Gelex

Verordening (EG) nr. 394/2006 van de Raad van 27 februari 2006 tot wijziging en tot bijwerking van Verordening (EG) nr. 1334/2000 tot instelling van een communautaire regeling voor controle op de uitvoer van producten en technologie voor tweeërlei gebruik

In forceVersion 2006-02-27from 2006-04-12
Grade B

mapped from publisher markup. A grade says how a document's structure was obtained, not how reliable the law is.

Ask Gelex about this law

Address https://gelex.eu/eli/EU/act/2006/394@2006-02-27/nl

Contents
  1. Preamble
    1. Artikel 1
    2. Artikel 2
  2. ANNEX
  3. BIJLAGE
  4. BIJLAGE I LIJST VAN PRODUCTEN EN TECHNOLOGIE VOOR TWEEËRLEI GEBRUIK (bedoeld in artikel 3 van Verordening (EG) nr. 1334/2000)
  5. ALGEMENE NOTEN BIJ BIJLAGE I 1.2.3.
  6. NUCLEAIRE TECHNOLOGIENOOT (NTN) (Te lezen in samenhang met sectie E van categorie 0)
  7. ALGEMENE TECHNOLOGIENOOT (ATN) (Te lezen als onderdeel van sectie E van de categorieën 1 tot en met 9)
  8. ALGEMENE PROGRAMMATUURNOOT (APN) (Deze noot heeft voorrang boven het bepaalde in sectie D van de categorieën 0 tot en met 9)
  9. 1. a.
  10. DEFINITIES VAN IN DEZE BIJLAGE GEBRUIKTE TERMEN
  11. pt_27 a.
  12. pt_37 a.
  13. pt_41 a.
  14. pt_47 a.
  15. pt_60 a.
  16. pt_61 a.
  17. pt_76 a.
  18. pt_89 a.
  19. pt_129 a.
  20. pt_150 a.
  21. pt_164 a.
  22. pt_182 a.
  23. pt_183 a.
  24. pt_185 a.
  25. IN DEZE BIJLAGE GEBRUIKTE ACRONIEMEN EN AFKORTINGEN
  26. CATEGORIE 0 NUCLEAIRE GOEDEREN
  27. 0ASystemen, apparatuur en onderdelen
  28. 0BTest-, inspectie- en productieapparatuur
  29. a.
  30. b.
  31. c.
  32. 13. a.
  33. 7. a.
  34. 5. a.
  35. 6. a.
  36. 0CMaterialen a.
  37. 0DProgrammatuur
  38. 0ETechnologie
  39. CATEGORIE 1 MATERIALEN, CHEMICALIËN, MICRO-ORGANISMEN, TOXINES
  40. 1ASystemen, apparatuur en onderdelen Technische noot:
  41. 1ASystemen, apparatuur en onderdelen a.
  42. 1. a.
  43. 1BTest-, inspectie- en productieapparatuur
  44. 1CMaterialen Technische noot: Technische noten: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noten:
  45. 1CMaterialen Technische noot: a.
  46. a.
  47. b.
  48. c.
  49. 1. Technische noot:
  50. 1. a.
  51. d.
  52. 1CMaterialen Technische noot: Technische noten:
  53. 1. a.
  54. 2. a.
  55. 3. a.
  56. 4. a.
  57. 5. a.
  58. 1. Technische noot:
  59. 2. Technische noot:
  60. 1CMaterialen Technische noot: Technische noten: Technische noot: a.
  61. 1. a.
  62. 2. a.
  63. 1CMaterialen Technische noot: Technische noten: Technische noot: Technische noot: a.
  64. 1. a.
  65. 2. a.
  66. a.
  67. b.
  68. 1CMaterialen Technische noot: Technische noten: Technische noot: Technische noot: Technische noot: a.
  69. a.
  70. b.
  71. 1CMaterialen Technische noot: Technische noten: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: a.
  72. 1. Technische noot:
  73. 2. Technische noot:
  74. 2. a.
  75. 3. a.
  76. 6. a.
  77. 1CMaterialen Technische noot: Technische noten: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: a.
  78. 1CMaterialen Technische noot: Technische noten: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: a.
  79. 1CMaterialen Technische noot: Technische noten: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: a.
  80. 1CMaterialen Technische noot: Technische noten: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot:
  81. 2. a.
  82. 2. a.
  83. 5. a)
  84. 1DProgrammatuur
  85. 1ETechnologie
  86. 1. a.
  87. 3. a.
  88. CATEGORIE 2 MATERIAALBEWERKING
  89. 2ASystemen, apparatuur en onderdelen Technische noot:
  90. 2ASystemen, apparatuur en onderdelen a.
  91. 2. a.
  92. 2BTest-, inspectie- en productieapparatuur Technische noten: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noten: Technische noot: Technische noot: Technische noten: Technische noot:
  93. 2BTest-, inspectie- en productieapparatuur Technische noten:
  94. 2. a.
  95. 1. a.
  96. 4. a.
  97. 2BTest-, inspectie- en productieapparatuur Technische noten: Technische noot: a.
  98. 2BTest-, inspectie- en productieapparatuur Technische noten: Technische noot: Technische noot: a.
  99. 1. a.
  100. 2. a.
  101. 1. Technische noot:
  102. 2. a.
  103. 2BTest-, inspectie- en productieapparatuur Technische noten: Technische noot: Technische noot: Technische noot: a.
  104. 2BTest-, inspectie- en productieapparatuur Technische noten: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: a.
  105. 2BTest-, inspectie- en productieapparatuur Technische noten: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: a.
  106. 1. a.
  107. 2. a.
  108. a.
  109. b.
  110. c.
  111. d.
  112. 2BTest-, inspectie- en productieapparatuur Technische noten: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: a.
  113. 2BTest-, inspectie- en productieapparatuur Technische noten: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noten:
  114. 2BTest-, inspectie- en productieapparatuur Technische noten: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noten: Technische noot: a.
  115. 2BTest-, inspectie- en productieapparatuur Technische noten: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noten: Technische noot: Technische noot: a.
  116. 2BTest-, inspectie- en productieapparatuur Technische noten: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noten: Technische noot: Technische noot: Technische noten:
  117. 1. a.
  118. 2DProgrammatuur
  119. 2ETechnologie
  120. 1. a.
  121. 2. a.
  122. Tabel 1.2.3.A.B.B.1.B.2.B.3.B.4.C.D.E.F.G. Tabel — Afzettingstechnieken — noten Afzettingstechnieken
  123. 5. a.
  124. a.
  125. b.
  126. c.
  127. d.
  128. e.
  129. f.
  130. g.
  131. CATEGORIE 3 ELEKTRONICA
  132. 3ASystemen, apparatuur en onderdelen Technische noot: Technische noot: Technische noot:
  133. 3ASystemen, apparatuur en onderdelen a.
  134. 1. a.
  135. 2. a.
  136. 5. Technische noten:
  137. 5. a.
  138. 6. a.
  139. 7. a.
  140. 10. a.
  141. 11. a.
  142. 12. Technische noot:
  143. 4. a.
  144. 3. a.
  145. 4. Technische noot:
  146. 4. a.
  147. 8. a.
  148. 5. Technische noot:
  149. 3ASystemen, apparatuur en onderdelen Technische noot: a.
  150. 3ASystemen, apparatuur en onderdelen Technische noot: Technische noot: a.
  151. 3BTest-, inspectie- en productieapparatuur
  152. 1. a.
  153. 2. a.
  154. 3CMaterialen a.
  155. 3DProgrammatuur Technische noot:
  156. 3DProgrammatuur a.
  157. 3ETechnologie Technische noot:
  158. 3ETechnologie
  159. CATEGORIE 4 COMPUTERS
  160. 4ASystemen, apparatuur en onderdelen
  161. 4BTest-, inspectie- en productieapparatuur
  162. 4DProgrammatuur
  163. 4ETechnologie
  164. Technische noot betreffende de totale theoretische prestatie(composite theoretical performance (CTP)) Afkortingen in deze technische noot
  165. TECHNISCHE NOOT BETREFFENDE DE CTP
  166. TECHNISCHE NOOT BETREFFENDE AANGEPAST PIEKVERMOGEN (ADJUSTED PEAK PERFORMANCE) (APP)
  167. CATEGORIE 5 TELECOMMUNICATIE EN INFORMATIEBEVEILIGING
  168. DEEL 1 TELECOMMUNICATIE
  169. 5A1Systemen, apparatuur en onderdelen Technische noot:
  170. 5A1Systemen, apparatuur en onderdelen
  171. 5A001a.
  172. 1. a.
  173. 2. a.
  174. 3. a.
  175. 4. a.
  176. 5. a.
  177. 6. Technische noten:
  178. 1. Technische noot:
  179. 5B1Test-, inspectie- en productieapparatuur
  180. 1. Technische noot:
  181. 2. a.
  182. 5C1Materialen
  183. 5D1Programmatuur
  184. 1. Technische noot:
  185. 2. a.
  186. 5E1Technologie
  187. 1. Technische noot:
  188. 2. a.
  189. 4. a.
  190. DEEL 2 Noot 3: Technische noot: INFORMATIEBEVEILIGING Cryptografienoot
  191. a.
  192. b.
  193. c.
  194. d.
  195. 5A2Systemen, apparatuur en onderdelen 5A002a. Technische noot:
  196. 5A2Systemen, apparatuur en onderdelen 5A002a.
  197. 1. Technische noten:
  198. 6. a.
  199. 2. a.
  200. 5B2Test-, inspectie- en productieapparatuur
  201. 5B002a.
  202. 5C2Materialen
  203. 5D2Programmatuur
  204. 5E2Technologie
  205. CATEGORIE 6 SENSOREN EN LASERS
  206. 6ASystemen, apparatuur en onderdelen a.
  207. 1. a.
  208. 3. a.

DE RAAD VAN DE EUROPESE UNIE,

Gelet op het Verdrag tot oprichting van de Europese Gemeenschap, en met name op artikel 133,

Gezien het voorstel van de Commissie,

Overwegende hetgeen volgt:

(1) Overeenkomstig Verordening (EG) nr. 1334/2000 dienen producten (met inbegrip van software en technologie) voor tweeërlei gebruik bij uitvoer uit de Gemeenschap aan doeltreffende controle te worden onderworpen.

(2) Om de lidstaten en de Gemeenschap in staat te stellen aan hun internationale verplichtingen te voldoen, is in bijlage I bij Verordening (EG) nr. 1334/2000 een gemeenschappelijke lijst opgenomen van producten en technologie voor tweeërlei gebruik als bedoeld in artikel 3 van die verordening. Deze lijst is een technische implementatie van internationaal overeengekomen vergunningsregelingen voor goederen voor tweeërlei gebruik, waaronder de regeling van Wassenaar, de Missile Technology Control Regime, de Groep van nucleaire exportlanden, de Australiëgroep en het Verdrag inzake chemische wapens.

(3) Artikel 11 van Verordening (EG) nr. 1334/2000 bepaalt dat de bijlagen I en IV worden bijgewerkt overeenkomstig de desbetreffende verplichtingen en verbintenissen en alle wijzigingen daarin waarmee een lidstaat heeft ingestemd als partij bij de internationale regelingen inzake non-proliferatie en uitvoercontrole of door de bekrachtiging van desbetreffende internationale verdragen.

(4) De bijlagen I en IV bij Verordening (EG) nr. 1334/2000 dienen te worden gewijzigd om rekening te houden met de wijzigingen die zijn goedgekeurd door de Regeling van Wassenaar, de Australiëgroep, het Missile Technology Control Regime en de Groep van Nucleaire Exportlanden na de bij Verordening (EG) nr. 1504/2004 aangebrachte wijzigingen.

(5) Teneinde de raadpleging door exportcontrole-instanties en het bedrijfsleven te vereenvoudigen, dient een bijgewerkte en geconsolideerde versie van de bijlagen bij Verordening (EG) nr. 1334/2000 te worden gepubliceerd.

(6) Verordening (EG) nr. 1334/2000 moet dienovereenkomstig worden gewijzigd,

HEEFT DE VOLGENDE VERORDENING VASTGESTELD:

Artikel 1

De bijlagen bij Verordening (EG) nr. 1334/2000 worden vervangen door de tekst in de bijlage bij deze verordening.

Artikel 2

Deze verordening treedt in werking op de dertigste dag volgende op die van haar bekendmaking in het Publicatieblad van de Europese Unie.

Deze verordening is verbindend in al haar onderdelen en is rechtstreeks toepasselijk in elke lidstaat. Gedaan te Brussel, 27 februari 2006. Voor de Raad De voorzitster U. Plassnik

ANNEX

BIJLAGE

BIJLAGE I LIJST VAN PRODUCTEN EN TECHNOLOGIE VOOR TWEEËRLEI GEBRUIK (bedoeld in artikel 3 van Verordening (EG) nr. 1334/2000)

ALGEMENE NOTEN BIJ BIJLAGE I 1.2.3.

Voor de controle op de uitvoer van goederen die zijn ontworpen of aangepast voor militair gebruik zij verwezen naar de desbetreffende lijst(en) van aan vergunningsplicht onderworpen militaire goederen van de afzonderlijke lidstaten. Verwijzingen in deze bijlage naar de Lijst militaire goederen hebben betrekking op deze lijst. De doelstelling van de controle op de uitvoer van de goederen, vermeld in deze bijlage, mag niet worden omzeild door de uitvoer van niet aan vergunningsplicht onderworpen goederen (met inbegrip van fabrieken) die één of meer aan vergunningsplicht onderworpen onderdelen bevatten, als deze onderdelen het voornaamste element van de goederen vormen en gemakkelijk kunnen worden verwijderd of voor andere doeleinden worden aangewend. NB: Bij de beoordeling van de vraag of de aan vergunningsplicht onderworpen onderdelen als voornaamste element dienen te worden aangemerkt, dienen factoren als hoeveelheid, waarde en technologische knowhow alsmede andere bijzondere omstandigheden op grond waarvan de aan vergunningsplicht onderworpen onderdelen als voornaamste element van de geleverde goederen kunnen worden aangemerkt, een rol te spelen. Met goederen worden in deze bijlage zowel nieuwe als gebruikte goederen bedoeld.

NUCLEAIRE TECHNOLOGIENOOT (NTN) (Te lezen in samenhang met sectie E van categorie 0)

De technologie die rechtstreeks samenhangt met goederen die in categorie 0 vallen, valt onder de bepalingen van categorie 0. Technologie voor de ontwikkeling, de productie of het gebruik van aan vergunningsplicht onderworpen goederen is ook aan vergunningsplicht onderworpen als deze technologie wordt toegepast op niet aan vergunningsplicht onderworpen goederen. Het verlenen van een uitvoervergunning voor goederen houdt tevens in dat de uitvoer naar dezelfde eindgebruiker van de minimaal noodzakelijke technologie voor installatie, bediening, onderhoud en reparatie van de goederen is toegestaan. Vergunningsregelingen voor overdracht van technologie zijn niet van toepassing op informatie die voor iedereen beschikbaar is, en op fundamenteel wetenschappelijk onderzoek.

ALGEMENE TECHNOLOGIENOOT (ATN) (Te lezen als onderdeel van sectie E van de categorieën 1 tot en met 9)

De uitvoer van technologie die noodzakelijk is voor de ontwikkeling, productie of het gebruik van in de categorieën 1 tot en met 9 bedoelde goederen is onderworpen aan de op de categorieën 1 tot en met 9 van toepassing zijnde bepalingen. Technologie die noodzakelijk is voor de ontwikkeling, de productie of het gebruik van aan vergunningsplicht onderworpen goederen is ook aan vergunningsplicht onderworpen als deze technologie wordt toegepast op niet aan vergunningsplicht onderworpen goederen. De vergunningsplicht geldt niet voor de minimaal noodzakelijke technologie voor installatie, bediening, onderhoud en reparatie van niet onder de vergunningsplicht vallende goederen of op de goederen waarvan de uitvoer is toegestaan. NB: Deze bepaling laat de embargostatus van de in 1E002.e, 1E002.f, 8E002.a en 8E002.b bedoelde technologie onverlet. Vergunningsregelingen voor overdracht van technologie zijn niet van toepassing op informatie die voor iedereen beschikbaar is, op fundamenteel wetenschappelijk onderzoek en op de voor octrooiaanvragen noodzakelijke minimuminformatie.

ALGEMENE PROGRAMMATUURNOOT (APN) (Deze noot heeft voorrang boven het bepaalde in sectie D van de categorieën 0 tot en met 9)

De categorieën 0 tot en met 9 van deze lijst zijn niet van toepassing op programmatuur die:

a.

algemeen voor het publiek verkrijgbaar is doordat de programmatuur: NB: Punt a) van de Algemene programmatuurnoot laat de embargostatus van de in categorie 5 — deel 2 (Informatiebeveiliging) bedoelde programmatuur onverlet.

1. via de detailhandel zonder beperkingen uit voorraad wordt verkocht via:

1. a.

winkelverkoop;

b.

postorderverkoop;

c.

elektronische transacties, of

d.

telefonische verkoop, en

2. is ontworpen voor installatie door de gebruiker zonder wezenlijke ondersteuning van de leverancier, of

b.

voor iedereen beschikbaar is.

DEFINITIES VAN IN DEZE BIJLAGE GEBRUIKTE TERMEN

De definitie van termen tussen enkele aanhalingstekens wordt gegeven in een technische noot bij de betrokken post. De definitie van de termen tussen dubbele aanhalingstekens luidt als volgt: NB: Na elke gedefinieerde term wordt tussen haakjes verwezen naar de betrokken categorie(ën).

Aangepast voor gebruik in oorlogssituaties (1): iedere aanpassing of selectie (zoals een wijziging van de zuiverheid, houdbaarheid, virulentie, verspreidingskenmerken, of weerstand tegen UV-straling) die tot doel heeft de werkzaamheid te verhogen ten aanzien van menselijke of dierlijke slachtoffers, schade aan uitrusting of aan gewassen, en aantasting van het milieu.

Actieve pixel (6 8): het kleinste (afzonderlijke) element van de halfgeleider-array dat nog een foto-elektrische overdrachtsfunctie vervult bij blootstelling aan elektromagnetische straling (licht).

Actieve vluchtregelsystemen (7): actieve vluchtregelsystemen werken zodanig dat ongewenste bewegingen of structurele belastingen van vliegtuig of raket kunnen worden voorkomen door de onafhankelijke verwerking van signalen van meerdere sensoren waarna preventieve commando’s voor automatische regeling worden gegeven.

Aërodynamische vlakken met variabel profiel (7): deze worden verkregen door flappen aan de achterrand of aan de voorrand of door een naar beneden knikkende voorrand, welke tijdens de vlucht bestuurd kunnen worden.

Afstembaar (6): het vermogen van een laser om binnen een gebied van verschillende laser-overgangen bij elke golflengte een continuvermogen op te wekken. Een laser die slechts kan werken op een beperkt aantal vaste golflengten line selectable wekt discrete golflengten op binnen één laser-overgang en wordt niet beschouwd als afstembaar.

Asymmetrisch algoritme (5): cryptografisch algoritme waarin voor encryptie een andere wiskundige sleutel wordt gebruikt dan voor decryptie. NB: Voor sleutelbeheer worden gewoonlijk asymmetrische algoritmen gebruikt.

Automatisch volgen van het doel (6): een verwerkingstechniek waarbij automatisch en tijdgebonden een geëxtrapoleerde waarde van de meest waarschijnlijke positie van het doel wordt bepaald en als uitgangssignaal afgegeven.

Axiale slag (2): axiale verplaatsing tijdens één omwenteling van de hoofdspil, gemeten in een vlak loodrecht op de stelplaat van de spil aan een punt dat grenst aan de omtrek van de stelplaat van de spil. (Referentie: ISO 230, deel 1-1986, paragraaf 5.63)

Band (1): een materiaal dat bestaat uit in elkaar gevlochten of in één richting liggende monofilamenten, strengen, rovings, linten of garens, enz., gewoonlijk geïmpregneerd met hars. NB:streng: een bundel monofilamenten (normaal meer dan 200) die ongeveer parallel lopen.

Beeldverbetering (4): het verwerken van elders verkregen informatiedragende beelden met behulp van algoritmen, zoals tijdcompressie, filteren, extractie, selectie, correlatie, convolutie of transformatie tussen domeinen (bijvoorbeeld de snelle Fourier-transformatie (fast Fourier transform) of de Walsh transformatie (Walsh transform)). Hieronder zijn niet begrepen algoritmen die slechts lineaire of draaiende omzettingen op een enkel beeld toepassen, zoals verschuivingen, extractie van specifieke kenmerken, registratie of het vals kleuren.

Bias (versnellingsmeters) (7): uitgangssignaal van een versnellingsmeter bij afwezigheid van versnelling.

Binnenbekleding (9): de hechtlaag tussen de vaste stuwstof en de omhulling of isolerende bekleding. Doorgaans een op vloeibare polymeren gebaseerde dispersie van hittebestendige of isolerende materialen, bijvoorbeeld polybutadieen met hydroxy-eindgroep (HTPB) met koolstof als vulmateriaal of een andere polymeer waaraan hardingsmiddelen zijn toegevoegd, waarmee het inwendige van een omhulling wordt gespoten of bestreken.

Broncode (of brontaal) (4 6 7 9): een geschikte expressie van één of meer processen, die door een programmeersysteem kan worden omgezet in een door apparatuur uitvoerbare vorm (objectcode (of doeltaal)).

CE: rekenelement (computing element).

CEP (circle of equal probability - 50 %-trefkanscirkel) (7): een maat voor de nauwkeurigheid; de straal van de cirkel met het doel in het middelpunt bij een bepaald bereik waarbinnen 50 % van de nuttige ladingen terechtkomen.

Chemische laser (6): een laser waarin de geëxciteerde stof wordt geproduceerd door de door een chemische reactie voortgebrachte energie.

Chemisch mengsel (1): een vast, vloeibaar of gasvormig product dat bestaat uit twee of meer bestanddelen die niet samen reageren onder de omstandigheden waarin het mengsel is opgeslagen.

Civiele vliegtuigen (1 7 9): die types vliegtuigen die als zodanig zijn aangeduid in gepubliceerde overzichten van luchtwaardigheidsbewijzen van de civiele luchtvaartautoriteiten voor het vliegen van commerciële binnenlandse en buitenlandse lijnen of voor wettig civiel, privé of zakelijk gebruik. NB: Zie ook vliegtuigen.

Communicatiekanaalbesturingseenheid (4): de fysieke verbinding die de stroom synchrone of asynchrone digitale informatie bestuurt. Deze bestaat uit een samenstelling die in de computer- of telecommunicatieapparatuur kan worden geïntegreerd ten einde toegang tot de communicatie te verschaffen.

Composiet (1 2 6 8 9): een matrix en één of meer toegevoegde fasen bestaande uit deeltjes, whiskers, vezels of iedere combinatie daarvan, aanwezig voor een specifiek doel of voor specifieke doelen.

Contourbesturen (2): twee of meer numeriek bestuurde bewegingen volgens instructies die de eerstvolgende vereiste positie en de vereiste voedingssnelheden naar die positie specificeren. Deze snelheden worden in afhankelijkheid van elkaar gevarieerd, zodat een gewenste contour wordt verkregen (Referentie: ISO/DIS 2806-1980).

Cryptografie (5): de tak van wetenschap die zich bezighoudt met de grondbeginselen, instrumenten en methoden voor het omzetten van gegevens teneinde de inhoud daarvan te verbergen, te voorkomen dat deze inhoud ongemerkt wordt gewijzigd of zonder toestemming wordt gebruikt. Cryptografie is beperkt tot het omzetten van gegevens met gebruikmaking van één of meer geheime parameters (bv. cryptovariabelen) of aanverwante sleutels. NB: Een geheime parameter is een constante of sleutel die voor anderen geheim wordt gehouden of slechts binnen een groep bekend wordt gemaakt.

CTP: totale theoretische prestatie (composite theoretical performance).

DBRN staat voor navigatie met als referentie een gegevensbestand (Data-Based Referenced Navigation) (zie aldaar).

Deelnemende staat (7 9): een staat die deelneemt aan het Wassenaar Arrangement (zie www.wassenaar.org).

Diffusielassen (1 2 9): het in de vaste fase (solid-state) moleculair met elkaar verbinden van tenminste twee aparte metalen tot één stuk met een bindingssterkte tenminste gelijk aan die van het zwakste materiaal.

Digitale computer (4 5): een apparaat dat, in de vorm van één of meer discrete variabelen, alle volgende functies kan verrichten: NB: Onder veranderen van een opgeslagen reeks opdrachten wordt mede verstaan het vervangen van onuitwisbare geheugenelementen, doch hieronder valt niet het in fysieke zin wijzigen van bedrading of onderlinge verbindingen.

pt_27 a.

gegevens opnemen;

b.

gegevens of opdrachten in onuitwisbare of wijzigbare (beschrijfbare) geheugens opslaan;

c.

gegevens met behulp van een opgeslagen veranderbare reeks opdrachten kan verwerken; en

d.

gegevens afgeven.

Digitale elektronische motorregelapparatuur welke volledig zelfstandig in de motorregeling kan ingrijpen (FADEC) (7 9): elektronische regelapparatuur voor gasturbinemotoren of motoren met een gecombineerde thermodynamische cyclus waarbij wordt gebruikgemaakt van een digitale computer voor de regeling van de variabelen die nodig zijn ter regeling van de stuwkracht of het afgegeven effectieve vermogen over het hele werkbereik van de motor vanaf het begin van de meting van de brandstoftoevoer tot het afsluiten van de brandstoftoevoer.

Digitale overbrengsnelheid: de totale bitsnelheid van de informatie die direct wordt overgebracht op ieder type medium. NB: Zie ook totale digitale overbrengsnelheid

Direct hydraulisch persen (2): een vervormingsproces, waarbij wordt gebruikgemaakt van een flexibele, met vloeistof gevulde blaas die in direct contact staat met het werkstuk.

Door de ITU toegewezen (3 5): toewijzing van de frequentiebanden overeenkomstig de huidige uitgave van het Radioreglement van de ITU voor primaire, toegelaten en secundaire diensten. NB: Extra en alternatieve toewijzingen vallen hier niet onder.

Door opwerking verkregen (0 1): het toepassen van ieder procédé dat tot doel heeft het gehalte van het betrokken isotoop te doen toenemen.

Drukomzetters (2): inrichtingen die de gemeten druk omzetten in een elektrisch signaal.

Dynamische adaptieve routebepaling (5): automatische aanpassing van de route van verkeer op basis van de waarneming en analyse van actuele feitelijke netwerkomstandigheden. NB: Hieronder vallen niet de beslissingen ten aanzien van routebepaling aan de hand van vooraf vastgelegde gegevens.

Dynamische signaalanalysatoren (3): Signaalanalysatoren waarbij gebruik wordt gemaakt van digitale bemonsterings- en omzettingstechnieken ter verkrijging van een Fourier-spectrumafbeelding van een gegeven golfvorm met inbegrip van gegevens betreffende amplitude en fase. NB: Zie ook signaalanalysatoren

Eénkanaalsignalering (common channel signalling) (5): een methode van signalering, waarbij met behulp van berichten met label via een enkel kanaal signaleringsinformatie die betrekking heeft op een veelheid van lijnen of oproepen alsmede andere informatie, bv. informatie gebruikt bij het beheer van netwerken, tussen schakelcentrales wordt overgebracht.

Effectieve gram (0 1). Onder een effectieve gram (0 1) van speciale splijtstoffen wordt verstaan:

pt_37 a.

voor plutoniumisotopen en uraan-233: het gewicht van de isotoop in gram;

b.

voor uraan dat 1 % of meer verrijkt is in de isotoop uraan-235: het gewicht van het element in gram, vermenigvuldigd met het kwadraat van de verrijking, uitgedrukt in decimalen als gewichtsverhouding;

c.

voor uraan dat minder dan 1 % verrijkt is in de isotoop uraan-235: het gewicht van het element in gram, vermenigvuldigd met 0,0001.

Eindeffectors (2): grijpers, actieve gereedschapseenheden en alle andere gereedschappen die zijn verbonden met de grondplaat aan het uiteinde van de manipulatiearmen van een robot. NB: Een actieve gereedschapseenheid is een voorziening die beweegkracht of procesenergie op het werkstuk overbrengt of waarnemingen daarvan verzorgt.

Elektronisch bestuurbare fasegestuurde antennesystemen, opgebouwd uit een groot aantal identieke antennes (phased array antenna) (5 6) Een antenne waarbij de bundel wordt gevormd door middel van fase-koppeling, d.w.z. de bundelrichting wordt gestuurd door de complexe opwekkingscoëfficiënten van de uitstralende elementen en de richting van die bundel kan in azimut of hellingshoek worden gewijzigd door toepassing van een elektrisch signaal bij zowel uitzending als ontvangst.

Equivalente dichtheid (6): de massa van een optisch element per optische oppervlakte-eenheid, geprojecteerd op het optisch oppervlak.

Expert systemen (7): systemen die hun resultaten verkrijgen door het toepassen van regels op onafhankelijk van het programma opgeslagen gegevens en die één of meer van de volgende functies kunnen vervullen:

pt_41 a.

automatisch wijzigen van de door de gebruiker ingevoerde broncode;

b.

verschaffen van kennis betreffende een categorie problemen in een quasi-natuurlijke taal, of

c.

verwerven van de kennis die noodzakelijk is voor de ontwikkeling van het systeem (symbolische training).

FADEC staat voor digitale elektronische motorregelapparatuur welke volledig zelfstandig in de motorregeling kan ingrijpen (full authority digital engine control).

Focal plane array (6): een lineaire of tweedimensionale vlakke laag of combinatie van vlakke lagen met afzonderlijke detectorelementen, met of zonder uitlees-elektronica, die in het brandvlak worden geplaatst. NB: Stapels afzonderlijke detectorelementen of detectoren met twee, drie of vier elementen vallen hier niet onder, op voorwaarde dat in het element geen tijdvertraging en integratie plaatsvindt.

Fractionele bandbreedte (3): de momentele bandbreedte gedeeld door de centrale frequentie, uitgedrukt in procenten.

Frequency hopping (5): een vorm van spread spectrum waarbij de zendfrequentie van één enkel communicatiekanaal wordt verschoven in een willekeurige of pseudowillekeurige reeks discrete stappen.

Frequentiesynthesizer (3): elke soort frequentiebron of signaalgenerator, ongeacht de feitelijk daarin toegepaste techniek, die een veelheid aan uitgangsfrequenties afgeeft, gelijktijdig of naar keuze, aan één of meer uitgangen, en die worden bepaald door, afgeleid van of beheerst door een geringer aantal standaard- (of basis-) frequenties.

Frequentiewisseltijd (3 5): de maximale tijd (d.w.z. vertraging) welke bij het overschakelen van de ene gekozen uitgangsfrequentie naar een andere benodigd is voor het bereiken van:

pt_47 a.

een frequentie binnen 100 Hz van de uiteindelijke frequentie; of

b.

een uitgangsniveau liggende binnen 1 dB van het uiteindelijke uitgangsniveau.

Fundamenteel wetenschappelijk onderzoek (ATN NTN). Experimenteel of theoretisch werk dat hoofdzakelijk wordt gedaan om nieuwe kennis te verkrijgen over de fundamentele beginselen van verschijnselen of waarneembare feiten, en dat in eerste instantie niet is gericht op een bepaald praktisch doel of oogmerk.

Garen (1): een bundel getwijnde strengen NB:streng: een bundel monofilamenten (normaal meer dan 200) die ongeveer parallel lopen.

Gebruik (ATN NTN Alle). Bediening, installatie (met inbegrip van installatie ter plaatse), onderhoud (controle), reparatie, revisie en opknappen.

Geïnstrumenteerd bereik (6): het gespecificeerde ondubbelzinnige beeldbereik van een radar.

Geïntegreerde schakeling van het filmtype (3): een reeks schakelelementen en metallieke doorverbindingen, die gevormd zijn door afzetting van een dikke of dunne laag op een isolerend substraat. NB: Een schakelelement is een enkelvoudig actief of passief functioneel deel van een elektronische schakeling, bijvoorbeeld één diode, één transistor, één weerstand, één condensator, enz.

Geïsoleerde levende culturen (1): hieronder vallen levende culturen waarvan de organismen zich in een ruststadium bevinden en levende culturen in gedroogde preparaten.

Gekwalificeerd voor gebruik in de ruimte (3 6): producten die zijn ontworpen, vervaardigd en getest volgens speciale elektrische, mechanische en omgevingseisen voor gebruik bij het lanceren en opstellen van satellieten of vluchtsystemen die opereren op hoogten van 100 km of meer.

Geleidingssysteem (7): systemen waarin de meting en berekening van de positie en snelheid van een voertuig (navigatie) worden gecombineerd met de berekening en verzending van opdrachten naar de vluchtregelsystemen van het voertuig om de baan te corrigeren.

Geografisch gespreid (6): sensoren worden geacht geografisch gespreid te zijn wanneer elke sensor zich in alle richtingen op een afstand van meer dan 1500 m van iedere andere sensor bevindt. Mobiele sensoren worden altijd beschouwd als geografisch gespreid.

Halffabrikaten (preforms) voor koolstofvezels (1): een geordende verzameling vezels, met of zonder deklaag, bestemd om een raamwerk van een deel te vormen alvorens de matrix wordt ingebracht, teneinde een composiet te vormen;

Heet isostatisch verdichten (2): een proces waarbij op een gietstuk bij een temperatuur van meer dan 375 K (102 °C) in een gesloten holte door middel van een bepaalde stof (een gas, een vloeistof, vaste deeltjes, enz.) in alle richtingen gelijke druk wordt uitgeoefend, waardoor holten in het gietstuk worden verminderd of geëlimineerd.

Hoekafwijking (2): het maximale verschil tussen de aangegeven hoekpositie en de feitelijke, zeer nauwkeurig gemeten hoekpositie nadat de houder van het werkstuk op de tafel uit zijn oorspronkelijke positie is weggedraaid. (Referentie: VDI/VDE 2617, concept Draaitafels op coördinaten-meetmachines.)

Hybride computer (4): apparatuur die alle volgende functies kan verrichten:

pt_60 a.

gegevens opnemen;

b.

gegevens verwerken, zowel analoge als digitale voorstelling, en

c.

gegevens afgeven.

Hybride geïntegreerde schakeling (3): elke willekeurige combinatie van geïntegreerde schakelingen, schakelelementen of discrete onderdelen die onderling verbonden zijn om één of meer specifieke functies te vervullen en met alle volgende kenmerken: NB 1: Een schakelelement is een enkelvoudig actief of passief functioneel deel van een elektronische schakeling, bijvoorbeeld één diode, één transistor, één weerstand, één condensator, enz. NB 2: Een discreet onderdeel is een afzonderlijk omhuld schakelelement met eigen uitwendige aansluitingen.

pt_61 a.

met tenminste één niet-omhuld element;

b.

onderling verbonden met gebruikmaking van kenmerkende productiemethoden voor geïntegreerde schakelingen;

c.

als eenheid vervangbaar; en

d.

gewoonlijk niet demonteerbaar.

Immunotoxine (1): een samenvoeging van een celspecifieke monoklonale antistof en een toxine of een subeenheid van een toxine die zieke cellen selectief aantast.

Impulscompressie (6): codering en verwerking van een radarsignaalimpuls met een lange duur tot een kortstondige impuls, met behoud van de voordelen van een hoge impulsenergie.

Inclusief alle compensaties (2): nadat alle uitvoerbare maatregelen waarover de fabrikant beschikt om alle systematische instelfouten voor het betrokken werktuigmachinemodel tot een minimum te beperken, bekeken zijn.

Informatiebeveiliging (4 5): alle middelen en functies ter verzekering van de toegankelijkheid, geheimhouding of integriteit van gegevens of communicaties, zonder inbegrip van de middelen en functies die zijn bedoeld als beveiliging tegen storingen. Het begrip omvat o.a. cryptografie, cryptanalyse, bescherming tegen confidentiële uitstralingen en computerbeveiliging. NB:Cryptanalyse: de analyse van een cryptografisch systeem of de in- en uitvoer daarvan om daaraan vertrouwelijke variabelen of gevoelige gegevens te ontlenen, met inbegrip van niet-gecodeerde tekst.

Intrinsieke magnetische gradiëntmeter (6): één enkel waarnemingselement voor de gradiënt van magnetische velden en bijbehorende elektronica waarvan de afleeswaarde een maat is van de gradiënt van het magnetisch veld. NB: Zie ook magnetische gradiëntmeter.

Isolatie (9): de isolatie van de onderdelen van een raketmotor, d.w.z. omhulling, straalpijp, inlaten en afdichtingen van de omhulling, waaronder gevulkaniseerd of half-gevulkaniseerd samengesteld rubber plaatmateriaal dat een isolerend of hittebestendig materiaal omvat. Isolatie kan ook zijn aangebracht in de vorm van moffen of flappen om spanningen te ontlasten.

Isostatische persen (2): apparatuur, geschikt voor het onder druk brengen van een gesloten holte door middel van een bepaalde stof (een gas, een vloeistof, vaste deeltjes, enz.) teneinde te bereiken dat binnen de holte op een werkstuk of materiaal gelijke druk in alle richtingen wordt uitgeoefend.

Kantelspil (2): een spil met gereedschap die gedurende het bewerkingsproces de hoek van zijn hartlijn ten opzichte van een andere as kan wijzigen.

Kernreactor (0): een kernreactor omvat de delen in of rechtstreeks bevestigd aan het reactorvat, de uitrusting die het vermogensniveau in de kern regelt, alsmede de onderdelen die gewoonlijk het primaire koelmiddel van de reactorkern bevatten, daarmee in rechtstreeks contact komen of dit reguleren.

Kritische temperatuur (1 3 6): de kritische temperatuur (ook wel overgangstemperatuur genoemd) van een bepaald supergeleidend materiaal is de temperatuur waarbij de gelijkstroomweerstand van het materiaal nul wordt.

Laser (0 2 3 5 6 9): een samenstelling van componenten welke zowel in de ruimte als in de tijd coherent licht produceert dat is versterkt door de gestimuleerde emissie van straling. NB: zie ook:

chemische laser

Q-switched laser,

Super High Power Laser,

Transfer laser.

Lichter dan luchttoestellen (9): ballonen of luchtschepen die voor het creëren van lift gebruik maken van hete lucht of andere gassen die lichter zijn dan lucht, bijvoorbeeld helium of waterstof.

Lineariteit (2) (gewoonlijk gemeten als niet-lineariteit): dit is de maximale positieve of negatieve afwijking van het feitelijke kenmerk (gemiddelde van naar boven en naar beneden gemeten waarden) van een rechte lijn die zo is geplaatst dat de maximale afwijkingen gelijk worden gemaakt en geminimaliseerd.

Lint (1): een bundel monofilamenten, die gewoonlijk ongeveer parallel lopen.

Lokaal netwerk (4): een datacommunicatiesysteem dat alle onderstaande kenmerken combineert: NB: Een datatoestel is een apparaat voor het zenden of ontvangen van reeksen digitale informatie.

pt_76 a.

het stelt een willekeurig aantal onafhankelijke datatoestellen in staat, rechtstreeks met elkaar in verbinding te staan; en

b.

het is beperkt tot een geografisch betrekkelijk klein gebied (bijvoorbeeld een kantoorgebouw, een fabriek, een universiteitscomplex of een magazijn).

Luchtstroom-beheerste antitorsie of richtingsregelsystemen (7): systemen die gebruik maken van lucht die over aërodynamische vlakken wordt geblazen om de door deze oppervlakken gegenereerde krachten te verhogen en te beheersen.

Magnetische gradiëntmeters (6): deze zijn ontworpen voor het opsporen van de ruimtelijke variaties van magnetische velden van bronnen buiten het instrument. Zij bestaan uit verscheidene magnetometers en bijbehorende elektronica waarvan de afleeswaarde een maat is van de gradiënt van het magnetisch veld. NB: Zie ook intrinsieke magnetische gradiëntmeter.

Magnetometers (6): deze zijn ontworpen voor het opsporen van magnetische velden van bronnen buiten het instrument. Zij bestaan uit één enkel sensorelement voor het waarnemen van magnetische velden en bijbehorende elektronica waarvan de afleeswaarde een maat is van het magnetisch veld.

Materiaal dat bestand is tegen corrosie door UF6 (O): koper, roestvrij staal, aluminium, aluminiumoxide, aluminiumlegeringen, nikkel of een legering met 60 of meer gewichtspercenten nikkel en UF6-bestendige gefluoreerde koolwaterstofpolymeren, naar gelang van het soort scheidingsproces.

Matrix (1 2 8 9): een in hoofdzaak continue fase die de ruimte tussen deeltjes, whiskers of vezels vult.

Mechanisch legeren (1): een legeringsproces door middel van het binden, breken en opnieuw binden van elementaire of moederlegeringspoeders met behulp van mechanische krachten. Niet-metaaldeeltjes kunnen in de legering worden opgenomen door toevoeging van de geschikte poeders.

Meetonzekerheid (2): de kenmerkende parameter die specificeert binnen welk bereik rond de uitvoerwaarde de juiste waarde van de te meten variabele ligt met een betrouwbaarheidsniveau van 95 procent. Deze omvat de ongecorrigeerde systematische afwijkingen, de ongecorrigeerde speling en de willekeurige afwijkingen. (Referentie: ISO 10360-2, of VDI/VDE 2617)

Microcomputer-microschakeling (3): een monolithische geïntegreerde schakeling of multichip geïntegreerde schakeling met een logische rekeneenheid (ALU), die in staat is om vanuit een intern geheugen algemene opdrachten uit te voeren op basis van gegevens opgeslagen in het interne geheugen. NB: Het interne geheugen kan worden uitgebreid met een extra geheugen.

Micro-organismen (1 2): bacteriën, virussen, mycoplasma’s, rickettsiae, chlamydiae of schimmels, natuurlijk, versterkt of gemodificeerd, in de vorm van geïsoleerde levende culturen of als materiaal met inbegrip van levend materiaal dat opzettelijk met dergelijke culturen is geïnoculeerd of besmet.

Microprocessor-microschakeling (3): een monolithische geïntegreerde schakeling of multichip geïntegreerde schakeling met een logische rekeneenheid (ALU), die in staat is om vanuit een extern geheugen een reeks algemene opdrachten uit te voeren. NB 1: De microprocessor-microschakeling bevat gewoonlijk geen toegankelijkheid van het interne geheugen voor de gebruiker, hoewel op de chip aanwezig geheugen kan worden gebruikt voor uitvoering van de logische functie. NB 2: Hieronder vallen tevens chip sets die zijn ontworpen om samen de functie van een microprocessormicroschakeling te leveren.

Momentele bandbreedte (3 5 7): de bandbreedte waarover het uitgangsvermogen binnen 3 dB constant blijft zonder bijstelling van andere werkparameters.

Monofilament (1) of filament: de kleinste maat vezel, gewoonlijk enkele micrometers in diameter.

Monolithische geïntegreerde schakeling (3): een combinatie van passieve en/of actieve schakelelementen welke: NB: Een schakelelement is een enkelvoudig actief of passief functioneel deel van een elektronische schakeling, bijvoorbeeld één diode, één transistor, één weerstand, één condensator, enz.

pt_89 a.

wordt gevormd door middel van diffusie, implanteren of opdampen in of op één enkel halfgeleidend stukje materiaal, een zogenaamde chip;

b.

wordt beschouwd als een ondeelbaar iets; en

c.

de functie(s) uitvoer(t)(en) van een schakeling.

Monospectrale beeldsensoren (6): deze zijn geschikt voor het vergaren van beeldgegevens van één afzonderlijke spectrumband.

Multichip geïntegreerde schakeling (3): twee of meer monolithische geïntegreerde schakelingen, verbonden op een gemeenschappelijk substraat.

Multispectrale beeldsensoren (6): deze zijn geschikt voor het gelijktijdig of serieel vergaren van beeldgegevens van twee of meer afzonderlijke spectrumbanden. Sensoren met meer dan twintig afzonderlijke spectrumbanden worden ook wel hyperspectrale beeldsensoren genoemd.

Natuurlijk uraan (0): uraan met dezelfde isotopensamenstelling als in de natuur voorkomt.

Navigatiesystemen met als referentie een gegevensbestand (DBRN-systemen): systemen die gebruik maken van verschillende bronnen van eerder gemeten gegevens die aan een geografische referentie zijn toegewezen, welke zijn geïntegreerd om onder dynamische omstandigheden accurate navigatie-informatie te verstrekken. De gegevensbronnen omvatten bathymetrische kaarten, sterrenkaarten, zwaartekrachtkaarten, magnetische kaarten of 3-D digitale terreinkaarten.

Nauwkeurigheid (6) (gewoonlijk uitgedrukt in mate van onnauwkeurigheid): de maximale positieve of negatieve afwijking van een aangegeven waarde ten opzichte van een erkende norm of zuivere waarde.

Netwerktoegangsbesturingseenheid (4): een fysieke verbinding met een gedistribueerd schakelnetwerk. Deze verbinding maakt gebruik van een gemeenschappelijk medium dat steeds met dezelfde digitale overbrengsnelheid werkt en voor de transmissie gebruikt maakt van arbitration (bijvoorbeeld token of carrier sense). (Dit houdt in dat het systeem zelf zorg draagt voor de toegang tot het medium, zodanig dat de apparaten elkaar niet hinderen, bv. door onderlinge toewijzing van toegang of door aftasten of het kanaal vrij is). Geheel onafhankelijk selecteert de eenheid aan haar geadresseerde gegevenspakketten of gegevensgroepen (bv. IEEE 802). Het is een samenstelling die in computer- of telecommunicatieapparatuur kan worden geïntegreerd om toegang tot de communicatie te verschaffen.

Neurale computer (4): een rekentoestel dat is ontworpen of aangepast voor nabootsing van het gedrag van een neuron of een verzameling neuronen, d.w.z. een rekentoestel dat zich onderscheidt door het vermogen van zijn apparatuur om aan de hand van eerdere gegevens het gewicht en aantal van de onderlinge verbindingen van een grote hoeveelheid rekencomponenten te wijzigen.

Noodzakelijk (ATN 1-9): met betrekking tot technologie of programmatuur wordt hieronder verstaan uitsluitend dat deel van de technologie of programmatuur dat in het bijzonder verantwoordelijk is voor het bereiken of te boven gaan van de onder embargo vallende prestatieniveaus, kenmerken of functies. Verschillende producten kunnen dergelijke noodzakelijke technologie of programmatuur gemeen hebben.

Numerieke besturing (2): de automatische besturing van een proces, uitgevoerd door een apparaat dat gebruik maakt van numerieke gegevens die gewoonlijk worden ingevoerd tijdens de voortgang van het proces. (Referentie ISO 2382)

Objectcode (4 5 9): een door apparatuur uitvoerbare vorm van een geschikte expressie van één of meer processen (broncode (brontaal) die door een programmeersysteem is omgezet).

Onafgewerkte substraten (6): monolithische verbindingen met afmetingen die geschikt zijn voor de productie van optische elementen zoals spiegels of optische vensters.

Onbemande luchtvaartuigen (UAV) (9): luchtvaartuigen zonder menselijke aanwezigheid aan boord die kunnen opstijgen en zonder onderbreking gecontroleerde vluchten kunnen uitvoeren en navigatie kunnen aanhouden.

Onderling verbonden radarsensoren (6): twee of meer radarsensoren zijn onderling verbonden wanneer zij tijdgebonden onderling gegevens uitwisselen.

Ontwikkeling (ATN NTN Alle). Dit bestrijkt alle fasen voorafgaand aan serieproductie, zoals ontwerp, ontwerponderzoek, ontwerpanalyse, ontwerpideeën, assemblage en testen van prototypen, proefproductieplannen, ontwerpgegevens, het vertalen van ontwerpgegevens in een product, ontwerp van configuraties, integratieontwerp, opmaak.

Onvertraagde verwerking (real time processing) (6 7): het verwerken van gegevens door een computersysteem dat afhankelijk van de beschikbare middelen een bepaalde prestatie levert binnen een gewaarborgde responsietijd als reactie op een externe gebeurtenis, ongeacht de belasting van het systeem.

Optimalisering van de vliegroute (7): een procedure waarmee afwijkingen van een vierdimensionale gewenste vliegroute (tijd en ruimte), gebaseerd op de maximalisering van de prestaties of doeltreffendheid van de taken van een missie, zo klein mogelijk worden gehouden.

Optisch sensor-array voor vluchtregeling (7): met elkaar verbonden optische sensoren waarbij laser-bundels worden gebruikt om real-time vluchtregelingsgegevens te verkrijgen, die aan boord worden verwerkt.

Optische computer (4): een computer, ontworpen of aangepast voor het gebruik van licht voor de weergave van gegevens en waarvan de logische rekenelementen zijn gebaseerd op direct gekoppelde optische elementen.

Optische geïntegreerde schakeling (3): een monolithische geïntegreerde schakeling of hybride geïntegreerde schakeling die één of meer delen bevat die zijn ontworpen om als een fotosensor of foto-emitter te werken of om één of meer optische of elektro-optische functies te vervullen.

Optische versterking (5): een bij optische communicatie gebruikte versterkingstechniek die een versterking bewerkstelligt van optische signalen die zijn voortgebracht door een afzonderlijke optische bron, zonder omzetting in elektrische signalen, bijvoorbeeld door gebruik te maken van optische halfgeleiderversterkers, of luminescerende versterkers van glasvezels.

Optisch schakelen (5): bepaling van de route of schakelen van optische signalen zonder omzetting in elektrische signalen.

Persoonsgebonden slimme kaart (5): een slimme kaart die een microschakeling bevat die voor een specifieke toepassing is geprogrammeerd en door de gebruiker niet opnieuw kan worden geprogrammeerd voor een andere toepassing.

Piekvermogen (6): energie per impuls in joules gedeeld door de pulsduur in seconden.

Primaire vluchtregeling (7): een voorziening voor het regelen van de stabiliteit of de besturing van een vliegtuig waarbij gebruik wordt gemaakt van kracht-/moment-generatoren, d.w.z. aërodynamische stuurvlakken of koersbepaling door middel van stuwkrachtregeling.

Productie (ATN NTN Alle): hieronder vallen alle productiestadia, zoals bouw, productie, engineering, fabricage, integratie, assemblage (monteren), inspectie, testen, kwaliteitsborging.

Productieapparatuur (1 7 9): gereedschap, mallen, kalibers, mandrellen, matrijzen, bevestigingsmiddelen, uitlijnmiddelen, testapparatuur, andere apparatuur en componenten daarvoor, beperkt tot datgene dat speciaal is ontworpen of aangepast voor de ontwikkeling of voor een of meer fasen van de productie.

Productiefaciliteiten (7 9): apparatuur en speciaal ontworpen programmatuur, samengesteld tot installaties voor de ontwikkeling of voor een of meer fasen van de productie.

Programma (2 6): een reeks opdrachten voor het volbrengen van een handeling in een vorm, of om om te zetten in een vorm, die voor de uitvoering door een elektronische computer geschikt is.

Programmatuur (APN Alle): een verzameling van één of meer programma’s of microprogramma’s, vastgelegd op enig tastbaar medium. NB:Microprogramma: een reeks elementaire instructies die in een speciaal geheugen wordt bewaard en waarvan de uitvoering wordt gestart door de invoer van de bijbehorende verwijsopdracht in het instructieregister.

Pulsduur (6): duur van een laser-impuls, gemeten over volle breedte bij halve intensiteit (Full Width Half Intensity - FWHI).

Quantumcryptografie: (5) een groep technieken voor het opstellen van een gemeenschappelijke encryptiesleutel door meting van de quantummechanische eigenschappen van een fysisch systeem (met inbegrip van de fysische eigenschappen die expliciet beheerst worden door quantumoptica, de quantumveldtheorie en de quantumelektrodynamica)

Q-switched laser (6): een laser waarbij de energie wordt opgeslagen in de populatie-inversie of in de optische resonator en vervolgens wordt uitgezonden in een impuls.

Radar frequency agility (6): iedere techniek waarbij de draaggolffrequentie van een gepulseerde radarzender in een pseudowillekeurige volgorde van impuls tot impuls of van de ene groep impulsen tot de volgende groep kan veranderen met een hoeveelheid gelijk aan of groter dan de bandbreedte van de impuls.

Radar spread spectrum (6): iedere modulatietechniek voor het spreiden van energie afkomstig van een signaal met een relatief smalle frequentieband over een veel bredere frequentieband, met gebruikmaking van willekeurige of pseudowillekeurige codering.

Raketten (1 3 6 7 9): complete raketsystemen en systemen voor onbemande luchtvaartuigen die een nuttige last van tenminste 500 kg kunnen vervoeren over een afstand van ten minste 300 km.

Reactietijdconstante (6): de tijd vanaf het toepassen van een lichtprikkel totdat de stroomtoename een waarde heeft bereikt van 1-1/e maal de eindwaarde (d.w.z. 63 % van de eindwaarde).

Rekenelement (CE) (4): de kleinste rekeneenheid die een rekenkundig of logisch resultaat voortbrengt.

Resolutie (2): de kleinste stap van een meettoestel; op digitale instrumenten het minst significante bit. (Referentie: ANSI B-89.1.12).

Robot (2 8): een manipulatiemechanisme, dat kan zijn van een type dat een continu pad aflegt of van een type dat van punt naar punt gaat, eventueel voorzien van sensoren, en dat alle volgende kenmerken heeft: NB: Bovenstaande definitie slaat niet op de volgende toestellen:

pt_129 a.

multifunctioneel;

b.

geschikt voor het positioneren of oriënteren van materialen, onderdelen, gereedschappen of speciale elementen door middel van regelbare bewegingen in de driedimensionale ruimte;

c.

met drie of meer servomechanismen met open of gesloten lus waarbij inbegrepen kunnen zijn stappenmotoren; en

d.

met toegankelijkheid van het programma voor de gebruiker door middel van de leer-en-terugspeelmethode (teach/playback) of door middel van een elektronische computer die een programmeerbare logische regeleenheid kan zijn (PLC), d.w.z. zonder mechanische interventie.

1. manipulatiemechanismen die alleen met de hand of met een mechanisme voor afstandsbediening te regelen zijn;

2. manipulatiemechanismen die in een vaste volgorde werken en geautomatiseerde bewegende toestellen zijn, die mechanisch vastgelegde, geprogrammeerde bewegingen uitvoeren. Het programma is mechanisch beperkt door vaste aanslagen, zoals pennen of nokken. De volgorde van de bewegingen en de keuze van trajecten of hoeken mag niet op mechanische, elektronische of elektrische wijze beïnvloedbaar zijn;

3. mechanisch geregelde manipulatiemechanismen met een variabele volgorde van bewegingen, die geautomatiseerde bewegende toestellen zijn welke mechanisch vastgelegde, geprogrammeerde bewegingen uitvoeren. Het programma is mechanisch beperkt door vaste, maar verplaatsbare aanslagen, zoals pennen en nokken. De volgorde van de bewegingen en de keuze van de trajecten of hoeken kan binnen het vaste programmapatroon worden gevarieerd. Variaties of wijzigingen in het programmapatroon (bv. verwisselen van pennen of uitwisselen van nokschijven) in één of meer bewegingsassen mogen alleen langs mechanische weg bewerkstelligd worden;

4. niet van een servomechanisme voorziene manipulatiemechanismen met een variabele volgorde van bewegingen, die geautomatiseerde bewegende toestellen zijn welke mechanisch vastgelegde, geprogrammeerde bewegingen uitvoeren. Het programma mag variabel zijn maar de volgorde mag slechts op grond van het binaire signaal van mechanisch vaste elektrische binaire voorzieningen of verplaatsbare aanslagen verlopen;

5. stapelkranen, waaronder te verstaan met Cartesische coördinaten werkende manipulatiesystemen, vervaardigd als integraal onderdeel van een verticale opstelling van opslagbakken en ontworpen voor het bereiken van de inhoud van deze bakken voor opslag of leeghalen.

Rondloopnauwkeurigheid (run-out) (2): radiale verplaatsing tijdens één omwenteling van de hoofdspil gemeten in een vlak loodrecht op de hartlijn van de spil aan een punt op het te testen uitwendige of inwendige omwentelingsoppervlak. (Referentie ISO 230, deel 1-1986, paragraaf 5.61)

Roterend verstuiven (1): een proces voor het verdelen van een stroom of een plas gesmolten metaal tot druppeltjes met een diameter van 500 micrometer of minder door middel van centrifugale kracht.

Roving (1): een bundel (normaal 12-120) van ongeveer evenwijdige strengen. NB:Streng: een bundel monofilamenten (normaal meer dan 200) die ongeveer parallel lopen.

Ruimtevaartuig (7 9): actieve en passieve satellieten en ruimtesondes.

Ruisniveau (6): een elektrisch signaal, uitgedrukt in spectrale vermogensdichtheid. De verhouding van ruisniveau van piek-tot-piek wordt gegeven met S2pp = 8N0 (f2-f1), waarbij Spp de piek-tot-piekwaarde is van het signaal (bv. nanotesla), N0 de spectrale vermogensdichtheid (bv. (nanotesla)2/Hz) en (f2-f1) de desbetreffende bandbreedte definieert.

Samengestelde draaitafel (2): een tafel waarop het werkstuk kan draaien en kantelen rond twee niet parallelle assen, die tegelijkertijd kunnen samenwerken voor contourbesturen.

Samenstelling (2 3 4 5): een aantal elektronische componenten (bijvoorbeeld schakelelementen, discrete onderdelen, geïntegreerde schakelingen, enz.) die onderling verbonden zijn om één of meer specifieke functies te vervullen en die als een eenheid vervangbaar en gewoonlijk demonteerbaar is. NB 1: Een schakelelement is een enkelvoudig actief of passief functioneel deel van een elektronische schakeling, bv. één diode, één transistor, één weerstand, één condensator, enz. NB 2: een discreet onderdeel is een afzonderlijk omhuld schakelelement met eigen uitwendige aansluitingen.

Schaalfactor (gyroscoop of versnellingsmeter) (7): de verhouding tussen de uitvoerverandering en de te meten invoerverandering. De schaalfactor wordt gewoonlijk gegeven als de hellingshoek van de rechte lijn die volgens de kleinstekwadratenmethode past bij de invoer-uitvoergegevens, verkregen door cyclische variatie van de invoer over het ingangstraject.

SHPL staat voor Super High Power Laser.

Signaalanalysatoren (3): instrumenten, geschikt voor het meten en afbeelden van de basiseigenschappen van de individuele frequentiecomponenten van meervoudige-frequentiesignalen.

Signaalverwerking (3 4 5 6): het verwerken van elders verkregen informatiedragende signalen met behulp van algoritmen, zoals tijdcompressie, filteren, extractie, selectie, correlatie, convolutie of transformatie tussen domeinen (bv. de snelle Fourier-transformatie (fast Fourier transform) of de Walsh-transformatie (Walsh transform)).

Smeltextractie (1): een proces voor het snel stollen en extraheren van een lintvormig legeringsproduct door een kort segment van een ronddraaiend gekoeld blok in een bad met een gesmolten metaallegering te brengen. NB:Snel stollen is het stollen van gesmolten materiaal bij een koelsnelheid van meer dan 1000 K/sec.

Speciale splijtstoffen (0): plutonium-239, uraan-233, uraan verrijkt in de isotopen 235 of 233, en elk materiaal dat het voorgaande bevat.

Specifieke modulus (0 1 9): Youngs modulus in pascal, gelijk aan N/m2 gedeeld door het soortgelijke gewicht in N/m3, gemeten bij een temperatuur van 296 ±2 K (23 ±2 °C) en een relatieve vochtigheid van 50 ±5%.

Specifieke treksterkte (0 1 9): de breeksterkte in pascal, gelijk aan N/m2 gedeeld door het soortgelijk gewicht in N/m3, gemeten bij een temperatuur van 296 ±2 K (23 ±2 °C) en een relatieve vochtigheid van 50 ±5%.

Spinnen uit de smelt (1): een proces voor het snel stollen van een stroom gesmolten metaal die botst op een ronddraaiend gekoeld blok, waardoor een schilfer-, lint- of staafvormig product ontstaat. NB:Snel stollen is het stollen van gesmolten materiaal bij een koelsnelheid van meer dan 1000 K/seconde.

Spread spectrum (5): de techniek waarbij de energie in een communicatiekanaal met een relatief smalle band wordt gespreid over een veel breder energiespectrum.

Spread spectrum radar (6): zie Radar spread-spectrum.

Stabilisatietijd (settling time) (3): de tijd die nodig is om binnen een halve bit van de uitgangseindwaarde te komen bij het schakelen tussen twee willekeurige niveaus van de omzetter.

Stabiliteit (7): standaardafwijking (1 sigma) van de miswijzing van een bepaalde parameter van de ijkwaarde, gemeten bij stabiele temperatuuromstandigheden. Deze kan worden uitgedrukt als een functie van de tijd.

Stapel- en continuvezelmateriaal (0 1 2 8). Dit omvat:

pt_150 a.

continumonofilamenten;

b.

continugarens en rovings;

c.

banden, weefsels en onregelmatig gelaagde matten en gevlochten banden;

d.

op lengte gesneden vezels, stapelvezels en samenhangende vezeldekens;

e.

whiskers, hetzij monokristallijn hetzij polykristallijn, ongeacht hun lengte;

f.

aromatische polyamidepulp.

Staten die (geen) partij zijn bij het Verdrag inzake chemische wapens: staten waarvoor het Verdrag tot verbod van de ontwikkeling, de productie, de aanleg van voorraden en het gebruik van chemische wapens (niet) in werking is getreden. (Zie www.opcw.org)

Storingstolerantie (4): het vermogen van een computersysteem om, na een storing in een onderdeel van zijn apparatuur of programmatuur, zonder ingrijpen van de mens te blijven functioneren op een bepaald niveau waardoor de ononderbroken werking, gegevensintegriteit en herstel van alle functies binnen een bepaalde tijd worden gegarandeerd.

Substraat (3): een laag basismateriaal met of zonder een onderlinge verbindingsstructuur waarop of waarin discrete onderdelen of geïntegreerde schakelingen of beide aanwezig kunnen zijn. NB 1: Een discreet onderdeel is een afzonderlijk omhuld schakelelement met eigen uitwendige aansluitingen. NB 2: Een schakelelement is een enkelvoudig actief of passief functioneel deel van een elektronisch circuit, bv. één diode, één transistor, één weerstand, één condensator, enz.

Subeenheid van toxine (1): een structureel en functioneel losstaand bestanddeel van een hele toxine.

Supergeleidend (1 3 6 8): materialen, d.w.z. metalen, legeringen of verbindingen waarvan de elektrische weerstand nul kan worden, d.w.z. dat zij een oneindige elektrische geleidbaarheid kunnen bereiken en zeer grote stromen kunnen geleiden zonder joule-opwarming. NB: De supergeleidende toestand van elk afzonderlijk materiaal wordt gekenmerkt door een kritische temperatuur, een kritisch magnetisch veld, dat een functie is van de temperatuur, en een kritische stroomdichtheid, die echter een functie is van zowel het magnetisch veld als de temperatuur.

Super High Power Laser (SHPL) (6): een laser die geschikt is voor het afgeven van (het totaal of een gedeelte van) de uitgangsenergie van meer dan 1 kJ binnen 50 ms of met een gemiddeld of CW-(continugolf-) vermogen van meer dan 20 kW.

Superlegeringen (2 9): legeringen op basis van nikkel, kobalt of ijzer, met sterkten hoger dan de standaardwaarden volgens de AISI 300 bij temperaturen boven 922 K (649 °C) onder zware omgevings- en gebruiksomstandigheden.

Superplastisch vormen (1 2): een vervormingsproces waarbij warmte wordt gebruikt om voor metalen die gewoonlijk weinig rek (minder dan 20 %) hebben bij de breeksterktegrens als bepaald bij kamertemperatuur door middel van een conventionele trekproef, tijdens het verwerken minstens tweemaal hogere rekwaarden te bereiken dan genoemde waarden.

Symmetrisch algoritme (5): cryptografisch algoritme waarin voor encryptie dezelfde sleutel gebruikt wordt als voor decryptie. NB:Symmetrische algoritmen worden vaak voor vertrouwelijke gegevens gebruikt.

Systeemsporen (6): verwerkt, gecorreleerd (samenvoeging van radardoelgegevens en vliegplanpositie) en met de laatste informatie bijgewerkt rapport dat ter beschikking staat van de verkeersleiders van het Luchtverkeersleidingscentrum.

Systolic array-computer (4): een computer waarbij de gegevensstroom en wijziging van de gegevens dynamisch kan worden bestuurd door de gebruiker op het niveau van de logische poort.

Technologie (ATN NTN Alle): specifieke informatie die nodig is voor de ontwikkeling, de productie of het gebruik van een product. De informatie is in de vorm van technische gegevens of technische bijstand. NB 1:Technische bijstand kan zijn in de vorm van instructie, vaardigheden, opleiding, praktijkkennis, advies e.d. en kan gepaard gaan met de overdracht van technische gegevens. NB 2:Technische gegevens kunnen o.m. bestaan uit blauwdrukken, tekeningen, schema’s, modellen, formules, tabellen, technische ontwerpen en specificaties, handboeken en instructies, in geschreven vorm of vastgelegd op andere media of apparaten zoals schijf, magneetband, leesgeheugens (ROM’s).

Tijdgebonden bandbreedte (real time bandwidth) (2 3): voor dynamische signaalanalysatoren is dit het grootste frequentiebereik dat de analysator kan uitvoeren naar beeldscherm of massageheugen zonder dat daardoor de analyse van de invoergegevens wordt onderbroken. Bij analysatoren met meer dan één kanaal dient bij de berekening die kanaalconfiguratie te worden gehanteerd die de breedste tijdgebonden bandbreedte oplevert.

Toegankelijkheid van het programma voor de gebruiker (6): de mogelijkheid voor de gebruiker om programma’s in te voegen, te veranderen of te vervangen anders dan door middel van:

pt_164 a.

een fysieke wijziging in de bedrading of andere onderlinge verbindingen; of

b.

het instellen van functiekeuzen, het inbrengen van parameters daarbij inbegrepen.

Totale digitale overbrengsnelheid (5): het aantal bits, met inbegrip van regelcodering, organisatorische bits enz., dat per tijdseenheid wordt overgebracht tussen overeenkomstige apparatuur in een digitaal transmissiesysteem. NB: Zie ook digitale overbrengsnelheid

Totale stroomdichtheid (3): het totale aantal ampèrewikkelingen in de spoel (d.w.z. de som van het aantal wikkelingen vermenigvuldigd met de maximale stroom die door elke wikkeling wordt gevoerd), gedeeld door de totale doorsnede van de spoel (met inbegrip van de supergeleidende draden, de metalen matrix waarin de supergeleidende draden zijn ingebed, het omgevende materiaal, eventuele koelkanalen, enz.).

Totale theoretische prestatie (CTP) (3 4): een maat voor de rekenprestatie in miljoenen theoretische bewerkingen per seconde (Mtops), berekend door samenvoeging van de rekenelementen (computing elements (CE)). NB: Zie categorie 4, technische noot

Totale vluchtregeling (7): een geautomatiseerde regeling van de toestandsvariabelen en de vliegbaan van een vliegtuig om te voldoen aan de doelstellingen van een missie, waarbij wordt gereageerd op real-time veranderingen in de gegevens betreffende doelstellingen, gevaren en andere vliegtuigen.

Toxinen (1 2): toxinen in de vorm van opzettelijk geïsoleerde preparaten of mengsels, ongeacht de wijze van bereiding, anders dan toxinen die als contaminant aanwezig zijn in andere materialen zoals pathologische monsters, gewassen, levensmiddelen of culturen van micro-organismen.

Transfer laser (6): een laser waarbij het lasermedium wordt geëxciteerd door de overdracht van energie door middel van botsing van een niet-stralend atoom of molecuul op een atoom of molecuul dat laserstraling uitzendt.

Uraan verrijkt in de isotopen 235 of 233 (0): uraan dat de isotopen 235 of 233 of beide bevat in een zodanige hoeveelheid, dat de verhouding tussen de som van de hoeveelheden van deze isotopen en de hoeveelheid van de isotoop 238 groter is dan de verhouding tussen de hoeveelheden van de isotoop 235 en de isotoop 238 in natuurlijk uraan (isotoopverhouding: 0,71 %).

Vaccin (1): een medisch preparaat volgens een chemische formule waarvoor een vergunning is afgegeven of waarvoor een vergunning voor het in de handel brengen of voor klinische proeven is afgegeven door de regelgevende instanties van hetzij het land waar het wordt gefabriceerd, hetzij het land waar het wordt gebruikt, en dat strekt tot stimulering van een beschermende immunorespons ter voorkoming van ziekten in de mens of het dier aan wie of waaraan het wordt toegediend.

Vast (5): het coderings- of comprimeringsalgoritme kan geen parameters van buitenaf ontvangen (bv. cryptografische of sleutelvariabelen) noch gewijzigd worden door de gebruiker.

Verarmd uraan (0): uraan met een gehalte aan het uraan-235-isotoop dat lager is dan in de natuur voorkomt.

Vergruizing (1): een procédé voor het tot deeltjes verdelen van materiaal door stampen of malen.

Verloopsnelheid (gyroscopen) (7): de snelheid waarmee de afwijking van de uitvoer ten opzichte van de gewenste uitvoer verandert. Deze bestaat uit willekeurige en systematische componenten en wordt uitgedrukt als een equivalente invoer-hoekverplaatsing per eenheid tijd ten opzichte van de inerte ruimte.

Vermengd (commingled) (1): het mengen van filamenten van thermoplastische vezels en versterkingsvezels voor de productie van een vezelversterking/-matrix mengsel in totaalvezelvorm.

Vermogensaanpassing (7): een zodanige aanpassing van het uitgezonden vermogen van het hoogtemetersignaal dat het ontvangen signaal op vliegtuig hoogte altijd het minimale vermogen heeft dat nodig is om de hoogte te bepalen.

Versplintering door snelle afkoeling (splat quenching) (1): een proces voor het snel stollen van een gesmolten stroom metaal die botst op een gekoeld blok, waardoor flakes worden gevormd. NB:Snel stollen is het stollen van gesmolten materiaal bij een koelsnelheid van meer dan 1000 K/seconde.

Verstuiving in gas (1): een proces voor het verdelen van een stroom gesmolten metaallegering tot druppeltjes met een diameter van 500 micrometer of minder door middel van een onder hoge druk staande gasstroom.

Verstuiving in vacuüm (1): een proces voor het verdelen van een stroom gesmolten metaal tot druppeltjes met een diameter van 500 micrometer of minder door middel van de snelle uiteenzetting van een opgelost gas bij blootstelling aan een vacuüm.

Vervormbare spiegels (6): (ook bekend als adaptieve optische spiegels). Spiegels met:

pt_182 a.

één enkel continu optisch reflecterend oppervlak dat dynamisch wordt vervormd door afzonderlijke momenten of krachten uit te oefenen om de vervormingen van de op de spiegel invallende optische golfvorm te compenseren; of

b.

verscheidene optische reflecterende elementen die afzonderlijk dynamisch kunnen worden verplaatst door momenten of krachten uit te oefenen om vervormingen van de op de spiegel invallende optische golfvorm te compenseren.

Verwerking van meervoudige stromen van gegevens (4): de op microprogramma’s of op de architectuur van apparatuur gebaseerde technieken, die het verwerken van twee of meer datareeksen, bestuurd door één of meer opdrachtreeksen, mogelijk maken, bijvoorbeeld door middel van: NB:Microprogramma: een reeks elementaire opdrachten die in een speciaal geheugen wordt bewaard en waarvan de uitvoering wordt gestart door de invoer van de bijbehorende verwijsopdracht in het opdrachtregister.

pt_183 a.

single instruction multiple data (SIMD) architecturen zoals vector- of arrayverwerkingseenheden;

b.

multiple single instruction multiple data (MSIMD) architecturen;

c.

multiple instruction multiple data (MIMD) architecturen, met inbegrip van die welke hechtgekoppeld, kortgekoppeld of niet-hechtgekoppeld zijn; of

d.

gestructureerde arrays van verwerkingselementen, met inbegrip van systolische arrays.

Vliegtuigen (1 7 9): luchtvaartuigen met vaste, draaibare of roterende (hefschroefvliegtuig) vleugel en verticaal opstijgende luchtvaartuigen (met kantelende rotor of vleugel). NB: Zie ook civiele vliegtuigen.

Voortplantingsvertragingstijd van de basispoort (3): de waarde van de voortplantingsvertragingstijd die overeenkomt met die van de basispoort binnen een monolitische geïntegreerde schakeling. Deze kan voor een bepaalde familie van monolithische geïntegreerde schakelingen gespecificeerd zijn als de voortplantingsvertragingstijd per typerende poort binnen die familie of als de typerende voortplantingsvertragingstijd per poort binnen die familie. NB 1: De voortplantingsvertragingstijd van de basispoort moet niet worden verward met de in/uitgangsvertragingstijd van een complexe monolithische geïntegreerde schakeling. NB 2: Een familie bestaat uit alle geïntegreerde schakelingen waarop alle onderstaande elementen zijn toegepast als fabricagemethoden en -specificaties, met uitzondering van hun respectieve functies:

pt_185 a.

de gebruikelijke hardware- en programmatuurarchitectuur;

b.

de gebruikelijke ontwerp- en verwerkingstechnologie; en

c.

de gebruikelijke basiskenmerken.

Voor iedereen beschikbaar (ATN NTN APN). Technologie of programmatuur die zonder beperkingen aan de verdere verspreiding daarvan beschikbaar zijn gesteld. (Auteursrechtelijke beperkingen hebben niet tot gevolg dat technologie of programmatuur niet langer voor iedereen beschikbaar is.)

Voornaamste deel (4): een deel is een voornaamste deel wanneer de vervangingswaarde hoger is dan 35 % van de totale waarde van het systeem waarvan het deel uitmaakt. De waarde van een deel is de prijs die door de fabrikant of door degene die het systeem heeft geïntroduceerd voor het deel is betaald. De totale waarde is de normale internationale verkoopprijs bij verkoop aan een niet-gelieerde partij af fabriek of bij bevestiging van de verzending.

Werkgeheugen (4): het primaire geheugen voor gegevens of opdrachten, dat voor de centrale verwerkingseenheid snel toegankelijk is. Het bestaat uit het interne geheugen van een digitale computer en elke hiërarchische uitbreiding daarvan, zoals cache-geheugens of niet-sequentieel toegankelijke geheugenuitbreidingen.

IN DEZE BIJLAGE GEBRUIKTE ACRONIEMEN EN AFKORTINGEN

Een acroniem of afkorting, gebruikt als gedefinieerde term, is te vinden in Definities van in deze bijlage gebruikte termen. Acroniem of afkorting Betekenis ABEC Annular Bearing Engineers Committee AGMA American Gear Manufacturers’ Association AHRS attitude and heading reference systems AISI American Iron and Steel Institute ALU arithmetic logic unit (logische rekeneenheid) ANSI American National Standards Institute ASTM the American Society for Testing and Materials ATC air traffic control (luchtverkeersleiding) AVLIS isotopenscheidingsinstallaties werkend met atomaire-damplasers CAD computer-aided-design (computerondersteund ontwerpen) CAS Chemical Abstracts Service CCITT Comité consultatif international télégraphique et téléphonique (Internationale Raadgevende Commissie inzake telegrafie en telefonie) CDU control and display unit (besturings- en beeldeenheid) CEP circular error probability (50 %-trefkanscirkel) CNTD controlled nucleation thermal deposition (thermische ontleding met beheerste nucleatie) CRISLA chemische reactie door selectieve laseractivering van één of meer isotopen CVD chemical vapour deposition (chemische afzetting uit de dampfase) CW chemical warfare (chemische oorlogsvoering) CW (voor lasers) continuous wave (continugolf) DME distance measuring equipment DS directionally solidified EB-PVD electron beam physical vapour deposition (elektronenstraalverdampen) EBU European Broadcasting Union ECM electro-chemical machining ECR electron cyclotron resonance EDM electrical discharge machines (vonkmachines) EEPROMS electrically erasable programmable read only memory EIA Electronic Industries Association EMC elektromagnetische compatibiliteit ETSI European Telecommunications Standards Institute (Europees Instituut voor telecommunicatienormen) FFT Fast Fourier Transform (snelle Fourier-transformatie) GLONASS global navigation satellite system (wereldwijd satellietnavigatiesysteem) GPS global positioning system HBT heterobipolaire transistors HDDR high density digital recording (digitale registratie met hoge dichtheid) HEMT high electron mobility transistors (tansistors met hoge elektronenmobiliteit) ICAO International Civil Aviation Organisation (Internationale Burgerluchtvaartorganisatie) IEC International Electrotechnical Commission (CEI - Internationale Elektrotechnische Commissie) IEEE Institute of Electrical and Electronic Engineers IFOV instantaneous-field-of-view (momenteel gezichtsveld) ILS instrument landing system IRIG inter-range instrumentation group ISAR inverse synthetic aperture radar (radarmodus met omgekeerde kunstmatig ingestelde apertuur) ISO International Organization for Standardization (Internationale organisatie voor normalisatie) ITU International Telecommunication Union (Internationale Telecommunicatie Unie) JIS Japanse Industriestandaard JT Joule-Thomson LIDAR light detection and ranging (lichtdetectie- en afstandsbepaling) LRU line replaceable unit MAC message authentication code Mach verhouding van de snelheid van een voorwerp tot de geluidssnelheid (naar Ernst Mach) MLIS isotopenscheidingsinstallaties werkend met moleculaire lasers. MLS microwave landing systems (microgolflandingssystemen) MOCVD metal organic chemical vapour deposition (chemisch neerslaan van organometaaldamp) MRI magnetic resonance imaging (beeldvorming door middel van magnetische resonantie) MTBF mean-time-between-failures (gemiddeld storingsvrij interval) Mtops miljoenen technische bewerkingen per seconde MTTF mean-time-to-failure (gemiddeld interval vóór storing) NBC nucleair, biologisch en chemisch NDT non-destructive test (niet-destructief onderzoek) PAR precision approach radar (landingsradarapparatuur) PIN persoonlijk identificatienummer ppm parts per million (delen per miljoen) PSD power spectral density (constante spectrale vermogensdichtheid) QAM quadrature-amplitude-modulation (kwadratuuramplitudemodulatie) RF radiofrequentie SACMA Suppliers of Advanced Composite Materials Association SAR synthetic aperture radar (radarmodus met kunstmatig ingestelde apertuur) SC single crystal (eenkristal) SLAR sidelooking airborne radar (zijwaarts stralende radarmodus in vliegtuigen) SMPTE Society of Motion Picture and Television Engineers SRA shop replaceable assembly (in de werkplaats vervangbaar moduul) SRAM static random access memory SRM SACMA Recommended Methods SSB single sideband (enkele zijband) SSR secondary surveillance radar TCSEC trusted computer system evaluation criteria TIR total indicated reading (totale meetklokuitslag) UV Ultraviolet UTS ultimate tensile strength (eindtreksterkte) VOR very high frequency omni-directional range YAG yttrium/aluminum garnet

CATEGORIE 0 NUCLEAIRE GOEDEREN

0ASystemen, apparatuur en onderdelen

0A001Kernreactoren en speciaal ontworpen en gebouwde uitrusting en onderdelen ervan, als hieronder:

a.

kernreactoren met een zodanige werking dat zij een beheerste zichzelf onderhoudende kettingreactie van kernsplijting handhaven;

b.

metalen vaten, of belangrijke speciaal vervaardigde onderdelen ervan, die speciaal zijn ontworpen of vervaardigd als omhulsel van de kern van een kernreactor, met inbegrip van het deksel van een reactordrukvat;

c.

bedieningsapparatuur, speciaal ontworpen of vervaardigd om splijtstof in een kernreactor aan- of af te voeren;

d.

regelstaven, d.w.z. staven die speciaal zijn ontworpen of vervaardigd voor de beheersing van het splijtingsproces in een kernreactor, de draag- of ophangconstructies daarvoor, mechanismen voor het besturen van de regelstaven en buizen voor het geleiden van de regelstaven;

e.

drukpijpen, d.w.z. buizen die speciaal zijn ontworpen of vervaardigd om dienst te doen als houder van de splijtstofelementen en het primaire koelmiddel in een kernreactor bij een werkdruk van meer dan 5,1 MPa;

f.

zirkoniummetaal en legeringen in de vorm van buizen of samenstellen van buizen waarin de gewichtsverhouding tussen hafnium en zirkonium minder is dan 1:500, speciaal ontworpen of vervaardigd voor gebruik in een kernreactor;

g.

koelpompen, d.w.z. pompen die speciaal zijn ontworpen of vervaardigd voor het doen circuleren van het primaire koelmiddel van kernreactoren;

h.

inwendige delen van kernreactoren die speciaal ontworpen of vervaardigd zijn voor gebruik in een kernreactor, met inbegrip van draagconstructies voor de reactorkern, brandstofkanalen, hitteschilden, keerschotten, roosterplaten van de reactorkern en diffusorplaten; Noot: In 0A001.h wordt onder inwendige delen van kernreactoren verstaan iedere grote structuur binnen een reactorvat die één of meer functies heeft, zoals ondersteuning van de kern, handhaving van de splijtstofafstelling, sturing van het primaire koelmiddel, het verschaffen van stralingsschermen voor het reactorvat, en de besturing van instrumentatie in de kern.

i.

warmtewisselaars (stoomgeneratoren), speciaal ontworpen of vervaardigd voor gebruik in het primaire koelmiddelcircuit van een kernreactor;

j.

instrumenten voor neutronenwaarneming en -meting, speciaal ontworpen of vervaardigd voor het bepalen van de niveaus van de neutronenflux in de kern van een kernreactor.

0BTest-, inspectie- en productieapparatuur

0B001Fabrieken voor de scheiding van isotopen van natuurlijk uraan, verarmd uraan, en speciale splijtstoffen en speciaal daarvoor ontworpen of vervaardigde uitrusting en onderdelen, als hieronder: 0B002Speciaal voor isotoopscheidingsinstallaties als bedoeld in 0B001 ontworpen of vervaardigde hulpsystemen, uitrusting en onderdelen, als hieronder, vervaardigd van of beschermd door materiaal dat bestand is tegen corrosie door UF6: 0B003Fabrieken voor de omzetting van uraan en speciaal daarvoor ontworpen of vervaardigde uitrusting, als hieronder: 0B004Fabrieken voor de productie of concentratie van zwaar water, deuterium en deuteriumverbindingen en speciaal daarvoor ontworpen of vervaardigde uitrusting en onderdelen, als hieronder: 0B005Fabrieken, speciaal ontworpen voor de vervaardiging van splijtstofelementen voor kernreactoren en speciaal ontworpen of vervaardigde uitrusting daarvoor. Noot: Een fabriek voor de vervaardiging van splijtstofelementen voor kernreactoren omvat uitrusting die: 0B006Fabrieken voor het opwerken van bestraalde splijtstofelementen en speciaal daarvoor ontworpen of vervaardigde uitrusting en onderdelen. Noot: 0B006 omvat: 0B007Fabrieken voor de omzetting van plutonium en speciaal daarvoor ontworpen of vervaardigde uitrusting, als hieronder:

a.

installaties, speciaal ontworpen voor de scheiding van isotopen van natuurlijk uraan, verarmd uraan en speciale splijtstoffen als hieronder:

1. gascentrifuges;

2. gasdiffusiescheidingsinstallaties;

3. aërodynamische scheidingsinstallaties;

4. scheidingsinstallaties met behulp van chemische uitwisselaars;

5. scheidingsinstallaties met behulp van ionenuitwisselaars;

6. isotopenscheidingsinstallaties werkend met atomaire-damp-lasers (AVLIS);

7. isotopenscheidingsinstallaties werkend met moleculaire lasers (MLIS);

8. plasmascheidingsinstallaties;

9. elektromagnetische scheidingsinstallaties;

b.

Gascentrifuges en samenstellingen en onderdelen, speciaal ontworpen voor gebruik in gascentrifuges, als hieronder: Noot: In 0B001.b betekent materiaal met een hoge sterkte/dichtheidsverhouding:

a.

maraging — staal met een maximale treksterkte van 2050 MPa of meer; of

b.

aluminiumlegeringen met een maximale treksterkte van 460 MPa of meer; of

c.

stapel- en continuvezelmateriaal met een specifieke modulus van meer dan 3,18 × 106 m en een specifieke treksterkte van meer dan 76,2 × 103 m;

1. gascentrifuges;

2. complete rotoren;

3. rotorbuiscilinders met een wanddikte van 12 mm of minder, een diameter tussen 75 en 400 mm en vervaardigd van materiaal met een hoge sterkte/dichtheidsverhouding;

4. ringen of balgen met een wanddikte van 3 mm of minder en een diameter tussen 75 mm en 400 mm, speciaal ontworpen om een rotorbuis op bepaalde plaatsen te verstevigen of om een aantal rotorbuizen samen te voegen, vervaardigd van materiaal met een hoge sterkte/dichtheidsverhouding;

5. keerschotten met een diameter tussen 75 mm en 400 mm, ontworpen om in een rotorbuis gemonteerd te worden en vervaardigd van materiaal met een hoge sterkte/dichtheidsverhouding;

6. onder- en bovendeksels met een diameter tussen 75 mm en 400 mm, speciaal ontworpen om op de uiteinden van een rotorbuis te passen en vervaardigd van materiaal met een hoge sterkte/dichtheidsverhouding;

7. magnetische lagers bestaande uit een ringvormige magneet in een behuizing, vervaardigd van of beschermd door materiaal dat bestand is tegen corrosie door UF6, bevattende een dempend medium en waarvan de magneet is gekoppeld aan een poolschoen of een tweede magneet die aan het bovendeksel van de rotor is bevestigd;

8. speciaal ontworpen lagers, bestaande uit een taats/lagerkom-samenstel, gemonteerd op een demper;

9. turbomoleculaire pompen bestaande uit cilinders met inwendige, machinaal vervaardigde of geextrudeerde langwerpige spiraalvormige groeven en inwendige, machinaal vervaardigde boorgaten;

10. ringvormige stators voor meerfasige wisselstroom-hysteresis-motoren (magnetische-weerstandsmotoren) voor synchrone werking in vacuüm, met een frequentiebereik van 600 Hz tot 2000 Hz en een vermogensbereik van 50 VA tot 1000 VA;

11. centrifugebehuizingen/houders, speciaal ontworpen om de rotorbuis van een gascentrifuge te bevatten, bestaande uit een starre cilinder met een wanddikte tot 30 mm met nauwkeurig afgewerkte uiteinden en vervaardigd van of beschermd door materiaal dat bestand is tegen corrosie door UF6;

12. inlaatstukken bestaande uit buizen met een binnendiameter tot 12 mm voor de extractie van UF6-gas uit de rotorbuis van een gascentrifuge volgens het principe van een Pitot-buis, vervaardigd van of beschermd door materiaal dat bestand is tegen corrosie door UF6;

13. frequentieomzetters (convertors of invertors), speciaal ontworpen of vervaardigd voor de voeding van motorstators van gascentrifugeverrijkers en speciaal ontworpen onderdelen hiervoor, die aan alle hieronderstaande specificaties voldoen:

13. a.

een meerfasige elektrische spanning van 600 Hz tot 2000 Hz,

b.

frequentieafwijkingen van minder dan 0,1 %,

c.

een harmonische vervorming van minder dan 2 %, en

d.

een rendement, hoger dan 80 %;

c.

speciaal voor gasdiffusiescheidingsinstallaties ontworpen of vervaardigde uitrusting en onderdelen, als hieronder:

1. membranen voor gasdiffusie vervaardigd van poreus metallisch, polymeer of keramisch materiaal dat bestand is tegen corrosie door UF6, met een poriegrootte van 10 tot 100 nm, een dikte van 5 mm of minder en, voor buisvormige membranen, met een diameter van 25 mm of minder;

2. gasdiffusorvaten, vervaardigd van of beschermd door materiaal dat bestand is tegen corrosie door UF6;

3. compressoren (verdringer, centrifugale en axiale typen) of aanjagers met een aanzuigcapaciteit van 1 m3/min. of meer UF6 en een werkdruk van maximaal 666,7 kPa, vervaardigd van of beschermd door materiaal dat bestand is tegen corrosie door UF6;

4. asafdichtingen voor compressoren of aanjagers bedoeld in 0B001.c.3., ontworpen op een inleksnelheid van het buffergas van minder dan 1000 cm3/min;

5. warmtewisselaars, vervaardigd van aluminium, koper, nikkel of legeringen die meer dan 60 percent nikkel bevatten of combinaties van deze metalen, in de vorm van beklede buizen, ontworpen voor gebruik bij drukken lager dan de atmosferische druk, met een leksnelheid die een drukstijging van minder dan 10 Pa/uur veroorzaakt bij een drukverschil van 100 kPa;

6. balgafsluiters met een diameter van 40 mm tot 1500 mm, vervaardigd van of beschermd door materiaal dat bestand is tegen corrosie door UF6;

d.

speciaal voor aërodynamische scheidingsprocessen ontworpen of vervaardigde uitrusting en onderdelen, als hieronder:

1. scheidingsstraalpijpen, bestaande uit spleetvormige, gebogen kanalen met een kromtestraal van minder dan 1 mm, bestand tegen corrosie door UF6, met in de straalpijp een scherpe scheidingsrand die de gasstroom in tweeën deelt;

2. tangentiële instroombuizen (cilindrisch of conisch) (vortexbuizen), vervaardigd van of beschermd met materiaal dat bestand is tegen corrosie door UF6, met een diameter tussen 0,5 cm en 4 cm en een lengte/diameterverhouding, gelijk aan of kleiner dan 20:1 en met een of meer tangentiële inlaten;

3. compressoren (verdringer-, centrifugale en axiale typen) of aanjagers met een aanzuigcapaciteit van 2 m3/min of meer, vervaardigd van of beschermd met materiaal dat bestand is tegen corrosie door UF6 en asafdichtingen daarvoor;

4. warmtewisselaars, vervaardigd van of beschermd met materiaal dat bestand is tegen corrosie door UF6;

5. behuizingen van aërodynamische scheidingselementen, vervaardigd van of beschermd met materiaal dat bestand is tegen corrosie door UF6, speciaal ontworpen om vortexbuizen of scheidingsstraalpijpen te bevatten;

6. balgafsluiters, vervaardigd van of beschermd met materiaal dat bestand is tegen corrosie door UF6, met een diameter van 40 tot 1500 mm;

7. processystemen om UF6 van het dragergas (waterstof of helium) te scheiden tot een gehalte van 1 ppm UF6 of minder, met inbegrip van:

7. a.

cryogene warmtewisselaars en cryogene scheiders die geschikt zijn voor temperaturen van 153 K (– 120 °C) of lager;

b.

cryogene koeleenheden die geschikt zijn voor temperaturen van 153 K (– 120 °C) of lager;

c.

scheidingsstraalpijpen of vortexbuizen voor de scheiding van UF6 van het dragergas;

d.

koudevallen voor UF6 die geschikt zijn voor temperaturen van 253 K (– 20 °C) of lager;

e.

speciaal voor scheidingsprocessen met behulp van chemische uitwisselaars ontworpen of vervaardigde uitrusting en onderdelen, als hieronder:

1. pulskolomcontactors voor snelle vloeistof-vloeistofuitwisseling met een verblijftijd per trap van 30 seconden of minder en bestand tegen geconcentreerd zoutzuur (bv. vervaardigd van of beschermd met geschikte kunststoffen zoals fluorkoolwaterstofpolymeren of glas);

2. centrifugale contactors voor snelle vloeistof-vloeistofuitwisseling met een verblijftijd per trap van 30 seconden of minder en bestand tegen geconcentreerd zoutzuur (bv. vervaardigd van of beschermd met geschikte kunststoffen zoals fluorkoolwaterstofpolymeren of glas);

3. elektrochemische reductiecellen, bestand tegen oplossingen van geconcentreerd zoutzuur, ontworpen om uraan in valentie te veranderen;

4. voedingsuitrusting voor elektrochemische reductiecellen, ontworpen om U+4 uit de organische stroom te verwijderen en, voor die onderdelen die met de processtroom in contact komen, vervaardigd van of beschermd met geschikte materialen (bv. glas, fluorkoolwaterstofpolymeren, polyfenylsulfaat, polyethersulfon en met hars geïmpregneerd grafiet);

5. systemen voor de behandeling van het voedingsmateriaal, ontworpen om een zeer zuivere uraanchlorideoplossing te produceren, bestaande uit voorzieningen voor het in oplossing brengen, voor vloeistofextractie en/of voor ionenwisseling voor de zuivering en elektrolytische cellen voor de reductie van U+6 of U+4 tot U+3;

6. oxidatiesystemen voor uraan, ontworpen om U+3 te oxideren tot U+4;

f.

speciaal voor scheidingsprocessen met behulp van ionenwisselaars ontworpen of vervaardigde uitrusting en onderdelen, als hieronder:

1. ionenwisselharsen met een snelle reactietijd, vliezige of poreuze harsen met een macroscopische vernetting, waarin de actieve chemische uitwisselgroepen alleen voorkomen in een oppervlaktelaag op een inactieve poreuze ondersteunende structuur en andere composiete structuren met een geschikte vorm, waaronder deeltjes of vezels met diameters van 0,2 mm of minder, die bestand zijn tegen geconcentreerd zoutzuur en zijn ontworpen op een uitwisselingshalveringstijd van minder dan 10 seconden en die geschikt zijn voor werktemperaturen in het gebied van 373 K (100 °C) tot 473 K (200 °C);

2. ionenwisselkolommen (cilindrisch) met een diameter groter dan 1000 mm, vervaardigd van of beschermd met materiaal dat bestand is tegen geconcentreerd zoutzuur (bv. titaan of kunststoffen op basis van fluorkoolwaterstof), die geschikt zijn voor werktemperaturen in het gebied van 373 K (100 °C) tot 473 K (200 °C) en werkdrukken boven 0,7 MPa;

3. ionenwisselrefluxsystemen (chemische of elektrochemische oxidatie- of reductiesystemen) voor het regenereren van de chemische reductie- of oxidatiemiddelen die in ionenwisselverrijkingscascades worden gebruikt;

g.

speciaal voor isotopenscheidingsprocessen met atomaire-damp-lasers (AVLIS) ontworpen of vervaardigde uitrusting en onderdelen, als hieronder:

1. krachtige ioniserings- of scanning-elektronenkanonnen met een afgegeven vermogen van meer dan 2,5 kW/cm, die worden gebruikt in een systeem om uraan te verdampen;

2. systemen voor het hanteren van vloeibaar uraanmetaal voor gesmolten uraan of uraanlegeringen, bestaande uit smeltkroezen, vervaardigd van of beschermd met geschikte corrosie- en hittebestendige materialen (bv. tantaal, met yttriumoxide bedekt grafiet, grafiet bedekt met andere oxiden van zeldzame aarden of mengsels daarvan) en koelapparatuur voor de smeltkroezen; NB: ZIE OOK 2A225

3. opvangsystemen voor verarmd en verrijkt uraan, vervaardigd van of bekleed met materialen die bestand zijn tegen de hitte en de corrosie van uraanmetaaldamp of vloeistof zoals bijvoorbeeld met yttriumoxide bedekt grafiet of tantaal;

4. behuizingen voor scheidingsmodules (cilindrische of rechthoekige vaten) die zijn ontworpen om de uraanmetaaldampbron, het elektronenkanon en de opvangsystemen voor verarmd en verrijkt uraan te bevatten;

5. lasers of laser-systemen voor de scheiding van uraanisotopen met een stabilisator voor het frequentiespectrum, bestemd om gedurende langere perioden in bedrijf te zijn; NB: ZIE OOK 6A005 EN 6A205

h.

speciaal voor isotopenscheidingsprocessen met moleculaire lasers (MLIS) of met chemische reacties door selectieve laseractivering van een of meer isotopen (CRISLA) ontworpen of vervaardigde uitrusting en onderdelen, als hieronder:

1. supersone uitstroomstraalpijpen voor het koelen van mengsels van UF6 en transportgas tot 150 K (– 123 °C) of minder en vervaardigd van materiaal dat bestand is tegen corrosie door UF6;

2. productopvangsystemen voor uraanpentafluoride (UF5), bestaande uit collectoren van het filter-, impact- of cycloontype of combinaties daarvan en vervaardigd van materiaal dat bestand is tegen corrosie door UF5/UF6;

3. compressoren, vervaardigd van of beschermd door materiaal dat bestand is tegen corrosie door UF6, en asafdichtingen daarvoor;

4. uitrusting om UF5 (vaste stof) te fluoreren tot UF6 (gas);

5. processystemen voor het scheiden van UF6 van het transportgas (bv. stikstof of argon) met inbegrip van:

5. a.

cryogene warmtewisselaars en cryogene scheiders die geschikt zijn voor temperaturen van 153 K (– 120 °C) of lager;

b.

cryogene koeleenheden die geschikt zijn voor temperaturen van 153 K (– 120 °C) of lager;

c.

koelvallen voor UF6 die geschikt zijn voor temperaturen van 253 K (– 20 °C) of lager;

6. lasers of laser-systemen voor de scheiding van uraanisotopen met een stabilisator voor het frequentiespectrum, bestemd om gedurende langere perioden in bedrijf te zijn; NB: ZIE OOK 6A005 EN 6A205

i.

speciaal voor plasmascheidingsprocessen ontworpen of vervaardigde uitrusting en onderdelen, als hieronder:

1. microgolfbronnen en antennes voor het produceren of versnellen van ionen, met een uitgangsfrequentie hoger dan 30 GHz en een gemiddeld uitgangsvermogen van meer dan 50 kW;

2. RF-ionisatieaanslagspoelen voor frequenties boven 100 kHz en met een gemiddeld vermogen van meer dan 40 kW;

3. systemen voor het genereren van een uraanplasma;

4. systemen voor het hanteren van vloeibaar metaal, voor gesmolten uraan of uraanlegeringen, bestaande uit smeltkroezen, vervaardigd van of beschermd met geschikte corrosie- en hittebestendige materialen (bv. tantaal, met yttriumoxide bedekt grafiet, grafiet, bedekt met andere oxiden van zeldzame aarden of mengsels daarvan) en koelapparatuur voor de smeltkroezen; NB: ZIE OOK 2A225

5. opvangsystemen voor verarmd en verrijkt uraan, vervaardigd van of beschermd met materiaal dat bestand is tegen de hitte en de corrosie van uraandamp, zoals bijvoorbeeld met yttriumoxide bedekt grafiet of tantaal;

6. behuizingen voor scheidingsmodules (cilindrisch), ontworpen om de uraanplasmabron, de radiofrequente spoel en de opvangsystemen voor verarmd en verrijkt uraan te bevatten en vervaardigd van een geschikt niet-magnetisch materiaal (bv. roestvrij staal);

j.

speciaal voor elektromagnetische scheidingsprocessen ontworpen of vervaardigde uitrusting en onderdelen, als hieronder:

1. enkel- of meervoudige ionenbronnen, bestaande uit een dampbron, ionisator en bundelversneller, vervaardigd van geschikte niet-magnetische materialen (bv. grafiet, roestvrij staal of koper) en geschikt om een totale ionenbundelstroom te leveren van 50 mA of meer;

2. ionencollectorplaten voor het opvangen van ionenbundels met verrijkt of verarmd uraan, bestaande uit twee of meer spleten en opvangkamers en vervaardigd van geschikte niet-magnetische materialen (bv. grafiet of roestvrij staal);

3. vacuümbehuizingen voor elektromagnetische uraanscheiders, vervaardigd van niet-magnetische materialen (bv. roestvrij staal) en ontworpen op een werkdruk van 0,1 Pa of lager;

4. magnetische poolschoenen met een diameter van meer dan 2 m;

5. hoogspanningsvoedingen voor ionenbronnen, die alle onderstaande eigenschappen hebben: NB: ZIE OOK 3A227

5. a.

geschikt voor continubedrijf;

b.

uitgangsspanning 20000 V of meer;

c.

uitgangsstroom 1 A of meer; en

d.

spanningsregeling beter dan 0,01 % over een periode van 8 uur;

6. voedingen voor magneten (hoog vermogen, gelijkstroom), die alle onderstaande eigenschappen hebben: NB: ZIE OOK 3A226

6. a.

geschikt voor continubedrijf met een uitgangsstroom van 500 A of meer en een spanning van 100 V of meer; en

b.

stroom- of spanningsregeling beter dan 0,01 % over een periode van 8 uur.

a.

voedingsautoclaven, ovens of systemen voor het doorvoeren van UF6 naar het verrijkingsproces;

b.

desublimatoren of koelvallen die gebruikt worden om het UF6 uit het verrijkingsproces te verwijderen voor verder transport na verhitting;

c.

opvangsystemen voor verarmd en verrijkt uraan om UF6 in containers op te slaan;

d.

liquefactors of stollingsstations die worden gebruikt om UF6 uit het verrijkingsproces te verwijderen door UF6 samen te persen, af te koelen en om te zetten in vloeibare of vaste vorm;

e.

speciaal ontworpen stelsels van pijpen en headers om het UF6 te hanteren binnen de gasdiffusie-, centrifuge- of aërodynamische cascades;

f.

1. speciaal ontworpen vacuümspruitstukken en headers met een afzuigcapaciteit van 5 m3/min of meer, of

2. vacuümpompen, speciaal ontworpen voor gebruik in een atmosfeer die UF6 bevat;

g.

UF6-massaspectrometers/ionenbronnen, speciaal ontworpen of vervaardigd om on-line-monsters te kunnen nemen van de UF6-voedingsstroom, van verarmde en van verrijkte UF6-gasstromen en die alle onderstaande eigenschappen hebben:

1. oplossend vermogen 1 a.m.e. voor massa’s groter dan 320 a.m.e.;

2. ionenbronnen, vervaardigd van of bekleed met nichroom of monel of vervaardigd van vernikkelde onderdelen;

3. ionisatiebronnen die werken met elektronenbeschieting, en

4. collectorsysteem, geschikt voor isotoopanalyse.

a.

systemen voor de omzetting van uraanertsconcentraten in UO3;

b.

systemen voor de omzetting van UO3 in UF6;

c.

systemen voor de omzetting van UO3 in UO2;

d.

systemen voor de omzetting van UO2 in UF4;

e.

systemen voor de omzetting van UF4 in UF6;

f.

systemen voor de omzetting van UF4 in uraanmetaal;

g.

systemen voor de omzetting van UF6 in UO2;

h.

systemen voor de omzetting van UF6 in UF4;

i.

systemen voor de omzetting van UO2 in UCl4.

a.

Installaties voor de productie van zwaar water, deuterium of deuteriumverbindingen, als hieronder:

1. water-zwavelwaterstof-wisselinstallaties;

2. ammoniak-waterstof-wisselinstallaties;

b.

Uitrusting en onderdelen, als hieronder:

1. water-zwavelwaterstof-wisseltorens, vervaardigd van gezuiverd koolstofstaal (bijvoorbeeld ASTM A516) met een diameter van 6 tot 9 meter, geschikt voor werking bij een druk van 2 MPa of meer en met een corrosietoeslag van 6 mm of meer;

2. eentraps, centrifugale aanjagers of compressoren met lage opvoerdruk (d.w.z. 0,2 MPa), voor de circulatie van zwavelwaterstofgas (d.w.z. gas dat meer dan 70 % H2S bevat) met een verwerkingscapaciteit van ten minste 56 m3/seconde wanneer er gewerkt wordt bij drukniveaus van ten minste 1,8 MPa aan de zuigzijde, en met afdichtingen, ontworpen voor natte H2S-gassen;

3. ammoniak-waterstof-wisseltorens van 35 meter of hoger met een diameter tussen 1,5 en 2,5 meter die kunnen werken bij een druk van meer dan 15 MPa;

4. inwendige delen van torens, met inbegrip van getrapte contactgroepen, en getrapte pompen met inbegrip van dompelpompen voor de productie van zwaar water met het ammoniak-waterstof-wisselprocédé;

5. ammoniak-kraakinstallaties die werken bij een druk van 3 MPa of meer voor de productie van zwaar water met het ammoniak-waterstof-wisselprocédé;

6. infraroodabsorptieanalyseapparatuur die on line waterstof-deuterium-verhoudingen kan meten waarbij de deuteriumconcentratie 90 % of meer is;

7. katalytische branders voor de omzetting van verrijkt deuteriumgas in zwaar water met het ammoniak-waterstof-wisselprocédé;

8. complete systemen voor het veredelen van zwaar water, of kolommen daarvoor, voor het veredelen van zwaar water tot een deuteriumconcentratie die in een kernreactor bruikbaar is.

a.

in de regel in rechtstreeks contact komt met de productiestroom van nucleair materiaal of deze rechtstreeks verwerkt of reguleert;

b.

zorgt voor de afdichting van het nucleaire materiaal in de splijtstofstaaf;

c.

de goede staat van de bekleding of van de afdichting van de splijtstofstaaf controleert; of

d.

de eindbehandeling van de afgesloten splijtstof controleert.

a.

fabrieken voor het opwerken van bestraalde splijtstofelementen voor kernreactoren, met inbegrip van uitrusting en onderdelen die in de regel rechtstreeks in aanraking komen met de bestraalde splijtstof en de voornaamste processtromen van nucleair materiaal en splijtingsproducten, en die rechtstreeks regelen;

b.

hak- en versnipperingsmachines voor splijtstofelementen, d.w.z. op afstand bediende uitrusting voor het snijden, hakken of knippen van bestraalde splijtstofpakketten, -bundels of -staven voor kernreactoren;

c.

oplostanks, d.w.z. kritisch veilige tanks (bv. ring- of plaattanks met een kleine diameter), speciaal ontworpen of vervaardigd voor het oplossen van bestraalde splijtstof van kernreactoren, die bestand zijn tegen hete, sterk corrosieve vloeistoffen en die op afstand gevuld en onderhouden kunnen worden;

d.

tegenstroom-vloeistofextractors en ionenwisselapparatuur, speciaal ontworpen of vervaardigd voor gebruik in een fabriek voor het opwerken van bestraald natuurlijk uraan, verarmd uraan of speciale splijtstoffen;

e.

voorraad- of opslagvaten, speciaal ontworpen om kritisch veilig te zijn en bestand tegen de corrosieve werking van salpeterzuur; Noot: Voorraad- of opslagvaten kunnen de volgende kenmerken bezitten:

1. wanden of inwendige structuren met een boorequivalent (berekend voor alle samenstellende delen als gedefinieerd in de noot bij 0C004) van ten minste twee procent;

2. een maximale diameter van 175 mm voor cilindrische vaten; of

3. een maximale breedte van 75 mm voor rechthoekige of ringvormige vaten.

f.

instrumenten voor de regeling van processen, speciaal ontworpen of vervaardigd voor het bewaken of het regelen van de opwerking van bestraald natuurlijk uraan, verarmd uraan of speciale splijtstoffen.

a)

systemen voor de omzetting van plutoniumnitraat in plutoniumoxide;

b)

systemen voor de productie van plutoniummetaal.

0CMaterialen 0C001Natuurlijk uraan of verarmd uraan of thorium in de vorm van metaal, legering, chemische verbinding of concentraat en elk materiaal dat het voorgaande bevat; Noot: In 0C001 zijn niet bedoeld: 0C002Speciale splijtstoffen. Noot: In 0C002 is niet bedoeld vier effectieve gram of minder, indien in een afgesloten gedeelte van een meetelement in instrumenten. 0C003Deuterium, zwaar water (deuteriumoxide) en andere deuteriumverbindingen, en mengsels en oplossingen die deuterium bevatten, waarin de isotoopverhouding van deuterium tot waterstof groter is dan 1:5000. 0C004Grafiet, geschikt voor toepassing in kernreactoren, d.w.z. met een zuiverheidsgraad beter dan 5 delen per miljoen (ppm) boorequivalent, en met een dichtheid groter dan 1,5 g/cm3. NB: ZIE OOK 1C107 Noot 1: is niet van toepassing op: Noot 2:In 0C004 wordt boorequivalent (BE) gedefinieerd als de som van BEZ voor onzuiverheden (met uitzondering van BEkoolstof aangezien koolstof niet wordt beschouwd als een onzuiverheid), met inbegrip van boor, waarbij geldt: BEZ (ppm) = CF x concentratie van element Z in ppm; hierin is CF de conversiefactor = σZABσBAZ en zijn σB en σZ de doorsneden voor de vangst van thermische neutronen (in barn) voor respectievelijk natuurlijk voorkomend boor en element Z; en zijn AB en AZ de atoommassa’s van respectievelijk natuurlijk voorkomend boor en element Z. 0C005Speciaal vervaardigde verbindingen of poeders voor de fabricage van membranen voor gasdiffusie die bestand zijn tegen corrosie door UF6 (bv. nikkel of een legering met 60 gewichtspercent of meer aan nikkel, aluminiumoxide en volledig gefluoreerde koolwaterstofpolymeren), met een zuiverheidsgraad van 99,9 gewichtspercent of meer, met een gemiddelde korrelgrootte, kleiner dan 10 micrometer, gemeten volgens de ASTM B-330-standaard (American Society for Testing and Materials) en met een zeer uniforme deeltjesgrootte.

0CMaterialen a.

Vier gram of minder natuurlijk uraan of verarmd uraan, indien in een afgesloten gedeelte van een meetelement in instrumenten;

b.

verarmd uraan, speciaal vervaardigd voor de volgende civiele en niet-nucleaire toepassingen:

1. afschermingsmateriaal;

2. verpakkingsmateriaal;

3. ballast met een massa van ten hoogste 100 kg;

4. contragewichten met een massa van ten hoogste 100 kg;

c.

Legeringen met minder dan 5 % thorium;

d.

Keramische, thorium bevattende producten die zijn vervaardigd voor niet-nucleair gebruik.

a.

producten, vervaardigd van grafiet met een massa van minder dan 1 kg en niet speciaal ontworpen of vervaardigd voor gebruik in een kernreactor;

b.

grafietpoeder.

0DProgrammatuur

0D001Programmatuur, speciaal ontworpen of aangepast voor de ontwikkeling, de productie of het gebruik van goederen, bedoeld in deze categorie.

0ETechnologie

0E001Technologie overeenkomstig de nucleaire technologienoot voor de ontwikkeling, de productie of het gebruik van goederen, bedoeld in deze categorie.

CATEGORIE 1 MATERIALEN, CHEMICALIËN, MICRO-ORGANISMEN, TOXINES

1ASystemen, apparatuur en onderdelen Technische noot:

1A001Onderdelen vervaardigd van gefluoreerde verbindingen, als hieronder: 1A002Composieten of laminaten, met één of meer van de volgende eigenschappen: NB: ZIE OOK 1A202, 9A010 EN 9A110 Noot 1: 1A002 is niet van toepassing op composieten of laminaten gemaakt van met epoxyhars geïmpregneerd koolstof- stapel- of continuvezelmateriaal voor de reparatie van vliegtuigcasco’s of laminaten, met een maximale grootte van 1 m2. Noot 2: 1A002 is niet van toepassing op eindproducten of halffabrikaten die speciaal zijn ontworpen voor zuiver civiele toepassingen, als hieronder: 1A003Producten vervaardigd van niet-gefluoreerde polymere stoffen als bedoeld in 1C008.a.3, in de vorm van film, vellen, band of lint, met een van de onderstaande eigenschappen: Noot: 1A003 is niet van toepassing op producten bekleed of gelamineerd met koper die zijn ontworpen voor de productie van elektronische gedrukte schakelingen. 1A004Beschermings- en detectieapparatuur en onderdelen daarvan die niet onder de Lijst militaire goederen vallen, als hieronder: NB: ZIE OOK 2B351 EN 2B352 Noot: 1A004 is niet van toepassing op: 1A005Kogelvrije kleding, en speciaal daarvoor ontworpen onderdelen, anders dan vervaardigd volgens militaire normen of specificaties of gelijkwaardige prestatienormen. NB: ZIE OOK LIJST MILITAIRE GOEDEREN NB: Voor stapel- en continuvezelmateriaal dat gebruikt wordt voor de vervaardiging van kogelvrije kleding, zie 1C010. Noot 1: In 1A005 zijn niet bedoeld kogelvrije kleding en beschermende kleding die de gebruiker bij zich heeft voor zijn eigen bescherming. Noot 2: In 1A005 is niet bedoeld kogelvrije kleding die bestemd is om uitsluitend frontale bescherming te bieden tegen door niet-militaire explosieven veroorzaakte luchtverplaatsingen of scherven. 1A102Opnieuw verzadigde, door pyrolyse verkregen koolstof-koolstof-componenten bestemd voor ruimtelanceervoertuigen, bedoeld in 9A004, of sonderingsraketten, bedoeld in 9A104. 1A202Composieten, met uitzondering van de in 1A002 bedoelde composieten, in buisvorm, met beide volgende kenmerken: NB: ZIE OOK 9A010 EN 9A110 1A225Geplatineerde katalysatoren, speciaal ontworpen of vervaardigd voor het bevorderen van de waterstofisotoopuitwisseling tussen waterstof en water voor het terugwinnen van tritium uit zwaar water of voor de productie van zwaar water. 1A226Specifieke pakkingen die kunnen worden gebruikt voor de scheiding van zwaar water van gewoon water, met beide volgende kenmerken: 1A227Stralingafschermende ramen (van loodglas of ander materiaal) met alle hiernavolgende kenmerken en speciaal ontworpen kozijnen daarvoor: In 1A227 wordt onder koude zone verstaan de kijkzone van het raam die is blootgesteld aan het laagste stralingsniveau in de constructietoepassing.

1ASystemen, apparatuur en onderdelen a.

afdichtingen, pakkingen, afdichtingsmiddelen of flexibele brandstoftanks (fuel bladders), welke voor meer dan 50 gewichtspercenten bestaan uit enig materiaal als bedoeld in 1C009.b of 1C009.c, speciaal ontworpen voor gebruik in de ruimte of in vliegtuigen;

b.

piëzo-elektrische polymeren en copolymeren gemaakt van vinylideenfluoride als bedoeld in 1C009.a:

1. in plaat- of folievorm, en

2. met een dikte van meer dan 200 micrometer;

c.

afdichtingen, pakkingen, klepzittingen, flexibele brandstoftanks (fuel bladders) of membranen bestaande uit fluorelastomeren welke ten minste één vinylethergroep als structuurelement bevatten, speciaal ontworpen voor gebruik in de ruimte, in raketten of in vliegtuigen. Noot: In 1A001.c worden onder raketten complete raketsystemen en systemen voor onbemande luchtvaartuigen verstaan.

a.

met een organische matrix en gemaakt van materialen als bedoeld in 1C010.c, 1C010.d of 1C010.e, of

b.

met een metaal- matrix of koolstof- matrix en gemaakt van:

1. koolstof- stapel- en continuvezelmateriaal met:

1. a.

een specifieke modulus groter dan 10,15 × 106 m, en

b.

een specifieke treksterkte groter dan 17,7 × 104 m, of

2. materialen als bedoeld in 1C010.c.

a.

sportartikelen;

b.

auto-industrie;

c.

werktuigmachine-industrie;

d.

medische toepassingen.

a.

een dikte groter dan 0,254 mm, of

b.

bekleed of gelamineerd met koolstof, grafiet, metalen of magnetische substanties.

a.

Gasmaskers, filterbussen en decontaminatieapparatuur daarvoor die zijn ontworpen of aangepast met het oog op bescherming tegen biologische of radioactieve stoffen, aangepast voor oorlogsgebruik, of stoffen voor chemische oorlogvoering, alsmede speciaal daarvoor ontworpen onderdelen;

b.

Beschermingspakken, -handschoenen en -schoenen die speciaal zijn ontworpen of aangepast met het oog op bescherming tegen biologische of radioactieve stoffen, aangepast voor oorlogsgebruik of stoffen voor chemische oorlogvoering;

c.

Nucleaire, biologische en chemische (NBC) detectieapparatuur die speciaal is ontworpen of aangepast voor de detectie of identificatie van biologische of radioactieve stoffen, aangepast voor oorlogsgebruik, of stoffen voor chemische oorlogvoering, alsmede speciaal daarvoor ontworpen onderdelen.

a.

Individuele dosismeters voor stralingscontrole;

b.

Uitrusting die door haar ontwerp of functie beperkt is tot bescherming tegen risico’s die eigen zijn aan civiele industriesectoren, zoals mijnbouw, steengroeven, landbouw, de farmaceutische, medische, diergeneeskundige, milieu-, afvalbeheer- en voedingsindustrie.

a.

een binnendiameter van 75-400 mm; en

b.

vervaardigd van stapel- en continuvezelmateriaal als bedoeld in 1C010.a of b of 1C210.a of met koolstof-prepreg-materiaal als bedoeld in 1C210.c.

a.

vervaardigd van plaatgaas van fosforbrons (chemisch behandeld ter verbetering van de bevochtigingsraad); en

b.

ontworpen voor gebruik in vacuümdistillatietorens.

a.

een koude zone groter dan 0,09 m2

b.

een dichtheid groter dan 3 g/cm3; en

c.

een dikte van 100 mm of meer.

1BTest-, inspectie- en productieapparatuur

1B001Apparatuur voor de vervaardiging van vezels, geïmpregneerde vezels (prepregs), beklede vezels (preforms) of composieten als bedoeld in 1A002 of 1C010, als hieronder, en speciaal ontworpen onderdelen en toebehoren daarvoor: NB: ZIE OOK 1B101 EN 1B201 1B002Apparatuur voor het vervaardigen van metaallegeringen, metaallegeringspoeder of gelegeerde materialen, speciaal ontworpen om contaminatie te voorkomen en speciaal ontworpen voor gebruik in één van de in 1C002.c.2 bedoelde procédés. NB: ZIE OOK 1B102 1B003Gereedschap, matrijzen, stempels of klemmen voor het superplastisch vormen of diffusielassen van titaan of aluminium of legeringen daarvan, speciaal ontworpen voor het vervaardigen van: 1B101Apparatuur, met uitzondering van de onder 1B001 bedoelde apparatuur voor de vervaardiging van composieten, als hieronder, en speciaal ontworpen onderdelen en toebehoren daarvoor: NB: ZIE OOK 1B201 Noot: De in 1B101 bedoelde onderdelen en toebehoren omvatten onder meer matrijzen, doornen, stempels, klemmen en gereedschappen voor het persen van voorvormstukken, of het harden, gieten, sinteren of binden van composieten, laminaten en producten daarvan. 1B102Andere metaalpoeder-productieapparatuur dan die, bedoeld in 1B002 en onderdelen, als hieronder: NB: ZIE OOK 1B115.b. Noot: 1B102 omvat: 1B115Andere apparatuur dan die, bedoeld in 1B002 en 1B102, voor de productie van stuwstoffen en bestanddelen daarvan, als hieronder, en speciaal daarvoor ontworpen onderdelen: Noot 1: Zie de Lijst van militaire goederen voor apparatuur speciaal ontworpen voor de productie van militaire goederen. Noot 2: In 1B115 is niet bedoeld apparatuur voor het vervaardigen, hanteren en keuren van boorcarbide. 1B116Speciaal ontworpen spuitmonden voor de productie van pyrolytisch gevormde materialen op een as, mal of ander substraat van voorlopergassen die ontleden bij temperaturen van 1573 K (1300 °C) tot 3173 K (2900 °C) en een druk van 130 Pa tot 20 kPa. 1B117Niet-continumengers welke geschikt zijn voor het mengen onder vacuüm bij een druk van nul tot 13,326 kPa, met de mogelijkheid om de temperatuur van de mengkamer te regelen en met alle navolgende kenmerken, en speciaal ontworpen onderdelen daarvoor: 1B118Continumengers welke geschikt zijn voor het mengen onder vacuüm bij een druk van nul tot 13,326 kPa, met de mogelijkheid om de temperatuur van de mengkamer te regelen en met een van de volgende kenmerken, en speciaal ontworpen onderdelen daarvoor: 1B119Luchtstraalmolens die gebruikt kunnen worden om de stoffen, genoemd in 1C011.a, 1C011.b, 1.C.111 of in de Lijst van militaire goederen, te malen of te stampen, en speciaal ontworpen onderdelen daarvoor. 1B201Draadwindmachines, uitgezonderd machines als bedoeld in 1B001 of 1B101, en bijbehorende apparatuur, als hieronder: 1B225Elektrolytische cellen voor de productie van fluor met een capaciteit van meer dan 250 g fluor per uur. 1B226Elektromagnetische isotopenscheiders, ontworpen voor of uitgerust met enkelvoudige of meervoudige ionenbronnen die een totale ionenbundelstroom van 50 mA of meer kunnen leveren. Noot: 1B226 omvat tevens scheiders: 1B227Converters voor ammoniaksynthese of ammoniaksynthese-eenheden waarin het synthesegas (stikstof en waterstof) wordt onttrokken uit een hogedrukkolom voor de uitwisseling van ammoniak en waterstof en de gevormde ammoniak naar deze kolom wordt teruggevoerd. 1B228Kolommen voor de cryogene distillatie van waterstof met alle volgende kenmerken: 1B229Schotelkolommen voor de water-zwavelwaterstof-uitwisseling en de interne contactorganen daarvoor, als hieronder: NB: Voor kolommen die speciaal zijn ontworpen of vervaardigd voor de productie van zwaar water zie 0B004. 1B230Pompen, geschikt voor de circulatie van geconcentreerde of verdunde oplossingen van de katalysator kaliumamide in vloeibare ammoniak (KNH2/NH3), met alle volgende kenmerken: 1B231Tritiuminstallaties of -fabrieken, en apparatuur daarvoor, als hieronder: 1B232Turbo expanders of turbo-expansie/compressiesets met beide volgende kenmerken: 1B233Installaties of fabrieken voor het scheiden van lithiumisotopen en apparatuur daarvoor, als hieronder:

a.

draadwindmachines waarvan de bewegingen voor het gericht opbrengen, wikkelen en winden van vezelmateriaal in drie of meer richtingen zijn gecoördineerd en geprogrammeerd, speciaal ontworpen voor de vervaardiging van composieten of laminaten uit stapel- of continuvezelmateriaal;

b.

band- of lintlegmachines waarvan de bewegingen voor het gericht opbrengen en leggen van banden, linten of vellen in twee of meer richtingen zijn gecoördineerd en geprogrammeerd, speciaal ontworpen voor de vervaardiging van composieten voor vliegtuigen en raketten; Noot: In 1B001.b worden onder raketten complete raketsystemen en systemen voor onbemande luchtvaartuigen verstaan.

c. Technische noot:

weef- en vlechtmachines welke in verscheidene richtingen en dimensies kunnen werken met inbegrip van aanpassings- of wijzigingsuitrustingen, voor het weven, dooreenvlechten of omvlechten van vezelmateriaal ter vervaardiging van composieten; Voor de toepassing van punt 1B001.c houdt de techniek van het dooreenvlechten tevens breien in. Noot: In 1B001.c zijn niet bedoeld textielmachines die niet voor bovengenoemde eindtoepassingen zijn aangepast.

d.

apparatuur speciaal ontworpen of aangepast voor de vervaardiging van versterkingsvezels, als hieronder:

1. apparatuur voor het omzetten van polymere vezels (zoals polyacrylonitryl, rayon, asfaltbitumen of polycarbosilaan) in koolstofvezels of vezels bestaande uit siliciumcarbide, met inbegrip van speciale voorzieningen voor het strekken van de vezels tijdens verhitting;

2. apparatuur voor het neerslaan van elementen of verbindingen uit de dampfase op verwarmde continuvezelsubstraten voor de vervaardiging van vezels bestaande uit siliciumcarbide;

3. apparatuur voor het natspinnen van vuurvaste keramische materialen (bv. aluminiumoxide);

4. apparatuur voor het omzetten van aluminium dat voorlopervezelmaterialen bevat, in aluminiumoxidevezels door middel van warmtebehandeling;

e.

apparatuur voor het door middel van de heetsmeltmethode vervaardigen van de prepregs bedoeld in 1C010.e;

f.

inspectieapparatuur welke gebruik maakt van niet-destructieve technieken (NDT), geschikt voor het driedimensionaal opsporen van gebreken, welke gebruik maakt van ultrasone of röntgentomografie en speciaal is ontworpen voor composieten.

a.

constructies voor lucht- of ruimtevaart,

b.

motoren voor vliegtuigen of ruimtevaartuigen, of

c.

speciaal ontworpen onderdelen voor bedoelde constructies en motoren.

a.

draadwindmachines, waarvan de bewegingen voor het gericht opbrengen, wikkelen en winden van vezelmateriaal in drie of meer richtingen kunnen worden gecoördineerd en geprogrammeerd, ontworpen voor de vervaardiging van composieten of laminaten uit stapel- of continuvezelmateriaal, alsmede besturingseenheden voor het coördineren en het programmeren daarvan;

b.

bandlegmachines, waarvan de bewegingen voor het gericht opbrengen en leggen van banden en vellen in twee of meer richtingen kunnen worden gecoördineerd en geprogrammeerd, ontworpen voor de vervaardiging van composieten voor casco’s en andere delen van vliegtuigen en raketten;

c.

apparatuur, als hieronder, ontworpen of aangepast voor de productie van stapel- of continuvezelmateriaal:

1. apparatuur voor het omzetten van polymere vezels (zoals polyacrylonitryl, rayon of polycarbosilaan) met inbegrip van speciale voorzieningen voor het strekken van de vezels tijdens verhitting,

2. apparatuur voor het neerslaan van elementen of verbindingen uit de dampfase op verhitte continuvezelsubstraten,

3. apparatuur voor het natspinnen van vuurbestendige keramische materialen (bv. aluminiumoxide);

d.

apparatuur, ontworpen of aangepast voor speciale oppervlaktebehandeling van vezels of voor het vervaardigen van de prepregs en preforms, bedoeld in 9C110. Noot: 1B101.d omvat onder meer rollen, strektoestellen, apparatuur voor het aanbrengen van deklagen, snijapparatuur en stansvormen.

a.

metaalpoeder-productieapparatuur, bruikbaar voor de productie in een gecontroleerde omgeving van sferische of vernevelde materialen als bedoeld in 1CO11.a, 1CO11.b, 1C111.a.1, 1C111.a.2 of in de Lijst van militaire goederen;

b.

speciaal ontworpen onderdelen van productieapparatuur als bedoeld in 1B002 of 1B102.a.

a.

Plasmageneratoren (hogefrequentieboogstraal), bruikbaar voor het verkrijgen van gesputterde of sferische metaalpoeders in een argon-waterig milieu;

b.

Electroburstapparatuur, bruikbaar voor het verkrijgen van gesputterde of sferische metaalpoeders in een argon-waterig milieu;

c.

Apparatuur, bruikbaar voor de productie van sferisch aluminiumpoeder door verpulvering van een smelt in een inert medium (bv. stikstof).

a.

productieapparatuur voor de productie, het hanteren of het keuren van vloeibare stuwstoffen of bestanddelen daarvan, als bedoeld in 1C011.a, 1C011.b, 1C111 of in de Lijst van militaire goederen;

b.

productieapparatuur voor de productie, het hanteren, mengen, harden, gieten, persen, machinaal bewerken, spuitgieten of keuren van vaste stuwstoffen of bestanddelen daarvan, als bedoeld in 1C011.a, 1C011.b, 1C111 of in de Lijst militaire goederen. Noot: In 1B115.b zijn niet bedoeld niet-continumengers, continumengers en luchtstraalmolens. Voor de controle daarop zie 1B117, 1B118 en 1B119.

a.

een totale inhoud van 110 l of meer; en

b.

ten minste één excentrisch geplaatste meng- of kneedas.

a.

twee of meer meng- of kneedassen; of

b.

één roterende en oscillerende as met mengtanden/-pennen op de as en de mengkamerwand.

a.

draadwindmachines met alle volgende kenmerken:

1. de bewegingen voor het gericht opbrengen, wikkelen en winden van vezelmateriaal zijn in twee of meer richtingen gecoördineerd en geprogrammeerd,

2. de machines zijn speciaal ontworpen voor de vervaardiging van composieten of laminaten uit stapel- of continuvezelmateriaal; en

3. geschikt voor het winden van cilindrische rotoren met een diameter van 75 mm tot 400 mm en een lengte van 600 mm of meer;

b.

besturingseenheden voor het coördineren en programmeren van de in 1B201.a bedoelde draadwindmachines;

c.

zeer nauwkeurige spillen voor de in 1B201.a bedoelde draadwindmachines.

a.

geschikt voor het verrijken van stabiele isotopen;

b.

waarbij de ionenbronnen en collectors zich in het magneetveld bevinden en configuraties waarbij deze zich buiten het veld bevinden.

a.

ontworpen om te werken bij een interne temperatuur van 35 K (– 238 °C) of lager;

b.

ontworpen om te werken bij een interne druk van 0,5-5 MPa (5-50 atm.);

c.

vervaardigd van

1. roestvrij staal van de 300-serie met een laag zwavelgehalte en een korrelgroottegetal van 5 of hoger volgens de ASTM-standaard (of een gelijkwaardige standaard), voor austenitisch staal of

2. gelijkwaardige cryogene materialen die tevens H2 verdragen;

d.

met een binnendiameter van 1 m of meer en een nuttige lengte van 5 m of meer.

a.

schotelkolommen voor de water-zwavelwaterstof-uitwisseling, met alle volgende kenmerken:

1. geschikt voor werking bij een nominale druk van 2 MPa of groter;

2. vervaardigd van koolstofstaal met een korrelgroottegetal van 5 of hoger volgens de ASTM-standaard (of een gelijkwaardige standaard), voor austenitisch staal; en

3. met een diameter van 1,8 m of meer;

b. Technische noot:

de in 1B229.a bedoelde interne contactgroepen voor de schotelkolommen voor de water-zwavelwaterstof-uitwisseling. De interne contactgroepen van de kolommen bestaan uit gesegmenteerde schotels met een effectieve gezamenlijke diameter van 1,8 m of meer, zijn ontworpen voor het in tegenstroom met elkaar in contact brengen, en vervaardigd van roestvrij staal met een koolstofgehalte van 0,03 % of minder. Zij kunnen de vorm hebben van zeefschotels, klepschotels, borrelklokjesschotels en turboroosterschotels.

a.

luchtdicht (d.w.z. hermetisch afgesloten);

b.

met een capaciteit van meer dan 8,5 m3/uur; en

c.

een van de volgende kenmerken:

1. voor geconcentreerde oplossingen van kaliumamide (1 % of meer), een werkdruk van 1,5-60 MPa; of

2. voor verdunde oplossingen van kaliumamide (minder dan 1 %), een werkdruk van 20-60 MPa.

a.

installaties of fabrieken voor het produceren, terugwinnen, extraheren, concentreren of behandelen van tritium;

b.

apparatuur voor titriuminstallaties of -fabrieken, als hieronder:

1. waterstof- of heliumkoeleenheden die kunnen koelen tot 23 K (– 250 °C) of lager, met een warmteafvoercapaciteit van meer dan 150 W; of

2. opslag- of zuiveringssystemen voor waterstofisotopen die gebruik maken van metaalhydriden als opslag- of zuiveringsmedium.

a.

ontworpen om te werken met een uitstroomtemperatuur van 35 K (– 238 °C) of lager; en

b.

ontworpen voor een doorvoer van waterstofgas van 1000 kg/h of meer.

a.

installaties of fabrieken voor het scheiden van lithiumisotopen;

b.

apparatuur voor de scheiding van lithiumisotopen, als hieronder:

1. gestapelde kolommen voor vloeistof-vloeistofwisselkolommen, speciaal ontworpen voor lithiumamalgamen;

2. kwik- en/of lithiumamalgaampompen;

3. lithiumamalgaam-elektrolysecellen;

4. verdampers voor geconcentreerde lithiumhydroxideoplossingen.

1CMaterialen Technische noot: Technische noten: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noten:

Metalen en legeringen: Ruwe of onbewerkte vormen: Halffabrikaten (al dan niet bekleed, beplaat, geboord of gestanst): De doelstellingen van de controle mogen niet worden omzeild door de uitvoer van niet gespecificeerde vormen waarvan wordt beweerd dat het om afgewerkte producten gaat, maar die in feite onbewerkte vormen of halffabrikaten zijn. 1C001Materialen, speciaal ontworpen om te worden gebruikt voor het absorberen van elektromagnetische golven, of intrinsiek geleidende polymeren, als hieronder: NB: ZIE OOK 1C101 1C002Metaallegeringen, metaallegeringspoeder of gelegeerde materialen, als hieronder: NB: ZIE OOK 1C202 Noot: In 1C002 worden niet bedoeld: metaallegeringen, metaallegeringspoeder of gelegeerde materialen, voor het bekleden van substraten. 1C003Magnetische metalen van alle soorten, ongeacht de vorm, met een of meer van de volgende kenmerken: 1C004Uraan-titaanlegeringen of wolfraamlegeringen met een matrix op basis van ijzer, nikkel of koper, met de volgende eigenschappen: 1C005Supergeleidendecomposiet-geleiders in lengten groter dan 100 m of met een massa groter dan 100 g, als hieronder: 1C006Vloeistoffen en smeermiddelen, als hieronder: Voor de toepassing van 1C006: 1C007Keramische basismaterialen, keramische materialen die geen composieten zijn, composieten met een keramische matrix, en voorlopermaterialen, als hieronder: NB: ZIE OOK 1C107 1C008Niet-gefluoreerde polymeren, als hieronder: De glastemperatuur (Tg) voor de in 1C008 bedoelde materialen wordt bepaald volgens de methode, beschreven in ISO 11357-2 (1999) of nationale equivalenten. 1C009Onbewerkte fluorverbindingen, als hieronder: 1C010Stapel- en continuvezelmateriaal dat gebruikt kan worden in composieten of laminaten met een organische matrix, metallische matrix of koolstof-matrix, als hieronder: NB: ZIE OOK 1C210 1C011Metalen en verbindingen, als hieronder: NB: ZIE OOK LIJST MILITAIRE GOEDEREN en 1C111 1C012Materialen, als hieronder: Deze materialen worden doorgaans voor nucleaire warmtebronnen gebruikt. 1C101Materialen voor het beperken van de zichtbaarheid zoals de radarreflectie, het ultraviolet/infrarood of akoestische beeld, anders dan de materialen bedoeld in 1C001, geschikt voor gebruik in raketten, subsystemen van raketten of onbemande luchtvaartuigen, bedoeld in 9A012. Noot 1: 1C101 omvat: Noot 2: 1C101 omvat niet deklagen die speciaal bedoeld zijn om de thermische stabiliteit van satellieten te regelen. 1C102Opnieuw verzadigde, door pyrolyse verkregen koolstof-koolstof-materialen bestemd voor ruimtelanceervoertuigen, bedoeld in 9A004, of sonderingsraketten, bedoeld in 9A104. In 1C101 worden onder raketten complete raketsystemen en systemen voor onbemande luchtvaartuigen verstaan die een last kunnen vervoeren over een afstand van ten minste 300 km. 1C107Niet in 1C007 beschreven grafiet en keramische materialen, als hieronder: 1C111Niet in 1C011 beschreven stuwstoffen en chemicaliën voor de vervaardiging van stuwstoffen, als hieronder: Noot: Zie voor andere niet in 1C111 vermelde stuwstoffen en chemicaliën voor de vervaardiging van stuwstoffen de Lijst militaire goederen. 1C116Maragingstaal (staalsoorten die gewoonlijk door een hoog nikkelgehalte, een zeer laag koolstofgehalte en het gebruik van vervangende elementen of precipitaten voor het tijdharden worden gekenmerkt) met een eindtreksterkte (UTS) van 1500 MPa of meer bij 293 K (20 °C) in de vorm van plaat of buis met een wand- of plaatdikte van 5 mm of minder. NB: ZIE OOK 1C216 1C117Wolfraam, molybdeen en legeringen daarvan in de vorm van uniform bolvormige of verstoven deeltjes met een diameter van 500 micrometer of minder en met een zuiverheid van 97 % of meer voor de productie van raketmotoronderdelen, d.w.z. hitteschilden, straalpijpsubstraten, straalpijpkelen en regeloppervlakken voor de stuwstraal. 1C118Duplex roestvast staal met titaanstabilisatie (Ti-DSS), met de volgende eigenschappen: 1C202Legeringen, anders dan bedoeld in 1C002.b.3 of 1C002.b.4, als hieronder: De zinsnede legeringen geschikt voor omvat legeringen zowel voor als na warmtebehandeling. 1C210Stapel- en continuvezelmateriaal of prepregs, anders dan bedoeld in 1C010.a, 1C010.b of 1C010.e, als hieronder: Noot: In 1C210 is stapel- en continuvezelmateriaal beperkt tot continue monofilamentengarens, rovings, linten of banden. 1C216Maragingstaal, anders dan bedoeld in 1C116, geschikt voor een treksterkte van 2050 MPa of meer bij 293 K (20 °C). Noot: 1C216 is niet van toepassing op maragingstaal in een vorm waarin geen enkele lineaire maat groter is dan 75 mm. De zinsnede maragingstaal geschikt voor omvat maragingstaal zowel voor als na warmtebehandeling. 1C225Boor, verrijkt in de boor-10-isotoop (10B) tot meer dan de natuurlijke abundantie, in de hiernavolgende vormen: elementair boor, boorverbindingen, boorhoudende mengsels, fabrikaten daarvan, afval en schroot van deze stoffen. Noot: De in 1C225 bedoelde boorhoudende mengsels omvatten met boor beladen materialen. De natuurlijke abundantie van boor-10 is ongeveer 18,5 gewichtspercenten (20 percent op atomaire basis). 1C226Wolfraam, wolfraamcarbide en legeringen die meer dan 90 gewichtspercenten wolfraam bevatten, met beide volgende kenmerken: Noot: 1C226 is niet van toepassing op fabrikaten die speciaal ontworpen zijn als gewicht of collimator voor gammastralen. 1C227Calcium met beide volgende kenmerken: 1C228Magnesium met beide volgende kenmerken: 1C229Bismut met beide volgende kenmerken: 1C230Beryllium, als hierna metaal, legeringen die meer dan 50 gewichtspercenten beryllium bevatten, berylliumverbindingen, fabrikaten daarvan en afval of schroot van deze stoffen. Noot: 1C230 is niet van toepassing op: 1C231Hafnium, als hierna: metaal, legeringen die meer dan 60 gewichtspercenten hafnium bevatten, verbindingen van hafnium die meer dan 60 gewichtspercenten hafnium bevatten, fabrikaten daarvan en afval of schroot van deze stoffen. 1C232Helium-3 (3He), mengsels die helium-3 bevatten, en producten of toestellen die een van deze stoffen bevatten. Noot: 1C232 is niet van toepassing op een product of apparaat dat minder dan 1 g helium-3 bevat. 1C233Lithium, verrijkt in de lithium-6-isotoop (6Li) tot meer dan de natuurlijke abundantie, of producten of toestellen die verrijkt lithium bevatten, als hierna: elementair lithium, legeringen, lithiumverbindingen, mengsels die lithium bevatten, fabrikaten daarvan en afval of schroot van deze stoffen. Noot: 1C233 is niet van toepassing op thermoluminescentiestralingsmeters. De natuurlijk abundantie van de lithium-6-isotoop is ongeveer 6,5 gewichtspercenten (7,5 % op atomaire basis). 1C234Zirkonium met een hafniumgehalte van minder dan 1 gewichtsdeel hafnium op 500 gewichtsdelen zirkonium, als hierna: metaal, legeringen die meer dan 50 gewichtspercenten zirkonium bevatten, verbindingen, fabrikaten daarvan, afval of schroot van deze stoffen. Noot: 1C234 is niet van toepassing op zirkonium in de vorm van folie met een dikte van 0,10 mm of minder. 1C235Tritium, tritiumverbindingen en mengsels welke tritium bevatten, waarin de verhouding van het aantal tritiumatomen tot het aantal waterstofatomen groter is dan 1: 1000, en producten of toestellen die een van voorgaande stoffen bevatten, Noot: 1C235 is niet van toepassing op een product of toestel dat minder dan 1,48 × 103 GBq (40 Ci) tritium in welke vorm dan ook bevat. 1C236Alfastralers met een alfahalveringstijd van tien dagen of langer doch korter dan 200 jaar, in de volgende vormen: Noot: 1C236 is niet van toepassing op een product of toestel dat minder dan 3,7 GBq (100 millicurie) alfa-activiteit bevat. 1C237Radium-226 (226Ra), radium-226-legeringen, radium-226-verbindingen, mengsels die radium-226 bevatten, fabrikaten daarvan, en producten of toestellen die een van deze stoffen bevatten. Noot: 1C237 is niet van toepassing op: 1C238Chloortrifluoride (ClF3) 1C239Brisante springstoffen, anders dan bedoeld in de Lijst militaire goederen, of stoffen of mengsels met een gehalte van meer dan 2 gewichtspercenten aan deze springstoffen, met een kristaldichtheid groter dan 1,8 g/cm3 en een detonatiesnelheid groter dan 8000 m/s. 1C240Nikkelpoeder en poreus nikkelmetaal, anders dan bedoeld in OC005, als hieronder: Noot: 1C240 is niet van toepassing op: 1C240.b heeft betrekking op poreus metaal dat gevormd is door samenpersing en sintering van de materialen in 1C240.a, om een materiaal van metaal te vormen met fijne poriën die door de gehele structuur heen onderling verbonden zijn. 1C350Chemische stoffen, geschikt voor het vervaardigen van toxische stoffen, als hieronder, en chemische mengsels die een of meer van deze stoffen bevatten: NB: ZIE OOK DE LIJST MILITAIRE GOEDEREN EN 1C450 Noot 1: Voor uitvoer naar Staten die geen partij zijn bij het Verdrag inzake chemische wapens worden in 1C350 niet bedoeld chemische mengsels die een of meer van de in de punten 1C350.1, .3, .5, .11, .12, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36, .54, .55, .56, .57 en .63 vermelde chemische stoffen bevatten en waarin geen van de afzonderlijk vermelde stoffen meer dan 10 gewichtspercent van het mengsel vertegenwoordigt. Noot 2: Voor uitvoer naar Staten die partij zijn bij het Verdrag inzake chemische wapens worden in 1C350 niet bedoeld chemische mengsels die een of meer van de in de punten 1C350.1, .3, .5, .11, .12, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36, .54, .55, .56, .57 en .63 vermelde chemische stoffen bevatten en waarin geen van de afzonderlijk vermelde stoffen meer dan 30 gewichtspercent van het mengsel vertegenwoordigt. Noot 3: In 1C350 worden niet bedoeld chemische mengsels die een of meer van de in de punten 1C350.2, .6, .7, .8, .9, .10, .14, .15, .16, .19, .20, .24, .25, .30, .37, .38, .39, .40, .41, .42, .43, .44, .45, .46, .47, .48, .49, .50, .51, .52, .53, .58, .59, .60, .61 en .62 vermelde chemische stoffen bevatten en waarin geen van de afzonderlijk vermelde stoffen meer dan 30 gewichtspercent van het mengsel vertegenwoordigt. Noot 4: In 1C350 worden niet bedoeld producten waarvan is vastgesteld dat het gaat om verpakte consumptiegoederen voor de detailhandelverkoop voor persoonlijk gebruik of verpakte consumptiegoederen voor individueel gebruik. 1C351Humane pathogenen, zoönosen en toxinen, als hieronder: Noot: 1C351 is niet van toepassing op vaccins of immunotoxinen. 1C352Dierpathogenen, als hieronder: Noot: 1C352 is niet van toepassing op vaccins. 1C353Genetische elementen en genetisch gemodificeerde organismen, als hieronder: Noot: 1C353 is niet van toepassing op nucleïnezuursequenties die de pathogeniteit bepalen van enterohemorragische Escherichia coli serotype O157 en andere verotoxineproducerende stammen dan die welke coderen voor verotoxine of subeenheden daarvan. 1C354Plantpathogenen, als hieronder: 1C450Giftige chemische stoffen en voorlopers van giftige chemische stoffen, als hieronder, en chemische mengsels die een of meer van deze stoffen bevatten: NB: ZIE OOK 1C350, 1C351.d EN DE LIJST MILITAIRE GOEDEREN Noot: In 1C450 worden niet bedoeld producten waarvan is vastgesteld dat het gaat om verpakte consumptiegoederen voor de detailhandelverkoop voor persoonlijk gebruik of verpakte consumptiegoederen voor individueel gebruik.

Behoudens andersluidende bepalingen wordt in 1C001 tot en met 1C012 onder metalen en legeringen verstaan, ruwe of onbewerkte vormen en halffabrikaten, als hieronder:

Anoden, kogels, staven (met inbegrip van gekerfde proefstaven en draadmetaal), knuppels, blokken, blooms, briketten, uitgangsblokken, kathoden, kristallen, kubussen, blokjes, korrels, granules, walsblokken, bobbels, pastilles, gietelingen, poeder, rondellen, schroot, plakken, brokken, sponsen, stiften;

1CMaterialen Technische noot: a.

gesmede of bewerkte materialen die zijn vervaardigd door middel van walsen, doortrekken, spuitgieten, smeden, slagextrusie, persen, korrelen, verstuiven en slijpen, namelijk: hoekstaven, gootmetaal, ronde voorprofielen, schijven, stof, vlokken, foelies en bladmetaal, smeedstukken, platen, poeder, geperste stukken allerhande, linten, ringen, staven (met inbegrip van ruwe lasstaven, walsdraad en diverse gewalste draden), profielen, gietvormen, dunne platen, banden en buizen allerhande (met inbegrip van ronde, vierkante en holle pijpen), getrokken of geëxtrudeerde draad;

b.

gegoten metaal vervaardigd door gieten in zand, metaal, gips of andere types gietvormen, met inbegrip van onder hoge druk gegoten producten, gesinterde vormen en door middel van poedermetallurgie vervaardigde producten.

a.

materialen voor het absorberen van frequenties hoger dan 2 × 108 Hz doch lager dan 3 × 1012 Hz; Noot 1: 1C001.a is niet van toepassing op: Noot 2: Magnetische materialen voor absorptiedoeleinden in verf vallen wel onder 1C001.a.

a.

absorberende materialen van het haartype, ongeacht of deze zijn gemaakt van natuurlijke of synthetische vezels, welke niet-magnetische stoffen bevatten voor de absorptie;

b.

absorberende materialen waarin geen magnetisch verlies optreedt en waarvan het invallend oppervlak niet vlak is, zoals pyramiden, kegels, wiggen en gedraaide oppervlakken;

c.

vlakke absorberende materialen die al de onderstaande kenmerken vertonen:

1. Technische noot:

gemaakt van één van de volgende materialen: Monsters voor het testen van de absorptie ten behoeve van 1C001.a. Noot 1.c.l dienen een vierkant te zijn van ten minste vijf golflengten (van de middenfrequentie) aan één zijde en geplaatst in het verre veld van het stralingselement.

1. a.

kunststof schuimmaterialen (al dan niet buigzaam) welke koolstof bevatten, of organische materialen, met inbegrip van binders, met meer dan 5 % echo vergeleken met metaal over een bandbreedte groter dan ± 15 % van de centrale frequentie van de binnenkomende energie, en niet bestand tegen temperaturen hoger dan 450 K (177 °C)of

b.

keramische materialen met meer dan 20 % echo vergeleken met metaal over een bandbreedte groter dan ± 15 % van de centrale frequentie van de binnenkomende energie, en niet bestand tegen temperaturen hoger dan 800 K (527 °C);

2. met een treksterkte van minder dan 7 × 106 N/m2, en

3. met een druksterkte van minder dan 14 × 106 N/m2;

d.

vlakke absorberende materialen gemaakt van gesinterd ferriet, met:

1. een relatieve dichtheid groter dan 4,4; en

2. een maximale werktemperatuur van 548 K (275 °C);

b.

materialen voor het absorberen van frequenties hoger dan 1,5 × 1014 Hz doch lager dan 3,7 × 1014 Hz welke geen zichtbaar licht doorlaten;

c. Technische noot:

intrinsiek geleidende polymere materialen met een specifieke elektrische volumegeleidbaarheid groter dan 10000 S/m (siemens per meter) of een specifieke oppervlakteweerstand kleiner dan 100 ohm/vierkant, op basis van één of meer van de volgende polymeren: De specifieke elektrische volumegeleidbaarheid en de specifieke oppervlakteweerstand dienen te worden bepaald met behulp van ASTM D-257 of nationale gelijkwaardige methoden.

c.

1. polyaniline;

2. polypyrrool;

3. polythiofeen;

4. polyfenyleen-vinyleen; of

5. polythienyleen-vinyleen.

1CMaterialen Technische noot: Technische noten:

1. De metaallegeringen, bedoeld in 1C002, zijn legeringen waarin het genoemde metaal een hoger gewichtspercentage heeft dan enig ander element.

2. De levensduur voordat spanningsbreuk optreedt, dient te worden gemeten volgens ASTM Standard E-139 of gelijkwaardige nationale methoden.

3. De levensduur bij laagfrequente vermoeidheidsbelasting dient te worden gemeten volgens ASTM Standard E-606 Recommended practice for constant-amplitude low-cycle fatigue testing of gelijkwaardige nationale equivalenten. Het testen dient axiaal te geschieden met een gemiddelde belastingsverhouding gelijk aan 1 en een krachten-concentratiefactor (Kt) gelijk aan 1. De gemiddelde belastingsverhouding wordt gedefinieerd als de maximale belasting min de minimale belasting gedeeld door de maximale belasting.

a.

aluminiden, als hieronder:

1. nikkelaluminiden met minstens 15 gewichtspercenten aluminium, hoogstens 38 gewichtsprocenten aluminium en minstens één extra legeringselement;

2. titaanaluminiden met 10 of meer gewichtspercenten aluminium en minstens één extra legeringselement;

b.

metaallegeringen, als hieronder, gemaakt van materiaal als bedoeld in 1C002.c:

1. nikkellegeringen met:

1. a.

een levensduur voordat spanningsbreuk optreedt van 10000 uur of meer bij 923 K (650 °C) en een spanning van 676 MPa, of

b.

een levensduur bij laagfrequente vermoeidheidsbelasting van 10000of meer belastingscycli met een maximale spanning van 1095 MPa bij 823 K (550 °C);

2. niobiumlegeringen met:

2. a.

een levensduur voordat spanningsbreuk optreedt van 10000 uur of meer bij 1073 K (800 °C) en een spanning van 400 Mpa, of

b.

een levensduur bij laagfrequente vermoeidheidsbelasting van 10000 of meer belastingscycli met een maximale spanning van 700 MPa bij 973 K (700 °C);

3. titaanlegeringen met:

3. a.

een levensduur voordat spanningsbreuk optreedt van 10000 uur of meer bij 723 K (450 °C) en een spanning van 200 MPa; of

b.

met een levensduur bij laagfrequente vermoeidheidsbelasting van 10000 of meer belastingscycli met een maximale spanning van 400 MPa bij 723 K (450 °C);

4. aluminiumlegeringen met een treksterkte van:

4. a.

240 MPa of meer bij 473 K (200 °C), of

b.

415 MPa of meer bij 298 K (25 °C);

5. magnesiumlegeringen met:

5. a.

een treksterkte van 345 MPa of meer; en

b.

een corrosiesnelheid lager dan 1 mm/jaar in een 3 %-natriumchlorideoplossing in water, gemeten volgens ASTM Standard G-31 of gelijkwaardige nationale equivalenten;

c.

metaallegeringspoeder of uit deeltjes bestaand materiaal, met alle volgende kenmerken:

1. Technische noot:

gemaakt van een van onderstaande samenstellingssystemen: X staat voor één of meer legeringselementen.

a.

nikkellegeringen (Ni-Al-X, Ni-X-Al) gespecificeerd voor onderdelen of elementen voor turbinemotoren, d. w. z. met minder dan drie niet-metallieke deeltjes (verontreinigingen van het fabricageproces) groter dan 100 micrometer op 109 legeringsdeeltjes;

b.

niobiumlegeringen (Nb-Al-X of Nb-X-Al, Nb-Si-X of Nb-X-Si, Nb-Ti-X of Nb-X-Ti);

c.

titaanlegeringen (Ti-Al-X of Ti-X-Al);

d.

aluminiumlegeringen (Al-Mg-X of Al-X-Mg, Al-Zn-X of Al-X-Zn, Al-Fe-X of Al-X-Fe), of

e.

magnesiumlegeringen (Mg-Al-X of Mg-X-Al);

2. vervaardigd in een beheerst milieu door middel van één van onderstaande procédés:

2. a.

verstuiving in vacuüm;

b.

verstuiving in gas;

c.

roterend verstuiven;

d.

versplintering door snelle afkoeling (splat quenching);

e.

spinnen uit de smelt en vergruizing;

f.

smeltextractie en vergruizing, of

g.

mechanisch legeren; en

3. in staat in 1C002.a of 1C002.b bedoelde materialen te vormen;

d.

gelegeerde materialen met alle volgende kenmerken:

1. gemaakt van een van de in 1C002.c.1. bedoelde samenstellingssystemen;

2. in de vorm van niet-vergruisde schilfers, stroken of dunne staven, en

3. vervaardigd in een beheerst milieu door middel van een van de volgende procédés:

3. a.

versplintering door snelle afkoeling;

b.

spinnen uit de smelt, of

c.

smeltextractie.

a. Technische noot:

een relatieve beginpermeabiliteit van 120000 of meer en een dikte van 0,05 mm of minder; De beginpermeabiliteit wordt gemeten aan het gespecificeerde materiaal dat volledig ontlaten is.

b.

magnetostrictieve legeringen met:

1. een verzadigingsmagnetostrictie van meer dan 5 × 10-4, of

2. een magnetomechanische koppelingsfactor (k) van meer dan 0,8; of

c. Technische noot:

strips van amorfe of nanokristallijne legeringen met de volgende eigenschappen: Nanokristallijne materialen in 1C003.c zijn materialen met een kristalkorrelgrootte van hoogstens 50 nm, bepaald door middel van röntgendiffractie.

c.

1. een samenstelling met minimaal 75 gewichtspercenten ijzer, kobalt of nikkel, en

2. een magnetische verzadigingsinductie (BS) van 1,6 T of meer, en

3. een of meer van de volgende eigenschappen

3. a.

een stripdikte van 0,02 mm of minder, of

b.

een elektrische soortelijke weerstand van 2.10-4 ohm cm of meer.

a.

een dichtheid groter dan 17,5 g/cm3;

b.

een elastische rekgrens groter dan 880 MPa;

c.

een breukspanning groter dan 1270 MPa, en

d.

een rek groter dan 8 %.

a.

supergeleidendecomposiet-geleiders met verscheidene filamenten welke een of meer niobium-titaanvezels bevatten:

1. ingebed in een matrix anders dan een koper-matrix of in een op koper gebaseerd matrix-mengsel, of

2. met een doorsnedeoppervlak kleiner dan 0,28 × 10-4 mm2 (d.w.z. 6 micrometer diameter voor ronde draad);

b.

supergeleidendecomposiet-geleiders, bestaande uit één of meer supergeleidende filamenten, anders dan van niobium-titaan, met de volgende eigenschappen:

1. een kritische temperatuur bij afwezigheid van magnetische inductie hoger dan 9,85 K (– 263,31 °C) doch lager dan 24 K (– 249,16 °C);

2. een doorsnedeoppervlakte kleiner dan 0,28 × 10-4 mm2; en

3. in een supergeleidende toestand blijvend bij een temperatuur van 4,2 K (– 268,96 °C) bij blootstelling aan een magnetisch veld dat overeenstemt met een magnetische inductie van 12 T.

a.

hydraulische vloeistoffen met als voornaamste bestanddeel een of meer van de volgende verbindingen of materialen:

1. Technische noot:

oliën van synthetische silakoolwaterstoffen met: Voor de toepassing van 1C006.a.1 bevatten oliën van silakoolwaterstoffen uitsluitend silicium, waterstof en koolstof.

a.

een vlampunt hoger dan 477 K (204 °C);

b.

een vloeipunt bij 239 K (– 34 °C) of lager;

c.

een viscositeitsindex van 75 of hoger, en

d.

een thermische stabiliteit bij 616 K (343 °C) of hoger, of

2. Technische noot:

chloorfluorkoolstoffen met: Voor de toepassing van 1C006.a.2 bevatten chloorfluorkoolstoffen uitsluitend koolstof, fluor en chloor.

a.

geen vlampunt;

b.

een autogene ontbrandingstemperatuur hoger dan 977 K (704 °C);

c.

een vloeipunt bij 219 K (– 54 °C) of lager;

d.

een viscositeitsindex van 80 of hoger; en

e.

een kookpunt bij 473 K (200 °C) of hoger;

b.

smeermiddelen met als voornaamste bestanddeel een of meer van de volgende verbindingen of materialen:

1. fenyleen- of alkylfenyleenethers of thio-ethers, of mengsels daarvan, welke meer dan twee ether- of thio-ethergroepen bevatten of combinaties daarvan; of

2. gefluoreerde siliconevloeistoffen die een kinematische viscositeit hebben van minder dan 5000 mm2/s (5000 centistokes), gemeten bij 298 K (25 °C);

c.

dempingsvloeistoffen en flotatievloeistoffen met een zuiverheid groter dan 99,8 % en met minder dan 25 deeltjes van 200 micrometer of groter per 100 ml, gemaakt van ten minste 85 % van één of meer van onderstaande verbindingen of materialen:

1. dibroomtetrafluorethaan;

2. polychloortrifluoretheen (uitsluitend olie- en wasmodificaties); of

3. polybroomtrifluoretheen;

d.

fluorkoolstoffen in koelvloeistoffen voor elektronische systemen met de volgende eigenschappen:

1. minstens 85 gewichtspercenten van de volgende stoffen of mengsels daarvan:

1. a.

monomeren van perfluorpolyalkylether-triazinen of perfluoralifatische ethers;

b.

perfluoralkylaminen;

c.

perfluorcycloalkanen, of

d.

perfluoralkanen;

2. een dichtheid van 1,5 g/ml of meer bij 298 K (25 °C);

3. vloeibaar bij 273 K (0 °C); en

4. minstens 60 gewichtspercenten fluor.

1CMaterialen Technische noot: Technische noten: Technische noot: a.

wordt het vlampunt bepaald door gebruik te maken van de Cleveland Open Cup Methode volgens ASTM D-92 of nationale equivalenten;

b.

wordt het vloeipunt bepaald volgens de methode, beschreven in ASTM D-97, of nationale equivalenten;

c.

wordt de viscositeitsindex bepaald volgens de methode, beschreven in ASTM D-2270, of nationale equivalenten;

d.

wordt de thermische stabiliteit bepaald volgens onderstaande testprocedure of nationale equivalenten: 20 ml van de te testen vloeistof wordt gebracht in een roestvrij stalen kamer (type 317) van 46 ml, die de volgende kogels met een (nominale) diameter van 12,5 mm bevat: één van M-10 gereedschapsstaal, één van 52100-staal en één van bronstobin (60 % Cu, 39 % Zn, 0,75 % Sn). De kamer wordt gespoeld met stikstofgas, bij atmosferische druk luchtdicht afgesloten en verhit tot 644 ± 6 K (371 ± 6 °C) en gedurende zes uur op deze temperatuur gehouden. Het monster wordt geacht thermisch stabiel te zijn indien bij het beëindigen van bovengenoemde procedure aan alle volgende voorwaarden wordt voldaan:

1. het gewichtsverlies van elk der kogels is minder dan 10 mg/mm2 van het oppervlak van de kogel;

2. de verandering in de oorspronkelijke viscositeit zoals vastgesteld bij 311 K (38 °C) is minder dan 25 %; en

3. het totale zuur- of basegetal is kleiner dan 0,40;

e.

wordt de autogene ontbrandingstemperatuur bepaald volgens de methode, beschreven in ASTM E-659, of nationale equivalenten daarvan.

a.

basismaterialen bestaande uit enkelvoudige of meervoudige boriden van titaan met een totale hoeveelheid aan metallische verontreiniging, exclusief opzettelijke toevoegingen, van minder dan 5000 ppm, met een gemiddelde deeltjesgrootte minder dan of gelijk aan 5 micrometer, terwijl niet meer dan 10 % van de deeltjes groter is dan 10 micrometer;

b.

keramische materialen die geen composieten zijn in ruwe vorm of als halffabrikaat samengesteld uit boriden van titaan met een dichtheid van 98 % van de theoretische dichtheid of hoger; Noot: In 1C007.b zijn niet bedoeld slijpmiddelen.

c.

keramisch-keramische composieten met een glas- of oxide-matrix en versterkt met vezels, met alle volgende kenmerken:

1. gemaakt van een van de volgende materialen

1. a.

Si-N;

b.

Si-C;

c.

Si-Al-O-N; of

d.

Si-O-N; en

2. met een specifieke treksterkte van meer dan 12,7 × 103 m;

d.

keramisch-keramische composieten, met of zonder continue metallische fase, die fijn verdeelde deeltjes of fasen bevatten van enig materiaal met vezel- of whiskerstructuur, en waarbij carbiden of nitriden van silicium, zirkoon of boor de matrix vormen;

e.

voorlopermaterialen (d.w.z. voor speciale doeleinden bestemde polymere of organometaalverbindingen) voor het vervaardigen van welke fase of fasen dan ook van de materialen, bedoeld in 1C007.c, als hieronder:

1. polydiorganosilanen (voor het vervaardigen van siliciumcarbide);

2. polysilazanen (voor het vervaardigen van siliciumnitride); of

3. polycarbosilazanen (voor het vervaardigen van keramische materialen met silicium-, koolstof- en stikstofcomponenten);

f.

keramisch-keramische composieten met een oxide- of glas-matrix, versterkt met continuvezels van één van de volgende systemen: Noot: 1C007.f is niet van toepassing op composieten die vezels bevatten van deze systemen met een vezeltreksterkte van minder dan 700 MPa bij 1273 K (1000 °C) of een trek-krimpweerstand van meer dan 1 % krimp bij een belasting van 100 MPa bij 1273 K (1000 °C) gedurende 100 uur.

1. Al203; of

2. Si-C-N.

a.

Noot: In 1C008.a zijn niet bedoeld onsmeltbare perspoeders of gevormde (eind)producten.

1. bismaleimiden;

2. aromatische polyamidimiden;

3. aromatische polyimiden;

4. aromatische polyetherimiden met een glastemperatuur (Tg) van meer dan 513 K (240 °C);

b.

thermoplastische vloeibare kristalcopolymeren met een warmtevervormingstemperatuur hoger dan 523 K (250 °C), gemeten volgens ISO 75-3 (2004), of nationale equivalenten, bij een belasting van 1,82 N/mm2 en samengesteld uit:

1. één van beide volgende groepen materialen:

1. a.

fenyleen, bifenyleen of naftaleen, of

b.

fenyleen, bifenyleen of naftaleen met methyl-, tertiair butyl- of fenylsubstitutie, en

2. één van de volgende zuren:

2. a.

tereftaalzuur;

b.

6-hydroxy-2-naftoëzuur; of

c.

4-hydroxybenzoëzuur;

c.

polyaryleenetherketonen, als hieronder:

1. niet gebruikt,

2. polyetherketonketonen (PEKK),

3. polyetherketonen (PEK),

4. polyetherketonenetherketonketonen (PEKEKK);

d.

polyaryleenketonen;

e.

polyaryleensulfiden, waarbij de arylgroep bestaat uit bifenyleen, trifenyleen of combinaties daarvan;

f.

polybifenyleenethersulfonen met een glastemperatuur (Tg) van meer dan 513 K (240oC).

1CMaterialen Technische noot: Technische noten: Technische noot: Technische noot: a.

copolymeren van vinylideenfluoride met 75 % of meer bèta kristallijnstructuur zonder strekken;

b.

gefluoreerde polyimiden die 10 of meer gewichtspercenten gebonden fluor bevatten;

c.

gefluoreerde fosfazeen elastomeren die 30 of meer gewichtspercenten gebonden fluor bevatten.

a.

organisch stapel- en continuvezelmateriaal met de volgende eigenschappen: Noot: 1C010.a is niet van toepassing op polyethyleen.

1. een specifieke modulus groter dan 12,7 × 106 m, en

2. een specifieke treksterkte groter dan 23,5 × 104 m;

b. Technische noot:

stapel- en continuvezelmateriaal van koolstof met de volgende eigenschappen: Noot: 1C010.b is niet van toepassing op weefsels, gemaakt van stapel- of continuvezelmateriaal voor de reparatie van vliegtuigcasco’s of laminaten, als de afzonderlijke vellen niet groter zijn dan 50 cm × 90 cm. De eigenschappen van materialen als bedoeld in 1C010.b dienen te worden bepaald met gebruik van aanbevolen methoden SRM 12 t/m 17 van Suppliers of Advanced Composite Materials Association (SACMA) of nationale trektests, zoals de Japanse industriestandaard JIS-R-7601, paragraaf 6.6.2, en dienen te zijn gebaseerd op de gemiddelde waarden van een partij.

b.

1. een specifieke modulus groter dan 12,7 × 106 m, en

2. een specifieke treksterkte groter dan 23,5 × 104 m;

c.

anorganisch stapel- en continuvezelmateriaal met de volgende eigenschappen: Noot: in 1C010.c zijn niet bedoeld:

1. en specifieke modulus groter dan 2,5 × 106 m; en

2. een smelt-, verwekings-, en ontledings- of sublimatiepunt hoger dan 1922 K (1649 °C) in een inerte atmosfeer;

1. discontinue, meerfasige, polykristallijne aluminiumoxidevezels als stapelvezels of als onregelmatig gelaagde matten, welke 3 of meer gewichtspercenten siliciumdioxide bevatten, met een specifieke modulus kleiner dan 10 × 106 m;

2. vezels van molybdeen en molybdeenlegeringen;

3. boorvezels;

4. discontinue keramische vezels met een smelt-, verwekings-, ontledings- of sublimatiepunt lager dan 2043 K (1770 °C) in een inerte atmosfeer;

d.

stapel- of continuvezelmateriaal:

1. samengesteld uit een of meer van de volgende materialen:

1. a.

polyetherimiden, als bedoeld in 1C008.a, of

b.

materialen, als bedoeld in 1C008.b t.em. f, of

2. samengesteld uit andere materialen als bedoeld in 1C010.d.1.a, of 1C010d.1.b, en vermengd (commingled) met andere vezels als bedoeld in 1C010.a, 1C010.b of 1C010.c;

e. Technische noot:

met hars of asfaltbitumen geïmpregneerde vezels (prepregs), met metaal of koolstof beklede vezels (preforms) of halffabrikaten voor koolstofvezels, als hieronder: Noot: 1C010.e is niet van toepassing op De glastemperatuur (Tg) voor de onder 1C010.e. vallende materialen wordt bepaald met de droge methode, volgens de in ASTM D 3418 beschreven methode. De glastemperatuur voor fenol- en epoxyharsen wordt bepaald volgens de methode die is beschreven in ASTM D 4065 bij een frequentie van 1 Hz en een verwarmingssnelheid van 2 K (°C) per minuut, met toepassing van de droge methode.

e.

1. gemaakt van stapel- of continuvezelmateriaal als bedoeld in 1C010.a, 1C010.b of 1C010.c;

2. gemaakt van organisch stapel- of continuvezelmateriaal of stapel- of continuvezelmateriaal van koolstof:

2. a.

met een specifieke treksterkte groter dan 17,7 × 104 m,

b.

met een specifieke modulus groter dan 10,15 × 106 m,

c.

niet bedoeld in 1C010.a of 1C010.b, en

d.

wanneer geïmpregneerd met materialen bedoeld in 1C008 of 1C009.b met een glastemperatuur (Tg) hoger dan 383 K (110 °C) of met fenol- of epoxyharsen met een glastemperatuur (Tg) hoger dan 418 K (145 °C).

a.

met epoxyhars geïmpregneerd koolstof- stapel- of continuvezelmateriaal (prepregs) voor de reparatie van vliegtuigcasco’s of laminaten als de afzonderlijke prepreg-vellen niet groter zijn dan 50 cm × 90 cm.

b.

prepregs, geïmpregneerd met fenol- of epoxyharsen met een glastemperatuur (Tg) van minder dan 433 K (160 °C) en een hardingstemperatuur die lager ligt dan de glastemperatuur.

a. Technische noot:

Metalen met een deeltjesgrootte van minder dan 60 micrometer, hetzij bolvormig, verstoven, sferoïdisch, in vlokkenvorm of gemalen, vervaardigd uit materiaal dat voor 99 % of meer bestaat uit zirkonium, magnesium en legeringen daarvan; Het natuurlijke hafniumgehalte van het zirkonium (normaal 2 % tot 7 %) wordt bij het zirkonium gerekend. Noot: De metalen of legeringen in 1C011.a vallen onder de regeling, ongeacht of zij al dan niet zijn ingekapseld in aluminium, magnesium, zirkonium of beryllium.

b.

Boor of boorcarbide met een zuiverheidsgraad van minstens 85 % en een deeltjesgrootte van hoogstens 60 micrometer; Noot: De metalen of legeringen in 1C011.b vallen onder de regeling, ongeacht of zij al dan niet zijn ingekapseld in aluminium, magnesium, zirkonium of beryllium.

c.

Guanidinenitraat;

d.

Nitroguanidine (NQ) (CAS 556-88-7).

1CMaterialen Technische noot: Technische noten: Technische noot: Technische noot: Technische noot: a.

plutonium in iedere vorm met een plutonium-isotoopgehalte aan plutonium-238 van meer dan 50 gewichtsprocent; Noot: 1C012.a is niet van toepassing op:

a.

zendingen die hoogstens 1 % plutonium bevatten;

b.

zendingen van hoogstens 3 effectieve grammen in een afgesloten gedeelte van een meetelement in instrumenten.

b.

door opwerking verkregen neptunium-237 in iedere vorm. Noot: 1C012.b. is niet van toepassing op zendingen die hoogstens 1 gram neptunium-237 bevatten.

a.

constructiematerialen en deklagen, speciaal ontworpen om de radarreflectie te beperken;

b.

deklagen, inclusief verven, speciaal ontworpen om de reflectie of de uitstraling in het microgolf-, infrarood- of ultravioletgebied te beperken of aan te passen.

1CMaterialen Technische noot: Technische noten: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: a.

grafiet met een kleine korrelgrootte en met een volumedichtheid van ten minste 1,72 g/cm3 gemeten bij 288 K (15 °C), met een korrelgrootte van 100 μm of minder, geschikt voor raketstraalpijpen of neuskegels van terugkeervoertuigen, dat gebruikt kan worden bij de productie van: NB: Zie ook 0C004

1. Cilinders met een diameter van ten minste 120 mm en een lengte van ten minste 50 mm;

2. Buizen met een binnendiameter van ten minste 65 mm, een wanddikte van ten minste 25 mm en een lengte van ten minste 50 mm; of

3. Blokken met een minimumomvang van 120 × 120 × 50 mm.

b.

pyrolytisch of vezelversterkt grafiet, geschikt voor raket-straalpijpen of neuskegels van terugkeervoertuigen; NB: Zie ook 0C004

c.

keramische composieten (diëlektrische constante kleiner dan 6 bij een frequentie van 100 MHz tot 100 GHz), geschikt voor raket-radarkoepels;

d.

zgn. groene, bewerkbare, met siliciumcarbide versterkte keramiek, geschikt voor raket-neuskegels.

a.

stoffen die stuwkracht leveren:

1. Technische noot:

bolvormig aluminiumpoeder, anders dan bedoeld in de Lijst militaire goederen, met deeltjes met een uniforme diameter kleiner dan 200 micrometer en een aluminiumgehalte van 97 gewichtspercenten of meer, indien ten minste 10 % van het totaalgewicht bestaat uit deeltjes van minder dan 63 micrometer overeenkomstig ISO 2591:1988 of nationale equivalenten; Een deeltjesgrootte van 63 micrometer (ISO R-565) stemt overeen met maasgetal 250 (Tyler) of 230 (ASTM Standard E-11).

2. Technische noot:

metaalbrandstoffen, anders dan bedoeld in de Lijst van militaire goederen, met een deeltjesgrootte kleiner dan 60 micrometer, hetzij bolvormig, verstoven, sferoïdisch, in vlokkenvorm of gemalen, welke 97 gewichtspercenten of meer van één van onderstaande stoffen bevatten: Het natuurlijke hafniumgehalte van het zirkonium (normaal 2 % tot 7 %) wordt bij het zirkonium gerekend.

2. a.

zirkonium;

b.

beryllium;

c.

magnesium, of

d.

legeringen van de onder a tot en met c genoemde metalen;

3. vloeibare oxidatoren, als hieronder:

3. a.

distikstoftrioxide;

b.

stikstofdioxide/distikstoftetraoxide;

c.

distikstofpentoxide;

d. Technische noot:

mengsels van stikstofoxiden (mixed oxides of nitrogen, MON); Mengsels van stikstofoxiden (MON) zijn oplossingen van stikstofoxide (NO) in distikstoftetraoxide/stikstofdioxide (N2O4 /NO2) die in raketsystemen kunnen worden gebruikt. Er bestaan diverse verbindingen die als MONi of MONij kunnen worden aangeduid, waarbij i en j hele getallen zijn die het percentage stikstofoxide in het mengsel weergeven (zo bevat MON3 3 % stikstofoxide en MON25 25 %. Een bovengrens is MON40, d.w.z. 40 gewichtsprocent).

e.

ZIE LIJST MILITAIRE GOEDEREN VOOR geïnhibeerd roodrokend salpeterzuur (Inhibited Red Fuming Nitric Acid, IRFNA);

f.

ZIE LIJST MILITAIRE GOEDEREN EN 1C238 VOOR verbindingen bestaande uit fluor en een of meer andere halogenen, zuurstof of stikstof;

4. Hydrazinederivaten die gebruikt kunnen worden als bestanddeel voor raketbrandstof, anders dan bedoeld in de Lijst militaire goederen.

b.

polymeren:

1. polybutadieen met carboxy-eindgroep (CTPB);

2. polybutadieen met hydroxy-eindgroep (HTPB), anders dan bedoeld in de Lijst militaire goederen;

3. polybutadieen-acrylzuur (PBAA);

4. polybutadieen-acrylzuur-acrylonitril (PBAN);

c.

andere additieven en hulpstoffen voor stuwstoffen:

1. ZIE LIJST MILITAIRE GOEDEREN VOOR carboranen; decaboranen; pentaboranen en derivaten;

2. triethyleenglycoldinitraat (TEGDN);

3. 2-nitrodifenylamine;

4. trimethylethaantrinitraat (TMETN);

5. diethyleenglycoldinitraat (DEGDN).

6. Ferroceenderivaten, als hieronder:

6. a.

zie Lijst militaire goederen voor catoceen

b.

ethylferroceen

c.

propylferroceen

d.

zie Lijst militaire goederen voor n-butylferroceen

e.

pentylferroceenferroceen

f.

dicyclopentylferroceen

g.

dicyclohexylferroceen

h.

diethylferroceen

i.

dipropylferroceen

j.

dibutylferroceen

k.

dihexylferroceen

l.

acetylferroceen

m.

zie Lijst militaire goederen voor ferroceencarboxylzuren

n.

zie Lijst militaire goederen voor butaceen

o.

andere ferroceenderivaten die kunnen worden gebruikt als verbrandingssnelheidsmodificatoren voor raketstuwstoffen, die niet onder de Lijst militaire goederen vallen.

a.

met alle navolgende kenmerken:

1. het bevat 17,0-23,0 gewichtspercenten chroom en 4,5-7,0 gewichtspercenten nikkel;

2. het titaangehalte bedraagt meer dan 0,10 gewichtspercenten; en

3. een ferritisch-austenitische microstructuur (ook tweefasenmicrostructuur genoemd) waarvan ten minste 10 volumepercenten austeniet (volgens ASTM E-1181-87 of nationale equivalenten); en

b.

in een van de volgende vormen:

1. walsblokken of staven die ten minste 100 mm groot zijn in elke richting;

2. platen met een breedte van ten minste 600 mm en een dikte van 3 mm of minder; of

3. buizen met een buitendiameter van ten minste 600 mm en een wanddikte van 3 mm of minder.

a.

aluminiumlegeringen met beide volgende kenmerken:

1. geschikt voor een treksterkte van 460 MPa of meer bij 293 K (20 °C); en

2. buisvormig of massief cilindervormig (met inbegrip van smeedstukken) met een buitendiameter van meer dan 75 mm;

b.

titaanlegeringen met beide volgende kenmerken:

1. geschikt voor een treksterkte van 900 MPa of meer bij 293 K (20 °C); en

2. buisvormig of massief cilindervormig (met inbegrip van smeedstukken) met een buitendiameter van meer dan 75 mm.

1CMaterialen Technische noot: Technische noten: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: a.

stapel- en continuvezelmateriaal van koolstof of aramide met een van de volgende kenmerken: Noot: 1C210.a. is niet van toepassing op stapel- en continuvezelmateriaal van aramide dat ten minste 0,25 gewichtspercent bevat van een op een ester gebaseerde vezeloppervlakmodificator.

1. een specifieke modulus van 12,7 × 106 m of groter: of

2. een specifieke treksterkte van 235 × 103 m of meer;

b.

stapel- en continuvezelmateriaal van glas met beide volgende kenmerken:

1. een specifieke modulus van 3,18 × 106 m of meer: en

2. een specifieke treksterkte van 76,2 × 104 m of meer;

c. Technische noot:

thermogeharde met hars geïmpregneerde continu-garens, -rovings, -linten of banden met een breedte van 15 mm of minder (prepregs), vervaardigd uit stapel- en continuvezelmateriaal van koolstof of glas als bedoeld in 1C210.a of 1C210.b. Het hars vormt de matrix van de composiet.

1CMaterialen Technische noot: Technische noten: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: a.

in vormen met holle cilindersymmetrie (daaronder mede begrepen cilindersegmenten) met een binnendiameter tussen 100 mm en 300 mm; en

b.

met een massa groter dan 20 kg.

a.

bevat minder dan 1000 gewichtsdelen per miljoen aan metallische verontreiniging anders dan magnesium; en

b.

bevat minder dan 10 gewichtsdelen per miljoen boor.

a.

bevat minder dan 200 gewichtsdelen per miljoen aan metallische verontreiniging anders dan calcium; en

b.

bevat minder dan 10 gewichtsdelen per miljoen boor.

a.

een zuiverheid van 99,99 gewichtspercenten of meer; en

b.

bevat minder dan 10 gewichtsdelen per miljoen zilver.

a.

vensters voor röntgentoestellen of voor apparatuur voor metingen in boorgaten, van berylliummetaal;

b.

vormstukken van berylliumoxide als eindproduct of halffabrikaat, speciaal ontworpen voor elektronische onderdelen of als substraat voor elektronische schakelingen;

c.

beril (beryllium-aluminiumsilicaat) in de vorm van smaragden of aquamarijnen.

1CMaterialen Technische noot: Technische noten: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: a.

de elementaire vorm;

b.

verbindingen met een totale alfa-activiteit van 37 GBq/kg (1 Ci/kg) of hoger;

c.

mengsels met een totale alfa-activiteit van 37 GBq/kg (1 Ci/kg) of hoger;

d.

producten of toestellen die een van voorgaande stoffen bevatten.

a.

medische middelen;

b.

een product of toestel dat minder dan 0,37 GBq (10 millicurie) radium-226 bevat.

a.

nikkelpoeder met beide volgende kenmerken:

1. een nikkelgehalte van 99,0 gewichtspercenten of meer; en

2. een gemiddelde korrelgrootte kleiner dan 10 micrometer, gemeten volgens ASTM Standaard B330;

b.

poreus nikkelmetaal, gemaakt van materiaal, bedoeld in 1C240.a.

a.

vezelvormige nikkelpoeders;

b.

enkelvoudige platen van poreus nikkel, met een oppervlakte per plaat van 1000 cm2 of minder.

1CMaterialen Technische noot: Technische noten: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot:

1. Thiodiglycol (111-48-8);

2. Fosforoxychloride (10025-87-3);

3. Dimethylmethylfosfonaat (765-79-6);

4. ZIE LIJST MILITAIRE GOEDEREN VOOR Methylfosfonyldifluoride (676-99-3);

5. Methylfosfonyldichloride (676-97-1);

6. Dimethylfosfiet (DMP) (868-85-9);

7. Fosfortrichloride (7719-12-2);

8. Trimethylfosfiet (TMP) (121-45-9);

9. Thionylchloride (7719-09-7);

10. 3-Hydroxy-1-methylpiperidine (3554-74-3);

11. 2-Diisopropylaminoethylchloride (96-79-7);

12. 2-Diisopropylaminoethaanthiol (5842-07-9);

13. Chinuclidine-3-ol (1619-34-7);

14. Kaliumfluoride (7789-23-3);

15. 2-Chloorethanol (107-07-3);

16. Dimethylamine (124-40-3);

17. Diethylethylfosfonaat (78-38-6);

18. Diethyl-N, N-dimethylfosforamidaat (2404-03-07);

19. Diethylfosfiet (762-04-9);

20. Dimethylamine hydrochloride (506-59-2);

21. Dichloorethylfosfine (1498-40-4);

22. Ethylfosfonyldichloride (1066-50-8);

23. ZIE LIJST MILITAIRE GOEDEREN VOOR Ethylfosfonyldifluoride (753-98-0);

24. Waterstoffluoride (7664-39-3);

25. Methylbenzilaat (76-89-1);

26. Dichloormethylfosfine (676-83-5);

27. 2-Diisopropylaminoethanol (96-80-0);

28. Pinacolylalcohol (464-07-3);

29. ZIE LIJST MILITAIRE GOEDEREN VOOR O-Ethyl-2-diisopropylaminoethyl-methylfosfoniet (QL) (57856-11-8);

30. Triethylfosfiet (122-52-1);

31. Arseentrichloride (7784-34-1);

32. Benzilzuur (76-93-7);

33. Diethylmethylfosfoniet (15715-41-0);

34. Dimethylethylfosfonaat (6163-75-3);

35. Difluorethylfosfine (430-78-4);

36. Difluormethylfosfine (753-59-3);

37. Chinuclidine-3-on (3731-38-2);

38. Fosforpentachloride (10026-13-8);

39. Pinacolon (75-97-8);

40. Kaliumcyanide (151-50-8);

41. Kaliumbifluoride (7789-29-9);

42. Ammoniumbifluoride (1341-49-7);

43. Natriumfluoride (7681-49-4);

44. Natriumbifluoride (1333-83-1);

45. Natriumcyanide (143-33-9);

46. Triethanolamine (102-71-6);

47. Fosforpentasulfide (1314-80-3);

48. Diisopropylamine (108-18-9);

49. 2-Diethylaminoethanol (100-37-8);

50. Natriumsulfide (1313-82-2);

51. Zwavelmonochloride (10025-67-9);

52. Zwaveldichloride (10545-99-0);

53. Triethanolamine hydrochloride (637-39-8);

54. 2-Chloorethyldiisopropyl-ammoniumchloride (4261-68-1);

55. Methylfosfonzuur (993-13-5);

56. Diethylethylfosfonaat (683-08-9);

57. N,N-dymethylaminofosforyldichloride (677-43-0);

58. Tri-isopropylfosfiet (116-17-6);

59. Ethyldiethanolamine (139-87-7);

60. O,O-diethylfosforothioaat (2465-65-8);

61. O,O-diethylfosforodithioaat (298-06-6);

62. Natriumhexafluorosilicaat (16893-85-9);

63. Methylfosfonthiodichloride (676-98-2).

a.

virussen, natuurlijk, versterkt of gemodificeerd, in de vorm van geïsoleerde levende culturen of als materiaal met inbegrip van levend materiaal dat opzettelijk met dergelijke culturen is geïnoculeerd of besmet, als hieronder:

1. Chikungunyavirus;

2. Haemorragische-Krim-Kongokoortsvirus (CCHF-virus);

3. Denguevirus;

4. Eastern equine encefalitisvirus;

5. Ebolavirus;

6. Hantaanvirus;

7. Juninvirus;

8. Lassavirus;

9. Lymfocytaire-choriomeningitisvirus;

10. Machupovirus;

11. Marburgvirus;

12. Apenpokkenvirus;

13. Rift Valleyvirus;

14. Tekenencephalitisvirus (RSSE-virus);

15. Variolavirus;

16. Venezuelan equine encefalitisvirus;

17. Western equine encefalitisvirus;

18. Witte-pokkenvirus;

19. Gele-koortsvirus;

20. Japanse-encefalitisvirus;

21. Kyasanur Forest-virus;

22. Louping ill-virus;

23. Murray Valley-encefalitisvirus;

24. Omsk hemorragische-koortsvirus;

25. Oropouche-virus;

26. Powassan-virus;

27. Rocio-virus;

28. Saint-Louis-encefalitisvirus;

29. Hendra-virus (Equine-morbillivirus);

30. Zuid-Amerikaanse hemorragische koorts (Sabia, Flexal, Guanarito);

31. Virussen die een hemorragische koorts met pulmonair en renaal syndroom veroorzaken (Seoul, Dobrava, Puumala, Sin Nombre);

32. Nipah-virus

b.

rickettsiën, natuurlijk, versterkt of gemodificeerd, in de vorm van geïsoleerde levende culturen of als materiaal met inbegrip van levend materiaal dat opzettelijk met dergelijke culturen is geïnoculeerd of besmet, als hieronder:

1. Coxiella burnetii;

2. Bartonella quintana (Rochalimaea quintana, Rickettsia quintana);

3. Rickettsia prowasecki;

4. Rickettsia rickettsii;

c.

bacteriën, natuurlijk, versterkt of gemodificeerd, in de vorm van geïsoleerde levende culturen of als materiaal met inbegrip van levend materiaal dat opzettelijk met dergelijke culturen is geïnoculeerd of besmet, als hieronder:

1. Bacillus anthracis;

2. Brucella abortus;

3. Brucella melitensis;

4. Brucella suis;

5. Chlamydia psittaci;

6. Chlostridium botulinum;

7. Francisella tularensis;

8. Burkholderia mallei (Pseudomonas mallei);

9. Burkholderia pseudomallei (Pseudomonas pseudomallei);

10. Salmonella typhi;

11. Shigella dysenteriae;

12. Vibrio cholerae;

13. Yersinia pestis;

14. Clostridium perfringens epsilontoxine-producerende types;

15. Enterohemorragische Escherichia coli serotype O157 en andere verotoxineproducerende serotypes.

d.

toxinen, als hieronder, alsmede subeenheden van toxinen daarvan: Noot: 1C351.d. is niet van toepassing op botulinum toxinen of conotoxinen als product dat aan alle navolgende criteria voldoet:

1. Botulinum toxinen;

2. Clostridium perfringens toxinen;

3. Conotoxine;

4. Ricine;

5. Saxitoxine;

6. Shigatoxine;

7. Staphylococcus aureus toxinen;

8. Tetrodotoxine;

9. Verotoxine;

10. Microcystine (Cyanginosine);

11. Aflatoxinen;

12. Abrine;

13. Choleratoxine;

14. Diacetoxyscirpenol;

15. T-2-toxine;

16. HT-2-toxine;

17. Modeccine;

18. Volkensine;

19. Viscum album lectine 1 (Viscumine).

1. het gaat om farmaceutische formules, ontwikkeld om aan de mens te worden toegediend bij de behandeling van een aandoening;

2. zij zijn voorverpakt om als geneesmiddelen te worden verhandeld;

3. een overheidsinstantie heeft een vergunning afgegeven om ze als geneesmiddel in de handel te brengen.

a.

virussen, natuurlijk versterkt of gemodificeerd, in de vorm van geïsoleerde levende culturen of als materiaal met inbegrip van levend materiaal dat opzettelijk met dergelijke culturen is geïnoculeerd of besmet, als hieronder:

1. Afrikaanse varkenspestvirus;

2. Aviaire-influenzavirus, hetzij:

2. a.

niet-gekarakteriseerd, hetzij

b.

zoals omschreven in Richtlijn 92/40/EEG (PB nr. L 167 van 22.6.1992, blz. 1) met een hoge pathogeniteitsindex, als hieronder:

1. type A-virussen met een IVPI (intraveneuze pathogeniteitsindex) bij zes weken oude kuikens van meer dan 1,2, of

2. type A-virussen, subtype H5 of H7, waarvoor door middel van sequencing van de nucleotiden is aangetoond dat verschillende basische aminozuren aanwezig zijn aan de breukzijde van het hemaglutinine;

3. Bluetonguevirus;

4. Mond- en klauwzeervirus;

5. Geitenpokkenvirus;

6. Virus van de ziekte van Aujeszky;

7. Klassieke-varkenspestvirus;

8. Lyssavirus;

9. Virus van de ziekte van Newcastle (pseudovogelpestvirus);

10. Virus van de kleine-herkauwerspest;

11. Porcien enterovirus type 9 (vesiculaire-varkensziektevirus);

12. Runderpestvirus;

13. Schapenpokkenvirus;

14. Virus van de ziekte van Teschen;

15. Vesiculaire-stomatitisvirus;

16. Virus van de nodulaire dermatose bij runderen;

17. Afrikaanse-paardenpestvirus.

b.

mycoplasma mycoides, natuurlijk, versterkt of gemodificeerd, in de vorm van geïsoleerde levende culturen of als materiaal met inbegrip van levend materiaal dat opzettelijk met mycoplasma mycoides is geïnoculeerd of besmet.

a.

genetisch gemodificeerde organismen, of genetische elementen die de nucleïnezuursequenties bevatten die de pathogeniteit bepalen van de organismen, bedoeld in 1C351.a t/m 1C351.c, 1C352 of 1C354;

b.

genetisch gemodificeerde organismen, of genetische elementen die nucleïnezuursequenties bevatten die coderen voor een van de toxinen bedoeld in 1C351.d of subeenheden van toxinen daarvan.

1CMaterialen Technische noot: Technische noten: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noten:

1. Genetische elementen omvatten, onder andere, chromosomen, genomen, plasmiden, transposons en vectoren, al dan niet genetisch gemodificeerd.

2. Onder nucleïnezuursequenties die de pathogeniteit bepalen van de micro-organismen bedoeld in 1C351.a t/m 1C351.c, 1 C352 of 1C354 wordt verstaan een voor het gespecificeerd micro-organisme specifieke sequentie

2. a.

die op zichzelf of via de door transcriptie of translatie ontstane producten een aanzienlijk gevaar voor de gezondheid van mensen, dieren of planten oplevert; of

b.

waarvan bekend is dat zij het vermogen versterkt van een specifiek micro-organisme, of enig organisme waarin dat micro-organisme kan worden ingebracht of anderszins geïntegreerd, om ernstige schade te berokkenen aan de gezondheid van mensen, dieren of planten.

a.

virussen, natuurlijk, versterkt of gemodificeerd, in de vorm van geïsoleerde levende culturen of als materiaal met inbegrip van levend materiaal dat opzettelijk met dergelijke culturen is geïnoculeerd of besmet, als hieronder:

1. Potato Andean latent tymovirus;

2. Potato spindle tuber viroid;

b.

bacteriën, natuurlijk, versterkt of gemodificeerd, in de vorm van geïsoleerde levende culturen of als materiaal dat opzettelijk met dergelijke culturen is geïnoculeerd of besmet, als hieronder:

1. Xanthomonas albilineans;

2. Xanthomonas campestris pv. citri., met inbegrip van stammen, aangeduid als Xanthomonas campestris pv. citri types A, B, C, D, E of anderszins ingedeeld als Xanthomonas citri, Xanthomonas campestris pv. aurantifolia of Xanthomonas campestris pv. citrumelo;

3. Xanthomonas oryzae pv. Oryzae (Pseudomonas campestris pv. Oryzae);

4. Clavibacter michiganensis subsp. Sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. Sepedonicum of Corynebacterium Sepedonicum);

5. Ralstonia solanacearum Rassen 2 en 3 (Pseudomonas solanacearum Rassen 2 en 3 of Burkholderia solanacearum Rassen 2 en 3);

c.

schimmels, natuurlijk, versterkt of gemodificeerd, in de vorm van geïsoleerde levende culturen of als materiaal dat opzettelijk met dergelijke culturen is geïnoculeerd of besmet, als hieronder:

1. Colletotrichum coffeanum var. virulans (colletotrichum kahawae);

2. Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae);

3. Microcyclus ulei (syn. Dothidella ulei);

4. Puccinia graminis (syn. Puccinia graminis f. sp. tritici);

5. Puccinia striiformis (syn. Puccinia glumarum);

6. Magnaporthe grisea (Pyricularia grisea/Pyricularia oryzae).

a.

Giftige chemische stoffen, als hieronder: Noot 1: Voor uitvoer naar Staten die geen partij zijn bij het Verdrag inzake chemische wapens worden in 1C450 niet bedoeld chemische mengsels die een of meer van de in de punten 1C450.a.1 en .a.2 vermelde chemische stoffen bevatten en waarin geen van de afzonderlijk vermelde stoffen meer dan 1 gewichtspercent van het mengsel vertegenwoordigt. Noot 2: Voor uitvoer naar Staten die partij zijn bij het Verdrag inzake chemische wapens worden in 1C450 niet bedoeld chemische mengsels die een of meer van de in de punten 1C450.a.1 en .a.2 vermelde chemische stoffen bevatten en waarin geen van de afzonderlijk vermelde stoffen meer dan 30 gewichtspercent van het mengsel vertegenwoordigt. Noot 3: In 1C450 worden niet bedoeld chemische mengsels die een of meer van de in de punten 1C450.a.4, .a.5., .a.6 en .a.7 vermelde chemische stoffen bevatten en waarin geen van de afzonderlijk vermelde stoffen meer dan 30 gewichtspercent van het mengsel vertegenwoordigt.

1. amiton: O,O-diethyl-S-[2-(diethylamino)ethyl]fosforthiolaat (78-53-5) en de overeenkomstige gealkyleerde of geprotoneerde zouten;

2. PFIB: 1,1,3,3,3-pentafluor-2-(trifluormethyl)-1-propeen (382-21-8);

3. ZIE LIJST VAN MILITAIRE GOEDEREN VOOR BZ: 3-quinuclidinylbenzilaat (6581-06-2);

4. fosgeen: carbonyldichloride (75-44-5);

5. chloorcyaan (506-77-4);

6. cyaanwaterstof (74-90-8);

7. chloorpicrine: trichloornitromethaan (76-06-2);

b.

Voorlopers van giftige chemische stoffen, als hieronder: Noot 1: Voor uitvoer naar Staten die geen partij zijn bij het Verdrag inzake chemische wapens worden in 1C450 niet bedoeld chemische mengsels die een of meer van de in de punten 1C450.b.1, .b.2, .b.3, .b.4, .b.5 en .b.6 vermelde chemische stoffen bevatten en waarin geen van de afzonderlijk vermelde stoffen meer dan 10 gewichtspercent van het mengsel vertegenwoordigt. Noot 2: Voor uitvoer naar Staten die partij zijn bij het Verdrag inzake chemische wapens worden in 1C450 niet bedoeld chemische mengsels die een of meer van de in de 1C450.b.1, .b.2, .b.3, .b.4, .b.5 en .b.6 vermelde chemische stoffen bevatten en waarin geen van de afzonderlijk vermelde stoffen meer dan 30 gewichtspercent van het mengsel vertegenwoordigt. Noot 3: In 1C450 worden niet bedoeld chemische mengsels die een of meer van de in punt 1C450.b.8. vermelde chemische stoffen bevatten en waarin geen van de afzonderlijk vermelde stoffen meer dan 30 gewichtspercent van het mengsel vertegenwoordigt.

1. stoffen, behalve die welke zijn opgenomen in de Lijst van militaire goederen of in 1C350, die een fosforatoom bevatten met daaraan gebonden een methyl-, ethyl- of (normale of iso-) propylgroep maar geen andere koolstofatomen; Noot: 1C450.b.1. is niet van toepassing op Fonofos: O-ethyl-S-fenylethyl-fosfonthiolthionaat (944-22-9);

2. N,N-dialkyl-[methyl-, ethyl- of (normaal of iso-)propyl]fosforamidodihalogeniden;

3. andere dialkyl-[methyl-, ethyl- of (normaal of iso-)propyl]-N,N-dialkyl-[methyl-, ethyl- of (normaal of iso-)propyl]fosforamidaten dan diethyl-N,N-dimethylfosforamidaat, dat genoemd wordt in 1C350;

4. andere N,N-dialkyl-[methyl-, ethyl- of (normaal of iso-)propyl]aminoethyl-2-chloriden en overeenkomstige geprotoneerde zouten dan N,N-diisopropyl-(beta)-aminoethylchloride of N,N-diisopropyl-(beta)-amionoethylchloride - hydrochloride, die genoemd worden in 1C350;

5. andere N,N-dialkyl-[methyl-, ethyl- of (normaal of iso-) propyl]aminoethaan-2-olen en overeenkomstige geprotoneerde zouten dan N,N-diisopropyl-(beta)-aminoethanol (96-800), en N,N-diethylaminoethanol (100-37-8) die genoemd worden in 1C350; Noot: 1C450.b.5. is niet van toepassing op:

5. a)

N,N-dimethylaminoethanol (108-01-0) en overeenkomstige geprotoneerde zouten;

b)

geprotoneerde zouten van N,N-diethylaminoethanol (100-37-8);

6. andere N,N-dialkyl-[methyl-, ethyl- of (normaal of iso-)propyl]aminoethaan-2-thiolen en overeenkomstige geprotoneerde zouten dan N,N-diisopropyl-(beta)-aminoethaanthiol, dat genoemd wordt in 1C350;

7. Zie 1C350 voor ethyldiethanolamine (139-87-7);

8. methyldiethanolamine (105-59-9).

1DProgrammatuur

1D001Programmatuur, speciaal ontworpen of aangepast voor de ontwikkeling, de productie of het gebruik van goederen, bedoeld in 1B001, 1B002 en 1B003. 1D002Programmatuur voor de ontwikkeling van laminaten of composieten met een organische matrix, een metaal-matrix of een koolstof-matrix. 1D101Programmatuur, speciaal ontworpen of aangepast voor het gebruik van de in 1B101, 1B102, 1B115, 1B117, 1B118 of 1B119 bedoelde goederen. 1D103Programmatuur, speciaal ontwikkeld voor de analyse van de beperking van de zichtbaarheid zoals de radarreflectie, het ultraviolet/infrarood of akoestisch beeld. 1D201Programmatuur, speciaal ontwikkeld voor het gebruik van de in 1B201 bedoelde goederen.

1ETechnologie

1E001Technologie overeenkomstig de algemene technologienoot voor de ontwikkeling of productie van apparatuur of materialen, bedoeld in 1A001.b, 1A001.c, 1A002 tot en met 1A005, 1B en 1C. 1E002Andere technologie, als hieronder: 1E101Technologie overeenkomstig de algemene technologienoot betreffende het gebruik van goederen, bedoeld in 1A102, 1B001, 1B101, 1B102, 1B115 tot en met 1B119, 1C001, 1C101, 1C107, 1C111 tot en met 1C117, 1D101 of 1D103. 1E102Technologie overeenkomstig de algemene technologienoot betreffende de ontwikkeling van programmatuur, bedoeld in 1D001, 1D101 of 1D103. 1E103Technologie voor het regelen van de temperatuur, druk of atmosfeer in autoclaven of hydroclaven indien gebruikt voor de productie van composieten of halffabrikaten van composieten. 1E104Technologie voor de productie van pyrolytisch gevormde materialen op een mal, doorn of ander substraat van gassen die ontleden bij temperaturen van 1573 K (1300 °C) tot 3173 K (2900 °C) en drukken van 130 Pa tot 20 kPa. Noot: 1E104 omvat tevens technologie voor het samenstellen van voorlopergassen, schema’s en gegevens in verband met stroomsnelheden en procesregeling. 1E201Technologie overeenkomstig de algemene technologienoot betreffende het gebruik van goederen, bedoeld in 1A002, 1A202, 1A225, 1A226, 1A227, 1B201, 1B225 t/m 1B233, 1C002.b.3. of b.4., 1C010.b, 1C202, 1C210, 1C216, 1C225 t/m 1C240 of 1D201. 1E202Technologie overeenkomstig de algemene technologienoot betreffende de ontwikkeling of productie van goederen, bedoeld in 1A202, 1A225 tot en met 1A227. 1E203Technologie overeenkomstig de algemene technologienoot betreffende de ontwikkeling van programmatuur, bedoeld in 1D201.

a.

technologie voor de ontwikkeling of productie van polybenzothiazolen of polybenzoxazolen;

b.

technologie voor de ontwikkeling of productie van fluorelastomeerverbindingen die ten minste één vinylethermonomeer bevatten;

c.

technologie voor het ontwerpen of de productie van de volgende basismaterialen of keramische materialen, niet zijnde composieten:

1. basismaterialen met alle volgende kenmerken:

1. a.

met een van de onderstaande samenstellingen:

1. enkelvoudige of meervoudige oxiden van zirkonium en meervoudige oxiden van silicium of aluminium;

2. enkelvoudige nitriden van boor (de kubusvormige kristalvormen);

3. enkelvoudige of meervoudige carbiden van silicium of boor; of

4. enkelvoudige of meervoudige nitriden van silicium;

b.

met een totale hoeveelheid metallische verontreiniging, exclusief opzettelijke toevoegingen, van minder dan:

1. 1000 ppm voor enkelvoudige oxiden of carbiden; of

2. 5000 ppm voor meervoudige verbindingen of enkelvoudige nitriden; en

c.

zijnde een van de navolgende materialen:

1. zirkoonoxide met een gemiddelde deeltjesgrootte kleiner dan of gelijk aan 1 micrometer terwijl niet meer dan 10 % van de deeltjes groter is dan 5 micrometer;

2. andere basismaterialen met een gemiddelde deeltjesgrootte kleiner dan of gelijk aan 5 micrometer terwijl niet meer dan 10 % van de deeltjes groter is dan 10 micrometer; of

3. met alle navolgende eigenschappen:

3. a.

plaatjes waarvan de verhouding tussen lengte en dikte groter is dan 5;

b.

whiskers waarvan de verhouding tussen lengte en diameter groter is dan 10, bij een diameter kleiner dan 2 micrometer, en

c.

continu- of stapelvezels met een diameter kleiner dan 10 micrometer;

2. keramische materialen, niet zijnde composieten, samengesteld uit de materialen omschreven in 1E002.c.1; Noot: 1E002.c.2 is niet van toepassing op de technologie voor het ontwerpen of vervaardigen van slijpmiddelen.

d.

technologie voor de productie van aromatische polyamidevezels;

e.

technologie voor het installeren, onderhouden en repareren van materialen, bedoeld in 1C001;

f.

technologie voor het repareren van composieten, laminaten of materialen, bedoeld in 1A002, 1C007.c of d. Noot: 1E002.f is niet van toepassing op technologie voor de reparatie van casco’s van civiele vliegtuigen met koolstof-stapel- of continuvezelmateriaal en epoxyharsen, die is vermeld in de handleidingen van de vliegtuigfabrikant.

CATEGORIE 2 MATERIAALBEWERKING

2ASystemen, apparatuur en onderdelen Technische noot:

NB: voor stillopende rollagers, zie Lijst militaire goederen. 2A001Wrijvingsloze rollagers of rollagersystemen, als hieronder, en onderdelen daarvan: Noot: 2A001 is niet van toepassing op kogels met toleranties volgens opgave van de fabrikant volgens klasse 5 ISO-norm 3290 of slechter. 2A225Kroezen vervaardigd van metalen die bestand zijn tegen vloeibare actinidemetalen, als hieronder: 2A226Afsluiters met alle volgende kenmerken: Voor afsluiters met verschillende inlaat- en uitlaatopeningen heeft de in 2A226 bedoelde nominale afmeting betrekking op de kleinste diameter.

2ASystemen, apparatuur en onderdelen a.

kogellagers of lagers met rollers uit één stuk met alle toleranties volgens opgave van de fabrikant volgens ISO 492 tolerantieklasse 4 (of ANSI/ABMA Std 20 tolerantieklasse ABEC-7 of RBEC-7, of andere nationale equivalenten), of beter, en met zowel ringen als rolelementen (ISO 5593) gemaakt van monel of beryllium; Noot: 2A001.a is niet van toepassing op kegelvormige rollagers.

b.

andere kogellagers of lagers met rollers uit één stuk met alle toleranties volgens opgave van de fabrikant volgens ISO 492 tolerantieklasse 2 (of ANSI/ABMA Std 20 tolerantieklasse ABEC-9 of RBEC-9, of andere nationale equivalenten), of beter; Noot: 2A001.b is niet van toepassing op kegelvormige rollagers.

c.

actieve magnetische lagersystemen waarbij gebruik wordt gemaakt van:

1. materialen met fluxdichtheden van 2.0 T of groter en een vloeigrens van meer dan 414 MPa; of

2. volledig elektromagnetische 3D-homopolaire instelstroom — ontwerpen voor aandrijvers; of

3. positiesensoren voor gebruik bij hoge temperaturen (450 K (177 °C) en hoger).

a.

kroezen met beide hiernavolgende kenmerken:

1. een inhoud van 150 cm3 tot 8000 cm3; en

2. vervaardigd van of bekleed met een van onderstaande materialen, met een zuiverheid van 98 gewichtspercenten of hoger:

2. a.

calciumfluoride (CaF2);

b.

calciumzirkonaat (metazirkonaat) (CaZrO3);

c.

ceriumsulfide (Ce2S3);

d.

erbiumoxide (Er2O3);

e.

hafniumoxide (HFO2);

f.

magnesiumoxide (MgO);

g.

legering van genitrideerd niobium-titaan-wolfraam (ca. 50 % Nb, 30 % Ti, 20 % W);

h.

ytttriumoxide (Y2O3); of

i.

zirkoniumoxide (ZrO2);

b.

kroezen met beide hiernavolgende kenmerken:

1. een inhoud van 50 cm3 tot 2000 cm3; en

2. vervaardigd van of gevoerd met tantaal, met een zuiverheid van 99,9 gewichtspercenten of hoger;

c.

kroezen met alle hiernavolgende kenmerken:

1. een inhoud van 50 cm3 tot 2000 cm3;

2. vervaardigd van of gevoerd met tantaal, met een zuiverheid van 98 gewichtspercenten of hoger; en

3. bekleed met tantaalcarbide, -nitride of -boride of ongeacht welke combinatie hiervan.

a.

een nominale afmeting van 5 mm of groter;

b.

met balgafdichting; en

c.

geheel vervaardigd van of gevoerd met aluminium, aluminiumlegering, nikkel of een nikkellegering die 60 gewichtspercenten of meer nikkel bevat.

2BTest-, inspectie- en productieapparatuur Technische noten: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noten: Technische noot: Technische noot: Technische noten: Technische noot:

Bepaling van de aangegeven waarden 2B001Werktuigmachines en combinaties daarvan, voor het verspanen (of snijden) van metalen, keramische materialen of composieten, die, volgens de technische specificaties van de fabrikant kunnen worden uitgerust met elektronische toestellen voor numerieke besturing en speciaal ontworpen onderdelen daarvoor, als hieronder: NB: ZIE OOK 2B201. Noot 1: In 2B001 zijn niet bedoeld werktuigmachines voor speciale toepassingen die alleen dienen voor het vervaardigen van tandwielen. Zie voor dergelijke machines 2B003. Noot 2: In 2B001 zijn niet bedoeld werktuigmachines voor speciale toepassingen die alleen dienen voor het vervaardigen van een van de volgende onderdelen: Noot 3: Werktuigmachines met ten minste twee van de drie volgende gebruiksmogelijkheden: draaien, frezen of slijpen (bv. een machine voor draaien waarmee ook kan worden gefreesd) moeten op basis van iedere toepasselijke rubriek 2B001 a.,b., of c worden beoordeeld. 2B002Numeriek bestuurde werktuigmachines die gebruik maken van een magnetoreologisch-afwerkingsprocédé (MRF) en waarmee niet-sferische oppervlakken kunnen worden geproduceerd; de machines hebben één van de volgende kenmerken: Voor de toepassing van 2B002 is MRF een materiaalverwijderingsprocédé waarbij wordt gebruikgemaakt van een abrasieve magnetische vloeistof waarvan de viscositeit via een magnetisch veld wordt gecontroleerd. 2B003Numeriek bestuurde en handgestuurde werktuigmachines en speciaal ontworpen onderdelen, regelapparatuur en toebehoren daarvoor, speciaal ontworpen voor het snijden, afwerken, slijpen of wetten van geharde (Rc = 40 of meer) rechte, schroef- en dubbelgeschroefde tandwielen met een steekdiameter groter dan 1250 mm en een kopbreedte gelijk aan of groter dan 15 % van de steekdiameter, afgewerkt tot een kwaliteit gelijk aan of beter dan AGMA 14 (gelijkwaardig aan ISO-norm 1328, klasse 3). 2B004Hete isostatische persen, met alle hieronder vermelde kenmerken, en speciaal ontworpen onderdelen en toebehoren daarvoor: NB: ZIE OOK 2B104 EN 2B204 De binnenmaat betreft de kamer waarin zowel de werktemperatuur als de werkdruk tot stand komt en omvat geen spanstukken. Deze maat is gelijk aan de kleinste van ofwel de binnendiameter van de drukkamer ofwel de binnendiameter van de geïsoleerde ovenkamer, afhankelijk van het feit welke van de twee kamers zich in de andere bevindt. NB: Voor speciaal ontworpen matrijzen, mallen en gereedschappen, zie 1B003, 9B009 en de Lijst militaire goederen. 2B005Speciaal ontworpen apparatuur voor de afzetting, verwerking en procesbesturing van anorganische deklagen, bekledingen en oppervlakmodificaties, als hieronder, voor niet-elektronische substraten door middel van de in de tabel en bijbehorende noten na 2E003.f omschreven procédés en speciaal daarvoor ontworpen geautomatiseerde onderdelen voor de hantering, positionering, manipulatie en besturing: Noot: 2B005 is niet van toepassing op apparatuur voor chemische afzetting uit de dampfase, voor boogverdamping, sputteren, ion-plating, of ionenimplantatie die speciaal is ontworpen voor snij- of werktuigmachines. 2B006Maatinspectie- , meetsystemen, meetapparatuur en samenstellingen, als hieronder: NB: ZIE OOK 2B206 Noot: Werktuigmachines, geschikt voor gebruik als meettoestel, worden bedoeld indien hun prestaties gelijk zijn aan of beter dan de criteria neergelegd voor de werktuigmachinefunctie of de meettoestelfunctie. 2B007Robots, met een of meer van de hieronder vermelde kenmerken, en speciaal ontworpen besturingsapparatuur en eindeffectoren daarvoor: NB: ZIE OOK 2B207 2B008Samenstellingen of eenheden, speciaal ontworpen voor werktuigmachines, maatinspectie-, meetsystemen of -apparatuur, als hieronder: 2B009Forceer-(spin-forming) of vloei-(flow-forming) draaibanken die, volgens de technische specificaties van de fabrikant, kunnen worden uitgerust met numerieke besturings-eenheden of computerbesturing, en die de volgende eigenschappen bezitten: NB: ZIE OOK 2B109 EN 2B209 Machines die de functies van forceren en vloeidraaien combineren, worden voor de toepassing van 2B009 beschouwd als vloeidraaibanken. 2B104Isostatische persen, anders dan bedoeld in 2B004, met alle volgende eigenschappen: NB: ZIE OOK 2B204 2B105Ovens voor chemische afzetting uit de dampfase (CVD), anders dan bedoeld in 2B005.a, ontworpen of aangepast voor het verdichten van koolstof-koolstofcomposieten. 2B109Vloeidraaibanken (flow-forming-machines) die niet onder 2B009 vallen, en speciaal ontworpen onderdelen, als hieronder: NB: ZIE OOK 2B2092 Noot: In 2B109 worden niet bedoeld machines die niet kunnen worden gebruikt voor de productie van onderdelen en uitrusting (bv. motorhuizen) voor voortstuwingssystemen als bedoeld in 9A005, 9A007.a of 9A105.a. Machines die de functies van forceren en vloeidraaien combineren, worden voor de toepassing van 2B109 beschouwd als vloeidraaibanken. 2B116Systemen en apparatuur voor het beproeven door middel van trillingen en componenten daarvoor, als hieronder: In 2B116 betekent onbelaste tafel een vlakke tafel of een vlak oppervlak, zonder klemmen of hulpstukken. 2B117Apparatuur en procesregeleenheden, met uitzondering van die bedoeld in 2B004, 2B005.a, 2B104 of 2B105, ontworpen of aangepast voor de verdichting en pyrolyse van composiet raketstraalpijpen en neuskegels voor terugkeervoertuigen (re-entry). 2B119Balanceermachines en aanverwante uitrusting, als hieronder: NB: ZIE OOK 2B219 2B120Bewegingssimulatoren of kwalificatietafels die alle navolgende kenmerken hebben: Noot: 2B120 is niet van toepassing op draaitafels die zijn ontworpen of aangepast voor werktuigmachines of voor medische uitrusting. Voor de controle op draaitafels voor werktuigmachines, zie 2B008. 2B121Andere dan de in 2B120 aangegeven insteltafels (apparatuur, geschikt voor precieze roterende instelling in elke as), die alle navolgende kenmerken hebben: Noot: 2B121 is niet van toepassing op draaitafels die zijn ontworpen of aangepast voor werktuigmachines of medische uitrusting. Voor de controle op draaitafels voor werktuigmachines, zie 2B008. 2B122Centrifuges die versnellingen van meer dan 100 g kunnen overbrengen en sleepringen bezitten die elektrisch vermogen en signaalinformatie kunnen overbrengen. 2B201Werktuigmachines en iedere andere combinatie daarvan, anders dan bedoeld in 2B001, voor het verspanen of snijden van metalen, keramische materialen of composieten, die volgens de technische specificaties van de fabrikant kunnen worden uitgerust met elektronische toestellen voor gelijktijdig contourbesturen in twee of meer assen, als hieronder: 2B204Isostatische persen, anders dan bedoeld in 2B004 of 2B104 en bijbehorende apparatuur, als hieronder: In 2B204 betreft de binnenmaat de kamer waarin zowel de werktemperatuur als de werkdruk tot stand komen en zij omvat geen spanstukken. Deze maat is gelijk aan de kleinste van ofwel de binnendiameter van de drukkamer ofwel de binnendiameter van de geïsoleerde ovenkamer, afhankelijk van het feit welke van de twee kamers zich in de andere bevindt. 2B206Niet onder 2B006 opgenomen meetmachines, -instrumenten of -systemen, als hieronder: Noot 1: Werktuigmachines, geschikt voor gebruik als meettoestel, worden bedoeld indien hun prestaties gelijk zijn aan of beter zijn dan de criteria neergelegd voor de werktuigmachinefunctie of de meettoestelfunctie. Noot 2: Indien een machine als omschreven in 2B206 op enig punt in haar werkbereik de limieten overschrijdt, wordt de machine bedoeld. 2B207Robots, eindeffectoren en besturingseenheden, anders dan bedoeld in 2B007, als hierna vermeld: 2B209Vloei- (flow-forming)draaibanken, forceer- (spin-forming)draaibanken die vloeidraaifuncties kunnen verrichten, anders dan bedoeld in 2B009 of 2B109, en spillen, als hieronder: Noot: 2B209.a omvat machines die slechts één enkele rol hebben die ontworpen is om metaal te vervormen, plus twee hulprollen ter ondersteuning van de spil, die echter niet rechtstreeks deelnemen aan het vervormingsproces. 2B219Centrifugale balanceermachines voor het uitbalanceren in verscheidene vlakken, vast of draagbaar, horizontaal of verticaal, als hieronder: 2B225Op afstand bediende manipulatoren die kunnen worden aangewend voor het doen verrichten van handelingen op afstand bij radiochemische scheidingswerkingen of in hete cellen, met een van de volgende kenmerken: Op afstand bediende manipulatoren zorgen voor het mechanisch overbrengen van handelingen van een bediener naar een bedieningsarm en eindklem. Deze kunnen van het zgn. meester/slaaf-type zijn of worden bediend via een joystick of een toetsenbord. 2B226Inductieovens, werkend met beheerste atmosfeer (vacuüm of inert gas) en stroombronnen daarvoor, als hieronder: NB: ZIE OOK 3B Noot: Ovens, ontworpen voor het bewerken van halfgeleiderplakken (wafers) zijn niet bedoeld in 2B226.a. 2B227Metallurgische smelt- en gietovens met vacuüm of op een andere wijze beheerste atmosfeer en bijbehorende apparatuur, als hieronder: 2B228Apparatuur voor de vervaardiging of assemblage van rotoren, rotorrichtapparatuur, spillen en matrijzen voor het vormen van balgen, als hieronder: 2B230Drukomzetters, geschikt voor het meten van de absolute druk op elk punt in het traject van 0 tot en met 13 kPa, met beide hiernavolgende kenmerken: Voor de toepassing van 2B230 houdt nauwkeurigheid in non-lineariteit, hysteresis en herhaalbaarheid bij omgevingstemperatuur. 2B231Vacuümpompen met alle volgende kenmerken: 2B232Meertrapskanonnen voor lichte gassen of andere kanonsystemen voor hoge snelheden (spoel-elektromagnetische en thermo-elektrische types en andere geavanceerde systemen) die projectielen kunnen versnellen tot een snelheid van 2 km per seconde of meer. 2B350Chemische productieapparatuur en onderdelen daarvan, als hieronder: Koolstofgrafiet is een composiet bestaande uit amorf koolstof en grafiet, met 8 of meer gewichtspercenten grafiet. 2B351Controleapparatuur voor giftige gassen, als hieronder, vermeld en speciaal daarvoor ontworpen detectoren: 2B352Uitrusting, geschikt voor het manipuleren van biologische stoffen, als hieronder:

2BTest-, inspectie- en productieapparatuur Technische noten:

1. Parallelle hulpcontourassen, bijvoorbeeld de w-as op horizontale kotterbanken of een tweede roterende hulpas waarvan de hartlijn parallel loopt met de roterende hoofdas, worden niet bij het totale aantal contourassen gerekend. Roterende assen hoeven niet over 360° draaibaar te zijn. Een roterende as kan worden aangedreven door een lineair mechanisme (bijvoorbeeld een draadspil of een tandheugel met rondsel).

2. Voor de toepassing van 2 B is het aantal assen dat gelijktijdig kan samenwerken voor contourbesturen het aantal assen waarlangs of waarrond tijdens de bewerking van het werkstuk gelijktijdige en samenhangende bewegingen worden verricht tussen het werkstuk en een gereedschap. Dit omvat niet eventuele extra assen waarlangs of waarrond andere relatieve bewegingen in de machine worden verricht zoals:

2. a.

steenrechtsystemen in slijpmachines;

b.

evenwijdige roterende assen om afzonderlijke werkstukken te bevestigen;

c.

collineaire roterende assen om hetzelfde werkstuk te bewerken door het aan verschillende kanten in een klauwplaat te klemmen.

3. De benaming van de assen dient in overeenstemming te zijn met de internationale norm ISO 841 — Machines met numerieke besturing — benamingen van assen en bewegingen.

4. Voor de toepassing van 2B001 tot en met 2B009 wordt een kantelspil beschouwd als een roterende as.

5. Aangegeven instelnauwkeurigheidsniveaus op grond van metingen overeenkomstig norm ISO 230/2 (1988) of nationale equivalenten mogen voor elk model werktuigmachine in plaats van individuele machinetests worden gebruikt. Aangegeven instelnauwkeurigheid betekent de nauwkeurigheidswaarde die wordt meegedeeld aan de bevoegde autoriteiten van de lidstaat waarin de exporteur is gevestigd als representatieve waarde voor de nauwkeurigheid van een machinemodel.

a.

Selecteer vijf machines van een bepaald model voor beoordeling;

b.

Meet de nauwkeurigheid van de lineaire assen overeenkomstig ISO 230/2 (1988);

c.

Bepaal de A-waarden voor elke as van elke machine. De methode voor de berekening van de A-waarde is beschreven in de ISO-norm;

d.

Bepaal de gemiddelde waarde van de A-waarde van elke as. Deze gemiddelde waarde  wordt de aangegeven waarde van elke as van het model (Âx, Ây, …);

e.

Aangezien de lijst in categorie 2 verwijst naar elke lineaire as, zullen er evenveel aangegeven waarden als lineaire assen zijn;

f.

Indien een as van een niet in 2B001.a tot en met 2B001.c of 2B201 bedoeld machinemodel, een aangegeven nauwkeurigheid  van 6 micrometer of nauwkeuriger bij machines voor slijpen en 8 micrometer of nauwkeuriger bij machines voor frezen of draaien heeft, moet de fabrikant het nauwkeurigheidsniveau om de achttien maanden opnieuw bevestigen.

a.

krukassen of nokkenassen;

b.

gereedschappen of frezen;

c.

extrusiewormen;

d.

gegraveerde of geslepen delen van juwelen.

a.

werktuigmachines voor draaien met de volgende eigenschappen: Noot: 2B001.a is niet van toepassing op machines voor draaien die speciaal zijn ontworpen voor de productie van contactlenzen.

1. een instelnauwkeurigheid, inclusief alle compensaties, die gelijk is aan of kleiner (d.w.z. nauwkeuriger) is dan 6 micrometer overeenkomstig ISO-norm 230/2 (1988) of nationale equivalenten langs elke lineaire as; en

2. twee of meer assen die gelijktijdig kunnen samenwerken voor contourbesturen;

b.

werktuigmachines voor frezen met een of meer van de volgende eigenschappen:

1. met alle volgende eigenschappen:

1. a.

een instelnauwkeurigheid, inclusief alle compensaties, die gelijk is aan of kleiner (d.w.z. nauwkeuriger) is dan 6 micrometer overeenkomstig ISO-norm 230/2 (1988) of nationale equivalenten langs elke lineaire as; en

b.

drie lineaire assen plus één roterende as die gelijktijdig kunnen samenwerken voor contourbesturen;

2. vijf of meer assen die gelijktijdig kunnen samenwerken voor contourbesturen;

3. een instelnauwkeurigheid voor pasmal-boormachines, inclusief alle compensaties, die gelijk is aan of kleiner (d.w.z. nauwkeuriger) is dan 4 micrometer overeenkomstig ISO-norm 230/2 (1988) of nationale equivalenten langs elke lineaire as; of

4. Machines die gebruik maken van een slagmes (fly cutters) met alle volgende kenmerken:

4. a.

een rondloopnauwkeurigheid (run out) en axiale slag van de spil kleiner (d.w.z. nauwkeuriger) dan 0,0004 mm totale meetklokuitslag (TIR); en

b.

een hoekafwijking van de sledebeweging langs een asslag van 300 mm (gieren, stampen of slingeren) kleiner (d.w.z. nauwkeuriger) dan 2 boogseconden totale meetklokuitslag (TIR);

c.

werktuigmachines voor slijpen met een of meer van de volgende eigenschappen: Noot: In 2B001.c zijn niet bedoeld slijpmachines als hieronder:

1. met alle volgende eigenschappen:

1. a.

een instelnauwkeurigheid, inclusief alle compensaties, die gelijk is aan of kleiner (d.w.z. nauwkeuriger) is dan 4 micrometer overeenkomstig ISO-norm 230/2 (1988) of nationale equivalenten langs elke lineaire as; en

b.

drie of meer assen die gelijktijdig kunnen samenwerken voor contourbesturen; of

2. vijf of meer assen die gelijktijdig kunnen samenwerken voor contourbesturen;

1. Uitwendige, inwendige en uitwendig-inwendige rondslijpmachines met de volgende kenmerken:

1. a.

beperkt tot rondslijpen; en

b.

een maximale buitendiameter of lengte van het werkstuk van 150 mm.

2. Machines die speciaal zijn ontworpen als pasmal-slijpmachines zonder z-as of w-as, met een instelnauwkeurigheid inclusief alle compensaties, die gelijk is aan of kleiner (d.w.z. nauwkeuriger) is dan 4 μm overeenkomstig ISO-norm 230/2 (1988) of nationale equivalenten.

3. Vlakslijpers.

d.

vonkmachines (EDM) van het draadloze type, met twee of meer assen die gelijktijdig kunnen samenwerken voor contourbesturen;

e.

werktuigmachines voor het verspanen van metalen, keramische materialen of composieten, met de volgende eigenschappen:

1. verspanen van materiaal met een of meer van de volgende middelen:

1. a.

waterstraal of andere vloeistofstraal, met inbegrip van die met slijpmiddeltoevoegingen;

b.

een elektronenbundel; of

c.

een laserstraal; en

2. twee of meer roterende assen die:

2. a.

gelijktijdig kunnen samenwerken voor contourbesturing, en

b.

een instelnauwkeurigheid hebben kleiner (d.w.z. nauwkeuriger) dan 0,003°;

f.

langgatboormachines of machines voor draaien die zijn aangepast voor langgatboren, met een maximum boordiepte van meer dan 5000 mm, alsmede speciaal daarvoor ontworpen onderdelen.

a.

afwerking van de vorm tot op minder (d.w.z. beter) dan 1,0 nm nauwkeurig; of

b.

afwerking tot een ruwheid van minder (d.w.z. beter) dan 100 nm rms.

2BTest-, inspectie- en productieapparatuur Technische noten: Technische noot: a.

met de mogelijkheid de temperatuur in de afgesloten ruimte te beheersen, terwijl de drukkamerholte een binnendiameter heeft van 406 mm of meer, en

b.

met een van de onderstaande eigenschappen:

1. een maximaal mogelijke werkdruk groter dan 207 MPa;

2. een gecontroleerde thermische omgeving van meer dan 1773 K (1500 oC); of

3. de mogelijkheid van impregnering met koolwaterstoffen en verwijdering van de overblijvende gasvormige afvalproducten.

2BTest-, inspectie- en productieapparatuur Technische noten: Technische noot: Technische noot: a.

Productieapparatuur voor chemische afzetting uit de dampfase (CVD) met alle onderstaande mogelijkheden: NB: ZIE OOK 2B105

1. aangepast procédé voor een van onderstaande technieken:

1. a.

pulserende CVD;

b.

thermische afzetting met beheerste nucleatie (CNTD), of

c.

met plasma versterkte of met plasma ondersteunde CVD, en

2. met een van beide onderstaande eigenschappen:

2. a.

omvat roterende afdichtingen voor hoog-vacuüm (minder dan of gelijk aan 0,01Pa), of

b.

omvat in situ regulering van de dikte van de bekledingslaag;

b.

Productieapparatuur voor ionenimplantatie met een bundelstroomsterkte van 5 mA of hoger;

c.

Productieapparatuur voor elektronenstraalverdampen (EB-PVD) welke een voedingssysteem gespecificeerd voor meer dan 80 kW omvat, met een van de volgende kenmerken:

1. een laserbesturingssysteem dat door middel van het vloeistofniveau de toevoersnelheid van de ingot nauwkeurig reguleert, of

2. een computergestuurde, volgens het principe van de fotoluminescentie van de geïoniseerde atomen in de dampstroom werkende monitor die de mate van afzetting van een uit twee of meer elementen bestaande bekledingslaag reguleert;

d.

Productieapparatuur voor plasmaspuiten met een van beide volgende kenmerken:

1. werkend bij een beheerste verlaagde druk (minder dan of gelijk aan 10 kPa, gemeten binnen een afstand van 300 mm boven de opening van het spuitpistool) in een vacuümkamer geschikt voor het bereiken van een druk van 0,01 Pa voorafgaande aan het spuitproces, of

2. omvat in situ regulering van de dikte van de bekledingslaag;

e.

Productieapparatuur voor sputteren, geschikt voor een stroomdichtheid van 0,1 mA/mm2 of hoger bij een afzettingssnelheid van 15 micrometer/uur of meer;

f.

Productieapparatuur voor boogverdampen welke een net van gekoppelde elektromagneten omvat voor de besturing van de punt van de boogontlading op de kathode;

g.

Productieapparatuur voor ion-plating met de mogelijkheid van het in situ meten van ofwel:

1. de dikte van de bekledingslaag op het substraat en beheersing van de snelheid van afzetting, of

2. optische kenmerken.

a.

computergestuurde of numeriek bestuurde coördinatenmeetmachines (CMM), met een driedimensionale (volumetrische) maximaal toelaatbare indicatiefout (maximum permissible error of indication, MPEF) op enig punt in het werkbereik van de machine (d.w.z. binnen de aslengte) gelijk aan of minder (d.w.z. nauwkeuriger) dan (1,7 + L/1000) micrometer (L is de gemeten lengte in mm), getest overeenkomstig ISO 10360-2 (2001);

b.

meetinstrumenten voor lineaire en hoekverplaatsingen, als hieronder:

1. Technische noot:

meetinstrumenten voor lineaire verplaatsingen met een of meer van de volgende kenmerken: In punt 2B006.b.1 moet onder lineaire verplaatsing worden verstaan de verandering van de afstand tussen de meetpen en het gemeten voorwerp. Noot: 2B006.b.1 is niet van toepassing op interferometermeetsystemen met een automatisch controlesysteem dat ontworpen is om geen terugkoppeltechnieken te gebruiken, die een laser bevatten voor het meten van fouten in de sledebeweging van machinewerktuigen, meetmachines of dergelijke apparatuur.

a.

meetsystemen van het contactloze type met een resolutie gelijk aan of kleiner (beter) dan 0,2 micrometer binnen een meetgebied tot en met 0,2 mm;

b.

lineaire spanningsverschilomzetters met beide volgende kenmerken:

1. lineariteit gelijk aan of minder (d.w.z. nauwkeuriger) dan 0,1 % binnen een meetgebied tot en met 5 mm; en

2. verloop gelijk aan of minder (d.w.z. nauwkeuriger) dan 0,1 % per dag bij een standaardomgevingstemperatuur in de testruimte ± 1 K; of

c.

meetsystemen met alle volgende kenmerken:

1. zij bevatten een laser, en

2. zij handhaven, bij een standaardomgevingstemperatuur ± 1 K en bij een standaarddruk, gedurende ten minste 12 uur:

2. a.

een resolutie over hun volledige schaal van 0,1 micrometer of kleiner (beter), en

b.

een meetonzekerheid gelijk aan of minder (d.w.z. nauwkeuriger) dan (0,2 + L/2000) micrometer (L is de gemeten lengte in mm);

d.

Samenstellingen speciaal ontworpen om in systemen als bedoeld in 2B006.b.1.c terugkoppelcapaciteit te leveren;

2. meetinstrumenten voor hoekverplaatsingen met een hoekafwijking gelijk aan of minder (d.w.z. nauwkeuriger) dan 0,00025o; Noot: In 2B006.b.2 zijn niet bedoeld optische instrumenten, zoals autocollimatoren, die gebruikmaken van gecollimeerd licht (bv. laserlicht) voor de bepaling van hoekverplaatsingen van een spiegel.

c.

apparatuur voor het meten van ongelijkmatigheden in oppervlakken met een gevoeligheid van 0,5 nm of minder (d.w.z. nauwkeuriger), door het meten van optische verstrooiing als een functie van de hoek.

a. Technische noot:

geschikt voor tijdgebonden (in real time), volledig driedimensionale beeldverwerking of volledig driedimensionale beeldanalyse voor het maken of wijzigen van programma's of voor het maken of wijzigen van numerieke programmagegevens; Deze beperking van de beeldanalyse sluit een bepaling van de derde dimensie door middel van beschouwing vanuit een vaste hoek niet uit, noch een beperkte interpretatie van grijstinten voor de waarneming van diepte of structuur voor de toegestane taken (2 1/2 D).

b.

speciaal ontworpen volgens nationale veiligheidsnormen voor gebruik in ruimten met explosieven;

c. Technische noot:

speciaal ontworpen of gekwalificeerd als bestand zijnde tegen een totale stralingsdosis van een stralingsniveau hoger dan 5 × 103 Gray (silicium) zonder verslechtering van de werking; of De term Gray (silicium) verwijst naar de energie in Joules per kilogram die wordt geabsorbeerd door een onbeschermd siliciummonster dat aan ioniserende straling wordt blootgesteld.

d.

speciaal ontworpen voor gebruik op een hoogte van meer dan 30000 meter.

a.

lineaire plaatsbepalers, bijvoorbeeld plaatsbepalers van het inductieve type, gekalibreerde schalen, infraroodsystemen of laser-systemen, voor terugkoppeling van een lineaire verplaatsing die een totale nauwkeurigheid hebben kleiner (d.w.z. nauwkeuriger) dan (800 + (600 × L × 10 –3)) nm (waarbij L de effectieve lengte is in mm); NB: Voor laser-systemen, zie ook noot bij 2B006.b.1.

b.

roterende plaatsbepalers, bijvoorbeeld van het inductieve type, gekalibreerde schalen, infraroodsystemen, of laser-systemen, voor terugkoppeling van een hoekverdraaiing die een nauwkeurigheid hebben kleiner (d.w.z. nauwkeuriger) dan 0,00025°; NB: Voor laser-systemen, zie ook noot bij 2B006.b.1.

c.

samengestelde draaitafels of kantelspillen die volgens de technische specificaties van de fabrikant de mogelijkheden van werktuigmachines kunnen vergroten tot aan of boven de niveaus bedoeld in 2B.

a.

twee of meer bestuurde assen waarvan er minstens twee gelijktijdig kunnen samenwerken voor contourbesturen; en

b.

een walskracht van meer dan 60 kN.

2BTest-, inspectie- en productieapparatuur Technische noten: Technische noot: Technische noot: Technische noot: a.

een maximale werkdruk van 69 MPa of meer;

b.

ontworpen om een beheerste temperatuur van 873 K (600 °C) of meer te handhaven; en

c.

met een binnenkamerdiameter van 254 mm of meer.

a.

vloeidraaibanken die de volgende eigenschappen bezitten:

1. volgens de technische specificatie van de fabrikant kunnen zij worden uitgerust met numerieke besturings-eenheden of met een computerbesturing, ook indien zij bij aflevering niet met dergelijke eenheden zijn uitgerust, en

2. meer dan twee assen die gelijktijdig kunnen samenwerken voor contourbesturen.

b.

speciaal ontworpen onderdelen van in 2B009 of 2B109.a bedoelde vloeidraaibanken.

2BTest-, inspectie- en productieapparatuur Technische noten: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: a.

systemen voor het beproeven door middel van trillingen, waarbij gebruik wordt gemaakt van terugkoppel- of gesloten-kringtechnieken en welke een digitale besturing bevatten, die geschikt zijn om een systeem te laten trillen met een versnelling gelijk aan of groter dan 10 g RMS (eff.) tussen 20 Hz en 2 kHz en die krachten gelijk aan of groter dan 50 kNr, met onbelaste tafel gemeten, kunnen overbrengen;

b.

digitale besturingseenheden, in combinatie met speciaal ontworpen programmatuur voor het testen door middel van trillingen, met een real-time-bandbreedte van meer dan 5 kHz en ontworpen voor gebruik met de systemen, bedoeld in 2B116.a;

c.

trillingsopwekkers, met of zonder bijbehorende versterkers, geschikt om een kracht gelijk aan of groter dan 50 kN uit te oefenen, met onbelaste tafel gemeten, en geschikt voor de systemen, bedoeld in 2B116.a;

d.

beproevingsopstellingen en elektronische eenheden ontworpen om verscheidene trillingsopwekkers in een geheel trillingssysteem te combineren, geschikt om een totale effectieve kracht gelijk aan of groter dan 50 kN uit te oefenen, met een onbelaste tafel gemeten, en geschikt voor de systemen, bedoeld in 2B116.a.

2BTest-, inspectie- en productieapparatuur Technische noten: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: a.

balanceermachines die alle navolgende eigenschappen bezitten: Noot: 2B119.a is niet van toepassing op balanceermachines die ontworpen of aangepast zijn voor tandheelkundige of andere medische uitrusting.

1. niet geschikt voor het uitbalanceren van rotors/samenstellingen met een gewicht van meer dan 3 kg;

2. geschikt voor het uitbalanceren van rotors/samenstellingen bij een omwentelingssnelheid hoger dan 12500 t.p.m.;

3. geschikt voor het corrigeren van onbalans in twee of meer vlakken; en

4. geschikt voor het uitbalanceren tot op een resterende specifieke onbalans van 0,2 g mm per kg rotorgewicht;

b. Technische noot:

indicatorkoppen die zijn ontworpen of aangepast voor gebruik met de in 2B119.a aangegeven machines. Indicatorkoppen worden soms ook balanceerinstrumenten genoemd.

a.

twee of meer assen;

b.

sleepringen geschikt om elektrisch vermogen en/of signaalinformatie over te brengen; en

c.

een of meer van de navolgende kenmerken hebben:

1. voor elke aparte as alle navolgende kenmerken hebben:

1. a.

geschikt voor kwalificaties van 400 graden/s of meer, of 30 graden/s of minder; en

b.

een kwalificatieresolutie gelijk aan of minder dan 6 graden/s en een nauwkeurigheid gelijk aan of minder dan 0,6 graden/s;

2. met een kwalificatiestabiliteit in het slechtste geval gelijk aan of beter (minder) dan een gemiddelde afwijking van 0,05 % over ten minste 10 graden; of

3. een instelnauwkeurigheid gelijk aan of beter dan 5 boogseconden.

a.

twee of meer assen; en

b.

een instelnauwkeurigheid gelijk aan of beter dan 5 boogseconden.

a.

werktuigmachines voor frezen met een of meer van de volgende eigenschappen:

1. een instelnauwkeurigheid, inclusief alle compensaties, die gelijk is aan of kleiner (d.w.z. nauwkeuriger) is dan 6 micrometer overeenkomstig ISO-norm 230/2 (1988) of nationale equivalenten langs elke lineaire as; of

2. twee of meer roterende contourassen; Noot: 2B201.a is niet van toepassing op werktuigmachines voor frezen met de volgende kenmerken:

2. a.

axiale verplaatsing langs de x-as groter dan 2 meter; en

b.

totale instelnauwkeurigheid langs de x-as groter (slechter) dan 30 micrometer;

b.

werktuigmachines voor slijpen, met een van de volgende kenmerken: Noot: 2B201.b is niet van toepassing op de volgende werktuigmachines voor slijpen: Noot 1: In 2B201 zijn niet bedoeld werktuigmachines voor speciale toepassingen die alleen dienen voor het vervaardigen van een van de volgende onderdelen: Noot 2: Werktuigmachines met ten minste twee van de drie volgende gebruiksmogelijkheden: draaien, frezen of slijpen (bv. een machine voor draaien waarmee ook kan worden gefreesd) moeten op basis van iedere toepasselijke rubriek 2B001.a of 2B201.a. of b. worden beoordeeld.

1. een instelnauwkeurigheid, inclusief alle compensaties, die gelijk is aan of kleiner (d.w.z. nauwkeuriger) is dan 4 micrometer overeenkomstig ISO-norm 230/2 (1988) of nationale equivalenten langs elke lineaire as; of

2. twee of meer roterende contourassen;

a.

uitwendige, inwendige en uitwendig-inwendige rondslijpmachines met de volgende kenmerken:

1. beperkt tot een maximale buitendiameter of lengte van het werkstuk van 150 mm; en

2. assen beperkt tot x, z en c;

b.

Pasmal-slijpmachines zonder z-as of w-as, met een totale instelnauwkeurigheid die kleiner (d.w.z. nauwkeuriger) is dan 4 μm overeenkomstig ISO-norm 230/2 (1988) of nationale equivalenten.

a.

tandwielen;

b.

krukassen of nokkenassen;

c.

gereedschappen of frezen;

d.

extrusiewormen.

a.

isostatische persen met beide volgende kenmerken:

1. geschikt voor een maximale werkdruk van 69 MPa of meer; en

2. met een drukkamerholte met een binnendiameter van meer dan 152 mm;

b.

matrijzen, mallen en regelapparatuur, speciaal ontworpen voor isostatische persen, bedoeld in 2B204.a.

2BTest-, inspectie- en productieapparatuur Technische noten: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: a.

computergestuurde of numeriek bestuurde meetmachines met beide volgende kenmerken:

1. twee of meer assen; en

2. een eendimensionale meetonzekerheid gelijk aan of kleiner (nauwkeuriger) dan (1,25 + L/1000) micrometer, getest met een sonde met een nauwkeurigheid kleiner (nauwkeuriger) dan 0,2 micrometer (L is de gemeten lengte in mm) (ref. VDI/VDE 2617 delen 1 en 2);

b.

systemen voor het gelijktijdig testen van lineaire en hoekverplaatsingen van halve bolmantels, met beide volgende kenmerken:

1. meetonzekerheid langs elke lineaire as gelijk aan of minder (d.w.z. nauwkeuriger) dan 3,5 micrometer per 5 mm; en

2. hoekafwijking gelijk aan of minder (d.w.z. nauwkeuriger) dan 0,02°.

2BTest-, inspectie- en productieapparatuur Technische noten: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noten:

1. De bij de bepaling van de meetonzekerheid van een maatinspectiesysteem gebruikte sonde dient te voldoen aan de omschrijving in VDI/VDE 2617, delen 2, 3 en 4.

2. Alle parameters van meetwaarden in 2B206 vertegenwoordigen plus/minuswaarden, niet het totale meetbereik.

a.

robots of eindeffectoren, speciaal ontworpen volgens nationale veiligheidsnormen die gelden voor het hanteren van brisante springstoffen (bijvoorbeeld volgens elektrische normen voor brisante springstoffen);

b.

besturingseenheden, speciaal ontworpen voor de in 2B207.a vermelde robots of eindeffectoren.

a.

machines met beide volgende kenmerken:

1. drie of meer rollen (actieve of leirollen); en

2. volgens de technische specificatie van de fabrikant uitgerust kunnen worden met numerieke besturings-eenheden of computerbesturing;

b.

spillen voor het precisievormgeven van rotoren, ontworpen voor het vormen van cilindrische rotoren met een binnendiameter van 75 mm-400 mm.

a.

centrifugale balanceermachines ontworpen voor het uitbalanceren van flexibele rotors met een lengte van 600 mm of meer en met alle volgende kenmerken:

1. een nuttige of tapdiameter groter dan 75 mm;

2. geschikt voor een massa van 0,9 tot 23 kg; en

3. geschikt voor het uitbalanceren bij een omwentelingssnelheid hoger dan 5000 t.p.m.;

b.

centrifugale balanceermachines ontworpen voor het uitbalanceren van holle cilindrische rotoronderdelen en met alle volgende kenmerken:

1. een tapdiameter groter dan 75 mm;

2. geschikt voor een massa van 0,9 tot 23 kg;

3. geschikt voor het uitbalanceren tot op een resterende onbalans van 0,01 kg × mm/kg per vlak of nauwkeuriger; en

4. van het type met riemaandrijving.

a.

geschikt om te werken bij een hete-celwand met een dikte van 0,6 m of meer (opereren door de wand heen); of

b.

geschikt om de afstand over de bovenkant van een hete-celwand met een dikte van 0,6 m of meer te overbruggen (opereren over de wand heen).

2BTest-, inspectie- en productieapparatuur Technische noten: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noten: Technische noot: a.

ovens met alle volgende kenmerken:

1. geschikt voor werktemperaturen hoger dan 1123 K (850 °C);

2. met inductiespoelen met een diameter van 600 mm of minder; en

3. ontworpen voor een ingaand vermogen van 5 kW of meer;

b.

speciaal voor in 2B226.a omschreven inductieovens ontworpen stroombronnen met een opgegeven vermogen van 5 kW of meer.

a.

vlamboogovens voor hersmelten en gieten met beide volgende kenmerken:

1. met een verbruikscapaciteit van de elektrode tussen 1000 en 20000 cm3; en

2. geschikt om te werken bij een smelttemperatuur hoger dan 1973 K (1700 °C);

b.

ovens voor het smelten met elektronenstralen en ovens voor het verstuiven en smelten met een plasma met beide volgende kenmerken:

1. een vermogen van 50 kW of meer; en

2. geschikt om te werken bij een smelttemperatuur hoger dan 1473 K (1200 °C);

c.

computersystemen voor besturing en controle, speciaal geconfigureerd voor de in 2B227.a en 2B227.b bedoelde ovens.

a.

rotorassemblageapparatuur voor de assemblage van rotorbuisdelen, schijven en deksels van gascentrifuges; Noot: 2B228.a omvat zeer nauwkeurige spillen, klemmen en machines voor krimppassen;

b. Technische noot:

rotorrichtapparatuur voor het richten van de rotorbuisdelen van een gascentrifuge ten opzichte van een gemeenschappelijke as; Gewoonlijk bestaat de apparatuur in 2B228.b uit zeer nauwkeurige meetsondes gekoppeld aan een computer die vervolgens de werking van bijvoorbeeld de voor het richten van de rotorbuisdelen gebruikte pneumatische plunjers bestuurt.

c. Technische noot:

balgvormende spillen en matrijzen voor de productie van balgen met een enkele winding. De in 2B228.c bedoelde balgen hebben alle volgende kenmerken:

1. binnendiameter van 75 mm tot 400 mm,

2. lengte van 12,7 mm of meer,

3. dikte van de enkele winding groter dan 2 mm; en

4. vervaardigd van aluminiumlegeringen met een hoge sterkte, maragingstaal of stapel- en continuvezelmateriaal met een hoge sterkte.

a.

drukopneemelementen vervaardigd van of beschermd door aluminium, aluminiumlegeringen, nikkel of nikkellegeringen met meer dan 60 gewichtspercenten nikkel, en

b.

een van de twee hiernavolgende kenmerken:

1. een volledig bereik van minder dan 13 kPa en een nauwkeurigheid beter dan ± 1 % over het gehele bereik; of

2. een volledig bereik van 13 kPa of groter en een nauwkeurigheid beter dan ± 130 Pa.

2BTest-, inspectie- en productieapparatuur Technische noten: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noten: Technische noot: Technische noot: a.

een toevoerhals van 380 mm of groter;

b.

een pompsnelheid van 15000 liter/seconde of meer; en

c.

geschikt voor het bereiken van een maximale onderdruk beter dan 13 mPa.

2BTest-, inspectie- en productieapparatuur Technische noten: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noten: Technische noot: Technische noot: Technische noten:

1. De pompsnelheid wordt bepaald op het meetpunt met stikstofgas of lucht.

2. De maximale onderdruk wordt berekend aan de invoerzijde van de pomp terwijl de invoer van de pomp is afgesloten.

a.

reactorvaten of reactors, met of zonder roerwerk, met een totaal inwendig (geometrisch) volume van meer dan 0,1 m3 (100 liter) en minder dan 20 m3 (20000 liter), waarvan alle oppervlakken die in direct contact komen met de chemicaliën die worden verwerkt of zijn opgeslagen, gemaakt zijn van een of meer van de volgende materialen:

1. legeringen met meer dan 25 gewichtspercenten nikkel en meer dan 20 gewichtspercenten chroom;

2. fluorpolymeren;

3. glas, met inbegrip van verglaasde of geëmailleerde lagen of glasbekleding (lining);

4. nikkel of legeringen die meer dan 40 gewichtspercenten nikkel bevatten;

5. tantaal of tantaallegeringen;

6. titaan of titaanlegeringen; of

7. zirkonium of zirkoniumlegeringen;

b.

roerwerken voor gebruik in reactorvaten of reactors als aangegeven in 2B350.a, en voor gebruik in dergelijke roerwerken ontworpen schoepen, bladen en assen, waarvan alle oppervlakken die in direct contact komen met de chemicaliën die worden verwerkt of zijn opgeslagen, gemaakt zijn van een of meer van de volgende materialen:

1. legeringen met meer dan 25 gewichtspercenten nikkel en meer dan 20 gewichtspercenten chroom;

2. fluorpolymeren;

3. glas, met inbegrip van verglaasde of geëmailleerde lagen of glasbekleding (lining);

4. nikkel of legeringen die meer dan 40 gewichtspercenten nikkel bevatten;

5. tantaal of tantaallegeringen;

6. titaan of titaanlegeringen; of

7. zirkonium of zirkoniumlegeringen;

c.

opslagtanks en vaten met een totaal inwendig (geometrisch) volume van meer dan 0,1 m3 (100 l), waarvan alle oppervlakken die in direct contact komen met de chemicaliën die worden verwerkt of zijn opgeslagen, gemaakt zijn van een of meer van de volgende materialen:

1. legeringen met meer dan 25 gewichtspercenten nikkel en meer dan 20 gewichtspercenten chroom;

2. fluorpolymeren;

3. glas, met inbegrip van verglaasde of geëmailleerde lagen of glasbekleding (lining);

4. nikkel of legeringen die meer dan 40 gewichtspercenten nikkel bevatten;

5. tantaal of tantaallegeringen;

6. titaan of titaanlegeringen; of

7. zirkonium of zirkoniumlegeringen;

d.

warmtewisselaars of condensors met een warmte-uitwisseloppervlak van meer dan 0,15 m2 en minder dan 20 m2, en voor gebruik in dergelijke warmtewisselaars of condensors ontworpen buizen, platen, spoelen of blokken (kernen), waarvan alle oppervlakken die in direct contact komen met de chemicaliën die worden verwerkt, gemaakt zijn van een of meer van de volgende materialen:

1. legeringen met meer dan 25 gewichtspercenten nikkel en meer dan 20 gewichtspercenten chroom;

2. fluorpolymeren;

3. glas, met inbegrip van verglaasde of geëmailleerde lagen of glasbekleding (lining);

4. grafiet of koolstofgrafiet;

5. nikkel of legeringen die meer dan 40 gewichtspercenten nikkel bevatten;

6. tantaal of tantaallegeringen;

7. titaan of titaanlegeringen;

8. zirkonium of zirkoniumlegeringen;

9. siliciumcarbide; of

10. titaancarbide;

e.

distillatiekolommen of absorptiekolommen met een inwendige diameter van meer dan 0,1 m, en voor gebruik in dergelijke distillatiekolommen of absorptiekolommen ontworpen vloeistofverdelers, dampverdelers of vloeistofcollectoren, waarvan alle oppervlakken die in direct contact komen met de chemicaliën die worden verwerkt, gemaakt zijn van een of meer van de volgende materialen:

1. legeringen met meer dan 25 gewichtspercenten nikkel en meer dan 20 gewichtspercenten chroom;

2. fluorpolymeren;

3. glas, met inbegrip van verglaasde of geëmailleerde lagen of glasbekleding (lining);

4. grafiet of koolstofgrafiet;

5. nikkel of legeringen die meer dan 40 gewichtspercenten nikkel bevatten;

6. tantaal of tantaallegeringen;

7. titaan of titaanlegeringen; of

8. zirkonium of zirkoniumlegeringen;

f.

op afstand bedienbare vulapparatuur waarvan alle oppervlakken die in direct contact komen met de chemicaliën die worden verwerkt, gemaakt zijn van een of meer van de volgende materialen:

1. legeringen met meer dan 25 gewichtspercenten nikkel en meer dan 20 gewichtspercenten chroom; of

2. nikkel of legeringen die meer dan 40 gewichtspercenten nikkel bevatten;

g.

kleppen met een nominale afmeting van meer dan 10 mm en de voor die kleppen ontworpen omhulsels (klephuizen) of voorgevormde binnenbekledingen, waarvan alle oppervlakken die in direct contact komen met de chemicaliën die worden verwerkt of zijn opgeslagen, gemaakt zijn van een of meer van de volgende materialen:

1. legeringen met meer dan 25 gewichtspercenten nikkel en meer dan 20 gewichtspercenten chroom;

2. fluorpolymeren;

3. glas, met inbegrip van verglaasde of geëmailleerde lagen of glasbekleding (lining);

4. nikkel of legeringen die meer dan 40 gewichtspercenten nikkel bevatten;

5. tantaal of tantaallegeringen;

6. titaan of titaanlegeringen; of

7. zirkonium of zirkoniumlegeringen;

h.

dubbelwandige buizen met een lektestaansluiting, waarvan alle oppervlakken die in direct contact komen met de chemicaliën die worden verwerkt of zijn opgeslagen, gemaakt zijn van een of meer van de volgende materialen:

1. legeringen met meer dan 25 gewichtspercenten nikkel en meer dan 20 gewichtspercenten chroom;

2. fluorpolymeren;

3. glas, met inbegrip van verglaasde of geëmailleerde lagen of glasbekleding (lining);

4. grafiet of koolstofgrafiet;

5. nikkel of legeringen die meer dan 40 gewichtspercenten nikkel bevatten;

6. tantaal of tantaallegeringen;

7. titaan of titaanlegeringen; of

8. zirkonium of zirkoniumlegeringen;

i.

pompen met meervoudige afdichting en pompen zonder afdichting, met door de fabrikant opgegeven maximale pompsnelheid van meer dan 0,6 m3 per uur, of vacuümpompen met door de fabrikant opgegeven maximale pompsnelheid van meer dan 5 m3 per uur bij standaardtemperatuur (273 K (0 °C)) en druk (101,3 kPa), en voor gebruik in dergelijke pompen ontworpen omhulsels (pomphuizen), voorgevormde binnenbekledingen, schoepen, vleugelraderen of straalpompverdeelstukken, waarvan alle oppervlakken die in direct contact komen met de chemicaliën die worden verwerkt, gemaakt zijn van een of meer van de volgende materialen:

1. legeringen met meer dan 25 gewichtspercenten nikkel en meer dan 20 gewichtspercenten chroom;

2. keramiek;

3. ferrosilicium;

4. fluorpolymeren;

5. glas, met inbegrip van verglaasde of geëmailleerde lagen of glasbekleding (lining);

6. grafiet of koolstofgrafiet;

7. nikkel of legeringen die meer dan 40 gewichtspercenten nikkel bevatten;

8. tantaal of tantaallegeringen;

9. titaan of titaanlegeringen; of

10. zirkonium of zirkoniumlegeringen;

j.

verbrandingsovens ontworpen om chemicaliën bedoeld in 1C350 te vernietigen, met speciaal ontworpen afvaltoevoersystemen en speciale transportfaciliteiten en een gemiddelde verbrandingskamertemperatuur van meer dan 1273 K (1000oC), waarvan alle oppervlakken van het afvaltoevoersysteem die in direct contact komen met de afvalproducten, gemaakt zijn van of bekleed zijn met een of meer van de volgende materialen:

1. legeringen met meer dan 25 gewichtspercenten nikkel en meer dan 20 gewichtspercenten chroom;

2. keramiek; of

3. nikkel of legeringen die meer dan 40 gewichtspercenten nikkel bevatten.

2BTest-, inspectie- en productieapparatuur Technische noten: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noot: Technische noten: Technische noot: Technische noot: Technische noten: Technische noot: a.

geschikt om in continubedrijf chemische strijdgassen of chemische stoffen als bedoeld in 1C350 waar te nemen bij concentraties van minder dan 0,3 milligram per m3 lucht, of

b.

geschikt om cholinesteraseremmende werking waar te nemen.

a. Technische noot:

complete installaties met fysische inperking van de klassen P3 en P4; P3- en P4- (BL3, BL4, L3, L4) inperkingsniveaus zijn gespecificeerd in de WHO Laboratory Biosafety Manual (2e editie, Genève 1993).

b. Technische noot:

fermentoren, geschikt voor het kweken van pathogene micro-organismen of virussen of de productie van toxinen, zonder aërosolvorming, met een totale capaciteit van 20 liter of meer; Fermentoren omvatten bioreactoren, chemostaten en continustroomsystemen.

c. Technische noot:

centrifuges, geschikt voor continu scheiden zonder aërosolvorming, met alle volgende kenmerken: Met centrifuges zijn ook bedoeld decanteerflessen.

c.

1. een doorstroomsnelheid van meer dan 100 liter per uur;

2. met componenten gemaakt van gepolijst roestvrij staal of titaan;

3. met een of meer koppelingen binnen het met stoom steriliseerbare compartiment; en

4. geschikt voor in-situ-stoomsterilisatie in afgesloten toestand;

d.

dwars- (tangentiële) stroomfiltratieapparatuur en onderdelen, als hieronder: Noot: In 2B352.d wordt niet bedoeld apparatuur voor omgekeerde osmose, zoals gespecificeerd door de fabrikant.

1. dwars- (tangentiële) stroomfiltratieapparatuur geschikt voor het scheiden van pathogene micro-organismen, virussen, toxines of celculturen zonder aërosolvorming, met beide volgende kenmerken:

1. a.

een totaal filteroppervlak van 1 m2 of meer; en

b. Technische noot:

in-situ gesteriliseerd of gedesinfecteerd kunnen worden; In 2B352.d.1.b. slaat gesteriliseerd op het verwijderen van alle levensvatbare bacteriën uit de apparatuur door middel van fysieke (bv. stoom) of chemische agentia. Gedesinfecteerd betekent dat iedere mogelijke bacteriële infectiviteit in de apparatuur door middel van chemische agentia met een kiemdodende werking volledig is uitgeschakeld. Desinfectie en sterilisatie zijn te onderscheiden van reiniging, waarmee schoonmaakprocédés worden bedoeld die het bacteriële gehalte van de apparatuur verminderen zonder de bacteriële infectiviteit of levensvatbaarheid noodzakelijkerwijze volledig uit te schakelen.

2. Onderdelen van dwars- (tangentiële) stroomfiltratieapparatuur (bv. modules, elementen, cassettes, patronen, eenheden of platen) met een filteroppervlak van 0,2 m2 of meer voor ieder onderdeel en bedoeld voor gebruik in de in 2B352 vermelde dwars- (tangentiële) stroomfiltratieapparatuur.

e.

vriesdroogapparatuur, geschikt voor stoomsterilisatie en met een condensorcapaciteit van meer dan 10 kg ijs per 24 uur en minder dan 1000 kg ijs per 24 uur;

f.

beschermings- of insluitingsmiddelen, als hieronder:

1. pakken van het type waarbij het lichaam geheel of half wordt omsloten, of van een externe luchttoevoer afhankelijke getuide, onder positieve druk werkende afzuigkappen Noot: Pakken die zijn ontworpen om met onafhankelijke ademhalingsapparatuur te worden gedragen, vallen niet onder 2B352.f.1.

2. biologische veiligheidskasten van klasse III of isolerende systemen met soortgelijke werkingsnormen; Noot: De isolerende systemen in 2B352.f.2 omvatten flexibele isolatoren, droge kasten, anaërobe kamers, handschoenkasten en afzuigkappen met laminaire stroming (gesloten met verticale stroming).

g.

aërosol-inhalatiekamers ontworpen voor immuniteitsonderzoek met micro-organismen, virussen of toxinen met een capaciteit van 1 m3 of meer.

2CMaterialen Geen.

2DProgrammatuur

2D001Programmatuur die verschilt van de in 2D002 bedoelde programmatuur, speciaal ontworpen of aangepast voor de ontwikkeling, de productie of het gebruik van apparatuur, bedoeld in 2A001 of 2B001 t/m 2B009. 2D002Programmatuur voor elektronische toestellen, ook wanneer geïntegreerd in een elektronisch toestel of systeem, waardoor dergelijke toestellen of systemen kunnen functioneren als numerieke besturings-eenheid, en geschikt om meer dan vier assen gelijktijdig te laten samenwerken voor contourbesturen. Noot 1: 2D002 is niet van toepassing op programmatuur die speciaal is ontworpen of aangepast voor de bediening van werktuigmachines die niet zijn vermeld in categorie 2. Noot 2: 2D002 is niet van toepassing op programmatuur voor goederen die zijn vermeld in 2B002. Zie 2D001 voor programmatuur voor goederen vermeld in 2B002. 2D101Programmatuur speciaal ontworpen of aangepast voor het gebruik van apparatuur, bedoeld in 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 of 2B119 tot en met 2B122. Opmerking: ZIE OOK 9D004 2D201Programmatuur speciaal ontworpen voor het gebruik van apparatuur, bedoeld in 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 of 2B227. 2D202Programmatuur speciaal ontworpen of aangepast voor de ontwikkeling, de productie of het gebruik van apparatuur, bedoeld in 2B201.

2ETechnologie

2E001Technologie volgens de algemene technologienoot voor de ontwikkeling van apparatuur of programmatuur, bedoeld in 2A, 2B of 2D. 2E002Technologie volgens de algemene technologienoot voor de productie van apparatuur, bedoeld in 2A of 2B. 2E003Andere technologie, als hieronder: 2E101Technologie volgens de algemene technologienoot voor het gebruik van apparatuur of programmatuur, bedoeld in 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116 2B119 tot en met 2B122 of 2D101. 2E201Technologie volgens de algemene technologienoot voor het gebruik van apparatuur of programmatuur, bedoeld in 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b, 2B007.c, 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 t/m 2B232, 2D201 of 2D202. 2E301Technologie volgens de algemene technologienoot voor het gebruik van goederen bedoeld, in 2B350 t/m 2B352.

a.

technologie voor de ontwikkeling van interactieve grafische modellen als geïntegreerd onderdeel in numerieke besturings-eenheden voor het maken of wijzigen van werkstukprogramma's;

b.

technologie voor fabricageprocessen door middel van metaalbewerking, als hieronder:

1. technologie voor het ontwerpen van gereedschappen, matrijzen en klemmen, speciaal ontworpen voor de volgende processen:

1. a.

superplastisch vormen;

b.

diffusielassen; of

c.

direct hydraulisch persen;

2. technische gegevens bestaande uit procesmethoden of procesparameters als hieronder opgesomd, welke worden gebruikt voor het regelen van:

2. a.

superplastisch vormen van aluminium-, titaan- en superlegeringen:

1. oppervlaktevoorbehandeling;

2. reksnelheid;

3. temperatuur;

4. druk;

b.

diffusielassen van superlegeringen en titaanlegeringen:

1. oppervlaktevoorbehandeling;

2. temperatuur;

3. druk;

c.

direct hydraulisch persen van aluminium en titaanlegeringen:

1. druk;

2. cyclustijd;

d.

heet isostatisch verdichten van titaan- , aluminium- en superlegeringen:

1. temperatuur;

2. druk;

3. cyclustijd;

c.

technologie voor de ontwikkeling of productie van machines voor hydraulisch strekvormen en matrijzen daarvoor, voor de fabricage van vliegtuigconstructies;

d.

technologie voor de ontwikkeling van generatoren van instructies voor werktuigmachines (bv. werkstukprogramma's) op basis van ontwerpgegevens welke aanwezig zijn in numerieke besturings-eenheden;

e.

technologie voor de ontwikkeling van integratie-programmatuur voor het inbouwen van expertsystemen in numerieke besturings-eenheden ten behoeve van geavanceerde beslissingsondersteuning voor verrichtingen op de werkvloer;

f.

technologie voor het aanbrengen van anorganische deklagen of deklagen door anorganische modificatie van het oppervlak, omschreven in kolom 3 van onderstaande tabel, op nieţ-elektronische substraten, gespecificeerd in kolom 2 van onderstaande tabel, door middel van procédés als omschreven in kolom 1 van onderstaande tabel en als gedefinieerd in de technische noten. Noot: De tabel en de technische noot zijn opgenomen na punt 2E301.

Tabel 1.2.3.A.B.B.1.B.2.B.3.B.4.C.D.E.F.G. Tabel — Afzettingstechnieken — noten Afzettingstechnieken

Bekledingsprocédé (1) Substraat Resulterende deklaag Chemische afzetting uit de dampfase (CVD) superlegeringen aluminiden voor inwendige kanalen keramische materialen (19) en glazen met een lage uitzettingscoëfficiënt (14) siliciden carbiden diëlektrische lagen (15) diamant diamantachtige koolstof (17) composieten met een koolstof-koolstof-, keramische of metaal matrix siliciden carbiden vuurvaste metalen mengsels daarvan (4) diëlektrische lagen (15) aluminiden gelegeerde aluminiden (2) boriumnitride gecementeerde wolfraamcarbide (16) siliciumcarbide (18) carbiden wolfraam mengsels daarvan (4) diëlektrische lagen (15) molybdeen en molybdeenlegeringen diëlektrische lagen (15) beryllium en berylliumlegeringen diëlektrische lagen (15) diamant diamantachtige koolstof (17) sensorvenstermaterialen (9) diëlektrische lagen (15) diamant diamantachtige koolstof (17) Thermische verdampingsafzetting (TE-PVD) (opdampen) Elektronenstraalverdampen (EB-PVD) superlegeringen gelegeerde siliciden gelegeerde aluminiden (2) McrAlX (5) gemodificeerd zirkoniumoxide (12) siliciden aluminiden mengsels daarvan (4) keramische materialen (19) en glazen met een lage uitzettingscoëfficiënt (14) diëlektrische lagen (15) roestwerend staal (7) McrAlX (5) gemodificeerd zirkoniumoxide (12) mengsels daarvan (4) composieten met een koolstof-koolstof- , keramische of metaal matrix siliciden carbiden vuurvaste metalen mengsels daarvan (4) diëlektrische lagen (15) boriumnitride gecementeerde wolfraamcarbide (16) siliciumcarbide (18) carbiden wolfraam mengsels daarvan (4) diëlektrische lagen (15) molybdeen en molybdeenlegeringen diëlektrische lagen (15) beryllium en berylliumlegeringen diëlektrische lagen (15) boriden beryllium sensorvenstermaterialen (9) diëlektrische lagen (15) titaanlegeringen (13) boriden nitriden Afzetting uit de dampfase: ion-plating keramische materialen (19) en glazen met een lage uitzettingscoëfficiënt (14) siliciden diëlektrische lagen (15) diamantachtige koolstof (17) composieten met een koolstof-koolstof-, keramische of metaal matrix diëlektrische lagen (15) gecementeerde wolfraamcarbide (16) siliciumcarbide diëlektrische lagen (15) molybdeen en molybdeenlegeringen diëlektrische lagen (15) beryllium en berylliumlegeringen diëlektrische lagen (15) sensorvenstermaterialen (9) diëlektrische lagen (15) diamantachtige kodstof koolstof (17) Afzetting uit de dampfase: laser-verdamping keramische materialen (19) en glazen met een lage uitzettingscoëfficiënt (14) siliciden diëlektrische lagen (15) diamantachtige koolstof (17) composieten met een koolstof-koolstof-, keramische of metaal matrix diëlektrische lagen (15) gecementeerde wolfraamcarbide (16) siliciumcarbide diëlektrische lagen (15) molybdeen en molybdeenlegeringen diëlektrische lagen (15) beryllium en berylliumlegeringen diëlektrische lagen (15) sensorvenstermaterialen (9) diëlektrische lagen (15) diamantachtige koolstof (17) Afzetting uit de dampfase: boogverdampen superlegeringen gelegeerde siliciden gelegeerde aluminiden (2) McrAlX (5) polymeren (11) en composieten met een organische matrix boriden carbiden nitriden diamantachtige koolstof (17) Pack cementering (zie A hierboven voor out-of-pack cementering (10) composieten met een koolstof-koolstof-, keramische of metaal matrix siliciden carbiden mengsels daarvan (4) titaanlegeringen (13) siliciden aluminiden gelegeerde aluminiden (2) vuurvaste metalen en legeringen (8) siliciden oxiden Plasmaspuiten superlegeringen McrAlX (5) gemodificeerd zirkoniumoxide (12) mengsels daarvan (4) slijtbaar nikkelgrafiet slijtbare materialen met Ni-Cr-Al slijtbaar Al-Si-polyester gelegeerde aluminiden (2) aluminiumlegeringen (6) McrAlX (5) gemodificeerd zirkoniumoxide (12) siliciden mengsels daarvan (4) vuurvaste metalen en legeringen (8) aluminiden siliciden carbiden roestwerend staal (7) MCrAIX (5) gemodificeerd zirkoniumoxide (12) mengsels daarvan (4) titaanlegeringen (13) carbiden aluminiden siliciden gelegeerde aluminiden (2) slijtbaar nikkelgrafiet slijtbare materialen met Ni-Cr-A1 slijtbaar A1-Si-polyester Afzetting uit suspensie en legeringen vuurvaste metalen en legeringen (8) ineengesmolten siliciden ineengesmolten aluminiden met uitzondering van weerstandsverhittingselementen composieten met een koolstof-koolstof-, keramische of metaal matrix siliciden carbiden mengsels daarvan (4) Afzetting door middel van sputteren superlegeringen gelegeerde siliciden gelegeerde aluminiden (2) aluminiden gemodificeerd met edele metalen (3) MCrAlX (5) gemodificeerd zirkoniumoxide (12) platina mengsels daarvan (4) keramische materialen en glazen met een lage uitzettingscoëfficiënt (14) siliciden platina mengsels daarvan (4) diëlektrische lagen (15) diamantachtige koolstof (17) titaanlegeringen (13) boriden nitriden oxiden siliciden aluminiden gelegeerde aluminiden (2) carbiden composieten met een koolstof-koolstof-, keramische of metaal matrix siliciden carbiden vuurvaste metalen mengsels daarvan (4) diëlektrische lagen (15) boriumnitride gecementeerde wolfraamcarbide (16) siliciumcarbide (18) carbiden wolfraam mengsels daarvan (4) diëlektrische lagen (15) boriumnitride molybdeen en molybdeenlegeringen diëlektrische lagen (15) beryllium en berylliumlegeringen boriden diëlektrische lagen (15) beryllium sensorvenstermaterialen (9) diëlektrische lagen (15) diamantachtige koolstof (17) vuurvaste metalen en legeringen (8) aluminiden siliciden oxiden carbiden Ionenimplantatie hoge temperatuur lagerstaalsoorten toevoeging van chroom, tantaal of niobium (columbium) titaanlegeringen (13) boriden nitriden beryllium en berylliumlegeringen boriden gecementeerde wolfraamcarbide (16) carbiden nitriden De definities van de in kolom 1 van de tabel vermelde procédés luiden als volgt:

1. Bekledingsprocédé behelst zowel het herstel en opknappen van de deklaag als het aanbrengen van een oorspronkelijke deklaag.

2. Eénfasige of meerfasebekledingen waarbij één of meer elementen worden afgezet vóór of tijdens het aanbrengen van de aluminidebekleding, worden, zelfs wanneer deze elementen door middel van een ander bekledingsprocédé worden afgezet, mede begrepen onder de term bekleding met gelegeerde aluminide; daaronder wordt echter niet begrepen het meerdere malen toepassen van éénfasige pack cementeringsprocédés om gelegeerde aluminiden te verkrijgen.

3. Meerfase-bekleding waarbij het edele metaal of de edele metalen worden opgebracht door middel van een ander bekledingsprocédé voordat de aluminidebekleding wordt aangebracht, wordt mede begrepen onder de term met edelmetaal gemodificeerde aluminide-bekleding.

4. Het begrip mengsels daarvan omvat geïnfiltreerd materiaal, samenstellingen met een verlopend gehalte, gelijktijdig afgezette materialen en afzettingen bestaande uit meerdere lagen en zij worden verkregen door middel van één of meer van de in de tabel vermelde bekledingsprocédés.

5. Met MCrAlX wordt bedoeld een bekledingslegering waarbij M staat voor kobalt, ijzer, nikkel of combinaties daarvan en X staat voor hafnium, yttrium, silicium, tantaal in iedere hoeveelheid of voor andere opzettelijke toevoegingen van meer dan 0,01 gewichtspercent in verschillende verhoudingen en combinaties, met uitzondering van:

5. a.

CoCrAlY-bekledingen die minder dan 22 gewichtspercenten chroom bevatten, minder dan 7 gewichtspercenten aluminium en minder dan 2 gewichtspercenten yttrium;

b.

CoCrAlY-bekledingen die 22 tot 24 gewichtspercenten chroom bevatten, 10 tot 12 gewichtspercenten aluminium en 0,5 tot 0,7 gewichtspercent yttrium, of

c.

NiCrAlY-bekledingen die 21 tot 23 gewichtspercenten chroom bevatten, 10 tot 12 gewichtspercenten aluminium en 0,9 tot 1,1 gewichtspercent yttrium.

6. Met aluminiumlegeringen worden bedoeld legeringen met een treksterkte van 190 MPa of meer gemeten bij 293 K (20 °C).

7. Met roestwerend staal wordt bedoeld AISI (American Iron and Steel Institute) serie 300 of naar gelijkwaardige nationale normen geclassificeerde staalsoorten.

8. Vuurvaste metalen en legeringen omvatten de volgende metalen en hun legeringen: niobium (columbium), molybdeen, wolfraam en tantaal.

9. Sensorvenstermaterialen, als hierna: aluminiumoxide, silicium, germanium, zinksulfide, zinkselenide, galliumarsenide, diamant, galliumfosfide, saffier en de volgende metaalhaliden: sensorvenstermaterialen met een diameter groter dan 40 mm indien gemaakt van zirconiumfluoride en hafniumfluoride.

10. Technologie voor het in één fase pack cementeren van massieve aërodynamische vlakken wordt niet bedoeld in deze categorie.

11. Polymeren, als hierna: polyimide, polyester, polysulfide, polycarbonaten en polyurethanen.

12. Gemodificeerd zirkoniumoxide verwijst naar toevoegingen van andere metaaloxiden, bv. calciumoxide, magnesiumoxide, yttriumoxide, hafniumoxide, zeldzame aardoxiden, enz. aan zirkoniumoxide teneinde bepaalde kristallografische fasen en fasesamenstellingen te stabiliseren. Warmtebarrièrebekledingen gemaakt van zirkoniumoxide, gemodificeerd met calciumoxide of magnesiumoxide door middel van mengen of versmelting worden niet bedoeld.

13. Met titaanlegeringen worden uitsluitend bedoeld ruimtevaartlegeringen met een treksterkte van 900 MPa of meer gemeten bij 293 K (20 °C).

14. Met glazen met een lage thermische uitzettingscoëfficiënt worden bedoeld glazen met een uitzettingscoëfficiënt van 1 × 10–7 K– 1 of minder gemeten bij 293 K (20 °C).

15. Diëlektrische lagen zijn bekledingen die zijn opgebouwd uit uit meerdere lagen bestaande isolatiematerialen waarbij gebruik wordt gemaakt van de interferentie-eigenschappen van een ontwerp dat is samengesteld uit materialen met uiteenlopende brekingsindexen voor de reflectie, transmissie of absorptie van verschillende golflengtebanden. Met diëlektrische lagen worden bedoeld meer dan vier diëlektrische lagen of composiete diëlektrische/metaallagen.

16. Materialen voor snij- en vormwerktuigen bestaande uit wolfraamcarbide/(met kobalt, nikkel), titaancarbide/(met kobalt, nikkel), chroomcarbide/(met nikkel, chroom) en chroomcarbide/(met nikkel) zijn niet mede begrepen onder de gecementeerde wolfraamcarbide in de tabel.

17. Niet bedoeld wordt technologie die speciaal is ontwikkeld voor het aanbrengen van diamantachtige koolstof op een van de volgende artikelen:

magnetische diskdrives en koppen, apparatuur voor de vervaardiging van wegwerpartikelen, kleppen of tapkraantjes, akoestische membranen voor luidsprekers, automotoronderdelen, snijmachines, pons- en persmatrijzen, kantoorautomatiseringsapparatuur, microfoons of medische apparatuur of uit legeringen met minder dan 5 % beryllium gemaakte matrijzen voor het gieten of vormen van plastic.

18. Siliciumcarbide omvat geen materiaal voor snij- of vormwerktuigen.

19. Keramische substraten, zoals onder dit nummer gebruikt, omvatten geen keramische materialen met 5 % of meer gewichtspercent klei- of cementinhoud, als afzonderlijke bestanddelen dan wel in combinatie.

a.

Chemische afzetting uit de dampfase (CVD) is een procédé voor deklaagbekleding of voor bekleding door modificatie van het oppervlak waarbij een metaal, legering, composiet, diëlektrisch of keramisch materiaal op een verhit substraat wordt afgezet. In de nabijheid van een substraat worden gasvormige reagentia ontleed of gecombineerd, wat leidt tot de afzetting van het gewenste materiaal, zijnde een element, legering of samengesteld materiaal, op het substraat. De energie voor dit proces van ontleding of chemische reactie kan worden geleverd door de hitte van het substraat, door een gloeiontladingsplasma of door laser-bestraling. NB 1: CVD omvat de volgende procédés: out-of-pack-afzetting met gerichte gasstroom, pulserende CVD, thermische afzetting met beheerste kernenvorming (CNTD), met plasma versterkte of met plasma ondersteunde CVD-procédés. NB 2:Pack geeft aan dat een substraat is ingebed in een poedermengsel. NB 3: Het bij het out-of-pack-procédé gebruikte gasvormige materiaal wordt verkregen door toepassing van dezelfde basisreacties en parameters als bij het pack cementeringsprocédé, behalve dat het te bekleden substraat niet in contact komt met het poedermengsel.

b.

Thermische verdampingsafzetting (TE-PVD) (opdampen) is een procédé voor deklaagbekleding in een vacuümkamer bij een druk van minder dan 0,1 Pa waarin gebruik wordt gemaakt van een thermische energiebron voor het verdampen van het bekledingsmateriaal. Dit leidt tot de neerslag, of afzetting, van de verdampte stoffen op een in een geschikte positie geplaatst substraat. De toevoeging van gassen aan de vacuümkamer tijdens het bekledingsprocédé voor het opbouwen van een samengestelde bekleding is een gebruikelijke aanpassing van het procédé. Het gebruik van een ionen of elektronenstraal, of plasma, teneinde de afzetting van de bekleding te activeren of te ondersteunen is eveneens een gebruikelijke aanpassing in deze techniek. Ook kunnen tijdens deze procédés monitoren worden gebruikt voor het tijdens het proces meten van de optische kenmerken en de dikte van de bekledingslaag. Specifieke TE-PVD-procédés verlopen als volgt:

1. bij elektronenstraalverdampen (EB-PVD) wordt gebruik gemaakt van een elektronenstraal voor het verhitten en verdampen van het materiaal waaruit de deklaag wordt gevormd;

2. bij weerstandsverhittingsverdampen met ionen wordt gebruik gemaakt van elektrische weerstandsverwarmingsbronnen in combinatie met een of meer botsende ionenstralen die een beheerste en gelijkmatige stroom verdampt bekledingsmateriaal leveren;

3. bij laser-verdamping wordt gebruik gemaakt van ofwel een pulserende ofwel een continue laser-straal voor het verdampen van het materiaal waaruit de deklaag wordt gevormd;

4. Boogverdampen maakt gebruik van een uit het materiaal van de te vormen deklaag bestaande kathode welke opgebruikt wordt en waarbij een vonkoverslag op het oppervlak wordt gecreëerd door een kort aardcontact. De beheerste vlamboogbeweging erodeert het kathodeoppervlak waardoor een sterk geïoniseerd plasma ontstaat. De anode kan een kegel zijn die via een isolatie aan de rand van de kathode is bevestigd of de kamer wordt als anode gebruikt. Het aanleggen van een voorspanning op het substraat wordt gebruikt bij het uit de gezichtslijn opbrengen van deklagen. NB: Het aanbrengen van deklagen door middel van een niet beheerste vlamboog zonder een voorspanning op het substraat is niet begrepen in deze definitie.

5. Ion-plating is een speciale aanpassing van een algemeen TE-PVD-procédé waarbij een plasma of een ionenbron wordt gebruikt voor het ioniseren van de af te zetten stoffen, en waarbij een negatieve voorspanning wordt aangelegd op het substraat teneinde de stoffen gemakkelijker aan het plasma te kunnen onttrekken. Het toevoegen van reactieve stoffen, de verdamping van vaste stoffen in de proceskamer en het gebruik van monitoren voor het tijdens het proces meten van de optische kenmerken en de dikte van de bekledingslaag zijn gebruikelijke aanpassingen van het procédé.

c.

Pack cementering is een procédé voor bekleding door modificatie van het oppervlak of voor deklaagbekleding waarbij een substraat wordt ingebed in een poedermengsel, een zgn. pack, dat bestaat uit: Het substraat en het poedermengsel bevinden zich in een retort die wordt verhit tot 1030 K (757 °C) à 1375 K (1102 °) gedurende een tijd lang genoeg voor afzetting van de laag.

1. de metaalhoudende poeders die moeten worden afgezet (gewoonlijk aluminium, chroom, silicium of combinaties daarvan);

2. een activerende stof (gewoonlijk een halogenide zout), en

3. een inert stof, meestal aluminiumoxide.

d.

Plasmaspuiten is een deklaagbekledingsprocédé waarbij een spuitpistool, dat een plasma produceert en reguleert, bekledingsmaterialen in poeder- of draadvorm krijgt toegevoerd, deze smelt en naar een substraat drijft, waarop zich een integraal gehechte laag vormt. Plasmaspuiten zoals hier bedoeld is ofwel plasmaspuiten bij lage druk ofwel plasmaspuiten met hoge snelheid. NB 1: Lage druk wil zeggen minder dan de atmosferische omgevingsdruk. NB 2: Met hoge snelheid wordt bedoeld een uitstroomsnelheid van het gas uit het mondstuk hoger dan 750 m/s bij 293 K (20 °C) en 0,1 MPa.

e.

Afzetting uit suspensie is een procédé voor bekleding door modificatie van het oppervlak of voor deklaagbekleding waarbij een metaalhoudend of keramisch poeder met een organische bindstof in suspensie wordt gebracht in een vloeistof en op een substraat wordt aangebracht door spuiten, dompelen of penselen; vervolgens droging aan de lucht of in een oven; en warmtebehandeling om de gewenste laag te verkrijgen.

f.

Afzetting door middel van sputteren is een deklaagbekledingsprocédé dat is gebaseerd op een verschijnsel van impulsoverdracht, waarbij positief geladen ionen worden versneld door een elektrisch veld naar het oppervlak van een trefplaat (deklaagmateriaal). De kinetische energie van de botsende ionen is voldoende om ervoor te zorgen dat atomen aan het oppervlak van de trefplaat vrijkomen en worden afgezet op een in een geschikte positie geplaatst substraat. NB 1: De tabel verwijst uitsluitend naar afzetting door sputteren met een triode, magnetron of naar reactief sputteren, welke methoden worden toegepast om de hechting van de bekleding en de afzetsnelheid te vergroten, en naar hoogfrequent (RF) versterkte afzetting door sputteren, wat wordt toegepast om de verdamping van niet-metaalhoudende bekledingsmaterialen mogelijk te maken. NB 2: Ionenstralen met lage energie (minder dan 5 keV) kunnen worden toegepast om de afzetting in gang te zetten.

g.

Ionenimplantatie is een procédé voor bekleding door modificatie van het oppervlak waarbij het te legeren element wordt geïoniseerd, wordt versneld door een potentiaalgradiënt en in het substraatoppervlak wordt geïmplanteerd. De definitie omvat mede procédés waarbij tegelijk met de ionenimplantatie elektronenstraalverdamping of afzetting door middel van sputtering plaatsvindt.

CATEGORIE 3 ELEKTRONICA

3ASystemen, apparatuur en onderdelen Technische noot: Technische noot: Technische noot:

Noot 1: De embargostatus van in 3A001 of 3A002 omschreven apparatuur en onderdelen, anders dan die welke zijn omschreven in 3A001.a.3 t/m 3A001.a.10 of 3A001.a.12, die speciaal zijn ontworpen voor apparatuur waarvoor een uitvoervergunning vereist is, of die dezelfde functionele eigenschappen hebben, wordt bepaald door de embargostatus van die andere apparatuur. Noot 2: De embargostatus van geïntegreerde schakelingen als omschreven in 3A001.a.3 t/m 3A001.a.9 of 3A001.a.12 die onveranderbaar zijn geprogrammeerd of ontworpen voor een specifieke functie, wordt eveneens bepaald door de embargostatus van die andere apparatuur. NB: Wanneer de fabrikant of de aanvrager de embargostatus van de andere apparatuur niet kan bepalen, wordt de embargostatus bepaald op grond van 3A001.a.3 t/m 3A001.a.9 of 3A001.a.12. Indien de geïntegreerde schakeling een microcomputermicroschakeling of een microbesturingsmicroschakeling op basis van silicium is als omschreven in 3A001.a.3 met een woordlengte van de operand (data) van 8 bit of minder, dan wordt de embargostatus van de geïntegreerde schakeling bepaald in 3A001.a.3. 3A001Elektronische onderdelen, als hieronder: 3A002Universele elektronische apparatuur, als hieronder: 3A003Temperatuurregelingssystemen met nevelkoeling die gebruik maken van apparatuur met een gesloten vloeistofcirculatie en -reconditioneringscircuit in een lucht- en waterdicht omhulsel waarin met speciaal daartoe ontworpen spuitmonden een diëlektrische vloeistof op elektronische componenten wordt verneveld om deze binnen de gebruikstemperatuur te houden, en speciaal hiervoor ontworpen onderdelen. 3A101Elektronische uitrusting, elementen en onderdelen, anders dan vermeld in 3A001, als hieronder: 3A201Elektronische onderdelen, anders dan vermeld in 3A001, als hieronder: 3A225Frequentieomzetters of frequentiegeneratoren, anders dan vermeld in 0B001.b.13, met alle volgende kenmerken: De in 3A225 bedoelde frequentieomzetters zijn ook bekend als converters of inverters. 3A226Gelijkstroombronnen met hoog vermogen, anders dan bedoeld in 0B001.j.6, met beide volgende kenmerken: 3A227Hoogspanningsgelijkstroombronnen, anders dan vermeld in 0B001.j.5, met beide volgende kenmerken: 3A228Niet in 0B001.j.5 omschreven schakelelementen, als hieronder: 3A229Ontstekingstoestellen en gelijkwaardige pulsgeneratoren met hoge stroomsterkte, als hieronder: NB: ZIE OOK LIJST MILITAIRE GOEDEREN. 3A230Hoogfrequente pulsgeneratoren met alle volgende kenmerken: In 3A230 is de pulsstijgtijd gedefinieerd als het tijdsinterval dat verstrijkt tussen het bereiken van 10 % van de piekspanning en 90 % van de piekspanning. 3A231Neutronengeneratorsystemen, met inbegrip van buizen, met beide volgende kenmerken: 3A232Detonators en meervoudige ontstekingssystemen, als hieronder: NB: ZIE OOK LIJST MILITAIRE GOEDEREN. Noot: In 3A232 worden niet bedoeld detonators die uitsluitend gebruik maken van primaire springstoffen, zoals loodazide. De in 3A232 bedoelde detonators maken alle gebruik van een kleine elektrische geleider (bridge, bridge wire of folie) die explosief verdampt wanneer er een snelle elektrische stroomstoot doorheen wordt geleid. Bij het non-slapper-type brengt de exploderende geleider een chemische ontploffing op gang in een daarmee in aanraking zijnd brisant materiaal, bijvoorbeeld PETN (pentaerytritoltetranitraat). Bij slapper-detonators wordt een flyer of slapper door de explosieve verdamping van de elektrische geleider over een spleet gedreven en de schok van de slapper op een springstof brengt een chemische ontploffing op gang. Bij sommige constructies wordt de slapper door een magnetisch veld gestart. Met de uitdrukking exploding foil-detonator worden zowel EB-detonators als slapper-detonators bedoeld. Verder wordt soms het woord ontsteking gebruikt in plaats van het woord detonator. 3A233Massaspectrometers, anders dan vermeld in 0B002.g, die ionen met een massa van 230 atomaire massa eenheden (a.m.e.) of meer kunnen meten en die een oplossend vermogen hebben dat beter is dan 2 a.m.e. op 230 a.m.e., en ionenbronnen hiervoor, als hieronder:

3ASystemen, apparatuur en onderdelen a.

Universele geïntegreerde schakelingen, als hieronder: Noot 1: De vraag of een uitvoervergunning is vereist voor (al dan niet afgewerkte) plakken (wafers) waarin de functie reeds is vastgelegd, dient te worden beoordeeld aan de hand van de parameters in 3A001.a. Noot 2: Geïntegreerde schakelingen omvatten de volgende typen:

monolithische geïntegreerde schakelingen;

hybride geïntegreerde schakelingen;

multichip geïntegreerde schakelingen;

geïntegreerde schakelingen van het filmtype met inbegrip van geïntegreerde schakelingen van silicium op saffier;

optische geïntegreerde schakelingen.

1. geïntegreerde schakelingen, ontworpen of gespecificeerd als bestand tegen:

1. a.

een totale dosis ioniserende straling van 5 × 103 Gray (silicium) of meer, of

b.

storing bij een dosistempo van 5 × 106 Gray (silicium)/s of meer;

c.

een fluentie (geïntegreerde flux) van neutronen (gelijk aan 1 MeV) van 5 × 1013 n/cm2 of meer op silicium, of het equivalent daarvan voor andere materialen; Noot: Punt 3A001.a.1.c is niet van toepassing op MIS-condensatoren (Metal Insulator Semiconductors).

2. microprocessormicroschakelingen, microcomputermicroschakelingen, microbesturingmicroschakelingen, geïntegreerde geheugenschakelingen vervaardigd van samengesteld halfgeleidermateriaal, analoog/digitaal-omzetters, digitaal/analoog-omzetters, elektro-optische of optisch geïntegreerde schakelingen voor signaalverwerking, door de gebruiker te programmeren logische bouwstenen, geïntegreerde schakelingen voor neurale netwerken, op bestelling geïntegreerde schakelingen waarbij ofwel de functie ofwel de embargostatus van de apparatuur waarin de geïntegreerde schakelingen zullen worden toegepast, niet bekend is, of FFT (Fast Fourier Transform)-processoren, elektrisch wisbare PROM’s (EEPROM's), flash-geheugens of statische RAM’s (SRAM's): Noot: 3A001.a.2 is niet van toepassing op geïntegreerde schakelingen voor toepassingen in civiele automobielen of treinen.

2. a.

gespecificeerd om te werken bij een omgevingstemperatuur hoger dan 398 K (125 °C);

b.

gespecificeerd om te werken bij een omgevingstemperatuur lager dan 218 K (– 55 °C); of

c.

gespecificeerd om te werken over het gehele omgevingstemperatuurbereik van 218 K (– 55 °C) tot 398 K (125 °C).

3. microprocessormicroschakelingen, microcomputermicroschakelingen en microbesturingmicroschakelingen, gefabriceerd van een samengestelde halfgeleider en werkend met een klokfrequentie hoger dan 40 MHz; Noot: In 3A001.a.3 worden mede bedoeld digitale signaalprocessoren, digitale array-processoren en digitale coprocessoren.

4. geïntegreerde geheugenschakelingen vervaardigd van samengesteld halfgeleidermateriaal;

5. Technische noten:

geïntegreerde analoog/digitaal- en digitaal/analoog-omzetters, als hieronder:

5. a.

analoog/digitaal-omzetters met één of meer van de volgende kenmerken: NB: ZIE OOK 3A101

1. een scheidend vermogen van 8 bit of meer maar minder dan 10 bit, met een outputsnelheid van meer dan 500 miljoen woorden per seconde;

2. een scheidend vermogen van 10 bit of meer maar minder dan 12 bit en een outputsnelheid van meer dan 200 miljoen woorden per seconde;

3. een scheidend vermogen van 12 bit en een outputsnelheid van meer dan 50 miljoen woorden per seconde, of

4. een scheidend vermogen van meer dan 12 bit maar niet meer dan 14 bit en een outputsnelheid van meer dan 5 miljoen woorden per seconde;

5. een scheidend vermogen van meer dan 14 bit en een outputsnelheid van meer dan 1 miljoen woorden per seconde

b.

digitaal/analoog-omzetters met een scheidend vermogen van 12 bit of meer en een stabilisatietijd (settling time) van minder dan 10 ns;

5. Technische noten:

1. Een scheidend vermogen van n bits komt overeen met een kwantisering van 2n niveaus.

2. Het aantal bits in het outputwoord komt overeen met het scheidend vermogen van de analoog/digitaal-omzetter;

3. De outputsnelheid is de maximale outputsnelheid van de omzetter, ongeacht de architectuur of de overbemonstering. Verkopers kunnen de outputsnelheid ook omschrijven als de sampling rate, de bemonsteringssnelheid of de conversiesnelheid. Deze wordt vaak uitgedrukt in Megahertz (MHz) of megasamples per seconde (MSPS).

4. Voor de meting van de outputsnelheid komt één outputwoord per seconde overeen met één Hertz of één sample per seconde.

6. elektro-optische of optische geïntegreerde schakelingen voor signaalverwerking met alle volgende kenmerken:

6. a.

een of meer inwendige laser-dioden,

b.

een of meer inwendige lichtdetectie-elementen, en

c.

optische golfgeleiders;

7. door de gebruiker te programmeren logische bouwstenen met één van beide volgende kenmerken: Noot: 3A001.a.7. omvat: NB: Door de gebruiker te programmeren logische bouwstenen worden ook door de gebruiker te programmeren gate arrays of door de gebruiker te programmeren logic arrays genoemd.

7. a.

een bruikbare gate count equivalent aan meer dan 30000 (twee ingangspoorten);

b.

een typische voortplantingsvertragingstijd van de basispoort van minder dan 0,1 ns; of

c.

een togglefrequentie hoger dan 133 MHz;

Simple Programmable Logic Devices — eenvoudige programmeerbare logische bouwstenen (SPLD’s)

Complex Programmable Logic Devices — complexe programmeerbare logische bouwstenen (CPLD’s)

Field Programmable Gate Arrays — door de gebruiker te programmeren gate arrays (FPGA’s)

Field Programmable Logic Arrays — door de gebruiker te programmeren logic arrays (FPLA’s)

Field Programmable Interconnects — door de gebruiker te programmeren interconnects (FPIC’s)

8. niet gebruikt;

9. geïntegreerde schakelingen voor neurale netwerken;

10. op bestelling geïntegreerde schakelingen waarbij ofwel de functie ofwel de embargostatus van de apparatuur waarin de geïntegreerde schakelingen zullen worden toegepast, niet aan de fabrikant bekend is, met een of meer van de volgende kenmerken:

10. a.

meer dan 1000 in/uitgangspunten;

b.

een typische voortplantingsvertragingstijd van de basispoort van minder dan 0,1 ns, of

c.

een werkfrequentie hoger dan 3 GHz;

11. digitale geïntegreerde schakelingen, anders dan als omschreven in 3A001.a.3 t/m 3A001.a.10 of 3A001.a.12, die zijn gebaseerd op een samengestelde halfgeleider en met een van beide volgende kenmerken:

11. a.

een gate count equivalent aan meer dan 3000 (twee ingangspoorten), of

b.

een togglefrequentie hoger dan 1,2 GHz;

12. Technische noot:

FFT (Fast Fourier Transform)-processoren met een nominale uitvoeringstijd, voor een N-punt complexe FFT van minder dan (N log2N)/20480 ms, waarbij N het aantal punten is; Wanneer N gelijk is aan 1024 punten, geeft de formule in 3A001.a.12 een uitvoeringstijd van 500 microseconden.

b.

Microgolf- of millimetergolfelementen:

1. elektronische vacuümbuizen en kathoden, als hieronder: Noot 1: In 3A001.b.1 worden niet bedoeld buizen die zijn ontworpen of gespecificeerd om te werken binnen een frequentieband met alle volgende kenmerken: Noot 2: In 3A001.b.1. worden niet bedoeld buizen niet voor gebruik in de ruimte gekwalificeerd met alle volgende kenmerken:

1. a.

niet meer dan 31,8 GHz; en

b.

door de ITU toegewezen voor radiocommunicatiediensten, maar niet voor radiodeterminatie.

a.

een gemiddelde vermogensdichtheid aan de uitgang van 50 W of minder, en

b.

buizen die zijn ontworpen of gespecificeerd om te werken binnen een frequentieband met alle volgende kenmerken:

1. meer dan 31,8 GHz doch niet meer dan 43,5 GHz; en

2. door de ITU toegewezen voor radiocommunicatiediensten, maar niet voor radiodeterminatie.

a.

lopende golfbuizen, voor puls- of ongedempte golven, als hieronder:

1. werkend bij frequenties hoger dan 31,8 GHz;

2. met een kathodeverhittingselement dat in minder dan drie seconden het gespecificeerde RF-vermogen bereikt;

3. gekoppelde trilholtebuizen of afgeleiden daarvan, met een fractionele bandbreedte van meer dan 7 % of een piekvermogen van meer dan 2,5 kW;

4. spiraalbuizen of afgeleiden daarvan, met een of meer van de volgende kenmerken:

4. a.

een momentele bandbreedte van meer dan één octaaf, en een product van gemiddeld vermogen (in kW) en frequentie (in GHz) van meer dan 0,5;

b.

een momentele bandbreedte van een octaaf of minder, en een product van gemiddeld vermogen (in kW) en frequentie (in GHz) van meer dan 1, of

c.

gekwalificeerd voor gebruik in de ruimte.

b.

dwarsveld (crossed field)-versterkerbuizen met meer dan 17 dB versterking;

c.

geïmpregneerde kathoden, ontworpen voor elektronische buizen geschikt voor het voortbrengen van een continue emissiestroomdichtheid groter dan 5 A/cm2 bij gespecificeerde werkomstandigheden;

2. monolithisch geïntegreerde microgolfschakelingen- (MMIC-)vermogensversterkers met een van de volgende kenmerken: Noot 1: In 3A001.b.2 wordt niet bedoeld apparatuur voor satellietuitzendingen die is ontworpen of gespecificeerd voor een frequentiegebied van 40,5 GHz tot 42,5 GHz. Noot 2: De embargostatus van MMIC's waarvan de gespecificeerde werkfrequentie frequenties in meer dan één frequentiegebied omvat, als omschreven in 3A001.b.2.a tot 3A001.b.2.f, wordt bepaald door het laagste gemiddelde uitgangsvermogen waarvoor een embargo geldt. Noot 3: De noten 1 en 2 in de aanhef van categorie 3 houden in dat in 3A001.b.2. niet worden bedoeld MMIC's die speciaal zijn ontworpen voor andere toepassingen zoals telecommunicatie, radars en motorvoertuigen.

2. a.

gespecificeerd voor werkfrequenties hoger dan 3,2 GHz en tot en met 6 GHz en met een gemiddeld uitgangsvermogen van meer dan 4 W (36 dBm) met een fractionele bandbreedte van meer dan 15 %;

b.

gespecificeerd voor werkfrequenties hoger dan 6 GHz en tot en met 16 GHz en met een gemiddeld uitgangsvermogen van meer dan 1 W (30 dBm) met een fractionele bandbreedte van meer dan 10 %;

c.

gespecificeerd voor werkfrequenties hoger dan 16 GHz en tot en met 31,8 GHz en met een gemiddeld uitgangsvermogen van meer dan 0,8 W (29 dBm) met een fractionele bandbreedte van meer dan 10 %;

d.

gespecificeerd voor werkfrequenties hoger dan 31,8 GHz en tot en met 37,5 GHz .

e.

gespecificeerd voor werkfrequenties hoger dan 37,5 GHz en tot en met 43,5 GHz en met een gemiddeld uitgangsvermogen van meer dan 0,25 W (24 dBm) met een fractionele bandbreedte van meer dan 10 %; of

f.

gespecificeerd voor werkfrequenties hoger dan 43,5 GHz.

3. discrete microgolftransistors, met een van de volgende eigenschappen: Noot: De embargostatus van een transistor waarvan de gespecificeerde werkfrequentie frequenties in meer dan één frequentiegebied omvat, als omschreven in 3A001.b.3.a tot 3A001.b.3.e, wordt bepaald door het laagste gemiddelde uitgangsvermogen waarvoor een embargo geldt.

3. a.

gespecificeerd voor werkfrequenties hoger dan 3,2 GHz en tot en met 6 GHz en met een gemiddeld uitgangsvermogen van meer dan 60 W (47,8 dBm);

b.

gespecificeerd voor werkfrequenties hoger dan 6 GHz en tot en met 31,8 GHz en met een gemiddeld uitgangsvermogen van meer dan 20 W (43 dBm);

c.

gespecificeerd voor werkfrequenties hoger dan 31,8 GHz en tot en met 37,5 GHz en met een gemiddeld uitgangsvermogen van meer dan 0,5 W (27 dBm);

d.

gespecificeerd voor werkfrequenties hoger dan 37,5 GHz en tot en met 43,5 GHz en met een gemiddeld uitgangsvermogen van meer dan 1 W (30 dBm); of

e.

gespecificeerd voor werkfrequenties hoger dan 43,5 GHz;

4. Technische noot:

microgolfhalfgeleiderversterkers en microgolfassemblages/-modules die microgolfversterkers bevatten met een van de volgende kenmerken; 3,2 GHz moet gebruikt worden als de laagste werkfrequentie (fGHz) in de formule in 3A001.b.4.f.3. voor versterkers die een gespecificeerde werkfrequentie hebben van 3,2 GHz en lager [d= 15cm*GHz/3,2 GHz]. NB: MMIC-vermogenversterkers moeten worden beoordeeld aan de hand van de criteria in 3A001.b.2. Noot 1: In 3A001.b.4. wordt niet bedoeld apparatuur voor satellietuitzendingen die is ontworpen of gespecificeerd voor het frequentiegebied 40,5-42,5 GHz. Noot 2: De embargostatus van een object waarvan de gespecificeerde werkfrequentie frequenties in meer dan één frequentiegebied omvat, als omschreven in 3A001.b.4.a tot 3A001.b.4.e, wordt bepaald door het laagste gemiddelde uitgangsvermogen waarvoor een embargo geldt.

4. a.

gespecificeerd voor werkfrequenties hoger dan 3,2 GHz en tot en met 6 GHz en met een gemiddeld uitgangsvermogen van meer dan 60 W (47,8 dBm) met een fractionele bandbreedte van meer dan 15 %;

b.

gespecificeerd voor werkfrequenties hoger dan 6 GHz en tot en met 31,8 GHz en met een gemiddeld uitgangsvermogen van meer dan 15 W (42 dBm) met een fractionele bandbreedte van meer dan 10 %;

c.

gespecificeerd voor werkfrequenties hoger dan 31,8 GHz en tot en met 37,5 GHz;

d.

gespecificeerd voor werkfrequenties hoger dan 37,5 GHz en tot en met 43,5 GHz en met een gemiddeld uitgangsvermogen van meer dan 1 W (30 dBm) met een fractionele bandbreedte van meer dan 10 %;

e.

gespecificeerd voor werkfrequenties hoger dan 43,5 GHz; of

f.

gespecificeerd voor werkfrequenties hoger dan 3,2 GHz en met al de volgende kenmerken:

1. een gemiddeld uitgangsvermogen (in watt), P, groter dan 150 gedeeld door het kwadraat van de maximumwerkfrequentie (in GHz) [P>150 W*GHz2/fGHz2];

2. een fractionele bandbreedte van 5 % of meer; en

3. twee loodrecht op elkaar staande zijden met een lengte d (in cm) die kleiner is dan of gelijk is aan 15 gedeeld door de laagste werkfrequentie in GHz [d ≤ 15cm*GHz/ fGHz].

5. elektronisch of magnetisch afstembare banddoorlaat- of bandsperfilters met meer dan vijf afstembare resonatoren, geschikt om af te stemmen over een frequentieband van 1,5:1 (fmax/fmin) in minder dan tien microseconden bij:

5. a.

een banddoorlaatbandbreedte van meer dan 0,5 % van de centrale frequentie, of

b.

een bandsperbandbreedte van minder dan 0,5 % van de centrale frequentie;

6. Niet gebruikt;

7. mixers en converters, ontworpen voor het vergroten van het frequentiebereik van apparatuur als beschreven in 3A002.c, 3A002.e of 3A002.f boven de daarin aangegeven grenzen;

8. microgolfvermogensversterkers die buizen als omschreven in 3A001.b bevatten en alle volgende eigenschappen bezitten: Noot: In 3A001.b.8 wordt niet bedoeld apparatuur die is ontworpen of gespecificeerd voor een frequentieband die door de ITU toegewezen is voor radiocommunicatiediensten, maar niet voor radiodeterminatie.

8. a.

werkfrequenties hoger dan 3 GHz;

b.

een gemiddelde vermogensdichtheid aan de uitgang van meer dan 80 W/kg; en

c.

een volume van minder dan 400 cm3.

c.

Elementen waarbij gebruik wordt gemaakt van akoestische golven, als hieronder, en speciaal ontworpen onderdelen daarvoor:

1. elementen waarbij gebruik wordt gemaakt van akoestische oppervlaktegolven en van akoestische golven die langs de oppervlakte scheren (surface wave) (d.w.z. signaalverwerkende elementen die gebruikmaken van elastische golven in materialen), met een of meer van de volgende kenmerken:

1. a.

een draaggolffrequentie groter dan 2,5 GHz;

b.

een draaggolffrequentie groter dan 1 GHz, doch kleiner dan 2,5 GHz, en

1. een onderdrukking van de zijlobben groter dan 55 dB;

2. een product van de maximale vertragingstijd (in microseconden) en de bandbreedte (in MHz) groter dan 100; of

3. een bandbreedte van meer dan 250 MHz; of

4. een dispersieve vertraging groter dan 10 microseconden; of

c.

een draaggolffrequentie van 1 GHz of lager, en met een of meer van de volgende kenmerken:

1. een product van de maximale vertragingstijd (in microseconden) en de bandbreedte (in MHz) groter dan 100;

2. een dispersieve vertraging groter dan 10 microseconden; of

3. een onderdrukking van de zijlobben groter dan 55 dB en een bandbreedte van meer dan 50 MHz;

2. elementen waarbij gebruik wordt gemaakt van akoestische golven in de gehele massa van het materiaal (bulk wave) (d.w.z. signaalverwerkende elementen die gebruikmaken van elastische golven) en die geschikt zijn voor directe verwerking van signalen met frequenties hoger dan 1 GHz;

3. akoestisch-optische signaalverwerkende elementen die gebruikmaken van een wisselwerking tussen akoestische golven (bulk wave of surface wave) en lichtgolven en die geschikt zijn voor directe verwerking van signalen of beelden, met inbegrip van, doch niet beperkt tot, spectrale analyse, correlatie of convolutie.

d.

Elektronische elementen of schakelingen die onderdelen bevatten vervaardigd van supergeleidende materialen die speciaal zijn ontworpen om te werken bij temperaturen beneden de kritische temperatuur van ten minste een van de supergeleidende bestanddelen en met een of meer van de volgende functies:

1. stroomschakelen voor digitale schakelingen die gebruikmaken van supergeleidende poorten waarbij het product van de vertragingstijd per poort (in seconden) en het energieverlies per poort (in watt) kleiner is dan 10– 14 J, of

2. frequentieselectie bij alle frequenties met toepassing van afstemkringen met een Q-waarde hoger dan 10000.

e.

Hoge-energiecomponenten, als hieronder:

1. batterijen en fotovoltaïsche arrays, als hieronder: Noot: In 3A001.e.1 worden niet bedoeld batterijen met een inhoud gelijk aan of kleiner dan 27 cm3 (bv. standaard-C-cellen of R14-batterijen).

1. a.

primaire cellen en batterijen met een energiedichtheid groter dan 480 Wh/kg en gespecificeerd om te werken in het temperatuurgebied van lager dan 243 K (– 30 °C) tot hoger dan 343 K (70 °C);

b. Technische noot:

herlaadbare cellen en batterijen met een energiedichtheid groter dan 150 Wh/kg na 75 cyclussen van laden en ontladen bij een ontlaadstroom gelijk aan C/5 uur (waarbij C de nominale capaciteit is in ampère-uren) en wanneer deze werken in het temperatuurgebied van lager dan 253 K (– 20 °C) tot hoger dan 333 K (60 °C); De energiedichtheid wordt bepaald door het gemiddelde vermogen in watt (gemiddelde spanning in volt maal gemiddelde stroomsterkte in ampère) te vermenigvuldigen met de tijd (in uur), nodig om te ontladen tot 75 % van de onbelaste beginspanning, gedeeld door de totale massa van de cel (of batterij) uitgedrukt in kilogram.

c.

stralingsbestendige fotovoltaïsche arrays die zijn gekwalificeerd voor gebruik in de ruimte, met een specifiek vermogen groter dan 160 W/m2 gemeten bij een werktemperatuur van 301 K (28 °C) onder belichting met 1 kW/m2 afkomstig van een wolfraamdraad bij 2800 K (2527 °C);

2. condensatoren geschikt voor hoge-energieopslag, als hieronder: NB: ZIE OOK 3A201.a

2. a.

condensatoren met een herhalingssnelheid van minder dan 10 Hz (single shot-condensatoren) met alle volgende kenmerken:

1. een toelaatbare spanning gelijk aan of hoger dan 5 kV;

2. een energiedichtheid gelijk aan of hoger dan 250 J/kg, en

3. een totale energie gelijk aan of groter dan 25 kJ;

b.

condensatoren met een herhalingssnelheid van 10 Hz of meer (repetition-rated-condensatoren) met alle volgende kenmerken:

1. een toelaatbare spanning gelijk aan of hoger dan 5 kV;

2. een energiedichtheid gelijk aan of groter dan 50 J/kg;

3. een totale energie gelijk aan of meer dan 100 J, en

4. een levensduur gelijk aan of langer dan 10000 cyclussen van laden en ontladen;

3. supergeleidende elektromagneten en solenoïden die speciaal zijn ontworpen voor volledig opladen of ontladen in minder dan een seconde, met alle volgende kenmerken: NB: ZIE OOK 3A201.b Noot: In 3A001.e.3 zijn niet bedoeld supergeleidende elektromagneten of solenoïden die speciaal zijn ontworpen voor medische apparatuur voor beeldvorming door middel van magnetische resonantie (Magnetic Resonance Imaging — MRI).

3. a.

de in de eerste seconde tijdens de ontlading geleverde energie is meer dan 10 kJ;

b.

de binnendiameter van de stroomvoerende wikkelingen is groter dan 250 mm, en

c.

de apparatuur heeft een nominale magnetische inductie van meer dan 8 T of een nominale totale stroomdichtheid in de wikkeling hoger dan 300 A/mm2.

f.

Absolute positiecodeerapparaten van het type met roterende as met één van beide volgende kenmerken:

1. een scheidend vermogen beter dan 1:265000 van de volle schaalwaarde (18 bit resolutie), of

2. een nauwkeurigheid beter dan ± 2,5 boogseconden.

a.

Opnameapparatuur, als hieronder, en speciaal daarvoor ontworpen testband:

1. analoge magneetbandinstrumentatierecorders, met inbegrip van recorders waarmee digitale signalen kunnen worden geregistreerd (bv. met gebruik van een HDDR-moduul (digitaal registratiemoduul met hoge dichtheid) met een of meer van de volgende kenmerken: Noot: Analoge magneetbandrecorders die speciaal zijn ontworpen voor civiele videotoepassingen worden niet beschouwd als instrumentatierecorders.

1. a.

een bandbreedte per elektronisch kanaal of spoor groter dan 4 MHz;

b.

een bandbreedte per elektronisch kanaal of spoor groter dan 2 MHz en met meer dan 42 sporen, of

c.

met een tijdverschuivingsfout van minder dan 0,1 microseconde gemeten in overeenstemming met de van toepassing zijnde IRIG (Inter Range Instrumentation Group)- of EIA (Electronic Industries Association) documenten;

2. digitale magneetbandvideorecorders met een maximale digitale overbrengsnelheid van de interface groter dan 360 Mbits/s; Noot: In 3A002.a.2. worden niet bedoeld digitale magneetbandvideorecorders die speciaal zijn ontworpen voor televisieopnamen in een (al dan niet gecomprimeerd) signaalformaat in overeenstemming met de standaarden of aanbevelingen van de ITU, de IEC, de SMPTE, de ERU, het ETSI of het IEEE voor civiele televisietoepassingen;

3. digitale magneetbandinstrumentatierecorders voor het vastleggen van gegevens gebruikmakend van helical scan of vaste kop techniek, met een of meer van de volgende kenmerken: Noot: In 3A002.a.3 worden niet bedoeld analoge magneetbandrecorders uitgerust met HDDR conversie-elektronica en geconfigureerd voor registratie van uitsluitend digitale gegevens.

3. a.

een maximale digitale overbrengsnelheid van de interface groter dan 175 Mbits/s; of

b.

gekwalificeerd voor gebruik in de ruimte;

4. apparatuur met een maximale digitale overbrengsnelheid van de interface groter dan 175 Mbit/s, ontworpen voor het ombouwen van digitale magneetbandvideorecorders voor gebruik als digitale instrumentatiegegevensrecorders;

5. Technische noot:

waveform digitisers en recorders voor registratie van kortstondige verschijnselen (transient recorders) met beide volgende kenmerken: Bij instrumenten met een parallelle busarchitectuur is de continue verwerkingscapaciteit het product van de hoogste word rate en het aantal bit in een woord. Continue verwerkingscapaciteit betekent de grootste snelheid waarmee het instrument gegevens kan uitsturen naar het massageheugen zonder verlies van informatie terwijl de bemonsteringssnelheid en analoog/digitaal-omzetting niet worden onderbroken.

5. a.

digitaliseringssnelheid van 200 miljoen monsters per seconde en een scheidend vermogen van 10 bit of meer, en

b.

een continue verwerkingscapaciteit van 2 Gbit/s of meer.

6. digitale instrumentatierecorders, gebruikmakend van magneetschijfgeheugentechniek, met beide volgende kenmerken:

6. a.

digitaliseringssnelheid van 100 miljoen monsters per seconde en een scheidend vermogen van 8 bit of meer, en

b.

een continue verwerkingscapaciteit van 1 Gbit/s of meer.

b.

Samenstellingen van frequentiesynthesizers met een frequentiewisseltijd van de ene gekozen frequentie naar de andere van minder dan 1 ms.

c.

Radiofrequentie-signaalanalysatoren, als hieronder:

1. signaalanalysatoren geschikt voor het analyseren van frequenties hoger dan 31,8 GHz, maar niet hoger dan 37,5 GHz, en met een 3 dB resolutiebandbreedte hoger dan 10 MHz;

2. signaalanalysatoren geschikt voor het analyseren van frequenties hoger dan 43.5 GHz;

3. dynamische signaalanalysatoren met een tijdgebonden bandbreedte groter dan 25,6 kHz. Noot: In 3A002.c.3 worden niet bedoeld dynamische signaalanalysatoren die uitsluitend gebruikmaken van bandbreedtefilters met constant percentage (ook wel octaaf- of deeloctaaffilters genoemd).

d.

Synthesized signaalgeneratoren die uitgangsfrequenties afgeven waarvan de nauwkeurigheid en stabiliteit op korte of lange termijn wordt bepaald door, afgeleid van, of beheerst door de inwendige referentiestandaard en met een of meer van de volgende kenmerken: Noot: In 3A002.d wordt niet bedoeld apparatuur waarbij de uitgangsfrequentie wordt verkregen door het optellen of aftrekken van twee of meer kristaloscillatorfrequenties, waarna de uitkomst eventueel wordt vermenigvuldigd.

1. een maximale synthesized uitgangsfrequentie hoger dan 31,8 GHz maar niet hoger dan 43,5 GHz en gespecificeerd voor een pulsduur van minder dan 100 ns;

2. Een maximale synthesized uitgangsfrequentie hoger dan 43,5 GHz;

3. een frequentiewisseltijd van de ene gekozen frequentie naar de andere van minder dan 1 ms; of

4. Technische noot:

een enkel zijband (SSB)-faseruis, beter dan –(126 + 20 log10F – 20 log10f) in dBc/Hz, waarin F de verschuiving van de werkfrequentie is in Hz en f de werkfrequentie in MHz. In 3A002.d.1. wordt onder pulsduur verstaan het tijdsinterval tussen het moment waarop het pulsfront 90 % van de piekwaarde bereikt en het moment waarop het pulsdal 10 % van de piekwaarde bereikt.

e.

Netwerkanalysatoren met een maximale werkfrequentie hoger dan 43,5 GHz.

f.

Microgolftestontvangers met beide volgende kenmerken:

1. een maximale werkfrequentie hoger dan 43,5 GHz; en

2. geschikt voor het gelijktijdig meten van amplitude en fase.

g.

Atomaire frequentiestandaarden met een van beide volgende kenmerken: Noot: In 3A002.g.1 worden niet bedoeld rubidiumstandaarden die niet gekwalificeerd voor gebruik in de ruimte zijn.

1. stabiliteit (aging) minder (beter) dan 1 × 10– 11/maand, of

2. gekwalificeerd voor gebruik in de ruimte.

a.

analoog/digitaal-omzetters, geschikt voor gebruik in raketten en gespecificeerd om te voldoen aan de militaire specificaties voor ruw gebruik voor apparatuur;

b.

versnellers waarmee elektromagnetische straling kan worden geproduceerd in de vorm van remstraling afkomstig van versnelde elektronen met een energie van 2 MeV of meer en systemen die deze versnellers bevatten. Noot: In 3A101.b wordt niet bedoeld apparatuur speciaal bestemd voor medische doeleinden.

a.

condensators met een van de volgende groepen kenmerken:

1. a.

een toelaatbare spanning hoger dan 1,4 kV,

b.

energieopslag groter dan 10 J,

c.

capaciteit groter dan 0,5 μF, en

d.

serie-inductantie minder dan 50 nH, of

2. a.

een toelaatbare spanning hoger dan 750 V,

b.

capaciteit groter dan 0,25 μF, en

c.

serie-inductantie minder dan 10 nH;

b.

supergeleidende solenoïde elektromagneten met alle volgende kenmerken: Noot: In 3A201.b worden niet bedoeld magneten die speciaal zijn ontworpen voor en worden uitgevoerd als onderdeel van medische apparatuur voor beeldvorming door middel van kernmagnetische resonantie (Nuclear Magnetic Resonance — NMR). De zinsnede als onderdeel van betekent niet noodzakelijkerwijs werkelijk als onderdeel van dezelfde zending. Afzonderlijke zendingen vanuit verschillende bronnen zijn toegestaan, mits in de bijbehorende exportdocumenten duidelijk wordt vermeld dat de zendingen als onderdeel van de beeldvormende systemen worden verzonden.

1. geschikt voor het opwekken van een magnetisch veld van meer dan 2 T;

2. L/D (lengte gedeeld door binnendiameter) groter dan 2;

3. de binnendiameter is groter dan 300 mm; en

4. met een magneetveld dat over 50 % van het interne veld uniform is tot beter dan 1 %;

c. Technische noten:

röntgengeneratoren met flitsontlading of gepulseerde elektronenversnellers met een van de volgende groepen kenmerken: Noot: In 3A201.c. worden niet bedoeld versnellers die een bestanddeel zijn van toestellen ontworpen voor andere toepassingen dan elektronenbundels of röntgenstraling (bv. elektronenmicroscopie) en versnellers ontworpen voor medische toepassingen

c.

1. a.

een elektronpiekenergie van 500 keV of meer doch minder dan 25 MeV, en

b.

een prestatiegetal (K) van 0,25 of hoger, of

2. a.

een elektronpiekenergie van 25 MeV of meer, en

b.

een piekvermogen groter dan 50 MW.

c. Technische noten:

1. Het prestatiegetal wordt als volgt gedefinieerd: K = 1,7 ñ103V2,65Q, waarin V de elektronpiekenergie is in miljoen elektronvolt. Bij een bundelpulsduur korter dan of gelijk aan 1 microseconde is Q de totale versnelde lading in coulomb. Bij een bundelpulsduur langer dan 1 microseconde is Q de maximale versnelde lading in 1 microseconde. Q is gelijk aan de integraal van i over de tijd t, zijnde ofwel 1 microseconde ofwel de tijdsduur van de bundelpuls, welk van de twee het kortste is (Q = idt), waarbij i de bundelstroom in ampère is en t de tijd in seconden.

2. Piekvermogen = (piekspanning in volt) × (maximale bundelstroom in ampère).

3. In machines die werken op basis van versnellende microgolftrilholtes is de tijdsduur van de bundelpuls ofwel 1 microseconde ofwel de duur van de door een microgolfmodulatorpuls voortgebrachte deeltjesbundel, welk van de twee het kortste is.

4. In machines die werken op basis van versnellende microgolftrilholtes is de maximale bundelstroom de gemiddelde stroom voor de duur van een bundelpuls.

a.

een meerfasige uitgang geschikt voor het leveren van een vermogen van 40 W of groter;

b.

geschikt om te werken in het frequentiegebied van 600 tot 2000 Hz;

c.

totale harmonische vervorming beter (minder) dan 10 %, en

d.

frequentieafwijking kleiner dan 0,1 %.

3ASystemen, apparatuur en onderdelen Technische noot: a.

over een periode van acht uur ononderbroken 100 V of meer kunnen produceren bij een stroom van 500 A of meer, en

b.

met een stroom- of spanningsstabiliteit beter dan 0,1 % over een periode van acht uur.

a.

over een periode van acht uur ononderbroken 20 kV of meer kunnen produceren bij een stroom van 1 A of meer, en

b.

met een stroom- of spanningsstabiliteit beter dan 0,1 % over een periode van acht uur.

a.

buizen met koude kathode, al dan niet met gas gevuld, die op dezelfde wijze als een vonkbrug werken, en alle volgende kenmerken hebben: Noot: Onder 3A228 vallen met gas gevulde krytronbuizen en vacuümsprytronbuizen.

1. drie of meer elektroden;

2. een maximale anodespanning van 2500 V of meer,

3. een maximale anodestroomsterkte van 100 A of meer, en

4. een anodevertragingstijd van 10 microseconden of minder;

b.

gestuurde vonkbruggen met beide volgende kenmerken:

1. een anodevertragingstijd van 15 microseconden of minder, en

2. een toelaatbare maximale stroomsterkte van 500 A of meer;

c.

modulen of samenstellingen met een snelle schakelfunctie met alle volgende kenmerken:

1. een maximale anodespanning hoger dan 2 kV;

2. een maximale anodestroomsterkte van 500 A of meer, en

3. een inschakeltijd van 1 microseconde of minder.

a.

ontstekingsmechanismen met explosieve detonator, ontworpen voor het starten van meervoudige detonators als vermeld in 3A232;

b. Technische noot:

modulaire elektrische pulsgeneratoren (pulseerders) met alle volgende kenmerken: Noot: 3A229.b. omvat starters voor xenonflitslampen. In 3A229.b.5. is de stijgtijd gedefinieerd als het tijdsinterval dat verstrijkt tussen het bereiken van 10 % van de piekstroom en 90 % van de piekstroom als de generator op een ohmse weerstand wordt aangesloten.

b.

1. ontworpen voor draagbaar, mobiel of ruw gebruik;

2. gevat in een stofdicht huis;

3. geschikt voor afgifte van hun energie in minder dan 15 microseconden;

4. met een uitgangsstroomsterkte hoger dan 100 A;

5. met een stijgtijd korter dan 10 microseconden in een belasting van minder dan 40 ohm;

6. geen enkele afmeting groter dan 25,4 cm;

7. gewicht minder dan 25 kg, en

8. gespecificeerd voor gebruik in een breed temperatuurgebied 223 K (– 50 °C) tot 373 K (100 °C) of gespecificeerd als geschikt voor ruimtevaarttoepassingen.

a.

een uitgangsspanning van meer dan 6 V in een weerstandsbelasting van minder dan 55 ohm, en

b.

met een pulsstijgtijd van minder dan 500 picoseconden.

3ASystemen, apparatuur en onderdelen Technische noot: Technische noot: a.

ontworpen om te werken zonder uitwendig vacuümsysteem, en

b.

gebruik maken van elektrostatische versnelling voor het opwekken van een tritium-deuterium-kernreactie.

a.

elektrische gestarte explosieve detonators, als hieronder:

1. exploding bridge (EB);

2. exploding bridge wire (EBW);

3. slapper; en

4. exploding foil-ontstekingen (EFI);

b.

opstellingen waarbij gebruik wordt gemaakt van enkel- of meervoudige detonators en die zijn ontworpen om door middel van een enkel ontstekingssignaal een explosief oppervlak van meer dan 5000 mm2 bijna gelijktijdig tot ontploffing te brengen met een ontstekingstijdmarge over het oppervlak van minder dan 2,5 microseconden.

3ASystemen, apparatuur en onderdelen Technische noot: Technische noot: Technische noot: a.

inductief gekoppelde plasmamassaspectrometers (ICP/MS);

b.

massaspectrometers werkend door middel van een gloeiontlading (GDMS);

c.

massaspectrometers werkend door middel van thermische ionisatie (TIMS);

d.

massaspectrometers werkend door middel van elektronenbeschieting, met een bronkamer vervaardigd van of bedekt met een materiaal dat bestand is tegen UF6;

e.

massaspectrometers werkend met een molecuulbundel, met één van de volgende kenmerken:

1. een bronkamer vervaardigd van of bedekt met roestvrij staal of molybdeen en uitgerust met een koelval die tot 193 K (– 80 °C) of lager kan worden afgekoeld, of

2. een bronkamer vervaardigd van of bedekt met materiaal dat bestand is tegen UF6, of

f.

massaspectrometers werkend met een microfluoreer-ionenbron ontworpen voor actiniden of actinidefluoriden.

3BTest-, inspectie- en productieapparatuur

3B001Productieapparatuur voor halfgeleiderelementen of -materialen, als hieronder, en speciaal ontworpen onderdelen en toebehoren daarvoor: 3B002Testapparatuur, speciaal ontworpen voor het testen van afgewerkte of halfafgewerkte halfgeleiderelementen, als hieronder, en speciaal daarvoor ontworpen onderdelen en toebehoren:

a.

Apparatuur voor epitaxiale groei, als hieronder:

1. geschikt om een laag van een ander materiaal dan silicium met een laagdikte-uniformiteit beter dan ± 2,5 % over een afstand van 75 mm of meer te produceren;

2. reactoren voor het chemisch neerslaan van organometaaldamp (MOCVD), speciaal ontworpen voor kristalgroei van samengestelde halfgeleiderverbindingen door de chemische reactie tussen materialen bedoeld in 3C003 of 3C004;

3. apparatuur voor het opbrengen van epitaxiale lagen door middel van moleculaire bundels met gebruik van gasvormige of vaste bronnen;

b.

Apparatuur ontworpen voor ionenimplantatie, met een of meer van de volgende kenmerken:

1. een stralingsenergie (versnellingsspanning) van meer dan 1 MeV;

2. speciaal ontworpen voor optimale werking met een stralingsenergie (versnellingsspanning) van minder dan 2 keV;

3. geschikt voor direct schrijven; of

4. een stralingsenergie van 65 keV of meer en een bundelstroomsterkte van 45 mA of meer om met hoge energie zuurstof te implanteren in een verwarmd substraat bestaande uit halfgeleidermateriaal;

c.

Apparatuur voor het etsen door middel van anisotrope droge methoden (met plasma), als hieronder:

1. met een cassette-to-cassette en load-lock-wafertransportsysteem en met een van beide volgende kenmerken:

1. a.

ontworpen of geoptimaliseerd om kritische afmetingen te produceren van 180 nm of minder met een precisie van ± 5 % 3 sigma; of

b.

ontworpen voor het voortbrengen van minder dan 0,04 deeltjes/cm2 met een meetbare deeltjesgrootte van meer dan 0,1 micrometer in doorsnede;

2. speciaal ontworpen voor apparatuur bedoeld in 3B001.e en met een van beide volgende kenmerken:

2. a.

ontworpen of geoptimaliseerd om kritische afmetingen te produceren van 180 nm of minder met een precisie van ± 5 % 3 sigma; of

b.

ontworpen voor het voortbrengen van minder dan 0,04 deeltjes/cm2 met een meetbare deeltjesgrootte van meer dan 0,1 micrometer in doorsnede;

d.

Apparatuur voor het met plasma versterkt chemisch neerslaan uit de dampfase (PECVD), als hieronder:

1. met een cassette-to-cassette en load-lock-wafertransportsysteem ontworpen volgens de specificaties van de fabrikant of geoptimaliseerd om te worden gebruikt voor het produceren van halfgeleiderelementen met kritische afmetingen van 180 nm of minder;

2. speciaal ontworpen voor apparatuur bedoeld in 3B001.e en ontworpen volgens de specificaties van de fabrikant of geoptimaliseerd om te worden gebruikt voor het produceren van halfgeleiderelementen met kritische afmetingen van 180 nm of minder

e.

Centrale wafertransportsystemen met meerdere kamers, voor het automatisch laden van de wafers en met: Noot: In 3B001.e worden niet bedoeld robotachtige automatische wafertransportsystemen die niet zijn ontworpen om te werken in een vacuümomgeving.

1. interfaces voor de in- en uitvoer van de wafers, waaraan meer dan twee halfgeleiderbewerkingsapparaten zullen worden aangesloten, en

2. ontworpen ter vorming van een geïntegreerd systeem in een vacuümomgeving voor stapsgewijze bewerking van verscheidene wafers tegelijk;

f.

Lithografische apparatuur, als hieronder:

1. repeteerapparatuur (step and repeat (direct step on wafer) apparatuur of step and scan (scanner) apparatuur) voor uitrichten en belichten ten behoeve van het bewerken van wafers, waarbij gebruik wordt gemaakt van foto-optische of röntgenmethoden, met één of beide van de volgende kenmerken:

1. a.

golflengte van de lichtbron korter dan 245 nm; of

b. Technische noot:

in staat om patronen te produceren met een MRF (minimum resolvable feature size) van 180 nm of minder; De minimum resolvable feature size wordt berekend volgens de volgende formule: MRF = golflengte van de lichtbron in nm × K factornumerieke apertuur waarbij de K factor = 0,45 MRF = minimum resolvable feature size;

2. apparatuur die speciaal is ontworpen voor het vervaardigen van maskers of het bewerken van halfgeleiderelementen en die gebruik maken van afgebogen en gefocusseerde elektronen-, ionen- of laser-bundels, met één of meer van de volgende kenmerken:

2. a.

met een brandpuntsvlak kleiner dan 0,2 micrometer;

b.

geschikt voor het maken van patroonelementen kleiner dan 1 micrometer; of

c.

overlay-nauwkeurigheid beter dan 0,20 micrometer (3 sigma);

g.

maskers of fijne optische netwerken (reticles) voor geïntegreerde schakelingen, vermeld in 3A001;

h.

maskers bestaande uit verscheidene lagen met een faseverschuivingslaag. Noot: In 3B001.h zijn niet bedoeld maskers bestaande uit verscheidene lagen met een faseverschuivingslaag die ontworpen zijn voor de fabricage van geheugenmedia die niet onder 3AB001 vallen.

a.

voor het testen van S-parameters van transistorelementen bij frequenties hoger dan 31,8 GHz;

b.

niet gebruikt;

c.

voor het testen van in 3A001.b.2 vermelde geïntegreerde schakelingen voor microgolven;

3CMaterialen 3C001Hetero-epitaxiale materialen bestaande uit een substraat met verscheidene gestapelde epitaxiaal gegroeide lagen van: 3C002Resists (gevoelige lagen), als hieronder, en substraten bekleed met aan vergunningsplicht onderworpen resists: 3C003Organisch-anorganische verbindingen, als hieronder: Noot: In 3C003 worden alleen bedoeld verbindingen waarvan het metallische, deels metallische of niet-metallische element direct gekoppeld is aan koolstof in het organische deel van het molecuul. 3C004Hydriden van fosfor, arseen of antimoon, met een zuiverheid hoger dan 99,999 %, zelfs bij verdunning in edelgassen of waterstof. Noot: In 3C004 zijn niet bedoeld hydriden die 20 mol % of meer edelgassen of waterstof bevatten.

3CMaterialen a.

silicium;

b.

germanium;

c.

siliciumcarbide; of

d. Technische noot:

III/V gallium- of indiumverbindingen. III/V-verbindingen zijn polykristallijne, binaire of complexe monokristallijne producten bestaande uit elementen uit de groepen IIIA en VA van het periodieke systeem van Mendelejev (galliumarsenide, gallium-aluminiumarsenide, indiumfosfide, enz.).

a.

positieve resists ontworpen voor halfgeleiderlithografie, die optimaal geschikt zijn gemaakt voor gebruik bij golflengten van minder dan 350 nm;

b.

alle resists ontworpen voor gebruik met elektronen- of ionenbundels met een gevoeligheid van 0,01 microcoulomb/mm2 of beter;

c.

alle resists ontworpen voor gebruik met röntgenstralen met een gevoeligheid van 2,5 mJ/mm2 of beter;

d. Technische noot:

alle resists die optimaal geschikt zijn gemaakt voor beeldvorming aan het oppervlak, met inbegrip van gesilyleerde resists. Silyleertechnieken zijn procédés waarbij het oppervlak van de resists wordt geoxideerd ter verhoging van de kwaliteit bij zowel natte als droge ontwikkeling.

a.

organische metaalverbindingen van aluminium, gallium of indium met een zuiverheidsgraad (op metaalbasis) hoger dan 99,999 %;

b.

organische arseen-, antimoon- en fosforverbindingen met een zuiverheidsgraad (op basis van de anorganische elementen) hoger dan 99,999 %.

3DProgrammatuur Technische noot:

3D001Programmatuur (software), speciaal ontworpen voor de ontwikkeling of de productie van apparatuur, vermeld in 3A001.b t/m 3A002.g of in 3B. 3D002Programmatuur, speciaal ontworpen voor het gebruik van een van de volgende: 3D003Op fysische elementen gebaseerde simulatieprogrammatuur, speciaal ontworpen voor de ontwikkeling van lithografische, ets- of opdampingsprocédés voor het omzetten van maskerpatronen in specifieke topografische patronen in geleiders en diëlektrische of halfgeleidermaterialen. In 3D003 betekent op fysische elementen gebaseerde het gebruik maken van berekeningen om een fysische oorzaak-en-gevolg-keten te berekenen op basis van fysische grootheden (bv. temperatuur, druk, diffusieconstanten en eigenschappen van halfgeleidermaterialen). Noot: Bibliotheken, ontwerpmodellen of daarmee samenhangende gegevens voor het ontwerpen van halfgeleiderelementen of geïntegreerde schakelingen worden beschouwd als technologie. 3D004Programmatuur, speciaal ontworpen voor de ontwikkeling van apparatuur als vermeld in 3A003. 3D101Programmatuur, speciaal ontworpen of aangepast voor het gebruik van apparatuur als vermeld in 3A101.b.

3DProgrammatuur a.

apparatuur vermeld in 3B001.a tot en met f; of

b.

apparatuur vermeld in 3B002.

3ETechnologie Technische noot:

3E001Technologie volgens de algemene technologienoot voor de ontwikkeling of productie van apparatuur of materialen, vermeld in 3A, 3B of 3C; Noot 1: In 3E001 wordt niet bedoeld technologie voor de productie van apparatuur of onderdelen die onder 3A003 vallen. Noot 2: In 3E001 wordt niet bedoeld technologie voor de ontwikkeling of de productie van geïntegreerde schakelingen bedoeld in 3A001.a.3 t/m 3A001.a.12, met beide volgende kenmerken: De term meerlagenstructuur omvat niet elementen met maximaal drie metaallagen en drie lagen van polysilicium. 3E002Technologie volgens de algemene technologienoot, anders dan vermeld in 3E001, voor de ontwikkeling of de productie van microprocessormicroschakelingen, microcomputermicroschakelingen en microbesturingmicroschakelingen met een totale theoretische prestatie (CTP) van 530 miljoen theoretische bewerkingen per seconde (Mtops) of meer en een logische rekeneenheid (ALU) met een toegangsbereik van 32 bit of meer. Noot: Noot 2 betreffende de vrijstellingen bij 3E001 geldt eveneens voor 3E002. 3E003Andere technologie voor de ontwikkeling of productie van: 3E101Technologie volgens de algemene technologienoot voor het gebruik van apparatuur of programmatuur, vermeld in 3A001.a.1 of 2, 3A101 of 3D101. 3E102Technologie volgens de algemene technologienoot voor de ontwikkeling van programmatuur, vermeld in 3D101. 3E201Technologie volgens de algemene technologienoot voor het gebruik van apparatuur, vermeld in 3A001.e.2, 3A001.e.3, 3A201, 3A225 t/m 3A233.

3ETechnologie

1. er wordt gebruik gemaakt van technologie van 0,5 micrometer of meer, en

2. bevat geen meerlagenstructuur.

3ETechnologie Technische noot: a.

micro-elektronische vacuümelementen;

b.

halfgeleiderelementen met een heterostructuur, zoals transistors met hoge elektronenmobiliteit (HEMT), hetero bipolaire transistors (HBT), elementen met een quantumval of superrooster; Noot: In 3E003.b is niet bedoeld technologie voor hoge-elektronenmobiliteittransistoren (HEMT) werkende bij frequenties van minder dan 31,8 GHz en hetero-junction bipolaire transistoren (HBT) werkende bij frequenties van minder dan 31,8 GHz.,

c.

supergeleidende elektronische elementen;

d.

substraten van diamantfilm voor elektronische componenten;

e.

SOI (silicon-on-insulator)-substraten voor geïntegreerde schakelingen met siliciumdioxide als isolator;

f.

substraten van siliciumcarbide voor elektronische onderdelen;

g.

elektronische vacuümbuizen werkende bij frequenties van 31,8 GHz of hoger.

CATEGORIE 4 COMPUTERS

Noot 1: Computers, aanverwante apparatuur of programmatuur die telecommunicatie- of lokaal netwerk- functies verrichten, dienen tevens te worden getoetst aan de criteria van categorie 5, deel 1 (Telecommunicatie). Noot 2: Besturingseenheden die zorgen voor de directe onderlinge verbinding van de hoofdlijnen of kanalen van de centrale verwerkingseenheden, het werkgeheugen en de schijvenbesturingseenheden worden niet beschouwd als telecommunicatieapparatuur als omschreven in categorie 5, deel 1 (Telecommunicatie). NB: Zie 5D001 voor de embargostatus van programmatuur die speciaal is ontworpen voor pakketschakelen. Noot 3: Computers, aanverwante apparatuur of programmatuur die cryptografische of cryptoanalytische functies verrichten of certificeerbare veiligheid op verscheidene niveaus of certificeerbare gebruikersisolatie verschaffen, of die de elektromagnetische compatibiliteit (EMC) beperken, dienen tevens te worden getoetst aan de criteria van categorie 5, deel 2 (Informatiebeveiliging).

4ASystemen, apparatuur en onderdelen

4A001Elektronische computers en aanverwante apparatuur, als hieronder, en samenstellingen en speciaal daarvoor ontworpen onderdelen: NB: ZIE OOK 4A101 4A003Digitale computers, samenstellingen en aanverwante apparatuur daarvoor, zoals hieronder vermeld, en speciaal daarvoor ontworpen onderdelen: Noot 1: In 4A003 zijn mede bedoeld: Noot 2: De embargostatus van de in 4A003 omschreven digitale computers of aanverwante apparatuur wordt bepaald door de embargostatus van andere apparatuur of systemen, mits: 4A004Computers, als hieronder, en speciaal daarvoor ontworpen aanverwante apparatuur, samenstellingen en onderdelen: 4A101Analoge computers, digitale computers of digitale differentiaalanalysators, anders dan bedoeld in 4A001.a.1, geschikt voor ruw gebruik en ontworpen of aangepast voor gebruik in ruimtelanceervoertuigen, vermeld in 9A004, of sonderingsraketten, vermeld in 9A104. 4A102Hybride computers, speciaal ontworpen voor het modelleren, simuleren of integreren van het ontwerp van ruimtelanceervoertuigen, vermeld in 9A004, of sonderingsraketten, vermeld in 9A104. Noot: Deze post is alleen van toepassing als de apparatuur wordt geleverd met programmatuur, vermeld in 7D103 of 9D103.

a.

speciaal ontworpen voor één van beide volgende kenmerken:

1. gespecificeerd voor werktemperaturen lager dan 228 K (– 45 °C) of hoger dan 358 K (85 °C); Noot: 4A001.a.1 is niet van toepassing op computers die speciaal zijn ontworpen voor toepassingen in civiele automobielen of treinen.

2. de stralingsbestendigheid overschrijdt één of meer van de volgende specificaties: a. totale dosis 5 × 103 Gy (silicium); b. storing bij dosistempo 5 × 106 Gy (silicium)/sec; of c. storing éénmalige gebeurtenis 1 × 10-7 fout/bit/dag;

b.

met kenmerken of functies die de limieten van categorie 5, deel 2 (Informatiebeveiliging) te boven gaan. Noot: In 4A001.b zijn niet bedoeld elektronische computers en aanverwante apparatuur wanneer zij voor persoonlijk gebruik bestemd zijn en door de gebruiker worden meegevoerd.

a.

vectorprocessoren,

b.

array-processoren,

c.

digitale signaalprocessoren,

d.

logische processoren,

e.

apparatuur voor beeldverbetering,

f.

apparatuur voor signaalverwerking.

a.

de digitale computers of aanverwante apparatuur essentieel zijn voor de werking van de andere apparatuur of systemen;

b.

de digitale computers of de aanverwante apparatuur niet een voornaamste deel van de andere apparatuur of systemen vormen; en NB 1: De embargostatus van apparatuur voor signaalverwerking of beeldverbetering speciaal ontworpen voor andere apparatuur, waarvan de functies beperkt zijn tot die welke noodzakelijk zijn voor die andere apparatuur, wordt bepaald door de embargostatus van die andere apparatuur, ook indien het criterium betreffende het voornaamste deel wordt overschreden. NB 2: Zie categorie 5 (Deel 1 — Telecommunicatie) voor de embargostatus van digitale computers of aanverwante apparatuur voor telecommunicatieuitrusting.

c.

de technologie voor de digitale computers en aanverwante apparatuur wordt bepaald door 4E.

a.

ontworpen of aangepast voor storingstolerantie; Noot:Digitale computers en aanverwante apparatuur als bedoeld in 4A003.a zijn niet ontworpen of aangepast voor storingstolerantie als zij gebruik maken van één of meer van de volgende voorzieningen:

1. in het werkgeheugen opgeslagen algoritmen voor het opsporen of corrigeren van storingen;

2. de koppeling van twee digitale computers, zodanig dat, als de actieve centrale verwerkingseenheid uitvalt, een niet actieve maar identieke centrale verwerkingseenheid het functioneren van het systeem kan voortzetten;

3. de koppeling van twee centrale verwerkingseenheden met behulp van gegevenskanalen of door middel van een gemeenschappelijk geheugen, zodanig dat één centrale verwerkingseenheid ander werk kan verrichten totdat de tweede centrale verwerkingseenheid uitvalt, op welk moment de eerste centrale verwerkingseenheid het werk overneemt teneinde het functioneren van het systeem voort te zetten; of

4. de synchronisatie van twee centrale verwerkingseenheden met behulp van programmatuur, zodanig dat de ene centrale verwerkingseenheid merkt wanneer de andere uitvalt en meteen taken van de uitgevallen eenheid overneemt.

b.

digitale computers met een aangepast piekvermogen (APP: Adjusted Peak Performance) van meer dan 0,75 gewogen TeraFLOPS (WT);

c.

samenstellingen, speciaal ontworpen of aangepast voor verhoging van de prestaties door samenvoeging van processoren, zodat de APP van de samengevoegde processoren de limiet van 4A003.b overschrijdt; Noot 1: 4A003.c is uitsluitend van toepassing op samenstellingen en programmeerbare onderlinge verbindingen die de limieten van 4A003.b niet te boven gaan, wanneer deze als niet-geïntegreerde samenstellingen worden geëxporteerd. 4A003.c is niet van toepassing op samenstellingen die van zichzelf door de aard van hun ontwerp beperkt zijn tot gebruik als aanverwante apparatuur, vermeld in 4A003.e. Noot 2: Niet bedoeld zijn in 4A003.d samenstellingen, speciaal ontworpen voor een product of groep van producten waarvan de maximale configuratie de limiet van 4A003.b niet te boven gaat.

d.

niet gebruikt;

e.

apparatuur die analoog-naar-digitaal-omzettingen kan uitvoeren en de limieten van 3A001.a.5 te boven gaat;

f.

niet gebruikt;

g.

apparatuur, speciaal ontworpen voor het extern onderling verbinden van digitale computers of aanverwante apparatuur, welke communicatie met een gegevenssnelheid groter dan 1,25 Gbyte/s mogelijk maakt. Noot: In 4A003.g worden niet bedoeld interne onderlinge verbindingen (zoals backplanes, buses), passieve onderlinge verbindingen, netwerktoegangsbesturingseenheden of communicatiekanaalbesturingseenheden.

a.

systolic array-computers;

b.

neurale computers;

c.

optische computers.

4BTest-, inspectie- en productieapparatuur

Geen.

4CMaterialen Geen.

4DProgrammatuur

Noot: De embargostatus van programmatuur voor de ontwikkeling, de productie, of het gebruik van apparatuur omschreven in andere categorieën, wordt in de desbetreffende categorie behandeld. De embargostatus van programmatuur voor apparatuur, omschreven in de onderhavige categorie, wordt hier behandeld. 4D002Programmatuur, speciaal ontworpen of aangepast voor ondersteuning van technologie, vermeld in 4E. 4D003Specifieke programmatuur, als hieronder:

4D001a. Programmatuur, speciaal ontworpen of aangepast voor de ontwikkeling, de productie of het gebruik van apparatuur, materialen of programmatuur, vermeld in 4A001 t/m 4A004 of 4D.

b.

Andere dan de onder 4D001a genoemde programmatuur, speciaal ontworpen of aangepast voor de ontwikkeling of de productie van:

1. digitale computers met een aangepast piekvermogen (APP) van meer dan 0,04 gewogen TeraFLOPS (WT), of

2. samenstellingen, speciaal ontworpen of aangepast voor verhoging van de prestaties door samenvoeging van processoren zodat de APP van de samengevoegde processoren de limiet van 4D001.b.1 overschrijdt;

a.

programmatuur voor bedrijfssystemen, ontwikkelingsinstrumenten voor programmatuur en compileerprogramma’s, speciaal ontworpen voor apparatuur voor verwerking van meervoudige stromen van gegevens, in broncode;

b.

niet gebruikt;

c.

programmatuur met kenmerken of functies die de limieten van categorie 5, deel 2 (Informatiebeveiliging) te boven gaan. Noot: In 4D003.c is niet bedoeld programmatuur wanneer zij voor persoonlijk gebruik bestemd is en door de gebruiker wordt meegevoerd.

4ETechnologie

4E001a. Technologie overeenkomstig de algemene technologienoot voor de ontwikkeling, de productie of het gebruik van apparatuur, materialen of programmatuur, vermeld in 4A of 4D.

b.

Andere dan de onder 4E001a genoemde technologie, speciaal ontworpen of aangepast voor de ontwikkeling of de productie van:

1. digitale computers met een aangepast piekvermogen (APP) van meer dan 0,04 TeraFLOPS (WT), of

2. samenstellingen, speciaal ontworpen of aangepast voor verhoging van de prestaties door samenvoeging van processoren zodat de APP van de samengevoegde processoren de limiet van 4E001.b.1 overschrijdt.

Technische noot betreffende de totale theoretische prestatie(composite theoretical performance (CTP)) Afkortingen in deze technische noot

CE computing element (rekenelement — doorgaans een rekenkundige logische eenheid) FP Floating point (drijvende komma) XP fixed point (vaste komma) t uitvoeringstijd XOR exclusive OR (exclusieve OF) CPU central processing unit' (centrale verwerkingseenheid) TP theoretical performance (theoretische prestatie van één enkel CE) CTP composite theoretical performance (totale theoretische prestatie van verscheidene CE’s) R effective calculating rate (effectieve rekensnelheid) WL woordlengte L compensatiefactor voor de woordlengte * vermenigvuldiging De uitvoeringstijd t wordt uitgedrukt in microseconden, TP en CTP worden uitgedrukt in miljoenen theoretische bewerkingen per seconde (Mtops) en WL wordt uitgedrukt in bits.

De berekening van CTP

CTP is een maat voor de rekenprestaties, uitgedrukt in Mtops. Om de CTP van een combinatie van CE’s te berekenen, worden de volgende drie stappen gevolgd: Hieronder worden deze stappen nader uiteengezet. Noot 1: Voor combinaties van een aantal CE’s met zowel gemeenschappelijke als niet-gemeenschappelijke geheugensubsystemen vindt de berekening van CTP hiërarchisch plaats in twee stappen: eerst wordt de groep van CE’s met gemeenschappelijk geheugen samengevoegd, vervolgens wordt de CTP van de groepen berekend volgens de methode voor verscheidene CE’s die geen gemeenschappelijk geheugen hebben. Noot 2: CE’s die zijn beperkt tot input/output en randapparatuurfuncties (bijvoorbeeld disk drive, communicatie en video display controllers) worden bij de berekening van CTP niet in aanmerking genomen.

1. Bereken de effectieve rekensnelheid R voor elk CE;

2. Bepaal de theoretische prestatie (TP) voor elk CE door de compensatiefactor voor de woordlengte (L) in de effectieve rekensnelheid (R) te verrekenen;

3. Combineer in het geval van meer dan één CE de TP’s tot een CTP voor de combinatie.

TECHNISCHE NOOT BETREFFENDE DE CTP

In de onderstaande tabel wordt aangegeven hoe de effectieve rekensnelheid (R) voor elk rekenelement CE wordt berekend: Stap 1: De effectieve rekensnelheid R Voor CE’s met daarin geïmplementeerd: Noot: Elk CE afzonderlijk behandelen Effectieve rekensnelheid R Alleen XP Rxp = 13 × txp add als geen add (optellen) is geïmplementeerd dan: Rxp = 1txp mult Als noch add noch multiply (vermenigvuldigen) is geïmplementeerd gebruik dan de snelste beschikbare rekenkundige bewerking als volgt: Rxp = 13 × txp Zie noten X en Z Alleen FP Rfp = max 1tfp add, 1tfp mult Zie noten X en Y Zowel FP als XP (R) Bereken R xp, R fp Voor eenvoudige logische processoren zonder de genoemde rekenkundige bewerkingen. R = 13 × tlog Waarin tlog de uitvoeringstijd van de XOR is, of voor logische apparatuur zonder de XOR-functie de snelste eenvoudige logische bewerking. Zie noten X en Z Voor speciale logische processoren zonder de genoemde rekenkundige of logische bewerkingen. R = R' × WL/64 waarin R' het aantal resultaten per seconde is, WL het aantal bits waarop de logische bewerking plaatsvindt en 64 een factor om op een 64-bitbewerking te normeren. Noot W: Voor een pijplijn CE die per klokcyclus, nadat de pijplijn vol is, maximaal één rekenkundige of logische bewerking kan uitvoeren, kan een pijplijnsnelheid worden bepaald. In dat geval wordt van de pijplijnsnelheid en de verwerkingssnelheid zonder pijplijn de hoogste waarde als effectieve rekensnelheid genomen. Noot X: Voor CE’s die verscheidene bewerkingen van een bepaald type in één cyclus verrichten (bijvoorbeeld twee optellingen of twee identieke logische bewerkingen per cyclus), wordt de uitvoeringstijd t gegeven door: t =cyclustijdaantal identieke bewerkingen per machinecyclus CE’s die verschillende typen rekenkundige of logische bewerkingen in één machinecyclus verrichten, worden behandeld als verschillende afzonderlijke CE’s die gelijktijdig werken (bijvoorbeeld een CE dat een optelling en een vermenigvuldiging in één cyclus verricht, wordt behandeld als twee CE’s die respectievelijk één optelling in één cyclus en één vermenigvuldiging in één cyclus verrichten). Als een afzonderlijk CE zowel een scalaire functie als een vectorfunctie heeft, wordt de kortste uitvoeringstijd genomen. Noot Y: Als in het CE geen FP add of FP multiply zijn geïmplementeerd maar het CE FP divide (delen) verricht: Rfp = 1tfp divide Als in het CE FP reciprocal is geïmplementeerd, maar niet FP add, FP multiply of FP divide, dan: Rfp = 1tfp reciprocal Als geen van de genoemde instructies is geïmplementeerd, is de effectieve FP-snelheid 0. Noot Z: In eenvoudige logische bewerkingen wordt door één instructie één enkele logische manipulatie met ten hoogste twee operanden met gegeven lengte verricht. In complexe logische bewerkingen wordt door één instructie een aantal logische manipulaties verricht om met twee of meer operanden een of meer resultaten te verkrijgen. Voor alle ondersteunde operandlengtes dienen de snelheden te worden berekend voor zowel pijplijn- (indien ondersteund) als niet-pijplijnbewerkingen, waarbij wordt uitgegaan van de snelste uitvoeringsopdracht voor elke operandlengte gebaseerd op: Gebruik in elk van de bovengenoemde gevallen de kortste door de fabrikant opgegeven uitvoeringstijd. Stap 2: TP voor elke ondersteunde operandlengte WL Pas de compensatiefactor L voor de woordlengte toe op de effectieve snelheid R (of R') als volgt: Noot: In deze berekeningen is de woordlengte WL de operandlengte in bits. (Als in een bewerking operanden van verschillende lengte worden gebruikt, neem dan de grootste woordlengte.) De combinatie van een mantisse ALU en een exponent ALU van een floating point processor of eenheid wordt voor de berekening van CTP beschouwd als één CE met een woordlengte (WL) gelijk aan het aantal bits in de datarepresentatie (gewoonlijk 32 of 64). Deze compensatie wordt niet toegepast op gespecialiseerde logische processoren die geen XOR-opdrachten gebruiken. In dat geval is TP = R. Neem de hoogste verkregen waarde van TP voor: Stap 3: CTP voor combinaties van CE’s met inbegrip van CPU’s Voor een CPU met één enkel CE CTP = TP (Voor CE’s met zowel vaste als drijvende komma, TP = max (TPfp, TPxp) Voor combinaties van een aantal gelijktijdig werkende CE’s wordt CTP als volgt berekend: Noot 1: Voor combinaties waarin niet alle CE’s simultaan kunnen werken, wordt de mogelijke combinatie van CE’s gebruikt die de grootste CTP oplevert. Voor elk bijdragend CE wordt de theoretische maximale waarde van TP berekend voordat de CTP van de combinatie wordt berekend. NB: Om de mogelijke combinaties van gelijktijdig werkende CE’s te bepalen, wordt een instructiesequentie gegenereerd die bewerkingen in verscheidene CE’s initieert, beginnend met het traagste CE (d.w.z. dat voor het voltooien van een bewerking het grootste aantal cyclussen nodig is) en eindigend met het snelste CE. In elke cyclus van de sequentie is de combinatie van CE’s die tijdens die cyclus in bedrijf zijn, een mogelijke combinatie. In de instructiesequentie moet rekening worden gehouden met alle hardware- en/of architectuurbeperkingen voor overlappende bewerkingen. Noot 2: Eén enkele IC of kaart kan verscheidene CE’s bevatten. Noot 3: Aangenomen wordt dat er simultane bewerkingen zijn als de computerfabrikant in een handleiding of brochure van de computer concurrente, parallelle of simultane bewerking of verwerking vermeldt. Noot 4: CTP-waarden worden niet samengevoegd voor combinaties van CE’s die zijn verbonden via lokale netwerken, wide area networks, gemeenschappelijke aansluitingen/apparatuur voor input/output, input/output controllers en eventuele via programmatuur geïmplementeerde communicatieverbindingen. Noot 5: CTP-waarden worden samengevoegd voor verscheidene CE’s die speciaal zijn ontworpen om hogere prestaties te leveren doordat zij worden gecombineerd, gelijktijdig werken en een geheugen delen, of combinaties van verscheidene geheugens/CE’s die gelijktijdig werken met behulp van speciaal daarvoor ontworpen apparatuur. Waarden voor samenstellingen, bedoeld in 4A003.c, worden niet samengevoegd. CTP = TP1 + C2 × PT2 + … + Cn × TPn, waarin de TP’s zo naar waarde zijn gerangschikt dat TP1 de hoogste waarde heeft, TP2 de op één na hoogste, ... en TPn de laagste waarde. Ci is een coëfficiënt die als volgt wordt bepaald door de aard van de interconnectie: Voor meerdere CE’s die gelijktijdig werken en een gemeenschappelijk geheugen hebben: Noot 1: Als CTP, berekend volgens bovenstaande methode, niet groter is dan 194 Mtops, kan de volgende formule worden gebruikt voor de berekening van Ci: Ci = 0,75m(i = 2,…,n) waarin m = aantal CE’s of groepen van CE’s met gemeenschappelijke toegang. op voorwaarde dat: Noot 2: CE’s hebben een gemeenschappelijk geheugen als zij een gemeenschappelijk segment van een halfgeleidergeheugen benaderen. Dit geheugen kan een cachegeheugen, werkgeheugen of ander intern geheugen zijn. Externe geheugens zoals disk drives, tape drives of RAM-disks vallen hier niet onder. Voor meerdere CE’s of groepen CE’s zonder gemeenschappelijk geheugen die via één of meer datakanalen met elkaar in verbinding staan: Ci De waarde van Ci is gebaseerd op het aantal CE’s, niet op het aantal knooppunten. waarin ki min (Si/Kr, 1), en Kr normalisatiefactor van 20 Mbyte/s Si som van de maximale gegevenssnelheden (in Mbyte/s) voor alle gegevenskanalen die zijn aangesloten op het ide CE of de ide groep CE’s met gemeenschappelijk geheugen. Bij de berekening van een Ci voor een groep CE’s is het nummer van het eerste CE in een groep bepalend voor de waarde die Ci krijgt. Zo zal in een combinatie van groepen van drie CE’s elke 22e groep bestaan uit CE64, CE65 en CE66. De waarde van Ci voor deze groep is 0,60. Het combineren (van CE’s of groepen CE’s) dient te geschieden van de snelste naar de langzaamste, d.w.z.: indien TPi = TPi + 1 van de grootste naar de kleinste, d.w.z.: Noot: De ki-factor wordt niet toegepast op de CE’s 2 tot en met 12 als de TPi van het CE of de groep CE’s meer bedraagt dan 50 Mtops, d.w.z. Ci voor de CE’s 2 tot en met 12 is 0,75.

1. Pijplijn- of register-naar-register-bewerkingen. Houd geen rekening met extreem korte uitvoeringstijden voor bewerkingen met een of meer specifieke operanden (bij voorbeeld vermenigvuldiging met 0 of 1). Als geen register-naar-register-bewerkingen zijn geïmplementeerd, ga dan naar 2.

2. De snelste van de volgende twee bewerkingen: register naar geheugen of geheugen naar register; als deze eveneens ontbreken, ga dan naar 3.

3. Geheugen naar geheugen.

TP = R × L waarin L = (1/3 + WL/96)

Elk CE met alleen XP (Rxp);

Elk CE met alleen FP (Rfp);

Elk CE met zowel FP als XP (R);

Elke eenvoudige logische processor waarin geen van de genoemde rekenkundige bewerkingen geïmplementeerd is, en

Elke speciale logische processor waarin geen van de genoemde rekenkundige of logische bewerkingen geïmplementeerd is.

C2 = C3 = C4 = … = Cn = 0,75.

1. de TPi van elk CE of groep van CE’s niet groter is dan 30 Mtops;

2. de CE’s of groepen van CE’s gemeenschappelijk toegang hebben tot een werkgeheugen (uitgezonderd cachegeheugen) via één enkel kanaal, en

3. slechts één CE of groep van CE’s op een gegeven tijdstip gebruik van het kanaal kan maken. NB: Dit geldt niet voor goederen, bedoeld in categorie 3.

= 0,75 × ki (i = 2, …, 32) (zie onderstaande noot)

= 0,60 × ki (i = 33, …, 64)

= 0,45 × ki (i = 65, …, 256)

= 0,30 × ki (I > 256)

TP1 ≥ TP2 ≥ … ≥ TPn, en

Ci ≥ Ci + 1

TECHNISCHE NOOT BETREFFENDE AANGEPAST PIEKVERMOGEN (ADJUSTED PEAK PERFORMANCE) (APP)

APP is een aangepaste pieksnelheid waarbij digitale computers drijvende-kommaoptellingen en -vermenigvuldigingen van 64 bit of meer uitvoeren. APP wordt uitgedrukt in gewogen teraFLOPS (Weighted TeraFLOPS (WT)), in eenheden van 1012 aangepaste drijvende-kommabewerkingen per seconde. Afkortingen in deze technische noot n aantal processoren in digitale computer i processornummer (i,...n) ti cyclustijd processor (ti = 1/Fi) Fi processorfrequentie Ri piekrekensnelheid drijvende-kommaberekeningen Wi aanpassingsfactor architectuur Berekening van APP Noot 1: Voor processoren die in één cyclus samengestelde bewerkingen uitvoeren, zoals optellen en vermenigvuldigen, wordt elke bewerking geteld. Noot 2: Voor een pijplijnprocessor is de effectieve rekensnelheid R de hoogste pijplijnsnelheid, nadat de pijplijn vol is, of de snelheid zonder pijplijn. Noot 3: De rekensnelheid R van elke processor die een bijdrage levert, moet worden berekend als de maximumwaarde die theoretisch mogelijk is vooraleer het APP van de combinatie wordt afgeleid. Gelijktijdige bewerkingen worden geacht te bestaan wanneer de computerfabrikant in een handleiding of folder in verband met de computer stelt dat er zich samenlopende, parallele of gelijktijdige bewerkingen of uitvoeringen voordoen. Noot 4: Processoren die zijn beperkt tot input/output en randapparatuurfuncties (bijvoorbeeld disk drive, communicatie en video display) worden bij de berekening van het APP niet in aanmerking genomen. Noot 5: Er worden geen APP-waarden berekend voor processorcombinaties die (onderling) zijn verbonden via lokale netwerken, wide area networks, gemeenschappelijke aansluitingen/apparatuur voor input/output, input/output controllers en eventuele via programmatuur geïmplementeerde communicatieverbindingen. Noot 6: Er worden APP-waarden berekend voor: Noot 7: Een vectorprocessor is een processor met ingebouwde instructies waarbij gelijktijdig verscheidene berekeningen worden uitgevoerd op drijvende-kommavectoren (eendimensionale arrays van getallen van 64 bit of meer), met ten minste 2 vectoriële functionele eenheden en ten minste 8 vectorregisters van ten minste 64 elementen elk.

1. Noot: Bepaal voor elke processor i het piekaantal drijvende-kommabewerkingen van 64-bit of meer (FPOi) per cyclus voor elke processor in de digitale computer. Bij de bepaling van FPO mag alleen rekening worden gehouden met drijvende-kommaoptellingen en/of -vermenigvuldigingen van 64 bit of meer. Alle drijvende-kommabewerkingen moeten worden uitgedrukt in bewerkingen per processorcyclus; bewerkingen die verscheidene cycli vereisen, kunnen worden uitgedrukt in fractionele resultaten per cyclus. Bij processoren die geen berekeningen met drijvende-kommaoperanden van 64 bit of meer kunnen uitvoeren, is de effectieve rekensnelheid R gelijk aan nul.

2. Bereken de drijvende-kommarekensnelheid R voor elke processor Ri = FPOi/ti.

3. Bereken het APP als APP = W1 x R1 + W2 x R2 + ... + Wn x Rn.

4. Voor vectorprocessoren is Wi = 0,9. Voor non-vectorprocessoren is Wi = 0,3.

1. processorcombinaties die processoren omvatten welke speciaal zijn ontworpen om hogere prestaties te leveren doordat zij worden gecombineerd, gelijktijdig werken en een geheugen delen; of

2. combinaties van verscheidene geheugens/processoren die gelijktijdig werken met behulp van speciaal daarvoor ontworpen apparatuur.

CATEGORIE 5 TELECOMMUNICATIE EN INFORMATIEBEVEILIGING

DEEL 1 TELECOMMUNICATIE

Noot 1: In categorie 5, deel 1, wordt de embargostatus omschreven van onderdelen, lasers, test- en productie-apparatuur en programmatuur daarvoor, die speciaal zijn ontworpen voor telecommunicatieapparatuur of -systemen. Noot 2: Wanneer digitale computers, aanverwante apparatuur of programmatuur essentieel zijn voor de werking en ondersteuning van in deze categorie omschreven telecommunicatieapparatuur, worden deze beschouwd als speciaal ontworpen onderdelen, mits het de standaarduitvoering betreft die gewoonlijk wordt geleverd door de fabrikant. Hieronder zijn mede begrepen computersystemen voor bediening, beheer, onderhoud, technische wijzigingen en facturering.

5A1Systemen, apparatuur en onderdelen Technische noot:

5A101Apparatuur voor telemetrie en afstandsbesturing, inclusief grondapparatuur die is ontworpen of aangepast voor raketten. In 5A101 wordt onder raket verstaan: complete raketsystemen en systemen voor onbemande luchtvaartuigen met een bereik van meer dan 300 km. Noot: In 5A101 wordt niet bedoeld:

5A1Systemen, apparatuur en onderdelen

5A001a. Alle soorten telecommunicatieapparatuur met een van de volgende kenmerken, functies of eigenschappen: Noot: 5A001.a.2 en 3 zijn niet van toepassing op apparatuur, ontworpen of aangepast voor gebruik aan boord van satellieten.

5A001a.

1. speciaal ontworpen om bestand te zijn tegen kortstondige elektronische gevolgen of elektromagnetische impulsie ten gevolge van een kernexplosie;

2. speciaal versterkt om bestand te zijn tegen gamma-, neutronen- of ionenstraling; of

3. speciaal ontworpen voor werktemperaturen buiten het gebied van 218 K (– 55 °C) tot 397 K (124 °C). Noot: 5A001.a.3 is uitsluitend van toepassing op elektronische apparatuur.

b.

Telecommunicatie-transmissieapparatuur of -systemen, en speciaal daarvoor ontworpen onderdelen en toebehoren, met een van de volgende kenmerken, functies of eigenschappen:

1. systemen voor communicatie onder water met een of meer van de volgende kenmerken:

1. a.

een akoestische draagfrequentie buiten het gebied tussen de 20 en 60 kHz;

b.

gebruikmakend van een elektromagnetische draagfrequentie lager dan 30 kHz; of

c.

gebruikmakend van elektronenbundelbesturingstechnieken;

2. radiotransmissieapparatuur met werkfrequentie in de 1,5 - 87,5 MHz band en met een van beide volgende kenmerken:

2. a.

met adaptieve technieken die meer dan 15 dB onderdrukking van storende signalen verschaffen; of

b.

al de volgende kenmerken:

1. automatisch aangeven en kiezen van frequenties en het bereiken van optimale transmissie; en

2. met een lineaire vermogensversterkerconfiguratie die verscheidene signalen tegelijk kan onderhouden bij een uitgangsvermogen van 1 kW of meer in het frequentiegebied van 1,5 MHz of hoger, doch lager dan 30 MHz, of van 250 W of meer in het frequentiegebied van 30 MHz of hoger, doch niet hoger dan 87,5 MHz, over een momentele bandbreedte van één octaaf of meer en met een harmonisch/vervormingsuitgangsniveau beter dan 80 dB;

3. radioapparatuur die gebruikmaakt van spread spectrum-technieken, met inbegrip van frequency hopping-technieken, met uitzondering van de apparatuur als bedoeld in 5A001.b.4, met één van de volgende kenmerken: Noot: 5A001.b.3 is niet van toepassing op apparatuur, ontworpen voor een uitgangsvermogen van maximaal 1,0 W.

3. a.

voor de gebruiker programmeerbare spreading-codes, of

b.

een totaal uitgezonden bandbreedte die 100-maal of meer zo groot is als de bandbreedte van enig informatiekanaal en groter dan 50 kHz; Noot: 5A001.b.3.b is niet van toepassing op radio-apparatuur, speciaal ontworpen voor gebruik met civiele cellulaire radiocommunicatiesystemen.

4. radioapparatuur die gebruikmaakt van ultrabreedband-modulatietechnieken, met door de gebruiker programmeerbare kanaliseringscodes, versleutelingscodes of netwerkidentificatiecodes, met een van de volgende kenmerken:

4. a.

een bandbreedte van meer dan 500 MHz; of

b.

een fractionele bandbreedte van 20 % of meer;

5. digitaal bestuurde radio-ontvangers

5. a.

met meer dan 1000 kanalen;

b.

die een frequentiewisseltijd hebben korter dan 1 ms;

c.

die de ontvangen signaalfrequentie of het zendertype identificeren; en

d.

die automatisch een deel van het elektromagnetische spectrum afzoeken of aftasten; of Noot: 5A001.b.5 is niet van toepassing op radio-apparatuur, speciaal ontworpen voor gebruik met civiele cellulaire radiocommunicatiesystemen.

6. Technische noten:

die gebruikmaken van digitale signaalverwerkings-functies met het oog op spraakcodering met een snelheid van minder dan 2400 bits/s;

1. Voor spraakcodering met variabele snelheid is 5A001.b.6 van toepassing op de spraakcodering van continue spraak.

2. Voor de toepassing van 5A001.b.6. wordt spraakcodering gedefinieerd als de techniek om samples van de menselijke stem te nemen en deze om te zetten in een digitaal signaal, rekening houdend met de specifieke kenmerken van de menselijke spraak.

c.

Glasvezel-communicatiekabel, glasvezels en toebehoren, als hieronder:

1. Technische noot:

glasvezels met een lengte van meer dan 500 m die volgens de specificaties van de fabrikant een tijdens de normtest uitgeoefende trekspanning weerstaan van 2 × 109 N/m2 of meer; Normtest houdt in het steekproefsgewijs testen tijdens of buiten de productie waarbij dynamisch een voorgeschreven trekspanning wordt uitgeoefend op vezel met een lengte tussen de 0,5 en 3 m, terwijl deze met een snelheid van 2 à 5 m/s tussen rollen met een diameter van ongeveer 150 mm doorloopt. De omgevingstemperatuur is hierbij nominaal 293 K (20 °C) en de relatieve vochtigheidsgraad 40 %. Voor het uitvoeren van de normtest mogen gelijkwaardige nationale normen worden gehanteerd.

2. glasvezelkabels en toebehoren, ontworpen voor gebruik onder water. Noot: 5A001.c.2 is niet van toepassing op standaardkabels voor civiele telecommunicatiesystemen en toebehoren. NB 1: zie 8A002.a.3 voor voedingsleidingen en koppelingen daarvoor voor gebruik onder water. NB 2: zie 8A002.c. voor doorvoeren en doorvoerconnectoren voor rompen uit glasvezel.

d.

Elektronisch fasegestuurde antennesystemen opgebouwd uit een aantal identieke antennes (phased array antennae) met een werkfrequentie hoger dan 31,8 GHz. Noot: In 5A001.d. worden niet bedoeld elektronisch fasegestuurde antennesystemen opgebouwd uit een aantal identieke antennes voor landingssystemen met instrumenten die voldoen aan de ICAO-normen (International Civil Aviation Organisation) (microgolf landingssystemen (MLS)).

e.

Radiorichtingzoekende apparatuur met een werkfrequentie van meer dan 30 MHz en met alle volgende kenmerken, en speciaal daarvoor ontworpen onderdelen:

1. een momentele bandbreedte van 10 MHz of meer; en

2. een peillijn (line of bearing ((LOB)) kunnen vinden naar niet-meewerkende radiozenders met een signaalduur van minder dan 1 ms.

f.

Stoorapparatuur die speciaal is ontworpen of aangepast om opzettelijk en selectief cellulaire mobiele telecommunicatiediensten te storen, onmogelijk te maken, te hinderen, de kwaliteit van die diensten te verslechteren of deze te deviëren, met een van de volgende kenmerken, en speciaal daarvoor ontworpen onderdelen: N.B. Voor GNSS-stoorapparatuur zie de lijst militaire goederen.

1. simuleren van de functies van apparatuur van radiotoegangsnetwerken (RAN); of

2. opsporen en gebruikmaken van specifieke kenmerken van het gebruikte protocol voor mobiele telecommunicatie (bijvoorbeeld GSM).

5A1Systemen, apparatuur en onderdelen Technische noot: a.

apparatuur, speciaal ontworpen of aangepast voor bemande luchtvaartuigen of satellieten;

b.

grondapparatuur ontworpen of aangepast voor toepassingen te land of op zee;

c.

apparatuur ontworpen voor commerciële, civiele of Safety of Life-GNSS-diensten (bv. gegevensintegriteit, vliegveiligheid);

5B1Test-, inspectie- en productieapparatuur

5B001a. Apparatuur, en speciaal daarvoor ontworpen onderdelen en toebehoren, speciaal ontworpen voor de ontwikkeling, de productie of het gebruik van apparatuur, functies of eigenschappen, bedoeld in 5A001, 5B001, 5D001 of 5E001. Noot: In 5B001.a is niet bedoeld apparatuur voor het karakteriseren van glasvezels.

b.

Apparatuur, en speciaal daarvoor ontworpen onderdelen en toebehoren, speciaal ontworpen voor de ontwikkeling van een of meer van de volgende soorten telecommunicatietransmissie of schakelapparatuur:

1. Technische noot:

apparatuur waarin gebruik wordt gemaakt van digitale technieken, ontworpen voor het werken bij een totale digitale overbrengsnelheid hoger dan 15 Gbit/s; Voor schakelapparatuur wordt de totale digitale overbrengingssnelheid gemeten bij de snelste poort of lijn.

2. apparatuur waarin gebruik wordt gemaakt van een laser, en die een van de volgende kenmerken heeft:

2. a.

een transmissiegolflengte groter dan 1750 nm;

b.

met de functie optische versterking;

c.

gebruikmakend van coherente optische transmissietechnieken of coherente optische detectietechnieken (ook wel optische heterodyne of homodyne technieken genoemd); of

d.

gebruikmakend van analoge technieken en met een bandbreedte groter dan 2,5 GHz; Noot: 5B001.b.2.d. is niet van toepassing op apparatuur, speciaal ontworpen voor de ontwikkeling van commerciële TV-systemen.

3. apparatuur waarin gebruik wordt gemaakt van optisch schakelen;

4. radioapparatuur waarin gebruik wordt gemaakt van kwadratuur-amplitudemodulatie (QAM)-technieken boven niveau 256; of

5. apparatuur waarin gebruik wordt gemaakt van eenkanaalsignalering (common channel signalling) in niet-verbonden bedrijfswijze;

5C1Materialen

Geen.

5D1Programmatuur

5D101Programmatuur, speciaal ontworpen of aangepast voor het gebruik van in 5A101 bedoelde apparatuur.

5D001a. Programmatuur, speciaal ontworpen of aangepast voor de ontwikkeling, de productie of het gebruik van apparatuur, functies of eigenschappen bedoeld in 5A001 of 5B001.

b.

Programmatuur, speciaal ontworpen of aangepast voor ondersteuning van technologie, bedoeld in 5E001.

c.

Specifieke programmatuur, speciaal ontworpen of aangepast voor het verschaffen van kenmerken, functies of eigenschappen van apparatuur bedoeld in 5A001 of 5B001;

d.

Programmatuur speciaal ontworpen of aangepast voor de ontwikkeling van een van de volgende soorten telecommunicatietransmissie- of schakelapparatuur:

1. Technische noot:

apparatuur waarin gebruik wordt gemaakt van digitale technieken, ontworpen voor het werken bij een totale digitale overbrengsnelheid hoger dan 15 Gbit/s; Voor schakelapparatuur wordt de totale digitale overbrengingssnelheid gemeten bij de snelste poort of lijn.

2. apparatuur waarin gebruik wordt gemaakt van een laser, en die een van de volgende kenmerken heeft:

2. a.

een transmissiegolflengte groter dan 1750 nm; of

b.

gebruik makend van analoge technieken en met een bandbreedte groter dan 2,5 GHz; Noot: 5D001.d.2.b is niet van toepassing op programmatuur, speciaal ontworpen of aangepast voor de ontwikkeling van commerciële TV-systemen.

3. apparatuur waarin gebruik wordt gemaakt van optisch schakelen; of

4. radioapparatuur waarin gebruik wordt gemaakt van kwadratuur-amplitudemodulatie (QAM)-technieken boven niveau 256;

5E1Technologie

5E101Technologie overeenkomstig de algemene technologienoot voor de ontwikkeling, de productie of het gebruik van apparatuur, bedoeld in 5A101.

5E001a. Technologie overeenkomstig de algemene technologienoot voor de ontwikkeling, de productie of het gebruik (de bediening niet inbegrepen) van apparatuur, functies, eigenschappen of programmatuur, bedoeld in 5A001, 5B001 of 5D001.

b.

Specifieke technologie, als hieronder:

1. noodzakelijketechnologie voor de ontwikkeling of de productie van telecommunicatieapparatuur, speciaal ontworpen voor gebruik aan boord van satellieten;

2. technologie voor de ontwikkeling of het gebruik van laser-communicatietechnieken die geschikt zijn voor het automatisch verzamelen en volgen van signalen en die communicatie onderhouden via de exosfeer, onder de grond of onder water;

3. technologie voor de ontwikkeling van digitale ontvangstapparatuur voor cellulaire radiobasisstations waarvan de ontvangstmogelijkheden, die werking via meerdere banden, kanalen, modi, algoritmecodes of protocols mogelijk maken, door veranderingen in de programmatuur kunnen worden gewijzigd;

4. technologie voor de ontwikkeling van spread spectrum-technieken, met inbegrip van frequency hopping-technieken.

c.

Technologie overeenkomstig de algemene technologienoot voor de ontwikkeling of de productie van een van de volgende soorten telecommunicatietransmissie- of schakelapparatuur, -functies of -eigenschappen:

1. Technische noot:

apparatuur waarin gebruik wordt gemaakt van digitale technieken, ontworpen voor het werken bij een totale digitale overbrengsnelheid hoger dan 15 Gbit/s; Voor schakelapparatuur wordt de totale digitale overbrengingssnelheid gemeten bij de snelste poort of lijn.

2. apparatuur waarin gebruik wordt gemaakt van een laser, en die een van de volgende kenmerken heeft:

2. a.

een transmissiegolflengte groter dan 1750 nm;

b.

met de functie optische versterking, waarbij gebruik wordt gemaakt van versterkers van praseodymium-gedoteerde fluorvezel (PDFFA);

c.

gebruikmakend van coherente optische transmissietechnieken of coherente optische detectietechnieken (ook wel optische heterodyne of homodyne technieken genoemd);

d.

gebruikmakend van golflengteverdeling-multiplexing (wave length division multiplexing)-technieken, waarbij de afzonderlijke optische vensters uit meer dan 8 optische dragers bestaan; of

e.

gebruikmakend van analoge technieken en met een bandbreedte groter dan 2,5 GHz; Noot: 5E001.c.2.e is niet van toepassing op technologie voor de ontwikkeling of productie van commerciële TV-systemen.

3. apparatuur waarin gebruik wordt gemaakt van optisch schakelen;

4. radioapparatuur:

4. a.

waarin gebruik wordt gemaakt van kwadratuur-amplitudemodulatie (QAM)-technieken boven niveau 256; of

b.

met een in- of uitvoerwerkfrequentie hoger dan 31,8 GHz; Noot: Niet bedoeld wordt in 5E001.c.4.b technologie voor de ontwikkeling of productie van apparatuur ontworpen of aangepast voor werking in een frequentieband die is toegewezen door de ITU voor radiocommunicatiediensten, maar niet voor radiodeterminatie.

5. apparatuur waarin gebruik wordt gemaakt van eenkanaalsignalering (common channel signalling) in niet-verbonden bedrijfswijze.

DEEL 2 Noot 3: Technische noot: INFORMATIEBEVEILIGING Cryptografienoot

Noot 1: In categorie 5, deel 2, wordt de embargostatus omschreven van apparatuur, programmatuur, systemen, voor specifieke toepassingen bestemde samenstellingen, modulen, geïntegreerde schakelingen, onderdelen of functies ten behoeve van informatiebeveiliging, ook indien het onderdelen of samenstellingen van andere apparatuur betreft. Noot 2: Categorie 5, deel 2, is niet van toepassing op producten wanneer deze door de gebruiker voor persoonlijk gebruik worden meegevoerd. 5A002 en 5D002 gelden niet voor goederen die aan alle onderstaande criteria voldoen: In categorie 5, deel 2, worden pariteitsbits niet meegerekend voor de sleutellengte.

Noot 3: INFORMATIEBEVEILIGING Cryptografienoot

a.

De goederen zijn algemeen voor het publiek verkrijgbaar doordat ze zonder beperkingen via de detailhandel uit voorraad wordt verkocht via:

1. winkelverkoop;

2. postorderverkoop;

3. elektronische verkoop; of

4. telefonische verkoop;

b.

De cryptografische werking kan niet eenvoudig door de gebruiker worden veranderd;

c.

De goederen zijn ontworpen voor installatie door de gebruiker zonder wezenlijke ondersteuning van de leverancier; en

d.

Zo nodig zijn er over deze goederen nadere gegevens beschikbaar, die op verzoek worden verstrekt aan de bevoegde autoriteiten van de lidstaat waarin de exporteur gevestigd is, zodat kan worden vastgesteld of aan de onder a. tot en met c. beschreven voorwaarden wordt voldaan.

Noot 3: Technische noot: INFORMATIEBEVEILIGING Cryptografienoot

5A2Systemen, apparatuur en onderdelen 5A002a. Technische noot:

Systemen, apparatuur, voor specifieke toepassingen bestemde samenstellingen, modulen of geïntegreerde schakelingen ten behoeve van informatiebeveiliging, als hieronder, en andere speciaal daarvoor ontworpen onderdelen: NB: Zie 7A005 voor de embargostatus van satellietontvangers voor wereldwijde navigatiesystemen met of gebruikmakend van ontcijfering (GPS of GLONASS). Quantumcryptografie wordt ook aangeduid als quantum key distribution (QKD). Noot: In 5A002 zijn niet bedoeld:

5A2Systemen, apparatuur en onderdelen 5A002a.
1. Technische noten:

ontworpen of aangepast voor het hanteren van cryptografie met gebruikmaking van digitale technieken ter uitvoering van cryptografische functies, met uitzondering van authentificatie en digitale handtekening, met behulp van: Noot: 5A002.a.1. is ook van toepassing op apparatuur die is ontworpen of aangepast voor het gebruik van cryptografie op grond van analoge principes, wanneer deze met behulp van digitale technieken worden toegepast.

1. Onder authentificatie- en digitalehandtekeningfuncties valt ook de daarmee samenhangende sleutelbeheersfunctie.

2. Onder authentificatie vallen alle aspecten van toegangscontrole waarbij geen encryptie van bestanden of tekst betrokken is, behalve wanneer deze rechtstreeks verband houdt met de bescherming van wachtwoorden, persoonlijke identificatienummers (PIN-codes) of vergelijkbare informatie ter voorkoming van toegang zonder toestemming.

3. Tot cryptografie worden niet gerekend: technieken van vaste gegevenscomprimering of -codering.

a.

een symmetrisch algoritme met een sleutellengte van meer dan 56 bits; of

b.

een asymmetrisch algoritme waarvan de beveiliging wordt gewaarborgd door:

1. ontbinding van gehele getallen van meer dan 512 bits (bv. RSA);

2. berekening van discrete logaritmen in een groep van een eindig veld met een grootte van meer dan 512 bits (bv. Diffie-Hellman over Z/pZ); of

3. discrete logaritmen in een andere dan de in 5A002.a.1.b.2 genoemde groepen van meer dan 112 bits (bv. Diffie-Hellman over een elliptische curve);

2. ontworpen of aangepast voor het uitvoeren van cryptanalytische functies;

3. niet gebruikt;

4. speciaal ontworpen of aangepast voor het reduceren van ongewenste lekken van informatiedragende signalen, afgezien van hetgeen noodzakelijk is om aan de normen voor gezondheid, veiligheid en elektromagnetische interferentie te voldoen;

5. ontworpen of aangepast voor het hanteren van cryptografische technieken voor het genereren van de spreidcode voor spread spectrum-systemen, met uitzondering van de technieken vermeld in 5A002.a.6., met inbegrip van de hopping-code voorfrequency hopping-systemen;

6. ontworpen of aangepast voor het gebruik van cryptografische technieken om kanaliseringscodes, versleutelingscodes of netwerkidentificatiecodes te genereren voor systemen die gebruikmaken van ultrabreedband-modulatietechnieken, met een van de volgende kenmerken:

6. a.

een bandbreedte van meer dan 500 MHz; of

b.

een fractionele bandbreedte van 20% of meer;

7. niet gebruikt;

8. communicatiekabelsystemen die met mechanische, elektrische of elektronische middelen zijn ontworpen of aangepast voor het opsporen van clandestiene binnendringing;

9. ontworpen of aangepast om quantumcryptografie te gebruiken.

5A2Systemen, apparatuur en onderdelen 5A002a. Technische noot: a.

persoonsgebonden slimme kaarten: NB: Indien een persoonsgebonden slimme kaart verscheidene functies heeft, wordt de embargostatus van elke functie afzonderlijk beoordeeld.

1. waarvan de cryptografische functie beperkt is tot het gebruik in apparatuur of systemen die van embargo zijn uitgesloten krachtens de punten b. tot en met f. van deze noot; of

2. waarvan de cryptografische functie, voor toepassingen voor algemeen publiek gebruik, niet toegankelijk is voor de gebruiker, en speciaal ontworpen en beperkt is om bescherming van erin opgeslagen persoonsgegevens mogelijk te maken.

b.

ontvangstapparatuur voor radio-uitzendingen, betaaltelevisie of gelijksoortige uitzendingen voor een beperkt aantal kijkers, bedoeld voor de consument, zonder digitale versleuteling, met uitzondering van de apparatuur die uitsluitend wordt gebruikt om de factuur of programmainformatie aan de zenders terug te sturen;

c.

apparatuur waarvan het cryptografisch vermogen niet voor gebruik toegankelijk is, en die speciaal is ontworpen voor uitsluitend een of meer van de volgende functies:

1. het laten functioneren van tegen kopiëren beveiligde programmatuur;

2. toegang tot:

2. a.

tegen kopiëren beveiligde inhoud, vastgelegd op read-only-media; of

b.

informatie die in gecodeerde vorm in een medium is opgeslagen (bv. in verband met de bescherming van de intellectuele eigendom), wanneer de media in identieke partijen aan het publiek te koop worden aangeboden;

3. kopieerbeveiliging van door auteursrecht beschermde audio- of videogegevens; of

4. encryptie en/of decryptie voor de bescherming van bibliotheken, ontwerpmodellen of daarmee samenhangende gegevens voor het ontwerpen van halfgeleiderelementen of geïntegreerde schakelingen;

d. Technische noot:

cryptografie-apparatuur die speciaal is ontworpen voor uitsluitend gebruik voor bank- of geldtransacties; Onder geldtransacties in 5A002, noot d, valt ook het betalen van vervoerbewijzen, alsmede het uitvoeren van crediteringsfuncties.

e.

draagbare of mobiele radiotelefoons voor civiel gebruik, bijvoorbeeld voor toepassing in cellulaire commerciële civiele radiocommunicatiesystemen, niet geschikt voor eind-tot-eindversleuteling;

f.

draadloze telefoonapparatuur die niet geschikt is voor eind-tot-eindversleuteling, waarvan het maximale bereik zonder versterking (d.w.z. één enkele afstand tussen het eindstation en het thuisbasisstation, die niet met elkaar in verbinding staan) volgens de gegevens van de fabrikant minder dan 400 meter is.

5B2Test-, inspectie- en productieapparatuur

5B002a. Apparatuur speciaal ontworpen voor:

5B002a.

1. de ontwikkeling van apparatuur of functies, bedoeld in 5A002, 5B002, 5D002 of 5E002, met inbegrip van meet- of testapparatuur;

2. de productie van apparatuur of functies, bedoeld in 5A002, 5B002, 5D002 of 5E002, met inbegrip van meet-, test-, reparatie- of productieapparatuur.

b.

Meetapparatuur, speciaal ontworpen voor het evalueren en valideren van de informatiebeveiligings-functies, bedoeld in 5A002 of 5D002.

5C2Materialen

Geen.

5D2Programmatuur

Noot: In 5D002 is niet bedoeld:

5D002a. Programmatuur, speciaal ontworpen of aangepast voor de ontwikkeling, de productie of het gebruik van apparatuur of programmatuur, bedoeld in 5A002, 5B002 of 5D002.

b.

Programmatuur , speciaal ontworpen of aangepast voor het ondersteunen van technologie, bedoeld in 5E002.

c.

Specifieke programmatuur, als hieronder:

1. programmatuur die de kenmerken heeft of de functies uitoefent of simuleert van de apparatuur, bedoeld in 5A002 of 5B002;

2. programmatuur voor het certificeren van programmatuur, bedoeld in 5D002.c.1.

a.

programmatuurnoodzakelijk voor het gebruik van apparatuur die krachtens de noot bij 5A002 niet onder embargo valt;

b.

programmatuur die een of meer van de functies verschaft van apparatuur die krachtens de noot bij 5A002 niet onder embargo valt.

5E2Technologie

5E002Technologie overeenkomstig de algemene technologienoot voor de ontwikkeling, de productie of het gebruik van apparatuur of programmatuur, bedoeld in 5A002, 5B002 of 5D002.

CATEGORIE 6 SENSOREN EN LASERS

6ASystemen, apparatuur en onderdelen a.
1. a.

echoloden die verticaal onder de apparatuur werken en die geen aftastfunctie van meer dan ± 20° hebben, en die uitsluitend worden gebruikt voor het meten van de waterdiepte of de afstand tot zich onder water of ondergronds bevindende objecten of voor het lokaliseren van vis;

b.

akoestische bakens, als hieronder:

1. akoestische bakens voor noodsignalen;

2. pingers speciaal ontworpen voor het verplaatsen of het terugkeren naar een positie onder water;

a.

breedbaan-dieptemetingssystemen voor het topografisch verkennen van de zeebodem, met de volgende kenmerken:

1. ontworpen voor het verrichten van metingen bij een hoek groter dan 20o van de normaal; en

2. ontworpen voor het meten van diepten groter dan 600 m onder de waterspiegel, en

3. ontworpen:

3. a.

voor het integreren van meervoudige bundels waarvan één of meer smaller zijn dan 1,9°, of

b.

voor het verschaffen van gegevens met een nauwkeurigheid groter dan 0,3 % van de waterdiepte over de breedte van de baan berekend als het gemiddelde van de afzonderlijke metingen binnen de baan;

b.

1. een zendfrequentie lager dan 10 kHz;

1003 more provisions are not shown here; each has its own address.

Versions

  1. 2006-02-27