Regolamento (CE) n. 394/2006 del Consiglio del 27 febbraio 2006 recante modifica e aggiornamento del regolamento (CE) n. 1334/2000 che istituisce un regime comunitario di controllo delle esportazioni di prodotti e tecnologie a duplice uso

In vigoreVersione 2006-02-27dal 2006-04-12

Grado B

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Indirizzo https://gelex.eu/eli/EU/act/2006/394@2006-02-27/it

Indice

Preambolo
1. Articolo 1
2. Articolo 2
ANNEX
ALLEGATO
ALLEGATO I ELENCO DEI PRODOTTI E DELLE TECNOLOGIE A DUPLICE USO (Di cui all'articolo 3 del regolamento (CE) n. 1334/2000)
NOTE GENERALI ALL’ALLEGATO I 1.2.3.
NOTA SULLA TECNOLOGIA NUCLEARE (NTN) (Da leggersi congiuntamente alla sezione E della categoria 0)
NOTA GENERALE SULLA TECNOLOGIA (NGT) (Da leggersi congiuntamente alla sezione E delle categorie da 1 a 9)
NOTA GENERALE SUL SOFTWARE (NGS)
1. a.
DEFINIZIONI DEI TERMINI USATI NEL PRESENTE ALLEGATO
pt_21 a.
pt_23 a.
pt_32 a.
pt_33 a.
pt_72 a.
pt_89 a.
pt_122 a.
pt_127 a.
pt_130 a.
pt_132 a.
pt_145 a.
pt_148 a.
pt_164 a.
pt_172 a.
ACRONIMI ED ABBREVIAZIONI UTILIZZATI NEL PRESENTE ALLEGATO
CATEGORIA 0 MATERIALI NUCLEARI, IMPIANTI ED APPARECCHIATURE
0ASistemi, apparecchiature e componenti
0BApparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione
a.
b.
c.
13. a.
7. a.
5. a.
6. a.
0CMateriali a.
CATEGORIA 1 MATERIALI, MATERIALI CHIMICI, MICRORGANISMI E TOSSINE
1ASistemi, apparecchiature e componenti Nota tecnica:
1ASistemi, apparecchiature e componenti a.
1. a.
1BApparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione
1CMateriali Nota tecnica: Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Note tecniche: 1.2.
1CMateriali Nota tecnica: a.
a.
b.
c.
1. Nota tecnica:
1. a.
d.
1CMateriali Nota tecnica: Note tecniche:
1. a.
2. a.
3. a.
4. a.
5. a.
1. Nota tecnica:
2. Nota tecnica:
1CMateriali Nota tecnica: Note tecniche: Nota tecnica: a.
1. a.
2. a.
1CMateriali Nota tecnica: Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: a.
1. a.
2. a.
a.
b.
1CMateriali Nota tecnica: Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: a.
a.
b.
1CMateriali Nota tecnica: Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: a.
1. Nota tecnica:
2. Nota tecnica:
2. a.
3. a.
6. a.
1CMateriali Nota tecnica: Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: a.
1CMateriali Nota tecnica: Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: a.
1CMateriali Nota tecnica: Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: a.
1CMateriali Nota tecnica: Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica:
2. a.
5. a.
1ETecnologia a.
1. a.
3. a.
CATEGORIA 2 TRATTAMENTO E LAVORAZIONE DEI MATERIALI
2ASistemi, apparecchiature e componenti Nota tecnica:
2ASistemi, apparecchiature e componenti a.
2. a.
2BApparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Note tecniche: Nota tecnica:
2BApparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione Note tecniche:
2. a.
5. a.
1. a.
4. a.
2BApparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione Note tecniche: Nota tecnica: a.
2BApparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: a.
1. a.
2. a.
1. Nota tecnica:
2. a.
2BApparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: a.
2BApparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: a.
2BApparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: a.
1. a.
2. a.
a.
b.
c.
d.
2BApparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: a.
2BApparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Note tecniche:
2BApparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Note tecniche: Nota tecnica: a.
2BApparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: a.
2BApparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Note tecniche:
1. a.
2ETecnologia a.
1. a.
2. a.
Tavola 1.2.3.A.B.B.1.B.2.B.3.B.4.C.D.E.F.G. Tavola — Metodi di deposizione — Note Metodi di deposizione
5. a.
a.
b.
c.
d.
e.
f.
g.
CATEGORIA 3 MATERIALI ELETTRONICI
3ASistemi, apparecchiature e componenti Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica:
3ASistemi, apparecchiature e componenti a.
1. a.
2. a.
5. Note tecniche:
5. a.
6. a.
7. a.
10. a.
11. a.
12. Nota tecnica:
4. a.
3. a.
4. Nota tecnica:
4. a.
8. a.
5. Nota tecnica:
3ASistemi, apparecchiature e componenti Nota tecnica: a.
3ASistemi, apparecchiature e componenti Nota tecnica: Nota tecnica: a.
3BApparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione
1. a.
2. a.
3CMateriali a.
3DSoftware Nota tecnica:
3DSoftware a.
3ETecnologia Nota tecnica:
3ETecnologia
CATEGORIA 4 CALCOLATORI
4ASistemi, apparecchiature e componenti
4BApparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione
4DSoftware
4ETecnologia
Nota tecnica relativa alla prestazione teorica composita (PTC) Abbreviazioni usate nella presente nota tecnica
NOTA TECNICA RELATIVA ALLA PTC
NOTA TECNICA RELATIVA ALLA PRESTAZIONE DI PICCO ADATTATA (APP)
CATEGORIA 5 TELECOMUNICAZIONI E SICUREZZA DELL'INFORMAZIONE
PARTE 1 TELECOMUNICAZIONI
5A1Sistemi, apparecchiature e componenti Nota tecnica:
5A1Sistemi, apparecchiature e componenti
5A001a.
1. a.
2. a.
3. a.
4. a.
5. a.
6. Note tecniche:
1. Nota tecnica:
5B1Apparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione
1. Nota tecnica:
2. a.
5D1Software
1. Nota tecnica:
2. a.
5E1Tecnologia
1. Nota tecnica:
2. a.
4. a.
PARTE 2 Nota 3: Nota tecnica: SICUREZZA DELL'INFORMAZIONE nota di crittografia:
a.
b.
c.
d.
5A2Sistemi, apparecchiature e componenti 5A002a.
1. Note tecniche:
6. a.
9. Nota tecnica:
2. a.
5B2Apparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione
5B002a.
5D2Software
5E2Tecnologia
CATEGORIA 6 SENSORI E LASER
6ASistemi, apparecchiature e componenti a.
1. a.
3. a.

IL CONSIGLIO DELL'UNIONE EUROPEA,

visto il trattato che istituisce la Comunità europea, in particolare l'articolo 133,

vista la proposta della Commissione,

considerando quanto segue:

(1) Ai sensi del regolamento (CE) n. 1334/2000 del Consiglio, i prodotti a duplice uso (inclusi il software e le tecnologie) sono sottoposti a controlli quando vengono esportati dalla Comunità.

(2) Per consentire agli Stati membri e alla Comunità di rispettare i propri impegni internazionali, all'allegato I di tale regolamento è riportato l'elenco comune dei prodotti e delle tecnologie a duplice uso di cui all'articolo 3 del regolamento stesso, che costituisce la concretizzazione degli accordi internazionali sul controllo dei beni a duplice uso, in particolare l'intesa di Wassenaar, il regime di non proliferazione nel settore missilistico (MTCR), il gruppo dei fornitori nucleari (GFN), il gruppo Australia e la convenzione sulle armi chimiche (CWC).

(3) L'articolo 11 di tale regolamento dispone che l'allegato I e l'allegato IV siano aggiornati conformemente ai pertinenti obblighi e impegni, e relative modifiche, accettati da ciascuno Stato membro come parte di regimi internazionali di non proliferazione e di accordi in materia di controllo delle esportazioni o a seguito della ratifica di pertinenti trattati internazionali.

(4) Occorre modificare l’allegato I di tale regolamento in funzione dei cambiamenti adottati dall’intesa di Wassenaar, dal gruppo Australia, dal regime di non proliferazione nel settore missilistico in seguito alle modifiche introdotte dal regolamento n. 1504/2004 e dal GFN.

(5) Al fine di agevolare la consultazione per le autorità responsabili del controllo delle esportazioni e per gli operatori, occorre pubblicare una versione aggiornata e consolidata degli allegati del regolamento (CE) n. 1334/2000.

(6) Occorre pertanto modificare in tal senso il regolamento (CE) n. 1334/2000,

HA ADOTTATO IL PRESENTE REGOLAMENTO:

Articolo 1

Gli allegati del regolamento (CE) n. 1334/2000 sono sostituiti dal testo allegato al presente regolamento.

Articolo 2

Il presente regolamento entra in vigore il trentesimo giorno successivo alla sua pubblicazione nella Gazzetta ufficiale dell’Unione europea.

Il presente regolamento è obbligatorio in tutti i suoi elementi e direttamente applicabile in ciascuno degli Stati membri. Fatto a Bruxelles, il 27 febbraio 2006. Per il Consiglio La presidente U. Plassnik

ANNEX

ALLEGATO

ALLEGATO I ELENCO DEI PRODOTTI E DELLE TECNOLOGIE A DUPLICE USO (Di cui all'articolo 3 del regolamento (CE) n. 1334/2000)

NOTE GENERALI ALL’ALLEGATO I 1.2.3.

Per l’autorizzazione di beni progettati o modificati per uso militare si vedano i pertinenti elenchi dei singoli Stati membri. I riferimenti VEDERE ANCHE ELENCO DEI MATERIALI DI ARMAMENTO del presente allegato rimandano agli stessi elenchi. Sono sottoposti ad autorizzazione per l’esportazione tutti i beni (compresi gli impianti) non specificati nel presente elenco qualora in tali beni siano contenuti componenti - specificati nell’elenco - che ne costituiscano l’elemento principale e da questi possano essere facilmente rimossi per altre utilizzazioni. NB: Per giudicare se i componenti specificati nel presente elenco devono essere considerati l’elemento principale occorre tener conto della loro quantità, valore e contenuto tecnologico nonché di altre circostanze particolari che potrebbero far individuare tali componenti come l’elemento principale dei beni in esportazione. I beni specificati nel presente elenco sono da intendersi sia nuovi che usati.

NOTA SULLA TECNOLOGIA NUCLEARE (NTN) (Da leggersi congiuntamente alla sezione E della categoria 0)

La tecnologia direttamente associata ad un qualsiasi bene specificato nella categoria 0 è sottoposta ad autorizzazione dalle disposizioni di cui alla categoria 0. La tecnologia per lo sviluppo, la produzione o l’utilizzazione di beni specificati nell’elenco rimane sottoposta ad autorizzazione anche quando utilizzabile per beni non specificati nell’elenco. L’autorizzazione all’esportazione di un qualsiasi bene comprende anche la cessione allo stesso utente finale della quantità minima di tecnologia necessaria per l’installazione, il funzionamento, la manutenzione e la riparazione di quel bene. L’autorizzazione al trasferimento di tecnologia non è richiesta per le informazioni di pubblico dominio o per la ricerca scientifica di base.

NOTA GENERALE SULLA TECNOLOGIA (NGT) (Da leggersi congiuntamente alla sezione E delle categorie da 1 a 9)

L’esportazione della tecnologianecessaria per lo sviluppo, la produzione o l’utilizzazione di beni specificati nelle categorie da 1 a 9 è sottoposta ad autorizzazione dalle disposizioni riportate in ciascuna di queste categorie. La tecnologianecessaria per lo sviluppo, la produzione o l’utilizzazione di beni specificati nell’elenco rimane sottoposta ad autorizzazione anche quando utilizzabile per beni non specificati nell’elenco. L’autorizzazione all’esportazione non è richiesta per la quantità minima di tecnologia necessaria per l’installazione, il funzionamento, la manutenzione (il controllo) e la riparazione dei beni che non sono sottoposti ad autorizzazione o di cui è stata autorizzata l’esportazione. NB: La presente disposizione non si applica alla tecnologia specificata in 1E002.e, 1E002.f, 8E002.a ed 8.E002.b. L’autorizzazione all’esportazione di tecnologia non è richiesta per le informazioni di pubblico dominio, per la ricerca scientifica di base o per la quantità minima di informazioni necessarie per le domande di brevetto.

NOTA GENERALE SUL SOFTWARE (NGS)

In base alla presente nota non è sottoposto ad autorizzazione il software specificato alla sezione D delle categorie da 0 a 9 quando è:

generalmente disponibile al pubblico in quanto: NB: La lettera a. della nota generale sul software non si applica al software specificato alla categoria 5, parte 2 (Sicurezza dell’informazione).

1. venduto direttamente, senza restrizioni, nei punti di vendita al dettaglio:

1. a.

al banco,

per corrispondenza,

per transazione elettronica,

su ordinazione telefonica e

2. progettato per essere installato dall’utilizzatore senza ulteriore significativa assistenza da parte del fornitore o

di pubblico dominio.

DEFINIZIONI DEI TERMINI USATI NEL PRESENTE ALLEGATO

Le definizioni di termini tra virgolette singole saranno riportate in una nota tecnica che segue la pertinente voce. Le definizioni di termini tra virgolette doppie figurano nel modo seguente: NB: I riferimenti alle categorie sono riportati tra parentesi dopo le definizioni.

Accordabile (6). Capacità di un laser di produrre energia continua su tutte le lunghezze d’onda comprese nella gamma di più transizioni laser. Un laser a selezione di riga produce lunghezze d’onda discrete con una transizione laser e quindi non è considerato accordabile.

Addensamento isostatico a caldo (2). Processo di compressione di una fusione a temperature superiori a 375 K (102° C) in cavità chiusa tramite vari mezzi (gas, liquido, particelle solide, ecc.) in modo da creare forze uguali in tutte le direzioni per ridurre o eliminare vuoti interni nella fusione.

Aeromobile (1)(7)(9). Veicolo aereo ad ala fissa, ala a geometria variabile, ala rotante (elicottero), rotore basculante o ala basculante. NB: Vedere anche aeromobile civile.

Aeromobile civile (1)(7)(9). Il termine aeromobile civile comprende solo quei tipi di aeromobili elencati per deliberazione nelle liste pubbliche di certificazione di navigabilità aerea emesse dai servizi dell’Aviazione civile per linee commerciali civili nazionali ed internazionali o per uso dichiaratamente civile, privato o di affari. NB: Vedere anche aeromobile.

Agilità di frequenza per radar (6). Tecnica di qualsiasi tipo che modifica, secondo una sequenza pseudo-casuale, la frequenza portante di un trasmettitore radar ad impulsi, tra gli impulsi o gruppi di impulsi, di una quantità uguale o superiore alla banda passante dell’impulso.

Algoritmo asimmetrico (5). Algoritmo crittografico che utilizza chiavi di cifratura e decrittazione diverse e matematicamente correlate. NB: Gli algoritmi asimmetrici sono comunemente utilizzati per la gestione delle chiavi.

Algoritmo simmetrico (5). Algoritmo crittografico che utilizza una stessa chiave sia per la cifratura che la decrittazione. NB: Gli algoritmi simmetrici sono comunemente utilizzati per la riservatezza dei dati.

Amplificazione ottica (5). Tecnica di amplificazione nel campo delle comunicazioni ottiche che introduce un guadagno di segnali ottici, generati da una sorgente ottica separata, senza conversione in segnali elettrici, cioè mediante l’uso di amplificatori ottici a semiconduttore, amplificatori di luce a fibre ottiche.

Analizzatori di segnali (3). Strumento in grado di misurare e visualizzare le proprietà fondamentali delle singole componenti di frequenza di segnali multifrequenza.

Analizzatori dinamici di segnali (3). Analizzatori di segnali che impiegano tecniche numeriche di campionamento e di trasformazione per visualizzare uno spettro di Fourier di una data forma d’onda contenente informazioni di ampiezza e di fase. NB: Vedere anche analizzatori di segnali.

Antenna ad allineamento di fase a fascio orientabile elettronicamente (5)(6). Antenna che forma un fascio a mezzo di un accoppiamento di fase, cioè la direzione del fascio è controllata dai coefficienti complessi di eccitazione degli elementi radianti e la direzione del fascio può essere modificata in azimut o in elevazione, o in entrambi, mediante l’applicazione di un segnale elettrico sia in trasmissione che in ricezione.

Apparecchiature di produzione (1)(7)(9). Tali apparecchiature sono costituite da: utensili, sagome, maschere, mandrini, stampi, matrici, attrezzi, meccanismi di allineamento, apparecchiature di collaudo, altri macchinari e loro componenti, limitatamente a quelli appositamente progettati o modificati per lo sviluppo o per una o più fasi di produzione.

Assegnata dall’UIT (3)(5). Assegnazione di bande di frequenza conformemente all'edizione corrente dei regolamenti radio (UIT) per servizi primari, autorizzati e secondari. NB: Non sono incluse assegnazioni supplementari e alternative.

Assieme elettronico (2)(3)(4)(5). Insieme di componenti elettronici (cioè elementi di circuiti, componenti discreti, circuiti integrati, ecc.) collegati assieme per realizzare una o più funzioni specifiche, sostituibili come entità e normalmente smontabili. NB 1:Elemento di circuito: parte funzionale singola attiva o passiva di un circuito elettronico, quale un diodo, un transistor, un resistore, una capacità, ecc. NB 2:Componente discreto: elemento di circuito in contenitore separato avente connessioni esterne proprie.

Atomizzazione a gas (1). Processo per ridurre una colata di lega metallica in goccioline di diametro uguale o inferiore a 500 micrometri per mezzo di un flusso di gas ad alta pressione.

Atomizzazione centrifuga (1). Processo per ridurre una colata o un bagno di metallo fuso in goccioline di diametro uguale o inferiore a 500 micrometri per mezzo di una forza centrifuga.

Atomizzazione sottovuoto (1). Processo per ridurre una colata di metallo fuso in goccioline di diametro uguale o inferiore a 500 micrometri per mezzo di evaporazione rapida di un gas disciolto in condizioni di esposizione al vuoto.

Banda passante frazionaria (3). Banda passante istantanea divisa dalla frequenza centrale espressa sotto forma di percentuale.

Banda passante in tempo reale (2)(3). Per gli analizzatori dinamici di segnale è la più ampia gamma di frequenza che l’analizzatore può fornire all’indicatore o alla memoria di massa senza causare discontinuità nell’analisi dei dati di ingresso. Per gli analizzatori con più di un canale, si utilizzerà, per effettuare il calcolo, la configurazione dei canali che diano la più larga banda passante in tempo reale.

Banda passante istantanea (3)(5)(7). Larghezza di banda sulla quale la potenza di uscita rimane costante entro 3 dB senza variazione degli altri parametri di funzionamento.

Calcolatore ibrido (4). Apparecchiatura in grado di:

pt_21 a.

accettare dati,

trattare dati sia in rappresentazione analogica che numerica e

fornire l’uscita di dati.

Calcolatore neurale (4). Dispositivo di calcolo progettato o modificato per imitare il comportamento di un neurone o di una collezione di neuroni (cioè un dispositivo di calcolo che si distingue per la sua capacità fisica di modulare i pesi e i numeri delle interconnessioni di un gran numero di componenti di calcolo basata su dati precedenti).

Calcolatore numerico (4)(5). Apparecchiatura in grado, sotto forma di una o più variabili discrete, di: NB: Le modifiche della sequenza immagazzinata di istruzioni comprendono la sostituzione di dispositivi di memorie fisse, ma non la modifica materiale del cablaggio o delle interconnessioni.

pt_23 a.

accettare dati,

immagazzinare dati o istruzioni in dispositivi di memoria fissi o modificabili (con riscrittura),

trattare dati mediante una sequenza immagazzinata di istruzioni modificabili e

fornire l’uscita di dati.

Calcolatore ottico (4). Calcolatore progettato o modificato per utilizzare la luce per rappresentare i dati, i cui elementi logici di calcolo sono basati su dispositivi ottici direttamente accoppiati.

Calcolatori a reti sistoliche (4). Calcolatori in cui il flusso e la modifica dei dati sono controllabili dinamicamente dall’operatore a livello di porta logica.

Carico di rottura specifico (0)(1)(9). Carico di rottura in Pascal, equivalente a N/m2 diviso per il peso specifico, espresso in N/m3, misurato alla temperatura di (296 ± 2) K [(23 ± 2) °C] ed umidità relativa del (50 ± 5) %.

Carta personalizzata a microcircuito (5): carta a microcircuito il cui microcircuito è stato programmato per una data d’applicazione e non può essere riprogrammato dall’utilizzatore per un’altra applicazione.

Cavo (1). Fascio di monofilamenti in genere disposti all’incirca parallelamente.

CEP (Cerchio di eguale probabilità) (7). Misura di precisione, raggio del cerchio con centro nel bersaglio, a distanza specificata, dentro il quale avviene l’impatto del 50 % dei carichi utili.

Circuito integrato a film (3). Rete di elementi di circuiti e di interconnessioni metalliche realizzate con tecniche di deposito di film sottile o spesso su substrato isolante. NB:Elemento di circuito: parte funzionante singola attiva o passiva di un circuito elettronico, quale un diodo, un transistor, un resistore, una capacità, ecc.

Circuito integrato a micropiastrine multiple (3). Due o più circuiti integrati monolitici fissati su substrato comune.

Circuito integrato ibrido (3). Qualsiasi combinazione di circuiti integrati, o di circuiti integrati con elementi di circuiti o componenti discreti collegati assieme al fine di eseguire una o più funzioni specifiche ed aventi tutte le caratteristiche seguenti: NB: 1:Elemento di circuito: parte funzionale singola attiva o passiva di un circuito elettronico, quale un diodo, un transistor, un resistore, una capacità, ecc. NB: 2:Componente discreto: elemento di circuito in contenitore separato avente connessioni esterne proprie.

pt_32 a.

contenenti almeno un dispositivo non incapsulato,

collegati assieme usando metodi tipici di produzione dei circuiti integrati,

rimpiazzabili come una entità e

normalmente non disassemblabili.

Circuito integrato monolitico (3). Combinazione di elementi di circuiti passivi od attivi od entrambi: NB:Elemento di circuito: parte funzionante singola attiva o passiva di un circuito elettronico, quale un diodo, un transistor, un resistore, una capacità, ecc.

pt_33 a.

fabbricati con processi di diffusione, di impiantazione o di deposito entro o sopra un singolo elemento semiconduttore, cioè una micropiastrina,

considerati come associati in maniera inscindibile e

in grado di eseguire le funzioni di un circuito.

Circuito integrato ottico (3). Circuito integrato monolitico o circuito integrato ibrido contenente uno o più parti, progettato per funzionare come dispositivo fotosensibile o fotoemettitore, o per eseguire una o più funzioni ottiche o elettroottiche.

Codice oggetto (o linguaggio oggetto) (9). Forma eseguibile dalla macchina di una espressione appropriata di uno o più processi (codice sorgente o linguaggio sorgente) tradotto da un sistema di programmazione.

Codice sorgente (o linguaggio sorgente) (4)(6)(7)(9). Espressione appropriata di uno o più processi che possono essere convertiti da un sistema di programmazione in una forma eseguibile dalla macchina (codice oggetto o linguaggio soggetto).

Colture vive isolate (1). Sono comprese le colture vive in forma latente e le preparazioni essiccate.

Commutazione ottica (5). L’instradamento o la commutazione di segnali sotto forma ottica senza conversione in segnali elettrici.

Complesso di guida (7). Complesso che integra il processo di misura e di calcolo della posizione e della velocità di un veicolo (cioè navigazione) con il calcolo e l’invio di comandi ai sistemi di controllo di volo del veicolo per correggerne la traiettoria.

Composito (1)(2)(6)(8)(9). Matrice ed una o più fasi aggiuntive di particelle, materiali filiformi, fibre o loro combinazioni presenti per scopi specifici.

Compressione dell’impulso (6). Codifica e trattamento di un impulso di un segnale radar di lunga durata in un impulso di breve durata, pur conservando i vantaggi di una elevata energia impulsiva.

Controllo della potenza irradiata (7). Modifica della potenza trasmessa del segnale dell’altimetro per cui la potenza ricevuta all’altitudine dell’aeromobile risulta sempre quella minima necessaria per determinare l’altitudine.

Controllo di contornatura (2). Due o più movimenti gestiti da un controllo numerico in accordo alle istruzioni che specificano la posizione successiva richiesta e le velocità di alimentazione per giungere a tale posizione. Tali velocità di alimentazione sono modificate tra di loro in modo da generare il contorno desiderato (Rif. ISO/DIS 2806-1980).

Controllo di volo primario (7). Controllo della stabilità o della manovra di un aeromobile che si avvale di generatori di forza/momento, cioè superfici di governo aerodinamico o guida della spinta propulsiva.

Controllo globale del volo (7). Controllo automatizzato delle variabili di stato e delle traiettorie di volo di un aeromobile per soddisfare gli obiettivi della missione rispondendo alle variazioni in tempo reale dei dati relativi a obiettivi, pericoli o altri aeromobili.

Controllo numerico (2). Controllo automatico di un processo realizzato da un dispositivo che utilizza dati numerici introdotti di norma durante lo svolgimento dell’operazione (Rif. ISO 2382).

Controllore di canale di comunicazioni (4). Interfaccia fisica che controlla la circolazione delle informazioni numeriche sincrone o asincrone. Trattasi di un assieme che può essere integrato in un calcolatore o in apparati di telecomunicazione per assicurare l’accesso alle comunicazioni.

Costante di tempo (6). Tempo che intercorre tra l’applicazione dello stimolo luminoso ed il momento in cui l’incremento di corrente raggiunge il valore di 1-1/e volte il valore finale (cioè il 63 % del suo valore finale).

Crittografia (5). Disciplina che ingloba principi, mezzi e metodi per la trasformazione di dati al fine di occultarne il contenuto informativo, impedirne la modifica senza rivelazione o impedirne l’uso non autorizzato. La crittografia è limitata alla trasformazione delle informazioni mediante l’utilizzazione di uno o più parametri segreti (cioè criptovariabili) o mediante la gestione della chiave associata. NB:Parametro segreto: una costante o una chiave non a conoscenza di altre persone o a conoscenza solo di un gruppo di persone.

Crittografia quantistica (5). Insieme di tecniche per la creazione di una chiave condivisa per la crittografia mediante la misurazione delle proprietà quantistico-meccaniche di un sistema fisico (incuse le proprietà fisiche espressamente disciplinate dall'ottica quantistica, la teoria dei campi quantistici o dall'elettrodinamica quantistica).

Densità di corrente globale (3). Numero totale di ampere-spire nella bobina (cioè il numero delle spire moltiplicato per la corrente massima portata da ciascuna spira), diviso per la sezione trasversale totale della bobina (compresi i filamenti superconduttori, la matrice metallica nella quale sono incorporati i filamenti superconduttori, il materiale di incapsulamento, tutti i canali di raffreddamento, ecc.).

Densità equivalente (6). La massa di una ottica per unità di superficie proiettata sulla superficie ottica.

Deviazione di posizione angolare (2). Differenza massima tra la posizione angolare e la posizione angolare reale, misurata con molta precisione, successivamente alla rotazione del porta pezzo della tavola dalla sua posizione iniziale (Rif. VDI/VDE 2617, bozza: tavole rotanti sulle macchine di misura a coordinate).

Di pubblico dominio (NGT)(NTN)(NGS). Si applica al presente elenco e qualifica la tecnologia o il software disponibile senza restrizioni per un’ulteriore diffusione (le restrizioni conseguenti ad un copyright non impediscono ad una tecnologia o software di essere considerati come di pubblico dominio).

Dispositivi di estremità (2). Pinze, unità attive di lavorazione ed ogni altro attrezzo collegato alla piastra terminale del braccio di manipolazione del robot. NB:Unità attiva di lavorazione: dispositivo per l’applicazione di potenza motrice, di energia di lavorazione o di sensibilità al pezzo da lavorare.

Durata dell’impulso (6). Larghezza di un impulso laser misurata al livello della larghezza totale - metà intensità.

EC. Vedere Elemento di calcolo.

Eccentricità (2). Spostamento assiale in una rotazione completa del mandrino principale in un piano perpendicolare al piano di riscontro del mandrino in un punto prossimo alla circonferenza del piano di riscontro del mandrino (Rif. ISO 230 Parte 1-1986, par. 5.63).

Elemento di calcolo (EC) (4). La più piccola unità di calcolo che produce un risultato aritmetico o logico.

Elemento principale (4). Un elemento è considerato elemento principale quando il suo valore di sostituzione rappresenta più del 35 % del valore totale del sistema di cui è elemento. Il valore dell’elemento è il prezzo pagato per tale elemento dal fabbricante del sistema o da chi ne effettua l’integrazione. Il valore totale è il prezzo di vendita internazionale a parti che non hanno alcun legame con il venditore nel luogo di fabbricazione o nel luogo di consolidamento delle spedizioni.

Estrazione in fusione (1). Procedimento per solidificare rapidamente ed estrarre una lega sotto forma di nastro mediante inserzione di un piccolo segmento di un blocco raffreddato rotante nel bagno di lega metallica in fusione. NB:Solidificare rapidamente: solidificazione di materiale fuso ad una velocità di raffreddamento superiore a 1000 K/s.

FADEC vedere Sistema a controllo numerico per la regolazione completamente automatica di motori.

Fascio di fibre (1). Fascio di trefoli (in genere da 12 a 120) disposti all’incirca parallelamente. NB: Per trefolo di intende un fascio di monofilamenti (in genere oltre 200) disposti all’incirca parallelamente.

Fattore di scala (giroscopi o accelerometri) (7). Rapporto da misurare tra la modifica in uscita e la modifica in ingresso. Il fattore di scala è generalmente valutato come la pendenza della linea diritta che può essere adattata con il metodo dei minimi quadrati applicato ai dati di entrata-uscita ottenuti facendo variare l’entrata in modo ciclico nella gamma di ingresso.

Filato (1). Fascio di trefoli attorcigliati. NB: Per trefolo si intende un fascio di monofilamenti (in genere oltre 200) disposti all’incirca parallelamente.

Fisso (5). Il termine fisso significa che l’algoritmo di codifica o di compressione non può accettare parametri forniti dall’esterno (ad es. variabili crittografiche o a chiave) e non può essere modificato dall’utilizzatore.

Formatura superplastica (1)(2). Processo di deformazione a caldo per metalli normalmente caratterizzati da un basso valore di allungamento (minore del 20 %) al punto di rottura determinato a temperatura ambiente secondo prove convenzionali di resistenza alla trazione, in modo da ottenere durante il trattamento allungamenti di almeno due volte tali valori.

Fuori rotondità (2). Spostamento radiale in una rotazione completa del mandrino principale, misurato in un piano perpendicolare all’asse del mandrino in un punto della superficie interna o esterna di rotazione che deve essere controllata (Rif. ISO 230 Parte 1-1986, par. 5.61).

Geograficamente distribuiti (6). I sensori sono considerati geograficamente distribuiti quando i rispettivi siti di installazione sono distanti da qualunque altro sito più di 1500 metri in ogni direzione. I sensori mobili sono sempre considerati geograficamente distribuiti.

Gradiometro magnetico intrinseco (6). Strumento consistente in un singolo elemento di rivelazione del gradiente del campo magnetico e materiali elettronici associati che producono una misura del gradiente del campo magnetico. NB: Vedere anche gradiometro magnetico.

Gradiometro magnetico (6). Strumento progettato per rivelare la variazione spaziale dei campi magnetici da sorgenti esterne allo strumento. Consiste di più magnetometri e materiali elettronici associati che producono una misura del gradiente del campo magnetico. NB: Vedere anche gradiometro magnetico intrinseco.

Grammo effettivo (0)(1). Per le materie fissili speciali si intende:

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per gli isotopi di plutonio e per l’uranio-233, il peso dell’isotopo in grammi;

per l’uranio arricchito all’1 % o più in isotopo uranio-235, il peso dell’elemento in grammi, moltiplicato per il quadrato del suo arricchimento espresso in frazione di peso decimale;

per l’uranio arricchito al di sotto dell’1 % in isotopo uranio-235, il peso dell’elemento in grammi, moltiplicato per 0,0001.

Immunotossina (1). Composto di un anticorpo unicellulare specifico monoclonale e di una tossina o sottounità di tossina che attacca selettivamente cellule malate.

Incertezza di misura (2). Parametro caratteristico che specifica in quale gamma intorno al valore di uscita è compreso il valore corretto della variabile da misurare, con un livello di confidenza del 95 %. Questo parametro comprende le deviazioni non corrette sistematiche, la larghezza del gioco non corretto e le deviazioni casuali non corrette (Rif.: ISO 10360-2 oppure VDI/VDE 2617).

Inseguimento automatico del bersaglio (6). Tecnica di trattamento che consente di determinare e di fornire automaticamente come uscita un valore estrapolato della posizione più probabile del bersaglio, in tempo reale.

Instradamento adattivo dinamico (5). Reinstradamento automatico del traffico basato sulla rivelazione e l’analisi delle reali condizioni presenti nella rete. NB: La presente definizione non comprende i casi nei quali l’instradamento è deciso sulla base di informazioni definite in precedenza.

Isolante (9). Materiale applicato ai componenti di motori a razzo, cioè ai corpi di contenimento, agli ugelli, alle entrate degli ugelli, ai fondi dei corpi di contenimento, che può essere costituito da fogli di mescola di gomma composta, vulcanizzata o semivulcanizzata, contenente materiale isolante o refrattario. Può essere anche incorporato come riduttore di sforzo sui piani di comando o sugli ipersostentatori.

Laser a trasferimento (6). Laser eccitato per trasferimento di energia ottenuta dalla collisione di un atomo o di una molecola che non producono effetto laser con un atomo o una molecola che producono effetto laser.

Laser ad elevatissima potenza (SHPL) (6). Laser in grado di emettere (in tutto o in parte) una energia impulsiva superiore a 1 kJ entro 50 ms o avente potenza media in onda continua superiore a 20 kW

Laser chimico (6). Laser nei quali gli agenti attivi sono eccitati per mezzo di una energia emessa da una reazione chimica.

Laser Q-commutati (6). Laser in cui l’energia è immagazzinata nella popolazione di inversione o nel risonatore ottico ed è di conseguenza emessa sotto forma impulsiva.

Laser (0)(2)(3)(5)(6)(7)(8)(9). Assieme di componenti in grado di produrre nel tempo e nello spazio luce coerente amplificata per emissione stimolata di radiazione. NB: Vedere anche:

laser a trasferimento,

laser ad elevatissima potenza (SHPL),

laser chimico,

laser Q-commutati.

Lega meccanica (1). Processo di lega risultante dall’adesione, frantumazione e riadesione di polveri elementari e di polveri di lega madre per mezzo di urto meccanico. Le particelle non metalliche possono essere incorporate nella lega mediante aggiunta di polveri appropriate.

Linearità (2). (Normalmente misurata in termini di non linearità). È definita come la massima deviazione delle reali caratteristiche (media delle letture superiori ed inferiori), positive o negative, rispetto ad una linea retta posizionata in modo tale da equalizzare e minimizzare le deviazioni massime.

Livello di rumore (6). Segnale elettrico dato in termini di densità spettrale di potenza. La relazione del livello di rumore espresso in picco-picco è data come segue: S2pp= 8N0 (f2-f1) dove Spp è il valore picco-picco del segnale (ad esempio nanotesla), N0 è la densità spettrale di potenza (ad esempio nanotesla2/Hz) e (f2-f1) definisce la banda passante di interesse.

Magnetometro (6). Strumento progettato per rivelare i campi magnetici da sorgenti esterne allo strumento. Il magnetometro consiste di un singolo elemento di rivelazione del campo magnetico e di materiali elettronici associati che forniscono la misura del campo magnetico.

Mandrino basculante (2). Mandrino porta utensile che, durante il processo di lavorazione, modifica la posizione angolare del suo asse di riferimento rispetto a qualsiasi altro asse.

Materia fissile speciale (0). È definita come plutonio-239, uranio-233, uranio arricchito in isotopi 235 o 233 e qualsiasi altro prodotto contenente gli elementi precedenti.

Materiali fibrosi o filamentosi (0)(1)(2)(8). Comprendono:

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monofilamenti continui,

filati e fasci di fibre continui,

nastri, tessuti e mat irregolari e passamaneria,

coperture in fibre tagliate, filati e fibre agglomerate,

materiali filiformi monocristallini o policristallini di qualsiasi lunghezza,

pasta di poliammide aromatica.

Materiali resistenti alla corrosione dell’UF6 (0) possono essere rame, acciaio inossidabile, alluminio, ossido di alluminio, leghe di alluminio, nichelio o lega contenenti il 60 % in peso o più di nichelio e polimeri di idrocarburi fluorinati resistenti all’UF6, come appropriato per il tipo di processo di separazione.

Matrice sul piano focale (6). Strato piano lineare o a due dimensioni, o combinazione di strati piani, di elementi rivelatori individuali con o senza dispositivi elettronici di lettura che funziona sul piano focale. NB: La presente definizione non include una pila di elementi rivelatori singoli né di rivelatori a due, tre o quattro elementi, a condizione che l’integrazione dei segnali rivelati ad istanti successivi non sia effettuata nell’elemento.

Matrice (1)(2)(8)(9). Fase sostanzialmente continua che riempie lo spazio fra particelle, materiali filiformi o fibre.

Memoria centrale (4). Memoria principale di rapido accesso per l’unità centrale di trattamento, destinata ai dati o alle istruzioni. Si compone della memoria interna di un calcolatore numerico e di ogni estensione gerarchica di questa memoria, come la memoria cache o la memoria di estensione ad accesso non sequenziale.

Mezzi di produzione (7)(9). Sono costituiti dalle apparecchiature e loro software appositamente progettato integrati nelle installazioni per lo sviluppo o per una o più fasi della produzione.

Microcircuito microcalcolatore (3). Circuito integrato monolitico o circuito integrato a micropiastrine multiple contenente una unità logica aritmetica (ALU) in grado di eseguire istruzioni di tipo generale da una memoria interna, su dati contenuti nella memoria interna. NB: La memoria interna può essere incrementata per mezzo di una memoria esterna.

Microcircuito microprocessore (3). Circuito integrato monolitico o circuito integrato a micropiastrine multiple contenente una unità logica aritmetica (ALU) in grado di eseguire istruzioni di tipo generale da una memoria esterna. NB 1: Il microcircuito microprocessore normalmente non contiene una memoria interna accessibile all’utente, sebbene possa contenere una memoria sulla piastrina che può essere utilizzata per l’esecuzione delle sue funzioni logiche. NB 2: La presente definizione comprende gli assiemi di micropiastrine progettate per funzionare insieme al fine di fornire la funzione di un microcircuito microprocessore.

Microrganismi (1)(2). Comprendono batteri, virus, micoplasmi, rickettsiae, clamydiae o funghi, anche naturali, potenziati o modificati, sia in forma di colture vive isolate o come materiale comprendente materiale vivo intenzionalmente inoculato o contaminato con tali colture.

Miglioramento dell’immagine (4). Trattamento di immagini esterne portatrici di informazioni mediante algoritmi quali la compressione di tempo, il filtraggio, l’estrazione, la selezione, la correlazione, la convoluzione o le trasformazioni fra dominii (per es. trasformata rapida di Fourier o trasformata di Walsh). Gli algoritmi che utilizzano la trasformazione lineare o angolare di una immagine semplice, quali la traslazione, l’estrazione di parametri, la registrazione o la falsa colorazione non rientrano nel quadro della presente definizione.

Miscela chimica (1). Prodotto solido, liquido o gassoso costituito da uno o più componenti che non reagiscono tra loro alle condizioni nelle quali la miscela è conservata.

Miscelato (1). Miscelazione filo-filo di fibre termoplastiche e fibre di rinforzo per produrre una miscela matrice di fibra di rinforzo in forma di fibra totale.

Missili (1)(3)(6)(7)(9). Sistemi completi a razzo e sistemi di veicoli aerei senza equipaggio, in grado di trasportare un carico utile di almeno 500 kg ad una distanza di almeno 300 km.

Modificato per uso bellico (1). Qualsiasi modifica o selezione (tale da alterare la purezza, la durata di inutilizzo, la virulenza, le caratteristiche di disseminazione o la resistenza ai raggi UV) volta ad accrescere l’efficacia nel produrre il numero di vittime umane o animali, degradare le attrezzature, o danneggiare i raccolti o l’ambiente.

Modulo specifico (0)(1)(9). Modulo di Young in pascal, equivalente a N/m2 diviso per il peso specifico espresso in N/m3, misurato alla temperatura di (296 ± 2) K [(23 ± 2) °C)] ed umidità relativa del (50 ± 5) %.

Monofilamento (1) o filamento. Il più piccolo incremento di una fibra, in genere con un diametro di vari micron.

Nastro (1). Materiale costituito da monofilamenti, trefoli, fasci di fibre, cavi o filati, ecc., intrecciati o unidirezionali, in genere preimpregnati di resina. NB: Per trefolo si intende un fascio di monofilamenti (in genere oltre 200) disposti all’incirca parallelamente.

Navigazione con riferimenti a basi di dati (DBRN) (7). Sistemi che utilizzano varie fonti di dati geocartografici precedentemente misurati e integrati per fornire informazioni precise sulla navigazione in condizioni dinamiche. Le fonti di dati comprendono carte batimetriche, carte astronomiche, mappe gravitazionali, mappe magnetiche o mappe del terreno digitali tridimensionali.

Necessaria (NGT)(1-9). Nel modo in cui è applicato alla tecnologia o al software, si riferisce soltanto a quella porzione di tecnologia o software particolarmente responsabile del raggiungimento o del superamento di livelli di prestazione, caratteristiche o funzioni sottoposti ad autorizzazione. Tale tecnologia o softwarenecessaria può essere condivisa da prodotti differenti.

Ottimizzazione della traiettoria di volo (7). Procedura che riduce al minimo le deviazioni dalla traiettoria quadridimensionale (spazio e tempo) prefissata ottimizzando le prestazioni o l’efficacia ai fini delle missioni.

Pixel attivo (6)(8). L’elemento più piccolo (singolo) dell’insieme a semiconduttori dotato di funzione di trasferimento fotoelettrico allorché esposto ad una radiazione luminosa (elettromagnetica).

Polarizzazione (accelerometro) (7). Uscita di un accelerometro in assenza di accelerazione.

Polverizzazione (1). Processo per ridurre un materiale in particelle mediante frantumazione o macinazione.

Portata strumentale (6). La portata specificata non ambigua visualizzata di un radar.

Potenza di picco (6). Energia per impulso, espressa in Joule, divisa per la durata dell’impulso, espressa in secondi.

Precedentemente separato (0)(1). L’applicazione di qualsiasi processo inteso ad elevare la concentrazione dell’isotopo controllato.

Precisione (2)(6). (Normalmente misurata in termini di imprecisione). È definita come la massima deviazione positiva o negativa, di un valore indicato rispetto ad una norma accettata o ad un valore reale.

Preformati di fibre di carbonio (1): un insieme ordinato di fibre rivestite o no che costituiscono il quadro di una parte prima dell’introduzione della matrice per formare un composito.

Pressa isostatica (2). Macchina in grado di regolare la pressione di una cavità chiusa mediante vari mezzi (gas, liquidi, particelle solide, ecc.) al fine di creare in tutte le direzioni, all’interno della cavità, una uguale pressione esercitata su un pezzo o su un materiale.

Prestazione teorica composita (PTC) (3)(4). Misura della prestazione di calcolo espressa in milioni di operazioni teoriche al secondo (Mopt/s), calcolata usando l’aggregazione di elementi di calcolo (EC). NB: Vedere categoria 4, Nota tecnica.

Produzione (NGT)(NTN)(Tutte). Comprende tutti gli stadi di produzione quali: costruzione, ingegneria della produzione, fabbricazione, integrazione, assemblaggio (montaggio), ispezione, collaudo, assicurazione qualità.

Profili aerodinamici a geometria variabile (7). Utilizzano ipersostentatori da bordo di uscita, o ipersostentatori da bordo di attacco o rotazione del bordo di attacco intorno ad un punto fisso (pivot), la posizione dei quali può essere controllata in volo.

Programma (2)(6). Sequenza di istruzioni per la messa in atto di un procedimento in forma tale o trasferibile in forma tale che un calcolatore elettronico possa eseguire.

Programmabilità accessibile all’utente (6). Possibilità per l’utente di inserire, modificare o sostituire programmi con mezzi diversi da:

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modifica materiale del cablaggio o delle interconnessioni o

messa a punto di comandi di funzioni, compresa l’introduzione di parametri.

PTC: vedere Prestazione teorica composita.

Qualificato per impiego spaziale (3)(6). Dispositivi progettati, fabbricati e controllati per rispondere a speciali requisiti elettrici, meccanici o ambientali necessari per il lancio e l’impiego di satelliti o di sistemi per il volo ad alte quote funzionanti ad altitudini uguali o superiori a 100 km.

Reattore nucleare (0). Comprende i materiali che si trovano nel contenitore del reattore o a questo direttamente fissati, le apparecchiature di regolazione della potenza del nocciolo ed i componenti che normalmente contengono il fluido refrigerante primario del nocciolo del reattore, che entrano in contatto diretto con questo fluido o ne permettono la regolazione.

Rete di sensori ottici per il controllo di volo (7). Rete di sensori ottici distribuiti che utilizza fasci laser e fornisce in tempo reale dati sul controllo di volo per l’elaborazione a bordo.

Rete locale (4). Sistema di comunicazione di dati che: NB:Dispositivi di dati: apparecchiature in grado di trasmettere o ricevere sequenze di informazioni numeriche.

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assicura la comunicazione diretta tra un certo numero di dispositivi di dati indipendenti e

è limitata ad un locale di superficie media (per esempio, immobile amministrativo, officina, edificio o magazzino).

Ricerca scientifica di base (NGT) (NTN). Lavori sperimentali o teorici intrapresi essenzialmente per acquisire nuove conoscenze dei principi fondamentali di fenomeni e di fatti osservabili, non principalmente orientati verso obiettivi o scopi specifici pratici.

Risoluzione (2). Il più piccolo incremento di un dispositivo di misura ed il bit meno significativo di uno strumento numerico (Rif.:ANSI B-89.1.12).

Ritardo di propagazione della porta di base (3). Valore corrispondente alla porta di base utilizzata in un circuito integrato monolitico. Per una famiglia di circuiti integrati monolitici questo valore può essere specificato sia come ritardo di propagazione per porta tipica all’interno della famiglia data, sia come ritardo di propagazione tipico per porta all’interno della famiglia data. NB 1: Il ritardo di propagazione della porta di base non deve essere confuso con i ritardi di ingresso/uscita di un circuito integrato monolitico complesso. NB 2: La famiglia è composta da tutti i circuiti integrati cui si applica tutto ciò che segue come metodologia e specifiche di produzione, fatte salve le funzioni rispettive:

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L’architettura comune dell’hardware e del software.

La tecnologia comune di progettazione e produzione; e

Le caratteristiche comuni di base.

Rivestimento interno (9). Materiale idoneo come interfaccia di adesione tra il propellente solido ed il corpo di contenimento o il rivestimento isolante, è normalmente costituito da una dispersione di materiali refrattari o isolanti in un polimero liquido, per esempio polibutadiene con radicali ossidrilici terminali (HTPB) caricato di particelle di carbonio o altro polimero con l’aggiunta di agenti di indurimento, da spruzzare o depositare all’interno dei corpi di contenimento.

Robot (2)(8). Meccanismo di manipolazione del tipo a traiettoria continua o punto a punto che può utilizzare sensori ed avente tutte le caratteristiche seguenti: NB: La definizione sopra riportata non comprende i dispositivi seguenti:

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in grado di eseguire più funzioni;

in grado di posizionare od orientare materiali, pezzi, utensili o dispositivi speciali tramite movimenti variabili nello spazio tridimensionale;

avente tre o più dispositivi di asservimenti ad anello chiuso od aperto (compresi i motori passo-passo) e

dotato di programmabilità accessibile all’utente usando il metodo di apprendimento (impara e ripeti) o mediante calcolatore elettronico che può essere un controllore logico programmabile, ad esempio senza intervento meccanico.

1. meccanismi di manipolazione a comando esclusivamente manuale o controllabili tramite telecomando;

2. meccanismi di manipolazione a sequenza fissa, cioè dispositivi che si muovono in modo automatizzato funzionanti secondo movimenti programmati con limitazione meccanica. I movimenti programmati sono limitati meccanicamente da fermi fissi quali spine o camme. La sequenza dei movimenti e la scelta delle traiettorie o degli angoli non sono variabili o modificabili con mezzi meccanici, elettronici od elettrici;

3. meccanismi di manipolazione a sequenza variabile ed a regolazione meccanica, cioè dispositivi mobili automatizzati i cui movimenti sono programmati e delimitati tramite mezzi meccanici. I movimenti programmati sono delimitati meccanicamente da fermi fissi ma regolabili quali spine o camme. La sequenza dei movimenti e la scelta delle traiettorie o degli angoli sono variabili nel quadro della configurazione programmata. Le variazioni o le modifiche della configurazione programmata (ad esempio cambi di spine o scambi di camme) su uno o più assi di movimento sono realizzate esclusivamente con operazioni meccaniche;

4. meccanismi di manipolazione a sequenza variabile non servoassistiti, cioè dispositivi che si muovono in modo automatizzato, funzionanti secondo movimenti programmati fissati meccanicamente. Il programma è variabile, ma la sequenza è attivata solo dal segnale binario proveniente dai dispositivi elettrici binari o dai fermi regolabili fissati meccanicamente;

5. carrelli gru a piattaforma definiti come sistemi di manipolazione funzionanti a coordinate cartesiane, costruiti come parte integrale di una cortina verticale di scompartimenti di immagazzinamento e progettati per accedere al contenuto degli scompartimenti per immagazzinare o prelevare.

Saldatura per diffusione (1)(2)(9). Tecnica di collegamento molecolare allo stato solido di almeno due metalli separati per realizzare un pezzo singolo con resistenza comune uguale a quella del materiale meno resistente.

Salti di frequenza (5). Forza di spettro esteso nel quale la frequenza di trasmissione di un canale di comunicazione è modificata mediante una sequenza di variazioni discontinue casuali o pseudo casuali.

Segnalazione su canale comune (5). Metodo di segnalazione tra centrali nelle quali un canale trasporta, tramite messaggi muniti di etichetta, le informazioni di segnalazione relative ad una pluralità di circuiti o di chiamate ed altre informazioni quali quelle utilizzate per la gestione della rete.

Sensori di immagini monospettrali (6). Sensori in grado di effettuare una acquisizione di dati di immagini da una banda spettrale discreta.

Sensori di immagini multispettrali (6). Sensori in grado di effettuare una acquisizione simultanea o in serie di dati di immagini da due o più bande spettrali discrete. I sensori aventi più di 20 bande spettrali discrete sono talvolta definiti come sensori di immagini iperspettrali.

Sensori radar interconnessi (6). Due o più sensori radar sono interconnessi quando si scambiano tra di loro dati in tempo reale.

SHPL: vedere laser ad elevatissima potenza.

Sicurezza dell’informazione (4)(5). Tutti i mezzi e le funzioni che assicurano l’accessibilità, la confidenzialità o l’integrità dell’informazione o delle comunicazioni con l’esclusione dei mezzi e delle funzioni previste per la protezione contro i malfunzionamenti. Comprende fra l’altro la crittografia, la crittoanalisi, la protezione contro le emanazioni compromettenti e la sicurezza dei calcolatori. NB:Crittoanalisi: Analisi di un sistema crittografico e/o delle sue entrate e uscite per ricavarne le variabili confidenziali o i dati riservati compreso il testo in chiaro.

Sintetizzatore di frequenza (3). Qualunque tipo di sorgente di frequenza o generatore di segnale, indipendentemente dall’effettiva tecnica utilizzata, in grado di fornire una molteplicità di frequenze in uscita simultanee od alternative, da una o più uscite controllate, derivate o disciplinate da un numero inferiore di frequenze standard (o campione).

Sistema a controllo numerico per la regolazione completamente automatica di motori (FADEC) (7)(9). Sistema di controllo elettronico dei motori a turbina a gas o a ciclo combinato che si avvale di un calcolatore numerico al fine di controllare le variabili necessarie per la regolazione della spinta del motore o della potenza di uscita all'asse durante il ciclo di funzionamento del motore, dall'inizio della misurazione dell'erogazione del carburante fino all'arresto dell'erogazione del carburante.

Sistema anticoppia con comando di circolazione o comando di direzione con comando di circolazione (7). Sistema che utilizza l’aria soffiata sulle superfici aerodinamiche per aumentare o controllare le forze prodotte da queste superfici.

Sistema di controllo attivo di volo (7). Sistema avente la funzione di impedire i movimenti o i carichi strutturali indesiderabili dell’aeromobile e del missile trattando in modo autonomo i dati di uscita provenienti da più sensori e fornendo successivamente le istruzioni preventive necessarie per assicurare un controllo automatico.

Sistemi esperti (7). Sistemi che forniscono risultati mediante l’applicazione di regole a dati immagazzinati indipendentemente dal programma ed in grado di realizzare una qualsiasi delle capacità seguenti:

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modifica automatica del codice sorgente introdotto dall’utilizzatore,

dichiarazione della conoscenza legata a una classe di problemi in linguaggio quasi naturale,

acquisizione delle conoscenze necessarie per il loro sviluppo (apprendimento simbolico).

Software (NGS)(Tutte). Raccolta di uno o più programmi o microprogrammi fissati su qualsiasi supporto tangibile di espressione. NB:Microprogramma: sequenza di istruzioni elementari, contenuta in una memoria speciale, la cui esecuzione è comandata dall’introduzione della sua istruzione di riferimento in un registro di istruzioni.

Sottounità di tossina (1). Componente strutturalmente e funzionalmente separato di una tossina intera.

Specchi deformabili (6) (anche conosciuti come specchi ottici adattivi). Specchi:

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aventi una sola superficie di riflessione ottica continua che è deformata in modo dinamico con l’applicazione di coppie o di forze individuali al fine di compensare le distorsioni presenti nella forma d’onda ottica incidente sullo specchio o

aventi elementi ottici multipli di riflessione che possono essere riposizionati in modo individuale e dinamico con l’applicazione di coppie o di forze al fine di compensare le distorsioni presenti nella forma d’onda ottica incidente sullo specchio.

Spettro esteso radar (6). Qualsiasi tecnica di modulazione tendente a ripartire l’energia emessa da un segnale con una banda di frequenza relativamente ristretta, su una banda di frequenza molto più ampia, utilizzando ad esempio una codifica casuale o pseudo casuale.

Spettro esteso (5). Tecnica con la quale l'energia di un canale di comunicazione a banda relativamente stretta è estesa su uno spettro di energia molto più largo.

Stabilità (7). Deviazione standard (1 sigma) della variazione di un particolare parametro rispetto al suo valore di calibrazione misurato in condizioni termiche stabili. Questa variazione può essere espressa come funzione di tempo.

Stampaggio idraulico ad azione diretta (2). Processo di deformazione che utilizza un serbatoio flessibile riempito di fluido, in contatto diretto con il pezzo da lavorare.

Stati che (non) aderiscono alla convenzione sulle armi chimiche (1). Stati nei confronti dei quali la convenzione sulla proibizione dello sviluppo, produzione, immagazzinaggio ed uso di armi chimiche (non) è entrata in vigore. (Cfr. www.opcw.org)

Stato partecipante (7 9). Stato che partecipa al regime Wassenaar. (Cfr. www.wassenaar.org)

Substrato grezzo (6). Composti monolitici di dimensioni adatte per la fabbricazione di elementi ottici, come gli specchi o le finestre ottiche.

Substrato (3). Strato di materiale di base con o senza tracciato di interconnessione e sul quale o entro il quale possono essere sistemati componenti discreti, circuiti integrati od entrambi. NB 1:Componente discreto: elemento di circuito in contenitore separato avente connessioni esterne proprie. NB 2:Elemento di circuito: parte funzionante singola, attiva o passiva di un circuito elettronico, quale un diodo, un transistor, un resistore, una capacità, ecc.

Superconduttori (1)(3)(6)(8). Materiali, cioè metalli, leghe o composti che possono perdere tutta la resistenza elettrica (cioè che possono raggiungere una conduttività elettrica infinita e trasportare grandissime correnti elettriche senza produrre calore per effetto Joule). NB: Lo stato superconduttore di un materiale è individualmente caratterizzato da una temperatura critica, un campo magnetico critico, che è funzione della temperatura ed una densità di corrente critica che è funzione sia del campo magnetico che della temperatura.

Superleghe (2)(9). Leghe a base di nichelio, cobalto o ferro aventi resistenza superiore a qualsiasi lega della serie AISI 300 a temperature superiori a 922 K (649°C) in severe condizioni ambientali e di funzionamento.

Sviluppo (NGT)(NTN)(Tutte). È relativo a tutti gli stadi che precedono la produzione di serie, quali: progettazione, ricerca di progetto, analisi di progetto, metodologia di progetto, assemblaggio e collaudo di prototipi, piani di produzione pilota, dati di progettazione, processo di trasformazione dei dati di progetto in un prodotto, progettazione di configurazione, progettazione di integrazione, rappresentazioni grafiche.

Tavola rotante basculante (2). Tavola che permette al pezzo da lavorare la rotazione e l’inclinazione rispetto a due assi non paralleli, che possono essere coordinati simultaneamente per controllo di contornatura.

Tecnologia (NGT)(NTN)(Tutte). Informazioni specifiche necessarie allo sviluppo, produzione, o utilizzazione di merci. L’informazione può rivestire la forma sia di dati tecnici che di assistenza tecnica. NB 1: L’assistenza tecnica può rivestire varie forme quali istruzione, trasferimento di specializzazioni, addestramento, organizzazione del lavoro e servizi di consulenza e può comportare il trasferimento di dati tecnici. NB 2: I dati tecnici possono presentarsi sotto forma di copie cianografiche, piani, diagrammi, modelli, formule, schemi e specifiche di ingegneria, manuali ed istruzioni scritte o registrate su supporti o dispositivi quali dischi, nastri, memorie a sola lettura.

Temperatura critica (1)(3)(6). Temperatura (talvolta indicata come temperatura di transizione) di uno specifico materiale superconduttore alla quale il materiale perde tutta la resistenza al passaggio di corrente elettrica continua.

Tempo di assestamento (3). Tempo richiesto perché il valore di uscita raggiunga il valore finale entro mezzo bit al momento della commutazione fra due livelli qualsiasi del convertitore.

Tempo di commutazione della frequenza (3)(5). Il tempo massimo (cioè il ritardo) necessario ad un segnale qualora si effettui una commutazione da una frequenza di uscita selezionata ad un’altra frequenza di uscita selezionata per raggiungere:

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una frequenza entro 100 Hz dalla frequenza finale o

un livello di uscita entro 1 dB rispetto al livello di uscita finale.

Tempra rapida (1). Procedimento per solidificare rapidamente una colata di metallo fuso facendola urtare contro un blocco raffreddato, per ottenere un prodotto sotto forma di pagliuzze. NB:Solidificare rapidamente: solidificazione di materiale fuso ad una velocità di raffreddamento superiore a 1. 000 K/s.

Tempra su cilindro (1). Procedimento per solidificare rapidamente una colata di metallo fuso appoggiandola contro un blocco raffreddato in rotazione per ottenere un prodotto sotto forma di pagliuzze, nastri o barre. NB:Solidificare rapidamente: solidificazione di materiale fuso ad una velocità di raffreddamento superiore a 1. 000 K/s.

Tolleranza ai guasti (4). Capacità di un sistema informatico, in caso di mancato funzionamento di un qualsiasi componente della macchina o del software, di continuare il suo funzionamento senza l’intervento umano ad un livello tale da consentire: la continuità del funzionamento, l’integrità dei dati e la capacità di ristabilire il funzionamento entro un certo tempo assegnato.

Tossine (1)(2). Tossine sotto forma di preparazioni o miscele deliberatamente isolate, comunque prodotte, diverse dalle tossine presenti come contaminanti di altri materiali quali campioni patologici, colture, alimenti o ceppi di microrganismi.

Tracce di sistema (6). Rilevamento aggiornato della posizione di un aereo in volo, sottoposto a trattamento, correlazione (fusione dei dati del bersaglio radar rispetto alla posizione del piano di volo) disponibile ai controllori del centro di controllo del traffico aereo.

Trasduttori di pressione (2). Dispositivi che convertono le misurazioni di pressione in segnale elettrico.

Trattamento del segnale (3)(4)(5)(6). Trattamento di segnali esterni portatori di informazioni tramite algoritmi come la compressione di tempo, il filtraggio, l’estrazione, la selezione, la correlazione, la convoluzione o le trasformazioni tra dominii ( ad esempio, trasformata rapida di Fourier o trasformata di Walsh).

Trattamento di flussi multipli di dati (4). Tecnica di microprogrammi o di architettura dell’apparecchiatura per il trattamento simultaneo di due o più sequenze di dati sotto il controllo di una o più sequenze di istruzioni con mezzi quali: NB:Microprogramma: sequenza di istruzioni elementari, contenuta in una memoria speciale, la cui esecuzione è comandata dall’introduzione della sua istruzione di riferimento in un registro di istruzioni.

pt_172 a.

le architetture di dati multipli a istruzione singola (SIMD) quali i processori matriciali o vettoriali,

le architetture di dati multipli a istruzione singola e istruzioni multiple (MSIMD),

le architetture di dati multipli a istruzioni multiple (MIMD), comprese quelle strettamente accoppiate, completamente accoppiate o debolmente accoppiate o

reti strutturate di elementi di trattamento, comprese le reti sistoliche.

Trattamento in tempo reale (6)(7). Trattamento di dati mediante un calcolatore elettronico che fornisce il livello di funzionalità richiesto, a seconda delle risorse disponibili in risposta ad un evento esterno, entro limiti di tempo imposti dall’evento esterno e a prescindere dal carico del sistema.

Tutte le compensazioni disponibili (2). Dopo che sono state considerate tutte le misure disponibili al produttore per ridurre al minimo tutti gli errori di posizionamento sistematici per il particolare modello di macchina utensile.

Unità di controllo di accesso alla rete (4). Interfaccia fisica ad una rete di commutazione distribuita. Utilizza un supporto comune che funziona in permanenza alla stessa velocità di trasferimento numerico mediante arbitraggio (ad esempio rivelazione del gettone o della portante) per la trasmissione. Seleziona, indipendentemente da qualsiasi altro dispositivo, pacchetti di dati o gruppi di dati (per esempio IEEE 802) che gli sono indirizzati. È un assieme che può essere integrato in una apparecchiatura a calcolatore o di telecomunicazioni per assicurare l’accesso alle comunicazioni.

Uranio arricchito in isotopi 235 o 233 (0). Uranio contenente gli isotopi 235 o 233, o entrambi, in una proporzione tale che il rapporto dei tenori della somma di questi isotopi rispetto a quello dell’isotopo 238 è superiore al rapporto tra l’isotopo 235 e l’isotopo 238 esistente allo stato naturale (rapporto isotopico: 0,71%).

Uranio impoverito (0). Uranio il cui contenuto in isotopo 235 è inferiore a quello contenuto nell’uranio naturale.

Uranio naturale (0). Uranio contenente la miscela di isotopi reperibile allo stato naturale.

Utilizzazione (NGT)(NTN)(Tutte). Comprende: funzionamento, installazione (inclusa installazione in sito), manutenzione (verifiche), riparazione, revisione e rimessa a nuovo.

Vaccino (1). Prodotto medicinale in formulazione farmaceutica provvisto di licenza delle autorità di regolamentazione del paese di produzione o di utilizzazione, ovvero da queste ammesso alla commercializzazione o alla sperimentazione clinica e volto a stimolare una risposta immunologica di difesa per prevenire la malattia nell’uomo e negli animali cui viene somministrato.

Veicoli più leggeri (9). Palloni e dirigibili che, per innalzarsi, utilizzano aria calda o altri gas più leggeri dell'aria, quali l'elio o l'idrogeno.

Veicoli spaziali (7)(9). Satelliti attivi e passivi e sonde spaziali.

Veicolo aereo senza equipaggio (UAV) (9). Aeromobile in grado di alzarsi in volo e di seguire voli controllati senza presenza umana a bordo.

Velocità di precessione (giroscopi) (7). Velocità della deriva all’uscita di un giroscopio rispetto all’uscita desiderata. Consiste di componenti aleatorie e sistematiche ed è espressa come un equivalente dello spostamento angolare all’ingresso per unità di tempo rispetto allo spazio inerziale.

Velocità di trasferimento numerica. Velocità totale binaria delle informazioni che sono direttamente trasferite su qualsiasi tipo di supporto. NB: Vedere anche Velocità di trasferimento numerica totale.

Velocità di trasferimento numerica totale (5). Numero di bit, compresi i bit di codifica in linea e i bit supplementari, ecc., per unità di tempo, che passano tra apparecchiature corrispondenti in un sistema di trasmissione numerico. NB: Vedere anche Velocità di trasferimento numerica.

ACRONIMI ED ABBREVIAZIONI UTILIZZATI NEL PRESENTE ALLEGATO

Gli acronimi e le abbreviazioni utilizzati come termini definiti si trovano nelle Definizioni dei termini usati nel presente allegato. Acronimo o abbreviazione Significato ABEC Annular Bearing Engineers Committee AGMA American Gear Manufacturers’Association AHRS sistemi di riferimento di rotta e di assetto AISI American Iron and Steel Institute ALU unità logica aritmetica ANSI American National Standards Institute ASTM Società americana per le prove e i materiali ATC controllo del traffico aereo AVLIS Separazione isotopica di vapore atomico a laser CAD progettazione assistita da calcolatore CAS Chemical Abstracts Service CCITT Comitato consultivo internazionale telegrafico e telefonico CEI Commissione elettrotecnica internazionale CEP errore circolare probabile CNTD deposizione termica a nucleazione controllata CRISLA Reazione chimica mediante attivazione isotopica selettiva a laser CVD deposizione in fase di vapore di elementi chimici CW guerra chimica CW (laser) onda continua DME apparecchiature per la misurazione della distanza DS solidificazione direzionale EB-PVD deposizione fisica in fase di vapore per mezzo di fascio elettronico EBU European Broadcasting Union ECM lavorazione elettrochimica ECR risonanza elettrociclotrone EDM lavorazione elettroerosiva EEPROM memoria di sola lettura cancellabile e programmabile elettricamente EIA Electronic Industries Association EMC compatibilità elettromagnetica ETSI Istituto europeo per le norme di telecomunicazione FFT trasformata rapida di Fourier GLONASS sistemi globali di navigazione via satellite GPS posizionamento globale a mezzo satellite HBT transistori etero bipolari HDDR modulo di registrazione numerica ad alta densità HEMT transistori ad elevata mobilità di elettroni ICAO Organizzazione per l’aviazione civile internazionale IEEE Institute of Electrical and Electronic Engineers IFOV campo di visione istantaneo ILS sistema di atterraggio strumentale IRIG Inter Range Instrumentation Group ISAR radar ad apertura sintetica inversa ISO Organizzazione internazionale per la standardizzazione JIS Japanese Industrial Standard JT Joule-Thomson LIDAR rivelazione e misura della distanza a mezzo della luce MAC codice di autenticazione del messaggio Mach rapporto tra la velocità di un corpo e la velocità del suono (da Ernst Mach) MLIS separazione isotopica molecolare a laser MLS sistemi di atterraggio a microonde MOCVD deposito in fase di vapore di elementi chimici organo-metallici MRI immagine a risonanza magnetica MTBF tempo medio tra due guasti Mopt/s milioni di operazioni teoriche al secondo MTTF tempo medio specificato prima del guasto NBC nucleare, biologico e chimico NDT tecniche non distruttive PAR radar di avvicinamento di precisione PIN numero personale di identificazione ppm parti per milione PSD densità spettrale di potenza QAM modulazione di ampiezza in quadratura RF radiofrequenza SACMA Suppliers of Advanced Composite Materials Association SAR radar ad apertura sintetica SC cristallo singolo SLAR radar avionico a scansione laterale SMPTE Society of Motion Pictures and Television Engineers SRA assieme rimpiazzabile in laboratorio SRAM memoria statica ad accesso casuale SRM metodi raccomandati dalla SACMA SSB banda laterale unica SSR radar secondari di sorveglianza TCSEC Trusted Computer System Evaluation Criteria TIR lettura totale del misuratore UCV unità di controllo e di visualizzazione UIL unità intercambiabile in linea UIT Unione internazionale delle telecomunicazioni UTS carico di rottura UV ultravioletto VOR radiofaro VHF onnidirezionale YAG laser a granato di ittio e alluminio

CATEGORIA 0 MATERIALI NUCLEARI, IMPIANTI ED APPARECCHIATURE

0ASistemi, apparecchiature e componenti

0A001Reattori nucleari e loro apparecchiature e componenti appositamente progettati o preparati, come segue:

reattori nucleari in grado di funzionare in modo da assicurare una reazione di fissione a catena controllata autosostenuta;

contenitori metallici, o loro parti principali fabbricate in officina, appositamente progettati o preparati per contenere il nocciolo di un reattore nucleare, compresa la copertura del contenitore in pressione del reattore;

apparecchiature di manipolazione appositamente progettate o preparate per l'introduzione o la rimozione del combustibile in reattori nucleari;

barre di controllo appositamente progettate o preparate per il controllo del processo di fissione in reattori nucleari, loro strutture di supporto o di sospensione, meccanismi di regolazione delle barre e tubi guida per barre;

tubi resistenti alla pressione, appositamente progettati o preparati per contenere gli elementi di combustibile ed il fluido refrigerante primario in un reattore nucleare, in grado di sopportare una pressione di esercizio superiore di 5,1 MPa;

zirconio metallo e leghe sotto forma di tubi o assiemi di tubi in cui il rapporto in peso afnio/zirconio è inferiore a 1/500, appositamente progettati o preparati per essere utilizzati in un reattore nucleare;

pompe per la circolazione del refrigerante appositamente progettate o preparate per la circolazione del refrigerante primario di reattori nucleari;

elementi interni del reattore appositamente progettati o preparati per essere utilizzati in reattori nucleari, comprendenti colonne di supporto del nocciolo, canali del combustibile, schermi termici, deflettori, piastre a griglie del nocciolo e piastre del diffusore; Nota: in 0A001.h si intende per elementi interni del reattore qualsiasi struttura principale all'interno del contenitore del reattore avente una o più funzioni, ad esempio sostenere il nocciolo, mantenere l'allineamento del combustibile, dirigere il flusso del refrigerante primario, fornire schermi all'irraggiamento per il contenitore del reattore e dirigere la strumentazione del nocciolo.

scambiatori di calore (generatori di vapore) appositamente progettati o preparati per essere utilizzati nel circuito del refrigerante primario di reattori nucleari;

strumenti di rivelazione e misurazione dei neutroni appositamente progettati o preparati per determinare i livelli di flusso dei neutroni nel nocciolo di reattori nucleari.

0BApparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione

0B001Impianti per la separazione di isotopi di uranio naturale, di uranio impoverito e di materie fissili speciali e loro apparecchiature e componenti appositamente progettati o preparati, come segue: 0B002Sistemi ausiliari appositamente progettati o preparati, apparecchiature e componenti, come segue, per impianti di separazione isotopica specificati in 0B001, costruiti o protetti con materiali resistenti alla corrosione dell'UF6: 0B003Impianti per la conversione dell'uranio e loro apparecchiature appositamente progettate o preparate, come segue: 0B004Impianti per la produzione o la concentrazione di acqua pesante, deuterio e composti di deuterio, e loro apparecchiature e componenti appositamente progettati o preparati, come segue: 0B005Impianti appositamente progettati per la fabbricazione di elementi di combustibile per reattori nucleari e loro apparecchiature appositamente progettate o preparate. Nota: un impianto per la fabbricazione di elementi di combustibile per reattori nucleari comprende apparecchiature che: 0B006Impianti per il ritrattamento di elementi di combustibile irraggiato per reattori nucleari e loro apparecchiature e componenti appositamente progettati o preparati. Nota: lo 0B006 comprende: 0B007Impianti per la conversione del plutonio e loro apparecchiature appositamente progettate o preparate:

impianti appositamente progettati per separare gli isotopi di uranio naturale, di uranio impoverito e di materie fissili speciali, come segue:

1. impianti di separazione con centrifuga a gas,

2. impianti di separazione per diffusione gassosa,

3. impianti di separazione aerodinamica,

4. impianti di separazione a scambio chimico,

5. impianti di separazione a scambio ionico,

6. impianti di separazione isotopica di vapore atomico a laser (AVLIS),

7. impianti di separazione isotopica molecolare a laser(MLIS),

8. impianti di separazione a plasma,

9. impianti di separazione elettromagnetica;

centrifughe a gas, assiemi e componenti, appositamente progettati o preparati per il processo di separazione con centrifuga a gas, come segue: Nota: in 0B001.b si intende per materiale ad alto rapporto resistenza/densità uno qualsiasi dei materiali seguenti:

a.

acciaio Maraging avente carico di rottura uguale o superiore a 2050 MPa;

b.

leghe di alluminio aventi carico di rottura uguale o superiore a 460 Mpa, o

c.

materiali fibrosi o filamentosi aventi modulo specifico superiore a 3,18 × 06 m e carico di rottura specifico superiore a 76,2 × 103 m;

1. centrifughe a gas;

2. assiemi rotori completi;

3. tubi cilindrici rotori, con spessore di parete uguale o inferiore a 12 mm, diametro compreso tra 75 e 400 mm e costruiti con materiali ad alto rapporto resistenza/densità;

4. anelli o soffietti con spessore di parete uguale o inferiore a 3 mm, diametro compreso tra 75 e 400 mm, progettati per rinforzare localmente il tubo rotore o per collegarne un certo numero tra di loro, e costruiti con materiali ad alto rapporto resistenza/densità;

5. diaframmi con diametro compreso tra 75 e 400 mm da montare all'interno dei tubi rotori, e costruiti con materiali ad alto rapporto resistenza/densità;

6. coperchi superiori e inferiori con diametro compreso tra 75 e 400 mm sagomati in modo da permetterne l'alloggiamento alle estremità dei tubi rotori, costruiti con materiali ad alto rapporto resistenza/densità;

7. cuscinetti a sospensione magnetica costituiti da un magnete anulare sospeso in alloggiamento costruito o protetto con materiali resistenti alla corrosione dell'UF6 contenenti un mezzo di smorzamento ed aventi l'accoppiamento magnetico con una espansione polare o con un secondo magnete sistemato nel coperchio superiore del rotore;

8. cuscinetti appositamente preparati comprendenti un assieme con coperchio a perno rotante montato su smorzatore;

9. pompe molecolari comprendenti cilindri aventi scanalature elicoidali interne ottenute per estrusione o per lavorazione e fori interni ottenuti per lavorazione;

10. statori di forma anulare per motori polifase a corrente alternata, del tipo ad isteresi (o riluttanza) per funzionamento sincrono sottovuoto nella gamma di frequenze comprese tra 600 e 2000 Hz e potenze comprese tra 50 e 1000 VA;

11. contenitori/alloggiamenti di centrifuga per contenere l'assieme tubo rotore di una centrifuga a gas, costituiti da un cilindro rigido con spessore di parete uguale o inferiore a 30 mm e con i terminali lavorati di precisione e costruiti o protetti con materiali resistenti alla corrosione dell'UF6;

12. prese di estrazione costituite da tubi con diametro interno uguale o inferiore a 12 mm per l'estrazione del gas UF6 dall'interno di un tubo rotore di centrifuga per azione di un tubo di Pitot, costruite o protette con materiali resistenti alla corrosione dell'UF6;

13. variatori di frequenza (convertitori o invertitori) appositamente progettati o preparati per alimentare gli statori dei motori delle centrifughe di arricchimento a gas, aventi tutte le caratteristiche seguenti, e loro componenti appositamente progettati:

13. a.

uscita polifase da 600 Hz a 2000 Hz,

controllo di frequenza migliore dello 0,1 %,

distorsione armonica inferiore al 2 % e

rendimento superiore all'80 %;

apparecchiature e componenti, appositamente progettati o preparati per il processo di separazione per diffusione gassosa, come segue:

1. barriere di diffusione gassosa costruite con materiali resistenti alla corrosione dell'UF6 porosi metallici, polimeri o ceramici con dimensione dei pori compresa tra 10 e 100 nm, spessore uguale o inferiore a 5 mm e, per le forme tubolari, un diametro uguale o inferiore a 25 mm;

2. alloggiamenti dei diffusori gassosi costruiti o protetti con materiali resistenti alla corrosione dell'UF6;

3. compressori (tipi a spostamento positivo, centrifugo e a flusso assiale) o ventilatori per gas con capacità di aspirazione volumetrica uguale o superiore a 1 m3/min di UF6 e pressione di mandata sino a 666,7 kPa, costruiti o protetti con materiali resistenti alla corrosione dell'UF6;

4. dispositivi di tenuta dell'asse rotante per compressori o ventilatori specificati in 0B001.c.3 e progettati per limitare le infiltrazioni di gas tampone ad un tasso inferiore a 1000 cm3/min;

5. scambiatori di calore costruiti con alluminio, rame, nichelio o leghe contenenti più del 60 % di nichelio, o combinazioni di questi metalli come tubi placcati, progettati per funzionare con pressione inferiore alla pressione atmosferica e tasso di perdita che limiti l'aumento della pressione a valori inferiori a 10 Pa/h con differenziale di pressione di 100 kPa;

6. valvole di tenuta a soffietti con diametro compreso tra 40 mm e 1500 mm, costruite o protette con materiali resistenti alla corrosione dell'UF6;

apparecchiature e componenti, appositamente progettati o preparati per il processo di separazione aerodinamica, come segue:

1. ugelli di separazione costituiti da canali curvi fessurati con raggio di curvatura inferiore ad 1 mm resistenti alla corrosione dell'UF6 ed aventi all'interno dell'ugello un separatore a lama per suddividere in due correnti il flusso di gas;

2. tubi di ingresso a flusso tangenziale cilindrici o conici, (tubi vortex), costruiti o protetti con materiali resistenti alla corrosione dell'UF6 di diametro compreso tra 0,5 cm e 4 cm e rapporto lunghezza/diametro uguale o inferiore a 20/1 e con uno o più ingressi tangenziali;

3. compressori (tipi a spostamento positivo, centrifugo e a flusso assiale), o ventilatori per gas con capacità di aspirazione volumetrica uguale o superiore a 2 m3/min costruiti o protetti con materiali resistenti alla corrosione dell'UF6 e loro dispositivi di tenuta dell'asse rotante;

4. scambiatori di calore costruiti o protetti con materiali resistenti alla corrosione dell'UF6;

5. alloggiamenti di elementi di separazione aerodinamica, costruiti o protetti con materiali resistenti alla corrosione dell'UF6 per contenere i tubi vortex o gli ugelli di separazione;

6. valvole con tenuta a soffietti di diametro compreso tra 40 mm e 1500 mm, costruite o protette con materiali resistenti alla corrosione dell'UF6;

7. sistemi di processo per la separazione dell'UF6 dal veicolo gassoso (idrogeno o elio) sino ad un contenuto uguale o inferiore a 1 ppm di UF6 comprendenti:

7. a.

scambiatori di calore criogenici e crioseparatori in grado di raggiungere temperature uguali o inferiori a 153 K (– 120 °C);

unità di refrigerazione criogeniche in grado di raggiungere temperature uguali o inferiori a 153 k (– 120 °C);

ugelli di separazione o unità a tubi vortex per la separazione dell'UF6 dal veicolo gassoso;

trappole fredde per UF6 in grado di raggiungere temperature uguali o inferiori a 253 K (– 20 °C);

apparecchiature e componenti, appositamente progettati o preparati per il processo di separazione a scambio chimico, come segue:

1. colonne ad impulso liquido-liquido a scambio rapido con tempo di permanenza di stadio uguale o inferiore a 30 secondi e resistenti all'acido cloridrico concentrato (ad es. costruite o protette con idonei materiali plastici quali polimeri al fluorocarbonio o rivestite con vetro);

2. contattori centrifughi liquido-liquido a scambio rapido con tempo di permanenza di stadio uguale o inferiore a 30 secondi e resistenti all'acido cloridrico concentrato (ad es. costruiti o protetti con idonei materiali plastici quali polimeri al fluorocarbonio o rivestite con vetro);

3. celle di riduzione elettrochimiche resistenti a soluzioni di acido cloridrico concentrate intese a modificare la valenza dell'uranio;

4. apparecchiature di alimentazione per celle di riduzione elettrochimiche per prelevare l'U+4 dal flusso organico e, per quelle parti in contatto con il flusso di processo, costruite o protette con idonei materiali (ad es. vetro, polimeri al fluorocarbonio, solfato di polifenile, polietere solfone e grafite impregnata di resina);

5. sistemi di preparazione della carica per la produzione di soluzione di cloruro di uranio ad alta purezza costituiti da apparecchiature di dissoluzione, estrazione di solvente e/o scambio ionico per la purificazione e per le celle elettrolitiche per ridurre l'uranio U+6 o U+4 a U+3;

6. sistemi di ossidazione dell'uranio per l'ossidazione di U+3 a U+4;

apparecchiature e componenti, appositamente progettati o preparati per il processo di separazione a scambio ionico, come segue:

1. resine a scambio ionico a reazione rapida, resine pellicolari o resine porose a macroreticolo nelle quali i gruppi attivi di scambio chimico sono limitati ad un rivestimento sulla superficie di una struttura di supporto porosa inattiva ed altre strutture composite di qualsiasi forma, comprese particelle o fibre di diametro uguale o inferiore a 0,2 mm, resistenti all'acido cloridrico concentrato e progettate per avere un periodo di dimezzamento della velocità di scambio inferiore a 10 secondi ed in grado di funzionare a temperature nella gamma da 373 K (100 °C) a 473 K (200 °C);

2. colonne (di forma cilindrica) a scambio ionico con diametro superiore a 1000 mm, costruite o protette con materiali resistenti all'acido cloridrico concentrato (ad es. titanio o materiali plastici al fluorocarbonio) ed in grado di funzionare a temperature nella gamma da 373 K (100 °C) a 473 K (200 °C) e pressioni superiori a 0,7 MPa;

3. sistemi di reflusso a scambio ionico (sistemi di ossidazione o riduzione chimica o elettrochimica) per la rigenerazione degli agenti chimici ossidanti o riducenti usati negli stadi a cascata di arricchimento a scambio ionico;

apparecchiature e componenti, appositamente progettati o preparati per il processo di separazione isotopica di vapore atomico a laser (AVLIS), come segue:

1. cannoni di alta potenza a fascio elettronico a striscia o a scansione con potenza utile superiore a 2,5 kW/cm per impiego nei sistemi di vaporizzazione dell'uranio;

2. sistemi di maneggio dell'uranio metallo liquido per uranio fuso o leghe di uranio consistenti in crogioli, costruiti o protetti con idonei materiali resistenti alla corrosione ed al calore (ad es. tantalio, grafite rivestita di ossido di ittrio, grafite rivestita di altri ossidi di terre rare o loro miscele) ed apparecchiature di raffreddamento per i crogioli; NB: VEDERE ANCHE 2A225.

3. sistemi di collettori del prodotto e delle code costruiti o rivestiti con materiali resistenti al calore e alla corrosione del vapore di uranio metallo o liquido, quali la grafite rivestita di ossido di ittrio o il tantalio;

4. alloggiamenti del modulo di separazione (serbatoi cilindrici o rettangolari) per contenere la sorgente di vapore di uranio metallo, il cannone a fascio elettronico ed i collettori del prodotto e delle code;

5. laser o sistemi laser per la separazione di isotopi di uranio con uno stabilizzatore di frequenza dello spettro per funzionamento su periodi di tempo estesi; NB: VEDERE ANCHE 6A005 E 6A205.

apparecchiature e componenti, appositamente progettati o preparati per il processo di separazione isotopica molecolare a laser (MLIS) o la reazione chimica mediante attivazione isotopica selettiva a laser (CRISLA), come segue:

1. ugelli ad espansione supersonica per il raffreddamento di miscele di UF6 e del veicolo gassoso a temperature uguali o inferiori a 150 K (– 123 °C) e costruiti con materiali resistenti alla corrosione dell'UF6;

2. collettori del prodotto del pentafluoruro di uranio (UF5) consistenti di collettori filtro, collettore ad impatto o di tipo a ciclone o loro combinazioni, e costruiti con materiali resistenti alla corrosione dell'UF5/UF6;

3. compressori costruiti o protetti con materiali resistenti alla corrosione dell'UF6 e loro dispositivi di tenuta dell'asse rotante;

4. apparecchiature per fluorurare l'UF5 (solido) in UF6 (gassoso);

5. sistemi di processo per la separazione dell'UF6 dal veicolo gassoso (azoto o argon) comprendenti:

5. a.

scambiatori di calore criogenici e crioseparatori in grado di raggiungere temperature uguali o inferiori a 153 K (– 120 °C);

unità di refrigerazione criogeniche in grado di raggiungere temperature uguali o inferiori a 153 K (– 120 °C) ;

trappole fredde per UF6 in grado di raggiungere temperature uguali o inferiori a 253 K (– 20 °C);

6. laser o sistemi laser per la separazione di isotopi di uranio con uno stabilizzatore di frequenza dello spettro per funzionamento su periodi di tempo estesi; NB: VEDERE ANCHE 6A005 E 6A205.

apparecchiature e componenti, appositamente progettati o preparati per il processo di separazione a plasma, come segue:

1. sorgenti di potenza a microonde e antenne per la produzione e l'accelerazione di ioni, aventi una frequenza di uscita superiore a 30 Ghz ed una potenza di uscita media superiore a 50 kW;

2. bobine di eccitazione di ioni a radiofrequenza per frequenze superiori a 100 kHz ed in grado di sopportare una potenza media superiore a 40 kW;

3. sistemi di generazione di plasma di uranio;

4. sistemi di maneggio dell'uranio metallo liquido per uranio fuso o leghe di uranio consistenti in crogioli, costruiti o protetti con idonei materiali resistenti alla corrosione ed al calore (ad es. tantalio, grafite rivestita di ossido di ittrio, grafite rivestita di altri ossidi di terre rare o loro miscele) ed apparecchiature di raffreddamento per i crogioli; NB: VEDERE ANCHE 2A225.

5. collettori del prodotto e delle code costruiti o protetti con materiali resistenti al calore e alla corrosione del vapore di uranio, quali la grafite rivestita di ossido di ittrio o il tantalio;

6. alloggiamenti (di forma cilindrica) del modulo di separazione per contenere la sorgente del plasma di uranio, le bobine di eccitazione a radiofrequenza ed i collettori del prodotto e delle code e costruiti con idoneo materiale non magnetico (ad es. acciaio inossidabile);

apparecchiature e componenti appositamente progettati o preparati per il processo di separazione elettromagnetica, come segue:

1. sorgenti di ioni, singole o multiple consistenti in una sorgente di vapore, ionizzatore ed acceleratore del fascio costruiti con idonei materiali non magnetici (ad es. grafite, acciaio inossidabile o rame) ed in grado di fornire una corrente totale del fascio ionico uguale o superiore a 50 mA;

2. piastre collettrici di ioni per ricevere i fasci ionici di uranio arricchito o impoverito, consistenti in due o più fenditure e cavità e costruite con idonei materiali non magnetici (ad es. grafite o acciaio inossidabile);

3. alloggiamenti sotto vuoto per i separatori elettromagnetici di uranio costruiti con materiali non magnetici (ad es. acciaio inossidabile) e progettati per funzionare a pressioni uguali o inferiori a 0,1 Pa;

4. espansioni polari magnetiche con diametro superiore a 2 m;

5. alimentatori ad alta tensione per sorgenti ioniche, aventi tutte le caratteristiche seguenti: NB: VEDERE ANCHE 3A227.

5. a.

in grado di funzionare in modo continuo;

tensione di uscita uguale o superiore a 20000 V;

corrente di uscita uguale o superiore a 1 A e

regolazione della tensione migliore dello 0,01 % per un periodo di 8 ore;

6. alimentatori per magneti (di elevata potenza, corrente continua) aventi tutte le caratteristiche seguenti: NB: VEDERE ANCHE 3A226.

6. a.

in grado di funzionare in modo continuo con una corrente di uscita uguale o superiore a 500 A ad una tensione uguale o superiore a 100 V e

regolazione della corrente o della tensione migliore dello 0,01 % per un periodo di 8 ore.

autoclavi di alimentazione, forni o sistemi usati per trasferire l'UF6 al processo di arricchimento;

desublimatori o trappole fredde, utilizzati per eliminare l'UF6 dal processo di arricchimento per il successivo trasferimento alla fase di riscaldamento;

stazioni del prodotto e delle code per il trasferimento dell'UF6 nei contenitori;

stazioni di liquefazione o solidificazione usate per eliminare l'UF6 dal processo di arricchimento mediante compressione, raffreddamento e conversione dell'UF6 in forma liquida o solida;

sistemi di tubazioni e sistemi di intestazione appositamente progettati per trasportare l'UF6 negli stadi a cascata a diffusione gassosa, centrifuga o aerodinamica;

1. collettori o intestazioni sotto vuoto aventi capacità di aspirazione uguale o superiore a 5 m3/min o

2. pompe a vuoto, appositamente progettate per funzionare in atmosfere contenenti l'UF6;

spettrometri di massa/sorgenti ioniche per l'UF6 appositamente progettati o preparati per il prelievo in linea di campioni di alimentazione, del prodotto o delle code dai flussi di UF6 gassoso ed aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. capacità di risoluzione unitaria per masse superiori a 320 amu (unità di massa atomica);

2. sorgenti ioniche costruite o rivestite con nichelcromo o monel, o placcate con nichelio;

3. sorgenti di ionizzazione a bombardamento di elettroni e

4. sistema di collettore idoneo per l'analisi isotopica.

sistemi per la conversione di concentrati di minerale uranio in U03,

sistemi per la conversione di U03 in UF6,

sistemi per la conversione di U03 in U02,

sistemi per la conversione di U02 in UF4,

sistemi per la conversione di UF4 in UF6,

sistemi per la conversione di UF4 in uranio metallo,

sistemi per la conversione di UF6 in U02,

sistemi per la conversione di UF6 in UF4,

sistemi per la conversione di UO2 in UCL4.

impianti per la produzione di acqua pesante, deuterio o composti di deuterio, come segue:

1. impianti per lo scambio acqua-idrogeno solforato;

2. impianti per lo scambio ammoniaca-idrogeno;

apparecchiature e componenti, come segue:

1. torri di scambio acqua-idrogeno solforato costruite con acciaio fino al carbonio (ad es. ASTM A 516) di diametro compreso tra 6 m e 9 m in grado di funzionare a pressioni uguali o superiori a 2 MPa e aventi una tolleranza per corrosione uguale o superiore a 6 mm;

2. ventilatori o compressori centrifughi a stadio unico a bassa pressione (cioè 0,2 MPa) per la circolazione di gas di idrogeno solforato (cioè gas contenente più del 70 % di H2S) aventi una capacità di flusso uguale o superiore a 56 m3/s quando fatti funzionare a pressioni uguali o superiori a 1,8 MPa e dotati di dispositivi di tenuta progettati per funzionare con H2S umido;

3. torri di scambio ammoniaca-idrogeno aventi un'altezza uguale o superiore a 35 m e diametro compreso tra 1,5 m e 2,5 m in grado di funzionare a pressioni superiori a 15 MPa;

4. elementi interni delle torri, compresi contattori di stadio, e pompe di stadio incluse quelle immerse, per la produzione di acqua pesante che utilizzano il processo di scambio ammoniaca-idrogeno;

5. piroscissori di ammoniaca con pressioni di esercizio uguali o superiori a 3 MPa per la produzione di acqua pesante che utilizzano il processo di scambio ammoniaca-idrogeno;

6. analizzatori ad assorbimento infrarosso in grado di analizzare in tempo reale il rapporto idrogeno/deuterio, quando le concentrazioni di deuterio sono uguali o superiori al 90 %;

7. bruciatori catalitici per la conversione di gas deuterio arricchito in acqua pesante che utilizzano il processo di scambio ammoniaca-idrogeno;

8. sistemi completi di arricchimento dell'acqua pesante o loro colonne per aumentare la concentrazione di deuterio nell'acqua pesante fino alla qualità per reattori.

entrano normalmente in contatto diretto con il flusso produttivo di materiali nucleari o ne trattano o ne assicurano direttamente la regolazione;

sigillano il materiale nucleare nell'involucro;

verificano l'integrità dell'involucro o del sigillo o

verificano il trattamento di finitura del combustibile sigillato.

impianti per il ritrattamento di elementi di combustibile irraggiato per reattori nucleari comprendenti le apparecchiature e i componenti che normalmente entrano in contatto diretto con il combustibile irraggiato e con i flussi di trattamento dei principali materiali nucleari e dei prodotti di fissione e ne assicurano la regolazione;

macchine per tagliare o sminuzzare elementi di combustibile, cioè apparecchiature telecomandate destinate a tagliare, affettare, sminuzzare o tranciare assiemi, fasci o barre di combustibile irraggiato per reattori nucleari;

dissolutori, recipienti di sicurezza anticriticità (ad es. recipienti di piccolo diametro, anulari o piatti) appositamente progettati o preparati per la dissoluzione del combustibile irraggiato per reattori nucleari, in grado di sopportare liquidi caldi altamente corrosivi e con possibilità di essere caricati e revisionati a distanza;

apparecchi per l'estrazione controcorrente con solventi e apparecchiature di trattamento a scambio ionico, appositamente progettati o preparati per l'impiego in impianti di ritrattamento di uranio naturale, uranio impoverito o materie fissili speciali irraggiati;

recipienti di contenimento o di stoccaggio appositamente progettati come recipienti di sicurezza anticriticità e resistenti agli effetti corrosivi dell'acido nitrico; Nota: i recipienti di contenimento o di stoccaggio hanno normalmente le caratteristiche seguenti:

1. pareti o strutture interne con un equivalente di boro (calcolato per tutti gli elementi costitutivi secondo quanto specificato nella nota allo OCOO4) di almeno il 2 %;

2. diametro non superiore a 175 mm per i recipienti cilindrici; o

3. larghezza non superiore a 75 mm per recipienti piatti o anulari.

strumentazione di controllo del processo appositamente progettata o preparata per il monitoraggio o il controllo del ritrattamento di uranio naturale, uranio impoverito o materie fissili speciali irraggiati.

sistemi per la conversione del nitrato di plutonio in ossido di plutonio;

sistemi per la produzione di plutonio metallo.

0CMateriali 0C001Uranio naturale, uranio impoverito o torio sotto forma di metallo, lega, composto chimico o concentrato e qualsiasi altro materiale contenente uno o più dei prodotti sopra citati. Nota: lo 0C001 non sottopone ad autorizzazione le sostanze e i prodotti seguenti: 0C002Materie fissili speciali Nota: lo 0C002 non sottopone ad autorizzazione quattro grammi effettivi o meno se sono contenuti in un componente sensibile di strumenti. 0C003Deuterio, acqua pesante (ossido di deuterio) ed altri composti di deuterio e miscele e soluzioni contenenti deuterio nelle quali il rapporto isotopico deuterio/idrogeno superi 1/5000. 0C004Grafite di qualità nucleare, avente un grado di purezza inferiore a 5 parti per milione di boro equivalente e densità superiore a 1,5 g/cm3. NB: VEDERE ANCHE 1C107. Nota 1: lo 0C004 non sottopone ad autorizzazione le sostanze e i prodotti seguenti: Nota 2: allo 0C004 il boro equivalente (BE) è definito come la somma di BEz per le impurità (ad esclusione del BEcarbonio in quanto il carbonio non è considerato un'impurità), compreso il boro, dove: BEz (ppm) = CF x concentrazione dell'elemento Z in ppm; dove CF è il fattore di conversione = σZABσBAZ e σB e σZ sono le sezioni d'urto di cattura dei neutroni termici (in barns) rispettivamente per il boro naturale e per l'elemento Z; e AB e AZ sono i pesi atomici rispettivamente del boro naturale e dell'elemento Z. 0C005Composti o polveri appositamente preparati, resistenti alla corrosione dell'UF6 (ad es. nichelio o leghe contenenti il 60 % o più in peso di nichelio, ossido di alluminio e polimeri di idrocarburi completamente fluorurati), per la costruzione di barriere di diffusione gassosa, aventi una purezza uguale o superiore al 99,9 % in peso e dimensione media delle particelle inferiore a 10 micrometri misurata secondo la norma ASTM B330 ed un elevato grado di uniformità della dimensione delle particelle.

0CMateriali a.

quattro grammi o meno di uranio naturale o di uranio impoverito se contenuti in un componente sensibile di strumenti;

uranio impoverito appositamente fabbricato per le applicazioni civili non nucleari seguenti:

1. schermi,

2. aventi una massa non superiore a 100 kg,

3. imballaggi,

4. zavorre contrappesi aventi una massa non superiore a 100 kg;

leghe contenenti meno del 5 % di torio;

prodotti ceramici contenenti torio fabbricati per usi non nucleari.

i manufatti di grafite aventi una massa inferiore ad 1 Kg, diversi da quelli appositamente progettati o preparati per essere utilizzati in un reattore nucleare;

la polvere di grafite.

0DSoftware 0D001Software appositamente progettato o modificato per lo sviluppo, la produzione o l' utilizzazione di beni specificati nella presente categoria.

0ETecnologia 0E001Tecnologia in conformità della nota sulla tecnologia nucleare per lo sviluppo, la produzione o l'utilizzazione di beni specificati nella presente categoria.

CATEGORIA 1 MATERIALI, MATERIALI CHIMICI, MICRORGANISMI E TOSSINE

1ASistemi, apparecchiature e componenti Nota tecnica:

1A001Componenti costituiti di composti fluorurati, come segue: 1A002Strutture o prodotti laminati compositi aventi una delle caratteristiche seguenti: NB: VEDERE ANCHE 1A202, 9A010 e 9A110 Nota 1: 1A002 non sottopone ad autorizzazione strutture o prodotti laminati compositi costruiti con materiali fibrosi o filamentosi al carbonio impregnati con resine epossidiche utilizzati per la riparazione di prodotti laminati o di strutture di aerei, a condizione che la dimensione non superi 1 m2. Nota 2: 1A002 non sottopone ad autorizzazione prodotti lavorati o semilavorati appositamente progettati per solo uso civile, quali: 1A003Manufatti realizzati con sostanze polimeriche non fluorurate specificate in 1C008.a.3., sotto forma di pellicole, fogli, nastri o strisce aventi una delle caratteristiche seguenti: Nota: 1A003 non sottopone ad autorizzazione i manufatti rivestiti o laminati con rame e progettati per circuiti elettronici stampati. 1A004Apparecchiature e componenti di protezione e rivelazione diversi da quelli specificati nell’elenco dei materiali di armamento, come segue: NB: VEDERE ANCHE 2B351 E 2B352 Nota: 1A004 non sottopone ad autorizzazione: 1A005Indumenti corazzati, e loro componenti appositamente progettati, diversi da quelli prodotti secondo norme o specifiche militari o aventi prestazioni equivalenti. NB: VEDERE ANCHE ELENCO DEI MATERIALI DI ARMAMENTO NB: per i materiali fibrosi o filamentosi utilizzati per la fabbricazione di indumenti corazzati, vedere 1C010. Nota 1: 1A005 non sottopone ad autorizzazione gli indumenti corazzati o indumenti protettivi se al seguito dell’utente a scopo di protezione personale. Nota 2: 1A005 non sottopone ad autorizzazione gli indumenti corazzati per la protezione frontale unicamente da frammenti e onde d’urto provocati da congegni esplosivi non militari. 1A102Componenti risaturati pirolizzati carbonio-carbonio progettati per i veicoli di lancio nello spazio specificati in 9A004 o i razzi sonda specificati in 9A104. 1A202Strutture composite, diverse da quelle specificate in 1A002, di forma tubolare aventi tutte le caratteristiche seguenti: NB: VEDERE ANCHE 9A010 E 9A110 1A225Catalizzatori platinati appositamente progettati o preparati per favorire la reazione di scambio dell’isotopo idrogeno tra l’idrogeno e l’acqua per il recupero del trizio dall’acqua pesante o per la produzione di acqua pesante. 1A226Filtri speciali che possono essere utilizzati per la separazione dell’acqua pesante dall’acqua comune e aventi tutte le caratteristiche seguenti: 1A227Finestre ad alta densità schermate contro le radiazioni (vetri al piombo o altri materiali) aventi tutte le caratteristiche seguenti, e loro cornici appositamente progettate: in 1A227 con il termine zona fredda si intende la zona di visualizzazione esposta al più basso livello di radiazione nella progettazione.

1ASistemi, apparecchiature e componenti a.

dispositivi di tenuta, guarnizioni, sigillanti o serbatoi elastici per carburante appositamente progettati per impiego su aeromobili o impiego aerospaziale, costituiti da più del 50 % in peso di uno qualsiasi dei materiali specificati in 1C009.b. o 1C009.c.;

polimeri e copolimeri piezoelettrici costituiti da fluoruro di vinilidene specificati in 1C009.a.:

1. sotto forma di fogli o pellicole e

2. con spessore superiore a 200 μm;

dispositivi di tenuta, guarnizioni, sedi di valvole, serbatoi elastici o membrane costituiti da fluoroelastomeri contenenti almeno un gruppo di viniletere come unità costitutiva, appositamente progettati per impiego su aeromobili, missili o impiego aerospaziale. Nota: in 1A001.c., per missili si intendono sistemi completi a razzo e sistemi di veicoli aerei senza equipaggio.

aventi una matrice organica e fabbricati con materiali specificati in 1C010.c., 1C010.d. o 1C010.e. o

aventi una matrice metallica o di carbonio e fabbricati con:

1. materiali fibrosi o filamentosi al carbonio con:

1. a.

modulo specifico superiore a 10,15 × 106 m e

carico di rottura specifico superiore a 17,7 × 104 m o

2. materiali specificati in 1C010.c.

articoli sportivi,

industria automobilistica,

industria delle macchine utensili,

settore medico.

spessore superiore a 0,254 mm o

rivestiti o laminati con carbonio, grafite, metalli o sostanze magnetiche.

maschere antigas, filtri e relative apparecchiature di decontaminazione progettate o modificate per la difesa da agenti biologici o materiali radioattivi modificati per uso bellico o da agenti di guerra chimica (CN) e loro componenti appositamente progettati;

abiti, guanti e calzature protettivi appositamente progettati o modificati per la difesa da agenti biologici o materiali radioattivi modificati per uso bellico o da agenti di guerra chimica (CN);

sistemi di rivelazione di agenti nucleari, biologici e chimici (NBC) appositamente progettati o modificati per rivelare o individuare agenti biologici, materiali radioattivi modificati per uso bellico o agenti di guerra chimica (CN) e loro componenti appositamente progettati.

dosimetri per il controllo delle radiazioni assorbite dalle persone;

apparecchiature esclusivamente destinate, per progettazione o per applicazione, alla protezione dai rischi specifici connessi con le attività industriali civili nei settori estrattivo, agricolo, farmaceutico, medico, veterinario, ambientale, della gestione dei rifiuti e alimentare.

diametro interno compreso tra 75 mm e 400 mm e

costruite con uno qualsiasi dei materiali fibrosi o filamentosi specificati in 1C010.a. o 1C010.b. o 1C210.a. o con i materiali preimpregnati al carbonio specificati in 1C210.c

costituiti da una rete a maglia fitta di bronzo fosforoso trattata chimicamente per migliorarne la bagnabilità e

progettati per essere utilizzati in torri di distillazione sottovuoto.

una zona fredda di dimensioni superiori a 0,09 m2;

una densità superiore a 3 g/cm3e

uno spessore uguale o superiore a 100 mm.

1BApparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione

1B001Apparecchiature per la produzione di fibre, preimpregnati, preformati o materiali compositi specificati in 1A002 o 1C010, come segue, e loro componenti ed accessori appositamente progettati: NB: VEDERE ANCHE 1B101 e 1B201 1B002Apparecchiature per la produzione di leghe metalliche, polveri di leghe metalliche o materiali legati e appositamente progettate per evitare la contaminazione e appositamente progettate per l’utilizzazione in uno dei processi specificati in 1C002.c.2. NB: VEDERE ANCHE 1B102 1B003Attrezzature, matrici, forme o montaggi per la formatura superplastica o la saldatura per diffusione del titanio, dell’alluminio o di loro leghe, appositamente progettati per la fabbricazione di: 1B101Apparecchiature, diverse da quelle specificate in 1B001, per la produzione di materiali compositi strutturali, come segue, e loro componenti ed accessori appositamente progettati: NB: VEDERE ANCHE 1B201 Nota: i componenti ed accessori specificati in 1B101 comprendono: forme, mandrini, matrici, attrezzature ed utensili per la compressione dei preformati, per l’indurimento, per la fusione, per la sinterizzazione o incollaggio di strutture composite, loro laminati e manufatti. 1B102Apparecchiature per la produzione di polveri di metallo, diverse da quelle specificate in 1B002, e loro componenti come segue: NB: VEDERE ANCHE 1B115.b. Nota: 1B102 sono compresi: 1B115Apparecchiature, diverse da quelle specificate in 1B002 o 1B102, per la produzione di propellenti o costituenti di propellenti e loro componenti appositamente progettati: Nota 1: per le apparecchiature appositamente progettate per uso militare, vedere l’elenco dei materiali di armamento. Nota 2: 1B115 non sottopone ad autorizzazione le apparecchiature per la produzione, il trattamento ed il collaudo di accettazione del carburo di boro. 1B116Iniettori appositamente progettati per la produzione di materiali derivati per pirolisi formati su stampo, anima o altro supporto a partire da gas precursori che si decompongono nella gamma di temperatura da 1573 K (1300 °C) a 3173 K (2900 °C) a pressioni da 130 Pa a 20 kPa. 1B117Miscelatori a colata discontinua in grado di mescolare sotto vuoto nella gamma di pressioni da 0 a 13,326 kPa e con capacità di controllo della temperatura della camera di miscelazione, aventi tutte le caratteristiche seguenti e loro componenti appositamente progettati: 1B118Miscelatori a colata continua in grado di mescolare sotto vuoto nella gamma di pressioni da 0 a 13,326 kPa e con capacità di controllo della temperatura della camera di miscelazione, aventi una delle caratteristiche seguenti e loro componenti appositamente progettati: 1B119Mulini a getto fluido utilizzabili per rettificare o fresare le sostanze specificate in 1C011.a., 1C011.b., 1C111 o nell’elenco dei materiali di armamento e loro componenti appositamente progettati. 1B201Macchine per l’avvolgimento di filamenti, diverse da quelle specificate in 1B001 o 1B101, e attrezzature connesse, come segue: 1B225Celle elettrolitiche per la produzione di fluoro, con resa in uscita superiore a 250 g/h di fluoro. 1B226Separatori elettromagnetici di isotopi, progettati od equipaggiati con sorgenti ioniche singole o multiple in grado di assicurare una corrente totale del fascio ionico uguale o superiore a 50 mA. Nota: in 1B226 sono compresi i separatori: 1B227Convertitori di sintesi di ammoniaca o unità di sintesi di ammoniaca, nei quali il gas di sintesi (azoto ed idrogeno) è estratto da una colonna di scambio ad alta pressione ammoniaca-idrogeno e l’ammoniaca sintetizzata è riportata nella suddetta colonna. 1B228Colonne di distillazione criogenica dell’idrogeno aventi tutte le caratteristiche seguenti: 1B229Colonne a piatti per lo scambio acqua-idrogeno solforato e contattori interni, come segue: NB: per le colonne appositamente progettate o preparate per la produzione di acqua pesante, vedere 0B004. 1B230Pompe in grado di far circolare soluzioni di catalizzatori di ammide di potassio concentrate o diluite in ammoniaca liquida (KNH2/NH3), aventi tutte le caratteristiche seguenti: 1B231Attrezzature o impianti e relative apparecchiature per il trizio, come segue: 1B232Turbine di espansione o gruppi turbina di espansione-compressore aventi tutte le caratteristiche seguenti: 1B233Attrezzature o impianti e relative apparecchiature per la separazione degli isotopi del litio, come segue:

macchine per l’avvolgimento di filamenti i cui movimenti di posizionamento, avvolgimento e bobinatura delle fibre sono coordinati e programmati secondo tre o più assi, appositamente progettate per fabbricare strutture o prodotti laminati compositi utilizzando materiali fibrosi o filamentosi;

macchine per la messa in opera di nastri o per il piazzamento di cavi di filamenti i cui movimenti di posizionamento e di messa in opera di nastri, di cavi di filamenti o di fogli sono coordinati e programmati secondo due o più assi, appositamente progettate per la fabbricazione di strutture composite per cellule di aerei o di missili; Nota: in 1B001.b. per missili si intendono sistemi completi a razzo o sistemi di veicoli aerei senza equipaggio.

c. Nota tecnica:

macchine per la tessitura e macchine per interallacciare a più dimensioni o direzioni, compresi gli adattatori e gli assiemi di modifica, per tessere, interallacciare o intrecciare le fibre per la fabbricazione di strutture composite; ai fini di 1B001.c. la tecnica dell’interallacciatura include il lavoro a maglia. Nota: 1B001.c. non sottopone ad autorizzazione le macchine tessili non modificate per le utilizzazioni finali sopra indicate.

apparecchiature appositamente progettate o adattate per la produzione di fibre di rinforzo come segue:

1. apparecchiature per la trasformazione di fibre polimeriche (quali poliacrilonitrile, rayon, resina o policarbosilano) in fibre di carbonio o in fibre di carburo di silicio, compresi i dispositivi speciali per la tensione della fibra durante il riscaldamento;

2. apparecchiature per la deposizione sotto forma di vapore con processo chimico di elementi o composti su substrati filamentosi riscaldati per la fabbricazione di fibre di carburo di silicio;

3. apparecchiature per la filatura a umido di ceramiche refrattarie (quali l’ossido di alluminio);

4. apparecchiature per la trasformazione, con trattamento termico, di alluminio contenente fibre di materiali precursori in fibre di allumina;

apparecchiature per la produzione, con il metodo della fusione a caldo, di preimpregnati specificati in 1C010.e.;

apparecchiature per l’ispezione non distruttiva in grado di rilevare i difetti nelle tre dimensioni, con l’impiego dell’ecografia o della tomografia a raggi X ed appositamente progettate per i materiali compositi.

strutture di cellule o strutture aerospaziali,

motori per aeromobili o motori aerospaziali o

componenti appositamente progettati per tali strutture o motori.

macchine per l’avvolgimento di filamenti i cui movimenti di posizionamento, avvolgimento e bobinatura delle fibre possono essere coordinati e programmati secondo tre o più assi, progettate per fabbricare strutture composite o prodotti laminati compositi utilizzando materiali fibrosi o filamentosi, e controlli di coordinazione e di programmazione;

macchine per la messa in opera di nastri i cui movimenti di posizionamento e di messa in opera del nastro e dei fogli possono essere coordinati e programmati secondo due o più assi, progettate per la fabbricazione di strutture composite per cellule di aerei e di missili;

apparecchiature progettate o modificate per la produzione di materiali fibrosi o filamentosi, come segue:

1. apparecchiature per la trasformazione di fibre polimeriche (quali poliacrilonitrile, rayon, o policarbosilano) compresi i dispositivi speciali per la tensione della fibra durante il riscaldamento;

2. apparecchiature per la deposizione sotto forma di vapore di elementi o composti su substrati filamentosi riscaldati;

3. apparecchiature per la filatura a umido di ceramiche refrattarie (quali l’ossido di alluminio);

apparecchiature progettate o modificate per il trattamento speciale della superficie delle fibre o per la produzione di preimpregnati o di preformati specificati in 9C110. Nota: in 1B101.d sono compresi rulli, tenditori, apparecchiature per rivestimenti, apparecchiature di taglio e matrici di taglio.

apparecchiature per la produzione di polveri di metallo utilizzabili per la produzione, in ambiente controllato, dei materiali sferici o atomizzati specificati in 1C011.a., 1C011.b., 1C111.a.1., 1C111.a.2. o nell’elenco dei materiali di armamento.

componenti appositamente progettati per le apparecchiature per la produzione specificate in 1B002 o 1B102.a.

i generatori di plasma (getto ad arco ad alta frequenza) utilizzabili per ottenere polveri metalliche atomizzate o sferiche con organizzazione del processo in ambiente argon-acqua;

apparecchiature per elettroesplosione utilizzabili per ottenere polveri metalliche atomizzate o sferiche con organizzazione del processo in ambiente argon-acqua;

apparecchiature utilizzabili per la produzione di polveri sferiche di alluminio mediante polverizzazione di una colata in ambiente inerte (ad es. azoto).

Apparecchiature di produzione per la produzione, il trattamento o il collaudo di accettazione dei propellenti liquidi o loro costituenti specificati in 1C011.a., 1C011.b., 1C111 o nell’elenco dei materiali di armamento;

Apparecchiature di produzione per la produzione, il trattamento, la miscelazione, l’indurimento, la fusione, la compressione, la lavorazione, l’estrusione o il collaudo di accettazione dei propellenti solidi o loro costituenti specificati in 1C011.a., 1C011.b., 1C111 o nell’elenco dei materiali di armamento. Nota: 1B115.b. non sottopone a autorizzazione i miscelatori a colata discontinua, i miscelatori a colata continua o i mulini a getto fluido. Tali apparecchiature sono contemplate in 1B117, 1B118 e 1B119.

capacità volumetrica totale uguale o superiore a 110 litri e

almeno un albero per miscelare/impastare montato fuori centro.

due o più alberi per miscelare/impastare o

un unico albero rotante a movimento oscillatorio dotato di denti/punte per impastare sia sull’albero che all’interno dell’alloggiamento della camera di miscelazione.

macchine per l’avvolgimento di filamenti aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. movimenti di posizionamento, avvolgimento e bobinatura delle fibre coordinati e programmati secondo due o più assi;

2. appositamente progettate per fabbricare strutture o prodotti laminati compositi utilizzando materiali fibrosi o filamentosie

3. in grado di avvolgere rotori cilindrici di diametro compreso tra 75 mm e 400 mm e lunghezze uguali o superiori a 600 mm;

controlli di coordinamento e di programmazione per le macchine per l’avvolgimento di filamenti specificate in 1B201.a.;

mandrini di precisione per le macchine per l’avvolgimento di filamenti specificate in 1B201.a.

in grado di arricchire gli isotopi stabili;

aventi le sorgenti ioniche ed i collettori immersi entrambi nel campo magnetico e le configurazioni nelle quali entrambi risultino esterni al campo.

progettate per funzionare con temperature interne uguali o inferiori a 35° K (– 238 °C);

progettate per funzionare con pressioni interne da 0,5 MPa a 5 Mpa;

costruite con:

1. acciai inossidabili appartenenti alla serie 300 con basso tenore di zolfo e con indice di dimensioni della grana austenitica ASTM (o norma equivalente) n. 5 o superiore o

2. materiali equivalenti che sono insieme criogenici e compatibili con H2e

aventi un diametro interno uguale o superiore ad 1 m e lunghezza effettiva uguale o superiore a 5 m.

colonne a piatti per lo scambio acqua-idrogeno solforato, aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. in grado di funzionare a pressioni di 2 MPa o superiori;

2. costruite con acciaio al carbonio avente un indice di dimensione della grana austenitica ASTM (o norma equivalente) n. 5 o superiore e

3. di diametro uguale o superiore a 1,8 m;

b. Nota tecnica:

contattori interni delle colonne a piatti per lo scambio acqua-idrogeno solforato specificate in 1B229.a. i contattori interni delle colonne sono piatti segmentati con diametro effettivo di assemblaggio uguale o superiore a 1,8 m, sono progettati per facilitare il contatto controcorrente e sono costruiti con acciaio inossidabile a grana fine con un contenuto di carbonio dello 0,03 % o inferiore. Possono essere costituiti da piatti a crivello, piatti a valvola, piatti a campana di gorgogliamento o piatti a turbogriglia.

tenuta di aria (cioè sigillate ermeticamente);

portata superiore a 8,5 m3/h e

una delle caratteristiche seguenti:

1. per soluzioni di ammide di potassio concentrate (1 % o superiore), pressione di funzionamento compresa tra 1,5 e 60 MPa o

2. per soluzioni di ammide di potassio diluite (inferiori all'1 %), pressione di funzionamento compresa tra 20 e 60 MPa.

attrezzature o impianti per la produzione, il recupero, l’estrazione, la concentrazione o il trattamento del trizio;

apparecchiature per attrezzature o impianti per il trizio, come segue:

1. unità di refrigerazione a idrogeno o ad elio in grado di raffreddare ad una temperatura inferiore o uguale a 23 K (– 250 °C), con capacità di assorbimento del calore superiore a 150 W;

2. sistemi di immagazzinamento o di purificazione dell’isotopo di idrogeno che impiegano idruri metallici come mezzo di immagazzinamento o di purificazione.

progettati per funzionare a una temperatura all’uscita uguale o inferiore a 35 K (– 238 °C) e

progettati con un flusso di idrogeno-gas uguale o superiore a 1000 Kg/h.

attrezzature o impianti per la separazione degli isotopi del litio;

apparecchiature per la separazione degli isotopi del litio, come segue:

1. colonne di scambio liquido-liquido a riempimento appositamente progettate per gli amalgami di litio;

2. pompe per amalgama di mercurio o litio;

3. cellule di elettrolisi dell’amalgama di litio;

4. evaporatori per soluzione concentrata di idrossido di litio.

1CMateriali Nota tecnica: Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Note tecniche: 1.2.

metalli e leghe forme grezze: forme semilavorate (rivestite, placcate, forate, punzonate o meno): Sono sottoposte ad autorizzazione per l’esportazione le forme non contenute nel precedente elenco presentate come prodotti finiti ma consistenti in realtà in forme grezze o semilavorate. 1C001Materiali appositamente progettati per assorbire le onde elettromagnetiche, o polimeri intrinsecamente conduttori, come segue: NB: VEDERE ANCHE 1C101 1C002Leghe metalliche, polveri di leghe metalliche o materiali legati, come segue: NB: VEDERE ANCHE 1C202 Nota: 1C002 non sottopone ad autorizzazione le leghe metalliche, le polveri di leghe metalliche o i materiali legati per il rivestimento di substrati. 1C003Metalli magnetici di qualsiasi tipo e forma, aventi una delle caratteristiche seguenti: 1C004Leghe di uranio titanio o leghe di tungsteno con una matrice a base di ferro, nichelio o rame, aventi le caratteristiche seguenti: 1C005Conduttori compositisuperconduttori di lunghezza superiore a 100 m o con massa superiore a 100 g, come segue: 1C006Fluidi e sostanze lubrificanti, come segue: ai fini dell'1C006: 1C007Materiali ceramici di base, materiali ceramici non compositi, materiali compositi a matrice ceramica e materiali precursori, come segue: NB: VEDERE ANCHE 1C107 1C008Sostanze polimeriche non fluorurate, come segue: la temperatura di transizione vetrosa (Tg) per i materiali in 1C008 è determinata con il metodo descritto nella norma ISO 11357-2 (1999) o equivalenti nazionali. 1C009Composti fluorurati, non trattati, come segue: 1C010Materiali fibrosi o filamentosi suscettibili di essere utilizzati in strutture o prodotti laminati compositi a matrice organica, a matrice metallica o a matrice di carbonio, come segue: NB: VEDERE ANCHE 1C210 1C011Metalli e composti aventi le caratteristiche seguenti: NB: VEDERE ANCHE ELENCO DEI MATERIALI DI ARMAMENTO e 1C111 1C012Materiali, come segue: questi materiali sono utilizzati di norma per sorgenti di calore nucleari. 1C101Materiali e dispositivi per la riduzione di caratteristiche osservabili quali la riflettività radar, la segnatura ultravioletta/infrarossa e la segnatura acustica, diversi da quelli specificati in 1C001, utilizzabili in missili, sottosistemi di missili o veicoli aerei senza equipaggio specificati in 9A012. Nota 1: 1C101 comprende: Nota 2: 1C101 non comprende i rivestimenti appositamente utilizzati per il controllo termico dei satelliti. In 1C101 per missili si intendono sistemi completi a razzo e sistemi di veicoli aerei senza equipaggio con una portata superiore a 300 km. 1C102Materiali risaturati pirolizzati carbonio-carbonio progettati per i veicoli di lancio nello spazio specificati in 9A004 o i razzi sonda specificati in 9A104. 1C107Grafite e materiali ceramici, diversi da quelli specificati in 1C007, come segue: 1C111Propellenti e costituenti chimici per propellenti diversi da quelli in 1C011, come segue: Nota: per i propellenti e costituenti chimici per i propellenti non specificati in 1C111, vedere l’elenco dei materiali di armamento. 1C116Acciai Maraging (acciai generalmente caratterizzati da alto contenuto di nichelio, contenuto molto basso di carbonio e l’uso di elementi sostitutivi o precipitati per ottenere un aumento di durezza per invecchiamento) aventi carico di rottura uguale o superiore a 1500 MPa, alla temperatura di 293 K (20 °C), sotto forma di fogli, lamiere o tubi con spessore delle lamiere o delle pareti uguale o inferiore a 5 mm. NB: VEDERE ANCHE 1C216 1C117Tungsteno, molibdeno e leghe di questi metalli sotto forma di particelle uniformemente sferiche o atomizzate di diametro uguale o inferiore a 500 micrometri con purezza uguale o superiore al 97 % per la fabbricazione di componenti di motori a razzo, cioè scudi termici, substrati di ugelli, colli di ugelli, e superfici di controllo della spinta del vettore. 1C118Acciaio Duplex inossidabile stabilizzato al titanio (Ti-DSS), 1C202Leghe diverse da quelle specificate in 1C002.b.3. o b.4., come segue: le leghe sopra citate comprendono le leghe prima o dopo il trattamento termico. 1C210Materiali fibrosi o filamentosi o materiali preimpregnati diversi da quelli specificati in 1C010.a., b. o e., come segue: Nota: in 1C210 i materiali fibrosi o filamentosi sono limitati a monofilamenti, filati, fasci di fibre, cavi, o nastri continui. 1C216Acciaio Maraging diverso da quello specificato in 1C116, avente carico di rottura uguale o superiore a 2050 MPa alla temperatura di 293 K (20 °C). Nota: 1C216 non sottopone ad autorizzazione le forme nelle quali tutte le dimensioni lineari siano uguali o inferiori a 75 mm. l’acciaio sopra richiamato comprende l’acciaio Maraging prima o dopo il trattamento termico. 1C225Boro arricchito in isotopo di boro – 10 (10B) oltre al tenore isotopico naturale, come segue: boro elementare, composti, miscele contenenti boro, relativi manufatti, scarti o avanzi di uno dei suddetti elementi. Nota: in 1C225 le miscele contenenti boro includono i materiali caricati di boro. il tenore isotopico naturale del boro-10 è pari a circa il 18,5 percento in peso (20 percento di atomi). 1C226Tungsteno, carburo di tungsteno e leghe di tungsteno contenenti in peso più del 90 % di tungsteno, aventi le due caratteristiche seguenti: Nota: 1C226 non sottopone ad autorizzazione manufatti appositamente progettati per essere utilizzati come contrappesi o collimatori a raggi gamma. 1C227Calcio avente tutte le caratteristiche seguenti: 1C228Magnesio avente tutte le caratteristiche seguenti: 1C229Bismuto avente tutte le caratteristiche seguenti: 1C230Berillio metallo, leghe contenenti in peso più del 50 % di berillio, composti di berillio, relativi manufatti e scarti o avanzi di uno dei suddetti elementi. Nota: 1C230 non sottopone ad autorizzazione le sostanze e i prodotti seguenti: 1C231Afnio metallo, leghe contenenti in peso più del 60 % di afnio, composti di afnio contenenti in peso più del 60 % di afnio, relativi manufatti e scarti o avanzi di uno dei suddetti elementi. 1C232Elio-3 (3He) miscele contenenti elio-3 e prodotti o dispositivi contenenti uno dei suddetti elementi. Nota: 1C232 non sottopone ad autorizzazione prodotti o dispositivi contenenti meno di 1 g di elio-3. 1C233Litio arricchito in isotopo litio 6 (6Li) con tenore isotopico superiore a quello naturale e prodotti o dispositivi contenenti litio arricchito, come segue: litio elementare, leghe, composti, miscele contenenti litio, relativi manufatti e scarti o avanzi di uno dei suddetti elementi. Nota: 1C233 non sottopone ad autorizzazione dosimetri termoluminescenti. il tenore isotopico naturale del litio 6 è pari a circa il 6,5 percento in peso (7,5 percento di atomi). 1C234Zirconio con un contenuto di afnio inferiore a 1/500 in peso come segue: metallo, leghe contenenti più del 50 % di zirconio in peso, composti, loro manufatti e scarti o avanzi di uno dei suddetti elementi. Nota: 1C234 non sottopone ad autorizzazione zirconio in lamine aventi spessore uguale o inferiore a 0,10 mm. 1C235Trizio, composti e miscele contenenti trizio nei quali il rapporto in atomi trizio/idrogeno è superiore a 1/1000, e prodotti o dispositivi contenenti uno dei suddetti elementi. Nota: 1C235 non sottopone ad autorizzazione prodotti o dispositivi contenenti meno di 1,48 x 103 GBq (40 Ci) di trizio. 1C236Specie nucleari radioattive emettitrici di radiazioni alfa aventi un periodo di dimezzamento della radiazione alfa uguale o superiore a 10 giorni ma inferiore a 200 anni, nelle seguenti forme: Nota: 1C236 non sottopone ad autorizzazione prodotti o dispositivi contenenti meno di 3,7 GBq (100 millicurie) di attività alfa. 1C237Radio-226 (226Ra), leghe di radio-226, composti di radio-226, miscele contenenti radio-226, relativi manufatti e prodotti o dispositivi contenenti uno degli elementi summenzionati. Nota: 1C237 non sottopone ad autorizzazione i prodotti seguenti: 1C238Trifluoruro di cloro (CIF3). 1C239Esplosivi ad alto potenziale, diversi da quelli specificati nell’elenco dei materiali di armamento, o sostanze o miscele contenenti più del 2 % in peso di qualsiasi esplosivo con densità dei cristalli superiore a 1,8 g/cm3 ed aventi una velocità di detonazione superiore a 8000 m/s. 1C240Polvere di nichelio e nichelio metallo poroso, diversi da quelli specificati in 0C005, come segue: Nota: 1C240 non sottopone ad autorizzazione le sostanze e i prodotti seguenti: 1C240.b fa riferimento al metallo poroso fabbricato tramite compattazione e sinterizzazione dei materiali in 1C240.a per formare un materiale metallico con pori di piccole dimensioni comunicanti in tutta la struttura. 1C350Prodotti chimici, che possono essere utilizzati come precursori per agenti tossicologici, come segue e miscele chimiche contenenti una o più delle seguenti sostanze: NB: VEDERE ANCHE ELENCO DEI MATERIALI DI ARMAMENTO E 1C450 Nota 1: per le esportazioni verso gli Stati che non aderiscono alla convenzione sulle armi chimiche, 1C350 non sottopone ad autorizzazione le miscele chimiche contenenti una o più delle sostanze chimiche specificate alle voci 1C350.1, .3, .5, .11, .12, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36, .54, .55, .56, .57 e .63 nelle quali nessuna sostanza chimica singolarmente specificata costituisce più del 10 % in peso della miscela. Nota 2: per le esportazioni verso gli Stati che aderiscono alla convenzione sulle armi chimiche, 1C350 non sottopone ad autorizzazione le miscele chimiche contenenti una o più delle sostanze chimiche specificate alle voci 1C350.1, .3, .5, .11, .12, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36, .54, .55, .56, .57 e .63 nelle quali nessuna sostanza chimica singolarmente specificata costituisce più del 30 % in peso della miscela. Nota 3: 1C350 non sottopone ad autorizzazione le miscele chimiche contenenti una o più delle sostanze chimiche specificate alle voci 1C350 .2, .6, .7, .8, .9, .10, .14, .15, .16, .19, .20, .24, .25, .30, .37, .38, .39, .40, .41, .42, .43, .44, .45, .46, .47, .48, .49, .50, .51, .52, .53, .58, .59, .60, .61 e .62 nelle quali nessuna sostanza chimica singolarmente specificata costituisce più del 30 % in peso della miscela. Nota 4: 1C350 non sottopone ad autorizzazione i prodotti identificati come beni di consumo imballati per la vendita al dettaglio ad uso personale o imballati per uso individuale. 1C351Agenti patogeni per l’uomo, zoonosi e tossine, come segue e miscele chimiche contenenti una o più delle sostanze seguenti: Nota: 1C351 non sottopone ad autorizzazione i vaccini o le immunotossine. 1C352Agenti patogeni per gli animali, come segue: Nota: 1C352 non sottopone ad autorizzazione i vaccini. 1C353Elementi genetici e organismi geneticamente modificati, come segue: Gli elementi genetici includono, tra gli altri, cromosomi, genomi, plasmidi, trasposoni e vettori geneticamente modificati o non geneticamente modificati. Per sequenze di acido nucleico associate alla patogenicità dei microrganismi specificati in 1C351.a, b. o c., o in 1C352 o 1C354 si intende una qualsiasi sequenza propria del microrganismo specificato che: Nota: 1C353 non si applica alle sequenze di acido nucleico associate alla patogenicità da Escherichia coli enteromorragica, serotipo 0157 e ad altri ceppi produttori di verotossine diverse da quelle che codificano la verotossina o le relative sottounità. 1C354Agenti patogeni per le piante, come segue: 1C450Prodotti chimici tossici e precursori di prodotti chimici tossici, come segue: NB: VEDERE ANCHE 1C350, 1C351.d E L’ELENCO DEI MATERIALI DI ARMAMENTO Nota: 1C450 non sottopone ad autorizzazione i prodotti identificati come beni di consumo imballati per la vendita al dettaglio ad uso personale o imballati per l’uso individuale.

ove non altrimenti specificato i termini metalli e leghe in 1COO1 fino a 1CO12 coprono le forme grezze e semilavorate, come segue:

anodi, sfere, barre (comprese barrette intagliate e barre da filo), billette, blocchi, blumi, mattoni, panelli, catodi, cristalli, cubi, dadi, grani, granuli, lingotti, pezzi, palline, pani, polveri impalpabili, rondelle, graniglie, lastre, spezzoni, spugne, bacchette;

1CMateriali Nota tecnica: a.

materiali forgiati o lavorati ottenuti mediante laminazione, stiratura, estrusione, fucinatura, estrusione per urto, stampaggio, granitura, atomizzazione e molatura, cioè: angoli, profilati ad U, pezzi circolari, dischi, polveri, pagliuzze, lamine e foglie, fucinati, lamiere, polveri impalpabili, stampati e imbutiti, nastri, anelli, aste (compresi bacchette nude per saldatura, tondini e fili laminati), profilati, sagomati, fogli, reggette, tubi (anche tondi, quadri e concavi), fili trafilati e fili estrusi;

getti colati in forme di sabbia, conchiglie, forme di metallo, di gesso e di altro tipo, comprese colate ad alta pressione, forme sinterizzate e forme ottenute mediante procedimenti di metallurgia delle polveri.

a.materiali per l’assorbimento di frequenze superiori a 2 × 108 Hz e inferiori a 3 × 1012 Hz; Nota 1: 1C001.a. non sottopone ad autorizzazione: Nota 2: i materiali magnetici assorbenti, quando contenuti nelle vernici, non godono dell’esclusione dall’autorizzazione di cui alla nota 1 dell'1C001.a.

a.

materiali assorbenti di tipo filiforme costituiti da fibre naturali o sintetiche, a carica non magnetica per consentire l’assorbimento;

b.

materiali assorbenti senza perdita magnetica e con superficie incidente non planare, comprendenti piramidi, coni, prismi e superfici spiraliformi;

c.

materiali assorbenti di tipo planare, aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. Nota tecnica:

costituiti da almeno uno dei materiali seguenti: i campioni per le prove di assorbimento in 1C001.a. Nota: 1.c.1. dovranno essere di forma quadrata con un lato di almeno 5 lunghezze d’onda della frequenza centrale situati lontano dal campo prodotto dalla sorgente radiante.

1. a.

materiali in schiuma plastica (flessibili o non flessibili) a carica di carbonio, o materiali organici, compresi i leganti, in grado di produrre una eco superiore al 5 % dell’eco del metallo su larghezza di banda superiore al ± 15 % della frequenza centrale dell’energia incidente e non in grado di resistere a temperature superiori a 450 K (177 °C) o

materiali ceramici in grado di produrre una eco superiore al 20 % dell’eco del metallo su larghezza di banda superiore al ± 15 % della frequenza centrale dell’energia incidente e non in grado di resistere a temperature superiori a 800 K (527 °C);

2. resistenza alla trazione inferiore a 7 × 106 N/m2e

3. resistenza alla compressione inferiore a 14 × 106 N/m2;

d.

materiali assorbenti di tipo planare costituiti da ferrite sinterizzata, con:

1. gravità specifica superiore a 4,4 e

2. temperatura massima di funzionamento di 548 K (275 °C);

materiali per l’assorbimento di frequenze superiori a 1,5 × 1014 Hz e inferiori a 3,7 × 1014 Hz e non trasparenti nel dominio visibile;

c. Nota tecnica:

materiali polimerici intrinsecamente conduttivi con conduttività elettrica di volume superiore a 10000 S/m (Siemens per metro) o resistività superficiale inferiore a 100 ohm/quadrato, basati su uno qualsiasi dei polimeri seguenti: la conduttività elettrica di volume e la resistività superficiale sono determinate con l’ausilio della norma ASTM D-257 o norme nazionali equivalenti.

1. polianilina,

2. polipirrolo,

3. politiofene,

4. poli fenilene-vinilene o

5. poli tienilene-vinilene.

1CMateriali Nota tecnica: Note tecniche:

1. le leghe metalliche specificate in 1C002 sono leghe contenenti una percentuale in peso del materiale indicato più elevata rispetto a qualsiasi altro elemento.

2. La vita fino alla rottura sotto sforzo deve essere misurata conformemente alla norma ASTM E-139 o norme nazionali equivalenti.

3. La resistenza alla fatica oligociclica deve essere misurata conformemente alla norma ASTM E-606 Metodo raccomandato per la prova di resistenza alla fatica oligociclica ad ampiezza costante o norme nazionali equivalenti. La prova deve essere assiale con un rapporto di carico medio uguale a 1 e coefficiente di concentrazione dei carichi (Kt) uguale ad 1. Il carico medio è definito come carico massimo meno carico minimo diviso il carico massimo.

Alluminuri, come segue:

1. alluminuri di nichelio contenenti in peso almeno il 15 % e non oltre il 38 % di alluminio e almeno un elemento di lega supplementare;

2. alluminuri di titanio contenenti in peso il 10 % o più di alluminio e almeno un elemento di lega supplementare;

Leghe metalliche costituite dai materiali specificati in 1C002.c., come segue:

1. leghe di nichelio con:

1. a.

vita fino alla rottura sotto sforzo di 10000 ore o più alla temperatura di 923 K (650 °C) e sotto un carico di 676 MPa o

resistenza alla fatica oligociclica di 10000 cicli o più a 823 K (550 °C) e sotto un carico massimo di 1095 MPa;

2. leghe di niobio con:

2. a.

vita fino alla rottura sotto sforzo di 10000 ore o più alla temperatura di 1073 K (800 °C) e sotto un carico di 400 MPa o

resistenza alla fatica oligociclica di 10000 cicli o più alla temperatura di 973 K (700 °C) e sotto un carico massimo di 700 MPa;

3. leghe di titanio con:

3. a.

vita fino alla rottura sotto sforzo di 10000 ore o più alla temperatura di 723 K (450 °C) e sotto un carico di 200 MPa o

resistenza alla fatica oligociclica di 10000 cicli o più alla temperatura di 723 K (450 °C) e sotto un carico massimo di 400 MPa;

4. leghe di alluminio aventi resistenza alla trazione:

4. a.

uguale o superiore a 240 MPa alla temperatura di 473 K (200 °C) o

uguale o superiore a 415 MPa alla temperatura di 298 K (25 °C);

5. leghe di magnesio aventi:

5. a.

resistenza alla trazione uguale o superiore a 345 MPa e

tasso di corrosione inferiore a 1 mm/anno in una soluzione acquosa di cloruro di sodio al 3 % misurato conformemente alla norma ASTM G-31 o norme nazionali equivalenti;

polveri o particelle di leghe metalliche aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. Nota tecnica:

costituite da uno dei sistemi di composizione seguenti: nelle formule che seguono X = uno o più elementi della lega.

leghe di nichelio (Ni-Al-X, Ni-X-Al), qualificate per parti o componenti di motori a turbina, cioè con meno di 3 particelle non metalliche (introdotte nel corso del processo di fabbricazione) con dimensioni superiori a 100 μm per 109 particelle di lega;

leghe di niobio (Nb-Al-X o Nb-X-Al, Nb-Si-X o Nb-X-Si, Nb-Ti-X o Nb-X-Ti);

leghe di titanio (Ti-Al-X o Ti-X-Al);

leghe di alluminio (Al-Mg-X o Al-X-Mg, Al-Zn-X o Al-X-Zn, Al-Fe-X o Al-X-Fe) o

leghe di magnesio (Mg-Al-X o Mg-X-Al) e

2. ottenute in ambiente controllato con uno dei processi seguenti:

2. a.

atomizzazione sottovuoto,

atomizzazione a gas,

atomizzazione centrifuga,

tempra rapida,

tempra su cilindro e polverizzazione,

estrazione in fusione e polverizzazioneo

lega meccanicae

3. in grado di formare i materiali specificati in 1C002.a. o 1C002.b.

materiali legati aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. costituiti da uno dei sistemi di composizione specificati in 1C002.c.1.,

2. sotto forma di pagliuzze, nastri o bacchette sottili, non polverizzati, e

3. ottenuti in ambiente controllato con uno dei processi seguenti:

3. a.

tempra rapida;

tempra su cilindroo

estrazione in fusione.

a. Nota tecnica:

permeabilità iniziale relativa di 120000 o più e spessore di 0,05 mm o inferiore; la misura della permeabilità iniziale deve essere effettuata sui materiali dopo completa ricottura.

leghe magnetostrittive aventi una delle caratteristiche seguenti:

1. magnetostrizione di saturazione superiore a 5 × 10–4o

2. fattore di accoppiamento magnetomeccanico (k) superiore a 0,8 o

c. Nota tecnica:

strisce di leghe amorfe o nanocristalline aventi tutte le caratteristiche seguenti: i materiali nanocristallini di cui all'1.C003.c. sono materiali aventi una grana cristallina pari o inferiore a 50 nm, determinata mediante diffrazione di raggi X.

1. composizione avente almeno il 75 % in peso di ferro, cobalto o nichelio,

2. induzione magnetica di saturazione (Bs) di 1,6 T o superiore e

3. una delle caratteristiche seguenti:

3. a.

spessore della striscia di 0,02 mm o inferiore o

resistività elettrica di 2x10–4 ohm cm o superiore.

densità superiore a 17,5 g/cm3,

limite di elasticità superiore a 880 MPa,

carico di rottura superiore a 1270 MPa e

allungamento superiore all'8 %.

conduttori compositisuperconduttori a filamenti multipli contenenti uno o più filamenti al niobio-titanio:

1. integrati in una matrice diversa da una matrice di rame o da una matrice mista a base di rame o

2. aventi area della sezione trasversale inferiore a 0,28 × 10–4 mm2 (6 μm di diametro per i filamenti circolari);

conduttori compositisuperconduttori costituiti da uno o più filamenti superconduttori diversi dal niobio-titanio aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. temperatura critica, ad induzione magnetica nulla, superiore a 9,85 K (– 63,31 °C) ma inferiore a 24 K (– 249,16 °C);

2. area della sezione trasversale inferiore a 0,28 × 10–4 mm2e

3. mantenimento dello stato superconduttore ad una temperatura di 4,2 K (– 268,96 °C), quando esposti ad un campo magnetico corrispondente ad una induzione magnetica di 12 T.

fluidi idraulici che contengono come ingredienti principali uno dei composti o delle sostanze seguenti:

1. Nota tecnica:

oli di idrocarburi sintetici al silicone aventi tutte le caratteristiche seguenti: ai fini dell'1C006.a.1. gli oli di idrocarburi al silicone contengono esclusivamente silicio, idrogeno e carbonio.

punto di infiammabilità superiore a 477 K (204 °C),

punto di scorrimento a 239 K (– 34 °C) o inferiore,

indice di viscosità di 75 o superiore e

stabilità termica a 616 K (343 °C) o

2. Nota tecnica:

clorofluorocarburi con: ai fini dell'1C006.a.2. i clorofluorocarburi contengono esclusivamente carbonio, fluoro e cloro.

nessun punto di infiammabilità,

temperatura di autoaccensione superiore a 977 K (704 °C),

punto di scorrimento a 219 K (– 54 °C) o inferiore,

indice di viscosità di 80 o superiore e

punto di ebollizione a 473 K (200 °C) o superiore;

sostanze lubrificanti contenenti come ingredienti principali uno dei composti o sostanze seguenti:

1. eteri o tio-eteri di fenilene o di alchilfenilene o loro miscele contenenti più di due funzioni etere o tio-etere o loro miscele o

2. fluidi fluorurati al silicone, aventi viscosità cinematica, misurata a 298 K (25 °C), inferiore a 5000 mm2/s (5000 centistokes);

fluidi di ammortizzamento o di flottazione aventi purezza superiore al 99,8 %, contenenti meno di 25 particelle di dimensione uguale o superiore a 200 μm per 100 ml e costituiti per l'85 % almeno di uno dei composti o delle sostanze seguenti:

1. dibromotetrafluoroetano,

2. policlorotrifluoroetilene (solo modificazioni oleose e cerose) o

3. polibromotrifluoroetilene;

fluidi di raffreddamento ai fluorocarburi per parti elettroniche, aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. contenuto in peso pari all'85 % o più di uno degli elementi seguenti o loro miscele:

1. a.

forme monomeriche di perfluoropolialchiletertriazine o perfluoro-eteri-alifatici,

perfluoroalchilammine,

perfluorocicloalcani o

perfluoroalcani;

2. densità uguale o superiore a 1,5 g/ml a 298 K (25 °C);

3. stato liquido a 273 K (0 °C) e

4. contenuto in peso del 60 % o più di fluoro;

1CMateriali Nota tecnica: Note tecniche: Nota tecnica: a.

il punto di infiammabilità è determinato con il metodo Cleveland a vaso aperto, indicato nella norma ASTM D-92 o norme nazionali equivalenti;

il punto di scorrimento è determinato con il metodo descritto nella norma ASTM D-97 o norme nazionali equivalenti;

l’indice di viscosità è determinato con il metodo descritto nella norma ASTM D-2270 o norme nazionali equivalenti;

la stabilità termica è determinata con la procedura di prova seguente o con altre procedure nazionali equivalenti: Il campione è considerato termicamente stabile se al termine del processo sopra descritto sono verificate tutte le condizioni seguenti:

20 ml di fluido da provare sono introdotti in una camera d’acciaio inossidabile tipo 317 di 46 ml contenente una sfera di ciascuno dei materiali seguenti: acciaio per utensili M-10, acciaio 52100 e bronzo di qualità marina (60 % Cu, 39 % Zn, 0,75 % Sn), ciascuna sfera con diametro (nominale) di 12,5 mm.

La camera è pulita con azoto, sigillata alla pressione atmosferica e la temperatura viene portata a 644 K ± 6 K (371° ± 6 °C) e mantenuta a questo livello per 6 ore.

1. la perdita di peso di ciascuna sfera è inferiore a 10 mg/mm2 della superficie della sfera;

2. la diminuzione della viscosità iniziale, stabilita a 311 K (38 °C), è inferiore al 25 % e

3. l’indice di basicità o di acidità totale è inferiore a 0,40;

la temperatura di autoaccensione è determinata con il metodo descritto nella norma ASTM E-659 o norme nazionali equivalenti.

materiali di base di boruri di titanio semplici o complessi, aventi impurità metalliche totali, non comprese le aggiunte intenzionali, minori di 5000 ppm, dimensione media della particella uguale o inferiore a 5 μm e non più del 10 % di particelle superiori a 10 μm;

materiali ceramici non compositi, sotto forma grezza o semilavorata, composti di boruri di titanio con densità uguale o superiore al 98 % del valore teorico; Nota: 1C007.b non sottopone ad autorizzazione gli abrasivi.

materiali compositi ceramica-ceramica, a matrice di vetro o di ossido, rinforzati con fibre aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. costituiti da uno dei seguenti materiali:

1. a.

Si-N,

Si-C,

Si-AI-O-N o

Si-O-N e

2. con un carico di rottura specifico superiore a 12,7 × 103 m;

materiali compositi ceramica-ceramica, con o senza fase metallica continua, contenenti particelle, materiale filiforme o fibre nei quali i carburi o i nitruri di silicio, di zirconio o di boro costituiscono la matrice;

materiali precursori (cioè materiali speciali polimerici o metallo-organici) per la produzione di qualsiasi fase o fasi di materiali specificati in 1C007.c, come segue:

1. polidiorganosilani (per la produzione di carburo di silicio),

2. polisilazani (per la produzione di nitruro di silicio),

3. policarbosilazani (per la produzione di ceramiche comprendenti componenti di silicio, di carbonio e di azoto);

materiali compositi ceramica-ceramica a matrice di vetro o di ossido, rinforzati con fibre continue corrispondenti a uno dei sistemi seguenti: Nota: 1C007.f. non sottopone ad autorizzazione i materiali compositi contenenti fibre corrispondenti a detti sistemi con un carico di rottura specifico della fibra inferiore a 700 MPa a 1273 K (1000 °C) o una resistenza allo scorrimento della fibra superiore all'1 % dell’allungamento da scorrimento ad un carico di 100 MPa e ad una temperatura di 1273 K (1000 °C) per un periodo di 100 ore.

1. Al2O3 o

2. Si-C-N.

Nota: 1C008.a. non sottopone ad autorizzazione le polveri non fondibili per stampaggio a pressione o le casseformi non fondibili a pressione.

1. bismaleimmidi,

2. poliammidi-immidi aromatiche,

3. poliimmidi aromatiche,

4. polieteriimmidi aromatiche aventi temperatura di transizione vetrosa (Tg) superiore a 513 K (240 °C);

copolimeri cristalli liquidi termoplastici aventi una temperatura di distorsione superiore a 523 K (250 °C) misurata in conformità alla norma ISO 75-3 (2004), o norme nazionali equivalenti, sotto un carico di 1,82 N/mm2, e composti da:

1. una delle sostanze seguenti:

1. a.

fenilene, bifenilene o naftalene o

metile, butile terziario o fenile sostituiti al fenilene, bifenilene o naftalene e

2. uno degli acidi seguenti:

2. a.

acido tereftalico,

6-idrossi-2acido naftoico o

4-acido idrossibenzoico;

poliarilene eteri chetoni, come segue:

1. non utilizzato,

2. polieteri chetoni chetoni (PEKK),

3. polieteri chetoni (PEK),

4. polieteri chetoni eteri chetoni chetoni (PEKEKK);

poliarilene chetoni;

poliarilene solfuri, dove il gruppo arilene è costituito da bifenilene, trifenilene o una loro combinazione;

polibifenilenetere solfone avente temperatura di transizione vetrosa (Tg) superiore a 513 K (240°C).

1CMateriali Nota tecnica: Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: a.

copolimeri di fluoruro di vinilidene aventi struttura cristallina beta del 75 % o più senza stiramento;

poliimmidi fluorurate, contenenti in peso 10 % o più di fluoro combinato;

elastomeri di fosfazene fluorurato, contenenti in peso 30 % o più di fluoro combinato.

materiali fibrosi o filamentosi organici aventi tutte le caratteristiche seguenti: Nota: 1C010.a. non sottopone ad autorizzazione il polietilene.

1. modulo specifico superiore a 12,7 × 106 m e

2. carico di rottura specifico superiore a 23,5 × 104 m;

b. Nota tecnica:

materiali fibrosi o filamentosi al carbonio, aventi tutte le caratteristiche seguenti: Nota: 1C010.b non sottopone ad autorizzazione tessuti costruiti con materiali fibrosi o filamentosi per la riparazione di prodotti laminati o di strutture di aeromobili, nei quali la dimensione dei singoli fogli non superi 50 cm × 90 cm. le proprietà dei materiali descritti in 1C010.b. devono essere determinate con il metodo SRM 12 fino a 17 raccomandato dalla SACMA o norme nazionali equivalenti per il collaudo di cavi di filamenti, quale ad esempio Japanese Industrial Standard (JIS-R-7601, paragrafo 6.6.2.) e basate sulla media dei lotti.

1. modulo specifico superiore a 12,7 × 106 m e

2. carico di rottura specifico superiore a 23,5 × 104 m;

materiali fibrosi o filamentosi inorganici aventi tutte le caratteristiche seguenti: Nota: 1C010.c. non sottopone ad autorizzazione:

1. modulo specifico superiore a 2,54 × 106 m e

2. punto di fusione, rammollimento, decomposizione o sublimazione superiore a 1922 K (1649 °C) in ambiente inerte;

1. le fibre di allumina policristallina, polifasata e discontinua, a forma di fibre tagliate o di piastre irregolari, contenenti il 3 % o più in peso di silice ed aventi modulo specifico inferiore a 10 x 106 m;

2. le fibre di molibdeno e leghe di molibdeno;

3. le fibre di boro;

4. le fibre di ceramiche discontinue il cui punto di fusione, rammollimento, decomposizione o sublimazione in ambiente inerte è inferiore a 2043 K (1770 °C);

materiali fibrosi o filamentosi:

1. costituiti da uno degli elementi seguenti:

1. a.

polieteriimmidi specificate in 1C008.a. o

materiali specificati in 1C008.b., fino a 1C008.f. o

2. costituiti da materiali specificati in 1C010.d.1.a. o 1C010.d.1.b. e miscelati con altre fibre specificate in 1C010.a., 1C010.b. o 1C010.c.;

e. Nota tecnica:

fibre impregnate di resina o di catrame (preimpregnati), fibre rivestite di metallo o di carbonio (preformati) o preformati di fibre di carbonio, come segue: Note: 1C010.e non sottopone ad autorizzazione: la temperatura di transizione vetrosa (Tg) dei materiali in 1C010.e è determinata con il metodo descritto nella norma ASTM D-3418 utilizzando il processo per via asciutta. La temperatura di transizione vetrosa delle resine fenoliche ed epossidiche è determinata con il metodo descritto nella norma ASTM D-4065 ad una frequenza di 1 Hz e ad una velocità di riscaldamento di 2 K ( °C) al minuto, utilizzando il processo per via asciutta.

1. costituiti da materiali fibrosi o filamentosi specificati in 1C010.a., 1C010.b. o 1C010.c.;

2. costituiti da materiali fibrosi o filamentosi organici o al carbonio, aventi tutte le caratteristiche seguenti:

2. a.

carico di rottura specifico superiore a 17,7 × 104 m;

modulo specifico superiore a 10,15 × 106 m;

non sottoposti a autorizzazione in 1C010.a. o 1C010.b. e

temperatura di transizione vetrosa (Tg) superiore a 383 K (110 °C) quando impregnati con materiali specificati in 1C008 o 1C009.b. o temperatura di transizione vetrosa (Tg) pari o superiore a 418 K (145 °C) quando impregnati con resine fenoliche o epossidiche.

a.

i materiali fibrosi o filamentosi al carbonio impregnati in una matrice di resina epossidica (preimpregnati) per la riparazione di prodotti laminati o di strutture di aeromobili, nei quali la dimensione dei singoli fogli preimpregnati non superi 50 cm × 90 cm;

b.

i preimpregnati quando impregnati con resine fenoliche o epossidiche aventi una temperatura di transizione vetrosa (Tg) inferiore a 433 K (160 °C) e una temperatura di indurimento inferiore alla temperatura di transizione vetrosa.

a. Nota tecnica:

metalli con particelle di dimensioni inferiori a 60 μm di forma sferica, atomizzata, sferoidale, in scaglie o macinate, ricavate da materiali costituiti per il 99 % o più di zirconio, magnesio e loro leghe; il contenuto naturale di afnio nello zirconio (normalmente dal 2 % al 7 %) è conteggiato con lo zirconio. Nota: i metalli o le leghe in 1C011.a. sono sottoposti ad autorizzazione indipendentemente dal fatto che siano incapsulati in alluminio, magnesio, zirconio o berillio.

boro o carburo di boro aventi un grado di purezza dell'85 % o superiore e particelle di dimensioni pari o inferiori a 60 μm; Nota: i metalli o le leghe in 1C011.b. sono sottoposti ad autorizzazione indipendentemente dal fatto che siano incapsulati in alluminio, magnesio, zirconio o berillio.

nitrato di guanidina;

Nitroguanidina (NQ) (CAS 556-88-7).

1CMateriali Nota tecnica: Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: a.

plutonio sotto qualsiasi forma, con tenore isotopico di plutonio 238 maggiore del 50 % in peso; Nota: 1C012.a. non sottopone ad autorizzazione:

a.

le spedizioni contenenti un grammo di plutonio o meno;

b.

le spedizioni contenenti tre grammi effettivi o meno se contenuti in un componente sensibile di strumenti.

nettunio 237 precedentemente separato sotto qualsiasi forma. Nota: 1C012.b. non sottopone ad autorizzazione le spedizioni contenenti un grammo di nettunio 237 o meno.

materiali strutturali e rivestimenti appositamente progettati per ridurre la riflettività radar;

rivestimenti, incluse le vernici, appositamente progettati per ridurre o adattare opportunamente la capacità di emissione o di riflessione negli spettri a microonde, infrarosso o ultravioletto dello spettro elettromagnetico.

1CMateriali Nota tecnica: Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: a.

Grafiti a grani fini con densità di massa uguale o superiore a 1,72 g/cm3 misurata a 288 K (15 °C) ed aventi una dimensione dei grani uguale o inferiore a 100 μm, utilizzabili per ugelli di razzi e per punte di ogive di veicoli di rientro, che possono essere lavorate in uno dei seguenti prodotti: NB: vedere anche 0C004.

1. cilindri aventi diametro pari o superiore a 120 mm e lunghezza pari o superiore a 50 mm;

2. tubi aventi diametro interno pari o superiore a 65 mm, spessore di parete pari o superiore a 25 mm e lunghezza pari o superiore a 50 mm; o

3. blocchi di dimensioni pari o superiori a 120 mm × 120 mm × 50 mm;

Grafiti ottenute per pirolisi o grafiti rinforzate con fibre, utilizzabili per ugelli di missili e per punte di ogive di veicoli di rientro; NB: vedere anche 0C004.

materiali ceramici compositi (con costante dielettrica inferiore a 6 per frequenze comprese tra 100 MHz e 100 GHz), utilizzabili anche per cupole di protezione di antenne (radome) di missili;

ceramiche rinforzate al carburo di silicio non ossidate lavorabili a macchina utilizzabili per punte di ogive di missili.

sostanze propulsive:

1. Nota tecnica:

polvere sferica di alluminio, diversa da quella specificata nell’elenco dei materiali di armamento, con particelle di diametro uniforme inferiore a 200μm micrometri e contenuto di alluminio in peso uguale o superiore al 97 % se almeno il 10 % del peso totale è costituito di particelle di diametro inferiore a 63 μm conformemente alla norma ISO 2591:1988 o a norme nazionali equivalenti una dimensione di particella di 63 μm (ISO R-565) corrisponde a una rete a maglia fitta 250 (Tyler) o 230 (ASTM E-11)

2. Nota tecnica:

Combustibili metallici, diversi da quelli specificati nell’elenco dei materiali di armamento, con particelle di dimensioni inferiori a 60 μm, di forma sferica, atomizzata, sferoidale, in scaglie o macinate, costituite per il 97 % o più in peso da uno degli elementi seguenti: il contenuto naturale di afnio nello zirconio (normalmente dal 2 % al 7 %) è conteggiato con lo zirconio.

2. a.

zirconio,

berillio,

magnesio o

leghe dei metalli specificati dal punto a. fino a c.;

3. Sostanze liquide ossidanti, come segue:

3. a.

triossido di diazoto,

diossido di azoto/tetraossido di diazoto,

pentossido di diazoto,

d. Nota tecnica:

ossidi misti di azoto (MON); gli ossidi misti di azoto (MON) sono soluzioni di ossido nitrico (NO) in triossido di diazoto/diossido di azoto (N2O4/NO2) che possono essere utilizzati in sistemi missilistici. Esiste una serie di composizioni che possono essere definite MONi o MONij, dove i e j sono interi che rappresentano la percentuale di ossido di azoto nella miscela (ad es. MON3 contiene il 3 % di ossido di azoto, MON25 il 25 % di ossido di azoto. Un limite massimo è MON40, 40 % in peso).

per l’acido nitrico fumante rosso inibito (IRFNA) VEDERE ELENCO DEI MATERIALI DI ARMAMENTO

per i composti contenenti fluoro e uno o più alogeni, ossigeno o azoto VEDERE ELENCO DEI MATERIALI DI ARMAMENTO E 1C238;

4. Derivati dell'idrazina utilizzabili come combustibile per razzi, diversi da quelli specificati nell'Elenco dei materiali di armamento;

sostanze polimeriche:

1. polibutadiene con radicali carbossilici terminali (CTPB),

2. polibutadiene con radicali ossidrilici terminali (HTPB), diverso da quello specificato nell’elenco dei materiali di armamento,

3. polibutadieneacido acrilico (PBAA),

4. polibutadiene-acido acrilico-acrilonitrile (PBAN);

altri additivi e agenti per propellenti:

1. Per carborani, decarborani, pentaborani e relativi derivati VEDERE ELENCO DEI MATERIALI DI ARMAMENTO,

2. trietileneglicoldinitrato (TEGDN),

3. 2-nitrodifenilammina,

4. trinitrate de triméthyloéthane (TMETN);

5. dinitrato glicol dietilenico (DEGDN),

6. derivati del ferrocene,

6. a.

per il catocene VEDERE ELENCO DEI MATERIALI DI ARMAMENTO,

etil-ferrocene;

propil-ferrocene;

per l’n-butil-ferrocene VEDERE ELENCO DEI MATERIALI DI ARMAMENTO;

pentil-ferrocene;

diciclopentil-ferrocene;

dicicloesil-ferrocene;

dietil-ferrocene;

dipropil-ferrocene;

dibutil-ferrocene;

diesil-ferrocene;

acetil-ferrocene;

per gli acidi carbossilici del ferrocene VEDERE ELENCO DEI MATERIALI DI ARMAMENTO;

per il butacene VEDERE ELENCO DEI MATERIALI DI ARMAMENTO,

altri derivati del ferrocene utilizzabili come modificatori della velocità di combustione del propellente per razzi, diversi da quelli specificati nell’elenco dei materiali di armamento.

avente tutte le seguenti caratteristiche:

1. contenuto di cromo in peso compreso tra 17,0 e 23,0 in percentuale e contenuto di nichel in peso compreso tra 4,5 e 7,0 in percentuale;

2. contenuto di titanio in peso superiore a 0,10 in percentuale e

3. microstruttura ferritica-austenitica (definita anche come microstruttura a due fasi) contenente almeno il 10 % in volume di austenite (conformemente alla norma ASTM E-1181-87 o a norme nazionali equivalenti); e

avente una delle seguenti forme

1. lingotti o barre di dimensioni pari o superiori a 100 mm in ogni dimensione;

2. fogli di larghezza pari o superiore a 600 mm e spessore pari o inferiore a 3 mm o

3. tubi aventi diametro esterno pari o superiore a 600 mm e spessore di parete pari o inferiore a 3 mm.

leghe di alluminio aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. avere carico di rottura uguale o superiore a 460 MPa alla temperatura di 293 K (20 °C) e

2. in forma di tubi o altre forme cilindriche piene (compresi i forgiati) con diametro esterno superiore a 75 mm;

leghe di titanio aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. avere carico di rottura uguale o superiore a 900 MPa alla temperatura di 293 K (20 °C) e

2. in forma di tubi o altre forme cilindriche piene (compresi i forgiati) con diametro esterno superiore a 75 mm.

1CMateriali Nota tecnica: Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: a.

materiali fibrosi o filamentosi al carbonio o aramidici aventi una delle caratteristiche seguenti: Nota: 1C210.a. non sottopone ad autorizzazione materiali fibrosi o filamentosi aramidici contenenti lo 0,25 percento o più in peso di un modificatore di superficie di fibre a base di estere;

1. modulo specifico uguale o superiore a 12,7 × 106 m o

2. carico di rottura specifico uguale o superiore a 235 × 103 m;

materiali fibrosi o filamentosi di vetro aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. modulo specifico uguale o superiore a 3,18 × 106 m e

2. carico di rottura specifico uguale o superiore a 76,2 × 103 m;

c. Nota tecnica:

filati, fasci di fibre, cavi o nastri continui impregnati di resina termoindurente di larghezza uguale o inferiore a 15 mm (materiali preimpregnati), costituiti dai materiali fibrosi o filamentosi di vetro o di carbonio specificati in 1C210.a. o b. la resina costituisce la matrice del composito.

1CMateriali Nota tecnica: Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: a.

in forme aventi una simmetria cilindrica della parte cava (compresi segmenti di cilindro) con diametro interno superiore a 100 mm ma inferiore a 300 mm e

una massa maggiore di 20 kg.

contenere meno di 1000 parti per milione in peso di impurità metalliche tranne il magnesio e

contenere meno di 10 parti per milione in peso di boro.

contenere in peso meno di 200 parti per milione di impurità metalliche tranne il calcio e

contenere meno di 10 parti per milione in peso di boro.

purezza uguale o superiore al 99,99 % in peso e

contenuto di argento inferiore a 10 parti per milione in peso.

finestre di metallo per apparecchiature a raggi X o per dispositivi di profilo stratigrafico dei pozzi;

forme di ossido finite o semilavorate, appositamente progettate per parti di componenti elettronici o come substrati per circuiti elettronici;

berillo (silicato di berillio e alluminio) sotto forma di smeraldi o acquamarine.

1CMateriali Nota tecnica: Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: a.

elementare,

composti aventi attività totale alfa uguale o superiore a 37 GBq/kg (1 Ci/kg),

miscele aventi attività totale alfa uguale o superiore a 37 GBq/kg (1 Ci/kg),

prodotti o dispositivi contenenti uno degli elementi summenzionati.

applicazioni medicali;

prodotti o dispositivi contenenti meno di 0,37 GBq (10 millicurie) di radio-226.

polvere di nichelio avente tutte le caratteristiche seguenti:

1. un contenuto di nichelio puro uguale o superiore al 99,0 % in peso e

2. dimensione media delle particelle inferiore a 10 micrometri misurata secondo la norma ASTM B330;

nichelio metallo poroso prodotto con materiali specificati in 1C240.a.

polveri di nichelio filamentoso,

fogli singoli di nichelio poroso con area uguale o inferiore a 1000 cm2 per foglio.

1CMateriali Nota tecnica: Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica:

1. tiodiglicole (111-48-8),

2. ossicloruro di fosforo (10025-87-3),

3. metilfosfonato di dimetile (DMMP) (756-79-6),

4. VEDERE L’ELENCO DEI MATERIALI DI ARMAMENTO PER IL difluoruro di metil-fosfonile (df) (676-99-3),

5. dicloruro di metil-fosfonile (676-97-1),

6. fosfito di dimetile (868-85-9),

7. tricloruro di fosforo (7719-12-2),

8. fosfito di trimetile (121-45-9),

9. cloruro di tionile (7719-09-7),

10. 3-idrossi-1-metilpiperidina (3554-74-3),

11. cloruro di N,N-diisopropile-2-amminoetile (96-79-7),

12. N,N-diisopropile-2-amminoetanetiolo (5842-07-9),

13. chinuclidin-3 olo (1619-34-7),

14. fluoruro di potassio (7789-23-3),

15. 2-cloroetanolo (107-07-3),

16. dimetilammina (124-40-3),

17. etilfosfonato di dietile (78-38-6),

18. N,N-dimetilfosforammidato di dietile (2404-03-7),

19. fosfito di dietile (762-04-9),

20. cloridrato di dimetilammina (506-59-2),

21. dicloruro di etilfosfinile (1498-40-4),

22. dicloruro di etilfosfonile (1066-50-8),

23. VEDERE L’ELENCO DEI MATERIALI DI ARMAMENTO PER IL difloruro di etilfosfonile (753-98-0),

24. acido fluoridrico (7664-39-3),

25. benzilato di metile (76-89-1),

26. dicloruro di metilfosfinile (676-83-5),

27. N,N-diisopropile-2-amminoetanolo (96-80-0),

28. alcool pinacolilico (464-07-3),

29. VEDERE L’ELENCO DEI MATERIALI DI ARMAMENTO PER L'o-etil-2-diisopropilammino-etil-metilfosfonato (ql) (57856-11-8),

30. fosfito di trietile (122-52-1),

31. tricloruro di arsenico (7784-34-1),

32. acido benzilico (76-93-7),

33. metilfosfonito di dietile (15715-41-0),

34. etilfosfonato di dimetile (6163-75-3),

35. difluoruro di etilfosfinile (430-78-4),

36. difluoruro di metilfosfinile (753-59-3),

37. 3-chinuclidinone (3731-38-2),

38. pentacloruro di fosforo (10026-13-8),

39. pinacolone (75-97-8),

40. cianuro di potassio (151-50-8),

41. bifluoruro di potassio (7789-29-9),

42. bifluoruro di ammonio (1341-49-7),

43. fluoruro di sodio (7681-49-4),

44. bifluoruro di sodio (1333-83-1),

45. cianuro di sodio (143-33-9),

46. trietanolammina (102-71-6),

47. pentasolfuro di fosforo (1314-80-3),

48. diisopropilammina (108-18-9),

49. dietilamminoetanolo (100-37-8),

50. solfuro di sodio (1313-82-2),

51. monocloruro di zolfo (10025-67-9),

52. dicloruro di zolfo (10545-99-0),

53. cloridrato di trietanolamina (637-39-8),

54. cloridrato di N,N-diisopropile-2-amminoetilcloruro (4261-68-1),

55. acido metilfosfonico (993-13-5),

56. dietilmetilfosfonato (683-08-9),

57. N,N-dimetilfosforamidedicloruro (677-43-0),

58. triisopropilfosfito (116-17-6),

59. etildietanolammina (139-87-7),

60. O,O-dietilfosforotioato (2465-65-8),

61. O,O-dietilfosforoditioato (298-06-6),

62. esafluorosilicato di sodio (16893-85-9),

63. acido diclorometilfosfonico (676-98-2),

virus, naturali, potenziati o modificati, sia nella forma di colture vive isolate che in quella di materiale vivo deliberatamente inoculato o contaminato con tali colture, come segue:

1. virus Chikungunya,

2. virus della febbre emorragica del Congo-Crimea,

3. virus delle rompiossa o dengue,

4. virus dell’encefalite orientale equina,

5. virus di Ebola,

6. virus di Hantaan,

7. virus di Junin,

8. virus della febbre di Lassa,

9. virus della coriomeningite linfatica,

10. virus di Machupo,

11. virus di Marburg,

12. virus del vaiolo delle scimmie,

13. virus della febbre valle del Rift,

14. virus dell’encefalite da zecche (virus dell’encefalite russa primaverile-estiva),

15. virus del vaiolo,

16. virus dell’encefalite equina venezuelana,

17. virus dell’encefalite equina occidentale,

18. virus del vaiolo bianco,

19. virus della febbre gialla,

20. virus dell’encefalite giapponese,

21. virus della Foresta di Kyasanur,

22. virus Louping ill,

23. virus dell’encefalite della Valle Murray,

24. virus della febbre emorragica di Omsk,

25. virus Oropouche,

26. virus Powassan,

27. virus Rocio,

28. virus dell’encefalite di St. Louis,

29. virus Hendra (Morbillivirus equino),

30. febbre emorragica sudamericana (Sabia, Flexal, Guanarito),

31. virus della sindrome polmonaria e renale – febbre emorragica (Seoul, Dobrava, Puumala, Sin Nombre),

32. virus Nipah.

rickettsiae, naturali, potenziate o modificate, sia nella forma di colture vive isolate che in quella di materiale vivo deliberatamente inoculato o contaminato con tali colture, come segue:

1. coxiella burnetii,

2. bartonella quintana (rochalimaea quintana, rickettsia quintana),

3. rickettsia prowasecki,

4. rickettsia rickettsii;

batteri, naturali, potenziati o modificati, sia nella forma di colture vive isolate che in quella di materiale vivo deliberatamente inoculato o contaminato con tali colture, come segue:

1. bacillus anthracis,

2. brucella abortus,

3. brucella melitensis,

4. brucella suis,

5. chlamydia psittaci,

6. clostridium botulinum,

7. francisella tularensis,

8. burkholderia mallei (pseudomonas mallei),

9. burkholderia pseudomallei (pseudomonas pseudomallei),

10. salmonella typhi,

11. shigella dysenteriae,

12. vibrio cholerae,

13. yersinia pestis,

14. tipi di clostridium perfringens che producono tossine epsiloni,

15. escherichia coli enteromorragica, serotipo 0157 e altri serotipi produttori di verotossine;

tossine e relative sottounità di tossine, come segue: Nota: 1C351.d. non sottopone ad autorizzazione le tossine Botulinum o le conotossine sotto forma di prodotti che rispettino tutti i criteri seguenti:

1. tossine Botulinum,

2. tossine Clostridium,

3. conotossina,

4. ricino,

5. sassitossina,

6. tossina Shiga,

7. tossina dello staffilococco aureo,

8. tetrodotossina,

9. verotossina,

10. microcistina (Cyanginosin),

11. aflatossine,

12. abrina,

13. tossina del colera,

14. diacetossiscirpenolo-tossina,

15. tossina T-2,

16. tossina HT-2,

17. modexina,

18. volkensina,

19. lectina 1 Viscum album (viscumina).

1. essere formulazioni farmaceutiche destinate ad essere somministrate all’uomo nell’ambito di trattamenti medici;

2. essere preimballate per la distribuzione come prodotti medici;

3. essere autorizzate da un’autorità statale ai fini della commercializzazione come prodotti medici.

virus, naturali, potenziati o modificati, sia nella forma di colture vive isolate che in quella di materiale vivo deliberatamente inoculato o contaminato con tali colture, come segue:

1. virus della febbre suina africana,

2. virus dell’influenza avicola, come segue:

2. a.

non caratterizzato o

appartenente a quelli definiti nella direttiva 92/40/CEE (GU n. L 167 del 22.6.1992, pag. 1) ed aventi elevata patogenicità, come segue:

1. virus di tipo A con un IVPI (indice di patogenicità intravenosa) superiore a 1,2 nei polli di 6 settimane o

2. virus di tipo A del sottotipo H5 o H7 per i quali la sequenza nucleotide ha dimostrato amminoacidi multipli di base dal lato di sfaldatura di emoagglutinina;

3. virus della bluetongue,

4. virus dell’afta epizootica,

5. virus del vaiolo caprino,

6. virus dell’herpes porcino (morbo di Aujeszky),

7. virus della febbre suina (virus della peste suina),

8. virus di Lissa,

9. virus della malattia di Newcastle,

10. virus della peste dei piccoli ruminanti,

11. enterovirus porcino tipo 9 (virus dell’esantema vescicolare dei suini),

12. virus della peste bovina,

13. virus della malattia esantematica delle pecore,

14. virus della malattia di Teschen,

15. virus della stomatite vescicolare,

16. virus della dermatite modulare del bovino,

17. virus della peste equina.

micoidi di micoplasma, naturali, potenziati o modificati, sia nella forma di colture vive isolate che in quella di materiale vivo deliberatamente inoculato o contaminato con tali micoidi di micoplasma.

organismi geneticamente modificati o elementi genetici che contengono sequenze di acido nucleico associate alla patogenicità di organismi specificati in 1C351.a., b. o c., o 1C352 o 1C354;

organismi geneticamente modificati o elementi genetici che contengono sequenze di acido nucleico che codificano una qualsiasi delle tossine specificate in 1C351.d. o le relative sottounità di tossine.

1CMateriali Nota tecnica: Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Note tecniche: 1.2. a.

in quanto tale o tramite i suoi prodotti trascritti o trasposti rappresenta un rischio significativo per la salute degli esseri umani, degli animali o delle piante; o

ha la proprietà riconosciuta di accrescere la capacità di un microrganismo specifico, o di qualsiasi altro organismo in cui possa essere inserito o altrimenti integrato, di provocare gravi danni alla salute degli esseri umani, degli animali o delle piante.

virus, naturali, potenziati o modificati, sia nella forma di colture vive isolate che né quella di materiale deliberatamente inoculato o contaminato con tali colture, come segue:

1. Tymavirus latente andino della patata,

2. Viroide del tubero fusiforme della patata;

batteri, naturali, potenziati o modificati, sia nella forma di colture vive isolate che in quella di materiale deliberatamente inoculato o contaminato con tali colture, come segue:

1. Xanthomonas albilineans;

2. Xanthomonas campestris pv. citri compresi i ceppi definiti come Xanthomonas campestris pv. citri tipi A, B, C, D, E o invece classificati come Xanthomonas citri, Xanthomonas campestris pv. aurantifolia o Xanthomonas campestris pv. citrumelo;

3. Xanthomonas oryzae pv. Oryzae (Pseudomonas campestris pv. Oryzae);

4. Clavibacter michiganensis subsp. (Sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. Sepedonicum o Corynebacterium Sepedonicum);

5. Ralstonia solanacearum Razze 2 e 3 (Pseudomonas solanacearum Razze 2 e 3 Burkholderia solanacearum Razze 2 e 3);

funghi, naturali, potenziati o modificati, sia nella forma di colture vive isolate che in quella di materiale deliberatamente inoculato o contaminato con tali colture, come segue:

1. Colletotrichum coffeanum var. virulans (Colletotrichum kahawae),

2. Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae),

3. Microcyclus ulei (sin. Dothidella ulei),

4. Puccinia graminis (sin. Puccinia graminis f. sp. tritici),

5. Puccinia striiformis (sin. Puccinia glumarum),

6. Magnaporthe grisea (Pyricularia grisea/Pyricularia oryzae).

Prodotti chimici tossici, come segue: Nota 1: per le esportazioni verso gli Stati che non aderiscono alla convenzione sulle armi chimiche, 1C450 non sottopone ad autorizzazione le miscele chimiche contenenti una o più delle sostanze chimiche specificate alle voci 1C450.a.1 e .a.2 nelle quali nessuna sostanza chimica singolarmente specificata costituisce più dell'1 % in peso della miscela. Nota 2: per le esportazioni verso gli Stati che aderiscono alla convenzione sulle armi chimiche, 1C450 non sottopone ad autorizzazione le miscele chimiche contenenti una o più delle sostanze chimiche specificate alle voci 1C450.a.1 e .a.2 nelle quali nessuna sostanza chimica singolarmente specificata costituisce più del 30 % in peso della miscela. Nota 3: 1C450 non sottopone ad autorizzazione le miscele chimiche contenenti una o più delle sostanze chimiche specificate alle voci 1C450.a.4, .a.5, .a.6 e .a.7 nelle quali nessuna sostanza chimica singolarmente specificata costituisce più del 30 % in peso della miscela.

1. Amiton: O,O-dietil-S-[2-(dietilammino) etil] tiofosfato (78-53-5) e corrispondenti sali alchilati e protonati,

2. PFIB: 1,1,3,3,3-pentafluoro-2-(trifluorometil)-1-propene (382-21-8),

3. VEDERE L’ELENCO DEI MATERIALI DI ARMAMENTO PER BZ: benzilato di 3-chinuclidinile (6581-06-2),

4. fosgene: dicloruro di carbonile (75-44-5).

5. cloruro di cianogeno (506-77-4),

6. cianuro di idrogeno (74-90-8),

7. cloropicrina: tricloronitrometano (76-06-2).

Precursori di prodotti chimici tossici, come segue: Nota 1: per le esportazioni verso gli Stati che non aderiscono alla convenzione sulle armi chimiche, 1C450 non sottopone ad autorizzazione le miscele chimiche contenenti una o più delle sostanze chimiche specificate alle voci 1C450.b.1, .b.2, .b.3, .b.4, .b.5 e .b.6 nelle quali nessuna sostanza chimica singolarmente specificata costituisce più del 10 % in peso della miscela. Nota 2: per le esportazioni verso gli Stati che aderiscono alla convenzione sulle armi chimiche, 1C450 non sottopone ad autorizzazione le miscele chimiche contenenti una o più delle sostanze chimiche specificate alle voci 1C450.b.1, .b.2, .b.3, .b.4, .b.5 e .b.6 nelle quali nessuna sostanza chimica singolarmente specificata costituisce più del 30 % in peso della miscela. Nota 3: 1C450 non sottopone ad autorizzazione le miscele chimiche contenenti una o più delle sostanze chimiche specificate alla voce 1C450.b.8 nella quale nessuna sostanza chimica singolarmente specificata costituisce più del 30 % in peso della miscela.

1. prodotti chimici, diversi da quelli specificati nell’elenco dei materiali di armamento o in 1C350, contenenti un atomo di fosforo cui è collegato un gruppo di metile, etile o propile (normale o iso) ma non altri atomi di carbonio; Nota: 1C450.b.1 non sottopone ad autorizzazione il Fonofos: etilditiofosfonato di 0-etile e fenile (944-22-9)

2. dialogenuri fosforammidici di N,N-dialchile [metile, etile o propile (normale o iso)],

3. N,N-dialchile [metile, etile o propile (normale o iso)] -fosforammidati di dialchile [metile, etile o propile (normale o iso)], diversi dall’N,N-dimetilfosforammidato di dietile specificato in 1C350;

4. N,N-dialchile [metile, etile o propile (normale o iso)] -amminoetil-2-cloruri e corrispondenti sali protonati, diversi dal cloruro di N,N-diisopropile-2-amminoetile e dal cloridrato di N,N-diisopropile-2-amminoetilcloruro specificati in 1C350;

5. N,N-dialchile [metile, etile o propile(normale o iso)] -amminoetan-2-oli e corrispondenti sali protonati, diversi dal N,N-diisopropile-2-amminoetanolo (96-80-0) e dall’N,N-dietilamminoetanolo (100-37-8) specificati in 1C350; Nota: 1C450.b.5 non sottopone ad autorizzazione le sostanze e i prodotti seguenti:

5. a.

N,N-dimetilamminoetanolo (108-01-0) e corrispondenti sali protonati,

sali protonati dell’N,N-dietilamminoetanolo (100-37-8),

6. N,N-dialchile [metile, etile o propile (normale o iso)] -amminoetane-2-tioli e corrispondenti sali protonati, diversi dall’N,N-diisopropile-2-amminoetanetiolo specificato in 1C350;

7. vedere 1C350 per etildietanoloammina (139-87-7);

8. metildietanoloammina (105-59-9).

1DSoftware 1D001Software appositamente progettato o modificato per lo sviluppo, la produzione o l'utilizzazione delle apparecchiature specificate in 1B001, 1B002 o 1B003. 1D002Software per lo sviluppo di prodotti laminati o di materiali compositi a matrice organica, a matrice metallica o a matrice di carbonio. 1D101Software appositamente progettato o modificato per l'utilizzazione dei beni specificati in 1B101, 1B102, 1B115, 1B117, 1B118 o 1B119. 1D103Software appositamente progettato per l’analisi di caratteristiche osservabili ridotte, quali riflettività radar, segnatura ultravioletta/infrarossa e segnatura acustica. 1D201Software appositamente progettato per l'utilizzazione dei beni specificati in 1B201.

1ETecnologia 1E001Tecnologia, in conformità alla nota generale sulla tecnologia per lo sviluppo o la produzione di apparecchiature o materiali specificati in 1A001.b, 1A001.c, 1A002, 1A003, 1A004 o 1A005, 1B o 1C. 1E002Altre tecnologie, come segue: 1E101Tecnologia, in conformità alla nota generale sulla tecnologia per l’utilizzazione di beni specificati in 1A102, 1B001, 1B101, 1B102, da 1B115 a 1B119, 1C001, 1C101, 1C107, 1C111 fino a 1C117, 1D101 o 1D103. 1E102Tecnologia, in conformità alla nota generale sulla tecnologia per lo sviluppo di software specificato in 1D001, 1D101 o 1D103. 1E103Tecnologia per la regolazione di temperatura, pressione o atmosfera in autoclavi o idroclavi quando utilizzate per la produzione di materiali compositi o di materiali compositi parzialmente lavorati. 1E104Tecnologia per la produzione di materiali derivati per pirolisi formati su stampo, anima o altro supporto a partire da gas precursori che si decompongono nella gamma di temperature da 1573 K (1300 °C) a 3173 K (2900 °C) e pressioni da 130 Pa a 20 kPa. Nota: 1E104 comprende la tecnologia per la composizione dei gas precursori, della velocità di flusso e del controllo temporale del processo e dei relativi parametri. 1E201Tecnologia in conformità alla nota generale sulla tecnologia per l'utilizzazione di beni specificati in 1A002, 1A202, 1A225, 1A226, 1A227, 1B201, 1B225 fino a 1B233, 1C002.b.3. o b.4., 1C010.b., 1C202, 1C210, 1C216, 1C225 fino a 1C240 o 1D201. 1E202Tecnologia in conformità alla nota generale sulla tecnologia per lo sviluppo o la produzione di beni specificati in 1A202, 1A225, 1A226 o 1A227. 1E203Tecnologia in conformità alla nota generale sulla tecnologia per lo sviluppo di software specificato in 1D201.

1ETecnologia a.

tecnologia per lo sviluppo o la produzione di polibenzotiazoli o polibenzossiazoli;

tecnologia per lo sviluppo o la produzione di composti fluoroelastomeri contenenti almeno un monomero di viniletere;

tecnologia per la progettazione o la produzione di materiali di base o di materiali ceramici non compositi, come segue:

1. materiali di base aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. a.

una delle composizioni seguenti:

1. ossidi semplici o complessi di zirconio e ossidi complessi di silicio o di alluminio,

2. nitruri semplici di boro (forme cristalline cubiche),

3. carburi semplici o complessi di silicio o di boro o

4. nitruri semplici o complessi di silicio;

impurità metalliche totali, escluse le aggiunte intenzionali, inferiori a:

1. 1000 ppm per gli ossidi semplici o i carburi semplici o

2. 5000 ppm per i composti complessi o i nitruri semplici e

aventi una delle caratteristiche seguenti:

1. ossido di zirconio con dimensione della particella media, uguale o inferiore a 1 μm e non più del 10 % delle particelle con dimensione superiore a 5 μm;

2. altri materiali di base con dimensione della particella media uguale o inferiore a 5 μm, e non più del 10 % delle particelle con dimensione superiore a 10 μm o

3. aventi tutte le caratteristiche seguenti:

3. a.

placchette con il rapporto lunghezza/spessore superiore a 5;

materiali filiformi con il rapporto lunghezza/diametro superiore a 10 per diametri inferiori a 2 μm e

fibre continue o tagliate con diametro inferiore a 10 μm;

2. materiali ceramici non compositi, composti da materiali descritti in 1E002.c.1.; Nota: 1E002.c.2. non sottopone ad autorizzazione la tecnologia per la progettazione o la produzione di abrasivi.

tecnologia per la produzione di fibre di poliammidi aromatiche;

tecnologia per l’installazione, la manutenzione o la riparazione di materiali specificati in 1C001;

tecnologia per la riparazione di strutture composite, laminati o materiali specificati in 1A002, 1C007.c. o 1C007.d. Nota: 1E002.f. non sottopone ad autorizzazione la tecnologia per la riparazione di strutture di aeromobili civili con l’impiego di materiali fibrosi o filamentosi al carbonio e resine epossidiche, contenuta nei manuali del costruttore degli aeromobili.

CATEGORIA 2 TRATTAMENTO E LAVORAZIONE DEI MATERIALI

2ASistemi, apparecchiature e componenti Nota tecnica:

NB: per i cuscinetti a funzionamento silenzioso, vedere l'elenco dei materiali di armamento. 2A001Sistemi di cuscinetti e cuscinetti antifrizione e loro componenti, come segue: Nota: 2A001 non sottopone ad autorizzazione sfere aventi tolleranze specificate di grado 5 o meno precise dal fabbricante secondo la norma ISO 3290. 2A225Crogioli costruiti con materiali resistenti ai metalli attinidi liquidi, come segue: 2A226Valvole aventi tutte le caratteristiche seguenti: per le valvole con diametri di entrata e di uscita differenti, la dimensione nominale in 2A226 si riferisce al diametro più piccolo.

2ASistemi, apparecchiature e componenti a.

cuscinetti a sfere e cuscinetti a rulli pieni aventi tutte le tolleranze specificate dal fabbricante secondo la norma ISO 492, classe di tolleranza 4 (o ANSI/ABMA Standard 20, classe di tollerenza ABEC-7 o RBEC-7 o norme nazionali equivalenti) o migliori e aventi sia anelli sia elementi volventi (ISO 5593) costruiti con metallo Monel o berillio; Nota: 2A001.a non sottopone ad autorizzazione i cuscinetti a rulli conici.

altri cuscinetti a sfere e cuscinetti a rulli pieni aventi tutte le tolleranze specificate dal fabbricante secondo la norma ISO 492, classe di tolleranza 2 (o ANSI/ABMA Standard 20, classe di tollerenza ABEC 9 o RBEC-9 o norme nazionali equivalenti o migliori; Nota: 2A001.b non sottopone ad autorizzazione i cuscinetti a rulli conici.

sistemi di cuscinetti magnetici attivi costituiti da uno degli elementi seguenti:

1. materiali con densità di flusso uguali o superiori a 2,0 T e resistenza allo snervamento superiore a 414 MPa;

2. tutti i tipi progettati per la polarizzazione omopolare di elettromagneti tridimensionali per attuatori o

3. sensori di posizione ad alta temperatura [450 K (117 °C) e superiore].

crogioli aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. volume compreso tra 150 cm3 e 8000 cm3e

2. costruiti o rivestiti con uno dei materiali seguenti, aventi una purezza del 98 % o superiore in peso:

2. a.

fluoruro di calcio (CaF2),

zirconato di calcio (CaZrO3),

solfuro di cerio (Ce2S3),

ossido di erbio (Er2O3),

ossido di afnio (HfO2),

ossido di magnesio (MgO),

lega nitruro di niobio-titanio-tungsteno (circa 50 % Nb, 30 % Ti, 20 % W),

ossido di ittrio (Y2O3), o

ossido di zirconio (ZrO2);

crogioli aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. volume compreso tra 50 cm3 e 2000 cm3e

2. costruiti o rivestiti con tantalio, avente una purezza del 99,9 % o superiore in peso;

crogioli aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. un volume compreso tra 50 cm3 e 2000 cm3;

2. costruiti o rivestiti con tantalio, avente una purezza del 98 % o superiore in peso e

3. ricoperti con carburo di tantalio, nitruro di tantalio o boruro di tantalio, o una loro combinazione.

una dimensione nominale uguale o superiore a 5 mm;

tenuta a soffietti e

interamente costruite o rivestite con alluminio, leghe di alluminio, nichelio o leghe di nichelio contenenti oltre il 60 % in peso di nichelio.

2BApparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Note tecniche: Nota tecnica:

2B001Macchine utensili per l'asportazione (o il taglio) di metalli, ceramiche o materiali compositi e qualsiasi loro combinazione, che, conformemente alle specifiche tecniche del costruttore, possono essere equipaggiate con dispositivi elettronici per il controllo numerico e loro componenti appositamente progettati come segue: NB: VEDERE 2B201 Nota 1: 2B001 non sottopone ad autorizzazione macchine utensili a fini speciali limitate alla produzione di ingranaggi. Per queste macchine vedere 2B003. Nota 2: 2B001 non sottopone ad autorizzazione macchine utensili a fini speciali limitate alla produzione di una delle seguenti parti: Nota 3: Una macchina utensile dotata di almeno due delle tre funzionalità di tornitura, fresatura o rettifica (ad es. una macchina di tornitura con funzioni di fresatura) deve essere valutata a fronte di ogni voce applicabile definita in 2B001.a., 2B001.b., o 2B001.c. 2B002Macchine utensili a controllo numerico che utilizzano un processo di rifinitura magnetoreologico (MRF) equipaggiate per produrre superfici non sferiche aventi una delle caratteristiche seguenti: Ai fini del 2B002, per MRF si intende un processo di asportazione di materiali mediante un fluido magnetico abrasivo la cui viscosità è controllata da un campo magnetico. 2B003Macchine utensili a controllo numerico o manuale e loro componenti, controlli ed accessori appositamente progettati, appositamente progettate per sbarbare, finire, rettificare o levigare gli ingranaggi dritti induriti (Rc = 40 o superiore) a dentatura elicoidale e doppia-elicoidale aventi passo diametrale superiore a 1250 mm e larghezza del dente del 15 % o più del passo diametrale, con qualità di finitura uguale o migliore della qualità AGMA 14 (equivalente alla norma ISO 1328 classe 3). 2B004Presse isostatiche a caldo aventi tutte le caratteristiche seguenti, e loro componenti e accessori appositamente progettati: NB: VEDERE ANCHE 2B104 e 2B204 la dimensione interna della cavità di lavoro si riferisce alla dimensione della cavità nella quale sono realizzate la temperatura e la pressione di lavoro senza considerare i dispositivi di montaggio. Tale dimensione sarà la più piccola tra il diametro interno della cavità sotto pressione o il diametro interno della camera isolata del forno, a seconda di quale delle due cavità è inserita nell'altra. NB: per stampi, matrici e utensili appositamente progettati, vedere 1B003, 9B009 e elenco dei materiali di armamento. 2B005Apparecchiature appositamente progettate per la deposizione, il processo ed il controllo durante il processo di strati inorganici, rivestimenti e modificazioni superficiali, come segue, per substrati non elettronici mediante processi indicati nella tavola e relative note riportate dopo 2E003.f e loro componenti appositamente progettati per la movimentazione, il posizionamento, la manipolazione e il controllo automatici: Nota: 2B005 non sottopone ad autorizzazione le apparecchiature per la deposizione di vapore con processo chimico, per la deposizione ad arco catodico, per mezzo di polverizzazione catodica, per la produzione di placcatura ionica o le apparecchiature con processo di impiantazione ionica appositamente progettate per utensili di taglio o di lavorazione. 2B006Sistemi, apparecchiature e assiemi elettronici di controllo dimensionale o di misura, come segue: NB: VEDERE ANCHE 2B206 Nota: le macchine utensili che possono essere usate come macchine di misura sono sottoposte ad autorizzazione se corrispondono ai criteri stabiliti per la funzione di macchine utensili o per la funzione di macchine di misura o se oltrepassano tali limiti. 2B007Robot aventi una delle caratteristiche seguenti, e loro unità di controllo e dispositivi di estremità appositamente progettati: NB: VEDERE ANCHE 2B207 2B008Assiemi o unità appositamente progettati per le macchine utensili o per sistemi o apparecchiature di controllo dimensionato o di misura, come segue: 2B009Macchine per tornitura in lastra e per fluotornitura che possono essere equipaggiate, sulla base delle specifiche tecniche del costruttore, con unità di controllo numerico o unità di controllo a calcolatore e aventi tutte le caratteristiche seguenti: NB: VEDERE ANCHE 2B109 e 2B209 ai fini del 2B009 sono considerate macchine di fluotornitura anche le macchine che combinano la funzione di tornitura in lastra e di fluotornitura. 2B104Presse isostatiche diverse da quelle specificate in 2B004, aventi tutte le caratteristiche seguenti: NB: VEDERE ANCHE 2B204 2B105Forni per la deposizione in fase di vapore di elementi chimici, diversi da quelli specificati in 2B005.a, progettati o modificati per l'addensamento di compositi carbonio-carbonio. 2B109Macchine per fluotornitura diverse da quelle specificate in 2B009 e loro componenti appositamente progettati: NB: VEDERE ANCHE 2B209 Nota: 2B109 non sottopone ad autorizzazione macchine non utilizzabili nella produzione di componenti ed apparecchiature per propulsione (cioè corpi di contenimento di motori) per sistemi specificati in 9A005, 9A007.a. o 9A105.a. Ai fini del 2B109 sono considerate macchine di fluotornitura anche le macchine che combinano la funzione di tornitura in lastra e di fluotornitura. 2B116Sistemi di collaudo a vibrazioni, apparecchiatura e loro componenti come segue: in 2B116 per tavola vuota si intende una tavola o superficie piatta priva di accessori o di attrezzi di fissaggio. 2B117Apparecchiature e controlli di processo, diversi da quelli specificati in 2B004, 2B005.a., 2B104 o 2B105, progettati o modificati per l'addensamento e la pirolisi dei compositi strutturali di ugellli per razzi e di ogive per veicoli di rientro. 2B119Macchine di bilanciamento e relative apparecchiature, come segue: NB: VEDERE ANCHE 2B219 2B120Simulatori di movimento o tavole di velocità aventi tutte le caratteristiche seguenti: Nota: 2B120 non sottopone ad autorizzazione le tavole di rotazione progettate o modificate per macchine utensili o apparecchiature medicali. Per le tavole di rotazione per macchine utensili, vedere 2B008. 2B121Tavole di posizionamento (apparecchiature in grado di posizionamenti per rotazione precisi su qualsiasi asse) diverse da quelle specificate in 2B120, aventi tutte le caratteristiche seguenti: Nota: 2B121 non sottopone ad autorizzazione le tavole di rotazione progettate o modificate per macchine utensili o apparecchiature medicali. Per le tavole di rotazione per macchine utensili, vedere 2B008. 2B122Centrifughe in grado di imprimere accelerazioni superiori a 100 g e dotate di contatti rotanti in grado di trasmettere energia elettrica e segnale di misura. 2B201Macchine utensili, e qualsiasi loro combinazione, diverse da quelle specificate in 2B001, per l'asportazione o il taglio di metalli, ceramiche o materiali compositi, come segue, che, conformemente alle specifiche tecniche del costruttore, possono essere equipaggiate con dispositivi elettronici per il controllo di contornatura simultaneo su due o più assi: 2B204Presse isostatiche, diverse da quelle specificate in 2B004 o 2B104, e relative apparecchiature, come segue: in 2B204 la dimensione della camera interna è quella della camera in cui vengono raggiunte sia la temperatura di lavoro che la pressione di lavoro e non include gli accessori. La dimensione sarà quella minore tra il diametro interno della camera pressurizzata e il diametro interno della camera di combustione isolata, a seconda di quale delle due si trova all'interno dell'altra. 2B206Macchine, strumenti o sistemi di controllo dimensionale diversi da quelli specificati in 2B006, come segue: Nota 1: le macchine utensili che possono essere usate come macchine di misura sono sottoposte ad autorizzazione se corrispondono ai criteri specificati per la funzione di macchine utensili o per la funzione di macchine di misura o se oltrepassano tali limiti. Nota 2: una macchina specificata in 2B206 è sottoposta ad autorizzazione se supera la soglia di controllo in un punto qualunque della sua gamma di funzionamento. 2B207Robot, dispositivi di estremità, e unità di controllo diversi da quelli specificati in 2B007 come segue: 2B209Macchine di fluotornitura o macchine di tornitura in lastra in grado di eseguire funzioni di fluotornitura diverse da quelle specificate in 2B009 o 2B109 e mandrini, come segue: Nota: 2B209.a. include macchine con un unico rullo progettate per deformare il metallo più due rulli ausiliari che sostengono il mandrino ma non partecipano direttamente al processo di deformazione. 2B219Macchine fisse o portatili, orizzontali o verticali, per il bilanciamento centrifugo su più piani, come segue: 2B225Manipolatori a distanza che possono essere usati per azioni a distanza nelle operazioni di separazione radiochimica o nelle celle calde, aventi una delle caratteristiche seguenti: i manipolatori a distanza consentono di effettuare una traslazione delle azioni di un operatore umano ad un braccio operante a distanza e a dispositivi terminali. Possono essere del tipo asservito o azionati tramite leva di comando o tastiera. 2B226Forni ad induzione in atmosfera controllata (sottovuoto o gas inerte), e loro alimentatori, come segue: NB: VEDERE ANCHE 3B Nota: 2B226.a. non riguarda i forni progettati per il trattamento di fette di semiconduttori. 2B227Forni di fusione e di colata di metalli, sottovuoto o in altra atmosfera controllata, e relative apparecchiature, come segue: 2B228Apparecchiature di assemblaggio o di fabbricazione di rotori, apparecchiature di raddrizzatura del rotore, mandrini e matrici di formatura di soffietti, come segue: 2B230Trasduttori di pressione in grado di misurare pressioni assolute in qualsiasi punto della gamma compresa tra 0 e 13 kPa, e aventi tutte le caratteristiche seguenti: ai fini di 2B230, la precisione include la non linearità, l'isteresi e la ripetibilità a temperatura ambiente. 2B231Pompe a vuoto aventi tutte le caratteristiche seguenti: 2B232Cannoni multistadio a gas leggero o altri sistemi di cannoni ad alta velocità (dei tipi a bobina, elettromagnetici e elettrotermici e altri sistemi avanzati) in grado di accelerare proiettili ad una velocità uguale o superiore a 2 km/s. 2B350Apparecchiature, componenti e mezzi di produzione di sostanze chimiche, come segue: Il carbonio grafite è una composizione formata da carbonio amorfo e grafite, contenente in peso almeno l'8 % di grafite. 2B351Sistemi di monitoraggio di gas tossico, come segue, e loro rivelatori dedicati: 2B352Apparecchiature utilizzabili nel trattamento dei materiali biologici, come segue:

2BApparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione Note tecniche:

1. Gli assi di contornatura secondari paralleli (ad esempio un asse W su fresalesatrici orizzontali o un asse di rotazione secondario il cui asse centrale è parallelo a quello dell'asse di rotazione primario) non sono conteggiati nel numero totale degli assi di contornatura. Gli assi di rotazione non devono necessariamente ruotare su 360°. Un asse di rotazione può essere mosso da un dispositivo lineare (ad esempio una vite o una cremagliera).

2. Ai fini del 2B, il numero di assi che possono essere coordinati simultaneamente per il controllo di contornatura è pari al numero di assi lungo o intorno ai quali, durante la lavorazione del pezzo, sono effettuati movimenti simultanei e interconnessi tra un pezzo e un utensile. Non sono inclusi assi supplementari lungo o intorno ai quali sono effettuati altri movimenti relativi all'interno della macchina, quali ad esempio:

2. a.

sistemi di preparazione della mola nelle macchine di rettifica;

assi di rotazione paralleli progettati per il montaggio di pezzi separati;

assi di rotazione colineari progettati per manipolare lo stesso pezzo trattenendolo in una morsa a partire da estremità diverse.

3. La nomenclatura degli assi deve essere conforme alla norma internazionale ISO 841, Macchine a controllo numerico — Nomenclatura degli assi e dei movimenti.

4. Ai fini dei punti da 2B001 a 2B009 un mandrino basculante è conteggiato come asse di rotazione.

5. Per ciascun modello di macchina utensile possono essere impiegati livelli di precisione di posizionamento dichiarata conseguenti a misurazioni effettuate secondo la norma ISO 230/2 (1988) o norme nazionali equivalenti, anziché le prove con le singole macchine. Per precisione di posizionamento dichiarata si intende il livello di precisione, rappresentativo della precisione del modello di macchina, fornito alle competenti autorità dello Stato membro in cui l'esportatore è stabilito. Determinazione dei valori dichiarati:

5. a.

scegliere cinque macchine del modello da valutare;

misurare le precisioni degli assi lineari secondo la norma ISO 230/20 (1988);

determinare i valori A per ciascun asse di ciascuna macchina. Il metodo di calcolo del valore A è indicato nella norma ISO;

determinare il valore medio del valore A di ciascun asse. Il valore medio Â è il livello dichiarato di ciascun asse del modello in questione (Âx Ây ...);

poiché l'elenco della categoria 2 si riferisce a ciascun asse lineare, vi saranno tanti valori dichiarati quanti sono gli assi lineari;

se un asse qualsiasi di un modello di macchina non sottoposto ad autorizzazione in 2B001.a, 2B001.b, 2B001.c o 2B201 ha una precisione dichiarata Â di 6 micron per le macchine di rettifica e di 8 micron per le macchine di fresatura e di tornitura, o più, il costruttore è tenuto a riaffermare il livello di precisione ogni diciotto mesi.

alberi a gomito o alberi a camme;

utensili o utensili da taglio;

estrusori a vite;

parti di gioielli con incisioni o sfaccettature.

macchine utensili di tornitura aventi tutte le caratteristiche seguenti: Nota: 2B001.a non sottopone ad autorizzazione le macchine di tornitura appositamente progettate per la produzione di lenti a contatto.

1. precisione di posizionamento con tutte le compensazioni disponibili uguale o minore (migliore) di 6 μm secondo la norma ISO 230/2 (1988) o norme nazionali equivalenti su uno qualsiasi degli assi lineari e

2. due o più assi che possono essere coordinati simultaneamente per il controllo di contornatura;

macchine utensili di fresatura aventi una delle caratteristiche seguenti:

1. Aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. a.

precisione di posizionamento con tutte le compensazioni disponibili uguale o minore (migliore) di 6 μm secondo la norma ISO 230/2 (1988) o norme nazionali equivalenti su uno qualsiasi degli assi lineari e

tre assi lineari più un asse di rotazione che possono essere coordinati simultaneamente per il controllo di contornatura;

2. cinque o più assi che possono essere coordinati simultaneamente per il controllo di contornatura;

3. precisione di posizionamento per alesatrici a coordinate con tutte le compensazioni disponibili uguale o minore (migliore) di 4 μm secondo la norma ISO 230/2 (1988) o norme nazionali equivalenti su uno qualsiasi degli assi lineari; o

4. fresatrici ad un solo tagliente aventi tutte le caratteristiche seguenti:

4. a.

fuori rotondità ed eccentricità del mandrino minore (migliore) di 0,0004 mm, lettura totale del misuratore e

deviazione angolare del movimento del carrello (oscillazione, rollio e beccheggio) minore (migliore) di 2 secondi di arco, lettura totale del misuratore su 300 mm di corsa.

macchine utensili di rettifica aventi una delle caratteristiche seguenti: Note: 2B001.c. non sottopone ad autorizzazione le macchine di rettifica seguenti:

1. Aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. a.

precisione di posizionamento con tutte le compensazioni disponibili uguale o minore (migliore) di 4 μm secondo la norma ISO 230/2 (1988) o norme equivalenti su uno qualsiasi degli assi lineari e

tre o più assi che possono essere coordinati simultaneamente per il controllo di contornaturao

2. cinque o più assi che possono essere coordinati simultaneamente per il controllo di contornatura;

1. macchine di rettifica esterna, interna, ed esterna-interna di cilindri, aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. a.

limitate alla rettifica di cilindri e

limitate ad una capacità massima del pezzo da lavorare di 150 mm di diametro esterno o di lunghezza;

2. macchine appositamente progettate come rettificatrici a coordinate, che non hanno un asse z o un asse w, aventi precisione di posizionamento con tutte le compensazioni disponibili minore (migliore) di 4 μm secondo la norma ISO 230/2 (1988) o norme nazionali equivalenti;

3. rettificatrici per piani.

macchine a scarica elettrica diverse dal tipo a filo aventi possibilità di coordinazione simultanea per controllo di contornatura su due o più assi di rotazione;

macchine utensili per asportazione di metalli, ceramiche o materiali compositi aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. asportano materiale per mezzo di uno dei seguenti procedimenti:

1. a.

getti di acqua o di altri liquidi, compresi quelli utilizzanti additivi abrasivi;

fascio elettronico o

fascio lasere

2. aventi due o più assi di rotazione che:

2. a.

possono essere coordinati simultaneamente per controllo di contornaturae

abbiano una precisione di posizionamento minore (migliore) di 0,003°;

macchine foratrici per fori profondi e tornitrici modificate per la foratura profonda in grado di eseguire fori di lunghezza superiore a 5000 mm e loro componenti appositamente progettati.

rifinitura della forma minore (migliore) di 1,0 μm; o

rifinitura a una scabrezza minore (migliore) di 100 nm rms.

2BApparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione Note tecniche: Nota tecnica: a.

un ambiente termicamente controllato nella cavità chiusa ed una cavità di lavoro con diametro interno uguale o superiore a 406 mm e

una delle caratteristiche seguenti:

1. pressione di lavoro massima superiore a 207 MPa;

2. ambiente termicamente controllato a temperature superiori a 1773 K (1500 °C); o

3. capacità di impregnazione con idrocarburi ed eliminazione dei prodotti di decomposizione gassosa risultanti.

2BApparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: a.

apparecchiature di produzione per la deposizione in fase di vapore di elementi chimici (CVD) aventi tutte le caratteristiche seguenti: NB: VEDERE ANCHE 2B105

1. processo modificato per:

1. a.

CVD pulsante;

deposizione termica a nucleazione controllata (CNTD) o

CVD intensificata o assistita per mezzo di plasma e

2. una delle condizioni seguenti:

2. a.

comprendenti dispositivi di tenuta rotanti a vuoto spinto (minore o uguale a 0,01 Pa) o

comprendenti un controllo di spessore dello strato in situ;

apparecchiature di produzione con processo di impiantazione ionica con correnti di fascio uguali o superiori a 5 mA;

apparecchiature di produzione con processo di deposizione fisica in fase di vapore per mezzo di fascio elettronico (EB-PVD) comprendenti sistemi di alimentazione previsti per potenza superiore a 80 kW, che presentano uno degli elementi seguenti:

1. un sistema di controllo a laser del livello del pozzetto liquido per regolare in modo preciso il ritmo di ingresso dei lingotti o

2. un indicatore di velocità basato su calcolatore funzionante sul principio della fotoluminescenza degli atomi ionizzati nel flusso evaporante per controllare la velocità di deposizione di uno strato contenente due o più elementi;

apparecchiature di produzione con processo di polverizzazione per mezzo di plasma aventi una delle caratteristiche seguenti:

1. funzionanti in atmosfera controllata a pressione ridotta (uguale o inferiore a 10 kPa misurata al di sopra ma non oltre 300 mm dall'uscita del polverizzatore della torcia) in una camera a vuoto in grado di produrre vuoto fino a 0,01 Pa prima del processo di polverizzazione o

2. comprendenti un controllo di spessore dello strato in situ;

apparecchiature di produzione con processo di deposizione per polverizzazione catodica in grado di sopportare densità di corrente uguali o superiori a 0,1 mA/mm2 con velocità di deposizione uguale o superiore a 15 μm/h;

apparecchiature di produzione con processo di deposizione per arco catodico comprendenti una griglia di elettromagneti per controllare la direzione dell'area di impatto dell'arco sul catodo;

apparecchiature di produzione di placcatura ionica che permettono la misura in situ di una delle caratteristiche seguenti:

1. controllo dello spessore del rivestimento sul substrato e della velocità di deposizione o

2. caratteristiche ottiche.

macchine di misura a coordinate (CMM) con controllo a calcolatore o con controllo numerico aventi un errore di indicazione massimo tridimensionale (volumetrico) tollerato (MPEE) in un punto qualunque della gamma di funzionamento della macchina (ossia tra la lunghezza degli assi) uguale o minore (migliore) di (1,7 + L/1000) μm (L rappresenta la lunghezza misurata espressa in millimetri), misurata in base alla norma ISO 10360-2 (2001);

strumenti di misura dello spostamento lineare e angolare come segue:

1. Nota tecnica:

strumenti di misura dello spostamento lineare aventi una delle caratteristiche seguenti: Ai fini del 2B006.b.1 si intende per spostamento lineare la variazione di distanza tra la sonda di misura e l'oggetto misurato. Nota: 2B006.b.1 non sottopone ad autorizzazione i sistemi interferometrici di misura dotati di un sistema di controllo automatico progettato per non utilizzare tecniche di retroazione contenenti un laser per misurare gli errori di movimento del carrello delle macchine utensili, delle macchine di controllo dimensionale o di apparecchiature similari.

sistemi di misura del tipo non a contatto con risoluzione uguale o minore (migliore) di 0,2 μm nella gamma di misura fino a 0,2 mm;

sistemi trasformatori differenziali a tensione lineare aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. linearità uguale o minore (migliore) di 0,1 % nella gamma di misura fino a 5 mm e

2. deriva uguale o minore (migliore) di 0,1 % al giorno alla temperatura normale dell'ambiente di collaudo di ± 1 K o

sistemi di misura aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. contenenti un lasere

2. contenenti un lasere in grado di mantenere per almeno 12 ore, entro la gamma di temperature di ± 1 K della temperatura normale e ad una pressione normale tutte le caratteristiche seguenti:

2. a.

risoluzione a fondo scala di 0,1 μm o minore (migliore) e

incertezza di misura uguale o minore (migliore) di (0,2 + L/2000) μm (L rappresenta la lunghezza misurata espressa in mm);

Assiemi elettronici appositamente progettati per fornire funzionalità di retroazione nei sistemi specificati in 2B006.b.1.c.;

2. strumenti di misura dello spostamento angolare aventi deviazione di posizione angolare uguale o inferiore a (migliore di) 0,00025°. Nota: 2B006.b.2 non sottopone ad autorizzazione gli strumenti ottici quali gli autocollimatori che utilizzano la luce collimata (ad es. la luce laser) per rivelare lo spostamento angolare di uno specchio.

apparecchiature per la misura delle irregolarità delle superfici con sensibilità uguale o inferiore a (migliore di) 0,5 nm, che effettuano la misura della dispersione ottica in funzione dell'angolo.

a. Nota tecnica:

aventi una capacità di trattamento in tempo reale dell'immagine in tre dimensioni reali o di una analisi della scena in tre dimensioni reali al fine di creare o modificare programmi o dati numerici di programma; la limitazione della capacità di analisi della scena non comprende l'approssimazione della terza dimensione tramite la ripresa della scena sotto un angolo prestabilito né una ridotta interpretazione della scala dei grigi per la percezione della profondità o della trama nell'ambito degli obiettivi operativi approvati (2 1/2 D).

appositamente progettati per rispondere alle norme nazionali di sicurezza relative ad ambienti contenenti esplosivi per munizionamento;

c. Nota tecnica:

appositamente progettati o garantiti come resistenti alle radiazioni per sopportare una dose di radiazione totale superiore a 5 x 103 Gy (silicio) senza degradazione funzionale o il termine Gy (silicio) si riferisce all'energia, espressa in Joule per Kg, assorbita da un campione di silicio non schermato esposto a radiazioni ionizzanti.

appositamente progettati per funzionare ad altitudini superiori a 30000 m.

unità di ritrasmissione di posizione di tipo lineare, (per es. dispositivi di tipo induttivo, scale graduate, sistemi a laser o all'infrarosso), aventi una precisione globale inferiore a (migliore di) [800 + (600 × L × 10 –3)] nm (L rappresenta la lunghezza effettiva espressa in mm); NB: per i sistemi laser vedere anche la nota relativa in 2B006.b.1.

unità di ritrasmissione di posizione di tipo rotativo, (cioè dispositivi di tipo induttivo, scale graduate, sistemi a laser o all'infrarosso) aventi una precisione inferiore (migliore di) 0,00025°; NB: per i sistemi a laser vedere anche la nota relativa in 2B006.b.1.

tavole rotanti basculanti e mandrini basculanti in grado di migliorare, conformemente alle specifiche tecniche del costruttore, le macchine utensili fino a livelli uguali o superiori a quelli specificati in 2B.

due o più assi controllati, almeno due dei quali possano essere coordinati simultaneamente per il controllo di contornaturae

forza esercitata dal rullo superiore a 60 kN.

2BApparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: a.

pressione massima di funzionamento uguale o superiore a 69 MPa;

progettate per raggiungere e mantenere un ambiente a temperatura controllata uguale o superiore a 873 K (600 °C) e

cavità di lavoro con diametro interno uguale o superiore a 254 mm.

Macchine per fluotornitura aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. possibilità di essere equipaggiate, sulla base delle specifiche tecniche del costruttore, con unità di controllo numerico o unità di controllo a calcolatore, anche se non ne sono equipaggiate e

2. più di due assi che possono essere coordinati simultaneamente per il controllo di contornatura.

Componenti appositamente progettati per le macchine per la fluotornitura specificate in 2B009 o 2B109.a.

2BApparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: a.

sistemi di collaudo a vibrazione che impiegano tecniche a retroazione o ad anello chiuso e incorporano un controllore numerico, in grado di vibrare un sistema ad un'accelerazione uguale o superiore a 10 g in valore efficace tra 20 Hz e 2 kHz ed in grado di imprimere forze uguali o superiori a 50 kN, misurate a tavola vuota;

controllori numerici, combinati con software di collaudo a vibrazione appositamente progettato, con larghezza di banda in tempo reale a.superiore a 5 kHz e progettati per essere utilizzati con i sistemi di collaudo a vibrazione specificati in 2B116.a;

dispositivi di spinta per vibrazione (unità di vibrazione), con o senza amplificatori associati, in grado di imprimere una forza uguale o superiore a 50 kN, misurata a tavola vuota, ed utilizzabili nei sistemi di collaudo a vibrazione specificati in 2B116.a;

strutture di supporto del pezzo da collaudare ed unità elettroniche progettate per combinare più unità di vibrazione in un sistema completo in grado di fornire una forza effettiva combinata uguale o superiore a 50 kN, misurata a tavola vuota, ed utilizzabili nei sistemi di collaudo a vibrazione specificati in 2B116.a.

2BApparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: a.

Macchine di bilanciamento aventi tutte le caratteristiche seguenti: Nota: 2B119.a non sottopone ad autorizzazione le macchine di bilanciamento progettate o modificate per apparecchiature dentistiche o altre apparecchiature medicali.

1. che non siano in grado di bilanciare rotori/assiemi aventi massa superiore a 3 kg;

2. che siano in grado di bilanciare rotori/assiemi a velocità superiore a 12500 rpm;

3. che siano in grado di effettuare correzioni di equilibratura su due o più piani e

4. che siano in grado di realizzare l'equilibratura sino a uno sbilanciamento specifico residuo di 0,2 g mm per kg di massa rotante;

b. Nota tecnica:

Teste indicatrici progettate o modificate per essere utilizzate con le macchine specificate in 2B119.a. Le teste indicatrici sono conosciute talvolta come strumentazione per il bilanciamento.

due o piu assi;

contatti rotanti in grado di trasmettere energia elettrica e/o segnale di misura e

aventi una delle caratteristiche seguenti:

1. aventi tutte le caratteristiche seguenti per ogni singolo asse:

1. a.

in grado di realizzare velocità uguali o superiori a 400 gradi/s o uguali o inferiori a 30 gradi/s e

risoluzione di velocità uguale o inferiore a 6 gradi/s e precisione uguale o inferiore a 0,6 gradi/s;

2. stabilità di velocità nelle condizioni peggiori uguale o migliore (inferiore) a più o meno 0,05 % calcolata in media su 10 gradi o più o

3. precisione di posizionamento uguale o migliore di 5 archi al secondo.

due o più assi e

precisione di posizionamento uguale o migliore di 5 archi al secondo.

macchine utensili di fresatura aventi una delle caratteristiche seguenti:

1. precisioni di posizionamento con tutte le compensazioni disponibili uguali o inferiori a (migliori) di 6 μm secondo la norma ISO 230/2 (1988) o norme nazionali equivalenti su uno qualsiasi degli assi lineari o

2. due o più assi di rotazione di contornatura. Nota: 2B201.a non sottopone ad autorizzazione le macchine di fresatura aventi le caratteristiche seguenti:

2. a.

corsa dell'asse x superiore a 2 m e

precisione di posizionamento globale sull'asse x superiore a (peggiore di) 30 μm.

macchine utensili di rettifica aventi una delle caratteristiche seguenti: Nota: 2B201.b non sottopone ad autorizzazione le macchine di rettifica seguenti: Nota 1: 2B201 non sottopone ad autorizzazione macchine utensili a fini speciali limitate alla produzione di una delle seguenti parti: Nota 2: Una macchina utensile dotata di almeno due delle tre funzionalità di tornitura, fresatura o rettifica (ad es. una macchina di tornitura con funzioni di fresatura) deve essere valutata a fronte di ogni voce applicabile definita in 2B001.a., 2B201.a. o 2B201.b.

1. precisioni di posizionamento con tutte le compensazioni disponibili uguali a o minori (migliori di) 4 μm secondo la norma ISO 230/2 (1988) o norme nazionali equivalenti su uno qualsiasi degli assi lineari o

2. due o più assi di rotazione di contornatura.

a.

le macchine di rettifica esterna, interna, ed esterna-interna di cilindri, aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. limitate a una capacità massima di diametro esterno o lunghezza del pezzo da lavorare di 150 mm; e;

2. assi limitati agli assi x, z e c;

b.

rettificatrici a coordinate non aventi asse z o asse w con precisione di posizionamento globale minore (migliore) di 4 μm secondo la norma ISO 230/2 (1988) o norme nazionali equivalenti.

a.

ingranaggi;

b.

alberi a gomito o alberi a camme;

c.

utensili o utensili da taglio;

d.

estrusori a vite.

Presse isostatiche avente tutte le caratteristiche seguenti:

1. in grado di assicurare una pressione di lavoro massima uguale o superiore a 69 Mpa e

2. cavità di lavoro con diametro interno superiore a 152 mm;

loro matrici, stampi e controlli appositamente progettati per presse isostatiche, specificati in 2B204.a.

2BApparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: a.

macchine di controllo dimensionale con controllo a calcolatore o con controllo numerico aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. due assi o più e

2. incertezza di misura della lunghezza secondo una dimensione uguale o inferiore a (migliore di) (1,25 + L/1000) μm misurata con un tastatore di precisione inferiore a (migliore di) 0,2 μm (L rappresenta la lunghezza misurata espressa in millimetri) (Rif.: VDI/VDE 2617 parti 1 e 2);

sistemi per il controllo simultaneo lineare-angolare di semigusci, aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. incertezza di misura lungo un asse lineare qualsiasi uguale o inferiore a (migliore di) 3,5 μm per 5 mm e

2. deviazione di posizione angolare uguale o inferiore a 0,02°.

2BApparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Note tecniche:

1. Il tastatore utilizzato per determinare l'incertezza di misura di un sistema di controllo dimensionale deve essere conforme a quello descritto nella norma VDI/VDE 2617 parti 2, 3 e 4.

2. Tutti i parametri dei valori di misura in 2B206 si intendono con ±, cioé non si intendono come banda di escursione totale.

robot o dispositivi di estremità, appositamente progettati per rispondere alle norme nazionali di sicurezza applicabili al maneggio di esplosivi ad alto potenziale (ad esempio rispondenti alla classifica del codice elettrico per gli esplosivi ad alto potenziale);

Unità di controllo appositamente progettate per robot o dispositivi di estremità specificati in 2B207.a.

macchine aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. tre o più rulli (attivi o di guida) e

2. previste per essere equipaggiate, conformemente alle specifiche tecniche del costruttore, con unità di controllo numerico o di controllo a calcolatore;

mandrini, appositamente progettati per sagomare rotori cilindrici di diametro interno compreso tra 75 mm e 400 mm.

macchine di bilanciamento centrifugo progettate per il bilanciamento di rotori flessibili di lunghezza uguale o superiore a 600 mm ed aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. diametro del perno o dell'asse uguale o superiore a 75 mm;

2. capacità di massa compresa tra 0,9 e 23 kg; e

3. capacità di bilanciamento con velocità di rotazione superiori a 5000 giri/min;

macchine di bilanciamento centrifugo progettate per il bilanciamento di componenti di rotori cilindrici cavi ed aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. diametro del perno uguale o superiore a 75 mm;

2. capacità di massa compresa tra 0,9 e 23 kg;

3. in grado di bilanciare fino ad uno sbilanciamento residuo uguale o inferiore a 0,01 kg × mm/kg per piano e

4. azionamento a cinghia.

capacità di penetrazione uguale o superiore a 0,6 m della parete della cella calda (funzionamento attraverso la parete) o

capacità di superare la sommità della parete di una cella calda di spessore uguale o superiore a 0,6 m (funzionamento sopra la parete).

2BApparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Note tecniche: Nota tecnica: a.

forni aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. in grado di funzionare a temperature superiori a 1123 K (850 °C);

2. aventi bobine di induzione di diametro uguale o inferiore a 600 mm e

3. progettati per potenze di ingresso uguali o superiori a 5 kW;

alimentatori aventi potenza di uscita specifica uguale o superiore a 5 kW, appositamente progettati per forni specificati in 2B226.a.

forni ad arco di rifusione e di colata aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. ad elettrodo consumabile di capacità compresa tra 1000 cm3 e 20000 cm3e

2. in grado di funzionare con temperature di colata superiori a 1973 K (1700 °C);

forni di fusione a fascio elettronico e forni di atomizzazione e fusione a plasma, aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. potenza uguale o superiore a 50 kW e

2. in grado di funzionare con temperature di fusione superiori a 1473 K (1200 °C);

sistemi di controllo e monitoraggio a calcolatore appositamente configurati per i forni specificati in 2B227.a o b.

apparecchiature di assemblaggio del rotore per l'assemblaggio delle sezioni del tubo, di diaframmi e di coperchi terminali del rotore di centrifughe a gas; Nota: 2B228.a. comprende i mandrini di precisione, i morsetti e le macchine di accoppiamento per forzatura.

b. Nota tecnica:

apparecchiature di raddrizzatura del rotore per l'allineamento delle sezioni del tubo rotore di centrifughe a gas su un asse comune; in 2B228.b normalmente tali apparecchiature consistono in sonde di misura di precisione collegate ad un calcolatore che controlla di conseguenza, ad esempio, l'azione di pistoni pneumatici usati per l'allineamento delle sezioni del tubo rotore.

c. Nota tecnica:

mandrini e matrici di formatura di soffietti, per la produzione di soffietti a spira singola. in 2B228.c. i soffietti hanno tutte le caratteristiche seguenti:

1. diametro interno compreso tra 75 mm e 400 mm;

2. lunghezza uguale o superiore a 12,7 mm;

3. profondità della singola spira maggiore di 2 mm e

4. costruiti con leghe di alluminio ad alta resistenza, con acciaio Maraging o materiali fibrosi o filamentosi ad alta resistenza.

elementi sensibili alla pressione costituiti di o protetti da alluminio, leghe di alluminio, nichelio, leghe di nichelio con più del 60 % di nichelio in peso e

aventi una delle caratteristiche seguenti:

1. fondo scala inferiore a 13 kPa e precisione migliore di ± 1 % (fondo scala) o

2. fondo scala di 13 kPa o superiore e precisione migliore di ± 130 Pa.

2BApparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: a.

dimensione della sezione minima di ingresso uguale o superiore a 380 mm;

velocità di pompaggio uguale o superiore a 15 m3/s e

in grado di produrre un vuoto finale migliore di 13 mPa.

2BApparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Note tecniche:

1. La velocità di pompaggio è determinata al punto di misurazione con azoto gas o aria.

2. Il vuoto finale è determinato all'ingresso della pompa con l'ingresso della pompa completamente ostruito.

contenitori per reazioni o reattori, con o senza agitatori di volume totale interno (geometrico) superiore a 0,1 m3 (100 litri) ma inferiore a 20 m3 (20000 litri), aventi tutte le superfici di contatto diretto con le sostanze chimiche contenute o da trattare costruite con uno qualsiasi dei materiali seguenti:

1. leghe contenenti in peso più del 25 % di nichelio e 20 % di cromo;

2. fluoropolimeri;

3. vetro (compresi i rivestimenti vetrificati o smaltati o rivestiti in vetro);

4. nichelio o leghe contenenti in peso più del 40 % di nichelio;

5. tantalio o leghe di tantalio;

6. titanio o leghe di titanio o

7. zirconio o leghe di zirconio;

agitatori per l'impiego in contenitori per reazioni o in reattori specificati in 2B350.a e giranti, pale o assi progettati per detti agitatori aventi tutte le superfici dell'agitatore in diretto contatto con le sostanze chimiche contenute o da trattare costruite con uno dei materiali seguenti:

1. leghe contenenti in peso più del 25 % di nichelio e 20 % di cromo;

2. fluoropolimeri;

3. vetro (compresi i rivestimenti vetrificati o smaltati o rivestiti in vetro);

4. nichelio o leghe contenenti in peso più del 40 % di nichelio;

5. tantalio o leghe di tantalio;

6. titanio o leghe di titanio o

7. zirconio o leghe di zirconio;

serbatoi di stoccaggio, contenitori o serbatoi di accumulo di volume totale interno (geometrico) superiore a 0,1 m3 (100 litri), aventi tutte le superfici di contatto diretto con le sostanze chimiche contenute o da trattare costruite con uno dei materiali seguenti:

1. leghe contenenti in peso più del 25 % di nichelio e 20 % di cromo;

2. fluoropolimeri;

3. vetro (compresi i rivestimenti vetrificati o smaltati o rivestiti in vetro);

4. nichelio o leghe contenenti in peso più del 40 % di nichelio;

5. tantalio o leghe di tantalio;

6. titanio o leghe di titanio o

7. zirconio o leghe di zirconio;

scambiatori di calore o unità di condensazione aventi l'area della superficie di trasferimento del calore superiore a 0,15 m2 e inferiore a 20 m2 e tubi, piastre, serpentine o blocchi (nuclei) progettati per detti scambiatori di calore o unità di condensazione aventi tutte le superfici in diretto contatto con le sostanze chimiche da trattare costruite con uno dei materiali seguenti:

1. leghe contenenti in peso più del 25 % di nichelio e 20 % di cromo;

2. fluoropolimeri;

3. vetro (compresi i rivestimenti vetrificati o smaltati o rivestiti in vetro);

4. grafite o carbonio grafite;

5. nichelio o leghe contenenti in peso più del 40 % di nichelio;

6. tantalio o leghe di tantalio;

7. titanio o leghe di titanio;

8. zirconio o leghe di zirconio;

9. carburo di silicio o

10. carburo di titanio;

colonne di distillazione o torri di assorbimento di diametro interno superiore a 0,1 m e distributori di liquido, distributori di vapore o collettori di liquido progettati per dette colonne di distillazione o torri di assorbimento aventi tutte le superfici in diretto contatto con le sostanze chimiche da trattare costruite con uno dei materiali seguenti:

1. leghe contenenti in peso più del 25 % di nichelio e 20 % di cromo;

2. fluoropolimeri;

3. vetro (compresi i rivestimenti vetrificati o smaltati o rivestiti in vetro);

4. grafite o carbonio grafite;

5. nichelio o leghe contenenti in peso più del 40 % di nichelio;

6. tantalio o leghe di tantalio;

7. titanio o leghe di titanio o

8. zirconio o leghe di zirconio;

apparecchiature di riempimento manovrate a distanza aventi tutte le superfici in diretto contatto con le sostanze chimiche da trattare costruite con uno dei materiali seguenti:

1. leghe contenenti in peso più del 25 % di nichelio e 20 % di cromo o

2. nichelio o leghe di nichelio contenenti in peso più del 40 % di nichelio;

valvole di dimensioni nominali superiori a 10 mm e involucri (corpi delle valvole) o rivestimenti degli involucri preformati progettati per tali valvole aventi tutte le superfici in diretto contatto con le sostanze chimiche contenute o da trattare costruite con uno dei materiali seguenti:

1. leghe contenenti in peso più del 25 % di nichelio e 20 % di cromo;

2. fluoropolimeri;

3. vetro (compresi i rivestimenti vetrificati o smaltati o rivestiti in vetro);

4. nichelio o leghe contenenti in peso più del 40 % di nichelio;

5. tantalio o leghe di tantalio;

6. titanio o leghe di titanio o

7. zirconio o leghe di zirconio;

tubazioni a pareti multiple che incorporano una porta di rivelazione delle perdite, aventi tutte le superfici in diretto contatto con le sostanze chimiche contenute o da trattare costruite con uno dei materiali seguenti:

1. leghe contenenti in peso più del 25 % di nichelio e 20 % di cromo;

2. fluoropolimeri;

3. vetro (compresi i rivestimenti vetrificati o smaltati o rivestiti in vetro);

4. grafite o carbonio grafite;

5. nichelio o leghe contenenti in peso più del 40 % di nichelio;

6. tantalio o leghe di tantalio;

7. titanio o leghe di titanio o

8. zirconio o leghe di zirconio;

pompe dotate di tenuta multipla e senza tenuta, aventi una portata massima specificata dal costruttore superiore a 0,6 m3/ora o pompe a vuoto aventi portata massima specificata dal costruttore superiore a 5 m3/ora (alla temperatura standard di 273 K (0 °C) e pressioni di 101,3 kPa); e involucri (corpi delle pompe), rivestimenti degli involucri preformati, giranti, rotori o ugelli a getto della pompa progettati per dette pompe, aventi tutte le superfici in diretto contatto con le sostanze chimiche da trattare costruite con uno dei materiali seguenti:

1. leghe contenenti in peso più del 25 % di nichelio e 20 % di cromo;

2. materiali ceramici;

3. ferrosilicio;

4. fluoropolimeri;

5. vetro (compresi i rivestimenti vetrificati o smaltati o rivestiti in vetro);

6. grafite o carbonio grafite;

7. nichelio o leghe contenenti in peso più del 40 % di nichelio;

8. tantalio o leghe di tantalio;

9. titanio o leghe di titanio o

10. zirconio o leghe di zirconio;

inceneritori progettati per la distruzione di sostanze chimiche specificate in 1C350, aventi sistemi di alimentazione dei rifiuti appositamente progettati, attrezzature speciali per la manipolazione e temperatura media nella camera di combustione superiore a 1273 K (1000 °C) e tutte le superfici di smaltimento dei rifiuti, in diretto contatto con tali prodotti, costruite o rivestite con uno dei materiali seguenti:

1. leghe contenenti in peso più del 25 % di nichelio e 20 % di cromo;

2. materiali ceramici o

3. nichelio o leghe di nichelio contenenti in peso più del 40 % di nichelio.

2BApparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Note tecniche: Nota tecnica: a.

progettati per funzionamento continuo ed utilizzabili per la rivelazione di agenti di guerra chimica o di sostanze chimiche specificate in 1C350, con concentrazioni inferiori a 0,3 g/m3o

progettati per rivelare l'attività di inibizione della colinesterasi.

a. Nota tecnica:

mezzi di contenimento biologico completi a livello di contenimento P3, P4; i livelli di contenimento P3 o P4 (BL3, BL4, L3, L4) sono specificati nel manuale WHO Laboratory Biosafety (seconda edizione, Ginevra 1993).

b. Nota tecnica:

fermentatori, in grado di coltivare microrganismi patogeni, virus o di produrre tossine, senza la propagazione di aerosol, aventi capacità totali uguale o superiore a 20 litri; i fermentatori includono i bioreattori, i chemostati ed i sistemi a flusso continuo.

c. Nota tecnica:

separatori centrifughi, in grado di effettuare una separazione continua senza la propagazione di aerosol, aventi tutte le caratteristiche seguenti: i separatori centrifughi includono i decantatori.

1. flusso superiore a 100 l/h;

2. componenti costruiti con acciaio inossidabile lucidato o titanio;

3. uno o più giunti di tenuta entro l'area di contenimento del vapore e

4. in grado di realizzare la sterilizzazione in situ in condizione di chiusura;

apparecchiature di filtraggio a flusso incrociato (tangenziale) e loro componenti, come segue: Nota: 2B352.d. non sottopone ad autorizzazione le apparecchiature per l’osmosi inversa, quali specificate dal fabbricante.

1. apparecchiature di filtraggio a flusso incrociato (tangenziale) in grado di effettuare la separazione di microrganismi patogeni, virus, tossine o colture cellulari, senza la propagazione di aerosol, aventi entrambe le caratteristiche seguenti:

1. a.

una superficie di filtraggio totale uguale o superiore a 1 m2; e

b. Nota tecnica:

in grado di essere sterilizzate o disinfettate in situ; Nel 2B352.d.1.b. per sterilizzazione si intende l’eliminazione di tutti i microbi vitali dalle apparecchiature mediante l’uso di agenti fisici (ad es. vapore) o chimici. Per disinfettazione si intende la distruzione della potenziale infettività microbica nelle apparecchiature mediante l’uso di agenti chimici a effetto germicida. La disinfettazione e la sterilizzazione si distinguono dalla sanificazione, che si riferisce a procedimenti di pulizia volti a ridurre il contenuto microbico delle apparecchiature senza necessariamente eliminare l’intera infettività o vitalità microbica.

2. componenti di filtraggio a flusso incrociato (tangenziale) (ad es. moduli, elementi, cassette, cartucce, unità o piastre) con superficie di filtraggio uguale o superiore a 0,2 m2 per ogni componente e progettati per l’uso nelle apparecchiature di filtraggio a flusso incrociato (tangenziale) specificate in 2B352.d.;

apparecchiature di disidratazione per congelamento sterilizzabili a vapore con capacità del condensatore superiore a 10 kg di ghiaccio in 24 ore e inferiore a 1000 kg di ghiaccio in 24 ore;

apparecchiature protettive e di contenimento, come segue:

1. abiti protettivi completi o parziali o cappe collegate ad un rifornimento d'aria esterno e funzionanti a pressione positiva; Nota: 2B352.f.1 non sottopone ad autorizzazione gli abiti progettati per essere indossati con autorespiratori.

2. cabine di sicurezza biologica di classe III o isolatori con prestazioni di caratteristiche similari; Nota: in 2B352.f.2 gli isolatori comprendono anche gli isolatori flessibili, i contenitori asciutti, le camere anaerobiche, le celle a guanti e le cappe a flusso laminare (con chiusura a flusso verticale).

camere progettate per il confronto aerosol con microrganismi, virus otossine ed aventi una capacità uguale o superiore a 1 m3.

2CMateriali Nessuno.

2DSoftware 2D001Software, diverso da quello specificato in 2D002, appositamente progettato o modificato per lo sviluppo, la produzione o l'utilizzazione di apparecchiature specificate nei punti 2A001 o da 2B001 fino a 2B009. 2D002Software per dispositivi elettronici, anche integrato in un dispositivo o sistema elettronico, che consenta a tali dispositivi o sistemi di operare come unità di controllo numerico in grado di coordinare simultaneamente più di quattro assi per il controllo di contornatura. Nota 1: 2D002 non sottopone ad autorizzazione il software appositamente progettato o modificato per il funzionamento di macchine utensili non specificate nella categoria 2. Nota 2: 2D002 non sottopone ad autorizzazione il software per i prodotti specificati in 2B002. Per l'autorizzazione relativa al software per i prodotti specificati in 2B002, vedere 2D001. 2D101Software appositamente progettato o modificato per l'utilizzazione di apparecchiature specificate in 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 o da 2B119 fino a 2B122. NB: VEDERE ANCHE 9D004 2D201Software appositamente progettato per l'utilizzazione di apparecchiature specificate in 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 o 2B227. 2D202Software appositamente progettato o modificato per lo sviluppo, la produzione o l'utilizzazione delle apparecchiature specificate in 2B201.

2ETecnologia 2E001Tecnologia in conformità alla nota generale sulla tecnologia per lo sviluppo di apparecchiature o di software specificati in 2A, 2B o 2D. 2E002Tecnologia in conformità alla nota generale sulla tecnologia per la produzione di apparecchiature specificate in 2A o 2B. 2E003Altra tecnologia, come segue: 2E101Tecnologia in conformità alla nota generale sulla tecnologia per l'utilizzazione di apparecchiature o di software specificati in 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, da 2B119 a 2B122 o 2D101. 2E201Tecnologia in conformità alla nota generale sulla tecnologia per l'utilizzazione di apparecchiature o di software specificati in 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b, 2B007.c, 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 fino a 2B232, 2D201 o 2D202. 2E301Tecnologia in conformità alla nota generale sulla tecnologia per l'utilizzazione dei beni specificati in 2B350 fino a 2B352.

2ETecnologia a.

tecnologia per lo sviluppo di grafica interattiva come elemento integrato alle unità di controllo numerico per la preparazione o la modifica di programmi pezzo;

tecnologia per i processi di fabbricazione per la lavorazione dei metalli, come segue:

1. tecnologia per la progettazione di utensili, matrici o montaggi appositamente progettati per i processi seguenti:

1. a.

formatura superplastica;

saldatura per diffusioneo

stampaggio idraulico ad azione diretta;

2. dati tecnici consistenti in parametri o metodi di processo sotto elencati ed utilizzati per controllare:

2. a.

la formatura superplastica di leghe di alluminio, di leghe di titanio o superleghe:

1. preparazione delle superfici,

2. velocità di applicazione del carico,

3. temperatura,

4. pressione;

la saldatura per diffusione di superleghe o leghe di titanio:

1. preparazione delle superfici,

2. temperatura,

3. pressione;

lo stampaggio idraulico ad azione diretta di leghe di alluminio o leghe di titanio:

1. pressione,

2. durata del ciclo;

l'addensamento isostatico a caldo di leghe di titanio, leghe di alluminio o superleghe:

1. temperatura,

2. pressione,

3. durata del ciclo;

tecnologia per lo sviluppo o la produzione di macchine di stiro-imbutitura idraulica e loro matrici per la fabbricazione di strutture di cellule di aerei;

tecnologia per lo sviluppo di generatori di istruzioni per macchine utensili (ad esempio programmi pezzo) a partire dai dati di progettazione residenti nelle unità di controllo numerico;

tecnologia per lo sviluppo del software di integrazione per l'incorporazione nelle unità di controllo numerico di sistemi esperti per il supporto di decisioni ad un livello elevato delle operazioni in officina;

tecnologia per l'applicazione di rivestimenti inorganici per la ricopertura o per la modifica della superficie (specificati nella colonna 3 della successiva tavola) su substrati non elettronici (specificati nella colonna 2 della successiva tavola), con i processi specificati nella colonna 1 della successiva tavola e definiti nella nota tecnica. Nota: la tavola e la nota tecnica sono riportate dopo 2E301.

Tavola 1.2.3.A.B.B.1.B.2.B.3.B.4.C.D.E.F.G. Tavola — Metodi di deposizione — Note Metodi di deposizione

Processo di rivestimento (1) Substrato Rivestimento risultante Deposizione in fase di vapore di elementi chimici (CVD) Superleghe Alluminuri per passaggi interni Ceramiche (19) e vetri a bassa dilatazione (14) Siliciuri Carburi Strati dielettrici (15) Diamante Carbonio tipo diamante (17) Carbonio-carbonio Materiali compositi a matrice ceramica o a matrice metallica Siliciuri Carburi Metalli refrattari Loro miscele (4) Strati dielettrici (15) Alluminuri Alluminuri legati (2) Nitruro di boro Carburo di tungsteno cementato (16) Carburo di silicio (18) Carburi Tungsteni Loro miscele (4) Strati dielettrici (15) Molibdeno e leghe di molibdeno Strati dielettrici (15) Berillio e leghe di berillio Strati dielettrici (15) Diamante Carbonio tipo diamante (17) Materiali per finestre di sensori (9) Strati dielettrici (15) Diamante Carbonio tipo diamante (17) Deposizione fisica, in fase di vapore, per evaporazione termica (TE-PVD) Deposizione fisica, in fase di vapore (PVD): fascio elettronico (EB-PVD) Superleghe Siliciuri legati Alluminuri legati (2) MCrAlX (5) Ossidi di zirconio modificati (12) Siliciuri Alluminuri Loro miscele (4) Ceramiche (19) e vetri a bassa dilatazione (14) Strati dielettrici (15) Acciaio anticorrosione (7) MCrAlX (5) Ossidi di zirconio modificati (12) Loro miscele (4) Carbonio-carbonio Materiali compositi a matrice ceramica o a matrice metallica Siliciuri Carburi Metalli refrattari Loro miscele (4) Strati dielettrici (15) Nitruro di boro Carburo di tungsteno cementato (16) Carburo di silicio (18) Carburi Tungsteno Loro miscele (4) Strati dielettrici (15) Molibdeno e leghe di molibdeno Strati dielettrici (15) Berillio e leghe di berillio Strati dielettrici (15) Boruri Berillio Materiali per finestre di sensori (9) Strati dielettrici (15) Leghe di titanio (13) Boruri Nitruri Deposizione fisica in fase di vapore (PVD), per riscaldamento con resistenza assistita da fascio ionico (placcatura ionica) Ceramiche (19) e vetri a bassa dilatazione (14) Strati dielettrici (15) Carbonio tipo diamante (17) Carbonio-carbonio Materiali compositi a matrice ceramica o a matrice metallica Strati dielettrici (15) Carburo di tungsteno cementato (16) Carburo di silicio Strati dielettrici (15) Molibdeno e leghe di molibdeno Strati dielettrici (15) Berillio e leghe di berillio Strati dielettrici (15) Materiali per finestre di sensori (9) Strati dielettrici (15) Carbonio tipo diamante (17) Deposizione fisica in fase di vapore (PVD) per vaporizzazione a laser Ceramiche (19) e vetri a bassa dilatazione (14) Siliciuri Strati dielettrici (15) Carbonio tipo diamante (17) Carbonio-carbonio Materiali compositi a matrice ceramica o a matrice metallica Strati dielettrici (15) Carburo di tungsteno cementato (16) Carburo di silicio Strati dielettrici (15) Molibdeno e leghe di molibdeno Strati dielettrici (15) Berillio e leghe di berillio Strati dielettrici (15) Materiali per finestre di sensori (9) Strati dielettrici (15) Carbonio tipo diamante (17) Deposizione fisica in fase di vapore (PVD): scarica ad arco catodico Superleghe Siliciuri legati Alluminuri legati (2) MCrAlX (5) Polimeri (11) e materiali compositi a matrice organica Boruri Carburi Nitruri Carbonio tipo diamante (17) Cementazione in cassetta (vedere A per cementazione fuori cassetta) (10) Carbonio-carbonio Materiali compositi a matrice ceramica o a matrice metallica Siliciuri Carburi Loro miscele (4) Leghe di titanio (13) Siliciuri Alluminuri Alluminuri legati (2) Metalli e leghe refrattari (8) Siliciuri Ossidi Polverizzazione a plasma Superleghe McrAlX (5) Ossidi di zirconio modificati (12) Loro miscele (4) Nichelio-grafite soggetto ad abrasione Materiali contenenti Ni-Cr-Al soggetti ad abrasione Al-Si-poliestere soggetto ad abrasione Alluminuri legati (2) Leghe di alluminio (6) MCrAlX (5) Ossidi di zirconio modificati (12) Siliciuri Loro miscele (4) Metalli e leghe refrattari (8) Alluminuri Siliciuri Carburi Acciaio anticorrosione (7) MCrAIX (5) Ossidi di zirconio modificati (12) Loro miscele (4) Leghe di titanio (13) Carburi Alluminuri Siliciuri Alluminuri legati (2) Nichelio-grafite soggetto ad Abrasione Materiali contenenti Ni-Cr-Al soggetti ad abrasione Al-Si-poliestere soggetto ad Abrasione Deposizione ad impasto liquido Metalli e leghe refrattari (8) Siliciuri fusi Alluminuri fusi esclusi gli elementi riscaldatori per resistenze Carbonio-carbonio Materiali compositi a matrice ceramica o a matrice metallica Siliciuri Carburi Loro miscele (4) Deposizione per polverizzazione catodica Superleghe Siliciuri legati Alluminuri legati (2) Alluminuri modificati con metallo nobile (3) MCrAlX (5) Ossidi di zirconio modificati (12) Platino Loro miscele (4) Ceramiche e vetri a bassa dilatazione (14) Siliciuri Platino Loro miscele (4) Strati dielettrici (15) Carbonio tipo diamante (17) Leghe di titanio (13) Boruri Nitruri Ossidi Siliciuri Alluminuri Alluminuri legati (2) Carburi Carbonio-carbonio Materiali compositi a matrice ceramica o a matrice metallica Siliciuri Carburi Metalli refrattari Loro miscele (4) Strati dielettrici (15) Nitruro di boro Carburo di tungsteno cementato (16) Carburo di silicio (18) Carburi Tungsteno Loro miscele (4) Strati dielettrici (15) Nitruro di boro Molibdeno e leghe di molibdeno Strati dielettrici (15) Berillio e leghe di berillio Boruri Strati dielettrici (15) Berillio Materiali per finestre di sensori (9) Strati dielettrici (15) Carbonio tipo diamante (17) Metalli e leghe refrattari (8) Alluminuri Siliciuri Ossidi Carburi Impiantazione ionica Acciai per cuscinetti ad alta temperatura Aggiunte di cromo, Tantalio o niobio (Columbium) Leghe di titanio (13) Boruri Nitruri Berillio e leghe di berillio Boruri Carburo di tungsteno cementato (16) Carburi Nitruri I processi specificati nella colonna 1 della tavola sono definiti come segue:

1. Il termine processo di rivestimento comprende sia strati originali, sia riparazione e rimessa a nuovo di strati.

2. Il termine rivestimento di alluminuri legati comprende i rivestimenti realizzati in uno o più stadi nei quali uno o più elementi sono depositati prima o durante l'applicazione del rivestimento dell'alluminuro anche se questi elementi sono depositati con altro processo di rivestimento. Esso non comprende comunque l'uso multiplo dei processi di cementazione in cassetta in un solo stadio, per realizzare gli alluminuri legati.

3. Il termine rivestimento di alluminuro modificato con un metallo nobile comprende anche i rivestimenti realizzati in più stadi nei quali uno o più metalli nobili sono depositati con altro processo di rivestimento prima della applicazione del rivestimento dell'alluminuro.

4. Il termine loro miscele comprende i materiali infiltrati, le composizioni graduate, i depositi simultanei e i depositi multistrato e le miscele sono ottenute con uno o più dei processi di rivestimento specificati nella tavola.

5. MCrAlX rappresenta una lega di rivestimento in cui M equivale a cobalto, ferro, nichelio o combinazioni di questi elementi ed X equivale ad afnio, ittrio, silicio, tantalio in qualsiasi quantità od altre aggiunte intenzionali superiori a 0,01 % in peso in proporzioni e combinazioni diverse, con l'esclusione:

5. a.

dei rivestimenti di CoCrAlY contenenti meno del 22 % in peso di cromo, meno del 7 % in peso di alluminio e meno del 2 % in peso di ittrio;

dei rivestimenti di CoCrAlY contenenti dal 22 al 24 % in peso di cromo, dal 10 al 12 % in peso di alluminio e dallo 0,5 allo 0,7 % in peso di ittrio o

dei rivestimenti di NiCrAlY contenenti dal 21 al 23 % in peso di cromo, dal 10 al 12 % in peso di alluminio e dallo 0,9 all'1,1 % in peso di ittrio.

6. Il termine leghe di alluminio, si riferisce a leghe aventi carico di rottura uguale o superiore a 190 MPa misurato alla temperatura di 293 K (20 °C).

7. Il termine acciaio anticorrosione si riferisce agli acciai AISI (American Iron and Steel Institute) della serie 300 o agli acciai corrispondenti a norme nazionali equivalenti.

8. Il termine metalli e leghe refrattari comprende i metalli seguenti e loro leghe: niobio (columbium), molibdeno, tungsteno e tantalio.

9. I materiali per finestre di sensori sono i seguenti: allumina, silicio, germanio, solfuro di zinco, seleniuro di zinco, arseniuro di gallio, diamante, fosfuro di gallio, zaffiro ed i seguenti alogenuri metallici: materiali per finestre di sensori aventi un diametro superiore a 40 mm per il fluoruro di zirconio ed il fluoruro di afnio.

10. La tecnologia relativa alla cementazione in cassetta in una sola fase dei profili aerodinamici di un singolo pezzo non è sottoposta ad autorizzazione dalla Categoria 2.

11. I polimeri sono i seguenti: poliimmidi, poliesteri, polisolfuri, policarbonati e poliuretani.

12. Per ossidi di zirconio modificati, si intendono ossidi di zirconio che hanno subìto aggiunte di altri ossidi metallici (cioè ossidi di calcio, di magnesio, di ittrio, di afnio, di terre rare) al fine di stabilizzare certe fasi cristallografiche e composizioni di queste fasi. I rivestimenti che servono da barriera termica costituiti da ossidi di zirconio, modificati con l'aiuto di ossido di calcio o di magnesio per miscelazione o fusione, non sono sottoposti ad autorizzazione.

13. Per leghe di titanio si intendono soltanto le leghe utilizzate nel campo aerospaziale, aventi carico di rottura uguale o superiore a 900 MPa, misurato a 293 K (20 °C).

14. Per vetri a bassa dilatazione si intendono vetri aventi un coefficiente di dilatazione termico uguale o inferiore a 1 × 10 –7 K–1 misurato a 293 K (20 °C).

15. Gli strati dielettrici sono rivestimenti composti da più strati di materiali isolanti nei quali le proprietà di interferenza di un assieme di diversi materiali aventi indici di rifrazione diversi sono utilizzati per riflettere, trasmettere od assorbire bande differenti di lunghezze d'onda. Per strati dielettrici si intendono più di 4 strati dielettrici o strati compositi dielettrico/metallo.

16. Il carburo di tungsteno cementato non comprende i materiali per utensili di taglio e di formatura consistenti in carburo di tungsteno/(cobalto, nichelio), carburo di titanio/(cobalto, nichelio), carburo di cromo/nichelio-cromo e carburo di cromo/nichelio.

17. La tecnologia destinata specificamente a depositare carbonio tipo diamante su una delle apparecchiature o uno dei materiali appresso elencati non è sottoposta ad autorizzazione:

unità disco e testine magnetiche, apparecchiature per la fabbricazione di articoli monouso, valvole per rubinetti, diaframmi acustici per altoparlanti, componenti per motori di automobili, utensili di taglio, matrici di punzonamento/imbutitura, apparecchiature per l'automazione di uffici, microfoni o stampati medici, o dispositivi per la colatura o foggiatura a stampo della plastica, fabbricati con leghe contenenti meno del 5 % di berillio.

18. Il carburo di silicio non comprende i materiali per utensili di taglio e di formatura.

19. I substrati ceramici elencati nella tavola non comprendono i materiali ceramici contenenti il 5 % o più in peso di argilla o cemento, sia come costituenti distinti che in combinazione.

a.

La deposizione in fase di vapore di elementi chimici (CVD) è un processo di rivestimento per ricopertura o rivestimento con modifica della superficie per cui un metallo, una lega, un materiale composito, un dielettrico o una ceramica è depositato su uno strato riscaldato. I gas reagenti sono ridotti o combinati in prossimità del substrato provocando il deposito del materiale elementare, della lega o del materiale composto sul substrato. L'energia necessaria a questo processo di decomposizione o a questa reazione chimica può essere fornita dal calore del substrato, da un plasma a scarica luminescente o da una radiazione laser. NB 1: la deposizione in fase di vapore di elementi chimici comprende i processi seguenti: deposizione fuori cassetta con flusso di gas diretto, deposizione in fase di vapore di elementi chimici ad impulsi (CVD), deposizione termica per nucleazione controllata (CNTD), deposizione in fase di vapore di elementi chimici migliorato a plasma o assistito da plasma. NB 2: il termine cassetta indica un substrato immerso in una miscela di polveri. NB 3: i gas reagenti utilizzati nel processo fuori cassetta sono ottenuti usando le stesse reazioni e parametri elementari del processo di cementazione in cassetta, tranne per il substrato da rivestire che non è in contatto con la miscela di polveri.

b.

La deposizione fisica in fase di vapore per evaporazione termica (TE-PVD) è un processo di rivestimento per ricopertura sotto vuoto con pressione inferiore a 0,1 Pa per cui una sorgente di energia termica è utilizzata per la vaporizzazione del materiale di rivestimento. Questo processo dà luogo alla condensazione o alla deposizione del materiale evaporato su substrati disposti in modo appropriato. L'aggiunta di gas alla camera sotto vuoto durante il processo di rivestimento al fine di sintetizzare i rivestimenti composti costituisce una variante corrente del processo. L'utilizzazione di fasci di ioni o di elettroni o di plasma per attivare o assistere la deposizione del rivestimento è anche una variante corrente di questa tecnica. Si possono anche utilizzare strumenti di controllo per misurare nel corso del processo le caratteristiche ottiche e lo spessore dei rivestimenti. Le tecniche specifiche di deposizione fisica in fase di vapore per evaporazione termica sono le seguenti:

1. la deposizione fisica in fase di vapore per fascio di elettroni impiega un fascio di elettroni per riscaldare il materiale costituente il rivestimento e provocarne l'evaporazione;

2. la deposizione fisica in fase di vapore per riscaldamento tramite resistenza assistita da fascio ionico impiega resistenze elettriche come sorgenti di riscaldamento in combinazione con fasci ionici d'urto per produrre un flusso controllato ed uniforme di materiali di rivestimento evaporati;

3. la vaporizzazione a laser impiega fasci laser ad impulsi o in onda continua per vaporizzare il materiale costituente il rivestimento;

4. la deposizione ad arco catodico impiega un catodo consumabile di materiale costituente il rivestimento che emette una scarica ad arco sulla superficie innescata da un contatto momentaneo con la massa. I movimenti controllati della formazione dell'arco attaccano la superficie del catodo creando un plasma fortemente ionizzato. L'anodo può essere sia un cono fissato sull'estremità del catodo tramite un isolatore sia la camera stessa. La polarizzazione del substrato è usata per la deposizione fuori della portata visiva; NB: questa definizione non comprende la deposizione casuale ad arco catodico con substrati non polarizzati.

5. la placcatura ionica è una variante particolare di un processo generale di deposizione fisica in fase di vapore per evaporazione termica (TE-PVD) per cui una sorgente di ioni o un plasma sono utilizzati per ionizzare il materiale da depositare; una polarizzazione negativa viene applicata al substrato per facilitare l'estrazione del materiale dal plasma. L'introduzione di materiali reagenti, l'evaporazione di solidi all'interno della camera di trattamento e l'impiego di strumenti di controllo per misurare nel corso del processo le caratteristiche ottiche e lo spessore dei rivestimenti sono varianti ordinarie di questo processo.

c.

La cementazione in cassetta è un processo di rivestimento con modifica della superficie o un processo di rivestimento per ricopertura per cui un substrato viene immerso in una miscela di polveri (cassetta) comprendente: Il substrato e la miscela di polveri sono posti in una storta portata ad una temperatura compresa tra 1030 K (757 °C) e 1375 K (1102 °C) per un tempo sufficiente a permettere la deposizione del rivestimento.

1. le polveri metalliche che devono essere depositate (generalmente alluminio, cromo, silicio o loro combinazioni);

2. un attivatore (generalmente un sale alogenuro) e

3. una polvere inerte, più frequentemente allumina.

d.

La polverizzazione a plasma è un processo di rivestimento per ricopertura per cui un cannone (torcia di vaporizzazione) che produce e controlla un plasma, riceve materiali di rivestimento sotto forma di polvere o filo, li fa fondere e li proietta su un substrato sul quale si forma un rivestimento integralmente aderente. La polverizzazione a plasma può essere una polverizzazione a bassa pressione o una polverizzazione a grande velocità. NB 1: per bassa pressione si intende una pressione inferiore alla pressione atmosferica ambiente. NB 2: per grande velocità si intende una velocità del gas in uscita dalla torcia superiore a 750 m/s calcolata a 293 K (20 °C) e ad una pressione di 0,1 MPa.

e.

La deposizione ad impasto liquido è un processo di rivestimento con modifica della superficie o un processo di rivestimento per ricopertura per cui una polvere di metallo o di ceramica, associata ad un legante organico e in sospensione in un liquido, viene applicata su un substrato tramite spruzzatura, immersione o verniciatura. L'assieme viene essiccato in aria o in forno e poi sottoposto ad un trattamento termico per ottenere il rivestimento desiderato.

f.

La deposizione per polverizzazione catodica è un processo di rivestimento per ricopertura, basato sul fenomeno di trasferimento di quantità di moto, per cui gli ioni positivi sono accelerati da un campo elettrico verso la superficie di un bersaglio (materiale di rivestimento). L'energia cinetica ottenuta dall'impatto degli ioni è sufficiente perché gli atomi della superficie del bersaglio siano liberati per depositarsi sul substrato situato in modo adeguato. NB 1: la tavola si riferisce solo alla deposizione per polverizzazione catodica tramite un triodo, un magnetron o un reagente utilizzato per aumentare l'aderenza del rivestimento e la velocità di deposizione nonché alla deposizione per polverizzazione catodica aumentata a radiofrequenze, utilizzata per permettere la vaporizzazione di materiali di rivestimento non metallici. NB 2: fasci ionici a bassa energia (minore di 5 keV) possono essere utilizzati per attivare la deposizione.

g.

L'impiantazione ionica è un processo di rivestimento con modifica della superficie per cui l'elemento da legare è ionizzato, accelerato da un gradiente di potenziale e impiantato nella zona superficiale del substrato. Ciò comprende i processi nei quali l'impiantazione ionica viene effettuata contemporaneamente alla deposizione fisica in fase di vapore per fascio elettronico o alla deposizione per polverizzazione catodica.

CATEGORIA 3 MATERIALI ELETTRONICI

3ASistemi, apparecchiature e componenti Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica:

Nota 1: la condizione di esportabilità delle apparecchiature, dei dispositivi e dei componenti descritti in 3A001 o 3A002, tranne quelli descritti in 3A001.a.3 fino a 3A001.a.10 o in 3A001.a.12, appositamente progettati o aventi le stesse caratteristiche funzionali di altre apparecchiature è determinata dalle condizioni stabilite per queste altre apparecchiature. Note 2: la condizione di esportabilità dei circuiti integrati descritti in 3A001.a.3 fino a 3A001.a.9 o in 3A001.a.12, programmati o progettati in maniera non modificabile per una specifica funzione di altre apparecchiature è determinata dalle condizioni stabilite per queste altre apparecchiature. NB: Se il fabbricante o il richiedente non è in grado di determinare la condizione di esportabilità delle altre apparecchiature, la condizione di esportabilità dei circuiti integrati è allora determinata in 3A001.a.3 fino a 3A001.a.9 e in 3A001.a.12. Se il circuito integrato è un microcircuito microcalcolatore o un microcircuito microcontrollore a base di silicio descritto in 3A001.a.3 avente una lunghezza di parola di operando (dati) di 8 bit o meno, la condizione di esportabilità del circuito integrato è determinata in 3A001.a.3. 3A001Dispositivi e componenti elettronici: 3A002Apparecchiature elettroniche di uso generale: 3A003Sistemi di gestione termica a raffreddamento per aspersione che utilizzano apparecchiature per la gestione e il ricondizionamento a ciclo chiuso del fluido in uno spazio a tenuta stagna in cui un fluido dielettrico viene nebulizzato sui componenti elettronici mediante nebulizzatori appositamente progettati per mantenere i componenti elettronici entro la relativa gamma di temperature operative, e loro componenti appositamente progettati. 3A101Apparecchiature, componenti e dispositivi elettronici, diversi da quelli specificati in 3A001, come segue: 3A201Componenti elettronici, diversi da quelli specificati in 3A001, come segue: 3A225Variatori di frequenza o generatori diversi da quelli specificati in 0B001.b.13, aventi tutte le caratteristiche seguenti: i variatori di frequenza in 3A225 sono conosciuti anche come convertitori o invertitori. 3A226Alimentatori in corrente continua di elevata potenza diversi da quelli specificati in 0B001.j.6, aventi tutte le caratteristiche seguenti: 3A227Alimentatori ad alta tensione in corrente continua diversi da quelli specificati in 0B001.j.5, aventi tutte le caratteristiche seguenti: 3A228Dispositivi di commutazione, come segue: 3A229Apparecchi di innesco e generatori equivalenti di impulso ad elevata corrente come segue: NB: VEDERE ANCHE ELENCO DEI MATERIALI DI ARMAMENTO 3A230Generatori di impulsi ad alta velocità aventi tutte le caratteristiche seguenti: in 3A230, il tempo di transizione dell'impulso è definito come l'intervallo di tempo per passare da un valore di tensione del 10 % a quello del 90 %. 3A231Sistemi generatori di neutroni, compresi i tubi, aventi tutte le caratteristiche seguenti: 3A232Detonatori e sistemi di accensione multipunto, come segue: NB: VEDERE ANCHE ELENCO DEI MATERIALI DI ARMAMENTO Nota: 3A232 non sottopone ad autorizzazione i detonatori che usano solamente esplosivi primari come l'azoturo di piombo. in 3A232 i detonatori in esame utilizzano tutti un piccolo conduttore elettrico (ponte, filo o lamina) che vaporizza in modo esplosivo quando viene attraversato da un impulso elettrico rapido ad alta intensità. Nei tipi non a slapper, il conduttore che esplode innesca una detonazione chimica in un materiale altamente esplosivo al contatto come il PETN (pentrite). Nei detonatori a slapper la vaporizzazione in modo esplosivo di un conduttore elettrico spinge una lamina mobile (flyer) o uno slapper attraverso un varco e l'impatto dello slapper su di un esplosivo innesca la detonazione chimica. Lo slapper in alcune realizzazioni è azionato dalla forza magnetica. Il termine detonatore a lamina esplodente può riferirsi sia ad un detonatore EB che di tipo a slapper. Anche il termine innesco è usato a volte al posto della parola detonatore. 3A233Spettrometri di massa, diversi da quelli specificati in 0B002.g, in grado di misurare ioni di unità di massa atomica uguale o superiore a 230 ed aventi una risoluzione migliore di 2 parti su 230, come segue, e loro sorgenti di ioni:

3ASistemi, apparecchiature e componenti a.

circuiti integrati di uso generale, come segue: Nota 1: la condizione di esportabilità delle fette (finite o non finite) nelle quali la funzione sia stata determinata deve essere valutata in funzione dei parametri definiti in 3A001.a. Nota 2: i circuiti integrati comprendono i tipi seguenti:

circuiti integrati monolitici,

circuiti integrati ibridi,

circuiti integrati a micropiastrine multiple,

circuiti integrati a film compresi i circuiti integrati di silicio su zaffiro,

circuiti integrati ottici.

1. circuiti integrati progettati o previsti come circuiti resistenti alle radiazioni per sopportare:

1. a.

una dose totale di 5 × 103 Gy (silicio) o più

un tasso della dose di 5 × 106 Gy (silicio)/s o più; o

una fluenza (flusso integrato) di neutroni (1 MeV equivalente) di 5 × 1013 n/cm2 o superiore sul silicio, o il valore equivalente per altri materiali; Nota: 3A001.a.1.c. non si applica ai metalli isolanti semiconduttori (MIS).

2. microcircuiti microprocessori, microcircuiti microcalcolatori, microcircuiti microcontrollori, memorie a circuiti integrati fabbricate a partire da un semiconduttore composto, convertitori analogico-numerici, convertitori numerico-analogici, circuiti elettro-ottici o circuiti ottici integrati progettati per il trattamento del segnale, dispositivi logici programmabili dall'utilizzatore, circuiti integrati per reti neurali, circuiti integrati costruiti su richiesta del cliente per i quali non è conosciuta la funzione o la condizione di esportabilità dell'apparecchiatura nella quale tali circuiti integrati saranno usati, processori di trasformata rapida di Fourier (FFT), memorie di sola lettura cancellabili e programmabili elettricamente (EEPROM), memorie flash o memorie statiche ad accesso casuale (SRAM), aventi una delle caratteristiche seguenti: Nota: 3A001.a.2 non si applica ai circuiti integrati per applicazioni automobilistiche o ferroviarie civili.

2. a.

previsti per funzionare ad una temperatura ambiente superiore a 398 K (125 °C);

previsti per funzionare ad una temperatura ambiente inferiore a 218 K (– 55 °C); o

previsti per funzionare nell'intera gamma di temperatura ambiente da 218 K (– 55 °C) a 398 K (125 °C);

3. microcircuiti microprocessori, microcircuiti microcalcolatori e microcircuiti microcontrollori, fabbricati a partire da un semiconduttore composto e funzionanti con frequenza di orologio superiore a 40 MHz; Nota: 3A001.a.3 comprende i processori di segnali numerici, i processori matriciali numerici ed i coprocessori numerici.

4. memorie a circuiti integrati fabbricate a partire da un seminconduttore composto;

5. Note tecniche:

convertitori a circuiti integrati analogico-numerici e numerico-analogici, come segue:

5. a.

convertitori analogico-numerici, aventi una delle caratteristiche seguenti: NB: VEDERE ANCHE 3A101

1. risoluzione uguale o superiore a 8 bit, ma inferiore a 10 bit, con velocità di uscita superiore a 500 milioni di parole al secondo;

2. risoluzione uguale o superiore a 10 bit, ma inferiore a 12 bit, con velocità di uscita superiore a 200 milioni di parole al secondo;

3. risoluzione pari a 12 bit, con velocità di uscita superiore a 50 milioni di parole al secondo;

4. risoluzione superiore a 12 bit, ma uguale o inferiore a 14 bit, con velocità di uscita superiore a 5 milioni di parole al secondo; o

5. risoluzione superiore a 14 bit, con velocità di uscita superiore a 1 milione di parole al secondo;

convertitori numerico-analogici aventi risoluzione uguale o superiore a 12 bit e tempo di assestamento inferiore a 10 ns;

5. Note tecniche:

1. Una risoluzione di n bit corrisponde a una quantizzazione di 2n livelli.

2. Il numero di bits nella parola in uscita è pari alla risoluzione del convertitore analogico-numerico.

3. La velocità d'uscita è la massima velocità d'uscita del convertitore, indipendentemente dall'architettura o dal supercampionamento. I venditori possono riferirsi alla velocità d'uscita anche come velocità di campionamento, velocità di conversione o velocità di flusso. È spesso misurata in megahertz (MHz) o in mega campionamenti al secondo.

4. Ai fini della misurazione della velocità d'uscita, una parola in uscita al secondo è uguale a un Hertz o a un campionamento al secondo.

6. circuiti integrati ottici ed elettro-ottici per il trattamento del segnale, aventi tutte le caratteristiche seguenti:

6. a.

uno o più diodi laser interni;

uno o più elementi interni di rivelazione della luce e

guide d'onda ottiche;

7. dispositivi logici programmabili dall'utilizzatore, aventi una delle caratteristiche seguenti: Nota: 3A001.a.7. comprende: NB: I dispositivi logici programmabili dall'utilizzatore sono noti anche come reti di porte programmabili dall'utilizzatore o reti logiche programmabili dall'utilizzatore.

7. a.

numero di porte di conteggio equivalenti utilizzabili superiore a 30000 (porte a 2 ingressi);

ritardo di propagazione della porta di base tipico inferiore a 0,1 ns o

frequenza di commutazione di stato superiore a 133 MHz;

dispositivi logici programmabili semplici (SPLD)

dispositivi logici programmabili complessi (CPLD)

reti di porte programmabili dall'utilizzatore (FPGA)

reti logiche programmabili dall'utilizzatore (FPLA)

interconnessioni programmabili dall'utilizzatore (FPIC)

8. soppresso;

9. circuiti integrati per reti neurali;

10. circuiti integrati costruiti su richiesta del cliente, per i quali non è conosciuta dal fabbricante né la funzione né la condizione di esportabilità dell'apparecchiatura nella quale tali circuiti integrati saranno usati, aventi una delle caratteristiche seguenti:

10. a.

più di 1000 terminali di uscita;

ritardo di propagazione della porta di base tipico inferiore a 0,1 ns o

frequenza di funzionamento superiore a 3 GHz;

11. circuiti integrati numerici diversi da quelli descritti in 3A001.a.3 fino a 3A001.a.10 e in 3A001.a.12 basati su qualsiasi semiconduttore composto ed aventi una delle caratteristiche seguenti:

11. a.

più di 3000 porte di conteggio equivalenti (porte a 2 ingressi) o

frequenza di commutazione di stato superiore a 1,2 GHz;

12. Nota tecnica:

processori di trasformata rapida di Fourier (FFT) aventi un tempo di esecuzione nominale per una FFT di N punti complessi inferiore a (N log2N)/20480 ms, essendo N il numero dei punti; quando N è uguale a 1024 punti, la formula in 3A001.a.12 dà un tempo di esecuzione di 500 μs.

componenti a microonde o ad onde millimetriche, come segue:

1. tubi elettronici a vuoto e catodi come segue: Nota 1: 3A001.b.1 non sottopone ad autorizzazione i tubi progettati o previsti per funzionare in qualsiasi banda di frequenza avente tutte le caratteristiche seguenti: Nota 2: 3A001.b.1 non sottopone ad autorizzazione i tubi non qualificati per impiego spaziale aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. a.

non superiore a 31,8 GHz; e

assegnata all'UIT per servizi di radio comunicazione ma non di radiolocalizzazione.

potenza media di uscita uguale o inferiore a 50 W e

progettati o previsti per funzionare a qualsiasi frequenza di banda avente tutte le caratteristiche seguenti:

1. superiore a 31,8 GHz ma inferiore o pari a 43,5 GHz e

2. assegnata dall'UIT per servizi di radiocomunicazione ma non di radiolocalizzazione.

tubi ad onde progressive, ad impulsi o ad onda continua, come segue:

1. funzionanti a frequenze superiori a 31,8 GHz;

2. aventi l'elemento riscaldante del catodo con un tempo inferiore a 3 secondi tra l'accensione e l'emissione di potenza a RF (radio frequenza) nominale;

3. tubi a cavità accoppiate o loro derivati con banda passante frazionaria superiore al 7 % o con potenza di picco superiore a 2,5 kW;

4. tubi ad elica, o loro derivati, aventi una delle caratteristiche seguenti:

4. a.

banda passante istantanea superiore ad una ottava e prodotto della potenza media (espressa in kW) per la frequenza (espressa in GHz) superiore a 0,5;

banda passante istantanea uguale o inferiore ad una ottava e prodotto della potenza media (espressa in kW) per la frequenza (espressa in GHz) superiore a 1 o

qualificati per impiego spaziale;

tubi amplificatori a campi incrociati con guadagno superiore a 17 dB;

catodi impregnati progettati per tubi elettronici in grado di produrre una densità di corrente in emissione continua nelle condizioni di funzionamento nominali superiore a 5 A/cm2;

2. amplificatori di potenza a circuiti integrati monolitici a microonde (MMIC) aventi una delle caratteristiche seguenti: Nota 1: 3A001.b.2. non sottopone ad autorizzazione le apparecchiature di trasmissione satellitare progettate o previste per funzionare nella gamma di frequenze compresa tra 40,5 GHz e 42,5 GHz. Nota 2: la condizione di esportabilità degli MMIC la cui frequenza operativa prevista include frequenze elencate in più gamme di frequenza, quali definite da 3A001.b.2. a 3A001.b.2.f., è determinata dalla soglia di controllo della più bassa potenza di uscita media. Note 3: le note 1 e 2 figuranti nel cappello della Categoria 3 significano che 3A001.b.2. non sottopone ad autorizzazione gli MMIC specificamente progettati per altre applicazioni, ad es. telecomunicazioni, radar, automobili.

2. a.

previsti per funzionare a frequenze superiori a 3,2 GHz fino a 6 GHz (inclusi), con potenza di uscita media superiore a 4W (36 dBm) e una banda passante frazionaria superiore al 15 %;

previsti per funzionare a frequenze superiori a 6 GHz fino a 16 GHz (inclusi), con potenza di uscita media superiore a 1 W (30 dBm) e una banda passante frazionaria superiore al 10 %;

previsti per funzionare a frequenze superiori a 16 GHz fino a 31,8 GHz (inclusi), con potenza di uscita media superiore a 0,8 W (29 dBm) e una banda passante frazionaria superiore al 10 %;

previsti per funzionare a frequenze superiori a 31,8 GHz fino a 37,5 GHz (inclusi);

previsti per funzionare a frequenze superiori a 37,5 GHz fino a 43,5 GHz (inclusi), con potenza di uscita media superiore a 0,25W (24 dBm) e una banda passante frazionaria superiore al 10 %; o

previsti per funzionare a frequenze superiori a 43,5 GHz.

3. transistor a microonde discreti aventi una delle caratteristiche seguenti: Nota: la condizione di esportabilità di un transistor la cui frequenza operativa prevista include frequenze elencate in più gamme di frequenza, quali definite da 3A001.b.3.a. a 3A001.b.3.e., è determinata dalla soglia di controllo della più bassa potenza di uscita media.

3. a.

previsti per funzionare a frequenze superiori a 3,2 GHz fino a 6 GHz (inclusi), con potenza di uscita media superiore a 60W (47,8 dBm);

previsti per funzionare a frequenze superiori a 6 GHz fino a 31,8 GHz (inclusi), con potenza di uscita media superiore a 20W (43 dBm);

previsti per funzionare a frequenze superiori a 31,8 GHz fino a 37,5 GHz (inclusi), con potenza di uscita media superiore a 0,5W (27 dBm);

previsti per funzionare a frequenze superiori a 37,5 GHz fino a 43,5 GHz (inclusi), con potenza di uscita media superiore a 1W (30 dBm); o

previsti per funzionare a frequenze superiori a 43,5 GHz.

4. Nota tecnica:

amplificatori a microonde a semiconduttore e assiemi/moduli a microonde contenenti amplificatori a microonde aventi una delle caratteristiche seguenti: 3.2 GHz dovrebbe essere utilizzata con la più bassa frequenza operativa (fGHz) nella formula in 3A001.b.4.f.3. per gli amplificatori che hanno una gamma di funzionamento prevista che si estende verso il basso a 3,2 GHz e oltre [d≤ 15cm*GHz/3,2 GHz]. NB: Gli amplificatori di potenza MMIC devono essere valutati a fronte dei criteri di cui alla voce 3A001.b.2. Nota 1: 3A001.b.4. non sottopone ad autorizzazione le apparecchiature di trasmissione satellitare progettate o previste per funzionare nella gamma di frequenze compresa tra 40,5 e 42,5 GHz. Nota 2: la condizione di esportabilità di un prodotto la cui frequenza operativa prevista include frequenze elencate in più gamme di frequenza, quali definite da 3A001.b.4.a. a 3A001.b.4.e. è determinata dalla soglia di controllo della più bassa potenza di uscita media.

4. a.

previsti per funzionare a frequenze superiori a 3,2 GHz fino a 6 GHz (inclusi), con potenza di uscita media superiore a 60W (47,8 dBm) e una banda passante frazionaria superiore al 15 %;

previsti per funzionare a frequenze superiori a 6 GHz fino a 31,8 GHz (inclusi), con potenza di uscita media superiore a 15W (42 dBm) e una banda passante frazionaria superiore al 10 %;

previsti per funzionare a frequenze superiori a 31,8 GHz fino a 37,5 GHz (inclusi);

previsti per funzionare a frequenze superiori a 37,5 GHz fino a 43,5 GHz (inclusi), con potenza di uscita media superiore a 1W (30 dBm) e una banda passante frazionaria superiore al 10 %;

previsti per funzionare a frequenze superiori a 43,5 GHz; o

previsti per funzionare a frequenze superiori a 3,2 GHz e aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. una potenza di uscita media (in watt), P, superiore a 150 divisa per la frequenza operativa massima (in GHz) al quadrato [P>150 W*GHz2/fGHz2];

2. una banda passante frazionaria del 5 % o superiore; e

3. due lati qualsiasi perpendicolari l’uno all’altro con lunghezza d (in cm) uguale o inferiore a 15 divisa per la più bassa frequenza operativa in GHz [d≤15 cm*GHz/ fGHz].

5. filtri passa banda o eliminatori di banda accordabili elettronicamente o magneticamente, aventi più di 5 risonatori accordabili in grado di accordarsi su una banda di frequenza di 1,5:1 (fmax/fmin) in meno di 10 μs aventi una delle caratteristiche seguenti:

5. a.

banda passante superiore allo 0,5 % della frequenza centrale o

banda passante dell'eliminatore di banda inferiore allo 0,5 % della frequenza centrale;

6. non utilizzato;

7. miscelatori e convertitori progettati per estendere la gamma di frequenza delle apparecchiature descritte in 3A002.c, 3A002.e o 3A002.f oltre i limiti ivi indicati;

8. amplificatori di potenza a microonde contenenti tubi specificati in 3A001.b e aventi tutte le caratteristiche seguenti: Nota: 3A001.b.8 non sottopone ad autorizzazione le apparecchiature progettate o previste per funzionare in qualsiasi banda di frequenza assegnata dall'UIT per servizi di radiocomunicazione ma non di radiolocalizzazione.

8. a.

frequenze di funzionamento superiori a 3 GHz;

densità media di potenza di uscita superiore a 80 W/kg e

volume inferiore a 400 cm3;

dispositivi utilizzanti le onde acustiche, come segue, e loro componenti appositamente progettati:

1. dispositivi utilizzanti le onde acustiche di superficie e le onde acustiche rasenti (poco profonde) (cioè dispositivi di trattamento del segnale utilizzanti le onde elastiche nei materiali), aventi una delle caratteristiche seguenti:

1. a.

frequenza portante superiore a 2,5 GHz;

frequenza portante superiore a 1 GHz ma uguale o inferiore a 2,5 GHz, aventi una delle caratteristiche seguenti:

1. reiezione del lobo laterale di frequenza superiore a 55 dB;

2. prodotto del ritardo massimo (espresso in μs) per la banda passante (espressa in MHz) superiore a 100 o

3. banda passante superiore a 250 MHz o

4. ritardo di dispersione superiore a 10 μs o

frequenza portante inferiore o uguale a 1 GHz aventi una delle caratteristiche seguenti:

1. prodotto del ritardo massimo (espresso in μs) per la banda passante (espressa in MHz) superiore a 100;

2. ritardo di dispersione superiore a 10 μs o

3. reiezione del lobo laterale di frequenza superiore a 55 dB e banda passante superiore a 50 MHz;

2. dispositivi utilizzanti le onde acustiche di volume (cioè dispositivi di trattamento del segnale utilizzanti le onde elastiche) che permettono il trattamento diretto di segnali a frequenze superiori a 1 GHz;

3. dispositivi di trattamento del segnale acustico-ottici basati sull'interazione tra onde acustiche (di volume o di superficie) e onde luminose che permettono il trattamento diretto di segnali o immagini, compresa l'analisi spettrale, la correlazione o la convoluzione;

dispositivi e circuiti elettronici contenenti componenti, fabbricati a partire da materiali superconduttori appositamente progettati per funzionare a temperature inferiori alla temperatura critica di almeno uno dei costituenti superconduttori, aventi una delle funzioni seguenti:

1. commutazione di corrente per circuiti numerici che impiegano porte superconduttrici con prodotto del ritardo per porta (espresso in secondi) per la potenza dissipata per porta (espressa in Watt) inferiore a 10– 14 J o

2. selezione di frequenza a tutte le frequenze con circuiti risonanti aventi fattori Q superiori a 10000;

dispositivi ad alta energia, come segue:

1. batterie e generatori fotovoltaici come segue: Nota: 3A001.e.1 non sottopone ad autorizzazione le batterie il cui volume è uguale o inferiore a 27 cm3 (ad es. batterie standard C o R14).

1. a.

elementi di batterie e batterie primarie aventi densità di energia superiore a 480 Wh/kg e previsti per funzionare in una gamma di temperature da quelle inferiori a 243 K (– 30 °C) fino a quelle superiori a 343 K (70 °C);

b. Nota tecnica:

elementi di batterie ricaricabili e batterie ricaricabili aventi densità di energia superiore a 150 Wh/kg dopo 75 cicli di carica/scarica ad una corrente di scarica uguale a C/5 ore (C rappresenta la capacità nominale in ampère ora) quando fatti funzionare in una gamma di temperature da quelle inferiori a 253 K (– 20 °C) fino a quelle superiori a 333 K (60 °C); la densità di energia è ottenuta moltiplicando la potenza media espressa in watt (uguale al prodotto della tensione media espressa in volt per la corrente media espressa in ampère) per la durata della scarica, espressa in ore, al 75 % della tensione a circuito aperto e dividendo il prodotto ottenuto per la massa totale dell'elemento (o della batteria) espressa in kg.

mosaici di generatori fotovoltaici qualificati per impiego spaziale e resistenti alle radiazioni aventi potenza specifica superiore a 160 W/m2 ad una temperatura di funzionamento di 301 K (28 °C) sotto un flusso luminoso di 1 kW/m2 proveniente da un filamento di tungsteno portato a 2800 K (2527 °C);

2. condensatori con elevata capacità di immagazzinare energia, come segue: NB: VEDERE ANCHE 3A201.a.

2. a.

condensatori con cadenza di ripetizione inferiore a 10 Hz (condensatori a scarica in un solo colpo) aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. tensione nominale uguale o superiore a 5 kV;

2. densità di energia uguale o superiore a 250 J/kg e

3. energia totale uguale o superiore a 25 kJ;

condensatori con cadenza di ripetizione uguale o superiore a 10 Hz (a scariche successive) aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. tensione nominale uguale o superiore a 5 kV;

2. densità di energia uguale o superiore a 50 J/kg;

3. energia totale uguale o superiore a 100 J e

4. durata di vita uguale o superiore a 10000 cicli carica/scarica;

3. elettromagneti e solenoidi superconduttori appositamente progettati per un tempo di carica o di scarica completo inferiore ad un secondo, aventi tutte le caratteristiche seguenti: NB: VEDERE ANCHE 3A201.b. Nota: 3A001.e.3 non sottopone ad autorizzazione gli elettromagneti o i solenoidi superconduttori appositamente progettati per le apparecchiature medicali ad immagine a risonanza magnetica (MRI).

3. a.

energia fornita durante la scarica superiore a 10 kJ nel primo secondo;

diametro interno degli avvolgimenti percorsi da corrente superiore a 250 mm e

previsti per una induzione magnetica superiore a 8 T o per una densità di corrente globale nell'avvolgimento superiore a 300 A/mm2;

codificatori di posizione assoluta ad asse primario di tipo rotante, aventi una delle caratteristiche seguenti:

1. risoluzione migliore di 1 su 265000 (risoluzione di 18 bit) a fondo scala o

2. precisione migliore di ± 2,5 secondi d'arco.

apparecchiature di registrazione, come segue, e loro nastri di collaudo appositamente progettati:

1. registratori analogici per strumentazione a nastro magnetico, compresi quelli che consentono la registrazione di segnali numerici (ad es. mediante l'impiego di un modulo di registrazione numerica ad alta densità (HDDR), aventi una delle caratteristiche seguenti: Nota: i registratori analogici a nastro magnetico appositamente progettati per usi di videoregistrazione civili non sono considerati registratori per strumentazione a nastro.

1. a.

banda passante superiore a 4 MHz per canale elettronico o pista;

banda passante superiore a 2 MHz per canale elettronico o pista ed aventi più di 42 piste o

errore (di base) di spostamento del tempo, misurato in conformità ai documenti IRIG o EIA pertinenti, inferiore a ± 0,1 μs;

2. registratori numerici video a nastro magnetico con velocità di trasferimento numerico massimo di interfaccia superiore a 360 Mbit/s; Nota: 3A002.a.2 non sottopone ad autorizzazione i registratori numerici video a nastro magnetico appositamente progettati per la registrazione televisiva che utilizzano un formato di segnale che può includere un formato di segnale compresso, conforme alle norme e alle raccomandazioni dell'UIT, del CEI, della SMPTE, dell'UER, dell'ETSI o dell'IEEE relative alle applicazioni di televisione civile.

3. registratori numerici di dati per strumentazione a nastro magnetico che utilizzano tecniche di scansione elicoidale o tecniche con testine fisse, aventi una delle caratteristiche seguenti: Nota: 3A002.a.3 non sottopone ad autorizzazione i registratori analogici a nastro magnetico equipaggiati con elettronica di conversione HDDR e configurati per registrare solo dati numerici.

3. a.

velocità di trasferimento numerico massima di interfaccia superiore a 175 Mbit/s o

qualificati per impiego spaziale;

4. apparecchiature con velocità di trasferimento numerico massima di interfaccia superiore a 175 Mbit/s, progettate per trasformare i registratori numerici video a nastro magnetico in registratori numerici di dati per strumentazione;

5. Nota tecnica:

digitalizzatori di forme d'onda e registratori di transitori, aventi tutte le caratteristiche seguenti: per gli strumenti aventi una architettura a bus parallelo, il flusso continuo è la velocità di parola più elevata moltiplicata per il numero di bit in una parola. Il flusso continuo è il flusso più veloce dei dati che lo strumento può immagazzinare nella memoria di massa senza alcuna perdita di informazione mentre assicura la velocità di campionamento e la conversione analogico digitale.

5. a.

velocità di digitalizzazione uguale o superiore a 200 milioni di campioni al secondo e risoluzione di 10 bit o più e

flusso continuo di 2 Gbit/s o più.

6. registratori numerici di dati per strumentazione che utilizzano tecniche di immagazzinamento su disco magnetico, aventi tutte le caratteristiche seguenti:

6. a.

velocità di digitalizzazione uguale o superiore a 100 milioni di campioni al secondo e risoluzione di 8 bit o più; e

flusso di 1 Gbit/s o più;

assiemi elettronicisintetizzatori di frequenza aventi tempo di commutazione della frequenza, da una frequenza selezionata ad un'altra, inferiore a 1 ms;

analizzatori di segnali di radiofrequenze, come segue:

1. in grado di analizzare frequenze superiori a 31,8 GHz ma non superiori a 37,5 GHz e con banda passante di risoluzione a 3 dB superiore a 10 MHz;

2. analizzatori di segnali in grado di analizzare frequenze superiori a 43,5 GHz;

3. analizzatori dinamici di segnali con banda passante in tempo reale superiore a 500 kHz; Nota: 3A002.c.3 non sottopone ad autorizzazione gli analizzatori dinamici di segnali che utilizzano solo filtri di banda passante a percentuale costante (noti anche come filtri di ottava o filtri di frazioni di ottava).

generatori di segnali a sintetizzazione di frequenza in grado di produrre frequenze di uscita la cui stabilità a breve e a lungo termine e precisione sono controllate derivate o regolate dalla frequenza campione interna ed aventi una delle caratteristiche seguenti: Nota: 3A002.d non sottopone ad autorizzazione le apparecchiature nelle quali la frequenza di uscita è prodotta dalla addizione o dalla sottrazione di due o più frequenze ottenute da oscillatori a quarzo, o dalla addizione o dalla sottrazione seguita da una moltiplicazione del risultato.

1. frequenza massima sintetizzata superiore a 31,8 GHz ma non superiore a 43,5 GHz e previsti per generare una durata dell'impulso inferiore a 100 ns;

2. frequenza massima sintetizzata superiore a 43,5 GHz;

3. tempo di commutazione della frequenza, da una frequenza selezionata ad un'altra, inferiore a 1 ms o

4. Nota tecnica:

rumore di fase in banda laterale unica (SSB) migliore di – (126 + 20 log10F-20 log10f), espresso in dBc/Hz, dove F rappresenta lo spostamento espresso in Hz rispetto alla frequenza di funzionamento e f la frequenza di funzionamento espressa in MHz; ai fini del 3A002.d.1. la durata dell'impulso è definita come l'intervallo di tempo compreso tra il fronte ascendente dell'impulso che raggiunge il 90 % del picco e il fronte discendente dell'impulso che raggiunge il 10 % del picco.

analizzatori di rete con frequenza massima di funzionamento superiore a 43,5 GHz;

ricevitori di collaudo a microonde aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. frequenza di funzionamento massima superiore a 43,5 GHz; e

2. in grado di misurare simultaneamente l'ampiezza e la fase;

campioni di frequenza atomici aventi una delle caratteristiche seguenti: Nota: 3A002.g.1 non sottopone ad autorizzazione i campioni di frequenza al rubidio non qualificati per impiego spaziale.

1. stabilità a lungo termine (invecchiamento) inferiore a (migliore di) 1 × 10– 11/mese o

2. qualificati per impiego spaziale.

convertitori analogico-numerici, utilizzabili in missili, progettati per rispondere alle specifiche militari per apparecchiature rinforzate;

acceleratori in grado di fornire radiazione elettromagnetica, prodotta per radiazione di frenamento (bremsstrahlung) di elettroni accelerati, uguale o superiore a 2 MeV, e sistemi contenenti tali acceleratori. Nota: 3A101.b non specifica le apparecchiature appositamente progettate per usi medicali.

condensatori aventi una delle serie di caratteristiche seguenti:

1. a.

tensione nominale superiore a 1,4 kV,

capacità di immagazzinare energia superiore a 10 J,

capacità superiore a 0,5 μF e

induttanza serie inferiore a 50 nH o

2. a.

tensione nominale superiore a 750 V,

capacità superiore a 0,25 μF e

induttanza serie inferiore a 10 nH;

elettromagneti a bobina superconduttrice aventi tutte le caratteristiche seguenti: Nota: 3A201.b non sottopone ad autorizzazione i magneti appositamente progettati ed esportati come parte dei sistemi di immagine della risonanza magnetica nucleare per applicazioni medicali. Il termine come parte dei non significa necessariamente parte fisica nella stessa spedizione. Sono consentite spedizioni separate da diverse provenienze a condizione che i relativi documenti di esportazione dichiarino in maniera esplicita che le spedizioni sono effettuate come parte dei sistemi a immagine.

1. in grado di produrre campi magnetici superiori a 2 T;

2. rapporto lunghezza-diametro interno maggiore di 2;

3. diametro interno superiore a 300 mm e

4. uniformità del campo magnetico migliore dell'1% sul 50 % della parte centrale del volume interno;

c. Nota tecnica:

generatori di raggi X con scarica a lampo o acceleratori di elettroni ad impulsi aventi una delle due serie di caratteristiche seguenti: Nota: 3A201.c non sottopone ad autorizzazione gli acceleratori che sono parti componenti di dispositivi progettati per scopi diversi dal fascio elettronico o dalla radiazione a raggi X (ad es. microscopi elettronici) e quelli progettati per impieghi medicali.

1. a.

energia di picco dell'acceleratore di elettroni uguale o superiore a 500 keV ma inferiore a 25 MeV; e

cifra di merito (K) uguale o superiore a 0,25 o

2. a.

energia di picco dell'acceleratore di 25 MeV o superiore e

potenza di picco superiore a 50 MW.

c. Nota tecnica:

1. la cifra di merito K è definita come segue: K = 1,7 ×10^3V^2,65Q V è l'energia di picco dell'elettrone espressa in milioni di eV. Se la durata dell'impulso del fascio acceleratore è inferiore o uguale a 1 μs, Q è la carica totale accelerata espressa in coulomb. Se la durata dell'impulso del fascio acceleratore è superiore a 1 μs.Q è la carica accelerata massima in 1 μs. Q è uguale all'integrale di i rispetto a t scegliendo per t il valore più piccolo tra 1 μs e la durata dell'impulso del fascio (Q = ∫idt) i cui i è la corrente del fascio espressa in ampère e t è il tempo espresso in secondi.

2. potenza di picco = (potenziale di picco espresso in Volt) × (corrente di picco del fascio espressa in ampère).

3. Nelle macchine basate su cavità di accelerazione a microonde, la durata dell'impulso del fascio è il valore più piccolo tra 1 μs e la durata del pacchetto di un fascio a pacchetti risultante da un impulso di un modulatore a microonde.

4. Nelle macchine basate su cavità di accelerazione a microonde, la corrente di picco del fascio è la corrente media nella durata di tempo di un pacchetto di un fascio a pacchetti.

uscita polifase in grado di erogare una potenza uguale o superiore a 40 W;

in grado di funzionare in una gamma di frequenze comprese tra 600 Hz e 2000 Hz;

distorsione armonica totale migliore (inferiore) del 10 % e

controllo di frequenza migliore (inferiore) dello 0,1 %.

3ASistemi, apparecchiature e componenti Nota tecnica: a.

in grado di erogare costantemente, per un periodo di 8 ore, una tensione uguale o superiore a 100 V con corrente di uscita uguale o superiore a 500 A e

stabilità della tensione o della corrente migliore dello 0,1 % per un periodo di 8 ore.

in grado di erogare costantemente, per un periodo di 8 ore, una tensione uguale o superiore a 20 kV con corrente di uscita uguale o superiore a 1 A e

stabilità della tensione o della corrente migliore dello 0,1 % per un periodo di 8 ore.

tubi a catodo freddo riempiti o meno di gas, con funzionamento simile a quello di uno spinterometro ed aventi tutte le caratteristiche seguenti: Nota: 3A228 comprende i tubi a gas tipo Krytron e i tubi a vuoto tipo Sprytron.

1. contenenti tre o più elettrodi;

2. tensione anodica nominale massima di picco uguale o superiore a 2,5 kV;

3. corrente anodica nominale di picco uguale o superiore a 100 A e

4. tempo di ritardo anodico uguale o inferiore a 10 μs e

scintillatori ad impluso aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. tempo di ritardo anodico uguale o inferiore a 15 μs e

2. corrente nominale di picco uguale o inferiore a 500 A;

moduli o assiemi con funzioni di commutazione rapida aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. tensione anodica nominale di picco superiore a 2 kV;

2. corrente anodica nominale di picco uguale o superiore a 500 A e

3. tempo di accensione uguale o inferiore a 1 μs.

apparecchi di innesco per detonatori ad esplosioni progettati per azionare detonatori multipli sottoposti ad autorizzazione specificati in 3A232;

b. Nota tecnica:

generatori modulari di impulso elettrico (pulsers) aventi tutte le caratteristiche seguenti: Nota: 3A229.b comprende le unità di comando delle lampade con lampo allo xenon. in 3A229.b.5 il tempo di salita è definito come l'intervallo di tempo per passare dal 10 % al 90 % del valore d'ampiezza della corrente su un carico resistivo.

1. progettati per uso portatile, mobile o corazzato;

2. racchiusi in un contenitore a tenuta di polvere;

3. in grado di trasferire la loro energia in un tempo inferiore a 15 μs;

4. corrente di uscita superiore a 100 A;

5. tempo di salita inferiore a 10 μs su un carico minore di 40 ohm;

6. dimensioni non superiori a 254 mm;

7. peso inferiore a 25 kg e

8. specificati per funzionare in una gamma estesa di temperatura da 223 K (– 50 °C) a 373 K (100 °C) o specificati come idonei per applicazioni aerospaziali.

tensioni di uscita superiori a 6 V su un carico resistivo inferiore a 55 ohm e

tempo di transizione dell'impulso inferiore a 500 ps.

3ASistemi, apparecchiature e componenti Nota tecnica: Nota tecnica: a.

progettati per funzionare senza sistema esterno a vuoto e

utilizzanti accelerazione elettrostatica per provocare una reazione nucleare trizio-deuterio.

detonatori esplosivi azionati elettricamente, come segue:

1. a ponte esplodente (EB);

2. a filo esplodente (EBW);

3. trasmettitore d'impulso (slapper);

4. a lamina esplodente (EFI);

congegni che utilizzano detonatori singoli o multipli progettati per innescare quasi simultaneamente una superficie esplosiva superiore ai 5000 mm2 con un unico segnale di accensione con un tempo di innesco, in tutta la superficie, inferiore a 2,5 μs.

3ASistemi, apparecchiature e componenti Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: a.

spettrometri di massa a plasma ad accoppiamento induttivo (ICP/MS);

spettrometri di massa con scarica a bagliore (GDMS);

spettrometri di massa a ionizzazione termica (TIMS);

spettrometri di massa a bombardamento di elettroni aventi una camera sorgente costruita, placcata o rivestita con materiali resistenti all'UF6;

spettrometri di massa a fascio molecolare aventi una delle caratteristiche seguenti:

1. camera sorgente costruita, placcata o rivestita con acciaio inossidabile o molibdeno ed equipaggiati con una trappola a freddo in grado di raffreddare ad una temperatura uguale o inferiore a 193 K (– 80 °C) o

2. camera sorgente costruita, placcata o rivestita con materiali resistenti all'UF6;

spettrometri di massa equipaggiati con una sorgente ionica di microfluorurazione progettati per attinidi o fluoruri di attinidi.

3BApparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione

3B001Apparecchiature per la fabbricazione di dispositivi o di materiali semiconduttori, come segue, e loro componenti ed accessori appositamente progettati: 3B002Apparecchiature di collaudo appositamente progettate per collaudare dispositivi semiconduttori finiti o non finiti, come segue, e loro componenti e accessori appositamente progettati:

apparecchiature progettate per la crescita epitassiale, come segue:

1. apparecchiature in grado di realizzare uno strato di qualsiasi materiale diverso dal silicio con unformità di spessore entro ± 2,5 % lungo una distanza di 75 mm o più;

2. reattori di deposito in fase di vapore di elementi chimici organo-metallici (MOCVD) appositamente progettati per la crescita di cristalli semiconduttori composti mediante reazione chimica tra materiali specificati in 3C003 o 3C004;

3. apparecchiature di crescita epitassiale a fascio molecolare che utilizzano sorgenti gassose o solide;

apparecchiature progettate per l'impiantazione ionica, aventi una delle caratteristiche seguenti:

1. energia del fascio (tensione di accelerazione) superiore a 1 MeV;

2. appositamente progettate ed ottimizzate per funzionare con una energia del fascio (tensione di accelerazione) inferiore a 2 keV;

3. capacità di scrittura diretta o

4. energia del fascio uguale o superiore a 65 keV e corrente del fascio uguale o superiore a 45 mA in grado di impiantare ad alta energia ossigeno in un substrato di materiale semiconduttore riscaldato;

apparecchiature di incisione con metodi a secco anisotropi a plasma, come segue:

1. apparecchiature con funzionamento da cassetta a cassetta e a camera di trasferimento ed aventi una delle caratteristiche seguenti:

1. a.

progettate od ottimizzate per produrre dimensioni critiche uguali o inferiori a 180 nm con una precisione pari a ± 5 % (3 sigma) o

progettate per generare meno di 0,04 particelle/cm2 con dimensione delle particelle misurabile avente diametro maggiore di 0,1 μm;

2. apparecchiature appositamente progettate per le apparecchiature specificate in 3B001.e ed aventi una delle caratteristiche seguenti:

2. a.

progettate od ottimizzate per produrre dimensioni critiche uguali o inferiori a 180 nm con una precisione pari a ± 5 % (3 sigma) o

progettate per generare meno di 0,04 particelle/cm2 con dimensione delle particelle misurabile avente diametro maggiore di 0,1 μm;

apparecchiature per la deposizione in fase di vapore di elementi chimici (CVD) potenziato a plasma, come segue:

1. apparecchiature con funzionamento da cassetta a cassetta e a camera di trasferimento, progettate secondo le specifiche del costruttore o ottimizzate per l'uso nella produzione di dispositivi semiconduttori con dimensioni critiche uguali o inferiori a 180 nm;

2. apparecchiature appositamente progettate per le apparecchiature sottoposte ad autorizzazione in 3B001.e, progettate secondo le specifiche del costruttore o ottimizzate per l'uso nella produzione di dispositivi semiconduttori con dimensioni critiche uguali o inferiori a 180 nm;

sistemi centrali a camere multiple di manipolazione di fette a caricamento automatico aventi tutte le caratteristiche seguenti: Nota: 3B001.e non sottopone ad autorizzazione i sistemi robotizzati automatici di manipolazione delle fette non progettati per funzionare in ambiente sotto vuoto.

1. interfacce per l'ingresso e l'uscita delle fette, cui devono essere collegate più di due apparecchiature di trattamento di semiconduttori e

2. progettati in modo da formare un sistema integrato per il trattamento sequenziale multiplo delle fette in un ambiente sotto vuoto;

apparecchiature di litografia, come segue:

1. apparecchiature di allineamento e di esposizione a ripetizione in sequenza (sequenza continua sulla fetta) o di scansione in sequenza (scanner) per il trattamento delle fette che utilizzano metodi foto-ottici o a raggi X, aventi una delle caratteristiche seguenti:

1. a.

lunghezza d'onda della sorgente luminosa inferiore a 245 nm o

b. Nota tecnica:

in grado di produrre un tracciato in cui la dimensione dell'elemento di risoluzione minimo (ERM) è uguale o inferiore a 180 nm; la dimensione dell'elemento di risoluzione minimo è calcolata con la formula seguente: ERM = lunghezza d'onda della sorgente luminosa di esposizione in nm × fattore Kapertura numerica dove il fattore K = 0,45. ERM = dimensione dell'elemento di risoluzione minimo.

2. apparecchiature appositamente progettate per la produzione di maschere o per il trattamento di dispositivi semiconduttori, utilizzanti un fascio elettronico focalizzato deflesso, un fascio ionico o un fascio laser, aventi una delle caratteristiche seguenti:

2. a.

dimensione del punto del fascio inferiore a 0,2 μm;

in grado di produrre un tracciato con dimensione del tratto inferiore a 1 μm o

precisione di sovrapposizione migliore di ± 0,20 μm (3 sigma);

maschere e reticoli progettati per i circuiti integrati specificati in 3A001;

maschere multistrato con uno strato a spostamento di fase. Nota: 3B001.h. non sottopone ad autorizzazione le maschere multistrato con uno strato a spostamento di fase progettate per la fabbricazione di dispositivi di memoria non sottoposti ad autorizzazione in 3A001.

per il collaudo dei parametri S dei dispositivi a transistor a frequenze superiori a 31,8 GHz;

non utilizzato;

per il collaudo di circuiti integrati a microonde specificati in 3A001.b.2.

3CMateriali 3C001Materiali etero-epitassiali consistenti di un substrato con strati multipli sovrapposti ottenuti per crescita epitassiale di uno degli elementi seguenti; 3C002Resine fotosensibili (resist) come segue, e substrati rivestiti di resine fotosensibili sottoposte ad autorizzazione: 3C003Composti organici-inorganici come segue: Nota: 3C003 sottopone ad autorizzazione solo i composti il cui elemento metallico, parzialmente metallico o non metallico è direttamente legato al carbonio nella parte organica della molecola. 3C004Idruri di fosforo, di arsenico o di antimonio, aventi una purezza superiore al 99,999 %, anche se diluiti in gas inerti o idrogeno. Nota: 3C004 non sottopone ad autorizzazione gli idruri contenenti il 20 % molare o più di gas inerti o di idrogeno.

3CMateriali a.

silicio,

germanio,

carburo di silicio, o

d. Nota tecnica:

composti III/V di gallio o di indio. i composti III/V sono prodotti policristallini o monocristallini binari o complessi costituiti di elementi dei gruppi IIIA e VA della tavola di classificazione periodica di Mendeleyev (per es. arseniuro di gallio, arseniuro di gallio-alluminio, fosfuro di indio).

resine fotosensibili (resist) positive progettate per litografia di semiconduttori appositamente adattate (ottimizzate) per l'impiego con lunghezze d'onda inferiori a 350 nm;

tutte le resine fotosensibili (resist) progettate per essere utilizzate sotto l'effetto di fasci elettronici o ionici, aventi sensibilità di 0,01 microcoulomb/mm2 o migliore;

tutte le resine fotosensibili (resist) progettate per essere utilizzate sotto l'effetto di raggi X, aventi sensibilità di 2,5 mJ/mm2 o migliore;

d. Nota tecnica:

tutte le resine fotosensibili (resist) ottimizzate per tecnologie di formazione di immagini di superficie, comprese le resine fotosensibili a sililazione. le tecniche di sililazione sono processi che comportano l'ossidazione della superficie della resina fotosensibile per migliorare le prestazioni di sviluppo sia umido che a secco.

composti metallo-organici di alluminio, gallio o indio aventi una purezza (purezza del metallo) superiore al 99,999 %;

composti organici di arsenico, antimonio e fosforo aventi una purezza (purezza dell'elemento inorganico) superiore al 99,999 %.

3DSoftware Nota tecnica:

3D001Software appositamente progettato per lo sviluppo o la produzione di apparecchiature specificate in 3A001.b fino a 3A002.g o in 3B. 3D002Software appositamente progettato per l'utilizzazione di una delle apparecchiature seguenti: 3D003Software di simulazione basato sulla fisica appositamente progettato per lo sviluppo di processi di litografia, di attacco o di deposizione per trasformare dei tracciati di maschere in specifici tracciati topografici nei materiali conduttori, dielettrici o semiconduttori. per basato sulla fisica in 3.D003 si intende l'utilizzo di calcoli per determinare una sequenza di eventi fisici causa-effetto basati su proprietà fisiche (ad es. temperatura, pressione, costanti di diffusione e proprietà dei materiali semiconduttori). Nota: sono considerati tecnologia le biblioteche, le caratteristiche di progettazione o i dati associati per la progettazione di dispositivi semiconduttori o di circuiti integrati. 3D004Software appositamente progettato per lo sviluppo di apparecchiature specificate in 3A003. 3D101Software appositamente progettato o modificato per l'utilizzazione di apparecchiature specificate in 3A101.b.

3DSoftware a.

apparecchiature specificate in 3B001.a fino a 3B001.f.; o

apparecchiature specificate in 3B002.

3ETecnologia Nota tecnica:

3E001Tecnologia in conformità alla nota generale sulla tecnologia, per lo sviluppo o la produzione di apparecchiature o materiali specificati in 3A, 3B o 3C. Nota 1: 3E001 non sottopone ad autorizzazione la tecnologia per la produzione di apparecchiature o componenti sottoposti ad autorizzazione in 3A003. Nota 2: 3E001 non sottopone ad autorizzazione la tecnologia per lo sviluppo o la produzione di circuiti integrati specificati in 3A001.a.3 fino a 3A001.a.12, aventi tutte le caratteristiche seguenti: il termine strutture multistrato non comprende dispositivi che incorporano un massimo di tre strati metallici e tre strati di silicio policristallino. 3E002Tecnologia in conformità alla nota generale sulla tecnologia diversa da quella specificata in 3E001 per lo sviluppo o la produzione di microcircuiti microprocessori, microcircuiti microcalcolatori e microcircuiti microcontrollori con una prestazione tecnica composita (PTC) uguale o superiore a 530 milioni di operazioni teoriche al secondo (Mopt/s) e unità logica aritmetica con larghezza di accesso uguale o superiore a 32 bit. Nota: la nota di dispensa dell'autorizzazione n. 2 di cui al 3E001 si applica anche al 3E002. 3E003Altre tecnologie per lo sviluppo o la produzione di: 3E101Tecnologia in conformità alla nota generale sulla tecnologia, per l'utilizzazione di apparecchiature o di software specificati in 3A001.a.1 o 3A001.a.2, 3A101 o 3D101. 3E102Tecnologia in conformità alla nota generale sulla tecnologia, per lo sviluppo di software specificato in 3D101. 3E201Tecnologia in conformità alla nota generale sulla tecnologia, per l'utilizzazione di apparecchiature specificate in 3A001.e.2, 3A001.e.3, 3A201, 3A225 fino a 3A233.

3ETecnologia

1. impiego della tecnologia di 0,5 μm o più e

2. senza incorporazione di strutture multistrato.

3ETecnologia Nota tecnica: a.

dispositivi microelettronici sotto vuoto;

dispositivi semiconduttori a struttura eterogenea quali i transistori ad elevata mobilità di elettroni (HEMT), i transistori etero bipolari (HBT), i dispositivi a pozzo quantico e a super reticolo; Nota: 3E003.b. non sottopone ad autorizzazione la tecnologia per transistori ad elevata mobilità di elettroni (HEMT) in grado di funzionare a frequenze inferiori a 31,8 GHz e per transistori bipolari ad eterogiunzione (HBT) in grado di operare a frequenze inferiori a 31,8 GHz.

dispositivi elettronici superconduttori;

substrati di film di diamante per componenti elettronici;

substrati di silicio su isolante (SOI) per circuiti integrati in cui l'isolante è il biossido di silicio;

substrati di carburo di silicio per componenti elettronici;

tubi elettronici a vuoto in grado di funzionare a frequenze pari o superiori a 31,8 GHz.

CATEGORIA 4 CALCOLATORI

Nota 1: i calcolatori, le apparecchiature collegate e il software che assicurano funzioni di telecomunicazioni o di reti locali devono essere valutati anche a fronte delle caratteristiche di prestazione della categoria 5, parte 1. (Telecomunicazioni). Nota 2: le unità di controllo che assicurano una interconnessione diretta dei bus o dei canali di unità centrale di trattamento, di memoria principale o di unità di controllo di dischi non sono considerate come apparecchiature di telecomunicazione descritte nella categoria 5, parte 1 (Telecomunicazioni). NB: per le condizioni di esportabilità del software appositamente progettato per la commutazione di pacchetto, vedere 5D001. Nota 3: i calcolatori, le apparecchiature collegate e il software che assicurano funzioni crittografiche, crittoanalitiche, di sicurezza certificabile a più livelli o di isolamento certificabile dell’utilizzatore, o che limitano la compatibilità elettromagnetica (EMC), devono essere valutati anche a fronte delle caratteristiche di prestazione definite nella categoria 5, parte 2 (Sicurezza dell’informazione).

4ASistemi, apparecchiature e componenti

4A001Calcolatori elettronici ed apparecchiature collegate, come segue, e loro assiemi elettronici e loro componenti appositamente progettati: NB: VEDERE ANCHE 4A101. 4A003Calcolatori numerici, assiemi elettronici e loro apparecchiature collegate, come segue, e loro componenti appositamente progettati: Nota 1: 4A003 comprende quanto segue: Nota 2: la condizione di esportabilità dei calcolatori numerici e delle apparecchiature collegate descritti in 4A003 è determinata dalle condizioni di esportabilità di altre apparecchiature o sistemi, a condizione che: 4A004Calcolatori, come segue e loro apparecchiature collegate, assiemi elettronici e componenti appositamente progettati: 4A101Calcolatori analogici, calcolatori numerici o analizzatori differenziali numerici, diversi da quelli specificati in 4A001.a.1, di tipo rinforzato e progettati o modificati per essere utilizzati nei veicoli di lancio nello spazio specificati in 9A004 o nei razzi sonda specificati in 9A104. 4A102Calcolatori ibridi appositamente progettati per modellare, simulare o effettuare l'integrazione di progetto dei veicoli di lancio nello spazio specificati in 9A004 o dei razzi sonda specificati in 9A104. Nota: l’autorizzazione per l’esportazione delle apparecchiature specificate in 4A102 deve essere richiesta solo se tali apparecchiature sono fornite con il software specificato in 7D103 o 9D103.

appositamente progettati per presentare una delle caratteristiche seguenti:

1. previsti per funzionare ad una temperatura ambiente inferiore a 228 K (– 45 °C) o superiore a 358 K (85 °C); Nota: 4A001.a.1 non si applica ai calcolatori appositamente progettati per applicazioni automobilistiche o ferroviarie civili.

2. capacità di resistere a livelli di radiazione superiori ad uno dei valori seguenti: a. dose totale 5 × 103 Gy (Si), b. tasso della dose 5 × 106 Gy (Si)/s o c. variazione dell’evento singolo 1 × 10–7 errore/bit/giorno;

aventi caratteristiche o in grado di svolgere funzioni superiori ai limiti definiti nella categoria 5, parte 2 (Sicurezza dell’informazione). Nota: 4A001.b non sottopone ad autorizzazione i calcolatori elettronici e le apparecchiature collegate al seguito dell’utilizzatore e destinati ad uso personale.

processori vettoriali,

processori matriciali,

processori numerici di segnale,

processori logici,

apparecchiature progettate per il miglioramento dell’immagine,

apparecchiature progettate per il trattamento del segnale.

i calcolatori numerici o apparecchiature collegate siano essenziali al funzionamento delle altre apparecchiature o sistemi;

i calcolatori numerici o apparecchiature collegate non siano un elemento principale delle altre apparecchiature o sistemi e NB 1: la condizione di esportabilità di apparecchiature per il trattamento del segnale o il miglioramento dell’immagine appositamente progettate per altre apparecchiature ed aventi funzioni limitate a quelle necessarie al funzionamento di queste ultime apparecchiature è determinata dalla condizione di esportabilità di queste ultime apparecchiature anche se le apparecchiature eccedono il criterio di elemento principale. NB 2: la condizione di esportabilità di calcolatori numerici o apparecchiature collegate per le apparecchiature di telecomunicazione è regolata dalla categoria 5, parte 1 (Telecomunicazioni).

la tecnologia relativa ai calcolatori numerici e apparecchiature collegate sia determinata dal 4E;

progettati o modificati per la tolleranza ai guasti; Nota: ai fini del 4A003.a, i calcolatori numerici e le apparecchiature collegate non sono considerati progettati o modificati per la tolleranza ai guasti se usano uno degli elementi seguenti:

1. algoritmi di rivelazione o di correzione di errori nella memoria centrale;

2. l’interconnessione di due calcolatori numerici, in modo che se l’unità centrale di trattamento in attività va in avaria, l’altra unità centrale di trattamento inattiva ma speculare permette al sistema di continuare a funzionare;

3. l’interconnessione di due unità centrali di trattamento tramite canali di dati o tramite l’impiego di una memoria ripartita, in modo da consentire ad un’unità centrale di trattamento di effettuare altri compiti fino a quando la seconda unità centrale non vada in avaria; in quel momento la prima unità centrale di trattamento subentra all’altra consentendo al sistema di continuare a funzionare o

4. la sincronizzazione di due unità centrali di trattamento per mezzo di software, in modo che un’unità centrale di trattamento sappia quando l’altra unità centrale è in avaria e ne assuma i compiti.

calcolatori numerici aventi una prestazione di picco adattata (APP) superiore a 0,75 teraflop ponderati (WT);

assiemi elettronici appositamente progettati o modificati per essere in grado di migliorare la prestazione mediante aggregazione di processori in modo che la APP dell’aggregazione superi i limiti di cui in 4A003.b; Nota 1: 4A003.c si applica solo agli assiemi elettronici e interconnessioni programmabili che non superano i limiti previsti in 4A003.b, quando spediti come assiemi elettronici non integrati. Ciò non si applica agli assiemi elettronici intrinsecamente limitati per la natura della loro progettazione, per essere impiegati come apparecchiature collegate specificate in 4A003.e. Nota 2: 4A003.c non sottopone ad autorizzazione gli assiemi elettronici appositamente progettati per un prodotto o una famiglia di prodotti la cui configurazione massima non supera i limiti specificati in 4A003.b.

soppresso;

apparecchiature che effettuano conversioni analogico-numeriche che superano i limiti specificati in 3A001.a.5;

soppresso;

apparecchiature appositamente progettate per effettuare l’interconnessione esterna di calcolatori numerici o apparecchiature associate in grado di consentire comunicazioni con una velocità di trasmissione dati superiore a 1,25 Gbyte/s. Nota: 4A003.g non sottopone ad autorizzazione le apparecchiature di interconnessione interne (cioè pannelli posteriori, bus) le apparecchiature di interconnessione passiva le unità di controllo di accesso alla rete o controllori di canale di comunicazioni.

calcolatori a reti sistoliche,

calcolatori neurali,

calcolatori ottici.

4BApparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione

Nessuno.

4CMateriali Nessuno.

4DSoftware Nota: la condizione di esportabilità del software per lo sviluppo, produzione o utilizzazione di apparecchiature descritte in altre categorie è trattata dalla categoria pertinente. La condizione di esportabilità del software per le apparecchiature descritte nella categoria 4 è trattata dalla presente categoria. 4D002Software appositamente progettato o modificato a supporto della tecnologia specificata in 4E. 4D003Software specifico come segue:

4DSoftware

4D001a. Software appositamente progettato o modificato per lo sviluppo, la produzione o l’utilizzazione di apparecchiature o software specificati in 4A001 fino a 4A004 o in 4D.

Software diverso da quello specificato in 4D001.a., appositamente progettato o modificato per lo sviluppo o la produzione di:

1. calcolatori numerici aventi una prestazione di picco adattata (APP) superiore a 0,04 teraflop ponderati (WT); o

2. assiemi elettronici appositamente progettati o modificati per essere in grado di migliorare la prestazione mediante aggregazione di processori in modo che la APP dell’aggregazione superi i limiti di cui in 4D001.b.1.;

software di sistema operativo, strumenti di sviluppo software e compilatori appositamente progettati per apparecchiature di trattamento di flussi multipli di dati, in codice sorgente;

soppresso;

software le cui caratteristiche o funzioni eseguite superano i limiti di cui alla Categoria 5, Parte 2 (Sicurezza dell’informazione); Nota: 4D003.c. non sottopone ad autorizzazione il software che accompagna l’utente ed è destinato all’uso personale di quest’ultimo.

4ETecnologia

4E001a. Tecnologia in conformità alla nota generale sulla tecnologia per lo sviluppo, la produzione o l'utilizzazione di apparecchiature o software specificati in 4A o in 4D.

Tecnologia diversa da quella specificata in 4E001.a., appositamente progettata o modificata per lo sviluppo o la produzione di:

1. calcolatori numerici aventi una prestazione di picco adattata (APP) superiore a 0,04 teraflop ponderati (WT); o

Nota tecnica relativa alla prestazione teorica composita (PTC) Abbreviazioni usate nella presente nota tecnica

EC elemento di calcolo (generalmente unità logica aritmetica) m virgola mobile f virgola fissa t tempo di esecuzione ORX OR esclusivo UCT unità centrale di trattamento PT prestazione teorica (di un EC) PTC prestazione teorica composita (di più EC) V velocità effettiva di calcolo LP lunghezza della parola L adattamento della lunghezza di parola * segno di moltiplicazione il tempo di esecuzione t è espresso in μs, la PT e la PTC sono espresse in Mopt/s (milioni di operazioni teoriche/s) e la lunghezza di parola è espressa in bit.

Schema del metodo di calcolo della PTC

La PTC è una misura della capacità di calcolo espressa in Mopt/s. Le tre operazioni seguenti sono necessarie per il calcolo della PTC di una aggregazione di elementi di calcolo (EC): I particolari per queste operazioni sono appresso indicati. Nota 1: per le aggregazioni di più EC che hanno sottosistemi con o senza condivisione di memoria, il calcolo della PTC sarà effettuato in modo gerarchico in due tempi: dapprima aggregare i gruppi di EC che condividono la memoria e poi calcolare la PTC dei gruppi che utilizzano il metodo di calcolo applicabile agli EC multipli che non condividono la memoria. Nota 2: gli EC che sono limitati alle funzioni entrata/uscita e alle funzioni periferiche (ad esempio le unità di controllo delle unità a disco, delle comunicazioni e delle unità video) non sono aggregate per il calcolo della PTC.

1. calcolare la velocità effettiva di calcolo (V) per ciascun EC;

2. applicare l’adattamento della lunghezza di parola (L) alla velocità effettiva di calcolo (V) per ottenere una prestazione teorica (PT) per ogni EC;

3. se esiste più di un EC combinare le PT risultanti in una PTC per l’aggregazione.

NOTA TECNICA RELATIVA ALLA PTC

La seguente tabella fornisce il metodo di calcolo della velocità effettiva di calcolo (V) per ciascun EC Operazione 1: Velocità effettiva di calcolo V Per elementi di calcolo che realizzano: Nota: ciascun EC deve essere valutato indipendentemente Velocità effettiva di calcolo V Solo operazioni in virgola fissa Vf = 13 × tf add in assenza di addizioni usare: Vf = 1tf molt in assenza di addizioni o moltiplicazioni usare l’operazione aritmetica più veloce disponibile come segue: Vf = 13 × tf Vedere le note X e Z Solo operazioni in virgola mobile Vm = max 1tm add, 1tm molt Vedere le note X e Y Operazioni in virgola fissa e virgola mobile Calcolare entrambe Vf, Vm Per i processori logici semplici che non effettuano alcuna delle operazioni aritmetiche specificate V = 13 × tlog tlog è il tempo di esecuzione dell’ORX o per l’entità logica che non effettua l’ORX, l’operazione logica semplice più veloce Vedere le note X e Z Per i processori logici speciali che non effettuano alcuna delle operazioni logiche o aritmetiche specificate V = V' × LP/64 V' è il numero dei risultati al secondo, LP è il numero dei bit sui quali si effettua l’operazione logica e 64 è un fattore di normalizzazione a 64 bit Nota W: per un EC pipeline in grado di eseguire almeno una operazione aritmetica o logica ogni ciclo di orologio dopo il riempimento del pipeline è possibile definire una velocità pipeline. La velocità di calcolo effettiva (V) per tale EC è la più veloce tra velocità pipeline o velocità di esecuzione non pipeline. Nota X: per un ECche esegue operazioni aritmetiche multiple di tipo specifico in un ciclo singolo (ad esempio due addizioni per ciclo o due operazioni logiche identiche per ciclo), il tempo di esecuzione t è il seguente: t =durata del ciclon. di operazioni identiche per ciclo macchina Gli EC che eseguono tipi diversi di operazioni aritmetiche o logiche in un solo ciclo macchina dovranno essere trattati come EC separati multipli che funzionano simultaneamente (ad esempio un EC che esegue una addizione ed una moltiplicazione in un ciclo deve essere trattato come due EC, il primo che esegue una addizione in un ciclo ed il secondo che esegue una moltiplicazione in un ciclo). Se un EC singolo ha sia la funzione scalare che vettoriale, utilizzare il valore del tempo di esecuzione più breve. Nota Y: se l'EC non esegue alcuna addizione in virgola mobile o moltiplicazione in virgola mobile, ma solo divisioni in virgola mobile: Vm = 1tm div Se l'EC esegue la funzione reciproca in virgola mobile ma non l’addizione in virgola mobile, la moltiplicazione in virgola mobile o la divisione in virgola mobile, allora: Vm = 1tm recip Se nessuna delle istruzioni specificate è eseguibile, la velocità effettiva in virgola mobile è uguale a zero. Nota Z: nelle operazioni logiche semplici, una istruzione singola effettua una manipolazione logica singola di non più di due operandi di una data lunghezza. Nelle operazioni logiche complesse, una istruzione singola effettua manipolazioni logiche multiple per produrre uno o più risultati a partire da due o più operandi. Le velocità dovranno essere calcolate per tutte le lunghezze di operando eseguibili considerando sia le operazioni pipeline (se presenti), sia le operazioni non pipeline usando l’istruzione di più rapida esecuzione per ciascuna lunghezza di operando basandosi su: In ciascuno dai casi sopra indicati, utilizzare il minor tempo di esecuzione certificato dal costruttore. Operazione 2: PT per ogni lunghezza di operando (LP) eseguibile Adattare la velocità effettiva di calcolo V (o V') in funzione dell’adattamento della lunghezza di parola L come segue: Nota: la lunghezza di parola LP adoperata nei calcoli anzidetti è la lunghezza in bit dell’operando (per operandi di lunghezze differenti, scegliere la maggiore lunghezza di parola). Per il calcolo della PTC, la combinazione di una unità logica aritmetica (ALU) a mantissa e di una unità logica aritmetica esponente in un processore o unità in virgola mobile è considerata come un EC avente una lunghezza di parola (LP) uguale al numero di bit nella rappresentazione dei dati (generalmente 32 o 64). Tale adattamento non va applicato ai processori logici specializzati che non usano istruzioni ORX. In questo caso PT = V. Selezionare il valore massimo di PT ottenuta per: Operazione 3: PTC per aggregazioni di EC, comprese le UCT Per una UCT avente un solo EC: PTC = PT [per gli EC che eseguono sia operazioni in virgola fissa che in virgola mobile, PT = max (PTm, PTf)] La PTC per le aggregazioni di più EC funzionanti simultaneamente viene calcolata come segue: Nota 1: per le aggregazioni che non permettono il funzionamento simultaneo di tutti gli EC, deve essere utilizzata la combinazione possibile di EC che fornisce il più elevato valore di PTC. La PT di ciascun EC implicato deve essere calcolata al suo valore massimo teoricamente possibile prima che la PTC della combinazione venga valutata. NB: per determinare le combinazioni possibili di EC che funzionano simultaneamente, generare una sequenza di istruzioni che dà inizio alle operazioni in EC multipli, iniziando con l'EC più lento (quello che necessita del maggior numero di cicli per completare la sua operazione) e finendo con l'EC più veloce. A ciascun ciclo della sequenza, la combinazione di EC che sono in funzionamento durante quel ciclo, è una combinazione possibile. La sequenza dell’istruzione deve tener conto di tutti i vincoli hardware e/o architetturali sulle operazioni in sovrapposizione. Nota 2: una singola piastrina di circuito integrato o una carta di circuiti integrati può contenere più EC. Nota 3: si suppone che esistano operazioni simultanee quando il costruttore del calcolatore dichiara in un manuale o in un opuscolo l’esistenza di funzionamento o di esecuzione in modo contemporaneo, parallelo o simultaneo del calcolatore. Nota 4: i valori di PTC non devono essere aggregati per combinazioni di EC (inter) connessi mediante reti locali, reti geografiche, connessioni/dispositivi condivisi di ingresso/uscita, controllori ingresso/uscita e qualsiasi interconnessione di comunicazioni realizzate da software. Nota 5: i valori di PTC devono essere aggregati per più EC appositamente progettati per aumentare le prestazioni mediante aggregazione, funzionamento simultaneo e condivisione di memoria, o combinazioni di EC a memoria multipla, funzionanti simultaneamente ed utilizzanti hardware appositamente progettato. Questa aggregazione non si applica agli assiemi elettronici descritti in 4A003.c. PTC = PT1 + C2 × PT2 + ... + Cn × PTn dove le PT sono ordinate per valore, per cui PT1 è il valore più elevato, PT2 il valore immediatamente inferiore e PTn è il valore più basso di PT. Ci è un coefficiente determinato dal peso dell’interconnessione fra gli EC, come segue: Per l’aggregazione di più EC che funzionano simultaneamente e condividono la memoria: Nota 1: se le PTC calcolate con il suddetto metodo non superano 194 Mopt/s, la formula seguente può essere utilizzata per calcolare Ci: Ci = 0,75m(i = 2,. . ., n) con m = il numero degli EC o gruppi di EC che condividono l’accesso, purché: Nota 2: gli EC condividono la memoria se accedono ad una sezione comune di memoria a semiconduttori. Tale memoria può includere memoria cache, memoria centrale o altra memoria interna. I dispositivi di memoria periferica come unità a disco o a nastro o dischi RAM non sono inclusi. Per più EC o gruppi di EC che non condividono la memoria ed interconnessi per mezzo di uno o più canali di dati: Ci il valore di Ci è basato sul numero degli EC e non sul numero dei nodi, essendo: ki min (Si/Kr, 1), e Kr fattore di normalizzazione di 20 MByte/s Si somma delle velocità dati massime (espressa in unità di MByte/s) per tutti i canali dati connessi all’iesimoEC o gruppo di EC che condividono la memoria. Nel calcolare un Ci per un gruppo di EC il numero del primo EC in un gruppo determina il particolare limite per Ci. Ad esempio, in una aggregazione di gruppi consistenti ciascuno di 3 EC, il 22° gruppo conterrà EC64, EC65 ed EC66. Il particolare limite per Ci per questo gruppo è 0,60. L’aggregazione (di EC o gruppi di EC) dovrebbe essere considerata a partire dal più veloce verso il più lento, cioè: nel caso di PTi = PTi+1 dal più grande al più piccolo, cioè: Nota: il fattore ki non deve essere applicato dal 2° al 12° EC se la PTi dell'EC o gruppo di EC è maggiore di 50 Mopt/s; cioè Ci per gli EC da 2 a 12 è 0,75.

1. Operazioni pipeline o da registro a registro. Escludere i tempi di esecuzione eccezionalmente brevi ottenuti per operazioni su un predeterminato operando o più operandi (ad esempio moltiplicazione per 0 o per 1). Se non sono eseguite operazioni da registro a registro, applicare il paragrafo 2.

2. La più veloce delle operazioni, da registro a memoria o da memoria a registro; se anche queste non esistono, applicare allora il paragrafo 3.

3. Operazioni da memoria a memoria.

PT = V × L con: L = (1/3 + LP/96)

ciascun EC soltanto in virgola fissa (Vf);

ciascun EC soltanto in virgola mobile (Vm);

ciascun EC in virgola fissa e mobile combinate (V);

ciascun processore logico semplice che non effettui alcuna delle operazioni aritmetiche specificate e

ciascun processore logico speciale che non effettui alcuna delle operazioni logiche o aritmetiche specificate.

C2 = C3 = C4 =...= Cn = 0,75

1. la PTi di ciascun EC o gruppo di EC non superi 30 Mopt/s

2. Gli EC o gruppi di EC condividano l’accesso alla memoria principale (ad esclusione della memoria cache) su un canale singolo e

3. In ogni dato momento solo un EC o gruppo di EC possano utilizzare il canale. NB: quanto sopra non si applica alle merci sottoposte ad autorizzazione nella categoria 3.

= 0,75 × ki (i = 2,...,32) (vedere nota sotto indicata)

= 0,60 × ki (i = 33,...,64)

= 0,45 × ki (i = 65,...,256)

= 0,30 × ki (i > 256)

PT1 ≥ PT2 ≥. . .≥ PTn, e

Ci ≥ Ci+1

NOTA TECNICA RELATIVA ALLA PRESTAZIONE DI PICCO ADATTATA (APP)

Per prestazione di picco adattata (APP) si intende la velocità di picco adattata alla quale i calcolatori numerici eseguono addizioni e moltiplicazioni in virgola mobile a 64 o più bit. La APP è espressa in teraflop ponderati (WT), in unità pari a 1012 operazioni al secondo adattate in virgola mobile. Abbreviazioni utilizzate nella presente nota tecnica n numero di processori nel calcolatore numerico i numero di processore (i,...n) ti tempo di ciclo del processore (ti = 1/Fi) Fi frequenza del processore Ri velocità di picco del calcolo in virgola mobile Wi coefficiente di adeguamento architettura Schema del metodo di calcolo della APP Nota 1: per i processori che eseguono operazioni composite in un ciclo, quali addizioni e moltiplicazioni, viene contata ciascuna operazione. Nota 2: per un processore pipeline, la velocità di calcolo effettiva R è la più veloce delle velocità pipeline, una volta che la pipeline è piena, oppure la velocità non pipeline. Nota 3: la velocità di calcolo R per ciascun processore che contribuisce al calcolo deve essere calcolata al suo valore massimo teoricamente possibile prima che la APP della combinazione venga valutata. Si suppone che esistano operazioni simultanee quando il costruttore del calcolatore dichiara in un manuale o in un opuscolo l'esistenza di funzionamento o di esecuzione in modo contemporaneo, parallelo o simultaneo del calcolatore. Nota 4: per il calcolo della APP non includere processori che sono limitati alle funzioni entrata/uscita e alle funzioni periferiche (ad esempio unità a disco, display di comunicazione e unità video). Nota 5: i valori di APP non devono essere calcolati per combinazioni di processori (inter)connessi mediante reti locali, reti geografiche, connessioni/dispositivi condivisi di ingresso/uscita, controllori ingresso/uscita e qualsiasi interconnessione di comunicazioni realizzate da software. Nota 6: i valori di APP devono essere calcolati per: Nota 7: per processore vettoriale si intende un processore con istruzioni incorporate che eseguono calcoli multipli su vettori in virgola mobile (matrici unidimensionalidi di 64 bit o numeri maggiori) simultaneamente, e che hanno almeno 2 unità funzionali vettoriali e almeno 8 registri vettoriali con non meno di 64 elementi ciascuno.

1. Nota per ciascun processore i, determinare il numero di picco delle operazioni in virgola mobile a 64 o più bit, FPOi, eseguite per ogni ciclo da ciascun processore nel calcolatore numerico. Nel determinare le FPO, includere solo addizioni e/o moltiplicazioni in virgola mobile a 64 o più bit. Tutte le operazioni in virgola mobile devono essere espresse come operazioni per ciclo del processore; le operazioni che richiedono cicli multipli possono essere espresse come risultati frazionari per ciclo. Per i processori che non sono in grado di eseguire calcoli su operandi in virgola mobile di 64 o più bit, la velocità di calcolo R effettiva è pari a zero.

2. calcolare la velocità in virgola mobile R per ciascun processore Ri = FPOi/ti.

3. calcolare APP come APP = W1 x R1 + W2 x R2 + … + Wn x Rn.

4. per processori vettoriali, Wi = 0,9; per processori non vettoriali, Wi = 0,3.

1. combinazioni di processori contenenti processori appositamente progettati per aumentare le prestazioni mediante aggregazione, funzionamento simultaneo e condivisione di memoria; o

2. combinazioni di memoria multipla/processori funzionanti simultaneamente e che utilizzano hardware appositamente progettato.

CATEGORIA 5 TELECOMUNICAZIONI E SICUREZZA DELL'INFORMAZIONE

PARTE 1 TELECOMUNICAZIONI

Nota 1: le condizioni di esportabilità di componenti, laser, apparecchiature di collaudo e di produzione e software appositamente progettati per apparecchiature o sistemi di telecomunicazione sono definite nella categoria 5, parte 1. Nota 2: i calcolatori numerici, i materiali collegati o il software, essenziali al funzionamento e supporto delle apparecchiature di telecomunicazione descritte nella presente categoria sono considerati componenti appositamente progettati a condizione che siano modelli standard normalmente forniti dal fabbricante. Questa disposizione si applica anche ai sistemi di calcolatori destinati al funzionamento, all'amministrazione, alla manutenzione, all'ingegneria o alla fatturazione.

5A1Sistemi, apparecchiature e componenti Nota tecnica:

5A101Apparecchiature di telemetria e di telecomando, comprese le apparecchiature a terra, progettate o modificate per missili; In 5A101 per missile si intendono sistemi completi a razzo e sistemi di veicoli aerei senza equipaggio con una portata superiore a 300 km. Nota: 5A101 non sottopone ad autorizzazione:

5A1Sistemi, apparecchiature e componenti

5A001a. Apparecchiature di telecomunicazione di qualsiasi tipo, aventi una delle caratteristiche, funzioni o elementi seguenti: Nota: 5A001.a.2 e 5A001.a.3 non sottopongono ad autorizzazione le apparecchiature progettate o modificate per essere utilizzate a bordo di satelliti.

5A001a.

1. appositamente progettate per resistere agli effetti transitori elettronici o agli effetti dell'impulso elettromagnetico entrambi conseguenti ad una esplosione nucleare;

2. appositamente resistenti alle radiazioni gamma, neutroniche o ioniche o

3. appositamente progettate per funzionare al di fuori della gamma di temperature da 218 K (– 55 ° C) a 397 K (124 ° C); Nota: 5A001.a.3 si applica solo alle apparecchiature elettroniche.

apparecchiature e sistemi di trasmissione di telecomunicazioni, e loro componenti ed accessori appositamente progettati, aventi una delle caratteristiche, funzioni o elementi seguenti:

1. sistemi di comunicazione subacquei aventi una delle caratteristiche seguenti:

1. a.

frequenza portante acustica situata al di fuori della gamma compresa tra 20 kHz e 60 kHz;

frequenza portante elettromagnetica inferiore a 30 kHz; o

impiego di tecniche elettroniche di orientamento del fascio;

2. apparecchiature radio funzionanti nella banda da 1,5 MHz a 87,5 MHz ed aventi una delle caratteristiche seguenti:

2. a.

incorporazione di tecniche adattive che assicurano la soppressione di un segnale interferente superiore a 15 dB o

aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. previsione e selezione automatica delle frequenze e velocità di trasferimento numeriche totali per canale al fine di ottimizzare la trasmissione e

2. incorporazione di una configurazione di un amplificatore di potenza lineare avente la capacità di trattare simultaneamente segnali multipli ad una potenza di uscita di 1 kW o più nella gamma di frequenza di 1,5 MHz o più, ma inferiore a 30 MHz o una potenza di 250 W o più nella gamma di frequenza di 30 MHz o più, ma non superiore a 87,5 MHz, su una banda passante istantanea di una ottava o più con un contenuto armonico di uscita e di distorsione migliore di – 80 dB;

3. apparecchiature radio basate su tecniche di spettro esteso, comprese le tecniche di salti di frequenza, diverse da quelle specificate in 5A001.b.4, ed aventi una delle caratteristiche seguenti: Nota: 5A001.b.3 non sottopone ad autorizzazione apparecchiature progettate per funzionare ad una potenza di uscita uguale o inferiore a 1,0 W.

3. a.

codici di estensione programmabili dall'utente o

banda passante totale di trasmissione di 100 o più volte superiore alla banda passante di uno qualunque dei canali di informazione e superiore a 50 kHz; Nota: 5A001.b.3.b non sottopone ad autorizzazione apparecchiature radio appositamente progettate per l'uso con sistemi di comunicazione radio cellulari civili.

4. apparecchiature radio basate su tecniche di modulazione a banda ultra larga e provviste di codici di canalizzazione, di rimescolamento, o di identificazione di rete programmabili dall'utente aventi una delle caratteristiche seguenti:

4. a.

banda passante superiore a 500 MHz; o

banda passante frazionaria uguale o superiore al 20 %;

5. ricevitori radio a controllo numerico aventi tutte le caratteristiche seguenti:

5. a.

più di 1000 canali;

tempo di commutazione della frequenza inferiore a 1 ms;

esplorazione o scansione automatica di una parte dello spettro elettromagnetico e

identificazione dei segnali ricevuti o del tipo di trasmettitore o Nota: 5A001.b.5 non sottopone ad autorizzazione apparecchiature radio appositamente progettate per l'uso con sistemi di comunicazione radio cellulari civili.

6. Note tecniche:

che utilizzano funzioni di trattamento del segnale numerico onde assicurare la codifica della voce in uscita a velocità inferiori a 2400 bit/s;

1. Per la codifica della voce a velocità variabile, 5A001.b.6. si applica alla codifica della voce in uscita nel parlato continuo.

2. Ai fini di 5A001.b.6, per codifica della voce si intende la tecnica che consiste nel raccogliere campioni di voce umana e convertirli poi in un segnale numerico, tenendo conto delle caratteristiche specifiche del parlato umano.

cavi di comunicazione a fibre ottiche, fibre ottiche ed accessori, come segue:

1. Nota tecnica:

fibre ottiche di lunghezza superiore a 500 m e specificate dal costruttore per sopportare un carico di rottura al collaudo della messa in opera, uguale o superiore a 2 × 109 N/m2; collaudo della messa in opera: collaudo di produzione in linea o fuori linea basato sull'applicazione dinamica di una data sollecitazione a trazione su una fibra, di lunghezza da 0,5 a 3 m ad una velocità di spostamento da 2 a 5 m/s, al suo passaggio fra rulli di circa 150 mm di diametro. La temperatura ambiente nominale è di 293 K (20° C) e l'umidità relativa del 40 %. Sono ammesse anche norme nazionali equivalenti per effettuare il collaudo della messa in opera.

2. cavi a fibre ottiche ed accessori progettati per impiego subacqueo; Nota: il 5A001.c.2 non sottopone ad autorizzazione cavi ed accessori per telecomunicazioni civili standard. NB 1: per i cavi ombelicali e i loro connettori, vedere 8A002.a.3. NB 2: per i connettori o i penetratori di scafo a fibre ottiche, vedere 8A002.c.

antenne ad allineamento di fase a fascio orientabile elettronicamente funzionanti al di sopra di 31,8 GHz. Nota: 5A001.d non sottopone ad autorizzazione le antenne ad allineamento di fase a fascio orientabile elettronicamente per sistemi di atterraggio che utilizzano strumenti rispondenti alle norme dell'ICAO relative ai sistemi di atterraggio a microonde (MLS).

Le apparecchiature radiogoniometriche funzionanti a frequenze superiori a 30 MHz e aventi tutte le caratteristiche seguenti, e loro componenti appositamente progettati:

1. banda passante istantanea uguale o superiore a 10 MHz; e

2. in grado di individuare una linea di rilevamento (LOB) per radiotrasmettitori non cooperanti con una durata di segnale inferiore a 1 ms.

apparecchiature di disturbo appositamente progettate o modificate per interferire con, rifiutare, inibire, degradare o sviare i servizi di comunicazione cellulare, intenzionalmente e selettivamente, aventi una delle caratteristiche seguenti, e loro componenti appositamente progettati: NB: per le apparecchiature di disturbo GNSS, vedere l'elenco dei materiali di armamento.

1. in grado di simulare le funzioni di apparecchiature per reti di accesso radio (RAN); o

2. in grado di individuare e sfruttare caratteristiche specifiche del protocollo di comunicazione mobile impiegato (ad es. GSM).

5A1Sistemi, apparecchiature e componenti Nota tecnica: a.

apparecchiature progettate o modificate per aeromobili con equipaggio o satelliti;

apparecchiature a terra progettate o modificate per applicazioni terrestri o marine;

apparecchiature progettate per servizi GNSS commerciali, civili o di tipo sicurezza della vita (ad es. integrità dei dati, sicurezza di volo).

5B1Apparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione

5B001a. Apparecchiature, e loro componenti ed accessori appositamente progettati, che siano appositamente progettate per lo sviluppo, la produzioneo l'utilizzazione di apparecchiature, funzioni o elementi specificati in 5A001, 5B001, 5D001 o 5E001; Nota: 5B001.a non sottopone ad autorizzazione le apparecchiature di caratterizzazione di fibre ottiche.

apparecchiature e loro componenti o accessori appositamente progettati per lo sviluppo di una delle seguenti apparecchiature di trasmissione di telecomunicazioni o di commutazione:

1. Nota tecnica:

apparecchiature utilizzanti tecniche numeriche, progettate per funzionare ad una velocità di trasferimento numerica totale superiore a 15 Gbit/s; La velocità di trasferimento numerica totale per le apparecchiature di commutazione è misurata alla porta o linea a più alta velocità.

2. apparecchiature utilizzanti un laser ed aventi una delle caratteristiche seguenti:

2. a.

lunghezza d'onda di trasmissione superiore a 1750 nm;

in grado di effettuare l'amplificazione ottica;

basate su tecniche di trasmissione ottica coerente o tecniche di rivelazione ottica coerente (denominate anche tecniche di rivelazione ottica eterodina o omodina) o

basate su tecniche analogiche ed aventi banda passante superiore a 2,5 GHz; Nota: 5B001.b.2.d non sottopone ad autorizzazione le apparecchiature appositamente progettate per lo sviluppo di sistemi televisivi commerciali.

3. apparecchiature utilizzanti la commutazione ottica;

4. apparecchiature radio che utilizzano tecniche di modulazione di ampiezza in quadratura (QAM) oltre il livello 256; o

5. apparecchiature utilizzanti segnalazione a canale comune funzionanti in modo operativo non associato.

5C1Materiali Nessuno.

5D1Software 5D101Software appositamente progettato o modificato per l'utilizzazione di apparecchiature specifiche al punto 5A101.

5D1Software

5D001a. Software appositamente progettato o modificato per lo sviluppo, la produzione o l'utilizzazione di apparecchiature, funzioni o elementi specificati in 5A001 o 5B001;

software appositamente progettato o modificato a supporto della tecnologia specificata in 5E001;

software specifico appositamente progettato o modificato per fornire caratteristiche, funzioni o elementi di apparecchiature specificate in 5A001 o 5B001;

software appositamente progettato o modificato per lo sviluppo di una delle seguenti apparecchiature di trasmissione di telecomunicazioni o di commutazione:

1. Nota tecnica:

2. apparecchiature utilizzanti un laser ed aventi una delle caratteristiche seguenti:

2. a.

lunghezza d'onda di trasmissione superiore a 1750 nm; o

basate su tecniche analogiche ed aventi banda passante superiore a 2,5 GHz; Nota: 5D001.d.2.b non sottopone ad autorizzazione il software appositamente progettato o modificato per lo sviluppo di sistemi televisivi commerciali.

3. apparecchiature utilizzanti la commutazione otticao

4. apparecchiature radio che utilizzano tecniche di modulazione di ampiezza in quadratura (QAM) oltre il livello 256.

5E1Tecnologia

5E101Tecnologia in conformità alla nota generale sulla tecnologia per lo sviluppo, la produzione o l’utilizzazione di apparecchiature specificate in 5A101.

5E001a. Tecnologia in conformità alla nota generale sulla tecnologia per lo sviluppo, la produzione o l'utilizzazione (escluso il funzionamento) di apparecchiature , funzioni o elementi o software specificati in 5A001, 5B001 o 5D001;

tecnologie specifiche, come segue:

1. tecnologianecessaria per lo sviluppo o la produzione di apparecchiature di telecomunicazione appositamente progettate per essere utilizzate a bordo di satelliti;

2. tecnologia per lo sviluppo o l'utilizzazione di tecniche di comunicazione laser che permettono l'acquisizione e l'inseguimento automatico di segnali ed il mantenimento di comunicazioni attraverso mezzi al di fuori dell'atmosfera o subacquei;

3. tecnologia per lo sviluppo di apparecchiature radioriceventi cellulari numeriche della stazione base le cui capacità di ricezione, che consentono il funzionamento multibanda, multicanale, multimodale, multiprotocollo o con algoritmo a codifica multipla, possono essere modificate con cambiamenti di software;

4. tecnologia per lo sviluppo di tecniche di spettro esteso comprese le tecniche di salti di frequenza;

tecnologia in conformità alla nota generale sulla tecnologia per lo sviluppo o la produzione di una delle seguenti apparecchiature di trasmissione di telecomunicazioni o di commutazione, funzioni o elementi:

1. Nota tecnica:

2. apparecchiature utilizzanti un laser ed aventi una delle caratteristiche seguenti:

2. a.

lunghezza d'onda di trasmissione superiore a 1750 nm;

in grado di effettuare l'amplificazione ottica utilizzando amplificatori a fibra fluorurata drogata al praseodimio (PDFFA);

basate su tecniche di trasmissione ottica coerente o tecniche di rivelazione ottica coerente (denominate anche tecniche di rivelazione ottica eterodina o omodina);

basate su tecniche di multiplazione mediante ripartizione in lunghezza d’onda superiore a 8 vettori ottici per singola finestra ottica o

basate su tecniche analogiche ed aventi banda passante superiore a 2,5 GHz; Nota: 5E001.c.2.e non sottopone ad autorizzazione la tecnologia per lo sviluppo o la produzione di sistemi televisivi commerciali.

3. apparecchiature utilizzanti la commutazione ottica;

4. apparecchiature radio aventi una delle caratteristiche seguenti:

4. a.

tecniche di modulazione di ampiezza in quadratura (QAM) oltre il livello 256; o

funzionanti a frequenze di ingresso o di uscita superiori a 31,8 GHz; o Nota: 5E001.c.4.b non sottopone ad autorizzazione la tecnologia per lo sviluppo o la produzione di apparecchiature progettate o modificate per funzionare in qualsiasi banda di frequenza assegnata dall'UIT per servizi di radiocomunicazione ma non di radiolocalizzazione.

5. apparecchiature utilizzanti segnalazione a canale comune funzionanti in modo operativo non associato.

PARTE 2 Nota 3: Nota tecnica: SICUREZZA DELL'INFORMAZIONE nota di crittografia:

Nota 1: la condizione di esportabilità di apparecchiature di sicurezza dell'informazione, software, sistemi, assiemi elettronici per applicazioni specifiche, moduli, circuiti integrati, componenti o funzioni è definita nella presente categoria anche se trattasi di componenti o di assiemi elettronici di altre apparecchiature. Nota 2: la presente categoria non sottopone ad autorizzazione i prodotti al seguito dell'utilizzatore per suo uso personale. 5A002 e 5D002 non sottopongono ad autorizzazione i beni che soddisfano tutte le condizioni seguenti: nella presente categoria, i bit di parità non sono inclusi nella lunghezza di chiave.

Nota 3: SICUREZZA DELL'INFORMAZIONE nota di crittografia:

a.

siano generalmente disponibili al pubblico in quanto venduti direttamente, senza restrizioni, nei punti di vendita al dettaglio, in uno dei seguenti modi:

1. al banco,

2. per corrispondenza,

3. per transazione elettronica, o

4. su ordinazione telefonica;

b.

la funzionalità crittografica non possa essere modificata facilmente dall’utilizzatore;

c.

siano progettati per essere installati dall’utilizzatore senza ulteriore significativa assistenza da parte del fornitore; e

d.

ove necessario, informazioni dettagliate relative ai beni siano accessibili e vengano fornite, su richiesta, alle autorità competenti degli Stati membri in cui è stabilito l’esportatore, al fine di verificare il rispetto delle condizioni di cui alle precedenti lettere da a. a c;

Nota 3: Nota tecnica: SICUREZZA DELL'INFORMAZIONE nota di crittografia:

5A2Sistemi, apparecchiature e componenti 5A002a.

Sistemi, apparecchiature, assiemi elettronici di specifica applicazione, moduli e circuiti integrati che assicurano la sicurezza dell'informazione, come segue, e loro altri componenti appositamente progettati: NB: per il controllo delle apparecchiature di ricezione di sistemi globali di navigazione via satellite che contengono o utilizzano funzioni di decrittazione (ad esempio GPS o GLONASS), vedere 7A005. Nota: 5A002 non sottopone ad autorizzazione:

1. Note tecniche:

progettati o modificati per utilizzare la crittografia con l'impiego di tecniche numeriche che effettuano ogni funzione crittografica eccetto l’autenticazione o la firma digitale aventi una delle caratteristiche seguenti: Nota: 5A002.a.1 comprende le apparecchiature progettate o modificate per utilizzare la crittografia secondo principi analogici laddove questi ultimi vengano attuati con tecniche numeriche.

1. le funzioni di autenticazione e di firma digitale comprendono la relativa funzione di gestione delle chiavi associate.

2. L’autenticazione comprende tutti gli aspetti del controllo di accesso che non prevedono la cifratura di archivi o testi, salvo che questi non siano collegati alla protezione delle parole d’ordine, dei numeri di identificazione personali (PIN) o di dati similari al fine di prevenire l’accesso non autorizzato.

3. La crittografia non comprende teniche di compressione o di codifica di dati fissi;

un algoritmo simmetrico utilizzante una lunghezza di chiave superiore a 56 bit; o

un algoritmo asimmetrico in cui la sicurezza dell’algoritmo sia basata su uno degli elementi seguenti:

1. fattorizzazione degli interi superiori a 512 bit (per es. RSA);

2. calcolo dei logaritmi discreti in un gruppo moltiplicativo di un campo finito di dimensioni superiori a 512 bit (per es. Diffie-Hellman su Z/pz) o

3. logaritmi discreti in un gruppo diverso da quelli menzionati nel 5A002.a.1.b.2, superiore a 112 bit (per es. Diffie-Hellman su una curva ellittica);

2. progettati o modificati per effettuare le funzioni crittoanalitiche;

3. soppresso;

4. appositamente progettati o modificati per ridurre le emanazioni compromettenti di segnali portatori di informazioni al di là di quanto richiesto dalle norme in materia di salute, di sicurezza o di interferenza elettromagnetica;

5. progettati o modificati per utilizzare tecniche crittografiche per generare il codice di estensione per i sistemi con spettro esteso diversi da quelli specificati in 5A002.a.6., compreso il codice per il salto di frequenza per i sistemi con salti di frequenza;

6. progettati o modificati per utilizzare tecniche crittografiche per generare codici di canalizzazione, di rimescolamento o di identificazione di rete per i sistemi che utilizzano tecniche di modulazione a banda ultra larga, aventi una delle caratteristiche seguenti:

6. a.

banda passante superiore a 500 MHz; o

banda passante frazionaria uguale o superiore al 20 %;

7. non utilizzato;

8. sistemi di cavi di telecomunicazioni progettati o modificati per rivelare intrusioni surrettizie con impiego di mezzi meccanici elettrici o elettronici;

9. Nota tecnica:

progettati o modificati per utilizzare la crittografia quantistica. La crittografia quantistica è anche nota come distribuzione quantistica delle chiavi (QKD).

carte personalizzate a microprocessore: NB: Se una carta personalizzata a microprocessore svolge funzioni molteplici, le condizioni di esportabilità di ciascuna funzione sono valutate separatamente.

1. la cui capacità crittografica possa essere usata solo in apparecchiature o sistemi non sottoposti ad autorizzazione nei punti da b. a f. della presente nota; o

2. destinate ad applicazioni di uso pubblico la cui capacità crittografica non è accessibile all'utente ed è appositamente progettata e limitata per consentire la protezione dei dati personali in essa contenuti.

apparecchiature di ricezione della radiodiffusione, della televisione a pagamento o di analoga trasmissione di tipo consumistico riservata ad un numero limitato di spettatori, senza cifratura numerica eccetto quella usata esclusivamente per rinviare le fatture o le informazioni relative ai programmi ai fornitori di servizi radiotelevisivi;

apparecchiature la cui capacità crittografica non è accessibile all’utente ed è appositamente progettata e limitata per consentire una delle operazioni seguenti:

1. esecuzione di software protetto da copiatura;

2. accesso ad uno degli elementi seguenti:

2. a.

contenuti protetti da copiatura su supporti a solo lettura o

informazioni memorizzate in modo cifrato su supporti (per es. in relazione alla protezione dei diritti di proprietà intellettuale) qualora questi ultimi siano messi in vendita al pubblico in pezzi identici;

3. controllo sulla copiatura di dati audio/video protetti dai diritti d’autore; o

4. cifratura e/o decrittazione per la protezione di biblioteche, caratteristiche di progettazione o dati associati per la progettazione di dispositivi semiconduttori o di circuiti integrati.

d. Nota tecnica

apparecchiature crittografiche appositamente progettate e limitate per uso bancario o per transazioni monetarie; transazioni monetarie in 5A002, nota d. che comprende la raccolta e la liquidazione di tariffe o funzioni creditizie;

radiotelefoni portatili o mobili destinati all’impiego civile (ad es. all’impiego con i sistemi di radiocomunicazioni cellulari commerciali civili), che non eseguono funzioni di cifratura da punto a punto;

apparecchiature telefoniche senza filo che non eseguono funzioni di cifratura da punto a punto qualora la portata reale massima del funzionamento senza filo non amplificato (vale a dire, un salto unico non ritrasmesso tra il terminale e la stazione di base) sia inferiore a 400 m conformemente alle prescrizioni del fabbricante.

5B2Apparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione

5B002a. apparecchiature appositamente progettate per:

5B002a.

1. lo sviluppo di apparecchiature o di funzioni specificate in 5A002, 5B002, 5D002 o 5E002, comprese le apparecchiature di misura o di collaudo;

2. la produzione di apparecchiature o di funzioni specificate in 5A002, 5B002, 5D002 o 5E002, comprese le apparecchiature di misura, di collaudo, di riparazione o di produzione;

apparecchiature di misura appositamente progettate per la valutazione e la validazione delle funzioni di sicurezza dell'informazione specificate in 5A002 o 5D002.

5C2Materiali Nessuno.

5D2Software Nota: 5D002 non sottopone ad autorizzazione:

5D2Software

5D002a. Software appositamente progettato o modificato per lo sviluppo, la produzione o l'utilizzazione di apparecchiature o di software specificato in 5A002, 5B002 o 5D002;

software appositamente progettato o modificato a supporto della tecnologia specificata in 5E002;

software specifico come segue:

1. software avente le caratteristiche o in grado di eseguire o simulare le funzioni delle apparecchiature specificate in 5A002 o 5B002;

2. software destinato a certificare il software specificato in 5D002.c.1;

il software necessario per l'utilizzazione di apparecchiature non sottoposte ad autorizzazione nella nota del 5A002;

il software che fornisce una delle funzioni delle apparecchiature non sottoposte ad autorizzazione nella nota del 5A002.

5E2Tecnologia

5E002Tecnologia in conformità alla nota generale sulla tecnologia per lo sviluppo, la produzione o l'utilizzazione di apparecchiature o di software specificati in 5A002, 5B002 o 5D002.

CATEGORIA 6 SENSORI E LASER

6ASistemi, apparecchiature e componenti a.

1. a.

ecoscandagli che funzionano sulla verticale al di sotto dell’apparato, che non possiedono la funzione di scansione superiore a ± 20° e limitati alla misura della profondità dell’acqua, della distanza di oggetti immersi o interrati o alla rivelazione di banchi di pesci;

illuminatori acustici, come segue:

1. illuminatori acustici di emergenza;

2. trasmettitori di impulsi sottomarini appositamente progettati per ritrovare una posizione subacquea o per ritornarvi;

sistemi di idrografia batimetrica ad ampio corridoio per la realizzazione di carte topografiche del fondo marino aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. progettati per effettuare misure secondo un angolo maggiore di 20° dalla verticale;

2. progettati per misurare profondità maggiori di 600 m al di sotto della superficie dell’acqua e

3. progettati per:

3. a.

incorporare fasci multipli ognuno dei quali è minore di 1,9° o

assicurare precisioni dei dati migliori dello 0,3 % della profondità dell’acqua attraverso il corridoio, come media delle misure individuali effettuate entro il corridoio;

1. frequenza di trasmissione inferiore a 10 kHz;

2. livello di pressione sonora superiore a 224 dB (riferita ad 1 μPa ad 1 m) per le apparecchiature con frequenza di funzionamento nella banda tra 10 kHz e 24 kHz inclusa;

3. livello di pressione sonora superiore a 235 dB (riferita ad 1 μPa ad 1 m) per le apparecchiature con frequenza di funzionamento nella banda tra 24 kHz e 30 kHz;

Altre 1002 disposizioni non sono mostrate qui; ognuna ha il proprio indirizzo.

Versioni

2006-02-27