Adresse https://gelex.eu/eli/EU/act/2014/1382@2014-10-22/da

Indhold

1. Indledning
2. 1. Artikel 1
   2. Artikel 2
3. ANNEX
4. BILAG
5. BILAG I Liste som omhandlet i artikel 3 i denne forordning
6. LISTE OVER PRODUKTER MED DOBBELT ANVENDELSE
7. a.
8. 1. a.
9. b.
10. c.
11. d.
12. e.
13. f.
14. KATEGORI 0 NUKLEARE MATERIALER OG FACILITETER SAMT NUKLEART UDSTYR
15. 0A a.
16. 0B Teknisk note:
17. 0B a.
18. 7. a.
19. 13. a.
20. 14. a.
21. 5. a.
22. 6. a.
23. 0C a.
24. KATEGORI 1 SÆRLIGE MATERIALER OG TILHØRENDE UDSTYR
25. 1A Teknisk note: 1.2. Tekniske noter: 1.2. Teknisk note: Teknisk note:
26. 1A a.
27. 1. a.
28. 4. a.
29. 1A Teknisk note: 1.2. a.
30. 1A Teknisk note: 1.2. Tekniske noter: 1.2. a.
31. 1A Teknisk note: 1.2. Tekniske noter: 1.2. Teknisk note: a.
32. 1B Teknisk note: 1.2. Teknisk note:
33. 1B a.
34. 1B Teknisk note: 1.2. a.
35. a.
36. b.
37. c.
38. 1C Teknisk note: Tekniske noter: 1.2.3. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: 1.2. Teknisk note: 1.2. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note 1: Teknisk note 2: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Tekniske noter: 1.2.3.
39. 1C Teknisk note: a.
40. a.
41. b.
42. c.
43. 1. Teknisk note:
44. 1. a.
45. d.
46. 1C Teknisk note: Tekniske noter: 1.2.3. a.
47. 1. a.
48. 2. a.
49. 3. a.
50. 4. a.
51. 5. a.
52. 1. Teknisk note:
53. 1C Teknisk note: Tekniske noter: 1.2.3. Teknisk note: a.
54. 1. Teknisk note:
55. 2. Teknisk note:
56. 3. a.
57. 1. a.
58. 1C Teknisk note: Tekniske noter: 1.2.3. Teknisk note: Teknisk note:
59. 4. a.
60. 1. a.
61. 2. a.
62. 1C Teknisk note: Tekniske noter: 1.2.3. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: 1.2. a.
63. a.
64. b.
65. c.
66. d.
67. 1C Teknisk note: Tekniske noter: 1.2.3. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: 1.2. Teknisk note: 1.2. d.
68. 1. a.
69. 2. a.
70. a.
71. b.
72. a. 1C011 a.Teknisk note:
73. 1C Teknisk note: Tekniske noter: 1.2.3. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: 1.2. Teknisk note: 1.2. Teknisk note: a.
74. a.
75. b.
76. 1C Teknisk note: Tekniske noter: 1.2.3. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: 1.2. Teknisk note: 1.2. Teknisk note: Teknisk note: a.
77. 1. Teknisk note:
78. 2. a. Teknisk note:
79. 3. a.
80. 4. a.
81. 5. Teknisk note:
82. 5. a.
83. 6. a.
84. 1C Teknisk note: Tekniske noter: 1.2.3. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: 1.2. Teknisk note: 1.2. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note 1:
85. 1C Teknisk note: Tekniske noter: 1.2.3. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: 1.2. Teknisk note: 1.2. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note 1: Teknisk note 2: a.
86. 1. a.
87. 2. a.
88. 1C Teknisk note: Tekniske noter: 1.2.3. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: 1.2. Teknisk note: 1.2. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note 1: Teknisk note 2: Teknisk note: a.
89. 1C Teknisk note: Tekniske noter: 1.2.3. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: 1.2. Teknisk note: 1.2. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note 1: Teknisk note 2: Teknisk note: Teknisk note: a.
90. 1C Teknisk note: Tekniske noter: 1.2.3. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: 1.2. Teknisk note: 1.2. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note 1: Teknisk note 2: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: a.
91. 1C Teknisk note: Tekniske noter: 1.2.3. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: 1.2. Teknisk note: 1.2. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note 1: Teknisk note 2: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: a.
92. 1C Teknisk note: Tekniske noter: 1.2.3. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: 1.2. Teknisk note: 1.2. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note 1: Teknisk note 2: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: a.
93. 1C Teknisk note: Tekniske noter: 1.2.3. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: 1.2. Teknisk note: 1.2. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note 1: Teknisk note 2: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: a.
94. 4. a.
95. 6. Teknisk note:
96. 5. a.
97. 1E a.
98. 1. a.
99. 3. a.
100. KATEGORI 2 MATERIALEBEHANDLING
101. 2A Teknisk note:
102. 2A a.
103. 2. a.
104. 2B Teknisk note: 1.2.3.4.5.6. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Tekniske noter: 1.2. Tekniske noter: 1.2. Teknisk note: 1.2.
105. 2B Teknisk note: 1.2. a.
106. 2B Teknisk note: 1.2.3.4.5. a.
107. 2B Teknisk note: 1.2.3.4.5.6. a.
108. a.
109. b.
110. 1. a.
111. 2. a.
112. 4. a.
113. c.
114. 2B Teknisk note: 1.2.3.4.5.6. Teknisk note:
115. 2B Teknisk note: 1.2.3.4.5.6. Teknisk note: Teknisk note: a.
116. 1. a.
117. 2. a.
118. 1. Teknisk note:
119. 1. a.
120. 2. a.
121. 2B Teknisk note: 1.2.3.4.5.6. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: a.
122. 2B Teknisk note: 1.2.3.4.5.6. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: a.
123. 2B Teknisk note: 1.2.3.4.5.6. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: a.
124. 1. a.
125. a.
126. b.
127. 2B Teknisk note: 1.2.3.4.5.6. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: a. Teknisk note:
128. 2B Teknisk note: 1.2.3.4.5.6. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: a.
129. 2B Teknisk note: 1.2.3.4.5.6. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: a.
130. 2B Teknisk note: 1.2.3.4.5.6. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Tekniske noter: 1.2. a.
131. 2B Teknisk note: 1.2.3.4.5.6. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Tekniske noter: 1.2. Tekniske noter: 1.2. a.
132. 1. a.
133. 2. a.
134. 3. a.
135. a.
136. b.
137. c.
138. d.
139. e.
140. f.
141. g.
142. h.
143. i.
144. 2. a.
145. 1. a.
146. 2D a.
147. 2E Skema 1.2.3.A.B.B.1.B.2.B.3.B.4.C.D.E.F.G. Udfældningsteknik
148. 2E a.
149. 1. a.
150. 2. a.
151. a.
152. b.
153. c.
154. d.
155. e.
156. f.
157. g.
158. KATEGORI 3 ELEKTRONIK
159. 3A Tekniske noter: 1.2. Tekniske noter: 1.2. Tekniske noter: 1.2. Tekniske noter: 1.2.
160. 3A a.
161. 1. a.
162. 2. a.
163. 5. Tekniske noter: 1.2.3.4.5.6.7.8.9. 3A001 a. 5.Tekniske noter: 1.2.3.4.
164. 5. a.
165. 5. Tekniske noter: 1.2.3.4.5.6.7.8.9. b.
166. 2. a.
167. 6. a.
168. 7. 3A001 a. 7.Tekniske noter: 1.2.3.
169. 7. a.
170. 10. a.
171. 11. a.
172. 12. Teknisk note:
173. 13. Teknisk note:
174. 13. a.
175. 4. a.
176. 3. a.
177. 4. a.
178. 3. Teknisk note:
179. 8. a.
180. 9. Tekniske noter: 1.2.
181. 9. a.
182. 10. Teknisk note:
183. 1. Teknisk note:
184. 1. Teknisk note: 1.2.3.4.
185. 4. Teknisk note:
186. 5. Tekniske noter: 1.2.
187. 6. Teknisk note:
188. 3. Teknisk note:
189. 3A Tekniske noter: 1.2. a.
190. 1. a.
191. 2. a.
192. 3A Tekniske noter: 1.2. Tekniske noter: 1.2. a.
193. 3A Tekniske noter: 1.2. Tekniske noter: 1.2. Tekniske noter: 1.2. a.
194. 3B a.
195. 1. a.
196. 3. a.
197. 3C a.
198. 3D Teknisk note:
199. 3E a.
200. KATEGORI 4 COMPUTERE
201. 4A a.
202. 4D a.
203. 4E a.
204. Forkortelser i denne tekniske note
205. APP-beregningsmetoden i korte træk 1.2.3.4. Teknisk note:
206. KATEGORI 5 TELEKOMMUNIKATION OG INFORMATIONSSIKKERHED
207. DEL 1 TELEKOMMUNIKATION
208. 5A1 Teknisk note:
209. 5A1 a.
210. 1. a.
211. 2. a.
212. 3. a.
213. a.
214. b.
215. 4. a.
216. 5. Tekniske noter:
217. 5. a.
218. 6. Teknisk note: 1.2.
219. a.
220. b.
221. c.
222. 5B1 a.
223. 2. a.

EUROPA-KOMMISSIONEN HAR —

under henvisning til traktaten om Den Europæiske Unions funktionsmåde,

under henvisning til Rådets forordning (EF) nr. 428/2009 af 5. maj 2009 om en fællesskabsordning for kontrol med udførsel, overførsel, mæglervirksomhed og transit i forbindelse med produkter med dobbelt anvendelse, særlig artikel 15, stk. 3, og

ud fra følgende betragtninger:

(1) Ifølge Rådets forordning (EF) nr. 428/2009 skal produkter med dobbelt anvendelse underkastes effektiv kontrol, når de udføres fra eller er i transit gennem Unionen eller leveres til et tredjeland som følge af mæglervirksomhed fra en mægler, der er hjemmehørende eller har hjemsted i Unionen.

(2) Bilag I til forordning (EF) nr. 428/2009 indeholder den fælles liste over produkter med dobbelt anvendelse, som er underlagt kontrol i Unionen. Beslutninger om produkter, der er underkastet kontrol, træffes inden for rammerne af Australiengruppen, Missile Technology Control Regime, Gruppen af Leverandører af Nukleart Materiale, Wassenaararrangementet og konventionen om forbud mod kemiske våben.

(3) Listen over produkter med dobbelt anvendelse i bilag I til forordning (EF) nr. 428/2009 ajourføres regelmæssigt med henblik på at sikre fuld overholdelse af internationale sikkerhedsforpligtelser, sikre gennemsigtigheden og opretholde eksportvirksomhedernes konkurrenceevne. For at lette overskueligheden for eksportkontrolmyndighederne og eksportvirksomhederne bør der offentliggøres en ajourført og konsolideret udgave af bilag I til forordning (EF) nr. 428/2009.

(4) Ved forordning (EF) nr. 428/2009 tillægges Kommissionen beføjelser til at ajourføre listen over produkter med dobbelt anvendelse i bilag I ved hjælp af delegerede retsakter i overensstemmelse med de relevante forpligtelser og tilsagn ligesom alle ændringer heraf, som medlemsstaterne har accepteret som medlemmer i de internationale ikke-spredningsregimer og eksportkontrolregimer eller ved ratifikation af relevante internationale traktater.

(5) Forordning (EF) nr. 428/2009 bør derfor ændres i overensstemmelse hermed —

VEDTAGET DENNE FORORDNING:

Artikel 1

Bilag I til forordning (EF) nr. 428/2009 erstattes af teksten i bilaget til nærværende forordning.

Artikel 2

Denne forordning træder i kraft dagen efter offentliggørelsen i Den Europæiske Unions Tidende.

Denne forordning er bindende i alle enkeltheder og gælder umiddelbart i hver medlemsstat. Udfærdiget i Bruxelles, den 22. oktober 2014. På Kommissionens vegne José Manuel Barroso Formand

ANNEX

BILAG

BILAG I Liste som omhandlet i artikel 3 i denne forordning

LISTE OVER PRODUKTER MED DOBBELT ANVENDELSE

Denne liste udgør den tekniske gennemførelse af internationale aftaler om kontrol med produkter med dobbelt anvendelse, herunder Wassenaararrangementet, the Missile Technology Control Regime (MTCR), Gruppen af Leverandører af Nukleart Materiale (NSG), Australiengruppen og konventionen om forbud mod kemiske våben (CWC).

GENERELLE NOTER TIL BILAG I 1.2.3.4.

Med hensyn til produkter, der er konstrueret eller modificeret til militært brug, henvises der til de relevante lister over kontrol med produkter til sådanne formål, der føres af de enkelte medlemsstater. I dette bilag henvises der til disse lister med følgende ordlyd: JF. LIGELEDES KONTROLBESTEMMELSERNE FOR PRODUKTER TIL MILITÆRE FORMÅL. Nærværende kontrolforanstaltninger gælder også ved eksport af et ikkekontrolleret produkt (herunder samlede anlæg), der indeholder en eller flere kontrollerede komponenter, hvis den kontrollerede komponent/de kontrollerede komponenter er hovedbestanddelen af produktet og let kan fjernes eller bruges til andre formål. N.B.: Ved vurderingen af, om den kontrollerede komponent/de kontrollerede komponenter skal betragtes som hovedbestanddel, er det nødvendigt at afveje faktorer såsom kvantitet, værdi og teknologisk knowhow samt andre særlige omstændigheder, der kan betyde, at den kontrollerede komponent/de kontrollerede komponenter må betragtes som hovedbestanddel af produktet. Et produkt, der er opført på listen i dette bilag, omfatter dette produkt enten som nyt eller i brugt tilstand. I nogle tilfælde opføres kemiske stoffer ved navn og CAS-nummer. Listen omfatter kemiske stoffer med samme konstitutionsformel (herunder hydrater) uanset navn eller CAS-nummer. CAS-numrene anføres for at gøre det lettere at identificere et bestemt kemisk stof eller en bestemt blanding uanset nomenklatur. CAS-numrene kan ikke anvendes som de eneste identifikatorer, fordi nogle former af de opførte kemiske stoffer har forskellige CAS-numre, og blandinger, der indeholder et kemisk stof, der er opført på listen, også kan have forskellige CAS-numre.

NOTE VEDRØRENDE NUKLEAR TEKNOLOGI (NTN)

(Læses i forbindelse med afsnit E i kategori 0). Teknologi, der er direkte forbundet med produkter, der kontrolleres i kategori 0, kontrolleres efter bestemmelserne i kategori 0. Teknologi til udvikling, produktion eller brug af et produkt, der er pålagt eksportkontrol, forbliver under eksportkontrol, også når den kan anvendes på et produkt, der ikke er pålagt eksportkontrol. Tilladelse til eksport af ethvert produkt på listen tillader samtidig eksport til samme slutbruger af den teknologi, der minimalt kræves til installation, drift, vedligeholdelse og reparation af produktet. Kontrollen anvendes ikke på teknologi til fri, offentlig anvendelse eller til videnskabelig grundforskning.

GENEREL TEKNOLOGINOTE (GTN)

(Læses i forbindelse med afsnit E i kategori 1-9). Den eksport af teknologi, der kræves til udvikling, produktion eller brug af varer, der er pålagt eksportkontrol i kategori 1-9, kontrolleres i overensstemmelse med bestemmelserne i kategori 1-9. Teknologi, der kræves til udvikling, produktion eller brug af et produkt, der er pålagt eksportkontrol, forbliver under eksportkontrol, også når den kan anvendes på et produkt, der ikke er pålagt eksportkontrol. Kontrollen anvendes ikke på den teknologi, der minimalt kræves til installation, drift, vedligeholdelse (eftersyn) og reparation af de produkter, der ikke er pålagt eksportkontrol, eller hvortil der tidligere er udstedt tilladelse. N.B.: Teknologi, der er specificeret i 1E002.e., 1E002.f., 8E002.a. og 8E002.b., er ikke fritaget. Kontrollen anvendes ikke på teknologi til fri offentlig anvendelse eller til videnskabelig grundforskning eller på de oplysninger, der som minimum kræves til patentansøgninger.

GENEREL SOFTWARENOTE (GSN)

(Bestemmelserne i denne note tilsidesætter al kontrol i afsnit D i kategori 0-9). Kategori 0-9 omfatter ikke software, som opfylder et af følgende:

a.

a. Er almindeligt tilgængelig for offentligheden, idet den: N.B.: Litra a. i den generelle softwarenote fritager ikke software, der er specificeret i kategori 5 — del 2 (Informationssikkerhed)

1. Sælges fra lager i detailhandelen uden begrænsninger ved:

1. a.

Salg over disken

b.

Postordresalg

c.

Elektronisk salg eller

d.

Telefonsalg og

2. Er udviklet til installation af brugeren uden yderligere væsentlig støtte fra leverandøren

b.

Er til fri, offentlig anvendelse, eller

c.

Den minimalt nødvendige objektkode, der kræves til installation, drift, vedligeholdelse (eftersyn) eller reparation af de produkter, hvortil der er udstedt eksporttilladelse. N.B.: Litra c. i den generelle softwarenote fritager ikke software, der er specificeret i kategori 5 — del 2 (Informationssikkerhed)

REDAKTIONEL PRAKSIS I DEN EUROPÆISKE UNIONS TIDENDE

I overensstemmelse med reglerne i pkt. 6.5 på side 108 i Vejledningen i Udformning af EU-publikationer (2011-udgaven) for tekster offentliggjort på engelsk i Den Europæiske Unions Tidende: Teksten i dette bilag følger ovenstående praksis.

anvendes et komma for at adskille det hele tal fra decimalerne (f.eks. 3,67 cm)

anvendes et mellemrum til at angive hele tusinder (f.eks. 100000).

AKRONYMER OG FORKORTELSER, DER ER ANVENDT I DETTE BILAG

Et akronym eller en forkortelse kan, når de anvendes som et defineret udtryk, findes under Definitioner af udtryk, der anvendes i dette bilag. AKRONYM ELLER FORKORTELSE BETYDNING ABEC Annular Bearing Engineers Committee AGMA American Gear Manufacturers' Association AHRS Attitude and Heading Reference Systems AISI American Iron and Steel Institute ALU aritmetisk logikenhed ANSI American National Standards Institute ASTM American Society for Testing and Materials ATC flyvekontrol AVLIS isotopisk separation med atom-damp-laser CAD computer-aided-design (computerstøttet konstruktion) CAS Chemical Abstracts Service CDU kontrol- og visningsenhed CEP circular error probable CNTD styret nukleær, termisk nedbrydning CRISLA kemisk reaktion med isotopisk selektiv laseraktivering CVD kemisk dampudfældning CW kemisk krigsførelse CW (for lasere) continuous wave DME Distance Measuring Equipment (afstandsmålingsradar) DS retningsbestemt størkning EB-PVD electron beam physical vapour deposition (fysisk dampudfældning med elektronstråle) EBU European Broadcasting Union ECM electro-chemical machining (elektrokemisk forarbejdning) ECR electron cyclotron resonance (elektroncyklotronresonans) EDM electrical discharge machines (elektriske udladningsmaskiner) EEPROM electrically erasable programmable read only memory (elektrisk sletbar programmerbar read-only hukommelse) EIA Electronic Industries Association EMC electromagnetic compatibility (elektromagnetisk kompatibilitet) ETSI Det Europæiske Standardiseringsinstitut for Telekommunikation FFT Fast Fourier Transform (Fast Fourier-transformation) GLONASS global navigation satellite system GPS global positioning system (GPS-lokaliseringssystem) HBT hetero-bipolære transistorer HDDR high density digital recording (high density-digitaloptagelse) HEMT high electron mobility transistors (transistorer med høj elektronmobilitet) ICAO International Civil Aviation Organisation IEC International Electro-technical Commission (Den Internationale Elektrotekniske Kommission) IEEE Institute of Electrical and Electronic Engineers IFOV instantanous-field-of-view ILS instrument landing system (instrumentlandingssystem) IRIG inter-range instrumentation group ISA international standard atmosphere (international standardatmosfære) ISAR inverse synthetic aperture radar (radarmode med invers syntetisk blænde) ISO International Organization for Standardization (Den internationale Standardiseringsorganisation) ITU International Telecommunication Union JIS japansk industristandard JT Joule-Thomson LIDAR light detection og ranging LRU line replaceable unit MAC message authentication code Mach forholdet mellem et legemes og lydens hastighed (efter Ernst Mach) MLIS molecular laser isotopic separation (isotopisk separation med molekylær laser) MLS mikrobølgelandingssystemer MOCVD metal organic chemical vapour deposition (metal-organisk kemisk dampudfældning) MRI magnetic resonance imaging (magnetisk resonansbilleddannelse) MTBF mean-time-between-failures Mtops million theoretical operations per second (millioner teoretiske operationer i sekundet) MTTF mean-time-to-failure NBC atom-, biologisk, kemisk NDT non-destructive test (ikkedestruktiv prøvning) PAR precision approach radar (præcisionsindflyvningsradar) PIN personidentifikationsnummer ppm parts per million (dele pr. million) PSD power spectral density (kraftspektertæthed) QAM quadrature-amplitude-modulation (kvadraturamplitudemodulering) RF radiofrekvens SACMA Suppliers of Advanced Composite Materials Association SAR synthetic aperture radar (radarmode med syntetisk blænde) SC enkeltkrystal SLAR sidelooking airborne radar (sidelooking airborne-radarmode) SMPTE Society of Motion Picture and Television Engineers SRA shop replaceable assembly SRAM statisk random-access memory SRM SACMA Recommended Methods (af SACMA anbefalede metoder) SSB single sideband (enkelt sidebånd) SSR secondary surveillance radar (sekundær overvågningsradar) TCSEC trusted computer system evaluation criteria TIR total indicated reading (totalt indikatorudslag) UV ultraviolet UTS trækbrudspænding VOR very high frequency omni-directional range (VHF omnidirectional radio range) YAG yttrium/aluminium garnet (yttrium/aluminium-granat)

DEFINITIONER AF UDTRYK, DER ANVENDES I DETTE BILAG Noter: 1.2. Tekniske noter: 1.2. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note:

Udtryk i enkelt anførselstegn defineres i en teknisk note til det pågældende produkt. Udtryk i dobbelt anførselstegn defineres som følger: N.B.: Efter hvert udtryk henvises der i parentes til de kategorier, hvor udtrykket forekommer. Afstemmelig (6): En lasers evne til at frembringe en kontinuerlig udgangseffekt på alle bølgelængder over et område med flere laser-overgange. En laser med linjevalg frembringer diskrete bølgelængder inden for én laser-overgang og betragtes ikke som afstemmelig. Aksial forskydning (camming) (2): Aksial forskydning ved én omdrejning af hovedspindelen målt i et plan, der er vinkelret på spindlens glatplan, i et punkt, der ligger tæt ved periferien af spindlens glatplan (Ref.: ISO230/1-1986, par.5.63). Aktive flyvestyresystemer (7): Systemer, hvis funktion er at forhindre uønskede bevægelser af flyet og missilet eller strukturelle belastninger ved autonom behandling af udgangssignaler fra et antal sensorer og ved derefter at give de fornødne forebyggende ordrer til udføring af automatisk styring. Aktiv pixel (6,8): Et minimalt (enkelt) element i faststof-array, som har en fotoelektrisk overføringsfunktion, når det udsættes for (elektromagnetisk) bestråling med lys. Alle disponible kompenseringer (2): Efter at der er taget hensyn til alle de praktisk anvendelige metoder, producenten råder over for at nedbringe antallet af systematiske positioneringsfejl i forbindelse med den pågældende værktøjsmaskine eller målefejl i forbindelse med den pågældende koordinatmålingsmaskine. Allokeret af ITU (3, 5): Allokering af frekvensbånd i henhold til den nuværende udgave af Den Internationale Telekommunikationsunions radioreglement til primære, tilladte og sekundære tjenester. N.B.: Supplerende og alternative allokeringer er ikke omfattet. Angle random walk (7): Den fejludvikling ved vinkelaccelerationsmåling over tid, som skyldes hvid støj i vinkeldrejningshastigheden. (IEEE STD 528-2001). APP (4) er lig med Justeret spidsydeevne. Asymmetrisk algoritme (5): Kryptografisk algoritme, der anvender forskellige, matematisk forbundne nøgler til kryptering og dekryptering. N.B.: En almindelig anvendelse af asymmetriske algoritmer er nøglestyring. Atomreaktor (0): En komplet reaktor, der er i stand til at fungere ved en fortsat, styret, selvvedligeholdende fissionskædereaktion. En atomreaktor omfatter alt, hvad der direkte er knyttet til reaktortanken, det udstyr der styrer effektniveauet i kernen, og de komponenter, der normalt indeholder eller kommer i direkte berøring med eller styrer reaktorkernens primære kølemiddel. Bruger Automatisk målfølgning (6): En behandlingsteknik, som automatisk bestemmer og leverer som udgangsværdi en ekstrapoleret værdi af målets sandsynligste position i realtid. Basal gate-transmissionsforsinkelse (3): Den transmissionsforsinkelse, der svarer til den basale gate, der bruges i monolitiske integrerede kredsløb. Den kan for en familie af monolitiske integrerede kredsløb specificeres enten som transmissionsforsinkelsen pr. typisk gate i den pågældende familie eller som den typiske transmissionsforsinkelse pr. gate i den pågældende familie. N.B. 1: Basal gate-transmissionsforsinkelse må ikke forveksles med et komplekst monolitisk integreret kredsløbs input/output-tid. N.B. 2: Familie består af alle integrerede kredsløb, på hvilke følgende anvendes som produktionsmetodologi og -specifikationer bortset fra deres respektive funktioner: Bias (accelerometer) (7): Gennemsnittet i et specificeret tidsrum af et accelerometers udgangssignal målt under specificerede driftsbetingelser, der ikke har korrelation med indgangsacceleration eller rotation. Bias udtrykkes i g eller i meter pr. sekund i anden (g eller m/s2). (IEEE Std 528-2001) (Micro-g lig med 1 × 10-6 g). Bias (gyro) (7): Gennemsnittet i et specificeret tidsrum af gyro-udgangssignalet mål under specificerede driftsbetingelser, der ikke har korrelation med indgangsrotation eller acceleration. Bias udtrykkes normalt i grader pr. time (deg/hr). (IEEE Std 528-2001). Billedforbedring (4): Behandling af eksternt afledte, informationsbærende billeder ved hjælp af algoritmer, som for eksempel tidskompression, filtrering, uddrag, udvælgelse, korrelering, foldning eller transformationer mellem domæner, (f.eks. Fast Fourier-transformation eller Walsh-transformation). Dette omfatter ikke algoritmer, der kun bruger lineære eller drejningstransformationer af et enkelt billede, som for eksempel translation, feature extraction, registrering eller falsk farvning. Billedplansystem (6,8): Et lineært eller todimensionalt plant lag eller en kombination af plane lag af individuelle detektorelementer, eventuelt med udlæsningselektronik, som arbejder i billedplanet. N.B.: En stak af enkelte detektorelementer samt detektorer med to, tre eller fire elementer, er ikke omfattet, forudsat at tidsforsinkelse og integration ikke finder sted i det enkelte element. Bladspidskappe (9): En stationær ring (massiv eller segmenteret), der er fastgjort til indersiden af turbinemotorens beklædning, eller en anordning på den yderste spids af turbinebladet, som primær udgør en gasplombering mellem de stationære og roterende komponenter. Blandet (Commingled) (1): Filament/filament-blanding af termoplastiske fibre og forstærkningsfibre til at fremstille fiberforstærknings/matrix-mix i total fiberform. Blår (1): Et bundt monofilamenter, der sædvanligvis ligger næsten parallelt. Brug (GTN, NTN, alle): Drift, installering (herunder installation på brugsstedet), vedligeholdelse (eftersyn), reparation, hovedreparation og renovering. Brugertilgængelig programmerbarhed (6): En brugers adgang til at indsætte, ændre eller udskifte programmer ved andre midler end: Brændstofcelle (8): En elektrokemisk anordning, der konverterer kemisk energi direkte til jævnstrømselektricitet ved forbrug af brændstof fra en ekstern kilde. Carbonfiberpreforms (1): Ordnet arrangement af ikkecoatede eller coatede fibre, der skal danne en ramme om en del, inden matrix indføres for at danne en komposit. CEP- (circle of equal probability) (7): Et udtryk for nøjagtighed, der defineres som den radius af en cirkel med målet som centrum, på en bestemt afstand, i hvilken 50 % af nyttelasterne rammer. Cirkulationsstyrede antimomentsystemer eller cirkulationsstyrede retningsstyringssystemer (7): Systemer, der bruger luft, der blæses hen over aerodynamiske overflader for at forøge eller styre de kræfter, der dannes af overfladerne. Civile fly (1,3,4,7): De fly, som er opført med typeangivelse i lister over fly med godkendt luftdygtighed, som er offentliggjort af de civile luftfartsmyndigheder, til at flyve på kommercielle nationale eller internationale ruter eller til lovlig civil, privat eller forretningsmæssig brug. N.B.: Se også fly. CW-laser (6): En laser, som producerer en nominelt konstant udgangsintensitet i over 0,25 sekunder. Databaserede referencenavigationssystemer (Data-Based Referenced Navigation (DBRN) (7): Systemer, der som kilder anvender tidligere opmålte geokort, der integreres for at frembringe nøjagtige navigationsoplysninger under dynamiske forhold. Datakilderne omfatter batymetriske kort, stjernekort, gravimetriske kort, magnetiske kort eller digitale tredimensionelle terrænkort. Deformerbare spejle (6) (også betegnet spejle med adaptiv optik): Spejle med: Deltagende stat (7,9): En stat, der deltager i Wassenaararrangementet. (Jf. www.wassenaar.org). Depleteret uran (0): Uran med et isotop-235-indhold, der er mindre end det, der forekommer i naturen. Diffusions-bonding (1,2,9): En faststof samling af mindst to forskellige metalstykker til ét stykke med en samlingsstyrke, der mindst svarer til det svageste materiales styrke, hvis vigtigste funktion er interdiffusion af atomer over interfacet. Digital computer (4,5): Udstyr som i form af en eller flere diskrete variable kan udføre alle følgende funktioner: N.B.: Ændring af en lagret ordresekvens omfatter udskiftning af faste lagerenheder, men ikke fysiske ændringer af fortrådning eller forbindelser. Digital overføringshastighed (d,e,f): Den totale bithastighed af den information, der direkte overføres på nogen type medie. N.B.: Jf. ligeledes total digital overføringshastighed. Direkte hydraulisk presning (2): En deformationsproces, der bruger en væskefyldt, fleksibel blære i direkte kontakt med arbejdsemnet. Driftshastighed (gyro) (7): Den komponent af gyroens udgangssignal, der er funktionelt uafhængig af indgangssignalets rotation. Det udtrykkes som en vinkelhastighed. (IEEE STD 528-2001). Effektivt gram (0,1): Et effektivt gram af et specielt fissilt materiale defineres som følger: Effektorer (2): Gribere, aktive værktøjsenheder og ethvert andet værktøj, der er anbragt på montagepladen på enden af robottens manipulatorarm. N.B.: Aktiv værktøjsenhed: En indretning til at anvende bevægelseskraft, procesenergi eller føleevne på arbejdsemnet. Elektronisk samling (Electronic assembly) (2,3,4,5): Et antal elektroniske komponenter (dvs. kredsløbselementer, diskrete komponenter, integrerede kredsløb osv.), som er indbyrdes forbundet for at udføre en eller flere specifikke funktioner, udskiftelige som en helhed, og normalt adskillelige. N.B. 1: Kredsløbselement: En enkelt aktiv eller passiv funktionel del af et elektronisk kredsløb, som f.eks. en diode, en transistor, en resistor, en kondensator. N.B. 2: Diskret komponent: Et separat pakket kredsløbselement med egne eksterne forbindelser. Elektronisk styrbare fasesystemantenner (5,6): En antenne, som danner en stråle ved hjælp af fasekobling, dvs. at stråleretningen styres af de strålende elementers komplekse fødekoefficienter, og denne stråles retning kan ændres i azimut eller højde, eller begge dele, både ved transmission og modtagelse af et elektrisk signal. Energimaterialer (1): Stoffer eller blandinger, som reagerer kemisk for at frigive den energi, der er nødvendig for deres påtænkte anvendelse. Sprængstoffer, pyrotekniske stoffer og drivstoffer er underklasser af energimaterialer. FADEC-systemer (7,9): Full Authority Digital Engine Control-systemer — digitale elektroniske kontrolsystemer til gasturbinemotorer, der er i stand til at kontrollere motoren autonomt i hele dens funktionsområde fra beordret motorstart til beordret motorstandsning både under normale forhold og under fejlforhold. Fartøjer, der er lettere end luften (9): Balloner og luftskibe, der har behov for varm luft eller andre luftarter, der er lettere end luften, f.eks. helium eller hydrogen, for at kunne lette. Fast (5): Kode- eller kompressionsalgoritmen kan ikke acceptere eksternt givne parametre (f.eks. kryptografiske variable eller nøglevariable) og kan ikke modificeres af brugeren. Fiber- eller trådmateriale (0,1,8): Omfatter: Film-type integreret kredsløb (3): Et system af kredsløbselementer og metalliske forbindelser, der dannes ved udfældning af en tykfilm eller tyndfilm på et isolerende substrat. N.B.: Kredsløbselement: En enkelt aktiv eller passiv funktionsdel af et elektronisk kredsløb som f.eks. en diode, en transistor, en resistor, en kondensator osv. Findeling (Comminution) (1): En proces til bearbejdning af et materiale til partikler ved knusning eller formaling. Flight control optical sensor array (7): Et net af fordelte optiske sensorer med laser-stråler, der skal tilvejebringe tidstro flyvekontroldata med henblik på behandling om bord. Fly (1,7,9): Et luftfartøj med faste vinger, drejelige vinger, roterende vinger (helikopter), kipbar rotor eller kipbar vinge. N.B.: Se også civile fly. Flyvelinjeoptimering (7): En procedure, der minimerer afvigelser fra en firdimensional (rum og tid), ønsket bane på grundlag af maksimering af ydelse eller effektivitet med henblik på missionsopgaver. III/V-forbindelser (3 6): Polykrystallinske eller binære eller komplekse monokrystallinske produkter, der består af grundstoffer i gruppe IIIA og VA i Mendeleevs periodiske klassifikationssystem (gallium-arsenid, gallium-aluminiumarsenid, indiumphosphid, osv.). Forgarn (1): Et bundt (typisk 12-120) af næsten parallelle strenge. N.B.: Streng er et bundt monofilamenter (typisk over 200), som ligger næsten parallelt. Frekvenshop (5): En form for spredt spektrum, i hvilket en enkelt kommunikationskanals sendefrekvens ændres ved en vilkårlig eller pseudo-vilkårlig sekvens af diskrete trin. Frekvensmasketrigger (3) til signalanalysatorer: En mekanisme, hvor triggerfunktionen kan vælge et frekvensområde, der skal påvirkes (trigges) inden for akkvisitionsbåndbredden og samtidig ignorere andre signaler, der måtte være til stede inden for samme akkvisitionsbåndbredde. En frekvensmasketrigger kan indeholde mere end et sæt uafhængige grænser. Frekvensskiftetid (3): Den tid (dvs. forsinkelse), det tager et signal, der kobles fra en specificeret initial udgangsfrekvens, at nå til eller inden for ± 0,05 % af en specificeret endelig udgangsfrekvens. Produkter med et specificeret frekvensområde på under ± 0,05 % omkring deres centerfrekvens kan pr. definition ikke skifte frekvens. Frekvenssynthesizer (3): Enhver form for frekvenskilde uden hensyn til den anvendte metode, der giver flere samtidige eller alternative udgangsfrekvenser fra én eller flere udgange, der styres af, er afledt af eller er afhængig af et mindre antal standard (eller master)-frekvenser. Fri, offentlig anvendelse (GTN, NTN, GSN): Som det anvendes her, henviser udtrykket fri, offentlig anvendelse til teknologi eller software, som er stillet til disposition uden begrænsninger for dets videre udbredelse (begrænsninger i ophavsret undtager ikke teknologi eller software fra at være til fri, offentlig anvendelse). Garn (1): Et bundt snoede strenge. N.B.: Streng er et bundt monofilamenter (typisk over 200), som ligger næsten parallelt. Gasatomisering (1): En proces, der omdanner en strøm af smeltet metallegering til dråber med en diameter af højst 500 μm ved hjælp af en gasstrøm under højt tryk. Geografisk spredt (6): Sensorer anses for at være geografisk spredt, når de hver for sig er mere end 1500 m fra hinanden i nogen retning. Mobile sensorer anses altid for at være geografisk spredt. Gyroer med roterende masse: Gyroer, der anvender en kontinuerligt roterende masse til at måle vinkeldrejning. Hovedelement (4): Et element er, jf. kategori 4, et hovedelement, når dets udskiftningsværdi er mere end 35 % af værdien af det system, det er et element i. Elementværdien er den pris, der er betalt for elementet af den, der har fremstillet eller integreret systemet. Den totale værdi er den normale, internationale salgspris til ikke forretningsmæssigt forbundne købere på fremstillingsstedet eller det sted, hvor forsendelsen sammenbygges. Hovedlager (4): Det primære data- eller instruktionslager for hurtig tilgang fra en centralenhed. Det består af en digital computers interne lager og enhver hierarkisk udvidelse hertil, som for eksempel cache-lager eller udvidet lager med ikke-sekventiel tilgang. Hybridt integreret kredsløb (3): Enhver kombination af et eller flere integrerede kredsløb eller et integreret kredsløb med kredsløbselementer eller diskrete komponenter, der er indbyrdes forbundne for at kunne udføre en eller flere specificerede funktioner, og med alle følgende egenskaber: N.B. 1: Kredsløbselement: En enkelt aktiv eller passiv funktionel del af et elektronisk kredsløb, som f.eks. en diode, en transistor, en resistor, en kondensator. N.B. 2: Diskret komponent: Et separat pakket kredsløbselement med egne eksterne forbindelser. Immunotoksin (1): En konjugation af et cellespecifikt monoklonalt antistof og et toksin eller en underenhed af et toksin, som indvirker selektivt på syge celler. Impulskompression (6): Kodning og behandling af en radarsignalimpuls af lang varighed til kort varighed under bevaring af fordelene ved høj impulsenergi. Impulsvarighed (6): Varigheden af en laser-impuls tiden mellem halveffekt-punkterne på for- og bagkanten af en impuls. Impulslaser (6): En laser, der har en impulsvarighed, som er mindre end eller lig med 0,25 sekunder. Indvendig foring (9): Er egnet som forbindende bond mellem det faste drivstof og huset eller den isolerende foring. Normalt en dispersion af varmebestandige eller isolerende materialer baseret på flydende polymer, som for eksempel carbonfyldt hydroxytermineret polybutadien (HTPB) eller anden polymer med tilsatte hærdningsmidler, der er sprøjtet eller fordelt på beholderens inderflade. Informationssikkerhed (4,5): Alle de midler og funktioner, der sikrer tilgængelighed, hemmeligholdelse eller beskyttelse af information eller kommunikationer, eksklusive midler og funktioner, der har til formål at sikre imod funktionsfejl. Dette omfatter kryptografi, kryptografisk aktivering, kryptoanalyse, beskyttelse mod afslørende udstråling og computersikkerhed. N.B.: Kryptoanalyse: Analyse af et kryptografisk system eller dets input eller output for at udlede konfidentielle variabler eller følsomme data, herunder klar tekst. Intrusionsoftware (4): Software, der er specielt udviklet eller modificeret til at undgå at blive detekteret af overvågningsværktøjer eller modstå beskyttende modforanstaltninger i en computer eller en enhed, der kan tilsluttes et netværk, som kan udføre følgende: Intrusionsoftware omfatter ikke følgende: Apparater, der kan tilsluttes et netværk, omfatter mobile enheder og intelligente målere. Overvågningsværktøjer: software eller hardwareenheder, der overvåger systemadfærd eller processer, der kører på en enhed. Dette omfatter antivirusprodukter (AV), endpoint-sikkerhedsprodukter, personlige sikkerhedsprodukter (PSP), Intrusion Detection Systems (IDS), Intrusion Prevention Systems (IPS) eller firewalls. Beskyttende modforanstaltninger: teknikker beregnet til at garantere en sikker udførelse af en kode såsom Data Execution Prevention (DEP), Address Space Layout Randomisation (ASLR) eller sandkasser (sandboxing). Instrumenteret rækkevidde (6): En radars specificerede, entydige skærmrækkevidde. Intrinsisk magnetisk gradiometer (6): Et enkelt føleelement til magnetisk feltgradient og dertil hørende elektronik, hvis output er et udtryk for den magnetiske feltgradient. N.B.: Jf. ligeledes Magnetisk gradiometer. Isolerede levende kulturer (1): Udtrykket omfatter levende kulturer i dvaletilstand og i tørret tilstand. Isolering (9): Isolering påføres komponenterne i en raketmotor, dvs. huset, dyser, indtag og lukninger, og omfatter det hærdede eller halvhærdede, compounded gummilag, der indeholder et isolerende eller varmebestandigt materiale. Det kan også være integreret som kanter eller flaps til aflastning. Isostatiske presser (2): Udstyr, der er i stand til at sætte et lukket kammer under tryk ved hjælp af forskellige medier (gas, væske, faste partikler osv.) for at skabe et ensartet tryk i alle retninger i kammeret på et arbejdsemne eller materiale. Justeret spidseffekt (4): En justeret maksimal hastighed, hvormed digitale computere udfører additioner og multiplikationer med flydende komma på 64 bits eller mere, og udtrykkes i vægtede teraflops (WT) med enheder af 1012 justerede operationer med flydende komma pr. sekund. N.B.: Se kategori 4, teknisk note. Kemikalier til oprørskontrol (1): Stoffer, som — under de forventede anvendelsesbetingelser med henblik på oprørskontrol — hos mennesker hurtigt fremkalder sensorisk irritation eller invaliderende fysiske virkninger, som forsvinder kort tid efter eksponeringens ophør. Tåregas er et af flere kemikalier til oprørskontrol. Kemisk blanding (1): Et fast, flydende eller gasholdigt produkt bestående af to eller flere komponenter, mellem hvilke der ikke opstår reaktion under de forhold, hvorunder blandingen opbevares. Kemisk laser (6): En laser, hvor exciteringen frembringes ved udgangsenergien fra en kemisk reaktion. Kildekode (eller kildesprog) (6,7,9): Et praktisk udtryk for en eller flere processer, der med et programmeringssystem kan omdannes til maskineksekverbar form (objektkode (eller objektsprog)) Kombineret drejebord (2): Et bord, der gør det muligt at dreje og vippe arbejdsemnet om to ikke-parallelle akser, som samtidigt kan koordineres til profilstyring. Kommunikationskanalcontroller (4): Det fysiske interface, der styrer strømmen af synkron eller asynkron digital information. Det er en samling, der kan integreres i computer- eller telekommunikationsudstyr for at give adgang til kommunikation. Kompensationssystemer (6) består af den primære skalære sensor, en eller flere referencesensorer (f.eks. vektormagnetometre) sammen med software, der gør det muligt at nedsætte platformens støj fra det faste legemes rotation. Komposit (1,2,6,8,9): En matrix og én eller flere ekstra faser bestående af partikler, whiskers, fibre eller en kombination af disse, som er til stede for ét eller flere bestemte formål. Konverteringstid (3): Den tid det tager, før konverterens output ligger højst en halv bit fra den endelige værdi, ved enhver variation i signalstyrken. Kritisk temperatur (1,3,5): Et bestemt superledende materiales kritiske temperatur (somme tider kaldet overgangstemperaturen) er den temperatur, hvor materialet mister al modstand mod gennemstrømning af en jævnstrøm. Kryptografi (5): Den disciplin, der omfatter principper, midler og metoder til transformering af data for at skjule deres indhold af information, forhindre, at de ændres, uden at det opdages, eller forhindre uautoriseret brug af dem. Kryptografi omfatter kun omsætning af information ved brug af en eller flere hemmelige parametre (f.eks. kryptovariable) eller tilknyttet nøglestyring. Note: Kryptografi omfatter ikke faste datakomprimerings- eller kodningsteknikker. Hemmelig parameter: En konstant eller nøgle der hemmeligholdes for andre eller kun deles med en gruppe. Kryptografisk aktivering (5): Enhver teknik der aktiverer eller muliggør brug af kryptering ved hjælp af en sikker mekanisme, der er implementeret af produktets producent og er unikt knyttet til det produkt eller den kunde, for hvem krypteringen aktiveres eller gøres mulig (f.eks. en serienummerbaseret licensnøgle eller et autentifikationsinstrumentet såsom et certifikat med digital signatur). Teknikker og mekanismer til kryptografisk aktivering kan implementeres som hardware, software eller teknologi. Krævet (GTN, 1-9): I forbindelse med teknologi bruges udtrykket kun om den del af teknologien, der især er ansvarlig for opnåelse eller overskridelse af de eksportkontrolpålagte ydelsesniveauer, egenskaber eller funktioner. Krævet teknologi kan være fælles for forskellige produkter. Kvantekryptografi (5): En familie af teknikker til etablering af en delt nøgle til kryptografi ved hjælp af måling af de kvantemekaniske egenskaber i et fysisk system (herunder de fysiske egenskaber, der eksplicit styres af kvanteoptik, feltkvanteteori eller kvanteelektrodynamik). Laser (0,2,3,5,6,7,8,9): En samling komponenter, der frembringer både rumligt og tidsligt kohærent lys, der forstærkes ved stimuleret stråling. N.B.: Jf. ligeledes: Kemisk laser Superhøjeffekt-laser Transfer-laser. Linearitet (2) (Normalt målt som ulinearitet): Den maksimale afvigelse hos den aktuelle karakteristik (middelværdi af læsninger op og ned ad skalaen), positive eller negative, fra en lige linje, der er anbragt således, at den udligner og minimerer de maksimale udsving. Lokalnet (LAN) (4,5): Et datakommunikationssystem, som har alle følgende egenskaber: N.B.: Dataenhed: Udstyr, der er i stand til at sende eller modtage sekvenser af digital information. Luftskib (9): Et kraftdrevet luftfartøj, som holdes flyvende af en gasart (sædvanligvis helium, tidligere hydrogen), som er lettere end luft. Magnetisk gradiometer (6): Instrument, der er konstrueret til sporing af rumlig variation af magnetfelter fra kilder uden for instrumentet. Instrumentet består af flere magnetometre og dertil hørende elektronik, hvis output er et udtryk for den magnetiske feltgradient. N.B.: Jf. ligeledes Intrinsisk magnetisk gradiometer. Magnetometer (6): Instrument, der er konstrueret til sporing af magnetfelter fra kilder uden for instrumentet. Instrumentet består af et enkelt element til føling af magnetfelter og dertil hørende elektronik, hvis output er et udtryk for magnetfeltet. Matrix (1, 2, 8, 9): En hovedsageligt kontinuerlig fase, som udfylder rummet mellem partikler, whiskers eller fibre. Mekanisk legering (1): En legeringsproces, der er et resultat af bonding, knusning og rebonding af pulvere af grundstoffer og masterlegeringer ved mekanisk påvirkning. Der kan tilføjes umetalliske partikler til legeringen ved tilsætning af egnede pulvere. Middeludgangseffekt (6): Den samlede laser-udgangsenergi i joule divideret med den periode, i hvilken en serie af på hinanden følgende impulser udsendes. For en serie af impulser med ensartede intervaller svarer den til den samlede laser-udgangsenergi i en enkelt impuls, målt i joule, ganget med laserens pulsfrekvens, i Hertz. Mikrocomputer-mikrokredsløb (3): Et monolitisk integreret kredsløb eller multichip integreret kredsløb, der indeholder en aritmetisk logikenhed (ALU), der er i stand til at udføre en serie generelle ordrer fra et internt lager, på data, der indeholdes i det interne lager. N.B.: Det interne lager kan udvides med et eksternt lager. Mikroprocessor-mikrokredsløb (3): Et monolitisk integreret kredsløb eller multichip integreret kredsløb, der indeholder en aritmetisk logikenhed (ALU), der er i stand til at udføre en serie generelle ordrer fra et eksternt lager. N.B. 1: Et mikroprocessor-mikrokredsløb indeholder normalt ikke integreret, brugertilgængeligt lager, selv om on-the-chip lager kan anvendes til at udføre dets logiske funktion. N.B. 2: Udtrykket omfatter sæt af chips, som er konstrueret til at fungere sammen og udføre et mikroprocessor-mikrokredsløbs funktioner. Mikroorganismer (1,2): Bakterier, vira, mycoplasma, rickettsier, chlamydier eller fungi, hvad enten de er naturlige, forstærkede eller modificerede, enten i form af isolerede levende kulturer eller i form af materiale, der omfatter levende materiale, der forsætligt er inokuleret eller kontamineret med sådanne kulturer. Missiler (1,3,6,7,9): Komplette raketsystemer og ubemandede luftfartøjssystemer, som kan transportere en nyttelast på mindst 500 kg over en afstand af mindst 300 km. Momentan båndbredde (3,5,7): Den båndbredde, over hvilken udgangseffekten forbliver konstant inden for 3 dB uden justering af andre driftsparametre. Monofilament (1) eller filament: En fibers mindste inkrement, sædvanligvis flere μm i diameter. Monolitisk integreret kredsløb (3): En kombination af passive eller aktive kredsløbselementer eller begge disse, som: N.B.: Kredsløbselement: En enkelt aktiv eller passiv funktionsdel af et elektronisk kredsløb som f.eks. en diode, en transistor, en resistor, en kondensator, osv. Monospektrale billedsensorer (6): I stand til indhentning af billeddata fra et diskret spektralbånd. Multichip integreret kredsløb (3): To eller flere monolitisk integrerede kredsløb, der er fæstnet til et fælles substrat. Multispektrale billedsensorer (6): I stand til samtidig eller seriel indhentning af billeddata fra to eller flere diskrete spektralbånd. Sensorer med mere end 20 diskrete spektralbånd kaldes undertiden hyperspektrale billedsensorer. Måleusikkerhed (2): Den karakteristiske parameter, der specificerer, i hvilket område omkring udgangsværdien den korrekte værdi af den målelige variabel ligger, med et konfidensniveau på 95 %. Den omfatter de ukorrigerede systematiske afvigelser, den ukorrigerede dødgang og de vilkårlige afvigelser (ref. ISO 10360-2). Naturligt uran (0): Uran, der indeholder de isotopblandinger, der forekommer i naturen. Network access controller (4): Et fysisk interface til et fordelt koblingsnet. Det bruger et fælles medium, som opererer med den samme digitale overføringshastighed ved brug af arbitration (f.eks. token eller carrier sense) til overførslen. Uafhængigt af alt andet udvælger det datapakker eller datagrupper (f.eks. IEEE 802), der er adresseret til det. Det er en samling, der kan integreres i computer- eller telekommunikationsudstyr for at tilvejebringe kommunikationsadgang. Neural computer (4): En computerindretning, der er konstrueret eller modificeret til at efterligne en neurons eller neuronsamlings opførsel, dvs. en computerindretning, der kendetegnes ved evnen i dens hardware til at modulere vægt og antal af forbindelserne til en række computerkomponenter, baseret på tidligere data. Numerisk styring (2): Automatisk styring af en proces, der udføres af en indretning, der bruger numeriske data, der normalt indføres, efterhånden som operationen skrider frem (Ref.: ISO 2382). Nøjagtighed (2,6): måles normalt som unøjagtighed, en angivet værdis største afvigelse, positiv eller negativ, fra en anerkendt standard eller sand værdi. Objektkode (GSN): En maskineksekverbar form af et praktisk udtryk for en eller flere processer (kildekode (kildesprog)), der er omdannet af et programmeringssystem. Opløsning (2): Et måleapparats mindste inkrement. Ved digitalinstrumenter: Mindst betydende bit (Ref.: ANSI B-89.1.12). Optisk forstærkning (5): I optisk kommunikation en forstærkerteknik, der indfører en forstærkning af optiske signaler, der er dannet af en separat optisk kilde, uden omformning til elektriske signaler, dvs. ved brug af optiske halvlederforstærkere eller lysdannende lyslederforstærkere. Optisk computer (4): En computer, der er konstrueret eller modificeret til at bruge lys til at repræsentere data, og hvis computer-logikelementer er baseret på direkte koblede optiske enheder. Optisk integreret kredsløb (3): Et monolitisk integreret kredsløb eller et hybridt integreret kredsløb, der indeholder en eller flere dele, der er bestemt til at fungere som en fotoføler eller fotoemitter eller til at udføre en eller flere optiske eller elektro-optiske funktioner. Optisk kobling (5): Dirigering eller kobling af signaler i optisk form uden omformning til elektriske signaler. Personligt netværk (5) (PAN): Et datakommunikationssystem, som har alle følgende egenskaber: Dataenhed: Udstyr, der er i stand til at sende eller modtage sekvenser af digital information. Planprofiler med variabel geometri (7): Brug af klapper eller tabs på bagkanten eller slats eller hængslet næsesektion på forkanten, hvis position kan styres under flyvningen. Power management (7): Ændring af højdemålersignalets transmitterende effekt, således at den modtagne effekt på flyets højde altid er på det minimum, der er nødvendigt for at bestemme højden. Primær flyvekontrol (7): En fly-stabilitets- eller manøvreringskontrol, der anvender kraftmomentgeneratorer, dvs. aerodynamiske styreflader eller trækkraftvektorisering. Produktion (GTN, NTN, alle): Alle produktionsstadier som f.eks.: Produktionsforberedelse, fremstilling, integrering, samling (montage), inspektion, afprøvning og kvalitetssikring. Produktionsfaciliteter (7,9): Produktionsudstyr og specielt udviklet software hertil, integreret i installationer til udvikling eller til en eller flere produktions-faser. Produktionsudstyr (1,7,9): Værktøj, skabeloner, opspændingsværktøj, dorne, forme, matricer, opspændingsudstyr, opretningsmekanismer, prøveudstyr, andet maskineri og komponenter hertil, begrænset til dem, der er specielt konstrueret eller modificeret til udvikling eller til en eller flere produktions-faser. Profilstyring (2): To eller flere numerisk styrede bevægelser, der arbejder i overensstemmelse med ordrer, der specificerer den næste krævede position og de krævede fremføringshastigheder til positionen. Disse fremføringshastigheder varieres i forhold til hinanden således at der dannes en ønsket profil (ref. ISO/DIS 2806 – 1980). Program (2, 6): En række ordrer til udførelse af en proces i en form, eller som kan omdannes til en form, der kan udføres af en elektronisk computer. Radarfrekvensagilitet (6): Enhver teknik, der i en pseudo-vilkårlig sekvens omdanner bærefrekvensen i en impulsradarsender mellem impulser eller mellem grupper af impulser med en værdi, der er lig med eller større end impulsbåndbredden. Radar spredt-spektrum (6): Enhver moduleringsteknik til spredning af energi, der stammer fra et signal med et relativt smalt frekvensbånd, over et meget bredere frekvensbånd ved brug af vilkårlig eller pseudo-vilkårlig kodning. Radial forskydning (out-of-true running) (2): Radial forskydning i én omdrejning af hovedspindelen målt i et plan, der er vinkelret på spindelaksen i et punkt på den ydre eller indre roterende overflade, der skal prøves (Ref.: ISO 230/1 1986, par. 5.61). Realtidsbåndbredde (3): For signalanalysatorer det bredeste frekvensområde, for hvilket analysatoren løbende kan omdanne tidsdomænedata fuldt ud til frekvensdomænedata uden at forårsage diskontinuitet i analysen af input-data ved hjælp af Fourier transformation eller andre former for diskret transformation, der omdanner alle indkommende tidspunkter uden gaps eller vindueseffekter, der medfører en reduktion af den målte amplitude på over 3 dB under den faktiske signalamplitude, samtidig med at de omdannede data udlæses eller vises. Relativ båndbredde (3,5): Den momentane båndbredde divideret med centerfrekvensen, udtrykt i procent. Repeterbarhed (7): Overensstemmelse mellem gentagne målinger af den samme variabel under samme driftsbetingelser, når forandringer i betingelserne eller perioder uden drift indtræffer mellem målingerne. (Reference: IEEE STD 528-2001 (en standardafvigelse på 1 sigma)). Robot (2,8): En manipuleringsmekanisme, som kan være af banestyrings- eller punktstyringstypen, som eventuelt bruger sensorer, og som har alle følgende egenskaber: N.B.: Ovenstående definition omfatter ikke følgende indretninger: Roterende atomisering (1): En proces til omdannelse af en strøm eller et reservoir af smeltet metal til dråber med en diameter af højst 500 μm ved hjælp af centrifugalkraft. Rumfartøj (7,9): Aktive og passive satellitter og rumsonder. Rumkvalificeret (3,6,7): Konstrueret, fremstillet eller kvalificeret gennem vellykket prøvning til operation i højder på mere end 100 km over jordens overflade. N.B.: En fastlæggelse af at et specifikt emne er rumkvalificeret på baggrund af prøvning betyder ikke, at andre emner i samme produktionsperiode eller modelserie er rumkvalificeret, hvis ikke de er individuelt prøvet. SHPL er lig med superhøjeffektlaser. Signalanalysatorer (3): Udstyr, der er i stand til at måle og vise elementære egenskaber ved enkeltfrekvenskomponenter i multifrekvenssignaler. Signalbehandling (3,4,5,6): Behandling af eksternt afledte informationsbærende signaler ved hjælp af algoritmer, som for eksempel tidskompression, filtrering, uddrag, selektering, korrelering, foldning eller transformationer mellem domæner (f.eks. Fast Fourier-transformation eller Walsh-transformation). Skalafaktor (gyro eller accelerometer) (7): Ændringsforholdet i output over for en ændring i det input, der skal måles. Skalafaktor beregnes som hældningen af den rette linje, der kan lægges efter de mindste kvadraters metode på input-output data, der fås ved at variere input cyklisk igennem input-området. Smelteekstraktion (1): En proces til hurtigstørkning og ekstraktion af et båndformet legeringsprodukt ved indføring af et kort segment af en roterende, nedkølet blok i et bad af smeltet metallegering. N.B.: Hurtigstørkning: Størkning af smeltet materiale ved nedkølingshastigheder på mere end 1000 K/s. Smeltelig (1): Som kan tværbindes eller polymeriseres yderligere (hærdes) ved hjælp af varme, stråling, katalysatorer osv., eller som kan smeltes uden pyrolyse (forkulning). Smeltespinding (1): En proces til hurtigstørkning af en strøm af smeltet metal, der rammer en roterende, nedkølet blok og derved frembringer et flage-, bånd- eller stavformet produkt. N.B.: Hurtigstørkning: størkning af smeltet materiale ved nedkølingshastigheder på mere end 1000 K/s. Software (GSN,alle): Samling af et eller flere programmer eller mikroprogrammer, der er lejret i et konkret udtryksmedie. N.B.: Mikroprogram En række elementære ordrer, som opbevares i et specielt lager, og hvis udførelse initieres, når dets referenceordre indføres i et ordreregister. Specielt fissilt materiale (0): Defineres som plutonium-239, uran-233, uran, der er beriget med isotoperne 235 eller 233, og materiale, der indeholder disse stoffer. Specifikt modul (0,1,9): Young's modul i pascal, svarende til N/m2 divideret med rumvægten i N/m3 målt ved en temperatur på (296 ± 2) K ((23 ± 2) °C) og en relativ fugtighed på (50 ± 5 %). Specifik trækstyrke (0,1,9): Den maksimale trækstyrke i pascal, svarende til N/m2 divideret med rumvægten i N/m3 målt ved en temperatur på (296 ± 2) K ((23 ± 2) °C) og en relativ fugtighed på (50 ± 5 %). Spidseffekt (6): Den højeste effekt, der kan opnås i impulsvarigheden. Splat Quenching (1): En proces til hurtigstørkning af en strøm af smeltet metal, der rammer en afkølet blok og danner et flageagtigt produkt. N.B.: Hurtigstørkning af smeltet materiale ved nedkølingshastigheder på end 1000 K/s. Spredt spektrum (5): En metode, hvorved energi i en forholdsvis smalbåndet kommunikationskanal spredes over et meget bredere energispektrum. Spredt spektrum radar (6): se Radar spredt-spektrum Sprængstoffer (1): Faste, flydende eller gasformige stoffer eller blandinger af stoffer, der anvendt som primærladninger, boosterladninger eller hovedladninger i sprænghoveder, sprænganordninger og andre anordninger, er nødvendige for at fremkalde en detonation. Stabilitet (7): Standardafvigelse (1 sigma) hos variationen af en bestemt parameter fra dens kalibrerede værdi, målt under stabile temperaturforhold. Dette kan udtrykkes som en funktion af tiden. Stater, der (ikke) er parter i konventionen om kemiske våben (1): Stater for hvilke konventionen om forbud mod udvikling, fremstilling, oplagring og brug af kemiske våben (ikke) er trådt i kraft. (Jf. www.opcw.org). Strålingsfølsomhed (6): Strålingsfølsomhed (mA/W) = 0,807 × (bølgelængde i nm) × kvanteefficiens (QE). QE angives som regel som en procentsats; men i denne formel angives QE som et decimaltal, der er mindre end én, f.eks. 78 % som 0,78. Styreenhed (7): Et system, der integrerer processen med måling og udregning af et fartøjs position og hastighed (dvs. navigation) med beregning og afsendelse af instruktioner til fartøjets flystyringssystem for at korrigere dets bane. Substrat (3): En plade af basismateriale med eller uden forbindelsesmønster, og på eller i hvilket diskrete komponenter eller integrerede kredsløb eller begge dele kan anbringes. N.B. 1: Diskret komponent: Et separat pakket kredsløbselement med egne eksterne forbindelser. N.B. 2: Kredsløbselement: En enkelt aktiv eller passiv funktionel del af et elektronisk kredsløb, som f.eks. en diode, en transistor, en resistor, en kondensator. Substratblanketter (3,6): Monolitiske forbindelser med dimensioner, der er egnede til produktion af optiske elementer som spejle eller optiske vinduer. Superhøjeffektlaser (SHPL) (6): En laser, der er i stand til at yde (helt eller delvis) den udgangseffekt, der overstiger 1 kJ inden for 50 ms, eller som har en middel- eller CW-effekt på mere end 20 kW. Superledende (1,3,5,6,8): Materialer, dvs. metaller, legeringer eller forbindelser, der kan tabe al elektrisk modstand, dvs. som kan opnå uendelig elektrisk ledeevne og føre meget store elektriske strømme uden Joule-opvarmning. N.B.: Et materiales superledende tilstand karakteriseres individuelt af en kritisk temperatur, et kritisk magnetfelt, som er en funktion af temperaturen, og en kritisk strømtæthed, som imidlertid er en funktion af både magnetfelt og temperatur. Superlegeringer (2,9): Legeringer på nikkel-, cobalt- eller jernbasis af en styrke, der er større end nogen legering i AISI 300-serierne ved temperaturer over 922 K (649 °C) under strenge miljø- og driftsmæssige betingelser. Superplastisk formning (1,2): En deformationsproces, der bruger varme til metaller, der normalt karakteriseres ved lave forlængelsesværdier (mindre end 20 %) ved brudpunktet, bestemt ved rumtemperatur ved konventionel trækstyrkeprøvning, for at opnå forlængelser under fremstillingen, der er mindst to gange disse værdier. Symmetrisk algoritme (5): Kryptografisk algoritme, der anvender identiske nøgler til både kryptering og dekryptering. N.B.: En almindelig anvendelse af symmetriske algoritmer er datafortrolighed. System tracks (6): Den behandlede, korrelerede (sammensmeltning af radarmåldata og position på flyveplan) og opdaterede flyverutepositionsrapport, der er til rådighed for flyvelederne på et flyveledercenter. Systolisk array computer (4): En computer, hvor dataflow og modifikation af data kan styres dynamisk på logikportniveau af brugeren. Tape (1): Et materiale, der er opbygget af sammenflettede eller ensrettede monofilamenter, strenge, forgarner, blår eller garner osv., sædvanligvis præimprægneret med harpiks. N.B.: Streng er et bundt monofilamenter (typisk over 200), som ligger næsten parallelt. Teknologi (GTN, NTN, alle): Konkret information, der er nødvendig til udvikling, produktion eller brug af et produkt. Informationen har form af tekniske data eller teknisk assistance. N.B. 1: Teknisk assistance: Kan have forskellige former, som f.eks. instruktion, færdigheder, uddannelse, praktisk erfaring og konsulenttjeneste, og kan omfatte overførsel af tekniske data. N.B. 2: Tekniske data; Kan have form af tegninger, planer, diagrammer, modeller, formler, tabeller, konstruktionsplaner og specifikationer, manualer og instruktioner skrevet eller lagret på andre medier eller apparater som f.eks. disketter, bånd, eller ROM. Tidligere separeret (0,1): Anvendelsen af en proces med det formål at forøge koncentrationen af den kontrollerede isotop. Tidstro behandling (1): Et computersystems behandling af data, der tilvejebringer et krævet serviceniveau afhængigt af de disponible ressourcer inden for en garanteret svartid, uanset belastningen af systemet, ved påvirkning fra en ekstern hændelse. Tidskonstant (6): Den tid, der medgår fra anvendelsen af en lysstimulering, til strømstigningen når en værdi af 1-1/e gange den endelige værdi (dvs. 63 % af den endelige værdi). Til krigsbrug (1): Enhver ændring eller udvælgelse (som f.eks. ændring af renhed, holdbarhedstid, virulens, spredningsegenskaber eller modstandskraft over for UV-stråling), der har til formål at øge effektiviteten med henblik på at dræbe mennesker eller dyr, ødelægge udstyr eller skade afgrøder eller miljøet. Toksiner (1,2): Toksiner i form af forsætligt isolerede præparater eller blandinger, uanset hvordan de er fremstillet, ud over toksiner, der er til stede som kontaminanter i andre materialer, såsom patologisk prøvemateriale, afgrøder, levnedsmidler eller stamkulturer af mikroorganismer. Total digital overføringshastighed (5): Antallet af bit, inklusive linjekodning, overhead osv. pr. tidsenhed, der passerer mellem indbyrdes tilsvarende udstyr i et digitalt transmissionssystem. N.B.: Jf. ligeledes Digital overføringshastighed. Total flyvekontrol (7): En automatiseret kontrol af fly-tilstandsvariabler og flyvelinje med henblik på at opfylde missionsmål under hensyn til realtidsændringer i data vedrørende mål, risici og andre fly. Total strømtæthed (3): Det totale antal amperevindinger i spolen (dvs. summen af antallet af vindinger ganget med den maksimale strøm, der gennemstrømmer hver vinding) divideret med spolens totale tværsnit (inklusive de superledende filamenter, den metalmatrix, i hvilken de superledende filamenter er indlagt, kapslingsmaterialet, eventuelle kølekanaler osv.). Transfer-laser (6): En laser, i hvilken lasermediet exciteres ved overførsel af energi gennem kollision mellem et ikke-strålende atom eller molekyle og et strålende atom eller molekyle. Tredimensionelt integreret kredsløb (3): En samling af halvleder skiver, som er forbundet med hinanden, og som har forbindelser løbende helt igennem mindst en skive for at skabe forbindelser mellem skiverne. Ubemandet luftfartøj (UAV) (9): Et fly, der er i stand til at påbegynde flyvning og opretholde kontrolleret flyvning og navigation uden tilstedeværelse af mennesker om bord. Udvikling (GTN, NTN, alle): Vedrørende alle faser inden masseproduktion, f.eks. konstruktion, konstruktionsresearch, konstruktionsanalyser, konstruktionsprincipper, samling og afprøvning af prototyper, forsøgsproduktion, konstruktionsdata, omsættelse af konstruktionsdata i produkt, formkonstruktion, integrationskonstruktion, layout. UF6-korrosionsbestandigt materiale (0): Kobber, kobberlegeringer, rustfrit stål, aluminium, aluminiumoxid, aluminiumlegeringer, nikkel eller legeringer, der indeholder 60 vægtprocent nikkel eller derover, og fluorerede kulbrintepolymerer. Underenhed af et toksin (1): En i strukturel og funktionel henseende særskilt komponent i et fuldstændigt toksin. Uran, der er beriget med isotoperne 235 eller 233 (0): Uran, der indeholder isotoperne 235 eller 233, eller begge, i sådanne mængder, at isotopforholdet af summen af disse isotoper til isotop 238 er højere end forholdet af isotop 235 til isotop 238, som det forekommer i naturen (isotopforhold: 0,71 %). Vaccine (1): Et medicinsk præparat i en farmaceutisk formulering, som tilsynsmyndighederne i enten fremstillingslandet eller anvendelseslandet har givet licens til eller givet tilladelse til markedsføring eller klinisk afprøvning af, og som er beregnet til at fremkalde en beskyttende immunologisk reaktion hos mennesker eller dyr, som får indgivet præparatet, i sygdomsforebyggende øjemed. Vakuumatomisering (1): En proces til forstøvning af en strøm af smeltet metal til dråber med en diameter på 500 μm eller derunder ved hurtig omdannelse af opløst gas, når den udsættes for vakuum. Varm isostatisk densifikation (2): En proces, ved hvilken støbeemner sættes under tryk ved temperaturer på mere end 375 K (102 °C) i et lukket rum ved hjælp af forskellige medier (gas, væske, faste partikler osv.) for at skabe et ensartet tryk i alle retninger for at reducere eller eliminere indre hulrum i støbeemnet. Videnskabelig grundforskning (GTN, NTN): Eksperimentelt eller teoretisk arbejde, der i hovedsagen udføres for at skaffe ny viden om de grundlæggende principper for fænomener eller observerbare kendsgerninger, og som ikke primært er rettet mod et konkret, praktisk mål. Vinkelstillingsafvigelse (2): Den største afvigelse mellem vinkelstilling og den faktiske, meget nøjagtigt målte vinkelstilling, efter at bordet er drejet ud af sin indledende stilling. Vippespindel (2): En spindel, hvorpå værktøjet er monteret, og som under bearbejdningen ændrer sin centerlinjes vinkelstilling i forhold til enhver anden akse. Ækvivalent massefylde (6): En optiks masse pr. enhed af optisk areal projiceret på den optiske overflade.

DEFINITIONER AF UDTRYK, DER ANVENDES I DETTE BILAG

a.

Fælles hardware- og softwarearkitektur

b.

Fælles design og procesteknologi, og

c.

Fælles basale karakteristika.

a.

Fysisk ændring i ledningsføring eller forbindelser eller

b.

Indstilling af funktionskontroller inklusive indlægning af parametre.

a.

En kontinuerlig optisk reflekterende overflade, som deformeres dynamisk ved individuelle momenter eller kræfter, så der kompenseres for forvrængninger i det optiske bølgesignal, der rammer spejlet, eller

b.

Flere optisk reflekterende elementer, som kan justeres individuelt og dynamisk ved hjælp af momenter eller kræfter, så der kompenseres for forvrængninger i det optiske bølgesignal, der rammer spejlet.

a.

Modtage data

b.

Lagre data eller ordrer i faste eller foranderlige (skrivbare) lagerenheder

c.

Behandle data ved hjælp af en lagret ordresekvens, som kan ændres, og

d.

Levere dataoutput.

a.

For plutoniumisotoper og uran-233, isotopvægten i gram

b.

For uran, der er beriget 1 % eller mere med isotop uran-235, grundstofvægten i gram ganget med kvadratet af dets berigelse udtrykt som en decimalvægtbrøk

c.

For uran, der er beriget mindre end 1 % med isotop uran-235, grundstofvægten i gram ganget med 0,0001.

a.

Kontinuerlige monofilamenter

b.

Kontinuerlige garner og forgarner

c.

Tape, væv, måtter med tilfældig fiberorientering og flettede bånd

d.

Skårne fibre, stabelfibre og sammenhængende fibertæpper

e.

Whiskers, enten monokrystallinske eller polykristallinske, af enhver længde

f.

Aromatisk polyamidmasse.

a.

Indeholdende mindst én uindkapslet indretning

b.

Indbyrdes forbundne ved hjælp af typiske IC-produktionsmetoder

c.

Udskiftelige som en enhed, og

d.

Normalt ikke i stand til at blive adskilt.

a.

Udtrækning af data eller information fra en computer eller et apparat, der kan tilsluttes et netværk, eller modifikation af system- eller brugerdata eller

b.

Modifikation af et programs eller en proces normale udførelsessti for at give mulighed for udførelse af udefra kommende instruktioner.

DEFINITIONER AF UDTRYK, DER ANVENDES I DETTE BILAG Noter: 1.

a.

Hypervisorer, fejlretningsprogrammer eller værktøjer til Software Reverse Engineering

b.

Software til forvaltning af digitale rettigheder (DRM) eller

c.

Software, der er beregnet til at blive installeret af fabrikanter, administratorer eller brugere med henblik på sporing eller inddrivelse af aktiver.

DEFINITIONER AF UDTRYK, DER ANVENDES I DETTE BILAG Noter: 1.2. Tekniske noter: 1.2. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note:

a.

Gør det muligt for et vilkårligt antal uafhængige dataenheder at kommunikere direkte med hinanden og

b.

Er begrænset til et geografisk område af moderat størrelse (f.eks. kontorbygning, fabrik, skoleområde, varehus).

a.

Dannes ved hjælp af diffusions-, implanterings- eller udfældningsprocesser i eller på et enkelt halvledende stykke materiale, en såkaldt chip

b.

Kan betragtes som værende udeleligt sammenhørende og

c.

Udfører kredsløbsfunktion(er).

a.

Gør det muligt for et vilkårligt antal uafhængige eller forbundne dataenheder at kommunikere direkte med hinanden og

b.

Er begrænset til kommunikation mellem udstyr i umiddelbar nærhed af en enkelt person eller en device controller (f.eks. et enkelt rum, et kontor, en bil eller områder i nærhed heraf).

DEFINITIONER AF UDTRYK, DER ANVENDES I DETTE BILAG Noter: 1.2. Tekniske noter: 1.2. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note:

a.

Er multifunktionel

b.

Er i stand til at placere eller orientere materialer, dele værktøjer eller specielle komponenter med variable bevægelser i tredimensionelt rum

c.

Omfatter tre eller flere servoindretninger med åben eller lukket sløjfe, som kan omfatte stepmotorer, og

d.

Har brugertilgængelig programmerbarhed ved hjælp af lære/play-back-metoden eller ved hjælp af en elektronisk computer, der kan være en programmerbar logikcontroller, dvs. uden mekanisk mellemkomst.

1. Manipulationsmekanismer, der kun kan styres manuelt eller med fjernbetjening

2. Mekanismer med fastsekvens manipulering, som er automatiserede bevægelsesindretninger, der virker i overensstemmelse med mekanisk fastlagte, programmerede bevægelser. Programmet er mekanisk begrænset af faste stopanordninger som f.eks. stifter eller knastskiver. Bevægelsernes rækkefølge og valget af baner eller vinkler er ikke variable eller udskiftelige på mekanisk, elektronisk eller elektrisk vis.

3. Mekanisk styrede manipuleringsmekanismer med variabel sekvens, som er automatiserede bevægelsesindretninger, der virker i overensstemmelse med mekanisk fastlagte, programmerede bevægelser. Programmet er mekanisk begrænset af faste, men justerbare stopanordninger som f.eks. stifter eller knastskiver. Bevægelsernes rækkefølge og valget af baner eller vinkler er variable inden for det faste programmønster. Variationer eller modifikationer af programmønsteret (f.eks. ændringer af stifter eller udskiftning af knastskiver) i én eller flere bevægelsesakser udføres kun ved mekaniske operationer.

4. Ikkeservostyrede manipuleringsmekanismer med variabel sekvens, som er automatiserede bevægelsesindretninger, der virker i overensstemmelse med mekanisk fastlagte, programmerede bevægelser. Programmet er variabelt, men sekvensen gennemføres alene ved binære signaler fra mekanisk fastsatte, elektriske binære indretninger eller justerbare stopanordninger.

5. Stablekraner, defineret som kartesiske koordinatmanipuleringssystemer, der er fremstillet som en integreret del af et lodret system af lagerbeholdere og konstrueret til at få adgang til indholdet af disse beholdere i forbindelse med oplagring eller afhentning.

KATEGORI 0 NUKLEARE MATERIALER OG FACILITETER SAMT NUKLEART UDSTYR

0A Systemer, udstyr og komponenter 0A001 Atomreaktorer og udstyr og komponenter specielt konstrueret eller forberedt som følger:

0A a.

Atomreaktorer

b.

Metalbeholdere eller større fabriksfremstillede dele hertil, herunder topdækslet til en reaktortrykbeholder, som er specielt konstrueret eller forberedt til at indeholde kernen til en atomreaktor

c.

Håndteringsudstyr, der er specielt konstrueret eller forberedt til at anbringe eller fjerne brændsel i en atomreaktor

d.

Kontrolstænger, specielt konstrueret eller forberedt til styring af fissionsprocessen i en atomreaktor, konstruktioner til understøtning og ophængning af disse, drivmekanismer og styrerør til kontrolstænger

e.

Trykrør, dvs. rør, der er specielt konstrueret eller forberedt til at indeholde både brændselselementer og det primære kølemiddel i en atomreaktor

f.

Rør (eller rørsamlinger) af zirconium eller zirconiumlegeringer, der er specielt konstrueret eller forberedt til at blive anvendt som brændselsindkapsling i en atomreaktor, og i mængder på over 10 kg N.B.: For trykrør af zirconium henvises til 0A001.e. og for kalandriarør henvises til 0A001.h.

g.

Kølepumper eller cirkulationspumper, der er specielt konstrueret eller forberedt til cirkulation af det primære kølemiddel i atomreaktorer

h. Teknisk note:

Atomreaktorers interne dele, der er specielt konstrueret eller forberedt til brug i en atomreaktor, inklusive støttesøjler til kernen, brændselskanaler, kalandriarør, termiske skjolde, baffler, kernegitterplader og diffuserplader I 0A001.h er atomreaktorers interne dele enhver større konstruktion i en reaktortank, som har en eller flere funktioner som f.eks. at bære kernen, opretholde brændselstilførslen, lede den primære kølemiddelstrøm, holde strålingsskjolde for reaktortanken og lede instrumenteringen inden i kernen.

i.

Varmevekslere: Note: 0A001.i. lægger ikke eksportkontrol på varmevekslere til reaktorens understøttende systemer, f.eks. nødkølesystem eller kølesystemer for eftervarme.

1. Dampgeneratorer, der er specielt konstrueret eller forberedt til brug i en atomreaktors primære eller mellemliggende kølekredsløb

2. Andre varmevekslere, der er specielt konstrueret eller forberedt til brug i en atomreaktors primære kølekredsløb

j.

Neutrondetektorer, der er specielt konstrueret eller forberedt til at bestemme neutronfluxniveauer i en atomreaktors kerne

k. Teknisk note:

Eksterne termiske skjolde specielt fremstillet eller forberedt på anvendelse i en atomreaktor med henblik på en reduktion af varmetab og beskyttelse af indeslutningsbeholderen. I 0A001.k. er eksterne termiske skjolde omfattende strukturer placeret over reaktortanken, som reducerer varmetab fra reaktoren og reducerer temperaturen i selve indeslutnings-beholderen.

0B Teknisk note:

Prøve-, inspektions- og produktionsudstyr 0B001 Anlæg konstrueret til separation af isotoper af naturligt uran, depleteret uran og specielle fissile materialer og følgende specielt konstrueret eller forberedt udstyr og komponenter hertil: 0B002 Specielt konstruerede eller forberedte hjælpesystemer, udstyr og komponenter til de isotopseparationsanlæg der er specificeret i 0B001, og som er fremstillet af eller beskyttet af UF6-korrosionsbestandige materialer: 0B003 Anlæg til omdannelse af uran og udstyr specielt konstrueret eller forberedt dertil som følger: 0B004 Anlæg til produktion eller koncentration af tungt vand, deuterium og deuteriumforbindelser og specielt konstrueret eller forberedt udstyr og komponenter hertil som følger: 0B005 Anlæg specielt konstrueret til produktion af brændselselementer til atomreaktorer og specielt konstrueret eller forberedt udstyr hertil. Et anlæg til produktion af brændselselementer til atomreaktorer omfatter udstyr som: 0B006 Anlæg til oparbejdning af bestrålede brændselselementer fra atomreaktorer og specielt konstrueret eller forberedt udstyr og komponenter hertil. Note: 0B006 omfatter: 0B007 Anlæg til omdannelse af plutonium og udstyr specielt konstrueret eller forberedt hertil som følger:

0B a.

Enheder specielt konstrueret til at udskille isotoper af naturligt uran, depleteret uran og specielle fissile materialer som følger:

1. Anlæg til gascentrifugeseparation

2. Anlæg til gasdiffusionsseparation

3. Anlæg til aerodynamisk separation

4. Anlæg til separation ved kemisk udveksling

5. Anlæg til separation ved ionbytning

6. Anlæg til isotopisk separation med atomdamplaser (AVLIS)

7. Anlæg til isotopisk separation med molekylær laser (MLIS)

8. Plasmaudskilleranlæg

9. Elektromagnetisk udskilleranlæg.

b. Teknisk note:

Gascentrifuger og samlinger og komponenter specielt konstrueret eller forberedt til gascentrifugeseparationsproces som følger: I 0B001.b). er materialer med højt styrke/densitetsforhold:

1. Martensitisk ældende ståltyper med maksimal trækstyrke på mindst 1,95 MPa

2. Martensitisk ældende ståltyper med maksimal trækstyrke på mindst 0,46 MPa eller

3. Fiber- eller trådmaterialer med specifikt modul på mere end 3,18 × 106 m og specifik trækstyrke på mere end 7,62 × 104 m.

1. Gascentrifuger

2. Komplette rotorsamlinger

3. Rotorrørcylindre med en tykkelse på højst 12 mm, diameter mellem 75 mm og 650 mm, fremstillet af materialer med højt styrke/densitetsforhold

4. Ringe eller bælge med en vægtykkelse på højst 3 mm og diameter mellem 75 mm og 650 mm og konstrueret til at give lokal støtte til et rotorrør eller til at sammenkoble et antal rotorrør, fremstillet af materialer med højt styrke/densitetsforhold

5. Baffler med diameter mellem 75 mm og 650 mm til montering inde i rotorrøret, fremstillet af materialer med højt styrke/densitetsforhold

6. Top- og bundkapsler med diameter mellem 75 mm og 650 mm konstruerede til at passe til rotorrørets ender, fremstillet af materialer med højt styrke/densitetsforhold

7. Magnetisk ophængte lejer som følger:

7. a.

Lejeenheder bestående af en ringmagnet ophængt i et hus fremstillet af eller beskyttet af UF6-korrosionsbestandigt materiale og indeholdende et dæmpende medie, hvor magneten er koblet til et polstykke eller en anden magnet, der er monteret på rotorens øverste lejekapsel

b.

Aktive magnetiske lejer specielt konstrueret eller forberedt til anvendelse med gascentrifuger.

8. Specielt fremstillede lejer omfattende en samling af tap og skål monteret på en dæmper

9. 0B001 b. Molekylarpumper bestående af cylindre med indvendige fræsede eller ekstruderede skruegange og indvendige fræsede lysninger

10. Ringformede motorstatorer til flerfasede AC hysterese (reluktans) motorer til synkrondrift i vakuum med en frekvens på 600 Hz eller derover og en effekt fra 40 VA eller derover

11. Centrifugehuse/indkapslinger for rotorsamlinger til gascentrifuger, bestående af en stiv cylinder med en vægtykkelse på højst 30 mm og præcisionsforarbejdede ender, som er parallelle med hinanden, og vinkelrette med cylinderens længdeakse med 0,05 grader eller derunder

12. Gasudtagningsrør, der er specielt konstrueret eller forberedt til udtagning af UF6-gas fra rotorrøret efter Pitotrørsprincippet, som kan forbindes med det centrale gasudtagningssystem.

13. Frekvensomformere (konvertere eller invertere) specielt konstrueret eller forberedt til at føde motorstatorer til gascentrifugeberigning, med alle følgende egenskaber, og specielt konstruerede komponenter hertil:

13. a.

En flerfaset frekvensudgang på 600 Hz eller derover og

b.

Høj stabilitet (med frekvensstyring bedre end 0,2 %)

14. Stopventiler og reguleringsventiler som følger:

14. a.

Stopventiler specielt fremstillet eller forberedt til at behandle tilføring, produkt eller rest fra UF6-gasstrømme fra en individuel gascentrifuge

b.

Bælgventiler, stopventiler eller reguleringsventiler fremstillet af eller beskyttet af UF6-korrosionsbestandigt materiale med en indvendig diameter på 10-160 mm, specielt fremstillet eller forberedt til anvendelse i hoved- eller hjælpesystemer i gascentrifugeanlæg

c.

Udstyr og komponenter specielt konstrueret eller forberedt til gasdiffusionsseparationsproces som følger:

1. Gasdiffusionsbarrierer fremstillet af porøse, metalliske, polymere eller keramiske UF6 korrosionsbestandige materialer, med en porestørrelse på 10-100 nm, en tykkelse på højst 5 mm og, ved rørformede typer, en diameter på 25 mm mindre

2. Gasdiffusionshuse fremstillet af eller beskyttet af UF6-korrosionsbestandigt materiale

3. Kompressorer og gasblæsere med en sugekapacitet på 1 m3/min eller derover af UF6, og et afgangstryk på højst 500 kPa og med et trykforhold på 10:1 eller derunder, fremstillet af eller beskyttet af UF6-korrosionsbestandigt materiale

4. Akseltætninger til kompressorer og blæsere, som er specificeret i 0B001.c.3, og som er konstrueret til en indtagslækhastighed af buffergas på mindre end 1000 cm3/min.

5. Varmevekslere fremstillet af eller beskyttet af UF6-korrosionsbestandige materialer og konstrueret til et utæthedstryk på mindre end 10 Pa i timen ved et trykdifferentiel på 100 kPa

6. Bælgventiler, manuelle eller automatiserede, stop- eller reguleringsventiler, fremstillet af eller beskyttet af UF6-korrosionsbestandigt materiale

d.

Udstyr og komponenter specielt konstrueret eller forberedt til aerodynamisk separationsproces som følger:

1. Separationsdyser bestående af spalteformede, kurvede kanaler med en krumningsradius på mindre end 1 mm, der er UF6-korrosionsbestandige, med en æg i dysen, der separerer gas, der strømmer gennem dysen, i to strømme

2. 0B001 d. Cylindriske eller koniske rør (vortexrør), fremstillet af eller beskyttet af UF6-korrosionsbestandigt materiale, og med en eller flere tangentielle indløbsåbninger

3. Kompressorer og gasblæsere fremstillet af eller beskyttet af UF6-korrosionsbestandigt materiale samt akseltætninger hertil

4. Varmevekslere fremstillet af eller beskyttet af UF6-korrosionsbestandigt materiale

5. Separationselementhuse, fremstillet af eller beskyttet af UF6-korrosionsbestandigt materiale til at rumme vortexrør eller separationsdyser

6. Bælgventiler, manuelle eller automatiserede, stop- eller kontrolventiler, fremstillet af eller beskyttet af UF6-korrosionsbestandigt materiale med en diameter på mindst 40 mm

7. Processystemer til adskillelse af UF6 fra bæregas (hydrogen eller helium) til et indhold på højst 1 ppm UF6, herunder

7. a.

Kryovarmevekslere og kryoseparatorer til drift ved temperaturer på 153 K (- 120 °C) eller derunder

b.

Kryokøleenheder til drift ved temperaturer på 153 K (- 120 °C) eller derunder

c.

Separationsdyser eller vortexrør til adskillelse af UF6 fra bæregas

d.

UF6-kuldefælder, der kan fryse UF6 ude

e.

Udstyr og komponenter specielt konstrueret eller forberedt til separationsproces ved kemisk udveksling som følger:

1. Impulskolonner til hurtig væskevæskeudveksling med opholdstid på hvert trin på 30 sekunder eller derunder og modstandsdygtige mod koncentreret saltsyre (f.eks. fremstillet af eller beskyttet af et egnet plastmateriale såsom fluorerede hydrocarbonpolymer eller glas)

2. Centrifugalkontaktorer for hurtig væskevæskeudveksling med opholdstid på hvert trin på 30 sekunder eller derunder og modstandsdygtige mod koncentreret saltsyre (f.eks. fremstillet af eller beskyttet af et egnet plastmateriale såsom fluorerede hydrocarbonpolymerer eller glas)

3. Elektrokemiske reduktionsceller, der er bestandige mod koncentrerede saltsyreopløsninger, til at reducere uran fra en valenstilstand til en anden

4. Fødeudstyr til elektrokemiske reduktionsceller, som skal fjerne U4+ fra den organiske fase, og hvis dele, der er i forbindelse med processtrømmen, er fremstillet af eller beskyttet af et egnet materiale (f.eks. glas, fluorocarbonpolymerer, polyphenylsulfat, polyethersulfon eller harpiksimprægneret grafit)

5. Systemer til fremstilling af fødeblandinger til fremstilling af meget rene uranchloridopløsninger, bestående af opløsning, rensning ved opløsningsmiddelekstraktion og/eller ionbytning og elektrolyseceller til reduktion af U+6 eller U+4 til U+3

6. Uranoxidationssystemer til oxidation af U+3 til U+4.

f.

Udstyr og komponenter specielt konstrueret eller forberedt til ionbytningsseparationsproces som følger:

1. Hurtigt reagerende ionbytningsharpikser, hindeformede eller porøse makroretikulerede harpikser, i hvilke de aktive kemiske byttegrupper er begrænset til en belægning på overfladen af en inaktiv porøs bærestruktur, og andre kompositstrukturer i en egnet form, herunder partikler eller fibre med en diameter på 0,2 mm eller derunder, som er modstandsdygtige mod koncentreret saltsyre, er konstrueret til at have en udvekslingshalveringstid på mindre end 10 sekunder og kan arbejde ved en temperatur i området 373 K (100 °C) til 473 K (200 °C)

2. 0B001 f. Ionbytterkolonner (cylindriske) med en diameter på over 1000 mm, som er fremstillet af eller beskyttet af materialer, der er modstandsdygtige mod koncentreret saltsyre (f.eks. titan eller fluorocarbonplast), og som kan arbejde ved en temperatur i området 373 K (100 °C) til 473 K (200 °C) og ved et tryk på over 0,7 MPa

3. Ionbyttertilbageløbssystemer (systemer til kemisk eller elektrokemisk oxidation eller reduktion) til regenerering af de kemiske reduktions- eller oxidationsmidler, der benyttes i ionbytterberigningskaskader.

g.

Udstyr og komponenter specielt konstrueret eller forberedt til atomdampbaserede metoder som følger:

1. Uranfordampningssystemer konstrueret til at nå en afgiven effekt på mere end 1 kW på målet til brug ved laserberigelse

2. Systemer til håndtering af flydende eller dampformigt uranmetal specielt fremstillet eller forberedt til håndtering af smeltet uran, smeltede uranlegeringer eller uranmetaldamp til brug ved laserberigelse, og specielt konstruerede komponenter hertil N.B.: JF. LIGELEDES 2A225.

3. Samlesystemer til produkt og produktrest til uranmetal i flydende eller fast form fremstillet af eller beskyttet af materialer, der er bestandige mod varme og korrosion fra uranmetaldamp eller væske, som f.eks. yttriumoxidbelagt grafit eller tantal

4. Huse til separatormoduler (cylindriske eller rektangulære beholdere), som skal indeholde uranmetalfordampningsenheden, elektronkanonen og samlesystemer til produkt og produktrester

5. Lasere eller lasersystemer, der er specielt konstrueret eller forberedt til separation af uranisotoper med spektrumfrekvensstabilisator med henblik på drift i længere tid ad gangen. N.B.: JF. LIGELEDES 6A005 OG 6A205.

h.

Udstyr og komponenter specielt konstrueret eller forberedt til molekylærbaserede metoder eller lasersystemer som følger:

1. Supersoniske ekspansionsdyser til nedkøling af blandinger af UF6 og bæregas til 150 K (- 123 °C) eller derunder, fremstillet af UF6-korrosionsbestandigt materiale

2. Samlekomponenter eller -systemer til produkt og produktrest, som er specielt fremstillet eller forberedt til indsamling af uranmaterialer eller uranrestmaterialer efter belysning/bestråling med laserlys, fremstillet af UF6-korrosionsbestandige materialer

3. Kompressorer fremstillet af eller beskyttet af UF6-korrosionsbestandigt materiale samt akseltætninger hertil

4. Udstyr til fluorering af UF5 (fast stof) til UF6 (luftart)

5. Processystemer til adskillelse af UF6 fra bæregas (f.eks. nitrogen, argon eller en anden gas), herunder

5. a.

Kryovarmevekslere og kryoseparatorer til drift ved temperaturer på 153 K (- 120 °C) eller derunder

b.

Kryokøleenheder til drift ved temperaturer på 153 K (- 120 °C) eller derunder

c.

UF6-kuldefælder, der kan fryse UF6 ude

6. Lasere eller lasersystemer specielt fremstillet eller forberedt til separation af uranisotoper med spektrumfrekvensstabilisation med henblik på drift i længere tid ad gangen. N.B.: JF. LIGELEDES 6A005 OG 6A205.

i.

0B001 Udstyr og komponenter specielt konstrueret eller forberedt til plasmaseparationsproces som følger:

1. Mikrobølgegeneratorer og -antenner til fremstilling eller accelerering af ioner, med en udgangsfrekvens på over 30 GHz og en middeludgangseffekt på mere end 50 kW

2. Radiofrekvens ionexciteringsspoler for frekvenser på mere end 100 kHz, i stand til drift med en middeleffekt på mere end 40 kW

3. Systemer til generering af uranplasma

4. Ikke anvendt

5. Samlesystemer til produkt og produktrest til uranmetal i fast form fremstillet af eller beskyttet af materialer, der er bestandige mod varme og korrosion fra urandamp, som f.eks. yttriumoxidbelagt grafit eller tantal

6. Huse til separatormoduler (cylindriske), som skal indeholde uranplasmakilden, radiofrekvensspolen og samlesystemet til produkt og produktrester, og som er fremstillet af et passende umagnetisk materiale (f.eks. rustfrit stål).

j.

Udstyr og komponenter specielt konstrueret eller forberedt til elektromagnetisk separationsproces som følger:

1. Ionkilder, enkelte eller flerdobbelte, som består af dampkilde, ionisator og stråleaccelerator, er fremstillet af egnede umagnetiske materialer (f.eks. grafit, rustfrit stål eller kobber) og kan levere en samlet ionstrålestrøm på 50 mA eller derover

2. Ionkollektorplader til opsamling af stråler af beriget eller depleteret uran, bestående af to eller flere spalter og lommer og fremstillet af egnede umagnetiske materialer (f.eks. grafit eller rustfrit stål)

3. Vakuumbeholdere til elektromagnetiske uranseparatorer, fremstillet af umagnetisk materiale (f.eks. rustfrit stål) og konstrueret til drift ved et tryk på 0,1 Pa eller derunder

4. Magnetpolstykker med diameter over 2 m

5. Højspændingsstrømforsyninger til ionkilder, som har alle følgende egenskaber: N.B.: JF. LIGELEDES 3A227.

5. a.

I stand til kontinuerlig drift

b.

Udgangsspænding 20000 V eller derover

c.

Udgangsstrøm 1 A eller derover og

d.

Spændingsregulering bedre end 0,01 % over en periode på 8 timer

6. Magnetstrømforsyninger (højeffekt, jævnstrøm), som har alle følgende egenskaber: N.B.: JF. LIGELEDES 3A226.

6. a.

I stand til kontinuerlig drift ved en udgangsstrøm på 500 A eller derover ved en spænding på 100 V eller derover og

b.

Strøm- eller spændingsregulering bedre end 0,01 % over en periode på 8 timer.

a.

Fødeautoklaver, ovne eller systemer til tilføring af UF6 til berigningsprocessen

b.

Desublimatorer eller kuldefælder til fjernelse af UF6 fra berigningsprocessen til senere overførsel efter opvarmning

c.

Produkt- og reststationer, der anvendes til overførsel af UF6 til beholdere

d.

Fortætnings- og størkningsstationer, der anvendes til fjernelse af UF6 fra berigningsprocessen ved komprimering, køling og omdannelse af UF6 til flydende eller fast form

e.

Rør- og samlesystemer, der er specielt konstrueret eller forberedt til at føre UF6 i gasdiffusions-, gascentrifuge- eller aerodynamiske kaskader

f.

Vakuumsystemer og -pumper som følger:

1. Vakuumgrenrør, vakuumrørsamlekasser eller vakuumpumper med en sugekapacitet på 5 m3/min eller derover

2. Vakuumpumper, der er specielt konstrueret til brug i UF6-holdig atmosfære, der er fremstillet af eller beskyttet af UF6-korrosionsbestandige materialer eller

3. Vakuumsystemer bestående af vakuumgrenrør, vakuumsamlekasser og vakuumpumper og konstrueret til brug i UF6-holdig atmosfære

g.

UF6-massespektrometre eller ionkilder i stand til at tage online prøver af UF6-gasstrømme, og som har alle følgende egenskaber:

1. I stand til at måle ioner på 230 atommasseenheder eller derover og med en opløsning bedre end 1 del på 320

2. Ionkilder, der er fremstillet eller beskyttet af nikkel, nikkel-kobberlegeringer med et nikkelindhold på mindst 60 vægtprocent, eller nikkel-kromlegeringer

3. Ioniseringskilder med elektronbeskydning og

4. Kollektorsystem egnet til isotopanalyse.

a.

Systemer til omdannelse af uranmalmkoncentrat til UO3

b.

Systemer til omdannelse af UO3 til UF6

c.

Systemer til omdannelse af UO3 til UO2

d.

Systemer til omdannelse af UO2 til UF4

e.

Systemer til omdannelse af UF4 til UF6

f.

Systemer til omdannelse af UF4 til uranmetal

g.

Systemer til omdannelse af UF6 til UO2

h.

Systemer til omdannelse af UF6 til UF4

i.

Systemer til omdannelse af UO2 til UCI4

a.

Udstyr til produktion af tungt vand, deuterium eller deuteriumforbindelser som følger:

1. Vand-hydrogensulfidbytningsanlæg

2. Ammoniak-hydrogenbytningsanlæg

b.

0B004 Udstyr og komponenter som følger:

1. Vand-hydrogensulfidbytningstårne med diametre på 1,5 m eller derover til drift ved tryk på 2 MPa eller derover

2. Enkelttrins-, lavtryks- (dvs. 0,2 MPa) centrifugalblæsere eller -kompressorer til hydrogensulfidgascirkulation (dvs. gas med over 70 % H2S) med en kapacitet på 56 m3/sekund eller derover ved sugetryk på 1,8 MPa eller derover og med pakninger udformet til våd H2S-anvendelse

3. Ammoniak-hydrogenbytningstårne med en højde på 35 m eller derover og diametre på 1,5-2,5 m til drift ved tryk på over 15 MPa

4. Interne dele til tårne, herunder trinkontaktorer og trinpumper, herunder neddykkede pumper, til tungtvandsproduktion ved hjælp af ammoniak-hydrogenbytningsprocessen

5. Ammoniakcrackere med driftstryk på 3 MPa eller derover til tungtvandsproduktion ved hjælp af ammoniak-hydrogenbytningsprocessen

6. Infrarøde absorptionsanalysatorer til onlineanalyse af hydrogen/deuteriumforholdet ved deuteriumkoncentrationer lig med eller højere end 90 %

7. Katalytiske brændere til omdannelse af beriget deuteriumgas til tungt vand ved hjælp af ammoniak-hydrogenbytningsprocessen

8. Komplette tungtvandsforbedringssystemer eller søjler dertil til forbedring af tungt vand til reaktordeuteriumkoncentration.

9. Ammoniaksyntesekonvertere og ammoniaksynteseenheder, som er specielt konstrueret eller forberedt til tungtvandsproduktion ved hjælp af ammoniak-hydrogenbytningsprocessen.

0B Teknisk note:

1. Normalt kommer i direkte berøring med eller direkte behandler eller styrer produktstrømmen af kernematerialer

2. Indelukker kernematerialet i dets indkapsling

3. Kontrollerer, at indkapslingen og dens pakninger er intakte

4. Kontrollerer den endelige behandling af det indkapslede brændsel eller

5. Anvendes til samling af reaktorelementer.

a.

Anlæg til oparbejdning af bestrålede brændselselementer fra atomreaktorer, herunder udstyr og komponenter, som normalt kommer i direkte berøring med og som direkte styrer det bestrålede brændsel og de vigtigste processtrømme af kernemateriale og spaltningsprodukter

b.

Maskiner til sønderdeling af brændselselementer, dvs. fjernbetjent udstyr til at skære, hugge eller snitte bestrålede brændselsaggregater, bundter eller stænger til atomreaktorer

c.

Kritikalitetssikre tanke (f.eks. tanke med lille diameter, ringformede eller flade tanke) specielt konstrueret eller forberedt til opløsning af bestrålet atomreaktor brændsel, som er i stand til at modstå varme, stærkt korroderende væsker, og som kan lades og vedligeholdes ved fjernbetjening

d.

0B006 Note: Udstyr til udtrækning såsom impuls- eller fyldlegemekolonner, blande/afsætningsbeholdere og centrifugalkontraktorer, som er modstandsdygtige over for ætsning af salpetersyre og specielt konstrueret eller forberedt til brug i et anlæg til oparbejdning af bestrålet naturligt uran, depleteret uran eller specielle fissile materialer

e. Teknisk note:

Opbevarings- eller lagertanke, der er særligt konstruerede til at være kritikalitetssikre og modstandsdygtige over for ætsning af salpetersyre. Opbevarings- eller lagertanke kan have følgende egenskaber:

1. Vægge eller interne strukturer med en borækvivalent (der for alle elementer beregnes som defineret i noten til 0C004) på mindst 2 %

2. Maksimal diameter på 175 mm for cylindriske tanke eller

3. Maksimal bredde på 75 mm for flade eller ringformede tanke.

f.

Systemer til måling af neutroner specielt fremstillet eller forberedt til integration og anvendelse med automatiserede processtyringssystemer i et anlæg til oparbejdning af bestrålet naturligt uran, depleteret uran eller specielle fissile materialer.

a.

Systemer til omdannelse af plutoniumnitrat til plutoniumoxid

b.

Systemer til produktion af metallisk plutonium.

0C Materialer 0C001 Naturligt uran eller depleteret uran eller thorium i form af metal, legering, kemisk forbindelse eller koncentrat og et hvilket som helst andet materiale, der indeholder et eller flere af de nævnte stoffer. N.B.: 0C001 lægger ikke eksportkontrol på følgende: 0C002 Specielle, fissile materialer N.B.: 0C002 lægger ikke eksportkontrol på fire effektive gram eller derunder, når de er indeholdt i sensorkomponenten i instrumenter. 0C003 Deuterium, tungt vand (deuteriumoxid), deuteriumforbindelser og blandinger og opløsninger indeholdende deuterium, i hvilke isotopforholdet mellem deuterium og hydrogen er højere end 1:5000. 0C004 Grafit med en renhedsgrad på mindst 5 ppm borækvivalent og med en densitet, der er større end 1,50 g/cm3 til brug i en atomreaktor, i mængder, der overskrider 1 kg. N.B.: JF. LIGELEDES 1C107. Note 1: Med henblik på eksportkontrol afgør de kompetente myndigheder i den medlemsstat, hvor eksportøren er etableret, om eksporteret grafit, der opfylder ovenstående specifikationer, er til brug i atomreaktorer. Note 2: I 0C004 defineres borækvivalent (BE) som summen af BEz for urenheder (undtagen BE-kulstof, da kulstof ikke betragtes som en urenhed), herunder bor, hvis: BEZ (ppm) = CF × koncentrationen af elementet Z i ppm hvor CF er omdannelsesfaktorenσZABσBAZ og σB og σz er de termiske neutronoptagelsestværsnit (i barn) for henholdsvis naturligt forekommende bor og element Z; og AB og AZ er atommasserne af henholdsvis naturligt forekommende bor og element Z. 0C005 Specielt forberedte forbindelser eller pulvere, der er modstandsdygtige over for UF6-korrosion (f.eks. nikkel eller legeringer med 60 vægtprocent nikkel eller derover, aluminiumoxid og fuldt fluorerede hydrocarbonpolymerer) til fremstilling af gasdiffusionsbarrierer, og med en renhed på mindst 99,9 vægtprocent og en kornstørrelse mindre end 10 μm målt efter American Society for Testing and Materials (ASTM) B 330 standard, og en høj regelmæssighedsgrad af kornstørrelse.

0C a.

Fire gram og derunder naturligt uran eller depleteret uran, når de er indeholdt i sensorkomponenten i instrumenter

b.

Depleteret uran specielt fremstillet til følgende, civile, ikkenukleare formål:

1. Afskærmning

2. Emballage

3. Ballast med en masse på ikke over 100 kg

4. Kontravægte med en masse på ikke over 100 kg

c.

Legeringer indeholdende under 5 % thorium

d.

Keramiske produkter indeholdende thorium, som er fremstillet til ikkenukleare formål.

0D Software 0D001 Software, der er specielt udviklet eller modificeret til udvikling, produktion eller brug af produkter, der er specificeret i denne kategori.

0E Teknologi 0E001 Teknologi iflg. noten vedrørende nuklear teknologi (NTN), til udvikling, produktion eller brug af produkter, der er specificeret i denne kategori.

KATEGORI 1 SÆRLIGE MATERIALER OG TILHØRENDE UDSTYR

1A Teknisk note: 1.2. Tekniske noter: 1.2. Teknisk note: Teknisk note:

Systemer, udstyr og komponenter 1A001 Komponenter fremstillet af fluorerede forbindelser som følger: 1A002 Kompositte strukturer eller laminater med en eller flere af følgende egenskaber: N.B.: JF. LIGELEDES 1A2O2, 9A010 OG 9A110. Note 1: 1A002 lægger ikke eksportkontrol på kompositte strukturer eller laminater, der er fremstillet af kul fiber- eller trådmaterialer imprægneret med epoxyharpiks, til reparation af civile flystrukturer eller laminater, som har samtlige følgende egenskaber: Note 2: 1A002 lægger ikke eksportkontrol på halvfabrikata, der er specielt beregnet til rent civile anvendelser som følger: Note 3: 1A002b.1. lægger ikke eksportkontrol på halvfabrikata, der indeholder sammenvævede tråde af højst to dimensioner, og som er specielt beregnet til følgende anvendelser: Note 4: 1A002 lægger ikke eksportkontrol på færdigprodukter, der er specielt beregnet til en specifik anvendelse. 1A003 Produkter af ikke smeltelige, aromatiske polyimider i form af film, folie, tape eller bånd med en eller flere af følgende egenskaber: Note: 1A003 lægger ikke eksportkontrol på produkter, når de er belagt eller lamineret med kobber og beregnet til produktion af elektroniske trykte kredsløbskort. N.B.: Med hensyn til smeltelige, aromatiske polyimider i alle former, jf. 1C008.a.3. 1A004 Beskyttelses- og detekteringsudstyr og komponenter hertil, der ikke er specielt beregnet til militær anvendelse, som følger: N.B.: JF. LIGELEDES KONTROLBESTEMMELSERNE FOR PRODUKTER TIL MILITÆRE FORMÅL, 2B351 OG 2B352. 1A004Note: 1A004 lægger ikke eksportkontrol på: 1A004 omfatter også udstyr og komponenter, der er blevet identificeret, med held afprøvet efter nationale standarder, eller som på anden måde har vist sig effektive med henblik på detektering af eller forsvar imod radioaktive materialer til krigsbrug, biologiske kampmidler til krigsbrug, kampmidler til kemisk krigsførelse, simulatorer eller kampmidler til oprørskontrol, selv hvis sådant udstyr eller sådanne komponenter anvendes i ikkemilitære industrier som f.eks. miner, stenbrud, landbrug, den farmaceutiske industri, medicinalindustrien, den veterinære sektor, miljøsektoren, affaldshåndtering eller fødevareindustrien. Simulator er et stof eller materiale, der anvendes i stedet for et (kemisk eller biologisk) toksin i forbindelse med uddannelse, forskning, afprøvning eller evaluering. 1A005 Armerede beskyttelsesdragter og komponenter hertil som følger: N.B.: JF. LIGELEDES KONTROLBESTEMMELSERNE FOR PRODUKTER TIL MILITÆRE FORMÅL. N.B.: Med hensyn til fiber- og trådmaterialer, der benyttes til fremstilling af armerede beskyttelsesdragter, se 1C010. Note 1: 1A005 lægger ikke eksportkontrol på armerede beskyttelsesdragter, når de medbringes af brugeren med henblik på dennes egen personlige beskyttelse. Note 2: 1A005 lægger ikke eksportkontrol på armerede beskyttelsesdragter, der er udviklet til at yde udelukkende frontal beskyttelse mod både sprængstykker og lufttryk fra ikkemilitære sprængstofanordninger. Note 3: 1A005 lægger ikke eksportkontrol på armerede beskyttelsesdragter, der udelukkende er udviklet til at beskytte mod knive, pile, nåle og slagvåben. 1A006 Følgende udstyr, der er specielt konstrueret eller modificeret til bortskaffelse af improviserede eksplosive anordninger, og specielt udviklede komponenter og tilbehør hertil: N.B.: JF. LIGELEDES KONTROLBESTEMMELSERNE FOR PRODUKTER TIL MILITÆRE FORMÅL. N.B.: 1A006 gælder ikke for udstyr, når det ledsager operatøren. 1A007 Følgende udstyr og anordninger, der er specielt konstrueret til ad elektrisk vej at bringe sprængladninger og anordninger, der indeholder energimaterialer, til sprængning: N.B.: JF. LIGELEDES KONTROLBESTEMMELSERNE FOR PRODUKTER TIL MILITÆRE FORMÅL, 3A229 og 3A232. Ordet initiator eller tænder bruges undertiden i stedet for ordet detonator. 1A007.b. forstås således, at alle de pågældende detonatorer bruger en lille elektrisk leder (bro, brotråd eller folie), som fordamper eksplosivt, når der passerer en hurtig, højelektrisk strøm igennem den. I non-slapper-typer begynder den eksplosive leder en kemisk detonation i et berørende, høj-eksplosivt materiale som f.eks. PETN (pentaerythritoltetranitrat). I slapper-detonatorer driver den eksplosive fordampning af den elektriske leder en flyer eller slapper over en spalte, og slapperens anslag på et sprængstof indleder en kemisk detonation. I nogle udførelser drives slapperen af magnetisk kraft. Udtrykket eksplosiv folie-detonator kan betyde enten en EB eller en detonator af slapper-typen. 1A008 Følgende sprængladninger, anordninger og komponenter: Retningsbestemte ladninger er sprængladninger, der er udformet med henblik på at målrette effekten af eksplosionen. 1A102 Resaturerede pyroliserede carboncarbonkomponenter, der er udviklet til løftefartøjer til rumfartøjer, som er specificeret i 9A004, eller raketsonder, som er specificeret i 9A104. 1A202 Kompositte strukturer ud over dem, der er specificeret i 1A002, i form af rør med begge af følgende egenskaber: N.B.: JF. LIGELEDES 9A010 OG 9A110. 1A225 Platiniserede katalysatorer, der er specielt udviklet eller forberedt til at fremme hydrogenisotopbytningsreaktionen mellem hydrogen og vand til udvinding af tritium fra tungt vand eller til produktion af tungt vand. 1A226 Specielle pakninger, der kan anvendes til adskillelse af tungt vand fra almindeligt vand, og som har begge følgende egenskaber: 1A227 Strålingsbeskyttende vinduer af høj densitet (blyglas eller andet), der har samtlige følgende egenskaber, og specielt konstruerede rammer hertil: I 1A227 forstås ved inaktivt område det synsfelt i et vindue, der er udsat for den laveste stråling i designapplikationen.

1A a.

Tætninger, pakninger, tætningsmidler eller brændstofblærer, specielt udviklet til brug i fly eller rumfart, og fremstillet af mere end 50 vægtprocent af nogen af de materialer, der er specificeret i 1C009.b eller 1C009.c

b.

Piezoelektriske polymerer og copolymerer, fremstillet af vinylidenfluoridmaterialer (CAS 75-38-7), der er specificeret i 1C009.a, med samtlige følgende egenskaber:

1. I form af plader eller film og

2. Med en tykkelse af mere end 200 μm

c.

Tætninger, pakninger, ventilsæder, blærer eller membraner, som har alle følgende egenskaber: N.B.: Med missil menes i 1A001.c komplette raketsystemer og ubemandede luftfartøjssystemer.

1. Fremstillet af fluorelastomerer indeholdende mindst én vinylætergruppe som en enhed, der indgår i komponenten og

2. Specielt udviklet til brug i fly, rumfart eller missiler.

a.

Bestående af en organisk matrix og materialer, der er specificeret i 1C010.c, 1C010.d eller 1C010.e. eller

b.

Bestående af en metal- eller carbon matrix, og et eller flere af følgende:

1. Carbon fiber- og trådmaterialer med samtlige følgende egenskaber:

1. a.

Specifikt modul større end 10,15 x106 m og

b.

Specifik trækstyrke større end 17,7 × 104 m eller

2. Materialer, der er specificeret i 1C010.c.

a.

Et areal på højst 1 m2

b.

En længde på højst 2,5 m og

c.

En bredde på mere end 15 mm.

a.

Sportsartikler

b.

Automobilindustrien

c.

Værktøjsmaskinindustrien

d.

Medicinske anvendelser.

a.

Ovne til varmebehandling af metaller med henblik på hærdning af metaller

b.

Udstyr til fremstilling af boules af silicium.

a.

En tykkelse på mere end 0,254 mm eller

b.

Belagt eller lamineret med carbon, grafit, metaller eller magnetiske stoffer.

a. Teknisk note:

1A004 Helmasker, filterbeholdere og dekontamineringsudstyr hertil, der er udviklet eller modificeret til forsvar mod en eller flere af følgende, og specielt udviklede komponenter hertil: N.B.: 1A004.a. omfatter Powered Air Purifying Respirators (PAPR — ventilerede åndedrætsværn), der er konstrueret eller modificeret til forsvar mod kampmidler og materialer som anført i 1A004.a. I forbindelse med 1A004.a.

1. Betegnes helmasker også gasmasker

2. Omfatter filterbeholdere også filterpatroner.

1. Biologiske kampmidler til krigsbrug

2. Radioaktive materialer til krigsbrug

3. Kampmidler til kemisk krigsførelse (CW) eller

4. Kampmidler til oprørskontrol, herunder:

4. a.

α-Brombenzenacetonitril (brombenzylcyanid) (CA) (CAS 5798-79-8)

b.

[(2-chlorphenyl)metylen] propandinitril, (o-chlorbenzylidenmalonsyredinitril (CS) (CAS 2698-41-1)

c.

2-Chlor-1-phenylethanon, phenylacylchlorid (ω-chloroacetophenon) (CN) (CAS 532-27-4)

d.

Dibenz-(b,f)-1,4-oxazepin (CR) (CAS 257-07-8)

e.

10-Chlor-5,10-dihydrophenarsazin, (phenarsazinchlorid), (Adamsite), (DM) (CAS 578-94-9)

f.

N-Nonanoylmorpholin, (MPA) (CAS 5299-64-9)

b.

Beskyttelsesdragter, -handsker og -sko, der er specielt konstrueret eller modificeret til forsvar mod en eller flere af følgende:

1. Biologiske kampmidler til krigsbrug

2. Radioaktive materialer til krigsbrug eller

3. Kampmidler til kemisk krigsførelse (CW)

c.

Detekteringssystemer, der specielt er udviklet eller modificeret til detektering eller identifikation af en eller flere af følgende, og specielt udviklede komponenter hertil:

1. Biologiske kampmidler til krigsbrug

2. Radioaktive materialer til krigsbrug eller

3. Kampmidler til kemisk krigsførelse (CW)

d. Teknisk note:

Elektronisk udstyr, der er udviklet til automatisk detektering eller identifikation af tilstedeværelse af restmængder af sprængstoffer, og som anvender trace detection-teknikker (f.eks. akustisk overfladebølge, ionmobilitetsspektronomi, differential mobilitetsspektronomi, massespektrometri). Trace detection defineres som evnen til at detektere mindre end 1 ppm damp eller 1 mg fast stof eller væske. Note 1: 1A004.d. lægger ikke eksportkontrol på udstyr, der specielt er udviklet til laboratoriebrug. Note 2: 1A004.d. lægger ikke eksportkontrol på kontaktfrie sikkerhedsentréer.

a.

Dosimetre til personlig bestrålingsovervågning

b.

Udstyr til sundhed og sikkerhed på arbejdspladsen, der i udformning eller funktion er begrænset til at beskytte mod risici, der er specifikke for sikring af beboelseskvarterer eller ikkemilitære industrier, herunder

1. miner

2. stenbrud

3. landbrug

4. den farmaceutiske industri

5. medicinalindustrien

6. den veterinære sektor

7. miljøsektoren

8. affaldshåndtering

9. fødevareindustrien.

1A Teknisk note: 1.2. a.

Lette armerede beskyttelsesdragter, der ikke er fremstillet efter militære standarder eller specifikationer eller efter, hvad der svarer hertil, og specielt udviklede komponenter hertil

b.

Tunge armerede beskyttelsesdragter, der giver ballistisk beskyttelse svarende til højst niveau IIIA (NIJ 0101.06, juli 2008) eller tilsvarende nationale standarder

a.

Fjernbetjente køretøjer

b. Teknisk note:

Afbrydere. Afbrydere er anordninger, der er specielt konstrueret til at hindre den eksplosive anordning i at eksplodere, idet der affyres et flydende, fast eller brudbart projektil.

a.

Eksplosive detonatortændapparater, der er konstrueret til at drive detonatorer, der er specificeret i 1A007.b.

b.

Følgende elektrisk aktiverede detonatorer:

1. Eksplosive broer (EB)

2. Tråd til eksplosive broer (EBW)

3. Tændere med slapper

4. Tændere med eksplosiv folie (EFI).

1A Teknisk note: 1.2. Tekniske noter: 1.2. a.

Retningsbestemte ladninger, som har alle følgende egenskaber:

1. Netto eksplosiv mængde (NEM) overstiger 90 g og

2. Hylsterets ydre diameter er lig med eller større end 75 mm

b.

Lineære sprængskæreladninger, som har alle nedenstående egenskaber, samt specielt udformede komponenter hertil:

1. sprængladningen overstiger 40 g/m og

2. bredden er 10 mm eller mere

c.

Sprængsnore med en kernesprængladning, der overstiger 64 g/m

d.

Skæreanordninger ud over dem, der er omhandlet i 1A008.b., og redskaber til kløvning med en netto eksplosiv mængde (NEM), der overstiger 3,5 kg.

1A Teknisk note: 1.2. Tekniske noter: 1.2. Teknisk note: a.

En indvendig diameter mellem 75 mm og 400 mm og

b.

Fremstillet af de fiber- eller trådmaterialer, der er specificeret i 1C010.a eller b eller 1C210.a, eller af carbonprepregmaterialer, der er specificeret i 1C210.c.

a.

Fremstillet af phosphorbronzenet (kemisk behandlet for at forbedre vædbarhed) og

b.

Konstrueret til brug i vakuumdestillationstårne.

a.

Et inaktivt område målende mere end 0,09 m2

b.

En tæthed på mere end 3 g/m3 og

c.

En tykkelse på mindst 100 mm.

1B Teknisk note: 1.2. Teknisk note:

Prøve-, inspektions- og produktionsudstyr 1B001 Udstyr til fremstilling eller inspektion af kompositte strukturer eller laminater, som er specificeret i 1A002, eller fiber- og trådmaterialer, som er specificeret i 1C010, som følger, og specielt udviklede komponenter og tilbehør hertil: N.B.: JF. LIGELEDES 1B101 OG 1B201. For så vidt angår 1B001 kontrollerer primære servoanbringelsesakser ved hjælp af et computerprogram terminalanordningens (dvs. hovedets) position i rummet i forhold til arbejdsemnet og sørger for, at den har den korrekte drejning og retning med henblik på at opnå den ønskede proces. I 1B001 forstås ved et filamentbånd en endeløs bredde af helt eller delvis harpiksimprægneret tape, blår eller fiber. 1B002 Udstyr til fremstilling af metallegeringer, metallegeringspulver eller legerede materialer, specielt udviklet til at undgå kontaminering og specielt udviklet til brug i en af de processer, der specificeret i 1C002.c.2. N.B.: JF. LIGELEDES 1B102. 1B003 Værktøjer, matricer, forme eller tilbehør til superplastisk formning eller diffusionsbonding af titan, aluminium eller deres legeringer, specielt konstrueret til fremstilling af en eller flere af følgende: 1B101 Udstyr ud over det, der er specificeret i 1B001, til produktion af konstruktions kompositter som følger og specielt konstruerede komponenter og tilbehør hertil: N.B.: JF. LIGELEDES 1B201. Note: Eksempler på komponenter og tilbehør til maskiner, som er specificeret i 1B101 er: Forme, dorne, matricer, opspændinger og værktøj til præformpresning, hærdning, støbning, sintring eller bonding af komposit strukturer, laminater og produkter heraf. 1B102 Udstyr til produktion af metalpulver ud over det, der er specificeret i 1B002, og komponenter som følger: N.B.: JF. LIGELEDES 1B115.b. 1B115 Følgende udstyr ud over det, der er specificeret i 1B002 eller 1B102, til produktion af drivstoffer eller bestanddele af drivstoffer og specielt konstruerede komponenter hertil: Note 1: For så vidt angår udstyr, der er specielt konstrueret til fremstilling af militære produkter, se kontrolbestemmelserne for produkter til militære formål. Note 2: 1B115 omfatter ikke kontrol med produktion, håndtering og godkendelsesprøvning af borcarbid. 1B116 Specielt konstruerede dyser til fremstilling af pyrolytisk afledte materialer, der dannes på en form, dorn eller andet underlag fra prækursorgasser, som spaltes i temperaturområder fra 1573 K (1300 °C) til 3173 K (2900 °C) ved tryk på 130 Pa til 20 kPa. 1B117 Blandere, der har udstyr til at blande under vakuum i området fra nul til 13,326 kPa og mulighed for temperaturkontrol i blandekammeret, og som har samtlige følgende egenskaber, og specielt udviklede komponenter hertil: 1B118 Kontinuerlige blandere, der har udstyr til at blande under vakuum i området fra nul til 13,326 kPa og mulighed for temperaturkontrol i blandekammeret, og som har en eller flere af følgende egenskaber, og specielt udviklede komponenter hertil: 1B119 Møller baseret på fluidenergi til formaling og fræsning af stoffer, der er specificeret i 1C011.a., 1C011.b., 1C111 eller kontrolbestemmelserne for produkter til militære formål, og specielt udviklede komponenter hertil. 1B201 Filamentviklemaskiner ud over dem, der er specificeret i 1B001 eller 1B101, og beslægtet udstyr som følger: 1B225 Elektrolytceller til fluorproduktion med en produktionskapacitet på mere end 250 g fluor pr. time. 1B226 Elektromagnetiske isotopseparatorer, konstrueret til eller udstyret med enkelte eller multiple ionkilder, der er i stand til at afgive en total ionstrålestrøm på mindst 50 mA. N.B.: 1B226 omfatter: 1B228 Hydrogenkryogene destillationskolonner med samtlige følgende egenskaber: I 1B228 forstås ved effektiv længde pakningsmaterialets aktive højde i en fyldlegemekolonne, eller interne kontaktorpladers aktive højde i en plade-type-kolonne. 1B229 Vand-hydrogensulfidbytningskolonner med bund og interne kontaktorer som følger: N.B.: Med hensyn til kolonner, som er specielt konstrueret eller forberedt til produktion af tungt vand, se 0B004. 1B230 Pumper, der er i stand til at cirkulere opløsninger af koncentreret eller fortyndet kaliumamidkatalysator i flydende ammoniak (KNH2/NH3), med samtlige følgende egenskaber: 1B231 Tritiumindretninger eller -anlæg og udstyr hertil som følger: 1B232 Ekspansionsturbiner eller ekspansionsturbinekompressorer med begge følgende egenskaber: 1B233 Indretninger eller anlæg og systemer og udstyr til adskillelse af lithiumisotoper som følger: 1B234 Tanke til højeksplosive sprængstoffer, kamre, containere og lignende beholdere udviklet til prøvning af højeksplosive eller eksplosive anordninger, som har begge følgende egenskaber: N.B.: JF. LIGELEDES KONTROLBESTEMMELSERNE FOR PRODUKTER TIL MILITÆRE FORMÅL.

1B a.

Filamentvindemaskiner, i hvilke bevægelserne til anbringelse, omlægning og vinding af fibre koordineres og programmeres i tre eller flere primære servoanbringelsesakser, specielt konstrueret til fremstilling af kompositte strukturer eller -laminater, af fiber- eller trådmaterialer

b. Teknisk note:

Tape-pålægningsmaskiner, i hvilke bevægelserne til anbringelse og pålægning af tape koordineres eller programmeres i fem eller flere primære servoanbringelsesakser, specielt konstrueret til fremstilling af kompositte strukturer til flykroppe og missiler. N.B.: Med missiler menes i 1B001.b komplette raketsystemer og ubemandede luftfartøjssystemer. Tape-pålægningsmaskiner i 1B001.b. er i stand til at pålægge et eller flere filamentbånd begrænset til bredder på over 25 mm og under 305 mm, og til at skære og genstarte produktionen af individuelle filamentbånd under pålægningsprocessen.

c. Teknisk note:

1B001 Multidirektionelle, multidimensionelle vævemaskiner eller sammenfletningsmaskiner, inklusive tilpasningsstykker og modificeringssæt, specielt konstrueret eller modificeret til vævning, sammenfletning eller sammensnoning af fibre til kompositte strukturer. I forbindelse med 1B001.c. omfatter sammenfletning også strikning.

d.

Udstyr, specielt konstrueret eller tilpasset til fremstilling af forstærkningsfibre som følger:

1. Udstyr til omdannelse af polymeriske fibre (som f.eks. polyacrylonitril, rayon, beg eller polycarbosilan) til carbonfibre eller siliciumcarbidfibre, inklusive specielt udstyr til at strække fiberen under opvarmning

2. Udstyr til kemisk dampudfældning af grundstoffer eller forbindelser, på opvarmede, trådede substrater, til fremstilling af siliciumcarbidfibre

3. Udstyr til vådspinding af varmebestandige, keramiske materialer (som. f.eks. aluminiumoxid)

4. Udstyr til omdannelse af aluminium, der indeholder prækursorfibre, til aluminiumoxidfibre ved varmebehandling

e.

Udstyr til fremstilling af prepregs, der er specificeret i 1C010.e, ved varmsmeltningsmetoden

f.

Ikkedestruktivt inspektionsudstyr, specielt udviklet til kompositte materialer, som følger.

1. Røntgentomografisystemer til tredimensionel defektkontrol

2. Numerisk styrede ultralydstestmaskiner, i hvilke bevægelserne for positionering af sendere eller modtagere simultant koordineres og programmeres i mindst fire akser for at følge de tredimensionelle konturer af den komponent, der kontrolleres

g. Teknisk note:

Blårpålægningsmaskiner, i hvilke bevægelserne til anbringelse og pålægning af blår koordineres eller programmeres i to eller flere primære servoanbringelsesakser, specielt konstrueret til fremstilling af kompositte strukturer til flyskrog og missiler. Blårpålægningsmaskiner i 1B001.b. er i stand til at pålægge et eller flere filamentbånd begrænset til bredder på højst 25 mm, og til at skære og genstarte produktionen af individuelle filamentbånd under pålægningsprocessen.

1B Teknisk note: 1.2. a.

Konstruktioner til flyskrog eller rumfart

b.

Motorer til fly eller rumfart eller

c.

Specielt konstruerede komponenter til de konstruktioner, der er omhandlet i 1B003.a, eller de motorer, der er omhandlet i 1B003.b.

a.

Filamentvindemaskiner eller fiberviklemaskiner, hvor bevægelserne til anbringelse, omlægning og vinding af fibre kan koordineres og programmeres i tre eller flere akser, specielt konstrueret til fremstilling af komposit struktur eller laminater af fiber- eller trådmaterialer, og koordinering og programstyring hertil

b.

Tape pålægningsmaskiner, hvor bevægelserne til anbringelse og lægning af tape og folie kan koordineres og programmeres i to eller flere akser, konstrueret til fremstilling af kompositte flyskrog og missil konstruktioner

c.

Udstyr konstrueret eller modificeret til produktion af fiber- eller trådmaterialer som følger:

1. Udstyr til omdannelse af polymere fibre (som for eksempel polyakrylonitril, rayon eller polycarbosilan), herunder specielle forholdsregler til strækning af fiberen under opvarmning

2. Udstyr til dampudfældning af grundstoffer eller forbindelser på opvarmede trådsubstrater

3. Udstyr til vådspinding af varmebestandige, keramiske materialer (som. f.eks. aluminiumoxid)

d.

Udstyr, der er konstrueret eller modificeret til speciel fiberoverfladebehandling eller fremstilling af de prepregs og preforms, der er specificeret i 9C110. Note: 1B101.d. omfatter valser, strammeanordninger, belægningsudstyr, skæreudstyr og clicker dies.

a.

Udstyr til produktion af metalpulver, som kan anvendes til produktion i et kontrolleret miljø af sfærisk, sfæroidal eller forstøvet materiale, der er specificeret i 1C011.a, 1C011.b, 1C111.a.1, 1C111.a.2. eller kontrolbestemmelserne for produkter til militære formål;

b.

Specielt konstruerede komponenter til udstyr til produktion, som er specificeret i 1B002 eller 1B102.a. Note: 1B102 omfatter:

a.

Plasmageneratorer (højfrekvent buejet), der kan anvendes til fremstilling af forstøvet eller sfærisk metalpulver med tilrettelæggelse af processen i et argon-vand-miljø

b.

Electroburstudstyr, der kan anvendes til fremstilling af forstøvet eller sfærisk metalpulver med tilrettelæggelse af processen i et argon-vand-miljø

c.

Udstyr, der kan anvendes til produktion af sfærisk aluminiumpulver ved forstøvning af smelt i et inaktivt medium (f.eks. nitrogen).

a.

Produktionsudstyr til produktion, håndtering og godkendelsesafprøvning af flydende drivstoffer eller bestanddele af drivstoffer, der er specificeret i 1C011.a., 1C011.b., 1C111 eller kontrolbestemmelserne for produkter til militære formål

b.

Produktionsudstyr til produktion, håndtering, blanding, hærdning, støbning, presning, maskinbehandling, strengpresning eller godkendelsesafprøvning af faste drivstoffer eller bestanddele af drivstoffer, der er specificeret i 1C011.a., 1C011.b., 1C111 eller kontrolbestemmelserne for produkter til militære formål. Note: 1B115.b. lægger ikke eksportkontrol på batchblandere, kontinuerlige blandere, møller baseret på fluidenergi. For så vidt angår eksportkontrol på batchblandere, kontinuerlige blandere, møller baseret på fluidenergi se 1B117, 1B118 og 1B119.

a.

Et totalt rumfang på 110 l eller derover og

b.

Mindst en excentrisk monteret blande/ælteaksel. N.B.: I 1B117.b. anvendes udtrykket blande/ælteaksel ikke om deagglomeratorer eller knife-spindles.

a.

To eller flere blande/ælteaksler eller

b.

En enkelt roterende aksel med oscillerende bevægelse og med æltetænder/tappe både på akslen og indvendigt i blandekammeret.

a.

Filamentviklemaskiner, der har samtlige følgende egenskaber:

1. Bevægelserne til anbringelse, lægning og vikling af fibre kan koordineres og programmeres i to eller flere akser

2. Specielt konstrueret til fremstilling af kompositte strukturer eller laminater af fiber- eller trådmaterialer og

3. I stand til at vikle cylindriske rør med en indvendig diameter på mellem 75 mm og 650 mm og længder på 300 mm eller derover

b.

Koordinerings- og programmeringsstyring til de filamentviklemaskiner, der er specificeret i 1B201.a

c.

Præcisionsdorne til de filamentviklemaskiner, der er specificeret i 1B201.a.

a.

Separatorer, der er i stand til at berige stabile isotoper

b.

Separatorer med både ionkilder og kollektorer i magnetfeltet og de konfigurationer, hvor de er uden for feltet.

a.

Konstrueret til drift ved indre temperaturer på højst 35 K (- 238 °C)

b.

Konstrueret til drift ved indre tryk på 0,5 til 5 MPa

c.

Konstrueret af:

1. Rustfrit stål i 300-serien med lavt svovlindhold og med en austenitisk kornstørrelse på mindst 5 efter ASTM (eller tilsvarende standard) eller

2. Tilsvarende kryogeniske og H2-kompatible materialer og

d.

Med indvendig diameter på mindst 30 cm og effektive længder på mindst 4 m.

1B Teknisk note: 1.2. Teknisk note: a.

Vand-hydrogensulfidbytningskolonner med bund, der har samtlige følgende egenskaber:

1. Kan drives ved tryk på mindst 2 MPa

2. Konstrueret af kulstofstål med en austenitisk kornstørrelse på mindst 5 efter ASTM (eller tilsvarende standard) og

3. Med en diameter på mindst 1,8 m

b. Teknisk note:

Interne kontaktorer til vand-hydrogensulfidbytningskolonner med bund, som er specificeret i 1B229.a. Interne kontaktorer i kolonnerne, der udgøres af segmenterede bakker med en effektiv samlet diameter på mindst 1,8 m, er konstrueret til at lette modstrømskontakt og fremstillet af rustfrit stål med et kulstofindhold på højst 0,03 %. Disse kan være sibunde, ventilbunde, boblebunde eller turbogridbunde.

a.

Er lufttætte (dvs. hermetisk forseglet)

b.

Har en kapacitet over 8,5 m3/h og

c.

Med en af følgende egenskaber:

1. For koncentrerede kaliumamidopløsninger (1 % eller højere) et driftstryk på 1,5-60 MPa eller

2. For fortyndede kaliumamidopløsninger (mindre end 1 %) et driftstryk på 20-60 MPa (200-600 atm).

a.

Indretninger eller anlæg til produktion, udvinding, udtrækning, koncentrering eller håndtering af tritium

b.

Udstyr til tritiumindretninger eller -anlæg som følger:

1. Hydrogen- eller heliumkøleenheder, der er i stand til at køle til 23 K (-250 °C) eller derunder, med en varmeafgivelseseffekt på mere end 150 W;

2. Systemer til lagring eller rensning af hydrogenisotoper ved anvendelse af metalhydrider som lagrings- eller rensningsmedie.

a.

Konstrueret til drift under 35 K (-238 °C) og

b.

Konstrueret til en hydrogengaskapacitet på mindst 1000 kg/h.

a.

Indretninger eller anlæg til adskillelse af lithiumisotoper

b.

Udstyr til adskillelse af lithiumisotoper baseret på lithium-kviksølv amalgamprocessen som følger:

1. Fyldlegemevæskevæskebytningskolonner specielt konstrueret til lithiumamalgamer

2. Kviksølv- eller lithiumamalgampumper

3. Lithiumamalgamelektrolyseceller

4. Fordampere til koncentreret lithiumhydroxidopløsning.

c.

Ionbytningssystemer, der er specielt konstruerede til adskillelse af lithiumisotoper og specielt konstruerede komponenter hertil

d.

Kemiske bytningssystemer (kroneethere, kryptander eller lariatethere), som er specielt udviklet til adskillelse af lithiumisotoper, og specielt konstruerede komponenter hertil.

a.

Udviklet til at fuldt ud at standse en eksplosion svarende til 2 kg TNT eller derover og

b.

Har konstruktionselementer eller funktionaliteter, der kan iværksætte tidstro eller forsinket overførsel af diagnostik eller måleinformation.

1C Teknisk note: Tekniske noter: 1.2.3. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: 1.2. Teknisk note: 1.2. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note 1: Teknisk note 2: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Tekniske noter: 1.2.3.

Materialer Metaller og legeringer: Medmindre der træffes bestemmelse om det modsatte, dækker ordene metaller og legeringer i 1C001-1C012 uforarbejdede og halvforarbejdede former som følger: Uforarbejdede former: Anoder, kugler, stænger (herunder også prøvestænger med kærv samt wirebars), råemner, blokke, lupper, briketter, stykker, katoder, krystaller, terninger, matricer, korn, granulat, barrer, klumper, piller, stumper, pulver, skiver, stålsand, plader, brikker, jernsvamp, stokke. Halvforarbejdede former (uanset om de er belagt, pletteret, boret eller udstanset eller ej): Eksportkontrollens formål bør ikke omgås ved eksport af ikkeopførte emner, der påstås at være færdigprodukter, men i virkeligheden er uforarbejdede eller halvforarbejdede former. 1C001 Materialer specielt udviklet til at absorbere elektromagnetiske bølger eller intrinsisk ledende polymerer som følger: N.B.: JF. LIGELEDES 1C101. 1C002 Metallegeringer, metallegeringspulver eller legerede materialer som følger: N.B.: JF. LIGELEDES 1C202. Note: 1C002 lægger ikke eksportkontrol på metallegeringer, metallegeringspulver eller legerede materialer til belægningssubstrater. Metallegeringerne i 1C002 er legeringer, der indeholder en højere vægtprocentdel af det angivne metal end af noget andet grundstof. Spændingsbrudlevetid skal måles iflg. ASTM standard E-139 eller tilsvarende nationale normer. Lavfrekvent brudlevetid skal måles iflg. ASTM standard E-606 Recommended Practice for Constant-Amplitude Low-Cycle Fatigue Testing eller tilsvarende nationale normer. Afprøvningen skal være aksial med et middelbelastningsforhold på 1 og en belastningskoncentrationsfaktor (Kt) på 1. Middelbelastningsforholdet defineres som maksimumbelastningen minus minimumbelastningen divideret med maksimumbelastningen. 1C003 Magnetiske metaller af enhver type eller form med en eller flere af følgende egenskaber: 1C004 Uran-titan-legeringer eller wolframlegeringer med en matrix baseret på jern, nikkel eller kobber med samtlige følgende egenskaber: 1C005 Superledende kompositte ledere i længder på mere end 100 m eller med en masse på mere end 100 g som følger: I forbindelse med 1C005 kan filamenter være i tråd-, cylinder-, film-, tape- eller båndform. 1C006 Væsker og smøremidler som følger: I forbindelse med 1C006: 1C007 Keramiske basismaterialer, ikke kompositte keramiske materialer, keramiske matrix-materialer, kompositte materialer eller prækursormaterialer som følger: N.B.: JF. LIGELEDES 1C107. 1C008 Ikkefluorerede polymere substanser som følger: Glasomdannelsestemperaturen (Tg) for termoplastiske materialer under 1C008.a.2. og materialer under 1C008.a.4. bestemmes ved metoden beskrevet i ISO 11357-2 (1999) eller tilsvarende nationale standarder. Glasomdannelsestemperaturen (Tg) for termohærdende materialer under 1C008.a.2. og materialer under 1C008.a.3. bestemmes ved 3-punktsbøjningsmetoden beskrevet i ASTM D 7028-07 eller tilsvarende nationale standarder. Denne test udføres på et tørt prøveemne med en hærdningsgrad på mindst 90 % som defineret i ASTM E 2160-04 eller en tilsvarende national standard og som hærdede ved hjælp af en kombination af standard- og efterhærdningsprocesser med den højeste Tg. 1C009 Ubehandlede fluorerede forbindelser som følger: 1C010 Fiber- og trådmaterialer som følger: N.B.: JF. LIGELEDES 1C210 OG 9C110. Med henblik på beregningen af specifik trækstyrke, specifikt modul eller specifik vægt af fiber- eller trådmaterialer beskrevet i 1C010.a, 1C010.b eller 1C010.c beregnes trækstyrke og modul ved hjælp af metode A i ISO 10618 (2004) eller tilsvarende nationale metoder. Vurderingen af specifik trækstyrke, specifikt modul eller specifik vægt af ikke-ensrettede fiber- eller trådmaterialer (f.eks. væv, måtter og flettede bånd) i 1C010. baseres på de mekaniske egenskaber ved de indeholdte ensrettede monofilamenter (f.eks. monofilamenter, garner, forgarner eller blår), før de omdannes til ikke-ensrettede fiber- og trådmaterialer. 1C011 Metaller og forbindelser som følger: N.B.: JF. LIGELEDES KONTROLBESTEMMELSERNE FOR PRODUKTER TIL MILITÆRE FORMÅL OG 1C111. N.B.: Jf. ligeledes kontrolbestemmelserne for produkter til militære formål for metalpulver, der blandes med andre stoffer for at danne en blanding, der er formuleret til militære formål. 1C012 Materialer som følger: Disse materialer anvendes typisk til nukleare varmekilder. 1C101 Materialer og indretninger til formindskede observerbare størrelser som radarreflektivitet, ultraviolet/infrarøde og akustiske signaturer ud over dem, der er specificeret i 1C001, til anvendelse i missiler, missil undersystemer eller ubemandede luftfartøjer, der er specificeret i 9A012. Note 1: 1C101 omfatter: Note 2: 1C101 omfatter ikke belægninger, der specielt bruges til varmekontrol af satellitter. Ved missil forstås i 1C101 komplette raketsystemer og ubemandede luftfartøjssystemer med en rækkevidde på over 300 km. 1C102 Resaturerede pyroliserede carboncarbonmaterialer, der er udviklet til løftefartøjer til rumfartøjer, som er specificeret i 9A004, eller raketsonder, som er specificeret i 9A104. 1C107 Grafit og keramiske materialer ud over dem, der er specificeret i 1C007, som følger: 1C111 Drivstoffer og kemiske stoffer, der udgør en bestanddel af drivstoffer, ud over dem, der er specificeret i 1C011, som følger: Note: For så vidt angår drivstoffer og kemiske stoffer, der udgør en bestanddel af drivstoffer, som ikke er specificeret i 1C111: se kontrolbestemmelserne for produkter til militære formål. 1C116 Martensitisk stål til brug i missiler med samtlige følgende egenskaber: N.B.: JF. LIGELEDES 1C216. Martensitisk stål er jernlegeringer: Ved missil forstås i 1C116 komplette raketsystemer og ubemandede luftfartøjssystemer med en rækkevidde på over 300 km. 1C117 Materialer til fremstilling af missilkomponenter som følger: Ved missil forstås i 1C117 komplette raketsystemer og ubemandede luftfartøjssystemer med en rækkevidde på over 300 km. 1C118 Titanstabiliseret duplex rustfrit stål (Ti-DSS) med samtlige følgende egenskaber: 1C202 Legeringer ud over dem, der er specificeret i 1C002.b.3 eller 1C002.b.4, som følger: Udtrykket kan belastes med vedrører legeringer før eller efter varmebehandling. 1C210 Fiber- eller trådmateriale eller prepregs ud over dem, der er specificeret i 1C010.a, b eller e, som følger: Note: I 1C210 er fiber eller trådmaterialer begrænset til kontinuerlige monofilamenter, garner, forgarner, blår eller tape. 1C216 Martensitisk ældende stål ud over det, der er specificeret i 1C116, der kan belastes med en maksimal trækstyrke på 1950 MPa eller derover ved 293 K (20 °C). Note: 1C216 lægger ikke eksportkontrol på forme, hvor ingen lineære dimensioner overstiger 75 mm. Udtrykket martensitisk ældende stål … med en omfatter martensitisk ældende stål før eller efter varmebehandling. 1C225 Bor beriget til bor-10 isotopen (10B) med mere end dets naturlige isotopiske indhold som følger: elementar bor, forbindelser, blandinger indeholdende bor eller produkter heraf, affald og skrot indeholdende nogle af ovennævnte. Note: 1C225 omfatter borblandinger indeholdende borladede materialer. Det naturlige isotopiske bor 10-indhold udgør ca. 18,5 vægtprocent (20 atomprocent). 1C226 Wolfram, wolframcarbid og wolframlegeringer indeholdende mere end 90 vægtprocent wolfram ud over dem, der er specificeret i 1C117, som har begge følgende egenskaber: Note: 1C226 lægger ikke eksportkontrol på produkter, der er specielt konstrueret til brug som vægte eller gammastrålekollimatorer. 1C227 Calcium med begge følgende egenskaber: 1C228 Magnesium med begge følgende egenskaber: 1C229 Bismuth med begge følgende egenskaber: 1C230 Metallisk beryllium, legeringer indeholdende mere end 50 vægtprocent beryllium, berylliumforbindelser, produkter heraf og eventuelt affald eller skrot af ovennævnte, ud over det, der er specificeret i kontrolbestemmelserne for produkter til militære formål. N.B.: JF. LIGELEDES KONTROLBESTEMMELSERNE FOR PRODUKTER TIL MILITÆRE FORMÅL. Note: 1C230 lægger ikke eksportkontrol på følgende: 1C231 Metallisk hafnium, legeringer indeholdende mere end 60 vægtprocent hafnium, hafniumforbindelser indeholdende mere end 60 vægtprocent hafnium, produkter heraf og affald og skrot af ovennævnte. 1C232 Helium-3 (3He), blandinger indeholdende helium-3 eller produkter eller apparater indeholdende ovennævnte. Note: 1C232 lægger ikke eksportkontrol på produkter eller apparater, der indeholder mindre end 1 g helium-3. 1C233 Lithium beriget til lithium-6 (6Li) isotopen med mere end dets naturlige isotopiske indhold og produkter eller apparater indeholdende beriget lithium som følger: elementar lithium, legeringer, forbindelser eller blandinger indeholdende lithium, produkter heraf, affald og skrot af ovennævnte. Note: 1C233 lægger ikke eksportkontrol på termoluminiscente dosimetre. Lithium-6's naturlige isotopiske indhold er ca. 6,5 vægtprocent (7,5 atomprocent). 1C234 Zirconium med et hafnium/zirconium-vægtforhold på mindre end 1/500 som følger: i form af metal, legeringer indeholdende mere end 50 vægtprocent zirconiumforbindelser, produkter heraf, affald eller skrot af ovennævnte, ud over dem, der er specificeret i 0A001.f. Note: 1C234 lægger ikke eksportkontrol på zirconium i form af folie af en tykkelse på højst 0,10 mm. 1C235 Tritium og forbindelser og blandinger af tritium, i hvilke tritium/hydrogenatomforholdet overstiger 1 promille, og produkter eller apparater indeholdende nogen af ovennævnte. Note: 1C235 lægger ikke eksportkontrol på produkter eller apparater, som indeholder mindre end 1,48 × 103 GBq (40 Ci) tritium. 1C236 Radionuklider, som er egnede til fremstilling af neutronkilder på basis af alpha-n-reaktion, udover dem der er specificeret i 0C001 og 1C012.a i følgende form: Note: 1C236 lægger ikke eksportkontrol på produkter eller apparater, som indeholder mindre end 3,7 GBq (100 millicurie) alfaaktivitet. I 1C236 er radionuklider: 1C237 Radium-226 (226Ra), radium-226-legeringer, radium-226-forbindelser, blandinger indeholdende radium-226, produkter heraf eller produkter, som indeholder nogen af ovennævnte. Note: 1C237 lægger ikke eksportkontrol på følgende: 1C238 Chlortrifluorid (CIF3) 1C239 Højeksplosive stoffer ud over dem, der er specificeret i kontrolbestemmelserne for produkter til militære formål, eller stoffer eller blandinger indeholdende mere end 2 vægtprocent deraf med en krystalmassetæthed på mere end 1,8 g/cm3 og en detonationshastighed på mere end 8000 m/s. 1C240 Nikkelpulver og porøst nikkelmetal ud over dem, der er specificeret i 0C005, som følger: Note: 1C240 lægger ikke eksportkontrol på følgende: 1C240.b henviser til porøst metal fremstillet ved komprimering og sintring af de i 1C240.a nævnte materialer, så de danner et metalmateriale med fine porer, som er indbyrdes forbundet hele strukturen igennem. 1C241 Rhenium og legeringer med et indhold af rhenium på mindst 90 vægtprocent og legeringer af rhenium og wolfram med et indhold af enhver kombination af rhenium og wolfram på mindst 90 vægtprocent, og som har begge følgende egenskaber: 1C350 Kemiske stoffer, der kan anvendes som prækursorer til toksiske kemiske forbindelser, som følger, og kemiske blandinger, der indeholder et eller flere af disse: N.B.: JF. LIGELEDES KONTROLBESTEMMELSERNE FOR PRODUKTER TIL MILITÆRE FORMÅL OG 1C450. Note 1: For så vidt angår eksport til stater, der ikke er parter i konventionen om kemiske våben, lægger 1C350 ikke eksportkontrol på kemiske blandinger, som indeholder et eller flere af de kemiske stoffer, der er specificeret i 1C350.1, 3, 5, 11, 12, 13, 17, 18, 21, 22, 26, 27, 28, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 54, 55, 56, 57 og 63, og hvori intet individuelt specificeret kemisk stof udgør mere end 10 vægtprocent af blandingen. Note 2: For så vidt angår eksport til stater, der ikke er parter i konventionen om kemiske våben, lægger 1C350 ikke eksportkontrol på kemiske blandinger, som indeholder et eller flere af de kemiske stoffer, der er specificeret i 1C350.1, 3, 5, 11, 12, 13, 17, 18, 21, 22, 26, 27, 28, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 54, 55, 56, 57 og 63, og hvori intet individuelt specificeret kemisk stof udgør mere end 30 vægtprocent af blandingen. Note 3: 350 lægger ikke eksportkontrol på kemiske blandinger, som indeholder et eller flere af de kemiske stoffer, der er specificeret i 1C350.2, 6, 7, 8, 9, 10, 14, 15, 16, 19, 20, 24, 25, 30, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 58, 59, 60, 61 og 62, og hvori intet individuelt specificeret kemisk stof udgør mere end 30 vægtprocent af blandingen. Note 4: 1C350 lægger ikke eksportkontrol på produkter, der betegnes som forbrugsprodukter og er pakket til detailsalg og personlig brug eller er pakket til individuel brug. 1C351 Humane og animalske patogener og toksiner som følger: N.B.: 1C351 lægger ikke eksportkontrol på vacciner eller immunotoksiner. 1C352 Ikke anvendt 1C353 Genetiske elementer og genetisk modificerede organismer som følger: Genetisk modificerede organismer omfatter organismer, hvori det genetiske materiale (nukleinsyresekvenser) er blevet ændret på en måde, der ikke forekommer naturligt ved formering og/eller naturlig rekombination, og omfatter organismer, der er helt eller delvis kunstigt fremstillet. Genetiske elementer omfatter bl.a. kromosomer, genomer, plasmider, transposoner og vektorer, hvad enten de er genetisk modificeret eller ej eller helt eller delvis fremstillet ved kemisk syntese. Ved nukleinsyresekvenser, der er forbundet med patogenicitet fra enhver af de mikroorganismer, der er specificeret i 1C351.a., 1C351.c., 1C351.e. eller 1C354, forstås enhver sekvens, der er specifik for den specificerede mikroorganisme, og som: Note: 1C353 lægger ikke eksportkontrol på nukleinsyresekvenser, der er forbundet med patogenicitet fra enterohaemorrhagisk Escherichia coli, serotype O157, og andre verotoksinproducerende stammer, ud over dem, der koder for verotoksin eller underenheder heraf. 1C354 Plantepatogener som følger: 1C450 Toksiske kemiske stoffer og toksiske kemiske prækursorer, som følger, og kemiske blandinger, der indeholder et eller flere af disse: N.B.: JF. LIGELEDES 1C350, 1C351.D OG KONTROLBESTEMMELSERNE FOR PRODUKTER TIL MILITÆRE FORMÅL.

1C Teknisk note: a.

1C Smedede eller forarbejdede materialer, der er fremstillet ved valsning, trækning, strengpresning, smedning, slagstøbning, presning, granulering, forstøvning og formaling dvs.: vinkeljern, U-jern, cirkler, skiver, støv, flager, folie, smedeemner, pletterede emner, pulver, emner efter presning og udstansning, bånd, ringe, stænger (herunder nøgne svejseelektroder, valsetråd og valset tråd), profiljern, forme, plader, lister og rør (herunder rundjern, firkantjern og huljern), trukket eller strengpresset tråd

b.

Støbt materiale fremstillet ved støbning i sand, matrice, metal, gips eller andre typer af støbeforme, herunder også højtryksstøbning, sintrede forme og forme fremstillet ved pulvermetallurgi.

a.

Materialer til absorbering af frekvenser på over 2 × 108 Hz, men under 3 × 1012 Hz Note 1: 1C001.a. lægger ikke eksportkontrol på: Note 2: Intet i note 1 til 1C001.a fritager magnetiske materialer, som forårsager absorption, når de indeholdes i maling.

a.

Absorberende stoffer af hårtypen, konstrueret af naturlige eller syntetiske fibre, med umagnetisk fyldstof for at tilvejebringe absorption

b.

Absorberende stoffer uden magnetisk tab, hvis indfaldsflade er ikkeplan af form, inklusive pyramider, kegler, kiler og krumme overflader

c.

Plane, absorberende materialer med samtlige følgende egenskaber:

1. Teknisk note:

Fremstillet af en eller flere af følgende: Absorptionsprøveemner til 1C001.a. Note: 1.c.1 skal være kvadrater med sider på mindst 5 bølgelængder af midtfrekvensen og anbragt i det fjerneste felt af det strålende element.

1. a.

Plastiske skummaterialer (bøjelige eller stive), med carbonfyldstof, eller organiske materialer, inklusive bindematerialer, som giver mere end 5 % ekko i sammenligning med metal over en båndbredde på over ± 15 % af den indfaldende energis midtfrekvens, og ikke i stand til at modstå temperaturer på mere end 450 K (177 °C) eller

b.

Keramiske materialer, der giver mere end 20 % ekko i sammenligning med metal over en båndbredde på over ± 15 % af den indfaldende energis midtfrekvens og kan modstå temperaturer på mere end 800 K (527 °C).

2. Trækstyrke mindre end 7 × 106 N/m2 og

3. Trykstyrke mindre end 14 × 106 N/m2

d.

Plane absorbere fremstillet af sintret ferrit med samtlige følgende egenskaber:

1. Massefylde på mere end 4,4 og

2. Maksimal driftstemperatur på 548 K (275 °C).

b.

1C001 Materialer til absorbering af frekvenser på over 1,5x 1014 Hz, men under 3,7 × 1014 Hz, og ikkegennemsigtige med synligt lys Note: 1C001.b. lægger ikke eksportkontrol på materialer, der er specielt udviklet til eller formuleret til følgende anvendelser:

a.

Lasermærkning af polymerer eller

b.

Lasersvejsning af polymerer.

c. Teknisk note:

Intrinsisk ledende polymere materialer med en samlet specifik elektrisk ledningsevne på mere end 10000 S/m (Siemens pr. meter) eller en specifik overflademodstand på mere end 100 ohm/kvadrat, baseret på nogen af følgende polymerer: Note: 1C001.c. lægger ikke eksportkontrol på materialer i flydende form. Samlet elektrisk ledningsevne og specifik overflademodstand skal bestemmes ved hjælp af ASTM D-257 eller tilsvarende nationale normer.

c.

1. Polyanilin

2. Polypyrrol

3. Polythiophen

4. Polyphenylenvinylen eller

5. Polythienylenvinylen.

1C Teknisk note: Tekniske noter: 1.2.3. a.

Aluminider som følger:

1. Nikkelaluminider indeholdende mindst 15 vægtprocent aluminium, højst 38 vægtprocent aluminium og mindst en yderligere legeringskomponent

2. Titanaluminider indeholdende 10 vægtprocent aluminium eller mere og mindst en yderligere legeringskomponent

b.

Metallegeringer som følger fremstillet af det pulver eller partikelformede materiale, som er specificeret i 1C002.c:

1. Nikkellegeringer med en eller flere af følgende egenskaber:

1. a.

Spændingsbrudlevetid på 10000 timer eller mere ved 923 K (650 °C) og en belastning på 676 MPa eller

b.

Lavfrekvent brudlevetid på 10000 perioder eller mere ved 823 K (550 °C) ved en maksimal belastning på 1095 MPa

2. 1C002 b. Niobiumlegeringer med en eller flere af følgende egenskaber:

2. a.

Spændingsbrudlevetid på 10000 timer eller mere ved 1073 K (800 °C) og en belastning på 400 MPa eller

b.

Lavfrekvent brudlevetid på 10000 perioder eller mere ved 973 K (700 °C) ved en maksimal belastning på 700 MPa

3. Titanlegeringer med en eller flere af følgende egenskaber:

3. a.

Spændingsbrudlevetid på 10000 timer eller mere ved 723 K (450 °C) og en belastning på 200 MPa eller

b.

Lavfrekvent brudlevetid på 10000 perioder eller mere ved 723 K (450 °C) ved en maksimal belastning på 400 MPa

4. Aluminiumlegeringer med en eller flere af følgende egenskaber:

4. a.

En trækstyrke på 240 MPa eller mere ved 473 K (200 °C) eller

b.

En trækstyrke på 415 MPa eller mere ved 298 K (25 °C)

5. Magnesiumlegeringer med begge følgende egenskaber:

5. a.

En trækstyrke på mindst 345 MPa og

b.

En korrosionshastighed på mindre end 1 mm/år i 3 % vandig natriumkloridopløsning målt iflg. ASTM standard G-31 eller tilsvarende nationale normer

c.

Metallegeringspulver eller partikelformet materiale, der har samtlige følgende egenskaber:

1. Teknisk note:

Fremstillet ved et eller flere af følgende legeringssystemer: I det følgende står X for en eller flere legeringskomponenter.

a.

Nikkellegeringer (Ni-Al-X, Ni-X-Al), som er kvalificerede til turbinemaskindele eller komponenter, dvs. med mindre end 3 ikkemetalliske partikler (tilført under fremstillingsprocessen), som er større end 100 μm i 109 legeringspartikler

b.

Niobiumlegeringer (Nb-Al-X eller Nb-X-Al, Nb-Si-X eller Nb-X-Si, Nb-Ti-X eller Nb-X-Ti)

c.

Titanlegeringer (Ti-Al-X eller Ti-X-Al)

d.

Aluminiumlegeringer (Al-Mg-X eller Al-X-Mg, Al-Zn-X eller Al-X-Zn, Al-Fe-X eller Al-X-Fe) eller

e.

Magnesiumlegeringer (Mg-Al-X eller Mg-X-Al)

2. Fremstillet i et kontrolleret miljø ved en eller flere af følgende processer:

2. a.

Vakuumatomisering

b.

Gasatomisering

c.

Roterende atomisering

d.

Splat quenching

e.

Smeltespinding og findeling

f.

Smelteekstraktion og findeling eller

g.

Mekanisk legering og

3. Kan anvendes til fremstilling af materialer, som er specificeret i 1C002.a eller 1C002.b

d.

1C002 Legerede materialer med samtlige følgende egenskaber:

1. Fremstillet ved et eller flere af de legeringssystemer, der er specificeret i 1C002.c.1

2. I form af udelte flager, bændler eller tynde stænger og

3. Fremstillet i et kontrolleret miljø ved en eller flere af følgende processer:

3. a.

Splat quenching

b.

Smeltespinding eller

c.

Smelteekstraktion

a. Teknisk note:

Initial, relativ permeabilitet på 120000 eller mere, og tykkelse på 0,05 mm eller mindre. Måling af initial relativ permeabilitet skal udføres på fuldt afhærdede materialer.

b.

Magnetostriktive legeringer med en eller flere af følgende egenskaber:

1. Mætningsmagnetostriktion på mere end 5 × 10-4 eller

2. Magnetomekanisk koblingsfaktor (k) på mere end 0,8 eller

c. Teknisk note:

Amorfe eller nanokrystallinske legeringsstrimler med samtlige følgende egenskaber: Nanokrystallinske materialer i 1C003.c. er materialer, der har en krystalkornstørrelse på 50 nm eller mindre, bestemt ved røntgendiffraktion.

c.

1. En sammensætning med minimum 75 vægtprocent jern, cobalt eller nikkel

2. En magnetisk mætningsinduktion (Bs) på 1,6 T eller mere og

3. En eller flere af følgende egenskaber:

3. a.

Strimmeltykkelse på 0,02 mm eller mindre eller

b.

Elektrisk modstand på 2 × 10-4 ohm-cm eller mere.

a.

Specifik massefylde på over 17,5 g/cm3

b.

Elasticitetsgrænse på mere end 880 MPa

c.

Trækbrudstyrke på mere end 1270 MPa og

d.

Forlængelse på mere end 8 %.

a.

Superledende kompositte ledere, som indeholder en eller flere niobium-titan-filamenter med alle følgende egenskaber:

1. Indlagt i en matrix, som ikke er en kobber- eller kobberbaseret blandet matrix og

2. Med et tværsnit på mindre end 0,28 × 10-4 mm2 (6 μm i diameter for cirkulære filamenter)

b.

1C005 Superledende kompositte ledere bestående af et eller flere superledende filamenter af andet end niobiumtitan med samtlige følgende egenskaber:

1. Med en kritisk temperatur ved nul magnetisk induktion på mere end 9,85 K (- 263,31 °C) og

2. Forbliver i den superledende tilstand ved en temperatur på 4,2 K (-268,96 °C), når de udsættes for et magnetfelt, som er rettet vinkelret mod lederens længdeakse, og svarende til en magnetisk induktion på 12 T med en kritisk strømtæthed, som overstiger 1750 A/mm2 på hele tværsnittet af lederen.

c.

Superledende kompositte ledere bestående af et eller flere superledende filamenter, som forbliver superledende ved en temperatur, der overstiger 115 K (-158,16 °C).

1C Teknisk note: Tekniske noter: 1.2.3. Teknisk note: a.

Hydrauliske væsker indeholdende, som deres hovedbestanddele, en eller flere af følgende:

1. Teknisk note:

Syntetiske silakulbrinteolier med samtlige følgende egenskaber: I forbindelse med 1C006.a.1 indeholder silakulbrinteolier kun silicium, hydrogen og carbon.

a.

Flammepunkt på over 477 K (204 °C)

b.

Flydepunkt på 239 K (-34 °C) eller mindre

c.

Viskositetsindeks på 75 eller mere og

d.

Flammepunkt på over 616 K (343 °C) eller

2. Teknisk note:

Chlorfluorcarboner med samtlige følgende egenskaber: I forbindelse med 1C006.a.2 indeholder chlorfluorcarboner udelukkende carbon, fluor og chlor.

a.

Intet flammepunkt

b.

Selvantændelsestemperatur på mere end 977 K (704 °C)

c.

Flydepunkt på 219 K (-54 °C) eller mindre

d.

Viskositetsindeks på 80 eller mere og

e.

Kogepunkt på 473 K (200 °C) eller mere

b.

Smøremidler, der som deres hovedbestanddele indeholder en eller flere af følgende:

1. Phenylen- eller alkylphenylenethere eller thioethere eller blandinger heraf, indeholdende mere end to ether- eller thioetherfunktioner eller blandinger heraf eller

2. Fluorerede siliconevæsker med en kinematisk viskositet på mindre end 5000 mm2/s (5000 centistoke) målt ved 298 K (25 °C)

c.

1C006 Dæmpnings- eller flotationsvæsker med samtlige følgende egenskaber:

1. Renhed på over 99,8 %

2. Indeholdende mindre end 25 partikler på 200 μm eller derover i størrelse pr. 100 ml og

3. Fremstillet af mindst 85 % af en af følgende:

3. a.

Dibromtetrafluorethan (CAS 25497-30-7, 124-73-2, 27336-23-8)

b.

Polychlortrifluorethylen (kun olie- og voksmodifikationer) eller

c.

Polybromtrifluorethylen

d.

Fluorcarbon elektroniske kølevæsker med samtlige følgende egenskaber: Note: 1C006.d. lægger ikke eksportkontrol på materialer, der er specificeret og emballeret som lægemidler.

1. Indeholdende 85 vægtprocent eller mere af et af følgende stoffer eller blandinger heraf:

1. a.

Monomere former af perfluorpolyalkylethertriaziner eller perfluoraliphatiske-ethere

b.

Perfluoralkylaminer

c.

Perfluorcycloalkaner eller

d.

Perfluoralkaner

2. Massefylde ved 298 K (25 °C) på 1,5 g/ml eller mere

3. I flydende tilstand ved 273 K (0 °C) og

4. Indeholdende 60 vægtprocent fluor eller mere.

1C Teknisk note: Tekniske noter: 1.2.3. Teknisk note: Teknisk note:

1. Flammepunktet bestemmes ved brug af Cleveland Open Cup Method som beskrevet i ASTM D-92 eller tilsvarende national standard

2. Flydepunkt bestemmes ved brug af den i ASTM D-97 beskrevne metode eller tilsvarende national standard

3. Viskositetsindeks bestemmes ved hjælp af den i ASTM D-2270 beskrevne metode eller tilsvarende national standard

4. Termisk stabilitet bestemmes ved hjælp af følgende prøvningsprocedure eller tilsvarende national metode: 20 ml af den prøvede væske anbringes i et 46 ml rustfrit stålkammer type 317, indeholdende en af hver af følgende kugler med 12,5 mm (nominel) diameter: en kugle af M-10 værktøjstål, en af 52100 stål og en af marinebronze (60 % Cu, 39 % Zn, 0,75 % Sn) Kammeret renses med nitrogen, lukkes lufttæt ved atmosfærisk tryk, og temperaturen hæves til og vedligeholdes på 644 K ± 6 K (371 ± 6 °C) i 6 timer Prøven vil blive betragtet som termisk stabil, hvis alle følgende betingelser er opfyldt efter afslutning på ovennævnte procedure:

4. a.

Hver kugles vægttab er mindre end 10 mg/mm2 af kugleoverfladen

b.

Ændringen i oprindelig viskositet ved 311 K (38 °C) bestemmes til at være mindre end 25 % og

c.

Det totale syre- eller basetal er mindre end 0,40

5. Selvantændelsestemperatur bestemmes ved hjælp af den i ASTM E-659 beskrevne metode eller tilsvarende national standard.

a.

Basismaterialer af enkelte eller komplekse titanborider, med et totalt indhold af metalliske urenheder, eksklusive ønskede tilsatte stoffer, på mindre end 5000 ppm, en gennemsnitlig partikelstørrelse lig med eller mindre end 5 μm og ikke mere end 10 % af partiklerne større end 10 μm

b.

Ikke kompositte keramiske materialer i uforarbejdet eller halvforarbejdet form, sammensat af titanborider med en massefylde på mindst 98 % af den teoretiske massefylde Note: 1C007.b. lægger ikke eksportkontrol på slibemidler.

c.

Keramisk-keramiske kompositte materialer med en glas- eller oxid-matrix, og forstærket med fibre med samtlige følgende egenskaber:

1. Fremstillet af et eller flere af følgende materialer:

1. a.

Si-N

b.

Si-C

c.

Si-Al-O-N eller

d.

Si-O-N og

2. Med en specifik trækstyrke på mere end 12,7 × 103 m

d.

Keramisk-keramiske kompositte materialer, med eller uden en gennemgående metallisk fase, indeholdende partikler, whiskers eller fibre, hvor carbider eller nitrider af silicium, zirconium eller bor danner matrixen

e.

Prækursormaterialer (dvs. polymeriske eller metalloorganiske materialer til specielle formål) til fremstilling af enhver fase eller faser af de materialer, der er specificeret i 1C007.c, som følger:

1. Polydiorganosilaner (til fremstilling af siliciumcarbid)

2. Polysilazaner (til fremstilling af siliciumnitrid)

3. Polycarbosilazaner (til fremstilling af keramiske materialer med silicium-, carbon- og nitrogenkomponenter)

f.

Keramisk-keramiske kompositte materialer med en oxid- eller glas-matrix, forstærket med kontinuerlige fibre af et eller flere af følgende systemer: Note: 1C007.f. lægger ikke eksportkontrol på kompositter, der indeholder fibre af disse systemer med en fibertrækstyrke på mindre end 700 MPa ved 1273 K (1000 °C) eller fibertrækkrybestyrke på mere end 1 % krybeforlængelse ved 100 MPa belastning og 1273 K (1000 °C) i 100 timer.

1. Al2O3 (CAS 1344-28-1) eller

2. Si-C-N.

a.

Imider som følger: Note: 1C008.a. omfatter substanser i flydende eller fast smeltelig form, inklusive harpiks, pulver, piller, film, blad, tape og bånd. N.B.: For så vidt angår ikke smeltelige aromatiske polyimider i film, blad, tape og bånd, se 1A003.

1. Bismaleimider

2. Aromatiske polyamidimider (PAI) med en glasomdannelsestemperatur (Tg) på mere end 563 K (290 °C)

3. Aromatiske polyetherimider med en glasomdannelsestemperatur (Tg) på mere end 505 K (232 °C)

4. 1C008 a. Aromatiske polyetherimider med en glasomdannelsestemperatur (Tg) på mere end 563 K (290 °C)

b.

Termoplastiske flydende krystalcopolymerer med en varmedistorsionstemperatur på mere end 523 K (250 °C) målt efter ISO 75-2 (2004), metode A eller tilsvarende nationale standarder, med en belastning på 1,80 N/mm2 og sammensat af:

1. En eller flere af følgende forbindelser:

1. a.

Phenyl, biphenyl, eller naphtalen eller

b.

Methyl, tertiærbutyl eller phenylsubstitueret phenylen, biphenyl eller naphtalen og

2. En eller flere af følgende syrer:

2. a.

Terephtalsyre (CAS 100-21-0)

b.

6-hydroxy-2 naphtasyre (CAS 16712-64-4) eller

c.

4-hydroxybenzoesyre (CAS 99-96-7)

c.

Ikke anvendt

d.

Polyarylenketoner

e.

Polyarylensulfider, hvor arylengruppen er biphenylen, triphenylen eller kombinationer heraf

f.

Polybiphenylenethersulfon med en glasomdannelsestemperatur (Tg) på mere end 563 K (290 °C)

1C Teknisk note: Tekniske noter: 1.2.3. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: 1.2. a.

Copolymerer af vinylidenfluorid med mindst 75 % betakrystallinsk struktur uden strækning

b.

Fluorerede polyimider indeholdende mindst 10 vægtprocent bunden fluor

c.

Fluorerede phosphazenelastomerer indeholdende mindst 30 vægtprocent bunden fluor.

a.

Organiske fiber- og trådmaterialer med samtlige følgende egenskaber: N.B.: 1C010.a. lægger ikke eksportkontrol på polyethylen.

1. Specifikt modul på mere end 12,7 × 106 m og

2. Specifik trækstyrke på mere end 23,5 × 104 m

b.

1C010 Carbon fiber- og trådmaterialer med samtlige følgende egenskaber: Note: 1C010.b. lægger ikke eksportkontrol på:

1. Specifikt modul på mere end 14,65 × 106 m og

2. Specifik trækstyrke på mere end 26,82 × 104 m

a.

Fiber- eller trådmaterialer til reparation af civile flystrukturer eller laminater med samtlige følgende egenskaber:

1. Et areal på højst 1 m2

2. En længde på højst 2,5 m og

3. En bredde på mere end 15 mm.

b.

Mekanisk skårne, slebne eller klippede carbon fiber- eller trådmaterialer med en længde på 25,0 mm eller mindre.

c.

Uorganiske fiber- og trådmaterialer med samtlige følgende egenskaber: Note: 1C010.c. lægger ikke eksportkontrol på:

1. Specifikt modul på mere end 2,54 × 106 m og

2. Smelte-, blødgørings-, nedbrydnings- eller sublimeringspunkt på mere end 1922 K (1649 °C) i et inaktivt miljø

a.

Diskontinuerte, multifase-, polykrystallinske aluminium-oxidfibre i form af skårne fibre eller måtter med tilfældigt orienterede fibre, indeholdende mindst 3 vægtprocent silicium, med et specifikt modul på mindre end 10 × 106 m

b.

Molybdæn og molybdænlegeringsfibre

c.

Borfibre

d.

Diskontinuerte keramiske fibre med smelte-, blødgørings-, nedbrydnings- eller sublimeringspunkt på mindre end 2043 K (1770 °C) i et inaktivt miljø.

1C Teknisk note: Tekniske noter: 1.2.3. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: 1.2. Teknisk note: 1.2. d.

Fiber- og trådmaterialer med en eller flere af følgende egenskaber:

1. Sammensat af en eller flere af følgende:

1. a.

Polyetherimider, som er specificeret i 1C008.a. eller

b.

Materialer, der er specificeret i 1C008.b-1C008.f eller

2. Sammensat af materialer, der specificeret i 1C010.d.1.a eller 1C010.d.1.b, og blandet med andre fibre, der er specificeret i 1C010.a, 1C010.b eller 1C010.c.

e. Teknisk note:

1C010 Helt eller delvis harpiksimprægnerede eller begimprægnerede fiber- eller trådmaterialer (prepregs), metal- eller carboncoatede fiber- eller trådmaterialer (preforms) eller carbonfiberpreforms med samtlige følgende egenskaber: Note 1: Metal- eller carboncoatede fiber- og trådmaterialer (preforms) eller carbonfiberpreforms, der ikke er imprægneret med harpiks eller beg, er specificeret med fiber- og trådmaterialer i 1C010.a, 1C010.b og 1C010.c. Note 2: 1C010.e. lægger ikke eksportkontrol på: Den dynamiske mekaniske analyseglasomdannelsestemperatur (DMA Tg) for materialer, der er specificeret i 1C010.e, bestemmes ved metoden beskrevet i ASTM D 702807 eller en tilsvarende national standard på et tørt prøveemne. I forbindelse med termohærdende materialer skal hærdningsgraden for et tørt prøveemne være på mindst 90 % som defineret i ASTM E 216004 eller en tilsvarende national standard.

e.

1. En eller flere af følgende:

1. a.

Uorganiske fiber- og trådmaterialer, som er specificeret i 1C010.c. eller

b.

Organiske eller carbon-fiber- og trådmaterialer med samtlige følgende egenskaber:

1. Specifikt modul på mere end 10,15 × 106m og

2. Specifik trækstyrke på mere end 17,7 × 104 m og

2. En eller flere af følgende:

2. a.

Harpiks eller beg, som er specificeret i 1C008 eller 1C009.b

b.

Dynamisk mekanisk analyseglasomdannelsestemperatur (DMA Tg) lig med eller mere end 453 K (180 °C) og med phenolharpiks eller

c.

Dynamisk mekanisk analyseglasomdannelsestemperatur (DMA Tg) lig med eller mere end 505 K (232 °C) og med harpiks eller beg, som ikke er specificeret i 1C008 eller 1C009.b, og som ikke er en phenolharpiks

a.

Carbon-fiber- eller trådmaterialer, der er imprægneret med epoxyharpiksmatrix (prepregs), til reparation af civile flystrukturer eller laminater, som har samtlige følgende egenskaber:

1. Et areal på højst 1 m2

2. En længde på højst 2,5 m og

3. En bredde på mere end 15 mm.

b.

Helt eller delvis harpiksimprægnerede eller begimprægnerede mekanisk skårne, slebne eller klippede carbon fiber- eller trådmaterialer med en længde på 25,0 mm eller mindre ved anvendelse af harpiks eller beg, der ikke er specificeret i 1C008 eller 1C009.b.

a. 1C011 a.Teknisk note:

Metaller med kornstørrelser på mindre end 60 μm, i sfærisk, forstøvet, sfæroidal, skæl- eller formalet form, fremstillet af materialer indeholdende mindst 99 % zirconium, magnesium og legeringer heraf Det naturlige indhold af hafnium i zirconium (typisk 2-7 %) medregnes i zirconium. Note: De metaller og legeringer der er specificeret i 1C011.a, er pålagt eksportkontrol, uanset om metallerne eller legeringerne er indkapslet i aluminium, magnesium, zirconium eller beryllium.

b.

Bor eller borlegeringer med en kornstørrelse på højst 60 μm som følger: Note: De metaller og legeringer, der er specificeret i 1C011.b, er pålagt eksportkontrol, uanset om metallerne eller legeringerne er indkapslet i aluminium, magnesium, zirconium eller beryllium.

1. Bor med en renhed på mindst 85 vægtprocent

2. Borlegeringer med et borindhold på mindst 85 vægtprocent

c.

Guanidinnitrat (CAS 506-93-4)

d.

Nitroguanidin (NQ) (CAS 556-88-7).

1C Teknisk note: Tekniske noter: 1.2.3. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: 1.2. Teknisk note: 1.2. Teknisk note: a.

Plutonium i enhver form med et indhold af plutonium-238 på mere end 50 vægtprocent Note: 1C012.a. lægger ikke eksportkontrol på:

a.

Forsendelser med et plutoniumindhold på højst 1 g

b.

Forsendelser på højst 3 effektive gram, når de er indeholdt i sensorkomponenten i instrumenter.

b.

Tidligere separeret neptunium-237 i enhver form. Note: 1C012.b lægger ikke eksportkontrol på forsendelser med et indhold af neptunium-237 på højst 1 g.

a.

Konstruktionsmaterialer og belægninger, der er specielt udviklede til formindsket radarreflektivitet

b.

Belægninger, herunder malinger, der er specielt udviklet til formindsket eller tilpasset reflektivitet eller emissivitet i mikrobølge-, infrarøde eller ultraviolette dele af det elektromagnetiske spektrum.

1C Teknisk note: Tekniske noter: 1.2.3. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: 1.2. Teknisk note: 1.2. Teknisk note: Teknisk note: a.

Finkornede grafitter med en bulktæthed på mindst 1,72 g/cm3 målt ved 288 K (15 °C) og med kornstørrelse 100 μm eller derunder, der er anvendelige til raketdyser og næser til reentry vehicles, som kan maskinbearbejdes til et af følgende produkter: N.B.: Se også 0C004.

1. Cylindre med en diameter på 120 mm eller derover og en længde på 50 mm eller derover

2. Rør med en indre diameter på 65 mm eller derover og en vægtykkelse på 25 mm eller derover og en længde på 50 mm eller derover eller

3. Blokke med en størrelse på 120 × 120 × 50 mm eller derover

b.

Pyrolytiske eller fiberforstærkede grafitter, der er anvendelige til raketdyser og næser til reentry vehicles, og som kan anvendes i missiler, løftefartøjer til rumfartøjer, der er specificeret i 9A004, eller raketsonder, der er specificeret i 9A104 N.B.: Se også 0C004.

c.

Keramiske kompositmaterialer (dielektrisk konstant mindre end 6 ved alle frekvenser fra 100 MHz til 100 GHz) til brug i radomer, der kan anvendes i missiler, løftefartøjer til rumfartøjer, der er specificeret i 9A004, eller raketsonder, der er specificeret i 9A104

d.

Ubrændt, maskinbearbejdeligt, siliciumcarbidforstærket keramisk materiale i bulkform, der er anvendeligt til næser, der kan anvendes i missiler, løftefartøjer til rumfartøjer, der er specificeret i 9A004, eller raketsonder, der er specificeret i 9A104

e.

Forstærkede keramiske kompositter af siliciumcarbid, som er anvendelige til næser, reentry vehicles og dyseflaps, der kan anvendes i missiler, løftefartøjer til rumfartøjer, der er specificeret i 9A004, eller raketsonder, der er specificeret i 9A104.

a.

Drivstoffer:

1. Teknisk note:

Sfærisk eller sfæroidalt aluminiumspulver ud over det, der er specificeret i kontrolbestemmelserne for produkter til militære formål, med partikelstørrelse på mindre end 200 μm og et aluminiumindhold på 97 vægtprocent eller derover, hvis mindst 10 % af den samlede vægt udgøres af partikler, der er mindre end 63 μm, iflg. ISO 2591:1988 eller tilsvarende nationale standarder En partikelstørrelse på 63 μm (ISO R-565) svarer til 250 mesh (Tyler) eller 230 mesh (ASTM standard E-11).

2. Metalpulver ud over det, der er specificeret i kontrolbestemmelserne for produkter til militære formål som følger: Note: 1C111.a.2.a og 1C111a.2.b lægger eksportkontrol på pulverblandinger med en multimodal partikelfordeling (f.eks. blandinger af forskellige kornstørrelser), hvis en eller flere typer er pålagt eksportkontrol.

2. a. Teknisk note:

Metalpulver af zirconium, beryllium og magnesium, eller legeringer af disse metaller, hvis mindst 90 % af det samlede antal partikler pr. partikelvolumen eller vægt består af partikler på mindre end 60 μm (bestemt ved måleteknikker såsom sibunde, laserdiffraktion eller optisk scanning), uanset om de er sfæriske, sfæroidale, forstøvede eller i skæl- eller formalet form, bestående af 97 vægtprocent eller mere af et eller flere af følgende stoffer: Det naturlige indhold af hafnium i zirconium (typisk 2-7 %) medregnes i zirconium.

a.

1. Zirconium

2. Beryllium eller

3. Magnesium

b.

1C111 a. 2. Metalpulver af bor eller borlegeringer med et indhold af bor på mindst 85 vægtprocent, hvis mindst 90 % af det samlede antal partikler pr. partikelvolumen eller vægt består af partikler på mindre end 60 μm (bestemt ved måleteknikker såsom sibunde, laserdiffraktion eller optisk scanning), uanset om de er sfæriske, sfæroidale, forstøvede eller i skæl- eller formalet form.

3. Følgende iltningsmidler, som kan anvendes i raketmotorer til flydende brændstof:

3. a.

Dinitrogentrioxid (CAS 10544-73-7)

b.

Nitrogendioxid (CAS 10102-44-0)/dinitrogentetroxid (CAS 10544-72-6)

c.

Dinitrogenpentoxid (CAS 10102-03-1)

d. Teknisk note:

Blandede nitrogenoxider (MON) Blandede nitrogenoxider (MON) er opløsninger af nitrogenoxid (NO) i dinitrogentetroxid/nitrogendioxid (N2O4/NO2), der kan anvendes i missilsystemer. En række forbindelser kan betegnes som MONi eller MONij, hvor i og j er hele tal, der repræsenterer den procentvise andel af nitrogenoxid i blandingen (f.eks. indeholder MON3 3 % nitrogenoxid og MON25 25 % nitrogenoxid. Den øvre grænse er MON40, 40 vægtprocent).

e.

SE KONTROLBESTEMMELSERNE FOR PRODUKTER TIL MILITÆRE FORMÅL FOR Inhiberet, rød, rygende salpetersyre (IRFNA)

f.

SE KONTROLBESTEMMELSERNE FOR PRODUKTER TIL MILITÆRE FORMÅL OG 1C238 FOR Forbindelser af fluor og en eller flere andre halogener, oxygen eller nitrogen.

4. Følgende hydrazinderivater: N.B.: JF. LIGELEDES KONTROLBESTEMMELSERNE FOR PRODUKTER TIL MILITÆRE FORMÅL.

4. a.

Trimethylhydrazin (CAS 1741-01-1)

b.

Tetramethylhydrazin (CAS 09-12-6415)

c.

N,N diallylhydrazin

d.

Allylhydrazin (CAS 7422-78-8)

e.

Ethylendihydrazin

f.

Monomethylhydrazindinitrat

g.

Asymmetrisk dimethylhydrazinnitrat

h.

Hydrazinazid (CAS 14546-44-2)

i.

Dimethylhydrazinazid

j.

Hydrazindinitrat

k.

Diimido-oxalsyredihydrazin (CAS 3457-37-2)

l.

2-hydroxyethylhydrazinnitrat (HEHN)

m.

Se kontrolbestemmelserne for produkter til militære formål for hydrazinperklorat

n.

Hydrazindiperklorat (CAS 13812-39-0)

o.

1C111 a. 4. Methylhydrazinnitrat (MHN)

p.

Diethylhydrazinnitrat (DEHN)

q.

3,6-dihydrazintetrazinnitrat (1,4-dihydrazinnitrat) (DHTN)

5. Teknisk note:

Materialer med høj energitæthed ud over dem, der er specificeret i kontrolbestemmelserne for produkter til militære formål, til anvendelse i missiler eller ubemandede luftfartøjer, der er specificeret i 9A012 Ved missiler forstås i 1C111.a.5 komplette raketsystemer og ubemandede luftfartøjssystemer med en rækkevidde på over 300 km.

5. a.

Brændselsblandinger, der indeholder både fast og flydende brændsel såsom borslurry, som har en massebaseret energitæthed på 40 × 106 J/kg eller derover

b.

Andre brændstoffer og brændstofadditiver med høj energitæthed (f.eks. cuban, ioniske opløsninger og JP-10), som har en volumenbaseret energitæthed på 37,5 × 109 J/m3 eller derover målt ved 20 °C og én atmosfæres tryk (101,325 kPa) Note: 1C111.a.5.b lægger ikke eksportkontrol på raffinerede fossile brændstoffer og biobrændstoffer, der er fremstillet af planter, herunder motorbrændstoffer, som er godkendt til brug i civile fly, medmindre de er specielt formuleret til missiler eller ubemandede luftfartøjer som specificeret i 9A012.

b.

Polymere stoffer:

1. Carboxytermineret polybutadien (herunder carboxyltermineret polybutadien) (CTPB)

2. Hydroxytermineret polybutadien (herunder hydroxyltermineret polybutadien) (HTPB) ud over det, der er specificeret i kontrolbestemmelserne for produkter til militære formål

3. Polybutadienakrylsyre (PBAA)

4. Polybutadienakrylsyreacrylonitril (PBAN)

5. Teknisk note:

Polytetrahydrofuran-polyethylenglykol (TPEG) Polytetrahydrofuran-polyethylenglykol (TPEG) er en blockcopolymer af poly-1,4-butanediol og polyethylenglykol (PEG).

c.

Andre tilsætningsstoffer og bestanddele:

1. JF. LIGELEDES KONTROLBESTEMMELSERNE FOR PRODUKTER TIL MILITÆRE FORMÅL vedrørende carboraner; decaboraner, pentaboraner og derivater heraf

2. Triethylenglycoldinitrat (TEGDN) (CAS 111-22-8)

3. 2-nitrodiphenylamin (CAS 119-75-5)

4. Trimethylolethantrinitrat (TMETN) (CAS 3032-55-1)

5. Diethylenglycoldinitrat (DEGDN) (CAS 693-21-0)

6. Følgende ferrocenderivater:

6. a.

Se kontrolbestemmelserne for produkter til militære formål vedrørende catocen

b.

Ethylferrocen (CAS 1273-89-8)

c.

Propylferrocen

d.

1C111 c. 6. Se kontrolbestemmelserne for produkter til militære formål vedrørende n-butylferrocen

e.

Penthylferrocen (CAS 1274-00-6)

f.

Dicyclopentylferrocen

g.

Dicyclohexylferrocen

h.

Diethylferrocen (CAS 1273-97-8)

i.

Dipropylferrocen

j.

Dibutylferrocen (CAS 1274-08-4)

k.

Dihexylferrocen (CAS 93894-59-8)

l.

Acetylferrocen (CAS 1271-55-2)/1,1«-diacetylferrocen (CAS 1273-94-5)

m.

Se kontrolbestemmelserne for produkter til militære formål vedrørende ferrocencarboxylsyrer

n.

Se kontrolbestemmelserne for produkter til militære formål vedrørende butacen

o.

Andre ferrocenderivater, der kan anvendes til at ændre raketdrivstoffers forbrændingshastighed, ud over dem, der er specificeret i kontrolbestemmelser for produkter til militære formål. N.B.: 1C111.c.6.o lægger ikke eksportkontrol på ferrocenderivater, som indeholder en aromatisk funktionel gruppe med seks kulstofatomer bundet til ferrocenmolekylet.

7. 4,5 Diazidomethyl-2-methyl-1,2,3-triazol (iso- DAMTR), ud over dem, der er specificeret i kontrolbestemmelser for produkter til militære formål.

a.

En trækbrudsstyrke målt ved 293 K (20 °C) på mindst:

1. 0,9 GPa i opløsningsglødet tilstand eller

2. 1,5 GPa i ældningshærdet tilstand og

b.

En eller flere af følgende former:

1. Plade eller rør med en væg- eller godstykkelse på højst 5,0 mm

2. Rørformede typer med en vægtykkelse på højst 50 mm og en indvendig diameter på mindst 270 mm.

1C Teknisk note: Tekniske noter: 1.2.3. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: 1.2. Teknisk note: 1.2. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note 1:

1. Som generelt karakteriseres ved højt nikkelindhold, meget lavt kulstofindhold og brug af substitutionskomponenter eller udskillelser til at fremkalde forstærkning og ældningshærdning af legeringen.

2. Som udsættes for varmebehandling for at fremme den martensitiske transformationsproces (opløsningsglødet tilstand) og derefter ældningshærdet tilstand.

1C Teknisk note: Tekniske noter: 1.2.3. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: 1.2. Teknisk note: 1.2. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note 1: Teknisk note 2: a.

Wolfram og legeringer i partikelform med et indhold af wolfram på mindst 97 vægtprocent og en partikelstørrelse på 50 × 10–6 m (50 μm) eller mindre

b.

Molybdæn og legeringer i partikelform med et indhold af molybdæn på mindst 97 vægtprocent og en partikelstørrelse på 50 × 10–6 m (50 μm) eller mindre

c.

Wolframmaterialer i fast form med samtlige følgende egenskaber:

1. Som har en eller flere af følgende materialesammensætninger:

1. a.

Wolfram og legeringer med et indhold af wolfram på mindst 97 vægtprocent

b.

Kobberinfiltreret wolfram med et indhold af wolfram på mindst 80 vægtprocent eller

c.

Sølvinfiltreret wolfram med et indhold af wolfram på mindst 80 vægtprocent og

2. I stand til at kunne maskinbearbejdes til et eller flere af følgende produkter:

2. a.

Cylindre med en diameter på 120 mm eller derover og en længde på 50 mm eller derover

b.

Rør med en indre diameter på 65 mm eller derover og en vægtykkelse på 25 mm eller derover og en længde på 50 mm eller derover eller

c.

Blokke med en størrelse på 120 × 120 × 50 mm eller derover.

1C Teknisk note: Tekniske noter: 1.2.3. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: 1.2. Teknisk note: 1.2. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note 1: Teknisk note 2: Teknisk note: a.

Som har samtlige følgende egenskaber:

1. Indeholder 17,0-23,0 vægtprocent chrom og 4,5-7,0 vægtprocent nikkel

2. Har et titanindhold på mindst 0,10 vægtprocent og

3. Har en ferritisk austenitisk mikrostruktur (også kaldet tofaset mikrostruktur, hvoraf mindst 10 % er austenit opgjort som volumenindhold (iflg. ASTM E-1181-87 eller tilsvarende nationale standarder) og

b.

Som har en eller flere af følgende former:

1. Barrer eller stænger med en størrelse på 100 mm eller mere i enhver dimension

2. Plader med en bredde på 600 mm eller mere og en tykkelse på 3 mm eller mindre eller

3. Rør med en ydre diameter på 600 mm eller mere og en vægtykkelse på 3 mm eller mindre.

a.

Aluminiumlegeringer med begge af følgende egenskaber:

1. Kan belastes med en maksimal trækstyrke på 460 MPa eller derover ved 293 K (20 °C) og

2. I form af rør eller cylindriske massive emner (herunder smedede emner) med en udvendig diameter på mere end 75 mm

b.

Titanlegeringer med begge af følgende egenskaber:

1. Kan belastes med en maksimal trækstyrke på 900 MPa eller derover ved 293 K (20 °C) og

2. I form af rør eller cylindriske massive emner (herunder smedede emner) med en udvendig diameter på mere end 75 mm.

1C Teknisk note: Tekniske noter: 1.2.3. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: 1.2. Teknisk note: 1.2. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note 1: Teknisk note 2: Teknisk note: Teknisk note: a.

Fiber- eller trådmaterialer af carbon eller aramid med en af følgende egenskaber: Note: 1C210.a. lægger ikke eksportkontrol på fiber- eller trådmaterialer af aramid med en esterbaseret fiberoverflademodifikator på mindst 0,25 vægtprocent.

1. Et specifikt modul på mindst 12,7 × 106 m eller

2. En specifik trækstyrke på mindst 23,5 × 104 m

b.

Fiber- eller trådmaterialer af glas med begge af følgende egenskaber:

1. Et specifikt modul på mindst 3,18 × 106 m og

2. En specifik trækstyrke på mindst 7,62 × 104 m

c. Teknisk note:

Kontinuerlige garner, forgarner, blår eller tape, imprægneret med termohærdende harpiks, med bredde på højst 15 mm (prepregs), fremstillet af fiber- eller trådmaterialer af carbon eller glas, som er specificeret i 1C210.a eller b. Harpiksen udgør matrixen i kompositten.

1C Teknisk note: Tekniske noter: 1.2.3. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: 1.2. Teknisk note: 1.2. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note 1: Teknisk note 2: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: a.

I forme med en hul cylindersymmetri (herunder cylindersegmenter) med en indvendig diameter på mere end 100 mm, men mindre end 300 mm og

b.

En masse på mere end 20 kg.

a.

Indeholder mindre end 1000 vægtdele pr. million af metalliske urenheder af andet end magnesium og

b.

Indeholder mindre end 10 vægtdele pr. million af bor.

a.

Indeholder mindre end 200 vægtdele pr. million af metalliske urenheder af andet end calcium og

b.

Indeholder mindre end 10 vægtdele pr. million af bor.

a.

En renhed på mindst 99,99 vægtprocent og

b.

Med et vægtindhold af sølv på mindre end 10 ppm (dele pr. million).

a.

Metalvinduer til røntgenapparater eller apparater til borehulsmålinger

b.

Oxidkomponenter i færdig eller halvfærdig form specielt konstrueret til elektroniske komponentdele eller som substrater til elektroniske kredsløb

c.

Beryl (silicat af beryllium og aluminium) i form af smaragder eller akvamariner.

1C Teknisk note: Tekniske noter: 1.2.3. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: 1.2. Teknisk note: 1.2. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note 1: Teknisk note 2: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: a.

Elementar

b.

Forbindelser med en total alfaaktivitet på mindst 37 GBq/kg (1 Ci/kg)

c.

Forbindelser med en total alfaaktivitet på mindst 37 GBq/kg (1 Ci/kg)

d.

Produkter eller apparater, som indeholder nogen af ovenstående.

Actinium-225 (Ac-225)

Actinium-227 (Ac-227)

Californium-253 (Cf-253)

Curium-240 (Cm-240)

Curium-241 (Cm-241)

Curium-242 (Cm-242)

Curium-243 (Cm-243)

Curium-244 (Cm-244)

Einsteinium-253 (Es-253)

Einsteinium-254 (Es-254)

Gadolinium-148 (Gd-148)

Plutonium-236 (Pu-236)

Plutonium-238 (Pu-238)

Polonium-208 (Po-208)

Polonium-209 (Po-209)

Polonium-210 (Po-210)

Radium-223 (Ra-223)

Thorium-227 (Th-227)

Thorium-228 (Th-228)

Uranium-230 (U-230)

Uranium-232 (U-232)

1C Teknisk note: Tekniske noter: 1.2.3. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: 1.2. Teknisk note: 1.2. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note 1: Teknisk note 2: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: a.

Medicinske apparater eller applikatorer

b.

Produkter eller apparater, der indeholder mindre end 0,37 GBq (10 millicurie) radium-226.

a.

Nikkelpulver, der har begge følgende egenskaber:

1. Et indhold af rent nikkel på mindst 99,0 vægtprocent og

2. En gennemsnitlig kornstørrelse på mindre end 10 μm målt efter American Society for Testing and Materials (ASTM) B 330 standard

b.

Porøst nikkelmetal fremstillet af materialer, der er specificeret i 1C240.a.

a.

Trådformet nikkelpulver

b.

Enkelte plader af porøst nikkel med et areal på højst 1000 cm2 pr. plade.

1C Teknisk note: Tekniske noter: 1.2.3. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: 1.2. Teknisk note: 1.2. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note 1: Teknisk note 2: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: a.

I forme med en hul cylindersymmetri (herunder cylindersegmenter) med en indvendig diameter på mellem 100 mm og 300 mm og

b.

En masse på mere end 20 kg.

1. Thiodiglycol (111-48-8)

2. Phosphoroxychlorid (10025-87-3)

3. Dimethyl methylphosphonat (756-79-6)

4. KONTROLBESTEMMELSERNE FOR PRODUKTER TIL MILITÆRE FORMÅL vedrørende methylphosphonyldifluorid (676-99-3)

5. Methylphosphonyldichlorid (676-97-1)

6. Dimethylphosphit (DMP) (868-85-9)

7. Phosphortrichlorid (7719-12-2)

8. Trimethylphosphit (TMP) (121-45-9)

9. Trionylchlorid (7719-09-7)

10. 3-hydroxy-1-methylpiperidin (3554-74-3)

11. N,N-diisopropyl-ß-aminoethylchlorid (96-79-7)

12. N,N-diisopropyl-ß-aminoethanthiol (5842-07-9)

13. 1C350 3-quinuclidinol (1619-34-7)

14. Kaliumfluorid (7789-23-3)

15. 2-chloroethanol (107-07-3)

16. Dimethylamin (124-40-3)

17. Diethylethylphosphonat (78-38-6)

18. Diethyl-N,N-dimethylphosphoramidat (2404-03-7)

19. Diethylphosphit (762-04-9)

20. Dimethylaminhydrochlorid (506-59-2)

21. Ethylphosphinyldichlorid (1498-40-4)

22. Ethylphosphonyldichlorid (1066-50-8)

23. KONTROLBESTEMMELSERNE FOR PRODUKTER TIL MILITÆRE FORMÅL vedrørende ethylphosphonyldifluorid (753-98-0)

24. Hydrogenfluorid (7664-39-3)

25. Methylbenzilat (76-89-1)

26. Methylphosphinyldichlorid (676-83-5)

27. N,N-diisopropyl-ß-aminoethanthiol (96-80-0)

28. Pinacolylalkohol (464-07-3)

29. KONTROLBESTEMMELSERNE FOR PRODUKTER TIL MILITÆRE FORMÅL vedrørende O-ethyl-2-diisopropylaminoethyl-methylphosphonit (QL) (57856-11-8)

30. Triethylphosphit (122-52-1)

31. Arsentrichlorid (7784-34-1)

32. Benzilsyre (76-93-7)

33. Diethylmethylphosphonit (15715-41-0)

34. Dimethylethylphosphonat (6163-75-3)

35. Ethylphosphinyldifluorid (430-78-4)

36. Methylphosphinyldifluorid (753-59-3)

37. 3-quinuclidon (3731-38-2)

38. Phosphorpentachlorid (10026-13-8)

39. Pinacolon (75-97-8)

40. Kaliumcyanid (151-50-8)

41. Kaliumbifluorid (7789-29-9)

42. Ammoniumhydrogenfluorid eller ammoniumbifluorid (1341-49-7)

43. Natriumfluorid (7681-49-4)

44. 1C350 Natriumbifluorid (1333-83-1)

45. Natriumcyanid (143-33-9)

46. Triethanolamin (102-71-6)

47. Phosphorpentasulfid (1314-80-3)

48. Diisopropylamin (108-18-9)

49. Diethylaminoethanol (100-37-8)

50. Natriumsulfid (1313-82-2)

51. Svovlmonochlorid (10025-67-9)

52. Svovldichlorid (10545-99-0)

53. Triethanolaminhydrochlorid (637-39-8)

54. N,N-diisopropyl-ß-aminoethylchloridhydrochlorid (4261-68-1)

55. Methylphosphonsyre (993-13-5)

56. Diethylmethylphosphonat (683-08-9)

57. N,N-dimethylaminophosphoryldichlorid (677-43-0)

58. Triisopropyl phosphit (116-17-6)

59. Ethyldiethanolamin (139-87-7)

60. O,O-diethylphosphorthioat (2465-65-8)

61. O,O-diethylphosphordithioat (298-06-6)

62. Natriumhexafluorosilicat (16893-85-9)

63. Methylphosphonthiodichlorid (676-98-2).

a.

Virus, hvad enten de er naturlige, forstærkede eller modificerede, enten i form af isolerede levende kulturer eller i form af materiale, der omfatter levende materiale, der forsætligt er inokuleret eller kontamineret med sådanne kulturer, som følger:

1. Afrikansk hestepestvirus

2. Afrikansk svinepestvirus

3. Andesvirus

4. Aviært influenzavirus, der

4. a.

er ukarakteriseret eller

b.

er defineret i bilag I, pkt. 2, til direktiv 2005/94/EF (EUT L 10 af 14.1.2006, s. 16) som værende stærkt patogent som følger:

1. Type A-vira på et intravenøst patogenicitetsindeks hos seks uger gamle kyllinger på over 1,2 eller

2. Type A-vira af undertype H5 eller H7 med en genotypefrekvens kodende for flere basiske aminosyrer på hæmagglutininets kløvningssted, svarende til, hvad der er konstateret for andre HPAI-virus, og som indikerer, at hæmagglutininet kan kløves af proteaser, der forekommer ubikvitært i værten

5. Bluetonguevirus

6. Chaparevirus

7. Chikungunyavirus

8. Choclovirus

9. Krim-Congovirus (Krim hæmorragisk feber)

10. Denguefebervirus

11. Dobrava-Belgrade-virus

12. Østlig hesteencephalitvirus

13. Ebolavirus

14. Mund- og klovesyge-virus

15. Gedekoppevirus

16. Guanaritovirus

17. Hantaanvirus

18. Hendravirus (Equine morbillivirus)

19. Aujeszkys sygdomvirus

20. Svinepestvirus (Hog Choleravirus)

21. Japansk encephalitvirus

22. Juninvirus

23. Kyasanur Forest-virus

24. Laguna Negra-virus

25. Lassafebervirus

26. 1C351 a. Louping ill-virus

27. Lujovirus

28. Lumpy Skin Diseasevirus

29. Lymphocytær choriomeningitisvirus

30. Machupovirus

31. Marburgvirus

32. Monkeypoxvirus

33. Murray Valley encephalitvirus

34. Newcastlediseasevirus

35. Nipahvirus

36. Omsk hæmorragisk febervirus

37. Oropouchevirus

38. Fåre- og gedepestvirus

39. Enterovirus type 9 hos svin (vesikulærvirus hos svin)

40. Powassanvirus

41. Rabiesvirus og alle andre medlemmer af Lyssavirusslægten

42. Rift Valley febervirus

43. Kvægpestvirus

44. Rociovirus

45. Sabiavirus

46. Seoulvirus

47. Fårekoppevirus

48. Sin nombre-virus

49. St Louis encephalitvirus

50. Teschenersygevirus

51. Encephalitvirus overført af mider (Russisk forårs-sommerencephalitis)

52. Variolavirus

53. Venezuelansk hesteencephalitvirus

54. Vesikulær stomatitisvirus

55. Vestlig hesteencephalitvirus

56. Gul feber-virus

b.

Ikke anvendt

c.

1C351 Bakterier, hvad enten de er naturlige, forstærkede eller modificerede, enten i form af isolerede levende kulturer eller i form af materiale, der omfatter levende materiale, der forsætligt er inokuleret eller kontamineret med sådanne kulturer, som følger:

1. Bacillus anthracis

2. Brucella abortus

3. Brucella melitensis

4. Brucella suis

5. Burkholderia mallei (Pseudomonas mallei)

6. Burkholderia pseudomallei (Pseudomonas pseudomallei)

7. Chlamydophila psittaci (tidligere Chlamydia psittaci)

8. Botulinneurotoksin producerende typer af Clostridium argentinense (tidligere Clostridium botulinum Type G)

9. Botulinneurotoksin producerende typer af Clostridium baratii

10. Clostridium botulinum

11. Botulinneurotoksin producerende typer af Clostridium butyricum

12. Epsilontoksinproducerende typer af Clostridium perfringens

13. Coxiella burnetii

14. Francisella tularensis

15. Mycoplasma capricolum subspecies capripneumoniae (type F38)

16. Mycoplasma mycoides subspecies mycoides SC (små kolonier biotype)

17. Rickettsia prowazekii

18. Salmonella typhi

19. Shigatoksinproducerende Escherichia coli (STEC) af serotype O26, O45, O103, O104, O111, O121, O145, O157 og andre shigatoksinproducerende serotyper

20. Shigella dysenteriæ

21. Vibrio choleræ

22. Yersinia pestis

d.

Følgende toksiner og underenheder af toksiner heraf: Note: 1C351.d lægger ikke eksportkontrol på botulinumtoksiner eller conotoksiner i produktform, der opfylder samtlige følgende kriterier:

1. Botulinumtoksin

2. Clostridium perfringens alpha-, beta 1-, beta 2-, epsilon- og iota-toksin

3. Conotoksin

4. Ricin

5. Saxitoksin

6. Teknisk note:

1C351 d. Shigatoksin Shigatoksinproducerende Escherichia coli (STEC) benævnes også Enterohaemorrhagisk Escherichia coli og verotoksinproducerende E.coli (VTEC)

7. Staphylococcus aureus-enterotoksin, hæmolysinalpha-toksin og toksisk chocksyndrom-toksin (tidligere benævnt Staphylococcus enterotoksin F)

8. Tetrodotoksin

9. Verotoksin og shigalignende ribosominaktiverende proteiner

10. Microcystin (Cyanginosin)

11. Aflatoksiner

12. Abrin

13. Choleratoksin

14. Diacetoxyscirpenoltoksin

15. T-2-toksin

16. HT-2-toksin

17. Modeccin

18. Volkensin

19. Viscum album Lectin 1 (Viscumin)

1. Er farmaceutiske specialiteter til human brug med henblik på sygdomsbehandling

2. Er færdigpakkede med henblik på distribution som lægemidler

3. Er tilladt af en statslig myndighed med henblik på markedsføring som lægemidler.

e.

Fungi, hvad enten de er naturlige, forstærkede eller modificerede, enten i form af isolerede levende kulturer eller i form af materiale, der omfatter levende materiale, der forsætligt er inokuleret eller kontamineret med sådanne kulturer, som følger:

1. Coccidioides immitis

2. Coccidioides posadsii.

a.

Genetisk modificerede organismer eller genetiske elementer, der indeholder nukleinsyresekvenser, der er forbundet med patogenicitet fra organismer, der er specificeret i 1C351.a, 1C351.c, 1C351.e. eller 1C354

b.

1C353 Genetisk modificerede organismer eller genetiske elementer, der indeholder nukleinsyresekvenskoder for nogen af de toksiner, der er specificeret i 1C351.d, eller underenheder af toksiner af disse.

1C Teknisk note: Tekniske noter: 1.2.3. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: 1.2. Teknisk note: 1.2. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note 1: Teknisk note 2: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Tekniske noter: 1.2.3. a.

I sig selv eller via sine transskriberede eller translaterede produkter udgør en betydelig risiko for menneskers, dyrs eller planters sundhed eller

b.

Er kendt for at gøre en specificeret mikroorganisme eller enhver anden organisme, som den kan indsættes eller på anden måde integreres i, bedre i stand til at forvolde alvorlig skade på menneskers, dyrs eller planters sundhed.

a.

Virus, hvad enten de er naturlige, forstærkede eller modificerede, enten i form af isolerede levende kulturer eller i form af materiale, der omfatter levende materiale, der forsætligt er inokuleret eller kontamineret med sådanne kulturer, som følger:

1. Latent andeskartoffelvirus (Potato Andean latent tymovirus)

2. Potato spindle tuber viroid

b.

Bakterier, hvad enten de er naturlige, forstærkede eller modificerede, enten i form af isolerede levende kulturer eller i form af materiale, der forsætligt er inokuleret eller kontamineret med sådanne kulturer, som følger:

1. Xanthomonas albilineans

2. Xanthomonas anoxopodis pv. citri (Xanthomonas campestris pv. citri, type A) [Xanthomonas campestris pv. citri]

3. Xanthomonas oryzae pv. oryzae (Pseudomonas campestris pv. oryzae)

4. Clavibacter michiganensis ssp. sepedonicus Corynebacterium michiganensis subsp. Sepedonicum eller Corynebacterium Sepedonicum)

5. Ralstonia solanacearum, race 3, biovar 2

c.

Svampe, hvad enten de er naturlige, forstærkede eller modificerede, enten i form af isolerede levende kulturer eller i form af materiale, der forsætligt er inokuleret eller kontamineret med sådanne kulturer, som følger:

1. Colletotrichum kahawae (Colletotrichum coffeanum var. virulans);

2. Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae)

3. Microcyclus ulei (syn. Dothidella ulei)

4. Puccinia graminis ssp. graminis var. graminis/Puccinia graminis ssp. graminis var. stakmanii (Puccinia graminis [syn. Puccinia graminis f. sp. tritici]);

5. 1C354 c. Puccinia striiformis (syn. Puccinia glumarum)

6. Magnaporthe oryzae (Pyricularia oryzae)

7. Peronosclerospora philippinensis (Peronosclerospora sacchari)

8. Sclerophthora rayssiae var. zeae

9. Synchytrium endobioticium

10. Tilletia indica

11. Thecaphora solani.

a.

Toksiske kemiske stoffer som følger: Note 1: For så vidt angår eksport til stater, der ikke er parter i konventionen om kemiske våben, lægger 1C450 ikke eksportkontrol på kemiske blandinger, som indeholder et eller flere af de kemiske stoffer, der er specificeret i 1C450.a.1 og a.2, og hvori intet individuelt specificeret kemisk stof udgør mere end 1 vægtprocent af blandingen. Note 2: For så vidt angår eksport til stater, der er parter i konventionen om kemiske våben, lægger 1C450 ikke eksportkontrol på kemiske blandinger, som indeholder et eller flere af de kemiske stoffer, der er specificeret i 1C450.a.1 og a.2, og hvori intet individuelt specificeret kemisk stof udgør mere end 30 vægtprocent af blandingen. Note 3: 1C450 lægger ikke eksportkontrol på kemiske blandinger, som indeholder et eller flere af de kemiske stoffer, der er specificeret i 1C450.a.4, a.5, a.6 og a.7, og hvori intet individuelt specificeret kemisk stof udgør mere end 30 vægtprocent af blandingen. Note 4: 1C450 lægger ikke eksportkontrol på produkter, der betegnes som forbrugsprodukter og er pakket til detailsalg og personlig brug eller er pakket til individuel brug.

1. Amiton: O,O-Diethyl-S-[2-(diethylamino)ethyl] phosphorothiolat (78-53-5) og alkylerede eller protoniserede salte deraf

2. PFIB: 1,1,3,3,3-pentafluor-2-(trifluormethyl)-1-propen (382-21-8)

3. KONTROLBESTEMMELSERNE FOR PRODUKTER TIL MILITÆRE FORMÅL vedrørende BZ: 3-quinuclidinylbenzilat (6581-06-2)

4. Phosgen: carbonyldichlorid (75-44-5)

5. Cyanogenchlorid (506-77-4)

6. Hydrogencyanid (74-90-8)

7. Klorpikrin: trichlornitromethan (76-06-2)

b.

Toksiske kemiske prækursorer som følger: Note 1: For så vidt angår eksport til stater, der ikke er parter i konventionen om kemiske våben lægger 1C450 ikke eksportkontrol på kemiske blandinger, som indeholder et eller flere af de kemiske stoffer, der er specificeret i 1C450.b.1, b.2, b.3, b.4, b.5. og b.6, og hvori intet individuelt specificeret kemisk stof udgør mere end 10 vægtprocent af blandingen. Note 2: For så vidt angår eksport til stater, der er parter i konventionen om kemiske våben, lægger 1C450 ikke eksportkontrol på kemiske blandinger, som indeholder et eller flere af de kemiske stoffer, der er specificeret i 1C450.b.1, b.2, b.3, b.4, b.5 og b.6, og hvori intet individuelt specificeret kemisk stof udgør mere end 30 vægtprocent af blandingen. Note 3: 1C450 lægger ikke eksportkontrol på kemiske blandinger, som indeholder et eller flere af de kemiske stoffer, der er specificeret i 1C450.b.8, og hvori intet individuelt specificeret kemisk stof udgør mere end 30 vægtprocent af blandingen. Note 4: 1C450 lægger ikke eksportkontrol på produkter, der betegnes som forbrugsprodukter og er pakket til detailsalg og personlig brug eller er pakket til individuel brug.

1. Kemiske stoffer ud over dem, der er specificeret i kontrolbestemmelserne for produkter til militære formål eller 1C350, indeholdende et phosphoratom, hvortil er bundet en methyl-, ethyl- eller propylgruppe (normal- eller iso-), men ikke flere carbonatomer N.B.: 1C450.b1 lægger ikke eksportkontrol på fonofos: O-Ethyl S-phenylethylphosphonothiolothionat (944-22-9)

2. 1C450 b. Andre N,N-dialkyl [methyl-, ethyl- eller propyl- (normal- eller iso-)]-phosphor-amiddihalogenider end N,N-dimethylfosforamidodiklorid N.B.: Se 1C350.57 vedrørende N,N-dimetylfosforamidodiklorid.

3. Dialkyl [methyl-, ethyl- eller propyl- (normal- eller iso-)]-N,N-dialkyl [methyl-, ethyl- eller propyl- (normal- eller iso-)]-phosphoramidater, bortset fra diethyl-N,N-dimethylphosphoramidat som specificeret i 1C350

4. N,N-dialkyl [methyl-, ethyl- eller propyl- (normal- eller iso-)]-aminoethyl-2-chlorider og protoniserede salte deraf, bortset fra N,N-diisopropyl-ß-aminoethylchlorid eller N,N-diisopropyl-ß-aminoethylchloridhydrochlorid som specificeret i 1C350

5. N,N-dialkyl [methyl-, ethyl- eller propyl- (normal- eller iso-)]-aminoethan-2-oler og protoniserede salte deraf, bortset fra N,N-diisopropyl-ß-aminoethanol (96-80-0) og N,N-diethylamino-ethanol (100-37-8) som specificeret i 1C350 N.B.: 1C450.b.5. lægger ikke eksportkontrol på følgende:

5. a.

N,N-dimethylaminoethanol (108-01-0) og protoniserede salte deraf

b.

Protoniserede salte af N,N-diethylaminoethanol (100-37-8).

6. N,N-dialkyl [methyl-, ethyl- eller propyl- (normal- eller iso-)]-aminoethan-2-thioler og protoniserede salte deraf, bortset fra N,N-diisopropyl-ß-aminoethanthiol, som specificeret i 1C350

7. Se 1C350 vedrørende ethyldiethanolamin (139-87-7)

8. Methyldiethanolamin (105-59-9).

1D Software 1D001 Software, der er specielt udviklet eller modificeret til udvikling, produktion eller brug af udstyr, der er specificeret i 1B001-1B003. 1D002 Software til udvikling af organiske matrix-, metalmatrix- eller carbonmatrix-laminater eller -kompositter. 1D003 Software, der er specielt udviklet eller modificeret til at sætte udstyr i stand til at udføre de funktioner, som udføres af udstyr, der er specificeret i 1A004.c. eller 1A004.d. 1D101 Software, der er specielt udviklet eller ændret til drift eller vedligeholdelse af produkter, der er specificeret i 1B101, 1B102, 1B115, 1B117, 1B118 eller 1B119. 1D103 Software, der er specielt udviklet til analyse af formindskede observerbare størrelser som radarreflektivitet, ultraviolet/infrarøde og akustiske signaturer. 1D201 Software, der er specielt udviklet til brug af produkter, der er specificeret i 1B201.

1E Teknologi 1E001 Teknologi, iflg. den generelle teknologinote, til udvikling eller produktion af udstyr eller materialer, der er specificeret i 1A001.b, 1A001.c, 1A002-1A005, 1A006.b., 1A007, 1B eller 1C. 1E002 Følgende anden teknologi: 1E101 Teknologi, iflg. den generelle teknologinote, til brug af produkter, der er specificeret i 1A102, 1B001, 1B101, 1B102, 1B115-1B119, 1C001, 1C101, 1C107, 1C111-1C118, 1D101 eller 1D103. 1E102 Teknologi, iflg. den generelle teknologinote, til udvikling af software, der er specificeret i 1D001, 1D101 eller 1D103. 1E103 Teknologi til regulering af temperatur, tryk og atmosfære i autoklaver og hydroklaver, når de bruges til produktion af kompositter eller delvis fremstillede kompositter. 1E104 Teknologi til produktion af pyrolytisk afledte materialer, der dannes på en form, dorn eller andet underlag fra prækursorgasser, som spaltes i temperaturområdet fra 1573 K (1300 °C) til 3173 K (2900 °C) ved tryk på 130 Pa til 20 kPa. N.B.: 1E104 omfatter teknologi til kombination af prækursorgasser, flowhastigheder og processtyringsprogrammer og parametre. 1E201 Teknologi, iflg. den generelle teknologinote, til brug af produkter, der er specificeret i 11A002, 1A007, 1A202, 1A225 to 1A227, 1B201, 1B225-1B234, 1C002.b.3 eller b.4, 1C010.b, 1C202, 1C210, 1C216, 1C225-1C241 eller 1D201. 1E202 Teknologi, iflg. den generelle teknologinote, til udvikling eller produktion af produkter, der er specificeret i 1A007, 1A202 eller 1A225-1A227. 1E203 Teknologi, iflg. den generelle teknologinote, til udvikling af software, der er specificeret i 1D201.

1E a.

Teknologi til udvikling eller produktion af polybenzothiazoler eller polybenzoxazoler.

b.

Teknologi til udvikling eller produktion af fluorelastomerforbindelser indeholdende mindst én vinylethermonomer.

c.

Teknologi til udvikling eller produktion af følgende basismaterialer eller ikke kompositte keramiske materialer:

1. Basismaterialer med samtlige følgende egenskaber:

1. a.

En eller flere af følgende forbindelser:

1. Enkelt- eller komplekse oxider af zirconium og komplekse oxider af silicium eller aluminium

2. Enkeltnitrider af bor (kubisk krystallinske former)

3. Enkelt- eller komplekse carbider af silicium eller bor eller

4. Enkelt- eller komplekse nitrider af silicium

b.

En af følgende totale mængder metalliske urenheder (eksklusive forsætlige tilsætninger):

1. Mindre end 1000 ppm for enkeltoxider eller enkeltcarbider eller

2. Mindre end 5000 ppm for komplekse forbindelser eller enkeltnitrider og

c.

Som er en eller flere af følgende:

1. Zirconiumforbindelser (CAS 1314-23-4) med en gennemsnitlig partikelstørrelse, der er lig med eller mindre end 1 μm, og hvor højst 10 % af partiklerne er større end 5 μm

2. Andre basismaterialer med en gennemsnitlig partikelstørrelse lig med eller mindre end 5 μm og højst 10 % af partiklerne større end 10 μm eller

3. Har samtlige følgende:

3. a.

Småplader med et længde/tykkelsesforhold på mere end 5

b.

Whiskers med et længde/diameterforhold på mere end 10 for diametre under 2 μm og

c.

Kontinuerte eller skårne fibre med en diameter på mindre end 10 μm

2. Ikke kompositte keramiske materialer sammensat af de i 1E002.c.1 specificerede materialer N.B.: 1E002.c.2 lægger ikke eksportkontrol på teknologi til udvikling eller produktion af slibemidler.

d.

Teknologi til produktion af aromatiske polyamidfibre

e.

1E002 Teknologi til installering, vedligeholdelse eller reparation af materialer, der er specificeret i 1C001

f.

Teknologi til reparation af komposit strukturer, -laminater eller -materialer, der er specificeret i 1A002, 1C007.c eller 1C007.d. Note: 1E002.f lægger ikke eksportkontrol på teknologi til reparation af strukturer til civile fly ved brug af carbon fiber eller trådmaterialer og epoxyharpikser, der omfattes af flyproducenters manualer.

g. Teknisk note:

Biblioteker (parametriske tekniske databaser), der er specielt udviklet eller modificeret til at sætte udstyr i stand til at udføre de funktioner, som udføres af udstyr, der er specificeret i 1A004.c. eller 1A004.d. I 1E002.g forstås ved biblioteker (parametriske tekniske databaser) en samling teknisk information, hvormed det relevante udstyrs eller de relevante systemers ydelse kan forbedres.

KATEGORI 2 MATERIALEBEHANDLING

2A Teknisk note:

Systemer, udstyr og komponenter N.B.: Med hensyn til lydløse lejer henvises til kontrolbestemmelserne for produkter til militære formål. 2A001 Følgende rulningslejer og lejesystemer samt komponenter hertil: N.B.: JF. LIGELEDES 2A101. N.B.: 2A001 lægger ikke eksportkontrol på kugler med tolerancer, der er specificeret af producenten i overensstemmelse med ISO 3290 som grad 5 eller dårligere. 2A101 Radialkuglelejer ud over dem, der er specificeret i 2A001, med tolerancer, der alle er specificeret i overensstemmelse med ISO 492 Tolerance Class 2 (eller ANSI/ABMA Std 20 Tolerance Class ABEC-9 eller tilsvarende nationale standarder) eller bedre, og som har samtlige følgende egenskaber: 2A225 Følgende digler fremstillet af materialer, der er bestandige mod flydende aktinider: 2A226 Ventiler, der har samtlige følgende egenskaber: For ventiler med forskellige indløbs- og udløbsdiameter henviser ovennævnte nominelle parameter til den mindste diameter.

2A a.

Kuglelejer og massive rullelejer, med tolerancer, der alle er specificeret af producenten i overensstemmelse med ISO 492 Tolerance Class 4 (eller tilsvarende nationale standarder) eller bedre, med både ringe og rullelegemer (ISO 5593), fremstillet af monel eller beryllium N.B.: 2A001.a lægger ikke eksportkontrol på koniske rullelejer.

b.

2A001 Ikke anvendt

c.

Aktive magnetlejesystemer med en eller flere af følgende egenskaber:

1. Materialer med fluxdensitet på 2,0 T eller større og flydegrænser på mere end 414 MPa

2. Hel-elektromagnetisk 3D homopolær forspændingsdesign for aktuatorer eller

3. Positionssensorer til høj temperatur (mindst 450 K (177 °C)).

a.

En indre ring med boringsdiameter på mellem 12 og 50 mm

b.

En ydre ring med udvendig diameter på mellem 25 og 100 mm og

c.

En bredde på mellem 10 og 20 mm.

a.

Digler, der har begge følgende egenskaber:

1. Et rumfang på mellem 150 m3 og 8000 cm3 og

2. Er fremstillet af eller belagt med et af følgende materialer eller en kombination af følgende materialer af en urenhed på højst 2 vægtprocent:

2. a.

Calciumfluorid (CaF2)

b.

Calciumzirconat (metazirconat) (CaZrO3)

c.

Ceriumsulfid (Ce2S3)

d.

Erbiumoxid (Er2O3)

e.

Hafniumoxid (HfO2)

f.

Magnesiumoxid (MgO)

g.

Nitrideret niobium-titanium-wolfram-legering (ca. 50 % Nb, 30 % Ti, 20 % W)

h.

Yttriumoxid (Y2O3) eller

i.

Zirconiumoxid (ZrO2)

b.

Digler, der har begge følgende egenskaber:

1. Et rumfang på mellem 50 cm3 og 2000 cm3 og

2. Er fremstillet af eller foret med tantal af en renhed på mindst 99,9 vægtprocent

c.

Digler, der har samtlige følgende egenskaber:

1. Et rumfang på mellem 50 cm3 og 2000 m3

2. Er fremstillet af eller foret med tantal af en renhed på mindst 98 vægtprocent og

3. Er belagt med tantalcarbid, nitrid eller borid eller en blanding heraf.

a.

Mindst 5 mm nominel størrelse

b.

Har en bælg og

c.

Er helt fremstillet af eller foret med aluminium, aluminiumlegering, nikkel eller nikkellegeringer indeholdende mindst 60 % nikkel efter vægt.

2B Teknisk note: 1.2.3.4.5.6. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Tekniske noter: 1.2. Tekniske noter: 1.2. Teknisk note: 1.2.

Prøve-, inspektions- og produktionsudstyr Sekundære, parallelle, profilgenererende akser (f.eks. w-aksen på horisontale boremøller eller en sekundær roterende akse med en centerlinje, der er parallel med den primære omdrejningsakse) medregnes ikke i det totale antal profilgenererende akser. Omdrejningsakser behøver ikke at dreje 360°. En omdrejningsakse kan drives af en lineær maskindel (f.eks. snekke eller tandstang). For så vidt angår 2B er antallet af akser, der kan koordineres samtidig til profilstyring, det antal akser, langs med eller uden om hvilke der under bearbejdelsen af emnet udføres samtidige og indbyrdes forbundne bevægelser mellem emnet og et værktøj. Dette omfatter ikke yderligere akser, langs med eller uden om hvilke der udføres andre arbejdsbevægelser i maskinen, som f.eks.: Aksenomenklaturen skal være i overensstemmelse med International Standard ISO 841, Numerical Control Machines — Axis and Motion Nomenclature. For så vidt angår 2B001-2B009 anses en vippespindel for at være en omdrejningsakse. Opgiven positioneringsnøjagtighed afledt af målinger forelagt i overensstemmelse med ISO 230/2 eller tilsvarende nationale standarder kan anvendes for hver værktøjsmaskinmodel som et alternativ til individuelle maskinprøvninger. Ved opgiven positioneringsnøjagtighed forstås den nøjagtighedsværdi, der er meddelt de kompetente myndigheder i den medlemsstat, hvor eksportøren har hjemsted, som værende repræsentative for en specifik maskinmodels nøjagtighed. Bestemmelse af opgiven positioneringsnøjagtighed I 2B001.a-2B001.c tages måleusikkerheden i forbindelse med positioneringsnøjagtigheden for værktøjsmaskiner som defineret i International Standard ISO 230/2 (2006) eller tilsvarende nationale standarder ikke i betragtning. 2B001 Værktøjsmaskiner og enhver kombination af disse, til fjernelse (eller bearbejdning) af metaller, keramiske materialer eller kompositter, der ifølge producentens tekniske specifikationer kan udstyres med elektroniske indretninger til numerisk styring: N.B.: JF. LIGELEDES 2B201. Note 1: 2B001 lægger ikke eksportkontrol på specialværktøjsmaskiner, der er begrænset til fremstilling af tandhjul. For så vidt angår sådanne maskiner, se 2B003. Note 2: 2B001 lægger ikke eksportkontrol på specialværktøjsmaskiner, der er begrænset til fremstilling af en eller flere af følgende: Note 3: Værktøjsmaskiner, der har mindst to ud af tre egenskaber med hensyn til drejning, fræsning og slibning (f.eks. en drejemaskine, der kan fungere som fræsemaskine), skal vurderes i forhold til hvert af de relevante punkter 2B001.a., b., eller c. Note. Med hensyn til værktøjsmaskiner til optisk finbearbejdning, se 2B002. 2B002 Numerisk styrede værktøjsmaskiner til optisk finbearbejdning, som er udstyret med henblik på selektiv materialeaftagning til fremstilling af ikkesfæriske optiske overflader, der har samtlige følgende kendetegn: I forbindelse med 2B002 er 2B003 Numerisk styrede eller manuelle værktøjsmaskiner, samt specielt konstruerede komponenter, styringer og tilbehør hertil, der er specielt konstrueret til at høvle, færdigbehandle, slibe eller polere hærdede (Rc = 40 eller mere) cylindriske, heliske og dobbelt heliske tandhjul med en delediameter på mere end 1250 mm og en tandbredde på 15 % eller mere af delediameteren, bearbejdet til en kvalitet som AGMA 14 eller bedre (svarende til ISO 1328 class 3). 2B004 Varme isostatiske presser med samtlige af følgende egenskaber samt specielt konstruerede komponenter og tilbehør hertil: N.B.: JF. LIGELEDES 2B104 og 2B204. Den indvendige kammerdimension er dimensionen på det kammer, hvor både arbejdstemperaturen og arbejdstrykket opnås, og indbefatter ikke opspændingsmidler. Dimensionen skal være den mindste af enten trykkammerets indvendige diameter eller det isolerende kammers indvendige diameter, afhængigt af hvilket af de to kamre der befinder sig inden i det andet. N.B.: For så vidt angår specielt konstruerede matricer, forme og redskaber, se 1B003, 9B009 og kontrolbestemmelserne for produkter til militære formål. 2B005 Følgende udstyr, der er specielt konstrueret til udfældning, behandling og styring under behandlingen af uorganiske belægninger, coatings og overflademodifikationer for ikkeelektroniske substrater, ved processer, der er vist i tabellen og de tilhørende noter efter 2E003.f, samt specielt konstruerede komponenter hertil til automatisk håndtering, anbringelse, manipulering og styring: Note: 2B005 lægger ikke eksportkontrol på udstyr til kemisk dampudfældning, katodebuebelægning, sputter belægning, ionplettering eller ionimplantering, der er specielt konstrueret til skære- eller værktøjsmaskiner. 2B006 Følgende dimensionsinspektions- eller målesystemer, udstyr og samlinger: N.B.: JF. LIGELEDES 2B206. Note: 2B006 omfatter værktøjsmaskiner ud over dem, der er specificeret i 2B001, som kan bruges som målemaskiner, hvis de opfylder eller overgår de kriterier, der er specificeret for målemaskinfunktionen. 2B007 Robotter med en eller flere af følgende egenskaber samt specielt konstruerede styringer og effektorer hertil: N.B.: JF. LIGELEDES 2B207. 2B008 Følgende samlinger eller enheder, der er specielt konstrueret til værktøjsmaskiner eller til dimensionsinspektions- eller målesystemer og -udstyr: Note: 2B008.a og 2B008.b lægger eksportkontrol på enheder, der er udformet til at bestemme positionsinformation til feedbackkontrol såsom indretninger af den induktive type, graduerede skalaer, infrarøde systemer eller laser-systemer. 2B009 Maskiner til rotationsformning (spin forming) og flydeformning, som efter producentens tekniske specifikationer kan udstyres med numeriske styrings-enheder eller computerstyring med samtlige følgende egenskaber: N.B.: JF. LIGELEDES 2B109 OG 2B209. For så vidt angår 2B009 anses maskiner, der har kombineret rotations- og flydeformningsfunktion, for at være flydeformningsmaskiner. 2B104 Isostatiske presser ud over dem, der er specificeret i 2B004, med samtlige følgende egenskaber: N.B.: JF. LIGELEDES 2B204. 2B105 Ovne til kemisk dampudfældning (CVD) ud over dem, der er specificeret i 2B005.a, som er konstrueret eller modificeret til densifikation af carboncarbonkompositter. 2B109 Flydeformningsmaskiner ud over dem, der er specificeret i eksportkontrol iflg. 2B009, samt følgende specielt konstruerede komponenter: N.B.: JF. LIGELEDES 2B209. Note: 2B109 lægger ikke eksportkontrol på maskiner, der ikke kan benyttes til produktion af fremdrivningskomponenter og udstyr (f.eks. motorhuse) til systemer, der er specificeret i 9A005, 9A007.a. eller 9A105.a. Maskiner, der har kombineret rotations- og flydeformningsfunktion, anses for så vidt angår 2B109 for at være flydeformningsmaskiner. 2B116 Følgende vibrationsprøvesystemer og udstyr og komponenter hertil: I 2B116 forstås ved tomt vibrationsbord et plant bord eller en plan flade uden nogen form for stativ eller beslag. 2B117 Udstyr og processtyring ud over det, der er specificeret i 2B004, 2B005.a., 2B104 eller 2B105, konstrueret eller modificeret til densifikation og pyrolyse af strukturelle, kompositte raketdyser og næser til reentry vehicles. 2B119 Følgende afbalanceringsmaskiner samt tilhørende udstyr: N.B.: JF. LIGELEDES 2B219. 2B120 Bevægelsessimulatorer eller drejeborde, der har samtlige følgende egenskaber: Note 1: 2B120 lægger ikke eksportkontrol på drejeborde, der er konstrueret eller modificeret med henblik på værktøjsmaskiner eller medicinsk udstyr. For så vidt angår eksportkontrol på drejeborde til værktøjsmaskiner se 2B008. Note 2: Bevægelsessimulatorer eller drejeborde som specificeret i 2B120 er stadig kontrolleret, uanset om der monteres slæberinge eller integrerede kontaktfrie anordninger i forbindelse med eksport. 2B121 Positioneringsborde (udstyr, der er i stand til præcis rotationspositionering i ethvert plan) ud over dem, der er specificeret i 2B120, med samtlige følgende egenskaber: Note: 2B121 lægger ikke eksportkontrol på drejeborde, der er konstrueret eller modificeret med henblik på værktøjsmaskiner eller medicinsk udstyr. For så vidt angår eksportkontrol på drejeborde til værktøjsmaskiner se 2B008. 2B122 Centrifuger, der er i stand til at frembringe accelerationer på over 100 g, og som er konstrueret eller modificeret til at indeholde slæberinge eller integrerede kontaktfrie anordninger, der er i stand til at overføre elektrisk kraft, signaloplysninger eller begge dele. Note: Centrifuger som specificeret i 2B122 er stadig kontrolleret, uanset om der monteres slæberinge eller integrerede kontaktfrie anordninger i forbindelse med eksport. 2B201 Følgende værktøjsmaskiner og enhver kombination heraf ud over dem, der er specificeret i 2B001, til fjernelse eller bearbejdning af metaller, keramiske materialer eller kompositter, og som ifølge producentens tekniske specifikationer kan udstyres med elektroniske indretninger til samtidig profilstyring i to eller flere akser: Note 1: 2B201 lægger ikke eksportkontrol på specialværktøjsmaskiner, der er begrænset til fremstilling af en eller flere af følgende dele: Note 2: Værktøjsmaskiner, der har mindst to ud af tre egenskaber med hensyn til drejning, fræsning og slibning (f.eks. en drejemaskine, der kan fungere som fræsemaskine), skal vurderes i forhold til hvert af de relevante punkter, dvs. 2B001.a eller 2B201.a. eller b. 2B204 Følgende isostatiske presser ud over dem, der er specificeret i 2B004 eller 2B104, samt beslægtet udstyr: I 2B204 svarer kammerets indvendige diameter til dimensionen på det kammer, hvor både arbejdstemperaturen og arbejdstrykket opnås, og omfatter ikke opspændingsanordninger. Dimensionen skal være den mindste af enten trykkammerets indvendige diameter eller det isolerede ovnkammers indvendige diameter, afhængigt af hvilket af de to kamre der befinder sig inden i det andet. 2B206 Følgende dimensionsinspektionsmaskiner, -instrumenter eller -systemer ud over dem, der er specificeret i 2B006: Note 1: Værktøjsmaskiner, der kan bruges som målemaskiner, er pålagt eksportkontrol, hvis de opfylder eller overgår de kriterier, der er specificeret for værktøjsmaskinfunktionen eller målemaskinfunktionen. Note 2: En maskine, der er specificeret i 2B206, er pålagt eksportkontrol, hvis den overgår eksportkontroltærskelen på noget sted i dens driftsområde. Samtlige parametre for måleværdier i 2B206 betegner plus/minus, dvs. ikke det samlede bånd. 2B207 Følgende robotter, effektorer og kontrolenheder ud over dem, der er specificeret i 2B007: 2B209 Følgende flydeformningsmaskiner, rotationsformningsmaskiner, som kan udføre flydeformningsopgaver ud over dem, der er specificeret i 2B009 eller 2B109, og dorne: Note: 2B209.a. omfatter maskiner med kun én valse, beregnet til at deformere metal, plus to hjælpevalser, der støtter dornen, men som ikke deltager direkte i deformationsprocessen. 2B219 Følgende centrifugale, multiplansafbalanceringsmaskiner, faste eller transportable, vandrette eller lodrette: 2B225 Fjernmanipulatorer, som kan bruges til at udføre fjernbevægelser i radiokemiske adskillelsesoperationer eller hotcells, som har en af følgende egenskaber: Fjernmanipulatorer overfører en menneskelig operatørs bevægelser til en bevægelig arm og opspændingsanordning. De kan være af master-slave-typen eller styres med joystick eller tastatur. 2B226 Induktionsovne med styret atmosfære (vakuum eller inaktiv luftart) samt kraftforsyning hertil som følger: N.B.: JF. LIGELEDES 3B. Note: 2B226.a. lægger ikke eksportkontrol på ovne konstrueret til fremstilling af halvlederskiver. 2B227 Følgende metallurgiske smelte- og støbeovne med vakuumtryk eller anden trykstyring, samt tilhørende udstyr: 2B228 Følgende udstyr til fremstilling eller samling af rotorer, udstyr til retning af rotorer samt dorne og forme til fremstilling af bælge: 2B230 Alle typer tryktransducere, som er i stand til at måle absolutte tryk, og som har samtlige følgende: I 2B230 forstås ved tryktransducer en anordning, der konverterer en trykmåling til et signal. I 2B230 omfatter nøjagtighed ulinearitet, hysterese og repeterbarhed ved omgivelsestemperatur. 2B231 Vakuumpumper, der har samtlige følgende egenskaber: Pumpehastigheden bestemmes i målepunkterne med nitrogengas eller luft. Det maksimale vakuum bestemmes ved pumpens indgang med indgangssiden blokeret. 2B232 Højhastighedskanonsystemer (driv-, gas-, spole-, elektromagnetiske og elektrotermiske typer samt andre avancerede systemer), der er i stand til at accelerere projektiler til mindst 1,5 km/s. N.B.: JF. LIGELEDES KONTROLBESTEMMELSERNE FOR PRODUKTER TIL MILITÆRE FORMÅL. 2B233 Bælgtætnede scrollkompressorer og bælgtætnede scrollvakuumpumper, som har samtlige følgende egenskaber: N.B.: JF. LIGELEDES 2B350.i. 2B350 Følgende kemiske produktionsfaciliteter, udstyr og komponenter: Note: I 2B350 afgøres eksportkontrolstatus ikke af, hvilke materialer der anvendes til pakninger, pakningsmidler, tætninger, skruer, møtrikker og andre materialer, der anvendes til en forsegling, forudsat at disse komponenter er udskiftelige. Carbongrafit er en sammensætning bestående af amorf carbon og grafit med et grafitindhold på mindst otte vægtprocent. For de anførte materialer i ovennævnte produkter forstås ved legering, hvis der ikke er angivet nogen specifik koncentration af stoffet, en legering, hvor det pågældende metal indgår med en større vægtprocent end noget andet stof. 2B351 Følgende kontrolsystemer til giftige gasser og dedikerede detekteringskomponenter, bortset fra dem, der er specificeret i 1A004, samt detektorer, følere og udskiftelige følerpatroner hertil: 2B352 Følgende udstyr, der kan anvendes til håndtering af biologiske materialer:

2B Teknisk note: 1.2. a.

Afrettersystemer i slibemaskiner

b.

Parallelle omdrejningsakser til montering af separate emner

c.

Ko-lineære omdrejningsakser til bearbejdning af samme emne ved opspænding i en spændepatron fra hver sin ende.

2B Teknisk note: 1.2.3.4.5. a.

Der udvælges fem maskiner af en model, der skal vurderes

b.

Nøjagtigheden af den lineære akse måles i overensstemmelse med ISO 230/2

c.

A-værdierne for hver akse i hver maskine bestemmes. Metoden for beregning af A-værdier er beskrevet i ISO-standarden

d.

Middelværdier af hver akses A-værdi bestemmes. Denne middelværdi  bliver den opgivne værdi for hver akse i modellen (Âx, Ây …)

e.

Da listen vedrørende kategori 2 vedrører hver enkelt lineære akse, er der lige så mange opgivne værdier, som der er lineære akser

f.

Hvis en akse i en maskinmodel, der ikke er pålagt eksportkontrol i henhold til 2B001.a.-2B001.c. eller 2B201 har en opgivet nøjagtighed  lig med eller mindre end den opgivne positioneringsnøjagtighed for hver værktøjsmaskinmodel plus 2 μm, bør producenten anmodes om at bekræfte nøjagtighedsniveauet en gang hver 18. måned.

2B Teknisk note: 1.2.3.4.5.6. a.

Krumtapaksler eller knastaksler

b.

Værktøj eller skærestål

c.

Ekstrudersnekker

d.

Graverede eller facetslebne smykkedele eller

e.

Tandproteser

a.

Værktøjsmaskiner til drejning, der har samtlige følgende egenskaber: Note: 2B001.a lægger ikke eksportkontrol på drejemaskiner, der er specielt konstrueret til produktion af kontaktlinser, og som har begge følgende egenskaber:

1. Positioneringsnøjagtighed, med alle disponible kompenseringer, som er lig med eller mindre (bedre) end 3,0 μm i henhold til ISO 230/2 (2006) eller tilsvarende nationale standarder langs en eller flere lineære akserog

2. To eller flere akser, der kan koordineres samtidigt til profilstyring

a.

Maskinstyringen er begrænset til anvendelse af oftalmisk baseret software til input af data til delprogrammering og

b.

Ingen vacuumopspænding.

b.

Værktøjsmaskiner til fræsning med en eller flere af følgende:

1. Samtlige følgende egenskaber:

1. a.

Positioneringsnøjagtighed, med alle disponible kompenseringer, som er lig med eller mindre (bedre) end 3,0 μm i henhold til ISO 230/2 (2006) eller tilsvarende nationale standarder langs en eller flere lineære akser og

b.

Tre lineære akser samt en omdrejningsakse, der kan koordineres samtidigt til profilstyring

2. Fem eller flere akser, der kan koordineres samtidigt til profilstyring og har en eller flere af følgende egenskaber: N.B.: Værktøjsmaskiner med parallel mekanisme er specificeret i 2B001.b.2.d.

2. a.

Positioneringsnøjagtighed, med alle disponible kompenseringer, som er lig med eller mindre (bedre) end 3,0 μm i henhold til ISO 230/2 (2006) eller tilsvarende nationale standarder langs en eller flere lineære akser med en vandringslængde på under 1 m

b.

2B001 b. 2. Positioneringsnøjagtighed, med alle disponible kompenseringer, som er lig med eller mindre (bedre) end 4,5 μm i henhold til ISO 230/2 (2006) eller tilsvarende nationale standarder langs en eller flere lineære akser med en vandringslængde lig med eller større end 1 m og under 2 m

c.

Positioneringsnøjagtighed, med alle disponible kompenseringer, som er lig med eller mindre (bedre) end 4,5 + 7(L-2) μm (L er vandringslængden i meter) i henhold til ISO 230/2 (2006) eller tilsvarende nationale standarder langs en eller flere lineære akser med en vandringslængde lig med eller større end 2 m eller

d. Teknisk note:

Er en værktøjsmaskine med parallel mekanisme En værktøjsmaskine med parallel mekanisme er en værktøjsmaskine med mange stænger, som er forbundet med en platform og aktuatorer, som hver især driver de respektive stænger samtidigt og uafhængigt.

3. Positioneringsnøjagtighed for koordinatboremaskiner med alle disponible kompenseringer, som er lig med eller mindre (bedre) end 3,0 μm i henhold til ISO 230/2 (2006) eller tilsvarende nationale standarder langs en eller flere lineære akser eller

4. Flycuttingmaskiner med samtlige følgende egenskaber:

4. a.

Radial forskydning og aksial forskydning af spindlen mindre (bedre) end 0,0004 mm total indikatorudslag (TIR) og

b.

Vinkelforskydning i slædebevægelsen (giring, hældning og rulning) mindre (bedre) end 2 buesekunder, total indikatorudslag (TIR) over 300 mm vandring

c.

Værktøjsmaskiner til fræsning med en eller flere af følgende: Note: 2B001.c lægger ikke eksportkontrol på følgende slibemaskiner:

1. Har samtlige følgende:

1. a.

Positioneringsnøjagtighed med alle disponible kompenseringer, som er lig med eller mindre (bedre) end 3,0 μm i henhold til ISO 230/2 (2006) eller tilsvarende nationale standarder langs en eller flere lineære akser og

b.

Tre eller flere akser, der kan koordineres samtidigt til profilstyring eller

2. Fem eller flere akser, der kan koordineres samtidigt til profilstyring

a.

Cylindriske, udvendige, indvendige og udvendigt-indvendige slibemaskiner med alle følgende egenskaber

1. Kun til cylindrisk slibning og

2. Kun til en maksimal udvendig diameter eller længde af emnet på 150 mm

b.

Maskiner, der er specielt konstrueret som koordinatslibemaskiner, der ikke har en z-akse eller en w-akse, med en positioneringsnøjagtighed med alle disponible kompenseringer, som er mindre (bedre) end 3 μm i henhold til ISO 230/2 (2006) eller tilsvarende nationale standarder.

c.

Overfladeslibemaskiner.

d.

Elektriske udladningsmaskiner (EDM) af typen uden tråd, som har to eller flere omdrejningsakser, der kan koordineres samtidigt til profilstyring

e.

2B001 Værktøjsmaskiner til at fjerne metaller, keramiske materialer eller kompositter med samtlige følgende egenskaber:

1. Fjerner materiale ved hjælp af en af følgende metoder:

1. a.

Vand eller andre stråler af flydende materiale, inklusive anvendelse af slibende tilsætningsstoffer

b.

Elektronstråle eller

c.

Laserstråle og

2. Mindst to omdrejningsakser med samtlige følgende egenskaber:

2. a.

Kan koordineres samtidigt til profilstyring og

b.

En positioneringsnøjagtighed på mindre (bedre) end 0,003

f.

Maskiner til dybdeboring og drejemaskiner, der er modificeret til dybdeboring med en maksimal boredybdekapacitet på mere end 5 m.

a.

De finbearbejder formen til mindre (bedre) end 1,0 μm

b.

De finbearbejder til en ruhed, der er mindre (bedre) end 100 nm (rms)

c.

Fire eller flere akser, der kan koordineres samtidigt til profilstyring og

d.

De anvender en af følgende processer:

1. Magnetreologisk finbearbejdning (MRF)

2. Elektroreologisk finbearbejdning (ERF)

3. Finbearbejdning med energisk partikelstråle

4. Finbearbejdning med oppustelig membran eller

5. Finbearbejdning med væskestråle.

2B Teknisk note: 1.2.3.4.5.6. Teknisk note:

1. MRF en materialeaftagningsproces, der anvender en slibende magnetisk væske, hvis viskositet styres af et magnetfelt.

2. ERF er en aftagningsproces, der anvender en slibende væske, hvis viskositet styres af et elektrisk felt.

3. Finbearbejdning med energisk partikelstråle anvender reaktive atomplasmaer (RAP) eller ionstråler til selektiv aftagning af materiale.

4. Finbearbejdning med oppustelig membran er en proces, hvor der anvendes en membran under tryk, der deformeres for at opnå kontakt med emnet i et lille område.

5. Finbearbejdning med væskestråle anvender en stråle af væske med henblik på materialeaftagning.

a.

Et styret termisk miljø inde i det lukkede kammer, og med et trykkammer med en indvendig diameter på mindst 406 mm og

b.

En eller flere af følgende:

1. Maksimalt arbejdstryk på mere end 207 MPa

2. Styret termisk miljø på mere end 1773 K (1500 °C) eller

3. Indrettet til hydrocarbonimprægnering og fjernelse af de resulterende luftformige nedbrydningsprodukter.

2B Teknisk note: 1.2.3.4.5.6. Teknisk note: Teknisk note: a.

Kemisk dampudfældnings-(CVD)-produktionsudstyr med samtlige følgende egenskaber: N.B.: JF. LIGELEDES 2B105.

1. En proces modificeret til en af følgende:

1. a.

Pulserende CVD

b.

Styret nukleær, termisk nedbrydning (CNTD) eller

c.

Plasmaforstærket eller plasmaassisteret CVD og

2. Med en af følgende:

2. a.

Omfattende højvakuum (højst 0,01 Pa), roterende pakninger eller

b.

Omfatter in situ-styring af belægningstykkelsen

b.

Ionimplanteringsproduktionsudstyr med strålestrømme på mindst 5 mA

c.

Produktionsudstyr med fysisk dampudfældning med elektronstråle (EB-PVD), med kraftforsyning med en ydelse på mere end 80 kW, og som har en af følgende:

1. Et laserstyresystem til det flydende bads niveau, som nøjagtigt regulerer tilførselshastigheden af barrer eller

2. En computerstyret hastighedsovervågning, der virker ved princippet om de ioniserede atomers fotoluminans i den fordampende stråle til styring af udfældningshastigheden ved coating, der indeholder to eller flere grundstoffer

d.

2B005 Plasmasprøjtningsproduktionsudstyr med en af følgende egenskaber:

1. Drift ved en atmosfære, der har begrænset tryk (højst 10 kPa målt over og inden for 300 mm fra pistolens dyseåbning) i et vakuumkammer, der er i stand til at sættes under et vakuum på ned til 0,01 Pa før sprøjteprocessen eller

2. Omfatter in situ-styring af belægningstykkelsen

e.

Sputter belægningsproduktionsudstyr, der kan operere med strømtætheder på mindst 0,1 mA/mm2 ved en belægningshastighed på mindst 15 μm/h

f.

Produktionsudstyr til katodebuebelægning, der indbefatter et net af elektromagneter til styring af buepletten på katoden

g.

Produktionsudstyr til ionplettering, der er i stand til at foretage in situ-måling af en af følgende egenskaber:

1. Belægningstykkelsen på substratet og hastighedsstyring eller

2. Optiske egenskaber.

a. Teknisk note:

Computerstyrede eller numerisk styrede koordinatmålingsmaskiner (CMM) med en tredimensional (volumetrisk) maksimal fejlvisningsmargen ved længdemåling (E0,MPE) i et givet punkt inden for maskinens driftsområde (dvs. inden for aksernes længde) lig med eller mindre (bedre) end (1,7 + L/1000) μm (L er den målte længde i mm) afprøvet efter ISO 10360-2 (2009) E0, MPE for den mest nøjagtige opsætning af CMM som opgivet af producenten (dvs. det bedste af følgende: sonde, stiftlængde, bevægelsesparametre, omgivelser) og med alle disponible kompensationer sammenholdes med tærsklen på 1,7 + L/1000 μm.

b.

Følgende måleinstrumenter til lineær og vinkelforskydning:

1. Teknisk note:

Instrumenter til måling af lineær forskydning med en eller flere af følgende egenskaber: Note: Laserinterferometre til måling af forskydning er kun pålagt eksportkontrol i 2B006.1.c. I 2B006.b.1 forstås ved lineær forskydning en ændring af afstanden mellem måleproben og den målte genstand. Note: 2B006.b.1 lægger ikke eksportkontrol på måleinterferometersystemer, der har et automatisk kontrolsystem konstrueret til at anvende teknikker uden feedback, og som indeholder en laser til måling af værktøjsmaskiners, dimensionsinspektionsmaskiners eller lignende udstyrs slædebevægelsesfejl.

a.

Kontaktfrie målesystemer med en opløsning, der er lig med eller mindre (bedre) end 0,2 μm med et måleområde op til 0,2 mm

b. Teknisk note:

2B006 b. 1. Systemer med lineær variabel differential transformering (LVDT) med alle følgende egenskaber: I 2B006.b.1.b forstås ved fuldt driftsområde halvdelen af den samlede mulige lineære forskydning i et system med lineær variabel differential transformering. F.eks. kan systemer med lineær variabel differential transformering med et fuldt driftsområde til og med ± 5 mm måle en samlet mulig lineær forskydning på 10 mm.

b.

1. En eller flere af følgende:

1. a.

Linearitet lig med eller mindre (bedre) end 0,1 % målt fra 0 til det fuldt driftsområde, for systemer med lineær variabel differential transformering med et fuldt driftsområde til og med ± 5 mm eller

b.

Linearitet lig med eller mindre (bedre) end 0,1 % målt fra 0 til 5 mm for systemer med lineær variabel differential transformering med et fuldt driftsområde større ± 5 mm og

2. Drift lig med eller mindre (bedre) end 0,1 % pr. dag ved standard prøverumstemperatur ± 1 K

c.

Målesystemer med samtlige følgende egenskaber:

1. Indeholder en laser og

2. Bibeholder i mindst 12 timer, ved en temperatur på 20 ± 1 °C, samtlige følgende egenskaber:

2. a.

Opløsning over deres fulde skala på 0,1 μm eller mindre (bedre) og

b.

I stand til at opnå en måleusikkerhed, når der er taget højde for luftbrydningsindeks, der er lig med eller mindre (bedre) end (0,2 + L/2000) μm (L er den målte længde i mm) i et givet punkt inden for måleområdet eller

d.

Elektroniske samlinger, der er specielt konstrueret til at give feedbackkapacitet i systemer specificeret i 2B006.b.1.c.

2. Instrumenter til måling af vinkelforskydning med en vinkelstillingsnøjagtighed lig med eller mindre (bedre) end 0,00025 ° Note: 2B006.b.2 lægger ikke eksportkontrol på optiske instrumenter som f.eks. autokollimatorer, der bruger kollimeret lys (f.eks. laserlys) til bestemmelse af et spejls vinkelafvigelse.

c.

Udstyr til måling af overfladeruhed (inklusive overfladefejl) ved måling af optisk spredning med en følsomhed på 0,5 nm eller mindre (bedre).

a. Teknisk note:

I stand til at udføre tidstro tredimensional billedbehandling eller fuld tredimensional sceneanalyse til generering eller modifikation af programmer eller til at generere eller modificere numeriske programdata Begrænsningen vedr. sceneanalyse omfatter ikke tilnærmelse til den tredje dimension ved betragtning ved en given vinkel, eller begrænset gråskalafortolkning til opfattelse af dybde eller overfladebeskaffenhed til de godkendte opgaver (2 1/2 D).

b.

2B007 Specielt konstrueret til at opfylde nationale sikkerhedsstandarder gældende for miljøer med potentielt eksplosivt materiel N.B.: 2B007.b lægger ikke eksportkontrol på robotter, der er specielt konstrueret til sprøjtemalingskabiner.

c. Teknisk note:

Specielt konstrueret eller normeret som strålingshærdede til at modstå en samlet strålingsdosis på mere end 5 × 103 Gy (silicium) uden driftsforringelse eller Udtrykket Gy (silicium) betegner den mængde energi i joule pr. kilo, der absorberes af en uafskærmet siliciumprøve, når den udsættes for ioniserende stråling.

d.

Specielt konstrueret til at arbejde i højder over 30000 m

a.

Enheder med lineær positionsfeedback med en total nøjagtighed på mindre (bedre) end (800 + (600 × L/1000)) nm (L = den effektive længde i mm) N.B.: Med hensyn til laser-systemer, se også note til 2B006.b.1.c. og d.

b.

Feedback-enheder til vinkelposition med en nøjagtighed på mindre (bedre) end 0,00025° N.B.: Med hensyn til laser-systemer, se også note til 2B006.b.2.

c.

Kombinerede drejeborde og vippespindler, som er i stand til efter producentens specifikationer at opgradere værktøjsmaskiner til mindst de niveauer, der er specificeret i 2B.

a.

Tre eller flere akser, der kan koordineres samtidigt til profilstyring og

b.

En valsekraft på mere end 60 kN.

2B Teknisk note: 1.2.3.4.5.6. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: a.

Maksimalt arbejdstryk på 69 MPa eller derover

b.

Konstrueret til at opnå og vedligeholde et kontrolleret termisk miljø på 873 K (600 °C) eller derover og

c.

Har et kammer med en indvendig diameter på 254 mm eller derover.

a.

Flydeformningsmaskiner med samtlige følgende egenskaber:

1. Ifølge producentens tekniske specifikation kan udstyres med numeriske styrings-enheder eller computerstyring, selv om de ikke ved leveringen er udstyret med sådanne enheder og

2. Har mere end 2 akser, som kan koordineres samtidigt til profilstyring.

b.

Specielt konstruerede komponenter til flydeformningsmaskiner, der er specificeret i 2B009 eller 2B109.a.

2B Teknisk note: 1.2.3.4.5.6. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: a.

Vibrationsprøvesystemer, som bruger teknikker med feedback eller lukket sløjfe og indeholder en digital styreenhed, og som er i stand til at vibrere et system ved en acceleration lig med eller større end 10 g rms (eff.) mellem 20 Hz og 2 kHz, mens der afsættes kræfter lig med eller større end 50 kN, målt på tomt vibrationsbord

b. Teknisk note:

Digitale styreenheder, kombineret med specielt konstrueret vibrationsprøvesoftware, med en realtidsstyringsbåndbredde på over 5 kHz og konstrueret til brug sammen med vibrationsprøvesystemer som specificeret i 2B116.a I 2B116.b forstås ved realtidsstyringsbåndbredde det maksimale tempo, hvori en styreenhed kan gennemføre fuldstændige samplingcyklusser, hvor der behandles data og sendes kontrolsignaler.

c.

Vibrationsgeneratorer (rysteenheder) med eller uden forstærkere, som kan afsætte kræfter lig med eller større end 50 kN, målt på tomt vibrationsbord, og som kan bruges i vibrationsprøvesystemer som specificeret i 2B116.a

d.

Strukturer til opspænding af prøveemner og elektroniske enheder, som er konstrueret til at kombinere flere rysteenheder til et system, der kan yde en samlet effektiv kraft lig med eller større end 50 kN, målt på tomt vibrationsbord, og som kan bruges i vibrationsprøvesystemer som specificeret i 2B116.a.

2B Teknisk note: 1.2.3.4.5.6. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: a.

Afbalanceringsmaskiner, der har samtlige følgende egenskaber: N.B.: 2B119.a. lægger ikke eksportkontrol på afbalanceringsmaskiner, der er konstrueret eller modificeret med henblik på tandlægeudstyr eller andet medicinsk udstyr.

1. Er ikke i stand til at afbalancere rotorer/samlinger, der har en masse på over 3 kg

2. Er i stand til at afbalancere rotorer/samlinger ved hastigheder, der overstiger 12500 omdrejninger pr. minut

3. 2B119 a. Er i stand til at korrigere en ubalance i to planer eller mere og

4. Er i stand til at afbalancere til en residuel specifik ubalance på 0,2 g mm pr. kg. rotormasse

b. Teknisk note:

Aflæsningsenheder konstrueret eller ændret til anvendelse i forbindelse med maskiner, der er specificeret i 2B119.a. Aflæsningsenheder kaldes undertiden afbalanceringsinstrumentering.

a.

To akser eller flere

b.

Konstrueret eller ændret til at indeholde slæberinge eller integrerede kontaktfrie anordninger, der er i stand til at overføre elektrisk kraft, signaloplysninger eller begge dele, og

c.

En eller flere af følgende egenskaber:

1. Anordninger med enkelt akse, der har samtlige af følgende egenskaber:

1. a.

Er i stand til at dreje 400 grader/s eller mere eller 30 grader/s eller mindre og

b.

Har en drejningsrateresolution lig med eller mindre end 6 grader/s og en nøjagtighed lig med eller mindre end 0,6 grader/s

2. En worstcasedrejningsratestabilitet lig med eller bedre (mindre) end plus eller minus 0,05 % i gennemsnit over 10 grader eller mere,eller

3. En positionsnøjagtighed lig med eller mindre (bedre) end 5 buesekunder.

a.

To akser eller flere og

b.

En positionsnøjagtighed lig med eller mindre (bedre) end 5 buesekunder.

a.

Værktøjsmaskiner til fræsning med en eller flere af følgende egenskaber: Note: 2B201.a lægger ikke eksportkontrol på fræsemaskiner med følgende egenskaber:

1. Positioneringsnøjagtigheder, med alle disponible kompenseringer, som er lig med eller mindre (bedre) end 6 μm i henhold til ISO 230/2 (1988) eller tilsvarende nationale standarder langs en eller flere lineære akser eller

2. To eller flere profilstyrede omdrejningsakser

a.

X-aksens vandring er større end 2 m og

b.

Den samlede positioneringsnøjagtighed på x-aksen er større (ringere) end 30 μm.

b.

Værktøjsmaskiner til fræsning med en eller flere af følgende egenskaber: Note: 2B201.b lægger ikke eksportkontrol på følgende slibemaskiner:

1. Positioneringsnøjagtigheder, med alle disponible kompenseringer, som er lig med eller mindre (bedre) end 4 μm i henhold til ISO 230/2 (1988) eller tilsvarende nationale standarder langs en eller flere lineære akser eller

2. eller flere profilstyrede omdrejningsakser.

a.

Cylindriske, udvendige, indvendige og udvendigt-indvendige slibemaskiner med samtlige følgende egenskaber:

1. Begrænset til en maksimal kapacitet på 150 mm udvendig diameter eller længde på emnet og

2. Akser begrænset til x, z og c

b.

Koordinatslibemaskiner, der ikke har en z-akse eller en w-akse med en samlet positioneringsnøjagtighed, der er mindre (bedre) end 4 μm, i overensstemmelse med ISO 230/2 (1988) eller tilsvarende nationale standarder.

a.

Tandhjul

b.

Krumtapaksler eller knastaksler

c.

Værktøj eller skærestål

d.

Ekstrudersnekker

a.

Isostatiske presser, der har begge følgende egenskaber:

1. Er i stand til at opnå et maksimalt arbejdstryk på 69 MPa eller mere og

2. Har et kammer med indvendig diameter på mere end 152 mm

b.

2B204 De matricer, forme og styreanordninger, der er specielt konstrueret til isostatiske presser, som specificeret i 2B204.a.

2B Teknisk note: 1.2.3.4.5.6. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: a. Teknisk note:

Computerstyrede eller numerisk styrede koordinatmålingsmaskiner (CMM) med en af følgende egenskaber: E0, MPE for den mest nøjagtige opsætning af CMM i som specificeret i henhold til ISO 10360-2(2009) af producenten (dvs. det bedste af følgende: sonde, stiftlængde, bevægelsesparametre, omgivelser) og med alle disponible kompensationer sammenholdes med tærsklen på 1,7 + L/800 μm.

a.

1. Har kun to akser og en maksimal fejlvisningsmargen ved længdemåling langs en akse (endimensional), defineret som en kombination af EE0x,MPE, E0y,MPE eller E0z,MPE lig med eller mindre (bedre) end (1,25 + L/1000) μm (hvor L er den målte længde i mm) i et givet punkt inden for maskinens driftsområde (dvs. inden for aksens længde), i henhold til ISO 10360-2 (2009) eller

2. Tre akser eller flere og en tredimensional maksimal fejlvisningsmargen ved længdemåling (E0,MPE), lig med eller mindre (bedre) end (1,7 + L/800) μm (hvor L er den målte længde i mm) i et givet punkt inden for maskinens driftsområde (dvs. inden for aksens længde), i henhold til ISO 10360-2 (2009)

b.

Systemer til samtidig lineær-vinkel inspektion af halvskaller med begge følgende egenskaber:

1. Måleusikkerhed langs enhver lineær akse lig med eller mindre (bedre) end 3,5 μm pr. 5 mm og

2. Vinkelstillingsafvigelse lig med eller mindre end 0,02 °.

2B Teknisk note: 1.2.3.4.5.6. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: a.

Robotter eller effektorer, som er specielt konstrueret til at overholde nationale sikkerhedsstandarder vedrørende håndtering af højeksplosiver (f.eks. elektriske kodekategorier for højeksplosiver)

b.

Styreanordninger, der er specielt konstrueret til robotter og effektorer, der er specificeret i 2B207.a.

a.

Maskiner, der har begge følgende egenskaber:

1. Har tre eller flere valser (aktive eller styrende) og

2. Ifølge producentens tekniske specifikation kan udstyres med numeriske styrings-enheder eller computerstyring

b.

Dorne til rotorfremstilling, beregnet til formning af cylindriske rotorer med en indvendig diameter mellem 75 mm og 400 mm.

a.

Centrifugalafbalanceringsmaskiner konstrueret til afbalancering af bøjelige rotorer af en længde på mindst 600 mm og med samtlige følgende egenskaber:

1. Sving- eller lejediameter på mere end 75 mm

2. Massekapacitet fra 0,9 til 23 kg og

3. I stand til at afbalancere ved hastigheder på mere end 5000 omdrejninger pr. minut

b.

Centrifugalafbalanceringsmaskiner konstrueret til afbalancering af hule, cylindriske rotorkomponenter og med samtlige følgende egenskaber:

1. Lejediameter på mere end 75 mm

2. Massekapacitet fra 0,9 til 23 kg

3. I stand til at afbalancere til en restubalance på højst 0,01 kg × mm/kg pr. plan og

4. Bæltedrevne.

a.

Er i stand til at fungere gennem en væg på mindst 0,6 m i et hot cell-anlæg (gennem væggen-operation) eller

b.

Er i stand til at række over toppen af en væg med en tykkelse på mindst 0,6 m i et hot cell-anlæg (over væggen-operation).

2B Teknisk note: 1.2.3.4.5.6. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: a.

Ovne, der har samtlige følgende egenskaber:

1. Er i stand til at fungere ved over 1123 K (850 °C)

2. Har induktionsspoler med en diameter på højst 600 mm og

3. Er konstrueret til en indgangseffekt på mindst 5 kW

b.

Kraftforsyninger med en specificeret udgangseffekt på mindst 5 kW, som er specielt konstrueret til ovne, der er specificeret i 2B226.a.

a.

Lysbueovne til omsmeltning og støbning, der har begge følgende egenskaber:

1. Med smelteelektrodekapacitet mellem 1000 cm3 og 20000 m3 og

2. Er i stand til at operere med smeltetemperaturer på over 1973 K (1700 °C)

b.

Elektronstrålesmelteovne og plasmaforstøvnings- og smelteovne med begge følgende egenskaber:

1. En effekt på mindst 50 kW og

2. Er i stand til at operere ved smeltetemperaturer på over 1473 K (1200 °C)

c.

Specielt konfigurerede computerstyrings- og overvågningssystemer til nogen af de ovne, der er specificeret i 2B227.a. eller 2B227.b.

a.

Rotorsamleudstyr til samling af rørsektioner, baffler og endedæksler til gascentrifugerotorer Note: 2B228.a. omfatter præcisionsdorne, bøjler og maskiner til krympepasning.

b. Teknisk note:

Udstyr til retning af rotorer til indretning af gascentrifugerotorrørsektioner efter en fælles akse I 2B228.b består sådant udstyr normalt af præcisionsmålehoveder tilsluttet en computer, som derefter styrer for eksempel pneumatiske stempler, der bruges til indretning af rotorrørsektioner.

c. Teknisk note:

Bælgformedorne og forme til fremstilling af enkeltsnoede bælge. I 2B228.c. har bælgene samtlige følgende egenskaber:

1. Indvendig diameter på mellem 75 mm og 400 mm

2. Længde på mindst 12,7 mm

3. Enkeltviklingsdybde på mere end 2 mm og

4. Fremstillet af aluminiumlegeringer af høj styrke, martensitisk stål eller fiber- eller trådmaterialer af høj styrke.

a.

Trykfølerelementer, der er fremstillet af eller beskyttet af aluminium, aluminiumlegeringer, aluminiumoxid (safir), nikkel, nikkellegeringer med mere end 60 vægtprocent nikkel eller fuldt fluorerede hydrocarbonpolymerer

b.

Eventuelle pakninger til forsegling af trykfølerelementer, og i direkte kontakt med procesmediet, som er fremstillet af eller beskyttet af aluminium, aluminiumlegeringer, aluminiumoxid (safir), nikkel, nikkellegeringer med mere end 60 vægtprocent nikkel eller fuldt fluorerede hydrocarbonpolymerer og

c.

2B230 Som har en af følgende egenskaber:

1. Et fuldt udslag på mindre end 13 kPa og en nøjagtighed bedre end ± 1 % af fuldt udslag eller

2. Et fuldt udslag på mindst 13 kPa og en nøjagtighed bedre end ± 130 Pa målt ved 13 kPa.

2B Teknisk note: 1.2.3.4.5.6. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Tekniske noter: 1.2. a.

Indsugningsportstørrelse på mindst 380 mm

b.

En pumpekapacitet på mindst 15 m3/s og

c.

Er i stand til at danne et maksimalt vakuum bedre end 13 mPa.

2B Teknisk note: 1.2.3.4.5.6. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Tekniske noter: 1.2. Tekniske noter: 1.2. a.

En indsugningsvolumenstrøm på mindst 50 m3/h

b.

Et trykforhold på 2:1 eller højere og

c.

Alle overflader, der kommer i direkte berøring med procesgasser, er fremstillet af et af følgende materialer:

1. Aluminium eller aluminiumlegeringer

2. Aluminiumoxid

3. Rustfrit stål

4. Nikkel eller nikkellegering

5. Phosphorbronze eller

6. Fluorholdige polymerer.

a.

Reaktionstanke og reaktorer, med eller uden omrøringsudstyr, med et samlet indvendigt (geometrisk) volumen på mere end 0,1 m3 (100 l) og mindre end 20 m3 (20000 l), hvor alle overflader, der kommer i direkte berøring med de behandlede eller indeholdte kemikalier, er fremstillet af:

1. Legeringer med mere end 25 vægtprocent nikkel og 20 vægtprocent chrom

2. Fluorholdige polymerer (polymere eller elastomere materialer med mere end 35 vægtprocent fluor)

3. 2B350 a. Glas (herunder glas- eller emaljebelagt eller glasforet)

4. Nikkel eller legeringer med mere end 40 vægtprocent nikkel

5. Tantal eller tantallegeringer

6. Titan eller titanlegeringer

7. Zirconium eller zirconiumlegeringer eller

8. Niobium (columbium) eller niobiumlegeringer.

b.

Omrøringsudstyr konstrueret til brug i reaktionstanke eller reaktorer som specificeret i 2B350.a samt skovlhjul, blade og aksler til brug i et sådant omrøringsudstyr, hvor alle de overflader på omrøringsudstyret, som kommer i direkte berøring med de behandlede eller indeholdte kemikalier, er fremstillet af:

1. Legeringer med mere end 25 vægtprocent nikkel og 20 vægtprocent chrom

2. Fluorholdige polymerer (polymere eller elastomere materialer med mere end 35 vægtprocent fluor)

3. Glas (herunder glas- eller emaljebelagt eller glasforet)

4. Nikkel eller legeringer med mere end 40 vægtprocent nikkel

5. Tantal eller tantallegeringer

6. Titan eller titanlegeringer

7. Zirconium eller zirconiumlegeringer eller

8. Niobium (columbium) eller niobiumlegeringer.

c.

Lagertanke, beholdere og holdetanke med et samlet indvendigt (geometrisk) volumen på mere end 0,1 m3 (100 l), hvor alle overflader, der kommer i direkte berøring med de behandlede eller indeholdte kemikalier, er fremstillet af:

1. Legeringer med mere end 25 vægtprocent nikkel og 20 vægtprocent chrom

2. Fluorholdige polymerer (polymere eller elastomere materialer med mere end 35 vægtprocent fluor)

3. Glas (herunder glas- eller emaljebelagt eller glasforet)

4. Nikkel eller legeringer med mere end 40 vægtprocent nikkel

5. Tantal eller tantallegeringer

6. Titan eller titanlegeringer

7. Zirconium eller zirconiumlegeringer eller

8. Niobium (columbium) eller niobiumlegeringer.

d.

Varmevekslere eller kondensatorer med et varmeoverføringsareal på mere end 0,15 m2 og mindre end 20 m2 samt rør, plader, spiraler eller blokke (kerner) til brug i sådanne varmevekslere eller kondensatorer, hvor alle overflader, der kommer i direkte berøring med de behandlede kemikalier, er fremstillet af:

1. Legeringer med mere end 25 vægtprocent nikkel og 20 vægtprocent chrom

2. Fluorholdige polymerer (polymere eller elastomere materialer med mere end 35 vægtprocent fluor)

3. Glas (herunder glas- eller emaljebelagt eller glasforet)

4. Grafit eller carbongrafit

5. 2B350 d. Nikkel eller legeringer med mere end 40 vægtprocent nikkel

6. Tantal eller tantallegeringer

7. Titan eller titanlegeringer

8. Zirconium eller zirconiumlegeringer

9. Siciliumcarbid

10. Titancarbid eller

11. Niobium (columbium) eller niobiumlegeringer.

e.

Destillations- eller absorptionskolonner med indre diameter større end 0,1 m samt væskefordelere, dampfordelere eller væskesamlere til brug i sådanne destillations- og absorptionskolonner, hvor alle overflader, der kommer i direkte berøring med de behandlede kemikalier, er fremstillet af:

1. Legeringer med mere end 25 vægtprocent nikkel og 20 vægtprocent chrom

2. Fluorholdige polymerer (polymere eller elastomere materialer med mere end 35 vægtprocent fluor)

3. Glas (herunder glas- eller emaljebelagt eller glasforet)

4. Grafit eller carbongrafit

5. Nikkel eller legeringer med mere end 40 vægtprocent nikkel

6. Tantal eller tantallegeringer

7. Titan eller titanlegeringer

8. Zirconium eller zirconiumlegeringer eller

9. Niobium (columbium) eller niobiumlegeringer.

f.

Fjernstyret påfyldningsudstyr, hvor alle overflader, der kommer i direkte berøring med de behandlede kemikalier, er fremstillet af:

1. Legeringer med mere end 25 vægtprocent nikkel og 20 vægtprocent chrom eller

2. Nikkel eller legeringer med mere end 40 vægtprocent nikkel

g. Tekniske noter: 1.2.

Ventiler og komponenter som følger: I 2b350.g. forstås ved korrosionsbestandige materialer et eller flere af følgende materialer: Nominel størrelse defineres som den mindste af henholdsvis indløbs- og udløbsdiameter.

g.

1. Ventiler, der har begge følgende egenskaber:

1. a.

En nominel størrelse på over 10 mm (3/8″) og

b.

Alle overflader, der kommer i direkte berøring med de producerede, behandlede eller indeholdte kemikalier, er fremstillet af korrosionsbestandige materialer

2. Ventiler ud over dem, der er specificeret i 2B350.g.1, med samtlige følgende egenskaber:

2. a.

En nominel størrelse lig med eller større end 25,4 mm (1″) og lig med eller mindre end 101,6 mm (4″)

b.

Indkapslinger (ventilhuse) eller præformede indkapslingsforinger

c.

Et lukkeelement, der er udskifteligt og

d.

Alle overflader af indkapslingen (ventilhuset) og den præformede indkapslingsforing, der kommer i direkte berøring med de producerede, behandlede eller indeholdte kemikalier, er fremstillet af korrosionsbestandige materialer

3. 2B350 g. Komponenter, der er konstrueret til ventiler som specificeret i 2B350.g.1 eller 2B350.g.2, hvor alle overflader, der kommer i direkte berøring med de producerede, behandlede eller indeholdte kemikalier, er fremstillet af korrosionsbestandige materialer som følger:

3. a.

Indkapslinger (ventilhuse)

b.

Præformede indkapslingsforinger

g. Tekniske noter: 1.

a.

Nikkel eller legeringer med mere end 40 vægtprocent nikkel

b.

Legeringer med mere end 25 vægtprocent nikkel og 20 vægtprocent chrom

c.

Fluorholdige polymerer (polymere eller elastomere materialer med mere end 35 vægtprocent fluor)

d.

Glas eller glasforet (herunder glas- eller emaljebelagt)

e.

Tantal eller tantallegeringer

f.

Titan eller titanlegeringer

g.

Zirconium eller zirconiumlegeringer

h.

Niobium (columbium) eller niobiumlegeringer eller

i.

Følgende keramiske materialer:

1. Siliciumcarbid med en renhed på mindst 80 vægtprocent

2. Aluminiumoxid med en renhed på mindst 99,9 vægtprocent

3. Zirconiumoxid

h.

Flervæggede rør med udtag til detektering af utæthed, hvor alle overflader, der kommer i direkte berøring med de behandlede eller indeholdte kemikalier, er fremstillet af:

1. Legeringer med mere end 25 vægtprocent nikkel og 20 vægtprocent chrom

2. Fluorholdige polymerer (polymere eller elastomere materialer med mere end 35 vægtprocent fluor)

3. Glas (herunder glas- eller emaljebelagt eller glasforet)

4. Grafit eller carbongrafit

5. Nikkel eller legeringer med mere end 40 vægtprocent nikkel

6. Tantal eller tantallegeringer

7. Titan eller titanlegeringer

8. Zirconium eller zirconiumlegeringer eller

9. Niobium (columbium) eller niobiumlegeringer.

i. Teknisk note:

2B350 Flerdobbelttætte og pakningsløse pumper med en fabrikantspecificeret maksimal gennemstrømningshastighed på over 0,6 m3/time, vakuumpumper med en fabrikantspecificeret maksimal gennemstrømningshastighed på over 5 m3/time (ved standardtemperatur (273 K (0 °C)) og -tryk (101,3 kPa) udover dem, der er specificeret i 2B233, samt indkapslinger (pumpehuse), præfabrikerede indkapslingsforinger, skovlhjul, rotorer eller jetpumpedyser til brug i sådanne pumper, hvor alle overflader, der kommer i direkte berøring med de behandlede kemikalier, er fremstillet af: I 2B350.i. henviser pakninger kun til den type tætninger, der kommer i direkte berøring med de behandlede kemikalier (eller er konstrueret hertil), og fungerer som forsegling, hvor en roterende eller frem- og tilbagegående drivaksel går gennem pumpehuset.

i.

1. Legeringer med mere end 25 vægtprocent nikkel og 20 vægtprocent chrom

2. Keramisk materiale

3. Ferrosilicium (jernlegeringer med højt siliciumindhold)

4. Fluorholdige polymerer (polymere eller elastomere materialer med mere end 35 vægtprocent fluor)

5. Glas (herunder glas- eller emaljebelagt eller glasforet)

6. Grafit eller carbongrafit

7. Nikkel eller legeringer med mere end 40 vægtprocent nikkel

8. Tantal eller tantallegeringer

9. Titan eller titanlegeringer

10. Zirconium eller zirconiumlegeringer eller

11. Niobium (columbium) eller niobiumlegeringer.

j.

Incineratorer konstrueret til destruktion af de kemiske stoffer, der er specificeret i 1C350, med specielt konstruerede affaldstilførselssystemer, specielle håndteringsfaciliteter og en gennemsnitlig temperatur i forbrændingsrummet på over 1273 K (1000 °C), hvor alle overflader, der kommer i direkte berøring med affaldsprodukterne, er fremstillet af eller foret med:

1. Legeringer med mere end 25 vægtprocent nikkel og 20 vægtprocent chrom

2. Keramisk materiale eller

3. Nikkel eller legeringer med mere end 40 vægtprocent nikkel

2B Teknisk note: 1.2.3.4.5.6. Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Teknisk note: Tekniske noter: 1.2. Tekniske noter: 1.2. Teknisk note: 1.2. a.

Konstrueret til kontinuerlig drift og brugbare til detektering af stoffer til kemisk krigsførelse eller de i 1C350 specificerede kemiske stoffer ved koncentrationer på mindre end 0,3 mg/m3 eller

b.

Konstrueret til detektering af cholinesterasehæmmende aktivitet.

a. Teknisk note:

Komplette faciliteter til biologisk indkapsling på indkapslingsniveau P3 eller P4 Mht. indkapslingsniveau P3 og P4 (BL3, BL4, L3, L4) gælder specifikationerne i WHO's Laboratory Biosafety manual (3. udg., Genève, 2004).

b. Teknisk note:

Gæringsanlæg og komponenter som følger: I 2B352.b. omfatter gæringsanlæg bioreaktorer, bioreaktorer til engangsbrug, kemostater og systemer med kontinuerlig gennemstrømning.

b.

1. Gæringsanlæg, der kan anvendes til dyrkning af patogene mikroorganismer eller af levende celler til produktion af patogene virus eller toksiner, uden udledning af aerosol, og som har en samlet kapacitet på mindst 20 liter

2. Komponenter til gæringsanlæg som specificeret i 2B352.b.1. som følger:

2. a.

Dyrkningskamre konstrueret til at blive steriliseret eller desinficeret på stedet

b.

Holdere til dyrkningskamre

c.

Proceskontrolenheder, som samtidig kan overvåge og kontrollere to eller flere gæringssystemparametre (f.eks. temperatur, pH, næringsmidler, omrøring, opløst oxygen, lufttilstrømning, skumkontrol)

c. Teknisk note:

Centrifugalseparatorer, der kan foretage kontinuerlig adskillelse uden udledning af aerosol, med samtlige følgende egenskaber: Centrifugalcentrifuger omfatter dekanteringskar.

c.

1. Gennemstrømningshastighed på 100 liter/time

2. Komponenter af poleret rustfrit stål eller titan

3. En eller flere forseglinger i dampindeslutningsområdet og

4. Kan steriliseres på stedet i lukket tilstand

d.

Filtreringsudstyr med krydsende (tangential) strømning og komponenter som følger: Note: 2B352.d lægger ikke eksportkontrol på udstyr til omvendt osmose som specificeret af fabrikanten.

1. Filtreringsudstyr med krydsende (tangential) strømning, der kan foretage adskillelse af patogene mikroorganismer, virus, toksiner eller cellekulturer, med alle følgende egenskaber:

1. a.

Et samlet filtreringsareal på mindst 1 m2 og

b. Teknisk note:

En af følgende egenskaber: I forbindelse med 2B352.d.1.b betyder sterilisering eliminering af samtlige levedygtige mikrober i udstyret ved hjælp af fysiske agenser (f.eks. damp) eller kemiske agenser. Desinficering betyder nedbrydelse af mikrobers potentielle smitteevne i udstyret ved hjælp af kimdræbende kemiske agenser. Desinficering og sterilisering adskiller sig fra hygiejnisering, idet der ved sidstnævnte forstås rensningsprocedurer, der skal nedbringe indholdet af mikrober i udstyret, uden at dette nødvendigvis fører til total eliminering af mikrobernes smitteevne eller levedygtighed.

b.

1. Kan steriliseres eller desinficeres på stedet eller

2. Anvender engangsfiltreringskomponenter

2. 2B352 d. Filtreringskomponenter med krydsende (tangential) strømning (f.eks. moduler, elementer, kassetter, patroner eller plader) med et filtreringsareal på mindst 0,2 m2 for hver komponent og konstrueret til brug i det filtreringsudstyr med krydsende (tangential) strømning, der er specificeret i 2B352.d

e.

Dampsteriliserbart udstyr til frysetørring, med en kondenseringskapacitet på over 10 kg is på 24 timer og under 1000 kg is på 24 timer

f.

Følgende beskyttelses- og indkapslingsudstyr:

1. Beskyttelsesdragter (hel- eller halvdragter) eller hætter med tilkoblet ekstern lufttilførsel, og som fungerer med overtryk Note: 2B352.f.1 lægger ikke eksportkontrol på dragter, der skal anvendes med indbygget åndedrætsudstyr.

2. Klasse III biologiske sikkerhedsskabe eller isoleringsudstyr med tilsvarende ydelsesstandard Note: I 2B352.f.2 omfatter isoleringsudstyr fleksible isolatorer, tørrekasser, anaerobe kamre, handskebokse og laminar strømningskappe (lukket med vertikal gennemstrømning).

g.

Kamre, der er konstrueret til aerosolprovokationsprøvning med mikroorganismer, virus eller toksiner og med en kapacitet på mindst 1 m3.

h.

Spraytørringsudstyr, der kan tørre toksiner eller patogene mikroorganismer, og som har alle følgende egenskaber:

1. Vandfordampningskapacitet på ≥ 0,4 kg/h og ≤ 400 kg/h

2. Kan generere en typisk gennemsnitlig partikelstørrelse på ≤ 10 μm med eksisterende fittings eller minimal ændring af spraytørreren med forstøvningsdyser, der kan generere den ønskede partikelstørrelse og

3. Kan steriliseres eller desinficeres på stedet.

2C Materialer Ingen.

2D Software 2D001 Anden software end software, der er specificeret i 2D002, som følger: Note: 2D001 lægger ikke eksportkontrol på partprogrammeringssoftware, der genererer koder til numerisk kontrol til fremstilling af forskellige dele. 2D002 Software til elektroniske anordninger, uanset om det indgår i en elektronisk anordning eller et elektronisk system, såfremt det kan sætte sådanne anordninger eller systemer i stand til at fungere som en enhed med numerisk styring, der er i stand til samtidig koordinering af mere end 4 akser med henblik på profilstyring. Note 1: 2D002 lægger ikke eksportkontrol på software, der er specielt udviklet eller modificeret til drift af produkter, der ikke er specificeret i kategori 2. Note 2: 2D002 lægger ikke eksportkontrol på software til produkter, der er specificeret i 2B002. Se 2D001 og 2D003 vedrørende software til produkter, der er specificeret i 2B002. Note 3: 2D002 lægger ikke eksportkontrol på software, der eksporteres med produkter, der ikke er specificeret i kategori 2, og på det minimum, der kræves til drift heraf. 2D003 Software, der er konstrueret eller modificeret til drift af udstyr specificeret i 2B002, som konverterer optisk opbygning, målinger af arbejdsemner og materialeaftagningsfunktioner til numeriske styringskommandoer for at opnå den ønskede form på arbejdsemnet. 2D101 Software, der er specielt udviklet eller ændret til brug af udstyr, der er specificeret i 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 eller 2B119-2B122. N.B.: JF. LIGELEDES 9D004. 2D201 Software, der er specielt udviklet til brug af produkter, der er specificeret i 1B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 eller 2B227. 2D202 Software, der er specielt udviklet eller modificeret til udvikling, produktion eller brug af udstyr, der er specificeret i 2B201. Note: 2D202 lægger ikke eksportkontrol på partprogrammeringssoftware, der genererer koder til numerisk kontrol, men ikke tillader direkte brug af udstyr til fremstilling af forskellige dele. 2D351 Software bortset fra det, der er specificeret i 1D003, der er specielt udviklet til brug af udstyr, der er specificeret i 2B351.

2D a.

Software, der er specielt udviklet eller modificeret til udvikling eller produktion af udstyr, der er specificeret i 2A001 eller 2B001

b.

Software, der er specielt udviklet eller modificeret til brug af udstyr, der er specificeret i 2A001.c, 2B001 eller 2B003-2B009.

2E Skema 1.2.3.A.B.B.1.B.2.B.3.B.4.C.D.E.F.G. Udfældningsteknik

Teknologi 2E001 Teknologi, iflg. den generelle teknologinote, til udvikling af udstyr eller software, der er specificeret i 2A, 2B eller 2D. Note: 2E001 omfatter teknologi til integration af probesystemer i koordinatmålingsmaskiner som specificeret i 2B006.a. 2E002 Teknologi, iflg. den generelle teknologinote, til produktion af udstyr, der er specificeret i 2 A eller 2 B. 2E003 Følgende anden teknologi: 2E101 Teknologi; iflg. den generelle teknologinote, til brug af udstyr eller software, der er specificeret i 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119-2B122 eller 2D101. 2E201 Teknologi, iflg. den generelle teknologinote, til brug af udstyr eller software, der er specificeret i 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225-2B233, 2D201 eller 2D202. 2E301 Teknologi, iflg. den generelle teknologinote, til brug af produkter, der er specificeret i 2B350-2B352. Belægningsproces (1) Substrat Resulterende belægning Kemisk dampudfældning (CVD) Superlegeringer Aluminider til indvendige overflader Keramiske materialer (19) og glasarter med lav udvidelseskoefficient (14) Silicider Carbider Dielektriske lag (15) Diamant Diamantlignende carbon (17) Carboncarbon Keramisk og metalmatrix kompositter Silicider Carbider Tungtsmeltelige metaller Blandinger heraf (4) Dielektriske lag (15) Aluminider Legerede aluminider (2) Bornitrid Cementeret wolframcarbid (16) Siliciumcarbid (18) Carbider Wolfram Blandinger heraf (4) Dielektriske lag (15) Molybdæn og molybdænlegeringer Dielektriske lag (15) Beryllium og berylliumlegeringer Dielektriske lag (15) Diamant Diamantlignende carbon (17) Materialer til sensorvinduer (9) Dielektriske lag (15) Diamant Diamantlignende carbon (17) Fysisk dampudfældning ved termisk fordampning (TE-PVD) Fysisk dampudfældning (PVD): Elektronstråle (EB-PVD) Superlegeringer Legerede silicider Legerede aluminider (2) MCrAlX (5) Modificeret zirconiumoxid (12) Silicider Aluminider Blandinger heraf (4) Keramiske materialer (19) og glasarter med lav udvidelseskoefficient (14) Dielektriske lag (15) Korrosionsbestandigt stål (7) MCrAlX (5) Modificeret zirconiumoxid (12) Blandinger heraf (4) Carboncarbon, keramiske og metalmatrix kompositter Silicider Carbider Tungtsmeltelige metaller Blandinger heraf (4) Dielektriske lag (15) Bornitrid Cementeret wolframcarbid (16) Siliciumcarbid (18) Carbider Wolfram Blandinger heraf (4) Dielektriske lag (15) Molybdæn og molybdænlegeringer Dielektriske lag (15) Beryllium og berylliumlegeringer Dielektriske lag (15) Borider Beryllium Materialer til sensorvinduer (9) Dielektriske lag (15) Titanlegeringer (13) Borider Nitrider Ionassisteret modstandsopvarmning Fysisk dampudfældning (PVD) (Ionplettering) Keramiske materialer (19) og glasarter med lav udvidelseskoefficient (14) Dielektriske lag (15) Diamantlignende carbon (17) Carboncarbon, keramiske og metalmatrixkompositter Dielektriske lag (15) Cementeret wolframcarbid (16) Siliciumcarbid Dielektriske lag (15) Molybdæn og molybdænlegeringer Dielektriske lag (15) Beryllium og berylliumlegeringer Dielektriske lag (15) Materialer til sensorvinduer (9) Dielektriske lag (15) Diamantlignende carbon (17) Fysisk dampudfældning (PVD): laserfordampning Keramiske materialer (19) og glasarter med lav udvidelseskoefficient (14) Silicider Dielektriske lag (15) Diamantlignende carbon (17) Carboncarbon, keramiske og metalmatrixkompositter Dielektriske lag (15) Cementeret wolframcarbid (16) Siliciumcarbid Dielektriske lag (15) Molybdæn og molybdænlegeringer Dielektriske lag (15) Beryllium og berylliumlegeringer Dielektriske lag (15) Materialer til sensorvinduer (9) Dielektriske lag (15) Diamantlignende carbon Fysisk dampudfældning (PVD): katodebueudladning Superlegeringer Legerede silicider Legerede aluminider (2) MCrAlX (5) Polymerer (11) og organiske matrixkompositter Borider Carbider Nitrider Diamantlignende carbon (17) Pakcementering (se A ovenfor om cementering uden for pakke) (10) Carboncarbon Keramiske og metalmatrixkompositter Silicider Carbider Blandinger heraf (4) Titanlegeringer (13) Silicider Alumider Legerede alumider (2) Tungtsmeltelige metaller og legeringer (8) Silicider Oxider Plasmasprøjtning Superlegeringer MCrAlX (5) Modificeret zirconiumoxid (12) Blandinger heraf (4) Afslideligt nikkelgrafit Afslidelige materialer, der indeholder Ni-Cr-Al Afslideligt Al-Si-Polyester Legerede aluminider(2) Aluminiumlegeringer (6) MCrAlX (5) Modificeret zirconiumoxid (12) Silicider Blandinger heraf (4) Tungtsmeltelige metaller og legeringer (8) Aluminider Silicider Carbider Korrosionsbestandigt stål (7) MCrAlX (5) Modificeret zirconiumoxid (12) Blandinger heraf (4) Titanlegeringer (13) Carbider Aluminider Silicider Legerede aluminider (2) Afslideligt nikkelgrafit Afslidelige materialer, der indeholder Ni-Cr-Al Afslideligt Al-Si-Polyester Slurrybelægning Tungtsmeltelige metaller og legeringer (8) Smeltede silicider Smeltede aluminider undtagen til modstandsvarmeelementer Carboncarbon, keramiske og metalmatrixkompositter Silicider Carbider Blandinger heraf (4) Sputterbelægning Superlegeringer Legerede silicider Legerede aluminider (2) Aluminider modificeret med ædle metaller (3) MCrAlX (5) Modificeret zirconiumoxid (12) Platin Blandinger heraf (4) Keramiske materialer og glasarter med lav udvidelseskoefficient (14) Silicider Platin Blandinger heraf (4) Dielektriske lag (15) Diamantlignende carbon (17) Titanlegeringer (13) Borider Nitrider Oxider Silicider Aluminider Legerede aluminider (2) Carbider Carboncarbon, keramiske og metalmatrixkompositter Silicider Carbider Tungtsmeltelige metaller Blandinger heraf (4) Dielektriske lag (15) Bornitrid Cementeret wolframcarbid (16) Siliciumcarbid (18) Carbider Wolfram Blandinger heraf (4) Dielektriske lag (15) Bornitrid Molybdæn og molybdænlegeringer Dielektriske lag (15) Beryllium og berylliumlegeringer Borider Dielektriske lag (15) Beryllium Materialer til sensorvinduer (9) Dielektriske lag (15) Diamantlignende carbon (17) Tungtsmeltelige metaller og legeringer (8) Aluminider Silicider Oxider Carbider Ionimplantering Lejestål til høje temperaturer Tilsætninger af chrom tantal eller niobium (columbium) Titanlegeringer (13) Borider Nitrider Beryllium og berylliumlegeringer Borider Cementeret wolframcarbid (16) Carbider Nitrider

2E a.

Teknologi til udvikling af interaktiv grafik som en integreret del af numeriske styrings enheder til forberedelse eller modifikation af delprogrammer/partprogrammer

b.

Følgende teknologi til metalbearbejdningsprocesser:

1. Teknologi til konstruktion af værktøjer, matricer eller opspændingsudstyr, der er specielt beregnet til følgende processer:

1. a.

Superplastisk formning

b.

Diffusionsbonding eller

c.

Direkte hydraulisk presning

2. Tekniske data, der består af procesmetoder eller procesparametre, som opført herunder til styring af:

2. a.

Superplastisk formning af aluminiumlegeringer, titanlegeringer eller superlegeringer:

1. Forberedelse af overflade

2. Deformationshastighed

3. Temperatur

4. Tryk

b.

2E003 b. 2. Diffusionsbonding af superlegeringer eller titanlegeringer:

1. Forberedelse af overflade

2. Temperatur

3. Tryk

c.

Direkte hydraulisk presning af aluminiumlegeringer eller titanlegeringer:

1. Tryk

2. Cyklustid

d.

Varm isostatisk densifikation af titanlegeringer, aluminiumlegeringer eller superlegeringer:

1. Temperatur

2. Tryk

3. Cyklustid

c.

Teknologi til udvikling eller produktion af hydrauliske strækformningsmaskiner og matricer hertil, til fremstilling af flyskrogstrukturer

d.

Teknologi til udvikling af generatorer af værktøjsmaskininstruktioner (f.eks. delprogrammer) fra konstruktionsdata, der ligger i numeriske styringsenheder

e.

Teknologi til udvikling af integrationssoftware til inkorporering af ekspertsystemer i numeriske styringsenheder til avanceret beslutningsstøtte i værkstedet

f.

Teknologi til pålægning af uorganiske overlaybelægninger eller uorganiske belægninger til overflademodifikation, (specificeret i kolonne 3 i følgende skema), til ikkeelektroniske substrater, (specificeret i kolonne 2 i følgende skema), ved de processer, der er specificeret i kolonne 1 i følgende skema og defineret i den tekniske note. Note: Skemaet og den tekniske note findes efter nr. 2E301. N.B.: Skemaet bør læses således, at det kun specificerer teknologien ved en bestemt belægningsproces, når den resulterende belægning i kolonne 3 er anført direkte ud for det relevante substrat i kolonne 2. De tekniske data for belægningsprocessen ved kemisk dampudfældning (CVD) er for eksempel medtaget for pålægning af silicider til substrater af carboncarbon, keramiske og metalmatrix kompositsubstrater, men er ikke medtaget for pålægning af silicider til substrater af cementeret wolframcarbid (16) og siliciumcarbid (18). I andet tilfælde er den resulterende belægning ikke anført i kolonne 3 direkte ud for cementeret wolframcarbid (16) og siliciumcarbid (18).

2E Skema 1.2.3.A.B.B.1.B.2.B.3.B.4.C.D.E.F.G. Udfældningsteknik SKEMA — UDFÆLDNINGSTEKNIK — NOTER 1.2.3.4.5.6.7.8.9.10.11.12.13.14.15.16.17.18.19.

Belægningsprocessen omfatter reparation og fornyelse af belægningen såvel som oprindelig belægning. Udtrykket legeret aluminidbelægning omfatter éttrins- eller flertrinsbelægninger, i hvilke et eller flere grundstoffer pålægges før eller under påføring af aluminidbelægningen, selv om disse grundstoffer pålægges ved en anden belægningsproces. Det omfatter imidlertid ikke gentagen anvendelse af éttrinspakcementeringsprocesser for at opnå legerede aluminider. Udtrykket belægning med aluminid modificeret med ædle metaller omfatter flertrinsbelægninger, ved hvilke det eller de ædle metaller pålægges ved en anden belægningsproces før pålægningen af aluminidbelægningen. Udtrykket blandinger heraf omfatter infiltreret materiale, graderede sammensætninger, samudfældninger og flerlagsudfældninger fremstillet ved en eller flere af de i dette skema specificerede processer. MCrAlX refererer til en belægningslegering, hvor M er cobalt, jern, nikkel eller sammensætninger heraf, og X er hafnium, yttrium, silicium, tantal i enhver mængde eller andre tilsigtede tilsætninger over 0,01 vægtprocent i forskellige forhold og kombinationer undtagen: Aluminiumslegeringer er legeringer, der har en trækbrudstyrke på mindst 190 MPa målt ved 293 K (20 °C). Korrosionsbestandigt stål er stål iflg. AISI (American Iron and Steel Institute) 300 rækken eller tilsvarende nationale standarder. Tungtsmeltelige metaller og legeringer omfatter følgende metaller og deres legeringer: niobium (columbium), molybdæn, wolfram og tantal. Materialer til sensorvinduer som følger: aluminiumoxid, silicium, germanium, zinksulphid, zinkselenid, galliumarsenid, diamant, galliumfosfid, safir og følgende metalhalider: sensorvinduesmaterialer med en større diameter end 40 mm for zirconiumfluorid og hafniumfluorid. Teknologi til éttrinspakcementering af faste planprofiler pålægges ikke eksportkontrol iflg. kategori 2. Polymerer som følger: polyimid, polyester, polysulfid, polycarbonater og polyurethaner. Modificerede zirconiumoxider er tilsætning af andre metaloxider, f.eks. calcium-, magnesium-, yttrium- og hafnium-oxider, oxider af sjældne jordarter, osv. til zirconiumoxider for at stabilisere visse krystallografiske faser og fasesammensætninger. Termiske spærrebelægninger fremstillet af zirconiumoxid modificeret med calcium- eller magnesiumoxider ved blanding eller fusion pålægges ikke eksportkontrol. Titanlegeringer er udelukkende rumfartslegeringer med en trækbrudstyrke på mindst 900 MPa målt ved 293 K (20 °C). Glasarter med lav udvidelseskoefficient refererer til glasarter, som har en termisk udvidelseskoefficient på højst 1 × 10–7 K–1 målt ved 293 K (20 °C). Dielektriske lag er belægninger, der er konstrueret af flere lag af isolerende materialer, i hvilket interferensegenskaberne ved en konstruktion, der er sammensat af materialer med forskelligt refraktivt indeks, bruges til at reflektere, transmittere eller absorbere forskellige bølgelængdebånd. Dielektriske lag refererer til mere end fire dielektriske lag eller kompositte lag af dielektrikametal. Cementeret wolframcarbid omfatter ikke skære- og formværktøjsmaterialer bestående af wolframcarbid/(cobalt, nikkel), titancarbid/(cobalt, nikkel), chromcarbid/nikkel-chrom og chrom carbid/nikkel. Teknologi, der specielt er beregnet på udfældning af diamantlignende carbon på følgende, pålægges ikke eksportkontrol: magnetpladedrev og magnethoveder, udstyr til fremstilling af engangsemballager, ventiler til haner, højttalermembraner, motordele til motorkøretøjer, skære-, lokke- og presseværktøj, kontorautomationsudstyr, mikrofoner eller medicinsk udstyr eller forme til støbning af plast, fremstillet af legeringer indeholdende mindre end 5 % beryllium. Siliciumcarbid omfatter ikke materialer til fremstilling af skære- og formværktøj. Keramiske substrater som omhandlet under dette punkt omfatter ikke keramiske materialer med et indhold af ler eller cement på 5 vægtprocent eller derover enten som separate bestanddele eller i kombination.

SKEMA — UDFÆLDNINGSTEKNIK — NOTER 1.2.3.4.5.

a.

CoCrAlY-belægninger, som indeholder mindre end 22 vægtprocent chrom, mindre end 7 vægtprocent aluminium, og mindre end 2 vægtprocent yttrium

b.

CoCrAlY-belægninger, som indeholder 22-24 vægtprocent chrom, 10-12 vægtprocent aluminium, og 0,5-0,7 vægtprocent yttrium eller

c.

NiCrAlY-belægninger, som indeholder 21-23 vægtprocent chrom, 10-12 vægtprocent aluminium, og 0,9-1,1 vægtprocent yttrium

SKEMA — UDFÆLDNINGSTEKNIK — TEKNISK NOTE

Processer der er specificeret i kolonne 1 i skemaet, defineres som følger:

a.

Kemisk dampudfældning (CVD) er en overfladebelægnings- eller overflademodificeringsproces, hvorved et metal, en legering, komposit, dielektrikum eller keramisk materiale udfældes på et opvarmet substrat. Gasformige reaktanter spaltes eller indgår forbindelse i nærheden af substratet, således af der sker en udfældning af det ønskede grundstof, legering eller forbindelse på substratet. Energien til denne spaltnings- eller kemiske reaktionsproces kan bringes til veje ved substratets varme, en glødeudladningsplasma, eller ved laserstråling. N.B. 1: CVD omfatter følgende processer: Udfældning ved en ledet gasstrøm uden pakning, pulserende CVD, styret nuklear termisk udfældning (CNTD), plasmaforstærkede eller plasmaassisterede CVD processer. N.B. 2: Pakket betyder, at et substrat er nedlagt i en pulverblanding. N.B. 3: De gasformige reaktanter, der anvendes i en ikkepakket proces, frembringes ved brug af de samme grundreaktioner og parametre som i pakkecementeringsprocessen, med undtagelse af at det substrat, der skal belægges, ikke er i kontakt med pulverblandingen.

b.

Termisk fordampning-fysisk dampudfældning (TE-PVD) er en overlaybelægningsproces, der foregår i et vakuum med et tryk på mindre end 0,1 Pa, i hvilket der bruges en termisk energikilde til at fordampe belægningsmaterialet. Denne proces resulterer i kondensering eller deponering af det fordampede materiale på passende anbragte substrater. Tilførsel af gasser til vakuumkammeret under belægningsprocessen til syntetisering af sammensatte belægninger er en normal modificering af processen. Brugen af ion- eller elektronstråler eller plasma for at aktivere eller assistere belægningens deponering er også en almindelig modifikation i denne teknik. Brugen af monitorer til opnåelse af måling af optiske egenskaber og tykkelse under processen kan være en del af disse processer. Specifikke TE-PVD processer er følgende:

1. Elektronstråle PVD bruger en elektronstråle til opvarmning og fordampning af det materiale, der danner belægningen.

2. PVD med ionstøttet modstandsopvarmning bruger elektriske resistive varmekilder i kombination med aktiverende ionstråler, så der frembringes en styret og ensartet strøm af fordampede belægningsmaterialer.

3. Laser fordampning bruger enten pulserende eller kontinuert-bølge laser-stråler til fordampning af det materiale, der danner belægningen.

4. Katodebuebelægning bruger en smelteelektrode af det materiale, der danner belægningen, og som etablerer en lysbue på overfladen ved en kortvarig kontakt til jord ved en igangsætter. Styret bevægelse af buen eroderer katodeoverfladen og skaber en højioniseret plasma. Anoden kan enten være en kegle, der er fastgjort til katodens omkreds ved hjælp af en isolator, eller kammeret. Biasing af substrater bruges ved belægning uden for sigtelinje. N.B.: Denne definition omfatter ikke tilfældig katodelysbuebelægning med substrater, der ikke er biased.

5. Ionplettering er en speciel modificering af en generel TE-PVD-proces, hvorved en plasma- eller ionkilde bruges til at ionisere de materialer, der skal danne belægningen, og substratet gives negativ bias for at lette udtrækningen fra plasmaen af det materiale, der skal pålægges. Indføringen af reaktive materialer, fordampning af faststoffer i proceskammeret, og brugen af monitorer til opnåelse af måling af belægningers optiske egenskaber og tykkelser under processen er normale modifikationer af processen.

c.

Pakcementering er en overflademodifikationsbelægning eller overlaybelægningsproces, hvor substratet nedlægges i en pulverblanding (en pakning), som består af: Substratet og pulverblandingen indeholdes i en retort, som opvarmes til mellem 1030 K 757 °C) og 1375 K (1102 °C) i tilstrækkelig lang tid til udfældning af belægningen.

1. De metalliske pulvere, der skal danne belægningen (normalt aluminium, chrom, silicium eller kombinationer af disse)

2. En aktivator (normalt et halidsalt) og

3. Et inaktivt pulver, hyppigst aluminiumoxid.

d.

Plasmasprøjtning er en overlaybelægningsproces, hvor en pistol (sprøjtebrænder), som frembringer og styrer en plasma, modtager pulver- eller trådbelægningsmaterialer, smelter dem og slynger dem mod et substrat, hvor der dannes en integreret, bonded belægning. Plasmasprøjtning kan være enten lavtryksplasmasprøjtning eller højhastighedsplasmasprøjtning. N.B. 1: Lavtryk betyder mindre end det omgivende atmosfæriske tryk. N.B. 2: Høj hastighed refererer til, at gassens udgangshastighed ved dysens munding overstiger 750 m/s udregnet ved 293 K (20 °C) ved 0,1 MPa.

e.

Slurrybelægning er en overflademodifikationsbelægnings- eller overlaybelægningsproces, hvor et metallisk eller keramisk pulver med et organisk bindemiddel opslemmes i en væske og påføres et substrat enten ved sprøjtning, dypning eller maling, hvorefter det luft- eller ovntørres, og varmebehandles for at opnå den ønskede belægning.

f.

Sputterbelægning er en overlaybelægningsproces, der er baseret på et momentoverførselsfænomen, hvor positive ioner accelereres af et elektrisk felt mod målets (belægningsmaterialets) overflade. Når ionerne rammer overfladen, er den kinetiske energi tilstrækkelig til at frigøre overfladeatomer på målet og aflejre dem på det passende anbragte substrat. N.B. 1: Skemaet refererer kun til triode-, magnetron- eller reaktiv sputterbelægning, som bruges til at forbedre belægningens vedhængskraft og belægningsprocessens hastighed, og til radiofrekvens-(RF)forbedret sputterbelægning, der bruges til at frembringe fordampning af umetalliske belægningsmaterialer. N.B. 2: Lavenergiionstråler (mindre end 5 keV) kan anvendes til at aktivere belægningsprocessen.

g.

Ionimplantering er en overflademodifikationsbelægningsproces, hvor det grundstof, der skal legeres, bliver ioniseret, accelereret gennem en spændingsgradient og implanteret i substratets overfladeområde. Dette omfatter processer, hvor ionimplanteringen sker samtidig med fysisk dampudfældning med elektronstråle eller sputterbelægning.

KATEGORI 3 ELEKTRONIK

3A Tekniske noter: 1.2. Tekniske noter: 1.2. Tekniske noter: 1.2. Tekniske noter: 1.2.

Systemer, udstyr og komponenter Note 1: Eksportkontrolstatus for udstyr og komponenter beskrevet i 3A001 eller 3A002, bortset fra det i 3A001.a.3-10 og 3A001.a.12 eller 3A001.a.13 beskrevne, som er specielt udviklet eller som har samme funktionelle egenskaber som andet udstyr, afgøres ved dette andet udstyrs eksportkontrolstatus. Note 2: Eksportkontrolstatus for udstyr for integrerede kredsløb beskrevet i 3A001.a.3-9 og 3A001.a.12 eller 3A001.a.13, som er uforanderligt programmeret eller udviklet til en bestemt funktion i andet udstyr, bestemmes af dette andet udstyrs eksportkontrolstatus. Note: Hvis producenten eller ansøgeren ikke kan afgøre det andet udstyrs eksportkontrolstatus, bestemmes eksportkontrolstatus for de integrerede kredsløb i 3A001.a.3-9, 3A001.a.12 og 3A001.a.13. 3A 3A001 Elektroniske komponenter og specielt konstruerede komponenter hertil som følger: 3A002 Elektronisk udstyr til generelle formål som følger: 3A003 Varmestyringssystemer med køling ved oversprøjtning, der anvender et lukket kredsløb med indkapslet væskehåndterings- og rekonditioneringsudstyr, hvor elektroniske komponenter oversprøjtes med en dielektrisk væske ved hjælp af særligt konstruerede dyser med henblik på at holde elektroniske komponenter inden for deres driftstemperaturområde, samt specielt konstruerede komponenter hertil. 3A101 Følgende elektronisk udstyr og komponenter ud over det, der er specificeret i 3A001: 3A102 Termiske batterier beregnet eller ændret til brug i missiler. I 3A102 er termiske batterier engangsbatterier, der indeholder et fast ikkeledende uorganisk salt som elektrolyt. Disse batterier indeholder et pyrolytisk materiale, der, når det antændes, smelter elektrolytten og aktiverer batteriet. I 3A102 er missil komplette raketsystemer og ubemandede luftfartøjssystemer med en rækkevidde på over 300 km. 3A201 Følgende elektroniske komponenter ud over dem, der er specificeret i 3A001: 3A225 Frekvensomformere eller generatorer ud over dem, der er specificeret i 0B001.b.13, der kan bruges som drivkraft med variabel eller fast frekvens, med samtlige følgende egenskaber: N.B. 1: Software, som er specielt designet til at forbedre eller frigive ydelsen i en frekvensomformer eller -generator, således at den opfylder egenskaberne i 3A225, er specificeret i 3D225. N.B. 2: Teknologi, i form af koder eller nøgler til at forbedre eller frigive ydelsen i en frekvensomformer eller -generator, således at den opfylder egenskaberne i 3A225, er specificeret i 3E225. Note: 3A225 lægger ikke eksportkontrol på frekvensomformere eller -generatorer, hvis de har hardware-, software- eller teknologibegrænsninger, der begrænser ydelsen til under det niveau, der er specificeret ovenfor, forudsat at de opfylder følgende: Frekvensomformere i 3A225 er også kendt som konvertere eller invertere. Frekvensomformere i 3A225 bliver markedsført som generatorer, elektronisk testudstyr, AC-strømforsyninger, Variable Speed Motors Drives, Variable Speed Drives (VSDs), Variable Frequency Drives (VFDs), Adjustable Frequency Drives (AFDs), or Adjustable Speed Drives (ASDs). 3A226 Stærkstrømsforsyninger med høj effekt bortset fra dem, der er specificeret i 0B001.j.6., som har begge følgende egenskaber: 3A227 Stærkstrømsforsyninger med høj effekt bortset fra dem, der er specificeret i 0B001.j.6., som har begge følgende egenskaber: 3A228 Følgende koblingsindretninger: 3A229 Følgende stærkstrømsimpulsgivere: N.B.: JF. LIGELEDES KONTROLBESTEMMELSERNE FOR PRODUKTER TIL MILITÆRE FORMÅL. 3A230 Højhastighedsimpulsgeneratorer og impulshoveder dertil, med begge af følgende egenskaber: Impulsomkoblingstid defineres i 3A230 som tidsperioden mellem 10 % og 90 % af spændingsamplituden. Impulshoveder er impulsdannende netværk, der er konstrueret til at acceptere en spændingstrinfunktion og omforme den til en række impulsformer, der kan omfatte rektangulære, trekantede, trin, impuls, eksponentielle eller monocykliske typer. Impulshoveder kan være en integrerende del af impulsgeneratoren, de kan være et plug-in-modul til apparater eller de kan være tilsluttet et eksternt apparat. 3A231 Neutrongeneratorsystemer, herunder rør, der har begge følgende egenskaber: 3A232 Følgende flerpunktstændsystemer, ud over dem, der er specificeret i 1A007: N.B.: JF. LIGELEDES KONTROLBESTEMMELSERNE FOR PRODUKTER TIL MILITÆRE FORMÅL. N.B.: Se 1A007.b. for detonatorer. Note: 3A232 lægger ikke eksportkontrol på detonatorer, der kun bruger primære sprængstoffer som f.eks. blyazid. 3A233 Følgende massespektrometre ud over dem, der er specificeret i 0B002.g, der er i stand til at måle ioner på mindst 230 atommasseenheder og med en opløsning bedre end 2 dele på 230 samt ionkilder hertil: Elektronbombardementmassespektrometre i 3A233.d benævnes også elektronimpaktmassespektrometre eller elektronioniseringsmassespektrometre. I 3A233.d.2., forstås ved kold fælde en anordning, der fanger gasmolekyler ved at kondensere eller fryse dem på kolde overflader. I forbindelse med 3A233.d.2. er en gasholdig heliumkryogenisk vakuumpumpe med lukket sløjfe, ikke en kold fælde. 3A234 Striplines, der giver stier med lav induktans til detonatorer med følgende egenskaber:

3A a.

Integrerede kredsløb til generelle formål som følger: Note 1: Eksportkontrolstatus for wafere (færdigforarbejdede eller uforarbejdede), i hvilke funktionen er fastlagt, skal bedømmes efter parametrene i 3A001.a. Note 2: Integrerede kredsløb omfatter følgende typer:

Monolitisk integrerede kredsløb

Hybride integrerede kredsløb

Multichip integrerede kredsløb

Film-type integrerede kredsløb, inklusive silicium-på-safir integrerede kredsløb

Optiske integrerede kredsløb

Tredimensionale integrerede kredsløb.

1. Integrerede kredsløb udviklet eller normeret som strålingsbeskyttede, således at de kan modstå en af følgende:

1. a.

En total dosis på mindst 5 × 103 Gy (silicium)

b.

En dosisændring på mindst 5 × 106 Gy (silicium) eller

c.

En neutronfluens (integreret flux) (1MeV-ækvivalent) på 5 × 1013 n/cm2 eller højere for silicium eller tilsvarende for andre materialer Note: 3A001.a.1.c. lægger ikke eksportkontrol på metalisolatorhalvledere (MIS).

2. Mikroprocessormikrokredsløb, mikrocomputermikrokredsløb, mikrocontrollermikrokredsløb, integrerede hukommelseskredsløb fremstillet af en sammensat halvleder, integrerede kredsløb til analog-til-digital konvertering, integrerede kredsløb til digital-til-analog konvertering, elektrooptiske eller optisk integrerede kredsløb til signalbehandling, logiske anordninger, der er programmerbare på stedet, kundespecificerede integrerede kredsløb, for hvilke enten funktionen er ukendt, eller eksportkontrolstatus for det udstyr, i hvilket de integrerede kredsløb skal anvendes, ukendt, processorer til Fast Fourier-Transformation (FFT), elektrisk sletbare programmerbare read-only-hukommelser (EEPROM), flashhukommelser eller statiske random-access-hukommelser (SRAM) med en eller flere af følgende egenskaber: Note: 3A001.a.2 lægger ikke eksportkontrol på integrerede kredsløb til anvendelse i civile motorkøretøjer eller jernbanemateriel.

2. a.

Normeret til drift ved en omgivelsestemperatur over 398 K (125 °C)

b.

Normeret til drift ved en omgivelsestemperatur under 218 K (- 55 °C) eller

c.

Normeret til drift ved alle omgivelsestemperaturer mellem 218 K (- 55 °C) og 398 K (125 °C)

3. Mikroprocessormikrokredsløb, mikrocomputermikrokredsløb og mikrocontrollermikrokredsløb fremstillet af en sammensat halvleder og med en taktfrekvens på mere end 40 MHz. Note: 3A001.a.3. omfatter digitale signalprocessorer, digitale arrayprocessorer og digitale co-processorer.

4. Ikke anvendt

5. Tekniske noter: 1.2.3.4.5.6.7.8.9. 3A001 a. 5.Tekniske noter: 1.2.3.4.

3A001 a. Integrerede kredsløb til analog-til-digital konvertering (ADC) og digital-til-analog konvertering (DAC) som følger: En opløsning på n bit svarer til en kvantisering på 2n niveauer. Antallet af bits i uddataordet er lig med ADC'ens opløsning. Uddatahastigheden er konverterens maksimale uddatahastighed uanset arkitektur eller oversampling. I forbindelse med ADC'er med flere kanaler aggregeres uddata ikke, og uddatahastigheden er den enkelte kanals maksimale uddatahastighed. I forbindelse med interleaved ADC'er eller ADC'er med flere kanaler, som er specificeret til at have en driftsform med interleaving, aggregeres uddata, og uddatahastigheden er alle uddataenes maksimale samlede uddatahastighed. Sælgere kan også omtale uddatahastigheden som aftastningsfrekvens, konverteringshastighed eller kapacitet. Den angives ofte i megahertz (MHz) eller megaaftastninger pr. sekund (MSPS). Ved måling af uddatahastighed svarer et uddataord pr. sekund til en Hertz eller en aftastning pr. sekund. ADC'er med flere kanaler defineres som anordninger, der integrerer mere end en ADC, og som er konstrueret på en sådan måde, at hver ADC har en separat analog indgang. Interleaved ADC'er defineres som anordninger, der har flere ADC-enheder, som aftaster den samme analoge indgang på forskellige tidspunkter, således at den analoge indgang er blevet effektivt aftastet og konverteret ved en højere aftastningsfrekvens, når uddataene aggregeres. Dynamikområde uden falske signaler defineres som forholdet mellem rms-værdien af bærefrekvensen (maksimal signalkomponent) ved DAC'ens indgang og rms-værdien af den næststørste komponent til harmonisk forvrængning eller støjforvrængning ved dens udgang. SFDR bestemmes direkte fra specifikationstabellen eller fra karakteriseringsområderne for SFDR i forhold til frekvens. Et signal defineres til at være fuldt skalaudslag, når dets amplitude er større end - 3 dBfs (fuldt skalaudslag). Justeret opdateringshastighed for DAC'er:

5. a.

ADC'er med en eller flere af følgende egenskaber: N.B.: JF. LIGELEDES 3A101.

1. Opløsning på mindst 8 bit, men mindre end 10 bit, med en uddatahastighed på over 1000 mio. ord pr. sekund

2. Opløsning på mindst 10 bit, men mindre end 12 bit, med en uddatahastighed på over 300 mio. ord pr. sekund

3. Opløsning på 12 bit med en uddatahastighed på over 200 mio. ord pr. sekund

4. Opløsning på mere end 12 bit, men lig med eller mindre end 14 bit, med en uddatahastighed på over 125 mio. ord pr. sekund eller

5. Opløsning på mere end 14 bit med en uddatahastighed på over 20 mio. ord pr. sekund

5. Tekniske noter: 1.2.3.4.5.6.7.8.9. b.

Digital-til-analog konvertere (DAC'er) med en eller flere af følgende egenskaber:

1. Opløsning på mindst 10 bit med en justeret opdateringshastighed på mindst 3500 MSPS eller

2. Opløsning på mindst 12 bit med en justeret opdateringshastighed, der er lig med eller højere end 1250 MSPS, og med en eller flere af følgende egenskaber:

2. a.

Konverteringstid på mindre end 9 ns til 0,024 % af fuldt skalaudslag fra et fuldt skalatrin eller

b.

Dynamikområde uden falske signaler (SFDR), der er større end 68 dBc (bærer) ved syntetisering af et analogt signal med fuldt skalaudslag på 100 MHz eller den højeste analoge signalfrekvens med fuldt skalaudslag, der er specificeret til mindre end 100 MHz.

5. Tekniske noter: 1.2.3.4.5.6.7.8.9. 3A001 a. 5.Tekniske noter: 1.2.3.4. a.

I forbindelse med konventionelle (ikkeinterpolerende) DAC'er er den justerede opdateringshastighed den hastighed, hvormed det digitale signal konverteres til et analogt signal, og de analoge udgangsværdier ændres af DAC'en. I forbindelse med DAC'er, hvor interpolation kan undgås (interpolationsfaktor 1), skal DAC'en anses for en konventionel (ikkeinterpolerende) DAC.

b.

I forbindelse med interpolerende DAC'er (oversamplings-DAC'er) defineres den justerede opdateringshastighed som DAC-opdateringshastigheden divideret med den laveste interpolerende faktor. I forbindelse med interpolerende DAC'er kan der henvises til den justerede opdateringshastighed vha. forskellige udtryk, herunder:

input-datahastighed

input-ordhastighed

input-aftastningshastighed

maksimal samlet input-busfrekvens

maksimal DAC-taktfrekvens for DAC-taktinput.

6. Elektrooptiske og optisk integrerede kredsløb til signalbehandling og med samtlige følgende egenskaber:

6. a.

En eller flere interne laserdioder

b.

Et eller flere interne lysdetektorelementer og

c.

Optiske bølgeledere

7. 3A001 a. 7.Tekniske noter: 1.2.3.

Logiske anordninger, der er programmerbare på stedet, med en eller flere af følgende egenskaber: Note: 3A001.a.7 omfatter: Logiske anordninger, der er programmerbare på stedet, kaldes også gate arrays, der er programmerbare på stedet eller logiske arrays, der er programmerbare på stedet. Det maksimale antal input/outputs i 3A001.a.7.a. kaldes også de maksimale brugerinput/outputs eller de maksimale disponible input/outputs, uanset om det integrerede kredsløb er en pakket eller upakket matrice. En samlet envejs spids seriel transceiver datahastighed er resultatet af en spids seriel envejs-transceiverhastighed ganget med antallet af transceivere på FPGA'et.

7. a.

Et maksimalt antal single-ended digitale input/outputs på 500 eller derover eller

b.

En samlet envejs spids seriel transceiver datahastighed på 200 Gb/s eller derover

Enkle programmerbare logiske anordninger (SPLD)

Komplekse programmerbare logiske anordninger (CPLD)

Gate arrays, der er programmerbare på stedet (FPGA)

Logiske arrays, der er programmerbare på stedet (FPLA)

Kontakter, der er programmerbare på stedet (FPIC).

8. Ikke anvendt

9. Integrerede kredsløb til neurale net

10. Kundespecificerede integrerede kredsløb, for hvilke funktionen er ukendt, eller eksportkontrolstatus for det udstyr, i hvilket de integrerede kredsløb skal anvendes, er ukendt for producenten, med en eller flere af følgende egenskaber:

10. a.

Mere end 1500 terminaler

b.

Typisk basal gatetransmissionsforsinkelse på mindre end 0,02 ns eller

c.

Driftsfrekvens på over 3 GHz

11. Digitale integrerede kredsløb, ud over de i 3A001.a.3.-10. og 3A001.a.12. beskrevne, baseret på en hvilken som helst sammensat halvleder, og med:

11. a.

Ækvivalent gateantal på mere end 3000 (2 inputgates) eller

b.

Togglefrekvens på over 1,2 GHz

12. Teknisk note:

Processorer til Fast Fouriertransformation (FFT) med en normeret udførelseshastighed for en N-punkts kompleks FFT på mindre end (N log2 N)/20480 ms, hvor N er antallet af punkter Hvis N er lig med 1024 punkter, giver formlen i 3A001.a.12 en udførelseshastighed på 500 μs.

13. Teknisk note:

Integrerede kredsløb til en direkte digital synthesizer, som har en eller flere af følgende egenskaber: DAC-taktfrekvensen kan specificeres som hovedtaktfrekvensen eller inputtaktfrekvensen.

13. a.

Digital-til-analog konverter (DAC) med en taktfrekvens på mindst 3,5 GHz og en DAC-opløsning på mindst 10 bit, men under 12 bit eller

b.

Digital-til-analog konverter (DAC) med en taktfrekvens på mindst 1,25 GHz og en DAC-opløsning på over 12 bit

b. Teknisk note:

Mikrobølge- eller millimeterbølgekomponenter som følger: I 3A001.b kan der også henvises til parameteret for maksimal udgangseffekt i forbindelse med produktdatablade som udgangseffekt, maksimal udgangseffekt, topudgangseffekt eller topeffekt.

1. 3A001 b. Elektroniske vakuumrør og katoder som følger: Note 1: 3A001.b.1 lægger ikke eksportkontrol på rør, der er konstrueret eller normeret til drift i frekvensbånd, og som har samtlige følgende egenskaber: Note 2: 3A001.b.1 lægger ikke eksportkontrol på ikke rumkvalificerede rør, som har samtlige følgende egenskaber:

1. a.

Højst 31,8 GHz og

b.

Allokeret af ITU til radiokommunikationstjenester, men ikke til radiostedbestemmelse.

a.

Middeludgangseffekt på 50 W eller derunder og

b.

Konstrueret eller normeret til drift i frekvensbånd, og som har samtlige følgende egenskaber:

1. Mere end 31,8 GHz, men højst 43,5 GHz og

2. Allokeret af ITU til radiokommunikationstjenester, men ikke til radiostedbestemmelse.

a.

Vandrebølgerør, pulserende eller kontinuert bølge som følger:

1. Rør til drift ved frekvenser på mere end 31,8 GHz

2. Rør med et katodevarmeelement, hvis opvarmningstid til nominel RF-effekt er på mindre end 3 sekunder

3. Koblede hulrumsrør eller derivater af disse med en relativ båndbredde på over 7 % eller en maksimal effekt på over 2,5 kW

4. Helixrør, eller derivater heraf, med en eller flere af følgende egenskaber:

4. a.

Momentan båndbredde på mere end en oktav og et produkt af gennemsnitlig effekt (udtrykt i kW) og frekvens (udtrykt i GHz) på mere end 0,5

b.

Momentan båndbredde på en oktav eller derunder og et produkt af gennemsnitlig effekt (udtrykt i kW) og frekvens (udtrykt i GHz) på mere end 1 eller

c.

Rumkvalificeret

b.

Krydsfeltforstærkerrør med en forstærkning på mere end 17 dB

c.

Imprægnerede katoder til elektronrør med en kontinuerlig emissionsstrømtæthed ved nominelle driftsbetingelser på mere end 5 A/cm2

2. Effektforstærkere med monolitisk integrerede mikrobølgekredsløb (MMIC) med en eller flere af følgende egenskaber: Note 1: Anvendes ikke. Note 2: Eksportkontrolstatus for MMIC, hvis nominelle driftsfrekvens omfatter frekvenser opført i mere end ét frekvensområde som defineret i 3A001.b.2.a. til 3A001.b.2.h., afgøres ved den laveste tærskel for maksimal udgangseffekt. Note 3: Note 1 og 2 i 3A betyder, at 3A001.b.2 ikke lægger eksportkontrol på MMIC, der er specielt konstruerede til andre formål, f.eks. telekommunikation, radar eller motorkøretøjer.

2. a.

Normeret til drift ved frekvenser på mere end 2,7 GHz til og med 6,8 GHz og med en relativ båndbredde på mere end 15 %, og som har en eller flere af følgende egenskaber:

1. En maksimal udgangseffekt på over 75 W (48,75 dBm) ved frekvenser på mere end 2,7 GHz til og med 2,9 GHz

2. En maksimal udgangseffekt på over 55 W (47,4 dBm) ved frekvenser på mere end 2,9 GHz til og med 3,2 GHz

3. En maksimal udgangseffekt på over 40 W (46 dBm) ved frekvenser på mere end 3,2 GHz til og med 3,7 GHz eller

4. En maksimal udgangseffekt på over 20 W (43 dBm) ved frekvenser på mere end 3,7 GHz til og med 6,8 GHz

b.

3A001 b. 2. Normeret til drift ved frekvenser på mere end 6,8 GHz til og med 16 GHz og med en relativ båndbredde på mere end 10 %, og som har en eller flere af følgende egenskaber:

1. En maksimal udgangseffekt på over 10 W (40 dBm) ved frekvenser på mere end 6,8 GHz til og med 8,5 GHz eller

2. En maksimal udgangseffekt på over 5 W (37 dBm) ved frekvenser på mere end 8,5 GHz til og med 16 GHz

c.

Normeret til drift med en maksimal udgangseffekt på mere end 3 W (34,77 dBm) ved frekvenser på mere end 16 GHz til og med 31,8 GHz og med en relativ båndbredde på mere end 10 %

d.

Normeret til drift med en maksimal udgangseffekt på over 0,1 nW (-70 dBm) ved frekvenser på mere end 31,8 GHz til og med 37 GHz

e.

Normeret til drift med en maksimal udgangseffekt på mere end 1 W (30 dBm) ved frekvenser på mere end 37 GHz til og med 43,5 GHz og med en relativ båndbredde på mere end 10 %

f.

Normeret til drift med en maksimal udgangseffekt på mere end 31,62 mW (15 dBm) ved frekvenser på mere end 43,5 GHz til og med 75 GHz og med en relativ båndbredde på mere end 10 %

g.

Normeret til drift med en maksimal udgangseffekt på mere end 10 mW (10 dBm) ved frekvenser på mere end 75 GHz til og med 90 GHz og med en relativ båndbredde på mere end 5 % eller

h.

Normeret til drift med en maksimal udgangseffekt på over 0,1 nW (-70 dBm) ved frekvenser på mere end 90 GHz

3. Diskrete mikrobølgetransistorer med en eller flere af følgende egenskaber: Note 1: Eksportkontrolstatus for en transistor, hvis nominelle driftsfrekvens omfatter frekvenser opført i mere end ét frekvensområde som defineret i 3A001.b.3.a.-3A001.b.3.e, afgøres ved den laveste tærskel for maksimal udgangseffekt. Note 2: 3A001.b.3. omfatter skiver, skiver monteret på bærere eller skiver monteret i pakker. Visse diskrete transistorer kan også benævnes effektforstærkere, men deres eksportkontrolstatus afgøres i 3A001.b.3.

3. a.

Normeret til drift ved frekvenser på mere end 2,7 GHz til og med 6,8 GHz, og som har en eller flere af følgende egenskaber:

1. En maksimal udgangseffekt på over 400 W (56 dBm) ved frekvenser på mere end 2,7 GHz til og med 2,9 GHz

2. En maksimal udgangseffekt på over 205 W (53,12 dBm) ved frekvenser på mere end 2,9 GHz til og med 3,2 GHz

3. En maksimal udgangseffekt på over 115 W (50,61 dBm) ved frekvenser på mere end 3,2 GHz til og med 3,7 GHz eller

4. En maksimal udgangseffekt på over 60 W (47,78 dBm) ved frekvenser på mere end 3,7 GHz til og med 6,8 GHz

b.

Normeret til drift ved frekvenser på mere end 6,8 GHz til og med 31,8 GHz, og som har en eller flere af følgende egenskaber:

1. En maksimal udgangseffekt på over 50 W (47 dBm) ved frekvenser på mere end 6,8 GHz til og med 8,5 GHz

2. 3A001 b. 3. b. En maksimal udgangseffekt på over 15 W (41,76 dBm) ved frekvenser på mere end 8,5 GHz til og med 12 GHz

3. En maksimal udgangseffekt på over 40 W (46 dBm) ved frekvenser på mere end 12 GHz til og med 16 GHz eller

4. En maksimal udgangseffekt på over 7 W (38,45 dBm) ved frekvenser på mere end 16 GHz til og med 31,8 GHz

c.

Normeret til drift med en maksimal udgangseffekt på over 0,5 W (27 dBm) ved frekvenser på mere end 31,8 GHz til og med 37 GHz

d.

Normeret til drift med en maksimal udgangseffekt på over 1 W (30 dBm) ved frekvenser på mere end 37 GHz til og med 43,5 GHz

e.

Normeret til drift med en maksimal udgangseffekt på over 0,1 nW (-70 dBm) ved frekvenser på mere end 43,5 GHz

4. Mikrobølgehalvlederforstærkere og mikrobølgesamlinger/moduler indeholdende mikrobølgehalvlederforstærkere med en eller flere af følgende egenskaber: N.B.: MMIC-effektforstærkere skal vurderes på baggrund af kriterierne i 3A001.b.2. Note 1: Anvendes ikke. Note 2: Eksportkontrolstatus for et produkt, hvis nominelle driftsfrekvens omfatter frekvenser opført i mere end ét frekvensområde som defineret i 3A001.b.4.a. til 3A001.b.4.e., afgøres ved den laveste tærskel for maksimal udgangseffekt. Note 3: 3A001.b.4. omfatter sender/modtagermoduler og sendermoduler.

4. a.

Normeret til drift ved frekvenser på mere end 2,7 GHz til og med 6,8 GHz og med en relativ båndbredde på mere end 15 %, og som har en eller flere af følgende egenskaber:

1. En maksimal udgangseffekt på over 500 W (57 dBm) ved frekvenser på mere end 2,7 GHz til og med 2,9 GHz

2. En maksimal udgangseffekt på over 270 W (54,3 dBm) ved frekvenser på mere end 2,9 GHz til og med 3,2 GHz

3. En maksimal udgangseffekt på over 200 W (53 dBm) ved frekvenser på mere end 3,2 GHz til og med 3,7 GHz eller

4. En maksimal udgangseffekt på over 90 W (49,54 dBm) ved frekvenser på mere end 3,7 GHz til og med 6,8 GHz

b.

Normeret til drift ved frekvenser på mere end 6,8 GHz til og med 31,8 GHz og med en relativ båndbredde på mere end 10 %, og som har en eller flere af følgende egenskaber:

1. En maksimal udgangseffekt på over 70 W (48,54 dBm) ved frekvenser på mere end 6,8 GHz til og med 8,5 GHz

2. En maksimal udgangseffekt på over 50 W (47 dBm) ved frekvenser på mere end 8,5 GHz til og med 12 GHz

3. En maksimal udgangseffekt på over 30 W (44,77 dBm) ved frekvenser på mere end 12 GHz til og med 16 GHz eller

4. En maksimal udgangseffekt på over 20 W (43 dBm) ved frekvenser på mere end 16 GHz til og med 31,8 GHz

c.

Normeret til drift med en maksimal udgangseffekt på over 0,5 W (27 dBm) ved frekvenser på mere end 31,8 GHz til og med 37 GHz

d.

3A001 b. 4. Normeret til drift med en maksimal udgangseffekt på mere end 2 W (33 dBm) ved frekvenser på mere end 37 GHz til og med 43,5 GHz og med en relativ båndbredde på mere end 10 %

e.

Normeret til drift ved frekvenser på mere end 43,5 GHz, og med en eller flere af følgende egenskaber:

1. Maksimal udgangseffekt på mere end 0,2 W (23 dBm) ved frekvenser på mere end 43,5 GHz til og med 75 GHz og med en relativ båndbredde på mere end 10 %

2. Maksimal udgangseffekt på mere end 20 mW (13 dBm) ved frekvenser på mere end 75 GHz til og med 90 GHz og med en relativ båndbredde på mere end 5 % eller

3. Maksimal udgangseffekt på over 0,1 nW (-70 dBm) ved frekvenser på mere end 90 GHz eller

f.

Normeret til drift ved frekvenser på mere end 2,7 GHz, og med en eller flere af følgende egenskaber:

1. Maksimal udgangseffekt (i watt) Psat på over 400 divideret med den maksimale driftsfrekvens (i GHz) i anden potens [Psat > 400 W*GHz2/fGHz2]

2. En relativ båndbredde på mindst 5 % og

3. Teknisk note:

To på hinanden vinkelrette sider, hvor længden d (i cm) er mindre eller lig med 15 divideret med den laveste driftsfrekvens i GHz [d ≤ 15 cm*GHz/fGHz] 2,7 GHz bør anvendes som den laveste driftsfrekvens (fGHz) i formlen i 3A001.b.4.f.3. i forbindelse med forstærkere, der har et nominelt driftsområde ned til 2,7 GHz og derunder [d ≤ 15 cm*GHz/2,7 GHz].

5. Elektronisk eller magnetisk afstemmelige båndpas- eller båndstopfiltre med mere end 5 afstemmelige resonatorer, der er i stand til at afstemme over et 1,5:1 frekvensbånd (fmax./fmin.) på mindre end 10 μs, og som har en eller flere af følgende egenskaber:

5. a.

Gennemgangsbåndbredde på mere end 0,5 % af centerfrekvensen eller

b.

Båndstopbåndbredde på mindre end 0,5 % af centerfrekvensen

6. Anvendes ikke

7. Konvertere og harmoniske mixere, der er konstrueret til at udvide frekvensområdet for det udstyr, der er beskrevet i 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. eller 3A002.f., ud over de der angivne grænser

8. 3A001 b. Mikrobølgeforstærkere med rør, som er specificeret i 3A001.b.1., og med samtlige følgende egenskaber: Note: 3A001.b.8 lægger ikke eksportkontrol på udstyr, der er konstrueret eller normeret til drift i frekvensbånd, som er allokeret af ITU til radiokommunikationstjenester, men ikke til radiostedbestemmelse.

8. a.

Driftsfrekvenser på over 3 GHz

b.

Gennemsnitligt forhold mellem udgangseffekt og masse på mere end 80 W/kg og

c.

Rumfang på mindre end 400 cm3

9. Tekniske noter: 1.2.

Mikrobølgeeffektmoduler (MPM) bestående af mindst et vandrebølgerør, et monolitisk integreret mikrobølgekredsløb og en integreret elektronisk energikonditioneringsanordning og med samtlige følgende egenskaber: Til beregning af volumen i 3A001.b.9.b. gives følgende eksempel: for en maksimal nominel effekt på 20 W vil volumen være: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3. Tændtiden i 3A001.b.9.a. er tiden fra helt slukket tilstand til fuld drift, dvs. omfatter MPM'ens opvarmningstid.

9. a.

Tændtid fra slukket tilstand til fuld drift på under 10 sekunder

b.

Et volumen på under den maksimale nominelle effekt i watt ganget med 10 cm3/W og

c.

En momentan båndbredde på over 1 oktav (fmax. > 2fmin.) og med en af følgende egenskaber:

1. For frekvenser på 18 GHz eller derunder en RF-udgangseffekt på over 100 W eller

2. En frekvens på over 18 GHz

10. Teknisk note:

Oscillatorer eller oscillatorsamlinger, der er angivet til at arbejde med alle følgende egenskaber: I 3A001.b.10. er F afvigelsen fra driftsfrekvensen i Hz og f er driftsfrekvensen i MHz.

10. a.

Enkelt sidebånd (SSB) fasestøj, i dBc/Hz, bedre end - (126 + 20log10F-20log10f) på et hvilket som helst punkt i et interval på10 Hz < F < 10 kHz; og

b.

Enkelt sidebånd (SSB) fasestøj, i dBc/Hz, bedre end - (114 + 20log10F-20log10f) på et hvilket som helst punkt i et interval på10 Hz ≤ F < 10 kHz;

11. Frekvenssynthesizer-elektroniske samlinger med en frekvensskiftetid som angivet ved en af følgende egenskaber: N.B.: Vedr. signalanalysatorer, signalgeneratorer, netværksanalysatorer og mikrobølgetestmodtagere til generelle formål, jf. hhv. 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. og 3A002.f.

11. a.

Under 156 ps

b.

Under 100 μs for frekvensændringer på over 1,6 GHz inden for det syntetiserede frekvensområde på over 4,8 GHz men højst 10,6 GHz

c.

Under 250 μs for frekvensændringer på over 550 MHz inden for det syntetiserede frekvensområde på over 10,6 GHz men højst 31,8 GHz

d.

Under 500 μs for frekvensændringer på over 550 MHz inden for det syntetiserede frekvensområde på over 31,8 GHz men højst 43,5 GHz

e.

3A001 b. 11. Under 1 ms for frekvensændringer på over 550 MHz inden for det syntetiserede frekvensområde på over 43,5 GHz, men ikke over 56 GHz

f.

Under 1 μs for frekvensændringer på over 2,2 GHz inden for det syntetiserede frekvensområde på over 56 GHz men højst 75 GHz eller

g.

Under 1 ms inden for det syntetiserede frekvensområde på over 75 GHz.

c.

Følgende akustisk bølgeudstyr samt specielt konstruerede komponenter hertil: Note: 3A001.c. lægger ikke eksportkontrol på akustisk bølgeudstyr, der kun omfatter én båndpas-, lavpas-, højpas- eller gradfiltrering eller resonatorfunktion.

1. Teknisk note:

Akustisk bølgeudstyr og surface skimming (fladt volumen) akustisk bølgeudstyr med: Frekvenssidesløjfedæmpning er den maksimale dæmpningsværdi, der er specificeret i databladet.

1. a.

Bærefrekvens på over 6 GHz

b.

Bærefrekvens på mere end 1 GHz, men højst 6 GHz og med en eller flere af følgende egenskaber:

1. Frekvenssidesløjfedæmpning på mere end 65 dB

2. Produktet af den største forsinkelse og båndbredden (tid i μs og båndbredde i MHz) på mere end 100

3. Båndbredde på over 250 MHz eller

4. Spredningsforsinkelse på mere end 10 μs eller

c.

Bærefrekvens på højst 1 GHz og med en eller flere af følgende egenskaber:

1. Produktet af den største forsinkelse og båndbredden (tid i μs og båndbredde i MHz) på mere end 100

2. Spredningsforsinkelse på mere end 10 μs eller

3. Frekvenssidesløjfedæmpning på mere end 65 dB og båndbredde over 100 MHz

2. Volumenakustisk bølgeudstyr, som tillader direkte signalbehandling ved frekvenser på over 6 GHz

3. Akustisk-optisk signalbehandlings udstyr, der anvender vekselvirkning mellem akustiske bølger (volumenbølge eller overfladebølge) og lysbølger, der tillader direkte behandling af signaler eller billeder, inklusive spektralanalyse, korrelation eller konvolution

d.

Elektronisk udstyr eller kredsløb, der indeholder komponenter, der er fremstillet af superledende materialer, der er specielt beregnet til drift ved temperaturer under mindst en af de superledende bestanddeles kritiske temperatur, og som har en eller flere af følgende egenskaber:

1. Strømkobling til digitale kredsløb ved hjælp af superledende porte med et produkt af forsinkelse pr. port (i sekunder) og effekttab pr. port (i Watt) på mindre end 10–14 J eller

2. Frekvensvalg ved alle frekvenser ved hjælp af resonanskredse med Q-værdier på mere end 10000

e.

3A001 Højenergiudstyr som følger:

1. Teknisk note: 1.2.3.4.

Celler som følger: I forbindelse med 3A001.e.1. beregnes energitætheden (Wh/kg) som den nominelle spænding ganget med den nominelle kapacitet i amperetimer (Ah) divideret med massen i kg. Hvis den nominelle kapacitet ikke er angivet, beregnes energitætheden som den nominelle spænding i anden og derefter ganget med udladningstiden i timer divideret med udladningsbelastningen i ohm og massen i kg. I forbindelse med 3A001.e.1. defineres en celle som en elektrokemisk anordning, der har positive og negative elektroder og en elektrolyt, og som er en kilde til elektrisk energi. Den er grundbyggeklodsen i et batteri. I forbindelse med 3A001.e.1.a. er en primærcelle en celle, der ikke er beregnet til at blive ladet af en anden kilde. I forbindelse med 3A001.e.1.b. er en sekundærcelle en celle, der er beregnet til at blive ladet af en ekstern elektrisk kilde. N.B.: 3A001.e.1 lægger ikke eksportkontrol på batterier, herunder enkeltcellebatterier.

1. a.

Primærceller med en energitæthed på mere end 550 Wh/kg ved 20 °C

b.

Sekundærceller med en energitæthed på mere end 300 Wh/kg ved 20 °C

2. Følgende højenergilagerkondensatorer: N.B.: JF. LIGELEDES 3A001.a og kontrolbestemmelserne for produkter til militære formål.

2. a.

Kondensatorer med en gentagelseshastighed på mindre end 10 Hz (singleshot kondensatorer) og med samtlige følgende egenskaber:

1. Mærkespænding på mindst 5 kV

2. Energitæthed på mindst 250 J/kg og

3. Total energi på mindst 25 kJ

b.

Kondensatorer med en gentagelseshastighed på 10 Hz eller mere (gentagelseskondensatorer) og med samtlige af følgende egenskaber:

1. Mærkespænding på mindst 5 kV

2. Energitæthed på mindst 50 J/kg

3. Total energi på mindst 100 J og

4. Ladnings/afladningscykluslevetid på mindst 10000

3. Superledende elektromagneter eller solenoider, der er specielt konstrueret til at blive fuldt opladet eller afladet på mindre end 1 sekund, og med samtlige følgende egenskaber: N.B.: JF. LIGELEDES 3A201.b. N.B.: 3A001.e.3 lægger ikke eksportkontrol på superledende elektromagneter eller solenoider, der er specielt konstrueret til medicinsk udstyr til magnetisk resonans-billeddannelse (MRI).

3. a.

Energiafgivelse på mere end 10 kJ i løbet af det første sekund

b.

Indre diameter af strømvindingerne mere end 250 mm og

c.

Nominel magnetisk induktion mere end 8 T eller total strømtæthed i vindingen mere end 300 A/mm2

4. Teknisk note:

3A001 e. Solceller, samlinger af forbundne solceller med dækglas (CIC), solpaneler og solarrays, der er rumkvalificerede og har en mindste gennemsnitseffektivitet på over 20 % ved en driftstemperatur på 301 K (28 °C) ved en simuleret AM0-belysning med en bestråling på 1367 watt pr. kvadratmeter (W/m2) AM0 eller Air Mass Zero er sollysets spektrale bestråling i jordens ydre atmosfære, når afstanden mellem jorden og solen er én astronomisk enhed (AU).

f.

Enkodere til absolut position med roterende input med en nøjagtighed lig med eller mindre (bedre) end ± 1,0 buesekund

g. Teknisk note:

Faststofthyristorkoblingsanordninger med impulseffekt og thyristormoduler, der anvender koblingsmetoder, som styres elektronisk, optisk eller med elektronstråling, og som har en eller flere af følgende egenskaber: Note 1: 3A001.g. omfatter: Note 2: 3A001.g. lægger ikke eksportkontrol på thyristoranordninger og thyristormoduler, der er indbygget i udstyr til anvendelse i civil jernbanedrift eller civile fly. I forbindelse med 3A001.g. indeholder et thyristormodul en eller flere thyristoranordninger.

g.

1. En maksimal strømstigning ved tænding (di/dt) på over 30000 A/μ og en spænding i slukket tilstand på over 1100 V eller

2. En maksimal strømstigning ved tænding (di/dt) på over 2000 A/μ og som har alle følgende egenskaber:

2. a.

En spidsspænding i slukket tilstand på 3000 V eller derover og

b.

En ikkerepetitiv spidsstrøm (surge current) på 3000 A eller derover.

Styrede ensrettere af silicium Silicon Controlled Rectifiers (SCR)

Elektrisk styrede thyristorer (ETT)

Lysstyrede thyristorer (LTT)

Integrerede brokommuterede thyristorer (IGCT)

Gate Turn-Off thyristorer (GTO)

MOS-styrede thyristorer (MCT)

Solidtroner

h. Teknisk note:

Faststofhalvlederswitcher, -dioder eller -moduler med følgende egenskaber: Note 1: Den repetitive spidsspænding i off-tilstand i 3A001.h. omfatter drainsourcespænding, kollektoremitterspænding, repetitiv spidsspærrespænding og repetitiv spidsblokeringsspænding i off-tilstand. 3A001 h.Note 2: 3A001.h. omfatter: Note 3: 3A001.h. lægger ikke eksportkontrol på switcher, dioder eller moduler i udstyr konstrueret til anvendelse i civile motorkøretøjer, civile jernbaner eller civile fly. I 3A001.h. indeholder moduler en eller flere faststofhalvlederkoblinger eller -dioder.

h.

1. Normeret til maksimal driftstemperatur på over 488 K (215 °C)

2. En repetitiv spidsspænding i off-tilstand (blokeringsspænding) på over 300 V og

3. En kontinuerlig strøm på over 1 A.

Junction felteffekttransistorer (JFET)

Lodrette junction felteffekttransistorer (VJFET)

Metaloxidfelteffekttransistorer (MOSFET)

Dobbeltdiffunderede metaloxidfelteffekttransistorer (DMOSFET)

Isolerede gate bipolære transistorer (IGBT)

Transistorer med høj elektronmobilitet (HEMT)

Bipolære junction transistorer (BJT)

Thyristorer og styrbare halvlederensrettere (SCR)

Slukbare thyristorer (GTO)

Slukbare emitterthyristorer (ETO)

PiN-dioder

Schottky-dioder

a.

Følgende optageudstyr og oscilloskoper:

1. Ikke anvendt

2. Ikke anvendt

3. Ikke anvendt

4. Ikke anvendt

5. Tekniske noter: 1.2.

Bølgesignaldigitaliseringsudstyr og transientoptagere, med samtlige følgende egenskaber: For instrumenter med parallel busarkitektur er den kontinuerlige kapacitet den største ordhastighed ganget med ordlængen i bit. Ved kontinuerlig kapacitet forstås den største hastighed, hvormed instrumentet kan udlæse data til masselager uden tab af information, når aftastningsfrekvensen overholdes og analog-til-digital konverteringen opretholdes.

5. a.

Digitaliseringshastighed på mindst 200 mio. aftastninger pr. sekund og en opløsning på mindst 10 bit og

b.

Kontinuerlig kapacitet på mindst 2 Gbit/s

6. Teknisk note:

3A002 a. Digitale instrumentdataoptagere med en magnetisk disklagringsteknik, og som har samtlige følgende egenskaber, og specielt konstruerede digitale optagere hertil: Digitale instrumentdataoptagere kan konfigureres enten med en integreret digitiser i eller uden for den digitale optager.

6. a.

Digitaliseringshastighed på mindst 100 mio. aftastninger pr. sekund og en opløsning på mindst 8 bit og

b.

Kontinuerlig kapacitet på mindst 1 Gbit/s

7. Tidstro oscilloskoper med en vertikal kvadratisk middelværdi (rms) for støjspænding på under 2 % af fuldt udslag på den vertikale skala, der giver den laveste støjværdi for input 3 dB båndbredde på 60 GHz eller derover pr. kanal Note: 3A002.a.7. lægger ikke eksportkontrol på ækvivalente stikprøveoscilloskoper.

b.

Ikke anvendt

c.

Følgende RF-signalanalysatorer:

1. Signalanalysatorer med en 3 dB resolutionsbåndbredde (RBW) på over 10 MHz på noget sted inden for frekvensområdet på over 31,8 GHz, men ikke over 37,5 GHz

2. Signalanalysatorer med et middelstøjniveau (DANL) på mindre (bedre) end -150 dBm/Hz på noget sted inden for frekvensområdet på over 43,5 GHz, men ikke over 75 GHz

3. Signalanalysatorer med en frekvens på over 75 GHz

4. Signalanalysatorer med samtlige følgende egenskaber: Note: 3A002.c.4 lægger ikke eksportkontrol på signalanalysatorer, som kun bruger konstantprocent båndbreddefiltre (også kendt som oktav- eller fraktionaloktavfiltre).

4. a.

Realtidsbåndbredde på over 85 MHz og

b. Tekniske noter: 1.2.

100 % sandsynlighed for opfangning med en reduktion på under 3 dB fra den fulde amplitude som følge af gaps eller vindueseffekter fra signaler med en varighed på højst 15 μs Sandsynligheden for opfangning i 3A002.c.4.b. benævnes også sandsynligheden for indfangning eller for observering. I forbindelse med 3A002.c.4.b. er varigheden for 100 % sandsynlighed for opfangning lig med den minimale signalvarighed, der er nødvendig for den specificerede måleusikkerheds niveau.

5. Signalanalysatorer med en frekvensmasketriggerfunktion med 100 % sandsynlighed for trigger (opfangning) for signaler med en varighed på højst 15 μs

d. Tekniske noter: 1.2.

Frekvenssyntetiserede signalgeneratorer, der afgiver udgangsfrekvenser, hvis nøjagtighed og kort- og langtidsstabilitet styres, afledes af eller korrigeres af den interne masterreferenceoscillator, og med en eller flere af følgende egenskaber: Note 1: I forbindelse med 3A002.d. omfatter frekvenssyntetiserede signalgeneratorer generatorer med vilkårlig bølgeform og funktionsgeneratorer. Note 2: 3A002.d lægger ikke eksportkontrol på udstyr, i hvilket udgangsfrekvensen enten frembringes ved addition eller substraktion af to eller flere krystaloscillatorfrekvenser, eller ved addition eller subtraktion fulgt af en multiplikation af resultatet. Den maksimale syntetiserede frekvens i en generator med vilkårlig bølgeform eller en funktionsgenerator beregnes ved at dividere aftastningshastigheden, i aftastninger pr. sekund, med en faktor på 2,5. I 3A002.d.1.a. defineres impulsvarighed som tidsperioden fra det punkt på forkanten, der er 50 % af impulsamplituden, til det punkt på bagkanten, der er 50 % af impulsamplituden.

d.

1. Specificeret til frembringelse af impulsmodulerede signaler inden for det syntetiserede frekvensområde på over 31,8 GHz, men ikke over 75 GHz, og som har alle følgende egenskaber:

1. a.

En impulsvarighed mindre end 100 ns og

b.

Til/fra-rytme på mindst 65 dB

2. 3A002 d. Udgangseffekt på over 100 mW (20 dBm) på noget sted inden for det syntetiserede frekvensområde på over 43,5 GHz, men ikke over 75 GHz

3. Frekvensskiftetid som angivet ved en af følgende egenskaber:

3. a.

Ikke anvendt

b.

Under 100 μs for frekvensændringer på over 1,6 GHz inden for det syntetiserede frekvensområde på over 4,8 GHz men højst 10,6 GHz

c.

Under 250 μs for frekvensændringer på over 550 MHz inden for det syntetiserede frekvensområde på over 10,6 GHz men højst 31,8 GHz

d.

Under 500 μs for frekvensændringer på over 550 MHz inden for det syntetiserede frekvensområde på over 31,8 GHz men højst 43,5 GHz

e.

Under 1 ms for frekvensændringer på over 550 MHz inden for det syntetiserede frekvensområde på over 43,5 GHz, men ikke over 56 GHz eller

f.

Under 1 ms for frekvensændringer på over 2,2 GHz inden for det syntetiserede frekvensområde på over 56 GHz, men ikke over 75 GHz

4. Teknisk note:

Enkelt sidebånd (SSB) fasestøj, i dBc/Hz, angivet som værende samtlige følgende: I 3A002.d.4. er F afvigelsen fra driftsfrekvensen i Hz, og f er driftsfrekvensen i MHz

4. a.

Mindre (bedre) end - (126 + 20log10F-20log10f) på et sted inden for området 10 Hz < F < 10 kHz, på ethvert sted inden for det syntetiserede frekvensområde på over 3,2 GHz, men ikke over 75 GHz og

b.

Mindre (bedre) end - (114 + 20log10F-20log10f) på et sted inden for området 10 kHz ≤ F < 500, på ethvert sted inden for det syntetiserede frekvensområde på over 3,2 GHz, men ikke over 75 GHz eller

5. Maksimal syntetiseret frekvens på over 75 GHz

e.

Netværksanalysatorer med en af følgende egenskaber:

1. Udgangseffekt på over 31,62 mW (15 dBm) på noget sted inden for driftsfrekvensområdet på over 43,5 GHz, men ikke over 75 GHz

2. Udgangseffekt på over 1 mW (0 dBm) på noget sted inden for driftsfrekvensområdet på over 75 GHz, men ikke over 110 GHz

3. Teknisk note:

3A002 e. Ikkelineær vektormålingsfunktionalitet ved frekvenser på over 50 GHz, men ikke over 110 GHz eller Ikkelineær vektormålingsfunktionalitet er et instruments evne til at analyse testresultater fra anordninger, der opererer i området med store signaler eller i området for ulineær forvrængning.

4. Maksimal driftsfrekvens på over 110 GHz

f.

Mikrobølgetestmodtagere med samtlige følgende egenskaber:

1. Maksimal driftsfrekvens på over 110 GHz og

2. Evne til at måle amplitude og fase samtidigt

g.

Atomfrekvensstandarder, med en eller flere af følgende egenskaber:

1. Rumkvalificeret

2. Ikkerubidium og med en langtidsstabilitet mindre (bedre) end 1 × 10-11/måned eller

3. Ikke rumkvalificeret og med alle følgende egenskaber:

3. a.

Er en rubidiumstandard

b.

Langtidsstabilitet mindre (bedre) end 1 × 10-11/måned og

c.

Totalt energiforbrug på mindre end 1 W.

a.

Analog-digitale omsættere, anvendelige i missiler, konstrueret til at opfylde militære specifikationer for specielt robust udstyr

b.

Acceleratorer, der er i stand til at afgive elektromagnetisk stråling fremkaldt af bremsstrahlung fra accelererede elektroner på mindst 2 MeV, samt systemer, der indeholder sådanne acceleratorer. Note: 3A101.b omfatter ikke udstyr, der er specielt konstrueret til medicinske formål.

3A Tekniske noter: 1.2. a.

Kondensatorer med et af følgende sæt af egenskaber:

1. a.

Mærkespænding højere end 1,4 kV

b.

Energiopladning mere end 10 J

c.

Kapacitans højere end 0,5 μF og

d.

Serieinduktans mindre end 50 nH eller

2. a.

Mærkespænding højere end 750 V

b.

Kapacitans højere end 0,25 μF og

c.

Serieinduktans mindre end 10 nH

b.

Superledende solenoidelektromagneter med samtlige følgende egenskaber: Note: 3A201.b lægger ikke eksportkontrol på magneter, der er specielt konstrueret til, og som eksporteres som dele af medicinske nukleare magnetiske resonanssystemer (NMR) til billeddannelse. Udtrykket som dele af betyder ikke nødvendigvis fysisk del af samme forsendelse; separate forsendelser fra forskellige kilder er tilladt, såfremt det i de tilhørende eksportpapirer klart anføres, at disse forsendelser er afsendt som dele af de billeddannende systemer.

1. I stand til at danne magnetfelter på mere end 2 T

2. Et forhold mellem længde/indvendig diameter på over 2

3. Indre diameter på mere end 300 mm og

4. Et magnetfelt af en homogenitet, der er bedre end 1 % over den midterste halvdel af det indre rum

c. Tekniske noter: 1.2.3.4.

Røntgenudladningsgeneratorer eller impulselektronacceleratorer med et af følgende sæt af egenskaber: Note: 3A201.c lægger ikke eksportkontrol på acceleratorer, som udgør en del af apparater, der er beregnet til andre formål end elektronstråler eller røntgenstråling (f.eks. elektronmikroskopi), og heller ikke på sådanne konstrueret til medicinske formål. Godhedstallet K defineres som K = 1,7 × 103 × V2,65 × Q hvor V er spidselektronenergien i millioner elektronvolt. Hvis acceleratorens stråleimpulsvarighed er mindre end eller lig 1 μs, er Q den maksimale accelererede ladning i coulomb. Hvis acceleratorens stråleimpulsvarighed er større end 1μs, er Q den maksimale accelererede ladning på 1 μs. Q er lig med integralet af i med hensyn til t over varigheden af stråleimpulsen (Q = ∫ idt), dog højst 1 μs, hvor i er strålestrømmen i ampere, og t er tiden i sekunder. Spidseffekt = (spidsspænding i volt) × (spidsstrålestrøm i ampere). 3A201 c. I maskiner, der er baseret på mikrobølgeaccelerationshulrum, er stråleimpulsens varighed den mindste af værdierne 1 μs eller varigheden af det strålepakkebundt, der fremkommer ved en mikrobølgemodulatorpuls. I maskiner, der er baseret på mikrobølgeaccelerationshulrum, er spidsstrålestrømmen middelstrømmen under varigheden af strålepakkebundtet.

c.

1. a.

En acceleratorspidselektronenergi på mindst 500 keV, men mindre end 25 MeV og

b.

Med et godhedstal (K) på mindst 0,25 eller

2. a.

En acceleratorspidselektronenergi på mindst 25 MeV og

b.

En spidseffekt større end 50 MW.

a.

Multifaseudgangseffekt på 40 VA eller større

b.

Opererer ved en frekvens på 600 Hz eller mere og

c.

Frekvensstyring bedre (mindre) end 0,2 %.

1. De skal returneres til den oprindelige fabrikant med henblik på at forbedre eller frigive begrænsningerne.

2. De kræver software som specificeret i 3D225 til at forbedre eller frigive ydelsen, således at de opfylder egenskaberne i 3A225. eller

3. De kræver teknologi i form af nøgler eller koder som specificeret i 3E225 til at forbedre eller frigive ydelsen, således at de opfylder egenskaberne i 3A225.

3A Tekniske noter: 1.2. Tekniske noter: 1.2. a.

Er i stand til kontinuerligt at yde mindst 100 V over en periode på 8 timer med en udgangsstrøm på mindst 500 A og

b.

Med strøm- eller spændingsstabilitet bedre end 0,1 % over en periode på 8 timer.

a.

Er i stand til kontinuerligt at yde mindst 20 kV over en periode på 8 timer med en udgangsstrøm på mindst 1 A og

b.

Med strøm- eller spændingsstabilitet bedre end 0,1 % over en periode på 8 timer.

a.

Koldkatoderør, også gasfyldte, som virker på samme måde som et gnistgab, og med samtlige følgende egenskaber: Note: 3A228 omfatter ligeledes gaskrytronrør og vakuumsprytronrør.

1. Indeholdende 3 eller flere elektroder

2. Mærkeanodespidsspænding mindst 2,5 kV

3. Mærkeanodespidsstrøm mindst 100 A og

4. Anodeforsinkelse højst 10 μs

b.

Trigget gnistgab der har begge følgende egenskaber:

1. Anodeforsinkelse højst 15 μs og

2. Mærkespidsstrøm på mindst 500 A

c.

Moduler eller samlinger med en hurtig koblingsfunktion bortset fra dem, der er anført i 3A001.g. eller 3A001.h, med samtlige følgende egenskaber:

1. Mærkeanodespidsspænding større end 2 kV

2. Mærkeanodespidsstrøm mindst 500 A og

3. Tændtid højst 1 μs

a.

Detonatortændapparater (tændsystemer, tændanordninger), herunder elektronisk ladede, eksplosive og optiske tændapparater, bortset fra dem, der er specificeret i 1A007.a, der er konstrueret til at drive flere styrede detonatorer som specificeret i 1A007.b

b.

Modulære elektriske impulsgeneratorer, der har samtlige følgende egenskaber: Note: 3A229.b omfatter xenon-udladningslampestyring.

1. Konstrueret til bærbar, mobil eller særlig modstandsdygtig anvendelse

2. I stand til at udlade deres energi på mindre end 15 μs i belastninger på mindre end 40 ohm

3. Med en udgangsstrøm på mere end 100 A

4. Ingen dimension større end 30 cm

5. Vægt mindre end 30 kg og

6. Specificeret til brug ved et udvidet temperaturområde fra 223 K (- 50 °C) til 373 K (100 °C), eller specificeret som egnet til rumbrug.

c.

Mikrodetonatorenheder, der har samtlige følgende egenskaber:

1. Ingen dimension større end 35 mm

2. Mærkespænding på 1 kV eller derover og

3. Kapacitans på 100 nF eller derover

a.

En udgangsspænding på mere end 6 V ind i en resistiv belastning på mindre end 55 ohm, og

b.

En impulsomkoblingstid på mindre end 500 ps.

3A Tekniske noter: 1.2. Tekniske noter: 1.2. Tekniske noter: 1.2. a.

Er konstrueret til drift uden et eksternt vakuumsystem og

b.

Bruger en af følgende:

1. Elektrostatisk acceleration til fremkaldelse af en tritium-deuterium kernereaktion eller

2. Elektrostatisk acceleration til fremkaldelse af en deuterium-deuterium kernereaktion, og i stand til en effekt på 3 × 109 neutroner/s eller derover.

a.

Ikke anvendt

b.

Arrangementer, der bruger enkelte eller multiple detonatorer, der er beregnet til næsten simultant at tænde en eksplosiv overflade over mere end 5000 mm2 fra et enkelt tændsignal med en tændtid spredt over overfladen på mindre end 2,5 μs.

a.

Induktivt koblede plasmamassespektrometre (ICP/MS)

b.

Glimudladningsmassespektrometre (GDMS)

c.

Termiske ioniseringsmassespektrometre (TIMS)

d.

Elektronbombardementmassespektrometre med begge følgende egenskaber:

1. Et molekylestråleinjektionssystem, der injicerer et kollimeret strålebundt af analytte molekyler til et område i ionkilden, hvor molekylerne ioniseres af en elektronstråle og

2. En eller flere kolde fælder, der kan nedkøles til en temperatur på 193 K (- 80 °C)

e.

Ikke anvendt

f.

Massespektrometre, der er udstyret med en mikrofluoreringsionkilde, der er beregnet til actinider eller actinidfluorider.

3A Tekniske noter: 1.2. Tekniske noter: 1.2. Tekniske noter: 1.2. Tekniske noter: 1.2. a.

Mærkespænding højere end 2 kV og

b.

Induktans mindre end 20 nH

3B Prøve-, inspektions- og produktionsudstyr 3B001 Følgende udstyr til fremstilling af halvlederkomponenter eller halvledermaterialer samt specielt konstruerede komponenter og tilbehør hertil: 3B002 Følgende prøveudstyr, specielt beregnet til prøvning af færdige eller ufærdige halvlederindretninger, samt særlige komponenter og tilbehørsdele dertil:

3B a.

Følgende udstyr til epitaksial vækst:

1. Udstyr, som er i stand til at danne et lag af andet materiale end silicium med en lagtykkelse, der er ensartet til mindre end ± 2,5 % over en længde på mindst 75 mm Note: 3B001.a.1. omfatter atomlagsepitaksiudstyr.

2. Metalorganisk kemisk dampudfældnings-(MOCVD)-reaktorer, der er konstrueret til epitaksial vækst af sammensatte halvledere bestående af materiale med to eller flere af følgende grundstoffer: aluminium, gallium, indium, arsen, phosphor, antimon og nitrogen

3. Udstyr til epitaksial vækst med molekylestråle ved brug af gas- eller faststofkilder

b.

Udstyr konstrueret til ionimplantering og med en eller flere af følgende egenskaber:

1. Ikke anvendt

2. Konstrueret og optimeret til drift ved en stråleenergi på 20 keV eller derover og en strålestrøm på 10 mA eller derover for hydrogen-, deuterium- eller heliumimplantering

3. Direkte skrivekapacitet

4. En stråleenergi på mindst 65 keV og en strålestrøm på mindst 45 mA beregnet til højenergioxygenimplantering i et opvarmet halvledermateriale substrat eller

5. Konstrueret og optimeret til drift ved en stråleenergi på 20 keV eller derover og en strålestrøm på 10 mA eller derover for implantering af silicium på et halvledermateriale substrat, der er opvarmet til 600 °C eller derover

c.

Anisotropisk plasmatørætsningsudstyr med samtlige følgende egenskaber:

1. Konstrueret eller optimeret til at frembringe kritiske dimensioner på 65 nm eller derunder og

2. Waferunøjagtighed lig med eller mindre end 10 % 3σ målt med et fradrag for kant på 2 mm eller derunder

d.

Ikke anvendt

e. Tekniske noter: 1.2.

Centrale flerkammerwaferhåndteringssystemer til automatisk ilægning med samtlige følgende egenskaber: Note: 3B001.e. lægger ikke eksportkontrol på automatiske robotsystemer til waferbehandling, der er specielt beregnet til parallel behandling af wafere. I forbindelse med 3B001.e. er halvlederbearbejdningsværktøjer modulbaserede værktøjer, som anvendes til funktionelt forskellige fysiske processer i fremstillingen af halvledere, f.eks. udfældning, ætsning, implantering eller varmebehandling. I forbindelse med 3B001.e. er sekventiel behandling af flere wafere muligheden for at behandle hver enkelt wafer med forskellige halvlederbearbejdningsværktøjer, f.eks. ved at den enkelte wafer overføres fra et værktøj til et andet og derfra videre til et tredje værktøj med de centrale flerkammerwaferhåndteringssystemer til automatisk ilægning.

e.

1. Interfaces til wafer input og output, der skal forbindes med mere end to funktionelt forskellige halvlederbearbejdningsværktøjer som specificeret i 3B001.a., 3B001.b. eller 3B001.c. og er beregnet til at kunne forbindes, og

2. Beregnet til frembringelse af et integreret system i et vakuummiljø til sekventiel behandling af flere wafere

f.

3B001 Følgende litografisk udstyr:

1. Step and repeatudstyr (direkte waferstepper) eller step and scanudstyr (scanner) til positionering og eksponering i forbindelse med waferprocesser ved brug af foto-optiske eller røntgenmetoder og med en eller flere af følgende egenskaber:

1. a.

Lyskildebølgelængde kortere end 245 nm eller

b. Teknisk note:

I stand til at frembringe et mønster med en mindste detaljeopløsning (MRF) på 95 nm eller derunder. Mindste detaljeopløsning (MRF) beregnes efter følgende formel: MRFlyskildens bølgelængde i nmK-faktorblændetal hvor K-faktor = 0,35.

2. Litografisk udstyr til prægning, der kan frembringe detaljer på 95 nm eller mindre Note: 3B001.f.2. omfatter:

Mikrokontakttrykkeredskaber

Varmeprægningsredskaber

Litografiske redskaber til nanoprægning

Litografiske (S-FIL) redskaber til step-and-flash-prægning

3. Udstyr, der er specielt konstrueret til maskefremstilling eller behandling af halvlederindretninger, og som bruger direkte skrivemetoder, med alle følgende egenskaber:

3. a.

Bruger en afbøjet fokuseret elektronstråle, ionstråle eller laserstråle og

b.

En eller flere af følgende:

1. Pletstørrelse mindre end 0,2 μm

2. I stand til at frembringe et mønster med enkeltheder, der er mindre end 1 μm eller

3. Overlægningsnøjagtighed bedre end + 0,20 μm (3 sigma)

g.

Masker og okularmikrometre, beregnet til integrerede kredsløb, der er specificeret i 3A001

h.

Flerlagsmasker med et faseforskydningslag, der ikke er specificeret i 3B001.g., og med en af følgende egenskaber: Note: 3B001.h lægger ikke eksportkontrol på flerlagsmasker med et faseforskydningslag, der er beregnet til fremstilling af hukommelsesindretninger, der ikke er pålagt eksportkontrol iflg. 3A001.

1. Lavet på en maske substratblanket af glas specificeret med en dobbelt brydning på mindre end 7 nm/cm eller

2. Konstrueret til anvendelse med litografisk udstyr, hvor lyskildens bølgelængde er mindre end 245 nm

i.

Litografiskabeloner til prægning beregnet til integrerede kredsløb som omhandlet i 3A001.

a.

Til afprøvning af transistorers S-parametre ved frekvenser over 31,8 GHz

b.

Ikke anvendt

c.

Til prøvning af integrerede mikrobølgekredsløb, der er specificeret i 3A001.b.2.

3C Materialer 3C001 Heteroepitaksiale materialer, der består af et substrat med flere, stablede epitaksisk dyrkede lag af: Note: 3C001.d. lægger ikke eksportkontrol på et substrat med et eller flere P-type epitaksiale lag af GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP eller InGaAlP, uanset grundstoffernes sekvens, undtagen hvis det epitaksiale lag af P-type befinder sig mellem N-type-lag. 3C002 Følgende resistmaterialer samt substrater belagt med følgende resists: 3C003 Følgende organiske-uorganiske forbindelser: Note: 3C003 lægger kun eksportkontrol på forbindelser, hvis metal-, halvmetal- eller ikkemetalgrundstof er bundet direkte til kulstof i molekylets organiske del. 3C004 Hydrider af phosphor, arsen eller antimon, med en renhed der er bedre end 99,999 %, selv i fortynding med inaktive luftarter eller hydrogen. Note: 3C004 lægger ikke eksportkontrol på hydrider, der indeholder mindst 20 molprocent inaktive luftarter eller hydrogen. 3C005 Halvleder substrater af siliciumkarbid (SiC), galliumnitrid (GaN), aluminiumnitrid (AlN) eller aluminiumgalliumnitrid (AlGaN) eller ingots, boules eller andre preforms af disse materialer, med resistiviteter større end 10000 ohm-cm ved 20 °C 3C006 Substrater specificeret i 3C005 med mindst ét epitaksialt lag af siliciumcarbid, galliumnitrid, aluminiumnitrid eller aluminiumgalliumnitrid.

3C a.

Silicium (Si)

b.

Germanium (Ge)

c.

Siliciumcarbid (SiC) eller

d.

III/V-forbindelser af gallium eller indium.

a.

Følgende resists konstrueret til halvlederlitografi:

1. Positive resists, som er justeret (optimeret) til brug ved bølgelængder under 245 nm, men lig med eller større end 15 nm

2. Resists, som er justeret (optimeret) til brug ved bølgelængder under 15 nm, men større end 1 nm

b.

Alle resists, til brug med elektronstråler eller ionstråler, med en følsomhed på 0,01 mikrocoulomb/mm2 eller bedre

c.

Ikke anvendt

d.

Alle resists der er optimeret til overfladebilleddannelsesteknologi

e.

Alle resists, der er udviklet eller optimeret til brug med litografisk udstyr til prægning specificeret i 3B001.f.2., som bruger enten en termisk eller lyshærdende proces.

a.

Metalorganiske forbindelser af aluminium, gallium eller indium, med en renhed (metalbasis), der er bedre end 99,999 %

b.

Organiske arsen-, antimon- og phosphorforbindelser, med en renhed (på basis af det uorganiske grundstof), der er bedre end 99,999 %.

3D Teknisk note:

Software 3D001 Software, der er specielt udviklet til udvikling eller produktion af udstyr, der er specificeret i 3A001.b. til 3A002.g. eller 3B. 3D002 Software, der er specielt udviklet til brug af udstyr specificeret i 3B001.a.-f., 3B002 eller 3A225 3D003 Fysikbaseret simulationssoftware, der er specielt beregnet til udvikling af litografiske, ætsnings- eller udfældningsprocesser til overføring af maskemønstre til specifikke topografiske mønstre i ledere, dielektrika eller halvledere. Ved fysikbaseret i 3D003 forstås brug af beregninger til at fastlægge en række af fysiske årsags- og virkningssammenhænge på grundlag af fysiske egenskaber (f.eks. temperatur, tryk, diffusionskonstanter og halvlederegenskaber). Note: Biblioteker, konstruktionsattributter eller tilknyttede data til konstruktion af halvlederindretninger eller integrerede kredsløb betragtes som teknologi. 3D004 Software der er specielt beregnet til udvikling af udstyr, der er specificeret i 3A003. 3D101 Software, der er specielt udviklet eller ændret til brug af udstyr, der er specificeret i 3A101.b. 3D225 Software, som er specielt udviklet til at forbedre eller frigive ydelsen i frekvensomformere eller -generatorer, således at de opfylder egenskaberne i 3A225.

3E Teknologi 3E001 Teknologi, iflg. den generelle teknologinote, til udvikling eller produktion af udstyr eller materialer, der er specificeret i 3A, 3B eller 3C. Note 1: 3E001 lægger ikke eksportkontrol på teknologi til produktion af udstyr eller komponenter, der er specificeret i 3A003. Note 2: 3E001 lægger ikke eksportkontrol på teknologi til udvikling eller produktion af integrerede kredsløb, der er specificeret i 3A001.a.3-12, med samtlige følgende egenskaber: 3E002 Anden teknologi, iflg. den generelle teknologinote, end den, der er pålagt eksportkontrol iflg. 3E001, til udvikling eller produktion af et mikroprocessormikrokredsløb, mikrocomputermikrokredsløb eller en mikrocontroller mikrokredsløbskerne med en aritmetisk logikenhed med en accessbredde på mindst 32 bit og et eller flere af følgende træk eller karakteristika: Note 1: 3E002 lægger ikke eksportkontrol på teknologi til udvikling eller produktion af mikroprocessorkerner, der har alle de følgende egenskaber: Note 2: 3E002 omfatter teknologi for digitale signalprocessorer og digitale arrayprocessorer. 3E003 Anden teknologi til udvikling eller produktion af følgende: 3E101 Teknologi, iflg. den generelle teknologinote, til brug af udstyr eller software, der er specificeret i 3A001.a.1 eller 2, 3A101, 3A102 eller 3D101. 3E102 Teknologi, iflg. den generelle teknologinote, til udvikling af software, der er specificeret i 3D101. 3E201 Teknologi, iflg. den generelle teknologinote, til brug af udstyr, der er specificeret i 3A001.e.2, 3A001.e.3, 3A001.g., 3A201, 3A225-3A234. 3E225 Teknologi, i form af koder eller nøgler til at forbedre eller frigive ydelsen i en frekvensomformer eller -generator, således at den opfylder egenskaberne i 3A225.

3E a.

Anvender teknologi på mindst 0,130 μm og

b.

Indeholder flerlagsstrukturer med højst tre metallag.

a. Teknisk note:

En vektorprocessorenhed beregnet til at foretage mere end to beregninger på flydende-komma-vektorer (endimensionelle arrays på 32-bit-tal eller større tal) samtidig En vektorprocessorenhed er et processorelement med indbyggede instruktioner, der udfører multiple beregninger på flydende-komma-vektorer (endimensionelle arrays på 32-bit-tal eller større tal) samtidig og har mindst én aritmetisk logisk vektorenhed.

b.

Beregnet til at give mere end fire flydende-komma-driftsresultater på 64 bit eller derover per cyklus eller

c.

3E002 Beregnet til at give mere end fire multiplicere-akkumulere fast-komma-resultater på 16 bit pr. cyklus (f.eks. digital behandling af analog information, der tidligere er omsat til digital form, også kaldet digital signalbehandling). Note: 3E002.c. lægger ikke eksportkontrol på teknologi til multimedieudvidelser.

a.

Anvender teknologi på mindst 0,130 μm og

b.

Indeholder flerlagsstrukturer med højst fem metallag.

a.

Vakuum mikroelektroniske indretninger

b.

Heterostrukturelle elektroniske halvlederindretninger som f.eks. transistorer med høj elektronmobilitet (HEMT), heterobipolære transistorer (HBT), quantum well eller superlatticeindretninger Note: 3E003.b lægger ikke eksportkontrol på teknologi til transistorer med høj elektronmobilitet (HEMT), der opererer ved frekvenser på under 31,8 GHz, og heterobipolære transistorer (HBT), der opererer ved frekvenser på under 31,8 GHz.

c.

Superledende elektroniske indretninger

d.

Substrater af diamantfilm til elektronikkomponenter

e.

Substrater af silicon-on-insulator (SOI) til integrerede kredsløb, hvor isolatoren er siliciumdioxid

f.

Substrater af siliciumcarbid til elektronikkomponenter

g.

Elektroniske vakuumrør, der opererer ved frekvenser på 31,8 GHz eller derover.

KATEGORI 4 COMPUTERE

Note 1: Computere, beslægtet udstyr og software, der udfører funktioner i forbindelse med telekommunikation eller lokalnet, skal også bedømmes på baggrund af de i kategori 5, del 1 (Telekommunikation) specificerede ydeevnekarakteristika. Note 2: Styreenheder, der direkte forbinder busser eller kanaler i centralenheder, controllere til hovedlager eller diske, betragtes ikke som det i kategori 5, del 1 (Telekommunikation) beskrevne telekommunikationsudstyr. N.B.: For så vidt angår eksportkontrolstatus for software, der er specielt beregnet til pakkekobling, se kategori 5D001. Note 3: Computere, beslægtet udstyr eller software, der udfører kryptografiske eller kryptoanalytiske funktioner, funktioner i forbindelse med attesterbar sikkerhed på flere niveauer eller attesterbar brugerisolering, eller som begrænser elektromagnetisk kompatibilitet (EMC), skal tillige vurderes på baggrund af de i kategori 5, del 2 (Informationssikkerhed) specificerede præstationer.

4A Systemer, udstyr og komponenter 4A001 Elektroniske computere og beslægtet udstyr, med en eller flere af følgende egenskaber, herunder elektroniske samlinger og specielt konstruerede komponenter hertil: N.B.: JF. LIGELEDES 4A101. 4A003 Følgende digitale computere, elektroniske samlinger og beslægtet udstyr hertil samt specielt konstruerede komponenter hertil: Note 1: 4A003 omfatter følgende: Note 2: Eksportkontrolstatus for de digitale computere eller beslægtet udstyr, der beskrives i 4A003, afhænger af eksportkontrolstatus for andet udstyr eller systemer, såfremt: 4A004 Følgende computere samt specielt konstrueret, beslægtet udstyr, elektroniske samlinger og komponenter hertil: 4A005 Systemer, udstyr og komponenter hertil, som er specielt udviklet eller modificeret til generering, drift eller levering af, eller kommunikation med, intrusionsoftware 4A101 Analoge computere, digitale computere eller digitale differentialanalysatorer ud over dem, der er specificeret i 4A001.a.1, som er specielt robuste og konstrueret eller modificeret til brug i løftefartøjer til rumfartøjer som specificeret i 9A004 eller raketsonder som specificeret i 9A104. 4A102 Hybride computere, der er specielt konstrueret til modelforsøg, simulering eller konstruktionsintegrering af løftefartøjer til rumfartøjer, der er specificeret i 9A004, eller raketsonder, der er specificeret i 9A104. Note: Denne bestemmelse gælder kun, hvis udstyret leveres sammen med software, der er specificeret i 7D103 eller 9D103.

4A a.

Specielt udviklet til at have en eller flere af følgende egenskaber:

1. Normeret til drift ved en omgivelsestemperatur under 228 K (-45 °C) eller over 358 K (85 °C) eller N.B.: 4A001.a.1 lægger ikke eksportkontrol på computere, der er specielt konstrueret til anvendelse i civile motorkøretøjer, civile jernbaner eller civile fly.

2. Bedre strålebeskyttelse end svarende til en eller flere af følgende specifikationer: a. Total dosis 5 × 103 Gy (silicium) b. Dosisændring ved forstyrrelse 5 × 106 Gy (silicium)/s eller c. Enkelt forstyrrelse 1 × 10-8 Fejl/bit/dag Note: 4A001.a.2 lægger ikke eksportkontrol på computere, der er specielt konstrueret til anvendelse i civile fly.

b.

Anvendes ikke.

Vektorprocessorer

Arrayprocessorer

Digitale signalprocessorer (DSP)

Logikprocessorer

Udstyr til billedforbedring

Udstyr til signalbehandling.

a.

De digitale computere eller det beslægtede udstyr er væsentligt for driften af andet udstyr eller systemer

b.

De digitale computere eller det beslægtede udstyr ikke er et hovedelement i andet udstyr eller systemer og N.B. 1: Eksportkontrolstatus for signalbehandlings- eller billedforbedrings-udstyr, som er specielt konstrueret til andet udstyr, med funktioner, der er begrænset til dem, der kræves for det andet udstyr, afhænger af det andet udstyrs eksportkontrolstatus, selv om det overstiger hovedelement-kriteriet. N.B. 2: For så vidt angår eksportkontrolstatus for digitale computere eller beslægtet udstyr til telekommunikationsudstyr, se kategori 5, del 1 (Telekommunikation).

c.

Teknologi til digitale computere og beslægtet udstyr er omfattet af 4E.

a.

Ikke anvendt

b.

Digitale computere med en justeret spidsydeevne (APP) på mere end 8,0 vægtede teraflops (WT)

c.

4A003 Elektroniske samlinger, der er specielt konstrueret eller modificeret for at kunne forbedre processorers ydelse ved sammenlægning, således at de efter sammenlægningen har en APP, der er større end den i 4A003.b. specificerede grænse Note 1: 4A003.c. lægger kun eksportkontrol på elektroniske samlinger og programmerbare forbindelser, der ikke overstiger de grænser, der er specificeret i 4A003.b., hvis de afsendes som ikke integrerede elektroniske samlinger, men lægger ikke eksportkontrol på elektroniske samlinger, der som en naturlig følge af deres konstruktion er begrænset til brug som beslægtet udstyr, der er pålagt eksportkontrol iflg. 4A003.e. Note 2: 4A003.c lægger ikke eksportkontrol på elektroniske samlinger, der er specielt konstrueret til et produkt eller en familie af produkter, hvis maksimale konfiguration ikke overstiger de grænser, der er specificeret i 4A003.b.

d.

Ikke anvendt

e.

Udstyr, der udfører analog-til-digital konvertering, der overstiger de grænser, der er specificeret i 3A001.a.5.

f.

Ikke anvendt

g.

Udstyr, der er specielt konstrueret til at aggregere digitale computeres ydeevne ved at give mulighed for eksterne forbindelser, hvilket muliggør kommunikation med envejsdatahastigheder over 2,0 Gbyte/s pr. link. Note: 4A003.g lægger ikke eksportkontrol på udstyr til intern forbindelse (såsom backplane og bus), passivt forbindelsesudstyr, network access controller eller kommunikationskanalcontrollere.

a.

Systoliske array computere

b.

Neurale computere

c.

Optiske computere.

4B Prøve-, inspektions- og produktionsudstyr Ingen.

4C Materialer Ingen.

4D Software Note: Eksportkontrolstatus for software til det udstyr, der er beskrevet i andre kategorier, behandles i pågældende kategori. 4D 4D001 Software som følger: 4D002 Software, der er specielt beregnet eller modificeret til at understøtte teknologi, der er specificeret i 4E. 4D003 Anvendes ikke. 4D004 Software specielt beregnet eller modificeret til generering, drift eller levering af, eller kommunikation med, intrusionsoftware.

4D a.

Software, der er specielt beregnet eller modificeret til udvikling eller produktion af udstyr, eller software, der er specificeret i 4A001-4A004 eller 4D.

b.

Software, bortset fra den, der er specificeret i 4D001.a, der er specielt beregnet eller modificeret til udvikling eller produktion af følgende udstyr:

1. Digitale computere med en justeret spidsydeevne (APP) på mere end 0,60 vægtede teraflops (WT)

2. Elektroniske samlinger, der er specielt konstrueret eller modificeret for at kunne forbedre deres ydelse ved sammenlægning af processorer, således at de efter sammenlægningen har en APP, der er større end den i 4D001.b.1 specificerede grænse.

4E Teknologi 4E001

4E a.

Teknologi, iflg. den generelle teknologinote, til udvikling, produktion eller brug af udstyr eller software, der er specificeret i 4A eller 4D

b.

Teknologi bortset fra den, der er specificeret i 4E001.a, der er specielt beregnet eller modificeret til udvikling eller produktion af følgende udstyr:

1. Digitale computere med en justeret spidsydeevne (APP) på mere end 0,60 vægtede teraflops (WT)

2. Elektroniske samlinger, der er specielt konstrueret eller modificeret for at kunne forbedre deres ydelse ved sammenlægning af processorer, således at de efter sammenlægningen har en APP, der er større end den i 4E001.b.1 specificerede grænse.

c.

Teknologi til udvikling af intrusionsoftware.

TEKNISK NOTE VEDRØRENDE JUSTERET SPIDSYDEEVNE (APP)

APP er en justeret maksimal hastighed, hvormed digitale computere udfører additioner og multiplikationer med flydende komma på 64 bits eller mere. APP udtrykkes i vægtede teraflops (WT), i enheder af 1012 justerede operationer med flydende komma pr. sekund.

Forkortelser i denne tekniske note

n antal processorer i den digitale computer i processornummer (i, …n) ti processorcyklustid (ti = 1/Fi) Fi processorfrekvens Ri maksimal regnehastighed med flydende komma Wi arkitekturjusteringsfaktor

APP-beregningsmetoden i korte træk 1.2.3.4. Teknisk note:

Beregn for hver processor i det maksimale antal 64 bit- eller større operationer med flydende komma (FPOi), der ydes pr. cyklus for hver processor i den digitale computer. Note: Ved beregningen af FPO medtages kun additioner og multiplikationer med flydende komma på 64 bits eller mere. Alle operationer med flydende komma skal udtrykkes i operationer pr. processorcyklus; operationer, der kræver flere cyklusser, kan udtrykkes i fraktionerede resultater pr. cyklus. For processorer, der ikke er i stand til at udføre udregninger med operander med flydende komma på 64 bits eller mere, er den effektive regnehastighed R lig nul. Udregn hastigheden med flydende komma R for hver processor Ri = FPOi/ti. Udregn APP som APP = W1 × R1 + W2 × R2 + … + Wn × Rn. For vektorprocessorer, Wi = 0,9. For ikke vektorprocessorer, Wi = 0,3. Note 1: For processorer, der udfører blandede operationer i en cyklus, f.eks. addition og multiplikation, tælles hver operation med. Note 2: For en processor med pipeline er den effektive regnehastighed R den største værdi af hastigheden ved udførelse med pipeline, når pipelinen er fuld, eller hastigheden uden pipeline. Note 3: Regnehastigheden R for hver medvirkende processor skal beregnes til den maksimalværdi, der er teoretisk mulig før kombinationens APP udledes. Samtidige operationer antages at finde sted, når computerens producent opgiver concurrent, parallel eller simultaneous operation eller udførelse i en manual eller brochure for computeren. Note 4: Processorer, der er begrænset til input/output og ydre funktioner (f.eks. diskdrev, display for kommunikation og video), er ikke omfattet ved beregningen af APP. Note 5: APP-værdier beregnes ikke for processorkombinationer, der er (indbyrdes) forbundet via lokalnet (LAN), fjernnet (WAN), fælles input/outputforbindelser/indretninger, input/outputkontrolenheder eller enhver form for softwareimplementeret kommunikationsforbindelse. Note 6: APP-værdier skal beregnes for: Alle processorer og acceleratorer, der opererer samtidig på den samme skive, lægges sammen. Note 7: En vektorprocessor defineres som en processor med indbyggede instruktioner, der udfører multiple udregninger med vektorer med flydende komma (éndimensionale arrays på 64 bits eller mere) samtidig, og som har mindst 2 vektorfunktionelle enheder og mindst 8 vektorregistre på mindst 64 elementer hvert.

korte træk 1.2.3.4.

1. Processorkombinationer indeholdende processorer, der er specielt konstrueret til forbedring af ydelsen ved samling, samtidig kørsel eller fælles hukommelse, eller

2. Multipel hukommelse/processorkombinationer, der kører samtidig ved hjælp af særligt konstrueret hardware.

KATEGORI 5 TELEKOMMUNIKATION OG INFORMATIONSSIKKERHED

DEL 1 TELEKOMMUNIKATION

5A1 Teknisk note:

Systemer, udstyr og komponenter 5A001 Telekommunikationssystemer, -udstyr, komponenter og tilbehør som følger: 5A101 Fjernmålings- og fjernstyringsudstyr, herunder jordbaseret udstyr, der er konstrueret eller modificeret til missiler. Ved missiler forstås i 5A101 komplette raketsystemer og ubemandede luftfartøjssystemer med en rækkevidde på over 300 km. Note: 5A101 lægger ikke eksportkontrol på:

5A1 a.

Enhver type telekommunikationsudstyr med en eller flere af følgende egenskaber, funktioner eller karakteristika: Note: 5A001.a.2 og 5A001.a.3 lægger ikke eksportkontrol på udstyr, der er konstrueret eller modificeret med henblik på anvendelse i satellitter.

1. Specielt konstrueret til at modstå transiente elektroniske påvirkninger eller elektromagnetiske impulser fra en atomeksplosion

2. Specielt modstandsdygtige mod gamma-, neutron- eller ionstråling eller

3. Specielt konstrueret til at operere uden for temperaturområdet 218 K (- 55 °C) to 397 K (124 °C) Note: 5A001.a.3 finder kun anvendelse på elektronisk udstyr.

b.

Telekommunikationssystemer og -udstyr, og specielt konstruerede komponenter og tilbehør hertil, med en eller flere af følgende egenskaber, funktioner eller karakteristika:

1. Er utilkoblet undervandskommunikationsudstyr og har en eller flere af følgende egenskaber:

1. a.

En akustisk bærefrekvens uden for området 20 kHz-60 kHz

b.

Anvender en elektromagnetisk bærefrekvens på under 30 kHz

c.

Anvender teknik til elektronisk styring af stråleretning eller

d.

Anvender lasere eller lysemitterende dioder (LED) med udgangsbølgelængde på over 400 nm og under 700 nm, i et lokalnet

2. Er radioudstyr, der opererer i 1,5 til 87,5 MHz-båndet og har alle følgende egenskaber:

2. a.

Automatisk forudsigelse og valg af frekvenser og totale digitale overføringshastigheder pr. kanal til optimering af transmissionen og

b.

Omfatter en lineær effektforstærkerkonfiguration med evne til at understøtte multiple signaler samtidigt ved en udgangseffekt på 1 kW eller mere i 1,5 til 30 MHz-frekvensområdet eller 250 W eller mere i 30 til 87,5 MHz-frekvensområdet, over en momentan båndbredde på én oktav eller mere og med et harmonisk og forvrængningsindhold i udgangen, der er bedre end -80 dB

3. Er radioudstyr, der anvender andre teknikker med spredt spektrum, herunder frekvenshop-teknikker, end dem, der er specificeret i 5A001.b.4. og med en eller flere af følgende egenskaber: Note: 5A001.b.3 lægger ikke eksportkontrol på udstyr, der er konstrueret til at fungere med en udgangseffekt på højst 1 W.

3. a.

Brugerprogrammerbare spredekoder eller

b.

Total transmitteret båndbredde, der er mindst 100 gange båndbredden for nogen enkelt informationskanal, og over 50 kHz Note: 5A001.b.3.b lægger ikke eksportkontrol på radioudstyr, der er specielt konstrueret til anvendelse med følgende:

a.

Civile mobiltelefonisystemer eller

b.

Faste eller mobile satellitjordstationer til kommerciel civil telefoni.

4. 5A001 b. Er radioudstyr, der anvender teknikker med ultrabredbåndsmodulation med brugerprogrammerbare kanaliseringskoder, krypteringskoder eller netværksidentifikationskoder og med en eller flere af følgende egenskaber:

4. a.

Båndbredde på over 500 MHz eller

b.

En relativ båndbredde på mindst 20 %

5. Tekniske noter:

Er digitalt styrede radiomodtagere, der har alle følgende egenskaber: Note: 5A001.b.5 lægger ikke eksportkontrol på radioudstyr, der er specielt konstrueret til anvendelse med civile mobiltelefonisystemer. Kanalskiftetid er den tid (dvs. forsinkelse) det tager at skifte fra en modtagefrekvens til en anden, for at nå til eller inden for ± 0,05 % af den endelige specificerede modtagefrekvens. Produkter med et specificeret frekvensområde på under ± 0,05 % omkring deres centerfrekvens kan pr. definition ikke skifte kanal.

5. a.

Mere end 1000 kanaler

b.

Har en kanalskiftetid på mindre end 1 ms

c.

Automatisk søgning eller scanning af en del af det elektromagnetiske spektrum og

d.

Identifikation af de modtagne signaler eller sendertype eller

6. Teknisk note: 1.2.

Anvender digitale signalbehandlings funktioner, som yder talekodnings output på hastigheder på mindre end 2400 bit/s For talekodning med variabel hastighed finder 5A001.b.6 anvendelse på talekodnings output for vedvarende tale. I 5A001.b.6. defineres talekodning som en teknik til at udtage prøver af den menneskelige stemme og konvertere disse prøver til et digitalt signal under hensyntagen til den menneskelige tales særlige kendetegn.

c. Teknisk note:

Optiske fibre af en længde på mere end 500 m, som efter fabrikantens specifikationer er i stand til at modstå en trækprøvning på 2 × 109 N/m2 eller mere N.B.: For så vidt angår undervandsforbindelseskabler, jf. 8A002.a.3. Prøvning: Online- eller offlineproduktionsprøvning, som dynamisk påfører en foreskrevet trækspænding over 0,5 til 3 m af en fiber ved en løbehastighed på 2 til 5 m/s, mens den passerer mellem ruller, der er ca. 150 mm i diameter. Omgivelsestemperaturen er nominelt 293 K (20 °C) og den relative fugtighed 40 %. Tilsvarende nationale standarder kan anvendes ved gennemførelsen af denne prøvning.

d.

Elektronisk drejelige fasede retningsantennesystemer, der opererer over 31,8 GHz Note: 5A001.d lægger ikke eksportkontrol på elektronisk drejelige fasede retningsantennesystemer til landingssystemer med instrumenter, der overholder standarder fra International Civil Aviation Organisation vedrørende mikrobølgelandingssystemer (MLS).

e.

5A001 Radiopejleudstyr, som opererer ved frekvenser på mere end 30 MHz, og som har samtlige følgende egenskaber, samt specielt konstruerede komponenter dertil:

1. Øjeblikkelig båndbredde på 10 MHz eller derover og

2. I stand til at finde en pejlelinje (LOB) til ikkesamarbejdende radiosendere med en signalvarighed på mindre end 1 ms

f.

Udstyr til aflytning af telekommunikation, eller jammingudstyr, og overvågningsudstyr hertil som følger, og specielt designede komponenter hertil: Note: 5A001.f.1. og 5A001.f.2. lægger ikke eksportkontrol på følgende: N.B. 1: JF. LIGELEDES KONTROLBESTEMMELSERNE FOR PRODUKTER TIL MILITÆRE FORMÅL. N.B. 2: For radiomodtagere, se 5A001.b.5.

1. Aflytningsudstyr beregnet til udtræk af tale eller data, som sendes via radiogrænsefladen

2. Aflytningsudstyr, som ikke er specificeret i 5A001.f.1, som er beregnet til udtræk identifikatorer for kunders apparater eller abonnementer (f.eks. IMSI, TIMSI or IMEI), signalering eller andre metadata, der sendes via luftgrænsefladen

3. Jammingudstyr, der er specielt konstrueret eller modificeret til forsætligt og selektivt at interferere med, afvise, hæmme, ødelægge eller bortlede mobile telekommunikationstjenester, og som har en eller flere af følgende funktioner:

3. a.

Simulering af funktionerne i udstyr til Radio Access Network (RAN)

b.

Detektering og udnyttelse af specifikke karakteristika ved den anvendte protokol til mobil kommunikation (f.eks. GSM) eller

c.

Udnyttelse af specifikke karakteristika ved den anvendte protokol til mobil kommunikation (f.eks. GSM)

4. RF-overvågningsudstyr, som er konstrueret eller modificeret til at identificere driften af produkter specificeret i 5A001.f.1., 5A001.f.2. eller 5A001.f.3.

a.

Udstyr, der er specielt konstrueret til aflytning af analoge private mobilradioer (PMR), IEEE 802.11 WLAN

b.

Udstyr, der er konstrueret til mobile telekommunikationsnetværksoperatører eller

c.

Udstyr, der er konstrueret til udvikling eller produktion af udstyr eller systemer til mobil telekommunikation.

g. Teknisk note:

Passive kohærente stedbestemmelsessystemer eller -udstyr (PCL) specielt beregnet til detektion og sporing af objekter i bevægelse ved måling af reflektioner af radiofrekvensemissioner i atmosfæren fra ikkeradarsendere Ikkeradarsendere kan omfatte kommercielle radio-, tv- eller mobiltelefonbasestationer. Note: 5A001.g lægger ikke eksportkontrol på følgende:

a.

Radioastronomisk udstyr eller

b.

Systemer eller udstyr, der kræver radiotransmission fra målet.

h.

5A001 Følgende udstyr til bekæmpelse af improviseret eksplosiv anordning (IED) og beslægtet udstyr: N.B.: JF. LIGELEDES KONTROLBESTEMMELSERNE FOR PRODUKTER TIL MILITÆRE FORMÅL.

1. Radiofrekvens-(RF)-sendeudstyr, som ikke er specificeret i 5A001.f, der er konstrueret eller modificeret til at forårsage tidlig aktivering eller hindre initiering af improviserede eksplosive anordninger.

2. Udstyr, der benytter teknikker beregnet til at muliggøre radiokommunikation på samme frekvenskanaler, som udstyr på samme sted, der er specificeret i 5A001.h.1 sender på.

i.

Ikke anvendt

j. Teknisk note:

Internetprotokolnetbaserede (IP-net) kommunikationsovervågningssystemer eller udstyr, og specielt konstruerede komponenter hertil, med alle følgende egenskaber: Note: 5A001.j lægger ikke eksportkontrol på systemer og udstyr, der er specielt konstrueret til følgende: Hard selctors er data eller datasæt vedrørende en person (f.eks. efternavn, fornavn, e-mail, adresse, telefonnr. eller gruppetilhørsforhold).

j.

1. Udfører alle følgende funktioner i et carrier class-internetprotokolnet (IP-net) (f.eks. national IP-backbone)

1. a.

Analyse i applikationslaget (f.eks. lag 7 i modellen for sammenkobling af åbne systemer (OSI) (ISO/IEC 7498-1)

b.

Udtræk af udvalgte metadata og applikationsindhold (f.eks. stemmer, videoer, beskeder, vedhæftede filer) og

c.

Indeksering af udtrukne data og

2. Specielt udviklet til at udføre en eller flere af følgende funktioner:

2. a.

Udfører søgninger på basis af hard selectors og

b.

Kortlægge en enkeltpersons eller en gruppe af menneskers sociale netværk.

a.

Markedsføring

b.

Network Quality of Service (QoS); eller

c.

Quality of Experience (QoE).

5A1 Teknisk note: a.

Udstyr, der er konstrueret eller modificeret til bemandede luftfartøjer eller satellitter

b.

Jordbaseret udstyr, der er konstrueret eller modificeret til anvendelse på landjorden eller til søs

c.

Udstyr, der er konstrueret til kommercielle, civile eller Safety of Life (f.eks. dataintegritet, flysikkerhed) GNSS-tjenester.

5B1 a.

Udstyr og særligt konstruerede komponenter og tilbehør hertil, konstrueret med særligt henblik på udvikling eller produktion af udstyr, funktioner eller karakteristika, der er specificeret i 5A001 Note: 5B001.a lægger ikke eksportkontrol på udstyr til karakterisering af optiske fibre.

b.

1. Ikke anvendt

2. a.

Transmissionsbølgelængde over 1750 nm

b.

Udfører optisk forstærkning under anvendelse af praseodymdopede fluoridfiberforstærkere (PDFFA)

1286 bestemmelser mere vises ikke her; hver har sin egen adresse.

Versioner

1. 2014-10-22