Padomes Regula (EK) Nr. 394/2006 (2006. gada 27. februāris), ar kuru groza un atjaunina Regulu (EK) Nr. 1334/2000, ar ko nosaka Kopienas režīmu divējāda lietojuma preču un tehnoloģiju eksporta kontrolei
Grade B
mapped from publisher markup. A grade says how a document's structure was obtained, not how reliable the law is.
Address https://gelex.eu/eli/EU/act/2006/394@2006-02-27/lv
Contents
- Preamble
- ANNEX
- DIVĒJĀDA LIETOJUMA PREČU UN TEHNOLOĢIJU SARAKSTS (minēts Regulas (EK) Nr. 1334/2000 3. pantā) VISPĀRĒJAS PIEZĪMES PAR I PIELIKUMU 1.2.3.
- a.
- 1. a.
- b.
- pt_11 a.
- pt_35 a.
- pt_39 a.
- pt_45 a.
- pt_50 a.
- pt_53 a.
- pt_61 a.
- pt_68 a.
- pt_69 a.
- pt_86 a.
- pt_101 a.
- pt_104 a.
- pt_140 a.
- pt_184 a.
- 0 KATEGORIJA KODOLMATERIĀLI, JAUDAS UN IEKĀRTAS
- 0ASistēmas, iekārtas un komponenti
- 0BIzmēģinājumu, pārbaudes un ražošanas iekārtas
- a.
- b.
- c.
- 13. a.
- 7. a.
- 5. a.
- 6. a.
- 0CMateriāli a.
- 0DProgrammatūra
- 0ETehnoloģija
- 1. KATEGORIJA MATERIĀLI, ĶIMIKĀLIJAS, MIKROORGANISMI UN TOKSĪNI
- 1ASistēmas, iekārtas un komponenti Tehniska piezīme.
- 1ASistēmas, iekārtas un komponenti a.
- 1. a.
- 1BIzmēģinājumu, pārbaudes un ražošanas iekārtas
- 1CMateriāli Tehniska piezīme. Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniskas piezīmes
- 1CMateriāli Tehniska piezīme. a.
- a.
- b.
- c.
- 1. Tehniska piezīme.
- 1. a.
- d.
- 1CMateriāli Tehniska piezīme. Tehniskas piezīmes:
- 1. a.
- 2. a.
- 3. a.
- 4. a.
- 5. a.
- 1. Tehniska piezīme.
- 2. Tehniska piezīme.
- 1CMateriāli Tehniska piezīme. Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme. a.
- 1. a.
- 2. a.
- 1CMateriāli Tehniska piezīme. Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme. Tehniska piezīme: a.
- 1. a.
- 2. a.
- a.
- b.
- 1CMateriāli Tehniska piezīme. Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme. a.
- a.
- b.
- 1CMateriāli Tehniska piezīme. Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme. Tehniska piezīme: a.
- 1. Tehniska piezīme.
- 2. Tehniska piezīme.
- 2. a.
- 3. a.
- 6. a.
- 1CMateriāli Tehniska piezīme. Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme. a.
- 1CMateriāli Tehniska piezīme. Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. a.
- 1CMateriāli Tehniska piezīme. Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. a.
- 1CMateriāli Tehniska piezīme. Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme.
- 2. a.
- 2. a.
- 5. a.
- 1DProgrammatūra
- 1ETehnoloģija
- 1. a.
- 3. a.
- 2. KATEGORIJA MATERIĀLU APSTRĀDE UN PĀRSTRĀDE
- 2ASistēmas, iekārtas un komponenti Tehniska piezīme.
- 2ASistēmas, iekārtas un komponenti a.
- 2. a.
- 2BIzmēģinājumu, pārbaudes un ražošanas iekārtas Tehniskas piezīmes. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniskas piezīmes. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniskas piezīmes. Tehniska piezīme.
- 2BIzmēģinājumu, pārbaudes un ražošanas iekārtas Tehniskas piezīmes.
- 2. a.
- 5. a.
- 1. a.
- 4. a.
- 2BIzmēģinājumu, pārbaudes un ražošanas iekārtas Tehniskas piezīmes. Tehniska piezīme. a.
- 2BIzmēģinājumu, pārbaudes un ražošanas iekārtas Tehniskas piezīmes. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. a.
- 1. a.
- 2. a.
- 1. Tehniska piezīme.
- 2. a.
- 2BIzmēģinājumu, pārbaudes un ražošanas iekārtas Tehniskas piezīmes. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. a.
- 2BIzmēģinājumu, pārbaudes un ražošanas iekārtas Tehniskas piezīmes. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. a.
- 2BIzmēģinājumu, pārbaudes un ražošanas iekārtas Tehniskas piezīmes. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. a.
- 1. a.
- 2. a.
- a.
- b.
- b.1. a.
- 2BIzmēģinājumu, pārbaudes un ražošanas iekārtas Tehniskas piezīmes. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. a.
- 2BIzmēģinājumu, pārbaudes un ražošanas iekārtas Tehniskas piezīmes. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniskas piezīmes.
- 2BIzmēģinājumu, pārbaudes un ražošanas iekārtas Tehniskas piezīmes. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniskas piezīmes. Tehniska piezīme. a.
- 2BIzmēģinājumu, pārbaudes un ražošanas iekārtas Tehniskas piezīmes. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniskas piezīmes. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. a.
- 2BIzmēģinājumu, pārbaudes un ražošanas iekārtas Tehniskas piezīmes. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniskas piezīmes. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniskas piezīmes.
- 1. a.
- 2DProgrammatūra
- 2ETehnoloģija
- 1. a.
- 2. a.
- Tabula 1.2.3.A.B.B.1.B.2.B.3.B.4.C.D.E.F.G. Tabula – Pārklāšanas tehnikas – Piezīmes Pārklāšanas tehnikas
- 5. a.
- a.
- b.
- c.
- d.
- e.
- f.
- g.
- 3. KATEGORIJA ELEKTRONIKA
- 3ASistēmas, iekārtas un komponenti Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme.
- 3ASistēmas, iekārtas un komponenti a.
- 1. a.
- 2. a.
- 5. Tehniskas piezīmes.
- 5. a.
- 6. a.
- 7. a.
- 10. a.
- 11. a.
- 12. Tehniska piezīme.
- 4. a.
- 3. a.
- 4. Tehniska piezīme.
- 4. a.
- 8. a.
- 5. Tehniska piezīme.
- 3ASistēmas, iekārtas un komponenti Tehniska piezīme. a.
- 3ASistēmas, iekārtas un komponenti Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. a.
- 3BIzmēģinājumu, pārbaudes un ražošanas iekārtas
- 1. a.
- 2. a.
- 3CMateriāli a.
- 3DProgrammatūra Tehniska piezīme.
- 3DProgrammatūra a.
- 3ETehnoloģija Tehniska piezīme.
- 3ETehnoloģija
- 4. KATEGORIJA DATORI
- 4ASistēmas, iekārtas un komponenti
- 4BIzmēģinājumu, pārbaudes un ražošanas iekārtas
- 4DProgrammatūra
- 4ETehnoloģija
- Šajā tehniskajā piezīmē izmantotie saīsinājumi
- CTP aprēķinu metodes īss apraksts
- 5. KATEGORIJA TĀLSAKARI UN INFORMĀCIJAS DROŠĪBA
- 1. DAĻA TĀLSAKARI
- 5A1Sistēmas, iekārtas un to sastāvdaļas Tehniska piezīme.
- 5A1Sistēmas, iekārtas un to sastāvdaļas
- 5A001a.
- 1. a.
- 2. a.
- 3. a.
- 4. a.
- 5. a.
- 6. Tehniskas piezīmes.
- 1. Tehniska piezīme.
- 5B1Izmēģinājumu, pārbaudes un ražošanas iekārtas
- 1. Tehniska piezīme.
- 2. a.
- 5D1Programmatūra
- 1. Tehniska piezīme.
- 2. a.
- 5E1Tehnoloģija
- 1. Tehniska piezīme.
- 2. a.
- 4. a.
- 2. DAĻA 3. piezīme. Tehniska piezīme. INFORMĀCIJAS DROŠĪBA Piezīme par kriptogrāfiju
- 2. DAĻA 3. piezīme. INFORMĀCIJAS DROŠĪBA Piezīme par kriptogrāfiju a.
- 5A2Sistēmas, iekārtas un to sastāvdaļas 5A002a. Tehniska piezīme.
- 5A2Sistēmas, iekārtas un to sastāvdaļas 5A002a.
- 1. Tehniskas piezīmes.
- 6. a.
- 2. a.
- 5B2Izmēģinājumu, pārbaudes un ražošanas iekārtas
- 5B002a.
- 5D2Programmatūra
- 5E2Tehnoloģija
- 6. KATEGORIJA SENSORI UN LĀZERI
- 6ASistēmas, iekārtas un to sastāvdaļas a.
- 1. a.
EIROPAS SAVIENĪBAS PADOME,
ņemot vērā Eiropas Kopienas dibināšanas līgumu un jo īpaši tā 133. pantu,
ņemot vērā Komisijas priekšlikumu,
tā kā:
(1) Regulā (EK) Nr. 1334/2000 divējāda lietojuma precēm (ietverot programmatūru un tehnoloģijas), paredzēts noteikt efektīvu kontroli gadījumos, kad tās eksportē no Kopienas.
(2) Lai dalībvalstis un Kopiena varētu izpildīt savas starptautiskās saistības, minētās regulas I pielikumā iekļauts tās 3. pantā minētais kopējais divējāda lietojuma preču un tehnoloģiju saraksts, ar ko īsteno to kontroli, par kuru panāktas starptautiskas vienošanās, tostarp Vasenāras Vienošanās, Raķešu tehnoloģijas kontroles režīms (MTCR), Kodolmateriālu piegādātājvalstu grupa (KPG), Austrālijas grupa un Konvencija par ķīmiskajiem ieročiem (CWC).
(3) Minētās regulas 11. pantā paredzēts atjaunināt I un IV pielikumu atbilstīgi visu dalībvalstu saistībām un pienākumiem, un visiem to grozījumiem, kurus tās uzņemušās kā attiecīgo starptautisko ieroču neizplatīšanas režīmu un eksporta kontroles pasākumu dalībnieces vai ratificējot atbilstīgus starptautiskos līgumus.
(4) Lai ņemtu vērā izmaiņas, kas pieņemtas ar Vasenāras Vienošanos, Austrālijas Grupā, ar Raķešu tehnoloģijas kontroles režīmu un KPG, pēc grozījumiem, kas izdarīti ar Regulu (EK) Nr. 1504/2004, būtu jāgroza minētās regulas I un IV pielikums.
(5) Lai eksporta kontroles iestādēm un uzņēmējiem būtu vieglāk pieejams uzziņas materiāls, būtu jāpublicē un jāatjaunina minētās regulas pielikumu atjaunināts un konsolidēts teksts.
(6) Attiecīgi būtu jāgroza Regula (EK) Nr. 1334/2000,
IR PIEŅĒMUSI ŠO REGULU.
1. pants Regulas (EK) Nr. 1334/2000 pielikumus aizstāj ar šīs regulas pielikumā iekļauto tekstu.
2. pants Šī regula stājas spēkā 30. dienā pēc tās publicēšanas Eiropas Savienības Oficiālajā Vēstnesī.
Šī regula uzliek saistības kopumā un ir tieši piemērojama visās dalībvalstīs. Briselē, 2006. gada 27. februārī Padomes vārdā — priekšsēdētāja U. Plassnik
ANNEX
PIELIKUMS
I PIELIKUMS
DIVĒJĀDA LIETOJUMA PREČU UN TEHNOLOĢIJU SARAKSTS (minēts Regulas (EK) Nr. 1334/2000 3. pantā) VISPĀRĒJAS PIEZĪMES PAR I PIELIKUMU 1.2.3.
Attiecībā uz militārām vajadzībām ražotu vai pielāgotu preču kontroli skat. attiecīgo(-os) konkrētu dalībvalstu sastādītos militārām vajadzībām ražoto preču sarakstu(-us). Šajā pielikumā minētās atsauces SKAT. ARĪ MILITĀRO PREČU KONTROLES SARAKSTUS attiecas uz šiem sarakstiem. Šajā pielikumā iekļautos objektus, uz ko ir attiecināma kontrole, nedrīkst izvest kā kontrolei nepakļautas preces (ieskaitot rūpnīcu iekārtas), ja tajās ir viens vai vairāki kontrolējami komponenti, un, ja kontrolējamais komponents vai kontrolējamie komponenti ir galvenās preču sastāvdaļas, un tos var viegli atdalīt vai izmantot citiem mērķiem. NB! Vērtējot to, vai kontrolējamo komponentu vai kontrolējamos komponentus var uzskatīt par galvenām sastāvdaļām, jāņem vērā tādi faktori kā daudzums, vērtība, izmantotās tehnoloģiskās prasmes (know-how) un citi īpaši apstākļi, kas var palīdzēt noteikt to, vai kontrolējamie komponenti ir uzskatāmi par preču galvenām sastāvdaļām. Šajā pielikumā minētās preces ietver gan jaunas, gan lietotas preces.
PIEZĪME PAR KODOLTEHNOLOĢIJĀM (NTN) (Jālasa saistībā ar 0 kategorijas E sadaļu.)
Tehnoloģiju, kas tieši saistīta ar visām 0 kategorijas precēm, kontrolē saskaņā ar 0 kategorijas noteikumiem. Tehnoloģiju kontrolējamo preču izstrādāšanai, ražošanai vai lietošanai kontrolē arī tad, ja to piemēro precēm, uz ko neattiecas kontrole. Preču eksporta atļauja nozīmē arī to, ka tam pašam īstajam lietotājam drīkst eksportēt tehnoloģiju tādā apjomā, kas noteikti vajadzīgs preču uzstādīšanai, lietošanai, apkopei un remontam. Tehnoloģijas nodošanas kontrole neattiecas uz atklātībā pieejamu informāciju vai fundamentāliem zinātnes pētījumiem.
VISPĀRĒJA PIEZĪME PAR TEHNOLOĢIJĀM (GTN) (Jālasa saistībā ar 1. līdz 9. kategorijas E sadaļu.)
Tās tehnoloģijas eksportu, kas ir vajadzīga 1. līdz 9. kategorijas preču izstrādei, ražošanai vai lietošanai, kontrolē saskaņā ar noteikumiem, kuri attiecas uz 1. līdz 9. kategoriju. Tehnoloģiju kontrolējamo preču izstrādāšanai, ražošanai vai lietošanai kontrolē arī tad, ja to lieto precēm, uz ko neattiecas kontrole. Kontroli neattiecina uz tām tehnoloģijām, kas ir obligāti vajadzīgas to preču uzstādīšanai, lietošanai, apkopei (pārbaudei) un remontam, kuras nav pakļautas kontrolei, vai kuras ir atļauts izvest. NB! Minētais neattiecas uz tehnoloģijām, kas minētas pozīcijā 1E002.e., 1E002.f., 8E002.a. un 8E002.b. Tehnoloģijas nodošanas kontrole neattiecas uz atklātībā pieejamu informāciju un fundamentāliem zinātnes pētījumiem, kā arī uz informācijas minimumu, kas obligāti vajadzīgs patentu pieteikumiem.
VISPĀRĒJA PIEZĪME PAR PROGRAMMATŪRU (GSN) (Šai piezīmei ir lielāks spēks par visiem kontroles pasākumiem, kas attiecas uz 0. līdz 9. kategorijas D sadaļu.)
Šā saraksta 0. līdz 9. kategorijai noteiktā kontrole neattiecas uz programmatūru, kas ir vai nu:
a.
vispārpieejama, jo tā ir: NB! Vispārējās piezīmēs par programmatūru a. ieraksts neattiecas uz 5. kategorijas 2. daļā (Informācijas drošība) minēto programmatūru.
1. bez ierobežojumiem nopērkama mazumtirdzniecībā:
1. a.
klātienē ir brīvi pieejama tirdzniecības vietās;
b.
pasūtot pa pastu;
c.
noslēdzot darījumu ar elektroniskiem līdzekļiem; vai
d.
pasūtot pa tālruni; un
2. izveidota tā, lai lietotājs varētu pats to instalēt bez turpmākas būtiskas piegādātāja palīdzības; vai
b.
Atklātībā pieejama.
REDAKCIONĀLA PRAKSE
Saskaņā ar noteikumiem, kas izklāstīti Institūciju stila rokasgrāmatas (Interinstitutional style guide) (1997. gada redakcija) 86. lappusē, 101. punktā, tekstos angļu valodā, kas publicēti Eiropas Kopienu Oficiālajā Vēstnesī:
veselos skaitļus no decimāldaļām atdala ar komatu,
veselos skaitļus norāda trīs ciparu grupās, katru grupu atdalot ar atstarpi.
ŠAJĀ PIELIKUMĀ LIETOTO TERMINU DEFINĪCIJAS
Terminu definīcijas vienpēdiņās dotas tehniskās piezīmēs par katru attiecīgo preci. Terminu definīcijas pēdiņās ir šādas: NB!: Iekavās aiz termina dota atsauce uz preču kategoriju.
Precizitāte(2;6) ir rādījuma maksimālā pozitīvā vai negatīvā novirze no pieņemtā standarta vai patiesās skaitliskās vērtības; to parasti mērī kā neprecizitāti.
Aktīvas lidojuma kontroles sistēmas (7) ir sistēmas, kuru funkcijas ir novērst nevēlamu lidaparātu, raķešu vai strukturālo šāviņu pārvietošanos, autonomi apstrādājot daudzu sensoru datus, un tad dodot vajadzīgās preventīvās komandas, lai īstenotu automātisku kontroli.
Aktīvais pikselis (6;8) ir mazākais (atsevišķs) cietas fāzes kopuma elements, kas gaismas (elektromagnētiskā starojuma) iedarbībā darbojas kā fotoelektrisks pārveidotājs.
Piemērots militārām vajadzībām (1) nozīmē jebkuru modifikāciju vai selekciju (piemēram, mainīt tīrības pakāpi, glabāšanas laiku, virulenci, izplatīšanas īpašības vai noturību pret ultravioleto starojumu), lai cilvēkiem, dzīvniekiem, iekārtām, ražai vai apkārtējai videi nodarītu pēc iespējas lielāku kaitējumu vai postījumus.
Lidaparāts (1;7;9) nozīmē lidot spējīgu gaisa satiksmes līdzekli ar fiksētiem spārniem, šarnīra spārniem, ar rotējošiem spārniem (helikopteri), slīpu rotoru vai slīpspārniem. NB! Skat. arī Civilais lidaparāts.
Ar visām iespējamām kompensācijām (2) nozīmē to, ka ražotājs var izmantot visus iespējamos līdzekļus metālapstrādes darbgaldu sistemātiskās pozicionēšanas kļūdu samazināšanai.
ITU piešķirts (3;5) nozīmē frekvenču joslu piešķiršanu saskaņā ar ITU Radio noteikumiem (ITU Radio Regulations pašreizējo redakciju par pamatpakalpojumu, atļauto pakalpojumu un papildpakalpojumu sniegšanu. NB! Nav ietvertas papildu vai alternatīvās frekvences.
Leņķiskās pozīcijas novirze(2) ir maksimālā atšķirība starp leņķisko pozīciju un būtisko, ļoti precīzi izmērīto leņķisko pozīciju pēc tam, kad fiksētais darba objekts ir pagriezts prom no sākotnējās pozīcijas stāvokļa (skat. VDI/VDE 2617, Projekts Rotējoši galdi koordināšu darbgaldos mašīnās).
Asimetrisks algoritms (5) ir kriptografisks algoritms, kas šifrēšanai un atšifrēšanai izmanto atšķirīgas, matemātiski saistītas kodu atslēgas. NB! Parasti asimetriskus algoritmus izmanto atslēgu kodu izstrādei.
Automātiska mērķa izsekošana (6) ir datu apstrādes paņēmiens, ar ko automātiski nosaka un uzrāda reālā laikā ekstrapolētu visiespējamāko mērķa atrašanās vietu.
Ventiļa nostrādāšanas kavējuma pamatlaiks (3) ir izplatīšanās kavējuma laika vērtība, kas attiecināta uz pamatizeju, ko lieto monolītās integrālās shēmās. Monolītu integrālo shēmusaimē šo terminu var precizēt konkrētai saimei kā kavējuma laiku tipiskai izejai ventilim šajā saimē vai kā tipisku ātrumu kavējuma laiku izejai ventilim konkrētajā saimē. NB! 1:Pamatizejas izplatīšanās kavējuma laiku nedrīkst jaukt ar kompleksas monolītas integrālās shēmas ieejas vai izejas kavējuma laiku. NB! 2:Saimē ietilpst visas integrālās shēmas, kam saskaņā ar izgatavošanas metodēm un parametriem ir visas šīs kopējās īpašības, izņemot to attiecīgās funkcijas:
pt_11 a.
kopēja datoru fizisko komponentu un programmatūras arhitektūra;
b.
kopēja projektēšanas un procesa tehnoloģija; un
c.
kopēji pamata raksturlielumi.
Fundamentāli zinātnes pētījumi(GTN;NTN) ir eksperimentāli vai teorētiski darbi, ko veic, lai iegūtu jaunas zināšanas par parādībām vai fundamentāliem novēroto faktu principiem, un kas nav īpaši vērsts uz konkrētu praktisku izmantojumu vai mērķi.
(Akselerometra) Novirze (7) ir akselerometra izejas signāla lielums, ja nav paātrinājuma.
Izvirzījums (2) ir aksiāla galvenās vārpstas nobīde viena apgrieziena laikā, ko mēra vārpstas virsmai perpendikulārā plaknes punktā uz ass aploces (Skat. ISO 230/1 1986, pk. 5.63).
Oglekļa šķiedru sagataves (1) ir noteiktā veidā sakārtotas, pārklātas vai nepārklātas šķiedras, kas veido armatūru vai tās daļu, pirms ievada saistvielu (matricu) kompozīta izveidošanai.
CE ir skaitļošanas elements.
CEP (vienādas varbūtības apļa diagramma) (7) ir precizitātes mērs; noteikta garuma rādiuss aplim, kā centrs ir noteiktā attālumā novietotā mērķī, kam trāpa ar 50 % varbūtību.
Ķīmiskais lāzers (6) ir lāzers, kurā ķīmiskas reakcijas izdalītā enerģija ierosina daļiņas.
Ķīmisku vielu maisījums (1) ir ciets, šķidrs vai gāzveida produkts no vismaz diviem komponentiem, kas maisījuma glabāšanas apstākļos savstarpēji nereaģē.
Cirkulācijas kontrolētās pretvērpes vai cirkulācijas kontrolētas tiešās vadības sistēmas (7) ir sistēmas, kas izmanto gaisa plūsmas iedarbību uz aerodinamiskām virsmām šo virsmu radīto spēku palielināšanai vai samazināšanai.
Civils lidaparāts (1;7;9) ir lidaparāts, kas minēts publicētos civilās aviācijas iestāžu sertifikācijas sarakstos kā derīgs lidojumiem komerciālos iekšzemes un ārzemju maršrutos vai likumīgām civilām, privātām vai uzņēmējdarbības vajadzībām. NB! Skat. arī lidaparāts.
Sajauktas (1) ir šķiedras, kas rodas, sajaucot un formējot termoplastiskas un armatīvas šķiedras, lai veidotu armētu saistvielu (matricu).
Sasmalcināšana (1) ir process, kas materiālu sadala daļiņās drupinot vai maļot.
Vienkanāla signalizācija (5) ir signalizācijas metode, kas paredz to, ka informācijas apmaiņa starp centrālēm notiek vienā kanālā ar iezīmētiem paziņojumiem, signalizējot uz daudzām ķēdēm un daudziem pieslēgumiem attiecināmu informāciju vai izsaukumus un citu informāciju, piemēram, tīkla apsaimniekošanai izmantojamu informāciju.
Sakaru kanāla kontrolieris (5) ir fiziska saskarne, kas kontrolē sinhronas vai asinhronas digitālas informācijas plūsmu. Šāds bloks var būt ievietots datorā vai tālsakaru iekārtā, lai nodrošinātu piekļuvi sakariem.
Kompozīts (1;2;6;8;9) ir saistviela (matrica) un papildu fāze vai fāzes, kas sastāv no daļiņām, kristāliem, šķiedrām vai no jebkuras to kombinācijas, un kas pievienotas ar īpašiem nolūkiem vai nolūku.
Kompleksā teorētiskā ātrdarbība (CTP) (3;4) ir skaitļošanas ātruma raksturotājlielums, ko izsaka miljonos teorētisko operāciju sekundē (Mtops), un ko aprēķina, izmantojot skaitļošanas elementu(CE) kopumu. NB! Skat. 4. kategorijas tehnisko piezīmi.
Salikts rotējošais galds (2) ir galds, kas ļauj darba objektam griezties un sagāzties slīpi pa divām neparalēlām asīm, ko var reizē koordinēt konturēšanas kontrolei.
Skaitļošanas elements(CE) (4) ir mazākā skaitļošanas vienība, kas dod aritmētisku vai loģisku rezultātu.
Konturēšanas kontrole (2) ir divas vai vairākas skaitliski kontrolētas kustības, kas darbojas saskaņā ar instrukcijām, kuras nosaka nākamo vajadzīgo pozīciju un vajadzīgos padeves ātrumus šai pozīcijai. Minētos padeves ātrumus maina savā starpā, lai var radīt vēlamo kontūru (Skat. ISO/DIS 2806-1980).
Konkrēta supravadītāja materiāla kritiskā temperatūra (1;3;6) (dažreiz saukta par pārejas temperatūru) ir temperatūra, kurā materiāls zaudē jebkādu pretestību tiešas elektriskās strāvas plūsmai.
Kriptografija (5) ir disciplīna, kurā ietilpst datu pārveides principi, līdzekļi un metodes, lai slēptu to informatīvo saturu, aizsargātu pret neatļautu lietošanu vai slepenu pārveidošanu. Kriptografija ir ierobežota ar informācijas transformācijas metodēm, lietojot vienu vai vairākus slepenus parametrus (piem., kriptomainīgos lielumus vai vienotu koda atslēgu. NB!Slepenais parametrs ir konstante vai koda atslēga, ko slēpj no citiem, vai kas ir zināma tikai kādai personu grupai.
CTP ir vienlīdzīga kompleksai teorētiskai ātrdarbībai.
Uz datiem balstītas atsauces navigācijas (DBRN) (7) sistēmas ir sistēmas, kas izmanto dažādus iepriekš mērītu ģeokartografēšanas datu avotus, kas integrēti, lai sniegtu precīzu navigācijas informāciju mainīgos apstākļos. Datu avoti ietver batimetriskās kartes, zvaigžņu kartes, gravitācijas kartes, magnētiskās kartes vai digitālas trīsdimensiju topografiskās kartes.
Deformējami spoguļi (6) (ko arī sauc par pielāgojamiem optiskiem spoguļiem) ir spoguļi, kam ir:
pt_35 a.
viena nepārtraukta optiski atstarojoša virsma, kas ir dinamiski deformēta ar individuāliem vērpes spēkiem vai griezes momentiem, lai kompensētu spoguļa radīto optisko viļņu formu distorsijas; vai
b.
optiski atstarojošu elementu kopums, ko var individuāli un dinamiski pārvietot, pieliekot griezes momentus vai spēkus, lai kompensētu spoguļa radīto optisko viļņu formu distorsijas.
Noplicināts urāns (0) ir urāns, kurā izotopa 235 ir mazāk nekā dabā sastopamajā urānā.
Izstrādāšana (GTN NTN visā sarakstā) attiecas uz visiem posmiem pirms sērijveida ražošanas, piemēram: konstruēšanu, konstruktīviem pētījumiem, konstruktīvu analīzi, konstrukcijas koncepcijām, prototipu montāžu un izmēģinājumiem, eksperimentālu ražošanu, datiem par izstrādi, procesu, kas izstrādes datus pārvērš par ražojumu, konfigurācijas izstrādi, izstrādes integrāciju, dažādu elementu izvietojuma plānošanu un maketēšanu.
Difūzā savienošana (1;2;9) notiek, ja vismaz divus dažādus metālus cietā stāvoklī molekulāri savieno vienā gabalā, kura stiprība ir vienlīdzīga vājākā materiāla stiprībai.
Digitāls dators (4;5) ir iekārta, kas viena vai vairāku diskrētu mainīgo lielumu formā var veikt visas šīs operācijas: NB! Pie saglabātās instrukciju secību maiņām pieder fiksētu datu glabāšanas iekārtu nomaiņa, nevis fiziskas pārmaiņas savstarpējos savienojumos vai komutācijā.
pt_39 a.
saņemt datus;
b.
glabāt datus vai instrukcijas fiksētās vai maināmās (rakstāmās) datu glabāšanas iekārtās;
c.
apstrādāt datus ar iepriekš ievadītu maināmu instrukciju secību; un
d.
izvadīt datus.
Digitālu datu pārsūtīšanas ātrums ir kopējais datu pārsūtīšanas ātrums tādai informācijai, ko tieši pārnes uz jebkuru datu nesējvidi. NB! Skat. arī Kopējais digitālu datu pārsūtīšanas ātrums.
Tieša hidrauliska presēšana (2) ir deformācijas process, kurā izmanto ar šķidrumu pildītu elastīgu kameru, kas ir tiešā saskarē ar apstrādājamo objektu.
Dreifa ātrums (žiroskopiem) (7) ir koeficients atšķirībai starp reālo un vēlamo izejas laiku. Tas sastāv no nejaušiem un regulāriem komponentiem, un to izsaka kā ekvivalenta ieejas nobīdes leņķi laika vienībā attiecībā pret inertu telpu.
Dinamiska adaptīvā maršrutēšana (5) ir automātiska datu pārraides maršruta maiņa, nosakot un analizējot tīkla faktisko stāvokli. NB! Tā neietver maršrutēšanas lēmumus, ko pieņem, pamatojoties uz iepriekš definētu informāciju.
Dinamiski signālu analizatori (3) ir signālu analizatori, kas izmanto digitālus iztveršanas un pārveidošanas paņēmienus, lai formētu Furjē spektra attēlu konkrētam vilnim, ieskaitot tā amplitūdu un fāzi. NB! Skat. arī signālu analizatori.
Efektīvais grams (0;1) attiecībā uz īpašiem skaldāmiem materiāliem ir:
pt_45 a.
plutonija izotopiem un urānam-233 – to masa gramos;
b.
urānam, kā izotops 235 ir bagātināts par 1 % vai vairāk, elementa masa gramos, reizināta ar bagātināšanas koeficientu (izteiktu svara desmitdaļās) kvadrātā;
c.
urānam, kā izotops urāns-235 ir bagātināts mazāk par 1 %, elementa masa gramos, kas reizināta ar 0,0001.
Elektronisks mezgls (2;3;4;5) ir vairāki elektroniski komponenti (t.i., ķēdes elementi, diskrēti komponenti, integrālās shēmas u.c.), kas savstarpēji savienoti, lai veiktu kādas(-u) konkrētas(-u) funkcijas(-u), un kas ir maināmi kā bloki un ko normālos apstākļos var demontēt. NB! 1:Ķēdes elements: ir viena aktīva vai pasīva funkcionāla elektroniskās ķēdes daļa, piemēram, viena diode, viens tranzistors, viena pretestība, viens kondensators u.c. NB! 2:Diskrēts komponents: ir atsevišķā blokā samontēts ķēdes elements ar saviem ārējiem kontaktiem.
Elektroniski vadāma fāzētu bloku antena (5;6) ir antena, kas rada fāzētu staru, t.i., stara virzienu kontrolē, izmantojot kompleksus izstaroto elementu ierosināšanas koeficientus, un stara virzienu var mainīt pēc azimuta vai augstuma ziņā, vai reizē abējādi, gan pārraides, gan uztveršanas režīmā, izmantojot elektriskus signālus.
Manipulatora izpildmehānismi (2) ir satvērējierīces, aktīvas darba instrumentu vienības un jebkuras citas instrumentu iekārtas, kas ir pierīkotas robota manipulatora rokas pamatplates galā. NB!Aktīvās darba instrumentu vienības ir ierīces, ar ko apstrādājamai detaļai pievada dzinējspēku, apstrādes enerģiju vai nodrošina tai sensora funkciju.
Ekvivalentais blīvums (6) ir optiskā masa uz optiskā laukuma vienību, kas projicēta uz optiskās virsmas.
Ekspertsistēmas (7) ir sistēmas, kas nodrošina rezultātus, piemērojot noteikumus datiem, ko glabā neatkarīgi no programmas, un kas spēj veikt jebkuru no šīm darbībām:
pt_50 a.
automātiski pārveidot lietotāja ievadītu avota kodu;
b.
sniegt zināšanas, kas saistītas ar kādu problēmu grupu kvazinaturālā valodā; vai
c.
iegūt zināšanas, kas vajadzīgas to attīstīšanai (simbolisks treniņš).
FADEC ir tas pats, kas pilnīgas digitālas dzinēju kontroles sistēma.
Kļūdu pielaide (4) ir datorsistēmas spēja turpināt darbību pēc jebkādas tās aparatūras vai programmatūras disfunkcijas bez cilvēka iejaukšanās kādā konkrētā pakalpojumu līmenī, konkrētā laikā nodrošinot nepārtrauktu darbību, datu integritāti un darbaspēju atjaunošanos bez ārējas iejaukšanās.
Pie Šķiedru vai pavedienu materiāliem (0;1;2;8) pieder:
pt_53 a.
viengabala monopavedieni;
b.
viengabala dzijas un šķiedras;
c.
lentes, audumi, neausti materiāli un pinumi;
d.
šķērētas šķiedras, vistras šķiedras un viendabīgus šķiedru slāņojumus;
e.
jebkura garuma monokristālu vai polikristālu šķiedras;
f.
aromātisko poliamīdu masa.
Plēves tipa integrālās shēmas (3) ir ķēdes elementu kopums un to savstarpēji metāla savienojumi, kas izveidoti, uzklājot biezu vai plānu plēvi uz izolatora substrāta. NB!Ķēdes elements ir viena aktīva vai pasīva elektroniskas ķēdes daļa, piemēram, viena diode, viens tranzistors, viena pretestība, viens kondensators u.c.
Nemainīgs (fiksēts) (5) nozīmē to, ka kodēšanas vai kompresijas algoritms nevar pieņemt parametrus no ārienes (t.i., kriptografiskus vai koda atslēgu mainīgos lielumus), un to nevar pārveidot lietotājs.
Lidojuma kontroles optisko sensoru bloks (7) ir izkliedētu optisko sensoru tīkls, kas izmanto lāzera starus, lai reālā laikā nodrošinātu lidojuma kontroles datu apstrādi lidaparātā.
Lidojuma maršruta optimizācija (7) ir procedūra, kas mazina novirzes no vēlamās četrdimensiju (laika un telpas) trajektorijas, maksimāli izmantojot aparatūras jaudas vai tehniskās iespējas, lai izpildītu doto uzdevumu.
Izkārtojums fokusa plaknē (6) ir plakans lineārs vai divdimensiju individuālu detektorelementu slānis vai plakanu individuālu detektorelementu slāņu kombinācija ar nolasīšanas iekārtu vai bez tās, kura darbojas fokusa plaknē. NB! Nav paredzēts, ka tajā ietvertu atsevišķu detektorelementu kopumu vai jebkādus detektorus no diviem, trijiem vai četriem elementiem, ja kavēšana un integrēšana nenotiek pašā elementā.
Frekvenču joslas attiecība (3) ir procentos izteikta momentānā joslas platuma attiecība pret diapazona centra frekvenci.
Frekvenču pārlekšana (5) ir izplatības spektra forma, kurā kāda sakaru kanāla raidfrekvenci pakāpeniski maina ar nejauši izvēlētiem vai šķietami nejauši izvēlētiem diskrētiem lielumiem.
Frekvenču pārslēgšanās laiks (3;5) ir maksimālais signāla kavējums, kad to pārslēdz no vienas izvēlētas izejas frekvences uz citu izvēlētu izejas frekvenci, lai sasniegtu:
pt_61 a.
beigu frekvenci 100 Hz diapazonā frekvenci, kas no beigu frekvences neatšķiras vairāk nekā par 100 Hz; vai
b.
beigu izejas līmeni 1 dB diapazonā izejas līmeni, kas no beigu izejas līmeņa neatšķiras vairāk kā par 1 dB.
Frekvenču sintezators (3) ir jebkurš frekvenču avots vai signālu ģenerators, kas neatkarīgi no faktiski lietotā paņēmiena nodrošina vienlaicīgu vai mainīgu izejas frekvenču kopumu vienā vai vairākās izejās, kuru kontrolē ar mazāku skaitu standarta vai etalonfrekvenču.
Pilnīgi vadāma digitāla dzinēju kontroles sistēma(FADEC) (7;9) ir gāzes turbīnu vai kombinētā cikla dzinēju elektroniskā kontroles sistēma ar digitālu datoru, lai kontrolētu mainīgos lielumus un regulētu dzinēja kloķvārpstas griezes momentu vai jaudu visā dzinēja darbības laikā no degvielas padeves sākuma līdz degvielas padeves pārtraukšanai.
Gāzes pulverizācija (1) ir process, kurā izkausēta metāla sakausējuma plūsmu augstspiediena gāzes plūsmā sadala daļiņās, kuru diametrs nepārsniedz 500 μm.
Ģeogrāfiski izkliedēts (6) attiecas uz ģeogrāfiskiem punktiem, kas cits no cita atrodas vairāk nekā 1500 m attālumā. Mobilos sensorus vienmēr uzskata par ģeogrāfiski izkliedētiem.
Vadības kompleksi (7) ir sistēmas, kas integrē lidaparāta atrašanās vietas un ātruma (t.i., navigācijas) mērīšanu un izskaitļošanu ar komandu izskaitļošanu un sūtīšanu lidaparāta lidojuma kontroles sistēmām, lai koriģētu lidojuma trajektoriju.
Karstā izostatiskā sabiezināšana (2) ir lējuma presēšanas process slēgtā telpā dažādās vidēs (gāzē, šķidrumā, cietās daļiņās u.c.) temperatūrā virs 375 K (102 °C), pieliekot vienādu spēku visos virzienos, lai mazinātu vai novērstu tukšumus lējumā.
Hibrīddators (4) ir iekārta, kas var veikt visas šīs darbības:
pt_68 a.
saņemt datus;
b.
apstrādāt gan analogus, gan digitālus datus; un
c.
nodrošināt datu izvadi.
Hibrīda integrālā shēma (3) ir jebkurš integrālo shēmu slēgums vai integrālo shēmu slēgums ar ķēdes elementiem, vai diskrētiem komponentiem, kas savienoti kādu noteiktu funkciju izpildei, un kam piemīt visas šīs īpašības: NB! 1:Ķēdes elements: viena aktīva vai pasīva funkcionāla elektroniskās ķēdes daļa, piemēram, viena diode, viens tranzistors, viena pretestība, viens kondensators u.c. NB! 2:Diskrētais komponents: atsevišķs ķēdes elements ar ārējiem izvadiem.
pt_69 a.
tai ir vismaz viena neiekapsulēta iekārta;
b.
tās ir savā starpā savienotas, izmantojot tipiskas IC ražošanas metodes;
c.
tās ir nomaināmas kā vienots veselums; un
d.
tās parasti nav izveidotas tā, lai varētu atvienot citu no cita.
Attēlu pastiprināšana (4) ir ārējas izcelsmes informāciju nesošu attēlu apstrāde, izmantojot algoritmus, piemēram, laika kompresiju, filtrāciju, ekstrakciju, selekciju, korelāciju, sagriešana vai pārveidošanu domēnu starpā (piem., ar ātriem Furjē vai Volša pārveidojumiem). Pie attēla pastiprināšanas līdzekļiem nepieder algoritmi, ar ko veic tikai viena attēla lineāru vai rotācijas transformāciju, piemēram, tulkošanu citos formātos, būtiskās daļas izdalīšanu, reģistrāciju vai nepareizu izkrāsošanu.
Imunotoksīns (1) ir vienas specifiskas šūnas klona antiviela, bet toksīns jeb toksīna pirmējā vienība selektīvi iedarbojas uz slimām šūnām.
Atklātībā pieejama(GTN NTN GSN) šajā kontekstā nozīmē tehnoloģiju vai programmatūru, kas ir darīta pieejama bez ierobežojumiem attiecībā uz tās turpmāku izplatīšanu (autortiesību noteiktie ierobežojumi tehnoloģiju vai programmatūru nepadara par tādu, kas nav atklātībā pieejama).
Informācijas drošība (4;5) ir visi līdzekļi un funkcijas, kas nodrošina informācijas vai sakaru pieejamību, konfidencialitāti vai integritāti, izņemot tos līdzekļus un funkcijas, kas paredzētas kā nodrošinājums pret disfunkciju.
Informācijas drošība ietver kriptografiju, kriptoanalīzi, datoru drošību un aizsardzību pret informācijas noplūdi. NB!Kriptoanalīze: kriptografiskas sistēmas vai tās ieejas un izejas datu analīze, kā uzdevums ir iegūt konfidenciālus mainīgos lielumus vai datus, ieskaitot lasāmu tekstu.
Momentāns joslas platums (3;5;7) ir frekvenču joslas platums, kurā izejas signāla līmenis ir konstants 3 dB robežās bez pieskaņošanas vai citu parametru maiņas.
Darba attālums (6) ir konkrēti norādītais radara darbības attālums.
Izolāciju (9) izmantot raķešu dzinēju komponentiem, t.i., apvalkam, sprauslai, padeves sistēmai, apvalka savienojumiem, un pie tās pieder vulkanizētas vai pusvulkanizētas gumijas loksnes, kurās iestrādāts izolācijas vai ugunsizturīgs materiāls. Izolāciju var lietot arī slodzes izlīdzināšanai lūkām un eleroniem.
Savstarpēji saistīti radarsensori (6) ir divi vai vairāki savstarpēji savienoti radarsensori, kas reālā laikā apmainās ar informāciju.
Iekšēju oderējumu (9) izmanto par cietās reaktīvā dzinēja degvielas saistvirsmu ar apvalku vai izolācijas slāni. Parasti izmanto dispersētus ugunsizturīgus vai izolācijas materiālus uz šķidru polimēru bāzes, piemēram, ar oglekli bagātinātu hidroksilterminētu polibutadiēnu (HTPB) vai citus polimērus ar pievienotiem cietinātājiem, un šos materiālus uzsmidzina vai uzklāj apvalka iekšpusē.
Iekšējais magnētiskais gradiometrs (6) ir viens magnētiskā lauka gradientu mērīšanas elements un attiecīga elektroniska shēma, kuras izejas signāls ir magnētiskā lauka gradienta mērvienībās. NB! Skat. arī magnētiskais gradiometrs.
Izolētas dzīvkultūras (1) ietver dzīvkultūras anabiotiskās formās un žāvētos preparātos.
Izostatiskās preses (2) ir iekārtas, kas noslēgtā dobumā spēj dažādās vidēs (gāzē, šķidrumā, cietās daļiņās u.c.), lai dobumā uz apstrādājamo detaļu vai materiālu iedarbotos ar vienādu spiedienu no visām pusēm.
Lāzers (0;2;3;5;6;7;8;9) ir komponentu kopums, kas rada telpā un laikā viendabīgu starojumu, ko pastiprina ierosinātā starojuma emisija. NB! Skat. arī:
Ķīmiskais lāzers;
Q-pārslēdzams lāzers;
Superjaudīgs lāzers;
Pārneses lāzers.
Par gaisu vieglāki aviotransportlīdzekļi (9) ir baloni un gaisakuģi, kas kā cēlējspēku izmanto karstu gaisu vai citas par gaisu vieglākas gāzes, piemēram, hēliju un ūdeņradi.
Linearitāte (2) (parasti to mēra kā nelinearitāti) ir lieluma maksimālā pozitīvā vai negatīvā faktiskās vērtības novirze no taisnas līnijas, kas novietota tā, lai izlīdzinātu un samazinātu lielākās novirzes.
Vietējais tīkls(LAN) (4) ir datu pārraides sistēma, kam piemīt visas šīs īpašības: NB!Datu iekārta ir aparatūra, kas spēj nosūtīt vai saņemt informāciju digitālu sekvenču formā.
pt_86 a.
tā ļauj jebkuram skaitam neatkarīgu datu iekārtu tieši sazināties savā starpā; un
b.
tā ir ierobežota ģeogrāfiski mazā platībā (piem., biroju ēkā, rūpnīcā, universitātes pilsētiņā, noliktavā).
Magnētiskie gradiometri (6) ir instrumenti, kas paredzēti, lai noteiktu ārpus instrumenta esoša magnētiska lauka telpiskas pārmaiņas. Tie sastāv no daudziem magnetometriem un ar tiem saistītām elektroniskām ierīcēm, kas izejas signālu dod magnētiskā lauka gradienta mērvienībās. NB! Skat. arī iekšējs magnētiskais gradiometrs.
Magnētiskie gradiometri (6) ir instrumenti, kas paredzēti, lai noteiktu ārpus instrumenta esošus magnētiskos laukus. Tie sastāv no viena elementa, kas spēj noteikt magnētisko lauku un ar šo elementu saistītu elektronikas bloku, kā izejas signāls dod magnētiskā lauka mērījumu.
Galvenā atmiņa (4) ir primārā, centrālam izpildelementam ātri pieejama datu vai instrukciju krātuve. Tā sastāv no digitāla datora iekšējās atmiņas un tās hierarhiska paplašinājuma, piemēram, buferatmiņas vai nesekvenciāli izmantojamas paplašinātas atmiņas.
UF6 korozijizturīgi materiāli (0) ir varš, nerūsējošais tērauds, alumīnijs, alumīnija oksīds, alumīnija sakausējumi, niķelis vai niķeļa sakausējumi, kurā ir vismaz 60 % niķeļa, un pret UF6 iedarbību noturīgi fluorētu ogļūdeņražu polimēri, ko izmanto attiecīgos separācijas procesos.
Matrica (1;2;8;9) (saistviela) ir viendabīga viela, kas aizpilda telpu starp daļiņām, kristālu šķiedrām vai šķiedrām.
Mērījuma nenoteiktība (2) ir lielums, ar ko norāda, kādā intervālā ar 95 % ticamību ir mērāmā lieluma īstā vērtība. Tā ietver nekoriģētas sistemātiskās kļūdas, nekoriģētas novirzes un gadījuma kļūdas (Skat. ISO 10360-2 vai VDI/VDE 2617).
Mehāniska sakausēšana (1) ir sakausēšanas process, kurā ar mehānisku iedarbību sagrauj un par jaunu savieno pievienojamā sakausējuma pulveri ar galveno sakausējuma pulveri. Nemetāliskas daļiņas var iekļaut mehāniskā sakausējumā, pievienojot attiecīgus pulverus.
Kausējuma ekstrakcija (1) ir ātras cietināšanas process, ar ko iegūst lenšveida sakausējumus, izkausētā metālu sakausējuma vannā ievietojot īsu atdzesēta rotējoša bloka daļu. NB!Ātra cietināšana: izkausēta materiāla cietināšana ar dzesēšanas ātrumu virs 1000 K/s.
Kausējuma vērpšana (1) ir ātras cietināšanas process, kurā izkausēta metāla plūsma nāk kontaktā ar atdzesētu rotējošu bloku, veidojot pārslveida, lenšveida vai stieņveida izstrādājumus. NB!Ātrā cietināšana: izkausēta materiāla cietināšana ar dzesēšanas ātrumu virs 1000 K/s.
Mikrodatora mikroshēma (3) ir monolīta integrālā shēma jeb daudzelementu (čipu) integrālā shēma ar aritmētisko loģisko elementu (ALU), kura var izpildīt vispārējas instrukcijas, izmantojot iekšējas atmiņas datus. NB! Iekšējo atmiņu var papildināt ar ārēju atmiņu.
Mikrodatora mikroshēma (3) ir monolīta integrālā shēma jeb daudzelementu (čipu) integrālā shēma ar aritmētisko loģisko elementu (ALU), kura var izpildīt vispārēju ārējas atmiņas instrukciju sekvences. NB! 1:Mikroprocesora mikroshēma parasti nesatur integrālu, lietotājiem pieejamu atmiņu, kaut arī čipā esošo atmiņu var izmantot čipa loģisko funkciju veikšanai. NB! 2: Iepriekš minētais attiecas arī uz čipu kompleksiem, kas paredzēti, lai darbotos kopā, nodrošinot mikroprocesora mikroshēmas funkcijas.
Mikroorganismi (1;2) ir baktērijas, vīrusi, mikoplazmīdas, riketsijas, hlamīdijas vai sēnītes, dabīgas, uzlabotas vai pārveidotas, izolētu dzīvkultūru veidā vai arī kā materiāls, kas apzināti inokulēts vai inficēts ar šīm kultūrām.
Raķetes (1;3;6;7;9) ir pilnīgas raķešu sistēmas un bezpilota lidaparātu sistēmas, kas spēj nogādāt vismaz 500 kg smagu kravu vismaz 300 km attālumā.
Monošķiedra (1) ir smalkākais šķiedrveida materiāls, parasti dažu μm diametrā.
Monolīta integrālā shēma (3) ir aktīvu un pasīvu vai abējādu shēmas elementu kombinācija: NB!Ķēdes elements ir atsevišķa aktīva vai pasīva elektroniskas ķēdes daļa, piemēram, viena diode, viens tranzistors, viena pretestība, viens kondensators u.c.
pt_101 a.
kas ir izveidota, izmantojot difūzijas, implantācijas vai nogulsnēšanas procesus atsevišķā pusvadītāja materiālā, t.s. čipā vai uz tāda materiāla);
b.
ko var uzskatīt par nedalāmi savienotu; un
c.
kas izpilda ķēdes funkciju vai funkcijas.
Monospektrālu attēlu sensori (6) ir sensori, kas spēj iegūt attēlu no viena diskrēta spektra viļņu garuma.
Daudzelementu integrālā shēma(multichip) (3) ir divas vai vairākas monolītas integrālās shēmas, kas saistītas pie kopīga substrāta.
Multidatu plūsmas apstrāde (4) ir mikroprogramma vai tādu iekārtu arhitektūra, kas reizē ļauj apstrādāt divas vai vairākas datu sekvences, un ko kontrolē viena vai vairākas instrukciju sekvences, izmantojot: NB!Mikroprogramma ir īpašā atmiņā glabāta elementāru instrukciju sekvence, kuras izpildi ierosina ar attiecīgu atsauces instrukciju no instrukciju reģistra.
pt_104 a.
vienas instrukcijas multidatu (SIMD) arhitektūras izstrādnes, piemēram, vektora procesorus vai blokprocesorus;
b.
daudzkārtīgas vienas instrukcijas multidatu (MSIMD) arhitektūras izstrādnes;
c.
daudzkārtīgas instrukciju multidatu (MIMD) arhitektūras izstrādnes, ieskaitot tādas, kas ir tuvu sapārotas, cieši sapārotas vai brīvi sapārotas; vai
d.
izpildelementu procesoru elementu struktūrblokus, tostarp sistoliskos blokus.
Multispektrālu attēlu sensori (6) spēj reizē vai pēc kārtas iegūt attēlu datus no divām vai vairākām diskrētām spektra joslām. Sensorus, kam ir vairāk par 20 diskrētām spektra joslām, dažkārt sauc par hiperspektrāliem attēlu sensoriem.
Dabīgais urāns (0) ir urāns, kas satur dabā sastopamo izotopu maisījumus.
Tīkla piekļuves kontrolieris (4) ir fiziska saskarne sadalītam komutācijas tīklam. Tas izmanto vienu kopīgu vidi, kas viscaur darbojas vienā un tajā pašā digitālu datu pārsūtīšanas ātrumā, pārraidei izmantojot arbitrāciju (piem., iezīmējot informāciju). Neatkarīgi no citām saskarnēm tas atlasa datu paketes vai datu grupas (piem., IEEE 802), kas attiecinātas uz to. Šādu iekārtu var iebūvēt datorā vai tālsakaru sistēmā, lai nodrošinātu pieeju sakariem.
Neirālais dators (4) ir skaitļošanas iekārta, kas izstrādāta vai pārveidota, lai atdarinātu kāda neirona vai neironu grupas izturēšanos (funkcijas), t.i., skaitļošanas iekārta, kas īpaši izceļas ar iespējām modulēt daudzu skaitļošanas komponentu savstarpējo slēgumu noslodzi un skaitu, balstoties uz agrākiem datiem.
Trokšņu līmenis (6) ir elektrisks signāls, kas raksturo jaudas spektrālo blīvumu. No maksimuma līdz maksimumam trokšņu līmeni izsaka kā: S2pp = 8N0(f2-f1), kur Spp ir signāla vērtība starp diviem maksimumiem (piem., nanoteslās (nT)); N0 ir jaudas spektrālais blīvums (piem., nanotesla (nT)2/Hz); un (f2-f1) ir attiecīgās frekvenču joslas platums.
Kodolreaktors (0) ir objekti, kas atrodas reaktora korpusā vai ir tieši saistīti ar to, iekārtas, kas kontrolē serdē iegūtās enerģijas daudzumu, un komponenti, kuri parasti satur reaktora serdes galveno siltummainītāju, ir tiešā saskarē ar to vai to kontrolē.
Digitāla kontrole (2) ir automātiska tāda procesa kontrole, ko veic ierīce, kas izmanto digitālus datus, kurus parasti ievada ierīces darbības laikā (Skat. ISO 2382).
Mērķa kods (9) ir ērta viena vai vairāku procesu izpilde (avota kods (avota valoda)), kas pārveidots ar programmēšanas sistēmu, un kuru izpilda iekārta.
Optisks pastiprinājums (5) optiskās saziņas sistēmās ir pastiprināšanas metode, kas pastiprina atsevišķa optiskā avota ģenerētus optiskus signālus, tos nepārvēršot elektriskos signālos, piemēram, izmantojot pusvadītāju optiskos pastiprinātājus vai optisko šķiedru luminiscences pastiprinātājus.
Optiskais dators (4) ir dators, kas izveidots vai pārveidots tā, lai izmantotu gaismu, pārnesot un apstrādājot datus, un kura loģiskie skaitļošanas elementi izmanto tieši savienotas optiskas ierīces.
Optiska integrālā shēma (3) ir monolīta integrālā shēma vai hibrīda integrālā shēma, kurā ir viena vai vairākas detaļas, kas paredzētas, lai darbotos kā fotosensori vai fotoemiteri vai izpildītu optisku vai fotoelektrisku funkciju vai funkcijas.
Optiskā pārslēgšana (5) ir optisko signālu maršrutēšana vai pārslēgšana, tos nepārveidojot elektriskos signālos.
Kopējais strāvas blīvums (3) ir kopējais spoles ampērvijums (t.i., vijumu skaita kopsumma, kas reizināta ar maksimālo strāvas stiprumu katrā vijumā), dalīts ar kopējo spoles šķērsgriezumu (ieskaitot supravadītājos pavedienus, metāla matrici, kurā supravadītāja pavedieni iestrādāti, iekapsulētājmateriālu, visus dzesēšanas kanālus, utt.).
Iesaistīta valsts (7;9) ir Vasenāras Nolīguma (www.wassenaar.org) dalībvalsts.
Maksimālā jauda (6) ir impulsa enerģija džoulos, kas dalīta ar impulsa ilgumu sekundēs.
Personalizēta viedkarte (5) ir kodu viedkarte ar īpašam lietojumam programmētu mikroshēmu, ko lietotājs nevar pārprogrammēt citām vajadzībām.
Jaudas pārvaldīšana (7) ir tāda altimetra pārraidītā signāla jaudas pārmaiņa, lai tā būtu lidaparāta augstuma noteikšanai obligāti vajadzīgajā līmenī.
Spiediena sensori (2) ir iekārtas, kas pārveido spiediena mērījumus elektriskā signālā.
Iepriekš separēts (0;1) – izmantots jebkurš process, kas palielina kontrolējamā izotopa koncentrāciju.
Primārā lidojuma vadība (7) ir lidaparāta stabilitātes vai manevrēšanas kontrole, izmantojot virzītājspēka ģeneratorus, t.i., mainot aerodinamisko kontrolvirsmu vai dzinējspēka pielikšanas virzienu (vektoru).
Galvenais elements (4), kas attiecas uz 4. kategoriju, ir galvenais elements gadījumos, kad tā aizstāšanas vērtība pārsniedz 35 % no visas sistēmas kopvērtības, kurā tas ietilpst. Elementa vērtība ir cena, ko par elementu maksā sistēmas izgatavotājs vai tās izveidotājs. Kopējā vērtība ir parastā starptautiskā pārdošanas cena neieinteresētām pusēm ražošanas vai sūtījuma komplektācijas vietā.
Ražošana (GTN, NTN, visur sarakstā) ir visas ražošanas fāzes, piemēram, konstruēšana, ražošanas projektēšana, izgatavošana, integrācija, montāža, inspekcija, pārbaude, kvalitātes sertifikācija.
Ražošanas iekārtas (1;7;9) ir tikai tie darbarīki, vadules, spīles, liešanas formas, veidnes, krāsas, armatūra, iestatīšanas mehānismi, pārbaudes ierīces, citas iekārtas un to komponenti, kas īpaši paredzēti vai pielāgoti izstrādāšanai vai arī vienai vai vairākām ražošanas fāzēm.
Ražošanas jaudas (7;9) ir iekārtas un īpaši izveidota programmatūra, kas integrēta iekārtās, lai izstrādātu vienu vai vairākas ražošanas fāzes.
Programma (2;6) ir kāda procesa izpildei paredzētas vai piemērotas secīgas instrukcijas, kas izstrādātas elektroniskam datoram saprotamā formā.
Impulsu kompresija (6) ir garu radara signāla impulsu pārkodēšana un apstrāde, lai iegūtu īsus impulsus, reizē saglabājot priekšrocības, ko dod impulsi ar lielu enerģiju.
Impulsa ilgums (6) ir lāzera impulsa ilgums, ko mēra pilna platuma pusintensitātes (FWHI) līmenī.
Kvantu kriptogrāfija (5) ir paņēmienu kopums, ar ko izstrādā vienotu kriptogrāfijas atslēgu, mērot kādas fiziskas sistēmas kvantu un mehāniskās īpašības (tostarp tādas fiziskas īpašības, kas skaidri attiecas uz kvantu optikas, kvantu lauka teorijas vai kvantu elektrodinamikas jomu).
Q-pārslēdzams lāzers (6) ir lāzers, kā enerģiju glabā inversā enerģijas apakšlīmenī vai optiskā rezonatorā, un izstaro kā impulsu.
Radara frekvenču manevrētspēja (6) ir metodes, ar ko pseidogadījuma secībā maina raidītājradara nesējfrekvenci starp impulsiem vai impulsu grupām par lielumu, kas līdzinās impulsa joslas platumam vai ir lielāks par to.
Radara izkliedes spektrs (6) ir modulācijas metode, ar ko relatīvi šaurā frekvenču joslā raidīto signāla enerģiju izplata daudz plašākā frekvenču diapazonā, izmantojot gadījuma vai pseidogadījuma kodus.
Reālā laika joslas platums (2;3) dinamisku signālu analizatoriem ir plašākais frekvenču diapazons, kuru analizators var izvadīt uz displeja vai citas ārējās ierīces, nepārtraucot ieejas datu analīzi. Analizatoriem ar vairākiem kanāliem, izdarot aprēķinus, jālieto kanālu konfigurācijā iegūtais reālā laika joslas platums.
Datu apstrāde reālā laikā (6;7) ir datu apstrāde ar datorsistēmu, kas, izmantojot reālās iespējas, nodrošina vajadzīgo servisa līmeni ar garantētu atbildes laiku, neatkarīgi no sistēmas noslodzes, ja to ierosina ārējs notikums.
Vajadzīgs (GTN, 1-9), attiecināts uz tehnoloģiju vai programmatūru, attiecas tikai uz to tehnoloģijas vai programmatūras daļu, kas ir tieši atbildīga par kontrolējamo izpildes līmeņu, raksturlielumu vai funkciju sasniegšanu vai pārsniegšanu. Šāda vajadzīgātehnoloģija vai programmatūra var tikt attiecināta uz vairākām precēm reizē.
Izšķirtspēja (2) ir mēriekārtas mazākā izmērāmā vienība; digitāliem instrumentiem – vismazākais nozīmīgais bits (Skat. ANSI B-89.1.12).
Robots (2;8) ir manipulācijas mehānisms, kas var būt konveijertipa vai darboties pēc principa no punkta uz punktu, tas var izmantot sensorus un tam ir visas šīs īpašības: NB! Iepriekš minētā definīcija neattiecas uz šādām iekārtām:
pt_140 a.
tas ir daudzfunkcionāls;
b.
tas var pozicionēt vai orientēt materiālus, detaļas, instrumentus vai citas īpašas ierīces, veicot dažādas kustības trīsdimensiju telpā;
c.
ietver trīs vai vairākas slēgta vai atvērta tipa servoiekārtas, pie kā var piederēt motori soļošanai; un
d.
kam ir lietotājam pieejama programmējamība pēc mācības/izpildes metodes, vai izmantojot elektronisku datoru, kas var būt programmējams loģiskais kontrolieris, t.i., bez vajadzības mehāniski iejaukties.
1. uz manipulācijas mehānismiem, ko kontrolē tikai ar roku/teleoperators,
2. uz nemainīgas secības manipulācijas mehānismiem, kas ir iekārtas, kuras kustas automātiski un darbojas, veicot mehāniski noteiktas, programmētas kustības. To programma ir mehāniski ierobežota ar nemainīgiem soļiem, ko nosaka atdures, piemēram, adatas vai izciļņi. Kustību secība un ceļu vai leņķu izvēle nav mehāniski, elektroniski vai elektriski maināma,
3. uz mehāniski kontrolētiem mainīgas secības manipulāciju mehānismiem, kas ir iekārtas, kuras kustas automātiski un darbojas saskaņā ar mehāniski nemainīgām, programmētām kustībām. To programma ir mehāniski ierobežota ar nemainīgiem, bet koriģējamiem soļiem, ko nosaka atdures, piemēram, adatas vai izciļņi. Kustību secība un ceļu vai leņķu izvēle ir maināma nemainīgas programmas modelī. Programmas darbības pārmaiņas (piem., adatu izvietojuma maiņu vai izciļņu nomaiņu) vienā vai vairākās kustības asīs veic tikai mehāniski,
4. uz mainīgas secības manipulācijas mehānismiem, ko nevada ar servoiekārtām, un kas kustas automātiski un darbojas, veicot mehāniski nemainīgas programmētas kustības. To programma ir maināma, bet secību izpilda tikai vadotnēs, pēc mehāniski fiksētu elektrisko bināro iekārtu bināriem signāliem vai regulējamām atdurēm,
5. uz noliktavu telferiem, kas definēti kā Dekarta koordinātu manipulatoru sistēmas, izgatavotiem kā vertikālu glabāšanas tvertņu bloku sastāvdaļas un konstruē, lai šo tvertņu saturs būtu pieejams un paņemams.
Rotācijas pulverizācija (1) ir process 500 μm vai mazāku metāla daļiņu iegūšanai, ar centrbēdzes spēkiem iedarbojoties uz izkausētu metālu vai izkausēta metāla strūklu.
Paralēlu šķiedru kūlis (1) ir (parasti 12–120) aptuveni paralēlu šķiedru kūlis. NB!Šķiedra ir aptuveni paralēlu monopavedienu (parasti vairāk nekā 200) kūlītis.
Ekscentriskums (2) ir galvenās vārpstas radiāla nobīde vienā apgriezienā, to mēra asij perpendikulārā plaknes punktā uz pārbaudāmās iekšējās vai ārējās rotācijas virsmas (Skat. ISO 230/1 1986, pk. 5.61).
Mēroga koeficients (žiroskopam vai akselerometram) (7) ir mērāmā lieluma izejas signāla attiecība pret ieejas signālu. Mēroga koeficientu parasti aprēķina kā tādas taisnes virziena koeficientu, ko var konstruēt pēc mazāko kvadrātu metodes no ieejas un izejas datiem, ko iegūst, ieejas datus cikliski mainot visā ieejas diapazonā.
Stabilizācijas laiks (3) ir laiks, kas vajadzīgs, lai, pārslēdzoties starp jebkuriem diviem pārveidotāja līmeņiem, beigu vērtība būtu pusbita robežās.
SHPL ir superjaudīgs lāzers.
Signālu analizatori (3) ir aparāti, ar ko var mērīt un attēlot daudzfrekvenču signālu vienfrekvences komponentu galvenās īpašības.
Signālu apstrāde (3;4;5;6) ir algoritmiskas ārējas izcelsmes informācijas nesēju signālu apstrāde, piemēram, laika kompresija, filtrēšana, ekstrakcija, selekcija, korelācija, sagriešana vai transformēšana domēnu starpā (piem., ātrais Furjē vai Volša pārveidojums).
Programmatūra (GSN, visur sarakstā) ir vienas vai vairāku programmu vai mikroprogrammu kopums, kas fiksēts kādā materiālā nesējā. NB!Mikroprogramma ir īpašā atmiņā glabāta elementāru instrukciju secība, kuras izpildi ierosina ar attiecīgu instrukciju no instrukciju reģistra.
Avota kods (jeb avota valoda) (4;6;7;9) ir izteiksme, kas piemērota vienam vai vairākiem procesiem, ko programmēšanas sistēma var pārvērst iekārtai izpildāmā formā (objekta kodā vai objekta valodā).
Kosmiskais kuģis (7;9) ir aktīvs vai pasīvs pavadonis vai kosmiskā zonde.
Lietojams kosmosā (3;6) attiecas uz produktiem, kuri ir izstrādāti, ražoti un pārbaudīti, lai izturētu īpašas elektriskas, mehāniskas u.c. prasības, un paredzēti izmantošanai raķešu palaišanai un pavadoņu vai citu lielā augstumā (100 km un augstāk) lidojošu sistēmu darbības izvēršanai.
Īpašie skaldmateriāli (0) ir plutonijs-239, urāns-233, ar 233 vai 235 izotopu bagātināts urāns vai jebkurš cits materiāls, kas tos satur.
Īpatnējais modulis (0;1;9) ir Junga modulis Pa, kas izteikts kā N/m2 dalījums ar īpatnējo svaru N/m3, un ko mēra (296 ± 2) K ((23 ± 2) °C) temperatūrā pie relatīvā gaisa mitruma (50±5) %.
Īpatnējā stiepes izturība (0;1) ir galīgā stiepes izturība Pa, kas izteikta N/m2, dalīta ar īpatnējo svaru N/m3, un ko mēra (296 ± 2) K ((23 ± 2) °C) temperatūrā pie relatīvā gaisa mitruma (50±5) %.
Uzsmidzināšana (1) ir ātrās cietināšanas process, kurā izkausēta metāla strūkla nonāk kontaktā ar atdzesētu bloku, veidojot pārslveida produktu. NB!Ātrā cietināšana ir izkausēta materiāla cietināšana ar dzesēšanas ātrumu virs 1000 K/s.
Izkliedētais spektrs (5) ir tehnoloģija, kas ļauj relatīvi šaura sakaru kanāla enerģiju izvērst daudz plašākā enerģijas spektrā.
Izkliedētā spektra radars (6) Skat. Radara izkliedes spektrs.
Stabilitāte (7) ir attiecīgā parametra noviržu vidējā izkliede (1 sigma) no kalibrētās vērtības, kura mērīta stabilas temperatūras apstākļos. Stabilitāti var izteikt kā laika funkciju.
Valstis, kas (nav) pievienojušās Ķīmisko ieroču konvencijai (1) ir valstis, kurās (nav) spēkā Konvencija par ķīmisko ieroču izstrādāšanas, ražošanas, glabāšanas un lietošanas aizliegšanu (Skat. www.opcw.org).
Substrāts (3) ir pamatmateriāla loksne ar savienojumu zīmējumu vai bez tā, un uz kā vai kurā var izvietot diskrētu komponentus un/vai integrālās shēmas. NB! 1:Diskrēts komponents: atsevišķs ķēdes elements ar ārējiem izvadiem. NB! 2:Ķēdes elements: atsevišķa aktīva vai pasīva funkcionāla elektroniskās ķēdes daļa, piemēram, viena diode, viens tranzistors, viena pretestība, viens kondensators u.c.
Substrātu sagataves (6) ir monolīti savienojumi ar atbilstošiem izmēriem, lai varētu izgatavot tādus optiskos elementus kā spoguļus vai optiskos logus.
Toksīna pirmējā vienība (1) ir toksīna strukturāli vai funkcionāli diskrēts komponents.
Supersakausējumi (2;9) ir niķeļa, kobalta vai dzelzs sakausējumi, kas ir izturīgāki par jebkuru no AISI 300 sērijas sakausējumiem temperatūrā, kura pārsniedz 922 K (649 °C), un smagos vides un ekspluatācijas apstākļos.
Supravadītāji (1;3;6;8) ir materiāli, piemēram, metāli, sakausējumi vai savienojumi, kas var pilnībā zaudēt elektrisko pretestību, t.i., var sasniegt bezgalīgu elektrovadītspēju un vadīt ļoti stipru elektrisko strāvu bez zudumiem kā siltuma enerģiju. NB! Materiāla supravadītāja stāvokli konkrēti raksturo kritiskā temperatūra, kritisks magnētiskais lauks, kas ir temperatūras funkcija, un kritiskais strāvas blīvums, kas tomēr ir gan magnētiskā lauka, gan temperatūras funkcija.
Superjaudīgs lāzers (SHPL) (6) ir lāzers, kas spēj pārnest izejas enerģiju (kopējo vai daļu) virs 1 kJ 50 milisekundēs vai kura vidējā vai nepārtrauktas darbības jauda pārsniedz 20 kW.
Superplastiskā formēšana (1;2) ir karsts tādu metālu deformācijas process, kuriem raksturīgas zemas stiepes deformācijas vērtības (zem 20 %) pārraušanas punktā, ko nosaka, stiepes stiprību pārbaudot istabas temperatūrā, lai iegūtu stiepes deformācijas, kas vismaz divkārt pārsniedz šīs vērtības.
Simetrisks algoritms (5) ir kriptografisks algoritms, kurā šifrēšanai un atšifrēšanai izmanto identiskas atslēgas. NB!Materiāla Simetrisko algoritmu parasti izmanto konfidenciālu datu aizsardzībai.
Sistēmsekošana (6) ir apstrādāti, korelēti (radara datu saskaņošana ar lidaparāta pozīciju) un precizēti dati lidaparātu atrašanās vietas noteikšanai, kas ir pieejami Gaisa satiksmes kontroles centra kontrolieriem.
Sistoliska bloka dators (4) ir dators, kurā datu plūsma un modifikācija ir lietotājam dinamiski kontrolējama loģiskās ieejas līmenī.
Lente (1) ir no savītām vai paralēlām monošķiedrām, pavedieniem, paralēlu šķiedru kūlīšiem, tauvām vai dzijām u.c. izgatavots materiāls, kas parasti piesūcināts ar sveķiem. NB!Šķiedra ir aptuveni paralēlu monopavedienu (parasti virs 200) kūlītis.
Tehnoloģija (GTN, NTN, visur sarakstā) ir specifiska informācija, kas vajadzīga preču izstrādāšanai, ražošanai vai lietošanai. Šī informācija ir tehnisko datu vai tehniskās palīdzības veidā. NB! 1:Tehniskā palīdzība (GTN, NTN) var būt instrukciju, prasmju, mācību, darba prasmes un konsultēšanas pakalpojumu veidā, un tā var tikt izmantota tehnisko datu nodošanai. NB! 2:Tehniskie dati (GTN, NTN) var būt rasējumu, plānu, diagrammu, modeļu, formulu, tabulu, inženierdizaina, rakstisku specifikāciju, rokasgrāmatu un instrukciju veidā, kas var būt rakstveida vai ierakstītas, piemēram, uz diska, lentē vai nolasāmās atmiņas ierīcēs.
Pagriežama vārpsta (2) ir metālgriešanas instrumenta saturētāja vārpsta ar apstrādes procesa laikā maināmu ass leņķi attiecībā pret citām asīm.
Laika konstante (6) ir laiks, kas uzņemts no gaismas stimula piemērošanas strāvas palielināšanai, lai sasniegtu vērtību 1 -1/e reizes no galīgās vērtības (t.i., 63 % galīgās vērtības).
Totāla lidojuma kontrole (7) ir gaisa kuģa stāvokļa mainīgo lielumu un lidojuma maršruta automātiska kontrole, lai izpildītu konkrētu uzdevumu atkarībā no datu izmaiņām reālajā laikā par doto uzdevumu, apdraudējumiem vai citiem gaisa kuģiem.
Kopējais digitālais datu pārsūtīšanas ātrums (5) ir bitu skaits laika vienībā (ieskaitot līnijkodēšanu, protokolu signālus utt.), kas vajadzīgs signāla pārraidīšanai starp attiecīgām digitālu pārraides sistēmas iekārtām. NB! Skat. arī Digitālu datu pārsūtīšanas ātrums.
Šķiedru kūlis (1) ir aptuveni paralēlu monopavedienu kūlis.
Toksīni (1;2) ir preparātu vai maisījumu veidā īpaši izolēti toksīni, neatkarīgi no to izgatavošanas veida, izņemot ar toksīniem piesārņotus materiālus, piemēram, patoloģiskos paraugus, labību, pārtikas produktus vai mikroorganismu sporas.
Pārneses lāzers (6) ir lāzers, kurā notiek enerģijas pārnese neierosināta atoma vai molekulas sadursmē ar atomu vai molekulu, kas ģenerē starojumu.
Noskaņojams (6) ir lāzera spēja radīt nepārtrauktu starojumu visos viļņa garumos vairākos lāzera impulsos. Līnijselektējams lāzers rada diskrēta viļņa garuma starojumu vienā lāzera impulsā un nav uzskatāms par noskaņojamu.
Bezpilota lidaparāts (BL) (9) ir jebkurš lidaparāts, kas spēj sākt lidojumu, un veikt kontrolētu lidojumu un navigēt bez cilvēku klātbūtnes lidaparātā.
Ar izotopu 235 vai 233 bagātināts urāns (0) ir urāns, kurā ir izotopi 235 vai 233 (vai abi) tādā daudzumā, ka šo izotopu summārā satura attiecība pret izotopa 238 daudzumu ir lielāka par dabisko izotopa 235 attiecību pret izotopu 238 (izotopu attiecība 0,71 %).
Lietošana (GTN, NTN, visur sarakstā) ir darbināšana, uzstādīšana (ieskaitot uzstādīšanu darbības vietā), apkopi (pārbaudi), remontu, kapitālo remontu un atjaunošanu.
Lietotājam pieejama programmējamība (6) ir iespēja lietotājam ievietot, pārveidot vai aizvietot programmas citādi, nevis:
pt_184 a.
fiziski pārmainot slēgumus vai savienojumus; vai
b.
mainot kontrolparametru iestatītās vērtības, ieskaitot parametru ievadīšanu.
Vakcīna (1) ir medikaments ar farmaceitisku formulu, kuru ražotāja vai lietotāja valsts regulācijas iestādes ir licencējušas vai par ko ir izsniegušas tirdzniecības vai klīnisko izmēģinājumu atļauju, un kurš ir paredzēts cilvēku vai dzīvnieku imunoloģiskas aizsargreakcijas stimulēšanai, lai novērstu slimības tajos, kam tā iepotēta.
Vakuumpulverizācija (1) ir process, kurā iegūst 500 μm lielas vai mazākas metāla daļiņas, izmantojot strauju izšķīdušas gāzes izdalīšanos, kad izkausēta metāla strūklu iepūš vakuumā.
Maināmas ģeometrijas aerodinamiskās lāpstiņas (7) ir eleronu vai plākšņu izmantošana spārna priekšējās vai aizmugurējās malas formas maiņai vai noliecams lidaparāta priekšgals, ko var kontrolēt lidojuma laikā.
Dzija (1) ir savērptu šķiedru pavediens. NB!Šķiedra ir aptuveni paralēlu monopavedienu (parasti virs 200) kūlītis.
PIELIKUMĀ LIETOTIE AKRONĪMI UN SAĪSINĀJUMI
Akronīmu vai saīsinājumu, kad to lieto kā terminu, var atrast sadaļā Pielikumā lietoto terminu definīcijas Akronīms vai saīsinājums Nozīme ABEC Gāzu statisko gultņu inženieru komiteja AGMA Amerikas Piedziņas mehānismu ražotāju asociācija AHRS stāvokļa un virziena etalonsistēmas AISI Amerikas Dzelzs un tērauda institūts ALU aritmētiskās loģikas elements ANSI Amerikas Valsts standartu institūts ASTM Amerikas materiālu un izmēģinājumu biedrība ATC gaisa satiksmes kontrole AVLIS atomizēta tvaika lāzera separācija CAD datorprojektēšana CAS Ķīmijas analītisko apskatu indekss CCITT Starptautiskā telegrafa un telefona padomdevēja komiteja CDU indikācijas un kontroles bloks CEP varbūtējā cirkulārā kļūda CNTD vadāmas nukleācijas termopārklāšana CRISLA ķīmiskā reakcija ar izotopu jutīga lāzera aktivāciju CVD ķīmisko savienojumu tvaika kondensācijas pārklāšana CW ķīmiskais karš CW (lāzeriem) nepārtraukts vilnis DME iekārta attāluma mērīšanai DS virzīti sacietināts EB-PVD fizikāli termiskā pārklāšana elektronu kūlī EBU Eiropas Radio un televīzijas savienība ECM elektroķīmiskā apstrāde ECR elektronu ciklotrona rezonanse EDM elektriskā loka izlādes mašīnas EEPROMS elektriski pārprogrammējama lasāmatmiņa EIA Elektroniskās rūpniecības asociācija EMC elektromagnētiskā savietojamība ETSI Eiropas Telekomunikāciju Standartu institūts FFT ātrais Furjē pārveidojums GLONASS globālās navigācijas pavadoņu sistēma GPS globālā pozīcijas noteikšanas sistēma HBT heterobipolārie tranzistori HDDR augsta blīvuma digitāls ieraksts HEMT augsta elektronu kustīguma tranzistori ICAO Starptautiskā civilās aviācijas organizācija IEC Starptautiskā elektrotehnikas komisija IEEE Elektronikas un elektrotehnikas inženieru institūts IFOV momentānais redzes leņķis ILS automātiskā nosēšanās sistēma IRIG starpdiapazonu instrumentu grupa ISAR inversās sintētiskās diafragmas radars ISO Starptautiskā standartizācijas organizācija ITU Starptautiskā telekomunikāciju savienība JIS Japānas rūpnieciskais standarts JT Džouls-Tomsons LIDAR gaismas avota atklāšana un attāluma noteikšana līdz tam LRU viegli nomaināms bloks MAC informācijas drošības kods Mach objekta ātruma attiecība pret skaņas ātrumu (pēc Ernsta Maha) MLIS izotopu molekulu separācija ar lāzeru MLS nolaišanās vadības mikroviļņu sistēmas MOCVD metālorganisko savienojumu ķīmisko tvaiku kondensācija MRI kodolmagnētiskās rezonanses caurskate MTBF vidējais laiks starp atteicēm Mtops miljoni teorētisko operāciju sekundē MTTF vidējais laiks līdz atteicei NBC nukleārais, bioloģiskais un ķīmiskais NDT nesagraujoša pārbaude PAR precīza pielidojuma radars PIN personas identifikācijas numurs ppm miljondaļas PSD jaudas spektrālais blīvums QAM kvadrātiskā amplitūdas modulācija RF radiofrekvence SACMA Augstu tehnoloģiju kompozītmateriālu ražotāju asociācija SAR sintētiskās diafragmas radars SC monokristāls SLAR lidaparāta sānskata radars SMPTE Kino un televīzijas inženieru biedrība SRA nomaināms agregāts SRAM statiskā brīvpiekļuves atmiņa SRM SACMA ieteicamas metodes SSB atsevišķa blakusfrekvenču josla SSR sekundārs pārraudzības radars TCSEC datoru standarts Trusted computer system evaluation criteria TIR kopējais rādījums UV ultravioletais UTS galīgā stiepes izturība VOR ļoti augstas frekvences visaptverošs diapazons YAG itrija/alumīnija granāts
0 KATEGORIJA KODOLMATERIĀLI, JAUDAS UN IEKĀRTAS
0ASistēmas, iekārtas un komponenti
0A001Kodolreaktori un īpaši tiem konstruēti vai pielāgoti komponenti un iekārtas, tas ir:
a.
kodolreaktori, kas spēj darboties, uzturot kontrolējamu, pašpietiekamu ķēdes reakciju;
b.
metāla tilpnes vai galvenās to rūpnieciski izgatavotās sastāvdaļas, kas īpaši konstruētas vai pielāgotas, lai ietvertu kodolreaktora aktīvo zonu, ieskaitot reaktora aktīvās zonas vāku reaktora spiediena tilpnei;
c.
degvielas elementu manipulācijas iekārtas, kas īpaši konstruētas vai pielāgotas degvielas iekraušanai un izkraušanai kodolreaktorā;
d.
vadības stieņi, kas īpaši izgatavoti vai pielāgoti, lai regulētu kodoldalīšanās procesu kodolreaktorā, to balstu konstrukcijas vai struktūras, kā arī reakcijas slāpētāju stieņu piedziņas mehānisms un reakcijas slāpētāju stieņu piedziņas vadules;
e.
spiediena caurules, kuras īpaši konstruētas vai sagatavotas degvielas elementiem un primārajam dzesēšanas aģentam kodolreaktorā pie darba spiediena virs 5,1 MPa;
f.
caurules vai cauruļu bloki, kas izgatavoti no cirkonija vai tā sakausējumiem, kuros hafnija masas attiecība pret cirkonija masu ir mazāka par 1:500, un kas īpaši konstruēti vai pielāgoti darbam kodolreaktorā;
g.
dzesēšanas sūkņi, kas īpaši izgatavoti vai pielāgoti primārā dzesēšanas aģenta cirkulācijai kodolreaktorā;
h.
kodolreaktora iekšējie komponenti, kas īpaši izgatavoti vai pielāgoti izmantošanai kodolreaktorā, ieskaitot reaktora aktīvās zonas balstu struktūras, degvielas kanālus, siltumvairogus, atstarotājus, serdeņa sietplates un difuzora plates; Piezīme. 0A001.h pozīcijā kodolreaktora iekšējie komponenti ir visas galvenās struktūras reaktora iekšienē, kurām ir viena vai vairākas funkcijas, piemēram, aktīvās zonas balstīšana, degvielas bloka regulēšana, primārā dzesēšanas aģenta plūsmas virzība, reakcijas tilpnes starojuma aizsargekrānu funkcija un reaktora aktīvās zonas instrumentu vadīšana.
i.
siltummaiņi (tvaika ģeneratori), kas īpaši konstruēti vai sagatavoti izmantošanai kodolreaktoru primārajā dzesēšanas kontūrā;
j.
neitronu detektori un mērinstrumenti, kas īpaši konstruēti vai sagatavoti neitronu plūsmas noteikšanai kodolreaktora aktīvajā zonā.
0BIzmēģinājumu, pārbaudes un ražošanas iekārtas
0B001Mašīnas dabīgā urāna un noplicinātā urāna un īpašo skaldmateriālu izotopu separācijai, kā arī īpaši tām konstruēts vai pielāgotas iekārtas un to komponenti, tas ir: 0B002Īpaši konstruētas vai pielāgotas palīgsistēmas, iekārtas un komponenti 0B001 pozīcijā minētajām izotopu separācijas iekārtām, kas izgatavotas no pret UF6 koroziju izturīgiem materiāliem vai aizsargātas ar tiem, tas ir: 0B003Urāna pārstrādes mašīnas un tām īpaši konstruētas vai pielāgotas ierīces, tas ir: 0B004Mašīnas smagā ūdens, deitērija un deitērija savienojumu ražošanai vai koncentrēšanai un tām īpaši konstruētas vai pielāgotas ierīces un komponenti, tas ir: 0B005Īpašas mašīnas kodolreaktoru kodoldegvielas elementu ražošanai un šim nolūkam īpaši konstruētas vai pielāgotas ierīces. Piezīme.Kodolreaktoru degvielas elementu ražošanas mašīnā ietilpst ierīces, kuras: 0B006Mašīnas izstarotās kodolreaktoru kodoldegvielas elementu pārstrādei un šim nolūkam īpaši konstruētas vai pielāgotas ierīces. Piezīme. 0B006 ietver: 0B007Rūpnīcas plutonija pārveidošanai un šim nolūkam īpaši konstruētas vai pielāgotas ierīces, tas ir:
a.
mašīnas, kas īpaši izgatavotas dabīgā urāna, noplicinātā urāna un īpašo skaldmateriālu izotopu separācijai, tas ir:
1. gāzu centrifūgu separācijas mašīnas;
2. gāzu difūzijas separācijas mašīnas;
3. aerodinamiskās separācijas mašīnas;
4. ķīmiskās apmaiņas separācijas mašīnas;
5. jonu apmaiņas separācijas mašīnas;
6. atomizēta tvaika lāzera izotopu separācijas (AVLIS) mašīnas;
7. molekulāro lāzeru izotopu separācijas (MLIS) mašīnas;
8. plazmas separācijas mašīnas;
9. elektromagnētiskās separācijas mašīnas;
b.
gāzu centrifūgas, agregāti un komponenti, kas īpaši konstruēti vai pielāgoti gāzu centrifūgas separācijas procesam, tas ir: Piezīme. 0B001.b. pozīcijā materiāls ar augstu stiprības attiecību pret blīvumu ir jebkurš no šiem
a.
martensīta tēraudi ar galīgo stiepes izturību 2050 MPa vai vairāk;
b.
alumīnija sakausējumi ar galīgo stiepes izturību 460 MPa vai vairāk; vai
c.
šķiedraini vai pavedienveida materiāli ar īpatnējo moduli, kas lielāks par 3,18 × 106 m , un īpatnējo stiepes izturību, kas lielāka par 76,2 × 103 m;
1. gāzu centrifūgas;
2. samontēti rotoru agregāti;
3. rotora cilindri ar sieniņu biezumu 12 mm vai mazāk un diametru no 75 līdz 400 mm, kas izgatavoti no materiāliem ar augstu stiprības attiecību pret blīvumu;
4. gredzeni un balsti ar sieniņu biezumu 3 mm vai mazāku un diametru no 75 līdz 400 mm, kuru konstrukcija nodrošina vietēju atbalstu rotora caurulei vai vairākām savstarpēji saistītām caurulēm un kuri izgatavoti no materiāliem ar augstu stiprības attiecību pret blīvumu;
5. rotora caurulē iemontējami deflektori, kuru diametrs ir no 75 līdz 400 mm un kuri izgatavoti no materiāliem ar augstu stiprības attiecību pret blīvumu;
6. augšējie un apakšējie rotora caurules slēgi, kuru diametrs ir no 75 līdz 400 mm, kas pieguļ rotora caurules galiem un izgatavoti no materiāliem ar augstu stiprības attiecību pret blīvumu;
7. magnētiskās piekares gultņi, kas sastāv no statiska magnēta ar aizsargapvalku, kurš izgatavots no pret UF6 koroziju izturīgiem materiāliem vai ar tiem aizsargāts un kuram ir vibrācijas slāpētāja vide un magnētiska saite ar polu vai ar citu magnētu, kas uzmontēts rotora virsējam slēgam;
8. īpaši gultņi ar šarnīra mezglu, kas uzmontēts amortizatoram;
9. molekulārie sūkņi, kas sastāv no cilindriem ar iestrādātām vai ekstrudētām spirālveida rievām un iestrādātiem kanāliem iekšējās virsmās;
10. gredzenveida motora statori daudzfāžu maiņstrāvas histerēzes (vai magnētiskās pretestības) motoriem sinhronai darbībai vakuumā un frekvenču diapazonā no 600 līdz 2000 Hz ar jaudu no 50 līdz 1000 VA;
11. centrifūgu apvalks/nodalījums gāzu centrifūgas rotora cauruļu ievietošanai, kas sastāv no nekustīga cilindra ar precīzi apstrādātiem galiem, kurš izgatavots no pret UF6 koroziju izturīgiem materiāliem ar sieniņu biezumu līdz 30 mm;
12. UF6 ekstrakcijas iekārtas uztvērējs, kas sastāv no caurulēm, kuru iekšējais diametrs ir līdz 12 mm, UF6 ekstrakcijai no centrifūgas rotora, izmantojot Pito caurules, kuras izgatavotas no pret UF6 koroziju izturīgiem materiāliem vai aizsargātas ar tiem;
13. frekvenču pārveidotāji (konverteri vai invertori) un īpaši tiem izgatavoti komponenti, kas īpaši konstruēti vai pielāgoti gāzu centrifūgu bagātināšanas iekārtu motoru statoru barošanai, un kam ir visas šīs īpašības:
13. a.
daudzfāžu izeja ar frekvenci no 600 līdz 2000 Hz;
b.
frekvenču kontrole labāka par 0,1 %;
c.
harmoniskie kropļojumi mazāki par 2 %; un
d.
lietderības koeficients lielāks par 80 %;
c.
iekārtas un komponenti, kas īpaši konstruēti vai pielāgoti gāzu centrifūgu separācijas procesiem, tas ir:
1. gāzu difūzijas barjeru membrānas, kas izgatavotas no porainiem pret UF6 koroziju izturīgiem materiāliem no metāla, polimēriem vai keramikas ar poru izmēru no 10 līdz 100 nm, biezumu 5 mm vai mazāku, vai cauruļveida formām, kuru diametrs ir 25 mm vai mazāks;
2. gāzu difuzoru apvalki, kas izgatavoti no pret UF6 koroziju izturīgiem materiāliem vai aizsargāti ar tiem;
3. kompresori (turbo, centrbēdzes un aksiālas plūsmas tipa) un gāzpūtēji, kas izgatavoti no pret UF6 koroziju izturīgiem materiāliem vai aizsargāti ar tiem, ar ražību 1 m3/min UF6 vai vairāk un izejas spiedienu līdz 666,7 kPa;
4. pozīcijā 0B00l.c.3. minēto gāzpūtēju vai kompresoru rotējošo vārpstu blīvslēgi, kas izgatavoti tā, lai bufera gāzes ieplūdes ātrums būtu mazāks par 1000 cm3/min;
5. siltummaiņi, kas izgatavoti no alumīnija, vara, niķeļa vai to sakausējumiem un satur vairāk nekā 60 % niķeļa, vai šo metālu kombinācijas oderētu cauruļu veidā, kas paredzētas darbam pie negatīva spiediena ar tādu noplūdes ātrumu, kad spiediens nepieaug vairāk kā par 10 Pa stundā pie spiedienu starpības 100 kPa;
6. silfona vārsti, kuru diametrs ir no 40 līdz 1500 mm un kuri ir pārklāti ar pret UF6 koroziju izturīgiem materiāliem vai izgatavoti no tiem;
d.
iekārtas un komponenti, kas īpaši konstruēti vai pielāgoti aerodinamiskas separācijas procesiem, tas ir:
1. UF6 korozijas izturīgas separācijas sprauslas, kas sastāv no šķelta veida liektiem kanāliem, kuru liekuma rādiuss ir mazāks par 1 mm, un šķēlējplaknes, kas sadala caurplūstošo gāzi divās plūsmās;
2. cilindriskās vai koniskās tangenciālās ieplūdes caurules (virpuļcaurules), kuru diametrs ir no 0,5 līdz 4 cm, bet garuma attiecība pret diametru ir 20:1 vai mazāka, ar vienu vai vairākām tangenciālajām ieejām, kas izgatavotas no pret UF6 koroziju izturīgiem materiāliem vai aizsargātas ar tiem;
3. gāzpūtēji vai kompresori (turbo, centrbēdzes, aksiālas plūsmas) ar ražību 2 m3/min un attiecīgie rotora vārpstas blīvslēgi, kas izgatavoti no pret UF6 koroziju izturīgiem materiāliem vai aizsargāti ar tiem;
4. siltummaiņi, kas izgatavoti no pret UF6 koroziju izturīgiem materiāliem vai aizsargāti ar tiem;
5. aerodinamiskās separācijas elementu apvalki, kas satur virpuļcaurules vai separācijas sprauslas un izgatavoti no pret UF6 koroziju izturīgiem materiāliem vai aizsargāti ar tiem;
6. silfona ventiļi, kuru diametrs ir no 40 līdz 1500 mm un kuri izgatavoti no pret UF6 koroziju izturīgiem materiāliem vai aizsargāti ar tiem;
7. pārstrādes sistēmas UF6 separācijai no nesējgāzes (hēlija vai ūdeņraža) līdz UF6 saturam 1 ppm vai zemākam, ieskaitot:
7. a.
kriogēnus siltummaiņus un krioseparatorus darbam 153 K (– 120 °C) vai zemākā temperatūrā;
b.
kriogēnās saldēšanas iekārtas darbam 153 K (– 120 °C) vai zemākā temperatūrā;
c.
separācijas sprauslas vai virpuļcaurules UF6 separācijai no nesējgāzes;
d.
UF6 izsaldēšanas iekārtas darbam 253 K (– 20 °C) vai zemākā temperatūrā;
e.
iekārtas un komponenti, kas īpaši paredzēti vai sagatavoti ķīmiskās apmaiņas separācijas procesiem, tas ir:
1. ātras šķidruma apmaiņas pulsējošas kolonnas, kuru kontaktlaiks ir 30 s vai mazāks, noturīgas pret koncentrētas sālsskābes iedarbību (piemēram, izgatavotas no piemērotiem polimēru materiāliem, piemēram, fluoroglekļa polimēriem vai stikla, vai ar tiem oderētas);
2. ātrdarbīgi šķidruma centrbēdzes ekstraktori, kuru kontaktlaiks ir 30 s vai mazāks, noturīgi pret koncentrētas sālsskābes iedarbību (piemēram, izgatavoti no piemērotiem polimēru materiāliem, piemēram, fluoroglekļa polimēriem vai stikla, vai ar tiem oderēti);
3. pret koncentrētas sālsskābes šķīdumu iedarbību noturīgi elektroķīmiskās reducēšanas elementi vienvērtīga urāna savienojumu reducēšanai citu vērtību savienojumos;
4. elektroķīmiskās reducēšanas elementu barošanas iekārtas U+4 separācijai no organiskajām vielām, kurām daļas, kas ar tām saskaras, ir izgatavotas no piemērotiem materiāliem (piemēram, no fluoroglekļa polimēriem, polifenilsulfāta, poliētera sulfona vai grafīta, kas impregnēts ar sveķiem) vai aizsargātas ar tiem;
5. barošanas sagatavošanas sistēmas augstas tīrības urāna hlorīda šķīduma ražošanai, kas sastāv no šķīdināšanas, šķīdinātāja ekstrakcijas un/vai jonu apmaiņas iekārtām bagātināšanai un elektrolītiskajiem elementiem, lai U+6 vai U+4 reducētu par U+3;
6. urāna oksidēšanas sistēmas U+3 oksidēšanai par U+4;
f.
iekārtas un komponenti, kas īpaši paredzēti vai sagatavoti jonu apmaiņas separācijas procesiem, tas ir:
1. ātri reaģējoši jonu apmaiņas sveķi, membrānas vai poraini sašūti sveķi, kuros aktīvās ķīmiskās apmaiņas grupas ir tikai inertas porainas nesējvirsmas, kā arī citas piemērotas formas kompozītu struktūras, ieskaitot daļiņas vai šķiedras, kuru diametrs ir 0,2 mm vai mazāks un kuras ir noturīgas pret koncentrētas sālsskābes iedarbību un izgatavotas tā, lai apmaiņas ātruma puslaiks būtu mazāks par 10 s un spētu darboties temperatūras intervālā no 373 K (100 °C) līdz 473 K (200 °C);
2. jonu apmaiņas kolonnas (cilindriskas), kuru diametrs lielāks par 1000 mm un kuras izgatavotas no materiāliem, kas ir noturīgi pret koncentrētas sālsskābes iedarbību (piemēram, titāna vai fluoroglekļa polimēriem), vai aizsargātas ar šiem materiāliem un spēj darboties temperatūras intervālā no 373 K (100 °C) līdz 473 K (200 °C) un spiedienā virs 0,7 MPa;
3. jonu apmaiņas atteices sistēmas (ķīmiskās vai elektroķīmiskās oksidēšanas vai reducēšanas sistēmas) jonu apmaiņas bagātināšanas iekārtu kaskādēs lietoto ķīmiskās reducēšanas vai oksidēšanas aģentu reģenerēšanai;
g.
iekārtas un komponenti, kas īpaši konstruēti vai pielāgoti atomāras lāzera iztvaices (AVLIS) separācijas procesiem, tas ir:
1. lieljaudas elektronu stripinga vai elektronu staru skenēšanas lielgabali, kuru jauda lielāka par 2,5 kW/cm, izmantošanai urāna iztvaicēšanas sistēmās;
2. šķidra urāna metāla apstādināšanas sistēmas urāna vai urāna sakausējumu kausēšanai, kurās ietilpst tīģeļi, kas izgatavoti no piemērotiem karstumizturīgiem un pret koroziju izturīgiem materiāliem (piemēram, tantala, ar itriju pārklāta grafīta, grafīta, kas pārklāts ar citu retzemju elementu oksīdiem vai to savienojumiem) vai pārklāti ar tiem, un šo tīģeļu dzesēšanas iekārtas; NB! SKAT. ARĪ 2A225 POZĪCIJU
3. produkta un atkritumproduktu kolektoru sistēmas, kas izgatavotas vai pārklātas ar materiāliem, kas izturīgi pret šķidra urāna vai tā tvaiku iedarbību, piemēram, ar itriju pārklāta grafīta vai tantala;
4. separatoru moduļu apvalki (cilindriski vai taisnstūrveida trauki), kuros ir urāna metāla tvaiku avots, elektronu staru lielgabals un produkta un atkritumproduktu kolektors;
5. lāzerus vai lāzeru sistēmas ar frekvenču spektra stabilizāciju ilgstošam urāna izotopu separācijas procesam; NB! SKAT. ARĪ 6A005 UN 6A205 POZĪCIJU
h.
iekārtas un komponenti, kas īpaši konstruēti vai pielāgoti molekulārajiem lāzera izotopu separācijas (MLIS) procesiem vai ķīmiskām reakcijām ar izotopjutīgu lāzera aktivizāciju (CRISLA), tas ir:
1. virsskaņas izplešanās sprauslas UF6 un nesējgāzes maisījumu dzesēšanai līdz 150 K (– 123 °C) vai zemākai temperatūrai, izgatavotas no pret UF6 koroziju izturīgiem materiāliem;
2. urāna pentafluorīda (UF5) produktu kolektori, kas sastāv no filtra, trieciena vai ciklona tipa kolektoriem vai to kombinācijām un izgatavoti no pret UF5/UF6 koroziju izturīgiem materiāliem;
3. kompresori un to rotoru vārpstu blīvslēgi, kas izgatavoti no pret UF6 koroziju izturīgiem materiāliem vai pārklāti ar tiem;
4. iekārtas UF5 (cietā fāze) fluorācijai par UF6 (gāzveida fāze);
5. sistēmas UF6 separācijai no nesējgāzes (piemēram, slāpekļa vai argona), ieskaitot:
5. a.
kriogēnus siltummaiņus un krioseparatorus darbam 153 K (– 120 °C) vai zemākā temperatūrā;
b.
kriogēnās saldēšanas iekārtas darbam 153 K (– 120 °C) vai zemākā temperatūrā;
c.
UF6 izsaldēšanas iekārtas darbam 253 K (– 20 °C) vai zemākā temperatūrā;
6. lāzerus vai lāzeru sistēmas ar frekvenču spektra stabilizāciju ilgstošam urāna izotopu separācijas procesam; NB! SKAT. ARĪ 6A005 UN 6A205 POZĪCIJU
i.
iekārtas un komponenti, kas īpaši konstruēti vai pielāgoti plazmas separācijas procesiem, tas ir:
1. mikroviļņu enerģijas avoti un antenas jonu veidošanai vai paātrināšanai ar izejas frekvenci virs 30 GHz un vidējo izejas jaudu virs 50 kW;
2. radio frekvences jonu ierosmes spoles frekvencēm virs 100 kHz spēj izturēt vidējo jaudu virs 40 kW;
3. urāna plazmas ģeneratoru sistēmas;
4. sistēmas urāna vai urāna sakausējumu kausēšanai, kurās ietilpst tīģeļi, kas izgatavoti no piemērotiem karstumizturīgiem un pret koroziju izturīgiem materiāliem (piemēram, tantala, ar itriju pārklāta grafīta, grafīta, kas pārklāts ar citu retzemju elementu oksīdiem vai to savienojumiem) vai pārklāti ar tiem, un šo tīģeļu dzesēšanas iekārtas; NB! SKAT. ARĪ 2A225 POZĪCIJU
5. produktu un atkritumproduktu kolektori, kas izgatavoti no materiāliem, kuri ir karstumizturīgi un izturīgi pret urāna tvaiku koroziju, vai ar to pārklājumu, piemēram, grafīta ar itrija pārklājumu, vai no tantala;
6. separatoru moduļu apvalki (cilindriski) urāna plazmas avotam, radiofrekvences piedziņas spolei, produktu un atkritumproduktu kolektoriem, no piemērota nemagnētiska materiāla (piemēram, nerūsējošā tērauda);
j.
iekārtas un komponenti, kas īpaši konstruēti vai pielāgoti elektromagnētiskās separācijas procesiem, tas ir:
1. jonu avoti, atsevišķi vai salikti, kas sastāv no tvaiku avota, jonizētāja un staru kūļa paātrinātāja, izgatavoti no piemērotiem materiāliem (piemēram, grafīta, nerūsējošā tērauda vai vara) un var nodrošināt 50 mA vai lielāku kopējo jonu staru kūļa strāvu;
2. jonu kolektoru plates bagātinātā vai noplicinātā urāna jonu staru kūļa savākšanai, kuras sastāv no diviem vai vairākiem šķēlumiem un kabatām un ir izgatavotas no piemērotiem nemagnētiskiem materiāliem (piemēram, grafīta vai nerūsējošā tērauda);
3. vakuumapvalki urāna elektromagnētiskajiem separatoriem, izgatavoti no nemagnētiskiem materiāliem (piemēram, nerūsējošā tērauda) un paredzēti darbam 0,1 Pa vai zemākā spiedienā;
4. magnētu polu detaļas, kuru diametrs ir lielāks par 2 m;
5. augstsprieguma energoavoti jonu avotiem, kuriem ir visas šīs īpašības: NB! SKAT. ARĪ 3A227 POZĪCIJU
5. a.
spēj darboties nepārtraukti;
b.
izejas spriegums ir 20000 V; vai lielāks;
c.
izejas strāva ir 1 A vai lielāka; un
d.
sprieguma regulēšanas precizitāte ir lielāka par 0,01 % 8 stundu laikā;
6. magnētiskā lauka avoti (lieljaudas, līdzstrāvas), kam piemīt visas šīs īpašības: NB! SKAT. ARĪ 3A226 POZĪCIJU
6. a.
spēj nepārtraukti nodrošināt izejas strāvu 500 A vai vairāk, ja spriegums ir 100 V vai lielāks; un
b.
strāvas vai sprieguma regulēšanas precizitāte 8 stundu laikā ir augstāka par 0,01 %.
a.
padeves autoklāvi, krāsnis vai sistēmas UF6 ievadīšanai bagātināšanas procesā;
b.
desublimatori un izsaldētāji, ko lieto UF6 uztveršanai no bagātināšanas procesa un novadīšanai uz tam sekojošo uzkarsēšanu;
c.
produkta un atkritumproduktu stacijas UF6 iepildīšanai konteineros;
d.
sašķidrināšanas vai sacietināšanas iekārtas, kurās UF6 izdala no bagātināšanas procesa, to saspiežot, atdzesējot un pārveidojot šķidrā vai cietā stāvoklī;
e.
cauruļvadu un vakuumsistēmas, kas īpaši paredzētas darbam ar UF6 gāzu difūzijas, centrifūgu vai aerodinamiskās kaskādēs;
f.
1. vakuumaģistrāles un vakuumkolektori, kuru jauda ir 5 m3/min vai lielāka; vai
2. vakuumsūkņi, kas īpaši paredzēti izmantošanai UF6 nesējiem;
g.
UF6 masas spektrometri vai jonu avoti, kas īpaši konstruēti vai pielāgoti nepārtrauktai produkta vai iemaisījumu paraugu analīzei gāzu plūsmās, kuras satur UF6, kam piemīt visas šīs īpašības:
1. vienas vienības izšķirtspēja atommasām, kas lielākas par 320 atommasas oglekļa vienībām;
2. jonu avoti, kas pārklāti ar vai izgatavoti no niķeļa un hroma sakausējuma vai monela, vai niķelēti;
3. ir elektronu apšaudes jonizācijas avoti; un
4. ir izotopu analīzei piemērota kolektoru sistēma.
a.
sistēmas UO3 ieguvei no urāna rūdas koncentrāta;
b.
sistēmas UO3 pārvēršanai par UF6;
c.
sistēmas UO3 pārvēršanai par UO2;
d.
sistēmas UO2 pārvēršanai par UF4;
e.
sistēmas UF4 pārvēršanai par UF6;
f.
sistēmas UF4 pārvēršanai metāliskā urānā;
g.
sistēmas UF6 pārvēršanai par UO2;
h.
sistēmas UF6 pārvēršanai par UF4;
i.
sistēmas UO2 pārvēršanai par UCl4.
a.
mašīnas smagā ūdens, deitērija un deitērija savienojumu ražošanai, tas ir:
1. ūdens un sērūdeņraža apmaiņas mašīnas;
2. amonjaka un ūdeņraža apmaiņas mašīnas;
b.
iekārtas un komponenti, tas ir:
1. ūdens un sērūdeņraža apmaiņas kolonnas, kuras izgatavotas no smalkgraudaina oglekļa tērauda (piemēram, ASTM A516) un kuru diametrs ir no 6 līdz 9 m, kas spēj darboties pie spiediena, kurš lielāks vai vienāds ar 2 MPa, un ar korozijas pielaidi 6 mm vai vairāk;
2. vienpakāpes zemspiediena (t.i., 0,2 MPa) centrbēdzes gāzpūtēji vai kompresori gāzveida sērūdeņraža cirkulācijai (t.i., gāzei, kas satur vairāk par 70 % H2S) ar caurplūdes jaudu, kas vienāda ar vai lielāka par 56 m3/s darba spiedienā, kas vienāds ar vai lielāks par 1,8 MPa, kuriem ir blīvslēgi, kas piemēroti kontaktam ar šķidru H2S;
3. amonjaka un ūdeņraža apmaiņas kolonnas, kuru augstums ir 35 m vai lielāks, bet diametrs – no 1,5 līdz 2,5 m, un kas piemērotas darba spiedieniem virs 15 MPa;
4. kolonnu iekšējās sastāvdaļas, ieskaitot pakāpju kontaktorus un pakāpju sūkņus, arī iegremdējamos sūkņus, smagā ūdens ražošanai, izmantojot amonjaka un ūdeņraža apmaiņas procesu;
5. amonjaka krekinga iekārtas darbam ar spiedieniem 3 MPa vai lielākiem, smagā ūdens ražošanai, izmantojot amonjaka un ūdeņraža apmaiņas procesu;
6. infrasarkanās absorbcijas analizatori, kas spēj veikt nepārtrauktas ūdeņraža un deitērija attiecības analīzes, ja deitērija koncentrācija ir 90 % vai lielāka;
7. katalītiski degļi bagātinātas deitērija gāzes pārvēršanai smagajā ūdenī, izmantojot amonjaka un ūdeņraža apmaiņas procesu;
8. nokomplektētas sistēmas smagā ūdens koncentrēšanai vai kolonnas smagā ūdens koncentrēšanai līdz reaktoram vajadzīgajai deitērija koncentrācijai.
a.
parasti ir tiešā kontaktā vai tieši apstrādā vai kontrolē kodolmateriālu ražošanas norisi;
b.
iekapsulē kodolmateriālus oderējumā;
c.
pārbauda iekapsulējuma vai oderējuma kvalitāti; vai
d.
pārbauda cietās iekapsulētās degvielas beigu apstrādi.
a.
mašīnas izlietoto kodolreaktora degvielas elementu pārstrādei, ieskaitot ierīces un komponentus, kas parasti nonāk kontaktā ar izlietoto degvielu un tieši vada izlietotās degvielas, galvenā kodolmateriāla un kodoldalīšanās produktu apstrādes plūsmas;
b.
degvielas elementu kapāšanas vai sasmalcināšanas mašīnas, t.i., tālvadāmas izlietotās kodolreaktora degvielas komplektu, stieņu vai pakešu griešanas, skaldīšanas vai sasmalcināšanas iekārtas;
c.
šķīdināšanas tvertnes, sevišķi drošas tvertnes (t.i., apaļas vai taisnstūrveida maza diametra tvertnes), kas ir īpaši konstruētas vai sagatavotas izlietotas kodolreaktora degvielas šķīdināšanai un spēj izturēt karstu, stipri korozīvu šķidrumu iedarbību un ko var iekraut/izkraut un apkopt ar tālvadību;
d.
pretplūsmas šķīdinātāju ekstraktoru un jonu apmaiņas procesu mašīnas, kas īpaši konstruētas vai pielāgotas izlietotā dabīgā urāna, noplicinātā urāna, īpašo skaldmateriālu vai citu kodolmateriālu pārstrādei;
e.
tvertnes vai trauki, kas īpaši konstruēti kā īpaši droši un izturīgi pret slāpekļskābes koroziju; Piezīme. Īpaši drošām glabāšanas tvertnēm vai traukiem var būt šādas īpašības:
1. tvertnes sienas vai iekšējās konstrukcijas ir ar minimālo bora ekvivalentu vismaz 2 % (rēķinot no visiem elementiem, kā definēts piezīmē pie 0C004);
2. maksimālais diametrs cilindriskām tvertnēm ir 175 mm; vai
3. maksimālais izmērs apaļām vai taisnstūrveida tvertnēm ir 75 mm.
f.
procesa kontroles instrumentu iekārtas, kas īpaši konstruētas vai pielāgotas dabīgā urāna, noplicinātā urāna, īpašo skaldmateriālu vai citu kodolmateriālu pārstrādes procesa novērošanai vai kontrolei.
a.
sistēmas plutonija nitrāta pārvēršanai oksīdā;
b.
sistēmas metāliska plutonija iegūšanai.
0CMateriāli 0C001Dabīgs urāns, noplicināts urāns vai torijs metāla, sakausējuma, ķīmiska savienojuma vai koncentrāta veidā, un visi citi materiāli, kas satur vienu vai vairākus no iepriekš minētajiem, Piezīme. 0C001 pozīcija neattiecas uz: 0C002Īpašie skaldmateriāli Piezīme. 0C002 pozīcija neattiecina kontroli uz četriem vai mazāk gramiem dabīgā urāna vai vājināta urāna, ja tos satur instrumenta sensora elements. 0C003Deitērijs, smagais ūdens (deitērija oksīds) un citi deitērija savienojumi, kā arī citi deitēriju saturoši maisījumi un šķīdumi, kuros deitērija attiecība pret ūdeņradi ir lielāka par 1:5000. 0C004Izmantošanai kodoliekārtās paredzēts grafīts, kura tīrības pakāpe ir augstāka par 5 bora ekvivalenta miljondaļām, bet blīvums ir lielāks par 1,5 g/cm3. NB! SKAT. ARĪ 1C107 POZĪCIJU 1. piezīme. 0C004 pozīcija neattiecas uz: 2. piezīme. 0C004 pozīcijā bora ekvivalents (BE) definēts kā piemaisījumu BEz summa (izņemot BEogleklim, jo oglekli neuzskata par piemaisījumu), ieskaitot boru, kur: BEz (ppm) — CF x elementa Z koncentrācija, ppm; kur CF ir pārrēķināšanas koeficients = σZABσBAZ un σB un σZ ir termo neitronu absorbcijas efektīvais šķērsgriezums (barnos) attiecīgi dabā sastopamajiem boram un elementam Z; un AB un AZ ir attiecīgi dabā sastopamā bora un elementa Z atommasas. 0C005Īpaši sagatavoti savienojumi vai pulveri pret UF6 koroziju izturīgu gāzu difūzijas membrānu izgatavošanai (piem., niķelis vai sakausējums, kas pēc svara satur 60 % vai vairāk niķeļa, alumīnija oksīds un perfluorētu ogļūdeņražu polimēri), ar tīrības pakāpi 99,9 % vai vairāk un vidējo daļiņu izmēru mazāk par 10 μm, ko mēra pēc Amerikas Materiālu un izmēģinājumu biedrības (ASTM) B 330 standarta, un augstu daļiņu izmēru viendabīgumu.
0CMateriāli a.
četriem vai mazāk gramiem dabīgā urāna vai noplicinātā urāna, ja tos satur instrumentu sensora elementi;
b.
noplicināto urānu, kas īpaši ražots šādiem nemilitāriem, ar kodolenerģētiku nesaistītiem lietojumiem:
1. ekranēšanai;
2. iepakojumam;
3. balastam ar masu līdz 100 kg;
4. atsvariem ar masu līdz 100 kg;
c.
sakausējumiem, kuros ir mazāk par 5 % torija;
d.
keramiskiem izstrādājumiem, kuri satur toriju un kas izgatavoti ar kodolenerģiju nesaistītai izmantošanai.
a.
a. grafīta izstrādājumiem ar masu, mazāku par 1 kg, ja tie nav īpaši paredzēti vai pielāgoti izmantošanai kodolreaktoros;
b.
grafīta pulveri.
0DProgrammatūra
0D001Programmatūra, kas ir īpaši konstruēta vai pārveidota šajā kategorijā minēto preču izstrādāšanai, ražošanai vai lietošanai.
0ETehnoloģija
0E001Tehnoloģija saskaņā ar piezīmi par kodoltehnoloģijām (NTN) šajā kategorijā minēto preču izstrādāšanai, ražošanai vai lietošanai.
1. KATEGORIJA MATERIĀLI, ĶIMIKĀLIJAS, MIKROORGANISMI UN TOKSĪNI
1ASistēmas, iekārtas un komponenti Tehniska piezīme.
1A001No fluorētiem savienojumiem izgatavoti komponenti, tas ir: 1A002Konstrukcijas no kompozītiem vai slāņainiem materiāliem, kam ir jebkuras no šīm īpašībām: NB! SKAT. ARĪ 1A202, 9A010 un 9A110 POZĪCIJU 1. piezīme. Saskaņā ar 1A002 pozīciju kontrole neskar no oglekļa šķiedras vai pavedienu materiāliem izgatavotus kompozītus vai laminātus, kas piesūcināti ar epoksīdsveķiem un paredzēti remontdarbiem aviācijā, ja to izmēri nepārsniedz 1 m2. 2. piezīme. Saskaņā ar 1A002 pozīciju kontroli neattiecina uz gataviem izstrādājumiem vai pusfabrikātiem, kas īpaši paredzēti lietošanai civiliem mērķiem, tas ir: 1A003Izstrādājumi no fluoru nesaturošiem polimēriem, kas minēti 1C008.a.3. pozīcijā, plēvju, lokšņu vai lenšu veidā, un kam piemīt kāda no šīm īpašībām: Piezīme. Saskaņā ar 1A003 pozīciju kontroli neattiecina uz ražojumiem, kas ir varoti vai plaķēti ar varu un paredzēti iespiesto shēmu ražošanai. 1A004Aizsardzības un detektoru iekārtas un to komponenti, izņemot tos, kas minēti militāro preču kontroles sarakstos, tas ir: NB! SKAT. ARĪ 2B351 UN 2B352 POZĪCIJU Piezīme. Saskaņā ar 1A004 pozīciju kontroli neattiecina uz; 1A005Bruņuvestes un īpaši tām izgatavoti komponenti, izņemot atbilstīgi militārajiem standartiem vai specifikācijām ražotos, vai arī pēc lietošanas īpašībām tiem līdzvērtīgus. NB! SKAT. ARĪ MILITĀRO PREČU KONTROLES SARAKSTUS NB! Par šķiedru vai pavedienu materiāliem, ko izmanto bruņuvestu izgatavošanai, Skat. 1C010 pozīciju. 1. piezīme. Saskaņā ar 1A005 pozīciju kontroli neattiecina uz aizsargvestēm vai aizsargapģērba, kas ir līdzi to lietotājiem un tiek izmantoti personīgajai aizsardzībai. 2. piezīme. Saskaņā ar 1A005 pozīciju kontroli neattiecina uz aizsargvestēm, kas paredzētas tikai frontālai aizsardzībai pret šķembām un triecienvilni no nemilitāru spridzināšanas iekārtu sprādzieniem. 1A102Pirolizēti atkārtoti piesātināti oglekļa un oglekļa materiāli, kas izstrādāti 9A004 pozīcijā minētajām kosmiskajām nesējraķetēm vai 9A104 pozīcijā minētajām meteoroloģiskajām raķetēm. 1A202Cauruļvadu konstrukcijas no kompozītu materiāliem, izņemot 1A002 pozīcijā minētās konstrukcijas, kurām piemīt abas šīs īpašības: NB! SKAT. ARĪ 9A010 UN 9A110 POZĪCIJU 1A225Platinēti katalizatori, kas īpaši konstruēti vai pielāgoti ūdeņraža izotopu apmaiņas reakciju paātrināšanai, iegūstot tritiju no smagā ūdens, un smagā ūdens ražošanai. 1A226Īpaši iepakojumi, ko var izmantot, lai separētu smago ūdeni no parastā ūdens, un kam ir šādas īpašības: 1A227Radiācijas aizsarglogi no ļoti blīviem materiāliem (svina stikla vai citiem), un tiem īpaši izgatavoti rāmji, kam piemīt visas šīs īpašības: 1A227 pozīcijā aukstais laukums ir loga skata laukums ar viszemāko radiācijas līmeni attiecīgajai konstrukcijai.
1ASistēmas, iekārtas un komponenti a.
blīvslēgi, blīves, blīvējuma materiāli un elastīgas degvielas tvertnes, kas īpaši izgatavotas lidaparātu vajadzībām vai lietojumam kosmosā un satur vairāk par 50 % no lC009.b. vai 1C009.c. pozīcijā minētajiem materiāliem;
b.
pjezoelektriski polimēri un kopolimēri no pozīcijā lC009.a. minētajiem vinilidēnfluorīda materiāliem:
1. plākšņu vai plēvju veidā, un
2. biezāki par 200 μm;
c.
blīvslēgi, blīves, vārstu ligzdas, elastīgas tvertnes un diafragmas no fluorelastomēriem, kas satur vismaz vienu vinilētera monomēru, un ir īpaši izgatavoti lietojumam kosmosā, lidaparātu vai raķešu - tehnikas vajadzībām. Piezīme.Raķetes pozīcijā 1A001.c. ir kompleksas raķešu sistēmas un bezpilota lidaparātu sistēmas.
a.
tām ir organiska matrica un tās ir izgatavotas no pozīcijā 1C010.c, 1C010.d vai 1C010.e minētajiem materiāliem, vai
b.
tām ir metāla vai oglekļa matrica un tās ir izgatavotas no:
1. oglekļa šķiedru vai pavedienu materiāliem ar
1. a.
īpatnējo moduli, kas lielāks par 10,15 × 106 m; 6 m; un
b.
īpatnējo stiepes izturību, kas ir lielāka par 17,7 × 104 m; vai
2. 1C010.c. pozīcijā minētajiem materiāliem.
a.
sporta precēm;
b.
autonozarei;
c.
darbgaldu nozarei;
d.
medicīnas precēm.
a.
biezāki par 0,254 mm; vai
b.
klāti vai plaķēti ar oglekli, grafītu, metāliem vai vielām ar magnētiskām īpašībām.
a.
gāzmaskas, filtru elementi un dezaktivācijas iekārtas un to īpašie komponenti, kas izgatavoti vai pielāgoti aizsardzībai pret bioloģiskiem aģentiem vai radioaktīviem materiāliem, kuri pārveidoti militārām vajadzībām, vai ķīmisko ieroču (CW) ķīmiskajām kaujas vielām;
b.
aizsargtērpi, cimdi un apavi, kas īpaši izgatavoti vai pielāgoti aizsardzībai pret bioloģiskiem aģentiem vai radioaktīviem materiāliem, kuri pārveidoti militārām vajadzībām, vai ķīmisko ieroču (CW) ķīmiskajām kaujas vielām;
c.
radioloģiskas, bioloģiskas vai ķīmiskas detektoru sistēmas un to komponenti, kas īpaši izgatavoti vai pielāgoti bioloģisko aģentu vai radioaktīvu materiālu, kuri pārveidoti militārām vajadzībām, vai ķīmisko ieroču (CW) ķīmisko kaujas vielu atklāšanai vai identifikācijai.
a.
individuāliem radiācijas dozimetriem;
b.
iekārtām, kuru lietošana funkcionāli vai konstruktīvi ierobežota ar aizsardzību pret kaitīgajiem faktoriem ražošanā, piemēram, kalnrūpniecībā, karjeros, lauksaimniecībā, farmaceitiskajā rūpniecībā, medicīnā, vides aizsardzībā, atkritumu saimniecībā vai pārtikas rūpniecībā.
a.
iekšējais diametrs no 75 līdz 400 mm; un
b.
izgatavotas no 1C010a. vai b. vai 1C210.a. pozīcijā minētajiem šķiedru vai pavedienu materiāliem vai 1C210.c. pozīcijā minētajiem iepriekš piesūcinātiem oglekļa materiāliem.
a.
izgatavoti no fosfora bronzas pinuma, kas ķīmiski apstrādāts mitrināmības palielināšanai; un
b.
paredzēti izmantošanai vakuumdestilācijas kolonnās.
a.
aukstais laukums ir lielāks par 0,09 m2;
b.
blīvums ir lielāks par 3 g/cm3; un
c.
biezums ir 100 mm vai lielāks.
1BIzmēģinājumu, pārbaudes un ražošanas iekārtas
1B001Iekārtas 1A002 un 1C010 pozīcijā minēto šķiedru, iepriekš piesūcinātu materiālu, sagatavju vai kompozītu ražošanai, un īpaši tām paredzēti piederumi un komponenti, tas ir: NB! SKAT. ARĪ 1B101 UN 1B201 POZĪCIJU 1B002Iekārtas, kas īpaši konstruētas, lai novērstu piemaisījumu rašanos, un īpaši konstruētas izmantošanai 1C002.c.2. pozīcijā minētajiem procesiem metālu sakausējumu, metālu sakausējumu pulveru vai kausējumu materiālu ražošanai. NB! SKAT. ARĪ 1B102 POZĪCIJU 1B003Instrumenti, presformas, liešanas formas un citas iekārtas titāna, alumīnija vai to sakausējumu superplastiskai formēšanai vai difūzai savienošanai, kas īpaši konstruēti, lai izgatavotu: 1B101Iekārtas, kas nav ietvertas 1B001 pozīcijā un paredzētas konstrukcijām izmantojamo kompozītmateriālu ražošanai, to īpašie komponenti un piederumi, tas ir: NB! SKAT. ARĪ 1B201 POZĪCIJU Piezīme. 1B101 pozīcijā minētajos komponentos un piederumos ietilpst liešanas formas, štances, presformas, armatūra un instrumenti sagatavju presēšanai, vulkanizācijai, liešanai, izgulsnēšanai vai saistīšanai kompozītu struktūrās, laminātos un to izstrādājumos. 1B102Metālu pulveru ražošanas iekārtas un to komponenti, izņemot 1B002 pozīcijā minētos, tas ir: NB! SKAT. ARĪ 1B115.b. POZĪCIJU Piezīme. 1B102 pozīcijā ietilpst: 1B115Reaktīvo dzinēju degvielas un to sastāvdaļu ražošanas iekārtas, izņemot 1B002 vai 1B102 pozīcijā minētās, kā arī īpaši šīm iekārtām izgatavoti komponenti, tas ir: 1. piezīme. Iekārtas, kas īpaši konstruētas militāras nozīmes preču ražošanai, Skat. militāro preču kontroles sarakstos. 2. piezīme. Saskaņā ar 1B115 pozīciju kontroli neattiecina uz iekārtām bora karbīda ražošanai, glabāšanai un kvalitātes kontrolei. 1B116Īpaši izgatavotas sprauslas pirolītiski iegūstamu materiālu formēšanai formās, aptverēs vai citās ierīcēs no prekursoru gāzēm, kas sadalās no 1573 K (1300 °C) līdz 3173 K (2900 °C) temperatūrā un pie spiediena no 130 Pa līdz 20 kPa. 1B117Diskrētas darbības maisītāji, kas nodrošina sajaukšanu vakuumā no nulles līdz 13,326 kPa, ar iespēju regulēt temperatūru sajaukšanas kamerā, un tiem īpaši konsturēti komponenti, kuriem ir visas šīs īpašības: 1B118Nepārtrauktas darbības maisītāji, kas nodrošina sajaukšanu vakuumā no nulles līdz 13,326 kPa spiedienā, ar iespēju regulēt sajaukšanas kameras temperatūru, un tiem īpaši konsturēti komponenti, kuriem ir visas šīs īpašības: 1B119Šķidruma enerģijas dzirnavas, kas piemērotas 1C011.a., 1C011.b., 1C111 pozīcijā uzskaitīto vai militāro preču kontroles sarakstos minēto militāras nozīmes vielu malšanai. 1B201Šķiedru formēšanas mašīnas, izņemot 1B001 vai 1B101 pozīcijā minētās, un ar tām saistītās iekārtas, tas ir: 1B225Elektrolīzes šūnas fluora iegūšanai, kuru ražība ir lielāka par 250 g fluora stundā. 1B226Elektromagnētiskie izotopu separatori ar vienu vai vairākiem jonu avotiem, kas spēj radīt 50 mA vai lielāku jonu plūsmas kopējo strāvu. Piezīme. 1B226 pozīcijā ietilpst separatori: 1B227Amonjaka sintēzes konverteri vai sintēzes iekārtas, kurās sintēzes gāzes (slāpeklis un ūdeņradis) tiek izvadītas no amonjaka-ūdeņraža augstspiediena apmaiņas kolonnas, bet sintezētais amonjaks tiek ievadīts tajā atpakaļ. 1B228Ūdeņraža kriogēnās destilācijas kolonnas, kam ir visas šīs īpašības: 1B229Ūdens un sērūdeņraža apmaiņas šķīvju kolonnas un iekšējās kontaktierīces, tas ir: NB! Par kolonnām, kas ir īpaši konstruētas vai pārveidotas smagā ūdens ražošanai, Skat. 0B004 pozīciju. 1B230Sūkņi atšķaidīta vai koncentrēta kālija amīda katalizatora šķīduma cirkulācijai šķidrā amonjakā (KNH2/NH3), kam ir visas šīs īpašības: 1B231Tritija ražošanas jaudas vai rūpnīcas un tām paredzētas iekārtas, tas ir: 1B232Turboekspanderi un turbodetanderu un kompresoru kompleksi, kam piemīt abas šīs īpašības: 1B233Litija izotopu separācijas jaudas vai rūpnīcas un tām paredzētas iekārtas, tas ir:
a.
pavedienu uztīšanas mašīnas, kurās uztīšanas un vērpšanas pozicionēšanas kustības var koordinēt un programmēt pa trīs vai vairākām asīm un kas ir īpaši konstruētas kompozītu materiālu vai laminātu ražošanai no šķiedru vai pavedienu materiāliem;
b.
lentes vai grīstes veidošanas mašīnas, kurās lentes, grīstes, tauvas vai sloksnes veidošanas pozicionēšanas kustības var koordinēt un programmēt pa divām vai vairākām asīm un kas ir īpaši konstruētas lidaparātu vai raķešu konstrukciju kompozītu materiālu ražošanai; Piezīme.Raķetes 1B001.b. pozīcijā ir kompleksas raķešu sistēmas un bezpilota lidaparātu sistēmas.
c. Tehniska piezīme.
daudzvirzienu, daudzdimensiju stelles vai pinējmašīnas, ieskaitot adapterus un pārveidošanas komplektus aušanai, pīšanai vai ārējā tinuma veidošanai, ražojot kompozītu materiālus. Pozīcijas 1B001.c. nolūkā pīšanas tehnika ietver adīšanu. Piezīme. Saskaņā ar IB001.c. pozīciju kontroli neattiecina uz tekstilrūpniecības mašīnām, kas nav pielāgotas šajā punktā minētajiem galīgā izmantojuma veidiem.
d.
Armatūras šķiedru ražošanai īpaši konstruētas vai šim nolūkam pielāgotas iekārtas, tas ir:
1. iekārtas oglekļa vai silīcija karbīda šķiedru ražošanai no polimēru materiālu šķiedrām (piemēram, poliakrilnitrila, viskozes, polikarbosilāna), kā arī īpašas iekārtas šķiedru nospriegošanai karsēšanas laikā;
2. iekārtas silīcija karbīda šķiedras ražošanai, sakarsētu šķiedru substrātu pārklājot ar elementiem vai to savienojumiem pēc ķīmiskās tvaiku kondensācijas metodes;
3. iekārtas ugunsizturīgu keramikas materiālu (piemēram, alumīnija oksīda) mitrajai formēšanai;
4. termiskās apstrādes iekārtas alumīnija oksīda šķiedras iegūšanai no alumīniju saturošām prekursoru šķiedrām;
e.
Iekārtas 1C010.e. pozīcijā minēto iepriekš piesūcināto materiālu ražošanai ar karstās kausēšanas metodi;
f.
Īpaši konstruētas kompozītu materiālu nesagraujošās kontroles iekārtas, ar kurām var noteikt defektus trīs dimensijās, izmantojot ultraskaņas vai rentgena tomografijas metodi.
a.
gaisa kuģa korpusus vai aerokosmisko iekārtu konstrukcijas;
b.
gaisa kuģu vai aerokosmiskos dzinējus; vai
c.
īpaši šīm konstrukcijām vai dzinējiem paredzētus komponentus.
a.
Šķiedras uztīšanas mašīnas, kurās šķiedras uztīšanas kustību pozicionēšanu var koordinēt un programmēt pa trīs vai vairākām asīm un kuras ir īpaši konstruētas kompozītmateriālu konstrukciju vai laminātu ražošanai no šķiedru vai pavedienu materiāliem, kā arī attiecīgās koordinācijas un programmētas vadības iekārtas;
b.
lentes veidošanas mašīnas, kurās lentes vai sloksnes veidošanas kustību pozicionēšanu var koordinēt un programmēt pa divām vai vairākām asīm, paredzētas gaisa kuģu korpusu vai raķešu konstrukciju ražošanai no kompozītmateriāliem.
c.
Šķiedru vai pavedienu materiāluražošanai konstruētas vai pārveidotas iekārtas, tas ir:
1. iekārtas polimēru materiālu šķiedru (tādu kā poliakrilnitrils, viskoze vai polikarbosilāns) konvertēšanai, ieskaitot īpašu noteikumu nospriegot šķiedru karsēšanas laikā;
2. iekārtas elementu vai savienojumu fizikālajai tvaiku uzklāšanai uz uzkarsētiem pavedienu substrātiem;
3. iekārtas ugunsizturīgu keramikas materiālu (piemēram, alumīnija oksīda) mitrajai formēšanai;
d.
Iekārtas, kas konstruētas vai pārveidotas īpašai šķiedru virsmas apstrādei vai 9C110 pozīcijā minēto iepriekš piesūcinātu materiālu vai sagatavju ražošanai. Piezīme. 1B101.d. pozīcijā ietilpst arī valči, ekstrūderi, pārklājumu veidošanas iekārtas, griešanas mašīnas un filjēras.
a.
Metālu pulveru ražošanas iekārtas, kas izmantojamas 1C011.a., 1C011.b., 1C111.a.1., 1C111.a.2. pozīcijās vai militāras nozīmes preču kontroles sarakstos minēto sfērisku vai atomizētu materiālu ražošanai kontrolējamos apstākļos;
b.
1B002 vai 1B102.a. pozīcijā minēto ražošanas iekārtu īpašie komponenti.
a.
plazmas ģeneratori (augstfrekvences loka izlādes), ko var izmantot pārslveida vai sfērisku metālu pulveru iegūšanai argona un ūdens vidē;
b.
elektroerozijas iekārtas, ko var izmantot pārslveida vai sfērisku metālu pulveru iegūšanai argona un ūdens vidē;
c.
iekārtas, ko var izmantot alumīnija pulvera ražošanai sfērisku daļiņu veidā, pārvēršot kausējumu pulverī inertā vidē (piemēram, slāpeklī).
a.
ražošanas iekārtas 1C011.a., 1C011.b., 1C111 pozīcijā vai militāro preču kontroles sarakstos minēto reaktīvo dzinēju šķidro degvielu vai to sastāvdaļu ražošanai, glabāšanai un kvalitātes kontrolei ražošanas iekārtas 1C011.a., 1C011.b., 1C111 pozīcijā vai militāro preču kontroles sarakstos minēto reaktīvo dzinēju šķidro degvielu vai to sastāvdaļu ražošanai, glabāšanai un kvalitātes kontrolei;
b.
ražošanas iekārtas 1C011.a., 1C011.b., 1C111 pozīcijā vai militāro preču kontroles sarakstos minēto reaktīvo dzinēju šķidro degvielu vai to sastāvdaļu ražošanai, glabāšanai, sajaukšanai, nogatavināšanai, liešanai, presēšanai, apstrādei, ekstrūzijai un kvalitātes kontrolei; Piezīme. Saskaņā ar pozīciju 1B115.b. kontroli neattiecina uz periodiskas darbības maisītājiem, nepārtrauktas darbības maisītājiem vai šķidruma enerģijas dzirnavām. Periodiskas darbības maisītāju, nepārtrauktas darbības maisītāju un šķidruma enerģijas dzirnavu kontrolei Skat. pozīcijas 1B117, 1B118 un 1B119.
a.
kopējais tilpums 110 litri vai vairāk; un
b.
ir vismaz viena ekscentriski novietota sajaukšanas vārpsta.
a.
divas vai vairākas sajaukšanas vārpstas, vai
b.
Atsevišķa rotējoša vārpsta, kas svārstās un kam uz vārpstas ir mīcīšanas zobi/adatas, kā arī sajaukšanas kameras apvalka iekšpusē.
a.
šķiedru tinamās mašīnas, kam piemīt visas šīs īpašības:
1. pozicionēšanas kustības, šķiedru uztīšanu un vērpšanu var koordinēt un programmēt pa divām vai vairākām asīm;
2. īpaši konstruētas kompozītmateriālu konstrukciju vai laminātu ražošanai no šķiedru vai pavedienu materiāliem; un
3. spēj tīt cilindriskos rotorus ar diametru no 75 mm līdz 400 mm un garumu 600 mm vai vairāk;
b.
koordinācijas un programmēšanas kontroles iekārtas 1B201.a. pozīcijā minētajām šķiedru uztīšanas mašīnām;
c.
precīzijas serdeņi 1B201.a. pozīcijā minētajām šķiedru uztīšanas mašīnām.
a.
kuros var bagātināt stabilos izotopus;
b.
ar magnētiskajā laukā ievietotiem jonu avotiem un kolektoriem, un konfigurācijas, kuros tie ir ārpus magnētiskā lauka.
a.
paredzētas darbam 35 K (– 238 °C) vai zemākā temperatūrā;
b.
darba spiediens kolonnas iekšienē ir no 0,5 līdz 5 MPa;
c.
tās ir izgatavotas no:
1. sērijas nerūsējošā tērauda ar pazeminātu sēra saturu, kurā pēc ASTM (vai tam līdzvērtīga standarta) noteiktais austenīta graudu izmērs ir vismaz 5; vai
2. līdzvērtīgiem materiāliem, kas ir gan kriogēni, gan saderīgi ar H2; un
d.
iekšējais diametrs ir 1 m vai lielāks, bet faktiskais garums ir 5 m vai lielāks.
a.
ūdens un sērūdeņraža apmaiņas šķīvju kolonnas, kam piemīt visas šīs īpašības:
1. darba spiediens ir 2 MPa vai lielāks;
2. izgatavotas no oglekļa tērauda, kurā pēc ASTM (vai tam līdzvērtīga standarta) noteiktais austenīta graudu izmērs ir vismaz 5; un
3. diametrs ir 1,8 m vai lielāks;
b. Tehniska piezīme.
iekšējās kontaktierīces 1B229.a. pozīcijā minētajām ūdens un sērūdeņraža apmaiņas šķīvju kolonnām. Kolonnu iekšējās kontaktierīces ir segmentēti šķīvji ar efektīvo komplektēto diametru 1,8 m vai vairāk, kas paredzēti, lai atvieglotu pretplūsmas kontaktus un ir izgatavoti no nerūsējošā tērauda ar oglekļa saturu 0,03 % vai mazāk. Tie var būt sietveida šķīvji, vārstu šķīvji, zvaniņu šķīvji vai turbosietu šķīvji.
a.
hermētiskums (t.i., tie ir hermētiski noslēgti);
b.
jauda ir lielāka par 8,5 m3/h; un
c.
piemīt kāda no šīm īpašībām:
1. koncentrētiem kālija amīda šķīdumiem (1 % vai vairāk) darba spiediens ir no 1,5 līdz 60 MPa; vai
2. atšķaidītiem kālija amīda šķīdumiem (mazāk par 1 %) darba spiediens ir no 20 līdz 60 MPa;
a.
Jaudas vai rūpnīcas tritija ražošanai, reģenerēšanai, ekstrahēšanai, koncentrēšanai un glabāšanai;
b.
Tritija ražošanas jaudu vai rūpnīcu iekārtas, tas ir:
1. ūdeņraža vai hēlija saldēšanas iekārtas, ar ko var atdzesēt līdz 23 K (– 250 °C) vai zemākai temperatūrai, un kuru siltuma absorbcijas jauda pārsniedz 150 W;
2. ūdeņraža izotopu uzkrāšanas un attīrīšanas sistēmas, kurās par uzkrāšanas vai attīrīšanas aģentiem izmanto metālu hidrīdus.
a.
paredzēti darbam 35 K (– 238 °C) vai zemākā temperatūrā; un
b.
paredzēti 1000 kg/h vai lielākai ūdeņraža caurlaides spējai.
a.
litija izotopu separācijas jaudas vai rūpnīcas;
b.
ierīces litija izotopu separācijai, tas ir:
1. litija amalgamām īpaši paredzētas pildītas šķidruma un šķidruma apmaiņas kolonnas;
2. dzīvsudraba vai litija amalgamas sūkņi;
3. litija amalgamu elektrolīzes kameras;
4. koncentrēta litija hidroksīda šķīduma iztvaicētāji.
1CMateriāli Tehniska piezīme. Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniskas piezīmes
Metāli un sakausējumi: Neapstrādātas formas: Pusfabrikāti (ar pārklājumu vai bez tā, galvanizēti, urbti vai štancēti): Izvešanas kontrole attiecas arī uz sarakstā neiekļautām formām, kas deklarētas kā gatavi produkti, bet faktiski ir neapstrādātās formas vai pusfabrikāti. 1C001Īpaši elektromagnētisko viļņu absorbcijas materiāli vai polimēru materiāli ar elektrovadītspēju, tas ir: NB! SKAT. ARĪ 1C101 POZĪCIJU 1C002Metālu sakausējumi, metālu sakausējumu pulveri vai sakausējumu materiāli, tas ir: NB! SKAT. ARĪ 1C202 POZĪCIJU Piezīme. Saskaņā ar 1C002 pozīciju kontroli neattiecina uz metālu sakausējumiem, metālu sakausējumu pulveriem un sakausējumu materiāliem substrātu virsmas pārklāšanai. 1C003Visu tipu un formu magnētiskie metāli, kam piemīt jebkura no šīm īpašībām: 1C004Urāna sakausējumi ar titānu vai volframa sakausējumi ar matricu uz dzelzs, niķeļa vai vara bāzes, kuriem piemīt visas šīs īpašības: 1C005Kompozītu materiāli ar supravadītspējas īpašībām, kuri ir garāki par 100 m vai smagāki par 100 g, tas ir: 1C006Šķidrumi un smērvielas, tas ir: 1C006 pozīcijā minētajiem materiāliem: 1C007Materiāli uz keramikas bāzes, kas nav kompozīti keramikas materiāli, keramikas matricas, kompozītu materiāli un prekursoru materiāli, tas ir: NB! SKAT. ARĪ 1C107 POZĪCIJU 1C008Nefluorinēti polimēri, tas ir: 1C008 pozīcijā minēto materiālu stiklošanās temperatūru (Tg) nosaka pēc ISO 11357-2 (1999) vai līdzvērtīgā attiecīgās valsts standartā aprakstītās metodes. 1C009Neapstrādāti fluorēti savienojumi, tas ir: 1C010Šķiedru vai pavedienu materiāli, ko var izmantot organisko, metāla vai oglekļa matricukompozītu materiālu konstrukcijās vai laminātos, tas ir: NB! SKAT. ARĪ 1C210 POZĪCIJU 1C011Metāli un savienojumi, tas ir: NB! SKAT. ARĪ MILITĀRO PREČU KONTROLES SARAKSTUS un 1C111 POZĪCIJU 1C012Materiāli, tas ir: Šos materiālus parasti izmanto kodoltermiskos siltuma avotos. 1C101Materiāli un ierīces būtiskai radaru signālu atstarojuma mazināšanai vai ultravioleto staru, infrasarkano staru un akustisko pazīšanās signālu vājināšanai, izņemot 1C001 pozīcijā minētos, lietojumam raķetēsraķešu apakšsistēmās vai 9A012 pozīcijā minētajos bezpilota lidaparātos. 1. piezīme. 1C101 pozīcijā ietilpst: 2. piezīme. 1C101 pozīcija neietver pārklājumus, ko īpaši lieto pavadoņu termiskai kontrolei. Raķete 1C101 pozīcijā ir kompleksas raķešu sistēmas un bezpilota lidaparātu sistēmas, kuru darbības rādiuss ir vismaz 300 km. 1C102Pirolizēti atkārtoti piesātināti oglekļa un oglekļa materiāli, kas izstrādāti 9A004 pozīcijā minētajām kosmiskajām nesējraķetēm vai 9A104 pozīcijā minētajām meteoroloģiskajām raķetēm. 1C107Grafīta un keramikas materiāli, izņemot 1C007 pozīcijā minētos, tas ir: 1C111Reaktīvo dzinēju degviela un tajā ietilpstošās ķīmiskās vielas, izņemot 1C011 pozīcijā minētās, tas ir: Piezīme. 1C111 pozīcijā neminētās reaktīvo dzinēju degvielas vai to sastāvā ietilpstošās ķīmiskās vielas Skat. militāro preču kontroles sarakstos. 1C116Pašnorūdošies martensīta tēraudi (ar augstu niķeļa un ļoti zemu oglekļa saturu un leģējošām piedevām, kas palielina tērauda cietību ekspluatācijas laikā), kuru galīgā stiepes izturība ir vismaz 1500 MPa pie 293 K (20 °C), plākšņu vai cauruļu formā ar biezumu 5 mm vai mazāk. NB! SKAT. ARĪ 1C216 POZĪCIJU 1C117Volframs, molibdēns un to sakausējumi viendabīgu sfērisku vai putekļveida daļiņu formā, kuru diametrs nepārsniedz 500 μm, tīrība ir vismaz 97 %, raķešu dzinēju komponentu, piemēram, siltumekrānu, sprauslu detaļu un vilces vektora vadvirsmu izgatavošanai. 1C118Ar titānu stabilizēts duplekss nerūsošais tērauds (Ti-DSS), kam piemīt visas šīs īpašības: 1C202Sakausējumi, izņemot 1C002.b.3. vai .b.4. pozīcijā minētos, tas ir: Minētā stiepes robežstiprība attiecas uz sakausējumiem gan pirms, gan pēc to termiskās apstrādes. 1C210Šķiedru vai pavedienu materiāli vai iepriekš piesūcinātas šķiedras, kas nav minētas 1C010.a., b. vai e. pozīcijā, tas ir: Piezīme. 1C210 pozīcijā minētie šķiedru vai pavedienu materiāli attiecas tikai uz nepārtrauktiem monopavedieniem, dzijām, paralēlu šķiedru kūļiem, tauvām vai lentēm. 1C216Martensīta tēraudi, izņemot 1C116 pozīcijā minētos, ar galīgās stiepes izturības spēju 2050 MPa vai vairāk 293 K (20 °C) temperatūrā. Piezīme. Saskaņā ar 1C216 pozīciju kontroli neattiecina uz formām, kuru lineārie izmēri nepārsniedz 75 mm. Minētā stiepes robežstiprība attiecas uz martensīta tēraudu gan pirms, gan pēc to termiskās apstrādes. 1C2251C225 Bors, bagātināts līdz bora-10 (10 B) izotopa saturam, kas lielāks par dabā sastopamo, tas ir: elementārais bors, bora savienojumi, boru saturoši maisījumi, bora izstrādājumi, lūžņi un atkritumi. Piezīme. Pie 1C225 pozīcijā minētiem bora maisījumiem pieder materiāli, kuros bors ir pildviela. Dabā sastopamais bora-10 izotopa saturs ir aptuveni 18,5 svara % (20 atomprocentus). 1C226Volframs, volframa karbīds un sakausējumi, kuros volframa saturs pārsniedz 90 %, un kam piemīt abas šīs īpašības: Piezīme. Saskaņā ar 1C226 pozīciju kontroli neattiecina uz detaļām, kas īpaši konstruētas kā atsvari vai gamma staru kolimatori. 1C227Kalcijs, kam piemīt šīs abas īpašības: 1C228Magnijs, kam piemīt abas šīs īpašības: 1C229Bismuts, kam piemīt abas šīs īpašības: 1C230Metālisks berilijs, sakausējumi, kuros berilija saturs pārsniedz 50 svara %, berilija savienojumi, to izstrādājumi, atkritumi un lūžņi. Piezīme. 1C230 pozīcija neattiecas uz: 1C231Metālisks hafnijs, sakausējumi, kuros hafnija saturs ir virs 60 svara %, hafnija savienojumi, to izstrādājumi, atkritumi un lūžņi. 1C232Hēlijs-3 (3He), hēliju-3 saturoši maisījumi, kā arī tos saturoši produkti un iekārtas. Piezīme. Saskaņā ar 1C232 pozīciju kontroli neattiecina uz produktiem vai iekārtām, kas satur mazāk par 1 g hēlija-3. 1C233Litijs, bagātināts līdz litija-6 (10 Li) izotopa saturam, kas lielāks par dabā sastopamo, un šādi bagātinātu litiju saturoši produkti vai izstrādājumi, tas ir: metālisks litijs, litija sakausējumi, savienojumi, litiju saturoši maisījumi, izstrādājumi, kā arī atkritumi un lūžņi. Piezīme. 1C233 pozīcija neattiecas uz termoluminiscences dozimetriem. Dabā sastopamais litija-6 izotopa saturs ir aptuveni 6,5 svara % (7,5 atomprocenti). 1C234Cirkonijs ar tādu hafnija saturu, kas nepārsniedz 1 masas daļu hafnija uz 500 masas daļām cirkonija šādās formās, tas ir: metālisks cirkonijs un tā sakausējumi, kuros cirkonija saturs ir virs 50 svara %, cirkonija savienojumi, to izstrādājumi, kā arī atkritumi un lūžņi. Piezīme. Saskaņā ar 1C234 pozīciju kontroli neattiecina uz cirkoniju folijas veidā, ar biezumu 0,10 mm vai mazāku. 1C235Tritijs, tritija savienojumi, maisījumi, kuros tritija atomu attiecība pret ūdeņraža atomiem ir lielāka par 1:1000, tos saturoši produkti un ierīces. Piezīme. Saskaņā ar 1C235 pozīciju kontroli neattiecina uz ražojumiem un ierīcēm, kas satur mazāk par 1,48 × 103 GBq (40 Ci) tritija. 1C236Šādas α-starojuma radionuklīdu formas ar pussabrukšanas periodu no 10 dienām līdz 200 gadiem, šādās formās: Piezīme. Saskaņā ar 1C236 pozīciju kontroli neattiecina uz izstrādājumiem vai iekārtām ar α-starojuma aktivitāti, kas mazāka par 3,7 GBq (100 mCi). 1C237Rādijs-226 (226Ra), rādija-226 sakausējumi, rādija-226 savienojumi, maisījumi, kas satur rādiju-226, to izstrādājumi, kā arī produkti un iekārtas, kas satur kādu no iepriekš minētajiem. Piezīme. 1C237 pozīcija neattiecas uz: 1C238Hlora trifluorīds (C1F3). 1C239Spēcīgas sprāgstvielas, izņemot militāro preču kontroles sarakstos minētās, vai vielas un maisījumi, kas satur tās vairāk par 2 svara %, ar kristālisko blīvumu, kas lielāks par 1,8 g/cm, un detonācijas ātrumu, kas lielāks par 8000 m/s. 1C240Niķeļa pulveris un porains metālisks niķelis, izņemot 0C005 pozīcijā minētos: Piezīme. 1C240 pozīcija neattiecas uz: 1C240.b. attiecas uz porainu metālu, ko veido, presējot un saķepinot 1C240.a. pozīcijas materiālus, lai veidotu metāla materiālu ar smalkām porām, kas struktūrā savstarpēji saistītas. 1C350Ķīmiskas vielas, ko var izmantot par toksisku ķīmisko vielu prekursoriem, un ķīmiskie maisījumi, kuros ir viena vai vairākas no šīm vielām, tas ir: NB! SKAT. ARĪ MILITĀRO PREČU KONTROLES SARAKSTUS un 1C450 1. piezīme. Izvešanai uz Valstīm, kas nav pievienojušās Ķīmisko ieroču konvencijai saskaņā ar 1C350 pozīciju nekontrolē ķīmiskos maisījumus, kas satur vismaz vienu no 1C350.1, .3, .5, .11, .12, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36, .54, .55, .56, .57 un .63 ierakstā minētajām vielām, ja tajos nevienas no atsevišķi minētajām sastāvdaļām nav vairāk par 10 % maisījuma masas. 2. piezīme. Izvešanai uz Valstīm, kas pievienojušās Ķīmisko ieroču konvencijai saskaņā ar 1C350 pozīciju nekontrolē ķīmiskos maisījumus, kas satur vismaz vienu no 1C350.1, .3, .5, .11, .12, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36, .54, .55, .56, .57 un .63 ierakstā minētajām vielām, ja tajos nevienas no atsevišķi minētajām sastāvdaļām nav vairāk par 30 % maisījuma masas. 3. piezīme. Saskaņā ar 1C350 pozīciju nekontrolē ķīmiskos maisījumus, kas satur vismaz vienu no 1C350.2, .6, .7, .8, .9, .10, .14, .15, .16, .19, .20, .24, .25, .30, .37, .38, .39, .40, .41, .42, .43, .44, .45, .46, .47, .48, .49, .50, .51, .52, .53, .58, .59, .60, .61 un .62 ierakstā minētajām vielām, ja tajos nevienas no atsevišķi minētajām sastāvdaļām nav vairāk par 30 % maisījuma masas. 4. piezīme. Saskaņā ar 1C350 nekontrolē produktus, kas identificētas kā patēriņa preces, kas iesaiņotas mazumtirdzniecībai personiskai lietošanai, vai iesaiņotas individuālai lietošanai. 1C351Cilvēka patogēni, zoonozes un toksīni, tas ir: Piezīme. Saskaņā ar 1C351 pozīciju kontroei neattiecas uz vakcīnām un imunotoksīniem. 1C352Dzīvnieku patogēni, tas ir: Piezīme. Saskaņā ar 1C352 pozīciju kontroli neattiecina uz vakcīnām. 1C353Ģenētiski elementi un ģenētiski pārveidoti organismi: Piezīme: Pozīcija IC353 neattiecas uz patogēnām nukleīnskābju sekvencēm, kas ir saistītas ar Escherichia coli, kas izraisa zarnu asiņošanu, serotipu O157 un citiem celmiem, kuri ražo verotoksīnu, un kuri nav kodēti verotoksīnam vai tā pirmējām vienībām. 1C354Augu patogēni, tas ir: 1C450Toksiskas ķīmiskās vielas, toksisku ķīmisko vielu prekursori un ķīmiski maisījumi, kuru sastāvā ir viena vai vairākas šīs vielas: NB! SKAT. ARĪ 1C350, 1C351.d. POZĪCIJU UN MILITĀRO PREČU KONTROLES SARAKSTUS Piezīme. Saskaņā ar 1C450 nekontrolē produktus, kas identificētas kā patēriņa preces, kas iesaiņotas mazumtirdzniecībai personiskai lietošanai vai iesaiņotas individuālai lietošanai.
ja nav norādīts citādi, tad vārdi metāli un sakausējumi 1C001 līdz 1C012 pozīcijā attiecas uz neapstrādātām formām un pusfabrikātiem, tas ir:
anodi, lodītes, lielgabarīta sagataves, stieņi (ieskaitot iezāģētus stieņus un sagataves stieplēm), kvadrātveida sagataves, bloki, lielizmēra kvadrātveida sagataves, pikas, katodi, kristāli, kubi, diski, graudi, granulas, pārslas, pulveri, kluči, vairogi, sfēras, stabi (taisnstūra velmējumi), sagataves kalšanai, poraini gabali, stienīši;
1CMateriāli Tehniska piezīme. a.
izgatavoti velmējot, velkot, ekstrudējot, kaļot, štancējot, presējot, granulējot, pulverizējot, slīpējot, piemēram, leņķmetāli, profili, apļsagataves, diski, smalks pulveris, pārslas, folijas, lapiņas, kalumi, biezas loksnes, pulveri, presētas detaļas un presēšanas pārpalikumi, lentes, gredzeni, apaļi stieņi (ieskaitot elektrodu sagataves, tievus velmētus stienīšus un velmētu stiepli), profili, fasonmetāls, skārds, lentes, caurules un plānsienu caurules (ieskaitot apaļas, kvadrātiskas un dubultsienu caurules), vilkta un ekstrudēta stieple;
b.
lietie materiāli, kas izgatavoti, lejot smiltīs, kokilēs, metāla, ģipša vai citās formās, ieskaitot augstspiediena liešanu, sinterētās un pulvermetalurģijas formas.
a.
Materiāli, kas absorbē frekvences, kuras pārsniedz no 2 × 108 Hz, bet ir mazākas par 3 × 1012 Hz; 1. piezīme. Saskaņā ar 1C001.a. pozīciju kontroli neattiecina uz: 2. piezīme. 1C001.a. pozīcija attiecas arī uz tiem magnētiskajiem materiāliem absorbcijas nodrošināšanai, ko satur krāsas.
a.
šķiedru tipa absorbētājiem, izgatavotiem no dabīgām vai sintētiskām šķiedrām ar nemagnētisku pildījumu absorbcijas nodrošināšanai;
b.
absorbētājiem, kuriem nav magnētisko zudumu un kuru saskarsmes virsma pēc formas nav plakana, piemēram, piramīdas, konusi, ķīļveida un spirālveida virsmas;
c.
plakaniem absorbētājiem, kam ir visas šīs īpašības:
1. Tehniska piezīme.
tie ir izgatavoti no jebkura šī materiāla: Absorbcijas testa paraugi 1C001.a. pozīcijā. Piezīme. 1.c.1. ir vismaz par 5 viļņa garumu kvadrātu novirzīti no centrālās frekvences un attālināti no izstarojuma avota.
1. a.
putuplastiem (elastīgiem vai cietiem) ar oglekļa vai organisku materiālu pildījumu, ieskaitot saistvielu, kas nodrošina atstarošanu vairāk par 5 %, salīdzinājumā ar metāla virsmu, frekvenču joslas platumā, kura pārsniedz ± 15 % no krītoša starojuma vidējās (centrālās) frekvences un neiztur temperatūru, lielāku par 450 K (177 °C); vai
b.
keramikas materiāliem, kas nodrošina atstarošanu vairāk par 20 %, salīdzinot ar metāla virsmu, frekvenču joslas platumā, kas pārsniedz ±15 % no krītošā starojuma centrālās frekvences, un kas neiztur temperatūru, kura pārsniedz 800 K (527 °C).
2. to stiepes izturība ir mazāka par 7 × 106 N/m2; un
3. to spiedes izturība ir mazāka par 14 × 106 N/m2;
d.
plakanus absorbētājus no sinterēta ferīta:
1. ar īpatnējo svaru, kas lielāks par 4,4; un
2. ar maksimālo darba temperatūru 548 K (275 °C).
b.
Materiāli, kas absorbē frekvences, kuras pārsniedz 1,5 × 1014 Hz, bet ir mazākas par 3,7 × 1014 Hz, un nelaiž cauri redzamo gaismu;
c. Tehniska piezīme.
Polimēru materiāli ar elektrovadītspējas īpašībām un tilpuma elektrisko vadītspēju, kas pārsniedz 10000 S/m (sīmensi uz metru), vai ar īpatnējo virsmas pretestību, kas mazāka par 100 Ω kvadrātā, izgatavoti uz kāda šī polimēra bāzes: Tilpuma elektrisko vadītspēju un virsmas īpatnējo pretestību nosaka pēc ASTM D-257 standarta vai tam līdzvērtīga valsts standarta.
c.
1. polianilīns;
2. polipirols;
3. politiofēns;
4. polifenilvinilēns; vai
5. politienilvinilēns;
1CMateriāli Tehniska piezīme. Tehniskas piezīmes:
1. 1C002 pozīcijā metālu sakausējumi, kuros attiecīgo metālu masas daļa ir lielāka par visu citu elementu saturu;
2. darba resursu slodzes apstākļos līdz sabrukšanai nosaka pēc ASTM standarta E-139 vai tam līdzvērtīga attiecīgās valsts standarta;
3. plastisko nogurumu nosaka pēc ASTM standarta E-606 Ieteiktās metodes zemāko nogurumu cikla pārbaudei pie vienādas amplitūdas vai tam līdzvērtīga attiecīgās valsts standarta. Pārbaudei jābūt aksiālai ar vidējo sprieguma koeficientu, vienādu ar 1, un sprieguma koncentrācijas faktoru (Kt), vienādu ar 1. Vidējo spriegumu nosaka kā maksimālo spriegumu, no kā atskaitīts minimālais spriegums, dalīts ar maksimālo spriegumu.
a.
Aluminīdi, tas ir:
1. niķeļa aluminīdi, kas pēc svara satur vismaz 15 %, bet ne vairāk par 38 % alumīnija un vismaz vēl vienu leģējošu elementu;
2. titāna aluminīdi, kas satur pēc svara 10 % vai vairāk alumīniju un vismaz vēl vienu leģējošu elementu;
b.
metālu sakausējumi no pozīcijā 1C002.c. minētajiem materiāliem, tas ir:
1. niķeļa sakausējumi, kuru:
1. a.
darba resurss slodzes apstākļos zem 676 MPa slodzes 923 K (650 °C) temperatūrā ir vismaz 10000 stundas; vai
b.
plastiskais nogurums zem slodzes, kas nepārsniedz 1095 MPa, 823 K (550°) temperatūrā iestājas ne agrāk kā pēc 10000 cikliem;
2. niobija sakausējum, kuru
2. a.
darba resurss slodzes apstākļos zem 400 MPa slodzes 1073 K (800 °C) temperatūrā ir vismaz 10000 stundas; vai
b.
plastiskais nogurums zem slodzes, kas nepārsniedz 700 MPa, 973 K (700 °C) temperatūrā iestājas ne agrāk kā pēc 10000 cikliem;
3. titāna sakausējumi, kuru:
3. a.
darba resurss slodzes apstākļos zem 200 MPa slodzes 723 K (450 °C) temperatūrā ir vismaz 10000 stundas; vai
b.
plastiskais nogurums zem slodzes, kas nepārsniedz 400 MPa, 723 K (450 °C) temperatūrā iestājas ne agrāk kā pēc 10000 cikliem;
4. alumīnija sakausējumi, kuru stiepes izturība ir:
4. a.
240 MPa vai augstāka 473 K (200 °C) temperatūrā;vai
b.
415 MPa vai augstāka 298 K (200 °C) temperatūrā;
5. magnija sakausējumi, kuru:
5. a.
stiepes izturība ir vismaz 345 MPa; un
b.
korozijas ātrums 3 % nātrija hlorīda šķīdumā, ko nosaka pēc ASTM standarta G-31 vai tam līdzvērtīga attiecīgās valsts standarta, nepārsniedz 1 mm/gadā;
c.
metāla sakausējumu pulveri vai daļiņu materiāls ar visām šīm īpašībām:
1. Tehniska piezīme.
tie ir izgatavoti no jebkuras no šīm kompozītu sistēmām: Ar X turpmāk apzīmēti viens vai vairāki leģētāji elementi.
a.
niķeļa sakausējumi (Ni-Al-X, Ni-X-Al), kas piemēroti turbīnu sastāvdaļām vai komponentiem, t.i., ar mazāk par trim nemetālu daļiņām ar izmēru virs 100 μm (ko pievieno ražošanas procesā) uz 109 sakausējuma daļiņām;
b.
niobija sakausējumi (Nb-Al-X vai Nb-X-Al, Nb-Si-X vai Nb-X-Si, Nb-Ti-X vai Nb-X-Ti);
c.
titāna sakausējumi (Ti-Al-X vai Ti-X-Al);
d.
alumīnija sakausējumi (Al-Mg-X vai Al-X-Mg, Al-Zn-X vai Al-X-Zn, Al-Fe-X vai Al-X-Fe); vai
e.
magnija sakausējumi (Mg-Al-X vai Mg-X-Al);
2. iegūti kontrolētā vidē ar kādu no šiem procesiem:
2. a.
vakuumpulverizāciju;
b.
gāzes pulverizāciju;
c.
rotācijas pulverizāciju;
d.
uzsmidzināšanu;
e.
kausējuma vērpšanu un smalcināšanu;
f.
kausējuma ekstrakciju un smalcināšanu; vai
g.
mehānisku sakausēšanu; un
3. ko var izmantot 1C002.a. un 1C002.b. pozīcijā minētajiem materiāliem.
d.
Sakausēti materiāli, kam ir visas šīs īpašības:
1. to izgatavošanai izmantota kāda no 1C002.c.1. pozīcijā minētajiem sastāviem;
2. sasmalcinātu pārslu, lenšu vai tievu stienīšu veidā; un
3. iegūti kontrolējamas vides apstākļos ar kādu no šiem procesiem:
3. a.
uzsmidzināšana;
b.
kausējuma vērpšana; vai
c.
kausējuma ekstrakcija.
a. Tehniska piezīme.
kuru sākotnējā relatīvā magnētiskā caurlaidība ir 120000 vai lielāka, bet biezums — 0,05 mm vai mazāks; Sākotnējās caurlaidības mērījumi jāveic pilnīgi atlaidinātiem materiāliem.
b.
magnetostriktīvi sakausējumi, kam piemīt kāda no šīm īpašībām:
1. piesātinājuma magnetostrikcija ir lielāka par 5 × 10–4; vai
2. magnetomehāniskās pievilkšanās koeficients (k) ir lielāks par 0,8; vai
c. Tehniska piezīme.
amorfas vai nanokristālu sakausējuma lentes ar visām šīm īpašībām: 1C003.c. pozīcijā minētie nanokristālu materiāli ir tādi, kuru kristāla graudu izmērs, kas noteikts ar rentgenstaru difrakcijas metodi, ir 50 nm vai mazāks.
c.
1. to sastāvā ir vismaz 75 % dzelzs, kobalta vai niķeļa;
2. piesātinājuma magnētiskā indukcija (BS) ir 1,6 T vai lielāka; un
3. kam piemīt jebkura no še turpmāk minētajām īpašībām
3. a.
lentes biezums 0,02 mm vai mazāks; vai
b.
īpatnējā elektriskā pretestība ir 2 × 10–4 cm vai lielāka.
a.
blīvums ir lielāks par 17,5 g/cm3;
b.
izturības robeža ir lielāka par 880 MPa;
c.
galīgā stiepes izturība ir lielāka par 1270 MPa; un
d.
pagarinājums ir lielāks par 8 %.
a.
daudzpavedienu kompozītu materiāli ar supravadītspējas īpašībām, kas satur vienu vai vairākus niobija un titāna pavedienus:
1. un ievietoti matricā, izņemot vara matricu vai jauktu matricu uz vara bāzes; vai
2. ar šķērsgriezuma laukumu, kas nepārsniedz 0,28 × 10–4 mm2 (ar diametru 6 μm pavedieniem ar apaļu šķērsgriezumu);
b.
Kompozītu materiāli ar supravadītspējas īpašībām, kas satur vienu vai vairākus pavedienus ar supravadītspēju, izņemot niobija un titāna pavedienus, un kam piemīt visas šīs īpašības:
1. kritiskā temperatūra pie magnētiskās indukcijas, kas vienāda ar nulli, ir lielāka par 9,85 K (– 263,31 °C), bet ir zemāka par 24 K (– 249,16 °C);
2. šķērsgriezuma laukums ir mazāks par 0,28 × 10-4 mm2; un
3. pakļaujot 12 T magnētiskā lauka iedarbībai, tie saglabā supravadītspējas stāvokli 4,2 K (– 268,96 °C) temperatūrā.
a.
hidrauliski šķidrumi, kuru galvenās sastāvdaļas ir kāds no šiem savienojumiem vai materiāliem:
1. Tehniska piezīme.
sintētiskās silikoneļļas, kam piemīt visas šīs īpašības: 1C006.a.1. pozīcijā ietvertas tikai tādas silikoneļļas, kas satur tikai silīciju, ūdeņradi un oglekli.
a.
uzliesmošanas temperatūra ir virs 477 K (204 °C);
b.
kušanas temperatūra ir 239 K (– 34 °C) vai zemāka;
c.
viskozitātes indekss ir 75 vai lielāks; un
d.
ir termiski stabili 616 K (343 °C) temperatūrā; vai
2. Tehniska piezīme.
hlorfluorogļūdeņraži, kam piemīt visas šīs īpašības: 1C006.a.2. pozīcija attiecas uz hlorfluorogļūdeņražiem, kuru sastāvā ir tikai ogleklis, fluors un hlors.
a.
nav uzliesmošanas temperatūras;
b.
pašaizdegšanās temperatūra augstāka par 977 K (704 °C);
c.
kušanas temperatūra ir 219 K (– 54 °C) vai zemāka;
d.
viskozitātes indekss ir 80 vai lielāks; un
e.
viršanas temperatūra ir 473 K (200 °C) vai augstāka;
b.
smērvielas, kā galvenās sastāvdaļas ir kāds no šiem savienojumiem vai materiāliem:
1. fenilēnēteri, alkilfenilēnēteri, tioēteri, vai to maisījumi, kas satur vairāk par divām ētera vai tioētera funkcijām vai to maisījumi; vai
2. fluorēti silīcijorganiskie šķidrumi ar kinemātisko viskozitāti, kas 209 K (25 °C) temperatūrā ir mazāka par 5000 mm2/s (5000 cSt);
c.
mitrināšanas vai flotācijas šķidrumi, tīrāki par 99,8 %, kuru 100 ml satur līdz 25 daļiņām ar diametru 200 μm vai lielāku, un ko izgatavo vismaz no 85 % kāda šī savienojuma vai materiāla:
1. dibromtetrafluoretāna;
2. polihlortrifluoretilēna (tikai eļļveidīgās vai vaskveidīgās modifikācijas); vai
3. polibromtrifluoretilēna;
d.
fluoroglekļa šķidrumi elektronikas dzesēšanai, kuriem ir visas šīs īpašības:
1. satur 85 % vai vairāk jebkuras šīs vielas vai to maisījumu:
1. a.
perfluorpolialkilētera triazīnu vai perfluoralifātisko ēteru monomēru formās;
b.
perfluoralkilamīnus;
c.
perfluorcikloalkānus; vai
d.
perfluoralkānus;
2. blīvums 298 K (25 °C) temperatūrā ir 1,5 g/ml;
3. ir šķidrā agregātstāvoklī 273 K (0 °C) temperatūrā; un
4. satur 60 svara % vai vairāk fluora.
1CMateriāli Tehniska piezīme. Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme. a.
uzliesmošanas temperatūru nosaka pēc Klīvlenda vaļējā tīģeļa metodes saskaņā ar ASTM D-92 standartu vai tam līdzvērtīgu attiecīgās valsts standartu;
b.
kušanas temperatūru nosaka pēc ASTM D-97 standarta vai tam līdzvērtīga attiecīgās valsts standarta;
c.
viskozitātes indeksu nosaka pēc ASTM D-2270 standartā noteiktās metodes vai līdzvērtīga attiecīgās valsts standarta;
d.
termisko stabilitāti nosaka ar šādu vai līdzvērtīgu attiecīgā valstī pieņemtu procedūru: Paraugu uzskata par termiski stabilu, ja pēc iepriekš minētās procedūras tas atbilst visiem šiem parametriem:
20 ml testējamā šķidruma iepilda 46 ml 317. tipa nerūsējošā tērauda kamerā, kurā ir ievietota 12,5 mm (nomināls) M-10 instrumentu tērauda, 52100. markas tērauda vai jūras bronzas (60 % Cu, 39 % Zn, 0,75 % Sn) lodīte.
Kameru izpūš ar slāpekli, hermetizē atmosfēras spiedienā un temperatūru paaugstina līdz 644 ± 6 K (371 ± 6 °C), un iztur šajā temperatūrā sešas stundas;
1. svara zudums uz katru lodīti ir mazāks par 10 mg/mm2 lodītes virsmas laukuma;
2. sākotnējās viskozitātes izmaiņa pie 311 K (38 °C) ir mazāka par 25 %; un
3. kopējais skābums vai bāziskums ir mazāks par 0,40;
e.
pašaizdegšanās temperatūru nosaka pēc ASTM E-659 standartā noteiktās metodes vai tam līdzvērtīga attiecīgās valsts standarta.
a.
vienkāršo vai komplekso titāna borīdu bāzes materiāli, kuros metālisko piemaisījumu, kā arī to piedevu saturs nepārsniedz 5000 ppm (mg/kg), bet daļiņu vidējais diametrs ir vienāds ar vai mazāks par 5 μm, un ne vairāk kā 10 % daļiņu ir lielākas par 10 μm;
b.
titāna borīda, kas nav kompozīts keramikas materiāls, neapstrādātās formas vai pusfabrikāti, kuru blīvums ir vismaz 98 % no teorētiskās vērtības; Piezīme. Saskaņā ar 1C007.b. pozīciju kontroli neattiecina uz abrazīviem materiāliem.
c.
keramikas un keramikas kompozītu materiāli ar stikla vai oksīdu matricu, kuri ir armēti ar šķiedrām, kam ir visas šīs īpašības:
1. izgatavotas no jebkura šī materiāla
1. a.
Si-N;
b.
Si-C;
c.
Si-Al-O-N; vai
d.
Si-O-N; un
2. īpatnējo stiepes izturību, kas ir lielāka par 12,7 × 103 m;
d.
keramikas un keramikas kompozītu materiāli ar vienlaidus metālisko fāzi vai bez tās, kas satur daļiņas, spirāles vai šķiedras, kuros matricu veido silīcija, cirkonija vai bora karbīdi vai nitrīdi;
e.
prekursoru materiāli (t.i., īpašas nozīmes polimēru vai metālorganiskie materiāle) pozīcijā 1C007.c. minēto materiālu jebkuras fāzes vai fāžu ražošanai, tas ir:
1. polidiorganosilāni (silīcija karbīda ražošanai);
2. polisilazāni (silīcija nitrīda ražošanai);
3. polikarbosilazāni (silīciju, oglekli un slāpekli saturošas keramikas ražošanai);
f.
keramikas un keramikas kompozītu materiāli ar oksīda vai stikla matricu, armēti ar nepārtrauktām šādu sistēmu šķiedrām no jebkuras šīs sistēmas: Piezīme. Saskaņā ar 1C007.f. pozīciju kontroli neattiecina uz kompozītiem no šo sistēmu šķiedrām ar stiepes izturību 1273 K (1000 °C) temperatūrā mazāku par 700 MPa vai kuru šķiedru tecēšanas deformācija pārsniedz 1 %, ja noslodze ir 100 MPa un temperatūra 1273 K (1000 °C), simt stundu laikā.
1. Al2O3; vai
2. Si-C-N.
a.
Piezīme. Saskaņā ar 1C008.a. pozīciju kontroli neattiecina uz presētiem nekausētiem pulvera materiāliem.
1. bismaleimīdi;
2. aromātiskie poliamīdi-imīdi;
3. aromātiskie poliimīdi;
4. aromātiskie poliēterimīdi ar stiklošanās temperatūru (T8), kas lielāka par 513 K (240 °C);
b.
termoplastiski šķidro kristālu kopolimēri ar siltuma deformācijas temperatūru virs 523 K (250 °C), ko nosaka pēc ISO 75-3 (2004) vai līdzvērtīga attiecīgās valsts standarta, ar 1,82 N/mm2 noslodzi, kuri sastāv no:
1. jebkurām šīm vielām:
1. a.
fenilēns, bifenilēns vai naftalīns; vai
b.
metil-, terc-butil- vai fenilaizvietots fenilēns, bifenilēns vai naftalīns; un
2. kāda no šīm skābēm:
2. a.
tereftalskābe;
b.
6-hidroksi-2-naftēnskābe; vai
c.
4-hidroksibenzoskābe;
c.
poliarilēteru ketoni, tas ir:
1. neizmanto;
2. poliēterketonketoni (PEKK);
3. poliēterketoni (PEK);
4. poliēterketonēterketonketoni (PEKEKK);
d.
poliarilēnketoni;
e.
poliarilēnsulfīdi, kuros arilēngrupa ir bifenilēns, trifenilēns vai to kombinācija;
f.
polibifenilenētersulfons, kam materiāla stiklošanās temperatūra (Tg) pārsniedz 513 K (240°C).
1CMateriāli Tehniska piezīme. Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme. Tehniska piezīme: a.
nespriegoti vinilidēnfluorīda kopolimēri ar 75 % vai vairāk β-kristālisko struktūru;
b.
fluorēti poliimīdi, kas satur 10 % vai vairāk saistītā fluora;
c.
fluorēti fosfazēna elastomēri, kas satur 30 % vai vairāk saistītā fluora.
a.
organiskie šķiedru vai pavedienu materiāli, kam piemīt visas šīs īpašības: Piezīme. Saskaņā ar 1C010.a. pozīciju kontroli neattiecina uz polietilēnu.
1. īpatnējo moduli, kas lielāks par 12,7 × 106 m; un
2. īpatnējo stiepes izturību, kas ir lielāka par 23,5 × 104 m;
b. Tehniska piezīme.
oglekļa šķiedru vai pavedienu materiāli, kam piemīt visas šīs īpašības: Piezīme. Saskaņā ar 1C010.b. pozīciju kontroli neattiecina uz šķiedru vai pavedienu izstrādājumiem un laminātiem, kas paredzēti lidaparātu remontam, ja atsevišķo plākšņu izmēri nepārsniedz 50 × 90 cm. 1C010.b. pozīcijā minēto materiālu raksturlielumi jānosaka pēc SACMA rekomendētajām metodēm SRM12—17 vai līdzvērtīgām attiecīgo valstu metodēm, piemēram, Japānas Rūpniecības standarta JIS-R-76016 6.2. punkta, partijām norādot attiecīgo raksturlielumu vidējās vērtības.
b.
1. īpatnējo moduli, kas lielāks par 12,7 × 106 m; un
2. īpatnējo stiepes izturību, kas ir lielāka par 23,5 × 104 m;
c.
neorganiski šķiedru vai pavedienu materiāli, kam piemīt visas šīs īpašības: Piezīme. Saskaņā ar 1C010.c. pozīciju kontroli neattiecina uz
1. īpatnējais modulis, lielāks par 2,54 × 106 m; un
2. kušanas, sadalīšanās vai sublimēšanās temperatūra inertā atmosfērā ir augstāka par 1922 K (1694 °C);
1. sadrumstalotu, daudzfāžu, polikristālisku alumīnija oksīda šķiedru neausta materiāla veidā, kas satur 3 vai vairāk procentu silīcija dioksīda, ar īpatnējo moduli, kas mazāks par 10 × 106 m;
2. molibdēna vai molibdēna sakausējumu šķiedrām;
3. bora šķiedrām;
4. sadrumstalotām keramiskām šķiedrām, kuru kušanas, mīkstēšanas, sadalīšanās vai sublimēšanās temperatūra inertā atmosfērā ir zemāka par 2043 K (1770 °C).
d.
šķiedru vai pavedienu materiāli:
1. kas satur jebkuru no šīm vielām:
1. a.
1C008.a. pozīcijā minētos poliēterimīdus; vai
b.
1C008.b. līdz 1C008.f. pozīcijā minētos materiālus; vai;
2. sastāv no 1C010.d.1.a. vai 1C010.d.1.b. pozīcijā minētajiem materiāliem, kam piejaukti citi 1C010.a., 1C010.b. vai 1C010.c. pozīcijā minētie šķiedrmateriāli;
e. Tehniska piezīme.
ar sveķiem vai darvu impregnētas šķiedras (iepriekš piesūcinātas šķiedras), ar metālu šķiedras vai ar oglekli pārklātas šķiedras (sagataves) vai oglekļa šķiedru sagataves, tas ir: Piezīmes: Saskaņā ar 1C010.e. pozīciju kontroli neattiecina uz: 1C010.e. pozīcijā minēto materiālu stiklošanās temperatūru (Tg) nosaka pēc ASTM D-3418 standartā aprakstītās sausās metodes. Fenolsveķu un epoksīdsveķu stiklošanās temperatūru nosaka pēc ASTM D 4065 standartā aprakstītās sausās metodes, 1 Hz frekvencē un karsēšanas ātrumā 2 K (°C) minūtē.
e.
1. izgatavotas no 1C010.a., 1C010.b. vai 1C010.c. pozīcijā minētajiem šķiedru vai pavedienu materiāliem;
2. izgatavotas no organiskajiem vai oglekļa šķiedru vai pavedienu materiāliem:
2. a.
ar īpatnējo stiepes izturību, kas ir lielāka par 17,7 × 104 m;
b.
ar īpatnējo moduli, kas lielāks par 10,15 × 106 m;
c.
saskaņā ar 1C010.a. vai 1C010.b. pozīcijā nekontrolētiem materiāliem; un
d.
kas impregnēti ar 1C008 vai 1C009.b. pozīcijā minētajiem materiāliem, kuru stiklošanās temperatūra (Tg) ir lielāka par 383 K (110 °C), fenola vai epoksīdsveķiem, kuru stiklošanās temperatūra (Tg) ir vienāda ar vai lielāka par 418 K (145 °C).
a.
ar epoksīdsveķu matricu (saistvielu) impregnētu šķiedru vai pavedienu materiālu (iepriekš piesūcinātu šķiedru) konstrukcijām vai laminātiem lidaparātu remontam, ja atsevišķu plākšņu izmēri nepārsniedz 50 cm × 90 cm;
b.
ar fenola vai epoksīdu sveķiem impregnētām iepriekš piesūcinātām šķiedrām, kuru stiklošanās temperatūra (Tg) ir zemāka par 433 K (160 °C), bet sacietēšanas temperatūra ir zemāka par stiklošanās temperatūru.
a. Tehniska piezīme:
metāli daļiņās, mazākās par 60μm, sfēriskā, atomizētā, sferoidālā, pārslu vai samaltā formā, no materiāliem, saturkuros ir 99 % vai vairāk cirkonija, magnija vai šo metālu sakausējumu; Dabīgais hafnija saturs cirkonijā (parasti no 2 līdz 7 %) tiek pieskaitīts cirkonija saturam. Piezīme: Uz 1C011.a. pozīcijā minētajiem metāliem vai sakausējumiem attiecināma kontrole neatkarīgi no tā, vai tie ir vai nav iekapsulēti alumīnijā, magnijā, cirkonijā vai berilijā.
b.
bors vai bora karbīds ar tīrības pakāpi 85 % vai augstāku un daļiņu izmēru 60 μm vai mazāku; Piezīme: Uz 1C011.b. pozīcijā minētajiem metāliem vai sakausējumiem attiecināma kontrole neatkarīgi no tā, vai tie ir vai nav iekapsulēti alumīnijā, magnijā, cirkonijā vai berilijā.
c.
guanidīna nitrāts;
d.
nitroguanidīns (NQ) (CAS 556-88-7).
1CMateriāli Tehniska piezīme. Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme. a.
plutonijs jebkurā formā, kura izotopu sastāvā vairāk par 50 svara % ir plutonija-238; Piezīme. Saskaņā ar 1C012.a. pozīciju kontroli neattiecina uz:
a.
kravām, kurās plutonija saturs ir 1 g vai mazāks;
b.
kravām, kas satur 3 vai mazāk efektīvos gramus, ja tie ietilpst instrumentos kā sensoru komponenti.
b.
iepriekš separēts neptūnijs-237 jebkurā formā. Piezīme. Saskaņā ar 1C012.b. pozīciju kontroli neattiecina uz sūtījumiem, kuros neptūnijs-237 ir 1 g vai mazāk.
a.
konstrukciju materiāli vai pārklājumi, kas īpaši izstrādāti radaru signālu atstarojuma vājināšanai;
b.
pārklājumi, arī krāsojums, kas īpaši izstrādāts, lai atstarotu mikroviļņus, infrasarkanā un ultravioletā spektra elektromagnētisko starojumu vai mazinātu izstarojumu.
1CMateriāli Tehniska piezīme. Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme. Tehniska piezīme: a.
smalkgraudains grafīts, ar blīvumu 288 K (15 °C) temperatūrā 1,72 g/cm3 vai lielāku, kā graudiņi ir 100 μm vai mazāki, raķešu sprauslu vai atgriešanās moduļu priekšgala smaiļu izgatavošanai, un ko var iestrādāt jebkurā no šiem ražojumiem: NB! Skat. arī 0C004
1. cilindri ar 120 mm vai lielāku diametru un 50 mm gari vai garāki;
2. caurules ar iekšējo diametru 65 mm vai lielāku un sieniņu biezumu 25 mm vai lielāku un 50 mm garas vai garākas; vai
3. bloki, kuru izmērs ir 120 mm × 120 mm × 50 mm vai lielāki;
b.
pirolītiskais vai armētais šķiedrainais grafīts raķešu sprauslu vai atgriešanās moduļu priekšgala smaiļu izgatavošanai; NB! Skat. arī 0C004
c.
keramikas kompozītmateriāli (dielektriskā konstante mazāka par 6 frekvencēs no 100 MHz līdz 100 GHz), ko lieto raķešu lokatoru antenu aptecētāju izgatavošanai;
d.
mehāniski iegūtā birstošā ar silīcija karbīdu armētā keramika raķešu priekšgala smaiļu izgatavošanai.
a.
dzinēju vilces degvielas:
1. Tehniska piezīme.
sfēriska alumīnija pulveris, izņemot militāro preču kontroles sarakstos minēto, ar vidējo daļiņu izmēru, kas mazāks par 200 μm, un alumīnija saturu ne mazāk par 97 %, ja vismaz 10 % no kopējā svara veido daļiņas, kuru izmērs mazāks par 63 μm, ko nosaka saskaņā ar ISO 2591:1988 vai tam līdzvērtīgiem valstu standartiem; Daļiņu izmērs 63 μm (pēc ISO R-565) atbilst 250 sietam (Tyler) vai 230 sietam (ASTM standarts E-11).
2. Tehniska piezīme.
metāliskas degvielas, izņemot militāro preču kontroles sarakstos minētās, sfērisku, atomizētu, sferoidālu daļiņu, pārslveida vai maltas, kuru izmērs mazāks par 60 μm un kuru sastāvā ne mazāk par 97 % jebkura šāda metāla: Dabīgo hafnija daudzumu cirkonijā (parasti no 2 līdz 7 %) pieskaita cirkonijam.
2. a.
cirkonija;
b.
berilija;
c.
magnija; vai
d.
iepriekš a. līdz c. apakšpunktā minēto metālu sakausējumu;
3. šķidras oksidētājvielas, tas ir:
3. a.
dislāpekļa trioksīds;
b.
slāpekļa dioksīds/dislāpekļa tetroksīds;
c.
dislāpekļa pentoksīds;
d. Tehniska piezīme.
slāpekļa jauktie oksīdi (MON); Slāpekļa jauktie oksīdi (MON) ir slāpekļa oksīda (NO) šķīdumi dislāpekļa tetroksīdā/slāpekļa dioksīdā (N2O4/NO2), ko var izmantot raķešu sistēmās. Ir sastāvu spektrs, ko var nosaukt par MONi vai MONij, kur i un j ir veseli skaitļi, kas raksturo slāpekļa (II) oksīda procentuālo daļu maisījumā (piem., MON3 satur 3 % slāpekļa (II) oksīda, MON25 25 % slāpekļa (II) oksīda. Augšējā robeža ir MON40, 40 % no svara.
e.
SKAT. MILITĀRO PREČU KONTROLES SARAKSTOS; kavētā sarkanā kūpošā slāpekļskābe (IRFNA);
f.
SKAT. MILITĀRO PREČU SARAKSTOS UN POZĪCIJĀ 1C238 Savienojumi no fluora un viena vai vairākiem citiem halogēniem, skābekļa vai slāpekļa;
4. Hidrazīna atvasinājumi, ko var izmantot kā raķešu degvielas sastāvdaļas, izņemot militāro preču kontroles sarakstos minētos:
b.
polimēru vielas:
1. karboksi-terminēts polibutadiēns (CTPB);
2. hidroksi-terminēts polibutadiēns (HTPB), izņemot militāro preču kontroles sarakstos minēto;
3. polibutadiēnakrilskābe (PBAA);
4. polibutadiēnakrilskābes akrilnitrils (PBAN);
c.
Citas reaktīvo dzinēju degvielu piedevas un sastāvdaļas:
1. SKAT. MILITĀRO PREČU KONTROLES SARAKSTOS karborāni, dekarborāni, pentaborāni to atvasinājumi
2. trietilēnglikoldinitrāts (TEGDN);
3. 2-nitrodifenilamīns;
4. trimetiloletāna trinitrāts (TMETN);
5. dietilēnglikola dinitrāts (DEGDN);
6. ferocēna atvasinājumi, tas ir:
6. a.
skat. katocēnu militāro preču kontroles sarakstos:
b.
etilferocēns;
c.
propilferocēns;
d.
skat. militāro preču kontroles sarakstos; n-butilferocēns;
e.
pentilferocēns;
f.
diciklopentilferocēns;
g.
diciklopentilferocēns;
h.
dietilferocēns;
i.
dipropilferocēns;
j.
dibutilferocēns;
k.
diheksilferocēns;
l.
acetilferocēni;
m.
skat. militāro preču kontroles sarakstos; ferocēna karbonskābji;
n.
skat. militāro preču kontroles sarakstos; butacēns;
o.
citi ferocēna atvasinājumi, kas lietojami kā raķešu degvielas degšanas ātruma modifikatori, izņemot tos, kas minēti militāro preču kontroles sarakstos.
a.
kam ir visi šādi raksturlielumi:
1. satur 17,0-23,0 svara % hroma un 4,5-7,0 svara % niķeļa;
2. satur titānu vairāk par 0,10 svara %; un
3. ferīta-austenīta struktūra (ko sauc arī par divfāžu mikrostruktūru), no kuras vismaz 10 tilpuma % ir austenīts (ko nosaka ar ASTM E-1181-87 vai tam līdzvērtīgu valsts standartu); un
b.
kam piemīt kāda no šīm formām:
1. lējumi vai stieņi, ar izmēriem visās dimensijās 100 mm vai lielākiem;
2. loksnes, 600 mm platas vai platākas un 3 mm biezas vai plānākas; vai
3. caurules ar ārējo diametru 600 mm vai lielāku, un sieniņu biezumu 3 mm vai plānāku.
a.
alumīnija sakausējumi, kam piemīt abas šīs īpašības:
1. galīgās stiepes izturības spēja 293 K (20 °C) temperatūrā ir 460 MPa vai augstāka; un
2. ir cietu cauruļu vai cilindru formā (ieskaitot kaltos izstrādājumus), ar ārējo diametru vairāk par 75 mm;
b.
titāna sakausējumi, kam piemīt abas šīs īpašības:
1. spēja izturēt 900 MPa galīgo stiepi 293 K (20 °C) vai lielākā temperatūrā; un
2. ir cietu cauruļu vai cilindru formā (ieskaitot kaltos izstrādājumus), ar ārējo diametru vairāk par 75 mm.
1CMateriāli Tehniska piezīme. Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme. a.
oglekļa vai aramīda šķiedru vai pavedienu materiāli, kam piemīt jebkura šī īpašība: Piezīme. Saskaņā ar 1C210.a. pozīciju kontroli neattiecina uz aramīda šķiedru vai pavedienu materiāliem, kuros 0,25 vai vairāk svara % ir šķiedras virsmas modifikators uz esteru bāzes.
1. īpatnējais modulis, kas līdzinās 12,7 × 106 m vai ir lielāks par to; vai
2. īpatnējā stiepes izturība, kas līdzinās 235 × 103 m vai ir lielāka par to;
b.
stikla šķiedru vai pavedienu materiāli ar abām šīm īpašībām:
1. īpatnējo moduli, kas vienāds ar vai lielāks par 3,18 × 106 m; un
2. īpatnējā stiepes izturība, kas vienāda ar vai lielāka par 76,2 × 103 m;
c. Tehniska piezīme.
ar termoreaktīviem sveķiem impregnētas dzijas, paralēlu šķiedru kūļi, tauvas vai lentes ar platumu 15 mm vai mazāk, kas izgatavotas no 1C210.a. vai b. pozīcijā minētajiem oglekļa vai stikla šķiedru vai pavedienu materiāliem; Kompozītu matrica (saistviela) ir sveķi.
1CMateriāli Tehniska piezīme. Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. a.
izveidoti dobu simetrisku cilindrisku formu veidā (ieskaitot cilindru segmentus), kuru iekšējais diametrs ir no 100 līdz 300 mm; un
b.
masa ir virs 20 kg.
a.
satur mazāk par 1000 ppm (1000 mg/kg) citu metālu piemaisījumu, izņemot magniju; un
b.
satur mazāk par 10 ppm (10 mg/kg) bora.
a.
satur mazāk par 200 ppm (200 mg/kg) citu metālu piemaisījumu, izņemot kalciju; un
b.
satur mazāk par 10 ppm (10 mg/kg) bora.
a.
tīrības pakāpe ir 99,99 svara % vai augstāka; un
b.
satur mazāk par 10 ppm (10 mg/kg) sudraba.
a.
rentgenstaru iekārtu metāla logiem vai urbumos ievietotiem rentgenstaru avotiem (sensoriem);
b.
gatavām oksīda vai tā sagatavju formām, kas īpaši konstruētas elektronikā izmantojamu komponentu vai elektronisko ķēžu substrātu izgatavošanai;
c.
berilu (berilija un alumīnija silikātu), smaragdu un akvamarīnu formā.
1CMateriāli Tehniska piezīme. Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. a.
elementu;
b.
savienojumu veidā, ar kopējo α-starojuma aktivitāti 37 GBq/kg (1 Ci/kg) vai vairāk;
c.
maisījumu veidā, ar kopējo α-starojuma aktivitāti 37 GBq/kg (1 Ci/kg) vai vairāk;
d.
ražojumi un ierīces, kas satur kādu no iepriekš minētajiem.
a.
medicīnas aparatūru;
b.
ražojumiem vai ierīcēm, kuros ir mazāk nekā 0,37 GBq (10 mCi) rādija-226.
a.
niķeļa pulveris, kam ir abas šīs īpašības:
1. niķeļa tīrības pakāpe ir 99,0 svara % vai augstāka; un
2. daļiņu vidējais izmērs ir mazāks par 10 μm, ko nosaka pēc Amerikas Materiālu un izmēģinājumu biedrības (ASTM) standarta B330 metodes;
b.
porains metālisks niķelis, ko ražo no 1C240.a. pozīcijā minētajiem materiāliem.
a.
pavedienveida niķeļa pulveriem;
b.
atsevišķām porainā niķeļa plāksnēm, kuru izmērs nepārsniedz 1000 cm2.
1CMateriāli Tehniska piezīme. Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme.
1. tiodiglikols (111-48-8);
2. fosfora oksihlorīds (10025-87-3);
3. dimetilmetilfosfonāts (756-79-6);
4. SKAT. MILITĀRO PREČU KONTROLES SARAKSTOS Metilfosfonildifluorīdu (676-99-3);
5. metilfosfonildihlorīds (676-97-1);
6. dimetilfosfīts (DMP) (868-85-9);
7. fosfora trihlorīds (7719-12-2);
8. trimetilfosfīts (TMP) (121-45-9);
9. tionilhlorīds (7719-09-7);
10. 3-hidroksi-1-metilpiperidīns (3554-74-3);
11. N,N-diizopropil-(ā)-aminoetilhlorids (96-79-7);
12. N,N-diizopropil-(ā)-aminoetantiols (5842-07-9);
13. 3-hinuklidinols (1619-34-7);
14. kālija fluorīds (7789-23-3);
15. 2-hloretanols (107-07-3);
16. dimetilamīns (124-40-3);
17. dietiletilfosfonāts (78-38-6);
18. dietil-N,N-dimetilfosfoamidāts (2404-03-7);
19. dietilfosfīts (762-04-9);
20. dimetilamīna hidrogēnhlorīds (506-59-2);
21. etilfosfinildihlorīds (1498-40-4);
22. etilfosfonildihlorīds (1066-50-8);
23. SKAT. MILITĀRO PREČU KONTROLES SARAKSTOS Metilfosfonildifluorīdu (753-980);
24. hidrogēnfluorīds (7664-39-3);
25. metilbenzilāts (76-89-1);
26. metilfosfinildihlorīds (676-83-5);
27. N,N-diizopropil-(ā)-aminoetanols (96-80-0);
28. pinakolilspirts (464-07-3);
29. SKAT. MILITĀRO PREČU KONTROLES SARAKSTOS O-etil-2-diizopropilaminoetilmetilfosfonītu (57856-11-8);
30. trietilfosfīts (122-52-1);
31. arsēna trihlorīds (7784-34-1);
32. benzilskābe (76-93-7);
33. dietilmetilfosfonīts (15715-41-0);
34. dietilmetilfosfonāts (6163-75-3);
35. etilfosfinildifluorīds (430-78-4);
36. metilfosfinildifluorīds (753-59-3);
37. 3-hinuklidons (3731-38-2);
38. fosfora pentahlorīds (10026-13-8);
39. pinakolons (75-97-8);
40. kālija cianīds (151-50-8);
41. kālija bifluorīds (7789-29-9);
42. amonija hidrogēnfluorīds (1341-49-7) vai amonija bifluorīds;
43. nātrija fluorīds (7681-49-4);
44. nātrija bifluorīds (1333-83-1);
45. nātrija cianīds (143-33-9);
46. trietanolamīns (102-71-6);
47. fosfora pentasulfīds (1314-80-3);
48. diizopropilamīns (108-18-9);
49. dietilaminoetanols (100-37-8);
50. nātrija sulfīds (1313-82-2);
51. sēra monohlorīds (10025-67-9);
52. sēra dihlorīds (10545-99-0);
53. trietanolamīna hidrogēnhlorīds (637-39-8);
54. 2-hlor-N,N-diizopropilaminoetāna hidrogēnhlorīds (4261-68-1);
55. metilfosfonskābe (993-13-5);
56. dietilmetilfosfonāts (683-08-9);
57. N,N-Dimetilaminofosfora dihlorīds (677-43-0);
58. triisopropilfosfīts (116-17-6);
59. etildietanolamīns (139-87-7);
60. O,O-Dietilfosfortioāts (2465-65-8);
61. O,O-Dietilfosfortioāts (298-06-6);
62. nātrija heksafluorsilikāts (16893-85-9);
63. metilfosfonotioiskais dihlorīds (676-98-2).
a.
dabā sastopami, pastiprināti vai pārveidoti vīrusi izolētu dzīvkultūru veidā, inokulēta vai inficēta materiāla veidā, ieskaitot dzīvu šūnu kultūras, tas ir:
1. čikungunjas drudža vīruss;
2. Kongo-Krimas hemorāģiskā drudža vīruss;
3. Denges drudža vīruss;
4. Austrumu zirgu encefalīta vīruss;
5. Ebolas vīruss;
6. Hantanas (Korejas hemorāģiskā drudža) vīruss;
7. hunina vīruss;
8. Lasas drudža vīruss;
9. limfocītu apvalku meningīta vīruss;
10. Mačupo vīruss;
11. Mārburgas vīruss;
12. pērtiķu baku vīruss;
13. infekciozā enzootiskā hepatīta (Rifta ielejas drudža) vīruss;
14. ērču encefalīta vīruss (Krievijas pavasara-vasaras encefalīta vīruss);
15. baku vīruss;
16. Venecuēlas zirgu encefalīta vīruss;
17. Rietumu zirgu encefalīta vīruss;
18. alastrima vīruss;
19. dzeltenā drudža vīruss;
20. Japānas encefalīta vīruss;
21. Kyasanur Forest vīruss;
22. Louping ill vīruss;
23. Austrālijas encefalīta vīruss (Murray Valley encefalīta vīruss);
24. Omskas hemorāģiskā drudža vīruss;
25. Oropouche vīruss;
26. Powassan vīruss;
27. Rocio vīruss;
28. Sentluisas encefalīta vīruss;
29. Hendra vīruss (zirgu mobilivīruss);
30. Dienvidamerikas hemorāģiskais drudzis (Sabia, Flexal, Guanarito);
31. plaušu un nieru sindroma-hemorāģiskā drudža vīrusi (hantavīrusi) (Seoul, Dobrava, Puumala, Sin Nombre);
32. Nipah vīruss;
b.
dabā sastopamas, pastiprinātas vai pārveidotas riketsijas izolētu dzīvkultūru vai inficēta materiāla veidā, ieskaitot dzīvu šūnu kultūras, tas ir:
1. Coxiella burnetii;
2. Bartonella quintana (Rochalimaea quintana, Rickettsia quintana);
3. Rickettsia prowasecki;
4. Rickettsia rickettsii;
c.
dabā sastopamas, pastiprinātas vai pārveidotas baktērijas izolētu dzīvkultūru veidā, vai inficēta materiāla veidā, ieskaitot dzīvu šūnu kultūras, tas ir:
1. Bacillus anthracis;
2. Brucella abortus;
3. Brucella melitensis;
4. Brucella suis;
5. Chlamydia psittaci;
6. Clostridium botulinum;
7. Francisella tularensis;
8. Burkholderia mallei (Pseudomonas mallei);
9. Burkholderia pseudomallei (Pseudomonas pseudomallei);
10. Salmonella typhi;
11. Shigella dysenteriae;
12. Vibrio cholerae;
13. Yersinia pestis;
14. Clostridium perfringens epsilon toksīna ražojošie tipi;
15. enterohēmorāģiskā baktērija Escherichia coli serotips O157 un citi verocitotoksikogēnie serotipi.
d.
Toksīni un to toksīnu pirmējās vienības, tas ir: Piezīme. Saskaņā ar 1C351.d pozīciju kontrole neattiecas uz botulīna toksīnu vai konotoksīnu tāda formā, kas atbilst visiem šiem kritērijiem:
1. botulīna toksīns;
2. Clostridium perfringens toksīns;
3. konotoksīns;
4. rīcins;
5. saksitoksīns;
6. Šigas toksīns;
7. Staphylococcus aureus toksīns;
8. tetrodotoksīns;
9. verotoksīns;
10. mikrocistīns (ciānginosīns);
11. aflatoksīni;
12. abrīns;
13. Cholera toksīns;
14. diacetoksiširpenola toksīns;
15. T-2 toksīns;
16. HT-2 toksīns;
17. modecīns;
18. volkensīns;
19. Viscum album Lectin 1 (viskumīns).
1. tas ir farmaceitiski izveidots ārstnieciskai lietošanai cilvēkiem;
2. tas ir fasēts kā medikaments izplatīšanai;
3. kā medikamentu to atļauj tirgot valsts veselības aizsardzības iestādes.
a.
dabā sastopami, pastiprināti vai pārveidoti vīrusi izolētu dzīvkultūru veidā, inokulēta vai inficēta materiāla veidā, ieskaitot dzīvu šūnu kultūras, tas ir:
1. Āfrikas cūku mēra vīrusi;
2. putnu mēra vīrusi, kas:
2. a.
nav raksturoti; vai
b.
ir definēti EK Direktīvā 92/40/EK (OV L 16, 23.1.1992, 19. lpp.) kā augstas patogenitātes vīrusi, tas ir:
1. A tipa vīrusi, kuru IVPI (intravenozās patogenitātes indekss) 6 nedēļas veciem cāļiem ir lielāks par 1,2; vai
2. A tipa H5 vai H7 apakšgrupas vīrusi, kuru nukleotīdu sekvencēšanā ar hemaglutinīnu iegūtajās šķelšanas vietās pierādīta daudzkārtēja bāzisko aminoskābju secība;
3. infekciozā katarālā drudža (zilās mēles slimības) vīruss;
4. mutes un nagu sērgas vīruss;
5. kazu baku vīruss;
6. cūku herpesvīruss;
7. cūku drudža (cūku mēra) vīruss;
8. trakumsērgas vīruss;
9. Āzijas putnu mēra vīruss;
10. atgremotāju neīstā mēra vīruss;
11. cūku 9. tipa enterovīruss (cūku vezikulārās slimības vīruss);
12. govju mēra vīruss;
13. aitu baku vīruss;
14. enzootiskā encefalomielīta (Tešenas slimības) vīruss;
15. vezikulārā stomatīta vīruss;
16. nodulārā dermatīta vīruss;
17. Āfrikas zirgu slimības vīruss.
b.
Dabā sastopamas, pastiprinātas vai pārveidotas Mycoplasma micoidesizolētu dzīvkultūru veidā, inokulēta vai inficēta materiāla veidā ar šīm Mycoplasma micoides, ieskaitot dzīvu šūnu kultūras.
a.
ģenētiski pārveidoti organismi vai ģenētiski elementi, kuros ir 1C351.a līdz c., 1C352. vai 1C354. pozīcijā minēto uzskaitītās, ar organismu patogēnumu saistītās nukleīnskābju sekvences;
b.
ģenētiski pārveidoti organismi vai ģenētiski elementi, kuros ir 1C351.d. pozīcijā uzskaitīto toksīnu vai to toksīnu pirmējo vienību nukleīnskābju sekvenču kodi
1CMateriāli Tehniska piezīme. Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniskas piezīmes
1. Pie ģenētiskiem elementiem pieder arī hromosomas, genomi, plazmīdas, transpozoni un vektori – gan ģenētiski pārveidoti, gan nepārveidoti.
2. Nukleīnskābju sekvences, kas saistītas ar 1C351.a. līdz c., 1C352 vai 1C354 pozīcijā minēto organismu patogēnumu, ir visas konkrētam mikroorganismam raksturīgas sekvences, kuras:
2. a.
pašas vai ar tās pārrakstīto vai pārtulkoto produktu starpniecību rada nopietnus draudus cilvēku, dzīvnieku vai augu veselībai; vai
b.
par ko ir zināms, ka tās spēj vairot kāda konkrēta mikroorganisma vai cita organisma – kurā tās var ievietot vai citādi iekļaut – spēju radīt nopietnus draudus cilvēku, dzīvnieku vai augu veselībai.
a.
dabā sastopami, pastiprināti vai pārveidoti vīrusi, pavairoti izolētu dzīvkultūru vai arī inokulētu vai inficētu šūnu kultūru veidā, ieskaitot dzīvu šūnu kultūru materiālu, tas ir:
1. kartupeļu Andu latentais vīruss;
2. kartupeļu vārpstveida bumbuļu virusoīds;
b.
dabā sastopamas, pastiprinātas vai pārveidotas baktērijas, pavairotas izolētu dzīvkultūru vai arī inokulētu vai inficētu šūnu kultūru veidā, ieskaitot dzīvu šūnu kultūru materiālu, tas ir:
1. Xanthomonas albilineans;
2. Xanthomonas campestris pv. citri, ieskaitot sugas, kas nosauktas kā Xanthomonas campestris pv. citri tipi A, B, C, D un E vai klasificētas kā Xanthomonas citri, Xanthomonas campestris pv. aurantifolia, vai Xanthomonas campestris pv. citrumelo;
3. Xanthomonas oryzae pv. Oryzae (Pseudomonas campestris pv. Oryzae);
4. Clavibacter michiganensis subsp. Sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. Sepedonicum vai Corynebacterium Sepedonicum);
5. Ralstonia solanacearum Races 2 un 3 (Pseudomonas solanacearum Races 2 un 3 vai Burkholderia solanacearum Races 2 un 3);
c.
dabā sastopamas, pastiprinātas vai pārveidotas pavairotas mikroskopiskas sēnes izolētu dzīvkultūru vai arī inokulētu vai inficētu šūnu kultūru formā, arī dzīvu šūnu kultūru materiāls, tas ir:
1. Colletotrichum coffeanum var. virulans (Colletotrichum kahawae);
2. Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae);
3. Microcyclus ulei (syn. Dothidella ulei);
4. Puccinia graminis (syn. Puccinia graminis f. sp. tritici);
5. Puccinia striiformis (syn. Puccinia glumarum);
6. Magnaporthe grisea (pyricularia grisea/pyricularia oryzae).
a.
toksiskas ķīmiskās vielas, tas ir: 1. piezīme. Izvešanai uz Valstīm, kas nav pievienojušās Ķīmisko ieroču konvencijai nekontrolē ķīmiskos maisījumus, kas satur vismaz vienu no 1C450.a.1 un a.2. ierakstā minētajām vielām, ja tajos nevienas no atsevišķi minētajām sastāvdaļām nav vairāk par 1 % maisījuma masas. 2. piezīme. Izvešanai uz Valstīm, kas pievienojušās Ķīmisko ieroču konvencijai saskaņā ar 1C450 pozīciju nekontrolē ķīmiskos maisījumus, kas satur vismaz vienu no 1C450.a.1 un a.2. ierakstā minētajām vielām, ja tajos nevienas no atsevišķi minētajām sastāvdaļām nav vairāk par 30 % maisījuma masas. 3. piezīme. Saskaņā ar 1C450 pozīciju nekontrolē ķīmiskos maisījumus, kas satur vismaz vienu no 1C450.a.4.,.a.5.,.a.6. un .a.7. ierakstā minētajām vielām, ja tajos nevienas no atsevišķi minētajām sastāvdaļām nav vairāk par 30 % maisījuma masas.
1. amitons: O,O-dietil S-[2-(dietilamino) etil]fosfotiolāts (78-53-5) un attiecīgie alkilētie vai protonētie sāļi;
2. PFIB: 1,2,3,3,3-pentafluor-2-(trifluormetil)-1-propēns (382-21-8);
3. SKAT. MILITĀRO PREČU KONTROLES SARAKSTOS BZ: 3-hinuklidinilbenzilātu (6581-06-2);
4. fosgēns, karbonildihlorīds (75-44-5);
5. hlorciāns (506-77-4);
6. ciānūdeņradis (74-90-8);
7. hlorpikrīns: trihlornitrometāns (76-06-2);
b.
toksisko ķīmisko vielu prekursori, tas ir: 1. piezīme. Izvešanai uz Valstīm, kas nav pievienojušās Ķīmisko ieroču konvencijai nekontrolē ķīmiskos maisījumus, kas satur vismaz vienu no 1C450.b.1,.b.2.,.b.3.,.b.4.,.b.5. un .b.6. ierakstā minētajām vielām, ja tajos nevienas no atsevišķi minētajām sastāvdaļām nav vairāk par 10 % maisījuma masas. 2. piezīme. Izvešanai uz Valstīm, kas pievienojušās Ķīmisko ieroču konvencijai nekontrolē ķīmiskos maisījumus, kas satur vismaz vienu no 1C450.b.1,.b.2.,.b.3.,.b.4.,.b.5. un .b.6. ierakstā minētajām vielām, ja tajos nevienas no atsevišķi minētajām sastāvdaļām nav vairāk par 30 % maisījuma masas. 3. piezīme. Saskaņā ar 1C450 pozīciju nekontrolē ķīmiskos maisījumus, kas satur vismaz vienu no 1C450. b.8. ierakstā minētajām vielām, ja tajos nevienas no atsevišķi minētajām sastāvdaļām nav vairāk par 30 % maisījuma masas.
1. ķīmiskās vielas, kas satur fosfora atomu, ar ko saistīta tikai viena metil-, etil- vai propil- (vai izopropil-) grupa, izņemot 1C350 pozīcijā vai militāro preču kontroles sarakstos minētās vielas; Piezīme. Saskaņā ar 1C450.b.1 pozīciju kontroli neattiecina uz fonofosu – O-etil-S-fenietilfosfontioltionātu (944-22-9);
2. N,N-dialkil(Me, Et, n-Pr vai i-Pr)-amidodihalofosfāti;
3. dialkil(Me, Et, n-Pt vai i-Pr)-N,N-dialkil(Me, Et, n-Pr vai i-Pr)-amidofosfāti, izņemot 1C350 pozīcijā minēto dietil-N,N-dimetilamidofosfātu;
4. N,N-dialkil(Me, Et, n-Pr vai i-Pr) aminoetil-2-hlorīdi un attiecīgie protonētie sāļi, izņemot 1C350 pozīcijā minēto N,N-diizopropil-(β)-aminoetilhlorīdu un N,N-diizopropil-(β)-aminoetilhlorīda hidrohlorīdu;
5. N,N-dialkil(Me, Et, n-Pr vai i-Pr) aminoetān-2-ols un attiecīgie protonētie sāļi, izņemot 1C350 pozīcijā minētos N,N-diizopropil-(β)-aminoetanolu (96-80-0) un N,N-dietilaminoetanolu (100-37-8); Piezīme. 1C450.b.5. pozīcija neattiecina kontroli uz:
5. a.
N,N-dimetilaminoetanolu (108-01-8) un attiecīgajiem protonētajiem sāļiem;
b.
N,N-dietilaminoetanola (100-37-8) protonētajiem sāļiem;
6. N,N-dialkil(Me, Et, n-Pr vai i-Pr) aminoetān-2-tioli un attiecīgie protonētie sāļi, izņemot 1C350 pozīcijā minēto N,N-diizopropil-(β)-aminoetāntiolu (5842-07-9);
7. skatīt 1C350 attiecībā uz etildietanolamīnu (139-87-7);
8. metildietanolamīns (105-59-9).
1DProgrammatūra
1D001Programmatūra, kas īpaši konstruēta vai pārveidota 1B001 līdz 1B003 pozīcijā minēto iekārtu izstrādāšanai, ražošanai vai lietošanai. 1D002Programmatūra organisko matricu, metālisku matricu, oglekļa matricu, laminātu vai kompozītu materiālu izstrādāšanai. 1D101Programmatūra, kas īpaši izstrādāta vai pārveidota 1B101, 1B102, 1B115, 1B117, 1B118 vai 1B119 pozīcijā minēto preču lietošanai. 1D103Programmatūra, kas īpaši izstrādāta, lai analizētu grūti izšķiramus signālus, piemēram, radaru atstarošanas, ultravioleto/infrasarkano staru un akustiskos pazīšanas signālus. 1D201Programmatūra, kas īpaši izstrādāta 1B201 pozīcijā minēto preču lietošanai.
1ETehnoloģija
1E001Tehnoloģijas saskaņā ar vispārējo piezīmi par tehnoloģijām, 1A001.b., 1A001.c., 1A002 līdz 1A005, 1B vai 1C pozīcijā minēto iekārtu vai materiālu izstrādāšanai vai ražošanai. 1E002Citas šādas tehnoloģijas, tas ir: 1E101Tehnoloģijas 1A102, 1B001, 1B101, 1B102, 1B115 līdz 1B119, 1C001, 1C101, 1C107, 1C111 līdz 1C117, 1D101 vai 1D103 pozīcijā minēto preču lietošanai saskaņā ar vispārējo piezīmi par tehnoloģijām. 1E102Tehnoloģijas 1D001, 1D101 vai ID103 pozīcijā minēto programmatūruizstrādāšanai saskaņā ar vispārējo piezīmi par tehnoloģijām. 1E103Tehnoloģijas temperatūras, spiediena vai atmosfēras regulēšanai autoklāvos vai hidroklāvos, ražojotkompozītus vai kompozītu pusfabrikātus. 1E104Tehnoloģijas, kas saistītas ar pirolītiski iegūtu materiālu ražošanu formās, veidnēs vai citā substrātā no gāzveida prekursoriem, kas sadalās temperatūras intervālā no 1573 K (1300 °C) līdz 3173 K (2900 °C) pie spiediena no 130 Pa līdz 20 kPa. Piezīme. 1E104 pozīcijā ietilpst gāzveida prekursoru sastāvu veidošanas, plūsmas ātruma mērīšanas un procesa režīma un parametru kontroles tehnoloģijas. 1E201Tehnoloģijas, 1A002, 1A202, 1A225 līdz 1A227, 1B201, lB225 līdz 1B233, lC002.b.3. vai b.4., 1C010.b., 1C202, 1C210. 1C216, 1C225 līdz 1C240 vai 1D201 pozīcijā minēto preču lietošanai saskaņā ar vispārējo piezīmi par tehnoloģijām. 1E202Tehnoloģijas 1A202 vai 1A225 līdz 1A227 pozīcijā minēto preču izstrādāšanai vai ražošanai saskaņā ar vispārējo piezīmi par tehnoloģijām. 1E203Tehnoloģijas 1D201 pozīcijā minētās programmatūrasizstrādāšanai saskaņā ar vispārējo piezīmi par tehnoloģijām.
a.
tehnoloģijas polibenztiazolu vai polibenzoksazolu izstrādāšanai vai ražošanai;
b.
tehnoloģijas tādu fluorelastomēru savienojumu izstrādāšanai un ražošanai, kas satur vismaz vienu vinilētera monomēru;
c.
tehnoloģijas, lai izstrādātu vai ražotu šādus keramikas pamatmateriālus vai keramikas materiālus, kas nav kompozīti:
1. pamatmateriāli, kam ir visas šīs īpašības:
1. a.
kuros ietilpst jebkurš no šiem savienojumiem:
1. cirkonija oksīdi vai salikti oksīdi, un salikti silīcija vai alumīnija oksīdi;
2. bora nitrīdi (kubiskā kristālu formā);
3. silīcija vai bora karbīdi vai kompleksie karbīdi; vai
4. silīcija nitrīdi vai kompleksie nitrīdi;
b.
metālu piemaisījumu kopējais daudzums, izņemot piedevas, ir mazāks par:
1. 1000 ppm (1000 mg/kg) oksīdiem un karbīdiem; vai
2. 5000 ppm (5000 mg/kg) mononitrīdiem vai kompleksiem savienojumiem; un
c.
ir viens no šādiem:
1. cirkonijs, kura daļiņu vidējais izmērs ir vienāds ar vai mazāks par 1 μm, bet ne vairāk kā 10 % daļiņu izmērs ir lielāks par 5 μm;
2. citi pamatmateriāli, kuru daļiņu vidējais izmērs ir vienāds ar vai mazāks par 5 μm, bet ne vairāk kā 10 % daļiņu izmērs ir lielāks par 10 μm; vai
3. kam ir visi šie raksturlielumi:
3. a.
plāksnītes, kuru garuma un biezuma attiecību ir lielāka par 5;
b.
spirāles, kuru garuma attiecību pret diametru ir lielāka par 10, ja diametrs mazāks par 2 μm; un
c.
viendabīgas vai sasmalcinātas šķiedras, kuru diametrs ir mazāks par 10 μm;
2. keramikas materiāli, kas nav kompozīti, no 1E002.c.1. pozīcijā uzskaitītajiem materiāliem; Piezīme. Saskaņā ar 1E002.c.2. pozīciju kontroli neattiecina uz abrazīvu dizaina vai ražošanas tehnoloģiju.
d.
tehnoloģijas aromātisko poliamīdu šķiedru ražošanai;
e.
tehnoloģijas 1C001 pozīcijā minēto materiālu uzstādīšanai, apkalpošanai vai remontam;
f.
tehnoloģijas 1A002, 1C007.c. vai lC007.d. pozīcijā minēto materiālu, laminātu vai kompozītu konstrukciju remontam. Piezīme. Saskaņā ar 1E002.f. pozīciju kontroli neattiecina uz civilo lidaparātu remonta tehnoloģijām, izmantojot oglekļa šķiedru vai pavedienu materiālus un epoksīdsveķus, kas paredzēti lidaparātu ražotāju rokasgrāmatās.
2. KATEGORIJA MATERIĀLU APSTRĀDE UN PĀRSTRĀDE
2ASistēmas, iekārtas un komponenti Tehniska piezīme.
NB! Klusinātos gultņus Skat. militāro preču kontroles sarakstos. 2A001Gultņi, gultņu sistēmas un to komponenti, tas ir: Piezīme. Saskaņā ar 2A001 pozīciju kontroli neattiecina uz lodītēm, kuru ražotāja minētā izmēru pielaide saskaņā ar standartu ISO 3290 nav augstāka par 5. klasi. 2A225Pret šķidru metālisku aktinīdu iedarbību izturīgu materiālu tīģeļi, tas ir: 2A226Ventiļi ar visiem šiem parametriem: Ventiļiem ar atšķirīgu ieejas un izejas diametru 2A226 pozīcijā minētais nominālais izmērs attiecas uz mazāko diametru.
2ASistēmas, iekārtas un komponenti a.
lodīšu un masīvu rullīšu gultņi, kuru ražotāja dotā izmēru pielaide saskaņā ar standartu ISO 492 atbilst 4. klasei vai augstākai (vai saskaņā ar ANSI/ABMA Std 20 atbilst ABEC-7, RBEC-7 klasei, vai pēc tiem līdzvērtīga valsts standarta), kuru gredzeni, lodītes vai rullīši (ISO 5593) izgatavoti no monela vai berilija; Piezīme. Saskaņā ar 2A001.a. pozīciju kontroli neattiecina uz koniskiem rullīšu gultņiem.
b.
citi lodīšu vai masīvu rullīšu gultņi, kuru ražotāju dotās pielaides saskaņā ar standartu ISO 492 atbilst vismaz 2. klasei (vai ANSI/ABMA Std 20 ABEC-9, RBEC-9 klasei, vai tam līdzvērtīgam valsts standartam); Piezīme. Saskaņā ar 2A001.b. pozīciju kontroli neattiecina uz koniskiem rullīšu gultņiem.
c.
aktīvu magnētisko gultņu sistēmas, kas izmanto jebkuru no šiem:
1. materiālus ar plūsmas blīvumu 2,0 T vai lielāku, bet lauka stiprums — lielāks par 414 MPa;
2. pilnīgi elektromagnētisku 3 dimensiju homopolārās nobīdes manipulatoru konstrukciju; vai
3. augsttemperatūru (450 K (177 °C) un augstāka) pozīciju sensorus.
a.
tīģeļi ar abiem šiem raksturlielumiem:
1. tilpumu no 150 cm3 līdz 8000 cm3; un
2. izgatavoti no jebkura šī materiāla, tīrāka par 98 svara % vai vēl tīrāka, vai pārklāti ar šiem materiāliem:
2. a.
kalcija fluorīda (CaF2);
b.
kalcija cirkonāta (metacirkonāta) (CaZrO3);
c.
cērija sulfīda (Ce2S3);
d.
erbija oksīda (Er2Q3);
e.
hafnija oksīda (HfO2);
f.
magnija oksīda (MgO);
g.
nitridēta niobija-titāna-volframa sakausējuma (apmēram 50 % Nb, 30 % Ti, 20 % W);
h.
itrija oksīda (itrija) (Y2O3); vai
i.
cirkonija oksīda (cirkonija dioksīda) (ZrO2);
b.
tīģeļi ar abiem šiem raksturlielumiem:
1. tilpumu no 50 cm3 līdz 2000 cm3; un
2. izgatavoti no tantala, kura tīrība ir 99,9 svara % vai augstāka, vai ar tā oderējumu;
c.
tīģeļi ar visiem šiem parametriem:
1. tilpumu no 50 cm3 līdz 2000 cm3;
2. izgatavoti no tantala, kura tīrība ir 98 svara % vai augstāka, vai ar tā oderējumu; un
3. tantala karbīda, nitrīda, borīda, vai to maisījumu pārklājumu.
a.
nominālais izmērs ir 5 mm vai lielāks;
b.
ar silfonu blīvslēgu; un
c.
izgatavoti no alumīnija vai alumīnija sakausējuma, niķeļa vai tā sakausējuma, kurā niķeļa saturs ir vismaz 60 svara %, vai ar tiem oderēti.
2BIzmēģinājumu, pārbaudes un ražošanas iekārtas Tehniskas piezīmes. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniskas piezīmes. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniskas piezīmes. Tehniska piezīme.
2B001Darbgaldi un jebkāda to kombinācija/apvienojums metālu, keramikas vai kompozītu materiālu atdalīšanai (vai griešanai), kurus saskaņā ar ražotāja dotiem tehniskiem parametriem var apgādāt ar elektroniskām digitālām vadības ierīcēm, kā ar to komponenti, tas ir: NB! SKAT. ARĪ 2B201 POZĪCIJU 1. piezīme. 2B001 pozīcija neattiecina kontroli uz īpašiem darbgaldiem, ko izmanto tikai zobratu ražošanai. Par tādām mašīnām skat. 2B003. 2. piezīme. 2B001 pozīcija neattiecas uz īpašiem darbgaldiem, ko izmanto jebkuru šādu detaļu izgatavošanai: 3. piezīme. Darbgalds ar vismaz divām no trim izvirpošanas, frēzēšanas vai slīpēšanas iespējām (t.i., izvirpošanas mašīna ar frēzēšanas iespējām) jānosaka pēc katras atbilstīgās pozīcijas 2B001.a.,b. vai c. 2B002Metālapstrādes darbgaldi ar digitālu vadību, kuros izmanto magnetorheoloģisku slīpēšanu (MRF), un kuri ir paredzēti nesfērisku virsmu izveidei, un kam piemīt jebkura šī īpašība: MRF 2B002 pozīcijā ir materiāla aizvadīšana, lietojot abrazīvu magnētisku šķidrumu, kura viskozitāti nosaka magnētisks lauks. 2B003Digitāli kontrolējami vai manuāli metālapstrādes darbgaldi un īpaši to komponenti, vadības ierīces un piederumi, kas paredzēti rūdītu (Rc = 40 vai lielāks) cilindrisko, gliemežzobratu un dubultvītnes zobratu, kuru kāpes diametrs pārsniedz 1250 mm un virsmas platums ir 15 % no diametra un lielāks, zobu griešanai, slīpēšanai vai honēšanai ar virsmas apstrādes kvalitāti AGMA 14 vai augstāku (kas atbilst ISO 1328 3. klasei). 2B004Karstās presēšanas izostatiskās preses, to īpašie komponenti un piederumi, kam piemīt visas šīs īpašības: NB! SKAT. ARĪ 2B104 UN 2B204 POZĪCIJU Kameras iekšējās dimensijas nosaka tās daļā, kurā tiek sasniegta darba temperatūra un spiediens, neskaitot armatūru. Šīs dimensijas būs mazākais lielums no spiediena kameras iekšējā diametra vai izolētās termokameras iekšējā diametra, atkarībā no tā, kura kamera atrodas otras iekšpusē. NB! Īpašās presformas, veidņus un piederumus Skat. 1B003, 9B009 pozīcijā, kā arī militāro preču kontroles sarakstos. 2B005Īpaši konstruētas iekārtas neorganisku pārklājumu, un oderējumu klāšanai vai virsmu modifikācijai, apstrādei un darba procesu kontrolei, izmantojot neelektroniskus substrātus procesos, kas uzrādīti tabulā un tai pievienotajās piezīmēs pēc 2E003.f. pozīcijas, un to īpaši konstruēti komponenti automātiskai glabāšanai, pozicionēšanai, manipulācijai un kontrolei, tas ir: Piezīme. Saskaņā ar 2B005 pozīciju kontroli neattiecina uz ķīmisko tvaiku, katoda loka vai izsmidzināšanas pārklāšanas, jonu pārklāšanas vai jonu implantācijas iekārtām, kas paredzētas griešanas vai apstrādes darbgaldiem. 2B006Sistēmu, iekārtu un elektronisku mezglu izmēru pārbaudei, vai mērīšanai tas ir: NB! SKAT. ARĪ 2B206 POZĪCIJU Piezīme. Metālgriešanas darbgaldi, kurus var izmantot kā mērīšanas mašīnas, pakļauti kontrolei, ja tie atbilst kritērijiem, kas noteikti darbgalda instrumenta funkcijām vai mērīšanas mašīnas funkcijām, vai tos pārsniedz. 2B007Roboti, kam piemīt jebkura no šīm īpašībām, un tiem īpaši konstruētas vadības ierīces un manipulatora izpildmehānismi: NB! SKAT. ARĪ 2B207 POZĪCIJU. 2B008Mezgli vai vienības, kas īpaši konstruēti darbgaldiem vai dimensiju pārbaudes vai mērīšanas sistēmām un iekārtām, tas ir: 2B009Vērpes formēšanas un plūsmas formēšanas mašīnas, ko saskaņā ar ražotāja dotajiem tehniskajiem parametriem var apgādāt ar digitālas kontroles iekārtām vai datorvadību, un kurām ir viss še turpmāk minētais: NB! SKAT. ARĪ 2B109 UN 2B209 POZĪCIJU Mašīnas, kurās kombinēta vērpes formēšana un plūsmas formēšana, saskaņā ar 2B009 pozīciju uzskata par plūsmas formēšanas mašīnām. 2B104Izostatiskās preses, izņemot 2B004 pozīcijā minētās, kam ir visi šie raksturlielumi: NB! SKAT. ARĪ 2B204 POZĪCIJU 2B105Ķīmiskas gāzu uzklāšanas (CVD) iekārtas, izņemot 2B005.a. pozīcijā minētās, kas īpaši konstruētas vai pārveidotas oglekļa un oglekļa kompozītu blīvēšanai. 2B109Plūsmas formēšanas mašīnas, izņemot 2B009 pozīcijā minētās, un to īpašie komponenti, tas ir: NB! SKAT. ARĪ 2B209 POZĪCIJU Piezīme. Saskaņā ar 2B109 pozīciju kontroli neattiecina uz mašīnām, ko nevar izmantot 9A005, 9A007.a. vai 9A105.a. pozīcijā minēto vilces iekārtu vai komponentu (piemēram, motoru korpusu) ražošanai. Mašīnas, kurās kombinēta vērpes formēšana un plūsmas formēšana, 2B009 pozīcijā uzskata par plūsmas formēšanas mašīnām. 2B116Vibrāciju pārbaudes sistēmas, iekārtas un to komponenti, tas ir: 2B116 pozīcijā minētais tukšais galds ir plakans galds vai virsma bez nostiprināšanas un citām palīgierīcēm. 2B117Iekārtas un ierīces procesu regulēšanai, izņemot 2B004, 2B005.a., 2B104 vai 2B105 pozīcijā minētās, kas izveidotas vai pielāgotas raķešu sprauslu vai daudzkārt izmantojamo raķešu priekšgalu konstrukcijas kompozītmateriālu blīvēšanai vai pirolīzei. 2B119Balansēšanas/līdzsvarošanas mašīnas un ar tām saistītās iekārtas, tas ir: NB! SKAT. ARĪ 2B219 POZĪCIJU 2B120Kustību imitatori vai rotējoši galdi, kam piemīt visas šīs īpašības: Piezīme. Saskaņā ar 2B120 pozīciju kontroli neattiecina uz rotējošiem galdiem, kas paredzēti vai pielāgoti izmantošanai darbgaldiem vai medicīniskajām iekārtām. Darbgaldiem paredzētos kontrolei pakļaujamos rotējošos galdus skat. arī 2B008 pozīcijā. 2B121Pozicionēšanas galdi (iekārtas, kuras var precīzi pozicionēt pa jebkuru asi), izņemot 2B120 pozīcijā minētos, kam piemīt visas šīs īpašības: Piezīme. Saskaņā ar 2B121 pozīciju kontroli neattiecina uz rotējošiem galdiem, kas paredzēti vai pielāgoti izmantošanai darbgaldiem vai medicīniskajām iekārtām. Darbgaldiem paredzētos kontrolei pakļaujamos rotējošos galdus Skat. arī 2B008 pozīcijā. 2B122Centrifūgas, kurās var sasniegt paātrinājumu virs 100 g un kurām ir slīdkontaktu gredzeni elektriskās enerģijas un informācijas signālu pievadīšanai. 2B201Darbgaldi un jebkāds to apvienojums, izņemot 2B001 pozīcijā minētos, metālu, keramikas vai kompozītu noņemšanai vai griešanai, kuriem saskaņā ar ražotāja tehniskiem parametriem var pierīkot elektroniskas ierīces vienlaicīgai konturēšanas kontrolei divās vai vairākās asīs, tas ir: 2B204Izostatiskās preses, izņemot 2B004 vai 2B104 pozīcijā minētās, un ar tām saistītās iekārtas, tas ir: 2B204 pozīcijā kameras iekšējais diametrs attiecas uz kameru, kurā ir sasniegta darba temperatūra un spiediens (neskaitot armatūru). Šīs dimensijas būs mazākais lielums no spiediena kameras iekšējā diametra vai izolētās termokameras iekšējā diametra, atkarībā no tā, kura kamera atrodas otras iekšpusē. 2B206Izmēru/apjomu kontroles mašīnas, instrumenti vai sistēmas, izņemot 2B006 pozīcijā minētās, tas ir: 1. piezīme. Metālgriešanas darbgaldi, kurus var izmantot kā mērīšanas mašīnas, pakļauti kontrolei, ja tie atbilst kritērijiem, kas noteikti darbgalda instrumenta funkcijām vai mērīšanas mašīnas funkcijām, vai tos pārsniedz. 2. piezīme. Uz 2B006 pozīcijā minētajām mašīnām attiecina kontroli, ja kāds no to darba parametriem pārsniedz kontroles robežu. 2B207Roboti, manipulatora izpildmehānismi un kontrolierīces, izņemot 2B007 pozīcijā minētās, tas ir: 2B209Plūsmas formēšanas mašīnas, vērpes formēšanas mašīnas, kas spēj veikt plūsmas formēšanas funkcijas, un nav minētas 2B009 vai 2B109 pozīcijā, un formas, tas ir: Piezīme. 2B209.a. pozīcijā ietvertas mašīnas, kurām ir tikai viens metāla deformācijai paredzēts rullītis un divi papildu rullīši formas atbalstam, kuri tieši nepiedalās deformācijas procesā. 2B219Centrbēdzes daudzplakņu balansēšanas mašīnas, stacionāras vai portatīvas, horizontālas vai vertikālas, tas ir: 2B225Manipulatori ar tālvadību, ko izmanto radioķīmiskai separācijai vai karstajās kamerās, un kam ir kāds no šiem raksturlielumiem: Attālie manipulatori nodrošina operatora-cilvēka darbību nosūtīšanu uz tālvadības atzaru un termināļa palīgierīcēm. Tie var darboties pēc vedējdatora-sekotājdatora principa vai darboties ar kursorsviru vai papildtastatūru. 2B226Kontrolējamas atmosfēras (vakuuma vai inertas gāzes) indukcijas krāsnis un tām paredzētas enerģijas apgādes sistēmas, tas ir: NB! SKAT. ARĪ 3B Piezīme. Saskaņā ar 2B226.a. pozīciju kontroli neattiecina uz krāsnīm, kas paredzētas pusvadītāju substrātu apstrādei. 2B227Vakuuma krāsnis vai citādas kontrolējamas atmosfēras kausējamās un lejamās metalurģijas krāsnis, un ar tām saistītās iekārtas, tas ir: 2B228Izgatavošanas un montāžas rotorierīces, regulēšanas rotoriekārtas un silfonu formēšanas serdeņi un presformas, tas ir: 2B230Spiediena sensori absolūtā spiediena mērīšanai jebkurā punktā, diapazonā no 0 līdz 13 kPa, kam ir abas šīs īpašības: 2B230 pozīcijas nolūkā precizitāte ietver nelinearitāti, histerēzi un atkārtojamību apkārtējā temperatūrā. 2B231Vakuumsūkņi, kam ir visi šie raksturlielumi: 2B232Daudzpakāpju vieglās gāzes lielgabali un cita tipa lielas ātrdarbīgas lielgabalu sistēmas (indukcijas, elektromagnētiskie, elektrotermiskie un citas modernas sistēmas), kas var nodrošināt lādiņa paātrināšanu līdz 2 km/s vai lielākam ātrumam. 2B350Ķīmiskās rūpniecības ražošanas jaudas, iekārtas un to sastāvdaļas, tas ir: Oglekļa grafīts ir amorfā oglekļa un grafīta maisījums, kurā ir vismaz 8 svara % grafīta. 2B351Toksisku gāzu uzraudzības sistēmas un to detektori, tas ir: 2B352Iekārtas darbībām ar bioloģiskiem materiāliem, tas ir:
2BIzmēģinājumu, pārbaudes un ražošanas iekārtas Tehniskas piezīmes.
1. Sekundārās paralēlās kontūrasis (piemēram, horizontālo izvirpošanas mašīnu w-ass vai sekundārā rotējošā ass, kuras centra līnija ir paralēla primārajai rotējošai asij) netiek ieskaitītas kontūrasu kopējā skaitā. Ass rotācijai nav jābūt lielākai par 360°. Rotējošo asi var darbināt ar lineāru ierīci (piem., skrūvi vai zobrata-zobstieņa ierīci).
2. 2B pozīcijā to asu skaitu, kuras var koordinēt reizē konturēšanas kontrolei, nosaka pēc to asu skaita, gar kurām vai ap kurām, apstrādājot detaļu, veic vienlaicīgas un savstarpēji saistītas kustības starp apstrādājamo detaļu un instrumentu. Pie tām nepieder papildu asis, gar kurām vai ap kurām var veikt citas relatīvās kustības iekārtā, piemēram, šīs asis ir:
2. a.
slīpmašīnu dimanta sistēmas;
b.
pagriežamas paralēlas asis, kas paredzētas dažādu apstrādājamo detaļu nostiprināšanai;
c.
kolineāras asis, kas paredzētas iedarbībai uz vienu un to pašu apstrādājamo detaļu, to noturot balstā no abiem galiem.
3. Asu nomenklatūra atbilst starptautiskajam standartam ISO 841 Digitālas kontroles mašīnas. Asu un kustību nomenklatūra.
4. Pagriežamu vārpstu 2B001 līdz 2B009 pozīcijā uzskata par rotējošu asi.
5. Katram darbgaldam pārbaudes var neveikt, bet deklarēto pozicionēšanas precizitāti noteikt saskaņā ar (1988) vai tam līdzvērtīgu valsts standartu. Deklarētā pozicionēšanas precizitāte nozīmē precizitāti, par ko informē kompetentās iestādes dalībvalstī, kurā izvedējs reģistrējies kā pārstāvis, kas atbild par iekārtas parauga precizitāti. Deklarēto vērtību noteikšana:
5. a.
izvēlas piecas novērtējamā parauga iekārtas;
b.
saskaņā ar (1988) nosaka lineāro asu precizitāti;
c.
visām iekārtām nosaka katras ass A-vērtības. A-vērtību noteikšanas metode aprakstīta ISO standartā;
d.
katrai asij nosaka A-vērtības vidējo lielumu. A-vērtības vidējais lielums ir iekārtas katras ass deklarētā pozicionēšanas precizitāte (Āx Āy...);
e.
tā kā 2. kategorija attiecas uz visām lineārajām asīm, deklarēto vērtību skaits ir vienāds ar asu skaitu;
f.
ja kādas iekārtas paraugam, uz kuru kontroli neattiecina saskaņā ar 2B001.a. līdz 2B001.c. vai 2B201 pozīciju, kādas ass deklarētā precizitāte Ā ir 6 μm vai augstāka slīpmašīnām un 8 μm vai augstāka frēzēm un virpām, ražotājam precizitātes līmenis atkārtoti jāapstiprina ik pēc astoņpadsmit mēnešiem.
a.
kloķvārpstas vai sadales vārpstas;
b.
instrumenti vai griežņi;
c.
ekstrūderu gliemeži;
d.
gravētas vai slīpētas juvelierizstrādājumu detaļas.
a.
virpošanas darbgaldi, kam piemīt visas šīs īpašības: Piezīme. Saskaņā ar 2B001.a. pozīciju kontroli neattiecina uz izvirpošanas darbgaldiem, kas īpaši paredzēti kontaktlēcu ražošanai.
1. pozicionēšanas precizitāte ar visām iespējamām kompensācijām, kas noteikta saskaņā ar (1988) vai tam līdzvērtīgu valsts standartu, ir vismaz 6 μm pa jebkuru lineāro asi; un
2. ir divas vai vairāk asis, ko var reizē koordinēt konturēšanas kontrolei;
b.
frēzēšanas darbgaldi, kam piemīt kāda no šīm īpašībām:
1. kam ir visas šīs īpašības:
1. a.
pozicionēšanas precizitāte ar visām iespējamām kompensācijām, kas noteikta saskaņā ar (1988) vai tam līdzvērtīgu valsts standartu, ir vismaz 6 μm pa jebkuru lineāro asi; un
b.
ir trīs lineārās asis plus viena rotējošā ass, ko var reizē koordinēt konturēšanas kontrolei;
2. ir piecas vai vairākas lineārās asis, kuras var reizē koordinēt konturēšanas kontrolei;
3. pozicionēšanas precizitāte ar visām iespējamām kompensācijām, kas noteikta saskaņā ar ISO 230/2 (1988) vai tam līdzvērtīgu valsts standartu, ir vismaz 4 μm pa jebkuru lineāro asi; vai
4. frēzmašīnas ar kustīgu griezni, kam piemīt visas šīs īpašības:
4. a.
vārpstasekscentriskums un izvirzījums ir mazāks (labāks) nekā 0,0004 mm kopējā rādījuma (TIR); un
b.
bīdes kustības leņķiskā novirze (kustības virzienā, šķērsvirzienā un vertikāli) ir mazāka (labāka) par 2 loka sekundēm, TIR virs 300 mm gājiena;
c.
slīpēšanas darbgaldi, kam piemīt kāda no šīm īpašībām: Piezīme. Saskaņā ar 2B00.c. pozīciju kontroli neattiecina uz slīpmašīnām, tas ir:
1. kam ir visi šādi raksturlielumi:
1. a.
pozicionēšanas precizitāte ar visām iespējamām kompensācijām, kas noteikta saskaņā ar ISO 230/2 (1988) vai tam līdzvērtīgu valsts standartu, ir vismaz 4 μm pa jebkuru lineāro asi; un
b.
ir trīs vai vairāk asis, ko var reizē koordinēt konturēšanas kontrolei; vai
2. ir piecas vai vairākas lineārās asis, kuras var reizē koordinēt konturēšanas kontrolei;
1. uz cilindriskām ārējām, iekšējām un kombinētām iekšējām un ārējām slīpmašīnām, kam piemīt visas šīs īpašības:
1. a.
kas paredzētas tikai cilindrisku virsmu slīpēšanai; un
b.
kuru apstrādājamo detaļu garums vai ārējais diametrs nepārsniedz 150 mm;
2. uz profilslīpmašīnām, kurām nav z ass vai w ass, kuru pozicionēšanas precizitāte ar visām iespējamām kompensācijām ir mazāka (labāka) par 4 μm saskaņā ar ISO 230/2 (1988)1 vai tam līdzvērtīgu valsts standartu.
3. uz plakanslīpmašīnām.
d.
bezstiepļu tipa elektriskā loka izlādes mašīnas (EDM) ar divām vai vairākām rotējošām asīm, ko var reizē koordinēt konturēšanas kontrolei;
e.
Darbgaldi metālu, keramikas vai kompozītu materiālu noņemšanai, kuriem ir visas šīs īpašības:
1. noņemot materiālu ar jebkuru šo līdzekli:
1. a.
ūdens vai cita šķidruma strūklu, ieskaitot šķidrumus ar abrazīvu materiālu piedevu;
b.
elektronu kūli; vai
c.
lāzera staru; un
2. ar divām vai vairāk rotējošām asīm:
2. a.
kuraskonturēšanas kontrolei var koordinēt reizē; un
b.
ir ar pozicionēšanas precizitāti, kas labāka par 0,003°;
f.
dziļurbumu urbjmašīnas un izvirpošanas iekārtas, kas pielāgotas urbumu veidošanai dziļumā, kas pārsniedz 5000 mm, un to īpašie komponenti.
a.
formas apstrāde līdz nelīdzenumam, mazākam (labākam) par 1,0 μm; vai
b.
apstrāde līdz nelīdzenumam, mazākam (labākam) par 100 nm (vidējais ģeometriskais).
2BIzmēģinājumu, pārbaudes un ražošanas iekārtas Tehniskas piezīmes. Tehniska piezīme. a.
kontrolējamai termiskai videi slēgtā dobumā, ar kameras diametru 406 mm un vairāk; un
b.
kam piemīt jebkura no šīm īpašībām:
1. ar maksimālo darba spiedienu virs 207 MPa;
2. kontrolējamu termisku vidi, kuras temperatūra pārsniedz 1773 K (1500 °C); vai
3. ierīci, kas piesūcina ar ogļūdeņražiem un aizvada gāzveida sadalīšanās produktus, kas izdalās šajā procesā.
2BIzmēģinājumu, pārbaudes un ražošanas iekārtas Tehniskas piezīmes. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. a.
ķīmiskas gāzu uzklāšanas (CVD) iekārtas, kam ir visas šīs īpašības: NB! SKAT. ARĪ 2B105 POZĪCIJU.
1. to darbības process ir pārveidots, lai veiktu kādu no šīm darbībām:
1. a.
pulsējošu CVD;
b.
vadāmas nukleācijas termopārklāšanu (CNTD); vai
c.
ar plazmu ierosinātu vai papildinātu CVD; un
2. piemīt jebkas no še uzskaitītā:
2. a.
dziļa vakuuma (kas līdzinās 0,01 Pa vai ir mazāks par to) rotējoši blīvslēği; vai
b.
nodrošina pārklājuma biezuma kontroli uz vietas;
b.
jonu implantācijas ražošanas iekārtas, kam staru plūsma ir 5 mA vai vairāk;
c.
iekārtas fizikāli termiskai pārklāšanai elektronu kūlī (EB-PVD) ar energosistēmas jaudu virs 80 kW, kam ir jebkas no še uzskaitītā:
1. šķidruma tvertnes līmeņa lāzera kontroles sistēma, ar ko precīzi regulē liešanas ātrumu; vai
2. datorvadāms ātruma monitors, kas darbojas pēc jonizēto atomu fotoluminiscences iztvaicētāja plūsmā, regulējot izgulsnēšanās ātrumu pārklājuma veidā, kurā ir divi vai vairāki elementi;
d.
rūpnieciskās pārklāšanas iekārtas ar plazmas izsmidzināšanu, kam piemīt kāda no šīm īpašībām:
1. darbojas atmosfērā ar pazeminātu regulējamu spiedienu (spiediens vienāds ar vai mazāks par 10 kPa, kas noteikts 300 mm virs plazmas izplūdes sprauslas) vakuumkamerā, kuru var vakuumēt līdz 0,01 Pa pirms procesa sākšanas; vai
2. pārklājuma biezuma kontroli uz vietas;
e.
izsmidzināšanas iekārtas ar strāvas blīvumu 0,1 mA/mm2 vai vairāk pie nogulsnēšanas ātruma 15 μm/h vai vairāk;
f.
katoda loka izlādes pārklāšanas iekārtas, kuras ietver elektromagnētu sistēmu izlādes loka punkta vadīšanai uz katoda;
g.
rūpnieciskas jonu pārklājumu iekārtas, kas spēj pārklāšanas laikā uz vietas kontrolēt kādu no šiem parametriem:
1. substrāta pārklājuma biezumu un pārklāšanas ātrumu; vai
2. optiskās īpašības.
a.
datorkontrolētas vai digitāli kontrolētas, koordinātu mēriekārtas (CMM), kam koordinātu (tilpuma) maksimālā pieļaujamā rādījumu kļūda (MPEE) jebkurā punktā iekārtas darbības rādiusā (t.i., asu garumā) līdzinās (1,7 + L/1000) μm vai ir mazāka (labāka) par to (L ir mērtāmais garums milimetros), ko pārbauda saskaņā ar ISO 10360-2 (2001);
b.
Lineāro vai leņķa noviržu mērinstrumenti, tas ir:
1. Tehniska piezīme.
lineāro noviržu mērinstrumenti, kam piemīt kāda no šīm īpašībām: 2B006.b.1. pozīcijas nolūkā lineārā novirze ir attāluma maiņa starp mērzondi un mērīto objektu. Piezīme. Saskaņā ar 2B006.b.1. pozīciju kontroli neattiecina uz interferometru sistēmām ar automātisku vadības sistēmu, kurām atgriezeniskās saites, metodes nav paredzētas, un kurās ir lāzers metālgriešanas darbgaldu virzes kustības kļūdu mērīšanai, izmēru pārbaudes mašīnas vai līdzīgas iekārtas.
a.
bezkontakta tipa mērīšanas sistēmas ar izšķirtspēju, kas līdzinās 0,2 μm vai ir mazāka (labāka) par to mērījumu diapazonā līdz 0,2 mm;
b.
līnijas sprieguma diferenciāļu transformatoru sistēmas, kam piemīt visas šīs īpašības:
1. linearitāte līdzinās 0,1% vai ir labāka (mazāka) par to mērījumu diapazonā līdz 5 mm; un
2. dreifs nav lielāks par 0,1 % dienā standartizētā izmēģinājumu telpas temperatūrā ±1 K; vai
c.
mērīšanas sistēmas, kam piemīt visas šīs īpašības:
1. tajās ietilpst lāzers; un
2. var vismaz 12 stundas standarta temperatūrā ±1 K un standarta spiedienā uzturēt visus šos parametrus:
2. a.
izšķirtspēju 0,1 μm vai lielāku visā mērījumu diapazonā; un
b.
mērījumu nenoteiktību, kas līdzinās (0,2 + L/2000) μm vai ir mazāka par to (ja L ir garums mm);
d.
tie ir elektroniski mezgli, kas īpaši izstrādāti, lai nodrošinātu atgriezenisko saiti 2B006.b.1.c. pozīcijā minētajās sistēmās;
2. leņķiskās nobīdes mērinstrumenti, kam leņķiskās pozīcijas novirze ir vienāda ar vai mazāka par 0,00025°; Piezīme. Saskaņā ar 2B006.b.2. pozīciju kontroli neattiecina uz tādiem optiskiem instrumentiem kā autokolimatori, kuros izmanto paralēlu staru kūli (piem., lāzera staru kūli), lai atklātu spoguļu leņķisko novirzi.
c.
Iekārtas virsmas nelīdzenuma mērīšanai, mērot optisko izkliedi kā leņķa funkciju ar jutību 0,5 nm vai augstāku (labāku).
a. Tehniska piezīme.
var reālā laikā apstrādāt pilnu trīsdimensiju attēlu vai dot pilnu trīsdimensiju ainas analīzi, lai ģenerētu vai pārveidotu programmas vai digitālus programmas datus; Ainas analīzes ierobežojumi neietver trešās dimensijas aproksimāciju, skatoties no noteikta leņķa, vai uzdevuma veikšanai vajadzīgo padziļinājumu un tekstūras pustoņu interpretāciju (2 1/2 D).
b.
konstruēti atbilstīgi valstu drošības standartiem darbiem ar eksplozīvām vielām;
c. Tehniska piezīme.
īpaši konstruēti kā izturīgi pret radiāciju vai novērtēti kā tādi, kas varētu izturēt kopējo apstarojuma devu virs 5 × 103 Gy (silīcijs) bez darbderīguma samazināšanās; vai Termins Gy (silīcijs) šeit nozīmē enerģiju džoulos, ko absorbē neekranēts silīcija paraugs, kas pakļauts jonizējošam starojumam.
d.
paredzēti darbam augstumā virs 30000 metriem.
a.
Lineārās pozicionēšanas atgriezeniskās saites ierīces (piemēram, induktīvā tipa ierīces, graduētas skalas, infrasarkano staru vai lāzeru sistēmas), kuru kopējā precizitāte ir mazāka (labāka) par (800 + (600 × L × 10 –3)) nm (kur L vienāds ar faktisko garumu milimetros); NB! Par lāzeru sistēmām Skat. arī piezīmi pie 2B006.b.1. pozīcijas.
b.
Rotācijas pozicionēšanas atgriezeniskās saites ierīces (piemēram, induktīvā tipa ierīces, graduētās skalas, infrasarkano staru vai lāzeru sistēmas), kuru kopējā precizitāte ir mazāka (labāka) par 0,00025°; NB! Par lāzeru sistēmām Skat. arī piezīmi pie 2B006.b.1. pozīcijas.
c.
Saliktie rotējošie galdi un sānsveres vārpstas, ar kurām saskaņā ar ražotāja specifikāciju iespējams apstrādes darbgaldus uzlabot līdz 2B minētajam līmenim.
a.
divas vai vairākas kontrolējamas asis, no kurām vismaz divas var reizē koordinēt konturēšanas kontrolei; un
b.
ruļļa spēks, lielāks par 60 kN.
2BIzmēģinājumu, pārbaudes un ražošanas iekārtas Tehniskas piezīmes. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. a.
maksimālais darba spiediens ir 69 MPa vai lielāks;
b.
konstruētas, lai varētu sasniegt, uzturēt un kontrolēt 873 K (600 °C) vai augstāku temperatūru; un
c.
presformas iekšējais diametrs ir 254 mm vai lielāks.
a.
plūsmas formēšanas mašīnas, kam piemīt visas šīs īpašības:
1. ko saskaņā ar ražotāja tehnisko specifikāciju var aprīkot ar digitālas kontroles iekārtām vai datorkontroli, arī tad, ja tās ar minētajām iekārtām nav pierīkotas; un
2. ar vairāk nekā divām asīm, ko var vienlaikus koordinēt konturēšanas kontrolei;
b.
2B009 vai 2B109.a. pozīcijā minēto plūsmas formēšanas mašīnu īpašie komponenti.
2BIzmēģinājumu, pārbaudes un ražošanas iekārtas Tehniskas piezīmes. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. a.
Vibrāciju pārbaudes sistēmas, kuras izmanto atgriezeniskās saites vai slēgtā kontūra tehniku, un kurās iekļautas digitālas kontroliekārtas, kas spēj likt sistēmai vibrēt ar paātrinājumu, kas vienāds ar 10 g (vid. ģeometr.) vai lielāks diapazonā no 20 Hz un 2 kHz, un attīstot spēku, kas vienāds ar 50 kN vai ielāks par to, mērot uz tukšā galda;
b.
Digitālas kontrolierīces kombinācijā ar īpašu programmu vibrācijas pārbaudei reālā laika diapazonā, kas lielāks par 5 kHz, izmantošanai 2B116.a. pozīcijā minētajās vibrācijas pārbaudes sistēmās;
c.
Vibrokratītāji ar pastiprinātājiem vai bez tiem, kas spēj attīstīt spēku, kas vienāds ar 50 kN vai lielāks par to, mērot uz tukšā galda, kurus izmanto 2B116.a. pozīcijā minētajās vibrācijas pārbaudes sistēmās;
d.
Pārbaudāmās detaļas atbalsta ierīces un elektroniskās ierīces, kas paredzētas vairāku vibratoru mezglu savienošanai sistēmā, kas var radīt kopējo spēku, kas vienāds ar 50 kN vai lielāks par to mērot uz tukšā galda, lietošanai 2B116.a. pozīcijā minētajās vibrācijas pārbaudes sistēmās.
2BIzmēģinājumu, pārbaudes un ražošanas iekārtas Tehniskas piezīmes. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. a.
balansēšanas mašīnas, kam piemīt visas šīs īpašības: Piezīme. Saskaņā ar 2B119.a. pozīciju kontroli neattiecina uz balansēšanas mašīnām, kas konstruētas vai pārveidotas izmantojumam zobārstniecības vai citās medicīniskās iekārtās.
1. nevar balansēt rotorus/mezglus, kuru masa ir lielāka par 3 kg;
2. var balansēt rotorus/mezglus, kuru griešanās ātrums pārsniedz 12500 apgr./min.;
3. var koriģēt disbalansu divās vai vairākās plaknēs; un
4. var balansēt līdz paliekošajam īpatnējam disbalansam 0,2 g mm uz 1 kg rotora masas;
b. Tehniska piezīme.
indikatoru galviņas, kas konstruētas vai pārveidotas lietošanai 2B119.a. pozīcijā minētajās mašīnās. Indikatoru galviņas dažkārt sauc par balansēšanas instrumentiem.
a.
divas vai vairākas asis;
b.
ar slīdkontaktu gredzeniem elektroenerģijas un/vai signālu pievadīšanai; un
c.
tiem ir kāds no šiem raksturlielumiem:
1. katrai asij ir visas šīs īpašības:
1. a.
spēj attīstīt ātrumu novirzīties 400 grādu/-us vai lielāku vai 30 grādu/-us un mazāku leņķi; un
b.
kustības ātruma izšķirtspēja līdzinās 6 grādiem/s vai mazāk, un precizitāte ir vismaz 0,6 grādi/s;
2. ātruma nestabilitāte ir vienāda ar vai mazāka nekā ± 0,05 % vidēji uz 10 grādiem vai vairāk; vai
3. pozicionēšanas precizitāte ir 5 loka sekundes vai augstāka.
a.
divas vai vairākas asis; un
b.
pozicionēšanas precizitāte ir 5 loka sekundes vai augstāka.
a.
frēzēšanas darbgaldi, kam piemīt kāda no šīm īpašībām:
1. pozicionēšanas precizitāte ar visām iespējamām kompensācijām, kas noteikta saskaņā ar ISO 230/2 (1988) vai tam līdzvērtīgu valsts standartu, ir vismaz 6 μm pa jebkuru lineāro asi; vai
2. ir divas vai vairākas rotējošas asis konturēšanai; Piezīme. Saskaņā ar 2B201.a. pozīciju kontroli neattiecina uz frēzmašīnām, kam ir šādas īpašības:
2. a.
gājiens pa X-asi ir virs 2 m; un
b.
kopējā pozicionēšanas precizitāte uz x-ass pārsniedz (sliktāka par) 0,03 mm.
b.1.2. slīpēšanas darbgaldi, kam piemīt kāda no šīm īpašībām: Piezīme. Saskaņā ar 2B201.b. pozīciju kontroli neattiecina uz šādām slīpmašīnām: piezīme: Saskaņā ar 2B201 pozīciju kontroli neattiecina uz īpašiem darbgaldiem, ko izmanto tikai jebkuru šādu detaļu izgatavošanai: piezīme Darbgaldi, kam ir vismaz divas no trijām iespējām – virpošanas, frēzēšanas vai slīpēšanas (t.i., virpa ar frēzēšanas iespēju) – jāvērtē saskaņā ar katru attiecīgo pozīciju – 2B001.a. vai 2B201.a. vai b.
b.
1. pozicionēšanas precizitāte ar visām iespējamām kompensācijām, kas noteikta saskaņā ar ISO 230/2 (1988) vai līdzvērtīgu valsts standartu, ir vismaz 4 μm pa jebkuru lineāro asi; vai
2. ir divas vai vairākas rotējošas asis konturēšanai.
a.
cilindriskas ārējas, iekšējas un kombinētas iekšējas un ārējas slīpmašīnas, kam piemīt visas šīs īpašības:
1. paredzētas tādu detaļu apstrādei, kuru ārējais diametrs vai garums nav lielāks par 150 mm; un
2. Asis ir tikai x, z un c;
b.
profilslīpmašīnas bez z ass vai w ass, kuru pozicionēšanas precizitāte kopumā ir mazāka (labāka) par 4 μm saskaņā ar ISO 230/2 (1988) vai līdzvērtīgu valsts standartu.
b.1. a.
zobratiem;
b.
kloķvārpstām vai sadales vārpstām;
c.
instrumentiem vai griežņiem;
d.
ekstrūzijas gliemežiem.
a.
Izostatiskās preses, kam ir abi šie raksturlielumi:
1. var sasniegt maksimālo darba spiedienu 69 MPa vai lielāku; un
2. kameras iekšējais diametrs ir 152 mm vai lielāks;
b.
2B204.a. pozīcijā minētajām izostatiskajām presēm īpaši paredzētas presformas, liešanas formas un kontroles ierīces.
2BIzmēģinājumu, pārbaudes un ražošanas iekārtas Tehniskas piezīmes. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. a.
mērītājmašīnas ar datorkontroli vai digitālu kontroli, kam ir abi šie raksturlielumi:
1. divas vai vairākas asis; un
2. kam vienas dimensijas garuma mērījumu nenoteiktība ir vienāda ar vai mazāka (labāka) par (1,25 + L/1000) μm, pārbaudot ar paraugu, kura precizitāte mazāka (labāka) par 0,2 μm (kur L ir izmērītais garums mm) (Skat. VDI/VDE 2617 1. un 2. sadaļu);
b.
sistēmas vienlaicīgai lineārai un leņķiskai pusložu pārbaudei, kurām piemīt abi šie raksturlielumi:
1. mērījumu nenoteiktība pa jebkuru lineāru asi ir vienāda ar vai mazāka (labāka) par 3,5 μm uz 5 mm; un
2. leņķiskās pozīcijas novirze ir vienāda ar vai mazāka par 0,02°.
2BIzmēģinājumu, pārbaudes un ražošanas iekārtas Tehniskas piezīmes. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniskas piezīmes.
1. Izmēru pārbaudes sistēmas mērījumu nenoteiktības noteikšana aprakstīta VDI/VDE 2617 2., 3. un 4. sadaļā;
2. Visi 2B206 pozīcijā dotie mērlielumi minēti ar pielaidi — plus/mīnus, piemēram, nav pilnīgs diapazons.
a.
Roboti vai manipulatora izpildmehānismi, kas īpaši konstruēti, lai atbilstu attiecīgo valstu drošības standartiem, ko piemēro, darbojoties ar spēcīgām sprāgstvielām (piemēram, lai atbilstu elektrodrošības prasībām attiecībā uz spēcīgām sprāgstvielām);
b.
Visiem 2B207.a. pozīcijā minētajiem robotiem vai manipulatora izpildmehānismam paredzētas īpašās kontroles ierīces.
a.
Mašīnas ar abām šīm īpašībām:
1. ar trim vai vairākiem (aktīviem vai pasīviem) rullīšiem; un
2. saskaņā ar ražotāja dotiem parametriem var aprīkot ar digitālu kontroli vai datorkontroli;
b.
Rotoru veidošanas formas, kas paredzētas cilindrisku rotoru izgatavošanai ar iekšējo diametru no 75 līdz 400 mm.
a.
Centrbēdzes balansēšanas mašīnas, kas paredzētas 600 mm garu vai garāku elastīgo rotoru balansēšanai un kurām ir visi šie parametri:
1. centra vai ass kakliņa diametrs ir 75 mm vai lielāks;
2. spēj balansēt masu no 0,9 kg līdz 23 kg; un
3. balansēšanas ātrums ir lielāks par 5000 apgr./min;
b.
Centrbēdzes balansēšanas mašīnas, kas paredzētas rotoru dobu cilindrisku komponentu balansēšanai un kurām ir visi šie parametri:
1. ass kakliņa diametrs ir lielāks par 75 mm;
2. spēj balansēt masu no 0,9 kg līdz 23 kg;
3. atlikuma disbalanss ir 0,01 kg × mm/kg uz plakni vai mazāks; un
4. ir ar siksnas piedziņu.
a.
spēj izkļūt cauri 0,6 m biezai karstās kameras sienai (veikt operācijas caur sienu); vai
b.
spēj sniegties pāri par 0,6 m biezas sienas augšējai malai (veikt operācijas pāri sienai).
2BIzmēģinājumu, pārbaudes un ražošanas iekārtas Tehniskas piezīmes. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniskas piezīmes. Tehniska piezīme. a.
krāsnis ar visiem šiem parametriem:
1. darba temperatūra ir virs 1123 K (850 °C);
2. indukcijas spoļu diametrs ir 600 mm vai mazāks; un
3. paredzētas vismaz 5 kW lielai jaudai;
b.
enerģijas avoti ar nominālo jaudu 5 kW vai lielāku, kas paredzēti 2B226.a. pozīcijā minētajām krāsnīm.
a.
Loka pārkausēšanas liešanas krāsnis ar abiem šiem parametriem:
1. izlietojamo elektrodu daudzums ir no 1000 līdz 20000 cm3; un
2. izmantojamas tādu vielu kausēšanai, kuru kušanas temperatūra ir augstāka par 1973 K (1700 °C);
b.
elektronstaru kūļa vai plazmas atomizācijas krāsnis ar abiem šiem parametriem:
1. 50 kW un lielāku jaudu; un
2. izmantojamas tādu vielu kausēšanai, kuru kušanas temperatūra ir augstāka par 1473 K (1200 °C);
c.
Datorizētas kontroles un uzraudzības sistēmas, kas īpaši konfigurētas 2B227.a. vai b. pozīcijā minētajām krāsnīm.
a.
montāžas rotoriekārtas gāzu centrifūgu rotoru cauruļu sekciju, lāpstiņu un galvu montāžai; Piezīme. 2B228.a. pozīcija ietver arī precīzijas serdeņus, skavas un sarukuma mērīšanas ierīces.
b. Tehniska piezīme.
rotora regulēšanas iekārtas rotora cauruļu salāgošanai ar centrifūgas kopējo asi; 2B228.b. pozīcijā ietvertās iekārtas parasti sastāv no precīzām mērīšanas ierīcēm, kuras saistītas ar datoru, kas kontrolē, piemēram, pneimatisko zveltņu darbību, ko lieto rotora cauruļu sekciju izlīdzināšanai.
c. Tehniska piezīme.
veidņi un serdeņi viena vijuma silfonu izgatavošanai. 2B228.c. pozīcijā ietverti silfoni, kam ir visi šie raksturlielumi:
1. iekšējais diametrs ir no 75 līdz 400 mm;
2. garums ir 12,7 mm vai lielāks;
3. viena vijuma dziļums ir lielāks par 2 mm; un
4. izgatavoti no augstas stiprības alumīnija sakausējumiem, leģēta tērauda vai augstas izturības šķiedru vai pavedienu materiāliem.
a.
spiediena sensoru jutīgie elementi izgatavoti no alumīnija, alumīnija sakausējuma, niķeļa, niķeļa sakausējuma, kurā ir vairāk nekā 60 svara % niķeļa, vai ar tiem aizsargāti; un
b.
kam ir kāds no šiem raksturlielumiem:
1. pilna skala ir mazāka par 13 kPa un precizitāte augstāka par ± 1 % no pilnas skalas vērtības; vai
2. pilna skala ir 13 kPa vai lielāka un precizitāte labāka par ± 130 Pa.
2BIzmēģinājumu, pārbaudes un ražošanas iekārtas Tehniskas piezīmes. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniskas piezīmes. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. a.
iesūkšanas īscaurules diametrs ir 380 mm vai lielāks;
b.
ar atsūknēšanas ātrumu 15 m3/s vai vairāk; un
c.
var nodrošināt vakuumu, kas lielāks par 13 mPa.
2BIzmēģinājumu, pārbaudes un ražošanas iekārtas Tehniskas piezīmes. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniskas piezīmes. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniskas piezīmes.
1. Sūkņa ražību nosaka, izmantojot gāzveida slāpekli vai gaisu.
2. Galīgais vakuums tiek noteikts pie sūkņa ieejas ar noslēgtu ieeju.
a.
Reakcijas tilpnes vai reaktori ar maisītājiem vai bez tiem, ar kopējo iekšējo (ģeometrisko) tilpumu, kas lielāks par 0,1 m3 (100 l), bet mazāks par 20 m3 (20000 l), kuriem visas virsmas, kas tieši saskaras ar tajos esošām vai apstrādājamām ķimikālijām, ir izgatavotas no kāda šī materiāla:
1. sakausējumiem, kas satur vairāk par 25 svara % niķeļa un 20 svara % hroma;
2. fluorpolimēriem;
3. stikla (ieskaitot stiklveida un emaljas pārklājumus, vai stikla oderējumu);
4. niķeļa vai sakausējumiem, kuros ir vairāk par 40 svara % niķeļa;
5. tantala vai tantala sakausējumiem;
6. titāna vai titāna sakausējumiem; vai
7. cirkonija vai cirkonija sakausējumiem;
b.
Maisītāji izmantošanai reaktoros vai reakcijas tilpnēs, kas minētas 2B350.a. pozīcijā, un tādiem maisītājiem paredzēti lāpstiņrati, lāpstiņas vai vārpstas, kuru visas virsmas, kas nonāk tiešā saskarē ar reaktorā esošām vai pārstrādājamajām ķimikālijām, ir izgatavotas no jebkura šī materiāla:
1. sakausējumiem, kas satur vairāk par 25 svara % niķeļa un 20 svara % hroma;
2. fluorpolimēriem;
3. stikla (ieskaitot stiklveida un emaljas pārklājumus, vai stikla oderējumu);
4. niķeļa vai sakausējumiem, kuros ir vairāk par 40 svara % niķeļa;
5. tantala vai tantala sakausējumiem;
6. titāna vai titāna sakausējumiem; vai
7. cirkonija vai cirkonija sakausējumiem;
c.
Glabāšanas tvertnes, konteineri un resiveri ar kopējo iekšējo (ģeometrisko) tilpumu, kas lielāks par 0,1 m3 (100 l), bet mazāks par 20 m3 (20000 l), kuriem visas virsmas, kas tieši saskaras ar tajos esošām vai apstrādājamām ķimikālijām, ir izgatavotas no jebkura šī materiāla:
1. sakausējumiem, kas satur vairāk par 25 svara % niķeļa un 20 svara % hroma;
2. fluorpolimēriem;
3. stikla (ieskaitot stiklveida un emaljas pārklājumus, vai stikla oderējumu);
4. niķeļa vai sakausējumiem, kuros ir vairāk par 40 svara % niķeļa;
5. tantala vai tantala sakausējumiem;
6. titāna vai titāna sakausējumiem; vai
7. cirkonija vai cirkonija sakausējumiem;
d.
siltummaiņi vai kondensatori ar siltuma apmaiņas virsmu, kas ir lielāka par 0,15 m2, bet mazāka par 20 m2, un tādiem siltummaiņiem vai kondensatoriem paredzētas caurules, plāksnes, tinumi vai bloki (serdes), kuru virsmas, kas nonāk tiešā saskarē ar apstrādājamām ķimikālijām, ir izgatavotas no jebkura šī materiāla:
1. sakausējumiem, kas satur vairāk par 25 svara % niķeļa un 20 svara % hroma;
2. fluorpolimēriem;
3. stikla (ieskaitot stiklveida un emaljas pārklājumus, vai stikla oderējumu);
4. grafīta vai oglekļa grafīta;
5. niķeļa vai sakausējumiem, kuros ir vairāk par 40 svara % niķeļa;
6. tantala vai tantala sakausējumiem;
7. titāna vai titāna sakausējumiem;
8. cirkonija vai cirkonija sakausējumiem;
9. silīcija karbīda; vai
10. titāna karbīda;
e.
Estilācijas vai absorbcijas kolonnas ar iekšējo diametru virs 0,1 m, un šķidruma sadalītāji, tvaika sadalītāji vai šķidruma kolektori, kuru virsmas, kas nonāk tiešā saskarē ar apstrādājamām ķimikālijām, ir izgatavotas no jebkura no šien materiāliem:
1. sakausējumiem, kas satur vairāk par 25 svara % niķeļa un 20 svara % hroma;
2. fluorpolimēriem;
3. stikla (ieskaitot stiklveida un emaljas pārklājumus, vai stikla oderējumu);
4. grafīta vai oglekļa grafīta;
5. niķeļa vai sakausējumiem, kuros ir vairāk par 40 svara % niķeļa;
6. tantala vai tantala sakausējumiem;
7. titāna vai titāna sakausējumiem; vai
8. cirkonija vai cirkonija sakausējumiem;
f.
Uzpildīšanas iekārtas ar tālvadību, kurām visas virsmas, kas nonāk tiešā kontaktā ar apstrādājamām ķimikālijām, ir izgatavotas no jebkura šī materiāla:
1. sakausējumiem, kas satur vairāk par 25 svara % niķeļa un 20 svara % hroma; vai
2. niķeļa vai sakausējumiem, kuros ir vairāk par 40 svara % niķeļa;
g.
Vārsti, kam nominālie izmēri ir lielāki par 10 mm un kuriem visi korpusi vai iepriekš sagatavoti korpusu oderējumi, kas nonāk tiešā saskarē ar apstrādājamām vai glabājamām ķimikālijām, ir izgatavotas no jebkura šī materiāla:
1. sakausējumiem, kas satur vairāk par 25 svara % niķeļa un 20 svara % hroma;
2. fluorpolimēriem;
3. stikla (ieskaitot stiklveida un emaljas pārklājumus, vai stikla oderējumu);
4. niķeļa vai sakausējumiem, kuros ir vairāk par 40 svara % niķeļa;
5. tantala vai tantala sakausējumiem;
6. titāna vai titāna sakausējumiem; vai
7. cirkonija vai cirkonija sakausējumiem;
h.
vairāksienu cauruļvadi, ar sūču detektēšanas portu, kuriem visas virsmas, kas ir tiešā kontaktā ar apstrādājamām vai glabājamām ķimikālijām, izgatavotas no jebkura šī materiāla:
1. sakausējumiem, kas satur vairāk par 25 svara % niķeļa un 20 svara % hroma;
2. fluorpolimēriem;
3. stikla (ieskaitot stiklveida un emaljas pārklājumus, vai stikla oderējumu);
4. grafīta vai oglekļa grafīta;
5. niķeļa vai sakausējumiem, kuros ir vairāk par 40 svara % niķeļa;
6. tantala vai tantala sakausējumiem;
7. titāna vai titāna sakausējumiem; vai
8. cirkonija vai cirkonija sakausējumiem;
i.
daudzaizvaru un bezaizvaru sūkņi ar hermetizētu vai magnētisko piedziņu un daudzpakāpju blīvslēğiem ar ražotāja specifikācijā doto ražību vairāk par 0,6 m3/h vai vakuumsūkņi ar ražotāja noteikto maksimālo ražību vairāk par 5 m3/h (standartapstākļos 273 K (0 °C) temperatūrā un pie spiediena (101,3 kPa), un tādiem sūkņiem paredzēti korpusi, iepriekš sagatavoti korpusu oderējumi, lāpstiņrati, rotori vai žikleru sūkņu sprauslas, kuros visas virsmas, kas nonāk tiešā saskarē ar apstrādājamām ķimikālijām, ir izgatavotas no jebkura šī materiāla:
1. sakausējumiem, kas satur vairāk par 25 svara % niķeļa un 20 svara % hroma;
2. keramikas;
3. ferosilīcija;
4. fluorpolimēriem;
5. stikla (ieskaitot stiklveida un emaljas pārklājumus, vai stikla oderējumu);
6. grafīta vai oglekļa grafīta;
7. niķeļa vai sakausējumiem, kuros ir vairāk par 40 svara % niķeļa;
8. tantala vai tantala sakausējumiem;
9. titāna vai titāna sakausējumiem; vai
10. cirkonija vai cirkonija sakausējumiem;
j.
dedzināšanas iekārtas 1C350 pozīcijā minēto ķimikāliju iznīcināšanai, kam ir īpašas atkritumu padeves sistēmas, iekraušanas ierīces un kuru vidējā temperatūra sadegšanas kamerā pārsniedz 1273 K (1000 °C), kurām visas atkritumu padeves sistēmas virsmas, kas ir tiešā kontaktā ar atkritumiem, ir izgatavotas no jebkura šī materiāla, vai ar tiem oderētas:
1. sakausējumiem, kas satur vairāk par 25 svara % niķeļa un 20 svara % hroma;
2. keramikas; vai
3. niķeļa vai sakausējumiem, kuros ir vairāk par 40 svara % niķeļa.
2BIzmēģinājumu, pārbaudes un ražošanas iekārtas Tehniskas piezīmes. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniskas piezīmes. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniskas piezīmes. Tehniska piezīme. a.
nepārtrauktas darbības iekārtas ķīmisko kaujas vielu vai 1C350 pozīcijā minēto ķimikāliju detektēšanai mazākā koncentrācijā par 0,3 mg/m3; vai
b.
iekārtas, kas paredzētas holīnesterāzes inhibitoru aktivitātes noteikšanai.
a. Tehniska piezīme.
kompleksas bioloģiski noslēgtas laboratorijas ar hermetizācijas līmeni P3, P4; P3 un P4 (BL3, BL4, L3, L4) hermetizācijas līmenis ir definēts Pasaules veselības organizācijas (WHO) laboratoriju bioloģiskās drošības rokasgrāmatā (2. izdevums, Ženēva, 1993).
b. Tehniska piezīme.
Fermentatori, kuros var kultivēt patogēnus mikroorganismus, vīrusus vai toksīnus bez aerosolu veidošanas, ar kopējo tilpumu 20 litri vai vairāk; Pie fermentatoriem pieskaita arī bioreaktorus, hemostatus un caurplūdes sistēmas.
c. Tehniska piezīme.
Nepārtrauktas darbības centrbēdzes separatori ar pretaerosolu sistēmām un kam ir visi šie raksturlielumi: Pie centrbēdzes separatoriem pieder dekantētāji.
c.
1. caurplūdi virs 100 l/h;
2. detaļām no pulēta nerūsējošā tērauda vai titāna;
3. vienu vai vairākiem blīvslēğiem, kas norobežo nodalījumu sterilizācijai ar tvaiku; un
4. iespējām noslēgtā stāvoklī sterilizēt ar tvaiku uz vietas;
d.
Nepārtrauktas darbības šķērsplūsmas (tangenciālās) filtrēšanas iekārtas un komponenti, tas ir: Piezīme. Saskaņā ar 2B352.d. pozīciju kontroli neattiecina uz ražotāja minētajām atgriezeniskās ozmozes iekārtām.
1. nepārtrauktas darbības šķērsplūsmas (tangenciālās) filtrēšanas iekārtas, kas spēj nodalīt patogēniskus mikroorganismus, vīrusus, toksīnus vai šūnu kultūras un kurām ir pretaerosolu sistēmas, un abi šie raksturlielumi:
1. a.
kopējais filtrēšanas laukums 1 m2 vai lielāks; un
b. Tehniska piezīme.
tās var sterilizēt vai dezinficēt uz vietas; Sterilizēts 2B352.d.1.b. pozīcijā nozīmē visu dzīvotspējīgo mikrobu likvidēšana no iekārtām, lietojot fiziskas (piem., tvaiku) vai ķīmiskas vielas. Dezinficēts nozīmē potenciālās mikrobu inficētspējas iekārtā atņemšana, lietojot ķīmiskas vielas ar baktericīdu darbību. Dezinficēšana un sterilizēšana no sanācijas ir atšķirīgas; sterilizēšana ir tīrīšanas procedūras, kas izveidotas, lai samazinātu mikrobu saturu iekārtā, ne tikai atņemot visu mikrobu inficētspēju vai dzīvotspēju.
2. šķērsplūsmas (tangenciālas) filtrācijas komponenti (piem., moduļi, elementi, kasetes, bloki vai plāksnes) ar 0.2 m2 vai lielāku filtrācijas lauku katram komponentam un kuri ir izstrādāti lietojumam 2B352.d. minētajās nepārtrauktas darbības šķērsplūsmas (tangenciālās) filtrācijas iekārtās, tas ir;
e.
Ar tvaiku sterilizējamas liofilizācijas iekārtas ar kondensatora ražību, kas lielāka par 10 kg ledus 24 stundās un mazāka par 1000 kg ledus 24 stundās;
f.
Aizsardzības un lokalizācijas iekārtas, tas ir:
1. pilni vai daļēji aizsardzības kostīmi vai kapuces, kas atkarīgi no buksējamas ārējas gaisa padeves un darbojas pozitīvā spiedienā; Piezīme. Saskaņā ar pozīciju 2B352.f.1. kontroli neattiecina uz kostīmiem, ko paredzēts valkāt ar autonomiem elpošanas aparātiem.
2. III bioloģiskās drošības klases boksi vai izolatori ar līdzīgiem darbības raksturlielumiem; Piezīme. 2B352.f.2. pozīcijā par izolatoriem uzskata arī elastīgos izolatorus, sausos boksus, anaerobās kameras, boksus ar cimdiem un lamināras plūsmas pārsegus (kas noslēgti ar vertikālu plūsmu).
g.
kameras ar tilpumu 1 m3 vai vairāk, kas paredzētas aerosolu testēšanai ar patogēniem mikroorganismiem un toksīniem.
2CMateriāli Nav.
2DProgrammatūra
2D001Programmatūra, izņemot 2D002 pozīcijā minēto, kas īpaši konstruēta vai pārveidota 2A001 vai 2B001 līdz 2B009 pozīcijā minēto iekārtu izstrādāšanai, ražošanai vai lietošanai. 2D002Programmatūra elektroniskām ierīcēm, ieskaitot rezidentprogrammas, kas ir elektronisku ierīču vai sistēmu sastāvdaļas, kuras rada iespējas šādām ierīcēm vai sistēmām funkcionēt kā digitālām kontroles iekārtām, var konturēšanas kontrolei reizē koordinēt vairāk nekā četras asis. 1. piezīme. Saskaņā ar pozīciju 2D002 kontroli neattiecina uz programmatūru, kas īpaši izstrādāta vai pārveidota 2. kategorijā neminētu darbgaldu darbībai. 2. piezīme. Saskaņā ar 2D002 pozīciju kontroli neattiecina uz 2B002 pozīcijā minēto preču programmatūru. 2B002 pozīcijā minēto preču programmatūras kontrolei skat. 2D001 pozīciju. 2D101Programmatūra, kas īpaši izstrādāta vai pārveidota 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 vai 2B119 līdz 2B122 pozīcijā minēto preču lietošanai. NB! SKAT. ARĪ 9D004 POZĪCIJU 2D201Programmatūra, kas īpaši izstrādāta 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 vai 2B227 pozīcijā minēto preču lietošanai. 2D202Programmatūra, kas īpaši izstrādāta vai pārveidota 2B201 pozīcijā minēto iekārtu izstrādāšanai, vai lietošanai.
2ETehnoloģija
2E001Tehnoloģijas 2A, 2B vai 2D pozīcijā minētās programmatūrasizstrādāšanai saskaņā ar vispārējo piezīmi par tehnoloģijām. 2E002Tehnoloģijas 2A vai 2B pozīcijā minētās programmatūrasizstrādāšanai saskaņā ar vispārējo piezīmi par tehnoloģijām. 2E003Citas šādas tehnoloģijas, tas ir: 2E101Tehnoloģijas 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 līdz 2B122 vai 2D101pozīcijā minēto iekārtu vai programmatūraslietošanai saskaņā ar vispārējo piezīmi par tehnoloģijām. 2E201Tehnoloģijas 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 līdz 2B232, 2D201 vai 2D202 pozīcijā minēto iekārtu vai programmatūraslietošanai saskaņā ar vispārējo piezīmi par tehnoloģijām. 2E301Tehnoloģijas 2B350 līdz 2B352 pozīcijā minēto preču lietošanai saskaņā ar vispārējo piezīmi par tehnoloģijām.
a.
Tehnoloģija interaktīvās grafikas izstrādāšanai, kas ir digitālas kontroles ierīču kompleksa daļu programmu daļas izstrādes vai pielāgošanas sastāvdaļa;
b.
Metālapstrādes procesu tehnoloģijas, tas ir:
1. tādu instrumentu, formu vai to iestiprināšanas armatūras projektēšanas tehnoloģijas, kas īpaši paredzētas jebkuram no šiem procesiem:
1. a.
superplastiskai formēšanai;
b.
difūzai savienošanai; vai
c.
tiešas darbības hidrauliskai presēšanai;
2. tehniskie dati, kas sastāv no procesu metodes vai parametriem, lai kontrolētu:
2. a.
alumīnija sakausējumu, titāna sakausējumu vai supersakausējumusuperplastisko formēšanu:
1. virsmas sagatavošanu;
2. deformēšanas ātrumu;
3. temperatūru;
4. spiedienu;
b.
titāna sakausējumu vai supersakausējumudifūzu savienošanu:
1. virsmas sagatavošanu;
2. temperatūru;
3. spiedienu;
c.
alumīnija sakausējumu vai titāna sakausējumu tiešas darbības hidraulisko presēšanu:
1. spiedienu;
2. cikla ilgumu;
d.
titāna sakausējumu, alumīnija sakausējumu vai supersakausējumukarsto izostatisko blīvēšanu:
1. temperatūru;
2. spiedienu;
3. cikla ilgumu;
c.
tehnoloģijas hidrauliskās stiepes-formēšanas mašīnu un to presformu izstrādāšanai un ražošanai, kas paredzētas lidaparātu korpusu konstrukciju izgatavošanai;
d.
tehnoloģijas instrukciju ģeneratoru (piem., daļēju programmu) izstrādāšanai metālapstrādes instrumentiem, izmantojot projektēšanas datus, kas atrodas digitālas kontroles blokos;
e.
tehnoloģijas integrācijas programmatūrasizstrādāšanai, lai iekļautu ekspertu sistēmas digitālas kontroles blokos lēmumu pieņemšanai darba plānošanas operācijām;
f.
tehnoloģijas neorganisko pārklājumu vai neorganisko virsmas modifikācijas pārklājumu lietošanai (turpmāk minētas tabulas 3. ailē) uz neelektroniskiem substrātiem (turpmāk minēti tabulas 2. ailē) ar tabulas 1. ailē minētā un tehniskajā piezīmē definētā procesa palīdzību. Piezīme. Tabula un tehniskā piezīme sarakstā ievietota aiz 2E301 pozīcijas.
Tabula 1.2.3.A.B.B.1.B.2.B.3.B.4.C.D.E.F.G. Tabula – Pārklāšanas tehnikas – Piezīmes Pārklāšanas tehnikas
Pārklāšanas process (1) Substrāts Iegūstamais pārklājums Ķīmiska tvaiku nogulsnēšana (CVD) Superkausējumi Aluminīdi iekšējām virsmā Keramika (19) un stikls ar zemu izplešanās koeficientu (14) Silicīdi Karbīdi Dielektriķu slāņi (15) Dimants Dimantam līdzīgs ogleklis (17) Oglekļa-oglekļa, keramikaskompozīti ar metāla matricu Silicīdi Karbīdi Grūti kūstoši metāli To maisījumi (4) Dielektriķu slāņi (15) Aluminīdi Leģēti aluminīdi (2) Bora nitrīds Cementēts volframa karbīds (16), silīcija karbīds (18) Karbīdi Volframs To maisījumi (4) Dielektriķu slāņi (15) Molibdēns un molibdēna sakausējumi Dielektriķu slāņi (15) Berilijs un berilija sakausējumi Dielektriķu slāņi (15) Dimants Dimantam līdzīgs ogleklis (17) Sensoru logu materiāli (9) Dielektriķu slāņi (15) Dimants Dimantam līdzīgs ogleklis (17) Fizikāli termiskā tvaiku kondensācijas pārklāšana (TE-PVD) Fizikālā tvaiku kondensācijas pārklāšana (PVD): Elektronu kūlis (EB-PVD) Superkausējumi Leģēti silicīdi Leģēti aluminīdi (2) MCrAlX (5) Pārveidots cirkonija dioksīds (12) Silicīdi Aluminīdi To maisījumi (4) Keramika (19) un stikls ar zemu izplešanās koeficientu (14) Dielektriķu slāņi (15) Korozijizturīgs tērauds (7) MCrAlX (5) Pārveidots cirkonija dioksīds (12) To maisījumi (4) Oglekļa-oglekļa, keramikas kompozīti ar metāla matricu Silicīdi Karbīdi Grūti kūstoši metāli To maisījumi (4) Dielektriķu slāņi (15) Bora nitrīds Cementēts volframa karbīds (16), silīcija karbīds (18) Karbīdi Volframs To maisījumi (4) Dielektriķu slāņi (15) Molibdēns un molibdēna sakausējumi Dielektriķu slāņi (15) Berilijs un berilija sakausējumi Dielektriķu slāņi (15) Borīdi Berilijs Sensoru logu materiāli (9) Dielektriķu slāņi (15) Titāna sakausējumi (13) Borīdi Nitrīdi Fizikāli termiskā tvaiku kondensācijas pārklāšana ar pretestības karsēšanu un jonu klātbūtni (PVD) (Jonu pārklājumi) Keramika (19) un stikls ar zemu izplešanās koeficientu (14) Dielektriķu slāņi (15) Dimantam līdzīgs ogleklis (17) Oglekļa-oglekļa, keramikas kompozīti ar metāla matricu Dielektriķu slāņi (15) Cementēts volframa karbīds (16), silīcija karbīds Dielektriķu slāņi (15) Molibdēns un molibdēna sakausējumi Dielektriķu slāņi (15) Berilijs un berilija sakausējumi Dielektriķu slāņi (15) Sensoru logu materiāli (9) Dielektriķu slāņi (15) Dimantam līdzīgs ogleklis (17) Fizikālā tvaiku kondensācijas pārklāšana (PVD): lāzera iztvaicēšana Keramika (19) un stikls ar zemu izplešanās koeficientu (14) Silicīdi Dielektriķu slāņi (15) Dimantam līdzīgs ogleklis (17) Oglekļa-oglekļa, keramikas kompozīti ar metāla matricu Dielektriķu slāņi (15) Cementēts volframa karbīds (16), silīcija karbīds Dielektriķu slāņi (15) Molibdēns un molibdēna sakausējumi Dielektriķu slāņi (15) Berilijs un berilija sakausējumi Dielektriķu slāņi (15) Sensoru logu materiāli (9) Dielektriķu slāņi (15) Dimantam līdzīgs ogleklis Fizikālā tvaiku kondensācijas pārklāšana (PVD: katoda loka izlāde Superkausējumi Leģēti silicīdi Leģēti aluminīdi (2) MCrAlX (5) Polimēru (11) un organisko vielu matricaskompozīti Borīdi Karbīdi Nitrīdi Dimantam līdzīgs ogleklis (17) Cementēšana karbonizatorā (Skat. A iepriekš cementēšanu bez karbonizatora) (10) Oglekļa-oglekļa, keramikas kompozīti ar metāla matricu Silicīdi Karbīdi To maisījumi (4) Titāna sakausējumi (13) Silicīdi Aluminīdi Leģēti aluminīdi (2) Grūti kūstoši metāli un sakausējumi (8) Silicīdi Oksīdi Plazmas izsmidzināšana Superkausējumi MCrAlX (5) Pārveidots cirkonija dioksīds (12) To maisījumi (4) Abrazīvs niķelis-grafīts Abrazīvi materiāli, kas satur Ni-Cr-Al Abrazīvs Al-Si-poliesteris Leģēti aluminīdi (2) Titāna sakausējumi (6) MCrAlX (5) Pārveidots cirkonija dioksīds (12) Silicīdi To maisījumi (4) Grūti kūstoši metāli un sakausējumi (8) Aluminīdi Silicīdi Karbīdi Korozijizturīgs tērauds (7) MCrAlX (5) Pārveidots cirkonija dioksīds (12) To maisījumi (4) Titāna sakausējumi (13) Karbīdi Aluminīdi Silicīdi Leģēti aluminīdi (2) Abrazīvs niķelis-grafīts Abrazīvi materiāli, kas satur Ni-Cr-Al Abrazīvs Al-Si-poliesteris Uzsmidzināšana Grūti kūstoši metāli un sakausējumi (8) Kausētie silicīdi Kausētie aluminīdi, izņemot attiecībā uz pretestību Oglekļa-oglekļa, keramikas kompozīti ar metāla matricu Silicīdi Karbīdi To maisījumi (4) Pulvera izsmidzināšana Superkausējumi Leģēti silicīdi Leģēti aluminīdi (2) Ar cēlmetāliem leģēti aluminīdi (3) MCrAlX (5) Pārveidots cirkonija dioksīds (12) Platīns To maisījumi (4) Keramika un stikls ar zemu izplešanās koeficientu (14) Silicīdi Platīns To maisījumi (4) Dielektriķu slāņi (15) Dimantam līdzīgs ogleklis (17) Titāna sakausējumi (13) Borīdi Nitrīdi Oksīdi Silicīdi Aluminīdi Leģēti aluminīdi (2) Karbīdi Oglekļa-oglekļa, keramikas kompozīti ar metāla matricu Silicīdi Karbīdi Grūti kūstoši metāli To maisījumi (4) Dielektriķu slāņi (15) Bora nitrīds Cementēts volframa karbīds (16), silīcija karbīds (18) Karbīdi Volframs To maisījumi (4) Dielektriķu slāņi (15) Bora nitrīds Molibdēns un molibdēna sakausējumi Dielektriķu slāņi (15) Berilijs un berilija sakausējumi Borīdi Dielektriķu slāņi (15) Berilijs Sensoru logu materiāli (9) Dielektriķu slāņi (15) Dimantam līdzīgs ogleklis (17) Grūti kūstoši metāli un sakausējumi (8) Aluminīdi Silicīdi Oksīdi Karbīdi Jonu implantācija Augsttemperatūras gultņu tēraudi Hroma, tantala vai niobija piedevas Titāna sakausējumi (13) Borīdi Nitrīdi Berilijs un berilija sakausējumi Borīdi Cementēts volframa karbīds (16) Karbīdi Nitrīdi Tabulas 1. ailē minētie pārklāšanas procesi ir šādi:
1. Termins pārklāšanas process attiecas arī uz pārklājumu remontu, atjaunošanu un jauniem pārklājumiem.
2. Termins leģēti aluminīdu pārklājumi ir vienslāņa vai daudzslāņu pārklājumi, kuros kāds elements vai elementi tiek uzklāti pirms aluminīda uzklāšanas vai tā uzklāšanas laikā arī tad, ja šie elementi tiek uzklāti ar citu pārklāšanas metodi. Tomēr tas neietver vairākkārtēju vienpakāpes cementēšanas procesu karbonizatorā, lai iegūtu leģētus aluminīdus.
3. Termins ar cēlmetāliem pārveidotu aluminīdu pārklājums iegūst daudzpakāpju pārklāšanas procesā, kurā cēlmetāls vai cēlmetāli pirms pārklāšanas ar aluminīdu tiek uzklāti citā procesā.
4. Termins to maisījumi nozīmē infiltrētu materiālu, frakcionētus sastāvus, vienā pārklājuma slānī uzklātus maisījumus un daudzslāņu pārklājumus, ko iegūst ar kādu no tabulā minētajiem pārklāšanas procesiem.
5. MCrAlX ir leģēts pārklājums, kurā M ir kobalts, dzelzs, niķelis vai to kombinācija, un X ir hafnijs, itrijs, silīcijs, tantals jebkurā daudzumā, vai jebkura cita piedeva daudzumā, kas pārsniedz 0,01 svara % dažādās attiecībās un kombinācijās, izņemot:
5. a.
CoCrAlY pārklājumus, kas satur mazāk par 22 svara % hroma, mazāk par 7 svara % alumīnija un mazāk par 2 svara % itrija;
b.
CoCrAlY pārklājumus, kas satur 22 līdz 24 svara % hroma, 10 līdz 12 svara % alumīnija un 0,5 līdz 0,7 svara % itrija; vai
c.
NiCrAlY pārklājumus, kas satur 21 līdz 23 svara % hroma, 10 līdz 12 svara % alumīnija un 0,9 līdz 1,0 svara % itrija.
6. Termins alumīnija sakausējumi ir sakausējumi, kuriem 293 K (20 °C) temperatūrā galīgā stiepes izturība ir 190 MPa vai augstāka.
7. Termins korozijizturīgs tērauds attiecas uz AISI (Amerikas dzelzs un tērauda institūts) 300. markas vai tam līdzvērtīga valsts standarta tēraudu.
8. Termins grūti kūstoši metāli un sakausējumi attiecas uz šādiem metāliem un to sakausējumiem: niobiju, molibdēnu, volframu un tantalu.
9. Sensoru logu materiāli, tas ir: alumīnija oksīds, silīcijs, germānijs, cinka sulfīds, cinka selenīds, gallija arsenīds, dimants, gallija fosfīds, safīrs, un šādi metālu halogenīdi: cirkonija fluorīds un hafnija fluorīds materiāliem sensoru logiem, kā diametrs ir lielāks par 40 mm.
10. Saskaņā ar 2. kategoriju kontroli neattiecina uz tehnoloģiju aerodinamisko formu vienpakāpes cementēšanai karbonizatorā.
11. Polimēri, tas ir: polimīdi, poliesteri, polisulfīdi, polikarbonāti un poliuretāni.
12. Pārveidots cirkonija dioksīds ir tāds cirkonija dioksīds, kuram pievienoti citu metālu oksīdi (piemēram, kalcija, magnija, itrija, hafnija, citu retzemju metālu oksīdi) noteiktas kristalografiskās fāzes vai fāžu maisījuma stabilizācijai. Kontroli neattiecina uz termiskās barjeras pārklājumiem no cirkonija dioksīda, kas pārveidots ar tam piejauktu vai ar to sakausētu kalcija vai magnija oksīdu.
13. Titāna sakausējumi ir tikai tie titāna sakausējumi, ko izmanto aerokosmiskajai tehnikai un kuru galīgā stiepes izturība 293 K (20 °C) temperatūrā ir 900 MPa vai augstāka.
14. Stikls ar zemu izplešanās koeficientu ir stikls, kura termiskās izplešanās koeficients 293 K (20 °C) temperatūrā ir 1 × 10 –7 K– 1 vai mazāks.
15. Dielektriķu slāņi ir daudzslāņu pārklājumi no materiāliem ar izolatoru īpašībām, kuru slāņu interferenci izmanto dažādu viļņa garuma joslu atstarošanai, caurlaišanai vai absorbcijai. Dielektriķu slāņi ir materiāli, ko veido vairāk nekā četri dielektriķu vai dielektriķu/metālu slāņi.
16. Cementēts volframa karbīds neietver materiālus metālgriešanas un presēšanas instrumentiem no volframa karbīda/(kobalta, niķeļa), titāna karbīda/(kobalta, niķeļa), hroma karbīda/niķeļa-hroma un hroma karbīda/niķeļa.
17. Kontroli neattiecina uz tehnoloģijām, kas īpaši izstrādātas dimantam līdzīga oglekļa pārklājumiem uz jebko no še turpmāk uzskaitītā:
magnētisko disku piedziņām un galviņām, vienreiz lietojamu priekšmetu ražošanai, vārstu detaļām, skaļruņu akustiskajām diafragmām, automobiļu motoru daļām, griezējinstrumentiem, štancēšanas-presēšanas formām, biroju darba automatizācijas iekārtām, mikrofoniem un medicīniskajām iekārtām vai liešanas formām, plastmasas liešanai vai veidošanai, kas ir izgatavoti no sakausējumiem, kas satur mazāk par 5 % berilija.
18. Silīcija karbīds neietver materiālus griešanas un profilveidošanas instrumentiem.
19. Pie tabulā minētajiem keramikas substrātiem nepieder keramikas materiāli, kas atsevišķi vai kopā ir vairāk par 5 svara % māla vai cementa.
a.
ķīmisko savienojumu tvaiku kondensāta pārklāšana (CVD) ir virsmas pārklāšanas vai modifikācijas process, kurā sakarsētam substrātam uzklāj metālus, to sakausējumus, kompozītu, dielektriskus vai keramikas materiālus. Gāzveida reaģenti tiek sadalīti vai veidoti pie substrāta, un iegūstamajā substrāta pārklājumā izgulsnējas vajadzīgais elements, sakausējums vai savienojums. Šim sadalīšanās vai ķīmiskās reakcijas procesam vajadzīgo enerģiju var nodrošināt ar substrātā esošo siltumenerģiju, plazmas mirdzizlādi vai lāzera starojumu; NB! CVD ietver šādus procesus: cementēšana karbonizatorā virzītā gāzes plūsmā, impulsu CVD, vadāmas nukleācijas termovakuumpārklāšana (CNTD), plazmas ierosināti vai veicināti CVD procesi. NB! Cementēšana karbonizatorā nozīmē substrāta iegremdēšanu pulverveida maisījumā. NB! Gāzveida reaģentus, ko izmanto cementēšanai bez karbonizatora, pārklāšanas procesā iegūst tāpat, kā cementējot karbonizatorā, taču pārklājamais substrāts nav tiešā kontaktā ar pulverveida maisījumu.
b.
fizikāli termiskā tvaiku pārklāšana (TE-PVD) ir virsmas pārklāšanas process vakuumā, kas dziļāks par 0,1 Pa, kurā pārklājuma materiālu iztvaicēšanai izmanto termiskās enerģijas avotu. Šajā procesā uz attiecīgi pozicionēta substrāta kondensējas vai izgulsnējas pārklājuma materiāls. Parastākā šā procesa modifikācija ir gāzu ievadīšana vakuumkamerā, pārklāšanas procesa laikā veidojot saliktus pārklājumus. Šās tehnikas modifikācijas ir jonu vai elektronu kūļa vai plazmas izmantošana pārklāšanas procesa aktivizēšanai. Procesam pārklājuma biezuma un optisko parametru nodrošināšanai var izmantot monitoru. Specifiski TE-PVD procesi ir šādi:
1. fizikāli termiskā tvaiku pārklāšanai elektronu kūlī materiālu, no kura veido pārklājumu, uzkarsē un iztvaicē ar elektronu kūli;
2. fizikāli termiskā tvaiku pārklāšanai jonu kūlī ar pretestības sildīšanu izmanto siltumenerģijas avotu ar elektrisko pretestību kopā ar jonu kūli, kas atsitoties veido regulējamu un viendabīgu pārklājuma materiāla plūsmu;
3. lāzera iztvaicēšanai izmanto nepārtrauktas darbības vai impulsu lāzera staru, ar ko iztvaicē pārklājuma materiālu;
4. katoda lokizlādes pārklāšanai izmanto katodu no pārklājumu veidojošā materiāla, un lokizlādi uz virsmas izraisa īslaicīgs kontakts ar iezemētu trigeri. Ar vadāmu loka kustību erodē katoda virsmu, veidojot stipri jonizētu plazmu. Anods var būt ar izolatoru pie katoda perifērijas pievienots konuss vai kamera. Nelineārajā pārklāšanā izmanto substrāta nobīdi; NB! Šī definīcija neattiecas uz nejaušiem katoda loka pārklājumiem ar nenobīdāmiem substrātiem.
5. jonu pārklājumi ir īpaša TE-PVD pamatprocesa modifikācija, kurā pārklājuma materiālu jonizē ar plazmas vai jonu avotu, bet lai no plazmas ekstrahētu pārklājuma materiālu, uz substrātu iedarbojas ar negatīvi lādētiem joniem. Šā procesa parastās modifikācijas ir reaģentu pievienošana vai cietu vielu iztvaicēšana kamerā, kurā veic procesu, kā arī monitora izmantošana optisko parametru un pārklājuma biezuma kontrolei procesa laikā;
c.
cementēšana karbonizatorā ir virsmas pārklāšanas vai virsmas pārveidošanas process, ievietojot substrātu pulverveida maisījumā (karbonizatorā), kas sastāv no: Substrātu un maisījuma pulveri ievieto retortē, kuru uzkarsē līdz 1030 - 1375 K (757 - 1102 °C) temperatūrai, un šādu temperatūru uztur pārklājuma veidošanai vajadzīgo laiku;
1. uzklājamā metāla pulvera (parasti alumīnija, hroma, silīcija vai to maisījumiem);
2. aktivatora (parasti — halogenīda); un
3. inerta pulvera (parasti — alumīnija oksīda).
d.
plazmas uzsmidzināšana ir virsmas pārklāšanas process, kura laikā pulverizācijas deglis, ar ko veido un vada plazmu, ņem pulveri vai pārklājamā materiāla stiepli, to izkausē un virza uz pārklājamo substrātu, uz kura veidojas integrāli saistīts pārklājums. Pārklājumus plazmā veic ar pazemināta spiediena vai liela ātruma plazmas uzsmidzināšanu; NB! Pazemināts spiediens ir spiediens, kas mazāks par atmosfēras spiedienu. NB! Liels ātrums ir gāzes ātrums izejā no sprauslas, kas 293 K (20 °C) temperatūrā un pie spiediena 0,1 MPa pārsniedz 750 m/s.
e.
pārklāšana uzsmidzinot ir virsmas pārveidošana ar pārklāšanu, kurā metālu vai keramikas pulveri ar organisku saistvielu suspendē šķidrumā un to uzklāj substrātam, uzsmidzinot, iemērcot, vai uzklājot ar otu, pēc tam žāvējot gaisā vai žāvētavā, un vēlamā pārklājuma iegūšanai veicot termisko apstrādi;
f.
pārklāšana uzputinot ir virsmas pārklāšanas process, kas pamatojas uz impuls-/tiecienpārneses parādību, kas paredz, ka pozitīvie joni elektriskā laukā gūst lielāku paātrinājumu, tuvojoties mērķim (pārklājamam materiālam). Jonu trieciena kinētiskā enerģija ir pietiekama, lai atbrīvotu mērķa virsmas atomus un ar tiem pārklātu attiecīgi novietotu substrātu; NB! Tabulas dati attiecas tikai uz pārklāšanu uzputinot, izmantojot triodes, magnetronus vai reaktīvo uzputināšanu, ko lieto pārklājuma adhēzijas un pārklājuma veidošanas ātruma palielināšanai, kā arī uzputināšanu radiofrekvencēs (RF), ko lieto nemetālisku pārklājuma materiālu uzputināšanai. NB! Pārklāšanas procesa aktivācijai var izmantot zemas enerģijas (zem 5 keV) jonu kūļu avotus.
g.
jonu implantācija ir virsmas pārveidošanas process ar pārklāšanu, kurā leģējošo elementu jonizē, ar potenciālu starpību paātrina un implantē noteiktā substrāta virsmas apgabalā. Pie jonu implantācijas pieder arī procesi, kuros jonu implantāciju veic reizē ar elektronu staru kūļa vai uzputināšanas pārklāšanu.
3. KATEGORIJA ELEKTRONIKA
3ASistēmas, iekārtas un komponenti Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme.
1. piezīme. 3A001 un 3A002 pozīcijā iekārtām un komponentiem, izņemot 3A001.a.3. līdz 3A001.a.10. un 3A001.a.12. pozīcijā minētos, kas īpaši paredzēti citām iekārtām vai kam ir tādi paši funkcionālie raksturlielumi kā citām iekārtām, nosaka tādu pašu kontroles režīmu kā šīm citām iekārtām. 2. piezīme. 3A001.a.3. līdz 3A001.a.9. un 3A001.a.12. pozīcijā aprakstītajām integrālajām shēmām, kas ir nemaināmi programmēta vai ir paredzētas konkrētām funkcijām citās iekārtās, nosaka tādu pašu kontroles režīmu kā šīm citām iekārtām. NB! Gadījumos, kad ražotājs vai pieteikuma iesniedzējs šīs citas iekārtas kontroles režīmu noteikt nevar, integrālajām shēmām kontroles režīmu nosaka saskaņā ar 3A001.a.3 līdz 3A001.a.9. un 3A001.a.12. pozīciju. Ja integrālā shēma ir uz silīcija bāzes izgatavota mikrodatora mikroshēma vai mikrokontrolera mikroshēma, kas aprakstīta 3A001.a.3. un ir ar operanda (datu) vārda garumu 8 biti vai mazāku, integrālās shēmas kontroles režīmu nosaka saskaņā ar pozīciju 3A001.a.3. 3A001Elektroniskie komponenti, tas ir: 3A002Elektroniskās iekārtas vispārējai lietošanai: 3A003Temperatūras regulācijas sistēmas, kas dzesē smidzinot, un ko izmanto slēgta cikla šķidrumu glabāšanas un atjaunināšanas iekārtas noslēgtā vidē, kurā dielektrisku šķidrumu smidzina uz elektroniskiem komponentiem, izmantojot īpaši konstruētas sprauslas, kas darbojas tā, lai uzturētu elektroniskos komponentus paredzētā darba temperatūrā, kā arī tām īpaši konstruēti komponenti. 3A101Elektroniskas ierīces, aparāti un komponenti, kas nav definēti 3A001 pozīcijā, tas ir: 3A201Elektroniski komponenti, kas nav definēti 3A001 pozīcijā, tas ir: 3A225Frekvenču pārveidotāji vai ģeneratori, izņemot 0B001.b.13. pozīcijā minētos, kam ir visi šie raksturlielumi: 3A225 pozīcijā minētos frekvenču pārveidotājus sauc arī par konvertoriem vai invertoriem. 3A226Lieljaudas līdzstrāvas avoti, izņemot 0B001.j.6. pozīcijā minētos, kam ir visi šie raksturlielumi: 3A227Lieljaudas līdzstrāvas avoti, izņemot 0B001.j.5. pozīcijā minētos, kam ir abi šie raksturlielumi: 3A228Komutācijas ierīces, tas ir: 3A229Spridzināšanas ierīces un tām līdzvērtīgi lielu strāvas impulsu ģeneratori, tas ir: NB! SKAT. ARĪ MILITĀRO PREČU KONTROLES SARAKSTUS 3A230Ātrdarbīgi impulsu ģeneratori, kam ir abas šīs īpašības: 3A230 pozīcijā impulsa pārejas laiks nozīmē laiku starp 10 % un 90 % no sprieguma amplitūdas. 3A231Neitronu ģeneratoru sistēmas, ieskaitot lampas, kam ir abi šie raksturlielumi: 3A232Detonatori un daudzpunktu ierosinātājsistēmas, tas ir: NB! SKAT. ARĪ MILITĀRO PREČU KONTROLES SARAKSTUS Piezīme. Saskaņā ar 3A232 pozīciju kontroli neattiecina uz detonatoriem, kuros izmanto tikai vienkāršākās sprāgstvielas, piemēram, svina azīdu. Visiem 3A232. pozīcijā minētajiem detonatoriem izmanto mazu elektrovadošu elementu (tiltiņu, tiltiņa vadu vai foliju), kas eksplozīvi iztvaiko, ja caur to novada ātru lielas strāvas impulsu. Bezbelžņa tipu gadījumā eksplodējošais elektrovadošais elements ierosina ķīmisku detonāciju kontaktā esošajā spēcīgajā sprāgstvielā, izmantojot, piemēram, pentaeritritoltetranitrātu (PETN). Belžņu detonatoros elektrovadošā elementa iztvaikošana izraisa belžņa kustību pāri spraugai, un tā trieciens pa eksplozīvo vielu ierosina ķīmisko detonāciju. Dažās konstrukcijās belzni iedarbina magnētisks spēks. Termins eksplozīvās folijas detonators var attiekties vai nu uz spridzināšanas tiltiņu (EB), vai belžņa tipa detonatoriem. Dažkārt vārda detonators vietā lieto vārdu ierosinātājs. 3A233Masas spektrometri, izņemot 0B002.g. pozīcijā minētos, kuri spēj reģistrēt jonus ar 230 atommasas vienību lielu masu vai lielāku, un kuru izšķiršanas spēja ir lielāka par 2 daļām uz 230, kā arī tiem paredzētie jonu avoti:
3ASistēmas, iekārtas un komponenti a.
universālās integrālās shēmas, tas ir: 1. piezīme. Kontroles režīmu pusvadītāju sagatavēm (pabeigtām un nepabeigtām), kuru funkcijas jau ir noteiktas, nosaka pēc 3A001.a. dotajiem parametriem. 2. piezīme. Integrālās shēmas ir šādas:
monolītas integrālās shēmas;
hibrīdas integrālās shēmas;
daudzelementu integrālās shēmas;
plēves tipa integrālās shēmas, arī silīcijs-uz-safīra integrālās shēmas;
optiskās integrālās shēmas.
1. integrālās shēmas, kas ir konstruētas vai atzītas par tādām, kam ir paaugstināta izturību pret radiācijas iedarbību, un kas iztur jebkuru no šīm radiācijas devām:
1. a.
kopējo apstarojuma devu 5 × 103 Gy (silīcijs) vai lielāku;
b.
apstarojuma devas intensitāti 5 × 106 Gy (silīcijs) vai lielāku; vai
c.
integrētu neitronu plūsmu (1 MeV ekvivalents) 5 × 1013 n/cm2 vai lielāku uz silīcija, vai tās ekvivalentu uz citiem materiāliem; Piezīme. Pozīcija 3A001.a.1.c. neattiecas uz metāla izolācijas pusvadītājiem (MIS).
2. mikroprocesoru mikroshēmas, mikrodatoru mikroshēmas, mikrovadības mikroshēmas, datu uzkrājējas integrālās shēmas, kas izgatavotas no saliktiem pusvadītājiem, informācijas konverteri no analogas par digitālu, informācijas konverteri no digitālas par analogu, elektrooptiskās vai optiskās integrālās shēmas, kas konstruētas signālu apstrādei, uz vietas programmējamas loģiskās matricas, mākslīgo neironu tīklu integrālās shēmas, īpašiem nolūkiem konstruētas integrālas shēmas, kuru funkcijas nav zināmas, vai arī nav zināms to iekārtu kontroles režīms, kuras izmantos šīs shēmas, ātrā Furjē pārveidojuma (FFT) procesori, elektriski izdzēšami programmējami tikai nolasāmi atmiņas elementi (EEPROM), vai statiskās brīvpiekļuves atmiņas (SRAM) elementi, kurām ir kāda no šīm īpašībām: Piezīme. 3A001.a.2. pozīcija neattiecas uz integrālām mikroshēmām lietojumam, ko lietot civilas nozīmes automobiļos vai vilcienos.
2. a.
paredzētas darbam vidēs ar temperatūru virs 398 K (125 °C);
b.
paredzētas darbam vidēs ar temperatūru zem 218 K (– 55 °C); vai
c.
paredzētas darbam visā apkārtējās vides temperatūru diapazonā no 218 K (– 55 °C) līdz 398 K (125 °C).
3. mikroprocesoru mikroshēmas, mikrodatoru mikroshēmas un mikrokontrolleru mikroshēmas kas izgatavotas no saliktiem pusvadītājiem, kuri darbojas ar takts frekvenci, lielāku par 40 MHz; Piezīme. 3A001.a.3. pozīcijā ietilpst digitālu signālu procesori, digitāli masīvu procesori un digitāli līdzprocesori.
4. datu uzkrāšanas integrālās shēmas, kas ražotas no saliktiem pusvadītājiem;
5. Tehniskas piezīmes.
integrālās shēmas informācijas konverteriem no analogas par digitālu un no digitālas par analogu, tas ir:
5. a.
informācijas konverteri no analogas par digitālu, kam ir kāda no šīm īpašībām: NB! SKAT. ARĪ 3A101 POZĪCIJU
1. izšķirtspēja — 8 biti vai vairāk, bet mazāk nekā 10 bitu, ar izvades līmeni, kas lielāks par 500 miljoniem vārdu sekundē;
2. izšķirtspēja – 10 bitu vai vairāk, bet mazāk par 12 bitiem, ar izvades līmeni, kas lielāks par 200 miljoniem vārdu sekundē;
3. izšķirtspēja – 12 biti ar izvades līmeni, kas lielāks par 50 miljoniem vārdu sekundē;
4. izšķirtspēja – vairāk nekā 12 bitu, bet vienāda ar 14 bitiem vai mazāka, ar izvades līmeni, kas lielāks par 5 miljoniem vārdu sekundē;
5. izšķirtspēja – vairāk par 14 bitiem ar izvades līmeni, kas lielāks par 1 miljonu vārdu sekundē;
b.
informācijas pārveidotāji no digitālas par analogu ar izšķirtspēju 12 biti vai vairāk, un stabilizācijas laiku mazāk par 10 ns;
5. Tehniskas piezīmes.
1. n bitu izšķirtspēja atbilst 2n līmeņu kvantizācijai.
2. Bitu skaits izvades vārdā ir vienāds ar ciparanalogu pārveidotāja izšķirtspēju.
3. Izvades līmenis ir konvertora maksimālais izvades līmenis, neatkarīgi no arhitektūras vai iztveršanas. Pārdevēji var atsaukties uz izvades līmeni kā iztveršanas līmeni, konversijas līmeni vai caurplūdumu. Tas nereti norādīts megahercos (MHz) vai mega paraugos (samples) sekundē (MSPS).
4. Lai mērītu izvades līmeni, viens izvades vārds sekundē ir vienāds ar vienu hercu vai vienu paraugu sekundē.
6. elektrooptiskās un optiskās integrālās shēmas, kas konstruētas signālu apstrādei, kurām ir visas šīs pazīmes:
6. a.
viena vai vairākas iekšējas lāzera diodes;
b.
viens vai vairāki iekšēji gaismas detektorelementi; un
c.
optiski viļņvadi;
7. uz vietas programmējamas loģiskās iekārtas ar kādu no šīm īpašībām: Piezīme. 3A001.a.7. pozīcijā ietilpst: NB! Lauka programmējamās loģiskās iekārtas pazīstamas arī kā lauka programmējamie ventiļi vai lauka programmējamie loģiskie masīvi.
7. a.
ekvivalentais izmantojamo ventiļu skaits virs 30000 (2 ieejas kanāli);
b.
raksturīgais ventiļa nostrādāšanas kavējuma pamatlaiks mazāks par 0,1 ns; vai
c.
komutācijas frekvence pārsniedz 133 MHz;
vienkāršas programmējamās loģiskās iekārtas (SPLD),
CPLD (kompleksas programmējamās loģiskās iekārtas),
FPLA (lauka programmējamās ventiļu matricas),
FPLA (lauka programmējamie loģiskie masīvi),
FPIC (lauka programmējamie savstarpējie slēgumi).
8. neizmanto;
9. neirālo tīklu integrālās shēmas;
10. īpašas integrālās shēmas, kuru izpildāmās funkcijas nav zināmas vai arī ražotājam nav zināms, kādās iekārtās šīs shēmas izmantos, ja tām ir kāda no šīm īpašībām:
10. a.
vairāk nekā 1000 termināļu;
b.
raksturīgais ventiļa nostrādāšanas kavējuma pamatlaiks mazāks par 0,1 ns; vai
c.
darbības takts frekvence pārsniedz 3 GHz;
11. digitālas integrālās shēmas, izņemot tās, kas aprakstītas no 3A001.a.3. līdz 3A001.a.10. un 3A001.a.12. pozīcijā, kas bāzētas uz jebkuru saliktu pusvadītāju un kam ir kāda no šīm īpašībām:
11. a.
ekvivalento ventiļu skaits ir lielāks par 3000 (2 ieejas kanāli); vai
b.
komutācijas frekvence pārsniedz 1,2 MHz;
12. Tehniska piezīme.
ātrā Furjē pārveidojuma (FFT) procesori, kuru nominālais operācijas izpildes laiks N-punktu kompleksam ir mazāks par (N log2N)/20480 ms, kur N ir punktu skaits; Ja N ir 1024 punkti, pēc 3A001.a.12. punktā dotās formulas aprēķinātais izpildes laiks ir 500 μs.
b.
mikroviļņu vai milimetru viļņu ierīces, tas ir:
1. elektroniskas vakuumlampas un katodlampas, tas ir: 1. piezīme. Saskaņā ar 3A001.b.1 pozīciju kontroli neattiecina uz elektronu lampām, kas konstruētas vai atzītas par piemērotām darbībai jebkurā tādā frekvenču diapazonā, kam ir visas šīs īpašības: 2. piezīme. Saskaņā ar pozīciju 3A001.b.1. kontroli neattiecina uz caurulēm, kas nav paredzētas lietojumam kosmosā un kam piemīt visas šīs īpašības:
1. a.
nepārsniedz 31,8 GHz; un
b.
ITU atvēlētajos diapazonos paredzētas radiosakaru pakalpojumiem, izņemot radiopeilēšanu.
a.
vidējā izejas jauda vienāda ar vai mazāka par 50 W; un
b.
kas konstruētas vai paredzētas darbībai visos frekvenču diapazonos, kam ir šādas īpašības:
1. pārsniedz 31,8 GHz, bet nepārsniedz 43,5 GHz; un
2. ITU atvēlētajos diapazonos paredzētas radiosakaru pakalpojumiem, izņemot radiopeilēšanu.
a.
skrejošo viļņu lampas ar pulsējošu vai nepārtrauktu vilni, tas ir:
1. kas darbojas frekvencē, lielākā par 31,8 GHz;
2. ar katodu karsējošo elementu, kura ieslēgšanās laiks līdz nominālajai radiofrekvences (RF) jaudai ir mazāks par 3 sekundēm;
3. savietotas rezonatorlampas vai to modifikācijas, kuru frekvenču joslas attiecība pārsniedz 7 % vai maksimālā jauda ir lielāka par 2,5 kW;
4. spirālveida lampas vai to modifikācijas, ar kādu no šiem raksturlielumiem:
4. a.
momentānais joslas platums ir lielāks par vienu oktāvu, bet vidējās jaudas (kW) reizinājums ar frekvenci (GHz) ir lielāks par 0,5;
b.
momentānais joslas platums ir lielāks par vienu oktāvu, bet vidējās jaudas (kW) reizinājums ar frekvenci (GHz), ir lielāks par 1; vai
c.
lietojamas kosmosā;
b.
krustotu lauku pastiprinātājlampas ar pastiprinājumu, kas lielāks par 17 dB;
c.
impregnētie katodi elektroniskām lampām, kurās nepārtrauktās emisijas strāvas blīvums nominālos darba apstākļos ir lielāks par 5 A/cm2;
2. mikroviļņu monolītās integrālās shēmas (MMIC) jaudas pastiprinātāji ar kādu no šiem raksturlielumiem: 1. piezīme. Saskaņā ar 3A001.b.2. pozīciju kontroli neattiecina uz sakaru pavadoņu raidiekārtām, kas paredzētas vai atzītas par piemērotām darbībai frekvenču diapazonā no 40,5 GHz līdz 42,5 GHz. 2. piezīme. Tās preces mikroviļņu monolītās integrālās shēmas kontroles režīmu, kuru nominālā darbības frekvence ietver frekvences, kas ietilpst vairāk nekā vienā frekvenču diapazonā, kas definēts no 3A001.b.2.a. pozīcijas līdz 3A001.b.2.f. pozīcijai, nosaka zemākā vidējās izejas jaudas kontroles robeža. 3. piezīme. 1. un 2. piezīme preču 3. kategorijas sadaļas ievadā nozīmē, ka saskaņā ar 3A001.b.2. pozīciju kontroli neattiecina uz mikroviļņu monolītās integrālajām shēmām, ja tās ir īpaši konstruētas citām vajadzībām, piem., telekomunikācijām, radariem vai automobiļiem.
2. a.
ar darbības frekvenci, kas ir lielāka par 3,2 GHz un līdz 6 GHz (ieskaitot), ar vidējo izejas jaudu, kas ir lielāka par 60 W (47.8 dBm), un kuru frekvenču joslas attiecība pārsniedz 15 %;
b.
ar darbības frekvenci, kas pārsniedz 6 GHz līdz 16 GHz (ieskaitot), ar vidējo izejas jaudu, kas ir lielāka par 1 W (30 dBm), un kuru frekvenču joslas attiecība pārsniedz 10 %;
c.
ar darbības frekvenci, kas lielāka par 16 GHz līdz 31,8 GHz (ieskaitot), ar vidējo izejas jaudu, kas ir lielāka par 0,8 W (29 dBm) un kuru frekvenču joslas attiecība pārsniedz 10 %;
d.
ar darbības frekvenci, kas ir lielāka par 31,8 GHz līdz 37,5 GHz (ieskaitot);
e.
ar darbības frekvenci, kas lielāka par 37,5 GHz līdz 43,5 GHz (ieskaitot), ar vidējo izejas jaudu, kas ir lielāka par 0,25 W (24 dBm), un kuru frekvenču joslas attiecība pārsniedz 15 %; vai
f.
ar darbības frekvenci, kas lielāka par 43,5 GHz;
3. diskrēti mikroviļņu tranzistori, kam ir kāda no šīm īpašībām: Piezīme. Tā tranzistora mikroviļņu monolītās integrālās shēmas kontroles režīmu, kuru nominālā darbības frekvence ietver frekvences, kas ietilpst vairāk nekā vienā frekvenču diapazonā, kā definēts no 3A001.b.3.a. pozīcijas līdz 3A001b.3.e. pozīcijai, nosaka viszemākā vidējās izejas jaudas kontroles robeža.
3. a.
ar darbības frekvenci, kas pārsniedz 3,2 GHz līdz 6 GHz (ieskaitot) un ar vidējo izejas jaudu, kas ir lielāka par 60 W (47,8 dBm);
b.
ar darbības frekvenci, kas pārsniedz 6 GHz līdz 31,8 (ieskaitot) un ar vidējo izejas jaudu, kas ir lielāka par 20 W (43 dBm);
c.
ar darbības frekvenci, kas pārsniedz 31,8 GHz līdz 37,5 GHz (ieskaitot) un ar vidējo izejas jaudu, kas ir lielāka par 0,5 W (27 dBm);
d.
ar darbības frekvenci, kas pārsniedz 37,5 GHz līdz 43,5 GHz (ieskaitot) un ar vidējo izejas jaudu, kas ir lielāka par 1 W (30 dBm); vai
e.
ar darbības frekvenci, kas pārsniedz 43,5 GHz;
4. Tehniska piezīme.
mikroviļņu cietvielas pastiprinātāji un mikroviļņu iekārtas/moduļi, kam ir kāds no šiem raksturlielumiem: Pastiprinātājiem, kuru nominālie darba parametri ir mazāki par 3,2 GHz un vēl vairāk [d≤ 15cm*GHz/3,2 GHz], 3,2 GHz būtu jāizmanto kā mazākā darba frekvence (fGHz) 3A001b.4.f.3. pozīcijā minētajā formulā. NB! Mikroviļņu monolītās integrētās shēmas (MMIC) jaudas pastiprinātājus nosaka pēc 3A001.b.2. dotajiem parametriem. 1. piezīme. Saskaņā ar 3A001.b.2. pozīciju kontroli neattiecina uz sakaru pavadoņu raidiekārtām, kas paredzētas vai atzītas par piemērotām darbībai frekvenču diapazonā no 40,5 GHz līdz 42,5 GHz. 2. piezīme. Tādu preču kontroles režīmu, kuru nominālā darbības frekvence ietver frekvences, kas uzskaitītas vairāk nekā vienā frekvenču diapazonā, kā definēts no 3A001.b.4.a. pozīcijas līdz 3A001.b.4.e. pozīcijai, nosaka viszemākā vidējās izejas jaudas kontroles robeža.
4. a.
ar darbības frekvenci, kas lielāka par 3,2 GHz līdz 6 GHz (ieskaitot), ar vidējo izejas jaudu, kas lielāka par 60 W (47,8 dBm), un kuru frekvenču joslas attiecība pārsniedz 1,5 %;
b.
ar darbības frekvenci, kas lielāka par 6 GHz līdz 31,8 GHz (ieskaitot), un vidējo izejas jaudu, kas lielāka par 15 W (42 dBm), un kuru frekvenču joslas attiecība pārsniedz 10 %;
c.
ar darbības frekvenci, kas lielāka par 31,8 GHz līdz 37,5 GHz (ieskaitot);
d.
ar darbības frekvenci, kas lielāka par 37,5 GHz līdz 43,5 GHz (ieskaitot), un vidējo izejas jaudu, kas lielāka par 1 W (30 dBm), un kuru frekvenču joslas attiecība pārsniedz 10 %;
e.
ar darbības frekvenci, kas lielāka par 43,5 GHz; vai
f.
ar darbības frekvenci, kas lielāka par 3,2 GHz, un kam ir visi šie raksturlielumi:
1. vidējās izejas jaudas blīvums (vatos) P, kas ir lielāks par 150, dalīts ar maksimālo darba frekvenci (GHz) kvadrātā [P>150 W*GHz2/fGHz2];
2. frekvenču joslas attiecība, kas ir 5 % vai lielāka; un
3. jebkuras divas savstarpēji perpendikulāras malas ar garumu d (centimetros), kas ir 15, dalītu ar vismazāko darba frekvenci GHz [d=15cm*GHz/ fGHz], vai mazāku garumu;
5. elektroniski vai magnētiski regulējami frekvenču joslu caurlaides vai aiztures filtri, kam ir vairāk par 5 regulējamiem rezonatoriem, kas spēj iestatīties 1,5:1 frekvenču diapazonā (fmax/fmin) ātrāk par 10 μs, un kam piemīt visas šīs īpašības:
5. a.
frekvenču caurlaides joslas platumu, kas lielāks par 0,5 % no centrālās frekvences; vai
b.
frekvenču aiztures joslas platumu, kas mazāks par 0,5 % no centrālās frekvences;
6. neizmanto;
7. frekvenču jaucēji un konverteri, kas paredzēti 3A002.c., 3A002.e. vai 3A002.f. pozīcijā minēto iekārtu frekvenču diapazonu paplašināšanai ārpus tur minētajām robežām;
8. mikroviļņu jaudas pastiprinātāji, kas izmanto 3A001.b. pozīcijā minētās lampas un kuriem ir visi šie raksturlielumi: Piezīme. Saskaņā ar 3A001.b.8. pozīciju kontroli neattiecina uz iekārtām, kas ITU atvēlētajās frekvencēs īpaši konstruētas vai atzītas par izmantojamām radiosakaru pakalpojumos, izņemot radiopeilēšanu.
8. a.
darbības frekvence ir lielāka par 3 GHz;
b.
vidējais izejas jaudas blīvums ir lielāks par 80 W/kg; un
c.
tilpums nepārsniedz 400 cm3;
c.
akustisko viļņu ierīces un tām īpaši konstruētie komponenti, tas ir:
1. virsmas akustisko viļņu un virsmas virskārtas akustisko viļņu ierīces (t.i., ierīces signālu apstrādei, kurās materiālos izmanto elastīgos viļņus), kam ir kāds no šiem raksturlielumiem:
1. a.
komutācijas frekvence pārsniedz 2,5 MHz;
b.
nesējfrekvence, kas lielāka par 1 GHz, bet nepārsniedz 2.5 GHz, un kam ir kādi no šiem raksturlielumiem:
1. blakusfrekvenču vājinājumu virs 55 dB;
2. maksimālā aiztures laika un frekvenču joslas platuma reizinājums (laiks μs, joslas platums MHz) ir lielāks par 100;
3. joslas platums ir lielāks par 250 MHz; vai
4. disperso aizturi vairāk par 10 μs; vai
c.
nesējfrekvence 1 GHz vai mazāka, un kam ir kāds no šiem raksturlielumiem:
1. maksimālā aiztures laika un frekvenču joslas platuma reizinājums (laiks μs, joslas platums MHz) ir lielāks par 100;
2. disperso aizturi vairāk par 10 μs; vai
3. blakusfrekvenču vājinājumu virs 55 dB un joslas platumu virs 50 MHz;
2. masas (tilpuma) akustisko viļņu ierīces (t.i., signālu apstrādes ierīces, kurās izmanto elastīgos viļņus), ar kurām iespējama tieša signālu apstrāde pie frekvencēm, kas lielākas par 1 GHz;
3. akustiski-optiskās signālu apstrādes ierīces, kurās izmanto mijiedarbību starp akustiskiem viļņiem (tilpuma viļņi vai virsmas viļņi) un gaismas viļņiem, kas ļauj veikt tiešu signālu vai attēlu apstrādi, ieskaitot spektrālanalīzi, korelāciju, vai konvolūciju analīzi;
d.
elektroniskas ierīces vai ķēdes ar elementiem, kas ražoti no supravadītājiem materiāliem, un kuras īpaši konstruētas darbam tādā temperatūrā, kas zemāka par vismaz vienas supravadītājas sastāvdaļas kritisko temperatūru, un kam ir kāds no šiem raksturlielumiem:
1. no supravadītājiem materiāliem izgatavotu digitālu ķēžu ventiļu komutācijas kavējuma laika (s) un ventiļa jaudas izkliedes (W) reizinājums ir mazāks par 10– 14 J; vai
2. frekvenču selekcijai visās frekvencēs izmantotas rezonanses ķēdes ar Q vērtībām virs 10000;
e.
lieljaudas energoiekārtas, tas ir:
1. baterijas un saules elementu paneļi/bloki, tas ir: Piezīme. Saskaņā ar 3A001.e.1. pozīciju kontroli neattiecina uz baterijām, kuru tilpums ir 27 cm3 vai mazāks (piemēram, standarta C-elementi vai R14 baterijas).
1. a.
galvaniskie elementi un baterijas ar enerģijas blīvumu virs 480 Wh/kg, un ir paredzētas darbam temperatūrā, kas zemāka par 243 K (– 30 °C) vai augstāka par 343 K (70 °C);
b. Tehniska piezīme.
atkārtoti uzlādējami elementi un baterijas ar enerģijas blīvumu virs 150 Wh/kg pēc 75 uzlādēšanas/izlādēšanas cikliem pie izlādes strāvas, kas temperatūrā zem 253 K (– 20 °C) un virs 333 K (60 °C) ir vienāda ar C/5 stundām (C ir nominālā kapacitāte ampērstundās); Enerģijas blīvumu aprēķina, reizinot vidējo jaudu vatos (vidējais spriegums voltos reiz vidējā strāva ampēros) ar izlādes laiku stundās līdz 75 % spriegumam no ķēdes sprieguma bez slodzes, ko dala ar elementa (vai baterijas) pilnu masu kilogramos.
c.
lietojams kosmosā paredzēti saules elementu paneļi ar paaugstinātu izturību pret jonizējošā starojuma iedarbību, kuru īpatnējā jauda 301 K (28 °C) temperatūrā, apgaismojot ar volframa izstarotāju, kura apgaismojuma jauda 2800 K (2527 °C) temperatūrā ir 1 kW/m2, ir lielāka par 160 W/m2;
2. Lieljaudas kondensatori, tas ir: NB! SKAT. ARĪ 3A201.a. POZĪCIJU
2. a.
kondensatori ar atkārtojuma frekvenci, mazāku par 10 Hz (vienas izlādes kondensatori), kam ir visi šie raksturlielumi:
1. nominālais spriegums ir vienāds ar vai lielāks par 5kV;
2. enerģijas blīvums ir vienāds ar vai lielāks par 250 J/kg; un
3. kopējā enerģija ir vienāda ar vai lielāka par 25 kJ;
b.
kondensatori ar atkārtojuma frekvenci 10 Hz un augstāku (vienas izlādes kondensatori), kam ir visi šie raksturlielumi:
1. nominālais spriegums ir vienāds ar vai lielāks par 5kV;
2. enerģijas blīvums ir vienāds ar vai lielāks par 50 J/kg;
3. kopējā enerģija ir vienāda ar vai lielāka par 100 J; un
4. kalpošanas laiks — uzlādēšanas/izlādēšanas ciklu skaits 10000 vai vairāk;
3. supravadītāji elektromagnēti un solenoīdi, kas izveidoti tā, lai pilnīgi uzlādētos un izlādētos ne ilgāk kā vienā sekundē, un kuriem ir visi šie raksturlielumi: NB! SKAT. ARĪ 3A201.b. POZĪCIJU Piezīme. Saskaņā ar 3A001.e.3. pozīciju kontroli neattiecina uz supravadītājiem elektromagnētiem un solenoīdiem, kas paredzēti izmantošanai medicīnā kodolmagnētiskās rezonanses caurskates (MRI) iekārtās.
3. a.
enerģijas atdeve izlādes laikā pirmajā sekundē pārsniedz 10 kJ;
b.
strāvu vadošo vijumu iekšējais diametrs ir lielāks par 250 mm; un
c.
nominālā magnētiskā indukcija ir virs 8 T, vai kopējais strāvas blīvums vijumos ir lielāks par 300 A/mm2;
f.
vārpstas absolūtā stāvokļa rotācijas kodēšanas ierīces, kam ir kādi no šiem raksturlielumiem:
1. izšķiršanas spēja ir augstāka par vienu 265000 daļu no pilnas skalas (18 bitu izšķiršanas spēja); vai
2. precizitāte ir augstāka par ±2,5 loka sekundēm.
a.
signālu ierakstu iekārtas un tām īpaši paredzētas testēšanas ierakstu lentes:
1. analogās sistēmas reģistrācijas iekārtas ierakstīšanai magnētiskajā lentē un aparatūra, ar ko var ierakstīt diskrētus digitālus signālus (piemēram, lietojot augsta blīvuma digitālu ieraksta (HDDR) moduli), un kam ir kādi no šiem raksturlielumiem: Piezīme. Sadzīves videoierakstiem paredzētos analogos magnetofonus neuzskata par signālu ierakstu iekārtām.
1. a.
frekvenču joslas platums pārsniedz 4 MHz uz katru elektronisko kanālu vai celiņu;
b.
frekvenču joslas platums pārsniedz 2 MHz uz katru elektronisko kanālu vai celiņu, un celiņu skaits ir lielāks par 42; vai
c.
laika nobīdes (bāzes) kļūda, kas noteikta saskaņā ar IRIG vai EIA normatīvajiem dokumentiem, ir mazāka par ± 0,1 μs;
2. digitāli videomagnetofoni ar maksimālo digitālo saskarnes caurlaides ātrumu, kas lielāks par 360 Mbitiem sekundē; Piezīme. Saskaņā ar 3A002.a.2. pozīciju kontroli neattiecina uz magnetofoniem, kas īpaši paredzēti televīzijas ierakstiem, kurā izmatotajā signālu formātā var būt ietverts saspiestais signālu formāts, ko ITU, ICE, SMPTE, EBU vai IEEE standartizējušas vai rekomendējušas izmantošanai sabiedriskajā televīzijā.
3. digitālas magnētiskas datu ieraksta iekārtas, kurās izmanto helikoidālās skenēšanas paņēmienu vai fiksētās galviņas metodi un kurām ir kādi no šiem raksturlielumiem: Piezīme. Saskaņā ar 3A002.a.3. pozīciju kontroli neattiecina uz magnetofoniem analogā signāla ierakstiem, kas aprīkoti ar HDDR konvertoru vai konfigurēti vienīgi digitālu datu ierakstīšanai.
3. a.
digitālās saskarnes maksimālais caurlaides ātrums pārsniedz 175 Mbit/s; vai
b.
lietojamas kosmosā;
4. iekārtas ar maksimālo digitālās saskarnes caurlaides ātrumu virs 175 Mbiti/s, kas paredzētas videomagnetofonu pārveidošanai par datu reģistrācijas iekārtām;
5. Tehniska piezīme.
viļņu formu pārveidotāji digitālā formātā un pārejas procesu reģistrēšanas iekārtas ar visiem šiem raksturlielumiem: Minētajiem aparātiem ar paralēlo kopņu arhitektūru nepārtrauktā caurlaides spēja ir lielākais vārdu caurlaides ātrums, kas reizināts ar bitu skaitu vārdā. Pastāvīgā caurlaide ir ātrākais datu ātrums, ko instruments var izvadīt lielapjoma atmiņā, nezaudējot informāciju, reizē nodrošinot stabilu diskretizācijas frekvenci un analogas informācijas pārveidošanu digitālā.
5. a.
digitālais diskretizācijas ātrums vienāds ar vai lielāks par 200 miljoniem sekundē, ar izšķiršanas spēju 10 bitu vai augstāku; un
b.
nepārtrauktā caurlaides spēja ir 2 Gbiti/s vai augstāka;
6. digitālu instrumentu datu ierakstītāji, kas informāciju glabā magnētiskos diskos, un kam ir visas šīs īpašības:
6. a.
digitālas informācijas diskretizācijas ātrums līdzinās 100 miljoniem sekundē vai pārsniedz to, ar izšķirtspēju 8 biti – vai lielāku; un
b.
nepārtrauktā caurlaides spēja ir 1 Gbiti/s vai augstāka;
b.
frekvences sintezatoruelektroniskie mezgli, kuru frekvenču pārslēgšanās laiks no vienas izvēlētās frekvences uz citu ir mazāks par 1 ms;
c.
radio frekvences signālu analizatori, tas ir:
1. signālu analizatori, kas spēj analizēt frekvences, kuras pārsniedz 31,8 GHz bet nepārsniedz 37,5 GHz un kam ir frekvenču josla ar izšķirtspēju (RBW) 3 dB, kas pārsniedz 10 HMZ;
2. signālu analizatori, kas spēj analizēt frekvences, kas pārsniedz 43,5 GHz;
3. dinamiskā signāla analizatori ar reālā laika joslas platumu, kas pārsniedz 500 kHz; Piezīme. Saskaņā ar 3A002.c.3. pozīciju kontroles režīmu nenosaka tādiem dinamiskā signāla analizatoriem, kuros izmanto tikai filtrus ar frekvenču joslu, kas noteikta kā konstants procents no frekvenču joslas (pazīstami arī kā oktāvas vai oktāvas daļas filtri).
d.
sintezētas frekvences signālģeneratori, kuri formē izejas frekvences ar regulējamu precizitāti, īslaicīgu un ilglaicīgu stabilitāti un kuras ir atvasinātas vai stabilizētas ar iebūvētu atbalsta frekvences avotu, un kam ir visi šie raksturlielumi: Piezīme. Saskaņā ar 3A002.d. pozīciju kontroli neattiecina uz iekārtām, kuru izejas frekvenci iegūst, saskaitot vai atņemot divu vai vairāku kristāla oscilatoru frekvences vai arī pēc šādas saskaitīšanas vai atņemšanas rezultāta reizināšanas.
1. maksimālā sintezētā frekvence pārsniedz 31,8 MHz bet nepārsniedz 43.5 GHz un ir paredzēta radīt impulsa ilgumu, kas ir mazāks par 100 ns;
2. maksimālā sintezētā frekvence ir lielāka par 43,5 GHz;
3. frekvenču pārslēgšanas laiks no vienas izvēlētās frekvences uz citu ir mazāks par 1 ms; vai
4. Tehniska piezīme.
atsevišķas blakusfrekvenču joslas (SSB) fāzes trokšņu raksturojums labāks nekā (126 + 20 log10F – 20 log10f), kas izteikts dBc/Hz, kur F ir nobīde no darba frekvences Hz un f ir darba frekvence MHz; 3A002.d.1. pozīcijā impulsa ilgums ir laika sprīdis starp laiku, kad impulsa priekšējā mala sasniedz 90 % maksimālās vērtības, un laiku, kad impulsa aizmugurējā mala sasniedz 10 % maksimālās vērtības.
e.
tīklu analizatori ar maksimālo darba frekvenci virs 43,5 GHz;
f.
mikroviļņu pārbaudes uztvērēji, kam ir visi šie raksturlielumi:
1. maksimālā darba frekvence ir lielāka par 43,5 GHz; un
2. iespējām amplitūdu un fāzi mērīt reizē;
g.
Atomāro frekvenču standarti, kam ir jebkurš no šiem raksturlielumiem: Piezīme. Saskaņā ar 3A002.g.1. pozīciju kontroli neattiecina uz rubīdija standartiem, kas nav paredzēti lietošanai kosmosā.
1. ilgtermiņa stabilitāte (novecošanās) mazāka (labāka) nekā 1 × 10– 11/mēnesī; vai
2. lietojami kosmosā.
a.
informācijas konverteri no analogas par digitālu, ko izmanto raķetēs un kas konstruēti atbilstoši militāriem parametriem, kas attiecas uz iekārtu paaugstinātu izturību;
b.
paātrinātāji, kas var dot elektromagnētisko starojumu, ko rada līdz 2 MeV vai augstākai enerģijai paātrinātu elektronu bremzēšana, un sistēmas, kurās ir šādi paātrinātāji. Piezīme. 3A101.b. pozīcija neattiecas uz medicīnas vajadzībām paredzētajām iekārtām.
a.
kondensatori ar kāda no šīm parametru grupām:
1. a.
nominālais spriegums virs 1,4 kV;
b.
energoietilpība lielāka par 10 J;
c.
kapacitāte lielāka par 0,5 μF; un
d.
induktivitāte virknes slēgumā mazāka par 50 nH; vai
2. a.
nominālais spriegums virs 750 V;
b.
kapacitāte lielāka par 0,25 μF; un
c.
induktivitāte virknes slēgumā mazāka par 10 nH;
b.
supravadītāji solenoidālie elektromagnēti, kam ir visi šie raksturlielumi: Piezīme. Saskaņā ar 3A201.b. pozīciju kontroli neattiecina uz magnētiem, kas īpaši paredzēti un tiek izvesti vai ievesti kā medicīnisko kodolmagnētiskās rezonanses (KMR) aparātu attēlu veidošanas sistēmu daļas. Šeit daļas nenozīmē tikai tā paša sūtījuma daļu; atļauti sūtījumi no dažādiem avotiem ar nosacījumu, ka attiecīgajos izvešanas dokumentos skaidri norādīts, ka kravas nosūtītas kā attēlu veidošanas sistēmas daļas.
1. var radīt magnētisko lauku ar indukciju, kas lielāka par 2 T;
2. garuma attiecība pret iekšējo diametru ir lielāka par 2;
3. iekšējais diametrs ir lielāks par 300 mm; un
4. magnētiskā lauka viendabīgums augstāks par 1 % iekšējā tilpuma centrālajos 50 %;
c. Tehniskas piezīmes.
impulsa tipa rentgenstaru ģeneratori vai pulsa tipa elektronu paātrinātāji, kam ir kāda no šo raksturlielumu grupām: Piezīme. Saskaņā ar 3A201.c. pozīciju kontroli neattiecina uz paātrinātājiem, kuri ir tādu iekārtu sastāvdaļas, kas paredzētas citiem nolūkiem, izņemot elektronu staru kūļa vai rentgenstaru iegūšanai, elektronu staru mikroskopiem, kā arī medicīniskajām iekārtām paredzētos:
c.
1. a.
paātrinātāja maksimālā elektronu enerģija ir 500 keV vai lielāka, bet mazāka par 25 MeV; un
b.
kvalitātes koeficients ir (K) 0,25 vai lielāks; vai
2. a.
paātrinātāja maksimālā elektronu enerģija ir lielāka par 25 MeV; un
b.
maksimālā jauda ir lielāka par 50 MW.
c. Tehniskas piezīmes.
1. Kvalitātes koeficientu aprēķina šādi: K = 1,7 ×10^3V^2,65Q V ir maksimālā elektronu enerģija miljonos elektronvoltu. Ja paātrinātāja staru kūļa impulsa ilgums ir mazāks vai vienāds ar 1 μs, tad Q ir vienāds ar kopējo paātrināto lādiņu kulonos. Ja paātrinātāja staru kūļa impulsa ilgums ir lielāks par 1 μs, tad Q ir vienāds ar 1 μs paātrināto lādiņu. Q ir vienāds ar i integrāli attiecībā pret t, mazāk par 1 μs vai staru impulsa laikā (Q = ∫ idt), kur i ir staru kūļa strāva ampēros, un t ir laiks sekundēs.
2. Maksimālā jauda = (maksimālais potenciāls voltos) × (maksimālā staru kūļa strāva ampēros).
3. Mašīnām, kuru princips balstās uz mikroviļņu paātrinātājiem iedobumiem, staru kūļa impulsa laiks ir mazāks par 1 μs vai tās kopējās staru kūļa paketes ilgums, kuru rada viens mikroviļņu modulatora impulss.
4. Mašīnām, kuru darbības princips balstās uz mikroviļņu paātrinātājiem iedobumiem, staru kūļa maksimālā stāva ir vidējā strāva kopējās staru kūļa paketes laikā.
a.
daudzfāžu izeja ar jaudu 40 W vai vairāk;
b.
var darboties frekvenču diapazonā no 600 līdz 2000 Hz;
c.
kopējie harmoniskie kropļojumi nepārsniedz (ir mazāki) par 10 %; un
d.
frekvences regulēšanas precizitāte ir augstāka par 0,1 %.
3ASistēmas, iekārtas un komponenti Tehniska piezīme. a.
8 stundas bez pārtraukuma spēj nodrošināt 100 V vai augstāku spriegumu pie 500 A vai lielākas strāvas; un
b.
8 stundu laikā strāvas vai sprieguma stabilitāte ir augstāka par 0,1 %.
a.
8 stundas bez pārtraukuma spēj nodrošināt 20 kV vai augstāku spriegumu pie 1 A vai lielākas strāvas; un
b.
8 stundu laikā strāvas vai sprieguma stabilitāte ir augstāka par 0,1 %.
a.
aukstā katoda lampas (pildītas ar gāzi vai bez tās), kas darbojas kā dzirksteļsprauga, un kam ir visi šie raksturlielumi: Piezīme. 3A228 pozīcijā iekļauj gāzu kritronlampas un vakuuma spritronlampas.
1. 3 vai vairāk elektrodi;
2. maksimālais anoda spriegums 2,5 kV vai augstāks;
3. maksimālā anodstrāva 100 A vai lielāka; un
4. anoda kavējuma laiks 10 μs vai mazāks;
b.
trigera tipa dzirksteļspraugas, kam piemīt abi šie raksturlielumi:
1. anoda kavējuma laiks 15 μs vai mazāks; un
2. paredzētas 500 A vai lielākai maksimālajai anodstrāvai;
c.
moduļi vai mezgli ar ātras komutācijas funkciju, kam ir visi šie raksturlielumi:
1. maksimālais anoda spriegums lielāks par 2 kV;
2. maksimālā anodstrāva 500 A vai lielāka; un
3. ieslēgšanās laiks 1 μs vai mazāks.
a.
spridzināšanas ierīču komplekti, kas paredzēti 3A232 pozīcijā minēto daudzpunktu vadāmo detonatoru ierosināšanai;
b. Tehniska piezīme.
moduļu tipa elektrisko impulsu ģeneratori (pulsatori), kam ir visi šie raksturlielumi: Piezīme. 3A229.b. pozīcijā ietverti ksenona zibspuldžu ierosinātāji. Strāvas pieauguma laiks 3A229.b.5. pozīcijā nozīmē laika sprīdi, kurā strāva pie aktīvāa slodzēs pieaug no 10 % līdz 90 % no amplitūdas vērtības.
b.
1. portatīvā, mobilā vai īpaši izturīgā izpildījumā;
2. ar putekļnecaurlaidīgu apvalku;
3. spēj izlādēt uzkrāto enerģiju ne ilgāk kā 15 μs laikā;
4. izejas strāva lielāka par 100 A;
5. strāvas pieauguma laiks ir mazāks par 10 μs, ja slodzes pretestība ir mazāka par 40 Ω;
6. neviens no izmēriem nepārsniedz 254 mm;
7. svars nepārsniedz 25 kg; un
8. paredzēti izmantošanai temperatūras diapazonā no 223 K (– 50 °C) līdz 373 K (100 °C) vai piemēroti aerokosmiskajiem lietojumiem.
a.
izejas spriegums ir lielāks par 6 V ar aktīvu slodzi mazāku par 55 Ω; un
b.
impulsa pārejas laiks ir mazāks par 500 ps.
3ASistēmas, iekārtas un komponenti Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. a.
paredzētas darbam bez ārējas vakuuma iekārtas; un
b.
tritija-deitērija kodolreakcijas izraisīšanai izmanto elektrostatisko paātrināšanu.
a.
spridzekļu detonatori ar elektrisku ierosmi, tas ir:
1. spridzināšanas tiltiņš (EB);
2. spridzināšanas tiltiņa vads (EBW);
3. belznis;
4. folijdetonatori (EFI);
b.
komplekti, kuros izmantoti atsevišķi detonatori vai to kopa un kas paredzēti, lai gandrīz reizē no viena atsevišķa ierosinātāja impulsa ar iniciēšanas izplatīšanās laiku pa virsmu līdz 2,5 μs ierosinātu eksplozīvo virsmu, kas lielāka par 5000 mm2.
3ASistēmas, iekārtas un komponenti Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. Tehniska piezīme. a.
induktīvi saistītas plazmas masas spektrometri (ICP/MS);
b.
aukstās jonizācijas mirdzizlādes masas spektrometri (GDMS);
c.
termiskās jonizācijas masas spektrometri (TIMS):
d.
elektronu bombardēšanas masas spektrometri, kuru elektronu avota kamera ir izgatavota no materiāliem, kas izturīgi pret UF6 koroziju, ir ar tiem oderēta vai pārklāta;
e.
molekulārā staru kūļa masas spektrometri, kam ir kāds no šiem raksturlielumiem:
1. starojuma avota kamera no nerūsoša tērauda vai molibdēna, vai ar šo materiālu oderējumu vai pārklājumu, un kuriem ir aukstā uztvērējkamera, kas atdzesējama līdz 193 K (– 80 °C) temperatūrai vai zemāk; vai
2. starojuma avota kamera ir izgatavota no materiāliem, kas izturīgi pret UF6 koroziju, vai ir ar tiem oderēta vai pārklāta;
f.
masasspektrometri, kas aprīkoti ar mikrofluorēšanas jonu avotu, kurā paredzēts izmantot aktinīdus vai aktinīdu fluorīdus.
3BIzmēģinājumu, pārbaudes un ražošanas iekārtas
3B001Pusvadītāju ierīču vai materiālu ražošanas vai izmēģināšanas iekārtas un to īpašie komponenti un piederumi, tas ir: 3B002Pārbaudes iekārtas, kas īpaši konstruētas pusvadītāju sagatavju un pusvadītāju ierīču pārbaudei, un tām īpaši konstruētie komponenti un piederumi, tas ir:
a.
iekārtas epitaksiālā slāņa audzēšanai, tas ir:
1. iekārtas, ar ko var viendabīgā biezumā ražot mazāk nekā ±2,5% tāda materiāla slāni, kas nav silīcijs, 75 mm vai lielākā attālumā;
2. metālorganisko savienojumu ķīmisko tvaiku kondensācijas (MOCVD) reaktori, kas paredzēti saliktu pusvadītāju kristālu audzēšanai 3C003 vai 3C004 pozīcijā minēto materiālu ķīmiskā reakcijā;
3. molekulāro staru kūļa epitaksiālās audzēšanas iekārtas, kurās izmanto gāzveida vai cietus avotus;
b.
iekārtas, kas paredzētas jonu implantācijai un kam ir kāds no šiem raksturlielumiem:
1. staru kūļa enerģija (paātrināšanas spriegums) pārsniedz 1 MeV;
2. īpaši paredzētas un optimizētas darbam, ja staru kūļa enerģija (paātrinātājspriegums) ir mazāka par 2 keV;
3. ir tiešā ieraksta iespējas; vai
4. staru kūļa enerģija, kas ir 65 keV vai lielāka, un staru kūļa strāva, kas ir 45 mA vai lielāka, augstas enerģijas skābekļa jonu implantācijai uzkarsētā pusvadītāju materiāla substrātā;
c.
iekārtas sausai kodināšanai ar anizotropo plazmu, tas ir:
1. iekārtas ar kasešu nomaiņu un ielādes slūžām, un kam piemīt kāda no šīm īpašībām:
1. a.
tās ir konstruētas vai optimizētas, lai iegūtu kritiskos izmērus 180 nm vai mazākus, ar ±5 % 3 sigma precizitāti; vai
b.
paredzētas mazāk nekā 0,04 tādu daļiņu ģenerēšanai uz cm2, kuru izmērs pārsniedz 0,1 μm diametrā;
2. ierīces, kas paredzētas 3B001.e. pozīcijā minētajām iekārtām un kam piemīt kāda no šīm īpašībām:
2. a.
kuras paredzētas vai optimizētas kritisko izmēru iegūšanai, kas ir 180 nm vai mazāki ar ±5 % 3 sigma precizitāti; vai
b.
paredzētas mazāk nekā 0,04 tādu daļiņu ģenerēšanai uz cm2, kuru izmērs pārsniedz 0,1 μm diametrā;
d.
iekārtas ar plazmu aktivētam CVD procesam, tas ir:
1. iekārtas ar kasešu nomaiņu un ielādes slūžām, konstruētas saskaņā ar ražotāja dotiem parametriem un optimizēti lietojumam tādu pusvadītāju ierīču ražošanā, kuru kritiskie izmēri ir 180 nm vai mazāki;
2. īpašas iekārtas iekārtām, uz kurām attiecina 3B001.e. pozīcijas kontroli un kuras ir izveidotas saskaņā ar ražotāja specifikāciju vai optimizētas lietošanai tādu pusvadītāju ierīču ražošanā, kuru kritiskie izmēri ir 180 nm vai mazāk;
e.
daudzkameru automātiskas ielādēšanas sistēmas manipulācijām ar pusvadītāju sagatavēm, kam piemīt visas šīs īpašības: Piezīme. Saskaņā ar 3B001.e. pozīciju kontroli neattiecina uz automātiskām robotizētām sistēmām, ko izmanto manipulācijām ar pusvadītāju sagatavju diskiem, kuras nav paredzētas darbam vakuumā.
1. kurām ir pusvadītāju pamatņu disku ieejas un izejas saskarnes, kam var pievienot vairāk nekā divas pusvadītāju apstrādes iekārtas; un
2. kuras ir paredzētas integrētu sistēmu veidošanai vakuumā un secīgai daudzkārtējai pusvadītāju sagatavju disku apstrādei;
f.
litogrāfijas iekārtas, tas ir:
1. pozicionēšanas un eksponēšanas soļa un atkārtošanas (tiešais solis uz sagataves), vai soļa un skenēšanas iekārtas pusvadītāju sagatavju disku apstrādei, izmantojot fotooptisko vai rentgenstaru metodi, kam ir kādi no šiem raksturlielumiem:
1. a.
gaismas avota viļņu garums mazāks par 245 nm; vai
b. Tehniska piezīme.
spēj formēt trafaretattēlu ar minimālo atšķiramās detaļas izmēru 180 nm vai mazāku; minimālo atšķiramās detaļas izmēru aprēķina ar šādu formulu: MRF = iedarbības gaismas avota viļņu garums nm × K koeficientsdigitāla apertūra kur K koeficients = 0,45 MRF = minimālais atšķiramās detaļas izmērs
2. īpašas iekārtas masku izgatavošanai vai pusvadītāju materiālu apstrādei, izmantojot atstarotu fokusētu elektronu staru kūli, jonu staru kūli vai lāzera staru kūli, kam ir kāds no šiem raksturlielumiem:
2. a.
gaismas punkta izmērs mazāks par 0,2 μm;
b.
spēj formēt trafaretattēlu ar minimālo atšķiramās detaļas izmēru 1 μm vai mazāku; vai
c.
pārklājuma precizitāte augstāka par ± 0,20 μm (3 σ);
g.
maskas un rastri, kas konstruēti 3A001 pozīcijā minētajām integrālajām shēmām;
h.
daudzslāņu maskas ar fāžu nobīdes slāni. Piezīme. Saskaņā ar 3B001.h. pozīciju kontroli neattiecina uz daudzslāņu maskām ar fāžu nobīdes slāni, kas paredzētas tādu atmiņu iekārtu ražošanai, uz kurām neattiecina kontroli saskaņā ar 3A001 pozīciju.
a.
tranzistorierīču S-parametru pārbaudei pie frekvencēm, kas pārsniedz 31,8 GHz;
b.
neizmanto;
c.
3A001.b.2. pozīcijā minēto mikroviļņu integrālo shēmu pārbaudēm.
3CMateriāli 3C001Heteroepitaksiālie materiāli, ko veido substrāts ar sapakotiem daudzslāņu materiāliem, kas izaudzēti ar epitaksijas paņēmienu no kāda še turpmāk minētā: 3C002Materiāli ar aizsargpārklājumiem un substrāti, kas pārklāti ar aizsargpārklājumiem, kuriem piemīt vadāmas īpašības, tas ir: 3C003Elementorganiskie savienojumi, tas ir: Piezīme. Saskaņā ar 3C003 pozīciju kontroli attiecina tikai uz tiem elementorganiskajiem savienojumiem, kuru molekulas organiskajā daļā attiecīgais elements ir tieši saistīts ar oglekli. 3C004Fosfora, arsēna vai antimona hidrīdi, kuru tīrības pakāpe ir augstāka par 99,999 %, arī tad, ja tie izšķīdināti inertā gāzē vai ūdeņradī. Piezīme. Saskaņā ar 3C004 pozīciju kontroli neattiecina uz hidrīdiem, kas satur 20 mol % vai vairāk inerto gāzu vai ūdeņraža.
3CMateriāli a.
silīcija;
b.
germānija;
c.
silīcija karbīda; vai
d. Tehniska piezīme.
III/V gallija vai indija savienojumiem. III/V savienojumi ir polikristāliski, bināri vai kompleksi monokristāliski produkti, kuri sastāv no Mendeļejeva elementu periodiskās sistēmas tabulas III A un V A grupas elementiem (piemēram, gallija arsenīda, gallija-alumīnija arsenīda, indija fosfīda).
a.
pozitīvi aizsargpārklājumi pusvadītāju litogrāfijai, īpaši pielāgoti (optimizēti) lietošanai pie viļņu garumiem, kas mazāki par 350 nm;
b.
visi aizsargpārklājumi, kas paredzēti lietošanai elektronu staru kūļa vai jonu staru kūļa starojuma tehnoloģijām, jutība ir 0,01 μcoulomb/mm2 vai augstāka;
c.
visi aizsargpārklājumi, kas paredzēti lietošanai rentgenstaru tehnoloģijām, jutība ir 2,5 mJ/mm2 vai augstāka;
d. Tehniska piezīme.
visi aizsargpārklājumi, kas optimizēti attēlu formēšanas tehnoloģijām, ieskaitot sililētus pārklājumus. Sililēšanas tehnoloģijas definē kā procesus, kas ietver aizsargpārklājuma oksidēšanu, lai paaugstinātu gan slapjās, gan sausās attīstīšanas intensitāti.
a.
alumīnija, gallija un indija organiskie savienojumi ar tīrības pakāpi (metāla bāzei) augstāku par 99,999 %;
b.
arsēna, antimona un fosfora organiskie savienojumi, tīrības pakāpe (neorganiskā elementa bāzei) augstāka par 99,999 %.
3DProgrammatūra Tehniska piezīme.
3D001Programmatūra, kas īpaši paredzēta 3A001.b. līdz 3A001.g. vai 3B pozīcijā minēto iekārtu izstrādāšanai vai ražošanai. 3D002Programmatūra, kas īpaši paredzēta kādas šīs iekārtas lietošanai: 3D003Uz fizisku īpašību pamata izveidota imitācijas programmatūra, kas ir īpaši paredzēta tādu litogrāfisko, kodināšanas un uzklāšanas procesu izstrādāšanai, ar kuriem pārveido masku trafaretus specifiskās topogrāfiskās struktūrās uz strāvas vadītāja materiāla, dielektriķa vai pusvadītāja materiāla virsmas. 3D003. pozīcijā uz fizisku īpašību pamata izveidots nozīmē veikt aprēķinu, lai noteiktu fizisku cēloņu un seku notikumu secību, ņemot par pamatu fiziskas īpašības (piem., temperatūra, spiediens, difūzijas konstantes un pusvadītāju materiālu īpašības). Piezīme. Bibliotēkas, konstrukcijas/izstrādes raksturlielumi vai ar tiem saistītas datubāzes pusvadītāju ierīču vai integrālo shēmu konstruēšanai uzskata par tehnoloģijām. 3D004Programmatūra, kas īpaši paredzēta 3A003. pozīcijā minēto iekārtu izstrādāšanai. 3D101Programmatūra, kas īpaši izstrādāta vai pārveidota 3A101.b. pozīcijā minēto preču lietošanai.
3DProgrammatūra a.
iekārtas, kas minētas 3B001.a. līdz f. pozīcijā; vai
b.
iekārtas, kas minētas 3B002 pozīcijā.
3ETehnoloģija Tehniska piezīme.
3E001Tehnoloģijas 3A, 3B vai 3C pozīcijā minēto preču izstrādāšanai vai ražošanai saskaņā ar vispārējo piezīmi par tehnoloģijām. 1. piezīme. Saskaņā ar 3E001 pozīciju kontroles režīmu neattiecina uz ražošanas vai izstrādestehnoloģijām: 2. piezīme. Saskaņā ar 3E001 pozīciju kontroli neattiecina uz tehnoloģiju 3A001.a.3. un 3A001.a.12. pozīcijā minēto integrālo shēmu konstruēšanai vai ražošanai, kam piemīt visas šīs īpašības; Termins daudzslāņu struktūrās neattiecas uz ierīcēm, kurās ir maksimāli trīs metāla slāņi un trīs polisilīcija slāņi. 3E002Tehnoloģijas saskaņā ar vispārējo piezīmi par tehnoloģijām (GTN) 3E001 pozīcijā neminēto mikrodatoru mikroshēmu, mikroprocesoru mikroshēmu un mikrokontrolleru mikroshēmukonstruēšanai vai ražošanai, kuru kompleksā teorētiskā ātrdarbība (CTP) ir 530 miljoni teorētisko operāciju sekundē (Mtops) vai lielāka, un kurā ir aritmētisks loģiskais elements ar 32 bitu vai lielāku piekļuves platumu. Piezīme. 2. piezīme pie 3E001 pozīcijas par kontroles nepiemērošanu attiecas arī uz 3E002.g. pozīcijā minētajām tehnoloģijām. 3E003Citas tehnoloģijas šādu izstrādājumu izstrādāšanai vai ražošanai: 3E101Tehnoloģijas 3A001.a.1. vai 2., 3A101 vai 3D101 pozīcijā minēto iekārtu vai programmatūraslietošanai saskaņā ar vispārējo piezīmi par tehnoloģijām. 3E102Tehnoloģijas 3D101 pozīcijā minētās programmatūrasizstrādāšanai saskaņā ar vispārējo piezīmi par tehnoloģijām. 3E201Tehnoloģijas 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A201, 3A225 līdz 3A233 pozīcijā minēto preču lietošanai saskaņā ar vispārējo piezīmi par tehnoloģijām.
3ETehnoloģija
1. izmantotas 0,5 μm vai precīzākas tehnoloģijasun
2. kurās nav daudzslāņu struktūru.
3ETehnoloģija Tehniska piezīme. a.
vakuuma mikroelektronikas ierīces;
b.
heterostruktūras pusvadītāju ierīces, piemēram, augstas elektronu mobilitātes tranzistori (HEMT), heterobipolārie tranzistori (HBT), ierīces, kurās izmanto kvantu potenciāla bedres vai superrežģus; Piezīme. Saskaņā ar 3E003.b. kontroli neattiecina uz augsta elektronu kustīguma tranzistoriem (HEMT), kuru darba frekvences ir zemākas par 31,8 GHz, un heterobipolārie tranzistori (HBT), kuru darba frekvences ir zemākas par 31,8 GHz.
c.
supravadītājas elektroniskās ierīces;
d.
dimanta plēves substrāti elektronikas komponentiem;
e.
substrāti ar silīciju uz izolatora (SOI) integrālajām shēmām, kurās izolators ir silīcija dioksīds;
f.
silīcija karbīda substrāti elektronikas elementiem;
g.
elektroniskās vakuumcaurules, kas darbojas pie frekvencēm 31,8 GHz vai vairāk.
4. KATEGORIJA DATORI
1. piezīme. Datori, ar tiem saistītās iekārtas vai programmatūra, kas veic sakaru vai vietējā tīkla funkcijas, jānovērtē arī pēc 5. kategorijā 1. daļā (Elektrosakari) minētajiem darbības raksturlielumiem. 2. piezīme. Vadības bloki, kuri tieši komutē centrālo procesoru bloku, galvenās atmiņas vai disku kontrolleru kopnes vai kanālus, netiek uzskatīti par 5. kategorijas 1. daļā (Telekomunikācijas) aprakstītajām sakaru iekārtām. NB! Par kontroles režīmu programmatūrai, kas īpaši paredzēta pakešu komutēšanai, Skat. 5D001 pozīciju. 3. piezīme. Datori, ar tiem saistītās iekārtas vai programmatūra, kas realizē šifrēšanas, atšifrēšanas, garantētas daudzpakāpju drošības vai garantētas lietotāja izolēšanas funkcijas vai kas ierobežo elektromagnētisko savienojamību (EMC), jānovērtē arī pēc funkcionālajiem raksturlielumiem 5. kategorijas 2. daļā (Informācijas drošība).
4ASistēmas, iekārtas un komponenti
4A001Elektroniski datori un ar tiem saistītas iekārtas, kā arī elektroniski mezgli, un tiem īpaši konstruētie komponenti, tas ir: NB! SKAT. ARĪ 4A101 POZĪCIJU 4A003Digitāli datori, elektroniski mezgli, ar tiem saistītas iekārtas un tām īpaši konstruētas sastāvdaļas: 1. piezīme. 4A003 pozīcijā ir: 2. piezīme. 4A003 pozīcijā minēto digitālo datoru vai saistīto iekārtu kontroles režīmu nosaka pārējo piegādājamo iekārtu vai sistēmu kontroles režīms, ja: 4A004Datori un ar tiem saistītas īpaši konstruētas iekārtas, elektroniski mezgli un to komponenti, tas ir: 4A101Analogās skaitļošanas mašīnas, digitāli datori vai digitāli diferenciālanalizatori, neskaitot 4A001.a.1. pozīcijā minētos, kas paredzēti darbam ekstrēmos apstākļos un īpaši izgatavoti vai pielāgoti lietošanai 9A004 pozīcijā minētajās kosmiskajās nesējraķetēs vai 9A104 pozīcijā minētajās meteoroloģiskajās raķetēs. 4A102Hibrīddatori, kas īpaši projektēti 9A004 pozīcijā minēto kosmisko nesējraķešu vai 9A104 pozīcijā minēto meteoroloģisko raķešu modelēšanai, imitācijai vai konstrukciju integrēšanai. Piezīme. Kontroles režīmu nosaka tikai gadījumos, kad šīs iekārtas piegādā kopā ar 7D103 vai 9D103 pozīcijā minēto programmatūru.
a.
īpaši konstruēti, lai tām būtu kāda no šīm īpašībām:
1. darbību temperatūrā, kas zemāka par 228 K (- 45 °C) vai augstāka par 358 K (85 °C); Piezīme. 4A001.a.1. pozīcija neattiecas uz datoriem, kas paredzēti izmantojumam civilos automobiļos vai vilcienos.
2. izveidotas ar paaugstinātu izturību pret radiāciju, lai izturētu jebkuru no šiem parametriem: a. kopējā apstarojuma deva 5 × 103 Gy (silīcijs); b. apstarojuma devas intensitāte 5 × 106 Gy (silīcijs)/s; vai c. viena apstarojuma intensitāte (Single Event Upset) 1 × 10–7 kļūda/bits/diena;
b.
Raksturlielumi vai funkcijas pārsniedz 5. kategorijas 2. daļā (Informācijas drošība) noteiktos ierobežojumus. Piezīme. Saskaņā ar 4A001.b. pozīciju kontroli neattiecina uz datoriem un ar tiem saistītām iekārtām, kas ir līdzi to lietotājiem personīgajām vajadzībām.
a.
vektorprocesori;
b.
digitāli bloku/masīvu procesori;
c.
digitāli signālu procesori;
d.
loģiskie procesori;
e.
iekārtas attēlu korekcijai;
f.
iekārtas signālu apstrādei.
a.
digitālie datori vai saistītās iekārtas ir būtiskas pārējo iekārtu vai sistēmu funkcionēšanai;
b.
digitālie datori vai saistītās iekārtas nav pārējo iekārtu vai sistēmu galvenais elements; un NB! Kontroles režīmu signālu apstrādes vai attēlu korekcijas iekārtām, kas īpaši paredzētas izmantošanai citās iekārtās, kuru funkcijas šo iekārtu prasības ierobežo, nosaka pārējās iekārtas kontroles režīms, pat ja šajā gadījumā tiek pārsniegts galvenajam elementam noteiktais kritērijs. NB! Lai noteiktu kontroles režīmu digitāliem datoriem vai saistītām iekārtām, kas paredzēti sakariem, skat. 5. kategoriju 1. daļu (Telekomunikācijas).
c.
digitālo datoru un saistīto iekārtu tehnoloģiju' nosaka pēc 4E pozīcijas.
a.
īpaši izgatavoti vai pārveidoti defektu pielaidēm; Piezīme. 4A003.a. pozīcijā digitālos datorus un ar tiem saistītās iekārtas neuzskata par īpaši izgatavotām vai pārveidotām defektu pielaidēm, ja tajos izmanto jebko no še turpmāk minētā:
1. kļūdu konstatēšanas vai korekcijas algoritmus galvenajā atmiņā;
2. tādu divu digitālo datoru savstarpēju savienojumu, kas gadījumā, ja aktīvajā centrālā procesora blokā notiek kļūme, ļauj simetriskam dīkajā režīmā esošam aktīvam centrālā procesora blokam nodrošināt sistēmas funkcionēšanu;
3. divu centrālā procesora bloku savienojumu ar datu pārraides kanāliem vai kopīgu atmiņu, kas ļauj vienam centrālā procesora blokam veikt citu darbu līdz brīdim, kad otrajā centrālā procesora blokā notiek kļūme, kuras brīdī pirmais centrālā procesora bloks pārņem procesu, lai nodrošinātu sistēmas funkcionēšanu; vai
4. divu centrālā procesora bloku sinhronizāciju ar programmatūras palīdzību tādējādi, ka viens centrālā procesora bloks konstatē otra centrālā procesora pieļauto kļūmi un atjauno uzdevumus no bojātā bloka.
b.
digitālie datori, kuru koriģētā maksimālā jauda (APP) ir lielāka par 0,75 TeraFLOPS;
c.
elektroniski mezgli, kas īpaši izgatavoti, vai pielāgoti, lai veicinātu ātrdarbību, apvienojot procesorus tā, ka to APP ir lielāka par punktā 4A003.b. pozīcijā minēto robežlielumu; 1. piezīme. 4A003.c. pozīcija attiecas tikai uz elektroniskiem mezgliem un programmējamiem savienotājelementiem, kuri nepārsniedz 4A003.b. pozīcijā noteikto robežu, ja tos piegādā kā atsevišķus elektroniskos mezglus. Tas neattiecas uz elektroniskiem mezgliem, kuri konstrukcijas dēļ paredzēti tādam lietojumam kā 4A003.e. pozīcijā minētās saskarīgās iekārtas. 2. piezīme. Saskaņā ar 4A003.c. pozīciju kontroli neattiecina uz elektroniskiem mezgliem, kas paredzēti izstrādājumam vai izstrādājumu grupai, kuru maksimālā konfigurācija nepārsniedz 4A003.b. pozīcijā noteikto robežu.
d.
neizmanto;
e.
iekārtas, kas analogu informāciju konvertē digitālā informācijā un kuru parametri pārsniedz pozīcijā 3A001.a.5. minētos robežlielumus;
f.
neizmanto;
g.
iekārtas, kas īpaši paredzētas digitālu datoru vai ar tiem saistīto iekārtu savstarpējai savienošanai, un kas nodrošina savstarpējus sakarus ar datu apmaiņas ātrumu virs 1,25 GB/s. Piezīme. Saskaņā ar 4A003.g. pozīciju kontroli neattiecina uz iekšējām savstarpējo savienojumu iekārtām (piemēram, aizmugures paneļiem, kopnēm), pasīvu savienojumu iekārtām, tīkla pieslēguma vadības ierīcēm vai sakaru kanāla vadības ierīcēm.
a.
sistolisku bloku datori;
b.
neirāli datori;
c.
optiski datori.
4BIzmēģinājumu, pārbaudes un ražošanas iekārtas
Nav.
4CMateriāli Nav.
4DProgrammatūra
Piezīme.Programmatūrai, kas paredzēta citās kategorijās aprakstītu iekārtu izstrādei, ražošanai vai lietošanai, kontroles režīms aprakstīts attiecīgajā kategorijā. Šeit aprakstīts šajā kategorijā minēto iekārtu programmatūras kontroles režīms. 4D002Programmatūra, kas īpaši izstrādāta vai pārveidota 4E pozīcijā minētās tehnoloģijas atbalstam. 4D003Īpaša programmatūra, tas ir:
4D001a. Programmatūra, kas īpaši izstrādāta vai pārveidota 4A001 līdz 4A004 vai 4D pozīcijā minēto iekārtu vai programmatūrasizstrādāšanai, ražošanai vai lietošanai.
b.
Programmatūra, izņemot pozīcijā 4D001.a. minēto, kas īpaši izstrādāta vai pārveidota, lai izstrādātu vai ražotu:
1. digitālus datorus, kuru koriģētā maksimālā jauda ir lielāka par 0,04 TeraFLOPS (WT); vai
2. elektroniskus mezglus, kas īpaši izgatavoti vai pielāgoti, lai palielinātu ātrdarbību, apvienojot procesorus tā, ka to kopējā APP ir lielāka par punktā 4D001.b.1. pozīcijā paredzēto robežlielumu;
a.
operāciju sistēmu programmatūra, programmatūras izstrādes instrumentārijs un kompilatori, kas īpaši izstrādāti multidatu plūsmas apstrādes iekārtāmavota kodā;
b.
neizmanto;
c.
programmatūra, kuras parametri vai realizējamās funkcijas pārsniedz 5. kategorijas 2. daļā (Informācijas drošība) noteiktos ierobežojumus. Piezīme. Saskaņā ar 4D003.c. pozīciju kontroli neattiecina uz programmatūru, ja tā ir līdzi lietotājam, un tā ir paredzēta lietošanai personīgām vajadzībām.
4ETehnoloģija
4E001a. Tehnoloģijas 4A vai 4D pozīcijā minēto iekārtu vai programmatūrasizstrādāšanai, ražošanai vai lietošanai saskaņā ar vispārējo piezīmi par tehnoloģijām.
b.
Tehnoloģija, izņemot 4E001.a. pozīcijā minēto, kas īpaši izstrādāta vai pārveidota, lai izstrādātu vai ražotu:
1. digitālus datorus, kuru koriģētā maksimālā jauda ir lielāka par 0,04 TeraFLOPS (WT); vai
2. elektroniskie mezgli, kas īpaši izgatavoti vai pielāgoti, lai palielinātu ātrdarbību, apvienojot procesorus tā, ka bloka APP ir lielāka par punktā 4E001.b.1 pozīcijā paredzēto robežlielumu.
TEHNISKA PIEZĪME PAR KOMPLEKSO TEORĒTISKO ĀTRDARBĪBU (CTP)
Šajā tehniskajā piezīmē izmantotie saīsinājumi
CE skaitļošanas elements (parasti aritmētiskās loģikas bloks) FP peldošais komats XP fiksētais komats t izpildīšanas laiks XOR loģiskās izslēgšanas operācija CPU centrālais procesors TP kompleksā teorētiskā ātrdarbība (vienam CE) CTP kompleksā teorētiskā ātrdarbība (vairākiem CE) R faktiskais skaitļošanas ātrums WL vārda garums L korekcija pēc vārda garuma × reizināt izpildīšanas laiku t izsaka mikrosekundēs, TP un CTP izsaka miljonos teorētisko operāciju sekundē (Mtops) un WL izsaka bitos (b)
CTP aprēķinu metodes īss apraksts
CTP ir skaitļošanas efektivitātes mērs, ko izsaka Mtops. CTP vairākiem CE, aprēķina trijos posmos: Turpmākajās sadaļās šie posmi aprakstīti sīkāk. 1. piezīme. Vairāku CE agregācijām, kuras satur gan vispārinātas, gan nevispārinātas atmiņas apakšsistēmas, CTP aprēķinu veic hierarhiski, divos posmos: pirmkārt, apvieno CTP grupas ar kopīgi izmantojamu atmiņu; otrkārt, aprēķina grupu CTP, izmantojot aprēķinu metodi vairākiem CE bez kopīgi izmantojamas atmiņas. 2. piezīme.CE, kuru darbība ierobežota ar ieejas/izejas un perifērijas funkcijām (piemēram, diska vadību, sakaru līniju un videoekrānu kontrolieri), CTP aprēķinā neietver.
1. nosaka katra CE faktisko skaitļošanas ātrumu R;
2. aprēķina katra CE teorētisko efektivitāti (TP), faktisko skaitļošanas ātrumu (R) koriģējot pēc vārda garuma (L);
3. ja ir vairāk par vienu CE, apvieno to teorētiskās ātrdarbības vērtības, iegūstot CTP agregācijai.
TEHNISKA PIEZĪME PAR CTP
Tabulā parādīta faktiskā skaitļošanas ātruma R aprēķināšana atsevišķam CE: 1. posms: Faktiskais skaitļošanas ātrums R CE, kuri izpilda Piezīme. Katrs CE jāizvērtē atsevišķi: Faktiskais skaitļošanas ātrums R tikai XP Rxp = 13 × txp add ja nesummē, izpildīt šādu operāciju: Rxp = 1txp mult ja nesummē vai nereizina, izpildīt šo aritmētisko operāciju, kas no visām pieejamām operācijām ir visātrāk veicamā: Rxp = 13 × txp Skat. piezīmes X un Z tikai FP Rfp = max 1tfp add, 1tfp mult Skat. piezīmes X un Y FP un XP (R) aprēķiniet R xp un R fp vienkāršiem loģiskajiem procesoriem, kas neizpilda nevienu no minētajām aritmētiskajām operācijām; R = 13 × tlog kur tlog ir XOR izpildes laiks vai – loģikas aparatūrām – visātrāk veicamā vienkāršā loģiskā operācija Skat. piezīmes X un Z īpašajiem loģiskajiem procesoriem, kas neizpilda nevienu no minētajām aritmētiskajām vai loģiskajām operācijām. R = R' × WL/64 kur R' ir rezultātu skaits sekundē, WL ir bitu skaits, kas izmantots loģikas operācijas izpildīšanai, un 64 ir normalizācijas koeficients 64 bitu operācijai W piezīme. Var aprēķināt konveijera ātrumu tādiem CE, kas saslēgti konveijerā un var izpildīt līdz vienai aritmētiskajai vai loģiskajai operācijai katrā ciklā, kad konveijers ir piepildīts. Faktiskais skaitļošanas ātrums (R) tādiem CE ir konveijera ātrums vai izpildīšanas ātrums, nelietojot konveijeri. X piezīme.CE, kuri izpilda specifiskas daudzkārtējas operācijas vienā ciklā (piemēram, divas summēšanas vai divas identiskas loģiskās operācijas ciklā), izpildes laiks t ir: t =cikla ilgumuidentiskas operācijas vienā ciklā CE, kuri izpilda dažāda tipa aritmētiskās vai loģiskās operācijas vienā ciklā, ir jātraktē kā atsevišķi daudzkārtīgi CE, kuri darbojas reizē (piemēram, CE, kurš izpilda summēšanu un reizināšanu vienā ciklā, traktējams kā divi CE, pirmais izpilda summēšanu vienā ciklā un otrais izpilda reizināšanu vienā ciklā). Ja vienam CE ir gan skalārā, gan vektora funkcija, jāizmanto īsākā izpildīšanas laika vērtība. Y piezīme.CE, kas nesummē vai nereizina ar FP, bet veic dalīšanu ar FP: Rfp = ltfp divide Ja CE apgrieztās vērtības aprēķina ar FP, bet nesummē, nereizina vai nedala ar FP: Rfp = ltfp reciprocal Ja nav nevienas no minētajām instrukcijām, tad faktiskais FP ātrums ir 0. Z piezīme. Vienkāršās loģiskās operācijās viena instrukcija izpilda vienu loģisku darbību ar ne vairāk kā diviem noteikta garuma operandiem. Kompleksās loģiskās operācijās viena instrukcija izpilda vairākas loģiskas darbības, lai no diviem vai vairākiem operandiem iegūtu vienu vai vairākus rezultātus. Ātrumus aprēķina visiem atbalstīto operandu garumiem, ņemot vērā gan konveijerā saslēgtās operācijas (ja tās ir atbalstītas), gan tās nesaslēgtās operācijas, kas izmanto visātrākās izpildīšanas instrukciju katram operanda garumam: Katrā iepriekšminētajā gadījumā izmanto īsāko izpildīšanas laiku, ko norādījis ražotājs. 2. posms.: TP katra atbalstīta operanda garumam WL Nosaka faktisko ātrumu R (vai R') pēc korekcijas ar vārda garumu L, tas ir: Piezīme. Vārda garums WL, ko izmanto šajos aprēķinos, ir operanda garums bitos. (Ja operācija izmanto dažāda garuma operandus, izvēlas lielāko vārda garumu.) CTP aprēķiniem peldošā komata procesora vai vienības mantisas ALU un eksponentes ALU kombināciju uzskata par vienu CE ar vārda garumu (WL), kas ir vienāds ar bitu skaitu datu attēlojumā (parasti 32 vai 64). Šo korekciju nelieto specializētajiem loģiskajiem procesoriem, kuros neizmanto XOR instrukcijas. Tādā gadījumā TP = R. Izvēlas maksimālo iegūto TP vērtību: 3. posms.: CTP noteikšana CE agregācijām, ieskaitot CPU CPU ar vienu CE; CTP = TP (CE, kuri izpilda gan fiksēta, gan peldoša komata operācijas TP = max (TPfp, TPxp) CE agregācijām, kas darbojas reizē, CTP nosaka šādi: 1. piezīme. Agregācijām kurās visi CE nevar darboties reizē, jāizmanto vislielākā CTP, kuru var nodrošināt CE iespējamās kombinācijas. Katra CE ieguldījumu TP aprēķina pie tās maksimālās vērtības, kas ir teorētiski iespējama pirms CTP kombinācijas izveidošanas. NB! Lai tiem CE, kas darbojas reizē, noteiktu iespējamās kombinācijas, jāizveido instrukciju secība, kura izsauks operācijas vairākos CE, sākot ar vislēnāko CE (kuram ir vajadzīgs vislielākais ciklu skaits, lai pabeigtu to darbību) un beidzot ar visātrāko CE. Jebkura kombinācija no tādiem CE, kuri ir darbībā šajā secību ciklā, ir iespējamā kombinācija. Instrukciju secībā jāņem vērā visas iekārtas un/vai arhitektūras ierobežojumi operācijām, kas pārsedzas. 2. piezīme. Vienā integrālā mikroshēmā vai mikroshēmu mezglā uz plates var būt vairāki CE. 3. piezīme. Var uzskatīt, ka vienlaicīgas operācijas eksistē, ja datora lietošanas instrukcijā ražotājs tās ir deklarējis par konkurējošām, paralēlām vai vienlaicīgām operācijām vai darbībām. 4. piezīme.CE kombinācijām, kuras ir (savstarpēji) savienotas ar vietējiem tīkliem, teritoriālajiem tīkliem, vispārēji pieejamām ievadizvades ierīcēm, ievadizvades kontrolieriem vai jebkuru ar programmatūras palīdzību īstenojamu sakaru iekārtu, CTP vērtības nevar apvienot. 5. piezīme.CTP vērtības jāapvieno vairākiem CE, kas paredzēti, lai palielinātu efektivitāti, izmantojot agregāciju, un kuri darbojas reizē, un sadalītās atmiņas vai daudzkārtīgās atmiņas CE kombinācijās, kuras darbojas, reizē izmantojot specializētu aparatūru. Šāda agregācija neattiecas uz 4A003.c. pozīcijā aprakstītajiem elektroniskiem mezgliem. CTP = TP1 + C2 × TP2 + … + Cn × TPn, kur TP vērtības sakārtotas pēc vērtības un TP1 ir vislielākā, TP2 — nākošā vislielākā, ..., un TPn — vismazākā. Ci ir koeficients, kas atkarīgs no savstarpējās saites stipruma starp vairākiem CE un ko aprēķina šādi: vairākiem CE, kas darbojas reizē un dala atmiņu: 1. piezīme. Ja CTP ir aprēķināta ar iepriekš minēto metodi un nepārsniedz 194 Mtops, Ci var aprēķināt ar formulu: Ci = 0,75m(i = 2,…,n) kur m = CE vai CE grupu skaits, kuriem ir kopīga pieeja, ar noteikumu, ka: NB! Tas neattiecas uz precēm, kuru kontroles režīms noteikts 3. kategorijā. 2. piezīme.CE dala piekļuvi atmiņai, ja tie izmanto atmiņai kopīgu pastāvīgās atmiņas segmentu. Šī atmiņa ietver buferatmiņu, galveno atmiņu vai citu iekšējo atmiņu. Netiek ietvertas perifērās atmiņas iekārtas, piemēram, diskdziņi, lenšdziņi vai brīvpiekļuves atmiņas diski (RAM diski). Daudzkārtīgiem CE vai to grupām, kuras nedala atmiņas piekļuvi un ir savstarpēji saistītas ar vienu vai vairākiem sakaru kanāliem: Ci Ci vērtību nosaka pēc CE skaita, nevis pēc mezglu skaita, kur ki min (Si/Kr, 1), un Kr normalizācijas koeficients uz 20 MB/s Si maksimālo ātrumu summa (MB/s) visiem datu kanāliem, kuri saistīti ar kopīgi izmantojamas atmiņas i-to CE vai CE grupu. Aprēķinot CiCE grupai, pirmā CE numurs grupā nosaka īsto Ci limitu. Piemēram, grupu agregācijai ar 3 CE katrā grupā 22. grupā ietilpst CE 65 un CE 66. Īstais Ci limits šai grupai ir 0,60. CE vai CE grupu agregācijai jābūt no visātrākā uz vislēnāko, t.i.: gadījumā, ja PTi = PTi + 1, no vislielākā uz vismazāko, t.i.: Piezīme. Koeficientu ki neizmanto 2–12 CE, ja TPiCE vai CE grupai ir lielāks par 50 Mtops, t.i., 2–12 CE ir 0,75.
1. saslēgti konveijerā vai operācijām no reģistra uz reģistru. Izslēdz ārkārtīgi īsus izpildīšanas laikus operācijām ar iepriekš noteiktu operandu vai operandiem (piemēram, reizināšana ar 0 vai 1). Ja nav nevienas no operācijām no reģistra uz reģistru, tad turpina ar 2. punktu;
2. īsākās operācijas no reģistra uz atmiņu vai no atmiņas uz reģistru; ja nav arī to, turpina ar 3. punktu;
3. no atmiņas uz atmiņu.
TP = R × L kur L = (1/3 + WL/96)
katram CE ar tikai XP (R xp);
katram CE ar tikai FP (Rfp);
katram kombinētam CE ar FP un XP (R);
katram vienkāršam loģiskajam procesoram, kas neizpilda nevienu no minētajām aritmētiskajām operācijām; un
katram īpašajam loģiskajam procesoram, kas neizpilda nevienu no minētajām aritmētiskajām vai loģiskajām operācijām.
C2 = C3 = C4 = … = Cn = 0,75.
1. katra CE vai CE grupas TPi nepārsniedz 30 Mtops;
2. CE vai CE grupām ir kopīga vienkanāla piekļuve pie galvenās atmiņas (izņemot buferatmiņu); un
3. kanālu reizē var izmantot tikai viens CE vai viena CE grupa.
= 0,75 × ki (i = 2, …, 32) (Skat. piezīmi turpmāk)
= 0,60 × ki (i = 33, …, 64)
= 0,45 × ki (i = 65, …, 256)
= 0,30 × ki (i > 256)
TP1 ≥ TP2 ≥ … ≥ TPn, un
Ci ≥ Ci + 1
TEHNISKA PIEZĪME PAR KORIĢĒTO MAKSIMĀLO JAUDU (APP)
APP ir koriģēta maksimālā jauda, kādā digitāli datori veic 64-bitu vai apjomīgāku summēšanu un reizināšanu peldošā komata režīmā. APP izsaka svērtās TeraFLOPS (WT) vienībās, pa peldošā komata 1012 koriģētām darbībām sekundē. Tehniskajā piezīmē lietotie saīsinājumi n procesoru skaits digitālā datorā i procesora skaitlis (i,...n) ti procesora cikla ilgums (ti = 1/Fi) Fi procesora frekvence Ri maksimālais peldošā komata skaitļošanas ātrums Wi arhitektūras korekcijas koeficients Īss izklāsts par APP aprēķinu metodi 1. piezīme. Procesoriem, kas cikliski veic saliktas operācijas, piemēram, saskaitīšanu un reizināšanu, ņem vērā katru operāciju. 2. piezīme. Virknē slēgtiem procesoriem faktiskais skaitļošanas ātrums R ir ātrākais no virknes ātrumiem, kad virkne ir pilna, vai ātrums ārpus virknes. 3. piezīme. Katra iesaistītā procesora skaitļošanas ātrums R jāaprēķina atbilstīgi teorētiski iespējamai maksimālai vērtībai, pirms atvasina bloka APP. Pieņem, ka operācijas notiek reizē, ja datora ražotājs datora rokasgrāmatā vai brošūrā apliecina, ka dators operācijas veic vai izpilda līdztekus, paralēli vai reizē. 4. piezīme. Aprēķinot APP, neņem vērā procesorus, kuri paredzēti vienīgi ievadei/izvadei un perifērām funkcijām (piem., ārējiem cietajiem diskiem, komutācijai un videoekrāniem). 5. piezīme.APP vērtības neaprēķina tādu procesoru blokiem, kas ir (savstarpēji) savienoti vietējos tīklos, teritoriālos tīklos, ar vispārēji pieejamām ievades un izvades ierīcēm, ievades un izvades kontrolieriem vai jebkādu ar programmatūru īstenojamu sakaru iekārtu. 6. piezīme.APP vērtības jāaprēķina: 7. piezīme.Vektorprocesors ir procesors ar iebūvētām instrukcijām, kas reizē veic daudzkārtējus peldošā komata vektoru aprēķinus (viendimensijas bloki no 64 bitu vai lielākiem skaitļiem), un kam ir vismaz 2 vektoru funkcionālas vienības un vismaz 8 vektoru reģistri, kuri katrs sastāv no vismaz 64 elementiem.
1. Piezīme. Katram procesora i nosaka maksimālo skaitu 64-bitu vai apjomīgāku peldošā komata operāciju, FPOi, ko vienā ciklā veic katrs digitālā datora procesors. Nosakot FPO, ņem vērā tikai 64-bitu vai apjomīgākas peldošā komata summēšanas un/vai reizināšanas darbības. Visas peldošā komata operācijas jāizsaka operācijās procesora cikla izteiksmē; operācijas, kam vajadzīgi vairāki cikli, var izteikt kā daļu no rezultāta vienā ciklā. Procesoriem, kas nespēj veikt aprēķinus par 64 bitu vai lielākiem peldošā komata operandiem, faktiskais skaitļošanas ātrums R ir nulle.
2. Aprēķina peldošā komata ātrumu R katram procesoram Ri = FPOi/ti.
3. Aprēķina APP pēc šādas formulas APP = W1 x R1 + W2 x R2 + … + Wn x Rn.
4. Vektorprocesoriem, Wi = 0.9. Procesoriem, kas nav vektorprocesori, Wi = 0.3.
1. procesoru blokiem, kuros ir procesori, kas īpaši izstrādāti, lai paātrinātu ātrdarbību, tos apvienojot, tiem darbojoties reizē un izmantojot kopīgu atmiņu, vai
2. daudzkārtīgas atmiņas/procesoru blokiem, kas darbojas reizē, izmantojot īpašu aparatūru.
5. KATEGORIJA TĀLSAKARI UN INFORMĀCIJAS DROŠĪBA
1. DAĻA TĀLSAKARI
1. piezīme. Kategorijas 1. daļā definēts kontroles režīms komponentiem, lāzeriem, pārbaudes un ražošanas iekārtām, materiāliem un programmatūrai, kas īpaši izstrādātas sakaru iekārtām un sistēmām. 2. piezīme.Digitālie datori ar saistītām iekārtām vai programmatūru, kuri ir vajadzīgi šajā kategorijā aprakstīto sakaru iekārtu darbībai un atbalstam, ir jāuzskata par īpaši projektētiem komponentiem, ja tie ir ražotāja piegādātās produkcijas standartparaugi. Pie tiem pieder arī operatīvās, tehniskās apkopes, administrēšanas, inženieru un rēķinu sastādīšanas datoru sistēmas.
5A1Sistēmas, iekārtas un to sastāvdaļas Tehniska piezīme.
5A101Telemetrijas un tālvadības iekārtas, arī uz sauszemes bāzētās ierīces, ko var izmantot raķetēm. Raķetes 5A101 pozīcijā ir pilnīgas raķešu sistēmas un bezpilota lidaparātu sistēmas, kuru darbības rādiuss ir vismaz 300 km. Piezīme. Saskaņā ar 5A101 pozīciju kontroli neattiecina uz:
5A1Sistēmas, iekārtas un to sastāvdaļas
5A001a. Visu tipu sakaru iekārtas ar jebkuru no šiem raksturlielumiem, funkcijām vai īpašībām: Piezīme. Saskaņā ar 5A001.a.2. un 5A001.a.3. pozīciju kontroli neattiecina uz aparatūru, kas īpaši izgatavota vai pielāgota uzstādīšanai kosmiskos pavadoņos.
5A001a.
1. iztur kodolsprādziena radītā īslaicīgo elektronisko efektu un elektromagnētiskā impulsa iedarbību;
2. ar īpašu aizsardzību pret gamma, neitronu starojumu vai jonu radiācijas iedarbību; vai
3. var darboties temperatūrā, kas zemāka par 219 K (– 54 °C) un augstāka par 397 K (124 °C). Piezīme. 5A001.a.3. pozīcija attiecas tikai uz elektroniskām iekārtām.
b.
Sakaru iekārtu pārraides iekārtas vai sistēmas, kā arī to īpašas sastāvdaļas komponenti un piederumi, kam ir kāds no šiem raksturlielumiem, funkcijām vai īpašībām:
1. zemūdens sakaru sistēmas, kam ir kāda no šīm īpašībām:
1. a.
akustiskā nesējfrekvence ir ārpus diapazona joslas no 20 līdz 60 kHz;
b.
izmanto elektromagnētisko nesējfrekvenci, kas mazāka par 30 kHz; vai
c.
izmanto elektronstaru vadības tehniku;
2. radioiekārtas, kas darbojas frekvenču joslā no 1,5 MHz līdz 87,5 MHz un kam ir jebkuras no šīm īpašībām:
2. a.
izmanto adaptīvus paņēmienus, kas nodrošina traucētāju signālu slāpēšanu vismaz par 15 dB; vai
b.
kam ir sekojoši raksturlielumi:
1. automātiski nosaka un izvēlas frekvences un kopējo digitālu datu pārsūtīšanas ātrumu katram kanālam, lai optimizētu pārraidi; un
2. tam ir lineāra jaudas pastiprinātāju konfigurācija, kas spēj nodrošināt vairāku signālu pastiprinājumu reizē, ar izejas jaudu 1 kW vai vairāk 1,5 līdz 30 MHz frekvenču diapazonā vai vismaz 250 W 30 līdz 87,5 MHz frekvenču diapazonā ar vienas oktāvas vai lielāku momentāno joslas platumu un par - 80 dB labāku harmoniskiem izejas kropļojumiem;
3. radioiekārtas, kurās izmanto spektra izkliedes vai frekvences maiņas (lēkājošas frekvences ) paņēmienus, kas nav norādīti 5A001.b.4. pozīcijā, un kam ir kāda no šīm īpašībām: Piezīme. Saskaņā ar 5A001.b.3. pozīciju kontroli neattiecina uz iekārtām, kuru izejas jauda ir 1,0 W vai mazāka.
3. a.
tām ir lietotāju programmējami izkliedes kodi; vai
b.
kopējais pārraidāmo frekvenču joslas platums ir vismaz 100 reižu lielāks par jebkura informācijas kanāla joslas platumu un pārsniedz 50 kHz; Piezīme. Saskaņā ar 5A001.b.3.b. pozīciju kontroli neattiecina uz radioiekārtām, kas īpaši paredzētas mobilo radiosakaru sistēmām, ko izmanto civilām vajadzībām.
4. radioiekārta, kas izmanto īpašas platjoslas modulāciju paņēmienu ar programmējamiem kanālu sadales kodiem šifrēšanas kodiem vai tīkla identifikācijas kodiem un kam piemīt kāda no šīm īpašībām:
4. a.
joslas platums lielāks par 500 MHz; vai
b.
frakcionēts frekvenču joslas diapazons ir 20 % vai lielāks;
5. digitāli kontrolēta radio uztvērējiekārta ar visām šīm īpašībām:
5. a.
vairāk nekā 1000 termināļu;
b.
frekvenču pārslēgšanās laiks ir mazāks par 1 ms;
c.
automātiska elektromagnētiskā spektra daļas pārmeklēšana vai skenēšana; un
d.
kas identificē uztvertos signālus vai raidītāja tipu; vai Piezīme. Saskaņā ar 5A001.b.5. pozīciju kontroli neattiecina uz radioiekārtām, kas īpaši paredzētas mobilo radiosakaru sistēmām, ko izmanto civilām vajadzībām.
6. Tehniskas piezīmes.
izmanto digitālu signālu apstrādi, lai nodrošinātu balss kodējumu kodēšanu ar ātrumu, mazāku par 2400 bitiem/sekundē.
1. Mainīga ātruma balss kodēšanā pozīciju 5A001.b.6. attiecina uz pastāvīgas runas balss kodēšanu.
2. 5A001.b.6. pozīcijas nozīmē balss kodēšana ir definēta kā paņēmiens cilvēka balss paraugu ņemšanai un šo paraugu pārvēršanai digitālos signālos, kuros ņemtas vērā cilvēka balss īpatnības.
c.
optisko šķiedru sakaru kabeļi, optiskās šķiedras un piederumi, tas ir:
1. Tehniska piezīme.
optiskās šķiedras, kas garākas par 500 m, un pēc ražotāja datiem spēj izturēt pārbaudes testa stiepes spriegumu 2 × 109 N/m2 vai vairāk; Izturības pārbaude: pievienotu vai nepievienotu produkciju pārbauda 0,5—3 m garai šķiedrai, dinamiski pietiekot noteikto slodzi, velkot šķiedru caur divām grieztuvēm apmēram 150 mm diametrā. Vides standartapstākļi: temperatūra ir 293 K (20 °C), relatīvais mitrums ir 40 %. Izturības pārbaudi var veikt arī pēc attiecīgajiem valstu standartiem.
2. optisko šķiedru kabeļi un to piederumi, kas paredzēti lietošanai zem ūdens; Piezīme. Saskaņā ar 5A001.c.2. pozīciju kontroli neattiecina uz standarta civilajiem sakaru kabeļiem un to piederumiem. NB! Zemūdens savienojošos kabeļus un to savienotājus Skat. 8A002.a.3. pozīcijā. NB! Šķiedru optikas izvadus caur kuģa korpusu un attiecīgos savienotājus Skat. 8A002.c. pozīcijā.
d.
elektroniski vadāmas fāzētu bloku antenas, kas darbojas virs 31,8 GHz; Piezīme. Saskaņā ar 5A001.d. pozīciju kontroli neattiecina uz ICAO standartiem atbilstošām elektroniski vadāmām fāzētu bloku antenām, kas paredzētas nolaišanās vadības sistēmām ar instrumentiem, kas atbilst ICAO noteiktajiem nolaišanās vadības mikroviļņu sistēmām (MLS) noteiktajām prasībām.
e.
radiopeilēšanas ierīces ar darba frekvenci, lielāku par 30 MHz, un kam ir visas uzskaitītās īpašības, un tām īpaši izstrādātas sastāvdaļas:
1. momentānais joslas platums ir 10 MHz vai lielāks; un
2. spēja noteikt peilējuma līnijas (LOB) uz pasīviem radio raidītājiem, kuru raidītu signālu ilgums ir mazāks par 1 ms;
f.
traucētājierīces, kas īpaši izstrādātas vai pielāgotas apzinātai un selektīvai mobilo tālsakaru traucēšanai, nomākšanai, kavēšanai, bojāšanai vai novirzīšanai, kā arī tām īpaši izstrādātas sastāvdaļas, un kurām ir šādas īpašības: N.B.! Par GNSS traucētājierīcēm skat. militāro preču kontroles sarakstus
1. imitē radio piekļuves tīkla (RAN) iekārtu funkcijas; vai
2. nosaka un izmanto lietotā tālsakaru protokola (piem., GSM) konkrētās īpašības.
5A1Sistēmas, iekārtas un to sastāvdaļas Tehniska piezīme. a.
iekārtām, kas konstruētas vai pārveidotas pilotējamiem lidaparātiem vai pavadoņiem;
b.
sauszemes bāzētas ierīces, kas konstruētas vai pārveidotas lietošanai uz sauszemes vai jūrā;
c.
iekārtām, kas izstrādātas GNSS komerciālajiem, civilajiem vai dzīvības drošības (piem., datu integritātes, lidojumu drošības) dienestiem.
5B1Izmēģinājumu, pārbaudes un ražošanas iekārtas
5B001a. Iekārtas, to īpašas sastāvdaļas un piederumi, kas paredzēti 5A001, 5B001, 5C001, 5D001 vai 5E001 pozīcijā minēto iekārtu, funkciju vai īpašību izstrādei, ražošanai vai lietošanai. Piezīme. Saskaņā ar 5B001.a. pozīciju kontroli neattiecina uz optiskās šķiedras raksturošanas iekārtām.
b.
Iekārtas, to īpašas sastāvdaļas un piederumi, kas paredzēti šādu sakaru līdzekļu pārraides vai komutācijas iekārtu izstrādei:
1. Tehniska piezīme.
iekārtas, kurās izmanto digitālas tehnoloģijas, kas paredzētas darbam, ja kopējais digitālo datu pārsūtīšanas ātrums pārsniedz 15 Gbitus/s; Komutācijas iekārtām kopējais digitālo datu pārsūtīšanas ātrumu aprēķina, lietojot visātrāko portu vai līniju.
2. iekārtas, kurās izmanto lāzeru un kam ir kāds no šiem raksturlielumiem:
2. a.
pārraides viļņu garumu, kas ir lielāks par 1750 nm;
b.
veic optisko pastiprināšanu;
c.
izmanto koherentās optiskās pārraides vai koherentās optiskās detektēšanas metodi (ko sauc arī par optiskām heterodīna vai homodīna metodēm); vai
d.
izmanto analogās tehnoloģijas, un joslas platums pārsniedz 2,5 GHz; Piezīme. Saskaņā ar 5B001.b.2.d. pozīciju kontroli neattiecina uz iekārtām, kas īpaši paredzētas komerciālo TV sistēmu izstrādei.
3. iekārtas, kurās izmanto optisko komutāciju;
4. radioiekārtas, kurās izmanto kvadrātiskās amplitūdas modulācijas (QAM) metodi virs 256. līmeņa; vai
5. iekārtas, kurās izmanto vienkanāla signalizāciju un kuras darbojas nesaistītā režīmā.
5C1Materiāli Nav.
5D1Programmatūra
5D101Programmatūra, kas īpaši izstrādāta vai pārveidota 5A101 pozīcijā minēto preču lietošanai.
5D001a. Programmatūra, kas īpaši konstruēta vai pārveidota 5A001 vai 5B001 pozīcijā minēto iekārtu, funkciju vai raksturlielumu izstrādei, ražošanai vai lietošanai.
b.
Programmatūra, kas īpaši izstrādāta vai pārveidota 5E001 pozīcijā minētās tehnoloģijas atbalstam.
c.
Īpaša programmatūra, kas īpaši izstrādāta vai pārveidota, lai nodrošinātu 5A001 vai 5B001 pozīcijā minēto iekārtu parametrus, funkcijas vai raksturlielumus.
d.
Programmatūra, kas īpaši izstrādāta vai pārveidota šādu sakaru ierīču pārraides vai komutācijas iekārtu izstrādei:
1. Tehniska piezīme.
iekārtas, kurās izmanto digitālas tehnoloģijas, kas paredzētas darbam, kopējam digitālo datu pārsūtīšanas ātrumam pārsniedzot 15 Gbiti/s; Komutācijas iekārtām kopējais digitālo datu pārsūtīšanas ātrumu aprēķina, lietojot visātrāko portu vai līniju.
2. iekārtas, kurās izmanto lāzeru un kam ir kāds no šiem raksturlielumiem:
2. a.
pārraides viļņu garumu, kas ir lielāks par 1750 nm; vai
b.
izmanto analogās tehnoloģijas, un joslas platums pārsniedz 2,5 GHz; Piezīme. Saskaņā ar 5D001.d.2.b. pozīciju kontroli neattiecina uz programmatūru, kas īpaši izstrādāta vai pārveidota komerciālu TV sistēmu izstrādei.
3. iekārtas, kurās izmanto optisku komutāciju; vai
4. radioiekārtas, kurās izmanto kvadrātiskās amplitūdas modulācijas (QAM) metodi virs 256. līmeņa.
5E1Tehnoloģija
5E101Tehnoloģijas 5A101 pozīcijā minēto iekārtu izstrādei, ražošanai vai lietošanai saskaņā ar vispārējo piezīmi par tehnoloģijām.
5E001a. Tehnoloģijas, kas paredzētas 5A001, 5B001 vai 5D001 pozīcijā minēto iekārtu, funkciju, raksturlielumu vai programmatūruizstrādei, ražošanai vai lietošanai (izņemot ekspluatāciju) saskaņā ar vispārējo piezīmi par tehnoloģijām.
b.
Īpašas tehnoloģijas, tas ir:
1. vajadzīgāstehnoloģijas kosmiskajos pavadoņos izmantošanai paredzēto sakaru iekārtu izstrādei un ražošanai;
2. tehnoloģijaslāzeru sakaru tehnikas izstrādei vai lietošanai izstrādei, kas dotu iespēju automātiski uztvert un sekot signāliem, kā arī uzturēt sakarus caur ārpusatmosfēras vai zemūdens vidi;
3. tehnoloģija digitālu mobilo bāzes radio staciju uztvērējiekārtu izstrādei, kuru uztvērējīpašības, kas dod iespēju veikt daudzjoslu, daudzkanālu, daudzmodu, daudzkodēšanas algoritma vai daudzprotokolu darbības, var pārveidot, veicot pārmaiņas programmatūrā;
4. tehnoloģijasspektra izkliedes metožu, ieskaitot frekvenču lēciena paņēmienu, izstrādei.
c.
tehnoloģijas saskaņā ar GTN šādu sakaru līdzekļu pārraides vai komutācijas iekārtu, funkciju vai raksturlielumu izstrādei vai ražošanai:
1. Tehniska piezīme.
iekārtas, kurās izmanto digitālas tehnoloģijas, kas paredzētas darbam, kur kopējais digitālo datu pārsūtīšanas ātrums pārsniedz 15 Gbit/s; Komutācijas iekārtām kopējais digitālo datu pārsūtīšanas ātrumu aprēķina, lietojot visātrāko portu vai līniju.
2. iekārtas, kurās izmanto lāzeru un kam ir kāds no šiem raksturlielumiem:
2. a.
pārraides viļņu garumu, kas ir lielāks par 1750 nm;
b.
veic optisko pastiprināšanu, izmantojot ar prazeodīmu leģētu fluora šķiedru pastiprinātājus (PDFFA);
c.
izmanto koherentās optiskās pārraides vai koherentās optiskās detektēšanas metodi (ko sauc arī par optiskām heterodīna vai homodīna metodēm);
d.
izmanto multipleksās viļņu garuma dalīšanas paņēmienus, pēc kuriem vienā optiskā logā ir vairāk nekā 8 optiskie nesēji; vai
e.
izmanto analogās tehnoloģijas, un joslas platums pārsniedz 2,5 GHz; Piezīme. Saskaņā ar 5E001.c.2.e. pozīciju kontroli neattiecina uz tehnoloģijām komerciālo TV sistēmu izstrādei vai ražošanai.
3. iekārtas, kurās izmanto optisko komutāciju;
4. radioiekārtas, kam ir kāda no šīm īpašībām:
4. a.
izmanto kvadrātiskās amplitūdas modulācijas (QAM) metodi virs 256.; vai
b.
darbojas pie izejas vai ieejas frekvencēm virs 31,8 GHz; vai Piezīme. Saskaņā ar 5E001.c.4.b. pozīciju kontroli neattiecina uz tehnoloģijām tādu iekārtu izstrādei vai ražošanai, kuras īpaši izstrādātas vai pārveidotas jebkurā ITU atļautajā frekvenču joslā darbam radiosakaru pakalpojumu sniegšanai, izņemot radiopeilēšanu.
5. iekārtas, kurās izmanto vienkanāla signalizāciju un kuras darbojas nesaistītā režīmā.
2. DAĻA 3. piezīme. Tehniska piezīme. INFORMĀCIJAS DROŠĪBA Piezīme par kriptogrāfiju
1. piezīme.Informācijas drošības kontroles režīms iekārtām, programmatūrai, sistēmām, kā arī īpašu elektronisko mezglu, moduļu un integrālo shēmu, komponentu vai funkciju izmantošanai noteikts 5. kategorijas 2. daļā arī tad, ja tie ir citu iekārtu sastāvdaļas vai elektroniski mezgli. 2. piezīme. Saskaņā ar 5. kategorijas 2. daļu kontroli neattiecina uz izstrādājumiem, kas ir līdzi to lietotājiem un tiek izmantoti personīgām vajadzībām. Saskaņā ar 5A002 un 5D002 pozīciju kontroli neattiecina uz precēm, kam piemīt visas šīs īpašības: Kategorijas 2. daļā atslēgas garumā neiekļauj paritātes bitus.
2. DAĻA 3. piezīme. INFORMĀCIJAS DROŠĪBA Piezīme par kriptogrāfiju a.
iedzīvotājiem pieejamas, jo tās bez ierobežojumiem var iegādāties mazumtirdzniecībā kādā no šiem veidiem:
1. klātienē tirdzniecības vietā;
2. pasūtot pa pastu;
3. noslēdzot darījumu elektroniskā veidā; vai
4. pasūtot pa tālruni;
b.
lietotājs nevar viegli mainīt kriptogrāfijas funkcijas;
c.
izveidota tā, lai lietotājs varētu pats instalēt bez turpmākas būtiskas piegādātāja palīdzības; un
d.
vajadzības gadījumos ir iegūstamas sīkas ziņas par precēm, un tās pēc pieprasījuma sniegs izvedējs tās dalībvalsts kompetentajām iestādēm, kurā izvedējs veic uzņēmējdarbību, lai apliecinātu atbilstību iepriekš a. līdz c. punktā noteiktajām prasībām.
2. DAĻA 3. piezīme. Tehniska piezīme. INFORMĀCIJAS DROŠĪBA Piezīme par kriptogrāfiju
5A2Sistēmas, iekārtas un to sastāvdaļas 5A002a. Tehniska piezīme.
Sistēmas, iekārtas, īpaši elektroniski mezgli, moduļi un integrālās shēmas, ko izmanto informācijas drošībai, un citas tām īpaši konstruētas sastāvdaļas, tas ir: NB! Par kontroles režīmu globālo navigācijas pavadoņu sistēmu uztveršanas iekārtām, kurās iekļauta atšifrēšana vai to izmanto (t.i., GPS vai GLONASS), skat. 7A005 pozīciju. Kvantu kriptogrāfiju dēvē arī par kvantu atslēgu (QKD). Piezīme. Saskaņā ar 5A002 pozīciju kontroli neattiecina uz:
5A2Sistēmas, iekārtas un to sastāvdaļas 5A002a.
1. Tehniskas piezīmes.
Izstrādātas vai pārveidotas, lai lietotu kriptogrāfiju, izmantojot digitālus paņēmienus, lai veiktu jebkādas kriptogrāfijas funkcijas, kas nav autentiskošana vai digitāls paraksts, un kam piemīt kāda no šīm īpašībām: Piezīme. 5A002.a.1. pozīcija ietver iekārtas, kas konstruētas vai pārveidotas kriptogrāfijas lietošanai, izmantojot analogus principus, kad tos īsteno ar digitāliem paņēmieniem.
1. Autentiskošanas un digitālo parakstu funkcijas ietver ar tām saistītu atslēgas funkciju.
2. Autentiskošanā ietilpst visi failu vai tekstu piekļuves kontroles aspekti, kuros nav kriptogrāfijas, izņemot ar parolēm, personas identifikācijas numuriem (PIN) vai līdzīgiem datiem tieši saistītos, neatļautas piekļuves novēršanai.
3. Kriptogrāfija neietver nemainīgu datu kompresijas vai kodēšanas paņēmienus.
a.
lieto asimetrisku algoritmu, izmantojot atslēgas garumu, lielāku par 56 bitiem; vai
b.
lieto asimetrisko algoritmu, kura aizsardzība balstās uz kādu no šiem principiem:
1. sadalīšana reizinātājos ir lielāka par 512 bitiem (piem., RSA);
2. diskrēto logaritmu izskaitļošana multiplikatīvā grupā no galīgā lauka ir lielāka par 512 bitiem (piem., Difī-Helmaņa shēma Z/pZ); vai
3. diskrētajiem logaritmiem grupā, izņemot 5A002.a.1.b.2. pozīcijā minēto, ir lielāka par 112 bitiem (piem., Difī-Helmaņa shēma eliptiskai līknei);
2. izstrādātas vai pārveidotas kriptoanalīzes funkciju veikšanai;
3. neizmanto;
4. īpaši izstrādātas vai pārveidotas, lai mazinātu informācijas nesējsignālu noplūdes izstarojumu, ja tas nepārsniedz veselības, drošības vai elektromagnētiskās interferences normatīvus;
5. izstrādātas vai pārveidotas kriptogrāfijas tehnikas lietošanai, lai ģenerētu spektra izkliedes kodus, izņemot 5A002.a.6. pozīcijā minētos, vai lēkājošos kodus lēkājošu frekvenču sistēmām;
6. izstrādātas vai pārveidotas tādu kriptogrāfijas paņēmienu izmantošanai, lai izstrādātu kanālu sadales kodus, šifrēšanas kodus vai tīkla identifikācijas kodus sistēmām, kuras izmanto īpaši plašu joslu modulāciju paņēmienu, un kam piemīt kāda no šīm īpašībām:
6. a.
joslas platums ir lielāks par 500 MHz; vai
b.
frakcionālās frekvenču joslas diapazons ir 20 % vai lielāks.
7. neizmanto;
8. sakaru kabeļu sistēmas, kas konstruētas vai pārveidotas tā, lai lietotājs ar mehāniskiem, elektroniskiem vai elektriskiem līdzekļiem varētu konstatēt slepenu pieslēgšanos;
9. izstrādātas vai pielāgotas, lai varētu izmantot kvantu kriptogrāfiju.
5A2Sistēmas, iekārtas un to sastāvdaļas 5A002a. Tehniska piezīme. a.
Personalizētām viedkartēm: NB! Ja personalizētajai viedkartei ir vairākas funkcijas, kontroles režīmu katrai funkcijai novērtē atsevišķi,
1. ja to kriptogrāfijas iespējas ierobežotas ar iekārtām vai sistēmām, uz kurām saskaņā ar šās piezīmes b. līdz f. punktu neattiecas kontrole; vai
2. izmantošanas gadījumos plašai sabiedrībai, kur kriptogrāfijas iespējas nav pieejamas lietotājiem, un tās ir īpaši paredzētas un ierobežotas, lai ļautu aizsargāt tajā uzglabātos personu datus.
b.
radiouztvērēju iekārtas, abonentu televīzijas vai līdzīgi apraides pakalpojumi ierobežotai patērētāju auditorijai bez digitālas šifrēšanas, izņemot iekārtas, ko izmanto tikai rēķinu sastādīšanai vai ar programmu saistītas informācijas nosūtīšanai atpakaļ pakalpojumu sniedzējiem;
c.
iekārtas, kuru kriptogrāfijas iespējas nav lietotājam pieejamas un kuras ir īpaši izstrādātas, lai varētu nodrošināt kādu no šīm funkcijām:
1. pret kopēšanu aizsargātājas programmatūras automātisku lietojumu;;
2. piekļuvi jebkuram no šiem informācijas nesējiem:
2. a.
pret kopēšanu aizsargātam, tikai nolasāmam nesējam; vai
b.
kurā informācija ir šifrēta (piem., saistībā ar intelektuālā īpašuma tiesību aizsardzību), ja identiski tādas informācijas nesēji ir brīvi nopērkami;
3. ar autortiesībām aizsargātu audio vai vizuālo datu vienreizējas kopēšanas kontroli; vai
4. šifrēšanu un/vai atšifrēšanu bibliotēku, konstrukciju/izstrāžu raksturlielumu vai ar tiem saistītu datu pusvadītāju ierīču vai integrālo shēmu aizsardzībai;
d. Tehniska piezīme.
kriptogrāfijas iekārtas, kas īpaši paredzētas tikai banku operācijām vai naudas darījumiem; Piezīmē d. pie 5A002 pozīcijas minētajos naudas darījumos ietilpst arī braukšanas biļešu samaksas vai kredīta funkcijas;
e.
mobilos radiotelefonus civilām vajadzībām (piem., lietošanai komerciālajās civilajās mobilo radiosakaru sistēmās), kuros nav pilnīgas šifrēšanas;
f.
bezvadu telefonus, kuri nespēj nodrošināt pilnīgu šifrēšanu un kuriem bezvadu darbība bez pastiprināšanas (t.i., vienkārša bezreleju saite starp terminālu un mājas bāzes staciju) saskaņā ar ražotāja specifikāciju ir mazāka par 400 m.
5B2Izmēģinājumu, pārbaudes un ražošanas iekārtas
5B002a. Iekārtas, kas īpaši izstrādātas:
5B002a.
1. 5A002, 5B002, 5D002 vai 5E002 pozīcijā minēto iekārtu vai funkciju izstrādei, ieskaitot mērīšanas vai testa iekārtas;
2. 5A002, 5B002, 5D002 vai 5E002 pozīcijā minēto iekārtu vai funkciju ražošanai, ieskaitot mērīšanas, testa, remonta vai ražošanas aprīkojumu;
b.
Mērīšanas iekārtas, kas īpaši paredzētas, lai novērtētu un apstiprinātu informācijas drošības funkcijas, kas konkretizētas 5A002 vai 5D002 pozīcijā.
5C2Materiāli Nav.
5D2Programmatūra
Piezīme. Saskaņā ar 5D002 pozīciju kontroli neattiecina uz:
5D002a. programmatūra, kas īpaši izstrādāta vai pārveidota no 5A002, 5B002 vai 5D002 pozīcijā minēto iekārtu vai programmatūrasizstrādei, ražošanai vai lietošanai;
b.
programmatūra, kas īpaši izstrādāta vai pārveidota 5E002 pozīcijā minētās tehnoloģijas atbalstam’;
c.
īpaša programmatūra, tas ir:
1. programmatūra, kurai piemīt īpašības vai kas spēj veikt vai imitēt 5A002 vai 5B002 pozīcijā minēto iekārtu funkcijas;
2. programmatūra 5D002.c.1. pozīcijā minētās programmatūras sertificēšanai.
a.
programmatūru, kas vajadzīga, lai lietotu iekārtas, uz kurām saskaņā ar piezīmēm pie 5A002 pozīcijas kontrole neattiecas;
b.
programmatūru, kas nodrošina kādu no funkcijām iekārtām, uz kurām saskaņā ar piezīmēm pie 5A002 pozīcijas kontrole neattiecas.
5E2Tehnoloģija
5E002Tehnoloģija 5A002, 5B002 vai 5D002 pozīcijā minēto iekārtu vai programmatūrasizstrādei, ražošanai vai lietošanai saskaņā ar vispārējo piezīmi par tehnoloģijām.
6. KATEGORIJA SENSORI UN LĀZERI
6ASistēmas, iekārtas un to sastāvdaļas a.
1. a.
eholotēm, kas darbojas vertikāli zem aparāta un kurām nav skenēšanas funkcijas, kas pārsniedz ±20°, paredzētas tikai ūdens dziļuma mērījumiem, attāluma noteikšanai līdz iegremdētam vai nogrimušam objektam vai zivju meklēšanai;
b.
akustiskām bojām, tas ir:
1. akustiskām avārijas bojām;
2. skaņu eholotēm, kas paredzētas pārvietošanai vai novietošanai atpakaļ zemūdens pozīcijā.
a.
1. paredzētas mērījumiem leņķī, kas lielāks par 20° no vertikāles;
2. paredzētas mērījumiem dziļumā, kas pārsniedz 600 m no ūdens virsmas; un
1009 more provisions are not shown here; each has its own address.