Reglamento Delegado (UE) no 1382/2014 de la Comisión de 22 de octubre de 2014 que modifica el Reglamento (CE) no 428/2009 del Consejo, por el que se establece un régimen comunitario de control de las exportaciones, la transferencia, el corretaje y el tránsito de productos de doble uso

En vigorVersión 2014-10-22desde el 2014-12-31

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Índice

Preámbulo
1. Artículo 1
2. Artículo 2
ANNEX
ANEXO
ANEXO I Lista contemplada en el artículo 3 del presente Reglamento
LISTA DE PRODUCTOS DE DOBLE USO
a.
1. a.
b.
c.
ACRÓNIMOS Y ABREVIATURAS EMPLEADOS EN EL PRESENTE ANEXO
d.
e.
f.
CATEGORÍA 0 MATERIALES, INSTALACIONESY EQUIPOS NUCLEARES
0A a.
0B Nota técnica:
0B a.
7. a.
13. a.
14. a.
5. a.
6. a.
0C a.
CATEGORÍA 1 MATERIALES ESPECIALES Y EQUIPOS CONEXOS
1A Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica:
1A a.
1. a.
4. a.
1A Notas técnicas: 1.2. a.
1A Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. a.
1A Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: a.
1B Nota técnica: 1.2. Nota técnica:
1B a.
1B Nota técnica: 1.2. a.
a.
b.
c.
1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica 1: Nota técnica 2: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3.
1C Nota técnica: a.
a.
b.
c.
1. Nota técnica:
1. a.
d.
1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. a.
1. a.
2. a.
3. a.
4. a.
5. a.
1. Nota técnica:
1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: a.
1. Nota técnica:
2. Nota técnica:
3. a.
1. a.
1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica:
4. a.
1. a.
2. a.
1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. a.
a.
b.
c.
d.
1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. d.
1. a.
2. a.
a.
b.
a. 1C011 a.Nota técnica:
1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: a.
a.
b.
1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica: a.
1. Nota técnica:
2. a. Nota técnica:
3. a.
4. a.
5. Nota técnica:
5. a.
6. a.
1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica 1:
1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica 1: Nota técnica 2: a.
1. a.
2. a.
1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica 1: Nota técnica 2: Nota técnica: a.
1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica 1: Nota técnica 2: Nota técnica: Nota técnica: a.
1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica 1: Nota técnica 2: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.
1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica 1: Nota técnica 2: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.
1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica 1: Nota técnica 2: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.
1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica 1: Nota técnica 2: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.
4. a.
6. Nota técnica:
5. a.
1E a.
1. a.
3. a.
CATEGORÍA 2 TRATAMIENTO DE LOS MATERIALES
2A Nota técnica:
2A a.
2. a.
2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2.
2B Notas técnicas: 1.2. a.
2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5. a.
2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. a.
a.
b.
1. a.
2. a.
4. a.
c.
2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas:
2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas: Nota técnica: a.
1. a.
2. a.
1. Nota técnica:
1. a.
2. a.
2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: a.
2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.
2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.
1. a.
a.
b.
2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a. Nota técnica:
2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: a.
2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: a.
2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Notas técnicas: 1.2. a.
2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. a.
1. a.
2. a.
3. a.
a.
b.
c.
d.
e.
f.
g.
h.
i.
2. a.
1. a.
2D a.
2E Tabla 1.2.3.A.B.B.1.B.2.B.3.B.4.C.D.E.F.G. Métodos de depósito
2E a.
1. a.
2. a.
a.
b.
c.
d.
e.
f.
g.
CATEGORÍA 3 ELECTRÓNICA
3A Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2.
3A a.
1. a.
2. a.
5. Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6.7.8.9. 3A001 a. 5.Notas técnicas: 1.2.3.4.
5. a.
5. Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6.7.8.9. b.
2. a.
6. a.
7. 3A001 a. 7.Notas técnicas: 1.2.3.
7. a.
10. a.
11. a.
12. Nota técnica:
13. Nota técnica:
13. a.
4. a.
3. a.
4. a.
3. Nota técnica:
8. a.
9. Notas técnicas: 1.2.
9. a.
10. Nota técnica:
1. Nota técnica:
1. Notas técnicas: 1.2.3.4.
4. Nota técnica:
5. Notas técnicas: 1.2.
6. Nota técnica:
3. Nota técnica:
3A Notas técnicas: 1.2. a.
1. a.
2. a.
3A Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. a.
3A Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. a.
3B a.
1. a.
3. a.
3C a.
3D Nota técnica:
3E a.
CATEGORÍA 4 ORDENADORES
4A a.
4D a.
4E a.
Abreviaturas utilizadas en la presente nota técnica
Esquema del método de cálculo APP 1.2.3.4. Nota técnica:
Esquema del método de cálculo APP 1.2.3.4.
CATEGORÍA 5 TELECOMUNICACIONES Y SEGURIDAD DE LA INFORMACIÓN
PRIMERA PARTE — TELECOMUNICACIONES
5A1 Nota técnica:
5A1 a.
1. a.
2. a.
3. a.
a.
b.
4. a.
5. Notas técnicas:
5. a.
6. Notas técnicas: 1.2.
a.
b.
c.
5B1 a.
2. a.

LA COMISIÓN EUROPEA,

Visto el Tratado de Funcionamiento de la Unión Europea,

Visto el Reglamento (CE) no 428/2009 del Consejo, de 5 de mayo de 2009, por el que se establece un régimen comunitario de control de las exportaciones, la transferencia, el corretaje y el tránsito de productos de doble uso, y, en particular, su artículo 15, apartado 3,

Considerando lo siguiente:

(1) El Reglamento (CE) no 428/2009 del Consejo establece que los productos de doble uso deben someterse a un control eficaz cuando sean exportados desde la Unión o se encuentren en tránsito en ella, o sean entregados a un tercer país como resultado de servicios de corretaje prestados por un operador residente o establecido en la Unión.

(2) El anexo I del Reglamento (CE) no 428/2009 establece la lista común de productos de doble uso sujetos a controles en la Unión. Las decisiones sobre los productos sujetos a control se adoptan en el marco del Grupo Australia, el Régimen de Control de Tecnología de Misiles, el Grupo de Suministradores Nucleares, el Arreglo Wassenaar y la Convención sobre Armas Químicas.

(3) La lista de productos de doble uso que figura en el anexo I del Reglamento (CE) no 428/2009 debe actualizarse periódicamente para cumplir plenamente las obligaciones relativas a la seguridad internacional, garantizar la transparencia y mantener la competitividad de los exportadores. Para facilitar su consulta por parte de las autoridades responsables del control de las exportaciones y los operadores, es necesario publicar una versión actualizada y consolidada del anexo I del Reglamento (CE) no 428/2009.

(4) El Reglamento (CE) no 428/2009 faculta a la Comisión para actualizar la lista de productos de doble uso que figura en el anexo I mediante actos delegados, de conformidad con las obligaciones y compromisos pertinentes, así como sus modificaciones, que los Estados miembros han asumido como miembros de los regímenes internacionales de no proliferación y de los acuerdos internacionales de control de las exportaciones o al ratificar los tratados internacionales pertinentes.

(5) Por tanto, procede modificar el Reglamento (CE) no 428/2009 en consecuencia.

HA ADOPTADO EL PRESENTE REGLAMENTO:

Artículo 1

El anexo I del Reglamento (CE) no 428/2009 se sustituye por el texto que figura en el anexo del presente Reglamento.

Artículo 2

El presente Reglamento entrará en vigor el día siguiente al de su publicación en el Diario Oficial de la Unión Europea.

El presente Reglamento será obligatorio en todos sus elementos y directamente aplicable en cada Estado miembro. Hecho en Bruselas, el 22 de octubre de 2014. Por la Comisión El Presidente José Manuel Barroso

ANNEX

ANEXO

ANEXO I Lista contemplada en el artículo 3 del presente Reglamento

LISTA DE PRODUCTOS DE DOBLE USO

La presente lista tiene por objetivo la aplicación de los controles de doble uso acordados internacionalmente, entre ellos el Arreglo de Wassenaar, el Régimen de Control de Tecnología de Misiles (RCTM), el Grupo de Suministradores Nucleares (GSN), el Grupo Australia (GA) y la Convención sobre armas químicas.

NOTAS GENERALES AL ANEXO I 1.2.3.4.

En relación con el control de productos diseñados o modificados para uso militar, véanse las correspondientes listas de control de material de defensa que mantienen los respectivos Estados miembros. Las referencias del presente anexo en las que figura la frase VÉASE ASIMISMO LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA hacen alusión a esas mismas listas. El objeto de los controles contenidos en el presente anexo no deberá quedar sin efecto por la exportación de bienes no controlados (incluidas las plantas) que contengan uno o más componentes controlados cuando el componente o componentes controlados sean elementos principales de los productos exportados y sea viable separarlos o emplearlos para otros fines. Cuando se exporten bienes no controlados (incluidas las plantas) que contengan uno o más componentes controlados y estos sean elementos principales que puedan separarse o emplearse para otros fines, los controles contemplados en el presente anexo se aplicarán a dichos bienes. N.B.: A la hora de juzgar si uno o varios componentes controlados deben considerarse elementos principales, habrán de ponderarse los factores de cantidad, valor y conocimientos tecnológicos involucrados, así como otras circunstancias especiales que pudieran determinar que el componente o los componentes controlados sean elementos principales de los productos suministrados. Los productos incluidos en el presente anexo pueden ser nuevos o usados. En algunos casos, los productos químicos se enumeran por nombre y número CAS. La lista se aplica a los productos químicos de la misma fórmula estructural (incluidos los hidratos) independientemente del nombre o del número CAS. Los números CAS se muestran para ayudar a identificar un producto químico o una mezcla independientemente de su nomenclatura. Los números CAS no pueden ser usados como identificadores únicos porque algunas formas de los productos químicos listados tienen números CAS diferentes y, además, algunas mezclas que contienen un producto químico listado pueden tener un número CAS diferente.

NOTA DE TECNOLOGÍA NUCLEAR (NTN)

(Deberá verse en conjunción con la sección E de la categoría 0.) La tecnología directamente asociada a cualquier producto controlado de la categoría 0 se controlará con arreglo a las disposiciones de la categoría 0. Asimismo, se controlará la tecnología para el desarrollo, la producción o la utilización de los productos sometidos a control, aunque también sea aplicable a productos no sometidos a ningún control. La licencia de exportación concedida para un producto autoriza también al mismo usuario final a exportar la tecnología mínima necesaria para la instalación, el funcionamiento, el mantenimiento y las reparaciones de dicho producto. Los controles de transferencia de tecnología no se aplicarán a la información de conocimiento público ni a la investigación científica básica.

NOTA GENERAL DE TECNOLOGÍA (NGT)

(Deberá verse en conjunción con la sección E de las categorías 1 a 9.) La exportación de tecnología necesaria para el desarrollo, la producción o la utilización de productos sometidos a control incluidos en las categorías 1 a 9 se someterá a control de conformidad con lo dispuesto en las categorías 1 a 9. Asimismo, se controlará la tecnología necesaria para el desarrollo, la producción o la utilización de los productos sometidos a control, aunque también sea aplicable a productos no sometidos a ningún control. No se aplicarán controles a aquella tecnología que sea la mínima necesaria para la instalación, el funcionamiento, el mantenimiento (revisión) o las reparaciones de aquellos productos no sometidos a control o cuya exportación se haya autorizado. N.B.: Esta disposición no exime de los controles a la tecnología de ese tipo que figura en los subartículos 1E002.e, 1E002.f, 8E002.a y 8E002.b. Los controles de transferencia de tecnología no se aplicarán a la información de conocimiento público, a la investigación científica básica ni a la información mínima necesaria para solicitudes de patentes.

NOTA GENERAL SOBRE PROGRAMAS INFORMÁTICOS (NGPI)

(La presente nota tiene primacía sobre los controles de la sección D en las categorías 0 a 9.) Las categorías 0 a 9 de esta lista no someten a control al programa informático que cumpla cualquiera de las condiciones siguientes:

a.

que se halle generalmente a disposición del público por estar: N.B.: La entrada a de la Nota general sobre programas informáticos no exime de los controles al programa informático especificado en la segunda parte de la categoría 5 (Seguridad de la información).

1. a la venta, sin limitaciones, en puntos de venta al por menor, por medio de:

1. a.

transacciones en mostrador;

transacciones por correo;

transacciones electrónicas, o

transacciones por teléfono, y

2. que esté diseñado para su instalación por el usuario sin asistencia ulterior importante del proveedor.

b.

De conocimiento público, o

c.

El código objeto mínimo necesario para la instalación, el funcionamiento, el mantenimiento (la revisión) o las reparaciones de aquellos productos cuya exportación haya sido autorizada. N.B.: La entrada c de la Nota general sobre programas informáticos no exime de los controles al programa informático especificado en la segunda parte de la categoría 5 (Seguridad de la información).

EDITORIAL PRACTICES IN THE OFFICIAL JOURNAL OF THE EUROPEAN UNION

In accordance with the rules set out in paragraph 6.5 on page 108 of the Interinstitutional style guide (2011 edition), for texts in English published in the Official Journal of the European Union: The text reproduced in this annex follows the above-described practice.

a comma is used to separate whole number from decimals (e.g. 3,67 cm),

a space is used to indicate thousands in whole numbers (e.g. 100000).

ACRÓNIMOS Y ABREVIATURAS EMPLEADOS EN EL PRESENTE ANEXO

Los acrónimos o abreviaturas que se empleen como términos definidos aparecen en las Definiciones de los términos empleados en el presente anexo. ACRÓNIMO O ABREVIATURA SIGNIFICADO ABEC Comité Técnico de Cojinetes Anulares (Annular Bearing Engineers Committe) AGMA Asociación Americana de Fabricantes de Engranajes (American Gear Manufacturers Association) AHRS Sistema de referencia de actitud y rumbo AISI Instituto Americano del Hierro y del Acero (American Iron and Steel Institute) ALU Unidad Aritmética Lógica ANSI Instituto Nacional Americano de Normas (American National Standards Institute) ASTM Sociedad Americana de Ensayos y Materiales (American Society for Testing and Materials) ATC Control del Tráfico Aéreo SILVA Separación de isótopos por láser de vapor atómico CAD Diseño asistido por ordenador CAS Servicio de Resúmenes de Artículos sobre Temas Químicos (Chemical Abstracts Service) CDU Unidad de Control y Visualización CEP Círculo de igual probabilidad CNTD Deposición nuclearia térmica controlada CRISLA Reacción química mediante activación de isótopos por láser selectivo CVD Depósito químico en fase de vapor CW Guerra química CW (para láseres) Onda continua DME Equipo para medición de la distancia DS Solidificado direccionalmente EB-PVD Deposición de vapores por método físico por haz de electrones EBU Unión Europea de Radiodifusión ECM Mecanizado electroquímico ECR Resonancia electrón ciclotrón EDM Máquinas de electroerosión EEPROMS Memoria solo de lectura programable y borrable por medios electrónicos EIA Asociación de Industrias Electrónicas EMC Compatibilidad electromagnética ETSI Instituto Europeo de Normas de Telecomunicación FFT Transformación rápida de Fourier GLONASS Sistema de posicionamiento global por satélite (Rusia) GPS Sistema de posicionamiento global por satélite (USA) HBT Transistores bipolares de heterounión HDDR Registro digital de alta densidad HEMT Transistores de alta movilidad de electrones OACI Organización de Aviación Civil Internacional CEI Comisión Electrotécnica Internacional IEEE Instituto de Ingenieros Eléctricos y Electrónicos IFOV Campo de visión instantáneo ILS Sistema de aterrizaje por instrumentos IRIG Grupo instrumental interbandas ISA Atmósfera Estándar Internacional ISAR Radar de apertura sintética inversa ISO Organización Internacional de Normalización ITU Unión Internacional de Telecomunicaciones JIS Norma Industrial Japonesa JT Joule-Thomson LIDAR Detección y medición de distancias por luz LRU Unidad sustituible en línea MAC Código de autenticación de mensaje Mach Cociente entre la velocidad de un objeto y la del sonido (por Ernst Mach) MLIS Separación de isótopos mediante láser molecular MLS Sistemas de microondas para aterrizaje MOCVD Deposición de vapores químicos organometálicos MRI Formación de imágenes por resonancia magnética MTBF Tiempo medio entre fallos Mtops Millón de operaciones teóricas por segundo MTTF Tiempo medio hasta fallo NBC Nuclear, biológico y químico NDT Ensayo no destructivo PAR Radar de precisión de aproximación PIN Número de identificación personal ppm Partes por millón PSD Densidad espectral de potencia QAM Modulación de amplitud en cuadratura RF Radiofrecuencia SACMA Asociación de proveedores de materiales compuestos avanzados (Suppliers of Advance Composite Materials Association) SAR Radar de apertura sintética SC Cristal único SLAR Radar aerotransportado de haz oblicuo SMPTE Sociedad de Ingeniería de Cinematografía y Televisión (Society of Motion Picture and Television Engineers) SRA Conjunto sustituible en taller SRAM Memoria estática de acceso aleatorio SRM Métodos recomendados por la SACMA SSB Banda lateral única SSR Radar secundario de vigilancia TCSEC Criterios fiables de evaluación de sistemas informáticos (Trusted Computer System Evaluation Criteria) TIR Lectura indicada total UV Ultravioleta UTS Resistencia a la tracción VOR Sistema de medidas de distancia omnidireccional de muy alta frecuencia YAG Granate de itrio y aluminio (imitación de diamante)

DEFINICIONES DE LOS TÉRMINOS EMPLEADOS EN EL PRESENTE ANEXO Nota técnica: Nota técnica: Notas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica:

Los términos entre comillas simples (…) están definidos en la nota técnica que corresponde al artículo en cuestión. A continuación se definen los términos que figuran entre comillas dobles (…): N.B.: La referencia a la categoría correspondiente aparece entre paréntesis tras el término definido. Exactitud (2 6): medida generalmente, por referencia a la inexactitud, es la desviación máxima, positiva o negativa, de un valor indicado con respecto a un patrón aceptado o a un valor verdadero. Sistemas de control activo de vuelo (7): tienen como función impedir los movimientos o las cargas estructurales no deseables en aeronaves y misiles, mediante el procesado autónomo de las salidas de múltiples sensores y el suministro a continuación de los comandos preventivos necesarios para el control automático. Píxel activo (6 8): es el elemento mínimo (único) de un conjunto de estado sólido que tiene una función de transferencia fotoeléctrica cuando está expuesto a una radiación luminosa (electromagnética). Adaptado para su utilización en conflictos armados (1): significa toda modificación o selección (como alteración de la pureza, caducidad, virulencia, características de diseminación o resistencia a la radiación UV) diseñadas para aumentar la eficacia a la hora de producir bajas en personas o animales, deteriorar material o dañar las cosechas o el medio ambiente. Funcionamiento máximo ajustado (4): es un valor máximo ajustado en el que los ordenadores digitales realizan sumas y multiplicaciones en coma flotante de 64 bits o más y se expresa en TeraFLOPS ponderados (WT), en unidades de 1012 operaciones ajustadas en coma flotante por segundo. N.B.: Véase la nota técnica en la categoría 4. Aeronave (1 7 9): es un vehículo aéreo de superficies de sustentación fijas, pivotantes, rotatorias (helicóptero), de rotor basculante o de superficies de sustentación basculantes. N.B.: Véase también aeronave civil. Dirigible (9): es un vehículo aéreo de motor que se mantiene en suspensión gracias a un cuerpo gaseoso (por lo general helio, anteriormente hidrógeno) que es más ligero que el aire. Todas las compensaciones disponibles (2): significa tras haberse tenido en cuenta todas las medidas factibles de que dispone el fabricante para reducir al máximo todos los errores sistemáticos de posición para una máquina-herramienta concreta o los errores de medida para una máquina de medida de coordenadas. Asignada por la UIT (3 5): se refiere a la asignación de bandas de frecuencia, según la última edición del Reglamento de Radiocomunicaciones de la UIT, a los servicios primarios, autorizados y secundarios. N.B.: No están incluidas las asignaciones adicionales ni alternativas. Desviación de la posición angular (2): es la diferencia máxima entre la posición angular y la posición angular real, medida con gran exactitud, después de que el portapieza de la mesa se haya desplazado con respecto a su posición inicial. Recorrido aleatorio angular (7): es el error angular generado con el tiempo debido al ruido blanco en la velocidad angular. (IEEE STD 528-2001). APP (4): es equivalente a funcionamiento máximo ajustado. Algoritmo asimétrico (5): es un algoritmo criptográfico que requiere distintas claves de naturaleza matemática para el cifrado y el descifrado. N.B.: Un uso común de los algoritmos asimétricos es la gestión de claves. Seguimiento automático del blanco (6): es la técnica de procesado que determina y proporciona automáticamente, como resultado, un valor extrapolado de la posición más probable del blanco, en tiempo real. Potencia de salida media (6): significa la energía total de salida del láser en julios, dividida por el período durante el cual se emiten una serie de impulsos consecutivos, en segundos. Para una serie de impulsos uniformemente espaciados, equivale a la energía total de salida del láser en un impulso único, en julios, multiplicado por la frecuencia del impulso del láser en hercios. Retardo por propagación en la puerta básica (3): es el valor del retardo por propagación correspondiente a la puerta básica utilizada en un circuito integrado monolítico. Este valor puede especificarse, para una familia de circuitos integrados monolíticos, como retardo por propagación por puerta típica dentro de la familia considerada, o como retardo de propagación típico por puerta dentro de la misma familia. N.B. 1: No se debe confundir el retardo por propagación en la puerta básica con el retardo por entrada/salida de un circuito integrado monolítico complejo. N.B. 2: Familia consiste en todos los circuitos integrados que tienen en común todos los elementos siguientes en el método de fabricación y en las especificaciones, con excepción de sus funciones respectivas: Investigación científica básica (NGT NTN): es la labor experimental o teórica emprendida principalmente para adquirir nuevos conocimientos sobre los principios fundamentales de fenómenos o hechos observables y que no está orientada primordialmente hacia un fin u objetivo práctico específico. Sesgo (acelerómetro) (7): es la media en un tiempo determinado de la salida de un acelerómetro, medida en condiciones de funcionamiento especificadas, que no tiene correlación con la aceleración o la rotación de entrada. El sesgo se expresa en g o en metros por segundo al cuadrado [g o m/s2]. (IEEE Std 528-2001) (Micro g igual a 1 × 10-6 g). Sesgo (giroscopio) (7): es la media en un tiempo determinado de la salida de un giroscopio medida en condiciones de funcionamiento especificadas que no tiene correlación con la rotación o la aceleración de entrada. El sesgo se expresa generalmente en grados por hora (°/h). (IEEE Std 528-2001). Desplazamiento axial periódico longitudinal (2): es el desplazamiento longitudinal del husillo principal durante una rotación de este, medido en un plano perpendicular a la cara del husillo en un punto próximo a la circunferencia de la cara del husillo (ref. ISO 230/1 1986, apartado 5.63). Preformas de fibra de carbono (1): son un conjunto ordenado de fibras revestidas o no destinadas a constituir el marco de una parte antes de que se introduzca la matriz para formar un material compuesto. CEP (círculo de igual probabilidad) (7): es una medida de exactitud; círculo centrado en el blanco, con radio de alcance determinado, en el que hace impacto el 50 % de la carga útil. Láser químico (6): es un láser en el cual la energía emanada de una reacción química provoca la excitación de las moléculas. Mezcla química (1): es un producto sólido, líquido o gaseoso, formado por dos o más componentes que no reaccionan entre sí en las condiciones en que se almacena la mezcla. Sistemas antipar o sistemas de control de dirección, por control de circulación (7): son sistemas que utilizan aire proyectado sobre superficies aerodinámicas para aumentar o controlar las fuerzas generadas por esas superficies. Aeronave civil (1 3 4 7): son las aeronaves cuya denominación figura en las listas de certificados de navegabilidad que publican las autoridades de aviación civil por prestar servicio en líneas comerciales civiles interiores o exteriores o por estar destinadas a un uso civil lícito, ya sea privado o comercial. N.B.: Véase también aeronave. Entremezclado (1): es la mezcla, filamento a filamento, de fibras termoplásticas y de fibras de refuerzo a fin de producir una mezcla matriz de refuerzo fibroso en forma totalmente fibrosa. Trituración (1): es el procedimiento destinado a reducir un material a partículas mediante machaqueo o amolado. Controlador del canal de comunicaciones (4): es la interfaz física que controla el flujo de información digital síncrona o asíncrona. Es un conjunto que puede integrarse en equipos informáticos (hardware) o de telecomunicaciones para proporcionar el acceso a las comunicaciones. Sistemas de compensación (6): se componen del sensor escalar primario, uno o más sensores de referencia (por ej., magnetómetros vectores) junto con un programa informático que permite la reducción del ruido de la plataforma de rotación de un cuerpo rígido. Materiales compuestos (1 2 6 8 9): son el conjunto de una matriz y una o varias fases adicionales constituidas por partículas, triquitos, fibras o cualquier combinación de ellas, presentes para uno o varios fines específicos. Mesa rotativa compuesta (2): es una mesa que permite a la pieza girar e inclinarse alrededor de dos ejes no paralelos, que pueden coordinarse simultáneamente para el control de contorneado. Compuestos III/V (3 6): son productos policristalinos o binarios o bien monocristalinos complejos constituidos por elementos de los grupos IIIA y VA de la tabla de clasificación periódica de Mendeleiev (por ejemplo, arseniuro de galio, arseniuro de galio aluminio y fosfuro de indio). Control de contorneado (2): se realiza mediante dos o más movimientos controlados numéricamente y ejecutados siguiendo instrucciones que especifican la siguiente posición requerida y las velocidades de avance necesarias hacia esa posición. Estas velocidades de avance varían unas con respecto a otras con el fin de producir el contorno deseado (Ref. ISO/DIS 2806 – 1980). Temperatura crítica (1 3 5) (denominada en ocasiones temperatura de transición) de un material superconductor específico: es aquella temperatura a la que el material pierde completamente la resistencia a la circulación de corriente continua. Activación criptográfica (5): significa cualquier técnica que activa o posibilita una capacidad criptográfica a través de un mecanismo seguro aplicado por el fabricante del producto y que guarda un vínculo exclusivo con el producto o con el cliente para el cual se activa o posibilita la capacidad criptográfica (por ejemplo, una clave de licencia basada en un número de serie o un instrumento de autenticación como un certificado con firma digital). Las técnicas y mecanismos de activación criptográfica pueden aplicarse como equipo informático, programa informático o tecnología. Criptografía (5): es la disciplina que engloba los principios, medios y métodos para la transformación de los datos con el fin de ocultar su contenido informativo, impedir que se modifiquen sin que sea detectado o evitar su uso no autorizado. La criptografía se limita a la transformación de información utilizando uno o varios parámetros secretos (por ejemplo, variables criptográficas) o la gestión de clave asociada. Nota: La criptografía no incluye las técnicas fijas de compresión o codificación de datos. Parámetro secreto: constante o clave mantenida oculta a otras personas o compartida únicamente en el seno de un grupo. Láser CW (6): es un láser que produce una energía de salida nominalmente constante por más de 0,25 segundos. Sistemas de navegación con referencia a bases de datos (DBRN) (7): son sistemas que emplean diversas fuentes de datos geocartográficos previamente medidos e integrados de forma que proporcionen información precisa para la navegación en condiciones dinámicas. Entre las fuentes de datos figuran los mapas batimétricos, estelares, de gravedad, magnéticos y digitales en 3-D del terreno. Espejos deformables (6) (también conocidos como espejos de óptica adaptativa): significa espejos que tengan: Uranio empobrecido (0): es uranio con un contenido del isótopo 235 inferior al que se da en la naturaleza. Desarrollo (NGT NTN Todo): es el conjunto de las etapas previas a la producción en serie, tales como el diseño, la investigación del diseño, el análisis del diseño, los conceptos del diseño, el montaje y el ensayo de prototipos, los esquemas de producción piloto, los datos del diseño, el proceso de transformación de los datos del diseño en un producto, el diseño de configuración, el diseño de integración y los planos. Unión por difusión (1 2 9): es una unión molecular de estado sólido de al menos dos metales independientes para formar una sola pieza, siendo la resistencia de la unión equivalente a la del material menos resistente, en la que el mecanismo principal es la interdifusión de átomos a través de la interfaz. Ordenador digital (4 5): es el equipo que puede, en forma de una o más variables discretas, realizar todas las operaciones siguientes: N.B.: Las modificaciones de una secuencia de instrucciones almacenadas incluyen la sustitución de dispositivos fijos de memoria, pero no el cambio físico del cableado o las interconexiones. Tasa de transferencia digital (def): es la tasa (bits/seg.) total de información transferida directamente en cualquier tipo de soporte. N.B.: Véase también tasa de transferencia digital total. Prensado hidráulico por acción directa (2): es un procedimiento de deformación mediante una vejiga flexible llena de líquido que se pone en contacto directo con la pieza que está previsto prensar. Velocidad de deriva (giróscopos) (7): es el componente de la salida del giróscopo que resulta funcionalmente independiente de la rotación de entrada. Se expresa como una velocidad angular. (IEEE STD 528-2001). Un gramo efectivo (0 1) de un material fisionable especial equivale a: Conjunto electrónico (2 3 4 5): es un grupo de componentes electrónicos (elementos de circuitos, componentes discretos, circuitos integrados, etc.) conectados juntos para realizar una o varias funciones específicas, sustituibles conjuntamente y por lo general, desmontables. N.B. 1: Un elemento de circuito es una sola pieza funcional activa o pasiva de un circuito electrónico, como un diodo, un transistor, una resistencia, un condensador, etc. N.B. 2: Un componente discreto es un elemento de circuito encapsulado por separado con sus propias conexiones exteriores. Sistema de antenas orientable electrónicamente mediante ajuste de fases (5 6): es una antena que forma un haz mediante acoplamiento de fase, es decir, en la que la dirección del haz es controlada por los coeficientes de excitación complejos de los elementos radiantes y que puede ser modificada en azimut, en elevación o en ambos, mediante la aplicación de una señal eléctrica, tanto en emisión como en recepción. Materiales energéticos (1): son sustancias o mezclas que reaccionan químicamente para liberar la energía requerida a efectos de su aplicación prevista. Los explosivos, productos pirotécnicos y propulsantes son subclases de materiales energéticos. Efectores terminales (2): son las garras, las herramientas activas y cualquier otra herramienta que se fije en la placa base del extremo del brazo manipulador de un robot. N.B.: Una herramienta activa es un dispositivo destinado a aplicar a la pieza de trabajo la fuerza motriz, la energía necesaria para el proceso o los sensores. Densidad equivalente (6): es la masa de un (componente) óptico por unidad de área óptica proyectada sobre la superficie óptica. Explosivos (1): son sustancias o mezclas de sustancias sólidas, líquidas o gaseosas que se requieran para la detonación, utilizadas como cargas de cebos, de sobrepresión o como cargas principales en cabezas explosivas, dispositivos de demolición y otras aplicaciones. Sistemas FADEC (7 9): significa sistemas de control digital del motor con plena autoridad. Un sistema FADEC es un sistema electrónico de control digital para motores de turbina de gas que es capaz de controlar de manera autónoma el motor en todo su régimen de funcionamiento, desde la orden de encendido hasta la orden de apagado del motor, tanto en condiciones normales como en caso de fallo. Los materiales fibrosos o filamentosos (0 1 8) incluyen: Circuito integrado pelicular (3): es un conjunto de elementos de circuito y de interconexiones metálicas formado por depósito de una capa delgada o gruesa sobre un sustrato aislante. N.B.: El elemento de circuito es una sola pieza funcional activa o pasiva de un circuito electrónico, como un diodo, un transistor, una resistencia, un condensador, etc. Fijo (5): es el algoritmo de codificación o de compresión que no puede aceptar parámetros suministrados desde el exterior (por ejemplo, variables criptográficas o de claves) y no puede ser modificado por el usuario. Conjunto de sensores ópticos de control de vuelo (7): es una red de sensores ópticos distribuidos que utiliza rayos láser a fin de suministrar datos de control de vuelo en tiempo real para su tratamiento a bordo. Optimización de la ruta de vuelo (7): es el procedimiento que reduce al mínimo las desviaciones de una trayectoria deseada en cuatro dimensiones (espacio y tiempo) basándose en el mejor funcionamiento o mejor eficacia para cumplir una misión. Conjunto de plano focal (6 8): significa una capa planar lineal o bidimensional, o bien una combinación de capas planares, de elementos detectores individuales, con o sin lectura electrónica, que funcionan en el plano focal. N.B.: Lo anterior no incluye las pilas de elementos detectores simples ni las de dos, tres o cuatro elementos detectores cuando no tengan lugar en ellos el retardo y la integración. Ancho de banda fraccional (3 5): es el ancho de banda instantáneo dividido entre la frecuencia central y expresado como porcentaje. Salto de frecuencia (5): es una forma de espectro ensanchado en la que se cambia la frecuencia de la transmisión de un canal básico de comunicaciones mediante una secuencia al azar o al pseudo-azar de cambios discretos. Activador de la máscara de frecuencia (3) para los analizadores de señal: es un mecanismo mediante el cual la función de activación puede seleccionar una gama de frecuencias que se activará como un subconjunto del ancho de banda adquirido a la vez que se ignoran otras señales que también puedan estar presentes en el mismo ancho de banda de adquisición. Un activador de la máscara de frecuencia puede contener más de una serie de límites independientes. Tiempo de conmutación de frecuencia (3): es el tiempo (es decir, el retardo) que se requiere para que una señal, al conmutarse desde una frecuencia de salida especificada inicial, alcance una frecuencia de salida especificada final con un margen de exactitud de ± 0,05 %. Los productos cuya gama de frecuencias especificada sea inferior a ± 0,05 % en torno a su frecuencia central se considerarán, por definición, incapaces de efectuar la conmutación de frecuencia. Sintetizador de frecuencia (3): es cualquier tipo de generador de frecuencias, con independencia de la técnica utilizada, que proporcione múltiples frecuencias de salida, simultánea o alternativamente, en una o más salidas, controladas por, derivadas de o gobernadas por un número inferior de frecuencias patrón (o maestras). Pila de combustible (8): es un dispositivo electrónico que convierte la energía química directamente en electricidad de corriente continua consumiendo combustible de una fuente externa. Fundible (1): es aquello que es susceptible de ser entrecruzado o polimerizado en mayor grado (vulcanizado) mediante el uso de calor, radiación, catalizadores, etc., o que puede ser fundido sin pirólisis (carbonización). Atomización por gas (1): es un procedimiento para reducir un flujo de aleación metálica fundida a gotas de 500 micras de diámetro o menos mediante una corriente de gas a alta presión. Geográficamente dispersos (6): se usa cuando cada emplazamiento dista más de 1500 m de cualquier otro, en cualquier dirección. Los sensores móviles se consideran siempre geográficamente dispersos. Conjunto de guiado (7): son sistemas que integran el proceso de medida y cómputo de la posición y la velocidad de un vehículo (es decir, la navegación) con el de computación y envío de órdenes al sistema de control de vuelo del vehículo, para la corrección de su trayectoria. Densificación isostática en caliente (2): es el procedimiento en el que se somete a presión una pieza de fundición a temperatura superior a 375 K (102 °C) en un recinto cerrado, por diferentes medios (gas, líquido, partículas sólidas, etc.), para generar una fuerza de igual intensidad en todas las direcciones encaminada a reducir o eliminar los rechupes (cavidades) de la pieza de fundición. Circuito integrado híbrido (3): es cualquier combinación de circuitos integrados o bien un circuito integrado que contenga elementos de circuito o componentes discretos conectados entre sí para realizar una o varias funciones específicas, y que reúnan todas las características siguientes: N.B. 1: Un elemento de circuito es una sola pieza funcional activa o pasiva de un circuito electrónico, como un diodo, un transistor, una resistencia, un condensador, etc. N.B. 2: Un componente discreto es un elemento de circuito encapsulado por separado, con sus propias conexiones exteriores. Resaltado de imagen (4): es el procesado de imágenes exteriores portadoras de información por medio de algoritmos tales como compresión de tiempos, filtrado, extracción, selección, correlación, convolución o transformaciones entre dominios (por ejemplo, la transformada rápida de Fourier o la transformada de Walsh). No se incluyen los algoritmos que solo utilizan la transformación lineal o angular de una sola imagen, tales como la traslación, la extracción de características, el registro o la falsa coloración. Inmunotoxina (1): es la conjugación de un anticuerpo monoclonal específico de célula y una toxina o subunidad de toxina que afecta selectivamente a las células enfermas. De conocimiento público (NGT NTN NGPI), en el marco del presente documento: es la tecnología o el programa informático divulgados sin ningún tipo de restricción para su difusión posterior [las restricciones derivadas del derecho de propiedad intelectual no impiden que la tecnología o el programa informático se consideren de conocimiento público]. Seguridad de la información (4 5): es el conjunto de medios y funciones que aseguran la accesibilidad, el carácter confidencial o la integridad de la información o de las comunicaciones, exceptuando los previstos para la protección contra el mal funcionamiento. Se incluyen la criptografía, la activación criptográfica, el criptoanálisis, la protección contra las emanaciones comprometedoras y la seguridad de los ordenadores. N.B.: El criptoanálisis es el análisis de un sistema criptográfico o de sus entradas o salidas para derivar variables confidenciales o datos sensibles, incluyendo el texto claro. Ancho de banda instantáneo (3 5 7): es el ancho de banda en el cual la potencia de salida permanece constante dentro de un margen de 3 dB sin ajuste de otros parámetros de funcionamiento. Distancia medida con instrumentos (6): significa la medida por un radar, una vez resuelta la ambigüedad. Aislamiento (9): se aplica a los componentes de motores de cohetes, es decir, a la carcasa, toberas, aberturas de admisión y los cierres de la carcasa, e incluye las capas de goma curada o semicurada que contengan material aislante o refractario. Puede estar incorporado también como botas o aletas de alivio de tensión. Forro protector (9): es apropiado para la interfaz de unión entre el propulsante sólido y la cámara, o el aislante. Normalmente se trata de una dispersión de materiales refractarios o aislantes en una base polímera líquida, por ejemplo polibutadieno con grupos terminales hidroxílicos (HTPB) cargado con carbono, u otro polímero con agentes de curado añadidos, pulverizado o colocado por tiras en el interior de la carcasa. Gradiómetro magnético intrínseco (6): es un elemento individual de detección de gradiente de campo magnético y la electrónica asociada, cuya salida es una medida del gradiente de campo magnético. N.B.: Véase también gradiómetro magnético. Programa informático de intrusión (4): es un programa informático especialmente diseñado o modificado para evitar la detección mediante herramientas de seguimiento o desactivar las contramedidas de protección de un ordenador o dispositivo de conexión en red y que realiza cualquiera de las siguientes funciones: El programa informático de intrusión no incluye ninguno de los elementos siguientes: Los dispositivos de conexión en red incluyen los dispositivos móviles y los contadores inteligentes. Herramientas de seguimiento: programas informáticos o dispositivos de equipos informáticos que controlan comportamientos del sistema o procesos que funcionen en un dispositivo. Esto incluye los productos antivirus (AV) los productos de seguridad de punto final, los productos de seguridad personal (PSP), los sistemas de detección de intrusiones (SDI), los sistemas de prevención de intrusiones (SPI) o los cortafuegos. Contramedidas de protección: técnicas destinadas a garantizar la ejecución segura del código, tales como la prevención de la ejecución de datos, la aleatorización de direcciones de memoria o el aislamiento de procesos (sandboxing). Cultivos vivos aislados (1): incluye cultivos vivos en forma latente y en preparaciones en seco. Prensas isostáticas (2): son equipos capaces de presurizar una cavidad cerrada, por diversos medios (gas, líquido, partículas sólidas, etc.), con objeto de generar dentro de esta una presión igual en todas las direcciones sobre la pieza o el material que se deba prensar. Láser (0 2 3 5 6 7 8 9): es un conjunto de componentes que producen una luz coherente en el espacio y en el tiempo amplificada por una emisión estimulada de radiación. N.B.: Véanse también láser químico láser de potencia ultra alta láser de transferencia Vehículos más ligeros que el aire (9): son globos u otros vehículos aerostáticos que se elevan mediante aire caliente u otros gases más ligeros que el aire, tales como el hidrógeno o el helio. Linealidad (2) (que se mide generalmente en relación con la falta de linealidad): es la desviación máxima de la característica real (media de las lecturas en el sentido ascendente y descendente de la escala), positiva o negativa, con respecto a una línea recta situada de manera que se igualen y reduzcan al mínimo las desviaciones máximas. Red de área local (4 5): es un sistema de comunicación de datos que reúne todas las características siguientes: N.B.: Un equipo de datos es un equipo capaz de transmitir o recibir secuencias de información digital. Gradiómetros magnéticos (6): son instrumentos diseñados para detectar la variación espacial de los campos magnéticos procedentes de fuentes exteriores al instrumento. Constan de múltiples magnetómetros y su electrónica asociada, cuya salida es una medida del gradiente de campo magnético. N.B.: Véase también gradiómetro magnético intrínseco. Magnetómetros (6): son instrumentos diseñados para detectar campos magnéticos procedentes de fuentes exteriores al instrumento. Constan de un elemento individual de detección de campo magnético y su electrónica asociada, cuya salida es una medida del campo magnético. Memoria principal (4): es la memoria primaria de datos o instrucciones para acceso rápido desde la unidad central de procesamiento. Consta de la memoria interna de un ordenador digital y de cualquier ampliación jerárquica de la misma, como la memoria caché o unas ampliaciones de memoria de acceso no secuencial. Materiales resistentes a la corrosión por UF6 (0): entre estos materiales figuran el cobre, las aleaciones de cobre, el acero inoxidable, el aluminio, el óxido de aluminio, las aleaciones de aluminio, el níquel o aleaciones que contengan el 60 % en peso o más de níquel y polímeros de hidrocarburos fluorados. Matriz (1 2 8 9): es una fase sustancialmente continua que rellena el espacio entre las partículas, los triquitos o las fibras. Incertidumbre de medida (2): es el parámetro característico que especifica, con un grado de confianza del 95 %, la escala alrededor del valor de salida en la que se sitúa el valor correcto de la variable medible. Este parámetro incluye las desviaciones sistemáticas no corregidas, el juego no corregido y las desviaciones aleatorias (ref. ISO 10360-2). Aleación mecánica (1): es un proceso de aleación resultante de la unión, fractura y nueva unión de polvos de aleación (polvos elementales y polvos madre) mediante choque mecánico. Se pueden incorporar a la aleación partículas no metálicas mediante la adición de los polvos apropiados. Extracción en fusión (1): es un proceso utilizado para solidificar rápidamente y extraer una aleación en forma de cinta mediante la inserción de un segmento corto de un bloque frío en rotación, en un baño de una aleación metálica fundida. N.B.: Por solidificar rápidamente se entiende solidificar material fundido a velocidades de enfriamiento superiores a 1000 K/s. Enfriamiento brusco por impacto (1): es un procedimiento para solidificar rápidamente un chorro de metal fundido mediante el impacto contra un bloque enfriado, de modo que se obtenga un producto en forma de escamas, cintas o varillas. N.B.: Por solidificar rápidamente se entiende solidificar material fundido a velocidades de enfriamiento superiores a 1000 K/s. Microcircuito de microordenador (3): es un circuito integrado monolítico o circuito integrado multipastilla que contiene una unidad aritmética lógica (ALU) capaz de ejecutar instrucciones de propósito general almacenadas en una memoria interna, sobre datos obtenidos en la memoria interna. N.B.: La memoria interna puede ser ampliada por un almacenamiento externo. Microcircuito de microprocesador (3): es un circuito integrado monolítico o circuito integrado multipastilla que contiene una unidad aritmética lógica (ALU) capaz de ejecutar unas series de instrucciones de propósito general almacenadas en un almacenamiento externo. N.B. 1: Aunque el microcircuito de microprocesador no contiene normalmente una memoria a la que pueda acceder completamente el usuario, durante la realización de sus funciones lógicas puede utilizarse dicha memoria interna. N.B. 2: Se incluyen conjuntos de pastillas que están diseñados para operar juntos con objeto de proporcionar las funciones de un microcircuito de microprocesador. Microorganismos (1 2): son bacterias, virus, micoplasmas, rickettsias, clamidias u hongos, bien naturales, potenciados o modificados, ya sea en forma de cultivos vivos aislados o como material que incluya materia viva a la que se hayan inoculado deliberadamente estos cultivos o que haya sido contaminada con ellos. Misiles (1 3 6 7 9): son sistemas completos de cohetes y sistemas de vehículos aéreos no tripulados, capaces de llevar, al menos, una carga útil de 500 kg a una distancia de, al menos, 300 km. Monofilamento (1) o filamento: es el incremento más pequeño de fibra, generalmente de varias micras de diámetro. Circuito integrado monolítico (3): es una combinación de elementos de circuito pasivos, activos o de ambos tipos que: N.B.: El elemento de circuito es una sola pieza funcional activa o pasiva de un circuito electrónico, como un diodo, un transistor, una resistencia, un condensador, etc. Sensores monoespectrales de formación de imágenes (6): permiten la adquisición de datos de formación de imágenes en una banda espectral discreta. Circuito integrado multipastilla (3): es un conjunto de dos o más circuitos integrados monolíticos fijados a un sustrato común. Sensores multiespectrales de formación de imágenes (6): permiten la adquisición simultánea o en serie de datos de formación de imágenes, en dos o más bandas espectrales discretas. Los sensores con más de 20 bandas espectrales discretas a veces se denominan sensores hiperespectrales de formación de imágenes. Uranio natural (0): es uranio que contenga las mezclas de isótopo que se dan en la naturaleza. Controlador de acceso a la red (4): es una interfaz física con una red de conmutación distribuida. Utiliza un soporte común que funciona a la misma tasa de transferencia digital empleando el arbitraje [por ejemplo, detección de señal (token) o de portadora] para la transmisión. Con independencia de cualquier otro dispositivo, selecciona los paquetes de datos o los grupos de datos (por ejemplo, IEEE 802) a él dirigidos. Es un conjunto que puede integrarse en equipos informáticos o de telecomunicaciones para proporcionar el acceso a las comunicaciones. Ordenador neuronal (4): es un dispositivo de cómputo diseñado o modificado para imitar el comportamiento de una neurona o de un grupo de neuronas, es decir, que se distingue por su capacidad a nivel de equipo informático de modular los pesos y los números de las interconexiones de múltiples componentes de cómputo basándose en datos anteriores. Reactor nuclear (0): es un reactor completo capaz de funcionar de manera que se pueda mantener una reacción de fisión en cadena autosostenida y controlada. Un reactor nuclear incluye todos los dispositivos que se encuentran en el interior del recipiente del reactor o que están conectados directamente con él, el equipo que controla el nivel de potencia en el núcleo y los componentes que normalmente contienen el refrigerante primario del núcleo del reactor o que están directamente en contacto con dicho refrigerante o lo regulan. Control numérico (2): es el control automático de un proceso realizado por un dispositivo que utiliza datos numéricos introducidos, por lo general, durante el funcionamiento (ref. ISO 2382). Código objeto (NGPI): es una forma ejecutable por el equipo de una expresión adecuada de uno o varios procesos [código fuente (o lenguaje fuente)] que ha sido compilado por un sistema de programación. Amplificación óptica (5): en las comunicaciones ópticas, es una técnica de amplificación que introduce una ganancia de señales ópticas que han sido generadas por una fuente óptica distinta, sin conversión a señales eléctricas, es decir, utilizando amplificadores ópticos de semiconductores o amplificadores luminiscentes de fibra óptica. Ordenador óptico (4): es un ordenador diseñado o modificado con objeto de utilizar la luz para representar los datos y cuyos elementos lógicos de cómputo se basan en dispositivos ópticos acoplados directamente. Circuito integrado óptico (3): es un circuito integrado monolítico o circuito integrado híbrido que contiene una o más piezas diseñadas para funcionar como fotosensor o fotoemisor, o para realizar una o varias funciones ópticas o electroópticas. Conmutación óptica (5): es el encaminamiento o conmutación de las señales en forma óptica sin conversión a señales eléctricas. Densidad de corriente global (3): es el número total de amperios-vuelta de la bobina (es decir, el sumatorio de las corrientes máximas transportadas por cada espira) dividido por la sección transversal total de la bobina (incluidos los filamentos superconductores, la matriz metálica en la que van incorporados los filamentos superconductores, el material de encapsulado, canales de refrigeración, etc.). Estado participante (7 9): significa un Estado que participa en el Arreglo de Wassenaar (véase www.wassenaar.org). Potencia de pico (6): es el nivel de potencia más alto alcanzado en la duración del impulso. Red de área personal (5): es un sistema de comunicación de datos que presenta todas las características siguientes: El equipo de datos es un equipo capaz de transmitir o recibir secuencias de información digital. Gestión de potencia (7): es la modificación de la potencia transmitida de la señal del altímetro de manera que la potencia recibida a la altitud de la aeronave esté siempre al nivel mínimo necesario para determinar la altitud. Previamente separado (0 1): se dice de la aplicación de cualquier proceso tendente a aumentar la concentración del isótopo controlado. Control principal de vuelo (7): es el control de estabilidad o de maniobra de una aeronave mediante generadores de fuerza/momento, es decir, superficies de control aerodinámico o vectorización de empuje de propulsión. Elemento principal (4): en lo referente a la categoría 4, es un elemento cuyo valor de sustitución supera el 35 % del valor total del sistema del que forma parte. El valor del elemento es el precio pagado por este por el fabricante o el integrador del sistema. El valor total es el precio de venta internacional normal a clientes que no tengan relación con el vendedor, en el punto de fabricación o en el punto de consolidación de la expedición. Producción (NGT NTN Todo): es un término que abarca todas las fases de la producción tales como la construcción, la ingeniería de la producción, la fabricación, la integración, el ensamblaje (montaje), la inspección, los ensayos y la garantía de calidad. Equipo de producción (1 7 9): son las herramientas, plantillas, utillaje, mandriles, moldes, matrices, utillaje de sujeción, mecanismos de alineación, equipo de ensayos, la restante maquinaria y componentes para ellos, limitados a los diseñados especialmente o modificados para el desarrollo o para una o más fases de la producción. Medios de producción (7 9): son los equipos de producción y el programa informático diseñado especialmente para ellos que estén integrados en instalaciones para el desarrollo o para una o más fases de la producción. Programa (2 6): es una secuencia de instrucciones para llevar a cabo un proceso, en, o convertible a, una forma ejecutable por un ordenador electrónico. Compresión de impulso (6): es la codificación y el procesado de un impulso de señal de radar de larga duración a un impulso de corta duración, conservando las ventajas de una elevada energía del impulso. Duración del impulso (6): es la duración de un impulso láser, que corresponde al tiempo entre los puntos de potencia mitad en los frentes anterior y posterior de un impulso particular. Láser impulsado(6): es un láser con una duración de impulso inferior o igual a 0,25 segundos. Criptografía cuántica (5): es un conjunto de técnicas para establecer claves compartidas de la criptografía mediante la medición de propiedades de la mecánica cuántica de su sistema físico (incluidas las propiedades físicas regidas específicamente por la óptica cuántica, la teoría cuántica o la electrodinámica cuántica). Radar, agilidad de frecuencia (6): es cualquier técnica por medio de la cual la frecuencia portadora de un emisor radar pulsante se modifica siguiendo una secuencia pseudoaleatoria, entre impulsos o grupos de impulsos, en una cantidad igual o mayor que la anchura de banda del impulso. Radar, espectro ensanchado (6): es cualquier técnica de modulación para extender la energía de una señal de una anchura de banda relativamente estrecha a una anchura de banda de frecuencias mucho mayor, usando un código aleatorio o pseudoaleatorio. Sensibilidad radiante (6): es la sensibilidad radiante (mA/W) = 0,807 × (longitud de onda en nm) × eficiencia cuántica (QE). En general, la QE se expresa como porcentaje; no obstante, a efectos de la presente fórmula la QE se expresa como una cifra decimal inferior a la unidad, por ejemplo un 78 % es 0,78. Ancho de banda en tiempo real (3): es, en los analizadores de señales, la gama de frecuencia más ancha para la que el analizador puede transformar totalmente y de forma continua datos del dominio temporal en resultados de frecuencia, utilizando una transformación temporal discreta o Fourier que procese cada punto temporal entrante sin lagunas o efectos ventana que provoquen una reducción de la amplitud medida de más de 3 dB por debajo de la amplitud real de la señal y, al mismo tiempo, envíe o muestre los datos transformados. Procesado en tiempo real (2 6 7): es el procesamiento de datos por un sistema informático, que proporciona un nivel requerido de servicio en función de los recursos disponibles y en un tiempo de respuesta garantizado, sin considerar la carga del sistema, cuando es estimulado por un suceso externo. Repetibilidad (7): es la concordancia entre medidas repetidas de la misma variable bajo las mismas condiciones de funcionamiento cuando se producen cambios en las condiciones o períodos no operativos entre las medidas. (Referencia: IEEE STD 528-2001 [desviación típica de un sigma]). Necesaria (NGT 1-9): aplicado a la tecnología, se refiere únicamente a la parte específica de la tecnología que es particularmente responsable de alcanzar o sobrepasar los niveles de prestaciones, características o funciones sometidos a control. Tal tecnología necesaria puede ser común a diferentes productos. Resolución (2): es el incremento más pequeño de un dispositivo de medida; en instrumentos digitales, el bit menos significativo (ref. ANSI B-89.1.12). Agentes antidisturbios (1): son sustancias que, utilizadas en las condiciones esperadas de uso como antidisturbios, producen rápidamente en los humanos una irritación sensorial o incapacidad física que desaparecen a los pocos minutos de haber cesado la exposición. Los gases lacrimógenos son un subconjunto de los agentes antidisturbios. Robot (2 8): es un mecanismo de manipulación que puede ser del tipo de trayectoria continua o de la variedad punto a punto, que puede utilizar sensores y que reúne todas las características siguientes: N.B.: La definición anterior no incluye los dispositivos siguientes: Atomización rotatoria (1): es un procedimiento destinado a reducir un flujo o un depósito de metal fundido a gotas de 500 micras de diámetro o menos mediante la fuerza centrífuga. Cable (1): es un haz de cordones (generalmente de 12 a 120) aproximadamente paralelos. N.B.: Cordón es un haz de monofilamentos (generalmente más de 200) colocados en forma aproximadamente paralela. Desplazamiento axial periódico radial (descentrado) (run out) (2): es el desplazamiento radial del husillo principal durante una rotación de este, medido en un plano perpendicular al eje del husillo en un punto de la superficie rotativa externa o interna que va a someterse a ensayo (ref. ISO 230/1-1986, apartado 5.61). Factor de escala (giroscopio o acelerómetro) (7): es la relación entre un cambio en la salida y un cambio en la entrada que se pretende medir. El factor de escala se evalúa generalmente como la pendiente de la línea recta que puede ajustarse por el método de los cuadrados mínimos a los datos de entrada-salida obtenidos haciendo variar la entrada de manera cíclica sobre la gama de entrada. Tiempo de estabilización (3): es el tiempo necesario para que la salida se encuentre en un entorno de medio bit del valor final, al conmutar entre dos niveles cualesquiera del convertidor. SHPL: equivale a láser de potencia ultra alta. Analizadores de señal (3): son instrumentos capaces de medir y presentar visualmente las propiedades fundamentales de los componentes de frecuencia (tonos) de señales multifrecuencia. Proceso de señales (3 4 5 6): es el proceso de señales, derivadas externamente, que contienen información, por medio de algoritmos como compresión de tiempo, filtrado, extracción, selección, correlación, convolución o transformaciones entre dominios (por ejemplo, transformada rápida de Fourier o transformada de Walsh). Programa informático(software) (NGPI, Todo): es una colección de uno o más programas o microprogramas fijada a cualquier soporte tangible de expresión. N.B.: El microprograma es una secuencia de instrucciones elementales, contenidas en una memoria especial, cuya ejecución se inicia mediante la introducción de su instrucción de referencia en un registro de instrucción. Código fuente (o lenguaje fuente) (6 7 9): es la expresión adecuada de uno o varios procesos que puede convertirse en forma ejecutable por el equipo (código objeto o lenguaje objeto) mediante un sistema de programación. Vehículo espacial (7 9): son los satélites activos y pasivos y las sondas espaciales. Calificados para uso espacial (3 6 7): significa que se han diseñado, fabricado o calificado, mediante ensayos que han tenido éxito, para operar a altitudes de 100 km o más sobre la superficie de la Tierra. N.B.: La determinación de que un producto específico sea calificado para uso espacial con arreglo a determinados ensayos no significa que otros productos de la misma serie de producción o de modelos también sean calificados para uso espacial si no han sido sometidos a ensayo de forma individual. Materiales fisionables especiales (0): son el plutonio-239, el uranio-233, el uranio enriquecido en los isótopos 235 o 233 y cualquier material que contenga los anteriores. Módulo específico (0 1 9): es el módulo de Young medido en pascales, equivalente a N/m2 divididos por el peso específico en N/m3, medido a una temperatura de (296 ± 2) K ([23 ± 2] °C) y a una humedad relativa del (50 ± 5) %. Resistencia específica a la tracción (0 1 9): es la resistencia final a la tracción en medida en pascales, equivalente a N/m2 divididos por el peso específico en N/m3, medido a una temperatura de (296 ± 2) K ([23 ± 2] °C) y a una humedad relativa del (50 ± 5) %. Giroscopios por masa giratoria (7): son giroscopios que utilizan una masa en rotación continua para medir el movimiento angular. Enfriamiento brusco por colisión y rotación (1): es un proceso destinado a solidificar rápidamente un chorro de metal fundido mediante la colisión contra un bloque enfriado en rotación, para obtener un producto en forma de escamas. N.B.: Solidificar rápidamente se refiere a solidificar material fundido a velocidades de enfriamiento superiores a 1000 K/s. Espectro ensanchado (5): es una técnica mediante la cual la energía de un canal de comunicaciones de banda relativamente estrecha se extiende sobre un espectro de energía mucho más ancho. Espectro ensanchado de radar, (6): véase radar, espectro ensanchado. Estabilidad (7): es la desviación típica (1 sigma) de la variación de un parámetro determinado respecto de su valor calibrado, medido en condiciones de temperatura estables. Puede expresarse en función del tiempo. Estados Parte / Estados que no son Parte de la Convención sobre Armas Químicas (1): son aquellos Estados en los que ha entrado en vigor / no ha entrado en vigor la Convención sobre la Prohibición del Desarrollo, la Producción, el Almacenamiento y el Empleo de Armas Químicas (véase www.opcw.org). Sustrato (3): es una lámina de material de base con una estructura de interconexión o sin ella y sobre la cual, o dentro de la cual, se pueden situar componentes discretos, circuitos integrados o ambas cosas. N.B. 1: Un componente discreto es un elemento de circuito encapsulado por separado, con sus propias conexiones exteriores. N.B. 2: Un elemento de circuito es una sola pieza funcional activa o pasiva de un circuito electrónico, como un diodo, un transistor, una resistencia, un condensador, etc. Sustratos en bruto (6): son compuestos monolíticos de dimensiones adecuadas para la fabricación de elementos ópticos tales como espejos o ventanas ópticas. Subunidad de toxina (1): es un componente estructuralmente y funcionalmente discreto de una toxina entera. Superaleaciones (2 9): son aleaciones a base de níquel, cobalto o hierro que presentan resistencias superiores a las de la serie AISI 300 a temperaturas superiores a 922 K (649 °C) en condiciones ambientales y de funcionamiento duras. Superconductores (1 3 5 6 8): son materiales, esto es, metales, aleaciones o compuestos que pueden perder totalmente la resistencia eléctrica, es decir, que pueden alcanzar una conductividad eléctrica infinita y transportar corrientes eléctricas muy grandes sin calentamiento Joule. N.B.: El estado superconductor de un material se caracteriza individualmente por una temperatura crítica, un campo magnético crítico que es una función de la temperatura, y una densidad de corriente crítica que es una función del campo magnético y de la temperatura. Láser de potencia ultra alta (SHPL) (6): es un láser capaz de emitir (la totalidad o una parte de) una energía de salida que exceda de 1 kJ dentro de 50 ms o que tenga una potencia media o en ondas continuas superior a 20 kW. Conformación superplástica (1 2): es un procedimiento de deformación en el que se utiliza calor para metales que se caracterizan normalmente por valores de alargamiento bajos (menos del 20 %) en el punto de ruptura, determinado a temperatura ambiente de acuerdo con los ensayos convencionales de resistencia a la tracción, con objeto de conseguir durante el tratamiento alargamientos de al menos el doble de dichos valores. Algoritmo simétrico (5): es un algoritmo criptográfico que requiere una clave idéntica para el cifrado y el descifrado. N.B.: Un uso común de los algoritmos simétricos es la confidencialidad de los datos. Pistas producidas por el sistema (6): es el informe actualizado de la posición de vuelo de un avión, procesado y correlacionado (fusión de datos relativos a los blancos de radar con respecto a las posiciones del plan de vuelo) que está a disposición de los controladores del centro de control del tráfico aéreo. Ordenador de conjunto sistólico (4): es un ordenador en el que el usuario puede controlar el flujo y la modificación de los datos dinámicamente a nivel de puerta lógica. Cinta (1): es un material construido de monofilamentos, cordones, cables, cabos o hilos, etc., entrelazados o unidireccionales, generalmente preimpregnados con resina. N.B.: El cordón es un haz de monofilamentos (por lo general, más de 200) colocados en forma aproximadamente paralela. Tecnología (NGT NTN Todo): es la información específica necesaria para el desarrollo, la producción o la utilización de un producto. Puede adoptar la forma de datos técnicos o de asistencia técnica. N.B. 1: La asistencia técnica puede adoptar la modalidad de instrucción, transmisión de competencias, formación, conocimientos prácticos, servicios consultivos y podrá entrañar la transferencia de datos técnicos. N.B. 2: Los datos técnicos pueden adoptar la modalidad de copias heliográficas, planos, diagramas, modelos, fórmulas, tablas, diseño y especificaciones de ingeniería, manuales e instrucciones escritas o registradas en otros medios o soportes tales como discos, cintas o memorias ROM. Circuito integrado tridimensional (3): se refiere a una recopilación de cubos de semiconductor, integrados conjuntamente y dotados de vías que pasan completamente a través de al menos un cubo para establecer interconexiones entre cubos. Husillo basculante (2): es un husillo portaherramientas que modifica, durante el proceso de mecanizado, la posición angular de su eje de referencia con respecto a cualquier otro eje. Constante de tiempo (6): es el tiempo transcurrido entre la aplicación de un estímulo y el momento en el que el aumento de corriente alcanza un valor de 1-1/e) veces el valor final (es decir, el 63 % del valor final). Carenado de extremo (9): es un componente estacionario anular (en una pieza o segmentado) fijado a la superficie interna de la carcasa de la turbina del motor o una parte del extremo exterior del álabe, que sirve fundamentalmente como sellado contra gases entre los componentes estacionarios y rotatorios. Control total de vuelo (7): es un control automático de las variables de situación y de la trayectoria de vuelo de una aeronave para el cumplimiento de misiones objetivas, que responde en tiempo real a los cambios de los datos correspondientes a los objetivos, riesgos u otra aeronave. Tasa de transferencia digital total (5): es el número de bits, incluidos los de codificación en línea, los de encabezamiento, etc., por unidad de tiempo, que pasan entre los equipos correspondientes, en un sistema de transmisión digital. N.B.: Véase también la tasa de transferencia digital. Cabo (1): es un haz de monofilamentos, por lo general en forma aproximadamente paralela. Toxinas (1 2): son toxinas en forma de preparados o mezclas aisladas deliberadamente, con independencia de cómo se hayan obtenido, con excepción de las toxinas presentes como contaminantes en otros materiales, tales como especímenes patológicos, cultivos, alimentos o material de siembra de microorganismos. Láser de transferencia (6): es un láser excitado por una transferencia de energía obtenida por la colisión de un átomo o una molécula que no produce efecto láser con un átomo o una molécula que produce efecto láser. Sintonizable (6): es la capacidad de un láser para producir una salida continua en todas las longitudes de onda de una gama de varias transiciones láser. Un láser de línea seleccionable produce longitudes de onda discretas dentro de una transición láser y no se considera sintonizable. Vehículo aéreo no tripulado (UAV) (9): es aquel vehículo que pueda despegar, mantenerse en vuelo y navegar de forma controlada, sin una presencia humana a bordo. Uranio enriquecido en los isótopos 235 o 233 (0): es uranio que contiene los isótopos 235 o 233, o ambos, en tal cantidad que la relación entre la suma de las cantidades de estos isótopos y la de isótopo 238 sea mayor que la relación entre la cantidad de isótopo 235 y la de isótopo 238 tal y como se da en la naturaleza (relación isotópica del 0,71 %). Utilización (NGT NTN Todo): comprende el funcionamiento, la instalación (incluida la instalación in situ), el mantenimiento (verificación), la reparación, la revisión y la renovación. Programabilidad accesible al usuario (6): es la prestación del sistema que permite al usuario insertar, modificar o sustituir programas por medios distintos de: Vacuna (1): es un producto medicinal en formulación farmacéutica que cuenta con una licencia o autorización de comercialización o de ensayo clínico de las autoridades de reglamentación, ya sean del país de fabricación o de empleo del producto, cuya finalidad es estimular una respuesta inmunológica protectora en seres humanos o en animales, con objeto de prevenir enfermedades en el individuo al que se administra. Atomización al vacío (1): es un procedimiento para reducir un flujo de metal fundido a gotas de 500 micras de diámetro o menos, por la liberación rápida de un gas disuelto, mediante la exposición al vacío. Superficies aerodinámicas de geometría variable (7): son superficies aerodinámicas que utilizan alerones o aletas compensadoras, de borde de salida, o perfiles del borde de ataque o morro basculante articulado, cuyas posiciones pueden modificarse en vuelo. Hilo (1): es un haz de cordones retorcidos. N.B.: El cordón es un haz de monofilamentos (por lo general, más de 200) colocados en forma aproximadamente paralela.

DEFINICIONES DE LOS TÉRMINOS EMPLEADOS EN EL PRESENTE ANEXO

a.

la arquitectura común del equipo informático y de los programas informáticos;

b.

la tecnología común del diseño y los proceso, y

c.

a.

la extracción de datos o información de un ordenador o dispositivo de conexión en red, o la modificación de datos de usuario o del sistema, o

b.

la modificación de la ruta de ejecución normal de un programa o un proceso con el fin de permitir la ejecución de instrucciones externas.

DEFINICIONES DE LOS TÉRMINOS EMPLEADOS EN EL PRESENTE ANEXO Nota técnica: Nota técnica: Notas: 1.

a.

hipervisores, programas de depuración o herramientas informáticas de ingeniería inversa;

b.

programas informáticos de gestión de derechos digitales, o

c.

programa informático diseñado para ser instalado por los fabricantes, administradores o usuarios, con fines de seguimiento o recuperación de activos.

DEFINICIONES DE LOS TÉRMINOS EMPLEADOS EN EL PRESENTE ANEXO Nota técnica: Nota técnica: Notas: 1.2. Notas técnicas: 1.2.

a.

permite la intercomunicación directa de un número arbitrario de equipos de datos independientes, y

b.

Recipientes metálicos o piezas importantes manufacturadas de los mismos, incluida la cabeza del recipiente de presión del reactor, especialmente diseñados o preparados para contener el núcleo de un reactor nuclear

Equipos de manipulación especialmente diseñados o preparados para cargar y descargar el combustible en un reactor nuclear

Barras de control diseñadas especialmente o preparadas para el control del proceso de fisión en un reactor nuclear, las estructuras de apoyo o suspensión de las mismas y los tubos guía de las barras de control

Tubos de presión especialmente diseñados o preparados para contener los elementos combustibles y el refrigerante primario en un reactor nuclear

Tubos (o ensamblajes de tubos) de circonio metálico o de aleaciones de circonio especialmente diseñados o preparados para su utilización como tubos de revestimiento de combustible en un reactor nuclear y en cantidades que excedan de 10 kg N.B.: Para los tubos de presión de circonio, véase el subartículo 0A001.e y para los tubos de calandria, véase el subartículo 0A001.h.

Bombas o circuladores de refrigerante especialmente diseñadas o preparadas para hacer circular el refrigerante primario en reactores nucleares

h. Nota técnica:

Componentes internos de reactor nuclear especialmente diseñados o preparados para su utilización en un reactor nuclear, incluidas las columnas de apoyo del núcleo, los canales de combustible, los tubos de calandria, los blindajes térmicos, las placas deflectoras, las placas para el reticulado del núcleo y las placas difusoras. En el subartículo 0A001.h, componentes internos de reactor nuclear se refiere a cualquier estructura importante en una vasija de reactor que desempeñe una o más funciones tales como el apoyo del núcleo, el mantenimiento de la alineación del combustible, la orientación del flujo refrigerante primario, el suministro de blindajes de radiación para la vasija del reactor y la dirección de la instrumentación en el núcleo.

Intercambiadores de calor, según se indica: Nota: El subartículo 0A001.i no somete a control los intercambiadores de calor para sistemas de apoyo del reactor, p. ej. el sistema de refrigeración de emergencia o el sistema de refrigeración del calor de desintegración.

1. Generadores de vapor diseñados especialmente diseñados o preparados para el circuito de refrigerante primario o intermedio de un reactor nuclear

2. Otros intercambiadores de calor especialmente diseñados o preparados para su utilización en el circuito de refrigerante primario de un reactor nuclear.

Detectores de neutrones, especialmente diseñados o preparados para determinar los niveles de flujo de neutrones en el núcleo de un reactor nuclear

k. Nota técnica:

Blindajes térmicos exteriores especialmente diseñados o preparados para su utilización en un reactor nuclear para la reducción de las pérdidas de calor y también para la protección del recipiente de contención. En el subartículo 0A001.h, blindajes térmicos exteriores se refiere a las estructuras principales situadas por encima del recipiente del reactor que reducen las pérdidas de calor del reactor y disminuyen la temperatura en el recipiente de contención.

0B Nota técnica:

Equipos de ensayo, inspección y producción 0B001 Plantas para la separación de isótopos de uranio natural, uranio empobrecido y materiales fisionables especiales, y equipos y componentes especialmente diseñados o preparados para ello, según se indica: 0B002 Sistemas, equipos y componentes auxiliares especialmente diseñados o preparados, según se indica, para las plantas de separación de isótopos especificadas en el artículo 0B001, que hayan sido fabricados con, o protegidos por, materiales resistentes a la corrosión por UF6: 0B003 Plantas para la conversión de uranio y equipos especialmente diseñados o preparados para ellas, según se indica: 0B004 Plantas para la producción o concentración de agua pesada, deuterio y compuestos de deuterio y equipos y componentes especialmente diseñados o preparados para ello, según se indica: 0B005 Plantas diseñadas especialmente para la fabricación de elementos combustibles para reactores nucleares y equipos especialmente diseñados o preparados para ellas. Las plantas para la fabricación de elementos combustibles del reactor nuclear incluyen equipos que: 0B006 Plantas para el reprocesado de elementos combustibles irradiados de reactores nucleares, así como equipos y componentes especialmente diseñados o preparados para ellas. Nota: El artículo 0B006 incluye: 0B007 Plantas para la conversión del plutonio, así como equipos y componentes especialmente diseñados o preparados para ellas, según se indica:

0B a.

Plantas diseñadas especialmente para la separación de isótopos de uranio natural, uranio empobrecido y materiales fisionables especiales, según se indica:

1. Plantas de separación por centrifugación gaseosa

2. Plantas de separación por difusión gaseosa

3. Plantas de separación aerodinámica

4. Plantas de separación por intercambio químico

5. Plantas de separación por intercambio de iones

6. Plantas de separación de isótopos por láser de vapor atómico (SILVA)

7. Plantas de separación de isótopos por láser molecular (SILM)

8. Plantas de separación de plasma

9. Plantas de separación electromagnética

b. Nota técnica:

Centrifugadoras de gas y conjuntos y componentes, especialmente diseñados o preparados para procesos de separación por centrifugación gaseosa, según se indica: En el subartículo 0B001.b, materiales de elevada relación resistencia/densidad se refiere a cualquiera de los siguientes:

1. Acero martensítico envejecido con una carga de rotura por tracción de 1,95 GPa o más

2. Aleaciones de aluminio con una carga de rotura por tracción de 0,46 GPa o más, o

3. Materiales fibrosos o filamentosos con un módulo específico superior a 3,18 × 106 m y una resistencia específica a la tracción superior a 7,62 × 104 m

1. Centrifugadoras de gas

2. Conjuntos rotores completos

3. Cilindros para tubos rotores con un espesor de paredes de 12 mm o menos y un diámetro entre de 75 mm y 650 mm, fabricados con materiales de elevada relación resistencia/densidad

4. Anillos o fuelles con un espesor de paredes de 3 mm como máximo y con un diámetro de entre 75 mm y 650 mm, diseñados para reforzar localmente un tubo rotor o para unir varios de ellos y fabricados con materiales de elevada relación resistencia/densidad

5. Pantallas con un diámetro de entre 75 mm y 650 mm, para ser montadas dentro del tubo rotor y fabricadas con materiales de elevada relación resistencia/densidad

6. Tapones superiores e inferiores con un diámetro de entre 75 mm y 650 mm para ajustarse a los extremos del tubo rotor, fabricados con materiales de elevada relación resistencia/densidad

7. Soportes magnéticos de suspensión, según se indica:

7. a.

Conjuntos de soportes consistentes en un electroimán anular suspendido en un marco protegido o construido con materiales resistentes a la corrosión por UF6 y que contiene un medio amortiguador. El imán se acopla con una pieza polo o con un segundo imán ajustado a la tapa superior del rotor

Soportes magnéticos activos especialmente diseñados o preparados para su uso en centrifugadoras de gas

8. Soportes preparados especialmente que comprenden un conjunto pivote/copa montado en un amortiguador

9. 0B001 b. Bombas moleculares compuestas de cilindros con surcos helicoidales mecanizados o extrudidos internamente y con orificios mecanizados internamente

10. Estatores, de forma anular, destinados a motores multifásicos de corriente alterna por histéresis (o reluctancia) para un funcionamiento síncrono en el vacío en la gama de frecuencias de 600 Hz o superior y una potencia de 40 VA o superior

11. Recipientes/cajas de centrifugadoras para alojar el conjunto del tubo rotor de una centrifugadora de gas, consistente en un cilindro rígido de espesor de pared de hasta 30 mm con extremos mecanizados con precisión que son paralelos entre sí y perpendiculares al eje longitudinal del cilindro en 0,05 grados o menos

12. Paletas consistentes en tubos especialmente diseñados o preparados para la extracción de gas UF6 del tubo rotor, por acción de un tubo de Pitot, que puedan fijarse al sistema central de extracción de gas

13. Cambiadores de frecuencia (convertidores o inversores) especialmente diseñados o preparados para alimentar los estatores de motores para el enriquecimiento por centrifugación gaseosa, que posean todas las características, y los componentes diseñados especialmente para ellos que se indican a continuación:

13. a.

Salida eléctrica multifásica de frecuencia igual o superior a 600 Hz, y

Elevada estabilidad (con control de frecuencia superior a 0,2 %)

14. Válvulas de cierre y de control, según se indica:

14. a.

Válvulas de cierre especialmente diseñadas o preparadas para actuar en la alimentación, el producto o las colas de flujos gaseosos de UF6 de una centrifugadora individual de gas

Válvulas de fuelle con anillo de sello, cierre o control, fabricadas o protegidas con materiales resistentes a la corrosión por UF6, con un diámetro interior de entre 10 mm y 160 mm, especialmente diseñadas o preparadas para su utilización en los sistemas principales o auxiliares de plantas de enriquecimiento por centrifugación gaseosa

Equipos y componentes especialmente diseñados o preparados para procesos de separación por difusión gaseosa, según se indica:

1. Barreras de difusión gaseosa fabricadas con materiales porosos metálicos, polímeros o cerámicos, materiales resistentes a la corrosión por UF6, con un tamaño de poro de 10 a 100 nm, un espesor de 5 mm como máximo y, para aquellas de forma tubular, un diámetro de 25 mm como máximo

2. Cajas de difusores gaseosos, fabricados o protegidos con materiales resistentes a la corrosión por UF6

3. Compresores o sopladores de gas con una capacidad de aspiración de 1 m3/min o mayor de UF6, una presión de descarga de hasta 500 kPa y un ratio de presión de 10:1 como máximo, que hayan sido fabricados o protegidos con materiales resistentes a la corrosión por UF6

4. Obturadores para ejes de rotación destinados a los compresores o sopladores especificados en el subartículo 0B001.c.3 y diseñados para una tasa de penetración de gas separador inferior a 1000 cm3/min.

5. Intercambiadores de calor fabricados o protegidos con materiales resistentes a la corrosión por UF6, y diseñados para una tasa de presión de fuga inferior a 10 Pa por hora bajo una diferencia de presión de 100 kPa

6. Válvulas de fuelle con anillo de sello, manuales o automáticas, de cierre o control, fabricadas o protegidas con materiales resistentes a la corrosión por UF6

Equipos y componentes, según se indica, especialmente diseñados o preparados para procesos de separación aerodinámica

1. Toberas de separación, formadas por canales curvos en forma de ranura con un radio de curvatura inferior a 1 mm, resistentes a la corrosión por UF6 y en cuyo interior hay una cuchilla que separa en dos el flujo de gas que circula por la tobera

2. 0B001 d. Tubos cilíndricos o cónicos (tubos vorticiales), fabricados o protegidos con materiales resistentes a la corrosión por UF6, con una o más entradas tangenciales

3. Compresores o sopladores de gas hechos de, o protegidos con, materiales resistentes a la corrosión por UF6 y los obturadores para los ejes de rotación para ellos

4. Intercambiadores de calor fabricados o protegidos con materiales resistentes a la corrosión por UF6

5. Cajas de los elementos de separación, fabricadas o protegidas con materiales resistentes a la corrosión por UF6, para alojar los tubos vorticiales o las toberas de separación

6. Válvulas de fuelle con anillo de sello, manuales o automáticas, de cierre o control, fabricadas o protegidas con materiales resistentes a la corrosión por UF6, con un diámetro igual o superior a 40 mm

7. Sistemas de proceso para la separación del UF6 del gas portador (hidrógeno o helio) hasta 1 ppm de contenido máximo de UF6, incluyendo:

7. a.

Intercambiadores de calor criogénicos y crioseparadores capaces de alcanzar temperaturas de 153 K (– 120 °C) o inferiores

Unidades refrigeradoras criogénicas capaces de alcanzar temperaturas de 153 K (– 120 °C) o inferiores

Toberas de separación o tubos vorticiales para separar el UF6 del gas portador

Trampas frías de UF6 capaces de congelar UF6

Equipos y componentes, según se indica, especialmente diseñados o preparados para procesos de separación por intercambio químico:

1. Columnas pulsatorias de intercambio rápido líquido-líquido con tiempo de residencia correspondiente a una etapa de 30 segundos como máximo y resistentes al ácido clorhídrico concentrado (por ejemplo, fabricados o protegidos con materiales plásticos apropiados, tales como los polímeros de [hidrocarburo fluorado o vidrio)

2. Contactores centrífugos de intercambio rápido líquido-líquido con un tiempo de residencia correspondiente a una etapa de 30 segundos como máximo y resistentes al ácido clorhídrico concentrado (por ejemplo, fabricados o protegidos con materiales plásticos apropiados, tales como polímeros de fluorocarbono o vidrio)

3. Celdas de reducción electroquímica resistentes a las soluciones de ácido clorhídrico concentrado para reducir uranio de un estado de valencia a otro

4. Equipos destinados a la alimentación de las celdas de reducción electroquímica para separar el U+4 de la corriente orgánica y, en el caso de las partes en contacto con la corriente del proceso, hechos o protegidos por materiales adecuados (por ejemplo, vidrio, polímeros de hidrocarburos fluorados, sulfato de polifenilo, sulfonas de poliéter y grafito impregnado con resina)

5. Sistemas de preparación de la alimentación encaminados a producir soluciones de cloruro de uranio de elevada pureza consistentes en la disolución, la extracción del solvente y/o los equipos de intercambio de iones para purificación y celdas electrolíticas para reducir el uranio U+6 o U+4 a U+3

6. Sistemas de oxidación del uranio para la oxidación del U+3 a U+4

Equipos y componentes, según se indica, especialmente diseñados o preparados para procesos de separación por intercambio de iones:

1. Resinas de intercambio iónico de reacción rápida, peliculares o macrorreticulares porosas, en las que los grupos de intercambio químico activo están limitados a un revestimiento superficial en un soporte poroso inactivo, y otras estructuras compuestas en cualquier forma adecuada, incluyendo partículas o fibras con diámetros de 0,2 mm como máximo, resistentes al ácido clorhídrico concentrado y diseñadas para tener una tasa de intercambio de tiempo de semirreacción menor de 10 segundos y capaces de funcionar a temperaturas en la gama de entre 373 K (100 °C) y 473 K (200 °C)

2. 0B001 f. Columnas de intercambio iónico (cilíndricas) con un diámetro mayor de 1000 mm, hechas de, o protegidas con, materiales resistentes al ácido clorhídrico concentrado (por ejemplo titanio o plásticos de fluorocarbono) y capaces de funcionar a temperaturas en la gama de entre 373 K (100 °C) y 473 K (200 °C) y presiones superiores a 0,7 MPa

3. Sistemas de reflujo para el intercambio iónico (sistemas de oxidación o reducción, químicos o electroquímicos) para la regeneración del agente químico oxidante o reductor utilizado en las cascadas de enriquecimiento por intercambio iónico

Equipos y componentes especialmente diseñados o preparados para métodos basados en vapor atómico, según se indica:

1. Sistemas de vaporización de uranio metálico destinados a alcanzar una potencia de salida de 1 kW o más en el objetivo para su uso en el enriquecimiento por láser

2. Sistemas de manipulación de uranio metálico en forma líquida o de vapor, especialmente diseñados o preparados con objeto de manejar el uranio fundido, las aleaciones de uranio fundido o el vapor de uranio metálico para su uso en el enriquecimiento por láser, y componentes diseñados especialmente para ellos N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 2A225.

3. Sistemas colectores de productos y colas de uranio metálico en forma líquida o de vapor, fabricados o protegidos con materiales resistentes al calor y a la corrosión por uranio metálico en forma líquida o de vapor, como el grafito revestido con itria o el tántalo

4. Cajas de módulo separador (vasijas cilíndricas o rectangulares) para contener la fuente de vapor de uranio metálico, el cañón de haz electrónico y los colectores del producto y de las colas

5. Láseres o sistemas de láser especialmente diseñados o preparados para la separación de los isótopos de uranio con un estabilizador del espectro de frecuencias para poder funcionar durante períodos de tiempo prolongados N.B.: VÉANSE TAMBIÉN LOS ARTÍCULOS 6A005 Y 6A205.

Equipos y componentes, según se indica, especialmente diseñados o preparados para los sistemas de láser o los métodos moleculares, según se indica:

1. Toberas de expansión supersónica para enfriar mezclas de UF6 y gas portador a 150 K (– 123 °C) como máximo y hechas de materiales resistentes a la corrosión por UF6

2. Componentes o dispositivos colectores de producto o colas especialmente diseñados o preparados para la recogida de material de uranio o material de colas de uranio tras la iluminación con luz láser, fabricados con materiales resistentes a la corrosión por UF6

3. Compresores hechos de, o protegidos con, materiales resistentes a la corrosión por UF6 y los obturadores de los ejes de rotación para ellos

4. Equipos para fluorar UF5 (sólido) convirtiéndolo en UF6 (gas)

5. Sistemas de procesamiento para la separación del UF6 del gas portador (por ejemplo nitrógeno o argón u otro gas), incluido lo siguiente:

5. a.

Intercambiadores de calor criogénicos y crioseparadores capaces de alcanzar temperaturas de 153 K (– 120 °C) como máximo

Unidades refrigeradoras criogénicas capaces de alcanzar temperaturas de 153 K (– 120 °C) como máximo

Trampas frías de UF6 capaces de congelar UF6

6. Láseres o sistemas de láser especialmente diseñados o preparados para la separación de los isótopos de uranio con un estabilizador del espectro de frecuencias que les permita funcionar durante períodos de tiempo prolongados N.B.: VÉANSE TAMBIÉN LOS ARTÍCULOS 6A005 Y 6A205.

0B001 Equipos y componentes, según se indica, especialmente diseñados o preparados para procesos de separación en un plasma:

1. Fuentes de energía para microondas y antenas encaminadas a producir o acelerar iones, con frecuencias de salida superiores a 30 GHz y potencia de salida media superior a 50 kW

2. Bobinas excitadoras de iones por radiofrecuencias, para frecuencias superiores a 100 kHz, y capaces de funcionar con potencias medias superiores a 40 kW

3. Sistemas generadores de plasma de uranio

4. Sin uso

5. Sistemas colectores de productos y colas de uranio metálico en forma sólida, fabricados o protegidos con materiales resistentes al calor y a la corrosión por uranio en forma de vapor, como el grafito revestido con itria o el tántalo

6. Cajas de módulos separadores (cilíndricos) para alojar la fuente de plasma de uranio, la bobina excitadora de radiofrecuencia y los colectores del producto y las colas, hechos con un material adecuado que no sea magnético (por ejemplo, acero inoxidable)

Equipos y componentes, especialmente diseñados o preparados para el proceso de separación electromagnética, según se indica:

1. Fuentes de iones, únicas o múltiples, consistentes en una fuente de vapor, un ionizador y un acelerador de haz, hechas de unos materiales apropiados que no sean magnéticos (por ejemplo, grafito, acero inoxidable o cobre) y capaces de proporcionar una corriente iónica de haz total de 50 mA o superior

2. Placas colectoras de iones para recoger haces de iones de uranio enriquecido o empobrecido, formadas por dos o más ranuras y bolsas (slits and pockets) y hechas de materiales adecuados que no sean magnéticos (por ejemplo, grafito o acero inoxidable)

3. Cajas de vacío para los separadores electromagnéticos del uranio hechos de materiales que no sean magnéticos (por ejemplo, acero inoxidable) y diseñados para funcionar a presiones de 0,1 Pa como máximo

4. Piezas polares de los imanes con un diámetro superior a 2 m

5. Fuentes de alimentación de alta tensión para las fuentes de iones, que posean todas las características siguientes: N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 3A227.

5. a.

Aptas para un funcionamiento continuo

Voltaje de salida de 20000 V o superior

Corriente de salida de 1 A o superior, y

Regulación de la tensión mejor de 0,01 % en un período de 8 horas

6. Fuentes de alimentación para imanes (alta potencia, corriente continua) que presenten todas las características siguientes: N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 3A226.

6. a.

Aptas para un funcionamiento continuo con una corriente de salida de 500 A o superior a una tensión de 100 V o superior, y

Regulación de voltaje o corriente mejor que el 0,01 % durante un período de 8 horas

Autoclaves de alimentación, hornos o sistemas usados para introducir el UF6 en el proceso de enriquecimiento

Desublimadores o trampas frías, utilizados para extraer el UF6 del proceso de enriquecimiento para la posterior transferencia una vez calentado

Estaciones para el producto y las colas para transferir UF6 a contenedores

Estaciones de licuefacción o solidificación, utilizadas para extraer el UF6 del proceso de enriquecimiento mediante la compresión, la refrigeración y la conversión del UF6 a una forma líquida o sólida

Sistemas de tuberías y sistemas de colectores especialmente diseñados o preparados para manipular el UF6, dentro de las cascadas de difusión gaseosa, de centrifugación o aerodinámicas

Bombas y sistemas de vacío, según se indica:

1. Distribuidores de vacío, colectores de vacío o bombas de vacío con una capacidad de aspiración igual o superior a 5 m3/min

2. Bombas de vacío diseñadas especialmente para funcionar en ambientes que contengan UF6, fabricadas o protegidas con materiales resistentes a la corrosión por UF6, o

3. Sistemas de vacío que comprendan distribuidores de vacío, colectores de vacío y bombas de vacío, y que hayan sido diseñados para funcionar en ambientes que contengan UF6

Espectrómetros de masas para UF6 / fuentes de iones que puedan tomar, en línea, muestras de flujos de UF6 y que reúnan todas las características siguientes:

1. Ser capaces de medir iones de 320 unidades de masa atómica o superiores, y que tengan una resolución mayor de una parte por 320

2. Fuentes de iones construidas o revestidas con níquel, aleaciones de cuproníquel con un contenido de níquel superior o igual al 60 % en peso, o aleaciones de níquel y cromo

3. Fuentes de ionización por bombardeo electrónico, y

4. Estar provistos de un sistema colector apropiado para el análisis isotópico.

Sistemas para la conversión de concentrado de mena de uranio en UO3

Sistemas para la conversión de UO3 en UF6

Sistemas para la conversión de UO3 en UF2

Sistemas para la conversión de UO2 en UF4

Sistemas para la conversión de UO4 en UF6

Sistemas para la conversión de UO4 en uranio metálico

Sistemas para la conversión de UO6 en UF2

Sistemas para la conversión de UO6 en UF4

Sistemas para la conversión de UO2 en UF4

Plantas para la producción de agua pesada, deuterio o compuestos de deuterio, según se indica:

1. Plantas de intercambio de sulfuro de hidrógeno-agua

2. Plantas de intercambio de amoníaco-hidrógeno

0B004 Equipos y componentes según se indica:

1. Torres de intercambio de sulfuro de hidrógeno-agua con un diámetro igual o superior a 1,5 m, capaces de funcionar a presiones superiores o iguales a 2 MPa

2. Sopladores o compresores centrífugos, de etapa única y baja presión (es decir, 0,2 MPa), para la circulación de sulfuro de hidrógeno gaseoso (es decir, gas que contiene más del 70 % de H2S) con una capacidad de caudal superior o igual a 56 m3/segundo al funcionar a presiones de aspiración superiores o iguales a 1,8 MPa, que tienen juntas diseñadas para trabajar en un medio húmedo con H2S

3. Torres de intercambio amoníaco-hidrógeno de altura superior o igual a 35 m y diámetro de 1,5 m a 2,5 m capaces de funcionar a presiones mayores de 15 MPa

4. Partes internas de las torres, que comprenden contactores de etapa y bombas de etapa, incluidas las bombas sumergibles, para la producción de agua pesada por el proceso de intercambio amoníaco-hidrógeno

5. Fraccionadores de amoníaco con presiones de funcionamiento superiores o iguales a 3 MPa para la producción de agua pesada por el proceso de intercambio amoníaco-hidrógeno

6. Analizadores de absorción infrarroja capaces de realizar análisis en línea de la razón hidrógeno/deuterio cuando las concentraciones de deuterio son superiores o iguales a 90 %

7. Quemadores catalíticos para la conversión en agua pesada del deuterio gaseoso enriquecido por el proceso de intercambio amoníaco-hidrógeno

8. Sistemas completos de enriquecimiento del agua pesada, o columnas para ellos, para elevar la concentración en deuterio del agua pesada hasta la de utilización en reactores

9. Convertidores de síntesis de amoníaco o unidades de síntesis diseñadas especialmente o preparadas para la producción de agua pesada por el proceso de intercambio amoniaco-hidrógeno.

0B Nota técnica:

1. Normalmente están en contacto directo, o procesan o controlan directamente el flujo de producción de materiales nucleares

2. Sellan herméticamente los materiales nucleares dentro de la vaina

3. Comprueban la integridad de la vaina o el sellado

4. Comprueban el tratamiento de acabado del combustible sellado, o

5. Se utilizan para reunir elementos de reactores.

Las plantas para el reprocesado de elementos combustibles irradiados de reactores nucleares, incluidos los equipos y componentes que normalmente están en contacto directo con el combustible irradiado y los flujos de procesado de los principales materiales nucleares y productos de fisión, y los controlan directamente

Las máquinas troceadoras o desmenuzadoras de elementos combustibles, es decir, equipos accionados a distancia para cortar, trocear o cizallar conjuntos, haces o varillas de combustible irradiado de reactores nucleares

Los recipientes de disolución, tanques de alta seguridad (por ejemplo, tanques de pequeño diámetro, anulares o de poca altura) especialmente diseñados o preparados para la disolución del combustible irradiado de reactores nucleares, capaces de resistir líquidos calientes y altamente corrosivos, y que puedan ser cargados y mantenidos a distancia

0B006 Nota: Los extractores por disolvente, como columnas pulsatorias o de relleno, mezcladores-sedimentadores, o contactores centrífugos, resistentes a los efectos corrosivos del ácido nítrico y especialmente diseñados o preparados para emplearse en plantas destinadas al reprocesado de uranio natural irradiado, uranio empobrecido o materiales fisionables especiales

e. Nota técnica:

Los recipientes de recogida o de almacenamiento diseñados especialmente para ser seguros en condiciones críticas y resistentes a los efectos corrosivos del ácido nítrico. Los recipientes de recogida o de almacenamiento pueden presentar las características siguientes:

1. Paredes o estructuras internas con un equivalente de boro (calculado para todos los elementos constitutivos tal como se definen en la nota del artículo 0C004) de al menos un dos por ciento

2. Un diámetro máximo de 175 mm en el caso de los recipientes cilíndricos, o

3. Una anchura máxima de 75 mm en el caso de recipientes anulares o de poca altura

Sistemas de medición de neutrones, especialmente diseñados o preparados para su integración y uso con sistemas de control de procesos automatizados en plantas para el reprocesado de uranio natural irradiado, uranio empobrecido o materiales fisionables especiales.

Sistemas para la conversión de nitrato de plutonio a óxido

Sistemas para la producción de plutonio metal.

0C Materiales 0C001 Uranio natural, uranio empobrecido o torio en forma de metal, aleación, compuesto químico o concentrado, así como cualquier otro material que contenga uno o más de los anteriores. Nota: El artículo 0C001 no somete a control lo siguiente: 0C002 Materiales fisionables especiales. Nota: El artículo 0C002 no somete a control cuatro gramos efectivos o menos cuando estén contenidos en el elemento sensor de un instrumento. 0C003 Deuterio, agua pesada (óxido de deuterio) y otros compuestos del deuterio, así como mezclas y soluciones que contengan deuterio, en las que la razón isotópica entre deuterio e hidrógeno sea superior a 1:5000. 0C004 Grafito de pureza nuclear, con un nivel de pureza de menos de 5 partes por millón de equivalente de boro y con una densidad superior a 1,50 g/cm3 para su utilización en un reactor nuclear, y en cantidades que excedan de 1 kg. N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 1C107. Nota 1: A efectos del control de las exportaciones, las autoridades competentes del Estado miembro en el que esté establecido el exportador determinará si las exportaciones de grafito que cumplan las especificaciones anteriores son para uso en un reactor nuclear. Nota 2: En el artículo 0C004, el equivalente de boro (BE) se define como la suma de BEz por impurezas, (excluido el BEcarbono, ya que el carbono no se considera una impureza) incluido el boro, siendo: BEz (ppm) = CF × concentración del elemento Z en ppm; siendo CF el factor de conversiónσZABσBAZ y σB y σZ las secciones eficaces de captura de neutrones térmicos (en barnios) del boro producido naturalmente y del elemento Z, respectivamente; y AB y AZ las masas atómicas del boro producido naturalmente y del elemento Z, respectivamente. 0C005 Compuestos o polvos preparados especialmente para la fabricación de barreras de difusión gaseosa resistentes a la corrosión por UF6 (por ejemplo, níquel o aleaciones que contengan el 60 % en peso o más de níquel, óxido de aluminio y polímeros de hidrocarburos totalmente fluorados) de una pureza igual o superior al 99,9 % (en peso), con un tamaño de las partículas inferior a 10 micras, de acuerdo con la norma ASTM B330, y una granulometría de alto grado de uniformidad.

0C a.

Cuatro gramos o menos de uranio natural o uranio empobrecido cuando estén contenidos en un elemento sensor de un instrumento

Uranio empobrecido fabricado especialmente para las siguientes aplicaciones civiles no nucleares:

1. Blindajes

2. Embalajes

3. Lastres de masa no superior a 100 kg

4. Contrapesos de masa no superior a 100 kg

Aleaciones que contengan menos del 5 % de torio

Productos de cerámica que contengan torio, fabricados para aplicaciones no nucleares.

0D Programa informático (software) 0D001 Programa informático especialmente diseñado o modificado para el desarrollo, la producción o la utilización de productos incluidos en la presente categoría.

0E Tecnología 0E001 Tecnología, de acuerdo con la Nota de Tecnología Nuclear, para el desarrollo, la producción o la utilización de los productos incluidos en la presente categoría.

CATEGORÍA 1 MATERIALES ESPECIALES Y EQUIPOS CONEXOS

1A Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica:

Sistemas, equipos y componentes 1A001 Componentes elaborados a partir de compuestos fluorados, según se indica: 1A002 Estructuras y laminados de materiales compuestos (composites) que reúnan cualquiera de las características siguientes: N.B.: VÉANSE TAMBIÉN LOS ARTÍCULOS 1A202, 9A010 y 9A110. Nota 1: El artículo 1A002 no somete a control las estructuras o productos laminados de materiales compuestos (composites) constituidos por materiales fibrosos o filamentosos de carbono impregnados con resina epoxídica, para la reparación de estructuras o productos laminados de aeronaves civiles, que reúnan todas las características siguientes: Nota 2: El artículo 1A002 no somete a control los productos semiacabados, diseñados especialmente para aplicaciones de carácter exclusivamente civil, según se indica: Nota 3: El subartículo 1A002.b.1 no somete a control los productos semiacabados que contengan como máximo dos dimensiones de filamentos entrecruzados y que estén diseñados especialmente para las siguientes aplicaciones: Nota 4: El artículo 1A002 no somete a control los productos acabados diseñados especialmente para una aplicación en particular. 1A003 Productos manufacturados de poliimidas aromáticas no fundibles, en forma de película, hoja, banda o cinta que presenten cualquiera de las características siguientes: Nota: El artículo 1A003 no somete a control los productos manufacturados que estén revestidos o laminados con cobre y diseñados especialmente para la producción de placas de circuitos impresos electrónicos. N.B.: Para las poliimidas aromáticas fundibles en cualquiera de sus formas, véase el subartículo 1C008.a.3. 1A004 Equipos de protección y detección y sus componentes no diseñados especialmente para uso militar, según se indica: N.B.: VÉASE ASIMISMO LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA, ARTÍCULOS 2B351 Y 2B352. 1A004Nota: El artículo 1A004 no somete a control: El artículo 1A004 incluye equipos y componentes que han sido identificados, han superado los ensayos correspondientes a las normas nacionales o han demostrado de algún otro modo su eficacia, a la hora de detectar (o defenderse de) materiales radiactivos adaptados para su utilización en conflictos armados, agentes biológicos adaptados para su utilización en conflictos armados, agentes para la guerra química, simuladores o agentes antidisturbios, aun en caso de que dichos equipos o componentes sean utilizados en industrias del sector civil, como la minería, la explotación de canteras, el sector agrario, la industria farmacéutica, los productos sanitarios, los productos veterinarios, el medio ambiente, la gestión de residuos o la industria alimentaria. Un simulador es una sustancia o un material que se utiliza en lugar de un agente tóxico (químico o biológico) con fines de entrenamiento, investigación, ensayo o evaluación. 1A005 Trajes blindados y componentes de los mismos según se indica: N.B.: VÉASE ASIMISMO LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA. N.B.: Para los materiales fibrosos o filamentosos utilizados en la fabricación de trajes blindados, véase el artículo 1C010. Nota 1: El artículo 1A005 no somete a control los trajes blindados cuando sus usuarios los llevan para su protección personal. Nota 2: El artículo 1A005 no somete a control los trajes blindados diseñados para proporcionar una protección frontal exclusivamente contra la metralla y la onda expansiva procedentes de artefactos explosivos no militares. Nota 3: El artículo 1A005 no somete a control los trajes blindados diseñados para proporcionar una protección únicamente contra traumatismos por agresiones con cuchillos, instrumentos punzantes, agujas u objetos contundentes. 1A006 Equipos especialmente diseñados o modificados para la eliminación de dispositivos explosivos improvisados, según se indica, y componentes y accesorios diseñados expresamente para ellos: N.B.: VÉASE ASIMISMO LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA. Nota: El artículo 1A006 no somete a control el equipo que va acompañado de su operador. 1A007 Equipos y dispositivos diseñados especialmente para activar por medios eléctricos cargas y dispositivos que contengan materiales energéticos, según se indica: N.B.: VÉASE ASIMISMO LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA, ARTÍCULOS 3A229 Y 3A232. A veces se utiliza el término iniciador en vez de detonador. A efectos del subartículo 1A007.b, todos los detonadores en cuestión utilizan un pequeño conductor eléctrico (de puente, de puente con filamento metálico o de laminilla) que se vaporiza de forma explosiva cuando lo atraviesa un rápido impulso eléctrico de corriente elevada. En los tipos que no son de percutor, el conductor inicia, al explotar, una detonación química en un material altamente explosivo con el que está en contacto, como el tetranitrato de pentaeritritol (PETN). En los detonadores de percusión, la vaporización explosiva del conductor eléctrico impulsa a un elemento volador o percutor (flyer o slapper) a través de un hueco, y el impacto de este elemento en el explosivo inicia una detonación química. En algunos modelos, el percutor va accionado por una fuerza magnética. El término detonador de laminilla puede referirse a un detonador EB o a un detonador de tipo percutor. 1A008 Cargas, dispositivos y componentes, según se indica: Las cargas moldeadas son cargas explosivas conformadas para concentrar los efectos de la carga explosiva. 1A102 Componentes de carbono-carbono pirolizados resaturados diseñados para las lanzaderas espaciales incluidas en el artículo 9A004 o los cohetes de sondeo incluidos en el artículo 9A104. 1A202 Estructuras de materiales compuestos (composites) distintas de las incluidas en el artículo 1A002, en forma de tubos que presenten las dos características siguientes: N.B.: VÉANSE TAMBIÉN LOS ARTÍCULOS 9A010 Y 9A110. 1A225 Catalizadores platinizados especialmente diseñados o preparados para fomentar la reacción de intercambio de isótopos de hidrógeno entre hidrógeno y agua, para la recuperación de tritio a partir de agua pesada o para la producción de agua pesada. 1A226 Rellenos especiales que puedan usarse en la separación de agua pesada del agua ordinaria que reúnan las dos características siguientes: 1A227 Ventanas de protección contra radiaciones de alta densidad (de vidrio de plomo u otro material) que reúnan todas las características siguientes, y los marcos diseñados especialmente para ellas: En el artículo 1A227, la superficie fría se refiere a la superficie de visión de la ventana expuesta al nivel más bajo de radiación en la aplicación de diseño.

1A a.

Cierres herméticos, juntas de estanqueidad, sellantes y vejigas de combustible, diseñados especialmente para uso en aeronaves o espacial, constituidos por más del 50 % en peso de cualquiera de los materiales incluidos en los subartículos 1C009.b o 1C009.c.

Polímeros y copolímeros piezoeléctricos, constituidos por materiales de fluoruro de vinilideno (CAS 75387), incluidos en el subartículo 1C009.a, que reúnan todas las características siguientes:

1. En forma de hoja o de película, y

2. Con un espesor superior a 200 micras

Cierres herméticos, juntas de estanqueidad, asientos de válvulas, vejigas y diafragmas, que reúnan todas las características siguientes: Nota: En el subartículo 1A001.c, los misiles se refieren a los sistemas completos de cohetes y sistemas de vehículos aéreos no tripulados.

1. Estar constituidos por fluoroelastómeros que contengan, como mínimo, un grupo viniléter como una unidad constitucional, y

2. Estar diseñados especialmente para su uso en aeronaves, vehículos aeroespaciales o en misiles.

Consistentes en una matriz orgánica y los materiales incluidos en los subartículos 1C010.c, 1C010.d, o 1C010.e, o

Consistentes en una matriz metálica o de carbono y alguno de los siguientes elementos:

1. Materiales fibrosos o filamentosos de carbono que reúnan todas las características siguientes:

1. a.

Módulo específico superior a 10,15 × 106 m, y

Resistencia específica a la tracción superior a 17,7 × 104 m, o

2. Materiales incluidos en el subartículo 1C010.c.

Superficie no superior a 1 m2

Longitud no superior a 2,5 m, y

Anchura superior a 15 mm.

Artículos de deporte

Industria automotriz

Industria de máquinas herramientas

Aplicaciones médicas.

Hornos de tratamiento térmico de metales para templado de metales

Equipos de producción de lingotes de silicio monocristalino.

Un espesor superior a 0,254 mm, o

Estar revestidos o laminados con carbono, grafito, metales o sustancias magnéticas.

a. Nota técnica:

1A004 Máscaras faciales completas, recipientes de filtros y equipos de descontaminación para las mismas, diseñados o modificados a efectos de la defensa contra cualquiera de los agentes o materiales siguientes, y componentes diseñados especialmente para ellos: Nota: El subartículo 1A004.a incluye los respiradores purificadores de aire diseñados o modificados para la defensa contra agentes o materiales, que están incluidos en el subartículo 1A 004.a. A los efectos del subartículo 1A004.a:

1. Las máscaras faciales completas también son conocidas como máscaras de gas.

2. Los recipientes de filtros incluyen los cartuchos de filtros.

1. Agentes biológicos adaptados para su utilización en conflictos armados

2. Materiales radiactivos adaptados para su utilización en conflictos armados

3. Agentes para la guerra química (CW), o

4. Agentes antidisturbios, incluidos:

4. a.

α-Bromobencenoacetonitrilo, (cianuro de bromobencilo, CA) (CAS 5798-79-8)

[(2-clorofenil)metileno] propanodinitrilo, (o-clorobencilidenemalononitrilo, CS) (CAS 2698-41-1)

2-cloro-1-feniletanona, cloruro de fenilacilo (ω-cloroacetofenona, CN) (CAS 532-27-4)

Dibenzo-(b, f)-1,4-oxazepina (CR) (CAS 257-07-8)

10-cloro-5,10-dihidrofenarsacina (cloruro de fenarsacina), adamsita, DM) (CAS 578-94-9)

N-Nonanoilmorfolina (MPA) (CAS 5299-64-9)

Trajes, guantes y calzado de protección, especialmente diseñados o modificados para la defensa contra cualquiera de los agentes o materiales siguientes:

1. Agentes biológicos adaptados para su utilización en conflictos armados

2. Materiales radiactivos adaptados para su utilización en conflictos armados, o

3. Agentes para la guerra química (CW)

Sistemas de detección especialmente diseñados o modificados para la detección o identificación de cualquiera de los agentes o materiales siguientes, y componentes diseñados expresamente para ellos:

1. Agentes biológicos adaptados para su utilización en conflictos armados

2. Materiales radiactivos adaptados para su utilización en conflictos armados, o

3. Agentes para la guerra química (CW)

d. Nota técnica:

Equipos electrónicos, diseñados para detectar o identificar automáticamente la presencia de residuos de explosivos, que utilicen técnicas de detección de trazas (por ejemplo, ondas acústicas de superficie, espectrometría de movilidad de iones, espectrometría de movilidad diferencial o espectrometría de masas). La detección de trazas es la capacidad para detectar cantidades inferiores a 1 ppm de vapor o inferiores a 1 mg de sustancias sólidas o líquidas. Nota 1: El subartículo 1A004.d no somete a control los equipos diseñados especialmente para su empleo en laboratorios. Nota 2: El subartículo 1A004.d no somete a control los arcos de seguridad que han de atravesarse sin contacto.

Los dosímetros personales para el control de la radiación

Los equipos de seguridad y salud de los trabajadores que, por su diseño o función, estén limitados a la protección contra riesgos relacionados específicamente con la seguridad de los edificios residenciales o de las industrias civiles, con inclusión de:

1. la minería;

2. la explotación de canteras;

3. el sector agrario;

4. la industria farmacéutica;

5. los productos sanitarios;

6. los productos veterinarios;

7. el medio ambiente;

8. la gestión de residuos;

9. la industria alimentaria.

1A Notas técnicas: 1.2. a.

Trajes blindados blandos no manufacturados para cumplir estándares o especificaciones militares, o sus equivalentes, y componentes diseñados especialmente para ellos

Placas rígidas para trajes blindados que proporcionen protección antibalas de nivel igual o inferior al nivel IIIA (NIJ 0101.06, julio de 2008) o sus equivalentes nacionales.

Vehículos de control remoto

b. Nota técnica:

Disruptores. Los disruptores son dispositivos diseñados especialmente para impedir el funcionamiento de un dispositivo explosivo mediante el lanzamiento de un líquido, un sólido o un proyectil frangible.

Conjuntos de ignición de detonador explosivo diseñados para accionar los detonadores explosivos incluidos en el subartículo 1A007.b

Detonadores explosivos accionados eléctricamente, según se indica:

1. De tipo puente explosivo (EB)

2. De tipo puente explosivo con filamento metálico (EBW)

3. De percutor (slapper)

4. Iniciadores de laminilla (EFI).

1A Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. a.

Cargas moldeadas que presenten todas las características siguientes:

1. Cantidad explosiva neta (NEQ) superior a 90 g, y

2. Diámetro de la cubierta externa superior o igual a 75 mm

Cargas de corte lineal que reúnan todas las características siguientes, y los componentes diseñados especialmente para ellas:

1. Carga explosiva superior a 40 g/m, y

2. Anchura superior o igual a 10 mm

Cordón detonante con un núcleo explosivo de más de 64 g/m

Cortadores, distintos de los especificados en el subartículo 1A008.b, y herramientas de separación, que tengan una cantidad explosiva neta (NEQ) superior a 3,5 kg.

1A Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: a.

Un diámetro interior de entre 75 mm y 400 mm, y

Estar fabricadas con alguno de los materiales fibrosos o filamentosos incluidos en los subartículos 1C010.a, 1C010.b o 1C210.a, o bien con los materiales de carbono preimpregnados que se especifican en el subartículo 1C210.c.

Estar fabricados de malla de bronce fosforoso con un tratamiento químico que mejore la humectabilidad, y

Estar diseñados para emplearse en columnas de destilación de vacío.

Una superficie fría de más de 0,09 m2;

Densidad superior a 3 g/cm3, y

Un grosor de 100 mm o más.

1B Nota técnica: 1.2. Nota técnica:

Equipos de ensayo, inspección y producción 1B001 Equipos para la producción o inspección de estructuras o laminados de los materiales compuestos (composites) incluidos en el artículo 1A002 o de los materiales fibrosos o filamentosos incluidos en el artículo 1C010, según se indica, y componentes y accesorios diseñados especialmente para ellos: N.B.: VÉANSE TAMBIÉN LOS ARTÍCULOS 1B101 Y 1B201. A los fines del artículo 1B001, los ejes posicionados por un servomecanismo primario controlan, bajo la dirección de un programa informático, la posición en el espacio del efector terminal (es decir, la cabeza) en relación con la pieza de trabajo, dándole la orientación y la dirección correctas para la realización del proceso deseado. A los efectos del artículo 1B001, una banda de filamentos es una única anchura continua de cinta, cabo o fibra total o parcialmente impregnada de resina. 1B002 Equipos para la producción de aleaciones metálicas, polvo de aleaciones metálicas o materiales aleados diseñados especialmente para evitar la contaminación y para ser utilizados en alguno de los procesos especificados en el subartículo 1C002.c.2. N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 1B102. 1B003 Herramientas, troqueles, moldes o montajes destinados a la conformación superplástica o la unión por difusión del titanio, el aluminio o sus aleaciones, diseñados especialmente para la fabricación de cualquiera de los objetos siguientes: 1B101 Equipos, distintos de los especificados en el artículo 1B001, para la producción de materiales compuestos estructurales, según se indica, y los componentes y accesorios diseñados especialmente para ellos: N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 1B201. Nota: Son ejemplos de los componentes y accesorios para las máquinas incluidas en el artículo 1B101 los moldes, los mandriles, las matrices, los dispositivos y el utillaje para el prensado de preformación, el curado, la fundición, la sinterización o el enlace de estructuras de materiales compuestos (composites), así como los laminados y productos de las mismas. 1B102 Equipo de producción de polvo metálico, distinto de los incluidos en el artículo 1B002, y componentes según se indica: N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL SUBARTÍCULO 1B115.b. 1B115 Equipos, distintos de los incluidos en los artículos 1B002 o 1B102, para la producción de propulsantes o de constituyentes de propulsantes, según se indica, y componentes diseñados especialmente para ellos: Nota 1: En relación con los equipos diseñados especialmente para la producción de material militar, véase la Relación de Material de Defensa. Nota 2: El artículo 1B115 no somete a control el equipo para la producción, la manipulación y los ensayos de aceptación del carburo de boro. 1B116 Toberas diseñadas especialmente para producir materiales derivados pirolíticamente, formados en un molde, mandril u otro sustrato a partir gases precursores que se descompongan en la banda de temperatura de 1573 K (1300 °C) a 3173 K (2900 °C) a presiones de 130 Pa a 20 kPa. 1B117 Mezcladoras por lotes provistas de un mecanismo para la mezcla en vacío en la banda de cero a 13,326 kPa, con capacidad de control de temperatura en la cámara de mezclado y que dispongan todo lo siguiente, así como los componentes diseñados especialmente para ellas: 1B118 Mezcladoras continuas provistas de un mecanismo para la mezcla en vacío en la banda de cero a 13,326 kPa y con capacidad de control de la temperatura en la cámara de mezclado, que dispongan de cualquiera de los siguientes componentes diseñados especialmente para ellas: 1B119 Molinos de energía fluida utilizables para moler o triturar las sustancias incluidas en los subartículos 1C011.a, 1C011.b, 1C111 o en la Relación de Material de Defensa, así como los componentes diseñados especialmente para los mismos. 1B201 Máquinas para el devanado de filamentos distintas de las incluidas en los artículos 1B001 o 1B101 y equipo relacionado, según se indica: 1B225 Células electrolíticas para la producción de flúor con capacidad de producción superior a 250g de flúor por hora. 1B226 Separadores electromagnéticos de isótopos, diseñados para fuentes de iones únicos o múltiples, o equipados con estas, capaces de proporcionar una corriente total de haz de iones de 50 mA o más. Nota: El artículo 1B226 incluye separadores: 1B228 Columnas de destilación criogénica de hidrógeno que presenten todas las características siguientes: En el artículo 1B228, la longitud efectiva es la altura activa del material de envasado en una columna tipo apilada, o bien la altura activa de las placas de un contactor interno en una columna tipo placa. 1B229 Columnas de plato de intercambio de agua-sulfuro de hidrógeno y contactores internos como se indica: N.B.: En relación con las columnas especialmente diseñadas o preparadas para la producción de agua pesada, véase el artículo 0B004. 1B230 Bombas capaces de hacer circular soluciones de catalizador concentrado o diluido de amida de potasio en amoníaco líquido (KNH2/NH3) que reúnan todas las características siguientes: 1B231 Instalaciones o plantas de tritio y equipos para ellas, según se indica: 1B232 Turboexpansores o conjuntos de turboexpansor y compresor que presenten las dos características siguientes: 1B233 Instalaciones o plantas de separación de isótopos de litio y sistemas y equipos para ellas, según se indica: 1B234 Recipientes de contención de explosivos de gran potencia, cámaras, contenedores y otros dispositivos de contención similares, diseñados para los ensayos de explosivos o artefactos explosivos de gran potencia, y que presenten todas las características siguientes: N.B.: VÉASE ASIMISMO LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA.

1B a.

Máquinas para el devanado de filamentos, en las que los movimientos de posicionado, enrollado y devanado de las fibras estén coordinados y programados en tres o más ejes posicionados por un servomecanismo primario, diseñadas especialmente para la fabricación de estructuras de materiales compuestos (composites) a partir de materiales fibrosos o filamentosos

b. Nota técnica:

Máquinas para el tendido de cintas, en las que los movimientos de posicionado y de tendido de las cintas estén coordinados y programados en cinco o más ejes posicionados por un servomecanismo primario, diseñadas especialmente para la fabricación de estructuras de materiales compuestos (composites) para fuselajes de aviones o misiles. Nota: En el subartículo 1B001.b, los misiles son los sistemas completos de cohetes y sistemas de vehículos aéreos no tripulados. A los efectos del subartículo 1B001.b, las máquinas para el tendido de cintas tienen la capacidad de tender una o más bandas de filamentos limitadas a bandas de anchura superior a 25 mm e inferior o igual a 305 mm, y de cortar y reanudar cursos de bandas de filamentos individuales durante el proceso de tendido.

c. Nota técnica:

1B001 Máquinas de tejer o máquinas de entrelazar multidireccionales, multidimensionales, comprendidos los adaptadores y los conjuntos de modificación, diseñadas o modificadas especialmente para tejer, entrelazar o trenzar fibras para estructuras de materiales compuestos(composites). A efectos del subartículo 1B001.c, la técnica de entrelazado incluye el punto tricotado.

Equipos diseñados especialmente o adaptados para la fabricación de fibras de refuerzo, según se indica:

1. Equipos para la transformación de fibras polímeras (como poliacrilonitrilo, rayón, brea o policarbosilano) en fibras de carbono o en fibras de carburo de silicio, incluyendo el dispositivo especial para tensar la fibra durante el calentamiento

2. Equipos para la deposición en fase de vapor mediante procedimiento químico de elementos o de compuestos, sobre sustratos filamentosos calentados, para la fabricación de fibras de carburo de silicio

3. Equipo para la hilatura en húmedo de cerámicas refractarias (como el óxido de aluminio)

4. Equipos para la transformación, mediante tratamiento térmico, de aluminio que contenga fibras de materiales precursores, en fibras de alúmina

Equipos para la fabricación, por el método de fusión en caliente, de los productos preimpregnados (prepregs) incluidos en el subartículo 1C010.e

Equipos de inspección no destructiva diseñados especialmente para los materiales compuestos (composites), del siguiente tipo:

1. Sistemas de tomografía de rayos X para inspección tridimensional de defectos

2. Máquinas de ensayo ultrasónicas controladas digitalmente cuyos movimientos para posicionar transmisores o receptores se encuentren coordinados simultáneamente y programados en cuatro o más ejes para seguir las curvas tridimensionales del componente que se inspecciona

g. Nota técnica:

Máquinas para la colocación de cabos, en las que los movimientos de posicionado y de tendido de los cabos estén coordinados y programados en dos o más ejes posicionados por un servomecanismo primario, diseñadas especialmente para la fabricación de estructuras de materiales compuestos (composites) para fuselajes de aviones o misiles. A los efectos del subartículo 1B001.b, las máquinas para la colocación de cabos tienen la capacidad de colocar una o más bandas de filamentos de anchura inferior o igual a 25 mm y de cortar y reanudar cursos de bandas de filamentos individuales durante el proceso de tendido.

1B Nota técnica: 1.2. a.

Estructuras para fuselajes de aviones o estructuras aeroespaciales

Motores de aeronaves o aeroespaciales, o

Componentes diseñados especialmente para las estructuras especificadas en el subartículo 1B003.a o los motores precisados en el subartículo 1B003.b.

Máquinas para el devanado de filamentos o máquinas para la colocación de fibras, en las que los movimientos para el posicionado, enrollado y devanado de las fibras estén coordinados y programados en tres o más ejes, que estén diseñadas para fabricar estructuras o laminados de materiales compuestos (composites) a partir de materiales fibrosos o filamentosos, y los controles de coordinación y programación

Máquinas posicionadoras de cintas cuyos movimientos para posicionar y tender las cintas y láminas estén coordinados y programados en dos o más ejes, que estén diseñadas para la fabricación de estructuras de materiales compuestos (composites) para fuselajes de aviones y de misiles

Equipo diseñado o modificado para la producción de materiales fibrosos o filamentosos, según se indica:

1. Equipo para la conversión de fibras poliméricas (tales como el poliacrilonitrilo, el rayón o el policarbosilano), incluido un mecanismo especial para tensar la fibra durante el calentamiento

2. Equipo de depósito por vapor de elementos o compuestos sobre sustratos filamentosos calentados

3. Equipo para la hilatura en húmedo de cerámicas refractarias (como el óxido de aluminio)

Equipo diseñado o modificado para el tratamiento especial de la superficie de las fibras o para producir los preimpregnados y preformados que se incluyen en el artículo 9C110. Nota: El subartículo 1B101.d incluye los rodillos, los tensores, los equipos de revestimiento y de corte y las matrices tipo clicker.

Equipo de producción de polvo metálico utilizable para la producción, en un ambiente controlado, de materiales esféricos, esferoidales o atomizados incluidos en los subartículos 1C011.a, 1C011.b, 1C111.a.1, 1C111a.2 o en la Relación de Material de Defensa

Componentes diseñados especialmente para el equipo de producción especificado en el artículo 1B002 o en el subartículo 1B102.a. Nota: El artículo 1B102 incluye:

a.

Generadores de plasma (chorro de arco de alta frecuencia) utilizable para la obtención de polvos metálicos esféricos o por deposición catódica (sputtered) con la organización del proceso en un ambiente de argón-agua

b.

Equipo de electroexplosión (electroburst) utilizable para la obtención de polvos metálicos esféricos o por deposición catódica (sputtered) con la organización del proceso en un ambiente de argón-agua

c.

Equipo utilizable para la producción de polvos esféricos de aluminio mediante el espolvoreado de un material fundido en un medio inerte (por ejemplo, nitrógeno).

Equipo de producción para la producción, el manejo o las pruebas de aceptación de los propulsantes líquidos o constituyentes de propulsantes líquidos incluidos en los subartículos 1C011.a, 1C011.b, 1C111 o en la Relación de Material de Defensa

Equipo de producción para la producción, la manipulación, la mezcla, el curado, el moldeado, el prensado, el mecanizado, la extrusión y los ensayos de aceptación de los propulsantes sólidos o los constituyentes de propulsantes sólidos incluidos en los subartículos 1C011.a, 1C011.b, 1C111 o en la Relación de Material de Defensa. Nota: El subartículo 1B115.b no somete a control las mezcladoras por lote, las mezcladoras continuas o los molinos de energía fluida. Para el control de las mezcladoras por lote, las mezcladoras continuas y los molinos de energía fluida, véase los artículos 1B117, 1B118 y 1B119.

Una capacidad volumétrica total de 110 litros o más, y

Al menos un eje mezclador / amasador descentrado. Nota: En el artículo 1B117.b, el término mezclador / amasador descentrado no se refiere a desaglomeradores o husillos cortantes.

Dos o más ejes mezcladores/amasadores, o

Un eje único rotatorio oscilante y con púas o dientes amasadores en el eje así como en el interior de la carcasa de la cámara de mezcla.

Máquinas para el devanado de filamentos que reúnan todas las características siguientes:

1. Efectuar movimientos de posicionado, enrollado y devanado de las fibras coordinados y programados en dos o más ejes

2. Estar diseñadas especialmente para elaborar estructuras de materiales compuestos o laminados a partir de materiales fibrosos o filamentosos, y

3. Tener capacidad para devanar tubos cilíndricos de diámetro interno entre 75 mm y 650 mm y de longitud igual o superior a 300 mm

Controles de coordinación y programación destinados a las máquinas para el devanado de filamentos especificadas en el subartículo 1B201.a

Mandriles de precisión destinados a las máquinas para el devanado de filamentos especificadas en el subartículo 1B201.a.

Capaces de enriquecer isótopos estables

Con las fuentes y colectores de iones situados en el campo magnético, y también aquellos en los que estas configuraciones son externas al campo.

Estar diseñadas para funcionar a temperaturas internas de 35 K (– 238 °C) o inferiores

Estar diseñadas para funcionar a una presión interna de 0,5 a 5 MPa

Estar fabricadas con:

1. Acero inoxidable de la serie 300, de bajo contenido de azufre con un número 5 o superior de tamaño de grano austenítico ASTM (o una norma equivalente), o

2. Materiales equivalentes que sean criogénicos y compatibles con el H2, y

Tener diámetros interiores de 30 cm o más y longitudes efectivas de 4 m o más.

1B Nota técnica: 1.2. Nota técnica: a.

Columnas de plato de intercambio de agua-sulfuro de hidrógeno que reúnan todas las características siguientes:

1. Que puedan funcionar a una presión nominal de 2 MPa o superior

2. Que estén fabricadas en acero al carbono con número 5 o superior de tamaño de grano austenítico ASTM (o una norma equivalente), y

3. Con un diámetro de 1,8 m o más

b. Nota técnica:

Contactores internos para las columnas de plato de intercambio de agua-sulfuro de hidrógeno especificadas en el subartículo 1B229.a. Los contactores internos de las columnas son platos segmentados con un diámetro efectivo ensamblado de 1,8 m o mayor, diseñados para facilitar el contacto contra corriente y construidos de aceros inoxidables con un contenido de carbono máximo del 0,03 %. Pueden ser platos de cedazo, platos de válvula, platos de campana burbujeadora y platos de turborrejillas.

Ser estancas al aire (es decir, cerradas herméticamente)

Tener una capacidad superior a 8,5 m3/h, y

Alguna de las características siguientes:

1. Para soluciones concentradas de amida de potasio (1 % o más), una presión de funcionamiento de 1,5 a 60 MPa, o

2. Para soluciones diluidas de amida de potasio (menos del 1 %), una presión de funcionamiento de 20 a 60 MPa.

Instalaciones o plantas para la producción, la recuperación, la extracción, la concentración o la manipulación de tritio

Equipos para instalaciones o plantas de tritio, según se indica:

1. Unidades de refrigeración de hidrógeno o helio capaces de refrigerar hasta 23 K (– 250 °C) o menos, con una capacidad de eliminación de calor superior a 150 W

2. Sistemas de almacenamiento o purificación de isótopos de hidrógeno que utilicen hidruros de metal como medio de almacenamiento o de purificación.

Estar diseñados para funcionar con una temperatura a la salida de 35 K (– 238 °C) o inferior, y

Estar diseñados para un caudal de hidrógeno gaseoso de 1000 kg/hora o más.

Instalaciones o plantas para la separación de isótopos de litio

Equipo para la separación de isótopos de litio basado en el proceso de amalgama de litio-mercurio, según se indica:

1. Columnas compactas de intercambio líquido-líquido, diseñadas especialmente para amalgamas de litio

2. Bombas de amalgamas de mercurio o de litio

3. Células de electrólisis para amalgamas de litio

4. Evaporadores para solución concentrada de hidróxido de litio

Sistemas de intercambio de iones diseñados especialmente para la separación de isótopos de litio, y componentes diseñados expresamente para ellos

Sistemas de intercambio químico (que utilicen éteres de corona, criptandos o éteres de lazo) diseñados especialmente para la separación de isótopos de litio, y los componentes diseñados expresamente para ellos.

Estar diseñados para contener totalmente una explosión equivalente a 2 kg de TNT o superior, y

Presentar características o elementos de diseño que permitan la transferencia de información sobre la medición o el diagnóstico en tiempo real o con retraso.

1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica 1: Nota técnica 2: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3.

Materiales Metales y aleaciones: Salvo indicación contraria, las palabras metales y aleaciones en los artículos 1C001 a 1C012 abarcan las formas brutas y semielaboradas, como sigue: Formas brutas: Ánodos, bolas, varillas (incluidas las probetas entalladas y el alambrón), tochos, bloques, lupias, briquetas, tortas, cátodos, cristales, cubos, dados, granos, gránulos, lingotes, terrones, pastillas, panes, polvo, discos, granalla, zamarras, pepitas, esponja, estacas. Formas semielaboradas (estén o no revestidas, chapadas, perforadas o troqueladas): No debe poder eludirse el objetivo del control mediante la exportación de formas no citadas en la lista que se presenten como productos acabados, pero que sean en realidad formas brutas o semielaboradas. 1C001 Materiales diseñados especialmente para absorber las ondas electromagnéticas, o polímeros intrínsecamente conductores, según se indica: N.B. VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 1C101. 1C002 Aleaciones metálicas, polvo de aleaciones metálicas o materiales aleados según se indica: N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 1C202. Nota: El artículo 1C002 no somete a control las aleaciones metálicas, el polvo de aleaciones metálicas ni los materiales aleados para el revestimiento de sustratos. Las aleaciones metálicas incluidas en el artículo 1C002 son aquellas que contienen un porcentaje en peso más elevado del metal indicado que de cualquier otro elemento. La resistencia a la rotura por esfuerzos se medirá con arreglo a la norma E-139 de la ASTM o a otras normas nacionales equivalentes. La resistencia a la fatiga en un número reducido de ciclos se medirá con arreglo a la norma E-606 de la ASTM (Método Recomendado para el Ensayo de Resistencia a la Fatiga por un pequeño número de ciclos a amplitud constante) o a otras normas nacionales equivalentes. El ensayo será axial, con una relación media de esfuerzos igual a 1 y un coeficiente de concentración de esfuerzos (Kt) igual a 1. La relación media de esfuerzos se define como el esfuerzo máximo menos el esfuerzo mínimo dividido por el esfuerzo máximo. 1C003 Metales magnéticos de todos los tipos y en todas las formas, que presenten cualquiera de las características siguientes: 1C004 Aleaciones de uranio titanio o aleaciones de wolframio con una matriz a base de hierro, níquel o cobre que reúnan todas las características siguientes: 1C005 Conductores de materiales compuestos (composites) que sean superconductores en longitudes superiores a 100 m o que tengan una masa superior a 100 g, según se indica: A efectos del artículo 1C005, los filamentos podrán tener forma de hilo, cilindro, película, banda o cinta. 1C006 Fluidos y sustancias lubricantes, según se indica: A los fines del artículo 1C006: 1C007 Materiales de base cerámica, materiales cerámicos que no sean materiales compuestos (composites), materiales compuestos (composites) de matriz cerámica y materiales precursores, según se indica: N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 1C107. 1C008 Sustancias polímeras no fluoradas, según se indica: La temperatura de transición vítrea (Tg) para los materiales termoplásticos del subartículo 1C008.a.2 y los materiales del subartículo 1C008.a.4 se determina mediante el método descrito en la norma ISO 11357-2 (1999) o las normas nacionales equivalentes. La temperatura de transición vítrea (Tg) para los materiales termoendurecibles del subartículo 1C008.a.2 y los materiales del subartículo 1C008.a.3 se determina mediante el método de curvatura de tres puntos descrito en la norma ASTM D 7028-07 o las normas nacionales equivalentes. El ensayo se realizará utilizando una muestra de ensayo seca que haya alcanzado un grado mínimo de cura del 90 %, tal como especifica la norma ASTM E 2160-04 o la norma nacional equivalente, y haya sido curada utilizando la combinación de procesos estándar y posteriores a la cura que genere la mayor temperatura de transición vítrea. 1C009 Compuestos fluorados no tratados, según se indica: 1C010 Materiales fibrosos o filamentosos, según se indica: N.B.: VÉANSE TAMBIÉN LOS ARTÍCULOS 1C210 Y 9C110. A efectos del cálculo de la resistencia específica a la tracción, el módulo específico o el peso específico de los materiales fibrosos o filamentosos de los subartículos 1C010.a, 1C010.b o 1C010.c, la resistencia a la tracción y el módulo deben determinarse utilizando el método A descrito en la norma ISO 10618 (2004) o en normas nacionales equivalentes. La evaluación de la resistencia específica a la tracción, el módulo específico o el peso específico de los materiales fibrosos o filamentosos no unidireccionales (por ejemplo, tejidos, esterillas irregulares y trenzados) del artículo 1C010 debe basarse en las propiedades mecánicas de los monofilamentos unidireccionales constituyentes (por ejemplo, monofilamentos, hilos, cables o cabos) antes de su transformación en materiales fibrosos o filamentosos no unidireccionales. 1C011 Metales y compuestos, según se indica: N.B.: VÉANSE ASIMISMO LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA Y EL ARTÍCULO 1C111. N.B.: Véase también la Relación de Material de Defensa para los metales en polvo mezclados con otras sustancias a fin de constituir una mezcla formulada con fines militares. 1C012 Materiales según se indica: Estos materiales se usan típicamente para fuentes térmicas nucleares. 1C101 Materiales y dispositivos para observaciones reducidas tales como la reflectividad al radar y las firmas ultravioletas/infrarrojas y acústicas, distintos de los incluidos en el artículo 1C001, para utilización en los misiles, los subsistemas de misiles o los vehículos aéreos no tripulados que se mencionan en el artículo 9A012. Nota 1: El artículo 1C101 incluye: Nota 2: El artículo 1C101 no incluye los revestimientos cuando se utilicen especialmente para el control térmico de satélites. En el artículo 1C101, los misiles son los sistemas completos de cohetes y los sistemas de vehículos aéreos no tripulados con un alcance superior a 300 km. 1C102 Materiales carbono-carbono pirolizados resaturados diseñados para las lanzaderas espaciales incluidas en el artículo 9A004 o los cohetes de sondeo incluidos en el artículo 9A104. 1C107 Grafito y materiales cerámicos distintos de los especificados en el artículo 1C007, según se indica: 1C111 Propulsantes y productos químicos constituyentes de propulsantes, distintos de los especificados en 1C011, según se indica: Nota: Para los propulsantes y constituyentes químicos de propulsantes no especificados en el artículo 1C111, véase la Relación de Material de Defensa. 1C116 Aceros martensíticos envejecidos utilizables en los misiles, que reúnan todas las características siguientes. N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 1C216. Los aceros martensíticos envejecidos son aleaciones de hierro: A los efectos del artículo 1C116, los misiles son los sistemas completos de cohetes y los sistemas de vehículos aéreos no tripulados con un alcance superior a 300 km. 1C117 Materiales para la fabricación de componentes de misiles, según se indica: A los efectos del artículo 1C117, los misiles son los sistemas completos de cohetes y los sistemas de vehículos aéreos no tripulados con un alcance superior a 300 km. 1C118 Acero inoxidable dúplex estabilizado al titanio (Ti-DSS) que cumpla todo lo siguiente: 1C202 Aleaciones, distintas de las incluidas en los subartículos 1C002.b.3 o b.4, según se indica: La frase aleaciones capaces de incluye las aleaciones antes o después del tratamiento térmico. 1C210 Materiales fibrosos o filamentosos o productos preimpregnados, distintos de los incluidos en los subartículos 1C010.a, b o e, según se indica: Nota: En el artículo 1C210, el término materiales fibrosos o filamentosos se limita a los monofilamentos, hilos, cables, cabos o cintas continuos. 1C216 Acero martensítico envejecido distinto del incluido en el artículo 1C116, capaz de soportar una carga de rotura por tracción de 1950 MPa o más a 293 K (20 °C). Nota: El artículo 1C216 no somete a control las piezas en las que todas las dimensiones lineales son de 75 mm o menos. La frase acero martensítico envejecido capaz de incluye el acero martensítico envejecido antes y después del tratamiento térmico. 1C225 Boro enriquecido en el isótopo boro-10 (10B) hasta más de su abundancia isotópica natural, como se indica: boro elemental y compuestos de boro, mezclas que contengan boro, y productos fabricados con estos, desechos y desbastes de los elementos mencionados. Nota: En el artículo 1C225 las mezclas que contengan boro incluyen los materiales con añadido de boro. La abundancia natural isotópica del boro-10 es de aproximadamente un 18,5 por ciento del peso (20 átomos por ciento). 1C226 Wolframio, carburo de wolframio y aleaciones con más del 90 % de wolframio en peso, diferentes de las especificadas en el artículo 1C117, que posean las dos características siguientes: Nota: El artículo 1C226 no somete a control los productos fabricados diseñados especialmente para emplearse como pesas o colimadores de rayos gamma. 1C227 Calcio que reúna las dos características siguientes: 1C228 Magnesio que presente las dos características siguientes: 1C229 Bismuto que posea las dos características siguientes: 1C230 Berilio metal, aleaciones que contengan más del 50 % de berilio en peso, compuestos que contengan berilio, productos fabricados con estos y desechos o desbastes de cualquiera de los anteriores, distintos de los especificados en la Relación de Material de Defensa. N.B.: VÉASE ASIMISMO LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA. Nota: El artículo 1C230 no somete a control: 1C231 Hafnio metal, aleaciones de hafnio que contengan más del 60 % de hafnio en peso, compuestos de hafnio que contengan más del 60 % de hafnio en peso, productos obtenidos de este y desechos o desbastes de cualquiera de los anteriores. 1C232 Helio-3 (3He), mezclas que contengan helio-3, y productos o dispositivos que contengan cualquiera de los anteriores. Nota: El artículo 1C232 no somete a control los productos o dispositivos que contengan menos de 1 g de helio-3. 1C233 Litio enriquecido con el isótopo litio-6 (6Li) hasta más de su abundancia isotópica natural y productos o aparatos que contengan litio enriquecido, según se indica: litio elemental, aleaciones, compuestos, mezclas que contengan litio, productos fabricados con estos, desechos o desbastes de cualquiera de los anteriores. Nota: El artículo 1C233 no somete a control los dosímetros termoluminiscentes. La proporción natural del isótopo litio-6 es de aproximadamente 6,5 por ciento del peso (7,5 por ciento de átomos). 1C234 Circonio con un contenido de hafnio inferior a 1 parte de hafnio por 500 partes de circonio en peso, como se indica: metal, aleaciones que contengan más del 50 % de circonio en peso, compuestos, productos fabricados con estos y desechos o desbastes de cualquiera de los anteriores, distintos de los especificados en el subartículo 0A001.f. Nota: El artículo 1C234 no somete a control el circonio en forma de láminas de grosor no superior a 0,10 mm. 1C235 Tritio, compuestos de tritio y mezclas que contengan tritio y en las cuales la razón entre el número de átomos de tritio y de hidrógeno sea superior a 1 parte entre 1000, y productos o dispositivos que contengan cualquiera de los anteriores. Nota: El artículo 1C235 no somete a control los productos o dispositivos que contengan menos de 1,48 × 103 GBq (40 Ci) de tritio. 1C236 Radionucleidos adecuados para fabricar fuentes de neutrones basadas en una reacción alfa-n, distintas de las especificadas en el artículo 0C001 y el subartículo 1C012.a, en las formas siguientes: Nota: El artículo 1C236 no somete a control los productos o dispositivos que contengan menos de 3,7 GBq (100 milicurios) de actividad. En el artículo 1C236, los radionucleidos son cualquiera de los elementos siguientes: 1C237 Radio-226 (226Ra), aleaciones de radio-226, compuestos de radio-226, mezclas que contengan radio-226, productos fabricados con estos y productos o dispositivos que contengan cualquiera de los anteriores. Nota: El artículo 1C237 no somete a control: 1C238 Trifluoruro de cloro (ClF3). 1C239 Explosivos de gran potencia, distintos de los incluidos en la Relación de Material de Defensa, o sustancias o mezclas que contengan más del 2 % en peso de los mismos, con densidad cristalina superior a 1,8 g/cm3 y una velocidad de detonación superior a 8000 m/s. 1C240 Níquel en polvo y níquel metal poroso, distintos de los especificados en el artículo 0C005, según se indica: Nota: El artículo 1C240 no incluye: El subartículo 1C240.b se refiere al metal poroso obtenido mediante la compresión y sinterización de los materiales del subartículo 1C240.a para formar un material metálico con poros finos interconectados en toda la estructura. 1C241 Renio y aleaciones con un contenido de renio igual o superior al 90 % en peso; y aleaciones de renio y wolframio con un contenido igual o superior al 90 % en peso de cualquier combinación de renio y wolframio, que posean las dos características siguientes: 1C350 Sustancias químicas que puedan emplearse como precursoras de agentes químicos tóxicos, según se indica, y mezclas químicas que contengan una o varias de ellas: N.B.: VÉANSE TAMBIÉN LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA Y EL ARTÍCULO 1C450. Nota 1: En cuanto a las exportaciones a los Estados que no son Parte de la Convención sobre Armas Químicas, el artículo 1C350 no somete a control las mezclas químicas que contengan una o varias de las sustancias químicas especificadas en los subartículos 1C350.1, .3, .5, .11, .12, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36, .54, .55, .56, .57 y .63 cuando ninguna sustancia química específica constituya, por sí sola, más del 10 %, en peso, de la mezcla. Nota 2: En cuanto a las exportaciones a los Estados que son Parte de la Convención sobre Armas Químicas, el artículo 1C350 no somete a control las mezclas químicas que contengan una o varias de las sustancias químicas especificadas en los subartículos 1C350.1, .3, .5, .11, .12, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36, .54, .55, .56, .57 y .63 cuando ninguna sustancia química específica constituya, por sí sola, más del 30 %, en peso, de la mezcla. Nota 3: El artículo 1C350 no somete a control las mezclas químicas que contengan una o varias de las sustancias químicas especificadas en los subartículos 1C350 .2, .6, .7, .8, .9, .10, .14, .15, .16, .19, .20, .24, .25, .30, .37, .38, .39, .40, .41, .42, .43, .44, .45, .46, .47, .48, .49, .50, .51, .52, .53, .58, .59, .60, .61 y .62 cuando ninguna sustancia química específica constituya, por sí sola, más del 30 %, en peso, de la mezcla. Nota 4: El artículo 1C350 no somete a control los productos definidos como productos de consumo envasados destinados a la venta al por menor para uso personal o envasados para uso individual. 1C351 Patógenos para los humanos y animales, y toxinas, según se indica: Nota: El artículo 1C351 no somete a control las vacunas ni las inmunotoxinas. 1C352 Sin uso. 1C353 Elementos genéticos y organismos modificados genéticamente, según se indica: Los organismos modificados genéticamente incluyen los organismos cuyo material genético (secuencias de ácido nucleico) ha sido modificado de manera que no se produce de forma natural en el apareamiento y/o la recombinación natural, y abarca los producidos total o parcialmente de forma artificial. Entre los elementos genéticos se incluyen, entre otros, los cromosomas, genomas, plásmidos, transposones y vectores, estén o no genéticamente modificados, o de síntesis química, en su totalidad o en parte. Por secuencias de ácido nucleico asociadas con la patogenicidad de cualquiera de los microorganismos incluidos en los subartículos 1C351.a, 1C351.c, 1C351.e o en el artículo 1C354 se entenderá cualquier secuencia específica del microorganismo de que se trate: Nota: El artículo 1C153 no somete a control las secuencias de ácidos nucleicos que están relacionadas con la patogenicidad de la Escherichia coli enterohemorrágica, serotipo O157 y otras cepas productoras de verotoxina, exceptuando las secuencias que codifican la verotoxina o sus subunidades. 1C354 Patógenos para los vegetales, según se indica: 1C450 Sustancias químicas tóxicas y precursores de sustancias químicas tóxicas, según se indica, y mezclas químicas que contengan uno o varios de ellos. N.B.: VÉANSE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 1C350, EL SUBARTÍCULO 1C351.d. Y LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA.

1C Nota técnica: a.

1C Materiales labrados o trabajados, elaborados mediante laminado, trefilado, extrusión, forja, extrusión por percusión, prensado, granulado, pulverización y rectificado, es decir: ángulos, hierros en U, círculos, discos, polvo, limaduras, hoja y láminas, forjados, planchas, microgránulos, piezas prensadas y estampadas, cintas, aros, varillas (incluidas las varillas de soldadura sin revestimiento, las varillas de alambre y el alambre laminado), perfiles, perfiles laminados, flejes, caños y tubos (incluidos los redondos, cuadrados y los tubos cortos redondeados de paredes gruesas para la fabricación de tubos sin costura), alambre trefilado o extrudido

Material vaciado mediante moldeado con arena, troquel, moldes de metal, de escayola o de otro tipo, incluida la fundición de alta presión, los sinterizados y las formas obtenidas por pulvimetalurgia

Materiales para la absorción de frecuencias superiores a 2 × 108 Hz e inferiores a 3 × 1012 Hz. Nota 1: El subartículo 1C001.a no somete a control: Nota 2: Ninguna de las disposiciones de la nota 1 del subartículo 1C001.a autoriza la exportación de los materiales magnéticos que permiten la absorción cuando están contenidos en pintura.

a.

Los absorbedores de tipo capilar, constituidos por fibras naturales o sintéticas, con carga no magnética para permitir la absorción

b.

Los absorbedores sin pérdida magnética cuya superficie incidente no sea de forma plana, comprendidas las pirámides, los conos, los filos y las superficies convolutas

c.

Los absorbedores planos que reúnan todas las características siguientes:

1. Nota técnica:

Estar fabricados con cualquiera de los siguientes materiales: Muestras para ensayos de absorción con respecto al subartículo 1C001.a Nota: 1.c.1. deberá consistir en un cuadrado cuyo lado mida como mínimo cinco longitudes de onda de la frecuencia central situado en el campo lejano del elemento radiante

1. a.

Materiales de espuma plástica (flexibles o no flexibles) con carga de carbono, o materiales orgánicos, incluidos los aglomerantes, que produzcan un eco superior al 5 % en comparación con el metal sobre un ancho de banda superior a ± 15 % de la frecuencia central de la energía incidente y que no sean capaces de resistir temperaturas superiores a 450 K (177 °C), o

Materiales cerámicos que produzcan un eco superior al 20 % en comparación con el metal sobre un ancho de banda superior a ± 15 % de la frecuencia central de la energía incidente y que no sean capaces de resistir temperaturas superiores a 800 K (527 °C).

2. Resistencia a la tracción inferior a 7 × 106 N/m2, y

3. Resistencia a la compresión inferior a 14 × 106 N/m2

d.

Absorbedores planos fabricados con ferrita sinterizada que reúnan todas las características siguientes:

1. Peso específico superior a 4,4, y

2. Temperatura máxima de funcionamiento de 548 K (275 °C).

1C001 Materiales para la absorción de frecuencias superiores a 1,5 × 1014 Hz e inferiores a 3,7 × 1014 Hz y no trasparentes a la luz visible. Nota: El subartículo 1C001.b no somete a control los materiales especialmente diseñados o formulados para cualquiera de las siguientes aplicaciones:

a.

El marcado por láser de polímeros, o

b.

La soldadura por láser de polímeros

c. Nota técnica:

Materiales polímeros intrínsecamente conductores con una conductividad eléctrica en volumen superior a 10000 S/m (siemens por metro) o una resistividad laminar (superficial) inferior a 100 ohmios/cuadrado, basados en uno de los polímeros siguientes: Nota: El subartículo 1C001.c no somete a control los materiales en forma líquida. La conductividad eléctrica en volumen y la resistividad laminar (superficial) se determinarán con arreglo a la norma ASTM D-257 o a otras normas nacionales equivalentes.

1. Polianilina

2. Polipirrol

3. Politiofeno

4. Polifenileno-vinileno, o

5. Politienileno-vinileno.

1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. a.

Aluminuros, según se indica:

1. Aluminuros de níquel que contengan un mínimo del 15 % en peso de aluminio, un máximo del 38 % en peso de aluminio y al menos un elemento de aleación adicional

2. Aluminuros de titanio que contengan al menos el 10 % en peso de aluminio y al menos un elemento de aleación adicional

Aleaciones metálicas, según se indica, compuestas del polvo o material en partículas incluidos en el subartículo 1C002.c:

1. Aleaciones de níquel que reúnan cualquiera de las características siguientes:

1. a.

Una resistencia a la rotura por esfuerzos de 10000 horas o más, a 923 K (650 °C) con un esfuerzo de 676 MPa, o

Una resistencia a la fatiga en un número reducido de ciclos de 10000 ciclos o más a 823 K (550 °C) con un esfuerzo máximo de 1095 MPa

2. 1C002 b. Aleaciones de niobio que presenten cualquiera de las características siguientes:

2. a.

Una resistencia a la rotura por esfuerzos de 10000 horas o más, a 1073 K (800 °C) con un esfuerzo de 400 MPa, o

Una resistencia a la fatiga en un número reducido de ciclos de 10000 ciclos o más a 973 K (700 °C) con un esfuerzo máximo de 700 MPa

3. Aleaciones de titanio que tengan cualquiera de las características siguientes:

3. a.

Una resistencia a la rotura por esfuerzos de 10000 horas o más, a 723 K (450 °C) con un esfuerzo de 200 MPa, o

Una resistencia a la fatiga en un número reducido de ciclos de 10000 ciclos o más a 723 K (450 °C) con un esfuerzo máximo de 400 MPa

4. Aleaciones de aluminio que presenten cualquiera de las características siguientes:

4. a.

Una resistencia a la tracción igual o superior a 240 MPa a 473 K (200 °C), o

Una resistencia a la tracción igual o superior a 415 MPa a 298 K (25 °C)

5. Aleaciones de magnesio que presenten todas las características siguientes:

5. a.

Una resistencia a la tracción igual o superior a 345 MPa, y

Una velocidad de corrosión inferior a 1 mm/año en una solución acuosa de cloruro de sodio al 3 %, medida con arreglo a la norma G-31 de la ASTM o a normas nacionales equivalentes

Polvo, o material en partículas, de aleaciones metálicas para materiales, que presenten todas las características siguientes:

1. Nota técnica:

Estar constituidos por cualquiera de los sistemas de composición siguientes: En los artículos siguientes, X equivale a uno o más elementos de aleación:

Aleaciones de níquel (Ni-Al-X, Ni-X-Al) aptas para las piezas o componentes de motores de turbina, es decir, con menos de 3 partículas no metálicas (introducidas durante el proceso de fabricación) mayores de 100 micras en 109 partículas de aleación

Aleaciones de niobio (Nb-Al-X o Nb-X-Al, Nb-Si-X o Nb-X-Si, Nb-Ti-X o Nb-X-Ti)

Aleaciones de titanio (Ti-Al-X o Ti-X-Al)

Aleaciones de aluminio (Al-Mg-X o Al-X-Mg, Al-Zn-X o Al-X-Zn, Al-Fe-X o Al-X-Fe), o

Aleaciones de magnesio (Mg-Al-X o Mg-X-Al)

2. Ser obtenidos en un ambiente controlado mediante cualquiera de los procedimientos siguientes:

2. a.

Atomización al vacío

Atomización por gas

Atomización rotatoria

Enfriamiento brusco por colisión y rotación

Enfriamiento brusco por impacto y trituración

Extracción en fusión y trituración, o

Aleación mecánica, y

3. Ser aptos para formar los materiales especificados en los subartículos 1C002.a o 1C002.b

1C002 Materiales en aleación que reúnan todas las características siguientes:

1. Estar constituidos por cualquiera de los sistemas de composición especificados en el subartículo 1C002.c.1

2. En forma de escamas, cintas o varillas no trituradas, y

3. Ser obtenidos en un ambiente controlado por cualquiera de los siguientes métodos:

3. a.

Enfriamiento brusco por colisión y rotación

Enfriamiento brusco por impacto, o

Extracción en fusión

a. Nota técnica:

Permeabilidad relativa inicial igual o superior a 120000 y espesor igual o inferior a 0,05 mm. La permeabilidad relativa inicial debe medirse con materiales completamente recocidos.

Aleaciones magnetoestrictivas que presenten cualquiera de las características siguientes:

1. Una magnetoestricción de saturación superior a 5 × 10-4, o

2. Un factor de acoplamiento magnetomecánico (k) superior a 0,8, o

c. Nota técnica:

Bandas de aleación amorfa o nanocristalina que reúnan todas las características siguientes: Los materiales nanocristalinos del subartículo 1C003.c son aquellos materiales con una granulometría de cristales de 50 nm o menos, determinada por difracción con rayos X.

1. Composición que tenga un 75 % en peso como mínimo de hierro, cobalto o níquel

2. Inducción magnética de saturación (Bs) igual o superior a 1,6 T, y

3. Cualquiera de las características siguientes:

3. a.

Espesor de banda igual o inferior a 0,02 mm, o

Resistividad eléctrica igual o superior a 2 × 10-4 ohmios cm.

Densidad superior a 17,5 g/cm3

Límite de elasticidad superior a 880 MPa

Resistencia a la rotura por tracción superior a 1270 MPa, y

Alargamiento superior al 8 %.

Conductores de materiales compuestos superconductores que contengan uno o más filamentos de niobio-titanio, con todo lo siguiente:

1. Que estén incluidos en una matriz que no sea de cobre ni de una mezcla a base de cobre, y

2. Que tengan un área de sección transversal inferior a 0,28 × 10-4 mm2 (diámetro de 6 micras para los filamentos circulares)

1C005 Conductores de materiales compuestos (composites) que sean superconductores, constituidos por uno o más filamentos superconductores que no sean de niobio-titanio y que reúnan todas las características siguientes:

1. Una temperatura crítica a una inducción magnética nula superior a 9,85 K (–263,31 °C), y

2. Que permanezcan en el estado superconductor a una temperatura de 4,2 K (– 268,96 °C) cuando estén expuestos a un campo magnético orientado en cualquier dirección perpendicular al eje longitudinal del conductor y correspondiente a una inducción magnética de 12 T con una densidad de corriente crítica superior a 1750 A/mm2 en la sección transversal global del conductor

Conductores de materiales compuestos (composites) superconductores consistentes en uno o más filamentos superconductores que permanezcan en el estado superconductor a una temperatura superior a 115 K (– 158,16 °C).

1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: a.

Líquidos hidráulicos que contengan como ingredientes principales cualquiera de los siguientes:

1. Nota técnica:

Aceites de silahidrocarburos sintéticos que reúnan todas las características siguientes: A los fines del subartículo 1C006.a.1, los aceites de silahidrocarburos contienen exclusivamente silicio, hidrógeno y carbono.

Un punto de encendido (flash point) superior a 477 K (204 °C)

Un punto de fluidez crítica igual o inferior a 239 K (– 34 °C)

Un índice de viscosidad igual o superior a 75, y

Una estabilidad térmica a 616 K (343 °C), o

2. Nota técnica:

Clorofluorocarbonos que reúnan todas las características siguientes: A los fines del subartículo 1C006.a.2, los clorofluorocarbonos contienen exclusivamente carbono, flúor y cloro.

Ningún punto de encendido (flash point)

Una temperatura de ignición autógena superior a 977 K (704 °C)

Un punto de fluidez crítica igual o inferior a 219 K (– 54 °C)

Un índice de viscosidad igual o superior a 80, y

Un punto de ebullición igual o superior a 473 K (200 °C)

Sustancias lubricantes que contengan como ingredientes principales cualquiera de los siguientes:

1. Éteres o tioéteres de fenilenos o de alquilfenilenos, o bien sus mezclas, que contengan más de dos funciones éter o tioéter o bien sus mezclas, o

2. Fluidos de siliconas fluoradas con una viscosidad cinemática inferior a 5000 mm2/s (5000 centistokes) medida a 298 K (25 °C)

1C006 Fluidos de amortiguación o de flotación que presenten todas las características siguientes:

1. Una pureza superior al 99,8 %

2. Que contengan menos de 25 partículas de un tamaño igual o superior a 200 micras por 100 ml, y

3. Que estén constituidos en un 85 % como mínimo por cualquiera de los compuestos o sustancias siguientes:

3. a.

Dibromotetrafluoretano (CAS 25497-30-7, 124-73-2, 27336-23-8)

Policlorotrifluoretileno (solo modificaciones oleosas y céreas), o

Polibromotrifluoretileno

Fluidos refrigerantes electrónicos de fluorocarbonos que presenten todas las características siguientes: Nota: El subartículo 1C006.d no somete a control los materiales especificados y envasados como productos médicos.

1. Que contengan, como mínimo, el 85 % en peso de cualquiera de las siguientes sustancias, o mezclas de las mismas:

1. a.

Formas monoméricas de perfluoropolialquiléter-triacinas o éteres perfluoroalifáticos

Perfluoroalquilaminas

Perfluorocicloalcanos, o

Perfluoroalcanos

2. Densidad a 298 K (25 °C) de 1,5 g/ml o más

3. En estado líquido a 273 K (0 °C), y

4. Que contengan como mínimo el 60 % en peso de flúor.

1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica:

1. El punto de encendido (flash point) se determina empleando el método en vaso abierto de Cleveland descrito en la norma ASTM D-92 o en normas nacionales equivalentes.

2. El punto de fluidez crítica se determina empleando el método descrito en la norma ASTM D-97 o en normas nacionales equivalentes.

3. El índice de viscosidad se determina empleando el método descrito en la norma ASTM D-2270 o en normas nacionales equivalentes.

4. La estabilidad térmica se determina empleando el método de ensayo siguiente u otros métodos nacionales equivalentes: Se colocan 20 ml del fluido de ensayo en una cámara de acero inoxidable tipo 317 de 46 ml que contenga una bola de 12,5 mm de diámetro (nominal) de cada uno de los materiales siguientes: acero para herramientas M-10, acero 52100 y bronce naval (60 % Cu, 39 % Zn y 0,75 % Sn). La cámara se purga con nitrógeno y se cierra herméticamente a la presión atmosférica, su temperatura se eleva luego a 644 ± 6 K (371 ± 6 °C) y se mantiene a esa temperatura durante seis horas. La muestra se considerará térmicamente estable si al final del método descrito se cumplen todas las condiciones siguientes:

4. a.

La pérdida de peso de cada bola es inferior a 10 mg/mm2 de superficie de la bola

El cambio de la viscosidad original, determinada a 311 K (38 °C), es inferior al 25 %, y

El índice de acidez o alcalinidad total es inferior a 0,40.

5. La temperatura de ignición autógena se determina empleando el método descrito en la norma ASTM E-659 o en normas nacionales equivalentes.

Materiales de base de boruros de titanio simples o complejos que contengan un total de impurezas metálicas, excluidas las adiciones intencionales, inferior a 5000 ppm, un tamaño medio de partícula igual o inferior a 5 micras y no más de un 10 % de partículas mayores de 10 micras

Materiales cerámicos que no sean materiales compuestos (composites), en formas brutas o semielaboradas, compuestos de boruros de titanio que tengan una densidad igual o superior al 98 % de la densidad teórica. Nota: El subartículo 1C007.b no somete a control los abrasivos.

Materiales de materiales compuestos (composites) cerámica-cerámica con matriz de vidrio o de óxido, reforzados con fibras, que reúnan todas las características siguientes:

1. Constituidos por cualquiera de los siguientes materiales:

1. a.

Si-N

Si-C

Si-Al-O-N, o

Si-O-N, y

2. Con una resistencia específica a la tracción superior a 12,7x 103 m

Materiales de materiales compuestos (composites) cerámica-cerámica, con o sin fase metálica continua, que contengan partículas, triquitos o fibras, y en los que la matriz esté formada por carburos o nitruros de silicio, circonio o boro

Materiales precursores (es decir, materiales polímeros u organometálicos para fines especiales) destinados a la producción de cualquiera de las fases de los materiales incluidos en el subartículo 1C007.c, según se indica:

1. Polidiorganosilanos (para producir carburo de silicio)

2. Polisilazanos (para producir nitruro de silicio)

3. Policarbosilazanos (para producir materiales cerámicos con componentes de silicio, carbono y nitrógeno)

Materiales compuestos (composites) cerámica-cerámica con una matriz de óxido o de vidrio, reforzados con fibras de cualquiera de los sistemas siguientes: Nota: El subartículo 1C007.f no somete a control los materiales compuestos (composites) que contengan fibras de estos sistemas con una resistencia a la tracción de la fibra inferior a 700 MPa a 1273 K (1000 °C) o con una resistencia a la termofluencia por tracción de la fibra de más de 1 % de deformación con una carga de 100 MPa a 1273 K (1000 °C) durante 100 horas.

1. Al2O3 (CAS 1344-28-1), o

2. Si-C-N.

Imidas, como sigue: Nota: El subartículo 1C008.a somete a control sustancias en forma fundible líquida o sólida, incluidas la resina, el polvo, el gránulo, la película, la hoja, la banda o la cinta. N.B.: Para las poliimidas aromáticas no fundibles, en forma de película, hoja, banda o cinta, véase el artículo 1A003.

1. Bismaleimidas

2. Poliamidas-imidas aromáticas (PAI) que tengan una temperatura de transición vítrea (Tg) superior a 563 K (290 °C)

3. Poliimidas aromáticas que tengan una temperatura de transición vítrea (Tg) superior a 505 K (232 °C)

4. 1C008 a. Polieterimidas aromáticas que tengan una temperatura de transición vítrea (Tg) superior a 563 K (290 °C).

Copolímeros de cristales líquidos termoplásticos que tengan una temperatura de termodeformación superior a 523 K (250 °C) medida de acuerdo con la norma ISO 75-2 (2004), método A o las normas nacionales equivalentes, con una carga de 1,80 N/mm2 y que estén compuestos de:

1. Cualquiera de los compuestos siguientes:

1. a.

Fenileno, bifenileno o naftaleno, o

Fenileno, bifenileno o naftaleno sustituido por metilo, butilo terciario o fenilo, y

2. Cualquiera de los ácidos siguientes:

2. a.

Ácido tereftálico (CAS 100-21-0)

Ácido 6-hidroxi-2 naftoico (CAS 16712-64-4), o

Ácido 4-hidroxibenzoico (CAS 99-96-7)

Sin uso

Cetonas de poliarileno

Sulfuros de poliarileno en los que el grupo arileno está constituido por bifenileno, trifenileno o combinaciones de ellos

Polibifenilenetersulfona que tenga una temperatura de transición vítrea (Tg) superior a 563 K (290 °C).

1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. a.

Copolímeros de fluoruro de vinilideno que tengan una estructura cristalina beta del 75 % o más sin estirado

Poliimidas fluoradas que contengan el 10 % en peso o más de flúor combinado

Elastómeros de fosfaceno fluorado que contengan el 30 % en peso o más de flúor combinado.

Materiales fibrosos o filamentosos orgánicos que cumplan todo lo siguiente: Nota: El subartículo 1C010.a no somete a control el polietileno.

1. Módulo específico superior a 12,7 × 106 m, y

2. Resistencia específica a la tracción superior a 23,5 × 104 m.

1C010 Materiales fibrosos o filamentosos de carbono que reúnan todas las características siguientes: Nota: El subartículo 1C010.b no somete a control lo siguiente:

1. Módulo específico superior a 14,65 × 106 m, y

2. Resistencia específica a la tracción superior a 26,82 × 104 m.

a.

Materiales fibrosos o filamentosos para la reparación de estructuras o productos laminados de aeronaves civiles que presenten todas las características siguientes:

1. Superficie no superior a 1 m2

2. Longitud no superior a 2,5 m, y

3. Anchura superior a 15 mm

b.

Materiales fibrosos o filamentosos de carbono picados, molidos o cortados por medios mecánicos, de longitud inferior o igual a 25,0 mm

Materiales fibrosos o filamentosos inorgánicos que cumplan todo lo siguiente: Nota: El subartículo 1C010.c no somete a control:

1. Módulo específico superior a 2,54 × 106 m, y

2. Punto de fusión, de ablandamiento, de descomposición o de sublimación superior a 1922 K (1649 °C) en ambiente inerte.

a.

Las fibras de alúmina policristalina multifásica discontinua en forma de fibras picadas o de esterillas irregulares, que contengan el 3 % en peso o más de sílice y tengan un módulo específico inferior a 10 × 106 m

b.

Las fibras de molibdeno y de aleaciones de molibdeno

c.

Las fibras de boro

d.

Las fibras cerámicas discontinuas que tengan un punto de fusión, de ablandamiento, de descomposición o de sublimación inferior a 2043 K (1770 °C) en ambiente inerte.

1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. d.

Materiales fibrosos o filamentosos que presenten cualquiera de las características siguientes:

1. Constituidos por cualquiera de los elementos siguientes:

1. a.

Polieterimidas incluidas en el subartículo 1C008.a, o

Materiales incluidos en los subartículos 1C008.b a 1C008.f, o

2. Constituidos por materiales incluidos en los subartículos 1C010.d.1.a o 1D010.d.1.b y entremezclados con otras fibras incluidas en los subartículos 1C010.a, 1C010.b o 1C010.c

e. Nota técnica:

1C010 Materiales fibrosos o filamentosos total o parcialmente impregnados de resina o de brea (preimpregnados), materiales fibrosos o filamentosos revestidos de metal o de carbono (preformas) o preformas de fibra de carbono que reúnan todas las características siguientes: Nota 1: Los materiales fibrosos o filamentosos revestidos de metal o de carbono (preformas) o las preformas de fibra de carbono, no impregnados de resina o brea, quedan especificados por los materiales fibrosos o filamentosos incluidos en los subartículos 1C010.a, 1C010.b o 1C010.c. Nota 2: El subartículo 1C010.e no somete a control: La temperatura de transición vítrea determinada mediante un análisis mecánico dinámico (DMA Tg) para los materiales especificados en el subartículo 1C010.e se determina aplicando el método descrito en la norma ASTM D 7028-07, o en la norma nacional equivalente, a una muestra de ensayo seca. En el caso de los materiales termoendurecibles, el grado de cura de una muestra de ensayo seca deberá ser como mínimo del 90 % según la definición de la norma ASTM E 2160-04 o de la norma nacional equivalente.

1. Que presenten cualquiera de las características siguientes:

1. a.

Materiales fibrosos o filamentosos inorgánicos incluidos en el subartículo 1C010.c, o

Materiales fibrosos o filamentosos orgánicos que presenten todas las características siguientes:

1. Módulo específico superior a 10,15 × 106 m, y

2. Resistencia específica a la tracción superior a 17,7 × 104 m, y

2. Que reúnan cualquiera de las características siguientes:

2. a.

Resina o brea incluidas en el artículo 1C008 o en el subartículo 1C009.b

Temperatura de transición vítrea determinada mediante un análisis mecánico dinámico (DMA Tg) igual o superior a 453 K (180 °C) y que tengan una resina fenólica, o

Temperatura de transición vítrea determinada mediante un análisis mecánico dinámico (DMA Tg) igual o superior a 505 K (232 °C), y que tengan una resina o brea no especificada en el artículo 1C008 o en el subartículo 1C009.b que no sea una resina fenólica.

a.

Los materiales fibrosos o filamentosos de carbono impregnados con matriz de resina epoxídica (preimpregnados), para la reparación de estructuras o productos laminados de aeronaves civiles, que reúnan todas las características siguientes:

1. Una superficie no superior a 1 m2

2. Una longitud no superior a 2,5 m, y

3. Una anchura superior a 15 mm

b.

Los materiales fibrosos o filamentosos de carbono impregnados total o parcialmente de resina o brea picados, molidos o cortados por medios mecánicos, de longitud inferior o igual a 25,0 mm, cuando se emplee una resina o brea distinta de las especificadas en el artículo 1C008 o en el subartículo 1C009.b.

a. 1C011 a.Nota técnica:

Metales en partículas de dimensiones inferiores a 60 micras, ya sean esféricas, atomizadas, esferoidales, en escamas o pulverizadas, fabricadas a partir de un material compuesto al menos en un 99 % de circonio, magnesio y aleaciones de los mismos. El contenido natural de hafnio en el circonio (típicamente de 2 % a 7 %) se cuenta con el circonio. Nota: Los metales y aleaciones incluidos en el subartículo 1C011.a se someten a control, estén o no encapsulados en aluminio, magnesio, circonio o berilio.

Boro o aleaciones de boro con un tamaño de partículas de 60 micras o menos, según se indica: Nota: Los metales o aleaciones incluidos en el subartículo 1C011.b se someten a control, estén o no encapsulados en aluminio, magnesio, circonio o berilio.

1. Boro con un grado de pureza no inferior al 85 % en peso

2. Aleaciones de boro con un contenido de boro no inferior al 85 % en peso.

Nitrato de guanidina (CAS 506-93-4).

Nitroguanidina (NQ) (CAS 556-88-7).

1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: a.

Plutonio en cualquiera de sus formas, con un ensayo isotópico de plutonio de más del 50 % en peso de plutonio-238. Nota: El subartículo 1C012.a no somete a control:

a.

Las expediciones con un contenido de plutonio igual o inferior a 1 g

b.

Las expediciones con 3 gramos efectivos o menos, cuando estén contenidas en un componente sensor de un instrumento

Neptunio-237 previamente separado en cualquiera de sus formas. Nota: El subartículo 1C012.b no somete a control las expediciones con un contenido igual o inferior a 1 g de neptunio-237.

Materiales estructurales y revestimientos diseñados especialmente para reducir la reflectividad al radar

Revestimientos, incluidas las pinturas, diseñados especialmente para reducir o ajustar la reflectividad o emisividad en la región del espectro electromagnético de microondas, infrarrojos o ultravioleta.

1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica: a.

Grafitos de granulometría fina con una densidad aparente de 1,72 g/cm3 o superior, medida a 288 K (15 °C), y que tengan un tamaño de grano de 100 micras o menor, utilizables en toberas de cohetes y puntas de ojivas para vehículos de reentrada con los que se puedan manufacturar cualquiera de los siguientes productos: N.B.: Véase también el artículo 0C004.

1. Cilindros con un diámetro igual o superior a 120 mm y una longitud igual o superior a 50 mm

2. Tubos con un diámetro interior de 65 mm o superior, un espesor de pared de 25 mm o superior y una longitud de 50 mm o superior, o

3. Bloques de un tamaño de 120 mm × 120 mm × 50 mm o superior.

Grafitos pirolíticos o grafitos fibrosos reforzados, utilizables en toberas de cohetes y puntas de ojivas para vehículos de reentrada, utilizables en misiles, lanzaderas espaciales incluidas en el artículo 9A004 o en los cohetes de sondeo incluidos en el artículo 9A104. N.B.: Véase también el artículo 0C004.

Materiales compuestos (composites) cerámicos (con constante dieléctrica menor que 6 a cualquier frecuencia desde 100 MHz a 100 GHz), para su uso en radomos utilizables en misiles, lanzaderas espaciales incluidas en el artículo 9A004 o en los cohetes de sondeo incluidos en el artículo 9A104

Cerámica bruta reforzada de carburo de silicio, sin cocción, que admite tratamiento mecánico y es utilizable en puntas de ojiva de misiles, lanzaderas espaciales incluidas en el artículo 9A004 o en los cohetes de sondeo incluidos en el artículo 9A104

Materiales compuestos (composites) cerámicos de carburo de silicio reforzados, para su uso en puntas de ojiva, vehículos de reentrada y toberas utilizables en misiles, lanzaderas espaciales incluidas en el artículo 9A004 o en los cohetes de sondeo incluidos en el artículo 9A104

Sustancias propulsoras:

1. Nota técnica:

Polvo esférico o esferoidal de aluminio, distinto del incluido en la Relación de Material de Defensa, con partículas de tamaño inferior a 200 micras y un contenido en peso de aluminio del 97 % o más, si al menos el 10 % del peso total está constituido por partículas inferiores a 63 micras, de acuerdo con la norma ISO 2591:1988 o las normas nacionales equivalentes. Un tamaño de partícula de 63 micras (ISO R-565) corresponde a una trama 250 (Tyler) o una trama 230 (norma ASTM E-11).

2. Polvo metálico, distinto del incluido en la Relación de Material de Defensa, según se indica: Nota: Los subartículos 1C111a.2.a y 1C111a.2.b someten a control las mezclas de polvo con una distribución de partículas multimodal (por ejemplo, mezclas de partículas de diferentes tamaños de grano) si uno o varios modos están sometidos a control.

2. a. Nota técnica:

Polvo metálico de magnesio, circonio o berilio, o bien aleaciones de estos metales, si al menos el 90 % del total de partículas por volumen o peso de partícula se componen de partículas de menos de 60 micras (determinado mediante técnicas de medición como la utilización de un tamiz, la difracción de haz láser o la lectura óptica), ya sean esféricas, atomizadas, esferoidales, en escamas o molidas, que contengan el 97 % en peso o más de cualquiera de los siguientes elementos: El contenido natural de hafnio en el circonio (típicamente de 2 % a 7 %) se cuenta con el circonio.

1. Circonio

2. Berilio, o

3. Magnesio.

1C111 a. 2. Polvo metálico de boro o aleaciones de boro con un contenido de boro no inferior al 85 % en peso, si al menos el 90 % del total de partículas por volumen o peso de partícula se componen de partículas de menos de 60 micras (determinado mediante técnicas de medición como la utilización de un tamiz, la difracción de haz láser o la lectura óptica), ya sean esféricas, atomizadas, esferoidales, en copos o molidas.

3. Sustancias oxidantes utilizables en motores para cohete de propulsante líquido, según se indica:

3. a.

Trióxido de dinitrógeno (CAS 10544-73-7)

Dióxido de nitrógeno (CAS 10102-44-0) / tetróxido de dinitrógeno (CAS 10544-72-6)

Pentóxido de dinitrógeno (CAS 10102-03-1)

d. Nota técnica:

Óxidos mixtos de nitrógeno (MON). Los óxidos mixtos de nitrógeno (MON) son soluciones de óxido nítrico (NO) en tetróxido de dinitrógeno / dióxido de nitrógeno N2O4/NO2) que puedan utilizarse en sistemas de misiles. Existen diversas composiciones que pueden designarse como MONi o MONij, siendo i y j números enteros que representan el porcentaje de óxido nítrico presente en la mezcla (p.ej., el MON3 contiene un 3 % de óxido nítrico y el MON25 contiene un 25 % de óxido nítrico). El límite máximo es MON40, con un 40 % en peso.

VÉASE ASIMISMO LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA para ácido nítrico fumante inhibido rojo (IRFNA)

VÉANSE ASIMISMO LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA Y EL ARTÍCULO 1C238 para compuestos constituidos por flúor y cualquiera de los elementos siguientes: otros halógenos, oxígeno o nitrógeno

4. Derivados de Hidracina, según se indica: N.B.: VÉASE ASIMISMO LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA.

4. a.

Trimetilhidracina (CAS 1741-01-1)

Tetrametilhidracina (CAS 6415-12-9)

N,N-dialilhidracina

Alilhidracina (CAS 7422-78-8)

Etileno de dihidracina

Dinitrato de monometilhidracina

Nitrato de dimetilhidracina asimétrica

Azida de hidracinio (CAS 14546-44-2)

Azida de dimetilhidracinio

Nitrato de hidracinio

Diimido ácido oxálico dihidracina (CAS 3457-37-2)

Nitrato de 2-hidroxietilhidracina (HEHN)

Véase la Relación de Material de Defensa para el perclorato de hidracinio

Diperclorato de hidracinio (CAS 13812-39-0)

1C111 a. 4. Nitrato de metilhidracina (MHN)

Nitrato de dietilhidracina (DEHN)

Nitrato de tetrazina 3,6-dihidracina (nitrato de 1,4-dihidracina) (DHTN)

5. Nota técnica:

Materiales de alta densidad de energía, distintos de los especificados en la Relación de Material de Defensa, utilizables en los misiles o vehículos aéreos no tripulados especificados en el artículo 9A012: En el subartículo 1C111.a. 5, los misiles se refieren a los sistemas completos de cohetes y los sistemas de vehículos aéreos no tripulados capaces de alcanzar una distancia superior a 300 km.

5. a.

Combustible mezclado que contenga combustibles tanto sólidos como líquidos, como la lechada de boro, con una densidad de energía por masa igual o superior a 40 × 106 Julios/k

Otros combustibles y aditivos para combustibles de alta densidad energética (p. ej., cubano, soluciones iónicas, JP-10), con una densidad de energía por volumen igual o superior a 37,5 × 109 Julios/m3, medida a 20 °C y a la presión de una atmósfera (101,325 kPa). Nota: El subartículo 1C111.a.5.b no somete a control los combustibles fósiles refinados ni los biocombustibles producidos a partir de plantas, incluidos los combustibles para motores certificados para uso en aviación civil, a menos que estén especialmente formulados para los misiles o vehículos aéreos no tripulados especificados en el artículo 9A012.

Sustancias polímeras:

1. Polibutadieno con grupos terminales carboxílicos (incluido el polibutadieno con grupos terminales carboxilos) (CTPB)

2. Polibutadieno con grupos terminales hidroxílicos (incluido el polibutadieno con grupos terminales hidroxilos) (HTPB), excepto los incluidos en la Relación de Material de Defensa

3. Ácido polibutadieno-acrílico (PBAA)

4. Ácido polibutadieno-acrílico acrilonitrilo (PBAN)

5. Nota técnica:

Polietilenglicol de politetrahidrofurano (TPEG). El polietilenglicol de politetrahidrofurano (TPRG) es un copolímero en bloque de poli 1,4-butanodiol y polietilenglicol (PEG).

Otros aditivos y agentes para propulsantes:

1. VÉASE ASIMISMO LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA PARA carboranos, decaboranos, pentaboranos y derivados de los mismos

2. Trietileno glicol dinitrato (TEGDN) (CAS 111-22-8)

3. 2-nitrodifenilamina (CAS 119-75-5)

4. Trinitrato de trimetiloletano (TMETN) (CAS 3032-55-1)

5. Dinitrato de dietilenglicol (DEGDN) (CAS 693-21-0)

6. Derivados del ferroceno, según se indica:

6. a.

Véase la Relación de Material de Defensa para el catoceno

Etil-ferroceno (CAS 1273-89-8)

Propil-ferroceno

1C111 c. 6. Véase la Relación de Material de Defensa para N-butil-ferroceno

Pentil-ferroceno (CAS 1274-00-6)

Diciclopentil-ferroceno

Diciclohexil-ferroceno

Dietil-ferroceno (CAS 1273-97-8)

Dipropil-ferroceno

Dibutil-ferroceno (CAS 1274-08-4)

Dihexil-ferroceno (CAS 93894-59-8)

Acetil-ferroceno (CAS 1271-55-2) / 1,1'diacetil-ferroceno (CAS 127394-5)

Véase la Relación de Material de Defensa para los ácidos ferroceno-carboxílicos

Véase la Relación de Material de Defensa para el butaceno

Otros derivados del ferroceno que pueden utilizarse como modificadores de la velocidad de combustión de los propulsantes de cohetes, distintos de los especificados en la Relación de Material de Defensa. Nota: El subartículo 1C111.c.6.o no somete a control los derivados del ferroceno que contengan un grupo funcional aromático de seis átomos de carbono unido a la molécula del ferroceno.

7. 4,5 diazidometil-2-metil-1,2,3-triazol (iso-DAMTR), no sometido a control por la Relación de Material de Defensa.

Que tengan una resistencia a la rotura por tracción, medida a 293 K (20 °C), igual o superior a:

1. 0,9 GPa en la fase de recocido de la solución, o

2. 1,5 GPa en la fase de endurecimiento de la precipitación, y

Cualquiera de las formas siguientes:

1. Hojas, láminas o tubos de grosor de las paredes o las láminas igual o inferior a 5,0 mm

2. Formas tubulares con un espesor de paredes igual o inferior a 50 mm y con un diámetro interior igual o superior a 270 mm.

1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica 1:

1. que se caracterizan generalmente por su alto contenido en níquel, su muy bajo contenido en carbono y el uso de elementos o precipitados de sustitución para reforzar la aleación y producir su endurecimiento por envejecimiento, y

2. que se someten a ciclos de tratamiento térmico para facilitar el proceso de transformación martensítica (fase de recocido de la solución) y, posteriormente, endurecidos por envejecimiento (fase de endurecimiento de la precipitación).

1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica 1: Nota técnica 2: a.

Wolframio y aleaciones en forma de partículas, con un contenido de wolframio igual o superior al 97 % en peso y un tamaño de partícula de 50 × 10-6 m (50 micras) o menos

Molibdeno y aleaciones en forma de partículas, con un contenido de molibdeno igual o superior al 97 % en peso y un tamaño de partícula de 50 × 10-6 m (50 micras) o menos

Materiales de wolframio en forma sólida que reúnan todas las características siguientes:

1. Con cualquiera de las composiciones siguientes:

1. a.

Wolframio y aleaciones con un contenido de wolframio igual o superior al 97 % en peso

Wolframio infiltrado con cobre con un contenido de wolframio igual o superior al 80 % en peso, o

Wolframio infiltrado con plata con un contenido de wolframio igual o superior al 80 % en peso, y

2. Con los que se puedan manufacturar cualquiera de los productos siguientes:

2. a.

Cilindros con un diámetro igual o superior a 120 mm y una longitud igual o superior a 50 mm

Tubos con un diámetro interior de 65 mm o superior, un espesor de pared de 25 mm o superior y una longitud de 50 mm o superior, o

Bloques de un tamaño igual o superior a 120 mm × 120 mm × 50 mm.

1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica 1: Nota técnica 2: Nota técnica: a.

Que reúna todas las características siguientes:

1. Que contenga el 17,0-23,0 por ciento en peso de cromo y 4,5-7,0 por ciento en peso de níquel

2. Que tenga un contenido de titanio superior al 0,10 por ciento en peso, y

3. Que tenga una microestructura ferrítica-austenítica (también denominada microestructura en dos fases) de la cual al menos 10 por ciento es austenítica en volumen (de acuerdo con la norma ASTM E-1181-87 o normas nacionales equivalentes), y

Que tenga cualquiera de las siguientes formas:

1. Lingotes o barras con un tamaño de 100 mm o más en cada dimensión

2. Hojas con una anchura de 600 mm o más y un espesor de 3 mm o menos, o

3. Tubos con un diámetro exterior de 600 mm o más y un espesor de la pared de 3 mm o menos.

Aleaciones de aluminio que presenten las dos características siguientes:

1. Ser capaces de soportar una carga de rotura por tracción de 460 MPa o más a 293 K (20 °C), y

2. Tener forma de tubos o piezas cilíndricas sólidas (incluidas las piezas forjadas) con un diámetro exterior superior a 75 mm

Aleaciones de titanio que posean las dos características siguientes:

1. Ser capaces de soportar una carga de rotura por tracción de 900 MPa o más a 293 K (20 °C), y

2. Tener forma de tubos o piezas cilíndricas sólidas (incluidas las piezas forjadas) con un diámetro exterior superior a 75 mm.

1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica 1: Nota técnica 2: Nota técnica: Nota técnica: a.

Materiales fibrosos o filamentosos de carbono o aramida que presenten una de las dos características siguientes: Nota: El subartículo 1C210.a no somete a control los materiales fibrosos o filamentosos de aramida que tengan un 0,25 por ciento en peso o más de un modificador de la superficie de la fibra basado en el éster.

1. Un módulo específico de 12,7 × 106 m o superior, o

2. Una resistencia específica a la tracción de 23,5 × 104 m o superior.

Materiales fibrosos o filamentosos de vidrio que posean las dos características siguientes:

1. Un módulo específico de 3,18 × 106 m o superior, y

2. Una resistencia específica a la tracción de 7,62 × 104 m o superior

c. Nota técnica:

Hilos, cables, cabos o cintas continuos impregnados con resinas termoendurecibles, de 15 mm o menos de espesor (productos preimpregnados), hechos de los materiales fibrosos o filamentosos de carbono o vidrio que se especifican en los subartículos 1C210.a o b. La resina forma la matriz del material compuesto (composite).

1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica 1: Nota técnica 2: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.

Ser piezas que tengan una simetría cilíndrica hueca (incluidos los segmentos de cilindro) con un diámetro interior entre 100 mm y 300 mm, y

Tener una masa superior a 20 kg.

Que contenga menos de 1000 partes por millón, en peso, de impurezas metálicas distintas del magnesio, y

Que contenga menos de 10 partes por millón, en peso, de boro.

Que contenga menos de 200 partes por millón, en peso, de impurezas metálicas distintas del calcio, y

Que contenga menos de 10 partes por millón, en peso, de boro.

Una pureza de 99,99 % en peso, o superior, y

Un contenido inferior a 10 partes por millón, en peso, de plata.

Las ventanas metálicas para máquinas de rayos X, o para dispositivos de diagrafía de sondeos

Las piezas de óxido en forma fabricada o semifabricada, diseñadas especialmente como piezas de componentes electrónicos o como sustrato para circuitos electrónicos

El berilio (silicato de berilio y aluminio) en forma de esmeraldas y aguamarinas.

1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica 1: Nota técnica 2: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.

Elemental

Compuestos con una actividad total igual o superior a 37 GBq/kg (1 Ci/kg)

Mezclas con una actividad total igual o superior a 37 GBq/kg (1 Ci/kg)

Productos o dispositivos que contengan cualquiera de los anteriores.

Actinio-225 (Ac-225)

Actinio-227 (Ac-227)

Californio-253 (Cf-253)

Curio-240 (Cm-240)

Curio-241 (Cm-241)

Curio-242 (Cm-242)

Curio-243 (Cm-243)

Curio-244 (Cm-244)

Einsteinio-253 (Es-253)

Einsteinio-254 (Es-254)

Gadolinio-148 (Gd-148)

Plutonio-236 (Pu-236)

Plutonio-238 (Pu-238)

Polonio-208 (Po-208)

Polonio-209 (Po-209)

Polonio-210 (Po-210)

Radio-223 (Ra-223)

Torio-227 (Th-227)

Torio-228 (Th-228)

Uranio-230 (U-230)

Uranio-232 (U-232).

1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica 1: Nota técnica 2: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.

Las cápsulas médicas

Los productos o dispositivos que contengan menos de 0,37 GBq (10 milicurios) de radio-226.

Níquel en polvo que posea las dos características siguientes:

1. Una pureza en níquel igual o superior al 99,0 % en peso, y

2. Un tamaño medio de partícula inferior a 10 micras de acuerdo con la norma ASTM B330

Níquel metal poroso obtenido a partir de materiales incluidos en el subartículo 1C240.a.

Los polvos de níquel filamentosos

Las chapas sueltas de níquel poroso de superficie no superior a 1000 cm2 por chapa.

1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica 1: Nota técnica 2: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.

En formas que tengan una simetría cilíndrica hueca (incluidos los segmentos de cilindro) con un diámetro interior entre 100 mm y 300 mm, y

Tener una masa superior a 20 kg.

1. Tiodiglicol (111-48-8)

2. Oxicloruro de fósforo (10025-87-3)

3. Metilfosfonato de dimetilo (756-79-6)

4. VÉASE LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al difluoruro de metilfosfonilo (676-99-3)

5. Dicloruro de metilfosfonilo (676-97-1)

6. Fosfito de dimetilo (DMP) (868-85-9)

7. Tricloruro de arsénico (7719-12-2)

8. Fosfito de trimetilo (TMP) (121-45-9)

9. Cloruro de tionilo (7719-09-7)

10. 3-Hidroxi-1-metilpiperidina (3554-74-3)

11. Cloruro de N,N-diisopropil-(beta)-aminoetilo (96-79-7)

12. N,N-diisopropil-(beta)-aminoetanotiol (5842-07-9)

13. 1C350 Quinuclidinol-3 (1619-34-7)

14. Fluoruro de potasio (7789-23-3)

15. 2-Cloroetanol (107-07-3)

16. Dimetilamina (124-40-3)

17. Etilfosfonato de dietilo (78-38-6)

18. N,N-dimetilfosforamidato de dietilo (2404-03-7)

19. Fosfito de dietilo (762-04-9)

20. Hidrocloruro de dimetilamina (506-59-2)

21. Dicloruro de etilfosfinilo (1498-40-4)

22. Dicloruro de etilfosfonilo (1066-50-8)

23. VÉASE LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al difluoruro de etilfosfonilo (753-98-0)

24. Fluoruro de hidrógeno (7664-39-3)

25. Bencilato de metilo (76-89-1)

26. Dicloruro de metilfosfinilo (676-83-5)

27. N,N-diisopropil-(beta)-aminoetanol (96-80-0)

28. Alcohol pinacólico (464-07-3)

29. VÉASE LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al metilfosfonito de O-etil-2-diisopropilaminoetilo (QL) (57856-11-8)

30. Fosfito de trietilo (122-52-1)

31. Tricloruro de arsénico (7784-34-1)

32. Ácido bencílico (76-93-7)

33. Metilfosfonito de dietilo (15715-41-0)

34. Etilfosfonato de dimetilo (6163-75-3)

35. Difluoruro de etilfosfinilo (430-78-4)

36. Difluoruro de metilfosfinilo (753-59-3)

37. Quinuclidin-3-ona (3731-38-2)

38. Pentacloruro de fósforo (10026-13-8)

39. Pinacolona (75-97-8)

40. Cianuro de potasio (151-50-8)

41. Bifluoruro de potasio (7789-29-9)

42. Bifluoruro de amonio o fluoruro ácido de amonio (1341-49-7)

43. Fluoruro de sodio (7681-49-4)

44. 1C350 Bifluoruro de sodio (1333-83-1)

45. Cianuro de sodio (143-33-9)

46. Trietanolamina (102-71-6)

47. Pentasulfuro de fósforo (1314-80-3)

48. Diisopropilamina (108-18-9)

49. Dietilaminoetanol (100-37-8)

50. Sulfuro de sodio (1313-82-2)

51. Monocloruro de azufre (10025-67-9)

52. Dicloruro de azufre (10545-99-0)

53. Hidrocloruro de trietanolamina (637-39-8)

54. Hidrocloruro de N,N-diisopropil-(beta)-aminoetilo cloruro (4261-68-1)

55. Ácido metilfosfónico (993-13-5)

56. Metilfosfonato de dietilo (683-08-9)

57. Dicloruro N,N-dimetilaminofosforilo (677-43-0)

58. Fosfito de triisopropilo (116-17-6)

59. Etildietanolamina (139-87-7)

60. O,O-dietil fosforotioato (2465-65-8)

61. O,O-dietil fosforoditioato (298-06-6)

62. Hexafluorosilicato de sodio (16893-85-9)

63. Dicloruro metilfosfonotioico (676-98-2).

Virus, bien naturales, potenciados o modificados, o en forma de cultivos vivos aislados o como material que incluya materia viva a la que se hayan inoculado deliberadamente estos cultivos o que haya sido contaminada con ellos, según se indica:

1. Virus de la peste equina

2. Virus de la peste porcina africana

3. Virus Andes

4. Virus de la influenza aviar que:

4. a.

No estén caracterizados, o

Se definan en el anexo I.2. de la Directiva 2005/94/CE (DO L 10 de 14.1.2006, p. 16) como de alta patogenicidad, según se indica:

1. Virus del tipo A con un IPIV (índice de patogenicidad intravenosa) superior a 1,2 en pollos de seis semanas de edad, o

2. Virus del tipo A de los subtipos H5 o H7 con una secuencia genómica, codificadora de múltiples aminoácidos básicos en el sitio de división de la molécula de la hemaglutinina, similar a la observable en otros virus de la IAAP, lo que indica que la molécula de hemaglutinina puede ser escindida por una proteasa presente de forma ubicua en el hospedador

5. Virus de la lengua azul (fiebre catarral ovina)

6. Virus Chapare

7. Virus de Chikungunya

8. Virus Choclo

9. Virus de la fiebre hemorrágica congo-crimeana

10. Virus de la fiebre del dengue

11. Virus Dobrava-Belgrado

12. Virus de la encefalitis equina del este

13. Virus del Ébola

14. Virus de la fiebre aftosa

15. Virus de la viruela caprina

16. Virus Guanarito

17. Virus Hantaan

18. Virus Hendra (Morbillivirus equino)

19. Virus del herpes (enfermedad de Aujeszky)

20. Virus de la peste porcina

21. Virus de la encefalitis japonesa

22. Virus Junín

23. Virus de la selva de Kyasanur

24. Virus de la Laguna Negra

25. Virus de la fiebre de Lassa

26. 1C351 a. Virus del Mal de Louping

27. Virus del Lujo

28. Virus de la dermatosis nodular contagiosa

29. Virus de la coriomeningitis linfocítica

30. Virus Machupo

31. Virus Marburgo

32. Virus de la viruela del mono

33. Virus de la encefalitis del Valle Murray

34. Virus de la enfermedad de Newcastle

35. Virus Nipah

36. Virus de la fiebre hemorrágica de Omsk

37. Virus Oropouche

38. Virus de la peste de los pequeños rumiantes

39. Enterovirus porcino del tipo 9 (virus de la enfermedad vesicular porcina)

40. Virus Powassan

41. Virus de la rabia y todos los demás miembros del género Lyssavirus

42. Virus de la fiebre del valle de Rift

43. Virus de la peste bovina

44. Virus Rocío

45. Virus Sabia

46. Virus Seúl

47. Virus de la viruela ovina

48. Virus sin nombre

49. Virus de la encefalitis de San Luis

50. Virus de la enfermedad de Teschen

51. Virus de la encefalitis de transmitida por garrapatas (virus de la encefalitis rusa de primavera-verano)

52. Virus de la viruela

53. Virus de la encefalitis equina venezolana

54. Virus de la estomatitis vesicular

55. Virus de la encefalitis equina occidental

56. Virus de la fiebre amarilla

Sin uso

1C351 Bacterias, bien naturales, potenciadas o modificadas, o en forma de cultivos vivos aislados o bien como material que incluya materia viva a la que se hayan inoculado deliberadamente estos cultivos o que haya sido contaminada con ellos, según se indica:

1. Bacillus anthracis

2. Brucella abortus

3. Brucella melitensis

4. Brucella suis

5. Burkholderia mallei (Pseudomonas mallei)

6. Burkholderia pseudomallei (Pseudomonas pseudomallei)

7. Chlamydophila psittaci (formalmente conocida como Chlamydia psittaci)

8. Clostridium argentinense (anteriormente conocida como la Clostridium botulinum de tipo G), cepas productoras de la neurotoxina botulínica

9. Clostridium baratii, cepas productoras de la neurotoxina botulínica

10. Clostridium botulinum

11. Clostridium butyricum, cepas productoras de la neurotoxina botulínica

12. Tipos de Clostridium perfringens productores de la toxina épsilon

13. Coxiella burnetii

14. Francisella tularensis

15. Mycoplasma capricolum, subespecie capripneumoniae (cepa F38)

16. Mycoplasma mycoides subespecie mycoides SC (colonias pequeñas)

17. Rickettsia prowasecki

18. Salmonella typhi

19. Escherichia coli productora de toxina Shiga de serotipos O26, O45, O103, O104, O111, O121, O145 y O157, y otros serotipos productores de toxina Shiga

20. Shigella dysenteriae

21. Vibrio cholerae

22. Yersinia pestis

Toxinas, según se indica, y las subunidades de toxina de las mismas: Nota: El subartículo 1C351.d no somete a control las toxinas botulínicas o las conotoxinas en forma de productos que cumplan con todos los criterios siguientes:

1. Toxina botulínica

2. Clostridium perfringens, toxinas alfa, beta 1, beta 2, épsilon e iota

3. Conotoxina

4. Ricina

5. Saxitoxina

6. Nota técnica:

1C351 d. Toxina Shiga La Escherichia coli productora de toxinas Shiga (STEC) también se conoce como E. coli enterohemorrágica (ECEH) o E. coli verotoxigénica (VTEC).

7. Enterotoxinas de Staphylococcus aureus, toxina hemolisina alfa y toxina del síndrome del shock tóxico (anteriormente conocida como enterotoxina estafilocócica F)

8. Tetrodotoxina

9. Verotoxina y proteínas tipo toxina Shiga que inactivan los ribosomas

10. Microcistina (Cianginosina)

11. Aflatoxinas

12. Abrina

13. Toxina del cólera

14. Toxina diacetoxiscirpenol

15. Toxina T-2

16. Toxina HT-2

17. Modecina

18. Volkensina

19. Viscum album Lectin 1 (viscumina).

1. Ser formulaciones farmacéuticas diseñadas para su administración a seres humanos en tratamientos médicos

2. Estar preenvasados para ser distribuidos como productos sanitarios

3. Estar autorizada su comercialización como productos sanitarios por una autoridad pública

Hongos, bien naturales, potenciados o modificados, o en forma de cultivos vivos aislados o como material que incluya materia viva a la que se hayan inoculado deliberadamente estos cultivos o que haya sido contaminada con ellos, del tipo siguiente:

1. Coccidioides immitis

2. Coccidioides posadasii.

Organismos modificados genéticamente o elementos genéticos que contengan secuencias de ácido nucleico relacionadas con la patogenicidad de organismos incluidos en los subartículos 1C351.a, 1C351.c, 1C351.e, o en el artículo 1C354

1C353 Organismos modificados genéticamente o elementos genéticos que contengan secuencias de ácido nucleico que codifican cualquiera de las toxinas que se especifican en el subartículo 1C351.d, o subunidades de toxina de las mismas.

1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica 1: Nota técnica 2: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. a.

que por sí sola o a través de sus productos transcritos o traducidos represente un peligro considerable para la salud humana, animal o vegetal, o

de la que se sepa que incrementa la capacidad de un microorganismo de la lista, o de cualquier otro organismo en el que sea insertada o integrada de otro modo, de causar daños graves para la salud humana, animal o vegetal.

1. Timovirus latente andino de la patata

2. Viroide del tubérculo fusiforme de la patata

Bacterias, bien naturales, potenciadas o modificadas, o en forma de cultivos vivos aislados o como material al que se hayan inoculado deliberadamente estos cultivos o que haya sido contaminado con ellos, según se indica:

1. Xanthomonas albilineans

2. Xanthomonas axonopodis pv. Citri (Xanthomonas campestris pv. citri A) [Xanthomonas campestris pv. citri]

3. Xanthomonas oryzae pv. oryzae (Pseudomonas campestris pv. oryzae)

4. Clavibacter michiganensis subsp. sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. sepedonicum o Corynebacterium sepedonicum)

5. Ralstonia solanacearum, raza 3, biovar 2

Hongos, bien naturales, potenciados o modificados, o en forma de cultivos vivos aislados o como material al que se hayan inoculado deliberadamente estos cultivos o que haya sido contaminado con ellos, según se indica:

1. Colletotrichum kahawae (Colletotrichum coffeanum var. virulans)

2. Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae)

3. Microcyclus ulei (sin. Dothidella ulei)

4. Puccinia graminis ssp. graminis var. graminis / Puccinia graminis ssp. graminis var. stakmanii (Puccinia graminis [sin. Puccinia graminis f. sp. tritici])

5. 1C354 c. Puccinia striiformis (sin. Puccinia glumarum)

6. Magnaporthe oryzae (Pyricularia oryzae)

7. Peronosclerospora philippinensis (Peronosclerospora sacchari)

8. Sclerophthora rayssiae var. zeae

9. Synchytrium endobioticium

10. Tilletia indica

11. Thecaphora solani.

Sustancias químicas tóxicas, según se indica: Nota 1: En cuanto a las exportaciones a los Estados que no son Parte de la Convención sobre Armas Químicas, el artículo 1C450 no somete a control las mezclas químicas que contengan una o varias de las sustancias químicas especificadas en los subartículos 1C450.a.1 y .a.2 cuando ninguna sustancia química específica constituya, por sí sola, más del 1 %, en peso, de la mezcla. Nota 2: En cuanto a las exportaciones a los Estados que son Parte de la Convención sobre Armas Químicas, el artículo 1C450 no somete a control las mezclas químicas que contengan una o varias de las sustancias químicas especificadas en los subartículos 1C4350.a.1 y .a.2 cuando ninguna sustancia química específica constituya, por sí sola, más del 30 %, en peso, de la mezcla. Nota 3: El artículo 1C450 no somete a control las mezclas químicas que contengan una o varias de las sustancias químicas especificadas en los subartículos 1C450.a.4, .a.5, .a.6 y .a.7. cuando ninguna sustancia química específica constituya, por sí sola, más del 30 %, en peso, de la mezcla. Nota 4: El artículo 1C450 no somete a control los productos definidos como productos de consumo envasados destinados a la venta al por menor para uso personal o envasados para uso individual.

1. Amitón: fosforotiolato de O,O dietil S-[2-(dietilamino) etilo] (78-53-5) y las sales alquiladas o protonadas correspondientes

2. PFIB: 1,1,3,3,3-pentafluoro-2-(trifluorometil)1-propeno (382-21-8)

3. VÉASE LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA EN LO QUE RESPECTA A BZ: Bencilato de quinuclidinilo (6581-06-2)

4. Fosgeno: dicloruro de carbonilo (75-44-5)

5. Cloruro de cianógeno (506-77-4)

6. Cianuro de hidrógeno (74-90-8)

7. Cloropicrina: tricloronitrometano (76-06-2).

Precursores de sustancias químicas tóxicas, según se indica: Nota 1: En cuanto a las exportaciones a los Estados que no son Parte de la Convención sobre Armas Químicas, el artículo 1C450 no somete a control las mezclas químicas que contengan una o varias de las sustancias químicas especificadas en los subartículos 1C450.b.1, .b.2, .b.3, .b.4, .b.5 y .b.6 cuando ninguna sustancia química específica constituya, por sí sola, más del 10 %, en peso, de la mezcla. Nota 2: En cuanto a las exportaciones a los Estados que son Parte de la Convención sobre Armas Químicas, el artículo 1C450 no somete a control las mezclas químicas que contengan una o varias de las sustancias químicas especificadas en los subartículos 1C450.b.1, .b.2, .b.3, .b.4, .b.5 y .b.6 cuando ninguna sustancia química específica constituya, por sí sola, más del 30 %, en peso, de la mezcla. Nota 3: El artículo 1C450 no somete a control las mezclas químicas que contengan una o varias de las sustancias químicas especificadas en el subartículo 1C450.b.8 cuando ninguna sustancia química específica constituya, por sí sola, más del 30 %, en peso, de la mezcla. Nota 4: El artículo 1C450 no somete a control los productos definidos como productos de consumo envasados destinados a la venta al por menor para uso personal o envasados para uso individual.

1. Sustancias químicas distintas de las incluidas en la Relación de Material de Defensa o en el artículo 1C350, que contengan un átomo de fósforo en enlace con un grupo metilo, etilo, n-propilo o isopropilo, pero no con otros átomos de carbono Nota: El subartículo 1C450.b.1 no somete a control los fonofos: etilfosfonotiolotionato de O-etilo S-fenilo (944-22-9).

2. 1C450 b. N,N-dialquil (metil, etil o propil [n-propilo o isopropilo]) dihaluros fosforamídicos, distintos del dicloruro N,N-dimetilaminofosforilo N.B.: Véase el subartículo 1C350.57 para el dicloruro N,N-dimetilaminofosforilo.

3. Dialquil (metil, etil o propil [n-propilo o isopropilo]) N,N-dialquil (metil, etil o propil [n-propilo o isopropilo])-fosforamidatos, distintos del N,N-dimetilfosforamidato de dietilo incluido en el artículo 1C350

4. Cloruros de N,N-dialquil (metil, etil o propil [n-propilo o isopropilo]) cloruro de aminoetilo-2 y las sales protonadas correspondientes, distintos del cloruro de N,N-diisopropil-(beta)-aminoetilo o del hidrocloruro de N,N-diisopropil-(beta)-aminoetilo cloruro incluídos en el artículo 1C350

5. N,N-dialquil (metil, etil o propil [n-propilo o isopropilo]) aminoetano-2-tioles y las sales protonadas correspondientes, distintas del N,N-diisopropil-(beta)-aminoetanol (96-80-0) y el N,N-dietilaminoetanol (100-37-8) incluidos en el artículo 1C350 Nota: El subartículo 1C450.b.5 no somete a control las sustancias siguientes:

5. a.

N,N-dimetilaminoetanol (108-01-0) y las sales protonadas correspondientes

Las sales protonadas de N,N-dietilaminoetanol (100-37-8)

6. N,N-dialquil (metil, etil o propil [n-propilo o isopropilo]) aminoetano-2-tioles y las sales protonadas correspondientes, distintas del N,N-diisopropil-(beta)-aminoetanotiol incluido en el artículo 1C350

7. Véase el artículo 1C350 para la etildietanolamina (139-87-7)

8. Metildietanolamina (105-59-9).

1D Programa informático (software) 1D001 Programa informático especialmente diseñado o modificado para el desarrollo, la producción o la utilización de los equipos incluidos en los artículos 1B001 a 1B003. 1D002 Programa informático para el desarrollo de materiales compuestos (composites) o laminados que contengan una matriz orgánica, una matriz metálica o una matriz de carbono. 1D003 Programa informático especialmente diseñado o modificado para permitir que un equipo cumpla las funciones del equipo incluido en los subartículos 1A004.c o 1A004d. 1D101 Programa informático especialmente diseñado o modificado para la utilización o el mantenimiento de los productos incluidos en los artículos 1B101, 1B102, 1B115, 1B117, 1B118 o 1B119. 1D103 Programa informático especialmente diseñado o modificado para el análisis de observables reducidas tales como la reflectividad al radar, las firmas ultravioletas/infrarrojas y las firmas acústicas. 1D201 Programa informático diseñado especialmente para la utilización de los productos incluidos en el artículo 1B201.

1E Tecnología 1E001 Tecnología, de acuerdo con la Nota General de Tecnología para el desarrollo o la producción de los equipos o materiales incluidos en los subartículos 1A001.b, 1A001.c o en los artículos 1A002 a 1A005, el subartículo 1A006.b, y los artículos 1A007, 1B o 1C. 1E002 Otras tecnologías según se indica: 1E101 Tecnología de acuerdo con la Nota General de Tecnología sobre la utilización de los productos incluidos en los artículos 1A102, 1B001, 1B101, 1B102, 1B115 a 1B119, 1C001, 1C101, 1C107, 1C111 a 1C118, 1D101 o 1D103. 1E102 Tecnología de acuerdo con la Nota General de Tecnología para el desarrollo de los programas informáticos incluidos en los artículos 1D001, 1D101 o 1D103. 1E103 Tecnología para la regulación de la temperatura, la presión o la atmósfera en autoclaves o en hidroclaves, cuando se utilicen para la producción de materiales compuestos (composites) o materiales compuestos (composites) parcialmente procesados. 1E104 Tecnología para la producción de materiales derivados pirolíticamente formados en un molde, mandril u otro sustrato a partir de gases precursores que se descompongan entre 1573 K (1300 °C) y 3173 K (2900 °C) de temperatura a presiones de 130 Pa a 20 kPa. Nota: El artículo 1E104 incluye la tecnología para la composición de gases precursores, caudales y los programas y parámetros de control de procesos. 1E201 Tecnología de acuerdo con la Nota General de Tecnología para la utilización de los productos incluidos en los artículos 1A002, 1A007, 1A202, 1A225 a 1A227, 1B201, 1B225 a 1B234, los subartículos 1C002.b.3 o b.4 y 1C010.b, así como los artículos 1C202, 1C210, 1C216, 1C225 a 1C241 o 1D201. 1E202 Tecnología de acuerdo con la Nota General de Tecnología para el desarrollo o la producción de los productos incluidos en los artículos 1A007, 1A202 o 1A225 a 1A227. 1E203 Tecnología de acuerdo con la Nota General de Tecnología para el desarrollo de los programas informáticos incluidos en el artículo 1D201.

1E a.

Tecnología para el desarrollo o la producción de polibenzotiazoles o de polibenzoxazoles

Tecnología para el desarrollo o la producción de compuestos de fluoroelastómeros que contengan al menos un monómero de viniléter

Tecnología para el diseño o la producción de los materiales de base o de los materiales cerámicos que no sean materiales compuestos (composites) que se indican a continuación:

1. Materiales de base que reúnan todas las características siguientes:

1. a.

Cualquiera de las composiciones siguientes:

1. Óxidos de circonio simples o complejos y óxidos complejos de silicio o de aluminio

2. Nitruros de boro simples (formas cristalinas cúbicas)

3. Carburos de silicio o de boro, simples o complejos, o

4. Nitruros de silicio, simples o complejos

Cualquiera de los totales de impurezas metálicas siguientes (excluidas las adiciones intencionales):

1. Menos de 1000 ppm para los carburos u óxidos simples, o

2. Menos de 5000 ppm para compuestos complejos o nitruros simples, y

Que sean cualquiera de los siguientes:

1. Circonios (CAS 1314-23-4) con un tamaño medio de partículas inferior o igual a 1 micras y con no más del 10 % de las partículas mayores de 5 micras

2. Otros materiales de base con un tamaño medio de partículas inferior o igual a 5 micras y con no más del 10 % de las partículas mayores de 10 micras, o

3. Con todas las características siguientes:

3. a.

Plaquetas con una relación de longitud a espesor superior a 5

Triquitos con una relación de longitud a diámetro superior a 10 para los diámetros inferiores a 2 micras, y

Fibras continuas o troceadas de diámetro inferior a 10 micras

2. Materiales cerámicos que no sean materiales compuestos (composites) constituidos por los materiales incluidos en el subartículo 1E002.c.1. Nota: El subartículo 1E002.c.2 no somete a control la tecnología para el diseño o la producción de abrasivos.

Tecnología para la producción de fibras de poliamidas aromáticas

1E002 Tecnología para la instalación, el mantenimiento o la reparación de los materiales incluidos en el artículo 1C001

Tecnología para la reparación de las estructuras de materiales compuestos (composites), laminados o materiales incluidos en el artículo 1A002 o en los subartículos 1C007.c o 1C007.d. Nota: El subartículo 1E002.f no somete a control la tecnología de reparación de estructuras de aeronaves civiles con materiales fibrosos o filamentosos de carbono y resinas epoxídicas descrita en los manuales de los fabricantes de aeronaves.

g. Nota técnica:

Bibliotecas (bases de datos técnicos paramétricos) diseñadas especialmente o modificadas para permitir que un equipo cumpla las funciones del equipo especificado en los subartículos 1A004.c o 1A004.d. A efectos del subartículo 1E002.g, la biblioteca (base de datos técnicos paramétricos) es una recopilación de información técnica a la cual se puede hacer referencia para mejorar el rendimiento del equipo o de los sistemas pertinentes.

CATEGORÍA 2 TRATAMIENTO DE LOS MATERIALES

2A Nota técnica:

Sistemas, equipos y componentes N.B.: Para los rodamientos de funcionamiento silencioso, véase la Relación de Material de Defensa. 2A001 Rodamientos y sistemas de rodamiento antifricción, según se indica, y componentes para ellos: N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 2A101. Nota: El artículo 2A001 no somete a control las bolas con tolerancias especificadas por el fabricante de acuerdo con la norma ISO 3290 como grado 5 o inferior. 2A101 Rodamientos radiales distintos de los especificados en el artículo 2A001, con todas las tolerancias especificadas por el fabricante de acuerdo con la clase de tolerancia 2 de la norma ISO 492 (o ANSI/ABMA Sdt 20, clase de tolerancia ABEC-9 o RBEC-9 u otras normas nacionales equivalentes) o mayor, y que se ajusten a todas las características siguientes: 2A225 Crisoles hechos de materiales resistentes a los metales actínidos líquidos, según se indica: 2A226 Válvulas que reúnan todas las características siguientes: Para las válvulas con diferentes diámetros de entrada y de salida, el tamaño nominal en el artículo 2A226 se refiere al diámetro más pequeño.

2A a.

Rodamientos de bolas o rodamientos de rodillos macizos, con todas las tolerancias especificadas por el fabricante de acuerdo con la clase de tolerancia 4 de la norma ISO 492 (o las normas nacionales equivalentes) o mayor, y que tengan tanto anillos como elementos de rodadura (ISO 5539), de monel o de berilio. Nota: El subartículo 2A001.a no somete a control los rodamientos de rodillos cónicos.

2A001 Sin uso

Sistemas de rodamientos magnéticos activos que utilicen cualquiera de los siguientes elementos:

1. Materiales con densidades de flujo de 2,0 T o mayores y límites elásticos superiores a 414 MPa

2. Diseños de polarización homopolar 3D totalmente electromagnéticos para actuadores, o

3. Sensores de posición de alta temperatura (450 K [177 °C] y superiores).

Diámetro del anillo interior de 12 mm a 50 mm

Diámetro del anillo exterior de 25 mm a 100 mm, y

Anchura de 10 mm a 20 mm

Crisoles que posean las dos características siguientes:

1. Un volumen comprendido entre 150 cm3 y 8000 cm3, y

2. Estar hechos o revestidos de cualquiera de los siguientes materiales, o una combinación de los mismos, con un nivel de impurezas global inferior o igual al 2 % en peso:

2. a.

Fluoruro de calcio (CaF2)

Circonato de calcio (metacirconato) (CaZrO3)

Sulfuro de cerio (Ce2S3)

Óxido de erbio (erbia) (Er2O3)

Óxido de hafnio (hafnia) (HfO2)

Óxido de Magnesio (MgO)

Aleación nitrutada de niobio-titanio-wolframio (aproximadamente el 50 % de Nb, el 30 % de Ti y el 20 % de W)

Óxido de itrio (itria) (Y2O3), o

Óxido de circonio (circonia) (ZrO2)

Crisoles que reúnan las dos características siguientes:

1. Un volumen comprendido entre 50 cm3 y 2000 cm3, y

2. Estar hechos o revestidos de tántalo, de pureza igual o superior al 99,9 % en peso

Crisoles que presenten todas las características siguientes:

1. Un volumen comprendido entre 50 cm3 y 2000 cm3

2. Estar hechos o revestidos de tántalo, de pureza igual o superior al 98 % en peso, y

3. Estar revestidos con carburo, nitruro o boruro de tántalo, o cualquier combinación de estos.

Un tamaño nominal igual o superior a 5 mm

Disponer de un cierre de fuelle, y

Estar fabricadas íntegramente o revestidas de aluminio, aleaciones de aluminio, níquel o aleaciones de níquel que contengan más de un 60 % de níquel en peso.

2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2.

Equipos de ensayo, inspección y producción Los ejes de contorneado secundarios paralelos (por ejemplo, el eje w de las mandrinadoras horizontales o un eje de rotación secundario cuya línea central sea paralela al eje de rotación principal) no se incluyen en el número total de ejes de contorneado. Los ejes de rotación no necesitan cubrir 360°. Un eje de rotación podrá ser accionado por un dispositivo lineal (por ejemplo, un tornillo o un sistema de piñón y cremallera). A efectos del artículo 2B, el número de ejes que pueden coordinarse simultáneamente para el control de contorneado es el número de ejes a lo largo o alrededor de los cuales se producen, durante el trabajo con la pieza, movimientos simultáneos e interrelacionados entre la pieza y una herramienta. Esto no incluye otros ejes adicionales a lo largo o alrededor de los cuales tengan lugar otros movimientos relativos dentro de la máquina. Tales ejes incluyen: La nomenclatura de los ejes se ajustará a la norma internacional ISO 841 Máquinas de Control Numérico – Nomenclatura de Ejes y Movimientos. A efectos de los artículos 2B001 a 2B009, un husillo basculante se considera eje de rotación. Puede utilizarse para cada modelo de máquina herramienta la exactitud de posicionamiento declarada que se obtenga a partir de mediciones efectuadas de acuerdo con la norma ISO 230/2 o las normas nacionales equivalentes, en vez de someter las máquinas a ensayos individuales. La exactitud de posicionamiento declarada hace referencia al valor de la precisión que se haya declarado a las autoridades del Estado miembro donde esté ubicado el exportador en su calidad de representante de la precisión de un determinado modelo de máquina. Determinación de la exactitud de posicionamiento declarada: A efectos de los subartículos 2B001.a a 2B001.c, no se tomará en consideración la incertidumbre de medida respecto a la exactitud del posicionamiento de las máquinas herramienta, tal y como se define en la norma ISO 230/2 (2006) o las normas nacionales equivalentes. 2B001 Máquinas herramienta y cualquier combinación de ellas, para el arranque (o corte) de metales, materiales cerámicos o materiales compuestos (composites) que, según las especificaciones técnicas del fabricante, puedan dotarse de dispositivos electrónicos para el control numérico según se indica: N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 2B201. Nota 1: El artículo 2B001 no somete a control las máquinas herramienta para fines específicos limitadas a la fabricación de engranajes. Para esas máquinas, véase el artículo 2B003. Nota 2: El artículo 2B001 no somete a control las máquinas herramienta para fines específicos limitadas a la fabricación de alguna de las siguientes piezas: Nota 3: La máquina herramienta que pueda realizar al menos dos de las tres funciones de torneado, fresado y rectificado (por ejemplo, una máquina de torneado que también sea fresadora) tendrá que ser evaluada respecto de cada uno de los subartículos 2B001.a, 2B001.b o 2B001.c que le sean aplicables. N.B.: Para las máquinas herramienta de acabado óptico, véase el artículo 2B002. 2B002 Máquinas herramienta de acabado óptico con control numérico, equipadas para la eliminación de material de modo selectivo a fin de producir superficies ópticas no esféricas, que reúnan todas las características siguientes: A efectos del artículo 2B002: 2B003 Máquinas herramienta de control numérico o manuales, y los componentes, controles y accesorios concebidos especialmente para ellas, que se hayan diseñado en particular para el rasurado, acabado, rectificado o bruñido de engranajes rectos, de dentado helicoidal y de doble dentado helicoidal, endurecidos (Rc = 40 o superior), con un círculo primitivo de diámetro superior a 1250 mm y una anchura de diente del 15 % o superior del diámetro del círculo primitivo, acabados con calidad igual o superior a 14 según la norma AGMA (American Gear Manufacturers Asociation) (equivalente a la clase 3 de la norma ISO 1328). 2B004 Prensas isostáticas en caliente que presenten todas las características siguientes, y los componentes y accesorios diseñados especialmente para ellas: N.B.: VÉANSE TAMBIÉN LOS ARTÍCULOS 2B104 y 2B204. La dimensión interior de la cámara es la de la cavidad de trabajo en la que se generan la temperatura y la presión de trabajo y no incluye el utillaje de sujeción. Dicha dimensión será bien la del diámetro interior de la cámara de presión o bien la del diámetro interior de la cámara aislada del horno, y concretamente la menor de ambas, en función de cuál de las cámaras esté situada en el interior de la otra. N.B.: Para matrices, moldes y herramientas diseñados especialmente, véanse los artículos 1B003 y 9B009, y la Relación de Material de Defensa. 2B005 Equipos diseñados especialmente para el depósito, el procesado y el control durante el proceso, de revestimientos, recubrimientos y modificaciones de superficies inorgánicas, según se indica, para sustratos no electrónicos, por los procedimientos que se especifican en la tabla y en las notas correspondientes a continuación del subartículo 2E003.f, y los componentes automatizados de manejo, posicionamiento, manipulación y control diseñados especialmente para ellos: Nota: El artículo 2B005 no somete a control los equipos para depósito químico en fase de vapor, de arco catódico, depósito por pulverización catódica, sedimentación iónica o implantación iónica, diseñados especialmente para herramientas de corte o de mecanizado. 2B006 Sistemas, equipos y conjuntos electrónicos de control dimensional o de medida según se indica: N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 2B206. Nota: El artículo 2B006 incluye las máquinas herramienta distintas de las especificadas en el artículo 2B001 que puedan utilizarse como máquinas de medida, si cumplen o sobrepasan los criterios establecidos para la función de máquinas de medida. 2B007 Robots que tengan cualquiera de las características siguientes y controladores y efectores terminales diseñados especialmente para ellos: N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 2B207. 2B008 Conjuntos o unidades diseñados especialmente para máquinas herramienta o bien sistemas y equipos de control dimensional o de medida, según se indica: Nota: Unidades de control de los subartículos 2B008.a y 2B008.b, que están concebidas para determinar la información de posicionamiento para el control retroalimentado como, por ejemplo, los dispositivos de tipo inductivo, las escalas graduadas, los sistemas de infrarrojos o los sistemas láser. 2B009 Máquinas de conformación por rotación y máquinas de conformación por estirado que, de acuerdo con las especificaciones técnicas del fabricante, puedan ser equipadas con unidades de control numérico o controladas por ordenador y que reúnan todas las características siguientes: N.B.: VÉANSE TAMBIÉN LOS ARTÍCULOS 2B109 Y 2B209. A efectos del artículo 2B009, las máquinas que combinen las funciones de conformación por rotación y por estirado se consideran como máquinas de conformación por estirado. 2B104 Prensas isostáticas, distintas de las especificadas en el artículo 2B004, que reúnan todas las características siguientes: N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 2B204. 2B105 Hornos de depósito químico en fase de vapor (CVD), distintos de los incluidos en el subartículo 2B005.a, diseñados o modificados para la densificación de materiales compuestos (composites) carbono-carbono. 2B109 Máquinas de conformación por estirado distintas de las incluidas en el artículo 2B009, y componentes diseñados especialmente según se indica: N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 2B209. Nota: El artículo 2B109 no somete a control las máquinas que no son utilizables en la producción de componentes y equipos (por ejemplo carcasas de motores) para la propulsión destinados a los sistemas incluidos en los artículos 9A005, 9A007.a o 9A105.a. Las máquinas que combinen las funciones de conformación por rotación y por estirado se consideran, a efectos del artículo 2B109, como de conformación por estirado. 2B116 Sistemas para ensayo de vibraciones, equipos y componentes para ellos, según se indica: En el artículo 2B116, mesa vacía significa una mesa o una superficie plana, sin guarniciones ni accesorios. 2B117 Equipo y controles de proceso, distintos de los incluidos en los artículos 2B004, 2B104 o 2B105, o en el subartículo 2B005.a, diseñados o modificados para la densificación y pirólisis de las estructuras de toberas de cohetes y ojivas de vehículos de reentrada, fabricadas con materiales compuestos (composites). 2B119 Máquinas de equilibrado (balancing machines) y equipo relacionado, según se indica: N.B.: VÉASE TAMBIEN EL ARTÍCULO 2B219. 2B120 Simuladores de movimientos o mesas de velocidad (rate tables) que presenten todas las características siguientes: Nota 1: El artículo 2B120 no somete a control las mesas rotativas diseñadas o modificadas como máquina herramienta o para equipo médico. Para el control de las mesas rotativas de máquinas herramienta, véase el artículo 2B008. Nota 2: Los simuladores de movimientos o mesas de velocidad especificados en el artículo 2B120 están sometidos a control con independencia de que, en el momento de la exportación, lleven incorporados o no anillos deslizantes o dispositivos integrados sin contacto. 2B121 Mesas de posicionado (positioning tables) —equipo capaz de un posicionado rotatorio preciso en cualquier eje—, distinto del incluido en el artículo 2B120, que posean todas las características siguientes: Nota: El artículo 2B121 no somete a control las mesas rotativas diseñadas o modificadas como máquina herramienta o para equipo médico. Para el control de las mesas rotativas de máquinas herramienta, véase el artículo 2B008. 2B122 Centrífugas capaces de impartir aceleraciones superiores a 100 g y que hayan sido diseñadas o modificadas para incorporar anillos deslizantes o dispositivos integrados sin contacto capaces de transferir corriente eléctrica, señal de información o ambas cosas. Nota: Las centrífugas especificadas en el artículo 2B122 están sometidas a control con independencia de que, en el momento de la exportación, lleven incorporados anillos deslizantes o dispositivos integrados sin contacto. 2B201 Máquinas herramienta, y cualquier combinación de ellas distintas de las indicadas en el artículo 2B001, según se indica, para el arranque o corte de metales, materiales cerámicos o materiales compuestos (composites), que, según las especificaciones técnicas del fabricante, puedan dotarse de dispositivos electrónicos para el control de contorneado simultáneo en dos o más ejes: Nota 1: El artículo 2B201 no somete a control las máquinas herramienta para fines específicos limitadas a la fabricación de cualquiera de las siguientes piezas: Nota 2: La máquina herramienta que pueda realizar al menos dos de las tres funciones de torneado, fresado y rectificado (por ejemplo, una máquina de torneado que también sea fresadora) tendrá que ser evaluada respecto de cada uno de los subartículos 2B201.a o 2B201.a o b. 2B204 Prensas isostáticas distintas de las incluidas en los artículos 2B004 o 2B104 y equipos correspondientes, según se indica: En el artículo 2B204, la dimensión de la cámara interior es la de la cámara en la que se alcanzan tanto la temperatura de funcionamiento como la presión de funcionamiento, excluidos los accesorios. Dicha dimensión será bien la del diámetro interior de la cámara de presión o bien la del diámetro interior de la cámara aislada del horno, y concretamente la menor de ambas, en función de cuál de las cámaras esté situada en el interior de la otra. 2B206 Máquinas, instrumentos o sistemas de control dimensional, distintos de los incluidos en el artículo 2B006, según se indica: Nota 1: Las máquinas herramienta que puedan utilizarse como máquinas de medida quedan sometidas a control si cumplen o sobrepasan los criterios establecidos para la función de máquinas herramienta o para la función de máquinas de medida. Nota 2: Toda máquina descrita en el artículo 2B206 queda sometida a control si sobrepasa el límite de control en cualquier punto de su régimen de funcionamiento. Todos los parámetros de valores de medida en el artículo 2B206 representan más/menos, es decir, no toda la banda. 2B207 Robots, efectores terminales y unidades de control, distintos de los incluidos en el artículo 2B007, según se indica: 2B209 Máquinas de conformación por estirado, máquinas de conformación por rotación, capaces de desempeñar funciones de conformación por estirado, distintas de las incluidas en los artículos 2B009 o 2B109, y mandriles, según se indica: Nota: El subartículo 2B209.a incluye las máquinas que tengan solo un rodillo único diseñado para deformar el metal más dos rodillos auxiliares que sirvan de apoyo al mandril, pero que no participen directamente en el proceso de deformación. 2B219 Máquinas de equilibrado multiplano de centrífugas, fijas o móviles, horizontales o verticales, según se indica: 2B225 Manipuladores a distancia que puedan usarse para efectuar acciones a distancia en las operaciones de separación radioquímica o en celdas calientes que posean cualquiera de las características siguientes: Los manipuladores a distancia traducen las acciones de un operador humano a un brazo operativo y una sujeción terminal a distancia. Los manipuladores pueden ser del tipo maestro/esclavo o estar accionados por palanca universal o teclado numérico. 2B226 Hornos de inducción en atmósfera controlada (al vacío o gas inerte) y las fuentes de alimentación correspondientes, según se indica: N.B.: VÉASE TAMBIÉN LA CATEGORÍA 3B. Nota: El subartículo 2B226.a no somete a control los hornos diseñados para la transformación de obleas de semiconductores. 2B227 Hornos metalúrgicos de fusión y de fundición, de vacío u otras formas de atmósfera controlada, y los equipos correspondientes, según se indica: 2B228 Equipos de fabricación o ensamblado de rotores, equipos de enderezamiento de rotores y mandriles y matrices para la conformación de fuelles, según se indica: 2B230 Todos los tipos de transductores de presión capaces de medir la presión absoluta y que se ajusten a todas las características siguientes: En el artículo 2B230, el transductor de presión es un dispositivo que convierte una medida de presión en una señal. A efectos del artículo 2B230, la exactitud incluye la falta de linealidad, la histéresis y la repetibilidad a temperatura ambiente. 2B231 Bombas de vacío que reúnan todas las características siguientes: La velocidad de bombeo se determina en el punto de medición con nitrógeno gaseoso o aire. El vacío final se determina en la entrada de la bomba, con la entrada de la bomba bloqueada. 2B232 Sistemas de cañón de alta velocidad (propulsantes, de gas, de bobina, electromagnéticos, de tipo electrotérmico y otros sistemas avanzados), capaces de acelerar proyectiles a una velocidad de 1,5 km/s o más. N.B.: VÉASE ASIMISMO LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA. 2B233 Compresores de desplazamiento (scroll) herméticos de fuelle y bombas de vacío de desplazamiento (scroll) herméticas de fuelle que posean todas las características siguientes: N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL SUBARTÍCULO 2B350.i. 2B350 Instalaciones, equipos y componentes químicos de fabricación, según se indica: Nota: A efectos del artículo 2B350, los materiales utilizados para juntas, embalajes, precintos, tornillos, arandelas u otros componentes que desempeñen una función de estanqueidad no determinan el estatus de control, siempre que dichos componentes estén concebidos para ser intercambiables. El grafito de carbono es un compuesto de carbono amorfo y grafito, que contiene más del 8 % de grafito en peso. Para los materiales enumerados en las entradas anteriores, el término aleación, cuando no va acompañado de una indicación de concentraciones específicas de ningún elemento, designa aquellas aleaciones en las que el metal identificado está presente en mayor porcentaje en peso que ningún otro elemento. 2B351 Sistemas de supervisión de gases tóxicos y sus componentes de detección específicos, distintos de los especificados en el artículo 1A004, según se indica a continuación, así como detectores, dispositivos sensores y cartuchos desechables de sensores para dichos sistemas: 2B352 Equipos que puedan usarse en la manipulación de materiales biológicos, según se indica:

2B Notas técnicas: 1.2. a.

sistemas de reafilado de muelas de máquinas de rectificado

ejes de rotación paralelos diseñados para montar piezas separadas

ejes rotatorios colineales diseñados para manipular la misma pieza sujetándola sobre un mandril desde distintos lados.

2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5. a.

Seleccionar cinco máquinas del modelo que se quiere evaluar.

Medir las precisiones de los ejes lineales según la norma ISO 230/2.

Establecer los valores A de cada eje de cada máquina. En la norma ISO se describe el método de cálculo del valor A.

Establecer el valor medio A de cada eje; Ese valor medio Â será el valor declarado de cada eje para el modelo (Âx Ây…).

Como la lista de la categoría 2 se refiere a cada eje lineal, habrá tantos valores declarados como ejes lineales.

En caso de que no se haya sometido a control el eje de algún modelo de máquina con arreglo a los subartículos 2B001.a a 2B001.c, o bien el artículo 2B201 tenga una exactitud declarada Â igual o inferior a la exactitud de posicionamiento declarada de cada modelo de máquina herramienta más 2 micras, se podrá pedir al fabricante que compruebe el nivel de la exactitud cada 18 meses.

2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. a.

cigüeñales o árboles de levas

herramientas o cuchillas

tornillos extrusores

piezas de joyería grabadas o talladas en facetas, o

prótesis dentales.

Máquinas herramienta para torneado que reúnan todas las características siguientes: Nota: El subartículo 2B001.a no somete a control las máquinas de torneado diseñadas especialmente para producir lentes de contacto que cumplan todo lo siguiente:

1. Precisiones de posicionamiento, con todas las compensaciones disponibles, iguales o inferiores a (mejores que) 3,0 micras, de conformidad con la norma ISO 230/2 (2006) o las normas nacionales equivalentes en uno o varios ejes lineales, y

2. Dos o más ejes que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado.

a.

Disponer de un controlador de máquina limitado al uso de programas informáticos de oftalmología en los que se introduzcan datos para la programación de piezas, y

b.

No contar con un dispositivo de vacuosujeción.

Máquinas herramienta para fresado que posean cualquiera de las características siguientes:

1. Con todas las características siguientes:

1. a.

Exactitud de posicionamiento, con todas las compensaciones disponibles, iguales o inferiores a (mejores que) 3,0 micras, de conformidad con la norma ISO 230/2 (2006) o las normas nacionales equivalentes en uno o varios ejes lineales, y

Tres ejes lineales más un eje de rotación que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado

2. Cinco o más ejes que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado, que posean cualquiera de las características siguientes: N.B.: Las máquinas herramienta de mecanismo paralelo se especifican en el subartículo 2B001.b.2.d.

2. a.

Tener una exactitud de posicionamiento, con todas las compensaciones disponibles, igual o inferior a (mejor que) 3,0 micras, de conformidad con la norma ISO 230/2 (2006) o las normas nacionales equivalentes, en uno o varios ejes lineales una longitud de carrera inferior a 1 m

2B001 b. 2. Tener una exactitud de posicionamiento, con todas las compensaciones disponibles, igual o inferior a (mejor que) 4,5 micras, de conformidad con la norma ISO 230/2 (2006) o las normas nacionales equivalentes, en uno o varios ejes lineales con una longitud de carrera igual o superior a 1 m e inferior a 2 m

Tener una exactitud de posicionamiento, con todas las compensaciones disponibles, igual o inferior a (mejor que) 4,5 + 7(L-2) micras (donde L es la longitud de carrera en metros), de conformidad con la norma ISO 230/2 (2006) o las normas nacionales equivalentes, en uno o varios ejes lineales con una longitud de carrera igual o superior a 2 m, o

d. Nota técnica:

Que sea una máquina herramienta de mecanismo paralelo. Una máquina herramienta de mecanismo paralelo es una máquina herramienta que tiene varillas múltiples vinculadas a una plataforma y a actuadores; cada uno de los actuadores hace funcionar la varilla respectiva de forma simultánea e independiente.

3. Una exactitud de posicionamiento para las mandrinadoras de coordenadas, con todas las compensaciones disponibles, igual o inferior a (mejor que) 3,0 micras, de conformidad con la norma ISO 230/2 (2006) o las normas nacionales equivalentes en uno o varios ejes lineales, o

4. Fresadoras simples que reúnan todas las características siguientes:

4. a.

Desplazamiento axial periódico radial y desplazamiento axial periódico longitudinal del husillo inferiores a (mejor que) 0,0004 mm TIR, y

Desviación angular del movimiento del carro (guiñada, cabeceo y balanceo) inferior a (mejor que) 2 segundos de arco, TIR de más de 300 mm de avance

Máquinas herramienta para rectificado que presenten cualquiera de las características siguientes: Nota: El subartículo 2B001.c no somete a control las máquinas para rectificado que se indican a continuación:

1. Con todas las características siguientes:

1. a.

Tres o más ejes que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado, o

2. Cinco o más ejes que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado.

a.

Máquinas para rectificado cilíndrico externo, interno o externo-interno que se ajusten a todas las características siguientes:

1. Limitarse al rectificado cilíndrico, y

2. Limitarse a una capacidad máxima para piezas de 150 mm de diámetro exterior o longitud

b.

Máquinas diseñadas específicamente como rectificadoras de coordenadas que no tengan un eje z o un eje w, con una exactitud de posicionamiento, con todas las compensaciones disponibles, inferior a (mejor que) 3,0 micras, de conformidad con la norma ISO 230/2 (2006) o las normas nacionales equivalentes

c.

Rectificadoras de superficies

Máquinas de electroerosión (EDM) de tipo distinto al de hilo que tengan dos o más ejes de rotación que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado

2B001 Máquinas herramienta para el arranque de metales, materiales cerámicos o materiales compuestos (composites) que presenten todas las características siguientes:

1. Que eliminen material por alguno de los siguientes medios:

1. a.

Chorros de agua o de otros líquidos, incluidos los que utilizan aditivos abrasivos

Haz electrónico, o

Haz láser, y

2. Que posean al menos dos ejes rotativos y todas las características siguientes:

2. a.

La posibilidad de coordinarse simultáneamente para el control del contorneado, y

Una exactitud de posicionamiento inferior a (mejor que) 0,003

Máquinas de perforación profunda y máquinas de tornear modificadas para perforación profunda que tengan una capacidad máxima de profundidad de perforación superior a 5 m.

Acabado de la forma inferior a (mejor que) 1,0 micras

Acabado con una rugosidad inferior a (mejor que) 100 nm rms

Cuatro o más ejes que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado, y

Que utilicen cualquiera de los siguientes procesos:

1. Acabado magnetorreólico (MRF)

2. Acabado electrorreológico (ERF)

3. Acabado por haz de partículas energéticas

4. Acabado mediante herramienta con membrana hinchable, o

5. Acabado por chorro de fluido.

2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas:

1. MRF es un proceso de eliminación de material mediante un fluido abrasivo magnético cuya viscosidad se controla por medio de un campo magnético.

2. ERF es un proceso de eliminación de material mediante un fluido abrasivo cuya viscosidad se controla por medio de un campo eléctrico.

3. El acabado por haz de partículas energéticas utiliza plasmas de átomos reactivos (RAP) o haces de iones para eliminar material de modo selectivo.

4. El acabado mediante herramienta con membrana hinchable es un procedimiento en el que se emplea una membrana presurizada que se deforma para entrar en contacto con una pequeña superficie de la pieza.

5. El acabado por chorro de fluido utiliza un chorro de líquido para la eliminación de material.

Un ambiente térmico controlado dentro de la cavidad cerrada y una cámara con un diámetro interior igual o superior a 406 mm, y

Que posean cualquiera de las características siguientes:

1. Capacidad para desarrollar una presión de trabajo máxima superior a 207 MPa

2. Ambiente térmico controlado superior a 1773K (1500 °C), o

3. Capacidad para impregnar con hidrocarburos y eliminar las sustancias gaseosas de descomposición resultantes.

2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas: Nota técnica: a.

Equipos de producción para el depósito químico en fase de vapor (CVD) que cumplan todo lo siguiente: N.B.: VÉASE TAMBIEN EL ARTÍCULO 2B105.

1. Un proceso modificado para uno de los tipos de depósito siguientes:

1. a.

CVD pulsante

Deposición nuclearia térmica controlada (CNTD), o

CVD intensificado por plasma o asistido por plasma, y

2. Que presenten cualquiera de las características siguientes:

2. a.

Juntas rotatorias de alto vacío (igual o inferior a 0,01 Pa), o

Control del espesor del revestimiento in situ

Equipos de producción para la implantación iónica que tengan corrientes de haz iguales o superiores a 5 mA

Equipos de producción para el depósito físico mediante vapor, con haz de electrones (EB-PVD), que incorporen sistemas de alimentación tasados a más de 80 kW y que posean alguna de las características siguientes:

1. Sistema de control láser del nivel del baño líquido que regule con precisión la velocidad de avance de los lingotes, o

2. Dispositivo de vigilancia de la velocidad controlado por ordenador, que funcione de acuerdo con el principio de la fotoluminiscencia de los átomos ionizados en la corriente en evaporación, para controlar la velocidad de depósito de un revestimiento que contenga dos o más elementos

2B005 Equipos de producción para la pulverización de plasma que presenten cualquiera de las características siguientes:

1. Funcionamiento en atmósfera controlada a baja presión (igual o inferior a 10 kPa, medida por encima de la salida de la boquilla de la pistola y a una distancia máxima de 300 mm de esta) en una cámara de vacío capaz de evacuar hasta 0,01 Pa antes del proceso de pulverización, o

2. Control del espesor del revestimiento in situ

Equipos de producción para el depósito por pulverización catódica capaces de producir densidades de corriente iguales o superiores a 0,1 mA/mm2 a una velocidad de depósito igual o superior a 15 micras/h

Equipos de producción para el depósito por arco catódico, dotados de una retícula de electroimanes para el control de la dirección del punto de arco en el cátodo

Equipos de producción para la implantación iónica capaces de medir in situ alguna de las características siguientes:

1. Espesor del revestimiento sobre el sustrato y control de la velocidad, o

2. Características ópticas.

a. Nota técnica:

Máquinas de medida de coordenadas (MMC) controladas por ordenador, o bien por control numérico, que tengan un error máximo tolerado tridimensional (volumétrico) de medida de la longitud (E0,EMT) en cualquier punto dentro del régimen de funcionamiento de la máquina (es decir, dentro de la longitud de los ejes) igual o inferior a (mejor que) (1,7 + L/1000) micras (donde L es la longitud medida expresada en mm), según la norma ISO 10360-2 (2009). Se comparará, con el umbral de 1,7 + L/1000 micras, el E0,EMT de la configuración más precisa de la máquina de medida de coordenadas según la especificación del fabricante (p. ej., el mejor de los elementos siguientes: sonda, longitud de la aguja, parámetros de movimiento o entorno), y con todas las compensaciones disponibles.

Instrumentos de medida de desplazamiento lineal y angular, según se indica:

1. Nota técnica:

Instrumentos de medida de desplazamiento lineal que tengan cualquiera de las características siguientes: Nota: Los interferómetros láser de medida de desplazamiento solo están sujetos a control conforme al subartículo 2B006.b.1.c. A efectos del subartículo 2B006.b.1, un desplazamiento lineal es el cambio de distancia entre la sonda de medición y el objeto medido. Nota: El subartículo 2B006.b.1 no somete a control los sistemas de medida con interferómetros, con un sistema de control automático que esté diseñado para no utilizar técnicas de realimentación, que contengan un láser para medir los errores de movimiento del carro de las máquinas herramienta, de las máquinas de control dimensional o de equipos similares.

Sistemas de medida del tipo sin contacto que tengan una resolución igual o inferior a (mejor que) 0,2 micras dentro de una gama de medida igual o inferior a 0,2 mm

b. Nota técnica:

2B006 b. 1. Sistema de transformadores diferenciales de variable lineal (LVDT) que cumplan todo lo siguiente: A efectos del subartículo 2B006.b.1.b, intervalo de funcionamiento completo es la mitad del desplazamiento lineal posible total del LVDT. Por ejemplo, los LVDT con un intervalo de funcionamiento completo de hasta ± 5 mm pueden medir un desplazamiento lineal posible total de 10 mm.

1. Que posean cualquiera de las características siguientes:

1. a.

Linealidad igual o inferior a (mejor que) 0,1 %, medida de 0 al intervalo de funcionamiento completo, para los LVDT con un intervalo de funcionamiento completo de hasta ± 5 mm, o

Linealidad igual o inferior a (mejor que) 0,1 %, medida de 0 a 5 mm, para los LVDT con un intervalo de funcionamiento completo mayor de ± 5 mm, y

2. Deriva igual o inferior a (mejor que) 0,1 % por día a la temperatura ambiente normalizada de las salas de verificación ± 1 K.

Sistemas de medida que reúnan todas las características siguientes:

1. Que contengan un láser, y

2. Que mantengan durante 12 horas como mínimo, a una temperatura de 20°± 1 °C, todas las características siguientes:

2. a.

Una resolución, en toda la escala, igual o inferior a (mejor que) 0,1 micras, y

Ser capaces de alcanzar una incertidumbre de medida igual o inferior a (mejor que) (0,2 + L/2000) micras (donde L es la longitud medida expresada en mm), en cualquier punto dentro de un intervalo de medida, una vez compensado el índice de refracción del aire, o

Conjuntos electrónicos diseñados especialmente para proporcionar capacidad de realimentación en los sistemas sometidos a control en el subartículo 2B006.b.1.c.

2. Instrumentos de medida del desplazamiento angular con una exactitud de posición angular igual o inferior a (mejor que) 0,00025. Nota: El subartículo 2B006.b.2 no somete a control los instrumentos ópticos, como los autocolimadores, que utilicen luz colimada (i.e. luz láser) para detectar el desplazamiento angular de un espejo.

Equipos destinados a medir irregularidades de superficie (incluidos los defectos de superficie) midiendo la dispersión óptica, con una sensibilidad de 0,5 nm o inferior (mejor).

a. Nota técnica:

Ser capaces de efectuar el proceso completo, en tiempo real, de imágenes tridimensionales o el análisis de escenas tridimensionales para crear o modificar programas o datos numéricos de programas. La limitación relativa al análisis de escena no incluye la aproximación de la tercera dimensión mediante la visión bajo un ángulo dado, ni la interpretación a una escala de grises limitada para la percepción de la profundidad o la textura en relación con las tareas autorizadas (2 1/2 D).

2B007 Estar diseñados especialmente para satisfacer las normas nacionales de seguridad relativas a entornos de armamento potencialmente explosivo. Nota: El subartículo 2B007.b no somete a control los robots diseñados especialmente para cabinas de pintura.

c. Nota técnica:

Estar diseñados especialmente o tener las características necesarias para resistir una dosis de radiación absorbida total superior a 5 × 103 Gy (silicio) sin degradación operativa, o El término Gy (silicio) se refiere a la energía en julios por kilo absorbida por una muestra de silicio sin protección expuesta a radiaciones ionizantes.

Estar diseñados especialmente para trabajar a alturas superiores a 30000 m.

Unidades de realimentación de posición lineal que tengan una exactitud global inferior a (mejor que) (800 + [600 × L × 1000]) nm (siendo L la longitud efectiva en mm). N.B.: Para los sistemas láser, véase también la nota a los subartículos 2B006.b.1.c y d.

Unidades de realimentación de posición rotatoria que tengan una exactitud inferior a (mejor que) 0,00025 °. N.B.: Para los sistemas láser véase también la nota al subartículo 2B006.b.2.

Mesas rotativas compuestas y husillos basculantes que, de acuerdo con las especificaciones del fabricante, puedan mejorar las máquinas herramienta hasta el punto de que alcancen o sobrepasen los niveles establecidos en el artículo 2B.

Tres o más ejes que puedan coordinarse simultáneamente para el control de contorneado, y

Una fuerza en rodillo superior a 60 kN.

2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: a.

Presión de trabajo máxima de 69 MPa o superior

Estar diseñadas para conseguir y mantener un ambiente termal controlado de 873 K (600 °C) o superior, y

Poseer una cavidad de la cámara con un diámetro interior de 254 mm o superior.

Máquinas de conformación por estirado que se ajusten a todo lo siguiente:

1. Que de acuerdo con las especificaciones técnicas del fabricante, puedan ser equipadas con unidades de control numérico o controladas por ordenador, aunque originariamente no estuviesen equipadas con tales unidades, y

2. Con más de dos ejes que puedan ser coordinados simultáneamente para el control de contorneado

Componentes diseñados especialmente para máquinas de conformación por estirado (flow forming) incluidas en los artículos 2B009 o 2B109.a.

2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.

Sistemas para ensayo de vibraciones que empleen técnicas de realimentación o de bucle cerrado y que incorporen un controlador digital, capaces de someter a un sistema a vibraciones con una aceleración igual o superior a 10 g RMS entre los 20 Hz y los 2 kHz al tiempo que ejercen fuerzas iguales o superiores a 50 kN, medidas a mesa vacía (bare table)

b. Nota técnica:

Controladores digitales, combinados con programas informáticos concebidos especialmente para ensayos de vibraciones, con un ancho de banda de control en tiempo real superior a 5 kHz, diseñados para su uso en los sistemas para ensayos de vibraciones que se incluyen en el subartículo 2B116.a. En el subartículo 2B116.b, el ancho de banda de control en tiempo real se refiere a la velocidad máxima a la que un controlador puede ejecutar ciclos completos de muestreo, procesamiento de datos y transmisión de señales de control.

Impulsores para vibración (unidades agitadoras), con o sin los amplificadores asociados, capaces de impartir una fuerza igual o superior a 50 kN, medida a mesa vacía, y utilizables en los sistemas para ensayos de vibraciones incluidos en el subartículo 2B116.a

Estructuras de soporte de la pieza que va someterse a ensayo y unidades electrónicas diseñadas para combinar unidades agitadoras múltiples en un sistema capaz de impartir una fuerza efectiva combinada igual o superior a 50 kN, medida a mesa vacía, y utilizables en los sistemas para ensayos de vibraciones incluidos en el subartículo 2B116.a.

2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.

Máquinas de equilibrado que posean todas las características siguientes: Nota: El subartículo 2B119.a no somete a control las máquinas de equilibrado diseñadas o modificadas para equipos dentales u otros fines médicos.

1. Que no puedan equilibrar rotores/conjuntos con una masa superior a 3 kg

2. Que sean capaces de equilibrar rotores/conjuntos a velocidades superiores a 12500 rpm

3. 2B119 a. Que sean capaces de corregir el equilibrado en dos planos o más y

4. Que sean capaces de equilibrar hasta un desequilibrio residual específico de 0,2 g mm K-1 de la masa del rotor.

b. Nota técnica:

Cabezas indicadoras (indicator heads) diseñadas o modificadas para uso con las máquinas incluidas en el subartículo 2B119.a. Las cabezas indicadoras son a veces conocidas como instrumentación de equilibrado.

Dos o más ejes

Que hayan sido diseñados o modificados para incorporar anillos deslizantes o dispositivos integrados sin contacto capaces de transferir corriente eléctrica, señal de información o ambas cosas, y

Que tengan cualquiera de las siguientes características:

1. Para cualquier eje único, que se ajusten a todo lo siguiente:

1. a.

Capaz de alcanzar velocidades de 400 °/s o más, o 30 °/s o menos, y

Una resolución de velocidad igual o menor que 6 °/s y una exactitud igual o menor a 0,6 °/s

2. Que tengan en las peores condiciones una estabilidad de velocidad igual o mejor (menor) que más o menos 0,05 % como valor medio sobre 10 ° o más, o

3. Una exactitud de posicionamiento igual o inferior a (mejor que) 5″.

Dos o más ejes, y

Una exactitud de posicionamiento igual o inferior a (mejor que) 5″.

Máquinas herramienta para fresado que posean cualquiera de las características siguientes: Nota: El subartículo 2B201.a no somete a control las máquinas para fresado que reúnan las características siguientes:

1. Exactitud de posicionamiento con todas las compensaciones disponibles iguales o inferiores a (mejores que) 6 micras, de conformidad con la norma ISO 230/2 (1988) o las normas nacionales equivalentes en cualquiera de los ejes lineales, o

2. Dos o más ejes de rotación de contorneado.

a.

Desplazamiento en el eje × superior a 2 m, y

b.

Precisión de posicionamiento global en el eje × superior a (peor que) 30 micras.

Máquinas herramienta para rectificado que reúnan cualquiera de las características siguientes: Nota: El subartículo 2B201.b no somete a control las siguientes máquinas de rectificado:

1. Precisión de posicionamiento con todas las compensaciones disponibles iguales o inferiores a (mejores que) 4 micras, de conformidad con la norma ISO 230/2 (1988) o las normas nacionales equivalentes en cualquiera de los ejes lineales, o

2. Dos o más ejes de rotación de contorneado.

a.

Máquinas de rectificado cilíndrico externo, interno o externo-interno que posean todas las características siguientes:

1. Limitarse a una capacidad máxima para piezas de 150 mm de diámetro exterior o longitud, y

2. Ejes limitados a x, z y c

b.

Rectificadores de coordenadas que no dispongan del eje z o del eje w, con una exactitud de posicionamiento global inferior a (mejor que) 4 micras, de conformidad con la norma ISO 230/2 (1998) o las normas nacionales equivalentes.

engranajes

cigüeñales o árboles de levas

herramientas o cuchillas

tornillos extrusores.

Prensas isostáticas que reúnan las dos características siguientes:

1. Ser capaces de desarrollar una presión de funcionamiento máxima de 69 MPa o superior, y

2. Tener una cámara de diámetro interior superior a 152 mm

2B204 Matrices, moldes o controles, diseñados especialmente para prensas isostáticas especificadas en el subartículo 2B204.a.

2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a. Nota técnica:

Máquinas de medida de coordenadas (MMC) controladas por ordenador o por control numérico que posean cualquiera de las características siguientes: Se comparará, con el umbral de 1,7 + L/800 micras, el E0,EMT de la configuración más precisa de la máquina de medida de coordenadas según la especificación del fabricante con arreglo a la norma ISO 10360-2 (2009) (p. ej., el mejor de los elementos siguientes: sonda, longitud de la aguja, parámetros de movimiento o entorno) y con todas las compensaciones disponibles.

1. Que tengan solo dos ejes y un error máximo tolerado de medida de la longitud a lo largo de cualquier eje (unidimensional), identificado como cualquier combinación E0x,EMT, E0y,EMT, o E0z,EMT, igual o inferior a (mejor que) (1,25 + L/1000) micras (donde L es la longitud medida expresada en mm), en cualquier punto dentro del régimen de funcionamiento de la máquina (es decir, dentro de la longitud de los ejes), según la norma ISO 10360-2 (2009), o

2. Que tengan tres o más ejes y un error máximo tolerado tridimensional (volumétrico) de medida de la longitud (E0,EMT), igual o inferior a (mejor que) (1,7 + L/800) micras (donde L es la longitud medida expresada en mm), en cualquier punto dentro del régimen de funcionamiento de la máquina (es decir, dentro de la longitud de los ejes), según la norma ISO 10360-2 (2009).

Sistemas de control simultáneo lineal y angular de semicascos que posean las dos características siguientes:

1. Incertidumbre de medida en cualquier eje lineal igual o inferior a (mejor que) 3,5 micras en 5 mm, y

2. Desviación de posición angular igual o inferior a 0,02.

2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: a.

Robots o efectores terminales diseñados especialmente para cumplir las normas nacionales de seguridad aplicables a la manipulación de explosivos de gran potencia (por ejemplo, satisfacer las especificaciones del código eléctrico para explosivos de gran potencia).

Unidades de control diseñadas especialmente para cualquiera de los robots o efectores terminales especificados en el subartículo 2B207.a.

Máquinas que posean todas las características siguientes:

1. Tres o más rodillos (activos o de guía), y

2. Que, de acuerdo con la especificación técnica del fabricante, puedan ser equipadas con unidades de control numérico o con control por ordenador

Mandriles para la conformación de rotores diseñados para formar rotores cilíndricos de diámetro interior entre 75 mm y 400 mm.

Máquinas de equilibrado de centrífugas diseñadas para equilibrar rotores flexibles, que tengan una longitud igual o superior a 600 mm y todas las características siguientes:

1. Un diámetro nominal, o un diámetro máximo con oscilación, de más de 75 mm

2. Capacidad para masas entre 0,9 y 23 kg, y

3. Capacidad de equilibrar velocidades de revolución superiores a 5000 r.p.m.

Máquinas de equilibrado de centrífugas diseñadas para equilibrar componentes de rotor cilíndricos huecos y que reúnan todas las características siguientes:

1. Diámetro nominal igual o superior a 75 mm

2. Capacidad para masas de entre 0,9 y 23 kg

3. Capacidad para equilibrar con un desequilibrio residual igual o inferior a 0,01 kg × mm/kg por plano, y

4. Del tipo accionado por correa.

Capacidad para atravesar una pared de celda caliente de 0,6 m o más (operación a través de la pared), o

Capacidad para pasar por encima de una pared de celda caliente de 0,6 m o más de grosor (operación por encima de la pared).

2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: a.

Hornos que reúnan todas las características siguientes:

1. Ser capaces de funcionar a más de 1123 K (850 °C)

2. Estar equipados con bobinas de inducción de 600 mm o menos de diámetro, y

3. Estar diseñados para potencias de entrada de 5 kW o más

Fuentes de alimentación diseñadas especialmente para los hornos especificados en el subartículo 2B226.a, con una potencia de salida de 5 kW o más.

Hornos de fundición y de refusión de arco que presenten las dos características siguientes:

1. Electrodos consumibles de capacidad comprendida entre 1000 cm3 y 20000 cm3, y

2. Capacidad de funcionar a temperaturas de fusión superiores a 1973 K (1700 °C)

Hornos de fusión de haz de electrones, y de atomización y difusión por plasma, que posean las dos características siguientes:

1. Potencia igual o superior a 50 kW, y

2. Capacidad de funcionar a temperaturas de fusión superiores a 1473 K (1200 °C)

Control por ordenador y sistemas de supervisión configurados especialmente para cualquiera de los hornos que se especifican en los subartículos 2B227.a o b.

Equipos de ensamblado de rotores para ensamblar secciones de tubos de rotor, pantallas y cofias de centrífugas gaseosas. Nota: El subartículo 2B228.a incluye los mandriles de precisión, las abrazaderas y las máquinas de ajuste por contracción asociados.

b. Nota técnica:

Equipos de enderezamiento de rotores para alinear las secciones de los tubos de los rotores de las centrífugas gaseosas a un eje común. En el subartículo 2B228.b, estos equipos consisten normalmente en probetas de medida de precisión conectadas con un ordenador que, subsiguientemente, controla la acción de, por ejemplo, arietes neumáticos utilizados para alinear las secciones del tubo del rotor.

c. Nota técnica:

Mandriles para la conformación de fuelles y matrices para la producción de fuelles de forma convolutiva simple. En el subartículo 2B228.c, los fuelles presentan todas las características siguientes:

1. Diámetro interior comprendido entre 75 mm y 400 mm

2. Longitud igual o superior a 12,7 mm

3. Paso superior a 2 mm, y

4. Estar hechos con aleaciones de aluminio de gran tenacidad, acero martensítico envejecido o materiales fibrosos o filamentosos de gran tenacidad.

Elementos sensores de la presión fabricados o protegidos con aluminio, aleaciones de aluminio, óxido de aluminio (alúmina o zafiro) níquel, aleaciones de níquel con más del 60 % de níquel en peso o polímeros de hidrocarburos totalmente fluorados

Juntas, en caso de existir, esenciales para sellar el elemento sensor de la presión, y en contacto directo con el medio que está siendo procesado, fabricadas o protegidas con aluminio, aleaciones de aluminio, óxido de aluminio (alúmina o zafiro) níquel, aleaciones de níquel con más del 60 % de níquel en peso o polímeros de hidrocarburos totalmente fluorados, y

2B230 Que posean alguna de las características siguientes:

1. Una escala total de menos de 13 kPa y una exactitud superior a ± 1 % de la escala total, o

2. Una escala total de 13 kPa o más y una exactitud superior a ± 130 Pa cuando se mide a 13 kPa.

2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Notas técnicas: 1.2. a.

Tamaño del orificio de entrada igual o superior a 380 mm

Velocidad de bombeo igual o superior a 15 m3 por segundo, y

Capacidad de producir un vacío final mejor que 13 mPa.

2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. a.

Capaces de una velocidad de flujo de volumen de admisión de 50 m3/h o superior

Capaces de funcionar a relaciones de presión de 2:1 o superiores, y

Que tengan todas las superficies que entran en contacto con el gas del proceso hechas de cualquiera de los siguientes materiales:

1. Aluminio o aleación de aluminio

2. Óxido de aluminio

3. Acero inoxidable

4. Níquel o aleaciones de níquel

5. Malla de bronce o

6. Fluoropolímeros.

Cubas de reacción o reactores, con o sin agitadores, con un volumen interno total (geométrico) superior a 0,1 m3 (100 litros) e inferior a 20 m3 (20000 litros), en las que todas las superficies que entran en contacto directo con el componente o componentes químicos contenidos, o que están siendo transformados, estén hechas de cualquiera de los siguientes materiales:

1. Aleaciones con más del 25 % de níquel y del 20 % de cromo, en peso

2. Fluoropolímeros (polímeros o elastómeros con más del 35 % de flúor en peso)

3. 2B350 a. Vidrio (incluidos los recubrimientos vitrificados o esmaltados, o los forrados de vidrio)

4. Níquel o aleaciones con más del 40 % de níquel en peso

5. Tántalo o aleaciones de tántalo

6. Titanio o aleaciones de titanio

7. Circonio o aleaciones de circonio, o

8. Niobio (columbio) o aleaciones de niobio

Agitadores concebidos para su uso en las cubas de reacción o los reactores incluidos en el subartículo 2B350.a, e impulsadores, paletas o ejes diseñados para esos agitadores, donde todas las superficies del agitador que entren en contacto directo con el componente o componentes químicos contenidos, o que estén siendo procesados, estén hechas de cualquiera de los siguientes materiales:

1. Aleaciones con más del 25 % de níquel y del 20 % de cromo, en peso

2. Fluoropolímeros (polímeros o elastómeros con más del 35 % de flúor en peso)

3. Vidrio (incluidos los recubrimientos vitrificados o esmaltados, o los forrados de vidrio)

4. Níquel o aleaciones con más del 40 % de níquel en peso

5. Tántalo o aleaciones de tántalo

6. Titanio o aleaciones de titanio

7. Circonio o aleaciones de circonio, o

8. Niobio (columbio) o aleaciones de niobio

Tanques de almacenaje, contenedores o receptores con un volumen interno total (geométrico) superior a 0,1 m3 (100 litros), en los que todas las superficies que entren en contacto directo con el componente o componentes químicos contenidos, o que estén siendo transformados, estén hechas de cualquiera de los siguientes materiales:

1. Aleaciones con más del 25 % de níquel y del 20 % de cromo, en peso

2. Fluoropolímeros (polímeros o elastómeros con más del 35 % de flúor en peso)

3. Vidrio (incluidos los recubrimientos vitrificados o esmaltados, o los forrados de vidrio)

4. Níquel o aleaciones con más del 40 % de níquel en peso

5. Tántalo o aleaciones de tántalo

6. Titanio o aleaciones de titanio

7. Circonio o aleaciones de circonio, o

8. Niobio (columbio) o aleaciones de niobio

Intercambiadores de calor o condensadores con una superficie de transferencia de calor de más de 0,15 m2 y menos de 20 m2; y tubos, placas, bobinas o bloques (núcleos) diseñados para esos intercambiadores de calor o condensadores, en los que todas las superficies que entran en contacto directo con el componente o componentes químicos que estén siendo transformados, estén hechas de cualquiera de los siguientes materiales:

1. Aleaciones con más del 25 % de níquel y del 20 % de cromo, en peso

2. Fluoropolímeros (polímeros o elastómeros con más del 35 % de flúor en peso)

3. Vidrio (incluidos los recubrimientos vitrificados o esmaltados, o los forrados de vidrio)

4. Grafito o grafito de carbono

5. 2B350 d. Níquel o aleaciones con más del 40 % de níquel en peso

6. Tántalo o aleaciones de tántalo

7. Titanio o aleaciones de titanio

8. Circonio o aleaciones de circonio

9. Carburo de silicio

10. Carburo de titanio, o

11. Niobio (columbio) o aleaciones de niobio

Columnas de destilación o de absorción con un diámetro interior superior a 0,1 m; y distribuidores de líquido, distribuidores de vapor o colectores de líquido diseñados para esas columnas de destilación o de absorción, en las que todas las superficies que entren en contacto directo con el componente o componentes químicos que estén siendo transformados, estén hechas de cualquiera de los siguientes materiales:

1. Aleaciones con más del 25 % de níquel y del 20 % de cromo, en peso

2. Fluoropolímeros (polímeros o elastómeros con más del 35 % de flúor en peso)

3. Vidrio (incluidos los recubrimientos vitrificados o esmaltados, o los forrados de vidrio)

4. Grafito o grafito de carbono

5. Níquel o aleaciones con más del 40 % de níquel en peso

6. Tántalo o aleaciones de tántalo

7. Titanio o aleaciones de titanio

8. Circonio o aleaciones de circonio, o

9. Niobio (columbio) o aleaciones de niobio

Equipos de llenado, manejados por control remoto, en los que todas las superficies que entren en contacto directo con el componente o componentes químicos que estén siendo transformados estén hechas de cualquiera de los siguientes materiales:

1. Aleaciones con más del 25 % de níquel y del 20 % de cromo, en peso, o

2. Níquel o aleaciones con más del 40 % de níquel en peso

g. Notas técnicas: 1.2.

Válvulas y componentes según se indica: A efectos del subartículo 2B350.g, los materiales resistentes a la corrosión son cualquiera de los siguientes materiales: El tamaño nominal se define como el menor de entre los diámetros de entrada y de salida.

1. Válvulas que posean todas las características siguientes:

1. a.

Tamaño nominal de más de 10 mm (3/8″), y

Que todas las superficies que entren en contacto directo con el componente o componentes químicos que estén siendo elaborados, transformados o contenidos estén hechas con materiales resistentes a la corrosión

2. Válvulas, distintas de las especificadas en el subartículo 2B350.g.1, que reúnan todas las características siguientes:

2. a.

Un tamaño nominal igual o superior a 25,4 mm (1″) e igual o inferior a 101,6 mm (4″)

Camisas (cuerpos de válvula) o forros de camisas preformados

Un elemento de cierre concebido para ser intercambiable, y

Que todas las superficies de la camisa (cuerpo de la válvula) o forro de camisas preformado que entren en contacto directo con el componente o componentes químicos que estén siendo elaborados, transformados o contenidos estén hechas con materiales resistentes a la corrosión

3. 2B350 g. Componentes concebidos para las válvulas especificadas en los subartículos 2B350.g.1 o 2B350.g.2, en los que todas las superficies que entren en contacto directo con el componente o componentes químicos que estén siendo elaborados, transformados o contenidos estén hechas con materiales resistentes a la corrosión, según se indica:

3. a.

Camisas (cuerpos de válvula)

Forros de camisas preformados.

g. Notas técnicas: 1.

a.

Níquel o aleaciones con más del 40 % de níquel en peso

b.

Aleaciones con más del 25 % de níquel y del 20 % de cromo, en peso

c.

Fluoropolímeros (polímeros o elastómeros con más del 35 % de flúor en peso)

d.

Vidrio o revestimiento de vidrio (incluidos los recubrimientos vitrificados o esmaltados)

e.

Tantalio o aleaciones de tantalio

f.

Titanio o aleaciones de titanio

g.

Circonio o aleaciones de circonio

h.

Niobio (columbio) o aleaciones de niobio, o

i.

Materiales cerámicos, según se indica:

1. Carburo de silicio de pureza superior o igual al 80 % en peso

2. Óxido de aluminio (alúmina) de pureza superior o igual al 99,9 % en peso

3. Óxido de circonio (circonia)

Sistemas de tuberías multipared que incorporen un puerto de detección de fugas, en los que todas las superficies que entren en contacto directo con el componente o componentes químicos contenidos, o que estén siendo transformados, estén hechas de cualquiera de los siguientes materiales:

1. Aleaciones con más del 25 % de níquel y del 20 % de cromo, en peso

2. Fluoropolímeros (polímeros o elastómeros con más del 35 % de flúor en peso)

3. Vidrio (incluidos los recubrimientos vitrificados o esmaltados, o los forrados de vidrio)

4. Grafito o grafito de carbono

5. Níquel o aleaciones con más del 40 % de níquel en peso

6. Tántalo o aleaciones de tántalo

7. Titanio o aleaciones de titanio

8. Circonio o aleaciones de circonio, o

9. Niobio (columbio) o aleaciones de niobio

i. Nota técnica:

2B350 Bombas de sellado múltiple y bombas sin precinto, con una tasa de flujo máxima especificada por el fabricante superior a 0,6 m3/hora, o bombas de vacío con una tasa de flujo máxima especificada por el fabricante superior a 5 m3/hora, bajo condiciones normales de temperatura (273 K 0 °C`) y presión (101,3 kPa) distintas de las incluidas en el artículo 2B233; y camisas (cuerpos de bomba), forros de camisas preformados, impulsadores, rotores o toberas de bombas de chorro diseñados para esas bombas, en los que todas las superficies que entren en contacto directo con el componente o componentes químicos que estén siendo transformados, estén hechas de cualquiera de los siguientes materiales: En el subartículo 2B350.i, el término precinto se refiere exclusivamente a los precintos que entren en contacto directo con el componente o componentes químicos que estén siendo transformados (o para los que hayan sido concebidos), y ofrezcan una función de sellado en la que un eje motor rotatorio o alternativo pase a través de un cuerpo de bomba.

1. Aleaciones con más del 25 % de níquel y del 20 % de cromo, en peso

2. Cerámicos

3. Ferrosilicio (aleaciones de hierro con una proporción importante de silicio)

4. Fluoropolímeros (polímeros o elastómeros con más del 35 % de flúor en peso)

5. Vidrio (incluidos los recubrimientos vitrificados o esmaltados, o los forrados de vidrio)

6. Grafito o grafito de carbono

7. Níquel o aleaciones con más del 40 % de níquel en peso

8. Tántalo o aleaciones de tántalo

9. Titanio o aleaciones de titanio

10. Circonio o aleaciones de circonio, o

11. Niobio (columbio) o aleaciones de niobio.

Incineradoras proyectadas para la destrucción de las sustancias químicas incluidas en el artículo 1C350, que tengan un sistema de aprovisionamiento de residuos diseñado especialmente, con un sistema de manipulación particular y con una temperatura media de la cámara de combustión superior a 1273 K (1000 °C), en las cuales, todas las superficies del sistema de aprovisionamiento de residuos que entren en contacto directo con los residuos estén hechas o revestidas con cualquiera de los siguientes materiales:

1. Aleaciones con más del 25 % de níquel y del 20 % de cromo, en peso

2. Cerámicos, o

3. Níquel o aleaciones que contengan más del 40 % de níquel en peso.

2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. a.

Diseñados para funcionar continuamente y ser utilizables en la detección de agentes para la guerra química o de las sustancias químicas especificadas en el artículo 1C350, en concentraciones inferiores a 0,3 mg/m3, o

Diseñados para la detección de la actividad inhibidora de la colinesterasa.

a. Nota técnica:

Instalaciones completas de confinamiento biológico con nivel de confinamiento P3, P4. Los niveles de confinamiento P3 o P4 (BL3, BL4, L3 o L4) son los especificados en el Manual de Bioseguridad del laboratorio de la OMS (3a edición, Ginebra, 2004).

b. Nota técnica:

Fermentadores y componentes según se indica: A efectos del subartículo 2B352.b, los fermentadores incluyen los biorreactores, los biorreactores de un solo uso (desechables) y los sistemas de flujo continuo.

1. Fermentadores capaces de cultivar microorganismos patógenos o células vivas para la producción de virus patógenos o toxinas, sin propagación de aerosoles, que tengan una capacidad total mínima de 20 litros

2. Componentes diseñados para los fermentadores contemplados en el subartículo 2B352.b.1, según se indica:

2. a.

Cámaras de cultivo concebidas para ser esterilizadas o desinfectadas in situ

Dispositivos de sujeción de las cámaras de cultivo

Unidades de control de procesos capaces de llevar un seguimiento y control simultáneo de dos o más parámetros del sistema de fermentación (por ejemplo, temperatura, pH, nutrientes, agitación, oxígeno disuelto, caudal de aire o control de espuma).

c. Nota técnica:

Separadores centrífugos, aptos para una separación continúa sin propagación de aerosoles, que posean todas las características siguientes: Los separadores centrífugos incluyen los decantadores.

1. Velocidad de flujo superior a 100 litros por hora

2. Componentes de acero inoxidable pulido o titanio

3. Una o varias juntas de estanqueidad dentro de la zona de confinamiento del vapor, y

4. Capacidad de esterilización por vapor in situ estando cerrados.

Equipos de filtración de flujo cruzado (tangencial) y sus componentes, según se indica: Nota: El subartículo 2B352.d no somete a control los equipos de ósmosis inversa, según las especificaciones del fabricante.

1. Equipos de filtración de flujo cruzado (tangencial) capaces de separar microorganismos patógenos, virus, toxinas o cultivos de células, que reúnan todas las características siguientes:

1. a.

Una superficie de filtración total igual o superior a 1 m2, y

b. Nota técnica:

Que presenten cualquiera de las siguientes características: A los efectos del subartículo 2B352.d.1.b, la esterilización se refiere a la eliminación de todos los microbios viables presentes en el equipo mediante el uso de agentes físicos (por ejemplo, vapor) o químicos. Por desinfección se designa la eliminación de la infectividad microbiana potencial en el equipo mediante el empleo de agentes químicos de efecto germicida. La desinfección y la esterilización se diferencian del saneamiento en que este último se refiere a los procedimientos de limpieza destinados a reducir el contenido microbiano en el equipo sin tener que llegar necesariamente a una eliminación total de la infectividad o viabilidad microbiana.

1. Que ofrezcan la posibilidad de esterilización o desinfección in situ, o

2. Que utilicen componentes de filtración desechables o de un solo uso.

2. 2B352 d. Componentes de equipos de filtración de flujo cruzado (tangencial) (por ejemplo, módulos, elementos, carcasas, cartuchos, unidades o placas) con una superficie de filtración igual o superior a 0,2 m2 por componente, que estén diseñados para ser empleados en los equipos de filtración de flujo cruzado (tangencial) especificados en el subartículo 2B352.d

Equipos de liofilización esterilizables por vapor, con una capacidad del condensador superior a 10 kg de hielo en 24 horas e inferior a 1000 kg de hielo en 24 horas

Equipo protector y de confinamiento, según se indica:

1. Trajes de protección, totales o parciales, o con capuchas dependientes de un suministro de aire externo unido al traje y que funcionen bajo una presión positiva. Nota: El subartículo 2B352.f.1 no somete a control los trajes diseñados para usarse con un aparato de respiración contenido en el propio traje.

2. Cámaras o aislantes de seguridad biológica de clase III que proporcionen niveles de protección equivalente. Nota: En el subartículo 2B352.f.2, los aislantes incluyen aislantes flexibles, cajas secas, cámaras anaeróbicas, cajas de guante y campanas de flujo laminar (cerradas con flujo vertical).

Cámaras diseñadas para ensayos de ataque de aerosoles con microorganismos, virus o toxinas, que tengan una capacidad de 1 m3 o superior

Equipos de secado por pulverización capaces de secar toxinas o microorganismos patógenos, que posean todas las características siguientes:

1. Una capacidad de evaporación del agua ≥ 0,4 kg/hora y ≤ 400 kg/hora

2. La capacidad de generar partículas de producto de un tamaño medio ≤ 10 micras con los equipos existentes o con una modificación mínima del secador por pulverización mediante unas toberas de atomización que permitan la generación del tamaño de partículas requerido, y

3. Con posibilidad de esterilización o desinfección in situ.

2C Materiales Ninguno.

2D Programas informáticos (software) 2D001 Programas informáticos distintos de los especificados en el artículo 2D002, según se indica: Nota: El artículo 2D001 no somete a control los programas informáticos de programación de piezas que generen códigos de control numérico para mecanizar distintas piezas. 2D002 Programas informáticos destinados a dispositivos electrónicos, incluido el contenido en un dispositivo o en un sistema electrónico, que permitan a estos dispositivos o sistemas funcionar como una unidad de control numérico capaz de coordinar simultáneamente más de cuatro ejes para el control de contorneado. Nota 1: El artículo 2D002 no somete a control los programas informáticos especialmente diseñados o modificados para el funcionamiento de productos no especificados en la categoría 2. Nota 2: El artículo 2D002 no somete a control los programas informáticos destinados a los productos que se incluyen en el artículo 2B002. Para los programas informáticos destinados a los productos comprendidos en el artículo 2B002, véanse los artículos 2D001 y 2D003. Nota 3: El artículo 2D002 no somete a control los programas informáticos que se exportan con (así como el mínimo necesario para el funcionamiento de) productos no especificados en la categoría 2. 2D003 Programas informáticos diseñados o modificados para el funcionamiento de los equipos especificados en el artículo 2B002, que convierten las funciones de eliminación de material, medición de las piezas de trabajo y diseño óptico en comandos de control numérico para conseguir la forma deseada para las piezas de trabajo. 2D101 Programas informáticos especialmente diseñados o modificados para la utilización de los equipos especificados en los artículos 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 o 2B119 a 2B122. N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 9D004. 2D201 Programas informáticos diseñados especialmente para la utilización del equipo incluido en los artículos 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 o 2B227. 2D202 Programas informáticos especialmente diseñados o modificados para el desarrollo, la producción o la utilización de los equipos especificados en el artículo 2B201. Nota: El subartículo 2D202 no somete a control los programas informáticos de programación capaces de generar códigos de mando de control numérico, pero que no permiten el uso directo de equipos para mecanizar distintas piezas. 2D351 Programas informáticos, distintos de los especificados en el artículo 1D003, que han sido diseñados especialmente para la utilización de los equipos especificados en el artículo 2B351.

2D a.

Programas informáticos especialmente diseñados o modificados para el desarrollo o la producción de los equipos incluidos en los artículos 2A001 o 2B001.

Programas informáticos especialmente diseñados o modificados para la utilización de los equipos incluidos en el subartículo 2A001.c o los artículos 2B001 o 2B003 a 2B009.

2E Tabla 1.2.3.A.B.B.1.B.2.B.3.B.4.C.D.E.F.G. Métodos de depósito

Tecnología 2E001 Tecnología, de acuerdo con la Nota General de Tecnología para el desarrollo del equipo o los programas informáticos especificados en las categorías 2A, 2B o 2D. Nota: El artículo 2E001 incluye la tecnología para la integración de sistemas de sonda en máquinas de medida de coordenadas que se especifican en el subartículo 2B006.a. 2E002 Tecnología de acuerdo con la Nota General de Tecnología para la producción de los equipos incluidos en las categorías 2A o 2B. 2E003 Otras tecnologías, según se indica: 2E101 Tecnología de acuerdo con la Nota General de Tecnología para la utilización de los equipos o programas informáticos especificados en los artículos 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 a 2B122 o 2D101. 2E201 Tecnología de acuerdo con la Nota General de Tecnología para la utilización de los equipos o programas informáticos especificados en los artículos 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, los subartículos 2B007.b y 2B007.c, y los artículos 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 a 2B233, 2D201 o 2D202. 2E301 Tecnología de acuerdo con la Nota General de Tecnología para la utilización de productos incluidos en los artículos 2B350 a 2B352. Proceso de revestimiento (1) Sustrato Revestimiento resultante Depósito químico en fase de vapor (CVD) Superaleaciones Aluminuros para superficies internas Cerámicas (19) y vidrios de baja dilatación (14) Siliciuros Carburos Capas dieléctricas (15) Diamante Carbono diamante (17) Materiales compuestos (composites) carbono-carbono, cerámicos y de matriz metálica Siliciuros Carburos Metales refractarios y de matriz metálica Mezclas de ellos (4) Capas dieléctricas (15) Aluminuros Aluminuros aleados (2) Nitruro de boro Carburo cementado (16), Carburo de silicio (18) Carburos Wolframio Mezclas de ellos (4) Capas dieléctricas (15) Molibdeno y aleaciones de molibdeno Capas dieléctricas (15) Berilio y aleaciones de berilio Capas dieléctricas (15) Diamante Carbono diamante (17) Materiales para ventanas de sensores (9) Capas dieléctricas (15) Diamante Carbono diamante (17) Depósito en fase de vapor (PVD) por método físico de evaporación térmica (TE-PVD) Depósito en fase de vapor (PVD) por método físico de haz de electrones (EB-PVD) Superaleaciones Siliciuros aleados Aluminuros aleados (2) MCrAlX (5) Circonia modificada (12) Siliciuros Aluminuros Mezclas de ellos (4) Cerámicas (19) y vidrios de baja dilatación (14) Capas dieléctricas (15) Acero resistente a la corrosión (7) MCrAlX (5) Circonia modificada (12) Mezclas de ellos (4) Materiales compuestos (composites) carbono-carbono, cerámicos y de matriz metálica Siliciuros Carburos Metales refractarios y de matriz metálica Mezclas de ellos (4) Capas dieléctricas (15) Nitruro de boro Carburo cementado (16), Carburo de silicio (18) Carburos Wolframio Mezclas de ellos (4) Capas dieléctricas (15) Molibdeno y aleaciones de molibdeno Capas dieléctricas (15) Berilio y aleaciones de berilio Capas dieléctricas (15) Boruros Berilio Materiales para ventanas de sensores (9) Capas dieléctricas (15) Aleaciones de titanio (13) Boruros Nitruros Depósito en fase de vapor por método físico (PVD) de calentamiento por resistencia asistido por haz de iones (metalizado iónico) Cerámicas (19) y vidrios de baja dilatación (14) Capas dieléctricas (15) Carbono diamante (17) Materiales compuestos (composites) carbono-carbono, cerámicos y de matriz metálica Capas dieléctricas (15) Carburo de wolframio cementado (16), Carburo de silicio Capas dieléctricas (15) Molibdeno y aleaciones de molibdeno Capas dieléctricas (15) Berilio y aleaciones de berilio Capas dieléctricas (15) Materiales para ventanas de sensores (9) Capas dieléctricas (15) Carbono diamante (17) Depósito en fase de vapor (PVD) por método físico de evaporación por láser Cerámicas (19) y vidrios de baja dilatación (14) Siliciuros Capas dieléctricas (15) Carbono diamante (17) Materiales compuestos (composites) carbono-carbono, cerámicos y de matriz metálica Capas dieléctricas (15) Carburo de wolframio cementado (16), Carburo de silicio Capas dieléctricas (15) Molibdeno y aleaciones de molibdeno Capas dieléctricas (15) Berilio y aleaciones de berilio Capas dieléctricas (15) Materiales para ventanas de sensores (9) Capas dieléctricas (15) Carbono diamante Depósito en fase de vapor por método físico (PVD) de arco catódico Superaleaciones Siliciuros aleados Aluminuros aleados (2) MCrAlX (5) Polímeros (11) y materiales compuestos (composites) de matriz orgánica Boruros Carburos Nitruros Carbono diamante (17) Cementación en paquete (véase también el párrafo A anterior para cementación fuera de paquete) (10) Materiales compuestos (composites) carbono-carbono, cerámicos y de matriz metálica Siliciuros Carburos Mezclas de ellos (4) Aleaciones de titanio (13) Siliciuros Aluminuros Aluminuros aleados (2) Metales y aleaciones refractarios (8) Siliciuros Óxidos Atomización de plasma Superaleaciones MCrAlX (5) Circonia modificada (12) Mezclas de ellos (4) Níquel-grafito sujeto a abrasión Materiales que contienen Ni-Cr-Al sujetos a abrasión Al-Si-poliéster sujeto a abrasión Aluminuros aleados (2) Aleaciones de aluminio (6) MCrAlX (5) Circonia modificada (12) Siliciuros Mezclas de ellos (4) Metales y aleaciones refractarios (8) Aluminuros Siliciuros Carburos Acero resistente a la corrosión (7) MCrAlX (5) Circonia modificada (12) Mezclas de ellos (4) Aleaciones de titanio (13) Carburos Aluminuros Siliciuros Aluminuros aleados (2) Níquel-grafito sujeto a abrasión Materiales que contienen Ni-Cr-Al sujetos a abrasión Al-Si-poliéster sujeto a abrasión Depósito de barbotina Metales y aleaciones refractarios (8) Siliciuros fundidos Aluminuros fundidos excepto elementos de caldeo por resistencia Materiales compuestos (composites) carbono-carbono, cerámicos y de matriz metálica Siliciuros Carburos Mezclas de ellos (4) Deposición catódica Superaleaciones Siliciuros aleados Aluminuros aleados (2) Aluminuros modificados con metal noble (3) MCrAlX (5) Circonia modificada (12) Platino Mezclas de ellos (4) Cerámicas y vidrios de baja dilatación (14) Siliciuros Platino Mezclas de ellos (4) Capas dieléctricas (15) Carbono diamante (17) Aleaciones de titanio (13) Boruros Nitruros Óxidos Siliciuros Aluminuros Aluminuros aleados (2) Carburos Materiales compuestos (composites) carbono-carbono, cerámicos y de matriz metálica Siliciuros Carburos Metales refractarios y de matriz metálica Mezclas de ellos (4) Capas dieléctricas (15) Nitruro de boro Carburo cementado (16), Carburo de silicio (18) Carburos Wolframio Mezclas de ellos (4) Capas dieléctricas (15) Nitruro de boro Molibdeno y aleaciones de molibdeno Capas dieléctricas (15) Berilio y aleaciones de berilio Boruros Capas dieléctricas (15) Berilio Materiales para ventanas de sensores (9) Capas dieléctricas (15) Carbono diamante (17) Metales y aleaciones refractarios (8) Aluminuros Siliciuros Óxidos Carburos Implantación iónica Aceros para rodamientos de alta temperatura Adiciones de Cromo, Tántalo o Niobio (columbio) Aleaciones de titanio (13) Boruros Nitruros Berilio y aleaciones de berilio Boruros Carburo de wolframio cementado (16) Carburos Nitruros

2E a.

Tecnología para el desarrollo de gráficos interactivos, como elemento integrado en las unidades de control numérico, a efectos de la preparación o la modificación de programas relacionados con la fabricación de piezas

Tecnología de los procesos industriales relativos al trabajo de los metales, según se indica:

1. Tecnología de diseño de herramientas, moldes o montajes diseñados especialmente para los procedimientos siguientes:

1. a.

Conformación superplástica

Unión por difusión, o

Prensado hidráulico por acción directa

2. Datos técnicos consistentes en métodos o parámetros de los procesos que se relacionan a continuación y que sirvan para controlar:

2. a.

La conformación superplástica de las aleaciones de aluminio, las aleaciones de titanio o las superaleaciones:

1. Preparación de superficies

2. Grado de deformación

3. Temperatura

4. Presión

2E003 b. 2. La unión por difusión de las superaleaciones o las aleaciones de titanio:

1. Preparación de superficies

2. Temperatura

3. Presión

El prensado hidráulico por acción directa de las aleaciones de aluminio o las aleaciones de titanio:

1. Presión

2. Duración del ciclo

La densificación isostática en caliente de las aleaciones de titanio, las aleaciones de aluminio o las superaleaciones:

1. Temperatura

2. Presión

3. Duración del ciclo

Tecnología encaminada al desarrollo o la producción de máquinas de conformación hidráulica por estirado y de moldes para ellas, a fin de fabricar estructuras de fuselajes de aeronaves

Tecnología encaminada al desarrollo de generadores de instrucciones (por ejemplo, de programas relacionados con la fabricación de piezas) para máquinas herramienta a partir de datos de diseño alojados en el interior de unidades de control numérico

Tecnología para el desarrollo de programas informáticos de integración con vistas a la incorporación, en unidades de control numérico, de sistemas expertos destinados a servir de soporte de decisiones de alto nivel en relación con operaciones a nivel de la producción

Tecnología para la aplicación de los revestimientos inorgánicos por recubrimiento o los revestimientos inorgánicos por modificación de superficie (especificados en la columna 3 de la tabla siguiente) sobre sustratos no electrónicos (especificados en la columna 2 de dicha tabla) mediante los procedimientos que se especifican en la columna 1 de la tabla y se definen en la nota técnica. Nota: La tabla y la nota técnica figuran tras el artículo 2E301. N.B.: Esta tabla debe entenderse en el sentido de que precisa la tecnología de un proceso de revestimiento específico únicamente cuando el revestimiento resultante (que figura en la columna 3) aparece en el apartado, colocado a la misma altura, del sustrato correspondiente (que figura en la columna 2). Por ejemplo, los datos técnicos del proceso de revestimiento mediante el depósito químico en fase de vapor (CVD) están incluidos para la aplicación de siliciuros a sustratos de los materiales compuestos (composites) carbono-carbono, cerámicos y de matriz metálica, pero no están incluidos para la aplicación de siliciuros a sustratos de carburo de wolframio cementado (16) o de carburo de silicio (18). En el segundo caso, el revestimiento resultante no aparece en la columna 3 en el apartado colocado a la altura del apartado de la columna 2 que se refiere al carburo de wolframio cementado (16) y al carburo de silicio (18).

2E Tabla 1.2.3.A.B.B.1.B.2.B.3.B.4.C.D.E.F.G. Métodos de depósito TABLA – MÉTODOS DE DEPÓSITO – NOTAS 1.2.3.4.5.6.7.8.9.10.11.12.13.14.15.16.17.18.19.

El proceso de revestimiento se refiere tanto a la reparación y restauración del revestimiento como al revestimiento original. La expresión revestimiento de aluminuro aleado designa los revestimientos realizados en una o varias fases en los que uno o varios elementos se depositan antes o durante la aplicación del revestimiento de aluminuro, aun cuando estos elementos se depositen mediante otro proceso de revestimiento. No obstante, no comprende el uso múltiple de procesos de cementación en paquete en una sola fase para conseguir aluminuros aleados. El concepto de revestimiento de aluminuro modificado con metal noble hace referencia a todo revestimiento en varias fases en el que se depositen el metal o los metales nobles mediante algún otro proceso de revestimiento antes de la aplicación del revestimiento de aluminuro. Las mezclas de ellos designan los materiales infiltrados, las composiciones graduadas, los depósitos simultáneos y los depósitos de varias capas que se obtengan mediante uno o varios de los procesos de revestimiento especificados en esta tabla. McrAlX hace referencia a una aleación de revestimiento en la que M representa cobalto, hierro, níquel (o combinaciones de los mismos) y X representa hafnio, itrio, silicio o tántalo en cualquier cantidad u otras adiciones menores deliberadas de más de 0,01 % en peso, en proporciones y combinaciones diversas, excepto: Las aleaciones de aluminio designan las aleaciones que tengan una resistencia a la rotura por tracción igual o superior a 190 MPa medida a 293 K (20 °C). El acero resistente a la corrosión se refiere al acero de la serie AISI 300 (American Iron and Steel Institute) o que sea acorde con normas nacionales equivalentes. Los metales y aleaciones refractarios son los metales siguientes y sus aleaciones: niobio (columbio), molibdeno, wolframio y tántalo. Los materiales para ventanas de sensores son los siguientes: alúmina, silicio, germanio, sulfuro de zinc, seleniuro de zinc, arseniuro de galio, diamante, fosfuro de galio, zafiro y los haluros metálicos siguientes: materiales para ventanas de sensores de más de 40 mm de diámetro para el fluoruro de circonio y el fluoruro de hafnio. La categoría 2 no somete a control la tecnología para la cementación en paquete en una sola fase de superficies aerodinámicas. Polímeros según se indica: poliimida, poliéster, polisulfuro, policarbonatos y poliuretanos. La circonia modificada designa la que haya recibido adiciones de otros óxidos metálicos, como por ejemplo óxidos de calcio, de magnesio, de itrio, de hafnio, de tierras raras, etc., con el fin de estabilizar ciertas fases cristalográficas y composiciones de las mismas. No se someten a control los revestimientos destinados a servir de barrera térmica constituidos por circonia modificada con óxido de calcio o de magnesio mediante mezcla o fusión. Las aleaciones de titanio hacen referencia únicamente a las aleaciones de uso aeroespacial que tengan una resistencia a la rotura por tracción igual o superior a 900 MPa medida a 293 K (20 °C). Los vidrios de baja dilatación designan los que tengan un coeficiente de dilatación térmica igual o inferior a 1 × 10-7 K-1 medido a 293 K (20 °C). Las capas dieléctricas son revestimientos formados por varias capas de materiales aislantes en las que se utilizan las propiedades de interferencia de un conjunto de materiales con índices de refracción diferentes para reflejar, transmitir o absorber diferentes bandas de longitudes de onda. Las capas dieléctricas hacen referencia a más de cuatro capas dieléctricas o a capas de materiales compuestos (composites) dieléctrico-metal. El carburo de wolframio cementado no incluye los materiales para herramientas de corte y de conformación consistentes en carburo de wolframio / (cobalto, níquel), carburo de titanio / (cobalto, níquel), carburo de cromo / cromo-níquel y carburo de cromo / níquel. No estará sometida a control la tecnología destinada especialmente a depositar carbono diamante en: controladores y cabezales de discos magnéticos, equipos para fabricación de productos desechables, válvulas para grifos, membranas acústicas para altavoces, repuestos de motores de automóvil, herramientas para corte, troqueles para perforar y embutir, equipos de ofimática, micrófonos o instrumental sanitario, o bien moldes para el vaciado o moldeado de plásticos, fabricados a partir de aleaciones que contienen menos de 5 % de berilio. El carburo de silicio no incluye los materiales para herramientas de corte y de conformación. Los sustratos cerámicos a los que se refiere este punto no incluyen los materiales cerámicos con un contenido igual o superior al 5 % en peso de arcilla o cemento como constituyentes separados o combinados.

TABLA – MÉTODOS DE DEPÓSITO – NOTAS 1.2.3.4.5.

a.

Los revestimientos de CoCrAlY que contengan menos del 22 % en peso de cromo, menos del 7 % en peso de aluminio y menos del 2 % en peso de itrio

b.

Los revestimientos de CoCrAlY que contengan del 22 al 24 % en peso de cromo, del 10 al 12 % en peso de aluminio y del 0,5 al 0,7 % en peso de itrio, o

c.

Los revestimientos de NiCrAlY que contengan del 21 al 23 % en peso de cromo, del 10 al 12 % en peso de aluminio y del 0,9 al 1,1 % en peso de itrio.

TABLA – MÉTODOS DE DEPÓSITO – NOTA TÉCNICA

Las definiciones de los procesos que aparecen en la columna 1 de la tabla son las siguientes:

a.

El depósito químico en fase de vapor (CVD) es un proceso de revestimiento por recubrimiento o de revestimiento por modificación de superficie en el que un metal, aleación, material compuesto (composite), material dieléctrico o material cerámico se deposita sobre un sustrato calentado. Los gases reactivos se reducen o combinan en las proximidades del sustrato, lo que origina el depósito del material elemental, de la aleación o del material compuesto sobre el sustrato. La energía necesaria para este proceso de descomposición o reacción química se obtiene del calor del sustrato, de un plasma de descarga luminiscente o de una irradiación láser. N.B. 1: El CVD incluye los procesos siguientes: procesos de CVD de depósito fuera de paquete con flujo de gas dirigido, de CVD pulsante, de deposición nuclearia térmica controlada (CNTD) o procesos intensificados por plasma o asistidos por plasma. N.B. 2: Se entiende por paquete un sustrato sumergido en una mezcla de polvos. N.B. 3: El material gaseoso utilizado en el proceso fuera de paquete se produce empleando las mismas reacciones y parámetros básicos del proceso de cementación en paquetes, con la diferencia de que el sustrato que va a revestirse no está en contacto con la mezcla de polvos.

b.

El depósito en fase de vapor por método físico de evaporación térmica (TE-PVD) es un proceso de revestimiento por recubrimiento que se lleva a cabo en una cámara de vacío a una presión inferior a 0,1 Pa, en el que se utiliza una fuente de energía térmica para vaporizar el material de revestimiento. Este proceso origina la condensación o el depósito de los vapores producidos sobre sustratos situados convenientemente. La adición de gases a la cámara de vacío durante el proceso de revestimiento para sintetizar los revestimientos compuestos es una modificación normal del proceso. La utilización de haces de iones o de electrones, o bien de plasma, para activar o asistir el depósito del revestimiento es también una modificación normal de este método. Se pueden utilizar monitores para medir durante el proceso las características ópticas y el espesor de los revestimientos. Los procesos TE-PVD específicos son los siguientes:

1. En el depósito en fase de vapor por método físico (PVD) mediante haz de electrones se utiliza un haz de electrones para calentar y vaporizar el material que constituye el revestimiento

2. En el depósito en fase de vapor por método físico (PVD) mediante calentamiento por resistencia asistido por haz de iones se utilizan fuentes de calentamiento por resistencia eléctrica combinadas con haces de iones incidentes para producir un flujo controlado y uniforme de material de revestimiento vaporizado

3. En la vaporización por láser se utilizan haces láser pulsados o en ondas continuas para vaporizar el material que constituye el revestimiento

4. En el depósito por arco catódico, se utiliza un cátodo consumible del material que constituye el revestimiento y que emite una descarga de arco en la superficie por el contacto momentáneo de un disparador puesto a masa. El movimiento controlado del arco erosiona la superficie del cátodo creando un plasma fuertemente ionizado. El ánodo puede ser un cono fijado a la periferia del cátodo por medio de un aislante o a la cámara. La polarización del sustrato permite el depósito fuera del alcance visual. N.B.: Esta definición no incluye el depósito por arco catódico aleatorio con sustratos no polarizados.

5. El metalizado iónico es una modificación especial de un proceso general TE-PVD en el que se utiliza un plasma o una fuente de iones para ionizar el material que debe depositarse y se aplica una polarización negativa al sustrato para facilitar la operación consistente en extraer del plasma el material. La introducción de materiales reactivos, la evaporación de sólidos en el interior de la cámara de proceso y la utilización de monitores para medir durante el proceso las características ópticas y el espesor de los revestimientos son modificaciones normales del proceso.

c.

La cementación en paquete es un proceso de revestimiento por modificación de superficie o de revestimiento por recubrimiento en el que un sustrato se sumerge en una mezcla de polvos denominada paquete, formada por: El sustrato y la mezcla de polvo se introducen en una retorta que se calienta a una temperatura comprendida entre 1030 K (757 °C) y 1375 K (1102 °C) durante un tiempo suficiente para que se deposite el revestimiento.

1. Los polvos metálicos que han de depositarse (por lo general aluminio, cromo, silicio o combinaciones de ellos)

2. Un activador (normalmente una sal haloidea) y

3. Un polvo inerte, casi siempre alúmina.

d.

La pulverización de plasma es un proceso de revestimiento por recubrimiento en el que una pistola soplete de pulverización que produce y controla un plasma recibe los materiales de revestimiento en forma de polvo o de alambre, los funde y los proyecta hacia un sustrato en el que se forma así un revestimiento aglutinado integralmente. La pulverización de plasma puede ser una pulverización a baja presión o una pulverización a gran velocidad. N.B. 1: Se entiende por baja presión la inferior a la presión atmosférica ambiente. N.B. 2: Se entiende por gran velocidad una velocidad del gas a la salida de la tobera de más de 750 m/s calculada a 293 K (20 °C) a 0,1 MPa.

e.

El depósito de barbotina es un proceso de revestimiento por modificación de superficie o de revestimiento por recubrimiento en el que un polvo metálico o cerámico con un aglutinante orgánico se suspende en un líquido y se aplica a un sustrato por pulverización, inmersión o pintura; a continuación, se seca al aire o en horno, y se trata térmicamente para obtener el revestimiento deseado.

f.

La deposición catódica es un proceso de revestimiento por recubrimiento basado en un fenómeno de transferencia de energía cinética, en el que un campo eléctrico acelera iones positivos hacia la superficie de un blanco (material de revestimiento). La energía cinética desprendida por el choque de los iones es suficiente para que se liberen átomos de la superficie del blanco y se depositen sobre un sustrato situado convenientemente. N.B. 1: La tabla hace referencia únicamente a la deposición por triodo, magnetrón o reactiva, que se utiliza para aumentar la adhesión del revestimiento y la velocidad del depósito, y a la deposición catódica aumentada por radiofrecuencia (RF), que se emplea para permitir la vaporización de materiales de revestimiento no metálicos. N.B. 2: Se pueden utilizar haces de iones de baja energía (inferior a 5 keV) para activar la deposición.

g.

La implantación iónica es un proceso de revestimiento por modificación de superficie en el que el elemento que se pretende alear es ionizado, acelerado mediante un gradiente de potencial e implantado en la zona superficial del sustrato. La definición incluye procesos en los que la implantación iónica se realiza simultáneamente con el depósito en fase de vapor por método físico de haz de electrones o la deposición catódica.

CATEGORÍA 3 ELECTRÓNICA

3A Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2.

Sistemas, equipos y componentes Nota 1: El régimen de control de los equipos, dispositivos y componentes descritos en los artículos 3A001 o 3A002, excepto los que se describen en los subartículos 3A001.a.3 a 3A001.a.10, 3A001.a.12 o 3A001.a.13, que estén diseñados especialmente o tengan las mismas características funcionales que otros equipos, vendrá determinado por el régimen de control de los otros equipos. Nota 2: El régimen de control de los circuitos integrados descritos en los subartículos 3A001.a.3 a 3A001.a.9, 3A001.a.12 o 3A001.a.13, que estén programados o diseñados de manera inalterable para una función específica destinada a otros equipos, vendrá determinado por el régimen de control de los otros equipos. N.B.: Cuando el fabricante o el solicitante de la licencia no puedan determinar el régimen de control de los otros equipos, el régimen de control de los circuitos integrados será el que determinen los subartículos 3A001.a.3 a 3A001.a.9, 3A001.a.12 y 3A001.a.13. 3A 3A001 Componentes electrónicos y componentes diseñados especialmente para ellos, según se indica: 3A002 Equipos electrónicos de uso general, según se indica: 3A003 Sistemas de control térmico mediante enfriamiento por pulverización (spray cooling) que utilicen equipos de tratamiento y reacondicionamiento del fluido en circuito cerrado, en el interior de una cámara estanca en la que se pulveriza un fluido dieléctrico sobre los componentes electrónicos mediante boquillas aspersoras diseñadas especialmente con el fin de mantener dichos componentes electrónicos dentro de su gama de temperaturas de funcionamiento, así como los componentes que han sido proyectados específicamente para ellos. 3A101 Equipos, dispositivos y componentes electrónicos, distintos de los incluidos en el artículo 3A001, según se indica: 3A102 Baterías térmicas diseñadas o modificadas para misiles. En el artículo 3A102, las baterías térmicas son baterías desechables que contienen una sal inorgánica sólida no conductora como electrolito. Dichas baterías incorporan un material pirolítico que, al encenderse, funde el electrolito y activa la batería. En el artículo 3A102, los misiles hacen referencia a los sistemas completos de cohetes y sistemas de vehículos aéreos no tripulados con un alcance superior a 300 km. 3A201 Componentes electrónicos, distintos de los incluidos en el artículo 3A001, según se indica: 3A225 Convertidores de frecuencia o generadores, distintos de los especificados en el subartículo 0B001.b.13 que puedan utilizarse como mando del motor de frecuencia variable o fija y que reúnan todas las características siguientes: N.B. 1: Los programas informáticos diseñados especialmente para aumentar el rendimiento de un convertidor de frecuencia o generador, o liberar su potencial de rendimiento, a fin de cumplir las características del artículo 3A225 están especificados en el artículo 3D225. N.B. 2: La tecnología en forma de códigos o claves para aumentar de un convertidor de frecuencia o generador, o liberar su potencial de rendimiento, a fin de cumplir las características del artículo 3A225 está especificada en el artículo 3E225. Nota: El artículo 3A 225 no incluye los convertidores de frecuencia o generadores que tengan restricciones de equipos informáticos, de programas informáticos o de tecnología que limiten el rendimiento a menos de lo especificado anteriormente, siempre que cumplan cualquiera de las características siguientes: Los convertidores de frecuencia incluidos en el artículo 3A225 también son conocidos como cambiadores o inversores. Los convertidores de frecuencia incluidos en el artículo 3A225 podrán comercializarse como generadores, equipo electrónico de ensayo, fuentes de alimentación de corriente alterna, mandos de motor de velocidad variable, mandos de velocidad variable, mando de frecuencia variable, mandos de frecuencia regulable o mandos de velocidad regulable. 3A226 Fuentes de corriente continua de gran potencia, distintas de las incluidas en el subartículo 0B001.j.6 que posean las dos características siguientes: 3A227 Fuentes de corriente continua de alto voltaje, distintas de las incluidas en el subartículo 0B001.j.5, que reúnan las dos características siguientes: 3A228 Dispositivos de conmutación, según se indica: 3A229 Generadores de impulsos de corriente elevada según se indica: N.B.: VÉASE ASIMISMO LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA. 3A230 Generadores de impulsos de gran velocidad, y cabezas de impulso para los mismos, que reúnan todas las características siguientes: En el artículo 3A230, el tiempo de transición de impulso se define como el intervalo de tiempo comprendido entre el 10 % y el 90 % de la amplitud del voltaje. Las cabezas de impulso son redes generadoras de impulsos concebidas para admitir una función de salto de tensión y darle una gran variedad de formas de impulsos, que pueden incluir tipos rectangulares, triangulares, a intervalos, a impulsos, exponenciales o monociclo. Las cabezas de impulso pueden ser parte integrante del generador de impulsos, pueden ser un módulo enchufable al dispositivo o pueden ser un dispositivo de conexión externa. 3A231 Sistemas generadores de neutrones, incluidos los tubos, que posean las dos características siguientes: 3A232 Sistemas de iniciación multipunto, distintos de los especificados en el artículo 1A007, según se indica: N.B.: VÉASE ASIMISMO LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA. N.B.: Véase el subartículo 1A007.b para los detonadores. Nota: El artículo 3A232 no somete a control los detonadores que empleen solamente explosivos primarios, como azida de plomo. 3A233 Espectrómetros de masas, distintos de los incluidos en el subartículo 0B002.g, capaces de medir iones de 230 unidades de masa atómica o mayores, y que tengan una resolución mejor que 2 partes por 230, según se indica, así como las fuentes de iones para ellos: Los espectrómetros de masas de bombardeo electrónico del subartículo 3A233.d también se conocen como espectrómetros de masas de impacto de electrones o espectrómetros de masas de ionización de electrones. En el subartículo 3A233.d.2, una trampa fría es un dispositivo que atrapa moléculas de gas condensándolas o congelándolas en superficies frías. A efectos del subartículo 3A233.d.2, una bomba de vacío criogénica gaseosa de helio de circuito cerrado no es una trampa fría. 3A234 Microbandas para proporcionar una trayectoria de baja inductancia a los detonadores, con las siguientes características:

3A a.

Circuitos integrados de uso general, según se indica: Nota 1: El régimen de control de las obleas (terminadas o no) cuya función esté determinada se evaluará en función de los parámetros establecidos en el subartículo 3A001.a. Nota 2: Los circuitos integrados incluyen los tipos siguientes:

Circuitos integrados monolíticos

Circuitos integrados híbridos

Circuitos integrados multipastilla

Circuitos integrados peliculares, incluidos los circuitos integrados silicio sobre zafiro

Circuitos integrados ópticos

Circuitos integrados tridimensionales.

1. Circuitos integrados diseñados o tasados como resistentes a la radiación para resistir cualquiera de las siguientes dosis:

1. a.

Una dosis total igual o superior a 5 × 103 Gy (silicio)

Una tasa de dosis igual o superior a 5 × 106 Gy (silicio)/s o

Una fluencia (flujo integrado) de neutrones (equivalente 1 MeV) de 5 × 1013 n/cm2 o superior sobre silicio, o su equivalente para otros materiales. Nota: El subartículo 3A001.a.1.c no somete a control los semiconductores de aislador metálico (MIS).

2. Microcircuitos de microprocesador, microcircuitos de microordenador, microcircuitos de microcontrolador, circuitos integrados para almacenamiento fabricados en un semiconductor compuesto, convertidores analógico-digital, convertidores digital-analógico, circuitos integrados ópticos o electro-ópticos diseñados para el proceso de señales, dispositivos lógicos programables por el usuario, circuitos integrados para el usuario en los que la función es desconocida o en los que el estado de control del equipo en el que se vaya a usar el circuito integrado es desconocido, procesadores de Transformada rápida de Fourier (FFT), memorias de solo lectura programables, con borrado eléctrico (EEPROM), memorias flash o memorias estáticas de acceso aleatorio (SRAM), que presenten cualquiera de las características siguientes: Nota: El subartículo 3A001.a.2 no somete a control los circuitos integrados para aplicaciones civiles destinadas a automóviles o ferrocarriles.

2. a.

Preparados para operar a una temperatura ambiente superior a 398 K (125 °C)

Preparados para operar a una temperatura ambiente inferior a 218 K (- 55 °C), o

Preparados para operar en todo el intervalo de temperatura ambiente entre 218 K (- 55 °C) y 398 K (125 °C).

3. Microcircuitos de microprocesador, microcircuitos de microordenador y microcircuitos de microcontrolador fabricados a partir de un semiconductor compuesto y que funcionen a una frecuencia de reloj superior a 40 MHz. Nota: El subartículo 3A001.a.3 incluye los procesadores de señales digitales, los conjuntos de procesadores digitales y los coprocesadores digitales.

4. Sin uso

5. Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6.7.8.9. 3A001 a. 5.Notas técnicas: 1.2.3.4.

3A001 a. Circuitos integrados convertidores analógico-digital (CAD) y digital-analógico (CDA), según se indica: Una resolución de n bits corresponde a una cuantificación de 2n niveles. El número de bits en la palabra de salida es igual a la resolución del CAD. La tasa de salida es igual a la tasa de salida máxima del convertidor, independientemente de la arquitectura o de que haya habido un muestreo sobredimensionado. Para los CAD multicanal, las salidas no se acumulan y la tasa de salida es igual a la tasa de salida máxima de cualquier canal considerado individualmente. Para los CAD entrelazados o para los CAD multicanal de los que se especifica que tienen un modo de operación entrelazado, se acumulan las salidas y la tasa de salida equivale a la tasa de salida total combinada máxima de todas las salidas. El proveedor también puede referirse a la tasa de salida como velocidad de muestreo, tasa de conversión o tasa del flujo total (throughtput). Suele expresarse en megaherzios (MHz) o megamuestras por segundo (MSPS). En el cálculo de la tasa de salida, una palabra de salida por segundo se considera equivalente a un herzio o a una muestra por segundo. Por CAD multicanal se entienden dispositivos que integran más de un CAD diseñados de manera tal que cada CAD tiene una entrada analógica separada. Por CAD entrelazados se entienden dispositivos compuestos por múltiples unidades de CAD que efectúan muestreos de la misma entrada analógica en momentos diferentes, de tal modo que cuando se acumulan las salidas, la entrada analógica se ha sometido a un muestreo y conversión con una mayor velocidad efectiva de muestreo. Por rango dinámico libre de espurios (SFDR) se entiende el coeficiente entre el valor medio cuadrático de la frecuencia portadora (máximo componente de señal) en la entrada del CDA y el valor medio cuadrático del siguiente componente de ruido o distorsión armónica más potente en su salida. El (SFDR) se determina directamente a partir del cuadro de especificaciones o de los gráficos de caracterización de la relación entre (SFDR) y frecuencia. Se define que una señal es de escala completa cuando su amplitud es superior a – 3 dBfs (escala completa). Tasa de actualización ajustada de los CDA:

5. a.

Convertidores analógico-digital (CAD) que posean cualquiera de las características siguientes: N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 3A101.

1. Resolución igual o superior a 8 bits, pero inferior a 10 bits, con una tasa de salida superior a 1000 millones de palabras por segundo

2. Resolución igual o superior a 10 bits, pero inferior a 12 bits, con una tasa de salida superior a 300 millones de palabras por segundo

3. Resolución de 12 bits con una tasa de salida superior a 200 millones de palabras por segundo

4. Resolución superior a 12 bits, pero igual o inferior a 14 bits, con una tasa de salida superior a 125 millones de palabras por segundo o

5. Resolución superior a 14 bits con una tasa de salida superior a 20 millones de palabras por segundo.

5. Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6.7.8.9. b.

Convertidores digital-analógico (CDA) que posean cualquiera de las características siguientes:

1. Resolución igual o superior a 10 bits, con una tasa de actualización ajustada igual o superior a 3500 MSPS, o

2. Resolución igual o superior a 12 bits, con una tasa de actualización ajustada igual o superior a 1250 MSPS y que presenten cualquiera de las características siguientes:

2. a.

Tiempo de estabilización inferior a 9 ns hasta 0,024 % de la escala completa desde un intervalo de escala completa, o

Rango dinámico libre de espurios (SFDR) superior a 68 dBc (portador) cuando se sintetiza una señal analógica de escala completa de 100 MHz, o la máxima frecuencia de señal analógica de escala completa especificada inferior a 100 MHz.

5. Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6.7.8.9. 3A001 a. 5.Notas técnicas: 1.2.3.4. a.

Para los CDA convencionales (sin interpolación), la tasa de actualización ajustada es la velocidad con que la señal digital se convierte en señal analógica y el CDA cambia los valores analógicos de salida. Para los CDA en los que es posible soslayar el modo de interpolación (factor de interpolación igual a uno), debe considerarse que el CDA es un CDA convencional (sin interpolación).

Para los CDA con interpolación (CDA de muestreo sobredimensionado), se define la tasa de actualización ajustada como la tasa de actualización del CDA dividida por el factor de interpolación menor. Para los CDA con interpolación, puede hacerse referencia a la tasa de actualización ajustada con distintas expresiones, entre las que se cuentan:

velocidad de datos de entrada

velocidad de palabras de entrada

velocidad de muestras de entrada

velocidad máxima de bus de entrada total

velocidad máxima de reloj de CDA para entrada de reloj de CDA.

6. Circuitos integrados electroópticos o circuitos integrados ópticos, diseñados para el proceso de señales y que posean todas las características siguientes:

6. a.

Uno o más diodos láser internos

Uno o más elementos fotodetectores internos, y

Guiaondas ópticos

7. 3A001 a. 7.Notas técnicas: 1.2.3.

Dispositivos lógicos programables por el usuario que posean cualquiera de las características siguientes: Nota: El subartículo 3A001.a.7 incluye: Los dispositivos lógicos programables por el usuario (field programmable logic devices) se conocen asimismo como puerta programable por el usuario (field programmable gate) o conjuntos lógicos programables por el usuario (field programmable logic arrays). El número máximo de entradas/salidas digitales del subartículo 3A001.a.7.a se denomina también número máximo de entradas/salidas de usuario o número máximo de entradas/salidas disponible, con independencia de que el circuito integrado esté encapsulado o sin encapsular. Velocidad pico unidireccional agregada de transcepción de datos de serie es el producto de la máxima velocidad pico unidireccional de transcepción de datos de serie multiplicada por el número de transceptores de la FPGA.

7. a.

Número máximo de entradas/salidas digitales de terminación única igual o superior a 500 o

Una velocidad pico unidireccional agregada de transcepción de datos de serie de 200 Gb/s o superior.

Dispositivos lógicos programables simples (Simple Programmable Logic Devices, SPLDs)

Dispositivos Lógicos Programables Complejos (Complex Programmables Logic Devices, CPLDs)

Conjuntos de Puertas Programables por el Usuario (Field Programmable Logic Arrays, FPGAs)

Conjuntos Lógicos Programables por el Usuario (Field Programmable Logic Array, FPLAs)

Interconectables Programables por el Usuario (Field Programmable Interconnects, FPICs).

8. Sin uso

9. Circuitos integrados para redes neuronales

10. Circuitos integrados para el usuario de los que la función es desconocida o en los que el estado de control del equipo en el que se vaya a usar el circuito integrado es desconocido para el fabricante y que posean cualquiera de las características siguientes:

10. a.

Más de 1500 terminales

Un retardo por propagación en la puerta básica típico inferior a 0,02 ns, o

Una frecuencia de funcionamiento superior a 3 GHz

11. Circuitos integrados digitales distintos de los que se describen en los subartículos 3A001.a.3 a 3A001.a.10 o 3A001.a.12, fabricados a partir de un semiconductor compuesto cualquiera y que presenten cualquiera de las características siguientes:

11. a.

Un número de puertas equivalente superior a 3000 (puertas de 2 entradas), o

Una frecuencia de conmutación superior a 1,2 GHz

12. Nota técnica:

Procesadores de transformada rápida de Fourier (FFT) que tengan un tiempo de ejecución tasado para una transformación FFT compleja de menos de (N log2 N)/20480 ms, siendo N el número de puntos. Si N es igual a 1024 puntos, la fórmula que aparece en el subartículo 3A001.a.12 arroja un tiempo de ejecución de 500 μs.

13. Nota técnica:

Circuitos integrados de sintetizador digital directo (SDD) que reúnan cualquiera de las características siguientes: La frecuencia de reloj del CDA podrá especificarse como la frecuencia de reloj maestro o la frecuencia de entrada del reloj.

13. a.

Un convertidor digital-analógico (CDA) con una frecuencia de reloj de 3,5 GHz o superior y una resolución CDA igual o superior a 10 bits, pero inferior a 12 bits, o

Una frecuencia de reloj de 1,25 GHz o superior y una resolución CDA igual o superior a 12 bits.

b. Nota técnica:

Componentes de microondas o de ondas milimétricas, según se indica: A efectos del subartículo 3A001.b, en las hojas de datos del producto podrá también hacerse referencia al parámetro de la potencia de pico de salida en estado de saturación como potencia de salida, potencia de salida en estado de saturación, potencia de salida máxima, potencia de pico de salida o potencia pico de la envolvente a la salida.

1. 3A001 b. Tubos electrónicos de vacío y cátodos, según se indica: Nota 1: El subartículo 3A001.b.1 no somete a control los tubos diseñados o tasados para funcionar en cualquier banda de frecuencia y que cumplan todo lo siguiente: Nota 2: El subartículo 3A001.b.1 no somete a control los tubos no calificados para uso espacial que se ajusten a todo lo siguiente:

1. a.

No superar los 31,8 GHz, y

Estar asignados por la UIT para servicios de radiocomunicación, pero no para la radiodeterminación.

Una potencia de salida media igual o menor a 50 W, y

Estar diseñados o tasados para operar en cualquier banda de frecuencia y que cumplan todo lo siguiente:

1. Superar los 31,8 GHz, pero sin estar por encima de los 43,5 GHz, y

2. Estar asignados por la UIT para servicios de radiocomunicación, pero no para radiodeterminación.

Tubos de ondas progresivas, de impulsos o continuas, según se indica:

1. Tubos que funcionen en frecuencias superiores a 31,8 GHz

2. Tubos dotados de un elemento calefactor de cátodo con un tiempo de subida hasta la potencia de radiofrecuencia nominal inferior a 3 segundos

3. Tubos de cavidades acopladas, o los derivados de ellos, con un ancho de banda fraccional superior al 7 % o una potencia de pico que exceda los 2,5 kW

4. Tubos helicoidales, o los derivados de ellos, que reúnan cualquiera de las características siguientes:

4. a.

Ancho de banda instantáneo superior a una octava, y un producto de la potencia media (expresada en kW) por la frecuencia (expresada en GHz) superior a 0,5

Ancho de banda instantáneo igual o inferior a una octava, y un producto de la potencia media (expresada en kW) por la frecuencia (expresada en GHz) superior a 1, o

Ser calificados para uso espacial

Tubos amplificadores de campos cruzados con ganancia superior a 17 dB

Cátodos impregnados diseñados para tubos electrónicos que produzcan una densidad de corriente en emisión continua, en las condiciones de funcionamiento nominales, superior a 5 A/cm2

2. Circuitos integrados monolíticos amplificadores de potencia de microondas (MMIC) que reúnan cualquiera de las características siguientes: Nota 1: Sin uso. Nota 2: El régimen de control de los MMIC cuya frecuencia tasada de funcionamiento incluya frecuencias recogidas en más de una gama de frecuencias, con arreglo a las definiciones de los subartículos 3A001.b.2.a a 3A001.b.2.h, vendrá determinado por el umbral de control correspondiente al umbral inferior de la potencia de pico de salida en estado de saturación. Nota 3: Las notas 1 y 2 en la categoría 3A implican que el subartículo 3A001.b.2 no somete a control los MMIC que hayan sido diseñados especialmente para otras aplicaciones, por ejemplo, las telecomunicaciones, el radar o el automóvil.

2. a.

Tasados para operar a frecuencias superiores a 2,7 GHz e inferiores o iguales a 6,8 GHz, con un ancho de banda fraccional superior al 15 %, y que posean cualquiera de las características siguientes:

1. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 75 W (48,75 dBm) en cualquier frecuencia superior a 2,7 GHz e inferior o igual a 2,9 GHz

2. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 55 W (47,4 dBm) en cualquier frecuencia superior a 2,9 GHz e inferior o igual a 3,2 GHz

3. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 40 W (46 dBm) en cualquier frecuencia superior a 3,2 GHz e inferior o igual a 3,7 GHz, o

4. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 20 W (43 dBm) en cualquier frecuencia superior a 3,7 GHz e inferior o igual a 6,8 GHz

3A001 b. 2. Tasados para operar a frecuencias superiores a 6,8 GHz e inferiores o iguales a 16 GHz, con un ancho de banda fraccional superior al 10 %, y que reúnan cualquiera de las características siguientes:

1. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 10 W (40 dBm) en cualquier frecuencia superior a 6,8 GHz e inferior o igual a 8,5 GHz, o

2. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 5 W (37 dBm) en cualquier frecuencia superior a 8,5 GHz e inferior o igual a 16 GHz

Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 3 W (34,77 dBm) en cualquier frecuencia superior a 16 GHz e inferior o igual a 31,8 GHz y con un ancho de banda fraccional superior al 10 %

Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 0,1 nW (-70 dBm) en cualquier frecuencia superior a 31,8 GHz e inferior o igual a 37 GHz

Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 1 W (30 dBm) en cualquier frecuencia superior a 37 GHz e inferior o igual a 43,5 GHz y con un ancho de banda fraccional superior al 10 %

Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 31,62 mW (15 dBm) en cualquier frecuencia superior a 43,5 GHz e inferior o igual a 75 GHz y con un ancho de banda fraccional superior al 10 %

Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 10 mW (10 dBm) en cualquier frecuencia superior a 75 GHz e inferior o igual a 90 GHz y con un ancho de banda fraccional superior al 5 %, o

Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 0,1 nW (-70 dBm) en cualquier frecuencia superior a 90 GHz.

3. Transistores discretos de microondas que posean cualquiera de las características siguientes: Nota 1: El régimen de control de un transistor cuya frecuencia tasada de funcionamiento incluya frecuencias recogidas en más de una gama de frecuencias, con arreglo a las definiciones de los subartículos 3A001.b.3.a a 3A001.b.3.e, vendrá determinado por el umbral de control correspondiente al umbral inferior de la potencia de pico de salida en estado de saturación. Nota 2: El subartículo 3A001.b.3 incluye los dados sueltos, los dados montados en portadores o los dados montados en envases. Algunos transistores discretos algunos pueden denominarse también amplificadores de potencia, pero el estatus de los transistores discretos está determinado por el subartículo 3A001.b.3.

3. a.

Tasados para operar a frecuencias superiores a 2,7 GHz e inferiores o iguales a 6,8 GHz, y que presenten cualquiera de las características siguientes:

1. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 400 W (56 dBm) en cualquier frecuencia superior a 2,7 GHz e inferior o igual a 2,9 GHz

2. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 205 W (53,12 dBm) en cualquier frecuencia superior a 2,9 GHz e inferior o igual a 3,2 GHz

3. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 115 W (50,61 dBm) en cualquier frecuencia superior a 3,2 GHz e inferior o igual a 3,7 GHz, o

4. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 60 W (47,78 dBm) en cualquier frecuencia superior a 3,7 GHz e inferior o igual a 6,8 GHz

Tasados para operar a frecuencias superiores a 6,8 GHz e inferiores o iguales a 31,8 GHz, y que posean cualquiera de las características siguientes:

1. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 50 W (47 dBm) en cualquier frecuencia superior a 6,8 GHz e inferior o igual a 8,5 GHz

2. 3A001 b. 3. b. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 15 W (41,76 dBm) en cualquier frecuencia superior a 8,5 GHz e inferior o igual a 12 GHz

3. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 40 W (46 dBm) en cualquier frecuencia superior a 12 GHz e inferior o igual a 16 GHz, o

4. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 7 W (38,45 dBm) en cualquier frecuencia superior a 16 GHz e inferior o igual a 31,8 GHz

Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 0,5 W (27 dBm) en cualquier frecuencia superior a 31,8 GHz e inferior o igual a 37 GHz

Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 1 W (30 dBm) en cualquier frecuencia superior a 37 GHz e inferior o igual a 43,5 GHz

Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 0,1 nW (-70 dBm) en cualquier frecuencia superior a 43,5 GHz.

4. Amplificadores de microondas de estado sólido y conjuntos/módulos que contengan amplificadores de microondas de estado sólido, que sean cualquiera de los siguientes: N.B.: Los amplificadores de potencia MMIC deben evaluarse con arreglo a los criterios del subartículo 3A001.b.2. Nota 1: Sin uso. Nota 2: El régimen de control de un producto cuya frecuencia tasada de funcionamiento incluya frecuencias recogidas en más de una gama de frecuencias, con arreglo a las definiciones de los subartículos 3A001.b.4.a a 3A001.b.4.e, vendrá determinado por el umbral de control correspondiente al umbral inferior del pico de salida en estado de saturación. Nota 3: El subartículo 3A001.b.4 incluye los módulos de transmisión/recepción y los módulos de transmisión.

4. a.

Tasados para operar a frecuencias superiores a 2,7 GHz e inferiores o iguales a 6,8 GHz, con un ancho de banda fraccional superior al 15 %, y que reúnan cualquiera de las características siguientes:

1. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 500 W (57 dBm) en cualquier frecuencia superior a 2,7 GHz e inferior o igual a 2,9 GHz

2. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 270 W (54,3 dBm) en cualquier frecuencia superior a 2,9 GHz e inferior o igual a 3,2 GHz

3. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 200 W (53 dBm) en cualquier frecuencia superior a 3,2 GHz e inferior o igual a 3,7 GHz, o

4. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 90 W (49,54 dBm) en cualquier frecuencia superior a 3,7 GHz e inferior o igual a 6,8 GHz

Tasados para operar a frecuencias superiores a 6,8 GHz e inferiores o iguales a 31,8 GHz, con un ancho de banda fraccional superior al 10 %, y que reúnan cualquiera de las características siguientes:

1. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 70 W (48,54 dBm) en cualquier frecuencia superior a 6,8 GHz e inferior o igual a 8,5 GHz

2. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 50 W (47 dBm) en cualquier frecuencia superior a 8,5 GHz e inferior o igual a 12 GHz

3. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 30 W (44,77 dBm) en cualquier frecuencia superior a 12 GHz e inferior o igual a 16 GHz, o

4. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 20 W (43 dBm) en cualquier frecuencia superior a 16 GHz e inferior o igual a 31,8 GHz

Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 0,5 W (27 dBm) en cualquier frecuencia superior a 31,8 GHz e inferior o igual a 37 GHz

3A001 b. 4. Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 2 W (33 dBm) en cualquier frecuencia superior a 37 GHz e inferior o igual a 43,5 GHz y con un ancho de banda fraccional superior al 10 %

Tasados para operar a frecuencias superiores a 43,5 GHz y que posean alguna de las características siguientes:

1. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 0,2 W (23 dBm) en cualquier frecuencia superior a 43,5 GHz e inferior o igual a 75 GHz y con un ancho de banda fraccional superior al 10 %

2. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 20 mW (13 dBm) en cualquier frecuencia superior a 75 GHz e inferior o igual a 90 GHz y con un ancho de banda fraccional superior al 5 %, o

3. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 0,1 nW (-70 dBm) en cualquier frecuencia superior a 90 GHz o

Tasados para operar a frecuencias superiores a 2,7 GHz y que reúnan todas las características siguientes:

1. Una potencia de salida media (en watios), Psat, mayor de 400 dividido por el cuadrado de la frecuencia máxima de funcionamiento (en GHz) [Psat > 400 W*GHz2/fGHz2]

2. Un ancho de banda fraccional mayor o igual del 5 %, y

3. Nota técnica:

Dos lados cualesquiera perpendiculares entre sí de longitud d (en cm) inferior o igual a 15 dividido por la frecuencia mínima de funcionamiento en GHz [d ≤ 15 cm*GHz/ fGHz]. El valor 2,7 GHz debe utilizarse como frecuencia mínima de funcionamiento (fGHz) en la fórmula del subartículo 3A001.b.4.f.3 para los amplificadores con un régimen tasado de funcionamiento que descienda hasta 2,7 GHz y por debajo [d ≤ 15 cm*GHz/2,7 GHz].

5. Filtros pasabanda o filtros supresores de banda sintonizables electrónica o magnéticamente, dotados de más de 5 resonadores sintonizables capaces de sintonizar en una banda de frecuencias de 1,5:1 (fmax./fmin.) en menos de 10 microsegundos que posean cualquiera de las características siguientes:

5. a.

Banda de paso de más de 0,5 % de la frecuencia central, o

Banda de atenuación infinita de menos de 0,5 % de la frecuencia central

6. Sin uso

7. Convertidores y mezcladores armónicos diseñados para extender la gama de frecuencia de los equipos descritos en los subartículos 3A002.c, 3A002.d, 3A002.e o 3A002.f más allá de los límites que allí se indican

8. 3A001 b. Amplificadores de potencia de microondas que contengan tubos incluidos en el subartículo 3A001.b.1 y que presenten todas las características siguientes: Nota: El subartículo 3A001.b.8 no somete a control los equipos diseñados o tasados para funcionar en bandas de frecuencia que estén asignados por la UIT para servicios de radiocomunicación, pero no para radiodeterminación.

8. a.

Frecuencias de funcionamiento superiores a 3 GHz

Un coeficiente de potencia de salida media por masa superior a 80 W/kg, y

Un volumen menor que 400 cm3.

9. Notas técnicas: 1.2.

Módulos de potencia de microondas (MPM) consistentes en, al menos, un tubo de ondas progresivas, un circuito integrado monolítico de microondas y un acondicionador electrónico integrado de potencia, y que posean todas las características siguientes: Para calcular el volumen en el subartículo 3A001.b.9.b, se proporciona el siguiente ejemplo: para una potencia nominal máxima de 20 W, el volumen sería: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3. El tiempo de activación de 3A001.b.9.b se refiere al tiempo que tarda en pasar de totalmente apagado a plenamente operativo, es decir, incluye el tiempo de calentamiento del MPM.

9. a.

Un tiempo de activación que vaya de apagado a plenamente operativo en menos de 10 segundos

Un volumen inferior a la potencia nominal máxima en vatios multiplicado por 10 cm3/W, y

Un ancho de banda instantáneo mayor que 1 octava (fmax. > 2fmin.) y cualquiera de las siguientes características:

1. Para frecuencias iguales o inferiores a 18 GHz, una potencia de salida de radiofrecuencia superior a 100 W o

2. Una frecuencia superior a 18 GHz.

10. Nota técnica:

Osciladores, o conjuntos de osciladores, especificados para funcionar con todas las características siguientes: En el subartículo 3A001.b.10, F es el desfase con respecto a la frecuencia de funcionamiento en Hz y f es la frecuencia de funcionamiento en MHz.

10. a.

Un ruido de fase en banda lateral única (SSB), expresado en dBc/Hz, mejor que - (126 + 20log10F-20log10f) en el rango de 10 Hz < F < 10 kHz, y

Un ruido de fase en banda lateral única (SSB), expresado en dBc/Hz, mejor que - (114 + 20log10F-20log10f) en el rango de 10 kHz ≤ F < 500 kHz.

11. Conjuntos electrónicos de sintetizadores de frecuencias cuyo tiempo de conmutación de frecuencia esté especificado por cualquiera de los parámetros siguientes: N.B.: Para los analizadores de señal, los generadores de señales, los analizadores de redes y los receptores de prueba de microondas de uso general, véanse los subartículos 3A002.c, 3A002.d, 3A002.e y 3A002.f, respectivamente.

11. a.

Inferior a 156 picosegundos

Inferior a 100 microsegundos para todo cambio de frecuencia que exceda de 1,6 GHz dentro de la gama de frecuencias sintetizadas superior a 4,8 GHz pero sin sobrepasar los 10,6 GHz

Inferior a 250 microsegundos para todo cambio de frecuencia que exceda de 550 MHz dentro de la gama de frecuencias sintetizadas superior a 10,6 GHz pero sin sobrepasar los 31,8 GHz

Inferior a 500 microsegundos para todo cambio de frecuencia que exceda de 550 MHz dentro de la gama de frecuencias sintetizadas superior a 31,8 GHz pero sin sobrepasar los 43,5 GHz

3A001 b. 11. inferior a 1 ms para cualquier cambio de frecuencia superior a 550 MHz dentro de la gama de frecuencia sintetizada superior a 43,5 GHz pero sin sobrepasar los 56 GHz

inferior a 1 ms para cualquier cambio de frecuencia superior a 550 MHz dentro de la gama de frecuencia sintetizada superior a 56 GHz pero sin sobrepasar los 75 GHz o

Inferior a 1 ms dentro de la gama de frecuencias sintetizadas superior a 75 GHz.

Dispositivos de ondas acústicas según se indica y componentes diseñados especialmente para ellos: Nota: El subartículo 3A001.c no somete a control los dispositivos de ondas acústicas que están limitados a una sola función de filtrado paso banda, paso bajo, paso alto o supresor de banda, o a una función de resonancia.

1. Nota técnica:

Dispositivos de ondas acústicas de superficie y de ondas acústicas rasantes (poco profundas) y que posean cualquiera de las características siguientes: El rechazo de lóbulos laterales es el valor máximo de rechazo especificado en la ficha técnica.

1. a.

Frecuencia portadora superior a 6 GHz

Frecuencia portadora superior a 1 GHz, pero sin sobrepasar los 6 GHz, y que presenten cualquiera de las características siguientes:

1. Rechazo de lóbulos laterales superior a 65 dB

2. Producto del retardo máximo (expresado en microsegundos) por el ancho de banda (expresado en MHz) superior a 100

3. Ancho de banda superior a 250 MHz o

4. Retardo de dispersión superior a 10 microsegundos, o

Frecuencia portadora igual o inferior a 1 GHz y que posea cualquiera de las características siguientes:

1. Producto del retardo máximo (expresado en microsegundos) por el ancho de banda (expresado en MHz) superior a 100

2. Retardo de dispersión superior a 10 microsegundos, o

3. Rechazo de lóbulos laterales superior a 65 dB y ancho de banda superior a 100 MHz.

2. Dispositivos de ondas acústicas de volumen que permitan el procesado directo de señales a frecuencias superiores a 6 GHz

3. Dispositivos optoacústicos de proceso de señales en los que se utilice una interacción entre ondas acústicas (de volumen o de superficie) y ondas luminosas que permita el procesado directo de señales o de imágenes, incluidos el análisis espectral, la correlación o la convolución.

Dispositivos y circuitos electrónicos que contengan componentes fabricados a partir de materiales superconductores, diseñados especialmente para funcionar a temperaturas inferiores a la temperatura crítica de al menos uno de los constituyentes superconductores, y que posean cualquiera de las características siguientes:

1. Conmutación de corriente para circuitos digitales utilizando puertas superconductoras con un producto del tiempo de retardo por puerta (expresado en segundos) y por la disipación de energía por puerta (expresada en vatios) inferior a 10-14 J, o

2. Selección de frecuencia a todas las frecuencias utilizando circuitos resonantes con valores de Q superiores a 10000

3A001 Dispositivos de alta energía según se indica:

1. Notas técnicas: 1.2.3.4.

Células, según se indica: A efectos del subartículo 3A001.e.1, la densidad de energía(Wh/kg) se calcula a partir de la tensión nominal multiplicada por la capacidad nominal en amperios-horas (Ah) dividida por la masa expresada en kilogramos. Si no figura la capacidad nominal, la densidad de energía se calcula a partir de la tensión nominal al cuadrado y luego multiplicada por la duración de la descarga, expresada en horas, dividida por la intensidad de la descarga expresada en ohmios y la masa en kilogramos. A efectos del subartículo 3A001.e.1, una célula se define como un dispositivo electromecánico con electrodos positivos y negativos, un electrolito, y constituye una fuente de energía eléctrica. Es el elemento básico que compone una batería. A efectos del subartículo 3A001.e.1.a, una célula primaria es una célula que no se ha diseñado para ser cargada por otra fuente. A efectos del subartículo 3A001.e.1.b, una célula secundaria es una célula diseñada para ser cargada por una fuente eléctrica externa. Nota: El subartículo 3A001.e.1 no somete a control las baterías, incluidas las de célula única.

1. a.

Células primarias que tengan una densidad de energía superior a 550 Wh/kg a 20 °C

Células secundarias que tengan una densidad de energía superior a 300 Wh/kg a 20 °C.

2. Condensadores de alta capacidad de almacenamiento de energía según se indica: N.B.: VÉANSE TAMBIÉN EL SUBARTÍCULO 3A201.a y la Relación de Material de Defensa.

2. a.

Condensadores con una frecuencia de repetición inferior a 10 Hz (condensadores monopulsos) y que reúnan todas las características siguientes:

1. Tensión nominal igual o superior a 5 kV

2. Densidad de energía igual o superior a 250 J/kg, y

3. Energía total igual o superior a 25 kJ

Condensadores con una frecuencia de repetición igual o superior a 10 Hz (condensadores de descargas sucesivas) y que reúnan todas las características siguientes:

1. Tensión nominal igual o superior a 5 kV

2. Densidad de energía igual o superior a 50 J/kg

3. Energía total igual o superior a 100 J, y

4. Vida útil igual o superior a 10000 ciclos de carga/descarga

3. Electroimanes o solenoides superconductores, diseñados especialmente para un tiempo de carga o descarga completa inferior a un segundo y que reúnan todas las características siguientes: N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL SUBARTÍCULO 3A201.b. Nota: El subartículo 3A001.e.3 no somete a control los electroimanes o solenoides superconductores diseñados especialmente para los equipos médicos de formación de imágenes por resonancia magnética (MRI).

3. a.

Energía suministrada durante la descarga superior a 10 kJ en el primer segundo

Diámetro interior de las bobinas portadoras de corriente superior a 250 mm, y

Estar previstos para una inducción magnética superior a 8 T o una densidad de corriente global en las bobinas superior a 300 A/mm2

4. Nota técnica:

3A001 e. Células fotovoltaicas, conjuntos de recubrimientos de vidrio para interconexiones de células (CIC), paneles solares y generadores fotoeléctricos que sean calificados para uso espacial y que tengan una eficiencia media mínima superior al 20 % a una temperatura de funcionamiento de 301 K (28 °C) bajo una iluminación simulada AM0 con una irradiación de 1367 watios por metro cuadrado (W/m2). AM0 o masa de aire cero se refiere a la irradiación espectral de luz solar en la atmósfera más exterior de la Tierra, cuando la distancia entre esta y el sol es de una unidad astronómica (AU).

Codificadores de posición absoluta del tipo de entrada rotativa que tengan una exactitud superior o igual a (mejor que) ± 1,0 segundos de arco

g. Nota técnica:

Dispositivos tiristor y módulos tiristor de conmutación de potencia pulsada de estado sólido que utilicen métodos de conmutación controlados eléctricamente, ópticamente o por radiación de electrones y que presenten alguna de las características siguientes: Nota 1: El subartículo 3A001.g incluye los productos siguientes: Nota 2: El subartículo 3A001.g no somete a control los mecanismos tiristor y módulos tiristor que se hayan incorporado a equipos diseñados para aplicaciones en líneas férreas civiles o aeronaves civiles. A efectos del subartículo 3A001.g, un módulo tiristor contiene uno o más mecanismos tiristor.

1. Una velocidad máxima de crecimiento de la corriente de activación (di/dt) superior a 30000 A/s, y una tensión en estado bloqueado superior a 1100 V, o

2. Una velocidad máxima de crecimiento de la corriente de activación (di/dt) superior a 2000 A/s y que reúnan todas las características siguientes:

2. a.

Una tensión nominal máxima en estado bloqueado igual o superior a 3000 V, y

Una corriente máxima (sobreintensidad) igual o superior a 3000 A.

Rectificadores de silicio controlados (SCRs)

Tiristores de activación eléctrica (ETTs)

Tiristores de activación lumínica (LTTs)

Tiristores conmutados por puerta integrada (IGCTs)

Tiristores desactivables por puerta (GTOs)

Tiristores controlados por transistor MOS (MCTs)

Solidtrons.

h. Nota técnica:

Conmutadores, diodos o módulos de semiconductores de potencia de estado sólido, que reúnan todas las características siguientes: Nota 1: En el subartículo 3A001.h, la tensión de pico repetitiva con el elemento desactivador incluye la tensión del drenaje a la fuente, la tensión del colector al emisor, la tensión inversa de pico repetitiva y la tensión de pico repetitiva de bloqueo con el elemento desactivador. 3A001 h.Nota 2: El subartículo 3A001.h incluye lo siguiente: Nota 3: El subartículo 3A001.h no somete a control los conmutadores, diodos o módulos incorporados a equipos que se hayan diseñado para aplicaciones de automóviles civiles, ferrocarriles civiles o aeronaves civiles. A efectos del subartículo 3A001.h, un módulo contiene uno o más conmutadores o diodos de semiconductores de potencia de estado sólido.

1. Tasados para una temperatura máxima de funcionamiento en el empalme superior a 488 K (215 °C)

2. Tensión de pico repetitiva con el elemento desactivador (tensión de bloqueo) superior a 300 V, y

3. Corriente continua superior a 1 A.

Transistores de efecto campo de unión (JFETs)

Transistores verticales de efecto campo de unión (VJFETs)

Transistores de efecto campo de unión con semiconductor de óxido metálico (MOSFETs)

Transistores de doble difusión de efecto campo de unión con semiconductor de óxido metálico (DMOSFETs)

Transistores bipolares de puerta aislada (IGBTs)

Transistores de alta movilidad de electrones (HEMTs)

Transistores de unión bipolar (BJTs)

Tiristores y rectificadores de silicio controlados (SCRs)

Tiristores desactivables por puerta (GTOs)

Tiristores desactivables por emisor (ETOs)

Diodos PiN

Diodos Schottky.

Equipo de producción y componentes, según se indica:

1. Sin uso

2. Sin uso

3. Sin uso

4. Sin uso

5. Notas técnicas: 1.2.

Digitalizadores de formas de onda y grabadores de transitorios, que cumplan todo lo siguiente: Para los instrumentos con arquitectura de bus paralelo, la tasa de tránsito continuo es la tasa más alta de palabras multiplicada por el número de bits por palabra. Tránsito continuo es la tasa de datos más rápida que puede dar el instrumento como salida al almacenamiento de masa sin pérdida de ninguna información, sosteniendo la tasa de muestreo y la conversión analógico-digital.

5. a.

Tasa de digitalización igual o superior a 200 millones de muestras por segundo y una resolución de 10 bits o superior, y

Tránsito continuo (continuous throughput) superior a 2 Gbits/s o superior.

6. Nota técnica:

3A002 a. Sistemas de grabación de datos digitales para instrumentación que empleen una técnica de almacenamiento en disco magnético y que reúnan todas las características siguientes, y los equipos de grabación digitales diseñados especialmente para ellos: Los sistemas de grabación de datos digitales para instrumentación pueden configurarse con un digitalizador integrado dentro o fuera del equipo de grabación digital.

6. a.

Tasa de datos digitalizados para instrumentación igual o superior a 100 millones de muestras por segundo y una resolución de 8 bits o superior, y

Tránsito continuo de 1 Gbits/s o superior.

7. Osciloscopios en tiempo real con una media cuadrática (rms) vertical de tensión de ruido inferior al 2 % de la escala total en la escala vertical que proporciona el valor más bajo de ruido para cualquier entrada de 3 dB de ancho de banda de 60 GHz o más por canal. Nota: El subartículo 3A002.a.7 no somete a control los osciloscopios de muestreo de tiempo equivalente.

Sin uso

Analizadores de señal de radiofrecuencia, según se indica:

1. Analizadores de señales con un ancho de banda (RBW) a 3 dB superior a 10 MHz en cualquier punto dentro de la gama de frecuencias superiores a 31,8 GHz pero sin sobrepasar los 37,5 GHz

2. Analizadores de señales con un nivel de ruido medio visualizado (DANL) inferior (mejor) a – 150 dBm/Hz en cualquier punto dentro de la gama de frecuencias superiores a 43,5 GHz pero sin sobrepasar los 75 GHz

3. Analizadores de señales con una frecuencia superior a 75 GHz

4. Analizadores de señales que reúnan todas las características siguientes: Nota: El subartículo 3A002.c.4 no somete a control los analizadores de señales que utilicen únicamente filtros de ancho de banda de porcentaje constante (también llamados filtros de octavas o filtros de octavas parciales).

4. a.

Ancho de banda a tiempo real superior a 85 MHz, y

b. Notas técnicas: 1.2.

Un 100 % de probabilidad de detección con una reducción de la amplitud completa inferior a 3 dB, debido a las lagunas o efectos ventana de las señales y con una duración de 15 s o menos. La probabilidad de detección contemplada en el subartículo 3A002.c.4.b se conoce asimismo como probabilidad de interceptación o probabilidad de captura. A los efectos del subartículo 3A002.c.4.b, la duración de un 100 % de probabilidad de detección es equivalente a la duración de señal mínima necesaria para el nivel específico de incertidumbre de medida.

5. Analizadores de señales que tengan una función de activador de la máscara de frecuencia con un 100 % de probabilidad de activación (captura) de señales y una duración de 15 microsegundos o menos

d. Notas técnicas: 1.2.

Generadores de señales de frecuencia sintetizada que produzcan frecuencias de salida cuya exactitud y cuya estabilidad a corto y largo plazo estén controladas por, derivadas de o regidas por el oscilador maestro interno de referencia y que posean cualquiera de las características siguientes: Nota 1: A los efectos del subartículo 3A002.d, los generadores de señales de frecuencia sintetizada incluyen los generadores de función y de forma de onda arbitraria. Nota 2: El subartículo 3A002.d no somete a control los equipos en los que la frecuencia de salida se produce mediante la adición o la sustracción de dos o más frecuencias obtenidas mediante osciladores de cristal, o por una adición o sustracción seguida por una multiplicación del resultado. La frecuencia máxima sintetizada de un generador de función u onda arbitraria se calcula dividiendo la velocidad de muestreo, en muestras/segundo, por un factor de 2,5. A los efectos del subartículo 3A002.d.1.a, la duración de impulso se define como el intervalo de tiempo comprendido entre el punto situado en el borde principal, que corresponde al 50 % de la amplitud del impulso, hasta el punto del flanco, que corresponde al 50 % de la amplitud del impulso.

1. Estar especificados para generar señales moduladas por impulsos que reúnan todas las características siguientes, en cualquier punto de la gama de frecuencia sintetizada superior a 31,8 GHz pero sin sobrepasar los 75 GHz:

1. a.

Duración de impulso inferior a 100 ns, y

Relación de encendido/apagado igual o superior a 65 dB

2. 3A002 d. Potencia de salida superior a 100 mW (20 dBm) en cualquier punto de la gama de frecuencia sintetizada superior a 43,5 GHz, pero sin sobrepasar los 75 GHz

3. Tiempo de conmutación de frecuencia especificado por alguna de las características siguientes:

3. a.

Sin uso

Inferior a 100 microsegundos para todo cambio de frecuencia que exceda de 1,6 GHz dentro de la gama de frecuencias sintetizadas superior a 4,8 GHz, pero sin sobrepasar los 10,6 GHz

Inferior a 250 microsegundos para todo cambio de frecuencia que exceda de 550 MHz dentro de la gama de frecuencias sintetizadas superior a 10,6 GHz, pero sin sobrepasar los 31,8 GHz

Inferior a 500 microsegundos para todo cambio de frecuencia que exceda de 550 MHz dentro de la gama de frecuencias sintetizadas superior a 31,8 GHz, pero sin sobrepasar los 43,5 GHz

Inferior a 1 ms para cualquier cambio de frecuencia superior a 550 MHz dentro de la gama de frecuencia sintetizada superior a 43,5 GHz, pero sin sobrepasar los 56 GHz, o

Inferior a 1 ms para cualquier cambio de frecuencia superior a 2,2 GHz dentro de la gama de frecuencia sintetizada superior a 56 GHz, pero sin sobrepasar los 75 GHz

4. Nota técnica:

Un ruido de fase en banda lateral única (SSB), medido en dBc/Hz, y que se haya especificado con todas las características siguientes: En el subartículo 3A002.d.4, F es el desfase con respecto a la frecuencia de funcionamiento en Hz y f es la frecuencia de funcionamiento en MHz.

4. a.

Inferior a (mejor que) - (126 + 20log10F-20log10f) en cualquier punto de la gama de 10 Hz < F < 10 kHz en cualquier punto de la gama de frecuencia sintetizada superior a 3,2 GHz, pero sin sobrepasar los 75 GHz, e

Inferior a (mejor que) - (114 + 20log10F-20log10f) en cualquier punto de la gama de 10 kHz ≤ F < 500 kHz en cualquier punto de la gama de frecuencia sintetizada superior a 3,2 GHz, pero sin sobrepasar los 75 GHz, o

5. Frecuencia sintetizada máxima superior a 75 GHz.

Analizadores de redes con cualquiera de las características siguientes:

1. Potencia de salida superior a 31,62 mW (15 dBm) en cualquier punto de la gama de frecuencia de funcionamiento superior a 43,5 GHz pero sin sobrepasar los 75 GHz

2. Potencia de salida superior a 1 mW (0 dBm) en cualquier punto de la gama de frecuencia de funcionamiento superior a 75 GHz, pero sin sobrepasar los 110 GHz

3. Nota técnica:

3A002 e. Funcionalidad de medición del vector no lineal con una frecuencia superior a 50 GHz, pero sin sobrepasar los 110 GHz, o La funcionalidad de medición del vector no lineal es la capacidad de un instrumento de analizar los resultados del ensayo en relación con los dispositivos accionados en el dominio de la señal amplia o la gama de distorsión no lineal.

4. Frecuencia máxima de funcionamiento superior a 110 GHz

Receptores de prueba de microondas que reúnan todas las características siguientes:

1. Frecuencia máxima de funcionamiento superior a 110 GHz, y

2. Capacidad para medir simultáneamente la amplitud y la fase

Patrones de frecuencia atómicos que sean cualquiera de los siguientes:

1. Calificados para uso espacial

2. Que no sean patrones de rubidio y tengan una estabilidad a largo plazo inferior a (mejor que) 1 × 10-11/mes, o

3. No calificados para uso espacial y que posean todas las características siguientes:

3. a.

Que sea un patrón de rubidio

Estabilidad a largo plazo inferior a (mejor que) 1 × 10-11/mes, y

Consumo de potencia total inferior a 1 W.

Convertidores analógico-digital que puedan utilizarse en misiles, diseñados para las especificaciones militares destinadas a equipos robustos (ruggedized)

Aceleradores capaces de suministrar radiaciones electromagnéticas producidas por radiación de frenado (Bremsstrahlung) a partir de electrones acelerados de 2 MeV o más, y sistemas que contengan dichos aceleradores. Nota: El subartículo 3A101.b no incluye los equipos diseñados especialmente para uso médico.

3A Notas técnicas: 1.2. a.

Condensadores que posean cualquiera de los siguientes conjuntos de características:

1. a.

Voltaje nominal superior a 1,4 kV

Almacenamiento de energía superior a 10 J

Capacitancia superior a 0,5 μF, e

Inductancia en serie inferior a 50 nH, o

2. a.

Voltaje nominal superior a 750 V

Capacitancia superior a 0,25 μF, e

Inductancia en serie inferior a 10 nH

Electroimanes solenoidales superconductores que presenten todas las características siguientes: Nota: El subartículo 3A201.b no somete a control los imanes diseñados especialmente para —y exportados como— piezas de sistemas médicos de formación de imágenes por resonancia magnética nuclear (NMR). La expresión como piezas de no significa necesariamente que se trate de una pieza física incluida en la misma expedición. Se permiten expediciones por separado, de orígenes distintos, siempre que los documentos de exportación correspondientes especifiquen claramente que los envíos se despachan como piezas de los sistemas de formación de imágenes.

1. Capacidad de crear campos magnéticos de más de 2 T

2. Relación de longitud a diámetro interior superior a 2

3. Diámetro interior superior a 300 mm, y

4. Campo magnético con un grado de uniformidad superior al 1 % en el 50 %, centrado, del volumen interior.

c. Notas técnicas: 1.2.3.4.

Generadores de rayos X de descarga por destello o aceleradores por impulso de electrones que posean alguno de los siguientes conjuntos de características: Nota: El subartículo 3A201.c no somete a control los aceleradores que sean componentes de dispositivos diseñados para fines distintos de la radiación por haz electrónico o rayos X (microscopia electrónica, por ejemplo) ni aquellos diseñados para fines médicos. El factor de mérito K se define como: K = 1,7 × 103 × V2,65 × Q (donde V es el pico de energía de electrones en millones de electronvoltios). Si la duración del impulso del haz del acelerador es igual o inferior a 1 microsegundo, Q es la carga acelerada total en culombios. Si la duración del impulso del haz del acelerador es superior a 1 microsegundo, Q es la carga acelerada máxima en 1 microsegundo. Q es igual a la integral de i respecto a t, durante un 1 microsegundo o a lo largo de la duración del impulso del haz si esta es menor (Q = ∫ idt), siendo i la corriente del haz en amperios y t el tiempo en segundos. Pico de potencia = (pico de potencial en voltios) × (pico de corriente del haz en amperios). 3A201 c. En las máquinas basadas en cavidades aceleradoras para microondas, la duración del impulso del haz es el valor inferior de los dos siguientes: 1 microsegundo o la duración del paquete agrupado del haz resultante de un impulso del modulador de microondas. En las máquinas basadas en cavidades aceleradoras para microondas, el pico de corriente del haz es la corriente media en la duración de un paquete agrupado del haz.

1. a.

Pico de energía de electrones, del acelerador, igual o superior a 500 keV pero inferior a 25 MeV, y

Factor de mérito (K) igual o superior a 0,25, o

2. a.

Pico de energía de electrones, del acelerador, igual o superior a 25 MeV, y

Pico de potencia superior a 50 MW.

Salida multifase que suministra una potencia igual o superior a 40 VA

Que funciona a una frecuencia de 600 Hz o más, y

Control de frecuencia mejor que (inferior a) 0,2 %.

1. Deben devolverse a su fabricante original para que haga las mejoras o exima de las restricciones

2. Requieren los programas informáticos especificados en el artículo 3D225 para mejorar el rendimiento, o liberar su potencial de rendimiento, a fin de ajustarse a las características del artículo 3A225, o

3. Requieren la tecnología en forma de códigos o claves especificada en el artículo 3E225 para mejorar el rendimiento, o liberar su potencial de rendimiento, a fin de ajustarse a las características del artículo 3A225.

3A Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. a.

Capacidad de producir de modo continuo, a lo largo de 8 horas, 100 V o más con una corriente de salida de 500 amperios o más, y

Estabilidad de la corriente o del voltaje mejor que el 0,1 % a lo largo de 8 horas.

Capacidad de producir de modo continuo, a lo largo de 8 horas, 20 kV o más con una corriente de salida de 1 amperio o más, y

Estabilidad de la corriente o del voltaje mejor que el 0,1 % a lo largo de 8 horas.

Tubos de cátodo frío, llenos de gas o no, de funcionamiento similar a los descargadores de chispas, que reúnan todas las características siguientes: Nota: El artículo 3A228 incluye los tubos de gas krytron y los tubos sprytron de vacío.

1. Tener tres o más electrodos

2. Voltaje nominal de pico en el ánodo igual o superior a 2,5 kV

3. Intensidad nominal de corriente de pico en el ánodo igual o superior a 100 A, y

4. Tiempo de retardo de ánodo igual o inferior a 10 microsegundos.

Descargadores de chispas con disparo que reúnan las dos características siguientes:

1. Tiempo de retardo de ánodo igual o inferior a 15 microsegundos, y

2. Tasados para una intensidad de corriente nominal de pico igual o superior a 500 A

Módulos o conjuntos con una función de conmutación rápida, distintos de los especificados en los subartículos 3A001.g o 3A001.h, que reúnan todas las características siguientes:

1. Voltaje nominal de pico en el ánodo superior a 2 kV

2. Intensidad nominal de corriente de pico en el ánodo igual o superior a 500 A, y

3. Tiempo de conexión igual o inferior a 1 microsegundo.

Conjuntos de ignición de detonador (sistemas iniciadores, firesets), incluidos los conjuntos de ignición activados ópticamente y activados por explosivos de carga electrónica, distintos de los especificados en el subartículo 1A007.a, que hayan sido diseñados para accionar los detonadores controlados de forma múltiple que se incluyen en el subartículo 1A007.b

Generadores modulares de impulsos eléctricos (impulsadores) que reúnan todas las características siguientes: Nota: El subartículo 3A229.b incluye los excitadores de lámparas de destello de xenón.

1. Diseñados para uso portátil, móvil o en condiciones severas (ruggedized)

2. Capacidad para suministrar su energía en menos de 15 microsegundos en cargas inferiores a 40 ohmios

3. Salida superior a 100 A

4. Ninguna dimensión superior a 30 cm

5. Peso inferior a 30 kg, y

6. Especificados para utilizarse en una amplia gama de temperaturas de 223 K (– 50 °C) a 373 K (100 °C) o especificados como adecuados para aplicaciones aeroespaciales.

Unidades de microignición que reúnan todas las características siguientes:

1. Ninguna dimensión superior a 35 mm

2. Voltaje nominal igual o superior a 1 kV, y

3. Capacitancia igual o superior a 100 nF.

Voltajes de salida superiores a 6 V sobre una carga resistiva de menos de 55 ohmios, y

Tiempo de transición de impulsos inferior a 500 ps.

3A Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. a.

Estar diseñados para funcionar sin sistema de vacío externo, y

Que posean cualquiera de las características siguientes:

1. Aceleración electrostática para inducir una reacción nuclear tritio-deuterio, o

2. Aceleración electrostática para inducir una reacción nuclear deuterio-deuterio y capacidad de ofrecer una potencia de 3 × 109 neutrones/s o más.

Sin uso

Montajes que empleen detonadores únicos o múltiples diseñados para iniciar casi simultáneamente una superficie explosiva de más de 5000 mm2 a partir de una sola señal de detonación, con un tiempo de iniciación distribuido por la superficie de menos de 2,5 microsegundos.

Espectrómetros de masas de plasma acoplados inductivamente (ICP/MS)

Espectrómetros de masas de descarga luminosa (GDMS)

Espectrómetros de masas de ionización térmica (TIMS)

Espectrómetros de masas de bombardeo electrónico que presenten las dos características siguientes:

1. Un sistema de admisión de haz molecular que inyecte un haz colimado de moléculas de analito en una región de la fuente de iones donde las moléculas son ionizadas por un haz de electrones, y

2. Una o más trampas frías que puedan enfriarse a una temperatura de 193 K (– 80 °C)

Sin uso

Espectrómetros de masas equipados con una fuente de iones de microfluoración diseñada para actínidos o fluoruros de actínidos.

3A Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. a.

Voltaje nominal superior a 2 kV, e

Inductancia inferior a 20 nH.

3B Equipos de ensayo, inspección y producción 3B001 Equipos para la fabricación de dispositivos o de materiales semiconductores, según se indica, y componentes y accesorios diseñados especialmente para ellos: 3B002 Equipos de ensayo diseñados especialmente para el ensayo de dispositivos semiconductores terminados o no terminados, según se indica, y componentes y accesorios de los mismos diseñados especialmente:

3B a.

Equipos diseñados para el crecimiento epitaxial según se indica:

1. Equipos capaces de producir una capa de cualquier material distinto al silicio con espesor uniforme con una exactitud de ± 2,5 % sobre una distancia igual o superior a 75 mm. Nota: El subartículo 3B001.a.1 incluye los equipos de epitaxia a capas atómicas (ALE).

2. Reactores de deposición química en fase vapor de elementos organometálicos (MOCVD) concebidos para el crecimiento epitaxial de semiconductores compuestos de material que tengan dos o más de los elementos siguientes: aluminio, galio, indio, arsénico, fósforo, antimonio o nitrógeno

3. Equipos de crecimiento epitaxial de haz molecular que utilicen fuentes sólidas o gaseosas

Equipos diseñados para la implantación iónica y que posean cualquiera de las características siguientes:

1. Sin uso

2. Estar diseñados y optimizados para funcionar a una energía de haz igual o superior a 20 keV y una corriente de haz igual o superior a 10 mA para la implantación de deuterio hidrógeno o helio

3. Capacidad de escritura directa

4. Una energía del haz igual o superior a 65 keV y una corriente del haz igual o superior a 45 mA para la implantación, a alta energía, de oxígeno en un sustrato de material semiconductor calentado, o

5. Estar diseñados y optimizados para funcionar a una energía de haz igual o superior a 20 keV y una corriente de haz igual o superior a 10 mA para la implantación de silicio en un sustrato de material semiconductor calentado a 600 °C o más

Equipos para el grabado, por plasma anisotrópico en seco, con todas las características siguientes:

1. Diseñados u optimizados para producir unas dimensiones críticas de 65 nm o menos, y

2. Grado de no uniformidad en el interior de la oblea igual o inferior a 10 % 3 σ, medido excluyendo un borde de 2 mm o menos

Sin uso

e. Notas técnicas: 1.2.

Sistemas centrales de manipulación de obleas para la carga automática de cámaras múltiples que reúnan todas las características siguientes: Nota: El subartículo 3B001.e no somete a control los sistemas robotizados automáticos de manipulación de obleas diseñadas especialmente para el tratamiento paralelo de obleas. A los efectos del subartículo 3B001.e, las herramientas de proceso de semiconductores designan herramientas modulares que efectúan procesos físicos funcionalmente diferentes como el depósito, el grabado, la implantación o el tratamiento térmico para la producción de semiconductores. A los efectos del subartículo 3B001.e, el tratamiento secuencial múltiple de las obleas designa la capacidad para procesar cada oblea en diversas herramientas de proceso de semiconductores, por ejemplo transfiriendo cada oblea de una primera herramienta a una segunda y a una tercera con los sistemas centrales de manipulación de obleas destinados a la carga automática de cámaras múltiples.

1. Interfaces para la entrada y salida de obleas, a los que hayan de conectarse más de dos herramientas de proceso de semiconductores funcionalmente diferentes especificadas en los subartículos 3B001.a, 3B001.b o 3B001.c, y

2. Diseñados para formar un sistema integrado en un ambiente bajo vacío para el tratamiento secuencial múltiple de las obleas.

3B001 Equipos de litografía según se indica:

1. Equipos de alineación y exposición, por paso y repetición (paso directo en la oblea) o por paso y exploración (explorador), para el proceso de obleas utilizando métodos fotoópticos o de rayos X y que posean cualquiera de las características siguientes:

1. a.

Longitud de onda de la fuente luminosa inferior a 245 nm, o

b. Nota técnica:

Capacidad de producir un patrón cuyo tamaño de la característica resoluble mínima (MRF) sea igual o inferior a 95 nm. El tamaño de la característica resoluble mínima (MRF) se calcula mediante la siguiente fórmula: MRFlongitud de onda de la fuente de luz para la exposfactor Kapertura numérica siendo el factor K = 0,35.

2. Equipos de impresión litográfica que puedan producir características de 95 nm de base o menos: Nota: El subartículo 3B001.f.2 incluye:

Instrumentos de impresión por microcontacto

Instrumentos de troquelado en caliente

Instrumentos de nanoimpresión litográfica

Instrumentos de impresión litográfica S-FIL (step and flash).

3. Equipos diseñados especialmente para la fabricación de máscaras o el proceso de dispositivos semiconductores, utilizando métodos de escritura directa, que reúnan todas las características siguientes:

3. a.

Que utilicen un haz de electrones, un haz de iones o un haz láser, enfocado y desviable, y

Que posean cualquiera de las características siguientes:

1. Tamaño del haz en el impacto (spot) inferior a 0,2 micras

2. Capacidad de producir un patrón en el que el tamaño de la característica sea inferior a 1 micra, o

3. Exactitud de recubrimiento mejor que ± 0,20 micras (3 sigma)

Máscaras y retículas, diseñadas para circuitos integrados incluidos en el artículo 3A001

Máscaras multicapas con una capa de cambio de fase no especificadas en el subartículo 3B001.g y que presenten cualquiera de las características siguientes: Nota: El subartículo 3B001.h no somete a control las máscaras multicapas con una capa de cambio de fase diseñadas para la fabricación de dispositivos de memoria no sometidos a control por el artículo 3A001.

1. Hechas en un sustrato en bruto de máscara a partir de vidrio con una especificación de menos de 7 nm/cm de birrefringencia, o

2. Concebidas para ser utilizadas por equipos de litografía con una longitud de onda de la fuente luminosa inferior a 245 nm.

Plantillas para impresión litográfica diseñadas para los circuitos integrados que se especifican en el artículo 3A001.

Para ensayo de parámetros S de dispositivos de transistores a frecuencias superiores a 31,8 GHz

Sin uso

Para el ensayo de los circuitos integrados de microondas incluidos en el subartículo 3A001.b.2.

3C Materiales 3C001 Materiales hetero-epitaxiales consistentes en un sustrato con capas múltiples apiladas obtenidas por crecimiento epitaxial de cualquiera de los siguientes productos: Nota: El subartículo 3C001.d no somete a control los sustratos con una o más capas epitaxiales de tipo P de GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP o InGaAlP, independiente de la secuencia de los elementos, salvo si la capa epitaxial de tipo P está entre capas de tipo N. 3C002 Materiales de protección, según se indica, y sustratos revestidos con los materiales de protección siguientes: 3C003 Compuestos organo-inorgánicos según se indica: Nota: El artículo 3C003 solo somete a control los compuestos cuyo componente metálico, parcialmente metálico o no metálico esté directamente enlazado al carbono en la parte orgánica de la molécula. 3C004 Hidruros de fósforo, de arsénico o de antimonio con una pureza superior al 99,999 %, incluso diluidos en gases inertes o en hidrógeno. Nota: El artículo 3C004 no somete a control los hidruros que contienen el 20 % molar o más de gases inertes o de hidrógeno. 3C005 Sustratos semiconductores de carburo de silicio (SiC), nitruro de galio (GaN), nitruro de aluminio (AlN) o nitruro de galio-aluminio (AlGaN), o lingotes, compuestos sintéticos (boules) u otras preformas de dichos materiales, con resistividades superiores a 10000 ohm-cm a 20 °C. 3C006 Sustratos incluidos en el artículo 3C005 con al menos una capa epitaxial de carburo de silicio, nitruro de galio, nitruro de aluminio o nitruro de galio-aluminio.

3C a.

Silicio (Si)

Germanio (Ge)

Carburo de silicio (SiC), o

Compuestos III/V de galio o indio.

Materiales de protección concebidos para litografía en semiconductores, según se indica:

1. Materiales de protección positivos ajustados (optimizados) para su utilización a longitudes de onda inferiores a 245 nm pero iguales o superiores a 15 nm

2. Materiales de protección ajustados (optimizados) para su utilización a longitudes de onda inferiores a 15 nm pero superiores a 1 nm

Todos los materiales de protección destinados a su utilización con haces de electrones o haces iónicos, y que tengan una sensibilidad de 0,01 microculombios/mm2 o mejor

Sin uso

Todos los materiales de protección optimizados para tecnologías de formación de imágenes de superficie

Todos los materiales de protección diseñados u optimizados para ser utilizados en los equipos de impresión litográfica incluidos en el subartículo 3B001.f.2 que utilicen un procedimiento térmico o fotocurable.

Compuestos organometálicos de aluminio, de galio o de indio, con una pureza (del metal) superior al 99,999 %

Compuestos organoarsénicos, organoantimónicos y organofosfóricos, con una pureza (del elemento inorgánico) superior a 99,999 %.

3D Nota técnica:

Programas informáticos (software) 3D001 Programas informáticos diseñados especialmente para el desarrollo o la producción de los equipos incluidos en los subartículos 3A001.b a 3A002.g o en la categoría 3B. 3D002 Programas informáticos diseñados especialmente para la utilización de los equipos incluidos en los subartículos 3B001.a a 3B001.f o en los artículos 3B002 o 3A225. 3D003 Programas informáticos de simulación basados en las leyes de la física y diseñados especialmente para el desarrollo de procesos litográficos, de grabado o depósito destinados a transformar patrones de enmascaramiento en patrones topográficos específicos en los materiales conductores, dieléctricos o semiconductores. En el artículo 3D003, por basado en la leyes de la física se entiende el empleo de cálculos para determinar una secuencia de procesos físicos, que implican relaciones causa/efecto, basándose en propiedades físicas (por ejemplo, temperatura, presión, constantes de difusión y propiedades de los materiales semiconductores). Nota: Las bibliotecas, los atributos de diseño y los datos conexos para el diseño de dispositivos semiconductores o de circuitos integrados se consideran tecnología. 3D004 Programas informáticos diseñados especialmente para el desarrollo de los equipos incluidos en el artículo 3A003. 3D101 Programas informáticos especialmente diseñados o modificados para la utilización de los equipos incluidos en el subartículo 3A101.b. 3D225 Programas informáticos diseñados especialmente para aumentar el rendimiento de un convertidor de frecuencia o generador, o liberar su potencial de rendimiento, a fin de cumplir las características del subartículo 3A225.

3E Tecnología 3E001 Tecnología, de acuerdo con la Nota General de Tecnología, para el desarrollo o la producción de equipos o materiales incluidos en las categorías 3A, 3B o 3C. Nota 1: El artículo 3E001 no somete a control la tecnología para la producción de equipos o componentes sometidos a control por el artículo 3A003. Nota 2: El artículo 3E001 no somete a control la tecnología para el desarrollo o la producción de los circuitos integrados incluidos en los subartículos 3A001.a.3 a 3A001.a.12 que reúnan todas las características siguientes: 3E002 Tecnología de acuerdo con la Nota General de Tecnología, distinta de la incluida en el artículo 3E001, para el desarrollo o la producción de un núcleo de microcircuito de microprocesadores, microcircuito de microordenadores o microcircuito de microcontroladores que tengan una unidad aritmética lógica con una capacidad de acceso paralelo de 32 bits o superior y que presenten cualquiera de los rasgos o características siguientes: Nota 1: El artículo 3E002 no somete a control la tecnología para el desarrollo o producción de núcleos de microprocesadores que posean todas las características siguientes: Nota 2: El artículo 3E002 incluye la tecnología para procesadores de señales digitales y procesadores de matrices digitales. 3E003 Otras tecnologías para el desarrollo o la producción de lo siguiente: 3E101 Tecnología de acuerdo con la Nota General de Tecnología para la utilización de los equipos o los programas informáticos incluidos en los subartículos 3A001.a.1 o 2 y los artículos 3A101, 3A102 o 3D101. 3E102 Tecnología de acuerdo con la Nota General de Tecnología para el desarrollo de los programas informáticos incluidos en el artículo 3D101. 3E201 Tecnología de acuerdo con la Nota General de Tecnología, para la utilización de los equipos incluidos en 3A001.e.2, 3A001.e.3, 3A001.g, 3A201, 3A225 a 3A234. 3E225 Tecnología en forma de códigos o claves para aumentar el rendimiento de un convertidor de frecuencia o generador, o liberar su potencial de rendimiento, a fin de ajustarse a las características del artículo 3A225.

3E a.

Empleo de tecnología igual o superior a 0,130 μm, y

Que incorporen estructuras multicapa de no más de tres capas metálicas.

a. Nota técnica:

Una unidad de procesador vectorial diseñada para realizar más de dos cálculos sobre vectores en coma flotante (matrices unidimensionales de 32 bits o más) simultáneamente. Una unidad de procesador vectorial es un procesador con instrucciones incorporadas que realiza simultáneamente cálculos múltiples sobre vectores en coma flotante (matrices unidimensionales de 32 bits o más), con al menos una unidad vectorial aritmética lógica.

Diseñada para realizar más de cuatro operaciones en coma flotante de 64 bits o más, por ciclo, o

3E002 Concebida para obtener más de cuatro resultados de adiciones y multiplicaciones en coma fija de 16 bits por ciclo (por ej., manipulación digital de información analógica previamente convertida en formato digital, también conocido como tratamiento digital de señales). Nota: El subartículo 3E002.c no somete a control la tecnología de extensiones multimedia.

Empleo de tecnología igual o superior a 0,130 μm, y

Que incorporen estructuras multicapa con cinco o menos capas metálicas.

Dispositivos microelectrónicos de vacío

Dispositivos electrónicos semiconductores de estructura heterogénea tales como los transistores de alta movilidad de electrones (HEMT), los transistores bipolares de heterounión (HBT) y los dispositivos de pozo cuántico o de super redes. Nota: El subartículo 3E003.b no somete a control la tecnología para los transistores de alta movilidad de electrones (HEMT) que funcionen a frecuencias inferiores a 31,8 GHz ni los transistores bipolares de heterounión (HBT) que funcionen a frecuencias inferiores a 31,8 GHz.

Dispositivos electrónicos superconductores

Sustratos o películas de diamante para componentes electrónicos

Sustratos de silicio sobre aislante (SOI) para circuitos integrados en los cuales el aislante es dióxido de silicio

Sustratos de carburo de silicio para componentes electrónicos

Tubos electrónicos de vacío que funcionen a frecuencias de 31,8 GHz o más.

CATEGORÍA 4 ORDENADORES

Nota 1: Los ordenadores, el equipo conexo y los programas informáticos que realicen funciones de telecomunicaciones o de redes de área local deberán evaluarse también con arreglo a las características de funcionamiento definidas en la categoría 5, primera parte (Telecomunicaciones). Nota 2: Las unidades de control que interconectan directamente los buses o canales de las unidades centrales de proceso, de la memoria principal o de controladores de discos no se consideran equipos de telecomunicaciones conforme a la categoría 5, primera parte (Telecomunicaciones). N.B.: Para lo relacionado con el régimen de control de los programas informáticos diseñados especialmente para la conmutación de paquetes, véase el artículo 5D001. Nota 3: Los ordenadores, el equipo conexo y los programas informáticos que realicen funciones criptográficas, criptoanalíticas, de seguridad multinivel certificable o de aislamiento del usuario certificable, o que limiten la compatibilidad electromagnética (EMC), deberán evaluarse igualmente con arreglo a las características de funcionamiento definidas en la categoría 5, segunda parte (Seguridad de la información).

4A Sistemas, equipos y componentes 4A001 Ordenadores electrónicos y equipo conexo, que posean cualquiera de las características siguientes, y los conjuntos electrónicos y componentes diseñados especialmente para ellos: N.B.: VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 4A101. 4A003 Ordenadores digitales, conjuntos electrónicos y equipo conexo para ellos, según se indica, y los componentes diseñados especialmente para ellos: Nota 1: El artículo 4A003 incluye lo siguiente: Nota 2: El régimen de control de los ordenadores digitales o equipo conexo descritos en el artículo 4A003 viene determinado por el régimen de control de los otros equipos o sistemas, siempre que: 4A004 Ordenadores según se indica y equipo conexo, conjuntos electrónicos y componentes, diseñados especialmente para ellos: 4A005 Sistemas, equipos, y componentes para ellos, especialmente diseñados o modificados para la generación, el funcionamiento o la emisión de, o para la comunicación con, programas informáticos de intrusión. 4A101 Ordenadores analógicos, ordenadores digitales o analizadores diferenciales digitales, distintos de los incluidos en el subartículo 4A001.a.1, para uso en condiciones severas (ruggedized) y diseñados o modificados para emplearlos en las lanzaderas espaciales incluidas en el artículo 9A004 o en los cohetes de sondeo incluidos en el artículo 9A104. 4A102 Ordenadores híbridos diseñados especialmente para la modelización, la simulación o la integración de diseño de las lanzaderas espaciales incluidas en el artículo 9A004 o de los cohetes de sondeo incluidos en el artículo 9A104. Nota: Este control solo se aplica si el equipo se suministra con los programas informáticos especificados en los artículos 7D103 o 9D103.

4A a.

Diseñados especialmente para tener cualquiera de las características siguientes:

1. Proyectados para funcionar a una temperatura ambiente inferior a 228 K (-45 °C) o superior a 358 K (85 °C), o Nota: El subartículo 4A001.a.1 no somete a control los ordenadores diseñados especialmente para aplicaciones civiles en automóviles, ferrocarriles o aeronaves civiles.

2. Resistentes a las radiaciones a un nivel que supere cualquiera de las especificaciones siguientes: a. Dosis total 5 × 103 Gy (silicio) b. Modificación de la tasa de dosis 5 × 106 Gy (silicio)/s, o c. Modificación por fenómeno único 1 × 10-8 errores/bit/día. Nota: El subartículo 4A001.a.2 no somete a control los ordenadores diseñados especialmente para aplicaciones en aeronaves civiles.

Sin uso.

Los procesadores vectoriales

Los conjuntos de procesadores

Los procesadores de señales digitales

Los procesadores lógicos

Los equipos diseñados para el resaltado de imagen

Los equipos diseñados para el proceso de señales.

Los ordenadores digitales o equipo conexo sean esenciales para el funcionamiento de los otros equipos o sistemas

Los ordenadores digitales o equipo conexo no sean un elemento principal de los otros equipos o sistemas, y N.B. 1: El régimen de control de los equipos de proceso de señales o de resaltado de imagen diseñados especialmente para otros equipos que posean funciones limitadas a las necesarias para los otros equipos viene determinada por la inclusión en el control de los otros equipos aunque se sobrepase el criterio de elemento principal. N.B. 2: En lo que se refiere a la inclusión en el control de los ordenadores digitales o equipo conexo para equipos de telecomunicaciones, véase la categoría 5, primera parte (Telecomunicaciones).

La tecnología relativa a los ordenadores digitales y el equipo conexo se rija por la categoría 4E.

Sin uso

Ordenadores digitales que tengan un funcionamiento máximo ajustado (APP) superior a 8,0 TeraFLOPS ponderados (WT)

4A003 Conjuntos electrónicos especialmente diseñados o modificados para mejorar las prestaciones mediante agrupación de procesadores, de forma que el funcionamiento máximo ajustado del conjunto exceda el límite especificado en el subartículo 4A003.b. Nota 1: El subartículo 4A003.c solo somete a control los conjuntos electrónicos y a las interconexiones programables que no sobrepasen el límite especificado en el subartículo 4A003.b, cuando se expidan como conjuntos electrónicos no integrados. No somete a control los conjuntos electrónicos limitados intrínsecamente por la naturaleza de su diseño a su utilización como equipo conexo incluidos en el subartículo 4A003.e. Nota 2: El subartículo 4A003.c no somete a control los conjuntos electrónicos diseñados especialmente para un producto o una familia de productos cuya configuración máxima no sobrepase el límite especificado en el subartículo 4A003.b.

Sin uso

Equipos que realicen conversiones analógico-digital que sobrepasen los límites especificados en el subartículo 3A001.a.5

Sin uso

Equipos diseñados especialmente para agregar el rendimiento de varios ordenadores digitales proporcionando interconexiones externas que permitan comunicaciones con tasas unidireccionales de datos superiores a 2,0 gigaoctetos/s por enlace. Nota: El subartículo 4A003.g no somete a control los equipos de interconexión interna (por ejemplo backplanes, buses), los equipos pasivos de interconexión, los controladores de acceso a la red o los controladores de canal de comunicaciones.

Ordenadores de conjunto sistólico

Ordenadores neuronales

Ordenadores ópticos.

4B Equipos de ensayo, inspección y producción Ninguno.

4C Materiales Ninguno.

4D Programas informáticos (software) Nota: El régimen de control de los programas informáticos para los equipos descritos en otras categorías se contempla en la categoría respectiva. 4D 4D001 Programas informáticos según se indica: 4D002 Programas informáticos especialmente diseñados o modificados para sustentar la tecnología incluida en la categoría 4E. 4D003 Sin uso. 4D004 Programas informáticos especialmente diseñados o modificados para la generación, el funcionamiento o la emisión de, o para la comunicación con, programas informáticos de intrusión.

4D a.

Programas informáticos especialmente diseñados o modificados para el desarrollo o la producción de los equipos o los programas informáticos incluidos en los artículos 4A001 a 4A004 y en la categoría 4D.

Programas informáticos distintos de los especificados en el subartículo 4D001.a, especialmente diseñados o modificados para el desarrollo o la producción de equipos según se indica:

1. Ordenadores digitales que tengan un funcionamiento máximo ajustado (APP) superior a 0,60 TeraFLOPS ponderados (WT)

2. Conjuntos electrónicos especialmente diseñados o modificados para mejorar el funcionamiento mediante la agregación de procesadores de tal modo que el funcionamiento máximo ajustado (APP) del agregado supera el límite del subartículo 4D001.b.1.

4E Tecnología 4E001

4E a.

Tecnología, de acuerdo con la Nota General de Tecnología, para el desarrollo, la producción o la utilización de los equipos o los programas informáticos incluidos en las categorías 4A o 4D.

Tecnología, distinta de la especificada en el subartículo 4E001.a diseñada especialmente o modificada para el desarrollo o la producción de equipos según se indica:

1. Ordenadores digitales que tengan un funcionamiento máximo ajustado (APP) superior a 0,60 TeraFLOPS ponderados (WT)

Tecnología para el desarrollo de programas informáticos de intrusión.

NOTA TÉCNICA SOBRE EL FUNCIONAMIENTO MÁXIMO AJUSTADO (APP)

El valor APP es un valor máximo ajustado en el que los ordenadores digitales realizan sumas y multiplicaciones en coma flotante de 64 bits o más. El valor APP se expresa en TeraFLOPS ponderados (WT), en unidades de 1012 operaciones ajustadas en coma flotante por segundo.

Abreviaturas utilizadas en la presente nota técnica

n número de procesadores del ordenador digital i número de procesador (i,…n) ti duración del ciclo del procesador (ti = 1/Fi) Fi frecuencia del procesador Ri valor máximo de cálculo en coma flotante Wi coeficiente de adaptación de arquitectura

Esquema del método de cálculo APP 1.2.3.4. Nota técnica:

Para cada procesador i, determinar el número máximo de operaciones en coma flotante (FPO) de 64 bits o más (FPOi), realizado por ciclo de cada procesador en el ordenador digital. Nota: Para determinar el FPO, solamente se incluyen las operaciones (sumas o multiplicaciones) con coma flotante de 64 bits o más. Todas las operaciones con coma flotante deben expresarse en operaciones por ciclo de procesador; las operaciones que requieran ciclos múltiples pueden expresarse en resultados fraccionarios por ciclo. Para los procesadores que no puedan realizar cálculos con operandos en coma flotante de 64 bits o más, la tasa de cálculo efectiva R es cero. Calcular el índice R en coma flotante para cada procesador Ri = FPOi/ti. Calcular APP como APP = W1 × R1 + W2 × R2 + … + Wn × Rn. Para los procesadores vectoriales, Wi = 0,9. Para los procesadores no vectoriales, Wi = 0,3. Nota 1: Para los procesadores que realizan operaciones compuestas en un ciclo, como sumas y multiplicaciones, se cuenta cada operación. Nota 2: Para un procesador segmentado (en pipeline), la tasa de cálculo efectiva R es la etapa más rápida del proceso, una vez que se haya llenado la pipeline, o del proceso sin segmentar. Nota 3: La tasa de cálculo R de cada procesador debe calcularse en el valor máximo teóricamente posible antes de que se derive el APP de la combinación. Se considera que existen operaciones simultáneas cuando el fabricante del ordenador asegura en un manual o en un folleto del ordenador la existencia de un funcionamiento o de una ejecución en modo concurrente, paralelo o simultáneo. Nota 4: Al calcular el APP no se incluyen los procesadores limitados a funciones de entrada-salida y periféricas (por ejemplo, unidad de los discos, comunicación y presentación visual). Nota 5: No se calcularán los valores APP para combinaciones de procesadores (inter)conectados por redes de área local, redes de área amplia, dispositivos de entrada/salida con conexiones compartidas, controladores de entrada/salida y cualquier interconexión de comunicaciones implementada mediante programas informáticos. Nota 6: Los valores APP deberán calcularse para: Agregar todos los procesadores y los aceleradores que funcionen simultáneamente y situados en el mismo dado. Nota 7: Se entiende por procesador vectorial un procesador con instrucciones incorporadas que realice simultáneamente cálculos múltiples sobre vectores en coma flotante (órdenes unidimensionales de 64 bits o más), y disponga al menos de 2 unidades funcionales vectoriales y al menos de 8 registros vectoriales de al menos 64 elementos cada uno.

Esquema del método de cálculo APP 1.2.3.4.

1. Las combinaciones de procesadores que contengan a procesadores diseñados especialmente para aumentar el rendimiento mediante agregación, funcionamiento simultáneo y memoria compartida, o

2. Las combinaciones múltiples de memoria/procesador con funcionamiento simultáneo que utilicen un equipo informático diseñado especialmente.

CATEGORÍA 5 TELECOMUNICACIONES Y SEGURIDAD DE LA INFORMACIÓN

PRIMERA PARTE — TELECOMUNICACIONES

5A1 Nota técnica:

Sistemas, equipos y componentes 5A001 Sistemas, equipos, componentes y accesorios de telecomunicaciones según se indica: 5A101 Equipos de telemedida y telecontrol, incluidos los equipos de tierra diseñados o modificados para misiles. En el artículo 5A101, los misiles son sistemas completos de cohetes y sistemas de vehículos aéreos no tripulados con un alcance superior a 300 km. Nota: El artículo 5A101 no somete a control:

5A1 a.

Cualquier tipo de equipo de telecomunicaciones que posea cualquiera de las características, funciones o elementos siguientes: Nota: Los subartículos 5A001.a.2 y 5A001.a.3 no someten a control los equipos diseñados o modificados para su uso a bordo de satélites.

1. Diseñado especialmente para resistir los efectos electrónicos transitorios o los efectos de impulso electromagnético, ambos consecutivos a una explosión nuclear

2. Endurecido especialmente para resistir la radiación gamma, neutrónica o iónica, o

3. Diseñado especialmente para funcionar fuera de la gama de temperaturas de 218 K (– 55 °C) a 397 K (124 °C). Nota: El subartículo 5A001.a.3. solo es aplicable a los equipos electrónicos.

Sistemas y equipos de telecomunicaciones y los componentes y accesorios diseñados especialmente para ellos que posean cualquiera de las características, funciones o elementos siguientes:

1. Sistemas de comunicaciones subacuáticos libres que presenten cualquiera de las características siguientes:

1. a.

Frecuencia portadora acústica fuera de la gama de 20 kHz a 60 kHz

Que utilicen una frecuencia portadora electromagnética inferior a 30 kHz

Que utilicen técnicas electrónicas de orientación del haz, o

Que utilicen láseres o diodos emisores de luz (LED) con una longitud de onda de salida superior a 400 nm e inferior a 700 nm, en una red de área local

2. Equipos de radio que funcionen en la banda de 1,5 a 87,5 MHz y reúnan todas las características siguientes:

2. a.

Predicción y selección automáticas de frecuencias y de tasas de transferencia digital totales por canal para optimizar la transmisión, y

Que contengan una configuración de amplificador de potencia lineal con capacidad para soportar simultáneamente señales múltiples a una potencia de salida igual o superior a 1 kW en la gama de frecuencia igual o superior a 1,5 MHz, pero inferior a 30 MHz, o igual o superior a 250 W en la gama de frecuencia igual o superior a 30 MHz, pero inferior a 87,5 MHz, sobre un ancho de banda instantáneo de una octava o más con un contenido de armónicos de salida y de distorsión mejor que – 80 dB

3. Equipos de radio que utilicen técnicas de espectro ensanchado, incluyendo el salto de frecuencia, no sometidos a control en el subartículo 5A001.b.4, y que posean cualquiera de las características siguientes: Nota: El subartículo 5A001.b.3 no somete a control los equipos que estén diseñados para funcionar con una potencia de salida igual o menor a 1 W.

3. a.

Códigos de ensanchamiento programables por el usuario, o

Un ancho de banda de transmisión total igual o superior a 100 veces el ancho de banda de cualquiera de los canales de información y superior a 50 kHz. Nota: El subartículo 5A001.b.3.b no somete a control los equipos de radio diseñados especialmente para su uso con cualquiera de los elementos siguientes:

a.

Sistemas de radiocomunicaciones civiles por telefonía móvil, o

b.

Estaciones terrestres de telecomunicación comercial civil por satélite fijas o móviles.

4. 5A001 b. Equipos de radio que utilicen técnicas de modulación ultraancha con códigos de canalización, de embrollo o códigos de identificación de red, programables por el usuario, que posean alguna de las características siguientes:

4. a.

Ancho de banda superior a 500 MHz, o

Ancho de banda fraccional de 20 % o más

5. Notas técnicas:

Receptores de radio controlados digitalmente que reúnan todas las características siguientes: Nota: El subartículo 5A001.b.5 no somete a control los equipos de radio diseñados especialmente para su uso en sistemas de radiocomunicaciones civiles por telefonía móvil. Tiempo de conmutación de frecuencias es el tiempo (es decir, el retardo) al cambiar de una frecuencia de recepción a otra, para llegar a la frecuencia de recepción final especificada o a un intervalo de ± 0,05 % de la misma. Los productos con un intervalo de frecuencias especificado de menos de ± 0,05 % en torno a su frecuencia central se definen como incapaces de efectuar una conmutación de frecuencias.

5. a.

Más de 1000 canales

Un tiempo de conmutación de frecuencias inferior a 1 ms

Búsqueda o exploración automática en una parte del espectro electromagnético, y

Identificación de las señales recibidas por el tipo de transmisor, o

6. Notas técnicas: 1.2.

Que utilicen funciones de proceso de señales digital para proporcionar una salida de codificación de la voz a tasas inferiores a 2400 bit/s. Para la codificación de la voz de ritmo variable, el subartículo 5A001.b.6 se aplica a la salida de codificación de la voz del discurso continuo. A efectos del subartículo 5A001.b.6, la codificación de la voz se define como la técnica consistente en tomar muestras de voz humana y convertirlas en señales digitales, teniendo en cuenta las características específicas del habla.

c. Nota técnica:

Fibras ópticas de más de 500 m de longitud, con capacidad de soportar un ensayo de resistencia a la tracción igual o superior a 2 × 109 N/m2 según las especificaciones del fabricante. N.B.: Para los cables umbilicales subacuáticos, véase el subartículo 8A002.a.3. Ensayos de resistencia: ensayos de producción en línea o fuera de línea selectivos que aplican dinámicamente un esfuerzo por tracción prescrito a una fibra de 0,5 a 3 m de longitud, a una velocidad de arrastre de 2 a 5 m/s, mientras pasa entre cabrestantes de 150 mm de diámetro aproximadamente. La temperatura ambiente y nominal es de 293 K (20 °C), y la humedad relativa nominal, del 40 %. Pueden utilizarse normas nacionales equivalentes para realizar los ensayos de resistencia.

Antenas orientables electrónicamente mediante ajuste de fases que funcionen a más de 31,8 GHz. Nota: El subartículo 5A001.d no somete a control las antenas orientables electrónicamente mediante ajuste de fases para sistemas de aterrizaje con instrumentos que satisfagan las normas de la Organización de Aviación Civil Internacional (OACI) que se refieren a los sistemas de microondas para aterrizajes (MLS).

5A001 Equipos radiogoniométricos que funcionen a frecuencias mayores de 30 MHz y que cumplan todo lo siguiente, así como los componentes diseñados especialmente para ellos:

1. Un ancho de banda instantáneo igual o superior a 10 MHz, y

2. Capacidad de encontrar una línea de marcación (LOB) con radio transmisores no cooperativos con una señal de duración inferior a 1 ms

Equipos de interferencia o interceptación de telecomunicaciones móviles y sus aparatos de control, según se indica, y componentes diseñados especialmente para ellos: Nota: Los subartículos 5A001.f. y 5A001.f.2 no someten a control ninguno de los equipos siguientes: N.B. 1: VÉASE ASIMISMO LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA. N.B. 2: Para los receptores de radio, véase el subartículo 5A001.b.5.

1. Equipos de interceptación diseñados para la extracción de voz o datos, transmitida a través de la interfaz aérea

2. Equipos de interceptación no incluidos en el subartículo 5A001.f.1, diseñados para la extracción de identificadores de abonado o del dispositivo del cliente (por ejemplo, IMSI, TIMSI o IMEI), la señalización, u otros metadatos transmitidos a través de la interfaz aérea

3. Equipos de interferencia diseñados especialmente o modificados para interferir de forma deliberada y selectiva, denegar, inhibir, degradar o engañar servicios de telecomunicación móvil y realizar cualquiera de las funciones siguientes:

3. a.

Simular las funciones de un equipo de Redes de Acceso Radioeléctrico (RAN)

Detectar y explotar características específicas del protocolo de telecomunicaciones móviles utilizado (por ejemplo, <GSM), o

Explotar características específicas del protocolo de telecomunicaciones móviles utilizado (por ejemplo, <GSM)

4. Equipos de seguimiento de RF diseñados o modificados para identificar el funcionamiento de los productos especificados en los subartículos 5A001.f.1, 5A001.f.2 o 5A001.f.3.

a.

Equipos diseñados especialmente para la interceptación de radiocomunicaciones móviles privadas (PMR) analógicas, IEEE 802.11 RLAN

b.

Equipos diseñados para los operadores de redes de telecomunicaciones móviles, o

c.

Equipos diseñados para el desarrollo o la producción de los equipos o sistemas de telecomunicaciones móviles.

g. Nota técnica:

Sistemas o equipos de localización coherente pasiva (PCL), diseñados especialmente para detectar y rastrear objetos en movimiento midiendo reflexiones de emisiones de radiofrecuencia del entorno, suministradas por transmisores que no sean radares. Los transmisores que no sean radares pueden incluir estaciones de base comerciales de radio, televisión o telecomunicaciones por telefonía móvil. Nota: El subartículo 5A001.g no somete a control ninguno de los equipos y sistemas siguientes:

a.

Equipos radioastronómicos, o

b.

Sistemas o equipos que requieran una transmisión de radio desde el objetivo.

5A001 Material contra artefactos explosivos improvisados (IED) y equipo conexo, según se indica: N.B.: VÉASE ASIMISMO LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA.

1. Equipos de transmisión por radiofrecuencia (RF), no especificados en el subartículo 5A001.f, diseñados o modificados para activar prematuramente o impedir la puesta en marcha de dispositivos explosivos improvisados (IED)

2. Equipos que utilicen técnicas destinadas a permitir las radiocomunicaciones en los mismos canales de frecuencia en los que transmite el equipo coubicado que se especifica en el subartículo 5A001.h.1.

Sin uso

j. Nota técnica:

Sistemas o equipos de vigilancia de las comunicaciones en red a través del Protocolo de Internet (IP), y componentes diseñados especialmente para ellos, que posean todas las características siguientes: Nota: El subartículo 5A001.j no somete a control los equipos y sistemas diseñados especialmente para cualquiera de las funciones siguientes: Selectores rígidos es el dato o conjunto de datos relativos a un individuo (por ejemplo, apellidos, nombre, correo electrónico, dirección postal, número de teléfono o afiliaciones a grupos).

1. Que realicen todas las siguientes funciones en red a través del Protocolo de Internet (IP) de clase portadora (por ejemplo, el eje troncal IP de grado nacional):

1. a.

Análisis en la capa de aplicación (p. ej., capa 7 del modelo de interconexión de sistemas abiertos, ISO/IEC 7498-1)

Extracción de contenido de la aplicación y metadatos seleccionados (por ejemplo, voz, vídeo, mensajes, ficheros adjuntos), y

Indexación de los datos extraídos, y

2. Diseñados especialmente para realizar cualquiera de las funciones siguientes:

2. a.

Ejecución de búsquedas sobre la base de selectores rígidos, y

Cartografía de la red relacional de una persona o de un grupo de personas.

a.

Fines de comercialización

b.

Calidad del servicio, o

c.

Calidad de la experiencia.

5A1 Nota técnica: a.

Los equipos diseñados o modificados para aeronaves tripuladas o satélites

Los equipos con base en tierra diseñados o modificados para aplicaciones terrestres o marítimas

Los equipos diseñados para servicios de GNSS comerciales, civiles o de seguridad de la vida humana (p. ej. integridad de los datos, seguridad de vuelo).

5B1 a.

Equipos y componentes o accesorios diseñados especialmente para los mismos, diseñados especialmente para el desarrollo o la producción de los equipos, funciones o elementos especificados en el artículo 5A001. Nota: El subartículo 5B001.a no somete a control el equipo de caracterización de la fibra óptica.

1. Sin uso

2. a.

Una longitud de onda de transmisión superior a 1750 nm

Que efectúen la amplificación óptica por medio de amplificadores de fibra fluorada dopados con praseodimio (PDFFA)

1286 disposiciones más no se muestran aquí; cada una tiene su propia dirección.

Versiones

2014-10-22