intégré monolithique ou circuit intégré à multiplaquettes contenant une unité arithmétique et logique (UAL) capable d'exécuter à partir d'une mémoire externe une série d'instructions universelles. N.B. 1: Le microcircuit microprocesseur ne contient normalement pas de mémoire accessible à l'utilisateur incorporée, bien qu'une mémoire sur la microplaquette puisse être utilisée pour assurer sa fonction logique. N.B. 2: Ceci comprend les ensembles de plaquettes conçus pour fonctionner ensemble de façon à réaliser la fonction de microcircuit microprocesseur.

Micro-organismes (1 et 2): bactéries, virus, mycoplasmes, rickettsies, clamydiae ou champignons, qu'ils soient naturels, renforcés ou modifiés, sous forme soit de cultures vivantes isolées soit de matières, y compris des matières vivantes auxquelles ces cultures ont été délibérément inoculées ou qui ont été délibérément contaminées avec ces cultures.

Miroirs déformables (6): (aussi dénommés miroirs à optique adaptative) désigne les miroirs:

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ayant une seule surface de réflexion optique continue qui est déformée de manière dynamique par l'application de couples ou de forces individuels afin de compenser les distorsions présentes dans la forme d'onde optique incidente sur le miroir; ou

ayant des éléments optiques multiples de réflexion pouvant être repositionnés de manière individuelle et dynamique par l'application de couples ou de forces afin de compenser les distorsions présentes dans la forme d'onde optique incidente sur le miroir.

Missile (1, 3, 6, 7 et 9): système complet de fusée et de véhicule aérien non habité, dont la portée est au moins égale à 300 km et capables de transporter une charge utile d'au moins 500 kg.

Module spécifique (0, 1 et 9): module de Young exprimé en pascals (1 pascal = 1 N/m2) divisé par le poids spécifique exprimé en N/m3 mesuré à une température de (296 ± 2) K (23 ± 2) °C et à une humidité relative de (50 ± 5) %.

Monofilament (1) ou filament: le plus petit accroissement d'une fibre, en général d'un diamètre de plusieurs micromètres.

Nappe (1): faisceau (en général 12-120) de brins pratiquement parallèles. N.B.:Brin: faisceau de monofilaments (en général plus de 200) pratiquement parallèles.

Nécessaire (NGT 1-9), appliqué à la technologie ou aux logiciels, signifie qu'on se limite à la portion particulière de technologie ou de logiciels permettant d'atteindre ou de dépasser les paramètres, caractéristiques ou fonctions relatives aux performances visées. Cette technologie ou ces logicielsnécessaires peuvent être communs à différents produits.

Niveau de bruit (6): signal électrique émis exprimé en termes de densité spectrale de puissance. Le rapport entre les niveaux de bruit exprimé en crête à crête est formulé comme suit: S2pp = 8 No(f2–f1), où Spp est la valeur crête du signal (par exemple en nanotesla), No est la densité spectrale de puissance (par exemple (nanotesla)2/Hz) et (f2–f1) définit la bande passante concernée.

Optimisation de la trajectoire de vol (7): procédure permettant de minimiser les écarts par rapport à une trajectoire quadridimensionnelle (dans l'espace et dans le temps) souhaitée en maximisant les performances ou l'efficacité pour des tâches de mission.

Performance théorique pondérée (PTP) (3 et 4): mesure de la performance de calcul exprimée en millions d'opérations théoriques par seconde (Motps), calculée en procédant à l'agrégation des éléments de calcul (EC). N.B.: Voir catégorie 4, note technique.

Piste produite par le système (6): relevé des positions de vol d'un avion, soumis à un traitement, à une corrélation (données radar relatives aux cibles par rapport à leurs positions selon le plan de vol) et à une mise à jour; ce relevé est destiné aux contrôleurs du centre de la circulation aérienne.

Pixel actif (6 et 8): élément minimal (unique) de surface sensible du capteur qui a une fonction de transfert photoélectrique lorsqu'il est exposé à un rayonnement lumineux (électromagnétique).

Portée instrumentée (6): plage de portée spécifiée d'un radar à représentation non ambiguë.

Poursuite automatique de la cible (6): technique de traitement permettant de déterminer et de fournir automatiquement à la sortie une valeur extrapolée de la position la plus probable de la cible, en temps réel.

Préalablement séparé (0 et 1): auquel a été appliqué un procédé quelconque visant à élever la concentration de l'isotope soumis à contrôle.

Précision (2 et 6): caractéristique généralement exprimée sous forme de l'imprécision, à savoir: l'écart maximal, positif ou négatif, d'une valeur indiquée par rapport à une norme acceptée ou une valeur réelle.

Préformes de fibres de carbone (1): un ensemble ordonné de fibres enduites ou non devant constituer le cadre d'une pièce avant que la matrice ne soit introduite pour former un composite;

Pressage hydraulique par action directe (2): procédé de déformation faisant appel à une vessie souple remplie de liquide et placée en contact direct avec la pièce.

Presse isostatique (2): presse capable de régler la pression d'une cavité fermée par divers moyens (gaz, liquide, particules solides, etc.) afin de créer dans toutes les directions à l'intérieur de la cavité une pression égale s'exerçant sur une pièce ou un matériau.

Production (NGT, NTN, toutes catégories): toutes les étapes de la production telles qu'ingénierie des produits, fabrication, intégration, assemblage (montage), contrôle, essais, assurance de la qualité.

Programmabilité accessible à l'utilisateur (6): possibilité offerte à l'utilisateur d'introduire, de modifier ou de remplacer des programmes par des moyens autres que:

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une modification matérielle du câblage ou des interconnexions; ou

l'établissement de commandes de fonction, y compris l'introduction de paramètres.

Programme (2 et 6): séquence d'instructions pour la réalisation d'un processus, exprimées sous une forme, ou transposable dans une forme permettant leur exécution par un ordinateur.

PTP signifie performance théorique pondérée.

Puissance de crête (6): désigne l'énergie par impulsion en joules divisée par la durée de l'impulsion en secondes.

Pulvérisation (1): procédé servant à réduire un matériau en particules par écrasement ou broyage.

Qualifié pour l'usage spatial (Dispositif) (3 et 6): dispositif conçu, fabriqué et contrôlé pour correspondre aux caractéristiques électriques, mécaniques ou d'environnement nécessaires pour le lancement et le déploiement de satellites ou de systèmes de vol haute altitude opérant à des altitudes de 100 km ou plus.

Radar à spectre étalé (6) — voir Spectre étalé (radar).

Réacteur nucléaire (0): matériels qui se trouvent dans la cuve du réacteur ou y sont fixés directement, les matériels de réglage de la puissance dans le cœur et les composants qui renferment normalement le fluide caloporteur primaire du cœur du réacteur, entrent en contact direct avec ce fluide ou permettent son réglage.

Recherche scientifique fondamentale (NGT, NTN): travaux théoriques ou expérimentaux, entrepris principalement en vue de l'acquisition de connaissances nouvelles touchant les principes fondamentaux de phénomènes ou de faits observables, et non essentiellement orientés vers un but ou un objectif pratique.

Renforcement d'image (4): traitement d'images externes porteuses d'informations au moyen d'algorithmes tels que la compression temporelle, le filtrage, l'extraction, la sélection, la corrélation, la convolution ou les transformations entre domaines (par exemple, transformée de Fourier rapide ou transformée de Walsh). Les algorithmes n'utilisant que la transformation linéaire ou angulaire d'une image simple, tels que la translation, l'extraction de paramètres, l'enregistrement ou la fausse coloration ne sont pas considérés comme rentrant dans la présente définition.

Réseau de capteurs optiques de commande de vol (7): réseau de capteurs optiques répartis, utilisant des faisceaux laser, pour fournir des données de commande de vol en temps réel pour traitement à bord.

Réseau local (4): système de transmission de données qui: N.B.:Dispositif de données: équipement capable d'émettre ou de recevoir des séquences d'informations numériques.

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assure la communication directe entre un certain nombre de dispositifs de données indépendants; et

est limité à un emplacement d'une superficie moyenne (par exemple, immeuble administratif, usine, campus ou entrepôt).

Résistance spécifique à la traction (0, 1 et 9): résistance maximale à la traction exprimée en N/m2 divisée par le poids spécifique exprimé en N/m3 mesurée à une température de (296 ± 2) K (23 ± 2) °C et à une humidité relative de (50 ± 5) %.

Résolution (2): le plus petit incrément d'un dispositif de mesure ou le bit le moins important sur un instrument numérique (cf. ANSI B-89.1.12).

Retard de propagation de la porte de base (3): valeur du retard de propagation correspondant à la porte de base utilisées dans un circuit intégré monolithique. Dans le cas d'une famille de circuits intégrés monolithiques, on peut préciser qu'il s'agit, pour une famille donnée, soit du retard de propagation par porte typique, soit du retard de propagation typique par porte. N.B. 1: Le retard de propagation de la porte de base ne doit pas être confondu avec le retard d'entrée à sortie d'un circuit intégré monolithique complexe. N.B. 2: La famille comprend tous les circuits intégrés auxquels s'appliquent toutes les caractéristiques suivantes en tant que méthodologie de fabrication et spécifications, à l'exception de leurs fonctions respectives:

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l'architecture commune du matériel et du logiciel;

la technologie commune de conception et de fabrication; et

les caractéristiques de base commune.

Revêtement intérieur (9): convient pour la liaison entre le propergol solide et l'enveloppe ou le revêtement isolant; il s'agit en général de matériaux réfractaires ou isolants dans une base de polymère, par exemple du carbone dans du polybutadiene hydroxytelechelique (HTPB) ou un autre polymère contenant des agents supplémentaires de cuisson appliqués à l'intérieur d'une enveloppe par projection ou par enduit.

Robot (2 et 8): mécanisme de manipulations pouvant être du type à trajectoire continue ou du type point par point, pouvant utiliser des capteurs et présentant toutes les caractéristiques suivantes: N.B.: La définition ci-dessus n'englobe pas les dispositifs suivants:

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à fonctions multiples;

capable de positionner ou d'orienter des matériaux, des pièces, des outils ou des dispositifs spéciaux par des mouvements variables dans un espace tridimensionnel;

comportant trois ou plus de trois dispositifs d'asservissement en boucle ouverte ou fermée pouvant inclure des moteurs pas à pas; et

doté d'une programmabilité accessible à l'utilisateur par la méthode de l'apprentissage ou par un ordinateur qui peut être une unité de programmation logique, c'est-à-dire sans intervention mécanique.

1. Mécanismes de manipulation exclusivement à commande manuelle ou commandés par téléopérateur;

2. Mécanismes de manipulation à séquence fixe constituant des dispositifs mobiles automatisés dont les mouvements sont programmés et délimités par des moyens mécaniques. Les mouvements programmés sont délimités mécaniquement par des butées fixes telles que tiges ou cames. La séquence des mouvements et la sélection des trajectoires ou des angles ne sont pas variables ou modifiables par des moyens mécaniques, électroniques ou électriques;

3. Mécanismes de manipulation à séquence variable et à commande mécanique constituant des dispositifs mobiles automatisés dont les mouvements sont programmés et délimités par des moyens mécaniques. Les mouvements programmés sont délimités mécaniquement par des butées fixes mais réglables telles que tiges ou cames. La séquence des mouvements et la sélection des trajectoires ou des angles sont variables dans le cadre de la configuration programmée. Les variations ou modifications de la configuration programmée (par exemple, le changement de tiges ou de cames) selon un ou plusieurs axes de mouvement sont effectuées uniquement par des opérations mécaniques;

4. Mécanismes de manipulation à séquence variable, à commande non asservie, constituant des dispositifs mobiles automatisés, dont les mouvements sont programmés et délimités par des moyens mécaniques. Le programme est variable, mais la séquence ne progresse qu'en fonction du signal binaire provenant des dispositifs binaires électriques ou d'arrêts réglables délimités mécaniquement;

5. Gerbeurs définis comme des systèmes manipulateurs fonctionnant en coordonnées cartésiennes, fabriqués en tant que parties intégrantes d'un ensemble vertical de casiers de stockage et conçus pour l'accès à ces casiers en vue du stockage et du déstockage.

Routage adaptatif dynamique (5): réacheminement automatique du trafic fondé sur la détection et l'analyse des conditions présentes et réelles du réseau. N.B.: Cette définition ne s'applique pas aux cas où le routage est décidé sur la base d'informations préalablement définies.

Sauts de fréquence (Spectre à) (5): forme de spectre étalé dans laquelle la fréquence d'émission d'une voie de transmission simple est changée par une séquence aléatoire ou pseudo-aléatoire de sauts discontinus.

Sécurité de l'information (4 et 5): tous les moyens et fonctions réglant l'accessibilité, ou assurant la confidentialité ou l'intégrité de l'information ou des télécommunications, à l'exclusion des moyens et fonctions prévus pour la protection contre les défaillances. Cela comprend notamment la cryptographie, la crypto-analyse, la protection contre les émanations compromettantes et la sécurité des ordinateurs. N.B.:Crypto-analyse: analyse d'un système cryptographique ou de ses entrées et sorties pour en extraire des variables confidentielles ou des données sensibles, y compris du texte en clair.

SHPL signifie laser à très haute puissance.

Signalisation sur voie commune (5): méthode de signalisation entre centraux dans laquelle une voie unique véhicule, au moyen de messages munis d'une étiquette, l'information de signalisation relative à de multiples circuits ou communications ainsi que d'autres informations telles que celles utilisées pour la gestion de réseau.

Soudage par diffusion (1, 2 et 9): technique de jonction moléculaire à l'état solide d'au moins deux pièces métalliques séparées en une seule pièce, la résistance du joint étant égale à celle du matériau le moins résistant.

Sous-ensemble de guidage (7): système associant un processus de mesure et de calcul de la position et de la vitesse d'un véhicule (c'est-à-dire sa navigation) à un processus de calcul et de transmission d'ordres aux systèmes de commande de vol du véhicule pour en corriger la trajectoire.

Sous-unité de toxine (1): constituant structurellement et fonctionnellement identifiable d'une toxine entière.

Spectre étalé (5): l'étalement est la technique par laquelle l'énergie d'une voie de transmission à bande relativement étroite est étalée sur un spectre d'énergie beaucoup plus large.

Spectre étalé (radar) (6): toute technique de modulation visant à répartir l'énergie émise par un signal comportant une bande de fréquence relativement étroite, sur une bande de fréquence beaucoup plus large, en utilisant par exemple un codage aléatoire ou pseudo-aléatoire.

Stabilité (7) désigne l'écart-type (1 sigma) de la variation d'un paramètre particulier par rapport à sa valeur d'étalonnage mesurée dans des conditions thermiques stables. Cette variation s'exprime comme fonction du temps.

Substrat (3): feuillet de matériau de base comportant ou non un dessin d'interconnexions et sur lequel ou dans lequel peuvent être placés des composants discrets, des circuits intégrés ou les deux. N.B. 1:Composant discret: élément de circuit en boîtier séparé possédant ses propres connexions externes. N.B. 2:Élément de circuit: élément fonctionnel actif ou passif unique dans un circuit électronique, tel qu'une diode, un transistor, une résistance, un condensateur, etc.

Substrat brut (6): composé monolithique dont les dimensions conviennent à la fabrication d’éléments optiques, comme les miroirs ou fenêtres optiques.

Superalliage (2 et 9): alliage à base de nickel, de cobalt ou de fer présentant une résistance supérieure à celle de tout alliage de la série AISI 300 à des températures dépassant 922 K (649 °C) dans des conditions d'environnement et de fonctionnement extrêmes.

Supraconducteur (Matériau) (1, 3, 6 et 8): matériau (métal, alliage ou composé) pouvant perdre toute résistance électrique (c'est-à-dire présenter une conductivité électrique infinie et transporter de très grandes quantités de courant électrique sans effet Joule). N.B.: L'état supraconducteur d'un matériau est caractérisé pour chaque matériau par une température critique, un champ magnétique critique qui est fonction de la température, et une intensité de courant critique qui est fonction à la fois du champ magnétique et de la température.

Surface aérodynamique à géométrie variable (7): volets ou volets compensateurs sur les bords de fuite, becs ou nez basculants sur les bords d'attaque dont la position peut être commandée en vol.

Synthétiseur de fréquence (3): tout type de sources de fréquence ou de générateurs de signaux, indépendamment de la technique effectivement utilisée, fournissant à partir d'une ou de plusieurs sorties de multiples fréquences de sortie simultanées ou sélectionnables, commandées par, dérivées de ou assujetties à un nombre moindre de fréquences étalons (ou pilotes).

Système anti-couple à commande par commande de circulation ou système de commande de direction par commande de circulation (7): systèmes utilisant l'air soufflé sur les surfaces aérodynamiques pour augmenter ou contrôler les forces produites par ces surfaces.

Système de commande active de vol (7): système ayant pour fonction d'empêcher les mouvements ou les charges structurelles indésirables des aéronefs et des missiles en traitant de façon autonome les données de sortie émanant de plusieurs capteurs et en fournissant ensuite les ordres préventifs nécessaires pour assurer une commande automatique.

Système expert (7): système fournissant des résultats par l'application de règles à des données stockées indépendamment du programme et réalisant l'une des capacités suivantes au moins:

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modification automatique du code source tel qu'il a été entré par l'utilisateur;

déclaration de la connaissance liée à une classe de problèmes en langage quasi naturel; ou

acquisition des connaissances nécessaires pour évoluer (apprentissage symbolique).

Système de navigation référencée par bases de données (DBRN) (7): système qui utilise diverses sources de données cartographiques préalablement mesurées, intégrées en vue de fournir de manière dynamique des informations de navigation précises. Ces sources de données sont notamment des cartes bathymétriques, des cartes stellaires, des cartes gravimétriques, des cartes magnétiques ou des cartes topographiques numériques tridimensionnelles.

Table rotative inclinable (2): table permettant à la pièce à usiner de tourner et de pivoter autour de deux axes non parallèles pouvant être coordonnés simultanément pour la commande de contournage.

Technologie (NGT, NTN, toutes catégories): connaissances spécifiques requises pour le développement, la production ou l'utilisation d'un produit; ces connaissances se transmettent par la voie de la documentation technique ou de l'assistance technique. N.B. 1:Assistance technique: assistance pouvant revêtir des formes telles que: instructions, procédés pratiques, formation, connaissances appliquées, services de consultants et peut impliquer le transfert de documentation technique. N.B. 2:Documentation technique: données pouvant se présenter sous des formes telles que bleus, plans, diagrammes, maquettes, formules, tableaux, dessins et spécifications d'ingénierie, manuels et instructions écrits ou enregistrés sur des supports ou dispositifs tels que disques, bandes magnétiques, mémoires mortes.

Température critique (1, 3 et 6) (parfois appelée température de transition) d'un matériau supraconducteur spécifique: température à laquelle un matériau perd toute résistance au flux de courant continu.

Temps de commutation de fréquence (3 et 5): temps (c'est-à-dire le délai) maximal nécessaire lorsqu'on effectue une commutation d'une fréquence de sortie choisie à une autre fréquence de sortie choisie, pour atteindre:

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une fréquence à 100 Hz près de la fréquence finale, ou

un niveau de sortie à 1 dB du niveau de sortie final.

Temps d'établissement (3): temps requis pour que la valeur de sortie atteigne la valeur finale à un demi-bit près lors de la commutation entre deux niveaux quelconques à l'entrée d'un convertisseur.

Tolérance de panne (4): aptitude d'un système informatique à continuer, malgré la défectuosité du fonctionnement de l'un quelconque de ses composants matériels ou logiciels, à fonctionner sans intervention humaine à un niveau permettant la continuité du service, l'intégrité des données et le rétablissement du bon fonctionnement dans un temps donné.

Toron (1): faisceau de brins torsadés. N.B.:Brin: faisceau de monofilaments (en général plus de 200) pratiquement parallèles.

Toxine (1 et 2): toxine sous forme de préparation ou de mélange isolé délibérément produite par un procédé quelconque, autre que les toxines présentes comme contaminant dans d'autres matières telles que les spécimens pathologiques, les cultures, les denrées alimentaires ou les stocks de semence de micro-organismes.

Traitement de flots de données multiples (4): technique de microprogrammes ou d'architecture de l'équipement permettant le traitement simultané d'un minimum de deux séquences de données sous la commande d'une ou de plusieurs séquences d'instructions par des moyens tels que: N.B.:Microprogramme: séquence d'instructions élémentaires, enregistrées dans une mémoire spéciale, dont l'exécution est déclenchée par l'introduction de son instruction de référence dans un registre d'instructions.

pt_173 a.

les architectures de données multiples à instruction unique (SIMD) telles que les processeurs matriciels ou vectoriels;

les architectures de données multiples à instruction unique et instructions multiples (MSIMD);

les architectures de données multiples à instructions multiples (MIMD), y compris celles qui sont étroitement connectées, complètement connectées ou faiblement connectées; ou

des réseaux structurés d'éléments de traitement, y compris les réseaux systoliques.

Traitement de signal (3, 4, 5 et 6): traitement de signaux externes porteurs d'informations, au moyen d'algorithmes tels que la compression de temps, le filtrage, l'extraction, la sélection, la corrélation, la convolution ou les transformations entre domaines (par exemple, transformée de Fourier rapide ou transformée de Walsh).

Traitement en temps réel (6 et 7): traitement de données par un ordinateur opérant au niveau de fonctionnement nécessaire, en fonction des ressources disponibles, avec un temps de réponse garanti, sans tenir compte de la charge de travail du système, quand il est activé par un phénomène extérieur.

Trempe brusque (1): procédé servant à solidifier rapidement une coulée de métal en fusion appuyant contre un bloc refroidi, pour obtenir un produit sous forme de paillettes. N.B.:Solidifier rapidement signifie solidifier un matériau fondu à des vitesses de refroidissement supérieures à 1000 K/s.

Trempe sur rouleau (1): procédé servant à solidifier rapidement une coulée de métal en fusion appuyant contre un bloc refroidi en rotation, pour obtenir un produit sous forme de paillettes, rubans ou barres. N.B.:Solidifier rapidement signifie solidifier un matériau fondu à des vitesses de refroidissement supérieures à 1000 K/s.

Uranium appauvri (0): uranium appauvri en isotope 235 à un niveau inférieur à celui qui se trouve dans la nature.

Uranium enrichi en isotopes 235 ou 233 (0): uranium contenant de l'isotope 235 ou de l'isotope 233, ou les deux, en quantités telles que le rapport de la somme des teneurs en isotopes 235 et 233 à la teneur en isotope 238 est supérieur au rapport de la teneur en isotope 235 à la teneur en isotope 238 propre à l'uranium naturel (rapport isotopique de l'uranium naturel: 0,71 %).

Uranium naturel (0): uranium contenant le mélange d'isotopes qui se trouve dans la nature.

Utilisation (NGT, NTN, toutes catégories) recouvre l'exploitation, l'installation (y compris l'installation in situ), l'entretien (vérification), la réparation, la révision et la rénovation.

Vaccin (1): préparation selon une formule pharmaceutique faisant l'objet d'une licence délivrée par les autorités de réglementation soit du pays de production soit du pays d'utilisation, ou d'une autorisation de commercialisation ou d'essai clinique de la part de ces autorités, destinée à stimuler une réponse immunitaire de protection chez les humains ou les animaux en vue de prévenir une maladie chez ceux auxquels elle est administrée.

Véhicule aérien sans équipage (9): aéronef capable de décoller et d'effectuer un vol contrôlé ainsi que la navigation sans présence humaine à bord.

Véhicules plus légers que l'air (9): ballons et dirigeables utilisant, pour s'élever, de l'air chaud ou d'autres gaz plus légers que l'air tels que l'hélium ou l'hydrogène

Véhicule spatial (7 et 9): satellites actifs et passifs et sondes spatiales.

Vitesse de précession (gyroscopes) (7): vitesse de la dérive à la sortie d'un gyroscope par rapport à la sortie recherchée. Elle est constituée de composantes aléatoires et systématiques et elle est exprimée en équivalent de déplacement angulaire à l'entrée par unité de temps par rapport à l'espace inertiel.

Voile (2): déplacement axial mesuré en une révolution de la broche principale dans un plan perpendiculaire au plateau de la broche en un point proche de la circonférence de celui-ci (cf. norme ISO 230/1, 1986, point 5.63).

ACRONYMES ET ABRÉVIATIONS UTILISÉS DANS LA PRÉSENTE ANNEXE

Les acronymes ou abréviations utilisés en tant que termes définis figurent dans la rubrique Définition des termes utilisés dans la présente annexe. Acronyme ou abréviation Signification ABEC Annular Bearing Engineers Committee AGMA American Gear Manufacturers Association AHRS systèmes de référence de cap et d'altitude AISI American Iron and Steel Institute ANSI American National Standards Institute ASTM American Society for Testing and Materials ATC contrôle de la circulation aérienne BLU bande latérale unique CAO conception assistée par ordinateur CAS Chemical Abstracts Service CCITT Comité consultatif international télégraphique et téléphonique CDU unité de contrôle et visualisation CEI Commission électrotechnique internationale CNTD décomposition thermique par nucléation contrôlée CRISLA réaction chimique par activation laser isotopiquement sélective CVD dépôt chimique en phase vapeur (CW) (lasers) onde entretenue DME équipement de mesure de distance DSP densité spectrale de puissance EB-PVD dépôt en phase vapeur par procédé physique par faisceau d'électrons ECP erreur circulaire probable (ECM) usinage électrochimique ECR résonance électron cyclotron (EDM) usinage par électroérosion EEPROM mémoire morte programmable effaçable électriquement EIA Groupe consultatif de fabricants chargé aux États-Unis de la rédaction des normes relatives aux équipements électroniques EMC compatibilité électromagnétique END essai non destructif ETSI Institut européen des normes de télécommunication FFT transformée de Fourier rapide GC guerre chimique GLONASS système global de navigation par satellites GPS positionnement global par satellite HBT transistors hétéro-bipolaires (HDDR) module d'enregistrement numérique à haute densité HEMT transistors à haute mobilité d'électrons IEEE Institut de l'ingénierie électrique et électronique IFOV champ de vision instantané ILS système d'atterrissage aux instruments IRIG Inter-range instrumentation group IRM imagerie par résonance magnétique ISAR radar à ouverture synthétique inverse ISO Organisation internationale de normalisation JIS norme industrielle japonaise JT Joule-Thomson LIDAR système laser de localisation (MAC) code d'authentification de message Mach rapport entre la vitesse d'un objet et la vitesse du son (d'après Ernst Mach) MLS système d'atterrissage à micro-ondes MOCVD dépôt en phase vapeur par procédé chimique organométallique Motps millions d'opérations théoriques par seconde MTBF temps moyen de bon fonctionnement MTTF temps moyen jusqu'à défaillance NBC nucléaire, biologique et chimique OACI Organisation de l'aviation civile internationale PAR radar d'approche de précision PIN numéro d'identification personnel ppm parties par million QAM modulation d'amplitude en quadrature RAAL radar aéroporté à antenne latérale RF radiofréquence SACMA Suppliers of Advance Composite Materials Association SAR radar à ouverture synthétique (SC) monocristal SD solidification dirigée SILMO séparation isotope moléculaire par laser SILVA séparation isotope de vapeur atomique par laser SMPTE Society of Motion Picture and Television Engineers SRAM mémoire vive statique SRM méthodes recommandées de la SACMA SSR radar secondaire de surveillance TCSEC Trusted Computer System Evaluation Criteria (Critères d'évaluation du système informatique à sécurité multiniveau) TIR lecture complète de l'aiguille UAL unité arithmétique et logique UER Union européenne de radiodiffusion UIT Union internationale des télécommunications URA unité remplaçable en atelier URP unité remplaçable en piste UTS résistance limite à la rupture UV ultraviolet VOR radiophare omnidirectionnel VHF YAG grenat d'yttrium/aluminium

CATÉGORIE 0 MATIÈRES, INSTALLATIONS ET ÉQUIPEMENTS NUCLÉAIRES

0AÉquipements, ensembles et composants

0A001Réacteurs nucléaires et leurs équipements et composants spécialement conçus ou préparés:

réacteurs nucléaires capables de fonctionner de façon à maintenir une réaction de fission en chaîne auto-entretenue et contrôlée;

cuves métalliques, ou leurs principaux éléments préfabriqués, spécialement conçus ou préparés pour contenir le cœur d'un réacteur nucléaire, y compris le couvercle de la cuve sous pression du réacteur;

matériel de manutention spécialement conçu ou préparé pour introduire ou extraire le combustible d'un réacteur nucléaire;

barres de commande spécialement conçues ou préparées pour régler le processus de fission dans un réacteur nucléaire, leurs structures de support ou de suspension, les mécanismes de réglage des barres de commande et les tubes de guidage de ces barres;

tubes de force spécialement conçus ou préparés pour contenir les éléments combustibles et le fluide de refroidissement primaire dans un réacteur nucléaire à une pression de régime supérieure à 5,1 MPa;

zirconium métallique et alliages à base de zirconium sous forme de tubes ou d'assemblages de tubes dans lesquels le rapport hafnium/zirconium est inférieur à 1/500 parties en poids, spécialement conçus ou préparés pour être utilisés dans un réacteur nucléaire;

pompes de refroidissement spécialement conçues ou préparées pour faire circuler le fluide de refroidissement primaire de réacteurs nucléaires;

internes d'un réacteur nucléaire spécialement conçus ou préparés pour être utilisés dans un réacteur nucléaire, y compris les colonnes de support du cœur, les canaux de combustible, les écrans thermiques, les chicanes, les plaques à grille du cœur et les plaques de diffuseur; Note: À l'alinéa 0A001.h., l'expression internes d'un réacteur nucléaire désigne toute structure majeure située à l'intérieur d'une cuve de réacteur et remplissant une ou plusieurs des fonctions suivantes: support du cœur, maintien de l'alignement du combustible, guidage du fluide de refroidissement primaire, blindage de la cuve du réacteur contre les radiations et réglage des instruments du cœur.

échangeurs de chaleur (générateurs de vapeur) spécialement conçus ou préparés pour être utilisés dans le circuit du fluide de refroidissement primaire d'un réacteur nucléaire;

instruments de détection et de mesure des neutrons spécialement conçus ou préparés pour déterminer les niveaux des flux de neutrons dans le cœur d'un réacteur nucléaire.

0BÉquipement d'essai, d'inspection et de production

0B001Installations de séparation des isotopes de l'uranium naturel, de l'uranium appauvri et des matières fissiles spéciales, ainsi que les équipements et composants spécialement conçus ou préparés à cet effet, comme suit: 0B002Systèmes auxiliaires, équipements et composants spécialement conçus ou préparés, comme suit, pour les usines de séparation isotopique spécifiées en 0B001, constitués ou revêtus de matériaux résistant à la corrosion par l'UF6: 0B003Usines de conversion de l'uranium et matériel spécialement conçu ou préparé à cette fin: 0B004Installations de production ou de concentration d'eau lourde, de deutérium ou de composés de deutérium ainsi que les équipements et composants spécialement conçus ou préparés à cet effet, à savoir: 0B005Installations spécialement conçues pour la fabrication d'éléments combustibles pour réacteurs nucléaires et équipements spécialement conçus ou préparés à cet effet. Note: Une installation de fabrication d'éléments combustibles pour réacteurs nucléaires comprend le matériel qui: 0B006Installations de retraitement des éléments irradiés de combustible pour réacteurs nucléaires et les équipements et composants spécialement conçus ou préparés à cet effet. Note: Le paragraphe 0B006 inclut: 0B007Installations de conversion de plutonium et les équipements spécialement conçus ou préparés à cet effet, comme suit:

installations spécialement conçues pour la séparation des isotopes de l'uranium naturel, de l'uranium appauvri et des matières fissiles spéciales, comme suit:

1. installations de séparation à centrifugeuses à gaz;

2. installations de séparation à diffusion gazeuse;

3. installations de séparation aérodynamiques;

4. installations de séparation par échange chimique;

5. installations de séparation à échange ionique;

6. installations de séparation isotopique de vapeur atomique par laser (SILVA);

7. installations de séparation isotopique moléculaire par laser (SILMO);

8. installations de séparation à plasma;

9. installations de séparation électromagnétique;

centrifugeuses à gaz et assemblages et composants, spécialement conçus ou préparés pour le procédé de séparation par centrifugeuses à gaz, comme suit: Note: À l'alinéa 0B001.b., on entend par matériau ayant un rapport résistance-densité élevé l'un des matériaux suivants:

a.

acier maraging ayant une résistance maximale à la traction égale ou supérieure à 2050 MPa;

b.

des alliages d'aluminium ayant une résistance maximale à la traction égale ou supérieure à 460 MPa; ou

c.

des matériaux fibreux ou filamenteux ayant un module spécifique supérieur à 3,18 × 106 m et une résistance spécifique à la traction supérieure à 76,2 × 103 m;

1. centrifugeuses à gaz;

2. assemblages de rotors complets;

3. cylindres tubes de rotor d'une épaisseur égale ou inférieure à 12 mm, d'un diamètre compris entre 75 et 400 mm, constitués de matériaux ayant un rapport résistance-densité élevé;

4. bagues ou soufflets d'une épaisseur de paroi égale ou inférieure à 3 mm et d'un diamètre compris entre 75 et 400 mm, destinés à supporter localement un tube de rotor ou à assembler un certain nombre de tubes de rotor, constitués de matériaux ayant un rapport résistance-densité élevé;

5. chicanes d'un diamètre compris entre 75 et 400 mm destinées à être montées à l'intérieur d'un tube de rotor, constituées de matériaux ayant un rapport résistance-densité élevé;

6. couvercles supérieurs ou inférieurs d'un diamètre compris entre 75 et 400 mm conçus pour s'adapter aux extrémités d'un tube de rotor et constitués de matériaux ayant un rapport résistance-densité élevé;

7. supports magnétiques consistant en un aimant en forme d'anneau suspendu à l'intérieur d'un logement constitué ou revêtu de matériaux résistant à la corrosion par l'UF6, contenant un fluide amortisseur. L'aimant est couplé à une pièce polaire ou à un second aimant fixé au couvercle supérieur du rotor;

8. paliers spécialement préparés constitués d'un ensemble pivot-écuelle monté sur un amortisseur;

9. pompes moléculaires consistant en cylindres présentant des rainures hélicoïdales usinées ou filées intérieures et des alésages usinés intérieurement;

10. stators toriques de moteur pour moteurs multiphase à courant alternatif et à hystérésis (ou à réluctance) destinés à fonctionner sous vide de manière synchrone dans le régime de fréquences de 600 à 2000 Hz et dans une plage de puissance de 50 à 1000 VA;

11. enceintes/enveloppes de centrifugeuses destinées à contenir l'assemblage rotor tubulaire d'une centrifugeuse à gaz, constituées d'un cylindre rigide possédant une paroi d'au plus 30 mm d'épaisseur, ayant subi un usinage de précision aux extrémités et constituées ou revêtues de matériaux résistant à la corrosion par l'UF6;

12. écopes composées de tubes ayant un diamètre interne d'au plus 12 mm conçues pour l'extraction du gaz UF6 contenu dans le bol selon le principe du tube de Pitot, constituées ou revêtues de matériaux résistant à la corrosion par l'UF6;

13. changeurs de fréquences (convertisseurs ou inverseurs) spécialement conçus ou préparés pour alimenter les stators de moteur en vue de l'enrichissement par centrifugeuses à gaz et ayant toutes les caractéristiques suivantes, ainsi que les composants spécialement conçus à cet effet:

13. a.

fréquence électrique multiphase de sortie comprise entre 600 et 2000 Hz;

réglage de la fréquence à moins de 0,1 %;

distorsion harmonique inférieure à 2 %; et

rendement supérieur à 80 %;

équipements et composants, comme suit, spécialement conçus ou préparés pour le procédé de séparation par diffusion gazeuse:

1. barrières de diffusion gazeuse en matériaux métalliques, polymères ou céramiques poreux résistant à la corrosion par l'UF6, d'une dimension des pores de 10 à 100 nm, d'une épaisseur égale ou inférieure à 5 mm et, pour les configurations tubulaires, d'un diamètre égal ou inférieur à 25 mm;

2. caissons de diffusion gazeuse constitués ou revêtus de matériaux résistant à la corrosion par l'UF6;

3. compresseurs (axiaux, centrifuges ou volumétriques) ou soufflantes à gaz ayant une capacité d'aspiration de 1 m3/min ou plus d'UF6 et une pression de sortie pouvant atteindre 666,7 kPa, constitués ou revêtus de matériaux résistant à la corrosion par l'UF6;

4. garnitures d'étanchéité d'arbre de compresseurs ou de soufflantes spécifiées en 0B001.c.3. et conçues pour un taux de pénétration du gaz tampon inférieur à 1000 cm3/min;

5. échangeurs de chaleur réalisés en aluminium, cuivre, nickel ou alliages contenant plus de 60 % en poids de nickel ou en combinaisons de ces métaux en tubes gainés, conçus pour fonctionner à une pression inférieure à la pression atmosphérique avec un taux de fuite limitant la hausse de la pression à moins de 10 Pa par heure pour une différence de pression de 100 kPa;

6. vannes à soufflets constituées ou revêtues de matériaux résistant à la corrosion par l'UF6, d'un diamètre de 40 à 1500 mm;

équipements et composants spécialement conçus ou préparés pour le procédé de séparation aérodynamique:

1. tuyères de séparation consistant en conduites courbes à fentes avec un rayon de courbure inférieure à 1 mm, résistant à la corrosion par l'UF6 (à l'intérieur de la tuyère se trouve un couteau de répartition qui sépare le flux passant par la tuyère en deux flux);

2. tubes cylindriques ou coniques à canaux d'admission tangentiels commandés par le flux (tubes vortex), constitués ou revêtus de matériaux résistant à la corrosion par l'UF6, d'un diamètre compris entre 0,5 et 4 cm et d'un rapport longueur/diamètre inférieur ou égal à 20:1, et munis d'un ou de plusieurs canaux d'admission tangentiels;

3. compresseurs (axiaux, centrifuges ou volumétriques) ou soufflantes à gaz ayant une capacité d'aspiration de 2 m3/minute ou plus, constitués ou revêtus de matériaux résistant à la corrosion par l'UF6, et garnitures de palier correspondantes;

4. échangeurs de chaleur constitués ou revêtus de matériaux résistant à la corrosion par l'UF6;

5. enceintes pour les éléments de séparation aérodynamique, constituées ou revêtues de matériaux résistant à la corrosion par l'UF6, destinées à recevoir les tubes vortex ou les tuyères de séparation;

6. vannes à soufflets constituées ou revêtues de matériaux résistant à la corrosion par l'UF6, d'un diamètre de 40 à 1500 mm;

7. systèmes de séparation de l'UF6 et du gaz porteur (hydrogène ou hélium) pour réduire la teneur en UF6 à 1 ppm ou moins comprenant les équipements suivants:

7. a.

échangeurs de chaleur cryogéniques et cryoséparateurs capables d'atteindre des températures inférieures ou égales à 153 K (– 120 °C);

appareils de réfrigération cryogénique capables d'atteindre des températures inférieures ou égales à 153 K (– 120 °C);

tuyères de séparation ou tubes vortex pour séparer l'UF6 du gaz porteur;

pièges à froid pour l'UF6 capables d'atteindre des températures inférieures ou égales à 253 K (– 20 °C);

équipements et composants spécialement conçus ou préparés pour le procédé de séparation par échange chimique:

1. colonnes d'échange rapide liquide-liquide pulsées ayant un temps de séjour correspondant à un étage de 30 secondes ou moins et résistant à la corrosion par les solutions d'acide chlorhydrique concentré (par exemple constituées ou revêtues de matériaux plastiques appropriés tels que fluorocarbures polymères ou verre);

2. contacteurs centrifuges liquide-liquide à échange rapide ayant un temps de séjour correspondant à un étage de 30 secondes ou moins et résistant à la corrosion par les solutions d'acide chlorhydrique concentré (par exemple constitués ou revêtus de matériaux plastiques appropriés tels que fluorocarbures polymères ou verre);

3. cellules de réduction électrochimique résistant à la corrosion par les solutions d'acide chlorhydrique concentré pour la conversion de l'uranium par réduction d'un état de valence en un autre;

4. systèmes situés à l'extrémité de la cascade des cellules de réduction électrochimique conçus pour prélever U+4 sur le flux organique et, pour les parties en contact avec le flux, constitués ou revêtus de matériaux appropriés (par exemple verre, fluorocarbures polymères, sulfate de polyphényle, polyéther sulfone et graphite imprégné de résine);

5. systèmes de préparation de l'alimentation pour produire des solutions de chlorure d'uranium de grande pureté constitués d'équipements de purification par dissolution, extraction par solvants et/ou échange d'ions, ainsi que de cellules électrolytiques pour réduire l'uranium U+6 ou U+4 en U+3;

6. systèmes d'oxydation de l'uranium pour oxyder l'U+3 en U+4;

équipements et composants spécialement conçus ou préparés pour le procédé de séparation par échange d'ions, comme suit:

1. résines à échange d'ions à réaction rapide, résines poreuses macroréticulées ou pelliculaires dans lesquelles les groupes actifs d'échanges chimiques se limitent à un revêtement superficiel sur un support poreux inactif et autres structures composites sous une forme appropriée, et notamment sous forme de particules ou de fibres d'un diamètre inférieur ou égal à 0,2 mm, résistant à l'acide chlorhydrique concentré et conçues pour obtenir une vitesse d'échange à temps de demi-réaction inférieur à 10 secondes et efficaces à des températures comprises entre 373 K (100 °C) et 473 K (200 °C);

2. colonnes d'échange d'ions (cylindriques) de plus de 1000 mm de diamètre constituées ou revêtues de matériaux résistant à l'acide chlorhydrique concentré (par exemple titane ou plastiques à base de fluorocarbure) et pouvant fonctionner à des températures comprises entre 373 K (100 °C) et 473 K (200 °C) et à des pressions supérieures à 0,7 MPa;

3. systèmes d'échange d'ions à reflux (systèmes d'oxydation ou de réduction chimique ou électrochimique) pour la régénération des agents chimiques de réduction ou d'oxydation utilisés dans les cascades d'enrichissement à échange d'ions;

équipements et composants spécialement conçus ou préparés pour le procédé de séparation isotopique de vapeur atomique par laser (SILVA):

1. canons à électrons de forte puissance (à faisceau en nappe ou à balayage) ayant une puissance fournie supérieure à 2,5 KW/cm, destinés à être utilisés dans des systèmes de vaporisation d'uranium;

2. systèmes de manipulation de l'uranium métal liquide pour l'uranium ou les alliages d'uranium fondus comprenant des creusets constitués ou revêtus de matériaux résistant à la chaleur et à la corrosion (par exemple tantale, graphite revêtu d'oxyde d'yttrium, graphite revêtu d'autres oxydes de terres rares ou des mélanges de ces substances) et des équipements de refroidissement pour les creusets; N.B.: VOIR AUSSI 2A225.

3. systèmes collecteurs pour les produits et les rejets constitués ou revêtus de matériaux résistant à la chaleur et à la corrosion par l'uranium métal vaporisé ou liquide tels que du tantale ou du graphite revêtu d'oxyde d'yttrium;

4. enceintes de modules séparateurs (conteneurs cylindriques ou rectangulaires) pour loger la source de vapeur d'uranium métal, le canon à électrons et les collecteurs du produit et des résidus;

5. lasers ou systèmes lasers pour la séparation des isotopes de l'uranium munis d'un stabilisateur de fréquence pour pouvoir fonctionner pendant de longues périodes; N.B.: VOIR AUSSI 6A005 ET 6A205.

équipements et composants spécialement conçus ou préparés pour le procédé de séparation isotopique moléculaire par laser (SILMO) ou réaction chimique par activation laser isotopiquement sélective (CRISLA):

1. tuyères de détente supersonique pour refroidir les mélanges d'UF6 et de gaz porteur jusqu'à 150 K (– 123 °C) ou moins et constitués de matériaux résistant à la corrosion par l'UF6;

2. collecteurs de filtrage des produits du pentafluorure d'uranium (UF5) composés de collecteurs ou de combinaisons de collecteurs à filtre, à impact ou à cyclone, et constitués de matériaux résistant à la corrosion par l'UF5/UF6;

3. compresseurs constitués ou revêtus de matériaux résistant à la corrosion par l'UF6 et garnitures d'étanchéité d'arbre correspondantes;

4. équipement servant à la fluoration d'UF5 (solide) en UF6 (gaz);

5. systèmes de séparation de l'UF6 et du gaz porteur (par exemple azote ou argon) comprenant les équipements suivants:

5. a.

échangeurs de chaleur cryogéniques et cryoséparateurs capables d'atteindre des températures inférieures ou égales à 153 K (– 120 °C);

appareils de réfrigération cryogénique capables d'atteindre des températures inférieures ou égales à 153 K (– 120 °C);

pièges à froid pour l'UF6 capables d'atteindre des températures inférieures ou égales à 253 K (– 20 °C);

6. lasers ou systèmes lasers pour la séparation des isotopes de l'uranium munis d'un stabilisateur de fréquence pour pouvoir fonctionner pendant de longues périodes; N.B.: VOIR AUSSI 6A005 ET 6A205.

équipements et composants spécialement conçus ou préparés pour le procédé de séparation à plasma:

1. sources d'énergie hyperfréquence et antennes pour produire ou accélérer des ions et ayant des caractéristiques suivantes: fréquence de sortie supérieure à 30 GHz et puissance de sortie moyenne supérieure à 50 kW;

2. bobines de champ à ions à haute fréquence pour des fréquences supérieures à 100 kHz et capables de supporter une puissance moyenne supérieure à 40 kW;

3. systèmes générateurs de plasma d'uranium;

4. systèmes de manipulation de métaux liquides pour l'uranium ou les alliages d'uranium fondus, comprenant des creusets constitués ou revêtus de matériaux ayant une résistance appropriée à la corrosion et à la chaleur (par exemple tantale, graphite revêtu d'oxyde d'yttrium, graphite revêtu d'autres oxydes de terres rares ou des mélanges de ces substances) et les équipements de refroidissement pour les creusets; N.B.: VOIR AUSSI 2A225.

5. collecteurs pour les produits et les rejets constitués ou revêtus de matériaux résistant à la chaleur et à l'action corrosive de la vapeur d'uranium, tels que le graphite revêtu d'oxyde d'yttrium ou le tantale;

6. enceintes de modules séparateurs (cylindriques) destinées à loger la source de plasma d'uranium, la bobine excitatrice à haute fréquence et les collecteurs du produit et des résidus, et constituées d'un matériau non magnétique approprié (par exemple acier inoxydable);

équipements et composants, spécialement conçus et préparés pour le procédé de séparation électromagnétique, comme suit:

1. sources d'ions uniques ou multiples, comprenant la source de vapeur, l'ionisateur et l'accélérateur de faisceau, constituées de matériaux non magnétiques appropriés (par exemple graphite, acier inoxydable ou cuivre) et capables de fournir un courant d'ionisation total égal ou supérieur à 50 mA;

2. plaques collectrices d'ions comportant des fentes ou des poches (deux ou plus) pour collecter les faisceaux d'ions d'uranium enrichis ou appauvris, et constitués de matériaux non magnétiques appropriés (par exemple le graphite ou l'acier inoxydable);

3. enceintes à vide pour les séparateurs électromagnétiques d'uranium, constituées de matériaux non magnétiques (par exemple l'acier inoxydable) et conçues pour fonctionner à des pressions inférieures ou égales à 0,1 Pa;

4. pièces polaires d'un diamètre supérieur à 2 m;

5. alimentations haute tension pour les sources d'ions ayant toutes les caractéristiques suivantes: N.B.: VOIR AUSSI 3A227.

5. a.

capables d'un fonctionnement permanent;

tension de sortie supérieure ou égale à 20000 V;

courant de sortie supérieur ou égal à 1 A; et

régulation de tension meilleure que 0,01 % sur une période de 8 heures;

6. alimentation des aimants (haute intensité, courant continu) ayant toutes les caractéristiques suivantes: N.B.: VOIR AUSSI 3A226.

6. a.

capables d'un fonctionnement permanent avec un courant de sortie supérieur ou égal à 500 A sous une tension supérieure ou égale à 100 V; et

régulation du courant ou de la tension meilleure que 0,01 % sur une période de 8 heures.

autoclaves d'alimentation, fours ou systèmes, utilisés pour introduire l'UF6 dans le système d'enrichissement;

condenseurs ou pièges à froid utilisés pour extraire l'UF6 du système d'enrichissement pour un transfert par réchauffage;

stations pour produits et résidus pour le transfert de l'UF6 dans les conteneurs;

stations de liquéfaction ou de solidification utilisées pour extraire l'UF6 du système d'enrichissement par compression, refroidissement et conversion de l'UF6 sous forme liquide ou solide;

tuyauteries et collecteurs spécialement conçus pour la manipulation de l'UF6 à l'intérieur des cascades de diffusion, de centrifugation ou aérodynamiques;

1. distributeurs à vide ou collecteurs à vide ayant une capacité d'aspiration égale ou supérieure à 5 m3/minute; ou

2. pompes à vide spécialement conçues pour fonctionner en atmosphère d'UF6;

spectromètres de masse pour l'UF6/sources d'ions spécialement conçus ou préparés pour prélever en continu des échantillons d'alimentation, de produit ou de rejets dans les flux gazeux d'UF6 et présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. résolution massique unitaire supérieure à 320;

2. sources d'ions constituées ou revêtues de nichrome ou de monel, ou nickelées;

3. sources d'ionisation par bombardement électronique; et

4. collecteur adapté à l'analyse isotopique.

systèmes pour la conversion des concentrés de minerai d'uranium en UO3;

systèmes pour la conversion d'UO3 en UF6;

systèmes pour la conversion d'UO3 en UO2;

systèmes pour la conversion d'UO2 en UF4;

systèmes pour la conversion d'UF4 en UF6;

systèmes pour la conversion d'UF4 en uranium métal;

systèmes pour la conversion d'UF6 en UO2;

systèmes pour la conversion d'UF6 en UF4;

systèmes pour la conversion d'UO2 en UCl4.

installations de production d'eau lourde, de deutérium ou de composés de deutérium, comme suit:

1. installations d'échange eau-sulfure d'hydrogène;

2. installations d'échange ammoniac-hydrogène;

équipements et composants, comme suit:

1. tours d'échange eau-sulfure d'hydrogène fabriquées en acier fin au carbone (par exemple ASTM A516), ayant un diamètre compris entre 6 et 9 m, capables de fonctionner à des pressions supérieures ou égales à 2 MPa et ayant une surépaisseur de corrosion de 6 mm ou plus;

2. soufflantes ou compresseurs centrifuges à étage unique sous basse pression (c'est-à-dire 0,2 MPa) pour la circulation de sulfure d'hydrogène (c'est-à-dire un gaz contenant plus de 70 % de H2S) avec une capacité de débit supérieure ou égale à 56 m3/s lorsqu'ils fonctionnent à des pressions d'aspiration supérieures ou égales à 1,8 MPa et sont équipés de joints conçus pour être utilisés en milieu humide en présence de H2S;

3. tours d'échange ammoniac-hydrogène d'une hauteur supérieure ou égale à 35 m, ayant un diamètre compris entre 1,5 et 2,5 m et pouvant fonctionner à des pressions supérieures à 15 MPa;

4. internes de tour, y compris les contacteurs d'étage, et les pompes d'étage, y compris les pompes submersibles, pour la production d'eau lourde par le procédé d'échange ammoniac-hydrogène;

5. craqueurs d'ammoniac ayant une pression de fonctionnement supérieure ou égale à 3 MPa pour la production d'eau lourde par le procédé d'échange ammoniac-hydrogène;

6. analyseurs à absorption d'infrarouge capables d'analyser le rapport hydrogène-deutérium en continu avec des concentrations de deutérium égales ou supérieures à 90 %;

7. brûleurs catalytiques pour la conversion en eau lourde du deutérium enrichi par le procédé d'échange ammoniac-hydrogène;

8. systèmes complets d'enrichissement de l'eau lourde ou colonnes conçues à cet effet, pour l'enrichissement de l'eau lourde jusqu'au niveau de concentration du deutérium requis pour les réacteurs.

entre normalement en contact direct avec le flux de production des matières nucléaires, le traite directement ou en assure directement le réglage;

assure le scellage des matières nucléaires à l'intérieur de la gaine;

vérifie l'intégrité de la gaine ou du scellage; ou

vérifie le traitement de finition du combustible scellé.

les installations de retraitement des éléments combustibles nucléaires irradiés, y compris les équipements et composants qui sont normalement en contact direct avec le combustible irradié et qui contrôlent directement les flux les plus importants de traitement des matières nucléaires et des produits de fission;

les machines à hacher ou à déchiqueter les éléments de combustible, c'est-à-dire des équipements télécommandés destinés à couper, hacher, déchiqueter ou cisailler les assemblages, faisceaux ou barres de combustible nucléaire irradié;

les dissolveurs, récipients de sûreté anticriticité (par exemple récipients de petit diamètre, annulaires ou plats) spécialement conçus ou préparés pour la dissolution du combustible nucléaire irradié, capables de supporter des liquides chauds et hautement corrosifs et pouvant être chargés et entretenus à distance;

les extracteurs à solvant à contre-courant et équipements de traitement à échange d'ions spécialement conçus ou préparés pour être utilisés dans des installations de retraitement d'uranium naturel, d'uranium appauvri ou de matières fissiles spéciales;

les cuves de stockage ou d'entreposage spécialement conçues de façon à éviter la criticité ou à résister à l'action corrosive de l'acide nitrique; Note: Les cuves de stockage ou d'entreposage peuvent présenter les caractéristiques suivantes:

1. parois ou structures internes ayant un équivalent en bore (calculé pour tous les constituants tels qu'ils sont définis dans la note au paragraphe 0C004) d'au moins 2 %;

2. un diamètre maximal de 175 mm pour les configurations cylindriques; ou

3. une largeur maximale de 75 mm pour une configuration plate ou annulaire.

instruments de contrôle des procédés spécialement conçus ou préparés pour la commande ou le suivi du retraitement de l'uranium naturel, de l'uranium appauvri ou des matières fissiles spéciales irradiés.

systèmes de conversion de nitrate de plutonium en oxyde de plutonium;

systèmes de production de plutonium métal.

0CMatières 0C001Uranium naturel ou uranium appauvri ou thorium sous la forme d'un métal, d'un alliage, d'un composé chimique ou d'un concentré et toute autre matière contenant une ou plusieurs des substances qui précèdent. Note: Le paragraphe 0C001 ne vise pas: 0C002Matières fissiles spéciales Note: Le paragraphe 0C002 ne vise pas les charges de quatre grammes effectifs ou moins lorsqu'elles sont contenues dans un organe détecteur d'un instrument. 0C003Deutérium, eau lourde (oxyde de deutérium) et autres composés du deutérium ainsi que les mélanges et solutions contenant du deutérium, dans lesquels le rapport isotopique deutérium/hydrogène est supérieur à 1/5000. 0C004Graphite, de qualité nucléaire, ayant un degré de pureté inférieur à 5 parties par million d'équivalent de bore et une densité supérieure à 1,5 g/cm3. N.B.: VOIR ÉGALEMENT 1C107. Note 1: Le paragraphe 0C004 ne vise pas ce qui suit: Note 2: Au paragraphe 0C004, équivalent de bore (EB) est défini comme le total de EBz pour les impuretés (à l'exclusion de l'EBcarbone puisque le carbone n'est pas considéré comme une impureté), y compris le bore, où: EBz (ppm) = FC × concentration de l'élément Z en ppm; où FC est le facteur de conversion = σZABσBAZ et où σB et σZ sont les sections de capture de neutrons thermiques exprimées (en barns) respectivement pour le bore présent dans la nature et l'élément Z, AB et AZ étant les masses atomiques du bore présent dans la nature et de l'élément Z, respectivement. 0C005Composés ou poudres spécialement préparés pour la formation de barrières de diffusion gazeuse, résistant à la corrosion par l'UF6 (par exemple nickel ou un alliage contenant 60 % en poids ou plus de nickel, l'oxyde d'aluminium et les polymères d'hydrocarbures entièrement fluorés), ayant un degré de pureté de 99,9 % en poids ou plus, une dimension particulaire moyenne inférieure à 10 micromètres — mesurée selon la norme B330 de l'ASTM — et un haut degré d'uniformité des dimensions des particules.

0CMatières a.

les charges de quatre grammes ou moins d'uranium naturel ou d'uranium appauvri lorsqu'elles sont contenues dans un organe détecteur d'un instrument;

l'uranium appauvri spécialement fabriqué pour les applications non nucléaires civiles suivantes:

1. blindage;

2. remblai;

3. lest d'une masse maximale de 100 kg;

4. contrepoids d'une masse maximale de 100 kg;

les alliages contenant moins de 5 % de thorium;

les produits céramiques contenant du thorium, qui ont été fabriqués pour des usages non nucléaires.

les objets en graphite ayant un poids inférieur à 1 kg, autres que ceux spécialement conçus ou préparés pour l'utilisation dans un réacteur nucléaire;

la poudre de graphite.

0DLogiciel 0D001Logiciel spécialement conçu ou modifié pour le développement, la production ou l'utilisation des biens figurant dans la présente catégorie.

0ETechnologie

0E001Technologie, au sens de la note relative à la technologie nucléaire, pour le développement, la production ou l'utilisation des biens figurant dans la présente catégorie.

CATÉGORIE 1 MATÉRIAUX, PRODUITS CHIMIQUES, MICRO-ORGANISMES ET TOXINES

1AÉquipements, ensembles et composants Note technique:

1A001Composants constitués de composés fluorés, comme suit: 1A002Structures ou produits laminés composites: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 1A202, 9A010 et 9A110. Note 1: Le paragraphe 1A002 ne vise pas les structures ou produits laminés composites fabriqués à partir de matériaux fibreux ou filamenteux de carbone imprégnés de résine époxyde, destinés à la réparation de structures ou produits laminés pour aéronefs, et dont la dimension ne dépasse pas 1 m2. Note 2: Le paragraphe 1A002 ne vise pas les produits finis ou semi-finis, spécialement conçus pour les applications purement civiles suivantes: 1A003Produits manufacturés, en substances polymères non fluorées visées à l'alinéa 1C008.a.3. sous forme de film, feuille, bande ou ruban: Note: Le paragraphe 1A003 ne vise pas les produits manufacturés revêtus de, ou stratifiés avec, du cuivre et conçus pour la production de cartes de circuits imprimés électroniques. 1A004Équipements de protection et de détection et leurs composants, autres que ceux visés dans la liste des matériels de guerre, comme suit: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 2B351 ET 2B352. Note: Le paragraphe 1A004 ne vise pas: 1A005Gilets pare-balles et leurs composants spécialement conçus, autres que ceux fabriqués selon les normes ou spécifications militaires ou leurs équivalents en performance. N.B.: VOIR ÉGALEMENT LISTE DES MATÉRIELS DE GUERRE. N.B.: En ce qui concerne les matériaux fibreux ou filamenteux entrant dans la fabrication des gilets pare-balles, voir le paragraphe 1C010. Note 1: Le paragraphe 1A005 ne vise pas les gilets pare-balles ou les vêtements de protection utilisés par l'usager pour sa protection personnelle. Note 2: Le paragraphe 1A005 ne vise pas les gilets pare-balles conçus pour la seule protection frontale contre les éclats et le souffle de dispositifs explosifs non militaires. 1A102Composants carbone-carbone réimprégnés et pyrolisés, conçus pour les lanceurs spatiaux visés au paragraphe 9A004 ou les fusées sondes visées au paragraphe 9A104. 1A202Structures composites autres que celles visées au paragraphe 1A002, sous forme de tubes et présentant les deux caractéristiques suivantes: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 9A010 ET 9A110. 1A225Catalyseurs platinés spécialement conçus ou préparés pour provoquer la réaction d'échange des isotopes d'hydrogène entre l'hydrogène et l'eau en vue de la récupération du tritium de l'eau lourde ou de la production d'eau lourde. 1A226Charges spéciales pouvant être utilisées pour la séparation de l'eau lourde et de l'eau ordinaire et présentant les deux caractéristiques suivantes: 1A227Fenêtres de blindage antirayonnements à haute densité (verre au plomb ou autre matériau), présentant toutes les caractéristiques suivantes, ainsi que leurs cadres spécialement conçus: Au paragraphe 1A227, l'expression superficie du côté froid désigne la superficie de vision de la fenêtre exposée au niveau de radiation le plus bas dans l'application.

1AÉquipements, ensembles et composants a.

joints, garnitures d'étanchéité, agents d'étanchéité ou réservoirs souples à carburant spécialement conçus pour des applications spatiales ou aéronautiques, constitués de plus de 50 % de l'une des substances visées aux alinéas 1C009.b. ou 1C009.c.;

polymères et copolymères piézo-électriques constitués des substances de fluorure de vinylidène visées à l'alinéa 1C009.a.:

1. sous forme de film ou de feuille; et

2. ayant une épaisseur supérieure à 200 μm;

joints, garnitures d'étanchéité, sièges de soupapes, réservoirs souples ou membranes constitués de fluoroélastomères contenant au moins un groupe de vinyléther comme élément constitutif, spécialement conçus pour des applications aéronautiques, spatiales ou dans les missiles. Note: Dans l'alinéa 1A001.c., missile désigne des systèmes complets de fusée et des systèmes de véhicules aériens sans équipage.

comportant une matrice organique et fabriqués à partir de matériaux visés aux alinéas 1C010.c., 1C010.d. ou 1C010.e.; ou

comportant une matrice métallique ou de carbone et fabriqués à partir de:

1. matériaux fibreux ou filamenteux au carbone ayant:

1. a.

un module spécifique supérieur à 10,15 × 106 m; et

une résistance spécifique à la traction supérieure à 17,7 × 104 m; ou

2. matériaux visés à l'alinéa 1C010.c.

matériel de sport;

industrie automobile;

industrie de la machine-outil;

applications médicales.

ayant une épaisseur supérieure à 0,254 mm; ou

revêtus de, ou stratifiés avec, du carbone, du graphite, des métaux ou des substances magnétiques.

Masques à gaz, cartouches filtrantes et équipements de décontamination spécialement conçus ou modifiés pour la protection contre les agents biologiques ou substances radioactives adaptés pour usage de guerre ou les toxiques de guerre et leurs composants spécialement conçus;

Vêtements, gants et chaussures de protection spécialement conçus pour la protection contre les agents biologiques ou les substances radioactives adaptés pour usage de guerre ou les toxiques de guerre;

Systèmes de détection nucléaire, biologique et chimique (NBC) spécialement conçus ou modifiés pour la détection ou l'identification des agents biologiques ou substances radioactives adaptés pour usage de guerre ou des toxiques de guerre et leurs composants spécialement conçus.

les dosimètres personnels de surveillance de l'irradiation;

les équipements limités par leur conception ou leur fonction à la protection contre les risques propres aux industries civiles telles que les exploitations minières, les carrières, l'agriculture, l'industrie pharmaceutique, le secteur médical et vétérinaire, l'environnement, la gestion des déchets ou l'industrie alimentaire.

un diamètre intérieur compris entre 75 et 400 mm; et

fabriquées avec l'un des matériaux fibreux ou filamenteux visés aux alinéas 1C010.a. ou 1C010.b. ou 1C210.a., ou avec des matériaux préimprégnés au carbone visés à l'alinéa 1C210.c.

fabriquées en mailles de bronze phosphoreux ayant subi un traitement chimique améliorant leur mouillabilité; et

conçues pour être utilisées dans des tours de distillation sous vide.

une superficie du côté froid supérieure à 0,09 m2;

une masse volumique supérieure à 3 g/cm3; et

une épaisseur égale ou supérieure à 100 mm.

1BÉquipement d'essai, d'inspection et de production

1B001Équipements pour la production de fibres, de préimprégnés, de préformés ou de matériaux composites visés aux paragraphes 1A002 ou 1C010, comme suit, et leurs composants et accessoires spécialement conçus: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 1B101 ET 1B201. 1B002Équipements pour la production des alliages métalliques, poudres d'alliages métalliques ou matériaux alliés, spécialement conçus pour éviter la contamination et spécialement conçus pour être utilisés dans l'un des procédés visés à l'alinéa 1C002.c.2. N.B.: VOIR ÉGALEMENT 1B102. 1B003Outils, matrices, moules ou montages, pour le formage à l'état de superplasticité ou le soudage par diffusion du titane, de l'aluminium ou de leurs alliages, spécialement conçus pour la fabrication: 1B101Équipements autres que ceux visés au paragraphe 1B001, et leurs composants et accessoires, spécialement conçus pour la production de structures composites comme suit: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 1B201. Note: Les composants et accessoires visés au paragraphe 1B101 comprennent les moules, mandrins, matrices, montages et outils servant à ébaucher, polymériser, couler, fritter ou assembler les structures composites, les stratifiés et leurs produits manufacturés. 1B102Équipements de production de poudre de métal, autres que ceux visés au paragraphe 1B002, et leurs composants comme suit: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 1B115.b. Note: Le paragraphe 1B102 comprend: 1B115Équipements, autres que ceux visés au paragraphe 1B002 ou 1B102, pour la production de propergols et de constituants de propergols, comme suit, et leurs composants spécialement conçus: Note 1: Pour les équipements de production spécialement conçus pour un usage militaire, voir la liste des matériels de guerre. Note 2: Le paragraphe 1B115 ne vise pas les équipements de production, de manipulation et d'essai de réception du carbure de bore. 1B116Tuyères spécialement conçues pour la fabrication de matériaux dérivés par pyrolyse mis en forme sur un moule, un mandrin ou un autre support à partir de précurseurs gazeux qui se décomposent à une température comprise entre 1573 K (1300 °C) et 3173 K (2900 °C) et à une pression comprise entre 130 Pa et 20 kPa. 1B117Mélangeurs par charge capables de mélanger sous vide dans la fourchette de zéro à 13,326 kPa et de contrôler la température dans le caisson de mélange, et présentant toutes les caractéristiques suivantes, et leurs composants spécialement conçus: 1B118Mélangeurs en continu capables de mélanger sous vide dans la fourchette de zéro à 13,326 kPa et de contrôler la température dans le caisson de mélange, présentant l'une des caractéristiques suivantes, et leurs composants spécialement conçus: 1B119Broyeurs à jet liquide pouvant servir à meuler ou broyer les substances visées aux alinéas 1C011.a., 1C011.b., au paragraphe 1C111 ou dans la liste des biens à usage militaire, et leurs composants spécialement conçus. 1B201Machines pour le bobinage de filaments, autres que celles visées aux paragraphes 1B001 ou 1B101, et les équipements connexes, comme suit: 1B225Cellules électrolytiques pour la production de fluor, dont la capacité de production dépasse 250 g de fluor par heure. 1B226Séparateurs électromagnétiques d’isotopes, conçus pour ou équipés de sources ioniques uniques ou multiples capables de produire un courant total de faisceau ionique de 50 mA ou plus. Note: Le paragraphe 1B226 comprend les séparateurs: 1B227Convertisseurs pour la synthèse de l'ammoniac, unités de synthèse de l'ammoniac dans lesquelles le gaz servant à la synthèse (azote et hydrogène) est extrait d'une colonne d'échange ammoniac/hydrogène à haute pression et l'ammoniac synthétisé réintroduit dans la même colonne. 1B228Colonnes de distillation cryogéniques à hydrogène possédant toutes les caractéristiques suivantes: 1B229Colonnes d'échange à plateaux eau-acide sulfhydrique et contacteurs internes, comme suit: N.B.: Pour les colonnes spécialement conçues ou préparées pour la production d'eau lourde, voir 0B004. 1B230Pompes capables de faire circuler des solutions d'un catalyseur d'amidure de potassium concentré ou dilué dans de l'ammoniaque liquide (KNH2/NH3), possédant toutes les caractéristiques suivantes: 1B231Installations ou unités, et équipements concernant le tritium, comme suit: 1B232Turbodétendeurs ou turbodétendeurs-compresseurs présentant les deux caractéristiques suivantes: 1B233Installations ou unités, et équipements pour la séparation des isotopes du lithium, comme suit:

machines pour le bobinage de filaments dont les mouvements de mise en position, d'enroulement et de bobinage de la fibre sont coordonnés et programmés selon trois ou plus de trois axes, spécialement conçues pour fabriquer des structures ou des produits laminés composites à partir de matériaux fibreux ou filamenteux;

machines pour la pose de bandes ou pour le placement de câbles de filaments dont les mouvements de mise en position et de pose de bandes, de câbles de filaments ou de feuilles sont coordonnés et programmés selon deux ou plus de deux axes, spécialement conçues pour la fabrication de structures composites pour cellules d'avions ou de missiles; Note: À l'alinéa 1B001.b., missile désigne des systèmes complets de fusée et des systèmes de véhicules aériens sans équipage.

c. Note technique:

machines de tissages multidirectionnel/multidimensionnel ou machines à entrelacer, y compris les adaptateurs et les ensembles de modification, pour tisser, entrelacer ou tresser les fibres en vue de la fabrication de structures composites; Aux fins de l'alinéa 1B001.c., la technique d'entrelacement inclut le tricotage. Note: L'alinéa 1B001.c. ne vise pas les machines textiles qui n'ont pas été modifiées en vue des utilisations finales susmentionnées.

équipements spécialement conçus ou adaptés pour la production de fibres de renforcement, comme suit:

1. équipements pour la transformation de fibres polymères (telles que polyacrylonitrile, rayonne, brai ou polycarbosilane) en fibres de carbone ou en fibres de carbure de silicium, y compris le dispositif spécial pour la tension du fil au cours du chauffage;

2. équipements pour le dépôt en phase vapeur par procédé chimique d'éléments ou de composés sur des substrats filamenteux chauffés pour la fabrication de fibres de carbure de silicium;

3. équipements pour l'extrusion par voie humide de céramique réfractaire (telle que l'oxyde d'aluminium);

4. équipements pour la transformation, par traitement thermique, d'aluminium contenant des fibres de matériaux précurseurs en fibres d'alumine;

équipements pour la production, par la méthode de fusion à chaud, des fibres préimprégnées visées à l'alinéa 1C010.e.;

équipements de vérification non destructive pouvant servir à la vérification en trois dimensions des défauts, faisant appel à l'échotomographie ou à la radiotomographie, et spécialement conçus pour les matériaux composites.

de structures pour cellules d'avions ou structures aérospatiales;

de moteurs aéronautiques ou aérospatiaux; ou

de composants spécialement conçus pour ces structures ou moteurs.

machines pour le bobinage de filaments dont les mouvements de mise en position, de bobinage et d'enroulement des fibres sont coordonnés et programmés selon trois ou plus de trois axes, spécialement conçues pour la fabrication de structures composites ou de produits stratifiés à partir de matériaux fibreux ou filamenteux, ainsi que les commandes de programmation et de coordination;

machines pour la pose de bandes dont les mouvements de mise en position et de pose de bandes et de feuilles sont coordonnés et programmés selon deux ou plus de deux axes, spécialement conçues pour la réalisation de structures composites pour cellules de véhicules aériens et de missiles;

équipements spécialement conçus ou adaptés pour la production de matériaux fibreux ou filamenteux, comme suit:

1. équipements pour la transformation de fibres polymères (telles que polyacrylonitrile, rayonne ou polycarbosilane), y compris le dispositif spécial pour la tension du fil pendant le chauffage;

2. équipements pour le dépôt en phase gazeuse d'éléments ou de composés sur des substrats filamenteux chauffés;

3. équipements pour l'extrusion par voie humide de céramique réfractaire (telle que l'oxyde d'aluminium);

équipements spécialement conçus ou adaptés pour le traitement de la surface des fibres ou pour la réalisation des préimprégnés et des préformés visés au paragraphe 9C110. Note: Les équipements visés à l'alinéa 1B101.d. incluent les rouleaux, tendeurs, matériels de revêtement, matériels de coupe et matrices clickers.

équipements de production de poudre de métal pouvant servir à la production, en environnement contrôlé, de matériaux sphériques ou atomisés visés aux alinéas 1C011.a., 1C011.b., 1C111.a.1., 1C111.a.2. ou dans la liste des biens à usage militaire;

composants spécialement conçus pour les équipements de production visés au paragraphe 1B002 ou à l'alinéa 1B102.a.

les générateurs de plasma (propulseurs électrothermiques à arc à haute fréquence) pouvant servir pour obtenir des poudres métalliques déposées par pulvérisation ou sphériques, le processus étant organisé dans un environnement argon-eau;

les équipements d'électro-explosion utilisables pour l'obtention de poudres métalliques sphériques ou atomisées, le processus étant organisé dans un environnement argon-eau;

les équipements pouvant servir pour la production de poudres d'aluminium sphériques par injection d'une matière fondue dans un support inerte (par exemple l'azote).

équipements de production pour la production, la manipulation ou les essais de réception des propergols liquides ou de leurs constituants visés aux alinéas 1C011.a., 1C011.b., 1C111 ou à la liste des matériels de guerre;

équipements de production pour la production, la manipulation, le mélange, la polymérisation, le moulage, l'emboutissage, l'usinage, l'extrusion ou les essais de réception des propergols solides ou de leurs constituants visés aux alinéas 1C011.a., 1C011.b., 1C111 ou à la liste des matériels de guerre. Note: L'alinéa 1B115.b. ne vise pas les mélangeurs par charge, les mélangeurs en continu ou broyeurs à jet liquide. Pour le contrôle des mélangeurs par charge, des mélangeurs en continu ou des broyeurs à jet liquide, voir les paragraphes 1B117, 1B118 et 1B119

une capacité volumétrique totale supérieure ou égale à 110 litres; et

au moins un bras à mélanger/pétrir excentré.

au moins deux bras à mélanger/pétrir; ou

un seul bras rotatif oscillant et présence de dents/broches à pétrir sur le bras et à l'intérieur du caisson de mélange.

Machines pour le bobinage de filaments présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. les mouvements de mise en position, d'enroulement et d'embobinage de la fibre sont coordonnés et programmés selon deux ou plus de deux axes;

2. spécialement conçues pour fabriquer des structures ou des produits stratifiés composites à partir de matériaux fibreux ou filamenteux; et

3. capables de faire tourner des rotors cylindriques d'un diamètre compris entre 75 et 400 mm et d'une longueur de 600 mm ou plus;

Commandes servant à coordonner et programmer les machines pour le bobinage de filaments spécifiées à l'alinéa 1B201.a.;

Mandrins de précision destinés aux machines pour le bobinage de filaments spécifiées à l'alinéa 1B201.a.

capables d'enrichir des isotopes stables;

dans lesquels les sources d'ions et les collecteurs se trouvent à l'intérieur du champ magnétique et ceux dans lesquels ils sont extérieurs au champ.

conçues pour fonctionner à une température intérieure de 35 K (– 238 °C) ou moins;

conçues pour fonctionner à une pression intérieure de 0,5 à 5 MPa (5 à 50 atmosphères);

fabriquées:

1. soit en acier inoxydable de la série 300 avec une faible teneur en soufre, dont le numéro de grain, selon la norme ASTM (ou une norme équivalente), est égal ou supérieur à 5;

2. soit en matériaux équivalents compatibles avec H2 et la cryogénie; et

avec un diamètre intérieur égal ou supérieur à 1 m et une longueur effective égale ou supérieure à 5 m.

colonnes d'échange à plateaux eau-acide sulfhydrique, présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. capables de fonctionner à des pressions de 2 MPa ou plus;

2. fabriquées en acier au carbone dont le numéro de grain, selon la norme ASTM (ou une norme équivalente), est égal ou supérieur à 5; et

3. ayant un diamètre de 1,8 m ou plus.

b. Note technique:

contacteurs internes pour les colonnes d'échange à plateaux eau-acide sulfhydrique visés à l'alinéa 1B229.a. Les contacteurs internes des colonnes sont des plateaux segmentés dont le diamètre utile assemblé est égal ou supérieur à 1,8 m; ils sont conçus pour faciliter le contact à contre-courant et fabriqués en aciers inoxydables dont la teneur en carbone est égale ou inférieure à 0,03 %. Il peut s'agir de plateaux perforés, de plateaux à soupape, de plateaux à calotte ou de plateaux à turbo-grille.

parfaitement étanches à l'air (c'est-à-dire scellées hermétiquement);

une capacité supérieure à 8,5 m3/h; et

l'une des caractéristiques suivantes:

1. pour les solutions d'amidure de potassium concentré (1 % ou plus), une pression de fonctionnement de 1,5 à 60 MPa; ou

2. pour les solutions d'amidure de potassium dilué (moins de 1 %), une pression de fonctionnement de 20 à 60 MPa.

installations, ou unités pour la production, la récupération, l'extraction, la concentration ou la manipulation de tritium;

équipements pour les installations ou unités de tritium, comme suit:

1. unités de refroidissement à l'hydrogène ou à l'hélium, capables de refroidir jusqu'à 23 K (- 250 °C) ou moins, avec une capacité d'extraction de la chaleur supérieure à 150 W;

2. systèmes de stockage ou de purification des isotopes de l'hydrogène utilisant des hydrures métalliques comme support de stockage ou de purification.

conçus pour fonctionner à une température égale ou inférieure à 35 K (– 238 °C); et

conçus pour un débit d'hydrogène égal ou supérieur à 1000 kg/h.

installations ou unités pour la séparation des isotopes du lithium;

équipements pour la séparation des isotopes du lithium, comme suit:

1. colonnes chargées d'échange liquide-liquide spécialement conçues pour les amalgames du lithium;

2. pompes à mercure ou amalgame de lithium;

3. cellules d'électrolyse pour amalgame de lithium;

4. évaporateurs pour solution concentrée d'hydroxyde de lithium.

1CMatières Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Notes techniques: 1.2.

Métaux et alliages: Formes brutes: Demi-produits (revêtus ou non, plaqués, perforés, poinçonnés): Le contrôle ne doit pas être rendu inopérant par le biais de l'exportation de formes non énumérées prétendues être des produits finis mais constituant en fait des formes brutes ou des demi-produits. 1C001Matériaux spécialement conçus pour absorber les ondes électromagnétiques ou polymères intrinsèquement conducteurs comme suit: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 1C101. 1C002Alliages métalliques, poudres d'alliages métalliques ou matériaux alliés, comme suit: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 1C202. Note: Le paragraphe 1C002 ne vise pas les alliages métalliques, poudres d'alliages métalliques ou matériaux alliés pour le revêtement de substrats. 1C003Métaux magnétiques, de tous types et sous toutes formes, présentant l'une des caractéristiques suivantes: 1C004Alliages d'uranium titane ou alliages de tungstène à matrice à base de fer, de nickel ou de cuivre, présentant toutes les caractéristiques suivantes: 1C005Conducteurs compositessupraconducteurs en longueurs supérieures à 100 m ou ayant une masse supérieure à 100 g, comme suit: 1C006Fluides et substances lubrifiantes, comme suit: Aux fins du paragraphe 1C006: 1C007Matériaux de base pour céramiques, matériaux céramiques non composites, matériaux composites à matrice céramique et matériaux précurseurs, comme suit: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 1C107. 1C008Substances polymères non fluorées, comme suit: La température de transition vitreuse (Tg) des substances visées au paragraphe 1C008 est déterminée conformément à la méthode décrite dans la norme ISO 11357-2 (1999) ou équivalents nationaux. 1C009Composés fluorés non traités, comme suit: 1C010Matériaux fibreux ou filamenteux susceptibles d'être utilisés dans des structures ou produits laminés composites à matrice organique, métallique ou de carbone, comme suit: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 1C210. 1C011Métaux et composés, comme suit: N.B.: VOIR ÉGALEMENT LISTE DES MATÉRIELS DE GUERRE ET 1C111. 1C012Matières comme suit: Ces matières sont généralement utilisées pour des sources de chaleur nucléaires. 1C101Matériaux et dispositifs servant à la réduction des éléments observables tels que la réflectivité radar, les signatures ultraviolettes/infrarouges et acoustiques, autres que ceux visés au paragraphe 1C001, utilisables dans les missiles, dans les sous-systèmes des missiles ou dans les véhicules aériens sans équipage visés au paragraphe 9A012. Note 1: Le paragraphe 1C101 couvre: Note 2: Le paragraphe 1C101 ne couvre pas les revêtements utilisés spécialement pour l'isolation thermique des satellites. Dans le paragraphe 1C101, le terme missile désigne des systèmes complets de fusée et des systèmes de véhicules aériens sans équipage, dont la portée est au moins égale à 300 km. 1C102Matériaux carbone-carbone réimprégnés et pyrolysés conçus pour les lanceurs spatiaux visés au paragraphe 9A004 ou les fusées-sondes visées au paragraphe 9A104. 1C107Graphite et matériaux céramiques autres que ceux visés au paragraphe 1C007, comme suit: 1C111Propergols et leurs composants chimiques, autres que ceux spécifiés au 1C011, comme suit: Note: Pour les propergols et leurs composants chimiques ne figurant pas au paragraphe 1C111, voir la liste des matériels de guerre. 1C116Aciers maraging (aciers généralement caractérisés par une haute teneur en nickel, une très faible teneur en carbone et l'emploi d'éléments de substitution ou de précipités pour produire un durcissement par vieillissement) sous forme de feuilles, de tôles ou de tubes, dont la tension de rupture est supérieure ou égale à 1500 MPa, mesurée à 293 K (20 °C), et dont la paroi ou la tôle a une épaisseur égale ou inférieure à 5 mm. N.B.: VOIR ÉGALEMENT 1C216. 1C117Tungstène, molybdène et leurs alliages, sous forme de particules sphériques ou atomisées uniformes d'un diamètre inférieur ou égal à 500 μm, d'une pureté de 97 % au moins, servant à la fabrication de composants pour moteurs de missiles, à savoir des protections thermiques, des substrats et des cols de tuyères ainsi que des surfaces de commande du vecteur poussée. 1C118Acier inoxydable duplex stabilisé au titane (Ti-DSS) présentant toutes les caractéristiques suivantes: 1C202Alliages, autres que ceux visés aux alinéas 1C002.b.3. ou 1C002.b.4., comme suit: L'expression alliages ayant couvre les alliages avant ou après traitement thermique. 1C210Matériaux fibreux ou filamenteux ou préimprégnés, autres que ceux visés aux alinéas 1C010.a., b. ou e., comme suit: Note: Au paragraphe 1C210, les termes matériaux fibreux ou filamenteux sont limités aux monofilaments, torons, nappes, mèches ou bandes continus. 1C216Aciers maraging, autres que ceux visés au paragraphe 1C116, ayant une résistance maximale à la traction égale ou supérieure à 2050 MPa à 293 K (20 °C). Note: Le paragraphe 1C216 ne vise pas les formes dont aucune dimension linéaire n'excède 75 mm. L'expression acier maraging ayant couvre les aciers maraging, avant ou après traitement thermique. 1C225Bore enrichi dans l'isotope bore-10 (10B) au-delà de sa teneur isotopique naturelle, comme suit: bore élémentaire, composés, mélanges contenant du bore, produits fabriqués avec du bore, déchets ou rebuts desdites matières. Note: Au paragraphe 1C225, les mélanges contenant du bore incluent les matériaux chargés de bore. La teneur isotopique naturelle du bore-10 est d'environ 18,5 pour cent en valeur pondérale (20 pour cent en valeur atomique). 1C226Tungstène, carbure de tungstène et alliages contenant plus de 90 % de tungstène en poids, présentant les deux caractéristiques suivantes: Note: Le paragraphe 1C226 ne vise pas les pièces spécialement conçues pour être utilisées comme poids ou comme collimateurs de rayons gamma. 1C227Calcium présentant les deux caractéristiques suivantes: 1C228Magnésium présentant les deux caractéristiques suivantes: 1C229Bismuth présentant les deux caractéristiques suivantes: 1C230Béryllium métal, alliages contenant plus de 50 % en poids de béryllium, composés contenant du béryllium et produits fabriqués avec ces substances, et déchets ou rebuts desdites matières. Note: Le paragraphe 1C230 ne vise pas: 1C231Hafnium métal, alliages contenant plus de 60 % en poids de ce métal, composés à base d'hafnium contenant plus de 60 % en poids de ce métal, produits fabriqués avec ces matériaux et déchets ou rebuts desdites matières. 1C232Hélium-3 (3He), mélanges contenant de l'hélium-3 et produits ou dispositifs contenant l'un de ces éléments. Note: Le paragraphe 1C232 ne vise pas les produits ou dispositifs contenant moins de 1 g d'hélium-3. 1C233Lithium enrichi en isotope 6 (6Li) jusqu’à une concentration supérieure à 7,5 % d’atomes, et les produits ou dispositifs contenant du lithium enrichi, comme suit: lithium élémentaire, alliages, composés, mélanges contenant du lithium, produits fabriqués avec du lithium, déchets ou rebuts de l'une des matières précitées. Note: Le paragraphe 1C233 ne vise pas les dosimètres thermoluminescents. La teneur isotopique naturelle du lithium-6 est d'environ 6,5 pour cent en valeur pondérale (7,5 pour cent en valeur atomique). 1C234Zirconium contenant de l'hafnium dans lequel le rapport hafnium/zirconium est inférieur à 1/500 en poids, comme suit: métal, alliages contenant en poids plus de 50 % de zirconium, composés, produits fabriqués avec ces éléments, déchets ou rebuts de l'une des matières précitées. Note: Le paragraphe 1C234 ne vise pas le zirconium sous forme de feuilles ayant une épaisseur égale ou inférieure à 0,10 mm. 1C235Tritium, composés et mélanges du tritium dans lesquels le rapport du tritium à l’hydrogène, en atomes, est supérieur à 1/1000, ou produits ou dispositifs comprenant l’un de ces éléments. Note: Le paragraphe 1C235 ne vise pas les produits ou dispositifs contenant au maximum 1,48 × 103 GBq (40 Ci) de tritium. 1C236Radionucléides à émission alpha ayant une demi-vie alpha supérieure ou égale à 10 jours mais inférieure à 200 ans, sous les formes suivantes: Note: Le paragraphe 1C236 ne vise pas les produits ou dispositifs dont l'activité alpha est inférieure à 3,7 GBq (100 millicuries). 1C237Radium 226 (226Ra), alliages de radium 226, composés du radium 226, mélanges contenant du radium 226, produits fabriqués avec du radium 226, et produits ou dispositifs contenant l'un de ces éléments. Note: Le paragraphe 1C237 ne vise pas: 1C238Trifluorure de chlore (ClF3). 1C239Substances à haut pouvoir explosif, autres que celles visées par la liste des matériels de guerre, ou substances ou mélanges contenant plus de 2 % en poids de ces substances explosives, dont la densité cristalline excède 1,8 g/cm3 et dont la vitesse de détonation dépasse 8000 m/s. 1C240Poudre de nickel et nickel sous forme de métal poreux, autres que ceux visés au paragraphe 0C005, comme suit: Note: Le paragraphe 1C240 ne vise pas: L'alinéa 1C240.b. concerne le métal poreux formé par la compression et le frittage des matières visées à l'alinéa 1C240.a. pour former un matériau à pores fins traversant la structure. 1C350Substances chimiques pouvant servir de précurseurs à des agents chimiques toxiques, comme suit, et mélanges chimiques contenant une ou plusieurs de ces substances: N.B.: VOIR ÉGALEMENT LA LISTE DES MATÉRIELS DE GUERRE ET 1C450. Note 1: Pour les exportations vers des États non parties à la Convention sur les armes chimiques, le paragraphe 1C350 ne vise pas les mélanges chimiques contenant une ou plusieurs des substances chimiques visées aux alinéas 1C350.1, .3, .5, .11, .12, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36, .54, .55, .56, .57 et .63, dont aucune des substances spécifiées ne constitue plus de 10 % en poids du mélange. Note 2: Pour les exportations vers des États parties à la Convention sur les armes chimiques, le paragraphe 1C350 ne vise pas les mélanges chimiques contenant une ou plusieurs des substances chimiques visées aux alinéas 1C350.1, .3, .5, .11, .12, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36, .54, .55, .56, .57 et .63, dont aucune des substances spécifiées ne constitue plus de 30 % en poids du mélange. Note 3: Le paragraphe 1C350 ne vise pas les mélanges chimiques contenant une ou plusieurs des substances chimiques visées aux alinéas 1C350.2, .6, .7, .8, .9, .10, .14, .15, .16, .19, .20, .24, .25, .30, .37, .38, .39, .40, .41, .42, .43, .44, .45, .46, .47, .48, .49, .50, .51, .52, .53, .58, .59, .60, .61 et .62 dont aucune des substances spécifiées ne constitue plus de 30% en poids du mélange. Note 4: Le paragraphe 1C350 ne vise pas les produits définis comme des biens de consommation conditionnés pour la vente au détail en vue d'un usage personnel ou conditionnés pour un usage individuel. 1C351Agents pathogènes humains, zoonoses et toxines comme suit: Note: Le paragraphe 1C351 ne vise pas les vaccins ou immunotoxines. 1C352Agents pathogènes animaux, comme suit: Note: Le paragraphe 1C352 ne vise pas les vaccins. 1C353Éléments génétiques et organismes génétiquement modifiés, comme suit: Les éléments génétiques comprennent, notamment, les chromosomes, génomes, plasmides, transposons et vecteurs, qu'ils soient ou non génétiquement modifiés. Les séquences d'acide nucléique associées au caractère pathogène de l’un quelconque des micro-organismes visés aux alinéas 1C351.a. à c. ou aux paragraphes 1C352 ou 1C354 signifient toute séquence propre au micro-organisme déterminé qui: Note: Le paragraphe 1C353 ne vise pas les séquences d'acides nucléiques liées à la pathogénicité d'Escherichia coli entérohémorragique de sérotype O157 et autres souches productrices de vérotoxines, autres que celles codant pour la vérotoxine, ou ses sous-unités. 1C354Agents pathogènes des plantes, comme suit: 1C450Produits chimiques toxiques et précurseurs chimiques toxiques, comme suit, et mélanges chimiques contenant une ou plusieurs de ces substances: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 1C350, 1C351.d. ET LISTE DES MATÉRIELS DE GUERRE. Note: Le paragraphe 1C450 ne vise pas les produits définis comme des biens de consommation conditionnés pour la vente au détail en vue d'un usage personnel ou conditionnés pour un usage individuel.

Sauf disposition contraire, aux paragraphes 1C001 à 1C012, on entend par métaux et alliages les formes brutes et demi-produits suivants:

Anodes, billes, barreaux (y compris barreaux entaillés et barres à fil), billettes, blocs, blooms, briques, tourteaux, cathodes, cristaux, cubes, dés, grains, lingots, masses, granulés, gueuses (de fonte), poudre, rondelles, grenaille, brames, lopins, éponge, bâtonnets;

1CMatières Note technique: a.

Matériaux corroyés ou travaillés, fabriqués par laminage, étirage, extrusion, forgeage, filage par choc, pressage, grenage, atomisation et broyage, à savoir: cornières, profilés/laminés, cercles, disques, poussière, paillettes, feuilles et lames, pièces forgées, tôle, poudre, objets pressés, pièces embouties/frappées, rubans, anneaux, barres/baguettes [y compris les baguettes de soudage nues, le fil machine et le fil laminé), profilé, laminé, tôles fines, feuillards, tuyaux et tubes (y compris des ronds, des carrés et des creux)], fil étiré ou filé;

Matériaux moulés produits en sable, sous pression, en moule métallique, en moule de plâtre ou un autre type de moule, y compris le moulage sous haute pression, les formes frittées et les formes obtenues par métallurgie des poudres.

matériaux pour l'absorption de fréquences supérieures à 2 × 108 Hz et inférieures à 3 × 1012 Hz; Note 1: L'alinéa 1C001.a. ne vise pas: Note 2: La note 1 de l'alinéa 1C001.a. n'exclut aucunement des contrôles, les matières magnétiques assurant l'absorption lorsqu'elles sont incorporées dans la peinture.

a.

les absorbeurs de type cheveu, constitués de fibres naturelles ou synthétiques, à charge non magnétique pour permettre l'absorption;

b.

les absorbeurs n'ayant pas de perte magnétique, dont la surface incidente est de forme non plane, comprenant pyramides, cônes, prismes et surfaces spiralées;

c.

les absorbeurs plans présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. Note technique:

constitués: Les échantillons pour essais d'absorption concernant la note 1.c.1 de l'alinéa 1C001.a. devraient être un carré dont le côté mesure au moins 5 longueurs d'onde de la fréquence centrale et placé dans le champ lointain de la source rayonnante.

1. a.

de matériaux en mousse plastique (flexibles ou non flexibles) à charge de carbone, ou de matériaux organiques, y compris les liants, produisant un écho de plus de 5 % par rapport au métal sur une largeur de bande supérieure à ± 15 % de la fréquence centrale de l'énergie incidente, et incapables de résister à des températures de plus de 450 K (177 °C); ou

de matériaux céramiques produisant un écho de plus de 20 % par rapport au métal sur une largeur de bande supérieure à ± 15 % de la fréquence centrale de l'énergie incidente, et incapables de résister à des températures de plus de 800 K (527 °C);

2. résistance à la traction inférieure à 7 × 106 N/m2; et

3. résistance à la compression inférieure à 14 × 106 N/m2;

d.

absorbeurs plans constitués de ferrite frittée, présentant les deux caractéristiques suivantes:

1. densité supérieure à 4,4; et

2. température de fonctionnement maximale de 548 K (275 °C).

matériaux pour l'absorption de fréquences supérieures à 1,5 × 1014 Hz et inférieures à 3,7 × 1014 Hz et non transparents dans le domaine visible;

c. Note technique:

matériaux polymères intrinsèquement conducteurs ayant une conductivité électrique volumique supérieure à 10000 S/m (Siemens par mètre) ou une résistivité surfacique (superficielle) inférieure à 100 ohms/par m2, à base d'un ou de plusieurs des polymères suivants: La conductivité électrique volumique et la résistivité surfacique (superficielle) sont déterminées conformément à la norme ASTM D-257 ou à des équivalents nationaux.

1. polyaniline;

2. polypyrrole;

3. polythiophène;

4. polyphénylène-vinylène; ou

5. polythiénylène-vinylène.

1CMatières Note technique: Note technique:

1. Les alliages métalliques cités au paragraphe 1C002 sont les alliages contenant un pourcentage plus élevé en poids du métal indiqué que de tout autre élément.

2. La tenue au fluage-rupture doit être mesurée conformément à la norme E-139 de l'ASTM ou à des équivalents nationaux.

3. La résistance à la fatigue oligocyclique doit être mesurée conformément à la norme E-606 de l'ASTM, méthode recommandée pour l'essai de résistance à la fatigue oligocyclique à amplitude constante, ou ses équivalents nationaux. L'essai doit être axial avec un rapport moyen de l'effort minimal à l'effort maximal égal à 1 et un coefficient de concentration des contraintes (kt) égal à 1. Le rapport moyen de l'effort minimal à l'effort maximal désigne la contrainte maximale moins la contrainte minimale divisée par la contrainte maximale.

aluminiures, comme suit:

1. aluminiures de nickel contenant au minimum 15 % en poids d'aluminium, au maximum 38 % en poids d'aluminium, et au moins un élément d'alliage additionnel;

2. aluminiures de titane contenant 10 % en poids ou plus d'aluminium, et au moins un élément d'alliage additionnel;

alliages métalliques, comme suit, fabriqués à partir de matières visées par l'alinéa 1C002.c.:

1. alliages de nickel ayant:

1. a.

une tenue au fluage-rupture de 10000 heures ou plus à 923 K (650 °C) sous une contrainte de 676 MPa; ou

une résistance à la fatigue oligocyclique de 10000 cycles ou plus à 823 K (550 °C) sous une contrainte maximale de 1095 MPa;

2. alliages de niobium ayant:

2. a.

une tenue au fluage-rupture de 10000 heures ou plus à 1073 K (800 °C) sous une contrainte de 400 MPa; ou

une résistance à la fatigue oligocyclique de 10000 cycles ou plus à 973 K (700 °C) sous une contrainte maximale de 700 MPa;

3. alliages de titane ayant;

3. a.

une tenue au fluage-rupture de 10000 heures ou plus à 723 K (450 °C) sous une contrainte maximale de 200 MPa; ou

une résistance à la fatigue oligocyclique de 10000 cycles ou plus à 723 K (450 °C) sous une contrainte maximale de 400 MPa;

4. alliages d'aluminium ayant une résistance à la traction:

4. a.

égale ou supérieure à 240 MPa à 473 K (200 °C); ou

égale ou supérieure à 415 MPa à 298 K (25 °C);

5. alliages de magnésium ayant:

5. a.

une résistance à la traction égale ou supérieure à 345 MPa; et

un taux de corrosion inférieur à 1 mm/an dans une solution aqueuse de chlorure de sodium à 3 % mesuré conformément à la norme G-31 de l'ASTM ou à des équivalents nationaux;

poudres ou particules d'alliages métalliques, présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. Note technique:

constituées de l'un des systèmes de composition suivants: Dans les alinéas suivants, X = un ou plusieurs éléments d'alliages.

alliages de nickel (Ni-Al-X, Ni-X-Al) qualifiés pour les pièces et composants de moteurs à turbine, c'est-à-dire avec moins de trois particules non métalliques (introduites au cours du processus de fabrication) de plus de 100 μm pour 109 particules d'alliages;

alliages de niobium (Nb-Al-X ou Nb-X-Al, Nb-Si-X ou Nb-X-Si, Nb-Ti-X ou Nb-X-Ti);

alliages de titane (Ti-Al-X ou Ti-X-Al);

alliages d'aluminium (Al-Mg-X ou Al-X-Mg, Al-Zn-X ou Al-X-Zn, Al-Fe-X ou Al-X-Fe); ou

alliages de magnésium (Mg-Al-X ou Mg-X-Al); et

2. obtenues dans un environnement contrôlé par l'un des procédés suivants:

2. a.

atomisation sous vide;

atomisation par gaz;

atomisation centrifuge;

trempe brusque;

trempe sur rouleau et pulvérisation;

extraction en fusion et pulvérisation; ou

alliage mécanique; et

3. capables de constituer les matériaux visés aux alinéas 1C002.a. ou 1C002.b.;

matériaux alliés, présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. constitués de l'un des systèmes de composition visés à l'alinéa 1C002.c.1.;

2. sous forme de paillettes, rubans ou barres minces; et

3. obtenus dans un environnement contrôlé par l'un des procédés suivants:

3. a.

trempe brusque;

trempe sur rouleau; ou

extraction en fusion.

a. Note technique:

perméabilité relative initiale égale ou supérieure à 120000 et épaisseur égale ou inférieure à 0,05 mm; La mesure de la perméabilité initiale doit être effectuée sur des métaux entièrement recuits.

alliages magnétostrictifs présentant une des caractéristiques suivantes:

1. une magnétostriction à saturation supérieure à 5 × 10–4; ou

2. un facteur de couplage magnétomécanique (k) supérieur à 0,8; ou

c. Note technique:

feuillards d'alliage amorphe ou nanocristallin présentant toutes les caractéristiques suivantes: À l'alinéa 1C003.c., on entend par nanocristallins les matériaux ayant une granularité cristalline, déterminée par diffraction de rayons X, inférieure ou égale à 50 nm.

1. une composition comprenant au moins 75 % en poids de fer, de cobalt ou de nickel;

2. une induction magnétique à saturation (BS) égale ou supérieure à 1,6 T; et

3. une des caractéristiques suivantes:

3. a.

une épaisseur égale ou inférieure à 0,02 mm; ou

une résistivité électrique égale ou supérieure à 2 × 10–4 ohm/cm.

masse volumique supérieure à 17,5 g/cm3;

limite élastique supérieure à 880 MPa;

résistance à la rupture supérieure à 1270 MPa; et

allongement supérieur à 8 %.

conducteurs compositessupraconducteurs multifilaments contenant un ou des filaments au niobium-titane:

1. intégrés dans une matrice autre qu'une matrice de cuivre ou d'un mélange à base de cuivre; ou

2. ayant une section transversale d'une surface inférieure à 0,28 × 10–4 mm2 (6 μm de diamètre pour les filaments circulaires);

conducteurs compositessupraconducteurs constitués d'un ou de plusieurs filament(s) supraconducteur(s) autre(s) qu'au niobium-titane, présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. température critique, à une induction magnétique nulle, supérieure à 9,85 K (– 263,31 °C) mais inférieure à 24 K (– 249,16 °C);

2. section transversale inférieure à 0,28 × 10-4 mm2; et

3. persistance de l'état supraconducteur à une température de 4,2 K (– 268,96 °C) lorsqu'ils sont exposés à un champ magnétique correspondant à une induction de plus de 12 T.

fluides hydrauliques contenant comme ingrédient principal l'un des composés ou substances suivants:

1. Note technique:

huiles d'hydrocarbures synthétiques siliconés, présentant toutes les caractéristiques suivantes: Aux fins de l'alinéa 1C006.a.1., les huiles d'hydrocarbures siliconés contiennent exclusivement du silicium, de l'hydrogène et du carbone.

point d'éclair à plus de 477 K (204 °C);

point d'écoulement à 239 K (– 34 °C) ou moins;

indice de viscosité de 75 ou plus; et

stabilité thermique à 616 K (343 °C); ou

2. Note technique:

chlorofluorocarbures présentant toutes les caractéristiques suivantes: Aux fins de l'alinéa 1C006.a.2., les chlorofluorocarbures contiennent exclusivement du carbone, du fluor et du chlore.

pas de point d'éclair;

température d'allumage spontané à plus de 977 K (704 °C);

point d'écoulement à 219 K (– 54 °C) ou moins;

indice de viscosité de 80 ou plus; et

point d'ébullition à 473 K (200 °C) ou plus;

substances lubrifiantes contenant comme ingrédient principal l'un des composés ou substances suivants:

1. éthers ou thio-éthers de phénylènes, d'alkylphénylène, ou leurs mélanges, contenant plus de deux fonctions éther ou thio-éther ou leurs mélanges; ou

2. fluides silicones fluorés ayant une viscosité cinématique mesurée à 298 K (25 °C) inférieure à 5000 mm2/s (5000 centistokes);

fluides d'amortissement ou de flottaison d'une pureté supérieure à 99,8 %, contenant moins de 25 particules d'une taille égale ou supérieure à 200 μm pour 100 ml et constitués de 85 % au moins de l'un des composés ou substances suivants:

1. dibromotétrafluoréthane;

2. polychlorotrifluoroéthylène (modifications huileuses et cireuses seulement); ou

3. polybromotrifluoroéthylène;

liquides de refroidissement électroniques fluorocarbonés présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. une teneur en poids de 85 % ou plus de l'une des substances suivantes ou de leurs mélanges:

1. a.

perfluoropolyalkylether-triazines ou d'éthers perfluoroaliphatiques;

perfluoroalkylamines;

perfluorocyclanes; ou

perfluoroalcanes;

2. une masse volumique de 1,5 g/ml ou plus à 298 K (25 °C);

3. à l'état liquide à 273 K (0 °C); et

4. une teneur en poids en fluor supérieure ou égale à 60 %.

1CMatières Note technique: Note technique: Note technique: a.

le point d'éclair est déterminé au moyen de la méthode Cleveland à vase ouvert, décrite dans la norme D-92 de l'ASTM, ou des équivalents nationaux;

le point d'écoulement est déterminé au moyen de la méthode décrite dans la norme D-97 de l'ASTM, ou des équivalents nationaux;

l'indice de viscosité est déterminé au moyen de la méthode décrite dans la norme D-2270 de l'ASTM, ou des équivalents nationaux;

la stabilité thermique est déterminée au moyen de la méthode suivante, ou équivalents nationaux: L'échantillon est considéré comme thermiquement stable si, à la fin du processus décrit ci-dessus, toutes les conditions suivantes sont remplies:

20 ml du fluide à l'essai sont placés dans une chambre de 46 ml en acier inoxydable du type 317, contenant une bille de chacun des matériaux suivants: acier à outils M-10, acier 52100 et bronze de qualité de marine (60 % Cu, 39 % Zn, 0,75 % Sn); ces billes ont un diamètre (nominal) de 12,5 mm.

La chambre est purgée à l'azote, scellée sous pression atmosphérique et la température est portée à 644 ± 6 K (371 ± 6 °C) et maintenue à ce niveau pendant 6 heures.

1. la perte de poids pour chaque bille de métal est inférieure à 10 mg/mm2 de la surface de la bille;

2. l'abaissement de la viscosité initiale, établie à 311 K (38 °C), est inférieur à 25 %; et

3. l'indice d'acidité totale ou l'indice d'alcalinité totale est inférieur à 0,40;

la température d'allumage spontané est déterminée au moyen de la méthode décrite dans la norme E-659 de l'ASTM, ou des équivalents nationaux.

matériaux de base constitués de borures de titane simples ou complexes, ayant un total d'impuretés métalliques, non comprises les adjonctions intentionnelles, de moins de 5000 ppm, et une dimension particulaire moyenne égale ou inférieure à 5 micromètres, et n'ayant pas plus de 10 % de particules de plus de 10 μm;

matériaux céramiques non composites, sous forme brute ou de demi-produits, composés de borures de titane ayant une densité égale ou supérieure à 98 % de la valeur théorique; Note: L'alinéa 1C007.b. ne vise pas les abrasifs.

matériaux composites céramiques-céramiques à matrice de verre ou d'oxyde renforcés avec des fibres, présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. obtenus à partir de l'un quelconque des matériaux suivants:

1. a.

Si-N;

Si-C;

Si-Al-O-N; ou

Si-O-N; et

2. ayant une résistance spécifique à la traction supérieure à 12,7 × 103 m;

matériaux composites céramiques-céramiques, avec ou sans phase métallique continue, contenant des particules, des trichites ou des fibres, dans lesquels les carbures ou nitrures de silicium, de zirconium ou de bore constituent la matrice;

matériaux précurseurs, à savoir matériaux polymères ou métallo-organiques spéciaux, pour la production de toute(s) phase(s) des matériaux visés par l'alinéa 1C007.c., comme suit:

1. polydiorganosilanes (pour la production de carbure de silicium);

2. polysilazanes (pour la production de nitrure de silicium);

3. polycarbosilazanes (pour la production de céramiques à base de silicium, de carbone et d'azote);

matériaux composites céramiques-céramiques à matrice d'oxyde ou de verre, renforcés avec des fibres continues correspondant à l'un quelconque des systèmes suivants: Note: L'alinéa 1C007.f. ne vise pas les matériaux composites contenant des fibres correspondant à l'un de ces systèmes qui ont une résistance à la traction de moins de 700 MPa à 1273 K (1000 °C) ou une résistance au fluage en traction de plus de 1 % de déformation par fluage pour une charge de 100 MPa à 1273 K (1000 °C) pendant 100 heures.

1. Al2O3; ou

2. Si-C-N.

Note: L'alinéa 1C008.a. ne vise pas les poudres non fusibles de moulage par compression fusion ni les formes moulées.

1. bismaléimides;

2. polyamidimides aromatiques;

3. polyimides aromatiques;

4. polyétherimides aromatiques ayant une température de transition vitreuse (Tg) supérieure à 513 K (240 °C);

copolymères cristaux liquides thermoplastiques, ayant une température de déformation supérieure à 523 K (250 °C) mesurée conformément à la norme ISO 75-3 (2004), ou équivalents nationaux, sous une charge de 1,82 N/mm2, et composés de:

1. une des caractéristiques suivantes:

1. a.

phénylène, biphénylène ou naphtalène; ou

phénylène, biphénylène ou naphtalène substitués par du méthyle, du butyle tertiaire ou du phényle; et

2. l'un des acides suivants:

2. a.

acide téréphtalique;

acide 6-hydroxy 2-naphtoïque; ou

acide 4-hydroxybenzoïque;

polyarylène éther cétones, comme suit:

1. non utilisé;

2. polyéther cétone cétone (PEKK);

3. polyéther cétone (PEK);

4. polyéther cétone éther cétone cétone (PEKEKK);

polyarylène cétones;

sulfures de polyarylène, dans lesquels le groupe arylène est constitué de biphénylène, de triphénylène ou de leurs combinaisons;

polybiphénylènéthersulfone ayant une température de transition vitreuse (Tg) supérieure à 513 K (240 °C).

1CMatières Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: a.

copolymères de fluorure de vinylidène ayant une structure cristalline bêta de 75 % ou plus sans étirage;

polyimides fluorés, contenant 10 % ou plus de fluor combiné;

élastomères en phosphazène fluoré, contenant 30 % ou plus de fluor combiné.

matériaux fibreux ou filamenteux organiques présentant toutes les caractéristiques suivantes: Note: L'alinéa 1C010.a. ne vise pas le polyéthylène.

1. un module spécifique supérieur à 12,7 × 106 m; et

2. une résistance spécifique à la traction supérieure à 23,5 × 104 m;

b. Note technique:

matériaux fibreux ou filamenteux au carbone présentant toutes les caractéristiques suivantes: Note: L'alinéa 1C010.b. ne vise pas les tissus fabriqués à partir de matériaux fibreux ou filamenteux servant à réparer les structures d'aéronefs ni les laminés dont les dimensions ne dépassent pas 50 cm × 90 cm par feuille. Les propriétés des matériaux décrits à l'alinéa 1C010.b. doivent être déterminées par les méthodes recommandées SRM 12 à 17 de la SACMA, ou par des méthodes nationales équivalentes d'essais de câbles, telles que la Japanese Industrial Standard JIS-R-7601, paragraphe 6.6.2., et fondées sur la moyenne des lots.

1. un module spécifique supérieur à 12,7 × 106 m; et

2. une résistance spécifique à la traction supérieure à 23,5 × 104 m;

matériaux fibreux ou filamenteux inorganiques présentant toutes les caractéristiques suivantes: Note: L'alinéa 1C010.c. ne vise pas:

1. un module spécifique supérieur à 2,54 × 106 m; et

2. un point de fusion, de dissociation ou de sublimation supérieur à 1922 K (1649 °C) en environnement inerte;

1. les fibres d'alumine polycristalline, polyphasée et discontinue, sous forme de fibres hachées ou de nattes irrégulières, contenant 3 % ou plus en poids de silice et ayant un module spécifique inférieur à 10 × 106 m;

2. les fibres de molybdène et d'alliages de molybdène;

3. les fibres de bore;

4. les fibres céramiques discontinues dont le point de fusion, de dissociation ou de sublimation est inférieur à 2043 K (1770 °C) en environnement inerte.

matériaux fibreux ou filamenteux:

1. constitués de l'un des éléments suivants:

1. a.

polyétherimides visés par l'alinéa 1C008.a.; ou

substances visées par les alinéas 1C008.b. à 1C008.f.; ou

2. constitués de matériaux visés par l'alinéa 1C010.d.1.a. ou 1C010.d.1.b. et mélangés à d'autres fibres visées aux alinéas 1C010.a., 1C010.b. ou 1C010.c.;

e. Note technique:

fibres imprégnées de résine ou de brai (préimprégnées), fibres revêtues de métal ou de carbone (préformées), ou préformes de fibre de carbone, comme suit: Notes: L'alinéa 1C010.e. ne vise pas: La température de transition vitreuse (Tg) des substances visées à l'alinéa 1C010.e. est déterminée conformément à la méthode sèche décrite dans la norme ASTM D-3418. La température de transition vitreuse des résines phénoliques ou époxydes est déterminée conformément à la méthode sèche décrite dans la norme ASTM D-4065 à une fréquence de 1 Hz et à une vitesse de chauffage de 2 K (°C) par minute.

1. constituées de matériaux fibreux ou filamenteux visés aux alinéas 1C010.a., 1C010.b. ou 1C010.c.;

2. constituées de matériaux fibreux ou filamenteux organiques ou au carbone:

2. a.

avec une résistance spécifique à la traction supérieure à 17,7 × 104 m;

avec un module spécifique supérieur à 10,15 × 106 m;

non visées par les alinéas 1C010.a. ou 1C010.b.; et

lorsqu'elles sont imprégnées de substances visées par le paragraphe 1C008 ou l'alinéa 1C009.b., ayant une température de transition vitreuse (Tg) supérieure à 383 K (110 °C), ou de résines phénoliques ou époxydes, ayant une température de transition vitreuse (Tg) égale ou supérieure à 418 K (145 °C).

a.

les matériaux fibreux ou filamenteux au carbone imprégnés de résines époxydes (préimprégnés) servant à réparer les structures d'aéronefs ou les laminés, dont les dimensions ne dépassent pas 50 × 90 cm par feuille.

b.

les préimprégnés lorsqu'ils sont imprégnés de résines phénoliques ou époxydes ayant une température de transition vitreuse (Tg) inférieure à 433 K (160 °C) et une température de cuisson inférieure à la température de transition vitreuse.

a. Note technique:

métaux dont la dimension particulaire est inférieure à 60 μm, qu'ils soient à grains sphériques, atomisés, sphéroïdaux, en flocons ou pulvérisés, fabriqués à partir d'un matériau ayant une teneur de 99 % ou plus de zirconium, de magnésium et de leurs alliages; La teneur naturelle du zirconium en hafnium (généralement de 2 à 7 %) est comptée avec le zirconium. Note: Les métaux ou alliages énumérés à l'alinéa 1C011.a. sont visés, qu'ils soient ou non encapsulés dans de l'aluminium, du magnésium, du zirconium ou du béryllium.

le bore ou le carbure de bore d'une pureté supérieure ou égale à 85 % et dont la dimension particulaire est inférieure ou égale à 60 μm; Note: Les métaux ou alliages énumérés à l'alinéa 1C011.b. sont visés, qu'ils soient ou non encapsulés dans de l'aluminium, du magnésium, du zirconium ou du béryllium.

le nitrate de guanine;

nitroguanidine (NQ) (CAS 556-88-7).

1CMatières Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: a.

plutonium sous une forme quelconque dont la teneur isotopique en plutonium 238 est supérieure à 50 % en poids; Note: L'alinéa 1C012.a. ne vise pas:

a.

des envois portant sur une teneur en plutonium égale ou inférieure à 1 gramme;

b.

des envois égaux ou inférieurs à trois grammes effectifs lorsqu'ils sont contenus dans un organe détecteur d'un instrument.

neptunium 237 préalablement séparé, sous une forme quelconque. Note: L'alinéa 1C012.b. ne vise pas les envois ayant une teneur en neptunium 237 égale ou inférieure à 1 gramme.

les matériaux de structure et les revêtements spécialement conçus pour réduire la réflectivité radar;

les revêtements, y compris les peintures, spécialement conçus pour réduire ou adapter la réflectivité ou l'émissivité dans les bandes micro-onde, infrarouge ou ultraviolet du spectre électromagnétique.

1CMatières Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: a.

graphites à grain fin dont la masse volumique est égale ou supérieure à 1,72 g/cm3, mesurée à 288 K (15 °C), et dont la taille des grains est inférieure ou égale à 100 μm, utilisables dans les tuyères de fusées et les nez de corps de rentrée, qui peuvent être usinés pour obtenir les produits suivants: N.B.: Voir également 0C004.

1. cylindres d'un diamètre égal ou supérieur à 120 mm et d'une longueur égale ou supérieure à 50 mm;

2. tubes d'un diamètre intérieur égal ou supérieur à 65 mm et d'une épaisseur de paroi égale ou supérieure à 25 mm et d'une longueur égale ou supérieure à 50 mm; ou

3. blocs ayant des dimensions égales ou supérieures à 120 mm × 120 mm × 50 mm;

graphites pyrolytiques ou fibreux renforcés utilisables dans les tuyères de missiles et les nez de corps de rentrée; N.B.: Voir également 0C004.

matériaux composites céramiques (constante diélectrique inférieure à 6 à toute fréquence entre 100 MHz et 100 GHz), également utilisables dans les radomes de missiles;

blocs bruts usinables de céramiques non cuites renforcées au carbure de silicium, utilisables dans les nez des pointes avant de missiles.

substances propulsives:

1. Note technique:

poudre d'aluminium à grain sphérique, autre que celle visée dans la liste des matériels de guerre, composée de particules d'un diamètre uniforme inférieur à 200 μm, fabriquée à partir d'un matériau ayant une teneur en poids en aluminium supérieure ou égale à 97 %, si au moins 10 % du poids total est constitué de particules de moins de 63 μm selon la norme ISO 2591:1988 ou des normes nationales équivalentes; Une taille de particule de 63 μm (ISO R-565) correspond à 250 mesh (Tyler) ou 230 mesh (norme ASTM E-11).

2. Note technique:

combustibles métalliques, autres que ceux visés dans la liste des matériels de guerre, dont la dimension particulaire est inférieure à 60 μm, qu'ils soient à grains sphériques, atomisés, sphéroïdaux, en flocons ou pulvérisés, ayant une teneur en poids de 97 % ou plus de l'un ou de plusieurs éléments suivants: La teneur naturelle du zirconium en hafnium (généralement de 2 à 7 %) est comptée avec le zirconium.

2. a.

zirconium;

béryllium;

magnésium; ou

alliages des métaux mentionnés aux alinéas a. à c. ci-dessus;

3. oxydants liquides, comme suit:

3. a.

trioxyde d'azote;

dioxyde/tétroxyde d'azote;

pentoxyde d'azote;

d. Note technique:

oxydes d'azote mélangés (MON); Les oxydes d'azote mélangés (MON) sont des solutions d'oxyde nitrique (NO) dans des peroxydes d'azote/dioxydes d'azote (N2O4/NO2) pouvant être utilisés dans des systèmes de missiles. Plusieurs compositions peuvent être qualifiées de MONi ou MONij, où i et j sont des nombres entiers représentant le pourcentage d'oxyde d'azote dans le mélange (par exemple MON3 contient 3 % d'oxyde d'azote, MON25 contient 25 % d'oxyde d'azote. Une limite supérieure est MON40, 40 % en poids).

VOIR LISTE DES MATÉRIELS DE GUERRE POUR l'acide nitrique fumant rouge inhibé (ANFRI);

VOIR LISTE DES MATÉRIELS DE GUERRE ET 1C238 POUR les composés constitués de fluor et d'un ou plusieurs des éléments suivants: autres halogènes, oxygène, azote.

4. dérivés de l'hydrazine utilisables comme carburants pour fusées, autres que ceux visés dans la liste des matériels de guerre;

substances polymères:

1. polybutadiène carboxytéléchélique (PBCT);

2. polybutadiène hydroxytéléchélique (PBHT), autre que celui visé dans la liste des matériels de guerre;

3. polybutadiène acide acrylique (PBAA);

4. polybutadiène-acrylonitrile (PBAN);

autres additifs et agents de propulsion:

1. VOIR LISTE DES MATÉRIELS DE GUERRE POUR les carboranes, les décaboranes, les pentaboranes et leurs dérivés;

2. dinitrate de triéthylène glycol (TEGDN);

3. 2-nitrodiphénylamine;

4. trinitrate de triméthyloéthane (TMETN);

5. dinitrate de diéthylène glycol (DEGDN);

6. Dérivés du ferrocène, comme suit:

6. a.

Voir la liste des matériels de guerre pour le catocène;

ferrocène éthylique;

ferrocène propylique;

Voir la liste des matériels de guerre pour le ferrocène n-butylique;

ferrocène pentylique;

ferrocène dicyclopentylique;

ferrocène dicyclohexylique;

ferrocène diéthylique;

ferrocène dipropylique;

ferrocène dibutylique;

ferrocène dihexylique;

ferrocènes acétyliques;

voir la liste des matériels de guerre pour les acides ferrocène-carboxyliques;

Voir la liste des matériels de guerre pour le butacène;

autres dérivés du ferrocène utilisables comme modifiants de la vitesse de combustion du propergol pour fusées, autres que ceux visés dans la liste des matériels de guerre.

présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. contenant de 17,0 à 23,0 pour cent en poids de chrome et de 4,5 à 7,0 pour cent en poids de nickel;

2. une teneur en titane supérieure à 0,10 pour cent en poids; et

3. une microstructure ferro-austénitique (appelée aussi microstructure biphase) dont au moins 10 pour cent en volume est constitué d'austénite (selon la norme ASTM E-1181-87 ou des normes nationales équivalentes); et

se présentant sous l'une des formes suivantes:

1. lingots ou lames d'une taille égale ou supérieure à 100 mm dans chaque dimension;

2. feuilles d'une largeur égale ou supérieure à 600 mm et d'une épaisseur égale ou inférieure à 3 mm; ou

3. tubes ayant un diamètre extérieur égal ou supérieur à 600 mm et une épaisseur de paroi égale ou inférieure à 3 mm.

alliages d'aluminium présentant les deux caractéristiques suivantes:

1. ayant une résistance maximale à la traction égale ou supérieure à 460 MPa à 293 K (20 °C); et

2. sous forme de tubes ou de cylindres pleins (y compris des pièces forgées), dont le diamètre extérieur excède 75 mm;

alliages de titane présentant les caractéristiques suivantes:

1. ayant une résistance maximale à la traction égale ou supérieure à 900 MPa à 293 K (20 °C); et

2. sous forme de tubes ou de cylindres pleins (y compris des pièces forgées), dont le diamètre extérieur excède 75 mm.

1CMatières Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: a.

matériaux fibreux ou filamenteux au carbone ou à l'aramide, présentant l'une des caractéristiques suivantes: Note: L'alinéa 1C210.a. ne vise pas les matériaux fibreux ou filamenteux à l'aramide recouverts d'un modificateur d'aspect superficiel à base d'ester, selon une teneur en poids de 0,25 % ou plus.

1. un module spécifique égal ou supérieur à 12,7 × 106 m; ou

2. une résistance spécifique à la traction égale ou supérieure à 235 × 103 m;

matériaux fibreux ou filamenteux à base de verre, présentant les deux caractéristiques suivantes;

1. un module spécifique égal ou supérieur à 3,18 × 106 m; et

2. une résistance spécifique à la traction égale ou supérieure à 76,2 × 103 m;

c. Note technique:

torons, nappes, mèches ou bandes, continus imprégnés de résine thermodurcie dont la largeur est égale ou inférieure à 15 mm (une fois préimprégnés), fabriqués en matériaux fibreux ou filamenteux au carbone ou à base de verre visés à l'alinéa 1C210.a. ou 1C210.b. La résine constitue la matrice du composite.

1CMatières Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: a.

en formes ayant une cylindricosymétrie creuse (y compris des segments de cylindre) avec un diamètre intérieur entre 100 mm et 300 mm; et

une masse supérieure à 20 kg.

contenant moins de 1000 ppm en poids d'impuretés métalliques autres que du magnésium; et

contenant moins de 10 ppm en poids de bore.

contenant à la fois moins de 200 ppm en poids d'impuretés métalliques autres que du calcium; et

contenant moins de 10 ppm en poids de bore.

une pureté de 99,99 % ou plus en poids; et

contenant moins de 10 ppm en poids d'argent.

les fenêtres métalliques pour appareillages à rayon X ou pour dispositifs de diagraphie;

les formes d'oxyde finies ou semi-finies spécialement conçues pour des pièces de composants électroniques ou comme supports de circuits électroniques;

le béryl (silicate de béryllium et d'aluminium) sous la forme d'émeraudes ou d'aigues-marines.

1CMatières Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: a.

élémentaire;

composés dont l'activité alpha totale est de 37 GBq/kg (1 Ci/kg) ou plus;

mélanges dont l'activité alpha totale est de 37 GBq/kg (1 Ci/kg) ou plus;

produits ou dispositifs contenant l'un de ces éléments.

les applicateurs médicaux;

les produits ou dispositifs contenant moins de 0,37 GBq (100 millicuries) de radium 226.

poudre de nickel présentant les deux caractéristiques suivantes:

1. un degré de pureté de 99,0 % en poids ou plus; et

2. une dimension particulaire moyenne inférieure à 10 μm, mesurée selon la norme B-330 de l'ASTM;

nickel sous forme de métal poreux obtenu à partir des matières spécifiées à l'alinéa 1C240.a.

les poudres de nickel filamenteux;

les feuilles simples de nickel poreux d'une superficie de 1000 cm2 par feuille ou moins.

1CMatières Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique:

1. Thiodiglycol (111-48-8);

2. Oxychlorure de phosphore (10025-87-3);

3. Méthylphosphonate de diméthyle (756-79-6);

4. VOIR LISTE DES MATÉRIELS DE GUERRE POUR: Difluorure méthylphosphonique (676-99-3);

5. Dichlorure méthylphosphonique (676-97-1);

6. Phosphonate de diméthyle (DMP) (868-85-9);

7. Trichlorure de phosphore (7719-12-2);

8. Phosphite de triméthyle (TMP) (121-45-9);

9. Dichlorure de thionyl (7719-09-7);

10. 1-méthylpipéridine-3-ol (3554-74-3);

11. 2-chloro-N, N-diisopropyléthylamine (96-79-7);

12. N,N-diisopropyl-2-aminoéthanethiol (5842-07-9);

13. Quinuclidine-3-ol (1619-34-7);

14. Fluorure de potassium (7789-23-3);

15. 2-chloroéthanol (107-07-3);

16. Diméthylamine (124-40-3);

17. Ethylphosphonate de diéthyle (78-38-6);

18. N, N-diméthylphosphoramidate de diéthyle (2404-03-7);

19. Phosphonate de diéthyle (762-04-9);

20. Chlorure de diméthylammonium (506-59-2);

21. Dichloroéthylphosphine (1498-40-4);

22. Dichlorure éthylphosphonique (1066-50-8);

23. VOIR LISTE DES MATÉRIELS DE GUERRE POUR: Difluorure éthylphosphonique (753-98-0);

24. Fluorure d'hydrogène (7664-39-3);

25. Benzylate de méthyle (76-89-1);

26. Dichlorure méthylphosphoneux (676-83-5);

27. 2-diisoprophylaminoéthanol (96-80-0);

28. 3,3-diméthylbutane-2-ol (464-07-03);

29. VOIR LISTE DES MATÉRIELS DE GUERRE POUR: O-éthyle-2-diisopropylamino éthyle méthyle phosphonite (QL) (57856-11-8);

30. Phosphite de triéthyle (122-52-1);

31. Trichlorure d'arsenic (7784-34-1);

32. Acide benzylique (76-93-7);

33. Méthylphosphonite de 0,0-diéthyle (15715-41-0);

34. Diméthyléthylphosphonate (6163-75-3);

35. Ethylphosphinyldifluorure (430-78-4);

36. Méthylphosphinyldifluorure (753-59-3);

37. Quinuclidine-3-one (3731-38-2);

38. Pentachlorure de phosphore (10026-13-8);

39. 3,3-diméthylbutanone (pinacolone) (75-97-8);

40. Cyanure de potassium (151-50-8);

41. Hydrogénodifluorure de potassium (7789-29-9);

42. Hydrogénodifluorure d'ammonium ou bifluorure d’ammonium (1341-49-7);

43. Fluorure de sodium (7681-49-4);

44. Bifluorure de sodium (1333-83-1);

45. Cyanure de sodium (143-33-9);

46. 2,2,2-nitriloéthanol (102-71-6);

47. Pentasulphure de diphosphore (1314-80-3);

48. Diisopropylamine (108-18-9);

49. 2-diéthylaminoéthanol (100-37-8);

50. Sulfure de sodium (1313-82-2);

51. Chlorure de soufre (10025-67-9);

52. Dichlorure de soufre (10545-99-0);

53. Chlorure de tris(2-hydroxyéthyl) ammonium (637-39-8);

54. Chlorure de 2-chloroéthyldiisopropylammonium (4261-68-1);

55. Acide méthylphosphonique (993-13-5);

56. Méthylphosphonate de diéthyle (683-08-9);

57. Dichlorure de N,N-diméthylaminophosphoryle (677-43-0);

58. Phosphite de triisopropyle (116-17-6);

59. Éthyldiéthanolamine (139-87-7);

60. Phosphorothioate de O,O-diéthyle (2465-65-8);

61. Phosphorodithioate de O,O-diéthyle (298-06-6);

62. Hexafluorosilicate de sodium (16893-85-9);

63. Dichlorure méthylphosphonothioïque (676-98-2).

Virus (qu'ils soient naturels, renforcés ou modifiés, sous forme de cultures vivantes isolées ou de matériel, y compris du matériel vivant délibérément inoculé ou contaminé avec ces cultures), comme suit:

1. Virus Chikungunya;

2. Virus de la fièvre hémorragique de Crimée-Congo;

3. Virus de la fièvre de la Dengue;

4. Virus de l'encéphalite équine de l'Est;

5. Virus Ebola;

6. Virus Hantaan;

7. Virus Junin;

8. Virus de la fièvre de Lassa;

9. Virus de la chorioméningite lymphocytaire;

10. Virus Machupo;

11. Virus Marburg;

12. Virus de la variole du singe;

13. Virus de fièvre de la vallée du Rift;

14. Virus des encéphalites transmises par les tiques (virus de l'encéphalite verno-estivale russe);

15. Virus de la variole;

16. Virus de l'encéphalite équine du Venezuela;

17. Virus de l'encéphalite équine de l'Ouest;

18. Virus de la variole blanche;

19. Virus de la fièvre jaune;

20. Virus de l'encéphalite japonaise;

21. Virus de la maladie de la forêt de Kyasanur;

22. Virus louping ill;

23. Virus de l'encéphalite de Murray Valley;

24. Virus de la fièvre hémorragique d'Omsk;

25. Virus Oropouche;

26. Virus de Powassan;

27. Virus Rocio;

28. Virus de l'encéphalite de Saint-Louis;

29. Virus de Hendra (morbillivirus équin);

30. Virus des fièvres hémorragiques d'Amérique du Sud (Sabia, Flexal, Guanarito);

31. Virus de la fièvre hémorragique avec syndrome rénal et pulmonaire (Séoul, Dobrava, Puumala, Sin Nombre);

32. Virus Nipah.

Rickettsies (qu'elles soient naturelles, renforcées ou modifiées, sous forme de cultures vivantes isolées ou de matériel, y compris du matériel vivant délibérément inoculé ou contaminé par ces cultures), comme suit:

1. Coxiella burnetii;

2. Bartonella quintana (Rochalimaea quintana, Rickettsia quintana);

3. Rickettsia prowasecki;

4. Rickettsia rickettsii.

Bactéries (qu'elles soient naturelles, renforcées ou modifiées, sous forme de cultures vivantes isolées ou de matériel, y compris du matériel vivant délibérément inoculé ou contaminé par ces cultures), comme suit:

1. Bacillus anthracis;

2. Brucella abortus;

3. Brucella melitensis;

4. Brucella suis;

5. Chlamydia psyttaci;

6. Clostridium botulinum;

7. Francisella tularensis;

8. Burkholderia mallei (Pseudomonas mallei);

9. Burkholderia pseudomallei (Pseudomonas pseudomallei);

10. Salmonella typhi;

11. Shigella dysenteriae;

12. Vibrio cholerae;

13. Yersinia pestis;

14. Clostridium perfringens, types producteurs de la toxine epsilon;

15. Escherichia coli entérohémorragique, de sérotype O157 et autres types producteurs de vérotoxine.

Toxines, comme suit, ainsi que leurs sous-unités de toxines: Note: L'alinéa 1C351.d. ne vise pas les toxines botuliniques contenues dans des produits répondant à tous les critères suivants:

1. Toxines botuliniques;

2. Toxines de Clostridium perfringens;

3. Conotoxine;

4. Ricine;

5. Saxitoxine;

6. Shigatoxine;

7. Toxines de Staphylococcus aureus;

8. Tétrodotoxine;

9. Vérotoxine;

10. Microcystine (Cyanginosine);

11. Aflatoxines;

12. Abrine;

13. Toxine cholérique;

14. Toxine de diacetoxyscirpenol;

15. Toxine T-2;

16. Toxine HT-2;

17. Modeccine;

18. Volkensine;

19. Viscum album Lectin 1 (Viscumine).

1. formulations pharmaceutiques destinées à être administrées à l'homme dans le cadre d'un traitement médical;

2. préemballés en vue de leur distribution comme produits médicaux;

3. autorisés par une autorité publique à être commercialisés comme produits médicaux.

1. Virus de la fièvre porcine africaine;

2. Virus de l'influenza aviaire, qui sont:

2. a.

Non caractérisés; ou

Ceux définis par la directive 92/40/CEE (JO L 167 du 26.2.1992, p. 1) comme ayant un haut pouvoir pathogène, comme suit:

1. Virus de type A ayant un IPIV (indice de pathogénéité intraveineuse) supérieur à 1,2 chez des poulets de 6 semaines; ou

2. Virus de type A, sous-types H5 ou H7, pour lesquels le séquençage nucléotide a mis en évidence des acides aminés de base multiples au site de clivage de l'hémaglutinine;

3. Virus langue bleue;

4. Virus de la maladie de la main et du pied;

5. Virus de la variole caprine;

6. Virus de l'herpès porcin (maladie d'Aujesky);

7. Virus de la fièvre ovine (virus du choléra de Hog);

8. Virus Lyssa;

9. Virus de la maladie de Newcastle;

10. Virus de la peste des petits ruminants;

11. Entérovirus porcin de type 9 (virus de la maladie vésiculaire du porc);

12. Virus de la peste bovine;

13. Virus de la variole ovine;

14. Virus de la maladie de Teschen;

15. Virus de la stomatite vésiculaire;

16. Virus de la dermatose nodulaire contagieuse;

17. Virus de la peste équine.

Mycoplasma mycoïdes, qu'ils soient naturels, renforcés ou modifiés, sous forme de cultures vivantes isolées ou de matériel, y compris du matériel vivant délibérément inoculé ou contaminé par ces mycoplasmas mycoïdes.

organismes génétiquement modifiés ou éléments génétiques qui contiennent des séquences d'acide nucléique associées au caractère pathogène des organismes visés aux alinéas 1C351.a. à c. ou aux paragraphes 1C352 ou 1C354;

organismes génétiquement modifiés ou éléments génétiques qui contiennent des séquences d'acide nucléique pouvant coder l'une quelconque des toxines visées à l'alinéa 1C351.d. ou de leurs sous-unités de toxines.

1CMatières Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Notes techniques: 1.2. a.

représente, en elle-même ou à travers les produits issus de sa transcription ou de sa traduction, un danger important pour la santé humaine, animale ou végétale; ou

est réputée renforcer la capacité d'un micro-organisme déterminé, ou de tout autre organisme dans lequel elle peut être insérée ou intégrée d'une autre manière, à nuire gravement aux hommes, aux animaux ou à la santé des plantes.

1. Virus andin latent de la pomme de terre;

2. Viroïde de la filosité des tubercules de la pomme de terre;

Bactéries (qu'elles soient naturelles, renforcées ou modifiées, sous forme de cultures vivantes isolées ou de matériel qui a délibérément été inoculé ou contaminé par ces cultures), comme suit:

1. Xanthomonas albilineans;

2. Xanthomonas campestris pv. citri, y compris les souches désignées par Xanthomonas campestris pv. citri de types A, B, C, D, E ou autrement classifiées comme étant Xanthomonas citri, Xanthomonas campestris pv. aurantifolia ou Xanthomonas campestris pv. citrumelo;

3. Xanthomonas oryzae pv. Oryzae (Pseudomonas campestris pv. Oryzae);

4. Clavibacter michiganensis subsp. Sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. Sepedonicum or Corynebacterium Sepedonicum);

5. Ralstonia solanacearum races 2 et 3 (Pseudomonas solanacearum races 2 et 3 ou Burkholderia solanacearum races 2 et 3);

Champignons (qu'ils soient naturels, renforcés ou modifiés, sous forme de cultures vivantes isolées ou de matériel qui a délibérément été inoculé ou contaminé par de telles cultures), comme suit:

1. Colletotrichum coffeanum var. virulans (Colletotrichum kahawae);

2. Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae);

3. Microcyclus ulei (syn. Dothidella ulei);

4. Puccinia graminis (syn. Puccinia graminis F. sp. tritici);

5. Puccinia striiformis (syn. Puccinia glumarum);

6. Magnaporthe grisea (Pyricularia grisea/pyricularia oryzae);

Produits chimiques toxiques, comme suit: Note 1: Pour les exportations vers des États non parties à la Convention sur les armes chimiques, le paragraphe 1C450 ne vise pas les mélanges chimiques contenant une ou plusieurs des substances chimiques visées aux alinéas 1C450.a.1. et .a.2. dont aucune des substances spécifiées ne constitue plus de 1 % en poids du mélange. Note 2: Pour les exportations vers des États parties à la Convention sur les armes chimiques, le paragraphe 1C450 ne vise pas les mélanges chimiques contenant une ou plusieurs des substances chimiques visées aux alinéas 1C450.a.1. et .a2. dont aucune des substances spécifiées ne constitue plus de 30 % en poids du mélange. Note 3: Le paragraphe 1C450 ne vise pas les mélanges chimiques contenant une ou plusieurs des substances chimiques visées aux alinéas 1C450.a.4., .a.5., .a.6. et .a.7. dont aucune des substances spécifiées ne constitue plus de 30 % en poids du mélange.

1. Amiton: phosphorothiolate de 0,0-diéthyle et de S-[2-(diéthylamino)éthyle] et les sels alkylés ou protonés correspondants (78-53-5);

2. PFIB: 1,1,3,3,3-pentafluoro-(triofluorométhyl) propène (382-21-8);

3. VOIR LISTE DES MATÉRIELS DE GUERRE POUR BZ: Benzilate de 3-quinuclidinyl (6581-06-2);

4. Phosgène: Diochlorure de carbonyle (75-44-5);

5. Chlorure de cyanogène (506-77-4);

6. Cyanure d’hydrogène (74-90-8);

7. Chloropicrine: trichloronitrométhane (76-06-2);

Précurseurs de produits chimiques toxiques, comme suit: Note 1: Pour les exportations vers des États non parties à la Convention sur les armes chimiques, le paragraphe 1C450 ne vise pas les mélanges chimiques contenant une ou plusieurs des substances chimiques visées aux alinéas 1C450.b.1., .b.2., .b.3., .b.4., .b.5. et .b.6. dont aucune des substances spécifiées ne constitue plus de 10 % en poids du mélange. Note 2: Pour les exportations vers des États parties à la Convention sur les armes chimiques, le paragraphe 1C450 ne vise pas les mélanges chimiques contenant une ou plusieurs des substances chimiques visées aux alinéas 1C450.b.1., .b.2., .b.3., .b.4., .b.5. et .b.6. dont aucune des substances spécifiées ne constitue plus de 30 % en poids du mélange. Note 3: Le paragraphe 1C450 ne vise pas les mélanges chimiques contenant une ou plusieurs des substances chimiques visées à l'alinéa 1C450.b.8. dont aucune des substances spécifiées ne constitue plus de 30 % en poids du mélange.

1. Produits chimiques, autres que ceux cités sur la liste des matériels de guerre ou au paragraphe 1C350, contenant un atome de phosphore auquel est lié un groupe méthyle, éthyle, n-propyle ou iso-propyle, sans autres atomes de carbone; Note: L'alinéa 1C450.b.1. ne vise pas le Fonofos: éthyldithiophosphonate de O-éthyle et de S-phényle (944-22-9).

2. Dihalagénures N,N-dialky (Me, Et,n-Pr ou iso-Pr) phosphoramidiques;

3. N,N-dialkyle (Me, Et, n-Pr ou iso-Pr) phosphoramidiques de dialkyle (Me, Et, n-Pr ou iso-Pr) autres que N, N diméthylphosphoramidate de diéthyl visé au paragraphe 1C350;

4. Chlorures de N,N-2-dialkyl (Me, Et,n-Pr ou iso-Pr) aminpéthyle et les sels protonés correspondants, autres que 2-chloro-N,N-diisopropyléthylamine et chlorure de 2-chloroéthyldiisopropylammonium visés au paragraphe 1C350;

5. N-N-2-dialkyl (Me, Et,n-Pr ou iso-Pr) aminoéthanols et les sels protonés correspondants autres que 2-diisopropylaminoéthanol (96-80-0) et 2-diéthylaminoéthanol (100-37-8) visés au paragraphe 1C350; Note: L'alinéa 1C450.b.5. ne vise pas:

5. a.

le N,N-Diméthylaminoéthanol (108-01-0) et les sels protonés correspondants;

les sels protonés de N,N-Diéthylaminoéthanol (100-37-8).

6. N,N-dialkyl (Me, Et,n-Pr ou iso-Pr) aminoéthanethiol et les sels protonés correspondants; autres que N,N-diisopropyl-2-aminoéthanethiol visé au paragraphe 1C350;

7. Pour l'éthyldiéthanolamine (139-87-7), voir le paragraphe 1C350;

8. Méthyldiéthanolamine (105-59-9).

1DLogiciel 1D001Logiciel spécialement conçu ou modifié pour le développement, la production ou l'utilisation des équipements visés aux paragraphes 1B001 à 1B003. 1D002Logiciel pour le développement de produits laminés ou de matériaux composites à matrice organique, métallique ou de carbone. 1D101Logiciel spécialement conçu ou modifié pour l'utilisation des produits visés au paragraphe 1B101, 1B102, 1B115, 1B117, 1B118 ou 1B119. 1D103Logiciel spécialement conçu pour l'analyse des observables réduits tels que la réflectivité radar, les signatures infrarouges/ultraviolettes et les signatures acoustiques. 1D201Logiciel spécialement conçu pour l'utilisation des produits visés au paragraphe 1B201.

1ETechnologie

1E001Technologie, au sens de la note générale relative à la technologie, pour le développement ou la production des équipements ou matériaux visés par les alinéas 1A001.b., 1A001.c., les paragraphes 1A002 à 1A005 et les sous-catégories 1B ou 1C. 1E002Autres technologies, comme suit: 1E101Technologie, au sens de la note générale relative à la technologie, pour l'utilisation des produits visés aux paragraphes 1A102, 1B001, 1B101, 1B102, 1B115 à 1B119, 1C001, 1C101, 1C107, 1C111 à 1C117, 1D101 ou 1D103. 1E102Technologie, au sens de la note générale relative à la technologie, pour le développement des logiciels visés aux paragraphes 1D001, 1D101 ou 1D103. 1E103Technologie pour le réglage de la température, de la pression ou de l'atmosphère des autoclaves ou des hydroclaves utilisés pour la production de composites ou de composites partiellement traités. 1E104Technologie relative à la production de matériaux obtenus par pyrolyse mis en forme sur un moule, mandrin ou tout autre support à partir de précurseurs gazeux qui se décomposent entre 1573 K (1300 °C) et 3173 K (2900 °C), et sous des pressions de 130 Pa à 20 kPa. Note: Le paragraphe 1E104 comprend la technologie pour la composition de précurseurs gazeux, des schémas et paramètres de commande des débits et des processus. 1E201Technologie, au sens de la note générale relative à la technologie, pour l'utilisation des biens visés aux paragraphes 1A002, 1A202, 1A225 à 1A227, 1B201, 1B225 à 1B233, aux alinéas 1C002.b.3. ou b.4., 1C010.b. et aux paragraphes 1C202, 1C210, 1C216, 1C225 à 1C240 ou 1D201. 1E202Technologie, au sens de la note générale relative à la technologie, pour le développement ou la production des biens visés aux paragraphes 1A202 ou 1A225 à 1A227. 1E203Technologie, au sens de la note générale relative à la technologie, pour le développement des logiciels visés au paragraphe 1D201.

Technologie pour le développement ou la production des polybenzothiazoles ou des polybenzoxazoles;

Technologie pour le développement ou la production de composés de fluoroélastomères contenant au moins un monomère de vinyléther;

Technologie pour la conception ou la production des matériaux de base ou des matériaux céramiques non composites suivants:

1. Matériaux de base présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. a.

L'une des compositions ci-après:

1. Oxydes de zirconium simples ou complexes et oxydes complexes de silicium ou d'aluminium;

2. Nitrures de bore simples (formes cristallines cubiques);

3. Carbures de silicium ou de bore simples ou complexes; ou

4. Nitrures de silicium simples ou complexes;

Total d'impuretés métalliques, non comprises les adjonctions intentionnelles, de moins de:

1. 1000 ppm pour les oxydes simples ou les carbures simples; ou

2. 5000 ppm pour les composés complexes ou les nitrures simples; et

L'un des matériaux suivants:

1. oxyde de zirconium ayant une dimension moyenne des particules égale ou inférieure à 1 μm et n'ayant pas plus de 10 % de particules d'une dimension supérieure à 5 μm;

2. autres matériaux de base ayant une dimension moyenne de particule égale ou inférieure à 5 μm et n'ayant pas plus de 10 % de particules d'une dimension supérieure à 10 μm; ou

3. présentant toutes les caractéristiques suivantes:

3. a.

plaquettes dont le rapport longueur/épaisseur est supérieur à 5;

trichites dont le rapport longueur/diamètre est supérieur à 10 pour des diamètres inférieurs à 2 μm; et

fibres continues ou hachées d'un diamètre inférieur à 10 μm;

2. Matériaux céramiques non composites composés des matériaux énumérés à l'alinéa 1E002.c.1.; Note: L'alinéa 1E002.c.2. ne vise pas la technologie pour la conception ou la production d'abrasifs.

Technologie pour la production de fibres polyamides aromatiques;

Technologie pour l'installation, la maintenance ou la réparation des matériaux visés par le paragraphe 1C001;

Technologie pour la réparation des structures ou produits stratifiés composites visés au paragraphe 1A002 ou aux alinéas 1C007.c. ou 1C007.d. Note: L'alinéa 1E002.f. ne vise pas la technologie pour la réparation de structures d'aéronefs civils au moyen de matériaux fibreux ou filamenteux au carbone et de résines époxydes, qui figure dans les manuels des fabricants.

CATÉGORIE 2 TRAITEMENT DES MATÉRIAUX

2AÉquipements, ensembles et composants Note technique:

N.B.: Pour les roulements silencieux, voir la liste des matériels de guerre. 2A001Roulements antifriction et systèmes de roulement suivants et leurs composants: Note: Le paragraphe 2A001 ne vise pas les billes ayant des tolérances spécifiées par le fabricant classées suivant la norme ISO 3290 classe 5 ou pires. 2A225Creusets fabriqués en matériaux résistant aux métaux actinides liquides, comme suit: 2A226Valves présentant les caractéristiques suivantes: Pour les valves ayant des diamètres différents à l'entrée et à la sortie, on entend par taille nominale au paragraphe 2A226 le diamètre le plus petit.

2AÉquipements, ensembles et composants a.

Roulements à billes ou roulements à rouleaux massifs, ayant toutes les tolérances spécifiées par le fabricant classées suivant la norme ISO 492 Classe de tolérance 4 (ou ANSI/ABMA Std 20 Classe de tolérance ABEC-7 ou RBEC-7, ou équivalents nationaux) ou meilleures, et ayant des bagues ainsi que des éléments rotatifs en métal monel ou en béryllium; Note: L'alinéa 2A001.a. ne vise pas les roulements à rouleaux coniques.

Autres roulements à billes et roulements à rouleaux massifs, ayant toutes les tolérances spécifiées par le fabricant classées suivant la norme ISO 492 Classe de tolérance 2 (ou ANSI/ABMA Std 20 Classe de tolérance ABEC-9 ou RBEC-9, ou équivalents nationaux) ou meilleures; Note: L'alinéa 2A001.b. ne vise pas les roulements à rouleaux coniques.

Systèmes de paliers magnétiques actifs utilisant l'un des éléments suivants:

1. Matériaux ayant des densités de flux de 2.0 T ou plus et des limites élastiques supérieures à 414 MPa;

2. Polariseurs homopolaires tridimensionnels entièrement électromagnétiques pour actionneurs; ou

3. Capteurs de position à haute température [450 K (117 °C) ou plus].

creusets présentant les deux caractéristiques suivantes:

1. un volume compris entre 150 et 8000 cm3; et

2. fabriqués en ou recouverts d'une couche de l'un quelconque des matériaux ci-dessous ayant une pureté égale ou supérieure à 98 % en poids:

2. a.

fluorure de calcium (CaF2);

zirconate de calcium (métazirconate) (CaZrO3);

sulfure de cérium (Ce2S3);

oxyde d'erbium (erbine) (Er2O3);

oxyde de hafnium (hafnone) (HfO2);

oxyde de magnésium (MgO);

alliage nitruré niobium-titane-tungstène (environ 50 % Nb, 30 % Ti, 20 % W);

oxyde d'yttrium (yttria) (Y2O3); ou

oxyde de zirconium (zircone) (ZrO2);

creusets présentant les deux caractéristiques suivantes:

1. un volume compris entre 50 et 2000 cm3; et

2. fabriqués ou à revêtement interne en tantale d'une pureté égale ou supérieure à 99,9 % en poids;

creusets présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. un volume compris entre 50 et 2000 cm3;

2. fabriqués ou à revêtement interne en tantale d'une pureté égale ou supérieure à 98 % en poids; et

3. recouverts d'une couche de carbure, nitrure ou borure de tantale, ou d'une combinaison quelconque de ces trois substances.

une taille nominale égale ou supérieure à 5 mm;

munies d'un obturateur à soufflet; et

faites entièrement ou revêtues intérieurement d'une couche d'aluminium, d'alliage d'aluminium, de nickel ou d'alliage de nickel contenant plus de 60 % de nickel en poids.

2BÉquipement d'essai, d'inspection et de production Notes techniques: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Notes techniques: Note technique: Note technique: Notes techniques: Note technique:

2B001Machines-outils et toute combinaison de celles-ci, pour l'enlèvement ou la découpe des métaux, céramiques ou matériaux composites pouvant, conformément aux spécifications techniques du fabricant, être équipées de dispositifs électroniques pour la commande numérique et de composants spécialement conçus, comme suit: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 2B201. Note 1: Le paragraphe 2B001 ne vise pas les machines-outils spéciales limitées à la fabrication d'engrenages. Pour ces machines, voir le paragraphe 2B003. Note 2: Le paragraphe 2B001 ne vise pas les machines-outils spéciales limitées à la fabrication de l'un des composants suivants: Note 3: Une machine-outil présentant au moins deux des trois propriétés suivantes: tournage, fraisage ou meulage (par exemple: une machine à tourner permettant le fraisage), doit faire l'objet d'une évaluation en fonction de chaque alinéa pertinent 2B001.a., b. ou c. 2B002Machines-outils à commande numérique utilisant une technique de finition magnétorhéologique, équipées pour produire des surfaces non sphériques et présentant l'une des caractéristiques suivantes: Aux fins du paragraphe 2B002, on entend par technique de finition magnétorhéologique une technique d'abrasion utilisant un fluide magnétique abrasif dont la viscosité est contrôlée par un champ magnétique. 2B003Machines-outils à commande numérique ou manuelles et leurs composants, commandes et accessoires spécialement conçus, spécialement conçues pour raser, finir, rectifier ou roder les engrenages droits et à denture hélicoïdale et hélicoïdale double, durcis (Rc = 40 ou supérieur), ayant un diamètre du cercle primitif supérieur à 1250 mm et une largeur de denture de 15 % ou plus du diamètre du cercle primitif, finis jusqu'à une qualité AGMA 14 ou meilleure (équivalent à ISO 1328 classe 3). 2B004Presses isostatiques à chaud, présentant toutes les caractéristiques suivantes, et composants et accessoires spécialement conçus: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 2B104 et 2B204. La dimension de la cavité de travail désigne le diamètre intérieur de la cavité de travail de la presse dans laquelle la température et la pression de travail sont réalisées et ne comprend pas les dispositifs de montage. Cette dimension désignera, selon celle des deux chambres qui contient l'autre, soit le diamètre intérieur de la chambre haute pression, soit le diamètre intérieur de la chambre isolée du four, la valeur prise en considération étant la plus petite. N.B.: Pour les matrices, moules et outils spécialement conçus, voir 1B003, 9B009 et les listes de matériels de guerre. 2B005Équipements spécialement conçus pour le dépôt, le traitement et le contrôle en cours d'opération de recouvrements, revêtements et modifications de surfaces inorganiques, comme suit, pour les substrats non électroniques, par des procédés mentionnés dans le tableau suivant l'alinéa 2E003.f. et dans les notes associées, leurs composants de manutention, placement, manipulation et commande automatisés spécialement conçus: Note: Le paragraphe 2B005 ne vise pas les équipements pour le dépôt chimique en phase vapeur, pour le dépôt par arc cathodique, pour le dépôt par pulvérisation cathodique, pour le placage ionique ou pour l'implantation ionique, spécialement conçus pour outils de coupe ou d'usinage. 2B006Systèmes de contrôle dimensionnel ou de mesure, équipements et ensembles électroniques comme suit: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 2B206. Note: Les machines-outils pouvant servir de machines de mesure sont visées si elles correspondent aux critères établis pour la fonction de machines-outils ou la fonction de machines de mesure, ou si elles dépassent ces critères. 2B007Robots présentant l'une des caractéristiques suivantes et leurs unités de commande et effecteurs terminaux spécialement conçus: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 2B207. 2B008Ensembles ou unités spécialement conçus pour machines-outils, ou les systèmes ou équipements de contrôle dimensionnel ou de mesure, comme suit: 2B009Machines de tournage centrifuge et machines de fluotournage qui, conformément aux spécifications techniques du fabricant, peuvent être équipées d'unités de commande numérique ou d'une commande par ordinateur et présentant toutes les caractéristiques suivantes: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 2B109 ET 2B209. Pour les besoins du paragraphe 2B009, les machines combinant les fonctions de tournage centrifuge et de fluotournage sont assimilées à des machines de fluotournage. 2B104Presses isostatiques, autres que celles visées au paragraphe 2B004, présentant toutes les caractéristiques suivantes: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 2B204. 2B105Fours pour dépôt chimique en phase vapeur (CVD), autres que ceux visés à l'alinéa 2B005.a., conçus ou modifiés pour la densification des matériaux composites carbone-carbone. 2B109Machines de fluotournage, autres que celles visées au paragraphe 2B009, et leurs composants spécialement conçus, comme suit: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 2B209. Note: Le paragraphe 2B109 ne vise pas les machines non utilisables pour la production des composants et équipements de propulsion (par exemple les corps de propulseurs) pour les systèmes visés au paragraphe 9A005, aux alinéas 9A007.a. ou 9A105.a. Pour les besoins du paragraphe 2B109, les machines combinant les fonctions de tournage centrifuge et de fluotournage sont assimilées à des machines de fluotournage. 2B116Systèmes d'essais aux vibrations, équipements et composants, comme suit: Au paragraphe 2B116, l'expression table nue désigne une table plate ou une surface sans installation ni équipement. 2B117Commandes des équipements et processus, autres que ceux spécifiés en 2B004, 2B005.a, 2B104 ou 2B105, conçus ou modifiés pour la densification et la pyrolyse des pièces composites des tuyères de fusées et des nez de véhicules de rentrée. 2B119Machines d'équilibrage et équipements connexes, comme suit: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 2B219. 2B120Simulateurs de mouvement ou tables rotatives présentant toutes les caractéristiques suivantes: Note: Le paragraphe 2B120 ne vise pas les tables rotatives conçues ou modifiées pour des machines-outils ou des équipements médicaux. Pour les commandes de tables rotatives de machines-outils, voir le paragraphe 2B008. 2B121Tables de positionnement (équipements capables d'effectuer un positionnement rotatif précis dans n'importe quel axe), autres que celles visées au paragraphe 2B120, présentant toutes les caractéristiques suivantes: Note: Le paragraphe 2B121 ne vise pas les tables rotatives conçues ou modifiées pour des machines-outils ou des équipements médicaux. Pour les commandes de tables rotatives de machines-outils, voir le paragraphe 2B008. 2B122Centrifugeuses capables d'accélérations de plus de 100 g et ayant des bagues collectrices capables de transmettre un courant électrique et/ou des informations de signal. 2B201Machines-outils et toutes combinaisons de celles-ci, autres que celles visées au paragraphe 2B001, comme suit, pour l'enlèvement ou la découpe des métaux, céramiques ou matériaux composites pouvant, conformément aux spécifications techniques du fabricant, être équipées de dispositifs électroniques pour la commande de contournage simultanée sur deux axes ou plus: 2B204Presses isostatiques, autres que celles visées aux paragraphes 2B004 ou 2B104, et équipements correspondants comme suit: Au paragraphe 2B204, la dimension intérieure de la chambre est celle de la chambre dans laquelle sont obtenues la pression et la température de travail et n'inclut pas les fixations. Cette dimension désignera, selon celle des deux chambres qui contient l'autre, soit le diamètre intérieur de la chambre haute pression, soit le diamètre intérieur de la chambre isolée du four, la valeur prise en considération étant la plus petite. 2B206Machines, instruments ou systèmes de contrôle dimensionnel, autres que ceux cités au paragraphe 2B006, comme suit: Note 1: Les machines-outils pouvant servir de machines de mesure sont visées si elles correspondent aux critères établis pour la fonction de machines-outils ou la fonction de machines de mesure, ou si elles dépassent ces critères. Note 2: Une machine décrite au paragraphe 2B206 est visée si elle dépasse la limite de contrôle, à un point quelconque de sa gamme de fonctionnement. 2B207Robots, effecteurs terminaux et leurs unités de commande, autres que ceux visés au paragraphe 2B007, comme suit: 2B209Machines de fluotournage ou de tournage centrifuge capables de remplir des fonctions de fluotournage, autres que celles visées aux paragraphes 2B009 ou 2B109, et mandrins, comme suit: Note: L'alinéa 2B209.a. vise les machines qui n'ont qu'un seul galet conçu pour déformer le métal et deux galets auxiliaires pour retenir le mandrin, mais ne participant pas directement au processus de déformation. 2B219Machines centrifuges d'équilibrage multiplans, fixes ou déplaçables, horizontales ou verticales, comme suit: 2B225Manipulateurs à distance pouvant être utilisés pour agir à distance dans des opérations de séparation radiochimique ou des cellules chaudes, présentant l'une des caractéristiques suivantes: Les manipulateurs à distance assurent la transmission des commandes du conducteur humain à un bras de manœuvre à distance et à un dispositif terminal. Ils peuvent être du type maître/esclave ou être commandés par un manche à balai ou un clavier. 2B226Fours à induction (à vide ou à gaz inerte) sous atmosphère contrôlée et leurs systèmes d'alimentation électrique, comme suit: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 3B. Note: L'alinéa 2B226.a. ne vise pas les fours conçus pour le traitement des plaquettes de semi-conducteurs. 2B227Fours de fusion et de coulée sous vide ou autres fours à environnement contrôlé pour métallurgie et leurs équipements connexes, comme suit: 2B228Équipement de fabrication ou d'assemblage de rotors, équipements à dresser pour rotors, mandrins et matrices pour la formation de soufflets, comme suit: 2B230Capteurs de pression capables de mesurer des pressions absolues en tout point, la plage allant de 0 à 13 kPa, et présentant les deux caractéristiques suivantes: Aux fins du paragraphe 2B230, la précision inclut la non-linéarité, l'hystérésis et la répétabilité à la température ambiante. 2B231Pompes à vide présentant toutes les caractéristiques suivantes: 2B232Canons multi-étages à gaz léger, ou autres systèmes à canon à grande vitesse (systèmes à bobine, électromagnétiques ou électrothermiques, et autres systèmes avancés) capables d'accélérer des projectiles jusqu'à 2 km/s ou plus. 2B350Installations, équipements et composants pour la production de substances chimiques, comme suit: Le carbone-graphite est un composé de carbone et de graphite amorphes dont la teneur en graphite est égale ou supérieure à 8 % en poids. 2B351Systèmes d'identification de gaz toxiques, comme suit, et détecteurs associés: 2B352Équipements pouvant être utilisés lors de la manipulation de matériels biologiques, comme suit:

2BÉquipement d'essai, d'inspection et de production Notes techniques:

1. Les axes de contournage secondaires parallèles, par exemple un axe w sur des aléseuses horizontales ou un axe de rotation secondaire dont l'axe de référence est parallèle à celui de l'axe de rotation principal, ne sont pas comptés dans le nombre total des axes de contournage. Les axes de rotation ne doivent pas nécessairement tourner sur 360°. Un axe de rotation peut être entraîné par un dispositif linéaire (par exemple une vis ou une crémaillère).

2. Aux fins de la sous-catégorie 2B, le nombre d'axes pouvant être coordonnés simultanément pour la commande de contournage est le nombre d'axes le long ou autour desquels s'effectuent, pendant le traitement de la pièce usinée, des mouvements simultanés et corrélés entre la pièce usinée et un outil. Il ne comprend pas les autres axes le long ou autour desquels sont effectués d'autres mouvements relatifs à l'intérieur de la machine. Ces axes sont notamment:

2. a.

les systèmes de dressage dans les machines à rectifier;

les axes rotatifs parallèles conçus pour le montage de plusieurs pièces à usiner;

les axes rotatifs colinéaires conçus pour manipuler la même pièce à usiner en la maintenant dans un mandrin à différentes extrémités.

3. La nomenclature des axes sera conforme à la norme ISO 841, Machines à commande numérique — nomenclature des axes et des mouvements.

4. Pour les besoins des paragraphes 2B001 à 2B009, une broche basculante est assimilée à un axe de rotation.

5. Des niveaux garantis de précision de positionnement dérivés de mesures effectuées selon la norme ISO 230/2 (1988) ou des normes nationales équivalentes peuvent être utilisés au lieu des protocoles d'essai individuels pour chaque modèle de machine-outil. La précision de positionnement garantie signifie la valeur précise fournie par les autorités compétentes de l'État membre où l'exportateur est établi comme représentative de la précision d'un modèle de machine. Détermination des valeurs garanties:

5. a.

sélectionner cinq machines d'un modèle à évaluer;

mesurer les précisions d'axe linéaire selon la norme ISO 230/2 (1988);

déterminer les valeurs A pour chaque axe de chaque machine. La méthode de calcul de la valeur A est décrite dans la norme ISO;

déterminer la valeur moyenne de la valeur A de chaque axe. Cela signifie que la valeur Â devient la valeur garantie de chaque axe pour le modèle (Âx, Ây …);

la liste de la catégorie 2 se référant à chaque axe linéaire, il y aura autant de valeurs garanties qu'il y a d'axes linéaires;

si un axe quelconque d'un modèle de machine non visé par les alinéas 2B001.a. à 2B001.c. ou par le paragraphe 2B201 a une précision garantie Â de 6 microns ou moins pour les machines de rectification et de 8 microns ou moins pour les machines de fraisage et de tournage, le fabricant devrait être tenu de réaffirmer le niveau de précision tous les dix-huit mois.

vilebrequins ou arbres à cames;

outils ou outils de coupe;

vers d'extrudeuse;

pièces de joaillerie gravées ou à facettes.

Machines-outils de tournage, présentant toutes les caractéristiques suivantes: Note: L'alinéa 2B001 a. ne vise pas les machines de tournage spécialement conçues pour la production de lentilles de contact.

1. précision de positionnement, avec toutes les corrections disponibles, égale ou inférieure à (meilleure que) 6 μm le long de l'un quelconque des axes linéaires selon la norme ISO 230/2 (1988) ou des normes nationales équivalentes; et

2. ayant deux axes ou plus pouvant être coordonnés simultanément pour la commande de contournage.

Machines-outils de fraisage, présentant l'une des caractéristiques suivantes:

1. présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. a.

précision de positionnement, avec toutes les corrections disponibles, égale ou inférieure à (meilleure que) 6 μm le long de l'un quelconque des axes linéaires selon la norme ISO 230/2 (1988) ou des normes nationales équivalentes; et

trois axes linéaires et un axe de rotation pouvant être coordonnés simultanément pour la commande de contournage;

2. ayant cinq axes ou plus pouvant être coordonnés simultanément pour la commande de contournage;

3. précision de positionnement pour les perceuses en coordonnées, avec toutes les corrections disponibles, égale ou inférieure à (meilleure que) 4 μm le long de l'un quelconque des axes linéaires selon la norme ISO 230/2 (1988) ou des normes nationales équivalentes; ou

4. machines à tailler à volant, présentant toutes les caractéristiques suivantes:

4. a.

faux-rond de rotation et voile de la broche inférieurs à (meilleurs que) 0,0004 mm, lecture complète de l'aiguille (TIR); et

déviation angulaire du mouvement du chariot (lacets, roulis et tangage) inférieure à (meilleure que) 2 secondes d'arc, lecture complète de l'aiguille (TIR), sur 300 mm de déplacement;

Machines-outils de rectification, présentant l'une des caractéristiques suivantes: Note: L'alinéa 2B001.c. ne vise pas les machines de rectification suivantes:

1. présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. a.

précision de positionnement, avec toutes les corrections disponibles, égale ou inférieure à (meilleure que) 4 μm le long de l'un quelconque des axes linéaires selon la norme ISO 230/2 (1988) ou des normes nationales équivalentes; et

trois axes ou plus pouvant être coordonnés simultanément pour la commande de contournage; ou

2. ayant cinq axes ou plus pouvant être coordonnés simultanément pour la commande de contournage;

1. machines de rectification externe, interne, ou externe et interne, des cylindres, présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. a.

limitées à la rectification cylindrique; et

limitées à une dimension ou à un diamètre extérieur maximal des pièces usinables de 150 mm;

2. machines spécialement conçues en tant que rectifieuses en coordonnées, n'ayant pas d'axe z ni d'axe w, ayant une précision de positionnement, avec toutes les corrections disponibles, inférieure à (meilleure que) 4 μm selon la norme ISO 230/2 (1988) ou des normes nationales équivalentes;

3. rectifieuses de surfaces planes.

Machines à décharge électrique autres qu'à fil ayant deux axes de rotation ou plus qui peuvent être coordonnés simultanément pour la commande de contournage;

Machines-outils pour l'enlèvement des métaux, céramiques ou matériaux composites, présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. élimination de matériau au moyen de l'un des procédés suivants:

1. a.

jets d'eau ou d'autres liquides, y compris ceux utilisant des additifs abrasifs,

faisceaux électroniques, ou

faisceaux laser, et

2. ayant deux axes de rotation ou plus qui:

2. a.

peuvent être coordonnés simultanément pour la commande de contournage, et

ont une précision de positionnement inférieure à (meilleure que) 0,003°;

Machines de perçage pour trous profonds et machines de tournage modifiées pour le perçage de trous profonds, ayant une capacité maximale de profondeur de l'alésage supérieure à 5000 mm et leurs composants spécialement conçus.

finition de la forme inférieure à (meilleure que) 1,0 μm; ou

finition de la rugosité inférieure à (meilleure que) 100 nm (valeur quadratique moyenne).

2BÉquipement d'essai, d'inspection et de production Notes techniques: Note technique: a.

comportant un environnement thermique contrôlé dans la cavité fermée et possédant une cavité de travail d'un diamètre intérieur égal ou supérieur à 406 mm; et

une des caractéristiques suivantes:

1. une pression de travail maximale supérieure à 207 MPa;

2. un environnement thermique contrôlé supérieur à 1773 K (1500 °C); ou

3. une capacité d'imprégnation aux hydrocarbures et d'élimination des produits gazeux de décomposition résultants.

2BÉquipement d'essai, d'inspection et de production Notes techniques: Note technique: Note technique: a.

équipements de production pour le dépôt en phase vapeur par procédé chimique (CVD), présentant les deux caractéristiques suivantes: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 2B105.

1. procédés modifiés par l'une des techniques suivantes:

1. a.

dépôt en phase vapeur par procédé chimique pulsatoire;

déposition thermique par nucléation contrôlée (CNTD); ou

dépôt en phase vapeur par procédé chimique assisté ou amélioré par plasma; et

2. une des caractéristiques suivantes:

2. a.

joints rotatifs sous vide poussé (inférieur ou égal à 0,01 Pa); ou

dispositif de commande de l'épaisseur du revêtement in situ;

équipements de production pour l'implantation ionique, ayant des courants du faisceau de 5 mA ou plus;

équipements de production pour le dépôt en phase vapeur par procédé physique par faisceau d'électrons (EB-PVD), comportant des systèmes d'alimentation de plus de 80 kW et présentant l'une des caractéristiques suivantes:

1. un système de commande à laser du niveau du bain liquide, qui règle avec précision la vitesse d'avance du lingot; ou

2. un dispositif de surveillance de la vitesse commandé par ordinateur, fonctionnant selon le principe de la photoluminescence des atomes ionisés dans le flux en évaporation, destiné à contrôler la vitesse de dépôt d'un revêtement contenant deux éléments ou plus;

équipements de production pour la pulvérisation de plasma, présentant l'une des caractéristiques suivantes:

1. fonctionnement sous atmosphère contrôlée à pression réduite (inférieure ou égale à 10 kPa, mesurée à 300 mm au-dessus de la sortie du pulvérisateur du pistolet) dans une chambre à vide capable d'évacuer l'air jusqu'à 0,01 Pa avant le processus de pulvérisation; ou

2. dispositif de commande de l'épaisseur du revêtement in situ;

équipements de production pour le dépôt par pulvérisation cathodique pouvant avoir des densités de courant égales ou supérieures à 0,1 mA/mm2 à une vitesse de dépôt égale ou supérieure à 15 μm/heure;

équipements de production pour le dépôt par arc cathodique, comportant une grille d'électro-aimants pour la commande de direction du spot d'arc à la cathode;

équipements de production pour le placage ionique permettant la mesure in situ de l'une des caractéristiques suivantes:

1. épaisseur du revêtement sur le substrat et contrôle du débit; ou

2. caractéristiques optiques.

machines de mesure à coordonnées (CMM) à commande par calculateur ou à commande numérique, présentant, à tout point situé dans la plage de fonctionnement de la machine (c'est-à-dire à l'intérieur de la longueur des axes) une erreur maximale admissible (MPEe) d'indication de la longueur à trois dimensions (volumétrique) égale ou inférieure à (meilleure que) (1,7 + L/1000) μm (L représentant la longueur mesurée, exprimée en mm), testée conformément à la norme ISO 10360-2(2001);

instruments de mesure de déplacement linéaire et angulaire, comme suit:

1. Note technique:

instruments de mesure de déplacement linéaire présentant l'une des caractéristiques suivantes: Aux fins de l'alinéa 2B006.b.1., déplacement linéaire signifie le changement de distance entre la sonde de mesure et l'objet mesuré. Note: L'alinéa 2B006.b.1. ne vise pas les systèmes de mesure à interféromètres, avec un système de contrôle automatique conçu pour n'utiliser aucune technique de rétroaction, contenant un laser afin de mesurer les erreurs du mouvement du chariot des machines-outils, des machines de contrôle dimensionnel, ou des équipements similaires.

systèmes de mesure de type non à contact, ayant une résolution égale ou inférieure à (meilleure que) 0,2 μm dans une gamme de mesure égale ou inférieure à 0,2 mm;

systèmes transformateurs différentiels à tension linéaire présentant les deux caractéristiques suivantes:

1. linéarité égale ou inférieure à (meilleure que) 0,1 % dans une gamme de mesure égale ou inférieure à 5 mm; et

2. dérive égale ou inférieure à (meilleure que) 0,1 % par jour à une température ambiante normale de la salle d'essai ± 1 K; ou

systèmes de mesure présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. contenant un laser; et

2. maintenant pendant au moins 12 heures, à ± 1 K près d'une température normale et à une pression normale toutes les caractéristiques suivantes:

2. a.

une résolution pour la pleine échelle de 0,1 μm ou moins (meilleure); et

une incertitude de mesure égale ou inférieure à (meilleure que) (0,2 + L/2000) μm (L représentant la longueur mesurée, exprimée en mm);

Ensembles électroniques conçus spécialement pour fournir une capacité de rétroaction dans les systèmes visés à l'alinéa 2B006.b.1.c.;

2. instruments de mesure de déplacement angulaire présentant un écart de positionnement angulaire égal ou inférieur à (meilleur que) 0,00025°; Note: L'alinéa 2B006.b.2. ne vise pas les instruments optiques tels que les autocollimateurs utilisant la lumière collimatée (par exemple, la lumière laser) pour détecter le déplacement angulaire d'un miroir.

équipements destinés à mesurer des irrégularités de surface, en mesurant la dispersion optique comme fonction d'angle, avec une sensibilité égale ou inférieure à (meilleure que) 0,5 nm.

a. Note technique:

ayant une capacité, en temps réel, de traitement de l'image en trois dimensions réelles ou d'analyse de scène en trois dimensions réelles, afin de créer ou de modifier des programmes ou des données de programmes numériques; La limitation visant l'analyse de scène ne comprend pas l'approximation de la troisième dimension par la vision sous un angle donné ni l'interprétation d'une échelle de gris limitée en vue de la perception de la profondeur ou de la texture pour les tâches autorisées (2 1/2 D).

spécialement conçus pour satisfaire aux normes nationales de sécurité relatives aux environnements d'armements explosifs;

c. Note technique:

spécialement conçus ou durcis au rayonnement pour résister à une dose de radiation totale de plus de 5 × 103 Gy (silicium) sans que leur fonctionnement soit altéré; ou Le terme Gy (silicium) désigne l'énergie en Joules par kilogramme absorbé par un échantillon de silicium non blindé lorsqu'il est exposé à une radiation ionisante.

spécialement conçus pour opérer à des altitudes supérieures à 30000 m.

Unités de rétroaction en position linéaire (par exemple dispositifs de type inductif, échelles graduées, systèmes à infrarouges ou systèmes à laser) ayant une précision globale inférieure à (meilleure que) [800 + (600 × L × 10 –3)] nm (L représentant la longueur réelle exprimée en mm); N.B.: Pour les systèmes laser, voir également la note à l'alinéa 2B006.b.1.

Unités de rétroaction en position rotative, par exemple dispositifs de type inductif, échelles graduées, systèmes à infrarouges ou systèmes à laser ayant une précision inférieure à (meilleure que) 0,00025°; N.B.: Pour les systèmes laser, voir également la note à l'alinéa 2B006.b.1.

Tables rotatives inclinables et broches basculantes qui, conformément aux spécifications techniques du fabricant, peuvent renforcer des machines-outils, de sorte qu'elles atteignent ou dépassent les limites fixées à la sous-catégorie 2B.

deux axes contrôlés ou plus, dont deux au moins peuvent être coordonnés simultanément pour la commande de contournage; et

une force de roulage de plus de 60 kN.

2BÉquipement d'essai, d'inspection et de production Notes techniques: Note technique: Note technique: Note technique: a.

pression de travail maximale égale ou supérieure à 69 MPa;

conçues pour atteindre et maintenir un environnement thermique contrôlé de 873 K (600 °C) ou plus; et

une chambre d'un diamètre égal ou supérieur à 254 mm.

machines de fluotournage présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. pouvant, conformément aux spécifications techniques du fabricant, être équipées d'unités de commande numérique ou d'une commande par ordinateur, même s'ils ne le sont pas à l'origine; et

2. ayant plus de deux axes pouvant être coordonnés simultanément pour la commande de contournage;

composants spécialement conçus pour les machines de fluotournage visées au paragraphe 2B009 ou à l'alinéa 2B109.a.

2BÉquipement d'essai, d'inspection et de production Notes techniques: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: a.

systèmes d'essais aux vibrations utilisant des techniques d'asservissement et incorporant une commande numérique, capable d'assurer la vibration d'un système à une accélération égale ou supérieure à 10 g eff. (rms) entre 20 Hz et 2 kHz et communiquant des forces égales ou supérieures à 50 kN, mesurées table nue;

commandes numériques, associées avec les logiciels d'essais spécialement conçus, avec une bande passante temps réel supérieure à 5 kHz et conçues pour l'utilisation avec les systèmes d'essais aux vibrations visés à l'alinéa 2B116.a.;

pots vibrants, avec ou sans amplificateurs associés, capables de communiquer une force égale ou supérieure à 50 kN, mesurée table nue, utilisables dans les systèmes d'essais aux vibrations visés à l'alinéa 2B116.a.;

structures support des pièces à tester et équipements électroniques conçus pour combiner plusieurs pots vibrants en un système vibrant complet capable de fournir une force combinée effective égale ou supérieure à 50 kN, mesurée table nue, utilisables dans les systèmes d'essais aux vibrations visés à l'alinéa 2B116.a.

2BÉquipement d'essai, d'inspection et de production Notes techniques: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: a.

machines d'équilibrage présentant toutes les caractéristiques suivantes: Note: L'alinéa 2B119.a. ne vise pas les machines d'équilibrage conçues ou modifiées pour des équipements dentaires ou autres équipements médicaux.

1. ne pouvant pas équilibrer des rotors/ensembles d'une masse supérieure à 3 kg;

2. capables d'équilibrer des rotors/ensembles à des vitesses supérieures à 12500 tours/min;

3. capables d'effectuer des corrections d'équilibrage selon deux plans ou plus; et

4. capables de réaliser l'équilibrage jusqu'à un balourd résiduel de 0,2 g × mm par kg de masse du rotor;

b. Note technique:

têtes indicatrices conçues ou modifiées pour être utilisées avec les machines visées à l'alinéa 2B119.a. Les têtes indicatrices sont parfois connues comme instruments d'équilibrage.

deux axes ou plus;

bagues collectrices capables de transmettre un courant électrique et/ou des informations de signal; et

présentant l'une des caractéristiques suivantes:

1. pour chaque axe présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. a.

pouvant atteindre des taux de 400 degrés ou plus, ou 30 degrés ou moins; et

une résolution de taux égale ou inférieure à 6 degrés et une précision égale ou inférieure à 0,6 degré/s;

2. ayant, dans le pire des cas, une stabilité de taux égale à ou meilleure (inférieure) que plus ou moins 0,05 %, calculée en moyenne sur 10 degrés ou plus; ou

3. une précision de positionnement égale à ou meilleure que 5 secondes d'arc.

deux axes ou plus; et

une précision de positionnement égale à ou meilleure que 5 secondes d'arc.

machines-outils de fraisage, présentant l'une des caractéristiques suivantes:

1. précisions de positionnement, avec toutes les corrections disponibles, égales ou inférieures à (meilleures que) 6 μm le long de l'un quelconque des axes linéaires selon la norme ISO 230/2 (1988) ou des normes nationales équivalentes; ou

2. deux axes de rotation de contournage ou plus; Note: L'alinéa 2B201.a. ne vise pas les fraiseuses présentant les caractéristiques suivantes:

2. a.

un déplacement de l'axe X de plus de 2 m; et

une précision de positionnement globale sur l'axe X supérieure à (pire que) 30 μm.

machines-outils de rectification, présentant l'une des caractéristiques suivantes: Note: L'alinéa 2B201.b. ne vise pas les machines de rectification suivantes: Note 1: Le paragraphe 2B201 ne vise pas les machines-outils spéciales limitées à la fabrication de l'un des composants suivants: Note 2: Une machine-outil présentant au moins deux des trois propriétés suivantes: tournage, fraisage ou meulage (par exemple: une machine à tourner permettant le fraisage), doit faire l'objet d'une évaluation en fonction de chaque alinéa pertinent 2B001.a. ou 2B201.a. ou b.

1. précisions de positionnement, avec toutes les corrections disponibles, inférieures à (meilleures que) 4 μm le long de l'un quelconque des axes linéaires selon la norme ISO 230/2 (1988) ou des normes nationales équivalentes; ou

2. deux axes de rotation de contournage ou plus;

a.

machines de rectification externe, interne, ou externe et interne, des cylindres, présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. limitées à une capacité maximale des pièces usinables de 150 mm de dimension ou de diamètre extérieur; et

2. axes limités à X, Z et C;

b.

rectifieuses en coordonnées dépourvues d'axe Z ou W dont la précision de positionnement globale est inférieure à (meilleure que) 4 μm selon la norme ISO 230/2 (1988) ou des normes nationales équivalentes.

a.

engrenages;

b.

vilebrequins ou arbres à cames;

c.

outils ou outils de coupe;

d.

vers d'extrudeuse.

presses isostatiques présentant les deux caractéristiques suivantes:

1. capables d'atteindre une pression maximale de travail égale ou supérieure à 69 MPa; et

2. ayant une chambre d'un diamètre intérieur supérieur à 152 mm;

mandrins, moules et commandes spécialement conçus pour les presses isostatiques visées à l'alinéa 2B204.a.

2BÉquipement d'essai, d'inspection et de production Notes techniques: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: a.

machines de contrôle dimensionnel à commande par calculateur, à commande numérique ou à commande par programme enregistré, présentant les deux caractéristiques suivantes:

1. deux axes ou plus; et

2. incertitude de mesure de la longueur à une dimension égale ou inférieure à (meilleure que) (1,25 + L/1000) μm, testées avec une sonde d'une précision inférieure à (meilleure que) 0,2 μm (L représentant la longueur mesurée, exprimée en mm) (réf. VDI/VDE 2617, parties 1 et 2);

systèmes pour la vérification linéaire-angulaire simultanée des demi-coques présentant les deux caractéristiques suivantes:

1. incertitude de mesure sur un axe linéaire quelconque égale ou inférieure à (meilleure que) 3,5 μm par 5 mm; et

2. écart de positionnement angulaire égal ou inférieur à (meilleur que) 0,02°.

2BÉquipement d'essai, d'inspection et de production Notes techniques: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Notes techniques:

1. La sonde pour déterminer l'incertitude de mesure d'un système de contrôle dimensionnel correspondra à celle décrite à la norme VDI/VDE 2617, parties 2, 3 et 4.

2. Toutes les valeurs de mesure figurant dans le paragraphe 2B206 représentent des déviations positives ou négatives autorisées par rapport à la valeur prescrite, c'est-à-dire pas la totalité de la gamme.

robots ou effecteurs terminaux spécialement conçus pour répondre aux normes nationales de sécurité applicables à la manipulation d'explosifs brisants (par exemple répondant aux spécifications de la codification relative à l'électricité pour les explosifs brisants);

unités de commande spécialement conçues pour l'un des robots ou effecteurs terminaux visés à l'alinéa 2B207.a.

machines présentant les deux caractéristiques suivantes:

1. ayant trois galets ou plus (actifs ou de guidage); et

2. pouvant, conformément aux spécifications du fabricant, être équipées d'unités de commande numérique ou de commande par ordinateur;

mandrins de tournage conçus pour tourner des rotors cylindriques d'un diamètre intérieur variant entre 75 et 400 mm.

machines centrifuges d'équilibrage conçues pour équilibrer des rotors flexibles d'une longueur égale ou supérieure à 600 mm et présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. diamètre utile ou diamètre de tourillon supérieur à 75 mm;

2. capacité de masse de 0,9 à 23 kg; et

3. pouvant effectuer des équilibrages à une vitesse de rotation supérieure à 5000 tours/min;

machines centrifuges d'équilibrage conçues pour équilibrer des composants de rotors cylindriques, creux et présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. diamètre de tourillon supérieur à 75 mm;

2. capacité de masse de 0,9 à 23 kg;

3. capables de limiter le déséquilibre résiduel à 0,01 kg × mm/kg par plan ou moins; et

4. être du type actionné par courroie.

la capacité de pénétrer une paroi de cellule chaude égale ou supérieure à 0,6 m (pénétration de la paroi); ou

la capacité de franchir le sommet d'une paroi de cellule chaude d'une épaisseur égale ou supérieure à 0,6 m (franchissement de la paroi).

2BÉquipement d'essai, d'inspection et de production Notes techniques: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Notes techniques: Note technique: a.

fours présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. capables de fonctionner au-dessus de 1123 K (850 °C);

2. ayant des bobines d'induction d'un diamètre inférieur ou égal à 600 mm; et

3. conçus pour des puissances de 5 kW ou plus;

systèmes d'alimentation électrique d'une puissance de 5 kW ou plus, spécialement conçus pour les fours visés à l'alinéa 2B226.a.

fours de refonte et de coulée à arc présentant les deux caractéristiques suivantes:

1. capacité des électrodes consommables comprise entre 1000 et 20000 cm3; et

2. capables de fonctionner à des températures de fusion supérieures à 1973 K (1700 °C);

fours de fusion à faisceau d'électrons et fours à atomisation et à fusion de plasma présentant les deux caractéristiques suivantes:

1. puissance égale ou supérieure à 50 kW; et

2. capables de fonctionner à des températures de fusion supérieures à 1473 K (1200 °C);

systèmes de commande et de surveillance par ordinateur spécialement mis au point pour l'un des fours visés aux alinéas 2B227.a. ou .b.

équipement d'assemblage de rotors pour l'assemblage de sections, chicanes et bouchons de tubes de rotors de centrifugeuses à gaz; Note: L'alinéa 2B228.a. inclut les mandrins de précision, les dispositifs de fixation et les machines d'ajustement fretté.

b. Note technique:

équipements à dresser pour rotors en vue de l'alignement des sections de tubes de rotors de centrifugeuses à gaz par rapport à un axe commun; À l'alinéa 2B228.b., pareil équipement comprendra normalement des capteurs de mesure de précision reliés à un ordinateur qui commande ensuite l'action de dispositifs de serrage pneumatique (par exemple, en vue d'aligner les sections de tubes de rotor).

c. Note technique:

mandrins et matrices de formation de soufflets pour la production de soufflets à circonvolution unique. À l'alinéa 2B228.c., les soufflets ont l'ensemble des caractéristiques suivantes:

1. diamètre intérieur entre 75 et 400 mm;

2. longueur égale ou supérieure à 12,7 mm;

3. circonvolution unique ayant une profondeur supérieure à 2 mm; et

4. fabriqués en alliages d'aluminium à résistance élevée, en acier maraging ou en matériaux fibreux ou filamenteux ayant une résistance élevée.

les éléments sensibles sont fabriqués en aluminium, en alliage d'aluminium, en nickel ou en alliage de nickel contenant plus de 60 % de nickel en poids, ou protégés par ces éléments; et

présentant l'une des caractéristiques suivantes:

1. une pleine échelle inférieure à 13 kPa et une précision meilleure que ± 1 % (pleine échelle); ou

2. une pleine échelle égale ou supérieure à 13 kPa et une précision meilleure que ± 130 Pa.

2BÉquipement d'essai, d'inspection et de production Notes techniques: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Notes techniques: Note technique: Note technique: a.

un col d'entrée égal ou supérieur à 380 mm;

une capacité de pompage égale ou supérieure à 15 m3/s; et

la capacité de produire un vide final meilleur que 13 mPa.

2BÉquipement d'essai, d'inspection et de production Notes techniques: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Notes techniques: Note technique: Note technique: Notes techniques:

1. La capacité de pompage est déterminée au point de mesure avec de l'azote ou de l'air.

2. Le vide final est déterminé à l'entrée de la pompe, l'entrée de la pompe étant fermée.

réacteurs ou cuves de réaction, avec ou sans agitateurs, d'un volume (géométrique) interne total supérieur à 0,1 m3 (100 litres) et inférieur à 20 m3 (20000 litres), dans lesquels toutes les surfaces venant en contact direct avec les substances chimiques contenues ou à produire sont constituées de l'un des matériaux suivants:

1. alliages contenant plus de 25 % en poids de nickel et 20 % en poids de chrome;

2. fluoropolymères;

3. verre (y compris revêtement vitrifié, émaillé ou en verre);

4. nickel ou alliages contenant plus de 40 % en poids de nickel;

5. tantale ou alliages de tantale;

6. titane ou alliages de titane; ou

7. zirconium ou alliages de zirconium;

agitateurs pour utilisation dans des réacteurs ou cuves de réaction visés à l'alinéa 2B350.a.; et les roues, ailettes ou axes conçus pour ces agitateurs, dans lesquels toutes les surfaces des agitateurs venant en contact direct avec les substances chimiques contenues ou à produire sont constituées de l'un des matériaux suivants:

1. alliages contenant plus de 25 % en poids de nickel et 20 % en poids de chrome;

2. fluoropolymères;

3. verre (y compris revêtement vitrifié, émaillé ou en verre);

4. nickel ou alliages contenant plus de 40 % en poids de nickel;

5. tantale ou alliages de tantale;

6. titane ou alliages de titane; ou

7. zirconium ou alliages de zirconium;

cuves, citernes ou conteneurs d'un volume (géométrique) interne total supérieur à 0,1m3 (100 litres) dans lesquels toutes les surfaces venant en contact direct avec les substances chimiques contenues ou à produire sont constituées de l'un des matériaux suivants:

1. alliages contenant plus de 25 % en poids de nickel et 20 % en poids de chrome;

2. fluoropolymères;

3. verre (y compris revêtement vitrifié, émaillé ou en verre);

4. nickel ou alliages contenant plus de 40 % en poids de nickel;

5. tantale ou alliages de tantale;

6. titane ou alliages de titane; ou

7. zirconium ou alliages de zirconium;

échangeurs de chaleur ou condenseurs avec une surface de transfert de chaleur supérieure à 0,15 m2 et inférieure à 20 m2; et les tuyaux, plaques, bobines ou blocs (noyaux) conçus pour ces échangeurs de chaleur ou condenseurs, dans lesquels toutes les surfaces venant en contact direct avec les substances chimiques à produire sont constituées de l'un des matériaux suivants:

1. alliages contenant plus de 25 % en poids de nickel et 20 % en poids de chrome;

2. fluoropolymères;

3. verre (y compris revêtement vitrifié, émaillé ou en verre);

4. graphite ou carbone graphite;

5. nickel ou alliages contenant plus de 40 % en poids de nickel;

6. tantale ou alliages de tantale;

7. titane ou alliages de titane;

8. zirconium ou alliages de zirconium;

9. carbure de silicium; ou

10. carbure de titane;

colonnes de distillation et d'absorption de diamètre intérieur supérieur à 0,1 mètre; et les distributeurs de liquide, distributeurs de vapeur ou collecteurs de liquide conçus pour ces colonnes de distillation et d'absorption, dans lesquels toutes les surfaces venant en contact direct avec les substances chimiques à produire sont constituées de l'un des matériaux suivants:

1. alliages contenant plus de 25 % en poids de nickel et 20 % en poids de chrome;

2. fluoropolymères;

3. verre (y compris revêtement vitrifié, émaillé ou en verre);

4. graphite ou carbone graphite;

5. nickel ou alliages contenant plus de 40 % en poids de nickel;

6. tantale ou alliages de tantale;

7. titane ou alliages de titane; ou

8. zirconium ou alliages de zirconium;

équipement de remplissage fonctionnant à distance dans lesquels toutes les surfaces venant en contact direct avec les substances chimiques à produire sont constituées de l'un des matériaux suivants:

1. alliages contenant plus de 25 % en poids de nickel et 20 % en poids de chrome; ou

2. nickel ou alliages contenant plus de 40 % en poids de nickel;

soupapes ayant des tailles nominales supérieures à 10 mm et boîtiers (corps de valve) ou chemises préformées pour ces valves, dans lesquels toutes les surfaces venant en contact direct avec les substances chimiques contenues ou à produire sont constituées de l'un des matériaux suivants:

1. alliages contenant plus de 25 % en poids de nickel et 20 % en poids de chrome;

2. fluoropolymères;

3. verre (y compris revêtement vitrifié, émaillé ou en verre);

4. nickel ou alliages contenant plus de 40 % en poids de nickel;

5. tantale ou alliages de tantale;

6. titane ou alliages de titane; ou

7. zirconium ou alliages de zirconium;

tuyauterie à multiples parois incorporant un orifice de détection des fuites, dans laquelle les surfaces venant en contact direct avec les substances chimiques contenues ou à produire sont constituées de l'un des matériaux suivants:

1. alliages contenant plus de 25 % en poids de nickel et 20 % en poids de chrome;

2. fluoropolymères;

3. verre (y compris revêtement vitrifié, émaillé ou en verre);

4. graphite ou carbone graphite;

5. nickel ou alliages contenant plus de 40 % en poids de nickel;

6. tantale ou alliages de tantale;

7. titane ou alliages de titane; ou

8. zirconium ou alliages de zirconium;

pompes à joints d'étanchéité multiples et pompes sans joints d'étanchéité, avec un débit maximal spécifié par le constructeur supérieur à 0,6 m3 par heure, ou pompe à vide avec un débit maximal spécifié par le constructeur supérieur à 5 m3 par heure [sous les conditions de température (273 K, ou 0 °C) et de pression (101,3 kPa) standard]; et les boîtiers (corps de pompe), chemises préformées, roues, rotors ou gicleurs conçus pour ces pompes, dans lesquels les surfaces venant en contact direct avec les substances chimiques à produire sont constituées de l'un des matériaux suivants:

1. alliages contenant plus de 25 % en poids de nickel et 20 % en poids de chrome;

2. céramiques;

3. ferrosilicium;

4. fluoropolymères;

5. verre (y compris revêtement vitrifié, émaillé ou en verre);

6. graphite ou carbone graphite;

7. nickel ou alliages contenant plus de 40 % en poids de nickel;

8. tantale ou alliages de tantale;

9. titane ou alliages de titane; ou

10. zirconium ou alliages de zirconium;

incinérateurs conçus pour détruire les substances chimiques visées au paragraphe 1C350, équipés de dispositifs spécialement conçus pour l'introduction des déchets, de dispositifs de manutention spéciaux et ayant une température moyenne de chambre de combustion supérieure à 1273 K (1000 °C), dans lesquels toutes les surfaces du système d'introduction des déchets venant en contact direct avec les déchets chimiques sont constituées ou fabriquées avec l'un des matériaux suivants:

1. alliages contenant plus de 25 % en poids de nickel et 20 % en poids de chrome;

2. céramiques; ou

3. nickel ou alliages contenant plus de 40 % en poids de nickel.

2BÉquipement d'essai, d'inspection et de production Notes techniques: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Notes techniques: Note technique: Note technique: Notes techniques: Note technique: a.

conçus pour opérer en continu et capables de détecter les toxiques de guerre et les substances chimiques visées au paragraphe 1C350, à des concentrations inférieures à 0,3 mg/m3 d'air; ou

conçus pour détecter des composés ayant une activité anticholinestératique.

a. Note technique:

installations complètes de confinement biologique de type P3 et P4; Les niveaux de confinement P3 ou P4 (BL3, BL4, L3, L4) sont conformes à la description du Manuel de sécurité biologique en laboratoire de l'OMS (2e édition, Genève, 1993).

b. Note technique:

fermenteurs utilisables pour la culture de micro-organismes pathogènes et de virus pour la production de toxine, sans propagation d'aérosols, et d'une capacité totale égale ou supérieure à 20 litres; Les fermenteurs comprennent les bioréacteurs, les chémostats et les systèmes à flux continu.

c. Note technique:

séparateurs centrifuges pouvant effectuer la séparation en continu et sans propagation d'aérosols et possédant toutes les caractéristiques suivantes: Les séparateurs centrifuges comprennent les décanteurs.

1. débit supérieur à 100 litres par heure;

2. composants en acier inoxydable poli ou en titane;

3. un ou plusieurs joints d'étanchéité dans la zone de confinement de la vapeur; et

4. capables d'effectuer une stérilisation in situ à la vapeur en milieu fermé;

dispositifs et composants de filtration à courant (tangentiel) transversal, et leurs composants, comme suit: Note: L'alinéa 2B352.d. ne vise pas les dispositifs à osmose inverse, conformément aux indications du fabricant.

1. Dispositifs de filtration à courant (tangentiel) transversal utilisables pour la séparation de micro-organismes pathogènes, de virus, de toxines ou de cultures de cellules, sans propagation d'aérosols, possédant les deux caractéristiques suivantes:

1. a.

une surface de filtrage totale d'au moins 1 m2; et

b. Note technique:

permettant une stérilisation ou une désinfection in situ; Aux fins de l'alinéa 2B352.d.1.b., le terme stérilisé désigne l'élimination, dans le dispositif, de tous les microbes viables au moyen d'agents physiques (par exemple, de la vapeur) ou chimiques. Le terme désinfecté désigne la destruction, dans le dispositif, des sources possibles d'infection microbienne au moyen d'agents chimiques ayant un effet germicide. La désinfection et la stérilisation sont des formes distinctes de nettoyage, la dernière faisant référence à des procédures conçues pour diminuer le contenu microbien du dispositif sans nécessairement permettre l'élimination de toute infectiosité ou viabilité microbienne.

2. Composants de filtration à courant (tangentiel) transversal (par exemple: modules, éléments, cassettes, cartouches, unités ou plaques) ayant une surface de filtrage d'au moins 0,2 m2 pour chaque composant et conçus pour être utilisés dans les dispositifs de filtration à courant (tangentiel) transversal visés à l'alinéa 2B352.d.;

dispositifs de lyophilisation stérilisables à la vapeur ayant un condenseur d'une capacité supérieure à 10 kg et inférieure à 1000 kg de glace par 24 heures;

équipements de protection et de confinement, comme suit:

1. combinaisons protectrices complètes ou partielles, ou capuchons dépendant d'un apport d'air extérieur relié et fonctionnant sous pression positive; Note: L'alinéa 2B352.f.1. ne vise pas les combinaisons conçues pour être portées avec un appareil de respiration autonome.

2. postes de sécurité biologique ou assurant un environnement équivalent à la classe III de sécurité biologique; Note: À l'alinéa 2B352.f.2., les isolateurs comprennent les isolateurs flexibles, les boîtes sèches, les chambres d'anaérobie, les boîtes à gants et les hottes à flux laminaire (fermées par un flux vertical).

chambres conçues pour les essais par détection d'aérosol avec des micro-organismes, des virus ou des toxines, dont la capacité est égale ou supérieure à 1 m3.

2CMatières Néant.

2DLogiciel 2D001Logiciel, autre que celui visé au paragraphe 2D002, spécialement conçu ou modifié pour le développement, la production ou l'utilisation des équipements visés aux paragraphes 2A001 ou 2B001 à 2B009. 2D002Logiciel destiné aux dispositifs électroniques, même lorsqu'il réside dans un système ou dispositif électronique, permettant à ces dispositifs ou systèmes de fonctionner en tant qu'unité de commande numérique, capable d'effectuer la coordination simultanée de plus de quatre axes pour la commande de contournage. Note 1: Le paragraphe 2D002 ne vise pas les logiciels spécialement conçus ou modifiés pour le fonctionnement des machines-outils non visées par la catégorie 2. Note 2: Le paragraphe 2D002 ne vise pas les logiciels destinés aux produits visés au paragraphe 2B002. Voir le paragraphe 2D001 pour le contrôle des logiciels destinés aux produits visés au paragraphe 2B002. 2D101Logiciel spécialement conçu ou modifié pour l'utilisation des équipements visés aux paragraphes 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 ou 2B119 à 2B122. N.B.: VOIR ÉGALEMENT 9D004. 2D201Logiciel spécialement conçu pour l'utilisation des équipements aux paragraphes 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 ou 2B227. 2D202Logiciel spécialement conçu ou modifié pour le développement, la production ou l'utilisation des équipements visés au paragraphe 2B201.

2ETechnologie

2E001Technologie, au sens de la note générale relative à la technologie, pour le développement des équipements ou du logiciel visés par les sous-catégories 2A, 2B ou 2D. 2E002Technologie, au sens de la note générale relative à la technologie, pour la production des équipements visés par les sous-catégories 2A ou 2B. 2E003Autres technologies, comme suit: 2E101Technologie, au sens de la note générale relative à la technologie, pour l'utilisation des équipements ou logiciels visés aux paragraphes 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 à 2B122 ou 2D101. 2E201Technologie, au sens de la note générale relative à la technologie, pour l'utilisation des équipements ou logiciels visés aux paragraphes 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, aux alinéas 2B007.b. et 2B007.c., et aux paragraphes 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 à 2B232, 2D201 ou 2D202. 2E301Technologie, au sens de la note générale relative à la technologie, pour l'utilisation des biens spécifiés aux paragraphes 2B350 à 2B352.

technologie pour le développement de l'infographie interactive en tant qu'élément intégré aux unités de commande numérique pour la préparation ou la modification de programmes pièces;

technologie des procédés de fabrication par travail des métaux, comme suit:

1. technologie de conception des outils, matrices ou montages spécialement conçus pour les procédés suivants:

1. a.

formage à l'état de superplasticité;

soudage par diffusion; ou

pressage hydraulique par action directe;

2. données techniques constituées des méthodes de processus ou des paramètres énumérés ci-dessous et servant à contrôler:

2. a.

le formage à l'état de superplasticité des alliages d'aluminium, des alliages de titane ou des superalliages:

1. préparation des surfaces;

2. taux de déformation;

3. température;

4. pression;

le soudage par diffusion des superalliages ou des alliages de titane:

1. préparation des surfaces;

2. température;

3. pression;

le pressage hydraulique par action directe des alliages d'aluminium ou des alliages de titane:

1. pression;

2. durée du cycle;

la densification isostatique à chaud des alliages de titane, des alliages d'aluminium ou des superalliages:

1. température;

2. pression;

3. durée du cycle;

technologie pour le développement ou la production des machines et matrices de formage hydraulique par étirage, pour la fabrication de structures de cellules d'aéronef;

technologie pour le développement de générateurs d'instructions (par exemple de programmes pièces) pour machines-outils à partir de données de conception se trouvant à l'intérieur d'unités de commande numérique;

technologie pour le développement de logiciel d'intégration pour l'incorporation dans des unités de commande numérique de systèmes experts servant à la prise en charge, par des décisions à un niveau élevé, des opérations en atelier;

technologie pour l'application des revêtements inorganiques par recouvrement ou modification de surface (spécifiés dans la colonne 3 du tableau ci-après) sur des substrats non électroniques (spécifiés dans la colonne 2 du tableau ci-après) à l'aide des procédés spécifiés dans la colonne 1 du tableau ci-après et définis dans la note technique du tableau ci-après. Note: Le tableau et les notes techniques se trouvent après le paragraphe 2E301.

Tableau 1.2.3.A.B.B.1.B.2.B.3.B.4.C.D.E.F.G. Notes relatives au tableau — Méthodes de dépôt Méthodes de dépôt

Procédé de revêtement (1) Substrat Revêtement résultant Dépôt chimique en phase vapeur (CVD) superalliages aluminiures pour passages internes céramiques (19) et verres à faible dilatation (14) siliciures carbures couches diélectriques (15) diamant carbone adamantin (17) carbone-carbone, matériaux, composites à matrice céramique et à matrice métallique siliciures carbures métaux réfractaires leurs mélanges (4) couches diélectriques (15) aluminiures aliminiures alliés (2) nitrure de bore carbure de tungstène cémenté (16), carbure de silicium (18) carbures tungstène leurs mélanges (4) couches diélectriques (15) molybdène et alliages de molybdène couches diélectriques (15) béryllium et alliages de béryllium couches diélectriques (15) diamant carbone adamantin (17) matériaux pour fenêtres de capteurs (9) couches diélectriques (15) diamant carbone adamantin (17) Dépôt physique en phase vapeur par évaporation thermique (TE-PVD) Dépôt physique en phase vapeur par faisceau d'électrons (EB-PVD) superalliages siliciures alliés aliminiures alliés (2) MCrAlX (5) zircones modifiées (12) siliciures aluminiures leurs mélanges (4) céramiques (19) et verres à faible dilatation (14) couches diélectriques (15) acier anticorrosion (7) MCrAlX (5) zircones modifiées (12) leurs mélanges (4) carbone-carbone, matériaux, composites à matrice céramique et à matrice métallique siliciures carbures métaux réfractaires leurs mélanges (4) couches diélectriques (15) nitrure de bore carbure de tungstène cémenté (16), carbure de silicium (18) carbures tungstène leurs mélanges (4) couches diélectriques (15) molybdène et alliages de molybdène couches diélectriques (15) béryllium et alliages de béryllium couches diélectriques (15) borures béryllium matériaux pour fenêtres de capteurs (9) couches diélectriques (15) alliages de titane (13) borures nitrures Dépôt physique en phase vapeur (PVD) par chauffage par résistance assisté par faisceau d'ions (dépôt ionique) céramiques (19) et verres à faible dilatation (14) couches diélectriques (15) carbone adamantin (17) carbone-carbone, matériaux, composites à matrice céramique et à matrice métallique couches diélectriques (15) carbure de tungstène cémenté (16), carbure de silicium couches diélectriques (15) molybdène et alliages de molybdène couches diélectriques (15) béryllium et alliages de béryllium couches diélectriques (15) matériaux pour fenêtres de capteurs (9) couches diélectriques (15) carbone adamantin (17) Dépôt physique en phase vapeur (PVD) par vaporisation par laser céramiques (19) et verres à faible dilatation (14) siliciures couches diélectriques (15) carbone adamantin (17) carbone-carbone, matériaux, composites à matrice céramique et à matrice métallique couches diélectriques (15) carbure de tungstène cémenté (16), carbure de silicium couches diélectriques (15) molybdène et alliages de molybdène couches diélectriques (15) béryllium et alliages de béryllium couches diélectriques (15) matériaux pour fenêtres de capteurs (9) couches diélectriques (15) carbone adamantin (17) Dépôt physique en phase vapeur (PVD) par évoparation cathodique par arc superalliages siliciures alliés aliminiures alliés (2) MCrAlX (5) polymères (11) et composites à matrice organique borures carbures nitrures carbone adamantin (17) Cémentation métallique en caisse (voir paragraphe A ci-dessus pour la cémentation hors caisse) (10) carbone-carbone, matériaux, composites à matrice céramique et à matrice métallique siliciures carbures leurs mélanges (4) alliages de titane (13) siliciures aluminiures aliminiures alliés (2) métaux et alliages réfractaires (8) siliciures oxydes Projection de plasma superalliages MCrAlX (5) zircones modifiées (12) leurs mélanges (4) nickel-graphite sujet à abrasion matériaux sujets à abrasion contenant du Ni-Cr-Al Al-Si-polyester sujet à abrasion aliminiures alliés (2) alliages d'aluminium (6) MCrAlX (5) zircones modifiées (12) siliciures leurs mélanges (4) métaux et alliages réfractaires (8) aluminiures siliciures carbures acier anticorrosion (7) MCrAlX (5) zircones modifiées (12) leurs mélanges (4) alliages de titane (13) carbures aluminiures siliciures aliminiures alliés (2) nickel-graphite sujet à abrasion matériaux sujets à abrasion contenant du Ni-Cr-Al Al-Si-polyester sujet à abrasion Dépôt de barbotine métaux et alliages réfractaires (8) siliciures fondus aluminiures fondus à l'exclusion des éléments de chauffage par résistance carbone-carbone, matériaux, composites à matrice céramique et à matrice métallique siliciures carbures leurs mélanges (4) Dépôt par pulvérisation cathodique superalliages siliciures alliés aliminiures alliés (2) aluminiures modifiés par un métal noble (3) MCrAlX (5) zircones modifiées (12) platine leurs mélanges (4) céramiques (19) et verres à faible dilatation (14) siliciures platine leurs mélanges (4) couches diélectriques (15) carbone adamantin (17) alliages de titane (13) borures nitrures oxydes siliciures aluminiures aliminiures alliés (2) carbures carbone-carbone, matériaux, composites à matrice céramique et à matrice métallique siliciures carbures métaux réfractaires leurs mélanges (4) couches diélectriques (15) nitrure de bore carbure de tungstène cémenté (16), carbure de silicium (18) carbures tungstène leurs mélanges (4) couches diélectriques (15) nitrure de bore molybdène et alliages de molybdène couches diélectriques (15) béryllium et alliages de béryllium borures couches diélectriques (15) béryllium matériaux pour fenêtres de capteurs (9) couches diélectriques (15) carbone adamantin (17) métaux et alliages réfractaires (8) aluminiures siliciures oxydes carbures Implantation ionique aciers pour roulement à haute température adjonctions de chrome de tantale ou de niobium (columbium) alliages de titane (13) borures nitrures béryllium et alliages de béryllium borures carbure de tungstène cémenté (16) carbures nitrures Les procédés spécifiés dans la colonne 1 du tableau sont définis comme suit:

1. Les termes procédé de revêtement désignent aussi bien le revêtement initial que les retouches ou remises en état du revêtement.

2. Les termes revêtement d'aluminiure allié couvrent les revêtements réalisés en un ou plusieurs stades dans lesquels un ou des éléments sont déposés avant ou pendant l'application du revêtement d'aluminiure, même si ce dépôt est effectué par un autre procédé de revêtement. Ces termes ne couvrent pas l'usage multiple de procédés de cémentation en caisse en un seul stade pour réaliser des aluminiures alliés.

3. Les termes revêtement d'aluminiure modifié par un métal noble couvrent les revêtements réalisés en plusieurs stades dans lesquels le ou les métaux nobles sont déposés par un autre procédé de revêtement avant l'application du revêtement d'aluminiure.

4. Les termes leurs mélanges couvrent les matériaux infiltrés, compositions graduées, dépôts simultanés et dépôts multicouches, qui sont obtenus par un ou plusieurs des procédés de revêtement énumérés dans le tableau ci-dessus.

5. MCrAlX désigne un alliage de revêtement où M équivaut à du cobalt, du fer, du nickel ou à des combinaisons de ces éléments, et X à du hafnium, de l'yttrium, du silicium, du tantale en toute quantité ou à d'autres adjonctions intentionnelles de plus de 0,01 % en poids en proportions et combinaisons diverses, à l'exclusion:

5. a.

des revêtements de CoCrAIY contenant moins de 22 % en poids de chrome, moins de 7 % en poids d'aluminium et moins de 2 % en poids d'yttrium;

des revêtements de CoCrAIY contenant 22 à 24 % en poids de chrome, 10 à 12 % en poids d'aluminium et 0,5 à 0,7 % en poids d'yttrium; ou

des revêtements de NiCrAIY contenant 21 à 23 % en poids de chrome, 10 à 12 % en poids d'aluminium et 0,9 à 1,1 % en poids d'yttrium.

6. Les termes alliages d'aluminium désignent des alliages ayant une résistance à la traction maximale égale ou supérieure à 190 MPa, mesurée à une température de 293 K (20 °C).

7. Les termes acier anticorrosion désignent les aciers de la série AISI (American Iron and Steel Institute) 300 ou les aciers correspondant à une norme nationale équivalente.

8. Les métaux et alliages réfractaires sont les métaux suivants et leurs alliages: niobium (columbium), molybdène, tungstène et tantale.

9. Les matériaux pour fenêtres de capteurs sont les suivants: alumine, silicium, germanium, sulfure de zinc, séléniure de zinc, arséniure de gallium, diamant, gallium phosphoré, saphir et les halogénures métalliques suivants: matériaux pour fenêtres de capteurs ayant un diamètre supérieur à 40 mm pour le fluorure de zirconium et le fluorure de hafnium.

10. La technologie afférente à la cémentation en caisse en une seule phase de profils de voilure d'une seule pièce n'est pas visée par la catégorie 2.

11. Les polymères sont les suivants: polyimides, polyesters, polysulfures, polycarbonates et polyuréthanes.

12. Par zircones modifiées, on entend des zircones ayant subi des additions d'autres oxydes métalliques (oxydes de calcium, de magnésium, d'yttrium, de hafnium ou de terres rares, par exemple) afin de stabiliser certaines phases cristallographiques et compositions de ces phases. Les revêtements servant de barrière thermique, constitués de zircones modifiées à l'aide d'oxyde de calcium ou de magnésium par mélange ou fusion, ne sont pas visés.

13. Alliages de titane renvoie aux seuls alliages utilisés dans l'aérospatiale, ayant une résistance à la traction maximale égale ou supérieure à 900 MPa, mesurée à 293 K (20 °C).

14. Verres à faible dilatation renvoie à des verres ayant un coefficient de dilatation thermique égal ou inférieur à 1 × 10 –7 K– 1 mesuré à 293 K (20 °C).

15. Les couches diélectriques sont des revêtements composés de plusieurs couches de matériaux isolants dans lesquelles les propriétés d'interférence d'un ensemble de divers matériaux ayant des indices de réfraction différents sont utilisées pour réfléchir, transmettre ou absorber différentes bandes de longueur d'onde. Les couches diélectriques renvoient à plus de quatre couches diélectriques ou couches composites diélectrique/métal.

16. Le carbure de tungstène cémenté ne comprend pas les matériaux d'outils de coupe et de formage consistant en carbure de tungstène (cobalt, nickel), en carbure de titane (cobalt, nickel), en carbure de chrome/nickel-chrome et carbure de chrome/nickel.

17. N'est pas visée ici la technologie spécialement conçue pour déposer du carbone adamantin sur les articles suivants:

lecteurs de disquettes et têtes magnétiques, matériel servant à la fabrication de produits à usage éphémère, valves pour robinetterie, membranes acoustiques pour enceintes, pièces de moteurs d'automobiles, outils de coupe, matrices d'emboutissage-pressage, matériel de bureautique, microphones, dispositifs médicaux ou moules pour le moulage de plastiques, fabriqués à partir d'alliage contenant moins de 5 % de bérillium.

18. Le carbure de silicium ne couvre pas les matériaux d'outils de coupe et de formage.

19. Les substrats céramiques ici mentionnés ne comprennent pas les matériaux céramiques contenant 5 % en poids, ou davantage, d'argile ou de ciment, soit en tant que constituants distincts, soit en combinaison.

a.

Le dépôt en phase vapeur par procédé chimique (CVD) est un procédé de revêtement par recouvrement ou revêtement par modification de surface par lequel un métal, un alliage, un matériau composite, un diélectrique ou une céramique est déposé sur un substrat chauffé. Les gaz réactifs sont décomposés ou combinés au voisinage du substrat, ce qui entraîne le dépôt du matériau élémentaire, de l'alliage ou du composé souhaité sur le substrat. L'énergie nécessaire à cette décomposition ou réaction chimique peut être fournie par la chaleur du substrat, par un plasma à décharge luminescente ou par un rayonnement laser. N.B. 1: Le dépôt en phase vapeur par procédé chimique (CVD) comprend les procédés suivants: dépôt hors caisse à flux de gaz dirigé, dépôt en phase vapeur par procédé chimique pulsatoire, dépôt thermique par nucléation contrôlée (CNTD), dépôt en phase vapeur par procédé chimique amélioré par plasma ou assisté par plasma. N.B. 2: Le terme caisse désigne un substrat plongé dans un mélange de poudres. N.B. 3: Les gaz réactifs utilisés dans le procédé hors caisse sont obtenus à l'aide des mêmes réactions et paramètres élémentaires qu'avec le procédé de cémentation en caisse, à ceci près que le substrat à revêtir n'est pas en contact avec le mélange de poudres.

b.

Le dépôt en phase vapeur par procédé physique par évaporation thermique (TE-PVD) est un procédé de revêtement par recouvrement exécuté dans un vide, à une pression inférieure à 0,1 Pa, par lequel une source d'énergie thermique est utilisée pour la vaporisation du matériau de revêtement. Ce procédé donne lieu à la condensation ou au dépôt du matériau évaporé sur des substrats disposés de façon adéquate. L'addition de gaz à la chambre sous vide pendant le processus de revêtement afin de synthétiser les revêtements composés constitue une variante courante du procédé. L'utilisation de faisceaux d'ions ou d'électrons ou de plasma, pour activer ou assister le dépôt du revêtement, est également une variante courante. On peut également utiliser des instruments de contrôle pour mesurer en cours de processus les caractéristiques optiques et l'épaisseur des revêtements. Les techniques spécifiques de dépôt en phase vapeur par procédé physique par évaporation thermique (TE-PVD) sont les suivantes:

1. dépôt en phase vapeur (PVD) par faisceau d'électrons, qui fait appel à un faisceau d'électrons pour chauffer le matériau constituant le revêtement et en provoquer l'évaporation;

2. dépôt en phase vapeur (PVD) par chauffage par résistance assisté par faisceau d'ions, qui fait appel à des sources de chauffage par résistance électrique en combinaison avec un (des) faisceau(x) d'ions convergents afin de produire un flux contrôlé et uniforme du matériau évaporé;

3. vaporisation par laser qui utilise des faisceaux lasers pulsés ou en ondes entretenues pour vaporiser le matériau constituant le revêtement;

4. dépôt par évaporation cathodique par arc qui utilise une cathode consommable du matériau constituant le revêtement et qui émet une décharge d'arc provoquée à la surface par le contact momentané d'un déclencheur mis à la masse. Les mouvements contrôlés de la formation d'arc attaquent la surface de la cathode, ce qui crée un plasma fortement ionisé. L'anode peut être soit un cône fixé à la périphérie de la cathode par l'intermédiaire d'un isolant, soit la chambre elle-même. La polarisation du substrat sert au dépôt hors de portée visuelle. N.B.: Cette définition ne s'applique pas au dépôt par arc cathodique aléatoire avec des substrats non polarisés.

5. Le dépôt ionique est une modification spéciale d'une technique générale de dépôt en phase vapeur par procédé physique par évaporation thermique (TE-PVD) par laquelle une source d'ions ou un plasma est utilisé pour ioniser le matériau à déposer, une polarisation négative étant appliquée au substrat afin de faciliter l'extraction, hors du plasma, du matériau. L'introduction de matériaux réactifs, l'évaporation de solides à l'intérieur de la chambre de traitement, ainsi que l'utilisation d'instruments de contrôle pour mesurer en cours de processus les caractéristiques optiques et l'épaisseur des revêtements sont des variantes ordinaires de ce procédé.

c.

La cémentation métallique en caisse est un procédé de revêtement par modification de surface ou revêtement par recouvrement, par lequel un substrat est plongé dans un mélange de poudres (caisse) comprenant: Le substrat et le mélange de poudres sont placés dans une cornue qui est portée à une température comprise entre 1030 K (757 °C) et 1375 K (1102 °C) pendant un temps suffisant pour permettre le dépôt du revêtement.

1. les poudres métalliques à déposer (généralement de l'aluminium, du chrome, du silicium ou des combinaisons de ces métaux);

2. un activant (généralement un sel halogéné); et

3. une poudre inerte (la plupart du temps de l'alumine).

d.

La projection de plasma est un procédé de revêtement (par recouvrement) par lequel un canon (chalumeau ou torche à plasma) produisant et contrôlant un plasma reçoit des matériaux de revêtement sous forme de poudre ou de fil, les fait fondre et les projette sur un substrat où se forme ainsi un revêtement intégralement adhérent. La pulvérisation de plasma peut être une pulvérisation à faible pression ou une pulvérisation à grande vitesse. N.B. 1: Par basse pression, on entend une pression inférieure à la pression atmosphérique ambiante. N.B. 2: Par grande vitesse, on entend une vitesse du gaz à la sortie du chalumeau supérieure à 750 m/s, calculée à 293 K (20 °C) et à une pression de 0,1 MPa.

e.

Le dépôt de barbotine est un procédé de revêtement par modification de surface ou revêtement par recouvrement par lequel une poudre de métal ou de céramique, associée à un liant organique et en suspension dans un liquide, est appliquée à un substrat par pulvérisation, trempage ou étalement. L'ensemble est ensuite séché à l'air ou dans un four puis soumis à un traitement thermique afin d'obtenir le revêtement voulu.

f.

Le dépôt par pulvérisation cathodique est un procédé de revêtement par recouvrement, fondé sur un phénomène de transfert d'énergie cinétique, par lequel des ions positifs sont accélérés par un champ électrique et projetés sur la surface d'une cible (matériau de revêtement). L'énergie cinétique dégagée par le choc des ions est suffisante pour que des atomes de la surface de la cible soient libérés et se déposent sur le substrat placé de façon adéquate. N.B. 1: Le tableau se réfère uniquement au dépôt par triode, par magnétron ou par pulvérisation cathodique, qui est utilisé pour augmenter l'adhérence du revêtement et la vitesse de dépôt, et au dépôt par pulvérisation cathodique amélioré par radiofréquence, utilisé pour permettre la vaporisation de matériaux de revêtement non métalliques. N.B. 2: Des faisceaux ioniques à faible énergie (< 5 keV) peuvent être utilisés pour activer le dépôt.

g.

L'implantation ionique est un procédé de revêtement par modification de surface par lequel l'élément à allier est ionisé, accéléré par un gradient de potentiel et implanté dans la zone superficielle du substrat. Cela comprend les procédés dans lesquels l'implantation ionique est effectuée en même temps que le dépôt en phase vapeur par procédé physique par faisceau d'électrons ou le dépôt par pulvérisation cathodique.

CATÉGORIE 3 ÉLECTRONIQUE

3AÉquipements, ensembles et composants Note technique: Note technique: Note technique:

Note 1: Le statut des équipements, dispositifs et composants décrits aux paragraphes 3A001 ou 3A002 autres que ceux décrits aux alinéas 3A001.a.3. à 3A001.a.10. ou à l'alinéa 3A001.a.12., qui sont spécialement conçus pour ou qui présentent les mêmes caractéristiques fonctionnelles que d'autres équipements, est déterminé par le statut de ces autres équipements. Note 2: Le statut des circuits intégrés décrits aux alinéas 3A001.a.3. à 3A001.a.9. ou à l'alinéa 3A001.a.12., qui sont programmés ou conçus, de façon non modifiable, pour une fonction spécifique pour d'autres équipements, est déterminé par le statut des autres équipements. N.B.: Lorsque le fabricant ou le demandeur de la licence ne peut déterminer le statut de ces autres équipements, le statut des circuits intégrés est déterminé aux alinéas 3A001.a.3. à 3A001.a.9. et 3A001.a.12. Si le circuit intégré est un microcircuit microprocesseur ou un microcircuit microcontrôleur à base de silicium décrit à l'alinéa 3A001.a.3. ayant une longueur de mot d'opérande (données) inférieure ou égale à 8 bits, son statut est déterminé à l'alinéa 3A001.a.3. 3A001Composants électroniques, comme suit: 3A002Équipements électroniques à usage général, comme suit: 3A003Systèmes de gestion thermique à refroidissement par pulvérisation utilisant des dispositifs de traitement et de régénération des fluides en boucle fermée pourvus d'une enveloppe scellée, dans lesquels le fluide diélectrique est pulvérisé sur les composants électroniques à l'aide de tuyères de pulvérisation spécialement conçues pour maintenir les composants électroniques à leur température de fonctionnement, et leurs composants spécialement conçus. 3A101Dispositifs, équipements, systèmes et composants électroniques autres que ceux visés au paragraphe 3A001, comme suit: 3A201Composants électroniques, autres que ceux visés au paragraphe 3A001, comme suit: 3A225Changeurs de fréquence ou générateurs, autres que ceux visés à l'alinéa 0B001.b.13., possédant toutes les caractéristiques suivantes: Les changeurs de fréquence visés au paragraphe 3A225 sont aussi appelés convertisseurs ou inverseurs. 3A226Alimentations à forte intensité continue, autres que celles visées à l'alinéa 0B001.j.6., présentant les deux caractéristiques suivantes: 3A227Alimentations en courant continu à haute tension, autres que celles visées à l'alinéa 0B001.j.5., présentant les deux caractéristiques suivantes: 3A228Commutateurs, comme suit: 3A229Dispositifs de mise à feu et générateurs équivalents d'impulsions à haute intensité, comme suit: N.B.: VOIR ÉGALEMENT LISTE DES MATÉRIELS DE GUERRE. 3A230Générateurs d'impulsions à grande vitesse présentant les deux caractéristiques suivantes: Au paragraphe 3A230, le temps de transition des impulsions est défini comme le temps nécessaire pour passer de 10 à 90 % d'amplitude de la tension. 3A231Systèmes générateurs de neutrons, y compris des tubes, présentant les deux caractéristiques suivantes: 3A232Détonateurs et systèmes multipoints d'amorçage, comme suit: N.B.: VOIR ÉGALEMENT LISTE DES MATÉRIELS DE GUERRE. Note: Le paragraphe 3A232 ne vise pas les détonateurs faisant appel uniquement à des explosifs primaires, tels que l'azoture de plomb. Les détonateurs visés au paragraphe 3A232 utilisent tous un petit conducteur électrique (amorce à pont, fil à exploser ou feuille) qui se vaporise avec un effet explosif lorsqu'une impulsion électrique rapide à haute intensité passe par ledit conducteur. Dans les détonateurs de type non percuteur, le conducteur à explosion amorce une détonation chimique dans un matériau de contact fortement explosif comme le PETN (tétranitrate de pentaérythritol). Dans les détonateurs à percuteur, la vaporisation à action explosive du conducteur électrique amène un percuteur à passer au-dessus d'un écartement et l'impact du percuteur sur un explosif amorce une détonation chimique. Dans certains cas, le percuteur est actionné par une force magnétique. L'expression détonateur à feuille explosive peut se référer à un détonateur AP ou à un détonateur à percuteur. De même, le terme initiateur est parfois employé au lieu du terme détonateur. 3A233Spectromètres de masse, autres que ceux visés à l'alinéa 0B002.g., capables de mesurer des ions de 230 unités de masse atomique ou davantage, et d'avoir une résolution meilleure que 2 parties pour 230, comme suit, et leurs sources d'ions:

3AÉquipements, ensembles et composants a.

Circuits intégrés d'usage général, comme suit: Note 1: Le statut des plaquettes (finies ou non finies) dans lesquelles la fonction a été déterminée doit être évalué en fonction des paramètres de l'alinéa 3A001.a. Note 2: Les circuits intégrés comprennent les types suivants:

circuits intégrés monolithiques;

circuits intégrés hybrides;

circuits intégrés à multipuces;

circuits intégrés à film, y compris les circuits intégrés silicium sur saphir;

circuits intégrés optiques.

1. Circuits intégrés conçus ou prévus comme circuits résistants aux radiations pour supporter:

1. a.

une dose totale de 5 × 103 Gy (silicium) ou plus;

un débit de dose de 5 × 106 Gy (silicium)/s ou plus; ou

une fluence (flux intégré) de neutrons (1 MeV équivalent) de 5 × 1013 n/cm2 ou plus sur le silicium, ou son équivalent pour d'autres matériaux; Note: L'alinéa 3A001.a.1.c. n'est pas applicable aux métal-isolant-semiconducteurs (MIS).

2. Microcircuits microprocesseurs, microcircuits micro-ordinateurs, microcircuits microcontrôleurs, circuits intégrés mémoires fabriqués à partir d'un semi-conducteur composé, convertisseurs analogique-numérique, convertisseurs numérique-analogique, circuits intégrés électro-optiques et circuits intégrés optiques pour le traitement du signal, dispositifs logiques programmables par l'utilisateur, circuits intégrés pour réseaux neuronaux, circuits intégrés à la demande dont soit la fonction, soit le statut de l'équipement dans lesquels ils seront utilisés, n'est pas connu, processeurs de transformée de Fourier rapide (FFT), mémoires mortes programmables effaçables électriquement (EEPROM), mémoires flash, mémoires vives statiques (SRAM), comme suit: Note: L'alinéa 3A001.a.2. n'est pas applicable aux circuits intégrés destinés aux automobiles ou aux trains civils.

2. a.

prévus pour fonctionner à une température ambiante supérieure à 398 K (125 °C);

prévus pour fonctionner à une température ambiante inférieure à 218 K (– 55 °C); ou

prévus pour fonctionner dans toute la gamme de températures ambiantes comprise entre 218 K (– 55 °C) et 398 K (125 °C);

3. Microcircuits microprocesseurs, microcircuits microcalculateurs et microcircuits de microcommande, fabriqués à partir d'un semi-conducteur composé et fonctionnant à une fréquence d'horloge supérieure à 40 MHz; Note: L'alinéa 3A001.a.3. comprend les processeurs de signaux numériques, les processeurs matriciels numériques et les coprocesseurs numériques.

4. Circuits intégrés mémoires fabriqués à partir d'un semi-conducteur composé;

5. Notes techniques:

Circuits intégrés convertisseurs analogique-numérique et numérique-analogique, comme suit:

5. a.

convertisseurs analogique-numérique, présentant l'une des caractéristiques suivantes: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 3A101.

1. résolution de 8 bits ou plus mais inférieure à 10 bits, avec un débit de sortie supérieur à 500 millions de mots par seconde;

2. résolution de 10 bits ou plus mais inférieure à 12 bits, avec un débit de sortie supérieur à 200 millions de mots par seconde;

3. résolution de 12 bits avec un débit de sortie supérieur à 50 millions de mots par seconde;

4. résolution supérieure à 12 bits, mais égale ou inférieure à 14 bits, avec un débit de sortie supérieur à 5 millions de mots par seconde; ou

5. résolution supérieure à 14 bits avec un débit de sortie supérieur à 1 million de mots par seconde;

convertisseurs numérique-analogique ayant une résolution de 12 bits ou plus avec un temps d'établissement inférieur à 10 ns;

5. Notes techniques:

1. Une résolution de n bits correspond à une quantification de 2n niveaux.

2. Le nombre de bits dans le mot de sortie est égal à la résolution du convertisseur analogique-numérique.

3. Le débit de sortie est le débit de sortie maximal du convertisseur, indépendamment de l'architecture ou du suréchantillonnage. Les fabricants peuvent aussi désigner le débit de sortie sous l'appellation de taux d'échantillonnage, taux de conversion ou débit continu. Il est souvent exprimé en mégahertz (MHz) ou en méga échantillons par seconde (MSPS).

4. Pour la mesure du débit de sortie, un mot de sortie par seconde est équivalent à un Hertz ou à un échantillon par seconde.

6. circuits intégrés électro-optiques et circuits intégrés optiques pour le traitement de signal, présentant toutes les caractéristiques suivantes:

6. a.

une ou plusieurs diodes laser internes;

un ou plusieurs photodétecteurs internes; et

des guides d'onde optiques;

7. réseaux logiques programmables, présentant l'une des caractéristiques suivantes: Note: L'alinéa 3A001.a.7. inclut: N.B.: Les réseaux logiques programmables sont également connus comme réseaux de portes programmables ou réseaux logiques programmables.

7. a.

nombre de portes utilisables équivalent de plus de 30000 (portes à deux entrées);

temps de propagation de la porte de base typique de moins de 0,1 ns; ou

fréquence d'inversion supérieure à 133 MHz;

les dispositifs logiques programmables simples (SPLD)

les dispositifs logiques programmables complexes (CPLD)

les prédiffusés programmables (FPGA)

les réseaux logiques programmables par l'utilisateur (FPLA)

les interconnexions programmables par l'utilisateur (FPIC).

8. non utilisé;

9. circuits intégrés pour réseaux neuronaux;

10. circuits intégrés à la demande dont soit la fonction, soit le statut de l'équipement dans lesquels ils seront utilisés, n'est pas connu du fabricant, présentant l'une des caractéristiques suivantes:

10. a.

plus de 1000 sorties;

temps de propagation de la porte de base typique de moins de 0,1 ns; ou

fréquence de fonctionnement supérieure à 3 GHz;

11. circuits intégrés numériques, autres que ceux décrits aux alinéas 3A001.a.3. à 3A001.a.10. et 3A001.a.12., fabriqués à partir de tout semi-conducteur composé et présentant l'une des deux caractéristiques suivantes:

11. a.

nombre de portes équivalent de plus de 3000 (portes à deux entrées); ou

fréquence d'inversion supérieure à 1,2 GHz;

12. Note technique:

processeurs de transformée de Fourier rapide (FFT), présentant une durée d'exécution nominale pour une transformée de Fourier rapide de N points complexe inférieure à (N log2N)/20480 ms, N étant le nombre de points; Lorsque N est égal à 1024 points, la formule de l'alinéa 3A001.a.12. donne une durée d'exécution de 500 μs.

Dispositifs hyperfréquences ou à ondes millimétriques:

1. tubes électroniques à vide et cathodes, comme suit: Note 1: L'alinéa 3A001.b.1. ne vise pas les tubes conçus ou prévus pour fonctionner dans une bande de fréquences quelconque présentant toutes les caractéristiques suivantes: Note 2: L'alinéa 3A001.b.1. ne vise pas les tubes non qualifiés pour l'usage spatial et présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. a.

ne dépasse pas 31,8 GHz; et

est allouée par l'UIT pour les services de radiocommunications, mais pas pour le radiorepérage.

une puissance de sortie moyenne égale ou inférieure à 50 W; et

conçus ou prévus pour fonctionner dans une bande de fréquences quelconque présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. dépasse 31,8 GHz mais ne dépasse pas 43,5 GHz; et

2. est allouée par l'UIT pour les services de radiocommunications, mais pas pour le radiorepérage.

tubes à ondes progressives, à impulsions ou à ondes entretenues, comme suit:

1. opérant sur des fréquences supérieures à 31,8 GHz;

2. comportant un élément chauffant de cathode ayant un temps de montée inférieur à 3 secondes jusqu'à la puissance HF nominale;

3. tubes à cavités couplées, ou leurs dérivés, ayant une bande passante fractionnelle de plus de 7 % ou une puissance de crête supérieure à 2,5 kW;

4. tubes à hélices ou leurs dérivés, présentant l'une des caractéristiques suivantes:

4. a.

bande passante instantanée de plus d'une octave, et produit de la puissance moyenne (exprimée en kW) par la fréquence (exprimée en GHz) supérieur à 0,5;

bande passante instantanée d'une octave ou moins et produit de la puissance moyenne (exprimée en kW) par la fréquence (exprimée en GHz) supérieur à 1,0; ou

qualifiés pour l'usage spatial;

tubes amplificateurs à champs croisés ayant un gain supérieur à 17 dB;

cathodes imprégnées pour tubes électroniques produisant une densité de courant en émission continue dans les conditions de fonctionnement nominales dépassant 5 A/cm2;

2. amplificateurs de puissance à circuits intégrés monolithiques hyperfréquences présentant l'une des caractéristiques suivantes: Note 1: L'alinéa 3A001.b.2. ne vise pas les équipements satellites de radiodiffusion conçus ou prévus pour fonctionner dans la bande de fréquences de 40,5 GHz à 42,5 GHz. Note 2: Le statut des circuits intégrés monolithiques hyperfréquences dont la fréquence de fonctionnement prévue inclut des fréquences énumérées dans plus d'une gamme de fréquences, tels que définis aux alinéas 3A001.b.2.a à 3A001.b.2.f, est déterminé par le seuil minimum de contrôle de la puissance de sortie moyenne. Note 3: Les notes 1 et 2 figurant dans le chapeau de la catégorie 3 signifient que l'alinéa 3A001.b.2. ne vise pas les circuits intégrés monolithiques hyperfréquences lorsque ceux-ci sont spécialement conçus pour d'autres applications, par exemple: télécommunications, radars, automobiles.

2. a.

prévus pour fonctionner à des fréquences supérieures à 3,2 GHz et pouvant atteindre 6 GHz, ayant une puissance de sortie moyenne supérieure à 4 W (36 dBm) et une bande passante fractionnelle de plus de 15 %;

prévus pour fonctionner à des fréquences supérieures à 6 GHz et pouvant atteindre 16 GHz, ayant une puissance de sortie moyenne supérieure à 1 W (30 dBm) et une bande passante fractionnelle de plus de 10 %;

prévus pour fonctionner à des fréquences supérieures à 16 GHz et pouvant atteindre 31,8 GHz, ayant une puissance de sortie moyenne supérieure à 0,8 W (29 dBm) et une bande passante fractionnelle de plus de 10 %;

prévus pour fonctionner à des fréquences supérieures à 16 GHz et pouvant atteindre 37,5 GHz;

prévus pour fonctionner à des fréquences supérieures à 37,5 GHz et pouvant atteindre 43,5 GHz, ayant une puissance de sortie moyenne supérieure à 0,25 W (24 dBm) et une bande passante fractionnelle de plus de 10 %; ou

prévus pour fonctionner à des fréquences supérieures à 43,5 GHz.

3. transistors hyperfréquences discrets présentant l'une des caractéristiques suivantes: Note: Le statut des transistors dont la fréquence de fonctionnement prévue inclut des fréquences énumérées dans plus d'une gamme de fréquences, tels que définis aux alinéas 3A001.b.3.a. à 3A001.b.3.e. est déterminé par le seuil minimum de contrôle de la puissance de sortie moyenne.

3. a.

prévus pour fonctionner à des fréquences supérieures à 3,2 GHz et pouvant atteindre 6 GHz et ayant une puissance de sortie moyenne supérieure à 60 W (47,8 dBm);

prévus pour fonctionner à des fréquences supérieures à 6 GHz et pouvant atteindre 31,8 GHz et ayant une puissance de sortie moyenne supérieure à 20 W (43 dBm);

prévus pour fonctionner à des fréquences supérieures à 31,8 GHz et pouvant atteindre 37,5 GHz et ayant une puissance de sortie moyenne supérieure à 0,5 W (27 dBm);

prévus pour fonctionner à des fréquences supérieures à 37,5 GHz et pouvant atteindre 43,5 GHz et ayant une puissance de sortie moyenne supérieure à 1 W (30 dBm); ou

prévus pour fonctionner à des fréquences supérieures à 43,5 GHz.

4. Note technique:

amplificateurs à semi-conducteurs hyperfréquences et ensembles/modules comportant des amplificateurs hyperfréquences présentant l'une des caractéristiques suivantes: Il conviendrait d'utiliser 3,2 GHz comme fréquence de fonctionnement la plus basse (fGHz) dans la formule de l'alinéa 3A001.b.4.f.3. pour les amplificateurs dont la gamme de fonctionnement descend jusqu'à 3,2 GHz et en-deça [d≤15cm*GHz/3,2 GHz]. N.B.: Il conviendrait d'évaluer les amplificateurs de puissance à circuits intégrés monolithiques hyperfréquences en fonction des critères énoncés à l'alinéa 3A001.b.2. Note 1: L'alinéa 3A001.b.4. ne vise pas les équipements satellites de radiodiffusion conçus ou prévus pour fonctionner dans la bande de fréquences de 40,5 à 42,5 GHz. Note 2: Le statut des produits dont la fréquence de fonctionnement prévue inclut des fréquences énumérées dans plus d'une gamme de fréquences, tels que définis aux alinéas 3A001.b.4.a. à 3A001.b.4.e., est déterminé par le seuil minimum de contrôle de la puissance de sortie moyenne.

4. a.

prévus pour fonctionner à des fréquences supérieures à 3,2 GHz et pouvant atteindre 6 GHz, ayant une puissance de sortie moyenne supérieure à 60 W (47,8 dBm) et une bande passante fractionnelle de plus de 15 %;

prévus pour fonctionner à des fréquences supérieures à 6 GHz et pouvant atteindre 31,8 GHz, ayant une puissance de sortie moyenne supérieure à 15 W (42 dBm) et une bande passante fractionnelle de plus de 10 %;

prévus pour fonctionner à des fréquences supérieures à 16 GHz et pouvant atteindre 37,5 GHz;

prévus pour fonctionner à des fréquences supérieures à 37,5 GHz et pouvant atteindre 43,5 GHz, ayant une puissance de sortie moyenne supérieure à 1 W (30 dBm) et une bande passante fractionnelle de plus de 10 %;

prévus pour fonctionner à des fréquences supérieures à 43,5 GHz; ou

prévus pour fonctionner à des fréquences supérieures à 3,2 GHz et présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. une puissance de sortie moyenne (en watts), P, supérieure à 150 divisés par la fréquence de fonctionnement maximale (en GHz) au carré [P>150 W*GHz2/fGHz2];

2. une bande passante fractionnelle d'au moins 5 %; et

3. deux côtés perpendiculaires d'une longueur d (en cm) égale ou inférieure à 15 divisé par la fréquence de fonctionnement la plus basse en GHz [d = 15 cm*GHz/fGHz].

5. filtres passe-bande ou coupe-bande accordables électroniquement ou magnétiquement, comportant plus de 5 résonateurs accordables capables de s'accorder sur une bande de fréquences de 1,5:1 (fmax/fmin) en moins de 10 ìs, presentant l'une des caractéristiques suivantes:

5. a.

bande passante de plus de 0,5 % de la fréquence centrale; ou

bande de réjection de moins de 0,5 % de la fréquence centrale;

6. non utilisé;

7. mélangeurs et convertisseurs conçus pour étendre la gamme de fréquences des équipements décrits aux alinéas 3A002.c., 3A002.e. ou 3A002.f. au-delà des limites qui y sont mentionnées;

8. amplificateurs de puissance hyperfréquences contenant des tubes visés à l'alinéa 3A001.b. et présentant toutes les caractéristiques suivantes: Note: L'alinéa 3A001.b.8. ne vise pas les équipements conçus ou prévus pour fonctionner dans une bande de fréquences quelconque allouée par l'UIT pour les services de radiocommunications, mais pas pour le radiorepérage.

8. a.

fonctionnement à des fréquences supérieures à 3 GHz;

puissance volumique de sortie moyenne supérieure à 80 W/kg; et

volume inférieur à 400 cm3;

Dispositifs utilisant les ondes acoustiques, comme suit, et leurs composants spécialement conçus:

1. dispositifs utilisant les ondes acoustiques de surface et les ondes acoustiques rasantes (peu profondes) (à savoir: dispositifs de traitement de signal utilisant les ondes élastiques dans des matériaux), présentant l'une des caractéristiques suivantes:

1. a.

fréquence porteuse supérieure à 2,5 GHz;

fréquence porteuse supérieure à 1 GHz mais n'excédant pas 2,5 GHz et présentant l'une des caractéristiques suivantes:

1. réjection de fréquence des lobes latéraux supérieure à 55 dB;

2. produit du temps de propagation maximal (exprimé en ìs) par la bande passante (exprimée en MHz) supérieur à 100;

3. largeur de bande supérieure à 250 MHz; ou

4. temps de propagation dispersif supérieur à 10 μs; ou

fréquence porteuse de 1 GHz ou moins et présentant l'une des caractéristiques suivantes:

1. produit du temps de propagation maximal (exprimé en ìs) par la bande passante (exprimée en MHz) supérieur à 100;

2. temps de propagation dispersif supérieur à 10 μs; ou

3. réjection de fréquence des lobes latéraux supérieure à 55 dB et largeur de bande supérieure à 50 MHz;

2. dispositifs utilisant les ondes acoustiques (de volume) (à savoir: dispositifs de traitement de signal utilisant des ondes élastiques), permettant un traitement direct du signal à des fréquences supérieures à 1 GHz;

3. dispositifs de traitement de signal acousto-optiques, faisant appel à une interaction entre ondes acoustiques (de volume ou de surface) et ondes lumineuses permettant le traitement direct du signal ou d'images, y compris l'analyse spectrale, la corrélation ou la convolution;

dispositifs ou circuits électroniques contenant des composants fabriqués à partir de matériaux supraconducteurs, spécialement conçus pour fonctionner à des températures inférieures à la température critique d'au moins un des constituants supraconducteurs et réalisant l'une des fonctions suivantes:

1. commutation de courant pour circuits numériques utilisant des portes supraconductrices avec un produit du temps de propagation par porte (exprimé en secondes) par la puissance dissipée par porte (exprimée en watts) inférieur à 10– 14 J; ou

2. sélection de fréquence à toutes les fréquences utilisant des circuits résonants ayant des facteurs de qualité (Q) dépassant 10000;

dispositifs à haute énergie, comme suit:

1. batteries et générateurs photovoltaïques, comme suit: Note: L'alinéa 3A001.e.1. ne vise pas les batteries dont le volume est égal ou inférieur à 27 cm3 (par exemple une batterie C ou R14 standard).

1. a.

éléments de piles et de batteries et piles (batteries primaires) ayant une densité d'énergie supérieure à 480 Wh/kg et prévus pour fonctionner dans une gamme de températures allant de moins de 243 K (– 30 °C) à plus de 343 K (70 °C);

b. Note technique:

éléments et batteries d'accumulateurs rechargeables ayant une densité d'énergie supérieure à 150 Wh/kg après 75 cycles de charge/décharge dans une gamme de températures allant de moins de 253 K (– 20 °C) à plus de 333 K (60 °C) pour un courant de décharge égal à C/5 heures (C représentant la capacité nominale en ampères heures); La densité d'énergie est obtenue en multipliant la puissance moyenne exprimée en watts (égale au produit de la tension moyenne, exprimée en volts, par le courant moyen exprimé en ampères) par la durée de la décharge, exprimée en heures, à 75 % de la tension en circuit ouvert et en divisant le produit obtenu par la masse totale de l'élément (ou de la batterie) exprimée en kilogrammes.

générateurs photovoltaïques qualifiés pour l'usage spatial et résistants aux radiations ayant une puissance spécifique supérieure à 160 W/m2 à une température de fonctionnement de 301 K (28 °C) sous un flux lumineux de 1 kW/m2 provenant d'un filament de tungstène porté à 2800 K (2527 °C);

2. condensateurs à capacité de stockage d'énergie élevée, comme suit: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 3A201.a.

2. a.

condensateurs à décharge unique ayant une fréquence de répétition inférieure à 10 Hz, présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. tension nominale égale ou supérieure à 5kV;

2. densité d'énergie égale ou supérieure à 250 J/kg; et

3. énergie totale égale ou supérieure à 25 kJ;

condensateurs ayant une fréquence de répétition de 10 Hz ou plus (à décharges successives), présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. tension nominale égale ou supérieure à 5kV;

2. densité d'énergie égale ou supérieure à 50 J/kg;

3. énergie totale égale ou supérieure à 100 J; et

4. durée de vie égale ou supérieure à 10000 cycles charge/décharge;

3. électro-aimants et solénoïdes supraconducteurs, spécialement conçus pour un temps de charge/décharge complète inférieur à une seconde et présentant toutes les caractéristiques suivantes: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 3A201.b. Note: L'alinéa 3A001.e.3. ne vise pas les électro-aimants ou solénoïdes supraconducteurs spécialement conçus pour les équipements médicaux d'imagerie par résonance magnétique (IRM).

3. a.

énergie délivrée pendant la décharge supérieure à 10 kJ au cours de la première seconde;

diamètre intérieur des bobinages porteurs de courant supérieur à 250 mm; et

prévus pour une induction magnétique supérieure à 8 T ou une densité de courant globale à l'intérieur des bobinages de plus de 300 A/mm2;

codeurs de position absolue à arbre de type à entrée rotative, présentant l'une des deux caractéristiques suivantes:

1. résolution meilleure que 1 pour 265000 (résolution de 18 bits) pour la totalité de l'échelle; ou

2. précision meilleure que ± 2,5 secondes d'arc.

matériels d'enregistrement, comme suit, et leurs bandes étalons spécialement conçues:

1. enregistreurs analogiques d'instrumentation à bande magnétique, y compris ceux permettant d'enregistrer des signaux numériques (par exemple, utilisant un module d'enregistrement numérique à haute densité), présentant l'une des caractéristiques suivantes: Note: Les enregistreurs analogiques à bande magnétique spécialement conçus pour des applications civiles en matière de vidéo ne sont pas considérés comme étant des enregistreurs d'instrumentation.

1. a.

bande passante supérieure à 4 MHz par canal ou piste électronique;

bande passante supérieure à 2 MHz par canal ou piste électronique et comportant plus de 42 pistes; ou

erreur (de base) de décalage de temps, mesurée conformément aux documents IRIG ou EIA pertinents, inférieure à ± 0,1 μs;

2. enregistreurs vidéo numériques à bande magnétique ayant un taux de transfert d'interface numérique maximal supérieur à 360 Mbits/s; Note: L'alinéa 3A002.a.2. ne vise pas les enregistreurs vidéo numériques à bande magnétique spécialement conçus pour l'enregistrement de télévision utilisant un format de signal, qui peut être un format de signal compressé, conformément aux normes ou aux recommandations de l'UIT, du CEI, de la SMPTE, de l'UER, de l'ETSI ou de l'IEEE relatives aux applications civiles de télévision.

3. enregistreurs de données numériques d'instrumentation, à bande magnétique, employant des techniques de balayage hélicoïdal ou à tête fixe, présentant l'une des deux caractéristiques suivantes: Note: L'alinéa 3A002.e.3. ne vise pas les enregistreurs analogiques à bande magnétique équipés d'une électronique de conversion pour l'enregistrement numérique à haute densité et agencés de manière à n'enregistrer que des données numériques.

3. a.

taux de transfert d'interface numérique maximal supérieur à 175 Mbits/s; ou

qualifiés pour l'usage spatial;

4. équipements ayant un taux de transfert d'interface numérique maximal supérieur à 175 Mbits/s, conçus pour transformer les enregistreurs vidéo numériques à bande magnétique en vue de l'emploi comme enregistreurs numériques de données d'instrumentation;

5. Note technique:

numériseurs de formes d'ondes et enregistreurs de transitoires, présentant toutes les caractéristiques suivantes: Pour les instruments ayant une structure de bus parallèle, le débit continu est la vitesse de mots la plus élevée multipliée par le nombre de bits dans un mot. Le débit continu est le débit de données le plus rapide que l'instrument peut stocker en mémoire de masse sans aucune perte d'information tout en assurant le taux d'échantillonnage et la conversion analogique-numérique.

5. a.

taux de numérisation égal ou supérieur à 200 millions d'échantillons par seconde et résolution de 10 bits ou plus; et

débit continu de 2 Gbits/s ou plus;

6. enregistreurs numériques de données d'instrumentation, utilisant la technique de stockage sur disque magnétique, présentant toutes les caractéristiques suivantes:

6. a.

taux de numérisation égal ou supérieur à 100 millions d'échantillons par seconde et résolution de 8 bits ou plus; et

débit continu de 1 Gbits/s ou plus;

ensembles électroniquessynthétiseurs de fréquences ayant un temps de commutation de fréquence d'une fréquence donnée à une autre inférieur à 1 ms;

analyseurs de signaux de radiofréquence, comme suit:

1. analyseurs de signaux, capables d'analyser des fréquences supérieures à 31,8 GHz mais ne dépassant pas 37,5 GHz et ayant une résolution de bande passante à 3 dB supérieure à 10 MHz;

2. analyseurs de signaux, capables d'analyser des fréquences supérieures à 43,5 GHz;

3. analyseurs de signaux dynamiques, ayant une bande passante en temps réel supérieure à 500 kHz; Note: L'alinéa 3A002.c.3. ne vise pas les analyseurs de signaux dynamiques utilisant uniquement des filtres de bande passante à pourcentage constant (également connus sous le nom de filtres d'octaves ou de filtres d'octave partiels).

générateurs de signaux de fréquence synthétisés produisant des fréquences de sortie dont la stabilité à court et à long terme et la précision sont commandées par, dérivées de, ou assujetties à la fréquence étalon interne et présentant l'une des caractéristiques suivantes: Note: L'alinéa 3A002.d. ne vise pas les équipements dans lesquels la fréquence de sortie est produite par l'addition ou la soustraction de deux fréquences ou de plus de deux fréquences obtenues par des oscillateurs à quartz, ou par une addition ou une soustraction suivie d'une multiplication du résultat.

1. fréquence maximale synthétisée supérieure à 31,8 GHz mais n'excédant pas 43,5 GHz et pouvant générer une durée d'impulsion inférieure à 100 ns;

2. fréquence maximale synthétisée supérieure à 43,5 GHz;

3. temps de commutation de fréquence d'une fréquence donnée à une autre inférieur à 1 ms; ou

4. Note technique:

bruit de phase en bande latérale unique (BLU) meilleur que – (126 + 20 log10F – 20 log10f), exprimé en dBc/Hz, où F représente le décalage par rapport à la fréquence de fonctionnement exprimée en Hz et f la fréquence de fonctionnement exprimée en MHz; Aux fins de l'alinéa 3A002.d.1., on entend par durée d'impulsion le temps compris entre le moment où le bord d'attaque de l'impulsion atteint 90 % de la crête et celui où le bord de fuite de l'impulsion atteint 10 % de la crête.

analyseurs de réseaux ayant une fréquence maximale de fonctionnement supérieure à 43,5 GHz;

récepteurs d'essai hyperfréquences présentant les deux caractéristiques suivantes:

1. fréquence maximale de fonctionnement supérieure à 43,5 GHz; et

2. capacité de mesure simultanée de l'amplitude et de la phase;

étalons de fréquence atomiques présentant l'une des caractéristiques suivantes: Note: L'alinéa 3A002.g.1. ne vise pas les étalons de fréquence au rubidium qui ne sont pas qualifiés pour l'usage spatial.

1. stabilité à long terme (vieillissement) inférieure à (meilleure que) 1 × 10– 11/mois; ou

2. qualifiés pour l'usage spatial.

convertisseurs analogique-numérique, utilisables dans les missiles, conçus pour respecter les spécifications militaires relatives aux équipements renforcés;

accélérateurs capables de délivrer des rayonnements électromagnétiques produits par Bremsstrahlung à partir d'électrons accélérés à 2 MeV ou plus, et systèmes contenant ces accélérateurs. Note: L'alinéa 3A101.b. ci-dessus ne vise pas les systèmes ou équipements conçus à des fins médicales.

condensateurs possédant l'un des ensembles de caractéristiques suivants:

1. a.

voltage nominal supérieur à 1,4 kV;

stockage d'énergie supérieur à 10 J;

capacité supérieure à 0,5 μF; et

inductance série inférieure à 50 nH; ou

2. a.

voltage nominal supérieur à 750 V;

capacité supérieure à 0,25 μF; et

inductance série inférieure à 10 nH;

électro-aimants solénoïdaux supraconducteurs possédant toutes les caractéristiques suivantes: Note: L'alinéa 3A201.b. ci-dessus ne vise pas les aimants spécialement conçus et exportés comme éléments de systèmes médicaux d'imagerie à résonance magnétique nucléaire (RMN). Il est entendu que les termes comme éléments de ne signifient pas nécessairement que ces produits font physiquement partie du même envoi. Des envois séparés de sources différentes sont permis, à condition que les documents d'exportation correspondants précisent clairement le fait que les envois sont réalisés comme éléments de systèmes d'imagerie médicale.

1. capables de créer des champs magnétiques supérieurs à 2 T;

2. ayant un rapport L/D (longueur divisée par diamètre intérieur) supérieur à 2;

3. d'un diamètre intérieur supérieur à 300 mm; et

4. possédant un champ magnétique uniforme à moins de 1 % sur la moitié centrale du volume intérieur;

c. Notes techniques:

générateurs de rayons X à décharge éclair ou accélérateurs d'électrons à impulsion présentant l'un des ensembles de caractéristiques suivants: Note: L'alinéa 3A201.c. ne vise pas les accélérateurs qui sont des composants de dispositifs conçus à des fins autres que l'irradiation par faisceaux électroniques ou par rayons X (par exemple, microscopie électronique), et ceux conçus à des fins médicales.

1. a.

une énergie de crête des électrons de l'accélérateur égale ou supérieure à 500 KeV mais inférieure à 25 MeV; et

un facteur de mérite (K) égal ou supérieur à 0,25, K; ou

2. a.

une énergie de crête des électrons de l'accélérateur égale ou supérieure à 25 MeV; et

une puissance de crête supérieure à 50 MW.

c. Notes techniques:

1. Le facteur de mérite K se définit comme suit: K = 1,7 × 10^3V^2,65Q V étant l'énergie de crête des électrons exprimée en millions d'électron-volts. Q est la charge totale accélérée exprimée en coulombs lorsque la durée d'impulsion du faisceau de l'accélérateur est inférieure ou égale à 1 μs. Si la durée d'impulsion du faisceau de l'accélérateur est supérieure à 1 μs, Q représente la charge maximale accélérée en 1 μs. Q est l'intégrale de i par rapport à t, pendant une μs ou pendant la durée de l'impulsion du faisceau si celle-ci est inférieure à 1 μs (Q = ∫ idt) où i représente le courant du faisceau exprimé en ampères et t le temps exprimé en secondes).

2. Puissance de crête = (potentiel de crête en volts) × (courant de crête du faisceau en ampères).

3. Dans les machines fonctionnant avec des cavités d'accélération hyperfréquences, la durée de l'impulsion du faisceau est soit 1 μs, soit la durée du paquet de faisceaux produit par une impulsion du modulateur hyperfréquence si celle ci est inférieure à 1 μs.

4. Dans les machines fonctionnant avec des cavités d'accélération hyperfréquences, le courant de crête du faisceau représente le courant moyen pendant la durée d'un paquet de faisceaux groupés.

une sortie polyphasée pouvant fournir une puissance égale ou supérieure à 40 W;

capables de fonctionner dans la gamme de fréquences compris entre 600 et 2000 Hz;

une distorsion harmonique totale inférieure à 10 %; et

une précision de réglage de la fréquence meilleure que 0,1 %.

3AÉquipements, ensembles et composants Note technique: a.

capables de produire de façon continue, pendant une période de huit heures, 100 V ou plus, avec une intensité de courant supérieure ou égale à 500 A; et

une stabilité de l'intensité ou de la tension meilleure que 0,1 % pendant une période de 8 heures.

capables de produire de façon continue, pendant une période de 8 heures, 20 kV ou plus, avec une intensité de courant supérieure ou égale à 1 A; et

une stabilité de l'intensité ou de la tension meilleure que 0,1 % pendant une période de 8 heures.

tubes à cathode froide, qu'ils soient ou non remplis de gaz, fonctionnant de manière similaire à un éclateur à étincelle et présentant toutes les caractéristiques suivantes: Note: Le paragraphe 3A228 vise également les tubes krytron à gaz et les tubes sprytron à vide.

1. trois électrodes ou plus;

2. tension anodique nominale de crête égale ou supérieure à 2,5 kV;

3. courant anodique nominal de crête égal ou supérieur à 100 A; et

4. temporisation de l'anode égale ou inférieure à 10 ìs;

éclateurs à étincelle présentant les deux caractéristiques suivantes:

1. déclenchés avec une temporisation de l'anode égale ou inférieure à 15 μs; et

2. fonctionnant avec un courant nominal de crête égal ou supérieur à 500 A;

modules ou ensembles possédant une fonction de commutation rapide et présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. tension anodique nominale de crête supérieure à 2 kV;

2. courant anodique nominal de crête égal ou supérieur à 500 A; et

3. temps de commutation égal ou inférieur à 1 μs.

dispositifs de mise à feu de détonateurs d'explosifs conçus pour actionner les détonateurs à commande multiple visés au paragraphe 3A232;

b. Note technique:

générateurs d'impulsions électriques modulaires (contacteurs) présentant toutes les caractéristiques suivantes: Note: L'alinéa 3A229.b. vise également les dispositifs de commande de lampes éclairs au xénon. À l'alinéa 3A229.b.5., le temps de montée est défini comme étant l'intervalle de temps séparant des amplitudes de courant de 10 à 90 % quand le montage est fait sur charge résistive.

1. portables, mobiles ou pour une utilisation exigeant une robustesse élevée;

2. placés dans un boîtier étanche aux poussières;

3. capables de fournir leur énergie en moins de 15 ìs;

4. produisant un courant de plus de 100 A;

5. ayant un temps de montée inférieur à 10 μs avec des charges de moins de 40 ohms;

6. n'ayant aucune dimension supérieure à 254 mm;

7. ayant un poids inférieur à 25 kg; et

8. conçus pour fonctionner sur une plage de température allant de 223 K (– 50 °C) à 373 K (100 °C) ou conçus pour des applications aérospatiales.

tension de sortie supérieure à 6 volts dans une charge ohmique inférieure à 55 ohms; et

temps de transition des impulsions inférieur à 500 ps.

3AÉquipements, ensembles et composants Note technique: Note technique: a.

conçus pour fonctionner sans installation de vide extérieure; et

utilisant l'accélération électrostatique pour déclencher une réaction nucléaire tritium-deutérium.

détonateurs d'explosifs à commande électrique, comme suit:

1. amorce à pont (AP);

2. fils à exploser (FE);

3. percuteur;

4. initiateur à feuille explosive (IFE);

systèmes utilisant un détonateur unique ou des détonateurs multiples conçus pour amorcer quasi simultanément une surface explosive de plus de 5000 mm2 au moyen d'un signal unique de mise à feu avec un temps de propagation de l'amorçage sur toute la surface inférieure à 2,5 μs.

3AÉquipements, ensembles et composants Note technique: Note technique: Note technique: a.

spectromètres de masse au plasma associés par couplage inductifs;

spectromètres de masse à décharge luminescente;

spectromètres de masse à ionisation thermique;

spectromètres de masse à bombardement d'électrons ayant une chambre source construite en matériaux résistant à l'UF6 ou pourvue d'une doublure ou d'un placage de tels matériaux;

spectromètres de masse à faisceau moléculaire comme suit:

1. possédant une chambre source construite à partir, doublée ou plaquée, d'acier inoxydable ou de molybdène, ainsi qu'un piège cryogénique capable de refroidir à 193 K (– 80 °C) ou moins; ou

2. possédant une chambre source construite avec, doublée ou plaquée de matériaux résistant à l'UF6;

spectromètres de masse équipés d'une source d'ions à microfluoration conçue pour les actinides ou les fluorures d'actinide.

3BÉquipement d'essai, d'inspection et de production

3B001Équipements pour la fabrication de dispositifs ou de matériaux semi-conducteurs, comme suit, et leurs composants et accessoires spécialement conçus: 3B002Équipements de test spécialement conçus pour le test de dispositifs semi-conducteurs finis ou non finis comme suit, et leurs composants et accessoires spécialement conçus:

équipements spécialement conçus pour la croissance épitaxiale, comme suit:

1. équipements capables de produire une couche de tout matériau autre que le silicium d'épaisseur uniforme avec une précision de ± 2,5 % sur une distance de 75 mm ou plus;

2. réacteurs de dépôt en phase de vapeur par procédé chimique organométallique (MOCVD) spécialement conçus pour la croissance cristalline de semi-conducteurs composés par réaction chimique entre des matériaux visés aux paragraphes 3C003 ou 3C004;

3. équipement de croissance épitaxiale à jet moléculaire utilisant des sources gazeuses ou solides;

équipements conçus pour l'implantation ionique et présentant l'une des caractéristiques suivantes:

1. énergie de faisceau (tension d'accélération) de plus de 1 MeV;

2. spécialement conçus et optimisés pour fonctionner à une énergie de faisceau (tension d'accélération) de moins de 2 keV;

3. capacité d'écriture directe; ou

4. énergie de faisceau d'au moins 65 keV et courant de faisceau d'au moins 45 mA pour une implantation à haute énergie d'oxygène dans un substrat de matériau semi-conducteur chauffé;

équipements pour l'élimination par des méthodes sèches anisotropiques par plasma, comme suit:

1. équipement à fonctionnement cassette à cassette et à sas, et présentant l'une des deux caractéristiques suivantes:

1. a.

conçu ou optimisé pour produire des dimensions critiques de 180 nm ou moins avec une précision de 3 sigma ± 5 %; ou

conçu pour produire moins de 0,04 particules/cm2 avec une dimension de particule mesurable supérieure à 0,1 μm en diamètre;

2. équipement spécialement conçu pour les équipements visés à l'alinéa 3B001.e. et présentant l'une des deux caractéristiques suivantes:

2. a.

conçu ou optimisé pour produire des dimensions critiques de 180 nm ou moins avec une précision de 3 sigma ± 5 %; ou

conçu pour produire moins de 0,04 particules/cm2 avec une dimension de particule mesurable supérieure à 0,1 μm en diamètre;

équipements de dépôt en phase vapeur par procédé chimique amélioré par plasma, comme suit:

1. équipement à fonctionnement cassette à cassette et à sas, conçu selon les spécifications du fabricant ou optimisé pour être utilisé dans la production de dispositifs semi-conducteurs ayant une dimension critique égale ou inférieure à 180 nm;

2. équipement spécialement conçu pour les équipements visés à l'alinéa 3B001.e. et conçu selon les spécifications du fabricant ou optimisé pour être utilisé dans la production de dispositifs semi-conducteurs ayant une dimension critique égale ou inférieure à 180 nm;

systèmes centraux de manipulation des plaquettes pour le chargement automatique à chambres multiples, présentant toutes les caractéristiques suivantes: Note: L'alinéa 3B001.e. ne vise pas les systèmes automatiques robotisés de manipulation de plaquettes qui ne sont pas conçus pour fonctionner dans un environnement sous vide.

1. des interfaces pour l'entrée et la sortie des plaquettes et auxquelles doivent être connectés plus de deux équipements de traitement de semi conducteurs; et

2. ayant été conçues pour former un système intégré dans un environnement sous vide pour le traitement séquentiel multiple des plaquettes;

équipements de lithographie, comme suit:

1. photorépéteurs d'alignement et d'exposition (réduction directe sur la plaquette) ou photorépéteurs-balayeurs (scanners) pour le traitement de plaquettes utilisant des méthodes optiques ou à rayon X, et présentant l'une des caractéristiques suivantes:

1. a.

longueur d'onde de la source lumineuse inférieure à 245 nm; ou

b. Note technique:

capables de produire des figures dont la dimension de l'élément résoluble minimal est égale ou inférieure à 180 nm; La dimension de l'élément résoluble minimal est calculée à l'aide de la formule suivante: MRF = longueur d'onde de la source lumineuse d'exposition en nm × facteur Kouverture numérique où le facteur K = 0,45. MRF = dimension de l'élément résoluble minimal.

2. équipements spécialement conçus pour la production de masques ou le traitement de dispositifs semi-conducteurs, utilisant un faisceau électronique, un faisceau ionique ou un faisceau laser avec focalisation et balayage du faisceau, présentant l'une des caractéristiques suivantes:

2. a.

ayant une dimension du spot inférieure à 0,2 μm;

capables de produire des figures d'une dimension inférieure à 1 μm; ou

précision de chevauchement meilleure que ± 0,20 μm (3 sigma);

masques ou réticules conçus pour circuits intégrés visés au paragraphe 3A001;

masques multicouches comportant une couche à décalage de phase. Note: L'alinéa 3B001.h. ne vise pas les masques multicouches comportant une couche à décalage de phase conçus pour la fabrication de dispositifs mémoire non visés par le paragraphe 3A001.

pour le test des paramètres S de transistors à une fréquence supérieure à 31,8 GHz;

non utilisé;

pour le test de circuits intégrés hyperfréquences visés à l'alinéa 3A001.b.2.

3CMatières 3C001Matériaux hétéro-épitaxiés consistant en un substrat comportant des couches multiples empilées obtenues par croissance épitaxiale: 3C002Résines photosensibles (résists), comme suit, et substrats revêtus de résine photosensible sous contrôle: 3C003Composés organo-inorganiques, comme suit: Note: Le paragraphe 3C003 ne vise que des composés dont l'élément métallique, partiellement métallique ou non métallique est lié directement à un carbone de la partie organique de la molécule. 3C004Hydrures de phosphore, d'arsenic ou d'antimoine, ayant une pureté supérieure à 99,999 %, même dilués dans des gaz inertes ou dans l'hydrogène. Note: Le paragraphe 3C004 ne vise pas les hydrures contenant 20 % molaire ou plus de gaz inertes ou d'hydrogène.

3CMatières a.

silicium;

germanium;

carbure de silicium; ou

d. Note technique:

de composés III/V de gallium ou d'indium. Les composés III/V sont des produits polycristallins ou monocristallins binaires ou complexes constitués d'éléments des groupes IIIA et VA du tableau de classification périodique de Mendeleïev (arséniure de gallium, arséniure de gallium-aluminium, phosphure d'indium, etc.).

résines photosensibles (résists) positives pour lithographie des semi-conducteurs spécialement adaptées (optimisées) pour l'emploi à des longueurs d'onde inférieures à 350 nm;

toutes résines photosensibles (résists) destinées à être utilisées sous l'effet de faisceaux électroniques ou ioniques, ayant une sensibilité de 0,01 μcoulomb/mm2 ou meilleure;

toutes résines photosensibles (résists) destinées à être utilisées sous l'effet des rayons X, ayant une sensibilité de 2,5 mJ/mm2 ou meilleure;

d. Note technique:

toutes résines photosensibles (résists) optimisées pour des technologies de formation d'images de surface, notamment résines photosensibles à silylation. Les techniques de silylation sont des procédés qui comportent l'oxydation de la surface de la résine photosensible pour améliorer les performances de développement humide ou à sec.

composés organométalliques d'aluminium, de gallium et d'indium ayant une pureté (pureté du métal) supérieure à 99,999 %;

composés organoarséniés, organoantimoniés et organophosphorés ayant une pureté (pureté de l'élément inorganique) supérieure à 99,999 %.

3DLogiciel Note technique:

3D001Logiciel spécialement conçu pour le développement ou la production d'équipements visés par les alinéas 3A001.b. à 3A002.g. ou sous la catégorie 3B. 3D002Logiciel spécialement conçu pour l'utilisation de l'un des équipements suivants: 3D003Logiciel de simulation basé sur la physique, spécialement conçu pour le développement de procédés de lithographie, de gravure et de dépôt pour transformer des figures de masque en figures topographiques spécifiques dans les conducteurs, les diélectriques ou les matériaux semi-conducteurs. Aux fins du paragraphe 3D003, on entend par basé sur les lois de la physique le recours à des calculs afin de déterminer une séquence d'événements physiques, impliquant une relation de cause à effet, sur la base de propriétés physiques (par exemple: température, pression, constantes de diffusion et propriétés des matériaux semi-conducteurs). Note: Les bibliothèques, caractéristiques de conception ou données connexes pour la conception de dispositifs semi-conducteurs ou de circuits intégrés sont considérées comme de la technologie. 3D004Logiciels spécialement conçus pour le développement des équipements visés au paragraphe 3A003. 3D101Logiciel spécialement conçu ou modifié pour l'utilisation des équipements spécifiés à l'alinéa 3A101.b.

3DLogiciel a.

équipement visé aux alinéas 3B001.a. à 3B001.f.; ou

équipement visé au paragraphe 3B002.

3ETechnologie Note technique:

3E001Technologie, au sens de la note générale de technologie, pour le développement ou la production des équipements ou matériaux visés par les sous-catégories 3A, 3B ou 3C. Note 1: Le paragraphe 3E001 ne vise pas la technologie pour la production des dispositifs ou composants visés par le paragraphe 3A003. Note 2: Le paragraphe 3E001 ne vise pas les technologies pour le développement ou la production des circuits intégrés visés aux alinéas 3A001.a.3. à 3A001.a.12., présentant toutes les caractéristiques suivantes: Les termes structures multicouches ne comprennent pas les dispositifs comprenant un maximum de trois couches métalliques et trois couches de silicium polycristallin. 3E002Technologie selon la note générale de technologie, autre que celle visée au paragraphe 3E001, pour le développement ou la production de microcircuits de micro-ordinateurs et de microcircuits de microcontrôleurs ayant une performance théorique pondérée (PTP) égale ou supérieure à 530 millions d'opérations théoriques par seconde (Motps) et une unité arithmétique et logique (UAL) ayant une largeur d'accès égale ou supérieure à 32 bits. Note: La note d'exclusion no 2 au paragraphe 3E001 s'applique également au paragraphe 3E002. 3E003Autres technologies pour le développement ou la production de: 3E101Technologie selon la note générale de technologie pour l'utilisation des équipements ou du logiciel spécifiés en 3A001.a.1. ou 3A001.a.2., 3A101 ou 3D101. 3E102Technologie selon la note générale de technologie pour le développement du logiciel spécifié en 3D101. 3E201Technologie selon la note générale de technologie pour l'utilisation des équipements spécifiés en 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A201, 3A225 à 3A233.

3ETechnologie

1. faisant appel à une technologie de 0,5 μm ou plus, et

2. ne comprenant pas de structures multicouches.

3ETechnologie Note technique: a.

dispositifs micro-électroniques à vide;

dispositifs semi-conducteurs à hétérostructure tels que les transistors à haute mobilité d'électrons (HEMT), transistors hétéro-bipolaires (HBT), dispositifs à puits quantique ou à super-réseaux; Note: L'alinéa 3E003.b. ne vise pas les technologies pour les transistors à haute mobilité d'électrons (HEMT) fonctionnant à des fréquences inférieures à 31,8 GHz et les transistors hétéro-bipolaires (HBT) fonctionnant à des fréquences inférieures à 31,8 GHz.

dispositifs électroniques à supraconducteurs;

substrats de films de diamant pour composants électroniques;

substrats de silicium sur isolant (SOI) pour circuits intégrés dont l'isolant est le dioxyde de silicium;

substrats de carbure de silicium pour composants électroniques;

tubes électroniques à vide fonctionnant à des fréquences égales ou supérieures à 31,8 GHz.

CATÉGORIE 4 CALCULATEURS

Note 1: Les calculateurs, matériels connexes ou logiciels assurant des fonctions de télécommunications ou de réseaux locaux doivent être évalués également en regard des caractéristiques de performances définies dans la catégorie 5, partie 1 (Télécommunications). Note 2: Les unités de commande assurant une interconnexion directe des bus ou des voies d'unités centrales de traitement, de mémoire centrale ou de contrôleurs de disques ne sont pas considérées comme des matériels de télécommunications décrits dans la catégorie 5, partie 1 (Télécommunications). N.B.: Pour le statut du logiciel spécialement conçu pour la commutation par paquets, voir 5D001. Note 3: Les calculateurs, matériels connexes ou logiciels assurant des fonctions cryptographiques ou cryptoanalytiques, une sécurité multiniveau certifiée ou une isolation de l'utilisateur certifiée, ou limitant la compatibilité électromagnétique (EMC), doivent être évalués également en regard des caractéristiques de performance définies dans la catégorie 5, partie 2 (Sécurité de l'information).

4AÉquipements, ensembles et composants

4A001Calculateurs électroniques et matériels connexes, comme suit, et leurs ensembles électroniques et composants spécialement conçus: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 4A101 4A003Calculateurs numériques, ensembles électroniques et leurs matériels connexes, comme suit, et leurs composants spécialement conçus: Note 1: Le paragraphe 4A003 comprend: Note 2: Le statut des calculateurs numériques ou matériels connexes décrits au paragraphe 4A003 est régi par le statut d'autres équipements ou systèmes, à condition que: 4A004Calculateurs, comme suit, et leurs matériels connexes, ensembles électroniques et composants spécialement conçus: 4A101Calculateurs analogiques, calculateurs numériques ou analyseurs différentiels numériques, autres que ceux visés à l'alinéa 4A001.a.1., à haute robustesse et conçus ou modifiés pour être utilisés dans les lanceurs spatiaux visés au paragraphe 9A004 ou les fusées-sondes visées au paragraphe 9A104. 4A102Calculateurs hybrides spécialement conçus pour le modelage, la simulation ou l'intégration des lanceurs spatiaux visés au paragraphe 9A004 ou les fusées-sondes visées au paragraphe 9A104. Note: Le présent paragraphe ne vise que les équipements fournis avec le logiciel visé aux paragraphes 7D103 ou 9D103.

Spécialement conçus pour présenter l'une des caractéristiques suivantes:

1. prévus pour fonctionner à une température ambiante inférieure à 228 K (– 45 °C) ou supérieure à 358 K (85 °C); Note: L'alinéa 4A001.a.1 n'est pas applicable aux calculateurs spécialement conçus pour les automobiles ou les trains civils.

2. résistance aux radiations à un niveau dépassant l'une quelconque des spécifications suivantes: a. dose totale 5 × 103 Gy (silicium); b. débit de dose 5 × 106 Gy (silicium)/s; ou c. modification par événement unique 1 × 10–7 erreur/bit/jour;

Présentant des caractéristiques ou effectuant des fonctions supérieures aux limites définies dans la catégorie 5, partie 2 (sécurité de l'information). Note: L'alinéa 4A001.b. n'est pas applicable aux calculateurs électroniques et matériels connexes qui accompagnent leur utilisateur pour son usage personnel.

les processeurs vectoriels;

les processeurs matriciels;

les processeurs de signaux numériques;

les processeurs logiques;

les équipements conçus pour le renforcement d'image;

les équipements conçus pour le traitement de signal.

les calculateurs numériques ou matériels connexes soient essentiels au fonctionnement de ces autres équipements ou systèmes;

les calculateurs numériques ou matériels connexes ne soient pas un élément principal de ces autres équipements ou systèmes; et N.B. 1: Le statut des matériels pour le traitement de signal ou le renforcement d'image spécialement conçus pour d'autres équipements, ayant des fonctions limitées à celles nécessaires au fonctionnement desdits équipements, est déterminé par le statut de ces équipements, même s'ils dépassent le critère d'élément principal. N.B. 2: En ce qui concerne le statut des calculateurs numériques ou de leurs matériels connexes pour matériels de télécommunications, voir la catégorie 5, partie 1 (Télécommunications).

la technologie afférente aux calculateurs numériques et matériels connexes soit déterminée par la sous-catégorie 4E.

Conçus ou modifiés pour la tolérance de panne; Note: Aux fins de l'alinéa 4A003.a., les calculateurs numériques et matériels connexes ne sont pas considérés comme conçus ou modifiés pour la tolérance de panne s'ils utilisent l'un des éléments suivants:

1. des algorithmes de détection et de correction d'erreur dans la mémoire centrale;

2. l'interconnexion de deux calculateurs numériques, de sorte que, si l'unité centrale de traitement en activité tombe en panne, l'unité centrale de traitement inactive mais en miroir permette au système de continuer à fonctionner;

3. l'interconnexion de deux unités centrales de traitement par des voies de données ou par l'emploi d'une mémoire partagée, de sorte qu'une unité centrale de traitement effectue une autre tâche jusqu'à ce que la seconde unité centrale de traitement tombe en panne, la première unité centrale de traitement prenant alors la relève et permettant au système de continuer à fonctionner; ou

4. la synchronisation de deux unités centrales de traitement par logiciel, de sorte qu'une unité centrale de traitement sache quand l'autre unité centrale de traitement tombe en panne et reprenne les tâches de celle-ci.

Calculateurs numériques ayant une performance de crête corrigée (PCC) dépassant 0,75 Teraflops pondérés (TP);

Ensembles électroniques spécialement conçus ou modifiés afin de renforcer les performances par agrégation de processeurs de sorte que la PCC de l'agrégation dépasse la limite définie à l'alinéa 4A003.b.; Note 1: L'alinéa 4A003.c. ne s'applique qu'aux ensembles électroniques et aux interconnexions programmables ne dépassant pas la limite définie à l'alinéa 4A003.b., lorsqu'ils sont expédiés sous forme d'ensembles électroniques non intégrés. Il ne s'applique pas aux ensembles électroniques intrinsèquement limités par la nature de leur conception à servir comme matériel connexe visé par l'alinéa 4A003.e. Note 2: L'alinéa 4A003.c. ne vise pas les ensembles électroniques spécialement conçus pour un produit ou une famille de produits dont la configuration maximale ne dépasse pas la limite définie à l'alinéa 4A003.b.

Non utilisé;

Équipements effectuant des conversions analogique-numérique dépassant les limites définies à l'alinéa 3A001.a.5.;

Non utilisé;

Équipements spécialement conçus pour permettre l'interconnexion externe de calculateurs numériques ou matériels associés autorisant des communications à des débits supérieurs à 1,25 Goctets/s. Note: L'alinéa 4A003.g. ne vise pas les équipements d'interconnexion interne (tels que fonds de panier ou bus), les équipements d'interconnexion passive, les contrôleurs d'accès au réseau ou les contrôleurs de communication.

calculateurs à réseaux systoliques;

calculateurs neuronaux;

calculateurs optiques.

4BÉquipement d'essai, d'inspection et de production

Néant.

4CMatières Néant.

4DLogiciel Note: Le statut du logiciel pour le développement, la production ou l'utilisation d'équipements décrits dans d'autres catégories est régi par la catégorie pertinente; celui du logiciel relatif aux équipements décrits dans la présente catégorie est régi par cette dernière. 4D002Logiciel spécialement conçu ou modifié pour renforcer la technologie visée par la sous-catégorie 4E. 4D003Logiciels spécifiques, comme suit:

4DLogiciel

4D001a. Logiciel spécialement conçu ou modifié pour le développement, la production ou l'utilisation d'équipements ou de matériaux ou de logiciels visés par les paragraphes 4A001 à 4A004 ou la sous-catégorie 4D.

Logiciel autre que celui visé par l'alinéa 4D001.a., spécialement conçu ou modifié pour le développement ou la production de:

1. calculateurs numériques ayant une performance de crête corrigée (PCC) dépassant 0,04 Teraflops pondérés (TP); ou

2. ensembles électroniques spécialement conçus ou modifiés afin de renforcer les performances par agrégation de processeurs de sorte que la PCC de l'agrégation dépasse la limite définie à l'alinéa 4D001.b.1.

logiciel système d'exploitation, outils de développement de logiciel et compilateurs, spécialement conçus pour des équipements de traitement de flots de données multiples, en code source;

non utilisé;

logiciel présentant des caractéristiques ou exécutant des fonctions au-delà des limites prévues dans la catégorie 5, partie 2 (Sécurité de l'information); Note: L'alinéa 4D003.c. n'est pas applicable aux logiciels qui accompagnent leur utilisateur pour son usage personnel.

4ETechnologie

4E001a. Technologie selon la note générale de technologie, pour le développement, la production ou l'utilisation des équipements ou logiciels visés aux sous-catégories 4A ou 4D.

Technologie autre que celle visée par l'alinéa 4E001.a., spécialement conçue ou modifiée pour le développement ou la production de:

1. calculateurs numériques ayant une performance de crête corrigée (PCC) dépassant 0,04 Teraflops pondérés (TP); ou

Note technique relative à la Performance théorique pondérée (PTP) Abréviations utilisées dans la présente technique

EC élément de calcul (généralement unité arithmétique et logique) f virgule flottante x virgule fixe T temps d'exécution OUX opération logique de OU exclusif UC unité centrale de traitement PT performance théorique (d'un EC unique) PTP performance théorique pondérée (d'un ensemble d'EC) V vitesse efficace calculée LM longueur de mot L pondération de la longueur de mot * multiplication Le temps d'exécution t est exprimé en microsecondes, la PT et la PTP sont exprimées en millions d'opérations théoriques par seconde (Motps) et la LM est exprimée en bits.

Description de la méthode de calcul de la PTP

La PTP est une mesure des capacités de calcul, exprimée en millions d'opérations théoriques par seconde (Motps). Les trois opérations ci-après sont nécessaires pour le calcul de la PTP d'une agrégation d'EC: Le détail de ces opérations figure dans les sections ci-après. Note 1: Pour les agrégations de plusieurs EC comportant des sous-systèmes, les uns avec les autres sans partage de mémoire, le calcul de la PTP sera effectué de façon hiérarchique, en deux temps: effectuer premièrement l'agrégation des groupes d'EC partageant leur mémoire; deuxièmement, calculer la PTP des groupes en utilisant la méthode de calcul applicable aux EC multiples ne partageant pas leur mémoire. Note 2: Les EC qui sont limités aux fonctions entrée-sortie ou aux fonctions de périphériques (par exemple, les contrôleurs d'unités de disques, de communications et d'écrans vidéo) ne sont pas agrégés pour le calcul de la PTP.

1. calcul de la vitesse efficace calculée V pour chaque EC;

2. application de la pondération de la longueur de mot (L) à la vitesse efficace calculée (V), résultant en une performance théorique (PT) pour chaque EC;

3. s'il existe plus d'un EC, combinaison des PT résultant en une PTP pour l'agrégation.

NOTE TECHNIQUE RELATIVE À LA PTP

Le tableau ci-après montre la méthode de calcul de la vitesse efficace calculée V pour chaque EC: Opération 1: vitesse efficace calculée V Pour les EC réalisant: Note: Chaque EC doit être évalué de façon indépendante Vitesse efficace calculée, V Virgule fixe seule Vx = 13 × txp add si aucune addition n'est exécutable: Vx = 1txp mult si ni l'addition ni la multiplication ne sont exécutables, prendre en compte l'opération arithmétique disponible la plus rapide, comme suit: Vx = 13 × txp Voir notes X, Z Virgule flottante seule Vf = max 1tfp add, 1tfp mult Voir notes X, Y À la fois fixe et flottante (V) Calculer à la fois Vx, Vf Pour les processeurs logiques simples n'effectuant aucune des opérations arithmétiques spécifiées V = 13 × tlogs tlogs étant le temps d'exécution de OUX, ou pour l'entité logique n'effectuant pas de OUX, l'opération logique simple la plus rapide Voir notes X, Z Pour les processeurs logiques spéciaux n'effectuant aucune des opérations logiques ou arithmétiques précédentes V = V' × LM/64 V' étant le nombre de résultats par seconde, LM le nombre de bits sur lequel s'effectue l'opération logique et 64 le facteur de normalisation à 64 bits Note W Pour un EC en pipeline, capable d'exécuter jusqu'à une opération arithmétique ou logique par cycle d'horloge une fois que le pipeline est rempli, une vitesse en pipeline peut être déterminée. La vitesse efficace calculée (V) pour un tel EC est la vitesse en pipeline ou la vitesse d'exécution non en pipeline, le chiffre à retenir étant celui de la vitesse la plus élevée. Note X Pour un EC exécutant des opérations multiples d'un type spécifique en un cycle unique (par exemple deux additions par cycle ou deux opérations logiques identiques par cycle), le temps d'exécution t est le suivant: t = durée du cyclele nombre d'opérations identiques par cycle machine Les EC exécutant différents types d'opérations arithmétiques ou logiques en un seul cycle machine doivent être traités en tant que multiples EC séparés fonctionnant simultanément (par exemple un EC exécutant une addition et une multiplication en un cycle doit être traité en tant que deux EC, le premier exécutant une addition en un cycle et le second une multiplication en un cycle). Si un EC unique possède à la fois la fonction scalaire et la fonction vectorielle, retenir la valeur du temps d'exécution la plus faible. Note Y Pour un EC qui n'exécute pas l'addition en virgule flottante ni la multiplication en virgule flottante mais qui effectue la division en virgule flottante: Vf = ltf dlv Si un EC exécute la réciproque en virgule flottante mais non l'addition en virgule flottante, la multiplication en virgule flottante ni la division en virgule flottante: Vf = lt reciproque f Si aucune des instructions spécifiées n'est exécutable, la vitesse efficace en virgule flottante est égale à zéro. Note Z Dans les opérations logiques simples, une instruction unique effectue une manipulation logique unique de pas plus de deux opérandes de longueurs données. Dans des opérations logiques complexes, une instruction unique effectue des manipulations logiques multiples pour produire un ou plusieurs résultats à partir de deux ou plus de deux opérandes. Les vitesses doivent être calculées pour toutes les longueurs d'opérande exécutables, en tenant compte des opérations en pipeline (si elles sont exécutables) et des opérations non en pipeline, au moyen des instructions d'exécution les plus rapides pour chacune des longueurs d'opérande, en se basant sur: Pour chacun des cas ci-dessus, utiliser le temps d'exécution le plus rapide certifié par le fabricant. Opération 2: Pondération pour chaque longueur d'opérande LM exécutable Ajuster la vitesse calculée V (ou V') par le coefficient de pondération selon la longueur de mot L, comme suit: Note: La longueur de mot LM utilisée dans ces calculs est la longueur en bits de l'opérande. (Si une opération utilise des opérandes de différentes longueurs, retenir la plus importante.) Pour le calcul de la PTP, la combinaison d'une unité arithmétique et logique à mantisse et d'une unité arithmétique et logique exposant, dans un processeur ou une unité à virgule flottante, est considérée comme un EC ayant une longueur de mot (LM) égale au nombre de bits dans la représentation de données (généralement 32 ou 64). Cette pondération ne s'applique pas aux processeurs logiques spécialisés n'effectuant pas l'instruction OUX. Dans ce dernier cas, PT = V. Retenir la valeur maximale de PT obtenue: Opération 3: PTP des agrégations d'EC, notamment des UC Pour une UC ayant un seul EC, PTP = PT [Pour les EC utilisant à la fois les opérations en virgule fixe et en virgule flottante PT = max (PTf, PTx)] La PTP des agrégations de plusieurs EC fonctionnant simultanément est calculée comme suit: Note 1: Pour les agrégations ne permettant pas le fonctionnement simultané de tous les EC, la combinaison possible des EC procurant la PTP la plus élevée sera utilisée. La PT de chaque EC concerné doit être agrégée sous sa valeur maximale théoriquement possible, avant que la PTP de la combinaison n'en soit déduite. N.B.: Afin de déterminer les combinaisons possibles d'EC fonctionnant simultanément, produire une séquence d'instructions en vue d'effectuer des opérations en EC multiples en commençant par l'EC le plus lent (celui nécessitant le plus grand nombre de cycles pour mener à terme l'opération) et en finissant par l'EC le plus rapide. Lors de chaque cycle de la séquence, la combinaison des EC qui sont exploités lors du cycle est une combinaison possible. La séquence d'instructions doit tenir compte de toutes les contraintes résultant du matériel et/ou de l'architecture sur les opérations exécutées simultanément. Note 2: Une seule puce ou une seule carte de circuits intégrés peut contenir des EC multiples. Note 3: Des opérations simultanées sont supposées exister lorsque le fabricant du calculateur stipule, dans un manuel ou une brochure du calculateur, l'existence d'un fonctionnement ou d'une exécution en mode concurrent, parallèle ou simultané. Note 4: Les valeurs de PTP ne doivent pas être agrégées pour les combinaisons d'EC (inter)connectées par des réseaux locaux, réseaux étendus, connexions/dispositifs à entrées/sorties partagées, contrôleurs d'entrée/sortie et toutes interconnexions de communications mises en œuvre par du logiciel. Note 5: Les valeurs de PTP doivent être agrégées pour les EC multiples spécialement conçus pour améliorer les performances par agrégation, fonctionnant simultanément et partageant leur mémoire, ou les combinaisons mémoires EC multiples fonctionnant simultanément et utilisant du matériel spécialement conçu. Cette agrégation ne s'applique pas aux ensembles électroniques décrits à l'alinéa 4A003.c. CTP = PT1 + C2 × PT2 + … + Cn × PTn, les PT étant classées par ordre décroissant, PT1 étant la plus élevée, PT2 la valeur immédiatement inférieure, …, PTn la plus faible et Ci étant le coefficient déterminé par la force d'interconnexion entre les EC, comme suit: Pour les agrégations de plusieurs EC fonctionnant simultanément et partageant leur mémoire: Note 1: Lorsque la PTP calculée par la méthode ci-dessus ne dépasse pas 194 Motps, la formule suivante peut être employée pour calculer Ci: Ci = 0,75m(i = 2, …, n) m = nombre d'EC ou de groupes d'EC partageant l'accès à condition que: N.B. La présente note ne s'applique pas aux équipements visés par la catégorie 3. Note 2: Les EC partagent leur mémoire s'ils ont accès à une section commune d'une mémoire à semi-conducteurs. Cette dernière peut inclure une mémoire cache, une mémoire centrale ou une autre mémoire interne. Des dispositifs mémoire périphériques, tels que les unités de disques, les dérouleurs de bande magnétique ou les disques RAM ne sont pas inclus. Pour les agrégations de plusieurs EC ou groupes d'EC ne partageant pas leur mémoire et interconnectés par une ou plusieurs voies de données: Ci La valeur de Ci est fondée sur le nombre d'EC, et non sur le nombre de nœuds. où: ki min (Si/Kr, 1), et Kr facteur de 20 Moctets/s permettant de retourner à une vitesse de base. Si somme des débits maximaux (en Moctets/s) pour toutes les voies de données connectées au ièmeEC ou groupe d'EC partageant leur mémoire. Lors du calcul de Ci pour un groupe d'EC, le numéro du premier EC du groupe détermine la limite convenable pour Ci. Par exemple, pour une agrégation de groupes comportant chacun 3 EC, le 22e groupe comprendra EC64, EC65 et EC66. La limite convenable de Ci pour ce groupe est 0,60. L'agrégation (d'EC ou de groupes d'EC) doit aller du plus rapide au plus lent, de sorte que: dans le cas où PTi = PTi + 1 l'opération doit s'effectuer du plus puissant au plus faible, de sorte que: Note: Le facteur ki ne doit pas être appliqué aux EC 2 à 12 si la TPi de l'EC ou du groupe d'EC est supérieure à 50 Motps, de sorte que Ci est égal à 0,75 pour les EC 2 à 12.

1. les opérations en pipeline ou de registre à registre. Exclure les temps d'exécution exceptionnellement brefs obtenus pour des opérations correspondant à un(des) opérande(s) prédéterminé(s) (par exemple multiplication par 0 ou par 1). Si l'EC n'exécute pas d'opération de registre à registre, appliquer le point 2;

2. la plus rapide des opérations: soit de registre à mémoire, soit de mémoire à registre. Si celles-ci n'existent pas non plus, alors appliquer le point 3;

3. les opérations de mémoire à mémoire.

PT = V × L avec: L = (1/3 + LM/96)

chaque virgule fixe — EC uniquement (Vx);

chaque virgule flottante — EC uniquement (Vf);

chaque EC à virgule fixe et flottante combinée (V);

chaque processeur logique simple n'effectuant aucune des opérations arithmétiques spécifiées; et

chaque processeur logique spécial n'effectuant aucune des opérations logiques ou arithmétiques précédentes.

C2 = C3 = C4 = … = Cn = 0,75.

1. la PTi de chaque EC ou groupe d'EC ne dépasse pas 30 Motps;

2. les EC ou groupes d'EC partagent l'accès à la mémoire centrale (à l'exclusion de la mémoire cache) sur une seule voie; et

3. un seul EC ou groupe d'EC puisse utiliser la voie à tout moment.

= 0,75 × ki (i = 2, …, 32) (voir note ci-dessous)

= 0,60 × ki (i = 33, …, 64)

= 0,45 × ki (i = 65, …, 256)

= 0,30 × ki (i > 256)

TP1 ≥ TP2 ≥ … ≥ TPn, et

Ci ≥ Ci + 1

NOTE TECHNIQUE SUR LA PERFORMANCE DE CRÊTE CORRIGÉE (PCC)

La PCC est un taux de crête corrigé auquel les calculateurs numériques exécutent des additions et des multiplications en virgule flottante de 64 bits ou plus. La PCC est exprimée en Teraflops pondérés (TP), en unités de 1012 opérations en virgule flottante corrigées par seconde. Note 1: Pour les processeurs exécutant des opérations composées au cours d'un cycle, telles que des additions et des multiplications, chaque opération est comptée. Note 2: Pour un processeur en pipeline, la vitesse efficace calculée V est la vitesse en pipeline (une fois que le pipeline est rempli) ou la vitesse non en pipeline, le chiffre à retenir étant celui de la vitesse la plus élevée. Note 3: La vitesse calculée V de chaque processeur concerné doit être agrégée sous sa valeur maximale théoriquement possible, avant que la PCC de la combinaison n'en soit déduite. Des opérations simultanées sont supposées exister lorsque le fabricant du calculateur stipule, dans un manuel ou une brochure du calculateur, l'existence d'un fonctionnement ou d'une exécution en mode concurrent, parallèle ou simultané. Note 4: Les processeurs qui sont limités aux fonctions entrée-sortie ou aux fonctions de périphériques (par exemple les unités de disques, les communications et les écrans vidéo) ne sont pas inclus dans le calcul de la PCC. Note 5: Les valeurs de PCC ne doivent pas être calculées pour les combinaisons de processeurs (inter)connectées par des réseaux locaux, réseaux étendus, connexions/dispositifs à entrées/sorties partagées, contrôleurs d'entrée/sortie et toutes interconnexions de communications mises en œuvre par du logiciel. Note 6: Les valeurs PCC doivent être calculées pour: Note 7: Un processeur vectoriel est défini comme un processeur ayant des instructions incorporées qui visent à exécuter simultanément des calculs multiples sur des vecteurs à virgule flottante (tableaux unidimensionnels de 64 bits ou plus), avec au moins 2 unités fonctionnelles vectorielles et 8 registres vectoriels d'au moins 64 éléments chacun.

Abréviations utilisées dans la présente note technique

n nombre de processeurs dans le calculateur numérique i numéro du processeur (i,…n) ti temps de cycle du processeur (ti = 1/Fi) Fi fréquence du processeur Vi vitesse calculée maximale en virgule flottante Wi facteur d'ajustement de l'architecture

Description de la méthode de calcul de la PCC 1. Note: 2.3.4.

Pour chaque processeur i, déterminer le nombre maximal d'opérations en virgule flottante de 64 bits ou plus, OVFi, exécuté par cycle pour chaque processeur du calculateur numérique. Pour déterminer OVF, n'inclure que les additions et/ou multiplications de 64 bits ou plus. Toutes les opérations en virgule flottante doivent être exprimées en opérations par cycle de processeur; les opérations qui exigent plusieurs cycles peuvent être exprimées en résultats fractionnaires par cycle. Pour les processeurs incapables d'exécuter des calculs sur des opérandes en virgule flottante de 64 bits ou plus, la vitesse efficace calculée V est zéro. Calculer la vitesse en virgule flottante V pour chaque processeur Vi = OVFi/ti. Calculer PCC comme PCC = W1 × V1 + W2 × V2 + … + Wn × Vn. Pour les processeurs vectoriels, Wi = 0,9. Pour les non-processeurs non vectoriels, Wi = 0,3.

1. combinaisons de processeurs comprenant des processeurs spécialement conçus pour améliorer les performances par agrégation, fonctionnant simultanément et partageant leur mémoire; ou

2. les combinaisons mémoires/processeurs multiples fonctionnant simultanément et utilisant du matériel spécialement conçu.

CATÉGORIE 5 TÉLÉCOMMUNICATIONS ET SÉCURITÉ DE L'INFORMATION

PARTIE 1 TÉLÉCOMMUNICATIONS

Note 1: Le statut des composants, des lasers, des équipements d'essai et de production et de leurs logiciels, spécialement conçus pour les équipements ou systèmes de télécommunications, est défini par la présente catégorie. Note 2: Les calculateurs numériques, matériels connexes ou logiciels, lorsqu'ils sont essentiels au fonctionnement et au soutien des équipements de télécommunications décrits dans la présente catégorie, sont considérés comme des composants spécialement conçus, à condition que ce soient les modèles standards normalement fournis par le fabricant. Il convient d'entendre par là les systèmes informatiques d'exploitation, d'administration, de maintenance, d'ingénierie ou de facturation.

5A1Équipements, ensembles et composants Note technique:

N.B.: Pour le matériel de brouillage des systèmes mondiaux de navigation par satellite (GNSS), voir également la liste des matériels de guerre. 5A101Équipements de télémesure et de télécommande, y compris les équipements au sol, conçus ou modifiés pour les missiles. Aux fins du paragraphe 5A101, le terme missile désigne un système complet de fusée et de véhicule aérien non habité, dont la portée est au moins égale à 300 km. Note: Le paragraphe 5A101 ne vise pas:

5A1Équipements, ensembles et composants

5A001a. Tout type d'équipement de télécommunications présentant l'une des caractéristiques, réalisant l'une des fonctions ou comportant l'un des éléments suivants: Note: Les alinéas 5A001.a.2. et 5A001.a.3. ne visent pas les équipements conçus ou modifiés pour être utilisés à bord de satellites.

5A001a.

1. spécialement conçus pour résister aux effets transitoires électroniques ou à l'impulsion électromagnétique consécutifs à une explosion nucléaire;

2. spécialement durcis contre les rayonnements gamma, neutroniques ou ioniques; ou

3. spécialement conçus pour fonctionner en dehors de la gamme de température allant de 218 K (– 55 °C) à 397 K (124 °C). Note: L'alinéa 5A001.a.3. s'applique uniquement aux équipements électroniques.

Matériels de transmission pour les télécommunications ou systèmes de transmission pour les télécommunications, et leurs composants et accessoires spécialement conçus, présentant l'une des caractéristiques, réalisant l'une des fonctions ou comportant l'un des éléments suivants:

1. étant des systèmes de communications sous-marins présentant l'une des caractéristiques suivantes:

1. a.

fréquence porteuse acoustique située en dehors de la gamme comprise entre 20 et 60 kHz;

employant une fréquence porteuse électromagnétique inférieure à 30 kHz; ou

employant des techniques électroniques d'orientation du faisceau;

2. étant des matériels radio fonctionnant dans la bande de 1,5 à 87,5 MHz et présentant l'une des caractéristiques suivantes:

2. a.

comprenant des techniques adaptatives assurant une suppression de plus de 15 dB d'un signal d'interférence; ou

présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. prévision et sélection automatiques des fréquences et des taux de transfert numériques totaux par voie afin d'optimiser l'émission; et

2. comprenant une configuration d'amplificateur de puissance linéaire ayant la capacité de traiter simultanément des signaux multiples à une puissance de sortie de 1 kW ou plus dans la gamme de fréquences de 1,5 MHz ou plus mais inférieure à 30 MHz, ou de 250 W ou plus dans la gamme de fréquences de 30 MHz ou plus mais ne dépassant pas 87,5 MHz, sur une bande passante instantanée d'une octave ou plus avec un taux d'harmonique de sortie et de distorsion meilleur que – 80 dB;

3. étant des équipements radio employant des techniques à spectre étalé, y compris des techniques à sauts de fréquences, autres que ceux mentionnés à l'alinéa 5A001.b.4. et présentant l'une des caractéristiques suivantes: Note: L'alinéa 5A001.b.3. ne vise pas les équipements de contrôle conçus pour fonctionner à une puissance de sortie de 1,0 Watt ou moins.

3. a.

codes d'étalement programmables par l'utilisateur; ou

bande passante d'émission totale égale à 100 fois ou plus de 100 fois la bande passante de l'une quelconque des voies d'information et supérieure à 50 kHz; Note: L'alinéa 5A001.b.3.b. ne vise pas les équipements radio spécialement conçus pour être utilisés avec des systèmes de radiocommunications cellulaires civiles.

4. étant des équipements radio employant des techniques de modulation à bande ultralarge, ayant des codes de découpage en canaux programmables, des codes de brouillage ou des codes d'identification de réseau et présentant l'une des caractéristiques suivantes:

4. a.

une largeur de bande supérieure à 500 MHz; ou

une bande passante fractionnelle de 20 % ou plus;

5. étant des récepteurs radio à commande numérique présentant toutes les caractéristiques suivantes:

5. a.

ayant plus de 1000 canaux;

ayant un temps de commutation de fréquence inférieur à 1 ms;

explorant ou balayant automatiquement une partie du spectre électromagnétique; et

identifiant les signaux reçus ou le type d'émetteur; ou Note: L'alinéa 5A001.b.5. ne vise pas les équipements radio spécialement conçus pour être utilisés avec des systèmes de radiocommunications cellulaires civiles.

6. Note technique: 1.2.

employant les fonctions du traitement de signal numérique pour assurer le signal de sortie de vocodage à des vitesses inférieures à 2400 bits/s. Pour le vocodage à vitesse variable, l'alinéa 5A001.b.6. est applicable au signal de sortie de vocodage de la parole continue. Aux fins de l'alinéa 5A001.b.6, le vocodage est défini comme la technique permettant de prendre des échantillons de la voix humaine et ensuite de les convertir en un signal numérique, compte tenu des caractéristiques spécifiques du langage humain.

Câbles de télécommunications à fibres optiques, fibres optiques et leurs accessoires comme suit:

1. Note technique:

fibres optiques d'une longueur de plus de 500 m et spécifiées par le fabricant comme ayant la capacité de supporter une charge de rupture aux essais de mise à l'épreuve égale ou supérieure à 2 × 109 N/m2; Essais de mise à l'épreuve: essais de production en continu ou en différé qui appliquent dynamiquement une charge de rupture définie sur une fibre de 0,5 à 3 m de long à une vitesse de défilement de 2 à 5 m/s, lors du passage entre des cabestans d'approximativement 150 mm de diamètre. La température ambiante nominale est de 293 K (20 °C) et l'humidité relative de 40 %. Les normes nationales équivalentes pourront être utilisées pour effectuer les essais de mise à l'épreuve.

2. câbles à fibres optiques et accessoires conçus pour l'usage subaquatique. Note: L'alinéa 5A001.c.2. ne vise pas les câbles et accessoires standard pour les télécommunications civiles. N.B. 1: Pour les câbles ombilicaux et leurs connecteurs, voir l'alinéa 8A002.a.3. N.B. 2: Pour les pénétrateurs ou connecteurs de cloison étanche à fibres optiques, voir l'alinéa 8A002.c.

Antennes à réseaux phasés, électroniquement orientables, fonctionnant au-dessus de 31,8 GHz. Note: L'alinéa 5A001.d. ne vise pas les antennes à réseaux phasés électroniquement orientables pour les systèmes d'atterrissage aux instruments répondant aux normes de l'OACI couvrant les systèmes d'atterrissage hyperfréquences (MLS).

Équipements radiogoniométriques opérant à des fréquences supérieures à 30 MHz et présentant toutes les caractéristiques suivantes, et leurs composants spécialement conçus:

1. bande passante instantanée de 10 MHz ou plus; et

2. capable de trouver une ligne de relèvement pour les transmetteurs radio non coopérants avec une durée de signal inférieure à 1 ms.

Matériel de brouillage spécialement conçu ou modifié pour interférer avec, bloquer, neutraliser, détériorer ou détourner, intentionnellement et sélectivement, des services de télécommunication cellulaire mobile, présentant l'une des caractéristiques ci-après, ainsi que ses composants spécialement conçus:

1. simulant les fonctions de l'équipement du réseau d'accès radio; ou

2. détectant et exploitant les caractéristiques spécifiques du protocole de télécommunication mobile utilisé (par exemple GSM).

5A1Équipements, ensembles et composants Note technique: a.

les équipements conçus ou modifés pour les aéronefs avec équipage ou les satellites;

les équipements au sol conçus ou modifiés pour des applications terrestres ou maritimes;

les équipements conçus pour des services GNSS commerciaux, civils ou liés à la sécurité de la vie humaine (p. ex. intégrité des données, sécurité del vols).

5B1Équipement d'essai, d'inspection et de production

5B001a. Équipements et leurs composants et accessoires spécialement conçus pour le développement, la production ou l'utilisation des équipements, des fonctions ou des éléments visés aux paragraphes 5A001, 5B001, 5D001 ou 5E001. Note: Le paragraphe 5B001.a. ne vise pas les équipements de caractérisation des fibres optiques.

Équipements et leurs composants et accessoires spécialement conçus pour le développement d'un des équipements de transmission des télécommunications ou de commutation:

1. Note technique:

Les équipements employant des techniques numériques conçus pour fonctionner à un débit de transfert numérique total supérieur à 15 Gbits/s; Pour les équipements de commutation, le débit de transfert numérique total est calculé sur le port ou la ligne ayant la vitesse la plus élevée.

2. Les équipements employant un laser et présentant l'une des caractéristiques suivantes:

2. a.

ayant une longueur d'onde de transmission supérieure à 1750 nm;

effectuant l'amplification optique;

employant des techniques de transmission optique cohérentes ou des techniques de détection optique cohérentes (également dénommées techniques optiques hétérodynes ou homodynes); ou

employant des techniques analogiques et ayant une bande passante supérieure à 2,5 GHz; Note: L'alinéa 5B001.b.2.d. ne vise pas les équipements conçus spécialement pour le développement des systèmes de télévision commerciale.

3. Les équipements employant la commutation optique;

4. Les équipements radio employant des techniques de modulation d'amplitude en quadrature (QAM) au-delà du niveau 256; ou

5. Les équipements employant la signalisation sur voie commune fonctionnant en mode d'exploitation non associée.

5C1Matières Néant.

5D1Logiciel 5D101Logiciel spécialement conçu ou modifié pour l'utilisation des équipements visés au paragraphe 5A101.

5D1Logiciel

5D001a. Logiciel spécialement conçu ou modifié pour le développement, la production ou l'utilisation des équipements, des fonctions ou des éléments visés aux paragraphes 5A001 ou 5B001;

Logiciel spécialement conçu ou modifié pour le soutien de la technologie visée au paragraphe 5E001;

Logiciel spécifique spécialement conçu et modifié pour fournir l'une des caractéristiques, l'une des fonctions ou l'un des éléments des équipements visés aux paragraphes 5A001 ou 5B001;

Logiciel spécialement conçu ou modifié pour le développement d'un des équipements de transmission des télécommunications ou de commutation suivants:

1. Note technique:

2. Les équipements employant un laser et présentant l'une des caractéristiques suivantes:

2. a.

ayant une longueur d'onde de transmission supérieure à 1750 nm; ou

employant des techniques analogiques et ayant une bande passante supérieure à 2,5 GHz; Note: L'alinéa 5D001.d.2.b. ne vise pas les logiciels spécialement conçus ou modifiés pour le développement des systèmes de télévision commerciale.

3. Les équipements employant la commutation optique; ou

4. Les équipements radio employant des techniques de modulation d'amplitude en quadrature (QAM) au-delà du niveau 256.

5E1Technologie

5E101Technologie au sens de la note générale relative à la technologie, pour le développement, la production ou l'utilisation des équipements décrits au paragraphe 5A101.

5E001a. Technologie, au sens de la note générale relative à la technologie, pour le développement, la production, ou l'utilisation (à l'exclusion de l'exploitation), des équipements, fonctions, éléments ou logiciels visés aux paragraphes 5A001, 5B001 ou 5D001;

Technologies spécifiques, comme suit:

1. technologienécessaire au développement ou à la production d'équipements de télécommunications spécialement conçus pour servir à bord de satellites;

2. technologie pour le développement ou l'utilisation des techniques de communication laser permettant l'acquisition et la poursuite automatiques des signaux et le maintien des communications à travers les milieux exoatmosphériques ou sous-marins;

3. technologie pour le développement de récepteurs radiocellulaires numériques pour stations de base, dont les capacités de réception permettant le fonctionnement multibandes, multicanaux, multimodes, multi-algorithmes de codage ou multiprotocoles peuvent être modifiées par des changements dans le logiciel;

4. technologie pour le développement de techniques à spectre étalé, y compris des techniques à sauts de fréquence;

Technologies au sens de la note générale relative à la technologie, pour le développement ou la production d'un des équipements, fonctions ou éléments de transmission des télécommunications ou de commutation suivants:

1. Note technique:

2. Les équipements employant un laser et présentant l'une des caractéristiques suivantes:

2. a.

ayant une longueur d'onde de transmission supérieure à 1750 nm;

effectuant l'amplification optique en employant des amplificateurs à fibre fluorée dopés au praséodyme (PDFFA);

employant des techniques de transmission optique cohérentes ou des techniques de détection optique cohérentes (également dénommées techniques optiques hétérodynes ou homodynes);

employant des techniques de multiplexage en longueur d'onde au-delà de 8 porteurs optiques dans une seule fenêtre de fibre optique; ou

employant des techniques analogiques et ayant une bande passante supérieure à 2,5 GHz; Note: L'alinéa 5E001.c.2.e. ne vise pas les technologies pour le développement ou la production des systèmes de télévision commerciale.

3. Les équipements employant la commutation optique;

4. Les équipements radio employant une des techniques suivantes:

4. a.

techniques de modulation d'amplitude en quadrature (QAM) au-delà du niveau 256; ou

fonctionnant à des fréquences d'entrée ou de sortie supérieures à 31,8 GHz; ou Note: L'alinéa 5E001.c.4.b. ne vise pas les technologies pour le développement ou la production d'équipements conçus ou modifiés pour fonctionner dans une bande de fréquences quelconque allouée par l'UIT pour les services de radiocommunications, mais pas pour la radiodétermination.

5. Les équipements employant la signalisation sur voie commune fonctionnant en mode d'exploitation non associée.

PARTIE 2 Note 3: Note technique: SÉCURITÉ DE L'INFORMATION Note cryptographique

Note 1: Le statut des équipements, des logiciels, des systèmes des ensembles électroniques spécifiques à une application donnée, des modules, des circuits intégrés, des composants ou des fonctions assurant la sécurité de l'information est défini dans la catégorie 5, partie 2, même s'il s'agit de composants ou d'ensembles électroniques d'autres matériels. Note 2: La catégorie 5, partie 2 ne vise pas les produits qui accompagnent leur utilisateur pour son usage personnel. Les paragraphes 5A002 et 5D002 ne visent pas les biens pour lesquels toutes les conditions ci-après sont remplies: Dans la catégorie 5, partie 2, les bits de parité ne sont pas inclus dans la longueur de clé.

Note 3: SÉCURITÉ DE L'INFORMATION Note cryptographique

a.

sont couramment à la disposition du public en étant vendus directement sur stock, sans restriction, à des points de vente au détail, que cette vente soit effectuée:

1. en magasin;

2. par correspondance;

3. par transaction électronique; ou

4. par téléphone;

b.

la fonctionnalité cryptographique ne peut pas être modifiée facilement par l'utilisateur;

c.

sont conçus pour être installés par l'utilisateur sans assistance ultérieure importante de la part du fournisseur; et

d.

si nécessaire, les indications précises sur les biens sont accessibles et seront fournies, sur demande, aux autorités compétentes de l'État membre où l'exportateur est établi afin de vérifier le respect des conditions visées aux points a. à c. ci-dessus.

Note 3: Note technique: SÉCURITÉ DE L'INFORMATION Note cryptographique

5A2Équipements, ensembles et composants 5A002a. Note technique:

Systèmes, équipements, ensembles électroniques spécifiques à une application donnée, modules et circuits intégrés assurant la sécurité de l'information, comme suit, et leurs autres composants spécialement conçus: N.B.: Pour les systèmes globaux de navigation par satellites recevant des équipements contenant ou employant le déchiffrement (à savoir, GPS ou GLONASS), voir le paragraphe 7A005. La cryptographie quantique est également connue comme distribution quantique de clés. Note: Le paragraphe 5A002 ne vise pas:

5A2Équipements, ensembles et composants 5A002a.

1. Notes techniques:

conçus ou modifiés pour utiliser la cryptographie faisant appel à des techniques numériques assurant toute fonction cryptographique autre que l'authentification ou la signature numérique et présentant l'une des caractéristiques suivantes: Note: L'alinéa 5A002.a.1. comprend les équipements conçus ou modifiés pour utiliser la cryptographie employant des principes analogiques lorsqu'elle est mise en œuvre à l'aide de techniques numériques.

1. Les fonctions d'authentification et de signature numérique comprennent la fonction connexe de gestion des clés.

2. L'authentification comprend tous les aspects du contrôle d'accès lorsqu'il n'y a pas chiffrement des fichiers ou des textes, sauf lorsqu'il est directement lié à la protection des mots de passe, des numéros d'identification personnels ou autres données similaires empêchant l'accès non autorisé.

3. La cryptographie ne comprend pas les techniques de compression ou de codage de données fixes.

un algorithme symétrique employant une longueur de clé supérieure à 56 bits; ou

un algorithme asymétrique dont la sécurité est fondée sur une des caractéristiques suivantes:

1. factorisation d'entiers au-delà de 512 bits (par exemple, RSA);

2. calcul des logarithmes discrets dans un groupe multiplicatif d'ensemble fini supérieur à 512 bits (par exemple, Diffie-Hellman sur Z/pZ); ou

3. logarithmes discrets dans un groupe autre que celui mentionné à l'alinéa 5A002.a.1.b.2 de plus de 112 bits (par exemple, Diffie-Hellman sur une courbe elliptique);

2. conçus ou modifiés pour effectuer des fonctions cryptoanalytiques;

3. non utilisé;

4. conçus ou modifiés spécialement pour supprimer les émanations compromettantes de signaux porteurs d'information au-delà de ce qui est nécessaire pour les normes en matière de santé, de sécurité ou d'interférence électromagnétique;

5. conçus ou modifiés pour employer des techniques cryptographiques pour générer le code d'étalement pour le spectre étalé, autres que ceux mentionnés à l'alinéa 5A002.a.6., y compris le code de saut pour les systèmes à sauts de fréquence;

6. conçus ou modifiés pour employer des techniques cryptographiques pour générer des codes de découpage en canaux, des codes de brouillage ou des codes d'identification de réseau pour des systèmes de modulation ultra-large bande et présentant l'une des caractéristiques suivantes:

6. a.

une largeur de bande supérieure à 500 MHz; ou

une bande passante fractionnelle de 20 % ou plus.

7. non utilisé;

8. systèmes de câbles de télécommunication conçus ou modifiés en faisant appel à des moyens mécaniques, électriques ou électroniques pour détecter les intrusions subreptices;

9. conçus ou modifiés pour utiliser la cryptographie quantique.

5A2Équipements, ensembles et composants 5A002a. Note technique: a.

les cartes à microprocesseur personnalisées: N.B. Si une carte à microprocesseur personnalisée a des fonctions multiples, le statut de chaque fonction est évalué individuellement.

1. lorsque la capacité cryptographique est destinée à servir uniquement avec les équipements ou systèmes non visés aux points b. à f. de la présente note; ou

2. destinées à des applications grand public lorsque la capacité cryptographique n'est pas accessible au public et qu'elle est spécialement conçue et limitée pour permettre la protection des données à caractère personnel qui y sont stockées.

équipements de réception pour la radiodiffusion, la télévision payante ou la diffusion similaire réservée à un nombre limité de consommateurs du grand public, sans capacité de chiffrement numérique, à l'exception de celui utilisé exclusivement pour renvoyer les informations relatives aux factures ou aux programmes aux diffuseurs;

équipements où la capacité de chiffrement n'est pas accessible à l'utilisateur et spécialement conçus et limités pour permettre l'une des opérations suivantes:

1. exécution de logiciel protégé;

2. accès à une des opérations suivantes:

2. a.

contenu protégé en écriture stocké sur un support en lecture seule; ou

informations stockées d'une manière chiffrée sur des supports (par exemple, en ce qui concerne la protection des droits de propriété intellectuelle) lorsque le support est vendu au grand public en sets identiques;

3. contrôle des copies de données audio/vidéo protégées;ou

4. chiffrement et/ou déchiffrement pour la protection des bibliothèques, des caractéristiques de conception ou des données connexes pour la conception de dispositifs semi-conducteurs ou de circuits intégrés;

d. Note technique:

équipements cryptographiques spécialement conçus et limités pour servir dans des opérations bancaires ou opérations financières; Les termes opérations financières à la note d. du paragraphe 5A002 comprennent la perception et le règlement des tarifs ou les fonctions de crédit.

radiotéléphones portatifs ou mobiles destinés à l'usage civil (par exemple pour l'emploi avec les systèmes de radiocommunications cellulaires commerciaux civils) qui ne sont pas en mesure de procéder au chiffrement de bout en bout;

équipements téléphoniques sans fil qui ne sont pas en mesure de procéder au chiffrement de bout en bout lorsque la portée réelle de l'opération sans fil non activée (par exemple, un saut unique non relayé entre le terminal et la station de base) est inférieure à 400 mètres conformément aux prescriptions du fabricant.

5B2Équipement d'essai, d'inspection et de production

5B002a. Équipements spécialement conçus pour:

5B002a.

1. le développement des équipements ou des fonctions visés aux paragraphes 5A002, 5B002, 5D002 ou 5E002, y compris les équipements de mesure ou d'essai;

2. la production des équipements ou des fonctions visés aux paragraphes 5A002, 5B002, 5D002, 5E002, y compris les équipements de mesure, d'essai, de réparation ou de production;

Équipements de mesure spécialement conçus pour évaluer et valider les fonctions de sécurité de l'information visés aux paragraphes 5A002 ou 5D002.

5C2Matières Néant.

5D2Logiciel Note: Le paragraphe 5D002 ne vise pas:

5D2Logiciel

5D002a. Logiciel spécialement conçu ou modifié pour le développement, la production ou l'utilisation des équipements ou logiciels visés aux paragraphes 5A002, 5B002 ou 5D002;

Logiciel spécialement conçu ou modifié pour le soutien de la technologie visée au paragraphe 5E002;

Logiciels spécifiques, comme suit:

1. logiciel présentant les caractéristiques ou exécutant ou simulant les fonctions des équipements visés aux paragraphes 5A002 ou 5B002;

2. logiciel destiné à certifier le logiciel visé à l'alinéa 5D002.c.1;

le logiciel nécessaire à l'utilisation des équipements exclus du contrôle aux termes de la note relative au paragraphe 5A002;

le logiciel réalisant l'une des fonctions des équipements exclus du contrôle aux termes de la note relative au paragraphe 5A002.

5E2Technologie

5E002Technologie, au sens de la note générale de technologie, pour le développement, la production ou l'utilisation des équipements ou du logiciel visés aux paragraphes 5A002, 5B002 ou 5D002.

CATÉGORIE 6 CAPTEURS ET LASERS

6AÉquipements, ensembles et composants a.

1. a.

les écho-sondeurs fonctionnant à la verticale au-dessous de l'appareil, ne possédant pas de fonction de balayage de plus de ± 20° et limités à la mesure de la profondeur d'eau, de la distance d'objets immergés ou enterrés ou à la détection de bancs de poissons;

les balises acoustiques, comme suit:

1. les balises de détresse acoustiques;

2. les émetteurs d'impulsions sous-marins (pingers) spécialement conçus pour retrouver une position sous-marine ou y retourner.

systèmes d'hydrographie bathymétriques à large couloir couvert pour l'établissement de cartes topographiques des fonds marins, présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. conçus pour effectuer des mesures sous un angle supérieur à 20° de la verticale;

2. conçus pour mesurer des profondeurs de plus de 600 mètres au dessous de la surface de l'eau; et

3. conçus pour:

3. a.

comporter plusieurs faisceaux dont l'un quelconque est de moins de 1,9°; ou

assurer des précisions meilleures que 0,3 % de la profondeur d'eau en travers du couloir, cette précision constituant la moyenne des mesures individuelles effectuées à l'intérieur du couloir;

1. fréquence d'émission inférieure à 10 kHz;

2. pression sonore supérieure à 224 dB (référence 1 μPa à 1 m) pour les équipements fonctionnant dans la bande comprise entre 10 et 24 kHz inclus;

3. pression sonore supérieure à 235 dB (référence 1 μPa à 1 m) pour les équipements opérant dans la bande comprise entre 24 et 30 kHz;

4. formation de faisceaux de moins de 1° sur tout axe et fonctionnement sur des fréquences inférieures à 100 kHz;

5. conçus pour mesurer des distances d'objets avec une portée supérieure à 5120 m; ou

6. a.

à compensation dynamique de la pression; ou

985 autres dispositions ne sont pas affichées ici ; chacune a sa propre adresse.

Versions

2006-02-27