Adres https://gelex.eu/eli/EU/act/2006/394@2006-02-27/pl

Spis treści

1. Preambuła
2. 1. Artykuł 1
   2. Artykuł 2
3. ANNEX
4. ZAŁĄCZNIK
5. ZAŁĄCZNIK I WYKAZ TOWARÓW I TECHNOLOGII PODWÓJNEGO ZASTOSOWANIA (odnoszący się do art. 3 rozporządzenia (WE) nr 1334/2000)
6. UWAGI OGÓLNE DO ZAŁĄCZNIKA I: 1.2.3.
7. UWAGA DO TECHNOLOGII JĄDROWEJ (UdTJ): (Czytać łącznie z grupą E kategorii 0)
8. UWAGA OGÓLNA DO TECHNOLOGII (UOdT): (Czytać łącznie z grupą E kategorii 1–9)
9. UWAGA OGÓLNA DO OPROGRAMOWANIA (UOdO): (Niniejsza uwaga jest nadrzędna w stosunku do zastrzeżeń określonych w grupie D kategorii 0–9)
10. 1. a.
11. DEFINICJE TERMINÓW UŻYWANYCH W WYKAZACH:
12. AKRONIMY I SKRÓTY UŻYWANE W NINIEJSZYM ZAŁĄCZNIKU
13. KATEGORIA 0 MATERIAŁY, INSTALACJE I URZĄDZENIA JĄDROWE
14. 0ASystemy, urządzenia i części
15. 0BUrządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne
16. a.
17. b.
18. c.
19. 13. a.
20. 7. a.
21. 5. a.
22. 6. a.
23. 0CMateriały a.
24. 0DOprogramowanie
25. 0ETechnologia
26. KATEGORIA 1 MATERIAŁY, SUBSTANCJE CHEMICZNE, MIKROORGANIZMY I TOKSYNY
27. 1ASystemy, urządzenia i części Uwaga techniczna;
28. 1ASystemy, urządzenia i części a.
29. 1. a.
30. 1BUrządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne
31. 1CMateriały Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwagi techniczne:
32. 1CMateriały Uwaga techniczna: a.
33. a.
34. b.
35. c.
36. 1. Uwaga techniczna:
37. 1. a.
38. d.
39. 1CMateriały Uwaga techniczna: Uwagi techniczne:
40. 1. a.
41. 2. a.
42. 3. a.
43. 4. a.
44. 5. a.
45. 1. Uwaga techniczna:
46. 2. Uwaga techniczna:
47. 1CMateriały Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: a.
48. 1. a.
49. 2. a.
50. 1CMateriały Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.
51. 1. a.
52. 2. a.
53. a.
54. b.
55. 1CMateriały Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.
56. a.
57. b.
58. 1CMateriały Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.
59. 1. Uwaga techniczna:
60. 2. Uwaga techniczna:
61. 2. a.
62. 3. a.
63. 6. a.
64. 1CMateriały Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.
65. 1CMateriały Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.
66. 1CMateriały Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.
67. 1CMateriały Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna:
68. 2. a.
69. 5. a.
70. 1DOprogramowanie
71. 1ETechnologia
72. 1. a.
73. 3. a.
74. KATEGORIA 2 PRZETWARZANIE MATERIAŁÓW
75. 2ASystemy, sprzęt oraz komponenty. Uwaga techniczna:
76. 2ASystemy, sprzęt oraz komponenty. a.
77. 2. a.
78. 2BUrządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: Uwaga techniczna:
79. 2BUrządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne Uwagi techniczne:
80. 2. a.
81. 5. a.
82. 1. a.
83. 4. a.
84. 2BUrządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: a.
85. 2BUrządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.
86. 1. a.
87. 2. a.
88. 1. Uwaga techniczna:
89. 2. a.
90. 2BUrządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.
91. 2BUrządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.
92. 2BUrządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.
93. 1. a.
94. 2. a.
95. a.
96. b.
97. c.
98. d.
99. 2BUrządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.
100. 2BUrządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwagi techniczne:
101. 2BUrządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: a.
102. 2BUrządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.
103. 2BUrządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwagi techniczne:
104. 1. a.
105. 2DOprogramowanie
106. 2ETechnologia
107. 1. a.
108. 2. a.
109. Tabela 1.2.3.A.B.B.1.B.2.B.3.B.4.C.D.E.F.G. Uwagi do tabeli technik powlekania Techniki powlekania
110. 5. a.
111. a.
112. b.
113. c.
114. d.
115. e.
116. f.
117. g.
118. KATEGORIA 3 ELEKTRONIKA
119. 3ASystemy, urządzenia i części Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna:
120. 3ASystemy, urządzenia i części a.
121. 1. a.
122. 2. a.
123. 5. Uwagi techniczne:
124. 5. a.
125. 6. a.
126. 7. a.
127. 10. a.
128. 11. a.
129. 12. Uwaga techniczna:
130. 4. a.
131. 3. a.
132. 4. Uwaga techniczna:
133. 4. a.
134. 8. a.
135. 5. Uwaga techniczna:
136. 3ASystemy, urządzenia i części Uwaga techniczna: a.
137. 3ASystemy, urządzenia i części Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.
138. 3BUrządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne
139. 1. a.
140. 2. a.
141. 3CMateriały a.
142. 3DOprogramowanie Uwaga techniczna:
143. 3DOprogramowanie a.
144. 3ETechnologia Uwaga techniczna:
145. 3ETechnologia
146. KATEGORIA 4 KOMPUTERY
147. 4ASystemy, sprzęt i komponenty
148. 4BUrządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne
149. 4DOprogramowanie
150. 4ETechnologia
151. Uwaga techniczna dotycząca teoretycznej mocy kombinowanej (CTP) Skróty stosowane w niniejszej uwadze technicznej
152. Uwaga TECHNICZNA DOTYCZĄCA CTP
153. UWAGA TECHNICZNA DOTYCZĄCA SKORYGOWANEJ WYDAJNOŚCI SZCZYTOWEJ (APP)
154. KATEGORIA 5 TELEKOMUNIKACJA I OCHRONA INFORMACJI
155. CZĘŚĆ 1 TELEKOMUNIKACJA
156. 5A1Systemy, sprzęt i komponenty: Uwaga techniczna:
157. 5A1Systemy, sprzęt i komponenty:
158. 5A001a.
159. 1. a.
160. 2. a.
161. 3. a.
162. 4. a.
163. 5. a.
164. 6. Uwagi techniczne
165. 1. Uwaga techniczna:
166. 5B1Urządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne
167. 1. Uwaga techniczna:
168. 2. a.
169. 5D1Oprogramowanie
170. 1. Uwaga techniczna:
171. 2. a.
172. 5E1Technologia
173. 1. Uwaga techniczna:
174. 2. a.
175. 4. a.
176. CZĘŚĆ 2 Uwaga 3: Uwaga techniczna: OCHRONA INFORMACJI Uwaga kryptograficzna
177. a.
178. b.
179. c.
180. d.
181. 5A2Systemy, sprzęt i komponenty 5A002a. Uwaga techniczna:
182. 5A2Systemy, sprzęt i komponenty 5A002a.
183. 1. Uwagi techniczne:
184. 6. a.
185. 2. a.
186. 5B2Urządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne
187. 5B002a.
188. 5D2Oprogramowanie
189. 5E2Technologia
190. KATEGORIA 6 CZUJNIKI I LASERY
191. 6ASystemy, urządzenia i części a.
192. 1. a.
193. 3. a.

RADA UNII EUROPEJSKIEJ,

uwzględniając Traktat ustanawiający Wspólnotę Europejską, w szczególności jego art. 133,

uwzględniając wniosek Komisji,

a także mając na uwadze, co następuje:

(1) Rozporządzenie (WE) nr 1334/2000 wprowadza wymóg skutecznej kontroli przy wywozie ze Wspólnoty produktów podwójnego zastosowania (w tym oprogramowania i technologii).

(2) W celu umożliwienia państwom członkowskim i Wspólnocie przestrzegania ich zobowiązań międzynarodowych, załącznik I do tego rozporządzenia ustanawia wspólny wykaz produktów i technologii podwójnego zastosowania, o których mowa w art. 3 tego rozporządzenia, które wprowadza uzgodnione na poziomie międzynarodowym kontrole produktów podwójnego zastosowania, w tym Porozumienie z Wassenaar, Reżim Kontroli Technologii Rakietowych (MTCR), Grupę Dostawców Jądrowych (NSG), Grupę Australijską (AG) i Konwencję o zakazie broni chemicznej (CWC).

(3) Artykuł 11 tego rozporządzenia stanowi, że załączniki I i IV są aktualizowane zgodnie z odpowiednimi zobowiązaniami i obowiązkami oraz wszystkimi ich modyfikacjami, które każde państwo członkowskie przyjęło jako członek odpowiednich międzynarodowych reżimów nieproliferacyjnych i porozumień w sprawie kontroli eksportu lub w drodze ratyfikacji stosownych traktatów międzynarodowych.

(4) Załączniki I i IV do tego rozporządzenia powinny zostać zmienione w celu uwzględnienia zmian przyjętych przez porozumienie z Wassenaar, Grupę Australijską, Reżim Kontroli Technologii Rakietowych oraz NSG po zmianach wprowadzonych rozporządzeniem (WE) nr 1504/2004.

(5) W celu ułatwienia organom kontroli eksportu i podmiotom gospodarczym dokonywania odniesień należy opublikować zaktualizowaną i skonsolidowaną wersję załączników do tego rozporządzenia.

(6) Rozporządzenie (WE) nr 1334/2000 powinno zostać odpowiednio zmienione,

PRZYJMUJE NINIEJSZE ROZPORZĄDZENIE:

Artykuł 1

Załączniki do rozporządzenia (WE) nr 1334/2000 zastępuje się tekstem Załącznika do niniejszego rozporządzenia.

Artykuł 2

Niniejsze rozporządzenie wchodzi w życie trzydziestego dnia po jego opublikowaniu w Dzienniku Urzędowym Unii Europejskiej.

Niniejsze rozporządzenie wiąże w całości i jest bezpośrednio stosowane we wszystkich Państwach Członkowskich. Sporządzono w Brukseli, dnia 27 lutego 2006 r. W imieniu Rady U. Plassnik Przewodniczący

ANNEX

ZAŁĄCZNIK

ZAŁĄCZNIK I WYKAZ TOWARÓW I TECHNOLOGII PODWÓJNEGO ZASTOSOWANIA (odnoszący się do art. 3 rozporządzenia (WE) nr 1334/2000)

UWAGI OGÓLNE DO ZAŁĄCZNIKA I: 1.2.3.

W przypadku towarów, które są zaprojektowane lub zmodyfikowane do zastosowań wojskowych, należy sprawdzić także odpowiedni wykaz kontrolny uzbrojenia, publikowany w danym państwie członkowskim. Odsyłacz, który mówi Sprawdź także Wykaz uzbrojenia, odnosi się do tych wykazów. Obowiązek kontroli nałożony niniejszym wykazem nie może być omijany przez eksport jakichkolwiek dóbr niepodlegających kontroli (włącznie z fabrykami) zawierających jeden lub więcej komponentów podlegających kontroli, gdy kontrolowany komponent lub komponenty są zasadniczymi elementami tych dóbr i możliwe jest ich wydzielenie i zastosowanie do innych celów. NB.: Przy rozstrzyganiu, czy kontrolowany komponent lub komponenty mają być uważane za elementy zasadnicze, konieczne jest rozważenie czynników: ilości, wartości, zawartości technologicznego know-how i innych szczególnych okoliczności, które mogą zdecydować, że kontrolowany komponent lub komponenty są zasadniczymi elementami dostarczanych dóbr. Towary wymienione w niniejszym wykazie obejmują zarówno towary nowe, jak i używane.

UWAGA DO TECHNOLOGII JĄDROWEJ (UdTJ): (Czytać łącznie z grupą E kategorii 0)

Technologia bezpośrednio związana z jakimikolwiek towarami wymienionymi w kategorii 0 objęta jest kontrolą zgodnie z postanowieniami kategorii 0. Technologia, która jest niezbędna do rozwoju, produkcji lub użytkowania towarów objętych kontrolą, pozostaje pod taką samą kontrolą nawet wtedy, gdy może być stosowana do towarów taką kontrolą nieobjętych. Zgoda na eksport określonych towarów upoważnia również do eksportu do tego samego użytkownika minimalnej technologii wymaganej dla instalacji, działania, utrzymania i naprawy tych towarów. Kontrole transferu technologii nie mają zastosowania do informacji będących własnością publiczną lub związanych z podstawowymi badaniami naukowymi.

UWAGA OGÓLNA DO TECHNOLOGII (UOdT): (Czytać łącznie z grupą E kategorii 1–9)

Eksport technologii, która jest niezbędna do rozwoju, produkcji lub użytkowania towarów wymienionych w kategoriach 1–9, podlega kontroli na warunkach podanych w każdej z tych kategorii. Technologia, która jest niezbędna do rozwoju, produkcji lub użytkowania towarów objętych kontrolą, pozostaje pod taką samą kontrolą nawet wtedy, gdy może być stosowana do towarów taką kontrolą nieobjętych. Kontrolą eksportu nie obejmuje się minimalnej technologii wymaganej do instalacji, działania, utrzymania i naprawy towarów niekontrolowanych lub takich, które uzyskały odrębnie zgodę na eksport. NB.: Powyższe nie zwalnia od kontroli technologii wyszczególnionych w pozycjach 1E002.e, 1E002.f, 8E002.a i 8E002.b. Kontrola transferu technologii nie ma zastosowania do informacji będących własnością publiczną, związanych z podstawowymi badaniami naukowymi lub minimum informacji koniecznych przy składaniu wniosków patentowych.

UWAGA OGÓLNA DO OPROGRAMOWANIA (UOdO): (Niniejsza uwaga jest nadrzędna w stosunku do zastrzeżeń określonych w grupie D kategorii 0–9)

Nie podlega kontroli oprogramowanie z kategorii 0–9 niniejszego wykazu, które jest:

a.

ogólnie dostępne poprzez: NB.: Punkt a uwagi ogólnej do oprogramowania nie zwalnia od kontroli oprogramowania wymienionego w kategorii 5 – część 2 (Bezpieczeństwo informacji).

1. sprzedaż gotowego oprogramowania w punktach sprzedaży detalicznej bez żadnych ograniczeń w wyniku:

1. a.

bezpośrednich transakcji sprzedaży,

b.

transakcji realizowanych na zamówienie pocztowe,

c.

transakcji zawieranych drogą elektroniczną,

d.

transakcji realizowanych na zamówienie telefoniczne i

2. przygotowanie do samodzielnej instalacji przez użytkownika bez konieczności dalszej pomocy sprzedawcy;

b.

uznawane za będące własnością publiczną.

DEFINICJE TERMINÓW UŻYWANYCH W WYKAZACH:

Definicje terminów w cudzysłowie pojedynczym podano w uwadze technicznej do odpowiedniej pozycji. Definicje terminów w cudzysłowie podwójnym są następujące: NB.: Odnośniki do kategorii podano w nawiasach po zdefiniowanym terminie.

Adaptacyjny dynamiczny wybór trasy (5) Automatyczna zmiana trasy w ruchu na podstawie odbieranych i analizowanych informacji o bieżących warunkach w sieci. NB.: Nie dotyczy to przypadków decyzji o zmianie trasy podejmowanych na podstawie określonych wcześniej informacji.

Algorytm asymetryczny (5) Algorytm kryptograficzny, w którym stosuje się różne, powiązane matematycznie, klucze do szyfrowania i deszyfrowania. NB.: Powszechnym zastosowaniem algorytmu asymetrycznego jest zarządzanie kluczami.

Algorytm symetryczny (5) Algorytm kryptograficzny, w którym stosuje się identyczne klucze do szyfrowania i deszyfrowania. NB.: Powszechnym zastosowaniem algorytmu symetrycznego jest utajnianie danych.

Analizatory sygnałów (3) Urządzenia do pomiaru i pokazywania podstawowych parametrów sygnałów o jednej częstotliwości, będących składowymi sygnałów wieloczęstotliwościowych.

Analizatory sygnałów dynamicznych (3) Analizatory sygnałów, w których zastosowano techniki cyfrowego próbkowania i przekształcania w celu utworzenia obrazu widma Fouriera danej postaci fali, włącznie z informacjami o jej amplitudzie i fazie. NB.: Patrz także Analizatory sygnałów.

Atomizacja gazowa (1) Proces rozpylania strumienia stopionego metalu na kropelki o średnicy 500 mikrometrów lub mniejszej za pomocą strumienia gazu o wysokim ciśnieniu.

Atomizacja próżniowa (1) Proces rozpylania strumienia strumienia stopionego metalu na kropelki o średnicy 500 mikrometrów lub mniejszej poprzez szybkie uwolnienie rozpuszczonego gazu w warunkach podciśnienia.

Atomizacja rotacyjna (1) Proces rozpylania lub jeziorka stopionego metalu na kropelki o średnicy 500 mikrometrów lub mniejszej za pomocą siły odśrodkowej.

Automatyczne śledzenie celu (6) Technika przetwarzania umożliwiająca automatyczne określanie i podawanie na wyjściu w czasie rzeczywistym ekstrapolowanej wartości najbardziej prawdopodobnego położenia celu.

Bezzałogowy statek powietrzny (UAV) (9) Każdy samolot zdolny do wzniesienia się w powietrze i kontynuowania kontrolowanego lotu i nawigacji bez obecności ludzi na pokładzie.

Bicie promieniowe (odchylenie od właściwego ruchu) (2) Promieniowe przemieszczenie głównego wrzeciona w ciągu jednego obrotu, mierzone w płaszczyźnie prostopadłej do osi wrzeciona w punkcie znajdującym się na zewnętrznej lub wewnętrznej badanej powierzchni obrotowej. (Patrz: ISO 230 część 1–1986, paragraf 5.61).

Bicie osiowe (2) Przemieszczenie osiowe wrzeciona głównego podczas jednego obrotu, mierzone w płaszczyźnie prostopadłej do czoła wrzeciona, w punkcie sąsiadującym z obwodem czoła wrzeciona (Patrz: ISO 230 część 1–1986, paragraf 5.63).

Bezpośrednie wytłaczanie hydrauliczne (2) Technika odkształcania, w której stosowana jest napełniona płynem odkształcalna poduszka, działająca bezpośrednio na powierzchnię obrabianego przedmiotu.

Będące własnością publiczną (UOdT UdTJ UOdO) W odniesieniu do niniejszego dokumentu oznacza technologię lub oprogramowanie dostępne bez żadnych ograniczeń co do ich dalszego rozpowszechniania (ograniczenia wynikające z praw autorskich nie wykluczają uznania technologii lub oprogramowania za będące własnością publiczną).

Całkowicie autonomiczny system cyfrowego sterowania silnikami (FADEC) (7, 9) Elektroniczny system sterowania turbiną gazową lub silnikami o złożonym cyklu, wykorzystujący komputer cyfrowy do kontroli parametrów niezbędnych do regulacji siły ciągu silnika lub mocy wyjściowej na wale w całym zakresie pracy silnika, od początku dozowania paliwa do odcięcia jego dopływu.

Całkowita gęstość prądu (3) Całkowita liczba amperozwojów w cewce (tj. suma liczby zwojów pomnożona przez maksymalne natężenie prądu przenoszone przez każdy zwój) podzielona przez całkowity przekrój poprzeczny cewki (składającej się z włókienek nadprzewodzących, matrycy metalowej, w której osadzone są włókienka nadprzewodzące, materiału stanowiącego obudowę, kanałów chłodzących itp.).

Całkowita szybkość transmisji cyfrowej (5) Liczba bitów, włącznie z bitami kodowymi linii, bitami nieinformacyjnymi i podobnymi, przepływających w jednostce czasu pomiędzy odpowiednimi urządzeniami w cyfrowym systemie transmisji. NB.: Patrz także szybkość przesyłania danych cyfrowych.

CE – patrz Element obliczeniowy.

Chwilowa szerokość pasma (3, 5, 7) Szerokość pasma, w którym moc wyjściowa pozostaje na stałym poziomie z dokładnością do 3 dB bez regulacji innych parametrów roboczych.

CTP – patrz Teoretyczna moc kombinowana.

Cyrkulacyjne układy równoważenia momentu lub cyrkulacyjne układy sterowania kierunkiem (7) Układy, w których przepływ powietrza wokół powierzchni aerodynamicznych jest wykorzystywany do zwiększenia powstających na nich sił albo do kierowania nimi.

Cywilny statek powietrzny (1, 7, 9) Wyłącznie statki powietrzne mające świadectwa zdatności do lotu opublikowane i wydane przez zarządy lotnictwa cywilnego, zezwalające na ich używanie do celów cywilnych na liniach wewnętrznych i zewnętrznych lub zezwalające na ich stosowanie do celów cywilnych, prywatnych lub związanych z prowadzeniem działalności gospodarczej. NB.: Patrz również statek powietrzny.

Czas przełączania częstotliwości (3, 5) Maksymalny czas (tj. opóźnienie), jakiego potrzebuje sygnał przy przełączaniu się z jednej wybranej częstotliwości wyjściowej na inną, żeby osiągnąć:

Częstotliwość różniącą się o 100 Hz od częstotliwości końcowej; lub

Poziom wyjściowy różniący się o 1 dB od końcowego poziomu wyjściowego.

Czas trwania impulsu (6) Czas trwania impulsu lasera mierzony na poziomie połowy natężenia pełnej szerokości (FWHI).

Czas ustalania (3) Podczas przełączania przetwornika z jednego poziomu na drugi czas potrzebny do otrzymania na wyjściu wartości różniącej się o połowę bitu od wartości końcowej.

Dokładność (2, 6) Zazwyczaj określana w kategoriach niedokładności; jest to maksymalne odchylenie, dodatnie albo ujemne, danej wartości od uznanej wartości standardowej lub prawdziwej.

Element obliczeniowy (CE) (4) Najmniejsza jednostka obliczeniowa, której działanie daje wynik arytmetyczny lub logiczny.

Element o podstawowym znaczeniu (4) W odniesieniu do kategorii 4 dany element jest elementem o podstawowym znaczeniu, jeżeli wartość jego wymiany stanowi ponad 35 % całkowitej wartości systemu, w którego skład wchodzi. Wartość elementu jest ceną płaconą za element przez producenta systemu lub przez firmę montującą system. Wartość całkowita jest zwykłą ceną sprzedaży osobom postronnym w miejscu produkcji lub w miejscu przygotowywania wysyłek towarów.

FADEC – patrz Całkowicie autonomiczne systemy cyfrowego sterowania silnikami.

Formowanie ekstrakcyjne z fazy stopionej (1) Technika gwałtownego krzepnięcia i ekstrahowania wyrobu stopowego podobnego do taśmy, polegająca na wkładaniu krótkiego segmentu wirującego ochłodzonego bloku do wanny stopionego stopu metalowego. NB.:Gwałtowne krzepnięcie: krzepnięcie stopionego materiału podczas chłodzenia z szybkością powyżej 1000 K/s.

Formowanie rotacyjne z fazy stopionej (1) Technika gwałtownego krzepnięcia polegająca na uderzaniu strumienia stopionego metalu w wirujący ochłodzony blok, wskutek czego powstaje wyrób w postaci płatków, wstęgi lub pręcików. NB.: Gwałtowne krzepnięcie: krzepnięcie roztopionego materiału podczas chłodzenia z szybkością powyżej 1000 K/s.

Formowanie w stanie nadplastycznym (1, 2) Technika odkształcania termicznego metali, których wydłużenie całkowite do zerwania, mierzone w temperaturze pokojowej tradycyjnymi technikami badania wytrzymałości na rozciąganie, w normalnych warunkach, jest bardzo małe (poniżej 20 %); jej celem jest co najmniej dwukrotne powiększenie tych wartości podczas obróbki.

Gęstość zastępcza (6) Masa elementu optycznego na jednostkę pola powierzchni optycznej rzutowanej na powierzchnię optyczną.

Gram efektywny (0, 1) Gram efektywnyspecjalnego materiału rozszczepialnego oznacza:

dla izotopów plutonu i uranu-233 – masę izotopu w gramach;

dla uranu wzbogaconego do poziomu 1 % lub więcej izotopu uranu-235 – masę pierwiastka w gramach pomnożoną przez kwadrat jego wzbogacenia wyrażonego w postaci ułamka dziesiętnego udziału wagowego izotopu U-235;

dla uranu wzbogaconego w izotop uranu-235 do poziomu poniżej 1 procenta – masę pierwiastka w gramach pomnożoną przez 0,0001;

Hybrydowy układ scalony (3) Dowolna kombinacja układu(ów) scalonego(nych) lub układu scalonego z elementami układu albo składnikami dyskretnymi połączonymi ze sobą w celu realizacji określonej(nych) funkcji, mająca wszystkie wymienione poniżej cechy:

Posiada co najmniej jedno urządzenie nieobudowane;

Zastosowano w niej typowe metody łączenia stosowane podczas produkcji układów scalonych;

Można ją wymieniać tylko w całości; oraz

W normalnych warunkach nie można jej rozmontować na elementy składowe. NB.1:Element układu: pojedyncza czynna lub bierna funkcjonalna część układu elektronicznego, na przykład jedna dioda, jeden tranzystor, jeden rezystor, jeden kondensator itp. NB.2:Składnik dyskretny: element układu w oddzielnej obudowie z własnymi końcówkami wyjściowymi.

Immunotoksyna (1) Koniugat jednokomórkowego przeciwciała monoklonalnego i toksyny lub podjednostki toksyny, który wpływa selektywnie na komórki chorobowo zmienione.

Instalacje do naprowadzania (7) Systemy scalające proces pomiaru i obliczania położenia pojazdu i jego prędkości (tj. nawigację) z obliczeniami i wysyłaniem poleceń do systemów sterowania lotem pojazdu w celu skorygowania jego toru lotu.

Instalacje produkcyjne (7, 9) Sprzęt i specjalnie do niego opracowane oprogramowanie, scalone w instalacje w celu rozwoju albo do jednej lub więcej faz produkcji.

Inteligentna karta osobista (5) Karta inteligentna zaopatrzona w mikroukład, zaprogramowana do konkretnego zastosowania, bez możliwości przeprogramowania przez użytkownika do jakichkolwiek innych zastosowań.

Izolacja (9) Pojęcie stosowane do podzespołów silnika rakietowego, tj. osłony, dyszy, wlotów, zamknięć osłon, obejmujące utrwalone lub półutrwalone maty kauczukowe zawierające materiał ogniotrwały lub izolacyjny. Można je również stosować na klatki lub klapy odprężające.

Izolowane żywe kultury (1) Żywe kultury w postaci uśpionej i suchych preparatów.

Izostatyczne zagęszczanie na gorąco (2) Technika ciśnieniowania odlewu w temperaturach powyżej 375 K (102 °C) w zamkniętej formie za pomocą różnych czynników (gaz, ciecz, cząstki stałe itp.), której celem jest wytworzenie jednakowej siły we wszystkich kierunkach w celu zmniejszenia albo eliminacji jam wewnętrznych w odlewie.

Kable (1) Wiązki włókien elementarnych, zazwyczaj w przybliżeniu równoległe.

Klasy kosmicznej (3, 6) Odnosi się do produktów projektowanych, wytwarzanych i testowanych w taki sposób, żeby spełniały specjalne wymagania elektryczne, mechaniczne lub środowiskowe, związane z ich stosowaniem podczas wystrzeliwania i wykorzystywania satelitów lub urządzeń latających na dużych wysokościach, od 100 km wzwyż.

Kod wynikowy (9) Sprzętowo wykonywalna postać dogodnego wyrażenia jednego lub więcej procesów (kod źródłowy [język źródłowy]), które zostały przetworzone przez system programowania.

Kod źródłowy (albo język źródłowy) (4, 6, 7, 9) Wygodny sposób wyrażenia jednego lub kilku procesów, który może być przekształcony przez system programowania w postać dającą się wykonać na urządzeniu (kod wynikowy [lub język wynikowy]).

Kompleksowe sterowanie lotem (7) Automatyczne sterowanie zmiennymi stanu statku powietrznego i toru lotu dla zrealizowania zadania bojowego odpowiednio do zmian w czasie rzeczywistym danych dotyczących celu, zagrożeń lub innego statku powietrznego.

Kompresja impulsów (6) Kodowanie i przetwarzanie długiego impulsowego sygnału radarowego na krótki, przy zachowaniu korzyści wynikających z wysokiej energii impulsu.

Komputer cyfrowy (4, 5) Urządzenie zdolne do wykonywania, w postaci jednej albo kilku zmiennych dyskretnych, wszystkich poniższych funkcji: NB.: Modyfikacje zapamiętanej sekwencji instrukcji dotyczą wymiany trwałych urządzeń pamięciowych, ale nie fizycznych zmian przewodów lub połączeń.

Przyjmowanie danych;

Zapamiętywanie danych albo instrukcji na trwałych lub nietrwałych (zapis wymazywalny) urządzeniach pamięciowych;

Przetwarzanie danych za pomocą zapamiętanej sekwencji instrukcji, którą można modyfikować; oraz

Wyprowadzanie danych na wyjście.

Komputer hybrydowy (4) Urządzenie zdolne do wykonywania wszystkich poniższych czynności:

Przyjmowanie danych;

Przetwarzanie danych, zarówno w postaci analogowej, jak i cyfrowej; oraz

Wyprowadzanie danych wyjściowych.

Komputer neuronowy (4) Urządzenie obliczeniowe przeznaczone albo zmodyfikowane z przeznaczeniem do naśladowania działalności neuronu lub zbioru neuronów, tj. urządzenie obliczeniowe wyróżniające się możliwością sprzętowego modulowania znaczenia i liczby połączeń pomiędzy wieloma elementami obliczeniowymi w oparciu o poprzednie dane.

Komputer optyczny (4) Komputer zaprojektowany lub zmodyfikowany z przeznaczeniem do używania światła jako nośnika danych oraz taki, którego elementy obliczeniowo-logiczne działają bezpośrednio na sprzężonych urządzeniach optycznych.

Komputer z dynamiczną modyfikacją tablic (4) Komputer, w którym przepływ i modyfikacja danych są dynamicznie sterowane przez użytkownika na poziomie bramek logicznych.

Komutacja optyczna (5) Przekazywanie lub komutacja sygnałów w postaci optycznej bez przetwarzania na sygnały elektryczne.

Krąg Równego Prawdopodobieństwa (CEP) (7) Jest to miara dokładności wyrażana jako promień okręgu ze środkiem w miejscu znajdowania się celu, w który wpada 50 % ładunków użytecznych, przy określonym zasięgu.

Kryptografia (5) Dziedzina wiedzy zajmująca się zasadami, narzędziami i metodami przekształcania danych w celu ukrycia zawartych w nich informacji, zapobiegania możliwości tajnego ich modyfikowania lub eliminacji dostępu do nich osobom niepowołanym. Kryptografia ogranicza się do przekształcania informacji za pomocą jednego lub większej liczby tajnych parametrów (np. szyfrów) lub związanego z tym zarządzania kluczami. NB.:Tajny parametr: wartość stała albo klucz trzymany w tajemnicy przed osobami postronnymi albo znany wyłącznie pewnej grupie osób.

Kryptografia kwantowa (5) Grupa technik pozwalających uzyskiwać wspólny klucz do celów kryptografii poprzez pomiar własności kwantowych układu fizycznego (w tym własności fizycznych jawnie zależnych od praw optyki kwantowej, kwantowej teorii pola lub elektrodynamiki kwantowej).

Laser (0, 2, 3, 5, 6, 7, 8, 9) Zespół elementów wytwarzający wiązkę światła spójnego zarówno w przestrzeni, jak i w czasie, wzmocnioną za pomocą stymulowanej emisji promieniowania. NB.: Patrz również:

Laser chemiczny,

Laser modulowany dobrocią,

Laser o super wysokiej mocy,

Laser z przekazaniem energii.

Laser chemiczny (6) Laser, w którym wzbudzanie czynnika następuje za pomocą energii pochodzącej z reakcji chemicznej.

Laser modulowany dobrocią (6) Laser, którego energia, gromadzona w postaci odwrócenia obsadzeń, jest emitowana w postaci impulsu wskutek szybkiej zmiany dobroci rezonatora optycznego.

Laser o super wysokiej mocy (SUPL.) (6) Laser, który może dostarczyć energię wyjściową (całkowitą lub częściową) powyżej 1 kJ w ciągu 50 ms albo taki, którego moc przeciętna lub moc w przypadku fali ciągłej wynosi powyżej 20 kW.

Laser z przekazaniem energii (6) Laser, w którym czynnik emitujący promieniowanie laserowe jest wzbudzany dzięki transferowi energii wskutek zderzeń atomów lub molekuł, niebiorących udziału w akcji laserowej, z atomami lub molekułami czynnika emitującego promieniowanie laserowe.

Liniowość (2) Liniowość (zazwyczaj określana w kategoriach nieliniowości) stanowi maksymalne odchylenie parametru rzeczywistego (przeciętnej wartości górnego i dolnego odczytu na skali), w kierunku dodatnim lub ujemnym, od linii prostej poprowadzonej w taki sposób, żeby maksymalne odchylenia zostały wyrównane i zminimalizowane.

Lokalna sieć komputerowa (4) System przesyłania danych mający wszystkie następujące cechy charakterystyczne: NB.:Jednostka danych: urządzenie mające możliwość nadawania lub odbierania sekwencji informacji cyfrowych.

Umożliwiający bezpośrednie połączenie ze sobą dowolnej liczby niezależnych jednostek danych; oraz

Ograniczony w sensie geograficznym do pewnego obszaru o umiarkowanym zasięgu (np. biurowiec, przedsiębiorstwo, miasteczko studenckie, magazyn).

Łączność kanałowa (5) Metoda przesyłania sygnałów, w której pojedynczy kanał pomiędzy centralami telefonicznymi przenosi, za pomocą komunikatów etykietowanych, informacje sygnałowe dotyczące wielu układów lub rozmów oraz inne informacje, np. stosowane do obsługi sieci.

Magnetometry (6) Przyrządy do wykrywania pól magnetycznych źródeł zewnętrznych względem przyrządu pomiarowego. Składają się z pojedynczego czujnika pola magnetycznego i odpowiedniego układu elektronicznego, na którego wyjściu jest wartość mierzonego pola magnetycznego.

Manipulatory (2) Manipulatory obejmują uchwyty, aktywne jednostki oprzyrządowania lub wszelkie inne oprzyrządowanie zamontowane na podstawowej (bazowej) płycie kończącej ramię manipulacyjne robota. NB.:Aktywne jednostki oprzyrządowania: urządzenia do przyłożenia mocy napędowej, energii procesowej lub czujnika do przedmiotu obrabianego.

Materiał kompozytowy (1, 2, 6, 8, 9) Matryca oraz dodatkowa faza lub dodatkowe fazy, składające się z cząstek, włókienek, włókien lub dowolnej ich kombinacji, dodawanych w określonym celu lub celach.

Materiały odporne na korozyjne działanie UF6 (0) Mogą nimi być miedź, stal nierdzewna, aluminium, tlenek aluminium, stopy aluminium, nikiel lub stop zawierający 60 % wagowych lub więcej niklu oraz odporne na działanie UF6 fluorowane polimery węglowodorowe, stosownie do rodzaju procesu separacji.

Materiały włókniste lub włókienkowe (0, 1, 2, 8) Termin materiał włóknisty lub włókienkowy obejmuje następujące pojęcia:

Włókna elementarne o strukturze ciągłej;

Przędza i rowing o strukturze ciągłej;

Taśmy, tkaniny, maty i oploty o strukturze bezładnej;

Włókna cięte na drobne kawałki, włókna pocięte na dłuższe odcinki oraz spójne maty z włókien;

Wiskery, monokrystaliczne lub polikrystaliczne, o dowolnej długości;

Pulpa z poliamidu aromatycznego.

Matryca (1, 2, 8, 9) W zasadzie faza o strukturze ciągłej wypełniająca przestrzeń pomiędzy cząstkami, wiskerami lub włóknami.

Mechanizmy robocze (2) Do mechanizmów roboczych zalicza się uchwyty, aktywne zespoły narzędziowe oraz wszelkie inne narzędzia mocowane do płyty roboczej na końcu ramienia manipulatora robota. NB.:Aktywne zespoły narzędziowe: urządzenia przekazujące obrabianemu elementowi napęd, energię potrzebną do obróbki lub określające parametry obrabianego elementu.

Mierniki gradientu magnetycznego (6) Przyrządy do wykrywania zmian przestrzennych pól magnetycznych ze źródeł zewnętrznych w stosunku do przyrządu pomiarowego. Składają się z wielu magnetometrów i odpowiednich układów elektronicznych, na których wyjściu jest mierzony gradient pola magnetycznego. NB.: Patrz również Miernik gradientu magnetycznego własnego.

Miernik gradientu magnetycznego własnego (6) Pojedynczy element do pomiaru gradientu pola magnetycznego oraz związane z nim urządzenia elektroniczne, służący do pomiaru gradientu pola magnetycznego. NB.: Patrz również Miernik gradientu magnetycznego.

Mieszanina chemiczna (1) oznacza produkt stały, płynny lub gazowy zrobiony z dwóch lub więcej składników, które nie reagują ze sobą w warunkach, w których mieszanina jest przechowywana.

Mieszanie (1) Mieszanie włókien materiałów termoplastycznych z włóknami materiałów wzmacniających w celu wytworzenia mieszanki włókien wzmacniających z matrycą, mającej w całości formę włóknistą.

Mikroorganizmy (1, 2) Bakterie, wirusy, mikoplazmy, riketsje, chlamydie lub grzyby, naturalne, wzmocnione lub zmodyfikowane, w postaci wyizolowanych żywych kultur lub materiału zawierającego żywe organizmy, który rozmyślnie zaszczepiono lub zakażono takimi kulturami.

Moc impulsu (6) Energia na impuls wyrażona w dżulach, podzielona przez czas trwania impulsu w sekundach.

Moduł właściwy (0, 1, 9) Moduł Younga w paskalach, równoważny N/m2 podzielonym przez ciężar właściwy w N/m3, mierzony w temperaturze (296 ± 2) K (23 ± 2) °C i przy wilgotności względnej (50 ± 5) %.

Monolityczny układ scalony (3) Kombinacja czynnych lub biernych, albo obu, elementów obwodu o następujących cechach charakterystycznych: NB.:Element obwodu: pojedyncza czynna lub bierna funkcjonalna część układu elektronicznego, taka jak jedna dioda, tranzystor, rezystor, kondensator itp.

jest uformowana techniką dyfuzyjną, technikami implantacyjnymi lub technikami osadzania w pojedynczym półprzewodzącym kawałku materiału, tzw. chipie, albo na nim;

można ją traktować jak element niepodzielny; oraz

realizuje funkcję(e) obwodu.

Monospektralne czujniki obrazowe (6) Czujniki pozwalające na zbieranie danych obrazowych z pojedynczego pasma widma dyskretnego.

Możliwość programowania przez użytkownika (6) Możliwość wprowadzania, modyfikacji lub wymiany programów przez użytkownika na innej drodze niż poprzez:

Fizyczne zmiany przewodów lub połączeń; lub

Nastawianie regulatorów funkcji, w tym parametrów wejściowych.

Nadprzewodniki (1, 3, 6, 8) Materiały: tj. metale, stopy lub związki, które mogą całkowicie stracić swoją oporność, tj. które mogą uzyskać nieskończoną przewodność elektryczną i przewodzić prąd elektryczny o bardzo wysokich natężeniach bez wytwarzania ciepła Joule'a. NB.:Nadprzewodzący stan materiału jest indywidualnie scharakteryzowany temperaturą krytyczną, krytycznym polem magnetycznym, będącym funkcją temperatury, oraz krytyczną gęstością prądu, która jest funkcją zarówno pola magnetycznego, jak i temperatury.

Nadstopy (2, 9) Stopy na osnowie niklu, kobaltu lub żelaza o bardzo wysokiej wytrzymałości w porównaniu z innymi stopami serii AISI 300 w temperaturach powyżej 922 K (649 °C), w skrajnych warunkach środowiskowych i eksploatacyjnych.

Nawigacja na bazie danych z wielu źródeł (DBRN) (7) Systemy oparte na danych z wielu źródeł uprzednio zmierzonych danych geograficznych zintegrowanych w celu uzyskania dokładnych informacji nawigacyjnych w warunkach dynamicznych. Do źródeł danych należą mapy batymetryczne, mapy nieba, mapy grawitacji, mapy magnetyczne lub trójwymiarowe cyfrowe mapy terenowe.

Niepewność pomiarowa (2) Parametr charakterystyczny określający, na poziomie ufności 95 %, w jakiej odległości od wartości prawidłowej leży zmienna pomiarowa. W jego skład wchodzą niedające się skorygować odchylenia systematyczne, niedający się skorygować luz oraz odchylenia losowe (Patrz: ISO 10360–2 lub VDI/VDE 2617).

Niezbędne (UOdT 1–9) W odniesieniu do technologii lub oprogramowania dotyczy tylko tej części technologii lub oprogramowania, która jest szczególnie odpowiedzialna za osiągnięcie lub przekroczenie wartości parametrów, właściwości lub funkcji objętych kontrolą. Taka niezbędnatechnologia lub oprogramowanie może dotyczyć różnych produktów.

Ochrona informacji (4, 5) Wszystkie rodzaje sposobów i funkcji zapewniających dostęp, poufność lub nienaruszalność informacji lub komunikacji, z wyłączeniem sposobów i funkcji zabezpieczających przed wadliwym działaniem. Obejmuje kryptografię, kryptoanalizę, ochronę przed przypadkowym przekazywaniem sygnałów odnoszących się do tajnych informacji oraz zabezpieczanie komputerów. NB.:Kryptoanaliza: analiza systemów łączności szyfrowej albo ich wejść lub wyjść w celu uzyskania tajnych informacji lub danych, włączając w to tajne teksty.

Odchylenie położenia kątowego (2) Maksymalna różnica pomiędzy położeniem kątowym a rzeczywistym, bardzo dokładnie zmierzonym położeniem kątowym po obróceniu stołu montażowego od jego położenia początkowego. (Patrz: VDI/VDE 2617, Draft Rotary tables on coordinate measuring machines – Stoły obrotowe współrzędnościowych maszyn pomiarowych).

Odporność na uszkodzenia (4) Możliwość systemu komputerowego, po dowolnym wadliwym zadziałaniu części jego sprzętu lub oprogramowania, do kontynuacji działalności bez interwencji człowieka, na danym poziomie usług, zapewniającym: kontynuowanie działania, zachowanie danych bez ich naruszenia oraz odzyskanie zdolności usługowych w określonym czasie.

Opóźnienie sygnału bramki podstawowej (3) Wartość opóźnienia sygnału odpowiadająca bramce podstawowej, używanej w rodziniemonolitycznych układów scalonych. Można ją wyznaczyć, dla danej rodziny, jako opóźnienie sygnału na bramkę typową w ramach danej rodziny albo jako typowe opóźnienie na bramkę w ramach danej rodziny. NB.1: Nie należy mylić opóźnienia sygnału bramki podstawowej z opóźnieniem wyjścia/wejścia złożonego monolitycznego układu scalonego. NB.2: Do rodziny zalicza się wszystkie układy scalone, do których metodologii produkcyjnej i danych technicznych, z wyjątkiem ich odpowiednich funkcji, stosują się następujące punkty:

Wspólna architektura hardware'u i software'u;

Wspólna technologia projektowania i przetwarzania; oraz

Wspólne charakterystyki podstawowe.

Oprogramowanie (Wszystko UOdO) Zbiór jednego lub więcej programów lub mikroprogramów, wyrażony w dowolny zrozumiały sposób. NB.:Mikroprogram oznacza sekwencję elementarnych instrukcji, przechowywanych w specjalnej pamięci, realizowanych po wprowadzeniu do rejestru instrukcji specjalnej dla niej instrukcji odwołania.

Optyczny układ scalony (3) Monolityczny układ scalony lub hybrydowy układ scalony, zaopatrzony w jedną lub więcej części przeznaczonych do działania w roli fotoczujników lub fotoemiterów albo do wykonywania funkcji optycznych lub elektrooptycznych.

Optymalizacja toru lotu (7) Procedura minimalizująca odchylenia od czterowymiarowej (przestrzeń i czas) planowanej trajektorii lotu, oparta na zasadzie maksymalizacji osiągów lub efektywności realizacji zadania.

Pamięć operacyjna (4) Podstawowa pamięć na dane lub instrukcje szybko dostępna dla jednostki centralnej. Składa się z pamięci wewnętrznej komputera cyfrowego oraz jednej z dodatkowych pamięci o strukturze hierarchicznej, takich jak pamięć podręczna (cache) lub pamięć dodatkowa z dostępem niesekwencyjnym.

Państwa (nie) będące Stronami Konwencji o Zakazie Broni Chemicznej (1) są to te Państwa, w których Konwencja o Zakazie Rozwijania, Produkcji, Składowania i Stosowania Broni Chemicznej (nie) weszła w życie (patrz www.opcw.org).

Państwo Uczestniczące (7, 9) Każde z Państw uczestniczących w Porozumieniu z Wassenaar (patrz www.wassenaar.org).

Pełzanie zera (żyroskopu) (7) Zmiana odchylenia wskazań od wartości pożądanej w funkcji czasu. Składa się z elementów przypadkowych i systematycznych i jest wyrażana jako ekwiwalentne wejściowe przemieszczenie kątowe na jednostkę czasu w odniesieniu do pola inercyjnego.

Płaski zespół ogniskowy (6) Płaska warstwa o strukturze liniowej lub dwuwymiarowej albo kombinacja takich płaskich warstw, złożonych z oddzielnych elementów detekcyjnych, z elektronicznym urządzeniem odczytującym lub bez, pracująca w płaszczyźnie ogniskowej. NB.: Nie chodzi tu o stos pojedynczych elementów detekcyjnych ani dwa, trzy lub cztery elementy detekcyjne opóźniające, ani o realizację integracji wewnątrz elementu.

Piksel aktywny (6, 8) Najmniejszy (pojedynczy) element sieci elementów półprzewodnikowych mający możliwość realizacji funkcji fotoelektrycznych w odpowiedzi na promieniowanie świetlne (elektromagnetyczne).

Pociski rakietowe (1, 3, 6, 7, 9) Kompletne systemy rakietowe i systemy bezzałogowych statków powietrznych, zdolne do przenoszenia ładunku użytecznego o masie co najmniej 500 kg na odległość co najmniej 300 km.

Podjednostka toksyny (1) Strukturalnie i funkcjonalnie oddzielny składnik toksyny.

Podłoże (3) Płytka materiału głównego z naniesionymi połączeniami albo bez nich, na której, albo wewnątrz której, można umieszczać składniki dyskretne lub układy scalone albo oba z nich. NB.1:Składnik dyskretny: element obwodu w oddzielnej obudowie z własnymi końcówkami wyjściowymi. NB.2:Element obwodu: pojedyncza, czynna lub bierna, funkcjonalna część układu elektronicznego, taka jak jedna dioda, jeden tranzystor, jeden rezystor, jeden kondensator itp.

Podstawowe badania naukowe (UOdT, UdTJ) Prace doświadczalne lub teoretyczne prowadzone głównie w celu uzyskania nowej wiedzy o podstawach danego zjawiska lub obserwowalnych jego efektach, nienakierowane bezpośrednio na konkretne cele lub zadania praktyczne.

Podstawowe sterowanie lotem (7) Sterowanie stabilnością i manewrowością samolotu za pomocą generatorów typu siła/moment, tj. za pomocą aerodynamicznych powierzchni sterujących lub sterowania wektorem ciągu.

Pojazdy lżejsze od powietrza (9) Balony i statki powietrzne, które są wypełniane gorącym powietrzem lub innymi gazami lżejszymi od powietrza, takimi jak hel lub wodór.

Połączone czujniki radarowe (6) Co najmniej dwa czujniki radarowe są ze sobą połączone, kiedy wymieniają między sobą informacje w czasie rzeczywistym.

Poziom szumu (6) Sygnał elektryczny rozumiany w sensie gęstości mocy widmowej. Poziom szumów wyrażony w wartościach całkowitych (peak-to-peak) jest określony zależnością S2pp = 8No (f2 – f1), gdzie Spp jest wartością całkowitą (maksymalną) sygnału (np. w nanoteslach), No jest gęstością mocy widmowej (np. {nanotesle}2/Hz), a (f2 – f1) określa daną szerokość pasma.

Półprodukt podłoży (6) Materiał monolityczny o wymiarach umożliwiających wytworzenie z niego elementów optycznych, takich jak zwierciadła albo okienka optyczne.

Prasy izostatyczne (2) Urządzenia umożliwiające ciśnieniowanie zamkniętych komór za pomocą różnych czynników roboczych (gazu, cieczy, cząstek stałych, itp.) w celu wytwarzania w komorze we wszystkich kierunkach równych ciśnień na obrabiany element lub materiał.

Preformy włókien węglowych (1) Uporządkowany układ powlekanych lub niepowlekanych włókien przeznaczony do tworzenia struktur składowych przed użyciem matrycy do tworzenia materiału kompozytowego.

Produkcja (Wszystkie UOdT, UdTJ) Wszystkie etapy związane z produkcją, takie jak: technologia mechaniczna, wytwarzanie, scalanie, montaż (składanie), kontrola, testowanie, zapewnienie jakości.

Profile o zmiennej geometrii (7) Profile, w których zastosowano klapy lub inne płaszczyzny na krawędzi spływu albo sloty lub osadzone przegubowo noski na krawędzi natarcia, którymi można sterować w locie.

Program (2, 6) Sekwencja instrukcji do realizacji procesu, mająca postać wykonywalną lub przekształcalną na wykonywalną, za pomocą komputera elektronicznego.

Przestrajalność (6) Zdolność lasera do wytwarzania ciągłego sygnału wyjściowego we wszystkich długościach fal w przedziale kilku przejść laserowych. Laser z selekcją liniową wytwarza dyskretne długości fal w ramach jednego przejścia laserowego i nie jest uważany za przestrajalny.

Przetwarzanie sygnałów (3, 4, 5, 6) Przetwarzanie sygnałów zawierających informacje, uzyskanych ze źródeł zewnętrznych, za pomocą takich algorytmów, jak kompresja czasu, filtrowanie, wyciąganie, selekcja, korelacja, splatanie lub przemieszczanie pomiędzy domenami (np. za pomocą szybkiej transformaty Fouriera lub transformaty Walsha).

Przetwarzanie w czasie rzeczywistym (6, 7) Przetwarzanie danych przez system komputerowy, zapewniające żądany poziom realizacji zadań w funkcji dostępnych środków, w gwarantowanym czasie odpowiedzi, bez względu na obciążenie systemu, kiedy jest on stymulowany przez wydarzenia zewnętrzne.

Przetworniki ciśnienia (2) Urządzenia przetwarzające wyniki pomiaru ciśnienia na sygnał elektryczny.

Przędza (1) Wiązka skręconych skrętek. NB.:Skrętka oznacza wiązkę włókien elementarnych (zazwyczaj ponad 200) uporządkowanych w przybliżeniu równolegle.

Przydzielone przez ITU (3, 5) oznacza przydział pasm częstotliwości zgodnie z Przepisami Radiowymi ITU (International Telecommunication Union – Międzynarodowej Unii Telekomunikacyjnej) (wydanie 1998) dla służb podstawowych, dopuszczonych i pomocniczych. NB.: Nie obejmuje przydziałów dodatkowych i alternatywnych.

Przystosowany do użycia w działaniach wojennych (1) Dowolna modyfikacja lub dobór (np. zmieniona czystość, dopuszczalny okres magazynowania, agresywność, charakterystyki propagacji lub odporność na promieniowanie nadfioletowe) przeznaczone do wzmocnienia efektów wywoływania strat w ludności lub zwierzętach, unieszkodliwiania sprzętu lub powodujących straty w uprawach rolnych lub środowisku.

Radar o rozproszonym widmie (6) (Patrz Rozproszone widmo radarowe).

Reaktor jądrowy (0) Obiekt znajdujący się wewnątrz lub bezpośrednio przymocowany do zbiornika reaktora, wyposażenie sterujące poziomem mocy w rdzeniu oraz znajdujące się w nim zazwyczaj składniki wchodzą w bezpośrednią styczność z chłodziwem pierwotnym rdzenia reaktora albo sterują nim.

Robot (2, 8) Manipulator wykonujący ruchy w sposób ciągły albo poruszający się od punktu do punktu, mający możliwość korzystania z czujników i mający wszystkie następujące cechy charakterystyczne:

jest wielofunkcyjny;

ma możliwość ustawiania w odpowiednim położeniu lub orientowania przestrzennego materiałów, części, narzędzi lub urządzeń specjalnych poprzez wykonywanie różnych ruchów w przestrzeni trójwymiarowej;

jest wyposażony w trzy lub większą liczbę mechanizmów wspomagających, pracujących w obwodzie zamkniętym lub otwartym, które mogą być poruszane silnikami krokowymi; oraz

ma możliwość programowania dostępnego dla użytkownika poprzez uczenie/odgrywanie lub za pomocą komputera elektronicznego, który może być programowanym sterownikiem logicznym, tj. bez ingerencji mechanicznej. NB.: Niniejsza definicja nie obejmuje następujących urządzeń:

Mechanizmów poruszanych wyłącznie ręcznie albo zdalnie przez operatora.

Manipulatorów o ustalonej sekwencji ruchów, będących urządzeniami zautomatyzowanymi, realizującymi zaprogramowane mechanicznie, z góry ustalone ruchy. Program jest ograniczony mechanicznie za pomocą ustalonych ograniczników, np. sworzni lub krzywek. Kolejność ruchów oraz wybór drogi albo kątów nie są zmienne ani zmienialne za pomocą środków mechanicznych, elektronicznych lub elektrycznych.

Manipulatorów o zmiennej sekwencji ruchów, będących urządzeniami zautomatyzowanymi, realizującymi zaprogramowane mechanicznie, z góry ustalone ruchy. Program jest ograniczony mechanicznie za pomocą ustalonych ograniczników, np. sworzni lub krzywek. Kolejność ruchów oraz wybór drogi albo kątów są zmienne w ramach ustalonego schematu programowego. Zmian lub modyfikacji schematu programowego (np. zmiany kołków lub wymiany krzywek) w jednej lub kilku osiach współrzędnych dokonuje się wyłącznie na drodze działań mechanicznych.

Manipulatorów bez sterowania ze sprzężeniem zwrotnym, o zmiennej sekwencji ruchów, będących urządzeniami zautomatyzowanymi, realizującymi zaprogramowane mechanicznie ruchy. Program jest zmienny, ale sekwencja jest realizowana wyłącznie za pomocą sygnału binarnego z elektrycznych urządzeń binarnych o ustalonym mechanicznie położeniu lub nastawnych ograniczników.

Żurawi do stertowania, definiowanych jako manipulatory działające w kartezjańskim układzie współrzędnych, produkowanych jako integralne części pionowych zespołów do silosów, i służące do sięgania po zawartość tych silosów w celu składowania lub wyjmowania.

Rowing (1) Wiązka (zazwyczaj 12–120 szt.) w przybliżeniu równoległych skrętek. NB.:Skrętka oznacza wiązkę włókien elementarnych (zazwyczaj ponad 200) uporządkowanych w przybliżeniu równolegle.

Rozdrabnianie (1) Technika rozczłonkowania materiału na cząstki przez miażdżenie lub rozcieranie.

Rozdzielczość (2) Najmniejsza działka urządzenia pomiarowego; w przypadku instrumentu cyfrowego jest to najmniej znaczący bit (Patrz: ANSI B–89.1.12).

Rozproszone widmo radarowe (6) Dowolna technika modulacji służąca do rozpraszania energii sygnału o stosunkowo wąskim paśmie częstotliwości na dużo szersze pasmo częstotliwości, za pomocą kodowania losowego lub pseudolosowego.

Rozrzucanie częstotliwości (frequency hopping) (5) Forma rozproszenia widma polegająca na krokowo-dyskretnej zmianie częstotliwości nośnej pojedynczego kanału telekomunikacyjnego, w sposób losowy lub pseudolosowy.

Rozrzucone geograficznie (6) Uważa się, że czujniki są rozrzucone geograficznie w przypadku, kiedy każdy z nich znajduje się w odległości od innego większej niż 1500 m w dowolnym kierunku. Czujniki ruchome są zawsze traktowane jako rozrzucone geograficznie.

Rozwój (Wszystkie UOdT, UdTJ) Odnosi się do wszystkich etapów poprzedzających produkcję seryjną, takich jak: projektowanie, badania projektowe, analiza konstrukcyjna, koncepcja projektowania, montaż i testowanie prototypów, plany produkcji pilotowej, dane projektowe, proces przetwarzania danych projektowych w produkt, projektowanie konfiguracji, projektowanie montażu całościowego, rozplanowanie.

Ruchliwość częstotliwości w radarach (6) Dowolna technika zmiany, wg sekwencji pseudolosowej, częstotliwości nośnej impulsowego nadajnika radarowego pomiędzy impulsami lub pomiędzy grupami impulsów, o wartość równą lub większą od szerokości pasma impulsu.

Statek powietrzny (1, 7, 9) Stałopłat, statek z obrotowymi skrzydłami, wiropłat (helikopter), statek ze zmiennym wirnikiem lub zmiennopłat. NB.: Patrz również cywilny statek powietrzny.

SHPL – patrz Laser o super wysokiej mocy.

Specjalny materiał rozszczepialny (0) Specjalny materiał rozszczepialny oznacza pluton-239, uran-233, uran wzbogacony w izotopy 235 lub 233 oraz dowolne, zawierające je materiały.

Stabilność (7) Odchylenie standardowe (1 sigma) zmienności danego parametru od jego wartości wzorcowej zmierzonej w ustalonych warunkach temperaturowych. Można ją wyrażać w funkcji czasu.

Stała czasowa (6) Czas od chwili bodźca świetlnego do wzrostu prądu do wartości stanowiącej 1–1/e-krotną wartość wielkości końcowej (tj. 63 % wartości końcowej).

Stapianie mechaniczne (1) Technika wykonywania stopów polegająca na mechanicznym łączeniu, rozdrabnianiu i ponownym łączeniu sproszkowanych pierwiastków i głównego składnika stopowego. Jako składnik stopowy może występować substancja niemetaliczna dodawana w postaci odpowiedniego proszku.

Statek kosmiczny (7, 9) Czynne i bierne satelity i sondy kosmiczne.

Sterowanie kształtowe (2) Co najmniej dwa ruchy sterowane numerycznie, realizowane zgodnie z instrukcjami określającymi następne położenie oraz potrzebne do osiągnięcia tego położenia prędkości posuwów. Prędkości posuwów nie są jednakowe, wskutek czego powstaje wymagany kształt (Patrz ISO/DIS 2806–1980).

Sterowanie numeryczne (2) Automatyczne sterowanie procesem wykonywane przez urządzenie korzystające z danych numerycznych zazwyczaj wprowadzanych podczas realizacji operacji (Patrz ISO 2382).

Sterowanie mocą (7) Zmiana mocy sygnału nadawanego przez wysokościomierz w taki sposób, żeby moc odbierana w statku powietrznym na danej wysokości była zawsze na minimalnym poziomie niezbędnym do określenia wysokości.

Sterowany elektronicznie układ antenowy fazowany (5, 6) Antena kształtująca wiązkę za pomocą sprzężenia fazowego, tj. kierunek wiązki jest utrzymywany za pomocą elementów promieniujących o złożonych współczynnikach wzbudzenia, przy czym kierunek takiej wiązki (azymut i (lub) podniesienie kątowe) można zmieniać za pomocą sygnału elektrycznego, zarówno dla nadawania, jak i odbioru.

Sterownik dostępu do sieci (4) Interfejs fizyczny do sieci rozproszonej. Używa się w nim wspólnego nośnika działającego z taką samą szybkością przesyłania danych cyfrowych w systemie transmisji z arbitrażem (np. w sensie znacznika lub nośnika). Niezależnie od innych wybiera on adresowane do niego pakiety z danymi lub grupami danych (np. IEEE 802). Jest to zespół, który może być zintegrowany z komputerem lub urządzeniem telekomunikacyjnym, z zadaniem zapewniania dostępu do łączy telekomunikacyjnych.

Sterownik toru telekomunikacyjnego (5) Interfejs fizyczny sterujący przepływem cyfrowych informacji synchronicznych lub asynchronicznych. Jest to zespół, który może stanowić podzespół komputera lub urządzenia telekomunikacyjnego zapewniającego dostęp do łączności.

Stół obrotowo-przechylny (2) Stół umożliwiający obracanie i przechylanie obrabianego przedmiotu względem dwóch osi nierównoległych, które mogą być równocześnie koordynowane, co umożliwia sterowanie kształtowe.

Strumieniowe wieloprzetwarzanie danych (4) Technika oparta na mikroprogramie lub architekturze sprzętu, umożliwiająca równoczesne przetwarzanie dwóch lub więcej sekwencji danych pod kontrolą jednej lub kilku sekwencji instrukcji za pomocą takich narzędzi, jak: NB.:Mikroprogram oznacza sekwencję elementarnych instrukcji, przechowywanych w specjalnej pamięci, realizowanych po wprowadzeniu do rejestru instrukcji specjalnej dla niej instrukcji odwołania.

Zespoły o architekturze opartej na jednoinstrukcyjnym przetwarzaniu wielu danych (SIMD), np. procesory wektorowe lub tablicowe;

Zespoły o architekturze opartej na wielokrotnym jednoinstrukcyjnym przetwarzaniu wielu danych (MSIMD);

Zespoły o architekturze opartej na wieloinstrukcyjnym przetwarzaniu wielu danych (MIMD), włącznie z procesorami połączonymi bezpośrednio, połączonymi silnie lub połączonymi luźno; albo

Elementy przetwarzające o strukturze tablicowej, włącznie z tablicami dynamicznymi.

Syntetyzator częstotliwości (3) Dowolny rodzaj źródła częstotliwości lub generatora sygnałów, bez względu na stosowaną technikę, zapewniający uzyskanie wielu równoczesnych lub alternatywnych częstotliwości wyjściowych z jednego lub kilku wyjść sterowanych lub regulowanych za pomocą mniejszej liczby częstotliwości wzorcowych (lub głównych).

Systemy eksperckie (4, 7) Systemy wypracowujące wyniki poprzez zastosowanie pewnych zasad do danych przechowywanych w pamięci niezależnie od programu i mające następujące możliwości:

Automatyczna modyfikacja kodu źródłowego wprowadzonego przez użytkownika;

Dostarczanie informacji związanych z klasą problemów w języku quasi-naturalnym; lub

Rozszerzanie wiedzy potrzebnej do własnego rozwoju (szkolenie symboliczne).

Szczepionka (1) Preparat medyczny w postaci wyrobu farmaceutycznego, wytworzony na licencji, albo po próbach badań rynkowych lub klinicznych na podstawie upoważnienia przez władze kraju produkcji lub kraju stosowania, który wprowadzony do ustroju ludzkiego lub zwierzęcego ma za zadanie wytworzenie w nim ochronnej odporności immunologicznej w celu zapobiegania chorobom.

Szerokość pasma czasu rzeczywistego (2, 3) W dynamicznych analizatorach sygnałów – największy zakres częstotliwości, jaki analizator może przesłać na wyświetlacz lub do pamięci masowej, bez jakiejkolwiek przerwy w analizowaniu danych wejściowych. W przypadku analizatorów o więcej niż jednym kanale, obliczenia należy przeprowadzić dla takiej konfiguracji kanałów, która daje największą szerokość pasma czasu rzeczywistego.

Szybkość przesyłania danych cyfrowych (5) Całkowita szybkość informacji w bitach, przesyłanych bezpośrednio na dowolnym typie nośnika. NB.: Patrz także całkowita szybkość transmisji danych cyfrowych.

Ścieżki systemowe (6) Przetworzone, skorelowane (połączenie radiolokacyjnych danych o celu z położeniem lecącego samolotu) i zaktualizowane dane dotyczące położenia lecącego samolotu, przekazane kontrolerom w ośrodku kontroli ruchu powietrznego.

Taśma (1) Materiał zbudowany z przeplatanych lub jednakowo ukierunkowanych włókien elementarnych, skrętek, rowingów, kabli lub przędz itp., zazwyczaj impregnowany żywicą. NB.:Skrętka oznacza wiązkę włókien elementarnych (zazwyczaj ponad 200) uporządkowanych w przybliżeniu równolegle.

Technologia (Wszystkie UOdT UdTJ) Specyficzny rodzaj informacji, niezbędny do rozwoju, produkcji lub użytkowania danego wyrobu. Informacja ta ma postać danych technologicznych lub pomocy technicznej. NB.1:Pomoc techniczna może przybierać takie formy, jak: przekazanie instrukcji, umiejętności, szkolenie, przekazanie wiedzy na temat eksploatacji oraz usługi konsultacyjne i może obejmować transfer danych technologicznych. NB.2:Dane technologiczne mogą mieć formę odbitek, planów, wykresów, modeli, wzorów, tabel, projektów technicznych i opisów, podręczników i instrukcji w formie pisemnej lub zarejestrowanej na innych nośnikach lub urządzeniach, takich jak dyski, taśmy, pamięci wyłącznie do odczytu.

Temperatura krytyczna (1, 3, 6) Temperatura krytyczna (nazywana czasami temperaturą przemiany) danego materiału nadprzewodzącego jest temperaturą, w której materiał całkowicie traci oporność dla przepływu elektrycznego prądu stałego.

Teoretyczna moc kombinowana (CTP) (3, 4) Miara mocy obliczeniowej podawana w milionach operacji teoretycznych na sekundę (Mtops), obliczana w oparciu o agregację elementów obliczeniowych (CE). NB.: (Patrz Kategoria 4, Uwaga techniczna).

Toksyny (1, 2) Toksyny w postaci celowo wyizolowanych preparatów lub mieszanek, bez względu na sposób produkcji, różne od toksyn istniejących jako zanieczyszczenia innych materiałów, takich jak próbki patogenne, plony, żywność lub posiewy mikroorganizmów.

Układ scalony warstwowy (3) Układ elementów obwodu i metalowych łączników, wytworzony techniką osadzania grubej lub cienkiej warstwy na podłożu o właściwościach izolujących. NB.:Element obwodu: pojedyncza czynna lub bierna funkcjonalna część układu elektronicznego, np. jedna dioda, jeden tranzystor, jeden rezystor, jeden kondensator itp.

Układ mikrokomputerowy (3) Monolityczny układ scalony lub wieloukład scalony, w którego skład wchodzi jednostka arytmetyczno-logiczna (ALU) zdolna do realizacji instrukcji ogólnych, zawartych w pamięci wewnętrznej, na danych znajdujących się w pamięci wewnętrznej. NB.: Pamięć wewnętrzna może być wspomagana przez pamięć zewnętrzną.

Układ mikroprocesorowy (3) Monolityczny układ scalony lub wieloukład scalony, w którego skład wchodzi jednostka arytmetyczno-logiczna (ALU) zdolna do realizacji szeregu instrukcji ogólnych zawartych w pamięci zewnętrznej. NB.1:Układ mikroprocesorowy zazwyczaj nie jest wyposażony w integralną pamięć dostępną dla użytkownika, ale do realizacji jego funkcji logicznych może być wykorzystywana pamięć istniejąca w mikroukładzie. NB.2: Definicja ta obejmuje zespoły układów przeznaczone do pracy razem, w celu realizacji funkcji układu mikroprocesorowego.

Układy aktywnego sterowania lotem (7) Układy zapobiegające niepożądanym ruchom lub obciążeniom konstrukcji samolotu lub pocisku rakietowego dzięki autonomicznemu przetwarzaniu sygnałów z wielu czujników i wydawaniu niezbędnych poleceń do realizacji sterowania automatycznego.

Układy czujników optycznych sterowania lotem (7) Układ czujników optycznych, wykorzystujący promień lasera do dostarczania w czasie rzeczywistym danych sterowania lotem w celu ich przetwarzania na pokładzie.

Ultraszybkie chłodzenie (1) Technika gwałtownego krzepnięcia polegająca na uderzaniu stopionego strumienia metalu w ochłodzony blok, w wyniku czego powstaje produkt w postaci płatków. NB.:Gwałtowne krzepnięcie: krzepnięcie roztopionego materiału podczas chłodzenia z szybkością powyżej 1000 K/s.

Ułamkowa szerokość pasma (3) oznacza szerokość chwilową pasma podzieloną przez częstotliwość środkową, wyrażoną w procentach.

Uprzednio separowane (0, 1) Oddzielone dowolną techniką wzbogacania kontrolowanego izotopu.

Uran naturalny (0) Uran zawierający mieszaninę izotopów występujących w naturze.

Uran wzbogacony w izotopy 235 lub 233 (0) Uran zawierający izotopy 235 lub 233, albo oba, w takich ilościach, że stosunek łącznej zawartości tych izotopów do izotopu 238 jest większy niż stosunek zawartości izotopu 235 do izotopu 238 występujący w naturze (stosunek izotopowy 0,71 procenta).

Uran zubożony (0) Uran, w którym zawartość izotopu 235 obniżono do ilości mniejszej niż w warunkach naturalnych.

Urządzenia produkcyjne (1, 7, 9) Oprzyrządowanie, szablony, przyrządy obróbkowe, trzpienie, formy, matryce, uchwyty, mechanizmy synchronizujące, urządzenie testujące, inne maszyny i ich wyposażenie, z ograniczeniem do urządzeń specjalnie przeznaczonych lub zmodyfikowanych z przeznaczeniem do rozwoju lub jednej albo więcej faz produkcji.

Ustalony (5) Algorytm kodowania lub kompresji, który nie może akceptować parametrów dostarczonych z zewnątrz (np. zmiennych do szyfrowania lub kluczy) i nie może być modyfikowany przez użytkownika.

Użytkowanie (Wszystkie UOdT UdTJ) Praca, instalowanie (włącznie z montażem na miejscu), konserwacja (kontrola), naprawa, remonty i odnawianie.

Widmo rozproszone (5) Dowolna technika służąca do rozpraszania energii sygnału ze stosunkowo wąskiego kanału telekomunikacyjnego na dużo szersze widmo energii.

Wieloukład scalony (3) Dwa lub więcej monolityczne układy scalone, spojone ze wspólnym podłożem.

Wielospektralne analizatory obrazowe (6) Umożliwiają równoczesne lub szeregowe odbieranie danych obrazowych z dwóch lub więcej dyskretnych pasm spektralnych. Analizatory o więcej niż dwudziestu dyskretnych pasmach spektralnych są czasami nazywane hiperspektralnymi analizatorami obrazowymi.

Włókno elementarne (lub – włókno) (1) Najmniejszy inkrement włókna, zazwyczaj mający średnicę kilku mikrometrów.

Wrzeciono wahadłowe (2) Wrzeciono na narzędzia, zmieniające podczas procesu obróbki położenie kątowe swojej osi względem dowolnej innej osi.

Współczynnik skalowania (żyroskopu lub przyspieszeniomierza) (7) Stosunek zmiany wartości wyjściowej do zmiany wartości wejściowej, która ma być mierzona. Współczynnik skalowania jest na ogół szacowany jako pochylenie linii prostej, którą można poprowadzić metodą najmniejszych kwadratów pomiędzy punktami określającymi parametry wejściowe/wyjściowe, uzyskanymi poprzez cykliczną zmianę parametrów wejściowych w przedziale ich wartości.

Wszystkie dostępne kompensacje (2) Oznacza, że w celu zminimalizowania wszystkich systematycznych błędów pozycjonowania dla określonej obrabiarki ostatecznie uwzględniane są wszystkie możliwe do wykonania środki dostępne dla producenta.

Wychylenie wstępne przyspieszeniomierza (7) Wartość wskazywana przez przyspieszeniomierz w przypadku braku przyspieszenia.

Wykładzina wewnętrzna (9) Warstwa pośrednia pomiędzy paliwem stałym a osłoną lub warstwą izolacyjną. Zazwyczaj jest to płynna polimerowa zawiesina materiału ogniotrwałego lub izolacyjnego, np. węgiel z wypełniaczem polibutadienowym zakończonym grupami hydroksylowymi (HTPB) lub innym polimerem z dodatkiem środków utrwalających, rozpylonych lub rozsmarowanych na wewnętrznej powierzchni osłony.

Wytrzymałość właściwa na rozciąganie (0, 1, 9) Wytrzymałość na rozciąganie w paskalach, równoważnych N/m2, podzielona przez masę właściwą w N/m3, mierzona w temperaturze (296 ± 2) K (23 ± 2) °C i przy wilgotności względnej (50 ± 5) %.

Wzmacnianie obrazu (4) Przetwarzanie obrazów zawierających informacje, uzyskanych ze źródeł zewnętrznych, za pomocą algorytmów, takich jak kompresja czasu, filtrowanie, wyciąganie, selekcja, korelacja, splatanie lub przemieszczanie pomiędzy domenami (np. za pomocą szybkiej transformacji Fouriera lub transformacji Walsha). Nie obejmuje algorytmów, w których stosowane są wyłącznie przekształcenia liniowe lub obrotowe pojedynczego obrazu, takie jak przesunięcie, ekstrahowanie jakiejś cechy, rejestracja lub fałszywe barwienie.

Wzmocnienie optyczne (5) W telekomunikacji optycznej technika wzmacniania polegająca na uzyskiwaniu sygnałów optycznych generowanych przez oddzielne źródło optyczne, bez ich przetwarzania na sygnały elektryczne, tj. za pomocą półprzewodnikowych wzmacniaczy optycznych lub światłowodowych wzmacniaczy luminescencyjnych.

Zasięg przyrządowy (6) Jednoznacznie określony zasięg radaru.

Zespół elektroniczny (2, 3, 4, 5) Pewna liczba elementów elektronicznych (tj. układów elementarnych, elementów dyskretnych, układów scalonych itp.) połączonych ze sobą w celu realizacji określonej(ych) funkcji, wymienialna w całości, która zazwyczaj może być demontowana. NB.1:Element obwodu: pojedyncza czynna albo bierna funkcjonalna część układu elektronicznego, np. jedna dioda, jeden tranzystor, jeden rezystor, jeden kondensator itp. NB.2:Element dyskretny: oddzielnie obudowany układ elementarny z własnymi końcówkami wyjściowymi.

Ze sterowaniem zaprogramowanym w pamięci (2, 3, 8) Sterowanie za pomocą instrukcji zaprogramowanych w pamięci elektronicznej, które procesor może realizować w celu kierowania parametrami uprzednio określonych funkcji. NB.: Urządzenie może być urządzeniem ze sterowaniem zaprogramowanym w pamięci, bez względu na to, czy pamięć elektroniczna jest wewnętrzna, czy też zewnętrzna względem urządzenia.

Zgrzewanie dyfuzyjne (1, 2, 9) Łączenie molekularne w stanie stałym co najmniej dwóch oddzielnych metali w jeden element, przy czym wytrzymałość miejsca połączenia jest równa wytrzymałości najsłabszego z materiałów.

Zwierciadła odkształcalne (6) (Określa się je również adaptacyjnymi zwierciadłami optycznymi). Są to zwierciadła mające:

jedną ciągłą odbijającą powierzchnię optyczną, którą można dynamicznie odkształcać za pomocą pojedynczych momentów lub sił, kompensując w ten sposób zniekształcenia fal optycznych padających na zwierciadło; lub

wiele odbijających elementów optycznych, które można oddzielnie i dynamicznie przemieszczać w inne położenie za pomocą działających na nie momentów lub sił, kompensując w ten sposób zniekształcenia fal optycznych padających na zwierciadło.

AKRONIMY I SKRÓTY UŻYWANE W NINIEJSZYM ZAŁĄCZNIKU

Akronimy lub skróty użyte jako zdefiniowany termin znajdują się w Definicjach terminów użytych w niniejszym Załączniku. Akronim lub skrót Znaczenie ABEC Komitet Inżynierów Łożysk Pierścieniowych AGMA Amerykańskie Stowarzyszenie Producentów Przekładni AHRS układy informujące o położeniu i kursie AISI Amerykański Instytut Żelaza i Stali ALU jednostka arytmetyczno-logiczna ANSI Amerykański Narodowy Instytut Normalizacji ASTM Amerykańskie Towarzystwo Materiałoznawcze ATC kontrola ruchu lotniczego AVLIS instalacje do rozdzielania izotopów za pomocą laserów w parach atomowych CAD projektowanie wspomagane komputerowo CAS Serwis Dokumentacji Chemicznej CCITT Międzynarodowy Komitet Konsultacyjny Telegraficzny i Telefoniczny CDU jednostka sterowania i wyświetlania CEP krąg równego prawdopodobieństwa CNTD rozkład termiczny z regulowanym zarodkowaniem CRISLA reakcja chemiczna wywołana selektywną laserową aktywacją izotopów CVD osadzanie chemiczne z pary CW wojna chemiczna (CW) (dotyczy laserów) fala ciągła (w laserach) DME radiodalmierz DS ukierunkowane krzepnięcie EB-PVD fizyczne osadzanie pary z wiązką elektronów EBU Europejska Unia Nadawców ECM elektromechaniczne techniki obróbki ECR rezonans elektronowo-cyklotronowy EDM elektroiskrowe obrabiarki EEPROMS elektronicznie wymazywalna programowana pamięć tylko do odczytu EIA Stowarzyszenie Przemysłu Elektronicznego EMC kompatybilność elektromagnetyczna ETSI Europejski Instytut Norm Telekomunikacyjnych FFT szybka transformata Fouriera GLONASS globalny system nawigacji satelitarnej GPS globalny system lokalizacji HBT tranzystory heterobipolarne HDDR cyfrowy zapis magnetyczny z dużą gęstością HEMT tranzystory o wysokiej ruchliwości elektronów ICAO Międzynarodowa Organizacja Lotnictwa Cywilnego IEC Międzynarodowa Komisja Elektrotechniczna IEEE Instytut Inżynierów Elektryki i Elektroniki IFOV chwilowe pole widzenia ILS system lądowania na przyrządy IRIG grupa oprzyrządowania międzyzakresowego ISAR radar z odwróconą syntezą apertury ISO Międzynarodowa Organizacja Normalizacyjna ITU Międzynarodowy Związek Telekomunikacyjny JIS Japońska Norma Przemysłowa JT Joule-Thomson LIDAR radar optyczny LRU liniowy element wymienny MAC kod uwierzytelniania wiadomości Mach stosunek prędkości obiektu do prędkości dźwięku (od nazwiska Ernsta Macha) MLIS instalacje do rozdzielania izotopów za pomocą laserów molekularnych MLS mikrofalowe systemy lądowania MOCVD osadzanie z par lotnych związków metaloorganicznych MRI tworzenie obrazów za pomocą rezonansu magnetycznego MTBF średni czas międzyawaryjny Mtops milion teoretycznych operacji na sekundę MTTF średni czas do awarii NBC jądrowy, biologiczny i chemiczny NDT badanie nieniszczące PAR urządzenia radiolokacyjne dokładnego podejścia do lądowania PIN osobisty numer identyfikacyjny ppm części na milion PSD gęstość widmowa mocy QAM modulacja kwadraturowa RF częstotliwość radiowa SACMA Stowarzyszenie Dostawców Wysokojakościowych Materiałów Kompozytowych SAR radar z syntezą apertury SC monokryształ SLAR radar pokładowy obserwacji bocznej SMPTE Stowarzyszenie Inżynierów Filmowych i Telewizyjnych SRA warsztatowy zespół wymienny SRAM statyczna pamięć o dostępie swobodnym SRM metody zalecane przez SACMA SSB pojedyncza wstęga boczna SSR radar wtórnego nadzorowania TCSEC kryteria oszacowania poufnych systemów komputerowych TIR całkowity wskazany odczyt UV nadfiolet UTS jednostkowa wytrzymałość na rozciąganie VOR radiolatarnia kierunkowa wysokiej częstotliwości YAG granat itrowo-aluminiowy

KATEGORIA 0 MATERIAŁY, INSTALACJE I URZĄDZENIA JĄDROWE

0ASystemy, urządzenia i części

0A001Następujące reaktory jądrowe oraz specjalnie zaprojektowane lub przystosowane do użytkowania z nimi urządzenia i podzespoły:

a.

Reaktory jądrowe zdolne do pracy w taki sposób, żeby mogła w nich przebiegać kontrolowana, samopodtrzymująca się reakcja łańcuchowa;

b.

Metalowe zbiorniki lub główne części do nich, także wykonane prototypowo w warsztatach, specjalnie zaprojektowane lub przystosowane do umieszczania w nich rdzenia reaktora jądrowego, w tym górne pokrywy zbiornika ciśnieniowego reaktora;

c.

Urządzenia manipulacyjne specjalnie zaprojektowane lub przystosowane do załadunku i wyładunku elementów paliwowych reaktorów jądrowych;

d.

Pręty regulacyjne specjalnie zaprojektowane lub przystosowane do sterowania procesem rozszczepienia w reaktorze jądrowym, odpowiednie elementy nośne lub zawieszenia, mechanizmy napędu oraz prowadnice rurowe do prętów regulacyjnych;

e.

Przewody ciśnieniowe reaktora specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem na elementy paliwowe i chłodziwo w reaktorze jądrowym, wytrzymałe na ciśnienia eksploatacyjne powyżej 5,1 MPa;

f.

Cyrkon metaliczny lub jego stopy w postaci rur lub zespołów rur specjalnie zaprojektowanych lub wykonanych z przeznaczeniem do reaktorów jądrowych, w których stosunek wagowy hafnu do cyrkonu wynosi poniżej 1:500;

g.

Pompy pierwotnego obiegu specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do przetaczania chłodziwa w reaktorach jądrowych;

h.

Zespoły wewnętrzne reaktora specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do pracy w reaktorze jądrowym, w tym elementy nośne rdzenia, kanały paliwowe, osłony termiczne, przegrody, siatki dystansujące rdzenia i płyty rozpraszające; Uwaga: W pozycji 0A001.h zespoły wewnętrzne reaktora oznaczają dowolną większą strukturę wewnątrz zbiornika reaktora wypełniającą jedną lub więcej funkcji, takich jak podtrzymywanie rdzenia, utrzymywanie osiowania elementów paliwowych, kierowanie przepływem chłodziwa w obiegu pierwotnym, zapewnienie osłon radiacyjnych zbiornika reaktora i oprzyrządowania wewnątrzrdzeniowego.

i.

Wymienniki ciepła (wytwornice pary) specjalnie zaprojektowane lub przystosowane do stosowania w obiegu pierwotnym reaktora jądrowego;

j.

Aparatura do detekcji i pomiaru promieniowania neutronowego specjalnie zaprojektowana lub przystosowana do określenia poziomu strumienia neutronów wewnątrz rdzenia reaktora jądrowego.

0BUrządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne

0B001Następujące instalacje do separacji izotopów z uranu naturalnego, uranu zubożonego i specjalnych materiałów rozszczepialnych oraz urządzenia specjalnie do nich zaprojektowane lub wykonane: 0B002Następujące specjalnie zaprojektowane lub wykonane pomocnicze instalacje, urządzenia i podzespoły do instalacji separacji izotopów wymienionych w pozycji 0B001, wykonane z materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6 lub chronione materiałami tego typu: 0B003Następujące instalacje do przetwarzania uranu i urządzenia specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do nich: 0B004Następujące instalacje do produkcji lub stężania ciężkiej wody, deuteru i związków deuteru oraz specjalnie do nich zaprojektowane i wykonane urządzenia: 0B005Instalacje specjalnie przeznaczone do wytwarzania elementów paliwowych do reaktorów jądrowych oraz specjalnie dla nich zaprojektowane lub przystosowane urządzenia. Uwaga: Instalacje do wytwarzania elementów paliwowych do reaktorów jądrowych obejmujące w urządzenia, które: 0B006Instalacje do przerobu napromieniowanych (wypalonych w różnym stopniu) elementów paliwowych reaktorów jądrowych oraz specjalnie dla nich przeznaczone lub wykonane urządzenia i podzespoły. Uwaga: Pozycja 0B006 obejmuje: 0B007Instalacje do przetwarzania plutonu oraz specjalnie dla nich przeznaczone lub wykonane urządzenia i podzespoły.

a.

Następujące instalacje specjalnie przeznaczone do separacji izotopów uranu naturalnego, uranu zubożonego oraz specjalnych materiałów rozszczepialnych:

1. Instalacje do rozdzielania gazów metodą wirowania;

2. Instalacje do dyfuzyjnego rozdzielania gazów;

3. Instalacje do rozdzielania metodami aerodynamicznymi;

4. Instalacje do rozdzielania metodami wymiany chemicznej;

5. Instalacje do rozdzielania techniką wymiany jonów;

6. Instalacje do rozdzielania izotopów w postaci par metalu za pomocą laserów;

7. Instalacje do rozdzielania izotopów w postaci molekularnej za pomocą laserów;

8. Instalacje do rozdzielania metodami plazmowymi;

9. Instalacje do rozdzielania metodami elektromagnetycznymi;

b.

Następujące wirówki gazowe oraz zespoły i urządzenia, specjalnie zaprojektowane lub wykonane do stosowania w procesach wzbogacania metodą wirowania gazów: Uwaga: W pozycji 0B001.b materiał o wysokim stosunku wytrzymałości mechanicznej do gęstości oznacza jeden z poniższych:

a.

stal maraging o wytrzymałości na rozciąganie równej 2050 MPa lub większej;

b.

stopy aluminium o wytrzymałości na rozciąganie równej 460 MPa lub większej; lub

c.

materiały włókniste lub włókienkowe o module właściwym powyżej 3,18 × 106 m i wytrzymałości właściwej na rozciąganie powyżej 76,2 × 103 m;

1. Wirówki gazowe;

2. Kompletne zespoły rotorów;

3. Cylindryczne zespoły rotorów o grubości 12 mm lub mniejszej, średnicy od 75 do 400 mm, wykonane z materiałów o wysokim stosunku wytrzymałości mechanicznej do gęstości;

4. Pierścienie lub mieszki ze ściankami o grubości 3 mm lub mniejszej i średnicy od 75 mm do 400 mm przeznaczone do lokalnego osadzenia cylindra wirnika albo do połączenia ze sobą wielu cylindrów wirników, wykonane z materiałów o wysokim stosunku wytrzymałości mechanicznej do gęstości;

5. Deflektory o średnicy od 75 mm do 400 mm przeznaczone do instalowania wewnątrz cylindra wirnika odśrodkowego, wykonane z materiałów o wysokim stosunku wytrzymałości mechanicznej do gęstości;

6. Pokrywy górne lub dolne o średnicy od 75 mm do 400 mm pasujące do końców cylindra wirnika, wykonane z materiałów o wysokim stosunku wytrzymałości mechanicznej do gęstości;

7. Łożyska na poduszce magnetycznej składające się z pierścieniowego magnesu zawieszonego w obudowie wykonanej z materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6 lub chronionej takimi materiałami, zawierającej wewnątrz czynnik tłumiący i posiadające magnes sprzężony z nabiegunnikiem lub drugim magnesem osadzonym w pokrywie górnej wirnika;

8. Specjalnie wykonane łożyska składające się z zespołu czop-panewka osadzonego na amortyzatorze;

9. Pompy molekularne zawierające cylindry z wewnętrznymi, obrobionymi techniką skrawania lub wytłoczonymi, spiralnymi rowkami i wewnętrznymi wywierconymi otworami;

10. Pierścieniowe stojany silników do wysokoobrotowych wielofazowych silników histerezowych (lub reluktancyjnych) do pracy synchronicznej w próżni z częstotliwością 600-2000 Hz i mocą od 50 do 1000 woltoamperów;

11. Obudowy (komory) wirówek, w których znajdują się zespoły wirników cylindrycznych wirówki gazowej, składające się ze sztywnego cylindra ze ściankami o grubości do 30 mm z precyzyjnie obrobionymi końcami i wykonane z materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6 lub też zabezpieczone takimi materiałami;

12. Zbieraki składające się z rurek o średnicy wewnętrznej do 12 mm, przeznaczone do ekstrahowania gazowego UF6 z wirnika wirówki na zasadzie rurki Pitota, wykonane z materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6 lub też zabezpieczone takimi materiałami;

13. Przemienniki częstotliwości (konwertory lub inwentory) specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do zasilania stojanów silników wirówek gazowych do wzbogacania, posiadające wszystkie następujące cechy charakterystyczne i specjalnie do nich przeznaczone podzespoły:

13. a.

Wyjście wielofazowe o częstotliwości od 600 do 2000 Hz;

b.

Regulacja częstotliwości z dokładnością lepszą niż 0,1 %;

c.

Zniekształcenia harmoniczne poniżej 2 %; oraz

d.

Sprawność powyżej 80 %;

c.

Następujące urządzenia i podzespoły, specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do separacji metodą dyfuzji gazowej:

1. Przegrody do dyfuzji gazowej wykonane z porowatych metalowych, polimerowych lub ceramicznych materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6, posiadające pory o średnicach od 10 do 100 nm, grubość 5 mm lub mniejszą oraz, w przypadku elementów cylindrycznych, średnicę 25 mm lub mniejszą;

2. Obudowy dyfuzorów gazowych wykonane lub chronione materiałami odpornymi na korozyjne działanie UF6;

3. Sprężarki (wyporowe, odśrodkowe i osiowe) lub dmuchawy do gazów, o objętościowej pojemności ssania UF6 wynoszącej 1 m3/min lub więcej oraz o ciśnieniu wylotowym do 667,7 kPa, wykonane z materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6 albo chronione takimi materiałami;

4. Uszczelnienia wirujących wałów sprężarek lub dmuchaw wymienionych w pozycji 0B001.c.3, skonstruowane w taki sposób, żeby objętościowe natężenie przepływu gazu buforowego przez nieszczelności wynosiło poniżej 1000 cm3/min;

5. Wymienniki ciepła wykonane z aluminium, miedzi, niklu lub jego stopów zawierających ponad 60 % wagowych niklu, albo z kombinacji tych metali, takie jak rury platerowane, przeznaczone do pracy w warunkach podciśnienia przy zachowaniu natężenia przepływu przez nieszczelności na takim poziomie, że ogranicza ono wzrost ciśnienia do mniej niż 10 Pa na godzinę przy różnicy ciśnień rzędu 100 kPa;

6. Zawory mieszkowe o średnicy od 40 do 1500 mm wykonane z materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6 albo chronione takimi materiałami;

d.

Następujące urządzenia i podzespoły specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do aerodynamicznego wzbogacania materiałów:

1. Dysze separujące składające się ze szczelinowych, zakrzywionych kanałów o promieniu krzywizny poniżej 1 mm, odporne na korozyjne działanie UF6, zawierające w środku ostre krawędzie rozdzielające gaz płynący w dyszach na dwa strumienie;

2. Cylindryczne lub stożkowe rury napędzane stycznym strumieniem wlotowym (rurki wirowe) wykonane z materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6 lub też zabezpieczone takimi materiałami, mające średnicę od 0,5 cm do 4 cm i stosunek długości do średnicy 20:1 lub mniejszy oraz jeden lub kilka stycznych wlotów;

3. Sprężarki (wyporowe, odśrodkowe i osiowe) lub dmuchawy do gazów, o objętościowej pojemności ssania 2 m3/min, wykonane z materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6 albo zabezpieczone takimi materiałami oraz wirujące uszczelnienia wałów do nich;

4. Wymienniki ciepła wykonane z materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6 lub zabezpieczone takimi materiałami;

5. Obudowy aerodynamicznych elementów rozdzielających, wykonane z materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6 albo zabezpieczone takimi materiałami, przeznaczone na rurki wirowe lub dysze rozdzielające;

6. Zawory mieszkowe wykonane z materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6 albo zabezpieczone takimi materiałami, mające średnicę od 40 do 1500 mm;

7. Instalacje przetwórcze do oddzielania UF6 od gazu nośnego (wodoru lub helu) do zawartości 1 ppm UF6 lub mniejszej, w tym:

7. a.

Kriogeniczne wymienniki ciepła i separatory zdolne do pracy w temperaturach 153 K (– 120 °C) lub mniejszych;

b.

Zamrażarki kriogeniczne zdolne do wytwarzania temperatur 153 K (– 120 °C) lub niższych;

c.

Dysze rozdzielające lub zespoły rurek wirowych do oddzielania UF6 od gazu nośnego;

d.

Wymrażarki UF6 zdolne do pracy w temperaturach 253 K (– 20 °C) lub niższych;

e.

Następujące urządzenia i podzespoły do nich, specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do wzbogacania materiałów techniką wymiany chemicznej:

1. Cieczowo-cieczowe kolumny impulsowe do szybkiej wymiany chemicznej z czasem przebywania czynnika w stopniu urządzenia rzędu 30 sekund lub krótszym oraz odporne na stężony kwas solny (np. wykonane z odpowiednich tworzyw sztucznych, takich jak polimery fluorowęglowe lub szkło, albo pokryte takimi materiałami);

2. Cieczowo-cieczowe kontaktory odśrodkowe do szybkiej wymiany chemicznej z czasem przebywania czynnika w stopniu urządzenia rzędu 30 sekund lub krótszym oraz odporne na stężony kwas solny (np. wykonane z odpowiednich tworzyw sztucznych, takich jak polimery fluorowęglowe lub szkło, albo pokryte takimi materiałami);

3. Elektrochemiczne ogniwa redukcyjne, odporne na działanie roztworów kwasu solnego, do obniżania wartościowości uranu;

4. Urządzenia do zasilania elektrochemicznych ogniw redukcyjnych, pobierające U+4 ze strumieni substancji organicznych, wykonane w strefach kontaktu z przetwarzanym strumieniem z odpowiednich materiałów lub chronione takimi materiałami (na przykład szkło, polimery fluorowęglowe, polisiarczan fenylu, polisulfon eteru i grafit nasycany żywicą);

5. Urządzenia do sporządzania półproduktów do wytwarzania roztworu chlorku uranu o wysokiej czystości, składające się z zespołów do rozpuszczania, ekstrakcji rozpuszczalnikowej i/lub wymiany jonowej, przeznaczone do oczyszczania, oraz ogniwa elektrolityczne do redukowania uranu U+6 lub U+4 do U+3;

6. Urządzenia do utleniania uranu ze stanu U+3 do U+4;

f.

Następujące urządzenia i podzespoły, specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do wzbogacania materiałów techniką wymiany jonów:

1. Szybko reagujące żywice jonowymienne, żywice błonkowate lub porowate makrosiatkowe, w których grupy chemiczne biorące aktywny udział w wymianie znajdują się wyłącznie w powłoce na powierzchni nieaktywnej porowatej struktury nośnej, oraz inne materiały kompozytowe w dowolnej stosownej formie, w tym w postaci cząstek lub włókien, ze średnicami rzędu 0,2 mm lub mniejszymi, odporne na stężony kwas solny i wykonane w taki sposób, że ich półczas wymiany wynosi poniżej 10 sekund, oraz zdolne do pracy w temperaturach w zakresie od 373 K (100 °C) do 473 K (200 °C);

2. Kolumny jonitowe (cylindryczne) o średnicy powyżej 1000 mm, wykonane z materiałów odpornych na stężony kwas solny lub chronione takimi materiałami (np. tytan lub tworzywa fluorowęglowe) i zdolne do pracy w temperaturach w zakresie od 373 K (100 °C) do 473 K (200 °C) i przy ciśnieniach powyżej 0,7 MPa;

3. Jonitowe urządzenia zwrotne (urządzenia do chemicznego lub elektrochemicznego utleniania lub redukcji) przeznaczone do regeneracji substancji do chemicznej redukcji lub utleniania, stosowanych w jonitowych kaskadach do wzbogacania materiałów;

g.

Następujące urządzenia i podzespoły, specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do rozdzielania izotopów w postaci pary metalu za pomocą laserów (AVLIS):

1. Dużej mocy działa elektronowe wytwarzające strumień elektronów w reakcji zdzierania albo skaningowe działa elektronowe o mocy wyjściowej powyżej 2,5 kW/cm, przeznaczone do urządzeń do przeprowadzania uranu w stan pary;

2. Systemy operowania ciekłym uranem metalicznym dla stopionego uranu lub jego stopów składające się z tygli, wykonanych z materiałów odpornych na odpowiednie efekty korozyjne i ciepło (np. tantal, grafit powlekany tlenkiem itrowym, grafit powlekany tlenkami innych metali ziem rzadkich lub ich mieszanki) lub chronionych takimi materiałami oraz instalacji chłodniczych do tygli; NB.: Sprawdź także pozycję 2A225.

3. Urządzenia do gromadzenia produktów lub frakcji końcowych, wykonane z materiałów odpornych na działanie cieplne i korozyjne uranu w postaci pary lub cieczy, takich jak grafit powlekany tlenkiem itru lub tantal lub wyłożone takimi materiałami;

4. Obudowy modułów urządzeń rozdzielających (zbiorniki cylindryczne lub prostopadłościenne) przeznaczone na źródła par uranu metalicznego, działa elektronowe oraz urządzenia do gromadzenia produktu i frakcji końcowych;

5. Lasery lub systemy laserów do rozdzielania izotopów uranu wyposażone w stabilizatory częstotliwości przystosowane do pracy przez dłuższe okresy czasu; NB.: Sprawdź także pozycje 6A005 i 6A205.

h.

Następujące urządzenia i podzespoły, specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do rozdzielania izotopów w postaci molekularnej za pomocą laserów (MLIS) lub reakcji chemicznej wywołanej selektywną laserową aktywacją izotopów (CRISLA):

1. Naddźwiękowe dysze rozprężne do chłodzenia mieszanin UF6 z gazem nośnym do temperatur 150 K (– 123 °C) lub niższych, wykonane z materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6;

2. Urządzenia do gromadzenia pięciofluorku uranu (UF5), składające się z kolektorów filtracyjnych, udarowych lub cyklonowych lub ich kombinacji, wykonane z materiałów odpornych na korozyjne działanie UF5/UF6;

3. Sprężarki wykonane z materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6 albo zabezpieczone takimi materiałami oraz uszczelnienia wirujących wałów do nich;

4. Urządzenia do fluorowania UF5 (stałego) do UF6 (gazowego);

5. Urządzenia przetwórcze do oddzielania UF6 od gazu nośnego (np. azotu lub argonu), w tym:

5. a.

Kriogeniczne wymienniki ciepła i separatory zdolne do pracy w temperaturach 153 K (– 120 °C) lub mniejszych;

b.

Zamrażarki kriogeniczne zdolne do wytwarzania temperatur 153 K (– 120 °C) lub niższych;

c.

Wymrażarki UF6 zdolne do pracy w temperaturach 253 K (– 20 °C) lub niższych;

6. Lasery lub systemy laserów do rozdzielania izotopów uranu wyposażone w stabilizatory częstotliwości przystosowane do pracy przez dłuższe okresy czasu; NB.: Sprawdź także pozycje 6A005 i 6A205.

i.

Następujące urządzenia i podzespoły, specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do plazmowego rozdzielania materiałów:

1. Źródła mikrofal i anteny do wytwarzania lub przyspieszania jonów, o częstotliwości wyjściowej powyżej 30 GHz i średniej mocy wyjściowej powyżej 50 kW;

2. Wysokoczęstotliwościowe cewki do wzbudzania jonów pracujące w zakresie częstotliwości powyżej 100 kHz i zdolne do pracy w warunkach średniej mocy powyżej 40 kW;

3. Urządzenia do wytwarzania plazmy uranowej;

4. Systemy operowania ciekłym metalem dla stopionego uranu lub jego stopów składające się z tygli, wykonanych z materiałów odpornych na odpowiednie efekty korozyjne i ciepło (np. tantal, grafit powlekany tlenkiem itrowym, grafit powlekany tlenkami innych metali ziem rzadkich lub ich mieszanki) lub chronionych takimi materiałami oraz instalacji chłodniczych do tygli; NB.: Sprawdź także pozycję 2A225.

5. Urządzenia do gromadzenia produktów lub frakcji końcowych, wykonane z materiałów odpornych na działanie cieplne i korozyjne par uranu, takich jak grafit powlekany tlenkiem itru lub tantal lub zabezpieczone takimi materiałami;

6. Obudowy modułów separatorów (cylindryczne) na źródło plazmy uranowej, cewki na prądy wysokiej częstotliwości oraz kolektory do produktu i frakcji końcowych, wykonane z odpowiednich materiałów niemagnetycznych (np. ze stali nierdzewnej).

j.

Następujące urządzenia i podzespoły, specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do wzbogacania materiałów metodami elektromagnetycznymi:

1. Źródła jonów, pojedyncze lub wielokrotne, składające się ze źródła pary, jonizatora oraz akceleratora wiązki wykonane z odpowiednich materiałów niemagnetycznych (np. grafitu, stali nierdzewnej lub miedzi) i zdolne do wytwarzania wiązki jonów o całkowitym natężeniu 50 mA lub większym;

2. Płytkowe kolektory jonów do gromadzenia wzbogaconych lub zubożonych wiązek jonów uranu, składające się z dwóch lub więcej szczelin i kieszeni i wykonane z odpowiednich materiałów niemagnetycznych (np. grafitu lub stali nierdzewnej);

3. Obudowy próżniowe do elektromagnetycznych separatorów uranu wykonane z materiałów niemagnetycznych (np. z grafitu lub stali nierdzewnej) i skonstruowane z przeznaczeniem do pracy przy ciśnieniach 0,1 Pa lub niższych;

4. Elementy biegunów magnesów o średnicy powyżej 2 m;

5. Wysokonapięciowe zasilacze do źródeł jonów, posiadające wszystkie następujące cechy charakterystyczne: NB.: Sprawdź także pozycję 3A227.

5. a.

Zdolność do pracy w trybie ciągłym;

b.

Napięcie wyjściowe 20000 V lub większe;

c.

Natężenie prądu na wyjściu 1A lub większe; oraz

d.

Regulację napięcia z dokładnością lepszą niż 0,01 % w ciągu 8 godzin;

6. Zasilacze magnesów (wysokiej mocy, prądu stałego) mające wszystkie wymienione poniżej cechy charakterystyczne: NB.: Sprawdź także pozycję 3A226.

6. a.

Zdolność do pracy w trybie ciągłym z prądem wyjściowym o natężeniu 500 A lub większym i napięciu 100 V lub większym; oraz

b.

Regulacja natężenia lub napięcia prądu z dokładnością lepszą niż 0,01 % w ciągu 8 godzin.

a.

Autoklawy, piece lub instalacje do doprowadzania UF6 do instalacji do wzbogacania;

b.

Desublimatory lub wymrażarki do odprowadzania UF6 z instalacji przetwórczych i dalszego jego transportu po ogrzaniu;

c.

Instalacje do produktu lub frakcji końcowych do transportu UF6 do zbiorników;

d.

Instalacje do skraplania lub zestalania stosowane do usuwania UF6 z procesu wzbogacania drogą sprężania i przetwarzania UF6 w ciecz lub ciało stałe;

e.

Instalacje rurociągowe i zbiorniki specjalnie przeznaczone do transportu i manipulowania UF6 w procesach rozdzielania izotopów metodą dyfuzji, ultrawirowania lub kaskady aerodynamicznej;

f.

1. Próżniowe instalacje rur rozgałęźnych lub zbiorników o wydajności ssania wynoszącej 5 m3 na minutę lub więcej; lub

2. Pompy próżniowe specjalnie przeznaczone do pracy w atmosferze UF6;

g.

Spektrometry masowe (źródła jonów), specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do bieżącego (on-line) pobierania próbek surowca, produktu lub frakcji końcowych ze strumieni zawierających UF6, posiadające wszystkie wymienione poniżej cechy:

1. Jednostkową rozdzielczość masy atomowej powyżej 320;

2. Źródła jonów wykonane lub powlekane nichromem lub monelem albo niklowane;

3. Elektronowe źródła jonizacyjne;

4. Wyposażenie w kolektory umożliwiające analizę izotopową.

a.

Instalacje do przetwarzania koncentratów rudy uranowej na UO3;

b.

Instalacje do przetwarzania UO3 na UF6;

c.

Instalacje do przetwarzania UO3 na UO2;

d.

Instalacje do przetwarzania UO2 na UF4;

e.

Instalacje do przetwarzania UF4 na UF6;

f.

Instalacje do przetwarzania UF4 na metaliczny uran;

g.

Instalacje do przetwarzania UF6 na UO2;

h.

Instalacje do przetwarzania UF6 na UF4;

i.

Instalacje do przetwarzania UO2 na UCl4.

a.

Następujące instalacje do produkcji ciężkiej wody, deuteru i związków deuteru:

1. Instalacje do produkcji metodą wymiany woda-siarkowodór;

2. Instalacje do produkcji metodą wymiany amoniak-wodór;

b.

Następujące urządzenia i podzespoły:

1. Kolumnowe wymienniki typu woda-siarkowodór wykonane z oczyszczonej stali węglowej (np. ASTM A516), mające średnicę od 6 m do 9 m i zdolność do pracy przy ciśnieniach równych lub większych niż 2 MPa oraz posiadające naddatek korozyjny o wartości 6 mm lub większy;

2. Jednostopniowe, niskociśnieniowe (np. 0,2 MPa), odśrodkowe dmuchawy lub kompresory wymuszające cyrkulację gazowego siarkowodoru (tj. gazu zawierającego więcej niż 70 % H2S), o przepustowości równej lub większej niż 56 m3/sekundę podczas pracy przy ciśnieniach zasysania równych lub większych niż 1,8 MPa, posiadające uszczelnienia umożliwiające pracę w środowisku wilgotnego H2S;

3. Kolumnowe wymienniki typu amoniak-wodór o wysokości równej lub większej niż 35 m i średnicy od 1,5 m do 2,5 m, zdolne do pracy przy ciśnieniach większych niż 15 MPa;

4. Konstrukcje wewnętrzne kolumn włącznie z kontaktorami stopniowymi i pompami stopniowymi, w tym zanurzeniowymi, do produkcji ciężkiej wody w procesie wymiany amoniak-wodór;

5. Instalacje do krakowania amoniaku zdolne do pracy przy ciśnieniach równych lub większych niż 3 MPa przy produkcji ciężkiej wody w procesie wymiany amoniak-wodór;

6. Podczerwone analizatory absorpcyjne zdolne do bieżącej (on-line) analizy stosunku wodoru do deuteru w warunkach, w których stężenia deuteru są równe lub większe niż 90 %;

7. Palniki katalityczne do konwersji wzbogaconego deuteru w ciężką wodę przy użyciu procesu wymiany amoniak-wodór;

8. Kompletne systemy wzbogacania ciężkiej wody lub przeznaczone dla nich kolumny, przeznaczone do zwiększania koncentracji deuteru w ciężkiej wodzie do poziomu reaktorowego;

a.

Pozostają w bezpośrednim kontakcie z materiałami jądrowymi albo bezpośrednio je przetwarzają lub sterują procesem ich produkcji;

b.

Uszczelniają materiały jądrowe wewnątrz ich koszulek;

c.

Kontrolują szczelność koszulek; lub

d.

Kontrolują końcową obróbkę paliwa stałego.

a.

Instalacje do przerobu napromieniowanych (wypalonych w różnym stopniu) elementów paliwowych reaktorów jądrowych, w tym urządzenia i podzespoły, które zazwyczaj wchodzą w bezpośredni kontakt z materiałami jądrowymi, służą do ich bezpośredniego przetwarzania lub sterowania ich przepływem;

b.

Maszyny do rozdrabniania lub kruszenia elementów paliwowych, tj. zdalnie sterowane urządzenia do cięcia, rozdrabniania lub krojenia napromieniowanych (wypalonych w różnym stopniu) zespołów, wiązek lub prętów paliwowych reaktorów jądrowych;

c.

Urządzenia do rozpuszczania, zbiorniki podkrytyczne (np. pierścieniowe lub płaskie zbiorniki o małych średnicach), specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do rozpuszczania napromieniowanego (wypalonego w różnym stopniu) paliwa do reaktorów jądrowych, odporne na działanie gorących, silnie żrących płynów oraz przystosowane do zdalnego załadunku i obsługi;

d.

Ekstraktory przeciwprądowe i urządzenia do separacji metodą wymiany jonów, specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do przerobu napromieniowanego (wypalonego w różnym stopniu) uranu naturalnego, uranu zubożonego lub specjalnych materiałów rozszczepialnych;

e.

Zbiorniki technologiczne lub magazynowe, specjalnie zaprojektowane w taki sposób, że są podkrytyczne i odporne na żrące działanie kwasu azotowego; Uwaga: Zbiorniki technologiczne lub magazynowe mogą mieć następujące właściwości:

1. ścianki lub struktury wewnętrzne z co najmniej dwuprocentowym ekwiwalentem borowym (obliczonym dla wszystkich składowych pierwiastków w sposób zdefiniowany w uwadze do pozycji 0C004);

2. maksymalną średnicę rzędu 175 mm w przypadku zbiorników cylindrycznych; lub

3. maksymalną szerokość 75 mm w przypadku zbiorników płytowych lub pierścieniowych.

f.

Instrumenty do sterowania procesem przetwarzania, specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do monitorowania lub sterowania przerobem napromieniowanego (wypalonego w różnym stopniu) uranu naturalnego, uranu zubożonego lub specjalnych materiałów rozszczepialnych.

a.

Instalacje do przetwarzania azotanu plutonu na tlen;

b.

Instalacje do wytwarzania metalicznego plutonu.

0CMateriały 0C001Uran naturalny lub uran zubożony lub tor w formie metalu, stopu, związku chemicznego lub koncentratu i dowolnego innego materiału zawierającego jeden lub więcej z powyższych materiałów; Uwaga: Pozycja 0C001 nie obejmuje kontrolą: 0C002Specjalne materiały rozszczepialne Uwaga: Pozycja 0C002 nie obejmuje kontrolą czterech gramów efektywnych lub mniej, w przypadku ich stosowania w czujnikach instrumentów pomiarowych. 0C002Deuter, ciężka woda (tlenek deuteru) i inne związki deuteru oraz ich mieszaniny i roztwory, w których stosunek liczby atomów deuteru do atomów wodoru jest większy niż 1:5000. 0C004Grafit klasy jądrowej, o stopniu zanieczyszczenia poniżej 5 części na milion ekwiwalentu boru oraz gęstości większej niż 1,50 g/cm3. NB.: Sprawdź także pozycję 1C107. Uwaga 1: Pozycja 0C004 nie obejmuje kontrolą: Uwaga 2: W pozycji 0C004 ekwiwalent boru (BE) zdefiniowany jest jako suma BEZ dla domieszek (z pominięciem BEC dla węgla, ponieważ węgiel nie jest uważany za domieszkę) z uwzględnieniem boru, gdzie: BEZ (ppm) = CF × stężenie pierwiastka Z określane w ppm (częściach na milion) gdzie CF jest współczynnikiem przeliczeniowym = σZABσB AZ a σB i σZ są przekrojami czynnymi na wychwyt neutronów termicznych (w barnach) odpowiednio dla boru pochodzenia naturalnego i pierwiastka Z, a AB i AZ są masami atomowymi odpowiednio boru naturalnego i pierwiastka Z. 0C005Specjalnie wzbogacone związki lub proszki do wyrobu przegród do dyfuzji gazowej, odporne na korozyjne działanie UF6, np. nikiel lub stop zawierający 60 % wagowych lub więcej niklu, tlenek aluminium i całkowicie fluorowane polimery węglowodorowe o procentowym stopniu czystości w proporcji wagowej 99,9 lub powyżej i średniej wielkości cząstek poniżej 10 mikrometrów, mierzonej według normy Amerykańskiego Towarzystwa Materiałoznawczego (ASTM) B330 i wysokim stopniu jednorodności wymiarowej cząstek.

0CMateriały a.

Czterech gramów lub mniej uranu naturalnego lub uranu zubożonego, jeżeli znajduje się w czujnikach instrumentów pomiarowych;

b.

Uranu zubożonego specjalnie wyprodukowanego z przeznaczeniem do wyrobu następujących produktów cywilnych spoza dziedziny jądrowej:

1. Osłony;

2. Wypełnienia;

3. Balasty o masie nieprzekraczającej 100 kg;

4. Przeciwwagi o masie nieprzekraczającej 100 kg;

c.

Stopów zawierających mniej niż 5 % toru;

d.

Produktów ceramicznych zawierających tor, ale wykonanych do zastosowań poza dziedziną jądrową.

a.

Wyrobów grafitowych o masie mniejszej niż 1 kg, różnych od specjalnie zaprojektowanych lub przystosowanych do wykorzystania w reaktorach jądrowych;

b.

Proszku grafitowego.

0DOprogramowanie

0D001Oprogramowanie specjalnie opracowane lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do rozwoju, produkcji lub użytkowania towarów wymienionych w tej kategorii.

0ETechnologia

0E001Technologie według Uwagi do technologii jądrowej, do rozwoju, produkcji lub użytkowania towarów wymienionych w tej kategorii.

KATEGORIA 1 MATERIAŁY, SUBSTANCJE CHEMICZNE, MIKROORGANIZMY I TOKSYNY

1ASystemy, urządzenia i części Uwaga techniczna;

1A001Następujące elementy wykonane ze związków fluorowych: 1A002Wyroby albo laminaty kompozytowe mające następujące właściwości: NB.: Sprawdź także pozycje 1A202, 9A010 i 9A110. Uwaga 1: Pozycja 1A002 nie dotyczy wyrobów kompozytowych ani laminatów wykonanych z żywic epoksydowych impregnowanych węglowymi materiałami włóknistymi lub włókienkowymi, przeznaczonych do naprawy elementów lub laminatów samolotowych, pod warunkiem że ich wielkość nie przekracza 1 m2. Uwaga 2: Pozycja 1A002 nie obejmuje kontrolą całkowicie lub częściowo wykończonych produktów, specjalnie przeznaczonych do następujących, wyłącznie cywilnych, zastosowań: 1A003Wyroby z substancji polimerowych niefluorowanych, określonych w pozycji 1C008.a.3, w postaci folii, arkuszy, taśm lub wstęg, jednej z poniższych właściwości: Uwaga: Pozycja 1A003 nie obejmuje kontrolą wyrobów powlekanych lub laminowanych miedzią, przeznaczonych do produkcji elektronicznych płytek drukowanych. 1A004Następujące urządzenia, wyposażenie i części ochronne i detekcyjne, różne od objętych kontrolą na podstawie Wykazu uzbrojenia: NB.: Sprawdź także pozycje 2B351 i 2B352. Uwaga: Pozycja 1A004 nie obejmuje kontrolą: 1A005Kamizelki i okrycia kuloodporne oraz specjalnie zaprojektowane do nich części, różne od wykonanych według norm lub technicznych wymagań wojskowych oraz od ich odpowiedników o porównywalnych parametrach. NB.: Sprawdź także Wykaz uzbrojenia. NB.: W odniesieniu do materiałów włóknistych lub włókienkowych, stosowanych do produkcji kamizelek kuloodpornych, patrz 1C010. Uwaga 1: Pozycja 1A005 nie obejmuje kontrolą indywidualnych okryć kuloodpornych ani akcesoriów do nich, kiedy służą one ich użytkownikowi do osobistej ochrony. Uwaga 2: Pozycja 1A005 nie obejmuje kontrolą kamizelek kuloodpornych zaprojektowanych do ochrony czołowej wyłącznie zarówno przed odłamkami, jak i wybuchami ładunków i urządzeń niewojskowych. 1A102Elementy z przesycanego pirolizowanego materiału typu węgiel-węgiel przeznaczone do pojazdów kosmicznych wymienionych w pozycji 9A004 lub do rakiet meteorologicznych wymienionych w pozycji 9A104. 1A202Elementy kompozytowe, różne od wymienionych w pozycji 1A002, w postaci rur i mające obie z następujących cech: NB.: Sprawdź także pozycje 9A010 i 9A110. 1A225Katalizatory platynowe specjalnie opracowane lub przygotowane do wspomagania reakcji wymiany izotopów wodoru pomiędzy wodorem a wodą w celu separacji trytu z ciężkiej wody albo w celu produkcji ciężkiej wody. 1A226Wyspecjalizowane wkłady do oddzielania ciężkiej wody od wody zwykłej, mające obydwie z następujących cech: 1A227Przeciwradiacyjne okna ochronne o wysokiej gęstości (ze szkła ołowiowego lub podobnych materiałów), mające wszystkie z następujących cech, oraz specjalnie do nich skonstruowane ramy: Na użytek poz. 1A227, termin obszar nieradioaktywny oznacza pole widzenia okna wystawionego na promieniowanie o poziomie najniższym w danym zastosowaniu.

1ASystemy, urządzenia i części a.

Uszczelnienia, uszczelki, masy uszczelniające lub przepony w układach paliwowych, specjalnie przeznaczone do statków powietrznych lub rakiet kosmicznych, w których ponad 50 % zawartości wagowej stanowi jeden z materiałów objętych kontrolą według pozycji 1.C009.b lub 1C009.c;

b.

Polimery i kopolimery piezoelektryczne wykonane z kopolimerów fluorku winylidenu wymienionych w pozycji 1C009.a:

1. w postaci arkuszy albo folii; i

2. o grubości większej od 200 mikrometrów;

c.

Uszczelnienia, uszczelki, gniazda zaworów, przepony albo membrany wykonane z elastomerów fluorowych zawierających co najmniej jeden monomer eteru winylowego, specjalnie opracowane do statków powietrznych, rakiet kosmicznych lub pocisków rakietowych. Uwaga: W pozycji 1A001.c pocisk rakietowy oznacza kompletne systemy rakietowe i systemy bezzałogowych statków powietrznych.

a.

Posiadające matrycę organiczną i wykonane z materiałów objętych kontrolą według pozycji 1C010.c, 1C010.d lub 1C010.e; albo

b.

Posiadające matrycę metalową lub węglową i wykonane z:

1. Węglowych materiałów włóknistych lub włókienkowych o:

1. a.

module właściwym powyżej 10,15 × 106 m; i

b.

wytrzymałości właściwej na rozciąganie powyżej 17,7 × 104 m; lub

2. Materiałów wymienionych w pozycji 1C010.c.

a.

sprzęt sportowy,

b.

przemysł samochodowy,

c.

przemysł obrabiarkowy,

d.

zastosowania medyczne.

a.

o grubości powyżej 0,254 mm; lub

b.

powlekane lub laminowane węglem, grafitem, metalami lub substancjami magnetycznymi.

a.

maski przeciwgazowe, pochłaniacze i wyposażenie dekontaminacyjne do nich, przeznaczone lub zmodyfikowane dla ochrony przed czynnikami biologicznymi i materiałami promieniotwórczymi przystosowanymi do użycia w działaniach wojennych lub przed chemicznymi środkami bojowymi, a także części specjalnie do nich zaprojektowane;

b.

ubrania, rękawice i obuwie ochronne specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane dla ochrony przed czynnikami biologicznymi i materiałami promieniotwórczymi przystosowanymi do użycia w działaniach wojennych lub przed chemicznymi środkami bojowymi;

c.

jądrowe, biologiczne i chemiczne systemy detekcji specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane dla wykrywania lub identyfikacji czynników biologicznych i materiałów promieniotwórczych przystosowanych do użycia w działaniach wojennych oraz chemicznych środków bojowych, i specjalnie zaprojektowane do nich części.

a.

Osobistych monitorujących dozymetrów promieniowania jądrowego;

b.

Urządzeń i wyposażenia, ograniczonych projektowo lub funkcjonalnie do spełniania ochrony przed typowymi cywilnymi zagrożeniami przemysłowymi, np. w górnictwie, przemyśle wydobywczym, rolnictwie, przemyśle farmaceutycznym, medycynie, weterynarii, ochronie środowiska, zagospodarowaniu odpadów lub w przemyśle spożywczym.

a.

Średnicę wewnętrzną od 75 mm do 400 mm; i

b.

Są wykonane z jednego z materiałów włóknistych lub włókienkowych wymienionych w pozycji 1C010.a, 1C010.b albo 1C210.a lub z materiałów węglowych wyspecyfikowanych w pozycji 1C210.c.

a.

Są wykonane z siatek z brązu fosforowego obrabianych chemicznie dla zwiększenia nasiąkliwości; i

b.

Są przeznaczone do stosowania w próżniowych wieżach destylacyjnych.

a.

Powierzchnię w obszarze nieradioaktywnym powyżej 0,09 m2;

b.

Gęstość powyżej 3 g/cm3; i

c.

Grubość 100 mm lub większą.

1BUrządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne

1B001Następujące urządzenia do produkcji włókien, materiałów do prasowania laminatów zbrojonych, preform lub kompozytów wymienionych w pozycji 1A002 lub 1C010 oraz specjalnie do nich skonstruowane elementy i akcesoria: NB.: Sprawdź także pozycje 1B101 i 1B201. 1B002Urządzenia specjalnie zaprojektowane w celu zabezpieczenia przed zanieczyszczeniem i skonstruowane specjalnie z przeznaczeniem do produkcji stopów metali, proszków ze stopów metali lub materiałów stopowych wg jednego z procesów wymienionych w pozycji 1C002.c.2. NB.: Sprawdź także pozycję 1B102. 1B003Narzędzia, matryce, formy lub osprzęt o specjalnej konstrukcji, do przetwarzania tytanu albo aluminium lub ich stopów w stanie nadplastycznym albo metodą zgrzewania dyfuzyjnego z przeznaczeniem do produkcji: 1B101Następujące urządzenia, różne od wymienionych w pozycji 1B001, do produkcji kompozytów konstrukcyjnych oraz specjalnie do nich skonstruowane elementy i akcesoria: NB.: Sprawdź także pozycję 1B201. Uwaga: Do wymienionych w 1B101 elementów i akcesoriów należą formy, trzpienie, matryce, uchwyty i oprzyrządowanie do wstępnego prasowania, utrwalania, odlewania, spiekania lub spajania elementów kompozytowych, laminatów i wytworzonych z nich wyrobów. 1B102Urządzenia produkcyjne do wytwarzania proszków metali, różne od wymienionych w poz. 1B002 i specjalnie zaprojektowane elementy do nich: NB.: Sprawdź także pozycję 1B115.b. Uwaga: Pozycja 1B102 obejmuje: 1B115Urządzenia, różne od wymienionych w 1B002 lub 1B102, do produkcji paliw i składników paliw oraz specjalnie do nich skonstruowane podzespoły: Uwaga 1: Urządzenia specjalnie skonstruowane do produkcji wyrobów militarnych wymagają każdorazowo sprawdzenia Wykazu uzbrojenia. Uwaga 2: Pozycja 1B115 nie obejmuje kontrolą urządzeń do produkcji, manipulowania i testowania odbiorczego węgliku boru. 1B116Dysze o specjalnej konstrukcji, przeznaczone do wytwarzania materiałów pochodzenia pirolitycznego, formowanych w matrycy, na trzpieniu albo innym podłożu, z gazów macierzystych rozkładających się w zakresie temperatur od 1573 K (1300 °C) do 3173 K (2900 °C) przy ciśnieniach w zakresie od 130 Pa do 20 kPa. 1B117Mieszarki okresowe umożliwiające mieszanie próżniowe w zakresie od zera do 13,326 kPa, w których można regulować temperaturę w komorze mieszania, mające wszystkie z następujących cech, i specjalnie zaprojektowane do nich elementy: 1B118Mieszarki ciągłe umożliwiające mieszanie próżniowe w zakresie od zera do 13,326 kPa, w których można regulować temperaturę w komorze mieszania, mające wszystkie z następujących cech, i specjalnie zaprojektowane do nich elementy: 1B119Młyny wykorzystujące energię płynów, nadające się do rozdrabniania i mielenia substancji wymienionych w pozycjach 1C011.a, 1C011.b i 1C111 lub w Wykazie uzbrojenia, i specjalnie zaprojektowane do nich elementy. 1B201Maszyny do nawijania włókien i związane z nimi wyposażenie, różne od wymienionych w pozycji 1B001 lub 1B101, jak następuje: 1B225Ogniwa elektrolityczne do produkcji fluoru o wydajności większej niż 250 gramów fluoru na godzinę. 1B226Elektromagnetyczne separatory izotopów, skonstruowane z przeznaczeniem do współpracy z jednym lub wieloma źródłami jonów zdolnymi do uzyskania wiązki jonów o całkowitym natężeniu rzędu 50 mA lub więcej, albo wyposażone w takie źródło lub źródła. Uwaga: Pozycja 1B226 obejmuje następujące separatory: 1B227Konwertery do syntezy amoniaku lub urządzenia do syntezy amoniaku, w których gaz do syntezy (azot lub wodór) jest odprowadzany z wysokociśnieniowej kolumny wymiennej amoniakowo-wodorowej, a zsyntetyzowany amoniak wraca do wspomnianej kolumny. 1B228Kolumny do kriogenicznej destylacji wodoru posiadające wszystkie wymienione poniżej cechy: 1B229Kolumny półkowe do wymiany typu woda-siarkowodór oraz kontaktory wewnętrzne do nich, jak następuje; NB.: W przypadku kolumn specjalnie skonstruowanych lub spreparowanych do produkcji ciężkiej wody patrz 0B004. 1B230Pompy do przetłaczania roztworów katalizatora z amidku potasu rozcieńczonego lub stężonego w ciekłym amoniaku (KNH2/NH3), posiadające wszystkie wymienione poniżej cechy: 1B231Następujące urządzenia i instalacje do obróbki trytu lub ich podzespoły: 1B232Turborozprężarki lub zestawy turborozprężarka-sprężarka mające obie z wymienionych niżej cech: 1B233Następujące urządzenia i instalacje do separacji izotopów litu lub ich podzespoły:

a.

Maszyny nawojowe do włókien, z koordynowanymi i programowanymi w trzech lub więcej osiach ruchami związanymi z ustawianiem, owijaniem i nawijaniem włókien, specjalnie skonstruowane z przeznaczeniem do produkcji wyrobów kompozytowych lub laminatów z materiałów włóknistych lub włókienkowych;

b.

Maszyny do układania taśm albo mat z włókien, z koordynowanymi i programowanymi w dwóch lub więcej osiach ruchami związanymi z ustawianiem w odpowiednim położeniu i układaniem taśm, mat lub płyt, specjalnie skonstruowane z przeznaczeniem do kompozytowych elementów konstrukcyjnych płatowca samolotu lub pocisku rakietowego; Uwaga: W pozycji 1B001.b pocisk rakietowy oznacza kompletne systemy rakietowe i systemy bezzałogowych statków powietrznych.

c. Uwaga techniczna;

Wielokierunkowe, wielowymiarowe maszyny tkackie albo maszyny do przeplatania, włącznie z zestawami adaptacyjnymi i modyfikacyjnymi, przeznaczone do tkania, przeplatania lub oplatania włókien w celu wytworzenia elementów kompozytowych; Na użytek pozycji 1B001.c technika przeplatania obejmuje również dzianie. Uwaga: Pozycja 1B001.c nie obejmuje kontrolą maszyn tekstylnych niezmodyfikowanych do wspomnianych powyżej zastosowań końcowych.

d.

Następujące urządzenia specjalnie skonstruowane albo przystosowane do produkcji włókien wzmocnionych:

1. Urządzenia do przetwarzania włókien polimerowych (takich jak poliakrylonitryl, włókno z celulozy regenerowanej, pak albo polikarbosilan) we włókna węglowe lub włókna węglika krzemu, włącznie ze specjalnymi urządzeniami do naprężania włókien podczas ogrzewania;

2. Urządzenia do chemicznego osadzania par pierwiastków lub związków chemicznych na ogrzanych podłożach włóknistych w celu wyprodukowania włókien z węglika krzemu;

3. Urządzenia do mokrego przędzenia ogniotrwałych materiałów ceramicznych (takich jak tlenek aluminiowy);

4. Urządzenia do przetwarzania za pomocą obróbki cieplnej włókien macierzystych zawierających aluminium we włókna aluminiowe;

e.

Urządzenia do produkcji materiałów do prasowania laminatów zbrojonych, wymienionych w pozycji 1C010.e, metodą topienia termicznego (hot melt);

f.

Urządzenia do badań nieniszczących, umożliwiające kontrolę wad w trzech wymiarach, metodą tomografii ultradźwiękowej albo rentgenowskiej i specjalnie skonstruowane do materiałów kompozytowych.

a.

Konstrukcji lotniczych i kosmicznych;

b.

Silników do statków powietrznych i i rakiet kosmicznych; lub

c.

Specjalnie skonstruowanych zespołów do wspomnianych powyżej konstrukcji lub silników.

a.

Maszyny nawojowe do włókien, z koordynowanymi i programowanymi w trzech lub więcej osiach ruchami związanymi z ustawianiem, owijaniem i nawijaniem włókien, specjalnie skonstruowane z przeznaczeniem do produkcji wyrobów kompozytowych lub laminatów z materiałów włóknistych lub włókienkowych;

b.

Maszyny do układania taśm z koordynowanymi i programowanymi w dwóch lub więcej osiach ruchami związanymi z ustawianiem w odpowiednim położeniu i układaniem taśm, specjalnie skonstruowane z przeznaczeniem do kompozytowych elementów konstrukcyjnych płatowca samolotu lub pocisku rakietowego;

c.

Następujące urządzenia specjalnie skonstruowane albo przystosowane do produkcjimateriałów włóknistych lub włókienkowych:

1. Urządzenia do przetwarzania włókien polimerowych (takich jak poliakrylonitryl, włókno z celulozy regenerowanej albo polikarbosilan) włącznie ze specjalnymi urządzeniami do naprężania włókien podczas ogrzewania;

2. Urządzenia do chemicznego osadzania par pierwiastków lub związków chemicznych na ogrzanych podłożach włóknistych; oraz

3. Urządzenia do mokrego przędzenia ogniotrwałych materiałów ceramicznych (takich jak tlenek aluminiowy);

d.

Urządzenia skonstruowane lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do specjalnej obróbki powierzchniowej włókien albo do wytwarzania materiałów do prasowania laminatów zbrojonych i preform wymienionych w pozycji 9C110. Uwaga: Do urządzeń ujętych w 1B101.d zalicza się rolki, naprężacze, zespoły powlekające, urządzenia do cięcia i formy zatrzaskowe.

a.

nadające się do produkcji, w kontrolowanej atmosferze, sferycznych lub pylistych materiałów wymienionych w pozycjach: 1C011.a, 1C011.b, 1C111.a.1, 1C111.a.2 lub w Wykazie uzbrojenia;

b.

specjalnie zaprojektowane elementy do urządzeń produkcyjnych wyszczególnionych w pozycjach 1B002 lub 1B102.a.

a.

Generatory plazmowe (na zasadzie łuku elektrycznego wysokiej częstotliwości) nadające się do otrzymywania pylistych lub sferycznych proszków metali, z organizacją procesu w środowisku argon-woda;

b.

Urządzenia elektroimpulsowe nadające się do otrzymywania pylistych lub sferycznych proszków metali, z organizacją procesu w środowisku argon-woda;

c.

Urządzenia nadające się do produkcji sferycznych proszków aluminiowych przez rozpylanie roztopionego metalu w atmosferze obojętnej (np. azocie).

a.

Urządzenia produkcyjne do produkcji, manipulowania i testowania odbiorczego paliw płynnych i składników paliw wymienionych w pozycji 1C011.a, 1C011.b i 1C111 lub w Wykazie uzbrojenia;

b.

Urządzenia produkcyjne do produkcji, manipulowania, mieszania, utrwalania, odlewania, prasowania, obrabiania, wytłaczania lub testowania odbiorczego paliw stałych i składników paliw wymienionych w pozycji 1C011.a, 1C011.b i 1C111 lub w Wykazie uzbrojenia. Uwaga: Pozycja 1B115.b nie obejmuje mieszarek okresowych, mieszarek ciągłych lub młynów wykorzystujących energię płynów. W sprawie kontroli mieszarek okresowych, mieszarek ciągłych lub młynów wykorzystujących energię płynów sprawdź pozycje 1B117, 1B118 i 1B119.

a.

całkowitą wydajność objętościową 110 litrów lub większą; i

b.

co najmniej jeden wał mieszający/ugniatający osadzony mimośrodowo.

a.

dwa lub więcej wałów mieszających/ugniatających; i

b.

jeden oscylujący wał obrotowy z zębami/kołkami ugniatającymi na nim, jak również wewnątrz obudowy komory mieszalniczej.

a.

Maszyny do nawijania włókien mające wszystkie z następujących cech:

1. koordynację i programowanie ruchów związanych z ustawianiem, owijaniem i nawijaniem włókien, w dwóch lub więcej osiach;

2. są specjalnie skonstruowane z przeznaczeniem do produkcji wyrobów kompozytowych lub laminatów z materiałów włóknistych lub włókienkowych; i

3. zdolne do nawijania cylindrycznych wirników o średnicy od 75 mm do 400 mm i długości 600 mm lub większej;

b.

Sterowniki koordynujące i programujące do maszyn do nawijania włókien wymienionych w 1B201.a;

c.

Trzpienie precyzyjne do maszyn do nawijania włókien wymienionych w 1B201.a.

a.

zdolne do wzbogacania izotopów trwałych;

b.

ze źródłami i kolektorami jonów zarówno w polu magnetycznym, jak i w takich instalacjach, w których zespoły te znajdują się na zewnątrz pola.

a.

skonstruowane z przeznaczeniem do pracy przy temperaturach wewnętrznych 35 K (– 238 °C) lub mniejszych;

b.

skonstruowane z przeznaczeniem do pracy przy ciśnieniach wewnętrznych od 0,5 do 5 MPa (od 5 do 50 atmosfer);

c.

skonstruowane zarówno:

1. z drobnoziarnistych stali nierdzewnych klasy 300 o niskiej zawartości siarki i o wielkości ziarna austenitu 5 lub większym według norm ASTM (lub równoważnych); lub

2. z materiałów równoważnych nadających się zarówno do działań w warunkach kriogenicznych, jak i w atmosferze H2-; oraz

d.

o średnicach wewnętrznych 1 m lub większych i długościach efektywnych 5 m lub większych.

a.

Kolumny półkowe do wymiany typu woda-siarkowodór, mające wszystkie z następujących cech:

1. przeznaczenie do pracy przy ciśnieniu nominalnym 2 MPa lub wyższym;

2. są wykonane z drobnoziarnistej stali węglowej o wielkości ziarna 5 lub większym według norm ASTM (lub równoważnych); i

3. mają średnicę 1,8 m lub większą;

b. Uwaga techniczna:

Kontaktory wewnętrzne dla kolumn półkowych do wymiany typu woda-siarkowodór zdefiniowanych w poz. 1B229.a. Kontaktory wewnętrzne w kolumnach są segmentowymi półkami o zespołowej średnicy roboczej 1,8 m lub większej, skonstruowanymi w sposób ułatwiający kontakt czynników w przepływie przeciwprądowym, wykonanymi ze stali nierdzewnej o zawartości węgla 0,03 % lub mniejszej. Mogą one mieć postać półek sitowych, półek zaworowych, półek dzwonowych lub rusztowych.

a.

szczelność dla powietrza (tj. hermetycznie zamknięte);

b.

wydajność powyżej 8,5 m3/god; oraz

c.

nadające się do:

1. stężonych roztworów amidku potasu (1 % lub powyżej) – ciśnienie robocze 1,5–60 MPa (15–600 atmosfer); lub

2. do rozcieńczonych roztworów amidku potasu (poniżej 1 %) – ciśnienie robocze 20–60 MPa (200–600 atmosfer).

a.

Urządzenia lub instalacje do produkcji, odzyskiwania, ekstrakcji, stężania lub manipulowania trytem;

b.

Następujące urządzenia instalacji lub fabryk trytu:

1. urządzenia do chłodzenia wodoru lub helu zdolne do chłodzenia do temperatury 23 K (– 250 °C) lub poniżej, o wydajności odprowadzania ciepła powyżej 150 watów; lub

2. instalacje do magazynowania i oczyszczania izotopów wodoru za pomocą wodorków metali jako środków do magazynowania lub oczyszczania.

a.

przeznaczone do działania przy temperaturze wylotowej poniżej 35 K (– 238 °C) lub niższej; i

b.

posiadające przepustowość wodoru większą lub równą 1000 kg/godz.

a.

Urządzenia i instalacje do separacji izotopów litu;

b.

Następujące podzespoły do separacji izotopów litu:

1. Kolumny z wypełnieniem do wymiany cieczowo-cieczowej specjalnie przeznaczone do amalgamatów litu;

2. Pompy do pompowania rtęci oraz (lub) amalgamatu litu;

3. Cele do elektrolizy amalgamatu litu;

4. Aparaty wyparne do zagęszczonych roztworów wodorotlenku litu.

1CMateriały Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwagi techniczne:

Metale i stopy: Wyroby surowe: Półfabrykaty (zarówno powlekane, pokrywane galwanicznie, wiercone i wykrawane, jak i niepoddane żadnej z tych obróbek): Przedmioty nie powinny być zwalniane z kontroli poprzez eksport form niewymienionych, uważanych za produkty finalne, ale będące w rzeczywistości formami surowymi lub półfabrykatami. 1C001Następujące materiały specjalnie opracowane z przeznaczeniem na pochłaniacze fal elektromagnetycznych albo polimery przewodzące samoistnie: NB.: Sprawdź także pozycję 1C101. 1C002Następujące stopy metali, proszki stopów metali albo materiały stopowe: NB.: Sprawdź także pozycję 1C202. Uwaga: Pozycja 1C002 nie obejmuje kontrolą stopów metali, proszków stopów metali ani materiałów stopowych do podłoży powlekanych. 1C003Metale magnetyczne, bez względu na typ i postać, posiadające jedną z następujących cech charakterystycznych: 1C004Stopy uranowo-tytanowe lub stopy wolframu na matrycy z żelaza, niklu lub miedzi, posiadające wszystkie wymienione poniżej właściwości: 1C005Następujące nadprzewodzące przewodniki kompozytowe o długości powyżej 100 m lub masie powyżej 100 g: 1C006Następujące ciecze i materiały smarne: Dla celów pozycji 1C006: 1C007Następujące materiały na osnowie ceramicznej, niekompozytowe materiały ceramiczne, materiały kompozytowe na matrycy ceramicznej oraz materiały macierzyste: NB.: Sprawdź także pozycję 1C107. 1C008Następujące materiały polimerowe niezawierające fluoru: Temperatura zeszklenia (Tg) dla materiałów z pozycji 1C008 określana jest przy użyciu metody opisanej w normie ISO 11357-2 (1999) lub jej odpowiednikach krajowych. 1C009Następujące nieprzetworzone związki fluorowe: 1C010Następujące materiały włókniste lub włókienkowe, które można zastosować w konstrukcjach kompozytowych lub laminatach z matrycą organiczną, metalową lub węglową: NB.: Sprawdź także pozycję 1C210. 1C011Następujące metale i związki: NB.: Sprawdź także Wykaz uzbrojenia i pozycję 1C111. 1C012Następujące materiały: Materiały te są typowo wykorzystywane do jądrowych źródeł ciepła. 1C101Materiały i urządzenia do obiektów o zmniejszonej wykrywalności za pomocą odbitych fal radarowych, śladów w zakresie promieniowania nadfioletowego lub podczerwonego i śladów akustycznych, inne niż określone w pozycji 1C001, możliwe do zastosowania w pociskach rakietowych, podsystemach pocisków rakietowych lub bezzałogowych statkach powietrznych wymienionych w pozycji 9A012. Uwaga 1: Pozycja 1C101 obejmuje: Uwaga 2: Pozycja 1C101 nie dotyczy powłok, pod warunkiem że są specjalnie używane do regulacji temperatur w satelitach. W pozycji 1C101 pocisk rakietowy oznacza kompletne systemy rakietowe i systemy bezzałogowych statków powietrznych o zasięgu przekraczającym 300 km. 1C102Przesycane pyrolizowane materiały węglowo-węglowe przeznaczone do pojazdów kosmicznych wymienionych w pozycji 9A004 lub do rakiet meteorologicznych (sondujących) wymienionych w pozycji 9A104. 1C107Następujące materiały grafitowe i ceramiczne, różne od wymienionych w pozycji 1C007: 1C111Następujące substancje napędowe i związki chemiczne do nich, różne od wymienionych w pozycji 1C011: Uwaga: Dla substancji miotających oraz składników chemikaliów do materiałów miotających, nie wymienionych w pozycji 1C111, sprawdź także Wykaz uzbrojenia. 1C116Stale maraging (stale ogólnie charakteryzujące się wysoką zawartością niklu, bardzo niską zawartością węgla i wykorzystaniem składników substytucyjnych lub przyspieszających, umożliwiających utwardzanie wydzielinowe), o wytrzymałości na rozciąganie równej 1500 MPa lub większej, mierzonej w temperaturze 293 °K (20 °C), w postaci blach, płyt lub rur o grubości ścianek rur lub grubości płyt mniejszej lub równej 5 mm. NB.: Patrz także pozycja 1C216. 1C117Wolfram, molibden oraz stopy tych metali w postaci regularnych kulek albo rozpylonych cząstek o średnicy 500 μm lub mniejszej i czystości większej lub równej 97 %, przeznaczone do produkcji zespołów silników rakietowych, tj. osłon termicznych, podłoża dysz, przewężeń dysz i powierzchni sterowania wektorem ciągu. 1C118Stabilizowana tytanem stal nierdzewna dupleksowa (Ti-DSS) posiadająca wszystkie z niżej wymienionych cech: 1C202Stopy, różne od wyszczególnionych w pozycji 1C002.b.3 lub b.4, takie jak: Określenie stopy zdolne do obejmuje stopy przed lub po obróbce cieplnej. 1C210Materiały włókniste lub włókienkowe lub prepregi, różne od wyszczególnionych w pozycji 1C010.a, b lub e, takie jak: Uwaga: W pozycji 1C210 pojęcie materiały włókniste lub włókienkowe ogranicza się do ciągłych włókien elementarnych, przędz, niedoprzędów, kabli lub taśm. 1C216Stal maraging, różna od wyszczególnionej w pozycji 1C116, zdolna do wytrzymałości na rozciąganie większej lub równej 2050 MPa, w temperaturze 293 °K (20 °C). Uwaga: Pozycja 1C216 nie obejmuje kontrolą form, w których wszystkie wymiary liniowe są mniejsze lub równe 75 mm. Sformułowanie stal maraging zdolna do obejmuje stal maraging przed lub po obróbce cieplnej. 1C225Bor wzbogacony izotopem boru-10 (10B) w stopniu większym niż naturalna liczebność izotopowa, taki jak: bor pierwiastkowy, związki i mieszaniny zawierające bor, wyroby oraz złom i odpady powstałe z wyżej wymienionych. Uwaga: W pozycji 1C225 mieszaniny zawierające bor obejmują materiały obciążone borem. Naturalna liczebność izotopowa boru-10 wynosi wagowo ok. 18,5 % (atomowo 20 %). 1C226Wolfram, węglik wolframu oraz stopy zawierające wagowo powyżej 90 % wolframu, posiadające obydwie z niżej wymienionych cech: Uwaga: Pozycja 1C226 nie obejmuje kontrolą wyrobów specjalnie zaprojektowanych jako odważniki lub kolimatory promieniowania gamma. 1C227Wapń posiadający obydwie z niżej wymienionych cech: 1C228Magnez posiadający obydwie z niżej wymienionych cech: 1C229Bizmut posiadający obydwie z niżej wymienionych cech: 1C230Beryl metaliczny, stopy zawierające wagowo więcej niż 50 % berylu, związki berylu, wyroby oraz złom i odpady powstałe z wyżej wymienionych. Uwaga: Pozycja 1C230 nie obejmuje kontrolą: 1C231Hafn metaliczny, stopy oraz związki hafnu zawierające wagowo więcej niż 60 % hafnu, wyroby oraz złom i odpady z powstałe z wyżej wymienionych. 1C232Hel-3 (3He), mieszaniny zawierające hel-3 oraz wyroby lub urządzenia zawierające dowolne z wyżej wymienionych substancji; Uwaga: Pozycja 1C232 nie obejmuje kontrolą wyrobów lub urządzeń zawierających mniej niż 1 g helu-3. 1C233Lit wzbogacony izotopem litu-6 (6Li) w stopniu większym niż naturalna liczebność izotopowa, oraz produkty lub urządzenia zawierające wzbogacony lit takie jak: lit pierwiastkowy, stopy, związki, mieszaniny zawierające lit, wyroby oraz złom i odpady powstałe z wyżej wymienionych. Uwaga: Pozycja 1C233 nie obejmuje kontrolą dozymetrów termoluminescencyjnych. Naturalna liczebność izotopowa litu-6 wynosi wagowo ok. 6,5 % (atomowo 7,5 %). 1C234Cyrkon z zawartością wagową hafnu mniejszą niż 1 część hafnu do 500 części cyrkonu, taki jak: metal, stopy zawierające wagowo ponad 50 % cyrkonu, związki, wyroby oraz złom i odpady powstałe z wyżej wymienionych. Uwaga: Pozycja 1C234 nie obejmuje kontrolą cyrkonu w postaci folii o grubości mniejszej lub równej 0,10 mm. 1C235Tryt, związki trytu i mieszaniny zawierające tryt, w których stosunek atomów trytu do wodoru przewyższa 1 część na 1000, oraz wyroby lub urządzenia zawierające wyżej wymienione substancje. Uwaga: Pozycja 1C235 nie obejmuje kontrolą wyrobów lub urządzeń zawierających nie więcej niż 1,48 × 103 GBq (40 Ci) trytu. 1C236Radionuklidy emitujące cząstki alfa o okresie połowicznego rozpadu większym lub równym 10 dni, ale mniejszym niż 200 lat, występujące w poniższych postaciach: Uwaga: Pozycja 1C236 nie obejmuje kontrolą wyrobów lub urządzeń o aktywności alfa poniżej 3,7 GBq (100 mCi). 1C237Rad-226 (226Ra), stopy oraz związki radu-226, mieszaniny zawierające rad-226, powstałe z nich wyroby, oraz produkty i urządzenia powstałe z wyżej wymienionych. Uwaga: Pozycja 1C237 nie obejmuje kontrolą: 1C238Trifluorek chloru (ClF3). 1C239Kruszące materiały wybuchowe, różne od wyszczególnionych w uregulowaniach dotyczących towarów wojskowych, substancje lub mieszaniny zawierające wagowo więcej niż 2 % tych materiałów, o gęstości krystalicznej większej niż 1,8 g/cm3 i prędkości detonacji powyżej 8000 m/s. 1C240Proszek niklu lub porowaty nikiel metaliczny, różny od wyszczególnionego w pozycji 0C005, taki jak: Uwaga: Pozycja 1C240 nie obejmuje kontrolą: Pozycja 1C240.b odnosi się do porowatego metalu wyrabianego metodą zagęszczania lub spiekania materiałów wyszczególnionych w pozycji 1C240.a, celem otrzymania metalu z drobnymi porami, wzajemnie łączącymi się w całości struktury. 1C350Substancje chemiczne, które mogą być wykorzystane jako prekursory dla toksycznych środków chemicznych, oraz mieszaniny chemiczne zawierające jedną lub więcej z wyżej wymienionych substancji, z tego: NB.: Sprawdź także Wykaz uzbrojenia oraz pozycję 1C450. Uwaga 1: Dla eksportu do Państw nie będących stronami Konwencji o zakazie broni chemicznej pozycja 1C350 nie obejmuje kontrolą mieszanin chemicznych zawierających jedną lub więcej substancji chemicznych wyszczególnionych w podpunktach 1C350.1, .3, .5, .11, .12, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36, .54, .55, .56, .57 i 63, w których żadna z indywidualnie wyszczególnionych substancji chemicznych nie stanowi wagowo więcej niż 10 % mieszaniny. Uwaga 2: Dla eksportu do Państw będących stronami Konwencji o zakazie broni chemicznej pozycja 1C350 nie obejmuje kontrolą mieszanin chemicznych zawierających jedną lub więcej substancji chemicznych wymienionych w podpunktach 1C350.1, .3, .5, .11, 12, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36, .54, .55, .56, .57 i .63, w których żadna z indywidualnie wyszczególnionych substancji chemicznych nie stanowi wagowo więcej niż 30 % mieszaniny. Uwaga 3: Pozycja 1C350 nie obejmuje kontrolą mieszanin chemicznych zawierających jedną lub więcej substancji chemicznych wyszczególnionych w podpunktach 1C350.2, .6, .7, .8, .9, .10, 14, .15, .16, .19, .20, .24, .25, .30, .37, .38, .39, .40, .41, .42, .43, .44, .45, .46, .47, .48, .49, .50, .51, .52, .53, .58, .59, .60, .61 i .62, w których żadna z indywidualnie wyszczególnionych substancji chemicznych nie stanowi wagowo więcej niż 30 % mieszaniny. Uwaga 4: Pozycja 1C350 nie obejmuje kontrolą wyrobów określanych jako dobra konsumpcyjne pakowane do sprzedaży detalicznej do osobistego użytku lub pakowane do indywidualnego użytku. 1C351Ludzkie czynniki chorobotwórcze, choroby przenoszone przez zwierzęta oraz toksyny, takie jak: Uwaga: Pozycja 1C351 nie obejmuje kontrolą szczepionek lub immunotoksyn. 1C352Zwierzęce czynniki chorobotwórcze, takie jak: Uwaga: Pozycja 1C352 nie obejmuje kontrolą szczepionek. 1C353Elementy genetyczne oraz zmodyfikowane genetycznie organizmy: Elementy genetyczne zawierają między innymi chromosomy, genomy, plazmidy, transpozony oraz wektory, bez względu na to, czy są modyfikowane genetycznie, czy nie. Uwaga: Pozycji 1C353 nie stosuje się do sekwencji kwasów nukleinowych połączonych z czynnikami chorobotwórczymi pałeczki okrężnicy o odmianie serologicznej O157 oraz innych werotoksyn wytwarzających odmiany serologiczne innych niż te przypisane do werotoksyn lub ich podjednostek. Sekwencje kwasów nukleinowych połączone z czynnikami chorobotwórczymi mikroorganizmów wyszczególnionych w pozycjach 1C351.a. do c. lub 1C352 lub 1C354 oznaczają wszelkie sekwencje właściwe dla określonych mikroorganizmów, które: 1C354Szczepy chorobotwórcze, takie jak: 1C450Toksyczne związki chemiczne, prekursory toksycznych związków chemicznych oraz mieszaniny chemiczne zawierające jedną lub więcej z tych substancji, takie jak: NB.: Patrz także pozycje 1C350, 1C351.d oraz wykaz uzbrojenia. Uwaga: Pozycja 1C450 nie obejmuje kontrolą wyrobów określanych jako dobra konsumpcyjne pakowane do sprzedaży detalicznej do osobistego użytku lub pakowane do indywidualnego użytku.

Jeżeli nie stwierdzono inaczej, terminy metale i stopy używane w pozycjach od 1C001 do 1C012 dotyczą następujących wyrobów surowych i półfabrykatów:

Anody, kule, pręty (łącznie z prętami karbowanymi i ciągnionymi), kęsy, bloki, bochny, brykiety, placki, katody, kryształy, kostki, struktury, ziarna, sztaby, bryły, pastylki, surówki, proszki, podkładki, śruty, płyty, owale osadnicze, gąbki i drążki;

1CMateriały Uwaga techniczna: a.

Przerobione plastycznie lub obrobione materiały wyprodukowane poprzez walcowanie, wyciąganie, wytłaczanie, prasowanie, granulowanie, rozpylanie, mielenie, tj.: kątowniki, ceowniki, koła, tarcze, pyły, płatki, folie, odkuwki, płyty, proszki, wytłoczki, wypraski, wstęgi, pierścienie, pręty (w tym pręty spawalnicze, walcówki i druty walcowane), kształtowniki, arkusze, taśmy, rury, rurki (w tym rury bezszwowe, rury o przekroju kwadratowym i tuleje rurowe), druty ciągnione i tłoczone;

b.

Materiały odlewnicze produkowane przez odlewanie w piasku, kokile, formy metalowe, gipsowe i inne, w tym odlewanie pod ciśnieniem, formy spiekane i formy wykonywane w metalurgii proszkowej.

a.

Materiały pochłaniające fale o częstotliwościach powyżej 2 × 108 Hz, ale poniżej 3 × 1012 Hz; Uwaga 1: Pozycja 1C001.a nie obejmuje kontrolą: Uwaga 2: Żadne sformułowanie w pozycji 1C001.a nie zwalnia z kontroli materiałów magnetycznych używanych jako pochłaniacze fal w farbach.

a.

Pochłaniaczy typu włosowego, wykonanych z włókien naturalnych albo syntetycznych, w których pochłanianie osiąga się innym sposobem niż magnetyczny;

b.

Pochłaniaczy niewykazujących strat magnetycznych oraz takich, których powierzchnia, na którą pada promieniowanie, nie jest planarna, w tym ostrosłupów, stożków, klinów i powierzchni zwichrowanych;

c.

Pochłaniaczy planarnych posiadających wszystkie poniższe cechy:

1. Uwaga techniczna:

Wykonane z jednego z poniższych materiałów: Próbki do badania stopnia pochłaniania materiałów wymienionych w uwadze 1.c.1. do pozycji 1C001.a powinny być kwadratami o boku równym co najmniej 5 długościom fali o częstotliwości centralnej i umieszczone w polu dalekim elementu promieniującego fale elektromagnetyczne.

1. a.

ze spienionych tworzyw sztucznych (elastycznych albo nieelastycznych) wzmacnianych węglem albo z materiałów organicznych, włącznie z materiałami wiążącymi, dających więcej niż 5 % echa w porównaniu z metalami, w paśmie o szerokości wyższej o ± 15 % od częstotliwości centralnej padającej fali, i nieodpornych na temperatury przekraczające 450 K (177 °C); lub

b.

z materiałów ceramicznych dających ponad 20 % echa więcej w porównaniu z metalami, w paśmie o szerokości wyższej o ± 15 % od częstotliwości centralnej padającej fali, i nieodpornych na temperatury przekraczające 800 K (527 °C).

2. Wytrzymałość na rozciąganie poniżej 7 × 106 N/m2; oraz

3. Wytrzymałość na ściskanie poniżej 14 × 106 N/m2;

d.

Pochłaniaczy planarnych wykonanych ze spieku ferrytowego, charakteryzującego się:

1. Ciężarem właściwym powyżej 4,4; oraz

2. Maksymalną temperaturą roboczą 548 K (275 °C);

b.

Materiały pochłaniające fale o częstotliwościach w zakresie od 1,5 × 1014 Hz do 3,7 × 1014 Hz i nieprzezroczyste dla promieniowania widzialnego;

c. Uwaga techniczna:

Materiały polimerowe przewodzące samoistnie, o objętościowej przewodności elektrycznej powyżej 10000 S/m (simensów na metr) albo oporności powierzchniowej poniżej 100 omów/m2, których podstawowym składnikiem jest jeden z następujących polimerów: Objętościową przewodność elektryczną oraz oporność powierzchniową należy określać zgodnie z normą ASTM D-257 albo jej odpowiednikami.

c.

1. Polianilina;

2. Polipirol;

3. Politiofen;

4. Polifenylenowinylen; lub

5. Politienylenowinylen.

1CMateriały Uwaga techniczna: Uwagi techniczne:

1. Do stopów metalu według pozycji 1C002 zalicza się takie, które zawierają wyższy procent wagowy danego metalu niż dowolnego innego pierwiastka.

2. Trwałość w próbie pełzania do zerwania powinna być określana według normy ASTM E-139 lub jej krajowych odpowiedników.

3. Trwałość w niskocyklowych badaniach zmęczeniowych należy określać według normy ASTM E-606 Zalecana metoda niskocyklowego badania zmęczeniowego przy stałej amplitudzie albo jej krajowych odpowiedników. Badania należy prowadzić przy obciążeniu skierowanym osiowo, przy średniej wartości współczynnika asymetrii cyklu 1 oraz wartości współczynnika spiętrzenia naprężeń (Kt) równej 1. Naprężenie średnie definiuje się jako różnicę naprężenia maksymalnego i minimalnego podzieloną przez naprężenie maksymalne.

a.

Następujące glinki:

1. Glinki niklu zawierające wagowo minimum 15, maksimum 38 procent aluminium i przynajmniej jeden dodatek stopowy;

2. Glinki tytanu zawierające wagowo 10 procent lub więcej aluminium i przynajmniej jeden dodatek stopowy;

b.

Następujące stopy metali wykonane z materiałów wymienionych w pozycji 1C002.c:

1. Stopy niklu o:

1. a.

Trwałości w próbie pełzania do zerwania wynoszącej 10000 lub więcej godzin, w temperaturze 923 K (650 °C) przy naprężeniach 676 MPa; lub

b.

Trwałości w niskocyklowych badaniach zmęczeniowych wynoszącej 10000 lub więcej cykli w temperaturze 823 K (550 °C) przy maksymalnym naprężeniu 1095 MPa;

2. Stopy niobu o:

2. a.

Trwałości w próbie pełzania do zerwania wynoszącej 10000 lub więcej godzin, w temperaturze 1073 K (800 °C) przy naprężeniach 400 MPa; lub

b.

Trwałości w niskocyklowych badaniach zmęczeniowych wynoszącej 10000 lub więcej cykli w temperaturze 973 K (700 °C) przy maksymalnym naprężeniu 700 MPa;

3. Stopy tytanu o:

3. a.

Trwałości w próbie pełzania do zerwania wynoszącej 10000 lub więcej godzin, w temperaturze 723 K (450 °C) przy naprężeniu 200 MPa; lub

b.

Trwałości w niskocyklowych badaniach zmęczeniowych wynoszącej 10000 lub więcej w temperaturze 723 K (450 °C) przy maksymalnym naprężeniu 400 MPa;

4. Stopy aluminium o wytrzymałości na rozciąganie:

4. a.

240 MPa lub większej w temperaturze 473 K (200 °C); lub

b.

415 MPa lub większej w temperaturze 298 K (25 °C);

5. Stopy magnezu o:

5. a.

wytrzymałości na rozciąganie 345 MPa lub większej; oraz

b.

szybkości korozji w 3 % wodnym roztworze chlorku sodowego, mierzonej według normy ASTM G-31 albo jej krajowych odpowiedników, wynoszącej poniżej 1 mm/rok;

c.

Proszki stopu metalu albo materiału jednorodnego mające wszystkie następujące cechy:

1. Uwaga techniczna:

Wykonanie z dowolnego z podanych poniżej komponentów: W podanych poniżej związkach X oznacza jeden lub więcej składników stopu.

a.

Stopów niklu (Ni-Al-X, Ni-X-Al) przeznaczonych do wyrobu części albo zespołów silników turbinowych, tj. zawierających mniej niż 3 cząsteczki niemetalowe (wprowadzone podczas procesu produkcji) o wielkości przekraczającej 100 mikrometrów, na 109 cząsteczek stopu;

b.

Stopów niobu (Nb-Al-X lub Nb-X-Al, Nb-Si-X lub Nb-X-Si, Nb-Ti-X lub Nb-X-Ti);

c.

Stopów tytanu (Ti-Al-X lub Ti-X-Al);

d.

Stopów aluminium (Al-Mg-X lub Al-X-Mg, Al-Zn-X lub Al-X-Zn, Al-Fe-X lub Al-X-Fe); lub

e.

Stopów magnezu (Mg-Al-X lub Mg-X-Al);

2. Wyprodukowane w atmosferze o regulowanych parametrach jedną z następujących metod:

2. a.

Rozpylania próżniowego;

b.

Rozpylania gazowego;

c.

Rozpylania rotacyjnego;

d.

Chłodzenia ultraszybkiego;

e.

Przędzenia ze stopu i proszkowania;

f.

Ekstrakcji ze stopu i proszkowania; lub

g.

Stapiania mechanicznego; oraz

3. Nadające się do formowania materiałów wymienionych w poz. 1C002.a. lub 1C002.b.

d.

Materiały stopowe mające wszystkie następujące cechy:

1. Wykonane z dowolnego z wymienionych w pozycji 1C002.c.1 komponentów;

2. W postaci niesproszkowanych płatków, wstążek lub cienkich pręcików; oraz

3. Produkowanych w atmosferze o regulowanych parametrach dowolną z następujących metod:

3. a.

ultraszybkiego chłodzenia;

b.

przędzenia ze stopu; lub

c.

ekstrakcji ze stopu.

a. Uwaga techniczna:

Początkową względną przenikalność magnetyczną 120000 lub wyższą i grubość 0,05 mm, albo mniejszą; Początkową względną przenikalność magnetyczną należy mierzyć na materiałach całkowicie wyżarzonych.

b.

Stopy magnetostrykcyjne mające jedną z poniższych cech:

1. Magnetostrykcja nasycenia powyżej 5 × 10–4; lub

2. Współczynnik sprzężenia żyromagnetycznego (k) powyżej 0,8; lub

c. Uwaga techniczna:

Taśmy ze stopów amorficznych lub nanokrystalicznych mające wszystkie z poniższych cech: Pod pojęciem stopy nanokrystaliczne w pozycji 1C003.c rozumie się materiały o rozmiarze ziarna krystalicznego wynoszącym 50 nm lub mniej, zmierzonym metodą dyfrakcji promieniowania rentgenowskiego.

c.

1. Skład minimum 75 % wagowych żelaza, kobaltu lub niklu; i

2. Indukcję magnetyczną nasycenia (BS) 1,6 T lub wyższą; oraz

3. Jeden z poniższych parametrów:

3. a.

Grubość taśmy 0,02 mm lub mniejszą; lub

b.

Oporność właściwą 2 × 10–4 ohm cm lub większą.

a.

Gęstość powyżej 17,5 g/cm3;

b.

Granicę sprężystości powyżej 880 MPa;

c.

Wytrzymałość na rozciąganie powyżej 1270 MPa; oraz

d.

Wydłużenie powyżej 8 %.

a.

Wielowłókienkowe nadprzewodzące przewodniki kompozytowe, w których skład wchodzi jedno albo więcej włókien niobowo-tytanowych:

1. Osadzonych w matrycy różnej od miedzianej lub matrycy mieszanej na osnowie miedzi; lub

2. Mające pole przekroju poprzecznego poniżej 0,28 × 10–4 mm2 (o średnicy 6 mikrometrów w przypadku włókien o przekroju kołowym);

b.

Nadprzewodzące przewodniki kompozytowe, w których skład wchodzi jedno albo więcej włókien nadprzewodzących różnych od niobowo-tytanowych, mające wszystkie z poniższych właściwości:

1. Temperaturę krytyczną przy zerowej indukcji magnetycznej powyżej 9,85 K (– 263,31 °C) ale poniżej 24 K (– 249,16 °C);

2. Pole przekroju poprzecznego poniżej 0,28 × 10–4 mm2; oraz

3. Pozostawanie w stanie nadprzewodzącym w temperaturze 4,2 K (– 268,96 °C) pod działaniem pola magnetycznego równoważnego indukcji magnetycznej 12 T.

a.

Ciecze hydrauliczne zawierające jako składniki podstawowe dowolny z następujących związków chemicznych albo materiałów:

1. Uwaga techniczna:

Syntetyczne oleje węglowodorowe lub krzemowęglowodorowe mające wszystkie z poniższych właściwości: Dla celów pozycji 1C006.a.1 zakłada się, że oleje krzemowęglowodorowe zawierają wyłącznie krzem, wodór i węgiel.

a.

Temperatura zapłonu powyżej 477 K (204 °C);

b.

Temperatura krzepnięcia 239 K (– 34 °C) lub niższa;

c.

Wskaźnik lepkości 75 lub więcej; oraz

d.

Stabilność termiczna w temperaturze 616 K (343 °C); lub

2. Uwaga techniczna:

Chlorofluoropochodne węglowodorów mające wszystkie z poniższych właściwości: Dla celów pozycji 1C006.a.2 zakłada się, że chlorofluoropochodne węglowodorów zawierają wyłącznie węgiel, fluor i chlor.

a.

Brak temperatury zapłonu;

b.

Temperatura samozapłonu powyżej 977 K (704 °C);

c.

Temperatura krzepnięcia 219 K (– 54 °C) lub niższa;

d.

Wskaźnik lepkości 80 lub więcej; oraz

e.

Temperatura wrzenia 473 K (200 °C) lub wyższa;

b.

Materiały smarne zawierające jako składniki podstawowe dowolny z następujących związków chemicznych albo materiałów:

1. Etery albo tioetery fenylenowe lub alkilofenylenowe, albo ich mieszaniny, zawierające powyżej dwóch grup funkcyjnych eteru lub tioeteru, lub ich mieszaninę; lub

2. Fluorowe oleje silikonowe o lepkości kinematycznej poniżej 5000 mm2/s (5000 centystokesów) mierzonej w temperaturze 298 K (25 °C);

c.

Ciecze zwilżające lub flotacyjne o czystości powyżej 99,8 %, zawierające mniej niż 25 cząstek o średnicy 200 mikrometrów lub większej w 100 ml i wykonane co najmniej w 85 % z dowolnego z następujących związków chemicznych lub materiałów:

1. Dibromotetrafluoroetanu;

2. Polichlorotrifluoroetylenu (tylko modyfikowanego olejem albo woskiem); lub

3. Polibromotrifluoroetylenu;

d.

Fluorowęglowe elektroniczne płyny chłodzące posiadające wszystkie z poniższych cech:

1. Zawartość wagową 85 % lub więcej następujących związków lub ich mieszanin:

1. a.

Monomeryczne postaci perfluoropolialkiloeterotriazyn lub perfluoropolialkiloeterów;

b.

Perfluoroalkiloaminy;

c.

Perfluorocykloalkany; lub

d.

Perfluoroalkany;

2. Gęstość przy 298 K (25 °C) wynoszącą 1,5 g/cm3 lub więcej;

3. Stan ciekły w temperaturze 273 K (0 °C); oraz

4. Zawartość fluoru 60 % wagowych lub więcej.

1CMateriały Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: a.

Temperaturę zapłonu określa się metodą Cleveland Open Cup Method (Otwartego Kubka) opisaną w normie ASTM D-92 lub jej krajowych odpowiednikach.

b.

Temperaturę krzepnięcia określa się metodą opisaną w normie ASTM D-97 albo jej krajowych odpowiednikach.

c.

Wskaźnik lepkości określa się metodą opisaną w normie ASTM D-2270 albo jej krajowych odpowiednikach.

d.

Stabilność termiczną określa się według przedstawionej poniżej procedury albo jej krajowych odpowiedników:

Umieścić dwadzieścia ml badanej cieczy w komorze ze stali nierdzewnej typu 317 o pojemności 46 ml, w której znajdują się trzy kulki o średnicy (nominalnej) 12,5 mm, jedna ze stali narzędziowej M-10, druga ze stali 52100 i trzecia z mosiądzu morskiego dwufazowego (60 % Cu, 39 % Zn, 0,75 % Sn).

Następnie napełnić komorę azotem, zamknąć pod ciśnieniem atmosferycznym, podnieść temperaturę do 644 ± 6 K (371 ± 6 °C) i utrzymać ją na tym poziomie przez sześć godzin. Próbkę uznaje się za stabilną termicznie, jeżeli po zakończeniu badania spełnione są wszystkie następujące warunki:

1. Spadek wagi każdej z kulek jest mniejszy niż 10 mg/mm2 powierzchni kulki;

2. Zmiana lepkości początkowej określonej w temperaturze 311 K (38 °C) jest mniejsza niż 25 %; oraz

3. Całkowita liczba kwasowa lub zasadowa jest mniejsza niż 0,40;

e.

Temperaturę samozapłonu wyznacza się metodą opisaną w normie ASTM E-659 albo w jej krajowych odpowiednikach.

a.

Materiały podłożowe z pojedynczych albo złożonych borków tytanowych, w których łączna ilość zanieczyszczeń metalicznych, z wyłączeniem dodatków zamierzonych, wynosi poniżej 5000 ppm (części na milion), przeciętne wymiary cząstek są równe albo mniejsze niż 5 mikrometrów oraz zawierają nie więcej niż 10 % cząstek o wielkości powyżej 10 mikrometrów;

b.

Niekompozytowe materiały ceramiczne w postaci nieprzerobionej albo półprzetworzonej, złożone z borków tytanowych o gęstości stanowiącej 98 % lub więcej gęstości teoretycznej; Uwaga: Pozycja 1C007.b nie obejmuje kontrolą materiałów ściernych.

c.

Materiały kompozytowe ceramiczno-ceramiczne na matrycy szklanej albo tlenkowej, wzmacniane włóknami, mające wszystkie następujące cechy:

1. wykonane z jednego z następujących komponentów:

1. a.

Si-N;

b.

Si-C;

c.

Si-Al-O-N; lub

d.

Si-O-N; i

2. mające wytrzymałość właściwą na rozciąganie większą niż 12,7 × 103 m;

d.

Materiały kompozytowe ceramiczno-ceramiczne, z fazą metaliczną o strukturze ciągłej albo bez tej fazy, zawierające cząstki, wiskery lub włókna, w których matrycę stanowią węgliki albo azotki krzemu, cyrkonu lub boru;

e.

Następujące materiały macierzyste (tj. specjalne polimery albo materiały metaloorganiczne) do wytwarzania dowolnej fazy albo faz materiałów ujętych w pozycji 1C007.c;

1. Polidiorganosilany (do produkcji węglika krzemu);

2. Polisilazany (do produkcji azotka krzemu);

3. Polikarbosilazany (do produkcji materiałów ceramicznych zawierających składniki krzemowe, węglowe i azotowe);

f.

Materiały kompozytowe ceramiczno-ceramiczne na matrycy szkła albo tlenkowej, wzmacniane ciągłymi włóknami wykonanymi z jednego z następujących materiałów: Uwaga: Pozycja 1C007.f nie obejmuje kontrolą materiałów kompozytowych zawierających włókna z wymienionych w niej materiałów, posiadające wytrzymałość na rozciąganie mniejszą niż 700 MPa przy temperaturze 1273 K (1000 °C) lub odporność na pełzanie większą niż 1 % odkształcenia przy obciążeniu 100 MPa i temperaturze 1273 K (1000 °C) w czasie 100 godzin.

1. Al2O3; lub

2. Si-C-N.

a.

Uwaga: Pozycja 1C008.a nie obejmuje kontrolą nietopliwych proszków do prasowania w formach ani wytłoczek.

1. Bismaleimidy;

2. Poliamidoimidy aromatyczne;

3. Poliimidy aromatyczne;

4. Polieteroimidy aromatyczne o temperaturze zeszklenia (Tg) powyżej 513 K (240 °C);

b.

Ciekłe kryształy z kopolimerów termoplastycznych o temperaturze ugięcia pod obciążeniem powyżej 523 K (250 °C) mierzonej według normy AISO 75-3 (2004), metodą A, albo jej krajowych odpowiedników, przy obciążeniu 1,82 N/mm2, w których skład wchodzą:

1. Jeden z następujących komponentów:

1. a.

Fenylen, bifenylen lub naftalen; lub

b.

Fenylen, bifenylen lub naftalen z podstawnikiem metylowym, trzeciorzędowym butylowym albo fenylowym; oraz

2. Dowolny z następujących kwasów:

2. a.

Kwas tereftalowy;

b.

Kwas 6-hydroksy-2 naftoesowy; lub

c.

Kwas 4-hydroksybenzoesowy;

c.

Następujące poliketony arylenoeterowe:

1. Nie używany;

2. Poliketon eterowo-ketonowy (PEKK);

3. Poliketon eterowy (PEK);

4. Poliketon eterowo-ketonowo-eterowo-ketonowy (PEKEKK);

d.

Poliketony arylenowe;

e.

Polisiarczki arylenowe, w których grupą arylenową jest bifenylen, trifenylen albo ich kombinacja;

f.

Polisulfon bifenylenoeterowy o temperaturze zeszklenia (Tg) przekraczającej 513 K (240 °C);

1CMateriały Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.

Kopolimery fluorku winylidenu posiadające w 75 %, albo więcej, strukturę beta krystaliczną bez rozciągania;

b.

Poliimidy fluorowane zawierające 10 % wagowych albo więcej związanego fluoru;

c.

Fluorowane elastomery fosfazenowe zawierające 30 % wagowych albo więcej związanego fluoru.

a.

Organiczne materiały włókniste lub włókienkowe mające wszystkie z wymienionych właściwości: Uwaga: Pozycja 1C010.a nie obejmuje kontrolą polietylenu.

1. Moduł właściwy powyżej 12,7 × 106 m; oraz

2. Wytrzymałość właściwą na rozciąganie powyżej 23,5 × 104 m;

b. Uwaga techniczna:

Włókniste i włókienkowe materiały węglowe, mające wszystkie z wymienionych właściwości: Uwaga: Pozycja 1C010.b nie dotyczy kontroli tkanin wykonanych z materiałów włóknistych lub włókienkowych przeznaczonych do naprawy konstrukcji lotniczych ani laminatów, pod warunkiem że wymiary pojedynczych arkuszy materiału nie przekraczają wielkości 50 cm × 90 cm. Właściwości materiałów ujętych w pozycji 1C010.b należy określać zalecanymi przez Stowarzyszenie Dostawców Wysokojakościowych Materiałów Kompozytowych (SACMA) metodami SRM 12 do 17 albo równoważnymi metodami badania włókien, takimi jak Japońska Norma Przemysłowa JIS-R-7601, Paragraf 6.6.2, i opartymi na badaniu przeciętnej próbki z partii materiału.

b.

1. Moduł właściwy powyżej 12,7 × 106 m; oraz

2. Wytrzymałość właściwą na rozciąganie powyżej 23,5 × 104 m;

c.

Nieorganiczne materiały włókniste lub włókienkowe, mające wszystkie z wymienionych właściwości: Uwaga: Pozycja 1C010.c nie obejmuje kontrolą:

1. Moduł właściwy powyżej 2,54 × 106 m; oraz

2. Temperatura topnienia, mięknienia, rozkładu lub sublimacji powyżej 1922 K (1649 °C) w środowisku obojętnym;

1. Nieciągłych, wielofazowych, polikrystalicznych włókien aluminiowych w postaci włókien ciętych albo mat o strukturze bezładnej, zawierających 3 procent wagowych albo więcej krzemu, i mających moduł właściwy poniżej 10 × 106 m;

2. Włókien molibdenowych i ze stopów molibdenowych;

3. Włókien borowych;

4. Nieciągłych włókien ceramicznych o temperaturze topnienia, mięknienia, rozkładu lub sublimacji poniżej 2043 K (1770 °C) w środowisku obojętnym.

d.

Materiały włókniste albo włókienkowe:

1. Zawierające dowolny z następujących związków:

1. a.

Polieteroimidy określone w pozycji 1C008.a.; lub

b.

Materiały ujęte w pozycjach od 1C008.b do 1C008.f; lub

2. Złożone z materiałów ujętych w pozycji od 1C010.d.1.a lub 1C010.d.1.b i zmieszane z innymi materiałami włóknistymi ujętymi w pozycjach 1C010.a, 1C010.b lub 1C010.c;

e. Uwaga techniczna:

Następujące włókna impregnowane żywicą lub pakiem (prepregi), włókna powlekane metalem lub węglem (preformy) lub preformy włókien węglowych: Uwaga: Pozycja 1C010.e nie obejmuje kontrolą: Temperatura zeszklenia (Tg) dla materiałów z pozycji 1C010.e określana jest przy użyciu metody suchej, opisanej w normie ASTM D 3418. Temperatura zeszklenia dla żywic fenolowych i epoksydowych określana jest przy użyciu metody suchej, opisanej w normie ASTM D 4065, przy częstotliwości 1 Hz i szybkości nagrzewania wynoszącej 2 K (°C) na minutę.

e.

1. Wykonane z materiałów włóknistych lub włókienkowych określonych w pozycji 1C010.a, 1C010.b, lub 1C010.c;

2. Wykonane z organicznych lub węglowych materiałów włóknistych lub włókienkowych:

2. a.

o wytrzymałości właściwej na rozciąganie powyżej 17,7 × 104 m;

b.

o module właściwym powyżej 10,15 × 106 m;

c.

nieobjęte kontrolą w pozycji 1C010.a lub 1C010.b; oraz

d.

w przypadku gdy są impregnowane materiałami określonymi w pozycjach 1C008 lub 1C009.b, mającymi temperaturę zeszklenia (Tg) powyżej 383 K (110 °C), albo żywicami fenolowymi lub epoksydowymi, mającymi temperaturę zeszklenia (Tg) powyżej 418 K (145 °C).

a.

impregnowanych żywicą epoksydową matryc z materiałów włóknistych lub włókienkowych (materiałów do prasowania laminatów zbrojonych) przeznaczonych do naprawy konstrukcji lotniczych ani laminatów, pod warunkiem że wymiary pojedynczych arkuszy materiału nie przekraczają wielkości 50 cm × 90 cm.

b.

materiałów do prasowania laminatów zbrojonych, impregnowanych żywicami fenolowymi lub epoksydowymi, mającymi temperaturę zeszklenia (Tg) poniżej 433 K (160 °C) i temperaturę sieciowania niższą niż temperatura zeszklenia.

a. Uwaga techniczna:

Metale o rozmiarach ziarna mniejszych niż 60 mikronów, zarówno w postaci sferycznej, rozpylanej, sferoidalnej, płatków, jak i zmielonej, wykonane z materiałów zawierających 99 % lub więcej cyrkonu, magnezu lub ich stopów; Naturalna zawartość hafnu w cyrkonie (typowo od 2 % do 7 %) jest liczona razem z cyrkonem. Uwaga: Metale lub stopy wymienione w pozycji 1C011.a są objęte kontrolą bez względu na to, czy są, czy też nie, zamknięte w kapsułkach z aluminium, magnezu lub berylu.

b.

Bor i węgliki boru o czystości 85 % lub większej oraz rozmiarach ziarna 60 mikronów lub mniejszych; Uwaga: Metale lub stopy wymienione w pozycji 1C011.b są objęte kontrolą bez względu na to, czy są, czy też nie, zamknięte w kapsułkach z aluminium, magnezu lub berylu.

c.

Azotan guanidyny;

d.

Nitroguanidyna (NQ) (CAS 55-88-7).

1CMateriały Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.

Pluton w dowolnej postaci zawierający izotop pluton-238 w ilości powyżej 50 % wagowych; Uwaga: Pozycja 1C012.a nie obejmuje kontrolą:

a.

Dostaw zawierających 1 gram plutonu lub mniej;

b.

Dostaw zawierających 3 gramy efektywne lub mniej, w przypadku kiedy znajduje się on w czujnikach instrumentów pomiarowych.

b.

Uprzednio separowany neptun-237 w dowolnej formie. Uwaga: Pozycja 1C012.b nie obejmuje kontrolą dostaw zawierających neptun-237 w ilości 1 grama lub mniejszej.

a.

Materiały strukturalne i powłoki specjalnie opracowane pod kątem zmniejszenia ich echa radarowego;

b.

Powłoki, w tym farby, specjalnie opracowane pod kątem zmniejszenia ilości odbijanego lub emitowanego promieniowania z zakresu mikrofalowego, podczerwonego lub nadfioletowego promieniowania elektromagnetycznego.

1CMateriały Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.

Drobnoziarniste materiały grafitowe o gęstości nasypowej co najmniej 1,72 g/cm3 lub większej, mierzonej w temperaturze 288 K (15 °C) i o wymiarach ziarna 100 m lub mniejszych, możliwe do zastosowania w dyszach do rakiet i stożkach czołowych członów lądujących statków kosmicznych, umożliwiające uzyskanie w drodze obróbki następujących produktów: NB.: Patrz również 0C004.

1. Cylindry o średnicy 120 mm lub większej i długości 50 mm lub większej;

2. Rury o średnicy wewnętrznej 65 mm lub większej i grubości ścianki 25 mm lub większej i długości 50 mm lub większej;

3. Bloki o wymiarach 120 mm × 120 mm × 50 mm lub większej;

b.

Pyrolityczne lub wzmacniane włóknami materiały grafitowe nadające się do zastosowania w dyszach pocisków rakietowych i stożkach czołowych członów lądujących statków kosmicznych. NB.: Sprawdź także pozycję 0C004.

c.

Ceramiczne materiały kompozytowe (o stałej dielektrycznej poniżej 6 przy każdej częstotliwości od 100 MHz do 100 GHz), nadające się również do wyrobu kopułek anten radiolokatorów pocisków rakietowych;

d.

Skrawalne, niepalne materiały ceramiczne wzmacniane włóknami krzemo-węglowymi, używane do wyrobu przednich szpiców pocisków rakietowych.

a.

Substancje napędowe:

1. Uwaga techniczna:

Sferyczny proszek aluminiowy, różny od wymienionego w Wykazie uzbrojenia, złożony z cząstek o równomiernej średnicy i wielkości poniżej 200 mikrometrów i zawartości aluminium rzędu 97 procent wagowych lub większej, jeżeli co najmniej 10 % ciężaru ogólnego stanowią cząstki o średnicy mniejszej niż 63 mikrometry, zgodnie z ISO 2591:1988 lub równoważnymi normami narodowymi; Wielkość cząstek 63 mikrometry (ISO R-565) koresponduje z siatką 250 (Tyler) lub siatką 230 (standard ASTM E-11).

2. Uwaga techniczna:

Paliwa metalowe, różne od wymienionych w Wykazie uzbrojenia, w postaci cząstek o średnicy poniżej 60 mikrometrów, w postaci sferycznej, zatomizowanej, sferoidalnej, płatków lub silnie rozdrobnionego proszku, zawierające 97 procent wagowych lub więcej jednego z następujących składników: Naturalna zawartość hafnu w cyrkonie (typowo od 2 % do 7 %) jest liczona razem z cyrkonem.

2. a.

cyrkonu;

b.

berylu;

c.

magnezu;

d.

stopów metali określonych w pozycjach od a. do c. powyżej; lub

3. Następujące płynne utleniacze:

3. a.

Tritlenek diazotu;

b.

Ditlenek azotu/tetratlenek diazotu;

c.

Pentatlenek diazotu;

d. Uwaga techniczna:

Mieszaniny tlenków azotu (MON); Mieszaniny tlenków azotu stanowią roztwory tlenku azotu (NO) w tetratlenku diazotu/ditlenku azotu (N2O4/NO2), które mogą być wykorzystane w systemach rakietowych. Istnieje cała skala mieszanin, które mogą być oznaczone jako MONi lub MONij, gdzie i oraz j są liczbami całkowitymi przedstawiającymi procentową zawartość tlenku azotu w danej mieszaninie (np. MON3 zawiera 3 % tlenku azotu, MON25 – 25 % tlenku azotu. Górną granicę stanowi MON40 – 40 % zawartości wagowej).

e.

Sprawdź także Wykaz uzbrojenia dla inhibitowanego dymiącego na czerwono kwasu azotowego (IRFNA);

f.

Sprawdź także Wykaz uzbrojenia oraz pozycję 1C238 dla związków chemicznych składających się z fluoru oraz jednego lub więcej ilości innych chlorowców, tlenu lub azotu;

4. Pochodne hydrazyny możliwe do wykorzystania jako paliwo rakietowe oprócz wymienionych w Wykazie uzbrojenia;

b.

Substancje polimerowe:

1. Polibutadien o łańcuchach zakończonych grupą karboksylową (CTPB);

2. Polibutadien o łańcuchach zakończonych grupą hydroksylową (HTPB), różny od wymienionego w uregulowaniach dotyczących towarów wojskowych;

3. Kopolimer butadienu z kwasem akrylowym (PBAA);

4. Kopolimer butadienu z kwasem akrylowym i akrylonitrylem (PBAN);

c.

Inne dodatki i środki do materiałów miotających:

1. Sprawdź także Wykaz uzbrojenia dla węgloborowodorów, dekaborowodorów, pentaborowodorów oraz i ich pochodnych;

2. Diazotan glikolu trietylenowego (TEGDN);

3. 2-nitrodifenyloamina;

4. Triazotan trimetyloetanu (TMETN);

5. Diazotan glikolu dietylenowego (DEGDN);

6. Pochodne ferrocenu, takie jak:

6. a.

Sprawdź także Wykaz uzbrojenia dla katocenu;

b.

Ferrocen etylu;

c.

Ferrocen propylu;

d.

Sprawdź także Wykaz uzbrojenia dla ferrocenu n-butylu;

e.

Ferrocen pentylu;

f.

Ferrocen dicyklopentylu;

g.

Ferrocen dicykloheksylu;

h.

Ferrocen dietylu;

i.

Ferrocen dipropylu;

j.

Ferrocen dibutylu;

k.

Ferrocen diheksylu;

l.

Ferroceny acetylu;

m.

Sprawdź także Wykaz uzbrojenia dla kwasów karboksylowych ferrocenu;

n.

Sprawdź także Wykaz uzbrojenia dla butacenu;

o.

Inne pochodne ferrocenu wykorzystywane jako modyfikatory szybkości spalania paliwa rakietowego, różne od wyszczególnionych w uregulowaniach dotyczących towarów wojskowych.

a.

Posiadająca wszystkie z niżej wymienionych charakterystyk:

1. Zawartość wagowa chromu: 17,0 – 23,0 %, niklu: 4,5 – 7,0 %;

2. Zawartość wagowa tytanu większa niż 0,10 %; oraz

3. Obecność mikrostruktury ferrytowo-austenitowej (nazywanej także mikrostrukturą dwufazową), w której co najmniej 10 % objętości stanowi austenit (zgodnie z ASTM E-1181 lub jego odpowiednikiem narodowym); oraz

b.

Posiadająca którąkolwiek z następujących postaci:

1. Sztab lub prętów o wielkości większej lub równej 100 mm w każdym z wymiarów;

2. Arkuszy o szerokości większej lub równej 600 mm i grubości mniejszej lub równej 3 mm; lub

3. Rur o średnicy zewnętrznej większej lub równej 600 mm i grubości ścianek mniejszej lub równej 3 mm.

a.

Stopy aluminium posiadające obydwie wymienione niżej cechy:

1. Zdolne do wytrzymałości na rozciąganie większej lub równej 460 MPa w temperaturze 293 °K (20 °C); oraz

2. Posiadające postać rur lub litych elementów cylindrycznych (w tym odkuwek) o średnicy zewnętrznej powyżej 75 mm;

b.

Stopy tytanu posiadające obydwie wymienione niżej cechy:

1. Zdolne do wytrzymałości na rozciąganie większej lub równej 900 MPa w temperaturze 293 °K (20 °C); oraz

2. Posiadające postać rur lub litych elementów cylindrycznych (w tym odkuwek) o średnicy zewnętrznej powyżej 75 mm.

1CMateriały Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.

Węglowe lub aramidowe materiały włókniste lub włókienkowe posiadające obojętnie, którą z niżej wymienionych charakterystyk: Uwaga: Pozycja 1C210.a nie obejmuje kontrolą aramidowych materiałów włóknistych lub włókienkowych, zawierających wagowo 0,25 % lub więcej dowolnego modyfikatora powierzchni włókien opartego na estrach;

1. Moduł właściwy większy lub równy 12,7 × 106 m; lub

2. Wytrzymałość właściwa na rozciąganie większa lub równa 23,5 × 103 m;

b.

Szklane materiały włókniste lub włókienkowe posiadające obydwie z niżej wymienionych cech:

1. Moduł właściwy większy lub równy 3,18 × 106 m; lub

2. Wytrzymałość właściwa na rozciąganie większa lub równa 76,2 × 103 m;

c. Uwaga techniczna:

Termoutwardzalne, impregnowane żywicą, ciągłe przędze, niedoprzędy, kable lub taśmy o szerokości nie przekraczającej 15 mm (prepregi), wykonane z węglowych lub szklanych materiałów włóknistych lub włókienkowych wyszczególnionych w pozycji 1C210.a lub b. Żywice tworzą matryce kompozytów.

1CMateriały Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.

W postaci form wydrążonych o symetrii cylindrycznej (włącznie z segmentami cylindrycznymi) o średnicy wewnętrznej od 100 do 300 mm; oraz

b.

Masa większa niż 20 kg.

a.

Zawartość wagowa zanieczyszczeń metalami różnymi od magnezu poniżej 1000 części na milion; oraz

b.

Zawartość wagowa boru poniżej 10 części na milion.

a.

Zawartość wagowa zanieczyszczeń metalami różnymi od wapnia poniżej 200 części na milion; oraz

b.

Zawartość wagowa boru poniżej 10 części na milion.

a.

Czystość wagowa większa lub równa 99,99 %; oraz

b.

Zawartość wagowa srebra poniżej 10 części na milion.

a.

Metalowych okien do aparatury rentgenowskiej lub do urządzeń wiertniczych;

b.

Profili tlenkowych w postaci przetworzonej lub półprzetworzonej, zaprojektowanych specjalnie do elementów zespołów elektronicznych lub jako podłoża do obwodów elektronicznych;

c.

Berylu (krzemianu berylu i aluminium) w postaci szmaragdów lub akwamarynów.

1CMateriały Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.

Pierwiastki;

b.

Związki o całkowitej aktywności alfa większej lub równej 37 GBq/kg (1 Ci/kg);

c.

Mieszaniny o całkowitej aktywności alfa większej lub równej 37 GBq/kg (1 Ci/kg);

d.

Wyroby lub urządzenia zawierające wyżej wymienione substancje.

a.

Aplikatorów medycznych;

b.

Wyrobów lub urządzeń zawierających mniej niż 0,37 GBq (10 mCi) radu-226.

a.

Proszek niklu posiadający obydwie z niżej wymienionych cech:

1. Czystość niklowego składnika wagowego większa lub równa 99 %; oraz

2. Średnia wielkość cząstek mniejsza niż 10 μm, mierzona według normy B330 Amerykańskiego Towarzystwa Materiałoznawczego (ASTM);

b.

Porowaty nikiel metaliczny wytwarzany z materiałów wyszczególnionych w pozycji 1C240.a.

a.

Włókienkowych proszków niklu;

b.

Pojedynczych porowatych blach niklowych o polu powierzchni arkusza mniejszym lub równym 1000 cm2.

1CMateriały Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna:

1. Tiodiglikol (111- 48-8);

2. Tlenochlorek fosforu (10025-87-3);

3. Metylofosfonian dimetylu (756-79-6);

4. Sprawdź także Wykaz uzbrojenia dla Difluorek metylofosfonowy (676-99-3);

5. Dichlorek metylofosfonowy (676-97-1);

6. Fosforyn dimetylu (DMP) (868-85-9);

7. Trichlorek fosforu (7719-12-2);

8. Fosforyn trimetylu (TMP) (121-45-9);

9. Chlorek tionylu (7719-09-7);

10. 3-Hydroksy-1-metylopiperydyna (3554-74-3);

11. N,N-diizopropylo-(beta)-chloroetyloamina (96-79-7);

12. N,N-diizopropylo-(beta)-tioloetanoamina (5842-07-9);

13. 3-chinuklidynol (1619-34-7);

14. Fluorek potasu (7789-23-3);

15. 2-Chloroetanol (107-07-3);

16. Dimetyloamina (124-40-3);

17. Etylofosfonian dietylu (78-38-6);

18. N,N-dimetylofosforoamidan dietylu (2404-03-7);

19. Fosfonian dietylu (762-04-9);

20. Chlorowodorek dimetyloaminy (506-59-2);

21. Dichloro(etylo)fosfina (1498-40-4);

22. Dichlorek etylofosfonowy (1066-50-8);

23. Sprawdź także Wykaz uzbrojenia dla Difluorek etylofosfonowy (753-98-0);

24. Fluorowodór (7664-39-3);

25. Benzilan metylu (76-89-1);

26. Dichloro(metylo) fosfina (676-83-5);

27. N,N-diizopropylo-(beta)-amino etanol (96-80-0);

28. Alkohol pinakolinowy (464-07-3);

29. Sprawdź także Wykaz uzbrojenia dla O-etylo-2-diizopropyloaminoetylo metylofosfinin (QL) (57856-11-8);

30. Fosforyn trietylu (122-52-1);

31. Trichlorek arsenu (7784-34-1);

32. Kwas benzilowy (76-93-7);

33. Metylofosfonin dietylu (15715-41-0);

34. Etylofosfonian dimetylu (6163-75-3);

35. Etylodifluorofosfina (430-78-4);

36. Difluoro(metylo) fosfina (753-59-3);

37. 3-chinuklidynon (3731-38-2);

38. Pentachlorek fosforu (10026-13-8);

39. Pinakolon (75-97-8);

40. Cyjanek potasu (151-50-8);

41. Wodorofluorek potasu (7789-29-9);

42. Wodorofluorek amonu lub bifluorek amonu (1341-49-7);

43. Fluorek sodu (7681-49-4);

44. Wodorofluorek sodu (1333-83-1);

45. Cyjanek sodu (143-33-9);

46. Trietanoloamina (102-71-6);

47. Pentasiarczek fosforawy (1314-80-3);

48. Di-izopropyloamina (108-18-9);

49. Dietyloaminoetanol (100-37-8);

50. Siarczek sodu (1313-82-2);

51. Monochlorek siarki (10025-67-9);

52. Dichlorek siarki (10545-99-0);

53. Chlorowodorek trietanoloaminy (637-39-8);

54. N,N-diizopropylo-(beta)-chloroetyloamino chlorowodorek (4261-68-1).

55. Kwas metylofosfonowy (993-13-5);

56. Metylofosfonian dietylu (683-08-9);

57. Dichlorek N,N-dimetylofosforoamidowy (677-43-0);

58. Fosforyn triisopropylu (116-17-06);

59. Etylodietanoloamina (139-87-7);

60. O,O-dietylo fosforotionian (2465-65-8);

61. O,O-dietylo fosforoditionian (298-06-6);

62. Heksafluorokrzemian sodu (16893-85-9);

63. Dichlorek metylotiofosfonowy (676-98-2).

a.

Wirusy pochodzenia naturalnego, wzmocnione lub zmodyfikowane, w postaci izolowanych żywych kultur lub jako materiał włącznie z materiałem żywym, który został celowo zaszczepiony lub zakażony takimi kulturami, takie jak:

1. Wirus gorączki Chikungunya;

2. Wirus gorączki krwotocznej kongijsko-krymskiej;

3. Wirus gorączki denga;

4. Wirus wschodnioamerykańskiego końskiego zapalenia mózgu;

5. Wirus Ebola;

6. Wirus Hanta;

7. Wirus Junin;

8. Wirus gorączki Lassa;

9. Wirus limfocytowego zapalenia opon mózgowych;

10. Wirus Machupo;

11. Wirus marburski;

12. Wirus małpiej ospy;

13. Wirus gorączki z Rift Valley;

14. Wirus kleszczowego zapalenia mózgu (rosyjski wiosenno-letni wirus zapalenia mózgu);

15. Wirus ospy naturalnej;

16. Wirus wenezuelskiego końskiego zapalenia mózgu;

17. Wirus zachodnioamerykańskiego końskiego zapalenia mózgu;

18. Wirus ospówki;

19. Wirus żółtej gorączki;

20. Wirus japońskiego zapalenia mózgu;

21. Wirus Lasu Kyasanur;

22. Wirus choroby skokowej owiec;

23. Wirus zapalenia mózgu z Murray Valley;

24. Wirus omskiej gorączki krwotocznej;

25. Wirus Oropouche;

26. Wirus Powassan;

27. Wirus Rocio;

28. Wirus zapalenia mózgu z St Louis;

29. Wirus Hendra;

30. Wirus południowoamerykańskiej gorączki krwotocznej (Sabia, Flexal, Guanarito);

31. Wirusy gorączki krwotocznej z zepołem płucnym i nerkowym (Seoul, Dobrava, Puumala, Sin Nobre);

32. Wirus Nipah;

b.

Riketsje pochodzenia naturalnego, wzmocnione lub zmodyfikowane, w postaci izolowanych żywych kultur lub jako materiał włącznie z materiałem żywym, który został celowo zaszczepiony lub zakażony takimi kulturami, takie jak:

1. Coxiella burnetii – riketsja gorączki Q;

2. Bartonella quintana (Rochalimea Quintana, Rickettsia quintana) – riketsja gorączki okopowej;

3. Riketsja prowasecki – riketsja duru plamistego;

4. Riketsja rickettsii – riketsja gorączki plamistej Gór Skalistych;

c.

Następujące bakterie pochodzenia naturalnego, wzmocnione lub zmodyfikowane, w postaci izolowanych żywych kultur lub jako materiał włącznie z materiałem żywym, który został specjalnie zaszczepiony lub zakażony takimi kulturami:

1. Laseczka wąglika (Bacillus anthracis);

2. Pałeczka ronienia bydła (Brucella abortus bovis);

3. Pałeczka maltańska (Brucella melitensis);

4. Pałeczka ronienia świń (Brucella abortus suis);

5. Zarazek papuzicy (Chlamydia psittaci);

6. Laseczka jadu kiełbasianego (Clostridium botulinum);

7. Pałeczka tularemii (Francisella tularensis);

8. Pałeczka nosacizny Burkholderia mallei (Pseudomonas mallei);

9. Pałeczka melioidozy Burkholderia pseudomallei (Pseudomonas pseudomallei);

10. Pałeczka duru (Salmonella typhi);

11. Pałeczka czerwonki (Shigella dysenteriae);

12. Przecinkowiec cholery (Vibrio cholerae);

13. Pałeczka dżumy (Yersinia pestis);

14. Laseczka zgorzeli gazowej wytwarzająca odmiany egzotoksyn (Clostridium perfringens);

15. Pałeczka okrężnicy (Escherichia coli) o odmianie serologicznej O157 oraz inne werotoksyny wytwarzające odmiany serologiczne

d.

Następujące toksyny i ich podjednostki toksyn: Uwaga: Pozycja 1C351.d nie obejmuje kontrolą toksyn botulinowych ani konotoksyn w postaci wyrobów spełniających wszystkie niżej wymienione kryteria:

1. Toksyny botulinowe;

2. Toksyny laseczki zgorzeli gazowej;

3. Konotoksyna;

4. Rycyna;

5. Saksytoksyna;

6. Toksyna Shiga;

7. Toksyny gronkowca złocistego;

8. Tetrodotoksyna;

9. Verotoksyna;

10. Microcystin (Cyanginosin);

11. Aflatoksyny;

12. Abryn;

13. Toksyna cholery;

14. Toksyna diacetoksyscyrpenolowa;

15. Toksyna T-2;

16. Toksyna HT-2;

17. Modecyn;

18. Wolkensyn;

19. Lektyn 1 jemioły pospolitej (wiskotoksyna);

1. Są formułami farmaceutycznymi przeznaczonymi do przywracania zdrowia chorym ludziom;

2. Są opakowane do rozprowadzania jako wyroby lecznicze;

3. Są dopuszczone do obrotu przez władze państwowe jako wyroby lecznicze.

a.

Wirusy pochodzenia naturalnego, wzmocnione lub zmodyfikowane, w postaci izolowanych żywych kultur lub jako materiał włącznie z materiałem żywym, który został celowo zaszczepiony lub zakażony takimi kulturami, takie jak:

1. Wirus afrykańskiego pomoru świń;

2. Ptasie wirusy grypy, które są:

2. a.

Niescharakteryzowane; lub

b.

Określone w dyrektywie Wspólnoty Europejskiej 92/40/WE (Dz.U. L 16 z 23.1.1992, pkt 19) jako posiadające wysokie właściwości chorobotwórcze, w tym:

1. Wirusy typu A o wartości IVPI (wskaźnik dożylnej chorobotwórczości) dla sześciotygodniowych kurcząt, powyżej 1,2; lub

2. Wirusy typu A o podtypie H5 lub H7, dla których sekwencjonowanie nukleotydów wykazało występowanie licznych aminokwasów zasadowych w miejscach rozszczepienia hemaglutyniny;

3. Wirus choroby niebieskiego języka;

4. Wirus pryszczycy;

5. Wirus ospy koziej;

6. Wirus opryszczki świń (choroba Aujeszky’ego);

7. Wirus pomoru świń (wirus cholery Hoga);

8. Wirus Lyssa;

9. Wirus rzekomego pomoru drobiu (wirus z Newcastle);

10. Wirus pomoru przeżuwaczy;

11. Enterowirus świński, typ 9 (wirus choroby pęcherzykowej u świń);

12. Wirus zarazy bydlęcej;

13. Wirus ospy owczej;

14. Wirus choroby cieszyńskiej;

15. Wirus pęcherzykowego zapalenia jamy gębowej;

16. Wirus choroby zgrudowacenia skóry;

17. Wirus afrykańskiej choroby koni;

b.

Drobnoustroje z rodzaju mykoplazma pochodzenia naturalnego, wzmocnione lub zmodyfikowane, w postaci izolowanych żywych kultur lub jako materiał włącznie z materiałem żywym, który został celowo zaszczepiony lub zakażony drobnoustrojami z tego rodzaju.

a.

Zmodyfikowane genetycznie organizmy lub elementy genetyczne zawierające sekwencje kwasów nukleinowych połączone z czynnikami chorobotwórczymi organizmów wyszczególnionych w pozycjach 1C351.a. do c. lub 1C352 lub 1C354;

b.

Zmodyfikowane genetycznie organizmy lub elementy genetyczne zawierające sekwencje kwasów nukleinowych przypisanych do jakiejkolwiek z toksyn wyszczególnionych w pozycji 1C351.d lub należące do nich podjednostki toksyn.

1CMateriały Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: a.

same lub przez swoje produkty transkrybowane lub transponowane stanowią istotne zagrożenie dla zdrowia ludzi, zwierząt lub roślin; lub

b.

wiadomo, że zwiększają zdolność określonych mikroorganizmów lub jakichkolwiek innych organizmów, do których mogą zostać wprowadzone lub z którymi mogą zostać w inny sposób zintegrowane, spowodowania istotnych szkód dla zdrowia ludzi, zwierząt lub roślin.

a.

Wirusy pochodzenia naturalnego, wzmocnione lub zmodyfikowane, w postaci izolowanych żywych kultur lub jako materiał włącznie z materiałem żywym, który został celowo zaszczepiony lub zakażony takimi kulturami, jak:

1. Andyjski utajony wirus ziemniaka;

2. Wiroid wrzecionowatości bulw ziemniaka;

b.

Bakterie pochodzenia naturalnego, wzmocnione lub zmodyfikowane, w postaci izolowanych żywych kultur lub jako materiał włącznie z materiałem żywym, który został celowo zaszczepiony lub zakażony takimi kulturami, jak:

1. Xanthomonas albilineans;

2. Xantomonas campestris pv. citri zawierające szczepy pokrewne, takie jak Xantomonas campestris pv. citri typu A, B, C, D, E lub inaczej klasyfikowane jako Xantomonas citri, Xantomonas campestris pv. aurantifolia lub Xantomonas campestris pv. citrumelo;

3. Xanthomonas oryzae pv. Oryzae (Pseudomonas campestris pv. Oryzae);

4. Clavibacter michiganensis subsp. Sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. Sepedonicum lub Corynebacterium Sepedonicum);

5. Ralstonia solanacearum typy 2 i 3 (Pseudomonas solanacearum typy 2 i 3 lub Burkholderia solanacearum typy 2 i 3);

c.

Grzyby pochodzenia naturalnego, wzmocnione lub zmodyfikowane, w postaci izolowanych żywych kultur lub jako materiał włącznie z materiałem żywym, który został celowo zaszczepiony lub zakażony takimi kulturami, jak:

1. Colletotrichum coffeanum var. virulans (Colletotrichum kahawae);

2. Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae);

3. Microcyclus ulei (syn. Dothidella ulei);

4. Puccinia graminis (syn. Puccinia graminis F. sp. tritici);

5. Puccinia striiformis (syn. Puccinia glumarum);

6. Magnaporthe grisea (Pyricularia grisea/pyricularia oryzae).

a.

Toksyczne związki chemiczne, takie jak: Uwaga 1: Dla eksportu do Państw nie będących stronami Konwencji o zakazie broni chemicznej pozycja 1C450 nie obejmuje kontrolą mieszanin chemicznych zawierających jedną lub więcej substancji chemicznych wyszczególnionych w podpunktach 1C450.a.1 oraz .a.2, w których żadna z indywidualnie wyszczególnionych substancji chemicznych nie stanowi wagowo więcej niż 10 % mieszaniny. Uwaga 2: Dla eksportu do Państw będących stronami Konwencji o zakazie broni chemicznej pozycja 1C450 nie obejmuje kontrolą mieszanin chemicznych zawierających jedną lub więcej substancji chemicznych wyszczególnionych w podpunktach 1C450.a.1 oraz .a.2, w których żadna z indywidualnie wyszczególnionych substancji chemicznych nie stanowi wagowo więcej niż 30 % mieszaniny. Uwaga 3: Pozycja 1C450 nie obejmuje kontrolą mieszanin chemicznych zawierających jedną lub więcej substancji chemicznych wyszczególnionych w podpunktach 1C450.a.4, .a.5, .a.6 oraz .a.7, w których żadna z indywidualnie wyszczególnionych substancji chemicznych nie stanowi wagowo więcej niż 30 % mieszaniny.

1. Amiton: O,O-dietylo-S-[2-(dietyloamino) etylo] fosforotiolan (78-53-5) oraz odpowiednie alkilowane lub protonowane sole;

2. PFIB: 1,1,3,3,3-pentafluoro-2-(trifluorometylo)-1-propen (382-21-8);

3. Sprawdź także Wykaz uzbrojenia dla BZ: 3-chinuklidylo benzylan (6581-06-2);

4. Fosgen: dichlorek karbonylu (75-44-5);

5. Chlorocyjan (506-77-4);

6. Cyjanowodór (74-90-8);

7. Chloropikryna: trichloronitrometan (76-06-2);

b.

Prekursory toksycznych związków chemicznych, takie jak: Uwaga 1: Dla eksportu do Państw nie będących stronami Konwencji o zakazie broni chemicznej pozycja 1C450 nie obejmuje kontrolą mieszanin chemicznych zawierających jedną lub więcej substancji chemicznych wyszczególnionych w podpunktach 1C450.b.1, .b.2, .b.3, .b.4, .b.5, oraz .b.6, w których żadna z indywidualnie wyszczególnionych substancji chemicznych nie stanowi wagowo więcej niż 10 % mieszaniny. Uwaga 2: Dla eksportu do Państw będących stronami Konwencji o zakazie broni chemicznej pozycja 1C450 nie obejmuje kontrolą mieszanin chemicznych zawierających jedną lub więcej substancji chemicznych wyszczególnionych w podpunktach 1C450.b.1, .b.2, .b.3, .b.4, .b.5, oraz .b.6, w których żadna z indywidualnie wyszczególnionych substancji chemicznych nie stanowi wagowo więcej niż 30 % mieszaniny Uwaga 3: Pozycja 1C450 nie obejmuje kontrolą mieszanin chemicznych zawierających jedną lub więcej substancji chemicznych wyszczególnionych w podpunkcie 1C450.b.8, w którym żadna z indywidualnie wyszczególnionych substancji chemicznych nie stanowi wagowo więcej niż 30 % mieszaniny.

1. Związki chemiczne, różne od wyszczególnionych w uregulowaniach dotyczących towarów wojskowych lub w pozycji 1C350, posiadające atom fosforu, z którym związana jest jedna grupa metylowa, etylowa, propylowa lub izopropylowa, lecz nie więcej atomów węgla; Uwaga: Pozycja 1C450.b.1 nie obejmuje kontrolą fonofosu: O-etylo S-fenylo -etylofosfonotiolotionianu (944-22-9);

2. Dihalogenki N,N-dialkilo (metylo, etylo, propylo lub izopropylo) fosforoamidowe;

3. Dialkilo (metylo, etylo, propylo lub izopropylo) N,N-dialkilo (metylo, etylo, propylo lub izopropylo)-fosforoamidany, różne od dietylo-N,N-dimetylofosforoamidanu wyszczególnionego w pozycji 1C350,

4. Chlorki 2-N,N-dialkilo (metylo, etylo, propylo lub izopropylo) aminoetylu i odpowiednie protonowane sole, inne niż chlorek N,N-diizopropylo-(beta)-aminoetylu lub chlorowodorek N,N-diizopropylo-(beta)-aminoetylo chlorku, które zostały wyszczególnione w pozycji 1C350;

5. N,N-dialkilo (metylo, etylo, propylo lub izopropylo) aminoetan-2-ole i odpowiednie protonowane sole, różne od N,N-diizopropylo-(beta)-aminoetanolu (96-80-0) i N,N-dietyloaminoetanolu (100-37-8), wyszczególnionych w pozycji 1C350; Uwaga: Pozycja 1C450.b.5 nie obejmuje kontrolą:

5. a.

N,N-dimetyloaminoetanolu (108-01-0) i odpowiednich protonowanych soli;

b.

Protonowanych soli N,N-dietyloaminoetanolu (100-37-8);

6. N,N-dialkilo (metylo, etylo, propylo lub izopropylo) aminoetano-2-tiole i odpowiednie protonowane sole, inne niż N,N-diizopropylo-(beta)-aminoetanootiol, wyszczególniony w pozycji 1C350;

7. Etylodietanoloamina (139-87-7) – patrz 1C350;

8. Metylodietanoloamina (105-59-9);

1DOprogramowanie

1D001Oprogramowanie specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do rozwoju, produkcji albo użytkowania wyrobów wyszczególnionych w pozycjach od 1B001 do 1B003. 1D002Oprogramowanie do rozwojumatryc organicznych, matryc metalowych, matryc węglowych do laminatów, oraz kompozytów. 1D101Oprogramowanie specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do użytkowania wyrobów wyszczególnionych w pozycji 1B101, 1B102, 1B115, 1B117, 1B118 lub 1B119. 1D103Oprogramowanie specjalnie zaprojektowane do badania obiektów o zmniejszonej wykrywalności za pomocą odbitych fal radarowych, śladów w zakresie promieniowania nadfioletowego/podczerwonego oraz śladów akustycznych. 1D201Oprogramowanie specjalnie zaprojektowane do użytkowania wyrobów wyszczególnionych w pozycji 1B201.

1ETechnologia

1E001Technologia, stosownie do uwagi ogólnej do technologii, do rozwoju lub produkcji sprzętu lub materiałów wyszczególnionych w pozycji 1A001.b, 1A001.c, 1A002 do 1A005, 1B lub 1C. 1E002Inne technologie, takie jak: 1E101Technologia, stosownie do uwagi ogólnej do technologii, do użytkowania wyrobów wyszczególnionych w pozycjach 1A102, 1B001, 1B101, 1B102, 1B115 do 1B119, 1C001, 1C101, 1C107, 1C111 do 1C117, 1D101 lub 1D103. 1E102Technologia, stosownie do uwagi ogólnej do technologii, do rozwojuoprogramowania wyszczególnionego w pozycjach 1D001, 1D101 lub 1D103. 1E103Technologia do regulacji temperatur, ciśnień lub atmosfery w autoklawach lub hydroklawach w przypadku wykorzystania do produkcjikompozytów lub kompozytów częściowo przetworzonych. 1E104Technologia związana z produkcją pirolitycznie wytwarzanych materiałów, formowanych za pomocą form, walcowania trzpieniowego lub innego podłoża z gazów prekursorowych, ulegających rozkładowi w temperaturach od 1573 K (1300 °C) do 3173 K (2900 °C) przy ciśnieniach od 130 Pa do 20 kPa. Uwaga: Pozycja 1E104 obejmuje technologię do łączenia gazów prekursorowych, wartości natężeń przepływu, harmonogramy oraz parametry sterowania procesem. 1E201Technologia, stosownie do uwagi ogólnej do technologii, do użytkowania wyrobów wyszczególnionych w pozycjach 1A002, 1A202, 1A225 do 1A227, 1B201, 1B225 do 1B233, 1C002.b.3 lub .b.4, 1C010.b., 1C202, 1C210, 1C216, 1C225 do 1C240 lub 1D201. 1E202Technologia, stosownie do uwagi ogólnej do technologii, do rozwoju lub produkcji wyrobów wyszczególnionych w pozycjach 1A202 lub 1A225 do 1A227. 1E203Technologia, stosownie do uwagi ogólnej do technologii, do rozwojuoprogramowania wyszczególnionego w pozycji 1D201.

a.

Technologia do rozwoju lub produkcji polibenzotiazoli lub polibenzoksazoli;

b.

Technologia do rozwoju lub produkcji związków elastomerów fluorowych, zawierających co najmniej jeden monomer eteru winylowego;

c.

Technologia do projektowania lub produkcji materiałów podstawowych albo nie-kompozytowych materiałów ceramicznych, takich jak:

1. Materiałów podstawowych posiadających wszystkie niżej wymienione cechy:

1. a.

Zawierających jakikolwiek z następujących związków:

1. Pojedyncze lub kompleksowe tlenki cyrkonu oraz kompleksowe tlenki krzemu lub glinu;

2. Pojedyncze azotki boru (w postaci regularnych kryształów);

3. Pojedyncze lub kompleksowe węgliki krzemu lub boru; lub

4. Pojedyncze lub kompleksowe azotki krzemu;

b.

Posiadających całkowitą zawartość zanieczyszczeń metalicznych, z wyłączeniem celowych domieszek, mniejszą niż:

1. 1000 ppm dla pojedynczych tlenków lub węglików; lub

2. 5000 ppm dla związków kompleksowych lub pojedynczych azotków; oraz

c.

Posiadających:

1. Dwutlenek cyrkonu o przeciętnych wymiarach cząsteczek mniejszych lub równych 1 μm oraz nie zawierający więcej niż 10 % cząsteczek większych niż μm;

2. Inne materiały podstawowe o przeciętnych wymiarach cząsteczek mniejszych lub równych 5 μm oraz nie zawierających więcej niż 10 % cząsteczek większych niż 10 μm; lub

3. Wszystkie z poniższych właściwości:

3. a.

Postać płytek o stosunku długości do grubości większym niż 5;

b.

Postać wiskerów o stosunku długości do średnicy większym od 10 przy średnicach poniżej 2 μm; oraz

c.

Postać ciągłych lub pociętych włókien o średnicy poniżej 10 μm;

2. Nie-kompozytowych materiałów ceramicznych składających się z materiałów wyszczególnionych w pozycji 1E002.c.1; Uwaga: Pozycja 1E002.c.2 nie obejmuje kontrolą technologii do projektowania lub produkcji materiałów ściernych.

d.

Technologia do produkcji włókien z poliamidów aromatycznych;

e.

Technologia do instalacji, obsługiwania lub naprawy materiałów wyszczególnionych w pozycji 1C001;

f.

Technologia do naprawy struktur kompozytowych, laminatów lub materiałów wyszczególnionych w pozycji 1A002, 1C007.c lub 1C007.d. Uwaga: Pozycja 1E002.f nie obejmuje kontrolą technologii do naprawy struktur cywilnych statków powietrznych za pomocą węglowych materiałów włóknistych lub włókienkowych oraz żywic epoksydowych, zawartych w instrukcjach producenta statku powietrznego.

KATEGORIA 2 PRZETWARZANIE MATERIAŁÓW

2ASystemy, sprzęt oraz komponenty. Uwaga techniczna:

NB.: Dla łożysk bezgłośnych patrz uregulowania dotyczące towarów wojskowych 2A001Łożyska, zespoły łożysk oraz ich części składowe: Uwaga: Pozycja 2A001 nie obejmuje kontrolą kulek o tolerancji, określanej przez producenta zgodnie z normą ISO 3290, klasy 5 lub gorszej. 2A225Tygle, wykonane z materiałów odpornych na płynne aktynowce, takie jak: 2A226Zawory posiadające wszystkie z następujących cech charakterystycznych: Dla zaworów o różnych średnicach otworu wlotowego i wylotowego pojęcie wymiar nominalny w pozycji 2A226 odnosi się do najmniejszych średnic.

2ASystemy, sprzęt oraz komponenty. a.

Łożyska kulkowe lub pełne wałeczkowe o tolerancjach, określonych przez producenta zgodnie z normą ISO 492, 4 klasy tolerancji (lub normą ANSI/ABMA Std 20 – klasa tolerancji ABEC 7 lub RBEC 7, albo według innych narodowych odpowiedników) lub lepszej, oraz posiadające pierścienie oraz elementy toczne (ISO 5593) wykonane z monelu lub berylu; Uwaga: Pozycja 2A001.a nie obejmuje kontrolą łożysk z wałeczkami stożkowymi.

b.

Inne łożyska kulkowe lub pełne wałeczkowe o tolerancjach, określonych przez producenta zgodnie z normą ISO 492, 2 klasy tolerancji (lub normą ANSI/ABMA Std 20 – klasa tolerancji ABEC 9 lub RBEC 97, albo według innych narodowych odpowiedników) lub lepszej; Uwaga: Pozycja 2A001.b nie obejmuje kontrolą łożysk z wałeczkami stożkowymi.

c.

Aktywne zespoły łożysk magnetycznych, wykorzystujące, co najmniej jeden z niżej wymienionych elementów:

1. Materiały o gęstości strumienia 2,0 T lub większej, przenoszące obciążenia większe niż 414 MPa;

2. Całkowicie elektromagnetyczne, trójwymiarowe jednobiegunowe konstrukcje dla siłowników; lub

3. Wysokotemperaturowe (450 K (117 °C) i więcej) czujniki położenia.

a.

Tygle posiadające obydwie z następujących cech charakterystycznych:

1. Pojemność od 150 cm3; do 8000 cm3; oraz

2. Wykonane z jednego z następujących materiałów lub nim powlekane, o czystości wagowej materiału 98 % lub większej:

2. a.

Fluorek wapniowy (CaF2);

b.

Cyrkonian wapnia (metacyrkonian) (CaZrO3);

c.

Siarczek ceru (Ce2S3);

d.

Tlenek erbowy (erbia) (Er2O3);

e.

Tlenek hafnowy (hafnia) (HfO2);

f.

Tlenek magnezowy (MgO);

g.

Azotowany stop niobu z tytanem i wolframem (około 50 % Nb, 30 % Ti, 20 % W);

h.

Tlenek itrowy (itria) (Y2O3); lub

i.

Tlenek cyrkonowy (cyrkonia) (ZrO2);

b.

Tygle posiadające obydwie z następujących cech charakterystycznych:

1. Pojemność od 50 cm3 do 2000 cm3; oraz

2. Wykonane z tantalu lub nim pokryte, o czystości wagowej tantalu 99,9 % lub większej;

c.

Tygle posiadające wszystkie z następujących cech charakterystycznych:

1. Pojemność od 50 cm3 do 2000 cm3;

2. Wykonane z tantalu lub nim pokryte, o czystości wagowej tantalu 98 % lub większej; oraz

3. Powlekane węglikiem, azotkiem lub borkiem tantalu, lub jakąkolwiek ich kombinacją.

a.

Wymiar nominalny 5 mm lub większy;

b.

Wyposażone w uszczelnienia mieszkowe; oraz

c.

W całości wykonane lub pokryte aluminium, stopem aluminium, niklem lub stopem niklu zawierającym wagowo 60 % lub więcej niklu.

2BUrządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: Uwaga techniczna:

2B001Obrabiarki, oraz ich różne kombinacje, do skrawania (albo cięcia) metali, materiałów ceramicznych lub kompozytów które, według danych technicznych producenta, mogą być wyposażone w urządzenia elektroniczne do sterowania numerycznego oraz specjalnie do nich zaprojektowane komponenty, w tym: NB.: Patrz także pozycja 2B201. Uwaga 1: Pozycja 2B001 nie obejmuje kontrolą obrabiarek do specjalizowanych zastosowań ograniczonych do wytwarzania kół zębatych. Dla takich maszyn patrz pozycja 2B003. Uwaga 2: Pozycja 2B001 nie obejmuje kontrolą obrabiarek do specjalizowanych zastosowań ograniczonych do wytwarzania dowolnych z następujących części: Uwaga 3: Obrabiarki posiadające, co najmniej dwie z trzech następujących zdolności: toczenia, frezowania lub szlifowania (np. tokarka ze zdolnością do frezowania), muszą być oszacowane stosownie odpowiednio do każdej pozycji 2B001.a, .b lub .c. 2B002Obrabiarki sterowane numerycznie wykorzystujące proces magnetoreologicznej obróbki wykańczającej (MRF), umożliwiające uzyskiwanie powierzchni asferycznych i wykonywanie dowolnej z następujących czynności: Dla celów pozycji 2B002, MRF oznacza proces obróbki materiału, wykorzystujący ścierny płyn magnetyczny, którego lepkość kontrolowana jest przez pole magnetyczne. 2B003Obrabiarki sterowane numerycznie lub ręcznie, oraz specjalnie do nich zaprojektowane komponenty, urządzenia sterujące i oprzyrządowanie, specjalnie opracowane do skrawania, obróbki, wykańczania, szlifowania albo gładzenia hartowanych (Rc = 40 lub więcej), kół zębatych o zębach prostych, kół zębatych śrubowych i daszkowych o średnicy toczonej powyżej 1250 mm i szerokości wieńca wynoszącej 15 % średnicy toczonej lub większej, wykończone do jakości AGMA 14 albo wyższej (równoważnej Klasie 3 normy ISO 1328). 2B004Pracujące na gorąco prasy izostatyczne posiadające wszystkie niżej wymienione cechy charakterystyczne, oraz specjalnie zaprojektowane do nich komponenty i akcesoria, takie jak: NB.: Patrz także pozycje 2B104 i 2B204. Termin wewnętrznego wymiaru oznacza wymiar komory, w którym osiąga się zarówno temperaturę roboczą jak i ciśnienie robocze, termin nie obejmuje osprzętu. Wymiar ten będzie mniejszą ze średnic wewnętrznych komory ciśnieniowej lub izolowanej komory paleniskowej, w zależności od tego, która z tych komór jest umieszczona wewnątrz drugiej. NB.: W przypadku specjalnie zaprojektowanych matryc, form i oprzyrządowania patrz pozycje 1B003, 9B009 oraz uregulowania dotyczące towarów wojskowych. 2B005Sprzęt specjalnie zaprojektowany do osadzania, przetwarzania i automatycznej kontroli w czasie obróbki pokryć i powłok nieorganicznych oraz modyfikacji warstw powierzchniowych, przeznaczony do wytwarzania podłoży nieelektronicznych, technikami wymienionymi w tabeli oraz dowiązanych uwagach, umieszczonych po pozycji 2E003.f, oraz specjalnie do nich opracowane zautomatyzowane komponenty do obsługiwania, ustalania położenia, manipulowania i sterowania w tym: Uwaga: Pozycja 2B005 nie obejmuje kontrolą urządzeń chemicznego osadzania warstw z faz gazowych, napylania katodowego, napylania jonowego, jonowego powlekania lub implantacji jonów, specjalnie zaprojektowanych do narzędzi tnących i skrawających. 2B006Systemy, sprzęt oraz zespoły elektroniczne do kontroli wymiarowej lub pomiarów, takie jak: NB.: Patrz także pozycja 2B206. Uwaga: Obrabiarki, które można wykorzystać do celów pomiarowych, są objęte kontrolą, jeżeli spełniają lub przewyższają kryteria określone dla funkcji obrabiarki lub funkcji maszyny pomiarowej. 2B007Roboty posiadające jakąkolwiek z niżej wymienionych cech charakterystycznych, oraz specjalnie zaprojektowane do nich urządzenia sterujące i manipulatory, w tym; NB.: Patrz także pozycja 2B207. 2B008Zespoły lub podzespoły specjalnie zaprojektowane do obrabiarek, systemów i sprzętu do kontroli wymiarów oraz systemów pomiarowych i sprzętu pomiarowego, takie jak: 2B009Maszyny do wyoblania i tłoczenia kształtowego, które stosownie do danych technicznych producenta, mogą być wyposażone w zespoły sterowania numerycznego lub komputerowego oraz posiadające wszystkie z niżej wymienionych cech: NB.: Patrz także pozycje 2B109 i 2B209. Maszyny łączące funkcje wyoblania i tłoczenia kształtowego są dla potrzeb pozycji 2B009 traktowane jako urządzenia do tłoczenia kształtowego. 2B104Prasy izostatyczne, różne od wyszczególnionych w pozycji 2B004, posiadające wszystkie niżej wymienione cechy: NB.: Patrz także pozycja 2B204. 2B105Piece do CVD (chemical vapour deposition – chemiczne osadzanie warstw z faz gazowych), inne niż wyszczególnione w pozycji 2B005.a., zaprojektowane lub zmodyfikowane dla zagęszczania kompozytów węglowo-węglowych. 2B109Maszyny do tłoczenia kształtowego, różne od wyszczególnionych w pozycji 2B009 oraz specjalnie zaprojektowane komponenty, takie jak: NB.: Patrz także pozycja 2B209. Uwaga: Pozycja 2B109 nie obejmuje kontrolą maszyn nienadających się do produkcji komponentów i sprzętu napędowego (np. osłon silników) do systemów wyszczególnionych w pozycjach 9A005, 9A007.a. lub 9A105.a; Maszyny łączące funkcje wyoblania i tłoczenia kształtowego są dla potrzeb pozycji 2B109 traktowane jako urządzenia do tłoczenia kształtowego. 2B116Systemy do badań wibracyjnych, sprzęt i komponenty z nimi związane, z tego: W pozycji 2B116 pojęcie nagi stół oznacza płaski stół lub powierzchnię bez osprzętu i wyposażenia. 2B117Środki do sterowania sprzętem i przebiegiem procesów, różne od wyszczególnionych w pozycjach 2B004, 2B005.a, 2B104 lub 2B105, zaprojektowane lub zmodyfikowane dla zagęszczania i pirolizy kompozytów strukturalnych dysz rakietowych oraz głowic powracających do atmosfery. 2B119Maszyny do wyważania i powiązany z nimi sprzęt, z tego: NB.: Patrz także pozycja 2B219. 2B120Symulatory ruchu lub stoły obrotowe posiadające wszystkie niżej wymienione cechy: Uwaga: Pozycja 2B120 nie obejmuje kontrolą stołów obrotowych przeznaczonych lub zmodyfikowanych dla obrabiarek lub sprzętu medycznego. Dla uregulowań dotyczących obrabiarkowych stołów obrotowych patrz pozycja 2B008. 2B121Stoły pozycjonujące (sprzęt zdolny do precyzyjnego określania położenia kątowego w dowolnej osi), inne niż wyszczególnione w pozycji 2B120, posiadające wszystkie następujące cechy charakterystyczne: Uwaga: Pozycja 2B121 nie obejmuje kontrolą stołów obrotowych przeznaczonych lub zmodyfikowanych dla obrabiarek lub sprzętu medycznego. Dla uregulowań dotyczących obrabiarkowych stołów obrotowych patrz pozycja 2B008. 2B122Wirówki umożliwiające nadanie przyśpieszenia ponad 100 g i posiadające pierścienie ślizgowe zdolne do przekazywania zasilania elektrycznego i/lub informacji sygnałowych; 2B201Obrabiarki i wszelkie ich zestawy poza wymienionymi poniżej w pozycji 2B001, do skrawania lub cięcia metali, materiałów ceramicznych lub kompozytowych, które stosownie do specyfikacji technicznej producenta mogą być wyposażone w urządzenia elektroniczne do jednoczesnej sterowania kształtowego w dwóch lub więcej osiach: 2B204Prasy izostatyczne, różne od wyszczególnionych w pozycjach 2B004, lub 2B104 i sprzęt z nimi związany, w tym: W pozycji 2B204 termin wewnętrznego wymiaru komory oznacza wymiar, w którym osiąga się zarówno temperaturę roboczą, jak i ciśnienie robocze, termin nie obejmuje osprzętu. Wymiar ten będzie mniejszą ze średnic wewnętrznych komory ciśnieniowej lub izolowanej komory paleniskowej, w zależności od tego, która z tych komór jest umieszczona wewnątrz drugiej. 2B206Maszyny, przyrządy oraz systemy do kontroli wymiarowej, różne od wyszczególnionych w pozycji 2B006, takie jak: Uwaga 1: Obrabiarki, które można wykorzystać do celów pomiarowych, są objęte kontrolą, jeżeli spełniają albo przekraczają kryteria określone dla funkcji obrabiarki lub maszyny pomiarowej. Uwaga 2: Maszyna wyszczególniona w pozycji 2B206 jest objęta kontrolą, jeżeli jej zakres pracy przekracza w jakikolwiek sposób próg objęcia kontrolą. 2B207Roboty, manipulatory i jednostki sterujące, różne od wyszczególnionych w pozycji 2B007, takie jak: 2B209Maszyny do tłoczenia kształtowego, maszyny do wyoblania kształtowego posiadające możliwość realizacji funkcji tłoczenia kształtowego, różne od wyszczególnionych w pozycjach 2B009 lub 2B109, lub trzpienie, z tego: Uwaga: Pozycja 2B209.a. obejmuje maszyny posiadające tylko pojedynczy wałek zaprojektowany do deformowania metalu oraz dwa pomocnicze wałki podtrzymujące trzpień, ale nieuczestniczące bezpośrednio w procesie deformacji. 2B219Odśrodkowe maszyny do wielopłaszczyznowego wyważania, stałe lub przenośne, poziome lub pionowe, z tego: 2B225Zdalnie sterowane manipulatory, które mogą być stosowane do zdalnego wykonywania prac podczas rozdzielania radiochemicznego oraz w komorach gorących, posiadające wszystkie niżej wymienione cechy charakterystyczne: Zdalnie sterowane manipulatory przekształcają działanie człowieka – operatora, na ramię robocze i uchwyt końcowy. Mogą występować jako typu master/slave lub posiadać sterowanie przez joystick lub klawiaturę. 2B226Piece indukcyjne z regulowaną atmosferą (próżniowe lub z gazem obojętnym) i instalacje do ich zasilania, takie jak: NB.: Patrz także pozycja 3B. Uwaga: Pozycja 2B226.a nie obejmuje kontrolą pieców przeznaczonych do przetwarzania płytek półprzewodnikowych. 2B227Próżniowe oraz posiadające inną regulowaną atmosferę, roztapiające i odlewnicze piece metalurgiczne, oraz sprzęt z nimi związany, w tym: 2B228Sprzęt do wytwarzania, montażu oraz prostowania wirników, trzpienie i matryce do formowania mieszków, w tym: 2B230Przetworniki ciśnienia zdolne do pomiaru ciśnienia bezwzględnego w dowolnym punkcie z przedziału od 0 do 13 kPa, posiadające obydwie niżej wymienione cechy charakterystyczne: Dla potrzeb pozycji 2B230 pojęcie dokładność obejmuje nieliniowość, histerezę i powtarzalność w temperaturze otoczenia. 2B231Pompy próżniowe posiadające wszystkie niżej wymienione cechy charakterystyczne: 2B232Wielostopniowe lekkie działa gazowe lub inne wysokoprędkościowe systemy miotające (cewkowe, elektromagnetyczne, elektrotermiczne lub inne rozwinięte systemy) zdolne do przyspieszania pocisków do prędkości 2 km/s lub większej. 2B350Instalacje do produkcji substancji chemicznych, sprzęt i komponenty, z tego: Grafit węglowy jest substancją składającą się z węgla amorficznego i grafitu, w której zawartość wagowa składnika, jakim jest grafit wynosi 8 % lub więcej. 2B351Systemy monitorowania gazów toksycznych; oraz przeznaczone do nich czujniki, w tym: 2B352Sprzęt zdolny do wykorzystania przy obsługiwaniu materiałów biologicznych, taki jak:

2BUrządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne Uwagi techniczne:

1. Pomocnicze, równoległe osie konturowe (np. oś w w wiertarkach poziomych, albo pomocnicza oś obrotowa, której linia centralna biegnie równolegle do głównej osi obrotu) nie są zaliczane do całkowitej liczby osi kształtowych. Osie obrotowe nie muszą obracać się o 360°. Oś obrotowa może być napędzana za pomocą urządzenia liniowego (np. śruby albo mechanizmu zębatkowego).

2. Dla celów pozycji 2B za liczbę osi, które mogą być koordynowane jednocześnie w celu sterowania kształtowego, uznaje się liczbę osi w trakcie obrabiania przedmiotu wzdłuż lub dookoła których wykonywane są ruchy jednoczesne i wzajemnie powiązane pomiędzy obrabianym przedmiotem a narzędziem. Nie obejmuje to jakichkolwiek dodatkowych osi, wzdłuż lub dookoła których wykonywane są inne ruchy względne maszyny, takich jak:

2. a.

Systemów obciągania ściernic w szlifierkach;

b.

Równoległych osi obrotowych, przeznaczonych do mocowania oddzielnych przedmiotów obrabianych;

c.

Współliniowych osi obrotowych przeznaczonych do manipulowania tym samym przedmiotem poprzez zamocowanie go w uchwytach z oddzielnych końców.

3. Nazewnictwo osi powinno być zgodne z Międzynarodową Normą ISO 841, Maszyny sterowane numerycznie - Nazewnictwo osi i ruchów.

4. Dla potrzeb pozycji 2B001 do 2B009 wrzeciono wahliwe jest zaliczane do osi obrotowych.

5. Zamiast indywidualnych testów dla każdego modelu obrabiarki można stosować poziomy gwarantowanej dokładności pozycjonowania, ustalone przy pomiarach wykonanych stosownie do ISO 230/2 (1988) lub narodowego odpowiednika. Poziom gwarantowanej dokładności pozycjonowania, oznacza wartość dokładności, przyjętą przez właściwe organy państwa członkowskiego, w którym eksporter jest zarejestrowany, jako reprezentatywną dokładność modelu maszyny. Określenie gwarantowanej dokładności:

5. a.

Wybrać pięć egzemplarzy modelu maszyny, który ma być oceniany;

b.

Zmierzyć liniowe dokładności osi zgodnie z ISO 230/2 (1988);

c.

Określić wartość A dla każdej osi każdej maszyny. Metoda określania wartości A opisana jest w normie ISO.

d.

Określić wartości średnie wartości A dla każdej osi. Oznacza to, że wartość Â staje się gwarantowaną wartością dla każdej osi modelu (Â x, Â y, ...);

e.

Ponieważ wykaz Kategorii 2 odnosi się do każdej osi liniowej, wartości gwarantowanych będzie tyle, ile jest osi liniowych.

f.

Jeżeli któraś z osi modelu maszyny nieobjętego kontrolą przez podpunkty 2B001.a do 2B001.c lub 2B201 posiada gwarantowaną dokładność Â równą 6 um dla szlifierek i 8 um dla frezarek i tokarek lub lepszą, od producenta powinno się wymagać potwierdzania poziomu dokładności raz na osiemnaście miesięcy.

a.

Wałów korbowych i rozrządowych;

b.

Narzędzi lub noży do obrabiarek;

c.

Ślimaków do wytłaczarek;

d.

Grawerowanych lub szlifowanych części biżuterii.

a.

Tokarki posiadające wszystkie z następujących cech charakterystycznych: Uwaga: Pozycja 2B001.a nie obejmuje kontrolą tokarek specjalnie zaprojektowanych do wytwarzania soczewek kontaktowych.

1. Dokładność ustalania położenia, z uwzględnieniem wszystkich możliwych kompensacji, równa lub mniejsza (lepsza) niż 6 μm, zgodnie z ISO 230/2 (1988) lub równoważną normą narodową, mierzona wzdłuż dowolnej osi liniowej; oraz

2. Dwie lub więcej osi, które można jednocześnie koordynować w celu sterowania kształtowego;

b.

Frezarki posiadające dowolne z następujących cech charakterystycznych:

1. Posiadające wszystkie niżej wymienione cechy charakterystyczne:

1. a.

Dokładność ustalania położenia, z uwzględnieniem wszystkich możliwych kompensacji, równa lub mniejsza (lepsza) niż 6 μm, zgodnie z ISO 230/2 (1988) lub równoważną normą narodową, mierzona wzdłuż dowolnej osi liniowej; oraz

b.

Trzy lub więcej osi, które można jednocześnie koordynować w celu sterowania kształtowego; lub

2. Pięć lub więcej osi, które można jednocześnie koordynować w celu sterowania kształtowego;

3. Dokładność ustalania położenia dla wiertarek współrzędnościowych z uwzględnieniem wszystkich możliwych kompensacji, równa lub mniejsza (lepsza) niż 6 μm, zgodnie z ISO 230/2 (1988) lub równoważną normą narodową, mierzona wzdłuż dowolnej osi liniowej;

4. Maszyny do obróbki frezem jednoostrzowym, posiadające wszystkie niżej wymienione cechy:

4. a.

Wartość modułu bicie promieniowego i bicie osiowego wrzeciona mniejsza (lepsza) niż 0,0004 mm; oraz

b.

Wartość modułu odchylenia kątowego posuwu (odchyłu, skoku i obrotu) mniejsze niż 2 sekundy kątowe, na 300 mm odcinku ruchu.

c.

Szlifierki posiadające dowolne z następujących cech charakterystycznych: Uwaga: Pozycja 2B001.c nie obejmuje kontrolą następujących szlifierek:

1. Posiadające wszystkie niżej wymienione cechy charakterystyczne:

1. a.

Dokładność ustalania położenia, z uwzględnieniem wszystkich możliwych kompensacji, równa lub mniejsza (lepsza) niż 4 m, zgodnie z ISO 230/2 (1988) lub równoważną normą narodową, mierzona wzdłuż dowolnej osi liniowej; oraz

b.

Trzy lub więcej osi, które można jednocześnie koordynować w celu sterowania kształtowego; lub

2. Pięć lub więcej osi, które można jednocześnie koordynować w celu sterowania kształtowego;

1. Szlifierek do zewnętrznego, wewnętrznego i zewnętrzno-wewnętrznego szlifowania na okrągło, posiadających wszystkie wymienione niżej cechy charakterystyczne:

1. a.

Ograniczenie do szlifowania na okrągło; oraz

b.

Ograniczenie do maksymalnych wymiarów przedmiotu obrabianego do 150 mm średnicy zewnętrznej lub długości.

2. Obrabiarek skonstruowanych specjalnie jako szlifierki współrzędnościowe, nie posiadających osi z ani osi w, o dokładności ustalania położenia z uwzględnieniem wszystkich możliwych kompensacji wynoszącej mniej (lepszej) niż 4 μm zgodnie z ISO 230/2 (1988) lub odpowiednikami krajowymi.

3. Szlifierek powierzchniowych.

d.

Obrabiarki elektroiskrowe (EDM), niedrutowe, posiadające dwie albo więcej osi obrotowych, które można jednocześnie koordynować w celu sterowania kształtowego;

e.

Obrabiarki do obróbki metali, materiałów ceramicznych lub kompozytowych, posiadające wszystkie niżej wymienione cechy charakterystyczne:

1. Usuwające materiał za pomocą dowolnego z niżej wymienionych sposobów:

1. a.

Dysz wodnych lub dysz z innymi cieczami roboczymi, w tym z dysz z płynami zawierającymi substancje cierne;

b.

Wiązki elektronów; lub

c.

Wiązki laserowej; oraz

2. Posiadające dwie albo więcej osi obrotowych, które:

2. a.

Można jednocześnie koordynować w celu sterowania kształtowego; oraz

b.

Posiadają dokładność ustalania położenia mniejszą (lepszą) niż 0,003°.

f.

Wiertarki do głębokich otworów i tokarki, zmodyfikowane do wiercenia głębokich otworów, posiadające maksymalną zdolność do wiercenia otworów o głębokości przekraczającej 5000 mm, oraz specjalnie zaprojektowane do nich komponenty.

a.

Obróbka wykańczająca z tolerancją mniejszą (lepszą) niż 1,0 μm; lub

b.

Obróbka wykańczająca pozwalająca na uzyskanie chropowatości mniejszej (lepszej) niż 100 nm (średnia kwadratowa).

2BUrządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: a.

Posiadające możliwość regulacji warunków termicznych w zamkniętej formie oraz wyposażone w komorę formy o średnicy wewnętrznej 406 mm albo większej; oraz

b.

Posiadają jedną z poniższych właściwości:

1. Maksymalne ciśnienie robocze powyżej 207 MPa;

2. Regulacja warunków termicznych powyżej 1773 K (1500 °C); lub

3. Łatwość nasycania węglowodorami i usuwania powstających gazowych produktów rozkładu;

2BUrządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.

Sprzęt produkcyjny do chemicznego osadzania warstw z faz gazowych (CVD) posiadający wszystkie niżej wymienione cechy: NB.: Patrz także pozycja 2B1O5.

1. Modyfikacja procesu do wymienionego poniżej:

1. a.

CVD pulsujące;

b.

Rozkład termiczny z regulowaną nukleacją (CNTD); lub

c.

CVD intensyfikowane albo wspomagane plazmowo; oraz

2. Posiadające jakąkolwiek z następujących cech:

2. a.

Zawierające wysokopróżniowe (równe lub mniejsze od 0,01 Pa) uszczelnienia wirujące; lub

b.

Zawierające wbudowane urządzenia do regulowania grubości powłoki;

b.

Sprzęt produkcyjny do implantacji jonów o natężeniu wiązki 5 mA lub większym;

c.

Sprzęt produkcyjny do elektronowego naparowywania próżniowego (EB-PVD) zaopatrzony w układy zasilania o mocy powyżej 80 kW, posiadający jakikolwiek z niżej wymienionych podzespołów:

1. Laserowy system regulacji poziomu cieczy, umożliwiający precyzyjne sterowanie podawaniem materiału wsadowego; lub

2. System kontroli wydajności, sterowany komputerowo, działający na zasadzie fotoluminescencji zjonizowanych atomów w strumieniu odparowanego czynnika, umożliwiający sterowanie wydajnością napylania pokrycia, składającego się z dwóch lub więcej pierwiastków;

d.

Sprzęt produkcyjny do napylania plazmowego posiadający jakąkolwiek z niżej wymienionych cech charakterystycznych:

1. Możliwość pracy w atmosferze o regulowanym niskim ciśnieniu (równym lub mniejszym od 10 kPa, mierzonym powyżej i w zakresie 300 mm od wylotu dyszy natryskowej) w komorze próżniowej, w której przed rozpoczęciem napylania można obniżyć ciśnienie do 0,01 Pa; lub

2. Zawierający wbudowane urządzenia do regulowania grubości powłoki;

e.

Sprzęt produkcyjny do napylania jonowego zdolny do osiągania prądu o gęstości 0,1 mA/mm2 lub większej przy wydajności napylania 15 μm/h lub wyższej;

f.

Sprzęt produkcyjny do napylania łukowo-katodowego zawierający siatki elektromagnesów do sterowania łukiem na katodzie;

g.

Sprzęt produkcyjny do powlekania jonowego umożliwiający przeprowadzenie, na miejscu, pomiaru jednego niżej wymienionych parametrów:

1. Grubości powłoki na podłożu i wydajności procesu; lub

2. Właściwości optycznych;

a.

Sterowane komputerowo lub sterowane numerycznie urządzenia do pomiaru współrzędnych (CMM), posiadające maksymalny dopuszczalny błąd wskazania (MPEE), wzdłuż trzech osi (objętościowy), w dowolnym punkcie zakresu roboczego maszyny (tj. w długości osi) równy lub mniejszy (lepszy) niż (1,7 + L/1000) μm (gdzie L długością, mierzoną w mm), badane stosownie do ISO 10360-2 (2001);

b.

Przyrządy do pomiaru odchylenia liniowego i kątowego:

1. Uwaga techniczna:

Przyrządy do pomiaru odchylenia liniowego, posiadające jakąkolwiek z niżej wymienionych cech: Dla celów pozycji 2B006.b.1. odchylenie liniowe oznacza zmianę odległości pomiędzy czujnikiem a obiektem mierzonym. Uwaga: Pozycja 2B006.b.1 nie obejmuje kontrolą interferometrycznych systemów pomiarowych z automatycznym systemem sterowania nie wykorzystującym technik sprzężenia zwrotnego, zawierających laser do pomiaru błędów ruchu posuwistego obrabiarek, urządzeń kontroli wymiarów lub podobnego wyposażenia.

a.

Bezstykowe systemy pomiarowe o rozdzielczości równej lub mniejszej (lepszej) niż 0,2 um w zakresie pomiarowym do 0,2 mm;

b.

Liniowe systemy przetworników napięciowych posiadające wszystkie niżej wymienione cechy charakterystyczne:

1. Liniowość równą lub mniejszą (lepszą) niż 0,1 %, w zakresie pomiarowym do 5 mm; oraz

2. Dryf równy albo mniejszy (lepszy) niż 0,1 % na dzień w standardowej temperaturze pomieszczenia pomiarowego ± 1 °K; lub

c.

Systemy pomiarowe posiadające wszystkie niżej wymienione cechy:

1. Zawierające laser; oraz

2. Utrzymujące przez co najmniej przez 12 godzin, przy temperaturze wzorcowej z dokładnością ± 1 °K i przy ciśnieniu wzorcowym wszystkie z poniższych parametrów:

2. a.

Rozdzielczość w pełnym zakresie wynoszącą 0,1 μm lub mniejszą (lepszą); oraz

b.

Niepewność pomiarową równą lub mniejszą (lepszą) niż (0,2 + L/2000) μm (gdzie L jest długością mierzoną w mm);

d.

Zespoły elektroniczne przeznaczone specjalnie do realizacji funkcji sprzężenia zwrotnego w systemach wymienionych w pozycji 2B006.b.1.c:

2. Przyrządy do pomiaru przesunięć kątowych o odchyleniu położenia kątowego równym lub mniejszym (lepszym) niż 0,00025°; Uwaga: Pozycja 2B006.b.2 nie obejmuje kontrolą przyrządów optycznych, takich jak autokolimatory, wykorzystujących światło kolimowane, (np. światło lasera) w celu wykrycia odchylenia kątowego zwierciadła.

c.

Sprzęt do pomiaru nieregularności powierzchni, poprzez pomiar rozproszenia światła w funkcji kąta, o czułości 0,5 nm lub mniejszej (lepszej);

a. Uwaga techniczna:

Posiadające możliwość pełnego trójwymiarowego przetwarzania obrazów lub pełnej trójwymiarowej analizy obrazów w czasie rzeczywistym, w celu tworzenia albo modyfikacji programów lub tworzenia lub modyfikacji numerycznych danych programowych; Ograniczenie dotyczące analizy obrazów nie obejmuje aproksymacji trzeciego wymiaru poprzez rzutowanie pod zadanym kątem, ani stosowanego w ograniczonym zakresie cieniowania według skali szarości, wykorzystywanego do spostrzegania głębi lub tekstury dla określonych zadań (2 1/2 D).

b.

Specjalnie zaprojektowane w celu spełniania wymagań narodowych norm bezpieczeństwa, stosowanych do środowiskach środków wybuchowych; oraz

c. Uwaga techniczna:

Specjalnie zaprojektowane lub odpowiednio wzmocnione przed promieniowaniem, w celu przeciwstawienia się dawce promieniowania wynoszącej 5 × 103 Gy (Si) bez pogorszenia parametrów działania; lub Termin Gy (Si) odnosi się do energii w dżulach na kilogram zaabsorbowanej przez nieekranowaną próbkę krzemu poddaną promieniowaniu jonizującemu.

d.

Specjalnie zaprojektowana do działania na wysokościach przekraczających 30000 m.

a.

Podzespoły położenia liniowego ze sprzężeniem zwrotnym (np. urządzenia typu indukcyjnego, z podziałką stopniową, systemy na podczerwień lub laserowe posiadające całkowitą dokładność mniejszą (lepszą) niż (800 + (600 × L × 10-3)) nm (gdzie L równa się efektywnej długości w mm); NB.: Dla systemów laserowych, patrz także uwaga do pozycji 2B006.b.1.

b.

Podzespoły położenia obrotowego ze sprzężeniem zwrotnym (np. urządzenia typu indukcyjnego, z podziałką stopniową, systemy na podczerwień lub laserowe posiadające całkowitą dokładność mniejszą (lepszą) niż 0,00025°; NB.: Dla systemów laserowych, patrz także uwaga do pozycji 2B006.b.1.

c.

Stoły obrotowo-przechylne oraz wrzeciona wychylne umożliwiające, stosownie do danych technicznych producenta, polepszenie parametrów obrabiarek do albo ponad poziomy określone w pozycji 2B.

a.

Dwie lub więcej osi sterowanych, z których przynajmniej dwie mogą być równocześnie koordynowane w celu sterowania kształtowego; oraz

b.

Nacisk wałka większy niż 60 kN.

2BUrządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.

Maksymalne ciśnienie robocze 69 MPa lub większe;

b.

Skonstruowane dla osiągnięcia i utrzymania środowiska o regulowanych parametrach termicznych rzędu 873 °K (600 °C) lub większych; oraz

c.

Posiadają komorę o średnicy wewnętrznej 254 mm lub większej;

a.

Maszyny do tłoczenia kształtowego posiadające wszystkie niżej wymienione cechy:

1. Mogące być wyposażone, według specyfikacji technicznej producenta, w zespoły do sterowania numerycznego lub komputerowego, nawet wtedy, kiedy nie są wyposażone w takie zespoły; oraz

2. Posiadają więcej niż dwie osie, które mogą być równocześnie koordynowane w celu sterowania kształtowego;

b.

Specjalnie zaprojektowane komponenty do maszyn tłoczenia kształtowego, wymienionych w pozycjach 2B009 i 2B109.a;

2BUrządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.

Systemy do badań wibracyjnych, wykorzystujące techniki sprzężenia zwrotnego lub pętli zamkniętej, zawierające sterowniki cyfrowe przystosowane do przyspieszenia o wartości 10 g między 20 Hz a 2 kHz, i przekazujące siły równe lub większe niż 50 kN, mierzone na nagim stole;

b.

Sterowniki cyfrowe współpracujące ze specjalnie opracowanym oprogramowaniem do badań wibracyjnych, cechujące się pasmem czasu rzeczywistego powyżej 5 kHz, zaprojektowane do użytku w systemach do badań wibracyjnych wyszczególnionych w pozycji 2B116.a;

c.

Mechanizmy do wymuszania wibracji (wstrząsarki) wyposażone, albo nie, w odpowiednie wzmacniacze, zdolne do przekazywania sił 50 kN lub większych, mierzonych na nagim stole, używane w systemach do badań wibracyjnych wyszczególnionych w pozycji 2B116.a;

d.

Konstrukcje podtrzymujące próbki do badań oraz urządzenia elektroniczne, zaprojektowane do łączenia wielu wstrząsarek w system umożliwiający uzyskanie łącznej siły skutecznej 50 kN, lub większej, mierzonych na nagim stole, i nadające się do użytku w systemach do badań wibracyjnych wyszczególnionych w pozycji 2B116.a.

2BUrządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.

Maszyny do wyważania, posiadające wszystkie wymienione niżej cechy charakterystyczne: Uwaga: Pozycja 2B119 nie obejmuje kontrolą wyważarek zaprojektowanych lub zmodyfikowanych dla urządzeń dentystycznych i innego sprzętu medycznego.

1. Nienadające się do wyważania wirników/zespołów o masie większej niż 3 kg;

2. Nadające się do wyważania wirników/zespołów przy prędkościach obrotowych większych niż 12500 obr./min;

3. Nadające się do korekcji niewyważenia w dwu lub więcej płaszczyznach; oraz

4. Nadające się do wyważania resztkowego niewyważenia właściwego wynoszącego 0,2 gmm/kg masy wirnika;

b. Uwaga techniczna:

Głowice wskaźników zaprojektowane lub zmodyfikowane do wykorzystania w maszynach wyszczególnionych w pozycji 2B119.a. Głowice wskaźników określane są czasami jako oprzyrządowanie wyważające.

a.

Dwie lub więcej osi;

b.

Pierścienie ślizgowe do przekazywania zasilania elektrycznego i/lub informacji sygnałowych; oraz

c.

Posiadające jakąkolwiek z niżej wymienionych cech charakterystycznych:

1. Posiadającymi dla jakiejkolwiek pojedynczej osi wszystkie niżej wymienione cechy:

1. a.

Zdolność do tempa obracania równą 400 °/s lub większą albo 30 °/s lub mniejsą; oraz

b.

Rozdzielczość tempa obracania równą 6 °/s lub mniejszą, z dokładnością równą 6 °/s lub mniejszą.

2. Posiadającymi stabilność dla najgorszego przypadku równą lub większą niż ± 0,05 % uśrednioną w zakresie 10 ° lub większym; lub

3. Dokładność ustawiania położenia równą lub lepszą niż 5 sekund kątowych.

a.

Dwie lub więcej osi;

b.

Dokładność wyznaczania położenia równą lub lepszą niż 5 sekund kątowych.

a.

Frezarki posiadające jakąkolwiek z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

1. Dokładność ustalania położenia, z uwzględnieniem wszystkich możliwych kompensacji, równa lub mniejsza (lepsza) niż 6 μm, stosownie do ISO 230/2 (1988) lub odpowiedników narodowych, wzdłuż dowolnej osi liniowej; lub

2. Dwie lub więcej konturowe osie obrotowe; Uwaga: Pozycja 2B201.a nie obejmuje kontrolą frezarek posiadających następujące cechy charakterystyczne:

2. a.

Robocza długość osi x większa niż 2 m; oraz

b.

Dokładność całkowitego ustalenia położenia wzdłuż osi x więcej (gorzej) niż 0,30 μm;

b.

Szlifierki posiadające jakąkolwiek z niżej wymienionych cech charakterystycznych: Uwaga: Pozycja 2B201.b nie obejmuje kontrolą następujących szlifierek: Uwaga 1: Pozycja 2B201 nie obejmuje kontrolą obrabiarek do specjalizowanych zastosowań ograniczonych do wytwarzania dowolnych z następujących części: Uwaga 2: Obrabiarki mogące wykonywać co najmniej dwie z trzech funkcji obejmujących: toczenie, frezowanie lub szlifowanie (np. tokarka z możliwością frezowania) podlegają ocenie na podstawie kryteriów dotyczących każdej stosownej pozycji 2B001.a, 2B201.a lub b.

1. Dokładność ustalania położenia, z uwzględnieniem wszystkich możliwych kompensacji, równa lub mniejsza (lepsza) niż 4 μm, stosownie do ISO 230/2 (1988) lub odpowiedników narodowych, wzdłuż dowolnej osi liniowej; lub

2. Dwie lub więcej konturowe osie obrotu.

a.

Szlifierek do zewnętrznego, wewnętrznego i zewnętrzno-wewnętrznego szlifowania cylindrycznego posiadających wszystkie niżej wymienione cechy:

1. Ograniczenie maksymalnych rozmiarów przedmiotu obrabianego do zewnętrznej średnicy albo długości wynoszącej 150 mm; oraz

2. Osie ograniczone do x, z i c;

b.

Szlifierek współrzędnościowych nieposiadających osi z albo osi w przy ogólnej dokładności pozycjonowania mniejszej (lepszej) niż 4 μm zgonie z ISO 230/2 (1988) lub krajowym odpowiednikiem.

a.

Koła zębate;

b.

Wały korbowe i rozrządowe;

c.

Narzędzia lub noże do obrabiarek;

d.

Ślimaki do wytłaczarek.

a.

Prasy izostatyczne posiadające obydwie niżej wymienione cechy charakterystyczne:

1. Zdolność do osiągnięcia maksymalnego ciśnienia roboczego równego 69 MPa lub większego; oraz

2. Wnękę komorową o średnicy wewnętrznej przekraczającej 152 mm;

b.

Matryce, formy i zespoły sterujące specjalnie zaprojektowane do pras izostatycznych wyszczególnionych w pozycji 2B204.a.

2BUrządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.

Sterowane komputerowo lub sterowane numerycznie maszyny do kontroli wymiarowej posiadające obie z niżej wymienionych cech charakterystycznych:

1. Dwie lub więcej osi; oraz

2. Niepewność pomiarową wzdłuż jednej z osi, równą lub mniejszą (lepszą) niż (1,25 + L/1000) μm badaną czujnikiem o dokładności równej lub mniejszej (lepszej) niż 0,2 μm (gdzie L jest długością mierzoną w mm) (patrz VDI/VDE 2617 część 1 i 2);

b.

Systemy do jednoczesnej liniowo-kątowej kontroli półpowłok, posiadające obie z niżej wymienionych cech charakterystycznych:

1. Niepewność pomiarową wzdłuż dowolnej osi liniowej, równą lub mniejszą (lepszą) niż 3,5 μm na 5 mm;

2. Odchylenie położenia kątowego równe lub mniejsze niż 0,02°.

2BUrządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwagi techniczne:

1. Czujnik używany do określenia niepewności pomiarowej systemów do kontroli wymiarowej powinien być opisany w częściach 2, 3 i 4 VDI/VDE 2617.

2. Wszystkie parametry wartości pomiarowych w pozycji 2B206 reprezentują wartości plus/minus, tj. pasmo niepełne.

a.

Roboty, manipulatory specjalnie zaprojektowane przy spełnieniu narodowych norm bezpieczeństwa stosowanych do obsługiwania kruszących materiałów wybuchowych (np. spełniające warunki ujęte w przepisach elektrycznych, stosowanych do kruszących materiałów wybuchowych);

b.

Jednostki sterujące, specjalnie zaprojektowane do robotów i manipulatorów wyszczególnionych w pozycji 2B207.a.

a.

Maszyny posiadające obydwie, niżej wymienione cechy charakterystyczne:

1. Trzy lub więcej wałki (aktywne lub prowadzące); oraz

2. Mogące, zgodnie ze specyfikacją techniczną producenta, być wyposażone w układy sterowania numerycznego lub sterowania komputerowego;

b.

Trzpienie do formowania wirników zaprojektowane do formowania wirników cylindrycznych o średnicy wewnętrznej pomiędzy 75 mm a 400 mm:

a.

Wyważarki odśrodkowe zaprojektowane do wyważania elastycznego wirników o długości 600 mm lub większej, posiadających wszystkie niżej wymienione cechy charakterystyczne:

1. Wychylenie lub średnica czopa powyżej 75 mm;

2. Zdolność do wyważania zespołów o masie od 0,9 do 23 kg; oraz

3. Zdolność do prędkości obrotowych w czasie wyważania powyżej 5000 obr./min.;

b.

Wyważarki odśrodkowe zaprojektowane do wyważania cylindrycznych zespołów wirnika, posiadające wszystkie niżej wymienione cechy charakterystyczne:

1. Średnica czopa powyżej 75 mm;

2. Zdolność do wyważania zespołów o masie od 0,9 do 23 kg;

3. Zdolność wyważania z niewyważeniem szczątkowym rzędu 0,01 kg x mm/kg dla jednej płaszczyzny, lub mniejszym; oraz

4. Napęd pasowy.

a.

Możliwość pokonania ściany komory gorącej o grubości 0,6 m lub większej (dla operacji wykonywanych poprzez ścianę); lub

b.

Możliwość zmostkowania ponad szczytem ściany komory gorącej o grubości 0,6 m lub większej (dla operacji wykonywanych ponad ścianą).

2BUrządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: a.

Piece posiadające wszystkie niżej wymienione cechy charakterystyczne:

1. Zdolność do pracy w temperaturach powyżej 1123 °K (850 °C);

2. Wyposażone w cewki indukcyjne o średnicy 600 mm; lub mniejszej; oraz

3. Zaprojektowane do 5 kW lub większego poboru mocy;

b.

Instalacje zasilające, o wydajności nominalnej 5 kW lub większej, specjalnie zaprojektowane do pieców wyszczególnionych w pozycji 2B226.a.

a.

Piece łukowe do przetapiania i odlewania, posiadające obydwie niżej wymienione cechy charakterystyczne:

1. O wydajności elektrody topliwej pomiędzy 1000 cm3 a 20000 cm3, oraz

2. Zdolne do pracy w temperaturach topienia powyżej 1973 °K (1700 °C);

b.

Piece do topienia wiązką elektronów oraz plazmowe piece do atomizacji i topienia, posiadające obydwie niżej wymienione cechy charakterystyczne:

1. Moc 50 kW lub większa; oraz

2. Zdolne do pracy w temperaturach topnienia powyżej 1473 °K (1200 °C);

c.

Komputerowe systemy do sterowania i śledzenia przebiegu procesów, specjalnie skonfigurowane do jakichkolwiek pieców wyszczególnionych w pozycji 2B227.a lub b.

a.

Sprzęt do montażu wirników, przeznaczony do montażu sekcji rurowych wirników odśrodkowych wirówek gazowych, przegród oraz pokryw; Uwaga: Pozycja 2B228.a. obejmuje precyzyjne trzpienie, zaciski i maszyny do pasowania skurczowego.

b. Uwaga techniczna:

Sprzęt prostowania wirników, przeznaczony do osiowania sekcji rurowych wirników odśrodkowych wirówek gazowych na wspólnej osi. W pozycji 2B228.b. taki sprzęt składa się zazwyczaj z dokładnych czujników pomiarowych, podłączonych do komputera, sterującego następnie pracą, np. pneumatycznego bijaka wykorzystywanego do ustawiania sekcji rurowych wirnika.

c. Uwaga techniczna:

Trzpienie i matryce do formowania mieszków, służące do wytwarzania mieszków jednozwojowych. Mieszki, o których mowa w pozycji 2B228.c, posiadają wszystkie niżej wymienione cechy charakterystyczne:

1. Średnica wewnętrzna pomiędzy 75 mm a 400 mm;

2. Długość równą lub większą 12,7 mm;

3. Głębokość pojedynczego zwoju większa niż 2 mm; oraz

4. Wykonane z wysokowytrzymałych stopów aluminium, stali maraging lub wysokowytrzymałych materiałów włóknistych lub włókienkowych.

a.

Wyposażone w czujniki ciśnień wykonane z aluminium, stopów aluminium, niklu lub stopów niklu o zawartości wagowej niklu ponad 60 %, lub też zabezpieczone tymi materiałami; oraz

b.

Posiadające którąś z niżej wymienionych cech charakterystycznych:

1. Pełny zakres pomiarowy poniżej 13 kPa oraz dokładność lepsza niż ± 1 % (w całym zakresie); lub

2. Pełny zakres pomiarowy wynoszący 13 kPa lub więcej orazdokładność lepsza niż ± 130 kPa.

2BUrządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.

Gardziel wlotową o średnicy równej lub większej 380 mm;

b.

Wydajność pompowania równą lub większą 15 m3/s; oraz

c.

Zdolne do wytwarzania próżni końcowej o ciśnieniu lepszej niż 13 mPa.

2BUrządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwagi techniczne:

1. Wydajność pompowania jest określona poprzez pomiar z użyciem azotu lub powietrza.

2. Próżnia końcowa jest określana na wlocie do pompy po jego zatkaniu.

a.

Zbiorniki reakcyjne lub reaktory, wyposażone lub nie wyposażone w mieszadła, o całkowitej pojemności wewnętrznej (geometrycznej) powyżej 0,1 m3 (100 litrów) i poniżej 20 m3 (20000 litrów), w których wszystkie powierzchnie posiadające bezpośredni kontakt z przetwarzanym lub znajdującym się w nich środkiem chemicznym (środkami chemicznymi), wykonane są z jednego z następujących materiałów:

1. Stopów o zawartości wagowej powyżej 25 % niklu i 20 % chromu;

2. Polimerów fluorowych;

3. Szkła (w tym materiałów powlekanych szkliwami lub emaliowanych albo wykładanych szkłem);

4. Niklu lub stopów o zawartości wagowej niklu powyżej 40 %;

5. Tantalu lub stopów tantalu;

6. Tytanu lub stopów tytanu; lub

7. Cyrkonu lub stopów cyrkonu;

b.

Mieszadła do zbiorników reakcyjnych lub reaktorów, wyszczególnionych w pozycji 2B350.a, w których wszystkie powierzchnie posiadające bezpośredni kontakt z przetwarzanym lub znajdującym się w nich środkiem chemicznym (środkami chemicznymi), wykonane są z jednego z następujących materiałów:

1. Stopów o zawartości wagowej powyżej 25 % niklu i 20 % chromu;

2. Polimerów fluorowych;

3. Szkła (w tym materiałów powlekanych szkliwami lub emaliowanych albo wykładanych szkłem);

4. Niklu lub stopów o zawartości wagowej niklu powyżej 40 %;

5. Tantalu lub stopów tantalu;

6. Tytanu lub stopów tytanu; lub

7. Cyrkonu lub stopów cyrkonu;

c.

Zbiorniki magazynowe, zasobniki lub odbiorniki o całkowitej pojemności wewnętrznej (geometrycznej) powyżej 0,1 m3 (100 litrów), w których wszystkie powierzchnie posiadające bezpośredni kontakt z przetwarzanym lub znajdującym się w nich środkiem chemicznym (środkami chemicznymi), wykonane są z jednego z następujących materiałów:

1. Stopów o zawartości wagowej powyżej 25 % niklu i 20 % chromu;

2. Polimerów fluorowych;

3. Szkła (w tym materiałów powlekanych szkliwami lub emaliowanych albo wykładanych szkłem);

4. Niklu lub stopów o zawartości wagowej niklu powyżej 40 %;

5. Tantalu lub stopów tantalu;

6. Tytanu lub stopów tytanu; lub

7. Cyrkonu lub stopów cyrkonu;

d.

Wymienniki ciepła lub skraplacze o polu powierzchni wymiany ciepła powyżej 0,15 m2, oraz poniżej 20 m2, w których wszystkie powierzchnie posiadające bezpośredni kontakt z przetwarzanym lub znajdującym się w nich środkiem chemicznym (środkami chemicznymi), wykonane są z jednego z następujących materiałów:

1. Stopów o zawartości wagowej powyżej 25 % niklu i 20 % chromu;

2. Polimerów fluorowych;

3. Szkła (w tym materiałów powlekanych szkliwami lub emaliowanych albo wykładanych szkłem);

4. Grafitu lub grafitu węglowego;

5. Niklu lub stopów o zawartości wagowej niklu powyżej 40 %;

6. Tantalu lub stopów tantalu;

7. Tytanu lub stopów tytanu; lub

8. Cyrkonu lub stopów cyrkonu;

9. Węglika krzemu; lub

10. Węglika tytanowego;

e.

Kolumny destylacyjne lub absorpcyjne o średnicy wewnętrznej powyżej 0,1 m, oraz rozdzielacze cieczy i par, kolektory cieczy, zaprojektowane do takich kolumn destylacyjnych lub absorpcyjnych, w których wszystkie powierzchnie posiadające bezpośredni kontakt z przetwarzanym lub znajdującym się w nich środkiem chemicznym (środkami chemicznymi), wykonane są z jednego z następujących materiałów:

1. Stopów o zawartości wagowej powyżej 25 % niklu i 20 % chromu;

2. Polimerów fluorowych;

3. Szkła (w tym materiałów powlekanych szkliwami lub emaliowanych, albo wykładanych szkłem);

4. Grafitu lub grafitu węglowego;

5. Niklu lub stopów o zawartości wagowej niklu powyżej 40 %;

6. Tantalu lub stopów tantalu;

7. Tytanu lub stopów tytanu; lub

8. Cyrkonu lub stopów cyrkonu;

f.

Zdalnie sterowany sprzęt napełniający, w których wszystkie powierzchnie posiadające bezpośredni kontakt z przetwarzanym lub znajdującym się w nich środkiem chemicznym (środkami chemicznymi), wykonane są z jednego z następujących materiałów:

1. Stopów o zawartości wagowej powyżej 25 % niklu i 20 % chromu; lub

2. Niklu lub stopów o zawartości wagowej niklu powyżej 40 %;

g.

Zawory o wymiarach znamionowych większych niż 10 mm oraz obudowy (korpusy zaworów) lub wstępnie uformowane wkładki doosłonowe, zaprojektowane do takich zaworów, w których wszystkie powierzchnie posiadające bezpośredni kontakt z przetwarzanym lub znajdującym się w nich środkiem chemicznym (środkami chemicznymi), wykonane są z jednego z następujących materiałów:

1. Stopów o zawartości wagowej powyżej 25 % niklu i 20 % chromu;

2. Polimerów fluorowych;

3. Szkła (w tym materiałów powlekanych szkliwami lub emaliowanych albo wykładanych szkłem);

4. Niklu lub stopów o zawartości wagowej niklu powyżej 40 %;

5. Tantalu lub stopów tantalu;

6. Tytanu lub stopów tytanu; lub

7. Cyrkonu lub stopów cyrkonu;

h.

Rury wielościenne, zawierające okna do wykrywania nieszczelności, w których wszystkie powierzchnie posiadające bezpośredni kontakt z przetwarzanym lub znajdującym się w nich środkiem chemicznym (środkami chemicznymi), wykonane są z jednego z następujących materiałów:

1. Stopów o zawartości wagowej powyżej 25 % niklu i 20 % chromu;

2. Polimerów fluorowych;

3. Szkła (w tym materiałów powlekanych szkliwami lub emaliowanych albo wykładanych szkłem);

4. Grafitu lub grafitu węglowego;

5. Niklu lub stopów o zawartości wagowej niklu powyżej 40 %;

6. Tantalu lub stopów tantalu;

7. Tytanu lub stopów tytanu; lub

8. Cyrkonu lub stopów cyrkonu;

i.

Pompy wielokrotnie uszczelnione i nieuszczelnione, o maksymalnym natężeniu przepływu, według specyfikacji producenta, powyżej 0,6 m3/h, lub pompy próżniowe o maksymalnym natężeniu przepływu, według specyfikacji producenta, powyżej 5 m3/h (w warunkach znormalizowanej temperatury (273 °K (0 °C)) oraz ciśnienia (101,3 kPa)), w których wszystkie powierzchnie posiadające bezpośredni kontakt z przetwarzanym lub znajdującym się w nich środkiem chemicznym (środkami chemicznymi), wykonane są z jednego z następujących materiałów:

1. Stopów o zawartości wagowej powyżej 25 % niklu i 20 % chromu;

2. Materiałów ceramicznych;

3. Żelazokrzemu;

4. Polimerów fluorowych;

5. Szkła (w tym materiałów powlekanych szkliwami lub emaliowanych, albo wykładanych szkłem);

6. Grafitu lub grafitu węglowego;

7. Niklu lub stopów o zawartości wagowej niklu powyżej 40 %;

8. Tantalu lub stopów tantalu;

9. Tytanu lub stopów tytanu; lub

10. Cyrkonu lub stopów cyrkonu;

j.

Piece do spopielania, zaprojektowane do niszczenia substancji chemicznych wyszczególnionych w pozycji 1C350, posiadające specjalnie zaprojektowane systemy doprowadzania odpadów, specjalne urządzenia obsługujące oraz przeciętną temperaturę w komorze spalania powyżej 1273 °K (1000 °C), w których wszystkie powierzchnie w systemie doprowadzania odpadów posiadające bezpośredni kontakt z odpadami wykonane są z jednego z następujących materiałów lub nim pokryte:

1. Stopów o zawartości wagowej powyżej 25 % niklu i 20 % chromu;

2. Materiałów ceramicznych; lub

3. Niklu lub stopów o zawartości wagowej niklu powyżej 40 %;

2BUrządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: a.

Przeznaczone do ciągłej pracy i wykorzystywane do wykrywania bojowych środków chemicznych lub środków chemicznych wyszczególnionych w pozycji 1C350, w stężeniach poniżej 0,3 mg/m3; lub

b.

Przeznaczone do wykrywania aktywności wstrzymującej cholinoesterazę.

a. Uwaga techniczna:

Kompletne biologiczne obudowy zabezpieczające dla P3, P4 poziomu zabezpieczenia; Poziomy zabezpieczenia P3 lub P4 (BL3, BL4, L3, L4) są wyszczególnione w instrukcji WHO dotyczącej bezpieczeństwa biologicznego laboratoriów (wydanie drugie, Genewa 1993).

b. Uwaga techniczna:

Kadzie fermentacyjne, pozwalające na namnażanie mikroorganizmów chorobotwórczych i wirusów lub umożliwiające produkcję toksyn, bez rozprzestrzeniania aerozoli, posiadające pojemność całkowitą równą 20 litrów lub większą; Do kadzi fermentacyjnych zalicza się bioreaktory, chemostaty oraz instalacje o przepływie ciągłym.

c. Uwaga techniczna:

Separatory odśrodkowe, zdolne do ciągłego oddzielania bez rozprzestrzeniania aerozoli, posiadające wszystkie niżej wymienione cechy charakterystyczne: Do separatorów odśrodkowych zalicza się również dekantery.

c.

1. Natężenie przepływu powyżej 100 l/h;

2. Wykonanie elementów z polerowanej stali nierdzewnej lub tytanu;

3. Jedno lub więcej złącze uszczelniane w obszarze występowania pary wodnej; oraz

4. Zdolne do sterylizacji w stanie zamkniętym na miejscu;

d.

Sprzęt filtrujący o poprzecznym (stycznym) przepływie oraz komponenty, w tym: Uwaga: Pozycja 2B352.d nie obejmuje kontrolą sprzętu odwracania osmozy, jako określonego przez producenta.

1. Sprzęt filtrujący o poprzecznym (stycznym) przepływie, zdolny do ciągłego rozdzielania chorobotwórczych mikroorganizmów, wirusów, toksyn i kultur komórkowych, bez rozprzestrzeniania aerozoli, posiadający obie niżej wymienione cechy charakterystyczne:

1. a.

Całkowite pole powierzchni filtrujące równej lub większe niż 1 m2; oraz

b. Uwaga techniczna:

Zdolny do wysterylizowania lub odkażenia na miejscu; oraz; W pozycji 2B352.d.1.b sterylizacja oznacza likwidację wszystkich żyjących mikroorganizmów ze sprzętu poprzez użycie czynnika fizycznego (np. para wodna) lub chemicznego. Odkażenie oznacza zniszczenie potencjalnego zagrożenia mikrobiologicznego sprzętu poprzez użycie czynników chemicznych o właściwościach bakteriobójczych. Odkażenie i sterylizacja różnią się od oczyszczania, które odnosi się do procedur oczyszczenia, zaprojektowanych w celu obniżenia składnika mikrobiologicznego w sprzęcie, bez konieczności dokonania likwidacji wszystkich zagrożeń mikrobiologicznych lub utrzymujących się przy życiu mikroorganizmów.

2. Komponenty do filtracji o poprzecznym (stycznym) przepływie (np. moduły, elementy, kasety, pojemniki, zespoły lub płyty) o powierzchni filtrującej równej lub większej niż 0,2 m2 dla każdego komponentu i zaprojektowane do użycia w sprzęcie do filtracji o poprzecznym (stycznym) przepływie wyszczególnionym w pozycji 2B352.d;

e.

Sterylizowany parą wodną sprzęt do liofilizacji o wydajności kondensora przekraczającej 10 kg lodu w ciągu 24 godzin i mniejszej do 1000 kg lodu w ciągu 24 godzin;

f.

Sprzęt zabezpieczenia i obudowy, taki jak:

1. Pełne lub częściowe obudowy ochronne lub kołpaki uzależnione od dowiązanego zewnętrznego źródła powietrza, pracującego pod nadciśnieniem; Uwaga: Pozycja 2B352.f.1 nie obejmuje kontrolą kombinezonów zaprojektowanych do noszenia z niezależnym aparatem do oddychania.

2. Komory klasy III bezpieczeństwa biologicznego lub izolatory o podobnych znormalizowanych wymaganiach; Uwaga: W pozycji 2B352.f.2 izolatory obejmują elastyczne pojemniki izolowane, komory suche, komory anaerobowe oraz komory rękawowe (zamknięte z pionowym przepływem).

g.

Komory zaprojektowane do testowania tożsamości aerozoli zawierających mikroorganizmy, wirusy lub toksyny oraz posiadające pojemność 1 m3 lub większą.

2CMateriały Żadne.

2DOprogramowanie

2D001Oprogramowanie różne od wyszczególnionego w pozycji 2D002, specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do rozwoju, produkcji lub użytkowania urządzeń wyszczególnionych w pozycjach 2A001 lub 2B001 do 2B009. 2D002Oprogramowanieurządzeń elektronicznych, nawet rezydujące w elementach elektronicznych urządzenia lub systemu, pozwalające działać tym urządzeniom lub systemom jako jednostki sterowania numerycznego, umożliwiające jednoczesną koordynację więcej niż czterech osi w celu sterowania kształtowego. Uwaga 1: Pozycja 2D002 nie obejmuje kontrolą oprogramowania specjalnie zaprojektowanego lub zmodyfikowanego do użytkowania obrabiarek nie wyszczególnionych w Kategorii 2. Uwaga 2: Pozycja 2D002 nie obejmuje kontrolą oprogramowania do obiektów wyszczególnionych w pozycji 2B002. Patrz pozycja 2D001 dla uregulowań dotyczących oprogramowania do obiektów wyszczególnionych w pozycji 2B002. 2D101Oprogramowanie specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do użytkowania sprzętu wyszczególnionego w pozycjach 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 lub 2B119 do 2B122. NB.: PATRZ TAKŻE POZYCJA 9D004. 2D201Oprogramowaniespecjalnie zaprojektowane do użytkowania sprzętu wyszczególnionego w pozycjach 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 lub 2B227. 2D202Oprogramowanie specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do rozwoju, produkcji lub użytkowania sprzętu wyszczególnionego w pozycji 2B201.

2ETechnologia

2E001Technologia stosownie do uwagi ogólnej do technologii przeznaczona do rozwoju sprzętu lub oprogramowania wyszczególnionego w pozycjach 2A, 2B lub 2D. 2E002Technologia stosownie do uwagi ogólnej do technologii przeznaczona do produkcjisprzętu wyszczególnionego w pozycjach 2A lub 2B. 2E003Inna technologia, taka jak: 2E101Technologia stosownie do uwagi ogólnej do technologii przeznaczona do użytkowania sprzętu lub oprogramowania wyszczególnionego w pozycjach 2B004, 2B104, 2B109, 2B116 2B119 do 2B122 lub 2D101. 2E201Technologia stosownie do uwagi ogólnej do technologii przeznaczona do użytkowania sprzętu lub oprogramowania wyszczególnionego w pozycjach 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 do 2B232, 2D201 lub 2D202. 2E301Technologia stosownie do uwagi ogólnej do technologii przeznaczona do użytkowania towarów wyszczególnionych w pozycjach 2B350 do 2B352.

a.

Technologia do rozwoju grafiki interakcyjnej jako integralnej części jednostek sterowanych numerycznie przeznaczonych do przygotowania lub modyfikacji programów obróbki części;

b.

Technologia do procesów wytwarzania obróbką metali:

1. Technologia projektowania narzędzi, form lub uchwytów specjalnie zaprojektowanych do jednego z następujących procesów:

1. a.

Formowania w stanie nadplastycznym;

b.

Zgrzewania dyfuzyjnego;

c.

Bezpośredniego wytłaczania hydraulicznego;

2. Dane techniczne, zawierające metody lub parametry procesu, wykorzystywane do sterowania, takie jak:

2. a.

Formowanie w stanie nadplastycznym stopów aluminium, stopów tytanu lub nadstopów:

1. Przygotowanie powierzchni;

2. Właściwości plastyczne;

3. Temperatura;

4. Ciśnienie;

b.

Zgrzewanie dyfuzyjnenadstopów lub stopów tytanu:

1. Przygotowanie powierzchni;

2. Temperatura;

3. Ciśnienie;

c.

Bezpośrednie wytłaczanie hydrauliczne stopów aluminium lub tytanu:

1. Ciśnienie;

2. Czas cyklu;

d.

Izostatyczne zagęszczanie na gorąco stopów tytanu, aluminium lub nadstopów:

1. Temperatura;

2. Ciśnienie;

3. Czas cyklu;

c.

Technologia do rozwojulub produkcji obciągarek hydraulicznych i form do nich, wykorzystywanych do wytwarzania struktur płatowca;

d.

Technologia do rozwoju generatorów instrukcji dla obrabiarek (np. programów do obróbki części) na podstawie danych konstrukcyjnych rezydujących w urządzeniach sterowanych numerycznie;

e.

Technologia do rozwoju zintegrowanegooprogramowania do wprowadzania systemów eksperckich do wspomagania procesu decyzyjnego pracy warsztatowej, przeznaczonego do urządzeń sterowanych numerycznie;

f.

Technologia do stosowania pokryć powłokami nieorganicznymi lub powłokami nieorganicznymi modyfikowanymi powierzchniowo (wyszczególnionymi w kolumnie 3 poniższej tabeli) na podłoża nieelektroniczne (wyszczególnione w kolumnie 2 poniższej tabeli) za pomocą procesów wyszczególnionych w kolumnie 1 poniższej tabeli i zdefiniowanych w uwadze technicznej; Uwaga: Tabela i uwaga techniczna znajdują się za pozycją 2E3001.

Tabela 1.2.3.A.B.B.1.B.2.B.3.B.4.C.D.E.F.G. Uwagi do tabeli technik powlekania Techniki powlekania

Technika powlekania (1) Podłoże Powłoka wynikowa Osadzanie z pary lotnej (CVD) Nadstopy Glinki na kanały wewnętrzne Podłoża ceramiczne (19) i szkło o małym współczynniku rozszerzalności cieplnej (14) Krzemki Węgliki Warstwy dielektryczne (15) Diament Węgiel diamentopodobny (17) Materiały kompozytowe na matrycy węgiel-węgiel, ceramicznej i metalowej Krzemki Węgliki Metale ogniotrwałe Ich mieszaniny (4) Warstwy dielektryczne (15) Glinki Glinki stopowe (2) Azotek boru Spiekane węgliki wolframu (16), węglik krzemu (18) Węgliki Wolfram Mieszanki powyższych (4) Warstwy dielektryczne (15) Molibden i stopy molibdenu Warstwy dielektryczne (15) Beryl i stopy berylu Warstwy dielektryczne (15) Diament Węgiel diamentopodobny (17) Materiały na okienka wziernikowe (9) Warstwy dielektryczne (15) Diament Węgiel diamentopodobny (17) Termiczne naparowywanie próżniowe (TE-PVD) Naparowywanie próżniowe (PVD): wiązką elektronów (EB-PVD) Nadstopy Krzemki stopowe Glinki stopowe (2) MCrAlX (5) Zmodyfikowany cyrkon (12) Krzemki Glinki Ich mieszaniny (4) Podłoża ceramiczne (19) i szkło o małym współczynniku rozszerzalności cieplnej (14) Warstwy dielektryczne (15) Stale odporne na korozję (7) MCrAlX (5) Zmodyfikowany tlenek cyrkonowy (12) Ich mieszaniny (4) Materiały kompozytowe na matrycy węgiel-węgiel, ceramicznej i metalowej Krzemki Węgliki Metale ognioodporne Ich mieszaniny (4) Warstwy dielektryczne (15) Azotek boru Spiekane węgliki wolframu (16), węglik krzemu (18) Węgliki Wolfram Ich mieszaniny (4) Warstwy dielektryczne (15) Molibden i stopy molibdenu Molibden i stopy molibdenu Beryl i stopy berylu Warstwy dielektryczne (15) Borki Beryl Materiały na okienka wziernikowe (9) Warstwy dielektryczne (15) Stopy tytanu (13) Borki Azotki Napylanie techniką ogrzewania oporowego wspomaganego (PVD) (Pokrywanie jonowe) Podłoża ceramiczne (19) i szkła o małym współczynniku rozszerzalności cieplnej (14) Warstwy dielektryczne (15) Węgiel diamentopodobny (17) Materiały kompozytowe na matrycy węgiel-węgiel, ceramicznej i metalowej Warstwy dielektryczne (15) Spiekane węgliki wolframu (16), węglik krzemu Warstwy dielektryczne (15) Molibden i stopy molibdenu Warstwy dielektryczne (15) Beryl i stopy berylu Warstwy dielektryczne (15) Materiały na okienka wziernikowe (9) Warstwy dielektryczne (15) Węgiel diamentopodobny (17) Napylanie próżniowe (PVD): odparowywanie laserowe Podłoża ceramiczne (19) i szkła o małym współczynniku rozszerzalności cieplnej (14) Krzemki Warstwy dielektryczne (15) Węgiel diamentopodobny (17) Materiały kompozytowe na matrycy węgiel-węgiel, ceramicznej i metalowej Warstwy dielektryczne (15) Spiekane węgliki wolframu (16), węglik krzemu Warstwy dielektryczne (15) Molibden i stopy molibdenu Warstwy dielektryczne (15) Beryl i stopy berylu Warstwy dielektryczne (15) Materiały na okienka wziernikowe (9) Warstwy dielektryczne (15) Węgiel diamentopodobny (17) Naparowywanie próżniowe (PVD): za pomocą łuku katodowego Nadstopy Krzemki stopowe Glinki stopowe (2) MCrAlX (5) Polimery (11) oraz materiały kompozytowe na matrycy organicznej Borki Węgliki Azotki Węgiel diamentopodobny (17) Osadzanie fluidyzacyjne (patrz A powyżej dla innych technik) (10) Materiały kompozytowe na matrycy węgiel-węgiel, ceramicznej i metalowej Krzemki Węgliki Ich mieszaniny (4) Stopy tytanu (13) Krzemki Glinki Glinki stopowe (2) Metale i stopy ognioodporne (8) Krzemki Tlenki Napylanie plazmowe Nadstopy MCrAlX (5) Zmodyfikowany tlenek cyrkonowy (12) Ich mieszaniny (4) Materiał ścierny nikiel-grafit Materiał ścierny Ni-Cr-Al-Bentonit Materiał ścierny Al-Si-Poliester Glinki stopowe (2) Stopy aluminium (6) MCrAlX (5) Zmodyfikowany tlenek cyrkonowy (12) Krzemki Ich mieszaniny (4) Metale i stopy ognioodporne (8) Glinki Krzemki Węgliki Stale odporne na korozję (7) Zmodyfikowany tlenek cyrkonowy (12) MCrAlX (5) Ich mieszaniny (4) Stopy tytanu (13) Węgliki Glinki Krzemki Glinki stopowe (2) Materiały ścierne nikiel-grafit Materiały ścierne Ni-Cr-Al Materiały ścierne Al-Si-Poliester Powlekanie zawiesinowe Metale i stopy ognioodporne (8) Krzemki stopione Glinki stopione z wyjątkiem elementów do nagrzewania oporowego Materiały kompozytowe na matrycy węgiel-węgiel, ceramicznej i metalowej Krzemki Węgliki Ich mieszaniny (4) Rozpylanie jonowe Nadstopy Krzemki stopowe Glinki stopowe (2) Glinki zmodyfikowane metalem szlachetnym (3) MCrAlX (5) Zmodyfikowany tlenek cyrkonowy (12) Platyna Ich mieszaniny (4) Materiały ceramiczne i szkła o małym współczynniku rozszerzalności cieplnej (14) Krzemki Platyna Ich mieszaniny (4) Warstwy dielektryczne (15) Węgiel diamentopodobny (17) Stopy tytanu (13) Borki Azotki Tlenki Krzemki Glinki Glinki stopowe (2) Węgliki Materiały kompozytowe na matrycy węgiel-węgiel, ceramicznej i metalowej Krzemki Węgliki Metale ognioodporne Ich mieszaniny (4) Warstwy dielektryczne (15) Azotek boru Spiekane węgliki wolframu (16), węglik krzemu (18) Węgliki Wolfram Ich mieszaniny (4) Warstwy dielektryczne (15) Azotek boru Molibden i stopy molibdenu Warstwy dielektryczne (15) Beryl i stopy berylu Borki Warstwy dielektryczne (15) Beryl Materiały na okienka wziernikowe (9) Warstwy dielektryczne (15) Węgiel diamentopodobny (17) Metale i stopy ognioodporne (8) Glinki Krzemki Tlenki Węgliki Implantacja jonów Żarowytrzymałe stale łożyskowe Dodatki chromu, tantalu lub niobu Stopy tytanu (13) Borki Azotki Beryl i stopy berylu Borki Spiekany węglik wolframu (16) Węgliki Azotki Definicje procesów wymienionych w kolumnie 1 tabeli:

1. Termin technika powlekania obejmuje zarówno naprawę i odnawianie powłok, jak i nakładanie nowych.

2. Termin powłoka z glinku stopowego obejmuje powłoki uzyskane w procesie jedno- albo wieloetapowym, w którym każdy pierwiastek albo pierwiastki są nakładane przed albo podczas nakładania powłoki glinkowej, nawet, jeżeli pierwiastki te są nakładane podczas innego procesu powlekania. Jednakże nie obejmuje to przypadku wieloetapowego stosowania jednostopniowych procesów osadzania fluidyzacyjnego, mającego na celu uzyskanie glinków stopowych.

3. Termin powłoka z glinku modyfikowanego metalem szlachetnym obejmuje powłoki wytwarzane w procesie wieloetapowym, podczas którego przed położeniem powłoki z glinku na podłoże nakładany jest, w innym procesie powlekania, jeden albo kilka metali szlachetnych.

4. Termin ich mieszaniny obejmuje kombinacje, zawierające przesycony materiał powłoki podłoża, składników pośrednich, materiału współosadzonego oraz wielowarstwowego materiału osadzonego i będące wytwarzane jedną albo kilku technikami powlekania, wymienionymi w tabeli.

5. Przez termin MCrAlX należy rozumieć powłokę stopową, w której M oznacza kobalt, żelazo, nikiel lub ich kombinację, a X hafn, itr, krzem, tantal w dowolnych lub innych zamierzonych ilościach dodatkowych, wynoszących wagowo powyżej 0,01 % w różnych proporcjach i kombinacjach, z wyjątkiem:

5. a.

Powłok CoCrAlY, w których znajduje się wagowo poniżej 22 % chromu, poniżej 7 % aluminium i poniżej 2 % itru;

b.

Powłok CoCrAlY, w których znajduje się wagowo 22 do 24 % chromu, 10 do 12 % aluminium i 0,5 do 0,7 % itru; lub

c.

Powłok NiCrAlY, w których znajduje się wagowo 21 do 23 % chromu, 10 do 12 % aluminium i 0,9 do 1,1 % itru.

6. Termin stopy aluminium dotyczy stopów, których wytrzymałość na rozciąganie, mierzona w temperaturze 293 °K (20 °C), wynosi 190 MPa lub więcej.

7. Termin stale odporne na korozję odnosi się do stali serii 300 według AISI (American Iron and Steel Institute) lub równoważnych norm narodowych.

8. Do metali żarowytrzymałych zalicza się następujące metale i ich stopy: niob, molibden, wolfram i tantal.

9. Materiały na okienka wziernikowe, takie jak: tlenek glinu, krzem, german, siarczek cynku, selenek cynku, arsenek galu, diament, fosforek galu oraz następujące halogenki metali: materiały na okienka wziernikowe o średnicy powyżej 40 mm z fluorku cyrkonu i fluorku hafnu.

10. Kategoria 2 nie obejmuje kontrolą technologii jednoetapowego utwardzania techniką cieplno-chemiczną litych profili aerodynamicznych.

11. Polimery, takie jak: poliimidy, poliestry, polisiarczki, poliwęglany i poliuretany.

12. Termin zmodyfikowany tlenek cyrkonowy odnosi się do tlenku cyrkonowego z dodatkami innych tlenków metali, np. tlenku wapnia, tlenku magnezu, tlenku itru, tlenku hafnu, tlenków lantanowców itp. dodanymi w celu stabilizacji pewnych faz krystalicznych i składników faz. Powłoki przeciwtermiczne wykonane z tlenku cyrkonowego modyfikowanego poprzez mieszanie albo stapianie z tlenkiem wapnia albo magnezu, nie są objęte kontrolą.

13. Termin stopy tytanu odnosi się jedynie do stopów stosowanych w technice kosmicznej, których wytrzymałość na rozciąganie, mierzona w temperaturze 293 °K (20 °C), wynosi 900 MPa lub więcej.

14. Termin szkła o małym współczynniku rozszerzalności cieplnej odnosi się do szkieł, dla których wartość współczynnika rozszerzalności cieplnej, mierzona w temperaturze 293 °K (20 °C), wynosi 1 × 10–7 K–1 lub mniej.

15. Termin warstwy dielektryczne odnosi się do powłok wielowarstwowych z materiałów izolacyjnych, w których interferencyjne właściwości konstrukcji złożonej z materiałów o różnych współczynnikach załamania są wykorzystywane do odbijania, przepuszczania lub pochłaniania fal o różnych długościach. Warstwy dielektryczne odnoszą się do materiałów składających się z więcej niż czterech warstw dielektrycznych lub warstw kompozytów dielektryk/metal.

16. Spiekany węglik wolframu nie obejmuje materiałów na narzędzia skrawające i formujące wykonane z węglika wolframu/(kobaltu, niklu), węglika tytanu/(kobaltu, niklu), węglika chromu/nikiel-chrom i węglika chromu/nikiel.

17. Technologia specjalnie zaprojektowana do nakładania węgla diamentopodobnego na jakikolwiek z niżej wymienionych produktów nie podlega kontroli:

dyski i głowice magnetyczne, urządzenia do wytwarzania produktów jednorazowych, zawory do kranów, membrany do głośników, części silników samochodowych, narzędzia tnące, matryce do tłoczenia-wykrawania, sprzęt do automatyzacji prac biurowych, mikrofony, urządzenia medyczne.

18. Węglik krzemu nie obejmuje materiałów dla narzędzi do cięcia i formowania.

19. Podłoża ceramiczne, w rozumieniu tej pozycji nie obejmują materiałów ceramicznych zawierających wagowo 5 % lub więcej gliny lub cementu, zarówno w postaci oddzielnych składników, jak i ich kombinacji.

a.

Osadzanie z pary lotnej (CVD) jest procesem nakładania powłoki albo modyfikacji powierzchni podłoża, polegającym na osadzaniu na rozgrzanym podłożu metalu, stopu, kompozytu, dielektryka albo materiału ceramicznego. W sąsiedztwie podłoża następuje rozkład albo łączenie gazowych substratów reakcji, wskutek czego osadza się na nim pożądany pierwiastek, stop albo związek. Potrzebna do rozkładu związków albo do reakcji chemicznych energia może być dostarczana przez rozgrzane podłoże, plazmę z wyładowań jarzeniowych lub za pomocą lasera. NB. 1: CVD obejmuje następujące procesy: osadzanie w ukierunkowanym przepływie gazów bez zanurzania w proszku, CVD pulsujące, rozkład termiczny z regulowanym zarodkowaniem (CNTD), CVD intensyfikowane albo wspomagane za pomocą plazmy. NB. 2: Zanurzanie w proszku polega na zanurzaniu podłoża w mieszaninie sproszkowanych substancji. NB. 3: Gazowe substraty reakcji, wykorzystywane w technice, w której nie stosuje się zanurzania w proszku, są wytwarzane podczas takich samych reakcji podstawowych i przy takich samych parametrach jak w przypadku osadzania fluidyzacyjnego: z tym wyjątkiem, że powlekane podłoże nie styka się z mieszaniną proszku.

b.

Naparowywanie termiczne – fizyczne osadzanie par (TE-PVD) jest procesem powlekania w próżni przy ciśnieniach poniżej 0,1 Pa, w której do odparowania materiału powlekającego używa się energii termicznej. Rezultatem tego procesu jest kondensacja albo osadzenie odparowanych składników na odpowiednio usytuowanych powierzchniach. Zwykle proces ten jest modyfikowany poprzez wpuszczanie dodatkowych gazów do komory próżniowej podczas powlekania, co umożliwia wytwarzanie powłok o złożonym składzie. Innym, powszechnie stosowanym sposobem jego modyfikacji jest używanie wiązki jonów albo elektronów lub plazmy do intensyfikacji albo wspomagania osadzania powłoki. W technice tej można stosować monitory do bieżącego pomiaru parametrów optycznych i grubości powłoki. Wyróżnia się szczególne procesy TE-PVD, takie jak:

1. PVD z zastosowaniem wiązki elektronów – do rozgrzania i odparowania materiału, który ma stanowić powłokę, używa się wiązki elektronów;

2. PVD z ogrzewaniem oporowym – do wytwarzania odpowiedniego i równomiernego strumienia odparowanych składników powłokowych wykorzystywane są źródła elektrycznego ogrzewania oporowego w kombinacji z uderzającą wiązką jonów;

3. Odparowanie laserowe wykorzystujące ciągłą lub impulsową wiązkę laserową do ogrzania materiału przeznaczonego na powłokę;

4. Metoda osadzania za pomocą łuku katodowego wykorzystująca zużywającą się katodę wykonaną z materiału mającego stanowić powłokę; łuk wywoływany jest na powierzchni tego materiału poprzez chwilowy kontakt inicjujący. Kontrolowany ruch łuku powoduje erozję powierzchni katody, wytwarzając wysoko zjonizowaną plazmę. Anodę może stanowić stożek osadzony w izolatorze na obwodzie katody albo sama komora. Osadzanie w miejscach nieleżących na linii biegu wiązki uzyskuje się dzięki odpowiedniej polaryzacji podłoża. NB. Definicja ta nie obejmuje bezładnego osadzania wspomaganego łukiem katodowym w przypadku powierzchni niepolaryzowanych.

5. Powlekanie jonowe stanowi specjalną modyfikację procesu TE- PVD, w której do jonizacji osadzanych składników jest wykorzystywane źródło plazmy albo jonów, natomiast podłoże jest polaryzowane ujemnie, co ułatwia wychwytywania z plazmy tych składników, które mają być osadzone. Do często spotykanych odmian tej techniki należą: wprowadzanie składników aktywnych, odparowywanie substancji stałych wewnątrz komory roboczej oraz bieżący pomiar parametrów optycznych i grubości powłok za pomocą monitorów.

c.

Osadzanie fluidyzacyjne jest procesem powlekania albo modyfikacji powierzchni podłoża, w której podłoże jest zanurzane w mieszaninie proszków, składającej się z: Podłoże wraz z mieszaniną proszków znajduje się w retorcie, która jest podgrzewana do temperatury od 1030 °K (757 °C) do 1375 °K (1102 °C) przez okres wystarczający do osadzenia powłoki.

1. Proszków metalicznych, mających ulec osadzeniu (zazwyczaj aluminium, chrom, krzem lub ich kombinacje);

2. Aktywatora (zazwyczaj sól halogenkowa); oraz

3. Proszku obojętnego, najczęściej tlenku glinu.

d.

Napylanie plazmowe jest procesem powlekania, w którym do pistoletu (pistoletu natryskowego) służącego do wytwarzania i sterowania strumieniem plazmy jest doprowadzany materiał do powlekania w postaci proszku albo pręta. Pistolet topi materiał i wyrzuca go na podłoże, na którym powstaje silnie z nim związana powłoka. Odmianami tego procesu jest napylanie plazmowe niskociśnieniowe oraz napylanie plazmowe z wysoką prędkością. NB. 1: Niskociśnieniowe oznacza pod ciśnieniem niższym od ciśnienia atmosferycznego otoczenia. NB. 2: Wysoka prędkość odnosi się do prędkości gazów na wylocie z dyszy przekraczającej wartość 750 m/s w temperaturze 293 °K (20 °C) i ciśnieniu 0,1 MPa.

e.

Osadzanie zawiesinowe jest procesem powlekania albo modyfikacji powierzchni, w której stosowana jest zawiesina proszku metalicznego lub ceramicznego ze spoiwem organicznym w cieczy, nakładana na podłoże techniką natryskiwania, zanurzania lub malowania. Następnym etapem jest suszenie w powietrzu albo w piecu i obróbka cieplna, w wyniku czego powstaje powłoka o odpowiedniej charakterystyce.

f.

Rozpylanie jonowe jest procesem powlekania, opartym na zjawisku przenoszenia pędu, w której naładowane dodatnio jony są przyspieszane przez pole elektryczne w kierunku powierzchni docelowej (materiał powłokowy). Energia kinetyczna padających jonów jest wystarczająca do wyrwania atomów z powierzchni materiału powłokowego i osadzenia ich na odpowiednio usytuowanej powierzchni podłoża. NB. 1: Tabela dotyczy tylko rozpylania jonowego za pomocą triody, magnetronowego i reakcyjnego, które jest wykorzystywane do zwiększania przyczepności powłoki i wydajności osadzania oraz do rozpylania jonowego wspomaganego prądami wysokiej częstotliwości, wykorzystywanego do intensyfikacji odparowania niemetalicznych materiałów powłokowych. NB. 2: Do aktywacji osadzania można zastosować wiązki jonów o niskiej energii (poniżej 5 keV).

g.

Implantacja jonowa jest procesem modyfikacji powierzchni polegającym na jonizacji pierwiastka, który ma być stopiony, przyspieszaniu go za pomocą różnicy potencjałów i wstrzeliwaniu w odpowiedni obszar powierzchni podłoża. Technika ta może być stosowana równocześnie z napylaniem jonowym wspomaganym za pomocą wiązki elektronów albo rozpylaniem jonowym.

KATEGORIA 3 ELEKTRONIKA

3ASystemy, urządzenia i części Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna:

Uwaga 1: Poziom kontroli sprzętu i komponentów opisanych w pozycjach 3A001 lub 3A002, innych niż opisane w pozycji 3A001.a.3 do 3A001.a.10 lub 3A001.a.12, specjalnie do nich zaprojektowanych albo posiadających te same cechy funkcjonalne co inny sprzęt, jest taki sam jak poziom kontroli innego sprzętu. Uwaga 2: Poziom kontroli układów scalonych opisanych w pozycjach 3A001.a.3 do 3A001.a.9 lub 3A001.a.12, zaprogramowanych na stałe bez możliwości wprowadzenia zmian albo przeznaczonych do specjalnych funkcji dla innego sprzętu, jest taki sam jak poziom kontroli innego sprzętu. NB.: W razie, gdy producent lub wnioskodawca nie jest w stanie określić poziomu kontroli innego sprzętu, poziom kontroli danych układów scalonych jest określony w pozycjach 3A001.a.3 do 3A001.a.9. i 3A001.a.12. Jeżeli układ scalony jest krzemowym układem mikrokomputerowym lub mikrosterownikiem opisanym w pozycji 3A001.a.3. o długości słowa operanda (danych) 8 bitów lub mniej, poziom kontroli układu scalonego jest określony w pozycji 3A001.a.3. 3A001Komponenty elektroniczne, takie jak: 3A002Sprzęt elektroniczny ogólnego przeznaczenia, taki jak: 3A003Systemy zarządzania termicznym chłodzeniem natryskowym, wykorzystującym sprzęt do obsługi i przywracania stanu z zamkniętym obiegiem cieczy, umieszczone w uszczelnionych obudowach, w których płyn dielektryczny, przy użyciu specjalnie zaprojektowanych dysz, jest rozpylany na elementy elektroniczne, w celu utrzymania ich w dopuszczalnym przedziale temperatur pracy, oraz specjalnie zaprojektowane do nich komponenty. 3A101Sprzęt, przyrządy i elementy elektroniczne, różne od wyszczególnionych w pozycji 3A001, takie jak: 3A201Podzespoły elektroniczne, różne od wyszczególnionych w pozycji 3A001, takie jak: 3A225Przemienniki częstotliwości lub generatory, różne od wyszczególnionych w pozycji 0B001.b.13, posiadające wszystkie niżej wymienione cechy charakterystyczne: Przemienniki częstotliwości w pozycji 3A225, nazywane są również konwerterami lub inwerterami. 3A226Wysokoenergetyczne zasilacze prądu stałego, różne od wyszczególnionych w pozycji 0B001.j.6, posiadające obydwie niżej wymienione cechy charakterystyczne: 3A227Wysokonapięciowe zasilacze prądu stałego, różne od wyszczególnionych w pozycji 0B001.j.5, posiadające obydwie niżej wymienione cechy charakterystyczne: 3A228Urządzenia przełączające, takie jak: 3A229Instalacje zapłonowe i równoważne generatory impulsów wysokoprądowych, takie jak: NB.: SPRAWDŹ TAKŻE WYKAZ UZBROJENIA. 3A230Szybkie generatory impulsowe posiadające obydwie niżej wymienione cechy charakterystyczne: W pozycji 3A230 czas narastania impulsów definiuje się jako przedział czasowy pomiędzy 10 % a 90 % amplitudy napięcia. 3A231Systemy generowania neutronów, w tym lampy, posiadające obydwie niżej wymienione cechy charakterystyczne: 3A232Detonatory i wielopunktowe systemy inicjujące, w tym: NB.: Sprawdź także Wykaz uzbrojenia. Uwaga: Pozycja 3A232 nie obejmuje kontrolą zapłonników, wykorzystujących wyłącznie inicjujące materiały wybuchowe, takie jak azydek ołowiawy. W pozycji 3A232 wszystkie przedmiotowe detonatory wykorzystują małe przewodniki elektryczne (mostki, połączenia mostkowe lub folie) gwałtownie odparowujące po przepuszczeniu przez nie szybkich, wysokoprądowych impulsów elektrycznych. W przypadku zapłonników nieudarowych, wybuchający przewodnik inicjuje eksplozję chemiczną w zetknięciu się z materiałem burzącym, takim jak PETN (czteroazotan pentaerytrytu). W zapłonnikach udarowych, wybuchowe odparowanie przewodnika elektrycznego zwalnia przeskok bijnika przez szczelinę, którego uderzenie w materiał wybuchowy inicjuje eksplozję chemiczną. W niektórych przypadkach bijnik napędzany jest siłami magnetycznymi. Termin detonator w postaci folii eksplodującej, może odnosić się zarówno do detonatorów typu EB, jak i udarowych. Zamiast słowa detonator używa się także czasami słowa inicjator. 3A233Spektrometry masowe, różne od wyszczególnionych w pozycji 0B002.g., zdolne do pomiaru mas jonów o wartości 230 mas atomowych lub większej oraz posiadające rozdzielczość lepszą niż 2 części na 230, oraz źródła jonów do tych urządzeń, w tym:

3ASystemy, urządzenia i części a.

Układy scalone ogólnego przeznaczenia, takie jak: Uwaga 1: Poziom kontroli płytek (gotowych albo niegotowych) posiadających wyznaczoną funkcję należy określać na podstawie parametrów podanych w pozycji 3A001. a. Uwaga 2: Wśród układów scalonych rozróżnia się następujące typy:

Monolityczne układy scalone;

Hybrydowe układy scalone;

Wieloukłady scalone;

Układy scalone warstwowe, włącznie z układami scalonymi typu krzem na szafirze;

Optyczne układy scalone.

1. Układy scalone zaprojektowane albo ulepszone do przeciwstawiania promieniowaniu jonizującemu, wytrzymujące:

1. a.

Dawkę całkowitą 5 × 103 Gy (Si) lub wyższą;

b.

Wzrost dawki o 5 × 106 Gy (Si)/s lub większy;

c.

Fluencję (zintegrowany strumień) neutronów (ekwiwalent 1 MeV) o wartości 5 × 1013 n/cm2 lub większej na krzemie, lub jej ekwiwalent na innym materiale. Uwaga: Pozycja 3A001.a.1.c nie stosuje się do struktur metal – izolator – półprzewodnik (MIS).

2. Układy mikroprocesorowe, układy mikrokomputerowe i układy do mikrosterowników, układy scalone pamięci wykonane z półprzewodników złożonych, przetworniki analogowo-cyfrowe i cyfrowo-analogowe, układy elektrooptyczne lub optyczne układy scalone do przetwarzania sygnałów, sieci bramek programowalne przez użytkownika, tablice logiczne programowalne przez użytkownika, układy scalone na sieciach neuronowych, robione na zamówienie układy scalone o nieznanej ich producentowi funkcji lub poziomie kontroli urządzenia, w którym miałyby być zainstalowane, procesory do Szybkiej Transformacji Fouriera (FFT), wymazywalne elektrycznie - programowalne pamięci stałe (EEPROM), pamięci błyskowe lub statyczne pamięci o dostępie swobodnym (SRAM), o jednej z poniższych właściwości: Uwaga: Pozycja 3A001.a.2 nie stosuje się do układów scalonych do silników pojazdów cywilnych ani kolejowych.

2. a.

Przystosowane do pracy w temperaturze otoczenia powyżej 398 K (125 °C);

b.

Przystosowane do pracy w temperaturze otoczenia poniżej 218 K (– 55 °C); lub

c.

Przystosowane do pracy w całym przedziale wartości temperatur od 218 K (– 55 °C) do 398 K (125 °C).

3. Układy mikroprocesorowe, układy mikrokomputerowe i układy do mikrosterowników wykonane z półprzewodników złożonych, pracujące z częstotliwością zegara przekraczającą 40 MHz; Uwaga: Pozycja 3A001.a.3. obejmuje cyfrowe procesory sygnałowe, cyfrowe procesory tablicowe i koprocesory cyfrowe.

4. Pamięciowe układy scalone wytwarzane z półprzewodników złożonych.

5. Uwagi techniczne:

Przetworniki analogowo-cyfrowe i cyfrowo-analogowe na układach scalonych, takie jak:

5. a.

Przetworniki analogowo-cyfrowe posiadające jedną z następujących cech charakterystycznych: NB. PATRZ TAKŻE POZYCJA 3A101.

1. Rozdzielczość 8 bitów lub więcej, lecz poniżej 10 bitów i wielkość wyjściowa większa niż 500 mln słów/sek;

2. Rozdzielczość 10 bitów lub większa, lecz mniej niż 12 bitów i wielkość wyjściowa większa niż 200 mln słów/sek; lub

3. Rozdzielczość 12 bitów i wielkość wyjściowa większa niż 50 mln słów/sek; lub

4. Rozdzielczość powyżej 12 bitów lecz równa lub mniejsza niż 14 bitów i wielkość wyjściowa większa niż 5 mln słów/sek, lub

5. Rozdzielczość powyżej 14 bitów i wielkość wyjściowa większa niż 1 mln słów/sek;

b.

Przetworniki cyfrowo-analogowe o rozdzielczości 12 bitów lub większej, i czasie ustalania poniżej 10 ns.

5. Uwagi techniczne:

1. Rozdzielczość n bitów odpowiada kwantowaniu na 2n poziomach.

2. Liczba bitów w słowie wyjściowym jest równa rozdzielczości przetwornika analogowo-cyfrowego.

3. Wielkość wyjściowa jest to maksymalna wielkość wyjściowa przetwornika, bez względu na architekturę czy oversampling. Sprzedawcy mogą także określać wielkość wyjściową jako wielkość próbkową, wielkość przetwarzania, lub przepustowość. Jest ona określana często w megahercach (MHz) lub mega próbkach na sekundę (MSPS).

4. Dla celów pomiarów wielkości wyjściowej jedno słowo wyjściowe na sekundę odpowiada jednemu hercowi lub jednej próbce na sekundę.

6. Elektrooptyczne układy scalone lub optyczne układy scalone do przetwarzania sygnałów posiadające wszystkie niżej wymienione cechy charakterystyczne:

6. a.

Jedną lub więcej wewnętrzną diodę laserową;

b.

Jeden lub więcej wewnętrzny element wykrywający światło; oraz

c.

Prowadnicę światłowodową.

7. Urządzenia logiczne programowalne przez użytkownika, posiadające jedną z niżej wymienionych cech charakterystycznych: Uwaga: Pozycja 3A001.a.7. zawiera: NB.: Programowalne przez użytkownika urządzenia logiczne, znane są również jako bramki programowalne przez użytkownika lub tablice logiczne programowalne przez użytkownika.

7. a.

Zastępczą liczbę bramek powyżej 30000 (bramki dwuwejściowe);

b.

Typowe podstawowe opóźnienie przechodzenia sygnału przez bramkę mniejsze niż 0,4 ns; lub

c.

Częstotliwość przełączania powyżej 133 MHz.

Proste programowalne urządzenia logiczne (SPLD)

Złożone programowalne urządzenia logiczne (CPLD)

Tablice bramek programowane przez użytkownika (FPGA)

Tablice logiczne programowane przez użytkownika (FPLA)

Połączenia wewnętrzne programowane przez użytkownika (FPIC)

8. Nie używany.

9. Układy zintegrowanych sieci neuronowych.

10. Wykonywane na zamówienie układy scalone o nieznanej ich producentowi funkcji lub poziomie kontroli sprzętu, w którym będzie zastosowany dany układ scalony, posiadające jedną z niżej wymienionych cech charakterystycznych:

10. a.

Ponad 1000 końcówek;

b.

Typowe podstawowe opóźnienie przechodzenia sygnału przez bramkę mniejsze niż 1 ns; lub

c.

Częstotliwość robocza powyżej 3 GHz.

11. Cyfrowe układy scalone, różne od przedstawionych w pozycji 3A001.a.3 do 3A001.a.10 lub 3A001.a.12, oparte na dowolnym układzie półprzewodników złożonych oraz posiadające jedną z niżej wymienionych cech:

11. a.

Zastępczą liczbę bramek powyżej 3000 (bramki dwuwejściowe); lub

b.

Częstotliwość przełączania powyżej 1,2 GHz.

12. Uwaga techniczna:

Procesory do szybkiej transformacji Fouriera (FFT) posiadające nominalny czas realizacji dla N-punktowej zespolonej transformaty FFT poniżej (N log2N)/20480 ms, gdzie N jest liczbą punktów. Gdy N jest równe 1024 punkty, wynik formuły w pozycji 3A001.a.12, określającej czas realizacji wynosi 500 μs.

b.

Komponenty mikrofalowe lub pracujące na falach milimetrowych, takie jak:

1. Elektronowe lampy próżniowe i katodowe, takie jak: Uwaga 1: Pozycja 3A001.b.1 nie obejmuje kontrolą lamp zaprojektowanych lub przystosowanych do działania w jakimkolwiek paśmie częstotliwości, posiadającym wszystkie niżej wymienione cechy charakterystyczne: Uwaga 2: Pozycja 3A001.b.1. nie obejmuje kontrolą lamp nie będących klasy kosmicznej, posiadających wszystkie niżej wymienione cechy charakterystyczne:

1. a.

Szerokość nie przekracza 31,8 GHz; oraz

b.

Jest przydzielane przez ITU dla służb radiokomunikacyjnych, ale nie do namierzania radiowego.

a.

Średnia moc wyjściowa równa lub mniejsza niż 50 W; oraz

b.

Zaprojektowanych lub przystosowane do działania w jakimkolwiek paśmie częstotliwości, posiadającym wszystkie niżej wymienione cechy charakterystyczne:

1. Szerokość przekracza 31,8 Ghz, lecz nie przekracza 43,5 GHz; oraz

2. Jest rozdzielone przez ITU dla służb radiokomunikacyjnych, ale nie w celu namierzania radiowego.

a.

Lampy o fali bieżącej, fali impulsowej lub ciągłej, z tego:

1. Pracujące na częstotliwościach powyżej 31,8 GHz;

2. Posiadające element podgrzewający katodę, z czasem uzyskania mocy znamionowej w zakresie fal radiowych wynoszącym poniżej 3 sekund;

3. Sprzężone lampy wnękowe, albo ich pochodne o ułamkowej szerokości pasma powyżej 7 % lub mocy szczytowej powyżej 2,5 kW;

4. Lampy spiralne, albo ich pochodne, posiadające jedną z niżej wymienionych cech charakterystycznych:

4. a.

Chwilowa szerokość pasma powyżej jednej oktawy oraz iloczyn mocy przeciętnej (wyrażonej w kW) i częstotliwości (wyrażonej w GHz) powyżej 0,5;

b.

Chwilowa szerokość pasma poniżej jednej oktawy oraz iloczyn mocy przeciętnej (wyrażonej w kW) i częstotliwości (wyrażonej w GHz) powyżej 1; lub

c.

Posiadanie klasy kosmicznej.

b.

Wzmacniacze lampowe o skrzyżowanych polach o wzmocnieniu powyżej 17 dB;

c.

Impregnowane katody zaprojektowane do lamp elektronicznych, wytwarzające ciągły prąd emisyjny w znamionowych warunkach pracy o gęstości powyżej 5 A/cm2.

2. Mikrofalowe monolityczne układy scalone (MMIC) wzmacniaczy mocy, posiadające jedną z niżej wymienionych cech charakterystycznych: Uwaga 1: Pozycja 3A001.b.2. nie obejmuje sprzętu satelitów radiofonicznych, zaprojektowanych lub przystosowanych do pracy w zakresie częstotliwości od 40,5 GHz do 42,5 GHz. Uwaga 2: Poziom kontroli MMIC, których znamionowa częstotliwość robocza obejmuje częstotliwości zawarte w więcej niż jednym paśmie, zgodnie z definicjami w pozycjach 3A001.b.2.a do 3A001.b.2.f, jest określony przez najniższy próg kontroli średniej mocy wyjściowej. Uwaga 3: Uwagi 1 i 2 w nagłówku Kategorii 3 oznaczają, że pozycja 3A001.b.2 nie obejmuje kontrolą MMIC-ów, jeśli są one specjalnie zaprojektowane do innych zastosowań, np. telekomunikacyjnych, radiolokacyjnych, motoryzacyjnych.

2. a.

Przystosowane do pracy na częstotliwościach przewyższających 3,2 GHz, do 6 GHz włącznie, oraz ze średnią mocą wyjściową większą niż 4 W (36 dBm) z ułamkową szerokością pasma większą niż 15 %;

b.

Przystosowane do pracy na częstotliwościach przewyższających 6 GHz, do 16 GHz włącznie, oraz ze średnią mocą wyjściową większą niż 1 W (30 dBm) z ułamkową szerokością pasma większą niż 10 %;

c.

Przystosowane do pracy na częstotliwościach przewyższających 16 GHz, do 31,8 GHz włącznie, oraz ze średnią mocą wyjściową większą niż 0,8 W (29 dBm) z ułamkową szerokością pasma większą niż 10 %;

d.

Przystosowane do pracy na częstotliwościach przewyższających 31,8 GHz, do 37,5 GHz włącznie;

e.

Przystosowane do pracy na częstotliwościach przewyższających 37,5 GHz, do 43,5 GHz włącznie, oraz ze średnią mocą wyjściową większą niż 0,25 W (24 dBm) z ułamkową szerokością pasma większą niż 10 %; lub

f.

Przystosowane do pracy na częstotliwościach przewyższających 43,5 GHz.

3. Dyskretne tranzystory mikrofalowe, posiadające jedną z niżej wymienionych cech: Uwaga: Poziom kontroli tranzystora, którego znamionowa częstotliwość robocza obejmuje częstotliwości zawarte w więcej niż jednym paśmie, zgodnie z definicjami w pozycjach 3A001.b.3.a. do 3A001.b.3.e., jest określony przez najniższy próg kontroli średniej mocy wyjściowej.

3. a.

Przystosowane do pracy na częstotliwościach przewyższających 3,2 GHz, do 6 GHz włącznie, oraz ze średnią mocą wyjściową większą niż 60 W (47 dBm);

b.

Przystosowane do pracy na częstotliwościach przewyższających 6 GHz, do 31,8 GHz włącznie, oraz ze średnią mocą wyjściową większą niż 20 W (43 dBm);

c.

Przystosowane do pracy na częstotliwościach przewyższających 31,8 GHz, do 37,5 GHz włącznie, oraz ze średnią mocą wyjściową większą niż 0,5 W (27 dBm);

d.

Przystosowane do pracy na częstotliwościach przewyższających 37,5 GHz, do 43,5 GHz włącznie, oraz ze średnią mocą wyjściową większą niż 1 W (30 dBm);

e.

Przystosowane do pracy na częstotliwościach przewyższających 43,5 GHz.

4. Uwaga techniczna:

Mikrofalowe wzmacniacze półprzewodnikowe oraz mikrofalowe zespoły/moduły zawierające wzmacniacze mikrofalowe, posiadające jedną z niżej wymienionych cech: Częstotliwość 3,2 GHz należy przyjąć jako najniższą częstotliwość roboczą (fGHz) we wzorze w pozycji 3A001.b.4.f.3 dla wzmacniaczy, których dolna granica znamionowej częstotliwości roboczej osiąga 3,2 GHz i jest niższa od [d=15 cm*GHz/3,2 GHz]. NB.: Pozycja 3A001.b.4. nie obejmuje kontrolą sprzętu satelitów radiofonicznych, zaprojektowanych lub przystosowanych do pracy w zakresie częstotliwości od 40,5 do 42,5 Ghz; Uwaga 1: Pozycja 3A001.b.2. nie obejmuje układów ani modułów do urządzeń skonstruowanych lub przystosowanych do działania w jakimkolwiek paśmie częstotliwości, które spełnia następujące warunki: Uwaga 2: Poziom kontroli elementu, którego znamionowa częstotliwość robocza obejmuje częstotliwości zawarte w więcej niż jednym paśmie, zgodnie z definicjami w pozycjach 3A001.b.4.a do 3A001.b.4.e, jest określony przez najniższy próg kontroli średniej mocy wyjściowej.

4. a.

Przystosowane do pracy na częstotliwościach przewyższających 3,2 GHz, do 6 GHz włącznie, oraz ze średnią mocą wyjściową większą niż 60 W (47,8 dBm) z ułamkową szerokością pasma większą niż 15 %;

b.

Przystosowane do pracy na częstotliwościach przewyższających 6 GHz, do 31,8 GHz włącznie, oraz ze średnią mocą wyjściową większą niż 15 W (42 dBm) z ułamkową szerokością pasma większą niż 10 %;

c.

Przystosowane do pracy na częstotliwościach przewyższających 31,8 GHz, do 37,5 GHz włącznie;

d.

Przystosowane do pracy na częstotliwościach przewyższających 37,5 GHz, do 43,5 GHz włącznie, oraz ze średnią mocą wyjściową większą niż 1 W (30 dBm) z ułamkową szerokością pasma większą niż 10 %;

e.

Przystosowane do pracy na częstotliwościach przewyższających 43,5 GHz; lub

f.

Przystosowane do pracy na częstotliwościach powyżej 3,2 GHz oraz posiadające wszystkie z niżej wymienionych cech:

1. Średnia moc wyjściowa (w watach), P, większa niż 150 dzielone przez maksymalną częstotliwość pracy (w GHz) podniesione do potęgi drugiej [P>150 W*GHz2/fGHz2];

2. Ułamkowa szerokość pasma wynosząca 5 % lub więcej; oraz

3. Jakiekolwiek dwustronne, wzajemnie prostopadłe do siebie, o długości d (w cm) mniejszej lub równej niż 15 podzielone przez najniższą częstotliwość roboczą (w GHz) [d≤ 15cm*GHz/fGHz].

5. Filtry środkowo-przepustowe i środkowo-zaporowe, przestrajalne elektronicznie lub magnetycznie, posiadające więcej niż 5 przestrajalnych rezonatorów, umożliwiających strojenie w zakresie pasma częstotliwości 1,5:1 (fmax/fmin) w czasie poniżej 10 μs, posiadające jedną z poniższych cech:

5. a.

Szerokość pasma środkowo-przepustowego powyżej 0,5 % częstotliwości nośnej; lub

b.

Szerokość pasma środkowo-zaporowego poniżej 0,5 % częstotliwości nośnej.

6. Nie używany.

7. Mieszacze i konwertery przeznaczone do rozszerzania przedziału częstotliwości sprzętu opisanego w pozycjach 3A002.c., 3A002.e. lub 3A002.f. powyżej podanych tam wartości granicznych.

8. Mikrofalowe wzmacniacze mocy zawierające lampy wyszczególnione w pozycji 3A001.b, posiadające wszystkie niżej wymienione cechy: Uwaga: Pozycja 3A001.b.8. nie obejmuje kontrolą sprzętu zaprojektowanego lub przystosowanego do działania w jakimkolwiek paśmie częstotliwości, które jest przydzielane przez ITU dla służb radiokomunikacyjnych, ale nie w celu namierzania radiowego.

8. a.

Częstotliwości robocze powyżej 3 GHz;

b.

Średnia wyjściowa gęstość mocy większa niż 80 W/kg; oraz

c.

Objętość mniejsza niż 400 cm3.

c.

Urządzenia wykorzystujące fale akustyczne oraz specjalnie zaprojektowane do nich komponenty, w tym:

1. Urządzenia wykorzystujące powierzchniowe fale akustyczne oraz szumiące powierzchniowo (płytkie) fale akustyczne (tj. urządzenia do przetwarzania sygnałów wykorzystujące fale odkształceń sprężystych w materiałach), posiadające jedną z następujących cech:

1. a.

Częstotliwość nośną powyżej 2,5 GHz;

b.

Częstotliwość nośną większą niż 1 GHz, ale nie przekraczającą 2,5 GHz, oraz posiadające jedną z poniższych właściwości:

1. Tłumienie pasma bocznego częstotliwości powyżej 55 dB;

2. Iloczyn maksymalnego czasu zwłoki i szerokości pasma (czas w μs, a szerokość pasma w MHz) powyżej 100;

3. Szerokość pasma większa, niż 250 MHz; lub

4. Opóźnienie dyspersyjne powyżej 10 μs; lub

c.

Częstotliwość nośną wynoszącą 1 GHz lub mniejszą oraz posiadające jedną z poniższych właściwości:

1. Iloczyn maksymalnego czasu zwłoki i szerokości pasma (czas w μs, a szerokość pasma w MHz) powyżej 100;

2. Opóźnienie dyspersyjne powyżej 10 μs; lub

3. Tłumienie pasma bocznego częstotliwości powyżej 55 dB i szerokość pasma większa, niż 50 MHz.

2. Urządzenia wykorzystujące przestrzenne fale akustyczne (tj. urządzenia do przetwarzania sygnałów wykorzystujące fale odkształceń sprężystych w materiałach), umożliwiające bezpośrednie przetwarzanie sygnałów z częstotliwościami powyżej 1 GHz.

3. Urządzenia do przetwarzania sygnałów optyczno-akustycznych wykorzystujące oddziaływania pomiędzy falami akustycznymi (przestrzennymi albo powierzchniowymi) a falami świetlnymi do bezpośredniego przetwarzania sygnałów albo obrazów, włącznie z analizą widmową, korelacją lub splataniem.

d.

Urządzenia lub układy elektroniczne, zawierające komponenty wykonane z materiałów nadprzewodzących, specjalnie zaprojektowane do pracy w temperaturach poniżej temperatury krytycznej, co najmniej jednego z elementów nadprzewodzących, posiadające jedną z następujących cech:

1. Przełączanie prądowe dla obwodów cyfrowych za pomocą bramek nadprzewodzących, dla którego iloczyn czasu zwłoki na bramkę (w sekundach) i rozproszenia mocy na bramkę (w watach) wynosi poniżej 10– 14 J; lub

2. Selekcję częstotliwości dla wszystkich częstotliwości za pomocą obwodów rezonansowych o wartościach Q przekraczających 10000.

e.

Urządzenia wysokoenergetyczne, takie jak:

1. Baterie oraz zespoły fotowoltaiczne, takie jak: Uwaga: Pozycja 3A001.e.1. nie obejmuje kontrolą baterii o objętościach równych lub mniejszych niż 27 cm3 (np. standardowe ogniwa C lub baterie R14).

1. a.

Ogniwa i baterie galwaniczne o gęstości energii powyżej 480 Wh/kg i przystosowane do pracy w zakresie temperatur od poniżej 243 °K (– 30 °C) do powyżej 343 °K (+70 °C);

b. Uwaga techniczna:

Ogniwa i akumulatory doładowywane, o gęstości energii powyżej 150 Wh/kg po 75 cyklach ładowania/rozładowania przy prądzie rozładowania równym C/5 godzin (C stanowi wartość pojemności nominalnej w amperogodzinach) w przypadku eksploatacji w zakresie temperatur od poniżej 253 °K (– 20 °C) do powyżej 333 °K (+60 °C); Gęstość energii otrzymuje się mnożąc średnią moc w watach (średnie napięcie w woltach razy średni prąd w amperach) przez czas rozładowania do poziomu stanowiącego 75 % napięcia jałowego, wyrażony w godzinach oraz dzieląc przez całkowitą masę ogniwa (albo akumulatora) wyrażoną w kg.

c.

Płyty z ogniwami fotoelektrycznymi zastosowań kosmicznych lub odporne na promieniowanie jonizujące, o mocy jednostkowej przekraczającej 160 W/m2 w temperaturze roboczej 301 °K (+28 °C), po oświetleniu światłem o natężeniu 1 kW/m2 emitowanym przez włókno wolframowe o temperaturze 2800 °K (2527 °C);

2. Wysokoenergetyczne kondensatory magazynujące, takie jak. NB.: Patrz także pozycja 3A201.a.

2. a.

Kondensatory o częstotliwości powtarzania poniżej 10 Hz (kondensatory jednokrotne) posiadające wszystkie niżej wymienione cechy:

1. Napięcie znamionowe równe lub wyższe niż 5 kV;

2. Gęstość energii równą lub wyższą niż 250 J/kg; oraz

3. Energię całkowitą równą lub wyższą niż 25 kJ;

b.

Kondensatory o częstotliwości powtarzania 10 Hz lub wyższej (kondensatory powtarzalne) posiadające wszystkie niżej wymienione cechy:

1. Napięcie znamionowe równe lub wyższe niż 5 kV;

2. Gęstość energii równą lub wyższą niż 50 J/kg;

3. Energię całkowitą równą lub wyższą niż 100 kJ; oraz

4. Żywotność mierzoną liczbą cykli ładowanie/rozładowanie wynoszącą więcej niż 10000.

3. Nadprzewodzące elektromagnesy lub cewki, specjalnie zaprojektowane w sposób umożliwiający ich pełne ładowanie i rozładowanie w czasie mniejszym niż 1 s., posiadające wszystkie niżej wymienione cechy: NB.: Patrz także pozycja 3A201.b. Uwaga: Pozycja 3A001.e.3 nie obejmuje kontrolą elektromagnesów ani cewek nadprzewodzących, specjalnie zaprojektowanych do aparatury zobrazowania rezonansem magnetycznym (MRI), wykorzystywanej w medycynie.

3. a.

Energia dostarczona podczas wyładowania jest większa od 10 kJ w pierwszej sekundzie;

b.

Średnica wewnętrzna uzwojenia prądowego cewki wynosi powyżej 250 mm; oraz

c.

Zostały dostosowane do indukcji magnetycznej powyżej 8 T lub posiadają całkowitą gęstość prądu w uzwojeniu powyżej 300 A/mm2.

f.

Urządzenia kodujące bezwzględne położenie wału, posiadające jedną z niżej wymienionych cech:

1. Rozdzielczość lepszą niż 1 część na 265000 (rozdzielczość 18 bitów) w pełnym zakresie; lub

2. Dokładność lepszą niż ± 2,5 sekundy kątowej.

a.

Sprzęt do rejestracji i specjalnie zaprojektowane do nich taśmy testowe:

1. Analogowe oprzyrządowanie do rejestracji na taśmie magnetycznej, włącznie z urządzeniami umożliwiającymi zapis sygnałów cyfrowych (np. wykorzystując moduł do cyfrowego zapisu magnetycznego z dużą gęstością (HDDR)), posiadające jedną z niżej wymienionych cech: Uwaga: Rejestratory analogowe na taśmie magnetycznej, specjalnie zaprojektowane do cywilnych zastosowań techniki wideo, nie są rozpatrywane jako oprzyrządowanie rejestratorów na taśmie magnetycznej.

1. a.

Szerokość pasma powyżej 4 MHz na kanał elektroniczny lub ścieżkę;

b.

Szerokość pasma powyżej 2 MHz na kanał elektroniczny lub ścieżkę oraz posiadające więcej niż 42 ścieżki; lub

c.

Uchyb przesunięcia czasu (bazy), mierzony stosownie do dostępnej dokumentacji IRIG lub EIA, mniejszy niż ± 0,1 μs.

2. Cyfrowe rejestratory obrazów na taśmie magnetycznej, posiadające złącza komunikacyjne o maksymalnej szybkości transmisji interfejsu cyfrowego przekraczającej 360 Mbit/s. Uwaga: Pozycja 3A002.a.2 nie obejmuje kontrolą cyfrowych rejestratorów wideo na taśmie magnetycznej specjalnie przeznaczonych do rejestracji sygnału telewizyjnego z wykorzystaniem formatu sygnału, który może zawierać format sygnału skompresowanego, znormalizowanego lub zalecanego przez ITU, IEC, SMPTE, EBU, ETSI lub IEEE do stosowania w telewizji cywilnej;

3. Cyfrowe oprzyrządowanie do rejestracji na taśmie magnetycznej, wykorzystujące techniki skanowania spiralnego lub głowicy stałej, posiadające jedną z niżej wymienionych cech: Uwaga: Pozycja 3A002.a.3 nie obejmuje kontrolą rejestratorów analogowych na taśmie magnetycznej, wyposażonych w przetworniki elektroniczne HDDR oraz skonfigurowane do rejestracji wyłącznie danych cyfrowych.

3. a.

Maksymalna szybkość transmisji interfejsu cyfrowego przekraczająca 170 Mbit/s; lub

b.

Posiadanie klasy kosmicznej;

4. Sprzęt, posiadający maksymalną szybkość transmisji interfejsu cyfrowego przekraczającą 175 Mbit/s, zaprojektowany do przekształcania cyfrowych rejestratorów obrazów na taśmie magnetycznej w cyfrowe rejestratory danych.

5. Uwaga techniczna:

Przetworniki falowe oraz rejestratory stanów przejściowych posiadające wszystkie z niżej wymienionych cech: W przypadku urządzeń o równoległej architekturze szyn, przepustowość ciągłą określa się jako iloczyn największej prędkości przesyłu słów i liczby bitów w słowie. Przepustowość ciągła oznacza największą prędkość przesyłania danych przez urządzenie do pamięci masowej, bez utraty informacji, z utrzymaniem prędkości próbkowania i przetwarzania analogowo-cyfrowego.

5. a.

Szybkość przetwarzania cyfrowego równą lub większą niż 200 milionów próbek na sekundę i rozdzielczość 10 bitów lub większą; oraz

b.

Przepustowość ciągłą 2 Gbit/s lub większą.

6. Cyfrowe oprzyrządowanie do rejestracji danych, wykorzystujące techniki składowania na dyskach magnetycznych, posiadające wszystkie z niżej wymienionych cech:

6. a.

Szybkość przetwarzania cyfrowego równą lub większą niż 100 milionów próbek na sekundę i rozdzielczość 8 bitów lub większą; oraz

b.

Przepustowość ciągłą 1 Gbit/s lub większą.

b.

Elektroniczne zespołysyntezatorów częstotliwości posiadające czas przełączania częstotliwości z jednej wybranej wartości na drugą mniejszy niż 1 ms;

c.

Analizatory sygnałów o częstotliwościach radiowych, takie jak:

1. Analizatory sygnałów zdolne do analizowania częstotliwości przekraczających 31,8 GHz, lecz nie przekraczających 37,5 GHz i posiadające szerokość pasma rozdzielczości 3 dB przekraczających 10 MHz;

2. Analizatory sygnałów zdolne analizować częstotliwości przekraczające 43,5 GHz;

3. Analizatory sygnałów dynamicznych posiadające szerokość pasma czasu rzeczywistegopowyżej 500 kHz. Uwaga: Pozycja 3A002.c.3 nie obejmuje kontrolą analizatorów sygnałów dynamicznych, w których zastosowano jedynie filtry o stałoprocentowej szerokości pasma (znanych również jako filtry oktawowe albo ułamkowo-oktawowe).

d.

Generatory sygnałowe z syntezą częstotliwości, wytwarzające częstotliwości wyjściowe, których dokładność oraz stabilność krótko- i długo- terminowa, podlega regulacji, powstające lub wymuszane przez wewnętrzną częstotliwość podstawową, posiadające jedną z niżej wymienionych cech: Uwaga: Pozycja 3A002.d nie obejmuje kontrolą sprzętu, w którym częstotliwość wyjściowa jest wytwarzana poprzez dodawanie albo odejmowanie dwóch lub więcej częstotliwości oscylatorów kwarcowych, bądź poprzez dodawanie lub odejmowanie, a następnie mnożenie uzyskanego wyniku.

1. Maksymalna zsyntetyzowana częstotliwość przekraczająca 31,8 GHz, lecz nie przekraczająca 43,5 GHz oraz przystosowana do generowania impulsów o czasie trwania mniejszym niż 100 ns;

2. Maksymalna zsyntetyzowana częstotliwość przekraczająca 43,5 GHz;

3. Czas przełączania częstotliwości z jednej wybranej wartości na drugą mniejszy niż 1 ms; lub

4. Uwaga techniczna:

Zakłócenie fazowe pojedynczej wstęgi bocznej (SSB) lepsze niż – (126 + 20 log10F – 20 log10f), w dBc/Hz, gdzie F oznacza uchyb od częstotliwości roboczej w Hz, a f jest częstotliwością roboczą w MHz; Dla celów pozycji 3A002.d.1, czas trwania impulsu jest zdefiniowany jako odcinek czasu pomiędzy osiągnięciem, przez zbocze narastające impulsu 90 % wartości szczytowej, a osiągnięciem, przez zbocze opadające impulsu 10 % wartości szczytowej.

e.

Analizatory sieci o maksymalnej częstotliwości roboczej przewyższającej 43,5 GHz;

f.

Kontrolne odbiorniki mikrofalowe posiadające wszystkie niżej wymienione cechy:

1. Maksymalną częstotliwość roboczą przewyższającą 43,5 GHz; oraz

2. Posiadające możliwość jednoczesnego pomiaru amplitudy i fazy;

g.

Atomowe wzorce częstotliwości posiadające jedną z niżej wymienionych cech: Uwaga: Pozycja 3A002.g.1 nie obejmuje kontrolą rubidowych wzorców częstotliwości, nie będących klasy kosmicznej.

1. Stabilność długookresowa (starzenie) mniejsza (lepsza) niż 1 x 10– 11/miesiąc; lub

2. Posiadanie klasy kosmicznej;

a.

Przetworniki analogowo-cyfrowe, wykorzystywane w pociskach rakietowych, spełniające wymagania wojskowe dla urządzeń odpornych na wstrząsy.

b.

Akceleratory zdolne do generowania promieniowania elektromagnetycznego, wytwarzanego w wyniku hamowania elektronów o energii 2 MeV lub większej, oraz systemy zawierające takie akceleratory. Uwaga: Pozycja 3A101.b nie określa sprzętu specjalnie zaprojektowanego do zastosowań medycznych.

a.

Kondensatory posiadające jeden z następujących zestawów cech:

1. a.

Napięcie znamionowe większe niż 1,4 kV;

b.

Zgromadzona energia większa niż 10 J;

c.

Reaktancja pojemnościowa większa niż 0,5 F; oraz

d.

Indukcyjność szeregowa mniejsza niż 50 nH; lub

2. a.

Napięcie znamionowe większe niż 750 V;

b.

Reaktancja pojemnościowa większa niż 0,25 F; oraz

c.

Indukcyjność szeregowa mniejsza niż 10 nH;

b.

Nadprzewodnikowe elektromagnesy solenoidalne posiadające wszystkie niżej wymienione cechy charakterystyczne: Uwaga: Pozycja 3A201.b nie obejmuje kontrolą magnesów specjalnie zaprojektowanych i eksportowanych jako części medycznych systemów do obrazowania metodą jądrowego rezonansu magnetycznego (NMR). Sformułowanie jako części niekoniecznie oznacza fizyczną część wchodzącą w skład tej samej partii wysyłanego wyrobu; dopuszcza się możliwość oddzielnych wysyłek z różnych źródeł, pod warunkiem, że w towarzyszącej im dokumentacji eksportowej wyraźnie określa się, że wysyłane wyroby są dostarczane jako część systemu obrazowania.

1. Zdolne do wytwarzania pól magnetycznych o natężeniu większym niż 2 T;

2. O stosunku długości do średnicy wewnętrznej większym niż 2;

3. O średnicy wewnętrznej większej niż 300 mm; oraz

4. Wytwarzające pole magnetyczne o równomierności rozkładu lepszej niż 1 % w zakresie środkowych 50 % objętości wewnętrznej.

c. Uwagi techniczne:

Generatory błyskowe promieniowania rentgenowskiego lub impulsowe akceleratory elektronów posiadajace jeden z następujących zestawów cech: Uwaga: Pozycja 3A201.c nie obejmuje kontrolą akceleratorów stanowiących elementy składowe urządzeń zaprojektowanych do innych celów, niż wytwarzania wiązek elektronów lub promieniowania rentgenowskiego (np. mikroskopy elektronowe) oraz urządzeń zaprojektowanych do zastosowań medycznych.

c.

1. a.

Energia szczytowa akceleratora elektronów równa 500 keV lub większa, ale mniejsza niż 25 MeV; oraz

b.

Współczynnik dobroci (K) równy 0,25 lub większy; lub

2. a.

Energia szczytowa akceleratora elektronów równa 25 MeV lub większa; oraz

b.

Moc szczytowa powyżej 50 MW.

c. Uwagi techniczne:

1. Współczynnik dobroci K jest zdefiniowany jako: K = 1,7 ñ103V2,65Q, gdzie V jest szczytową energią elektronów w milionach elektronowoltów, Jeżeli czas trwania impulsu wiązki akceleratora wynosi mniej niż, lub jest równy 1 μs, to Q jest całkowitym ładunkiem przyspieszanym, wyrażonym w Kulombach. Jeżeli czas trwania impulsu wiązki akceleratora jest większy niż 1 μs, to Q jest maksymalnym ładunkiem przyspieszanym w 1 μs. Q równa się całce z i po t, w przedziale o długości równym mniejszej z dwóch wartości: 1 μs lub czasu trwania impulsu wiązki (Q = idt), gdzie i jest natężeniem wiązki w amperach, a t jest czasem w sekundach;

2. Moc szczytowa = (napięcie szczytowe w woltach) x (szczytowy prąd wiązki w amperach).

3. W maszynach bazujących na mikrofalowych akceleratorach rezonatorowych, czas trwania impulsu wiązki jest mniejszą z dwóch wartości: 1 μs lub czas trwania pakietu wiązek wynikających z jednego impulsu modulatora mikrofalowego.

4. W maszynach bazujących na mikrofalowych akceleratorach rezonatorowych, szczytowa wartość prądu wiązki jest wartością średnią prądu podczas trwania pakietu wiązek.

a.

Wyjście wielofazowe umożliwiające uzyskanie mocy równej 40 W lub większej;

b.

Zdolność do pracy w zakresie częstotliwości pomiędzy 600 a 2000 Hz;

c.

Całkowite zniekształcenia harmoniczne lepsze (mniej) niż 10 %; oraz

d.

Dokładność regulacji częstotliwości lepsza (mniejsza) niż 0,1 %.

3ASystemy, urządzenia i części Uwaga techniczna: a.

Zdolność do ciągłego wytwarzania, w ciągu 8 godzinnego okresu czasu, napięcia 100 V lub większego z wyjściem prądowym 500 A lub większym; oraz

b.

Stabilności prądu lub napięcia, w ciągu 8 godzinnego okresu czasu, lepszej niż 0,1 %.

a.

Zdolność do ciągłego wytwarzania, w ciągu 8 godzinnego okresu czasu, napięcia 20 kV lub większego z wyjściem prądowym 1 A lub większym; oraz

b.

Stabilności prądu lub napięcia, w ciągu 8 godzinnego okresu czasu, lepszej niż 0,1 %.

a.

Lampy elektronowe o zimnej katodzie, bez względu na to, czy są napełnione gazem, czy też nie, pracujące podobnie do iskiernika i posiadające wszystkie niżej wymienione cechy charakterystyczne: Uwaga: Pozycja 3A228 obejmuje gazowe lampy kriotronowe i próżniowe lampy sprytronowe.

1. Składające się z trzech lub więcej elektrod;

2. Szczytowa wartość napięcia anody równa 2500 V lub więcej;

3. Szczytowa wartość natężenia prądu anodowego równa 100 A lub więcej; oraz

4. Czas zwłoki dla anody równy 10 μs lub mniej.

b.

Iskierniki wyzwalane, posiadające obydwie niżej wymienione cechy charakterystyczne:

1. Czas zwłoki dla anody równy 15 μs lub mniej; oraz

2. Przystosowane do prądów o natężeniach szczytowych równych 500 A lub większych.

c.

Moduły lub zespoły do szybkiego przełączania funkcji posiadające wszystkie niżej wymienione cechy charakterystyczne:

1. Szczytowa wartość napięcia anody równa 2 kV lub więcej;

2. Szczytowa wartość natężenia prądu anodowego równa 500 A lub więcej; oraz

3. Czas włączania równy l μs lub krótszy.

a.

Zestawy zapłonowe do detonatorów, zaprojektowane do objętych kontrolą detonatorów typu wielokrotnego, wyszczególnionych w pozycji 3A232:

b. Uwaga techniczna:

Modułowe generatory impulsów elektrycznych (impulsatory) posiadające wszystkie niżej wymienione cechy charakterystyczne: Uwaga: Pozycja 3A229.b. obejmuje wzbudnice ksenonowych lamp błyskowych. W pozycji 3A229.b.5. czas narastania jest zdefiniowany jako przedział czasowy w zakresie od 10 do 90 % amplitudy natężenia prądu w przypadku zasilania obciążenia rezystancyjnego.

b.

1. Zaprojektowane do urządzeń przenośnych, przewoźnych lub innych narażonych na wstrząsy;

2. Umieszczone w obudowie pyłoszczelnej;

3. Zdolne do dostarczenia swojej energii w przeciągu do 15 μs;

4. Posiadające wyjście prądowe powyżej 100 A;

5. Posiadające czas narastania poniżej 10 μs przy obciążeniu poniżej 40 Ω;

6. Żaden z wymiarów nie przekracza 254 mm;

7. Masa mniejsza niż 25 kg; oraz

8. Przeznaczone do pracy w rozszerzonym zakresie temperatur 223 K (– 50 °C) do 373 K (100 °C) lub nadające się do stosowania w przestrzeni kosmicznej.

a.

Napięcie wyjściowe większe niż 6 woltów, przy obciążeniu rezystancyjnym mniejszym niż 55 Ω, oraz

b.

Czas narastania impulsów mniejszy niż 500 ps.

3ASystemy, urządzenia i części Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.

Przeznaczone do pracy bez zewnętrznych instalacji próżniowych; oraz

b.

Wykorzystujące przyspieszanie elektrostatyczne do wzbudzania reakcji jądrowej trytu z deuterem.

a.

Zapłonniki elektryczne, takie jak:

1. Eksplodujące zapłonniki mostkowe (EB);

2. Eksplodujące zapłonniki połączeń mostkowych (EBW)

3. Zapłonniki udarowe;

4. Eksplodujące zapłonniki foliowe (EFI);

b.

Instalacje z detonatorami pojedynczymi lub wielokrotnymi, przeznaczone do prawie równoczesnego inicjowania wybuchów, na obszarze większym niż 5000 mm2 , za pomocą pojedynczego sygnału zapłonowego, o opóźnieniu synchronizacji na całej powierzchni mniejszym niż 2,5 μs.

3ASystemy, urządzenia i części Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.

Plazmowe spektrometry masowe ze sprzężeniem indukcyjnym (ICP/MS);

b.

Jarzeniowe spektrometry masowe (GDMS);

c.

Termojonizacyjne spektrometry masowe (TIMS);

d.

Spektrometry masowe z zespołami do bombardowania elektronami, posiadające komorę ze źródłem elektronów wykonaną z materiałów odpornych na UF6, wykładaną lub powlekaną takimi materiałami;

e.

Następujące spektrometry masowe z wiązką molekularną:

1. Posiadające komorę ze źródłem molekuł wykonaną ze stali nierdzewnej lub molibdenu albo wykładaną, lub powlekaną takimi materiałami, wyposażone w wymrażarkę umożliwiającą chłodzenie do 193 K (– 80 °C) lub niżej; lub

2. Posiadające komorę ze źródłem molekuł wykonaną z materiałów odpornych na UF6, wykładaną lub powlekaną takimi materiałami;

f.

Spektrometry masowe ze źródłem jonów do mikrofluoryzacji zaprojektowane do pracy w obecności aktynowców lub fluorków aktynowców.

3BUrządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne

3B001Sprzęt do wytwarzania urządzeń lub materiałów półprzewodnikowych oraz specjalnie zaprojektowane do nich komponenty i akcesoria, w tym: 3B002Sprzęt testujący, specjalnie przeznaczony do testowania wykończonych i niewykończonych elementów półprzewodnikowych oraz specjalnie zaprojektowane do nich komponenty i akcesoria, z tego:

a.

Sprzęt zaprojektowany do osadzania warstwy epitaksjalnej, taki jak:

1. Sprzęt zdolny do wytwarzania powłok o równomiernej grubości z materiałów różnych od krzemu, wykonanych z dokładnością poniżej ± 2,5 % na odcinku o długości 75 mm lub większym;

2. Reaktory do osadzania z par lotnych związków metaloorganicznych (MOCVD), specjalnie zaprojektowane do wytwarzania kryształów półprzewodników ze związków dzięki reakcji chemicznej pomiędzy materiałami wyszczególnionymi w pozycji 3C003 lub 3C004;

3. Sprzęt wykorzystujący wiązkę molekularną do wytwarzania warstw epitaksjalnych z surowca gazowego lub stałego.

b.

Sprzęt zaprojektowany do implantacji jonów, posiadający jedną z niżej wymienionych cech:

1. Energię wiązki (napięcie przyspieszające) powyżej 1 MeV;

2. Specjalne zaprojektowany i optymalizowany do działania z energią wiązki (napięciem przyspieszającym) mniejszą niż 2 keV;

3. Zdolność bezpośredniego zapisu; lub

4. Posiadający energię wiązki wynoszącą 65 keV lub większą oraz natężenie wiązki równe 45 mA lub większe, w celu wysokoenergetycznej implantacji tlenu w podgrzany półprzewodnikowy materiał podłoża.

c.

Sprzęt do suchego trawienia za pomocą plazmy anizotropowej, taki jak:

1. Sprzęt typu kaseta-kaseta oraz load-lock, posiadający jedną z niżej wymienionych cech:

1. a.

Zaprojektowany lub optymalizowany do produkcji z wymiarem krytycznym 180 nm lub mniejszym, z dokładnością 3 sigma ± 5 %; lub

b.

Zaprojektowany do wytwarzania mniej niż 0,04 cząsteczek/cm2 z mierzalną wielkością cząsteczki większą niż 0,1 μm w średnicy;

2. Sprzęt specjalnie zaprojektowany lub sprzęt wyszczególniony w pozycji 3B001.e., posiadający jedną z niżej wymienionych cech:

2. a.

Zaprojektowany lub optymalizowany do produkcji z wymiarem krytycznym 180 nm lub mniejszym, z dokładnością 3 sigma ± 5 %; lub

b.

Zaprojektowany do wytwarzania mniej niż 0,04 cząsteczek/cm2 z mierzalną wielkością cząsteczki większą niż 0,1 μm w średnicy.

d.

Sprzęt do intensyfikowanego za pomocą plazmy osadzania z par lotnych (CVD), taki jak:

1. Sprzęt typu kaseta-kaseta oraz load-lock, zaprojektowany stosownie do wymagań producenta lub optymalizowany do użytku w produkcji urządzeń półprzewodnikowych o wymiarach krytycznych równych 180 nm, lub mniejszych;

2. Sprzęt specjalnie zaprojektowany do sprzętu objętego kontrolą przez pozycje 3B001.e., oraz stosownie do wymagań producenta lub optymalizowany do użytku w produkcji urządzeń półprzewodnikowych o wymiarach krytycznych równych 180 nm, lub mniejszych.

e.

Automatycznie ładujące się, wielokomorowe, centryczne systemy do wytwarzania płytek elektronicznych, posiadający wszystkie z niżej wymienionych cech: Uwaga: Pozycja 3B001.e nie obejmuje kontrolą automatycznych, zrobotyzowanych systemów wytwarzania płytek elektronicznych, nie zaprojektowanych do działania w warunkach próżni.

1. Interfejsy wejściowe i wyjściowe do płytek, umożliwiające podłączenie więcej niż dwóch części półprzewodnikowego sprzętu przetwarzającego; oraz

2. Zaprojektowane do tworzenia zintegrowanego systemu, działającego w warunkach próżni, do sekwencyjnego wytwarzania płytek metodą powielania.

f.

Sprzęt litograficzny, taki jak:

1. Sprzęt do wytwarzania płytek elektronicznych poprzez pozycjonowanie, naświetlanie oraz powielanie (bezpośredni krok na płytkę) lub skanowanie (skaner), z wykorzystaniem metody fotooptycznej lub promieni rentgenowskich, posiadający jedną z niżej wymienionych cech:

1. a.

Źródło światła o długości fali krótszej niż 245 nm; lub

b. Uwaga techniczna:

Zdolne do wytwarzania wzorów o minimalnej rozdzielczości wymiarowej 180 nm lub mniejszej. Rozmiar minimalnej rozdzielczości wymiarowej obliczany jest według poniższego wzoru: MRF = długość fali źródła światła napromieniowującego wnm × współczynnik Kapertura liczbowa gdzie: współczynnik K = 0,45 MRF = minimalna rozdzielczość wymiarowa.

2. Sprzęt specjalnie zaprojektowany do wytwarzania masek lub przyrządów półprzewodnikowych za pomocą odchylanej, zogniskowanej wiązki elektronów, jonów lub laserowej, posiadający jedną z niżej wymienionych cech:

2. a.

Aperturę plamki poniżej 0,2 μm;

b.

Zdolność wytwarzania obrazów o wielkości charakterystycznej poniżej 1 μm; lub

c.

Dokładność nakładania warstw lepszą niż ± 0,20 μm (3 sigma).

g.

Maski i siatki optyczne zaprojektowane do układów scalonych wyszczególnionych w pozycji 3A001;

h.

Maski wielowarstwowe z warstwą z przesunięciem fazowym. Uwaga: Pozycja 3B001.h nie obejmuje kontrolą wielowarstwowych masek z warstwą z przesunięciem fazy, zaprojektowanych do wytworzenia urządzeń pamięciowych, nie objętych kontrolą przez pozycję 3A001.

a.

Do testowania S – parametrów urządzeń tranzystorowych przy częstotliwościach powyżej 31,8 GHz;

b.

Nie używany.

c.

Do testowania mikrofalowych układów scalonych wyszczególnionych w pozycji 3A001.b.2.

3CMateriały 3C001Materiały heteroepitaksjalne składające się z podłoża i wielu nałożonych epitaksjalnie warstw z jednego z niżej wymienionych materiałów: 3C002Materiały fotorezystywne, podłoża powlekane, objętymi kontrolą, materiałami ochronnymi, z tego: 3C003Związki organiczno-nieorganiczne, takie jak: Uwaga: Pozycja 3C003 obejmuje kontrolą wyłącznie związki, w których składnik metalowy, częściowo metalowy lub składnik niemetalowy jest bezpośrednio związany z węglem w organicznym składniku molekuły. 3C004Wodorki fosforu, arsenu lub antymonu o czystości powyżej 99,999 %, nawet rozpuszczone w gazach obojętnych lub w wodorze. Uwaga: Pozycja 3C004 nie obejmuje kontrolą wodorków zawierających molowo 20 %, lub więcej, gazów obojętnych lub wodoru.

3CMateriały a.

Krzemu;

b.

Germanu;

c.

Węglika krzemu; lub

d. Uwaga techniczna:

Związków III/V galu lub indu. Związki III/V są substancjami polikrystalicznymi, binarnymi lub złożonymi substancjami monokrystalicznymi składającymi się z pierwiastków grupy IIIA i VA okresowego układu Mendelejewa (np. arsenek galu, arsenek galu i glinu, fosforek indu).

a.

Materiały fotorezystywne pozytywowe zaprojektowane do litografii półprzewodnikowej, specjalnie wyregulowanej (zoptymalizowanej) do stosowania w zakresie długości fali poniżej 350 nm;

b.

Wszystkie materiały fotorezystywne, zaprojektowane do użytku z wiązkami elektronowymi lub jonowymi, o czułości 0,01 μC/mm2 lub lepszej;

c.

Wszystkie materiały fotorezystywne, przeznaczone do użytku promieni rentgenowskimi, posiadające czułość 2,5 mJ/mm2 lub lepszą;

d. Uwaga techniczna:

Wszystkie materiały fotorezystywne zoptymalizowane do technologii tworzenia obrazów powierzchniowych, włącznie z fotorezystami siliatowanymi. Techniki siliatowania są zdefiniowane jako procesy zawierające utlenianie powierzchni materiałów fotorezystywnych w celu poprawy ich parametrów zarówno podczas wywoływania na sucho, jak i na mokro.

a.

Materiały metaloorganiczne z glinu, galu lub indu o czystości (na bazie metalu) powyżej 99,999 %;

b.

Związki arsenoorganiczne, antymonoorganiczne i fosforoorganiczne o czystości (na bazie związku nieorganicznego) lepszej niż 99,999 %.

3DOprogramowanie Uwaga techniczna:

3D001Oprogramowanie specjalnie zaprojektowane do rozwoju lub produkcji sprzętu objętego kontrolą, wyszczególnionego w pozycji 3A001.b do 3A002.g, lub 3B. 3D002Oprogramowanie specjalnie zaprojektowane do użytkowania dowolnych obiektów z niżej wymienionych: 3D003Oprogramowanie symulacyjne, bazujące na fizyce, specjalnie zaprojektowane do rozwoju litografii, wytrawiania lub procesów osadzania w celu przekształcenia maskujących kształtów w konkretną topografię obszarów przewodzących, dielektrycznych lub półprzewodnikowych. Bazujące na fizyce w 3D003 oznacza wykorzystanie obliczeń do określenia sekwencji przyczyn fizycznych oraz skutków zdarzeń, opierających się na właściwościach fizycznych (np. temperatura, ciśnienie, stałe dyfuzji oraz właściwości materiałów półprzewodnikowych). Uwaga: Biblioteki, związane z nimi atrybuty i inne dane służące do projektowania urządzeń półprzewodnikowych lub układów scalonych są postrzegane jako technologia. 3D004Oprogramowanie specjalnie zaprojektowane do rozwoju sprzętu wyszczególnionego w pozycji 3A003. 3D101Oprogramowanie specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do użytkowania sprzętu wyszczególnionego w pozycji 3A101.b.

3DOprogramowanie a.

Sprzęt wyszczególniony w pozycji 3B001.a do .f; lub

b.

Sprzęt wyszczególniony w pozycji 3B002.

3ETechnologia Uwaga techniczna:

3E001Technologia stosownie do uwagi ogólnej do technologii do rozwoju lub produkcji sprzętu lub materiałów wyszczególnionych w pozycji 3A, 3B lub 3C; Uwaga 1: Pozycja 3E001 nie obejmuje kontrolą technologii do produkcji sprzętu lub komponentów objętych kontrolą przez pozycję 3A003. Uwaga 2: Pozycja 3E001 nie obejmuje kontrolą technologii do rozwoju lub produkcji układów scalonych wyszczególnionych w pozycji 3A001.a.3 do 3A001.a.12, posiadających wszystkie niżej wymienione cechy: Pojęcie struktura wielowarstwowa nie obejmuje urządzeń posiadających maksymalnie trzy warstwy metaliczne i trzy warstwy polikrzemowe. 3E002Technologia stosownie do uwagi ogólnej do technologii, inna niż wyszczególnione w pozycji 3E001, do rozwoju lub produkcjiukładów mikroprocesorowych, układów mikrokomputerowych oraz układów mikrosterowników posiadających kombinowaną teoretyczną moc obliczeniową (CTP) równą 530 milionów teoretycznych operacji na sekundę (Mtops) lub więcej, oraz jednostki arytmetyczno-logiczne z szyną dostępu 32 bity lub więcej. Uwaga: Uwaga 2 do pozycji 3E001 stosuje się także do pozycji 3E002. 3E003Inna technologiado rozwoju lub produkcji tego, co następuje: 3E101Technologia stosownie do uwagi ogólnej do technologii, do użytkowania sprzętu lub oprogramowania wyszczególnionego w pozycji 3A001.a.1 lub 3A001.a.2, 3A101 albo 3D101. 3E102Technologia stosownie do uwagi ogólnej do technologii, do rozwojuoprogramowania wyszczególnionego w pozycji 3D101; 3E201Technologia stosownie do uwagi ogólnej do technologii, do użytkowania sprzętu wyszczególnionego w pozycji 3A0001.e.2, 3A001.e.3, 3A001.e.5, 3A201, 3A225 do 3A233.

3ETechnologia

1. Wykorzystujące technologię 0,5 μm lub więcej, oraz

2. Nie posiadające struktury wielowarstwowej.

3ETechnologia Uwaga techniczna: a.

Próżniowych urządzeń mikroelektronicznych;

b.

Heterostrukturalnych urządzeń półprzewodnikowych, takich jak tranzystory o wysokiej ruchliwości elektronów (HEMT), tranzystory heterobipolarne (HBT), urządzenia nadstrukturalne oraz ze studnią kwantową; Uwaga: Pozycja 3E003.b nie obejmuje kontrolą technologii dla tranzystorów o wysokiej ruchliwości elektronów (HEMT), pracujących na częstotliwościach niższych od 31,8 GHz oraz tranzystorów heterobipolarnych (HBT), pracujących na częstotliwościach niższych od 31,8 GHz.

c.

Urządzeń elektronicznych opartych na nadprzewodnikach;

d.

Podłoży folii diamentowych do podzespołów elektronicznych;

e.

Podłoży do układów scalonych, typu krzem na izolatorze (SOI), gdzie izolatorem jest dwutlenek krzemu;

f.

Podłoży z węglika krzemu dla komponentów elektronicznych;

g.

Elektronicznych lamp próżniowych, pracujących na częstotliwościach równych 31,8 GHz, lub wyższych.

KATEGORIA 4 KOMPUTERY

Uwaga 1: Komputery, towarzyszące im sprzęt i oprogramowanie wypełniające funkcje telekomunikacyjne lub działające w ramach lokalnej sieci komputerowej, muszą również być analizowane pod kątem spełniania charakterystyk, przynależnych do Kategorii 5, Część 1 -Telekomunikacja. Uwaga 2: Jednostki sterujące podłączone bezpośrednio do szyn lub łączy jednostek centralnych, pamięci operacyjnych lub sterowników dysków nie są uważane za urządzenia telekomunikacyjne ujęte w Kategorii 5, Część 1 – Telekomunikacja. NB.: Dla ustalenia poziomu kontroli oprogramowania specjalnie przeznaczonego do komutacji pakietów, patrz pozycja 5D001. Uwaga 3: Komputery, towarzyszące im urządzenia i oprogramowanie spełniające funkcje szyfrowania, rozszyfrowywania, systemu zabezpieczeń wymagającego potwierdzania wielopoziomowego lub w wymagających potwierdzania systemach wyodrębnienia użytkownika, lub, które ograniczają zgodność elektromagnetyczną (EMC), należy również analizować pod kątem spełniania charakterystyk, przynależnych do Kategorii 5, Część 2 – Ochrona informacji.

4ASystemy, sprzęt i komponenty

4A001Komputery elektroniczne i towarzyszący im sprzęt, zespoły elektroniczne oraz specjalnie do nich zaprojektowane komponenty, w tym: NB.: Patrz także pozycja 4A101. 4A003Komputery cyfrowe, zespoły elektroniczne i sprzęt im towarzyszący oraz specjalnie zaprojektowane dla nich komponenty, w tym: Uwaga 1: Pozycja 4A003 obejmuje: Uwaga 2: Poziom kontroli komputerów cyfrowych i towarzyszącego im sprzętu opisany w pozycji 4A003 wynika z poziomu kontroli innego sprzętu lub systemów, pod warunkiem, że: 4A004Komputery i specjalnie do nich zaprojektowany sprzęt towarzyszący, zespoły elektroniczne i komponenty dla nich, w tym: 4A101Komputery analogowe, komputery cyfrowe lub cyfrowe analizatory różniczkowe, różne od wyszczególnionych w pozycji 4A001.a.1., zabezpieczone przed narażeniami mechanicznymi lub podobnymi i specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do użycia w kosmicznych pojazdach nośnych, wyszczególnionych w pozycji 9A004 lub w rakietach meteorologicznych wyszczególnionych w pozycji 9A104. 4A102Komputery hybrydowe, specjalnie zaprojektowane do modelowania, symulowania lub integrowania konstrukcyjnego kosmicznych pojazdów nośnych wyszczególnionych w pozycji 9A004, lub rakiet meteorologicznych wyszczególnionych w pozycji 9A104. Uwaga: Kontrola dotyczy wyłącznie takich sytuacji, w których sprzęt jest dostarczany z oprogramowaniem wyszczególnionym w pozycji 7D103 lub 9D103.

a.

Specjalnie zaprojektowane, aby posiadać jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

1. Możliwość działania w temperaturze otoczenia poniżej 228 °K (-45 °C) lub powyżej 358 °K (+85 °C); Uwaga: Pozycja 4A001.a.1. nie dotyczy komputerów specjalnie zaprojektowanych do samochodów cywilnych lub zastosowania w kolejnictwie.

2. Zabezpieczone przed promieniowaniem jonizującym, o następujących parametrach minimalnych: a. Dawka całkowita 5 × 103 Gy (Si); b. Narastanie natężenia dawki 5 × 106 Gy (SI)/s; lub c. Pojedyncze przypadkowe zakłócenie 1 × 10–7 błędów/bit/dzień;

b.

Posiadające cechy charakterystyczne lub realizujące działania, wykraczające poza ograniczenia Kategorii 5, Część 2 – Ochrona informacji. Uwaga: Pozycja 4A001.b. nie obejmuje kontrolą komputerów elektronicznych i związanego z nimi sprzętu, towarzyszącymi użytkownikowi dla jego osobistego użytku.

a.

Procesory wektorowe,

b.

Procesory tablicowe,

c.

Cyfrowe procesory sygnałowe,

d.

Procesory logiczne,

e.

Sprzęt zaprojektowany do wzmacniania obrazów,

f.

Sprzęt zaprojektowany do przetwarzania sygnałów.

a.

Komputery cyfrowe lub towarzyszący im sprzęt mają zasadnicze znaczenie dla działania innego sprzętu lub systemów;

b.

Komputery cyfrowe lub towarzyszący im sprzęt nie są elementem o podstawowym znaczeniu innego sprzętu lub systemów; oraz NB. 1: Poziom kontroli sprzętu do przetwarzania sygnałów lub wzmacniania obrazów specjalnie przeznaczonych do innego sprzętu i ograniczonych funkcjonalnie do wymogów pracy tego sprzętu wynika ze statusu kontroli innego sprzętu, nawet, gdy wykracza to poza kryterium elementu o podstawowym znaczeniu. NB. 2: W przypadku poziomu kontroli komputerów cyfrowych lub towarzyszącego im sprzętu, do sprzętu telekomunikacyjnego patrz Kategoria 5, Część 1 – Telekomunikacja.

c.

Technologia do komputerów cyfrowych i towarzyszącego im sprzętu jest określona przez pozycję 4E.

a.

Zaprojektowane lub zmodyfikowane w celu odporności na uszkodzenia; Uwaga: Do celów pozycji 4A003.a komputery cyfrowe i towarzyszący im sprzęt nie są uważane za odporne na uszkodzenia dzięki specjalnej konstrukcji lub odpowiedniej modyfikacji, jeżeli zastosowano w nich:

1. Algorytmy wykrywania albo korekcji błędów w pamięci operacyjnej;

2. Połączenie dwóch komputerów cyfrowych w jeden zespół, w taki sposób, że w razie awarii jednej z aktywnych jednostek centralnych działania związane z kontynuacją pracy systemu może przejąć bliźniacza jednostka centralna, znajdująca się do tej chwili na biegu jałowym;

3. Połączenie dwóch jednostek centralnych szynami danych poprzez wykorzystywaną wspólnie pamięć w celu umożliwienia danej jednostce centralnej wykonywania innych działań do czasu awarii drugiej jednostki centralnej, co spowoduje przejęcie wszystkich prac związanych z funkcjonowaniem systemu przez pierwszą jednostkę centralną; lub

4. Synchronizację dwóch jednostek centralnych za pomocą oprogramowania, w taki sposób, że jedna z nich rozpoznaje awarię drugiej i przejmuje w takiej sytuacji jej zadania.

b.

Komputery cyfrowe posiadające skorygowaną wydajność szczytową (APP) powyżej 0,75 teraflopsa ważonego (WT);

c.

Zespoły elektroniczne, specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane w celu polepszenia mocy obliczeniowej poprzez agregację procesorów, w taki sposób, że APP agregatu przekracza wartość graniczną, określoną w pozycji 4A003.b; Uwaga 1: Pozycja 4A003.c odnosi się wyłącznie do zespołów elektronicznych i programowanych połączeń, których moc obliczeniowa nie wykracza poza wartości graniczne określone w pozycji 4A003.b., w przypadku dostarczania ich jako zespoły elektroniczne w stanie rozłożonym. Pozycja ta nie dotyczy zespołów elektronicznych, które ze względu na charakter swojej konstrukcji nie mogą z natury rzeczy być wykorzystywane jako urządzenia towarzyszące, wyszczególnione w pozycji 4A003.f. Uwaga 2: Pozycja 4A003.c nie obejmuje kontrolą zespołów elektronicznych, specjalnie zaprojektowanych do wyrobu albo rodziny wyrobów, których maksymalna konfiguracja nie wykracza poza ograniczenia zawarte w pozycji 4A003.b.

d.

Nie używany;

e.

Sprzęt do przetwarzania analogowo-cyfrowego o parametrach wykraczających poza wartości graniczne określone w pozycji 3A001.a.5;

f.

Nie używany;

g.

Sprzęt specjalnie zaprojektowany w celu zapewnienia połączenia zewnętrznego komputerów cyfrowych lub towarzyszącego im sprzętu, który pozwala na wymianę danych z szybkościami przekraczającymi 1,25 Gb/s. Uwaga: Pozycja 4A003.g nie obejmuje kontrolą sprzętu zapewniającego połączenia wewnętrzne (np. tablice połączeń, szyny), urządzeń łączących o charakterze pasywnym, sterowników dostępu do sieci ani sterowników torów telekomunikacyjnych.

a.

Komputery z dynamiczną modyfikacją zestawu procesorów;

b.

Komputery neuronowe;

c.

Komputery optyczne.

4BUrządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne

Żadne

4CMateriały Żadne

4DOprogramowanie

Uwaga: Poziom kontroli oprogramowania do rozwoju, produkcji, lub użytkowania urządzeń opisanych w innych kategoriach wynika z odpowiedniej kategorii. Status kontroli oprogramowania do urządzeń opisanych w niniejszej kategorii jest z nią związany. 4D002Oprogramowanie specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do wspomagania technologii wyszczególnionych w pozycji 4E; 4D003Oprogramowanie specjalne, takie jak:

4D001a. Oprogramowanie specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do rozwoju, produkcji lub użytkowania sprzętu lub oprogramowania wyszczególnionych w pozycji 4A001 do 4A004 lub 4D;

b.

Oprogramowanie, inne niż wyszczególnione w pozycji 4D001.a., specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane dorozwoju lub produkcji niżej wymienionych:

1. Komputery cyfrowe posiadające skorygowaną wydajność szczytową (APP) powyżej 0,04 teraflopsa ważonego (WT); lub

2. Zespoły elektroniczne, specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane w celu polepszenia mocy obliczeniowej poprzez agregację procesorów, w taki sposób, że APP agregatu przekracza wartość graniczną określoną w pozycji 4D001.b.1;

a.

Oprogramowanie systemu operacyjnego, programy narzędziowe i kompilatory do opracowywania oprogramowania specjalnie przeznaczone do urządzeń do wielostrumieniowego przetwarzania danych nakod źródłowy;

b.

Nie używany;

c.

Oprogramowanie o cechach lub możliwościach realizacji funkcji wykraczających poza ograniczenia wymienione w pozycjach Kategorii 5, Część 2 – Ochrona informacji; Uwaga: Pozycja 4D003.c. nie obejmuje kontrolą oprogramowania, kiedy towarzyszy ono użytkownikowi dla jego osobistego użytku.

4ETechnologia

4E001a. Technologia stosownie do uwagi ogólnej do technologii do rozwoju lub produkcji sprzętu lub oprogramowania wyszczególnionych w pozycji 4A lub 4D;

b.

Technologia, inna niż wyszczególniona w pozycji 4E001.a., specjalnie zaprojektowana lub zmodyfikowana do rozwoju lub produkcji niżej wymienionych:

1. Komputery cyfrowe posiadające skorygowaną wydajność szczytową (APP) powyżej 0,04 teraflopsa ważonego (WT); lub

2. Zespoły elektroniczne, specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane w celu polepszenia mocy obliczeniowej poprzez agregację procesorów, w taki sposób, że APP agregatu przekracza wartość graniczną określoną w pozycji 4E001.b.1.;

Uwaga techniczna dotycząca teoretycznej mocy kombinowanej (CTP) Skróty stosowane w niniejszej uwadze technicznej

CE element obliczeniowy (typowo, jednostka arytmetyczno-logiczna) FP zmienny przecinek XP stały przecinek T czas wykonania XOR nierównoważność CPU jednostka centralna TP teoretyczna moc obliczeniowa (pojedynczego CE) CTP teoretyczna moc kombinowana (wielu CE) R efektywna szybkość obliczeniowa WL długość słowa L współczynnik poprawkowy długości słowa * mnożenie Czas wykonania t wyraża się w μs, natomiast TP i CTP w milionach teoretycznych operacji na sekundę (Mtops), a WL w bitach.

Omówienie sposobu obliczania CTP

CTP jest miarą mocy obliczeniowej wyrażaną w Mtops. W celu obliczenia CTP pewnego zespołu (agregatu) CE należy wykonać czynności podzielone na trzy następujące etapy: Szczegółowe informacje na temat podanych etapów postępowania zamieszczono dalej. Uwaga 1: W przypadku agregatów złożonych z wielu CE, posiadających podsystemy zarówno z pamięcią dzieloną jak i niedzieloną, obliczanie CTP odbywa się na zasadzie hierarchicznej, w dwóch etapach: po pierwsze, grupuje się CE z podsystemami pamięci dzielonej, a następnie oblicza się CTP dla danych grup, stosując taką metodę obliczeń jak dla wielu CE z pamięcią niedzieloną. Uwaga 2: W obliczeniach CTP nie uwzględnia się CE o zastosowaniu ograniczonym do obsługi funkcji wejścia/wyjścia i peryferyjnych (np. napędów dyskowych, sterowników komunikacyjnych i wyświetlaczy obrazowych).

1. Obliczyć efektywną szybkość obliczeniową R każdego CE;

2. Skorygować uzyskaną efektywną szybkość obliczeniową (R) za pomocą współczynnika poprawkowego długości słowa, dzięki czemu uzyska się Moc Teoretyczną (TP) każdego CE;

3. W przypadku istnienia więcej niż jednego CE, połączyć wszystkie wynikowe TP, uzyskując w wyniku CTP całego danego układu.

Uwaga TECHNICZNA DOTYCZĄCA CTP

W podanej poniżej tabeli przedstawiono sposób liczenia efektywnej szybkości obliczeniowej (R) dla każdego CE: Etap 1: Efektywna szybkość obliczeniowa R: Dla elementów obliczeniowych mających: Uwaga: Obliczenia przeprowadza się dla każdego CE niezależnie Efektywna szybkość obliczeniowa, R Tylko XP Rxp = 13 × txp add W razie braku dodawania, należy wykorzystać: Rxp = 1txp mult W razie braku zarówno dodawania, jak i mnożenia, należy wykorzystać najszybszą dostępną operację arytmetyczną: Rxp = 13 × txp Patrz uwagi X i Z Tylko FP Rfp = max 1tfp add, 1tfp mult Patrz uwagi X i Y Zarówno FP, jak i XP Obliczyć obie Rxp, Rfp W przypadku prostych procesorów logicznych bez implementacji żadnej z wymienionych operacji arytmetycznych. R = 13 × tlog Gdzie tlog jest czasem wykonania instrukcji XOR albo w przypadku sprzętu logicznego bez implementacji XOR, czasem najszybszej prostej operacji logicznej. Patrz uwagi X i Z Dla specjalnych procesorów logicznych, nierealizujących żadnej z wymienionych operacji arytmetycznych i logicznych. R = R' × WL/64 Gdzie R' jest liczbą wyników na sekundę, WL jest liczbą bitów, na której jest realizowana operacja logiczna, natomiast 64 jest współczynnikiem normalizacji do operacji 64-bitowych. Uwaga W: W przypadku wielu CE działających w trybie potokowym, zdolnych do wykonania do jednej operacji arytmetycznej lub logicznej na każdy cykl zegara po zapełnieniu trybu potokowego, można ustalić szybkość obliczeniową trybu potokowego. Efektywną szybkością obliczeniową (R) dla każdego takiego CE jest największa szybkość w trybie potokowym lub szybkość realizacji obliczeń w trybie niepotokowym. Uwaga X: Dla CE realizujących wielokrotne operacje arytmetyczne specjalnego typu w pojedynczym cyklu (np. dwa dodawania na cykl lub dwie identyczne operacje na cykl) czas realizacji t określa się zależnością: t = czas cykluliczba identycznych operacji na cykl maszyny CE wykonujące różne typy operacji arytmetycznych lub logicznych podczas pojedynczego cyklu maszynowego należy traktować jako wielokrotne oddzielne CE działające równocześnie (np. CE wykonujący dodawanie i mnożenie podczas jednego cyklu należy traktować jako dwa CE, raz jako wykonujący dodawanie w jednym cyklu i po raz drugi jako wykonujący mnożenie w drugim cyklu). W przypadku wykonywania przez pojedynczy CE zarówno działania na skalarach, jak i na wektorach, należy wybrać krótszy z czasów realizacji. Uwaga Y: W przypadku braku implementacji dodawania FP (zmiennoprzecinkowego) lub mnożenia FP, natomiast wykonywania przez dany CE dzielenia FP: Rfp = lffpdivide W przypadku realizacji przez dany CE odwrotności FP, ale bez możliwości realizacji dodawania FP, mnożenia FP lub dzielenia FP, wartość Rfp wyznacza się z zależności: Rfp = lffpreciprocal W razie braku implementacji wszystkich wymienionych instrukcji, efektywna moc FP wynosi 0. Uwaga Z: W prostych operacjach logicznych pojedyncza instrukcja realizuje pojedyncze działanie logiczne na nie więcej niż dwóch operandach o danej długości. W złożonych operacjach logicznych pojedyncza instrukcja realizuje wiele działań logicznych na dwóch lub więcej operandach, wskutek czego powstaje jeden lub więcej wyników. Szybkości obliczeniowe należy obliczać dla wszystkich możliwych długości operandów z uwzględnieniem zarówno operacji potokowych (jeżeli są możliwe), jak i operacji niepotokowych, dla instrukcji wykonywanych najszybciej i dla każdej długości operandu w oparciu o następujące zasady: W każdym wymienionym powyżej przypadku należy skorzystać z najkrótszego czasu wykonania potwierdzonego przez producenta. Etap 2: TP dla każdej możliwej długości operandu WL: Skorygować szybkość efektywną R (lub R') za pomocą współczynnika poprawkowego na długość słowa L w następujący sposób: Uwaga: Używana w tych obliczeniach długość słowa WL jest długością operandu w bitach. (W przypadku, gdy w operacji używane są operandy o różnych długościach, należy wybrać słowo o największej długości). Dla celów obliczania CTP, za jeden CE o długości słowa (WL) równej liczbie bitów w przedstawieniu danych (zazwyczaj 32 lub 64) uważa się kombinację mantysy ALU i wykładnika ALU dla procesora zmiennoprzecinkowego albo jedność. Korekcja tego typu nie znajduje zastosowania do wyspecjalizowanych procesorów logicznych, w których nie są realizowane instrukcje XOR. W takim przypadku TP = R. Wybrać maksymalną wartość wynikową TP dla: Etap 3: CTP dla agregacji CE, włącznie z CPU: Dla CPU składającego się z pojedynczego CE, CTP = TP (dla CE wykonujących zarówno operacje stało-, jak i zmiennoprzecinkowe, TP = max (TPfp, TPxp) Sposób obliczania CTP dla agregacji wielu CE działających równocześnie: Uwaga 1: W przypadku agregacji uniemożliwiających równoczesne działanie wszystkich CE należy stosować tę konfigurację możliwych CE, która daje największą z możliwych CTP. Przed obliczeniem CTP całej kombinacji należy obliczyć TP każdego CE dla każdej teoretycznie możliwej wartości maksymalnej. NB.: W celu obliczenia możliwych kombinacji CE działających równocześnie należy wygenerować sekwencję instrukcji inicjująca operacje w wielu CE poczynając od najwolniejszego z nich (jest to taki element obliczeniowy, który wymaga największej liczby cykli do zakończenia swojego działania) i kończąc na najszybszym CE. Możliwą kombinacją przy każdej sekwencji cyklu jest taka kombinacja elementów CE, które działają podczas cyklu. W sekwencji instrukcji należy wziąć pod uwagę wszystkie ograniczenia sprzętowe i (lub) konfiguracyjne (architektura) dla operacji pokrywających się ze sobą. Uwaga 2: Pojedynczy układ scalony lub płytka może składać się z wielu CE. Uwaga 3: Zakłada się, że komputer może wykonywać równoczesne operacje w przypadku, gdy jego producent podaje w instrukcji użytkowania lub innej, że komputer może pracować współbieżnie, równolegle lub wykonywać operacje albo działania równoczesne. Uwaga 4: Nie należy agregować wartości CTP dla kombinacji CE połączonych ze sobą i z innymi w lokalnych sieciach komputerowych, Rozległych Sieciach Komputerowych (WAN), dzielonych wspólnych połączeniach (urządzeniach wejścia/wyjścia), sterownikach wejść/wyjść oraz we wszelkich połączeniach komunikacyjnych implementowanych przez oprogramowanie. Uwaga 5: Należy agregować wartości CE dla wieloelementowych układów CE specjalnie opracowanych w celu poprawy parametrów poprzez agregację, równoczesne działanie i kombinację w układzie z dzieleniem wspólnej pamięci – lub typu wielokrotna pamięć/CE – działających równocześnie i z wykorzystaniem specjalnie opracowanego sprzętu. Agregacji tego typu nie stosuje się do zespołów opisanych w pozycji 4A003.c. CTP = TP1 + C2 × TP2 + … + Cn × TPn, gdzie TP są uszeregowane według wartości, przy czym TP1 jest największa, TP2 jest druga z kolei pod względem wartości, …, a TPn jest najmniejszą z wartości TP. Ci są współczynnikami wynikającymi z przepustowości połączeń pomiędzy CE, określonymi w sposób następujący: W przypadku wielu CE działających równocześnie i korzystających ze wspólnej pamięci: Uwaga 1: W przypadku, kiedy wartość CPT obliczona w podany powyżej sposób nie przekracza 194 Mtops, do obliczania Ci można zastosować następujący wzór: Ci = 0,75m(i = 2, …, n) gdzie m = liczba elementów CE lub grup CE o wspólnym dostępie, pod warunkiem że NB. Nie dotyczy to pozycji objętych kontrolą w ramach Kategorii 3. Uwaga 2:CE korzystają ze wspólnej pamięci, jeżeli mają dostęp do wspólnego segmentu pamięci półprzewodnikowej. Może to być pamięć podręczna (cache), pamięć operacyjna albo inny rodzaj pamięci wewnętrznej. W tym przypadku nie uwzględnia się peryferyjnych jednostek pamięciowych, takich jak stacje dysków, napędy taśmczy RAM-dyski. Dla wielokrotnych układów CE lub grup CE niekorzystających ze wspólnej pamięci, połączonych ze sobą jednym lub większą liczba kanałów danych: Ci Wartość Ci określa się w zależności od liczby elementów CE, a nie liczby węzłów, gdzie ki min (Si/Kr, 1), oraz Kr współczynnik normalizujący do 20 MBajtów/s Si suma maksymalnych szybkości transmisji danych (w jednostkach MB/s) dla wszystkich kanałów danych połączonych z i-tym elementem CE lub grupą elementów CE dzielących wspólną pamięć. W przypadku obliczania Ci dla grupy elementów CE , numer pierwszego CE w grupie wyznacza odpowiednią wartość graniczną dla Ci. Przykładowo, w agregacji grup składających się każda z 3 elementów CE, grupa 22 będzie zawierała CE64, CE65 i CE66. Właściwą wartością graniczną dla Ci dla tej grupy będzie 0,60. Agregacja (elementów CE lub grup elementów CE) powinna następować w kolejności od elementów najszybszych do najwolniejszych; tj.: w przypadku TPi = TPi + 1 w kolejności od największego do najmniejszego; tj.: Uwaga: W przypadku, gdy TPi dla elementu CElub grupy elementów CE wynosi powyżej 50 Mtops, nie używa się współczynnika ki do elementów CE od 2 do 12; tj. Ci dla elementów CE 2 do 12 wynosi 0,75.

1. Operacje potokowe lub typu rejestr-rejestr. Z wykluczeniem bardzo krótkich czasów wykonania dla operacji na z góry określonym operandzie lub operandach (na przykład, mnożenie przez 0 lub 1). W razie braku implementacji operacji typu rejestr-rejestr, postępować według punktu (2).

2. Szybsze operacje typu rejestr-pamięć albo pamięć-rejestr; w razie braku również takich operacji, postępować według punktu (3).

3. Operacje typu pamięć-pamięć.

TP = R × L gdzie: L = (1/3 + WL/96)

Każdego XP – tylko CE (Rxp);

Każdego FP – tylko CE (Rfp);

Każdego kombinowanego FP i XP CE (R);

Każdego prostego procesora logicznego bez żadnej implementacji wymienionych operacji arytmetycznych; oraz

Każdego specjalnego procesora logicznego niewykonującego żadnej z wymienionych operacji arytmetycznych ani logicznych.

C2 = C3 = C4 = … = Cn = 0,75

1. TPi każdej grupy lub grup CE nie jest wyższa od 30 Mtops

2. Elementy CE lub grupy elementów CE dzielą wspólny dostęp do pamięci operacyjnej (z wyjątkiem pamięci podręcznej (cache)) za pośrednictwem pojedynczego kanału; oraz

3. W danym czasie tylko jeden element CE lub grupa elementów CE może używać takiego kanału.

= 0,75 × ki (i = 2, …, 32) (patrz Uwaga poniżej)

= 0,60 × ki (i = 33, …, 64)

= 0,45 × ki (i = 65, …, 256)

= 0,30 × ki (i > 256)

TP1 ≥ TP2 ≥ … ≥ TPn, oraz

Ci ≥ Ci + 1

UWAGA TECHNICZNA DOTYCZĄCA SKORYGOWANEJ WYDAJNOŚCI SZCZYTOWEJ (APP)

APP oznacza skorygowaną największą prędkość, z jaką komputery cyfrowe wykonują zmiennoprzecinkowe operacje dodawania i mnożenia na liczbach 64-bitowych lub dłuższych. APP wyraża się w teraflopsach ważonych (WT), w jednostkach wynoszących 1012 skorygowanych operacji zmiennoprzecinkowych na sekundę. Skróty stosowane w niniejszej uwadze technicznej n liczba procesorów w komputerze cyfrowym i numer procesora (i,…n) ti czas cyklu procesora (ti = 1/Fi) Fi częstotliwość procesora Ri szczytowa szybkość obliczeniowa dla operacji zmiennoprzecinkowych Wi współczynnik korygujący związany z architekturą systemu Omówienie sposobu obliczania APP Uwaga 1: W przypadku procesorów wykonujących w jednym cyklu, operacje złożone, takie jak dodawanie i mnożenie, liczy się każda operacja. Uwaga 2: W przypadku procesora działającego w trybie potokowym, jako efektywną szybkość obliczeniową R przyjmuje się większą z następujących prędkości: prędkość w trybie potokowym przy pełnym wykorzystaniu potoku i prędkości w trybie niepotokowym. Uwaga 3: Do celów obliczenia APP całego zespołu przyjmuje się dla każdego procesora składowego jego maksymalną teoretycznie możliwą szybkość obliczeniową R. Przyjmuje się, że zachodzi równoczesne wykonywanie operacji, jeżeli producent komputera stwierdza w broszurze lub podręczniku użytkownika, że komputer przetwarza dane w sposób współbieżny, równoległy lub równoczesny. Uwaga 4: Przy obliczaniu APP nie uwzględnia się procesorów, których rola ogranicza się do funkcji wejścia/wyjścia i peryferyjnych (np. w napędzie dysków, urządzeniach komunikacyjnych i wyświetlaczu wideo). Uwaga 5: Nie oblicza się wartości APP dla zespołów procesorów połączonych ze sobą i z innymi w ramach lokalnych sieci komputerowych, rozległych sieci komputerowych (WAN), dzielonych wspólnych połączeń lub urządzeń wejścia/wyjścia, kontrolerów wejścia/wyjścia oraz we wszelkich połączeniach komunikacyjnych implementowanych przez oprogramowanie. Uwaga 6: Konieczne jest obliczenie wartości APP dla: Uwaga 7:Procesor wektorowy jest zdefiniowany jako procesor wyposażony w wewnętrzne instrukcje pozwalające równocześnie wykonywać wielokrotne operacje na wektorach zmiennoprzecinkowych (jednowymiarowych tablicach złożonych z liczb 64-bitowych lub dłuższych), posiadający co najmniej dwie funkcjonalne jednostki wektorowe i co najmniej 8 rejestrów wektorowych, każdy o pojemności co najmniej 64 elementów.

1. Dla każdego procesora i określić szczytową liczbę operacji zmiennoprzecinkowych (FPOi) na liczbach 64-bitowych lub dłuższych wykonywanych w jednym cyklu przez każdy procesor komputera cyfrowego; Uwaga Określając FPO, należy brać pod uwagę wyłącznie zmiennoprzecinkowe operacje dodawania lub mnożenia na liczbach 64-bitowych lub dłuższych. Wszystkie operacje zmiennoprzecinkowe muszą być wyrażone w operacjach na cykl procesora; operacje wymagające wielu cykli można wyrażać w postaci wyniku ułamkowego na jeden cykl. W przypadku procesorów niezdolnych do wykonywania operacji na argumentach zmiennoprzecinkowych o długości 64 bitów lub dłuższych, efektywna szybkość obliczeniowa R wynosi zero.

2. Obliczyć szybkość operacji zmiennoprzecinkowych R dla każdego procesora, Ri = FPOi/ti.

3. Obliczyć APP ze wzoru APP = W1 × R1 + W2 × R2 + … + Wn × Rn.

4. Dla procesorów wektorowych, Wi = 0,9. Dla procesorów nie będących procesorami wektorowymi, Wi = 0,3.

1. Zespołów procesorów zawierających procesory specjalnie zaprojektowane w celu zwiększenia wydajności poprzez agregację, równoczesne działanie i współdzielenie pamięci; lub

2. Większej liczby zespołów pamięć/procesor działających równocześnie z wykorzystaniem specjalnie zaprojektowanego sprzętu.

KATEGORIA 5 TELEKOMUNIKACJA I OCHRONA INFORMACJI

CZĘŚĆ 1 TELEKOMUNIKACJA

Uwaga 1: W pozycjach Kategorii 5, Część 1, ujęto poziom kontroli komponentów, sprzętu laserowego, testującego i produkcyjnego, oraz oprogramowania do nich, specjalnie zaprojektowanych do sprzętu lub systemów telekomunikacyjnych. Uwaga 2:Komputery cyfrowe, towarzyszący im sprzęt lub oprogramowanie, mające zasadniczy wpływ na działanie i wspomaganie działań sprzętu telekomunikacyjnego przedstawionych w pozycjach dotyczących telekomunikacji w niniejszej Kategorii, są traktowane jako specjalnie opracowane komponenty, pod warunkiem, że są to modele standardowe, dostarczane przez producenta na zamówienie klienta. Dotyczy to komputerowych systemów obsługi, zarządzania, konserwacji, technicznych lub księgowych.

5A1Systemy, sprzęt i komponenty: Uwaga techniczna:

5A101Sprzęt do zdalnego przekazywania wyników pomiarów i do zdalnego sterowania, włączając sprzęt naziemny, zaprojektowany lub zmodyfikowany do użycia w pociskach rakietowych. W pozycji 5A101 pocisk rakietowy oznacza kompletne systemy rakietowe oraz systemy bezzałogowych statków powietrznych, zdolnych do pokonania odległości przekraczającej 300 km. Uwaga: Pozycja 5A101 nie obejmuje kontrolą:

5A1Systemy, sprzęt i komponenty:

5A001a. Dowolny typ sprzętu telekomunikacyjnego, posiadający jedną z niżej wymienionych cech charakterystycznych lub właściwości albo realizujący jedną z wymienionych funkcji: Uwaga: Pozycje 5A001.a.2 i 5A001.a.3 nie obejmują kontrolą sprzętu zaprojektowanego lub zmodyfikowanego do stosowania na pokładach satelitów.

5A001a.

1. Specjalnie zabezpieczone przed skutkami przejściowych zjawisk elektronicznych lub impulsu elektromagnetycznego, powstających w wyniku wybuchu jądrowego;

2. Specjalnie zabezpieczone przed promieniowaniem gamma, neutronowym lub jonizacyjnym; lub

3. Specjalnie zaprojektowane do eksploatacji w zakresie temperatur poza przedziałem od 218 °K (– 55 °C) do 397 °K (+ 124 °C). Uwaga: Pozycja 5A001.a.3. odnosi się wyłącznie do sprzętu elektronicznego.

b.

Telekomunikacyjny sprzęt i systemy transmisyjne oraz specjalnie do nich zaprojektowane komponenty i osprzęt, posiadające jedną z niżej wymienionych cech charakterystycznych oraz właściwości lub realizujących jedną z wymienionych poniżej funkcji:

1. Będące systemami komunikacji podwodnej posiadającymi jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

1. a.

Akustyczna częstotliwość nośna spoza przedziału 20 kHz do 60 kHz;

b.

Działające w zakresie elektromagnetycznej częstotliwości nośnej poniżej 30 kHz; lub

c.

Działające z wykorzystaniem technik sterowania za pomocą wiązki elektronów;

2. Będące sprzętem radiowym działającym w paśmie od 1,5 do 87,5 MHz, posiadającymi dowolną z wymienionych niżej cech charakterystycznych:

2. a.

Zastosowanie technik adaptacyjnych zapewniających tłumienie sygnałów zakłócających na poziomie większym niż 15 dB; lub

b.

Spełnianie obu niżej wymienionych warunków:

1. Automatyczne przewidywanie i wybieranie częstotliwości oraz całkowite szybkości przesyłania danych cyfrowych na kanał, umożliwiające optymalizację transmisji; oraz

2. Zaopatrzenie w liniowy wzmacniacz mocy umożliwiający równoczesną obróbkę wielu sygnałów przy mocy wyjściowej 1 kW lub wyższej, w zakresie częstotliwości od 1,5 do 30 MHz, lub 250 W lub wyższej w zakresie częstotliwości od 30 do 87,5 MHz, w zakresie pasma chwilowego o szerokości jednej oktawy lub większej oraz z wyjściem o zniekształceniach harmonicznych lub innych lepszych niż – 80 dB;

3. Będące sprzętem radiowym, w którym zastosowano techniki widma rozproszonego, w tym rozrzucanie częstotliwości, poza wymienionymi w pozycji 5A001.b.4., posiadającym dowolną z niżej wymienionych cech charakterystycznych: Uwaga: Pozycja 5A001.b.3 nie obejmuje kontrolą urządzeń o mocy wyjściowej 1 W lub mniejszej.

3. a.

Programowane przez użytkownika kody rozpraszania; lub

b.

Całkowita szerokość przesyłanego pasma 100 lub więcej razy większa od szerokości pasma dowolnego z kanałów informacyjnych w nadmiarze 50 kHz; Uwaga: Pozycja 5A001.b.3.b nie obejmuje kontrolą sprzętu radiowego sieci telekomunikacyjnych w układzie terytorialnym (komórkowym) działających w zakresie pasm cywilnych.

4. Będące sprzętem radiowym, w którym zastosowano ultraszerokopasmowe techniki modulacji, posiadające programowane przez użytkownika kody przydzielania kanałów, szyfrowania (scrambling) lub identyfikacji sieci, mające dowolne z następujących cech:

4. a.

Szerokość pasma przekraczająca 500 MHz; lub

b.

Ułamkowa szerokość pasma wynosząca 20 % lub więcej;

5. Będące sterowanymi cyfrowo odbiornikami radiowymi, które jednocześnie:

5. a.

Posiadają ponad 1000 kanałów;

b.

Charakteryzują się czasem przełączania częstotliwości niższym od 1 ms;

c.

Umożliwiają automatyczne przeszukiwanie lub skanowanie części widma fal elektromagnetycznych; oraz

d.

Umożliwiają identyfikację odbieranych sygnałów lub typu nadajnika, lub Uwaga: Pozycja 5A001.b.4 nie obejmuje kontrolą sprzętu specjalnie zaprojektowanego do komórkowych radiowych sieci telekomunikacyjnych, działających w zakresie pasm cywilnych.

6. Uwagi techniczne

Będące urządzeniami wykorzystującymi funkcje cyfrowego przetwarzania sygnałów dla realizacji kodowania mowy z szybkością poniżej 2400 bitów/s.

1. Dla zmiennych współczynników kodowania głosu, pozycja 5A001.b.6 stosuje kodowanie wyjścia ciągłego sygnału głosowego.

2. Do celów pozycji 5A001.b.6 kodowanie mowy określa się jako technikę próbkowania głosu ludzkiego, a następnie przetwarzania próbek na sygnał cyfrowy, z uwzględnieniem cech szczególnych mowy ludzkiej.

c.

Światłowodowe kable komunikacyjne, światłowody oraz akcesoria, w tym:

1. Uwaga techniczna:

Światłowody o długości ponad 500 m i określone przez producenta, jako mogące się oprzeć podczas testu kontrolnego, naprężeniom rozciągającym wynoszącym 2 × 109 N/m2 lub większe; Test kontrolny: prowadzona na bieżąco (on line) albo poza linią produkcyjną (off-line) kontrola zupełna, podczas której wszystkie włókna są obciążane dynamicznie z góry określonymi naprężeniami rozciągającymi, działającymi na odcinek światłowodu o długości od 0,5 do 3 m, przeciągany z szybkością 2 do 5 m/s pomiędzy bębnami nawijającymi o średnicy około 150 mm. Temperatura otoczenia powinna wynosić 293 °K (20 °C), a wilgotność względna 40 %. Testy kontrolne można przeprowadzić według równoważnych norm narodowych.

2. Kable światłowodowe i akcesoria zaprojektowane do pracy pod wodą; Uwaga: Pozycja 5A001.c.2. nie obejmuje kontrolą kabli i akcesoriów dla standardowej telekomunikacji cywilnej. NB. 1: Dla kabli startowych (pępowinowych) lub łączników do nich patrz także pozycja 8A002.a.3. NB. 2: Dla światłowodowych penetratorów kadłubów statków lub złączy do nich także pozycja 8A002.c.

d.

Elektronicznie sterowane fazowane układy antenowe pracujące w zakresie częstotliwości powyżej 31,8 GHz; Uwaga: Pozycja 5A001.d. nie obejmuje kontrolą elektronicznie sterowanych fazowanych układów antenowych do systemów kontroli lądowania oprzyrządowanych według wymagań norm ICAO obejmujących mikrofalowe systemy kontroli lądowania (MLS).

e.

Sprzęt radiowy do namierzania kierunku działający na częstotliwościach powyżej 30 MHz i posiadający wszystkie następujące cechy, jak również specjalnie zaprojektowane podzespoły do tego sprzętu:

1. Chwilową szerokość pasma wynoszącą 10 MHz lub więcej; oraz

2. Zdolność określania namiaru na niewspółpracujące nadajniki radiowe emitujące sygnał o czasie trwania krótszym niż 1 ms.

f.

Sprzęt zakłócający zaprojektowany lub zmodyfikowany specjalnie na potrzeby celowego i selektywnego zakłócania, blokowania, utrudniania, pogarszania jakości lub wprowadzania w błąd systemów usług telefonii ruchomej, posiadający dowolne z następujących cech, jak również specjalnie zaprojektowane podzespoły do tego sprzętu: NB. Dla sprzętu zakłócającego usługi GNSS, patrz Wykaz uzbrojenia.

1. Zdolność symulowania funkcji sprzętu sieci dostępu radiowego (RAN); lub

2. Wykrywanie i wykorzystywanie cech szczególnych stosowanego protokołu telefonii ruchomej (np. GSM).

5A1Systemy, sprzęt i komponenty: Uwaga techniczna: a.

Sprzętu zaprojektowanego lub zmodyfikowanego do załogowych samolotów lub satelitów;

b.

Sprzętu naziemnego, zaprojektowanego lub zmodyfikowanego do zastosowań lądowych lub morskich;

c.

Sprzętu zaprojektowanego do celów usług GNSS (np. integralności danych, bezpieczeństwa lotów) o charakterze komercyjnym, cywilnym lub dla ratowania życia

5B1Urządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne

5B001a. Sprzęt i specjalnie zaprojektowane do niego elementy i akcesoria, specjalnie zaprojektowane do rozwoju, produkcji i użytkowania urządzeń, materiałów, funkcji lub właściwości ujętych w pozycjach 5A001, 5B001, 5D001 lub 5E001; Uwaga: Pozycja 5B001.a. nie obejmuje kontrolą sprzętu do cechowania światłowodów.

b.

Sprzęt i specjalnie zaprojektowane do niego elementy i akcesoria, specjalnie zaprojektowane do rozwoju, następujących urządzeń telekomunikacyjnych lub przełączających:

1. Uwaga techniczna:

Sprzęt, w którym zastosowano techniki cyfrowe, zaprojektowane do pracy z całkowitą cyfrową szybkością transferu przekraczającą 15 Gbit/s; Dla sprzętu przełączającego całkowita cyfrowa szybkość transferu jest mierzona dla największej szybkości portu lub linii.

2. Sprzęt wykorzystujący laser i posiadający następujące cechy:

2. a.

Długość fali nadawczej przekraczająca 1750 nm;

b.

Dający wzmocnienie optyczne;

c.

Wykorzystujący techniki koherentnego przekazu optycznego lub koherentnej detekcji optycznej (zwane także technikami heterodyny optycznej lub technikami homodynowymi); lub

d.

Stosujący techniki analogowe i posiadający szerokość pasma przekraczającą 2,5 GHz; Uwaga: Pozycja 5A001.b.2.d. nie obejmuje kontrolą sprzętu specjalnie zaprojektowanego do rozwoju systemów telewizji komercyjnej.

3. Sprzęt wykorzystujący komutację optyczną;

4. Sprzęt radiowy wykorzystujący technikę modulacji kwadraturowej (QAM), powyżej poziomu 128; lub

5. Sprzęt wykorzystujący wspólny kanał sygnalizowania, pracujący w trybie nie-skojarzonym;

5C1Materiały Żadne

5D1Oprogramowanie

5D101Oprogramowanie, specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do użytkowania sprzętu wyszczególnionego w pozycji 5A101.

5D001a. Oprogramowanie specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do rozwoju, produkcji lub użytkowania sprzętu, funkcji lub właściwości wyszczególnionych w pozycji 5A001 lub 5B001;

b.

Oprogramowanie specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do wspierania technologii wyszczególnionej w pozycji 5E001;

c.

Specyficzne oprogramowanie specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane w celu umożliwienia sprzętowi osiągnięcia cech charakterystycznych, funkcji lub właściwości, wyszczególnionych w pozycji 5A001 lub 5B001;

d.

Oprogramowanie, specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do rozwoju, następującego sprzętu telekomunikacyjnych oraz przełączającego:

1. Uwaga techniczna:

Sprzęt wykorzystujący techniki cyfrowe, zaprojektowane do pracy z całkowitą cyfrową szybkością transferu przekraczającą 15 Gbit/s; Dla sprzętu przełączającego całkowita cyfrowa szybkość transferu jest mierzona dla największej szybkości portu lub linii.

2. Sprzęt wykorzystujący laser i posiadający następujące cechy;

2. a.

Długość fali nadawczej przekraczająca 1750 nm; lub

b.

Stosujące techniki analogowe i posiadające szerokość pasma przekraczającą 2,5 GHz; Uwaga: Pozycja 5A001.d.2.b. nie obejmuje kontrolą oprogramowania specjalnie zaprojektowanego do rozwoju systemów telewizji komercyjnej.

3. Sprzęt wykorzystujący komutację optyczną;

4. Sprzęt radiowy wykorzystujący technikę modulacji kwadraturowej (QAM), powyżej poziomu 128;

5E1Technologia

5E101Technologia stosownie do uwagi ogólnej do technologii do rozwoju lub produkcji lub użytkowania sprzętu wyszczególnionego w pozycji 5A101.

5E001a. Technologia stosownie do uwagi ogólnej do technologii do rozwoju lub produkcji lub użytkowania (wyłączając obsługiwanie) sprzętu, funkcji, właściwości lub oprogramowania, wyszczególnionych w pozycji 5A001, 5B001 lub 5D001;

b.

Technologie specjalne, takie jak:

1. Technologieniezbędne do rozwoju lub produkcji sprzętu telekomunikacyjnego zaprojektowanego specjalnie do instalowania w satelitach;

2. Technologie do rozwoju lub użytkowanialaserowych technik komunikacyjnych z możliwością automatycznego wykrywania, ustalania pochodzenia i śledzenia sygnałów oraz utrzymywania komunikacji w egzoatmosferze lub w środowisku podpowierzchniowym (podwodnym);

3. Technologie do rozwoju komórkowych cyfrowych systemów radiowych, których możliwości odbiorcze pozwalają na multi-pasmowe, multi-kanałowe, multi-trybowe, multi-kodowe algorytmy lub multi-protokołowe użytkowanie, które może być modyfikowane poprzez zmiany w oprogramowaniu;

4. Technologie do rozwoju technik widma rozproszonego, łącznie z technikami rozrzucania częstotliwości.

c.

Technologia stosownie do uwagi ogólnej do technologii do rozwoju lub produkcji następującego sprzętu telekomunikacyjnego lub przełączającego, funkcji lub właściwości:

1. Uwaga techniczna:

Sprzęt wykorzystujący techniki cyfrowe, zaprojektowane do pracy z całkowitą cyfrową szybkością transferu przekraczającą 15 Gbit/s; Dla sprzętu przełączającego całkowita cyfrowa szybkość transferu jest mierzona dla największej szybkości portu lub linii.

2. Sprzęt wykorzystujący laser i posiadający następujące cechy:

2. a.

Długość fali nadawczej przekraczająca 1750 nm;

b.

Wytwarzający wzmocnienie optyczne z wykorzystaniem wzmacniaczy światłowodowych prazedymowych domieszkowanych fluorem (PDFFA);

c.

Wykorzystujący techniki koherentnego przekazu optycznego lub koherentnej detekcji optycznej (zwane także technikami heterodyny optycznej lub technikami homodynowymi);

d.

Wykorzystujący techniki zwielokrotniania poprzez rozdzielanie fal, przekraczające 8 nośnych optycznych w pojedynczym oknie optycznym; lub

e.

Stosujące techniki analogowe i posiadające szerokość pasma przekraczającą 2,5 GHz; Uwaga: Pozycja 5E001.c.2.e nie obejmuje kontrolą technologii specjalnie zaprojektowanej do rozwoju systemów telewizji komercyjnej.

3. Sprzęt wykorzystujący komutację optyczną;

4. Sprzęt radiowy posiadający następujące cechy:

4. a.

Wykorzystujący technikę modulacji kwadraturowej (QAM), powyżej poziomu 256; lub

b.

Pracujący z częstotliwościami, wejściową lub wyjściową, powyżej 31,8 GHz; Uwaga: Pozycja 5E001.c.4.b nie obejmuje kontrolą technologii do rozwoju lub produkcji sprzętu przeznaczonego lub zmodyfikowanego do pracy w pasmach przydzielonych przez ITU dla służb radiokomunikacyjnych, ale nie do namierzania radiowego.

5. Sprzęt wykorzystujący wspólny kanał sygnalizowania, pracujący w trybie nie-skojarzonym.

CZĘŚĆ 2 Uwaga 3: Uwaga techniczna: OCHRONA INFORMACJI Uwaga kryptograficzna

Uwaga 1: W niniejszej Kategorii określono poziom kontroli ochrony informacji sprzętu, oprogramowania, systemów, szczególnych aplikacji podzespołów elektronicznych, modułów, układów scalonych, komponentów, technologii lub funkcji, nawet, jeśli stanowią one elementy lub podzespoły elektroniczne wchodzące w skład innego sprzętu. Uwaga 2: Kategoria 5, Część 2 nie obejmuje kontrolą wyrobów, towarzyszących użytkownikowi dla jego osobistego użytku. Pozycje 5A002 i 5D002 nie obejmują kontrolą towarów, które spełniają wszystkie niżej wymienione warunki: W ramach Kategorii 5 – Część 2, bity parzystości nie są wliczane do długości klucza.

Uwaga 3: OCHRONA INFORMACJI Uwaga kryptograficzna

a.

Są ogólnie dostępne dla klientów poprzez ich sprzedaż bez ograniczeń z magazynów punktów sprzedaży detalicznej w jakikolwiek z wymienionych niżej sposobów:

1. Bezpośrednich transakcji przez ladę;

2. Transakcji na podstawie zamówień pocztowych;

3. Transakcji elektronicznych; lub

4. Transakcji przez telefon.

b.

Ich funkcjonalność kryptograficzna nie może być łatwo zmieniona przez użytkownika;

c.

Są przeznaczone do zainstalowania przez użytkownika bez dalszej, znaczącej pomocy ze strony dostawcy; oraz

d.

W przypadku zaistnienia konieczności, szczegóły techniczne tych towarów są dostępne i zostaną dostarczone, na żądanie właściwych organów państwa członkowskiego, w którym eksporter jest zarejestrowany, w celu potwierdzenia zgodności z warunkami określonymi w punktach od a. do c. powyżej.

Uwaga 3: Uwaga techniczna: OCHRONA INFORMACJI Uwaga kryptograficzna

5A2Systemy, sprzęt i komponenty 5A002a. Uwaga techniczna:

Systemy, sprzęt, specyficzne aplikacje podzespołów elektronicznych, moduły i układy scalone związane z ochroną informacji oraz inne specjalnie do nich zaprojektowane komponenty, w tym: NB.: Do sterowania urządzeniami systemów globalnej nawigacji satelitarnej zawierających lub wykorzystujących funkcje szyfrowania (np. GPS lub GLONASS) patrz pozycja 7A005. Kryptografia kwantowa bywa również określana jako kwantowa wymiana klucza (QKD). Uwaga: Pozycja 5A002 nie obejmuje kontrolą:

5A2Systemy, sprzęt i komponenty 5A002a.

1. Uwagi techniczne:

Przeznaczone albo zmodyfikowane w celu zastosowania kryptografii z wykorzystaniem technik cyfrowych realizujących jakiekolwiek funkcje kryptograficzne, inne niż uwierzytelnienie lub podpis cyfrowy, w których stosuje się jakikolwiek z poniższych elementów: Uwaga: Pozycja 5A002.a.1 obejmuje sprzęt przeznaczony lub zmodyfikowany w celu zastosowania mechanizmów kryptograficznych do przekazywania informacji z wykorzystaniem technik analogowych, gdy stosowane są wraz z technikami cyfrowymi.

1. Funkcje uwierzytelnienia i podpisu cyfrowego obejmują związane z nimi funkcje zarządzania kluczami.

2. Uwierzytelnienie obejmuje wszystkie aspekty kontroli dostępu, gdzie nie występuje szyfrowanie plików lub fragmentów tekstów, z wyjątkiem tych bezpośrednio związanych z ochroną haseł, Numerów Personalnej Identyfikacji (PIN) lub podobnych danych stosowanych do ochrony przed nieuprawnionym dostępem.

3. Mechanizmy kryptograficzne nie obejmują technik kompresji lub kodowania danych.

a.

Algorytm symetryczny wykorzystujący długość klucza przekraczającą 56 bitów; lub

b.

Algorytm asymetryczny, w którym bezpieczeństwo stosowania algorytmu bazuje na jednej z następujących właściwości:

1. Faktoryzacji liczb całkowitych powyżej 512 bitów (np. RSA);

2. Zliczaniu dyskretnych logarytmów w multiplikatywnej grupie pola o skończonej wielkości większej niż 512 bitów (np. Diffie-Helman z Z/pZ); lub

3. Dyskretnych logarytmach w grupie innej niż wspomniana w pozycji 5A002.a.1.b.2 większej niż 112 bitów (np. Diffie-Helman na krzywej eliptycznej);

2. Zaprojektowane lub zmodyfikowane dla realizacji funkcji kryptoanalitycznych;

3. Nie używany;

4. Specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do redukcji przypadkowego przekazywania sygnałów noszących informację poza tym, co jest niezbędne ze względów zdrowotnych, bezpieczeństwa pracy i ochrony przed zakłóceniami elektromagnetycznymi;

5. Zaprojektowane lub zmodyfikowane do wykorzystania technik kryptograficznych w celu generowania kodu rozpraszającego dla widma rozproszonego, poza określonymi w pozycji 5A002.a.6, wraz z kodem rozrzucającym dla systemów z rozrzucaniem częstotliwości;

6. Zaprojektowane lub zmodyfikowane do wykorzystania technik kryptograficznych w celu generowania kodów przydzielania kanałów, szyfrowania (scrambling) lub identyfikacji sieci w systemach stosujących modulację ultraszerokopasmową, mające dowolne z następujących cech:

6. a.

Szerokość pasma przekraczająca 500 MHz; lub

b.

Ułamkowa szerokość pasma wynosząca 20 % lub więcej;

7. Nie używany;

8. Systemy kabli telekomunikacyjnych zaprojektowane lub zmodyfikowane za pomocą elementów mechanicznych, elektrycznych lub elektronicznych w celu wykrywania włamań do sieci teleinformatycznych.

9. Zaprojektowane lub zmodyfikowane do wykorzystania kryptografii kwantowej.

5A2Systemy, sprzęt i komponenty 5A002a. Uwaga techniczna: a.

Personalizowanych kart elektronicznych: NB.: Jeżeli personalizowane karty elektroniczne są kartami wieloaplikacyjnymi, poziom kontroli każdej aplikacji oceniany jest indywidualnie;

1. Gdy wykorzystanie funkcji kryptograficznych ograniczone jest do urządzeń lub systemów wyłączonych z kontroli na podstawie punktów b do f niniejszej uwagi, lub

2. Dla ogólnych zastosowań użytku publicznego, gdzie wykorzystanie funkcji kryptograficznych nie jest dostępne dla przeciętnego użytkownika oraz istnieje specjalnie zaprojektowana i ograniczona ochrona zgromadzonych danych osobowych.

b.

Sprzętu odbiorczego dla stacji radiowych, płatnej telewizji lub podobnych systemów telewizyjnych typu konsumenckiego o ograniczonym zasięgu, niepodlegającego cyfrowemu szyfrowaniu, oraz w którym cyfrowe szyfrowanie jest wykorzystywane tylko do wysyłania rachunków lub informacji związanych z programem wysyłanym zwrotnie do dostawców usług;

c.

Sprzętu, w którym funkcje kryptograficzne nie są dostępne dla użytkownika i są specjalnie zaprojektowane do realizacji funkcji ograniczonych do dowolnych z wymienionych niżej:

1. Uruchamiania oprogramowania zabezpieczonego przed kopiowaniem;

2. Realizowania dostępu do dowolnego z poniższych typów danych:

2. a.

Zabezpieczonych przed kopiowaniem danych przechowywanych na nośniku wykorzystywanym tylko do odczytu; lub

b.

Informacji przechowywanych na nośniku w formie zaszyfrowanej (np. w związku z ochroną praw własności intelektualnej), gdy nośnik oferowany jest do sprzedaży publicznej w identycznych zestawach;

3. Kontroli kopiowania danych audio/video chronionych prawem autorskim; lub

4. Szyfrowania lub odszyfrowywania do celów ochrony bibliotek, atrybutów projektów lub powiązanych danych dla potrzeb projektowania urządzeń półprzewodnikowych lub układów scalonych;

d. Uwaga techniczna:

Sprzętu kryptograficznego specjalnie zaprojektowanego i ograniczonego do zastosowań bankowych lub’ transakcji pieniężnych’; Transakcje pieniężne w ramach uwagi d do pozycji 5A002 obejmują zbieranie i ustalanie opłat lub funkcji kredytowych.

e.

Przewoźnych lub przenośnych radiotelefonów do zastosowań cywilnych, (np. do zastosowania w cywilnych systemach radiokomunikacji komórkowej), w których nie ma możliwości szyfrowania przez końcowych abonentów (typu end-to-end);

f.

Sprzętu telefonii bezprzewodowej niezdolnego do szyfrowania typu end-to-end, w którym, zgodnie z danymi producenta, maksymalny skuteczny zasięg działania bezprzewodowego bez dodatkowego wzmocnienia (tj. pojedyncza, bez pośrednictwa przekaźnika, odległość między terminalem a domową stacją bazową) wynosi mniej niż 400 m.

5B2Urządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne

5B002a. Sprzęt specjalnie zaprojektowany do:

5B002a.

1. Rozwoju sprzętu lub funkcji wyszczególniony w pozycji 5A002, 5B002, 5D002 lub 5E002, łącznie ze sprzętem pomiarowym lub testującym;

2. Produkcji sprzętu lub funkcji wyszczególniony w pozycji 5A002, 5B002, 5D002 lub 5E002, łącznie ze sprzętem pomiarowym, testującym, naprawczym lub produkcyjnym;

b.

Sprzęt pomiarowy specjalnie zaprojektowany do oceny i analizy funkcji ochrony informacji wyszczególniony w pozycji 5A002 lub 5D002.

5C2Materiały Żadne

5D2Oprogramowanie

Uwaga: Pozycja 5D002 nie obejmuje kontrolą:

5D002a. Oprogramowanie specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do rozwoju, produkcji lub użytkowania sprzętu lub oprogramowania wyszczególnionego w pozycji 5A002, 5B002 lub 5D002;

b.

Oprogramowanie specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do wspierania technologii wyszczególnionej w pozycji 5E002;

c.

Specyficzne oprogramowanie, takie jak:

1. Oprogramowanie posiadające właściwości albo realizujące lub symulujące funkcje sprzętu wyszczególnionego w pozycji 5A002 lub 5B002;

2. Oprogramowanie do prowadzenia procesu certyfikacji oprogramowania wyszczególnionego w pozycji 5D002.c.1;

a.

Oprogramowania niezbędnego do użytkowania sprzętu wykluczonego spod kontroli uwagą do pozycji 5A002;

b.

Oprogramowania umożliwiającego realizację dowolnej funkcji sprzętu wykluczonego spod kontroli uwagą do pozycji 5A002.

5E2Technologia

5E002Technologia stosownie do uwagi ogólnej do technologii do rozwoju lub produkcji lub użytkowania sprzętu lub oprogramowania, wyszczególnionego w pozycji 5A002, 5B002 lub 5D002.

KATEGORIA 6 CZUJNIKI I LASERY

6ASystemy, urządzenia i części a.

1. a.

sond do pomiaru głębokości pracujących w pionie pod aparaturą, niemających możliwości przeszukiwania w zakresie powyżej ± 20°, których działanie jest ograniczone do pomiaru głębokości wody, odległości do zanurzonych lub zatopionych obiektów albo do wykrywania ławic ryb;

b.

następujących pław lub staw akustycznych:

1. akustycznych pław lub staw ostrzegawczych;

2. sonarów impulsowych specjalnie przeznaczonych do przemieszczenia się lub powrotu do położenia podwodnego.

a.

Systemy o szerokim zakresie przeszukiwania przeznaczone do badań batymetrycznych w celu sporządzania map topograficznych dna morskiego, mające wszystkie poniższe cechy charakterystyczne:

1. Przeznaczenie do dokonywania pomiarów pod kątem większym od 20° w stosunku do pionu;

2. Przeznaczenie do pomiarów głębokości większych niż 600 m, licząc od powierzchni wody; oraz

3. Przeznaczenie do realizacji jednej z poniższych funkcji:

3. a.

Wprowadzanie wielu wiązek, z których co najmniej jedna ma rozwartość kątową poniżej 1,9°; lub

b.

Uzyskiwanie przeciętnej dokładności pomiarów głębokości wody na przeszukiwanym obszarze w odniesieniu do poszczególnych pomiarów lepszej niż 0,3 %;

Kolejne przepisy (1005) nie są tu pokazane; każdy ma własny adres.

Wersje

1. 2006-02-27