Endereço https://gelex.eu/eli/EU/act/2006/394@2006-02-27/pt

Índice

1. Preâmbulo
2. 1. Artigo 1.o
   2. Artigo 2.o
3. ANNEX
4. ANEXO
5. ANEXO I LISTA DE PRODUTOS E TECNOLOGIAS DE DUPLA UTILIZAÇÃO [referida no artigo 3.o do Regulamento (CE) n.o 1334/2000]
6. NOTAS GERAIS AO ANEXO I 1.2.3.
7. NOTA SOBRE TECNOLOGIA NUCLEAR (NTN) (Ler em conjugação com a Secção E da Categoria 0.)
8. NOTA GERAL SOBRE TECNOLOGIA (NGT) (Ler em conjugação com a Secção E das Categorias 1 a 9)
9. NOTA GERAL SOBRE O SUPORTE LÓGICO (NGS) (A presente nota revoga todo e qualquer controlo no âmbito da Secção D das categorias 0 a 9)
10. 1. a.
11. DEFINIÇÕES DOS TERMOS UTILIZADOS NO PRESENTE ANEXO
12. pt_18 a.
13. pt_19 a.
14. pt_30 a.
15. pt_31 a.
16. pt_68 a.
17. pt_82 a.
18. pt_101 a)
19. pt_132 a.
20. pt_137 a.
21. pt_142 a.
22. pt_146 a.
23. pt_161 a.
24. pt_174 a.
25. pt_176 a.
26. ACRÓNIMOS E ABREVIATURAS UTILIZADOS NESTE ANEXO
27. CATEGORIA 0 MATERIAIS, INSTALAÇÕES E EQUIPAMENTOS NUCLEARES
28. 0AEquipamentos, conjuntos e componentes
29. 0BEquipamento de Ensaio, Inspecção e Produção
30. a.
31. b.
32. c.
33. 13. a.
34. 7. a.
35. 5. a.
36. 6. a.
37. 0CMateriais a.
38. 0DSuporte lógico
39. CATEGORIA 1 MATERIAIS, PRODUTOS QUÍMICOS, MICRORGANISMOS E TOXINAS
40. 1AEquipamentos, conjuntos e componentes Nota técnica:
41. 1AEquipamentos, conjuntos e componentes a.
42. 1. a.
43. 1BEquipamentos de ensaio, de inspecção e de produção
44. 1CMateriais Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota Técnica: Nota técnica Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.
45. 1CMateriais Nota técnica: a.
46. a.
47. b.
48. c.
49. 1. Nota técnica:
50. 1. a.
51. d.
52. 1CMateriais Nota técnica: Notas técnicas:
53. 1. a.
54. 2. a.
55. 3. a.
56. 4. a.
57. 5. a.
58. 1. Nota técnica:
59. 2. Nota técnica:
60. 1CMateriais Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: a.
61. 1. a.
62. 2. a.
63. 1CMateriais Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: a.
64. 1. a.
65. 2. a.
66. a.
67. b.
68. 1CMateriais Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota Técnica: a.
69. a.
70. b.
71. 1CMateriais Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota Técnica: Nota técnica a.
72. 1. Nota Técnica:
73. 2. Nota Técnica:
74. 2. a.
75. 3. a.
76. 6. a.
77. 1CMateriais Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota Técnica: Nota técnica Nota técnica: a.
78. 1CMateriais Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota Técnica: Nota técnica Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.
79. 1CMateriais Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota Técnica: Nota técnica Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.
80. 1CMateriais Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota Técnica: Nota técnica Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica:
81. 2. a.
82. 5. a.
83. 1DSuportes lógicos
84. 1ETecnologia a.
85. 1. a.
86. 3. a.
87. CATEGORIA 2 TRATAMENTO DE MATERIAIS
88. 2AEquipamentos, conjuntos e componentes Nota técnica:
89. 2AEquipamentos, conjuntos e componentes a.
90. 2. a.
91. 2BEquipamentos de ensaio, de inspecção e de produção Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota Técnica: Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica:
92. 2BEquipamentos de ensaio, de inspecção e de produção Notas técnicas:
93. 2. a.
94. 5. a.
95. 1. a.
96. 4. a.
97. 2BEquipamentos de ensaio, de inspecção e de produção Notas técnicas: Nota técnica: a.
98. 2BEquipamentos de ensaio, de inspecção e de produção Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: a.
99. 1. a.
100. 2. a.
101. 1. Nota técnica:
102. 2. a.
103. 2BEquipamentos de ensaio, de inspecção e de produção Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.
104. 2BEquipamentos de ensaio, de inspecção e de produção Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.
105. 2BEquipamentos de ensaio, de inspecção e de produção Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota Técnica: a.
106. 1. a.
107. 2. a.
108. a.
109. b.
110. c.
111. d.
112. 2BEquipamentos de ensaio, de inspecção e de produção Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota Técnica: Nota técnica: a.
113. 2BEquipamentos de ensaio, de inspecção e de produção Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota Técnica: Nota técnica: Notas técnicas:
114. 2BEquipamentos de ensaio, de inspecção e de produção Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota Técnica: Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: a.
115. 2BEquipamentos de ensaio, de inspecção e de produção Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota Técnica: Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: a.
116. 2BEquipamentos de ensaio, de inspecção e de produção Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota Técnica: Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas:
117. 1. a.
118. 2DSuporte lógico
119. 2ETecnologia a.
120. 1. a.
121. 2. a.
122. Quadro 1.2.3.A.B.B.1.B.2.B.3.B.4.C.D.E.F.G. Quadro — Técnicas de deposição — Notas Técnicas de deposição
123. 5. a.
124. a.
125. b.
126. c.
127. d.
128. e.
129. f.
130. g.
131. CATEGORIA 3 ELECTRÓNICA
132. 3ASistemas, equipamentos e componentes Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica:
133. 3ASistemas, equipamentos e componentes a.
134. 1. a.
135. 2. a.
136. 5. Notas Técnicas:
137. 5. a.
138. 6. a.
139. 7. a.
140. 10. a.
141. 11. a.
142. 12. Nota técnica:
143. 4. a.
144. 3. a.
145. 4. Nota técnica:
146. 4. a.
147. 8. a.
148. 5. Nota Técnica:
149. 3ASistemas, equipamentos e componentes Nota técnica: a.
150. 3ASistemas, equipamentos e componentes Nota técnica: Nota técnica: a.
151. 3BEquipamentos de ensaio, de inspecção e de produção
152. 1. a.
153. 2. a.
154. 3CMateriais a.
155. 3DSuporte lógico Nota técnica:
156. 3DSuporte lógico a.
157. 3ETecnologia Nota Técnica:
158. 3ETecnologia
159. CATEGORIA 4 COMPUTADORES
160. 4ASistemas, equipamentos e componentes
161. 4BEquipamentos de ensaio, de inspecção e de produção
162. 4DSuporte lógico
163. 4ETecnologia
164. Nota técnica sobre o Desempenho teórico composto (DTC) Abreviaturas utilizadas nesta Nota Técnica
165. NOTA TÉCNICA SOBRE O DTC
166. NOTA TÉCNICA SOBRE O PICO DE DESEMPENHO AJUSTADO (PDA)
167. CATEGORIA 5 TELECOMUNICAÇÕES E SEGURANÇA DA INFORMAÇÃO
168. PARTE 1 TELECOMUNICAÇÕES
169. 5A1Sistemas, equipamentos e componentes Nota técnica:
170. 5A1Sistemas, equipamentos e componentes
171. 5A001a.
172. 1. a.
173. 2. a.
174. 3. a.
175. 4. a.
176. 5. a.
177. 6. Notas técnicas:
178. 1. Nota técnica:
179. 5B1Equipamentos de ensaio, de inspecção e de produção
180. 1. Nota técnica:
181. 2. a.
182. 5D1Suporte lógico
183. 1. Nota técnica:
184. 2. a.
185. 5E1Tecnologia
186. 1. Nota técnica:
187. 2. a.
188. 4. a.
189. PARTE 2 Nota 3: Nota técnica: SEGURANÇA DA INFORMAÇÃO Nota sobre criptografia
190. a.
191. b.
192. c.
193. d.
194. 5A2Sistemas, equipamentos e componentes 5A002a. Nota técnica:
195. 5A2Sistemas, equipamentos e componentes 5A002a.
196. 1. Notas técnicas:
197. 6. a.
198. 2. a.
199. 5B2Equipamentos de ensaio, de inspecção e de produção
200. 5B002a.
201. 5D2Suporte lógico
202. 5E2Tecnologia
203. CATEGORIA 6 SENSORES E LASERS
204. 6ASistemas, equipamentos e componentes a.
205. 1. a.
206. 3. a.

O CONSELHO DA UNIÃO EUROPEIA,

Tendo em conta o Tratado que institui a Comunidade Europeia, nomeadamente o artigo 133.o,

Tendo em conta a proposta da Comissão,

Considerando o seguinte:

(1) O Regulamento (CE) n.o 1334/2000 estabelece que os produtos de dupla utilização (incluindo os suportes lógicos e as tecnologias) devem ser sujeitos a um controlo eficaz aquando da sua exportação da Comunidade.

(2) A fim de que os Estados-Membros e a Comunidade possam respeitar os seus compromissos internacionais, o anexo I do Regulamento mencionado supra estabelece a lista comum dos produtos e tecnologias de dupla utilização referidos no artigo 3.o desse mesmo regulamento, que aplica os controlos aprovados a nível internacional em matéria de bens de dupla utilização, designadamente no âmbito do Acordo de Wassenaar (AW), do regime de controlo da tecnologia dos mísseis (MTCR), do grupo de fornecedores nucleares (NSG), do grupo da Austrália e da Convenção sobre armas químicas (CWC).

(3) O artigo 11.o daquele mesmo regulamento prevê que os respectivos anexos I e IV sejam actualizados em conformidade com as obrigações e compromissos pertinentes, e com qualquer alteração dos mesmos, que tenham sido aceites por cada Estado-Membro no âmbito de regimes internacionais de não proliferação e de acordos internacionais em matéria de controlo das exportações, ou através da ratificação de tratados internacionais pertinentes.

(4) Os anexos I e IV do mesmo regulamento devem ser alterados a fim de ter em conta as alterações adoptadas no âmbito do Acordo de Wassenaar, do Grupo da Austrália, do Regime de Controlo da Tecnologia dos Mísseis e do NSG na sequência das alterações introduzidas pelo Regulamento (CE) n.o 1504/2004.

(5) A fim de facilitar a consulta por parte dos operadores e das autoridades responsáveis pelo controlo das exportações, importa publicar uma versão actualizada e consolidada dos anexos do mesmo regulamento.

(6) O Regulamento (CE) n.o 1334/2000 deve ser alterado em conformidade,

APROVOU O PRESENTE REGULAMENTO:

Artigo 1.o

Os anexos do Regulamento (CE) n.o 1334/2000 são substituídos pelo anexo do presente regulamento.

Artigo 2.o

O presente regulamento entra em vigor no trigésimo dia seguinte ao da sua publicação no Jornal Oficial da União Europeia.

O presente regulamento é obrigatório em todos os seus elementos e directamente aplicável em todos os Estados-Membros. Feito em Bruxelas, em 27 de Fevereiro de 2006. Pelo Conselho A Presidente U. Plassnik

ANNEX

ANEXO

ANEXO I LISTA DE PRODUTOS E TECNOLOGIAS DE DUPLA UTILIZAÇÃO [referida no artigo 3.o do Regulamento (CE) n.o 1334/2000]

NOTAS GERAIS AO ANEXO I 1.2.3.

Para o controlo dos bens concebidos ou modificados para uso militar, consultar a(s) lista(s) correspondentes de controlo de bens para uso militar mantida(s) por cada um dos Estados-Membros. As referências VER TAMBÉM A LISTA DE MATERIAL DE GUERRA contidas no presente anexo remetem para essas listas. O objectivo dos controlos contidos no presente anexo não deve ser contrariado pela exportação de bens não controlados (incluindo instalações) que contenham um ou mais componentes sujeitos a controlo, quando o ou os componentes sujeitos a controlo forem o elemento principal desses bens e puderem ser removidos ou utilizados para outros fins. N.B.: Para avaliar se o(s) componente(s) controlados deve(m) ou não ser considerado(s) o elemento principal, é necessário ponderar os factores quantidade, valor e know-how técnico em jogo, bem como outras circunstâncias especiais que possam justificar a classificação do(s) componente(s) controlado(s) como elemento principal do artigo em questão. Os bens especificados no presente anexo incluem tanto os produtos novos como os usados.

NOTA SOBRE TECNOLOGIA NUCLEAR (NTN) (Ler em conjugação com a Secção E da Categoria 0.)

A tecnologia directamente associada a qualquer dos bens incluídos na Categoria 0 será alvo de controlo em conformidade com o disposto para a Categoria 0. A tecnologia para o desenvolvimento, produção ou utilização de bens sujeitos a controlo mantém-se sujeita a controlo mesmo quando aplicável a bens não controlados. A aprovação de bens para exportação autoriza também a exportação para o mesmo utilizador final da tecnologia mínima necessária para a instalação, exploração, manutenção e reparação desses bens. O controlo da transferência de tecnologia não se aplica às informações do domínio público nem à investigação científica de base.

NOTA GERAL SOBRE TECNOLOGIA (NGT) (Ler em conjugação com a Secção E das Categorias 1 a 9)

A exportação da tecnologianecessária para o desenvolvimento, produção ou utilização de bens incluídos nas Categorias 1 a 9 é controlada de acordo com o disposto para as Categorias 1 a 9. A tecnologianecessária para o desenvolvimento, produção ou utilização de bens sujeitos a controlo mantém-se sujeita a controlo mesmo quando aplicável a bens não controlados. Os controlos não se aplicam à tecnologia mínima necessária para a instalação, exploração, manutenção (verificação) e reparação de bens não controlados ou cuja exportação tenha sido autorizada. N.B.: Isto não isenta a tecnologia especificada em 1E002.e., 1E002.f., 8E002.a. e 8E002.b. O controlo da transferência de tecnologia não se aplica às informações do domínio público, à investigação científica de base, nem à informação mínima necessária a fornecer nos pedidos de patente.

NOTA GERAL SOBRE O SUPORTE LÓGICO (NGS) (A presente nota revoga todo e qualquer controlo no âmbito da Secção D das categorias 0 a 9)

As Categorias 0 a 9 da presente lista não abrangem o suporte lógico que:

a.

Esteja geralmente à disposição do público em virtude de ser: N.B. O ponto a. da Nota Geral sobre o Suporte Lógico não isenta o suporte lógico especificado na Categoria 5 — Parte 2 (Segurança da informação).

1. Vendido directamente, sem restrições, em postos de venda a retalho, mediante:

1. a.

Venda directa;

b.

Venda por correspondência;

c.

Venda por via electrónica;

d.

Encomenda por telefone; e

2. Concebido para ser instalado pelo utilizador sem necessidade de assistência técnica importante por parte do fornecedor; ou

b.

Seja do domínio público.

DEFINIÇÕES DOS TERMOS UTILIZADOS NO PRESENTE ANEXO

As definições dos termos entre aspas simples são dadas em Notas Técnicas nos pontos a que se referem. As definições dos termos entre aspas duplas são as que a seguir se apresentam. N.B.: As referências às categorias são dadas entre parênteses após o termo definido.

Adaptado para fins militares (1) — Diz-se de tudo o que tenha sofrido uma modificação ou selecção (como alteração da pureza, do tempo de conservação, da virulência, das características de disseminação ou da resistência às radiações UV) destinada a aumentar a sua capacidade para causar vítimas humanas ou animais, degradar equipamento, destruir colheitas ou danificar o ambiente.

Aeronave (1 7 9) — Veículo aéreo de asa fixa, de asa de geometria variável ou de asa rotativa (helicóptero), de rotor basculante ou de asas basculantes. N.B.: Ver também aeronave civil.

Aeronave civil (1 7 9) — As aeronaves mencionadas pela sua designação própria nas listas de certificados de navegabilidade publicadas pelas autoridades de aviação civil, para operar em rotas comerciais civis, domésticas e internacionais, ou destinadas a utilização legal civil, privada ou de negócios. N.B.: Ver também aeronave.

Agilidade de frequência de radar (6) — Técnica por meio da qual a frequência portadora de um emissor de radar pulsante é modificada segundo uma sequência pseudo-aleatória, entre impulsos ou grupos de impulsos, sendo o valor da modificação superior ou igual à largura de banda pulsante.

Agregados de antenas com relação de fase orientáveis electronicamente (5 6) — Antenas que formam um feixe mediante um acoplamento de fase, isto é, a direcção do feixe é controlada pelos coeficientes de excitação complexos dos elementos radiantes e pode ser modificada em azimute, em elevação, ou ambos, por meio de um sinal eléctrico, tanto na emissão como na recepção.

Algoritmo assimétrico (5) — Algoritmo criptográfico que utiliza códigos de tipo matemático diferentes para a cifragem e a decifragem. N.B.: Uma utilização comum de algoritmos assimétricos é a gestão de códigos.

Algoritmo simétrico (5) — Algoritmo criptográfico que utiliza códigos idênticos para a cifragem e a decifragem. N.B.: Uma utilização comum de algoritmos simétricos é a confidencialidade dos dados

Amplificação óptica (5) — Técnica de amplificação que, nas comunicações ópticas, introduz um ganho nos sinais ópticos que tenham sido gerados por uma fonte óptica distinta, sem conversão em sinais eléctricos, isto é, utilizando amplificadores ópticos à base de semi-condutores, ou amplificadores luminescentes de fibras ópticas.

Analisadores de sinais (3) — Aparelhos capazes de medir e visualizar as propriedades fundamentais dos componentes de frequência única de sinais multifrequência.

Analisadores de sinal dinâmicos (3) — Analisadores de sinal que utilizam técnicas digitais de amostragem e de transformação para visualizar o espectro de Fourier da forma de onda dada, incluindo as informações relativas à amplitude e à fase. N.B.: Ver também analisadores de sinais

Atomização centrífuga (1) — Processo destinado a reduzir um fluxo ou um banho de metal fundido em gotículas de diâmetro igual ou inferior a 500 micrómetros, por acção de força centrífuga.

Atomização por gás (1) — Processo destinado a transformar o vazamento de uma liga metálica fundida em gotículas de diâmetro igual ou inferior a 500 micrómetros, por meio de uma corrente gasosa a alta pressão.

Atomização sob vácuo (1) — Processo de redução de um fluxo de metal fundido a gotículas de diâmetro igual ou inferior a 500 micrómetros, pela evolução rápida de um gás dissolvido após exposição ao vácuo.

Atribuída pela UIT (3 5) — Atribuição de bandas de frequência de acordo com a actual versão do Regulamento das Radiocomunicações da UIT para serviços primários, autorizados e secundários. N.B.: Não se incluem as atribuições adicionais e alternativas.

Banda (1) — Material constituído por monofilamentos, cordões, mechas, cabos de fibras, fios, etc. entrelaçados ou unidireccionais, normalmente pré-impregnados de resina. N.B.Cordão é um feixe de monofilamentos (normalmente mais de 200) dispostos de forma mais ou menos paralela.

Cabo de fibras (1) — Feixe de monofilamentos, em geral aproximadamente paralelos.

Cartão personalizado inteligente (5) — Cartão inteligente que contém um microcircuito que foi programado para uma aplicação específica e que não pode ser reprogramado pelo utilizador para nenhuma outra aplicação.

Circuito integrado híbrido (3) — Combinação de circuitos integrados, ou circuito integrado que possui elementos de circuito ou componentes discretos ligados entre si para executar uma ou mais funções específicas, e que reúne todas as seguintes características N.B.1:Elemento de circuito é um elemento funcional activo ou passivo único num circuito electrónico, como um díodo, um transístor, uma resistência, um condensador, etc. N.B.2:Componente discreto é um elemento de circuito, encapsulado em separado e que possui ligações exteriores próprias.

pt_18 a.

Integra, pelo menos, um dispositivo não encapsulado;

b.

A ligação dos diferentes elementos entre si é feita por métodos típicos de produção de circuitos integrados;

c.

É substituível como uma só entidade; e

d.

Normalmente, não pode ser desmontado.

Circuito integrado óptico (3) — Circuito integrado monolítico ou circuito integrado híbrido que integra um ou mais elementos concebidos para funcionar como detectores ou emissores ópticos ou para realizar uma ou mais funções ópticas ou electro-ópticas. Circuitos integrados monolíticos (3) — Combinações de vários elementos de circuito passivos ou activos, ou de ambos, que: N.B.Elemento de circuito é um elemento funcional activo ou passivo único num circuito electrónico, como um díodo, um transístor, uma resistência, um condensador, etc.

pt_19 a.

Sejam fabricados por processos de difusão, de implantação ou de depósito, dentro de ou sobre um elemento semicondutor único isto é, uma pastilha (chip);

b.

Se considerem associados de forma indivisível; e

c.

Realizem a(s) função(ões) de um circuito.

Circuitos integrados multipastilhas (3) — Circuitos que contêm, pelo menos, dois circuitos integrados monolíticos fixados num substrato comum.

Circuitos integrados do tipo película (3) — Conjuntos de elementos de circuito e de interligações metálicas formados por depósito de uma película fina ou espessa sobre um substrato isolante. N.B.Elemento de circuito é um elemento funcional activo ou passivo único num circuito electrónico, como um díodo, um transistor, uma resistência, um condensador, etc.

Círculo de probabilidade igual (7) — Medida de precisão, que representa o raio do círculo centrado no alvo, a uma distância específica, no qual têm impacto 50 % das cargas úteis.

Cobertura efectiva do radar (6) — Alcance especificado de visualização não ambígua de um radar.

Código-fonte (ou linguagem-fonte) (4 6 7 9) — É uma expressão adequada de um ou mais processos que pode ser transformada por um sistema de programação numa outra forma, executável pelo equipamento [Código-objecto (ou linguagem-objecto)].

Código-objecto (9) — Forma de expressão adequada de um ou mais processos, executável pelo equipamento, que foi transformada pelo sistema de programação a partir de uma outra forma [código-fonte (ou linguagem-fonte)].

Comando digital de motor com controlo total (FADEC) (7 9) — Sistema de controlo electrónico para turbinas a gás ou motores de ciclo combinado que utiliza um computador digital para controlar as variáveis necessárias para regular o impulso do motor ou a potência à saída do veio em toda a gama de funcionamento do motor desde o início da contagem do combustível até ao corte do mesmo.

Cominuição (1) — Processo de redução de um material a partículas, por trituração ou moagem.

Compósito (1 2 6 8 9) — Conjunto de uma matriz e de uma ou mais fases constituintes na forma de partículas, cristais capilares, fibras ou combinações destas fases, cuja presença está ligada a um ou mais fins específicos.

Compressão de impulsos (6) — Codificação e processamento de um impulso de sinal de radar de longa duração, num impulso de curta duração, mantendo as vantagens de uma energia pulsante elevada.

Computador digital (4 5) — Equipamento que pode, sob a forma de uma ou mais variáveis discretas: N.B.: As modificações de uma sequência de instruções armazenadas incluem a substituição de dispositivos fixos de memória, mas não a substituição da cablagem ou das interligações.

pt_30 a.

Aceitar dados;

b.

Armazenar dados ou instruções em dispositivos fixos ou modificáveis (por gravação);

c.

Processar dados por meio de uma sequência de instruções armazenadas e modificáveis; e

d.

Assegurar a saída de dados.

Computador híbrido (4) — Equipamento capaz de:

pt_31 a.

Aceitar dados;

b.

Processar dados analógicos ou digitais; e

c.

Assegurar a saída de dados.

Computador neuronal (4) — Dispositivo de cálculo concebido ou modificado para imitar o comportamento de um neurónio ou conjunto de neurónios, isto é, dispositivo de cálculo que se distingue pela sua capacidade de modular os pesos e números das interligações de uma série de componentes de cálculo, com base em dados anteriores.

Computador óptico (4) — Computador concebido ou modificado para utilizar a luz para representar os dados, e cujos elementos lógicos de cálculo se baseiam em dispositivos ópticos ligados directamente.

Computador sistólico matricial (4) — Computador onde o fluxo e a alteração dos dados são dinamicamente controlados pelo utilizador ao nível da porta lógica.

Comutação óptica (5) — Encaminhamento ou comutação de sinais ópticos sem conversão em sinais eléctricos.

Conjunto electrónico (2 3 4 5) — Grupo de componentes electrónicos (elementos de circuito, componentes discretos, circuitos integrados, etc.), ligados entre si para desempenhar uma ou mais funções específicas, substituíveis conjuntamente e normalmente desmontáveis. N.B.1:Elemento de circuito é um elemento funcional activo ou passivo único num circuito electrónico, como um díodo, um transistor, uma resistência, um condensador, etc. N.B.2:Componente discreto é um elemento de circuito encapsulado em separado e que possui as suas próprias ligações exteriores.

Conjunto de orientação (7) — Sistemas que integram o processo de medição e cálculo da posição e velocidade de um veículo (ou seja, navegação) com o processo de cálculo e envio de ordens de comando para os sistemas de controlo de voo do veículo, de forma a corrigir a trajectória.

Constante de tempo (6) — Tempo que decorre entre a aplicação de um estímulo luminoso e o momento em que o aumento de corrente atinge o valor de 1 – 1/e vezes o valor final (isto é, 63 % desse valor).

Controlador de acesso à rede (4) — Interface física para uma rede de comutação distribuída. Utiliza um suporte comum que funciona em permanência com o mesmo débito de transferência digital e que utiliza a arbitragem (por exemplo, detecção de testemunho e de portadora) para a transmissão. Independentemente de outros dispositivos, selecciona os pacotes de dados ou os grupos de dados (por exemplo, IEEE 802) que lhe são dirigidos. É um conjunto que pode ser integrado em equipamentos informáticos ou de telecomunicações para assegurar o acesso às comunicações.

Controlador de canal de comunicações (4) — Interface física que controla o fluxo de informação digital síncrona ou assíncrona. Trata-se de um conjunto que pode ser integrado num equipamento informático ou de telecomunicações para assegurar o acesso às comunicações.

Controlo de contorno (2) — Dois ou mais movimentos sujeitos a controlo numérico, executados segundo instruções que designam a posição requerida seguinte e as velocidades de avanço necessárias para essa posição. Estas velocidades variam umas em relação às outras de forma a produzir o contorno pretendido (Referência ISO/DIS 2806-1980).

Controlo numérico (2) — Comando automático de um processo, realizado por um dispositivo que interpreta dados numéricos, introduzidos à medida que a operação se processa (Ref. ISO 2382).

Controlo primário de voo (7) — Controlo de estabilidade ou de manobra de uma aeronave que utiliza geradores de força/momento, ou seja, superfícies de controlo aerodinâmico ou a vectorização do impulso propulsor.

Controlo total de voo (7) — Controlo automático das variáveis de estado da aeronave e da trajectória de voo para cumprir objectivos de missão em resposta a alterações em tempo real dos dados relativos a objectivos, riscos ou outras aeronaves.

Criptografia (5) — Disciplina que engloba os princípios, meios e métodos de transformação de dados, com o fim de dissimular o seu conteúdo de informação, impedir a sua modificação não detectada ou impedir a sua utilização não autorizada. A criptografia limita-se à transformação da informação utilizando um ou mais parâmetros secretos (por exemplo, variáveis criptográficas) ou a gestão de códigos associada. N.B.:Parâmetro secreto é uma constante ou código desconhecido de outras pessoas ou partilhado unicamente no seio de um grupo.

Criptografia quântica (5) — Família de técnicas de criação de uma chave partilhada para a criptografia através da medição das propriedades quântico-mecânicas de um sistema físico (incluindo as propriedades físicas explicitamente regidas pela óptica quântica, a teoria quântica do campo e a electrodinâmica quântica).

Culturas vivas isoladas (1) incluem culturas vivas na forma dormente e em preparações secas.

Débito de transferência digital — Velocidade total da informação transferida directamente em qualquer tipo de suporte. N.B.: Ver também débito total de transferência digital.

Débito total de transferência digital (5) — Número de bits, incluindo os de codificação em linha, os suplementares, etc., que passam por unidade de tempo, entre equipamentos correspondentes num sistema de transmissão digital. N.B. Ver também débito de transferência digital.

Densidade equivalente (6) — Massa de uma óptica por unidade de superfície óptica projectada numa superfície óptica.

Densidade total de corrente (3) — Número total de amperes-espira da bobina (isto é, o número de espiras multiplicado pela corrente máxima transportada por cada espira), dividido pela secção transversal total da bobina (incluindo os filamentos supercondutores, a matriz metálica onde estes são incorporados, o material de encapsulagem, os canais de refrigeração, etc.).

Densificação isostática a quente (2) — Processo em que, recorrendo a diversos meios (gases, líquidos, partículas sólidas, etc.), se pressuriza uma peça fundida a uma temperatura superior a 375 K (102 °C) num espaço fechado, produzindo-se uma força de igual intensidade em todas as direcções, a fim de reduzir ou eliminar os chochos dessa peça fundida.

Desalinhamento (2) — Deslocamento axial do fuso principal numa rotação, medido num plano perpendicular ao prato porta-ferro do fuso, num ponto junto da periferia do prato (Referência: ISO 230/1 1986, ponto 5.63).

Desempenho teórico composto (DTC) (3 4) — Medida da velocidade de cálculo expressa em milhões de operações teóricas por segundo (Motps) calculada utilizando a agregação dos elementos de computação (EC). N.B.: Ver categoria 4, Nota técnica.

Desenvolvimento (NGT NTN todos) — Operação ligada a todas as fases que precedem a produção em série, como: concepção (projecto), investigação de concepção, análises de concepção, conceitos de concepção, montagem e ensaio de protótipos, planos de produção-piloto, dados de concepção, processo de transformação dos dados de concepção num produto, concepção de configuração, concepção de integração e planos.

Desvio angular de posição (2) — Diferença máxima entre a posição angular e a posição angular real medida com grande precisão depois de o porta-peças ter sido deslocado da sua posição inicial (Referência VDI/VDE 2617, projecto: Mesas rotativas de máquinas de medição por coordenadas).

Do domínio público (NGT NTN NGS) — Designa a tecnologia ou o suporte lógico que foram divulgados e sem qualquer restrição quanto à sua utilização posterior. (As restrições resultantes do direito de propriedade intelectual não impedem que a tecnologia ou o suporte lógico sejam considerados do domínio público.)

DTC — Sigla equivalente a desempenho teórico composto.

Duração de impulso (6) — Duração de um impulso laser, medida ao nível da Largura Total a Meia Intensidade (FWHI).

EC — Sigla equivalente a elemento de computação.

Elemento de computação (EC) (4) — A mais pequena unidade de cálculo que produz um resultado aritmético ou lógico.

Elemento principal (4) — Na acepção de categoria 4, é um elemento cujo valor de substituição representa mais de 35% do valor total do sistema onde está integrado. O valor do elemento é o preço pago pelo fabricante do sistema ou por quem monta o sistema. O valor total é o preço de venda internacional normalmente praticado com quem não tem qualquer ligação com o vendedor, no local de fabrico ou de expedição.

Encaminhamento adaptativo dinâmico (5) — Reencaminhamento automático do tráfego baseado na detecção e análise das condições presentes e reais da rede. N.B.: Não inclui as decisões de encaminhamento tomadas em função de uma informação pré-definida.

Enformação superplástica (1 2) — Processo térmico de deformação aplicado a metais que se caracterizam, normalmente, por pequenos alongamentos (inferiores a 20 %) no ponto de ruptura, determinados à temperatura ambiente através de ensaios clássicos de resistência à tracção, de modo a obter, durante o processamento, alongamentos pelo menos duplos daqueles.

Equipamento de produção (1 7 9) — Ferramentas, escantilhões, calibres, mandris, moldes, matrizes, gabaritos, mecanismos de alinhamento, equipamento de ensaio, outra maquinaria e componentes a ela destinados, desde que tenham sido especialmente concebidos ou modificados para desenvolvimento ou para uma ou mais fases de produção.

Espectro alargado (5) — Técnica em que a energia de um canal de comunicações de banda relativamente estreita se estende sobre um espectro de energia muito mais largo.

Espectro de radar alargado (6) — Técnica de modulação por meio da qual a energia de um sinal com uma banda relativamente estreita se expande sobre uma banda de frequências muito mais larga, utilizando um código aleatório ou pseudo-aleatório.

Espelhos deformáveis (6) (também conhecidos como espelhos ópticos adaptáveis) — Espelhos que têm:

pt_68 a.

Uma única superfície óptica reflectora contínua que é deformada de forma dinâmica pela aplicação de binários ou forças individuais para compensar distorções na onda óptica incidente no espelho; ou

b.

Elementos ópticos reflectores múltiplos que podem ser individual e dinamicamente reposicionados pela aplicação de binários ou forças para compensar distorções na onda óptica incidente no espelho.

Estabilidade (7) — Desvio-padrão (1 sigma) da variação de um determinado parâmetro em relação ao seu valor calibrado, medido em condições térmicas estáveis. Pode ser expressa em função do tempo.

Estado participante (7 9) — Estado que participa no Acordo de Wassenaar (ver www.wassenaar.org).

Estado (não) Parte na Convenção sobre Armas Químicas (1) — Estado para o qual a Convenção sobre a Proibição do Desenvolvimento, Produção, Armazenagem e Utilização de Armas Químicas e sobre a sua Destruição (não) entrou em vigor (ver www.opcw.org).

Excentricidade (2) — Deslocamento radial do fuso principal numa rotação, medido num plano perpendicular ao eixo do fuso, num ponto da superfície rotativa interior ou exterior a examinar (referência: ISO 230/1 1986, ponto 5.61).

Factor de escala (giroscópio ou acelerómetro) (7) — Relação entre uma alteração à saída e uma alteração à entrada, a medir. O factor de escala é geralmente avaliado como o gradiente da recta que pode ser ajustada, pelo método dos quadrados mínimos, aos dados de entrada-saída obtidos fazendo variar a entrada de forma cíclica ao longo da gama de valores de entrada.

FADEC — Sigla equivalente a comando digital de motor com controlo total.

Fio (1) — Feixe de cordões torcidos. N.B.:Cordão é um feixe de monofilamentos (normalmente mais de 200) dispostos em forma mais ou menos paralela.

Fixo (5) — O algoritmo de codificação ou de compressão diz-se fixo quando não pode aceitar parâmetros fornecidos do exterior (por exemplo variáveis criptográficas ou de código) nem pode ser modificado pelo utilizador.

Fuso basculante (2) — Fuso porta-ferramentas que modifica, no decurso da operação de maquinagem, a posição angular do seu eixo em relação a qualquer outro eixo.

Geograficamente dispersos (6) — Diz-se dos equipamentos cujo afastamento entre si, em qualquer direcção, é superior a 1500 m. Os sensores móveis são sempre considerados como geograficamente dispersos.

Gestão de potência (7) — Alteração da potência transmitida do sinal do altímetro, de forma que a potência recebida à altitude da aeronave esteja sempre ao nível mínimo necessário para determinar a altitude.

Gradiómetro magnético (6) — Instrumento concebido para detectar a variação espacial de campos magnéticos originários de fontes que lhe são exteriores. São constituídos por magnetómetros múltiplos e pelos equipamentos electrónicos associados, que produzem uma medida do gradiente do campo magnético. N.B. Ver também gradiómetro magnético intrínseco.

Gradiómetro magnético intrínseco (6) — Elemento simples de detecção de gradientes de campos magnéticos e equipamentos electrónicos associados, que produzem uma medida do gradiente do campo magnético. N.B. Ver também gradiómetro magnético.

Grama efectivo (0 1) de um material cindível especial:

pt_82 a.

No caso de isótopos de plutónio e de urânio - 233 - Massa dos isótopos em gramas;

b.

No caso do urânio enriquecido em 1 %, ou mais, no isótopo urânio - 235 - Massa do elemento, em gramas, multiplicada pelo quadrado do enriquecimento expresso como fracção mássica decimal;

c.

No caso de urânio enriquecido em menos de 1% no isótopo urânio - 235 - Massa do elemento, em gramas, multiplicada por 0,0001;

Imunotoxina (1) — Conjugação de um anticorpo monoclonal específico de uma célula com uma toxina, ou subunidade de toxina, que afecta selectivamente células doentes.

Incerteza de medida (2) — Parâmetro característico que indica, com um grau de confiança de 95 %, em que intervalo centrado no valor de saída se situa o valor correcto da variável a medir. Este parâmetro abrange os desvios sistemáticos e as folgas/valores residuais não corrigidos e os desvios aleatórios (Referência ISO 10360-2 ou VDI/VDE 2617).

Informações do eco do radar (6) — Informações do eco do radar de uma aeronave correlacionadas com o seu plano de voo (associação entre o sinal radar e os dados constantes no plano de voo e a sua actualização), destinadas aos controladores dos centros de Controlo do Tráfego Aéreo.

Instalações de produção (7 9) — Equipamento e suportes lógicos especialmente concebidos para esse equipamento, integrados em instalações, para desenvolvimento ou para uma ou mais fases de produção.

Investigação científica fundamental (NGT NTN) — Trabalhos experimentais ou teóricos, empreendidos principalmente para adquirir novos conhecimentos sobre os princípios fundamentais de fenómenos ou factos observáveis, e não especialmente orientados para um fim ou objectivo específico.

Isolamento (9) — Aplica-se nos componentes de um motor de foguete, isto é, cárter, tubeiras, entradas, fechos do cárter, e inclui folhas de borracha endurecida ou semi-endurecida contendo material isolante ou refractário. Pode também ser incorporado como manga ou elemento de alívio da tensão.

Largura de banda em tempo real (2 3) — Designa, nos analisadores de sinais dinâmicos, a maior gama de frequências que o analisador pode apresentar para visualização ou fornecer à memória de massa, sem causar descontinuidades na análise dos dados de entrada. Para os analisadores com mais de um canal, a configuração do canal que apresenta uma maior largura de banda em tempo real será a utilizada para fazer o cálculo.

Largura de banda fraccionada (3) — Largura de banda instantânea dividida pela frequência central, expressa em percentagem.

Largura de banda instantânea (3 5 7) — Largura de banda em que a potência de saída permanece constante com uma tolerância de 3 dB, sem ajustamento de outros parâmetros de funcionamento.

Laser (0 2 3 5 6 9) — Conjunto de componentes que produzem luz coerente no espaço e no tempo, amplificada por emissão estimulada de radiação. N.B. Ver também:

Laser químico;

Laser de Q comutado;

Laser de superalta potência;

Laser de transferência.

Laser de Q comutado (6) — Laser em que a energia é armazenada na inversão de população ou no ressoador óptico e, em seguida, emitida na forma de um impulso.

Laser químico (6) — Laser em que a espécie excitada é produzida pela energia libertada numa reacção química.

Laser de super-alta potênciaSHPL (6) — Laser capaz de fornecer a totalidade ou uma parte da energia de saída superior a 1 kJ em 50 ms, ou caracterizado por uma potência média ou em ondas contínuas superior a 20 kW.

Laser de transferência (6) — Laser excitado por uma transferência de energia obtida pela colisão de átomos ou de moléculas que não produzem efeito laser com átomos ou moléculas que produzem esse efeito.

Linearidade (2) — Característica que é geralmente medida em termos de não-linearidade e que é definida como o desvio máximo, positivo ou negativo, da característica real (média das leituras no sentido ascendente e descendente da escala) em relação a uma linha recta situada de forma a que se igualem e reduzam ao mínimo os desvios máximos.

Magnetómetro (6) — Instrumento concebido para detectar campos magnéticos originários de fontes que lhe são exteriores.

É constituído por um único elemento de detecção de campos magnéticos e pelo equipamento electrónico associado, que produzem uma medida do campo magnético.

Material cindível especial (0) — O plutónio-239, urânio enriquecido nos isótopos 235 ou 233 e qualquer material que contenha estes componentes.

Materiais fibrosos ou filamentosos (0 1 2 8) — São os seguintes materiais:

pt_101 a)

Monofilamentos contínuos;

b)

Fios e mechas contínuos;

c)

Bandas, tecidos, emaranhados irregulares e entrançados;

d)

Mantas de fibras cortadas, de fibras descontínuas e de fibras aglomeradas;

e)

Cristais capilares monocristalinos ou policristalinos de qualquer comprimento;

f)

Pasta de poliamidas aromáticas.

Materiais resistentes à corrosão pelo UF6 (0) podem ser cobre, aço inoxidável, alumínio, óxido de alumínio, ligas de alumínio, níquel ou ligas contendo 60% ou mais, em massa, de níquel e polímeros hidrocarbonados fluorados, resistentes ao UF6, consoante for adequado para o tipo de processo de separação.

Matriz (1 2 8 9) — Fase praticamente contínua que preenche o espaço entre partículas, cristais capilares ou fibras.

Matriz de plano focal (6) significa uma camada linear ou bidimensional plana, ou uma combinação de camadas planas, de elementos detectores, com ou sem electrónica de visualização, que funcionam no plano focal. N.B.: Nesta definição não se inclui uma pilha de elementos detectores simples ou detectores de dois, três ou quatro elementos, desde que o atraso e a integração não sejam efectuados dentro do elemento.

Mecha (1) — feixe (normalmente 12-120) de cordões mais ou menos paralelos. N.B.:Cordão é um feixe de monofilamentos (normalmente mais de 200) dispostos de forma mais ou menos paralela.

Melhoramento de imagens (4) — Tratamento de imagens exteriores portadoras de informação, por meio de algoritmos, como compressão de tempos, filtragem, extracção, selecção, correlação, convolução, ou transformações entre domínios (por exemplo Transformada Rápida de Fourier ou Transformada de Walsh). Não são incluídos os algoritmos que apenas utilizam a transformação linear ou angular de uma imagem simples, como a tradução, a extracção de parâmetros, o registo ou a falsa coloração.

Memória principal (4) — Memória primária de dados ou instruções para acesso rápido a partir da unidade central de processamento. É constituída pela memória interna de um computador digital e qualquer extensão hierarquizada da mesma, como a memória cache ou memória alargada de acesso não sequencial.

Mesa rotativa composta (2) — Mesa que permite à peça a maquinar rodar e inclinar-se em torno de 2 eixos não paralelos que podem ser coordenados simultaneamente para controlo de contorno.

Microcircuito microcomputador (3) — Circuito integrado monolítico ou circuito integrado multipastilhas que contém uma unidade aritmética e lógica (UAL) capaz de executar instruções elementares a partir de uma memória interna, sobre dados nesta contidos. N.B. A memória interna pode ser reforçada por uma memória externa.

Microcircuito microprocessador (3) — Circuito integrado monolítico ou circuito integrado multipastilhas que contém uma unidade aritmética e lógica (UAL) capaz de executar uma série de instruções elementares a partir de uma memória externa. N.B.1. O microcircuito microprocessador não contém normalmente memória acessível ao utilizador incorporada, mas pode utilizar a memória existente na pastilha para realizar a sua função lógica. N.B.2. Inclui conjuntos de pastilhas concebidos para operar conjuntamente para desempenhar a função de microcircuito microprocessador.

Microrganismos (1 2) — Bactérias, vírus, micoplasmas, rickettsias, clamídias ou fungos, naturais, melhorados ou modificados, quer sob a forma de culturas vivas isoladas, quer sob a forma de matérias, incluindo matérias vivas, deliberadamente inoculadas ou contaminadas com culturas vivas.

Mísseis (1 3 6 7 9) — Foguetes completos e veículos aéreos não tripulados, capazes de transportar pelo menos uma carga de 500 kg a uma distância de, pelo menos, 300 km.

Mistura química (1) — Produto sólido, líquido ou gasoso constituído por dois ou mais componentes que não reagem entre si nas condições em que a mistura é armazenada.

Misturadas (1) — Diz-se das misturas, filamento a filamento, de fibras termoplásticas e fibras de reforço, de modo a obter-se uma mistura fibras de reforço matriz totalmente fibrosa.

Módulo de elasticidade específico (0 1 9) — Módulo de Young em pascal (equivalente a N/m2) dividido pelo peso específico em N/m3, medido a uma temperatura de (296 ± 2) K [(23 ± 2) °C] e com uma humidade relativa de (50 ± 5) %.

Monofilamento (1) ou filamento — O menor aumento da fibra, geralmente com vários micrómetros de diâmetro.

Necessário (NGT 1–9) — Este termo, quando aplicado a tecnologia ou suportes lógicos, designa unicamente a parte específica da tecnologia ou do suporte lógico que permite alcançar ou exceder os níveis de comportamento funcional, as características ou as funções submetidos a controlo. Essa tecnologia ou esses suportes lógicosnecessários poderão ser partilhados por diferentes produtos.

Nível de ruído (6) — Sinal eléctrico dado em função da densidade espectral de potência. A relação entre o nível de ruído expresso em valor, pico a pico, é a seguinte: S2pp = 8 No(f2–f1), sendo Spp o valor pico a pico do sinal (por exemplo em nanotesla), No a densidade espectral de potência [por exemplo (nT)2/Hz] e (f2–f1) a largura de banda em causa.

Obtenção de ligas por meios mecânicos (1) — Processo de obtenção de ligas resultante da ligação, fractura e nova ligação de pós elementares e de pós de ligas de adição, por impacto mecânico. Podem incorporar-se partículas não-metálicas na liga recorrendo à adição de pós apropriados.

Operadores terminais (2) — Dispositivos, como pinças, ferramentas activas ou qualquer outra ferramenta, ligados à placa de base da extremidade do braço manipulador de um robot. N.B.Ferramenta activa é um dispositivo destinado a aplicar à peça a trabalhar força motriz, a energia necessária ao processo ou meios de detecção.

Optimização da trajectória de voo (7) — Processo que reduz ao mínimo os desvios em relação a uma trajectória tetradimensional pretendida (espaço e tempo) definida com base num desempenho e numa eficácia máximos no cumprimento de missões.

Perfis aerodinâmicos de geometria variável (7) — Superfícies que utilizam alhetas (flaps) nos bordos de fuga ou compensadores, ou slats nos bordos de ataque (bordos de ataque avançados) ou abatimentos articulados de ogivas, cuja posição pode ser controlada em voo.

Pixel activo (6 8) — Elemento mínimo (único) do conjunto no estado sólido que realiza uma função de transferência fotoeléctrica quando exposto a uma radiação luminosa (electromagnética).

Polarização (acelerómetro) (7) — Saída de um acelerómetro, na ausência de aceleração.

Porta de conexão (5) — Função realizada por qualquer combinação de equipamento e suporte lógico, para efectuar a conversão de convenções de representação, de processamento ou de comunicação das informações utilizadas num sistema, em convenções correspondentes, mas diferentes, utilizadas num outro sistema.

Potência de pico (6) — Energia por impulso, em joule, dividida pela duração do impulso, em segundos.

Pré-formas de fibras de carbono (1) — disposição ordenada de fibras, revestidas ou não, destinada a servir de estrutura de suporte de um componente antes de a matriz ser introduzida para a formação de um compósito.

Precisão (2 6) — Característica geralmente medida em termos de imprecisão e definida como o desvio máximo, positivo ou negativo, de um valor indicado em relação a uma norma aceite ou a um valor verdadeiro.

Prensagem hidráulica por acção directa (2) — Processo de deformação que utiliza um reservatório flexível cheio de líquido que se coloca em contacto directo com a peça.

Prensas isostáticas (2) — Equipamento que, recorrendo a diversos meios (gases, líquidos, partículas sólidas, etc.), é capaz de pressurizar uma cavidade fechada, criando dentro desta uma pressão igual em todas as direcções sobre uma peça ou um material.

Previamente separado (1) — Significa a aplicação de qualquer processo que tenha por objectivo aumentar a concentração do isótopo submetido a controlo.

Processamento de fluxos múltiplos de dados (4) — Técnica de microprogramas ou de arquitectura do equipamento que permite o processamento simultâneo de duas ou mais sequências de dados sob o controlo de uma ou mais sequências de instruções, por meio de: N.B.Microprograma — uma sequência de instruções elementares, conservadas numa memória especial, cuja execução é iniciada pela introdução da sua instrução de referência num registo de instruções.

pt_132 a.

Arquitecturas de múltiplos dados com instrução única (SIMD) como processadores vectoriais ou matriciais;

b.

Arquitecturas de múltiplos dados com instrução única/ /instruções múltiplas (MSIMD);

c.

Arquitecturas de múltiplos dados com instruções múltiplas (MIMD) incluindo as que estão fortemente, estreitamente ou ligeiramente ligadas; ou

d.

Redes estruturadas de elementos de processamento, incluindo redes sistólicas.

Processamento de sinais (3 4 5 6) — Processamento de sinais exteriores, portadores de informação, por meio de algoritmos como compressão de tempos, filtragem, extracção, selecção, correlação, convolução ou transformações entre domínios (por exemplo, transformada de Fourier rápida ou transformada de Walsh).

Processamento em tempo real (6 7) — Processamento de dados por um computador que presta um determinado nível de serviço necessário, em função dos recursos disponíveis, dentro de um tempo de resposta garantido, independentemente da carga no sistema, quando estimulado por um evento externo.

Produção (NGT, NTN, todas as listas) — Todas as fases da produção, designadamente construção, produção, projecto, fabrico, integração, montagem, inspecção, ensaios e garantia da qualidade.

Programa (2 4 5 6) — Sequência de instruções para levar a cabo um processo sob forma executável por um computador electrónico, ou nela convertível.

Programação acessível ao utilizador (6) — Meio que permite ao utilizador inserir, modificar ou substituir programas, por outros métodos que não os seguintes:

pt_137 a.

Substituição física da cablagem ou das interligações; ou

b.

Estabelecimento de controlos de função, incluindo a introdução de parâmetros.

Pulverização catódica (4) — Processo de revestimento por cobertura, no qual iões positivos são acelerados por um campo eléctrico e projectados sobre a superfície de um alvo (material de revestimento). A energia cinética dos iões que chocam com o alvo é suficiente para libertar átomos da sua superfície, que vão depositar-se num substrato. N.B.: A pulverização catódica com tríodos, magnetrões ou radiofrequências, para aumentar a aderência do revestimento e a taxa de deposição, são modificações habituais do processo.

Qualificado para uso espacial (3 6) — Qualificação dos produtos concebidos, fabricados e testados para obedecer aos requisitos eléctricos, mecânicos e ambientais especiais necessários para utilização no lançamento e colocação em órbita de satélites ou de sistemas de voo a grande altitude, que operam a altitudes iguais ou superiores a 100 km.

Radar de espectro alargado (6) — Vide Espectro de radar alargado.

Reactor nuclear (0) — Os componentes situados no interior ou directamente ligados ao corpo do reactor, o equipamento que controla o nível de potência no núcleo, e os componentes que normalmente contêm, entram em contacto directo ou controlam o refrigerante primário do núcleo do reactor.

Rede local (4) — Sistema de comunicação de dados que: N.B.Dispositivos de dados são equipamentos capazes de emitir ou receber sequências de informações sob a forma digital.

pt_142 a.

Permite a comunicação directa entre um número arbitrário de dispositivos de dados independentes; e

b.

Se limita a um local com uma área reduzida (por exemplo, edifício administrativo, fábrica, faculdade ou armazém).

Resistência específica à tracção (0 1 9) — Tensão de ruptura à tracção em pascal (equivalente a N/m2) dividida pelo peso específico em N/m3, medida a uma temperatura de (296 ± 2) K [(23 ± 2) °C] e com uma humidade relativa de (50 ± 5) %.

Resolução (2) — O menor incremento de um dispositivo de medida; em equipamentos digitais é o bit menos significativo (ref. ANSI B-89. 1. 12).

Revestimento interior (9) — Material adequado para formar a interface de ligação entre o propulsante sólido e o cárter ou a camisa de isolamento. Normalmente, trata-se de uma dispersão líquida de materiais refractários ou isolantes numa base polimérica, por exemplo, de polibutadieno acabado em oxidrilo (HTPB) com enchimento de carbono, ou de outro polímero, com adição de endurecedores, que é pulverizada ou aplicada na superfície interior de uma blindagem.

Robot (2 8) — Mecanismo de manipulação que pode ser do tipo de trajectória contínua ou do tipo ponto a ponto, que pode utilizar sensores e que apresenta as seguintes características: N.B. A definição anterior não inclui:

pt_146 a.

Ser multifuncional;

b.

Ser capaz de posicionar ou orientar materiais, peças, ferramentas ou dispositivos especiais através de movimentos variáveis no espaço tridimensional;

c.

Possuir três ou mais servomecanismos de circuito aberto ou fechado, com possibilidade de inclusão de motores passo a passo; e

d.

Ser dotado de programação acessível ao utilizador pelo método de aprendizagem ou por um computador electrónico que pode ser uma unidade de programação lógica, isto é, sem intervenção mecânica.

1. Mecanismos de manipulação de controlo manual ou por teleoperador apenas;

2. Mecanismos de manipulação de sequência fixa que constituem dispositivos móveis automatizados cujos movimentos são programados e definidos por meios mecânicos. O programa é limitado mecanicamente por batentes fixos, como pernos ou cames. A sequência dos movimentos e a selecção das trajectórias ou dos ângulos não são variáveis nem modificáveis por meios mecânicos, electrónicos ou eléctricos;

3. Mecanismos de manipulação de sequência variável e de controlo mecânico que constituem dispositivos móveis automatizados cujos movimentos são programados e definidos por meios mecânicos. O programa é limitado mecanicamente por batentes fixos, mas reguláveis, como pernos ou cames. A sequência dos movimentos e a selecção das trajectórias ou dos ângulos são variáveis dentro da configuração programada. As variações ou modificações da configuração programada (p. ex., mudança de pernos ou troca de cames) em um ou mais eixos de movimento são efectuadas unicamente por operações mecânicas;

4. Mecanismos de manipulação de sequência variável, sem servocontrolo, que constituem dispositivos móveis automatizados, cujos movimentos são programados e definidos por meios mecânicos. O programa é variável, mas a sequência apenas se processa através do sinal binário proveniente de dispositivos binários eléctricos fixados mecanicamente ou de batentes reguláveis;

5. Empilhadores, definidos como sistemas manipuladores que funcionam em coordenadas cartesianas, fabricados como partes integrantes de um conjunto vertical de células de armazenamento, e concebidos para o acesso às referidas células para armazenamento ou recuperação.

Saltos de frequência (5) — Forma de espectro expandido em que a frequência de emissão de um único canal de comunicação é modificada através de uma sequência aleatória ou pseudo-aleatória de passos discretos.

Seguimento automático do alvo (6) — Técnica de processamento que permite determinar e fornecer automaticamente como saída um valor extrapolado da posição mais provável do alvo, em tempo real.

Segurança da informação (5) — Meios e funções que asseguram a acessibilidade, a confidencialidade ou a integridade da informação ou das comunicações, com excepção dos previstos para a protecção contra avarias. Compreende, nomeadamente, a criptografia, a cripto-análise, a protecção contra as emanações comprometedoras e a segurança do computador. N.B.Cripto-análise é a análise de um sistema criptográfico ou das suas entradas ou saídas para obter variáveis confidenciais ou dados sensíveis, incluindo texto transparente.

Sensor de imagem monoespectral (6) — Sensor capaz de efectuar a aquisição simultânea de dados de formação de imagens a partir de uma banda espectral discreta.

Sensor de imagem multi-espectral (6) — Sensor capaz de efectuar a aquisição simultânea ou em série de dados de formação de imagens a partir de duas ou mais bandas espectrais discretas. Os sensores com mais de 20 bandas espectrais discretas são por vezes denominados sensores de formação de imagens hiper-espectrais.

Sensores de radar interligados (6) — Dois ou mais sensores de radar que trocam dados entre si em tempo real.

SHPL — Sigla equivalente a laser de superalta potência.

Sinalização por canal comum (5) — Método de sinalização entre centrais nas quais um só canal transporta, por meio de mensagens munidas de uma identificação, a informação de sinalização relativa a vários circuitos ou chamadas e outra informação como a utilizada para gestão da rede.

Sintetizador de frequência (3) — Qualquer tipo de fonte de frequências ou de gerador de sinais, independentemente da técnica efectivamente utilizada, que forneça, a partir de uma ou mais saídas, diversas frequências de saída simultâneas ou alternadas, controladas, derivadas ou regidas por um número reduzido de frequências-padrão (ou de oscilador principal).

Sintonizável (6) — Diz-se da capacidade de um laser para produzir uma energia de saída contínua em todos os comprimentos de onda numa gama de várias transições laser. Um laser de selecção de raio produz comprimentos de onda discretos quando de uma transição laser e não é considerado sintonizável.

Sistema de sensores ópticos de controlo de voo (7) — Rede de sensores ópticos distribuídos que utiliza feixes laser, destinada a fornecer dados de controlo de voo em tempo real para processamento a bordo.

Sistemas antitorque ou sistemas de controlo direccional controlados por circulação (7) — Sistemas que utilizam ar insuflado sobre as superfícies aerodinâmicas para aumentar ou controlar as forças produzidas por essas superfícies.

Sistemas de controlo activo de voo (7) — Sistemas que têm por função impedir movimentos ou cargas estruturais indesejáveis da aeronave ou do míssil, através do processamento autónomo dos dados de saída de vários sensores e do fornecimento subsequente das instruções preventivas necessárias para assegurar um controlo automático.

Sistemas de navegação referenciada com recurso a bases de dados (7) — Sistemas que utilizam várias fontes integradas de dados geocartográficos previamente medidos por forma a fornecer informações rigorosas para efeitos de navegação em condições dinâmicas. As fontes de dados incluem cartas batimétricas, cartas estelares, cartas gravimétricas, cartas magnéticas ou cartas digitais do terreno em 3-D.

Sistemas periciais (7) — Sistemas que produzem resultados por aplicação de regras a dados armazenados, independentemente do programa, e que possuem, pelo menos, uma das capacidades seguintes:

pt_161 a.

Modificação automática do código-fonte introduzido pelo utilizador;

b.

Expressão do conhecimento relacionado com uma classe de problemas, em linguagem quase natural; ou

c.

Aquisição dos conhecimentos necessários para evoluir (aprendizagem simbólica).

Soldadura por difusão (1 2 9) — Técnica de ligação atómica no estado sólido de, pelo menos, dois metais diferentes para formar uma peça única, em que a resistência do conjunto é igual à do material menos resistente.

Solidificação com impacto (1) — Processo destinado a solidificar rapidamente um vazamento de metal fundido que colide com um bloco rotativo refrigerado para obter um produto sob a forma de escamas. N.B.Solidificar rapidamente significa a solidificação de um material fundido a velocidades de arrefecimento superiores a 1000 K/s.

Solidificação em extracção com enregelamento (1) — Processo destinado a solidificar rapidamente e a extrair um produto ligado em forma de tira pela introdução de um pequeno segmento de um bloco rotativo refrigerado num banho de liga metálica fundida. N.B.Solidificar rapidamente significa a solidificação de um material fundido a velocidades de arrefecimento superiores a 1000 K/s.

Solidificação em rotação com enregelamento (1) — Processo destinado a solidificar rapidamente um fluxo de metal fundido que colide com um bloco rotativo refrigerado, para obter um produto sob a forma de flocos, tira ou vara. N.B.Solidificar rapidamente significa a solidificação de um material fundido a velocidades de arrefecimento superiores a 1000 K/s.

Substrato (3) — Placa de material de base com ou sem uma estrutura de interligações, sobre a qual ou dentro da qual se posicionam componentes discretos, circuitos integrados ou ambos. N.B.1:Componente discreto é um elemento de circuito encapsulado em separado e que possui ligações exteriores próprias. N.B.2:Elemento de circuito é um elemento funcional activo ou passivo único num circuito electrónico, como um díodo, um transistor, uma resistência de condensador, etc.

Substratos em bruto (6) — Compostos monolíticos de dimensões adequadas para a produção de elementos ópticos, como espelhos ou janelas ópticas.

Subunidade de toxina (1) — Componente estrutural e funcionalmente distinto de uma toxina inteira.

Supercondutores (1 3 6 8) — Materiais (metais, ligas ou compostos) que podem perder toda a resistência eléctrica, isto é, podem atingir uma condutividade eléctrica infinita e transportar correntes eléctricas muito elevadas sem aquecimento por efeito Joule. N.B.: O estado supercondutor de um material é caracterizado por uma temperatura crítica, um campo magnético crítico, função da temperatura, e uma densidade de corrente crítica que é, no entanto, função do campo magnético e da temperatura.

Superligas (2 9) — Ligas cujo metal base é o níquel, o cobalto ou o ferro e cuja resistência a temperaturas superiores a 922 K (649 °C), em condições de ambiente e de funcionamento extremas, é superior à das ligas da série AISI 300.

Suporte lógico (NGS, Todas as listas) — Conjunto de um ou mais programas ou microprogramas, fixados em qualquer suporte material. N.B.Microprograma — uma sequência de instruções elementares, conservadas numa memória especial, cuja execução é iniciada pela introdução da sua instrução de referência num registo de instruções.

Tecnologia (NGT, NTN, todas as listas) — Informação específica necessária para o desenvolvimento, a produção ou a utilização de um produto. Esta informação pode apresentar-se sob a forma de dados técnicos ou de assistência técnica. N.B.1: A assistência técnica pode assumir formas como instruções, técnicas, formação, conhecimentos práticos e serviços de consultoria, e pode incluir a transferência de dados técnicos. N.B.2: Os dados técnicos podem assumir formas como esquemas, planos, diagramas, modelos, fórmulas, tabelas, projectos e especificações de engenharia, manuais e instruções, escritos ou registados noutros suportes ou dispositivos como discos, fitas magnéticas, memórias ROM.

Temperatura crítica (1 3 6) — A temperatura crítica de um material supercondutor específico (por vezes designada por temperatura de transição) é a temperatura à qual a resistência de um material à passagem de uma corrente eléctrica contínua passa a ser nula.

Tempo de comutação de frequência (3 5) — Tempo máximo (isto é, demora) utilizado por um sinal, quando se efectua uma comutação entre duas frequências de saída seleccionadas, para que atinja:

pt_174 a.

Uma frequência que não se afaste mais de 100 Hz da frequência final; ou

b.

Um nível de saída que não se afaste mais de 1,0 dB do nível de saída final.

Tempo de estabilização (3) — Tempo requerido para que o valor de saída atinja o valor final com uma aproximação de meio bit na comutação entre quaisquer dois níveis do conversor.

Tempo típico de propagação por porta lógica elementar (3) — Valor do atraso de propagação correspondente à porta lógica elementar utilizado num circuito integrado monolítico. Para uma família de circuitos integrados monolíticos este valor pode ser especificado quer como o tempo de propagação por porta típica, quer como o tempo de propagação típico por porta, dentro da família em causa. N.B.1: O tempo típico de propagação por porta lógica elementar não deve ser confundido com o tempo de propagação de entrada/saída de um circuito integrado monolítico complexo. N.B.2: A família é constituída por todos os circuitos integrados aos quais se aplicam todos os requisitos seguintes em termos de metodologia e especificações de fabrico, mas não em termos de funções

pt_176 a.

Arquitectura comum do equipamento de suporte lógico;

b.

Concepção e tecnologia de processo comum; e

c.

Características básicas comuns.

Todas as compensações disponíveis (2) — depois de consideradas todas as medidas à disposição do fabricante para minimizar todos os erros sistemáticos de posicionamento do modelo específico de máquina-ferramenta em questão.

Tolerância a falhas (4) — Capacidade de um sistema informático de, na sequência de um mau funcionamento de qualquer dos seus componentes físicos ou lógicos, continuar a operar, sem intervenção humana, a um nível de serviço que permita a continuidade de funcionamento, a integridade dos dados e o restabelecimento do funcionamento num dado tempo.

Toxinas (1 2) — Toxinas, na forma de preparações ou misturas deliberadamente isoladas, seja qual for o seu modo de produção, com excepção das toxinas presentes como contaminantes de outros materiais, como espécimes patológicos, culturas, géneros alimentícios ou estirpes de microrganismos.

Transdutor de pressão (2) — Dispositivo que converte medições de pressão num sinal eléctrico.

Urânio empobrecido (0) — Urânio empobrecido no isótopo 235 em comparação com o urânio de ocorrência natural.

Urânio enriquecido nos isótopos 235 ou 233 (0) — Urânio cujo teor de isótopos 235 ou 233, ou de ambos, é tal que a relação entre a soma dos teores isotópicos destes isótopos e o teor do isótopo 238 é superior à relação entre os teores dos isótopos 235 e 238 que ocorre na natureza (relação isotópica de 0,71 %).

Urânio natural (0) — Urânio que contém as misturas de isótopos que ocorrem na natureza.

Utilização (NGT, NTN, todas as listas) — Termo que abrange a exploração, a instalação (incluindo a instalação in situ), a manutenção (verificação), a reparação, a revisão geral e a renovação.

Vacina (1) — Produto medicinal em fórmula farmacêutica, com licença ou autorização de comercialização ou utilização em ensaios clínicos concedida pelas autoridades reguladoras do país de fabrico ou de utilização, destinado a estimular uma resposta imunológica protectora no homem ou nos animais, por forma a prevenir a doença naqueles a que é administrado.

Véiculo aéreo não tripulado (VANT) (9) — Qualquer aeronave capaz de iniciar um voo e de manter um voo e uma navegação controlados sem uma presença humana a bordo.

Veículo espacial (7 9) — Satélites activos e passivos e sondas espaciais.

Veículos mais leves do que o ar (9) — Balões e aeronaves que utilizam o ar quente ou outros gases mais leves do que o ar, como o hélio ou o hidrogénio, para a sua capacidade ascencional.

Velocidade de deriva (giroscópio) (7) — Velocidade do desvio da saída do giroscópio relativamente à saída pretendida. É constituída por componentes aleatórios e sistemáticos e exprime-se como equivalente de um deslocamento angular à entrada por unidade de tempo em relação ao espaço inercial.

Via de comutação (5) — Equipamento e suporte lógico associado que proporciona a via de ligação física ou virtual para a comutação do tráfego de mensagens em trânsito.

ACRÓNIMOS E ABREVIATURAS UTILIZADOS NESTE ANEXO

Os acrónimos e abreviaturas utilizados como termos definidos encontram-se nas Definições dos termos utilizados no presente anexo. Acrónimo ou abreviatura Significado ABEC Annular Bearing Engineers Committee AGMA American Gear Manufacturers' Association AHRS sistemas de referência de atitude e de rumo AISI American Iron and Steel Institute ALU unidade lógica aritmética ANSI American National Standards Institute ASTM American Society for Testing and Materials ATC controlo do tráfego aéreo AVLIS separação isotópica por laser de vapor atómico CAD concepção assistida por computador CAS Chemical Abstracts Service CCITT International Telegraph and Telephone Consultative Committee CDU unidade de controlo e visualização CEP erro circular provável CNTD decomposição térmica com nucleação controlada CRISLA reacção química por activação laser selectiva de isótopos CVD deposição em fase vapor por processo químico CW guerra química CW (lasers) onda contínua DME equipamento de medição de distâncias DS solidificação dirigida EB-PVD decomposição em fase vapor por processo físico com feixe de electrões EBU União Europeia de Radiodifusão ECM maquinagem electro-química ECR ressonância electrão-ciclotrão EDM máquinas de electroerosão EEPROM memórias programáveis apagáveis electricamente somente para leitura EIA Electronic Industries Association EMC compatibilidade electromagnética EMCDB Propulsante de base dupla moficado por elastómero ETSI Instituto Europeu de Normas de Telecomunicações FFT Transformação Rápida de Fourier GLONASS sistema de navegação global por satélite GPS sistema de determinação global de posição HBT transístores hétero-bipolares HDDR registo digital de alta densidade HEMT transístores de elevada mobilidade electrónica ICAO Organização da Aviação Civil Internacional IEC International Electro-technical Commission IEEE Institute of Electrical and Electronic Engineers IFOV campo de visão instantâneo ILS sistema de aterragem por instrumentos IRIG Inter-range instrumentation group ISAR radar de abertura sintética inversa ISO Organização Internacional de Normalização ITU Ver UIT JIS norma industrial japonesa JT Joule-Thomson LIDAR light detection and ranging LRU unidade substituível na linha da frente MAC código de autenticação de mensagem Mach relação entre a velocidade de um objecto e a velocidade do som (de Ernst Mach) MLIS separação isotópica por laser de moléculas MLS sistemas de aterragem por micro-ondas MOCVD deposição de organometálicos em fase vapor por processo químico MRI imagem por ressonância magnética MTBF tempo médio entre falhas Mtops milhões de operações teóricas por segundo MTTF tempo médio sem falhas NBC nuclear, biológico e químico NDT ensaio não destrutivo PAR radar de aproximação de precisão PIN número de identificação pessoal ppm partes por milhão PSD densidade espectral de potência QAM modulação de amplitude em quadratura RF radiofrequência SACMA Suppliers of Advanced Composite Materials Association SAR radar de abertura sintética SC monocristalino SLAR radar a bordo com observação lateral SMPTE Society of Motion Picture and Television Engineers SRA módulo substituível em oficina SRAM memória estática de acesso aleatório SSR radares de vigilância secundários TCSEC trusted computer system evaluation criteria TIR leitura total indicada UIT União Internacional das Telecomunicações UV ultravioleta UTS resistência à ruptura VOR Radiofarol de alinhamento omnidireccional VHF YAG Granada de ítrio/alumínio

CATEGORIA 0 MATERIAIS, INSTALAÇÕES E EQUIPAMENTOS NUCLEARES

0AEquipamentos, conjuntos e componentes

0A001Reactores nucleares e equipamento e componentes especialmente concebidos ou preparados para os mesmos, isto é:

a.

Reactores nucleares capazes de funcionar mantendo uma reacção de cisão em cadeia controlada e auto-sustentada;

b.

Cubas metálicas, ou partes principais pré-fabricadas das mesmas, especialmente concebidas ou preparadas para a contenção do núcleo de um reactor nuclear, incluindo a cabeça da cuba de pressão do reactor;

c.

Equipamento de manuseamento especialmente concebido ou preparado para a introdução ou remoção de combustível num reactor nuclear;

d.

Barras de controlo especialmente concebidas ou preparadas para o controlo do processo de cisão num reactor nuclear e respectivas estruturas de suporte e suspensão, mecanismos de comando das barras e tubos de guia das barras;

e.

Tubos de pressão especialmente concebidos ou preparados para conter os elementos do combustível e o fluido de arrefecimento primário num reactor nuclear a pressões de serviço superiores a 5,1 MPa;

f.

Metal ou ligas de zircónio sob a forma de tubos ou conjuntos de tubos em que a relação háfnio-zircónio seja inferior a 1:500 partes em massa, especialmente concebidos ou preparados para utilização num reactor nuclear;

g.

Bombas de arrefecimento especialmente concebidas ou preparadas para fazer circular o fluido de arrefecimento primário dos reactores nucleares;

h.

Componentes internos de um reactor nuclear especialmente concebidos ou preparados para serem utilizados num reactor nuclear, incluindo colunas de suporte do núcleo, condutas de combustível, blindagens térmicas, chicanas, placas superiores do núcleo e placas do difusor; Nota: Em 0A001.h., a expressão componentes internos de um reactor nuclear abrange qualquer estrutura importante no interior de uma cuba de reactor que possua uma ou mais funções tais como suportar o núcleo, manter o alinhamento do combustível, dirigir o fluido de arrefecimento primário, fornecer protecção anti-radiações para a cuba do reactor e comandar instrumentação no interior do núcleo.

i.

Permutadores de calor (geradores de vapor) especialmente concebidos ou preparados para serem utilizados no circuito de arrefecimento primário de um reactor nuclear;

j.

Instrumentos de detecção e de medição de neutrões especialmente concebidos ou preparados para determinar os níveis dos fluxos de neutrões no interior do núcleo de um reactor nuclear.

0BEquipamento de Ensaio, Inspecção e Produção

0B001Instalações de separação de isótopos de urânio natural, urânio empobrecido, materiais cindíveis especiais, e ainda equipamento e componentes especialmente concebidos ou preparados para as mesmas, a saber: 0B002Sistemas auxiliares, equipamento e componentes especialmente concebidos ou preparados para fábricas de separação de isótopos especificadas em 0B001, seguidamente enumerados, feitos de ou protegidos com materiais resistentes à corrosão pelo UF6: 0B003Instalações para a conversão de urânio e equipamento especialmente concebido ou preparado para o efeito, a saber: 0B004Instalações de produção ou concentração de água pesada, deutério ou compostos de deutério, e equipamento e componentes especialmente concebidos ou preparados para as mesmas, a seguir enumerados: 0B005Instalações especialmente concebidas para o fabrico de elementos de combustível para reactores nucleares, e equipamento especialmente concebido ou preparado para essas instalações. Nota: Uma instalação de fabrico de elementos de combustível para reactores nucleares inclui equipamento que: 0B006Instalações de reprocessamento de elementos de combustível irradiados de reactores nucleares e equipamento e componentes especialmente concebidos ou preparados para essas instalações. Nota: 0B006 abrange: 0B007Instalações para a conversão de plutónio e equipamento especialmente concebido ou preparado para essas instalações, designadamente:

a.

Instalações especialmente concebidas para a separação de isótopos de urânio natural, urânio empobrecido e materiais cindíveis especiais, a saber:

1. Fábricas de separação por centrifugação a gás;

2. Fábricas de separação por difusão gasosa;

3. Fábricas de separação aerodinâmica;

4. Fábricas de separação por permuta química;

5. Fábricas de separação por permuta iónica;

6. Fábricas de separação isotópica por laser de vapor atómico (AVLIS);

7. Fábricas de separação isotópica por laser de moléculas (MLIS);

8. Fábricas de separação do plasma;

9. Fábricas de separação electromagnética;

b.

Centrifugadoras a gás, conjuntos e componentes especialmente concebidos ou preparados para o processo de separação por centrifugação a gás, como segue: Nota: Em 0B001.b., material com uma elevada relação resistência-densidade abrange qualquer dos seguintes materiais:

a.

Aço maraging dotado de uma resistência à ruptura à tracção igual ou superior a 2050 MPa; ou

b.

Ligas de alumínio dotadas de uma resistência à ruptura à tracção igual ou superior a 460 MPa; ou

c.

Materiais fibrosos ou filamentosos com um módulo de elasticidade específico superior a 3,18 × 106 m e uma resistência específica à tracção superior a 76,2 × 103 m;

1. Centrifugadoras a gás;

2. Conjuntos de rotor completos;

3. Cilindros de tubos de rotor com uma espessura de paredes igual ou inferior a 12 mm, diâmetros compreendidos entre 75 mm e 400 mm, feitos de materiais com uma elevada relação resistência-densidade;

4. Anéis ou foles com uma espessura de paredes igual ou inferior a 3 mm e diâmetros compreendidos entre 75 mm e 400 mm, concebidos para dar apoio localizado a um tubo de rotor ou para reunir vários desses tubos, feitos de materiais com uma elevada relação resistência-densidade;

5. Chicanas com diâmetros compreendidos entre 75 mm e 400 mm, concebidas para serem montadas no interior de um tubo de rotor, feitas de materiais com uma elevada relação resistência-densidade;

6. Tampas superior e inferior, com diâmetros compreendidos entre 75 mm e 400 mm, concebidas para se adaptarem às extremidades dos tubos do rotor, feitas de materiais com uma elevada relação resistência-densidade;

7. Suportes de suspensão magnética constituídos por um magneto anular suspenso no interior de uma caixa feita de ou protegida por materiais resistentes à corrosão pelo UF6, que contenham um meio de amortecimento e tenham o magneto ligado a um pólo ou a um segundo magneto fixado na tampa superior do rotor;

8. Suportes especialmente preparados, constituídos por um conjunto pivot-copo montado num amortecedor;

9. Bombas moleculares constituídas por cilindros providos de sulcos helicoidais fresados ou obtidos por extrusão e de furos fresados;

10. Estatores de motor, em forma de anel, para motores de histerese multifásicos de corrente alternada (ou relutância magnética), destinados a funcionamento sincronizado no vácuo na gama de frequências de 600 a 2000 Hz e na gama de potências de 50 a 1000 Volt-Ampere;

11. Caixas/recipientes de centrifugadora para conter o conjunto dos tubos dos rotores das centrifugadoras a gás, constituídas por um cilindro rígido com uma espessura de paredes até 30 mm com extremidades maquinadas com precisão e feitas de ou protegidas com materiais resistentes à corrosão pelo UF6;

12. Conchas constituídas por tubos de diâmetro interior até 12 mm para a extracção de gás de UF6 de dentro de tubos de rotor da centrifugadora através da acção de um tubo de Pitot, feitas de ou protegidas com materiais resistentes à corrosão pelo UF6;

13. Modificadores de frequência (conversores ou inversores) especialmente concebidos ou preparados para a alimentação de estatores de motor para enriquecimento por centrifugação a gás, dotados de todas as características seguintes, e componentes especialmente concebidos para os mesmos:

13. a.

Frequência eléctrica multifásica de saída de 600 a 2000 Hz;

b.

Controlo de frequência melhor que 0,1 %;

c.

Distorção harmónica inferior a 2 %; e

d.

Rendimento superior a 80 %;

c.

Equipamento e componentes especialmente concebidos ou preparados para o processo de separação por difusão gasosa, seguidamente enumerados:

1. Barreiras de difusão gasosa feitas de materiais porosos, poliméricos ou cerâmicos, resistentes à corrosão pelo UF6, com uma dimensão de poro compreendida entre 10 e 100 nm, uma espessura igual ou inferior a 5 mm e, no caso das formas tubulares, um diâmetro igual ou inferior a 25 mm;

2. Câmaras de difusão gasosa feitas de ou protegidas com materiais resistentes à corrosão pelo UF6;

3. Compressores (de deslocamento positivo, de fluxo centrífugo e axial) ou ventiladores de gás com uma capacidade de volume de aspiração de 1 m3/min ou mais de UF6 e uma pressão de descarga até 666,7 kPa, feitos de ou protegidos com materiais resistentes à corrosão pelo UF6;

4. Vedantes de veios rotativos para compressores ou ventiladores especificados em 0B001.c.3. e concebidos para uma taxa de entrada de gases-tampão inferior a 1000 cm3/min.;

5. Permutadores de calor feitos de alumínio, cobre, níquel ou ligas que contenham mais de 60 % de níquel, ou combinações destes metais sob a forma de tubos revestidos, concebidos para funcionar a pressão subatmosférica, com uma taxa de perdas que limite o aumento de pressão a menos de 10 Pa/hora com uma diferença de pressão de 100 kPa;

6. Válvulas de fole feitas de ou protegidas com materiais resistentes à corrosão pelo UF6 de diâmetros compreendidos entre 40 mm e 1500 mm;

d.

Equipamento e componentes especialmente concebidos ou preparados para o processo de separação aerodinâmica, a saber:

1. Bicos de separação constituídos por canais curvos, em forma de fenda, com um raio de curvatura inferior a 1 mm, resistentes à corrosão pelo UF6 e com uma lâmina que separa o fluxo de gás que passa pelo bico em duas correntes);

2. Tubos, cilíndricos ou cónicos, activados pelo fluxo de entrada tangencial (tubos de vórtice), feitos de ou protegidos com materiais resistentes à corrosão pelo UF6 com diâmetros compreendidos entre 0,5 cm e 4 cm e uma relação comprimento/diâmetro igual ou inferior a 20:1, e com uma ou mais entradas tangenciais;

3. Compressores (axiais, centrífugos ou volumétricos) ou ventiladores de gás com uma capacidade de volume de aspiração igual ou superior a 2 m3/min, feitos de ou protegidos com materiais resistentes à corrosão pelo UF6 e vedantes para os respectivos veios;

4. Permutadores de calor feitos de ou protegidos com materiais resistentes à corrosão pelo UF6;

5. Caixas de elementos de separação aerodinâmica, feitas de ou protegidas com materiais resistentes à corrosão pelo UF6, para conter tubos de vórtice ou bicos de separação;

6. Válvulas de fole feitas de ou protegidas com materiais resistentes à corrosão pelo UF6, de diâmetros compreendidos entre 40 e 1500 mm;

7. Sistemas de processo para a separação do UF6 do gás portador (hidrogénio ou hélio) até um teor igual ou inferior a 1 ppm de UF6, incluindo:

7. a.

Permutadores de calor criogénicos e criosseparadores capazes de obter temperaturas iguais ou inferiores a 153 K (– 120 °C);

b.

Unidades de refrigeração criogénicas capazes de obter temperaturas iguais ou inferiores a 153 K (– 120 °C);

c.

Unidades com bicos de separação ou tubos de vórtice para a separação do UF6 do gás portador;

d.

Separadores de UF6 capazes de atingir temperaturas iguais ou inferiores a 253 K (– 20 °C);

e.

Equipamento e componentes especialmente concebidos ou preparados para o processo de separação por permuta química, a saber:

1. Colunas pulsantes de permuta rápida líquido-líquido com tempo de estadia no estágio igual ou inferior a 30 segundos e resistentes ao ácido clorídrico concentrado (p.ex., feitas de ou protegidas com materiais plásticos adequados tais como polímeros de fluorocarbonetos ou vidro);

2. Contactores centrífugos de permuta rápida líquido-líquido com tempo de estadia no estágio igual ou inferior a 30 segundos e resistentes ao ácido clorídrico concentrado (p.ex., feitos de ou protegidos com materiais plásticos adequados tais como polímeros de fluorocarbonetos ou vidro);

3. Células de redução electroquímica resistentes a soluções de ácido clorídrico concentrado, para a redução do urânio de um estado de valência para outro;

4. Equipamentos de alimentação de células de redução electroquímica para retirar o U+4 da corrente orgânica e, no que diz respeito às peças em contacto com a corrente de processo, feitas de ou protegidas com materiais adequados (p.ex., vidro, polímeros de fluorocarbonetos, poli-sulfato de fenilo, polietersulfonas e grafite impregnada de resina);

5. Sistemas de preparação da alimentação para a produção de soluções de cloreto de urânio de elevada pureza constituídos por equipamento de dissolução, de extracção de solventes e/ou permuta de iões para a purificação e células electrolíticas para a redução do urânio U+6 ou U+4 a U+3;

6. Sistemas de oxidação do urânio para a oxidação do U+3 em U+4;

f.

Equipamento e componentes especialmente concebidos ou preparados para o processo de separação por permuta iónica, a saber:

1. Resinas de permuta iónica de reacção rápida, resinas peliculares ou porosas macro-reticuladas em que os grupos activos de permuta química são limitados a um revestimento na superfície de uma estrutura de suporte porosa inactiva, e outras estruturas compósitas sob qualquer forma adequada, incluindo partículas ou fibras, com diâmetros iguais ou inferiores a 0,2 mm, resistentes ao ácido clorídrico concentrado e concebidas para ter um tempo de meia permuta inferior a 10 segundos, e capazes de operar a temperaturas na gama dos 373 K (100 °C) a 473 K (200 °C);

2. Colunas (cilíndricas) de permuta de iões de diâmetro superior a 1000 mm, feitas de ou protegidas com materiais resistentes ao ácido clorídrico concentrado (p. ex., titânio ou plásticos de fluorocarbonetos) e capazes de operar a temperaturas na gama dos 373 K (100 °C) a 473 K (200 °C) e a pressões superiores a 0,7 MPa;

3. Sistemas de refluxo de permuta de iões (sistemas de oxidação ou redução química ou electroquímica) para a regeneração dos agentes redutores ou oxidantes químicos utilizados nas cascatas de enriquecimento por permuta de iões;

g.

Equipamento e componentes especialmente concebidos ou preparados para o processo de separação isotópica por laser de vapor atómico (AVLIS), a saber:

1. Disparadores de feixes electrónicos por faixas ou varrimento, com uma potência fornecida superior a 2,5 kW/cm, para utilização em sistemas de vaporização de urânio;

2. Sistemas de manuseamento de urânio metálico líquido para urânio ou ligas de urânio fundidos, constituídos por cadinhos feitos de ou protegidos com materiais resistentes à corrosão e ao calor (p.ex., tântalo, grafite revestida de ítria, grafite revestida com outros óxidos de terras raras ou suas misturas) e equipamento de arrefecimento para os cadinhos; N.B.: VER TAMBÉM 2A225.

3. Sistemas de recolha de produtos e materiais residuais, feitos ou revestidos de materiais resistentes ao calor e à corrosão pelo vapor ou líquido de urânio metálico, tais como grafite revestida com ítria ou tântalo;

4. Alojamentos de módulos separadores (recipientes cilíndricos ou rectangulares) para conter a fonte de vapores de urânio metálico, o canhão de feixe electrónico e os colectores do produto e dos resíduos;

5. Lasers ou sistemas de laser para a separação de isótopos de urânio com um estabilizador de frequências do espectro para operação durante grandes períodos de tempo; N.B.: VER TAMBÉM 6A005 E 6A205.

h.

Equipamento e componentes especialmente concebidos ou preparados para o processo de separação isotópica por laser molecular (MLIS) ou a reacção química por activação laser selectiva de isótopos (CRISLA), a seguir enumerados:

1. Bicos de expansão supersónica concebidos para arrefecer misturas de UF6 e gás portador a 150 K (– 123 °C) ou menos e feitos de materiais resistentes à corrosão pelo UF6;

2. Colectores de produtos com pentafluoreto de urânio (UF5) constituídos por colectores com filtro, colectores de impacto ou colectores do tipo ciclone ou suas combinações, e feitos de materiais resistentes à corrosão pelo UF5/UF6;

3. Compressores feitos de ou protegidos com materiais resistentes à corrosão pelo UF6 e vedantes para os respectivos veios;

4. Equipamento para fluoração do UF5 (sólido) em UF6 (gás);

5. Sistemas de processo para a separação do UF6 do gás portador (p.ex., azoto ou árgon) incluindo:

5. a.

Permutadores de calor criogénicos e criosseparadores capazes de obter temperaturas iguais ou inferiores a 153 K (– 120 °C);

b.

Unidades de refrigeração criogénicas capazes de obter temperaturas iguais ou inferiores a 153 K (– 120 °C);

c.

Separadores criogénicos de UF6 capazes de atingir temperaturas iguais ou inferiores a 253 K (– 20 °C);

6. Lasers ou sistemas de laser para a separação de isótopos de urânio com um estabilizador de frequências do espectro para operação durante grandes períodos de tempo; NB.: VER TAMBÉM 6A005 E 6A205.

i.

Equipamento e componentes especialmente concebidos ou preparados para o processo de separação do plasma, a saber:

1. Fontes e antenas de microondas para produzir ou acelerar iões, com uma frequência de saída superior a 30 GHz e uma potência média de saída superior a 50 kW;

2. Bobinas de excitação iónica por rádio-frequência, para frequências superiores a 100 kHz, capazes de suportar potências médias superiores a 40 kW;

3. Sistemas de geração de plasma de urânio;

4. Sistemas de manuseamento de metais líquidos para urânio ou ligas de urânio fundidos, constituídos por cadinhos feitos de ou protegidos com materiais adequados resistentes à corrosão e ao calor (p.ex., tântalo, grafite revestida com ítria, grafite revestida com outros óxidos de terras raras ou suas misturas), e equipamento de arrefecimento para os cadinhos; N.B.: VER TAMBÉM 2A225.

5. Colectores de produtos e materiais residuais, feitos ou protegidos com materiais resistentes ao calor e à corrosão pelo vapor de urânio, tais como grafite revestida com ítria ou tântalo;

6. Alojamentos dos módulos separadores (cilíndricos) para conter a fonte de plasma de urânio, a bobina de comando das radiofrequências e os colectores de produto e resíduos, e feitos de material não magnético adequado (p.ex., aço inoxidável);

j.

Equipamento e componentes especialmente concebidos ou preparados para o processo de separação electromagnética, a saber:

1. Fontes de iões, simples ou múltiplas, constituídas por uma fonte de vapor, um ionizador e um acelerador de feixes, feitas de materiais não magnéticos adequados (p.ex., grafite, aço inoxidável ou cobre) e capazes de fornecer uma corrente total de feixes de iões igual ou superior a 50 mA;

2. Placas colectoras de iões para a recolha de feixes de iões de urânio enriquecido ou empobrecido, constituídas por duas ou mais fendas e bolsas e feitas de materiais não magnéticos adequados (p.ex., grafite ou aço inoxidável);

3. Caixas de vácuo para separadores electromagnéticos de urânio feitas de materiais não magnéticos (p.ex., aço inoxidável) e concebidas para operar a pressões iguais ou inferiores a 0,1 Pa;

4. Polos magnéticos de diâmetro superior a 2 m;

5. Fontes de alimentação de alta tensão para fontes de iões, com todas as seguintes características: N.B.: VER TAMBÉM 3A227.

5. a.

Capacidade para funcionamento contínuo;

b.

Tensão de saída igual ou superior a 20000 V;

c.

Corrente de saída igual ou superior a 1 A; e

d.

Regulação de tensão com uma variação inferior a 0,01 % durante um período de 8 horas;

6. Fontes de alimentação de electromagnetos (alta potência, corrente contínua) com todas as seguintes características: N.B.: VER TAMBÉM 3A226.

6. a.

Capacidade para funcionamento contínuo com uma corrente de saída igual ou superior a 500 A a uma tensão igual ou superior a 100 V; e

b.

Regulação da corrente ou da tensão com uma variação inferior a 0,01 % durante um período de 8 horas.

a.

Autoclaves de alimentação, fornos ou sistemas utilizados para a passagem do UF6 para o processo de enriquecimento;

b.

Dessublimadores ou separadores criogénicos, utilizados para remover o UF6 do processo de enriquecimento para transferência subsequente após aquecimento;

c.

Estações de produtos e materiais residuais utilizadas para a transferência do UF6 para os contentores;

d.

Estações de liquefacção ou de solidificação utilizadas para remover o UF6 do processo de enriquecimento através da compressão, arrefecimento e conversão do UF6 numa forma líquida ou sólida;

e.

Sistemas de tubagens e sistemas de colectores especialmente concebidos para o manuseamento do UF6 dentro das cascatas de difusão gasosa, de centrifugação gasosa ou aerodinâmicas;

f.

1. Distribuidores de vácuo ou colectores de vácuo, com uma capacidade de aspiração igual ou superior a 5 m3/minuto, ou

2. Bombas de vácuo especialmente concebidas para utilização em atmosferas contendo UF6;

g.

Espectrómetros de massa/fontes de iões de UF6 especialmente concebidos ou preparados para colher amostras em contínuo de materiais de alimentação, produtos ou resíduos provenientes dos fluxos de gás UF6 e com as seguintes características:

1. Resolução por unidade de massa superior a 320 amu;

2. Fontes de iões construídas ou revestidas com nicrómio ou monel ou folheadas a níquel;

3. Fontes de ionização por bombardeamento com electrões; e

4. Sistema colector adequado para análise isotópica.

a.

Sistemas para a conversão de concentrados de minério de urânio em UO3;

b.

Sistemas para a conversão de UO3 em UF6;

c.

Sistemas para a conversão de UO3 em UO2;

d.

Sistemas para a conversão de UO2 em UF4;

e.

Sistemas para a conversão de UF4 em UF6;

f.

Sistemas para a conversão de UF4 em urânio metálico;

g.

Sistemas para a conversão de UF6 em UO2;

h.

Sistemas para a conversão de UF6 em UF4;

i.

Sistemas para a conversão de UO2 em UCl4.

a.

Instalações de produção de água pesada, deutério ou compostos de deutério, a saber:

1. Instalações de permuta água-ácido sulfídrico;

2. Instalações de permuta amoníaco-hidrogénio;

b.

Equipamento e componentes, a seguir enumerados:

1. Colunas de permuta de água-ácido sulfídrico construídas em aço ao carbono de grão fino (p. ex. ASTM A516), de diâmetro entre 6 e 9 m, concebidas para funcionar a uma pressão igual ou superior a 2 MPa e com uma sobreespessura para corrosão igual ou superior a 6 mm;

2. Ventiladores ou compressores centrífugos de um só andar, a baixa pressão (ou seja, 0,2 MPa), para circulação de gás de ácido sulfídrico (ou seja, gás contendo mais de 70 % de H2S) com uma capacidade de débito igual ou superior a 56 m3/segundo ao funcionarem a pressões de sucção iguais ou superiores a 1,8 MPa e munidos de vedantes concebidos para funcionar em meio húmido com H2S;

3. Colunas de permuta amoníaco-hidrogénio de altura igual ou superior a 35 m e diâmetros entre 1,5 e 2,5 m, capazes de funcionar a pressões superiores a 15 MPa;

4. Componentes internos das colunas, incluindo contactores de andares e bombas de andares, incluindo as bombas submergíveis, para a produção de água pesada utilizando o processo de permuta amoníaco-hidrogénio;

5. Fraccionadores de amoníaco, com pressões de funcionamento iguais ou superiores a 3 MPa, para produção de água pesada utilizando o processo de permuta amoníaco-hidrogénio;

6. Analisadores de absorção de infra-vermelhos, capazes de analisar a relação hidrogénio-deutério em contínuo quando as concentrações de deutério forem iguais ou superiores a 90 %;

7. Queimadores catalíticos para a conversão de deutério gasoso enriquecido em água pesada pelo processo de permuta amoníaco-hidrogénio;

8. Sistemas completos de enriquecimento de água pesada, ou respectivas colunas, para o enriquecimento de água pesada até à concentração em deutério necessária ao funcionamento do reactor.

a.

Entra normalmente em contacto directo, ou processa directamente, ou controla o fluxo de produção de materiais nucleares;

b.

Confina hermeticamente os materiais nucleares no interior da blindagem;

c.

Verifica a integridade da bainha ou do seu confinamento; ou

d.

Verifica o tratamento final do combustível confinado.

a.

Instalações de reprocessamento de elementos de combustível irradiados de reactores nucleares, incluindo o equipamento e os componentes que entram normalmente em contacto directo e controlam directamente o combustível irradiado e os principais fluxos de processamento de material nuclear e de produtos de cisão.

b.

Máquinas para cortar ou rasgar elementos de combustível, isto é, equipamento telecomandado destinado a cortar, talhar, rasgar ou cisalhar feixes, varas ou conjuntos irradiados de combustível de reactores nucleares;

c.

Tanques de dissolução, isto é, tanques criticamente seguros (por exemplo, tanques de pequeno diâmetro, anulares ou de pequena altura), especialmente concebidos ou preparados para a dissolução do combustível irradiado do reactor nuclear, capazes de suportar líquidos quentes e altamente corrosivos, e que possam ser alimentados e manutencionados por controlo remoto;

d.

Extractores de solventes em contra-corrente e equipamento de processamento por permuta iónica, especialmente concebidos ou preparados para utilização numa instalação de reprocessamento de urânio natural, urânio empobrecido ou materiais cindíveis especiaisirradiados;

e.

Recipientes de retenção ou de armazenagem especialmente concebidos de forma a serem criticamente seguros e resistentes aos efeitos corrosivos do ácido nítrico; Nota: Os recipientes de retenção ou de armazenagem podem ter as seguintes características:

1. Paredes ou estruturas internas com um equivalente de boro de pelo menos 2 %, (calculado para todos os elementos constituintes de acordo com a definição contida na nota ao ponto 0C004);

2. Diâmetro máximo de 175 mm para os recipientes cilíndricos; ou

3. Largura máxima de 75 mm no caso dos recipientes de pouca altura ou anulares.

f.

Instrumentação de controlo de processo, especialmente concebida ou preparada para a monitorização ou o controlo do reprocessamento de urânio natural, urânio empobrecido ou materiais cindíveis especiais irradiados;

a.

Sistemas para a conversão de nitrato de plutónio em óxido de plutónio;

b.

Sistemas para a produção de plutónio metálico.

0CMateriais 0C001Urânio natural ou urânio empobrecido ou tório sob a forma de metal, liga, composto químico ou concentrado e qualquer outro material que contenha um ou mais dos elementos anteriores; Nota: 0C001 não abrange os seguintes elementos: 0C002Materiais cindíveis especiais. Nota: 0C002 não abrange quantidades iguais ou inferiores a quatro gramas efectivos, quando contidas num componente sensor de um instrumento. 0C003Deutério, água pesada (óxido de deutério) e outros compostos de deutério, e misturas e soluções que contenham deutério, em que a relação isotópica entre o deutério e o hidrogénio exceda 1:5000. 0C004Grafite, de qualidade nuclear, com um grau de pureza inferior a 5 partes por milhão de equivalente de boro e com uma densidade superior a 1,5 g/cm3. N.B.: VER TAMBÉM IC107. Nota 1: 0C004 não abrange: Nota 2: Em 0C004, equivalente de boro (BE) é definido como a soma de BEz para as impurezas (excluindo BEcarbono, uma vez que o carbono não é considerado uma impureza) incluindo o boro, em que: BEz(ppm) = CF × Concentração do elemento Z, em ppm; em que CF é o factor de conversão = σZABσBAZ e σB e σZ são as secções eficazes da captura de neutrões térmicos (em barns), respectivamente para o boro e o elemento Z, e AB e AZ são, respectivamente, as massas atómicas do boro e do elemento Z tal como ocorrem na natureza. 0C005Outros compostos ou pós especialmente preparados, resistentes à corrosão pelo UF6 (por exemplo, níquel ou ligas que contenham 60 % em massa, ou mais, de níquel, óxido de alumínio ou polímeros de hidrocarbonetos totalmente fluorados), para fabrico de barreiras de difusão gasosa, com uma pureza igual ou superior a 99,9 % em massa e uma granulometria média inferior a 10 micrómetros medida de acordo com a norma B330 da American Society for Testing and Materials (ASTM) e com um elevado grau de uniformidade no tamanho das partículas.

0CMateriais a.

Quantidades iguais ou inferiores a quatro gramas de urânio natural ou urânio 0C Materiais empobrecidos, quando contidas num componente sensor de um instrumento;

b.

Urânio empobrecido especialmente fabricado para as seguintes aplicações civis não nucleares:

1. Blindagem;

2. Embalagem;

3. Lastro com massa igual ou inferior a 100 Kg;

4. Contrapesos com massa igual ou inferior a 100 Kg;

c.

Ligas com menos de 5 % de tório;

d.

Produtos cerâmicos que contenham tório, fabricados para usos não nucleares.

a.

Produtos manufacturados de grafite de massa inferior a 1 kg diferentes dos especialmente concebidos ou preparados para uso num reactor nuclear;

b.

Pó de grafite.

0DSuporte lógico

0D001Suporte lógico especialmente concebido ou modificado para o desenvolvimento, produção ou utilização dos produtos referidos na presente categoria.

0ETecnologia 0E001Tecnologia nos termos da Nota sobre Tecnologia Nuclear para o desenvolvimento, produção ou utilização dos produtos referidos nesta categoria.

CATEGORIA 1 MATERIAIS, PRODUTOS QUÍMICOS, MICRORGANISMOS E TOXINAS

1AEquipamentos, conjuntos e componentes Nota técnica:

1A001Componentes fabricados a partir de compostos fluorados: 1A002Estruturas ou laminados compósitos com qualquer das seguintes características: N.B.: VER TAMBÉM 1A202, 9A010 E 9A110. Nota 1: 1A002 não abrange as estruturas ou laminados compósitos fabricados com materiais fibrosos ou filamentosos de carbono impregnados de resinas epoxídicas destinados à reparação de estruturas ou laminados de aeronaves, desde que não excedam 1 m2. Nota 2: 1A002 não abrange os artigos acabados ou semi-acabados especialmente concebidos para aplicações de carácter puramente civil, como: 1A003Produtos fabricados com os polímeros não fluorados referidos em 1C008.a.3., sob a forma de película, folha, banda ou fita, com uma das seguintes características: Nota: 1A003 não abrange os produtos revestidos ou laminados com cobre destinados à produção de placas de circuitos impressos electrónicos. 1A004Equipamento de protecção e detecção e seus componentes, com excepção dos especificados na Lista de Material de Guerra, como se segue: N.B. VER TAMBÉM 2B351 E 2B352. Nota: 1A004 não abrange: 1A005Fatos blindados e componentes especialmente concebidos para os mesmos com excepção dos fabricados de acordo com normas ou especificações militares ou com um desempenho equivalente. N.B. VER TAMBÉM A LISTA DE MATERIAL DE GUERRA. N.B.: Para materiais fibrosos ou filamentosos utilizados no fabrico de fatos blindados, ver 1C010. Nota 1: 1A005 não abrange os fatos blindados nem o vestuário de protecção que acompanhem o utilizador para efeitos da sua protecção pessoal. Nota 2: 1A005 não abrange os fatos blindados concebidos para assegurar a protecção frontal apenas contra estilhaços e explosões provocadas por dispositivos não militares. 1A102Componentes de carbono-carbono pirolizado ressaturado, concebidos para os veículos lançadores espaciais referidos em 9A004 ou para os foguetes-sonda referidos em 9A104. 1A202Estruturas compósitas, excepto as referidas em 1A002.a., na forma de tubos e com ambas as seguintes características; N.B.: VER TAMBÉM 9A010 E 9A110. 1A225Catalisadores platinados especialmente concebidos ou preparados para promover a reacção de permuta isotópica do hidrogénio entre o hidrogénio e a água, para a recuperação de trítio da água pesada ou para a produção de água pesada. 1A226Enchimentos especiais que possam ser utilizados na separação de água pesada da água natural e que tenham ambas as seguintes características: 1A227Janelas de protecção contra radiações de grande densidade (vidro de chumbo ou outro), com todas as seguintes características: e caixilhos especialmente concebidos para essas janelas. Em 1A227, entende-se por zona fria a zona de observação da janela exposta ao menor nível de radiações no caso da aplicação de projecto.

1AEquipamentos, conjuntos e componentes a.

Vedantes, juntas ou reservatórios flexíveis de combustível especialmente concebidos para aplicação aeronáutica ou espacial e constituídos em mais de 50 % em massa de qualquer dos materiais referidos em 1C009.b. ou 1C009.c.;

b.

Polímeros e copolímeros piezoeléctricos de fluoreto de vinilideno referidos em 1C009.a.:

1. Em forma de folha ou de película; e

2. De espessura superior a 200 μm;

c.

Vedantes, juntas, sedes de válvula, reservatórios flexíveis ou diafragmas fabricados com fluoroelastómeros com pelo menos um grupo de viniléter como elemento constituinte, especialmente concebidos para aplicação aeronáutica, espacial ou em mísseis. Nota Em 1A001.C, por mísseis entendem-se foguetes completos e veículos aéreos não tripulados.

a.

Uma matriz orgânica e fabricados com os materiais referidos em 1C010.c., d. ou e.; ou

b.

Uma matriz metálica ou de carbono e fabricados com:

1. Materiais fibrosos ou filamentosos de carbono com:

1. a.

Módulo de elasticidade específico superior a 10,15 × 106 m; e

b.

Resistência específica à tracção superior a 17,7 × 104 m: ou

2. Os materiais referidos em 1C010.c.

a.

Artigos desportivos;

b.

Indústria automóvel;

c.

Indústria das máquinas – ferramentas

d.

Aplicações médicas.

a.

Espessura superior a 0,254 mm; ou

b.

Revestidos ou laminados com carbono, grafite, metais ou substâncias magnéticas.

a.

Máscaras anti-gás, filtros e equipamento para a sua descontaminação, concebidos ou modificados para defesa contra agentes biológicos ou materiais radioactivos adaptados para fins militares ou contra agentes utilizados na guerra química (CW), e componentes especialmente concebidos para os mesmos;

b.

Fatos, luvas e calçado de protecção especialmente concebidos ou modificados para defesa contra agentes biológicos ou materiais radioactivos adaptados para fins militares ou contra agentes utilizados na guerra química (CW);

c.

Sistemas de detecção nuclear, biológica e química (NBC) especialmente concebidos ou modificados para a detecção ou identificação de agentes biológicos ou materiais radioactivos adaptados para fins militares ou de agentes utilizados na guerra química (CW), e componentes especialmente concebidos para os mesmos;

a.

Dosímetros pessoais de controlo de radiações;

b.

Equipamento limitado, por projecto ou função, a proteger contra riscos específicos das indústrias civis, como a mineração, a exploração de pedreiras, a agricultura, a indústria farmacêutica, a medicina, a veterinária, a protecção do ambiente, a gestão de resíduos ou a indústria alimentar.

a.

Diâmetro interior compreendido entre 75 mm e 400 mm; e

b.

Fabricadas com os materiais fibrosos ou filamentosos referidos em 1C010.a. ou b. ou 1C210.a. ou com materiais de carbono pré-impregnados referidos em 1C210.c.

a.

Serem constituídos por malhas de bronze fosforoso ou de cobre (ambos tratados quimicamente para melhorar a molhabilidade); e

b.

Estarem concebidos para ser utilizados em colunas de destilação de vácuo.

a.

Zona fria de dimensão superior a 0,09 m2;

b.

Densidade superior a 3 g/cm3; e

c.

Espessura igual ou superior a 100 mm,

1BEquipamentos de ensaio, de inspecção e de produção

1B001Equipamentos para a produção de fibras, de pré-impregnados, de pré-formas ou de materiais compósitos referidos em 1A002 ou 1C010 e componentes e acessórios especialmente concebidos para esses equipamentos: N.B.: VER TAMBÉM 1B101 E 1B201. 1B002Equipamento para a produção das ligas metálicas, pós de ligas metálicas ou materiais ligados especialmente concebidos para evitar a contaminação e para utilização num dos processos referidos em 1C002.c.2. N.B.: VER TAMBÉM 1B102. 1B003Ferramentas, cunhos, matrizes, moldes ou acessórios, para enformação superplástica ou soldadura por difusão de titânio, alumínio ou ligas destes metais, especialmente concebidos para o fabrico de: 1B101Equipamentos, excepto os referidos em 1B001, para a produção de materiais compósitos estruturais, bem como componentes e acessórios especialmente concebidos para esses equipamentos: N.B.: VER TAMBÉM 1B201. Nota: Os componentes e acessórios referidos em 1B101 compreendem moldes, mandris, cunhos, matrizes, dispositivos fixos e ferramentas para a compressão, cura, vazamento, sinterização ou soldadura de pré-formas de estruturas e laminados compósitos e respectivos produtos. 1B102Equipamento de produção de pós metálicos, salvo o referido em 1B002, e respectivos componentes, designadamente: N.B.: VER TAMBÉM 1B115.b. Nota: 1B102 abrange: 1B115Equipamentos, salvo os referidos em 1B002 ou 1B102, para a produção de propulsantes e elementos constituintes de propulsantes, e componentes especialmente concebidos para esses equipamentos, designadamente: Nota 1: No que se refere ao equipamento especialmente concebido para a produção de material de guerra, ver a Lista de Material de Guerra. Nota 2: 1B115 não abrange o equipamento para a produção, o manuseamento e os ensaios de recepção do carboneto de boro. 1B116Tubeiras especialmente concebidas para a produção de materiais por processos pirolíticos, formados em moldes, mandris ou outros substratos, a partir de gases precursores que se decomponham a temperaturas entre 1573 K (1300 °C) e 3173 K (2900 °C), sob pressões de 130 Pa a 20 kPa. 1B117Misturadores descontínuos com capacidade para efectuar misturas sob vácuo entre 0 e 13,326 kPa e dotados de controlo da temperatura da câmara de mistura, com todas as características a seguir indicadas, e componentes especialmente concebidos para os mesmos: 1B118Misturadores contínuos com capacidade para efectuar misturas sob vácuo entre 0 e 13,326 kPa e dotados de controlo da temperatura da câmara de mistura, com uma das características a seguir indicadas, e componentes especialmente concebidos para os mesmos: 1B119Moinhos de jacto de fluido utilizáveis para moer ou triturar substâncias referidas em 1C011.a., 1C011.b., 1C111 ou na Lista de Material de Guerra, e componentes especialmente concebidos para os mesmos. 1B201Máquinas de bobinar filamentos, excepto as referidas em 1B001 ou 1B101, e equipamento conexo: 1B225Células electrolíticas para a produção de flúor com uma capacidade de produção superior a 250 g de flúor por hora. 1B226Separadores electromagnéticos de isótopos concebidos para ou equipados com fontes de iões simples ou múltiplas, capazes de produzir um feixe iónico de intensidade de corrente total igual ou superior a 50 mA. Nota: 1B226 abrange os separadores: 1B227Convertidores para a síntese do amoníaco ou unidades para a síntese do amoníaco nas quais o gás de síntese (azoto e hidrogénio) sai de uma coluna de permuta de amoníaco/hidrogénio de alta pressão e o amoníaco sintetizado é reintroduzido na coluna. 1B228Colunas de destilação criogénica do hidrogénio com todas as seguintes características: 1B229Colunas de pratos de permuta de água-sulfureto de hidrogénio e contactores internos: N.B.: No que se refere às colunas especialmente concebidas ou preparadas para a produção de água pesada, ver 0B004. 1B230Bombas capazes de garantir a circulação de soluções concentradas ou diluídas do catalisador amida de potássio em amoníaco líquido (KNH2/NH3), com todas as seguintes características: 1B231Instalações para trítio e equipamento a elas destinado: 1B232Turboexpansores ou conjuntos turboexpansor-compressor com ambas as seguintes características: 1B233Instalações para a separação de isótopos de lítio e equipamento a elas destinado:

a.

Máquinas de bobinar filamentos em que os movimentos de posicionamento, enrolamento e bobinagem das fibras sejam coordenados e programados em três ou mais eixos, especialmente concebidas para o fabrico de estruturas ou laminados compósitos a partir de materiais fibrosos ou filamentosos.

b.

Máquinas para a colocação de bandas ou de cabos de fibras (tows) em que os movimentos de posicionamento e colocação das bandas, cabos de fibras (tows) ou folhas sejam coordenados e programados em dois ou mais eixos, especialmente concebidas para o fabrico de estruturas compósitas de células ou mísseis. Nota: Em 1B001.b., por mísseis entendem-se foguetes completos e veículos aéreos não tripulados.

c. Nota técnica:

Máquinas de tecer multidireccionais e multidimensionais ou máquinas de entrelaçar, incluindo adaptadores e conjuntos de modificação, para tecer, entrelaçar ou entrançar fibras destinadas ao fabrico de estruturas compósitas; Para efeitos de 1B001.c., a técnica de entrelaçamento inclui a tricotagem. Nota: 1B001.c. não abrange a maquinaria têxtil não modificada para as utilizações finais acima referidas;

d.

Equipamentos especialmente concebidos ou adaptados para o fabrico de fibras de reforço:

1. Equipamentos para a conversão de fibras poliméricas (por exemplo, poliacrilonitrilo, rayon, breu ou policarbossilano) em fibras de carbono ou de carboneto de silício, incluindo equipamentos especiais para a estiragem das fibras durante o aquecimento;

2. Equipamentos para a deposição química de vapores de elementos ou de compostos em substratos filamentosos aquecidos, para o fabrico de fibras de carboneto de silício;

3. Equipamentos para a extrusão húmida de materiais cerâmicos refractários (por exemplo, óxido de alumínio);

4. Equipamentos para a conversão de fibras precursoras com alumínio em fibras de alumina, por tratamento térmico;

e.

Equipamentos para a produção dos pré-impregnados referidos em 1C010.e. pelo método da fusão a quente;

f.

Equipamentos para a inspecção não destrutiva de defeitos a três dimensões por tomografia ultra-sónica ou a raios-X, especialmente concebidos para materiais compósitos;

a.

Células ou estruturas aeroespaciais;

b.

Motores aeronáuticos ou aeroespaciais; ou

c.

Componentes especialmente concebidos para essas estruturas ou motores.

a.

Máquinas de bobinar filamentos em que os movimentos de posicionamento, enrolamento e bobinagem das fibras possam ser coordenados e programados em três ou mais eixos, concebidas para o fabrico de estruturas ou laminados compósitos a partir de materiais fibrosos e filamentosos, bem como os respectivos comandos de coordenação e de programação;

b.

Máquinas para a colocação de bandas em que os movimentos de posicionamento e colocação das bandas e folhas possam ser coordenados e programados em dois ou mais eixos, concebidas para o fabrico de estruturas compósitas de células e mísseis;

c.

Equipamentos concebidos ou modificados para a produção de materiais fibrosos ou filamentosos:

1. Equipamentos para a conversão de fibras poliméricas (por exemplo, poliacrilonitrilo, rayon ou policarbossilano), incluindo equipamentos especiais para a estiragem das fibras durante o aquecimento;

2. Equipamentos para a deposição de vapores de elementos ou de compostos em substratos filamentosos aquecidos;

3. Equipamentos para a extrusão húmida de materiais cerâmicos refractários (por exemplo, óxido de alumínio);

d.

Equipamentos concebidos ou modificados para tratamentos especiais da superfície de fibras ou para a produção dos pré-impregnados e pré-formas referidos em 9C110. Nota: 1B101.d. abrange cilindros, estiradores, equipamentos de revestimento, equipamentos de corte e clicker dies.

a.

Equipamento de produção de pós metálicos utilizável para a produção, em ambiente controlado, dos materiais esferulados ou atomizados referidos em 1C011.a., 1C011.b., 1C111.a.1., 1C111.a.2. ou na Lista de Material de Guerra.

b.

Componentes especialmente concebidos para o equipamento de produção referido em 1B002 ou 1B102.a.

a.

Geradores de plasma (jacto de arco eléctrico de alta frequência) utilizáveis para a obtenção de pós metálicos esferulados ou atomizados, com organização do processo em ambiente árgon-água;

b.

Equipamento de electro-explosão utilizável para a obtenção de pós metálicos esferulados ou atomizados, com organização do processo em ambiente árgon-água;

c.

Equipamento utilizável para a produção de pó de alumínio esferulado por pulverização de massa fundida em atmosfera inerte (por exemplo, azoto).

a.

Equipamento de produção para a produção, manuseamento ou ensaio de recepção dos propulsantes ou componentes de propulsantes líquidos referidos em 1C011.a., 1C011.b., 1C111 ou na Lista de Material de Guerra;

b.

Equipamento de produção, para a produção, manuseamento, mistura, cura, vazamento, compressão, maquinagem, extrusão ou ensaio dos propulsantes ou componentes de propulsantes sólidos referidos em 1C011.a., 1C011.b., 1C111 ou na Lista de Material de Guerra. Nota: 1B115.b. não abrange os misturadores descontínuos, os misturadores contínuos nem os moinhos de jacto de fluido. Para estes equipamentos, ver 1B117, 1B118 e 1B119.

a.

Capacidade volumétrica total igual ou superior a 110 litros; e

b.

Pelo menos uma pá misturadora/malaxadora excêntrica.

a.

Duas ou mais pás misturadoras/malaxadoras; e

b.

Uma única pá rotativa com movimento de oscilação e dentes/pinos malaxadores tanto na própria pá como no interior da câmara misturadora.

a.

Máquinas de bobinar filamentos com todas as seguintes características:

1. Movimentos de posicionamento, enrolamento e bobinagem das fibras coordenados e programados em dois ou mais eixos;

2. Especialmente concebidas para o fabrico de estruturas ou laminados compósitos a partir de materiais fibrosos ou filamentosos; e

3. Com capacidade para bobinar rotores cilíndricos de diâmetro compreendido entre 75 mm e 400 mm e comprimento igual ou superior a 600 mm;

b.

Comandos de coordenação e programação para as máquinas de bobinar filamentos referidas em 1B201.a.;

c.

Mandris de precisão para as máquinas de bobinar filamentos referidas em 1B201.a.

a.

Capazes de enriquecer isótopos estáveis;

b.

Cujas fontes de iões e colectores se situem no interior do campo magnético, bem como as configurações em que estes sejam exteriores ao campo.

a.

Concebidas para funcionamento a temperaturas interiores iguais ou inferiores a 35 K (– 238 °C);

b.

Concebidas para funcionamento a pressões interiores compreendidas entre 0,5 e 5 MPa;

c.

Construídas

1. Quer em aço inoxidável austenítico de grão fino da série 300 com baixo teor de enxofre e com uma granulometria ASTM (ou equivalente) igual ou superior a 5; ou

2. Quer em materiais equivalentes que sejam simultaneamente criogénicos e compatíveis com o H2; e

d.

De diâmetro interior igual ou superior a 1 m e altura efectiva igual ou superior a 5 m.

a.

Colunas de pratos de permuta de água-ácido sulfídrico com todas as seguintes características:

1. Capazes de funcionar a pressões iguais ou superiores a 2 MPa;

2. Construídas em aço ao carbono austenítico de grão fino, com uma granulometria ASTM (ou equivalente) igual ou superior a 5; e

3. De diâmetro igual ou superior a 1,8 m;

b. Nota técnica:

Contactores internos para as colunas de pratos de permuta de água-ácido sulfídrico referidas em 1B229.a. Os contactores internos das colunas são pratos segmentados de diâmetro efectivo, após montagem, igual ou superior a 1,8 m, concebidos para facilitar o contacto em contracorrente e construídos de aço inoxidável com um teor de carbono igual ou inferior a 0,03 %. Podem ser pratos perfurados, pratos de válvulas, pratos de campânulas ou pratos de grelha (Turbogrid).

a.

Estanques ao ar (isto é, hermeticamente fechadas);

b.

Capacidade superior a 8,5 m3/h; e

c.

Uma das seguintes características:

1. Para soluções concentradas de amida de potássio (1 % ou mais), pressão de serviço de 1,5 a 60 MPa; ou

2. Para soluções diluídas de amida de potássio (menos de 1 %), pressão de serviço de 20 a 60 MPa.

a.

Instalações para a produção, recuperação, extracção, concentração ou manuseamento de trítio.

b.

Equipamento para instalações de trítio:

1. Unidades de refrigeração a hidrogénio ou hélio capazes de arrefecer até temperaturas iguais ou inferiores a 23 K (– 250 °C), com capacidade de refrigeração superior a 150 W;

2. Sistemas de armazenagem ou de purificação de isótopos de hidrogénio que utilizem hidretos metálicos como meio de armazenagem ou de purificação.

a.

Concebidos para funcionamento com uma temperatura de saída igual ou inferior a 35 K (– 238 °C); e

b.

Concebidos para um caudal de hidrogénio gasoso igual ou superior a 1000 kg/h.

a.

Instalações para a separação de isótopos de lítio;

b.

Equipamento para a separação de isótopos de lítio, designadamente:

1. Colunas de permuta líquido-líquido com enchimento compacto especialmente concebidas para amálgamas de lítio;

2. Bombas de amálgama de mercúrio ou de lítio;

3. Células de electrólise da amálgama de lítio;

4. Evaporadores para soluções de hidróxido de lítio concentradas.

1CMateriais Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota Técnica: Nota técnica Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.

Metais e ligas: Formas em bruto: Formas semimanufacturadas (revestidas, chapeadas, perfuradas ou não): O objectivo dos controlos não deve ser contrariado pela exportação de formas não incluídas na lista declaradas como produtos acabados mas que são na realidade formas em bruto ou semimanufacturadas. 1C001Materiais especialmente concebidos para absorver ondas electromagnéticas ou polímeros intrinsecamente condutores: N.B.: VER TAMBÉM 1C101. 1C002Ligas metálicas, pós de ligas metálicas ou materiais ligados: N.B.: VER TAMBÉM 1C202. Nota: 1C002 não abrange as ligas metálicas, os pós de ligas metálicas e os materiais ligados para o revestimento de substratos. 1C003Metais magnéticos, de todos os tipos e em todas as formas, com qualquer das seguintes características: 1C004Ligas de urânio e titânio ou ligas de tungsténio com matriz à base de ferro, níquel ou cobre, com todas as seguintes características: 1C005Condutores de materiais compósitossupercondutores, com comprimentos superiores a 100 m ou massa superior a 100 g: 1C006Fluidos e produtos lubrificantes: Para efeitos de 1C006: 1C007Materiais cerâmicos de base, materiais cerâmicos não compósitos, materiais compósitos de matriz cerâmica e materiais precursores: N.B.: VER TAMBÉM 1C107. 1C008Polímeros não fluorados: A temperatura de transição vítrea (Tg) para os materiais referidos em 1C008 determina-se pelo método descrito na norma ISO 11357-2 (1999) ou seus equivalentes nacionais. 1C009Compostos fluorados não tratados: 1C010Materiais fibrosos ou filamentosos que possam ser utilizados em estruturas ou laminados compósitos de matriz orgânica, metálica ou de carbono: N.B.: VER TAMBÉM 1C210. 1C011Metais e compostos a seguir enumerados: N.B.: VER TAMBÉM A LISTA DE MATERIAL DE GUERRA E 1C111. 1C012Materiais a seguir enumerados: Estes materiais são normalmente utilizados para fontes de calor nucleares. 1C101Materiais e dispositivos que reduzam parâmetros de detecção, como a reflectividade ao radar e as assinaturas no ultravioleta/infravermelho e acústicas, não referidos em 1C001 e utilizáveis em mísseis, subsistemas de mísseis, ou veículos aéreos não tripulados especificados em 9A012. Nota 1: 1C101 abrange: Nota 2: 1C101 não abrange os revestimentos especialmente utilizados no controlo térmico dos satélites. Em 1C101, míssil refere-se a foguetes completos e a veículos aéreos não tripulados com um raio de alcance superior a 300 km. 1C102Materiais de carbono-carbono pirolizados ressaturados concebidos para veículos lançadores espaciais referidos em 9A004 ou para foguetes-sonda referidos em 9A104. 1C107Grafite e materiais cerâmicos com excepção dos referidos em 1C007: 1C111Propulsantes e produtos químicos utilizados em propulsantes, salvo os referidos em 1C011: Nota: No que se refere aos propulsantes e aos produtos químicos utilizados em propulsantes não referidos em 1C111, ver a Lista de Material de Guerra. 1C116Aços maraging (aços normalmente caracterizados por um elevado teor de níquel e baixo teor de carbono e pela utilização de outros elementos de liga ou de precipitados para promover o endurecimento por envelhecimento) com tensão de ruptura à tracção igual ou superior a 1500 MPa, medida a 293 K (20 °C), sob a forma de folhas, chapas ou tubagens de espessura igual ou inferior a 5 mm. N.B.: VER TAMBÉM 1C216 1C117Tungsténio, molibdénio e ligas destes metais na forma de partículas uniformes esféricas ou atomizadas de diâmetro igual ou inferior a 500 μm e grau de pureza igual ou superior a 97 %, para o fabrico de componentes de motores de mísseis, por exemplo, blindagens térmicas, suportes de tubeiras, gargantas de tubeiras e superfícies de controlo do vector de potência. 1C118Aço inoxidável duplex estabilizado ao titânio (Ti-DSS), como a seguir se descreve: 1C202Ligas não referidas em 1C002.b.3. ou b.4.: A expressão ligas capazes de aplica-se às ligas antes ou depois do tratamento térmico. 1C210Materiais fibrosos ou filamentosos não referidos em 1C010.a., b. ou e.: Nota: Em 1C210, os materiais fibrosos ou filamentosos restringem-se a monofilamentos, fios, mechas, bandas ou cabos de fibras (tows) contínuos. 1C216Aços maraging não abrangidos por 1C116, capazes de uma tensão de ruptura à tracção igual ou superior a 2050 MPa a 293 K (20 °C). Nota: 1C216 não abrange formas em que todas as dimensões lineares sejam iguais ou inferiores a 75 mm. A expressão aços maraging capazes de aplica-se aos aços maraging antes ou depois do tratamento térmico. 1C225Boro enriquecido no isótopo boro-10 (10B) de modo a apresentar uma abundância isotópica superior à natural, sob as seguintes formas: boro elementar, compostos e misturas com boro, e produtos, resíduos ou sucata de qualquer destes materiais. Nota: Em 1C225, as misturas com boro incluem os materiais com adição de boro. A abundância isotópica natural do boro-10 é de aproximadamente 18,5 % em massa (20 átomos em cada cem). 1C226Tungsténio, carboneto de tungsténio e ligas com mais de 90 % em massa de tungsténio, com ambas as seguintes características: Nota: 1C226 não abrange peças especialmente concebidas para utilização como pesos ou colimadores de raios gama. 1C227Cálcio com ambas as seguintes características: 1C228Magnésio com ambas as seguintes características: 1C229Bismuto com ambas as seguintes características: 1C230Berílio metálico, ligas com mais de 50 %, em massa, de berílio, compostos de berílio e produtos, resíduos ou sucata destes materiais. Nota: 1C230 não abrange: 1C231Háfnio metálico, ligas de háfnio com mais de 60 %, em massa, de háfnio, compostos de háfnio com mais de 60 %, em massa, de háfnio e produtos, resíduos e sucata destes materiais. 1C232Hélio-3 (3He), misturas que contenham hélio-3, e produtos ou dispositivos com qualquer destes materiais. Nota: 1C232 não abrange produtos ou dispositivos que contenham menos de 1 g de hélio-3. 1C233Lítio enriquecido no isótopo lítio-6 (6Li) de modo a apresentar uma abundância isotópica superior à natural, e produtos ou dispositivos que contenham lítio enriquecido, sob as seguintes formas: lítio elementar, ligas, compostos e misturas com lítio, e produtos, resíduos ou sucata de qualquer destes materiais. Nota: 1C233 não abrange os dosímetros de termoluminescência. A abundância isotópica natural do lítio-6 é de aproximadamente 6,5 % em massa (7,5 átomos em cada cem). 1C234Zircónio com um teor de háfnio inferior a 1 parte de háfnio para 500 partes de zircónio, em massa, sob as seguintes formas: metal, ligas com mais de 50 %, em massa, de zircónio, compostos de zircónio, e produtos, resíduos ou sucata de qualquer destes materiais. Nota: 1C234 não abrange o zircónio sob a forma de folhas de espessura igual ou inferior a 0,10 mm. 1C235Trítio, compostos de trítio e misturas com trítio nas quais a relação entre o número de átomos de trítio e de hidrogénio exceda 1:1000 e produtos ou dispositivos que contenham qualquer destes materiais; Nota: 1C235 não abrange produtos ou dispositivos que contenham menos de 1,48 × 103 GBq (40 Ci) de trítio. 1C236Radionuclídeos emissores alfa com tempo de meia vida alfa igual ou superior a 10 dias, mas inferior a 200 anos, sob as seguintes formas: Nota: 1C236 não abrange produtos ou dispositivos que contenham menos de 3,7 GBq (100 milicuries) de actividade alfa. 1C237Rádio-226 (226Ra), ligas de rádio 226, compostos de rádio-226, misturas com rádio-226 ou produtos ou dispositivos que contenham qualquer destes materiais; Nota: 1C237 não abrange: 1C238Trifluoreto de cloro (ClF3). 1C239Produtos altamente explosivos, não especificados na Lista de Material de Guerra, ou substâncias ou misturas com mais de 2 % em massa desses explosivos, de densidade cristalina superior a 1,8 g/cm3 e com uma velocidade de detonação superior a 8000 m/s. 1C240Pó de níquel e níquel metálico poroso, salvo os referidos em 0C005: Nota: 1C240 não abrange: 1C240.b. refere-se a metal poroso formado por compactação e sinterização dos materiais referidos em 1C240.a. por forma a obter um material metálico com poros finos interligados em toda a estrutura. 1C350Produtos químicos que podem ser utilizados como precursores de agentes químicos tóxicos, dos seguintes tipos, bem como as misturas químicas que contenham um ou vários desses produtos: N.B.: VER TAMBÉM A LISTA DE MATERIAL DE GUERRA E 1C450. Nota 1: Para as exportações para os Estados não Parte na Convenção Sobre as Armas Químicas, 1C350 não controla as misturas químicas contendo uma ou várias das substâncias químicas especificadas nas entradas 1C350.1, .3, .5, .11, .12, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36, .54, .55, .56, .57 e .63 em que nenhuma substância tomada isoladamente constitua mais de 10% em peso da mistura. Nota 2: Para as exportações para os Estados não Parte na Convenção Sobre as Armas Químicas, 1C350 não controla as misturas químicas contendo uma ou várias das substâncias químicas especificadas nas entradas 1C350.1, .3, .5, .11, .12, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36, .54, .55, .56, .57 e .63 em que nenhuma substância tomada isoladamente constitua mais de 30% em peso da mistura. Nota 3: 1C350 não controla as misturas químicas contendo uma ou várias das substâncias químicas especificadas nas entradas 1C350 .2, .6, .7, .8, .9, .10, .14, .15, .16, .19, .20, .24, .25, .30, .37, .38, .39, .40, .41, .42, .43, .44, .45, .46, .47, .48, .49, .50, .51, .52, .53, .58, .59, .60, .61 e .62 em que nenhuma substância tomada isoladamente constitua mais de 30% em peso da mistura. Nota 4: 1C350 não controla produtos identificados como bens de consumo acondicionados para venda a retalho para uso pessoal ou acondicionados para uso pessoal. 1C351Agentes patogénicos para o homem, zoonoses e toxinas: Nota: 1C351 não abrange as vacinas nem as imunotoxinas. 1C352Agentes patogénicos para os animais: Nota: 1C352 não abrange as vacinas. 1C353Elementos genéticos e organismos geneticamente modificados: Os elementos genéticos incluem, nomeadamente, cromossomas, genomas, plasmídeos, transposões e vectores, geneticamente modificados ou não. As sequências de ácidos nucleicos associadas à patogenicidade de quaisquer dos micro-organismos indicados em 1C351.a. a c., 1C352 ou 1C354 significam qualquer sequência específica do micro-organismo indicado que: Nota: IC353 não abrange as sequências de ácidos nucleicos associadas à patogenicidade da Escherichia coli enterohemorrágica, serotipo 0157 e de outras estirpes produtoras de verotoxina, com excepção das que codifiquem a verotoxina ou as suas subunidades. 1C354Agentes patogénicos para as plantas: 1C450Produtos químicos tóxicos e precursores de produtos químicos tóxicos: N.B.: VER TAMBÉM 1C350, 1C351.d. E A LISTA DE MATERIAL DE GUERRA. Nota: 1C450 não abrange os produtos identificados como bens de consumo acondicionados para venda a retalho para uso pessoal ou acondicionados para uso pessoal.

Salvo disposição em contrário, os termos metais e ligas em 1C001 a 1C012 abrangem formas em bruto e semi-acabadas, designadamente:

Ânodos, esferas, barras (incluindo barras entalhadas e barras para arame), biletes, blocos, blooms, brickets, cakes, cátodos, cristais, cubos, dados, grãos, grânulos, lingotes, linguados, pellets, salmões, pó, rondelles, grenalha, brames, esponja, varas;

1CMateriais Nota técnica: a.

Materiais forjados ou manufacturados obtidos por laminagem, estiramento, extrusão, forjamento, extrusão por impacto, prensagem, granulação, atomização e trituração isto é: cantoneiras, Us, bolachas, discos, pó, palhetas, folhas, peças forjadas, chapas, peças prensadas e estampadas, fitas, anéis, varetas (incluindo eléctrodos de soldadura não revestidos, fio-máquina e arame laminado), perfis, placas, arco, canos e tubos (incluindo tubos de secção redonda, quadrada e barras ocas), arame obtido por estiramento ou extrusão;

b.

Material moldado produzido por vazamento em moldes de areia, metal, gesso ou outros, incluindo peças moldadas a alta pressão, formas sinterizadas, e formas obtidas por metalurgia à base de pó.

a.

Materiais para absorção de frequências superiores a 2 × 108 Hz, mas inferiores a 3 × 1012 Hz; Nota 1: 1C001.a. não abrange: Nota 2: Nada na nota 1 relativa a 1C001.a. isenta os materiais magnéticos de garantir a absorção quando contidos em tintas.

a.

Absorventes de tipo capilar, constituídos por fibras naturais ou sintéticas, com carga não magnética para permitir a absorção;

b.

Absorventes sem perda magnética com superfície incidente não plana, compreendendo pirâmides, cones, prismas e superfícies curvas:

c.

Absorventes planos com todas as seguintes características:

1. Nota técnica:

Fabricados com: As amostras para os ensaios de absorção respeitantes ao ponto 1C001.a., Nota 1.C.1., devem ter a forma de um quadrado de lado igual ou superior a 5 vezes o comprimento de onda da frequência central e situado no campo afastado da fonte radiante.

1. a.

Espumas plásticas (flexíveis ou não flexíveis) com carga de carbono, ou materiais orgânicos, incluindo ligantes, que produzam um eco superior a 5 %, relativamente aos metais, numa banda de frequências de largura superior a ± 15 %, da frequência central da energia incidente, e que sejam incapazes de resistir a temperaturas superiores a 450 K (177 °C); ou

b.

Materiais cerâmicos que produzam um eco superior a 20 %, relativamente aos metais, numa banda de frequências de largura superior a ± 15 % da frequência central da energia incidente, e que sejam incapazes de resistir a temperaturas superiores a 800 K (527 °C);

2. Resistência à tracção inferior a 7 × 106 N/m2; e

3. Resistência à compressão inferior a 14 × 106 N/m2;

d.

Absorventes planos fabricados em ferrite sinterizada:

1. De densidade superior a 4,4: e

2. Com uma temperatura máxima de funcionamento de 548 K (275 °C);

b.

Materiais para a absorção de frequências superiores a 1,5 × 1014 Hz, mas inferiores a 3,7 × 1014 Hz, e não transparentes à luz visível;

c. Nota técnica:

Materiais poliméricos intrinsecamente condutores, de condutividade eléctrica global superior a 10000 S/m (Siemens por metro) ou resistividade superficial inferior a 100 ohms/m2, à base de qualquer dos seguintes polímeros: A condutividade eléctrica global e a resistividade superficial devem ser determinadas de acordo com a norma ASTM D-257 ou com uma norma nacional equivalente.

c.

1. Polianilina;

2. Polipirrol;

3. Politiofeno;

4. Poli(fenileno-vinileno); ou

5. Poli(tienileno-vinileno).

1CMateriais Nota técnica: Notas técnicas:

1. As ligas metálicas abrangidas por 1C002.a. são ligas com uma percentagem mássica do metal indicado maior do que a de qualquer outro elemento.

2. A resistência à ruptura deve ser medida de acordo com a norma ASTM E-139 ou com uma norma nacional equivalente.

3. A resistência à fadiga de baixo ciclo deve ser medida de acordo com a norma ASTM E-606 Recommended Practice for Constant-Amplitude Low-Cycle Fatigue Testing (Método recomendado para o ensaio à fadiga de baixo ciclo a amplitude constante) ou com uma norma nacional equivalente. O ensaio deve ser axial, com uma razão de tensões média igual a 1 e um coeficiente de concentração de tensões (Kt) igual a 1. A razão de tensões média define-se como sendo a diferença entre as tensões máxima e mínima dividida pela tensão máxima.

a.

Aluminetos:

1. Aluminetos de níquel com um teor mínimo de alumínio de 15%, em massa, um teor máximo de alumínio de 38 %, em massa, e pelo menos um elemento de liga adicional;

2. Aluminetos de titânio com um teor de alumínio igual ou superior a 10%, em massa, e pelo menos um elemento de liga adicional;

b.

Ligas metálicas obtidas a partir dos materiais referidos em 1C002.c.:

1. Ligas de níquel com:

1. a.

Resistência à ruptura igual ou superior a 10000 horas, a 923 K (650 °C) e a uma tensão de 676 MPa; ou

b.

Resistência à fadiga de baixo ciclo igual ou superior a 10000 ciclos, a 823 K (550 °C) e a uma tensão máxima de 1095 MPa;

2. Ligas de nióbio com:

2. a.

Resistência à ruptura igual ou superior a 10000 horas, a 1073 K (800 °C) e a uma tensão de 400 MPa; ou

b.

Resistência à fadiga de baixo ciclo igual ou superior a 10000 ciclos, a 973 K (700 °C) e a uma tensão máxima de 700 MPa;

3. Ligas de titânio com:

3. a.

Resistência à ruptura igual ou superior a 10000 horas, a 723 K (450 °C) e a uma tensão de 200 MPa; ou

b.

Resistência à fadiga de baixo ciclo igual ou superior a 10000 ciclos, a 723 K (450 °C) e a uma tensão máxima de 400 MPa;

4. Ligas de alumínio com uma resistência à tracção:

4. a.

Igual ou superior a 240 MPa a 473 K (200 °C); ou

b.

Igual ou superior a 415 MPa a 298 K (25 °C);

5. Ligas de magnésio com:

5. a.

Resistência à tracção igual ou superior a 345 MPa; e

b.

Velocidade de corrosão inferior a 1 mm/ano numa solução aquosa de cloreto de sódio a 3 %, medida de acordo com a norma ASTM G-31 ou com uma norma nacional equivalente;

c.

Pós ou partículas de ligas metálicas, com todas as seguintes características:

1. Nota técnica:

Obtidos a partir de qualquer um dos seguintes sistemas componentes: Nos pontos que se seguem X representa um ou mais elementos de liga.

a.

Ligas de níquel (Ni-Al-X, Ni-X-Al), qualificadas para peças ou componentes de motores de turbina, ou seja, com menos de 3 partículas não metálicas (introduzidas durante o processo de fabrico) de dimensões superiores a 100 μm por 109 partículas da liga;

b.

Ligas de nióbio (Nb-Al-X ou Nb-X-Al, Nb-Si-X ou Nb-X-Si, Nb-Ti-X ou Nb-X-Ti);

c.

Ligas de titânio (Ti-Al-X ou Ti-X-Al);

d.

Ligas de alumínio (Al-Mg-X ou Al-X-Mg, Al-Zn-X ou Al-X-Zn, Al-Fe-X ou Al-X-Fe); ou

e.

Ligas de magnésio (Mg-Al-X ou Mg-X-Al); e

2. Obtidos, em atmosfera controlada, por qualquer dos seguintes processos:

2. a.

Atomização sob vácuo;

b.

Atomização por gás;

c.

Atomização centrífuga;

d.

Solidificação com impacto;

e.

Solidificação em rotação com enregelamento e cominuição;

f.

Solidificação em extracção com enregelamento e cominuição; ou

g.

Obtenção de ligas por meios mecânicos; e

3. Capazes de formar os materiais referidos em 1C002.a. ou 1C002.b.

d.

Materiais ligados, com todas as seguintes características:

1. Obtidos a partir de qualquer dos sistemas componentes referidos em 1C002.1.c.;

2. Na forma de palhetas, fitas ou varetas delgadas; e

3. Obtidos em ambiente controlado por qualquer dos seguintes métodos:

3. a.

Solidificação com impacto;

b.

Solidificação em rotação com enregelamento; ou

c.

Solidificação em extracção com enregelamento.

a. Nota técnica:

Permeabilidade relativa inicial igual ou superior a 120000 e espessura igual ou inferior a 0,05 mm; A permeabilidade inicial deve ser medida em materiais totalmente recozidos.

b.

Ligas magnetoestrictivas com uma das seguintes características:

1. Magnetoestricção de saturação superior a 5 × 10-4; ou

2. Factor de acoplamento magnetomecânico (k) superior a 0,8; ou

c. Nota técnica:

Bandas de liga amorfa ou nanocristalina com as seguintes características: Por materiais nanocristalinos, em 1C003.C., entendem-se os materiais com cristais de granulometria igual ou inferior a 50 nm, determinada por difracção aos raios X.

c.

1. No mínimo, 75 %, em massa, de ferro, cobalto ou níquel;

2. Indução magnética de saturação (Bs) igual ou superior a 1,6 T; ee

3. Uma das seguintes características:

3. a.

Espessura igual ou inferior a 0,02 mm; ou

b.

Resistividade eléctrica igual ou superior a 2 × 10-4 ohm.cm.

a.

Densidade superior a 17,5 g/cm3;

b.

Limite de elasticidade superior a 880 MPa;

c.

Tensão de ruptura à tracção superior a 1270 MPa; e

d.

Alongamento superior a 8 %.

a.

Condutores multifilamentares de materiais compósitossupercondutores com um ou mais filamentos de nióbio-titânio:

1. Integrados numa matriz que não seja de cobre ou de uma mistura à base de cobre; ou

2. Com uma secção transversal de área inferior a 0,28 × 10-4 mm2 (6 μm de diâmetro no caso de filamentos de secção circular);

b.

Condutores de materiais compósitossupercondutores, constituídos por um ou mais filamentos supercondutores que não sejam de nióbio-titânio, com as seguintes características:

1. Temperatura crítica, a indução magnética nula, superior a 9,85 K (– 263,31 °C), mas inferior a 24 K (– 249,16 °C);

2. Secção transversal inferior a 0,28 × 10-4 mm2; e

3. Que permaneçam no estado supercondutor à temperatura de 4,2 K (– 268,96 °C), quando expostos a um campo magnético correspondente a uma indução magnética de 12 T;

a.

Fluidos hidráulicos que contenham, como ingredientes principais, qualquer dos seguintes compostos ou produtos:

1. Nota técnica:

Óleos de síntese constituídos por hidrocarbonetos silícicos, com as seguintes características: Para efeitos de 1C006.a.1., os óleos de hidrocarbonetos silícicos são compostos que contêm apenas silício, hidrogénio e carbono.

a.

Ponto de inflamação superior a 477 K (204 °C);

b.

Ponto de fluidez inferior ou igual a 239 K (– 34 °C);

c.

Índice de viscosidade igual ou superior a 75; e

d.

Estabilidade térmica a 616 K (343 °C); ou

2. Nota técnica:

Clorofluorocarbonetos com as seguintes características: Para efeitos de 1C006.a.2., os clorofluorocarbonetos são compostos que contêm apenas carbono, flúor e cloro.

a.

Sem ponto de inflamação;

b.

Com temperatura de auto-ignição superior a 977 K (704 °C);

c.

Ponto de fluidez igual ou inferior a 219 K (– 54 °C);

d.

Índice de viscosidade igual ou superior a 80: e

e.

Ponto de ebulição igual ou superior a 473 K (200 °C);

b.

Produtos lubrificantes que contenham, como ingredientes principais, qualquer dos seguintes compostos ou produtos:

1. Éteres ou tioéteres fenilénicos ou alquilfenilénicos, ou suas misturas que contenham mais de duas funções éter ou tioéter, ou suas misturas; ou

2. Fluidos de silicone fluorado de viscosidade cinemática inferior a 5000 mm2/s (5000 centistokes), medida a 298 K (25 °C);

c.

Fluidos de amortecimento ou de flotação com grau de pureza superior a 99,8 %, com menos de 25 partículas de dimensões iguais ou superiores a 200 μm por 100 ml e constituídos, em pelo menos 85 %, por um dos seguintes compostos ou produtos:

1. Dibromotetrafluoroetano;

2. Poli(clorotrifluoroetileno) (apenas nas suas formas oleosas e cerosas); ou

3. Poli(bromotrifluoroetileno);

d.

Fluidos de arrefecimento electrónico de fluorocarbonetos, com as seguintes características:

1. 85 %, em massa, de qualquer dos seguintes materiais ou suas misturas:

1. a.

Formas monoméricas de perfluoropolialquiléter-triazinas ou éteres perfluoroalifáticos;

b.

Perfluoroalquilaminas;

c.

Perfluorocicloalcanos; ou

d.

Perfluoroalcanos;

2. Densidade a 298K (25 °C) igual ou superior a 1,5 g/ml;

3. No estado líquido a 273K (0 °C); e

4. Com 60 % ou mais, em massa, de flúor.

1CMateriais Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: a.

O ponto de inflamação deve ser determinado pelo método Cleveland em vaso aberto, descrito na norma ASTM D-92, ou numa norma nacional equivalente.

b.

O ponto de fluidez deve ser determinado pelo método descrito na norma ASTM D-97, ou numa norma nacional equivalente.

c.

O índice de viscosidade deve ser determinado pelo método descrito na norma ASTM D-2270, ou numa norma nacional equivalente.

d.

A estabilidade térmica deve ser determinada pelo método seguinte, ou por métodos nacionais equivalentes:

Colocam-se 20 ml do fluido a ensaiar numa câmara de 46 ml de aço inoxidável 317, onde foi introduzida uma esfera de 12,5 mm de diâmetro (nominal) de cada um dos seguintes materiais: aço ferramenta M-10, aço 52100 e bronze naval (60 % Cu, 39 % Zn, 0,75 % Sn). Purga-se a câmara com azoto, fecha-se hermeticamente à pressão atmosférica e eleva-se a temperatura a 644 ± 6 K (371 ± 6 °C); mantém-se esta temperatura durante 6 horas.

A amostra considera-se termicamente estável se, no final do processo acima descrito, forem satisfeitas todas as condições a seguir enumeradas:

1. Perda de massa de cada esfera inferior a 10 mg/mm2 de superfície da esfera;

2. Variação da viscosidade inicial, determinada a 311 K (38 °C), inferior a 25 %; e

3. Índice de acidez total ou índice de alcalinidade total inferior a 0,40;

e.

A temperatura de auto-ignição deve ser determinada pelo método descrito na norma ASTM E-659, ou numa norma nacional equivalente.

a.

Materiais de base constituídos por boretos de titânio simples ou complexos, com um total de impurezas metálicas, excluindo aditivos intencionalmente incorporados, inferior a 5000 ppm, com uma granulometria média das partículas igual ou inferior a 5 μm e com não mais de 10 % de partículas de dimensão superior a 10 μm;

b.

Materiais cerâmicos não compósitos constituídos por boretos de titânio, em bruto ou em semi-produtos, de densidade igual ou superior a 98 % do valor teórico; Nota: 1C007.b. não abrange os abrasivos;

c.

Materiais compósitos cerâmicos-cerâmicos com matriz de vidro ou de óxidos, reforçados com fibras, com todas as seguintes características:

1. Obtidos a partir de qualquer dos seguintes materiais:

1. a.

Si-N;

b.

Si-C;

c.

Si-Al-O-N; ou

d.

Si-O-N; e

2. Com uma resistência específica à tracção superior a 12,7 × 103m;

d.

Materiais compósitos cerâmicos-cerâmicos com ou sem uma fase metálica contínua e com partículas ou fases finamente dispersas de qualquer material fibroso ou na forma de cristais capilares (whiskers), em que a matriz seja constituída por carbonetos ou nitretos de silício, de zircónio ou de boro;

e.

Materiais precursores (isto é, materiais poliméricos ou metalo-orgânicos para fins especiais) para a produção de qualquer das fases dos materiais referidos em 1C007.c.:

1. Polidiorganossilanos (para a produção de carboneto de silício);

2. Polissilazanos (para a produção de nitreto de silício);

3. Policarbossilazanos (para a produção de materiais cerâmicos com compostos de silício, de carbono e de azoto).

f.

Materiais compósitos cerâmicos-cerâmicos com matriz de vidro ou de óxidos, reforçados com fibras de qualquer dos seguintes sistemas: Nota: 1C007.f. não abrange compósitos que contenham fibras destes sistemas com uma resistência à tracção inferior a 700MPa a 1273K (1000 °C) ou com uma resistência à fluência superior a 1 % de deformação à fluência sob uma solicitação de 100 MPa a 1273 K (1000 °C) durante 100 horas.

1. Al2O3; ou

2. Si-C-N.

a.

Nota: 1C008.a. não abrange os pós não fusíveis para moldagem por compressão, nem as formas moldadas.

1. Bismaleimidas;

2. Poliamidimidas aromáticas;

3. Poliimidas aromáticas;

4. Polieterimidas aromáticas com temperaturas de transição vítrea (Tg) superiores a 513 K (240 °C);

b.

Copolímeros de cristais líquidos termoplásticos com uma temperatura de deformação térmica superior a 523 K (250 °C), medida de acordo com a norma ISO 75-3 (2004), ou com uma norma nacional equivalente, para uma carga de 1,82 N/mm2, constituídos por:

1. Uma das seguintes substâncias:

1. a.

Fenileno, bifenileno ou naftaleno; ou

b.

Derivados metilados, t-butilados ou fenilados de fenileno, bifenileno ou naftaleno; e

2. Um dos seguintes ácidos:

2. a.

Ácido tereftálico;

b.

Ácido 6-hidroxi-2-naftóico; ou

c.

Ácido 4-hidroxibenzóico;

c.

Polímeros do tipo poli(arileno-éter-cetona):

1. Não utilizados;

2. Poli(éter-cetona-cetona) (PEKK);

3. Poli(éter-cetona) (PEK);

4. Poli(éter-cetona-éter-cetona-cetona) (PEKEKK);

d.

Polímeros do tipo poli(arileno-cetona);

e.

Poli(sulfuretos de arileno) em que o grupo arileno seja bifenileno, trifenileno ou uma combinação destes grupos;

f.

Poli(bifenilenoetersulfona) com temperaturas de transição vítrea (Tg) superiores a 513 K (240 °C)

1CMateriais Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: a.

Copolímeros de fluoreto de vinilideno com 75 % ou mais de estrutura cristalina beta, sem estiramento;

b.

Poliimidas fluoradas com 10 % em massa, ou mais, de flúor combinado;

c.

Elastómeros de fosfazenos fluorados com 30 % em massa, ou mais, de flúor combinado;

a.

Materiais fibrosos ou filamentosos orgânicos com: Nota: O ponto 1C010.a. não abrange o polietileno.

1. Módulo de elasticidade específico superior a 12,7 × 106 m; e

2. Resistência específica à tracção superior a 23,5 × 104 m;

b. Nota técnica:

Materiais fibrosos ou filamentosos de carbono com: Nota: 1C010.b. não abrange os tecidos fabricados com materiais fibrosos ou filamentosos destinados à reparação de estruturas ou laminados de aeronaves cujas folhas não excedam 50 cm × 90 cm. As propriedades dos materiais referidos em 1C010.b. devem ser determinadas pelos métodos SRM 12 a 17 recomendados pela SACMA (Suppliers of Advance Composite Materials Association), ou por métodos nacionais de ensaio de cabos de fibras (tows) equivalentes, como os previstos na norma industrial japonesa JIS-R-7601 (ponto 6.6.2.), e devem basear-se na média dos lotes.

b.

1. Módulo de elasticidade específico superior a 12,7 × 106 m; e

2. Resistência específica à tracção superior a 23,5 × 104 m;

c.

Materiais fibrosos ou filamentosos inorgânicos com: Nota: 1C010.c. não abrange:

1. Módulo de elasticidade específico superior a 2,54 × 106 m; e

2. Ponto de fusão, de decomposição ou de sublimação em ambiente inerte superior a 1922 K (1649 °C):

1. Fibras policristalinas, multifásicas e descontínuas de alumina sob a forma de fibras cortadas ou de emaranhados irregulares com teor, em massa, de sílica igual ou superior a 3 % e módulo de elasticidade específico inferior a 10 × 106 m;

2. Fibras de molibdénio e de ligas de molibdénio;

3. Fibras de boro;

4. Fibras cerâmicas descontínuas com ponto de fusão, de decomposição ou de sublimação em ambiente inerte inferior a 2043 K (1770 °C).

d.

Materiais fibrosos ou filamentosos:

1. Constituídos por:

1. a.

Polieterimidas referidas em 1C008.a.; ou

b.

Materiais referidos em 1C008.b. a f.; ou

2. Constituídos pelos materiais referidos em 1C010.d.1.a. ou 1C010.d.1.b. e misturados com outras fibras, referidas em 1CO10.a., b. ou c.;

e. Nota técnica:

Fibras impregnadas de resinas ou de breu (pré-impregnados), fibras revestidas de metal ou de carbono (pré-formas) ou pré-formas de fibras de carbono: Notas: 1C010.e. não abrange A temperatura de transição vítrea (Tg) para os materiais referidos em 1C010.e. determina-se pelo método de via seca descrito na norma ASTM D-3418. A temperatura de transição vítrea para as resinas fenólicas e epoxídicas determina-se pelo método de via seca descrito na norma ASTM D-4065, utilizando uma frequência de 1 Hz e uma velocidade de aquecimento de 2K (°C) por minuto.

e.

1. Fabricadas com os materiais fibrosos ou filamentosos referidos em 1C010.a., b. ou c.;

2. Fabricadas com materiais fibrosos ou filamentosos orgânicos ou de carbono com as seguintes características:

2. a.

Resistência específica à tracção superior a 17,7 × 104 m;

b.

Módulo de elasticidade específico superior a 10,15 × 106 m;

c.

Não abrangidos por 1C010.a. ou b.; e

d.

Quando impregnadas com materiais referidos em 1C008 ou 1C009.b., com temperaturas de transição vítrea (Tg) superiores a 383 K (110 °C), ou com resinas fenólicas ou epoxídicas, com temperaturas de transição vítrea (Tg) superiores a 418 K (145 °C).

a.

Materiais fibrosos ou filamentosos de carbono impregnados em matrizes de resina epoxídica (pré-impregnados), destinados à reparação de estruturas ou laminados de aeronaves, desde que cada folha de pré-impregnado não exceda 50 cm × 90 cm;

b.

Pré-impregnados, quando impregnados com resinas fenólicas ou epoxídicas com uma temperatura de transição vítrea (Tg) inferior a 433K (160 °C) e uma temperatura de cura inferior à temperatura de transição vítrea.

a. Nota Técnica:

Metais em partículas de granulometria inferior 60 μm, esféricas, atomizadas, esferoidais, em palhetas ou moídas, fabricados a partir de material constituído por 99 % ou mais de zircónio, magnésio ou ligas destes metais; O teor natural de háfnio no zircónio (normalmente 2 % a 7 %) conta como zircónio. Nota: Os metais ou ligas enumerados em 1C011.a. são sempre controlados, quer se encontrem ou não encapsulados em alumínio, magnésio, zircónio ou berílio.

b.

Boro ou carboneto de boro com um grau de pureza igual ou superior a 85 % e uma granulometria igual ou inferior a 60μm Nota: Os metais ou ligas enumerados em 1C011.b. são sempre controlados, quer se encontrem ou não encapsulados em alumínio, magnésio, zircónio ou berílio.

c.

Nitrato de guanidina;

d.

Nitroguanidina (NQ) CAS 556-88-7).

1CMateriais Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota Técnica: a.

Plutónio sob qualquer forma, com um teor do isótopo plutónio-238 superior a 50 % em massa; Nota: IC012.a. não abrange:

a.

Exportações com um teor de plutónio igual ou inferior a 1g;

b.

Exportações de 3 gramas efectivos ou menos, quando contidas em elementos sensores de instrumentos.

b.

Neptúnio-237 previamente separado, sob qualquer forma. Nota: 1C012.b. não abrange exportações com um teor de neptúnio-237 igual ou inferior a 1g.

a.

Materiais estruturais e revestimentos especialmente concebidos para uma reduzida reflectividade ao radar;

b.

Revestimentos, incluindo tintas, especialmente concebidos para uma reflectividade ou emissividade reduzida, ou por medida, nas regiões de micro-ondas, infravermelha ou ultravioleta do espectro electromagnético.

1CMateriais Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota Técnica: Nota técnica a.

Grafites de grão fino, com uma densidade aparente igual ou superior a 1,72 g/cm3, medida a 288 K (15 °C), e com uma granulometria igual ou inferior a 100 μm, utilizáveis em tubeiras de foguetes e em pontas de ogiva de veículos de reentrada, que possam ser utilizados para o fabrico de qualquer dos seguintes produtos: Nota: ver também 0C004.

1. Cilindros de diâmetro igual ou superior a 120 mm e comprimento igual ou superior a 50 mm;

2. Tubos de diâmetro interior, igual ou superior a 65 mm, espessura de paredes igual ou superior a 25 mm e comprimento igual ou superior a 50 mm;

3. Blocos de dimensões iguais ou superiores a 120 × 120 × 50 mm.

b.

Grafites pirolíticas ou reforçadas com fibras utilizáveis em tubeiras de mísseis e nas pontas dos narizes dos veículos de reentrada; Nota: ver também 0C004.

c.

Materiais compósitos cerâmicos (de constante dieléctrica inferior a 6 a quaisquer frequências compreendidas entre 100 MHz e 100 GHz), utilizáveis em radomes de mísseis;

d.

Materiais cerâmicos maquináveis crus, reforçados com carboneto de silício, a granel, utilizáveis em pontas de ogiva de mísseis.

a.

Substâncias propulsoras:

1. Nota Técnica:

Pó esferulado de alumínio não especificado na Lista de Material de Guerra, com partículas de diâmetro uniforme inferior a 200 μm e teor de alumínio igual ou superior a 97 %, em massa, se pelo menos 10 % da massa total foi constituída por partículas com menos de 63 μm de acordo com a ISO 2591/1988 ou com uma norma nacional equivalente; Uma granulometria de 63 μm (ISO R-565) corresponde à malha 250 (Tyler) ou à malha 230 (norma ASTM E-11).

2. Nota Técnica:

Combustíveis metálicos não especificados na Lista de Material de Guerra, de granulometria inferior a 60 μm, constituídos por partículas esféricas, atomizadas, esferoidais, em palhetas ou moídas, com um teor igual ou superior a 97 %, em massa, de: O teor natural de háfnio no zircónio (normalmente de 2 % a 7 %) conta como zircónio.

2. a.

Zircónio;

b.

Berílio;

c.

Magnésio; ou

d.

Ligas dos metais referidos em a. a c.;

3. Substâncias oxidantes líquidas:

3. a.

Trióxido de diazoto;

b.

Dióxido de azoto/tetróxido de diazoto;

c.

Pentóxido de diazoto;

d. Nota técnica:

Misturas de óxidos de azoto (MON): As misturas de óxidos de azoto (MON) são soluções de monóxido de azoto (NO) em tetróxido de diazoto/dióxido de azoto (N2O4/NO2) que podem ser utilizadas em sistemas de mísseis. Há uma série de composições que podem ser designadas por MONi ou MONij, em que i e j representam a percentagem de monóxido de azoto na mistura (por exemplo, MON3 contém 3 % de monóxido de azoto e MON25, 25 % de monóxido de azoto. O limite máximo é MON 40, que contém 40 % de NO, em massa);

e.

VER A LISTA DE MATERIAL DE GUERRA para Ácido nítrico fumante inibido (IRFNA);

f.

VER A LISTA DE MATERIAL DE GUERRA e 1C238 para Compostos constituídos por flúor e outro ou outros halogéneos, oxigénio ou azoto;

4. Derivados da hidrazina utilizáveis como substâncias carburantes em foguetes não referidos na Lista de Material de Guerra;

b.

Substâncias poliméricas:

1. Polibutadienos com extremidades carboxilo (CTPB);

2. Polibutadienos com extremidades hidroxilo (HTPB), não referidos na Lista de Material de Guerra;

3. Poli(butadieno-ácido acrílico) (PBAA);

4. Poli(butadieno-ácido acrílico-acrilonitrilo) (PBAN);

c.

Outros aditivos e agentes utilizados em propulsantes:

1. VER A LISTA DE MATERIAL DE GUERRA NO QUE SE REFERE aos carboranos, decaboranos, pentaboranos e respectivos derivados;

2. Dinitrato de trietilenoglicol (TEGDN);

3. 2-Nitrodifenilamina.

4. Trinitrato de trimetiloletano (TMETN);

5. Dinitrato de dietilenoglicol (DEGDN).

6. Derivados do ferroceno, como se segue:

6. a.

No que se refere ao catoceno, ver a Lista de Material de Guerra;

b.

Etilferroceno;

c.

Propilferroceno;

d.

No que se refere ao n-butil-ferroceno, ver a Lista de Material de Guerra;

e.

Pentilferroceno;

f.

Diciclopentilferroceno;

g.

Diciclohexilferroceno

h.

Dietilferroceno;

i.

Dipropilferroceno;

j.

Dibutilferroceno;

k.

Dihexilferroceno;

l.

Acetilferroceno

m.

No que se refere aos ácidos ferroceno-carboxílicos, ver a Lista de Material de Guerra;

n.

No que se refere ao butaceno, ver a Lista de Material de Guerra;

o.

Outros derivados do ferroceno utilizáveis como modificadores da velocidade de combustão do propulsante para foguetes não referidos na Lista de Material de Guerra.

a.

Com todas as seguintes características:

1. 17 % a 23 %, em massa, de crómio e 4,5 % a 7 %, em massa, de níquel;

2. Um teor de titânio superior a 0,10 % em massa; e

3. Micro-estrutura ferritico-austenítica (também conhecida por micro-estrutura bifásica) da qual pelos menos 10 % em volume são constituídos por austenite (de acordo com a ASTM E-1181-87 ou com uma norma nacional equivalente); e

b.

Em qualquer das seguintes formas:

1. Lingotes ou barras em que todas as dimensões sejam iguais ou superiores a 100 mm;

2. Chapas de largura igual ou superior a 600 mm e espessura igual ou inferior a 3 mm; ou

3. Tubos de diâmetro exterior igual ou superior a 600 mm e espessura de paredes igual ou inferior a 3 mm.

a.

Ligas de alumínio com ambas as seguintes características:

1. Capazes de uma tensão de ruptura à tracção igual ou superior a 460 MPa a 293 K (20 °C); e

2. Sob a forma de tubos ou formas cilíndricas maciças (incluindo peças forjadas) de diâmetro exterior superior a 75 mm;

b.

Ligas de titânio com ambas as seguintes características:

1. Capazes de uma tensão de ruptura à tracção igual ou superior a 900 MPa a 293 K (20 °C); e

2. Sob a forma de tubos ou formas cilíndricas maciças (incluindo peças forjadas) de diâmetro exterior superior a 75 mm.

1CMateriais Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota Técnica: Nota técnica Nota técnica: a.

Materiais fibrosos ou filamentosos de carbono ou de aramida com uma das seguintes características: Nota: 1C210.a. não abrange materiais fibrosos ou filamentosos de aramida com 0,25 % ou mais, em massa, de um modificador de superfície das fibras à base de ésteres.

1. Módulo de elasticidade específico igual ou superior a 12,7 × 106 m; ou

2. Resistência específica à tracção igual ou superior a 235 × 103 m;

b.

Materiais fibrosos ou filamentosos de vidro com ambas as seguintes características:

1. Módulo de elasticidade específico igual ou superior a 3,18 × 106 m; e

2. Resistência específica à tracção igual ou superior a 76,2 × 103 m;

c. Nota técnica:

Fios, mechas, bandas ou cabos de fibras (tows) contínuos impregnados de resina termocurada, de largura igual ou inferior a 15 mm (pré-impregnados), fabricados a partir dos materiais fibrosos ou filamentosos de carbono ou vidro referidos em 1C210 a. ou b. A resina forma a matriz do composto.

1CMateriais Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota Técnica: Nota técnica Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.

Em formas de simetria cilíndrica oca (incluindo segmentos cilíndricos) de diâmetro interior compreendido entre 100 mm e 300 mm; e

b.

Massa superior a 20 kg.

a.

Menos de 1000 ppm, em massa, de impurezas metálicas que não magnésio; e

b.

Menos de 10 ppm, em massa, de boro.

a.

Menos de 200 ppm, em massa, de impurezas metálicas que não cálcio; e

b.

Menos de 10 ppm, em massa, de boro.

a.

Grau de pureza de 99,99 % em massa, ou superior; e

b.

Menos de 10 ppm, em massa, de prata.

a.

Janelas metálicas para máquinas de raios-X ou para sondas de perfuração;

b.

Peças de óxidos em formas acabadas ou semi-acabadas, especialmente concebidas para componentes electrónicos ou para substratos de circuitos electrónicos.

c.

Berilo (silicato de berílio e alumínio) sob a forma de esmeraldas e águas-marinhas.

1CMateriais Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota Técnica: Nota técnica Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.

Elementar

b.

Compostos com uma actividade alfa total igual ou superior a 37 GBq/kg (1 Ci/kg);

c.

Misturas com uma actividade alfa total igual ou superior a 37 GBq/kg (1 Ci/kg);

d.

Produtos ou dispositivos que contenham qualquer destes materiais.

a.

Aplicadores médicos.

b.

Produtos ou dispositivos que contenham menos de 0,37GBq (10 milicuries) de rádio-226.

a.

Pó com ambas as seguintes características:

1. Grau de pureza em termos de teor de níquel igual ou superior a 99,0 % em massa; e

2. Granulometria média inferior a 10 μm, medida de acordo com a norma ASTM B-330;

b.

Níquel metálico poroso produzido a partir dos materiais referidos em 1C240.a.

a.

Pós de níquel filamentoso

b.

Folhas simples de níquel poroso com uma área igual ou inferior a 1.000 cm2 cada uma.

1CMateriais Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota Técnica: Nota técnica Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica:

1. Tiodiglicol (111-48-8)

2. Oxicloreto de fósforo (10025-87-3)

3. Metilfosfonato de dimetilo (756-79-6)

4. Ver a lista de material de guerra no que se refere ao difluoreto de metilfosfonilo (difluoreto do ácido metilfosfónico) (676-99-3)

5. Dicloreto de metilfosfonilo (dicloreto do ácido metilfosfónico) (676-97-1)

6. Fosfito de dimetilo (DMP) (868-85-9)

7. Tricloreto de fósforo (7719-12-2)

8. Fosfito de trimetilo (TMP) (121-45-9)

9. Cloreto de tionilo (7719-09-7)

10. 3-Hidroxi-1-metilpiperidina (3554-74-3)

11. Cloreto de N,N-diisopropil-ß-aminoetilo (2-cloroetil-N,N-Diisopropilamina) (96-79-7)

12. N,N-Diisopropil-ß-aminoetanotiol (2-(N,N-Diisopropilamino) etanotiol) (5842-07-9)

13. 3-Quinuclidinol (1619-34-7)

14. Fluoreto de potássio (7789-23-3)

15. 2-Cloroetanol (107-07-3)

16. Dimetilamina (124-40-3)

17. Etilfosfonato de dietilo (78-38-6)

18. N,N-Dimetilfosforamidato de dietilo (2404-03-7)

19. Fosfito de dietilo (762-04-9)

20. Cloridrato de dimetilamina (506-59-2)

21. Dicloreto de etilfosfinilo (dicloreto do ácido etilfosfonoso) (1498-40-4)

22. Dicloreto de etilfosfonilo (dicloreto do ácido etilfosfónico) (1066-50-8)

23. Ver a lista de material de guerra no que se refere ao difluoreto de etilfosfonilo (difluoreto do ácido etilfosfónico) (753-98-0)

24. Fluoreto de hidrogénio (7664-39-3)

25. Benzilato de metilo (76-89-1)

26. Dicloreto de metilfosfinilo (dicloreto do ácido metilfosfonoso) (676-83-5)

27. N,N-Diisopropil-ß-aminoetanol (2-(N,N-diisopropilamino) etanol) (96-80-0)

28. Álcool pinacolílico (464-07-3)

29. Ver a lista de material de guerra no que se refere ao metilfosfonito de o-etil-2-diisopropilaminoetilo (QL) (57856-11-8)

30. Fosfito de trietilo (122-52-1)

31. Tricloreto de arsénio (7784-34-1)

32. Ácido benzílico (76-93-7)

33. Metilfosfonito de dietilo (15715-41-0)

34. Etilfosfonato de dimetilo (6163-75-3)

35. Difluoreto de etilfosfinilo (difluoreto do ácido etilfosfonoso) (430-78-4)

36. Difluoreto de metilfosfinilo (difluoreto do ácido metilfosfonoso) (753-59-3)

37. 3-Quinuclidona (3731-38-2)

38. Pentacloreto de fósforo (10026-13-8)

39. Pinacolona (75-97-8)

40. Cianeto de potássio (151-50-8)

41. Bifluoreto de potássio (hidrogenodifluoreto de potássio) (7789-29-9)

42. Hidrogenodifluoreto de amónio ou bifluoreto de amónio (1341-49-7)

43. Fluoreto de sódio (7681-49-4)

44. Bifluoreto de sódio (hidrogenodifluoreto de sódio) (1333-83-1)

45. Cianeto de sódio (143-33-9)

46. Trietanolamina (2,2',2″-nitrilotrisetanol) (102-71-6)

47. Pentassulfureto de difósforo (1314-80-3)

48. Diisopropilamina (108-18-9)

49. 2-Dietilaminoetanol (dietiletanolamina) (100-37-8)

50. Sulfureto de sódio (1313-82-2)

51. Monocloreto de enxofre (10025-67-9)

52. Dicloreto de enxofre (10545-99-0)

53. Cloridrato de trietanolamina (637-39-8)

54. Cloreto de N,N-diisopropil-ß-aminoetilo na forma de cloridrato (cloridrato de 2-cloroetil-N,N-Diisopropilamina) (4261-68-1)

55. Ácido metilfosfónico (993-13-5);

56. Metilfosfonato de dietilo (683-08-9);

57. Dicloreto de N,N-dimetilaminofosforilo (677-43-0);

58. Fosfito de triisopropilo (116-17-6);

59. Etildietanolamina (139-87-7);

60. Fosforotionato de O,O-dietilo (2465-65-8);

61. Fosforoditioato de O,O-dietilo (298-06-6);

62. Hexafluorosilicato de sódio (16893-85-9);

63. Dicloreto metilfosfonotióico (676-98-2);

a.

Vírus de ocorrência natural, melhorados ou modificados, quer sob a forma de culturas vivas isoladas, quer sob a forma de matérias, incluindo matérias vivas, deliberadamente inoculadas ou contaminadas com culturas vivas:

1. Vírus Chikungunya

2. Vírus da febre hemorrágica da Crimeia-Congo

3. Vírus da dengue

4. Vírus da encefalite equina do Leste

5. Vírus de Ebola

7. Vírus de Junin

8. Vírus da febre de Lassa

9. Vírus da coriomeningite linfocítica

10. Vírus de Machupo

11. Vírus de Marburgo

12. Vírus da varíola símia

13. Vírus da febre do vale do Rift

14. Vírus da encefalite da carraça (vírus da encefalite verno-estival da Rússia)

15. Vírus da varíola

16. Vírus da encefalite equina venezuelana

17. Vírus da encefalite equina do Oeste

18. Vírus do alastrim

19. Vírus da febre amarela

20. Vírus da encefalite japonesa

21. Vírus da doença da floresta de Kyasanur

22. Vírus da encefalomielite ovina (louping ill)

23. Vírus da encefalite de Murray Valley

24. Vírus da febre hemorrágica de Omsk

25. Vírus da febre do Oropouche

26. Vírus da doença de Powassan

27. Vírus Rocio

28. Vírus da encefalite de St. Louis

29. Vírus Hendra (morbilivírus equino)

30. Vírus da febre hemorrágica sul-americana (Sabia, Flexal, Guanarito);

31. Vírus das febres hemorrágicas com sindroma pulmonar e renal (Seúl, Dobrava, Puumala, Sem Nome)

32. Vírus Nipah.

b.

Rickettsias de ocorrência natural, melhoradas ou modificadas, quer sob a forma de culturas vivas isoladas, quer sob a forma de matérias, incluindo matérias vivas, deliberadamente inoculadas ou contaminadas com culturas vivas:

1. Coxiella burnetii

2. Rickettsia quintana

3. Rickettsia prowasecki

4. Rickettsia rickettsii

c.

Bactérias de ocorrência natural, melhoradas ou modificadas, quer sob a forma de culturas vivas isoladas, quer sob a forma de matérias, incluindo matérias vivas, deliberadamente inoculadas ou contaminadas com culturas vivas:

1. Bacillus anthracis

2. Brucella abortus

3. Brucella melitensis

4. Brucella suis

5. Chlamydia psittaci

6. Clostridium botulinum

7. Francisella tularensis

8. Burkholderia mallei (Pseudomonas mallei)

9. Burkholderia pseudomallei (Pseudomonas pseudomallei)

10. Salmonella typhi

11. Shigella dysenteriae

12. Vibrio cholerae

13. Yersinia pestis

14. Tipos produtores da toxina clostridium perfringens epsilon

15. Escherichia coli enterohemorrágica, serotipo e outros serotipos produtores de verotoxina.

d.

Toxinas e respectivas subunidades de toxina: Nota: 1C351.d. não abrange as toxinas ou conotoxinas de botulinum sob a forma de produtos que satisfaçam todos os seguintes critérios:

1. Toxinas de botulinum

2. Toxinas do clostridium perfringens

3. Conotoxina

4. Rícino

5. Saxitoxina

6. Toxina de Shiga

7. Toxinas do staphylococcus aureus

8. Tetrodotoxina

9. Verotoxina

10. Microcistina (Cianoginosina)

11. Aflatoxinas

12. Abrina

13. Toxina da cólera

14. Diacetoxiscirpenol

15. Toxina HT-2

16. Toxina HT-2

17. Modecina

18. Volkensina

19. Viscum album lectina (viscumina)

1. Serem fórmulas farmacêuticas para administração a seres humanos no tratamento de doenças;

2. Serem pré-embalados para distribuição como medicamentos;

3. Poderem ser comercializados como medicamentos, com autorização de uma entidade oficial competente

a.

Vírus, de ocorrência natural, melhorados ou modificados, quer sob a forma de culturas vivas isoladas, quer sob a forma de matérias, incluindo matérias vivas, deliberadamente inoculadas ou contaminadas com culturas vivas:

1. Vírus da peste suína africana;

2. Vírus da gripe aviária:

2. a.

Não caracterizados; ou

b.

Vírus de elevada patogenicidade definidos como tal na Directiva 92/40/CEE (JO L 167 de 22.6.1992, p. 1):

1. Vírus do tipo A com índice de patogenicidade intravenosa (IVPI) superior a 1,2 em frangos com 6 semanas; ou

2. Subtipos H5 ou H7 de vírus do tipo A relativamente aos quais a sequenciação de nucleótidos tenha revelado a presença de múltiplos aminoácidos básicos no local de clivagem da hemaglutinina.

3. Vírus da língua azul;

4. Vírus da febre aftosa;

5. Vírus da varíola caprina;

6. Vírus do herpes porcino (doença de Aujeszky);

7. Vírus da peste suína (vírus da cólera suína);

8. Vírus da raiva;

9. Vírus da doença de Newcastle;

10. Vírus da peste dos pequenos ruminantes;

11. Enterovírus porcino do tipo 9 (vírus da doença vesicular do porco);

12. Vírus da peste bovina;

13. Vírus da varíola ovina;

14. Vírus da doença de Teschen;

15. Vírus da estomatite vesicular;

16. Vírus da lumpy skin

17. Vírus da febre do cavalo africano

b.

Mycoplasma mycoides, de ocorrência natural, melhorados ou modificados, quer sob a forma de culturas vivas isoladas, quer sob a forma de matérias, incluindo matérias vivas, deliberadamente inoculadas ou contaminadas com culturas vivas.

a.

Organismos geneticamente modificados ou elementos genéticos que contenham sequências de ácidos nucleicos associadas a patogenicidade e sejam obtidos a partir dos organismos referidos em 1C351.a. a c., 1C352 ou 1C354;

b.

Organismos geneticamente modificados ou elementos genéticos que contenham sequências de ácidos nucleicos que codifiquem qualquer das toxinas referidas em 1C351.d. ou respectivas subunidades de toxina.

1CMateriais Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota Técnica: Nota técnica Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: 1.2. a.

Por si mesma ou através dos seus produtos transcritos ou transpostos apresente um risco significativo para a saúde humana, animal ou vegetal; ou que

b.

Possua a capacidade reconhecida de reforçar a actividade de um micro-organismo específico, ou de qualquer outro organismo em que possa ser inserido, ou integrado por outros processos, por forma a provocar sérios danos à saúde humana, animal ou vegetal.

a.

Vírus de ocorrência natural, melhorados ou modificados, quer sob a forma de culturas vivas isoladas, quer sob a forma de matérias, incluindo matérias vivas, deliberadamente inoculadas ou contaminadas com culturas vivas:

1. Potato Andean latent tymovirus;

2. Potato spindle tuber viroid;

b.

Bactérias, de ocorrência natural, melhoradas ou modificadas, quer sob a forma de culturas vivas isoladas, quer sob a forma de matérias deliberadamente inoculadas ou contaminadas com culturas vivas:

1. Xanthomonas albilineans;

2. Xanthomonas campestri pv. citri (incluindo as estirpes designadas por Xanthomonas campestri pv. citri tipos A, B, C, D e E ou de qualquer forma classificadas Xanthomonas citri), Xanthomonas campestri pv. aurantifolia ou Xanthomonas campestri pv. citrumelo;

3. Xanthomonas oryzae pv. Oryzae (Pseudomonas campestris pv. Oryzae);

4. Clavibacter michiganensis subsp. Sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. Sepedonicum ou Corynebacterium Sepedonicum);

5. Ralstonia solanacearum Races 2 e 3 (Pseudomonas solanacearum Races 2 e 3 ou Burkholderia solanacearum Races 2 e 3);

c.

Fungos, de ocorrência natural, melhorados ou modificados, quer sob a forma de culturas vivas isoladas, quer sob a forma de matérias deliberadamente inoculadas ou contaminadas com culturas vivas:

1. Colletotrichum coffeanum var. virulans (Colletotrichum kahawae);

2. Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae);

3. Microcyclus ulei (sinónimo: Dothidella ulei);

4. Puccinia graminis (sinónimo: Puccinia graminis f. sp. tritici);

5. Puccinia striiformis (sinónimo: Puccinia glumarum);

6. Magnaporthe grisea (Pyricularia grisea/Pyricularia oryzae).

a.

Produtos químicos tóxicos: Nota 1: Para as exportações para os Estados não Parte na Convenção Sobre as Armas Químicas, 1C450 não controla as misturas químicas contendo uma ou várias das substâncias químicas especificadas nas entradas 1C450.a.1. e .a.2 em que nenhuma substância tomada isoladamente constitua mais de 1 % em peso da mistura. Nota 2: Para as exportações para os Estados não Parte na Convenção Sobre as Armas Químicas, 1C450 não controla as misturas químicas contendo uma ou várias das substâncias químicas especificadas nas entradas 1C450.a.1. e .a.2. em que nenhuma substância tomada isoladamente constitua mais de 30 % em peso da mistura. Nota 3: 1C450 não controla as misturas químicas contendo uma ou várias das substâncias químicas especificadas nas entradas 1C450.a.4., .a.5., .a.6. e .a.7. em que nenhuma substância tomada isoladamente constitua mais de 30 % em peso da mistura.

1. Amitão: 0,0-dietilo S-[2-(dietilamino) etilo] fosforotiolato (78-53-5) e correspondentes sais alquilados e protonados;

2. PFIB: 1,1,3,3,3-pentafluoro-2(trifluorometil) -1-propeno (382-21-8);

3. VER A LISTA DE MATERIAL DE GUERRA PARA BZ: benzilato de 3-quinoclidinilo (6581-06-2);

4. Fosgénio: dicloreto de carbonilo (75-44-5);

5. Cloreto de cianogénio (506-77-4);

6. Cianeto de hidrogénio (74-90-8);

7. Cloropicrina: tricloronitrometano (76-06-2);

b.

Produtos químicos tóxicos precursores: Nota 1: Para as exportações para os Estados não Parte na Convenção Sobre Armas Químicas, 1C450 não abrange misturas químicas que contenham uma ou mais das substâncias químicas especificadas nos pontos 1C450.b.1., .b.2., .b.3., .b.4., .b.5. e .b.6. em que nenhuma substância tomada isoladamente constitua mais de 10 % em peso da mistura. Nota 2: Para as exportações para os Estados Parte na Convenção Sobre Armas Químicas, 1C450 não abrange misturas químicas que contenham uma ou mais das substâncias químicas especificadas nos pontos 1C450.b.1., .b.2., .b.3., .b.4., .b.5. e .b.6. em que nenhuma substância tomada isoladamente constitua mais de 30 % em peso da mistura. Nota 3: 1C450 não abrange misturas químicas que contenham uma ou mais das substâncias químicas especificadas nos pontos 1C450.b.7., e .b.8. em que nenhuma substância tomada isoladamente constitua mais de 30 % em peso da mistura.

1. Produtos químicos, com excepção dos especificados na Lista de Material de Guerra ou em 1C350, que contenham um átomo de fósforo ligado a um grupo metilo, etilo ou propilo (normal ou iso) mas sem outros átomos de carbono; Nota: 1C450.b.1. não abrange os Fonofos: etilfosfonotiolotionato de O-etilo e de S-fenilo (944-22-9)

2. Dihalogenetos fosforamídicos N,N-dialquilo [metil, etil, ou propil (normal ou iso)];

3. N, N-dialquilo [metil, etil ou propil (normal ou iso)] fosforamidatos de dialquilo [metil, etil ou propil (normal ou iso)], com excepção do N,N-dimetilfosforamidato de dietilo, que é especificado em 1C350;

4. Cloretos de N,N-dialquilo [metil, etil ou propil (normal ou iso)] -2-aminoetilo e sais protonados correspondentes, com excepção do cloreto de N,N-diisopropil-(beta) -aminoetilo ou cloreto de N,N-diisopropil-(beta) -aminoetilo na forma de cloridrato, que são especificados em 1C350;

5. N,N-dialquilo [metil, etil ou propil (normal ou iso)] -2-aminoetanóis e correspondentes sais protonados, com excepção do N,N-diisopropil-(beta) -aminoetanol (96-80-0) e N,N-dietilaminoetanol (100-37-8), que são especificados em 1C350; Nota: 1C450.b.5. não abrange:

5. a.

N,N-dimetilaminoetanol (108-01-0) e correspondentes sais protonados;

b.

Sais protonados de N,N-dietilaminoetanol (100-37-8);

6. N,N-dialquilo [metil, etil ou propil (normal ou iso)] -2-aminoetanotióis e correspondentes sais protonados, com excepção do N,N-diisopropil-(beta) -aminoetanotiol, que é especificado em 1C350;

7. Ver 1C350 para a etildietanolamina (139-87-7);

8. Metildietanolamina (105-59-9).

1DSuportes lógicos

1D001Suportes lógicos especialmente concebidos ou modificados para o desenvolvimento, produção ou utilização dos bens referidos em 1B001 a 1B003. 1D002Suportes lógicos para o desenvolvimento de laminados ou compósitos com matriz orgânica, metálica ou de carbono. 1D101Suportes lógicos especialmente concebidos ou modificados para a utilização dos bens referidos em 1B101, 1B102, 1B115, 1B117, 1B118 ou 1B119. 1D103Suportes lógicos especialmente concebidos para a análise de parâmetros de detecção reduzidos, como a reflectividade ao radar e as assinaturas no ultravioleta/infravermelho e acústicas. 1D201Suportes lógicos especialmente concebidos para a utilização dos bens referidos em 1B201.

1ETecnologia 1E001Tecnologia, na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o desenvolvimento ou produção dos equipamentos ou materiais referidos em 1A001.b., 1A001.c., 1A002 a 1A005, 1B ou 1C. 1E002Outras tecnologias: 1E101Tecnologia, na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para a utilização dos bens referidos em 1A102, 1B001, 1B101, 1B102, 1B115 a 1B119, 1C001, 1C101, 1C107, 1C111 a 1C117, 1D101 ou 1D103. 1E102Tecnologia, na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o desenvolvimento dos suportes lógicos referidos em 1D001, 1D101 ou 1D103. 1E103Tecnologia para a regulação da temperatura, da pressão ou da atmosfera em autoclaves ou hidroclaves utilizados na produção de materiais compósitos ou de materiais compósitos parcialmente transformados. 1E104Tecnologia para a produção de materiais obtidos por processos pirolíticos, formados em moldes, mandris ou outros substratos, a partir de gases precursores que se decomponham entre 1573 K (1300 °C) e 3173 K (2900 °C), sob pressões de 130 Pa a 20 kPa. Nota: 1E104 abrange a tecnologia utilizada na composição de gases precursores, e os programas e parâmetros de comando de caudais e de processos. 1E201Tecnologia, na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para a utilização dos bens referidos em 1A002, 1A202, 1A225 a 1A227, 1B201, 1B225 a 1B233, 1C002.b. 3. ou b. 4., 1C010.b., 1C202, 1C210, 1C216, 1C225 a 1C240 ou 1D201. 1E202Tecnologia, na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o desenvolvimento ou produção dos bens referidos em 1A202 ou 1A225 a 1A227. 1E203Tecnologia, na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o desenvolvimento dos suportes lógicos referidos em 1D201.

1ETecnologia a.

Tecnologia para o desenvolvimento ou produção de polibenzotiazolos ou de polibenzoxazolos;

b.

Tecnologia para o desenvolvimento ou produção de compostos fluoroelastómeros com pelo menos um monómero de viniléter;

c.

Tecnologia para a concepção ou produção dos materiais de base ou dos materiais cerâmicos não compósitos a seguir enumerados:

1. Materiais de base com todas as seguintes características:

1. a.

Qualquer das seguintes composições:

1. Óxidos de zircónio simples ou complexos e óxidos de silício ou de alumínio complexos;

2. Nitretos de boro simples (formas cristalinas cúbicas);

3. Carbonetos de silício ou de boro simples ou complexos; ou

4. Nitretos de silício simples ou complexos;

b.

Um total de impurezas metálicas, excluindo aditivos intencionalmente incorporados, inferior a:

1. 1000 ppm, no caso dos óxidos ou carbonetos simples; ou

2. 5000 ppm, no caso dos compostos complexos e dos nitretos simples; e

c.

Constituídos por:

1. Óxido de zircónio com uma granulometria média igual ou inferior a 1 μm e não mais de 10 % das partículas com dimensões superiores a 5 μm;

2. Outros materiais de base com granulometria média igual ou inferior a 5 μm e não mais de 10 % das partículas com dimensões superiores a 10 μm; ou

3. Com todas as seguintes características:

3. a.

Plaquetas com uma relação comprimento/espessura superior a 5;

b.

Cristais capilares (whiskers) com uma relação comprimento/diâmetro superior a 10, para diâmetros inferiores a 2 μm; e

c.

Fibras contínuas ou cortadas com diâmetros inferiores a 10 μm;

2. Materiais cerâmicos não compósitos constituídos por materiais referidos em 1E002.c.1.; Nota: 1E002.c.2. não abrange a tecnologia para a concepção ou produção de abrasivos.

d.

Tecnologia para a produção de fibras de poliamidas aromáticas;

e.

Tecnologia para a instalação, manutenção ou reparação dos materiais referidos em 1C001;

f.

Tecnologia para a reparação das estruturas, laminados ou materiais compósitos referidos em 1A002, 1C007.c. ou 1C007.d. Nota: 1E002.f. não abrange a tecnologia para a reparação de estruturas de aeronaves civis que recorram a materiais fibrosos ou filamentosos e a resinas epoxídicas, descritas nos manuais dos fabricantes de aeronaves.

CATEGORIA 2 TRATAMENTO DE MATERIAIS

2AEquipamentos, conjuntos e componentes Nota técnica:

Nota: Para chumaceiras de regime regular, ver a Lista de Material de Guerra. 2A001Chumaceiras antifricção e sistemas de chumaceiras ou rolamentos e respectivos componentes: Nota: 2A001 não abrange as esferas com tolerâncias especificadas pelo fabricante como sendo de grau 5 ou piores, de acordo com a norma ISO 3290. 2A225Cadinhos de materiais resistentes aos metais actinídeos líquidos: 2A226Válvulas com todas as seguintes características: No caso das válvulas com diâmetros de entrada e de saída diferentes, a dimensão nominal em 2A226 refere-se ao diâmetro menor.

2AEquipamentos, conjuntos e componentes a.

Rolamentos de esferas ou rolamentos de rolos maciços com todas as tolerâncias de fabrico de acordo com a ISO 492 Classe de Tolerância 4 (ou com as normas ANSI/ABMA Std 20, Classe de Tolerância ABEC-7 ou RBEC-7, ou outras normas nacionais equivalentes) ou superiores, e em que tanto os anéis como os elementos de rolamento (ISO 5593) sejam de monel ou de berílio; Nota: 2A001.a. não abrange os rolamentos de rolos cónicos.

b.

Outros rolamentos de esferas ou rolamentos de rolos maciços com todas as tolerâncias de fabrico de acordo com a norma ISO 492, Classe de Tolerância 2 (ou com as normas ANSI/ABMA Std 20, Classe de Tolerância ABEC-9 ou RBEC-9, ou outras normas nacionais equivalentes). Nota: 2A001.b. não abrange os rolamentos de rolos cónicos.

c.

Sistemas de chumaceiras magnéticas activas que utilizem:

1. Materiais com densidades de fluxo iguais ou superiores a 2.0 T e uma resistência limite superior a 414 MPa; ou

2. Actuadores 3D totalmente electromagnéticos com polarização homopolar; ou

3. Sensores de posição de alta temperatura [450 K (177 °C) ou mais].

a.

Cadinhos com ambas as seguintes características:

1. Volume compreendido entre 150 cm3 e 8000 cm3; e

2. Fabricados ou revestidos de um dos seguintes materiais, com um grau de pureza igual ou superior a 98 % em massa:

2. a.

Fluoreto de cálcio (CaF2);

b.

Zirconato de cálcio (metazirconato de cálcio) (CaZrO3);

c.

Sulfureto de cério (Ce2S3);

d.

Óxido de érbio (érbia) (Er2O3);

e.

Óxido de háfnio (háfnia) (HfO2);

f.

Óxido de magnésio (MgO);

g.

Liga nitretada de nióbio-titânio-tungsténio (aproximadamente 50 % de Nb, 30 % de Ti e 20 % de W);

h.

Óxido de ítrio (ítria) (Y2O3); ou

i.

Óxido de zircónio (zircónia) (ZrO2);

b.

Cadinhos com ambas as seguintes características:

1. Volume compreendido entre 50 cm3 e 2000 cm3; e

2. Fabricados ou revestidos de tântalo, com um grau de pureza igual ou superior a 99,9 % em massa;

c.

Cadinhos com as seguintes características:

1. Volume compreendido entre 50 cm3 e 2000 cm3;

2. Fabricados ou revestidos de tântalo, com um grau de pureza igual ou superior a 98 % em massa; e

3. Revestidos de carboneto, nitreto ou boreto de tântalo ou de combinações destes compostos.

a.

Uma dimensão nominal igual ou superior a 5 mm;

b.

Empanque de fole; e

c.

Totalmente fabricadas ou revestidas de alumínio, liga de alumínio, níquel ou liga de níquel com mais de 60 % em massa de níquel.

2BEquipamentos de ensaio, de inspecção e de produção Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota Técnica: Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica:

2B001Máquinas–ferramentas e suas combinações para a remoção ou corte de metais ou de materiais cerâmicos ou compósitos que, de acordo com as especificações técnicas do fabricante, possam ser equipadas com dispositivos electrónicos de controlo numérico, e componentes especialmente concebidos para as mesmas: N.B. VER TAMBÉM 2B201. Nota 1: 2B001 não abrange as máquinas-ferramentas para fins especiais destinadas exclusivamente ao fabrico de engrenagens. Para este tipo de máquinas, ver 2B003. Nota 2: 2B001 não abrange as máquinas-ferramentas para fins especiais destinadas exclusivamente ao fabrico de: Nota 3: As máquinas-ferramentas que possuam pelo menos duas das três capacidades — de tornear, fresar ou rectificar — (por exemplo, um torno com capacidade para fresar) devem ser avaliadas relativamente a cada uma das alíneas — a, b ou c — aplicáveis do ponto 2B001. 2B002Máquinas-ferramentas com controlo numérico que utilizem um processo de acabamento magnetoreológico (MRF), equipadas para produzir superfícies não esféricas com qualquer das seguintes características: Para efeitos de 2B002, por MRF entende-se um processo de remoção de material que utiliza um fluido magnético abrasivo de viscosidade controlada por uma campo magnético. 2B003Máquinas-ferramentas com controlo numérico ou manuais, especialmente concebidas para talhar, acabar, rectificar ou polir engrenagens de dentes rectos, helicoidais e helicoidais duplas endurecidas (Rc = 40 ou mais) com um diâmetro da circunferência primitiva superior a 1250 mm e uma largura de dente igual a 15 % ou mais do diâmetro da circunferência primitiva, com acabamento de qualidade AGMA 14 ou superior (equivalente à classe 3 da norma ISO 1328). 2B004Prensas isostáticas a quente com todas as seguintes características e componentes e acessórios especialmente concebidos para essas prensas: N.B.: VER TAMBÉM 2B104 E 2B204. A dimensão interior da câmara é a da câmara em que se atingem a temperatura e a pressão de trabalho, e não inclui os acessórios. Esta dimensão será a menor de duas dimensões —, o diâmetro interior da câmara de pressão e o diâmetro interior da câmara isolada do forno —, dependendo de qual das duas câmaras esteja localizada no interior da outra. NOTA: No que se refere aos cunhos, matrizes e ferramentas especialmente concebidos, ver 1B003, 9B009 e a Lista de Material de Guerra. 2B005Equipamentos especialmente concebidos para a deposição, tratamento e controlo durante o processo de recobrimentos, revestimentos e modificações de superfícies inorgânicos, para aplicação em substratos não electrónicos pelos processos descritos no quadro que se segue ao ponto 2E003.f. e nas notas subsequentes, bem como componentes automatizados de movimentação, posicionamento, manipulação e controlo especialmente concebidos para esses equipamentos: Nota: 2B005 não abrange os equipamentos de deposição química em fase vapor, de arco catódico, de deposição por pulverização, de metalização iónica ou de implantação iónica especialmente concebidos para ferramentas de corte ou de maquinagem. 2B006Sistemas, equipamentos e conjuntos electrónicos de controlo dimensional ou de medição: N.B.: VER TAMBÉM 2B206. Nota: As máquinas-ferramentas que possam ser utilizadas como máquinas de medição serão abrangidas se corresponderem aos critérios especificados para a função de máquina-ferramenta ou de máquina de medição, ou se excederem esses critérios. 2B007Robots, com qualquer das características a seguir enumeradas, bem como controladores e manipuladores terminais especialmente concebidos para os mesmos: N.B.: VER TAMBÉM 2B207 2B008Conjuntos ou unidades especialmente concebidos para máquinas-ferramentas ou para sistemas e equipamentos de medição ou de inspecção dimensional: 2B009Máquinas de enformação por rotação e máquinas de enformação contínua que, de acordo com as especificações técnicas do fabricante, possam ser equipadas com unidades de controlo numérico ou com comando computorizado e que possuam as seguintes características: N.B.: VER TAMBÉM 2B109 e 2B209. Para efeitos de 2B009, as máquinas que combinem as funções de enformação por rotação e enformação contínua são consideradas como máquinas de enformação contínua. 2B104Prensas isostáticas diferentes das referidas em 2B004, com todas as seguintes características: N.B.: VER TAMBÉM 2B204. 2B105Fornos para deposição em fase vapor por processo químico (CVD) diferentes das referidas em 2B005.a. concebidos ou modificados para a densificação de materiais compósitos carbono–carbono. 2B109Máquinas de enformação contínua, diferentes das referidas em 2B009, bem como componentes especialmente concebidos para essas máquinas: N.B.: VER TAMBÉM 2B209. Nota: 2B109 não abrange as máquinas que não sejam utilizáveis na produção de equipamentos e componentes (por exemplo, cárteres de motores) para os sistemas de propulsão referidos em 9A005, 9A007.a. ou 9A105.a. As máquinas que combinem as funções de enformação por rotação e enformação contínua são, para efeitos deste ponto, consideradas como máquinas de enformação contínua. 2B116Equipamentos para ensaios de vibrações e respectivos componentes: Em 2B116, mesa nua designa uma mesa ou superfície plana sem qualquer dispositivo de fixação ou equipamento acessório. 2B117Comandos de equipamentos e processos, diferentes dos especificados em 2B004, 2B005.a., 2B104 ou 2B105, concebidos ou modificados para a densificação e pirólise de materiais compósitos estruturais de tubeiras de foguetes e de pontas de narizes de veículos de reentrada. 2B119Máquinas de equilibragem e equipamento conexo: N.B.: VER TAMBÉM 2B219. 2B120Simuladores de movimento ou mesas rotativas (rate tables) com todas as seguintes características: Nota: 2B120 não abrange as mesas rotativas concebidas ou modificadas para máquinas-ferramentas ou para equipamento médico. No que se refere ao controlo de mesas rotativas de máquinas-ferramentas, ver 2B008. 2B121Mesas de posicionamento (equipamento capaz de garantir um posicionamento rotativo preciso em quaisquer eixos) diferente do referido em 2B120, com todas as seguintes características: Nota: 2B121 não abrange as mesas rotativas concebidas ou modificadas para máquinas-ferramentas ou para equipamento médico. No que se refere ao controlo de mesas rotativas de máquinas-ferramentas, ver 2B008. 2B122Centrifugadoras com capacidade para imprimir acelerações acima de 100 g e com anéis colectores capazes de transmitir potência eléctrica e informações sob a forma de sinais. 2B201Máquinas-ferramentas ou qualquer combinação das mesmas diferentes das referidas em 2B001 para remoção ou corte de metais ou de materiais cerâmicos ou compósitos que, de acordo com as especificações técnicas do fabricante, possam ser equipadas com dispositivos electrónicos para controlo de contorno simultâneo em dois ou mais eixos: 2B204Prensas isostáticas não abrangidas por 2B004 ou 2B104, bem como equipamentos conexos: Em 2B204, a dimensão interior da câmara é a da câmara em que se atingem a temperatura e a pressão de trabalho e não inclui os acessórios. Esta dimensão será a menor de duas dimensões — o diâmetro interior da câmara de pressão e o diâmetro interior da câmara isolada do forno — dependendo de qual das duas câmaras esteja localizada no interior da outra. 2B206Máquinas, instrumentos ou sistemas de controlo dimensional diferentes dos referidos no ponto 2B006: Nota 1: As máquinas-ferramentas que possam ser utilizadas como máquinas de medição serão controladas se corresponderem aos critérios especificados para a função de máquina-ferramenta ou de máquina de medição, ou se excederem esses critérios. Nota 2: As máquinas referidas em 2B006 serão controladas se ultrapassarem os limites estipulados em qualquer ponto da sua gama de funcionamento. 2B207Robots, operadores terminais e unidades de controlo não referidos em 2B007: 2B209Máquinas de enformação contínua e máquinas de enformação por rotação capazes de executar enformação contínua não referidas nos pontos 2B009 ou 2B109, e mandris: Nota: 2B209.a. abrange as máquinas com um único rolo concebido para deformar metal e dois rolos auxiliares de suporte do mandril mas que não participam directamente no processo de deformação. 2B219Máquinas centrifugadoras de equilibragem em múltiplos planos, fixas ou portáteis, horizontais ou verticais: 2B225Manipuladores de comando a distância que possam ser utilizados para executar acções comandadas à distância em operações de separação radioquímica ou em células quentes, com uma das seguintes características: Os manipuladores de comando a distância permitem a transmissão das acções de um operador humano a um braço e a um equipamento terminal telecomandados. Podem ser do tipo servomecanismo ou comandados por um joystick ou um teclado. 2B226Fornos de indução de atmosfera controlada (vácuo ou gás inerte), bem como fontes de alimentação especialmente concebidas para esses fornos: N.B.: VER TAMBÉM 3B. Nota: 2B226.a. não abrange os fornos concebidos para o tratamento de bolachas semicondutoras. 2B227Fornos metalúrgicos de fusão e de fundição sob vácuo ou sob outra forma de atmosfera controlada, e equipamentos conexos: 2B228Equipamentos para o fabrico ou a montagem de rotores, equipamentos para o alinhamento de rotores, e mandris, cunhos e matrizes para a enformação de foles: 2B230Transdutores de pressão capazes de medir pressões absolutas em qualquer ponto da escala de 0 a 13 kPa e com ambas as seguintes características: Para efeitos de 2B230 a precisão inclui a não linearidade, a histerese e a repetibilidade à temperatura ambiente. 2B231Bombas de vácuo com todas as seguintes características: 2B232Canhões de gases leves de andares múltiplos ou outros sistemas de canhão de alta velocidade (sistemas de bobina, tipos electromagnéticos e electrotérmicos e outros sistemas avançados), capazes de acelerar projécteis a velocidades iguais ou superiores a 2 km/s. 2B350Equipamentos, dispositivos e componentes da indústria química: Carbono-grafite é um composto de carbono amorfo e grafite cujo teor de grafite é igual ou superior a 8 %, em massa 2B351Sistemas de monitorização de gases tóxicos e detectores específicos, com as seguintes características: 2B352Equipamento capaz de ser utilizado na manipulação de materiais biológicos:

2BEquipamentos de ensaio, de inspecção e de produção Notas técnicas:

1. Os eixos secundários de contorno paralelo, (por exemplo, o eixo w nas mandriladoras horizontais ou um eixo de rotação secundário cuja linha de centro seja paralela ao eixo de rotação primário), não são contabilizados no número total de eixos de contorno. Os eixos de rotação não têm necessariamente de rodar a 360° e podem ser accionados por dispositivos lineares, (por exemplo, um parafuso ou um sistema de pinhão e cremalheira).

2. Para efeitos do ponto 2B, o número de eixos que podem ser coordenados em simultâneo para o controlo de contorno é o número de eixos ao longo ou em torno dos quais, durante o processamento da peça, são executados movimentos simultâneos e interrelacionados entre a peça e a ferramenta, e que não inclui quaisquer eixos adicionais ao longo ou em torno dos quais sejam executados outros movimentos relativos dentro da máquina, tais como:

2. a.

Sistemas de ajuste da posição da mó nas rectificadoras

b.

Eixos rotativos paralelos destinados à montagem de peças separadas

c.

Eixos rotativos colineares destinados à manipulação da mesma peça mantendo-a numa brecha por extremidades diferentes.

3. A nomenclatura dos eixos deve estar de acordo com a norma internacional ISO 841, Numerical Control Machines — Axis and Motion Nomenclature (máquinas de controlo numérico — nomenclatura dos eixos e dos movimentos).

4. Para efeitos de 2B001 a 2B009, os fusos basculantes contam como eixos rotativos.

5. No caso dos modelos de máquinas-ferramentas podem usar-se níveis de precisão de posicionamento declarada deduzidos de medições efectuadas de acordo com a ISO 230/2 (1988) ou com normas nacionais equivalentes, em vez de ensaios individuais. Por precisão de posicionamento declarada entende-se o valor da precisão transmitido às autoridades competentes do Estado-Membro onde o exportador está estabelecido como sendo representativo da precisão de um modelo de máquina-ferramenta. Determinação dos Valores Declarados

5. a.

Seleccionam-se cinco máquinas de um modelo a avaliar;

b.

Procede-se à medição da precisão do eixo linear de acordo com a ISO 230/2 (1988);

c.

Determinam-se os valores A de cada eixo de cada máquina. O método para calcular o valor A é descrito na norma ISO;

d.

Determina-se o valor médio do valor A de cada eixo. Este valor médio  passa a ser o valor declarado de cada eixo do modelo (Âx Ây...)

e.

Dado que a lista da Categoria 2 se refere a cada eixo linear, haverá tantos valores declarados quantos os eixos lineares;

f.

Se qualquer eixo de um modelo de máquina não abrangido pelos pontos 2B001.a. a 2B001.c. ou 2B201 tiver uma precisão declarada  de 6 μm, ou melhor, para as rectificadoras e de 8 μm, ou melhor, para as fresadoras e os tornos, deverá ser solicitado ao fabricante que reitere o nível de precisão de dezoito em dezoito meses.

a.

Veios de manivelas ou veios de excêntricos;

b.

Ferramentas ou ferros de corte;

c.

Sem-fins para extrusoras;

d.

Peças de joalharia gravadas ou facetadas.

a.

Máquinas–ferramentas para tornear, com todas as seguintes características: Nota: 2B001.a. não abrange os tornos especialmente concebidos para a produção de lentes de contacto.

1. Precisão de posicionamento em qualquer eixo linear com todas as compensações disponíveis igual ou inferior a (melhor que) 6 μm de acordo com a ISO 230/2 (1988) ou com normas nacionais equivalentes; e

2. Dois ou mais eixos que possam ser coordenados simultaneamente para o controlo de contorno;

b.

Máquinas-ferramentas para fresar, com uma das seguintes características:

1. Ambas as seguintes características:

1. a.

Precisão de posicionamento em qualquer eixo linear com todas as compensações disponíveis igual ou inferior a (melhor que) 6 μm de acordo com a ISO 230/2 (1988) ou com normas nacionais equivalentes; e

b.

Três eixos lineares mais um eixo de rotação que possam ser coordenados simultaneamente para o controlo de contorno;

2. Cinco ou mais eixos que possam ser coordenados simultaneamente para o controlo de contorno; ou

3. Precisão de posicionamento em qualquer eixo linear, no caso das mandriladoras por coordenadas, com todas as compensações disponíveis, igual ou inferior a (melhor que) 4 μm de acordo com a ISO 230/2 (1988) ou com normas nacionais equivalentes; ou

4. Máquinas de corte de volante com todas as seguintes características:

4. a.

excentricidade e desalinhamento do fuso inferiores a (melhores que) 0,004 mm TIR; e

b.

Desvio angular do movimento do carro (desvio de direcção, inclinação longitudinal e inclinação transversal) inferior a (melhor que) 2 segundos de arco, TIR, num percurso de 300 mm.

c.

Máquinas-ferramentas para rectificar, com uma das seguintes características: Nota: 2B001.c. não abrange as seguintes rectificadoras:

1. Ambas as seguintes características:

1. a.

Precisão de posicionamento em qualquer eixo linear, com todas as compensações disponíveis, igual ou inferior a (melhor que) 4 μm de acordo com a ISO 230/2 (1988) ou com normas nacionais equivalentes; e

b.

Três ou mais eixos que possam ser coordenados simultaneamente para o controlo de contorno; ou

2. Cinco ou mais eixos que possam ser coordenados simultaneamente para o controlo de contorno;

1. Rectificadoras cilíndricas de exteriores, de interiores ou de exteriores e interiores com todas as seguintes características:

1. a.

Estarem limitadas à rectificação cilíndrica; e

b.

Só poderem maquinar peças de diâmetro ou comprimento não superiores a 150 mm;

2. Máquinas especialmente concebidas como rectificadoras por coordenadas, que não tenham um eixo z ou um eixo w, com uma exactidão de posicionamento com todas as compensações disponíveis inferiores a (melhores) do que 4 mm de acordo com a ISO 230/2 (1988) ou normas nacionais equivalentes.

3. Rectificadoras de superfícies.

d.

Máquinas de electroerosão (EDM) não por fio com dois ou mais eixos de rotação que possam ser coordenados simultaneamente para o controlo de contorno;

e.

Máquinas–ferramentas para remover metais ou materiais cerâmicos ou compósitos com todas as seguintes características:

1. Remoção de material por qualquer dos seguintes meios:

1. a.

Jactos de água ou de outros líquidos, incluindo as que utilizam aditivos abrasivos;

b.

Feixes de electrões; ou

c.

Feixes de laser; e

2. Com dois ou mais eixos de rotação que:

2. a.

Possam ser coordenados simultaneamente para o controlo de contorno; e

b.

Tenham uma precisão de posicionamento inferior a (melhor que) 0,003 °.

f.

Fresadoras e tornos modificados para abertura de furos profundos, com capacidade para perfurar a profundidades máximas superiores a 5000 mm, e componentes especialmente concebidos para os mesmos.

a.

Permitam obter um acabamento inferior a (melhor do que) 1,0 μm; ou

b.

Permitam obter um acabamento com uma rugosidade inferior a (melhor do que) 100 nm rms.

2BEquipamentos de ensaio, de inspecção e de produção Notas técnicas: Nota técnica: a.

Com ambiente térmico controlado na cavidade fechada e uma câmara de trabalho de diâmetro interior igual ou superior a 406 mm; e

b.

Uma das seguintes características:

1. Pressão máxima de trabalho superior a 207 MPa;

2. Ambiente térmico controlado superior a 1773 K (1500 °C); ou

3. Meios que possibilitem a impregnação com hidrocarbonetos e a remoção dos produtos gasosos resultantes da sua degradação;

2BEquipamentos de ensaio, de inspecção e de produção Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: a.

Equipamentos de produção para deposição em fase vapor por processo químico (CVD) com todas as seguintes características: N.B.: VER TAMBÉM 2B105.

1. Modificados para aplicação de um dos seguintes processos:

1. a.

Deposição em fase vapor, por processo químico, pulsante;

b.

Deposição térmica com nucleação controlada (CNTD); ou

c.

Deposição em fase vapor, por processo químico, activada ou assistida por plasma; e

2. Uma das seguintes características:

2. a.

Vedantes rotativos para alto vácuo (igual ou inferior a 0,01 Pa); ou

b.

Controlo in situ da espessura do revestimento;

b.

Equipamentos de produção para implantação iónica, com feixes de intensidade de corrente igual ou superior a 5 mA;

c.

Equipamentos de produção para deposição em fase vapor por processo físico com feixe de electrões (EB–PVD), equipados com sistemas de potência dimensionados para mais de 80 kW, com uma das seguintes características:

1. Um sistema de controlo por laser do nível do banho líquido que regule com precisão a velocidade de avanço dos lingotes; ou

2. Um monitor controlado por computador, funcionando com base no princípio da fotoluminescência dos átomos ionizados na corrente evaporada, para controlar a velocidade de deposição de revestimentos que contenham dois ou mais elementos;

d.

Equipamentos de produção para pulverização por plasma, com uma das seguintes características:

1. Funcionamento em atmosfera controlada a pressão reduzida (igual ou inferior a 10 kPa, sendo a medição efectuada acima e a não mais de 300 mm da saída do pulverizador do canhão), numa câmara de vácuo com capacidade de evacuação até uma pressão de 0,01 Pa antes do início do processo de pulverização; ou

2. Controlo in situ da espessura do revestimento;

e.

Equipamentos de produção para deposição por pulverização catódica, com capacidade para densidades de corrente iguais ou superiores a 0,1 mA/mm2, para velocidades de deposição iguais ou superiores a 15 μm/hora;

f.

Equipamentos de produção para deposição por arco catódico, com um conjunto de electroímans para controlo automático da direcção do arco no cátodo;

g.

Equipamentos de produção para metalização iónica, com capacidade para a medição in situ de uma das seguintes características:

1. Espessura do revestimento no substrato e controlo da velocidade de deposição; ou

2. Características ópticas;

a.

Máquinas de medição coordenada (CMM) comandadas por computador ou com controlo numérico com um erro de indicação máximo admissível (MPEF) tridimensional (volumétrico) em qualquer ponto, dentro da gama de funcionamento da máquina (ou seja, dentro do comprimento dos eixos), igual ou inferior a (melhor que) (1,7 + L/1000) μm, (L é o comprimento medido, em mm) testado de acordo com a ISO 10360-2 (2001).

b.

Instrumentos para a medição de deslocamentos lineares e angulares:

1. Nota técnica:

Instrumentos de medição de deslocamentos lineares com uma das seguintes características: Para efeitos do ponto 2B006.b.1., por deslocamento linear entende-se a variação da distância entre a sonda de medida e o objecto medido. Nota: 2B006.b.1. não abrange os sistemas de medida com interferómetro, com um sistema de controlo automático concebido para não utilizar técnicas de realimentação negativa (feedback), com um laser para medir os erros de deslocação do carro da máquina-ferramenta, máquinas de controlo dimensional ou equipamento semelhante.

a.

Sistemas de medição do tipo sem-contacto, com resolução igual ou inferior a (melhor que) 0,2 μm numa gama de medida até 0,2 mm;

b.

Sistemas de transformadores diferenciais de tensão linear com ambas as seguintes características:

1. Linearidade igual ou inferior a (melhor que) 0,1 % numa gama de medida até 5 mm; e

2. Desvio igual ou inferior a (melhor que) 0,1 % por dia à temperatura ambiente normal das salas de ensaio ± 1 K; ou

c.

Sistemas de medição que possuam as seguintes características:

1. Um laser; e

2. Sejam capazes de manter, durante pelo menos 12 horas, a uma temperatura normal, com variação de ± 1 K, e a uma pressão normal:

2. a.

Uma resolução igual a 0,1 μm ou menos (melhor) na totalidade da escala; e

b.

Uma incerteza de medida, igual ou inferior a (melhor que) (0,2 + L/2000) μm (L é a distância medida em mm);

d.

Conjuntos electrónicos especialmente concebidos para disporem de uma capacidade de realimentação negativa (feedback), em sistemas especificados em 2B006.b.1.c.;

2. Instrumentos de medição de deslocamentos angulares com desvio angular de posição igual ou inferior a (melhor que) 0,00025 °; Nota: 2B006.b.2. não abrange os instrumentos ópticos, por exemplo, autocolimadores, que utilizem luz colimada (por exemplo, luz laser) para detectar deslocamentos angulares de espelhos.

c.

Equipamentos para a medição de irregularidades de superfícies através da dispersão óptica em função do ângulo, com sensibilidades iguais ou superiores a (melhores que) 0,5 nm;

a. Nota técnica:

Com capacidade de processamento de imagens tridimensionais efectivas ou de análise de cenas tridimensionais efectivas em tempo real, para gerar ou modificar programas ou gerar ou modificar dados numéricos de programas; A limitação imposta à análise de cenas não abrange a aproximação à terceira dimensão por visionamento num determinado ângulo, nem a interpretação de escalas de cinzentos limitadas para percepção de profundidades ou de texturas para fins aprovados (2 1/2 D).

b.

Especialmente concebidos para satisfazerem normas nacionais de segurança aplicáveis a ambientes onde se encontrem munições explosivas;

c. Nota técnica:

Especialmente concebidos ou dimensionados para resistirem a uma dose total de radiações superior a 5 × 103 Gy (silício) sem degradação do funcionamento; ou O termo Gy (silício) refere-se à energia em Joule por quilograma absorvida por uma amostra de silício desprotegida quando exposta a radiações ionizantes.

d.

Especialmente concebidos para operar a altitudes superiores a 30000 m.

a.

Unidades de realimentação negativa da posição linear (por exemplo, dispositivos do tipo indutivo, escalas graduadas, sistemas de infravermelhos ou sistemas de laser) de precisão total inferior a (melhor que) [800 + (600 × L × 10 –3)] nm (L é a distância efectiva em mm); N.B.: Para sistemas de laser ver também a Nota relativa a 2B006.b.1.

b.

Unidades de realimentação negativa da posição angular (por exemplo, dispositivos do tipo indutivo, escalas graduadas, sistemas de infravermelhos ou sistemas de laser) de precisão inferior a (melhor que) 0,00025°; N.B.: Para sistemas de laser ver também a Nota relativa a 2B006.b.1.

c.

Mesas rotativas de movimentos compostos e fusos basculantes, capazes de melhorar, de acordo com as especificações do fabricante, as capacidades de máquinas–ferramentas para níveis iguais ou superiores aos especificados no ponto 2B.

a.

Dois ou mais eixos controlados, dos quais dois, no mínimo, possam ser coordenados simultaneamente para o controlo de contorno; e

b.

Uma força dos rolos superior a 60 kN.

2BEquipamentos de ensaio, de inspecção e de produção Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.

Pressão máxima de trabalho igual ou superior a 69 MPa;

b.

Capacidade para atingir e manter um ambiente térmico controlado igual ou superior a 873 K (600 °C); e

c.

Câmara de trabalho de diâmetro interior igual ou superior a 254 mm;

a.

Máquinas de enformação contínua com ambas as seguintes características:

1. Poderem, de acordo com as especificações técnicas do fabricante, ser equipadas com unidades de controlo numérico ou com comando computorizado, ainda que não estejam equipadas com tais unidades; e

2. Possuírem mais de dois eixos que possam ser coordenados simultaneamente para o controlo de contorno.

b.

Componentes especialmente concebidos para as máquinas de enformação contínua referidas em 2B009 ou 2B109.a.

2BEquipamentos de ensaio, de inspecção e de produção Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.

Sistemas para ensaios de vibrações que utilizem técnicas de realimentação negativa ou de ciclo fechado e disponham de um controlador digital, capazes de fazer vibrar um sistema a uma aceleração igual ou superior a 10g rms entre 20 Hz e 2 kHz e de transmitir forças iguais ou superiores a 50 kN, medidas em mesa nua;

b.

Controladores digitais, combinados com suportes lógicos especialmente concebidos para ensaios de vibrações, com uma largura de banda em tempo real superior a 5 kHz e concebidos para utilização com os sistemas para ensaios de vibrações referidos em 2B116.a.;

c.

Impulsores de vibrações (agitadores), com ou sem amplificadores associados, capazes de transmitir forças iguais ou superiores a 50 kN, medidas em mesa nua, e utilizáveis nos sistemas para ensaios de vibrações referidos em 2B116.a.;

d.

Estruturas de suporte da peça a ensaiar e unidades electrónicas concebidas para combinar múltiplos agitadores num sistema capaz de comunicar forças combinadas efectivas iguais ou superiores a 50 kN, medidas em mesa nua, e utilizáveis nos sistemas para ensaios de vibrações referidos em 2B116.a.

2BEquipamentos de ensaio, de inspecção e de produção Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota Técnica: a.

Máquinas de equilibragem com todas as seguintes características: Nota: 2B119.a. não abrange as máquinas de equilibragem concebidas ou modificadas para equipamento dentário ou outro equipamento médico.

1. Incapacidade para equilibrar rotores/conjuntos de massa superior a 3 kg;

2. Capacidade para equilibrar rotores/conjuntos a velocidades superiores a 12500 rpm;

3. Capacidade para corrigir desequilíbrios em dois ou mais planos; e

4. Capacidade para efectuar a equilibragem com um desequilíbrio residual específico de 0,2 g mm por kg de massa do rotor;

b. Nota técnica:

Cabeças indicadoras concebidas ou modificadas para utilização com as máquinas referidas em 2B119.a. As cabeças indicadoras são por vezes conhecidas como instrumentos de equilibragem.

a.

Dois ou mais eixos;

b.

Anéis colectores capazes de transmitir potência eléctrica e/ou informações sob a forma de sinais; e

c.

Com uma das seguintes características:

1. Ambas as características a seguir enumeradas, para qualquer dos eixos:

1. a.

Capacidade para velocidades iguais ou superiores a 400 graus/s ou iguais ou inferiores a 30 graus/s; e

b.

Resolução igual ou inferior a 6 graus/s e precisão igual ou inferior a 0,6 graus/s;

2. Estabilidade de movimento, no pior dos casos, igual a ou melhor que (inferior a) ± 0,05 %, em média, em 10 graus ou mais; ou

3. Precisão de posicionamento igual a ou melhor do que 5 arc/s.

a.

Dois ou mais eixos; e

b.

Precisão de posicionamento igual a 5 arc/s ou melhor.

a.

Máquinas-ferramentas para fresar, com uma das seguintes características:

1. Precisão de posicionamento em qualquer eixo linear, com todas as compensações disponíveis, igual ou inferior a (melhor que) 6 μm de acordo com a ISO 230/2 (1988) ou com normas nacionais equivalentes; ou

2. Dois ou mais eixos de rotação de contorno. Nota: 2B201.a. não abrange as fresadoras com as seguintes características:

2. a.

Curso no eixo X superior a 2 m; e

b.

Precisão de posicionamento global no eixo X superior a (pior que) 30 μm.

b.

Máquinas-ferramentas para rectificar, com uma das seguintes características: Nota: 2B201.b. não abrange as seguintes rectificadoras: Nota 1: 2B201 não abrange as máquinas-ferramentas para fins especiais destinadas exclusivamente ao fabrico de quaisquer dos seguintes elementos: Nota 2: As máquinas-ferramentas que tenham, pelo menos, duas das três capacidades de tornear, fresar ou rectificar (p. ex., um torno capaz de fresar) devem ser avaliadas em relação a cada um dos pontos 2B001.a. ou 2B201.a. ou b.

1. Precisão de posicionamento em qualquer eixo linear, com todas as compensações disponíveis, igual ou inferior a (melhor que) 4 μm de acordo com a ISO 230/2 (1988) ou com normas nacionais equivalentes; ou

2. Dois ou mais eixos de rotação de contorno.

a.

Rectificadoras cilíndricas de exteriores, de interiores ou de exteriores e interiores, com todas as seguintes características:

1. Estarem limitadas a uma capacidade máxima de maquinação de peças de diâmetro exterior ou comprimento não superiores a 150 mm; e

2. Eixos limitados a x, z e c;

b.

Rectificadoras por coordenadas sem eixos z ou w, com uma precisão de posicionamento geral superior a (melhor do que) 4 μm de acordo com a norma ISO 230/2 (1988) ou com uma norma nacional equivalente.

a.

Engrenagens;

b.

Cambotas ou árvores de cames;

c.

Ferramentas ou ferros de corte;

d.

Sem-fins para extrusoras.

a.

Prensas isostáticas com ambas as seguintes características:

1. Capazes de atingir uma pressão máxima de trabalho igual ou superior a 69 Mpa; e

2. Com uma câmara de trabalho de diâmetro interior superior a 152 mm;

b.

Cunhos, matrizes, moldes e comandos especialmente concebidos para as prensas isostáticas referidas em 2B204.a.

2BEquipamentos de ensaio, de inspecção e de produção Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota Técnica: Nota técnica: a.

Máquinas de controlo dimensional com comando computorizado ou controlo numérico que possuam as seguintes características:

1. Dois ou mais eixos; e

2. Uma incerteza de medida unidimensional igual ou inferior a (melhor que) (1,25 + L/1000) μm testada com uma sonda de precisão inferior a (melhor que) 0,2 μm (L é o comprimento medido, em milímetros) (Ref.: VDI/VDE 2617 Partes 1 e 2);

b.

Sistemas de controlo simultâneo linear-angular de peças hemisféricas, com as seguintes características:

1. Incerteza de medida em qualquer eixo linear igual ou inferior a (melhor que) 3,5 μm por 5 mm; e

2. Desvio angular de posição igual ou inferior a 0,02 °.

2BEquipamentos de ensaio, de inspecção e de produção Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota Técnica: Nota técnica: Notas técnicas:

1. As sondas utilizadas na determinação da incerteza de medida dos sistemas de controlo dimensional devem ser análogas à descrita na norma VDI/VDE 2617, Partes 2,3 e 4.

2. Todos os parâmetros dos valores de medição referidos em 2B206 representam parâmetros mais/menos, isto é, não a banda total.

a.

Robots ou operadores terminais especialmente concebidos para satisfazer normas nacionais de segurança aplicáveis no manuseamento de produtos altamente explosivos (por exemplo, que cumpram as especificações eléctricas para produtos altamente explosivos);

b.

Unidades de comando especialmente concebidas para qualquer dos robots ou operadores terminais especificados em 2B207.a.

a.

Máquinas com ambas as seguintes características:

1. Três ou mais rolos (activos ou de guiamento); e

2. Que, de acordo com as especificações técnicas do fabricante, possam ser equipadas com uma unidade de controlo numérico ou com comando por computador;

b.

Mandris para a enformação de rotores, concebidos para enformar rotores cilíndricos de diâmetro interior compreendido entre 75 mm e 400 mm.

a.

Máquinas centrifugadoras de equilibragem concebidas para equilibrar rotores flexíveis de comprimento igual ou superior a 600 mm, com todas as seguintes características:

1. Diâmetro útil ou diâmetro do moente superior a 75 mm;

2. Capacidade para massas compreendidas entre 0,9 e 23 kg; e

3. Capacidade para efectuar a equilibragem a velocidades de rotação superiores a 5000 rpm;

b.

Máquinas centrifugadoras de equilibragem concebidas para equilibrar componentes cilíndricos ocos de rotores, com todas as seguintes características:

1. Diâmetro do moente igual ou superior a 75 mm;

2. Capacidade para massas entre 0,9 e 23 kg;

3. Capacidade para efectuar a equilibragem com um desequilíbrio residual igual ou inferior a 0,01 kg x mm/kg por plano; e

4. Do tipo com transmissão por correia.

a.

Capazes de penetrar em paredes de células quentes de espessura igual ou superior a 0,6 m (funcionamento através da parede); ou

b.

Capazes de transpor, em ponte, a parte superior de paredes de células quentes de espessura igual ou superior a 0,6 m (funcionamento por cima da parede).

2BEquipamentos de ensaio, de inspecção e de produção Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota Técnica: Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: a.

Fornos com todas as seguintes características:

1. Capazes de funcionar a temperaturas superiores a 1123 K (850 °C)

2. Bobinas de indução de diâmetro igual ou inferior a 600 mm; e

3. Concebidos para potências de alimentação iguais ou superiores a 5 kW;

b.

Fontes de alimentação de potência nominal igual ou superior a 5 kW, especialmente concebidas para os fornos referidos em 2B226.

a.

Fornos de arco para refusão e fundição com ambas as seguintes características:

1. Capacidades para eléctrodos consumíveis situadas entre 1000 cm3 e 20000 cm3, e

2. Capazes de funcionar a temperaturas de fusão superiores a 1973 K (1700 °C);

b.

Fornos de fusão por feixes de electrões e fornos de atomização e fusão por plasma com ambas as seguintes características:

1. Potência igual ou superior a 50 kW; e

2. Capazes de funcionar a temperaturas de fusão superiores a 1473 K (1200 °C);

c.

Sistemas de controlo e de monitorização por computador especialmente configurados para qualquer dos fornos referidos em 2B227.a. ou b.

a.

Equipamentos para a montagem de rotores, utilizados na montagem de secções tubulares, deflectores e tampas de rotores de centrifugadoras de gases; Nota: 2B228.a. inclui mandris de precisão, braçadeiras e máquinas de ajustamento por retracção.

b. Nota técnica:

Equipamentos para o alinhamento de rotores, utilizados no alinhamento de secções tubulares de rotores de centrifugadoras de gases em relação a um eixo comum. Em 2B228.b., estes equipamentos são normalmente constituídos por sondas de medição de precisão ligadas a um computador que, em seguida, comanda, por exemplo, a acção dos macacos pneumáticos utilizados para alinhar as secções tubulares do rotor.

c. Nota técnica:

Mandris, cunhos e matrizes para a enformação de foles utilizados no fabrico de foles de espira única. Os foles referidos no ponto 2B228.c. têm todas as seguintes características:

1. Diâmetro interior compreendido entre 75 mm e 400 mm;

2. Comprimento igual ou superior a 12,7 mm;

3. Profundidade da espira única superior a 2 mm: e

4. Fabricados de ligas de alumínio de alta resistência, de aço maraging ou de materiais fibrosos ou filamentosos de alta resistência.

a.

Elementos sensores da pressão fabricados ou protegidos com alumínio, liga de alumínio, níquel ou liga de níquel com mais de 60 % em massa de níquel; e

b.

Com uma das seguintes características:

1. Uma escala completa de menos de 13 kPa e precisão superior (melhor que) a ± 1 % de escala completa; ou

2. Uma escala completa de 13 kPa ou mais e precisão superior (melhor que) a ± 130 Pa.

2BEquipamentos de ensaio, de inspecção e de produção Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota Técnica: Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: a.

Garganta de entrada de dimensão igual ou superior a 380 mm;

b.

Velocidade de bombagem igual ou superior a 15 m3/s; e

c.

Capazes de produzir um vácuo máximo melhor do que 13 mPa.

2BEquipamentos de ensaio, de inspecção e de produção Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota Técnica: Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas:

1. A velocidade de bombagem deve ser determinada no ponto de medida com azoto ou ar.

2. O vácuo máximo deve ser determinado à entrada da bomba, estando esta fechada.

a.

Vasos de reacção ou reactores, com ou sem agitadores, de volume interior (geométrico) total superior a 0,1 m3 (100 l), mas inferior a 20 m3 (20000 l), caracterizados pelo facto de todas as superfícies que entram em contacto directo com o(s) produto(s) químico(s) processado(s) ou contido(s) serem constituídas por um dos seguintes materiais:

1. Ligas com mais de 25 % de níquel e mais de 20 % de crómio, em massa;

2. Fluoropolímeros;

3. Vidro (incluindo superfícies vitrificadas ou esmaltadas e revestimentos de vidro);

4. Níquel ou ligas com mais de 40 %, em massa, de níquel;

5. Tântalo ou ligas de tântalo;

6. Titânio ou ligas de titânio; ou

7. Zircónio ou ligas de zircónio;

b.

Agitadores para vasos de reacção ou reactores referidos em 2B350.a., e rodas, pás ou veios para esses agitadores caracterizados pelo facto de todas as superfícies que entram em contacto directo com o(s) produto(s) químico(s) processado(s) ou contido(s) serem constituídas por um dos seguintes materiais:

1. Ligas com mais de 25 % de níquel e mais de 20 % de crómio, em massa;

2. Fluoropolímeros;

3. Vidro (incluindo superfícies vitrificadas ou esmaltadas e revestimentos de vidro);

4. Níquel ou ligas com mais de 40 %, em massa, de níquel;

5. Tântalo ou ligas de tântalo;

6. Titânio ou ligas de titânio; ou

7. Zircónio ou ligas de zircónio;

c.

Recipientes, tanques ou reservatórios de armazenagem de volume interior (geométrico) total superior a 0,1 m3 (100 l), caracterizados pelo facto de todas as superfícies que entram em contacto directo com o(s) produto(s) químico(s) processado(s) ou contido(s) serem constituídas por um dos seguintes materiais:

1. Ligas com mais de 25 % de níquel e mais de 20 % de crómio, em massa;

2. Fluoropolímeros;

3. Vidro (incluindo superfícies vitrificadas ou esmaltadas e revestimentos de vidro);

4. Níquel ou ligas com mais de 40 %, em massa, de níquel;

5. Tântalo ou ligas de tântalo;

6. Titânio ou ligas de titânio; ou

7. Zircónio ou ligas de zircónio;

d.

Permutadores de calor ou condensadores com uma superfície de transferência de calor superior a 0,15 m2 e inferior a 20 m2, e tubos, placas, serpentinas ou blocos (núcleos) para esses permutadores ou condensadores caracterizados pelo facto de todas as superfícies que entram em contacto directo com o(s) produto(s) químico(s) processado(s) serem constituídas por um dos seguintes materiais:

1. Ligas com mais de 25 % de níquel e mais de 20 % de crómio, em massa;

2. Fluoropolímeros;

3. Vidro (incluindo superfícies vitrificadas ou esmaltadas e revestimentos de vidro);

4. Grafite ou carbono grafite;

5. Níquel ou ligas com mais de 40 %, em massa, de níquel;

6. Tântalo ou ligas de tântalo;

7. Titânio ou ligas de titânio;

8. Zircónio ou ligas de zircónio;

9. Carboneto de silício; ou

10. Carboneto de titânio.

e.

Colunas de destilação ou de absorção de diâmetro interior superior a 0,1 m, e distribuidores de líquido, distribuidores de vapor ou colectores de líquido para essas colunas de destilação ou de aborção, caracterizados pelo facto de todas as superfícies que entram em contacto directo com o(s) produto(s) químico(s) processado(s) serem constituídas por um dos seguintes materiais:

1. Ligas com mais de 25 % de níquel e mais de 20 % de crómio, em massa;

2. Fluoropolímeros;

3. Vidro (incluindo superfícies vitrificadas ou esmaltadas e revestimentos de vidro);

4. Grafite ou carbono grafite;

5. Níquel ou ligas com mais de 40 %, em massa, de níquel;

6. Tântalo ou ligas de tântalo;

7. Titânio ou ligas de titânio; ou

8. Zircónio ou ligas de zircónio;

f.

Equipamentos de enchimento com comando à distância, caracterizados pelo facto de todas as superfícies que entram em contacto directo com o(s) produto(s) químico(s) processado(s) serem constituídas por um dos seguintes materiais:

1. Ligas com mais de 25 % de níquel e mais de 20 %, em massa, de crómio; ou

2. Níquel ou ligas com mais de 40 %, em massa, de níquel;

g.

Válvulas de dimensões nominais superiores a 10 mm, e corpos de válvula ou revestimentos interiores pré-formados a elas destinados, caracterizadas pelo facto de todas as superfícies que entram em contacto directo com o(s) produto(s) químico(s) processado(s) ou contido(s) serem fabricadas de um dos seguintes materiais:

1. Ligas com mais de 25 % de níquel e mais de 20 % de crómio, em massa;

2. Fluoropolímeros;

3. Vidro (incluindo superfícies vitrificadas ou esmaltadas e revestimentos de vidro);

4. Níquel ou ligas com mais de 40 %, em massa, de níquel;

5. Tântalo ou ligas de tântalo;

6. Titânio ou ligas de titânio; ou

7. Zircónio ou ligas de zircónio;

h.

Tubagens de paredes múltiplas dotadas de um orifício de detecção de fugas, caracterizadas pelo facto de todas as superfícies que entram em contacto directo com o(s) produto(s) químico(s) processado(s) ou contido(s) serem fabricadas de um dos seguintes materiais:

1. Ligas com mais de 25 % de níquel e mais de 20 % de crómio, em massa;

2. Fluoropolímeros;

3. Vidro (incluindo superfícies vitrificadas ou esmaltadas e revestimentos de vidro);

4. Grafite ou carbono grafite;

5. Níquel ou ligas com mais de 40 %, em massa, de níquel;

6. Tântalo ou ligas de tântalo;

7. Titânio ou ligas de titânio; ou

8. Zircónio ou ligas de zircónio;

i.

Bombas com vedante múltiplo ou sem vedante cujo caudal máximo especificado pelo fabricante seja superior a 0,6 m3/h, ou bombas de vácuo cujo caudal máximo especificado pelo fabricante seja superior a 5 m3/h (nas condições normais de pressão (101,3 kPa) e temperatura [273 K (0°C)], e carcaças (corpos de bomba), revestimentos interiores preformados, impulsores, rotores ou tabeiras para essas bombas caracterizados pelo facto de todas as superfícies que entram em contacto directo com o(s) produto(s) químico(s) processado(s) serem fabricadas de um dos seguintes materiais:

1. Ligas com mais de 25 % de níquel e mais de 20 % de crómio, em massa;

2. Materiais cerâmicos;

3. Ferrossilício;

4. Fluoropolímeros;

5. Vidro (incluindo superfícies vitrificadas ou esmaltadas e revestimentos de vidro);

6. Grafite ou carbono grafite;

7. Níquel ou ligas com mais de 40 %, em massa, de níquel;

8. Tântalo ou ligas de tântalo;

9. Titânio ou ligas de titânio; ou

10. Zircónio ou ligas de zircónio;

j.

Incineradores concebidos para destruir os produtos químicos referidos no ponto 1C350, equipados com sistemas de alimentação de resíduos especificamente concebidos e com dispositivos de manipulação especiais, com uma temperatura média na câmara de combustão superior a 1273 K (1000 °C) e caracterizados pelo facto de todas as superfícies do sistema de alimentação de resíduos que entram em contacto directo com estes últimos serem fabricadas ou revestidas de um dos seguintes materiais:

1. Ligas com mais de 25 % de níquel e mais de 20 % de crómio, em massa;

2. Materiais cerâmicos, ou

3. Níquel ou ligas com mais de 40 %, em massa, de níquel.

2BEquipamentos de ensaio, de inspecção e de produção Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota Técnica: Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: a.

Concebidos para funcionar em contínuo e utilizáveis na detecção de concentrações inferiores a 0,3 mg/m3 de agentes de guerra química ou dos produtos químicos referidos em 1C350; ou

b.

Concebidos para a detecção de actividade inibidora da colinesterase.

a. Nota técnica:

Instalações completas para a contenção de materiais biológicos de nível de contenção P3 e P4; Os níveis de contenção P3 e P4 (BL3, BL4, L3, L4) estão definidos no Laboratory Biosafety Manual da OMS (2.a edição, Genebra, 1993).

b. Nota técnica:

Fermentadores adequados para a cultura de microrganismos patogénicos ou vírus ou para a produção de toxinas, sem propagação de aerossóis, que possuam uma capacidade igual ou superior a 20 litros; Os fermentadores incluem os biorreactores, os quimióstatos e os sistemas de débito contínuo.

c. Nota técnica:

Separadores centrífugos capazes de separação contínua sem propagação de aerossóis, que possuam todas as seguintes características: Os separadores centrífugos incluem os decantadores.

c.

1. Caudal superior a 100 litros por hora;

2. Componentes de titânio ou de aço inoxidável polido;

3. Uma ou mais juntas de vedação na zona de contenção do vapor; e

4. Em que possa ser efectuada a esterilização in situ a vapor com o centrifugador fechado;

d.

Equipamentos de filtragem em contra–corrente (corrente tangencial) e respectivos componentes: Nota: 2B352.d. não abrange o equipamento de osmose inversa, especificado pelo fabricante.

1. Equipamento de filtragem em contra–corrente (corrente tangencial) concebido para separação de microrganismos patogénicos, vírus, toxinas ou culturas de células, sem propagação de aerossóis, com ambas as seguintes características:

1. a.

Superfície total de filtragem igual ou superior a 1 m2; e

b. Nota técnica:

Capacidade de esterilização ou desinfecção in loco. No ponto 2B352.d.1.b, por esterilização entende-se a eliminação de todos os micróbios viáveis do equipamento mediante a utilização de agentes físicos (por exemplo, vapor) ou químicos. Por desinfecção entende-se a destruição da potencial infecciosidade microbiana do equipamento mediante a utilização de agentes químicos com efeito germicida. A desinfecção e a esterilização são distintas da sanitização, que designa os procedimentos de limpeza destinados a reduzir o teor microbiano do equipamento, sem necessariamente chegar a eliminar toda a infecciosidade ou viabilidade microbiana.

2. Componentes para equipamento de filtragem em contra-corrente (corrente tangencial) (por exemplo, módulos, elementos, cassettes, cartuchos, unidades ou placas) com uma superfície de filtragem igual ou superior a 0,2 m2 para cada componente e destinados a utilização nos equipamento de filtragem em contra-corrente (corrente tangencial) referidos em 2B352.d.;

e.

Equipamentos de liofilização esterilizáveis a vapor, equipados com um condensador de capacidade superior a 10 kg de gelo em 24 horas e inferior a 1000 kg de gelo em 24 horas;

f.

Equipamentos de protecção e de contenção:

1. Fatos de protecção completos ou parciais ou capacetes dependentes de uma fonte de ar exterior e funcionando a pressão positiva: Nota 2B352.f.1. não abrange fatos destinados a ser utilizados com aparelho de respiração autónomo.

2. Compartimentos ou isoladores de segurança biológica de classe III, com normas de desempenho semelhantes; Nota: Em 2B352.f.2., os isoladores incluem isoladores flexíveis, caixas secas, câmaras anaeróbias, caixas com luvas e exaustores de escoamento laminar (fechados, com fluxo vertical).

g.

Câmaras concebidas para ensaios de detecção de aerossóis com toxinas, vírus ou microrganismos, de capacidade igual ou superior a 1 m3.

2CMateriais Nenhum

2DSuporte lógico

2D001Suportes lógicos, com excepção dos especificados em 2D002, especialmente concebidos ou modificados para o desenvolvimento, produção ou utilização dos equipamentos referidos em 2A001 ou 2B001 a 2B009. 2D002Suportes lógicos para dispositivos electrónicos, mesmo quando residentes no próprio dispositivo electrónico, que permitam que esses dispositivos ou sistemas funcionem como unidades de controlo numérico, capazes de fazer a coordenação simultânea de mais de quatro eixos para controlo de contorno. Nota 1: 2D002 não abrange os suportes lógicos especialmente concebidos ou modificados para o comando de máquinas-ferramentas não referidas na Categoria 2. Nota 2: 2D002 não abrange os suportes lógicos para o equipamento referido em 2B002. No que se refere aos suportes lógicos para esse equipamento, ver 2D001. 2D101Suportes lógicos especialmente concebidos ou modificados para a utilização dos equipamentos referidos em 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 ou 2B119 a 2B122. N.B.: VER TAMBÉM 9D004. 2D201Suportes lógicos especialmente concebidos para a utilização dos equipamentos referidos em 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 ou 2B227. 2D202Suportes lógicos especialmente concebidos ou modificados para o desenvolvimento, produção ou utilização do equipamento referido em 2B201.

2ETecnologia 2E001Tecnologia, na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o desenvolvimento dos equipamentos ou dos suportes lógicos referidos em 2A, 2B ou 2D. 2E002Tecnologia, na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para a produção dos equipamentos referidos em 2A ou 2B. 2E003Outras tecnologias: 2E101Tecnologia, na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para a utilização dos equipamentos ou suportes lógicos referidos em 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 a 2B122 ou 2D101. 2E201Tecnologia, na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para a utilização dos equipamentos ou suportes lógicos referidos em 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 a 2B232, 2D201 ou 2D202. 2E301Tecnologia, na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para a utilização dos bens referidos em 2B350 a 2B352.

2ETecnologia a.

Tecnologia para o desenvolvimento de gráficos interactivos integrados em unidades de controlo numérico, para a preparação ou modificação de programas de peças;

b.

Tecnologia para processos que envolvam o trabalho de metais:

1. Tecnologia para a concepção de ferramentas, cunhos, matrizes ou dispositivos fixos especialmente concebidos para os seguintes processos:

1. a.

Enformação superplástica;

b.

Soldadura por difusão; ou

c.

Prensagem hidráulica por acção directa;

2. Dados técnicos constituídos por métodos ou parâmetros de processo, a seguir enumerados, utilizados para controlar:

2. a.

A enformação superplástica de ligas de alumínio, ligas de titânio ou superligas:

1. Preparação das superfícies;

2. Velocidade de deformação;

3. Temperatura;

4. Pressão;

b.

A soldadura por difusão de superligas ou de ligas de titânio:

1. Preparação das superfícies;

2. Temperatura;

3. Pressão;

c.

A prensagem hidráulica por acção directa de ligas de alumínio ou de ligas de titânio:

1. Pressão;

2. Duração do ciclo;

d.

A densificação isostática a quente de ligas de titânio, de ligas de alumínio ou de superligas:

1. Temperatura;

2. Pressão;

3. Duração do ciclo;

c.

Tecnologia para o desenvolvimento ou produção de máquinas de enformação por estiramento hidráulico e respectivos cunhos e matrizes, para o fabrico de estruturas de células;

d.

Tecnologia para o desenvolvimento de geradores de instruções (por exemplo, programas de peças) de máquinas–ferramentas a partir de dados de projecto residentes em unidades de controlo numérico;

e.

Tecnologia para o desenvolvimento de suportes lógicos de integração, para a incorporação, em unidades de controlo numérico, de sistemas periciais de apoio avançado a decisões no âmbito de operações a nível da fábrica;

f.

Tecnologia para a aplicação de revestimentos inorgânicos por cobertura ou modificação da superfície (especificados na coluna 3 do quadro seguinte) em substratos não electrónicos (especificados na coluna 2 do quadro seguinte) por processos especificados na coluna 1 do quadro seguinte e definidos na Nota Técnica. Nota: O quadro e a Nota Técnica encontram-se após a entrada 2E301.

Quadro 1.2.3.A.B.B.1.B.2.B.3.B.4.C.D.E.F.G. Quadro — Técnicas de deposição — Notas Técnicas de deposição

Processo de revestimento (1) Substrato Revestimento resultante Deposição em fase vapor por processo químico (CVD) Superligas Aluminetos para tubulações internas Materiais cerâmicos (19) e vidros de pequena dilatação (14) Silicietos Carbonetos Camadas dieléctricas (15) Diamante Carbono diamante (17) Materiais compósitos carbono–carbono, cerâmicos e de matriz metálica Silicietos Carbonetos Metais refractários Misturas destes (4) Camadas dieléctricas (15) Aluminetos Aluminetos ligados (2) Nitreto de boro Carboneto de tungsténio cementado (16), Carboneto de silício (18) Carbonetos Tungsténio Misturas destes (4) Camadas dieléctricas (15) Molibdénio e ligas de molibdénio Camadas dieléctricas (15) Berílio e ligas de berílio Camadas dieléctricas (15) Diamante Carbono diamante (17) Materiais para janelas de sensores (9) Camadas dieléctricas (15) Diamante Carbono diamante (17) Deposição em fase vapor por processo físico com evaporação térmica (TE–PVD) Deposição em fase vapor por processo físico (PVD): Feixe de electrões (EB-PVD) Superligas Silicietos ligados Aluminetos ligados (2) MCrAlX (5) Zircónio modificado (12) Silicietos Aluminetos Misturas destes (4) Materiais cerâmicos (19) e vidros de pequena dilatação (14) Camadas dieléctricas (15) Aço resistente à corrosão (7) MCrAlX (5) Zircónio modificado (12) Misturas destes (4) Materiais compósitos carbono–carbono, cerâmicos e de matriz metálica Silicietos Carbonetos Metais refractários Misturas destes (4) Camadas dieléctricas (15) Nitreto de boro Carboneto de tungsténio cementado (16), Carboneto de silício (18) Carbonetos Tungsténio Misturas destes (4) Camadas dieléctricas (15) Molibdénio e ligas de molibdénio Camadas dieléctricas (15) Berílio e ligas de berílio Camadas dieléctricas (15) Boretos Berílio Materiais para janelas de sensores (9) Camadas dieléctricas (15) Ligas de titânio (13) Boretos Nitretos Deposição em fase vapor por processo físico com aquecimento por resistência assistida por feixe de iões (PVD) (metalização iónica) Materiais cerâmicos (19) e vidros de pequena dilatação (14) Camadas dieléctricas (15) Carbono diamante (17) Materiais compósitos carbono–carbono, cerâmicos e de matriz metálica Camadas dieléctricas (15) Carboneto de tungsténio cementado (16), Carboneto de silício Camadas dieléctricas (15) Molibdénio e ligas de molibdénio Camadas dieléctricas (15) Berílio e ligas de berílio Camadas dieléctricas (15) Materiais para janelas de sensores (9) Camadas dieléctricas (15) Carbono diamante (17) Deposição em fase vapor por processo físico (PVD): Vaporização por Laser Materiais cerâmicos (19) e vidros de pequena dilatação (14) Silicietos Camadas dieléctricas (15) Carbono diamante (17) Materiais compósitos carbono–carbono, cerâmicos e de matriz metálica Camadas dieléctricas (15) Carboneto de tungsténio cementado (16), Carboneto de silício Camadas dieléctricas (15) Molibdénio e ligas de molibdénio Camadas dieléctricas (15) Berílio e ligas de berílio Camadas dieléctricas (15) Materiais para janelas de sensores (9) Camadas dieléctricas (15) Carbono diamante Deposição em fase vapor por processo físico (PVD): Descarga por arco catódico Superligas Silicietos ligados Aluminetos ligados (2) MCrAlX (5) Polímeros (11) e materiais compósitos de matriz orgânica Boretos Carbonetos Nitretos Carbono diamante (17) Cementação em caixa (ver A para a cementação fora de caixa) (10) Materiais compósitos carbono–carbono, cerâmicos e de matriz metálica Silicietos Carbonetos Misturas destes (4) Ligas de titânio (13) Silicietos Aluminetos Aluminetos ligados (2) Metais e ligas refractários (8) Silicietos Óxidos Pulverização por plasma Superligas MCrAlX (5) Zircónio modificado (12) Misturas destes (4) Níquel–grafite que possa ser submetido a abrasão Materiais que contenham Ni–Cr–Al e possam ser submetidos a abrasão Al–Si–poliéster que possa ser submetido a abrasão Aluminetos ligados (2) Ligas de alumínio (6) MCrAlX (5) Zircónio modificado (12) Silicietos Misturas destes (4) Metais e ligas refractários (8) Aluminetos Silicietos Carbonetos Aço resistente à corrosão (7) MCrAIX (5) Zircónio modificado (12) Misturas deste (4) Ligas de titânio (13) Carbonetos Aluminetos Silicietos Aluminetos ligados (2) Níquel–grafite que possa ser submetido a abrasão Materiais que contenham Ni–Cr–Al e possam ser submetidos a abrasão A–Si–poliéster que possa ser submetido a abrasão Deposição de barbotina (mistura pastosa fluida) Metais refractários Silicietos fundidos Aluminetos fundidos excepto no que se refere a elementos de aquecimento por resistência eléctrica Materiais compósitos carbono–carbono, cerâmicos e de matriz metálica Silicietos Carbonetos Misturas destes (4) Deposição por pulverização Catódica Superligas Silicietos ligados Aluminetos ligados (2) Aluminetos modificados por metais nobres (3) MCrAlX (5) Zircónio modificado (12) Platina Misturas destes (4) Materiais cerâmicos e vidros de pequena dilatação (14) Silicietos Platina Misturas destes (4) Camadas dieléctricas (15) Carbono diamante (17) Ligas de titânio (13) Boretos Nitretos Óxidos Silicietos Aluminetos Aluminetos ligados (2) Carbonetos Materiais compósitos carbono–carbono, cerâmicos e de matriz metálica Silicietos Carbonetos Metais refractários Misturas destes (4) Camadas dieléctricas (15) Nitreto de boro Carboneto de tungsténio cementado (16), Carboneto de silício (18) Carbonetos Tungsténio Misturas destes (4) Camadas dieléctricas (15) Nitreto de boro Molibdénio e ligas de molibdénio Camadas dieléctricas (15) Berílio e ligas de berílio Boretos Camadas dieléctricas (15) Berílio Materiais para janelas de sensores (9) Camadas dieléctricas (15) Carbono diamante (17) Metais e ligas refractários (8 Aluminetos Silicietos Óxidos Carbonetos Implantação iónica Aços para rolamentos para altas temperaturas Incorporação de crómio, tântalo ou nióbio Ligas de titânio (13) Boretos Nitretos Berílio e ligas de berílio Boretos Carboneto de tungsténio cementado (16) Carbonetos Nitretos Aos processos enumerados na coluna 1 do quadro correspondem as seguintes definições:

1. A designação processo de revestimento abrange tanto o revestimento original, como a reparação ou renovação do revestimento.

2. A designação revestimento de alumineto ligado abrange os revestimentos executados numa única ou em várias fases, no decorrer das quais são depositados um ou mais elementos, antes ou durante a aplicação do revestimento de alumineto, ainda que esses elementos sejam depositados por outro processo de revestimento. Contudo, esta designação não abrange os aluminetos ligados obtidos por sucessivos processos de cementação em caixa numa só fase.

3. A designação revestimento de alumineto modificado por metais nobres abrange os revestimentos executados em várias fases, no decorrer das quais o ou os metais nobres são depositados por outro processo de revestimento antes da aplicação do revestimento de alumineto.

4. A designação misturas destes abrange os materiais infiltrados, as composições graduadas, as co-deposições e os depósitos de camadas múltiplas, obtidos por um ou mais dos processos de revestimento enumerados no quadro.

5. MCrAlX designa as ligas de revestimento; M representa cobalto, ferro, níquel ou combinações destes elementos e X representa háfnio, ítrio, silício ou tântalo, em qualquer quantidade, ou outras incorporações intencionais que representem mais de 0,01 %, em massa, em proporções e combinações diversas, excepto:

5. a.

Revestimentos de CoCrAlY com menos de 22 %, em massa, de crómio, menos de 7 %, em massa, de alumínio e menos de 2 %, em massa, de ítrio;

b.

Revestimentos de CoCrAlY com 22 % a 24 %, em massa, de crómio, 10 % a 12 %, em massa, de alumínio e 0,5 % a 0,7 %, em massa, de ítrio; ou

c.

Revestimentos de NiCrAlY com 21 % a 23 %, em massa, de crómio, 10 % a 12 %, em massa, de alumínio e 0,9 % a 1,1 %, em massa, de ítrio;

6. A designação ligas de alumínio abrange as ligas com tensão de ruptura à tracção igual ou superior a 190 MPa, medida a 293 K (20 °C).

7. A designação aço resistente à corrosão abrange os aços da série 300 do AISI (American Iron and Steel Institute) ou os aços correspondentes a normas nacionais equivalentes.

8. A designação metais refractários e ligas abrange os seguintes metais e respectivas ligas: nióbio, molibdénio, tungsténio e tântalo.

9. A designação materiais para janelas de sensores abrange os seguintes materiais: alumina, silício, germânio, sulfureto de zinco, selenieto de zinco, arsenieto de gálio, diamante, fosforeto de gálio, safira e os seguintes halogenetos metálicos: no que se refere a materiais para janelas de sensores com mais de 40 mm de diâmetro, fluoreto de zircónio e fluoreto de háfnio.

10. A tecnologia para a cementação em caixa numa só fase de perfis aerodinâmicos maciços não é abrangida pela categoria 2.

11. A designação polímeros abrange os seguintes polímeros: poliimidas, poliésteres, polissulfuretos, policarbonatos e poliuretanos.

12. A designação zircónio modificado abrange os zircónios em que tenham sido incorporados outros óxidos metálicos (por exemplo, óxidos de cálcio, de magnésio, de ítrio, de háfnio, de terras raras), para estabilizar determinadas fases cristalográficas e composições de fases. Não são abrangidos os revestimentos de zircónio, modificados com óxidos de cálcio ou de magnésio por mistura ou fusão, que sirvam de barreira térmica.

13. A designação ligas de titânio abrange apenas as ligas utilizadas na indústria aeroespacial com uma resistência à ruptura à tracção igual ou superior a 900 MPa, medida a 293 K (20 °C).

14. A designação vidros de pequena dilatação abrange os vidros com coeficiente de dilatação térmica igual ou inferior a 1 × 10-7 K-1, medido a 293 K (20 °C).

15. As camadas dieléctricas são revestimentos constituídos por várias camadas de materiais isolantes, utilizando-se as propriedades de interferência de um conjunto de materiais com índices de refracção distintos para reflectir, transmitir ou absorver diferentes bandas de comprimento de onda. A designação camadas dieléctricas diz respeito a mais de 4 camadas dieléctricas ou camadas compósitas dieléctrico/metal.

16. A designação carboneto de tungsténio cementado não abrange os materiais para ferramentas de corte e de enformação quando se tratar de carboneto de tungsténio/(cobalto, níquel), carboneto de titânio/(cobalto, níquel), carboneto de crómio/níquel–crómio e carboneto de crómio/níquel.

17. Não é abrangida a tecnologia especialmente concebida para a deposição de carbono diamante sobre a superfície dos objectos a seguir indicados:

cabeças e unidades de disco magnéticas, equipamento para o fabrico de objectos descartáveis, válvulas para torneiras, diafragmas acústicos para altifalantes, peças de motores de automóvel, ferramentas de corte, matrizes de perfurar ou de estampar, equipamentos de burótica, microfones ou instrumentos médicos, ou moldes para o vazamento ou moldagem de plásticos, fabricados a partir de ligas com menos de 5 % de berílio.

18. A designação carboneto de silício não abrange os materiais para ferramentas de corte e de enformação

19. Os materiais cerâmicos a que aqui se faz referência não abrangem os materiais cerâmicos que contenham, em massa, 5 % ou mais de argila ou cimento, quer como constituintes separados, quer combinados.

a.

A deposição em fase vapor por processo químico (CVD) é um processo de revestimento por cobertura ou por modificação da superfície caracterizado pela deposição de um metal, liga, material compósito, material dieléctrico ou material cerâmico num substrato aquecido. Os reagentes gasosos são decompostos ou combinados na vizinhança de um substrato, o que dá lugar à deposição do elemento, liga ou material composto desejado nesse substrato. A energia necessária para o processo de decomposição ou de reacção química poderá ser fornecida pelo calor do próprio substrato, por um plasma de descarga luminescente ou por uma irradiação laser. N.B. 1 A designação deposição em fase vapor por processo químico abrange os seguintes processos: deposição fora de caixa com fluxo de gás dirigido, CVD pulsante, deposição térmica com nucleação controlada (CNTD) e processos de deposição em fase vapor por processo químico activados ou assistidos por plasma. N.B. 2 O termo caixa designa um substrato imerso numa mistura de pós. N.B. 3 Os reagentes gasosos utilizados no processo fora de caixa são obtidos recorrendo às mesmas reacções e parâmetros básicos utilizados no processo de cementação em caixa, com a diferença de que o substrato a revestir não está em contacto com a mistura de pós.

b.

A deposição em fase vapor por processo físico com vaporização térmica (TE–PVD) é um processo de revestimento por cobertura conduzido em câmara de vácuo, a uma pressão inferior a 0,1 Pa, caracterizado por se utilizar uma fonte de energia térmica para vaporizar o material de revestimento. Este processo dá lugar à condensação, ou à deposição, das espécies vaporizadas sobre substratos convenientemente posicionados. A introdução de gases na câmara de vácuo durante o processo de revestimento, para sintetizar revestimentos compostos, constitui uma variante corrente do processo. A utilização de feixes de iões ou de electrões, ou de plasma, para activar ou assistir a deposição do revestimento constitui também uma modificação corrente desta técnica. É ainda possível utilizar instrumentos de controlo para medir as características ópticas e a espessura dos revestimentos no decurso destes processos. A deposição em fase vapor por processo físico com vaporização térmica (TE–PVD) abrange os seguintes processos:

1. A deposição em fase vapor por processo físico com feixe de electrões, na qual se utiliza um feixe de electrões para aquecer e vaporizar o material que irá constituir o revestimento;

2. A deposição em fase vapor por processo físico com aquecimento por resistência assistida por feixes de iões, na qual se utilizam fontes de aquecimento por resistência eléctrica em associação com o impacto de feixes de iões de forma a produzir um fluxo controlado e uniforme do material vaporizado que irá constituir o revestimento;

3. A vaporização por laser, na qual se utilizam feixes laser contínuos ou pulsantes para aquecer o material que irá constituir o revestimento;

4. A deposição por arco catódico, na qual se utiliza um cátodo consumível do material que irá constituir o revestimento e se produz uma descarga de arco na superfície, por contacto momentâneo de um disparador ligado à terra. A movimentação controlada do arco desgasta a superfície do cátodo, criando um plasma fortemente ionizado. O ânodo poderá ser um cone, fixado na periferia do cátodo com um isolador, ou a própria câmara. A polarização do substrato permite efectuar a deposição em zonas fora da linha de visão. N.B. Esta definição não abrange a deposição por arco catódico não dirigido em substratos não polarizados.

5. A metalização iónica, que é uma modificação especial do processo geral TE–PVD, na qual se utiliza uma fonte de iões ou um plasma para ionizar a espécie a depositar e se aplica uma polarização negativa ao substrato, de modo a facilitar a extracção da espécie do plasma. A introdução de espécies reactivas, a vaporização de sólidos na câmara onde decorre o processo e a utilização de instrumentos de controlo para medir as características ópticas e a espessura dos revestimentos no decurso do processo constituem modificações correntes deste processo.

c.

A cementação em caixa é um processo de revestimento por modificação da superfície ou por cobertura, no qual um substrato é imerso numa mistura de pós (caixa), da qual fazem parte: O substrato e a mistura de pós são introduzidos numa retorta, que é aquecida a uma temperatura compreendida entre 1030 K (757 °C) e 1375 K (1102 °C) durante o tempo necessário para a deposição do revestimento.

1. Os pós metálicos a depositar (em geral, de alumínio, crómio, silício ou combinações destes);

2. Um activador (normalmente um halogeneto); e

3. Um pó inerte, quase sempre alumina.

d.

A pulverização por plasma é um processo de revestimento por cobertura no qual um canhão (maçarico pulverizador), que produz e controla um plasma, contém os materiais que irão constituir o revestimento, sob a forma de pó ou de fio, procede à sua fusão e os projecta contra um substrato, onde se forma um revestimento totalmente aderente. A pulverização por plasma poderá ser uma pulverização por plasma a baixa pressão ou uma pulverização por plasma a alta velocidade. N.B. 1 Por baixa pressão, entende-se uma pressão inferior à pressão atmosférica ambiente. N.B. 2 Por alta velocidade, entende-se uma velocidade do gás à saída do canhão superior a 750 m/s, calculada a 293 K (20 °C) para uma pressão de 0,1 MPa.

e.

A deposição de barbotina é um processo de revestimento por modificação da superfície ou por cobertura, no qual um pó metálico ou cerâmico com um ligante orgânico, em suspensão num líquido, é aplicado a um substrato por pulverização, imersão ou pintura. Depois de seco ao ar ou num forno, o conjunto é submetido a um tratamento térmico, a fim de se obter o revestimento pretendido.

f.

A deposição por pulverização catódica é um processo de revestimento por cobertura baseado num fenómeno de transferência de quantidade de movimento, no qual iões positivos são acelerados por um campo eléctrico até à superfície de um alvo (do material que irá constituir o revestimento). A energia cinética dos iões que chocam com o alvo é suficiente para libertar átomos da sua superfície, indo estes depositar-se num substrato convenientemente posicionado. N.B. 1 O quadro diz respeito, unicamente, à deposição por pulverização catódica com tríodo, com magnetrão ou reactiva, utilizadas para aumentar a aderência do revestimento e a velocidade de deposição, e à deposição por pulverização catódica intensificada por radiofrequência (RF), utilizada para permitir a vaporização de materiais de revestimento não metálicos. N.B. 2 Para activar a deposição podem ser utilizados feixes iónicos de baixa energia (inferior a 5 keV).

g.

A implantação iónica é um processo de revestimento por modificação da superfície, no qual o elemento a ligar é ionizado, acelerado num gradiente de potencial e implantado na zona superficial do substrato. Esta definição abrange processos em que a implantação iónica seja concomitante com uma deposição em fase vapor por processo físico com feixe de electrões ou com uma deposição por pulverização catódica.

CATEGORIA 3 ELECTRÓNICA

3ASistemas, equipamentos e componentes Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica:

Nota 1: O estatuto dos equipamentos e componentes referidos em 3A001 ou 3A002, com excepção dos referidos em 3A001.a.3. a 3A001.a.10. ou 3A001.a.12., que sejam especialmente concebidos para apresentar as mesmas características funcionais que outros equipamentos ou que possuam essas mesmas características é determinado pelo estatuto desses outros equipamentos. Nota 2: O estatuto dos circuitos integrados referidos em 3A001.a.3. a 3A001.a.9. ou 3A001.a.12., concebidos ou programados de forma inalterável para uma função específica para outros equipamentos, é determinado pelo estatuto dos outros equipamentos. N.B.: Caso o fabricante ou o requerente não possam determinar o estatuto dos outros equipamentos, o estatuto dos circuitos integrados é determinado em 3A001.a.3. a 3A001.a.9. e em 3A001.a.12. Caso o circuito integrado seja um microcircuito microcomputador ou um microcircuito microcontrolador à base de silício referido em 3A001.a.3. com um comprimento de palavra dos operandos (dados) de 8 bits ou inferior, o estatuto do circuito integrado é determinado em 3A001.a.3. 3A001Componentes electrónicos: 3A002Equipamentos electrónicos de uso geral: 3A003Sistemas de gestão térmica por spray cooling (arrefecimento por pulverização) que utilizem equipamento de circulação e recondicionamento do fluido em circuito fechado numa cápsula selada em que um fluido dieléctrico é aspergido sobre os componentes electrónicos usando tubeiras especialmente concebidas para o efeito a fim de os manter dentro da respectiva gama de temperaturas de funcionamento, e componentes especialmente concebidos para os mesmos. 3A101Equipamentos, dispositivos e componentes electrónicos, excepto os referidos em 3A001: 3A201Componentes electrónicos, excepto os referidos em 3A001: 3A225Modificadores ou geradores de frequência, excepto os referidos em 0B001.b.13., com as seguintes características: Os modificadores de frequência em 3A225 são igualmente conhecidos por conversores ou inversores. 3A226Fontes de alimentação de corrente contínua de alta potência, não incluídas em 0B001.j.6., com ambas as seguintes características: 3A227Fontes de alimentação de corrente contínua de alta tensão, não incluídas em 0B001.j.5., com as duas características seguintes: 3A228Dispositivos de comutação: 3A229Dispositivos de ignição e geradores de impulsos de alta corrente equivalentes. N.B.: VER TAMBÉM A LISTA DE MATERIAL DE GUERRA. 3A230Geradores de impulsos de alta velocidade com ambas as seguintes características: Em 3A230, entende-se por tempo de transição de impulsos o intervalo de tempo que corresponde à transição de 10 % para 90 % da amplitude da tensão. 3A231Sistemas geradores de neutrões, incluindo válvulas, com ambas as seguintes características: 3A232Detonadores e sistemas de desencadeamento multipontos: N.B.: VER TAMBÉM A LISTA DE MATERIAL DE GUERRA. Nota: 3A232 não abrange detonadores que utilizem apenas explosivos primários, como azida de chumbo. Em 3A232, os detonadores em causa utilizam um pequeno condutor eléctrico (ponte, fio de ponte ou folha fina) que se vaporiza explosivamente quando percorrido por um impulso eléctrico rápido de alta intensidade. Nos tipos desprovidos de percussor, o condutor explosivo dá início a uma detonação química num material de contacto altamente explosivo como o PETN (tetranitrato de pentaeritritol). Nos detonadores com percussor, a vaporização explosiva do condutor eléctrico acciona um gatilho ou percussor através de uma abertura e o impacto do percussor sobre um explosivo dá início a uma detonação química. O percussor é accionado, em alguns modelos, por uma força magnética. A expressão detonador de folha fina explosiva pode referir-se tanto a um detonador EB como a um detonador com percussor. Além disso, é por vezes utilizado o termo desencadeador em lugar de detonador. 3A233Espectrómetros de massa, excepto os referidos em 0B002.g., capazes de medir iões com uma massa atómica igual ou superior a 230 u.m.a., com uma resolução melhor que duas partes em 230 e respectivas fontes iónicas:

3ASistemas, equipamentos e componentes a.

Circuitos integrados de uso geral: Nota 1: O estatuto das bolachas (acabadas ou não acabadas), nas quais tenha sido determinada a função, será avaliado em função dos parâmetros apresentados em 3A001.a. Nota 2: Nos circuitos integrados estão incluídos os seguintes tipos:

Circuitos integrados monolíticos;

Circuitos integrados híbridos;

Circuitos integrados multipastilhas;

Circuitos integrados do tipo película, incluindo circuitos integrados de silício sobre safira;

Circuitos integrados ópticos.

1. Circuitos integrados concebidos ou classificados como reforçados contra radiações, capazes de suportar:

1. a.

uma dose total de 5 × 103 Gy (silício) ou superior;

b.

uma taxa de aumento da dose de 5 × 106 Gy (silício)/s ou superior; ou

c.

uma fluência (fluxo integrado) de neutrões (equivalente de 1 MeV) igual ou superior a 5 × 1013 n/cm2 em silício, ou o seu equivalente noutros materiais; Nota: 3A001.a.1.c. não se aplica aos semicondutores isolantes metálicos (MIS).

2. Microcircuitos microprocessadores, microcircuitos microcomputadores, microcircuitos microcontroladores, circuitos integrados de memória fabricados a partir de um semi-condutor composto, conversores analógico-digitais, conversores digital-analógicos, circuitos integrados ópticos ou electro-ópticos para processamento de sinais, dispositivos de campo programáveis, circuitos integrados de redes neuronais, circuitos integrados por encomenda (custom) cuja função é desconhecida ou que se destinem a ser utilizados em equipamentos cujo estatuto é desconhecido, processadores de transformação de Fourier rápida (TFR), memórias programáveis apagáveis electronicamente somente para leitura (EEPROM), memórias instantâneas ou memórias estáticas de acesso aleatório (SRAM), com uma das seguintes características: Nota: 3A001.a.2. não abrange circuitos integrados destinados a aplicações em automóveis civis ou comboios dos caminhos de ferro.

2. a.

Classificados como aptos a funcionar a uma temperatura ambiente superior a 398 K (125 °C);

b.

Classificados como aptos a funcionar a uma temperatura ambiente inferior a 218 K (– 55 °C); ou

c.

Classificados como aptos a funcionar em toda a gama de temperaturas ambientes de 218 K (– 55 °C) a 398 K (125 °C).

3. Microcircuitos microprocessadores, microcircuitos microcomputadores e microcircuitos microcontroladores fabricados a partir de um semicondutor composto e funcionando com uma frequência de relógio superior a 40 MHz; Nota: 3A001.a.3. inclui processadores de sinais digitais, processadores matriciais digitais e coprocessadores digitais.

4. Circuitos integrados de memória fabricados a partir de um semicondutor composto;

5. Notas Técnicas:

Circuitos integrados conversores analógico-digitais e digital-analógicos:

5. a.

Conversores analógico-digitais com uma das seguintes características: N.B. VER TAMBÉM 3A101.

1. Resolução igual ou superior a 8 bits, mas inferior a 10 bits, com um débito superior a 500 milhões de palavras por segundo;

2. Resolução igual ou superior a 10 bits mas inferior a 12 bits, com um débito superior a 200 milhões de palavras por segundo;

3. Resolução de 12 bits com um débito superior a 50 milhões de palavras por segundo;

4. Resolução superior a 12 bits, mas igual ou inferior a 14 bits, com um débito superior a 5 milhões de palavras por segundo; ou

5. Resolução superior a 14 bits com um débito superior a 1 milhão de palavras por segundo

b.

Conversores digital-analógicos com uma resolução igual ou superior a 12 bits e um tempo de estabilização inferior a 10 ns;

5. Notas Técnicas:

1. Uma resolução de n bits corresponde a uma quantização de 2n níveis.

2. O número de bits na palavra debitada é igual à resolução do conversor analógico-digital.

3. O débito é o débito máximo do conversor, independentemente da arquitectura ou da sobreamostragem. Os vendedores podem igualmente fazer referência ao débito como taxa de amostragem, taxa de conversão ou taxa de transmissão. É frequentemente especificada em megahertz (MHz) ou mega amostras por segundo (MSPS).

4. Para efeitos de medição do débito, uma palavra debitada por segundo é equivalente a um Hertz ou a uma amostra por segundo.

6. Circuitos integrados ópticos ou electro-ópticos para processamento de sinais com todas as seguintes características:

6. a.

Um ou mais díodos laser internos;

b.

Um ou mais elementos internos detectores de luz; e

c.

Guias de ondas ópticas;

7. Dispositivos lógicos de campo programáveis com uma das seguintes características: Nota: 3A001.a.7. inclui: N.B.: Os dispositivos lógicos de campo programáveis são também conhecidos por matrizes de portas de campo programáveis ou matrizes lógicas de campo programáveis.

7. a.

Um número equivalente de portas lógicas utilizáveis superior a 30000 (portas lógicas de duas entradas);

b.

Um tempo de propagação por porta lógica elementar típico inferior a 0,1 ns; ou

c.

Uma frequência de comutação superior a 133 MHz;

Dispositivos lógicos programáveis simples (SPLD)

Dispositivos lógicos programáveis complexos (CPLD)

Matrizes de portas de campo programáveis (FPGA)

Matrizes lógicas de campo programáveis (FPLA)

Interligações de campo programáveis (FPIC)

8. Não utilizado;

9. Circuitos integrados de redes neuronais;

10. Circuitos integrados por encomenda (custom) cuja função é desconhecida ou que se destinem a ser utilizados em equipamentos cujo estatuto o fabricante desconhece, com uma das seguintes características:

10. a.

Mais de 1000 terminais;

b.

Um tempo de propagação por porta lógica elementar típico inferior a 0,1 ns; ou

c.

Uma frequência de funcionamento superior a 3 GHz;

11. Circuitos integrados digitais, com excepção dos referidos em 3A001.a.3. a 3A001.a.10. e 3A001.a.12., fabricados a partir de um semicondutor composto e com uma das seguintes características:

11. a.

Um número equivalente de portas lógicas superior a 3000 (portas lógicas de duas entradas); ou

b.

Uma frequência de comutação superior a 1,2 GHz;

12. Nota técnica:

Processadores de transformação de Fourier rápida (TFR) com um tempo de execução nominal de uma TFR complexa de N pontos inferior a (N log2N)/20480 ms, em que N é o número de pontos; Quando N é igual a 1024 pontos, a fórmula apresentada em 3A001.a.12. dá um tempo de execução de 500 μs.

b.

Componentes de micro-ondas ou de ondas milimétricas:

1. Cátodos e válvulas electrónicas de vazio: Nota 1: 3A001.b.1. não abrange as válvulas concebidas ou classificadas como aptas para funcionar em qualquer banda de frequência que satisfaça todas as seguintes características: Nota 2: 3A001.b.1. não abrange válvulas não qualificadas para uso espacial com todas as seguintes características:

1. a.

Não exceder 31,8 GHz; e

b.

Ter sido atribuída pela UIT para serviços de radiocomunicações mas não para radiodeterminação.

a.

Potência média de saída igual ou inferior a 50 W; e

b.

Terem sido concebidas ou dimensionadas para funcionar em qualquer banda de frequências com todas as seguintes características:

1. Superiores a 31,8 GHz mas sem exceder 43,5 GHz; e

2. Atribuídas pela UIT para serviços de radiocomunicações, mas não para determinação por rádio.

a.

Válvulas de onda progressiva, onda pulsada ou contínua:

1. Que funcionem a frequências superiores a 31,8 GHz;

2. Que tenham um elemento para aquecimento do cátodo com um tempo de arranque para a potência RF nominal inferior a 3 segundos;

3. Válvulas de cavidades acopladas ou seus derivados, com uma largura de banda fraccionada superior a 7 % ou uma potência de pico superior a 2,5 kW;

4. Válvulas de hélice, ou seus derivados, com uma das seguintes características:

4. a.

Largura de banda instantânea superior a uma oitava e produto da potência média, (expressa em kW) pela frequência, (expressa em GHz) superior a 0,5;

b.

Largura de banda instantânea igual ou inferior a uma oitava e produto da potência média, (expressa em kW) pela frequência (expressa em GHz) superior a 1; ou

c.

Qualificadas para uso espacial;

b.

Válvulas amplificadoras de campo cruzado com ganho superior a 17 dB;

c.

Cátodos impregnados para válvulas electrónicas que produzam uma densidade de corrente em emissão contínua nas condições nominais de funcionamento superior a 5 A/cm2;

2. Amplificadores de potência com circuitos integrados monolíticos de micro-ondas (MMIC) com uma das seguintes características: Nota 1: 3A001.b.2. não abrange o equipamento para satélites de radiodifusão concebido ou classificado como apto para funcionar na gama de frequências de 40,5 GHz a 42,5 GHz. Nota 2: O estatuto dos MMIC cuja classificação de frequência de funcionamento inclua frequências referidas em mais do que uma das gamas de frequência definidas em 3A001.b.2.a.a 3A001b.2.f. será determinado pelo limiar inferior da potência média de saída. Nota 3: Das notas 1 e 2 do proémio da Categoria 3 resulta que 3A001.b.2. não abrange os MMIC que sejam especialmente concebidos para outras aplicações, por exemplo, telecomunicações, radar, automóveis.

2. a.

Classificados para funcionamento a frequências superiores a 3 GHz até 6 GHz inclusive e com uma potência média de saída superior a 4 W (36 dBm) com uma largura de banda fraccionada dsuperior a 15 %;

b.

Classificados para funcionamento a frequências superiores a 6 GHz até 16 GHz, inclusive e com uma potência média de saída superior a 1 W (30 dBm) com uma largura de banda fraccionada superior a 10 %;

c.

Classificados para funcionamento a frequências superiores a 16 GHz até 31,8 GHz inclusive e com uma potência média de saída superior a 0,8 W (29 dBm) com uma largura de banda fraccionada superior a 10 %;

d.

Classificados para funcionamento a frequências superiores a 31,8 GHz até 37,5 GHz inclusive;

e.

Classificados para funcionamento a frequências superiores a 37,5 GHz até 43,5 GHz, inclusive e com uma potência média de saída superior a 0,25 W (24 dBm) com uma largura de banda fraccionada superior a 10 %; ou

f.

Classificados para funcionamento a frequências superiores a 43,5 GHz.

3. Transístores de micro-ondas discretos com uma das seguintes características: Nota: O estatuto dos transistores cuja classificação de frequência de funcionamento inclua frequências referidas em mais do que uma das gamas de frequência definidas em 3A001.b.3.a. a 3A001b.3.e. será determinado pelo limiar inferior da potência média de saída.

3. a.

Classificados para funcionamento a frequências superiores a 3,2 GHz até 6 GHz inclusive e com uma potência média de saída superior a 60 W (47,8 dBm)

b.

Classificados para funcionamento a frequências superiores a 6 GHz e até 31,8 GHz inclusive e com uma potência média de saída superior a 20 W (43 dBm)

c.

Classificados para funcionamento a frequências superiores a 31,8 GHz até 37,5 GHz inclusive e com uma potência média de saída superior a 0,5 W (27 dBm)

d.

Classificados para funcionamento a frequências superiores a 37,5 GHz até 43,5 GHz inclusive, e com uma potência de saída média superior 1 W (30 dBm); ou

e.

Classificados para funcionamento a frequências superiores a 43,5 GHz.

4. Nota técnica:

Amplificadores de micro-ondas de estado sólido e conjuntos/módulos de micro-ondas que contenham amplificadores de micro-ondas com uma das seguintes características: Nos amplificadores classificados com uma gama de funcionamento que desça até 3,2 GHz e abaixo [d=15cm*GHz/3,2 GHz], deve utilizar-se a frequência 3,2 GHz como frequência de funcionamento mais baixa (fGHz) na fórmula contida em 3A001.b.4.f.3. N.B.: Os amplificadores de potência com MMIC devem ser avaliados segundo os critérios enunciados em 3A001.b.2. Nota 1: 3A001.b.4. não abrange o equipamento de radiodifusão por satélite concebido ou classificado para funcionar na gama de frequência de 40,5 a 42,5 GHz. Nota 2: O estatuto dos produtos cuja classificação de frequência de funcionamento inclua frequências referidas em mais do que uma das gamas de frequência definidas em 3A001.b.4.a. a 3A001.b.4.e. será determinado pelo limiar inferior da potência média de saída.

4. a.

Classificados para funcionamento a frequências superiores a 3,2 GHz até 6 GHz inclusive e com uma potência média de saída superior a 60 W (47,8 dBm) com uma largura de banda fraccionada superior a 15 %;

b.

Classificados para funcionamento a frequências superiores a 6 GHz até 31,8 GHz inclusive e com uma potência média de saída superior a 15 W (42 dBm) ecom uma largura de banda fraccionada superior a 10 %;

c.

Classificados para funcionamento a frequências superiores a 16 GHz até 37,5 GHz inclusive;

d.

Classificados para funcionamento a frequências superiores a 37,5 GHz até 43,5 GHz inclusive e com uma potência média de saída superior a 1 W (30 dBm) com uma largura de banda fraccionada superior a 10 %;

e.

Classificados para funcionamento a frequências superiores a 43,5 GHz; ou

f.

Classificados para funcionamento a frequências superiores a 3 GHz e com todas as seguintes características:

1. Potência média de saída, P, (em watts) superior a 150 a dividir pela frequência máxima de serviço (em GHz) elevada ao quadrado [P>150 W*GHz2/fGHz2];

2. Largura de banda fraccionada igual ou superior a 5 %; e

3. Dois lados perpendiculares entre si com um comprimento d (em cm) igual ou inferior a 15 a dividir pela frequência mínima de serviço em GHz [d≤15cm*GHz/ fGHz].

5. Filtros passa-banda ou corta-banda sintonizáveis electrónica ou magneticamente com mais de 5 ressoadores sintonizáveis capazes de sintonização numa banda de frequências de 1,5:1 (fmax/fmin) em menos de 10 μs, com uma das seguintes características:

5. a.

Largura da banda passante superior a 0,5 % da frequência central; ou

b.

Largura da banda suprimida inferior a 0,5 % da frequência central;

6. Não utilizado.

7. Misturadores e conversores concebidos para alargar a gama de frequências dos equipamentos referidos nos pontos 3A002.c., 3A002.e. ou 3A002.f. para além dos limites neles indicados;

8. Amplificadores de potência de micro-ondas que contenham válvulas referidas em 3A001.b. e com todas as seguintes características: Nota: 3A001.b.8. não abrange o equipamento concebido ou classificado como apto para funcionamento em qualquer banda de frequências atribuída pela UIT para serviços de radiocomunicações, mas não para radiodeterminação.

8. a.

Frequências de funcionamento superiores a 3 GHz;

b.

Densidade da potência média de saída superior a 80 W/kg; e

c.

Volume inferior a 400 cm3;

c.

Dispositivos de ondas acústicas e componentes especialmente concebidos para os mesmos:

1. Dispositivos de ondas acústicas superficiais e de ondas acústicas de superfície deslizante (carga superficial) (ou seja, dispositivos de processamento de sinais que utilizem ondas elásticas em materiais), com uma das seguintes características:

1. a.

Frequência portadora superior a 2,5 GHz;

b.

Frequência portadora superior a 1 GHz mas não a 2,5 GHz e com uma das seguintes características:

1. Rejeição dos lóbulos laterais de frequência superior a 55 dB;

2. Produto do tempo de atraso máximo pela largura da banda (tempo em μs e largura de banda em MHz) superior a 100;

3. Largura da banda superior a 250 Mhz; ou

4. Atraso dispersivo superior a 10 μs; ou

c.

Frequência portadora igual ou inferior a 1 GHz e com uma das seguintes características:

1. Produto do tempo de atraso máximo pela largura da banda (tempo em μs) e largura de banda em MHz) superior a 100;

2. Atraso dispersivo superior a 10 μs; ou

3. Rejeição dos lóbulos laterais de frequência superior a 55 dB e largura da banda superior a 50 MHz;

2. Dispositivos de ondas acústicas volumétricas (ou seja, dispositivos de processamento de sinais que utilizem ondas elásticas) que permitam processamento directo de sinais a frequências superiores a 1 GHz;

3. Dispositivos acústico-ópticos de processamento de sinais que utilizem a interacção de ondas acústicas (onda volumétrica ou onda superficial) e ondas de luz que permitam o processamento directo de sinais ou imagens, incluindo análise espectral, correlação ou convolução;

d.

Dispositivos ou circuitos electrónicos que contenham componentes fabricados a partir de materiais supercondutores especialmente concebidos para funcionamento a temperaturas inferiores àtemperatura crítica de pelo menos um dos constituintes supercondutores, com uma das seguintes características:

1. Comutação de corrente para circuitos digitais que utilizam portas lógicas supercondutoras com um produto do tempo de propagação por porta lógica (em segundos) pela dissipação de potência por porta lógica (em watts) inferior a 10– 14 J; ou

2. Selecção de frequências em todas as frequências com utilização de circuitos ressonantes com valores de Q superiores a 10000;

e.

Dispositivos de alta energia:

1. Baterias e matrizes fotovoltaicas: Nota: 3A001.e.1. não abrange baterias com volume igual ou inferior a 27 cm3 (p. ex., pilhas C normais ou baterias R14).

1. a.

Pilhas e baterias primárias com uma densidade de energia superior a 480 Wh/kg classificadas como aptas para funcionamento na gama de temperaturas de menos de 243 K (– 30 °C) a mais de 343 K (70 °C);

b. Nota técnica:

Pilhas e baterias recarregáveis com uma densidade de energia superior a 150 Wh/kg após 75 ciclos de carga/descarga a uma corrente de descarga igual a C/5 horas (sendo C a capacidade nominal em ampere-hora) quando funcionam na gama de temperaturas de menos de 253 K (– 20 °C) a mais de 333 K (60 °C); Adensidade de energia é obtida multiplicando a potência média em watts (tensão média em volts vezes corrente média em amperes) pela duração, em horas, da descarga a 75 % da tensão em circuito aberto e dividindo o resultado pela massa total da pilha (ou bateria) em kg.

c.

Matrizes fotovoltaicas qualificadas para uso espacial e reforçadas contra radiações com uma potência específica superior a 160 W/m2 e uma temperatura de funcionamento de 301 K (28 °C) sob uma iluminação de tungsténio de 1 kW/m2 a 2800 K (2527 °C);

2. Condensadores de armazenamento de alta energia: N.B.: VER TAMBÉM 3A201.a.

2. a.

Condensadores com um ritmo de repetição inferior a 10 Hz (condensadores monodisparo) com todas as seguintes características:

1. Tensão nominal igual ou superior a 5 kV;

2. Densidade da energia igual ou superior a 250 J/kg; e

3. Energia total igual ou superior a 25 kJ;

b.

Condensadores com um ritmo de repetição igual ou superior a 10 Hz (condensadores de repetição), com todas as seguintes características:

1. Tensão nominal igual ou superior a 5 kV;

2. Densidade de energia igual ou superior a 50 J/kg;

3. Energia total igual ou superior a 100 J; e

4. Vida em ciclos carga/descarga igual ou superior a 10000;

3. Electroímanes ou solenóides supercondutores especialmente concebidos para uma carga ou descarga completa em menos de 1 segundo com todas as seguintes características: N.B.: VER TAMBÉM 3A201.b. Nota: 3A001.e.3. não abrange electroímanes ou solenóides supercondutores especialmente concebidos para equipamento médico de imagem por ressonância magnética (MRI).

3. a.

Energia fornecida durante a descarga superior a 10 kJ no primeiro segundo;

b.

Diâmetro interior dos enrolamentos que transportam a corrente superior a 250 mm; e

c.

Previstos para uma indução magnética superior a 8 T ou uma densidade total de corrente no enrolamento superior a 300 A/mm2;

f.

Codificadores de posição absoluta de veios com entrada rotativa, com uma das seguintes características:

1. Resolução melhor que uma parte em 265000 (resolução de 18 bits) em toda escala; ou

2. Precisão melhor que ± 2,5 segundos de arco.

a.

Equipamentos de registo e fitas de ensaio especialmente concebidas para os mesmos:

1. Gravadores de fita magnética com instrumentação analógica, incluindo os que permitem a gravação de sinais digitais [p. ex., através de um módulo de registo digital de alta densidade (HDDR)], com uma das seguintes características: Nota: Os gravadores analógicos de fita magnética especialmente concebidos para gravações civis não são considerados gravadores de fita com instrumentação.

1. a.

Largura de banda superior a 4 MHz por canal electrónico ou pista;

b.

Largura de banda superior a 2 MHz por canal electrónico ou pista e com mais de 42 pistas; ou

c.

Erro de deslocamento temporal (de base), medido de acordo com os documentos aplicáveis do IRIG ou da EIA, inferior a ± 0,1 μs;

2. Gravadores vídeo digitais de fita magnética com um débito máximo de transferência na interface digital superior a 360 Mbit/s; Nota: 3A002.a.2. não abrange os gravadores vídeo digitais de fita magnética especialmente concebidos para gravações televisivas que utilizam um formato de sinal, que pode incluir um formato de sinal comprimido, normalizado ou recomendado pela UIT, pela CEI, pela SECT, pela UER, pelo ETSI ou pelo IEEE para aplicações de televisão civis.

3. Gravadores de dados de fita magnética com instrumentação digital que utilizam técnicas de varrimento helicoidal ou técnicas de cabeças fixas, com uma das seguintes características: Nota: 3A002.a.3. não abrange gravadores de fita magnética analógicos equipados com electrónica de conversão HDDR e configurados para registar apenas dados digitais.

3. a.

Débito máximo de transferência na interface digital superior a 175 Mbit/s; ou

b.

Qualificados para uso espacial;

4. Equipamentos, com um débito máximo de transferência na interface digital superior a 175 Mbit/s, concebidos para converter gravadores vídeo digitais de fita magnética em gravadores de dados com instrumentação digital;

5. Nota Técnica:

Digitalizadores de onda e gravadores de fenómenos transitórios com as seguintes características: Para os instrumentos com uma arquitectura de barramentos em paralelo, o débito contínuo é o produto do débito mais elevado de palavras pelo número de bits de uma palavra. Débito contínuo é o débito de dados mais elevado que o instrumento pode passar a um dispositivo de memória de massa sem perda de qualquer informação, suportando simultaneamente a frequência de amostragem e a conversão analógico-digital;

5. a.

Frequência de digitalização igual ou superior a 200 milhões de amostras por segundo e resolução igual ou superior a 10 bits; e

b.

Débito contínuo igual ou superior a 2 Gbit/s;

6. Gravadores de dados com instrumentação digital que utilizam técnicas de registo em disco magnético, com as seguintes características:

6. a.

Frequência de digitalização igual ou superior a 100 milhões de amostras por segundo e resolução igual ou superior a 8 bits; e

b.

Débito contínuo igual ou superior a 1 Gbits/s.

b.

Conjuntos electrónicossintetizadores de frequências com um tempo de comutação de frequência de uma sequência seleccionada para outra inferior a 1 ms;

c.

Analisadores de sinais de radiofrequência:

1. Analisadores de sinais, capazes de analisar frequências superiores a 31,8 GHz, mas não superiores a 37,5 GHz e com uma largura de banda de 3dB de resolução superior a 10 MHz;

2. Analisadores de sinais capazes de analisar frequências superiores a 43,5 GHz;

3. Analisadores de sinais dinâmicos com uma largura de banda em tempo real superior a 500 kHz; Nota: 3A002.c.3. não abrange os analisadores de sinais dinâmicos que utilizam apenas filtros de largura de banda de percentagem constante (também conhecidos por filtros de oitava ou fracção de oitava).

d.

Geradores de sinais de frequência sintetizada que produzam frequências de saída cuja precisão e estabilidade a curto e longo prazos sejam controladas, derivadas ou impostas pela frequência interna principal, com uma das seguintes características: Nota: 3A002.d. não abrange equipamentos em que a frequência de saída seja obtida pela adição ou subtracção de duas ou mais frequências de osciladores de cristal, ou por uma adição ou subtracção seguida de uma multiplicação do resultado.

1. Frequência sintetizada máxima superior a 31,8 GHz mas não superior a 43,5 GHz e dimensionada para gerar impulsos de duração inferior a 100 ns;

2. Frequência sintetizada máxima superior a 43,5 GHz;

3. Tempo de comutação de frequência de uma frequência seleccionada para outra inferior a 1 ms; ou

4. Nota técnica:

Ruído de fase de banda lateral única (SSB) melhor que – (126 + 20 log10F – 20 log10f), expresso em dBc/Hz, sendo F a diferença em relação à frequência de funcionamento em Hz e f a frequência de funcionamento em MHz; Para efeitos do ponto 3A002.d.1., por duração do impulso entende-se o tempo decorrido entre os momentos em que o flanco ascendente do impulso atinge 90 % do pico e o flanco descendente do impulso atinge 10 % do pico.

e.

Analisadores de rede com uma frequência máxima de funcionamento superior a 43,5 GHz;

f.

Receptores de ensaio de micro-ondas com as seguintes características:

1. Frequência máxima de funcionamento superior a 43,5 GHz; e

2. Capacidade de medição simultânea de amplitude e fase;

g.

Padrões atómicos de frequência com uma das seguintes características: Nota: 3A002.g.1. não abrange padrões de rubídio não qualificados para uso espacial.

1. Estabilidade a longo prazo (envelhecimento) inferior a (melhor que) 1 × 10– 11/mês; ou

2. Qualificados para uso espacial.

a.

Conversores analógico-digitais, utilizáveis em mísseis , concebidos para responder a especificações militares relativas a equipamentos robustecidos;

b.

Aceleradores capazes de fornecer uma radiação electromagnética produzida por radiação de travagem (bremsstrahlung) a partir de electrões acelerados com uma energia igual ou superior a 2 MeV e sistemas que contenham estes aceleradores. Nota: 3A101.b. acima não abrange equipamentos especialmente concebidos para fins médicos.

a.

Condensadores com um dos seguintes conjuntos de características:

1. a.

Tensão nominal superior a 1,4 kV;

b.

Armazenamento de energia superior a 10 J;

c.

Capacidade superior a 0,5 μF; e

d.

Indutância série inferior a 50 nH; ou

2. a.

Tensão nominal superior a 750 V;

b.

Capacidade superior a 0,25 μF; e

c.

Indutância série inferior a 10 nH;

b.

Electroímanes solenoidais supercondutores, com as seguintes características: Nota: 3A201.b. não abrange ímanes especialmente concebidos e exportados como componentes de sistemas médicos de imageologia por ressonância magnética nuclear (NMR). A expressão como componente de não significa necessariamente como componente física incluída no mesmo envio. São permitidos envios separados de diferentes origens, desde que os respectivos documentos de exportação especifiquem claramente que os envios são feitos como componentes dos sistemas de imageologia.

1. Capazes de criar campos magnéticos superiores a 2 T;

2. Relação entre comprimento e diâmetro interior superior a 2;

3. Diâmetro interior superior a 300 mm; e

4. Campo magnético de uniformidade melhor que 1 % nos 50 % centrais do volume interno.

c. Notas técnicas:

Geradores de raios X de relâmpago ou aceleradores de electrões pulsados, com um dos seguintes conjuntos de características. Nota: 3A201.C. não abrange os aceleradores que são componentes de dispositivos concebidos para fins que não abrangem feixes electrónicos ou radiação de raios X (microscopia electrónica, por exemplo) nem os concebidos para fins médicos:

c.

1. a.

Uma energia electrónica de pico do acelerador igual ou superior a 500 KeV mas inferior a 25 MeV; e

b.

Um coeficiente de mérito (K) igual ou superior a 0,25; ou

2. a.

Uma energia electrónica de pico do acelerador igual ou superior a 25 MeV e

b.

Um energia de pico superior a 50 MW.

c. Notas técnicas:

1. O coeficiente de mérito K é definido como: K = 1,7 × 10^3V^2,65Q V é a energia electrónica de pico em milhões de electrões-volt. Caso a duração do impulso do feixe do acelerador seja inferior ou igual a um μs, Q é a carga acelerada total em coulombs. Se a duração do impulso do feixe do acelerador for superior a um μs, Q é a carga acelerada máxima em 1 μs. Q = integral de i em ordem a t, ao longo do menor de dois intervalos de tempo: 1 μs ou a duração do impulso do feixe (Q = idt), em que i é a corrente do feixe em amperes e t é o tempo em segundos.

2. Energia de pico = (potencial de pico em volts) × (corrente de pico do feixe em amperes).

3. Em máquinas baseadas em cavidades de aceleração de micro-ondas, a duração do impulso do feixe é o menor de dois intervalos de tempo: 1 μs ou a duração do pacote de feixes resultante de um impulso modulador de micro-ondas.

4. Em máquinas baseadas em cavidades de aceleração de micro-ondas, a corrente de pico do feixe é a corrente média durante o tempo em que existe um pacote de feixes.

a.

Saída multifásica capaz de fornecer uma potência igual ou superior a 40 W;

b.

Funcionamento na gama de frequências de 600 a 2000 Hz;

c.

Distorção harmónica total melhor que (inferior a) 10 %; e

d.

Controlo de frequência melhor que (inferior a) 0,1 %.

3ASistemas, equipamentos e componentes Nota técnica: a.

Capacidade para produzir continuamente, durante um período de 8 horas, uma tensão igual ou superior a 100 V com uma corrente de saída igual ou superior a 500 A; e

b.

Estabilidade da corrente ou tensão melhor que 0,1 %, durante um período de 8 horas.

a.

Capacidade para produzir continuamente, durante um período de 8 horas, uma tensão igual ou superior a 20 kV com uma corrente de saída igual ou superior a 1 A; e

b.

Estabilidade da corrente ou tensão melhor que 0,1 %, durante um período de 8 horas.

a.

Válvulas de cátodo frio, cheias ou não com gás, que funcionam como espinterómetros, com as seguintes características: Nota: 3A228 inclui válvulas de gás kryton e válvulas de vácuo sprytron

1. Três ou mais eléctrodos;

2. Tensão anódica nominal de pico igual ou superior a 2.5 kV;

3. Corrente anódica nominal de pico igual ou superior a 100 A; e

4. Tempo de atraso no ânodo igual ou inferior a 10 μs;

b.

Espinterómetros controlados por impulso com ambas as seguintes características:

1. Tempo de atraso no ânodo igual ou inferior a 15 μs; e

2. Corrente nominal de pico igual ou superior a 500 A;

c.

Módulos ou conjuntos com uma função de comutação rápida, com as seguintes características:

1. Tensão anódica nominal de pico superior a 2 kV;

2. Corrente anódica nominal de pico igual ou superior a 500 A; e

3. Tempo de arranque igual ou inferior a 1 μs.

a.

Dispositivos de ignição de detonadores explosivos concebidos para activar detonadores de controlo múltiplo referidos em 3A232;

b. Nota técnica:

Geradores modulares de impulsos eléctricos (pulsadores), com as seguintes características: Nota: 3A229.b. abrange accionadores de lâmpadas de arco de xenon. Em 3A229.b.5., entende-se por tempo de subida o intervalo de 10 % a 90 % da amplitude da corrente quando impulsiona cargas resistentes.

b.

1. Concebidos para equipamentos portáteis, móveis ou robustecidos;

2. Encerrados em caixas estanques à prova de poeiras;

3. Capazes de fornecer a sua energia em menos de 15 μs;

4. Com uma corrente de saída superior a 100 A;

5. Com um tempo de subida inferior a 10 μs em cargas inferiores a 40 ohms;

6. Sem dimensões superiores a 254 mm;

7. Com peso inferior a 25 kg; e

8. Especificados para utilização numa gama alargada de temperaturas 223 K (– 50 °C) a 373 K (100 °C) ou especificados como aptos para aplicações aeroespaciais.

a.

Tensão de saída superior a 6 V em cargas resistentes inferiores a 55 ohms, e

b.

Tempos de transição de impulsos inferiores a 500 ps.

3ASistemas, equipamentos e componentes Nota técnica: Nota técnica: a.

Concebidos para funcionamento sem sistema de vácuo externo; e

b.

Utilizarem a aceleração electrostática para induzir uma reacção nuclear trítio-deutério.

a.

Detonadores explosivos controlados electricamente:

1. Ponte explosiva (EB);

2. Fio de ponte explosiva (EBW);

3. Percussor;

4. Desencadeadores de folha fina explosiva (EFI);

b.

Dispositivos que utilizam detonadores simples ou múltiplos concebidos para o desencadeamento quase simultâneo de uma superfície explosiva maior que 5000 mm2 a partir de um único sinal de ignição, com um tempo de desencadeamento em toda a superfície inferior a 2,5 μs.

3ASistemas, equipamentos e componentes Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.

Espectrómetros de massa de plasma com acoplamento por indução (ICP/MS);

b.

Espectrómetros de massa de descarga luminescente (GDMS);

c.

Espectrómetros de massa de ionização térmica (TIMS);

d.

Espectrómetros de massa de bombardeamento de electrões que tenham uma câmara-fonte construída, forrada ou revestida com materiais resistentes ao UF6;

e.

Espectrómetros de massa de feixe molecular, com uma das seguintes características:

1. Câmara-fonte construída, forrada ou revestida com aço inoxidável ou molibdénio e equipada com uma câmara de frio capaz de atingir uma temperatura igual ou inferior 193 K (– 80 °C); ou

2. Câmara-fonte construída, forrada ou revestida com materiais resistentes ao UF6;

f.

Espectrómetros de massa equipados com uma fonte iónica de microfluoração concebida para actinídeos ou fluoretos de actinídeos.

3BEquipamentos de ensaio, de inspecção e de produção

3B001Equipamentos para o fabrico de dispositivos ou materiais semicondutores e componentes e acessórios especialmente concebidos para os mesmos: 3B002Equipamentos de ensaio especialmente concebidos para o ensaio de dispositivos de semicondutores, terminados ou não, e componentes e acessórios especialmente concebidos para os mesmos:

a.

Equipamentos concebidos para crescimento epitaxial, como se segue:

1. Equipamentos capazes de produzir uma camada de qualquer material, com excepção do silício, de espessura uniforme, com uma tolerância inferior a ±2,5 % numa extensão igual ou superior a 75 mm;

2. Reactores de deposição de organometálicos em fase vapor por processo químico (MOCVD) especialmente concebidos para o crescimento de cristais de semicondutores compostos através de reacção química entre materiais referidos em 3C003 ou 3C004;

3. Equipamentos de crescimento epitaxial através de feixe molecular que utilizem fontes de gás ou sólidos.

b.

Equipamentos concebidos para implantação iónica com uma das seguintes características:

1. Energia do feixe (tensão de aceleração) superior a 1 MeV;

2. Especialmente concebidos e optimizados para funcionar com uma energia do feixe (tensão de aceleração) inferior a 2 keV;

3. Capacidade de escrita directa; ou

4. Energia do feixe igual ou superior a 65 keV e corrente do feixe igual ou superior a 45 mA para a implantação de oxigénio com elevada energia num substrato de material semicondutor aquecido;

c.

Equipamentos de erosão seca através de plasma anisotrópico:

1. Equipamentos com funcionamento cassete-a-cassete e fecho de carga, com uma das seguintes características:

1. a.

Concebidos ou optimizados para produzir dimensões críticas iguais ou inferiores a 180 nm com um erro de ± 5 % de 3 sigma; ou

b.

Concebidos para gerar menos de 0,04 partículas/cm2 com um diâmetro mensurável das partículas superior a 0,1 nm;

2. Equipamentos especialmente concebidos para os equipamentos referidos em 3B001.e, com uma das seguintes características:

2. a.

Concebidos ou optimizados para produzir dimensões críticas iguais ou inferiores a 180 nm com um erro de ± 5 % de 3 sigma; ou

b.

Concebidos para gerar menos de 0,04 partícula/cm2 com um diâmetro mensurável das partículas superior a 0,1 nm;

d.

Equipamentos CVD enriquecidos com plasma:

1. Equipamentos com funcionamento cassete-a-cassete e fecho de carga concebidos de acordo com as especificações do fabricante ou optimizados para utilização na produção de dispositivos de semicondutores com dimensões críticas iguais ou inferiores a 180 nm;

2. Equipamentos especialmente destinados aos equipamentos referidos em 3B001.e. e concebidos de acordo com as especificações do fabricante ou optimizados para utilização na produção de dispositivos de semicondutores com dimensões críticas iguais ou inferiores a 180 nm;

e.

Sistemas multicâmaras de tratamento central de bolachas com carregamento automático, com todas as seguintes características: Nota: 3B001.e. não abrange sistemas robóticos de tratamento automático de bolachas não concebidos para funcionar em ambiente de vácuo.

1. Interfaces para entrada e saída de bolachas, às quais podem ser ligadas mais de duas unidades de equipamento de tratamento de semicondutores; e

2. Concebidos para formar um sistema integrado em ambiente de vácuo para o tratamento sequencial de múltiplas bolachas;

f.

Equipamentos litográficos:

1. Equipamentos com repetição de alinhamento e exposição (avanço em bolacha) ou avanço e varrimento (dispositivo de varrimento) para o processamento de bolachas através de métodos de raios X ou foto-ópticos, com uma das seguintes características:

1. a.

Comprimento de onda da fonte de luz inferior a 245 nm; ou

b. Nota Técnica:

Capazes de produzir um padrão com dimensão do traço mínimo resolúvel igual ou inferior a 180 nm; A dimensão do traço mínimo resolúvel é calculada pela seguinte fórmula: TMR = comprimento de onda da fonte de luz de exposição em μm × factor Kabertura numérica em que o factor K = 0,45 TMR = dimensão do traço mínimo resolúvel.

2. Equipamentos especialmente concebidos para a realização de máscaras ou para o tratamento de dispositivos de semicondutores através de feixes de electrões, iões ou laser focados e reflectidos, com uma das seguintes características:

2. a.

Dimensão de ponto inferior a 0,2 μm;

b.

Capacidade para produzir um padrão com uma dimensão de traço inferior a 1 μm; ou

c.

Precisão no revestimento melhor que ± 0,20 μm (3 sigma);

g.

Máscaras e retículas concebidas para circuitos integrados referidos em 3A001;

h.

Máscaras multicamadas com uma camada de deslocamento de fase. Nota: 3B001.h. não abrange as máscaras multicamadas com uma camada de deslocamento de fase concebidas para o fabrico de elementos de memória não abrangidos por 3A001.

a.

Para ensaio dos parâmetros S de dispositivos com transístores a frequências superiores a 31,8 GHz;

b.

Não utilizado;

c.

Para ensaio dos circuitos integrados de micro-ondas referidos em 3A001.b.2.

3CMateriais 3C001Materiais hétero-epitaxiais constituídos por um substrato com múltiplas camadas sobrepostas obtidas por crescimento epitaxial de: 3C002Resinas fotossensíveis e substratos revestidos de resinas fotossensíveis submetidas a controlo: 3C003Compostos organo-inorgânicos: Nota: 3C003 abrange apenas os compostos cujo elemento metálico, semimetálico ou não metálico está directamente ligado a átomos de carbono da parte orgânica da molécula. 3C004Hidretos de fósforo, de arsénio ou de antimónio com um grau de pureza superior a 99,999 %, mesmo quando diluídos em gases inertes ou em hidrogénio. Nota: 3C004 não abrange hidretos com 20 % molar ou mais de gases inertes ou de hidrogénio.

3CMateriais a.

Silício;

b.

Germânio;

c.

Carboneto de silício; ou

d. Nota técnica:

Compostos III/V de gálio ou índio. Os compostos III/V são produtos policristalinos ou monocristalinos binários ou complexos constituídos por elementos dos grupos IIIA e VA da tabela de classificação periódica de Mendeleiev (por ex., arsenieto de gálio, arsenieto de alumínio e gálio, fosforeto de índio).

a.

Resinas fotossensíveis positivas concebidas para litografia de semicondutores especialmente ajustadas para utilização em comprimentos de onda inferiores a 350 nm;

b.

Todas as resinas concebidas para utilização com feixes de electrões ou iões, com uma sensibilidade igual ou superior a 0,01 μcoulomb/mm2;

c.

Todas as resinas fotossensíveis para utilização com raios X com uma sensibilidade igual ou melhor que 2,5 mJ/mm2;

d. Nota técnica:

Todas as resinas fotossensíveis optimizadas para as tecnologias de imagem em superfície, incluindo resinas fotossensíveis sililadas. As técnicas de sililação definem-se como sendo processos que incluem a oxidação da superfície da resina para melhorar o seu comportamento na revelação quer a húmido quer a seco.

a.

Compostos organo-metálicos de alumínio, gálio ou índio, com um grau de pureza (no que respeita ao elemento metálico) superior a 99,999 %;

b.

Compostos orgânicos de arsénio, antimónio ou fósforo com um grau de pureza (no que respeita ao elemento inorgânico) superior a 99,999 %.

3DSuporte lógico Nota técnica:

3D001Suportes lógicos especialmente concebidos para o desenvolvimento ou produção de equipamentos referidos em 3A001.b. a 3A002.g ou 3B. 3D002Suportes lógicos especialmente concebidos para a utilização de qualquer dos seguintes equipamentos: 3D003Suportes lógicos simulação com base nas leis da física especialmente concebidos para o desenvolvimento de processos litográficos, de erosão ou de deposição para a transposição de padrões de máscaras para padrões topográficos específicos em materiais condutores, dieléctricos ou semicondutores. Pela expressão com base nas leis da física em 3D003 entende-se a utilização de cálculos para determinar sequências de fenómenos físicos de causa e efeito com base em propriedades físicas (por exemplo, temperatura, pressão, constantes de difusão e propriedades dos materiais semicondutores). Nota: Bibliotecas, atributos de desenho ou dados associados à concepção de dispositivos de semicondutores ou circuitos integrados são considerados tecnologia. 3D004Suportes lógicos especialmente concebidos para o desenvolvimento dos equipamentos referidos em 3A003. 3D101Suportes lógicos especialmente concebidos ou modificados para a utilização de equipamentos referidos em 3A101 b.

3DSuporte lógico a.

Equipamentos referidos em 3B001.a. a f.; ou

b.

Equipamentos referidos em 3B002.

3ETecnologia Nota Técnica:

3E001Tecnologia, na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o desenvolvimento ouprodução de equipamentos ou materiais referidos em 3A, 3B ou 3C; Nota 1: 3E001 não abrange tecnologia para a produção dos equipamentos ou componentes abrangidos por 3A003. Nota 2: 3E001 não abrange tecnologia para o desenvolvimento ouprodução de circuitos integrados referidos em 3A001.a.3. a 3A001.a.12. com ambas as seguintes características: A expressão estruturas multicamadas não inclui os dispositivos que incorporem um máximo de três camadas metálicas e três camadas de polissilícios. 3E002Tecnologia, na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, diferente da especificada em 3E001, para o desenvolvimento ou produção demicrocircuitos microprocessadores e microcircuitos microcontroladores com um desempenho teórico composto (DTC) de 530 milhões de operações teóricas por segundo (Mtops) ou mais e uma unidade lógica aritmética com uma largura de acesso de 32 bits ou mais. Nota: As excepções referidas na nota 2 ao ponto 3E001 aplicam-se também a 3E002. 3E003Outras tecnologias para o desenvolvimento ou produção de: 3E101Tecnologia, na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para a utilização de equipamentos ousuportes lógicos referidos em 3A001.a.1. ou 2., 3A101 ou 3D101. 3E102Tecnologia, na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o desenvolvimento de suportes lógicos referidos em 3D101. 3E201Tecnologia, na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para a utilização de equipamentos referidos em 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A201, 3A225 a 3A233.

3ETecnologia

1. Utilizarem tecnologia de 0,5 μm ou mais, e

2. Não incorporarem estruturas multicamadas.

3ETecnologia Nota Técnica: a.

Dispositivos microelectrónicos de vácuo;

b.

Dispositivos de semicondutores com hétero-estrutura como transístores de elevada mobilidade electrónica (HEMT), transístores hétero-bipolares (HBT), e dispositivos de poços quânticos ou de super-redes; Nota: 3E003.b. não abrange a tecnologia para transístores de elevada mobilidade electrónica (HEMT) que funcionem a frequências inferiores a 31,8 GHz nem para transístores bipolares de hetero-junção (HBT) que funcionem a frequências inferiores a 31,8 GHz.

c.

Dispositivos electrónicos supercondutores;

d.

Substratos de películas de diamante para componentes electrónicos.

e.

Substratos de silício sobre isolador (SOI) para circuitos integrados, nos quais o isolador é o dióxido de silício;

f.

Substratos de carboneto de silício para componentes electrónicos;

g.

Válvulas electrónicas de vácuo que funcionem a frequências iguais ou superiores a 31,8 GHz.

CATEGORIA 4 COMPUTADORES

Nota 1: Os computadores, equipamentos associados ou suportes lógicos que realizam funções de telecomunicações ou de redes locais devem ser também avaliados face às características de desempenho da categoria 5, Parte 1 (Telecomunicações). Nota 2: As unidades de comando que estabelecem uma interconexão directa de barramentos ou canais de unidades centrais de processamento, de memória principal ou de controladores de disco não são consideradas como equipamentos de telecomunicações descritos na categoria 5, Parte 1 (Telecomunicações). N.B.: Para o estatuto dos suportes lógicos especialmente concebidos para comutação de pacotes, ver 5D001. Nota 3: Os computadores, equipamentos associados ou suportes lógicos que realizam funções criptográficas, criptanalíticas, de segurança certificável multiníveis ou de isolamento certificável de utilizadores, ou que limitam a compatibilidade electromagnética (EMC), devem ser também avaliados face às características de desempenho definidas na categoria 5, Parte 2 (Segurança da Informação).

4ASistemas, equipamentos e componentes

4A001Computadores electrónicos e equipamentos associados, bem como conjuntos electrónicos e componentes especialmente concebidos para os mesmos: N.B.: VER TAMBÉM 4A101. 4A003Computadores digitais, conjuntos electrónicos e equipamentos associados, bem como componentes especialmente concebidos para os mesmos: Nota 1: 4A003 abrange: Nota 2: O estatuto dos computadores digitais ou equipamentos associados descritos em 4A003 é determinado pelo estatuto de outros equipamentos ou sistemas, desde que: 4A004Computadores, bem como equipamentos associados, conjuntos electrónicos e componentes especialmente concebidos para os mesmos: 4A101Computadores analógicos, computadores digitais ou analisadores digitais diferenciais, com excepção dos referidos em 4A001.a.1., que sejam robustecidos e concebidos ou modificados para utilização em veículos lançadores espaciais referidos em 9A004 ou em foguetes-sonda referidos em 9A104. 4A102Computadores híbridos especialmente concebidos para modelização, simulação ou integração da concepção de veículos lançadores espaciais referidos em 9A004 ou de foguetes-sonda referidos 9A104. Nota: Este controlo aplica-se apenas quando os equipamentos são fornecidos com os suportes lógicos referidos em 7D103 ou 9D103.

a.

Especialmente concebidos para apresentarem uma das seguintes características:

1. Classificados como aptos para funcionamento a uma temperatura ambiente inferior a 228 K (– 45 °C) ou superior a 358 K (85 °C); Nota: 4A001.a.1. não abrange os computadores especialmente concebidos para aplicações em automóveis civis ou comboios dos caminhos-de-ferro.

2. Reforçados contra radiações de modo a superarem uma das especificações seguintes: a. Dose total 5 × 103 Gy (Silício); b. Limite do fluxo de radiação 5 × 106 Gy (Silício)/s; ou c. Limite de evento único 1 × 10-7 erros/bit/dia;

b.

Com características ou funções que superem os limites definidos na categoria 5, Parte 2 (Segurança da Informação). Nota: 4A001.b. não abrange os computadores electrónicos e equipamentos associados que acompanhem o utilizador para seu uso pessoal.

a.

Processadores vectoriais;

b.

Processadores matriciais;

c.

Processadores de sinais digitais;

d.

Processadores lógicos

e.

Equipamentos concebidos para melhoramento de imagens

f.

Equipamentos concebidos para processamento de sinais.

a.

Os computadores digitais ou equipamentos associados sejam essenciais para o funcionamento dos outros equipamentos ou sistemas;

b.

Os computadores digitais ou equipamentos associados não sejam um elemento principal dos outros equipamentos ou sistemas; e N.B.1: O estatuto dos equipamentos de processamento de sinais ou melhoramento de imagens especialmente concebidos para outros equipamentos com funções limitadas às requeridas pelos outros equipamentos é determinado pelo estatuto dos outros equipamentos, ainda que o critério de elemento principal seja superado. N.B.2: Para o estatuto dos computadores digitais ou equipamentos associados para equipamentos de telecomunicações, ver a categoria 5, Parte 1 (Telecomunicações).

c.

A tecnologia para os computadores digitais e equipamentos associados esteja abrangida em 4E.

a.

Concebidos ou modificados para tolerância a falhas; Nota: Para efeitos do disposto em 4A003.a., os computadores digitais e equipamentos associados não se consideram concebidos ou modificados para tolerância a falhas, caso utilizem:

1. Algoritmos de detecção ou correcção de erros na memória principal;

2. A interligação de dois computadores digitais de tal modo que, em caso de falha da unidade central de processamento activa, uma unidade central de processamento inactiva, mas espelho da primeira, possa manter o sistema em funcionamento;

3. A interligação de duas unidades centrais de processamento através de canais de dados ou da utilização de memória partilhada, de modo a que uma unidade central de processamento possa realizar outras tarefas até ocorrer uma falha na segunda unidade central de processamento, momento em que a primeira unidade central de processamento retoma o trabalho da segunda, a fim de manter o sistema em funcionamento; ou

4. A sincronização de duas unidades centrais de processamento através de um suporte lógico, por forma a que uma unidade central de processamento reconheça a ocorrência de uma falha na outra unidade central de processamento e retome as tarefas da unidade com falha.

b.

Computadores digitais com um pico de desempenho ajustado (PDA) superior a 0,75 TeraFLOPS ponderados (TP);

c.

Conjuntos electrónicos especialmente concebidos ou modificados para poderem melhorar o desempenho através da agregação de processadores, de modo a que o PDA do agregado ultrapasse o limite indicado em 4A003.b.; Nota 1: 4A003.c. abrange apenas conjuntos electrónicos e interligações programáveis que não excedam o limite referido em 4A003.b., quando expedidos como conjuntos electrónicos não integrados. Não abrange conjuntos electrónicos intrinsecamente limitados, devido à sua concepção, a utilização como equipamento associado referido em 4A003.e. Nota 2: 4A003.c. não abrange conjuntos electrónicos especialmente concebidos para um produto ou família de produtos cuja configuração máxima não exceda o limite referido em 4A003.b.

d.

Não utilizado;

e.

Equipamentos que efectuem conversões analógico-digitais que excedam os limites indicados em 3A001.a.5.;

f.

Não utilizado;

g.

Equipamentos especialmente concebidos para a interconexão externa de computadores digitais ou equipamentos associados que possibilitem comunicações com um débito de dados superior a 1,25 Gbyte/s. Nota: 4A003.g. não abrange equipamentos de interconexão interna (p. ex. painéis posteriores, barramentos), equipamentos de interconexão passiva, controladores de acesso à rede ou controladores de canais de comunicação.

a.

Computadores sistólicos matriciais;

b.

Computadores neuronais;

c.

Computadores ópticos.

4BEquipamentos de ensaio, de inspecção e de produção

Nada.

4CMateriais Nada.

4DSuporte lógico

Nota: O estatuto dos suportes lógicos para o desenvolvimento, produção, ou utilização de equipamentos descritos noutras categorias é tratado na respectiva categoria. O estatuto dos suportes lógicos para equipamentos descritos nesta categoria é aqui tratado. 4D002Suportes lógicos especialmente concebidos ou modificados para servirem de suporte a tecnologias abrangidas pelo ponto 4E. 4D003Suportes lógicos específicos:

4D001a. Suportes lógicos especialmente concebidos ou modificados para o desenvolvimento, produção ou utilização de equipamentos ou suportes lógicos referidos em 4A001 a 4A004 ou 4D.

b.

Suportes lógicos diferentes dos referidos em 4D001.a., especialmente concebidos ou modificados para o desenvolvimento ou produção de:

1. Computadores digitais com um pico de desempenho ajustado (PDA) superior a 0,04 TeraFLOPS ponderados (TP); ou

2. Conjuntos electrónicos especialmente concebidos ou modificados para melhorar o desempenho através da agregação de processadores de modo a que o PDA do agregado ultrapasse o limite indicado em 4D001.b.1.

a.

Suportes lógicos de sistemas de exploração, ferramentas de desenvolvimento de suportes lógicos e compiladores especialmente concebidos para equipamentos de processamento de fluxos múltiplos de dados em código fonte;

b.

Não utilizado.

c.

Suportes lógicos com características ou funções que excedam os limites da Categoria 5, Parte 2 (Segurança da Informação); Nota: 4D003c. não abrange o controlo dos suportes lógicos que acompanham o utilizador para uso pessoal deste.

4ETecnologia

4E001a. Tecnologia na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o desenvolvimento, produção ou utilização de equipamentos ou suportes lógicos referidos em 4A ou 4D.

b.

Tecnologia diferente da referida em 4E001.a., especialmente concebida ou modificada para o desenvolvimento ou produção de:

1. Computadores digitais com um pico de desempenho ajustado (PDA) superior a 0,04 TeraFLOPS ponderados (TP); ou

2. Conjuntos electrónicos especialmente concebidos ou modificados para melhorar o desempenho através da agregação de processadores de modo a que o PDA do agregado ultrapasse o limite indicado em 4D001.b.1.

Nota técnica sobre o Desempenho teórico composto (DTC) Abreviaturas utilizadas nesta Nota Técnica

EC elemento de computação (normalmente uma unidade aritmética e lógica) FP vírgula flutuante XP vírgula fixa t tempo de execução XOR OU exclusivo CPU unidade central de processamento TP desempenho teórico (de um único EC) DTC desempenho teórico composto (múltiplos EC) R taxa efectiva de cálculo WL comprimento de palavra L ajustamento do comprimento de palavra × multiplicação O tempo de execução t é expresso em microssegundos, TP e DTC são expressos em milhões de operações teóricas por segundo (Mtops) e WL é expresso em bits.

Descrição do método de cálculo do DTC

O DTC é uma medida do desempenho computacional em Mtops. No cálculo do DTC de um agregado de EC são necessários os três passos seguintes: As secções seguintes fornecem elementos sobre estes passos. Nota 1: Para agregados de múltiplos EC que tenham subsistemas de memória partilhada e não partilhada, o cálculo do DTC é realizado hierarquicamente em duas etapas: primeira, agregar os grupos de EC que partilham memória; segunda, calcular o DTC dos grupos utilizando o método de cálculo para múltiplos EC que não partilham memória. Nota 2: Os EC que estão limitados a funções de entrada/saída e periféricas (p. ex., controladores de unidades de disco, comunicações e ecrã vídeo) não são agregados no cálculo do DTC.

1. Calcular a taxa efectiva de cálculo R para cada EC;

2. Aplicar a esta taxa efectiva de cálculo (R) o ajustamento do comprimento de palavra (L), obtendo-se assim o desempenho teórico (TP) de cada EC.

3. Caso haja mais que um EC, combinar os TP de modo a obter o DTC do agregado.

NOTA TÉCNICA SOBRE O DTC

A tabela seguinte apresenta o método de cálculo da taxa efectiva de cálculo (R) para cada EC: Passo 1: Taxa efectiva de cálculo R Para EC que implementam: Nota: Cada EC deve ser objecto de uma avaliação independente Taxa efectiva de cálculo, R Apenas XP Rxp = 13 × txp adição Se a adição não estiver implementada, utilizar: Rxp = 1txp mult Se nem a adição nem a multiplicação estiverem implementadas, utilizar a operação aritmética disponível mais rápida, do seguinte modo: Rxp = 13 × txp Ver notas X e Z Apenas FP Rfp = Max 1tfp adição, 1tfp mult Ver notas X e Y FP e XP (R) Calcular ambos os valores Rxp, Rfp Para processadores lógicos simples que não implementam qualquer das operações aritméticas especificadas R = 13 × tlog em que tlog é o tempo de execução de XOR, ou, para equipamento lógico que não implementa o XOR, a operação lógica simples mais rápida. Ver notas X e Z Para processadores lógicos especiais que não utilizam qualquer das operações aritméticas ou lógicas especificadas R = R' × WL/64 em que R' é o número de resultados por segundo, WL é o número de bits sobre os quais ocorre a operação lógica e 64 é um factor de normalização para uma operação de 64 bits. Nota W: Para um EC em conduta (pipelined) capaz de executar, no máximo, uma operação aritmética ou lógica em cada ciclo de relógio depois de a conduta estar cheia, é possível determinar uma taxa em conduta. A taxa efectiva de cálculo (R) deste EC é a maior das duas: taxa em conduta ou taxa de execução sem conduta. Nota X: Para EC que realizam múltiplas operações de um tipo específico num único ciclo (p. ex., duas adições por ciclo ou duas operações lógicas idênticas por ciclo), o tempo de execução t é dado por: t = tempo de ciclonúmero de operações aritméticas idênticas por ciclo de máquina Os EC que realizam diferentes tipos de operações aritméticas ou lógicas num único ciclo de máquina serão tratados como múltiplos EC separados que actuam simultaneamente (p. ex., um EC que realize uma adição e uma multiplicação num ciclo será tratado como dois EC, realizando o primeiro uma adição num ciclo e o segundo uma multiplicação num ciclo). Caso um único EC tenha funções escalares e funções vectoriais, utilizar o valor do menor tempo de execução. Nota Y: Para os EC em que nem a adição FP, nem a multiplicação FP estão implementadas, mas que realizam a divisão FP, utilizar-se-á: Rfp = 1tfp divisão Caso o EC realize o recíproco FP, mas não a adição FP, a multiplicação FP ou a divisão FP, será Rfp = 1tfp recíproco Se nenhuma das instruções especificadas estiver implementada, a taxa FP efectiva é 0. Nota Z: Em operações lógicas simples, uma única instrução realiza uma só manipulação lógica de não mais de dois operandos de dado comprimento. Em operações lógicas complexas, uma única instrução efectua múltiplas manipulações lógicas de modo a produzir um ou mais resultados a partir de dois ou mais operandos. As taxas devem ser calculadas para todos os comprimentos de operando aceites, entrando em conta com operações em conduta (caso sejam possíveis) e operações sem conduta, utilizando a instrução de execução mais rápida para cada comprimento de operando, com base em: Em cada caso acima referido, utilizar o tempo de execução mais curto certificado pelo fabricante. Passo 2: TP para cada comprimento de operando WL aceite Corrigir a taxa R (ou R') efectiva através do ajustamento do comprimento de palavra L, do seguinte modo: Nota: O comprimento de palavra WL utilizado nestes cálculos é o comprimento do operando em bits. (Se uma operação utilizar operandos com diferentes comprimentos, escolher o maior comprimento de palavra.) A combinação de uma ALU de mantissa com uma ALU de expoente num processador ou unidade de vírgula flutuante é considerada um EC com um comprimento de palavra (WL) igual ao número de bits na representação dos dados (normalmente 32 ou 64) para efeitos de cálculo do DTC. Esta correcção não abrange processadores lógicos especializados que não utilizam instruções XOR. Neste caso, TP = R. Seleccionar o máximo valor de TP obtido para: Passo 3: DTC para agregados de EC, incluindo CPU Para uma CPU com um único EC, DTC = TP [para EC que realizem operações de vírgula fixa e flutuante TP = max (TPfp, TPxp)] O DTC de agregados de múltiplos EC que funcionam simultaneamente é calculado do seguinte modo: Nota 1: Em agregados que não permitem o funcionamento simultâneo de todos os EC, deve ser utilizada a combinação possível de EC que forneça o DTC mais elevado. O TP de cada EC participante deve ser calculado para o seu máximo valor teoricamente possível antes da obtenção do DTC da combinação. N.B. Para determinar as possíveis combinações de EC em funcionamento simultâneo, gerar uma sequência de instruções que inicie operações em múltiplos EC, começando com o EC mais lento (o que necessita do maior número de ciclos para realizar a sua operação) e terminando com o EC mais rápido. Em cada ciclo da sequência, a combinação dos EC que estão em funcionamento durante esse ciclo é uma combinação possível. A sequência de instruções deve ter em conta todas as limitações do equipamento e/ou da arquitectura em operações que se sobrepõem. Nota 2: Uma única pastilha de circuito integrado ou montagem numa placa pode conter múltiplos EC. Nota 3: Considera-se que existem operações simultâneas quando o fabricante do computador reivindica funcionamento ou execução concorrente, paralelo ou simultâneo no manual ou brochura do computador. Nota 4: Não se devem agregar os valores do DTC de combinações de EC (inter) ligadas através de redes locais, redes de grande extensão, conexões/dispositivos partilhados de entrada/saída, controladores de entrada/saída e quaisquer interconexões de comunicações implementadas através de um suporte lógico. Nota 5: Devem ser agregados os valores do DTC de múltiplos EC especialmente concebidos para melhorar o desempenho através de agregação, funcionando em simultâneo e partilhando memória, ou de combinações de múltiplos EC/memória funcionando simultaneamente por meio de equipamento de concepção especial. Esta agregação não se aplica aos conjuntos electrónicos abrangidos pelo ponto 4A003.c. DTC = TP1 + C2 × TP2 + … + Cn × TPn, em que os TP estão ordenados pelo seu valor, sendo TP1 o mais elevado, TP2 o segundo mais elevado, …, e TPn o mais baixo. Ci é um coeficiente determinado pelo grau de interconexão dos EC, do seguinte modo: Para múltiplos EC que funcionam em simultâneo e partilham memória: Nota 1: Quando o DTC calculado pelo método acima descrito não ultrapassa 194 Mtops, pode ser utilizada a seguinte fórmula para calcular Ci: Ci = 0,75m(i = 2,…,n) em que m = número de EC ou grupos de EC que partilham o acesso, desde que: N.B. Esta nota não se aplica aos produtos abrangidos pela categoria 3. Nota 2: Os EC partilham memória caso acedam a um segmento comum de memória de estado sólido. Esta memória pode incluir memória cache, memória principal ou outra memória interna. Não estão aqui incluídos os dispositivos periféricos de memória, como unidades de disco, unidades de banda ou discos RAM. Para múltiplos EC ou grupos de EC que não partilham memória, interligados por um ou mais canais de dados: Ci O valor de Ci baseia-se no número de EC sendo ki min (Si/Kr, 1), e Kr factor normalizador de 20 MByte/s Si soma dos débitos máximos de dados (unidade: MByte/s) para todos os canais de dados ligados ao i.oEC ou grupo de EC que partilham memória. No cálculo de um Ci de um grupo de EC, o número do primeiro EC num grupo determina os limites próprios de Ci. Por exemplo, num agregado de grupos em que cada grupo contém 3 EC, o 22.o grupo conterá EC64, EC65 e EC66. O limite próprio de Ci deste grupo é 0,60. A agregação (de EC ou grupos de EC) deve efectuar-se do mais rápido para o mais lento, ou seja: no caso de TPi = Tpi+1 do maior para o menor, ou seja: Nota: O factor ki não se aplica aos EC 2 a 12, caso o TPi do EC ou grupo de EC seja superior a 50 Mtops, isto é, o Ci dos EC 2 a 12 seja 0,75.

1. Operações em conduta ou de registo para registo. Excluir tempos de execução extraordinariamente curtos causados por operações sobre um operando ou operandos pré-determinados (por exemplo, multiplicação por 0 ou 1). Caso não estejam implementadas operações registo para registo, passar a (2).

2. A mais rápida das seguintes operações: registo para memória ou memória para registo; se estas também não existirem, passar a (3).

3. Memória para memória.

TP = R × L, em que L = (1/3 + WL/96)

Cada EC apenas com XP (Rxp);

Cada EC apenas com FP (Rfp);

Cada EC com FP e XP combinados (R);

Cada processador lógico simples que não implemente qualquer das operações aritméticas especificadas; e

Cada processador lógico especial que não utilize qualquer das operações aritméticas ou lógicas especificadas.

C2 = C3 = C4 = … = Cn = 0,75

1. O TPi de cada EC ou grupo de EC não ultrapasse 30 Mtops;

2. Os EC ou grupos de EC partilhem o acesso à memória principal (excluindo a memória cache) num único canal; e

3. Apenas um EC ou grupo de EC possa utilizar o canal em qualquer momento.

= 0,75 × ki (i = 2, …, 32) (ver nota abaixo)

= 0,60 × ki (i = 33, …, 64)

= 0,45 × ki (i = 65, …, 256)

= 0,30 × ki (i > 256)

TPi ≥ TP2 ≥ … ≥ TPn, e

Ci ≥ Ci+1

NOTA TÉCNICA SOBRE O PICO DE DESEMPENHO AJUSTADO (PDA)

O PDA é uma taxa de pico ajustada a que os computadores digitais efectuam somas e multiplicações de vírgula flutuante de 64 bits ou mais. O PDA é expresso em TeraFLOPS ponderados (TP), em unidades de 1012 operações ajustadas de vírgula flutuante por segundo.

Abreviaturas utilizadas nesta nota técnica

n número de processadores existentes no computador digital i número do processador (i,...n) ti tempo de ciclo do processador (ti = 1/Fi) Fi frequência do processador Ri pico da taxa de cálculo da vírgula flutuante Wi factor de ajustamento da arquitectura

Descrição do método de cálculo do PDA 1. Nota: 2.3.4.

Para cada processador i, determinar o número de pico das operações de vírgula flutuante (OVF1), de 64 bits ou mais, efectuadas por ciclo para cada processador existente no computador digital. Ao determinar as OVF, incluir apenas as somas e/ou multiplicações de vírgula flutuante de 64 bits ou mais. Todas as operações de vírgula flutuante devem ser expressas em operações por ciclo de processador; as operações que requeiram ciclos múltiplos podem ser expressas em resultados fraccionados por ciclo. Para os processadores incapazes de efectuar cálculos sobre operandos de vírgula flutuante de 64 bits ou mais, a taxa de cálculo R efectiva é igual a zero. Calcular a taxa R da vírgula flutuante para cada processador Ri = OVFi/ti. Calcular o PDA como PDA = W1 x R1 + W2 x R2 + ... + Wn x Rn. Para os processadores vectoriais, Wi = 0,9. Para os processadores não vectoriais, Wi = 0,3. Nota 1: Para os processadores que executam operações compostas num ciclo, tais como somas e multiplicações, conta-se cada operação. Nota 2: Para um processador em conduta, a taxa de cálculo R efectiva é a mais rápida da taxa em conduta, uma vez que a conduta esteja cheia, ou a taxa não em conduta. Nota 3: A taxa de cálculo R de cada processador contribuinte deve ser calculada no seu valor máximo teoricamente possível antes de derivar o PDA da combinação. Parte-se do princípio de que existem operações simultâneas quando o fabricante afirme no manual ou nas instruções do computador que este é capaz de efectuar operações simultâneas ou paralelas. Nota 4: Ao calcular o PDA, não incluir os processadores que apenas têm funções de entrada/saída e periféricas (p. ex., leitura/escrita em discos, comunicação e afixação no monitor). Nota 5: Os valores PDA não devem ser calculados para combinações de processadores (inter)ligados por redes locais, redes de área ampla, conexões/aparelhos partilhados I/O, controladores I/O e quaisquer interconexões de comunicação implementadas por suporte lógico. Nota 6: Os valores PDA devem ser calculados para: Nota 7: Um processador vectorial é definido como um processador com instruções no próprio que efectua em simultâneo múltiplos cálculos sobre vectores de vírgula flutuante (redes unidimensionais de 64 bits ou mais), com pelo menos 2 unidades funcionais vectoriais e, no mínino, 8 registos vectoriais de, pelo menos, 64 elementos cada.

1. As combinações de processadores que contenham processadores especialmente concebidos para melhorar o desempenho por agregação, operando em simultâneo e partilhando a memória; ou

2. As combinações múltiplas de memória/processador que funcionem em simultâneo utilizando material especialmente concebido para o efeito.

CATEGORIA 5 TELECOMUNICAÇÕES E SEGURANÇA DA INFORMAÇÃO

PARTE 1 TELECOMUNICAÇÕES

Nota 1: O estatuto de componentes, lasers equipamentos de ensaio e de produção e suportes lógicos para os mesmos, especialmente concebidos para equipamentos ou sistemas de telecomunicações está definido na categoria 5, parte 1. Nota 2: Os computadores digitais, equipamentos associados ou suportes lógicos, desde que essenciais para o funcionamento e suporte dos equipamentos de telecomunicações referidos nesta categoria, são considerados componentes de concepção especial, caso sejam os modelos normais habitualmente fornecidos pelo fabricante. Incluem-se aqui os sistemas informáticos de exploração, administração, manutenção, engenharia ou facturação.

5A1Sistemas, equipamentos e componentes Nota técnica:

N.B. Para o equipamento de interferência para o GNSS, ver a Lista de Material de Guerra. 5A101Equipamentos de telemetria e telecomando, incluindo equipamentos utilizados no solo, concebidos ou modificados para mísseis. No ponto 5A101, por mísseis entendem-se foguetes completos e veículos aéreos não tripulados capazes de um alcance superior a 300 km. Nota: 5A101 não abrange:

5A1Sistemas, equipamentos e componentes

5A001a. Quaisquer tipos de equipamentos de telecomunicações com uma das seguintes características, funções ou elementos: Nota: 5A001.a.2. e 5A001a.3. não abrangem equipamentos concebidos ou modificados para utilização a bordo de satélites.

5A001a.

1. Especialmente concebidos para resistir a efeitos electrónicos ou a efeitos de impulsos electromagnéticos transitórios, ambos resultantes de uma explosão nuclear;

2. Especialmente reforçados para resistir a radiações gama, de neutrões ou de iões; ou

3. Especialmente concebidos para funcionar fora da gama de temperaturas que vai de 218 K (– 55 °C) à 397 K (124 °C); Nota: 5A001.a.3. aplica-se apenas a equipamentos electrónicos.

b.

Equipamentos ou sistemas de transmissão para telecomunicações, bem como componentes e acessórios especialmente concebidos para os mesmos, com uma das seguintes características, funções ou elementos:

1. Serem sistemas de comunicações subaquáticas, com uma das seguintes características:

1. a.

Terem uma frequência portadora acústica não compreendida entre 20 kHz e 60 kHz;

b.

Utilizarem uma frequência portadora electromagnética inferior a 30 kHz; ou

c.

Utilizarem técnicas electrónicas de orientação do feixe;

2. Serem equipamentos de radiocomunicações que funcionem na banda de 1,5 a 87,5 MHz e que possuam uma das seguintes características:

2. a.

Incorporação de técnicas adaptativas que proporcionem uma supressão superior a 15 dB de um sinal de interferência; ou

b.

Possuírem todas as seguintes características:

1. Previsão e selecção automáticas de frequências e débitos totais de transferência digital por canal para optimização da transmissão; e

2. Inclusão da configuração de um amplificador linear de potência com capacidade de tratamento simultâneo de sinais múltiplos, com uma potência de saída igual ou superior a 1 kW em bandas de frequências iguais ou superiores a 1,5 MHz mas inferiores a 30 MHz, ou igual ou superior a 250 W em bandas de frequências iguais ou superiores a 30 MHz mas não superiores a 87,5 MHz, sobre uma largura de banda instantâneade uma oitava ou mais e com uma taxa de harmónicas e distorção na saída melhor que – 80 dB;

3. Serem equipamentos de radiocomunicações que utilizem técnicas de espectro alargado, incluindo técnicas de salto de frequência, não especificadas em 5A001.b.4., com uma das seguintes características: Nota: 5A001.b.3. não abrange equipamentos com uma potência de saída igual ou inferior a 1 Watt.

3. a.

Códigos de expansão programáveis pelo utilizador; o

b.

Largura de banda total de transmissão igual ou superior a 100 vezes a largura de banda de qualquer canal único de informação e superior a 50 kHz; Nota: 5A001.b.3.b. não abrange os equipamentos de rádio especialmente concebidos para utilização em sistemas de radiocomunicações celulares para uso civil.

4. Serem equipamentos de radiocomunicações que utilizem técnicas de modulação ultralargas, com códigos de encaminhamento de distorção/criptagem ou de identificação da rede programáveis pelo utilizador, com uma das seguintes características:

4. a.

Largura de banda superior a 500 MHz; ou

b.

Largura de banda fraccionada de 20 % ou mais;

5. Serem receptores de radiocomunicações de comando digital com todas as seguintes características:

5. a.

Mais de 1000 canais;

b.

Um tempo de comutação de frequência inferior a 1 ms;

c.

Procura ou varrimento automáticos de uma parte do espectro electromagnético; e

d.

Identificação dos sinais recebidos ou do tipo de emissor; ou Nota: 5A001.b.4. não abrange os equipamentos de rádio especialmente concebidos para utilização em sistemas de radiocomunicações celulares para uso civil.

6. Notas técnicas:

Utilizarem funções de processamento digital de sinais para fornecerem codificação vocal com débitos inferiores a 2400 bits/s;

1. No caso da codificação vocal com débito variável, 5A001.b.6. aplica-se à codificação vocal do discurso contínuo.

2. Para efeitos de 5A001.b.6., codificação vocal é definida como a técnica de recolha de amostras de voz humana e sua conversão num sinal digital, tomando em consideração as características próprias do discurso humano.

c.

Cabos de fibras ópticas para comunicações, fibras ópticas e acessórios:

1. Nota técnica:

Fibras ópticas de comprimento superior a 500 m, especificadas pelo fabricante como capazes de suportar uma tensão à tracção, em ensaios de avaliação, igual ou superior a 2 × 109 N/m2; Ensaio de avaliação designa os ensaios de produção em linha ou fora de linha que aplicam dinamicamente uma tensão à tracção previamente definida sobre uma fibra com comprimento de 0,5 a 3 m a uma velocidade de 2 a 5 m/s, aquando da sua passagem entre cabrestantes com cerca de 150 mm de diâmetro. A temperatura ambiente nominal é de 293 K (20 °C) e a humidade relativa é de 40 %. Podem ser utilizadas normas nacionais equivalentes na execução dos ensaios de avaliação.

2. Cabos de fibras ópticas e acessórios concebidos para utilização subaquática. Nota: 5A001.c.2. não abrange os cabos e acessórios utilizados nas telecomunicações civis normais. N.B. 1: Para os cabos de ligação subaquáticos e respectivos conectores, ver 8A00.2.a.3. N.B. 2: Para os conectores ou dispositivos de penetração do casco com fibras ópticas, ver 8A002.c.

d.

Sistemas de antenas com relação de fase orientáveis electronicamente que funcionem acima de 31,8 GHz. Nota: 5A001.d. não abrange os sistemas de antenas com relação de fase orientáveis electronicamente para sistemas de aterragem por instrumentos que respeitem as normas da ICAO relativas aos sistemas de aterragem por micro-ondas (MLS).

e.

Equipamentos de radiogonometria que funcionem em frequências superiores a 30 MHz e com todas as seguintes características, e componentes especialmente concebidos para os mesmos:

1. Largura de banda instantânea igual ou superior a 10 MHz; e

2. Capacidade de encontrar uma linha de ligação com radiotransmissores não cooperantes com uma duração de sinal inferiora 1 ms.

f.

Equipamento de interferência especialmente concebido ou alterado para, intencional e selctivamente, interferir, recusar, inibir, degradar ou seduzir serviços de telecomunicações móveis celulares, com qualquer das seguintes características, e componentes especialmente concebidos para os mesmos:

1. Simulação das funções de equipamento de rede radiofónica (RAN); ou

2. Detecção e exploração das características específicas do protocolo de telecomunicações móveis utilizado (p. ex., GSM).

5A1Sistemas, equipamentos e componentes Nota técnica: a.

Equipamentos concebidos ou modificados para veículos aéreos tripulados ou satélites;

b.

Equipamento instalado no solo concebido ou modificado para aplicações terrestres ou marítimas;

c.

Equipamento concebido para serviços de GNSS comerciais, civis ou de salvaguarda da vida (por exemplo, integridade de dados, segurança de voo).

5B1Equipamentos de ensaio, de inspecção e de produção

5B001a. Equipamentos, bem como componentes e acessórios especialmente concebidos para os mesmos, especialmente concebidos para o desenvolvimento, produção ou utilização dos equipamentos, funções ou elementos referidos em 5A001, 5B001, 5D001 ou 5E001. Nota: 5B001.a. não abrange equipamentos de caracterização de fibras ópticas.

b.

Equipamentos, bem como componentes e acessórios especialmente concebidos para os mesmos, especialmente concebidos para o desenvolvimento de qualquer dos seguintes equipamentos de transmissão de telecomunicações ou de comutação:

1. Nota técnica:

Equipamentos que utilizem técnicas digitais concebidos para funcionar com um débito total de transferência digital superior a 15 Gbits/s; No caso dos equipamentos de comutação, o débito total de transferência digital mede-se na porta ou na linha em que a velocidade é mais elevada.

2. Equipamentos que utilizem laser e tenham uma das seguintes características:

2. a.

Comprimento de onda de transmissão superior a 1750 nm;

b.

Realizarem a amplificação óptica;

c.

Utilizarem técnicas de transmissão óptica coerente ou de detecção óptica coerente (também denominadas técnicas ópticas heteródinas ou homódinas); ou

d.

Utilizarem técnicas analógicas e terem uma largura de banda superior a 2,5 GHz; Nota: 5B001.b.2.d. não abrange os equipamentos de controlo especialmente concebidos para o desenvolvimento de sistemas de televisão comerciais.

3. Equipamentos que utilizem comutação óptica;

4. Equipamentos de radiocomunicações que utilize técnicas de modulação de amplitude em quadratura (QAM) acima do nível 256; ou

5. Equipamentos que funcionem em sinalização por canal comum no modo não associado.

5C1Materiais Nada

5D1Suporte lógico

5D101Suportes lógicos especialmente concebidos ou modificados para a utilização dos equipamentos referidos em 5A101.

5D001a. Suportes lógicos especialmente concebidos ou modificados para o desenvolvimento, produção ou utilização dos equipamentos, funções ou elementos referidos em 5A001 ou 5B001;

b.

Suportes lógicos especialmente concebidos ou modificados para apoio à tecnologia abrangida pelo ponto 5E001;

c.

Suportes lógicos específicos especialmente concebidos ou modificados para fornecer características, funções ou elementos de equipamentos referidos em 5A001 ou 5B001;

d.

Suportes lógicos especialmente concebidos ou modificados para o desenvolvimento de qualquer dos seguintes equipamentos de transmissão de telecomunicações ou de comutação:

1. Nota técnica:

Equipamentos que utilizem técnicas digitais concebidos para funcionarem a um débito total de transferência digital superior a 15 Gbits/s; No caso dos equipamentos de comutação, o débito total de transferência digital mede-se na porta ou na linha em que a velocidade é mais elevada.

2. Equipamentos que utilizem laser e tenham uma das seguintes características:

2. a.

Comprimento de onda de transmissão superior a 1750 nm; ou

b.

Utilizarem técnicas analógicas e terem uma largura de banda superior a 2,5 GHz; Nota: 5D001.d.2.b. não abrange os suportes lógicos especialmente concebidos ou modificados para o desenvolvimento de sistemas de televisão comerciais.

3. Equipamentos que utilizem técnicas de comutação óptica; ou

4. Equipamentos de radiocomunicações que utilizem técnicas de modulação de amplitude em quadratura (QAM) acima do nível 256.

5E1Tecnologia

5E101Tecnologia na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o desenvolvimento, produção ou utilização dos equipamentos referidos em 5A101.

5E001a. Tecnologia, na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o desenvolvimento, produção ou utilização (excluindo a exploração) de equipamentos, funções ou elementos, materiais ou suportes lógicos referidos em 5A001, 5B001 ou 5D001.

b.

Tecnologias específicas:

1. Tecnologianecessária ao desenvolvimento ou produção de equipamentos de telecomunicações especialmente concebidos para utilização a bordo de satélites;

2. Tecnologia para o desenvolvimento ou utilização de técnicas de comunicação por laser que possibilitem a aquisição e o seguimento automáticos de sinais e a manutenção de comunicações através da exoatmosfera ou abaixo da superfície (água);

3. Tecnologia para o desenvolvimento de equipamento receptor para estações de base de radiocomunicações celulares digitais cujas capacidades de recepção que permitem o funcionamento multibanda, multicanal, multimodo, multialgoritmo de codificação de multiprotocolo possam ser modificadas por alterações no suporte lógico.

4. Tecnologia para o desenvolvimento de técnicas de espectro alargado, incluindo técnicas de salto de frequência.

c.

Tecnologia na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o desenvolvimento ou produção de qualquer dos seguintes equipamentos, funções ou características de transmissão de telecomunicações ou de comutação:

1. Nota técnica:

Equipamentos que utilizem técnicas digitais concebidos para funcionar a um débito total de transferência digital superior a 15 Gbits/s; No caso dos equipamentos de comutação, o débito total de transferência digital mede-se na porta ou na linha em que a velocidade é mais elevada.

2. Equipamentos que utilizem laser e tenham uma das seguintes características:

2. a.

Comprimento de onda de transmissão superior a 1750 nm;

b.

Efectuarem amplificação óptica utilizando amplificadores de fibras fluoretadas com adição de praseodímio (PDFFA);

c.

Utilizarem técnicas de transmissão óptica coerente ou de detecção óptica coerente (também denominadas técnicas ópticas heteródinas ou homódinas);

d.

Utilizarem técnicas de multiplexagem por divisão do comprimentos de onda que excedam 8 portadores ópticos numa única janela óptica; ou

e.

Utilizarem técnicas analógicas e terem uma largura de banda superior a 2,5 GHz; Nota: 5E001.c.2.e. não abrange a tecnologia para o desenvolvimento ou produção de sistemas de televisão comerciais.

3. Equipamentos que utilizem comutação óptica;

4. Equipamentos de radiocomunicações que utilizem:

4. a.

Técnicas de modulação de amplitude em quadratura (QAM) acima do nível 256; ou

b.

Frequências de entrada ou de saída superiores a 31,8 GHz; ou Nota: 5E001.c.4.b. não abrange a tecnologia para o desenvolvimento ou produção de equipamentos concebidos ou modificados para funcionar em qualquer banda de frequências atribuída pela UIT para serviços de radiocomunicações, mas não para radiodeterminação.

5. Equipamentos que funcionem em sinalização por canal comum no modo não associado.

PARTE 2 Nota 3: Nota técnica: SEGURANÇA DA INFORMAÇÃO Nota sobre criptografia

Nota 1: O estatuto dos equipamentos, suportes lógicos, sistemas, conjuntos electrónicos específicos de aplicação, módulos, circuitos integrados, componentes ou funções que garantem a segurança da informação é definido na categoria 5, parte 2, ainda que se trate de componentes ou conjuntos electrónicos de outros equipamentos. Nota 2: A categoria 5, parte 2 não abrange produtos que acompanhem o utilizador para sua utilização pessoal. 5A002 e 5D002 não abrangem bens com todas as seguintes características: Na Categoria 5, Parte 2, os bits de paridade não se encontram incluídos no comprimento do código.

Nota 3: SEGURANÇA DA INFORMAÇÃO Nota sobre criptografia

a.

Estarem geralmente à disposição do público para venda sem restrições, em postos de venda a retalho, através de qualquer um dos seguintes tipos de transacções:

1. Venda directa;

2. Venda por correspondência;

3. Transacção electrónica; ou

4. Encomenda por telefone;

b.

A respectiva funcionalidade criptográfica não poder ser facilmente alterada pelo utilizador;

c.

Serem concebidos para serem instalados pelo utilizador sem necessidade de assistência técnica importante por parte do fornecedor; e

d.

As suas particularidades poderem, se necessário, ser fornecidas, a pedido, às autoridades competentes do Estado-Membro em que o exportador se encontra estabelecido, para que verifiquem se as mesmas correspondem ou não às características enumeradas nas alíneas a. a c. supra.

Nota 3: Nota técnica: SEGURANÇA DA INFORMAÇÃO Nota sobre criptografia

5A2Sistemas, equipamentos e componentes 5A002a. Nota técnica:

Sistemas, equipamentos, conjuntos electrónicos específicos de aplicação, módulos e circuitos integrados destinados à segurança da informação, bem como outros componentes especialmente concebidos para os mesmos: N.B.: No que respeita aos sistemas de navegação global por satélite com equipamentos que contenham ou utilizem descodificação (por ex., GPS ou GLONASS), ver 7A005. A criptografia quântica é também conhecida por distribuição de chave quântica (QKD). Nota: 5A002 não abrange:

5A2Sistemas, equipamentos e componentes 5A002a.

1. Notas técnicas:

Concebidos ou modificados para a utilização de criptografia com recurso a técnicas digitais que desempenhem qualquer função criptográfica que não seja a autenticação ou a assinatura digital, com uma das seguintes características: Nota: 5A002.a.1 inclui os equipamentos concebidos ou modificados para a utilização da criptografia empregando princípios analógicos, sempre que aplicados com técnicas digitais.

1. Funções de autenticação e de assinatura digital incluindo a respectiva função associada de gestão do código.

2. A autenticação inclui todos os aspectos de controlo do acesso nos casos em que não existe criptagem dos ficheiros ou do texto, excepto no que diz directamente respeito à protecção de senhas (passwords), números de identificação pessoais (PIN) ou dados semelhantes, a fim de impedir o acesso não autorizado.

3. A criptografia não inclui a compressão fixa dos dados nem as técnicas de codificação.

a.

Um algoritmo simétrico com um comprimento de chave superior a 56 bits; ou

b.

Um algoritmo assimétrico em que a segurança do algoritmo se baseie numa das seguintes características:

1. Factorização de inteiros superior a 512 bits (p.ex., RSA);

2. Computação de logaritmos discretos num grupo multiplicativo de um campo finito de dimensão superior a 512 bits (p.ex., Diffie-Hellman sobre Z/pZ); ou

3. Logaritmos discretos num grupo diferente dos mencionados em 5A002.a.1.b.2. acima de 112 bits (p.ex., Diffie-Hellman sobre uma curva elíptica);

2. Concebidos ou modificados para desempenhar funções criptanalíticas;

3. Não utilizado;

4. Especialmente concebidos ou modificados para reduzir as emanações comprometedoras dos sinais portadores de informação para além do exigido pelas normas relativas à saúde, à segurança ou às interferências electromagnéticas;

5. Concebidos ou modificados para a utilização de técnicas criptográficas para gerar o código de alargamento para sistemas de espectro alargado, e não referidos em 5A002.a.6., incluindo o código de salto para sistemas de salto frequência;

6. Concebidos ou modificados para a utilização de técnicas criptográficas para gerar códigos de encaminhamento, códigos de distorção/criptagem ou códigos de identificação de redes, para sistemas que utilizem técnicas de modulação de banda ultralarga, com qualquer das seguintes características:

6. a.

Largura de banda superior a 500 MHz; ou

b.

Uma largura de banda fraccionada de, pelo menos, 20 %.

7. Não utilizado;

8. Sistemas de comunicações por cabo concebidos ou modificados por meios mecânicos, eléctricos ou electrónicos, para detectar intrusões sub-reptícias;

9. Concebidos ou modificados para utilizar a criptografia quântica.

5A2Sistemas, equipamentos e componentes 5A002a. Nota técnica: a.

Cartões inteligentes personalizados: N.B.: Se um cartão inteligente personalizado tiver funções múltiplas, o estatuto de cada função deverá ser avaliado individualmente.

1. Se tiverem uma capacidade criptográfica restrita para utilização em equipamentos ou sistemas excluídos dos controlos previstos nas alíneas b. a f. da presente Nota; ou

2. Para aplicações destinadas ao público em geral, se a capacidade criptográfica não for acessível aos utilizadores e for especialmente concebida e limitada para permitir a protecção dos dados pessoais neles registados.

b.

Equipamentos receptores de radiodifusão, televisão por assinatura ou modalidades de radiodifusão semelhantes, com audiência restrita para consumo e sem cifragem digital, com excepção da exclusivamente utilizada para o envio de dados de consumo ou informações relacionadas com os programas radiodifusores.

c.

Equipamentos cuja capacidade criptográfica não seja acessível ao utilizador e que sejam especialmente concebidos e limitados para permitir uma das seguintes operações:

1. Execução de suportes lógicos protegidos contra cópia;

2. Acesso a um dos seguintes

2. a.

Conteúdos protegidos contra cópia armazenados em meios que apenas autorizem a leitura; ou

b.

Informações armazenadas sob forma ou num meio cifrado (p.ex., relacionadas com a protecção dos direitos de propriedade intelectual) sempre que o meio seja oferecido para venda ao público em conjuntos idênticos;

3. Controlo da cópia de dados áudio/vídeo protegidos por direitos de autor; ou

4. Codificação e/ou descodificação para a protecção de bibliotecas, atributos de concepção ou dados associados para a concepção de aparelhos semicondutores ou circuitos integrados;

d. Nota técnica:

Equipamentos de cifragem especialmente concebidos e limitados à utilização bancária ou transacções a dinheiro; O termo transacções a dinheiro em 5A002, nota d., inclui a cobrança e o pagamento de taxas ou funções de crédito.

e.

Radiotelefones portáteis ou móveis para utilização civil (p.ex., para utilização em sistemas de radiocomunicações celulares civis comerciais) sem capacidade de cifragem de extremo a extremo;

f.

Equipamentos de telefones sem fio sem capacidade de cifragem de extremo a extremo sempre que o raio de acção máximo efectivo de funcionamento sem fio e sem amplificação (ou seja, um único salto sem retransmissão entre o terminal e a estação de base) seja inferior a 400 metros, segundo as especificações do fabricante.

5B2Equipamentos de ensaio, de inspecção e de produção

5B002a. Equipamentos especialmente concebidos para:

5B002a.

1. O desenvolvimento de equipamentos ou funções referidos em 5A002, 5B002, 5D002 ou 5E002, incluindo equipamentos de medição ou de ensaio;

2. A produção de equipamentos ou funções referidos em 5A002, 5B002, 5D002 ou 5E002, incluindo equipamentos de medição, de ensaio, de reparação ou de produção;

b.

Equipamentos de medição especialmente concebidos para avaliar e validar as funções de segurança da informação referidas em 5A002 ou 5D002.

5C2Materiais Nada.

5D2Suporte lógico

Nota: 5D002 não abrange:

5D002a. Suportes lógicos especialmente concebidos ou modificados para o desenvolvimento, produção ou utilização de equipamentos ou suportes lógicos referidos em 5A002, 5B002 ou 5D002;

b.

Suportes lógicos especialmente concebidos ou modificados para suporte da tecnologia referida em 5E002;

c.

Suportes lógicos específicos:

1. Suportes lógicos que apresentem as características ou realizem ou simulem as funções dos equipamentos referidos em 5A002 ou 5B002;

2. Suportes lógicos destinados a certificar os suportes lógicos referidos em 5D002.c.1.;

a.

Suportes lógicosnecessários à utilização de equipamentos excluídos do controlo nos termos das notas relativas a 5A002;

b.

Suportes lógicos que assegurem qualquer uma das funções dos equipamentos excluídos do controlo nos termos da nota relativa a 5A002.

5E2Tecnologia

5E002Tecnologia na acepção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o desenvolvimento, produção ou utilização de equipamentos ou suportes lógicos referidos em 5A002, 5B002 ou 5D002.

CATEGORIA 6 SENSORES E LASERS

6ASistemas, equipamentos e componentes a.

1. a.

Sondas de profundidade que operem na vertical abaixo do aparelho, não possuam uma função de varrimento com capacidade superior a ± 20.° e estejam limitadas à medição da profundidade da água ou da distância a objectos submersos ou enterrados ou à detecção de cardumes;

b.

Balizas acústicas com as seguintes características:

1. Balizas acústicas de emergência;

2. Balizas (pingers) especialmente concebidas para relocalização ou retorno a uma posição subaquática.

a.

Sistemas de levantamento batimétrico de faixa explorada larga para o levantamento topográfico dos fundos marinhos, com todas as seguintes características:

1. Estarem concebidos para efectuar medições em ângulos superiores a 20° relativamente à vertical;

2. Estarem concebidos para medir profundidades superiores a 600 m abaixo da superfície da água; e

3. Estarem concebidos para permitir:

3. a.

A inclusão de feixes múltiplos, cada um dos quais inferior a 1,9.°; ou

b.

Uma precisão dos dados superior a 0,3 % da profundidade da água em toda a largura da faixa explorada, traduzindo este valor a precisão média das medições efectuadas.

b.

1. Frequência de transmissão inferior a 10 kHz;

2. Nível de pressão sonora superior a 224 dB (referência: 1 μPa a 1 m), no que se refere aos equipamentos com frequência de funcionamento na banda compreendida entre 10 kHz e 24 kHz, inclusive;

Mais 995 disposições não são mostradas aqui; cada uma tem o seu próprio endereço.

Versões

1. 2006-02-27