Κατ’ εξουσιοδότηση κανονισμός (ΕΕ) αριθ. 1382/2014 της Επιτροπής της 22ας Οκτωβρίου 2014 για την τροποποίηση του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 428/2009 του Συμβουλίου περί κοινοτικού συστήματος ελέγχου των εξαγωγών, της μεταφοράς, της μεσιτείας και της διαμετακόμισης ειδών διπλής χρήσης

In forceVersion 2014-10-22from 2014-12-31

Grade B

mapped from publisher markup. A grade says how a document's structure was obtained, not how reliable the law is.

Ask Gelex about this law

Address https://gelex.eu/eli/EU/act/2014/1382@2014-10-22/el

Contents

Preamble
ANNEX
ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ I Κατάλογος αναφερόμενος στο άρθρο 3 του παρόντος κανονισμού
ΚΑΤΑΛΟΓΟΣ ΕΙΔΩΝ ΔΙΠΛΗΣ ΧΡΗΣΗΣ
α.
1. α.
β.
γ.
ΑΚΡΩΝΥΜΙΑ Ή ΣΥΝΤΟΜΟΓΡΑΦΙΕΣ ΠΟΥ ΧΡΗΣΙΜΟΠΟΙΟΥΝΤΑΙ ΣΤΗΝ ΕΠΙΣΗΜΗ ΕΦΗΜΕΡΙΔΑ ΤΗΣ ΕΥΡΩΠΑΪΚΗΣ ΕΝΩΣΗΣ
δ.
ε.
στ.
ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 0 ΠΥΡΗΝΙΚΑ ΥΛΙΚΑ, ΕΓΚΑΤΑΣΤΑΣΕΙΣ ΚΑΙ ΕΞΟΠΛΙΣΜΟΣ
0A α.
0B Τεχνική παρατήρηση:
0B α.
7. α.
13. α.
14. α.
5. α.
6. α.
0C α.
ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 1 ΕΙΔΙΚΑ ΥΛΙΚΑ ΚΑΙ ΣΥΝΑΦΗΣ ΕΞΟΠΛΙΣΜΟΣ
1A Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση:
1A α.
1. α.
4. α.
1A Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. α.
1A Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. α.
1A Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνική παρατήρηση: α.
1B Τεχνική παρατήρηση: 1.2. Τεχνική παρατήρηση:
1B α.
1B Τεχνική παρατήρηση: 1.2. α.
α.
β.
γ.
1C Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση 1: Τεχνική παρατήρηση 2: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3.
1C Τεχνική παρατήρηση: α.
α.
β.
γ.
1. Τεχνική παρατήρηση:
1. α.
δ.
1C Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3. α.
1. α.
2. α.
3. α.
4. α.
5. α.
1. Τεχνική παρατήρηση:
1C Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3. Τεχνική παρατήρηση: α.
1. Τεχνική παρατήρηση:
2. Τεχνική παρατήρηση:
3. α.
1. α.
1C Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση:
4. α.
1. α.
2. α.
1C Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: 1.2. α.
α.
β.
γ.
δ.
1C Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. δ.
1. α.
2. α.
α.
β.
α. 1C011 α.Τεχνική παρατήρηση:
1C Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνική παρατήρηση: α.
α.
β.
1C Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α.
1. Τεχνική παρατήρηση:
2. α. Τεχνική παρατήρηση:
3. α.
4. α.
5. Τεχνική παρατήρηση:
5. α.
6. α.
1C Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση 1:
1C Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση 1: Τεχνική παρατήρηση 2: α.
1. α.
2. α.
1C Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση 1: Τεχνική παρατήρηση 2: Τεχνική παρατήρηση: α.
1C Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση 1: Τεχνική παρατήρηση 2: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α.
1C Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση 1: Τεχνική παρατήρηση 2: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α.
1C Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση 1: Τεχνική παρατήρηση 2: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α.
1C Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση 1: Τεχνική παρατήρηση 2: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α.
1C Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση 1: Τεχνική παρατήρηση 2: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α.
4. α.
6. Τεχνική παρατήρηση:
5. α.
1E α.
1. α.
3. α.
ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 2 ΕΠΕΞΕΡΓΑΣΙΑ ΥΛΙΚΩΝ
2A Τεχνική παρατήρηση:
2A α.
2. α.
2B Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3.4.5.6. Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.
2B Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. α.
2B Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3.4.5. α.
2B Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3.4.5.6. α.
α.
β.
1. α.
2. α.
4. α.
γ.
2B Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3.4.5.6. Τεχνικές παρατηρήσεις:
2B Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3.4.5.6. Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: α.
1. α.
2. α.
1. Τεχνική παρατήρηση:
1. α.
2. α.
2B Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3.4.5.6. Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α.
2B Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3.4.5.6. Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α.
2B Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3.4.5.6. Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α.
1. α.
α.
β.
2B Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3.4.5.6. Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α. Τεχνική παρατήρηση:
2B Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3.4.5.6. Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: α.
2B Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3.4.5.6. Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: α.
2B Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3.4.5.6. Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. α.
2B Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3.4.5.6. Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. α.
1. α.
2. α.
3. α.
α.
β.
γ.
δ.
ε.
στ.
ζ.
η.
θ.
2. α.
1. α.
2D α.
2E Πίνακας 1.2.3.A.B.B.1.B.2.B.3.B.4.Γ.Δ.E.ΣΤ.Ζ. Τεχνικές Εναπόθεσης
2E α.
1. α.
2. α.
α.
β.
γ.
δ.
ε.
στ.
ζ.
ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 3 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ
3A Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.
3A α.
1. α.
2. α.
5. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3.4.5.6.7.8.9. 3A001 α. 5.Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3.4.
5. α.
5. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3.4.5.6.7.8.9. β.
2. α.
6. α.
7. 3A001 α. 7.Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3.
7. α.
10. α.
11. α.
12. Τεχνική παρατήρηση:
13. Τεχνική παρατήρηση:
13. α.
4. α.
3. α.
4. α.
3. Τεχνική παρατήρηση:
8. α.
9. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.
9. α.
10. Τεχνική παρατήρηση:
1. Τεχνική παρατήρηση:
1. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3.4.
4. Τεχνική παρατήρηση:
5. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.
6. Τεχνική παρατήρηση:
3. Τεχνική Σημείωση:
3A Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. α.
1. α.
2. α.
3A Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. α.
3A Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. α.
3B α.
1. α.
3. α.
3C α.
3D Τεχνική παρατήρηση:
3E α.
ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 4 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΕΣ
4A α.
4D α.
4E α.
Χρησιμοποιούμενες στην παρούσα τεχνική παρατήρηση συντμήσεις
Η μέθοδος υπολογισμού της APP σε αδρές γραμμές 1.2.3.4. Τεχνική παρατήρηση:
Η μέθοδος υπολογισμού της APP σε αδρές γραμμές 1.2.3.4.
ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 5 ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ ΚΑΙ ΑΣΦΑΛΕΙΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΩΝ
ΜΕΡΟΣ 1 ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ
5A1 Τεχνική παρατήρηση:
5A1 α.
1. α.
2. α.
3. α.
α.
β.
4. α.
5. Τεχνικές παρατηρήσεις:
5. α.
6. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.
α.
β.
γ.
5B1 α.
2. α.

Η ΕΥΡΩΠΑΪΚΗ ΕΠΙΤΡΟΠΗ,

Έχοντας υπόψη τη Συνθήκη για τη λειτουργία της Ευρωπαϊκής Ένωσης,

Έχοντας υπόψη τον κανονισμό (ΕΚ) αριθ. 428/2009 του Συμβουλίου, της 5ης Μαΐου 2009, περί κοινοτικού συστήματος ελέγχου των εξαγωγών, της μεταφοράς, της μεσιτείας και της διαμετακόμισης ειδών διπλής χρήσης, και ιδίως το άρθρο 15 παράγραφος 3,

Εκτιμώντας τα ακόλουθα:

(1) Βάσει του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 428/2009 του Συμβουλίου, τα είδη διπλής χρήσης πρέπει να υπόκεινται σε αποτελεσματικό έλεγχο όταν εξάγονται από την Ένωση ή διαμετακομίζονται μέσω της Ένωσης, ή παραδίδονται σε τρίτη χώρα ως αποτέλεσμα υπηρεσιών μεσιτείας οι οποίες παρέχονται από μεσίτη που είναι κάτοικος της Ένωσης ή εδρεύει στην Ένωση.

(2) Το παράρτημα I του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 428/2009 θεσπίζει τον κοινό κατάλογο των ειδών διπλής χρήσης τα οποία υπόκεινται σε ελέγχους στην Ένωση. Οι αποφάσεις για τα είδη που υπόκεινται σε ελέγχους λαμβάνονται εντός του πλαισίου της Ομάδας της Αυστραλίας, του Καθεστώτος Ελέγχου Πυραυλικής Τεχνολογίας, της ομάδας πυρηνικών προμηθευτών, της ρύθμισης του Wassenaar και της σύμβασης για τα χημικά όπλα.

(3) Ο κατάλογος ειδών διπλής χρήσης που παρατίθεται στο παράρτημα I του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 428/2009 πρέπει να επικαιροποιείται τακτικά, ώστε να διασφαλίζεται η πλήρης τήρηση των διεθνών υποχρεώσεων ασφαλείας και η διαφάνεια καθώς και να διατηρείται η ανταγωνιστικότητα των εξαγωγέων. Για να διευκολυνθούν οι αναφορές για τις αρχές ελέγχου των εξαγωγών και τους οικονομικούς παράγοντες, θα πρέπει να δημοσιευθεί επικαιροποιημένη και ενοποιημένη έκδοση του παραρτήματος I του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 428/2009.

(4) Ο κανονισμός (ΕΚ) αριθ. 428/2009 εξουσιοδοτεί την Επιτροπή να επικαιροποιήσει τον κατάλογο των ειδών διπλής χρήσης που καθορίζονται στο παράρτημα I με κατ’ εξουσιοδότηση πράξεις, σύμφωνα με τις συναφείς υποχρεώσεις και δεσμεύσεις, και τις τυχόν τροποποιήσεις αυτών, που έχουν αναλάβει τα κράτη μέλη ως συμβαλλόμενα μέρη των διεθνών καθεστώτων μη διάδοσης και διευθετήσεων ελέγχου των εξαγωγών ή με την κύρωση των οικείων διεθνών συνθηκών.

(5) Συνεπώς, ο κανονισμός (ΕΚ) αριθ. 428/2009 θα πρέπει να τροποποιηθεί αναλόγως,

ΕΞΕΔΩΣΕ ΤΟΝ ΠΑΡΟΝΤΑ ΚΑΝΟΝΙΣΜΟ:

Άρθρο 1 Το παράρτημα I του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 428/2009 αντικαθίσταται από το κείμενο που περιλαμβάνεται στο παράρτημα του παρόντος κανονισμού.

Άρθρο 2 Ο παρών κανονισμός αρχίζει να ισχύει την επομένη της δημοσίευσής του στην Επίσημη Εφημερίδα της Ευρωπαϊκής Ένωσης.

Ο παρών κανονισμός είναι δεσμευτικός ως προς όλα τα μέρη του και ισχύει άμεσα σε κάθε κράτος μέλος. Βρυξέλλες, 22 Οκτωβρίου 2014. Για την Επιτροπή Ο Πρόεδρος José Manuel Barroso

ANNEX

ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ

ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ I Κατάλογος αναφερόμενος στο άρθρο 3 του παρόντος κανονισμού

ΚΑΤΑΛΟΓΟΣ ΕΙΔΩΝ ΔΙΠΛΗΣ ΧΡΗΣΗΣ

Ο παρών κατάλογος αποτελεί τεχνική εφαρμογή για τους διεθνώς συμφωνημένους ελέγχους των προϊόντων διπλής χρήσης, όπου περιλαμβάνονται η Ρύθμιση του Wassenaar, το Καθεστώς Ελέγχου Πυραυλικής Τεχνολογίας (MTCR), η Ομάδα Πυρηνικών Προμηθευτών (NSG), η Ομάδα της Αυστραλίας και η σύμβαση για τα Χημικά Όπλα (CWC).

ΓΕΝΙΚΕΣ ΠΑΡΑΤΗΡΗΣΕΙΣ ΣΤΟ ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ I 1.2.3.4.

Για τον έλεγχο των προϊόντων που προορίζονται ή έχουν τροποποιηθεί για στρατιωτική χρήση βλέπε τον ή τους σχετικούς καταλόγους ελέγχων στρατιωτικών προϊόντων οι οποίοι διατηρούνται από τα κράτη μέλη. Οι αναφορές στο παράρτημα ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ αφορούν τους καταλόγους αυτούς. Ο στόχος των ελέγχων που περιλαμβάνονται στο παρόν παράρτημα δεν πρέπει να παραβιάζεται με την εξαγωγή οποιωνδήποτε μη ελεγχόμενων προϊόντων (συμπεριλαμβανομένων και των εγκαταστάσεων) που περιέχουν ένα ή περισσότερα ελεγχόμενα κατασκευαστικά μέρη, όταν το ελεγχόμενο κατασκευαστικό μέρος ή μέρη αποτελούν κύρια στοιχεία των προϊόντων και είναι δυνατόν να αφαιρεθούν ή να χρησιμοποιηθούν για άλλους σκοπούς. ΣΗΜ.: Για να κριθεί κατά πόσο ένα κατασκευαστικό μέρος ή μέρη πρέπει να θεωρούνται κύριο στοιχείο, είναι αναγκαίο να σταθμισθούν οι παράγοντες της ποσότητας, της αξίας και της τεχνογνωσίας που υπεισέρχονται καθώς και άλλες ειδικές συνθήκες που δύνανται να καταστήσουν το ελεγχόμενο κατασκευαστικό μέρος ή μέρη κύριο στοιχείο των προϊόντων που παράγονται. Τα προϊόντα που απαριθμούνται στο παρόν παράρτημα περιλαμβάνουν τόσο νέα όσο και μεταχειρισμένα προϊόντα. Σε ορισμένες περιπτώσεις, οι χημικές ουσίες αναφέρονται με το όνομά τους και τον αριθμό CAS. Ο κατάλογος έχει εφαρμογή στις χημικές ουσίες με τον ίδιο συντακτικό τύπο, συμπεριλαμβανομένων των ενυδατωμένων τους μορφών, ανεξαρτήτως ονόματος ή αριθμού CAS. Οι αριθμοί CAS παρατίθενται για να διευκολύνουν τον προσδιορισμό μιας συγκεκριμένης ουσίας ή μείγματος, ανεξαρτήτως ονοματολογίας. Οι αριθμοί CAS δεν μπορούν να χρησιμοποιηθούν ως μοναδικοί κωδικοί ταυτότητας, διότι ορισμένες μορφές της αναγραφόμενης ουσίας έχουν διαφορετικούς αριθμούς CAS, ενώ και τα μείγματα που περιέχουν μια αναγραφόμενη ουσία μπορεί να έχουν διαφορετικούς αριθμούς CAS.

ΣΗΜΕΙΩΣΗ ΠΥΡΗΝΙΚΗΣ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ (ΝΤΝ)

(Να διαβαστεί σε σχέση με το τμήμα Ε της κατηγορίας 0.) Η τεχνολογία που συνδέεται άμεσα με οποιοδήποτε από τα προϊόντα που υπάγονται στην κατηγορία 0 ελέγχεται σύμφωνα με τις διατάξεις της κατηγορίας 0. Η τεχνολογία για την ανάπτυξη, παραγωγή ή χρήση ελεγχόμενων προϊόντων παραμένει υπό έλεγχο ακόμα και αν είναι δυνατόν να χρησιμοποιηθεί και στην περίπτωση μη ελεγχόμενων προϊόντων. Η έγκριση εξαγωγής προϊόντων επιτρέπει επίσης την εξαγωγή στον ίδιο τελικό χρήστη της ελάχιστης τεχνολογίας που απαιτείται για την εγκατάσταση, τη λειτουργία, τη συντήρηση και την επισκευή αυτών των προϊόντων. Οι έλεγχοι που αφορούν τη μεταφορά τεχνολογίας δεν εφαρμόζονται στις πληροφορίες ελευθέρας χρήσεως ή στη βασική επιστημονική έρευνα.

ΓΕΝΙΚΗ ΣΗΜΕΙΩΣΗ ΠΕΡΙ ΤΕΧΝΟΛΟΓΙΑΣ (GTN)

(Να διαβαστεί σε σχέση με το τμήμα Ε των κατηγοριών 1 έως 9.) Η εξαγωγή τεχνολογίας η οποία απαιτείται για την ανάπτυξη, την παραγωγή ή τη χρήση ελεγχόμενων προϊόντων των κατηγοριών 1 έως 9, ελέγχεται σύμφωνα με τις διατάξεις των κατηγοριών 1 έως 9. Η τεχνολογία που απαιτείται για την ανάπτυξη, παραγωγή ή τη χρήση ελεγχόμενων προϊόντων, παραμένει υπό έλεγχο ακόμα και όταν εφαρμόζεται σε μη ελεγχόμενα προϊόντα. Έλεγχοι δεν εφαρμόζονται στην τεχνολογία την ελάχιστη που απαιτείται για την εγκατάσταση, τη λειτουργία, τη συντήρηση (έλεγχο) και την επισκευή των προϊόντων που δεν ελέγχονται ή των οποίων η εξαγωγή έχει εγκριθεί. ΣΗΜ.: Αυτό δεν καθιστά ελεύθερη την τεχνολογία που καθορίζεται στα σημεία 1Ε002.ε., 1Ε002.στ., 8Ε002.α. και 8Ε002.β. Έλεγχοι στη μεταφορά τεχνολογίας δεν εφαρμόζονται στις πληροφορίες ελευθέρας χρήσεως, ούτε στη βασική επιστημονική έρευνα ή στις ελάχιστες απαραίτητες πληροφορίες για τις αιτήσεις διπλωμάτων ευρεσιτεχνίας.

ΓΕΝΙΚΗ ΣΗΜΕΙΩΣΗ ΠΕΡΙ ΛΟΓΙΣΜΙΚΟΥ (GSN)

(Οι παρατηρήσεις αυτές υπερισχύουν οποιουδήποτε ελέγχου στα πλαίσια του τμήματος Δ των κατηγοριών 0 έως 9.) Οι κατηγορίες 0 έως 9 του παρόντος καταλόγου δεν ελέγχουν το λογισμικό το οποίο είτε:

α.

Διατίθεται ελεύθερα στην αγορά: ΣΗΜ.: Το στοιχείο α. της Γενικής Σημείωσης περί Λογισμικού δεν καθιστά ελεύθερο το λογισμικό που προσδιορίζεται στην Κατηγορία 5 - Μέρος 2 (Ασφάλεια Πληροφοριών).

1. Διατίθεται στη χονδρική και λιανική πώληση, χωρίς περιορισμούς, μέσω:

1. α.

Συνήθων συναλλαγών,

β.

Ταχυδρομικών παραγγελιών·

γ.

Ηλεκτρονικών συναλλαγών· ή

δ.

Τηλεφωνικών παραγγελιών· και

2. Έχει σχεδιασθεί κατά τρόπο που να επιτρέπει την εγκατάστασή του από τον χρήστη χωρίς σημαντική περαιτέρω βοήθεια από τον προμηθευτή·

β.

Είναι ελευθέρας χρήσεως· ή

γ.

Ο ελάχιστος αντικειμενικός κώδικας που απαιτείται για την εγκατάσταση, τη λειτουργία, τη συντήρηση (έλεγχο) ή την επισκευή των ΕΙΔΏΝ των οποίων η εξαγωγή έχει εγκριθεί. ΣΗΜ.: Το στοιχείο γ. της Γενικής Σημείωσης περί Λογισμικού δεν καθιστά ελεύθερο το λογισμικό που προσδιορίζεται στην Κατηγορία 5 - Μέρος 2 (Ασφάλεια Πληροφοριών).

ΑΚΡΩΝΥΜΙΑ Ή ΣΥΝΤΟΜΟΓΡΑΦΙΕΣ ΠΟΥ ΧΡΗΣΙΜΟΠΟΙΟΥΝΤΑΙ ΣΤΗΝ ΕΠΙΣΗΜΗ ΕΦΗΜΕΡΙΔΑ ΤΗΣ ΕΥΡΩΠΑΪΚΗΣ ΕΝΩΣΗΣ

Σύμφωνα με τους κανόνες που ορίζονται στην παράγραφο 6.5, στη σελίδα 108 του Διοργανικού εγχειριδίου σύνταξης κειμένων (έκδοση 2011), για κείμενα που δημοσιεύονται στην Επίσημη Εφημερίδα της Ευρωπαϊκής Ένωσης: Η χρήση του κειμένου που ενσωματώνεται στο παρόν παράρτημα ακολουθεί την πρακτική που περιγράφεται ανωτέρω.

χρησιμοποιείται υποδιαστολή για τον διαχωρισμό ενός ακέραιου αριθμού από τα δεκαδικά ψηφία (π.χ. 3,67 cm),

χρησιμοποιείται διάστημα για την αναγραφή των χιλιάδων σε ακέραιους αριθμούς (π.χ. 100000).

ΑΚΡΩΝΥΜΙΑ ΚΑΙ ΣΥΝΤΜΗΣΕΙΣ ΠΟΥ ΧΡΗΣΙΜΟΠΟΙΟΥΝΤΑΙ ΣΤΟ ΠΑΡΟΝ ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ

Τα ακρωνύμια ή οι συντομογραφίες που χρησιμοποιούνται ως οριζόμενοι όροι περιλαμβάνονται στο τμήμα Ορισμοί των όρων που χρησιμοποιούνται στο παρόν παράρτημα. ΑΚΡΩΝΥΜΙΟ Ή ΣΥΝΤΟΜΟΓΡΑΦΙΑ ΣΗΜΑΣΙΑ ABEC Annular Bearing Engineers Committee AGMA American Gear Manufacturers’ Association AHRS attitude and heading reference systems (συστήματα αναφοράς θέσης και πορείας αεροσκάφους) AISI American Iron and Steel Institute ALU arithmetic logic unit (αριθμητική λογική μονάδα) ANSI American National Standards Institute ASTM the American Society for Testing and Materials ATC air traffic control (έλεγχος εναέριας κυκλοφορίας) AVLIS Αtomic vapour laser isotope separation (διαχωρισμός ισοτόπων με λέιζερ ατομικού ατμού) CAD computer-aided-design (σχεδίαση μέσω ηλεκτρονικού υπολογιστή) CAS Chemical Abstracts Service CDU control and display unit (μονάδα ελέγχου και οπτικοποίησης) CEP circular error probable (πιθανότητα κυκλικού λάθους) CNTD controlled nucleation thermal deposition (θερμική αποσύνθεση με ελεγχόμενο πυρήνα αντιδράσεως) CRISLA chemical reaction by isotope selective laser activation (χημική αντίδραση με επιλεκτική ενεργοποίηση ισοτόπων με λέιζερ) CVD chemical vapour deposition (εναπόθεση ατμού με χημικές μεθόδους) CW chemical warfare (χημικός πόλεμος) CW (για λέιζερ) continuous wave (συνεχούς κύματος) DME distance measuring equipment (εξοπλισμός μέτρησης αποστάσεων) DS directionally solidified (κατευθυνόμενη στερεοποίηση) EB-PVD electron beam physical vapour deposition (εναπόθεση ατμού με φυσικές μεθόδους δέσμης ηλεκτρονίων) EBU European Broadcasting Union (Ευρωπαϊκή Ένωση Ραδιοφωνίας και Τηλεόρασης) ECM electro-chemical machining (ηλεκτροχημικές διεργασίες) ECR electron cyclotron resonance (συντονισμός ηλεκτρονικού κυκλοτρονίου) EDM electrical discharge machines (μηχανές ηλεκτρικής εκκένωσης) EEPROMS electrically erasable programmable read only memory (ηλεκτρικά αποσβέσιμες και προγραμματιζόμενες μνήμες ανάγνωσης μόνο) EIA Electronic Industries Association EMC electromagnetic copatibility (ηλεκτρομαγνητική συμβατότητα) ETSI European Telecommunications Standards Institute (Ευρωπαϊκό Ίδρυμα Τηλεπικοινωνιακών Προτύπων) FFT Fast Fourier Transform (ταχύς μετασχηματισμός Fourier) GLONASS global navigation satellite system (παγκόσμιο δορυφορικό σύστημα πλοήγησης) GPS global positioning system (εξοπλισμός λήψης ακριβούς θέσης) HBT hetero-bipolar transistors (ετεροδιπολικά τρανζίστορ) HDDR high density digital recording (ψηφιακή εγγραφή υψηλής πυκνότητας) HEMT high electron mobility transistors (τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα) ICAO Διεθνής Οργανισμός Πολιτικής Αεροπορίας IEC International Electrotechnical Commission (Διεθνής Ηλεκτροτεχνική Επιτροπή) IEEE Institute of Electrical and Electronic Engineers IFOV instantaneous-field-of-view (στιγμιαίο οπτικό πεδίο) ILS instrument landing system (σύστημα ενόργανης προσγείωσης) IRIG inter-range instrumentation group ISA international standard atmosphere (διεθνής πρότυπη ατμόσφαιρα) ISAR inverse synthetic aperture radar (ραντάρ με ανάστροφο συνθετικό διάφραγμα) ΙSΟ Ιntrernational Organization for Standardization (Διεθνής Οργανισμός Τυποποίησης) ΙΤU Ιnternational Telecommunication Union [Διεθνής Ένωση Τηλεπικοινωνιών (ΔΕΤ)] JIS Japanese Industrial Standard (ιαπωνικό βιομηχανικό πρότυπο) JT Joule-Thomson LIDAR light detection and ranging (φωτοεντοπισμός) LRU line replaceable unit (μονάδα αντικαταστάτη στη γραμμή) MAC message authentication code (κωδικός ελέγχου γνησιότητας μηνύματος) Mach λόγος ταχύτητας αντικειμένου προς ταχύτητα ήχου (αριθμός Μαχ, από τον Ernst Mach) MLIS molecular laser isotope separation (διαχωρισμός ισοτόπων με μοριακό λέιζερ) MLS microwave landing systems (μικροκυματικά συστήματα προσγείωσης) MOCVD metal organic chemical vapour deposition (χημική εναπόθεση ατμών οργανικών μεταλλικών ενώσεων) MRI magnetic resonance imaging (απεικόνιση με μαγνητικό συντονισμό) MTBF mean-time-between-failures (μέσος χρόνος μεταξύ αστοχιών) Mtops million theoretical operations per second (εκατ. θεωρητικές πράξεις ανά δευτερόλεπτο) MTTF mean-time-to-failure (μέσος χρόνος έως την αστοχία) NBC Nuclear, Biological and Chemical (Πυρηνικά, Βιολογικά και Χημικά) NDT non-destructive test (μη καταστρεπτικές τεχνικές δοκιμής) PAR precision approach radar (ραντάρ προσέγγισης ακριβείας) PIN personal identification number (προσωπικός αναγνωριστικός αριθμός) ppm parts per million (μέρη ανά εκατ.) PSD power spectral density (φασματική πυκνότητα ισχύος) QAM quadratures-amplitude-modulation (τετραγωνισμένη διαμόρφωση πλάτους) RF radio frequency (ραδιοσυχνότητες) SACMA Suppliers of Advanced Composite Materials Association SAR synthetic aperture radar (ραντάρ συνθετικού διαφράγματος) SC single crystal (μονοκρυσταλλικά) SLAR sidelooking airborne radar (αερόφερτο ραντάρ πλευρικής σκόπευσης) SMPTE Society of Monitor Pictures and Television Engineers SRA shop replaceable assembly (συναρμολόγημα αντικαταστατό στο εργαστήριο) SRAM static random access memory (στατικές μνήμες RAM) SRM SACMA Recommended Methods [συνιστώμενες μέθοδοι SACMA (Suppliers of Advance Composite Materials)] SSB single sideband (απλή πλευρική ζώνη) SSR secondary surveillance radar (ραντάρ δευτερεύουσας επιτήρησης) TCSEC trusted computer system evaluation criteria (κριτήρια αξιολόγησης έμπιστων συστημάτων υπολογιστών) TIR total indicated reading (συνολική αναγραφόμενη ένδειξη) UV υπεριώδης UTS ultimate tensile strength (οριακή αντοχή σε εφελκυσμό) VOR very high frequency omni-directional range YAG yttrium/aluminum garnet (γρανάτης υττρίου-αργιλίου)

ΟΡΙΣΜΟΙ ΟΡΩΝ ΧΡΗΣΙΜΟΠΟΙΟΥΜΕΝΩΝ ΣΤΟ ΠΑΡΟΝ ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Σημειώσεις: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση:

Οι ορισμοί των εντός μονών εισαγωγικών όρων περιέχονται σε Τεχνική Παρατήρηση του οικείου σημείου. Οι ορισμοί των εντός διπλών εισαγωγικών όρων έχουν ως εξής: ΣΗΜ.: Η αναφορά στην κατηγορία δίνεται εντός παρενθέσεων μετά τον οριζόμενο όρο. Ακρίβεια (2 6), συνήθως μετρούμενη ως μέγεθος σφάλματος, είναι η μέγιστη απόκλιση, θετική ή αρνητική, μιας δεδομένης τιμής από ένα αποδεκτό πρότυπο ή μία πραγματική τιμή. Ενεργά συστήματα ελέγχου πτήσεως (7) είναι τα συστήματα των οποίων η λειτουργία είναι η πρόληψη ανεπιθύμητων κινήσεων των αεροσκαφών και των βλημάτων ή ανεπιθύμητων φορτίσεων, τα οποία βασίζονται στην αυτόματη επεξεργασία δεδομένων προερχόμενων από πληθώρα αισθητήρων και στην παροχή των κατάλληλων προληπτικών εντολών για την επίτευξη του αυτομάτου ελέγχου. Ενεργό εικονοκύτταρο (6 8) είναι ένα ελάχιστο (μεμονωμένο) στοιχείο ενός πίνακα ημιαγωγού ο οποίος λειτουργεί ως φωτοηλεκτρικό μέσο όταν εκτίθεται σε φωτεινή (ηλεκτρομαγνητική) ακτινοβολία. Αναπροσαρμογή για πολεμική χρήση (1) είναι κάθε τροποποίηση ή επιλογή (όπως τροποποίηση της καθαρότητας, του χρόνου αποθήκευσης, της τοξικότητας, των χαρακτηριστικών διάδοσης ή της αντίστασης στην υπεριώδη ακτινοβολία) που προορίζεται να αυξήσει την αποτελεσματικότητα όσον αφορά τον αριθμό των θυμάτων, ανθρώπων ή ζώων, την αλλοίωση του εξοπλισμού ή τη φθορά των καλλιεργειών ή του περιβάλλοντος. Προσαρμοσμένη κορυφαία απόδοση (4) είναι ένας προσαρμοσμένος ρυθμός αιχμής με τον οποίον οι ψηφιακοί υπολογιστές εκτελούν προσθέσεις και πολλαπλασιασμούς κινητής υποδιαστολής 64 bit και άνω, εκφράζεται δε ως σταθμισμένα TeraFLOPS (WT), σε μονάδες 1012 πράξεων κινητής υποδιαστολής ανά δευτερόλεπτο. ΣΗΜ.: Κατηγορία 4, Τεχνική Παρατήρηση. Αεροσκάφος (1 7 9) είναι κάθε ιπτάμενο μέσο σταθερών πτερύγων, στρεπτών πτερύγων, περιστρεφόμενων πτερύγων (ελικόπτερα), πτυσσόμενων πτερύγων ή πτυσσόμενων περιστρεφόμενων πτερύγων. ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης πολιτικό αεροσκάφος. Αερόπλοιο (9) είναι κάθε μηχανοκίνητο αερομεταφερόμενο όχημα που ίπταται μέσω ενός όγκου αερίου (συνήθως ηλίου, παλαιότερα υδρογόνου) το οποίο είναι ελαφρύτερο από τον αέρα. Όλες οι διαθέσιμες αντισταθμίσεις (2) σημαίνει μετά την εξέταση όλων των εφικτών μέτρων που έχει στη διάθεσή του ο κατασκευαστής για να ελαχιστοποιήσει όλα τα συστηματικά σφάλματα τοποθέτησης για τη συγκεκριμένη εργαλειομηχανή ή τα σφάλματα μέτρησης για τη συγκεκριμένη μηχανή μέτρησης συντεταγμένων. Διατεθεί από την ITU (3 5) αναφέρεται στην κατανομή των ζωνών συχνοτήτων σύμφωνα με την τρέχουσα έκδοση των Κανονισμών Ραδιοσυχνοτήτων της Διεθνούς Ένωσης Τηλεπικοινωνιών (ITU), για τις πρωτογενείς επιτρεπόμενες και δευτερογενείς υπηρεσίες. ΣΗΜ.: Δεν περιλαμβάνονται οι πρόσθετες και εναλλακτικές κατανομές συχνοτήτων. Γωνιακή απόκλιση θέσεως (2) είναι η μέγιστη διαφορά μεταξύ της οριακής θέσεως και της πραγματικής γωνιακής θέσεως η οποία έχει μετρηθεί με μεγάλη ακρίβεια αφότου η βάση στηρίξεως του κατεργαζόμενου αντικειμένου έχει στραφεί σε σχέση με την αρχική του θέση Γωνιακή τυχαία όδευση (7) είναι η χρονική σώρευση γωνιακού σφάλματος η οποία οφείλεται στο λευκό θόρυβο της γωνιακής ταχύτητας. (IEEE STD 528-2001) APP (4) σημαίνει την Προσαρμοσμένη κορυφαία απόδοση. Ασυμμετρικός αλγόριθμος (5) είναι ο κρυπτογραφικός αλγόριθμος που χρησιμοποιεί διαφορετικές αλλά μαθηματικά σχετιζόμενες μεταξύ τους κλείδες για την κρυπτογράφηση και την αποκρυπτογράφηση. ΣΗΜ.: Μια συνήθης χρήση ασυμμετρικών αλγορίθμων είναι η διαχείριση κλειδών. Αυτόματη παρακολούθηση στόχου (6) είναι η τεχνική επεξεργασίας δεδομένων με την οποία καθορίζεται αυτομάτως και παρέχεται ως εξερχόμενο σήμα σε πραγματικό χρόνο η εκάστοτε παρατεταμένη τιμή για την πιθανότερη θέση του στόχου. Μέση ισχύς εξόδου (6) είναι ο λόγος της συνολικής ενέργειας που παράγει το λέιζερ, σε joule, προς την περίοδο κατά την οποία εκπέμπεται μια σειρά διαδοχικών παλμών σε δευτερόλεπτα. Όταν πρόκειται για σειρά παλμών με ομοιόμορφα διαστήματα, ισούται με το γινόμενο της συνολικής ενέργειας που παράγει το λέιζερ σε έναν επιμέρους παλμό, σε joule, επί τη συχνότητα του παλμού του λέιζερ, σε Hertz. Καθυστέρηση χρόνου διέλευσης της βασικής πύλης (3) είναι η καθυστέρηση του χρόνου διέλευσης που αντιστοιχεί στη βασική πύλη που χρησιμοποιείται σ’ ένα μονολιθικό ολοκληρωμένο κύκλωμα. Για μία οικογένεια μονολιθικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων, η τιμή αυτή είναι δυνατό να προσδιορισθεί είτε ως καθυστέρηση ανά τυπική πύλη εντός της δεδομένης οικογένειας, είτε ως τυπική καθυστέρηση ανά πύλη εντός της δεδομένης οικογένειας. ΣΗΜ. 1: Η καθυστέρηση χρόνου διέλευσης της βασικής πύλης δεν πρέπει να συγχέεται με την καθυστέρηση εισόδου/εξόδου ενός πολύπλοκου μονολιθικού ολοκληρωμένου κυκλώματος. ΣΗΜ. 2: Ως οικογένεια νοούνται όλα τα ολοκληρωμένα κυκλώματα στα οποία έχουν εφαρμοστεί όλα τα παρακάτω ως κατασκευαστική μεθοδολογία και προδιαγραφές, εκτός από τις λειτουργίες καθενός: Βασική επιστημονική έρευνα (GTN NTN) είναι οι πειραματικές ή θεωρητικές εργασίες που διεξάγονται κυρίως με σκοπό την απόκτηση νέων γνώσεων σχετικά με τις βασικές αρχές των φαινομένων, οι οποίες δεν στρέφονται κατά κύριο λόγο προς έναν ειδικό πρακτικό σκοπό ή στόχο. Εγγενής απόκλιση (γυροσκόπιο) (7) είναι ο μέσος όρος των ενδείξεων γυροσκοπίου κατά τη διάρκεια συγκεκριμένου χρόνου οι οποίες μετρώνται υπό συγκεκριμένες συνθήκες λειτουργίας και δεν σχετίζονται με την περιστροφή ή την επιτάχυνση της εισόδου. Η εγγενής απόκλιση εκφράζεται κατά κανόνα σε g ή σε μέτρα ανά δευτερόλεπτο στο τετράγωνο (g ή m/s2). (Πρότυπο IEEE 528-2001) (Το micro g ισούται με 1 × 10-6g). Εγγενής απόκλιση (γυροσκόπιο) (7) είναι ο μέσος όρος των ενδείξεων γυροσκοπίου κατά τη διάρκεια συγκεκριμένου χρόνου οι οποίες μετρώνται υπό συγκεκριμένες συνθήκες λειτουργίας και δεν σχετίζονται με την περιστροφή ή την επιτάχυνση της εισόδου. Η εγγενής απόκλιση εκφράζεται σε ακτίνια ανά ώρα. (IEEE Std 528-2001). Εκκεντρότητα (2) σημαίνει την αξονική μετατόπιση της κύριας ατράκτου σε μια περιστροφή, μετρούμενη σε επίπεδο κάθετο προς το επίπεδο της πρόσθιας πλάκας της ατράκτου, σε σημείο δίπλα στην περιφέρειά της (στοιχεία: ISO 230/1 1986, σημείο 5.63). Προπλάσματα ανθρακικών ινών (1) είναι μια τακτική διάταξη ανεπικάλυπτων ή επικαλυμμένων ινών που προορίζεται να αποτελέσει πλαίσιο μέρους προτού εισαχθεί η μήτρα για να σχηματισθεί σύνθετο υλικό. ΚΙΠ (κύκλος ίσων πιθανοτήτων) (7) είναι μέτρο για την ακρίβεια ενός οργάνου. Η ακτίνα του κύκλου με κέντρο τον στόχο εκτείνεται σε απόσταση τέτοια ώστε να προσπίπτουν εντός του κύκλου το 50 % των βολών. Χημικό λέιζερ (6) είναι το λέιζερ στο οποίο η διέγερση προκαλείται από την ενέργεια που εκλύεται από μία χημική αντίδραση. Χημικό μείγμα (1) είναι ένα στερεό, υγρό ή αέριο προϊόν αποτελούμενο από δύο ή περισσότερα συστατικά που δεν αντιδρούν μεταξύ τους υπό τις συνθήκες αποθήκευσης του προϊόντος. Συστήματα εξουδετέρωσης ροπής με ρύθμιση ροής (7) είναι συστήματα τα οποία χρησιμοποιούν ρεύμα αέρος που διέρχεται πάνω από αεροδυναμικές επιφάνειες για να αυξάνουν ή να ελέγχουν τις δυνάμεις που παράγονται από τις επιφάνειες αυτές. Πολιτικά αεροσκάφη (1 3 4 7) είναι τα αεροσκάφη που περιλαμβάνονται, κατόπιν δηλώσεως, σε δημοσιευμένους καταλόγους πτητικής ικανότητας από τις αρχές της πολιτικής αεροπορίας για να χρησιμοποιηθούν σε εμπορικά εσωτερικά και εξωτερικά δρομολόγια ή για κάθε νόμιμη μη στρατιωτική, ιδιωτική ή εμπορική χρήση. ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης αεροσκάφος. Σύμμειξη (1) νοείται η νήμα προς νήμα ανάμειξη θερμοπλαστικών και ενισχυτικών ινών για την παραγωγή μείγματος ενισχυτικού υλικού και υλικού βάσης υπό τη μορφή ινών. Κονιορτοποίηση (1) είναι κάθε διαδικασία για τη μετατροπή ενός υλικού σε σωματίδια με σύνθλιψη ή άλεση. Ελεγκτής διαύλου επικοινωνίας (4) είναι η φυσική διεπαφή η οποία ελέγχει τη ροή σύγχρονων και ασύγχρονων ψηφιακών πληροφοριών. Είναι ένα σύνολο το οποίο είναι δυνατόν να ενσωματωθεί σε συσκευές υπολογιστών ή τηλεπικοινωνιών ώστε να παρέχει πρόσβαση στο επικοινωνιακό δίκτυο. Συστήματα αντιστάθμισης (6) περιλαμβάνουν τον πρωτοταγή βαθμωτό αισθητήρα, έναν ή περισσότερους αισθητήρες αναφοράς (π.χ. διανυσματικά μαγνητόμετρα) και το λογισμικό που επιτρέπει τον περιορισμό του λόγω στροφής της εξέδρας ως στερεού σώματος θορύβου. Σύνθετο υλικό (1 2 6 8 9) είναι ένα πλέγμα και μία πρόσθετη φάση ή πρόσθετες φάσεις αποτελούμενες από σωματίδια, ινοκρυστάλλους, ίνες ή οποιονδήποτε συνδυασμό αυτών, των οποίων η παρουσία εξυπηρετεί έναν ή περισσότερους ειδικούς σκοπούς. Τράπεζα σύνθετης περιστροφής (2) είναι μία επιφάνεια εργασίας που επιτρέπει την περιστροφή του κατεργαζόμενου τεμαχίου καθώς και την κλίση του γύρω από μη παράλληλους άξονες, οι οποίοι είναι δυνατόν να συντονισθούν ταυτοχρόνως για καθοδήγηση τροχιάς. Σύνθετες ενώσεις των ομάδων III/V (3 6) είναι πολυκρυσταλλικά ή δυαδικά ή σύνθετα μονοκρυσταλλικά προϊόντα που περιλαμβάνουν στοιχεία των ομάδων ΙΙΙΑ και VΑ του περιοδικού πίνακα του Μεντελέγιεφ (π.χ. αρσενικούχο γάλλιο, αρσενικούχο γάλλιο-αργίλιο, φωσφορούχο ίνδιο). Καθοδήγηση τροχιάς (2) είναι δύο ή περισσότερες ψηφιακά ελεγχόμενες κινήσεις εκτελούμενες βάσει εντολών που καθορίζουν την επόμενη θέση καθώς και τις επιθυμητές ταχύτητες προσαγωγής. Αυτές οι ταχύτητες προσαγωγής μεταβάλλονται σε αλληλεξάρτηση μεταξύ τους ώστε να διαγράφεται η επιθυμητή τροχιά (βλέπε ISO/DIS 2806 - 1980). Κρίσιμη θερμοκρασία (1 3 5) (ορισμένες φορές αναφερόμενη ως μεταβατική θερμοκρασία) ενός συγκεκριμένου υπεραγώγιμου υλικού είναι η θερμοκρασία στην οποία το υλικό αυτό παύει να έχει ωμική αντίσταση στο σταθερό ηλεκτρικό ρεύμα. Κρυπτογραφική ενεργοποίηση (5) είναι κάθε τεχνική που ενεργοποιεί ή καθιστά ενεργοποιήσιμη μια κρυπτογραφική ικανότητα, μέσω ασφαλούς μηχανισμού υλοποιημένου από τον κατασκευαστή του είδους και μοναδικά συνδεδεμένου με το είδος ή τον πελάτη για το(ν) οποίο ενεργοποιείται ή καθίσταται ενεργοποιήσιμη η κρυπτογραφική ικανότητα (π.χ. κλείδα άδειας βασισμένη σε αύξοντα αριθμό, ή μέσο επικύρωσης γνησιότητας σαν τα ψηφιακώς υπογεγραμμένα πιστοποιητικά). Οι τεχνικές και μηχανισμοί κρυπτογραφικής ενεργοποίησης μπορούν να υλοποιούνται ως υλικό, λογισμικό ή τεχνολογία. Κρυπτογραφία (5) είναι ο κλάδος που συνδυάζει τις αρχές, τα μέσα και τις μεθόδους για τη μετατροπή δεδομένων με σκοπό την απόκρυψη των πληροφοριών που περιέχουν, την πρόληψη της μη αντιληπτής τροποποίησής του ή της μη επιτρεπτής χρήσης του. Η κρυπτογραφία περιορίζεται στη μετατροπή πληροφοριών χρησιμοποιώντας μία ή περισσότερες μυστικές παραμέτρους (π.χ. κρυπτομεταβλητές) ή σχετική διαχείριση κλειδιών. Σημείωση: Η κρυπτογράφηση περιλαμβάνει τεχνικές σταθερής συμπίεσης των δεδομένων ή κωδικοποίησης. Μυστική παράμετρος: μία σταθερά ή κλείδα η οποία κρατείται μυστική από τους άλλους ή είναι γνωστή μόνο στα μέλη μιας ομάδας. Λέιζερ CW (6) λέγεται το λέιζερ που παράγει ονομαστικά σταθερή ισχύ εξόδου επί περισσότερο από 0,25 δευτερόλεπτα. Συστήματα πλοήγησης βάσει καταχωρημένων δεδομένων (DBRN) (7) είναι συστήματα που χρησιμοποιούν διάφορες πηγές προμετρηθέντων χαρτογραφικών δεδομένων για να παρέχουν ακριβείς πληροφορίες ναυσιπλοΐας υπό δυναμικές συνθήκες. Οι πηγές δεδομένων περιλαμβάνουν βαθυμετρικούς χάρτες, αστρονομικούς χάρτες, χάρτες βαρύτητας, μαγνητικούς χάρτες ή τρισδιάστατους γεωγραφικούς χάρτες. Παραμορφώσιμα κάτοπτρα (6) (γνωστά επίσης και ως προσαρμόσιμα οπτικά κάτοπτρα) είναι τα κάτοπτρα που διαθέτουν: Εξαντλημένο ουράνιο (0) είναι το ουράνιο στο οποίο η συγκέντρωση του ισοτόπου 235 έχει μειωθεί και είναι χαμηλότερη από αυτή που απαντά στη φύση. Ανάπτυξη (GTN NTN ALL) σχετίζεται με όλες τις φάσεις πριν από τη μαζική παραγωγή, όπως είναι: ο σχεδιασμός, η έρευνα σχεδιασμού, η ανάλυση σχεδιασμού, οι αρχές σχεδιασμού, η συναρμολόγηση και η δοκιμή πρωτοτύπων, η πειραματική παραγωγή, τα δεδομένα σχεδιασμού, η διαδικασία μετατροπής των δεδομένων σχεδιασμού σε προϊόν, ο σχεδιασμός ολοκλήρωσης, το layout. Συγκόλληση μέσω διαχύσεως (1 2 9) είναι η βασιζόμενη στη φυσική στερεού συγκόλληση δύο τουλάχιστον διαφορετικών μεταλλικών τεμαχίων σε ένα ενιαίο σώμα όπου η αντοχή της συγκόλλησης είναι ίση με την αντοχή του ασθενέστερου μετάλλου, όπου ο κύριος μηχανισμός είναι η εσωδιάχυση (interdiffusion) ατόμων σε ολόκληρη τη διεπαφή. Ψηφιακός υπολογιστής (4 5) είναι η συσκευή η οποία έχει τη δυνατότητα, υπό μορφή μιας ή περισσότερων συνεχών μεταβλητών, να εκτελέσει όλες τις ακόλουθες λειτουργίες: ΣΗΜ.: Στις τροποποιήσεις μιας αποθηκευμένης αλληλουχίας εντολών περιλαμβάνεται η αντικατάσταση σταθερών διατάξεων αποθήκευσης από μη υλικές αλλαγές στις διασυνδέσεις. Ρυθμός μεταβίβασης ψηφιακών δεδομένων (def) είναι ο συνολικός ρυθμός σε bit της πληροφορίας που μεταβιβάζεται απευθείας με οποιοδήποτε μέσον. ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης συνολικός ρυθμός μεταβίβασης ψηφιακών πληροφοριών. Υδραυλική συμπίεση άμεσης επενέργειας (2) είναι διαδικασία παραμόρφωσης στην οποία χρησιμοποιείται ένας εύκαμπτος ασκός γεμάτος υγρό ο οποίος έρχεται σε απευθείας επαφή με το κατεργαζόμενο υλικό. Ρυθμός αποκλίσεως (περιστροφικός) (7) είναι η συστηματική συνιστώσα της περιστροφικής εξόδου η λειτουργικώς ανεξάρτητη από την περιστροφή εισόδου. Εκφράζεται ως γωνιακή ταχύτητα. (IEEE STD 528-2001). Ενεργό γραμμάριο (0 1) ειδικών σχάσιμων υλικών είναι: Ηλεκτρονικό συναρμολόγημα (2 3 4 5) είναι ένα σύνολο ηλεκτρονικών μερών (π.χ. στοιχείων κυκλωμάτων, διακεκριμένων κατασκευαστικών μερών, ολοκληρωμένων κυκλωμάτων κ.λπ.) συνδεδεμένων μεταξύ τους ώστε να επιτελούν ειδικές λειτουργίες, το οποίο είναι δυνατόν να αντικατασταθεί ως σύνολο και να αποσυναρμολογηθεί. ΣΗΜ. 1: Στοιχείο κυκλώματος: ένα μεμονωμένο ενεργητικό ή παθητικό λειτουργικό μέρος ηλεκτρονικού κυκλώματος, όπως δίοδος, τρανζίστορ, αντίσταση ή ένας πυκνωτής κ.λπ. ΣΗΜ. 2: Διακεκριμένο κατασκευαστικό μέρος: ένα χωριστά συσκευασμένο στοιχείο κυκλώματος με τις δικές του εξωτερικές συνδέσεις. Ηλεκτρονικώς οδηγούμενη φασικώς συγχρονισμένη συστοιχιοκεραία (5 6) είναι μία κεραία η οποία εκπέμπει μια δέσμη καθοδηγούμενη με ζεύξη φάσεως, δηλαδή, η διεύθυνση της δέσμης ελέγχεται μέσω των μιγαδικών συντελεστών διεγέρσεως των στοιχείων εκπομπής και δύναται να μεταβληθεί ως προς την κλίση ή το ύψος ή και ως προς τα δύο μέσω ενός ηλεκτρικού σήματος, τόσο κατά την εκπομπή όσο και κατά τη λήψη. Ενεργειακά υλικά (1) λέγονται ουσίες ή μείγματα που αντιδρούν χημικώς απελευθερώνοντας την απαιτούμενη ενέργεια για τη χρήση για την οποία προορίζονται. Εκρηκτικά, πυροτεχνικά και προωθητικά είναι υποκατηγορίες ενεργειακών υλικών. Επενεργητές πέρατος (2) είναι οι αρπάγες, οι ενεργητικές εργαλειακές διατάξεις καθώς και κάθε άλλη εργαλειακή διάταξη προσαρμοσμένη στο βασικό έλασμα στο άκρο του βραχίονα χειρισμού ενός ρομπότ. ΣΗΜ.: Ενεργητική εργαλειακή διάταξη σημαίνει διάταξη με την οποία ασκείται κινητήριος δύναμη, μεταβιβάζεται ενέργεια ή η οποία χρησιμεύει ως αισθητήρας επί του υπό κατεργασία αντικειμένου. Ισοδύναμη πυκνότητα (6) είναι η μάζα ενός οπτικού στοιχείου ανά μονάδα οπτικής επιφανείας προβαλλόμενης στο οπτικό επίπεδο. Εκρηκτικά (1) νοούνται οι στερεές, υγρές ή αέριες ουσίες ή μείγματα ουσιών οι οποίες απαιτείται να εκραγούν, κατά την εφαρμογή τους ως πρωτογενείς, ενισχυτικές ή κύριες γομώσεις σε εκρηκτικές κεφαλές, κατεδαφίσεις ή άλλες εφαρμογές, Συστήματα FADEC (7 9) σημαίνει Ψηφιακά Συστήματα Πλήρους Ελέγχου Κινητήρα - Ένα ψηφιακό ηλεκτρονικό σύστημα ελέγχου για έναν κινητήρα αεροστροβίλων που είναι σε θέση να ελέγχει αυτόνομα τον κινητήρα καθ’ όλο το εύρος της λειτουργίας του, από τη στιγμή που ζητείται η εκκίνηση του κινητήρα μέχρι τη στιγμή που ζητείται το σβήσιμο του κινητήρα, τόσο σε φυσιολογικές όσο και σε ανώμαλες συνθήκες. Στα ινώδη ή νηματώδη υλικά (0 1 8) περιλαμβάνονται: Ολοκληρωμένο κύκλωμα τύπου υμενίου (3) είναι μια διάταξη στοιχείων κυκλώματος και μεταλλικών διασυνδέσεων η οποία κατασκευάζεται με απόθεση μιας μεμβράνης μεγάλου ή μικρού πάχους σε ένα μονωτικό υπόβαθρο. ΣΗΜ.: Στοιχείο κυκλώματος: ένα μεμονωμένο ενεργητικό ή παθητικό λειτουργικό μέρος ηλεκτρονικού κυκλώματος, όπως δίοδος, τρανζίστορ, αντίσταση ή πυκνωτής κ.λπ. Στεγανός (5) σημαίνει ότι ο αλγόριθμος για την κωδικοποίηση ή τη συμπύκνωση δεν επιδέχεται εξωγενείς παραμέτρους (π.χ. κρυπτογραφικές μεταβλητές ή κλείδες) και δεν είναι δυνατόν να τροποποιηθεί από τον χρήστη. Συστοιχία οπτικών αισθητήρων ελέγχου πτήσης (7) είναι ένα δίκτυο διανεμημένων οπτικών αισθητήρων, που χρησιμοποιούν ακτίνες λέιζερ, για την παροχή δεδομένων ελέγχου πτήσης σε πραγματικό χρόνο προς επεξεργασία επί του αεροσκάφους. Βελτιστοποίηση ίχνους πτήσης (7) είναι μια διαδικασία που περιορίζει στο ελάχιστο τις παρεκκλίσεις από την επιθυμητή τροχιά τεσσάρων διαστάσεων (χώρος και χρόνος) χάρη στη μέγιστη αξιοποίηση της επίδοσης ή της αποτελεσματικότητας για την εκτέλεση ειδικών αποστολών. Συστοιχία εστιακού επιπέδου (6 8) είναι γραμμικό ή δισδιάστατο επίπεδο στρώμα, ή συνδυασμός επιπέδων στρωμάτων, επιμέρους στοιχείων ανιχνευτών με ή χωρίς ηλεκτρονικά συστήματα ανάγνωσης, που λειτουργούν στο εστιακό επίπεδο. ΣΗΜ.: Η συστοιχία δεν προορίζεται να περιλαμβάνει συστάδα μεμονωμένων στοιχείων ανιχνευτών ή ανιχνευτές των δύο, τριών ή τεσσάρων στοιχείων, με την προϋπόθεση ότι δεν εκτελούνται χρονική καθυστέρηση και ολοκλήρωση εντός του στοιχείου. Κλασματικό εύρος ζώνης (3 5) είναι ο λόγος, εκφρασμένος ως ποσοστό επί τοις εκατό, του στιγμιαίου εύρους ζώνης προς την κεντρική συχνότητα. Ευελιξία μεταβολής συχνότητας (frequency hopping) (5) είναι μια μορφή διευρύνσεως φάσματος, στο οποίο η συχνότητα μεταβιβάσεως ενός μεμονωμένου διαύλου επικοινωνίας μεταβάλλεται κατά μία τυχαία ή ψευδοτυχαία ακολουθία διακριτών βημάτων. Ενεργοποιητής μάσκας συχνότητας (3) για αναλυτές σημάτων είναι ο μηχανισμός κατά τον οποίον η λειτουργία ενεργοποίησης δύναται να επιλέγει ένα εύρος συχνοτήτων προκειμένου αυτό να ενεργοποιηθεί ως υποσύνολο του εύρους ζώνης απόκτησης, αγνοώντας παράλληλα άλλα σήματα που ίσως είναι επίσης παρόντα εντός του ιδίου εύρους ζώνης απόκτησης. Ο ενεργοποιητής μάσκας συχνότητας ίσως περιλαμβάνει περισσότερα του ενός ανεξάρτητα σύνολα ορίων. Χρόνος αλλαγής συχνότητας (3) είναι ο χρόνος (η καθυστέρηση) που χρειάζεται ένα σήμα όταν μετάγεται από μιαν αρχική προσδιορισμένη συχνότητα εξόδου προκειμένου να φτάσει σε μια τελική προσδιορισμένη συχνότητα εξόδου, ακριβώς ή κατά προσέγγιση ± 0,05 %. Είδη με εύρος προσδιορισμένου φάσματος συχνοτήτων στενότερο από ± 0,05 % γύρω από την κεντρική τους συχνότητα ορίζονται ως στερούμενα δυνατότητας αλλαγής συχνότητας. Συνθετητής συχνότητας (3) είναι κάθε πηγή συχνότητας, ανεξάρτητα από την τεχνική που χρησιμοποιείται, η οποία παρέχει μια ποικιλία ταυτόχρονων ή εναλλασσόμενων συχνοτήτων εξόδου, από μια ή περισσότερες εξόδους, οι οποίες ελέγχονται, παράγονται ή οδηγούνται από ένα μικρότερο αριθμό βασικών (master) συχνοτήτων ελέγχου. Κυψέλη καυσίμου (8) είναι μια ηλεκτροχημική διάταξη η οποία μετατρέπει χημική ενέργεια απευθείας σε ηλεκτρισμό συνεχούς ρεύματος (DC) καταναλώνοντας καύσιμο από εξωτερική πηγή. Τηκόμενο (1) σημαίνει με ικανότητα δικτύωσης ή περαιτέρω πολυμερισμού (επεξεργασία) με τη χρήση θερμότητας, ακτινοβολίας, καταλυτών κ.λπ., ή με ικανότητα τήξης χωρίς πυρόλυση (απανθράκωση). Φυγοκεντρικός ψεκασμός (1) είναι η διαδικασία για τη μετατροπή ρέοντος ή ηρεμούντος τηγμένου μετάλλου σε ψεκάδες διαμέτρου 500 μικρομέτρων διά φυγοκεντρίσεως. Γεωγραφικά διεσπαρμένες (6) είναι τοποθεσίες που η καθεμία απέχει από οποιαδήποτε άλλη περισσότερο 1500 m προς όλες τις κατευθύνσεις. Οι κινητοί αισθητήρες θεωρούνται πάντα ότι είναι γεωγραφικά διεσπαρμένοι. Μηχανισμός αυτόματης πλοήγησης (7) είναι ένα σύνολο συστημάτων που ολοκληρώνουν τη μέτρηση και τον υπολογισμό της θέσεως και της ταχύτητας ενός οχήματος με τον υπολογισμό και τη διαβίβαση εντολών στα συστήματα ελέγχου πτήσεως του οχήματος ώστε να διορθωθεί η πορεία του. Ισοστατική πύκνωση εν θερμώ (2) είναι η διαδικασία της συμπίεσης ενός χυτεύματος σε θερμοκρασίες άνω των 375 K (102 °C) σε έναν κλειστό θάλαμο διαφόρων μέσων (αερίων, υγρών, στερεών σωματιδίων κ.λπ.) για τη δημιουργία ίσων δυνάμεων προς όλες τις κατευθύνσεις ώστε να μειωθούν ή να εξαλειφθούν τα εσωτερικά κενά στο χύτευμα. Υβριδικό ολοκληρωμένο κύκλωμα (3) είναι κάθε συνδυασμός ενός ή περισσότερων ολοκληρωμένων κυκλωμάτων, ή κάθε ολοκληρωμένο κύκλωμα με στοιχεία κυκλώματος ή διακριτά κατασκευαστικά μέρη τα οποία συνδέονται μεταξύ τους για να επιτελέσουν μία ή περισσότερες συγκεκριμένες λειτουργίες και τα οποία έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: ΣΗΜ. 1: Στοιχείο κυκλώματος: ένα μεμονωμένο ενεργητικό ή παθητικό λειτουργικό μέρος ηλεκτρονικού κυκλώματος, όπως δίοδος, τρανζίστορ, αντίσταση ή ένας πυκνωτής κ.λπ. ΣΗΜ. 2: Διακεκριμένο κατασκευαστικό μέρος: ένα χωριστά συσκευασμένο στοιχείο κυκλώματος με τις δικές του εξωτερικές συνδέσεις. Βελτίωση εικόνας (4) είναι η επεξεργασία εικόνων εξωτερικής προέλευσης που περιέχουν πληροφορίες, μέσω αλγορίθμων όπως είναι η χρονική συμπύκνωση, το φιλτράρισμα, η εξαγωγή, η επιλογή, ο συσχετισμός, η συνέλιξη ή οι μετασχηματισμοί μεταξύ περιοχών (π.χ. ταχύς μετασχηματισμός Fourier ή μετασχηματισμός Walsh). Δεν περιλαμβάνονται οι αλγόριθμοι που χρησιμοποιούν γραμμικό μετασχηματισμό ή μετασχηματισμό περιστροφής μιας και μόνον εικόνας, όπως είναι η παράλληλη μετατόπιση, η απομόνωση χαρακτηριστικών, η καταγραφή ή ο τεχνητός χρωματισμός της εικόνας. Ανοσοτοξίνη (1) είναι η συνένωση μονοκλωνικού αντισώματος ειδικού για συγκεκριμένο τύπο κυττάρων, με μία τοξίνη ή υποενότητα τοξίνης η οποία προσβάλει επιλεκτικά τα ασθενή κύτταρα. Ελευθέρας χρήσεως (GTN NTN GSN), κατά την έννοια του παρόντος εγγράφου, είναι η τεχνολογία ή το λογισμικό το οποίο επιτρέπεται να διατίθεται χωρίς περιορισμούς (οι περιορισμοί που απορρέουν από τα πνευματικά δικαιώματα δεν εξαιρούν την τεχνολογία ή το λογισμικό από την ελεύθερη χρήση). Ασφάλεια των πληροφοριών (4 5) είναι όλα τα μέσα και οι λειτουργίες που εξασφαλίζουν τη διαθεσιμότητα, το απόρρητο ή την ακεραιότητα των πληροφοριών ή των επικοινωνιών, εκτός από τα μέσα και τις λειτουργίες που αποβλέπουν στην προστασία των πληροφοριών από τις δυσλειτουργίες. Περιλαμβάνεται η κρυπτογραφία, η κρυπτογραφική ενεργοποίηση, η κρυπτανάλυση, η προστασία από επιβλαβείς διαρροές και η ασφάλεια των υπολογιστών. ΣΗΜ.: Κρυπτανάλυση: η ανάλυση ενός κρυπτογραφικού συστήματος ή των σημάτων εισόδου και εξόδου στα συστήματα αυτά προκειμένου να εξαχθούν οι εμπιστευτικές μεταβλητές ή ευαίσθητα δεδομένα καθώς και το ακρυπτογράφητο κείμενο. Στιγμιαίο εύρος ζώνης (3 5 7) είναι το εύρος ζώνης στο οποίο η ισχύς εξόδου παραμένει σταθερή με ακρίβεια 3 dB χωρίς ρύθμιση ή χωρίς την παρέμβαση άλλων λειτουργικών παραμέτρων. Περιοχή ενδείξεων (6) είναι το προδιαγεγραμμένο πεδίο ευκρινών ενδείξεων ενός ραντάρ. Μόνωση (9) χρησιμοποιείται στα κατασκευαστικά μέρη ενός κινητήρα πυραύλου δηλαδή το περίβλημα, το ακροφύσιο, τις εισόδους, τα καλύμματα του περιβλήματος και περιλαμβάνει βουλκανισμένο ή ημιβουλκανισμένο σύμμικτο ελαστικό υπό μορφή φύλλων το οποίο περιλαμβάνει μονωτικό ή αντιπυρικό υλικό. Χρησιμοποιείται επίσης για τη μείωση των εντάσεων στα πτερύγια. Εσωτερική επένδυση (9) είναι κατάλληλη για τη διεπαφή μεταξύ του στερεού καυσίμου και του περιβλήματος ή του μονωτικού στρώματος. Συνήθως το εσωτερικό του περιβλήματος ψεκάζεται ή επιστρώνεται με διασπορά πυρίμαχων ή μονωτικών υλικών πολυμερούς βάσεως εντός υγρού, π.χ. HTPB (πολυβουταδιένιο με υδροξύλια στα άκρα) με πλήρωση άνθρακα ή άλλο πολυμερές με πρόσθετα σκληρυντικά μέσα. Στοιχειώδες μαγνητόμετρο (6) είναι ένας αυτοτελής αισθητήρας της κλίσεως του μαγνητικού πεδίου μαζί με τις σχετικές ηλεκτρονικές διατάξεις, του οποίου το σήμα εξόδου αποτελεί μέτρο της κλίσεως του μαγνητικού πεδίου. ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης: Μαγνητικά κλισίμετρα Λογισμικό εισβολής (4) είναι λογισμικό ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για να αποφεύγει τον εντοπισμό από εργαλεία παρακολούθησης, ή για να ξεπερνάει τα προστατευτικά αντίμετρα, ενός υπολογιστή ή μιας δικτυακά συνδεόμενης συσκευής και για να εκτελεί οποιαδήποτε από τις ακόλουθες ενέργειες: Ο όρος λογισμικό εισβολής δεν περιλαμβάνει οτιδήποτε από τα ακόλουθα: Στις δικτυακά συνδεόμενες συσκευές συμπεριλαμβάνονται κινητές συσκευές και έξυπνοι μετρητές. Εργαλεία παρακολούθησης: λογισμικό ή συσκευές υλικού εξοπλισμού που παρακολουθούν τις συμπεριφορές ή διεργασίες συστήματος που λειτουργούν σε μια συσκευή. Σε αυτά συμπεριλαμβάνονται αντιικά (AV) προϊόντα, προϊόντα ασφαλείας τελικού σημείου, προϊόντα προσωπικής ασφάλειας (PSP), συστήματα ανίχνευσης εισβολέων (IPS) ή τείχη προστασίας (firewalls). Προστατευτικά αντίμετρα: τεχνικές σχεδιασμένες για να διασφαλίζουν την ασφαλή εκτέλεση κώδικα, π.χ. αποτροπή εκτέλεσης δεδομένων (DEP), τυχαιοποίηση των διευθύνσεων των σελίδων μνήμης (ASLR) ή sandboxing. Απομονωμένες ζωντανές καλλιέργειες (1) περιλαμβάνουν ζωντανές καλλιέργειες σε λανθάνουσα κατάσταση και σε ξηραμένα παρασκευάσματα. Ισοστατικές πρέσες (2) είναι συσκευές ικανές να συμπιέσουν διάφορα υλικά (αέρια, υγρά, στερεά σωματίδια κ.λπ.) μέσα σε κλειστό θάλαμο ώστε η πίεση που ασκείται επί ενός κατεργαζόμενου αντικειμένου ή υλικού να είναι ίση προς κάθε κατεύθυνση. Λέιζερ (0 2 3 5 6 7 8 9) είναι μια διάταξη η οποία παράγει μια χωρικά και χρονικά σύμφωνη δέσμη φωτός, η οποία ενισχύεται από τη διεγειρόμενη εκπομπή ακτινοβολίας. ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης: Χημικό λέιζερ, Λέιζερ εξαιρετικά υψηλής ισχύος, Transfer λέιζερ. Οχήματα ελαφρότερα του αέρος (9) υπονοούνται τα αερόστατα και αερόπλοια που για την άνωσή τους βασίζονται στο ζεστό αέρα ή σε άλλα αέρια ελαφρότερα από τον αέρα, όπως υδρογόνο και ήλιο. Γραμμικότητα (2) (συνήθως μετρούμενη ως μη-γραμμικότητα) είναι η μέγιστη απόκλιση, θετική ή αρνητική, των πραγματικών χαρακτηριστικών μέση τιμή των αναγνώσεων προς τα άνω και προς τα κάτω της κλίμακας) από την ευθεία η οποία φέρεται ώστε να εξισορροπεί και να ελαχιστοποιεί τις μέγιστες αποκλίσεις. Τοπικό δίκτυο (4 5) είναι ένα σύστημα μεταβίβασης δεδομένων το οποίο διαθέτει όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: ΣΗΜ.: Πομποδέκτης δεδομένων: συσκευή ικανή να μεταβιβάζει ή να λαμβάνει ακολουθίες ψηφιακών πληροφοριών. Μαγνητικά κλισιόμετρα (6) είναι όργανα προοριζόμενα να ανιχνεύουν τις μεταβολές στο χώρο μαγνητικών πεδίων από πηγές εκτός του οργάνου. Αποτελούνται από πολλαπλά μαγνητόμετρα και τα σχετικά ηλεκτρονικά κυκλώματα, το σήμα εξόδου των οποίων αποτελεί μέτρο της κλίσης του μαγνητικού πεδίου. ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης στοιχειώδη μαγνητικά κλισιόμετρα. Μαγνητόμετρα (6) είναι όργανα προοριζόμενα να ανιχνεύουν μαγνητικά πεδία από πηγές εκτός του οργάνου. Αποτελούνται από ένα μεμονωμένο αισθητήριο στοιχείο και τα σχετικά ηλεκτρονικά κυκλώματα, το σήμα εξόδου των οποίων αποτελεί μέτρο του μαγνητικού πεδίου. Κύρια μνήμη (4) είναι η κύρια μνήμη δεδομένων ή εντολών η οποία είναι ταχέως προσπελάσιμη από μια κεντρική μονάδα επεξεργασίας. Αποτελείται από την εσωτερική μνήμη ενός ψηφιακού υπολογιστή και την ιεραρχική επέκταση της μνήμης αυτής, όπως είναι μια κρυφή μνήμη ή εκτεταμένη μνήμη τυχαίας προσπελάσεως. Υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση UF6 (0) περιλαμβάνουν χαλκό, κράματα χαλκού, ανοξείδωτο χάλυβα, αργίλιο, οξείδιο του αργιλίου, κράματα αργιλίου, νικέλιο ή κράμα νικελίου με περιεκτικότητα σε νικέλιο 60 % και άνω, καθώς και πλήρως φθοριωμένα πολυμερή υδρογονανθράκων. Βάση (1 2 8 9) είναι μια ουσιαστικά συνεχής φάση η οποία πληροί το χώρο μεταξύ σωματιδίων, ινοκρυστάλλων ή νημάτων. Αβεβαιότητα μετρήσεων (2) είναι η χαρακτηριστική παράμετρος η οποία καθορίζει την περιοχή γύρω από την τιμή εξόδου στην οποία περιέχεται η ορθή τιμή της μετρούμενης μεταβλητής με ποσοστό εμπιστοσύνης 95 %. Περιλαμβάνει τις μη διορθωμένες συστηματικές αποκλίσεις, τη μη διορθωμένη υστέρηση του οργάνου και τις τυχαίες αποκλίσεις (βλέπε ISO 10360-2). Μηχανική κραματοποίηση (1) είναι η κραματοποίηση που γίνεται με συγκόλληση, θραύση και επανασυγκόλληση κόνεων καθαρών στοιχείων και προσθετικών κραμάτων με μηχανική κρούση. Μη μεταλλικά σωματίδια είναι δυνατόν να ενσωματωθούν στο κράμα με την προσθήκη των κατάλληλων κόνεων. Απόληψη τήγματος (1) είναι η διαδικασία με την οποία επιτυγχάνεται η ταχεία στερεοποίηση και η εξαγωγή υπό μορφή λωρίδας ενός προϊόντος κράματος με την εισαγωγή ενός βραχέως τομέα ενός περιστρεφόμενου και ψυχόμενου κυλίνδρου σε μια λεκάνη με τηγμένο κράμα μετάλλου. ΣΗΜ.: Ταχεία στερεοποίηση: στερεοποίηση τηγμένου μετάλλου με ρυθμό ψύξεως άνω των 1000 K/s. Περιδίνηση τήγματος (1) είναι η διαδικασία με την οποία επιτυγχάνεται η ταχεία στερεοποίηση δέσμης τηγμένου μετάλλου η οποία προσπίπτει σε περιστρεφόμενο ψυχόμενο κύλινδρο και μετατρέπεται σε ένα προϊόν που έχει τη μορφή φολίδων, λωρίδων ή ράβδων. ΣΗΜ.: Ταχεία στερεοποίηση: στερεοποίηση τηγμένου μετάλλου με ρυθμό ψύξεως άνω των 1000 K/s. Μικροκύκλωμα μικροεπεξεργαστή (3) είναι ένα μονολιθικό ολοκληρωμένο κύκλωμα ή σύνθετο ολοκληρωμένο κύκλωμα το οποίο περιλαμβάνει μια αριθμητική λογική μονάδα (ΑLU) ικανή να εκτελεί γενικές εντολές προερχόμενες από μια εσωτερική μνήμη για την επεξεργασία δεδομένων που περιλαμβάνονται στην εσωτερική μνήμη. ΣΗΜ.: Η εσωτερική μνήμη πρέπει να διευρύνεται από μια εξωτερική μνήμη. Μικροκύκλωμα μικροεπεξεργαστή (3) είναι ένα μονολιθικό ολοκληρωμένο κύκλωμα ή σύνθετο ολοκληρωμένο κύκλωμα το οποίο περιλαμβάνει μια αριθμητική λογική μονάδα (ΑLU) ικανή να εκτελεί μια σειρά γενικών εντολών προερχόμενων από εξωτερική μνήμη. ΣΗΜ. 1: Το μικροκύκλωμα μικροεπεξεργαστή κατά κανόνα δεν περιλαμβάνει ενσωματωμένη μνήμη προσπελάσιμη από τον χρήστη, μολονότι ενδεχομένως διαθέτει μνήμη για την πραγματοποίηση των λογικών του λειτουργιών. ΣΗΜ. 2: Περιλαμβάνει σύνολα μικροκυκλωμάτων τα οποία είναι σχεδιασμένα να λειτουργούν μαζί ώστε να εξασφαλίζουν τη λειτουργία ενός μικροκυκλώματος μικροεπεξεργαστή. Μικροοργανισμοί (1 2) είναι τα βακτηρίδια, οι ιοί, τα μυκοπλάσματα, τα ρικέτσια, τα χλαμύδια ή οι μύκητες, σε φυσική κατάσταση, ενισχυμένη ή τροποποιημένη, είτε υπό μορφή απομονωμένων ζωντανών καλλιεργειών είτε ως υλικό το οποίο περιλαμβάνει ζωντανό υλικό που έχει εκουσίως εμβολιαστεί ή μολυνθεί από τις καλλιέργειες αυτές. Βλήματα (1 3 6 7 9) είναι τα πλήρη πυραυλικά συστήματα και τα συστήματα μη επανδρωμένων οχημάτων αέρος ικανά να μεταφέρουν ωφέλιμο φορτίο τουλάχιστον 500 kg σε απόσταση τουλάχιστον 300 km. Μονόκλωνο νήμα (1) ή νήμα είναι η μικρότερη μονάδα ίνας, συνήθως διαμέτρου αρκετών μικρών. Μονολιθικό ολοκληρωμένο κύκλωμα (3) είναι συνδυασμός ενεργών ή παθητικών στοιχείων κυκλώματος ή και των δύο, τα οποία: ΣΗΜ.: Στοιχείο κυκλώματος: ένα μεμονωμένο ενεργητικό ή παθητικό λειτουργικό μέρος ηλεκτρονικού κυκλώματος, όπως δίοδος, τρανζίστορ, αντίσταση ή πυκνωτής κ.λπ. Μονοφασματικοί αισθητήρες εικόνας (6) είναι ικανοί να εκτελούν λήψη δεδομένων εικόνας από μία διακριτή ζώνη φάσματος. Ολοκληρωμένο κύκλωμα περισσοτέρων τσιπ (3) είναι δύο ή περισσότερα μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα συνενωμένα σε ένα κοινό υπόβαθρο. Πολυφασματικοί αισθητήρες εικόνας (6) είναι ικανοί να εκτελούν ταυτόχρονη ή σειριακή λήψη δεδομένων εικόνας από δύο ή περισσότερες διακριτές ζώνες φάσματος. Οι αισθητήρες που έχουν περισσότερες από 20 διακριτές ζώνες φάσματος ονομάζονται ορισμένες φορές υπερφασματικοί αισθητήρες εικόνας. Φυσικό ουράνιο (0) είναι το ουράνιο που περιέχει το μείγμα ισοτόπων που απαντά στη φύση. Ελεγκτής πρόσβασης στο δίκτυο (4) είναι μια υλική διεπαφή με ένα κατανεμημένο μεταγωγικό δίκτυο. Χρησιμοποιεί ένα κοινό μέσο το οποίο λειτουργεί πάντα με τον ίδιο ρυθμό ψηφιακής μεταβίβασης και επιτρέπει οποιαδήποτε μεταβίβαση μέσω του δικτύου (π.χ. ανίχνευση αδειοπλαισίου ή φέρουσας) για τη μεταβίβαση. Ανεξάρτητα από οποιοδήποτε άλλο, επιλέγει πακέτα δεδομένων ή ομάδες δεδομένων (π.χ. IEEE 802) που απευθύνονται σε αυτόν. Είναι ένα σύνολο το οποίο είναι δυνατόν να ενσωματωθεί σε συσκευές υπολογιστών ή τηλεπικοινωνιών ώστε να παρέχει πρόσβαση στο επικοινωνιακό δίκτυο. Νευρωνικός υπολογιστής (4) είναι μια υπολογιστική διάταξη που έχει σχεδιαστεί ή μετασκευαστεί ώστε να μιμείται τη συμπεριφορά ενός νευρώνα ή ενός συνόλου νευρώνων, δηλαδή μια υπολογιστική διάταξη η οποία διακρίνεται λόγω της ικανότητας του υλικού να διαμορφώνει το βάρος και τις διασυνδέσεις μιας πληθώρας υπολογιστικών στοιχείων που βασίζονται σε προηγούμενα δεδομένα. Πυρηνικός αντιδραστήρας (0) είναι πλήρης αντιδραστήρας ικανός να λειτουργεί κατά τρόπον ώστε να συντηρεί ελεγχόμενη αυτοσυντηρούμενη αλυσιδωτή αντίδραση σχάσης. Ο πυρηνικός αντιδραστήρας περιλαμβάνει το σύνολο των διατάξεων που βρίσκονται εντός ή είναι απευθείας προσαρμοσμένες στον λέβητα του αντιδραστήρα, τον εξοπλισμό ο οποίος ρυθμίζει τη στάθμη ισχύος στον πυρήνα, και τα κατασκευαστικά μέρη τα οποία κανονικά περιλαμβάνουν, έρχονται σε απευθείας επαφή ή ρυθμίζουν το πρωτεύον ψυκτικό μέσο στον πυρήνα του αντιδραστήρα. Ψηφιακός έλεγχος (2) είναι ο αυτόματος έλεγχος μιας διεργασίας που επιτελείται από μια διάταξη η οποία χρησιμοποιεί ψηφιακά δεδομένα τα οποία συνήθως εισάγονται κατά τη διάρκεια της διεργασίας (βλέπε ISO 2382). Αντικειμενικός κώδικας (GSN) είναι η εκτελέσιμη από εξοπλισμό μορφή της κατάλληλης έκφρασης μιας ή περισσοτέρων διαδικασιών [πηγαίος κώδικας (γλώσσα πηγής)] η οποία έχει μεταγλωττιστεί από σύστημα προγραμματισμού. Οπτική ενίσχυση (5) στις οπτικές επικοινωνίες είναι η τεχνική με την οποία επιτυγχάνεται η ενίσχυση των οπτικών σημάτων που παράγονται από μια χωριστή πηγή χωρίς να μετατρέπονται αυτά σε ηλεκτρικά σήματα, δηλαδή χρησιμοποιώντας ημιαγωγούς ενισχυτές οπτικών σημάτων, και ενισχυτές φωταύγειας οπτικών ινών. Οπτικός υπολογιστής (4) είναι ένας υπολογιστής που έχει σχεδιαστεί ή μετασκευαστεί ώστε να χρησιμοποιεί φωτεινά σήματα για το συμβολισμό δεδομένων και του οποίου τα στοιχεία λογικής επεξεργασίας βασίζονται σε απευθείας συνδεδεμένες οπτικές διατάξεις. Οπτικό ολοκληρωμένο κύκλωμα (3) είναι ένα μονολιθικό ολοκληρωμένο κύκλωμα ή ένα υβριδικό ολοκληρωμένο κύκλωμα, το οποίο περιέχει ένα ή περισσότερα μέρη προοριζόμενα να λειτουργήσουν ως φωτοαισθητήρας ή φωτοπομπός ή για να επιτελέσουν μια ή περισσότερες οπτικές ή ηλεκτροοπτικές λειτουργίες. Οπτική μεταγωγή (5) είναι η δρομολόγηση ή η μεταγωγή οπτικών σημάτων χωρίς τη μετατροπή τους σε ηλεκτρικά σήματα. Ολική πυκνότητα εντάσεως (3) είναι ο συνολικός αριθμός αμπεροστροφών ενός πηνίου (δηλαδή το σύνολο του αριθμού των σπειρών πολλαπλασιαζόμενο επί τη μέγιστη ένταση σε κάθε σπείρα και διαιρούμενο διά της ολικής διατομής του πηνίου, όπου περιλαμβάνονται οι υπεραγώγιμες ίνες, το μεταλλικό υλικό στο οποίο είναι ενσωματωμένες οι υπεραγώγιμες ίνες, το υλικό του περιβλήματος, οι τυχόν ψυκτικοί δίαυλοι κ.λπ.). Συμμετέχον κράτος (7 9) είναι κάθε κράτος που συμμετέχει στη Ρύθμιση του Wassenaar. (Βλέπε www.wassenaar.org) Ισχύς αιχμής (6) είναι η μέγιστη ισχύς που επιτυγχάνεται κατά τη διάρκεια του παλμού. Δίκτυο προσωπικού χώρου (5) σημαίνει ένα σύστημα μεταβίβασης δεδομένων το οποίο διαθέτει αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: Πομποδέκτης δεδομένων: συσκευή ικανή να μεταβιβάζει ή να λαμβάνει ακολουθίες ψηφιακών πληροφοριών. Διαχείριση ισχύος (7) είναι η μεταβολή της μεταβιβαζόμενης ισχύος του σήματος του υψομετρικού οργάνου ώστε η λαμβανόμενη ισχύς στο ύψος του αεροσκάφους είναι πάντα η ελάχιστη ισχύς η οποία απαιτείται για τον προσδιορισμό του ύψους. Προηγουμένως διαχωρισμένο (0 1) είναι η εφαρμογή μιας διαδικασίας που αποβλέπει στην αύξηση της συγκέντρωσης ενός ελεγχομένου ισοτόπου. Κύριο χειριστήριο πτήσης (7) σημαίνει χειριστήριο σταθερότητας ή ελιγμών αεροσκάφους διά της χρήσης γεννητριών δύναμης/ροπής, δηλαδή επιφάνειες αεροδυναμικού ελέγχου ή ρύθμιση της διεύθυνσης της ωστικής δύναμης. Κύριο στοιχείο (4), όπως χρησιμοποιείται στη κατηγορία 4, είναι ένα κύριο στοιχείο, όταν το κόστος για την αντικατάστασή του υπερβαίνει το 35 % της συνολικής αξίας του συστήματος, στοιχείο του οποίου αποτελεί. Η αξία του στοιχείου είναι η τιμή που καταβάλλεται για την αγορά του στοιχείου από τον κατασκευαστή ή από τον συναρμολογητή του συστήματος. Η συνολική αξία είναι η συνήθης διεθνής τιμή πωλήσεως σε ανεξάρτητους αγοραστές στον τόπο κατασκευής ή αποστολής. Παραγωγή (GTN όλες οι φάσεις) είναι όλες οι φάσεις παραγωγής όπως: κατασκευή, μηχανολογική μελέτη, βιομηχανική παραγωγή, ολοκλήρωση, συναρμολόγηση, έλεγχος, δοκιμή, διασφάλιση της ποιότητας. Εξοπλισμός παραγωγής (1 7 9) είναι ο μηχανικός εξοπλισμός, τα ιχνάρια, τα περιτυπώματα, τα μαντρέλια, οι τύποι, οι μήτρες, οι στηρίξεις, οι μηχανισμοί ευθυγράμμισης, ο εξοπλισμός δοκιμών, άλλες μηχανές και κατασκευαστικά μέρη των μηχανών αυτών οι οποίες έχουν σχεδιαστεί ή μετασκευαστεί ώστε να χρησιμεύουν στην ανάπτυξη ή σε μια ή περισσότερες φάσεις της παραγωγής. Εγκαταστάσεις παραγωγής (7 9) είναι ο εξοπλισμός παραγωγής και το ειδικά σχεδιασμένο σχετικό λογισμικό που ενσωματώνονται σε εγκαταστάσεις που χρησιμεύουν στην ανάπτυξη ή σε μια ή περισσότερες φάσεις της παραγωγής. Πρόγραμμα (2 6) είναι μια αλληλουχία εντολών για τη διεξαγωγή μιας διαδικασίας, υπό μορφή εκτελέσιμη από ηλεκτρονικό υπολογιστή ή μετατρέψιμη σε εκτελέσιμη μορφή. Συμπίεση παλμού (6) είναι η κωδικοποίηση και η επεξεργασία ενός παλμού (σήματος) ραντάρ μεγάλης διαρκείας σε έναν παλμό βραχείας διαρκείας, διατηρώντας τα πλεονεκτήματα της υψηλής παλμικής ενέργειας. Διάρκεια παλμού (6) είναι η διάρκεια ενός παλμού λέιζερ και σημαίνει το χρόνο μεταξύ των σημείων μισής ισχύος του πρόσθιου άκρου και του οπίσθιου άκρου ενός επιμέρους παλμού. Παλμικό λέιζερ (6) λέγεται το λέιζερ που έχει διάρκεια παλμού μέχρι και 0,25 sec. Κβαντική κρυπτογραφία (5) είναι μια οικογένεια τεχνικών για τη δημιουργία κοινής κλείδας για κρυπτογραφία μέσω της μέτρησης των κβαντομηχανικών ιδιοτήτων ενός φυσικού συστήματος (συμπεριλαμβανομένων των φυσικών ιδιοτήτων που διέπονται σαφώς από την κβαντική οπτική, την κβαντική θεωρία πεδίων ή την κβαντική ηλεκτροδυναμική). Ευελιξία μεταβολής συχνότητας ραντάρ (6) είναι μια τεχνική με την οποία μεταβάλλεται η φέρουσα συχνότητα ενός παλμοπομπού ραντάρ σε ψευδοτυχαία ακολουθία μεταξύ μεμονωμένων παλμών ραντάρ ή ομάδων παλμών ραντάρ κατά τιμή ίση ή μεγαλύτερη από το εύρος ζώνης των παλμών ραντάρ. Διεύρυνση φάσματος ραντάρ (6) είναι κάθε τεχνική διαμόρφωσης για την κατανομή της ενέργειας, που προέρχεται από σήμα με σχετικά στενή ζώνη συχνοτήτων, σε ευρύτερη ζώνη συχνοτήτων χρησιμοποιώντας τυχαία ή ψευδοτυχαία κωδικοποίηση. Φωτοηλεκτρική ευαισθησία (6), μετρούμενη σε mA/W, είναι το γινόμενο της κβαντικής απόδοσης (QE) επί το μήκος κύματος σε nm επί 0,807. Η κβαντική απόδοση εκφράζεται συνήθως ως ποσοστό, στον παραπάνω τύπο όμως νοείται ως δεκαδικός αριθμός μεταξύ 0 και 1, π.χ. 0,78 αντί 78 %. Εύρος ζώνης πραγματικού χρόνου (3) για αναλυτές σημάτων είναι η ευρύτερη περιοχή συχνοτήτων για την οποία ο αναλυτής δύναται να εκτελεί συνεχή πλήρη μετατροπή χρονικών δεδομένων σε αποτελέσματα συχνοτήτων, με τη χρήση μετασχηματισμού διακριτού χρόνου Fourier ή άλλου τύπου χωρίς κενά ή παράθυρα (windowing effects) που προκαλούν μείωση της μετρούμενης έντασης μεγαλύτερη των 3 dB κάτω από την πραγματική ένταση του σήματος, παράγοντας ή εμφανίζοντας παράλληλα τα μετατρεπόμενα δεδομένα. Επεξεργασία σε πραγματικό χρόνο (2 6 7) είναι η επεξεργασία δεδομένων με σύστημα ηλεκτρονικού υπολογιστή, το οποίο παρέχει απαιτούμενο επίπεδο υπηρεσίας ως συνάρτηση των διαθέσιμων πόρων, εντός ενός εγγυημένου χρόνου απόκρισης, ανεξάρτητα από το φόρτωμα του συστήματος, όταν δεχθεί εξωτερικό ερέθισμα. Επαναληψιμότητα (7) σημαίνει την εγγύτητα συμφωνίας μεταξύ επαναλαμβανόμενων μετρήσεων της ίδιας μεταβλητής υπό τις αυτές συνθήκες λειτουργίας όταν μεταβάλλονται μεταξύ των μετρήσεων οι συνθήκες λειτουργίας ή μεσολαβούν διαστήματα μη λειτουργίας. (Αναφορά: Πρότυπο IEEE 528-2001 [τυπική απόκλιση (1 σ)] Η έννοια απαιτούμενη (GTN 1-9), όπως εφαρμόζεται σε σχέση με την τεχνολογία, αφορά μόνον αυτό το μέρος της τεχνολογίας το οποίο είναι ιδιαίτερα απαραίτητο για την επίτευξη ή την επέκταση των επιπέδων ελεγχόμενων επιδόσεων, των χαρακτηριστικών ή των λειτουργιών. Η απαιτούμενη τεχνολογία μπορεί να είναι κοινή για διάφορα είδη. Διακριτική ικανότητα (2) είναι το ελάχιστο βήμα ενός μετρητή. Στην περίπτωση ψηφιακών οργάνων, είναι το ελάχιστο σημαντικό bit (βλέπε ANSI Β-89.1.12). Παράγοντες ελέγχου ταραχών (1) είναι οι ουσίες οι οποίες, υπό τις αναμενόμενες συνθήκες χρήσης για τον έλεγχο ταραχών, προκαλούν ταχέως στους ανθρώπους ερεθισμό των αισθητηρίων οργάνων ή σωματικά αποτελέσματα που τους θέτουν εκτός δράσης και που εξαφανίζονται γρήγορα μετά την παύση της έκθεσης. Τα δακρυγόνα αέρια είναι υποκατηγορία των παραγόντων ελέγχου ταραχών. Ρομπότ (2 8) είναι ένας μηχανισμός χειρισμού συνεχούς ή ασυνεχούς τροχιάς, ο οποίος ενδέχεται να χρησιμοποιεί αισθητήρες και ο οποίος έχει όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: ΣΗΜ.: Ο παραπάνω ορισμός δεν περιλαμβάνει τις ακόλουθες διατάξεις: Φυγοκεντρικός ψεκασμός (1) είναι η διαδικασία για τη μετατροπή ρέοντος ή ηρεμούντος τηγμένου μετάλλου σε ψεκάδες διαμέτρου 500 μικρομέτρων διά φυγοκεντρίσεως. Roving (1) είναι δέσμη (τυπικά 12-120) περίπου παραλλήλων εμβόλων. ΣΗΜ.: Έμβολο είναι η δέσμη μονοκλώνων νημάτων (τυπικά άνω των 200) με περίπου παράλληλη διάταξη. Γραμμική εκτροπή (2) σημαίνει την ακτινική μετατόπιση της κύριας ατράκτου σε μια περιστροφή, μετρούμενη σε επίπεδο κάθετο προς τον άξονα της ατράκτου σε σημείο επί της εξωτερικής ή εσωτερική περιστρεφόμενης επιφάνειας υπό δοκιμή (στοιχεία: ISO 230/1 1986, σημείο 5.61). Ρυθμός αποκλίσεως (περιστροφικός) (7) είναι η συστηματική συνιστώσα της περιστροφικής εξόδου η λειτουργικώς ανεξάρτητη από την περιστροφή εισόδου. Ο συντελεστής κλίμακας υπολογίζεται γενικά ως η κλίση της ευθείας που χαράσσεται με τη βοήθεια της μεθόδου των ελαχίστων τετραγώνων ώστε να προσαρμόζεται στα δεδομένα εισόδου-εξόδου τα οποία λαμβάνονται με την κυκλική μεταβολή των τιμών εισόδου εντός των ορίων μεταβολής των τιμών αυτών. Χρόνος ηρεμίας (3) είναι ο χρόνος που απαιτείται ώστε το σήμα εισόδου να μη διαφέρει πάνω από μισό bit από την τελική τιμή κατά τη μεταγωγή μεταξύ δύο επιπέδων ενός μετατροπέα. SHPL αντιστοιχεί στο λέιζερ πολύ μεγάλης ισχύος. Αναλυτές σημάτων (3) είναι συσκευές ικανές να μετρήσουν και να εμφανίσουν τις βασικές ιδιότητες των επιμέρους συχνοτήτων σημάτων πολλαπλών συχνοτήτων. Επεξεργασία σημάτων (3 4 5 6) είναι η επεξεργασία εξωτερικών σημάτων που εμπεριέχουν πληροφορίες με τη βοήθεια αλγορίθμων όπως είναι η χρονική συμπίεση, το φιλτράρισμα, η εξαγωγή, η επιλογή, ο συσχετισμός, η συνέλιξη ή μετατροπή συναρτήσεων (π.χ. ταχύς μετασχηματισμός Fourier ή μετασχηματισμός Walsh). Λογισμικό (GSN All) είναι μια συλλογή ενός ή περισσοτέρων προγραμμάτων ή μικροπρογραμμάτων τα οποία έχουν εγγραφεί σε ένα οποιοδήποτε υλικό μέσο. ΣΗΜ.: Μικροπρόγραμμα είναι μια ακολουθία στοιχειωδών εντολών, αποθηκευμένων σε ειδική μνήμη, η εκτέλεση των οποίων ξεκινά με την εισαγωγή της εντολής αναφοράς του μικροπρογράμματος σε έναν καταγραφέα εντολών. Πηγαίος κώδικας (ή πρωτογενής γλώσσα) (6 7 9) είναι ένας εύχρηστος χαρακτηρισμός μιας ή περισσοτέρων διαδικασιών οι οποίες είναι δυνατό να μετασχηματισθούν από ένα σύστημα προγραμματισμού σε μια μορφή εκτελέσιμη από υπολογιστή [καταληκτικός κώδικας (ή καταληκτική γλώσσα)]. Διαστημικό όχημα (7 9) είναι ενεργητικοί και παθητικοί δορυφόροι και διαστημικοί ανιχνευτές. Κατάλληλα για διαστημική χρήση (3 6 7) σημαίνει σχεδιασμένα, κατασκευασμένα ή διαμορφωμένα μέσω κατάλληλων δοκιμών για λειτουργία σε υψόμετρα μεγαλύτερα των 100 km πάνω από την επιφάνεια της γης. ΣΗΜ.: Όταν ορίζεται ότι ένα συγκεκριμένο είδος είναι κατάλληλο για διαστημική χρήση μέσω δοκιμών, αυτό δεν σημαίνει ότι και άλλα είδη της ίδιας παραγωγής ή σειράς μοντέλων είναι κατάλληλα για διαστημική χρήση χωρίς να δοκιμαστούν ξεχωριστά. Ειδικά σχάσιμα υλικά (0) είναι το πλουτώνιο-239, το ουράνιο-233, το ουράνιο εμπλουτισμένο σε ισότοπα 235 ή 233 και κάθε υλικό που περιέχει τα παραπάνω υλικά. Ειδικό μέτρο ελαστικότητας (0 1 9) είναι το μέτρο Young εκφρασμένο σε Pascal, το οποίο ισοδυναμεί με το λόγο N/m2 προς το ειδικό βάρος σε N/m3, μετρούμενο σε θερμοκρασία (296 ± 2) Κ [(23 ± 2) °C] και σχετική υγρασία (50 ± 5) %. Ειδική αντοχή σε εφελκυσμό (0 1 9) είναι η ανώτατη τάση εφελκυσμού σε Pascal, η οποία ισοδυναμεί με το λόγο N/m2 προς το ειδικό βάρος σε N/m3, σε θερμοκρασία (296 ± 2) Κ [(23 ± 2) °C] και σχετική υγρασία (50 ± 5) %. Τα γυροσκόπια περιστρεφόμενης μάζας (7) είναι γυροσκόπια τα οποία χρησιμοποιούν μια συνεχώς περιστρεφόμενη μάζα για να αισθάνονται τη γωνιακή κίνηση. Ταχεία βαφή (1) είναι μια διαδικασία για την ταχεία στερεοποίηση ρέοντος τηγμένου μετάλλου το οποίο έρχεται σε επαφή με μια ψυχόμενη επιφάνεια όπου μετατρέπεται σε φολίδες. ΣΗΜ.: Ταχεία στερεοποίηση: στερεοποίηση τηγμένου μετάλλου με ρυθμό ψύξεως άνω των 1000 K/s. Κατανεμημένο φάσμα (5) είναι μια τεχνική με την οποία η ενέργεια ενός επικοινωνιακού καναλιού σχετικά στενής ζώνης κατανέμεται σε ένα κατά πολύ ευρύτερο ενεργειακό φάσμα. Ραντάρ διεύρυνσης φάσματος (6) - βλέπε Διεύρυνση φάσματος ραντάρ. Σταθερότητα (7) είναι η τυπική απόκλιση (1 σ) της μεταβολής μιας συγκεκριμένης παραμέτρου από τη βαθμονομημένη τιμή της που μετριέται υπό σταθερές συνθήκες θερμοκρασίας. Η σταθερότητα είναι δυνατό να εκφραστεί ως συνάρτηση του χρόνου. Κράτη (μη) μέρη της σύμβασης Χημικών Όπλων (1) είναι εκείνα τα κράτη για τα οποία (δεν) έχει τεθεί σε ισχύ η σύμβαση για την Απαγόρευση της Ανάπτυξης, Παραγωγής, Αποθεματοποίησης και Χρήσης Χημικών Όπλων. (Βλέπε www.opcw.org) Υπόστρωμα (3) είναι ένα φύλλο υλικού που χρησιμεύει ως βάση, με ή χωρίς διασυνδέσεις, επί ή εντός του οποίου είναι δυνατό να τοποθετηθούν διακεκριμένα κατασκευαστικά μέρη ή ολοκληρωμένα κυκλώματα ή και τα δύο. ΣΗΜ. 1: Διακεκριμένο κατασκευαστικό μέρος: ένα χωριστά συσκευασμένο στοιχείο κυκλώματος με τις δικές του εξωτερικές συνδέσεις. ΣΗΜ. 2: Στοιχείο κυκλώματος: ένα μεμονωμένο ενεργητικό ή παθητικό λειτουργικό μέρος ηλεκτρονικού κυκλώματος, όπως δίοδος, τρανζίστορ, αντίσταση ή ένας πυκνωτής κ.λπ. Ακατέργαστα υποστρώματα (3 6) είναι μονολιθικές ενώσεις με κατάλληλες διαστάσεις για την παραγωγή οπτικών στοιχείων όπως είναι κάτοπτρα ή φακοί. Υποενότητα τοξίνης (1) είναι ένα δομικά και λειτουργικά ανεξάρτητο δομικό στοιχείο μιας πλήρους τοξίνης. Υπερκράματα (2 9) είναι κράματα βασιζόμενα στο νικέλιο, το κοβάλτιο ή το σίδηρο, τα οποία έχουν ανώτερη αντοχή από οποιαδήποτε άλλα κράματα της σειράς ΑΙSI 300 σε θερμοκρασίες 922 Κ (649 °C) υπό δυσμενείς συνθήκες περιβάλλοντος και λειτουργίας. Υπεραγώγιμα (1 3 5 6 8) είναι υλικά, όπως μέταλλα, κράματα ή ενώσεις τα οποία παύουν να έχουν ηλεκτρική αντίσταση, δηλαδή τα οποία αποκτούν άπειρη ηλεκτρική αγωγιμότητα και είναι σε θέση να διοχετεύσουν πολύ υψηλές ηλεκτρικές εντάσεις χωρίς θερμικές απώλειες. ΣΗΜ.: Η υπεραγώγιμη κατάσταση ενός υλικού χαρακτηρίζεται από μια κρίσιμη θερμοκρασία, ένα κρίσιμο μαγνητικό πεδίο, το οποίο είναι συνάρτηση της θερμοκρασίας, και μια κρίσιμη πυκνότητα εντάσεως η οποία είναι επίσης συνάρτηση του μαγνητικού πεδίου και της θερμοκρασίας. Λέιζερ πολύ μεγάλης ισχύος (SHPL) (6) είναι ένα λέιζερ ικανό να αποδώσει στην έξοδο (το σύνολο ή μέρος του συνόλου) ενέργειες άνω του 1 kJ εντός 50 ms ή μέση ισχύ ή CW άνω των 20 kW. Υπερπλαστική μορφοποίηση (1 2) είναι η θερμική διαμόρφωση μετάλλων των οποίων η επιμήκυνση θραύσης υπό κανονική θερμοκρασία είναι χαμηλή (κάτω του 20 %) στο σημείο θραύσης, το οποίο καθορίζεται σε θερμοκρασία δωματίου με συμβατικές δοκιμές αντίστασης εφελκυσμού, προκειμένου να επιτευχθεί επιμήκυνση διπλάσια των τιμών αυτών. Συμμετρικός αλγόριθμος (5) είναι ο κρυπτογραφικός αλγόριθμος που χρησιμοποιεί την ίδια κλείδα για την κρυπτογράφηση και την αποκρυπτογράφηση. ΣΗΜ.: Μια συνήθης χρήση συμμετρικών αλγορίθμων είναι η εμπιστευτικότητα των δεδομένων. Δεδομένα εντοπισμού (6) είναι επεξεργασμένες, συσχετισμένες και ενημερωμένες πληροφορίες σχετικά με τη θέση πτήσεως αεροσκαφών οι οποίες παρέχονται στους ελεγκτές εναερίου κυκλοφορίας. (Ο συσχετισμός γίνεται μεταξύ των δεδομένων ραδιοεντοπισμού και των θέσεων αεροσκαφών σύμφωνα με το πρόγραμμα πτήσεων). Συστολικός σύστοιχος υπολογιστής (4) είναι ένας υπολογιστής όπου η ροή και η μετατροπή των δεδομένων ελέγχεται δυναμικά από το χρήστη σε επίπεδο λογικής πύλης. Ταινία (1) είναι ένα υλικό κατασκευασμένο από συμπεπλεγμένα ή μονής κατεύθυνσης μονόκλωνα νήματα, έμβολα, πιλήματα, τίλματα ή νήματα κ.λπ. συνήθως προεμποτισμένα με ρητίνη. ΣΗΜ.: Έμβολο είναι η δέσμη μονοκλώνων νημάτων (τυπικά άνω των 200) με περίπου παράλληλη διάταξη. Τεχνολογία (GTN NTN όλα) είναι οι εξειδικευμένες πληροφορίες που απαιτούνται για την ανάπτυξη, την παραγωγή ή τη χρήση προϊόντων. Οι πληροφορίες αυτές λαμβάνουν τη μορφή τεχνικών δεδομένων ή τεχνικής βοήθειας. ΣΗΜ. 1: Η τεχνική βοήθεια είναι δυνατόν να λάβει τη μορφή παροχής οδηγιών, ανάπτυξης ικανοτήτων, κατάρτισης, μετάδοσης επαγγελματικής πείρας και παροχής συμβουλών και να συνοδεύεται από τη μετάβαση τεχνικών δεδομένων. ΣΗΜ. 2: Τα τεχνικά δεδομένα είναι δυνατό να λάβουν τη μορφή οδηγιών κατασκευής, σχεδίων, διαδρομών, μοντέλων, μαθηματικών τύπων, πινάκων, μηχανολογικών σχεδίων και προδιαγραφών, εγχειριδίων και οδηγιών υπό μορφή γραπτού κειμένου ή σε μαγνητική εγγραφή διάφορα μέσα ή διατάξεις όπως είναι οι μαγνητικοί δίσκοι, οι μαγνητοταινίες, οι μνήμες ROM. Τρισδιάστατο ολοκληρωμένο κύκλωμα (3) είναι μια συλλογή μητρών ημιαγωγού, ολοκληρωμένων μεταξύ τους, όπου διασυνδέσεις περνούν πλήρως διαμέσου τουλάχιστον μιας μήτρας για τη δημιουργία διασυνδέσεων μεταξύ μητρών. Ανακλινόμενη άτρακτος (2) είναι ένας βραχίονας που συγκρατεί εργαλείο ο οποίος μεταβάλλει, κατά τη διάρκεια της μηχανικής κατεργασίας, τη γωνιακή θέση του κεντρικού του άξονα σε σχέση με οποιονδήποτε άλλο άξονα. Χρονική σταθερά (6) είναι ο χρόνος ο οποίος απαιτείται ώστε η αύξηση του ρεύματος η οποία οφείλεται σε ένα φωτεινό ερέθισμα να φθάσει την τιμή 1-1/e φορές της τελικής της τιμής (δηλαδή το 63 % της τελικής της τιμής). Στεφάνη (προστατευτικό περίβλημα) ακροπτερυγίου (9) είναι ένα σταθερό δακτυλιακό εξάρτημα, είτε συμπαγές είτε σπονδυλωτό, προσκολλημένο στην εσωτερική επιφάνεια του περιβλήματος του αεριοστροβίλου κινητήρα, ή ένα στοιχείο του εξωτερικού άκρου του πτερυγίου του αεριοστροβίλου, βασική λειτουργία του οποίου είναι να αποτελεί αεριοσφραγίδα μεταξύ του σταθερού και του κινητού στοιχείου. Πλήρης έλεγχος πτήσης (7) είναι πλήρης έλεγχος των μεταβλητών της κατάστασης του αεροσκάφους και του ίχνους πτήσης για την αντιμετώπιση στόχων της αποστολής του, που ανταποκρίνονται σε αλλαγές σε πραγματικό χρόνο στοιχείων σχετικά με τους στόχους, τους κινδύνους ή άλλα αεροσκάφη. Συνολικός ρυθμός μεταβίβασης ψηφιακών δεδομένων (5) είναι ο ρυθμός των bit, συμπεριλαμβανομένου και του κωδικού σύνδεσης, overhead κ.λπ. ανά μονάδα χρόνου ο οποίος διέρχεται μεταξύ των αντίστοιχων συσκευών σε ένα ψηφιακό σύστημα επικοινωνίας. ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης Ρυθμός μεταβίβασης ψηφιακών δεδομένων. Τίλμα (1) είναι μια δέσμη μονοκλώνων νημάτων, συνήθως περίπου παραλλήλων. Τοξίνες (1 2) είναι οι τοξίνες υπό μορφή εκουσίως απομονωμένων σκευασμάτων ή μειγμάτων, ανεξάρτητα από τον τρόπο παρασκευής τους, στις οποίες δεν συμπεριλαμβάνονται οι τοξίνες οι οποίες περιέχονται ως μολυντικές προσμίξεις σε άλλα υλικά όπως παθολογικά δείγματα, φυτά, τρόφιμα ή σπόρια μικροοργανισμών. Τransfer laser (6) είναι ένα λέιζερ στο οποίο τα σωματίδιά του διεγείρονται από την ενέργεια που μεταδίδεται από τη σύγκρουση ατόμων ή μορίων μη φωτοενισχυτικού υλικού με τα άτομα ή τα μόρια του υλικού λέιζερ. Συντονίσιμο (6) είναι ένα λέιζερ το οποίο είναι ικανό να παράγει συνεχές σήμα εξόδου σε όλα τα μήκη κύματος ενός φάσματος περισσότερων αποδιεγέρσεων λέιζερ. Ένα λέιζερ το οποίο εκπέμπει κατ’ επιλογή διάφορα διακεκριμένα μήκη κύματος (φασματικές γραμμές) εντός μιας αποδιεγέρσεως λέιζερ δεν θεωρείται ως συντονίσιμο. Μη επανδρωμένο όχημα αέρος (UAV) (9) είναι αεροσκάφος ικανό να αρχίζει πτήση και να διατηρεί ελεγχόμενη πτήση χωρίς την παρουσία ανθρώπων επ’ αυτού. Εμπλουτισμένο ουράνιο ως προς τα ισότοπα 235 ή 233 (0) είναι το ουράνιο που περιέχει τα ισότοπα 235 ή 233, ή και τα δύο σε ποσότητες τέτοιες ώστε ο λόγος περιεκτικότητας του συνόλου αυτών των ισοτόπων προς το ισότοπο 238 να είναι μεγαλύτερος από τον λόγο του ισοτόπου 235 προς το ισότοπο 238 στο φυσικό ουράνιο (λόγος περιεκτικότητας 0,71 %). Χρήση (GTN NTN όλα) είναι η λειτουργία, εγκατάσταση (όπου περιλαμβάνεται η εγκατάσταση στον τόπο λειτουργίας), συντήρηση (έλεγχος), επιδιόρθωση, ανακαίνιση και επανεξοπλισμό. Ικανότητα προγραμματισμού από τον χρήστη (6) είναι η δυνατότητα που παρέχεται στον χρήστη να εισαγάγει, να τροποποιήσει ή να αντικαταστήσει προγράμματα με μεθόδους διαφορετικές από: Εμβόλιο (1) είναι ένα φαρμακευτικό προϊόν σε φαρμακευτικό σκεύασμα για το οποίο έχει χορηγηθεί γενική άδεια ή άδεια εμπορίας ή κλινικών δοκιμών από τις ρυθμιστικές αρχές είτε της χώρας παρασκευής είτε της χώρας χρήσης, που προορίζεται να προκαλέσει προστατευτική ανοσοποιητική αντίδραση σε ανθρώπους και ζώα για την πρόληψη ασθενειών σε όσους χορηγείται. Ψεκασμός εν κενώ (1) είναι η διαδικασία με την οποία μια ροή τηγμένου μετάλλου μεταβάλλεται σε σταγονίδια διαμέτρου 500 μικρομέτρων και κάτω με την ταχεία έκλυση ενός διαλελυμένου αερίου κατά την είσοδο του τήγματος σε κενό. Αεροτομές μεταβλητής γεωμετρίας (7) είναι η χρήση πτερυγίων η θέση των οποίων είναι δυνατόν να ελέγχεται κατά την πτήση. Νήμα (1) είναι μια δέσμη περιελιγμένων εμβόλων. ΣΗΜ.: Έμβολο είναι η δέσμη μονοκλώνων νημάτων (τυπικά άνω των 200) με περίπου παράλληλη διάταξη.

ΟΡΙΣΜΟΙ ΟΡΩΝ ΧΡΗΣΙΜΟΠΟΙΟΥΜΕΝΩΝ ΣΤΟ ΠΑΡΟΝ ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ

α.

Η κοινή αρχιτεκτονική υλικού και λογισμικού,

β.

Η κοινή τεχνολογία σχεδιασμού και διεργασιών, και

γ.

α.

Την εξαγωγή δεδομένων ή πληροφοριών από έναν υπολογιστή ή μια δικτυακά συνδεόμενη συσκευή, ή την τροποποίηση συστήματος ή δεδομένων χρήστη, και

β.

Την τροποποίηση της τυπικής διαδρομής εκτέλεσης ενός προγράμματος ή μιας διεργασίας προκειμένου να επιτραπεί η εκτέλεση οδηγιών που δίνονται από εξωτερική πηγή.

ΟΡΙΣΜΟΙ ΟΡΩΝ ΧΡΗΣΙΜΟΠΟΙΟΥΜΕΝΩΝ ΣΤΟ ΠΑΡΟΝ ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Σημειώσεις: 1.

α.

Επόπτες (hypervisors), εκσφαλματωτές (debuggers) ή εργαλεία ανάδρομης τεχνικής έρευνας λογισμικού (Software Reverse Engineering - SRE),

β.

Λογισμικό διαχείρισης ψηφιακών δικαιωμάτων (Digital Rights Management - DRM), ή

γ.

1. Μηχανισμοί χειρισμού ελεγχόμενοι μόνον απευθείας από τον χρήστη με τη βοήθεια τηλεχειριστή,

2. Μηχανισμοί χειρισμού καθορισμένης σειράς κινήσεων, οι οποίοι είναι διατάξεις που κινούνται αυτόματα και λειτουργούν σύμφωνα με μηχανικά καθοριζόμενες προγραμματισμένες κινήσεις. Το πρόγραμμα περιορίζεται μηχανικά με τη βοήθεια σταθερών διατάξεων, όπως ακίδων ή δοντιών. Η σειρά των κινήσεων και η επιλογή των τροχιών ή των γωνιών δεν είναι δυνατόν να κυμανθούν ή να μεταβληθούν μηχανικά, ηλεκτρονικά ή ηλεκτρικά,

3. Μηχανισμοί χειρισμού μεταβλητής σειράς κινήσεων οι οποίοι ελέγχονται μηχανικά και είναι διατάξεις που κινούνται αυτόματα και λειτουργούν σύμφωνα με μηχανικά καθοριζόμενες προγραμματισμένες κινήσεις. Το πρόγραμμα περιορίζεται μηχανικά με τη βοήθεια σταθερών αλλά ρυθμιζόμενων διατάξεων, όπως ακίδων ή δοντιών. Η σειρά των κινήσεων και επιλογή των τροχιών ή των γωνιών μεταβάλλονται εντός των σταθερών ορίων που καθορίζονται από το πρόγραμμα. Οι μεταβολές ή οι τροποποιήσεις του προγράμματος (π.χ. αλλαγές των ακίδων ή των δοντιών) σε ένα ή περισσότερους άξονες κινήσεως πραγματοποιούνται μόνο με μηχανικούς χειρισμούς,

4. Μηχανισμοί χειρισμού μεταβλητής σειράς κινήσεων μη ελεγχόμενοι με τη βοήθεια σερβομηχανισμών, οι οποίοι είναι αυτόματα κινούμενες διατάξεις που εκτελούν μηχανικά καθοριζόμενες προγραμματισμένες κινήσεις. Το πρόγραμμα είναι δυνατό να μεταβληθεί αλλά η σειρά των κινήσεων κατευθύνεται από τα ψηφιακά σήματα που προέρχονται από μηχανικά καθοριζόμενες ηλεκτρικές δυαδικές διατάξεις ή ρυθμιζόμενες στάσεις.

5. Γερανοί στοιβασίας οριζόμενοι ως συστήματα χειρισμού, τριών βαθμών ελευθερίας, ενσωματωμένα σε μια κατακόρυφη σειρά δοχείων στοιβασίας, τα οποία επιτρέπουν την πρόσβαση στο εσωτερικό αυτών των δοχείων με σκοπό την αποθήκευση ή την ανάκτηση του περιεχομένου τους.

α.

Τη φυσική αλλαγή της συνδεσμολογίας ή των διασυνδέσεων, ή

β.

Την εφαρμογή μέσων ελέγχου των λειτουργιών, περιλαμβανομένης και της εισαγωγής παραμέτρων.

ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 0 ΠΥΡΗΝΙΚΑ ΥΛΙΚΑ, ΕΓΚΑΤΑΣΤΑΣΕΙΣ ΚΑΙ ΕΞΟΠΛΙΣΜΟΣ

0A Συστήματα, εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη 0A001 Πυρηνικοί αντιδραστήρες και τμήματα εξοπλισμού και κατασκευαστικά μέρη ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα γι’ αυτούς, ως εξής:

0A α.

Πυρηνικοί αντιδραστήρες,

β.

Μεταλλικά δοχεία ή μεγάλα μέρη τους, που περιλαμβάνουν την κεφαλή του δοχείου του αντιδραστήρα για δοχείο πιέσεως του αντιδραστήρα, κατασκευασμένα σε μηχανουργείο, ειδικά σχεδιασμένα ή ετοιμασμένα να περιλάβουν τον πυρήνα ενός πυρηνικού αντιδραστήρα,

γ.

Εξοπλισμός χειρισμού ειδικά σχεδιασμένος ή κατασκευασμένος για την τοποθέτηση και αφαίρεση καυσίμου σε πυρηνικό αντιδραστήρα,

δ.

Ράβδοι ελέγχου ειδικά σχεδιασμένες ή κατασκευασμένες για τον έλεγχο της διεργασίας της σχάσης σε πυρηνικό αντιδραστήρα, όπου συμπεριλαμβάνεται και η βάση ή η ανάρτηση των ράβδων και οι καθοδηγητικοί μηχανισμοί και σωλήνες των ράβδων,

ε.

Σωλήνες πιέσεως ειδικά σχεδιασμένοι ή κατασκευασμένοι για να περιλάβουν και τα στοιχεία καυσίμου και το πρωτεύον ψυκτικό μέσο σε πυρηνικό αντιδραστήρα,

στ.

Μεταλλικοί σωλήνες ζιρκονίου ή μεταλλικοί σωλήνες κραμάτων ζιρκονίου (ή συγκροτήματα σωλήνων) ειδικά σχεδιασμένοι ή κατασκευασμένοι προκειμένου να χρησιμοποιηθούν για την επένδυση του καυσίμου σε πυρηνικό αντιδραστήρα, και σε ποσότητες άνω των 10 kg, ΣΗΜ.: Σχετικά με τους σωλήνες πίεσης ζιρκονίου βλέπε 0A001.ε, και για σωλήνες καλάνδριας βλέπε 0A001.η.

ζ.

Αντλίες ή κυκλοφορητές ψυκτικού μέσου ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για την εξασφάλιση της κυκλοφορίας του πρωτεύοντος ψυκτικού μέσου σε πυρηνικούς αντιδραστήρες,

η. Τεχνική παρατήρηση:

Εσωτερικά στοιχεία πυρηνικών αντιδραστήρων, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για να χρησιμοποιηθούν σε πυρηνικό αντιδραστήρα, όπου περιλαμβάνονται οι στύλοι στήριξης του πυρήνα, οι δίαυλοι καυσίμου, οι σωλήνες καλάνδριας, οι θερμικοί θώρακες, τα πετάσματα εκτροπής, τα πετάσματα πλέγματος πυρήνα και τα πετάσματα διαχύτη, Στο σημείο 0Α001.η., ως εσωτερικά στοιχεία πυρηνικών αντιδραστήρων νοείται κάθε σημαντική κατασκευή μέσα σε δοχείο αντιδραστήρα που επιτελεί μία ή περισσότερες λειτουργίες όπως να υποβαστάζει τον πυρήνα, να διατηρεί την ευθυγράμμιση του καυσίμου, να κατευθύνει τη ροή του πρωτογενούς ψυκτικού μέσου, να θωρακίζει το δοχείο του αντιδραστήρα κατά της ακτινοβολίας, και να καθοδηγεί τα εντός του πυρήνα όργανα.

θ.

Εναλλάκτες θερμότητας ως εξής: Σημείωση: Το 0A001.θ. δεν ελέγχει εναλλάκτες θερμότητας για τα υποστηρικτικά συστήματα του αντιδραστήρα, π.χ. το ψυκτικό σύστημα έκτακτης ανάγκης ή το ψυκτικό σύστημα θερμότητας των ραδιενεργών διασπάσεων.

1. Ατμογεννήτριες ειδικά σχεδιασμένες ή κατασκευασμένες για το πρωτεύον ή ενδιάμεσο ψυκτικό κύκλωμα πυρηνικού αντιδραστήρα,

2. Άλλοι εναλλάκτες θερμότητας ειδικά σχεδιασμένοι ή κατασκευασμένοι για να χρησιμοποιηθούν στο πρωτεύον ψυκτικό κύκλωμα πυρηνικού αντιδραστήρα,

ι.

Ανιχνευτές μέτρησης νετρονίων, ειδικά σχεδιασμένοι ή κατασκευασμένοι για τον προσδιορισμό της ροής νετρονίων μέσα στον πυρήνα πυρηνικού αντιδραστήρα,

ια. Τεχνική παρατήρηση:

Εξωτερικές θερμικές ασπίδες ειδικά σχεδιασμένες ή κατασκευασμένες για να χρησιμοποιηθούν σε πυρηνικό αντιδραστήρα για τη μείωση της απώλειας θερμότητας, καθώς και για την προστασία του προστατευτικού περιβλήματος του αντιδραστήρα. Στο 0A001.ια ο όρος εξωτερικές θερμικές ασπίδες αναφέρεται σε βασικές κατασκευές που τοποθετούνται πάνω από το περίβλημα του αντιδραστήρα και οι οποίες μειώνουν την απώλεια θερμότητας από τον αντιδραστήρα και τη θερμοκρασία στο εσωτερικό του προστατευτικού περιβλήματος του αντιδραστήρα.

0B Τεχνική παρατήρηση:

Εξοπλισμός Δοκιμών, Ελέγχου και Παραγωγής 0B001 Εγκαταστάσεις για τον διαχωρισμό των ισοτόπων φυσικού ουρανίου, εξαντλημένου ουρανίου και ειδικών σχάσιμων υλικών και εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος ή κατασκευασμένος για τον σκοπό αυτό, ως εξής: 0B002 Ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα βοηθητικά συστήματα, εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ως εξής, για μονάδα διαχωρισμού ισοτόπων που προδιαγράφεται στο 0Β001, κατασκευασμένα ή με προστασία από υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6: 0B003 Εγκαταστάσεις για τη μετατροπή ουρανίου και εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος ή κατασκευασμένος για τον σκοπό αυτό, ως εξής: 0B004 Εγκαταστάσεις για την παραγωγή ή τη συμπύκνωση βαρέος ύδατος, δευτερίου και ενώσεων δευτερίου, και ειδικά σχεδιασμένος ή κατασκευασμένος προς τούτο εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη του εξοπλισμού αυτού, ως εξής: 0B005 Εγκαταστάσεις ειδικά σχεδιασμένες για την παραγωγή στοιχείων καυσίμου πυρηνικών αντιδραστήρων και εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος ή κατασκευασμένος για τις εγκαταστάσεις αυτές. Εγκαταστάσεις για την παραγωγή στοιχείων καυσίμου για πυρηνικούς αντιδραστήρες περιλαμβάνουν εξοπλισμό ο οποίος: 0B006 Εγκαταστάσεις για την επανεπεξεργασία ακτινοβολημένων στοιχείων καυσίμου πυρηνικών αντιδραστήρων και εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τις εγκαταστάσεις αυτές. Σημείωση: Το σημείο 0Β006 περιλαμβάνει: 0B007 Εγκαταστάσεις μετατροπής πλουτωνίου και εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος ή κατασκευασμένος γι’ αυτές, ως εξής:

0B α.

Εγκαταστάσεις ειδικά σχεδιασμένες για το διαχωρισμό ισοτόπων φυσικού ουρανίου, εξαντλημένου ουρανίου και ειδικών σχάσιμων υλικών, ως ακολούθως:

1. Εγκαταστάσεις διαχωρισμού με αέριο φυγοκέντρηση,

2. Εγκαταστάσεις διαχωρισμού με αέριο διάχυση,

3. Εγκαταστάσεις διαχωρισμού με αεροδυναμικές μεθόδους,

4. Εγκαταστάσεις διαχωρισμού με χημική ανταλλαγή,

5. Εγκαταστάσεις διαχωρισμού με ανταλλαγή ιόντων,

6. Εγκαταστάσεις διαχωρισμού ισοτόπων με λέιζερ ατομικού ατμού (AVLIS),

7. Εγκαταστάσεις διαχωρισμού ισοτόπων με μοριακό λέιζερ (MLIS),

8. Εγκαταστάσεις διαχωρισμού πλάσματος,

9. Ηλεκτρομαγνητικές εγκαταστάσεις διαχωρισμού,

β. Τεχνική παρατήρηση:

Φυγοκεντρητήρες αερίων, συγκροτήματα και κατασκευαστικά μέρη ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για το διαχωρισμό με αεριοφυγοκέντρηση, ως εξής: Στο 0B001.β, ως υλικά με υψηλό λόγο αντοχής προς πυκνότητα νοούνται τα εξής:

1. Βαμμένος χάλυβας μαρτενγήρανσης με ανώτατο όριο εφελκυσμού 1,95 MPa και άνω,

2. Κράματα αργιλίου με ανώτατο όριο εφελκυσμού 0,46 MPa και άνω ή

3. Ινώδη ή νηματώδη υλικά με ειδικό μέτρο ελαστικότητας άνω των 3,18 × 106 m και ειδική αντοχή σε εφελκυσμό άνω των 7,62 × 104 m,

1. Φυγοκεντρητήρες αερίου,

2. Πλήρη σύνολα στροφέα,

3. Σωληνωτοί κύλινδροι στροφέα πάχους τοιχώματος 12 mm και κάτω, διαμέτρου μεταξύ 75 mm και 650 mm, κατασκευασμένοι από υλικά με υψηλό λόγο αντοχής προς πυκνότητα,

4. Δακτύλιοι ή φυσητήρες με πάχος τοιχώματος 3 mm και κάτω και διάμετρο μεταξύ 75 mm και 650 mm, σχεδιασμένοι για τη στήριξη ενός σωλήνα στροφέα ή για τη συνένωση πολλών τέτοιων σωλήνων, κατασκευασμένοι από υλικά με υψηλό λόγο αντοχής προς πυκνότητα,

5. Διαφράγματα διαμέτρου μεταξύ 75 mm και 650 mm προοριζόμενα να τοποθετηθούν μέσα σε σωλήνα στροφέα, κατασκευασμένα από υλικά με υψηλό λόγο αντοχής προς πυκνότητα,

6. Επάνω και κάτω καλύμματα διαμέτρου μεταξύ 75 mm και 650 mm τοποθετούμενα στα άκρα των σωλήνων στροφέα, κατασκευασμένα από υλικά με υψηλό λόγο αντοχής προς πυκνότητα,

7. Έδρανα μαγνητικής ανάρτησης ως ακολούθως:

7. α.

Συγκροτήματα εδράνων αποτελούμενα από έναν δακτυλιοειδή μαγνήτη εξαρτημένο εντός περιβλήματος κατασκευασμένου από ή προστατευμένου με υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6, που περιέχουν αποσβεστικό μέσο και έχουν το μαγνήτη συζευγμένο με εξάρτημα πόλου ή με έναν δεύτερο μαγνήτη τοποθετημένο στην κεφαλή του στροφέα,

β.

Ενεργά μαγνητικά έδρανα ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για να χρησιμοποιηθούν σε φυγοκεντρητήρες αερίων.

8. Ειδικά κατασκευασμένα έδρανα τα οποία περιλαμβάνουν σύνολο σφαιρικού άξονα και σφαιρικής υποδοχής, προσαρμοσμένο σε έναν αποσβεστήρα κραδασμών,

9. 0B001 β. Μοριακές αντλίες αποτελούμενες από κυλίνδρους οι οποίοι φέρουν εσωτερικώς εκτορευμένες ή εξηλασμένες ελικοειδείς αύλακες και εσωτερικώς εκτορευμένες οπές,

10. Δακτυλιοειδείς στάτες κινητήρων για πολυφασικούς κινητήρες AC με υστέρηση για σύγχρονη λειτουργία εντός κενού σε συχνότητα 600 Hz και άνω και σε ισχύ 40 VA και άνω,

11. Καλύμματα/δοχεία φυγοκεντρητήρων που περιέχουν το συναρμολογημένο σύνολο σωλήνων στροφέα ενός φυγοκεντρητήρα αερίων, αποτελούμενα από άκαμπτο κύλινδρο, πάχους τοιχωμάτων έως 30 mm, με άκρα επεξεργασμένα με υψηλή ακρίβεια, τα οποία είναι παράλληλα μεταξύ τους και κάθετα στον επιμήκη άξονα του κυλίνδρου το πολύ έως 0,05 μοίρες,

12. Απαγωγοί αποτελούμενοι από σωλήνες ειδικά σχεδιασμένους ή κατασκευασμένους για την αφαίρεση αερίου UF6 από το εσωτερικό του σωλήνα του στροφέα με δράση σωλήνος Pitot, οι οποίοι είναι δυνατόν να στερεωθούν στο κεντρικό σύστημα αφαίρεσης αερίου,

13. Μετατροπείς συχνότητας (μεταλλάκτες ή αναστροφείς) ειδικά σχεδιασμένοι για την τροφοδοσία του στάτη του κινητήρα για τον εμπλουτισμό με αέρια φυγοκέντρηση, με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, και ειδικά σχεδιασμένα κατασκευαστικά μέρη των μετατροπέων αυτών:

13. α.

Συχνότητα πολυφασικής εξόδου 600 Hz και άνω, και

β.

Υψηλή σταθερότητα (με έλεγχο συχνότητας καλύτερο από 0,2 %),

14. Βαλβίδες απομονώσεως και ελέγχου ως ακολούθως:

14. α.

Βαλβίδες απομονώσεως ειδικά σχεδιασμένες ή κατασκευασμένες για να λειτουργούν στην τροφοδοσία, στα προϊόντα ή στα υπολείμματα ροών αερίου UF6 ενός επιμέρους φυγοκεντρητήρα αερίων,

β.

Βαλβίδες απομονώσεως ή ελέγχου με διαστολικό σύνδεσμο, κατασκευασμένες ή φέρουσες προστασία από υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6, με εσωτερική διάμετρο 10 mm έως 160 mm, ειδικά σχεδιασμένες ή κατασκευασμένες για να χρησιμοποιηθούν σε κύρια ή βοηθητικά συστήματα εγκαταστάσεων εμπλουτισμού με αέρια φυγοκέντρηση,

γ.

Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τον διαχωρισμό με αέριο διάχυση, ως ακολούθως:

1. Πετάσματα αερίου διαχύσεως από πορώδη μεταλλικά, πολυμερή ή κεραμικά υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6 με μέγεθος πόρων 10 έως 100 nm, πάχους 5 mm και κάτω και, στην περίπτωση σωληνωτής μορφής, διαμέτρου 25 mm και κάτω,

2. Περιβλήματα διαχύτη αερίου κατασκευασμένα ή φέροντα προστασία από υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6,

3. Συμπιεστές ή φυσητήρες αερίων, με δυναμικότητα αναρρόφησης όγκου 1 m3/min UF6 και πλέον, πίεση εκκένωσης μέχρι 500 kPa, και μέγιστο λόγο πίεσης 10:1, κατασκευασμένοι ή φέροντες προστασία από υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6,

4. Στεγανοποιητικά παρεμβύσματα περιστροφικού άξονα για συμπιεστές ή φυσητήρες που καθορίζονται στο σημείο 0Β001.γ.3 και σχεδιασμένα για ρυθμό εισροής ρυθμιστικού αερίου κάτω των 1000 cm3/min,

5. Εναλλάκτες θερμότητας κατασκευασμένοι ή φέροντες προστασία από υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6 και σχεδιασμένοι για ρυθμό πίεσης διαρροής μικρότερο των 10 Pa ανά ώρα υπό διαφορά πίεσης 100 kPa,

6. Χειροκίνητες ή αυτόματες βαλβίδες απομονώσεως ή ελέγχου με διαστολικό σύνδεσμο, κατασκευασμένες ή φέρουσες προστασία από υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6.

δ.

Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τη διαδικασία αεροδυναμικού διαχωρισμού, ως ακολούθως:

1. Ακροφύσια διαχωρισμού αποτελούμενα από καμπύλους σωληνίσκους υπό μορφή εγκοπής με ακτίνα καμπυλότητας μικρότερη από 1 mm, ανθεκτικούς στη διάβρωση από UF6, τα οποία φέρουν διαχωριστική λεπίδα εντός του ακροφυσίου, η οποία διαχωρίζει το αέριο που διέρχεται από το ακροφύσιο σε δύο ρεύματα,

2. 0B001 δ. Κυλινδρικοί ή κωνικοί σωλήνες (σωλήνες περιδινήσεως) κατασκευασμένοι ή φέροντες προστασία από υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6, και με μία ή περισσότερες εφαπτομενικές εισαγωγές,

3. Συμπιεστές κατασκευασμένοι ή φυσητήρες αερίων φέροντες προστασία από υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6, στεγανοποιητικά παρεμβύσματα περιστροφικού άξονα για αυτούς,

4. Εναλλάκτες θερμότητας κατασκευασμένοι από υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6,

5. Περιβλήματα για τα στοιχεία των συστημάτων διαχωρισμού, κατασκευασμένα ή φέροντα προστασία από υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6, για την κάλυψη σωλήνων περιδινήσεως ή ακροφυσίων διαχωρισμού,

6. Χειροκίνητες ή αυτόματες βαλβίδες απομονώσεως ή ελέγχου με διαστολικό σύνδεσμο, κατασκευασμένες ή φέρουσες προστασία από υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6, με διάμετρο 40 mm και άνω,

7. Συστήματα επεξεργασίας για το διαχωρισμό του UF6 από το φέρον αέριο (υδρογόνο ή ήλιο) με περιεκτικότητα σε UF6 το πολύ 1 ppm, στα οποία περιλαμβάνονται:

7. α.

Κρυογονικοί εναλλάκτες θερμότητας και κρυοδιαχωριστές ικανοί να επιτυγχάνουν θερμοκρασίες 153 K (- 120 °C) ή χαμηλότερες,

β.

Κρυογονικές μονάδες ψύξεως ικανές να επιτυγχάνουν θερμοκρασίες 153 K (- 120 °C) ή χαμηλότερες,

γ.

Μονάδες ακροφυσίων διαχωρισμού ή σωλήνων περιδινήσεως για τον διαχωρισμό του UF6 από το φέρον αέριο,

δ.

Ψυχρές παγίδες UF6 ικανές να ψύχουν το UF6,

ε.

Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τη διαδικασία χημικού διαχωρισμού, ως ακολούθως:

1. Παλμικές στήλες ταχείας ανταλλαγής υγρού-υγρού, με χρόνους διαδικασίας το πολύ 30 sec και ανθεκτικές στο πυκνό υδροχλωρικό οξύ (π.χ. κατασκευασμένες ή φέρουσες προστασία από κατάλληλα πλαστικά υλικά, όπως φθοριωμένα πολυμερή υδρογονανθράκων ή ύαλο),

2. Φυγοκεντρικοί εκχειλιστές υγρού-υγρού ταχείας ανταλλαγής, με χρόνους διαδικασίας το πολύ 30 sec και ανθεκτικοί στο πυκνό υδροχλωρικό οξύ (π.χ. κατασκευασμένοι ή φέροντες προστασία από κατάλληλα πλαστικά υλικά όπως φθοριωμένα πολυμερή υδρογονανθράκων ή ύαλο),

3. Στοιχεία ηλεκτροχημικής αναγωγής ανθεκτικά στα διαλύματα πυκνού υδροχλωρικού οξέος, κατασκευασμένα για την αναγωγή ουρανίου από μία κατάσταση σθένους σε άλλη,

4. Εξοπλισμός τροφοδοσίας στοιχείων ηλεκτροχημικής αναγωγής για τη λήψη U+4 από το οργανικό ρεύμα και, όσον αφορά τα τμήματα που ευρίσκονται σε επαφή με το ρεύμα της διαδικασίας, κατασκευασμένος ή με προστασία από κατάλληλα υλικά (π.χ. ύαλος, πολυμερή φθορανθράκων, θειικό πολυφαινύλιο, σουλφονικός πολυαιθέρας και γραφίτης εμποτισμένος με ρητίνες),

5. Συστήματα προετοιμασίας της τροφοδοσίας για την παραγωγή διαλύματος χλωριούχου ουρανίου υψηλής καθαρότητας, αποτελούμενα από εξοπλισμό διάλυσης, αφαίρεσης του διαλύτη και/ή ανταλλαγής ιόντων για την κάθαρση και ηλεκτρολυτικά στοιχεία για την αναγωγή του U+6 ή U+4 σε U+3,

6. Συστήματα οξείδωσης ουρανίου, για την οξείδωση του U+3 σε U+4,

στ.

Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τη διαδικασία διαχωρισμού μέσω ανταλλαγής ιόντων, ως εξής:

1. Ρητίνες ανταλλαγής ιόντων ταχείας αντιδράσεως, υμενοειδείς ή πορώδεις ρητίνες διαμορφωμένες σε μακρο-πλέγμα, στο οποίο οι ενεργές ομάδες χημικής ανταλλαγής περιορίζονται σε ένα επίχρισμα στην επιφάνεια αδρανούς πορώδους βασικής δομής και άλλων συνθετικών δομών οποιασδήποτε κατάλληλης μορφής, περιλαμβανομένων σωματιδίων ή ινών με διαμέτρους το πολύ 0,2 mm, ανθεκτικές στο πυκνό υδροχλωρικό οξύ και κατασκευασμένες ώστε να έχουν χρόνο ημιζωής της ανταλλαγής κάτω των 10 sec και ικανές να λειτουργούν σε θερμοκρασίες στην περιοχή 373 K (100 °C) έως 473 K (200 °C),

2. 0B001 στ. Στήλες ανταλλαγής ιόντων (κυλινδρικές), διαμέτρου άνω των 1000 mm, κατασκευασμένες ή με προστασία από υλικά ανθεκτικά στο πυκνό υδροχλωρικό οξύ (π.χ. τιτάνιο ή πλαστικά με βάση φθοράνθρακες) και ικανές να λειτουργούν σε θερμοκρασίες στην περιοχή των 373 K (100 °C) έως 473 K (200 °C) και πιέσεις άνω των 0,7 ΜΡa,

3. Συστήματα ανταλλαγής ιόντων αντιστρόφου ροής (χημικά ή ηλεκτροχημικά συστήματα οξείδωσης ή αναγωγής) για την αναγέννηση των χημικών αναγωγικών ή οξειδωτικών ουσιών που χρησιμοποιούνται σε καταιονήσεις εμπλουτισμού ανταλλαγής ιόντων,

ζ.

Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για μεθόδους βασισμένες σε ατομικό ατμό, ως ακολούθως:

1. Συστήματα εξάτμισης μεταλλικού ουρανίου σχεδιασμένα για να αποδίδουν ισχύ 1 kW και άνω στο στόχο, για χρήση στον εμπλουτισμό λέιζερ,

2. Συστήματα χειρισμού μεταλλικού ουρανίου σε υγρή ή αέρια μορφή ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για το χειρισμό τηγμένου ουρανίου, τηγμένων κραμάτων ουρανίου ή ατμού μεταλλικού ουρανίου για χρήση στον εμπλουτισμό λέιζερ, και ειδικά σχεδιασμένα κατασκευαστικά μέρη τους, ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 2Α225.

3. Συγκροτήματα συλλογής προϊόντων και υπολειμμάτων μεταλλικού ουρανίου σε υγρή ή αέρια μορφή, κατασκευασμένα ή φέροντα προστασία από υλικά ανθεκτικά στη θερμότητα και στη διάβρωση από το μεταλλικό ουράνιο σε υγρή ή αέρια μορφή, όπως είναι ο γραφίτης με επένδυση από υττρία ή το ταντάλιο,

4. Περιβλήματα τμημάτων διαχωριστών (κυλινδρικά ή παραλληλεπίπεδα δοχεία) για τη συγκράτηση της πηγής ατμών μετάλλου ουρανίου, του εκτοξευτή δέσμης ηλεκτρονίων και των συλλεκτών των προϊόντων και υπολειμμάτων,

5. Λέιζερ ή συστήματα λέιζερ ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τον διαχωρισμό των ισοτόπων του ουρανίου με σταθεροποίηση φασματικής συχνότητας για λειτουργία επί μακρές χρονικές περιόδους. ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΑ 6Α005 ΚΑΙ 6Α205.

η.

Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για μοριακές μεθόδους ή συστήματα λέιζερ, ως ακολούθως:

1. Ακροφύσια υπερηχητικής εκτονώσεως για την ψύξη μειγμάτων UF6 και φέροντος αερίου στους 150 Κ ή χαμηλότερα και κατασκευασμένα από υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6

2. Κατασκευαστικά τμήματα ή διατάξεις συλλογής προϊόντων ή υπολειμμάτων ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τη συλλογή ουρανίου ή υπολειμμάτων ουρανίου έπειτα από φωτισμό με λέιζερ, τα οποία έχουν κατασκευαστεί από υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6,

3. Συμπιεστές κατασκευασμένοι ή φέροντες προστασία από υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6 και στεγανοποιητικά παρεμβύσματα περιστροφικού άξονα αυτών,

4. Εξοπλισμός για τη φθορίωση του (στερεού) UF5 σε (αέριο) UF6,

5. Συστήματα επεξεργασίας για τον διαχωρισμό του UF6 από το φέρον αέριο (π.χ. άζωτο, αργό ή άλλο αέριο), όπου συμπεριλαμβάνονται:

5. α.

Κρυογονικοί εναλλάκτες θερμότητας και κρυοδιαχωριστές, ικανοί να επιτυγχάνουν θερμοκρασίες 153 K (- 120 °C) ή χαμηλότερες,

β.

Κρυογονικές μονάδες ψύξεως ικανές να επιτυγχάνουν θερμοκρασίες 153 K (- 120 °C) ή χαμηλότερες,

γ.

Ψυχρές παγίδες UF6 ικανές να ψύχουν το UF6,

6. Λέιζερ ή συστήματα λέιζερ ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τον διαχωρισμό των ισοτόπων του ουρανίου με σταθεροποίηση φασματικής συχνότητας για λειτουργία επί μακρές χρονικές περιόδους. ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΑ 6Α005 ΚΑΙ 6Α205.

θ.

0B001 Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τη διαδικασία διαχωρισμού πλάσματος, ως ακολούθως:

1. Πηγές ισχύος εκπομπής μικροκυμάτων και κεραίες για την παραγωγή ή την επιτάχυνση ιόντων, με συχνότητα εξόδου άνω των 30 GHz και μέση ισχύ εξόδου άνω των 50 kW,

2. Πηνία ραδιοσυχνοτήτων για τη διέγερση των ιόντων με συχνότητες λειτουργίας άνω των 100 kHz και ικανά να αντέξουν μέση ισχύ άνω των 40 kW,

3. Συστήματα παραγωγής πλάσματος ουρανίου,

4. Δεν χρησιμοποιείται,

5. Συγκροτήματα συλλογής προϊόντων και υπολειμμάτων μεταλλικού ουρανίου σε στερεά μορφή, κατασκευασμένα ή φέροντα προστασία από υλικά ανθεκτικά στη θερμότητα και στη διάβρωση από το ουράνιο σε αέρια μορφή, όπως είναι ο γραφίτης με επένδυση από υττρία ή το ταντάλιο,

6. Περιβλήματα τμημάτων διαχωριστών (κυλινδρικά), για τη συγκράτηση της πηγής πλάσματος ουρανίου, του πηνίου παραγωγής ραδιοσυχνοτήτων και των συλλεκτών των προϊόντων και των υπολειμμάτων και κατασκευασμένα από κατάλληλο μη μαγνητικό υλικό (π.χ. ανοξείδωτο χάλυβα),

ι.

Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τη διαδικασία ηλεκτρομαγνητικού διαχωρισμού, ως εξής:

1. Πηγές ιόντων, απλές ή πολλαπλές, αποτελούμενες από πηγή ατμών, ιονιστή και επιταχυντή δέσμης κατασκευασμένες από κατάλληλα μη μαγνητικά υλικά (π.χ. γραφίτη, ανοξείδωτο χάλυβα ή χαλκό) και ικανές να παρέχουν συνολικό ρεύμα δέσμης ιόντων τάξεως τουλάχιστον 50 mA,

2. Πλάκες συλλογής ιόντων για τη συλλογή δεσμών ιόντων εμπλουτισμένου ή εξαντλημένου ουρανίου, αποτελούμενες από δύο ή περισσότερες σχισμές και εσοχές και κατασκευασμένες από κατάλληλα μη μαγνητικά υλικά (π.χ. γραφίτη ή ανοξείδωτο χάλυβα),

3. Περιβλήματα κενού για ηλεκτρομαγνητικούς διαχωριστές ουρανίου, κατασκευασμένα από μη μαγνητικά υλικά (π.χ. ανοξείδωτο χάλυβα) και σχεδιασμένα για να λειτουργούν σε πιέσεις το πολύ 0,1 Ρa,

4. Τμήματα μαγνητικών πόλων, διαμέτρου άνω των 2 m,

5. Τροφοδοτικά ισχύος υψηλής τάσεως για πηγές ιόντων, διαθέτοντα όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 3Α227.

5. α.

Ικανά για συνεχή λειτουργία,

β.

Τάση εξόδου τουλάχιστον 20000 V,

γ.

Ρεύμα εξόδου τουλάχιστον 1 Α, και

δ.

Ρύθμιση τάσεως καλύτερη του 0,01 % για χρονικό διάστημα 8 ωρών,

6. Τροφοδοτικά ισχύος μαγνητών (υψηλή ισχύς, συνεχές ρεύμα), διαθέτοντα όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 3Α226.

6. α.

Δυνατότητα συνεχούς λειτουργίας, με ρεύμα εξόδου τουλάχιστον 500 Α σε τάση τουλάχιστον 100 V, και

β.

Ρύθμιση ρεύματος ή τάσεως καλύτερη του 0,01 % σε διάστημα 8 ωρών.

α.

Αυτόκλειστα τροφοδοσίας, κλίβανοι ή συστήματα που χρησιμοποιούνται για τη διοχέτευση του UF6 στη διαδικασία εμπλουτισμού,

β.

Απεξαχνωτές ή ψυχρές παγίδες που χρησιμεύουν για την αφαίρεση του UF6 από τη διαδικασία εμπλουτισμού για επακόλουθη μεταφορά κατόπιν θερμάνσεως,

γ.

Σταθμοί προϊόντων και υπολειμμάτων για τη μεταφορά του UF6 σε περιέκτες,

δ.

Σταθμοί υγροποίησης ή στερεοποίησης για την αφαίρεση του UF6 από τη διαδικασία εμπλουτισμού μέσω συμπίεσης, ψύξης και μετατροπής του UF6 σε υγρή ή στερεή μορφή,

ε.

Συστήματα σωληνώσεων και συστήματα διανομής ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τη λειτουργία με UF6 σε αέριο διάχυση, φυγοκέντρηση, ή αεροδυναμική καταιόνηση,

στ.

Συστήματα και αντλίες κενού ως ακολούθως:

1. Συστήματα σωληναγωγών κενού, κεφαλές σωληναγωγών κενού ή αντλίες κενού με απορροφητική ικανότητα 5 m3/min και άνω,

2. Αντλίες κενού ειδικά σχεδιασμένες για χρήση σε ατμόσφαιρες που περιέχουν UF6, κατασκευασμένες ή φέρουσες προστασία από υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση από UF6, ή

3. Συστήματα κενού αποτελούμενα από συστήματα σωληναγωγών κενού, κεφαλές σωληναγωγών κενού και αντλίες κενού, και σχεδιασμένα για λειτουργία σε ατμόσφαιρες που περιέχουν UF6,

ζ.

Φασματογράφοι μάζας/πηγές ιόντων UF6 που έχουν τη δυνατότητα να λαμβάνουν on-line δείγματα από ροές αερίου UF6 και διαθέτουν όλα τα ακόλουθα:

1. Μπορούν να μετρήσουν ιόντα μεγέθους 320 ατομικών μονάδων μάζας ή παραπάνω και έχουν διακριτική ικανότητα καλύτερη από 1 μέρος στα 320,

2. Πηγές ιόντων κατασκευασμένες ή φέρουσες προστασία από νικέλιο, κράματα νικελίου-χαλκού με περιεκτικότητα σε νικέλιο 60 % και άνω κατά βάρος, ή κράματα νικελίου-χρωμίου,

3. Πηγές ιονισμού μέσω βομβαρδισμού ηλεκτρονίων, και

4. Διαθέτουν συστήματα συλλεκτών, κατάλληλα για ανάλυση ισοτόπων.

α.

Συστήματα για τη μετατροπή συμπυκνωμένου μεταλλεύματος ουρανίου σε UO3,

β.

Συστήματα για τη μετατροπή του UO3 σε UF6,

γ.

Συστήματα για τη μετατροπή του UO3 σε UO2,

δ.

Συστήματα για τη μετατροπή του UO2 σε UF4,

ε.

Συστήματα για τη μετατροπή του UF4 σε UF6,

στ.

Συστήματα για τη μετατροπή του UF4 σε μεταλλικό ουράνιο,

ζ.

Συστήματα για τη μετατροπή του UF6 σε UO2,

η.

Συστήματα για τη μετατροπή του UF6 σε UF4,

θ.

Συστήματα για τη μετατροπή του UO2 σε UCl4.

α.

Εγκαταστάσεις για την παραγωγή βαρέος ύδατος, δευτερίου ή ενώσεων δευτερίου ως ακολούθως:

1. Εγκαταστάσεις ανταλλαγής ύδατος-υδροθείου,

2. Εγκαταστάσεις ανταλλαγής αμμωνίας-υδρογόνου,

β.

0B004 Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη, ως ακολούθως:

1. Πύργοι ανταλλαγής ύδατος-υδροθείου με διάμετρο 1,5 μέτρο ή μεγαλύτερη και άνω και ικανότητα λειτουργίας σε πιέσεις 2 MPa και άνω,

2. Μονοσταδιακοί φυγοκεντρικοί φυσητήρες ή συμπιεστές χαμηλής (δηλαδή 0,2 MPa) υπερπίεσης για την κυκλοφορία του αέριου υδροθείου (δηλαδή αερίου με περισσότερο από 70 % H2S), με ικανότητα συνολικής παροχής τουλάχιστον 56 m3/sec όταν λειτουργούν υπό αναρροφητική πίεση 1,8 MPa και άνω, και με στεγανοποιητές σχεδιασμένους για λειτουργία σε ατμόσφαιρα υδροθείου-υγρασίας,

3. Πύργοι ανταλλαγής αμμωνίας-υδρογόνου ύψους 35 μέτρων και άνω, με διάμετρο από 1,5 ως 2,5 μέτρα και ικανότητα λειτουργίας σε πιέσεις άνω των 15 MPa,

4. Εσωτερικά κατασκευαστικά στοιχεία πύργων, συμπεριλαμβανομένων των βαθμιδωτών επαφέων, και βαθμιδωτές αντλίες, συμπεριλαμβανομένων των βυθιζόμενων αντλιών, για την παραγωγή βαρέος ύδατος με τη μέθοδο της ανταλλαγής αμμωνίας-υδρογόνου,

5. Διασπαστήρες αμμωνίας σχεδιασμένοι για πιέσεις λειτουργίας άνω των 3 MPa, για την παραγωγή βαρέος ύδατος με τη μέθοδο της ανταλλαγής αμμωνίας-υδρογόνου,

6. Αναλυτές απορρόφησης υπέρυθρων ακτίνων για την on-line ανάλυση της αναλογίας υδρογόνου-δευτερίου, όπου οι συγκεντρώσεις του δευτερίου είναι ίσες ή μεγαλύτερες από 90 %,

7. Καταλυτικοί καυστήρες για τη μετατροπή εμπλουτισμένου αέριου δευτερίου σε βαρύ ύδωρ με τη μέθοδο της ανταλλαγής αμμωνίας-υδρογόνου,

8. Πλήρη συστήματα εμπλουτισμού βαρέος ύδατος, ή στήλες για τέτοια συστήματα, ώστε η περιεκτικότητά του σε δευτέριο να το καθιστά κατάλληλο να χρησιμοποιηθεί σε αντιδραστήρα.

9. Μετατροπείς σύνθεσης ή μονάδες σύνθεσης αμμωνίας που έχουν σχεδιαστεί ή κατασκευαστεί ειδικά για την παραγωγή βαρέος ύδατος με τη μέθοδο της ανταλλαγής αμμωνίας-υδρογόνου,

0B Τεχνική παρατήρηση:

1. Κανονικά έρχεται σε άμεση επαφή ή χρησιμεύει άμεσα στην κατεργασία ή τον έλεγχο της ροής παραγωγής πυρηνικών υλικών,

2. Περιβάλλει με στεγανό περίβλημα τα πυρηνικά υλικά,

3. Ελέγχει την ακεραιότητα των περιβλημάτων ή των επισυγκολλήσεων,

4. Ελέγχει την τελική κατεργασία του σφραγισμένου καυσίμου, ή

5. Χρησιμοποιείται για τη συναρμολόγηση στοιχείων του αντιδραστήρα.

α.

Εγκαταστάσεις για την επανεπεξεργασία ακτινοβολημένων στοιχείων καυσίμου πυρηνικών αντιδραστήρων· περιλαμβάνονται εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη τα οποία κανονικά έρχονται σε άμεση επαφή και χρησιμεύουν άμεσα για τον έλεγχο του ακτινοβολημένου καυσίμου και των κυριοτέρων ροών κατεργασίας των πυρηνικών υλικών και των προϊόντων σχάσεως,

β.

Μηχανές κοπής ή τεμαχισμού των στοιχείων καυσίμου, δηλαδή τηλεχειριζόμενο εξοπλισμό για την κοπή, τον μικροτεμαχισμό, ή τον ψαλιδισμό ακτινοβολημένων διατάξεων, δεσμών ή ράβδων καυσίμου πυρηνικών αντιδραστήρων,

γ.

Διαλυτοποιητές, ασφαλείς δεξαμενές για την αποφυγή της κρισιμότητας (π.χ. δακτυλιοειδείς ή ορθογώνιες δεξαμενές μικρής διαμέτρου) ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για τη διάλυση ακτινοβολημένου καυσίμου πυρηνικών αντιδραστήρων, με αντοχή στη θερμότητα, τα ισχυρά διαβρωτικά υγρά, και που είναι δυνατόν να τροφοδοτηθούν και να συντηρηθούν με τηλεχειρισμό,

δ.

0B006 Σημείωση: Συσκευές για την εξαγωγή του διαλύτη, όπως στήλες τύπου πλήρωσης (packed) ή παλμικές στήλες, εκχυλιστές αναμεικτικού τύπου ή φυγοκεντρικοί εκχειλιστές, που είναι ανθεκτικές στη διαβρωτική επίδραση του νιτρικού οξέος και ειδικά σχεδιασμένες ή κατασκευασμένες για να χρησιμοποιηθούν σε εγκαταστάσεις επανεπεξεργασίας ακτινοβολημένου φυσικού ουρανίου, εξαντλημένου ουρανίου ή ειδικών σχάσιμων υλικών,

ε. Τεχνική παρατήρηση:

Λέβητες συγκράτησης ή αποθήκευσης ειδικά σχεδιασμένους ώστε να είναι ασφαλείς από την άποψη της κρισιμότητας και ανθεκτικοί στη διαβρωτική ενέργεια του νιτρικού οξέος, Οι λέβητες συγκράτησης ή αποθήκευσης είναι δυνατόν να έχουν τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Τοιχώματα ή εσωτερικές κατασκευές με ισοδύναμο βορίου (υπολογιζόμενο για όλα τα δομικά μέρη όπως ορίζεται στη σημείωση του σημείου 0C004) τουλάχιστον 2 %,

2. Μέγιστη διάμετρο 175 mm για τα κυλινδρικά δοχεία, ή

3. Μέγιστο πλάτος 75 mm για τα ορθογώνια ή τα δακτυλιοειδή δοχεία.

στ.

Συστήματα μέτρησης νετρονίων ειδικά σχεδιασμένα ή κατασκευασμένα για ολοκλήρωση και χρήση με αυτοματοποιημένα συστήματα ελέγχου διεργασιών σε εγκαταστάσεις επανεπεξεργασίας ακτινοβολημένου φυσικού ουρανίου, εξαντλημένου ουρανίου ή ειδικών σχάσιμων υλικών,

α.

Συστήματα για τη μετατροπή του νιτρικού πλουτωνίου σε οξείδιο του πλουτωνίου,

β.

Συστήματα για την παραγωγή μεταλλικού πλουτωνίου.

0C Υλικά 0C001 Φυσικό ουράνιο ή εξαντλημένο ουράνιο ή θόριο υπό μορφή μετάλλου, κράματος, χημικής ένωσης ή συμπυκνώματος καθώς και κάθε άλλο υλικό το οποίο περιέχει ένα ή περισσότερα από τα προηγούμενα υλικά, Σημείωση: Το σημείο 0C001 δεν περιλαμβάνει τα εξής: 0C002 Ειδικά σχάσιμα υλικά Σημείωση: Το σημείο 0C002 δεν υπάγει σε έλεγχο τις ποσότητες μέχρι και τεσσάρων ενεργών γραμμαρίων όταν περιέχονται ως ανιχνευτικό συστατικό σε όργανα. 0C003 Δευτέριο, βαρύ ύδωρ (οξείδιο του δευτερίου) και άλλες ενώσεις δευτερίου, καθώς και μείγματα και διαλύματα τα οποία περιέχουν δευτέριο, όπου η ισοτοπική αναλογία δευτερίου προς υδρογόνο υπερβαίνει το 1:5000. 0C004 Γραφίτης με καθαρότητα ανώτερη των 5 ppm ισοδυνάμου βορίου και πυκνότητα άνω του 1,50 g/cm3 για χρήση σε πυρηνικό αντιδραστήρα, σε ποσότητες μεγαλύτερες του 1 kg. ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 1C107 Σημείωση 1: Με σκοπό τον έλεγχο των εξαγωγών, οι αρμόδιες αρχές του κράτους μέλους στο οποίο έχει την έδρα του ο εξαγωγέας καθορίζει κατά πόσον οι εξαγωγές γραφίτη που πληρούν τις ως άνω προδιαγραφές είναι για χρήση σε πυρηνικό αντιδραστήρα. Σημείωση 2: Στο σημείο 0C004, το ισοδύναμο βορίου (BE) ορίζεται ως το άθροισμα των BEz για τις προσμίξεις (πλην του BEC, αφού ο άνθρακας δεν θεωρείται πρόσμιξη), συμπεριλαμβανομένου του βορίου, όπου: BEz (ppm) = CF × συγκέντρωση στοιχείου Z σε ppm, όπου CF είναι ο συντελεστής μετατροπήςσZABσBAZ και σΒ και σΖ είναι αντιστοίχως οι διατομές δεσμεύσεως θερμικών νετρονίων του φυσικού βορίου και του στοιχείου Z (σε barn), ενώ AB και AZ είναι αντιστοίχως οι ατομικές μάζες του φυσικού βορίου και του στοιχείου Z. 0C005 Ενώσεις ή σκόνες ειδικά κατασκευασμένες για την παραγωγή διαφραγμάτων αερίου διαχύσεως, ανθεκτικές στη διάβρωση από το UF6 (π.χ. νικέλιο ή κράμα με περιεκτικότητα σε νικέλιο 60 % και άνω κατά βάρος, οξείδιο του αργιλίου και πλήρως φθοριωμένα πολυμερή υδρογονανθράκων), με καθαρότητα 99,9 % κατά βάρος και άνω και μέγεθος σωματιδίων κάτω των 10 μm μετρημένο βάσει του προτύπου B330 της American Society for Testing and Materials (Αμερικανική Εταιρεία Δοκιμών και Υλικών) (ASTM) και με υψηλό βαθμό ομοιογένειας των σωματιδίων.

0C α.

Τέσσερα γραμμάρια και κάτω φυσικό ουράνιο ή εξαντλημένο ουράνιο όταν περιέχεται ως ανιχνευτικό συστατικό σε όργανα,

β.

Εξαντλημένο ουράνιο το οποίο έχει ειδικά παραχθεί για τις ακόλουθες πολιτικές μη πυρηνικές χρήσεις:

1. Θωράκιση,

2. Συσκευασία,

3. Έρμα, μάζας όχι μεγαλύτερης των 100 kg,

4. Αντίβαρο, μάζας όχι μεγαλύτερης των 100 kg,

γ.

Κράματα με θόριο σε ποσοστό κάτω του 5 %,

δ.

Κεραμικά προϊόντα με θόριο, κατασκευασμένα για μη πυρηνική χρήση.

0D Λογισμικό 0D001 Λογισμικό ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την ανάπτυξη, παραγωγή ή χρήση προϊόντων που καθορίζονται σε αυτήν την κατηγορία.

0E Τεχνολογία 0E001 Τεχνολογία σύμφωνα με το σημείωμα για την Πυρηνική Τεχνολογία για την ανάπτυξη, παραγωγή ή χρήση προϊόντων που περιγράφονται σε αυτήν την κατηγορία.

ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 1 ΕΙΔΙΚΑ ΥΛΙΚΑ ΚΑΙ ΣΥΝΑΦΗΣ ΕΞΟΠΛΙΣΜΟΣ

1A Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση:

Συστήματα, εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη 1A001 Εξαρτήματα από φθοριωμένα προϊόντα, ως εξής: 1A002 Σύνθετες δομές ή ελάσματα, που έχουν οιοδήποτε από τα ακόλουθα: ΣΗΜ.: ΒΛ. ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΑ 1Α202, 9Α010 ΚΑΙ 9Α110 Σημείωση 1: Στο σημείο 1Α002 δεν υπάγονται σύνθετες δομές ή ελάσματα κατασκευασμένα από υλικά ινώδους ή νηματώδους άνθρακα διαποτισμένου με εποξικές ρητίνες, για την επισκευή στοιχείων ή ελασμάτων πολιτικών αεροσκαφών, με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: Σημείωση 2: Στο σημείο 1Α002 δεν υπάγονται τα ημικατεργασμένα προϊόντα που έχουν σχεδιαστεί για καθαρά πολιτικές εφαρμογές ως εξής: Σημείωση 3: Στο σημείο 1Α002β.1 δεν υπάγονται τα ημικατεργασμένα προϊόντα που περιέχουν κατ’ ανώτατο όριο δύο διαστάσεις συνυφασμένων νημάτων και έχουν σχεδιαστεί για τις εξής εφαρμογές: Σημείωση 4: Στο σημείο 1Α002 δεν υπάγονται τα τελικά προϊόντα τα σχεδιασμένα ειδικά για μια συγκεκριμένη εφαρμογή. 1A003 Προϊόντα από μη τηκόμενα αρωματικά πολυϊμίδια σε φιλμ, φύλλα, ταινίες ή ιμάντες, με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα: Σημείωση: Στο σημείο 1Α003 δεν υπάγονται προϊόντα που είναι επιχρισμένα ή ελασμένα με χαλκό και έχουν σχεδιαστεί για την παραγωγή ηλεκτρονικών τυπωμένων κυκλωμάτων. ΣΗΜ.: Για τηκόμενα αρωματικά πολυϊμίδια οποιασδήποτε μορφής βλέπε σημείο 1C008.α.3. 1A004 Εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη προστασίας και ανίχνευσης που δεν είναι ειδικά σχεδιασμένα για στρατιωτική χρήση, ως εξής: ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ, 2B351 ΚΑΙ 2B352. 1A004Σημείωση: Στο σημείο 1Α004 δεν υπάγονται: Στο σημείο 1A004 περιλαμβάνεται εξοπλισμός και εξαρτήματα που έχουν προσδιοριστεί, δοκιμαστεί επιτυχώς σύμφωνα με τα εθνικά πρότυπα ή έχουν με άλλο τρόπο αποδειχθεί αποτελεσματικά, για την ανίχνευση ή για την άμυνα κατά ραδιενεργών υλικών αναπροσαρμοσμένων για πολεμική χρήση, βιολογικών παραγόντων αναπροσαρμοσμένων για πολεμική χρήση, παραγόντων χημικού πολέμου, προσομοιωτών ή παραγόντων ελέγχου ταραχών, έστω κι αν ο εν λόγω εξοπλισμός ή τα εξαρτήματα χρησιμοποιούνται σε μη στρατιωτικές βιομηχανίες, όπως οι βιομηχανίες στους τομείς των μεταλλείων, των λατομείων, της γεωργίας, των φαρμακευτικών προϊόντων, της ιατρικής, της κτηνιατρικής, του περιβάλλοντος, της διαχείρισης αποβλήτων ή των τροφίμων. Ο προσομοιωτής είναι ουσία ή υλικό που χρησιμοποιείται αντί τοξικού παράγοντα (χημικού ή βιολογικού) στην εκπαίδευση, την έρευνα, τις δοκιμές ή την αξιολόγηση. 1A005 Προσωπικοί θώρακες και σχετικά δομικά στοιχεία, ως εξής: ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ. ΣΗΜ.: Για τα ινώδη ή νηματώδη υλικά που χρησιμοποιούνται στην κατασκευή προσωπικών θωράκων, βλέπε σημείο 1C010. Σημείωση 1: Στο σημείο 1Α005 δεν υπάγονται οι προσωπικοί θώρακες όταν συνοδεύει τον χρήστη τους για την προσωπική του προστασία. Σημείωση 2: Στο σημείο 1Α005 δεν υπάγονται οι προσωπικοί θώρακες που έχει σχεδιαστεί για να παρέχει μετωπική προστασία μόνο από θραύσματα ή ωστικό κύμα από μη στρατιωτικά εκρηκτικά. Σημείωση 3: Στο σημείο 1Α005 δεν υπάγονται οι προσωπικοί θώρακες που έχει σχεδιαστεί για να παρέχει μετωπική προστασία μόνο από τραύματα προκαλούμενα από μαχαίρι, καρφί ή βελόνα ή από αμβλύ τραύμα. 1A006 Εξοπλισμός που έχει σχεδιασθεί ή τροποποιηθεί ειδικά για την απόρριψη αυτοσχέδιων εκρηκτικών μηχανισμών, ως εξής, και δομικά στοιχεία και εξαρτήματα που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για τον εξοπλισμό αυτόν: ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ. Σημείωση: Στο σημείο 1A006 δεν υπάγεται εξοπλισμός όταν συνοδεύει τον χειριστή του. 1A007 Εξοπλισμός και συσκευές που έχουν σχεδιασθεί ειδικά για την ανάφλεξη εκρηκτικών φορτίων και διατάξεων που περιέχουν ενεργειακά υλικά, με ηλεκτρικά μέσα, ως εξής: ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ, 3A229 ΚΑΙ 3A232. Αντί της λέξεως detonator (πυροκροτητής) χρησιμοποιείται μερικές φορές η λέξη initiator ή igniter (αναφλεκτήρας). Για τους σκοπούς του σημείου 1A007.β. οι πυροκροτητές χρησιμοποιούν όλοι ένα μικρό ηλεκτρικό αγωγό (γέφυρα, σύρμα γέφυρας ή μεταλλικό φύλλο) που εξατμίζεται εκρηκτικά όταν ένας ταχύς ηλεκτρικός παλμός υψηλού ρεύματος περνάει μέσα του. Στους τύπους πυροκροτητών χωρίς κολαφιστήρα ο αγωγός που εκρήγνυται αρχίζει μία χημική πυροδότηση σε ένα εξαιρετικά εκρηκτικό υλικό με το οποίο είναι σε επαφή όπως π.χ. το PETN (Pentaerythritoltetranitrate). Σε πυροκροτητές τύπου κολαφιστήρα (slapper) η εκρηκτική εξάτμιση του ηλεκτρικού αγωγού σπρώχνει ένα έλασμα ή κολαφιστήρα διαμέσου ενός διάκενου και η πρόσκρουσή του πάνω σε ένα εκρηκτικό υλικό αρχίζει μία χημική πυροδότηση. Σε μερικά προϊόντα ο κολαφιστήρας ωθείται από μαγνητική δύναμη. Ο όρος πυροκροτητής με εκρηγνυόμενο μεταλλικό φύλλο μπορεί να αναφέρεται είτε σε πυροκροτητή τύπου εκρηγνυόμενης γέφυρας είτε σε πυροκροτητή τύπου κολαφιστήρα. 1A008 Γομώσεις, συσκευές και κατασκευαστικά στοιχεία, ως εξής: Οι κοίλες γομώσεις είναι εκρηκτικές γομώσεις διαμορφωμένες με στόχο συγκεκριμένη εστίαση των αποτελεσμάτων της έκρηξης. 1A102 Επανακορεσμένα κατασκευαστικά στοιχεία από πυρολυμένο άνθρακα-άνθρακα, σχεδιασμένα για οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή για πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104. 1A202 Σύνθετες δομές, πλην εκείνων που ορίζονται στο σημείο 1Α002, υπό μορφή σωλήνων και που έχουν τα εξής δύο χαρακτηριστικά: ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΑ 9Α010 ΚΑΙ 9Α110. 1A225 Καταλύτες λευκόχρυσου ειδικά σχεδιασμένοι ή παρασκευασμένοι για ισοτοπικές αντιδράσεις ανταλλαγής μεταξύ υδρογόνου και ύδατος, για την ανάκτηση τριτίου από βαρύ ύδωρ ή για την παραγωγή βαρέος ύδατος. 1A226 Ειδικά συσκευάσματα που μπορούν να χρησιμοποιηθούν για τον διαχωρισμό βαρέος ύδατος από κανονικό ύδωρ, και που έχουν τα εξής δύο χαρακτηριστικά: 1A227 Παράθυρα ασφαλείας έναντι ακτινοβολιών υψηλής πυκνότητας (μολυβδύαλος ή άλλα) που έχουν όλα τα εξής χαρακτηριστικά και ειδικά σχεδιασμένα για τον σκοπό αυτό πλαίσια: Στο σημείο 1Α227, ο όρος ψυχρή περιοχή αφορά τη διαφανή επιφάνεια του παραθύρου που είναι εκτεθειμένη στη χαμηλότερη στάθμη ακτινοβολίας σύμφωνα με την εφαρμογή του σχεδίου.

1A α.

Παρεμβύσματα, φλάντζες, σφραγιστικά ή πλωτήρες καυσίμου ειδικά σχεδιασμένα για αεροπλάνα ή διαστημικά σκάφη, κατασκευασμένα από οποιοδήποτε υλικό που ορίζεται στο σημείο 1C009.β. ή 1C009.γ., σε αναλογία 50 % και άνω,

β.

Πιεζοηλεκτρικά πολυμερή και συμπολυμερή κατασκευασμένα από φθοριούχο βινυλιδένιο (CAS 75-38-7) που ορίζεται στο σημείο 1C009.α., με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. σε φύλλα ή σε φιλμ, και

2. πάχους ανωτέρου των 200 μm,

γ.

Παρεμβύσματα, φλάντζες, έδρες βαλβίδων, πλωτήρες ή διαφράγματα που διαθέτουν όλα τα εξής: Σημείωση: Στο σημείο 1Α001.γ, ως βλήματα νοούνται τα πλήρη πυραυλικά συστήματα και τα συστήματα μη επανδρωμένων οχημάτων αέρος.

1. Είναι κατασκευασμένα από φθοριοελαστομερή περιέχοντα τουλάχιστον μία βινυλαιθερική ομάδα ως συστατική μονάδα, και

2. είναι ειδικά σχεδιασμένα για αεροπλάνα, διαστημικά σκάφη ή βλήματα.

α.

Αποτελούμενα από οργανική μήτρα και από υλικά που ορίζονται στα σημεία 1C010.γ., 1C010.δ. ή 1C010.ε., ή

β.

Αποτελούμενα από μεταλλική ή ανθρακούχο μήτρα και από οτιδήποτε από τα παρακάτω:

1. Ανθρακούχα ινώδη ή νηματώδη υλικά με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:

1. α.

Ειδικό συντελεστή άνω των 10,15 × 106 m, και

β.

Ειδική αντίσταση εφελκυσμού άνω των 17,7 Χ 104 m, ή

2. Υλικά που ορίζονται στο σημείο 1C010.γ.

α.

Εμβαδόν μέχρι 1 m2·

β.

Μήκος που δεν υπερβαίνει τα 2,5 m, και

γ.

Πλάτος άνω των 15 mm.

α.

Αθλητικά προϊόντα

β.

Αυτοκινητοβιομηχανία

γ.

Βιομηχανία εργαλειομηχανών

δ.

Ιατρικές εφαρμογές.

α.

Μεταλλικές καμίνους θερμικής κατεργασίας μετάλλων

β.

Εξοπλισμό παραγωγής πυριτιούχων συνθετικών κρυστάλλων

α.

Πάχος που υπερβαίνει τα 0,254 mm, ή

β.

Επιχρισμένα ή ελασμένα με άνθρακα, γραφίτη, μέταλλα ή μαγνητικές ουσίες.

α. Τεχνική παρατήρηση:

1A004 Μάσκες ολοκλήρου προσώπου, κάνιστρα διηθήσεως και εξοπλισμός απολύμανσής τους, που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την άμυνα κατά οποιωνδήποτε από τα ακόλουθα και τα ειδικά σχεδιασμένα εξαρτήματά τους: Σημείωση: Το σημείο 1A004.α. περιλαμβάνει τις μηχανοκίνητες αναπνευστικές συσκευές φιλτραρίσματος του αέρα (PAPR) που είναι σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για προστασία από παράγοντες ή υλικά, που αναφέρονται στο σημείο 1A004.α. Για τους σκοπούς του σημείου 1A004.α.:

1. Οι μάσκες ολοκλήρου προσώπου είναι επίσης γνωστές ως μάσκες αερίου.

2. Τα κάνιστρα διηθήσεως περιλαμβάνουν φυσίγγια διηθήσεως.

1. Βιολογικοί παράγοντες αναπροσαρμοσμένοι για πολεμική χρήση,

2. Ραδιενεργά υλικά αναπροσαρμοσμένα για πολεμική χρήση,

3. Παράγοντες χημικού πολέμου (CW), ή

4. Παράγοντες ελέγχου ταραχών, στους οποίους περιλαμβάνονται:

4. α.

α-βρωμοβενζενακετονιτρίλιο, (κυανιούχο βρωμοβενζύλιο) (CA) (CAS 5798-79-8),

β.

[(2-χλωροφαινυλο)μεθυλενο] προπανοδινιτρίλιο, (ο-χλωροβενζυλιδενεμηλονονιτρίλιο) (CS) (CAS 2698-41-1),

γ.

2-χλωρο-1-φαινυλαιθανόνη, χλωριούχο φαινυλακύλιο (ω-χλωροακετοφαινόνη) (CN) (CAS 532-27-4),

δ.

διβενζο-(β, στ)-1,4-οξαζεφίνη (CR) (CAS 257-07-8),

ε.

10-χλωρο-5,10-διυδροφαιναρσαζίνη, (Χλωριούχος φαιναρσαζίνη), (Αδαμσίτης) (DM) (CAS 578-94-9),

στ.

Ν-εννεϋλομορφολίνη, (MPA) (CAS 5299-64-9),

β.

Προστατευτικές ενδυμασίες, γάντια και παπούτσια που έχουν ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την άμυνα κατά οποιωνδήποτε από τα ακόλουθα:

1. Βιολογικοί παράγοντες αναπροσαρμοσμένοι για πολεμική χρήση,

2. Ραδιενεργά υλικά αναπροσαρμοσμένα για πολεμική χρήση, ή

3. Παράγοντες χημικού πολέμου (CW),

γ.

Συστήματα ανίχνευσης που έχουν ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την ανίχνευση ή τον εντοπισμό οποιωνδήποτε από τα ακόλουθα και τα ειδικά σχεδιασμένα εξαρτήματά τους:

1. Βιολογικοί παράγοντες αναπροσαρμοσμένοι για πολεμική χρήση,

2. Ραδιενεργά υλικά αναπροσαρμοσμένα για πολεμική χρήση, ή

3. Παράγοντες χημικού πολέμου (CW).

δ. Τεχνική παρατήρηση:

Ηλεκτρονικός εξοπλισμός σχεδιασμένος για την αυτόματη ανίχνευση ή εντοπισμό της παρουσίας καταλοίπων εκρηκτικών και με τη χρήση τεχνικών ανίχνευσης ιχνών (π.χ., επιφανειακά ακουστικά κύματα, φασματομετρία ιοντικής κινητικότητας, φασματομετρία διαφορικής κινητικότητας, φασματομετρία μάζας). Ως ανίχνευση ιχνών ορίζεται η ικανότητα ανίχνευσης κάτω του 1 ppm σε αέρια κατάσταση ή του 1 mg σε στερεή ή υγρή κατάσταση. Σημείωση 1: Στο σημείο 1A004.δ. δεν υπάγεται ο εξοπλισμός ειδικώς σχεδιασμένος για εργαστηριακή χρήση. Σημείωση 2: Στο σημείο 1A004.δ. δεν υπάγονται οι πύλες ασφαλείας διέλευσης χωρίς επαφή.

α.

Προσωπικά δοσίμετρα παρακολούθησης της ακτινοβολίας,

β.

Εξοπλισμός ασφάλειας και υγιεινής στην εργασία ο οποίος από το σχεδιασμό ή τη λειτουργία του περιορίζεται στην προστασία από κινδύνους που ιδιάζουν στην κατ’ οίκον ασφάλεια ή στις πολιτικές βιομηχανίες, όπως:

1. μεταλλεία,

2. λατομεία,

3. γεωργία,

4. φαρμακοβιομηχανία,

5. ιατρική,

6. κτηνιατρική,

7. μέριμνα περιβάλλοντος,

8. διαχείριση αποβλήτων,

9. βιομηχανία τροφίμων.

1A Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. α.

Μαλακή θωράκιση σώματος εκτός εκείνης που παρασκευάζεται για να καλύπτει στρατιωτικά πρότυπα ή προδιαγραφές ή τα ισοδύναμά τους, και ειδικά σχεδιασμένα κατασκευαστικά μέρη αυτής,

β.

Σκληρές πλάκες θωράκισης σώματος που παρέχουν βαλλιστική προστασία ίση προς το επίπεδο IIIΑ (NIJ 0101.06, Ιούλιος 2008) ή μικρότερη, ή εθνικός ισοδύναμος εξοπλισμός.

α.

Τηλεχειριζόμενα οχήματα,

β. Τεχνική παρατήρηση:

Παρεμποδιστές. Οι παρεμποδιστές είναι συσκευές ειδικά σχεδιασμένες με σκοπό την παρεμπόδιση της λειτουργίας εκρηκτικής συσκευής μέσω της βολής υγρού, στερεού ή θρυμματιζόμενου βλήματος.

α.

Συσκευές πυροδότησης για εκρηκτικούς πυροκροτητές που έχουν σχεδιασθεί για να συνδέονται με εκρηκτικούς πυροκροτητές του σημείου 1A007.β.,

β.

Εκρηκτικοί πυροκροτητές που λειτουργούν ηλεκτρικά, ως εξής:

1. Εκρηγνυόμενη γέφυρα (exploding bridge - ΕΒ),

2. Σύρμα εκρηγνυόμενης γέφυρας (exploding bridge wire - EBW),

3. Κολαφιστήρας (slapper).

Εξοπλισμός παραγωγής προ-εμποτισμάτων όπως ορίζονται στο 1C010.ε., με τη μέθοδο της εν θερμώ έγχυσης,

στ.

Εξοπλισμός μη καταστροφικού ελέγχου ειδικά σχεδιασμένος για σύνθετα υλικά, ως εξής:

1. Συστήματα τομογραφίας ακτίνων Χ για την τρισδιάστατη εξέταση ελαττωμάτων,

2. Μηχανές δοκιμής με υπερήχους και ψηφιακό έλεγχο, όπου οι κινήσεις τοποθέτησης πομπών ή δεκτών συντονίζονται και προγραμματίζονται ταυτόχρονα σε τέσσερις ή περισσότερους άξονες για να παρακολουθούν το τρισδιάστατο περίγραμμα του εξεταζόμενου στοιχείου.

η. Τεχνική παρατήρηση:

Μηχανές τοποθέτησης καλωδίων των οποίων οι κινήσεις τοποθέτησης και εγκατάστασης καλωδίων συντονίζονται και προγραμματίζονται σε δύο ή περισσότερους άξονες πρωτογενούς σερβοτοποθέτησης, ειδικά σχεδιασμένες για την κατασκευή συνθέτων πλαισίων αεροσκαφών ή βλημάτων, Για τους σκοπούς του σημείου 1B001.β., οι μηχανές τοποθέτησης καλωδίων μπορούν να τοποθετούν μία ή περισσότερες ζώνες νημάτων πλάτους μικρότερου ή ίσου των 25 mm και να κόβουν και να ξαναξεκινούν επιμέρους σειρές ζωνών νημάτων κατά τη διαδικασία τοποθέτησης.

1B Τεχνική παρατήρηση: 1.2. α.

Πλαίσια αεροσκαφών ή αεροδιαστημικών,

β.

Μηχανές αεροσκαφών ή αεροδιαστημικών, ή

γ.

Ειδικά σχεδιασμένα εξαρτήματα για τα πλαίσια που προσδιορίζονται στο σημείο 1B003.α. ή τις μηχανές που προσδιορίζονται στο σημείο 1B003β.

α.

Μηχανές περιέλιξης νημάτων ή μηχανές τοποθέτησης ινών των οποίων οι κινήσεις τοποθέτησης, περιτύλιξης και περιέλιξης ινών μπορούν να συντονίζονται καινα προγραμματίζονται σε τρεις ή περισσότερους άξονες, σχεδιασμένες για την παραγωγή συνθέτων δομών ή ελασμάτων από ινώδη ή νηματώδη υλικά και για τον συντονισμό και τον προγραμματισμό ελέγχων,

β.

Μηχανές τοποθέτησης ταινιών των οποίων οι κινήσεις τοποθέτησης και εγκατάστασης ταινιών και φύλλων μπορούν να συντονίζονται και προγραμματίζονται σε δύο ή περισσότερους άξονες, σχεδιασμένες για την κατασκευή συνθέτων πλαισίων αεροπλάνων και βλημάτων,

γ.

Εξοπλισμός σχεδιασμένος ή τροποποιημένος για την παραγωγή ινωδών ή νηματωδών υλικών ως εξής:

1. Εξοπλισμός για τη μετατροπή πολυμερών ινών (όπως πολυακρυλονιτρίλια, ρεγιόν ή πολυκαρβοσιλάνια) συμπεριλαμβανομένου και ειδικού μηχανισμού για το τάνυσμα ινών εν θερμώ,

2. Εξοπλισμός εναπόθεσης ατμού στοιχείων ή ουσιών σε θερμά ινώδη υποστρώματα,

3. Εξοπλισμός υγράς ύφανσης σε αδρανή κεραμικά (όπως οξείδια του αργιλίου),

δ.

Εξοπλισμός σχεδιασμένος ή τροποποιημένος για την επεξεργασία επιφανείας ειδικών ινών ή για την παραγωγή προ-εμποτισμάτων και προ-μορφωμάτων που ορίζονται στο σημείο 9C110. Σημείωση: Το σημείο 1Β101.δ. περιλαμβάνει έλαστρα, τεντωτήρες, εξοπλισμό επίχρισης, εξοπλισμό κοπής και διατρητικά μηχανήματα.

α.

Εξοπλισμός παραγωγής μεταλλικών κόνεων, χρησιμοποιήσιμος για την παραγωγή, σε ελεγχόμενο περιβάλλον, σφαιρικών, σφαιροειδών ή σταγονιδιοποιημένων υλικών προσδιοριζόμενων στα σημεία 1C011.α, 1C011.β, 1C111.α.1, 1C111.α.2, ή στους ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων.

β.

Στοιχεία ειδικά σχεδιασμένα για τον εξοπλισμό παραγωγής που προσδιορίζεται στα σημεία 1Β002 ή 1Β102.α. Σημείωση: Το σημείο 1Β102 περιλαμβάνει:

α.

Γεννήτριες πλάσματος (με πίδακα υψίσυχνου τόξου) για την απόκτηση έκπτυστων ή σφαιρικών μεταλλικών κόνεων με οργάνωση της διεργασίας σε περιβάλλον αργού/ύδατος,

β.

Ηλεκτροπαλμικό εξοπλισμό χρησιμοποιήσιμο για την απόκτηση έκπτυστων ή σφαιρικών μεταλλικών κόνεων με οργάνωση της διεργασίας σε περιβάλλον αργού/ύδατος,

γ.

Εξοπλισμό χρησιμοποιήσιμο για την παραγωγή σφαιρικών κόνεων αργιλίου με κονιοποίηση τήγματος εντός αδρανούς μέσου (π.χ. αζώτου).

α.

Εξοπλισμός παραγωγής για την παραγωγή, διαχείριση ή αποδοχή δοκιμών υγρών προωθητικών και συστατικών προωθητικών που προσδιορίζονται στα σημεία 1C011.α., 1C011.β., 1C111 ή στους ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων,

β.

Εξοπλισμός παραγωγής, για την παραγωγή, διαχείριση, ανάμειξη, παλαίωση, εντύπωση, εμπίεση, τόρνευση, εκπίεση ή αποδοχή δοκιμών στερεών προωθητικών και συστατικών προωθητικών που προσδιορίζονται στα σημεία 1C011.α., 1C011.β., 1C111 ή στους ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων. Σημείωση: Το σημείο 1B115.β δεν θέτει υπό έλεγχο τους αναμικτήρες παρτίδων, τους αναμικτήρες συνεχούς ροής και τους μύλους ρευστής ενέργειας. Για τον έλεγχο των αναμικτήρων παρτίδων, των αναμικτήρων συνεχούς ανάμειξης και των μύλων ρευστής ενέργειας βλέπε σημεία 1B117, 1B118 και 1B119.

α.

Συνολική ογκομετρική χωρητικότητα 110 λίτρων και άνω, και

β.

Τουλάχιστον έναν έκκεντρο αναμικτήρα/ζυμωτήρα. Σημείωση: Στο σημείο 1B117.β. ο όρος έκκεντρος αναμικτήρας/ζυμωτήρας δεν αναφέρεται σε διαχωριστές (deagglomerators) ή μαχαιροφόρους ατράκτους (knife-spindles).

α.

Δύο ή περισσότερους αναμικτήρες/ζυμωτήρες, ή

β.

Ένα μόνο παλλόμενο περιστρεφόμενο άξονα, και επάνω του, καθώς και μέσα στην επένδυση του θαλάμου ανάμειξης, ζυμωτικά δόντια/ακίδες.

α.

Μηχανές περιέλιξης νημάτων με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:

1. Στις οποίες οι κινήσεις τοποθέτησης, περιτύλιξης και περιέλιξης ινών συντονίζονται και προγραμματίζονται σε δύο ή περισσότερους άξονες,

2. Ειδικά σχεδιασμένες για την κατασκευή σύνθετων δομών ή ελασμάτων από ινώδη ή νηματώδη υλικά, και

3. Ικανές για την περιέλιξη κυλινδρικών σωλήνων εσωτερικής διαμέτρου μεταξύ 75 και 650 mm και μήκους 300 mm και άνω,

β.

Για ελέγχους συντονισμού και προγραμματισμού καθώς και τα σχετικά μαντρέλια ακριβείας για τις μηχανές περιέλιξης νημάτων που ορίζονται στο σημείο 1Β201.α,

γ.

Για μαντρέλια ακριβείας για τις μηχανές περιέλιξης νημάτων που ορίζονται στο σημείο 1Β201.α.

α.

Για τον εμπλουτισμό σταθερών ισοτόπων,

β.

Με πηγές ιόντων και συλλέκτες τόσο σε μαγνητικά πεδία όσο και σε συστήματα στα οποία οι διαχωριστές αυτοί ευρίσκονται εκτός πεδίου.

α.

Σχεδιασμένες για λειτουργία σε εσωτερικές θερμοκρασίες 35 Κ (-238 °C) ή λιγότερο,

β.

Σχεδιασμένες για λειτουργία με εσωτερική πίεση από 0,5 έως 5ΜΡa (5 έως 50 ατμόσφαιρες),

γ.

Κατασκευασμένες είτε:

1. Από ανοξείδωτο χάλυβα σειράς 300 και με ωστευτιτικό μέγεθος κόκκου ΑSΤΜ (ή ισοδύναμου προτύπου) 5 ή μεγαλύτερο, ή

2. Από ισοδύναμα υλικά που είναι και κρυογονικά και συμβατά υδρογόνου, και

δ.

Εσωτερικής διαμέτρου 30 m και άνω και πραγματικού μήκους 4 m ή άνω.

1B Τεχνική παρατήρηση: 1.2. Τεχνική παρατήρηση: α.

Ανταλλακτικές στήλες νερού-υδροθείου, με δίσκους, με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:

1. Μπορούν να λειτουργούν υπό πίεση 2 MPa ή άνω,

2. Κατασκευασμένες από ανθρακούχο χάλυβα με ωστευτιτικό ASTM (ή ισοδύναμου προτύπου) μέγεθος κόκκου 5 ή άνω, και

3. Με διάμετρο 1,8 m ή άνω,

β. Τεχνική παρατήρηση:

Εσωτερικά εξαρτήματα επαφής για τις ανταλλακτικές στήλες νερού-υδροθείου, με δίσκους, που ορίζονται στο σημείο 1Β229.α. Τα εσωτερικά εξαρτήματα επαφής των στηλών είναι αρθρωτοί δίσκοι με πραγματική ολική διάμετρο 1,8 m και άνω, και είναι σχεδιασμένοι για να διευκολύνουν την επαφή σε αντίστροφη ροή και κατασκευασμένοι από ανοξείδωτους χάλυβες με περιεκτικότητα άνθρακα 0,03 % το πολύ. Μπορούν να είναι διάτρητοι δίσκοι, δίσκοι με βαλβίδες, ημισφαιρικοί δίσκοι παφλασμού και δίσκοι πλέγματος turbo.

α.

Αεροστεγείς (δηλαδή ερμητικά σφραγισμένες),

β.

Απόδοσης άνω του 8,5 m3/h, και

γ.

Με ένα από τα εξής χαρακτηριστικά:

1. Για πυκνά διαλύματα αμιδίου του καλίου (1 % και άνω), πίεση λειτουργίας 1,5-60 ΜΡa, ή

2. Για αραιά διαλύματα αμιδίου του καλίου (κάτω του 1 %), πίεση λειτουργίας 20-60 ΜΡa.

α.

Εγκαταστάσεις ή εργοστάσια παραγωγής, ανάκτησης, εξαγωγής, συγκέντρωσης ή χειρισμού τριτίου, και εξοπλισμός ως εξής:

β.

Εξοπλισμός για εγκαταστάσεις ή εργοστάσια τριτίου, ως εξής:

1. Μονάδες ψύξης υδρογόνου ή ηλίου με δυνατότητες ψύξης 23 Κ (-250 °C) και κάτω, με δυνατότητα απομάκρυνσης θερμότητας μεγαλύτερη των 150 W,

2. Συστήματα αποθήκευσης ή καθαρισμού ισοτόπων του υδρογόνου χρησιμοποιούντα μεταλλικά υδρίδια ως μέσα αποθήκευσης ή καθαρισμού.

α.

Σχεδιασμένοι για λειτουργία κάτω των 35 Κ (-238 °C), και

β.

Σχεδιασμένοι για απόδοση διέλευση άνω των 1000kg/h.

α.

Εγκαταστάσεις ή εργοστάσια για τη διαχώριση ισοτόπων λιθίου.

β.

Εξοπλισμός για τη διαχώριση ισοτόπων λιθίου που βασίζεται στη διεργασία δημιουργίας αμαγάλματος λιθίου-υδραργύρου, ως εξής:

1. Στήλες ανταλλαγής υγρού-υγρού ειδικά σχεδιασμένες για αμαλγάματα λιθίου,

2. Αντλίες αμαλγάματος υδραργύρου ή λιθίου,

3. Στοιχεία ηλεκτρόλυσης αμαλγάματος λιθίου,

4. Εξατμιστήρες πυκνού διαλύματος υδροξειδίου του λιθίου,

γ.

Συστήματα ανταλλαγής ιόντων ειδικά σχεδιασμένα για τη διαχώριση ισοτόπων λιθίου και τα ειδικά σχεδιασμένα συστατικά τους,

δ.

Συστήματα ανταλλαγής χημικών ουσιών [που χρησιμοποιούν crown ethers (αιθέρες στέμματος), cryptands ή lariat ethers (αιθέρες λάσου)] ειδικά σχεδιασμένα για τη διαχώριση ισοτόπων λιθίου και τα ειδικά σχεδιασμένα συστατικά τους,

α.

Κατασκευασμένα από: Δείγματα δοκιμών απορρόφησης για το σημείο 1C001.α. Σημείωση: Το 1.γ.1. πρέπει να είναι τετράγωνο πλευράς τουλάχιστον ίσης προς 5 μήκη κύματος της κεντρικής συχνότητας και τοποθετημένο στο μακρινό πεδίο του ακτινοβόλου στοιχείου.

1. α.

Αφρώδη πλαστικά υλικά (εύκαμπτα ή μη εύκαμπτα) με φόρτιση άνθρακα, ή οργανικά υλικά, συμπεριλαμβανομένων και συνδετικών, παρέχοντα ηχώ ανώτερη του 5 % σε σχέση με τα μέταλλα, σε εύρος ζώνης ανώτερης του ± 15 % από την κεντρική συχνότητα της προσπίπτουσας ενέργειας και μη ικανά να ανθέξουν σε θερμοκρασίες πέραν των 450 Κ (177 °C), ή

β.

Κεραμικά υλικά παρέχοντα ηχώ μεγαλύτερη του 20 % σε σχέση με τα μέταλλα, σε εύρος ζώνης ανώτερης του ± 15 % από την κεντρική συχνότητα της προσπίπτουσας ενέργειας, και μη ικανά να ανθέξουν σε θερμοκρασίες υπερβαίνουσες τους 800Κ (527 °C),

2. Αντίσταση εφελκυσμού μικρότερη των 7 × 106 N/m2, και

3. Αντίσταση σύνθλιψης μικρότερη των 14 × 106 N/m2,

δ.

Επίπεδα απορροφητικά κατασκευασμένα από συντετηγμένο σιδηρίτη (φερρίτη), με τα ακόλουθα:

1. Ειδικό βάρος ανώτερο του 4,4, και

2. Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας 548 Κ (275 °C).

β.

1C001 Υλικά απορρόφησης συχνοτήτων που υπερβαίνουν το 1,5 × 1014 Hz αλλά είναι κατώτερες των 3,7 × 1014 Hz, αδιαφανή στο ορατό φως, Σημείωση: Το σημείο 1C001.β. δεν καλύπτει υλικά ελέγχου ειδικά σχεδιασμένα ή σχηματισμένα για οποιαδήποτε από τις εξής εφαρμογές:

α.

Σήμανση πολυμερών με λέιζερ, ή

β.

Συγκόλληση πολυμερών με λέιζερ.

γ. Τεχνική παρατήρηση:

Πολυμερή υλικά εγγενώς αγώγιμα με ηλεκτρική αγωγιμότητα όγκου άνω των 10000 S/m (Siemens ανά μέτρο) ή με επιφανειακή ειδική αντίσταση μικρότερη των 100 ohm/τετράγωνο, κατασκευασμένα από οποιοδήποτε από τα παρακάτω πολυμερή: Σημείωση: Το σημείο 1C001.γ. δεν καλύπτει υλικά ελέγχου σε υγρή μορφή. Η ηλεκτρική αγωγιμότητα όγκου και η επιφανειακή ειδική αντίσταση προσδιορίζονται με βάση την προδιαγραφή ASTM D-257 ή άλλη ισοδύναμη.

γ.

1. Πολυανιλίνη,

2. Πολυπυρρόλιο,

3. Πολυθειοφένιο,

4. Πολυφαινυλένιο-βινυλένιο, ή

5. Πολυθειενυλένιο-βινυλένιο.

1C Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3. α.

Αργιλίδια (Αλουμινίδια) ως εξής:

1. Αργιλίδια του νικελίου περιέχοντα 15 % κατά βάρος και άνω αργίλιο και έως 38 % κατά βάρος αργιλίου, καθώς και τουλάχιστον ένα πρόσθετο στοιχείο κράματος,

1. Τεχνική παρατήρηση:

Παραγόμενες με οποιαδήποτε από τις παρακάτω συνθέσεις: Το Χ παριστά ένα ή περισσότερα κραματικά στοιχεία:

α.

Κράματα νικελίου (Ni-Al-X, Ni-X-Al) κατάλληλα για εξαρτήματα ή μέρη στροβιλομηχανών, δηλαδή με λιγότερα των τριών μη μεταλλικών σωματιδίων (που εισάγονται κατά την παραγωγική διαδικασία μεγαλύτερα των 100 μικρομέτρων σε 109 κραματικά σωματίδια,

β.

Κράματα νιοβίου (Nb-Al-X ή Nb-X-Al, Nb-Si-X ή Nb-X-Si, Nb-Ti-X ή Nb-X-Ti),

γ.

Κράματα τιτανίου (Ti-Al-X ή Ti-X-Al),

δ.

Κράματα αργιλίου (Al-Mg-X ή Al-X-Mg, Al-Zn-X ή Al-X-Zn, Al-Fe-X ή Al-X-Fe), ή

ε.

Κράματα μαγνησίου (Mg-Al-X ή Mg-X-Al),

2. Παραγόμενα σε ελεγχόμενο περιβάλλον με οποιαδήποτε από τις παρακάτω διαδικασίες:

2. α.

Ψεκασμό εν κενώ,

β.

Ψεκασμό αερίου,

γ.

Κυκλικό ψεκασμό,

δ.

Ράντισμα βαφής,

ε.

Κλώση τήγματος και κατακερματισμό,

στ.

Κλώση τήγματος και κατακερματισμό, ή

ζ.

Μηχανική κραματοποίηση, και

3. Ικανά να σχηματίζουν υλικά προσδιοριζόμενα στα σημεία 1C002.α ή 1C002.β,

δ.

1C002 Κραματικά υλικά με όλα τα παρακάτω:

1. Παραγόμενα με οποιαδήποτε από τις συνθέσεις που προσδιορίζονται στο σημείο 1C002.γ.1,

2. Υπό μορφή μη κατακερματισμένων φολίδων, ταινιών ή ραβδίων, και

3. Παραγόμενες σε ελεγχόμενο περιβάλλον με οποιαδήποτε από τις εξής μεθόδους:

3. α.

Ράντισμα βαφής,

β.

Κλώση τήγματος, ή

γ.

Διαχωρισμό τήγματος.

α. Τεχνική παρατήρηση:

Αρχική σχετική διαπερατότητα 120000 και άνω και πάχος 0,05 mm και άνω, Η μέτρηση της αρχικής σχετικής διαπερατότητας πρέπει να πραγματοποιείται σε πλήρως αναπεπηγμένα υλικά.

β.

Κράματα μαγνητικού μετασχηματισμού που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1. Κορεσμό μαγνητικού μετασχηματισμού ανώτερο των 5 × 10-4, ή

2. Μαγνητο-μηχανικό συντελεστή ζεύξης (k) ανώτερο του 0,8, ή

γ. Τεχνική παρατήρηση:

Άμορφες ή νανοκρυσταλλικές κραματικές ταινίες με οποιοδήποτε από τα εξής: Τα νανοκρυσαλλικά υλικά στο 1C003.γ. είναι τα υλικά με μέγεθος κρυστάλλων έως και 50 nm, όπως προσδιορίζεται με περίθλαση ακτίνων X.

γ.

1. Περιεκτικότητα σε σίδηρο, κοβάλτιο ή νικέλιο τουλάχιστον 75 %,

2. Μαγνητική επαγωγή κορεσμού (Bs) 1,6 Τ και άνω, και

3. Οποιοδήποτε από τα εξής:

3. α.

Πάχος λωρίδων 0,02 mm και κάτω, ή

β.

Ηλεκτρική ειδική αντίσταση 2 × 10-4 ohm.cm και άνω.

α.

Πυκνότητα ανώτερη του 17,5 g/cm3,

β.

Όριο ελαστικότητας ανώτερο του 880 ΜΡa,

γ.

Απώτερη αντίσταση εφελκυσμού ανώτερη των 1270 ΜΡa, και

δ.

Επιμήκυνση ανώτερη του 8 %.

α.

Υπεραγώγιμοι σύνθετοι αγωγοί περιέχοντες ένα ή περισσότερα νήματα νιοβίου-τιτανίου με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Ενσωματωμένα σε μια μήτρα πλην αυτών που αποτελούνται από χαλκό ή χαλκοφόρες μεικτές μήτρες, και

2. Με επιφάνεια διατομής μικρότερη του 0,28 × 10-4 mm2 (6 μικρόμετρα σε διάμετρο, για τα στρογγυλά νήματα),

β.

1C005 Υπεραγώγιμοι σύνθετοι αγωγοί αποτελούμενοι από ένα ή περισσότερα υπεραγώγιμα νήματα εκτός αυτών που αποτελούνται από νιόβιο-τιτάνιο, με όλα τα παρακάτω:

1. Με κρίσιμη θερμοκρασία σε μηδενική μαγνητική επαγωγή, ανώτερη των 9,85 Κ (- 263,31 °C), και

2. Παραμένοντα σε υπεραγώγιμη κατάσταση σε θερμοκρασία 4,2 Κ (-268,96 °C) όταν εκτεθούν σε μαγνητικά πεδία οποιουδήποτε προσανατολισμού κάθετου προς τον διαμήκη άξονα του αγωγού και αντιστοιχούντα σε μαγνητική επαγωγή 12 Τ με κρίσιμη πυκνότητα ρεύματος άνω των 1750 Α/mm2 στην όλη διατομή του αγωγού,

γ.

Υπεραγώγιμοι σύνθετοι αγωγοί αποτελούμενοι από ένα ή περισσότερα υπεραγώγιμα νήματα που παραμένουν υπεραγώγιμα και άνω των 115 Κ(-158,16 °C).

1C Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3. Τεχνική παρατήρηση: α.

Υδραυλικά ρευστά περιέχοντα ως κύρια συστατικά οποιαδήποτε από τα παρακάτω:

1. Τεχνική παρατήρηση:

Έλαια πυριτιούχων υδρογονανθράκων με τα εξής χαρακτηριστικά: Για τους σκοπούς του σημείου 1C006.α.1., τα έλαια πυριτιούχων υδρογονανθράκων περιέχουν αποκλειστικά και μόνον πυρίτιο, υδρογόνο και άνθρακα.

α.

Σημείο ανάφλεξης ανώτερο των 477 Κ (204 °C),

β.

Σημείο ροής σε 239 Κ (-34 °C) και κάτω,

γ.

Δείκτη ιξώδους 75 και άνω, και

δ.

Θερμική σταθερότητα στους 616 Κ (343 °C), ή

2. Τεχνική παρατήρηση:

Χλωροφθοράνθρακες με τα εξής χαρακτηριστικά: Για τους σκοπούς του σημείου 1C006.α.2., οι χλωροφθοράνθρακες περιέχουν αποκλειστικά άνθρακα, φθόριο και χλώριο.

α.

Χωρίς σημείο ανάφλεξης,

β.

Εγγενή θερμοκρασία ανάφλεξης ανώτερη των 977 Κ (704 °C),

γ.

Σημείο ροής σε 219 Κ (-54 °C) και κάτω,

δ.

Δείκτη ιξώδους 80 και άνω, και

ε.

Σημείο ζέσεως σε 473 Κ (200 °C) και άνω,

β.

Λιπαντικά υλικά περιέχοντα ως κύρια συστατικά οποιαδήποτε από τα παρακάτω:

1. Αιθέρες ή θειο-αιθέρες του φαινυλενίου ή του αλκυλοφαινυλενίου ή μείγματά τους περιέχοντα περισσότερες από δύο αιθερικές ή θειοαιθερικές ομάδες ή μείγματά τους, ή

2. Φθοριωμένα σιλικονούχα ρευστά με κινηματικό ιξώδες κατώτερο των 5000 mm2/s (5000 centistokes) μετρούμενο σε 298 Κ (25 °C).

γ.

1C006 Ρευστά απόσβεσης ή επίπλευσης με τα εξής χαρακτηριστικά:

1. Καθαρότητα ανώτερη των 99,8 %,

2. Περιέχοντα λιγότερα από 25 σωματίδια των 200 μικρομέτρων ή μεγαλύτερου μέγεθους, ανά 100 ml, και

3. Παρασκευασμένα κατά τουλάχιστον 85 % από τα παρακάτω:

3. α.

Διβρωμοτετραφθοροαιθάνιο (CAS 25497-30-7, 124-73-2, 27336-23-8),

β.

Πολυχλωροτριφθοροαιθυλένιο (ελαιώδεις και κηρώδεις τροποποιήσεις μόνο), ή

γ.

Πολυβρωμοτριφθοροαιθυλένιο.

δ.

Φθορανθρακικά υγρά ηλεκτρονικής ψύξης με τα εξής χαρακτηριστικά: Σημείωση: Το σημείο 1C006.δ. δεν καλύπτει υλικά ελέγχου που ορίζονται και συσκευάζονται ως ιατρικά προϊόντα.

1. Περιέχοντα άνω του 85 % κατά βάρος ένα από τα παρακάτω συστατικά ή μείγμα αυτών:

1. α.

Μονομερείς τριαζίνες υπερφθοροπολυαλκυλαιθέρα ή υπερφθοροαλειφατικούς αιθέρες,

β.

Υπερφθοροαλκυλαμίνες,

γ.

Υπερφθοροκυκλοαλκάνια, ή

δ.

Υπερφθοραλκάνια.

2. Πυκνότητα σε 298 Κ (25 °C) άνω του 1,5 g/ml,

3. Σε υγρή μορφή σε 273 Κ (0 °C), και

4. Περιέχοντα άνω του 60 % φθόριο κατά βάρος.

1C Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση:

1. Το σημείο ανάφλεξης προσδιορίζεται με τη μέθοδο ανοικτού δοχείου Cleveland όπως περιγράφεται στην προδιαγραφή ASTM D-92 ή εθνικές ισοδύναμες.

2. Το σημείο ροής προσδιορίζεται χρησιμοποιώντας τη μέθοδο που περιγράφεται στην προδιαγραφή ASTM D-97 ή εθνικές ισοδύναμες.

3. Ο δείκτης ιξώδους προσδιορίζεται χρησιμοποιώντας τη μέθοδο που περιγράφεται στην προδιαγραφή ASTM D-2270 ή εθνικές ισοδύναμες.

4. Η θερμική σταθερότητα προσδιορίζεται με την εξής δοκιμασία ή εθνικές ισοδύναμες: Είκοσι ml του εξεταζόμενου ρευστού τοποθετούνται σε θάλαμο ανοξείδωτου χάλυβα τύπου 317 των 46 ml που περιέχει από ένα σφαιρίδιο (ονομαστικής) διαμέτρου 12,5 mm από χάλυβα εργαλείων Μ-10, από χάλυβα 52100 και από ορείχαλκο ναυτικού (60 % Cu, 39 % Zn, 0,75 % Sn). Ο θάλαμος πληρούται με άζωτο, σφραγίζεται στην ατμοσφαιρική πίεση και η θερμοκρασία υψώνεται και διατηρείται στους 644 ± 6Κ (371 ± 6 °C) για έξι ώρες. Το δείγμα θα θεωρηθεί ως σταθερό από θερμική άποψη, μετά το πέρας της παραπάνω διαδικασίας, αν όλες οι εξής συνθήκες έχουν ικανοποιηθεί:

4. α.

Η κατά βάρος απώλεια κάθε σφαιριδίου είναι μικρότερη από 10 mg ανά mm2 σφαιρικής επιφάνειας.

β.

Η μεταβολή στο αρχικό ιξώδες όπως προσδιορίστηκε σε 311 Κ (38 °C) είναι μικρότερη από 25 %· και

γ.

Ο ολικός αριθμός οξέως ή βάσεως είναι μικρότερος από 0,40.

5. Η εγγενής θερμοκρασία ανάφλεξης προσδιορίζεται με τη μέθοδο που περιγράφεται στην προδιαγραφή ASTM E-659 ή εθνικές ισοδύναμες.

α.

Βασικά υλικά από απλά ή σύνθετα βορίδια του τιτανίου με μεταλλικές προσμίξεις, εξαιρουμένων των σκοπούμενων προσμίξεων, κατώτερες των 5000 ppm, με μέση διάσταση σωματιδίων ίση ή μικρότερη των 5 μικρομέτρων και όχι περισσότερα των 10 % των σωματιδίων μεγαλύτερα των 10 μικρομέτρων,

β.

Μη σύνθετα κεραμικά υλικά σε ακατέργαστη ή μη κατεργασμένη μορφή, εξαιρουμένων των λειαντικών, αποτελούμενα από βορίδια του τιτανίου με πυκνότητα 98 % και άνω της θεωρητικής, Σημείωση: Το σημείο 1C007.β., δεν καλύπτει τα λειαντικά.

γ.

Σύνθετα υλικά από κεραμικό-κεραμικό με γυαλί ή με μήτρα οξειδίων και ενισχυμένα με ίνες με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

1. Κατασκευασμένες από κάποιο από τα εξής υλικά:

1. α.

Si-N,

β.

Si-C,

γ.

Si-Al-Ο-N, ή

δ.

Si-O-N, και

2. με ειδική αντίσταση εφελκυσμού άνω των 12,7 × 103m,

δ.

Σύνθετα υλικά από κεραμικό-κεραμικό, με ή χωρίς συνεχή μεταλλική φάση, περιέχοντα λεπτώς κατανεμημένα σωματίδια ή φάσεις από οποιοδήποτε ινώδες ή τρίχινο υλικό, στο οποίο καρβίδια ή νιτρίδια του πυριτίου, του ζιρκονίου ή του βορίου αποτελούν τη μήτρα.

ε.

Πρόδρομα υλικά (δηλαδή, ειδικά πολυμερή ή οργανο-μεταλλικά υλικά) για την παραγωγή οποιασδήποτε φάσης ή φάσεων από τα υλικά που αναφέρονται στο σημείο 1C007.γ., ως εξής:

1. Πολυδιοργανοσιλάνια (για την παραγωγή καρβιδίου του πυριτίου),

2. Πολυσιλαζάνια (για την παραγωγή νιτριδίων του πυριτίου),

3. Πολυκαρβοσιλαζάνια (για την παραγωγή κεραμικών από πυριτιούχες, ανθρακούχες και αζωτούχες ουσίες).

στ.

Σύνθετα υλικά από κεραμικό-κεραμικό με γυαλί ή με μήτρα οξειδίων και ενισχυμένα με ίνες οιασδήποτε σύνθεσης από τις παρακάτω: Σημείωση: Το σημείο 1C007.στ. δεν καλύπτει σύνθετα υλικά με ίνες αυτών των συνθέσεων που διαθέτουν ισχύ εφελκυσμού κάτω των 700 ΜΡa σε 1273 Κ (1000 °C) ή αντοχή ερπυσμού σε εφελκυσμό των ινών άνω του 1 % της τάσης ερπυσμού σε 100 MPa φορτίου και 1273 Κ (1000 °C) για 100 ώρες.

1. Al2O3 (CAS 1344-28-1), ή

2. Si-C-N

α.

ινώδη ή νηματώδη υλικά, για την επισκευή τμημάτων ή ελασμάτων πολιτικών αεροσκαφών, με τα εξής χαρακτηριστικά:

1. εμβαδόν μέχρι 1 m2·

2. Μήκος που δεν υπερβαίνει τα 2,5 m, και

3. πλάτος άνω των 15 mm.

β.

Μηχανικά τεμαχισμένα, αλεσμένα ή κομμένα ινώδη ή νηματώδη υλικά από άνθρακα μήκους 25 mm ή λιγότερο.

γ.

Οργανικά ινώδη ή νηματώδη υλικά με όλα τα εξής χαρακτηριστικά: Σημείωση: Στο 1C010.γ. δεν υπάγονται:

1. ειδικό συντελεστή άνω των 2,54 × 106 m, και

2. σημείο τήξεως, μαλακώματος, αποσύνθεσης ή εξάχνωσης ανώτερο των 1922 Κ (1649 °C) σε αδρανές περιβάλλον.

α.

Ασυνεχείς, πολυφασικές, πολυκρυσταλλικές ίνες αλουμίνας υπό μορφή τεμαχισμένων ινών ή τυχαίας διαστρωμάτωσης, που περιέχουν 3 % κατά βάρος ή περισσότερο πυριτικά με ειδικό συντελεστή μικρότερο του 10 × 106 m,

β.

Ίνες μολυβδαινίου και κραμάτων μολυβδαινίου,

γ.

Ίνες βορίου,

δ.

Ασυνεχείς κεραμικές ίνες με σημείο τήξεως, μαλακώματος, αποσύνθεσης ή εξάχνωσης κατώτερο των 2043 Κ (1770 °C) σε αδρανές περιβάλλον.

1C Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. δ.

Ινώδη ή νηματώδη υλικά με οποιοδήποτε από τα εξής χαρακτηριστικά:

1. Αποτελούμενα από οποιοδήποτε από τα εξής:

1. α.

Πολυαιθεριμίδια όπως προσδιορίζονται στο σημείο 1C008.α., ή

β.

Υλικά όπως προσδιορίζονται στο σημείο 1C008.β. έως 1C008.στ., ή

2. Αποτελούμενα από υλικά όπως αυτά προσδιορίζονται στο σημείο 1C010.δ.1.α. ή 1C010.δ.1.β και διαπλεγμένα με άλλες ίνες που ορίζονται στο σημείο 1C010.α., 1C010. β., ή 1C010.γ.,

ε. Τεχνική παρατήρηση:

1C010 Ινώδη ή νηματώδη υλικά προεμποτισμένα εν όλω ή εν μέρει με ρητίνη ή πίσσα (prepregs, προ-εμποτίσματα), ή επιχρισμένα με μέταλλα ή άνθρακα (preforms, προπλάσματα) και προπλάσματα ανθρακούχων ινών, με όλα τα εξής χαρακτηριστικά: Σημείωση 1: Τα επιχρισμένα με μέταλλα ή άνθρακα ινώδη ή νηματώδη υλικά (προπλάσματα) και τα προπλάσματα ανθρακούχων ινών, που δεν είναι εμποτισμένα με ρητίνη ή πίσσα, προσδιορίζονται ως ινώδη ή νηματώδη υλικά στα 1C010.α, 1C010.β ή 1C010.γ. Σημείωση 2: Στο σημείο 1C010.ε. δεν υπάγονται: Το σημείο υαλώδους μετάπτωσης κατά δυναμική μηχανική ανάλυση (DMA Tg) για τα υλικά του σημείου 1C010.ε προσδιορίζεται με τη μέθοδο του ASTM D 7028-07 ή ισοδύναμου εθνικού προτύπου, επί ξηρού δοκιμίου. Προκειμένου περί θερμοστατικών υλικών ο βαθμός ωρίμανσης (cure) του ξηρού δοκιμίου οφείλει να είναι τουλάχιστον 90 % όπως ορίζεται στο ASTM E 2160-04 ή σε ισοδύναμο εθνικό πρότυπο.

ε.

1. Οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1. α.

ανόργανα ινώδη ή νηματώδη υλικά όπως προσδιορίζονται στο σημείο 1C010.γ., ή

β.

οργανικά ή ανθρακούχα ινώδη ή νηματώδη υλικά με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:

1. ειδικό συντελεστή άνω των 10,15 × 106 m, και

2. ειδική αντίσταση εφελκυσμού άνω των 17,7 × 104 m, και

2. Οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

2. α.

ρητίνη ή πίσσα προσδιοριζόμενη στο 1C008 ή στο 1C009.β,

β.

σημείο υαλώδους μετάπτωσης κατά δυναμική μηχανική ανάλυση (DMA Tg) ίσο ή ανώτερο των 453 K (180 °C) και φαινολική ρητίνη, ή

γ.

σημείο υαλώδους μετάπτωσης κατά δυναμική μηχανική ανάλυση (DMA Tg) ίσο ή ανώτερο των 505 K (232 °C) και ρητίνη ή πίσσα πλην φαινολικής ρητίνης, μη προσδιοριζόμενη στα σημεία 1C008 ή 1C009.β.

α.

Κεραμικά σύνθετα υλικά (με διηλεκτρική σταθερά μικρότερη του 6 σε οποιαδήποτε συχνότητα από 100 ΜΗz έως 100 GHZ), που χρησιμοποιούνται σε σφαιρικούς θόλους χρησιμοποιήσιμους σε βλήματα, οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα εμπίπτοντα στο σημείο 9Α004 ή πυραυλοβολίδες εμπίπτουσες στο σημείο 9Α104,

δ.

Χύδην επεξεργάσιμο κεραμικό ενισχυμένο με πυριτιούχα καρβίδια χωρίς θερμική επεξεργασία, που χρησιμοποιείται σε ρύγχη χρησιμοποιήσιμα σε βλήματα, οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα εμπίπτοντα στο σημείο 9Α004 ή πυραυλοβολίδες εμπίπτουσες στο σημείο 9Α104,

ε.

Ενισχυμένα κεραμικά σύνθετα υλικά από καρβίδιο του πυριτίου, χρησιμοποιήσιμα σε ρύγχη, οχήματα επαναφοράς και πτερύγια ακροφυσίων χρησιμοποιήσιμα σε βλήματα, οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα εμπίπτοντα στο σημείο 9Α004 ή πυραυλοβολίδες εμπίπτουσες στο σημείο 9Α104.

α.

Προωστικές ουσίες:

1. Τεχνική παρατήρηση:

Σκόνη σφαιρικού ή σφαιροειδούς αργιλίου, εκτός αυτής που αναφέρεται στους ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων, με διάσταση σωματιδίων κατώτερη των 200 μm και περιεκτικότητα κατά βάρος σε αργίλιο 97 % και άνω, εφόσον το 10 % τουλάχιστον του συνολικού βάρους αποτελείται από σωματίδια κάτω των 63 μm, σύμφωνα με το ISO 2591:1988 ή τα εθνικά ισοδύναμα, Μέγεθος σωματιδίων 63 μm (ISO R-565) αντιστοιχεί σε κόσκινο 250 (Tyler) ή 230 (πρότυπο ASTM E-11).

2. Σκόνες μετάλλων εκτός από τις προσδιοριζόμενες στους ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων, ως εξής: Σημείωση: Στα σημεία 1C111α.2.α. και 1C111α.2.β. υπάγονται μείγματα σκονών με πολυτροπική κατανομή σωματιδίων (π.χ. μείγματα διαφόρων μεγεθών κόκκων), εφόσον υπάγονται σε αυτά ένας ή περισσότεροι από τους εν λόγω τρόπους.

2. α. Τεχνική παρατήρηση:

Σκόνες μετάλλων ζιρκονίου, βηρυλλίου ή μαγνησίου, ή κραμάτων των εν λόγω μετάλλων, εφόσον το 90 % τουλάχιστον του συνόλου των σωματιδίων κατά όγκο ή βάρος σωματιδίων αποτελείται από σωματίδια μικρότερα των 60 μm (καθοριζόμενα με τεχνικές μέτρησης όπως η κοσκίνιση, η περίθλαση με λέιζερ ή η οπτική σάρωση), σφαιρικά, κονιορτοποιημένα, σφαιροειδή, σε φολίδες ή αλεσμένα, περιέχοντα από τα παρακάτω υλικά σε αναλογία 97 % κατά βάρος και άνω: Το άφνιο που φυσικώς εμπεριέχεται στο ζιρκόνιο (κατά κανόνα 2 % έως 7 %) συνυπολογίζεται με το ζιρκόνιο.

α.

1. Ζιρκόνιο,

2. Βηρύλλιο, ή

3. Μαγνήσιο,

β.

1C111 α. 2. Σκόνες μετάλλων βορίου, ή κραμάτων βορίου με περιεκτικότητα σε βόριο 85 % και άνω κατά βάρος, εφόσον το 90 % τουλάχιστον του συνόλου των σωματιδίων κατά όγκο ή βάρος σωματιδίων αποτελείται από σωματίδια μικρότερα των 60 μm (καθοριζόμενα με τεχνικές μέτρησης όπως η κοσκίνιση, η περίθλαση με λέιζερ ή η οπτική σάρωση), σφαιρικά, κονιορτοποιημένα, σφαιροειδή, σε φολίδες ή αλεσμένα,

3. Οξειδωτικές ουσίες χρησιμοποιήσιμες σε πυραυλοκινητήρες υγρών καυσίμων, ως εξής:

3. α.

Τριοξείδιο του διαζώτου (CAS 10544-73-7),

β.

Διοξείδιο του αζώτου (CAS 10102-44-0)/τετροξείδιο του διαζώτου (CAS 10544-72-6),

γ.

Πεντοξείδιο του διαζώτου (CAS 10102-03-1),

δ. Τεχνική παρατήρηση:

Μικτά οξείδια του αζώτου (MON), Τα μεικτά οξείδια του αζώτου (MON) είναι διαλύματα μονοξειδίου του αζώτου (NO) σε τετροξείδιο/διοξείδιο του αζώτου (N2O4/NO2), που μπορούν να χρησιμοποιηθούν σε πυραυλικά συστήματα. Ανάλογα με την αναλογία των συστατικών τους χαρακτηρίζονται ως MONi ή MONij, όπου i ή ij μονοψήφιος ή διψήφιος ακέραιος που εμφαίνει το ποσοστό μονοξειδίου του αζώτου που περιέχεται στο μείγμα (π.χ. το MON3 περιέχει 3 % μονοξείδιο του αζώτου, το MON25 περιέχει 25 %, με ανώτατο όριο το MON40, που περιέχει 40 % μονοξείδιο του αζώτου κατά βάρος).

ε.

ΒΛΕΠΕ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ για το σταθεροποιημένο ερυθρό ατμίζον νιτρικό οξύ (IRFNA),

στ.

ΒΛΕΠΕ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ για τις ενώσεις αποτελούμενες από φθόριο και ένα ή περισσότερα άλλα αλογόνα, οξυγόνο ή άζωτο.

4. Παράγωγα της υδραζίνης, ως εξής: ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ.

4. α.

Τριμεθυλυδραζίνη (CAS 1741-01-1)

β.

Τετραμεθυλυδραζίνη (CAS 6415-12-9)

γ.

Ν,Ν-διαλλυλυδραζίνη

δ.

Αλλυλυδραζίνη (CAS 7422-78-8)

ε.

Αιθυλενοδιυδραζίνη

στ.

Δινιτρική μονομεθυλυδραζίνη

ζ.

Ασύμμετρη νιτρική διμεθυλυδραζίνη

η.

Αζίδιο του υδραζινίου (CAS 14546-44-2)

θ.

Αζίδιο του διμεθυλυδραζινίου

ι.

Δινιτρικό υδραζίνιο

ια.

Διιμιδοοξαλικοδιυδραζίνη (CAS 3457-37-2)

ιβ.

Νιτρική 2-υδροξυαιθυλυδραζίνη (HEHN)

ιγ.

βλέπε ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων για το υπερχλωρικό υδραζίνιο

ιδ.

Διυπερχλωρικό υδραζίνιο (CAS 13812-39-0)

ιε.

1C111 α. 4. Νιτρική μεθυλυδραζίνη (MHN)

ιστ.

Νιτρική διαιθυλυδραζίνη (DEHN)

ιζ.

Νιτρική 3,6-διυδραζινοτετραζίνη (νιτρική 1,4-διυδραζίνη) (DHTN)

5. Τεχνική παρατήρηση:

Υλικά με υψηλή ενεργειακή πυκνότητα, άλλα από τα προσδιοριζόμενα στους έλεγχους στρατιωτικών προϊόντων, χρησιμοποιήσιμα σε βλήματα ή σε μη επανδρωμένα οχήματα αέρος που ορίζονται στο σημείο 9Α012: Στο σημείο 1C111.α.5, βλήματα σημαίνει πλήρη πυραυλικά συστήματα και συστήματα μη επανδρωμένων οχημάτων αέρος ικανά για βεληνεκές άνω των 300 km.

5. α.

Σύμμικτα καύσιμα όπου ενσωματώνονται και στερεά και υγρά καύσιμα, όπως το βοριούχο αιώρημα, που έχουν ενεργειακή πυκνότητα κατά μάζα 40 × 106 J/kg και άνω,

β.

Άλλα καύσιμα και πρόσθετα καυσίμων με υψηλή ενεργειακή πυκνότητα, (π.χ. τα κυβάνια, τα ιοντικά διαλύματα, το JP-10) που έχουν ενεργειακή πυκνότητα κατ’ όγκο 37,5 × 109 J/m3 και άνω, μετρούμενη σε θερμοκρασία 20 °C και πίεση μιας ατμόσφαιρας (101,325 kPa) Σημείωση: Στο σημείο 1C111.α.5.β δεν εμπίπτουν τα διυλισμένα ορυκτά καύσιμα και τα παραγόμενα από φυτά βιοκαύσιμα, ακόμη και αν προορίζονται για κινητήρες πιστοποιημένους προς χρήση στην πολιτική αεροπορία, εκτός αν είναι διαμορφωμένα ειδικά για βλήματα ή μη επανδρωμένα οχήματα αέρος που ορίζονται στο σημείο 9Α012.

β.

Πολυμερείς ουσίες:

1. Πολυβουταδιένιο με τελική καρβοξ(υλ)ική ομάδα (CΤΡΒ)

2. Πολυβουταδιένιο με τελική υδροξ(υλ)ική ομάδα (HTPB), εκτός αυτών που προσδιορίζονται στους ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων

3. Πολυβουταδιένιο-ακρυλικό οξύ (ΡΒΑΑ)

4. Πολυβουταδιένιο-ακρυλικό οξύ-ακρυλονιτρίλιο (ΡΒΑΝ)

5. Τεχνική παρατήρηση:

Πολυτετραϋδροφουρανιοπολυαιθυλενογλυκόλη (TPEG) Η πολυτετραϋδροφουρανιοπολυαιθυλενογλυκόλη (TPEG) είναι αλυσοσυμπολυμερές πολυ-1,4-βουτανοδιόλης και πολυαιθυλενογλυκόλης (PEG).

γ.

Άλλα προωθητικά πρόσθετα και ουσίες:

1. ΒΛΕΠΕ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ ΓΙΑ τα καρβοβοράνια, τα δεκαβοράνια, τα πενταβοράνια και τα παράγωγά τους

2. Δινιτρική τριαιθυλενογλυκόλη (ΤΕGDΝ) (CAS 111-22-8)

3. 2-Νιτροδιφαινυλαμίνη (CAS 119-75-5)

4. Τρινιτρικό τριμεθυλαιθάνιο (ΤΜΕΤΝ) (CAS 3032-55-1)

5. Δινιτρική διαιθυλενογλυκόλη (DEGDN) (CAS 693-21-0)

6. Παράγωγα σιδηροκενίου (ferrocene) ως εξής:

6. α.

Βλέπε ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων για το κατοκένιο

β.

Αιθυλοσιδηροκένιο (CAS 1273-89-8)

γ.

Προπυλοσιδηροκένιο

δ.

1C111 γ. 6. Βλέπε ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων για το n-βουτυλοσιδηροκένιο

ε.

Πεντυλοσιδηροκένιο (CAS 1274-00-6)

στ.

Δικυκλοπεντυλοσιδηροκένιο

ζ.

Δικυκλοεξυλοσιδηροκένιο

η.

Διαιθυλοσιδηροκένιο (CAS 1273-97-8)

θ.

Διπροπυλοσιδηροκένιο

ι.

Διβουτυλοσιδηροκένιο (CAS 1274-08-4)

ια.

Διεξυλοσιδηροκένιο (CAS 93894-59-8)

ιβ.

Ακετυλοσιδηροκένιο (CAS 1271-55-2), 1,1’-διακετυλοσιδηροκένιο (CAS 1273-94-5)

ιγ.

Βλέπε ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων για τα καρβοξυλικά οξέα του σιδηροκενίου

ιδ.

Βλέπε ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων για το βουτακένιο

ιε.

Άλλα παράγωγα του σιδηροκενίου που μπορούν να χρησιμοποιηθούν ως τροποποιητικά της ταχύτητας καύσης προωστικών πυραύλων, πλην εκείνων που προσδιορίζονται στους ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων. Σημείωση: Στο 1C111.γ.6.ιε δεν εμπίπτουν τα παράγωγα του σιδηροκενίου που περιέχουν, προσδεδεμένη στο μόριο του σιδηροκενίου, αρωματική ομάδα με έξι άτομα άνθρακα.

7. 4,5 διαζιδομεθυλο-2-μεθυλο-1,2,3-τριαζόλη (iso- DAMTR), εκτός από την προσδιοριζόμενη στους ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων.

που έχει οριακή αντοχή σε εφελκυσμό, μετρούμενη σε 293 K (20 °C), ίση ή μεγαλύτερη από:

1. 0,9 GPa στο στάδιο ανόπτησης διαλυτοποίησης, ή

2. 1,5 GPa στο στάδιο της σκλήρυνσης με κατακρήμνιση, και

Οποιοδήποτε από τις εξής μορφές:

1. Φύλλων, πλακών ή σωλήνων με πάχος τοιχώματος ή πλάκας ίσο ή κατώτερο των 5,0 mm.

2. Σωληνοειδείς μορφές με πάχος τοιχώματος ίσο ή κατώτερο των 50 mm και με εσωτερική διάμετρο ίση ή ανώτερη των 270 mm.

1C Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση 1:

1. γενικά χαρακτηριζόμενα από υψηλή περιεκτικότητα σε νικέλιο, πολύ χαμηλή περιεκτικότητα σε άνθρακα και χρήση υποκαταστάτων στοιχείων ή ιζημάτων προκειμένου να παράγοντα κράματα με μεγαλύτερη ανθεκτικότητα και σκλήρυνση κατά τη γήρανση, και

2. υποβαλλόμενα σε κύκλους θερμικής επεξεργασίας προκειμένου να διευκολυνθεί η διαδικασία μετασχηματισμού μαρτενγήρανσης (στάδιο ανόπτησης διαλυτοποίησης) και η μετέπειτα σκλήρυνση κατά τη γήρανση (στάδιο σκλήρυνσης με κατακρήμνιση).

1C Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση 1: Τεχνική παρατήρηση 2: α.

Βολφράμιο και κράματα βολφραμίου υπό μορφή σωματιδίων με περιεκτικότητα σε βολφράμιο 97 % και άνω κατά βάρος και διάμετρο σωματιδίων 50 × 10-6m (50 μm) και κάτω,

β.

Μολυβδαίνιο και κράματα μολυβδαινίου υπό μορφή σωματιδίων με περιεκτικότητα σε μολυβδαίνιο 97 % και άνω κατά βάρος και διάμετρο σωματιδίων 50 × 10-6m (50 μm) και κάτω,

γ.

Στερεά υλικά από βολφράμιο, με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

1. Μία από τις παρακάτω συνθέσεις υλικού:

1. α.

Βολφράμιο και κράματα με περιεκτικότητα σε βολφράμιο 97 % και άνω κατά βάρος,

β.

Χαλκοδιήθητο βολφράμιο με περιεκτικότητα σε βολφράμιο 80 % και άνω κατά βάρος, ή

γ.

Αργυροδιήθητο βολφράμιο με περιεκτικότητα σε βολφράμιο 80 % και άνω κατά βάρος, και

2. Ικανά να μεταποιηθούν μηχανουργικώς σε οτιδήποτε από τα εξής:

2. α.

Κυλίνδρους διαμέτρου 120 mm και άνω και μήκους 50 mm και άνω,

β.

Σωλήνες εσωτερικής διαμέτρου τουλάχιστον 65 mm και πάχους τοιχώματος τουλάχιστον 25 mm και μήκους τουλάχιστον 50 mm, ή

γ.

Παραλληλεπίπεδα διαστάσεων 120 mm επί 120 mm επί 50 mm ή μεγαλύτερων.

1C Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση 1: Τεχνική παρατήρηση 2: Τεχνική παρατήρηση: α.

Όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

1. Περιεκτικότητα κατά βάρος 17,0-23,0 % σε χρώμιο και 4,5-7,0 % σε νικέλιο,

2. Περιεκτικότητα κατά βάρος άνω του 0,10 % σε τιτάνιο, και

3. Φερριτική-ωστενιτική (διφασική) μικροδομή με τουλάχιστον 10 % κατ’ όγκο ωστενίτη (σύμφωνα με το ASTM E-1181-87 ή τα εθνικά του ισοδύναμα), και

β.

Ένα από τα παρακάτω σχήματα:

1. Πλινθώματα και ράβδοι μεγέθους 100 mm και άνω σε κάθε διάσταση,

2. Φύλλα πλάτους 600 mm και άνω και πάχους 3 mm και κάτω, ή

3. Σωλήνες με εξωτερική διάμετρο 600 mm και άνω και πάχος τοιχωμάτων 3 mm και κάτω.

α.

Κράματα αργιλίου με τα εξής δύο χαρακτηριστικά:

1. Εμφανίζοντα τελική αντίσταση εφελκυσμού 460 ΜΡa και άνω σε 293 Κ (20 °C), και

2. Υπό μορφή σωλήνων ή κυλινδρικών στερεών σωμάτων (περιλαμβανομένων και των σφυρηλάτων) εξωτερικής διαμέτρου 75 mm και άνω,

β.

Κράματα τιτανίου με τα εξής δύο χαρακτηριστικά:

1. Εμφανίζοντα τελική αντίσταση εφελκυσμού 900 ΜΡa και άνω σε 293 Κ (20 °C), και

2. Υπό μορφή σωλήνων ή κυλινδρικών στερεών σωμάτων (συμπεριλαμβανομένων και των σφυρηλάτων) με εξωτερική διάμετρο 75 mm και άνω.

1C Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση 1: Τεχνική παρατήρηση 2: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α.

Ινώδη ή νηματώδη υλικά από άνθρακα ή αρμίδια με ένα από τα εξής χαρακτηριστικά: Σημείωση: Στο σημείο 1C210.α., δεν ελέγχονται τα ινώδη ή νηματώδη υλικά από αραμίδια με περιεκτικότητα 0,25 % και άνω κατά βάρος σε ινώδη τροποποιητή επιφανειών με βάση εστέρες,

1. Ειδικό συντελεστή 12,7 Χ 106 m και άνω, ή

2. Ειδική αντίσταση εφελκυσμού 23,5 × 104 m και άνω·

β.

Υαλώδη ινώδη ή νηματώδη υλικά με τα εξής δύο χαρακτηριστικά:

1. Ειδικό συντελεστή 3,18 Χ 106 m και άνω, και

2. Ειδική αντίσταση εφελκυσμού 7,62 × 104 m και άνω·

γ. Τεχνική παρατήρηση:

Θερμοσκληρική ρητίνη εμποτισμένη με συνεχή στημόνια, πιλήματα, τέλματα ή ταινίες πλάτους 15 mm το πολύ (προεμποτίσματα), από ανθρακούχα ή υαλώδη ινώδη ή νηματώδη υλικά που προσδιορίζονται στο σημείο 1C210.α. ή β. Η ρητίνη αποτελεί το περίβλημα του συστατικού.

1C Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση 1: Τεχνική παρατήρηση 2: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α.

Σε μορφές με κοίλη κυλινδρική συμμετρία (περιλαμβανομένων και κυλινδρικών τμημάτων) εσωτερικής διαμέτρου μεταξύ των 100 mm και 300 mm, και

β.

Μάζα άνω των 20 kg.

α.

Περιέχον λιγότερο από 1000 ppm κατά βάρος μεταλλικές προσμίξεις διαφορετικές από μαγνήσιο και

β.

Περιέχον λιγότερα από 10 ppm βορίου κατά βάρος.

α.

Περιέχον λιγότερο από 200 ppm κατά βάρος μεταλλικές προσμίξεις, πλην του ασβεστίου, και

β.

Περιέχον λιγότερα από 10 ppm βορίου κατά βάρος.

α.

Καθαρότητας 99,99 % και άνω κατά βάρος, και

β.

Περιέχον λιγότερο από 10 ppm κατά βάρος άργυρο.

α.

Μεταλλικά παράθυρα για μηχανήματα ακτίνων Χ, ή συσκευές για την παρακολούθηση των τρημάτων,

β.

Οξείδια σε επεξεργασμένα ή ημιεπεξεργασμένα προϊόντα ειδικά σχεδιασμένα για εξαρτήματα ηλεκτρονικής ή ως υποστρώματα ηλεκτρονικών δικτύων,

γ.

Βήρυλλος (πυριτικό άλας βηρυλλίου και αλουμινίου) υπό μορφή σμαραγδιών ή ακουαμαρίνων.

1C Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση 1: Τεχνική παρατήρηση 2: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α.

Στοιχειακά,

β.

Ενώσεις ολικής ενέργειας 37 GBq/kg (1 Ci/kg) ή ανώτερης,

γ.

Μίγματα ολικής ενέργειας 37 GBq/kg (1 Ci/kg) ή ανώτερης,

δ.

Προϊόντα ή συσκευές περιέχοντα οποιοδήποτε από τα προαναφερόμενα.

Ακτίνιο-225 (Ac-225)

Ακτίνιο-227 (Ac-227)

Καλιφόρνιο-253 (Cf-253)

Κιούριο-240 (Cm-240)

Κιούριο-241 (Cm-241)

Κιούριο-242 (Cm-242)

Κιούριο-243 (Cm-243)

Κιούριο-244 (Cm-244)

Αϊνσταΐνιο-253 (Es-253)

Αϊνσταΐνιο-254 (Es-254)

Γαδολίνιο-148 (Gd-148)

Πλουτώνιο-236 (Pu-236)

Πλουτώνιο-238 (Pu-238)

Πλουτώνιο-208 (Po-208)

Πλουτώνιο-209 (Po-209)

Πλουτώνιο-210 (Po-210)

Ράδιο-223 (Ra-223)

Θόριο-227 (Th-227)

Θόριο-228 (Th-228)

Ουράνιο-230 (U-230)

Ουράνιο-232 (U-232)

1C Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση 1: Τεχνική παρατήρηση 2: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α.

Ιατρικές συσκευές,

β.

Προϊόν ή συσκευή περιέχουσα λιγότερο από 0,37 GΒq (10 millicuries) ραδίου-226.

α.

Σκόνη νικελίου με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Καθαρή περιεκτικότητα νικελίου 99,0 % κατά βάρος ή ανώτερη, και

2. Μέσο μέγεθος σωματιδίων μικρότερο των 10 μm με βάση μέτρηση σύμφωνα με το πρότυπο Β330 από την Αμερικανική Εταιρεία Δομικών Υλικών (ΑSΤΜ),

β.

Πορώδης σκόνη μεταλλικού νικελίου παραγόμενη από υλικά που προσδιορίζονται στο σημείο 1C240.α.

α.

Νηματώδης σκόνη νικελίου,

β.

Ενιαία ελάσματα πορώδους νικελίου με εμβαδόν μέχρι και 1000 cm2 ανά έλασμα.

1C Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση 1: Τεχνική παρατήρηση 2: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α.

β.

Μάζα άνω των 20 kg.

1. Θειοδιγλυκόλη (111-48-8),

2. Οξυχλωριούχος φώσφορος (10025-87-3),

3. Μεθυλοφωσφονικό διμεθύλιο (756-79-6),

4. ΒΛΕΠΕ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ για διφθοριούχο μεθυλοφωσφινύλιο (676-99-3),

5. Φωσφονυλδιχλωριούχο μεθύλιο (676-97-1),

6. Φωσφορώδες διμεθύλιο (DΜΡ) (868-85-9),

7. Τριχλωριούχος φώσφορος (7719-12-2),

8. Φωσφορώδες τριμεθύλιο (ΤΜΡ) (121-45-9),

9. Χλωριούχο θειονύλιο (7719-09-7),

10. 3-υδροξυ1-μεθυλοπιπεριδίνη (3554-74-3),

11. N,N-Διισοπροπυλ-β-αμινοαιθυλοχλωρίδιο (96-79-7),

12. Θειόλη του Ν,Ν-διισοπροπυλ-β-αμινοαιθανίου (5842-07-9),

13. 1C350 3-Κινουοκλιδινόλη (1619-34-7),

14. Φθοριούχο κάλιο (7789-23-3),

15. 2-Χλωροαιθανόλη (107-07-3),

16. Διμεθυλαμίνη (124-40-3),

17. Αιθυλοφωσφονικό διαιθύλιο (78-38-6),

18. Ν,Ν-διμεθυλοφωσφοραμιδικό διαιθύλιο (2404-03-7),

19. Φωσφορώδες διαιθύλιο (762-04-9),

20. Υδροχλωρική διμεθυλαμίνη (506-59-2),

21. Διχλωριούχο αιθυλοφωσφινύλιο (1498-40-4),

22. Διχλωριούχο αιθυλοφωσφονύλιο (1066-50-8),

23. ΒΛΕΠΕ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ για διφθοριούχο αιθυλοφωσφονύλιο (753-98-0),

24. Υδροφθόριο (7664-39-3),

25. Βενζυλικό μεθύλιο (76-89-1),

26. Διχλωριούχο μεθυλοφωσφινύλιο (676-83-5),

27. Ν,Ν-διισοπροπυλ-β-αμινοαιθανόλη (96-80-0),

28. Πινακολυλική αλκοόλη (464-07-03),

29. ΒΛΕΠΕ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ για μεθυλοφωσφονικό Ο-αιθυλ2-διισοπροπυλαμινοαιθύλιο (QL) (57856-11-8),

30. Φωσφορώδες τριαιθύλιο (122-52-1),

31. Τριχλωριούχο αρσενικό (7784-34-1),

32. Βενζυλικό οξύ (76-93-7),

33. Μεθυλοφωσφονικό διαιθύλιο (15715-41-0),

34. Αιθυλοφωσφονικό διμεθύλιο (6163-75-3),

35. Διφθοριούχο αιθυλοφωσφονύλιο (430-78-4),

36. Διφθοριούχο μεθυλοφωσφινύλιο (753-59-3),

37. 3-Κινουκλιδόνη (3731-38-2),

38. Πενταχλωριούχος φώσφορος (10026-13-8),

39. Πινακολόνη (75-97-8),

40. Κυανιούχο κάλιο (151-50-8),

41. Διφθοριούχο κάλιο (7789-29-9),

42. Υδροφθοριούχο αμμώνιο ή διφθοριούχο αμμώνιο (1341-49-7),

43. Φθοριούχο νάτριο (7681-49-4),

44. 1C350 Διφθοριούχο νάτριο (1333-83-1),

45. Κυανιούχο νάτριο (143-33-9),

46. Τριαιθανολαμίνη (102-71-6),

47. Πενταθειούχος φώσφορος (1314-80-3),

48. Δι-ισοπροπυλαμίνη (108-18-9),

49. Διαιθυλαμινοαιθανόλη (100-37-8),

50. Θειούχο νάτριο (1313-82-2),

51. Μονοχλωριούχο θείο (10025-67-9),

52. Διχλωριούχο θείο (10545-99-0),

53. Υδροχλωρική τριαιθανολαμίνη (637-39-8),

54. Υδροχλωρικό Ν,Ν-διισοπροπυλ-β-αμινοαιθυλοχλωρίδιο (4261-68-1),

55. Μεθυλοφωσφονικό οξύ (993-13-5),

56. Μεθυλοφωσφονικός διαιθυλεστέρας (683-08-9),

57. Διχλωριούχο Ν,Ν-διμεθυλαμινοφωσφορύλιο (677-43-0),

58. Φωσφορώδες τριισαπροπύλιο (116-17-6),

59. Αιθυλοδιαιθανολαμίνη (139-87-7),

60. Φωσφοροθειικό 0,0-διαιθύλιο (2465-65-8),

61. Φωσφοροδιθειικό 0,0-διαιθύλιο (298-06-6),

62. Εξαφθοροπυριτικό νάτριο (16893-85-9),

63. Διχλωριούχος μεθυλοφωσφονοϊκοθειοϊκός εστέρας (676-98-2).

α.

Ιοί, φυσικοί, διεγερμένοι ή τροποποιημένοι, υπό μορφή απομονωμένων ζωντανών καλλιεργειών ή ως υλικό το οποίο έχει σκοπίμως ενοφθαλμιστεί ή επιμολυνθεί με τέτοιες καλλιέργειες, ως εξής:

1. Ιός αφρικανικής νόσου των ίππων,

2. Αφρικανικός ιός πανώλους χοίρων,

3. Ιός των Άνδεων,

4. Ιοί γρίπης πτηνών, που είναι:

4. α.

Μη χαρακτηρισμένοι, ή

β.

Όπως ορίζεται στο παράρτημα I παράγραφος 2 της οδηγίας 2005/94/ΕΚ (ΕΕ L.10 της 14.1.2006, σ. 16) ως έχοντα υψηλή παθογένεια, ως εξής:

1. Ιοί του τύπου Α με IVPI (δείκτη ενδοφλέβιας παθογένειας) σε κοτόπουλα 6 εβδομάδων, μεγαλύτερο του 1,2 ή

2. Ιοί του τύπου Α των υποτύπων H5 ή H7 με αλληλουχίες γονιδιώματος κωδικοποιημένες για πολλαπλά βασικά αμινοξέα στη θέση διάσπασης του μορίου της αιμοσυγκολλητίνης παρόμοιες με εκείνες που παρατηρούνται σε άλλους ιούς HPAI, το οποίο υποδεικνύει ότι το μόριο της αιμοσυγκολλητίνης μπορεί να διασπαστεί από μια πρωτεάση η οποία απαντά σε όλα τα μέρη του ξενιστή,

5. Ιός καταρροϊκού πυρετού,

6. Ιός Chapare,

7. Ιός τσικουγκούνια (chikungunya),

8. Ιός Choclo

9. Ιός αιμορραγικού πυρετού Κονγκό-Κριμαίας,

10. Ιός δάγγειου πυρετού,

11. Ιός Ντόμπραβας-Βελιγραδιού

12. Ιός ανατολικής εγκεφαλίτιδας ιπποειδών,

13. Ιός Ebola,

14. Ιός αφθώδους πυρετού,

15. Ιός ευλογιάς αιγών,

16. Ιός Γουαναρίτο

17. Ιός Hantaan,

18. Ιός Hendra (Morbillivirus equorum)

19. Ιός του έρπητα (νόσος Aujeszky),

20. Ιός χολέρας των χοίρων (ιός χοιρείου πυρετού),

21. Ιός ιαπωνικής εγκεφαλίτιδας,

22. Ιός Junin,

23. Ιός δάσους Kyasanur,

24. Ιός Laguna Negra

25. Ιός πυρετού της Λάσσα,

26. 1C351 α. Ιός εγκεφαλομυελίτιδας των προβάτων,

27. Ιός Lujo,

28. Ιός οζώδους δερματίτιδας των βοοειδών,

29. Ιός λυμφοκυτταρικής χοριομηνιγγίτιδας,

30. Ιός του Ματσούπο (Machupo),

31. Ιός του Μάρμπουργκ (Marburg),

32. Ιός ευλογιάς πιθήκων,

33. Ιός εγκεφαλίτιδας της Κοιλάδας του Murray,

34. Ιός της ασθένειας του Newcastle,

35. Ιός Nipah,

36. Ιός αιμορραγικού πυρετού Ομσκ

37. Ιός Oropouche

38. Ιός πανώλους μικρών μηρυκαστικών,

39. Εντεροϊός χοίρων του τύπου 9 (ιός της φυσαλιδώδους νόσου των χοίρων),

40. Ιός Powassan

41. Ιός της λύσσας και άλλων μελών του γένους Lyssavirus,

42. Ιός πυρετού Κοιλάδας Rift

43. Ιός πανώλους αγελάδων,

44. Ιός Rocio

45. Ιός Sabia,

46. Ιός της Σεούλ,

47. Ιός ευλογιάς προβάτων,

48. Ιός sin nombre,

49. Ιός εγκεφαλίτιδας St.Louis

50. Ιός ασθένειας Teschen,

51. Ιός επιδημικής εγκεφαλίτιδας (ρωσικός ιός εγκεφαλίτιδας),

52. Ιός ευλογιάς,

53. Ιός εγκεφαλίτιδας ιπποειδών της Βενεζουέλας,

54. Ιός κυστικής στοματίτιδος,

55. Δυτικός ιός εγκεφαλίτιδας ιπποειδών,

56. Ιός κίτρινου πυρετού,

β.

Δεν χρησιμοποιείται,

γ.

1C351 Βακτήρια, φυσικά, διεγερμένα ή τροποποιημένα, υπό μορφή απομονωμένων ζωντανών καλλιεργειών ή ως υλικό περιέχον ζώντες οργανισμούς οι οποίοι έχουν σκοπίμως ενοφθαλμιστεί ή επιμολυνθεί με τέτοιες καλλιέργειες, ως εξής:

1. Bacillus anthracis,

2. Brucella abortus,

3. Brucella melitensis,

4. Brucella suis,

5. Burkholderia mallei (Pseudomonas mallei),

6. Burkholderia pseudomallei (Pseudomonas pseudomallei),

7. Chlamydophila psittaci (παλαιότερα γνωστός ως Chlamydia psittaci),

8. Clostridium argentinense (παλαιότερα γνωστός ως Clostridium botulinum Type G), στελέχη που παράγουν νευροτοξίνη botulinum,

9. Clostridium baratii, στελέχη που παράγουν νευροτοξίνη botulinum,

10. Clostridium botulinum,

11. Clostridium butyricum, στελέχη που παράγουν νευροτοξίνη botulinum,

12 Clostridium perfringens — τύποι που παράγουν ε-τοξίνη,

13. Coxiella burnetti,

14. Francisella tularensis,

15. Mycoplasma capricolum, υποείδος capripneumoniae (στέλεχος F38),

16. Mycoplasma mycoides, υποείδος mycoides SC (μικρές αποικίες),

17. Rickettsia prowasecki

18. Salmonella typhi,

19. Escherichia coli που παράγει την τοξίνη shiga (STEC) των ορολογικών ομάδων O26, O45, O103, O104, O111, O121, O145, O157, και άλλων ορολογικών ομάδων που παράγουν την τοξίνη shiga,

20. Shigella dysenteriae,

21. Vibrio cholerae,

22. Yersinia pestis,

δ.

Τοξίνες, ως εξής, και σχετική υπο-ομάδα τοξινών: Σημείωση: Το 1C351.δ. δεν θέτει υπό έλεγχο τις τοξίνες botulinum ή κωνοτοξίνες υπό μορφή προϊόντων που πληρούν όλα τα παρακάτω κριτήρια:

1. Τοξίνες Botulinum,

2. Τοξίνες Clostridium perfringens alpha, beta 1, beta 2, epsilon and iota,

3. Κωνοτοξίνη,

4. Ricin,

5. Σαξιτοξίνη,

6. Τεχνική παρατήρηση:

1C351 δ. Τοξίνη Shiga, Η Escherichia coli που παράγει την τοξίνη shiga (STEC) είναι γνωστή και ως enterohaemorrhagic E. coli (EHEC) ή verocytotoxin producing E. coli (VTEC).

7. Εντεροτοξίνες Staphylococcus aureus enterotoxins, τοξίνη hemolysin alpha, και τοξίνη συνδρόμου τοξικού σοκ (παλαιότερα γνωστή ως εντεροτοξίνη Staphylococcus F),

8. Τετροδοτοξίνη,

9. Βεροτοξίνη και πρωτεΐνες που αδρανοποιούν τα ριβοσώματα, όπως η Shiga,

10. Μικροκυστίνη (κυαναγγινοσίνη),

11. Αφλατοξίνες,

12. Abrin,

13. Τοξίνη χολέρας,

14. Τοξίνη διακετοξυσκιρπενόλης,

15. Τοξίνη Τ-2,

16. Τοξίνη ΗΤ-2,

17. Modeccin,

18. Volkensin,

19. Λεκτίνη 1 του Viscum album (Viscumin).

1. Είναι φαρμακευτικά σκευάσματα προοριζόμενα για χορήγηση από ανθρώπους για την αντιμετώπιση ιατρικών προβλημάτων,

2. Είναι προσυσκευασμένα προς διανομή ως ιατρικά προϊόντα,

3. Έχουν εγκριθεί από κρατική αρχή προς εμπορία ως ιατρικά προϊόντα.

ε.

Μύκητες, φυσικοί, βελτιωμένοι ή τροποποιημένοι, είτε υπό μορφή απομονωμένων ζωντανών καλλιεργειών είτε ως υλικό περιέχον ζωντανό υλικό που έχει ηθελημένα ενοφθαλμιστεί ή μολυνθεί με τέτοιες καλλιέργειες ως εξής:

1. Coccioides immitis,

2. Coccioides posadasii.

α.

Γενετικά τροποποιημένοι οργανισμοί ή γενετικά στοιχεία περιέχοντα αλληλουχία νουκλεϊκών οξέων που συνεπάγονται παθογένεια οργανισμών που αναφέρονται στο σημείο 1C351.α., 1C351.γ, 1C351.ε ή 1C354·

β.

1C353 Γενετικά τροποποιημένοι οργανισμοί ή γενετικά στοιχεία που περιέχουν αλληλουχίες νουκλεϊκών οξέων που κωδικώς παράγουν οποιαδήποτε από τις τοξίνες που αναφέρονται στο σημείο 1C351.δ και σχετικές υποομάδες τοξινών.

1C Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση 1: Τεχνική παρατήρηση 2: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3. α.

αντιπροσωπεύει αφ’ εαυτής ή μέσω των προϊόντων της μεταγραφής ή μετάφρασής της ουσιαστικό κίνδυνο για την υγεία των ανθρώπων, των ζώων ή των φυτών, ή

β.

είναι γνωστό ότι επιτείνει την ικανότητα ενός συγκεκριμένου μικροοργανισμού, ή οποιουδήποτε άλλου οργανισμού στον οποίον ενδέχεται να παρεμβληθεί ή άλλως πώς να ενσωματωθεί, να προξενεί σοβαρή βλάβη στην υγεία των ανθρώπων, των ζώων ή των φυτών.

α.

1. Λανθάνων ιός των γεωμήλων των Άνδεων

2. Ιός της ατράκτωσης των κονδύλων των γεωμήλων,

β.

Βακτήρια, φυσικά, διεγερμένα ή τροποποιημένα, υπό μορφή απομονωμένων ζωντανών καλλιεργειών ή ως υλικό περιέχον ζώντες οργανισμούς οι οποίοι έχουν σκοπίμως ενοφθαλμιστεί ή επιμολυνθεί με τέτοιες καλλιέργειες, ως εξής:

1. Xanthomonas albilineans,

2. Xanthomonas axonopodis pv. citri (Xanthomonas campestris pv. citri A) [Xanthomonas campestris pv. citri],

3. Xanthomonas oryzae pv. oryzae (Pseudomonas campestris pv. oryzae),

4. Clavibacter michiganensis subsp. sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. sepedonicum ή Corynebacterium sepedonicum),

5. Ralstonia solanacearum, race 3, biovar 2,

γ.

Μύκητες, φυσικοί, διεγερμένοι ή τροποποιημένοι, υπό μορφή απομονωμένων ζωντανών καλλιεργειών ή ως υλικό περιέχον ζώντες οργανισμούς οι οποίοι έχουν σκοπίμως ενοφθαλμιστεί ή επιμολυνθεί με τέτοιες καλλιέργειες, ως εξής:

1. Colletotrichum kahawae (Colletotrichum coffeanum var. virulans),

2. Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae),

3. Microcyclus ulei (syn. Dothidella ulei),

4. Puccinia graminis ssp. graminis var. graminis/Puccinia graminis ssp. graminis var. stakmanii (Puccinia graminis [syn. Puccinia graminis f. sp. tritici]),

5. 1C354 γ. Puccinia striiformis (syn. Puccinia glumarum),

6. Magnaporthe oryzae (Pyricularia oryzae),

7. Peronosclerospora philippinensis (Peronosclerospora sacchari),

8. Sclerophthora rayssiae var. zeae,

9. Synchytrium endobioticium,

10. Tilletia indica,

11. Thecaphora solani.

α.

Τοξικές χημικές ουσίες, ως εξής: Σημείωση 1: Για τις εξαγωγές στα Κράτη που είναι συμβαλλόμενα μέρη της σύμβασης για τα Χημικά Όπλα, στο σημείο 1C450 δεν υπάγονται τα χημικά μείγματα που περιέχουν μια ή περισσότερες από τις χημικές ενώσεις των σημείων 1C450.α.1. και .α.2. και στα οποία καμία από τις επιμέρους οριζόμενες ουσίες δεν υπερβαίνει το 1 % κατά βάρος του μείγματος. Σημείωση 2: Για τις εξαγωγές στα Κράτη που είναι συμβαλλόμενα μέρη της σύμβασης για τα Χημικά Όπλα, στο σημείο 1C450 δεν υπάγονται τα χημικά μείγματα που περιέχουν μια ή περισσότερες από τις χημικές ενώσεις των σημείων 1C450.α.1 και .α.2 και στα οποία καμία από τις επιμέρους οριζόμενες ουσίες δεν υπερβαίνει το 30 % κατά βάρος του μείγματος. Σημείωση 3: Στο σημείο 1C450 δεν υπάγονται τα χημικά μείγματα που περιέχουν μια ή περισσότερες από τις χημικές ουσίες των σημείων 1C450.α.4, .α.5, .α.6 και .α.7 και στα οποία καμία από τις επιμέρους οριζόμενες ουσίες δεν υπερβαίνει το 30 % κατά βάρος του μείγματος. Σημείωση 4: Στο σημείο 1C450 δεν υπάγονται προϊόντα που ορίζονται ως καταναλωτικά προϊόντα, συσκευασμένα για το λιανικό εμπόριο για προσωπική χρήση ή συσκευασμένα για προσωπική χρήση.

1. αμιτόνη: Ο,Ο-διαιθυλο S-[2-(διαιθυλαμινο) αιθυλο] φωσφοροθειολικές ενώσεις (78-53-5) και τα αντίστοιχα αλκυλιωμένα ή πρωτονιωμένα άλατα,

2. PFIB: 1,1,3,3,3-πεντάφθορο2-(τριφθορομεθύλο)1-προπένιο (382-21-8),

3. ΒΛΕΠΕ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ ΓΙΑ BZ: 3 Κινουνκλιδινυλοβενζυλικές ενώσεις (6581-06-2),

4. Φωσγένιο: Διχλωριούχο καρβονύλιο (75-44-5),

5. Χλωριούχο δικυάνιο (506-77-4),

6. Υδροκυάνιο (74-90-8),

7. Χλωροπικρίνη: Τριχλωρονιτρομεθάνιο (76-06-2),

β.

Πρόδρομοι τοξικών χημικών ουσιών, ως εξής: Σημείωση 1: Για τις εξαγωγές στα Κράτη που δεν είναι συμβαλλόμενα μέρη της σύμβασης για τα Χημικά Όπλα, στο σημείο 1C450 δεν υπάγονται τα χημικά μείγματα που περιέχουν μια ή περισσότερες από τις χημικές ενώσεις των σημείων 1C450.β.1, .β.2, .β.3, .β.4, .β.5 και .β.6 και στα οποία καμία από τις επιμέρους οριζόμενες ουσίες δεν υπερβαίνει το 10 % κατά βάρος του μείγματος. Σημείωση 2: Για τις εξαγωγές στα Κράτη που είναι συμβαλλόμενα μέρη της σύμβασης για τα Χημικά Όπλα, στο σημείο 1C450 δεν υπάγονται τα χημικά μείγματα που περιέχουν μια ή περισσότερες από τις χημικές ενώσεις των σημείων 1C450.β.1, .β.2, .β.3, .β.4, .β.5 και .β.6 και στα οποία καμία από τις επιμέρους οριζόμενες ουσίες δεν υπερβαίνει το 30 % κατά βάρος του μείγματος. Σημείωση 3: Στο σημείο 1C450 δεν υπάγονται χημικά μείγματα που περιέχουν μία ή περισσότερες από τις χημικές ουσίες που ορίζονται στο σημείο 1C450 β.8 στις οποίες καμιά από τις οριζόμενες χημικές ουσίες δεν συνιστά άνω του 30 % κατά βάρος του μείγματος. Σημείωση 4: Στο σημείο 1C450 δεν υπάγονται προϊόντα που ορίζονται ως καταναλωτικά προϊόντα, συσκευασμένα για το λιανικό εμπόριο για προσωπική χρήση ή συσκευασμένα για προσωπική χρήση.

1. Χημικές ουσίες, εκτός από όσες αναφέρονται στους ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων ή στο σημείο 1C350, οι οποίες περιέχουν ένα άτομο φωσφόρου με το οποίο συνδέεται μια μεθυλική, αιθυλική, προπυλική ή ισοπροπυλική ομάδα, όχι όμως άλλα άτομα άνθρακα, Σημείωση: Στο σημείο 1C450.β.1 δεν ελέγχεται το Fonofos: Ο-αιθυλο S-φαινυλο αιθυλοφωσφονοθειολοθειονικές ενώσεις (944-22-9),

2. 1C450 β. Ν,Ν-διάλκυλο-[μεθυλο-, αιθυλο-, προπυλο- ή ισοπροπυλο-] φωσφοραμιδικές διαλογονούχες ενώσεις, πλην του Ν,Ν-διμεθυλαμινοφωσφορυλοδιχλωριδίου. ΣΗΜ.: Βλέπε σημείο 1C350.57 για το διμεθυλαμινοφωσφορυλοδιχλωρίδιο.

3. Διάλκυλο-[μεθυλο-, αιθυλο-, προπυλο- ή ισοπροπυλο-] Ν,Ν-διάλκυλο-[μεθυλο-, αιθυλο-, προπυλο- ή ισοπροπυλο-]φωσφοραμιδικές ενώσεις, εκτός από τις Διαιθυλο-Ν,Ν-διμεθυλοφωσφοραμιδικές ενώσεις που αναφέρονται στο σημείο 1C350.

4. Ν,Ν-Διάλκυλο-[μεθυλο-, αιθυλο-, προπυλο- ή ισοπροπυλο-] αμινοαιθυλο-2-χλωριούχες ενώσεις και αντίστοιχα πρωτονιωμένα άλατα, εκτός από το Ν,Ν-διισοπρόπυλο-(β)-αμινοαιθυλοχλωρίδιο ή το υδροχλωριούχο Ν,Ν-διισοπρόπυλο-(β)-αμινοαιθυλοχλωρίδιο που αναφέρονται στο σημείο 1C350.

5. Ν-διάλκυλο-[μεθυλο-, αιθυλο-, προπυλο- ή ισοπροπυλο-] αμινοαιθανο-2-όλες και τα αντίστοιχα πρωτονιωμένα άλατα, εκτός από την Ν,Ν-διισοπρόπυλο-(β)-αμινοαιθανόλη (96-80-0) και την Ν,Ν-διαιθυλαμινοαιθανόλη (100-37-8) που αναφέρονται στο σημείο 1C350. Σημείωση: Στο σημείο 1C450.β.5, δεν υπάγονται τα εξής:

5. α.

Ν,Ν-διμεθυλαμινοαιθανόλη (108-01-0) και τα αντίστοιχα πρωτονιωμένα άλατα,

β.

πρωτονιωμένα άλατα της Ν,Ν-διαιθυλαμινοαιθανόλης (100-37-8).

6. Ν,Ν-διάλκυλο-[μεθυλο-, αιθυλο-, προπυλο- ή ισοπροπυλο-] αμινοαίθανο-2-θειόλες και τα αντίστοιχα πρωτονιωμένα άλατα, εκτός από την Ν,Ν-διισοπρόπυλο-(β)-αμινοαιθανοθειόλη που αναφέρεται στο σημείο 1C350.

7. Βλέπε1C350 για την αιθυλοδιαιθανολαμίνη (139-87-7),

8. Μεθυλοδιαιθανολαμίνη (105-59-9).

1D Λογισμικό 1D001 Λογισμικό ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την ανάπτυξη, την παραγωγή ή τη χρήση των προϊόντων εξοπλισμού που καθορίζονται στα σημεία 1Β001 ως 1Β003. 1D002 Λογισμικό για την ανάπτυξη τελεσμάτων ή σύνθετων υλικών, με οργανικό συνθετικό υλικό, μεταλλικό συνθετικό υλικό ή ανθρακικό συνθετικό υλικό. 1D003 Λογισμικό ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για να καθιστά δυνατή την εκτέλεση των λειτουργιών του εμπίπτοντος στα σημεία 1Α004.γ ή 1Α004.δ εξοπλισμού. 1D101 Λογισμικό ειδικώς σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για τη λειτουργία ή συντήρηση των προϊόντων που καθορίζονται στο σημείο 1B101, 1B102, 1B115, 1B117, 1B118 ή 1B119 ειδών. 1D103 Λογισμικό ειδικά σχεδιασμένο για την ανάλυση ανοιγμένων παρατηρήσιμων μεγεθών όπως είναι η αντανακλασιμότητα των ραντάρ, οι επισημάνσεις υπεριώδους/υπέρυθρης ακτινοβολίας και οι ακουστικές επισημάνσεις. 1D201 Λογισμικό ειδικά σχεδιασμένο για τη χρήση προϊόντων που καθορίζονται στο σημείο 1Β201.

1E Τεχνολογία 1E001 Σύμφωνα με τις γενικές παρατηρήσεις τεχνολογίας για την ανάπτυξη ή την παραγωγή εξοπλισμού ή υλικών που καθορίζονται στα σημεία 1Α001.β., 1Α001.γ., 1Α002 ως 1A005, 1A006.β., 1A007, 1B ή 1C. 1E002 Λοιπές τεχνολογίες, ως εξής: 1E101 Τεχνολογία σύμφωνα με τις γενικές παρατηρήσεις τεχνολογίας για τη χρήση προϊόντων που καθορίζονται στα σημεία 1Α102, 1Β001, 1Β101, 1B 102, 1Β115 έως 1Β 119, 1C001, 1C101, 1C107, 1C111 έως 1C118, 1D101 ή 1D103. 1E102 Τεχνολογία σύμφωνα με τις γενικές παρατηρήσεις τεχνολογίας για την ανάπτυξη ή το λογισμικό που περιγράφονται στα σημεία 1D001, 1D101 ή 1D103. 1E103 Τεχνολογία για τη ρύθμιση της θερμοκρασίας, της πιέσεως ή της ατμόσφαιρας των αυτοκλείστων ή των υδροκλείστων όταν χρησιμοποιούνται για την παραγωγή σύνθετων υλικών ή ημικατεργασμένων σύνθετων υλικών. 1E104 Τεχνολογία σχετική με την παραγωγή πυρολυτικώς λαμβανομένων υλικών που μορφοποιούνται σε τύπους, μαντρέλια ή άλλες μήτρες από πρόδρομα αέρια που διασπώνται σε θερμοκρασίες από 1573 Κ (1300 °C) ως 3173 Κ (2900 °C) και πιέσεις από 130 Pa ως 20 kPa. Σημείωση: Στο σημείο 1Ε104 περιλαμβάνεται η τεχνολογία για τη σύνθεση των προδρόμων αερίων, των προγραμμάτων και τις παραμέτρους για τη ρύθμιση των ροών και των διεργασιών. 1E201 Τεχνολογία σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για τη χρήση προϊόντων που καθορίζονται στα σημεία 1Α002, 1A007, 1Α202, 1Α225 ως 1Α227, 1Β201, 1Β225 ως 1Β234, 1C002.β.3. ή β.4., 1C010.β., 1C202, 1C210, 1C216, 1C225 ως 1C241 ή 1D201. 1E202 Τεχνολογία σύμφωνα με τις γενικές παρατηρήσεις τεχνολογίας για την ανάπτυξη ή την παραγωγή προϊόντων που καθορίζονται στα σημεία 1A007, 1Α202 ή 1Α225 ως 1Α227. 1E203 Τεχνολογία σύμφωνα με τις γενικές παρατηρήσεις τεχνολογίας για την ανάπτυξη του λογισμικού που καθορίζεται στο σημείο 1D201.

1E α.

Τεχνολογία για την ανάπτυξη ή την παραγωγή πολυβενζοθειαζολών ή πολυβενζοοξαζολών,

β.

Τεχνολογία για την ανάπτυξη ή την παραγωγή φθοριούχων ελαστομερών ενώσεων που περιέχουν τουλάχιστον ένα μονομερές βινυλαιθέρα,

γ.

Τεχνολογία για το σχεδιασμό ή την παραγωγή των ακολούθων βασικών υλικών ή μη σύνθετων κεραμικών υλικών:

1. Τα βασικά υλικά έχουν όλα τα παρακάτω:

1. α.

Η σύστασή τους είναι μια από τις ακόλουθες:

1. Απλά ή σύμπλοκα οξείδια ζιρκονίου και σύμπλοκα οξείδια πυριτίου ή αργιλίου,

2. Απλά νιτρίδια βορίου (κυβικής κρυσταλλικής μορφής),

3. Απλά ή σύμπλοκα καρβίδια πυριτίου ή βορίου, ή

4. Απλά ή σύμπλοκα νιτρίδια πυριτίου.

β.

Οποιεσδήποτε από τις παρακάτω συνολικές μεταλλικές προσμίξεις (εκτός από εκούσιες προσθήκες):

1. κατώτερες των 1000 ppm για τα απλά οξείδια ή καρβίδια, ή

2. κατώτερες των 5000 ppm για τις σύμπλοκες ενώσεις ή τα απλά νιτρίδια, και

γ.

Έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Ζιρκονία (CAS 1314-23-4) με μέσο μέγεθος σωματιδίων μέχρι και 1 μm και ποσοστό σωματιδίων μεγαλύτερων από 5 μm μέχρι και 10 %,

2. Άλλα βασικά υλικά με μέσο μέγεθος σωματιδίων μέχρι και 5 μm και ποσοστό σωματιδίων από 10 μm μέχρι και 10 %, ή

3. Όλα τα ακόλουθα:

3. α.

Πλακίδια με λόγο μήκους προς πάχος άνω του 5,

β.

Βελονοειδείς ίνες (whiskers) με λόγο μήκους προς διάμετρο άνω του 10 για διαμέτρους κάτω των 2 μm, και

γ.

Συνεχείς ή κομμένες ίνες με διάμετρο κάτω των 10 μm,

2. Μη σύνθετα κεραμικά υλικά αποτελούμενα από υλικά που ορίζονται στο σημείο 1Ε002.γ.1. Σημείωση: Στο σημείο 1Ε002.γ.2. δεν υπάγεται η τεχνολογία για το σχεδιασμό ή την παραγωγή λειαντικών.

δ.

Τεχνολογία για την παραγωγή αρωματικών πολυαμιδικών ινών,

ε.

1E002 Τεχνολογία για την εγκατάσταση, τη συντήρηση ή την επιδιόρθωση υλικών που καθορίζονται στο σημείο 1C001,

στ.

Τεχνολογία για την επιδιόρθωση κατασκευών από σύνθετα υλικά, ελασμάτων ή υλικών που περιγράφονται στα σημεία 1Α002, 1C007.γ. ή 1C007.δ. Σημείωση: Το σημείο 1Ε002.στ. δεν αφορά την τεχνολογία για την επιδιόρθωση κατασκευαστών που χρησιμοποιούνται στα πολιτικά αεροσκάφη με ινώδη ή νηματώδη υλικά και τις εποξειρητίνες που περιέχονται στα εγχειρίδια του κατασκευαστή.

ζ. Τεχνική παρατήρηση:

Βιβλιοθήκες (παραμετρικές τεχνικές βάσεις δεδομένων) ειδικά σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για να καθιστούν δυνατή την εκτέλεση των λειτουργιών εξοπλισμού εμπίπτοντος στο σημείο 1Α004.γ ή 1Α004.δ. Στο σημείο 1Ε002.ζ., ως βιβλιοθήκη (παραμετρική τεχνική βάση δεδομένων) νοείται μια συλλογή πληροφοριών, η αναφορά στην οποία μπορεί να βελτιώσει τις επιδόσεις συναφών ειδών εξοπλισμού ή συστημάτων.

ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 2 ΕΠΕΞΕΡΓΑΣΙΑ ΥΛΙΚΩΝ

2A Τεχνική παρατήρηση:

Συστήματα, εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη ΣΗΜ.: Για κανονικούς τριβείς, βλέπε ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων. 2A001 Αντιτριβικά κουζινέτα (έδρανα) και συστήματα εδράνων ως εξής, και σχετικά συστατικά: ΣΗΜ.: ΒΛ. ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 2A101 Σημείωση: Στο σημείο 2Α001 δεν υπάγονται τα σφαιρίδια με όρια ανοχής που προσδιορίζονται από τον κατασκευαστή σύμφωνα με το ISO 3290 ως βαθμός 5 ή κατώτερος. 2A101 Ακτινικοί σφαιροτριβείς, πλην των προσδιοριζόμενων στο σημείο 2A001, με όλες τις ανοχές να προσδιορίζονται σύμφωνα με την κατηγορία ανοχής 2 του ISO 492 (ή την κατηγορία ανοχής ABEC-9 του προτύπου ANSI/ABMA Std 20, ή άλλο εθνικό ισοδύναμο) ή καλύτερες και με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά: 2A225 Χωνευτήρια από υλικά ανθεκτικά στα τήγματα ακτινιδών, ως εξής: 2A226 Βαλβίδες με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: Για τις βαλβίδες με διαφορετικές διαμέτρους εισαγωγής και εξαγωγής, το ονομαστικό μέγεθος για το οποίο γίνεται λόγος στο σημείο 2A226 αφορά τη μικρότερη διάμετρο.

2A α.

Σφαιροτριβείς και συμπαγείς κυλινδροτριβείς των οποίων όλες οι ανοχές προσδιορίζονται από τον κατασκευαστή σύμφωνα με την κατηγορία ανοχής 4 του ISO 492 (ή άλλου εθνικού ισοδύναμου), ή καλύτερη, και οι οποίοι έχουν και δακτυλίους και κυλινδρικά στοιχεία (ISO 5593) από υλικό monel ή από βηρύλλιο. Σημείωση: Στο σημείο 2Α001.α. δεν υπάγονται οι τριβείς με κωνικούς κυλίνδρους.

β.

2A001 Δεν χρησιμοποιείται,

γ.

Συστήματα ενεργών μαγνητικών τριβέων που χρησιμοποιούν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1. Υλικά με πυκνότητες ροής 2,0 Τ και άνω και αποδόσεις ισχύος άνω των 414 ΜΡα.

2. Πλήρως ηλεκτρομαγνητικούς τρισδιάστατους τύπους ενεργοποιητών ομοπολικής διαμόρφωσης· ή

3. Αισθητήρες θέσεως υψηλής θερμοκρασίας [450 Κ (177 °C) και άνω].

α.

Διάμετρο εσωτερικού δακτυλίου μεταξύ 12 και 50 mm,

β.

Εξωτερική διάμετρο εξωτερικού δακτυλίου μεταξύ 25 και 100 mm, και

γ.

Πλάτος μεταξύ 10 και 20 mm.

α.

Χωνευτήρια με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Χωρητικότητα 150 cm3 έως 8000 cm3, και

2. Κατασκευή ή επίχρισμα από οποιοδήποτε από τα παρακάτω υλικά, συνολικής καθαρότητας 2 % ή μικρότερης κατά βάρος:

2. α.

Φθοριούχο ασβέστιο (CaF2)

β.

Ζιρκονικό (μεταζιρκονικό) ασβέστιο (CaZrO3)

γ.

Θειούχο δημήτριο (Ce2S3)

δ.

Οξείδιο του ερβίου (ερβία) (Er2O3)

ε.

Οξείδιο του αφνίου (αφνία) (HfO2)

στ.

Οξείδιο του μαγνησίου (MgO)

ζ.

Νιτρίδιο κράματος νιοβίου-τιτανίου-βολφραμίου (με περιεκτικότητες περίπου 50 % Nb, 30 % Ti, 20 % W)

η.

Οξείδιο του υττρίου (υττρία) (Y2O3), ή

θ.

Οξείδιο του ζιρκονίου (ζιρκονία) (ZrO2).

β.

Χωνευτήρια με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Χωρητικότητα 50 cm3 έως 2000 cm3, και

2. Κατασκευή ή επένδυση από ταντάλιο καθαρότητας 99,9 % ή μεγαλύτερης κατά βάρος.

γ.

Χωνευτήρια με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Χωρητικότητα 50 cm3 έως 2000 cm3.

2. Κατασκευή ή επένδυση από ταντάλιο καθαρότητας 98 % ή μεγαλύτερης κατά βάρος, και

3. Επίχρισμα με καρβίδιο, νιτρίδιο, ή βορίδιο του τανταλίου ή οποιοδήποτε συνδυασμό αυτών.

α.

Ονομαστικό μέγεθος 5 mm και άνω,

β.

Πτυσσόμενη στεγανοποιητική διάταξη (τύπου φυσητήρα), και

γ.

Εξ ολοκλήρου κατασκευασμένες ή με επένδυση από αργίλιο, κράμα αργιλίου, νικέλιο ή κράμα νικελίου με περιεκτικότητα σε νικέλιο άνω του 60 % κατά βάρος.

2B Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3.4.5.6. Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.

Εξοπλισμός Δοκιμών, Ελέγχου και Παραγωγής Οι δευτερεύοντες παράλληλοι άξονες διαμόρφωσης περιγράμματος, π.χ. άξονας w στις οριζόντιες φραίζες διάτρησης ή ένας δευτερεύων άξονας περιστροφής, του οποίου ο κεντροφορέας είναι παράλληλος προς τον κύριο άξονα περιστροφής, δεν υπολογίζονται στο συνολικό αριθμό των αξόνων διαμόρφωσης περιγράμματος. Οι άξονες περιστροφής δεν είναι αναγκαίο να περιστρέφονται επί 360°. Ο άξονας περιστροφής μπορεί να κατευθύνεται από γραμμική διάταξη, (π.χ., από κοχλία ή οδοντωτό τροχοκανόνα). Για τους σκοπούς του σημείου 2Β, ο αριθμός αξόνων που μπορούν να συντονίζονται ταυτόχρονα για έλεγχο διαμόρφωσης περιγράμματος είναι ο αριθμός των αξόνων κατά μήκος των οποίων ή γύρω από τους οποίους, κατά την επεξεργασία του υπό επεξεργασία αντικειμένου, πραγματοποιούνται ταυτόχρονες και αλληλοσυσχετιζόμενες κινήσεις μεταξύ του υπό επεξεργασία αντικειμένου και ενός εργαλείου. Δεν συναριθμούνται οι τυχόν επιπλέον άξονες κατά μήκος των οποίων ή γύρω από τους οποίους πραγματοποιούνται άλλες σχετικά κινήσεις της μηχανής, όπως: Η ονοματολογία των αξόνων είναι σύμφωνη προς το διεθνές πρότυπο ISO 841 Μηχανές με ψηφιακό έλεγχο - Ονοματολογία αξόνων και κινήσεων. Για τους σκοπούς των σημείων 2Β001 ως 2Β009, μια ανακλινόμενη άτρακτος συνυπολογίζεται ως άξονας περιστροφής. Για κάθε μοντέλο εργαλειομηχανής μπορούν να χρησιμοποιείται δηλωμένη ακρίβεια τοποθέτησης συναγόμενη από μετρήσεις που έχουν γίνει σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 ή με εθνικά ισοδύναμα ως εναλλακτικά των δοκιμών των επιμέρους μηχανών. Δηλωμένη ακρίβεια τοποθέτησης σημαίνει την τιμή ακρίβειας που γνωστοποιείται ως αντιπροσωπευτική της ακρίβειας ενός μοντέλου μηχανής στις αρμόδιες αρχές του κράτους μέλους όπου είναι εγκατεστημένος ο εξαγωγέας. Προσδιορισμός της δηλωμένης ακρίβειας τοποθέτησης Για τους σκοπούς των σημείων 2B001.α. έως 2B001.γ., δεν εξετάζεται η αβεβαιότητα μετρήσεων σχετικά με την ακρίβεια τοποθέτησης εργαλειομηχανών, όπως ορίζεται στο διεθνές πρότυπο ISO 230/2 (2006) ή σε εθνικά ισοδύναμα. 2B001 Εργαλειομηχανές και οποιοσδήποτε σχετικός συνδυασμός, για την αφαίρεση (ή κοπή) μεταλλικών, κεραμικών ή συνθέτων υλικών, οι οποίες, σύμφωνα με τις τεχνικές προδιαγραφές του κατασκευαστή, μπορούν να εφοδιαστούν με ηλεκτρονικές διατάξεις για ψηφιακό έλεγχο, ως εξής: ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 2Β201. Σημείωση 1: Στο σημείο 2Β001 δεν υπάγονται οι εργαλειομηχανές ειδικών χρήσεων που προορίζονται μόνο για την κατασκευή οδοντωτών τροχών. Για τέτοιες μηχανές βλέπε το σημείο 2B003. Σημείωση 2: Στο σημείο 2Β001 δεν υπάγονται οι εργαλειομηχανές ειδικών χρήσεων που προορίζονται μόνο για την κατασκευή ενός από τα ακόλουθα: Σημείωση 3: Οι εργαλειομηχανές που έχουν δύο τουλάχιστον από τις παρακάτω αναφερόμενες ικανότητες: τόρνευση, φρεζάρισμα, τρόχισμα (π.χ., τορνευτικές εργαλειομηχανές με ικανότητα φρεζαρίσματος), πρέπει να αξιολογούνται με βάση όλα τα αντίστοιχα υποσημεία α., β. ή/και γ. του σημείου 2Β001. ΣΗΜ.: Για τις εργαλειομηχανές οπτικού φινιρίσματος βλέπε σημείο 2Β002. 2B002 Εργαλειομηχανές οπτικού φινιρίσματος με ψηφιακό έλεγχο, εξοπλισμένες για επιλεκτική αφαίρεση υλικού για την παραγωγή μη σφαιρικών οπτικών επιφανειών με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: Για τους σκοπούς του 2B002: 2B003 Εργαλειομηχανές με ψηφιακό έλεγχο ή χειροκίνητες, και τα ειδικά σχεδιασμένα κατασκευαστικά στοιχεία, όργανα χειρισμού και εξαρτήματά τους, ειδικά σχεδιασμένες για πλάνισμα, την τελική επεξεργασία, το τρόχισμα ή τη λείανση σκληρωμένων (Rc = 40 ή περισσότερο) ακτινωτών, ελικοειδών και διπλών ελικοειδών οδοντωτών τροχών με διάμετρο βήματος μεγαλύτερη από 1250 mm και εύρος κεφαλής των οδόντων εντός των ορίων του 15 % της διαμέτρου βήματος ή μεγαλύτερο οι οποίοι έχουν υποστεί τελική επεξεργασία για την επίτευξη της ποιότητας που ορίζεται στο πρότυπο AGMA 14 (ισοδύναμο με το πρότυπο ISO 1328 κατηγορία 3) ή ανώτερης ποιότητας. 2B004 Ισοστατικές πρέσες για κατεργασία εν θερμώ που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, καθώς και τα ειδικά γι’ αυτές σχεδιασμένα κατασκευαστικά μέρη και εξαρτήματα, ως εξής: ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 2Β104 και 2Β204. Εσωτερική διάσταση θαλάμου είναι η εσωτερική διάσταση του θαλάμου, στον οποίο επιτυγχάνονται τόσο η θερμοκρασία όσο και η πίεση εργασίας και δεν περιλαμβάνει τον εξοπλισμό για τη συγκράτηση των προς κατεργασίαν αντικειμένων. Η διάσταση αυτή είναι η μικρότερη από τις εσωτερικές διαμέτρους είτε του θαλάμου πιέσεως είτε του μονωμένου θαλάμου του κλιβάνου, ανάλογα με το ποιος από τους δύο βρίσκεται μέσα στον άλλο. ΣΗΜ.: Για ειδικά σχεδιασμένες μήτρες, τύπους και εργαλεία βλέπε σημεία 1B003, 9B009 και τους ελέγχους στρατιωτικών προϊόντων. 2B005 Ειδικά σχεδιασμένος εξοπλισμός για την εναπόθεση, την επεξεργασία και τον κατά τη διεργασία έλεγχο ανοργάνων επιστρώσεων, επιχρίσεων και μετατροπών επιφανειών σε μη ηλεκτρονικά υποστρώματα, με τις τεχνικές που αναφέρονται στον πίνακα μετά το εδάφιο 2Ε003.στ. και στις σχετικές με αυτόν σημειώσεις, καθώς και τα ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη αυτόματου χειρισμού, τοποθέτησης, κατεργασίας και ελέγχου για τον εν λόγω εξοπλισμό, ως εξής: Σημείωση: Στο σημείο 2Β005 δεν υπάγονται η εναπόθεση ατμού με χημικές μεθόδους, η καθοδική εκκένωση τόξου, η εναπόθεση με καθοδική διασκόρπιση, ο εξοπλισμός για ιοντική επιμετάλλωση ή εμφύτευση ιόντων ο ειδικά σχεδιασμένος για εργαλεία κοπής ή μηχανουργικής κατεργασίας. 2B006 Συστήματα, εξοπλισμός και ηλεκτρονικά συναρμολογήματα ελέγχου ή μέτρησης διαστάσεων, ως εξής: ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 2Β206. Σημείωση: Στο σημείο 2B006 υπάγονται οι εργαλειομηχανές, πλην των προσδιοριζόμενων στο σημείο 2B001, που μπορούν να χρησιμοποιηθούν ως μηχανές μετρήσεων, εφόσον πληρούν τα κριτήρια που καθορίζονται για τη μετρητική λειτουργία ή ανώτερα κριτήρια. 2B007 Ρομπότ και τα ειδικά σχεδιασμένα όργανα αυτομάτου ελέγχου (αυτόματοι ρυθμιστές) και επενεργητές πέρατος αυτών, ως εξής: ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΠΑΡΑΓΡΑΦΟ 2Β207. 2B008 Συναρμολογήματα ή μονάδες, ειδικά σχεδιασμένα για εργαλειομηχανές, ή συστήματα και εξοπλισμός ελέγχου και μέτρησης διαστάσεων, ως εξής: Σημείωση: Στα σημεία 2B008.α. και 2B008.β. δεν υπάγονται μονάδες που δεν είναι σχεδιασμένες για το καθορισμό των πληροφοριών τοποθέτησης για έλεγχο ανάδρασης, όπως οι διατάξεις επαγωγικού τύπου, οι αριθμημένες κλίμακες, τα συστήματα υπερύθρων ή τα συστήματα λέιζερ. 2B009 Μηχανές περιδινητικής μορφοποίησης και μηχανές υδραυλικής μορφοποίησης, οι οποίες, σύμφωνα με τις τεχνικές προδιαγραφές του κατασκευαστή, μπορούν να εφοδιαστούν με μονάδες ψηφιακού ελέγχου, ή όργανα ελέγχου με υπολογιστή, και οι οποίες έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 2Β109 ΚΑΙ 2Β209. Για τους σκοπούς του σημείου 2Β009, οι μηχανές που συνδυάζουν την περιδινητική και την υδραυλική μορφοποίηση θεωρούνται ως μηχανές υδραυλικής μορφοποίησης. 2B104 Ισοστατικές πρέσσες εκτός από τις προσδιοριζόμενες στην παράγραφο 2Β004, με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 2Β204. 2B105 Κάμινοι (CVD) χημικής εναπόθεσης ατμού, εκτός των προσδιοριζομένων στο 2Β005.α, που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την πύκνωση συνθέτων υλικών άνθρακα-άνθρακα. 2B109 Μηχανές υδραυλικής μορφοποίησης άλλες από εκείνες που προσδιορίζονται στο σημείο 2Β009, και ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη τους, ως εξής: ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 2Β209. Σημείωση: Στο σημείο 2Β109 δεν υπάγονται μηχανές που δεν χρησιμοποιούνται στην παραγωγή κατασκευαστικών μερών και εξοπλισμού προώθησης (π.χ. περιβλήματα κινητήρων) για συστήματα που καθορίζονται στα σημεία 9Α005, 9Α007.α. ή 9Α105.α. Για τους σκοπούς του σημείου 2Β109, οι μηχανές που συνδυάζουν την περιδινητική και την υδραυλική μορφοποίηση θεωρούνται ως μηχανές υδραυλικής μορφοποίησης. 2B116 Συστήματα δονητικών δοκιμών, εξοπλισμός και σχετικά κατασκευαστικά μέρη, ως εξής: Στο σημείο 2Β116, ως ελεύθερος πάγκος νοείται επίπεδος πάγκος ή επιφάνεια, που δεν φέρει κατασκευές ή εξαρτήματα. 2B117 Εξοπλισμός και όργανα ελέγχου διεργασιών, πλην των αναφερομένων στα σημεία 2Β004, 2Β005.α., 2Β104 ή 2Β105, που έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την πύκνωση και την πυρόλυση δομικών σύνθετων ακροφυσίων πυραύλων και ρυγχών επανεισερχόμενων φορέων. 2B119 Ζυγοσταθμιστικές μηχανές και συναφής εξοπλισμός, ως εξής: ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 2B219. 2B120 Προσομοιωτές κίνησης ή περιστροφικές τράπεζες με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά: Σημείωση 1: Το 2B120 δεν θέτει υπό έλεγχο τις περιστροφικές τράπεζες τις σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για εργαλειομηχανές ή για ιατρικό εξοπλισμό. Για τους ελέγχους επί των περιστροφικών τραπεζών εργαλειομηχανών βλέπε2B008. Σημείωση 2: Οι προσομοιωτές κίνησης ή περιστροφικές τράπεζες που προσδιορίζονται στο σημείο 2B120 εξακολουθούν να υπάγονται σε αυτό ανεξαρτήτως του αν έχουν τοποθετηθεί κατά τον χρόνο εξαγωγής κινητοί δακτύλιοι ή ολοκληρωμένες συσκευές χωρίς απευθείας επαφή. 2B121 Τράπεζες τοποθέτησης (εξοπλισμός ικανός να καθορίζει με ακρίβεια την περιστροφική θέση σε οποιοδήποτε άξονα) πλην των προσδιοριζόμενων στο 2B120, με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: Σημείωση: Το 2B121 δεν θέτει υπό έλεγχο τις περιστροφικές τράπεζες τις σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για εργαλειομηχανές ή για ιατρικό εξοπλισμό. Για τους ελέγχους επί των περιστροφικών τραπεζών εργαλειομηχανών βλέπε2B008. 2B122 Φυγοκεντρητές ικανοί να προσδίδουν επιταχύνσεις άνω των 100 g, σχεδιασμένοι και τροποποιημένοι κατά τρόπον ώστε να έχουν ενσωματωμένους κινητούς δακτυλίους ή ολοκληρωμένες συσκευές χωρίς απευθείας επαφή με την ικανότητα να μεταδίδουν ηλεκτρική ισχύ, πληροφορίες σήματος ή και αμφότερα. Σημείωση: Οι φυγοκεντρητές που προσδιορίζονται στο σημείο 2B122 εξακολουθούν να υπάγονται σε αυτό ανεξαρτήτως του αν έχουν τοποθετηθεί κατά τον χρόνο εξαγωγής κινητοί δακτύλιοι ή ολοκληρωμένες συσκευές χωρίς απευθείας επαφή. 2B201 Εργαλειομηχανές και συνδυασμοί τους, εκτός από εκείνες που προσδιορίζονται στο σημείο 2Β001, για την αφαίρεση ή την κοπή μεταλλικών, κεραμικών ή σύνθετων υλικών, οι οποίες, σύμφωνα με τις τεχνικές προδιαγραφές του κατασκευαστή, μπορούν να εφοδιαστούν με ηλεκτρονικές διατάξεις για ταυτόχρονο έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος σε δύο ή περισσότερους άξονες, ως εξής: Σημείωση 1: Στο σημείο 2Β201 δεν υπάγονται εργαλειομηχανές ειδικών χρήσεων που προορίζονται μόνον για την κατασκευή ενός από τα ακόλουθα: Σημείωση 2: Οι εργαλειομηχανές που έχουν δύο τουλάχιστον από τις παρακάτω αναφερόμενες ικανότητες: τόρνευση, φρεζάρισμα, τρόχισμα (π.χ., τορνευτικές εργαλειομηχανές με ικανότητα φρεζαρίσματος), πρέπει να αξιολογούνται με βάση όλα τα αντίστοιχα σημεία 2Β001.α ή 2Β201.α. ή β. 2B204 Ισοστατικές πρέσες, εκτός από τις προσδιοριζόμενες στην παράγραφο 2Β004 ή 2Β104 και συναφής εξοπλισμός, ως εξής: Στο σημείο 2Β204, εσωτερική διάσταση θαλάμου είναι η εσωτερική διάσταση του θαλάμου, στον οποίο επιτυγχάνονται τόσο η θερμοκρασία όσο και η πίεση εργασίας και δεν περιλαμβάνει τον εξοπλισμό για τη συγκράτηση των προς κατεργασίαν αντικειμένων. Η διάσταση αυτή είναι η μικρότερη από τις εσωτερικές διαμέτρους είτε του θαλάμου πιέσεως είτε του μονωμένου θαλάμου του κλιβάνου, ανάλογα με το ποιος από τους δύο βρίσκεται μέσα στον άλλο. 2B206 Μηχανές, όργανα ή συστήματα ελέγχου ή μέτρησης διαστάσεων, εκτός εκείνων που προσδιορίζονται στο σημείο 2Β006, ως εξής: Σημείωση 1: Οι εργαλειομηχανές που μπορούν να χρησιμοποιηθούν ως μηχανές μετρήσεων υπόκεινται στον έλεγχο, εφόσον πληρούν τα κριτήρια που καθορίζονται για τη λειτουργία των αντίστοιχων εργαλειομηχανών ή μηχανών μετρήσεων ή ανώτερα κριτήρια. Σημείωση 2: Μία μηχανή που περιγράφεται στην παράγραφο 2Β206 υπόκειται στον έλεγχο, εφόσον υπερκαλύπτει το κατώτερο όριο ελέγχου σε οποιοδήποτε σημείο της κλίμακας λειτουργίας της. Όλες οι παράμετροι των μετρούμενων τιμών στο 2B206 παριστούν τιμές συν/πλην και όχι συνολικό εύρος. 2B207 Ρομπότ, επενεργητές πέρατος και μονάδες χειρισμού, εκτός από τα προσδιοριζόμενα στην παράγραφο 2Β007, ως εξής: 2B209 Μηχανές υδραυλικής μορφοποίησης, μηχανές περιδινητικής μορφοποίησης, ικανές για λειτουργίες υδραυλικής μορφοποίησης, άλλες από εκείνες που προσδιορίζονται στα σημεία 2Β009 ή 2Β109 και βοηθητικοί άξονες (μαντρέλια), ως εξής: Σημείωση: Το σημείο 2Β209.α. περιλαμβάνει μηχανές που έχουν μόνο έναν ενιαίο κύλινδρο σχεδιασμένο για την παραμόρφωση μετάλλων και δύο επικουρικούς κυλίνδρους που υποστηρίζουν τον βοηθητικό άξονα (μαντρέλι), αλλά δεν συμμετέχουν άμεσα στη διαδικασία παραμόρφωσης. 2B219 Φυγοκεντρικά μηχανήματα πολυεπίπεδης ζυγοστάθμισης, μόνιμα ή φορητά, οριζόντια ή κατακόρυφα, ως εξής: 2B225 Τηλεχειριστές που μπορούν να χρησιμοποιηθούν για χειρισμούς εξ αποστάσεως σε εργασίες ραδιοχημικού διαχωρισμού ή θερμούς θαλάμους, με ένα από τα εξής δύο χαρακτηριστικά: Οι τηλεχειριστές επιτυγχάνουν μεταφορά των κινήσεων του ανθρώπου-χειριστή με ένα ενεργητικό βραχίονα και μία τελική διάταξη συγκράτησης. Πρέπει να είναι του τύπου κύριος/υπηρέτης (master/slaνe) ή να ελέγχονται μέσω joystick ή πληκτρολογίου. 2B226 Επαγωγικές κάμινοι ελεγχόμενης ατμόσφαιρας (κενού ή αδρανούς αερίου), και τροφοδοτικά ισχύος γι’ αυτές, ως εξής: ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 3Β. Σημείωση: Στο σημείο 2Β226.α. δεν υπάγονται οι κάμινοι που προορίζονται για την επεξεργασία πλακιδίων μονοκρυστάλλου ημιαγωγών. 2B227 Μεταλλουργικές κάμινοι κενού ή άλλης ελεγχόμενης ατμόσφαιρας για τήξη και χύτευση και συναφής εξοπλισμός, ως εξής: 2B228 Εξοπλισμός κατασκευής ή συναρμολόγησης δρομέων (ροτόρων), εξοπλισμός ευθειασμού δρομέων, και βοηθητικοί άξονες (μαντρέλια) και μήτρες μορφοποίησης φυσητήρων, ως εξής: 2B230 Όλοι οι τύποι μορφοτροπέων πιέσεως με ικανότητα μέτρησης απόλυτων πιέσεων και με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: Στο σημείο 2B230 μορφοτροπέας πίεσης σημαίνει μια διάταξη που μετατρέπει μια μέτρηση πίεσης σε σήμα. Για τους σκοπούς του σημείου 2Β230, η ακρίβεια περιλαμβάνει τη μη γραμμικότητα, την υστέρηση και την επαναληψιμότητα σε θερμοκρασία περιβάλλοντος χώρου. 2B231 Αντλίες κενού με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: Η ταχύτητα άντλησης προσδιορίζεται στο σημείο μέτρησης με άζωτο ή αέρα. Το τελικό κενό προσδιορίζεται στην είσοδο της αντλίας ενώ αυτή είναι τελείως φραγμένη. 2B232 Συστήματα πυροβόλων υψηλής ταχύτητας (με προωθητικό, αέριο, πηνίο, ηλεκτρομαγνητικού και ηλεκτροθερμικού τύπου, και άλλα συστήματα προηγμένης τεχνολογίας), ικανά να επιταχύνουν βλήματα σε ταχύτητα 1,5 km/s ή μεγαλύτερη. ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ. 2B233 Συμπιεστές τύπου κυλίσεως με διαστολικό σύνδεσμο και αντλίες κενού τύπου κυλίσεως με διαστολικό σύνδεσμο που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 2B350.θ. 2B350 Τεχνικά μέσα, εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη χημικής βιομηχανικής παραγωγής ως εξής: Σημείωση: Για τους σκοπούς του σημείου 2B350, τα υλικά που χρησιμοποιούνται για φλάντζες, σαλαμάστρες, παρεμβύσματα, βίδες, ροδέλες ή άλλα στεγανοποιητικά υλικά δεν καθορίζουν την κατάσταση ελέγχου, υπό την προϋπόθεση ότι τα μέρη αυτά είναι σχεδιασμένα έτσι ώστε η λειτουργία τους να μπορεί να εναλλάσσεται. Ανθρακογραφίτης είναι μια σύνθεση που αποτελείται από άμορφο άνθρακα και γραφίτη, και στην οποία η κατά βάρος περιεκτικότητα σε γραφίτη ανέρχεται σε 8 % και άνω. Για τα υλικά που απαριθμούνται στα παραπάνω, ο όρος κράμα του δείνα στοιχείου, εφόσον δεν συνοδεύεται από συγκεκριμένη περιεκτικότητα, υποδηλώνει εκείνα τα κράματα στα οποία το συγκεκριμένο μέταλλο ενυπάρχει σε ποσοστό κατά βάρος μεγαλύτερο από ό,τι οποιοδήποτε άλλο στοιχείο. 2B351 Συστήματα ελέγχου και παρακολούθησης τοξικών αερίων και ειδικά ανιχνευτικά συστατικά τους μέρη, εκτός των προσδιοριζομένων στο σημείο 1Α004, ως ακολούθως· επίσης ανιχνευτήρες, αισθητήρες και ανταλλακτικά φυσίγγια αισθητήρων γι’ αυτά: 2B352 Εξοπλισμός με ικανότητα χρησιμοποίησης για τον χειρισμό βιολογικών υλικών, ως εξής:

2B Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. α.

Συστήματα αποκατάστασης της επιφάνειας των τροχών σε λειαντικές μηχανές,

β.

Παράλληλοι περιστροφικοί άξονες σχεδιασμένοι για τη συναρμογή χωριστών επεξεργαστέων αντικειμένων,

γ.

Συγγραμμικοί περιστροφικοί άξονες σχεδιασμένοι για να χειρίζονται ένα και το αυτό αντικείμενο κρατώντας το σε σφιγκτήρα από διαφορετικές άκρες.

2B Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3.4.5. α.

Επιλέγονται πέντε μηχανές του περί ου ο λόγος μοντέλου,

β.

Μετρούνται οι ακρίβειες γραμμικού άξονα σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2,

γ.

Προσδιορίζονται οι τιμές Α για κάθε άξονα κάθε μηχανής. Η μέθοδος υπολογισμού της τιμής Α περιγράφεται στο πρότυπο ISO,

δ.

Προσδιορίζεται η μέση τιμή της τιμής Α για κάθε άξονα. Η εν λόγω μέση τιμή Â γίνεται η δηλωμένη τιμή (Âx, Ây …) του αντίστοιχου άξονα για το συγκεκριμένο μοντέλο,

ε.

Αφού στον πίνακα της Κατηγορίας 2 γίνεται λόγος για κάθε γραμμικό άξονα, θα υπάρχουν τόσες δηλωμένες τιμές όσοι και άξονες,

στ.

Αν κάποιος άξονας μοντέλου μηχανής μη ελεγχόμενου δυνάμει των σημείων 2B001.α έως 2B001.γ ή 2B201 έχει δηλωμένη ακρίβεια Â ίση ή μικρότερη της προδιαγραφόμενης ακρίβειας τοποθέτησης κάθε μοντέλου εργαλειομηχανής συν 2 μm, πρέπει να απαιτείται από τον κατασκευαστή να επιβεβαιώνει το επίπεδο ακρίβειας κάθε δεκαοχτώ μήνες.

2B Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3.4.5.6. α.

Στροφαλοφόρων ή εκκεντροφόρων αξόνων,

β.

Εργαλείων ή κοπτικών εργαλείων,

γ.

Ατερμόνων κοχλιών διελαστήρων,

δ.

Εγχάρακτων ή πολυεδρικών στοιχείων κοσμημάτων. ή

ε.

Οδοντικών προσθέσεων.

α.

Εργαλειομηχανές για τόρνευση έχουσες όλα τα ακόλουθα: Σημείωση: Στο σημείο 2Β001.α. δεν υπάγονται οι μηχανές για τόρνευση, οι ειδικά σχεδιασμένες για την παραγωγή φακών επαφής, που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

β.

2B001 β. 2. Ακρίβεια τοποθέτησης με όλες τις διαθέσιμες αντισταθμίσεις μικρότερη (καλύτερη) από ή ίση με 4,5 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (2006) ή με εθνικά ισοδύναμα κατά μήκος ενός ή περισσότερων γραμμικών αξόνων με μήκος διαδρομής ίσο ή μεγαλύτερο του 1 m και μικρότερο των 2 m,

γ.

Ακρίβεια τοποθέτησης με όλες τις διαθέσιμες αντισταθμίσεις μικρότερη (καλύτερη) από ή ίση με 4,5 + 7(L-2) μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (2006) ή με εθνικά ισοδύναμα κατά μήκος ενός ή περισσότερων γραμμικών αξόνων με μήκος διαδρομής ίσο ή μεγαλύτερο των 2 m, ή

δ. Τεχνική παρατήρηση:

Που είναι εργαλειομηχανή με παράλληλο μηχανισμό, Εργαλειομηχανή με παράλληλο μηχανισμό είναι μια εργαλειομηχανή που διαθέτει πολλαπλές ράβδους συνδεδεμένες με μια πλατφόρμα και ενεργοποιητές, όπου ο καθένας από τους ενεργοποιητές ελέγχει την αντίστοιχη ράβδο ταυτόχρονα και ανεξάρτητα.

3. Ακρίβεια τοποθέτησης για τις μηχανές διάτρησης με πρότυπο-οδηγό, με όλες τις διαθέσιμες αντισταθμίσεις μικρότερη (καλύτερη) από ή ίση με 3,0 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (2006) ή με εθνικά ισοδύναμα κατά μήκος ενός ή περισσότερων γραμμικών αξόνων, ή

4. Κοπτικές μηχανές κινητού εργαλείου, με όλα τα παρακάτω:

4. α.

Γραμμική εκτροπή και εκκεντρότητα της ατράκτου κάτω των (καλύτερη από) 0,0004 mm TIR, και

β.

Γωνιακή παρέκκλιση της κίνησης του κινητού μέρους (κατά τους τρεις άξονες των συντεταγμένων) κάτω των (καλύτερη από) 2″ TIR επί διαδρομή 300 mm.

γ.

Εργαλειομηχανές για φραιζάρισμα, με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα: Σημείωση: Στο σημείο 2Β001.γ. δεν υπάγονται οι μηχανές για τρόχισμα ως εξής:

1. Όλα τα ακόλουθα:

1. α.

β.

Τρεις ή περισσότερους άξονες που μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για τον έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος, ή

2. Πέντε ή περισσότερους άξονες που μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για τον έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος.

α.

Μηχανές για τρόχισμα κυλινδρικών εξωτερικών, εσωτερικών και εξωτερικών/εσωτερικών επιφανειών με όλα τα παρακάτω:

1. Περιορίζονται σε κυλινδρικό τρόχισμα, και

2. Περιορίζονται στο να δέχονται αντικείμενα προς κατεργασία μέγιστης εξωτερικής διαμέτρου ή μέγιστου μήκους 150 mm.

β.

Μηχανές ειδικά σχεδιασμένες για τρόχισμα με περιτύπωμα που δεν έχουν άξονα z ή άξονα w, με ακρίβεια τοποθέτησης με όλες τις διαθέσιμες αντισταθμίσεις μικρότερη (καλύτερη) από 3,0 μm σύμφωνα με το πρότυπο ISO 230/2 (2006) ή με εθνικά ισοδύναμα.

γ.

Μηχανές για τρόχισμα επιφανειών.

δ.

Μηχανές ηλεκτρικής εκκένωσης (EDM) όχι του τύπου μηχανισμού πρόωσης σύρματος, με δύο ή περισσότερους άξονες που μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για τον έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος.

ε.

2B001 Εργαλειομηχανές για την αφαίρεση μεταλλικών, κεραμικών ή σύνθετων υλικών με όλα τα παρακάτω:

1. Αφαίρεση υλικού με κάποιο από τα εξής μέσα:

1. α.

Εκτόξευση ύδατος ή άλλων υγρών, συμπεριλαμβανομένων όσων περιέχουν λειαντικά πρόσθετα,

β.

Δέσμη ηλεκτρονίων, ή

γ.

εξάτμιση με λέιζερ, και

2. Δύο ή περισσότερους άξονες περιστροφής με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

2. α.

Δυνατότητα ταυτόχρονου συντονισμού για έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος, και

β.

Ακρίβεια τοποθέτησης μικρότερη (καλύτερη) από 0,003°.

στ.

Μηχανές για διάτρηση βαθειών οπών και μηχανές για τόρνευση τροποποιημένες για διάτρηση βαθειών οπών, με μέγιστη ικανότητα βάθους διάτρησης που υπερβαίνει 5 m.

α.

Φινίρισμα του προϊόντος σε λιγότερο (καλύτερο) από 1,0 μm,

β.

Φινίρισμα με τραχύτητα μικρότερη (καλύτερη) από 100 nm rms,

γ.

Τέσσερεις ή περισσότερους άξονες που μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για τον έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος, και

δ.

Χρήση οποιασδήποτε από τις παρακάτω διεργασίες:

1. Μαγνητοροολογικό φινίρισμα (MRF)

2. Ηλεκτροροολογικό φινίρισμα (HRF)

3. Φινίρισμα με δέσμες ενεργειακών σωματιδίων

4. Φινίρισμα με εργαλείο διογκούμενης μεμβράνης, ή

5. Φινίρισμα με εκτόξευση υγρού.

2B Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3.4.5.6. Τεχνικές παρατηρήσεις:

1. Μαγνητοροολογικό φινίρισμα είναι κάθε διεργασία αφαίρεσης υλικού που χρησιμοποιεί αποτριπτικό μαγνητικό ρευστό, το ιξώδες του οποίου ελέγχεται με μαγνητικό πεδίο.

2. Ηλεκτροροολογικό φινίρισμα είναι κάθε διεργασία αφαίρεσης που χρησιμοποιεί αποτριπτικό ρευστό, το ιξώδες του οποίου ελέγχεται με ηλεκτρικό πεδίο.

3. Φινίρισμα με δέσμες ενεργειακών σωματιδίων είναι η χρήση πλάσματος αντιδραστικών ατόμων (RAP) ή δεσμών ιόντων για την επιλεκτική αφαίρεση υλικού.

4. Το Φινίρισμα με εργαλείο διογκούμενης μεμβράνης είναι διαδικασία που χρησιμοποιεί μια μεμβράνη υπό πίεση η οποία παραμορφώνεται για να έρθει σε επαφή με το προς κατεργασία αντικείμενο σε μικρό χώρο.

5. Στο φινίρισμα με εκτόξευση υγρού χρησιμοποιείται ροή υγρού για την αφαίρεση υλικού.

α.

Περιβάλλον ελεγχόμενης θερμοκρασίας στο κλειστό κοίλωμα και κοίλωμα θαλάμου εσωτερικής διαμέτρου 406 mm ή μεγαλύτερης, και

β.

Οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1. Μέγιστη πίεση εργασίας μεγαλύτερη από 207 MPa,

2. Περιβάλλον ελεγχόμενης θερμοκρασίας μεγαλύτερης από 1773 Κ (1500 °C), ή

3. Εγκατάσταση για τον εμποτισμό υδρογονανθράκων και την απομάκρυνση των αερίων προϊόντων αποδόμησης που προκύπτουν.

2B Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3.4.5.6. Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: α.

Εξοπλισμός παραγωγής για εναπόθεση ατμού με χημικές μεθόδους (CVD), ο οποίος έχει όλα τα παρακάτω: ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 2Β105.

1. Έχει τροποποιηθεί για μια από τις ακόλουθες τεχνικές:

1. α.

Παλμική εναπόθεση ατμού με χημικές μεθόδους,

β.

Θερμική εναπόθεση με ελεγχόμενο πυρήνα αντιδράσεως (CΝΤD), ή

γ.

Εναπόθεση ατμού με χημική μέθοδο βελτιωμένη με πλάσμα ή υποβοηθούμενη από πλάσμα, και

2. Οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

2. α.

Περιστρεφόμενες στεγανοποιητικές διατάξεις υψηλού κενού (μικρότερου ή ίσου προς 0,01 Pa), ή

β.

Σύστημα ελέγχου του πάχους του επιχρίσματος επιτόπου.

β.

Εξοπλισμός παραγωγής για εμφύτευση ιόντων, με ένταση ρεύματος δέσμης 5 mA ή μεγαλύτερη.

γ.

Εξοπλισμός παραγωγής για εναπόθεση ατμού με φυσική μέθοδο δέσμης ηλεκτρονίων (EB-PVD), ο οποίος φέρει ενσωματωμένα συστήματα τροφοδότησης ισχύος σχεδιασμένα για ισχύ μεγαλύτερη από 80 kW και έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Σύστημα ελέγχου στάθμης υγρού με λέιζερ, το οποίο ρυθμίζει με ακρίβεια την ταχύτητα προώσεως των τύπων, ή

2. Συσκευή παρακολούθησης (monitor) της ταχύτητας εναπόθεσης, η οποία ελέγχεται με υπολογιστή και λειτουργεί με βάση την αρχή της φωτοφωταύγειας των ιονισμένων ατόμων που περιέχονται στο ρεύμα του εξατμιζόμενου υλικού, για τον έλεγχο της ταχύτητας εναπόθεσης επιχρισμάτων που περιέχουν δύο ή περισσότερα χημικά στοιχεία.

δ.

2B005 Εξοπλισμός παραγωγής για ψεκασμό πλάσματος, ο οποίος έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Λειτουργεί σε ελεγχόμενη ατμόσφαιρα υποπιέσεως (πίεση μικρότερη ή ίση προς 10 KPa, όπως μετράται σε απόσταση έως 300 mm επάνω από την έξοδο του ακροφυσίου του πιστολίου) μέσα σε θάλαμο κενού ικανό να επιτυγχάνει κενό έως 0,01 Ρα πριν αρχίσει η διεργασία ψεκασμού, ή

2. Σύστημα ελέγχου του πάχους του επιχρίσματος επιτόπου.

ε.

Εξοπλισμός παραγωγής για εναπόθεση με καθοδική διασκόρπιση, ικανός να επιτυγχάνει πυκνότητα ρεύματος 0,1 mA/mm2 ή υψηλότερη, με ταχύτητα εναπόθεσης 15 μικρόμετρα/ώρα ή υψηλότερη,

στ.

Εξοπλισμός παραγωγής για εναπόθεση καθοδικής εκκένωσης τόξου, ο οποίος φέρει ενσωματωμένο πλέγμα ηλεκτρομαγνητών για την καθοδήγηση της εστίασης του τόξου στην κάθοδο,

ζ.

Εξοπλισμός παραγωγής για ιοντική επιμετάλλωση, με ικανότητα επιτόπιας μέτρησης οποιουδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Του πάχους του επιχρίσματος στο υπόστρωμα και της ταχύτητας εναπόθεσης, ή

2. Των οπτικών χαρακτηριστικών του επιχρίσματος.

α. Τεχνική παρατήρηση:

Μηχανές μέτρησης συντεταγμένων (CMM) με έλεγχο από υπολογιστή ή ψηφιακό έλεγχο, με τρισδιάστατο (ογκομετρικό) μέγιστο επιτρεπτό σφάλμα μέτρησης μήκους (E0,MPE) σε κάθε σημείο μέσα στην έκταση λειτουργίας της μηχανής (δηλαδή στο μήκος των αξόνων) ίσο ή μικρότερο (καλύτερη επίδοση) από (1,7 + L/1000) μm (L είναι το μετρούμενο μήκος σε mm), σύμφωνα με το ISΟ 10360-2(2009). Με το όριο των (1,7 + L/1000) μm συγκρίνεται το E0,MPE του ακριβέστερου διασχηματισμού της μηχανής που προσδιορίζεται από τον κατασκευαστή (με όλα δηλαδή τα παρακάτω ρυθμισμένα όσο το δυνατόν καλύτερα: μήλη, μήκος στύλου, παράμετροι κίνησης, περιβάλλον) και με όλες τις διαθέσιμες αντισταθμίσεις.

β.

Όργανα μέτρησης της γραμμικής και γωνιακής μετατόπισης, ως εξής:

1. Τεχνική παρατήρηση:

Όργανα μέτρησης της γραμμικής μετατόπισης με οποιοδήποτε από τα παρακάτω: Σημείωση: Τα συμβολόμετρα λέιζερ μέτρησης μετατόπισης καλύπτονται μόνο στο σημείο 2B006.β.1.γ. Για το σκοπό του 2Β006.β.1., η γραμμική μετατόπιση είναι η μεταβολή της απόστασης μεταξύ του αισθητήρα μέτρησης και του μετρούμενου αντικειμένου. Σημείωση: Στο σημείο 2Β006.β.1. δεν υπάγονται τα συστήματα μέτρησης συμβολομέτρων, με αυτόματο σύστημα ελέγχου σχεδιασμένο για να μη χρησιμοποιεί τεχνικές ανάδρασης, που περιλαμβάνουν λέιζερ για τη μέτρηση των εσφαλμένων κινήσεων ολίσθησης των εργαλειομηχανών, μηχανών ελέγχου διαστάσεων ή παρόμοιου εξοπλισμού.

α.

Συστήματα μετρήσεων χωρίς απευθείας επαφή, με διακριτική ικανότητα ίση ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από 0,2 μm για κλίμακες μετρήσεων έως 0,2 mm,

β. Τεχνική παρατήρηση:

2B006 β. 1. Γραμμικούς μεταβλητούς διαφορικούς μετασχηματιστές με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: Για τους σκοπούς του σημείου 2B006.β.1.β., πλήρες εύρος λειτουργίας είναι το ήμισυ της συνολικής δυνατής γραμμικής μετατόπισης του γραμμικού διαφορικού μετασχηματιστή τάσεως. Για παράδειγμα, γραμμικοί διαφορικοί μετασχηματιστές τάσεως με πλήρες εύρος λειτουργίας έως και ± 5 mm δύνανται να μετρήσουν συνολική δυνατή γραμμική μετατόπιση 10 mm.

β.

1. Οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1. α.

Γραμμικότητα ίση ή μικρότερη (καλύτερη) από 0,1 % μετρούμενη από το 0 έως το πλήρες εύρος της λειτουργίας, για γραμμικούς διαφορικούς μετασχηματιστές τάσεως με πλήρες εύρος λειτουργίας έως και ± 5 mm, ή

β.

Γραμμικότητα ίση ή μικρότερη (καλύτερη) από 0,1 % μετρούμενη από το 0 έως 5 mm, για γραμμικούς διαφορικούς μετασχηματιστές τάσεως με πλήρες εύρος λειτουργίας μεγαλύτερο των ± 5 mm, και

2. Έκπτωση ίση ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από 0,1 % ημερησίως σε κανονική θερμοκρασία περιβάλλοντος στην αίθουσα δοκιμών ± 1 Κ,

γ.

Συστήματα μετρήσεων που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Είναι εξοπλισμένα με λέιζερ, και

2. Μπορούν να διατηρούν, τουλάχιστον επί 12 ώρες σε θερμοκρασία 20 ± 1 °C, όλα τα παρακάτω:

2. α.

Διακριτική ικανότητα στην πλήρη κλίμακα αναγνώσεώς τους 0,1 μm ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση), και

β.

Μπορούν να επιτυγχάνουν αβεβαιότητα μέτρησης, ίση ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από (0,2 + L/2000) μm (όπου L είναι το μετρούμενο μήκος, σε mm) σε οποιοδήποτε σημείο εντός του εύρους μέτρησης, όταν υφίσταται αντιστάθμιση για τον δείκτη διάθλασης του αέρα, ή

δ.

Ηλεκτρονικά συναρμολογήματα ειδικά σχεδιασμένα για να παρέχουν δυνατότητα ανάδρασης στα συστήματα που ορίζονται στο σημείο 2Β006.β.1.γ.,

2. Όργανα μετρήσεων γωνιακής μετατόπισης με ακρίβεια γωνιακής θέσεως ίση ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από 0,00025°. Σημείωση: Στο εδάφιο 2Β006.β.2. δεν υπάγονται τα οπτικά όργανα, όπως οι αυτοδιοπτήρες, που χρησιμοποιούν παράλληλες ακτίνες φωτός (π.χ. λέιζερ) για την ανίχνευση της γωνιακής μετατόπισης κατόπτρου.

γ.

Εξοπλισμός μέτρησης της τραχύτητας των επιφανειών (συμπεριλαμβανομένων των επιφανειακών ελαττωμάτων) με μέτρηση της σκέδασης του φωτός, με ευαισθησία 0,5 nm ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση).

α. Τεχνική παρατήρηση:

Με ικανότητα πλήρους τρισδιάστατης επεξεργασίας εικόνων ή πλήρους τρισδιάστατης ανάλυσης του πεδίου εικόνας για τη δημιουργία ή τροποποίηση προγραμμάτων ή για τη δημιουργία ή τροποποίηση ψηφιακών δεδομένων προγράμματος. Στον περιορισμό που αφορά την ανάλυση πεδίου εικόνας δεν συμπεριλαμβάνεται ο κατά προσέγγιση οπτικός προσδιορισμός της τρίτης διάστασης υπό δεδομένη γωνία ούτε η περιορισμένη ερμηνεία της χρωματικής κλίμακας του γκρι για την αντίληψη του βάθους ή της υφής στις εγκεκριμένες εργασίες (2 1/2 διαστάσεις).

β.

2B007 Ειδικά σχεδιασμένα ώστε να πληρούν τα εθνικά πρότυπα ασφαλείας για τους περιβάλλοντες χώρους δυνάμει εκρηκτικού πολεμικού υλικού. Σημείωση: Στο σημείο 2B007.β. δεν υπάγονται τα ρομπότ που είναι ειδικά σχεδιασμένα για θαλάμους βαφής με ψεκασμό.

γ. Τεχνική παρατήρηση:

Ειδικά σχεδιασμένα ή με ειδική πρόβλεψη ως αυξημένης αντοχής στις ακτινοβολίες, ώστε να αντέχουν σε συνολική δόση ακτινοβολίας μεγαλύτερη από 5 × 103 Gy (πυρίτιο) χωρίς υποβάθμιση της λειτουργίας τους· ή Ο όρος Gy (πυρίτιο) αναφέρεται στην ενέργεια, σε Joule ανά χιλιόγραμμο, που απορροφάται αθωράκιστο δείγμα πυριτίου όταν αυτό εκτίθεται σε ιοντίζουσα ακτινοβολία.

δ.

Ειδικά σχεδιασμένα για να λειτουργούν σε υψόμετρα που υπερβαίνουν τα 30000 m.

α.

Μονάδες ανάδρασης γραμμικής θέσης με γενική ακρίβεια μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από [800 + (600 × L/1000)] nm (όπου L είναι το πραγματικό μήκος, σε nm). ΣΗΜ.: Για τα συστήματα λέιζερ βλέπε επίσης τη σημείωση για το σημείο 2Β006.β.1.γ. και δ.

β.

Μονάδες ανάδρασης περιστροφικής θέσης με ακρίβεια μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από 0,00025°, ΣΗΜ.: Για τα συστήματα λέιζερ βλέπε επίσης τη σημείωση για το σημείο 2Β006.β.2.

γ.

Τράπεζες σύνθετης περιστροφής και ανακλινόμενες άτρακτοι, που μπορούν να χρησιμοποιηθούν για την αναβάθμιση, σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή, εργαλειομηχανών στα καθοριζόμενα στο 2Β ή σε ανώτερα επίπεδα.

α.

Τρεις ή περισσότερους άξονες που μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για τον έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος, και

β.

Δύναμη κυλίνδρου άνω των 60 κΝ.

2B Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3.4.5.6. Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α.

Μεγίστη πίεση εργασίας 69 ΜΡa ή μεγαλύτερη,

β.

Επίτευξη και διατήρηση περιβάλλοντος ελεγχόμενης θερμοκρασίας 873 K (600 °C) ή μεγαλύτερης, και

γ.

Κοίλωμα θαλάμου εσωτερικής διαμέτρου 254 mm ή μεγαλύτερης.

α.

Μηχανές υδραυλικής μορφοποίησης με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Μπορούν να εφοδιαστούν, σύμφωνα με τις τεχνικές προδιαγραφές του κατασκευαστή, με μονάδες ψηφιακού ελέγχου ή όργανα ελέγχου με υπολογιστή, έστω και εάν δεν είναι εφοδιασμένες με τις μονάδες αυτές, και

2. Έχουν περισσότερους από δύο άξονες που μπορούν να συνδυαστούν ταυτόχρονα για έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος.

β.

Ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη για μηχανές προσδιοριζόμενες στο σημείο 2Β009 ή 2Β109.α.

2B Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3.4.5.6. Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α.

Συστήματα δονητικών δοκιμών με τεχνικές ανάδρασης ή κλειστού βρόχου, που περιέχουν μονάδα ψηφιακού ελέγχου ικανά να δονούν συστήματα με επιτάχυνση τουλάχιστον 10 g rms σε συχνότητα μεταξύ 20 Hz και 2 kHz ενώ ασκούν δυνάμεις τουλάχιστον 50 kN, μετρούμενες επί ελευθέρου πάγκου,

β. Τεχνική παρατήρηση:

Μονάδες ψηφιακού ελέγχου, σε συνδυασμό με ειδικά σχεδιασμένο λογισμικό δονητικών δοκιμών, με έλεγχο εύρους ζώνης σε πραγματικό χρόνο άνω των 5 kHz, σχεδιασμένες για χρήση με τα συστήματα δονητικών δοκιμών που προσδιορίζονται στο σημείο 2Β116.α., Στο 2B116.β., ως έλεγχος εύρους ζώνης σε πραγματικό χρόνο νοείται ο ανώτατος ρυθμός με τον οποίο η μονάδα ελέγχου μπορεί να εκτελέσει πλήρεις κύκλους δειγματοληψίας, επεξεργασίας δεδομένων και διαβίβασης σημάτων ελέγχου.

γ.

Δονητές (μονάδες ταλάντωσης), με ή χωρίς συνδεδεμένο ενισχυτή, ικανοί να εξασκούν δυνάμεις τουλάχιστον 50 kN, μετρούμενες επί ελευθέρου πάγκου, και χρησιμοποιούμενοι σε συστήματα δονητικών δοκιμών που προσδιορίζονται στο σημείο 2Β116.α.,

δ.

Βοηθητικές κατασκευές διατάξεων δοκιμής και ηλεκτρονικές μονάδες, σχεδιασμένες να συνδυάζουν πολλαπλούς δονητές, σε σύστημα ικανό να εξασκεί πραγματική συνδυασμένη δύναμη τουλάχιστον 50 kN, μετρούμενη επί ελευθέρου πάγκου, που χρησιμοποιούνται σε συστήματα δονητικών δοκιμών που προσδιορίζονται στο σημείο 2Β116.α.

2B Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3.4.5.6. Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α.

Ζυγοσταθμιστικές μηχανές με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά: Σημείωση: το σημείο 2B119.α. δεν θέτει υπό έλεγχο τις ζυγοσταθμιστικές μηχανές τις σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για οδοντιατρικό ή άλλον ιατρικό εξοπλισμό.

1. Ανίκανες να ζυγοσταθμίζουν στροφείς/συγκροτήματα με μάζα άνω των 3 kg,

2. Ικανές να ζυγοσταθμίζουν στροφείς/συγκροτήματα σε ταχύτητες άνω των 12500 rpm,

3. 2B119 α. Ικανές να διορθώνουν ανιστοσταθμίσεις σε δύο ή περισσότερα επίπεδα· και

4. Ικανές να ζυγοσταθμίζουν μέχρι εναπομένουσα ειδική ανισοστάθμιση 0,2 g mm ανά kg μάζας στροφέα.

β. Τεχνική παρατήρηση:

Ενδεικτικές κεφαλές σχεδιασμένες ή τροποποιημένες προς χρήση με τις μηχανές του σημείου 2B119.α. Οι ενδεικτικές κεφαλές αποκαλούνται ενίοτε και ζυγοσταθμιστικά όργανα.

α.

Δύο ή περισσότερους άξονες,

β.

Σχεδιασμένοι ή τροποποιημένοι ώστε να ενσωματώνουν κινητούς δακτυλίους ή ολοκληρωμένες συσκευές χωρίς απευθείας επαφή με την ικανότητα να μεταδίδουν ηλεκτρική ισχύ, πληροφορίες σήματος ή και αμφότερα, και

γ.

Οποιαδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

1. Όλα τα παρακάτω για κάθε έναν άξονα:

1. α.

Ικανότητα ταχύτητας περιστροφής 400 μοιρών ανά sec και άνω, ή 30 μοιρών ανά sec και κάτω, και

β.

Διαχωρισμό ταχυτήτων περιστροφής 6 μοιρών ανά sec ή λιγότερο και ακρίβεια 0,6 μοιρών ανά sec ή λιγότερο,

2. Ευστάθεια στη χειρότερη περίπτωση ± 0,05 % (μέσον όρο επί 10 μοίρες ή περισσότερο) ή καλύτερη (μικρότερο ποσοστό), ή

3. Ακρίβεια τοποθέτησης 5 δεύτερα της μοίρας ή λιγότερο (καλύτερη επίδοση).

α.

Δύο ή περισσότερους άξονες, και

β.

Ακρίβεια τοποθέτησης 5 δεύτερα της μοίρας ή λιγότερο (καλύτερη επίδοση).

α.

Οδοντωτών τροχών,

β.

Στροφαλοφόρων ή εκκεντροφόρων αξόνων,

γ.

Εργαλείων ή κοπτικών εργαλείων,

δ.

Ατερμόνων κοχλιών διελαστήρων.

α.

Ισοστατικές πρέσες με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Ικανές να επιτυγχάνουν μέγιστη πίεση εργασίας 69 MPa ή μεγαλύτερη, και

2. Με κοίλωμα θαλάμου εσωτερικής διαμέτρου άνω των 152 mm.

β.

2B204 Μήτρες, τύποι και όργανα χειρισμού, ειδικά σχεδιασμένα για ισοστατικές πρέσες που προσδιορίζονται στο σημείο 2B204.α.

2B Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3.4.5.6. Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: α. Τεχνική παρατήρηση:

Μηχανές μέτρησης συντεταγμένων (CMM) με έλεγχο από υπολογιστή ή ψηφιακό έλεγχο με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: Με το όριο των 1,7 + L/800 μm συγκρίνεται το E0,MPE του ακριβέστερου διασχηματισμού της μηχανής που προσδιορίζεται από τον κατασκευαστή σύμφωνα με το πρότυπο ISO 10360-2(2009) (με όλα δηλαδή τα παρακάτω ρυθμισμένα όσο το δυνατόν καλύτερα: μήλη, μήκος στύλου, παράμετροι κίνησης, περιβάλλον) και με όλες τις διαθέσιμες αντισταθμίσεις.

α.

1. Δύο άξονες και μέγιστο επιτρεπτό σφάλμα μέτρησης μήκους κατά μήκος οποιουδήποτε άξονα (μονοδιάστατο), συμβολιζόμενο με οποιονδήποτε συνδυασμό των E0x,MPE, E0y,MPE, ή E0z,MPE, ίσο ή μικρότερο (καλύτερο) από (1,25 + L/1000) μm, όπου L το μετρούμενο μήκος σε mm, σε οποιοδήποτε σημείο εντός του πεδίου λειτουργίας της μηχανής (δηλαδή του μήκους του άξονα), σύμφωνα με το πρότυπο ISO 10360-2(2009), ή

2. Τρεις ή περισσότερους άξονες και τρισδιάστατο (ογκομετρικό) μέγιστο επιτρεπτό σφάλμα μέτρησης μήκους (E0,MPE) ίσο ή μικρότερο (καλύτερο) από (1,7 + L/800) μm, όπου L το μετρούμενο μήκος σε mm, σε οποιοδήποτε σημείο εντός του πεδίου λειτουργίας της μηχανής (δηλαδή του μήκους του άξονα), σύμφωνα με το πρότυπο ISO 10360-2(2009),

β.

Συστήματα για τον ταυτόχρονο γραμμικό και γωνιακό έλεγχο ημισφαιρικών δομών με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Αβεβαιότητα μέτρησης κατά μήκος οποιουδήποτε γραμμικού άξονα ίση ή μικρότερη (καλύτερη επίδοση) από 3,5 μm ανά 5 mm, και

2. Απόκλιση γωνιακής θέσης ίση ή μικρότερη από 0,02°.

2B Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3.4.5.6. Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: α.

Ρομπότ ή επενεργητές πέρατος ειδικά σχεδιασμένα ώστε να ανταποκρίνονται στα εθνικά πρότυπα ασφαλείας που εφαρμόζονται στο χειρισμό ισχυρών εκρηκτικών (π.χ. τιμές κανονισμού ηλεκτρολογικών εγκαταστάσεων για τα ισχυρά εκρηκτικά).

β.

Μονάδες χειρισμού ειδικά σχεδιασμένες για κάποιο από τα ρομπότ ή επενεργητές πέρατος του σημείου 2B207.α.

α.

Μηχανές με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Τρεις ή περισσότερους κυλίνδρους (ενεργούς ή κατεύθυνσης)· και

2. Ικανότητα να εφοδιαστούν, σύμφωνα με τις τεχνικές προδιαγραφές του κατασκευαστή, με μονάδες ψηφιακού ελέγχου ή όργανα ελέγχου με υπολογιστή.

β.

Βοηθητικοί άξονες (μαντρέλια) για τη μορφοποίηση κυλινδρικών δρομέων (ροτόρων) εσωτερικής διαμέτρου 75 mm έως 400 mm.

α.

Φυγοκεντρικές μηχανές ζυγοστάθμισης, που έχουν σχεδιαστεί για τη ζυγοστάθμιση εύκαμπτων ροτόρων μήκους 600 mm ή μεγαλύτερου και διαθέτουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Διάμετρο ταλαντωτή ή στροφέα μεγαλύτερη από 75 mm,

2. Δυναμικότητα μάζας 0,9 έως 23 kg, και

3. Ικανότητα ζυγοστάθμισης σε ταχύτητες περιστροφής υψηλότερες από 5000 rpm.

β.

Φυγοκεντρικά μηχανήματα ζυγοστάθμισης, που έχουν σχεδιαστεί για τη ζυγοστάθμιση κοίλων κυλινδρικών συστατικών μερών ροτόρων και διαθέτουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Διάμετρο στροφέα μεγαλύτερη από 75 mm,

2. Δυναμικότητα μάζας 0,9 έως 23 kg,

3. Ικανότητα ζυγοστάθμισης μέχρι παραμένουσα έλλειψη ισορροπίας το πολύ 0,01 kg × mm/kg ανά επίπεδο, και

4. Μετάδοση κινήσεως με ιμάντα.

α.

Ικανότητα να διαπερνούν τοιχώματα θερμών (θωρακισμένων) θαλάμων πάχους 0,6 m ή μεγαλύτερου (εργασία διαμέσου του τοιχώματος), ή

β.

Ικανότητα να υπερπηδούν τοιχώματα θερμών (θωρακισμένων) θαλάμων πάχους 0,6 m ή μεγαλύτερου (εργασία πάνω από το τοίχωμα).

2B Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3.4.5.6. Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: α.

Κάμινοι με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Ικανότητα λειτουργίας σε θερμοκρασίες άνω των 1123 K (850 °C),

2. Επαγωγικά πηνία διαμέτρου 600 mm και κάτω, και

3. Σχεδιασμό για εισροή ισχύος 5 kw και άνω.

β.

Τροφοδοτικά ισχύος με προσδιορισμένη εκροή ισχύος 5 kw και άνω, ειδικά σχεδιασμένα για τις καμίνους που προσδιορίζονται στο σημείο 2B226.α.

α.

Κάμινοι ηλεκτρικού τόξου για ανάτηξη και χύτευση με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Δυναμικότητα αναλώσιμου ηλεκτροδίου 1000 cm3 έως 20000 cm3, και

2. Ικανότητα λειτουργίας σε θερμοκρασίες τήξεως υψηλότερες από 1973 K (1700 °C).

β.

Κάμινοι τήξεως με δέσμη ηλεκτρονίων και κάμινοι ψεκασμού και τήξεως με πλάσμα, με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Ισχύς 50 kw ή μεγαλύτερης, και

2. Ικανότητα λειτουργίας σε θερμοκρασίες τήξεως υψηλότερες από 1473 K (1200 °C).

γ.

Συστήματα ελέγχου και παρακολούθησης με υπολογιστή ειδικά σχεδιασμένα για οποιαδήποτε από τις καμίνους που προσδιορίζονται στα σημεία 2B227.α και β.

α.

Εξοπλισμός συναρμολόγησης ροτόρων για τη συναρμολόγηση αυλωτών διατομών ροτόρων, διαφραγμάτων και τερματικών πωμάτων ροτόρων για φυγοκέντρους αερίου, Σημείωση: Στο σημείο 2B228.α. περιλαμβάνονται τα ανάλογα μαντρέλια ακριβείας, οι σφιγκτήρες και τα μηχανήματα συναρμογής με σύσφιγξη διαστολής-συστολής.

β. Τεχνική παρατήρηση:

Εξοπλισμός ευθυγράμμισης ροτόρων για την ευθυγράμμιση επί κοινού άξονα αυλωτών διατομών ροτόρων για φυγοκέντρους αερίου. Ο προσδιοριζόμενος στο σημείο 2.Β.228.β εξοπλισμός συνίσταται κατά κανόνα από καθετήρες μετρήσεων ακριβείας συνδεδεμένους με υπολογιστή, ο οποίος ελέγχει την επενέργεια π.χ. πνευματικών εμβόλων, που ευθυγραμμίζουν τις αυλωτές διατομές των ροτόρων.

γ. Τεχνική παρατήρηση:

Μαντρέλια και μήτρες μορφοποίησης φυσητήρων για την κατασκευή φυσητήρων απλής έλικας (φυσητήρες). Οι φυσητήρες του σημείου 2B228.γ. έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Εσωτερική διάμετρο 75 mm έως 400 mm.

2. Μήκος 12,7 mm ή μεγαλύτερο.

3. Βάθος της απλής έλικας μεγαλύτερο από 2 mm· και

4. Κατασκευή από κράματα αργιλίου υψηλής αντοχής, χάλυβα μαρτενγήρανσης ή ινώδη ή νηματώδη υλικά υψηλής αντοχής.

α.

Αισθητήρες πιέσεως κατασκευασμένους ή προστατευόμενους από αργίλιο, κράματα αργιλίου, οξείδιο αργιλίου (αλουμίνα ή σάπφειρο), νικέλιο, κράματα νικελίου με περιεκτικότητα σε νικέλιο άνω του 60 % κατά βάρος, ή πλήρως φθοριωμένα πολυμερή υδρογονανθράκων,

β.

Παρεμβύσματα, κατά περίπτωση, για τη στεγανοποίηση του αισθητήρα πιέσεως, και σε άμεση επαφή με τον παράγοντα επεξεργασίας, κατασκευασμένα ή προστατευόμενα από αργίλιο, κράματα αργιλίου, οξείδιο αργιλίου (αλουμίνα ή σάπφειρο), νικέλιο, κράματα νικελίου με περιεκτικότητα σε νικέλιο άνω του 60 % κατά βάρος, ή πλήρως φθοριωμένα πολυμερή υδρογονανθράκων, και

γ.

2B230 Οποιαδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

1. Πλήρη κλίμακα κάτω των 13 kPa και ακρίβεια μεγαλύτερη από +1 % της πλήρους κλίμακας, ή

2. Πλήρη κλίμακα 13 kPa ή μεγαλύτερη και ακρίβεια μεγαλύτερη από ± 130 Pa, μετρούμενη στα 13 kPa.

2B Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3.4.5.6. Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. α.

Στόμιο εισόδου μεγέθους 380 mm ή μεγαλύτερο,

β.

Ταχύτητα άντλησης 15 m3/s ή υψηλότερη, και

γ.

Ικανότητα επίτευξης τελικού κενού καλύτερου από 13 mPa.

2B Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3.4.5.6. Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. α.

Με δυνατότητα ροής όγκου εισαγωγής 50 m3/h ή μεγαλύτερη,

β.

Με δυνατότητα λόγου πίεσης 2:1 ή μεγαλύτερη, και

γ.

Με όλες τις επιφάνειες που έρχονται σε επαφή με το αέριο επεξεργασίας κατασκευασμένες από κάποιο από τα εξής υλικά:

1. Αργίλιο ή κράματα αργιλίου,

2. Οξείδιο του αργιλίου,

3. Ανοξείδωτο χάλυβα,

4. Νικέλιο ή κράματα νικελίου,

5. Φωσφορούχο χαλκό, ή

6. Φθοριούχα πολυμερή.

α.

Δοχεία αντιδραστήρων ή αντιδραστήρες, με ή χωρίς αναδευτήρες, συνολικού εσωτερικού (γεωμετρικού) όγκου άνω του 0,1 m3 (100 LTL) και κάτω των 20 m3 (20000 LTL), στους οποίους όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:

1. Κράματα περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κ.β.,

2. Φθοριούχα πολυμερή (πολυμερή ή ελαστομερή υλικά με περιεκτικότητα σε φθόριο άνω του 35 % κ.β.)

3. 2B350 α. Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υαλίνων επενδύσεων),

4. Νικέλια ή κράματα περιεκτικότητας άνω του 40 % κ.β. σε νικέλιο,

5. Ταντάλιο ή κράματα τανταλίου,

6. Τιτάνιο ή κράματα τιτανίου,

7. Ζιρκόνιο ή κράματα ζιρκονίου, ή

8. Νιόβιο ή κράματα νιοβίου.

β.

Αναδευτήρες σχεδιασμένοι για να χρησιμοποιούνται σε δοχεία αντιδραστήρων ή αντιδραστήρες που ορίζονται στο σημείο 2Β350.α.· και πτερωτές, πτερύγια ή άξονες προς χρήση στους αναδευτήρες αυτούς, όπου όλες οι επιφάνειες των αναδευτήρων που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:

1. Κράματα περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κ.β.,

2. Φθοριούχα πολυμερή (πολυμερή ή ελαστομερή υλικά με περιεκτικότητα σε φθόριο άνω του 35 % κ.β.)

3. Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υαλίνων επενδύσεων),

4. Νικέλια ή κράματα περιεκτικότητας άνω του 40 % κ.β. σε νικέλιο,

5. Ταντάλιο ή κράματα τανταλίου,

6. Τιτάνιο ή κράματα τιτανίου,

7. Ζιρκόνιο ή κράματα ζιρκονίου, ή

8. Νιόβιο ή κράματα νιοβίου.

γ.

Δεξαμενές, περιέκτες ή υποδοχείς αποθήκευσης, συνολικού εσωτερικού (γεωμετρικού) όγκου άνω των 0,1 m3 (100 LTL), όπου όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:

1. Κράματα περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κ.β.,

2. Φθοριούχα πολυμερή (πολυμερή ή ελαστομερή υλικά με περιεκτικότητα σε φθόριο άνω του 35 % κ.β.)

3. Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υαλίνων επενδύσεων),

4. Νικέλια ή κράματα περιεκτικότητας άνω του 40 % κ.β. σε νικέλιο,

5. Ταντάλιο ή κράματα τανταλίου,

6. Τιτάνιο ή κράματα τιτανίου,

7. Ζιρκόνιο ή κράματα ζιρκονίου, ή

8. Νιόβιο ή κράματα νιοβίου.

δ.

Εναλλάκτες θερμότητας ή συμπυκνωτές, με επιφάνεια μετάδοσης θερμότητας άνω των 0,15 m2 και κάτω των 20 m2· και σωλήνες, πετάσματα, πηνία ή τρόχιλοι (πυρήνες) προς χρήση σε αυτούς τους εναλλάκτες θερμότητας ή συμπυκνωτές, όπου όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:

1. Κράματα περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κ.β.,

2. Φθοριούχα πολυμερή (πολυμερή ή ελαστομερή υλικά με περιεκτικότητα σε φθόριο άνω του 35 % κ.β.)

3. Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υαλίνων επενδύσεων),

4. Γραφίτη ή ανθρακογραφίτη·

5. 2B350 δ. Νικέλια ή κράματα περιεκτικότητας άνω του 40 % κ.β. σε νικέλιο,

6. Ταντάλιο ή κράματα τανταλίου,

7. Τιτάνιο ή κράματα τιτανίου,

8. Ζιρκόνιο ή κράματα ζιρκονίου.

9. Καρβίδιο του πυριτίου,

10. Καρβίδιο του τιτανίου, ή

11. Νιόβιο ή κράματα νιοβίου.

ε.

Στήλες απόσταξης ή απορρόφησης, εσωτερικής διαμέτρου άνω των 0,1 m· και διανομείς υγρών, διανομείς ατόμων ή συλλεκτήρες υγρών προς χρήση σε αυτές τις στήλες απόσταξης ή απορρόφησης, όπου όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:

1. Κράματα περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κ.β.,

2. Φθοριούχα πολυμερή (πολυμερή ή ελαστομερή υλικά με περιεκτικότητα σε φθόριο άνω του 35 % κ.β.)

3. Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υαλίνων επενδύσεων),

4. Γραφίτη ή ανθρακογραφίτη·

5. Νικέλια ή κράματα περιεκτικότητας άνω του 40 % κ.β. σε νικέλιο,

6. Ταντάλιο ή κράματα τανταλίου,

7. Τιτάνιο ή κράματα τιτανίου,

8. Ζιρκόνιο ή κράματα ζιρκονίου, ή

9. Νιόβιο ή κράματα νιοβίου.

στ.

Τηλεχειριζόμενος εξοπλισμός πληρώσεως, στον οποίο όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την ή τις υπό επεξεργασία ή περιεχόμενες χημικές ουσίες είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:

1. Κράματα περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κ. β., ή

2. Νικέλια ή κράματα περιεκτικότητας άνω του 40 % κ.β. σε νικέλιο,

ζ. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.

Βαλβίδες και κατασκευαστικά μέρη, ως ακολούθως: Για τους σκοπούς του σημείου 2B350.ζ., υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση είναι οποιαδήποτε από τα ακόλουθα υλικά: Ως ονομαστικό μέγεθος ορίζεται η μικρότερη από τις διαμέτρους των στομίων εισαγωγής και εξαγωγής.

ζ.

1. Βαλβίδες με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. α.

Ονομαστικό μέγεθος μεγαλύτερο από 10 mm (3/8″), και

β.

Όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την ή τις παραγόμενες, υπό επεξεργασία ή περιεχόμενες χημικές ουσίες είναι κατασκευασμένες από υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση:

2. Βαλβίδες εκτός από τις προσδιοριζόμενες στην παράγραφο 2B350.γ.1., με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

2. α.

Ονομαστικό μέγεθος ίσο ή μεγαλύτερο από 25,4 mm (1″) και ίσο ή μικρότερο από 101,6 mm (4″),

β.

Περιβλήματα (σώματα αντλιών) ή προσχηματισμένα χιτώνια περιβλημάτων

γ.

Στοιχείο ασφάλισης σχεδιασμένο έτσι ώστε η λειτουργία του να μπορεί να εναλλάσσεται, και

δ.

Όλες οι επιφάνειες του περιβλήματος (σώματος αντλιών) που έρχονται σε άμεση επαφή με την ή τις παραγόμενες, υπό επεξεργασία ή περιεχόμενες χημικές ουσίες είναι κατασκευασμένες από υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση:

3. 2B350 ζ. Κατασκευαστικά μέρη σχεδιασμένα για βαλβίδες που ορίζονται στο σημείο 2B350.ζ.1 ή 2B350.ζ.2., στα οποία όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την ή τις παραγόμενες, υπό επεξεργασία ή περιεχόμενες χημικές ουσίες είναι κατασκευασμένες από υλικά ανθεκτικά στη διάβρωση, ως εξής:

3. α.

Περιβλήματα (σώματα αντλιών),

β.

Προσχηματισμένα χιτώνια περιβλημάτων

ζ. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.

α.

Νικέλια ή κράματα περιεκτικότητας άνω του 40 % κ.β. σε νικέλιο,

β.

Κράματα περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κ.β.,

γ.

Φθοριούχα πολυμερή (πολυμερή ή ελαστομερή υλικά με περιεκτικότητα σε φθόριο άνω του 35 % κ.β.)

δ.

Ύαλος ή υάλινη επένδυση (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων),

ε.

Ταντάλιο ή κράματα τανταλίου,

στ.

Τιτάνιο ή κράματα τιτανίου,

ζ.

Ζιρκόνιο ή κράματα ζιρκονίου,

η.

Νιόβιο ή κράματα νιοβίου, ή

θ.

Κεραμικά υλικά, ως εξής:

1. Καρβίδιο του πυριτίου με καθαρότητα τουλάχιστον 80 % κ.β.,

2. Οξείδιο του αργιλίου (αλουμίνα) με καθαρότητα τουλάχιστον 99,9 % κ.β.,

3. Οξείδιο του ζιρκονίου (ζιρκονία).

η.

Πολύτοιχες σωληνώσεις με ενσωματωμένη θυρίδα ανίχνευσης διαρροών, των οποίων όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:

1. Κράματα περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κ.β.,

2. Φθοριούχα πολυμερή (πολυμερή ή ελαστομερή υλικά με περιεκτικότητα σε φθόριο άνω του 35 % κ.β.)

3. Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υαλίνων επενδύσεων),

4. Γραφίτη ή ανθρακογραφίτη·

5. Νικέλια ή κράματα περιεκτικότητας άνω του 40 % κ.β. σε νικέλιο,

6. Ταντάλιο ή κράματα τανταλίου,

7. Τιτάνιο ή κράματα τιτανίου,

8. Ζιρκόνιο ή κράματα ζιρκονίου, ή

9. Νιόβιο ή κράματα νιοβίου.

θ. Τεχνική παρατήρηση:

2B350 Αντλίες πολλαπλής στεγανότητας, και χωρίς σφραγίδες στεγανότητας, των οποίων ο μέγιστος ρυθμός ροής βάσει προδιαγραφών του κατασκευαστή είναι τουλάχιστον 0,6 m3/h, ή αντλίες κενού, των οποίων ο μέγιστος ρυθμός ροής βάσει προδιαγραφών του κατασκευαστή είναι τουλάχιστον 5 m3/h [υπό κανονικές συνθήκες θερμοκρασίας (273 K (0 °C)) και πίεσης (101,3 kPa)], εκτός από εκείνες που προσδιορίζονται στο σημείο 2B233· και περιβλήματα (σώματα αντλιών), προσχηματισμένα χιτώνια περιβλημάτων, πτερωτές, ρότορες ή ακροφύσια αντλιών δι’ εκτοξεύσεως προς χρήση στις αντλίες αυτές, των οποίων όλες οι επιφάνειες που έρχονται σε άμεση επαφή με την(τις) υπό επεξεργασία ή περιεχόμενη(ες) χημική(ες) ουσία(ες) είναι κατασκευασμένες από οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά: Στο σημείο 2B350.θ., ο όρος παρέμβυσμα αναφέρεται μόνο σε εκείνα τα παρεμβύσματα που έρχονται σε άμεση επαφή με την ή τις χημικές ουσίες που υφίστανται επεξεργασία (ή είναι σχεδιασμένα γι’ αυτό) και διασφαλίζουν στεγανοποίηση όταν ο ρότορας ή ο παλινδρομικός άξονας κίνησης περνάει διαμέσου του σώματος αντλίας.

θ.

1. Κράματα περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κ.β.,

2. Κεραμικά,

3. Κράματα σιδήρου με μεγάλη περιεκτικότητα σε πυρίτιο,

4. Φθοριούχα πολυμερή (πολυμερή ή ελαστομερή υλικά με περιεκτικότητα σε φθόριο άνω του 35 % κ.β.)

5. Ύαλος (περιλαμβανομένων υαλοποιημένων ή σμαλτωμένων επιχρίσεων ή υαλίνων επενδύσεων),

6. Γραφίτη ή ανθρακογραφίτη·

7. Νικέλια ή κράματα περιεκτικότητας άνω του 40 % κ.β. σε νικέλιο,

8. Ταντάλιο ή κράματα τανταλίου,

9. Τιτάνιο ή κράματα τιτανίου,

10. Ζιρκόνιο ή κράματα ζιρκονίου, ή

11. Νιόβιο ή κράματα νιοβίου.

ι.

Αποτεφρωτήρες για την καταστροφή των χημικών ουσιών που προσδιορίζονται στην παράγραφο 1C350, με ειδικά σχεδιασμένα συστήματα τροφοδοσίας αποβλήτων, ειδικές διατάξεις χειρισμού και μέση θερμοκρασία θαλάμου καύσεως άνω των 1273 Κ (1000 °C), στους οποίους όλες οι επιφάνειες του συστήματος τροφοδοσίας αποβλήτων που έρχονται σε άμεση επαφή με τα απόβλητα είναι κατασκευασμένες ή επενδυμένες με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα υλικά:

1. Κράματα περιεκτικότητας άνω του 25 % σε νικέλιο και 20 % σε χρώμιο κ.β.,

2. Κεραμικά, ή

3. Νικέλια ή κράματα περιεκτικότητας άνω του 40 % κ.β. σε νικέλιο,

2B Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3.4.5.6. Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: Τεχνική παρατήρηση: Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. α.

Σχεδιασμένα για συνεχή λειτουργία και χρησιμοποιούμενα για την ανίχνευση παραγόντων χημικού πολέμου ή των χημικών ουσιών που προσδιορίζονται στην παράγραφο 1C350, σε συγκεντρώσεις χαμηλότερες από 0,3 mg/m3, ή

β.

Σχεδιασμένα για την ανίχνευση ενώσεων που έχουν δράση παρεμποδιστική της χολινεστεράσης.

α. Τεχνική παρατήρηση:

Τεχνικά μέσα πλήρους βιολογικού περιορισμού σε κλειστό περιβάλλον επιπέδων Ρ3, Ρ4, Τα επίπεδα περιορισμού σε κλειστό περιβάλλον Ρ3 ή Ρ4 (ΒL3, BL4, L3, L4) προσδιορίζονται στο εγχειρίδιο Εργαστηριακής Βιοασφάλειας της ΠΟΥ (Γ’ Έκδοση, Γενεύη, 2004).

β. Τεχνική παρατήρηση:

Αντιδραστήρες ζύμωσης και κατασκευαστικά μέρη, ως ακολούθως: Για τους σκοπούς του σημείου 2B352.β., οι αντιδραστήρες ζύμωσης περιλαμβάνουν τους βιοαντιδραστήρες, τους βιοαντιδραστήρες μιας χρήσης, τους χημειοστάτες και τα συστήματα συνεχούς ροής.

β.

1. Αντιδραστήρες με ικανότητα καλλιέργειας παθογόνων μικροοργανισμών ή ζωντανών κυττάρων για την παραγωγή παθογόνων ιών ή τοξινών, χωρίς διασπορά αερολυμάτων και με συνολική χωρητικότητα 20 λίτρων ή μεγαλύτερη.

2. Κατασκευαστικά μέρη σχεδιασμένα για αντιδραστήρες ζύμωσης στο σημείο 2B352.β.1. ως εξής:

2. α.

Θάλαμοι καλλιέργειας σχεδιασμένοι για επιτόπια αποστείρωση ή απολύμανση,

β.

Διατάξεις συγκράτησης θαλάμων καλλιέργειας,

γ.

Μονάδας ελέγχου διεργασιών με ικανότητα ταυτόχρονης παρακολούθησης και ελέγχου δύο ή περισσότερων παραμέτρων του συστήματος ζύμωσης (π.χ. θερμοκρασία, pH, θρεπτικές ουσίες, ανάδευση, διαλελυμένο οξυγόνο, ροή αέρα, έλεγχος αφρού),

γ. Τεχνική παρατήρηση:

Φυγοκεντρικοί διαχωριστές με ικανότητα συνεχούς διαχωρισμού χωρίς διασπορά αερολυμάτων και με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: Στους φυγοκεντρικούς διαχωριστές συμπεριλαμβάνονται τα δοχεία ή δεξαμενές απόχυσης.

γ.

1. Παροχή μεγαλύτερη από 100 λίτρα ανά ώρα,

2. Συστατικά μέρη από στιλβωμένο ανοξείδωτο χάλυβα ή τιτάνιο,

3. Έναν ή περισσότερους στεγανοποιητικούς συνδέσμους στο χώρο περιορισμού σε κλειστό περιβάλλον με ατμό, και

4. Δυνατότητα επιτόπιας υγρής αποστείρωσης σε κλειστή κατάσταση.

δ.

Εξοπλισμός διήθησης με εγκάρσια (εφαπτομενική) ροή και κατασκευαστικά του μέρη, ως εξής: Σημείωση: Στο σημείο 2B352.δ. δεν εμπίπτει ο εξοπλισμός αντίστροφης ώσμωσης, όπως προσδιορίζεται από τον κατασκευαστή του.

1. Εξοπλισμός διήθησης με εγκάρσια (εφαπτομενική) ροή, ικανός να διαχωρίζει παθογόνους μικροοργανισμούς, ιούς, τοξίνες ή κυτταροκαλλιέργειες, με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά

1. α.

Συνολική διηθητική επιφάνεια 1 m2 και άνω, και

β. Τεχνική παρατήρηση:

Οποιαδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά: Στο σημείο 2B352.δ.1.β, ως αποστείρωση νοείται η εξάλειψη όλων των βιώσιμων μικροβίων από τον εξοπλισμό με χρήση είτε φυσικών μέσων (π.χ. ατμού) είτε χημικών παραγόντων, ως απολύμανση δε η εξάλειψη της δυνητικής μικροβιακής μολυσματικότητας του εξοπλισμού με χρήση μικροβιοκτόνων χημικών παραγόντων. Τα δύο αυτά διακρίνονται από την απλή εξυγίανση, τις διεργασίες δηλαδή καθαρισμού που μειώνουν το μικροβιακό περιεχόμενο του εξοπλισμού χωρίς αναγκαστικά να εξαλείφουν κάθε ίχνος μικροβιακής μολυσματικότητας ή βιωσιμότητας.

β.

1. Δυνατότητα επιτόπιας αποστείρωσης ή απολύμανσης, ή

2. χρήση στοιχείων διήθησης μιας χρήσης.

2. 2B352 δ. Κατασκευαστικά στοιχεία (π.χ. δομοστοιχεία, ηθμοστοιχεία, κασέτες, φυσίγγια, πλάκες και πλακίδια) εξοπλισμού διήθησης με εγκάρσια (εφαπτομενική) ροή, με διηθητική επιφάνεια 0,2 m2 και άνω για κάθε κατασκευαστικό στοιχείο, και σχεδιασμένα προς χρήση σε εξοπλισμό διήθησης με εγκάρσια (εφαπτομενική) ροή προσδιοριζόμενο στο σημείο 2B352.δ.

ε.

Εξοπλισμός λυοφιλίωσης, επιδεχόμενος υγρή αποστείρωση, με δυναμικότητα συμπυκνωτή μεγαλύτερη από 10 kg πάγου το 24ωρο και μικρότερη από 1000 kg πάγου το 24ωρο.

στ.

Προστατευτικός εξοπλισμός και εξοπλισμός περιορισμού, ως εξής:

1. Προστατευτικές ολόσωμες ή μερικές ενδυμασίες, ή κουκούλες οι οποίες συνδέονται με παροχή εξωτερικού αέρα και λειτουργούν υπό θετική πίεση, Σημείωση: Στο 2Β352.στ.1, δεν υπάγονται οι ενδυμασίες που πρέπει να φέρονται με ανεξάρτητη συσκευή αναπνοής.

2. Ερμάρια ή στεγανές απομονωμένες συσκευές (απομονωτήρες) βιολογικής ασφαλείας, κατηγορίας III, ή με παρόμοιες προδιαγραφές επιδόσεων. Σημείωση: Στις στεγανές απομονωμένες συσκευές του σημείου 2Β352.στ.2, συμπεριλαμβάνονται οι εύκαμπτοι απομονωτήρες, οι θάλαμοι εργασίας σε ατμόσφαιρα αδρανούς αερίου, οι θάλαμοι εργασίας σε αναερόβιες συνθήκες, τα κιβώτια με πλαστικά γάντια και οι καπνοθάλαμοι αστρόβιλης ροής (κλειστοί με κατακόρυφη ροή).

ζ.

Θάλαμοι για ανοσολογικές δοκιμές πρόκλησης (ερεθισμού) αερολυμάτων με μικροοργανισμούς, ιούς ή τοξίνες χωρητικότητας 1 m3 ή μεγαλύτερης,

η.

Εξοπλισμός ξήρανσης διά ψεκασμού με την ικανότητα ξήρανσης τοξινών ή παθογόνων μικροοργανισμών που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Ικανότητα εξάτμισης ύδατος ≤ 0,4 kg/h και ≤ 400 kg/h,

2. Ικανότητα δημιουργίας τυπικού προϊόντος με μέση διάσταση σωματιδίων ≤ 10 μm με τα υπάρχοντα εξαρτήματα ή με ελάχιστη τροποποίηση του εξοπλισμού ξήρανσης διά ψεκασμού, με ακροφύσια ψεκασμού που επιτρέπουν τη δημιουργία της απαιτούμενης διάστασης σωματιδίων, και

3. Δυνατότητα επιτόπιας αποστείρωσης ή απολύμανσης.

2C Υλικά Ουδέν.

2D Λογισμικό 2D001 Λογισμικό, εκτός από εκείνο που προσδιορίζεται στο σημείο 2D002, ως εξής: Σημείωση: Στο σημείο 2D001 δεν καλύπτεται το λογισμικό προγραμματισμού εξαρτημάτων που δημιουργεί κωδικούς αριθμητικού ελέγχου για τη μηχανική κατεργασία διάφορων εξαρτημάτων. 2D002 Λογισμικό για ηλεκτρονικές διατάξεις, ακόμη και όταν ευρίσκεται σε ηλεκτρονική διάταξη ή σύστημα, που επιτρέπει σε τέτοιες διατάξεις ή συστήματα να λειτουργούν ως μονάδα ψηφιακού ελέγχου ικανή για ταυτόχρονο συνδυασμό περισσοτέρων των τεσσάρων αξόνων για τον έλεγχο της διαμόρφωσης περιγράμματος. Σημείωση 1: Στο σημείο 2D002 δεν υπάγεται το λογισμικό που είναι ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για τη λειτουργία ειδών που δεν προσδιορίζονται στην κατηγορία 2. Σημείωση 2: Στο σημείο 2D002 δεν υπάγεται το λογισμικό για είδη που προσδιορίζονται στο 2Β002. Για το λογισμικό για τα είδη του σημείου 2Β002, βλέπε σημεία 2D001 και 2D003. Σημείωση 3: Στο σημείο 2D002 δεν υπάγεται το λογισμικό που εξάγεται με είδη που δεν προσδιορίζονται στην κατηγορία 2 και το οποίο είναι το ελάχιστο δυνατό για τη λειτουργία των ειδών αυτών. 2D003 Λογισμικό σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για τη λειτουργία του εξοπλισμού που προσδιορίζεται στο σημείο 2B002, το οποίο μετατρέπει τον οπτικό σχεδιασμό, τις μετρήσεις των υπό επεξεργασία αντικειμένων και τις λειτουργίες αφαίρεσης υλικών σε εντολές αριθμητικού ελέγχου για την επίτευξη της επιθυμητής μορφής των υπό επεξεργασία αντικειμένων. 2D101 Λογισμικό, ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για τη χρήση του εξοπλισμού που προσδιορίζεται στις παραγράφους 2Β104, 2Β105, 2Β109, 2Β116, 2Β117 ή 2Β119 έως 2Β122. ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 9D004. 2D201 Λογισμικό ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για χρήση σε εξοπλισμό προσδιοριζόμενο στο σημείο 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 ή 2B227. 2D202 Λογισμικό ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την ανάπτυξη, παραγωγή ή χρήση εξοπλισμού που προσδιορίζεται στο σημείο 2Β201. Σημείωση: Στο σημείο 2D202 δεν καλύπτεται το λογισμικό προγραμματισμού εξαρτημάτων που δημιουργεί κωδικούς εντολών αριθμητικού ελέγχου, αλλά δεν επιτρέπει την άμεση χρήση του εξοπλισμού για τη μηχανική κατεργασία διάφορων εξαρτημάτων. 2D351 Λογισμικό, εκτός του προσδιοριζόμενου στο 1D003, ειδικά σχεδιασμένο για τη χρήση εξοπλισμού που προσδιορίζεται στο σημείο 2Β351.

2D α.

3. Θερμοκρασία,

4. Πίεση,

β.

2E003 β. 2. Της συγκόλλησης με διάχυση κραμάτων τιτανίου ή υπερκραμάτων:

1. Προετοιμασία επιφανειών,

2. Θερμοκρασία,

3. Πίεση,

γ.

Της υδραυλικής συμπίεσης άμεσης ενέργειας κραμάτων αργιλίου ή κραμάτων τιτανίου:

1. Πίεση,

2. Χρόνος κύκλου.

δ.

Της ισοστατικής πύκνωσης εν θερμώ κραμάτων τιτανίου, κραμάτων αργιλίου ή υπερκραμάτων:

1. Θερμοκρασία,

2. Πίεση,

3. Χρόνος κύκλου.

γ.

Τεχνολογία για την ανάπτυξη ή την παραγωγή υδραυλικών μηχανών μορφοποίησης με επιμήκυνση και μητρών για τις μηχανές αυτές για την κατασκευή δομών αεροσκαφών (αεροσκάφη χωρίς το προωθητικό σύστημα).

δ.

Τεχνολογία για την ανάπτυξη γεννητριών εντολών για εργαλειομηχανές (π.χ. υπορουτίνες προγράμματος) από δεδομένα σχεδιασμού, εγκατεστημένων σε μονάδες ψηφιακού ελέγχου.

ε.

Τεχνολογία για την ανάπτυξη λογισμικού ολοκλήρωσης με σκοπό την ενσωμάτωση στις μονάδες ψηφιακού ελέγχου έμπειρων συστημάτων που εξασφαλίζουν προηγμένη υποστήριξη αποφάσεων για τις εργασίες της αίθουσας παραγωγής.

στ.

Τεχνολογία για την εφαρμογή των ανοργάνων επιχρισμάτων επίστρωσης ή ανοργάνων επιχρισμάτων μετατροπής επιφανειών που προσδιορίζονται στην τρίτη στήλη του παρακάτω πίνακα· στα μη ηλεκτρονικά υποστρώματα που προσδιορίζονται στη δεύτερη στήλη του παρακάτω πίνακα· με τις τεχνικές που αναφέρονται στην πρώτη στήλη του παρακάτω πίνακα και ορίζονται στην Τεχνική Σημείωση. Σημείωση: Ο πίνακας και η Τεχνική Σημείωση εμφανίζονται μετά το σημείο 2E301. ΣΗΜ. Ο εν λόγω πίνακας προσδιορίζει την τεχνολογία μιας συγκεκριμένης μεθόδου επίχρισης, μόνο όταν το λαμβανόμενο επίχρισμα της στήλης 3 βρίσκεται σε πλήρη στοίχιση με το αντίστοιχο υπόστρωμα της στήλης 2. Για παράδειγμα, τα τεχνικά δεδομένα της μεθόδου επίχρισης που αφορά την εναπόθεση ατμού με χημικές μεθόδους (CVD) αναφέρονται στην εφαρμογή των πυριτιδίων σε υποστρώματα σύνθετων υλικών με βάση άνθρακα-άνθρακα, κεραμικό υλικό και μέταλλο, αλλά δεν αφορούν την εφαρμογή των πυριτιδίων σε υποστρώματα επιστοιχειωμένου (ενανθρακωμένου) καρβιδίου βολφραμίου (16) και καρβιδίου πυριτίου (18). Στη δεύτερη περίπτωση, η παράγραφος της στήλης 3 στην οποία αναγράφεται το λαμβανόμενο επίχρισμα δεν βρίσκεται σε πλήρη στοίχιση με την παράγραφο της στήλης 2 στην οποία αναγράφεται επιστοιχειωμένο (ενανθρακωμένο) καρβίδιο βολφραμίου (16), και καρβίδιο πυριτίου (18).

2E Πίνακας 1.2.3.A.B.B.1.B.2.B.3.B.4.Γ.Δ.E.ΣΤ.Ζ. Τεχνικές Εναπόθεσης ΠΙΝΑΚΑΣ - ΤΕΧΝΙΚΕΣ ΕΝΑΠΟΘΕΣΗΣ - ΣΗΜΕΙΩΣΕΙΣ 1.2.3.4.5.6.7.8.9.10.11.12.13.14.15.16.17.18.19.

Η έννοια του όρου μέθοδος επίχρισης περιλαμβάνει τόσο την αρχική επίχριση όσο και την επιδιόρθωση και την ανανέωση των επιχρισμάτων. Η έννοια του όρου επίχρισμα κραματοποιημένου αργιλιδίου περιλαμβάνει τις απλές ή πολλαπλές επιχρίσεις, κατά τις οποίες ένα ή περισσότερα χημικά στοιχεία εναποτίθενται πριν από την εφαρμογή του επιχρίσματος αργιλιδίου ή κατά τη διάρκειά της, έστω και αν για την εναπόθεση των στοιχείων αυτών χρησιμοποιείται άλλη μέθοδος επίχρισης. Δεν συμπεριλαμβάνεται όμως η πολλαπλή εφαρμογή μεθόδων απλής επιστοιχείωσης (ενανθράκωσης) στήλης για την επίτευξη κραματοποιημένων αργιλιδίων. Η έννοια του όρου επίχριση αργιλιδίου τροποποιημένου με ευγενή μέταλλα περιλαμβάνει τις πολλαπλές επιχρίσεις, κατά τις οποίες το ή τα ευγενή μέταλλα εναποτίθενται με άλλη μέθοδο επίχρισης πριν από την εφαρμογή του επιχρίσματος αργιλιδίου. Η έννοια του όρου μείγματα αυτών περιλαμβάνει διείσδυση υλικών, κλιμακωτές συνθέσεις, συνεναποθέσεις και πολυστρωματικές εναποθέσεις και λαμβάνονται με μία ή περισσότερες από τις μεθόδους επίχρισης που περιλαμβάνονται στον πίνακα. Ο τύπος ΜcrΑlX αναφέρεται σε κράματα επίχρισης, όπου Μ είναι κοβάλτιο, σίδηρος, νικέλιο ή συνδυασμός αυτών των μετάλλων και X είναι άφνιο, ύττριο, πυρίτιο, ταντάλιο σε οποιαδήποτε ποσότητα ή άλλες σκόπιμες προσθήκες σε ποσοστό μεγαλύτερο από 0,01 % κατά βάρος σε ποικίλες αναλογίες και ποικίλους συνδυασμούς, εκτός από: Ο όρος κράματα αργιλίου αναφέρεται σε κράματα με αντοχή στον εφελκυσμό 190 ΜΡa ή μεγαλύτερη, μετρούμενη στους 293 Κ (20 °C). Ο όρος χάλυβας ανθεκτικός στη διάβρωση αναφέρεται σε χάλυβες που ανταποκρίνονται στο πρότυπο AISI (American Iron and Steel Institute/Αμερικανικό Ίδρυμα Σιδήρου και χάλυβα) σειρά 300 ή σε ισότιμο εθνικό πρότυπο. Ο όρος πυρίμαχα μέταλλα και κράματα περιλαμβάνει τα ακόλουθα μέταλλα και τα κράματά τους: νιόβιο (κολόμβιο), μολυβδαίνιο, βολφράμιο και ταντάλιο. Υλικά παραθύρων αισθητήρων, ως εξής: αλουμίνα, πυρίτιο, γερμάνιο, θειούχος ψευδάργυρος, σεληνίδιο του ψευδαργύρου, αρσενίδιο του γαλλίου, αδάμας, φωσφίδιο γαλλίου, σάπφειρος και τα ακόλουθα αλογονίδια μετάλλων: υλικά παραθύρων αισθητήρων διαμέτρου άνω των 40 mm, προκειμένου για βρωμιούχο ζιρκόνιο και φθοριούχο άφνιο. Η τεχνολογία για την απλή επιστοιχείωση (ενανθράκωση) σε στήλη συμπαγών αεροτομών δεν περιλαμβάνεται στην κατηγορία 2. Πολυμερή ως εξής: πολυϊμίδια, πολυεστέρες, πολυσουλφίδια, πολυανθρακικά πολυμερή και πολυουρεθάνες. Η τροποποιημένη ζιρκονία αναφέρεται στο προϊόν προσθήκης στη ζιρκονία άλλων οξειδίων μετάλλων, (π.χ. ασβέστου, μαγνησίας, υττρίας, αφνίας, οξειδίων των σπανίων γαιών κ.λπ.), για τη σταθεροποίηση ορισμένων κρυσταλλογραφικών φάσεων και συνθέσεων φάσεων. Τα επιχρίσματα θερμικού φράγματος από ζιρκονία που τροποποιείται με ανάμειξη ή σύντηξη με άσβεστο ή μαγνησία, δεν υπόκεινται στον έλεγχο. Τα κράματα τιτανίου αναφέρονται μόνον στα κράματα της αεροδιαστημικής τεχνολογίας με αντοχή στον εφελκυσμό 900 MPa ή μεγαλύτερη, μετρούμενη στους 293 Κ (20 °C). Το γυαλί μικρής διαστολής αναφέρεται σε γυαλί με συντελεστή θερμικής διαστολής 1 × 10-7 K-1 ή μικρότερο, μετρούμενο στους 293 Κ (20 °C). Τα διηλεκτρικά στρώματα είναι επιχρίσματα που συγκροτούνται από πολλαπλές επιστρώσεις μονωτικών υλικών και στα οποία οι ιδιότητες συμβολής μιας διάταξης υλικών με διάφορους δείκτες διαθλάσεως, χρησιμοποιούνται για την ανάκλαση, τη μετάδοση ή την απορρόφηση διαφόρων ζωνών μήκους κύματος. Τα διηλεκτρικά στρώματα αναφέρονται σε περισσότερες από τέσσερις διηλεκτρικές επιστρώσεις ή σύνθετες επιστρώσεις διηλεκτρικού υλικού/μετάλλου. Στα επιστοιχειωμένα καρβίδια του βολφραμίου δεν περιλαμβάνονται τα υλικά κοπτικών εργαλείων και εργαλείων μορφοποίησης από καρβίδιο του βολφραμίου/(κοβάλτιο, νικέλιο), καρβίδιο του τιτανίου/(κοβάλτιο, νικέλιο), καρβίδιο του χρωμίου/νικελιο-χρώμιο και καρβίδιο του χρωμίου/νικέλιο. Δεν ελέγχεται η τεχνολογία που έχει ειδικά σχεδιαστεί για την εναπόθεση αδαμαντοειδούς άνθρακα στα ακόλουθα: οδηγοί και κεφαλές μαγνητικών δίσκων, εξοπλισμός για την κατασκευή ειδών μιας χρήσης, εξοπλισμός αρτοποιίας, βαλβίδες στροφίγγων, ακουστικά διαφράγματα μεγαφώνων, εξαρτήματα κινητήρων αυτοκινήτων, κοπτικά εργαλεία, διατμητικές και κοιλαντικές μήτρες, εξοπλισμός πληρογραφικής, μικρόφωνα ή ιατροτεχνολογικά βοηθήματα, ή καλούπια, για τη χύτευση ή το καλούπωμα πλαστικών, κατασκευασμένα από κράματα με περιεκτικότητα σε βερύλλιο κάτω του 5 %. Το καρβίδιο του πυριτίου δεν περιλαμβάνει τα υλικά κοπτικών εργαλείων και εργαλείων μορφοποίησης. Ο όρος κεραμικά υποστρώματα, όπως χρησιμοποιείται στο σημείο αυτό, δεν περιλαμβάνει τα κεραμικά υλικά με περιεκτικότητα τουλάχιστον 5 % σε άργιλο ή τσιμέντο, είτε χωριστά είτε σε συνδυασμό.

ΠΙΝΑΚΑΣ - ΤΕΧΝΙΚΕΣ ΕΝΑΠΟΘΕΣΗΣ - ΣΗΜΕΙΩΣΕΙΣ 1.2.3.4.5.

α.

τα επιχρίσματα CoCrAlY με κατά βάρος περιεκτικότητα σε χρώμιο μικρότερη από 22 %, σε αργίλιο μικρότερη από 7 % και σε ύττριο μικρότερη από 2 %,

β.

τα επιχρίσματα CoCrAlY με κατά βάρος περιεκτικότητα σε χρώμιο 22-24 %, σε αργίλιο 10-12 % και σε ύττριο 0,5-0,7 %, ή

γ.

τα επιχρίσματα NiCrAlY με κατά βάρος περιεκτικότητα σε χρώμιο 21-23 %, σε αργίλιο 10-12 % και σε ύττριο 0,9-1,1 %.

ΠΙΝΑΚΑΣ - ΤΕΧΝΙΚΕΣ ΕΝΑΠΟΘΕΣΗΣ - ΤΕΧΝΙΚΗ ΠΑΡΑΤΗΡΗΣΗ

Οι ορισμοί των μεθόδων που καθορίζονται στη στήλη 1 του πίνακα είναι οι εξής:

α.

Εναπόθεση ατμού με χημικές μεθόδους (CVD) είναι τεχνική επίχρισης με επίστρωση ή με μετατροπή επιφανειών, κατά την οποία ένα μέταλλο, κράμα, σύνθετο υλικό, διηλεκτρικό υλικό ή κεραμικό υλικό εναποτίθεται σε θερμαινόμενο υπόστρωμα. Τα αέρια αντιδρώντα στρώματα διασπώνται ή ενώνονται κοντά στο υπόστρωμα, με αποτέλεσμα την εναπόθεση σε αυτό του επιθυμητού υλικού — χημικού στοιχείου, κράματος ή ένωσης. Η απαιτούμενη ενέργεια για την παραπάνω διεργασία διάσπασης ή χημικής αντίδρασης παρέχεται από τη θερμότητα του υποστρώματος, από πλάσμα εκκένωσης αίγλης ή με ακτινοβόληση με λέιζερ. ΣΗΜ. 1: Στην τεχνική CVD περιλαμβάνονται οι ακόλουθες μέθοδοι: εναπόθεση εκτός στήλης με κατευθυνόμενη ροή αερίου, παλμική CVD, θερμική εναπόθεση με ελεγχόμενο πυρήνα αντιδράσεως (CNTD), CVD βελτιωμένη ή υποβοηθούμενη από πλάσμα. ΣΗΜ. 2: Ο όρος στήλη σημαίνει ότι το υπόστρωμα είναι βυθισμένο σε μείγμα κόνεων. ΣΗΜ. 3: Τα αέρια αντιδρώντα σώματα που χρησιμοποιούνται στην τεχνική εκτός στήλης σχηματίζονται με τις ίδιες βασικές αντιδράσεις και παραμέτρους όπως και στην τεχνική επιστοιχείωσης (ενανθράκωσης) σε στήλη, εκτός από το ότι το προς επίχριση υπόστρωμα δεν έρχεται σε επαφή με το μείγμα κόνεων.

β.

Εναπόθεση ατμών με φυσικές μεθόδους θερμικής εξάτμισης (ΤΕ-PVD) είναι τεχνική επίχρισης με επίστρωση, η οποία πραγματοποιείται σε θάλαμο κενού με πίεση μικρότερη από 0,1 Pa και κατά την οποία χρησιμοποιείται πηγή θερμικής ενέργειας για την εξάτμιση του επιχριστικού υλικού. Η διεργασία αυτή έχει ως αποτέλεσμα τη συμπύκνωση ή την εναπόθεση των εξατμισμένων σωματιδίων σε καταλλήλως τοποθετημένα υποστρώματα. Η προσθήκη αερίων στο θάλαμο κενού κατά τη διάρκεια της επίχρισης για τη δημιουργία σύνθετων επιχρισμάτων αποτελεί συνήθη παραλλαγή της μεθόδου. Συνήθης επίσης τροποποίηση αυτής της τεχνικής είναι η χρήση δέσμης ιόντων ή ηλεκτρονίων, ή και πλάσματος, για την ενεργοποίηση ή τη διευκόλυνση της εναπόθεσης του επιχρίσματος. Ένα επιπλέον γνώρισμα αυτών των διεργασιών μπορεί να είναι η χρήση συσκευών παρακολούθησης (monitor) για την κατά τη διεργασία μέτρηση των οπτικών χαρακτηριστικών και του πάχους του επιχρίσματος. Ειδικότερα, οι μέθοδοι TE-PVD είναι οι εξής:

1. Στην PVD δέσμης ηλεκτρονίων χρησιμοποιείται δέσμη ηλεκτρονίων για τη θέρμανση και την εξάτμιση του υλικού που σχηματίζει το επίχρισμα,

2. Στην υποβοηθούμενη από ιόντα PVD θέρμανση με ηλεκτρική αντίσταση χρησιμοποιούνται πηγές θερμότητας με ηλεκτρική αντίσταση, σε συνδυασμό με μία ή περισσότερες προσπίπτουσες δέσμες ιόντων, ικανές να δημιουργούν ελεγχόμενο και ομοιόμορφο ρεύμα εξατμισμένων επιχριστικών σωματιδίων,

3. Στην εξάτμιση με λέιζερ χρησιμοποιούνται δέσμες λέιζερ παλμικού ή συνεχούς κύματος για την εξάτμιση του υλικού που σχηματίζει το επίχρισμα,

4. Στην εναπόθεση καθοδικής εκκένωσης τόξου χρησιμοποιείται αναλώσιμη κάθοδος από το υλικό που σχηματίζει το επίχρισμα, στης οποίας την επιφάνεια προκαλείται μονίμως εκκένωση τόξου με τη στιγμιαία επαφή πολυδονητή (κύκλωμα σκανδάλης). Η ελεγχόμενη κίνηση του σχηματισμού του τόξου διαβρώνει την επιφάνεια της καθόδου δημιουργώντας εξαιρετικά ιονισμένο πλάσμα. Ως άνοδος χρησιμοποιείται είτε ένας κώνος, συνδεδεμένος με την περιφέρεια της καθόδου μέσω μονωτικού υλικού, είτε ο θάλαμος. Για εναπόθεση χωρίς σκοπευτικό άξονα χρησιμοποιείται πόλωση του υποστρώματος. ΣΗΜ.: Ο ορισμός αυτός δεν περιλαμβάνει την τυχαία εναπόθεση καθοδικής εκκένωσης τόξου με μη πολωμένα υποστρώματα.

5. Η ιοντική επιμετάλλωση αποτελεί ειδική τροποποίηση της γενικής τεχνικής ΤΕ-PVD, κατά την οποία χρησιμοποιείται πηγή πλάσματος ή ιόντων για τον ιονισμό των προς εναπόθεση σωματιδίων ενώ στο υπόστρωμα εφαρμόζεται αρνητικό δυναμικό πολώσεως για να διευκολυνθεί η έξοδος των σωματιδίων από το πλάσμα. Η εισαγωγή δραστικών σωματιδίων, η εξάτμιση στερεών μέσα στο θάλαμο εργασίας καθώς και η χρήση συσκευών παρακολούθησης (monitor) για την κατά τη διεργασία μέτρηση των οπτικών χαρακτηριστικών και του πάχους των επιχρισμάτων, αποτελούν συνήθεις παραλλαγές της τεχνικής.

γ.

Επιστοιχείωση (ενανθράκωση) σε στήλη είναι μέθοδος επίχρισης με μετατροπή επιφανειών ή με επίστρωση, κατά την οποία το υπόστρωμα βυθίζεται σε μείγμα κόνεων (στήλη) αποτελούμενο από: Το μείγμα υποστρώματος και κόνεων περιέχεται σε κάμινο κέρατος, που θερμαίνεται σε θερμοκρασία μεταξύ 1030 Κ (757 °C) και 1375 (1102 °C) για όσο χρόνο απαιτεί η εναπόθεση του επιχρίσματος.

1. τις κόνεις των μετάλλων που πρόκειται να εναποτεθούν (συνήθως αργίλιο, χρώμιο, πυρίτιο ή συνδυασμοί αυτών),

2. έναν ενεργοποιητή (συνήθως αλογονούχο άλας), και

3. μία αδρανή κόνι, ως επί το πλείστον αλουμίνα.

δ.

Ψεκασμός πλάσματος είναι τεχνική επίχρισης με επίστρωση, κατά την οποία τα επιχριστικά υλικά, σε μορφή κόνεως ή σύρματος, εισάγονται σε πιστόλι (δαυλό ψεκασμού) που παράγει πλάσμα και το ελέγχει, τήκονται και εκσφενδονίζονται από αυτό προς το υπόστρωμα, όπου σχηματίζουν άρρηκτα συνδεδεμένο επίχρισμα. Πρόκειται για ψεκασμό πλάσματος είτε χαμηλής πιέσεως είτε υψηλής ταχύτητας. ΣΗΜ. 1: Χαμηλή πίεση σημαίνει χαμηλότερη από την ατμοσφαιρική πίεση περιβάλλοντος. ΣΗΜ. 2: Η υψηλή ταχύτητα αναφέρεται σε ταχύτητες αερίου στην έξοδο του ακροφυσίου υψηλότερες από 750 m/s υπολογιζόμενες σε θερμοκρασία 293 Κ (20 °C) και πίεση 0,1 MPa.

ε.

Εναπόθεση πολτού είναι τεχνική επίχρισης με μετατροπή επιφανειών ή με επίστρωση, κατά την οποία σχηματίζεται εναιώρημα μεταλλικής ή κεραμικής κόνεως με οργανικό συνδετικό υλικό σε υγρό, το εναιώρημα αυτό εφαρμόζεται στο υπόστρωμα με ψεκασμό, εμβάπτιση ή βαφή και ακολουθεί ξήρανση στον αέρα ή σε κλίβανο και θερμική κατεργασία για την επίτευξη του επιθυμητού επιχρίσματος.

στ.

Εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης είναι τεχνική επίχρισης με επίστρωση, που βασίζεται σε ένα φαινόμενο μεταφοράς ορμής και κατά την οποία θετικά ιόντα επιταχύνονται από ηλεκτρικό πεδίο προς την επιφάνεια του στόχου (επιχριστικό υλικό). Η κινητική ενέργεια των προσπιπτόντων ιόντων αρκεί για να προκαλέσει την ελευθέρωση των ατόμων της επιφάνειας του στόχου και την εναπόθεσή τους σε καταλλήλως τοποθετημένο υπόστρωμα. ΣΗΜ. 1: Ο πίνακας αναφέρεται μόνο στην εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης τριόδου, μαγνήτρου ή χημικής αντίδρασης, που χρησιμοποιείται για την αύξηση της πρόσφυσης του επιχρίσματος και της ταχύτητας εναπόθεσης, και στην εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης ενισχυμένης με ραδιοσυχνότητες (RF), που χρησιμοποιείται για να επιτρέπει την εξάτμιση μη μεταλλικών επιχριστικών υλικών. ΣΗΜ. 2: Για την ενεργοποίηση της εναπόθεσης είναι δυνατόν να χρησιμοποιούνται δέσμες ιόντων χαμηλής ενέργειας (κάτω των 5 keV)

ζ.

Εμφύτευση ιόντων είναι τεχνική επίχρισης με μετατροπή επιφανειών, κατά την οποία το προς κραματοποίηση στοιχείο ιονίζεται, επιταχύνεται μέσω διαβαθμιζόμενου δυναμικού και εμφυτεύεται στην επιφάνεια του υποστρώματος. Ο ορισμός αυτός περιλαμβάνει τις μεθόδους, στις οποίες η εμφύτευση ιόντων πραγματοποιείται ταυτόχρονα με εναπόθεση ατμού με φυσική μέθοδο δέσμης ηλεκτρονίων ή εναπόθεση καθοδικής διασκόρπισης.

ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 3 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ

3A Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.

Συστήματα, εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη Σημείωση 1: Η διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού και των δομικών στοιχείων που περιγράφονται στο σημείο 3Α001 ή 3Α002, εκτός από όσα περιγράφονται στα εδάφια3A001.α.3. έως 3Α001.α.10. ή 3Α001.α.12. ή 3A001.α.13, που έχουν σχεδιασθεί ειδικά, ή έχουν τα ίδια λειτουργικά χαρακτηριστικά όπως ο υπόλοιπος εξοπλισμός, καθορίζεται από τη διαβάθμιση ελέγχου του υπόλοιπου εξοπλισμού. Σημείωση 2: Η διαβάθμιση ελέγχου των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων που περιγράφονται στα σημεία 3Α001.α.3. έως 3Α001.α.9., 3A001.α.12. ή 3Α001.α.13., τα οποία έχουν προγραμματισθεί χωρίς δυνατότητα αλλαγής, ή έχουν σχεδιασθεί για μία επιμέρους λειτουργία άλλου εξοπλισμού, καθορίζεται από τη διαβάθμιση ελέγχου του υπόλοιπου εξοπλισμού. ΣΗΜ.: Όταν ο κατασκευαστής ή αυτός που υποβάλλει την αίτηση δεν μπορεί να καθορίσει τη διαβάθμιση ελέγχου του υπόλοιπου εξοπλισμού, η διαβάθμιση ελέγχου των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων καθορίζεται στα σημεία 3Α001.α.3. έως 3Α001.α.9. και 3Α001.α.12. και 3Α001.α.13. 3A 3A001 Ηλεκτρονικά δομικά στοιχεία και ειδικά σχεδιασμένα δομικά μέρη τους, ως εξής: 3A002 Ηλεκτρονικός εξοπλισμός γενικής χρήσεως ως εξής: 3A003 Συστήματα θερμοδιαχείρισης με ψύξη διά ψεκασμού, που χρησιμοποιούν εξοπλισμό χειρισμού και επαναχρησιμοποίησης ρευστών σε κλειστό βρόχο μέσα σε σφραγισμένο περιβάλλον, όπου ψεκάζεται διηλεκτρικό ρευστό πάνω σε ηλεκτρονικά δομικά στοιχεία με χρήση ειδικά σχεδιασμένων ψεκαστικών ακροφυσίων σχεδιασμένων να διατηρούν τα ηλεκτρονικά δομικά στοιχεία εντός του αντίστοιχου φάσματος θερμοκρασιών λειτουργίας, και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία για τον εξοπλισμό αυτό. 3A101 Ηλεκτρονικός εξοπλισμός, συσκευές και δομικά στοιχεία εκτός από αυτά που ορίζονται στο σημείο 3Α001, ως εξής: 3A102 Θερμικές μπαταρίες σχεδιασμένες ή τροποποιημένες για βλήματα. Στο σημείο 3Α102, ως θερμικές μπαταρίες νοούνται οι ηλεκτρικές στήλες μιας χρήσεως που χρησιμοποιούν ως ηλεκτρολύτη στερεό δυσηλεκτραγωγό ανόργανο άλας. Οι μπαταρίες αυτές περιέχουν και κάποιο πυρολυτικό υλικό το οποίο, αναφλεγόμενο, λιώνει τον ηλεκτρολύτη και θέτει σε λειτουργία την ηλεκτρική στήλη. Στο σημείο 3A102, ως βλήματα νοούνται τα πλήρη πυραυλικά συστήματα και τα συστήματα μη επανδρωμένων εναέριων οχημάτων με ακτίνα δράσης άνω των 300 km. 3A201 Ηλεκτρονικά δομικά στοιχεία εκτός από όσα καθορίζονται στο σημείο 3Α001, ως εξής: 3A225 Μετατροπείς συχνότητας ή γεννήτριες, εκτός από τις συσκευές που καθορίζονται στο σημείο 0Β001.β.13., που δύνανται να χρησιμοποιηθούν ως κινητήρες μετάδοσης μεταβλητής ή σταθερής συχνότητας και που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: ΣΗΜ. 1: Λογισμικό ειδικά σχεδιασμένο για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων ενός μετατροπέα ή μιας γεννήτριας συχνοτήτων ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 3A225 προσδιορίζεται στο σημείο 3D225. ΣΗΜ. 2: Τεχνολογία υπό τη μορφή κωδικών ή κλειδών για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων ενός μετατροπέα ή μιας γεννήτριας συχνοτήτων ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 3A225 προσδιορίζεται στο σημείο 3E225. Σημείωση: Στο σημείο 3A225 δεν υπάγονται οι μετατροπείς ή γεννήτριες συχνοτήτων αν έχουν περιορισμούς υλισμικού, λογισμικού ή τεχνολογίας που περιορίζουν τις επιδόσεις σε επίπεδο κατώτερο του ως άνω προσδιοριζόμενου, υπό την προϋπόθεση ότι πληρούν τα εξής: Οι κατά το σημείο 3Α225 μετατροπείς συχνότητας είναι γνωστοί και ως μεταλλάκτες ή inverters. Οι μετατροπείς συχνότητας του σημείου 3A225 δύνανται να κυκλοφορούν στην αγορά ως γεννήτριες, εξοπλισμός ηλεκτρονικών δοκιμών, τροφοδοτικά AC, κινητήρες μετάδοσης μεταβλητής ταχύτητας, συστήματα μετάδοσης μεταβλητής ταχύτητας (VSDs), συστήματα μετάδοσης μεταβλητής συχνότητας (VFDs), συστήματα μετάδοσης ρυθμιζόμενης συχνότητας (AFDs), ή συστήματα μετάδοσης ρυθμιζόμενης ταχύτητας (ASDs). 3A226 Τροφοδοτικά συνεχούς ρεύματος υψηλής ισχύος, εκτός εκείνων που καθορίζονται στο σημείο 0Β001.ι.6., που έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: 3A227 Τροφοδοτικά συνεχούς ρεύματος υψηλής τάσης, εκτός εκείνων που καθορίζονται στο σημείο 0Β001.ι.5., που έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: 3A228 Συσκευές μεταγωγής ως εξής: 3A229 Γεννήτριες παλμών υψηλού ρεύματος, ως εξής: ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ. 3A230 Παλμογεννήτριες υψηλής ταχύτητας, και οι κεφαλές παλμού τους, που έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: Στο σημείο 3Α230, ο χρόνος μετάβασης του παλμού ορίζεται σαν το χρονικό διάστημα μεταξύ του 10 % και του 90 % του εύρους της τάσης. Οι κεφαλές παλμού είναι δίκτυα σχηματισμού ώσεων σχεδιασμένα για να δέχονται λειτουργία βήματος τάσης και να τη διαμορφώνουν σε παλμούς διάφορων μορφών που μπορεί να περιλαμβάνουν παραλληλεπίπεδους, τριγωνικούς, βηματικούς, ωστικούς, εκθετικούς ή μονοκλωνικούς τύπους. Οι κεφαλές παλμού δύνανται να αποτελούν αναπόσπαστο μέρος της γεννήτριας παλμών, να αποτελούν μονάδα που προστίθεται στη συσκευή ή να συνδέονται εξωτερικά με τη συσκευή. 3A231 Συστήματα παραγωγής νετρονίων, συμπεριλαμβανομένων των σωλήνων, με αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: 3A232 Συστήματα έναυσης πολλαπλών σημείων, διαφορετικά από τα προδιαγραφόμενα στο σημείο 1A007, ως εξής: ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ. ΣΗΜ.: Βλέπε 1A007.β. για τους πυροκροτητές. Σημείωση: Το σημείο 3Α232 δεν θέτει υπό έλεγχο πυροκροτητές που χρησιμοποιούν μόνο πρωτογενείς εκρηκτικές ύλες, όπως τον αζωτούχο μόλυβδο. 3A233 Φασματογράφοι μάζας εκτός από αυτούς που αναφέρονται στο σημείο 0Β002.ζ., που μπορούν να μετρήσουν ιόντα μεγέθους 230 ατομικών μονάδων μάζας ή παραπάνω και οι οποίοι έχουν διακριτική ικανότητα καλύτερη από 2 μέρη στα 230, ως εξής, καθώς επίσης και πηγές ιόντων για τους φασματογράφους αυτούς: Οι φασματογράφοι μάζας βομβαρδισμού ηλεκτρονίων στο σημείο 3A233.δ. είναι γνωστοί και ως φασματογράφοι μάζας πρόσπτωσης ηλεκτρονίων ή φασματογράφοι μάζας ιονισμού ηλεκτρονίων. Στο σημείο 3A233.δ.2., ψυχρή παγίδα είναι μια διάταξη που παγιδεύει μόρια συμπυκνώνοντας ή ψύχοντάς τα πάνω σε ψυχρές επιφάνειες. Για τους σκοπούς του σημείου 3A233.δ.2., μια κρυογενική αντλία κενού αέριου ηλίου κλειστού τύπου δεν είναι ψυχρή παγίδα. 3A234 Γυμνές αγώγιμες γραμμές για την παροχή διαδρομής χαμηλής αυτεπαγωγής προς τους πυροκροτητές, με τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

3A α.

Ολοκληρωμένα κυκλώματα για γενικούς σκοπούς, ως εξής: Σημείωση 1: Η διαβάθμιση ελέγχου των πλακιδίων (που έχουν υποστεί φινίρισμα ή όχι), στα οποία έχει καθοριστεί η λειτουργία, πρέπει να ελεγχθεί με τις παραμέτρους του σημείου 3Α001.α. Σημείωση 2: Τα ολοκληρωμένα κυκλώματα περιλαμβάνουν τους ακόλουθους τύπους:

Μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα,

Υβριδικά ολοκληρωμένα κυκλώματα,

Ολοκληρωμένα κυκλώματα πολλαπλών μικροπλακετών,

Ολοκληρωμένα κυκλώματα τύπου φιλμ, που περιλαμβάνουν ολοκληρωμένα κυκλώματα με πυρίτιο πάνω σε σάπφειρο,

Οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα,

Τρισδιάστατα ολοκληρωμένα κυκλώματα.

1. Ολοκληρωμένα κυκλώματα σχεδιασμένα ή καθορισμένα ώστε να αντέχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1. α.

Ακτινοβολία, συνολικής δόσης τουλάχιστον 5 × 103 Gy (πυρίτιο),

β.

Διαταραχή ρυθμού ακτινοβολίας τουλάχιστον 5 × 106 Gy (πυρίτιο)/s ή υψηλότερη, ή

γ.

Ολοκληρωμένη ροή νετρονίων (ισοδύναμο 1 MeV) τουλάχιστον 5 × 1013 n/cm2 σε πυρίτιο, και το αντίστοιχο σε άλλα υλικά, Σημείωση: Στο σημείο 3A001.α.1.γ δεν υπάγονται οι μεταλλομονωτικοί ημιαγωγοί (MSI).

2. Μικροκυκλώματα με μικροεπεξεργαστές, μικροκυκλώματα μικροϋπολογιστών και μικροκυκλώματα για μικροσυσκευές ελέγχου, ολοκληρωμένα κυκλώματα μνήμης κατασκευασμένα από σύνθετο ημιαγωγό, μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό, μετατροπείς ψηφιακού σε αναλογικό, ηλεκτρο-οπτικά ή οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα σχεδιασμένα για επεξεργασία σημάτων, προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις πεδίου (field programmable logic devices), ολοκληρωμένα κυκλώματα κατασκευασμένα κατά παραγγελία, για τα οποία είτε είναι άγνωστη η λειτουργία είτε αγνοείται η διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού, στον οποίον θα χρησιμοποιηθούν τα ολοκληρωμένα κυκλώματα, επεξεργαστές ταχέος μετασχηματισμού Fourier (FFT), ηλεκτρικά αποσβέσιμες και προγραμματιζόμενες μνήμες ανάγνωσης μόνο (EEPROM), στιγμιαίες μνήμες ή στατικές μνήμες RAM (SRAM) που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα: Σημείωση: Στο σημείο 3A001.α.2. δεν υπάγονται τα ολοκληρωμένα κυκλώματα που προορίζονται για πολιτικά αυτοκίνητα ή για σιδηροδρόμους.

2. α.

Καθορισμένα να λειτουργούν σε θερμοκρασία περιβάλλοντος άνω των 398 K (125 °C),

β.

Καθορισμένα να λειτουργούν σε θερμοκρασία περιβάλλοντος κάτω των 218 K (- 55 °C), ή

γ.

Καθορισμένα να λειτουργούν στο σύνολο της περιοχής θερμοκρασιών περιβάλλοντος από 218 K (- 55 °C) έως 398 K (125 °C).

3. Μικροκυκλώματα με μικροεπεξεργαστές, μικροκυκλώματα μικροϋπολογιστών και μικροκυκλώματα για μικροσυσκευές ελέγχου, που κατασκευάζονται από σύνθετο ημιαγωγό και με λειτουργία σε συχνότητα χρονισμού άνω των 40 MHz. Σημείωση: Το σημείο 3Α001.α.3. περιλαμβάνει ψηφιακούς επεξεργαστές σημάτων, ψηφιακούς πολυεπεξεργαστές (array processors) και ψηφιακούς συνεπεξεργαστές (digital coprocessors).

4. Δεν χρησιμοποιείται,

5. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3.4.5.6.7.8.9. 3A001 α. 5.Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3.4.

3A001 α. Ολοκληρωμένα κυκλώματα μετατροπής αναλογικού σε ψηφιακό και ψηφιακού σε αναλογικό, ως εξής: Διακριτική ικανότητα n bit αντιστοιχεί σε κβάντωση 2n σταθμών. Ο αριθμός bit στη λέξη εξόδου ισούται προς τη διακριτική ικανότητα του μετατροπέα ψηφιακού σε αναλογικό. Ο ρυθμός εξόδου είναι ο μέγιστος ρυθμός εξόδου του μετατροπέα, ανεξαρτήτως αρχιτεκτονικής ή υπερδειγματοληψίας. Για τους ADC πολλαπλών διαύλων, τα εξερχόμενα σήματα δεν αθροίζονται, ως ρυθμός δε εξόδου λαμβάνεται ο μεγαλύτερος ρυθμός εξόδου των επιμέρους διαύλων. Για αλληλένθετους ADC ή ADC πολλαπλών διαύλων που προσδιορίζονται ως έχοντες αλληλένθετη λειτουργία, τα εξερχόμενα σήματα αθροίζονται, ως ρυθμός δε εξόδου λαμβάνεται ο μέγιστος συνδυασμένος συνολικός ρυθμός εξόδου όλων των εξόδων. Οι πωλητές μπορούν επίσης να αναφέρουν το ρυθμό εξόδου ως ρυθμό δειγματοληψίας ή ως ρυθμό διεκπεραίωσης. Ο ρυθμός αυτός εκφράζεται συχνά ως megahertz (MHz) ή ως μεγαδείγματα ανά δευτερόλεπτο (MSPS). Για τη μέτρηση του ρυθμού εξόδου, μια λέξη εξόδου ανά δευτερόλεπτο ισοδυναμεί προς ένα Hertz ή προς ένα δείγμα ανά δευτερόλεπτο. Ως ADC πολλαπλών διαύλων ορίζονται οι συσκευές όπου συνενώνονται δύο ή περισσότεροι ADC, σχεδιασμένες κατά τρόπον ώστε κάθε ADC να έχει ξεχωριστή αναλογική είσοδο. Ως αλληλένθετοι ADC ορίζονται οι συσκευές με πολλαπλές μονάδες ADC που παίρνουν δείγματα από ένα και το αυτό αναλογικό σήμα εισόδου σε διαφορετικές στιγμές, ούτως ώστε η συνομαδοποίηση των εξόδων να οδηγεί στην πράξη σε δειγματοληψία και μετατροπή του σήματος εισόδου με μεγαλύτερο ρυθμό δειγματοληψίας. Ως Ψευδοελεύθερο δυναμικό εύρος (SFDR) ορίζεται ο λόγος της τετραγωνικής μέσης τιμής της συχνότητας του φέροντος (μέγιστη συνιστώσα σήματος) στην είσοδο του DAC προς την τετραγωνική μέση τιμή της αμέσως μεγαλύτερης συνιστώσας θορύβου ή αρμονικής παραμόρφωσης στην έξοδο. Το SFDR προσδιορίζεται απευθείας από τον πίνακα προδιαγραφών ή από τα γραφήματα χαρακτηρισμού SFDR/συχνότητας. Ως σήμα πλήρους κλίμακας ορίζεται το σήμα που έχει πλάτος άνω των - 3 dBfs (fs = full scale = πλήρης κλίμακα). Ως προσαρμοσμένος ρυθμός ενημέρωσης για τους DAC ορίζεται:

5. α.

Μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό (ADC) με οιοδήποτε από τα εξής: ΣΗΜ. ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ 3Α101

1. Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 8 bit αλλά μικρότερη των 10 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 1000 εκατ. λέξεων ανά δευτερόλεπτο,

2. Διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 10 bit αλλά μικρότερη των 12 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 300 εκατ. λέξεων ανά δευτερόλεπτο,

3. Διακριτική ικανότητα 12 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 200 εκατ. λέξεων ανά δευτερόλεπτο,

4. Διακριτική ικανότητα άνω των 12 bit αλλά το πολύ 14 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 125 εκατ. λέξεων ανά δευτερόλεπτο, ή

5. Διακριτική ικανότητα άνω των 14 bit, με ρυθμό εξόδου ανώτερο των 20 εκατ. λέξεων ανά δευτερόλεπτο,

5. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3.4.5.6.7.8.9. β.

Μετατροπείς ψηφιακού προς αναλογικό (DAC) με οιοδήποτε από τα εξής:

1. Διακριτική ικανότητα 10 bit και άνω με προσαρμοσμένο ρυθμό ενημέρωσης 3500 MSPS και άνω, ή

2. Διακριτική ικανότητα 12 bit και άνω με προσαρμοσμένο ρυθμό ενημέρωσης 1250 MSPS και άνω και οποιοδήποτε από τα εξής:

2. α.

Χρόνο επανόδου από βήμα πλήρους κλίμακας στο 0,024 % της πλήρους κλίμακας κάτω των 9 ns, ή

β.

Ψευδοελεύθερο δυναμικό εύρος (SFDR) άνω των 68 dBc (φέροντος) κατά τη σύνθεση αναλογικού σήματος πλήρους κλίμακας 100 MHz ή της μεγαλύτερης προσδιορισμένης συχνότητας κάτω των 100 MHz.

5. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3.4.5.6.7.8.9. 3A001 α. 5.Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3.4. α.

Για μεν τους συμβατικούς (μη παρεμβάλλοντες) DAC, η ταχύτητα με την οποία μετατρέπεται σε αναλογικό το ψηφιακό σήμα και μεταβάλλονται από τον DAC οι αναλογικές τιμές εξόδου. Οι DAC που επιτρέπουν παράκαμψη της λειτουργίας παρεμβολής (παράγοντας παρεμβολής 1) θεωρούνται συμβατικοί (μη παρεμβάλλοντες) DAC.

β.

Για δε τους παρεμβάλλοντες (υπερδειγματοληπτικούς) DAC, ο λόγος του ρυθμού ενημέρωσης του DAC προς το μικρότερο παράγοντα παρεμβολής. Ο προσαρμοσμένος ρυθμός ενημέρωσης των παρεμβαλλόντων DAC μπορεί να αναφέρεται και με άλλες ονομασίες, όπως μεταξύ άλλων:

ρυθμός δεδομένων εισόδου,

ρυθμός λέξεων εισόδου,

ρυθμός δειγματοληψίας,

μέγιστη συνολική ταχύτητα bus εισόδου,

μέγιστος ρυθμός ρολογιού DAC για την είσοδο του ρολογιού του DAC.

6. Ηλεκτρο-οπτικά ή οπτικά ολοκληρωμένα κυκλώματα για επεξεργασία σημάτων που έχουν όλα τα ακόλουθα:

6. α.

Μία ή περισσότερες εσωτερικές διόδους λέιζερ,

β.

Ένα ή περισσότερα εσωτερικά δομικά στοιχεία για την ανίχνευση φωτός, και

γ.

Οπτικούς κυματοδηγούς.

7. 3A001 α. 7.Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3.

Προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις πεδίου (field programmable logic devices) που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα: Σημείωση: Το σημείο 3Α001.α.7 περιλαμβάνει: Ο τρίτος και τέταρτος όρος είναι άλλες ονομασίες των προγραμματιζόμενων λογικών διατάξεων πεδίου. Ο μέγιστος αριθμός ψηφιακών εισόδων/εξόδων στο 3Α001.α.7.α. αναφέρεται επίσης ως μέγιστος αριθμός εισόδων/εξόδων χρήστη ή μέγιστος αριθμός διαθέσιμων εισόδων/εξόδων, είτε το ολοκληρωμένο κύκλωμα είναι συσκευασμένο είτε σκέτη ψηφίδα (bare die). Αθροιστικός ρυθμός δεδομένων κορυφής σειριακού πομποδέκτη μονής κατεύθυνσης είναι το γινόμενο του ρυθμού δεδομένων κορυφής σειριακού πομποδέκτη μονής κατεύθυνσης επί τον αριθμό των πομποδεκτών στην FPGA.

7. α.

Μέγιστο αριθμό μονοτερματικών ψηφιακών εισόδων/εξόδων ίσο ή μεγαλύτερο από 500· ή

β.

Αθροιστικό ρυθμό δεδομένων κορυφής σειριακού πομποδέκτη μονής κατεύθυνσης ίσο ή μεγαλύτερο από 200 Gb/s,

Τις απλές προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις (SPLD)

Τις πολύπλοκες προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις (CPLD)

Τις προγραμματιζόμενες διατάξεις θυρών πεδίου (FPGA)

Τις προγραμματιζόμενες λογικές διατάξεις θυρών πεδίου (FPLA)

Τους προγραμματιζόμενους διασυνδέσμους θυρών πεδίου (FPIC)

8. Δεν χρησιμοποιείται,

9. Ολοκληρωμένα κυκλώματα νευρονικών δικτύων.

10. Ολοκληρωμένα κυκλώματα κατασκευασμένα κατά παραγγελία, για τα οποία είτε είναι άγνωστη η λειτουργία είτε ο κατασκευαστής αγνοεί τη διαβάθμιση ελέγχου του εξοπλισμού στον οποίον θα χρησιμοποιηθούν τα ολοκληρωμένα κυκλώματα και τα οποία έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

10. α.

Πάνω από 1500 τερματικές ακίδες.

β.

Χαρακτηριστικό βασικό χρόνο διαβάσεως πύλης χαμηλότερο από 0,02 ns, ή

γ.

Συχνότητα λειτουργίας που ξεπερνά τα 3 GHz.

11. Ψηφιακά ολοκληρωμένα κυκλώματα, εκτός αυτών που περιγράφονται στα σημεία 3Α001.α.3. έως 3Α001.α.10. και 3Α001.α.12., που έχουν κατασκευασθεί από οποιοδήποτε μεικτό ημιαγωγό και παρουσιάζουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

11. α.

Ισοδύναμο χρησιμοποιήσιμο αριθμό θυρών μεγαλύτερο από 3000 (για 2 θύρες εισόδου), ή

β.

Συχνότητα αντιστροφής άνω των 1,2 GHz.

12. Τεχνική παρατήρηση:

Επεξεργαστές ταχέος μετασχηματισμού Fourier (Fast Fourier Transform - FFT) με ονομαστικό χρόνο εκτέλεσης για σύνθετη FFT Ν σημείων, κάτω του (N log2N)/20480 ms, όπου N είναι ο αριθμός των σημείων. Όταν Ν = 1024 σημεία, ο τύπος του σημείου 3Α001.α.12 δίνει χρόνο εκτέλεσης 500 μs.

13. Τεχνική παρατήρηση:

Ολοκληρωμένα κυκλώματα άμεσου ψηφιακού συνθεσιοποιητή (Direct Digital Synthesizer - DDS), με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: Η συχνότητα χρονισμού DAC μπορεί να προσδιοριστεί ως η κύρια συχνότητα χρονισμού ή η συχνότητα χρονισμού εισαγωγής.

13. α.

Συχνότητα χρονισμού μετατροπέα ψηφιακού σε αναλογικό (DAC) ίση ή μεγαλύτερη από 3,5 GHz και διακριτική ικανότητα DAC ίση ή μεγαλύτερη από 10 bit, αλλά μικρότερη από 12 bit, ή

β.

Συχνότητα χρονισμού DAC ίση ή μεγαλύτερη από 1,25 GHz και διακριτική ικανότητα DAC ίση ή μεγαλύτερη από 12 bit,

β. Τεχνική παρατήρηση:

Δομικά στοιχεία μικροκυμάτων ή χιλιοστομετρικών κυμάτων, ως εξής: Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.β., η κορεσμένη ισχύς εξόδου κορυφής παραμέτρων μπορεί να αναφερθεί επίσης στα φύλλα δεδομένων των προϊόντων ως ισχύς εξόδου, κορεσμένη ισχύς εξόδου, μέγιστη κορεσμένη ισχύς εξόδου, ισχύς εξόδου κορυφής, ή ισχύς εξόδου περιβάλλουσας κορυφής.

1. 3A001 β. Ηλεκτρονικές λυχνίες κενού και κάθοδοι ως εξής: Σημείωση 1: Στο σημείο 3Α001.β.1. δεν υπάγονται οι λυχνίες που έχουν σχεδιαστεί ή καθορίζονται για λειτουργία σε ζώνες συχνοτήτων και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: Σημείωση 2: Στο σημείο 3Α001.β.1., δεν υπάγονται οι ακατάλληλες για διαστημική χρήση λυχνίες που έχουν όλα τα παρακάτω:

1. α.

Δεν υπερβαίνουν τα 31,8 GHz, και

β.

Έχουν διατεθεί από την ITU για υπηρεσίες ραδιοεπικοινωνιών αλλά όχι για ραδιοεντοπισμό.

α.

Μέση ισχύ εξόδου το πολύ 50 W, και

β.

Σχεδιασμένες ή καθορισμένες για λειτουργία σε οποιαδήποτε ζώνη συχνοτήτων που έχει όλα τα παρακάτω:

1. Υπερβαίνει τα 31,8 GHz αλλά δεν υπερβαίνει τα 43,5 GHz, και

2. Έχουν διατεθεί από την ITU για υπηρεσίες ραδιοεπικοινωνιών αλλά όχι για ραδιοεντοπισμό.

α.

Λυχνίες οδεύοντος κύματος, παλμικού ή συνεχούς κύματος, ως εξής:

1. Λυχνίες που λειτουργούν σε συχνότητες άνω των 31,8 GHz.

2. Λυχνίες που έχουν στοιχείο θέρμανσης καθόδου με χρόνο ανύψωσης ισχύος έως την καθορισμένη ισχύ ραδιοσυχνότητας μικρότερο από 3 δευτερόλεπτα.

3. Συζευγμένες λυχνίες cavity ή παράγωγά τους, με κλασματικό εύρος ζώνης άνω του 7 % ή ισχύ αιχμής άνω των 2,5 kW.

4. Ελικοειδείς λυχνίες ή παράγωγά τους με οποιοδήποτε από τα παρακάτω:

4. α.

Στιγμιαίο εύρος ζώνης άνω της μιας οκτάβας και γινόμενο μεταξύ της μέσης ισχύος (εκφρασμένης σε kw) και της συχνότητας (εκφρασμένης σε GHz) ανώτερο από 0,5,

β.

Στιγμιαίο εύρος ζώνης το πολύ μια οκτάβα, και γινόμενο της μέσης ισχύος (εκφρασμένης σε kW) και συχνότητας (εκφρασμένης σε GHz) πάνω από 1, ή

γ.

Είναι κατάλληλα για διαστημική χρήση.

β.

Ενισχυτικές λυχνίες διασταυρωμένου πεδίου με απολαβή άνω των 17 dB.

γ.

Εμποτισμένες κάθοδοι (impregnated cathodes) για ηλεκτρονικές λυχνίες που παράγουν σταθερή πυκνότητα ροής ρεύματος σε συνθήκες προκαθορισμένης λειτουργίας η οποία ξεπερνά τα 5 A/cm2.

2. Ενισχυτές ισχύος με μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα μικροκυμάτων, με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά: Σημείωση 1: Δεν χρησιμοποιείται. Σημείωση 2: Το καθεστώς ελέγχου των μονολιθικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μικροκυμάτων, οι ονομαστικές συχνότητες λειτουργίας των οποίων περιλαμβάνουν συχνότητες περιεχόμενες σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων, κατά τα οριζόμενα στα σημεία 3A001.β.2.α έως3Α001.β.2.η., καθορίζεται βάσει του κατωφλίου ελάχιστης κορεσμένης ισχύος εξόδου κορυφής. Σημείωση 3: Οι σημειώσεις 1 και 2 στο κεφάλαιο 3A σημαίνουν ότι με το σημείο 3A001.β.2 δεν τίθενται υπό έλεγχο τα μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα μικροκυμάτων όταν είναι ειδικά σχεδιασμένα για άλλες εφαρμογές, όπως π.χ. τηλεπικοινωνίες, ραντάρ, αυτοκίνητα.

2. α.

Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 2,7 GHz έως και 6,8 GHz, κλασματικό εύρος ζώνης άνω του 15 % και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 75 W (48,75 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,7 GHz έως και 2,9 GHz,

2. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 55 W (47,4 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,9 GHz έως και 3,2 GHz,

3. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 40 W (46 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,2 GHz έως και 3,7 GHz, ή

4. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 20 W (43 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,7 GHz έως και 6,8 GHz,

β.

3A001 β. 2. Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6,8 GHz έως και 16 GHz, κλασματικό εύρος ζώνης άνω του 10 % και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 10 W (40 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 6,8 GHz έως και 8,5 GHz, ή

2. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 5 W (37 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 8,5 GHz έως και 16 GHz,

γ.

Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 3 GHz (34,77 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 16 GHz έως και 31,8 GHz, και κλασματικό εύρος ζώνης άνω του 10 %,

δ.

Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,1 W (-70 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 31,8 GHz έως και 37 GHz,

ε.

Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 1 GHz (30 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 37 GHz έως και 43,5 GHz, και κλασματικό εύρος ζώνης άνω του 10 %,

στ.

Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 31,62 GHz (15 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 43,5 GHz έως και 75 GHz, και κλασματικό εύρος ζώνης άνω του 10 %,

ζ.

Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 10 GHz (10 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 75 GHz έως και 90 GHz, και κλασματικό εύρος ζώνης άνω του 5 %, ή

η.

Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,1 W (-70 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 90 GHz,

3. Χωριστά τρανζίστορ μικροκυμάτων με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά: Σημείωση 1: Το καθεστώς ελέγχου ενός τρανζίστορ οι ονομαστικές συχνότητες λειτουργίας του οποίου περιλαμβάνουν συχνότητες περιεχόμενες σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων, κατά τα οριζόμενα στα σημεία 3A001.β.3.α έως 3Α001.β.3.ε., καθορίζεται βάσει του κατωφλίου ελάχιστης κορεσμένης ισχύος εξόδου κορυφής. Σημείωση 2: Το σημείο 3A001.β.3. περιλαμβάνει γυμνούς δίσκους, δίσκους στερεωμένους σε φορείς ή δίσκους στερεωμένους σε πακέτα. Ορισμένα διακριτά τρανζίστορ ίσως αναφέρονται και ως ενισχυτές ισχύος, αλλά η κατάσταση των εν λόγω διακριτών τρανζίστορ προσδιορίζεται στο σημείο 3A001.β.3.

3. α.

Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 2,7 GHz έως και 6,8 GHz, και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 400 W (56 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,7 GHz έως και 2,9 GHz,

2. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 205 W (53,12 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,9 GHz έως και 3,2 GHz,

3. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 115 W (50,61 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,2 GHz έως και 3,7 GHz, ή

4. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 60 W (47,78 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,7 GHz έως και 6,8 GHz,

β.

Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6,8 GHz έως και 31,8 GHz, και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 50 W (47 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 6,8 GHz έως και 8,5 GHz,

2. 3A001 β. 3. β. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 15 W (41,76 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 8,5 GHz έως και 12 GHz,

3. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 40 W (46 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 12 GHz έως και 16 GHz, ή

4. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 7 W (38,45 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 16 GHz έως και 31,8 GHz,

γ.

Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,5 W (-27 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 31,8 GHz έως και 37 GHz,

δ.

Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 1 W (-30 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 37 GHz έως και 43,5 GHz,

ε.

Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,1 nW (-70 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 43,5 GHz,

4. Ενισχυτές μικροκυμάτων στερεάς κατάστασης και μικροκυματικά συναρμολογήματα ή δομοστοιχεία που περιέχουν ενισχυτές μικροκυμάτων στερεάς κατάστασης με οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά: ΣΗΜ.: Οι ενισχυτές ισχύος με μονολιθικά ολοκληρωμένα κυκλώματα μικροκυμάτων πρέπει να αξιολογούνται βάσει των κριτηρίων του σημείου 3A001.β.2. Σημείωση 1: Δεν χρησιμοποιείται. Σημείωση 2: Το καθεστώς ελέγχου ενός είδους οι ονομαστικές συχνότητες λειτουργίας του οποίου περιλαμβάνουν συχνότητες περιεχόμενες σε περισσότερες από μία ζώνες συχνοτήτων, κατά τα οριζόμενα στα σημεία 3A001.β.4.α έως 3Α001.β.4.ε., καθορίζεται βάσει του κατωφλίου ελάχιστης κορεσμένης ισχύος εξόδου κορυφής. Σημείωση 3: Το σημείο 3A001.β.4. περιλαμβάνει μονάδες εκπομπής/λήψης και μονάδες μετάδοσης.

4. α.

1. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 500 W (57 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,7 GHz έως και 2,9 GHz,

2. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 270 W (54,3 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 2,9 GHz έως και 3,2 GHz,

3. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 200 W (53 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,2 GHz έως και 3,7 GHz, ή

4. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 90 W (49,54 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 3,7 GHz έως και 6,8 GHz,

β.

Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες άνω των 6,8 GHz έως και 31,8 GHz, κλασματικό εύρος ζώνης άνω του 10 % και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 70 W (48,54 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 6,8 GHz έως και 8,5 GHz,

2. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 50 W (47 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 8,5 GHz έως και 12 GHz,

3. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 30 W (44,77 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 12 GHz έως και 16 GHz, ή

4. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 20 W (43 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 16 GHz έως και 31,8 GHz,

γ.

δ.

3A001 β. 4. Εγκεκριμένα προς λειτουργία με κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 2 GHz (33 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 37 GHz έως και 43,5 GHz, και κλασματικό εύρος ζώνης άνω του 10 %,

ε.

Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες που υπερβαίνουν τα 43,5 GHz, και με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,2 GHz (23 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 43,5 GHz έως και 75 GHz, και κλασματικό εύρος ζώνης άνω του 10 %,

2. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 20 GHz (13 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 75 GHz έως και 90 GHz, και κλασματικό εύρος ζώνης άνω του 5 %, ή

3. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής μεγαλύτερη από 0,1 W (-70 dBm) σε οποιαδήποτε συχνότητα που υπερβαίνει τα 90 GHz, ή

στ.

Εγκεκριμένα προς λειτουργία σε συχνότητες πυ υπερβαίνουν τα 2,7 GHz, και με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά:

1. Κορεσμένη ισχύ εξόδου κορυφής, σε βαττ, Psat, μεγαλύτερη από 400 διά το τετράγωνο της ανώτατης συχνότητας λειτουργίας σε GHz [Psat > 400 W*GHz2/fGHz2],

2. Κλασματικό εύρος ζώνης τουλάχιστον 5 %, και

3. Τεχνική παρατήρηση:

Δύο κάθετες πλευρές μήκους d (σε cm) οποιασδήποτε πλευράς το πολύ ίσου προς 15 διά την κατώτατη συχνότητα λειτουργίας σε GHz [d ≤ 15 cm*GHz/fGHz], Η συχνότητα 2,7 GHz θα πρέπει να χρησιμοποιείται ως η κατώτατη συχνότητα λειτουργίας (fGHz) στον τύπο του σημείου 3Α001.β.4.στ.3., για τους ενισχυτές με ονομαστικό φάσμα λειτουργίας που εκτείνεται προς τα κάτω έως τα 2,7 GHz και κατωτέρω [d ≤ 15 cm *GHz/2,7 GHz].

5. Ζωνοπερατά ή ζωνοαπέρατα φίλτρα που μπορούν να συντονισθούν ηλεκτρονικά ή μαγνητικά, που έχουν πάνω από 5 ρυθμιζόμενους συντονιστές και μπορούν να συντονισθούν μέσα σε μία ζώνη συχνοτήτων με λόγο 1,5:1 (fmax./fmin.) σε χρόνο λιγότερο από 10 μs και που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

5. α.

Εύρος ζώνης ζωνοπερατού φίλτρου πάνω από 0,5 % της κεντρικής συχνότητας, ή

β.

Εύρος ζώνης ζωνοαπέρατου φίλτρου λιγότερο από 0,5 % της κεντρικής συχνότητας.

6. Δεν χρησιμοποιείται,

7. Μετατροπείς και αρμονικοί μίκτες σχεδιασμένοι για την επέκταση του φάσματος συχνοτήτων του εξοπλισμού που περιγράφεται στα σημεία 3Α002.γ., 3Α002.δ, 3Α002.ε. ή 3Α002.στ. πέραν των εκεί αναφερομένων ορίων.

8. 3A001 β. Μικροκυματικοί ενισχυτές ισχύος που περιλαμβάνουν λυχνίες που καθορίζονταιστο σημείο 3Α001.β.1. και έχουν όλα τα ακόλουθα: Σημείωση: Στο σημείο 3Α001.β.8. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός που έχει σχεδιαστεί για, ή καθορίζεται να λειτουργεί σε ζώνες συχνοτήτων που έχουν διατεθεί από την ITU για υπηρεσίες ραδιοεπικοινωνιών αλλά όχι για ραδιοεντοπισμό.

8. α.

Συχνότητες λειτουργίας άνω των 3 GHz,

β.

Λόγος μέσης ισχύος εξόδου προς μάζα άνω των 80 W/kg, και

γ.

Όγκο μικρότερο από 400 cm3.

9. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.

Μικροκυματικές μονάδες ισχύος (MPM), αποτελούμενες τουλάχιστον από μία λυχνία οδεύοντος κύματος, ένα μικροκυματικό μονολιθικό ολοκληρωμένο κύκλωμα, και έναν ολοκληρωμένο ηλεκτρονικό εξομαλυντήρα τάσης, με όλα τα παρακάτω: Ιδού ένα παράδειγμα υπολογισμού του όγκου στο σημείο 3A001.β.9.β: αν η μέγιστη ονομαστική ισχύς είναι 20 W, ο όγκος πρέπει να είναι έως 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3. Στο σημείο 3A001.β.9.α, ο χρόνος ενεργοποίησης σημαίνει το διάστημα που χρειάζεται η μονάδα από τελείως σβηστή να τεθεί σε πλήρη λειτουργία, περιλαμβάνει δηλαδή και το χρόνο προθέρμανσης.

9. α.

Χρόνο ενεργοποίησης από σβηστό σε πλήρη λειτουργία κάτω των 10 δευτερολέπτων,

β.

Όγκο μικρότερο από το γινόμενο της μέγιστης ονομαστικής ισχύος σε W επί 10 cm3/W, και

γ.

Στιγμιαίο εύρος ζώνης άνω της μιας οκτάβας (fmax. > 2fmin.) και με οποιοδήποτε από τα παρακάτω:

1. Για συχνότητες έως και 18 GHz, ισχύ εξόδου ραδιοσυχνότητας άνω των 100 W, ή

2. Συχνότητα άνω των 18 GHz.

10. Τεχνική παρατήρηση:

Ταλαντωτές ή συγκροτήματα ταλαντωτών, προσδιορισμένοι να λειτουργούν με όλα τα ακόλουθα: Στο 3Α001.β.10., F είναι η απόκλιση από τη συχνότητα λειτουργίας σε Hz και f είναι η συχνότητα λειτουργίας σε MHz.

10. α.

Θόρυβο φάσης απλής πλευρικής ζώνης (SSB), σε dBc/Hz, καλύτερο από - (126 + 20log10F-20log10f) οπουδήποτε σε εύρος 10 Hz < F < 10 kHz, και

β.

Θόρυβο φάσης απλής πλευρικής ζώνης (SSB), σε dBc/Hz, καλύτερο από - (114 + 20log10F-20log10f) οπουδήποτε σε εύρος 10 kHz ≤ F < 500 kHz,

11. Ηλεκτρονικές συναρμολογήσεις για γεννήτριες σύνθεσης συχνοτήτων που έχουν χρόνο μεταγωγής συχνότητας ως εξής (διαζευκτικά): ΣΗΜ.: Για γενικής χρήσης αναλυτές σήματος, γεννήτριες σήματος, αναλυτές δικτύου και δοκιμαστικούς μικροκυματικούς δέκτες βλέπε αντιστοίχως σημεία 3A002.γ., 3A002.δ., 3A002.ε. και 3A002.στ.

11. α.

κατώτερο από 156 ps,

β.

κάτω των 100 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 1,6 GHz εντός του φάσματος συνθετόμενων συχνοτήτων από 4,8 GHz έως και 10,6 GHz,

γ.

κάτω των 250 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 550 MHz εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων από 10,6 GHz έως και 31,8 GHz,

δ.

κάτω των 500 μs για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 550 MHz εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων από 31,8 GHz έως και 43,5 GHz,

ε.

3A001 β. 11. κάτω του 1 ms για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 550 MHz εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων από 43,5 GHz έως και 56 GHz,

στ.

κάτω του 1 ms για οποιαδήποτε αλλαγή συχνότητας άνω των 2,2 GHz εντός της ζώνης συντιθέμενων συχνοτήτων από 56 GHz έως και 75 GHz,

ζ.

κατώτερο από 1 ms εντός του φάσματος συνθετόμενων συχνοτήτων άνω των 75 GHz.

γ.

Συσκευές ακουστικών κυμάτων, και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία για τις συσκευές αυτές ως εξής: Σημείωση: Στο σημείο 3Α001.γ. δεν υπάγονται οι συσκευές ακουστικών κυμάτων που περιορίζονται σε μονοπερατό, χαμηλοπερατό, υψηλοπερατό ή στενό ζωνοφρακτικό φίλτρο, ή λειτουργία συντονισμού.

1. Τεχνική παρατήρηση:

Συσκευές επιφανειακών ακουστικών κυμάτων και συσκευές surface skimming (shallow bulk) ακουστικών κυμάτων και οι οποίες έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα: Η απόρριψη πλευρικών λοβών συχνότητας είναι η μέγιστη τιμή απόρριψης που προσδιορίζεται στα δελτία δεδομένων.

1. α.

Φέρουσα συχνότητα άνω των 6 GHz,

β.

Φέρουσα συχνότητα άνω των 1 GHz αλλά όχι άνω των 6 GHz και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1. Απόρριψη πλευρικών λοβών συχνότητας που ξεπερνάει τα 65 dB,

2. Το γινόμενο του μέγιστου χρόνου καθυστέρησης και του εύρους ζώνης (ο χρόνος σε μs και το εύρος ζώνης σε ΜΗz) το οποίο είναι ανώτερο του 100,

3. Εύρος ζώνης μεγαλύτερο από 250 MHz, ή

4. Καθυστέρηση με διασπορά (dispersive delay) περισσότερη από 10 μs, ή

γ.

Συχνότητα φέροντος 1 GHz ή λιγότερο, και που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1. Το γινόμενο του μέγιστου χρόνου καθυστέρησης και του εύρους ζώνης (ο χρόνος σε μs και το εύρος ζώνης σε ΜΗz) το οποίο είναι ανώτερο του 100,

2. Καθυστέρηση με διασπορά (dispersive delay) περισσότερη από 10 μs, ή

3. Απόρριψη πλευρικών λοβών συχνότητας που ξεπερνάει τα 65 dB και εύρος ζώνης μεγαλύτερο από 100 MHz.

2. Συσκευές ακουστικών κυμάτων όγκου που επιτρέπουν την κατευθείαν επεξεργασία σημάτων σε συχνότητες άνω των 6 GHz.

3. Ακουστικο-οπτικές συσκευές επεξεργασίας σημάτων που βασίζονται στην αλληλεπίδραση μεταξύ ακουστικών κυμάτων (κυμάτων όγκου ή κυμάτων επιφανείας) και κυμάτων φωτός και οι οποίες επιτρέπουν την άμεση επεξεργασία σημάτων ή εικόνων. Περιλαμβάνουν φασματική ανάλυση, συσχέτιση ή συνέλιξη.

δ.

Ηλεκτρονικές συσκευές και κυκλώματα που περιέχουν δομικά στοιχεία κατασκευασμένα από υπεραγώγιμα υλικά και ειδικά σχεδιασμένα για λειτουργία σε θερμοκρασίες κάτω από την κρίσιμη θερμοκρασία τουλάχιστον ενός από τα υπεραγώγιμα συστατικά υλικά και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1. Μεταγωγή ρεύματος για ψηφιακά κυκλώματα όπου χρησιμοποιούνται υπεραγώγιμες πύλες με γινόμενο μεταξύ του χρόνου καθυστέρησης ανά πύλη (που εκφράζεται σε δευτερόλεπτα) και της κατανάλωσης ισχύος ανά πύλη (που εκφράζεται σε W) και το οποίο είναι λιγότερο από 10-14 J, ή

2. Επιλογή συχνοτήτων σε όλες τις συχνότητες με τη χρήση συντονισμένων κυκλωμάτων με τιμές Q άνω των 10000.

ε.

3A001 Συσκευές υψηλής ενέργειας, ως εξής:

1. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3.4.

Ηλεκτρικά στοιχεία ως εξής: Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1, η ενεργειακή πυκνότητα (Wh/kg) υπολογίζεται ως το γινόμενο της ονομαστικής τάσης σε βολτ επί την ονομαστική χωρητικότητα σε αμπερώρια (Ah) διά τη μάζα σε χιλιόγραμμα. Αν δεν δηλώνεται η ονομαστική χωρητικότητα, η ενεργειακή πυκνότητα υπολογίζεται ως το γινόμενο του τετραγώνου της ονομαστικής τάσης σε βολτ επί τη διάρκεια εκφόρτισης σε ώρες διαιρούμενο με το φορτίο εκφόρτισης σε ωμ και με τη μάζα σε χιλιόγραμμα. Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1, ως ηλεκτρικό στοιχείο νοείται κάθε ηλεκτροχημική διάταξη που διαθέτει θετικό και αρνητικό ηλεκτρόδιο και ηλεκτρολύτη και αποτελεί πηγή ηλεκτρικής ενέργειας. Τα ηλεκτρικά στοιχεία αποτελούν τις βασικές μονάδες από τις οποίες συντίθενται οι ηλεκτρικές στήλες. Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1.α, ως πρωτογενές ηλεκτρικό στοιχείο νοείται κάθε ηλεκτρικό στοιχείο που δεν είναι σχεδιασμένο για να φορτίζεται από άλλη πηγή. Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ε.1.β, ως δευτερογενές ηλεκτρικό στοιχείο νοείται κάθε ηλεκτρικό στοιχείο σχεδιαζόμενο ώστε να φορτίζεται από εξωτερική πηγή ηλεκτρισμού. Σημείωση: Στο σημείο 3Α001.ε.1. εμπίπτουν οι μπαταρίες, έστω και αν αποτελούνται από ένα μόνο ηλεκτρικό στοιχείο.

1. α.

Πρωτογενή στοιχεία με ενεργειακή πυκνότητα άνω των 550 Wh/kg στους 20 °C,

β.

Δευτερογενή στοιχεία με ενεργειακή πυκνότητα άνω των 300 Wh/kg στους 20 °C.

2. Πυκνωτές με υψηλή ενεργειακή χωρητικότητα ως εξής: ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΤΟ ΣΗΜΕΙΟ 3A201.α και τους Ελέγχους Στρατιωτικών Προϊόντων.

2. α.

Πυκνωτές με ρυθμό επανάληψης κάτω από 10 Hz (πυκνωτές μιας κρούσης) και που έχουν όλα τα ακόλουθα:

1. Ονομαστική τάση ίση ή ανώτερη από 5 kV,

2. Ενεργειακή πυκνότητα ίση ή ανώτερη από 250 J/kg, και

3. Συνολική ενέργεια ίση ή ανώτερη από 25 kJ.

β.

Πυκνωτές με ρυθμό επανάληψης 10 Hz ή παραπάνω (επαναληπτικοί πυκνωτές) και που έχουν όλα τα ακόλουθα:

1. Ονομαστική τάση ίση ή ανώτερη από 5 kV,

2. Ενεργειακή πυκνότητα ίση ή ανώτερη από 50 J/kg.

3. Συνολική ενέργεια ίση ή ανώτερη από 100 J, και

4. Κύκλο ζωής για φόρτιση και εκφόρτιση ίσο ή ανώτερο από 10000.

3. Υπεραγώγιμοι ηλεκτρομαγνήτες ή σωληνοειδή τα οποία έχουν σχεδιαστεί ειδικά ώστε να φορτίζονται πλήρως, ή να εκφορτίζονται, σε λιγότερο από ένα δευτερόλεπτο και που έχουν όλα τα ακόλουθα: ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 3Α201.β. Σημείωση: Στο σημείο 3Α001.ε.3 δεν υπάγονται υπεραγώγιμοι ηλεκτρομαγνήτες ή σωληνοειδή τα οποία έχουν κατασκευαστεί ειδικά για ιατρικό εξοπλισμό απεικόνισης με τη βοήθεια Μαγνητικού Συντονισμού (Magnetic Resonance Imaging).

3. α.

Ενέργεια που αποδίδεται κατά τη διάρκεια της εκφόρτισης η οποία υπερβαίνει τα 10 kJ το πρώτο δευτερόλεπτο,

β.

Εσωτερική διάμετρο των ρευματοφόρων περιελίξεων ανώτερη από 250 mm, και

γ.

Ονομαστική μαγνητική επαγωγή άνω των 8 Τ ή συνολική πυκνότητα ρεύματος στις περιελίξεις που είναι ανώτερη από 300 A/mm2.

4. Τεχνική παρατήρηση:

3A001 ε. Φωτοβολταϊκά στοιχεία, συναρμολογήματα υαλοκαλυπτρών διασυνδεδεμένων στοιχείων (CIC), φωτοβολταϊκοί επίπεδοι συλλέκτες και φωτοβολταϊκές συστοιχίες, κατάλληλα για διαστημική χρήση, με ελάχιστη μέση απόδοση άνω του 20 % σε θερμοκρασία λειτουργίας 301 K (28 °C) υπό προσομοιωμένο φωτισμό μηδενικής μάζας αέρα AM0, με πυκνότητα ακτινοβολίας 1367 (W/m2), Ο όρος μηδενικής μάζας αέρα (AM0) αναφέρεται στη φασματική πυκνότητα ακτινοβολίας του ηλιακού φωτός στην εξώτερη ατμόσφαιρα της γης, όταν η απόσταση γης-ηλίου είναι μία αστρονομική μονάδα (ΑU).

στ.

Περιστροφικοί κωδικοποιητές τιμής απόλυτης θέσης τύπου εισόδου που έχουν ακρίβεια ίση ή μικρότερη (καλύτερη) από ± 1,0 δευτερόλεπτα τόξου.

ζ. Τεχνική παρατήρηση:

Συσκευές και μονάδες στερεάς καταστάσεως με θυρίστορες για την παλμική μεταγωγή ηλεκτρισμού, που χρησιμοποιούν μεθόδους μεταγωγής ελεγχόμενες είτε ηλεκτρικώς, είτε οπτικώς, είτε με ακτινοβολία ηλεκτρονίων και έχουν οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά: Σημείωση 1: Στο 3Α001.ζ. περιλαμβάνονται: Σημείωση 2: Στο σημείο 3A001.ζ δεν εμπίπτουν οι συσκευές και μονάδες με θυρίστορες οι ενσωματωμένες σε εξοπλισμό προοριζόμενο για εφαρμογές σε πολιτικούς σιδηροδρόμους και πολιτικά αεροσκάφη. Για τους σκοπούς του σημείου 3A001.ζ, οι μονάδες με θυρίστορες περιέχουν μία ή περισσότερες συσκευές με θυρίστορες.

ζ.

1. Ανώτατη ταχύτητα αύξησης του ρεύματος (di/dt) κατά το άναμμα άνω των 30000 A/μs και τάση σε κατάσταση σβηστή άνω των 1100 V, ή

2. Ανώτατη ταχύτητα αύξησης του ρεύματος (di/dt) κατά το άναμμα άνω των 2000 A/μs και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

2. α.

Ανώτατη τάση σε κατάσταση σβηστή τουλάχιστον 3000 V, και

β.

Ρεύμα αιχμής τουλάχιστον 3000 A.

Silicon Controlled Rectifiers (SCR)

Electrical Triggering Thyristors (ETT)

Light Triggering Thyristors (LTT)

Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCT)

Gate Turn-off Thyristors (GTO)

MOS Controlled Thyristors (MCT)

Solidtron.

η. Τεχνική παρατήρηση:

Διακόπτες, δίοδοι ή μονάδες ημιαγωγών ισχύος στερεάς κατάστασης, που έχουν όλα τα ακόλουθα: Σημείωση 1: Η επαναληπτική ανώτατη τάση σε κατάσταση σβηστή στο 3Α001.η. περιλαμβάνει τάση από drain προς πηγή, τάση από συλλέκτη προς εκπομπό, επαναληπτική ανώτατη αντίστροφη τάση και ανώτατη επαναληπτική τάση εμπλοκής σε κατάσταση σβηστή. 3A001 η.Σημείωση 2: Στο 3Α001.η. περιλαμβάνονται: Σημείωση 3: Στο σημείο 3A001.η. δεν υπάγονται διακόπτες, δίοδοι ή μονάδες που ενσωματώνονται σε εξοπλισμό προοριζόμενο για εφαρμογές σε πολιτικούς σιδηροδρόμους και πολιτικά αεροσκάφη. Για τους σκοπούς του σημείου 3Α001.η., οι μονάδες περιέχουν έναν ή περισσότερους διακόπτες ή διόδους ημιαγωγών ισχύος στερεάς κατάστασης.

η.

1. Ονομαστική λειτουργία σε μέγιστη λειτουργική θερμοκρασία άνω των 488 K (215 °C),

2. Επαναληπτική ανώτατη τάση αιχμής σε κατάσταση σβηστή (τάση εμπλοκής) που υπερβαίνει τα 300 V, και

3. Συνεχή ροή μεγαλύτερη από 1 Α.

Junction Field Effect Transistors (JFETs)

Vertical Junction Field Effect Transistors (VJFETs)

Metal Oxide Semiconductor Field effect Transistors (MOSFETs)

Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (DMOSFET)

Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

High Electron Mobility Transistors (HEMTs)

Bipolar Junction Transistors (BJTs)

Thyristors and Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)

Gate Turn-Off Thyristors (GTOs)

Emitter Turn-Off Thyristors (ETOs)

PiN Diodes

Schottky Diodes

α.

Εξοπλισμός καταγραφής και παλμογράφοι ως εξής:

1. Δεν χρησιμοποιείται,

2. Δεν χρησιμοποιείται,

3. Δεν χρησιμοποιείται,

4. Δεν χρησιμοποιείται,

5. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.

Μετατροπείς κυματομορφών σε ψηφιακή μορφή και καταγραφείς μεταβατικών φαινομένων, που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: Για όργανα με αρτηρία (bus) παραλλήλου αρχιτεκτονικής, ο ρυθμός συνεχούς διεκπεραίωσης είναι ο υψηλότερος ρυθμός λέξεων πολλαπλασιασμένος επί τον αριθμό bits σε μια λέξη. Συνεχής διεκπεραίωση είναι ο ταχύτερος ρυθμός δεδομένων τον οποίο το όργανο μπορεί να προωθήσει στην εκροή προς τη μαζική μνήμη, χωρίς απώλεια πληροφοριών, διατηρώντας παράλληλα το ρυθμό δειγματοληψίας και τη μετατροπή αναλογικού προς ψηφιακό.

5. α.

Ρυθμό ψηφιακής μετατροπής τουλάχιστον 200 εκατ. δειγμάτων ανά δευτερόλεπτο και διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 10 bit, και

β.

Συνεχή διεκπεραίωση τουλάχιστον 2 Gbit/s.

6. Τεχνική παρατήρηση:

3A002 α. Συστήματα καταγραφής δεδομένων με ψηφιακά όργανα που χρησιμοποιούν τεχνικές αποθήκευσης με μαγνητικούς δίσκους και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά και ειδικά σχεδιασμένοι ψηφιακοί καταγραφείς για αυτά: Τα συστήματα καταγραφής δεδομένων με ψηφιακά όργανα μπορούν να διαμορφωθούν με ψηφιοποιητή είτε ενσωματωμένο εσωτερικά είτε εκτός του ψηφιακού καταγραφέα.

6. α.

Ρυθμό ψηφιοποιημένων δεδομένων οργάνων τουλάχιστον 100 εκατ. δείγματα ανά δευτερόλεπτο με διακριτική ικανότητα τουλάχιστον 8 bit, και

β.

Συνεχή διεκπεραίωση τουλάχιστον 1 Gbit/s.

7. Παλμογράφοι πραγματικού χρόνου που έχουν πραγματική τιμή (rms) τάσης θορύβου μικρότερη από 2 % της πλήρους κλίμακας στην κάθετη κλίμακα που ορίζει την ελάχιστη τιμή θορύβου για κάθε εύρος ζώνης εισόδου 3 dB των 60 GHz και άνω ανά δίαυλο, Σημείωση: Στο σημείο 3A002.α.7. δεν υπάγονται οι παλμογράφοι δειγματοληψίας ισοδύναμου χρόνου.

β.

Δεν χρησιμοποιείται,

γ.

Συστήματα ανάλυσης σημάτων ραδιοσυχνοτήτων ως εξής:

1. Συστήματα ανάλυσης σημάτων και με διακριτική ικανότητα εύρους ζώνης (RBW) 3 dB άνω των 10 MHz οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων άνω των 31,8 GHz αλλά όχι άνω των 37,5 GHz,

2. Συστήματα ανάλυσης σημάτων με αναγραφόμενη μέση στάθμη θορύβου (DANL) κάτω των (καλύτερη από) -150 dBm/Hz οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων άνω των 43,5 GHz αλλά όχι άνω των 75 GHz,

3. Συστήματα ανάλυσης σημάτων με συχνότητα άνω των 75 GHz,

4. Συστήματα ανάλυσης σημάτων με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: Σημείωση: Στο σημείο 3Α002.γ.4. δεν υπάγονται τα συστήματα ανάλυσης σημάτων που χρησιμοποιούν μόνο φίλτρα σταθερού ποσοστιαίου εύρους ζώνης (γνωστά και σαν φίλτρα οκτάβας ή κλασματικής οκτάβας).

4. α.

Εύρος ζώνης πραγματικού χρόνου που υπερβαίνει τα 85 MHz, και

β. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.

100 % πιθανότητα ανακάλυψης με μείωση μικρότερη των 3 dB από το πλήρες πλάτος εξαιτίας κενών ή παραθύρων (windowing effects) στα σήματα που έχουν διάρκεια 15 μs ή μικρότερη, Η πιθανότητα ανακάλυψης στο σημείο 3A002.γ.4.β. αναφέρεται και ως πιθανότητα αναχαίτισης ή πιθανότητα δέσμευσης. Για τους σκοπούς του σημείου 3A002.γ.4.β., η διάρκεια για πιθανότητα ανακάλυψης 100 % είναι ισοδύναμη με την ελάχιστη διάρκεια σήματος που απαιτείται για την αβεβαιότητα μετρήσεων της προσδιοριζόμενης στάθμης.

5. Συστήματα ανάλυσης σημάτων που έχουν λειτουργία ενεργοποιητή μάσκας συχνότητας με 100 % πιθανότητα ενεργοποίησης (δέσμευσης) σημάτων διάρκειας 15 μs ή μικρότερης,

δ. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.

Γεννήτριες σημάτων με σύνθεση συχνοτήτων που παράγουν συχνότητες εξόδου με ακρίβεια και βραχυπρόθεσμη και μακροπρόθεσμη σταθερότητα που ελέγχεται, παράγεται ή διορθώνεται από τον εσωτερικό ταλαντευτή αναφοράς και έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: Σημείωση 1: Για τους σκοπούς του σημείου 3A002.δ., στις γεννήτριες σημάτων με σύνθεση συχνοτήτων περιλαμβάνονται οι γεννήτριες σημάτων τυχούσας κυματομορφής και συνάρτησης. Σημείωση 2: Στο σημείο 3Α002.δ. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός στον οποίο η συχνότητα εξόδου παράγεται, είτε μέσω της πρόσθεσης ή αφαίρεσης δύο ή περισσοτέρων συχνοτήτων που παράγει κρυσταλλικός ταλαντωτής, είτε από την πρόσθεση ή αφαίρεση την οποία ακολουθεί πολλαπλασιασμός του αποτελέσματος. Η μέγιστη συντιθέμενη συχνότητα μιας γεννήτριας σημάτων τυχούσας κυματομορφής ή συνάρτησης υπολογίζεται διαιρώντας το ρυθμό δειγματοληψίας, σε δείγματα ανά δευτερόλεπτο, με συντελεστή 2,5. Για τους σκοπούς του σημείου 3A002.δ.1.α, η διάρκεια παλμού ορίζεται ως το χρονικό διάστημα από το σημείο του πρόσθιου άκρου που αντιστοιχεί στο 50 % του πλάτους του παλμού έως το σημείο του οπίσθιου άκρου που αντιστοιχεί στο 50 % του πλάτους του παλμού.

δ.

1. Ισχύ εξόδου άνω των 31,62 mW (15 dBm) οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων λειτουργίας άνω των 43,5 GHz και έως και 75 GHz,

2. Ισχύ εξόδου άνω των 1 mW (0 dBm) οπουδήποτε εντός της ζώνης συχνοτήτων λειτουργίας άνω των 75 GHz και έως και 110 GHz,

3. Τεχνική Σημείωση:

3A002 ε. Λειτουργία μέτρησης μη γραμμικού διανύσματος σε συχνότητες άνω των 50 GHz και έως και 110 GHz, ή Λειτουργία μέτρησης μη γραμμικού διανύσματος είναι η ικανότητα ενός οργάνου να αναλύει τα αποτελέσματα δοκιμών συσκευών που οδηγούνται στη περιοχή του μεγάλου σήματος ή στο εύρος της μη γραμμικής παραμόρφωσης.

4. Μέγιστη λειτουργική συχνότητα άνω των 110 GHz.

στ.

Δοκιμαστικοί μικροκυματικοί δέκτες που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Μέγιστη λειτουργική συχνότητα άνω των 110 GHz, και

2. Μπορούν να μετρήσουν συγχρόνως το πλάτος και τη φάση.

ζ.

Πρότυπα ατομικής συχνότητας που έχουν ένα από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Είναι κατάλληλα για διαστημική χρήση,

2. Δεν βασίζονται σε ρουβιδίο και έχουν μακροπρόθεσμη σταθερότητα (γήρανση) μικρότερη (καλύτερη) από 1 × 10-11/μήνα, ή

3. Δεν είναι κατάλληλα για διαστημική χρήση και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

3. α.

Αποτελούν πρότυπα ρουβιδίου,

β.

Μακροπρόθεσμη σταθερότητα μικρότερη (καλύτερη) από 1 × 10-11/μήνα, και

γ.

Συνολική κατανάλωση ενέργειας κάτω του 1 W.

α.

Μετατροπείς αναλογικού σε ψηφιακό που μπορούν να χρησιμοποιηθούν σε βλήματα και που έχουν σχεδιαστεί για να πληρούν στρατιωτικές προδιαγραφές για ανθεκτικό εξοπλισμό,

β.

Επιταχυντές ικανοί να αποδώσουν ηλεκτρομαγνητική ακτινοβολία που παράγεται από ακτινοβολία επιβράδυνσης από επιταχυνόμενα ηλεκτρόνια ύψους 2 MeV ή παραπάνω, και συστήματα που περιέχουν τους επιταχυντές αυτούς. Σημείωση: Το παραπάνω σημείο 3Α101.β. δεν περιλαμβάνει εξοπλισμό ο οποίος έχει ειδικά σχεδιαστεί για ιατρικούς σκοπούς.

3A Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. α.

Πυκνωτές με μία από τις ακόλουθες ομάδες χαρακτηριστικών:

1. α.

Ονομαστική τάση πάνω από 1,4 kV,

β.

Αποθήκευση ενέργειας ανώτερη από 10 J,

γ.

Χωρητικότητα πάνω από 0,5 μF, και

δ.

Αυτεπαγωγή σειράς μικρότερη από 50 nH, ή

2. α.

Ονομαστική τάση πάνω από 750 V,

β.

Χωρητικότητα πάνω από 0,25 μF, και

γ.

Αυτεπαγωγή σειράς μικρότερη από 10 nH.

β.

Υπεραγώγιμοι σωληνοειδείς ηλεκτρομαγνήτες που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: Σημείωση: Το σημείο 3Α201.β. δεν θέτει υπό έλεγχο μαγνήτες που έχουν ειδικά σχεδιαστεί και εξάγονται ως μέρος ιατρικών συστημάτων απεικόνισης που βασίζονται σε πυρηνικό μαγνητικό συντονισμό (nuclear magnetic resonance). Η φράση ως μέρος δεν σημαίνει κατ' ανάγκη ότι αποτελεί υλικό τμήμα της ίδιας αποστολής. Επιτρέπονται ξεχωριστές αποστολές από διαφορετικές πηγές υπό τον όρο τα σχετικά εξαγωγικά έγγραφα να καθορίζουν σαφώς ότι οι αποστολές διακινούνται ως μέρος των συστημάτων απεικόνισης.

1. Ικανότητα να δημιουργούν μαγνητικά πεδία άνω των 2 T,

2. Λόγο μήκους προς εσωτερική διάμετρο μεγαλύτερο από 2,

3. Εσωτερική διάμετρο άνω των 300 mm, και

4. Ομοιογένεια μαγνητικού πεδίου καλύτερη από 1 % όταν μετριέται στο κεντρικό 50 % του εσωτερικού όγκου.

γ. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.3.4.

Γεννήτριες ακτίνων Χ στιγμιαίας λειτουργίας, ή παλμικοί επιταχυντές ηλεκτρονίων με ένα από τα ακόλουθα σύνολα χαρακτηριστικών: Σημείωση: Το σημείο 3Α201.γ. δεν καλύπτει τους επιταχυντές που αποτελούν δομικά στοιχεία συσκευών που έχουν σχεδιαστεί για σκοπούς άλλους εκτός από την ακτινοβολία με ακτίνες Χ ή με ηλεκτρονική δέσμη (για παράδειγμα ηλεκτρονικά μικροσκόπια), καθώς και συσκευών που έχουν σχεδιαστεί για ιατρικούς σκοπούς. Ο συντελεστής κέρδους Κ ορίζεται ως εξής: K = 1,7 × 103 × V2,65 × Q όπου V είναι η ανώτατη ενέργεια των ηλεκτρονίων σε MeV, και Q είναι το συνολικό φορτίο σε Coulomb που έχει επιταχυνθεί, αν η διάρκεια της παλμικής δέσμης του επιταχυντή είναι μικρότερη από ή ίση προς 1 μικροδευτερόλεπτο. Αν η διάρκεια της παλμικής δέσμης του επιταχυντή είναι μεγαλύτερη από 1 μικροδευτερόλεπτο, τότε το Q είναι το μέγιστο φορτίο που επιταχύνεται σε 1 μικροδευτερόλεπτο. Το Q είναι ίσο με το ολοκλήρωμα του i ως προς το t επί το μικρότερο από τους δύο χρόνους, δηλαδή 1 μικροδευτερόλεπτο ή τη διάρκεια σε χρόνο της παλμικής δέσμης (Q = ∫ idt), όπου i είναι το ρεύμα της δέσμης σε αμπέρ και t είναι ο χρόνος σε δευτερόλεπτα Ανώτατη ισχύς είναι το γινόμενο του μέγιστου δυναμικού (σε βολτ) επί το μέγιστο ρεύμα δέσμης (σε αμπέρ). 3A201 γ. Στις μηχανές που βασίζονται σε κοιλότητες επιταχύνσεως μικροκυμάτων, ο χρόνος διάρκειας της παλμικής δέσμης είναι το μικρότερο από τις δύο ποσότητες, δηλαδή 1 μs ή τη διάρκεια του συμπιεσμένου πακέτου δέσμης που προκύπτει από έναν παλμό μικροκυματικού διαμορφωτή. Στις μηχανές που βασίζονται σε κοιλότητες επιτάχυνσης μικροκυμάτων το μέγιστο ρεύμα δέσμης ισούται με το μέσο ρεύμα κατά τη διάρκεια σε χρόνο ενός συμπιεσμένου πακέτου δέσμης.

γ.

1. α.

Ανώτατη ενέργεια ηλεκτρονίων στον επιταχυντή 500 keV και άνω, αλλά κάτω των 25 MeV, και

β.

Συντελεστή κέρδους (Κ) 0,25 ή παραπάνω, ή

2. α.

Ανώτατη ενέργεια ηλεκτρονίων στον επιταχυντή 25 MeV και άνω, και

β.

Ανώτατη ισχύ μεγαλύτερη από 50 MW.

α.

Πολυφασική έξοδο που αποδίδει ισχύ 40 VA ή παραπάνω,

β.

Λειτουργία σε συχνότητα 600 Hz και άνω, και

γ.

Έλεγχο συχνότητας καλύτερο (κάτω) από 0,2 %.

1. Χρειάζεται να επιστραφούν στον αρχικό κατασκευαστή για τη διενέργεια βελτιώσεων ή την αποδέσμευση των περιορισμών,

2. Απαιτούν το λογισμικό που προσδιορίζεται στο σημείο 3D225 για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 3D225, ή

3. Απαιτούν την τεχνολογία υπό τη μορφή κλειδών που προσδιορίζονται στο σημείο 3E225 για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 3A225.

3A Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. α.

μπορούν να παράγουν συνεχώς, σε χρονική περίοδο 8 ωρών, 100 V ή παραπάνω, με ρεύμα εξόδου 500 Α ή παραπάνω, και

β.

εμφανίζουν σταθερότητα τάσης ή ρεύματος καλύτερη από 0,1 % σε χρονική περίοδο 8 ωρών.

α.

μπορούν να παράγουν συνεχώς, σε χρονική περίοδο 8 ωρών, 20 kV ή παραπάνω, με ρεύμα εξόδου 1 Α ή παραπάνω, και

β.

εμφανίζουν σταθερότητα τάσης ή ρεύματος καλύτερη από 0,1 % σε χρονική περίοδο 8 ωρών.

α.

Λυχνίες κρύας καθόδου, είτε γεμισμένες με αέριο είτε όχι, που λειτουργούν παρόμοια με διάκενο σπινθηρισμού και έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: Σημείωση: το σημείο 3Α228 περιλαμβάνει τις λυχνίες τύπου krytron με αέριο και sprytron με κενό.

1. Τρία ή περισσότερα ηλεκτρόδια,

2. Ανώτατη ονομαστική τάση ανόδου 2,5 kV ή παραπάνω,

3. Ανώτατη ονομαστική τιμή ρεύματος ανόδου 100 Α ή παραπάνω, και

4. Χρόνο καθυστέρησης ανόδου 10 μικροδευτερόλεπτα ή λιγότερο.

β.

Διάκενα σπινθηρισμού με σκανδαλισμό που έχουν αμφότερα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Χρόνο καθυστέρησης ανόδου 15 μικροδευτερόλεπτα ή λιγότερο, και

2. Ονομαστική ανώτατη τιμή ρεύματος ανόδου 500 Α ή παραπάνω.

γ.

Μονάδες ή συναρμολογήσεις με ταχεία λειτουργία μεταγωγής, πλην των προσδιοριζόμενων στο σημείο 3Α001.ζ ή 3A001.η, που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Ανώτατη ονομαστική τάση ανόδου άνω των 2 kV,

2. Ανώτατη ονομαστική τιμή ρεύματος ανόδου 500 Α ή παραπάνω, και

3. Χρόνο ενεργοποίησης 1 μικροδευτερολέπτου ή λιγότερο.

α.

Συσκευές πυροδότησης για εκρηκτικούς πυροκροτητές (συστήματα έναυσης/πυροδότησης) συμπεριλαμβανομένων συσκευών πυροδότησης που φορτίζονται ηλεκτρονικά, που λειτουργούν εκρηκτικά και οπτικά, εκτός από εκείνες που ορίζονται στο σημείο 1A007.α., που έχουν σχεδιαστεί για να συνδέονται με πολλαπλούς εκρηκτικούς πυροκροτητές του σημείου 1A007.β.

β.

Βαθμιδωτές ηλεκτρικές παλμογεννήτριες (pulsers) που έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: Σημείωση: Το σημείο 3Α229.β. περιλαμβάνει και συσκευές με λυχνίες εκκενώσεως ξένου.

1. Έχουν σχεδιαστεί για να είναι φορητές, κινητές ή ανθεκτικές,

2. Μπορούν να αποδώσουν την ενέργειά τους σε λιγότερο από 15 μικροδευτερόλεπτα σε φορτία μικρότερα από 40 ohms,

3. Έχουν ρεύμα εξόδου μεγαλύτερο από 100 Α,

4. Καμία από τις διαστάσεις τους δεν είναι μεγαλύτερη από 30 mm,

5. Το βάρος τους είναι μικρότερο από 30 kg, και

6. Οι προδιαγραφές τους είναι για χρήση σε εκτεταμένο φάσμα θερμοκρασιών 223 K (- 50 °C) έως 373 K (100 °C) ή για αεροδιαστημικές εφαρμογές.

γ.

Μονάδες μικρο-πυροδότησης με όλα τα εξής χαρακτηριστικά:

1. Καμία από τις διαστάσεις τους δεν είναι μεγαλύτερη από 35 mm,

2. Τάση ίση ή μεγαλύτερη από 1 kV, και

3. Χωρητικότητα ίση ή μεγαλύτερη από 100 nF.

α.

Τάση εξόδου ανώτερη από 6 V όταν συνδέονται με φορτίο αντίστασης μικρότερο από 55 Ω, και

β.

Χρόνο μετάβασης παλμού κάτω από 500 πικο-δευτερόλεπτα.

3A Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. α.

Έχουν σχεδιαστεί για λειτουργία χωρίς εξωτερικό σύστημα κενού, και

β.

που χρησιμοποιούν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1. ηλεκτροστατική επιτάχυνση ώστε να προκαλέσουν πυρηνική αντίδραση τριτίου-δευτερίου, ή

2. ηλεκτροστατική επιτάχυνση ώστε να προκαλέσουν πυρηνική αντίδραση δευτερίου-δευτερίου, ικανά για παραγωγή 3 × 109 νετρονίων/s ή μεγαλύτερη.

α.

Δεν χρησιμοποιείται,

β.

Συστήματα που χρησιμοποιούν απλούς ή πολλαπλούς πυροκροτητές και έχουν σχεδιαστεί για να προκαλούν σχεδόν ταυτόχρονα την έναυση μιας εκρηκτικής επιφάνειας εμβαδού άνω των 5000 mm2 από ένα μόνο σήμα πυροδότησης με χρόνο έναυσης όπως εκτείνεται στην επιφάνεια λιγότερο από 2,5 μικροδευτερόλεπτα.

α.

Επαγωγικά συζευγμένοι φασματογράφοι μάζας πλάσματος (ICP/ΜS).

β.

Φασματογράφοι μάζας εκκένωσης με διαύγεια (GDMS).

γ.

Φασματογράφοι μάζας με θερμικό ιονισμό (TIMS),

δ.

Φασματογράφοι μάζας βομβαρδισμού ηλεκτρονίων, με τα ακόλουθα δύο χαρακτηριστικά:

1. Σύστημα εισαγωγής μοριακής δέσμης που εγχέει μια παραλληλισμένη δέσμη μορίων αναλύτη σε μια περιοχή της πηγής ιόντων όπου τα μόρια ιονίζονται από τη δέσμη ηλεκτρονίων, και

2. Μία ή περισσότερες ψυχρές παγίδες που μπορούν να ψυχθούν στους 193 K (- 80 °C),

ε.

Δεν χρησιμοποιείται,

στ.

Φασματογράφοι μάζας εξοπλισμένοι με πηγή ιόντων μικροφθορίωσης που έχουν σχεδιαστεί για ακτινίδες ή φθοριούχες ακτινίδες.

3A Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2. α.

Τάση μεγαλύτερη από 2 kV, και

β.

Αυτεπαγωγή μικρότερη από 20 nH.

3B Εξοπλισμός Δοκιμών, Ελέγχου και Παραγωγής 3B001 Εξοπλισμός για παραγωγή συσκευών με ημιαγωγούς, ή υλικών ημιαγωγών, ως εξής, και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία και εξαρτήματα για τον σκοπό αυτό: 3B002 Εξοπλισμός δοκιμών που έχει ειδικά σχεδιαστεί για να δοκιμάζονται τελειωμένες ή ημιτελείς συσκευές ημιαγωγών, ως εξής, και δομικά στοιχεία και εξαρτήματα που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για τον εξοπλισμό αυτό:

3B α.

Εξοπλισμός σχεδιασμένος για επιταξιακή ανάπτυξη, ως εξής:

1. Εξοπλισμός που μπορεί να παράγει στρώμα οποιουδήποτε άλλου υλικού πλην πυριτίου ομοιογενούς πάχους με διαφορά λιγότερη από ± 2,5 % σε απόσταση 75 mm ή παραπάνω, Σημείωση: Το σημείο 3B001.α.1. περιλαμβάνει εξοπλισμό επίταξης ατομικού στρώματος (Atomic Layer Epitaxy - ALE).

2. Αντιδραστήρες για χημική εναπόθεση ατμών οργανικών μεταλλικών ενώσεων (ΜΟCVD), που έχουν σχεδιαστεί για την επιταξιακή ανάπτυξη από σύνθετους ημιαγωγούς υλικών που έχουν δύο ή περισσότερα από τα ακόλουθα στοιχεία: αργίλιο, γάλλιο, ίνδιο, αρσενικό, φωσφόρο, αντιμόνιο ή άζωτο.

3. Εξοπλισμός επιταξιακής ανάπτυξης μέσω μοριακής δέσμης ο οποίος χρησιμοποιεί αέριες ή στερεές πηγές.

β.

Εξοπλισμός σχεδιασμένος για εμφύτευση ιόντων που έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Δεν χρησιμοποιείται,

2. Σχεδιασμένος και βελτιστοποιημένος για λειτουργία με ενέργεια δέσμης 20 keV και άνω και ρεύμα δέσμης 10 mA και άνω, για εμφύτευση υδρογόνου, δευτερίου ή ηλίου,

3. Δυνατότητα απευθείας εγγραφής,

4. Ενέργεια δέσμης 65 keV και άνω και ρεύμα δέσμης 45 mA και άνω, για εμφύτευση οξυγόνου υψηλής ενέργειας πάνω σε θερμαινόμενο υπόστρωμα ημιαγωγού, ή

5. Σχεδιασμένος και βελτιστοποιημένος για λειτουργία με ενέργεια δέσμης 20 keV και άνω και ρεύμα δέσμης 10 mA και άνω, για εμφύτευση πυριτίου πάνω σε υπόστρωμα ημιαγωγού θερμασμένου στους 600 °C και άνω,

γ.

Εξοπλισμός για ξερή χάραξη μέσω ανισότροπου πλάσματος με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά:

1. Σχεδιασμένος ή βελτιστοποιημένος για να παράγει κρίσιμες διαστάσεις 65 nm ή μικρότερες, και

2. Με ανομοιομορφία εντός του πλακιδίου έως και 10 % 3σ, μετρούμενη με αποκλεισμό άκρων 2 mm και κάτω.

δ.

Δεν χρησιμοποιείται,

ε. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.

Κεντρικά συστήματα χειρισμού πλακιδίων (wafer), πολλαπλών θαλάμων, αυτόματης φόρτωσης, τα οποία έχουν όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: Σημείωση: Στο σημείο 3Β001.ε. δεν υπάγονται τα αυτόματα ρομποτικά συστήματα χειρισμού πλακιδίων τα ειδικά σχεδιασμένα για την παράλληλη επεξεργασία πλακιδίων. Για τους σκοπούς του σημείου 3B001.ε, ως εργαλεία επεξεργασίας ημιαγωγών νοούνται τα σπονδυλωτά εργαλεία που επιτελούν λειτουργικά διαφορετικές φυσικές διεργασίες, όπως π.χ. επικάθηση, χάραξη, εμφύτευση ή θερμική επεξεργασία, για την παραγωγή ημιαγωγών Για τους σκοπούς του σημείου 3B001.ε, ως σειριακή επεξεργασία πολλαπλών πλακιδίων νοείται η ικανότητα επεξεργασίας κάθε πλακιδίου με διαφορετικά εργαλεία επεξεργασίας ημιαγωγών, π.χ. με τη μεταφορά κάθε πλακιδίου από ένα εργαλείο σε άλλο και από εκεί σε τρίτο με τη βοήθεια των κεντρικών συστημάτων χειρισμού πλακιδίων πολλαπλών θαλάμων και αυτόματης φόρτωσης.

ε.

1. Διεπαφές για είσοδο και έξοδο πλακιδίων, στις οποίες μπορούν ως εκ του σχεδιασμού να συνδεθούν περισσότερα από δύο λειτουργικώς διαφορετικά εργαλεία επεξεργασίας ημιαγωγών προσδιοριζόμενα στο 3B001.α, 3B001.β ή 3B001.γ, και

2. Είναι σχεδιασμένα για να αποτελέσουν ένα ολοκληρωμένο σύστημα σε περιβάλλον κενού για σειριακή επεξεργασία πολλαπλών πλακιδίων.

στ.

3B001 Εξοπλισμός λιθογραφίας, ως εξής:

1. Εξοπλισμός ευθυγράμμισης και έκθεσης step and repeat (με άμεσο βήμα πάνω στο πλακίδιο) ή step and scan (με σάρωση) για την επεξεργασία πλακιδίων με τη χρήση φωτο-οπτικών μεθόδων ή μεθόδων ακτίνων Χ και ο οποίος έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1. α.

Μήκος κύματος φωτεινής πηγής βραχύτερο από 245 nm, ή

β. Τεχνική παρατήρηση:

Ικανότητα να συνθέτει σχήματα με ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος (MRF) 95 nm ή μικρότερο. Το ελάχιστο διαχωρίσιμο μέγεθος γνωρίσματος (MRF) υπολογίζεται με τον εξής τύπο: MRFμήκος κύματος φωτεινής πηγής έκθεσης σε nmσυντελεστής Καριθμητικό διάφραγμα όπου ο συντελεστής K = 0,35.

2. Εξοπλισμός εντυπωτικής λιθογραφίας ικανός να παράγει λεπτομέρειες διαστάσεων 95 nm και κάτω. Σημείωση: Στο σημείο 3Β001.στ.2. περιλαμβάνονται:

Τα εργαλεία τυπογραφίας μικροεπαφής,

Τα εργαλεία θερμοεντύπωσης,

Τα εργαλεία νανοεντυπωτικής λιθογραφίας,

Τα εργαλεία εντυπωτικής λιθογραφίας με βήμα και λάμψη (step-and-flash)

3. Εξοπλισμός που έχει ειδικά σχεδιαστεί για την παραγωγή μασκών ή για επεξεργασία συσκευών ημιαγωγών με τη χρήση μεθόδων άμεσης εγγραφής και έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

3. α.

με τη χρήση εκτρεπόμενης εστιασμένης δέσμης ηλεκτρονίων, δέσμης ιόντων ή δέσμης λέιζερ, και

β.

Οποιοδήποτε από τα ακόλουθα:

1. Εστιακό μέγεθος μικρότερο από 0,2 μm,

2. Είναι ικανός να παράγει σχήμα με χαρακτηριστικό μέγεθος κάτω από 1 μm, ή

3. Ακρίβεια επικάλυψης καλύτερη από ± 0,20 μm (3 sigma).

ζ.

Μάσκες ή πλεγματίδια που έχουν σχεδιαστεί για ολοκληρωμένα κυκλώματα που καθορίζονται στο σημείο 3Α001.

η.

Μάσκες με πολλαπλά στρώματα που περιλαμβάνουν στρώμα ολίσθησης φάσης και οι οποίες δεν προσδιορίζονται στο σημείο 3B001.ζ., με οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: Σημείωση: Στο σημείο 3Β001.η. δεν υπάγονται οι μάσκες με πολλαπλά στρώματα που περιλαμβάνουν στρώμα ολίσθησης φάσης οι σχεδιασμένες για την κατασκευή συσκευών μνήμης που δεν υπάγονται στο σημείο 3Α001.

1. Κατασκευασμένες πάνω σε ακατέργαστο υπόστρωμα μάσκας από ύαλο που προσδιορίζεται ως έχουσα διπλή διάθλαση μικρότερη από 7 nm/cm, ή

2. Σχεδιασμένες για να χρησιμοποιηθούν σε εξοπλισμό λιθογραφίας που έχει μήκος κύματος πηγής φωτός μικρότερο από 245 nm,

θ.

Μακέτες εντυπωτικής λιθογραφίας σχεδιασμένες για τα ηλεκτρονικά κυκλώματα που προσδιορίζονται στο 3Α001.

α.

Για να δοκιμάζονται οι παράμετροι S συσκευών τρανζίστορ σε συχνότητες άνω των 31,8 GHz

β.

Δεν χρησιμοποιείται,

γ.

Για τη δοκιμή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων μικροκυμάτων προσδιοριζόμενων στο 3Α001.β.2.

3C Υλικά 3C001 Ετερο-επιταξιακά υλικά, που αποτελούνται από υπόστρωμα πάνω στο οποίο έχουν αποτεθεί επιταξιακά ανεπτυγμένα πολλαπλά στρώματα οποιουδήποτε από τα ακόλουθα υλικά: Σημείωση: Στο σημείο 3C001.δ. δεν υπάγεται υπόστρωμα που έχει ένα ή περισσότερα επιταξιακά στρώματα τύπου Ρ GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP ή InGaAlP, ανεξάρτητα από την αλληλουχία των στοιχείων, εκτός εάν το επιταξιακό στρώμα τύπου Ρ βρίσκεται μεταξύ στρωμάτων τύπου Ν. 3C002 Φωτοανθεκτικά υλικά, ως εξής, καθώς και υποστρώματα που έχουν επίστρωση των ακόλουθων φωτοανθεκτικών ουσιών: 3C003 Ενώσεις οργανικού με ανόργανο στοιχείο ως εξής: Σημείωση: Στο σημείο 3C003 υπάγονται μόνο οι ενώσεις των οποίων το μεταλλικό, μερικώς μεταλλικό ή μη μεταλλικό στοιχείο συνδέεται άμεσα με άνθρακα στο οργανικό τμήμα του μορίου. 3C004 Υδρίδια φωσφόρου, αρσενικού ή αντιμονίου που έχουν καθαρότητα καλύτερη από 99,999 %, ακόμη και αν έχουν διαλυθεί σε αδρανή αέρια ή υδρογόνο. Σημείωση: Στο σημείο 3C004 δεν υπάγονται υδρίδια που περιέχουν γραμμομοριακό ποσοστό 20 % και άνω αδρανή αέρια ή υδρογόνο. 3C005 Καρβίδιο του πυριτίου (SiC), νιτρίδιο του γαλλίου (GaN), νιτρίδιο του αργιλίου (AlN) ή νιτρίδιο του αργιλίου-γαλλίου (AlGaN) υποστρώματα ημιαγωγών, ή πλινθώματα, συνθετικοί κρύσταλλοι, ή άλλα προμορφώματα αυτών των υλικών, που έχουν ειδικές αντιστάσεις μεγαλύτερες από 10000 ωμ-cm στους 20 °C. 3C006 Υποστρώματα που καθορίζονται στο 3C005 με τουλάχιστον ένα επιταξιακό στρώμα καρβιδίου του πυριτίου, νιτριδίου του γαλλίου, νιτριδίου του αργιλίου ή νιτριδίου του αργιλίου-γαλλίου.

3C α.

Πυρίτιο (Si),

β.

Γερμάνιο (Ge),

γ.

Καρβίδιο του πυριτίου (SiC), ή

δ.

Σύνθετες ενώσεις των ομάδων III/V περιέχουσες γάλλιο ή ίνδιο.

α.

Φωτοανθεκτικά υλικά σχεδιασμένα για λιθογραφία με ημιαγωγούς, ως εξής:

1. Θετικά φωτοανθεκτικά υλικά προσαρμοσμένα (αριστοποιημένα) για να χρησιμοποιηθούν σε μήκη κύματος μικρότερα από 245 nm και ίσα ή μεγαλύτερα από 15 nm,

2. Φωτοανθεκτικά υλικά προσαρμοσμένα (αριστοποιημένα) για να χρησιμοποιηθούν σε μήκη κύματος μικρότερα από 15 nm και μεγαλύτερα από 1 nm,

β.

Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά για χρήση με δέσμες ηλεκτρονίων ή ιόντων που έχουν ευαισθησία 0,01 μcoulomb/mm2 ή καλύτερη,

γ.

Δεν χρησιμοποιείται,

δ.

Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά αριστοποιημένα για τεχνολογίες απεικόνισης επιφανειών,

ε.

Πάσης φύσεως φωτοανθεκτικά υλικά σχεδιασμένα ή αριστοποιημένα για χρήση με τον εξοπλισμό εντυπωτικής λιθογραφίας που καθορίζεται στο 3B001.στ.2. που χρησιμοποιούν είτε θερμική είτε φωτο-στυπωτική διαδικασία.

α.

Οργανομεταλλικές ενώσεις αργιλίου, γαλλίου ή ινδίου που έχουν καθαρότητα (με βάση το μέταλλο) καλύτερη από 99,999 %,

β.

Οργανικές ενώσεις αρσενικού, αντιμονίου και φωσφόρου που έχουν καθαρότητα (με βάση το ανόργανο στοιχείο) καλύτερη από 99,999 %.

3D Τεχνική παρατήρηση:

Λογισμικό 3D001 Λογισμικό που έχει ειδικά σχεδιαστεί για την ανάπτυξη ή παραγωγή εξοπλισμού που καθορίζεται στα σημεία 3Α001.β. έως 3Α002.ζ. ή 3Β. 3D002 Λογισμικό ειδικώς σχεδιασμένο για τη χρήση εξοπλισμού προδιαγραφόμενου στα σημεία 3B001.α. έως στ. ή 3B002 ή 3A225. 3D003 Λογισμικό προσομοίωσης, βασισμένο στη φυσική, ειδικά σχεδιασμένο για την ανάπτυξη διεργασιών λιθογραφίας, χάραξης ή εναπόθεσης ώστε τα σχήματα μάσκας να μεταφράζονται σε επιμέρους τοπογραφικά σχήματα με αγωγούς, διηλεκτρικά ή υλικά ημιαγωγών. Στο σημείο 3D003., οι λέξεις βασισμένο στη φυσική υποδηλώνουν ότι χρησιμοποιεί υπολογισμούς για να προσδιορίσει μια ακολουθία φυσικών αιτίων/αιτιατών βασισμένων σε φυσικές ιδιότητες (π.χ. θερμοκρασία, πίεση, σταθερές διάχυσης και ιδιότητες υλικών ημιαγωγών). Σημείωση: Οι βιβλιοθήκες, τα χαρακτηριστικά σχεδιασμού ή συναφή δεδομένα για το σχεδιασμό συσκευών ημιαγωγών ή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων θεωρούνται τεχνολογία. 3D004 Λογισμικό ειδικά σχεδιασμένο για την ανάπτυξη του εξοπλισμού που ορίζεται στο σημείο 3Α003. 3D101 Λογισμικό που έχει ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για τη χρήση εξοπλισμού που ορίζεται στο σημείο 3Α101.β. 3D225 Λογισμικό ειδικά σχεδιασμένο για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων ενός μετατροπέα ή μιας γεννήτριας συχνοτήτων ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 3A225.

3E Τεχνολογία 3E001 Τεχνολογία σύμφωνα με την Γενική Τεχνολογική Σημείωση για την ανάπτυξη ή παραγωγή εξοπλισμού ή υλικών που καθορίζονται στα σημεία 3Α, 3Β ή 3C. Σημείωση 1: Στο σημείο 3Ε001 δεν ελέγχεται η τεχνολογία για την παραγωγή εξοπλισμού ή δομικών στοιχείων που ελέγχονται σύμφωνα με το σημείο 3Α003. Σημείωση 2: Στο σημείο 3Ε001 δεν ελέγχεται η τεχνολογία για την ανάπτυξη ή παραγωγή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων προδιαγραφόμενων στα σημεία 3Α001.α.3. έως 3Α001.α.12., και που έχουν όλα τα ακόλουθα: 3E002 Τεχνολογία σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας, άλλη από την προσδιοριζόμενη στο 3Ε001, για την ανάπτυξη ή παραγωγή μικροκυκλωμάτων μικροεπεξεργαστών, μικροκυκλωμάτων μικροϋπολογιστών και πυρήνων μικροκυκλωμάτων μικροσυσκευών ελέγχου, με αριθμητική λογική μονάδα με εύρος προσπέλασης 32 bit και άνω και οποιοδήποτε από τα παρακάτω χαρακτηριστικά: Σημείωση 1: Στο σημείο 3E002 δεν εμπίπτει η τεχνολογία για την ανάπτυξη ή παραγωγή πυρήνων μικροεπεξεργαστών με όλα τα παρακάτω χαρακτηριστικά: Σημείωση 2: Στο σημείο 3E002 εμπίπτει η τεχνολογία για ψηφιακούς επεξεργαστές σήματος και συστοιχίες ψηφιακών επεξεργαστών. 3E003 Άλλη τεχνολογία για την ανάπτυξη ή παραγωγή των παρακάτω: 3E101 Τεχνολογία σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για τη χρήση εξοπλισμού ή λογισμικού που καθορίζεται στα σημεία 3Α001.α.1 ή 2, 3Α101, 3Α102 ή 3D101. 3E102 Τεχνολογία σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για την ανάπτυξη λογισμικού που καθορίζεται στο σημείο 3D101. 3E201 Τεχνολογία σύμφωνα με τη Γενική Σημείωση περί Τεχνολογίας για τη χρήση εξοπλισμού που καθορίζεται στα σημεία 3Α001.ε.2, 3Α001.ε.3., 3Α001.ζ., 3Α201, 3Α225 έως 3Α234. 3E225 Τεχνολογία υπό τη μορφή κωδικών ή κλειδών για τη βελτίωση ή την αποδέσμευση των επιδόσεων ενός μετατροπέα ή μιας γεννήτριας συχνοτήτων ώστε να πληρούνται τα χαρακτηριστικά του σημείου 3A225.

3E α.

Χρησιμοποιούν τεχνολογία 0,130 μm ή παραπάνω, και

β.

Περιλαμβάνουν δομές με πολλαπλά μεν στρώματα, αλλά με τρία το πολύ μεταλλικά στρώματα.

α. Τεχνική παρατήρηση:

Περιλαμβάνει διανυσματικό επεξεργαστή σχεδιασμένον ώστε να εκτελεί ταυτόχρονα περισσότερους από δύο υπολογισμούς επί διανυσμάτων κινητής υποδιαστολής (μονοδιάστατων πινάκων αριθμών 32 ή περισσότερων bit), Διανυσματικός επεξεργαστής λέγεται ένα στοιχείο επεξεργαστή με ενσωματωμένες εντολές που εκτελεί ταυτόχρονα πολλούς υπολογισμούς επί διανυσμάτων κινητής υποδιαστολής (μονοδιάστατων πινάκων αριθμών 32 ή περισσότερων bit) και έχει τουλάχιστον μία αριθμητική λογική μονάδα.

β.

Είναι σχεδιασμένοι ώστε να εκτελούν περισσότερους από τέσσερις υπολογισμούς εξαγομένων πράξεων κινητής υποδιαστολής 64 ή περισσότερων bit ανά κύκλο, ή

γ.

3E002 Είναι σχεδιασμένοι ώστε να εκτελούν περισσότερους από τέσσερις υπολογισμούς εξαγομένων πράξεων πολλαπλασιασμού και σωρευτικής άθροισης σταθερής υποδιαστολής 16 bit ανά κύκλο (π.χ. ψηφιακό χειρισμό αναλογικών πληροφοριών που έχουν προηγουμένως μετατραπεί σε ψηφιακή μορφή, το γνωστό και ως ψηφιακή επεξεργασία σήματος). Σημείωση: Στο σημείο 3E002.γ. δεν εμπίπτει η τεχνολογία επεκτάσεων πολυμέσων.

α.

Χρησιμοποιούν τεχνολογία 0,130 μm ή παραπάνω, και

β.

Ενσωμάτωση πολυστιβαδικών δομών με έως και πέντε μεταλλικές στιβάδες.

α.

Μικροηλεκτρονικών συσκευών κενού,

β.

Ετερο-δομικών ηλεκτρονικών συσκευών ημιαγωγών, όπως τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων (ΗΕΜΤ), ετεροδιπολικών τρανζίστορ (ΗΒΤ), συσκευών κβαντικού πηγαδιού και υπέρ πλέγματος (super lattice devices). Σημείωση: Στο σημείο 3Ε003.β. δεν υπάγεται η τεχνολογία για τρανζίστορ με υψηλή κινητικότητα ηλεκτρονίων (ΗΕΜΤ) που λειτουργούν σε συχνότητες κάτω των 31,8 GHz και για ετεροδιπολικά τρανζίστορ (ΗΒΤ) που λειτουργούν σε συχνότητες κάτω των 31,8 GHz.

γ.

Υπεραγώγιμων ηλεκτρονικών συσκευών,

δ.

Υποστρωμάτων υμενίων αδάμαντος για ηλεκτρονικά δομοστοιχεία,

ε.

Υποστρωμάτων πυριτίου επί μονωτικού (SOI) για ολοκληρωμένα κυκλώματα, όπου το μονωτικό υλικό είναι διοξείδιο του πυριτίου,

στ.

Υποστρωμάτων καρβιδίου του πυριτίου για ηλεκτρονικά δομοστοιχεία,

ζ.

Ηλεκτρονικές λυχνίες που λειτουργούν σε συχνότητες τουλάχιστον 31,8 GHz.

ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 4 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΟΙ ΥΠΟΛΟΓΙΣΤΕΣ

Σημείωση 1: Ηλεκτρονικοί υπολογιστές, συναφής εξοπλισμός και λογισμικό το οποίο εκτελεί λειτουργίες τηλεπικοινωνιών ή τοπικού δικτύου (δίκτυο LAN) θα πρέπει να ελεγχθούν σύμφωνα επίσης με τα χαρακτηριστικά απόδοσης της κατηγορίας 5, Μέρος 1 (Τηλεπικοινωνίες). Σημείωση 2: Οι μονάδες ελέγχου που διασυνδέουν απευθείας τους διαδρόμους ή τους διαύλους των μονάδων κεντρικής επεξεργασίας, οι μονάδες ελέγχου της κυρίως μνήμης ή των δίσκων δεν θεωρούνται σαν εξοπλισμός τηλεπικοινωνιών όπως περιγράφεται στην κατηγορία 5, Μέρος 1o (Τηλεπικοινωνίες). ΣΗΜ.: Όσον αφορά τη διαβάθμιση ελέγχου του λογισμικού που έχει ειδικά σχεδιαστεί για μεταγωγή πακέτων βλέπε την κατηγορία 5D001. Σημείωση 3: Ηλεκτρονικοί υπολογιστές, συναφής εξοπλισμός και λογισμικό που εκτελεί λειτουργίες κρυπτογράφησης, κρυπτανάλυσης, ασφάλειας πολλαπλών βαθμίδων που μπορεί να επιβεβαιωθεί, ή απομόνωσης χρηστών που επίσης μπορεί να βεβαιωθεί, ή που περιορίζουν την ηλεκτρομαγνητική συμβατότητα, πρέπει επίσης να ελεγχθούν σύμφωνα με τα χαρακτηριστικά απόδοσης της κατηγορίας 5, Μέρος 2 (Ασφάλεια πληροφοριών).

4A Συστήματα, εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη 4A001 Ηλεκτρονικοί υπολογιστές και συναφής εξοπλισμός, που έχουν οποιαδήποτε από τα κατωτέρω καθώς και ηλεκτρονικά συγκροτήματα και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία για τα συστήματα αυτά: ΣΗΜ.: ΒΛΕΠΕ ΕΠΙΣΗΣ ΣΗΜΕΙΟ 4Α101. 4A003 Ψηφιακοί υπολογιστές, ηλεκτρονικά συγκροτήματα και συναφής εξοπλισμός γι’ αυτούς, ως εξής, καθώς επίσης και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία γι’ αυτά: Σημείωση 1: Το σημείο 4Α003 περιλαμβάνει τα ακόλουθα: Σημείωση 2: Η διαβάθμιση ελέγχου των ψηφιακών υπολογιστών και του συναφούς εξοπλισμού που περιγράφεται στο σημείο 4Α003 καθορίζεται από τη διαβάθμιση ελέγχου άλλου εξοπλισμού συστημάτων υπό τον όρο ότι: 4A004 Υπολογιστές ως εξής, και ειδικά σχεδιασμένος συναφής εξοπλισμός, ηλεκτρονικά συγκροτήματα και δομικά στοιχεία αυτών: 4A005 Συστήματα, εξοπλισμός και τα δομικά μέρη τους, που είναι ειδικά σχεδιασμένα ή τροποποιημένα για την παραγωγή, λειτουργία ή απόδοση λογισμικού εισβολής ή για την επικοινωνία με το λογισμικό αυτό. 4A101 Αναλογικοί υπολογιστές, ψηφιακοί υπολογιστές ή ψηφιακοί διαφορικοί αναλυτές διαφορετικοί από εκείνους του σημείου 4Α001.α.1., που είναι ανθεκτικοί και έχουν σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για να χρησιμοποιούνται σε οχήματα εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή σε πυραυλοβολίδες που ορίζονται στο σημείο 9Α104. 4A102 Υβριδικοί υπολογιστές που έχουν σχεδιαστεί ειδικά για την εκπόνηση μοντέλων, τη διενέργεια προσομοίωσης ή τη σχεδιαστική ενσωμάτωση οχημάτων εκτόξευσης στο διάστημα που ορίζονται στο σημείο 9Α004 ή πυραυλοβολίδων που ορίζονται στο σημείο 9Α104. Σημείωση: Ο έλεγχος ισχύει μόνο για τον εξοπλισμό που παρέχεται μαζί με το λογισμικό το οποίο καθορίζεται στο σημείο 7D103 ή 9D103.

4A α.

Που έχουν ειδικά σχεδιαστεί ώστε να έχουν οποιοδήποτε από τα παρακάτω:

1. Ονομαστική λειτουργία σε θερμοκρασία περιβάλλοντος κάτω από 228 Κ (-45 °C) ή άνω των 358 Κ (85 °C), ή Σημείωση: Το σημείο 4Α001.α.1 δεν ελέγχει τους υπολογιστές που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για εφαρμογές πολιτικών αυτοκινήτων ή σιδηροδρομικών συρμών ή πολιτικών αεροσκαφών.

2. Που έχουν υποστεί ειδική επεξεργασία να αντέχουν στην ακτινοβολία που μπορεί να ξεπεράσει οποιαδήποτε από τις ακόλουθες προδιαγραφές: α. Συνολική δόση 5 × 103 Gy (πυρίτιο), β. Απότομη αλλαγή του ρυθμού ακτινοβολίας 5 × 106 Gy (πυρίτιο)/s· ή γ. Απότομη αλλαγή από ένα και μόνο γεγονός 1 × 10-8 Λάθη/bit/ημέρα. Σημείωση: Το σημείο 4Α001.α.2 δεν ελέγχει τους υπολογιστές που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για εφαρμογές πολιτικών αεροσκαφών.

β.

Δεν χρησιμοποιείται.

Ανυσματικούς επεξεργαστές (vector processors),

Πολυεπεξεργαστές (array processors),

Επεξεργαστές ψηφιακού σήματος,

Λογικούς επεξεργαστές,

Εξοπλισμό σχεδιασμένο για βελτίωση εικόνων,

Εξοπλισμό σχεδιασμένο για επεξεργασία σημάτων.

α.

Οι ψηφιακοί υπολογιστές ή ο συναφής εξοπλισμός είναι απολύτως απαραίτητοι για τη λειτουργία του λοιπού εξοπλισμού ή των λοιπών συστημάτων,

β.

Οι ψηφιακοί υπολογιστές ή ο συναφής εξοπλισμός δεν αποτελούν βασικό στοιχείο του έτερου εξοπλισμού ή συστημάτων, και ΣΗΜ. 1: Η διαβάθμιση ελέγχου εξοπλισμού για επεξεργασία σημάτων ή βελτίωση εικόνων ειδικά σχεδιασμένου για άλλο εξοπλισμό με λειτουργίες που περιορίζονται σε αυτές που απαιτούνται για τον άλλο εξοπλισμό, καθορίζεται από τη διαβάθμιση ελέγχου του έτερου εξοπλισμού ακόμη κι αν υπερβαίνει το κριτήριο του βασικού στοιχείου. ΣΗΜ. 2: Για διαβάθμιση ελέγχου των ψηφιακών υπολογιστών ή συναφούς εξοπλισμού για εξοπλισμό τηλεπικοινωνιών βλέπε την κατηγορία 5, Μέρος 1 (Τηλεπικοινωνίες).

γ.

Η τεχνολογία για τους ψηφιακούς υπολογιστές και το συναφή εξοπλισμό καθορίζεται στο σημείο 4Ε.

α.

Δεν χρησιμοποιείται,

β.

Ψηφιακοί υπολογιστές που έχουν Προσαρμοσμένη Κορυφαία Απόδοση (APP) άνω των 8,0 σταθμισμένων TeraFLOPS (WT),

γ.

4A003 Ηλεκτρονικά συγκροτήματα που έχουν ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί ώστε να ενισχύουν την απόδοση με τη συγκέντρωση επεξεργαστών ούτως ώστε η APP του συγκροτήματος να υπερβαίνει το όριο που καθορίζεται στο σημείο 4Α003.β., Σημείωση 1: Το σημείο 4Α003.γ., ελέγχει μόνον ηλεκτρονικά συγκροτήματα και προγραμματιζόμενες διασυνδέσεις που δεν υπερβαίνουν το όριο που καθορίζεται στο σημείο 4Α003.β., όταν αποστέλλονται σαν μη ενσωματωμένα ηλεκτρονικά συγκροτήματα. Το σημείο αυτό δεν ελέγχει τα ηλεκτρονικά συγκροτήματα που περιορίζονται εγγενώς ως εκ της φύσεως της σχεδίασης τους να χρησιμοποιούνται σαν συναφής εξοπλισμός όπως αναφέρεται στο σημείο 4Α003.ε. Σημείωση 2: Στο σημείο 4Α003.γ. δεν υπάγονται τα ηλεκτρονικά συγκροτήματα που έχουν ειδικά σχεδιαστεί για ένα προϊόν ή οικογένεια προϊόντων για τα οποία η μέγιστη διάρθρωση δεν υπερβαίνει το όριο που καθορίζεται στο σημείο 4Α003.β.

δ.

Δεν χρησιμοποιείται,

ε.

Εξοπλισμός που επιτελεί μετατροπές αναλογικών σημάτων προς ψηφιακά υπερβαίνοντας τα όρια που καθορίζεται στο σημείο 3Α001.α.5.,

στ.

Δεν χρησιμοποιείται,

ζ.

Ειδικώς σχεδιασμένος εξοπλισμός για τη συνάθροιση των επιδόσεων ψηφιακών υπολογιστών με την παροχή εξωτερικών διασυνδέσεων, που επιτρέπει την επικοινωνία με μονόδρομες ταχύτητες μεταβίβασης δεδομένων υπερβαίνουσες τα 2,0 Gbyte/s ανά σύνδεσμο. Σημείωση: Στο σημείο 4Α003.ζ. δεν ελέγχεται ο εξοπλισμός εσωτερικής διασύνδεσης (π.χ. βασική πλακέτα, ζυγοί), ο εξοπλισμός παθητικής διασύνδεσης, οι ελεγκτές πρόσβασης δικτύου ή οι ελεγκτές διαύλων επικοινωνίας.

α.

Υπολογιστές συστολικής συστοιχίας,

β.

Νευρωνικοί υπολογιστές,

γ.

Οπτικοί υπολογιστές.

4B Εξοπλισμός Δοκιμών, Ελέγχου και Παραγωγής Ουδέν.

4C Υλικά Ουδέν.

4D Λογισμικό Σημείωση: Η διαβάθμιση ελέγχου του λογισμικού για εξοπλισμό που περιγράφεται σε άλλες κατηγορίες περιέχεται στην αντίστοιχη κατηγορία. 4D 4D001 Λογισμικό ως εξής: 4D002 Λογισμικό που έχει ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για να λειτουργεί με τεχνολογία που καθορίζεται στο σημείο 4Ε. 4D003 Δεν χρησιμοποιείται. 4D004 Λογισμικό που είναι ειδικά σχεδιασμένο ή τροποποιημένο για την παραγωγή, λειτουργία ή απόδοση λογισμικού εισβολής ή για την επικοινωνία με το λογισμικό αυτό.

4D α.

Λογισμικό που έχει ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την ανάπτυξη ή την παραγωγή εξοπλισμού ή λογισμικού που καθορίζονται στα σημεία 4Α001 έως 4Α004, ή 4D.

β.

Λογισμικό, εκτός του περιγραφόμενου στο 4D001.α, που έχει ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την ανάπτυξη ή παραγωγή εξοπλισμού ως εξής:

1. Ψηφιακοί υπολογιστές που έχουν Προσαρμοσμένη Κορυφαία Απόδοση (APP) άνω των 0,60 σταθμισμένων TeraFLOPS (WT),

2. Ηλεκτρονικών συγκροτημάτων που έχουν ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την αύξηση της απόδοσης με τη συνάθροιση επεξεργαστών ούτως ώστε η APP του συνόλου να υπερβαίνει το όριο του 4D001.β.1.

4E Τεχνολογία 4E001

4E α.

Τεχνολογία σύμφωνα με τη Γενική Τεχνολογική Σημείωση για την ανάπτυξη, παραγωγή ή χρήση εξοπλισμού ή λογισμικού που καθορίζονται στα σημεία 4Α, ή 4D.

β.

Τεχνολογία, εκτός του περιγραφόμενου στο 4E001.α, που έχει ειδικά σχεδιαστεί ή τροποποιηθεί για την ανάπτυξη ή παραγωγή εξοπλισμού ως εξής:

1. Ψηφιακοί υπολογιστές που έχουν Προσαρμοσμένη Κορυφαία Απόδοση (APP) άνω των 0,60 σταθμισμένων TeraFLOPS (WT),

γ.

Τεχνολογία για την ανάπτυξη λογισμικού εισβολής.

ΤΕΧΝΙΚΗ ΠΑΡΑΤΗΡΗΣΗ ΣΧΕΤΙΚΑ ΜΕ ΤΗΝ ΠΡΟΣΑΡΜΟΣΜΕΝΗ ΚΟΡΥΦΑΙΑ ΑΠΟΔΟΣΗ (APP)

Η APP είναι ένας προσαρμοσμένος ρυθμός με τον οποίον οι ψηφιακοί υπολογιστές εκτελούν προσθέσεις και πολλαπλασιασμούς κινητής υποδιαστολής 64 bit και άνω. Η APP εκφράζονται ως σταθμισμένα TeraFLOPS (WT), σε μονάδες 1012 πράξεων κινητής υποδιαστολής ανά δευτερόλεπτο.

Χρησιμοποιούμενες στην παρούσα τεχνική παρατήρηση συντμήσεις

n αριθμός επεξεργαστών του ψηφιακού υπολογιστή i αριθμός επεξεργαστή (i,…,n) ti χρόνος κύκλου επεξεργαστή (ti = 1/Fi) Fi συχνότητα επεξεργαστή Ri κορυφαίος ρυθμός υπολογισμού κινητής υποδιαστολής Wi συντελεστής προσαρμογής αρχιτεκτονικής

Η μέθοδος υπολογισμού της APP σε αδρές γραμμές 1.2.3.4. Τεχνική παρατήρηση:

Για κάθε επεξεργαστή i, προσδιορίζεται ο κορυφαίος αριθμός πράξεων κινητής υποδιαστολής 64 bit και άνω, FPOi, που εκτελούνται ανά κύκλο για κάθε επεξεργαστή του ψηφιακού υπολογιστή. Σημείωση: Κατά τον προσδιορισμό του FPO, λαμβάνονται υπόψη μόνον οι προσθέσεις ή/και πολλαπλασιασμοί κινητής υποδιαστολής 64 bit και άνω. Όλες οι πράξεις κινητής υποδιαστολής πρέπει να εκφράζονται ως πράξεις ανά κύκλο επεξεργαστή· οι πράξεις για τις οποίες απαιτούνται περισσότεροι του ενός κύκλοι μπορούν να εκφράζονται ως κλασματικά αποτελέσματα ανά κύκλο. Για τους επεξεργαστές που δεν είναι ικανοί να εκτελούν υπολογισμούς σε τελεστές 64 bit ή άνω, ο ενεργός ρυθμός υπολογισμού R είναι μηδέν. Υπολογίζεται ο ρυθμός κινητής υποδιαστολής R για κάθε επεξεργαστή Ri = FPOi/ti. Υπολογίζεται η APP ως εξής: APP = W1 × R1 + W2 × R2 + … + Wn × Rn. Για τους ανυσματικούς επεξεργαστές, Wi = 0,9. Για τους μη ανυσματικούς επεξεργαστές, Wi = 0,3. Σημείωση 1: Για τους επεξεργαστές που εκτελούν σύνθετες πράξεις σε έναν κύκλο, όπως πρόσθεση και πολλαπλασιασμό, λαμβάνεται υπόψη κάθε πράξη. Σημείωση 2: Για έναν επεξεργαστή συνεχούς διοχέτευσης, o ενεργός ρυθμός υπολογισμού (R) είναι o ταχύτερος από τους ρυθμούς εκτέλεσης, με και χωρίς συνεχή διοχέτευση. Σημείωση 3: Ο ρυθμός υπολογισμού R για κάθε συμμετέχοντα επεξεργαστή υπολογίζεται στη μεγαλύτερη θεωρητικά δυνατή τιμή του πριν υπολογιστεί η APP του συνδυασμού. Θεωρείται ότι υπάρχουν ταυτόχρονες λειτουργίες και πράξεις όταν o κατασκευαστής του υπολογιστή αναφέρει παράλληλες, σύγχρονες, ή ταυτόχρονες πράξεις ή εκτελέσεις σε ένα εγχειρίδιο ή φυλλάδιο που αφορά τοv υπολογιστή. Σημείωση 4: Κατά τον υπολογισμό της APP, δεν λαμβάνονται υπόψη οι επεξεργαστές που χρησιμοποιούνται μόνον για λειτουργίες εισόδου/εξόδου και περιφερειακών μονάδων (π.χ. μηχανισμού δίσκου, ελεγκτών επικοινωνίας και οθόνης). Σημείωση 5: Οι τιμές της APP δεν υπολογίζονται για συνδυασμούς επεξεργαστών (διά)συνδεόμενους με τοπικά δίκτυα, δίκτυα ευρείας περιοχής, κατανεμημένες συνδέσεις/συσκευές εισόδου/εξόδου, ελεγκτές εισόδου/εξόδου και τυχόν διασύνδεση επικοινωνίας πραγματοποιούμενης μέσω λογισμικού. Σημείωση 6: Τιμές APP πρέπει να υπολογίζονται για τα εξής: Αθροιστικά όλοι οι επεξεργαστές και επιταχυντές που λειτουργούν ταυτόχρονα και βρίσκονται στην ίδια ψηφίδα. Σημείωση 7: Ως ανυσματικός επεξεργαστής νοείται ένας επεξεργαστής με ενσωματωμένες οδηγίες που εκτελούν ταυτόχρονα πολλαπλούς υπολογισμούς σε ανύσματα κινητής υποδιαστολής (μονοδιάστατες συστοιχίες αριθμών 64 bit ή μεγαλύτερων), ο οποίος έχει τουλάχιστον 2 ανυσματικές λειτουργικές μονάδες και τουλάχιστον 8 ανυσματικούς καταχωρητές τουλάχιστον 64 στοιχείων το καθένα.

Η μέθοδος υπολογισμού της APP σε αδρές γραμμές 1.2.3.4.

1. Συνδυασμούς επεξεργαστών που περιέχουν επεξεργαστές ειδικά σχεδιασμένους για τη βελτίωση των επιδόσεων με τη συγκέντρωση, οι οποίοι λειτουργούν ταυτοχρόνως και μοιράζονται μνήμη, ή

2. Λειτουργούντες ταυτοχρόνως συνδυασμούς - πολλαπλής μνήμης/επεξεργαστή - που χρησιμοποιούν ειδικώς σχεδιασμένο εξοπλισμό.

ΚΑΤΗΓΟΡΙΑ 5 ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ ΚΑΙ ΑΣΦΑΛΕΙΑ ΠΛΗΡΟΦΟΡΙΩΝ

ΜΕΡΟΣ 1 ΤΗΛΕΠΙΚΟΙΝΩΝΙΕΣ

5A1 Τεχνική παρατήρηση:

Συστήματα, εξοπλισμός και κατασκευαστικά μέρη 5A001 Τηλεπικοινωνιακά συστήματα, εξοπλισμός, δομικά στοιχεία και εξαρτήματα γι’ αυτά ως εξής: 5A101 Εξοπλισμός τηλεμετρίας και τηλε-ελέγχου, συμπεριλαμβανομένου του εξοπλισμού εδάφους, σχεδιασμένος ή τροποποιήμενος για βλήματα. Στο σημείο 5A101, ως βλήματα νοούνται τα πλήρη πυραυλικά συστήματα και τα συστήματα μη επανδρωμένων εναέριων οχημάτων με ακτίνα δράσης άνω των 300 km. Σημείωση: Στο σημείο 5Α101 δεν υπάγεται ο εξοπλισμός:

5A1 α.

Οποιοσδήποτε τύπος εξοπλισμού τηλεπικοινωνιών που έχει οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, λειτουργίες ή γνωρίσματα: Σημείωση: Τα σημεία 5Α001.α.2. και 5Α001.α.3 δεν αφορούν εξοπλισμό που είναι εγκατεστημένος σε δορυφόρους.

1. Που είναι ειδικά σχεδιασμένος για να αντέχει σε μεταβατικά ηλεκτρονικά φαινόμενα ή ηλεκτρομαγνητικούς παλμούς που προκύπτουν από μία πυρηνική έκρηξη.

2. Που έχει υποστεί ειδική επεξεργασία για να αντέχει σε ακτινοβολία σωματιδίων γάμα, νετρονίων ή ιόντων, ή

3. Καθορισμένα να λειτουργούν στο σύνολο της περιοχής θερμοκρασιών περιβάλλοντος από 218 K (- 55 °C) έως 397 K (124 °C). Σημείωση: Το σημείο 5Α001.α.3. αφορά μόνο ηλεκτρονικό εξοπλισμό.

β.

Τηλεπικοινωνιακά συστήματα και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία και εξαρτήματα γι’ αυτά, που έχουν οποιοδήποτε από τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, λειτουργίες ή γνωρίσματα:

1. Που είναι υποβρύχια μη προσδεδεμένα συστήματα επικοινωνιών και έχουν οποιοδήποτε από τα παρακάτω:

1. α.

Ακουστική συχνότητα φέρουσας εκτός του φάσματος από 20 kHz έως 60 kHz,

β.

Χρησιμοποιούν ηλεκτρομαγνητική συχνότητα φέρουσας κάτω από 30 kHz,

γ.

Χρησιμοποιούν τεχνικές οδήγησης ηλεκτρονικής δέσμης, ή

δ.

Χρησιμοποιούν λέιζερ ή διόδους φωτοεκπομπής (LED) με μήκος κύματος εξόδου μεγαλύτερο από 400 nm και μικρότερο από 700 nm, σε τοπικό δίκτυο·

2. Που είναι εξοπλισμός τηλεπικοινωνιών που λειτουργεί στο φάσμα συχνοτήτων 1,5 MHz έως 87,5 MHz και έχει όλα τα παρακάτω:

2. α.

Προβλέπει και επιλέγει αυτόματα συχνότητες και συνολικούς ρυθμούς ψηφιακής μεταφοράς, ανά κανάλι για να βελτιστοποιήσει τη μετάδοση, και

β.

Έχει ενσωματωμένη μία διάταξη γραμμικού ενισχυτή ισχύος, με δυνατότητα να υποστηρίζει πολλαπλά σήματα συγχρόνως με ισχύ εξόδου 1 kW ή παραπάνω στο φάσμα συχνοτήτων 1,5 MHz έως 30 MHz ή με έξοδο ισχύος 250 W ή παραπάνω στο φάσμα συχνοτήτων 30 MHz έως 87,5 MHz, σε στιγμιαίο εύρος ζώνης μιας οκτάβας ή παραπάνω και με παραμόρφωση και αρμονικές εξόδους καλύτερες από -80 dB.

3. Που είναι εξοπλισμός τηλεπικοινωνιών που χρησιμοποιεί τεχνικές μεθόδους διασκορπισμένου φάσματος όπως π.χ. τεχνικές, μεταπήδησης συχνοτήτων, πλην των οριζόμενων στο σημείο 5Α001.β.4., και ο οποίος έχει οποιοδήποτε από τα παρακάτω: Σημείωση: Στο σημείο 5Α001.β.3. δεν υπάγεται ο εξοπλισμός που έχει σχεδιαστεί για να λειτουργεί με ισχύ εξόδου 1 W ή λιγότερο.

3. α.

Χρησιμοποιεί κωδικούς διασκορπισμού του φάσματος που προγραμματίζονται, ή

β.

Ένα συνολικό εύρος ζώνης που μεταδίδεται που είναι 100 ή παραπάνω φορές το εύρος ζώνης ενός οποιουδήποτε καναλιού πληροφορίας και παραάνω των 50 kHz. Σημείωση: Στο σημείο 5Α001.β.3.β. δεν υπάγεται ο ασύρματος εξοπλισμός ο ειδικά σχεδιασμένος για χρήση σε μη στρατιωτικά συστήματα κυψελωτών ραδιοεπικοινωνιών.

α.

Συστήματα κυψελωτών επικοινωνιών για μη στρατιωτική χρήση, ή

β.

Σταθεροί ή κινητοί επίγειοι δορυφορικοί σταθμοί για εμπορικές τηλεπικοινωνίες για μη στρατιωτική χρήση.

4. 5A001 β. Που είναι εξοπλισμός τηλεπικοινωνιών που χρησιμοποιεί τεχνικές υπερευρείας διαμορφωμένης ζώνης και έχει κωδικούς κατανομής σε διαύλους που είναι δυνατόν να προγραμματίζονται από το χρήστη, ή κρυπτογράφησης ή κωδικούς αναγνώρισης δικτύου, και ο οποίος έχει οποιοδήποτε από τα παρακάτω:

4. α.

Εύρος ζώνης άνω των 500 MHz, ή

β.

Κλασματικό εύρος ζώνης τουλάχιστον 20 %,

5. Τεχνικές παρατηρήσεις:

Που είναι ψηφιακά ελεγχόμενοι ραδιοφωνικοί δέκτες οι οποίοι έχουν όλα τα ακόλουθα: Σημείωση: Στο σημείο 5Α001.β.5. δεν ελέγχεται ο ασύρματος εξοπλισμός ο ειδικά σχεδιασμένος για χρήση σε μη στρατιωτικά συστήματα κυψελωτών ραδιοεπικοινωνιών. Χρόνος μεταγωγής συχνοτήτων σημαίνει τον χρόνο (δηλαδή την καθυστέρηση) για την αλλαγή από τη μία συχνότητα λήψης στην άλλη ώστε να επιτευχθεί η τελική προσδιορισμένη συχνότητα λήψης είτε ακριβώς είτε με απόκλιση ± 0,05 %. Είδη με εύρος προσδιορισμένου φάσματος συχνοτήτων στενότερο από ± 0,05 % γύρω από την κεντρική τους συχνότητα ορίζονται ως στερούμενα δυνατότητας αλλαγής συχνότητας διαύλου.

5. α.

Περισσότερα από 1000 κανάλια,

β.

Χρόνο μεταγωγής διαύλων μικρότερο από 1 ms,

γ.

Μπορούν να ψάξουν ή να σαρώσουν αυτόματα ένα τμήμα του ηλεκτρομαγνητικού φάσματος, και

δ.

Μπορούν να εξακριβώσουν από που προέρχονται τα σήματα που γίνονται δεκτά ή τον τύπο του πομπού, ή

6. Τεχνικές παρατηρήσεις: 1.2.

Που χρησιμοποιεί λειτουργίες ψηφιακής επεξεργασίας σημάτων για την παροχή εξόδου κωδικοποίησης φωνής με ρυθμό χαμηλότερο από 2400 bits/s. Για κωδικοποίηση φωνής μεταβλητού ρυθμού, το 5A001.β.6 εφαρμόζεται στην έξοδο κωδικοποίησης φωνής συνεχούς ομιλίας. Για τους σκοπούς του σημείου 5Α001.β.6., η κωδικοποίηση φωνής ορίζεται ως η τεχνική δειγματοληψίας της ανθρώπινης φωνής και η μετατροπή των δειγμάτων αυτών σε ψηφιακό σήμα, λαμβάνοντας υπόψη συγκεκριμένα χαρακτηριστικά της ανθρώπινης ομιλίας.

γ. Τεχνική παρατήρηση:

Οπτικές ίνες μήκους άνω των 500 m που μπορούν σύμφωνα με τα στοιχεία του κατασκευαστή να αντέξουν δοκιμές αντοχής (tensile stress) της τάξεως των 2 × 109 N/m2 ή παραπάνω. ΣΗΜ.: Για υποβύχια καλώδια τροφοδοσίας, βλέπε σημείο 8A002.α.3 Δοκιμή αντοχής (Proof test): δοκιμή επί της γραμμής παραγωγής, ή εκτός της γραμμής παραγωγής, όπου εφαρμόζεται μία προκαθορισμένη τάση επί ενός μήκους ίνας από 0,5 έως 3 m που κινείται με ταχύτητα 2 έως 5 m/s ενώ η ίνα περνάει ανάμεσα από άξονες περιστροφής της ίνας που έχουν διάμετρο περίπου 150 mm. Η θερμοκρασία περιβάλλοντος είναι ονομαστικά 293 K (20 °C) και η σχετική υγρασία είναι 40 %. Για την εκτέλεση της δοκιμής αντοχής μπορεί να χρησιμοποιηθούν ισοδύναμα εθνικά πρότυπα.

δ.

Ηλεκτρονικά οδηγούμενες φασικά ελεγχόμενες στοιχειοκεραίες συχνότητα άνω των 31,8 GHz. Σημείωση: Στο σημείο 5Α001.δ. δεν υπάγονται οι ηλεκτρονικά διευθυνόμενες φασικά ελεγχόμενες στοιχειοκεραίες για συστήματα προσγείωσης που περιλαμβάνουν όργανα που συμμορφώνονται με τα πρότυπα του Διεθνούς Οργανισμού Πολιτικής Αεροπορίας (ICAO) που καλύπτουν μικροκυματικά συστήματα προσγείωσης (ΜLS).

ε.

5A001 Εξοπλισμός ραδιοκαθορισμού κατεύθυνσης που λειτουργεί σε συχνότητες άνω των 30 MHz και παρουσιάζει όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά, και ειδικά σχεδιασμένα συστατικά μέρη του:

1. Στιγμιαίο εύρος ζώνης τουλάχιστον 10 MHz, και

2. Ικανός να εντοπίζει προσανατολισμό (LOB) μη συνεργαζόμενων ραδιοπομπών με διάρκεια σήματος μικρότερη του 1 ms.

στ.

Εξοπλισμός υποκλοπών ή ηλεκτρονικών παρεμβολών κινητών τηλεπικοινωνιών και εξοπλισμός παρακολούθησής τους, ως ακολούθως, και ειδικά σχεδιασμένα κατασκευαστικά μέρη αυτών: Σημείωση: Στα σημεία 5Α001.ζ.1. και 5Α001.ζ.2.δεν υπάγονται τα εξής: ΣΗΜ. 1: Βλέπε επίσης ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ. ΣΗΜ. 2: Για ραδιοδέκτες, βλέπε το σημείο 5A001.β.5.

1. Εξοπλισμός υποκλοπών σχεδιασμένος για την εξαγωγή φωνής ή δεδομένων, που μεταδίδονται διαμέσου της ραδιοδιεπαφής,

2. Εξοπλισμός υποκλοπών που δεν προσδιορίζεται στο σημείο 5A001.στ.1., σχεδιασμένος για την εξαγωγή κωδικών ταυτότητας συσκευών πελατών ή συνδρομητών (π.χ. IMSI, TIMSI ή IMEI), σηματοδότησης, ή άλλων μεταδεδομένων που μεταδίδονται διαμέσου της ραδιοδιεπαφής,

3. Εξοπλισμός ηλεκτρονικών παρεμβολών ειδικά σχεδιασμένος ή τροποποιημένος για τη σκόπιμη και επιλεκτική παρεμβολή, απαγόρευση, παρεμπόδιση, υποβάθμιση ή προσέλκυση κινητών τηλεπικοινωνιακών υπηρεσιών, που εκτελεί όλα τα ακόλουθα:

3. α.

Προσομοίωση των λειτουργιών εξοπλισμού Δικτύου Ραδιοπρόσβασης (RAN),

β.

Ανίχνευση και εκμετάλλευση συγκεκριμένων χαρακτηριστικών του χρησιμοποιούμενου πρωτοκόλλου κινητής τηλεπικοινωνίας (π.χ. GSM), ή

γ.

Εκμετάλλευση συγκεκριμένων χαρακτηριστικών του χρησιμοποιούμενου πρωτοκόλλου κινητής τηλεπικοινωνίας (π.χ. GSM).

4. Εξοπλισμός παρακολούθησης ραδιοσυχνοτήτων σχεδιασμένος ή τροποποιημένος για να αναγνωρίζει τη λειτουργία ειδών που προσδιορίζονται στα σημεία 5A001.στ.1., 5A001.στ.2. ή 5A001.στ.3.,

α.

Εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένος για την υποκλοπή αναλογικών ιδιωτικών κινητών ραδιοεπικοινωνιών (PMR), IEEE 802.11 WLAN,

β.

Εξοπλισμός σχεδιασμένος για φορείς εκμετάλλευσης δικτύων κινητών τηλεπικοινωνιών, ή

γ.

Εξοπλισμός σχεδιασμένος για την ανάπτυξη ή την παραγωγή εξοπλισμού ή συστημάτων κινητών τηλεπικοινωνιών.

ζ. Τεχνική παρατήρηση:

Παθητικά συνεκτικά συστήματα (PCL) ή εξοπλισμός εντοπισμού, ειδικά σχεδιασμένος για την ανίχνευση και παρακολούθηση κινητών αντικειμένων με τη μέτρηση των ανακλάσεων εκπομπών ραδιοσυχνοτήτων του περιβάλλοντος, παραγόμενων από πομπούς άλλους πλην ραντάρ. Στους άλλους πομπούς πλην ραντάρ περιλαμβάνονται οι πομποί ραδιοφωνίας και τηλεόρασης και οι σταθμοί βάσης κινητής τηλεφωνίας. Σημείωση: Στο σημείο 5Α001.ζ. δεν υπάγονται τα εξής:

α.

Ο ραδιοαστρονομικός εξοπλισμός, ή

β.

Τα συστήματα και ο εξοπλισμός που χρειάζονται εκπομπές ραδιοκυμάτων από το στόχο.

η.

5A001 Εξοπλισμός αντιμετώπισης αυτοσχέδιων εκρηκτικών μηχανισμών (IED) και σχετικός εξοπλισμός, ως ακολούθως: ΣΗΜ.: Βλέπε επίσης ΕΛΕΓΧΟΥΣ ΣΤΡΑΤΙΩΤΙΚΩΝ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ.

1. Ηλεκτρονικός εξοπλισμός εκπομπής ραδιοσυχνοτήτων, που δεν προσδιορίζεται στο σημείο 5A001.στ., σχεδιασμένος ή τροποποιημένος με στόχο την πρόωρη ενεργοποίηση ή αποτροπή της ανάφλεξης αυτοσχέδιων εκρηκτικών μηχανισμών.

2. Εξοπλισμός που χρησιμοποιεί τεχνικές σχεδιασμένες για να επιτρέπουν τη διενέργεια ραδιοεπικοινωνιών στους ίδιους διαύλους συχνοτήτων στους οποίους εκπέμπει συνεγκατεστημένος εξοπλισμός που προσδιορίζεται στο σημείο 5A001.η.1.

θ.

Δεν χρησιμοποιείται,

ι. Τεχνική παρατήρηση:

Συστήματα ή εξοπλισμός επιτήρησης επικοινωνιών δικτύων στο Πρωτόκολλο Διαδικτύου (IP), και ειδικά σχεδιασμένα κατασκευαστικά μέρη τους, με όλα τα ακόλουθα χαρακτηριστικά: Σημείωση: Στο σημείο 5Α001.ι. δεν υπάγονται συστήματα ή εξοπλισμός ειδικά σχεδιασμένα για οποιαδήποτε από τις ακόλουθες χρήσεις: Βασικοί επιλογείς είναι δεδομένα ή σύνολα δεδομένων που σχετίζονται με ένα άτομο (π.χ. επώνυμο, όνομα, e-mail, οδός, αριθμός τηλεφώνου ή ομάδες στις οποίες ανήκει).

ι.

1. Που εκτελούν όλα τα ακόλουθα σε ένα δίκτυο κατηγορίας φορέων Πρωτοκόλλου Διαδικτύου (IP) (π.χ. δίκτυο κορμού IP εθνικού επιπέδου):

1. α.

Ανάλυση στο επίπεδο εφαρμογών [π.χ. επίπεδο 7 του μοντέλου διασύνδεσης ανοιχτών συστημάτων (OSI) (ISO/IEC 7498-1)],

β.

Εξαγωγή επιλεγμένων μεταδεδομένων και περιεχομένου εφαρμογών (π.χ. φωνή, βίντεο, μηνύματα, συνημμένα), και

γ.

Ευρετηρίαση των εξαγόμενων δεδομένων, και

Εξοπλισμός και ειδικά σχεδιασμένα δομικά στοιχεία ή εξαρτήματα για τον σκοπό αυτό τα οποία έχουν σχεδιαστεί ειδικά για την ανάπτυξη ή την παραγωγή του εξοπλισμού, των λειτουργιών ή των γνωρισμάτων που ορίζονται στο σημείο 5Α001. Σημείωση: Στο σημείο 5B001.α δεν υπάγονται οι εξοπλισμοί χαρακτηρισμού οπτικών ινών.

β.

1. Δεν χρησιμοποιείται,

2. α.

Μήκος κύματος μετάδοσης άνω των 1750 nm.

β.

Εκτελεί οπτική ενίσχυση με τη χρήση PDFFA,

1286 more provisions are not shown here; each has its own address.

Versions

2014-10-22