Address https://gelex.eu/eli/EU/act/2014/1382@2014-10-22/fi

Contents

1. Preamble
2. ANNEX
3. LIITE I Tämän asetuksen 3 artiklassa tarkoitettu luettelo
4. KAKSIKÄYTTÖTUOTTEIDEN LUETTELO
5. a.
6. 1. a.
7. b.
8. c.
9. d.
10. e.
11. f.
12. RYHMÄ 0 YDINAINEET, LAITTEISTOT JA LAITTEET
13. 0A a.
14. 0B Tekn. huom.
15. 0B a.
16. 7. a.
17. 13. a.
18. 14. a.
19. 5. a.
20. 6. a.
21. 0C a.
22. RYHMÄ 1 ERITYISMATERIAALIT JA NIIHIN LIITTYVÄT LAITTEET
23. 1A Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. Tekn. huom.
24. 1A a.
25. 1. a.
26. 4. a.
27. 1A Tekn. huom. 1.2. a.
28. 1A Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. a.
29. 1A Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. a.
30. 1B Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom.
31. 1B a.
32. 1B Tekn. huom. 1.2. a.
33. a.
34. b.
35. c.
36. 1C Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2.3. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1: Tekn. huom. 2: Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2.3.
37. 1C Tekn. huom. a.
38. a.
39. b.
40. c.
41. 1. Tekn. huom.
42. 1. a.
43. d.
44. 1C Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2.3. a.
45. 1. a.
46. 2. a.
47. 3. a.
48. 4. a.
49. 5. a.
50. 1. Tekn. huom.
51. 1C Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2.3. Tekn. huom. a.
52. 1. Tekn. huom.
53. 2. Tekn. huom.
54. 3. a.
55. 1. a.
56. 1C Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2.3. Tekn. huom. Tekn. huom.
57. 4. a.
58. 1. a.
59. 2. a.
60. 1C Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2.3. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2. a.
61. a.
62. b.
63. c.
64. d.
65. 1C Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2.3. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. d.
66. 1. a.
67. 2. a.
68. a.
69. b.
70. a. 1C011 a.Tekn. huom.
71. 1C Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2.3. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. a.
72. a.
73. b.
74. 1C Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2.3. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. Tekn. huom. a.
75. 1. Tekn. huom.
76. 2. a. Tekn. huom.
77. 3. a.
78. 4. a.
79. 5. Tekn. huom.
80. 5. a.
81. 6. a.
82. 1C Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2.3. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1:
83. 1C Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2.3. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1: Tekn. huom. 2: a.
84. 1. a.
85. 2. a.
86. 1C Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2.3. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1: Tekn. huom. 2: Tekn. huom. a.
87. 1C Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2.3. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1: Tekn. huom. 2: Tekn. huom. Tekn. huom. a.
88. 1C Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2.3. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1: Tekn. huom. 2: Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. a.
89. 1C Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2.3. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1: Tekn. huom. 2: Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. a.
90. 1C Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2.3. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1: Tekn. huom. 2: Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. a.
91. 1C Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2.3. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1: Tekn. huom. 2: Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. a.
92. 4. a.
93. 6. Tekn. huom.
94. 5. a.
95. 1E a.
96. 1. a.
97. 3. a.
98. RYHMÄ 2 MATERIAALIN KÄSITTELY
99. 2A Tekn. huom.
100. 2A a.
101. 2. a.
102. 2B Tekn. huom. 1.2.3.4.5.6. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2.
103. 2B Tekn. huom. 1.2. a.
104. 2B Tekn. huom. 1.2.3.4.5. a.
105. 2B Tekn. huom. 1.2.3.4.5.6. a.
106. a.
107. b.
108. 1. a.
109. 2. a.
110. 4. a.
111. c.
112. 2B Tekn. huom. 1.2.3.4.5.6. Tekn. huom.
113. 2B Tekn. huom. 1.2.3.4.5.6. Tekn. huom. Tekn. huom. a.
114. 1. a.
115. 2. a.
116. 1. Tekn. huom.
117. 1. a.
118. 2. a.
119. 2B Tekn. huom. 1.2.3.4.5.6. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. a.
120. 2B Tekn. huom. 1.2.3.4.5.6. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. a.
121. 2B Tekn. huom. 1.2.3.4.5.6. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. a.
122. 1. a.
123. a.
124. b.
125. 2B Tekn. huom. 1.2.3.4.5.6. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. a. Tekn. huom.
126. 2B Tekn. huom. 1.2.3.4.5.6. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. a.
127. 2B Tekn. huom. 1.2.3.4.5.6. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. a.
128. 2B Tekn. huom. 1.2.3.4.5.6. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2. a.
129. 2B Tekn. huom. 1.2.3.4.5.6. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. a.
130. 1. a.
131. 2. a.
132. 3. a.
133. a.
134. b.
135. c.
136. d.
137. e.
138. f.
139. g.
140. h.
141. i.
142. 2. a.
143. 1. a.
144. 2D a.
145. 2E Taulukko 1.2.3.A.B.B.1.B.2.B.3.B.4.C.D.E.F.G. Pinnoitustekniikat
146. 2E a.
147. 1. a.
148. 2. a.
149. a.
150. b.
151. c.
152. d.
153. e.
154. f.
155. g.
156. RYHMÄ 3 ELEKTRONIIKKA
157. 3A Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2.
158. 3A a.
159. 1. a.
160. 2. a.
161. 5. Tekn. huom. 1.2.3.4.5.6.7.8.9. 3A001 a. 5.Tekn. huom. 1.2.3.4.
162. 5. a.
163. 5. Tekn. huom. 1.2.3.4.5.6.7.8.9. b.
164. 2. a.
165. 6. a.
166. 7. 3A001 a. 7.Tekn. huom. 1.2.3.
167. 7. a.
168. 10. a.
169. 11. a.
170. 12. Tekn. huom.
171. 13. Tekn. huom.
172. 13. a.
173. 4. a.
174. 3. a.
175. 4. a.
176. 3. Tekninen huomautus
177. 8. a.
178. 9. Tekn. huom. 1.2.
179. 9. a.
180. 10. Tekninen huomautus
181. 1. Tekninen huomautus
182. 1. Tekn. huom. 1.2.3.4.
183. 4. Tekn. huom.
184. 5. Tekn. huom. 1.2.
185. 6. Tekn. huom.
186. 3. Tekn. huom.
187. 3A Tekn. huom. 1.2. a.
188. 1. a.
189. 2. a.
190. 3A Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. a.
191. 3A Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. a.
192. 3B a.
193. 1. a.
194. 3. a.
195. 3C a.
196. 3D Tekn. huom.
197. 3E a.
198. RYHMÄ 4 TIETOKONEET
199. 4A a.
200. 4D a.
201. 4E a.
202. Tässä teknisessä huomautuksessa käytetyt lyhenteet
203. Yhteenveto APP:n laskentamenetelmästä 1.2.3.4. Tekn. huom.
204. Yhteenveto APP:n laskentamenetelmästä 1.2.3.4.
205. RYHMÄ 5 TIETOLIIKENNE JA TIEDON SUOJAUS
206. 1 OSA – TIETOLIIKENNE
207. 5A1 Tekn. huom.
208. 5A1 a.
209. 1. a.
210. 2. a.
211. 3. a.
212. a.
213. b.
214. 4. a.
215. 5. Tekn. huom.
216. 5. a.
217. 6. Tekn. huom. 1.2.
218. a.
219. b.
220. c.
221. 5B1 a.
222. 2. a.

EUROOPAN KOMISSIO, joka

ottaa huomioon Euroopan unionin toiminnasta tehdyn sopimuksen,

ottaa huomioon kaksikäyttötuotteiden vientiä, siirtoa, välitystä ja kauttakulkua koskevan yhteisön valvontajärjestelmän perustamisesta 5 päivänä toukokuuta 2009 annetun neuvoston asetuksen (EY) N:o 428/2009 ja erityisesti sen 15 artiklan 3 kohdan,

sekä katsoo seuraavaa:

(1) Neuvoston asetuksessa (EY) N:o 428/2009 säädetään, että kaksikäyttötuotteita on valvottava tehokkaasti, kun niitä viedään unionista tai kuljetetaan unionin kautta tai kun niitä toimittaa kolmanteen maahan sellaisen välittäjän välityspalvelu, jolla on asuinpaikka unionissa tai joka on sijoittautunut unioniin.

(2) Asetuksen (EY) N:o 428/2009 liitteessä I vahvistetaan yhteinen luettelo kaksikäyttötuotteista, joihin sovelletaan valvontaa Euroopan unionissa. Valvonnanalaisia tuotteita koskevat päätökset tehdään Australian ryhmässä ja ydinalan viejämaiden ryhmässä sekä ohjusteknologian valvontajärjestelyn, Wassenaarin järjestelyn ja kemiallisten aseiden kieltosopimuksen puitteissa.

(3) Asetuksen (EY) N:o 428/2009 liitteessä I oleva kaksikäyttötuotteiden luettelo on saatettava säännöllisesti ajan tasalle, jotta varmistetaan kansainvälisten turvallisuusvelvoitteiden täysimääräinen noudattaminen, taataan avoimuus ja säilytetään viejien kilpailukyky. Jotta vientivalvontaviranomaisten ja toimijoiden olisi helpompi saada säännöksistä selvää, asetuksen (EY) N:o 428/2009 liitteestä I olisi julkaistava ajan tasalle saatettu ja konsolidoitu toisinto.

(4) Asetuksella (EY) N:o 428/2009 siirretään komissiolle valta saattaa delegoiduilla säädöksillä ajan tasalle liitteessä I oleva kaksikäyttötuotteiden luettelo niiden asiaa koskevien velvoitteiden ja sitoumusten sekä niihin mahdollisesti tehtyjen muutosten mukaisesti, joita jäsenvaltiot ovat hyväksyneet kansainvälisten asesulku- ja vientivalvontajärjestelyjen osapuolina tai ratifioimalla asiaa koskevia kansainvälisiä sopimuksia.

(5) Tämän vuoksi asetusta (EY) N:o 428/2009 olisi muutettava,

ON HYVÄKSYNYT TÄMÄN ASETUKSEN:

1 artikla Korvataan asetuksen (EY) N:o 428/2009 liite I tämän asetuksen liitteellä.

2 artikla Tämä asetus tulee voimaan seuraavana päivänä sen jälkeen, kun se on julkaistu Euroopan unionin virallisessa lehdessä.

Tämä asetus on kaikilta osiltaan velvoittava, ja sitä sovelletaan sellaisenaan kaikissa jäsenvaltioissa. Tehty Brysselissä 22 päivänä lokakuuta 2014. Komission puolesta Puheenjohtaja José Manuel Barroso

ANNEX

LIITE

LIITE I Tämän asetuksen 3 artiklassa tarkoitettu luettelo

KAKSIKÄYTTÖTUOTTEIDEN LUETTELO

Tällä luettelolla pannaan täytäntöön kansainvälisesti sovittu kaksikäyttötuotteiden valvonta, mukaan lukien Wassenaarin järjestely, ohjusteknologian valvontajärjestely (MTCR), ydinalan viejämaiden ryhmä (NSG), Australia-ryhmä ja kemiallisten aseiden kieltosopimus.

YLEISET HUOMAUTUKSET LIITTEESEEN I 1.2.3.4.

Sotilaskäyttöön suunniteltujen tai muunnettujen tuotteiden valvonnan osalta katso asiaankuuluvaa yksittäisen jäsenvaltion ylläpitämää asetarvikkeiden valvontaluetteloa (-luetteloja). Tässä liitteessä viittauksissa, joissa todetaan KATSO MYÖS ASETARVIKELUETTELO, tarkoitetaan samoja luetteloja. Tähän liitteeseen sisältyvän valvonnan tarkoitusta ei pidä kumota sellaisten ei-valvonnanalaisten tuotteiden (tuotantolaitos mukaan lukien) viennillä, jotka sisältävät yhden tai useampia valvonnanalaisia komponentteja, kun kyseinen valvonnanalainen komponentti tai kyseiset komponentit ovat tuotteiden olennaisia osia ja voidaan helposti irrottaa tai käyttää toisiin tarkoituksiin. Huom. Arvioitaessa sitä, onko valvonnanalaista komponenttia tai komponentteja pidettävä olennaisina osina, on välttämätöntä tarkastella määrän, arvon ja teknologisen tietotaidon tekijöitä sekä muita erityisolosuhteita, jotka voisivat osoittaa valvonnanalaisen komponentin tai komponenttien olevan toimitettavien tuotteiden olennaisia osia. Tässä liitteessä määriteltyihin tuotteisiin kuuluvat sekä uudet että käytetyt tuotteet. Joissain tapauksissa kemikaalit on luetteloitu nimen ja CAS-numeron mukaan. Luetteloa sovelletaan kemikaaleihin, joilla on sama rakennekaava (mukaan lukien hydraatit) riippumatta nimestä tai CAS-numerosta. CAS-numerot on esitetty, jotta olisi helpompi tunnistaa tietty kemikaali tai seos nimikkeistöstä riippumatta. CAS-numeroita ei voida käyttää yksilöllisinä tunnisteina, koska joillakin tietyn luetteloidun kemikaalin muodoilla on eri CAS-numerot ja tiettyä luetteloitua kemikaalia sisältävillä seoksilla voi myös olla eri CAS-numerot.

YDINTEKNOLOGIAHUOMAUTUS (Ydth)

(Sovelletaan 0 ryhmän E osan yhteydessä.) 0 ryhmän kaikkiin tuotteisiin suoraan liittyvän teknologian siirto on samantasoisen tarkkailun ja valvonnan alainen kuin tuotteetkin. Teknologia valvonnanalaisten tuotteiden kehittämistä, tuotantoa ja käyttöä varten on valvonnanalaista myös silloin, kun se on sovellettavissa ei-valvonnanalaisiin tuotteisiin. Tuotteiden hyväksyminen vientiin oikeuttaa myös tuotteiden käyttöönottoa, toimintaa, ylläpitoa ja korjausta varten tarvittavan vähimmäisteknologian viennin samalle loppukäyttäjälle. Teknologian siirron valvonta ei koske julkista tietoa tai tieteellistä perustutkimusta.

YLEINEN TEKNOLOGIAHUOMAUTUS (YTH)

(Sovelletaan 1–9 ryhmien E osan yhteydessä.) 1–9 ryhmissä valvonnanalaisten tuotteiden kehitystä, tuotantoa tai käyttöä varten tarvittavan teknologian vienti on valvonnanalaista 1–9 ryhmien säännösten mukaisesti. Valvonnanalaisten tuotteiden kehittämistä, tuotantoa ja käyttöä varten tarvittava teknologia on valvonnanalaista myös silloin, kun se on sovellettavissa ei-valvonnanalaisiin tuotteisiin. Valvonta ei koske sitä vähimmäisteknologiaa, joka on välttämätön käyttöönottoa, toimintaa, ylläpitoa (tarkastusta) tai korjausta varten tuotteille, jotka eivät ole valvonnanalaisia tai joiden vienti on saatettu luvalliseksi. Huom. Tällä ei vapauteta 1E002.e, 1E002.f, 8E002.a ja 8E002.b kohdassa määriteltyä vastaavaa teknologiaa. Teknologian siirron valvonta ei koske julkista tietoa, tieteellistä perustutkimusta tai välttämätöntä vähimmäistietoa patenttihakemuksiin.

YLEINEN OHJELMISTOHUOMAUTUS (Yloh)

(Tämä huomautus kumoaa kaiken 0–9 ryhmien D osassa asetetun valvonnanalaisuuden.) Tämän luettelon 0–9 ryhmissä ei aseteta valvonnanalaiseksi ohjelmistoja, jotka:

a.

Ovat yleisesti yleisön saatavissa: Huom. Yleisen ohjelmistohuomautuksen a kohdalla ei vapauteta 5 ryhmän 2 osassa (Tiedonsuojaus) määriteltyä ohjelmistoa.

1. Myydään vähittäismyyntipisteissä varastosta ja rajoituksetta:

1. a.

Käsikaupassa;

b.

Postimyynnissä;

c.

Elektronisesti tapahtuvassa myynnissä; tai

d.

Puhelinmyynnissä; ja

2. On suunniteltu käyttäjän käyttöönotettaviksi ilman merkittävää toimittajan tukea;

b.

Ovat julkisia (In the public domain) tai

c.

Vähimmäiskohdekoodi (Object code), joka on välttämätön käyttöönottoa, toimintaa, ylläpitoa (tarkastusta) tai korjausta varten tuotteille, joiden vienti on saatettu luvalliseksi. Huom. Yleisen ohjelmistohuomautuksen c kohdalla ei vapauteta 5 ryhmän 2 osassa (Tiedonsuojaus) määriteltyä ohjelmistoa.

ULKOASUA KOSKEVAT KÄYTÄNTEET EUROOPAN UNIONIN VIRALLISTA LEHTEÄ VARTEN

Toimielinten yhteisen julkaisukäsikirjan (vuoden 2011 laitos) sivulla 108 hakemistonumeron 6.5 kohdalla esitettyjen sääntöjen mukaisesti Euroopan unionin virallisessa lehdessä julkaistavissa teksteissä Tässä liitteessä esitetyssä tekstissä noudatetaan edellä kuvattua käytäntöä.

käytetään pilkkua erottamaan kokonaisluvut desimaaleista (esim. 3,67 cm),

käytetään välilyöntiä erottamaan tuhannet kokonaisluvuissa (esim. 100000).

TÄSSÄ LIITTEESSÄ KÄYTETYT AKRONYYMIT JA LYHENTEET

Akronyymit tai lyhenteet, joita käytetään määritellyistä termeistä, löytyvät luettelosta Tässä liitteessä käytettyjen termien määritelmät. AKRONYYMI TAI MERKITYS LYHENNE ABEC Annular Bearing Engineers Committee AGMA American Gear Manufacturers’ Association AHRS attitude and heading reference systems (asennon ja suunnan referenssijärjestelmät) AISI American Iron and Steel Institute ALU arithmetic logic unit (aritmetiikkayksikkö) ANSI American National Standards Institute ASTM the American Society for Testing and Materials ATC air traffic control (lennonjohto) AVLIS Atomic Vapour Laser Isotope Separation (atomihöyryn laserviritykseen perustuva isotooppierotus) CAD computer-aided-design (tietokoneavusteinen suunnittelu) CAS Chemical Abstracts Service CDU control and display unit (ohjaus- ja näyttöyksikkö) CEP circular error probable (todennäköinen paikannuksen etäisyysvirhe) CNTD controlled nucleation thermal deposition (säädeltävä ydintymislämpöhajoaminen) CRISLA Chemical Reaction by Isotope Selective Laser Activation (isotooppiselektiivisellä laserilla aktivoitu kemiallinen reaktio) CVD chemical vapour deposition (kemiallinen kaasufaasipinnoitus) CW chemical warfare (kemiallinen sodankäynti) CW (for lasers) continuous wave (jatkuva aalto (laserit)) DME distance measuring equipment (etäisyydenmittauslaite) DS directionally solidified (suunnatusti kiinteytetty) EB-PVD electron beam physical vapour deposition (elektronisuihkun avulla tapahtuva fysikaalinen kaasufaasipinnoitus) EBU European Broadcasting Union ECM electro-chemical machining (sähkökemiallinen työstö) ECR electron cyclotron resonance (elektroni-syklotroni-resonanssi) EDM electrical discharge machines (kipinätyöstökoneet) EEPROMS electrically erasable programmable read only memory (elektronisesti pyyhittävä ohjelmoitava lukumuisti) EIA Electronic Industries Association EMC electromagnetic compatibility (sähkömagneettinen mukautuvuus) ETSI European Telecommunications Standards Institute (Euroopan telealan standardointilaitos) FFT Fast Fourier Transform (nopea Fourier-muunnos) GLONASS global navigation satellite system (globaali navigointisatelliittijärjestelmä) GPS global positioning system (globaali paikannusjärjestelmä) HBT hetero-bipolar transistors (heterobipolaaritransistori) HDDR high density digital recording (suurtiheyksinen digitaalitallennus) HEMT high electron mobility transistors (korkean elektroniliikkuvuuden transistorit) ICAO International Civil Aviation Organisation (Kansainvälinen siviili-ilmailujärjestö) IEC International Electro-technical Commission (Kansainvälinen sähkötekniikan toimikunta) IEEE Institute of Electrical and Electronic Engineers IFOV instantaneous-field-of-view (hetkellinen näkökenttä) ILS instrument landing system (mittarilaskeutumisjärjestelmä) IRIG inter-range instrumentation group (monialueinstrumentointiryhmä) ISA international standard atmosphere (kansainvälinen standardi-ilmakehä) ISAR inverse synthetic aperture radar (käänteisen synteettisen apertuurin tutka) ISO International Organization for Standardization (Kansainvälinen standardisoimisjärjestö) ITU International Telecommunication Union (Kansainvälinen televiestintäliitto) JIS Japanese Industrial Standard JT Joule-Thomson LIDAR light detecting and ranging (valoon perustuva havainnointi ja etäisyyden mittaus) LRU line replaceable unit (linjahuollossa vaihdettava yksikkö) MAC message authentication code (sanoman autentikointikoodi) Mach ratio of speed of an object to speed of sound (after Ernst Mach) (kohteen nopeuden suhde äänen nopeuteen (Ernst Machin mukaan)) MLIS molecular laser isotopic separation (molekyylien laserviritykseen perustuva isotooppien erotus) MLS microwave landing systems (mikroaaltolaskeutumisjärjestelmät) MOCVD metal organic chemical vapour deposition (metalliorgaaninen kemiallinen kaasufaasipinnoitus) MRI magnetic resonance imaging (magneettiresonanssikuvaus) MTBF mean-time-between-failures (keskimääräinen vikaväli) Mtops million theoretical operations per second (miljoonaa teoreettista operaatiota sekunnissa) MTTF mean-time-to-failure (keskimääräinen vioittumisaika) NBC Nuclear, Biological and Chemical (ydin-, biologinen tai kemiallinen) NDT non-destructive test (ainetta rikkomaton testi) PAR precision approach radar (tarkkuuslähestymistutka) PIN personal identification number (henkilökohtainen tunnusnumero) ppm parts per million (miljoonasosa) PSD power spectral density (tehospektritiheys) QAM quadrature-amplitude-modulation (kvadratuuri-amplitudi-modulaatio) RF radio frequency (radiotaajuus) SACMA Suppliers of Advanced Composite Materials Association SAR synthetic aperture radar (synteettisen apertuurin tutka) SC single crystal (yksikide-) SLAR sidelooking airborne radar (sivukulmatutka) SMPTE Society of Motion Picture and Television Engineers (Elokuva- ja televisioalan insinöörien yhdistys) SRA shop replaceable assembly (korjaamolla vaihdettava kokoonpano) SRAM static random access memory (staattinen luku-/kirjoitusmuisti) SRM SACMA Recommended Methods (SACMA:n suosittelemat menetelmät) SSB single sideband (yksisivukaista) SSR secondary surveillance radar (toisiovalvontatutka) TCSEC trusted computer system evaluation criteria (luotettavien tietokonejärjestelmien varmennuskriteerit) TIR total indicated reading (koko näyttöalue) UV ultraviolet (ultravioletti) UTS ultimate tensile strength (murtovetolujuus) VOR very high frequency omni-directional range (VHF-monisuuntamajakka) YAG yttrium/aluminium garnet (yttrium/alumiinigranaatti)

TÄSSÄ LIITTEESSÄ KÄYTETTYJEN TERMIEN MÄÄRITELMÄT Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2.

Yksinkertaisissa lainausmerkeissä olevien termien määritelmät on annettu kunkin tuotteen teknologiahuomautuksessa. Kaksinkertaisissa lainausmerkeissä olevien termien määritelmät ovat seuraavat: Huom. Viittaukset ryhmiin ovat suluissa kunkin termin jälkeen. III/V-yhdisteet (III/V compounds) (3 6) tarkoittavat monikiteisiä valmisteita tai binaarisia tai kompleksisia yksikiteisiä valmisteita, jotka koostuvat Mendelejevin jaksollisen luokitustaulun ryhmien IIIA ja VA alkuaineista (esim. galliumarsenidi, galliumalumiiniarsenidi, indiumfosfidi). Aiemmin erotettu (Previously separated) (0 1) tarkoittaa minkä tahansa sellaisen prosessin käyttöä, jolla halutaan lisätä kontrolloidun isotoopin konsentraatiota. Aikavakio (Time constant) (6) on aika, joka kuluu valoärsytyksen antamisesta siihen, kun virran lisäys saavuttaa arvon, joka on 1 1/e kertaa lopullinen arvo (eli 63 % lopullisesta arvosta). Aksiaalisiirtymä (Camming) (2) on pääkaran aksiaalisiirtymä yhden kierroksen aikana, mitattuna karan tasolaikkaa vastaan kohtisuorassa olevassa tasossa, pisteessä, joka on lähinnä tasolaikan kehää (viite: ISO 230/1 1986, 5.63 kohta). Aktiivinen pikseli (Active pixel) (6 8) on solid-state-matriisin pienin (yksittäinen) elementti, jolla on valosähköinen siirtofunktio, kun se altistetaan valolle (sähkömagneettiselle säteilylle). Aktiiviset lennonohjausjärjestelmät (Active flight control systems) (7) ovat järjestelmiä, jotka toimivat ilma-aluksen tai ohjuksen ei-toivottujen liikkeiden tai rakenteellisten kuormitusten estämiseksi käsittelemällä itsenäisesti useilta antureilta tulevia tietoja ja antamalla tarvittavia automaattiohjaukseen vaikuttavia ennalta ehkäiseviä komentoja. APP (4) tarkoittaa mukautettua huipputehokkuutta. Asettumisaika (Settling time) (3) tarkoittaa aikaa, joka tarvitaan, jotta ulostulo saavuttaa puolen bitin tarkkuudella lopullisen arvon, kun muunnin vaihtaa tilaa minkä tahansa kahden arvon välillä. Automaattinen maalin seuranta (Automatic target tracking) (6) tarkoittaa tietojenkäsittelytekniikkaa, joka automaattisesti määrittää ja tulostaa tosiaikaisesti maalin todennäköisimmän sijainnin ekstrapoloidun arvon. Avaruusalus (Spacecraft) (7 9) tarkoittaa aktiivisia ja passiivisia satelliitteja sekä avaruusluotaimia. Avaruuskelpoinen (Space-qualified) (3 6 8) tarkoittaa suunniteltu, valmistettu tai hyväksytty onnistuneen testin perusteella toimimaan yli 100 km:n korkeudella maan pinnasta. Huom. Tietyn tuotteen määrittäminen avaruuskelpoiseksi testin perusteella ei tarkoita, että saman tuotantosarjan tai mallisarjan muut tuotteet eivät olisi avaruuskelpoisia, jos niitä ei ole erikseen testattu. Bias (gyroskooppi) (Bias (gyro)) (7) tarkoittaa määrätyltä ajalta tietyissä käyttöolosuhteissa mitattua gyroskoopin ulostulon keskiarvoa, joka ei korreloi sisääntulon pyörimisen tai kiihtyvyyden kanssa. Bias ilmaistaan tyypillisesti asteina tuntia kohden (deg/hr). (IEEE-standardi 528-2001). Bias (kiihtyvyysmittari) (Bias (accelometer)) (7) tarkoittaa määrätyltä ajalta tietyissä käyttöolosuhteissa mitattua kiihtyvyysmittarin ulostulon keskiarvoa, joka ei korreloi sisääntulon kiihtyvyyden tai pyörimisen kanssa. Bias ilmaistaan g:na tai metreinä sekunnin neliötä kohden (g tai m/s2). (IEEE-standardi 528-2001) (Mikrogramma vastaa arvoa 1 × 10-6 g). CEP (yhtäläisen todennäköisyyden ympyrä) (circle of equal probability) (7) on tarkkuuden mitta; tietyllä etäisyydellä sen ympyrän säde, jonka keskipisteessä on maali ja johon 50 % hyötykuormasta iskeytyy. CW-laser (CW laser) (6) tarkoittaa laseria, joka tuottaa nimellisesti vakion lähtöenergian kauemmin kuin 0,25 sekunnin ajan. DBRN-järjestelmät (Data-Based Referenced Navigation) (7) tarkoittavat järjestelmiä, joissa käytetään eri lähteistä saatavaa, ennalta mitattua paikkatietoa, joka on yhdistetty tarkan navigointitiedon tuottamiseksi muuttuvissa olosuhteissa. Tietolähteet voivat olla syvyystietokarttoja, tähtikarttoja, painovoimakarttoja, magneettikarttoja tai kolmiulotteisia numeerisia maastokarttoja. Diffuusioliittäminen (Diffusion bonding) (1 2 9) tarkoittaa vähintään kahden eri metallin molekyylitasoista jähmeliittämistä yhdeksi kappaleeksi siten, että liitoslujuus vastaa heikoimman materiaalin lujuutta. Digitaalinen kokonaissiirtonopeus (Total digital transfer rate) (5) tarkoittaa toistensa kanssa yhteydessä olevien digitaalisen siirtojärjestelmän laitteiden välillä kulkevien bittien lukumäärää aikayksikössä, mukaan lukien linjan koodaukseen tarvittavat sekä muut lisäbitit. Huom. Katso myös digitaalinen siirtonopeus. Digitaalinen siirtonopeus (Digital transfer rate) (def) tarkoittaa minkä tahansa tyyppistä siirtotietä käyttäen suoraan siirretyn informaation kokonaisbittinopeutta. Huom. Katso myös digitaalinen kokonaissiirtonopeus. Digitaalinen tietokone (Digital computer) (4 5) tarkoittaa laitetta, joka voi suorittaa kaikkia seuraavia toimintoja yhden tai useamman erillisen muuttujan muodossa: Huom. Tallennetun käskyjonon muokkaus sisältää pysyväismuistiyksiköiden vaihdon, mutta ei langoituksen tai kytkentöjen fyysistä muuttamista. Ekvivalenttitiheys (Equivalent density) (6) tarkoittaa optiikan yksikkömassaa optiselle pinnalle projisoitua optisen pinta-alan yksikköä kohti. Elektroninen kokoonpano (Electronic assembly) (2 3 4 5) tarkoittaa elektronisten komponenttien (so. piirielementtien, erilliskomponenttien, integroitujen piirien jne.) joukkoa, joka on kytketty tietyn tehtävän (tai tietyt tehtävät) suorittavaksi kokonaisuudeksi, joka voidaan yksikkönä vaihtaa ja on tavallisesti purettavissa. Huom. 1: Piirielementti (Circuit element): Yksittäinen aktiivinen tai passiivinen elektronisen piirin toiminnallinen osa kuten diodi, transistori, vastus, kondensaattori jne. Huom. 2: Erilliskomponentti (Discrete component): Erikseen koteloitu piirielementti, jolla on omat ulkoiset kytkentäpisteensä. Elektronisesti ohjattavat vaiheistetut ryhmäantennit (Electronically steerable phased array antennas) (5 6) tarkoittavat antennia, joka muodostaa keilan vaihekytkennän avulla, so. keilan suuntausta ohjataan säteilevien elementtien yhdistetyillä virityskertoimilla ja säteen suuntaa voidaan sähköisin signaalein muutella pysty- tai vaakasuunnassa, tai molemmissa suunnissa, niin lähetyksessä kuin vastaanotossakin. Energeettiset aineet (Energetic materials) (1) tarkoittavat aineita tai seoksia, jotka reagoivat kemiallisesti vapauttaen energiaa tarkoitettuun käyttösovellukseen. Räjähteet, pyrotekniset aineet ja ajoaineet ovat energeettisten aineiden alaryhmiä. Epäsymmetrinen algoritmi (5) tarkoittaa salausalgoritmia, joka käyttää erilaisia matemaattisesti suunniteltuja salaukseen ja salauksen purkuun tarkoitettuja avaimia. Huom. Epäsymmetrisen algoritmin tavanomainen käyttö on avaimen hallinta. Eristetyt elävät viljelmät (Isolated live cultures) (1) tarkoittavat uinuvassa tilassa ja kuivatuissa preparaateissa olevia eläviä viljelmiä. Eristystä (Insulation) (9) käytetään rakettimoottorien osissa, so. rungossa, suuttimessa, läpivienneissä ja rungon väliseinissä, ja se käsittää eristäviä tai tulenkestäviä materiaaleja sisältäviä vulkanoidun tai puolivulkanoidun seoskumin levykerroksia. Sitä voidaan käyttää myös rasituksen vaimennustuppeina tai -liuskoina. Erityinen halkeamiskelpoinen aine (Special fissile material) (0) tarkoittaa plutonium-239:ää, uraani-233:a, isotoopeilla 235 tai 233 rikastettua uraania ja mitä tahansa edellä mainittuja sisältävää ainetta. FADEC-järjestelmät (FADEC Systems – Full Authority Digital Engine Control Systems) (7 9) tarkoittavat täyden auktoriteetin digitaalisia moottorin ohjausjärjestelmiä – kaasuturbiinimoottorin elektroninen ohjausjärjestelmä, joka pystyy ohjaamaan autonomisesti moottoria koko sen toiminta-alueella moottorin käynnistyskäskystä sen sammutuskäskyyn sekä normaali- että vikatilanteissa. Fokusoiva tasorakenne (Focal plane array) (6) tarkoittaa fokusoivassa tasossa toimivista, lukemaelektroniikalla varustetuista tai ilman sitä olevista yksittäisistä ilmaisinelementeistä koostuvaa lineaarista tai kaksiulotteista tasopintaa tai tasopintojen yhdistelmää. Huom. Tällä ei ole tarkoitus kattaa yksittäisten ilmaisinelementtien pinoa eikä kaksi-, kolme- tai neljäelementtisiä ilmaisimia, edellyttäen että aikaviivästystä ja integrointia ei suoriteta elementeissä. Hajaspektri (Spread spectrum) (5) tarkoittaa tekniikkaa, jolla suhteellisen kapeakaistaisen tietoliikennekanavan energia levitetään huomattavasti laajemman energiaspektrin yli. Hajaspektritutka (Spread spectrum radar) (6) – katso Tutkan hajaspektri. Henkilökohtainen verkko (Personal area network) (5) on tiedonvälitysjärjestelmä, joka: Tietolaite: laite, joka pystyy lähettämään tai vastaanottamaan digitaalista informaatiota sisältäviä sekvenssejä. Hermoverkkotietokone (Neural computer) (4) tarkoittaa tietokonelaitetta, joka on suunniteltu tai muunnettu jäljittelemään neuronin tai neuroniryhmän käyttäytymistä, so. tietokonetta, jolle on ominaista se, että sen laitteisto kykenee aiempaan tietoon perustuen muuttamaan suurta joukkoa laskennallisten komponenttien välisten kytkentöjen painotusta ja määrää. Hetkellinen kaistanleveys (Instantenous bandwidth) (3 7) tarkoittaa kaistanleveyttä, jolla lähtöteho pysyy 3 dB:n tarkkuudella vakiona, ilman että muita toimintaparametreja säädetään. Hiilikuitupreformi (Carbon fibre preforms) (1) tarkoittaa pinnoittamattomien tai pinnoitettujen kuitujen määrättyä järjestystä, jonka on tarkoitus muodostaa puitteet osalle ennen kuin matriisista muodostetaan komposiitti. Huipputeho (Peak power) (6) tarkoittaa suurinta tehoa, joka saavutetaan pulssin kestossa. Hybridipiiri (Hybrid integrated circuit) (3) tarkoittaa integroitujen piirien yhdistelmää, joka käsittää integroidun piirin (tai piirejä) tai integroitua piiriä piirielementtien tai erilliskomponenttien yhteydessä, jotka on kytketty toisiinsa tietyn toiminnon (tai toimintojen) suorittamiseksi, ja jolla on kaikki seuraavat ominaisuudet: Huom. 1: Piirielementti (Circuit element): Yksittäinen aktiivinen tai passiivinen elektronisen piirin toiminnallinen osa kuten diodi, transistori, vastus, kondensaattori jne. Huom. 2: Erilliskomponentti (Discrete component): Erikseen koteloitu piirielementti, jolla on omat ulkoiset kytkentäpisteensä. Ilmaa kevyemmät ilma-alukset (Lighter-than-air vehicles) (9) tarkoittavat ilmapalloja ja ilma-aluksia, jotka käyttävät nousemiseen kuumaa ilmaa tai muita ilmaa kevyempiä kaasuja, kuten heliumia tai vetyä. Ilma-alus (Aircraft) (1 7 9) tarkoittaa kiinteäsiipistä, kääntyväsiipistä, pyöriväsiipistä (helikopteri) tai kallistuvalla roottorilla tai siivillä varustettua ilmakulkuneuvoa. Huom. Katso myös siviililentokone. Ilmalaiva (Airship) (9) tarkoittaa moottorin voimalla kulkevaa ilmakulkuneuvoa, joka pysyy ilmassa käyttämällä ilmaa kevyempää kaasua (yleensä heliumia, aiemmin vetyä). Ilmavirran avulla säädelty vastamomenttijärjestelmä tai suunnanohjausjärjestelmä (Circulation controlled anti torque or circulation controlled direction control system) (7) ovat järjestelmiä, jotka käyttävät ilma-aluksen aerodynaamisten pintojen ohi virtaavaa ilmaa lisäämään tai säätämään näiden pintojen synnyttämiä voimia. Immunotoksiini (Immunotoxin) (1) on yhden soluspesifisen monoklonaalisen vasta-aineen ja toksiinin tai toksiinialayksikön muodostama konjugaatti, joka vaikuttaa selektiivisesti sairaisiin soluihin. Integroitu kalvopiiri (Film type integrated circuit) (3) tarkoittaa eristävälle substraatille pinnoittamalla muodostettujen ohut- tai paksukalvopiirielementtien ja niiden välisten kytkentöjen muodostamaa kokonaisuutta. Huom. Piirielementti (Circuit element) on yksittäinen aktiivinen tai passiivinen elektronisen piirin toiminnallinen osa kuten diodi, transistori, vastus, kondensaattori jne. Integroitu monipalapiiri (Multichip integrated circuit) (3) tarkoittaa yhteiselle substraatille liitettyä kahta tai useampaa monoliittista integroitua piiriä. Isostaattiset puristimet (Isostatic presses) (2) tarkoittavat laitteita, jotka kykenevät eri väliaineiden avulla (kaasu, neste, kiinteät partikkelit jne.) paineistamaan suljetun tilan, niin että suljetussa tilassa olevaan työkappaleeseen kohdistuu kaikissa suunnissa samansuuruinen paine. Isotoopilla 235 tai 233 rikastettu uraani (Uranium enriched in the isotopes 235 or 233) (0) tarkoittaa uraania, joka sisältää isotooppia 235 tai 233 tai molempia siinä määrin, että näiden isotooppien ylimääräsumman suhde isotooppiin 238 nähden on enemmän kuin luonnossa esiintyvän isotoopin 235 suhde isotooppiin 238 (isotooppisuhde 0,71 %). Itseisjohtavuuteen perustuva magneettikentän gradiometri (Intrinsic Magnetic Gradiometer) (6) on yksittäinen magneettikentän gradienttia ilmaiseva elementti ja siihen liittyvä elektroniikka, jonka tuloste on magneettikentän gradientin mitta. Huom. Katso myös magneettikentän gradiometri. ITU:n allokoima (Allocated by the ITU) (3 5) on taajuuskaistojen allokointia ITU:n radio-ohjesääntöjen uusimman laitoksen mukaisesti primaari-, sallituille ja sekundaaripalveluille. Huom. Ei sisällä lisä- ja vaihtoehtoisia allokointeja. Jauhaminen (Comminution) (1) tarkoittaa prosessia, jossa materiaali hajotetaan hiukkasiksi murskaamalla tai jauhamalla. Julkinen (In the public domain) (Ylth Ydth Yloh) tarkoittaa tässä yhteydessä teknologiaa ja ohjelmistoja, jotka ovat saatavilla ilman edelleenlevitystä koskevia rajoituksia (kustannusoikeudelliset rajoitukset eivät estä teknologiaa tai ohjelmistoa olemasta julkisia). Kaasuatomisointi (Gas atomisation) (1) tarkoittaa prosessia, jossa korkeapaineisella kaasuvirtauksella sula metalliseosvirta hajotetaan pisaroiksi, joiden halkaisija on 500 mikrometriä tai vähemmän. Kaikki kompensaatiot käytettävissä (All compensations available) (2) tarkoittaa, että otetaan huomioon kaikki valmistajan käytettävissä olevat soveltuvat toimenpiteet yksittäisen työstökonemallin kaikkien järjestelmällisten paikannusvirheiden tai yksittäisen koordinaattimittauskoneen mittausvirheiden minimoimiseksi. Kehitys (Development) (Ylth Ydth Kaikki) liittyy kaikkiin sarjatuotantoa edeltäviin vaiheisiin kuten: suunnitteluun, suunnittelun tutkimukseen, suunnittelun analysointiin, suunnittelukäsitteisiin, prototyyppien kokoonpanoon ja testaukseen, pilottituotantohankkeisiin, suunnittelutietoihin, suunnittelutietojen muuntamiseen tuotteeksi, konfigurointisuunnitteluun, integrointisuunnitteluun ja piirustuksiin. Kemiallinen laser (Chemical laser) (6) tarkoittaa laseria, jossa virittymisen aiheuttaa kemiallisen reaktion antama energia. Kemiallinen seos (Chemical mixture) (1) tarkoittaa kiinteää, nestemäistä tai kaasumaista tuotetta, joka on valmistettu kahdesta tai useammasta aineesta, jotka eivät reagoi keskenään seoksen säilytysolosuhteissa. Keskimääräinen lähtöteho (Average output power) (6) tarkoittaa laserin kokonaislähtöenergiaa (jouleina) jaettuna ajanjaksolla, jonka aikana sarja peräkkäisiä pulsseja emittoidaan (sekunteina). Tasaisesti jakautuneiden pulssien sarjan osalta se vastaa laserin kokonaislähtöenergiaa yhdessä pulssissa jouleina kerrottuna laserin pulssitaajuudella Hertzeinä. Keskusmuisti (Main storage) (4) tarkoittaa tietoa tai käskyjä varten tarkoitettua ensisijaista muistia, johon keskusyksiköllä on nopea pääsy. Se koostuu digitaalisen tietokoneen sisäisestä muistista ja sen hierarkkisista laajennuksista, kuten välimuistista tai ei-peräkkäissaantisesta laajennusmuistista. Kieppikara (Tilting spindle) (2) tarkoittaa työkalunkäsittelykaraa, joka koneistusprosessin aikana muuttaa keskilinjansa kulma-asentoa mihin tahansa muuhun akseliin nähden. Kiertymiskulman poikkeama (Angular position deviation) (2) tarkoittaa kiertymiskulman ja todellisen, erittäin tarkasti mitatun kiertymiskulman välistä maksimieroa, kun pöydän työkappaleen alustaa on käännetty alkuperäisestä asennostaan. Kiinteä (Fixed) (5) tarkoittaa, ettei koodaus- tai pakkausalgoritmi voi ottaa vastaan ulkopuolelta syötettyjä parametrejä (esim. salaus- tai avainmuuttujia) eikä käyttäjä voi sitä muuttaa. Kohdekoodi (Object code) (9) tarkoittaa yhden tai useamman prosessin tarkoituksenmukaisen esitystavan (lähdekoodi (lähdekieli)) laitteessa toteutettavaa muotoa, joka on käännetty ohjelmointijärjestelmällä. Kokonaisvirtatiheys (Overall current density) (3) tarkoittaa kelan ampeerikierrosten kokonaismäärää (ts. kierrosten lukumäärä kerrottuna kunkin kierroksen kuljettaman maksimivirran arvolla) jaettuna kelan kokonaispoikkipinnalla (sisältäen suprajohtavat säikeet, metallimatriisin, johon säikeet on upotettu, suojaavan materiaalin, kaikki jäähdyttävät elementit jne.). Kolmiulotteinen integroitu piiri (Three dimensional integrated circuit) (3) tarkoittaa yhteen integroitujen puolijohdesirujenkokoelmaa, jossa on läpivientireikiä, jotka kulkevat kokonaan vähintään yhden sirun läpi ja muodostavat kytkentöjä sirujen välille. Kompensointijärjestelmät (Compensation systems) (6) koostuvat pääasiallisesta mitta-anturista, yhdestä tai useammasta vertailu-anturista (esimerkiksi vektorimagnetometrit) sekä ohjelmistosta, joiden avulla on mahdollista vähentää alustan jäykän rungon pyörimisen melua. Komposiitti (Composite) (1 2 6 8 9) tarkoittaa matriisia ja siihen tiettyä tarkoitusta tai tarkoituksia varten lisättyä faasia tai faaseja, jotka koostuvat hiukkasista, whiskerseistä, kuiduista tai mistä tahansa näiden yhdistelmästä. Kriittinen lämpötila (Critical temperature) (1 3 5) (kutsutaan myös joskus transitiolämpötilaksi) tarkoittaa tietyn suprajohtavan materiaalin sitä lämpötilaa, jossa materiaali menettää täysin tasavirtavastusarvonsa. Kuitu- tai säiemateriaalit (Fibrous or filamentary materials) (0 1 8) sisältävät: Kuumaisostaattinen puristus (Hot isostatic densification) (2) tarkoittaa prosessia, jossa valosta paineistetaan yli 375 K (102 °C) asteen lämpötilassa suljetussa tilassa eri väliaineiden avulla (kaasu, neste, kiinteät partikkelit jne.), jotta aikaansaadaan kaikissa suunnissa samansuuruinen voima valoksen sisäisten onteloiden vähentämiseksi tai estämiseksi. Kuvan parantaminen (Image enhancement) (4) tarkoittaa ulkopuolelta saatujen informaatiota sisältävien kuvien käsittelyä algoritmeilla kuten aikakompressio, suodatus, poiminto, valinta, korrelaatio, konvoluutio tai muunnokset eri tasoihin (kuten nopea Fourier-muunnos tai Walsh-muunnos). Tämä ei sisällä algoritmeja, jotka käyttävät vain yksittäisen kuvan lineaarisia tai toisen asteen muunnoksia kuten kääntäminen, kuvionerotus, kohdistaminen tai vääräväritys. Kvanttisalaus (Quantum cryptography) (5) tarkoittaa ryhmää tekniikoita, joilla luodaan jaettu avain salausta varten mittaamalla fysikaalisen järjestelmän kvanttimekaaniset ominaisuudet (mukaan lukien ne fysikaaliset ominaisuudet, joita määrittävät nimenomaisesti kvanttioptiikka, kvanttikenttäteoria tai kvanttisähködynamiikka). Kärkivaippa (Tip shroud) (9) tarkoittaa kiinteää rengaskomponenttia (yhtenäistä tai segmentoitua), joka on kiinnitetty moottorin turbiinin kotelon sisäpinnalle, tai turbiinin lavan ulkokärjessä olevaa osaa, joka pääasiassa muodostaa kaasutiivisteen kiinteiden ja pyörivien osien välillä. Käyttäjän ohjelmointimahdollisuus (User-accessible programmability) (6) tarkoittaa ominaisuutta, joka sallii käyttäjän sisällyttää, muuntaa tai vaihtaa ohjelmia muulla tavoin kuin: Käyttö (Use) (Ylth Ydth Kaikki) tarkoittaa käyttöä, asennusta (paikalla suoritettava asennus mukaan lukien), ylläpitoa (tarkastusta), korjausta, huoltoa ja kunnostusta. Köyhdytetty uraani (Depleted uranium) (0) tarkoittaa uraania, joka on köyhdytetty alle luonnossa esiintyvän isotooppi 235:n tason. Lanka (Yarn) (1) on kerratuista säikeistä muodostuva kimppu. Huom. Säie on suunnilleen samansuuntaisista (tavallisesti useammasta kuin 200) monofilamentista muodostuva kimppu. Laser (0 2 3 5 6 7 8 9) on komponenttien muodostama kokonaisuus, joka tuottaa sekä avaruudellisesti että ajallisesti koherenttia valoa, jota vahvistetaan stimuloidulla säteilyemissiolla. Huom. Katso myös: Kemiallinen laser; Suurteholaser; Siirtolaser. Lennon kokonaisohjaus (Total control of flight) (7) tarkoittaa ilma-aluksen tilamuuttujien ja lentoradan automaattista ohjausta vastaamalla lentotehtävän tavoitteiden täyttämiseksi tosiaikaisiin muutoksiin tavoitteiden, uhkien tai muiden ilma-alusten tiedoissa. Lennonohjauksen optinen anturijärjestelmä (Flight control optical sensor array) (7) on hajautettujen optisten anturien verkko, joka lasersäteitä käyttäen tuottaa tosiaikaista lennonohjaustietoa ilma-aluksessa tapahtuvaa prosessointia varten. Lentoradan optimointi (Flight path optimization) (7) on proseduuri, jolla neljässä ulottuvuudessa (avaruus ja aika) minimoidaan poikkeamia lentotehtävien suorittamiseen tai tehokkuuteen perustuvasta halutusta lentoradasta. Lineaarisuus (Linearity) (2) (mitataan normaalisti epälineaarisuutena) tarkoittaa varsinaisen ominaisuuden (keskimääräisen lukeman) positiivista tai negatiivista maksimipoikkeamaa suorasta, joka on asetettu siten, että se tasoittaa tai minimoi maksimipoikkeamat. Luonnonuraani (Natural uranium) (0) tarkoittaa uraania, joka sisältää luonnossa tavattavia isotooppiseosmääriä. Lähdekoodi (tai lähdekieli) (Source code or source language) (6 7 9) on sopiva yhden tai useamman prosessin esitystapa, joka voidaan ohjelmointijärjestelmässä muuntaa laitteessa toteutettavaan muotoon (kohdekoodiksi tai kohdekielelle). Läimäyssammutus (Splat Quenching) (1) tarkoittaa prosessia, jossa nopeasti kiinteytetään jäähdytetyn telan päälle sulaa metallivirtaa, joka muodostaa hiutalemaisen tuotteen. Huom. Nopea kiinteytys: sulan materiaalin kiinteytys 1000 K/s ylittävillä jäähdytysnopeuksilla. Maantieteellisesti hajallaan (Geographically dispersed) (6) tarkoittaa, että jokainen sijainti on missä tahansa suunnassa yli 1500 m:n päässä kaikista muista. Liikkuvia antureita pidetään aina maantieteellisesti hajallaan olevina. Magneettikentän gradiometrit (Magnetic gradiometers) (6) ovat laitteita, jotka on suunniteltu havaitsemaan instrumentin ulkopuolisten lähteiden magneettikenttien avaruudellista vaihtelua. Ne koostuvat useista magnetometreistä ja niihin liittyvästä elektroniikasta, joiden tuloste on magneettikentän gradientin mitta. Huom. Katso myös itseisjohtavuuteen perustuva magneettikentän gradiometri. Magnetometrit (Magnetometers) (6) ovat laitteita, jotka on suunniteltu havaitsemaan instrumentin ulkopuolisten lähteiden magneettikenttiä. Ne koostuvat yhdestä magneettikenttää havaitsevasta elementistä ja siihen liittyvästä elektroniikasta, joiden tuloste on magneettikentän mitta. Matriisi (Matrix) (1 2 8 9) tarkoittaa huomattavan jatkuvaa aineen faasia, joka täyttää hiukkasten, whiskersien tai kuitujen välisen tilan. Mekaaninen seostaminen (Mechanical alloying) (1) tarkoittaa seostamisprosessia, jossa alkuaineiden ja perusmetalliseosten jauheet sidostuvat, hajoavat ja sidostuvat uudelleen mekaanisen törmäyksen voimasta. Ei-metallisia hiukkasia voidaan sisällyttää seokseen tarvittavia jauheita lisäämällä. Mellakantorjunta-aineet (Riot control agents) (1) tarkoittavat aineita, jotka mellakantorjuntaan tarkoitetuissa käyttöolosuhteissa aiheuttavat ihmiselle nopeasti aistielinten ärsytystä tai toimintakyvyttömyyttä, jotka häviävät pian altistumisen päätyttyä. Kyynelkaasut ovat mellakantorjunta-aineiden alaryhmä. Miehittämätön ilma-alus (Unmanned Aerial Vehicle (UAV)) (9) tarkoittaa ilma-alusta, joka pystyy aloittamaan lennon ja pitämään yllä johdettua lentoa ja lentosuunnistusta ilman, että aluksella on ketään ihmistä. Mikro-organismit (Microorganisms) (1 2) tarkoittavat bakteereita, viruksia, mykoplasmoja, riketsioita, klamydioita tai sieniä, sekä luonnontilaisia, kehitettyjä että muunneltuja, joko eristettyinä elävinä viljelminä tai materiaalina, joka sisältää elävää materiaalia, johon on tarkoituksella istutettu näitä viljelmiä tai joka on saastutettu niillä. Mikroprosessoripiiri (Microprocessor microcircuit) (3) tarkoittaa monoliittista integroitua piiriä tai monipalapiiriä, joka sisältää ulkoisen muistin yleisluontoisia käskyjä suorittamaan kykenevän aritmetiikkayksikön (ALU). Huom. 1: Mikroprosessoripiiri ei yleensä sisällä sisäistä muistia, johon käyttäjällä olisi pääsy, vaikka se saattaa käyttää samalla lastulla olevaa muistia suorittaessaan loogista toimintaansa. Huom. 2: Tämä määritelmä sisältää lastuyhdistelmät, jotka on suunniteltu yhdessä toimien huolehtimaan mikroprosessoripiiri-toiminnasta. Mikrotietokonepiiri (Microcomputer microcircuit) (3) tarkoittaa monoliittista integroitua piiriä tai monipalapiiriä, joka sisältää sisäisessä muistissa olevia tietoja koskevia sisäisen muistin yleisluonteisten käskyjen sarjoja suorittamaan kykenevän aritmetiikkayksikön (ALU). Huom. Sisäistä muistia voidaan laajentaa ulkoisen muistin avulla. Mittakerroin (Scale factor) (gyroskoopissa tai kiihtyvyysmittarissa) (7) tarkoittaa ulostulon muutoksen suhdetta mitattavaksi aiotun syötteen muutokseen nähden. Mittakerroin ilmaistaan yleisesti sen suoran kaltevuutena, joka voidaan piirtää pienimmän neliösumman menetelmällä syöte- ja tulostearvojen kautta, jotka on saatu vaihtelemalla syötteen arvoa jaksottaisesti syötearvojen alueen yli. Mittauksen epävarmuus (Measurement uncertainty) (2) on ominaisparametri, joka 95 %:n luotettavuustasolla määrittelee, millä alueella saadun tuloksen molemmin puolin mitattavan suureen oikea arvo sijaitsee. Se sisältää korjaamattomat systemaattiset poikkeamat, korjaamattoman väljyyden ja satunnaiset poikkeamat (viite: ISO 10360-2). Monispektriset kuvannusanturit (Multispectral imaging sensors) (6) ovat kykeneviä hankkimaan kuvatietoa samanaikaisesti tai peräkkäin kahdesta tai useammasta erillisestä spektrikaistasta. Antureita, joilla on enemmän kuin kaksikymmentä spektrikaistaa, kutsutaan toisinaan hyperspektrisiksi kuvannusantureiksi. Monofilamentti (Monofilament) (1) tai filamentti on kuidun pienin inkrementti, jonka halkaisija on tavallisesti joitakin mikrometrejä. Monoliittinen integroitu piiri (Monolithic integrated circuit) (3) tarkoittaa passiivisten tai aktiivisten piirielementtien tai molempien yhdistelmää, joka: Huom. Piirielementti (Circuit element) on yksittäinen aktiivinen tai passiivinen elektronisen piirin toiminnallinen osa kuten diodi, transistori, vastus, kondensaattori jne. Mukautettu huipputehokkuus (Adjusted Peak Performance) (4) tarkoittaa mukautettua huippunopeutta, jolla digitaaliset tietokoneet suorittavat 64-bittisten tai sitä suurempien liukulukujen yhteenlasku- ja kertolaskutoimituksia, ja joka ilmaistaan painotettuina teraliukulukutoimituksina sekunnissa (WT), yksikköinä, jotka koostuvat 1012:sta mukautetusta liukulukutoimituksesta sekunnissa. Huom. Katso ryhmä 4, tekninen huomautus. Muotoaan muuttavat peilit (Deformable mirrors) (6) (joita kutsutaan myös adaptiivisiksi optisiksi peileiksi) tarkoittavat peilejä, joissa Muuttuvan geometrian kantopinnat (Variable geometry airfoils) (7) tarkoittavat takareunan siivekkeitä tai laippoja tai johtoreunan solasiivekkeitä tai alaspainuvaa nokkaa, joiden asentoa voidaan lennon aikana ohjata. Numeerinen ohjaus (Numerical control) (2) tarkoittaa prosessin automaattista ohjausta, jossa ohjauslaite käyttää numeerista tietoa, jota se tavallisesti saa toiminnan edetessä (viite: ISO 2382). Näyttöalue (Instrumented range) (6) tarkoittaa tutkan määriteltyä, yksikäsitteistä näyttöaluetta. Ohjautusjärjestelmä (Guidance set) (7) tarkoittaa järjestelmiä, jotka yhdistävät kulkuvälineen paikan ja nopeuden mittaus- ja laskentaprosessin (so. navigoinnin) kulkuvälineen lennonohjausjärjestelmien lentoradan korjauskomentojen laskenta- ja välitysprosessiin. Ohjelma (Programme) (2 6) tarkoittaa käskyjonoa, joka voidaan suorittaa tietokoneella tai muuntaa sen suoritettavaksi. Ohjelmisto (Software) (Yloh Kaikki) Yhden tai useamman ohjelman tai mikro-ohjelman muodostama kokonaisuus missä tahansa käsitettävässä muodossa. Huom. Mikro-ohjelma tarkoittaa peruskäskyjen sarjaa, jota säilytetään erityisessä muistissa ja jonka suoritus käynnistyy, kun sen viitekäsky tulee käskyrekisteriin. Ohjukset (Missiles) (1 3 6 7 9) tarkoittavat täydellisiä rakettijärjestelmiä ja miehittämättömiä ilma-alusjärjestelmiä, jotka pystyvät kuljettamaan vähintään 500 kg:n hyötykuorman vähintään 300 km:n etäisyydelle. Olennaisin osa (Principal element) (4) on ryhmää 4 koskien sellainen osa, jonka vaihtoarvo on enemmän kuin 35 % sen järjestelmän kokonaishinnasta, jonka osa se on. Osan arvo on se arvo, jonka järjestelmän valmistaja tai järjestelmän kokoonpanija siitä maksaa. Kokonaisarvo on normaali kansainvälinen myyntihinta vieraille osapuolille valmistuspaikassa tai kuljetuspisteessä. Ominaiskimmokerroin (Specific modulus) (0 1 9) on Youngin kerroin pascaleina ja on yhtä kuin N/m2 jaettuna ominaispainolla N/m3, mitattuna (296 ± 2) K ((23 ± 2) °C) asteen lämpötilassa sekä (50 ± 5) %:n suhteellisessa kosteudessa. Ominaismurtovetolujuus (Specific tensile strength) (0 1 9) on lopullinen murtovoima pascaleina, joka on yhtä kuin N/m2 jaettuna ominaispainolla N/m3, mitattuna (296 ± 2) K ((23 ± 2) °C) asteen lämpötilassa sekä (50 ± 5) %:n suhteellisessa kosteudessa. Optinen integroitu piiri (Optical integrated circuit) (3) tarkoittaa monoliittista integroitua piiriä tai hybridipiiriä, joka sisältää yhden tai useampia osia, jotka on suunniteltu toimimaan valoanturina tai valolähteenä tai suorittamaan optista tai sähköoptista toimintoa (toimintoja). Optinen kytkentä (Optical switching) (5) tarkoittaa signaalien reititystä tai kytkentää optisessa muodossa muuntamatta niitä sähköisiksi signaaleiksi. Optinen tietokone (Optical computer) (4) tarkoittaa tietokonetta, joka on suunniteltu tai muunnettu käyttämään valoa tiedon esittämiseen ja jonka laskenta- tai loogiset tiedonkäsittelyelementit perustuvat suoraan toisiinsa kytkettyihin optisiin komponentteihin. Optinen vahvistus (Optical amplification) (5) tarkoittaa optisen tietoliikenteen vahvistustekniikkaa, jossa erillisen optisen lähteen tuottamia signaaleja vahvistetaan muuntamatta niitä sähköisiksi signaaleiksi, ts. käyttäen optisia puolijohdevahvistimia tai valokuituluminesenssivahvistimia. Osallistujavaltio (Participating state) (7 9) on Wassenaarin järjestelyn jäsenmaa. (ks. www.wassenaar.org) Paikallisverkko (Local area network) (4 5) on tiedonvälitysjärjestelmä, joka: Huom. Tietolaite: laite, joka pystyy lähettämään tai vastaanottamaan digitaalista informaatiota sisältäviä sekvenssejä. Perusportin etenemisviive (Basic gate propagation delay time) (3) tarkoittaa etenemisviiveen arvoa, joka vastaa monoliittisessa integroidussa piirissä käytetyn perusportin viivettä. Monoliittisten integroitujen piirien perheelle tämä voidaan määritellä tietylle joko etenemisviiveenä tyypillistä porttia kohti tietyssä perheessä tai tyypillisenä etenemisviiveenä porttia kohti tietyssä perheessä. Huom. 1: Perusportin etenemisviivettä ei pidä sekoittaa kompleksisen monoliittisen integroidun piirin kokonaisviiveeseen sisäänmenon ja ulostulon välillä. Huom. 2: Perhe (Family) tarkoittaa kaikkia integroituja piirejä, joilla on seuraavia valmistusmenetelmiä ja -spesifikaatioita koskevia ominaisuuksia lukuun ottamatta toimintoja, joita ovat: Plastisoituva (Fusible) (1) tarkoittaa materiaalia, joka on mahdollista ristisilloittaa tai polymeroida edelleen lämmön, säteilyn, katalyyttien jne. avulla tai joka voidaan sulattaa lämmön avulla ilman termistä hajoamista. Poikkeama (Run out, out-of-true-running) (2) tarkoittaa pääkaran säteittäistä poikkeamaa yhden kierroksen aikana mitattuna karan akselia vasten suorassa kulmassa olevalla tasolla pisteessä, joka on pyörivän testattavan kappaleen sisä- tai ulkopinnalla (viite: ISO 230/1-1986, 5.61 kohta). Polttokenno (Fuel cell) (8) tarkoittaa sähkökemiallista laitetta, joka muuntaa kemiallista energiaa suoraan tasavirtasähköksi käyttämällä ulkoisesta lähteestä peräisin olevaa polttoainetta. Primäärinen lennon ohjaus (Primary flight control) (7) tarkoittaa ilma-aluksen stabiilisuuden ja liikkeiden ohjausta, joka käyttää voima-/momenttilähteitä, so. aerodynaamisia ohjauspintoja tai propulsiokäyttöistä vektorivastavoimaa. Pulssilaser (Pulsed laser) (6) tarkoittaa laseria, jonka pulssin kesto on 0,25 sekuntia tai vähemmän. Pulssin kesto (Pulse duration) (6) on laserin pulssin kesto ja tarkoittaa yksittäisen pulssin etureunan ja takareunan puolen tehon pisteiden välillä kuluvaa aikaa. Pulssin kompressointi (Pulse compression) (6) tarkoittaa pitkäaikaisten tutkasignaalien koodausta ja käsittelyä lyhytaikaisina, korkean pulssienergian suomat edut säilyttäen. Pyörivä atomisointi (Rotary atomisation) (1) tarkoittaa prosessia, jossa keskipakovoimalla sulan metallin virrasta tai lähteestä aikaansaadaan halkaisijaltaan enintään 500 mikrometrin pisaroita. Pyörivät massagyroskoopit (Spinning mass gyros) (7) tarkoittavat gyroskooppeja, joissa käytetään jatkuvasti pyörivää massaa kulmaliikkeen havaitsemiseen. Päätetyövälineet (End-effectors) (2) tarkoittavat tarraimia, aktiivisia työkaluyksikköjä ja kaikkia muita työkaluja, jotka kiinnitetään robotin tai manipulaattorin käsivarren kiinnityslaippaan. Huom. Aktiivinen työkaluyksikkö tarkoittaa laitetta, joka kohdistaa työkappaleeseen liikevoimaa tai prosessienergiaa tai toimii anturina. Reitit (System tracks) (6) tarkoittavat käsiteltyjä, korreloituja (kohteen tutkatiedot yhdistelty lentosuunnitelman mukaiseen sijaintiin) ja ajan tasalle saatettuja ilma-aluksen sijaintiraportteja, jotka ovat lennonjohtokeskuksen valvojien käytettävissä. Resoluutio (Resolution) (2) tarkoittaa mittalaitteen pienintä inkrementtiä; digitaalisissa mittalaitteissa vähiten merkitsevää bittiä (viite: ANSI B-89.1.12). Robotti (Robot) (2 8) tarkoittaa manipulointimekanismia, joka voi olla jatkuvaa rataa tai pisteestä pisteeseen kulkevaa tyyppiä, voi käyttää antureita ja jolla on seuraavat ominaisuudet: Huom. Yllä oleva määritelmä ei sisällä seuraavia laitteita: Rokote (Vaccine) on lääkevalmisteena oleva lääke, jolla on joko valmistus- tai käyttömaan sääntelyviranomaisten myöntämä lisenssi tai markkinoille saattamista tai kliinistä tutkimusta koskeva lupa ja jonka tarkoituksena on saada aikaan suojaava immuunivaste sairauden ennaltaehkäisemiseksi niissä ihmisissä tai eläimissä, joille rokote annetaan. Roving (Roving) (1) on suunnilleen samansuuntaisista (tavallisesti 12–120) säikeistä muodostuva kimppu. Huom. Säie on suunnilleen samansuuntaisista (tavallisesti useammasta kuin 200) monofilamentista muodostuva kimppu. Ryömintänopeus (gyroskooppi) (Drift rate) (7) tarkoittaa gyroskoopin ulostulon komponenttia, joka on toiminnallisesti riippumaton sisääntulon pyörimisestä. Se ilmaistaan kulmapoikkeamana (IEEE-standardi 528-2001). Räjähteet (Explosives) (1) tarkoittavat kiinteitä, nestemäisiä tai kaasumaisia aineita tai aineseoksia, joiden käytettyinä aloite-, lisä- tai päälatauksena taistelukärjissä sekä hävitys- ja muissa tarkoituksissa edellytetään räjähtävän. Salauksen aktivointi (Cryptographic activation) (5) tarkoittaa tekniikkaa, jolla aktivoidaan tai mahdollistetaan salauskyky suojatun mekanismin avulla, jonka tuotteen valmistaja toteuttaa ja joka liittyy yksilöllisesti tuotteeseen tai asiakkaaseen, jota varten salauskyky aktivoidaan tai mahdollistetaan (esimerkiksi sarjanumeroon perustuva lisenssiavain tai autentikointiväline kuten sähköisesti allekirjoitettu varmenne). Salauksen aktivoinnin tekniikat ja mekanismit voidaan toteuttaa laitteistona, ohjelmistona tai teknologiana. Salaus (Cryptography) (5) tarkoittaa periaatteita, välineitä ja menetelmiä, joilla tietoa muunnetaan sen tietosisällön piilottamiseksi, huomaamatta tapahtuvien muutosten estämiseksi tai luvattoman käytön estämiseksi. Salaus rajoittuu tiedon muuntamiseen yhtä tai useampaa salaista parametriä (esim. salausmuuttujia) tai siihen liittyvää avainta käyttäen. Huom. Salaus ei sisällä kiinteitä tiedon pakkaus- tai koodaustekniikoita. Salainen parametri: vakio tai avain, jota ei anneta muiden tiedoksi tai pidetään vain tietyn ryhmän tietona. Satunnaiskulmapoikkeama (Angle random walk) (7) tarkoittaa ajan myötä kasaantunutta kulmavirhettä, joka johtuu kulmanopeuden valkoisesta kohinasta. (IEEE-standardi 528-2001). Sekoitettu (Commingled) (1) tarkoittaa termoplastisten kuitujen ja lujitekuitujen filamenttien sekoittamista kokonaan kuitumuodossa olevan lujitekuitumatriisi-sekoituksen tuottamiseksi. SHPL vastaa suurteholaseria. Signaalianalysaattorin taajuusmaskiliipaisin (Frequency mask trigger, FMT) (3) on mekanismi, jossa liipaisintoiminto kykenee valitsemaan liipaistavan taajuusalueen erilliseksi osaksi kaistanleveyttä ja jättää huomiotta muut signaalit, joita voi myös esiintyä samalla kaistanleveydellä. Taajuusmaskiliipaisin voi sisältää enemmän kuin yhden riippumattoman rajoitusten joukon. Signaalianalysaattorit (Signal analysers) (3) tarkoittaa laitteita, jotka kykenevät mittaamaan ja näyttämään monitaajuisten signaalien yksitaajuisten komponenttien perusominaisuuksia. Signaalin käsittely (Signal processing) (3 4 5 6) tarkoittaa ulkoisesta lähteestä tulevien signaalien käsittelyä algoritmeilla kuten kompressio, suodatus, erottelu, valinta, korrelaatio, konvoluutio tai tasomuunnokset (esim. nopea Fourier- tai Walsh-muunnos). Siirtolaser (Transfer laser) (6) tarkoittaa laseria, jossa laseroivat aineslajit viritetään siirtämällä energiaa ei-laseroivan atomin tai molekyylin ja laseroivan atomin tai molekyylin aineslajien yhteentörmäyksellä. Sisäpinnanvuoraus (Interior lining) (9) tarkoittaa kiinteän polttoaineen ja rungon tai eristävän vuorauksen välisenä sidoksena käytettävää vuorausta. Tavallisesti se on tulenkestävien tai eristävien materiaalien nestemäiseen polymeeriin, kuten hiilitäytteinen hydroksyylipäätteinen polybutadieeni (HTPB) tai muu polymeeri, perustuva dispersio, johon on lisätty vulkanoivia aineita ja joka suihkutetaan tai levitetään rungon sisäpinnalle. Siviili-ilma-alus (Civil aircraft) (1 3 4 7) tarkoittaa ilma-aluksia, jotka siviili-ilmailuviranomaisten julkaisemien lentokelpoisuuden vahvistavien listojen mukaan on tarkoitettu lentämään kaupallisilla sisäisillä sekä ulkomaan siviililentoreiteillä tai joita saadaan käyttää lainmukaiseen siviili-, yksityis- tai kaupalliseen käyttöön. Huom. Katso myös ilma-alus. Sotilaskäyttöön sovitettu (Adapted for use in war) (1) tarkoittaa mitä tahansa muuntelua tai valintaa (kuten puhtauden, varastointi-iän, myrkyllisyyden, levittämisominaisuuksien tai UV-säteilyn kestävyyden muuttamista), jolla on tarkoitus lisätä tehokkuutta aiheuttaa tappioita ihmisille tai eläimille, turmella laitteita tai vahingoittaa satoa tai ympäristöä. Stabiilisuus (Stability) (7) tarkoittaa tietyn parametrin variaation (1 sigman) standardipoikkeamaa kalibroidusta arvosta vakiolämpötilaolosuhteissa mitattuna. Se voidaan esittää ajan funktiona. Substraatti (Substrate) (3) tarkoittaa pohjamateriaalin ohutta levyä, jossa on tai ei ole kytkentäkuviota ja jonka päälle tai sisään voidaan sijoittaa erilliskomponentteja tai integroituja piirejä tai molempia. Huom. 1: Erilliskomponentti (Discrete component): Erikseen koteloitu piirielementti, jolla on omat ulkoiset kytkentäpisteensä. Huom. 2: Piirielementti (Circuit element): Yksittäinen aktiivinen tai passiivinen elektronisen piirin toiminnallinen osa kuten diodi, transistori, vastus, kondensaattori jne. Substraattiaihio (Substrate blanks) (3 6) tarkoittaa monoliittisia yhdisteitä, joiden mitat sopivat optisten elementtien (kuten optiset peilit tai ikkunat) tuotantoon. Suhteellinen kaistanleveys (Fractional bandwidth) (3 5) tarkoittaa hetkellistä kaistanleveyttä jaettuna keskitaajuudella ja prosenttiosuutena ilmaistuna. Sulaerotus (Melt extraction) (1) tarkoittaa prosessia, jossa nopeasti kiinteytetään ja erotetaan nauhamaisia metalliseostuotteita upottamalla pyörivän jäähdytetyn kappaleen lyhyt segmentti sulaan metalliseoskylpyyn. Huom. Nopea kiinteytys: sulan materiaalin kiinteytys 1000 K/s ylittävillä jäähdytysnopeuksilla. Sulakehräys (Melt spinning) (1) tarkoittaa prosessia, jossa nopeasti kiinteytetään sulaa metallivirtaa antamalla sen törmätä pyörivään jäähdytettyyn kappaleeseen, niin että muodostuu hiutalemainen, nauhamainen tai sauvamainen tuote. Huom. Nopea kiinteytys: sulan materiaalin kiinteytys 1000 K/s ylittävillä jäähdytysnopeuksilla. Suoravaikutteinen hydraulipuristus (Direct acting hydraulic pressing) (2) tarkoittaa muovausprosessia, jossa käytetään nesteellä täytettyä joustavaa paljetta suorassa kontaktissa työstettävään kappaleeseen. Superplastinen muovaus (Superplastic forming) (1 2) tarkoittaa muovausprosessia, jossa metalleille, joilla normaalisti huoneen lämpötilassa on alhainen venymä (vähemmän kuin 20 %) tavanomaisessa murtovetolujuuskokeessa, saavutetaan lämpöä käyttämällä prosessin aikana vähintään kaksinkertainen venymä. Superseokset (Superalloys) (2 9) tarkoittavat nikkeli-, koboltti- tai rautapohjaisia seoksia, joiden lujuus yli 922 K (649 °C) asteen lämpötiloissa ja ankarissa ympäristö- ja toimintaolosuhteissa on parempi kuin minkään muun AISI 300-sarjan metalliseosten. Suprajohtava (Superconductive) (1 3 5 6 8) tarkoittaa materiaaleja, esim. metallit, metalliseokset tai yhdisteet, jotka voivat menettää kokonaan sähköisen vastusarvonsa, ts. jotka voivat saavuttaa äärettömän suuren sähköisen johtavuuden ja kuljettaa hyvin suuria sähkövirtoja ilman Joule-lämpenemistä. Huom. Materiaalin suprajohtavalle tilalle on yksilöllisesti tunnusomaista kriittinen lämpötila, kriittinen magneettinen kenttä, joka on lämpötilan funktio, sekä kriittinen virrantiheys, joka on sekä magneettisen kentän että lämpötilan funktio. Suurteholaser (Super High Power Laser) (6) tarkoittaa laseria, joka pystyy lähettämään lähtöenergiaa, joka (kokonaisuutena tai minä tahansa annoksena) ylittää 1 kJ 50:ssä millisekunnissa tai jonka keskimääräinen tai CW-teho ylittää 20 kW. Symmetrinen algoritmi (Symmetric algorithm) (5) tarkoittaa salausalgoritmia, joka käyttää täysin samanlaista avainta sekä salaukseen että salauksen purkuun. Huom. Symmetrisen algoritmin tavanomainen käyttö on avaimen luottamuksellisuus. Systolinen matriisitietokone (Systolic array computer) (4) tarkoittaa tietokonetta, jossa käyttäjä voi ohjata tiedon virtausta ja muuttamista dynaamisesti loogisten porttien tasolla. Säteilynherkkyys (Radiant sensitivity) (6) on Säteilynherkkyys (mA/W) = 0,807 × (aallonpituus nm:einä) × Kvanttihyötysuhde (QE). QE ilmaistaan yleensä prosenttiosuutena; tässä kaavassa QE ilmaistaan kuitenkin desimaalina, joka on vähemmän kuin yksi, esimerkiksi 78 prosenttia on 0,78. Taajuuden vaihtoaika (Frequency switching time) (3 5) tarkoittaa aikaa (so. viivettä), jonka signaali tarvitsee, kun sen alkuperäistä määritettyä lähtötaajuutta vaihdetaan, saavuttaakseen lopullisen määritetyn lähtötaajuuden tai taajuuden, joka on ± 0,05 prosentin sisällä siitä. Tuotteiden, joiden määritetty taajuusalue on vähemmän kuin ± 0,05 prosenttia niiden keskitaajuuden ympärillä, määritellään olevan kykenemättömiä taajuuden vaihtoon. Taajuushyppely (Frequency hopping) (5) tarkoittaa hajaspektriominaisuuden muotoa, jossa yksittäisen tiedonsiirtokanavan lähetystaajuutta vaihdellaan epäjatkuvasti askelittain satunnaisessa tai puolisatunnaisessa järjestyksessä. Taajuussyntetisoija (Frequency synthesiser) (3) tarkoittaa käytetystä tekniikasta riippumatta mitä tahansa taajuuslähdettä, joka tuottaa yhden tai useamman ulostulon kautta useita samanaikaisia tai vuorottelevia lähtötaajuuksia, joita ohjaavat tai jotka on johdettu tai määräytyvät pienemmästä joukosta normi- (tai perus-)taajuuksia. Tarkkuus (Accuracy) (2 6) (mitataan normaalisti epätarkkuutena) tarkoittaa näyttöarvon positiivista tai negatiivista maksimipoikkeamaa hyväksytystä standardi- tai tosiarvosta. Tarvittava (Required) (Ylth 19) viittaa teknologian osalta vain siihen osaan teknologiaa, joka nimenomaisesti aikaansaa valvottuja suorituksen tasoja, ominaisuuksia tai toimintoja tai lisää niitä. Tarvittava teknologia voi olla yhteistä eri tuotteille. Tehollinen gramma, erityisen halkeamiskelpoisen aineen (Effective gramme of special fissile material) (0 1) tarkoittaa Tehonhallinta (Power management) (7) tarkoittaa korkeusmittarin lähettämän signaalin tehon muuttamista siten, että ilma-aluksen korkeudella vastaanotettu teho on aina pienin mahdollinen korkeuden määrittämiseen. Teippi (Tape) (1) on punotuista tai yhdensuuntaisista monofilamenteista, säikeistä, rovingeista, touveista tai langoista jne. muodostuva tavallisesti hartsilla esikyllästetty materiaali. Huom. Säie on suunnilleen samansuuntaisista (tavallisesti useammasta kuin 200) monofilamentista muodostuva kimppu. Teknologia (Technology) (Ylth Ydth Kaikki) tarkoittaa erityistä kirjallista tai muussa muodossa olevaa teknistä tietoa, jota tarvitaan tuotteen kehittämistä, tuotantoa tai käyttöä varten. Tämä tieto on teknisen tiedon tai teknisen avun muodossa. Huom. 1: Tekninen apu voi olla muodoltaan ohjeita, taitoja, opetusta, työnsuoritustietoutta tai konsultointipalveluja ja saattavat sisältää teknisen tiedon siirtoa. Huom. 2: Tekninen tieto voi olla muodoltaan piirustuksia, suunnitelmia, kaavioita, malleja, kaavoja, taulukoita, suunnittelukonstruktioita tai määritelmiä, kirjallisia tai muulle medialle tai laitteille, kuten levylle, nauhalle tai lukumuistiin, talletettuja käsikirjoja ja ohjeita. Tiedon suojaus (Information security) (4 5) tarkoittaa kaikkia menetelmiä ja toimintoja, jotka takaavat tiedon tai tiedonvälityksen saatavuuden, luottamuksellisuuden tai eheyden, poislukien menetelmät tai toiminnot, joilla suojaudutaan virhetoiminnoilta. Siihen kuuluu salaus, salauksen aktivointi, salauksen analyysi, suojautuminen paljastavia vuotoja vastaan ja tietokoneturvallisuus. Huom. Salauksen analyysi: salausjärjestelmän tai sen syötteiden tai tulosteiden analysointi, jonka tarkoituksena on selvittää luottamuksellisia muuttujia tai sensitiivistä tietoa, selväkielinen teksti mukaan lukien. Tieteellinen perustutkimus (Basic scientific research) (Ylth Ydth) tarkoittaa kokeellista tai teoreettista työtä, jota tehdään pääasiassa uuden tiedon saamiseksi ilmiöiden tai havaittavien faktojen perusperiaatteista, ja joilla ei ensisijaisesti pyritä mihinkään tiettyyn käytännön päämäärään tai tavoitteeseen. Tietoliikennekanavan ohjain (Communications channel controller) (4) tarkoittaa fyysistä liitäntää, joka ohjaa synkronisen tai asynkronisen digitaalisen tiedon kulkua. Se on kokoonpano, joka voidaan asentaa tietokone- tai tietoliikennelaitteisiin tietoliikenneyhteyden luomiseksi. Toistuvuus (Repeatability) (7) tarkoittaa saman muuttujan samoissa toimintaolosuhteissa suoritettujen toistettujen mittausten läheisyyttä toisiinsa, kun mittausten välissä tapahtuu muutoksia olosuhteissa tai muissa kuin toimintajaksoissa (viite: IEEE-standardi 528-2001 (yhden sigman standardipoikkeama)). Toksiinialayksikkö (Sub-unit toxin) (1) tarkoittaa kokonaisen toksiinin rakenteellisesti ja toiminnallisesti erillistä osaa. Toksiinit (Toxins) (1 2) tarkoittavat valmistustavasta riippumatta tarkoituksellisesti eristettyjen preparaattien tai seosten muodossa olevia myrkyllisiä aineita, lukuun ottamatta toksiineja, joita on saasteina muissa materiaaleissa, kuten patologisissa näytteissä, viljassa, ruokatavaroissa tai mikro-organismien kylvöksissä. Tosiaikainen kaistanleveys (Real-time bandwidth) (3) signaalianalysaattoreille on laajin taajuusalue, jolta analysaattori voi jatkuvasti muuntaa aika-aluetietoja kokonaan taajuusaluetuloksiksi käyttäen Fourier- tai muuta erillistä aikamuunninta, joka prosessoi jokaisen sisääntulevan aikakohdan ilman taukoja tai ikkunointivaikutuksia, mikä aiheuttaa mitatun amplitudin alenemisen yli 3 dB alle tosiasiallisen signaaliamplitudin, kun muunnettuja tietoja tuotetaan tai näytetään. Tosiaikainen käsittely (Real time processing) (2 6 7) tarkoittaa tietokonejärjestelmän tiedonkäsittelykykyä, joka käytettävissä olevin resurssein ja järjestelmän kuormituksesta riippumatta turvaa tarvittavan palvelutason taatun vasteajan sisällä, kun ulkoinen tapahtuma käynnistää palvelun. Touvi (Tow) (1) on tavallisesti suunnilleen samansuuntaisten monofilamenttien kimppu. Tunkeutumisohjelmisto (Intrusion software) tarkoittaa tietokoneen tai verkkolaitteen ohjelmistoa, joka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu sellaiseksi, että se jää valvontatyökaluilta havaitsematta, tai joka estää suojaavat vastatoimet ja joka tekee jotakin seuraavista: Tunkeutumisohjelmistoon eivät sisälly mitkään seuraavista: Verkkolaitteisiin sisältyvät mobiililaitteet ja älymittarit. Valvontatyökalut: ohjelmisto tai laite, joka seuraa järjestelmän käyttäytymistä ja laitteessa käynnissä olevia prosesseja. Tähän sisältyvät viruksentorjuntatuotteet, päätepisteturvallisuuteen liittyvät, PSP-tuotteet (Personal Security Products), tietomurtohälyttimet (IDS), IPS-järjestelmät (Intrusion Prevention Systems) tai palomuurit. Suojaavat vastatoimet: tekniikat, joilla pyritään varmistamaan koodin turvallinen suorittaminen, kuten DEP-suojaus (Data Execution Prevention), ASLR-suojaus (Address Space Layout Randomisation) tai sandbox-tekniikka. Tuotanto (Production) (Ylth Ydth Kaikki) tarkoittaa kaikkia tuotantovaiheita, kuten rakentaminen, tuotanto, suunnittelu, valmistus, integrointi, kokoonpano, asennus, tarkastus, testaus, laadunvalvonta. Tuotantolaitteet (Production equipment) (1 7 9) tarkoittavat kehitystä tai yhtä tai useampaa tuotannon vaihetta varten erikoisesti suunniteltuja tai muunnettuja työkaluja, mallineita, asettimia, tuurnia, muotteja, suulakkeita, kiinnittimiä, suuntausmekanismeja, testilaitteita sekä muita koneita ja niiden osia. Tuotantoympäristö (Production facilities) (7 9) tarkoittaa tuotantolaitteita ja niitä varten erityisesti suunniteltuja ohjelmistoja, jotka on yhdistetty kokonaisuudeksi kehitystä tai yhtä tai useampaa tuotannon vaihetta varten. Tutkan hajaspektri (Radar spread spectrum) (6) tarkoittaa kaikkia modulointitekniikoita, jotka hajauttavat suhteellisen kapean taajuuskaistan signaalien energian laajemman taajuuskaistan yli käyttäen satunnaista tai puolisatunnaista koodausta. Tutkan taajuushyppely (Radar frequency agility) (6) tarkoittaa kaikkia tekniikoita, jotka vaihtavat puolisatunnaisessa järjestyksessä pulssitutkan lähettimen kantoaaltotaajuutta pulssien välillä tai pulssiryhmien välillä enemmän, kuin on pulssin kaistanleveys. Tyhjöatomisointi (Vacuum atomization) (1) tarkoittaa prosessia, jossa sulasta metallivirrasta aikaansaadaan tyhjössä nopeasti kehittyvän kaasun avulla halkaisijaltaan enintään 500 mikrometrin pisaroita. UF6-korroosiota kestävät aineet (Materials resistant to corrosion by UF6) (0) sisältäen kuparin, kupariseoksen, ruostumattoman teräksen, alumiinin, alumiinioksidin, alumiiniseokset, nikkelin tai seoksen, joka sisältää vähintään 60 painoprosenttia nikkeliä, sekä fluoratut hiilivetypolymeerit. Valtiot, jotka ovat (eivät ole) kemiallisten aseiden kieltosopimuksen sopimuspuolia (States (not) Party to the Chemical Weapon Convention) (1) ovat valtioita, joiden osalta kemiallisten aseiden kehittämisen, tuotannon, varastoinnin ja käytön kieltämistä koskeva yleissopimus on (ei ole) tullut voimaan. (Ks. www.opcw.org) Verkkoliityntäohjain (Network access controller) (4) tarkoittaa fyysistä liitäntää hajautettuun tietoliikenneverkkoon. Se käyttää yhteistä siirtotietä, joka toimii kauttaaltaan samalla digitaalisella siirtonopeudella ja jakaa päätteille siirtovuoroja (esim. vuoromerkkien tai kuulostelun avulla). Muista riippumatta se valitsee tietopaketit tai tietoryhmät (esim. IEEE 802), jotka sille on osoitettu. Se on kokoonpano, joka voi olla liitettynä tietokone- tai tietoliikennelaitteeseen viestintäyhteyden luomiseksi. Viritettävä (Tunable) (6) tarkoittaa laserin kykyä tuottaa jatkuvaa lähtötehoa kaikilla aallonpituuksilla usean lasertransition alueella. Viivalaser tuottaa diskreettejä aallonpituuksia yhdellä lasertransitiolla eikä sitä katsota viritettäväksi. Ydinreaktori (Nuclear reactor) (0) tarkoittaa täydellistä reaktoria, joka voi ylläpitää säädettävää jatkuvaa ytimien halkeamisketjureaktiota. Ydinreaktori käsittää kaikki laitteet, jotka ovat reaktoriastian sisällä tai jotka on liitetty suoraan siihen, laitteet, jotka kontrolloivat sydämen tehotasoa, sekä komponentit, jotka normaalisti sisältävät reaktorin sydämen primäärijäähdytettä tai joutuvat suoraan kosketukseen sen kanssa tai ohjaavat sen kulkua. Yhdistelmäpyöröpöytä (Compound rotary table) (2) tarkoittaa pöytää, jolla työkappaletta voidaan pyörittää tai kallistaa kahden ei yhdensuuntaisen akselin suhteen, ja joita voidaan ohjata samanaikaisesti ääriviivaohjausta varten. Yksispektriset kuvannusanturit (Monospectral imaging sensors) (6) ovat kykeneviä hankkimaan kuvatietoa yhdestä erillisestä spektrikaistasta. Ääriviivaohjaus (Contouring control) (2) tarkoittaa kahden tai useamman liikkeen numeerista ohjausta käskyillä, jotka määrittävät seuraavan vaadittavan aseman sekä tarvittavat syöttönopeudet tähän asemaan siirtymiseksi. Syöttönopeuksia vaihdellaan toistensa suhteen halutun ääriviivan aikaansaamiseksi (viite: ISO/DIS 2806 1980).

TÄSSÄ LIITTEESSÄ KÄYTETTYJEN TERMIEN MÄÄRITELMÄT

a.

Vastaanottaa tietoa;

b.

Tallettaa tietoa tai käskyjä kiinteille tai muutettaville (kirjoitus-) muistilaitteille;

c.

Käsitellä tietoa tallennetun käskyjonon avulla, joka on muokattavissa; ja

d.

Tulostaa tietoa.

a.

Sallii määrittelemättömän määrän yksittäisiä tai yhteenliitettyjä tietolaitteita kommunikoida suoraan toistensa kanssa; ja

b.

Rajoittuu sellaisten laitteiden väliseen viestintään, jotka ovat tietyn ihmisen tai laiteohjaimen välittömässä läheisyydessä (kuten yksittäinen huone, toimisto tai ajoneuvo ja niitä ympäröivät lähitilat).

TÄSSÄ LIITTEESSÄ KÄYTETTYJEN TERMIEN MÄÄRITELMÄT Tekn. huom.

a.

Sisältää vähintään yhden koteloimattoman komponentin;

b.

Kytkennät on suoritettu tyypillisiä integroitujen piirien tuotantomenetelmiä käyttäen;

c.

On vaihdettavissa yhtenä kokonaisuutena; ja

d.

Ei yleensä ole purettavissa osiinsa.

a.

Jatkuvat monofilamentit;

b.

Jatkuvat langat ja rovingit;

c.

Teipit, kudokset, matot ja punokset;

d.

Katkeet, tapulikuidut ja yhtenäiset kuituhuovat;

e.

Erilliskuitukiteet (whiskersit), yksi- tai monikiteisinä ja kaiken pituisina;

f.

Aromaattisen polyamidimassan.

a.

Langoitusta tai kytkentöjä muuttamalla; tai

b.

Toimintonäppäimistä asettelemalla, parametrien syöttö mukaan lukien.

TÄSSÄ LIITTEESSÄ KÄYTETTYJEN TERMIEN MÄÄRITELMÄT Tekn. huom. Tekn. huom.

a.

On muodostettu diffuusio-, istutus- tai pinnoitusprosesseilla yhden puolijohdepalan (ns. lastun) pintaan tai pinnalle;

b.

Voidaan katsoa erottamattomasti yhteen liitetyksi; ja

c.

Suorittaa piirin tietyn toiminnon (tai toimintoja).

a.

Yhtä jatkuvaa optisesti heijastavaa pinnanmuotoa voidaan dynaamisesti muotoilla yksittäisillä momenteilla tai voimilla kompensoimaan peilin kohtaavan optisen aaltomuodon vääristymiä; tai

b.

Useita optisesti heijastavia elementtejä voidaan yksittäin ja dynaamisesti, momentteja tai voimia käyttäen uudelleenasetella kompensoimaan peilin kohtaavan optisen aaltomuodon vääristymiä.

a.

Sallii määrittelemättömän määrän yksittäisiä tietolaitteita kommunikoida suoraan toistensa kanssa; ja

b.

Rajoittuu maantieteellisesti kohtuullisen kokoiselle alueelle (kuten toimistorakennus, tehdas, korkeakoulu, varasto).

a.

yhteinen laitteisto- ja ohjelmistoarkkitehtuuri;

b.

yhteinen rakenneperiaate ja prosessiteknologia; sekä

c.

yhteiset perusominaisuudet.

a.

On monitoiminen;

b.

Pystyy muuttuvin liikkein asemoimaan tai suuntaamaan materiaaleja, osia, työkaluja tai erikoislaitteita kolmessa ulottuvuudessa;

c.

Sisältää kolme tai useampia suljetun tai avoimen piirin servolaitteita, jotka voivat sisältää askelmoottoreita; ja

d.

On käyttäjän ohjelmoitavissa opetusajo-/toistomenetelmällä tai tietokoneella, joka voi olla ohjelmoitava logiikkaohjain, ts. ilman mekaanista väliintuloa.

1. Manipulaatiomekanismit, jotka ovat ohjattavissa vain manuaalisesti tai kaukokäyttölaitteella;

2. Kiinteän sekvenssin manipulaatiomekanismit, jotka ovat automaattisesti liikkuvia laitteita ja toimivat mekaanisesti kiinteästi ohjelmoiduilla liikkeillä. Ohjelma on mekaanisesti rajoitettu kiinteillä pysäyttimillä, kuten tapeilla tai toimikäyrillä. Liikkeiden sarja ja liikeradat tai liikekulmat eivät ole muuttuvia tai muutettavissa mekaanisin, elektronisin tai sähköisin keinoin;

3. Mekaanisesti ohjatut muuttuvan sekvenssin manipulaatiomekanismit, jotka ovat automaattisesti liikkuvia laitteita ja noudattavat kiinteitä mekaanisesti ohjelmoituja ratoja. Ohjelma on mekaanisesti rajoitettu kiinteillä, mutta aseteltavilla pysäyttimillä, kuten tapeilla tai toimikäyrillä. Liikkeiden sarja ja liikeratojen tai liikekulmien valinta on muuteltavissa kiinteän ohjelmamallin rajoissa. Yhden tai useamman akselin ohjelman muutokset (esim. tapeilla tai toimikäyrillä) ovat suoritettavissa vain mekaanisilla operaatioilla;

4. Muut kuin servo-ohjatut muuttuvan sekvenssin manipulaatiomekanismit, jotka ovat automaattisesti liikkuvia laitteita ja toimivat mekaanisesti kiinteiden ohjelmaliikkeiden mukaisesti. Ohjelma on muunneltavissa, mutta liikejakso etenee vain mekaanisesti kiinnitettyjen sähköisten binaarilaitteiden tai aseteltavien pysäyttimien antamien binaarisignaalien mukaan;

5. Pinoamislaitteet, joita kutsutaan karteesi-manipulaatiojärjestelmiksi ja jotka on valmistettu korkeavaraston kiinteiksi osiksi ja joiden avulla lokeroiden sisältöä käsitellään (lisätään tai poistetaan).

TÄSSÄ LIITTEESSÄ KÄYTETTYJEN TERMIEN MÄÄRITELMÄT Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom.

a.

Plutoniumin isotoopeilla ja uraani-233:lla isotoopin painoa grammoina;

b.

Uraanilla, joka on rikastettu yhteen prosenttiin tai enemmän isotoopilla U-235, alkuaineen painoa grammoina kerrottuna sen desimaalisina paino-osina ilmaistun rikastusmäärän neliöllä;

c.

Uraanilla, joka on rikastettu alle yhteen prosenttiin isotoopilla U-235, alkuaineen painoa grammoina kerrottuna luvulla 0,0001;

a.

Poimii tietokoneelta tai verkkolaitteesta dataa tai tietoja tai muuttaa järjestelmä- tai käyttäjätietoja; tai

b.

Muuttaa ohjelman tai prosessin tavanomaista suorituspolkua ulkopuolelta tulevien ohjeiden noudattamiseksi.

TÄSSÄ LIITTEESSÄ KÄYTETTYJEN TERMIEN MÄÄRITELMÄT Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Huom. 1.

a.

Hypervisor-ohjelmat, ohjelmankorjausohjelmat tai ohjelmien takaisinmallinnus (SRE);

b.

Digitaalisten oikeuksien hallintaan tarkoitetut DRM-ohjelmistot; tai

c.

Ohjelmistot, jotka on tarkoitettu valmistajien, hallinnoijien tai käyttäjien asennettaviksi omaisuuden seurannan tai takaisinsaamisen varmistamiseksi

RYHMÄ 0 YDINAINEET, LAITTEISTOT JA LAITTEET

0A Järjestelmät, laitteet ja komponentit 0A001 Ydinreaktorit ja niitä varten erityisesti suunnitellut ja valmistetut komponentit seuraavasti:

0A a.

Ydinreaktorit;

b.

Sellaiset metalliset astiat tai niiden merkittävät rakenne-elementit, mukaan lukien reaktoripaineastian kansi, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu sisältämään ydinreaktorin sydän;

c.

Käsittelylaitteet, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu polttoaineen viemiseksi ydinreaktoriin tai polttoaineen poistamiseksi sieltä;

d.

Säätösauvat, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu halkeamisprosessin säätämiseksi ydinreaktorissa, sauvojen tuki- ja ripustusrakenteet, säätösauvojen käyttökoneistot ja ohjausputket;

e.

Paineputket, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu sisältämään ydinreaktorin polttoaine-elementtejä ja primäärijäähdytettä;

f.

Putket tai putkisarjat, jotka on valmistettu zirkoniummetallista tai -seoksesta ja jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu käytettäväksi polttoaineen suojakuorena ydinreaktorissa yli 10 kg:n määrinä; Huom. Zirkoniumpaineputket, ks. 0A001.e, ja kuumennuskammion putket, ks. 0A001.h.

g.

Jäähdytepumput, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu ydinreaktorin primäärijäähdytteen kierrättämiseksi;

h. Tekn. huom.

Ydinreaktorin sisäosat, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu käytettäviksi ydinreaktorissa, mukaan lukien sydämen tukirakenteet, polttoainekanavat, kuumennuskammion putket, termiset suojat, verholevyt, sydänritilät ja diffuuserilevyt; 0A001.h kohdassa ydinreaktorin sisäosat tarkoittaa mitä tahansa reaktoriastiassa olevaa merkittävää rakennetta, jolla on yksi tai useampi seuraavanlaisista tehtävistä: sydämen tukeminen, polttoaineen paikallaan pitäminen, primäärijäähdytteen virtauksen ohjaus, toimiminen reaktoriastian säteilysuojana ja sydämessä olevien instrumentointilaitteiden ohjaaminen.

i.

Lämmönvaihtimet seuraavasti: Huom. 0A001.i kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi lämmönvaihtimia reaktorin tukijärjestelmiä varten, esim. hätäjäähdytysjärjestelmää tai jälkilämmön jäähdytysjärjestelmää.

1. Höyrystimet, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu ydinreaktorin primääri- tai välijäähdytyspiiriä varten;

2. Muut lämmönvaihtimet, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu käytettäviksi ydinreaktorin primäärijäähdytyspiirissä;

j.

Neutroninilmaisimet, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu ydinreaktorin sydämessä vallitsevan neutronivuon määrittämiseen.

k. Tekn. huom.

Ulkoiset termiset suojat, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu käytettäväksi ydinreaktorissa lämpöhäviön vähentämiseksi ja myös reaktorin suojarakennuksen suojaamiseksi. 0A001.k kohdassa ulkoiset termiset suojat tarkoittavat reaktoriastian päälle sijoitettuja suuria rakenteita, jotka vähentävät lämpöhäviötä reaktorista ja alentavat lämpötilaa reaktorin suojarakennuksessa.

0B Tekn. huom.

Testaus-, tarkastus- ja tuotantolaitteet 0B001 Laitokset luonnonuraanin, köyhdytetyn uraanin ja erityisten halkeamiskelpoisten aineiden isotooppien erotusta varten ja niitä varten erityisesti suunnitellut tai valmistetut laitteet ja komponentit seuraavasti: 0B002 Kohdassa 0B001 määriteltyjä isotooppierotuslaitoksia varten erityisesti suunnitellut tai valmistetut, UF6-korroosiota kestävistä aineista tehdyt tai niillä suojatut apujärjestelmät, laitteet ja komponentit seuraavasti: 0B003 Uraanin konversiolaitos ja erityisesti sitä varten suunnitellut tai valmistetut laitteet seuraavasti: 0B004 Raskaan veden, deuteriumin ja deuteriumyhdisteen tuotanto- tai konsentrointilaitos ja sitä varten erityisesti suunnitellut tai valmistetut laitteet ja komponentit seuraavasti: 0B005 Ydinreaktorin polttoaine-elementtien valmistukseen erityisesti suunniteltu laitos ja sitä varten erityisesti suunnitellut tai valmistetut laitteet. Ydinreaktorin polttoaine-elementtien valmistukseen erityisesti suunniteltu laitos sisältää laitteet, jotka: 0B006 Ydinreaktorin säteilytettyjen polttoaine-elementtien jälleenkäsittelylaitos ja sitä varten erityisesti suunnitellut tai valmistetut laitteet ja komponentit. Huom. 0B006 kohtaan kuuluvat: 0B007 Plutoniumin konversiolaitos ja sitä varten erityisesti suunnitellut tai valmistetut laitteet seuraavasti:

0B a.

Laitokset, jotka on erityisesti suunniteltu luonnonuraanin, köyhdytetyn uraanin ja erityisten halkeamiskelpoisten aineiden isotooppien erotusta varten, seuraavasti:

1. Kaasusentrifugierotuslaitos

2. Kaasudiffuusioerotuslaitos

3. Aerodynaaminen erotuslaitos

4. Kemialliseen vaihtoon perustuva erotuslaitos

5. Ionivaihtoon perustuva erotuslaitos

6. Atomihöyryn laserviritykseen perustuva isotooppierotuslaitos (AVLIS)

7. Molekyylien laserviritykseen perustuva isotooppierotuslaitos (MLIS)

8. Plasmaerotuslaitos

9. Sähkömagneettinen erotuslaitos

b. Tekn. huom.

Kaasusentrifugit sekä rakenteet ja komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu käytettäviksi kaasusentrifugierotusprosessissa, seuraavasti: 0B001.b kohdassa korkean lujuus/tiheys-suhteen aineella tarkoitetaan jotakin seuraavista:

1. Maraging-teräs, jonka murtovetolujuus on 1,95 GPa tai suurempi;

2. Alumiiniseokset, joiden murtovetolujuus on 0,46 GPa tai suurempi; tai

3. Kuitu- tai säiemateriaalit, joiden ominaiskimmomoduuli on suurempi kuin 3,18 × 106 m ja ominaisvetolujuus suurempi kuin 7,62 × 104 m

1. Kaasusentrifugit;

2. Täydelliset roottorikokoonpanot;

3. Roottoriputkisylinterit, joiden seinien paksuus on 12 mm tai pienempi ja halkaisija 75 mm:n ja 650 mm:n välillä ja jotka on valmistettu korkean lujuus/tiheys-suhteen aineista;

4. Renkaat tai palkeet, joiden seinämän paksuus on 3 mm tai pienempi sekä halkaisija 75 mm:n ja 400 mm:n välillä ja jotka on suunniteltu tukemaan paikallisesti roottoriputkea tai liittämään useita putkia yhteen ja jotka on valmistettu korkean lujuus/tiheys-suhteen aineista;

5. Halkaisijaltaan 75 mm:n ja 650 mm:n välillä olevat ohjauslevyt, jotka on tarkoitettu asennettavaksi roottoriputken sisään ja jotka on valmistettu korkean lujuus/tiheys-suhteen aineista;

6. Halkaisijaltaan 75 mm:n ja 650 mm:n välillä olevat roottoriputken ylä- tai alalaipat, jotka on valmistettu korkean lujuus/tiheys-suhteen aineista;

7. Magneettiset ripustuslaakerit seuraavasti:

7. a.

Laakerikokoonpanot, jotka koostuvat UF6-korroosiota kestävistä aineista valmistettuun tai sellaisella suojattuun koteloon ripustetusta rengasmaisesta magneetista ja jotka sisältävät vaimentavan väliaineen ja joissa magneetti kytkeytyy napakappaleeseen tai toiseen roottorin yläkanteen kiinnitettyyn magneettiin;

b.

Aktiiviset magneettiset laakerit, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu käytettäviksi kaasusentrifugeissa.

8. Erityisvalmisteiset laakerit, jotka koostuvat vaimentimelle asennetusta laakeritappi-kuppi-kokoonpanosta;

9. 0B001 b. Sylintereistä koostuvat molekylaariset pumput, joissa on sisäisesti koneistettuja tai puristettuja kierrerihlauksia ja sisäisesti koneistettuja porausreikiä;

10. Monivaiheisten vaihtovirralla toimivien hystereesi- (tai reluktanssi-) moottorien renkaan muotoiset moottoristaattorit tahtikäyttöön tyhjössä taajuusalueella 600 Hz tai enemmän ja tehoalueella 40 VA tai enemmän;

11. Kaasusentrifugin roottoriputkikokoonpanon sentrifugikotelo, joka koostuu jäykästä sylinteristä, jonka seinämän paksuus on enintään 30 mm ja jonka tarkkuuskoneistetut päädyt ovat keskenään samansuuntaiset ja kohtisuorassa sylinterin pituusakseliin nähden enintään 0,05 asteen kulmassa;

12. Kauhakerääjät, jotka koostuvat erityisesti suunnitelluista tai valmistetuista putkista UF6-kaasun poistamiseksi sentrifugiroottoriputken sisältä Pitot’n putken toimintaperiaatteella ja jotka voidaan kiinnittää kaasunpoiston keskusjärjestelmään;

13. Taajuusmuuntimet (konvertterit tai invertterit), jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu syöttämään kaasusentrifugirikastukseen tarkoitettuja moottorin staattoreita ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet, ja tällaisia muuntimia varten erityisesti suunnitellut komponentit:

13. a.

Monivaiheinen ulostulo 600 Hz tai suurempi; ja

b.

Erittäin stabiili (taajuuden hallinta parempi kuin 0,2 %),

14. Sulku- ja säätöventtiilit seuraavasti:

14. a.

Sulkuventtiilit, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu toimimaan yksittäisen kaasusentrifugin UF6-kaasun syötteestä, tuotteesta tai jätteestä;

b.

Paljetiivisteillä varustetut sulku- tai säätöventtiilit, jotka on valmistettu UF6-korroosiota kestävistä aineista tai suojattu niillä ja joiden sisähalkaisija on 10 mm:stä 160 mm:iin ja jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu käytettäväksi kaasusentrifugirikastuslaitosten pää- tai apujärjestelmissä;

c.

Laitteet ja komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu kaasudiffuusioerotusprosessia varten, seuraavasti:

1. Huokoisista metallisista, polymeerisista tai keraamisista UF6-korroosiota kestävistä aineista valmistetut kaasudiffuusiosulut, joiden huokosten koko on 10 nm:n ja 100 nm:n välillä ja paksuus 5 mm tai vähemmän sekä putkimaisten muotojen halkaisija 25 mm tai pienempi;

2. Kaasudiffuusioyksikön kotelot, jotka on valmistettu UF6-korroosiota kestävistä aineista tai suojattu niillä;

3. Kompressorit tai kaasupuhaltimet, joiden UF6-imuteho on 1 m3/min tai suurempi, poistopaine enintään 500 kPa ja painesuhde 10:1 tai pienempi ja jotka on tehty UF6-korroosiota kestävistä aineista tai suojattu niillä;

4. Pyörivien akselien tiivisteet kompressoreihin ja puhaltimiin, jotka on määritelty 0B001.c.3 kohdassa ja suunniteltu salpakaasun sisäänvuotonopeudelle, joka on pienempi kuin 1000 cm3/min;

5. Lämmönvaihtimet, jotka on valmistettu UF6-korroosiota kestävistä aineista tai suojattu niillä ja jotka on suunniteltu toimimaan vuotonopeudella, joka on pienempi kuin 10 Pa tunnissa 100 kPa:n paine-eron vallitessa;

6. Paljetiivisteillä varustetut manuaaliset tai automaattiset sulku- tai säätöventtiilit, jotka on valmistettu UF6 -korroosiota kestävistä aineista tai suojattu niillä;

d.

Laitteet ja komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu aerodynaamista erotusprosessia varten, seuraavasti:

1. Raonmuotoisista kaarevista kanavista tehdyt erotussuuttimet, joiden kaarevuussäde on pienempi kuin 1 mm ja jotka ovat UF6-korroosiokestoisia sekä joissa on veitsenterä, joka erottaa suuttimen läpi virtaavan kaasun kahdeksi virraksi;

2. 0B001 d. Sylinterimäiset tai kartiomaiset putket (pyörreputket), jotka on valmistettu UF6 -korroosiota kestävistä aineista tai suojattu niillä ja joilla on yksi tai useampi tangentiaalinen sisäänmenoaukko;

3. Kompressorit tai kaasupuhaltimet, jotka on valmistettu UF6-korroosiota kestävistä aineista tai suojattu niillä, ja pyörivien akselien tiivisteet niihin;

4. UF6-korroosiota kestävistä aineista valmistetut tai niillä suojatut lämmönvaihtimet;

5. UF6-korroosiota kestävistä aineista valmistetut tai niillä suojatut erotuselementtien kotelot pyörreputkia tai erotussuuttimia varten;

6. Paljetiivisteillä varustetut manuaaliset tai automaattiset sulku- tai säätöventtiilit, jotka on valmistettu UF6 -korroosiota kestävistä aineista tai suojattu niillä ja joiden halkaisija on 40 mm tai enemmän;

7. Prosessijärjestelmät UF6-kaasun erottamiseksi kantokaasusta (vety tai helium) 1 ppm:n tai alhaisempaan UF6-pitoisuuteen, mukaan lukien:

7. a.

Kryogeeniset lämmönvaihtimet ja kryoerottimet, jotka kykenevät toimimaan 153 K (– 120 °C) asteen tai sitä alhaisemmissa lämpötiloissa;

b.

Kryogeeniset jäähdytinyksiköt, jotka kykenevät toimimaan 153 K (– 120 °C) asteen tai sitä alhaisemmissa lämpötiloissa;

c.

Erotussuutin- tai pyörreputkiyksiköt UF6-kaasun erottamiseksi kantokaasusta;

d.

UF6 -kylmäloukut, jotka pystyvät jäädyttämään UF6 -kaasun;

e.

Laitteet ja komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu kemialliseen vaihtoon perustuvaa erotusprosessia varten, seuraavasti:

1. Nopeavaihtoiset neste-neste-pulssikolonnit, joiden saosaika vaihetta kohti on 30 sekuntia tai lyhyempi ja jotka kestävät vahvaa suolahappoa (esim. sopivista muoviaineista kuten fluoratuista hiilivetypolymeereistä tai lasista valmistetut tai niillä vuoratut);

2. Nopeavaihtoiset neste-neste-keskipakokontaktorit, joiden saosaika vaihetta kohti on 30 sekuntia tai lyhyempi ja jotka kestävät vahvaa suolahappoa (esim. sopivista muoviaineista kuten fluoratuista hiilivetypolymeereistä tai lasista valmistetut tai niillä vuoratut);

3. Vahvoja suolahappoliuoksia kestävät sähkökemialliset pelkistyskennot, jotka soveltuvat yhden valenssitilan uraanin pelkistämiseen toiseen valenssitilaan;

4. Sähkökemialliset pelkistyskennojen syöttölaitteet U+4-ionien erottamiseksi orgaanisesta virrasta ja ne prosessivirran kanssa kosketuksissa olevat laitteet, jotka on valmistettu sopivista aineista (esim. lasi, fluorihiilipolymeerit, polyfenyylisulfaatti, polyeetterisulfoni ja hartsikyllästetty grafiitti) tai suojattu niillä;

5. Hyvin puhdistetun uraanikloridiliuoksen tuottamiseen tarkoitetut syötön valmistelujärjestelmät, jotka koostuvat puhdistukseen tarkoitetuista liuotus-, uutin- ja/tai ioninvaihtolaitteista sekä U+6- tai U+4-uraanin pelkistämiseen U+3-uraaniksi soveltuvista elektrolyyttisistä kennoista;

6. Uraanin hapettamisjärjestelmät U+3-uraanin hapettamiseksi U+4-uraaniksi;

f.

Laitteet ja komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu ionivaihtoon perustuvaa erotusprosessia varten, seuraavasti:

1. Nopeasti reagoivat ioninvaihtohartsit, kalvomaiset tai huokoiset makroverkkomaiset hartsit, joissa aktiiviset kemialliset vaihtoryhmät on rajoitettu ei-aktiivisen huokoisen tukirakenteen pinnoitteeksi, ja muut komposiittirakenteet missä tahansa sopivassa muodossa, mukaan lukien partikkelit ja kuidut, joiden halkaisija on 0,2 mm tai pienempi ja suunniteltu vaihtopuoliintumisaika on alle 10 sekuntia ja jotka kestävät vahvaa suolahappoa ja kykenevät toimimaan 373 K–473 K (100 °C–200 °C) asteen lämpötila-alueella;

2. 0B001 f. (Sylinterinmuotoiset) ioninvaihtokolonnit, joiden halkaisija on suurempi kuin 1000 mm ja jotka on valmistettu vahvaa suolahappoa kestävistä aineista (esim. titaani tai fluorihiilimuovit) tai suojattu niillä ja jotka kykenevät toimimaan 373 K–473 K (100 °C–200 °C) asteen lämpötila-alueella ja yli 0,7 MPa:n paineessa;

3. Ioninvaihtotakaisinvirtausjärjestelmät (kemialliset tai sähkökemialliset hapetus- tai pelkistysjärjestelmät) kemiallisten pelkistys- tai hapetusaineiden talteenottamiseksi ioninvaihtoon perustuvissa rikastuskaskadeissa;

g.

Laitteet ja komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu atomihöyryyn perustuvia menetelmiä varten, seuraavasti:

1. Uraanimetallin höyrystämisjärjestelmät, jotka on suunniteltu tuottamaan 1 kW:n tai suurempi teho kohteessa laserrikastuksessa käyttöä varten;

2. Sulan tai höyrystyneen uraanimetallin käsittelyjärjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu käsittelemään sulaa uraania, sulia uraaniseoksia tai uraanimetallihöyryä laserrikastuksessa käyttöä varten, ja erityisesti niitä varten suunnitellut komponentit; Huom. KATSO MYÖS 2A225 KOHTA.

3. Nestemäisessä tai kiinteässä muodossa olevan uraanimetallin tuote- ja jätekerääjäkokoonpanot, jotka on valmistettu uraanimetallihöyryn tai nestemäisen uraanin korroosiota ja lämpöä kestävistä aineista, kuten yttriumoksidilla pinnoitetusta grafiitista tai tantaalista, tai suojattu niillä.

4. Erotusyksikön kotelot (sylinterinmuotoiset tai suorakulmaiset astiat), joihin voidaan sijoittaa uraanimetallin höyrystin, elektronisuihkutykki ja tuote- ja jätekerääjät;

5. Uraani-isotooppien erottamiseen erityisesti suunnitellut ja valmistetut laserit tai laserjärjestelmät, joissa oleva taajuusspektrin stabilointi mahdollistaa pitkäaikaisen käytön; Huom. KATSO MYÖS 6A005 JA 6A205 KOHTA.

h.

Laitteet ja komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu molekyyleihin perustuvia menetelmiä tai laserjärjestelmiä varten, seuraavasti:

1. Ääntä nopeammilla virtauksilla toimivat paisuntasuuttimet, joilla voidaan jäähdyttää UF6:n ja kantokaasun seokset 150 K (- 123 °C) asteeseen tai sitä alhaisempaan lämpötilaan ja jotka on valmistettu UF6-korroosiota kestävistä aineista;

2. Tuote- tai jätekerääjäkomponentit tai -laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu uraanimateriaalin tai uraanijätemateriaalin keräämistä varten laservalolla valaisun jälkeen ja jotka on valmistettu UF6-korroosiota kestävistä aineista;

3. Kompressorit, jotka on valmistettu UF6-korroosiota kestävistä aineista tai suojattu niillä, ja niihin soveltuvat pyörimisakselien tiivisteet;

4. Laitteet UF5:n (kiinteä aine) fluoraamiseksi UF6:ksi (kaasu);

5. Prosessijärjestelmät UF6:n erottamiseksi kantokaasusta (esim. typestä, argonista tai muusta kaasusta) mukaan lukien:

5. a.

Kryogeeniset lämmönvaihtimet ja kryoerottimet, jotka kykenevät toimimaan 153 K (– 120 °C) asteen tai sitä alhaisemmissa lämpötiloissa;

b.

Kryogeeniset jäähdytinyksiköt, jotka kykenevät toimimaan 153 K (– 120 °C) asteen tai sitä alhaisemmissa lämpötiloissa;

c.

UF6 -kylmäloukut, jotka pystyvät jäädyttämään UF6 -kaasun;

6. Uraani-isotooppien erottamiseen erityisesti suunnitellut ja valmistetut laserit tai laserjärjestelmät, joissa oleva taajuusspektrin stabilointi mahdollistaa pitkäaikaisen käytön; Huom. KATSO MYÖS 6A005 JA 6A205 KOHTA.

i.

0B001 Plasmaerotusmenetelmää varten erityisesti suunnitellut tai valmistetut laitteet ja komponentit seuraavasti:

1. Ionien tuottamiseen tai kiihdyttämiseen soveltuvat mikroaaltoteholähteet ja antennit, joiden lähtötaajuus on enemmän kuin 30 GHz ja keskimääräinen lähtöteho suurempi kuin 50 kW;

2. Radiotaajuusioninvirityskelat, jotka toimivat yli 100 kHz:n taajuuksilla ja kykenevät käsittelemään yli 40 kW:n keskimääräisen tehon;

3. Uraaniplasman synnyttämiseen soveltuvat järjestelmät;

4. Ei käytössä;

5. Kiinteässä muodossa olevan uraanimetallin tuote- ja jätekerääjäkokoonpanot, jotka on valmistettu uraanihöyryn korroosiota ja lämpöä kestävistä aineista, kuten yttriumoksidilla pinnoitetusta grafiitista tai tantaalista, tai suojattu niillä.

6. Erotusyksikön (sylinterimäinen) kotelo, johon voidaan sijoittaa uraaniplasmalähde, radiotaajuinen ajokela ja tuote- ja jätekerääjät ja joka on tehty sopivasta ei-magneettisesta aineesta (esim. ruostumattomasta teräksestä);

j.

Sähkömagneettista isotooppierotusmenetelmää varten erityisesti suunnitellut tai valmistetut laitteet ja komponentit seuraavasti:

1. Joko yhden tai useita ionisuihkuja synnyttävät ionilähteet, jotka koostuvat höyrylähteestä, ionisaattorista ja suihkun kiihdyttimestä, jotka on valmistettu sopivasta ei-magneettisesta aineesta (esim. grafiitista, ruostumattomasta teräksestä tai kuparista) ja jotka kykenevät tuottamaan 50 mA:n tai suuremman kokonaisionivirran;

2. Rikastetun tai köyhdytetyn uraani-ionisuihkun keräyslevyt, jotka koostuvat kahdesta tai useammasta raosta ja keräystaskusta ja jotka on valmistettu sopivista ei-magneettisista aineista (esim. grafiitista tai ruostumattomasta teräksestä);

3. Uraanin sähkömagneettisten erotusyksiköiden tyhjökotelot, jotka on valmistettu ei-magneettisista aineista (esim. ruostumattomasta teräksestä) ja suunniteltu toimimaan 0,1 Pa:n tai sitä alhaisemmissa paineissa;

4. Magneettinapakappaleet, joiden halkaisija on suurempi kuin 2 m;

5. Ionilähteisiin tarvittavat suurjänniteteholähteet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: Huom. KATSO MYÖS 3A227 KOHTA.

5. a.

Kykenevät toimimaan jatkuvasti;

b.

Ulostulojännite 20000 V tai suurempi;

c.

Ulostulovirta 1 A tai suurempi; ja

d.

Jännitteen stabiilisuus parempi kuin 0,01 % kahdeksan tunnin jakson aikana;

6. Magneettien teholähteet (suuritehoiset, tasavirta-), joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: Huom. KATSO MYÖS 3A226 KOHTA.

6. a.

Kykenevät toimimaan jatkuvasti siten, että lähtövirta on 500 A tai suurempi jännitteen ollessa 100 V tai suurempi; ja

b.

Virran tai jännitteen stabiilisuus parempi kuin 0,01 % kahdeksan tunnin jakson aikana.

a.

Autoklaavit, uunit tai järjestelmät, joita käytetään UF6:n syöttämiseen rikastusprosessiin;

b.

Kiinteyttimet (desublimaattorit) tai kylmäloukut, joita käytetään UF6:n poistamiseen rikastusprosessista myöhempää lämmittämällä tapahtuvaa siirtoa varten;

c.

Tuote- ja jäteasemat UF6:n siirtämiseksi säilytysastioihin;

d.

d. Nesteytys- tai kiinteytysasemat, joita käytetään poistamaan UF6 väkevöintiprosessista puristamalla ja jäähdyttämällä UF6 nestemäiseen tai kiinteään olomuotoon;

e.

Putkisto- ja kokoojajärjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu UF6:n käsittelyyn kaasudiffuusio-, sentrifugi- ja aerodynaamisen erotuslaitoksen kaskadissa;

f.

Tyhjiöjärjestelmät ja -pumput seuraavasti:

1. Tyhjöjakoputket, tyhjökokoojat tai tyhjiöpumput, joiden imukyky on 5 m3/min tai suurempi;

2. Tyhjöpumput, jotka on erityisesti suunniteltu käytettäväksi UF6:ta sisältävässä ilmakehässä ja jotka on valmistettu UF6-korroosiota kestävistä aineista tai suojattu niillä; tai

3. Tyhjöjakoputkista, tyhjökokoojista tai tyhjiöpumpuista koostuvat tyhjiöjärjestelmät, jotka on suunniteltu käytettäväksi UF6:ta sisältävässä ilmakehässä;

g.

UF6-massaspektrometrit/ionilähteet, jotka pystyvät ottamaan jatkuvatoimisesti näytteitä UF6-kaasun virrasta ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1. Kykenevät mittaamaan atomipainoltaan 320 tai raskaampia ioneja ja niiden resoluutio on parempi kuin 1 osa 320:stä;

2. Ionilähteet, jotka on valmistettu nikkelistä, nikkelikupariseoksesta, jonka nikkelipitoisuus on 60 painoprosenttia tai enemmän, tai nikkelikromiseoksesta, tai suojattu niillä;

3. Elektronipommitukseen perustuva ionisointilähde; ja

4. Isotooppianalyysiin soveltuva kokoojajärjestelmä.

a.

Järjestelmät, joilla uraanimalmikonsentraatit voidaan muuttaa UO3:ksi;

b.

Järjestelmät, joilla UO3 voidaan muuttaa UF6:ksi;

c.

Järjestelmät, joilla UO3 voidaan muuttaa UF2:ksi;

d.

Järjestelmät, joilla UO2 voidaan muuttaa UF4:ksi;

e.

Järjestelmät, joilla UF4 voidaan muuttaa UF6:ksi;

f.

Järjestelmät, joilla UF4 voidaan muuttaa uraanimetalliksi;

g.

Järjestelmät, joilla UF6 voidaan muuttaa UO2:ksi;

h.

Järjestelmät, joilla UF6 voidaan muuttaa UF4:ksi;

i.

Järjestelmät, joilla UO2 voidaan muuttaa UCl4:ksi.

a.

Raskaan veden, deuteriumin tai deuteriumyhdisteen tuotantolaitos seuraavasti:

1. Vesi-rikkivety-erotuslaitokset;

2. Ammoniakki-vety-erotuslaitokset;

b.

0B004 Laitteet ja komponentit seuraavasti:

1. Vesi-rikkivety-erotustornit, joiden halkaisija on vähintään 1,5 m ja jotka voivat toimia 2 MPa:n tai sitä suuremmassa paineessa;

2. Rikkivetykaasun (yli 70 prosenttia H2S:ää sisältävän kaasun) kierrätykseen soveltuvat yksivaiheiset pienipaineiset (0,2 MPa) keskipakopuhaltimet tai kompressorit, joiden tilavuusvirta on 56 m3/s tai suurempi niiden toimiessa 1,8 MPa:n imua vastaavassa tai suuremmassa paineessa ja jotka on varustettu H2S-märkäkäyttöön suunnitelluilla tiivisteillä;

3. Ammoniakki-vety-erotustornit, joiden korkeus on vähintään 35 m ja halkaisija 1,5–2,5 m ja jotka voivat toimia suuremmissa paineissa kuin 15 MPa;

4. Tornien sisäiset osat, mukaan lukien kosketuspinnat, ja vaihepumput, mukaan lukien upotettavat pumput, jotka soveltuvat raskaan veden valmistukseen ammoniakki-vety-erotusprosessin avulla;

5. Ammoniakkikrakkerit, joiden käyttöpaine on yhtä suuri tai suurempi kuin 3 MPa ja jotka soveltuvat raskaan veden valmistukseen ammoniakki-vety-erotusprosessin avulla;

6. Infrapuna-absorptioanalysaattorit, jotka kykenevät jatkuvaan vety-deuterium-suhteen mittaamiseen, kun deuteriumpitoisuus on 90 prosenttia tai enemmän;

7. Katalyyttipolttimet, joilla väkevöity deuterium muutetaan raskaaksi vedeksi ammoniakki-vety-erotusprosessin avulla;

8. Täydelliset järjestelmät tai niiden kolonnit, joilla parannetaan raskaan veden laatua, raskaan veden deuteriumpitoisuuden konsentroimiseksi reaktoriluokkaan;

9. Ammoniakin syntetisointikonvertterit tai ammoniakin syntetisointiyksiköt, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu raskaan veden valmistukseen ammoniakki-vety-erotusprosessin avulla.

0B Tekn. huom.

1. Tavallisesti ovat suoraan yhteydessä ydinaineiden tuotantovirtaan tai suoraan prosessoivat tai valvovat sitä;

2. Sulkevat ydinaineet ilmatiiviisti suojakuoren sisään;

3. Tarkistavat suojakuoren eheyden tai sulkemisen ilmatiiviyden;

4. Tarkistavat suljetun polttoaineen viimeistelyn; tai

5. Joita käytetään reaktorielementtien kokoonpanoon.

a.

Ydinreaktorin säteilytettyjen polttoaine-elementtien jälleenkäsittelylaitos sekä laitteet ja komponentit, jotka tavallisesti ovat suoraan yhteydessä säteilytettyyn polttoaineeseen ja pääasiallisiin ydinaineiden ja fissiotuotteiden prosessivirtoihin ja suoraan ohjaavat niitä;

b.

Polttoaine-elementtien paloittelu- tai pilkkomiskoneet, ts. kauko-ohjatut laitteet, jotka leikkaavat, paloittelevat tai katkovat ydinreaktorien säteilytettyjä polttoainekokoonpanoja, -nippuja tai -sauvoja;

c.

Liuotinastiat, kriittisyysturvalliset tankit (esim. halkaisijaltaan pienet tankit, rengasmaiset tai laattatankit), jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu ydinreaktorien säteilytetyn polttoaineen liuottamiseen ja jotka kykenevät kestämään kuumia, voimakkaasti syövyttäviä nesteitä ja joita voidaan täyttää ja huoltaa kauko-ohjatusti;

d.

0B006 Huom. Uuttimet, kuten pulsoidut tai pakatut kolonnit, sekoitussaostimet tai keskipakokontaktorit, jotka kestävät typpihapon syövyttäviä vaikutuksia ja jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu käytettäväksi säteilytetyn luonnonuraanin, köyhdytetyn uraanin ja erityisten halkeamiskelpoisten aineiden jälleenkäsittelylaitoksessa;

e. Tekn. huom.

Säilytys- tai varastoastiat, jotka on erityisesti suunniteltu kriittisyysturvallisiksi ja kestämään typpihapon syövyttäviä vaikutuksia; Säilytys- tai varastoastioilla voi olla seuraavat ominaisuudet:

1. Seinämien tai sisärakenteiden booriekvivalenttipitoisuus (laskettuna 0C004:ää koskevassa huomautuksessa olevan kaavan mukaisesti kaikkien olennaisten elementtien osalta) vähintään kaksi prosenttia;

2. Sylinterimäisen astian halkaisija korkeintaan 175 mm; tai

3. Joko laatta- tai rengasmaisen astian leveys korkeintaan 75 mm.

f.

Neutronimittausjärjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmistettu integroitaviksi ja käytettäviksi automaattisten prosessinvalvontajärjestelmien kanssa säteilytetyn luonnonuraanin, köyhdytetyn uraanin ja erityisten halkeamiskelpoisten aineiden jälleenkäsittelylaitoksessa;

a.

Järjestelmät plutoniumnitraatin muuttamiseksi plutoniumoksidiksi;

b.

Järjestelmät plutoniummetallin tuottamiseksi.

0C Materiaalit 0C001 Luonnonuraani tai köyhdytetty uraani tai torium metallina, seoksena, kemiallisena yhdisteenä tai konsentraattina ja mikä tahansa muu aine, joka sisältää yhtä tai useampaa edellä mainituista; Huom. 0C001 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi seuraavia: 0C002 Erityinen halkeamiskelpoinen aine Huom. 0C002 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi määrää, joka on neljä tehollista grammaa tai vähemmän kyseistä ainetta, kun se on instrumentin anturiosassa. 0C003 Deuterium, raskas vesi (deuteriumoksidi) ja muut deuteriumyhdisteet sekä deuteriumia sisältävät seokset ja liuokset, joissa deuterium-vety-isotooppisuhde ylittää arvon 1:5000. 0C004 Grafiitti, jonka puhtaustaso on parempi kuin 5 miljoonasosaa booriekvivalenttia ja jonka tiheys on suurempi kuin 1,50 g/cm3, käytettäväksi ydinreaktorissa yli 10 kg:n määrinä. Huom. KATSO MYÖS 1C107 KOHTA. 1: Vientivalvontaa varten sen jäsenvaltion toimivaltaiset viranomaiset, johon viejä on sijoittautunut, päättävät, onko edellä mainitun eritelmän täyttävän grafiitin vienti tarkoitettu käytettäväksi ydinreaktorissa. 2: 0C004 kohdassa booriekvivalentti (BE) (Boron equivalent) määritellään epäpuhtauksille summana BEZ:ista (lukuun ottamatta BEhiili:ia, koska hiiltä ei lasketa epäpuhtaudeksi) mukaan lukien boorin, jolloin BEZ (ppm) = CF x alkuaineen Z konsentraatio ppm-yksiköinä, jossa CF on muunnoskerroinσZABσBAZ σB ja σZ ovat vastaavat boorin ja alkuaineen Z termiset neutronikaappausvaikutusalat (barn-yksiköinä); ja AB ja AZ ovat boorin ja alkuaineen Z atomipainot. 0C005 Kaasudiffuusiokalvojen valmistukseen erityisesti valmistetut UF6-korroosiota kestävät yhdisteet tai jauheet (esim. nikkeli tai seos, joka sisältää 60 painoprosenttia tai enemmän nikkeliä, alumiinioksidi ja täysin fluoratut hiilivetypolymeerit), joiden puhtaus on 99,9 painoprosenttia tai enemmän ja joissa keskimääräinen partikkelikoko on vähemmän kuin 10 μm mitattuna ASTM (American Society for Testing and Materials) B330-standardin mukaisesti ja joissa partikkelit ovat hyvin samankokoisia.

0C a.

Neljä grammaa tai vähemmän luonnonuraania tai köyhdytettyä uraania, kun se on instrumentin anturiosassa;

b.

Erityisesti seuraaviin rauhanomaisiin, ei-ydinteknisiin sovellutuksiin käytetty köyhdytetty uraani:

1. Suojaus;

2. Pakkaus;

3. Painolastit, joiden massa on enintään 100 kg;

4. Vastapainot, joiden massa on enintään 100 kg;

c.

Vähemmän kuin viisi prosenttia toriumia sisältävät seokset;

d.

Toriumia sisältävät keraamiset tuotteet, jotka on valmistettu muuta kuin ydinteknistä käyttöä varten.

0D Ohjelmistot 0D001 Ohjelmistot, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu tässä ryhmässä määriteltyjen tavaroiden kehittämistä, tuotantoa tai käyttöä varten.

0E Teknologia 0E001 Teknologia ydinteknologiahuomautuksen mukaisesti tässä ryhmässä määriteltyjen tavaroiden kehittämistä, tuotantoa tai käyttöä varten.

RYHMÄ 1 ERITYISMATERIAALIT JA NIIHIN LIITTYVÄT LAITTEET

1A Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. Tekn. huom.

Järjestelmät, laitteet ja komponentit 1A001 Fluoratuista yhdisteistä valmistetut komponentit seuraavasti: 1A002 Komposiittirakenteet tai -laminaatit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: Huom. KATSO MYÖS 1A202, 9A010 ja 9A110 KOHTA. Huom. 1: 1A002 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi epoksihartsilla kyllästetyistä hiilikuitu- tai -säiemateriaaleista valmistettuja komposiittirakenteita tai -laminaatteja, jotka on tarkoitettu siviili-ilma-alusten rakenteiden tai laminointien korjaukseen ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: Huom. 2: 1A002 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi puolivalmiita tuotteita, jotka on erityisesti suunniteltu seuraaviin puhtaasti siviilitarkoituksiin: Huom. 3: 1A002.b.1 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi puolivalmiita tuotteita, jotka sisältävät enintään kaksi eri suuntiin kudottua filamenttia ja jotka on erityisesti suunniteltu seuraavia sovelluksia varten: Huom. 4: 1A002 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi valmiita tuotteita, jotka on erityisesti suunniteltu tiettyä sovellusta varten. 1A003 Ei-plastisoituvista aromaattisista polyimideistä valmistetut kalvot, levyt, teipit tai nauhat, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: Huom. 1A003 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi valmisteita, jotka on pinnoitettu tai laminoitu kuparilla ja suunniteltu elektronisten piirilevyjen tuotantoon. Huom. Kaikissa muodoissa olevien plastisoituvien aromaattisten polyimidien osalta katso 1C008.a.3. 1A004 Suojaus- ja ilmaisinlaitteet ja komponentit, joita ei ole erityisesti suunniteltu sotilaskäyttöön, seuraavasti: HUOM. KATSO MYÖS ASETARVIKELUETTELO, 3A229 ja 3A232 KOHTA. 1A004Huom. 1A004 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi: 1A004 kohtaan sisältyy laitteita ja komponentteja, jotka on määritetty ja onnistuneesti testattu kansallisten standardien mukaisesti tai muutoin todistettu tehokkaiksi radioaktiivisten aineiden, jotka on sovitettu sodankäyntiin, biologisten aineiden, jotka on sovitettu sodankäyntiin, kemiallisen sodankäynnin (CW) taisteluaineiden, simulanttien tai mellakantorjunta-aineiden ilmaisemista tai niiltä suojaamista varten, vaikka tällaisia laitteita ja komponentteja käytettäisiin siviiliteollisuudessa, esimerkiksi kaivostoiminnassa, louhinnassa, maataloudessa, lääke-, lääkintä-, eläinlääke- tai ympäristöteollisuudessa, jätehuollossa tai elintarviketeollisuudessa. Simulantti on aine tai materiaali, jota käytetään myrkyllisen aineen (kemiallisen tai biologisen) sijasta koulutuksessa, tutkimuksessa, testauksessa tai arvioinnissa. 1A005 Vartalosuojat ja niitä varten tarkoitetut komponentit seuraavasti: Huom. KATSO MYÖS ASETARVIKELUETTELO. Huom. Vartalosuojien valmistukseen käytettyjen kuitu- tai säiemateriaalien osalta katso 1C010 kohta. Huom. 1: 1A005 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi vartalosuojia, kun ne ovat käyttäjänsä mukana hänen henkilökohtaista suojautumistaan varten. Huom. 2: 1A005 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi vartalosuojia, jotka on suunniteltu antamaan suojaa vain edestäpäin kohdistuvia, muiden kuin sotilasräjähteiden sirpaleita ja räjähdystä vastaan. Huom. 3: 1A005 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi vartalosuojia, jotka on suunniteltu antamaan suojaa vain veitsen, piikin, neulan tai tylpän aseen iskua vastaan. 1A006 1A006 Seuraavat laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu omatekoisten räjähteiden raivaamiseen, ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit ja tarvikkeet: Huom. KATSO MYÖS ASETARVIKELUETTELO. Huom. 1A006 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi laitteita, jotka ovat käyttäjänsä mukana. 1A007 Seuraavat laitteet ja laitteistot, jotka on erityisesti suunniteltu latausten ja energeettisiä aineita sisältävien laitteiden laukaisemiseen sähköisin keinoin: Huom. KATSO MYÖS ASETARVIKELUETTELO, 3A229 ja 3A232 KOHTA. Termiä initiator tai igniter (käynnistin tai räjäytin) käytetään toisinaan termin detonator (sytytin) sijasta. 1A007.b kohdassa kaikki kyseiset sytyttimet käyttävät pientä sähköjohdinta (siltavastusta, siltavastuslankaa tai kalvoa), joka kaasuuntuu räjähdysmäisesti, kun nopea, voimakas sähköinen pulssi kulkee sen läpi. Muissa kuin iskulaukaisin-tyypeissä räjähtävä johdin käynnistää kemiallisen räjähdyksen siihen yhteydessä olevassa voimakkaassa räjähteessä, esim. PETN:ssä (pentaerytritoltetranitraatissa). Iskulaukaisimissa sähköjohtimen kaasuuntuminen työntää piikin tai iskurin sytyttimen välin yli ja iskurin törmäys räjähteeseen käynnistää kemiallisen sytytyksen. Joissakin malleissa iskurin käyttövoimana on magneettinen voima. Termiä räjähtävä kalvo voidaan käyttää joko EB- tai iskurityyppisistä sytyttimistä. 1A008 Räjähteet, laitteet ja komponentit seuraavasti: Suunnatun räjähdysvaikutuksen omaavat räjähteet ovat muotoiltuja räjähdyspanoksia, jotka suuntaavat räjähdysvoiman vaikutukset. 1A102 Toistokyllästetyt pyrolisoidut hiili-hiilikomponentit, jotka on suunniteltu 9A004 kohdassa määriteltyihin avaruuteen laukaisussa käytettäviin kantoraketteihin tai 9A104 kohdassa määriteltyihin luotainraketteihin. 1A202 Muut kuin 1A002 kohdassa määritellyt komposiittirakenteet putkina, joilla on seuraavat ominaisuudet: Huom. KATSO MYÖS 9A010 JA 9A110 KOHTA. 1A225 Platinoidut katalyytit, jotka on erityisesti suunniteltu tai valmisteltu edistämään vedyn ja veden välistä isotooppien vaihtoreaktiota tritiumin ottamiseksi talteen raskaasta vedestä tai raskaan veden tuottamiseksi. 1A226 Erikoisaineet, joita voidaan käyttää raskaan veden erottamiseen tavallisesta vedestä ja joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista: 1A227 Korkeatiheyksiset (lyijylasista tai muusta aineesta valmistetut) säteilysuojaikkunat, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet, sekä näitä varten erityisesti suunnitellut puitteet: 1A227 kohdassa termillä kylmä ala tarkoitetaan ikkunan läpinäkyvää alaa, joka on altistuneena alhaisimmalle säteilytasolle mallisovelluksessa.

1A a.

Ilma-aluksiin tai avaruuskäyttöön erityisesti suunnitellut tiivisteet, tiivisterenkaat, tiivisteaineet tai polttoainekalvot, joiden valmistuksessa on käytetty yli 50 painoprosenttia 1C009.b tai 1C009.c kohdassa määritettyjä materiaaleja;

b.

Pietsosähköiset polymeerit ja sekapolymeerit, jotka on valmistettu 1C009.a kohdassa määritellyistä vinyylideenifluorideista (CAS 75-38-7) ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1. Ne ovat levyn tai kalvon muodossa; ja

2. Niiden paksuus on yli 200 μm;

c.

Tiivisteet, tiivisterenkaat, venttiilien istukat tai kalvot, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: Huom. 1A001.c kohdassa ohjus tarkoittaa täydellisiä rakettijärjestelmiä ja miehittämättömiä ilma-alusjärjestelmiä.

1. Ne on valmistettu fluoroelastomeerista, joka sisältää ainesosana ainakin yhden vinyylieetteriryhmän; ja

2. Ne on erityisesti suunniteltu käytettäviksi ilma-aluksissa tai ohjuksissa taikka avaruuskäyttöön.

a.

Ne koostuvat orgaanisesta matriisista ja 1C010.c, 1C010.d tai 1C010.e kohdassa määritellyistä materiaaleista; tai

b.

Ne koostuvat metalli- tai hiilimatriisista ja jostakin seuraavista:

1. Hiilikuitu- tai -säiemateriaaleista, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1. a.

Ominaiskimmokerroin ylittää 10,15 × 106 m; ja

b.

Ominaismurtovetolujuus ylittää 17,7 × 104 m; tai

2. 1C010.c kohdassa määritellyistä materiaaleista.

a.

Pinta-ala enintään 1 m2;

b.

Pituus enintään 2,5 m; ja

c.

Leveys enintään 15 mm.

a.

Urheilutarvikkeisiin;

b.

Autoteollisuuteen;

c.

Työstökoneteollisuuteen;

d.

Lääkinnällisiin käyttötarkoituksiin.

a.

Metallin kuumakäsittelyuunit metallien karkaisua varten;

b.

Piipallojen tuotantolaitteet.

a.

Paksuus ylittää 0,254 mm; tai

b.

Ne on pinnoitettu tai laminoitu hiilellä, grafiitilla, metallilla tai magneettisilla aineilla.

a. Tekn. huom.

1A004 Kokonaamarit, suodatinrasiat ja niiden puhdistuslaitteet, jotka on suunniteltu tai muunnettu suojaamaan seuraavia aineita vastaan, ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit; Huom. 1A004.a. kohta sisältää moottoroidut ilmaa puhdistavat hengityslaitteet (PAPR), jotka on suunniteltu tai muunnettu suojaamaan 1A004.a kohdassa lueteltuja aineita tai materiaaleja vastaan. Sovellettaessa 1A004.a. kohtaa:

1. Kokonaamareita kutsutaan myös kaasunaamareiksi.

2. Suodatinrasiat sisältävät suodatinpatruunat.

1. Biologiset aineet, jotka on sovitettu sodankäyntiin;

2. Radioaktiiviset aineet, jotka on sovitettu sodankäyntiin;

3. Kemiallisen sodankäynnin (CW) taisteluaineet; tai

4. Mellakantorjunta-aineet, mukaan lukien:

4. a.

-Bromibentseeniasetonitriili (bromibentsyylisyanidi) (CA) (CAS 5798-79-8);

b.

[(2-kloorifenyyli)metyleeni] propaanidinitriili, o-klooribentsylideenimalononitriili (CS) (CAS 2698-41-1);

c.

2-kloori-1-fenyylietanoni, fenasyylikloridi (-klooriasetofenoni) (CN) (CAS 532-27-4);

d.

Dibentso(b, f)-1,4-oksatsepiini (CR) (CAS 257-07-8);

e.

10-kloori-5,10-dihydrofenarsatsiini (fenarsatsiinikloridi) (adamsiitti) (DM) (CAS 578-94-9);

f.

N-nonanoyylimorfoliini (MPA) (CAS 5299-64-9).

b.

Suojapuvut, käsineet ja jalkineet, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu suojaamaan seuraavia aineita vastaan:

1. Biologiset aineet, jotka on sovitettu sodankäyntiin;

2. Radioaktiiviset aineet, jotka on sovitettu sodankäyntiin; tai

3. Kemiallisen sodankäynnin (CW) taisteluaineet;

c.

Ilmaisinjärjestelmät, joka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu ilmaisemaan tai tunnistamaan seuraavia aineita, ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:

1. Biologiset aineet, jotka on sovitettu sodankäyntiin;

2. Radioaktiiviset aineet, jotka on sovitettu sodankäyntiin; tai

3. Kemiallisen sodankäynnin (CW) taisteluaineet;

d. Tekn. huom.

Elektroniset laitteet, jotka on suunniteltu automaattisesti ilmaisemaan tai tunnistamaan räjähteiden jäämiä ja jotka käyttävät pienten pitoisuuksien mittaamiseen (trace detection) tarkoitettuja tekniikoita (esim. pinta-akustista aaltoa, ioniliikkuvuusspektrometriaa, differentiaaliliikkuvuusspektrometriaa, massaspektrometriaa). Pienten pitoisuuksien mittaaminen (trace detection) määritellään kyvyksi havaita pienempiä määriä kuin 1 ppm höyryssä tai 1 mg kiinteässä aineessa tai nesteessä. Huom. 1: 1A004.d kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi laitteita, jotka on erityisesti suunniteltu laboratoriokäyttöön. Huom. 2: 1A004.d kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi kosketuksettomia läpikuljettavia turvatarkastusportteja.

a.

Henkilökohtaisia säteilyannoksen valvontamittareita;

b.

Työterveys- tai työturvallisuuslaitteita, joiden suunnittelu tai toiminta on rajoitettu suojaamaan niitä vaaroja vastaan, jotka ovat ominaisia asukasturvallisuudelle tai siviiliteollisuudelle, mukaan luettuina:

1. kaivostoiminta;

2. louhinta;

3. maatalous;

4. lääketeollisuus;

5. lääkintäteollisuus;

6. eläinlääketeollisuus;

7. ympäristöteollisuus;

8. jätehuolto

9. elintarviketeollisuus.

1A Tekn. huom. 1.2. a.

Pehmeät vartalosuojat, joita ei ole valmistettu sotilasstandardien tai -laatuvaatimusten tai niitä vastaavien standardien tai vaatimusten mukaisesti, ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit;

b.

Kovat vartalosuojalevyt, joiden luodinkestävyys vastaa enintään tasoa IIIA (NIJ 0101.06, heinäkuu 2008) tai sen kansallisia vastineita.

a.

Kauko-ohjattavat ajoneuvot;

b. Tekn. huom.

Häiritsijät (disruptors). Häiritsijät ovat laitteita, jotka on erityisesti suunniteltu estämään räjädettä toimimasta kohdistamalla siihen nestemäinen, kiinteä tai räjähtävä projektiili.

a.

Räjähtävien sytyttimien laukaisulaitteet, jotka on suunniteltu laukaisemaan 1A007.b kohdassa määriteltyjä räjähtäviä sytyttimiä;

b.

Seuraavat sähköisesti ohjattavat räjähtävät sytyttimet:

1. Räjähtävä siltajohdin (EB);

2. Räjähtävä siltajohdinlanka (EBW);

3. Iskulaukaisin;

4. Räjähtävät kalvosytyttimet (EFI).

1A Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. a.

Suunnatun räjähdysvaikutuksen omaavat räjähteet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1. Nettoräjähdemäärä (NEQ) suurempi kuin 90 g; ja

2. Ulkokuori halkaisijaltaan 75 mm tai suurempi;

b.

Pitkänomaiset räjähteet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet, ja erityisesti niitä varten suunnitellut komponentit:

1. Räjähdelataus suurempi kuin 40 g/m; ja

2. Leveys 10 mm tai suurempi;

c.

Räjähtävä tulilanka, jossa räjähdelataus on suurempi kuin 64 g/m;

d.

Katkaisimet, muut kuin 1A008.b kohdassa määritellyt, ja leikkaustyökalut, joiden nettoräjähdemäärä (NEQ) on suurempi kuin 3,5 kg.

1A Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. a.

Niiden sisähalkaisija on 75 mm:n ja 400 mm:n välillä; ja

b.

Ne on valmistettu 1C010.a tai b tai 1C210.a kohdassa määritellyistä kuitu- ja säiemateriaaleista tai 1C210.c kohdassa määritellyistä hiiliprepregimateriaaleista.

a.

Ne on tehty fosforipronssiverkosta, joka on käsitelty kemiallisesti vettyvyyden parantamiseksi; ja

b.

Ne on suunniteltu käytettäväksi tyhjötislauskolonneissa.

a.

Kylmä (säteilyltä suojattu) ala on suurempi kuin 0,09 m2;

b.

Tiheys on suurempi kuin 3 g/cm3; ja

c.

Paksuus on 100 mm tai suurempi.

1B Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom.

Testaus-, tarkastus- ja tuotantolaitteet 1B001 Seuraavat 1A002 kohdassa määriteltyjen komposiittirakenteiden tai -laminaattien tai 1C010 kohdassa määriteltyjen kuitu- tai säiemateriaalien tuotanto- tai tarkastuslaitteet ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit ja varusteet: Huom. KATSO MYÖS 1B101 JA 1B201 KOHTA. 1B001 kohdassa tarkoitetut ensisijaiset servopaikannetut akselit ohjaavat halutun prosessin toteuttamiseksi tietokoneohjatusti pääte-elimen (siis työkalun) asemaa avaruudessa oikeaan suuntaan suhteessa työkappaleeseen. 1B001 kohdassa tarkoitettu filamenttinauha on yksittäinen tasalevyinen täysin tai osittain hartsikyllästetty teippi, touvi tai kuitu. 1B002 Kontaminaation välttämiseen erityisesti suunnitellut, metalliseosten, metalliseosjauheiden tai seostettujen materiaalien tuottamiseen tarkoitetut laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu käytettäväksi jossakin 1C002.c.2 kohdassa määritellyistä prosesseista. Huom. KATSO MYÖS 1B102 KOHTA. 1B003 Titaanin, alumiinin tai niiden seosten superplastista muovausta tai diffuusioliittämistä varten tarkoitetut työkalut, suuttimet, muotit tai kiinnikkeet, jotka on erityisesti suunniteltu seuraavien tuotteiden valmistamiseen: 1B101 Seuraavat, muut kuin 1B001 kohdassa määritellyt laitteet rakenteellisten komposiittien tuotantoa varten sekä niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit ja varusteet: Huom. KATSO MYÖS 1B201 KOHTA. Huom. 1B101 kohdassa määriteltyihin komponentteihin ja varusteisiin sisältyvät muotit, tuurnat, suukappaleet, kiinnittimet ja työkalut komposiittirakenteiden, -laminaattien ja niiden valmisteiden preformien puristamista, kovettamista, valamista, sintraamista tai liittämistä varten. 1B102 Muut kuin 1B002 kohdassa määritellyt metallijauheen tuotantolaitteet ja komponentit seuraavasti: Huom. KATSO MYÖS 1B115.b KOHTA. 1B115 Seuraavat muut kuin 1B002 tai 1B102 kohdassa määritellyt laitteet ajoaineiden ja niiden ainesosien tuotantoa varten ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit: Huom. 1: Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu asetarvikkeiden tuotantoa varten: katso asetarvikeluettelo. Huom. 2: 1B115 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi boorikarbidin tuotantoon, käsittelyyn ja hyväksymistestaukseen tarkoitettuja laitteita. 1B116 Erityisesti suunnitellut suuttimet, joilla tuotetaan pyrolyysimenetelmällä muodostuvia aineita muotille, tuurnalle tai muulle substraatille välituotekaasuista, jotka hajoavat 1573–3173 K (2900–1300 °C) asteen lämpötila-alueella ja 130 Pa:n–20 kPa:n paineessa. 1B117 Eräsekoittimet, joiden on pystyttävä sekoittamaan tyhjössä painealueella nollasta 13,326 kPa:iin ja joiden sekoituskammion lämpötilaa voidaan säätää ja joilla on kaikki seuraavista ominaisuuksista, ja tällaisia sekoittimia varten erityisesti suunnitellut komponentit: 1B118 Jatkuvatoimiset sekoittimet, joiden on pystyttävä sekoittamaan tyhjössä painealueella nollasta 13,326 kPa:iin ja joiden sekoituskammion lämpötilaa voidaan säätää ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista, ja tällaisia sekoittimia varten erityisesti suunnitellut komponentit: 1B119 Neste-energiamyllyt, joita voidaan käyttää 1C011.a, 1C011.b tai 1C111 kohdassa tai asetarvikeluettelossa määriteltyjen aineiden jauhamiseen tai hienontamiseen, ja tällaisia myllyjä varten erityisesti suunnitellut komponentit. 1B201 Seuraavat muut kuin 1B001 tai 1B101 kohdassa määritellyt filamenttikuidun kelauskoneet ja niihin liittyvät laitteet: 1B225 Fluorin tuotannossa käytettävät elektrolyysikennot, joiden tuotantokapasiteetti on yli 250 g fluoria tunnissa. 1B226 Sähkömagneettiset isotooppierottimet, jotka on suunniteltu toimimaan tai varusteltu yhdellä tai useilla ionilähteillä, joilla voidaan saada aikaan 50 mA:n tai suurempi ionisuihkun kokonaisvirta. Huom. 1B226 kohta sisältää erottimet: 1B228 Kryogeeniset vetytislauskolonnit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: 1B228 kohdassa tehollinen pituus tarkoittaa pakkausmateriaalin aktiivista korkeutta pakatussa kolonnissa tai sisäkosketuslevyjen aktiivista korkeutta pohjakolonnissa. 1B229 Seuraavat vesi-rikkivety-erotuspohjakolonnit sekä niiden sisäkosketuspinnat: Huom. Erityisesti raskaan veden tuottamista varten suunnitellut tai valmistetut kolonnit: katso 0B004 kohta. 1B230 Nesteammoniakkiin liuotetun väkevän tai laimean kaliumamidikatalyytin (KNH2/NH3) kierrättämiseen kykenevät pumput, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: 1B231 Seuraavat tritiumlaitokset ja -tehtaat ja niissä käytettävät laitteet: 1B232 Turbohöyrystimet tai turbohöyrystin-kompressoriyhdistelmät, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista: 1B233 Litiumisotooppien erotukseen käytettävät laitokset tai tehtaat ja niissä käytettävät järjestelmät ja laitteet seuraavasti: 1B234 Voimakkaiden räjähteiden suojarakennukset, -kammiot, -astiat ja muut samanlaiset suojalaitteet, jotka on suunniteltu voimakkaiden räjähteiden tai räjähtävien laitteiden testausta varten ja joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista: Huom. KATSO MYÖS ASETARVIKELUETTELO.

1B a.

Filamenttikuitujen kelauskoneet, joissa käämittävien kuitujen asettelu-, kiedonta- ja kelausliikkeet ovat koordinoitavissa ja ohjelmoitavissa kolmen tai useamman ensisijaisen servopaikannusakselin suhteen ja jotka on erityisesti suunniteltu komposiittirakenteiden tai -laminaattien valmistukseen kuitu- tai säiemateriaaleista;

b. Tekn. huom.

Nauhapäällystyskoneet, joissa teipin tai levyjen asemointi- ja asetteluliikkeet ovat koordinoitavissa ja ohjelmoitavissa viiden tai useamman ensisijaisen servopaikannusakselin suhteen ja jotka on erityisesti suunniteltu komposiittisten ilma-aluksenrunko- tai ohjusrakenteiden valmistukseen; Huom. 1B001.b kohdassa ohjus tarkoittaa täydellisiä rakettijärjestelmiä ja miehittämättömiä ilma-alusjärjestelmiä. 1B001.b kohdassa nauhapäällystyskoneet pystyvät päällystämään yhden tai useamman filamenttinauhan, joka on leveydeltään yli 25 mm mutta enintään 305 mm, ja leikkaamaan ja aloittamaan uudelleen yksittäisiä filamenttinauha-ajoja päällystysprosessin aikana.

c. Tekn. huom.

1B001 Komposiittirakenteita varten tarkoitetut monisuuntaiset ja monidimensioiset kutoma- tai punontakoneet, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu kuitujen kudontaa, punontaa tai palmikointia varten sekä näiden koneiden adapterit ja muunnossarjat; 1B001.c kohdassa punontatekniikkaan sisältyy neulonta.

d.

Lujitekuitujen tuotantoa varten erityisesti suunnitellut tai muunnetut laitteet seuraavasti:

1. Laitteet, joilla polymeerikuituja (kuten polyakryylinitriili, raion, hartsi tai polykarbosilaani) muutetaan hiilikuiduiksi tai piikarbidikuiduiksi, mukaan lukien erikoislaitteet, joilla kuituja jännitetään kuumennuksen aikana;

2. Laitteistot, joilla valmistetaan piikarbidikuituja pinnoittamalla kuumennettuja filamenttisubstraatteja alkuaineilla tai yhdisteillä kemiallista kaasufaasipinnoitus-menetelmää (CVD) käyttäen;

3. Laitteet, joiden avulla voidaan märkäkehrätä tulenkestäviä keraameja (kuten esim. alumiinioksidia);

4. Laitteet, joilla esikuituja sisältävä alumiini muutetaan lämpökäsittelyllä alumiinioksidikuiduiksi;

e.

Laitteet, joilla tuotetaan kuumasulatusmenetelmällä 1C010.e kohdassa määriteltyjä prepregejä;

f.

Ainetta rikkomattomat tarkastuslaitteet, jotka on erityisesti suunniteltu komposiittimateriaaleja varten seuraavasti:

1. Röntgentomografiajärjestelmät, joilla voidaan tarkastella valmistusvirheitä kolmessa ulottuvuudessa;

2. Digitaalisesti ohjatut ultraäänitestauslaitteet, joiden liikkeet lähettimien tai vastaanottimien asettamiseksi koordinoidaan ja ohjelmoidaan yhtäaikaisesti neljällä tai useammalla akselilla tarkastettavan komponentin kolmiulotteisten ääriviivojen seuraamiseksi;

g. Tekn. huom.

Touvi-asettelukoneet, joissa touvien asemointi- ja asetteluliikkeet ovat koordinoitavissa ja ohjelmoitavissa kahden tai useamman ensisijaisen servopaikannusakselin suhteen ja jotka on erityisesti suunniteltu komposiittisten ilma-aluksenrunko- tai ohjusrakenteiden valmistukseen. 1B001.g kohdassa touviasettelukoneet pystyvät asettelemaan yhden tai useamman filamenttinauhan, jonka leveys on enintään 25 mm, ja leikkaamaan ja aloittamaan uudelleen yksittäisiä filamenttinauha-ajoja asetteluprosessin aikana.

1B Tekn. huom. 1.2. a.

Ilma-alusten runko- tai avaruusalusten rakenteet;

b.

Ilma-alusten tai avaruusalusten moottorit; tai

c.

1B003.a kohdassa määriteltyjä rakenteita tai 1B003.b kohdassa määriteltyjä moottoreita varten erityisesti suunnitellut komponentit.

a.

Filamenttikuidun kelauskoneet tai kuidunasettelukoneet, joissa kuidun asemointi-, käärintä- ja kelausliikkeet voidaan koordinoida ja ohjelmoida kolmen tai useamman akselin suhteen ja jotka on suunniteltu valmistamaan komposiittirakenteita tai -laminaatteja kuitu- tai säiemateriaaleista, sekä koordinoinnin ja ohjelmoinnin ohjaukset;

b.

Nauhapäällystyskoneet, joissa nauhan tai levyn asettelu- ja asemointiliikkeet voidaan koordinoida ja ohjelmoida kahden tai useamman akselin suhteen ja jotka on suunniteltu komposiittisten ilma-alusten ja ohjusten runkorakenteiden valmistusta varten;

c.

Seuraavat kuitu- tai säiemateriaalien tuotantoa varten suunnitellut tai muunnetut laitteet:

1. Laitteet, joilla muunnetaan polymeerikuituja (esim. polyakryylinitriiliä, raionia tai polykarbosilaania), erityisesti kuitua kuumennuksen aikana jännittäen;

2. Laitteet, joiden avulla kuumennettuja filamenttisubstraatteja höyrypinnoitetaan alkuaineilla tai yhdisteillä;

3. Laitteet, joiden avulla voidaan märkäkehrätä tulenkestäviä keraameja (kuten esim. alumiinioksidia);

d.

Laitteet, jotka on suunniteltu tai muunnettu kuitujen erityispintakäsittelyä varten tai 9C110 kohdassa määriteltyjen prepregien ja preformien tuottamista varten. Huom. 1B101.d kohtaan sisältyvät valssaimet, venytyslaitteet, päällystyslaitteet, leikkurit ja meistimuotit.

a.

Metallijauheen tuotantolaitteet, joita voidaan käyttää 1C011.a, 1C011.b, 1C111.a.1, 1C111.a.2 kohdassa tai asetarvikeluettelossa määriteltyjen pallomaisten, sferoidisten tai hivennettyjen materiaalien tuotantoon valvotussa ympäristössä.

b.

Erityisesti suunnitellut komponentit 1B002 tai 1B102.a kohdassa määriteltyjä tuotantolaitteita varten. Huom. 1B102 kohtaan sisältyvät:

a.

Plasmageneraattorit (suuritaajuinen kaarisuihku), joita voidaan käyttää aikaansaamaan sputteroituja tai pallomaisia metallijauheita siten, että prosessi tehdään argon-vesiympäristössä;

b.

Sähköpurkauslaitteistot, joita voidaan käyttää aikaansaamaan sputteroituja tai pallomaisia metallijauheita siten, että prosessi tehdään argon-vesiympäristössä;

c.

Laitteet, joita voidaan käyttää pallomaisten alumiinijauheiden tuotantoon pulverisoimalla sula suojakaasussa (esim. typessä).

a.

Tuotantolaitteet 1C011.a, 1C011.b tai 1C111 kohdassa tai asetarvikeluettelossa määriteltyjen nestemäisten ajoaineiden ja niiden ainesosien tuotantoa, käsittelyä tai vastaanottotestausta varten;

b.

Tuotantolaitteet 1C011.a, 1C011.b tai 1C111 kohdassa tai asetarvikeluettelossa määriteltyjen kiinteiden ajoaineiden ja niiden ainesosien tuotantoa, käsittelyä, sekoittamista, kovettamista, valamista, prässäystä, työstämistä, puristamista tai vastaanottotestausta varten. Huom. 1B115.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi eräsekoittimia, jatkuvatoimisia sekoittimia tai neste-energiamyllyjä. Eräsekoittimien, jatkuvatoimisten sekoittimien ja neste-energiamyllyjen valvonnan osalta katso 1B117, 1B118 ja 1B119 kohta.

a.

Kokonaistilavuuskapasiteetti 110 litraa tai enemmän; ja

b.

Ainakin yksi keskustasta sivuun asennettu sekoitus-/vaivausvarsi. Huom. 1B117.b kohdassa termillä sekoitus-/vaivausvarsi ei viitata homogenisoijiin tai pyöriviin leikkuuteriin.

a.

Kaksi tai useampia sekoitus-/vaivausvarsia; tai

b.

Yksi värähtelevä pyörivä varsi sekä vaivaushampaat/piikit varressa ja sekoituskammion vuorauksen sisäpuolella.

a.

Filamenttikuidun kelauskoneet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1. Kuitujen asemointi, käärintä ja käämintä on koordinoitu ja ohjelmoitu kahden tai useamman akselin suhteen;

2. Ne on erityisesti suunniteltu komposiittirakenteiden tai -laminaattien valmistamiseen kuitu- tai säiemateriaaleista; ja

3. Ne pystyvät käämimään lieriömäisiä putkia, joiden sisähalkaisija on 75–650 mm ja pituus 300 mm tai enemmän;

b.

1B201.a kohdassa määriteltyjen filamenttikuidun kelauskoneiden koordinointi- ja ohjelmointilaitteet;

c.

1B201.a kohdassa määriteltyjen filamenttikuidun kelauskoneiden tarkkuustuurnat.

a.

Jotka pystyvät rikastamaan pysyviä isotooppeja;

b.

Joissa ionilähteet ja -kerääjät ovat kummatkin magneettikentässä, sekä ne konfiguraatiot, joissa ne ovat kentän ulkopuolella.

a.

Ne on suunniteltu toimimaan 35 K (–238 °C) asteen tai sitä alhaisemmissa sisäisissä lämpötiloissa;

b.

Ne on suunniteltu toimimaan 0,5–5 MPa:n sisäisessä paineessa;

c.

Ne on valmistettu joko:

1. 300-sarjan vähärikkisestä ruostumattomasta teräksestä, jonka austeniittinen ASTM:n (tai vastaavan standardin) mukainen raekokoluku on 5 tai suurempi; tai

2. Vastaavista kryogeenisistä ja vetyä (H2) kestävistä materiaaleista; ja

d.

Sisähalkaisija on 30 cm tai enemmän ja tehollinen pituus 4 m tai enemmän.

1B Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. a.

Vesi-rikkivety-erotuspohjakolonnit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1. Niiden käyttöpaine on 2 MPa tai suurempi;

2. Ne on valmistettu hiiliteräksestä, jonka austeniittinen ASTM:n (tai vastaavan standardin) mukainen raekokoluku on 5 tai suurempi; ja

3. Niiden halkaisija on 1,8 m tai suurempi;

b. Tekn. huom.

1B229.a kohdassa määriteltyjen vesi-rikkivety-erotuspohjakolonnien sisäkosketuspinnat. Kolonnien sisäkosketuspinnat ovat segmentoituja pohjia, joiden tehollinen halkaisija koottuna on 1,8 m tai enemmän; ne on suunniteltu helpottamaan vastavirtakosketusta ja ne on valmistettu ruostumattomista teräksistä, joiden hiilipitoisuus on 0,03 prosenttia tai vähemmän. Pohjat voivat olla seula-, venttiili-, kello-, ja ritiläpohjia.

a.

Ne ovat ilmatiiviitä (so. hermeettisesti suljettuja);

b.

Pumppausteho on suurempi kuin 8,5 m3/h; ja

c.

Niillä on jompikumpi seuraavista ominaisuuksista:

1. Ne on tarkoitettu väkevien (1 % tai suurempi pitoisuus) kaliumamidiliuosten kierrättämiseen 1,5–60 MPa:n käyttöpaineella; tai

2. Laimeiden (pitoisuus vähemmän kuin 1 %) kaliumamidiliuosten kierrättämiseen 20–60 MPa:n käyttöpaineella.

a.

Laitokset tai tehtaat, joissa tuotetaan, otetaan talteen, uutetaan, rikastetaan tai käsitellään tritiumia,

b.

Tritiumlaitosten tai -tehtaiden laitteet seuraavasti:

1. Vedyn tai heliumin jäähdytysyksiköt, joissa lämpötila saadaan lasketuksi 23 K (– 250 °C) asteeseen tai alhaisemmaksi ja joiden lämmönpoistokyky on suurempi kuin 150 W;

2. Vetyisotooppien varastointi- ja puhdistusjärjestelmät, joissa varastointiin tai puhdistukseen käytetään metallihydridejä.

a.

Ne on tarkoitettu käytettäviksi siten, että ulostulolämpötila on 35 K (– 238 °C) tai alhaisempi; ja

b.

Ne on tarkoitettu tuottamaan vetykaasua 1000 kg/h tai enemmän.

a.

Laitokset tai tehtaat litiumisotooppien erottamiseen;

b.

Laitteet litiumisotooppien erottamiseen litium-elohopea-amalgaamiprosessin perusteella seuraavasti:

1. Erityisesti litiumamalgaameja varten suunnitellut pakatut neste-neste-erotuskolonnit;

2. Elohopea- tai litiumamalgaamipumput,

3. Litiumamalgaamielektrolyysikennot;

4. Haihduttimet väkeviä litiumhydroksidiliuoksia varten;

c.

Ioninvaihtojärjestelmät, jotka on erityisesti suunniteltu litiumisottoopien erotukseen, ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit:

d.

Kemialliset vaihtojärjestelmät (joissa käytetään kruunueetteriä, kryptandeja tai lariaattisia eettereitä), jotka on erityisesti suunniteltu litiumisotooppien erotusta varten, ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit.

a.

Ne on suunniteltu suojaamaan täysin räjähdykseltä, joka vastaa vähintään 2 kg:aa TNT:tä; ja

b.

Niissä on elementtejä tai ominaisuuksia, jotka mahdollistavat diagnostisten tai mittaustietojen siirron reaaliaikaisesti tai viiveellä.

1C Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2.3. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1: Tekn. huom. 2: Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2.3.

Materiaalit Metallit ja metalliseokset: Ellei toisin säädetä, 1C001–1C012 kohdassa sanat metalli ja metalliseos kattavat seuraavat raa'at ja puolivalmistemuodot: Raa'at muodot: Anodit, harkot, kanget (mukaan lukien lovetut kanget ja lankaharkot), valanteet, lohkareet, raakatangot, briketit, katodit, kiteet, kuutiot, rouheet, jyväset, valuharkot, kokkareet, pelletit, raakametalliharkot, pulveri, sulakuoret, valurakeet, valssausaihiot, puristusharkot, sieni, sauvat; Puolivalmistemuodot (riippumatta siitä, ovatko ne pinnoitettuja, päällystettyjä, porattuja tai lävistettyjä): Valvonnan tavoitetta ei tule kumota viemällä muita kuin lueteltuja muotoja, joiden väitetään olevan lopullisia tuotteita, vaikka ne käytännössä ovat raakoja muotoja tai puolivalmistemuotoja. 1C001 Seuraavat sähkömagneettisia aaltoja absorboiviksi erityisesti suunnitellut materiaalit tai itseisjohtavat polymeerit: Huom. KATSO MYÖS 1C101 KOHTA. 1C002 Seuraavat metalliseokset, metalliseosjauheet tai seostetut materiaalit: Huom. KATSO MYÖS 1C202 KOHTA. Huom. 1C002 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi metalliseoksia, metalliseosjauheita tai seostettuja materiaaleja, jotka on tarkoitettu substraattien pinnoitukseen. Metalliseokset 1C002 kohdassa ovat niitä, joissa mainitun metallin painoprosentti on suurempi kuin minkään muun aineen. Jännitysmurtumaikä mitataan ASTM-standardin E-139 tai vastaavien standardien mukaisesti. Low cycle -väsymisikä mitataan ASTM-standardin E-606 Recommended Practice for Constant-Amplitude Low-Cycle Fatigue Testing mukaisesti tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti. Testauksen tulee olla aksiaalinen, keskimääräisen jännityssuhteen 1 ja jännityksen keskityskertoimen (Kt) 1. Keskimääräinen jännityssuhde määritellään maksimijännityksen ja minimijännityksen erotuksen sekä maksimijännityksen osamääränä. 1C003 Kaikentyyppiset ja -muotoiset magneettiset metallit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: 1C004 Uraani-titaaniseokset tai volframiseokset, joilla on rauta-, nikkeli- tai kuparipohjainen matriisi ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: 1C005 Yli 100 m pitkät tai yli 100 g:n painoiset suprajohtavat komposiittijohtimet seuraavasti: 1C005 kohdassa filamentit voivat olla langan, sylinterin, kalvon, teipin tai nauhan muodossa. 1C006 Seuraavat nesteet ja voiteluaineet: 1C006 kohdassa: 1C007 Seuraavat keraamiset perusmateriaalit, keraamiset ei-komposiittimateriaalit, keraamiset matriisikomposiittimateriaalit ja väliaineet: Huom. KATSO MYÖS 1C107 KOHTA. 1C008 Seuraavat fluoraamattomat polymeeriset aineet: Lasittumislämpötila (Tg) 1C008.a.2 kohdan termoplastisille materiaaleille ja 1C008.a.4 kohdan materiaaleille määritetään ISO-standardissa 11357-2 (1999) tai vastaavissa kansallisissa standardeissa kuvatulla tavalla. Lasittumislämpötila (Tg) 1C008.a.2 kohdan lämpökovettuville materiaaleille ja 1C008.a.3 kohdan materiaaleille määritetään ASTM D 7028-07-standardissa tai vastaavissa kansallisissa standardeissa kuvatulla kolmipistetaivutusmenetelmällä. Testi on suoritettava kuivatestauskappaleella, jonka kovettumisaste on vähintään 90 %, kuten ASTM E 2160-04:ssä tai vastaavassa kansallisessa standardissa on määritelty, ja joka on kovetettu vakio- ja jälkikovetusprosessien yhdistelmällä, josta saadaan suurin Tg. 1C009 Seuraavat käsittelemättömät fluoratut yhdisteet: 1C010 Seuraavat kuitu- tai säiemateriaalit: Huom. KATSO MYÖS 1C210 JA 9C110 KOHTA. Laskettaessa kuitu- tai säiemateriaalien ominaismurtovetolujuutta, ominaiskimmomoduulia tai ominaispainoa 1C010.a, 1C010.b tai 1C010.c kohdassa, murtovetolujuus ja kimmomoduuli on määritettävä ISO 10618 (2004) -standardissa kuvatun menetelmän A tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti. Arvioitaessa ei-yhdensuuntaisten kuitu- tai säiemateriaalien (esim. kudosten, mattojen ja punosten) ominaismurtovetolujuutta, ominaiskimmomoduulia tai ominaispainoa 1C010 kohdassa perustana on käytettävä yhdensuuntaisten monofilamenttien (esim. monofilamentit, langat, rovingit tai touvit) mekaanisia ominaisuuksia ennen kuin ne prosessoidaan ei-yhdensuuntaisiksi kuitu- tai säiemateriaaleiksi. 1C011 Seuraavat metallit ja yhdisteet: Huom. KATSO MYÖS ASETARVIKELUETTELO JA 1C111 KOHTA. Huom. Katso myös asetarvikeluettelo sellaisten metallijauheiden osalta, jotka sekoitetaan muiden aineiden kanssa sotilaskäyttöön suunnitellun seoksen muodostamiseksi. 1C012 Seuraavat materiaalit: Näitä materiaaleja käytetään tyypillisesti ydinlämpölähteissä. 1C101 Muut, kuin 1C001 kohdassa määritellyt, ohjuksissa, ohjusten alajärjestelmissä tai 9A012 kohdassa määritellyissä miehittämättömissä ilma-aluksissa käyttökelpoiset materiaalit ja laitteet, jotka pienentävät havaittavuutta, kuten tutkaheijastavuutta, ultravioletti-, infrapuna- tai akustista havaittavuutta. Huom. 1: 1C101 kohta sisältää: Huom. 2: 1C101 kohta ei sisällä pinnoitteita, kun niitä käytetään satelliittien lämmön kontrollointiin. 1C101 kohdassa ohjuksilla tarkoitetaan täydellisiä rakettijärjestelmiä ja miehittämättömiä ilma-alusjärjestelmiä, joiden kantomatka on yli 300 km. 1C102 9A004 kohdassa määriteltyihin avaruuteen laukaisussa käytettäviin kantoraketteihin tai 9A104 kohdassa määriteltyihin luotainraketteihin tarkoitetut toistokyllästetyt pyrolisoidut hiili-hiilimateriaalit. 1C107 Seuraavat, muut kuin 1C007 kohdassa määritellyt grafiitti- ja keraamiset materiaalit: 1C111 Seuraavat, muut kuin 1C011 kohdassa määritellyt ajoaineet tai ajoaineiden raaka-aineina käytettävät kemikaalit: Huom. Muut ajoaineet ja kemialliset ainesosat, joita 1C111 kohdassa ei ole määritelty: katso asetarvikeluettelo. 1C116 Maraging-teräkset, joita voidaan käyttää ohjuksissa ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: Huom. KATSO MYÖS 1C216 KOHTA. Maraging-teräkset ovat rautaseoksia: 1C116 kohdassa ohjuksilla tarkoitetaan täydellisiä rakettijärjestelmiä ja miehittämättömiä ilma-alusjärjestelmiä, joiden kantomatka on yli 300 km. 1C117 Seuraavat ohjuskomponenttien valmistukseen tarkoitetut materiaalit: In 1C117 kohdassa ohjuksilla tarkoitetaan täydellisiä rakettijärjestelmiä ja miehittämättömiä ilma-alusjärjestelmiä, joiden kantomatka on yli 300 km. 1C118 Titaanistabiloitu ruostumaton dupleksiteräs (Ti-DSS), jolla on: 1C202 Seuraavat metalliseokset, joita ei ole määritelty 1C002. b.3 tai b.4 kohdassa: Lujuusmääritelmä kattaa seokset sekä lämpökäsittelemättöminä että käsiteltyinä. 1C210 Seuraavat, muut kuin 1C010.a, b tai e kohdassa määritellyt kuitu- tai säiemateriaalit tai prepregit: Huom. 1C210 kohdassa kuitu- tai säiemateriaaleilla tarkoitetaan vain yhtäjaksoisia monofilamentteja, lankoja, rovingeja, touveja tai teippejä. 1C216 Muu kuin 1C116 kohdassa määritelty maraging-teräs, jonka murtovetolujuus voi 293 K (20 °C) asteen lämpötilassa ylittää arvon 1950 MPa. Huom. 1C216 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi kappaleita, joiden mikään lineaarinen ulottuvuus ei ole suurempi kuin 75 mm. Lujuusmääritelmä kattaa maraging-teräksen sekä lämpökäsittelemättömänä että lämpökäsiteltynä. 1C225 Boori, joka on rikastettu boori-10-isotoopilla (10B) suurempaan kuin luonnolliseen isotooppipitoisuuteen, seuraavasti: alkuaineboori, yhdisteet, booria sisältävät seokset, niistä valmistetut tuotteet, kaikesta edellä mainitusta syntyvä jäte tai romu. Huom. 1C225 kohdassa booria sisältäviin seoksiin kuuluvat booripitoiset materiaalit. Boori-10:n luonnollinen isotooppipitoisuus on noin 18,5 painoprosenttia (20 atomiprosenttia). 1C226 Muut kuin 1C117 kohdassa määritellyt volframi, volframikarbidi ja seokset, joissa on enemmän kuin 90 painoprosenttia volframia ja joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista: Huom. 1C226 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi tuotteita, jotka on erityisesti suunniteltu käytettäväksi painoina tai gammasädekollimaattoreina. 1C227 Kalsium, jolla on molemmat seuraavista ominaisuuksista: 1C228 Magnesium, jolla on molemmat seuraavista ominaisuuksista: 1C229 Vismutti, jolla on molemmat seuraavista ominaisuuksista: 1C230 Muut kuin asetarvikeluettelossa määritellyt berylliummetalli, yli 50 painoprosenttia berylliumia sisältävät seokset, berylliumyhdisteet, niistä tehdyt valmisteet sekä kaikista edellä mainituista syntyvä jäte tai romu. Huom. KATSO MYÖS ASETARVIKELUETTELO. Huom. 1C230 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi seuraavia: 1C231 Hafniummetalli, enemmän kuin 60 painoprosenttia hafniumia sisältävät seokset, enemmän kuin 60 painoprosenttia hafniumia sisältävät hafniumyhdisteet, näistä tehdyt valmisteet sekä kaikesta edellä mainitusta syntyvä jäte tai romu. 1C232 Helium-3 (3He), helium-3:a sisältävät seokset ja mitä tahansa edellä mainittua ainetta sisältävät tuotteet tai laitteet. Huom. 1C232 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi tuotetta tai laitetta, joissa on vähemmän kuin 1 g helium-3-isotooppia. 1C233 Litium, joka on rikastettu 6-isotoopilla (6Li) suurempaan kuin luonnolliseen isotooppipitoisuuteen, sekä rikastettua litiumia sisältävät tuotteet tai laitteet, seuraavasti: seokset (lejeeringit), yhdisteet, litiumia sisältävät seokset, näistä tehdyt valmisteet, sekä kaikesta edellä mainitusta syntyvä jäte tai romu. Huom. 1C233 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi termoluminesenssiannosmittareita. Litiumin 6-isotoopin pitoisuus luonnossa on noin 6,5 painoprosenttia (7,5 atomiprosenttia). 1C234 Zirkonium, jonka hafnium-pitoisuus on vähemmän kuin 1 paino-osa hafniumia per 500 osaa zirkoniumia seuraavasti: metallina, enemmän kuin 50 painoprosenttia zirkoniumia sisältävinä seoksina tai yhdisteinä, näistä tehtyinä valmisteina sekä kaikkena edellä mainitusta syntyvänä jätteenä tai romuna, muut kuin 0A001.f kohdassa määritellyt. Huom. 1C234 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi zirkoniumia, joka on enintään 0,10 mm paksuisena foliona. 1C235 Tritium, tritiumyhdisteet ja tritiumia sisältävät seokset, joissa tritiumatomien lukumääräsuhde vetyatomeihin ylittää 1:1000 sekä mitä tahansa edellä mainittua ainetta sisältävät tuotteet ja laitteet. Huom. 1C235 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi tuotteita ja laitteita, joissa on vähemmän kuin 1,48 × 103 GBq (40 Ci) tritiumia. 1C236 Muut kuin 0C001 ja 1C012.a kohdassa määritellyt alfa-n-reaktioon perustuvat radionuklidit, jotka soveltuvat neutronilähteiden valmistukseen, seuraavissa muodoissa: Huom. 1C236 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi tuotteita tai laitteita, jotka sisältävät alle 3,7 GBq (100 millicurietä) hiukkasaktiivisuutta. 1C236 kohdassa radionuklidit ovat mitä tahansa seuraavista: 1C237 Radium-226 (226Ra), radium-226-lejeeringit, radium-226-yhdisteet, radium-226:ta sisältävät seokset, näistä valmistetut tuotteet, ja mitä tahansa edellä mainittua ainetta sisältävät tuotteet tai laitteet. Huom. 1C237 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi seuraavia: 1C238 Klooritrifluoridi (ClF3). 1C239 Muut kuin asetarvikeluettelossa määritellyt voimakkaat räjähteet tai niitä enemmän kuin 2 painoprosenttia sisältävät seokset tai aineet, joiden kidetiheys on suurempi kuin 1,8 g/cm3 ja räjähdysnopeus yli 8000 m/s. 1C240 Muut kuin 0C005 kohdassa määritellyt nikkelijauheet ja huokoinen metallinen nikkeli seuraavasti: Huom. 1C240 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi seuraavia: 1C240.b kohdassa tarkoitetaan huokoista metallia, joka muodostuu, kun 1C240.a kohdassa tarkoitettuja materiaaleja puristetaan kokoon ja sintrataan siten, että saadaan metallista materiaalia, jossa hienot huokoset jatkuvat koko rakenteen läpi. 1C241 Renium ja reniumseokset, joiden reniumpitoisuus on vähintään 90 painoprosenttia; ja reniumin ja volframin seokset, jotka sisältävät reniumin ja volframin eri yhdistelmiä vähintään 90 painoprosenttia ja joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista: 1C350 Seuraavat kemikaalit, joita voidaan käyttää myrkyllisten kemiallisten aineiden lähtöaineina, sekä yhtä tai useampaa niistä sisältävät kemialliset seokset: Huom. KATSO MYÖS ASETARVIKELUETTELO JA 1C450 KOHTA. Huom. 1: Kemiallisia aseita koskevaan yleissopimukseen kuulumattomiin valtioihin vietävien tuotteiden osalta 1C350 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi kemiallisia seoksia, jotka sisältävät yhtä tai useampaa 1C350 kohdan 1, 3, 5, 11, 12, 13, 17, 18, 21, 22, 26, 27, 28, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 54, 55, 56, 57 ja 63 kohdassa mainittua kemikaalia ja joissa yksikään yksittäinen kemikaali ei muodosta yli 10 painoprosenttia kyseisestä seoksesta. Huom. 2: Kemiallisia aseita koskevaan yleissopimukseen kuuluviin valtioihin vietävien tuotteiden osalta 1C350 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi kemiallisia seoksia, jotka sisältävät yhtä tai useampaa 1C350 kohdan 1, 3, 5, 11, 12, 13, 17, 18, 21, 22, 26, 27, 28, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 54, 55, 56, 57 ja 63 kohdassa mainittua kemikaalia ja joissa yksikään yksittäinen kemikaali ei muodosta yli 30 painoprosenttia kyseisestä seoksesta. Huom. 3: 1C350 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi kemiallisia seoksia, jotka sisältävät yhtä tai useampaa 1C350 kohdan 2, 6, 7, 8, 9, 10, 14, 15, 16, 19, 20, 24, 25, 30, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 58, 59, 60, 61 ja 62 kohdassa mainittua kemikaalia ja joissa yksikään yksittäinen kemikaali ei muodosta yli 30 painoprosenttia kyseisestä seoksesta. Huom. 4: 1C350 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi kuluttajahyödykkeiksi määriteltyjä tuotteita, jotka on pakattu vähittäismyyntiä varten henkilökohtaiseen käyttöön tai pakattu yksityiskäyttöä varten. 1C351 Ihmisten ja eläinten patogeenit ja toksiinit seuraavasti: Huom. 1C351 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi rokotteita tai immunotoksiineja. 1C352 Ei käytössä 1C353 Seuraavat geneettinen materiaali ja geneettisesti muunnetut organismit: Geneettisesti muunnetut organismit ovat organismeja, jonka perintöainesta (nukleiinihapposekvenssejä) on muutettu tavalla, joka ei toteudu luonnossa pariutumisen tuloksena ja/tai luonnollisena rekombinaationa, ja niihin sisältyvät organismit, jotka on tuotettu kokonaan tai osittain keinotekoisesti. Geneettinen materiaali sisältää muun muassa joko geneettisesti muunnettuja tai muuntamattomia taikka kokonaan tai osittain kemiallisesti syntetisoituja kromosomeja, genomeja, plasmideja, transposoneja ja vektoreja. 1C351.a, 1C351.c, 1C351.e tai 1C354 kohdassa määriteltyjen mikro-organismien patogeenisyyteen liittyvillä nukleiinihapposekvensseillä tarkoitetaan mitä tahansa määritellyn mikro-organismin spesifistä sekvenssiä, Huom. 1C353 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi sellaisia nukleiinihapposekvenssejä, jotka liittyvät enterohemorragisen Escherichia colin serotyypin O157:n ja muiden verotoksiinia muodostavien kantojen patogeenisyyteen, lukuun ottamatta niitä, jotka koodaavat verotoksiinia tai sen alayksiköitä. 1C354 Seuraavat kasvipatogeenit: 1C450 Seuraavat toksiset kemikaalit ja toksisten kemikaalien lähtöaineet sekä yhtä tai useampaa niistä sisältävät kemialliset seokset: Huom. KATSO MYÖS 1C350, 1C351.d ja ASETARVIKELUETTELO

1C Tekn. huom. a.

1C Taotut tai työstetyt materiaalit, jotka on valmistettu valssaamalla, vetämällä, suulakepuristamalla, takomalla, kylmäpursottamalla, meistämällä, rouhimalla, hiventämällä ja jauhamalla, so. kulmakiskot, kourut, pyörylät, kiekot, pöly, hiutaleet, foliot ja ohutlevy, taos, levy, pulveri, puristeet ja meistot, nauha, renkaat, tangot (mukaan lukien paljaat hitsauslangat, valssilangat ja valssivanungit), muotometallit, profiilit, levyt ja putket (mukaan lukien putkikehät, neliökanget ja ontot palkit), vedetyt tai puristetut langat;

b.

Valettu materiaali, joka on tuotettu valamalla hiekka-, suulake-, metalli-, kipsi- tai muun tyyppisellä muotilla, mukaan lukien korkeapainevalokset, sintratut muodot ja pulverimetallurgialla aikaansaadut muodot.

a.

Materiaalit, jotka absorboivat yli 2 × 108 mutta alle 3 × 1012 hertsin taajuuksia; Huom. 1: 1C001.a kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi: Huom. 2: Mikään 1C001.a kohtaa koskevassa huomautuksessa 1 ei vapauta maaliin sisällytettyjä magneettisia materiaaleja, joiden tarkoitus on tehdä se absorbtiokykyiseksi.

a.

Luonnon- tai synteettisistä kuiduista rakentuvia hiustyyppisiä absorboivia materiaaleja, joiden absorptiokyky on saatu aikaan ei-magneettisella täyteaineella;

b.

Absorboivia materiaaleja, joilla ei ole lainkaan magneettista häviötä ja joiden kohtauspinta ei ole muodoltaan taso, mukaan lukien pyramidi-, kartio-, kiila- sekä poimuiset pinnat;

c.

Tasopintaisia absorboivia materiaaleja, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1. Tekn. huom.

Ne on valmistettu: 1C001.a kohdan 1.c.1 huomautuksessa tarkoitettujen absorptiotestinäytteiden on oltava neliöitä, joiden sivun pituus on vähintään 5 keskitaajuuden aallonpituutta, ja ne on asetettava säteilevän elementin kaukokenttään.

1. a.

Taipuisista tai jäykistä vaahtomuoveista, joissa täyteaineena on hiili, tai orgaanisista materiaaleista, mukaan luettuna sideaineet, jotka antavat metalliin verrattuna yli 5 %:n kaiun kaistalla, joka on yli ± 15 % kohtaavan energian keskitaajuudesta, ja jotka eivät kestä yli 450 K (177 °C) asteen lämpötiloja; tai

b.

Keraamisista materiaaleista, jotka antavat metalliin verrattuna yli 20 %:n kaiun kaistalla, joka on yli ± 15 % kohtaavan energian keskitaajuudesta, ja jotka eivät kestä 800 K (527 °C) asteen ylittäviä lämpötiloja;

2. Niiden vetolujuus on pienempi kuin 7 × 106 N/m2; ja

3. Niiden puristuslujuus on pienempi kuin 14 × 106 N/m2;

d.

Sintratusta ferriitistä valmistetut tasopintaiset absorboivat materiaalit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1. Ominaispaino ylittää 4,4; ja

2. Maksimitoimintalämpötila on 548 K (275 °C) astetta.

b.

1C001 Materiaalit, jotka absorboivat yli 1,5 × 1014 mutta alle 3,7 × 1014 hertsin taajuuksia ja jotka eivät läpäise näkyvää valoa; Huom. 1C001.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi materiaaleja, jotka on erityisesti suunniteltu tai muodostettu seuraavia sovelluksia varten:

a.

Polymeerien lasermerkintä; tai

b.

Polymeerien laserhitsaus;

c. Tekn. huom.

Itseisjohtavat polymeerimateriaalit, joiden kokonaissähkönjohtokyky ylittää 10000 S/m (siemensiä metriä kohti) tai pintaresistiivisyys on alle 100 ohmia/m2, ja jotka perustuvat johonkin seuraavista polymeereistä: Huom. 1C001.c kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi nestemäisessä muodossa olevia materiaaleja. Kokonaissähkönjohtokyky ja pintaresistiivisyys on määriteltävä ASTM D-257:n tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti.

c.

1. Polyaniliini;

2. Polypyroli;

3. Polytiofeeni;

4. Polyfenyleenivinyleeni; tai

5. Polytienyleenivinyleeni.

1C Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2.3. a.

Seuraavat aluminidit:

1. Nikkelialuminidit, jotka sisältävät vähintään 15 painoprosenttia alumiinia, korkeintaan 38 painoprosenttia alumiinia ja vähintään yhden lisäseosalkuaineen;

2. Titaanialuminidit, jotka sisältävät 10 painoprosenttia tai enemmän alumiinia ja vähintään yhden lisäseosalkuaineen;

b.

Seuraavat metalliseokset, jotka on valmistettu 1C002.c kohdassa määritellyistä jauhe- tai hiukkasmaisista materiaaleista:

1. Nikkeliseokset, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1. a.

Jännitysmurtumaikä on 10000 tuntia tai enemmän 923 K (650 °C) asteen lämpötilassa rasituksen ollessa 676 MPa; tai

b.

Low cycle -väsymisikä on 10000 jaksoa tai enemmän 823 K (550 °C) asteen lämpötilassa maksimirasituksen ollessa 1095 MPa;

2. 1C002 b. Niobiumseokset, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

2. a.

Jännitysmurtumaikä on 10000 tuntia tai enemmän 1073 K (800 °C) asteen lämpötilassa rasituksen ollessa 400 MPa; tai

b.

Low cycle -väsymisikä on 10000 jaksoa tai enemmän 973 K (700 °C) asteen lämpötilassa maksimirasituksen ollessa 700 MPa;

3. Titaaniseokset, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

3. a.

Jännitysmurtumaikä on 10000 tuntia tai enemmän 723 K (450 °C) asteen lämpötilassa rasituksen ollessa 200 MPa; tai

b.

Low cycle -väsymisikä on 10000 jaksoa tai enemmän 723 K (450 °C) asteen lämpötilassa maksimirasituksen ollessa 400 MPa;

4. Alumiiniseokset, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

4. a.

Vetolujuus on 240 MPa tai enemmän lämpötilan ollessa 473 K (200 °C) astetta; tai

b.

Vetolujuus on 415 MPa tai enemmän lämpötilan ollessa 298 K (25 °C) astetta;

5. Magnesiumseokset, joilla on kaikki seuraavista ominaisuudet:

5. a.

Vetolujuus on 345 MPa tai enemmän; ja

b.

Syöpymisnopeus on vähemmän kuin 1 mm/vuosi 3-prosenttisessa natriumkloridin vesiliuoksessa mitattuna ASTM-standardin G-31 tai vastaavan kansallisen standardin mukaisesti;

c.

Metalliseosjauhe- tai hiukkasmaiset materiaalit, jotka täyttävät kaikki seuraavat edellytykset:

1. Tekn. huom.

Ne on tehty jostakin seuraavista seossysteemeistä: Seuraavissa kaavoissa X tarkoittaa yhtä tai useampaa seosalkuainetta.

a.

Nikkeliseokset (Ni-Al-X, Ni-X-Al), jotka ovat turbiinimoottorien osiksi sopivia, eli joissa on vähemmän kuin 3 (valmistusprosessin aikana lisättyä) kooltaan yli 100 μm olevaa epämetallipartikkelia 109 seospartikkelia kohti;

b.

Niobiumseokset (Nb-Al-X tai Nb-X-Al, Nb-Si-X tai Nb-X-Si, Nb-Ti-X tai Nb-X-Ti);

c.

Titaaniseokset (Ti-Al-X tai Ti-X-Al);

d.

Alumiiniseokset (Al-Mg-X tai Al-X-Mg, Al-Zn-X tai Al-X-Zn, Al-Fe-X tai Al-X-Fe); tai

e.

Magnesiumseokset (Mg-Al-X tai Mg-X-Al);

2. Ne on valmistettu kontrolloiduissa olosuhteissa jollakin seuraavista prosesseista:

2. a.

Tyhjöatomisointi;

b.

Kaasuatomisointi;

c.

Pyörivä atomisointi;

d.

Läimäyssammutusmenetelmä,

e.

Sulakehräys ja jauhatus;

f.

Sulaerotus ja jauhatus; tai

g.

Mekaaninen seostus; ja

3. Ne voivat muodostaa 1C002.a tai 1C002.b kohdassa määriteltyjä materiaaleja.

d.

1C002 Seostetut materiaalit, jotka täyttävät kaikki seuraavat edellytykset:

1. Ne on tehty 1C002.c.1 kohdassa määritellyistä seossysteemeistä;

2. Ne ovat hienontamattomina hiutaleina, nauhoina tai ohuina tankoina; ja

3. Ne on tuotettu kontrolloidussa ympäristössä jollakin seuraavista menetelmistä:

3. a.

Läimäyssammutusmenetelmä;

b.

Sulakehräysmenetelmä; tai

c.

Sulaerotusmenetelmä.

a. Tekn. huom.

Suhteellinen alkupermeabiliteetti 120000 tai enemmän ja paksuus 0,05 mm tai vähemmän; Suhteellisen alkupermeabiliteetin mittaus on suoritettava täysin hehkutetuilla materiaaleilla.

b.

Magnetostriktiiviset metalliseokset, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1. Magnetostriktiivinen saturaatio on enemmän kuin 5 × 10–4; tai

2. Magnetomekaaninen kytkentäkerroin (k) on enemmän kuin 0,8; tai

c. Tekn. huom.

Amorfiset tai nanokiteiset metalliseosnauhat, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: 1C003.C kohdassa nanokiteiset materiaalit ovat sellaisia materiaaleja, joiden röntgendiffraktiolla määritelty kideraekoko on 50 nm tai vähemmän.

c.

1. Koostumuksesta vähintään 75 painoprosenttia on rautaa, kobolttia tai nikkeliä;

2. Magneettisen induktion saturaatio (Bs) on 1,6 T tai enemmän; ja

3. Jokin seuraavista:

3. a.

Nauhapaksuus on 0,02 mm tai vähemmän; tai

b.

Ominaisresistanssi on 2 × 10–4 ohmi cm tai enemmän.

a.

Tiheys on suurempi kuin 17,5 g/cm3;

b.

Elastisuusraja ylittää 880 MPa;

c.

Murtolujuus ylittää 1270 MPa; ja

d.

Venymä ylittää 8 %.

a.

Suprajohtavat komposiittijohtimet, jotka sisältävät yhden tai useamman niobium-titaanifilamentin ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1. Ne on istutettu muuhun matriisiin kuin kupari- tai kuparipohjaiseen matriisiin; ja

2. Niiden poikkileikkauksen pinta-ala on vähemmän kuin 0,28 × 10–4 mm2 (pyöreiden filamenttien halkaisija on vähemmän kuin 6 μm);

b.

1C005 Yhdestä tai useammasta, muusta kuin niobium-titaanista valmistetusta suprajohtavasta filamentista koostuvat suprajohtavat komposiittijohtimet:

1. Joiden kriittinen lämpötila magneettisen induktion nollapisteessä ylittää 9,85 K (–263,31 °C) astetta; ja

2. Jotka pysyvät suprajohtavassa tilassa 4,2 K (–268,96 °C) asteessa, kun ne asetetaan magneettikenttään, joka on suunnattu mihin tahansa suuntaan kohtisuorassa johtimen pituusakseliin nähden ja jonka magneettinen induktio on 12 T siten, että kriittisen virran tiheys on enemmän kuin 1750 A/mm2 johtimen kokonaispoikkileikkauksen kohdalla;

c.

Suprajohtavat komposiittijohtimet, jotka koostuvat yhdestä tai useammasta suprajohtavasta filamentista ja jotka pysyvät suprajohtavassa tilassa yli 115 K (–158,16 °C) asteessa.

1C Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2.3. Tekn. huom. a.

Hydraulinesteet, jotka sisältävät perusainesosanaan jotain seuraavista:

1. Tekn. huom.

Synteettiset pii-hiili-vety-öljyt, joiden: 1C006.a.1 kohdassa pii-hiili-vety-öljyt sisältävät pelkästään piitä, vetyä ja hiiltä.

a.

Leimahduspiste ylittää 477 K (204 °C) astetta;

b.

Jähmepiste on 239 K (–34 °C) astetta tai alempi;

c.

Viskositeetti-indeksi on 75 tai enemmän; ja

d.

Terminen stabiliteetti on 616 K (343 °C) astetta; tai

2. Tekn. huom.

Kloori-fluori-hiili-yhdisteet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: 1C006.a.2 kohdassa kloori-fluori-hiili-yhdisteet sisältävät pelkästään klooria, fluoria ja hiiltä.

a.

Ei ole leimahduspistettä;

b.

Itsesyttymislämpötila on yli 977 K (704 °C) astetta;

c.

Jähmepiste on 219 K (–54 °C) astetta tai alempi;

d.

Viskositeetti-indeksi on 80 tai enemmän; ja

e.

Kiehumispiste on 473 K (200 °C) astetta tai korkeampi;

b.

Voiteluaineet, jotka sisältävät perusainesosanaan jotain seuraavista:

1. Fenyleeni- tai alkyylifenyleenieetterit tai -tioeetterit tai niiden seokset, jotka sisältävät enemmän kuin kaksi eetteri- tai tioeetterifunktiota tai niiden seosta; tai

2. Fluoratut silikoninesteet, joiden kinemaattinen viskositeetti on vähemmän kuin 5000 mm2/s (5000 senttistokea) 298 K (25 °C) asteen lämpötilassa mitattuna;

c.

1C006 Höyrystys- tai vaahdotusnesteet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1. Niiden puhtaus ylittää 99,8 %;

2. Ne sisältävät 100 millilitrassa vähemmän kuin 25 kooltaan 200 μm tai suurempaa partikkelia; ja

3. Ne on valmistettu vähintään 85-prosenttisesti jostakin seuraavista:

3. a.

Dibromitetrafluorietaani (CAS 25497-30-7, 124-73-2, 27336-23-8);

b.

Polyklooritrifluorietyleeni (vain öljyiset tai vahamaiset muunnokset); tai

c.

Polybromitrifluorietyleeni;

d.

Elektroniikan fluori-hiili-jäähdytysnesteet, jotka täyttävät kaikki seuraavat edellytykset: Huom. 1C006.d kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi lääkevalmisteiksi määriteltyjä ja sellaisina pakattuja materiaaleja.

1. Sisältävät 85 painoprosenttia tai enemmän jotakin seuraavista tai niiden seoksista:

1. a.

Monomeerimuotoisia perfluoripolyalkylieetteri-triatsiineja tai perfluorialifaatti-eettereitä;

b.

Perfluorialkyyliamineita;

c.

Perfluorisykloalkaaneja; tai

d.

Perfluorialkaaneja;

2. Tiheys 298 K (25 °C) asteessa on 1,5 g/ml tai enemmän;

3. Nestemäisessä tilassa 273 K (0 °C) asteessa; ja

4. Sisältävät 60 painoprosenttia tai enemmän fluoria.

1C Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2.3. Tekn. huom. Tekn. huom.

1. Leimahduspiste määritetään ASTM D-92:n kuvaamalla Cleveland Open cup- tai vastaavilla kansallisilla menetelmillä.

2. Jähmepiste määritetään ASTM D-97:n kuvaamalla tai vastaavilla kansallisilla menetelmillä.

3. Viskositeetti-indeksi määritetään ASTM D-2270:n kuvaamalla tai vastaavilla kansallisilla menetelmillä.

4. Terminen stabiliteetti määritetään seuraavalla koemenettelyllä tai vastaavilla kansallisilla menetelmillä: 20 ml testattavaa nestettä asetetaan 46 ml:n vetoiseen ruostumattomasta teräksestä (tyyppiä 317) valmistettuun kammioon, joka sisältää yhden työkaluteräksisen (M-10), yhden teräksisen (52100) ja yhden laivapronssisen (60 % Cu, 39 % Zn, 0,75 % Sn) kuulan, joiden (nimellis)halkaisija on 12,5 mm. Kammio tyhjennetään typen avulla ja suljetaan (yhden) ilmakehän paineeseen, ja lämpötila nostetaan 644 ± 6 K (371 ± 6 °C) asteeseen kuudeksi tunniksi. Näytettä pidetään termisesti stabiilina, jos kaikki seuraavat ehdot täyttyvät:

4. a.

Kunkin kuulan paino vähenee vähemmän kuin 10 mg kuulan pinnan yhtä mm2 kohti;

b.

Alkuperäisen, 311 K (38 °C) asteessa määritetyn viskositeetin muutos on vähemmän kuin 25 %; ja

c.

Kokonaishappo- tai -emäsluku on vähemmän kuin 0,40;

5. Itsesyttymislämpötila määritetään ASTM E-659:n kuvaamalla tai vastaavilla kansallisilla menetelmillä.

a.

Yksinkertaisten tai kompleksisten titaaniboridien perusmateriaalit, joiden metallisten epäpuhtauksien kokonaismäärä, tarkoituksellisia lisäaineita lukuun ottamatta, on vähemmän kuin 5000 ppm, keskimääräinen partikkelikoko on 5 μm tai vähemmän, ja korkeintaan 10 % hiukkasista on kooltaan suurempia kuin 10 μm;

b.

Titaaniborideista koostuvat keraamiset ei-komposiittimateriaalit raaka-aineena tai puolivalmisteina, joiden tiheys on 98 % tai enemmän teoreettisesta tiheydestä; Huom. 1C007.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi hioma-aineita.

c.

Keraami-keraami-komposiitit, joilla on lasi- tai oksidimatriisi ja jotka on lujitettu kuiduilla, joilla on kaikki seuraavista:

1. Ne on tehty jostakin seuraavista materiaaleista:

1. a.

Si-N;

b.

Si-C;

c.

Si-Al-O-N; tai

d.

Si-O-N; ja

2. Niiden ominaismurtovetolujuus ylittää 12,7 × 103 m;

d.

Keraami-keraami-komposiittimateriaalit, joilla on tai ei ole jatkuvaa metallifaasia ja jotka sisältävät hienojakoisena minkä tahansa kuitumaisen tai whiskers-tyyppisen materiaalin hiukkasia tai faaseja ja joissa matriisin muodostavat piin, zirkoniumin tai boorin karbidit tai nitridit;

e.

Seuraavat väliaineet (erikoispolymeeri- tai metalliorgaaniset materiaalit), jotka on tarkoitettu 1C007.c kohdassa määriteltyjen materiaalien jonkin faasin tai faasien valmistamiseen:

1. Polydiorganosilaanit (piikarbidin valmistukseen);

2. Polysilatsaanit (piinitridin valmistukseen);

3. Polykarbosilatsaanit (pii-, hiili- ja typpikomponentteja sisältävien keraamisten aineiden valmistukseen).

f.

Keraami-keraami komposiittimateriaalit, joilla on oksidi- tai lasimatriisi, joka on lujitettu jonkin seuraavien järjestelmien jatkuvilla kuiduilla: Huom. 1C007.f kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi komposiitteja, jotka sisältävät näiden järjestelmien kuituja, joiden vetolujuus on vähemmän kuin 700 Mpa 1273 K (1000 °C) asteen lämpötilassa tai virumisvastus on enemmän kuin 1 %:n virumisvenymä 100 Mpa:n kuormalla ja 1273 K (1000 °C) asteessa 100 tunnin aikana.

1. Al2O3 (CAS 1344-28-1); tai

2. Si-C-N.

a.

Seuraavat imidit: Huom. 1C008.a kohdassa asetetaan valvonnanalaiseksi aineet, jotka ovat nestemäisessä tai kiinteässä plastisoituvassa muodossa, mukaan lukien hartsi, pulveri, pelletti, kalvo, levy, teippi tai nauha. Huom. Kalvon, levyn, teipin tai nauhan muodossa olevien ei-plastisoituvien aromaattisten polyimidien osalta ks. 1A003.

1. Bismaleimidit;

2. Aromaattiset polyamidi-imidit (PAI), joiden lasittumismislämpötila (Tg) ylittää 563 K (290 °C) astetta;

3. Aromaattiset polyeetteri-imidit, joiden lasittumismislämpötila (Tg) ylittää 505 K (232 °C) astetta;

4. 1C008 a. Aromaattiset polyeetteri-imidit, joiden lasittumismislämpötila (Tg) ylittää 563 K (290 °C) astetta;

b.

Termoplastiset nestekidesekapolymeerit, joilla pehmenemislämpötila ylittää 523 K (250 °C) astetta mitattuna ISO-standardin 75-2 (2004), menetelmän A tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti 1,80 N/mm2 kuormituksen alaisena, ja jotka koostuvat:

1. Jostakin seuraavista yhdisteistä:

1. a.

Fenyleeni, bifenyleeni tai naftaleeni; tai

b.

Metyyli-, tertiääri-butyyli- tai fenyylisubstituoitu fenyleeni, bifenyleeni tai naftaleeni; ja

2. Jostakin seuraavista hapoista:

2. a.

Tereftaalihappo (CAS 100-21-0);

b.

6-hydroksi-2-naftoehappo (CAS 16712-64-4); tai

c.

4-hydroksibentsoehappo (CAS 99-96-7);

c.

Ei käytössä;

d.

Polyaryleeniketonit;

e.

Polyaryleenisulfidit, joissa aryleeniryhmä on bifenyleeni, trifenyleeni tai jokin niiden yhdistelmistä;

f.

Polybifenyleenieetterisulfoni, joiden lasittumismislämpötila (Tg) ylittää 563 K (290 °C) astetta;

1C Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2.3. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2. a.

Vinyylideenifluoridin sekapolymeerit, joilla ilman venytystä on 75 % tai enemmän betakiderakennetta;

b.

Fluoratut polyimidit, jotka sisältävät 10 painoprosenttia tai enemmän sitoutunutta fluoria;

c.

Fluoratut fosfatseeni-elastomeerit, jotka sisältävät 30 painoprosenttia tai enemmän sitoutunutta fluoria.

a.

Orgaaniset kuitu- tai säiemateriaalit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: Huom. 1C010.a kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi polyetyleeniä.

1. Ominaiskimmokerroin ylittää 12,7 × 106 m; ja

2. Ominaismurtovetolujuus ylittää 23,5 × 104 m;

b.

1C010 Hiilipohjaiset kuitu- tai säiemateriaalit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: Huom. 1C010.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi:

1. Ominaiskimmokerroin ylittää 14,65 × 106 m; ja

2. Ominaismurtovetolujuus ylittää 26,82 × 104 m;

a.

Siviili-ilma-alusten rakenteiden tai laminointien korjaukseen tarkoitettuja kuitu- tai säiemateriaaleja, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1. Pinta-ala enintään 1 m2;

2. Pituus enintään 2,5 m; ja

3. Leveys enintään 15 mm.

b.

Mekaanisesti katkotut, rouhitut tai leikatut hiilipohjaiset kuitu- tai säiemateriaalit, joiden pituus on 25,0 mm tai vähemmän.

c.

Epäorgaaniset kuitu- tai säiemateriaalit, joiden: Huom. 1C010.c kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi:

1. Ominaiskimmokerroin ylittää 2,54 × 106 m; ja

2. Sulamis-, hajoamis- tai härmistymispiste on yli 1922 K (1649 °C) astetta neutraalissa ympäristössä;

a.

Epäjatkuvia, monifaasisia, monikiteisiä alumiinioksidikuituja katkeena tai mattona, jotka sisältävät 3 painoprosenttia tai enemmän piitä ja joiden ominaiskimmomoduuli on vähemmän kuin 10 × 106 m;

b.

Molybdeeni- ja molybdeeniseoskuituja;

c.

Boorikuituja;

d.

Epäjatkuvia keraamisia kuituja, joiden sulamis-, hajoamis- tai härmistymispiste on alempi kuin 2043 K (1770 °C) astetta neutraalissa ympäristössä.

1C Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2.3. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. d.

Kuitu- tai säiemateriaalit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1. Ne koostuvat joistakin seuraavista:

1. a.

1C008.a kohdassa määritellyistä polyeetteri-imideistä; tai

b.

1C008.b–1C008.f kohdassa määritellyistä materiaaleista; tai

2. Ne koostuvat joistakin 1C010.d.1.a tai b kohdassa määritellyistä materiaaleista ja joihin on sekoitettu muita, 1C010.a, 1C010.b tai 1C010.c kohdassa määriteltyjä kuituja;

e. Tekn. huom.

1C010 Seuraavat kokonaan tai osittain muovi- tai hartsikyllästetyt kuitu- tai säiemateriaalit (prepregit), metalli- tai hiilipinnoitteiset kuitu- tai säiemateriaalit (preformit) tai hiilikuitupreformit, jotka täyttävät kaikki seuraavat edellytykset: Huom. 1: Metalli- tai hiilipinnoitteiset kuitu- tai säiemateriaalit (preformit) tai hiilikuitupreformit, jotka eivät ole muovi- tai hartsikyllästettyjä, on määritelty kuitu- tai säiemateriaaleina 1C010.a, 1C010.b tai 1C010.c kohdassa. Huom. 2: 1C010.e kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi: Dynaamis-mekaanisessa analyysissa lasittumislämpötila (DMA Tg) 1C010.e kohdan materiaaleille määritetään ASTM D 702807:ssä tai vastaavassa kansallisessa standardissa kuvattua menetelmää käyttäen kuivatestauskappaleelle. Lämpökovetettujen materiaalien tapauksessa kuivatestauskappaleen kovettumisasteen on oltava vähintään 90 prosenttia, kuten ASTM E 2160-04:ssä tai vastaavassa kansallisessa standardissa on määritelty.

e.

1. Niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1. a.

1C010.c kohdassa määritellyt epäorgaaniset kuitu- tai säiemateriaalit; tai

b.

Orgaaniset tai hiilipohjaiset kuitu- tai säiemateriaalit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1. Ominaiskimmokerroin ylittää 10,15 × 106 m; ja

2. Ominaismurtovetolujuus ylittää 17,7 × 104 m; ja

2. Niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:

2. a.

1C008 tai 1C009.b kohdassa määritelty muovi tai hartsi;

b.

Dynaamis-mekaanisessa analyysissa lasittumislämpötila (DMA Tg) on 453 K (180 °C) tai sitä korkeampi, ja niissä on fenolihartsia; tai

c.

Dynaamis-mekaanisessa analyysissa lasittumislämpötila (DMA Tg) on 505 K (232 °C) tai sitä korkeampi, ja niissä on hartsia tai pihkaa, jota ei ole määritelty 1C008 tai 1C009.b kohdassa ja joka ei ole fenolihartsia.

a.

Epoksihartsimatriisilla kyllästettyjä hiilikuitu- tai -säiemateriaaleja (prepregejä), jotka on tarkoitettu siviili-ilma-alusten rakenteiden tai laminaattien korjaamiseen ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1. Pinta-ala enintään 1 m2;

2. Pituus enintään 2,5 m; ja

3. Leveys enintään 15 mm.

b.

Täysin tai osittain hartsilla tai pihkalla kyllästettyjä mekaanisesti katkottuja, rouhittuja tai leikattuja hiilipohjaisia kuitu- tai säiemateriaaleja, joiden pituus on 25,0 mm tai vähemmän, kun käytetään muuta kuin 1C008 tai 1C009.b kohdassa määriteltyä muovia tai hartsia.

a. 1C011 a.Tekn. huom.

Metallit, joiden hiukkaskoko on vähemmän kuin 60 μm riippumatta siitä ovatko ne pallomaisia, hivennettyjä, pallomaisia, hiutaloituja tai jauhettuja, jotka on valmistettu materiaalista, joka sisältää 99 % tai enemmän zirkoniumia, magnesiumia ja näiden seoksia; Hafniumin luontainen pitoisuus zirkoniumissa (tyypillisesti 2–7 prosenttia) lasketaan zirkoniumin kanssa. Huom. 1C011.a kohdassa määritellyt metallit tai seokset ovat valvonnanalaisia riippumatta siitä, onko metallit tai seokset kapseloitu alumiiniin, magnesiumiin, zirkoniumiin tai berylliumiin.

b.

Boori tai booriseokset, joiden hiukkaskoko on 60 μm tai vähemmän, seuraavasti: Huom. 1C011.b kohdassa määritellyt metallit tai seokset ovat valvonnanalaisia riippumatta siitä, onko metallit tai seokset kapseloitu alumiiniin, magnesiumiin, zirkoniumiin tai berylliumiin.

1. Boori, jonka puhtaus on 85 painoprosenttia tai suurempi;

2. Booriseokset, joiden booripitoisuus on 85 painoprosenttia tai suurempi;

c.

Guanidiininitraatti (CAS 506-88-7);

d.

Nitroguanidiini (NQ) (CAS 556-93-4).

1C Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2.3. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. a.

Plutonium missä tahansa muodossa, jonka plutonium-238 isotooppipitoisuus on enemmän kuin 50 % painosta; Huom. 1C012.a kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi:

a.

Toimituksia, joissa plutoniumsisältö on 1 g tai vähemmän;

b.

Toimituksia, joissa on 3 tehollista grammaa tai vähemmän instrumentin anturiosassa.

b.

Aiemmin erotettu neptunium-237 missä tahansa muodossa. Huom. 1C012.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi toimituksia, joissa neptunium-237 sisältö on 1 g tai vähemmän.

a.

Rakennemateriaalit ja pinnoitteet, jotka on erityisesti kehitetty pienentämään tutkaheijastuvuutta;

b.

Pinnoitteet, mukaan lukien maalit, jotka on erityisesti kehitetty vähentämään tai muuntamaan säteilyn heijastuvuutta tai emissiivisyyttä spektrin mikroaalto-, infrapuna- tai ultraviolettialueella;

1C Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2.3. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. Tekn. huom. a.

Hienorakeiset grafiitit, joiden kappaletiheys on 1,72 g/cm3 tai suurempi, 288 K (15 °C) asteen lämpötilassa mitattuna, ja joiden raekoko on 100 μm tai vähemmän ja joita voidaan käyttää rakettien suuttimissa ja ilmakehään palaamaan suunniteltujen alusten kärkikartioissa ja jotka voidaan työstää joksikin seuraavista tuotteista: Huom. Katso myös 0C004 kohta.

1. Sylinterit, joiden halkaisija on 120 mm tai suurempi ja joiden pituus on 50 mm tai enemmän;

2. Putket, joiden sisähalkaisija on 65 mm tai suurempi ja joiden seinämäpaksuus on 25 mm tai enemmän ja joiden pituus on 50 mm tai enemmän; tai

3. Lohkot, joiden koko on 120 mm × 120 × 50 mm tai enemmän;

b.

Pyrolyyttiset tai kuituvahvisteiset grafiitit, joita voidaan käyttää ohjuksissa, 9A004 kohdassa määritellyissä avaruuteen laukaisussa käytettävissä kantoraketeissa tai 9A104 kohdassa määritellyissä luotainraketeissa käytettävissä rakettien suuttimissa ja ilmakehään palamaan suunniteltujen alusten kärkikartioissa; Huom. Katso myös 0C004 kohta.

c.

Keraamiset komposiittimateriaalit (dielektrisyysvakio pienempi kuin 6 taajuusalueilla 100 MHz–100 GHz), joita käytetään ohjuksissa, 9A004 kohdassa määritellyissä avaruuteen laukaisussa käytettävissä kantoraketeissa tai 9A104 kohdassa määritellyissä luotainraketeissa käytettävissä tutka-antennien suojakuvuissa;

d.

Kokonaisina työstettävät piikarbidivahvisteiset polttamattomat keraamit, joita käytetään ohjuksissa, 9A004 kohdassa määritellyissä avaruuteen laukaisussa käytettävissä kantoraketeissa tai 9A104 kohdassa määritellyissä luotainraketeissa käytettävissä kärkikartioissa;

e.

Piikarbidivahvisteiset keraamiset komposiitit, joita voidaan käyttää ohjuksissa, 9A004 kohdassa määritellyissä avaruuteen laukaisussa käytettävissä kantoraketeissa tai 9A104 kohdassa määritellyissä luotainraketeissa käytettävissä kärkikartioissa, ilmakehään palamaan suunnitelluissa aluksissa ja suuttimen virtauksen ohjaimissa.

a.

Ajoaineet:

1. Tekn. huom.

Muu kuin asetarvikeluettelossa mainittu pallomainen tai sferoidinen alumiinijauhe, jonka hiukkaskoko alle 200 μm ja alumiinipitoisuus 97 painoprosenttia tai korkeampi, jos vähintään 10 prosenttia kokonaispainosta muodostuu hiukkasista, joiden halkaisija on alle 63 μm, ISO-standardin 2591:1988 tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti; Hiukkaskoko 63 μm (ISO R-565) vastaa raekokoa 250 (Tyler) tai 230 (ASTM-standardi E-11).

2. Metallijauheet, muut kuin asetarvikeluettelossa määritellyt, seuraavasti: Huom. 1C111a.2.a ja 1C111a.2.b kohdassa asetetaan valvonnanalaiseksi jauheseokset, joiden hiukkasjakauma on monimuotoinen (esim. eri kokoisista rakeista muodostuvat seokset), jos yksi tai useampi muodoista on valvonnanalainen.

2. a. Tekn. huom.

Zirkoniumin, berylliumin tai magnesiumin tai näiden metallien seosten metallijauheet, jos vähintään 90 % kaikista hiukkasista määrän tai painon perusteella koostuu alle 60 μm:n hiukkasista (määritettynä mittaustekniikoilla kuten käyttämällä seulaa, laser-diffraktiota tai optista lukijaa), riippumatta siitä, ovatko ne pallomaisia, hivennettyjä, pallomaisia, hiutaloituja tai jauhettuja, ja jotka sisältävät vähintään 97 painoprosenttia jotakin seuraavista: Hafniumin luontainen pitoisuus zirkoniumissa (tyypillisesti 2–7 prosenttia) lasketaan zirkoniumin kanssa.

a.

1. Zirkonium;

2. Beryllium; tai

3. Magnesium;

b.

1C111 a. 2. Boorin tai booriseosten, joiden booripitoisuus on vähintään 85 painoprosenttia, metallijauheet, jos vähintään 90 prosenttia kaikista hiukkasista määrän tai painon perusteella koostuu alle 60 μm:n hiukkasista (määritettynä mittaustekniikoilla kuten käyttämällä seulaa, laser-diffraktiota tai optista lukijaa), riippumatta siitä, ovatko ne pallomaisia, hivennettyjä, pallomaisia, hiutaloituja tai jauhettuja:

3. Seuraavat nestemäistä polttoainetta käyttävissä rakettimoottoreissa käytettävät hapettavat aineet:

3. a.

Dityppitrioksidi (CAS 10544-73-7);

b.

Typpidioksidi (CAS 10102-44-0)/dityppitetroksidi (CAS 10544-72-6);

c.

Dityppipentoksidi (CAS 10102-03-1);

d. Tekn. huom.

Typpioksidisekoitukset (MON); Typpioksidisekoitukset (MON) ovat typpioksidin (NO) liuoksia dityppitetroksidissa/typpidioksidissa (N2O4/NO2), joita voidaan käyttää ohjusjärjestelmissä. On olemassa joukko koostumuksia, jotka voidaan nimetä lyhenteillä MONi tai MONij, joissa i ja j ovat kokonaislukuja, jotka kuvaavat typpioksidin prosenttiosuutta seoksessa (esim. MON3 sisältää 3 prosenttia typpioksidia, MON25 taas 25 prosenttia typpioksidia. Yläraja on MON40 eli 40 painoprosenttia).

e.

KATSO ASETARVIKELUETTELO Inhibioitu punahöyryinen typpihappo (IRFNA);

f.

KATSO ASETARVIKELUETTELO JA 1C238 Yhdisteet, jotka muodostuvat fluorista ja yhdestä tai useammasta muusta halogeenista, hapesta tai typestä.

4. Seuraavat hydratsiinijohdannaiset: Huom. KATSO MYÖS ASETARVIKELUETTELO.

4. a.

Trimetyylihydratsiini (CAS 1741-01-1);

b.

Tetrametyylihydratsiini (CAS 6415-12-9);

c.

N,N-diallyylihydratsiini;

d.

Allyylihydratsiini (CAS 7422-78-8);

e.

Etyleenidihydratsiini;

f.

Monometyylihydratsiinidinitraatti;

g.

Epäsymmetrinen dimetyylihydratsiininitraatti;

h.

Hydratsiniumatsidi (CAS 14546-44-2);

i.

Dimetyylihydratsiniumatsidi;

j.

Hydratsiniumdinitraatti;

k.

Di-imido-oksaalihappodihydratsiini (CAS 3457-37-2);

l.

2-hydroksietyylihydratsiininitraatti (HEHN);

m.

Katso asetarvikeluettelo hydratsiniumperkloraatin osalta;

n.

Hydratsiniumdiperkloraatti (CAS 13812-39-0);

o.

1C111 a. 4. Metyylihydratsiininitraatti (MHN):

p.

Dietyylihydratsiininitraatti (DEHN);

q.

3,6-dihydratsinotetratsiininitraatti (1,4-dihydratsiininitraatti) (DHTN);

5. Tekn. huom.

Muut kuin asetarvikeluettelossa määritellyt materiaalit, joiden energiatiheys on korkea ja joita voidaan käyttää ohjuksissa tai 9A012 kohdassa määritellyissä miehittämättömissä ilma-aluksissa; 1C111.a.5 kohdassa ohjuksilla tarkoitetaan täydellisiä rakettijärjestelmiä ja miehittämättömiä ilma-alusjärjestelmiä, joiden kantomatka on yli 300 km.

5. a.

Sekapolttoaineet, jotka sisältävät sekä kiinteitä että nestemäisiä polttoaineita, kuten booriliete, ja joiden massaan perustuva energiatiheys on 40 × 106 J/kg tai enemmän;

b.

Muut polttoaineet ja polttoaineiden lisäaineet, joiden energiatiheys on korkea (esim. kubaani, ioniliokset, JP-10) ja joiden tilavuuteen perustuva energiatiheys on 37,5 × 109 J/m3 tai enemmän mitattuna 20 °C lämpötilassa ja yhden ilmakehän (101,325 kPa) paineessa; Huom. 1C111.a.5.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi jalostettuja fossiilisia polttoaineita ja kasviperäisiä biopolttoaineita mukaan lukien moottoripolttoaineet, jotka on sertifioitu käytettäväksi siviili-ilmailussa, ellei niitä ole erityisesti suunniteltu ohjuksia tai 9A012 kohdassa määriteltyjä miehittämättömiä ilma-aluksia varten.

b.

Polymeeriset aineet:

1. Karboksipäätteinen polybutadieeni (mukaan lukien karboksyylipäätteinen polybutadieeni) (CTPB);

2. Hydroksipäätteinen polybutadieeni (mukaan lukien hydroksyylipäätteinen polybutadieeni) (HTPB), muu kuin asetarvikeluettelossa määritelty;

3. Polybutadieeniakryylihappo (PBAA);

4. Polybutadieeniakryylihappoakrylonitriili (PBAN);

5. Tekn. huom.

Polytetrahydrofuraanipolyetyleeniglykoli (TPEG); Polytetrahydrofuraanipolyetyleeniglykoli (TPEG) on poly-1,4-butaanidiolin ja polyetyleeniglykolin (PEG) blokkikopolymeeri.

c.

Muut ajoaineiden lisä- ja apuaineet:

1. KATSO ASETARVIKELUETTELOSTA karboraanit, dekaboraanit, pentaboraanit ja niiden johdannaiset;

2. Trietyleeniglykolidinitraatti (TEGDN) (CAS 111-22-8);

3. 2-nitrodifenyyliamiini (CAS 119-75-5);

4. Trimetylolietaanitrinitraatti (TMETN) (CAS 3032-55-1);

5. Dietyleeniglykolidinitraatti (DEGDN) (CAS 693-21-0);

6. Seuraavat ferroseenijohdannaiset:

6. a.

Katso asetarvikeluettelosta katoseeni;

b.

Etyyliferroseeni (CAS 1273-89-8);

c.

Propyyliferroseeni;

d.

1C111 c. 6. Katso asetarvikeluettelosta n-butyyliferroseeni;

e.

Pentyyliferroseeni (CAS 1274-00-6);

f.

Disyklopentyyliferroseeni;

g.

Disykloheksyyliferroseeni;

h.

Dietyyliferroseeni (CAS 1273-97-8);

i.

Dipropyyliferroseeni;

j.

Dibutyyliferroseeni (CAS 1274-08-4);

k.

Diheksyyliferroseeni (CAS 93894-59-8);

l.

Asetyyliferroseeni (CAS 1271-55-2) / 1,1′ -diasetyyliferroseeni (CAS 1273-94-5);

m.

Katso asetarvikeluettelosta ferroseenikarboksyylihapot;

n.

Katso asetarvikeluettelosta butaseeni;

o.

Muut kuin asetarvikeluettelossa määritellyt ferroseenijohdannaiset, joita voidaan käyttää rakettien ajoaineiden palamisnopeuden muuttamiseen. Huom. 1C111.c.6.o kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi ferroseenijohdannaisia, jotka sisältävät kuuden hiiliatomin muodostaman aromaattisen funktionaalisen ryhmän, joka on kiinnittynyt ferroseenimolekyyliin.

7. 4,5 diatsidometyyli-2-metyyli-1,2,3-triatsoli (iso-DAMTR) lukuun ottamatta asetarvikeluettelossa määriteltyä.

a.

Niiden murtolujuus mitattuna 293 K (20 °C) asteessa on vähintään:

1. 0,9 GPa liuotushehkutusvaiheessa; tai

2. 1,5 GPa erkautuskarkaisuvaiheessa; ja

b.

Ne ovat jossakin seuraavista muodoista:

1. Levyt tai putket, joiden seinämän tai levyn paksuus on 5,0 mm tai vähemmän;

2. Putkimaiset muodot, joiden seinämän paksuus on 50 mm tai vähemmän ja sisähalkaisija 270 mm tai enemmän.

1C Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2.3. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1:

1. Niille on yleensä tunnusomaista korkea nikkelipitoisuus, hyvin alhainen hiilipitoisuus sekä seostusaineiden tai erkautusten käyttö seoksen lujittumisen ja vanhenemis-karkenemisen aikaansaamiseksi; ja

2. Niille tehdään lämpökäsittelysyklejä, joilla helpotetaan martensiittista muuntoprosessia (liuotushehkutusvaiheessa) ja myöhemmin vanhenemis-karkaisua (erkautuskarkaisuvaiheessa).

1C Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2.3. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1: Tekn. huom. 2: a.

Volframi ja volframiseokset, jotka ovat hiukkasmuodossa ja joiden volframipitoisuus on vähintään 97 painoprosenttia ja hiukkaskoko enintään 50 × 10–6 m (50 μm);

b.

Molybdeeni ja moybdeeniseokset, jotka ovat hiukkasmuodossa ja joiden molybdeenipitoisuus on vähintään 97 painoprosenttia ja hiukkaskoko enintään 50 × 10–6 m (50 μm);

c.

Kiinteässä muodossa olevat volframimateriaalit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1. Jokin seuraavista materiaalikoostumuksista:

1. a.

Volframi ja volframiseokset, joiden volframipitoisuus on vähintään 97 painoprosenttia;

b.

Kuparia sisältävä volframi, jonka volframipitoisuus on vähintään 80 painoprosenttia; tai

c.

Hopeaa sisältävä volframi, jonka volframipitoisuus on vähintään 80 painoprosenttia; ja

2. Ne voidaan työstää joksikin seuraavista tuotteista:

2. a.

Sylinterit, joiden halkaisija on 120 mm tai suurempi ja joiden pituus on 50 mm tai enemmän;

b.

Putket, joiden sisähalkaisija on 65 mm tai suurempi ja joiden seinämäpaksuus on 25 mm tai enemmän ja joiden pituus on 50 mm tai enemmän; tai

c.

Lohkot, joiden koko on vähintään 120 mm × 120 mm × 50 mm.

1C Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2.3. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1: Tekn. huom. 2: Tekn. huom. a.

Kaikki seuraavat ominaisuudet:

1. Sisältää 17,0–23,0 painoprosenttia kromia ja 4,5–7,0 painoprosenttia nikkeliä;

2. Titaanipitoisuus suurempi kuin 0,10 painoprosenttia; ja

3. Ferriittis-austeniittinen mikrorakenne (toiselta nimeltään kaksiosainen mikrorakenne), josta vähintään 10 tilavuusprosenttia on austeniittia (ASTM-standardin E-1181-87 tai vastaavien kansallisten standardien mukaan); ja

b.

Jokin seuraavista muodoista:

1. Harkko tai tanko, jonka mitat ovat joka suunnassa 100 mm tai enemmän;

2. Levy, jonka leveys on 600 mm tai enemmän ja paksuus 3 mm tai vähemmän; tai

3. Putki, jonka ulkohalkaisija on 600 mm tai enemmän ja seinämän paksuus 3 mm tai vähemmän.

a.

Alumiiniseokset, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:

1. Murtovetolujuus voi olla 460 MPa tai enemmän 293 K (20 °C) asteen lämpötilassa; ja

2. Ne ovat putkina tai kiinteinä tankoina (myös takeina), joiden ulkohalkaisija on suurempi kuin 75 mm;

b.

Titaaniseokset, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:

1. Murtovetolujuus voi olla 900 MPa tai enemmän 293 K (20 °C) asteen lämpötilassa; ja

2. Ne ovat putkina tai kiinteinä tankoina (myös takeina), joiden ulkohalkaisija on suurempi kuin 75 mm.

1C Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2.3. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1: Tekn. huom. 2: Tekn. huom. Tekn. huom. a.

Hiili- tai aramidikuitu- ja -säiemateriaalit, joilla on jompikumpi seuraavista ominaisuuksista: Huom. 1C210.a kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi aramidi kuitu- ja -säiemateriaaleja, joissa on 0,25 painoprosenttia tai enemmän esteripohjaista säiepinnan muuntoainetta;

1. Ominaiskimmokerroin on 12,7 × 106 m tai suurempi; tai

2. Ominaismurtovetolujuus on 23,5 × 104 m tai suurempi;

b.

Lasikuitupitoiset kuitu- ja -säiemateriaalit, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:

1. Ominaiskimmokerroin on 3,18 × 106 m tai suurempi; ja

2. Ominaismurtovetolujuus on 7,62 × 104 m tai suurempi;

c. Tekn. huom.

Lämpökovetetut hartsikyllästetyt yhtäjaksoiset langat, rovingit, touvit tai teipit, joiden leveys on enintään 15 mm (prepegit) ja jotka on valmistettu 1C210.a tai b kohdassa määritellyistä hiili- tai lasikuitu- tai säiemateriaaleista Hartsi muodostaa komposiitin matriisin.

1C Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2.3. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1: Tekn. huom. 2: Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. a.

Ne ovat sylinterin muotoisia kappaleita, joiden sisähalkaisija on 100–300 mm (sylinterisegmentit mukaan lukien); ja

b.

Niiden massa on suurempi kuin 20 kg.

a.

Painosta vähemmän kuin 1000 miljoonasosaa on muita metalliepäpuhtauksia kuin magnesiumia; ja

b.

Painosta vähemmän kuin 10 miljoonasosaa on booria.

a.

Painosta vähemmän kuin 200 miljoonasosaa on muita metalliepäpuhtauksia kuin kalsiumia; ja

b.

Painosta vähemmän kuin 10 miljoonasosaa on booria.

a.

Puhtaus on 99,99 painoprosenttia tai enemmän; ja

b.

Painosta vähemmän kuin 10 ppm (miljoonasosaa) on hopeaa.

a.

Röntgenlaitteiden metalli-ikkunat tai reikäluotauksessa käytettävät sondit;

b.

Valmiit tai puolivalmiit oksidiprofiilit, jotka on erityisesti suunniteltu elektronikkakomponenttiosiksi tai elektroniikkapiirien substraateiksi;

c.

Berylli (beryllium-alumiinisilikaatti) smaragdeina tai akvamariineina.

1C Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2.3. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1: Tekn. huom. 2: Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. a.

Alkuaine,

b.

Yhdisteet, joiden kokonaisaktiivisuus on 37 GBq/kg (1 Ci/kg) tai suurempi;

c.

Seokset, joiden kokonaisaktiivisuus on 37 GBq/kg (1 Ci/kg) tai suurempi;

d.

Mitä tahansa edellä mainittua ainetta sisältävät tuotteet tai laitteet.

Aktinium-225 (Ac-225)

Aktinium-227 (Ac-227)

Kalifornium-253 (Cf-253)

Curium-240 (Cm-240)

Curium-241 (Cm-241)

Curium-242 (Cm-242)

Curium-243 (Cm-243)

Curium-244 (Cm-244)

Einsteinium-253 (Es-253)

Einsteinium-254 (Es-254)

Gadolinium-148 (Gd-148)

Plutonium-236 (Pu-236)

Plutonium-238 (Pu-238)

Polonium-208 (Po-208)

Polonium-209 (Po-209)

Polonium-210 (Po-210)

Radium-223 (Ra-223)

Thorium-227 (Th-227)

Thorium-228 (Th-228)

Uraani-230 (U-230)

Uraani-232 (U-232)

1C Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2.3. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1: Tekn. huom. 2: Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. a.

Lääketieteessä käytettävät applikaattorit,

b.

Tuotteet tai laitteet, jotka sisältävät vähemmän kuin 0,37 GBq (10 millicurietä) radium-226:ta.

a.

Nikkelijauheet, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:

1. Nikkelipitoisuus on 99,0 painoprosenttia tai suurempi; ja

2. Keskimääräinen hiukkaskoko on pienempi kuin 10 μm mitattuna American Society for Testing and Materials (ASTM) B330-standardilla;

b.

1C240.a kohdassa määritellyistä materiaaleista tuotettu huokoinen metallinen nikkeli.

a.

Säikeiset nikkelijauheet;

b.

Yksinkertaiset huokoiset nikkelilevyt, joiden koko on 1000 cm2 tai vähemmän.

1C Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2.3. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1: Tekn. huom. 2: Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. a.

Ne ovat sylinterin muotoisia kappaleita, joiden sisähalkaisija on 100–300 mm (sylinterisegmentit mukaan lukien); ja

b.

Niiden massa on suurempi kuin 20 kg.

1. Tiodiglykoli (111-48-8);

2. Fosforioksikloridi (10025-87-3);

3. Dimetyylimetyylifosfonaatti (756-79-6);

4. Metyylifosfonodifluoridi (676-99-3): KATSO ASETARVIKELUETTELO;

5. Metyylifosfonodikloridi (676-97-1);

6. Dimetyylifosfiitti (DMP) (868-85-9);

7. Fosforioksikloridi (7719-12-2);

8. Trimetyylifosfiitti (TMP) (121-45-9);

9. Tionyylikloridi (7719-09-7);

10. N-metyyli-3-piperidinoli (3554-74-3);

11. 2-N,N-di-isopropyyliamino-etyylikloridi (96-79-7);

12. 2-N,N-di-isopropyyliamino-etaanitioli (5842-07-9);

13. 1C350 3-kinuklidinoli (1619-34-7);

14. Kaliumfluoridi (7789-23-3);

15. 2-kloorietanoli (107-07-3);

16. Dimetyyliamiini (124-40-3);

17. Dietyylietyylifosfonaatti (78-38-6);

18. Dietyyli-N,N-dimetyyli-fosforoamidaatti (2404-03-7);

19. Dietyylifosfiitti (762-04-9);

20. Dimetyyliamiinihydrokloridi (506-59-2);

21. Etyylifosfonidikloridi (1498-40-4);

22. Etyylifosfonodikloridi (1066-50-8);

23. Etyylifosfonodifluoridi (753-98-0): KATSO ASETARVIKELUETTELO;

24. Vetyfluoridi (7664-39-3);

25. Metyylibentsilaatti (76-89-1);

26. Metyylifosfonidikloridi (676-83-5);

27. 2-N,N-di-isopropyyliamino-etanoli (96-80-0);

28. Pinakolyylialkoholi (464-07-3);

29. O-etyyli-2-N,N-di-isopropyyli-aminoetyyli-metyylifosfoniitti (QL) (57856-11-8): KATSO ASETARVIKELUETTELO;

30. Trietyylifosfiitti (122-52-1);

31. Arseenitrikloridi (7784-34-1);

32. Bentsiilihappo (76-93-7);

33. Dietyylimetyylifosfoniitti (15715-41-0);

34. Dimetyylietyylifosfonaatti (6163-75-3);

35. Etyylifosfonidifluoridi (430-78-4);

36. Metyylifosfonidifluoridi (753-59-3);

37. 3-kinuklidinoni (3731-38-2);

38. Fosforipentakloridi (10026-13-8);

39. Pinakoloni (3,3-dimetyyli-2-butanoni) (75-97-8);

40. Kaliumsyanidi (151-50-8);

41. Kaliumvetyfluoridi (7789-29-9);

42. Ammoniumvetyfluoridi eli ammoniumbifluoridi (1341-49-7);

43. Natriumfluoridi (7681-49-4);

44. 1C350 Natriumvetyfluoridi (1333-83-1);

45. Natriumsyanidi (143-33-9);

46. Trietanoliamiini (102-71-6);

47. Fosforipentasulfidi (1314-80-3);

48. Di-isopropyyliamiini (108-18-9);

49. Dietyyliaminoetanoli (100-37-8);

50. Natriumsulfidi (1313-82-2);

51. Rikkimonokloridi (10025-67-9);

52. Rikkidikloridi (10545-99-0);

53. Trietanoliamiinihydrokloridi (637-39-8);

54. 2-N,N-di-isopropyyli-aminoetyylikloridihydrokloridi (4261-68-1);

55. Metyylifosfonihappo (993-13-5);

56. Dietyylimetyylifosfonaatti (683-08-9);

57. N,N-dimetyyliaminofosforyylidikloridi (677-43-0);

58. Tri-isopropyylifosfiitti (116-17-6);

59. Etyylidietanoliamiini (139-87-7);

60. O,O-dietyylifosforotioaatti (2465-65-8);

61. O,O-dietyylifosforoditioaatti (298-06-6);

62. Natriumheksafluorisilikaatti (16893-85-9);

63. Metyylifosfonotiohappodikloridi (676-98-2).

a.

Seuraavat virukset, niin luonnontilaiset, tehostetut kuin muunnetutkin, joko eristettyinä elävinä viljelminä tai materiaalina, mukaan lukien elävä materiaali, johon on istutettu tai joka on saastutettu tarkoituksellisesti sellaisilla viljelmillä:

1. Afrikkalainen hevosrutto -virus.

2. Afrikkalainen sikaruttovirus;

3. Andes-virus;

4. Lintuinfluenssavirukset, jotka ovat:

4. a.

Lajittelemattomia; tai

b.

Seuraavia, EY:n direktiivin 2005/94/EY (EUVL L 10, 14.1.2006, s. 16) liitteessä I olevassa 2 osassa erittäin patogeenisiksi määriteltyjä viruksia:

1. A-tyypin virukset, joiden IVPI (intravenous pathogenicity index, patogeenisyysindeksi suonensisäisesti annettuna) on 6 viikkoa vanhoissa kanoissa suurempi kuin 1,2; tai

2. alatyyppien H5 tai H7 lintuinfluenssavirukset, joilla on geenijaksoja, jotka koodaavat useita hemagglutiniinimolekyylin katkaisukohdalla sijaitsevia emäksisiä aminohappoja ja jotka ovat samanlaisia kuin muilla HPAI-viruksilla, mikä osoittaa, että hemagglutiniinimolekyylin voi halkaista kaikissa kudoksissa esiintyvä isäntäorganismin proteaasi;

5. Bluetongue-virus;

6. Chapare-virus;

7. Chikungunya-virus;

8. Choclo-virus;

9. Krimin verenvuotokuumevirus;

10. Dengue-virus;

11. Dobrava-Belgrade-virus;

12. Itäinen hevos-enkefaliittivirus (EEE);

13. Ebola-virus;

14. Suu- ja sorkkatautivirus;

15. Vuohirokkovirus;

16. Guanarito-virus;

17. Hantaan-virus;

18. Hendra-virus (Equine morbillivirus);

19. Herpes-virus (Aujeszkyn tauti);

20. Sikaruttovirus

21. Japanin enkefaliittivirus;

22. Junin-virus;

23. Kyasanur Forest -virus;

24. Laguna Negra -virus;

25. Lassa-kuumevirus;

26. 1C351 a. Louping ill -virus;

27. Lujo-virus;

28. Lumpy skin -tautivirus;

29. Lymfosytäärinen korionmeningiittivirus;

30. Machupo-virus;

31. Marburg-virus;

32. Apinarokkovirus;

33. Murray Valley -enkefaliittivirus;

34. Newcastlen tautivirus;

35. Nipah-virus;

36. Omsk-verenvuotokuumevirus;

37. Oropouche-virus;

38. Pikkumärehtijärutto-virus (peste des petits ruminants);

39. Sian enterovirus tyyppi 9 (swine vesicular -tautivirus);

40. Powassan-virus;

41. Rabies-virus ja kaikki muut Lyssavirusten sukuun kuuluvat virukset;

42. Rift Valley -kuumevirus;

43. Nautaruttovirus;

44. Rocio-virus;

45. Sabia-virus;

46. Seoul-virus;

47. Lammasrokkovirus;

48. Sin nombre -virus;

49. St. Louis -enkefaliittivirus;

50. Teschenin tautivirus;

51. Puutiais-enkefaliittivirus;

52. Isorokkovirus;

53. Venezuelan hevos-enkefaliittivirus (VEE);

54. Suutulehdusvirus (VS-virus);

55. Läntinen hevos-enkefaliittivirus (WEE);

56. Keltakuumevirus;

b.

Ei käytössä;

c.

1C351 Seuraavat bakteerit, niin luonnontilaiset, tehostetut kuin muunnellutkin, joko eristettyinä elävinä viljelminä tai materiaalina, joka sisältää elävää materiaalia, johon on istutettu tai joka on saastutettu tarkoituksellisesti sellaisilla viljelmillä:

1. Bacillus anthracis;

2. Brucella abortus;

3. Brucella melitensis;

4. Brucella suis;

5. Burkholderia mallei (Pseudomonas mallei);

6. Burkholderia pseudomallei (Pseudomonas pseudomallei);

7. Chlamydophila psittaci (tunnettu aiemmin nimellä Chlamydia psittaci);

8. Clostridium argentinense (tunnettu aiemmin nimellä Clostridium botulinum Type G), botulinum-neurotoksiinia muodostavat kannat;

9. Clostridium baratii, botulinum-neurotoksiinia muodostavat kannat;

10. Clostridium botulinum;

11. Clostridium butyricum, botulinum-neurotoksiinia muodostavat kannat;

12. Clostridium perfringens epsilon -toksiinia muodostavat tyypit;

13. Coxiella burnetii;

14. Francisella tularensis;

15. Mycoplasma capricolum subspecies capripneumoniae (kanta F38);

16. Mycoplasma mycoides subspecies mycoides SC (small colony);

17. Rickettsia prowasecki;

18. Salmonella typhi;

19. Seroryhmiin O26, O45, O103, O104, O111, O121, O145, O157 kuuluva shigatoksiinia muodostava Escherichia coli (STEC) ja muut shigatoksiinia muodostavat seroryhmät;

20. Shigella dysenteriae;

21. Vibrio cholerae;

22. Yersina pestis;

d.

Seuraavat toksiinit ja niiden toksiinialayksiköt: Huom. 1C351.d kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi valmisteen muodossa olevia botulinus-toksiineja tai conotoksiineja, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1. Botulinus-toksiinit;

2. Clostridium perfringens alpha, beta 1, beta 2, epsilon ja iota -toksiinit;

3. Conotoksiini;

4. Risiini;

5. Saxitoksiini;

6. Tekn. huom.

1C351 d. Shigatoksiini; Shigatoksiinia muodostava Escherichia coli (STEC) tunnetaan myös nimellä enterohemorraaginen E. coli -bakteeri (EHEC) tai verosytotoksiinia muodostava E. coli -bakteeri (VTEC).

7. Staphylococcus aureus -enterotoksiinit, hemolysin alpha -toksiini ja toksisen sokkioireyhtymän aiheuttava TSS-toksiini (tunnettu aiemmin nimellä Staphylococcus enterotoxin F);

8. Tetrodotoksiini;

9. Verotoksiini ja shiga-tyyppiset ribosomien inaktivointiproteiinit;

10. Mikrosystiini (Cyanginosiini);

11. Aflatoksiinit

12. Abriini

13. Koleratoksiini

14. Diasetoksiskirpenolitoksiini

15. T-2-toksiini

16. HT-2-toksiini

17. Modeksiini

18. Volkensiini

19. Viscum album Lectin 1 (Viskumiini);

1. Ne ovat ihmisten sairauksien hoitoon tarkoitettuja lääkevalmisteita;

2. Ne on pakattu lääkevalmisteina jakelua varten;

3. Valtion viranomainen on antanut luvan niiden markkinointiin lääkevalmisteina.

e.

Seuraavat joko luonnossa esiintyvät, parannetut tai muunnetut sienet, jotka esiintyvät joko eristettyinä elävinä viljelminä tai materiaalina, mukaan lukien elävä materiaali, johon on tarkoituksellisesti istutettu tällaisia viljelmiä tai joka on saastutettu niillä:

1. Coccidioides immitis;

2. Coccidioides posadasii.

a.

Geneettisesti muunnetut organismit tai 1C351.a, 1C351.c, 1C351.e tai 1C354 kohdassa määriteltyjen organismien patogeenisyyteen liittyviä nukleiinihapposekvenssejä sisältävä geneettinen materiaali;

b.

1C353 Geneettisesti muunnetut organismit tai 1C351.d kohdassa määriteltyjä toksiineja tai niiden toksiinialayksiköitä koodaavia nukleiinihapposekvenssejä sisältävä geneettinen materiaali.

1C Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2.3. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1: Tekn. huom. 2: Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2.3. a.

joka itsessään tai transkriptio- tai transalaatiotuotteidensa kautta aiheuttaa huomattavan vaaran ihmisten, eläinten tai kasvien terveydelle; tai

b.

jonka tiedetään lisäävän määritellyn mikro-organismin tai muun organismin, johon kyseistä geneettistä materiaalia on insertiolla tai integraatiolla liitetty, kykyä aiheuttaa vakavaa haittaa ihmisten, eläinten tai kasvien terveydelle.

a.

Seuraavat virukset, niin luonnontilaiset, tehostetut kuin muunnetutkin, joko eristettyinä elävinä viljelminä tai materiaalina, mukaan lukien elävä materiaali, johon on istutettu tai joka on saastutettu tarkoituksellisesti sellaisilla viljelmillä:

1. Andien perunan latentti tymovirus;

2. Perunan sukkulamukulatauti;

b.

Seuraavat bakteerit, niin luonnontilaiset, tehostetut kuin muunnetutkin, joko eristettyinä elävinä viljelminä tai materiaalina, johon on istutettu tai joka on saastutettu tarkoituksellisesti sellaisilla viljelmillä:

1. Xanthomonas albilineans;

2. Xanthomonas axonopodis pv. citri (Xanthomonas campestris pv. citri A) [Xanthomonas campestris pv. citri];

3. Xanthomonas oryzae pv. oryzae (Pseudomonas campestris pv. oryzae);

4. Clavibacter michiganensis subsp. sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. sepedonicum or Corynebacterium sepedonicum);

5. Ralstonia solanacearum, rotu 3, biovar 2;

c.

Seuraavat sienet, niin luonnontilaiset, tehostetut kuin muunnetutkin, joko eristettyinä elävinä viljelminä tai materiaalina, johon on istutettu tai joka on saastutettu tarkoituksellisesti sellaisilla viljelmillä:

1. Colletotrichum kahawae (Colletotrichum coffeanum var. virulans);

2. Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae);

3. Microcyclus ulei (syn. Dothidella ulei);

4. Puccinia graminis ssp. graminis var. graminis / Puccinia graminis ssp. graminis var. stakmanii (Puccinia graminis [syn. Puccinia graminis f. sp. tritici]);

5. 1C354 c. Puccinia striiformis (syn. Puccinia glumarum);

6. Magnaporthe oryzae (Pyricularia oryzae);

7. Peronosclerospora philippinensis (Peronosclerospora sacchari);

8. Sclerophthora rayssiae var. zeae;

9. Synchytrium endobioticium;

10. Tilletia indica;

11. Thecaphora solani.

a.

Toksiset kemikaalit seuraavasti: Huom. 1: Kemiallisia aseita koskevaan yleissopimukseen kuulumattomiin valtioihin vietävien tuotteiden osalta 1C450 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi kemiallisia seoksia, jotka sisältävät yhtä tai useampaa 1C450.a.1 ja 1C450.a.2 kohdassa mainittua kemikaalia ja joissa yksikään yksittäinen kemikaali ei muodosta yli 1 painoprosenttia kyseisestä seoksesta. Huom. 2: Kemiallisia aseita koskevaan yleissopimukseen kuuluviin valtioihin vietävien tuotteiden osalta 1C450 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi kemiallisia seoksia, jotka sisältävät yhtä tai useampaa 1C450.a.1 ja 1C450.a.2 kohdassa mainittua kemikaalia ja joissa yksikään yksittäinen kemikaali ei muodosta yli 30:tä painoprosenttia kyseisestä seoksesta. Huom. 3: 1C450 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi kemiallisia seoksia, jotka sisältävät yhtä tai useampaa 1C450.a.4, 1C450.a.5, 1C450.a.6 ja 1C450.a.7 kohdassa mainittua kemikaalia ja joissa yksikään yksittäinen kemikaali ei muodosta yli 30 painoprosenttia kyseisestä seoksesta. Huom. 4: 1C450 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi kuluttajahyödykkeiksi määriteltyjä tuotteita, jotka on pakattu vähittäismyyntiä varten henkilökohtaiseen käyttöön tai pakattu yksityiskäyttöä varten.

1. Amiton: O,O-dietyyli-S-[2-(dietyyliamino)etyyli]-fosforotiolaatti (78-53-5) ja vastaavat alkyloidut tai protonoidut suolat;

2. PFIB: 1,1,3,3,3-pentafluoro-2-(trifluorometyyli)1-propeeni (382-21-8);

3. BZ: 3-kinuklidinyylibentsilaatti (6581-06-2): KATSO ASETARVIKELUETTELO;

4. Fosgeeni: karbonyylidikloridi (75-44-5);

5. Kloorisyanidi (506-77-4);

6. Vetysyanidi (74-90-8);

7. Klooripikriini: trikloorinitrometaani (76-06-2);

b.

Toksisten kemikaalien valmistusaineet seuraavasti: Huom. 1: Kemiallisia aseita koskevaan yleissopimukseen kuulumattomiin valtioihin vietävien tuotteiden osalta 1C450 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi kemiallisia seoksia, jotka sisältävät yhtä tai useampaa 1C450.b.1, 1C450.b.2, 1C450.b.3, 1C450.b.4, 1C450.b.5 ja 1C450.b.6 kohdassa mainittua kemikaalia ja joissa yksikään yksittäinen kemikaali ei muodosta yli 10 painoprosenttia kyseisestä seoksesta. Huom. 2: Kemiallisia aseita koskevaan yleissopimukseen kuuluviin valtioihin vietävien tuotteiden osalta 1C450 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi kemiallisia seoksia, jotka sisältävät yhtä tai useampaa 1C450.b.1, 1C450.b.2, 1C450.b.3, 1C450.b.4, 1C450.b.5 ja 1C450.b.6 kohdassa mainittua kemikaalia ja joissa yksikään yksittäinen kemikaali ei muodosta yli 30 painoprosenttia kyseisestä seoksesta. Huom. 3: 1C450 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi kemiallisia seoksia, jotka sisältävät yhtä tai useampaa 1C450.b.8 kohdassa mainittua kemikaalia ja joissa yksikään yksittäinen kemikaali ei muodosta yli 30:tä painoprosenttia kyseisestä seoksesta. Huom. 4: 1C450 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi kuluttajahyödykkeiksi määriteltyjä tuotteita, jotka on pakattu vähittäismyyntiä varten henkilökohtaiseen käyttöön tai pakattu yksityiskäyttöä varten.

1. Muut kuin asetarvikeluettelossa tai kohdassa 1C350 luetellut kemikaalit, jotka sisältävät fosforiatomin, johon on sitoutunut yksi metyyli-, etyyli-n-propyyli- tai isopropyyliryhmä, mutta ei muita hiiliatomeja; Huom. 1C450.b.1 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi seuraavaa: Fonofos: O-etyyli-S-fenyylietyylifosfonotiolotionaatti (944-22-9);

2. 1C450 b. N,N-dialkyyli-[metyyli-, etyyli-, n-propyyli- tai isopropyyli-] fosforamidodihalidit, muut kuin N,N-dimetyyliaminofosforyylidikloridi; Huom. Katso 1C350.57 kohta N,N-dimetyyliaminofosforyylidikloridin osalta;

3. Dialkyyli-[metyyli-, etyyli-, n-propyyli- tai isopropyyli-]-N,N-dialkyyli-[metyyli-, etyyli-, n-propyyli- tai isopropyyli-]-fosforoamidaatit, muut kuin dietyyli-N,N-dimetyyli- fosforoamidaatti, joka luetellaan kohdassa 1C350;

4. 2-N,N-dialkyyli-[metyyli-, etyyli-, n-propyyli- tai isopropyyli-]-aminoetyylikloridit ja vastaavat protonoidut suolat, muut kuin N-N-di-isopropyyliaminoetyylikloridi tai N,N-di-isopropyyliaminoetyylikloridihydrokloridi, jotka luetellaan kohdassa 1C350;

5. 2-N,N-dialkyyli-[metyyli-, etyyli-, n-propyyli- tai isopropyyli-]-aminoetanolit ja vastaavat protonoidut suolat, muut kuin N,N-di-isopropyyliaminoetanoli (96-80-0) ja N,N-dietyyliaminoetanoli (100-37-8), jotka luetellaan kohdassa 1C350; Huom. 1C450.b.5 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi seuraavia:

5. a.

2-N,N-dimetyyliaminoetanoli (108-01-0) ja vastaavat protonoidut suolat;

b.

2-N,N-dietyyliaminoetanolin (100-37-8) protonoidut suolat;

6. 2-N,N-dialkyyli-[metyyli-, etyyli-, n-propyyli- tai isopropyyli-]-aminoetaanitiolit ja vastaavat protonoidut suolat, muut kuin N,N-di-isopropyyliaminoetaanitioli, joka luetellaan kohdassa 1C350;

7. Etyylidietanoliamiinin (139-87-7) osalta katso 1C350 kohta;

8. Metyylidietanoliamiini (105-59-9).

1D Ohjelmistot 1D001 Ohjelmistot, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu 1B001–1B003 kohdassa määriteltyjen laitteiden kehittämistä, tuotantoa tai käyttöä varten. 1D002 Ohjelmistot sellaisten laminaattien tai komposiittienkehittämistä varten, joilla on orgaaninen matriisi, metallimatriisi tai hiilimatriisi. 1D003 Ohjelmistot, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu sitä varten, että laitteet voivat suorittaa 1A004.c tai 1A004.d kohdassa määriteltyjen laitteiden toiminnot. 1D101 Ohjelmistot, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu 1B101, 1B102, 1B115, 1B117, 1B118 tai 1B119 kohdassa määriteltyjen tuotteiden toimintaa tai ylläpitoa varten. 1D103 Ohjelmistot, jotka on erityisesti suunniteltu analysoimaan pienennettyä havaittavuutta, kuten tutkaheijastavuutta, ultravioletti-, infrapuna- tai akustista havaittavuutta. 1D201 Ohjelmistot, jotka on erityisesti suunniteltu 1B201 kohdassa määriteltyjen tuotteiden käyttöä varten.

1E Teknologia 1E001 Teknologia yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 1A001.b, 1A001.c, 1A002–1A005, 1A006.b, 1A007, 1B tai 1C kohdassa määriteltyjen tuotteiden tai materiaalien kehittämistä tai tuotantoa varten. 1E002 Seuraava muu teknologia: 1E101 Teknologia yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 1A102, 1B001, 1B101, 1B102, 1B115–1B119, 1C001, 1C101, 1C107, 1C111–1C118, 1D101 tai 1D103 kohdassa määriteltyjen tuotteiden käyttöä varten. 1E102 Teknologia yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 1D001, 1D101 tai 1D103 kohdassa määriteltyjen ohjelmistojenkehittämistä varten. 1E103 Teknologia, jonka avulla säädetään lämpötilaa, painetta tai kaasukoostumusta auto- tai hydroklaaveissa silloin kun niitä käytetään komposiittien tai osittain käsiteltyjen komposiittienvalmistukseen. 1E104 Teknologia, jonka avulla tuotetaan pyrolyysimenetelmällä muodostuvia aineita muotille, telineelle tai muulle substraatille välituotekaasuista, jotka hajoavat 1573–3173 K (1300–2900 °C) asteen lämpötilassa ja 130 Pa–20 kPa:n paineessa. Huom. 1E104 kohta sisältää teknologian väliainekaasujen seostamiseksi, virtausnopeudet ja prosessiohjauksen ajoitukset sekä parametrit. 1E201 Teknologia yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 1A002, 1A007, 1A202, 1A225–1A227, 1B201, 1B225–1B234, 1C002.b.3 tai.b.4, 1C010.b, 1C202, 1C210, 1C216, 1C225–1C241 tai 1D201 kohdassa määriteltyjen tuotteiden käyttöä varten. 1E202 Teknologia yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 1A007, 1A202 tai 1A225–1A227 kohdassa määriteltyjen tuotteiden kehittämistä tai tuotantoa varten. 1E203 Teknologia yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 1D201 kohdassa määriteltyjen ohjelmistojenkehittämistä varten.

1E a.

Teknologia polybentsotiatsolien tai polybentsoksatsolien kehittämistä tai tuotantoa varten;

b.

Teknologia vähintään yhden vinyylieetterimonomeerin sisältävien fluoro-elastomeeriyhdisteiden kehittämistä tai tuotantoa varten;

c.

Teknologia seuraavien perusmateriaalien tai ei-komposiittisten keraamisten materiaalien suunnittelua tai tuotantoa varten:

1. Perusmateriaalit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1. a.

Jokin seuraavista koostumuksista:

1. Yksinkertaiset tai kompleksiset zirkoniumoksidit ja kompleksiset pii- tai alumiinioksidit;

2. Yksinkertaiset boorinitridit (kuutiomaiset kidemuodot);

3. Yksinkertaiset tai kompleksiset pii- tai boorikarbidit; tai

4. Yksinkertaiset tai kompleksiset piinitridit;

b.

Mikä tahansa seuraavista metallisten epäpuhtauksien kokonaismääristä (haluttuja lisäaineita lukuun ottamatta):

1. Vähemmän kuin 1000 ppm yksinkertaisten oksidien tai karbidien osalta; tai

2. Vähemmän kuin 5000 ppm kompleksisten yhdisteiden tai yksinkertaisten nitridien osalta; ja

c.

Ne ovat jotakin seuraavista:

1. Zirkoniumoksidi (CAS 1314-23-4), jonka keskimääräinen hiukkaskoko on enintään 1 mm ja jonka hiukkasista enintään 10 prosenttia on suurempia kuin 5 mm:

2. Muu perusmateriaali, jonka keskimääräinen hiukkaskoko on 5 mm tai vähemmän ja korkeintaan 10 % hiukkasista on kooltaan suurempia kuin 10 mm; tai

3. Niillä on kaikki seuraavat ominaisuudet:

3. a.

Hiutaleiden pituuden ja paksuuden suhde ylittää 5;

b.

Erilliskidekuitujen pituuden ja halkaisijan suhde ylittää 10 alle 2 μm:n halkaisijoilla; ja

c.

Jatkuvat tai katkotut kuidut ovat halkaisijaltaan alle 10 μm;

2. Keraamiset ei-komposiittimateriaalit, jotka koostuvat 1E002.c.1 kohdassa määritellyistä materiaaleista; Huom. 1E002.C.2 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi teknologiaa hioma-aineiden kehitystä ja tuotantoa varten.

d.

Teknologia aromaattisten polyamidikuitujen tuotantoa varten;

e.

1E002 Teknologia 1C001 kohdassa määriteltyjen materiaalien installointia, ylläpitoa tai korjausta varten;

f.

Teknologia 1A002, 1C007.c tai 1C007.d kohdassa määriteltyjen komposiittirakenteiden, -laminaattien tai -materiaalien korjausta varten; Huom. 1E002.f kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi siviililentokoneiden rakenteiden korjaamiseen tarvittavaa teknologiaa, jossa käytetään hiilikuitu- tai -säiemateriaaleja ja epoksihartseja, jotka sisältyvät lentokonevalmistajan käsikirjoihin.

g. Tekn. huom.

Kirjastot (tekniset parametrien tietokannat), jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu sitä varten, että laitteet voivat suorittaa 1A004.c tai 1A004.d kohdassa määriteltyjen laitteiden toiminnot. 1E002.g kohdassa kirjastolla (tekninen parametrien tietokanta) tarkoitetaan teknisten tietojen kokoelmaa, jonka käytöllä voidaan tehostaa asiaankuuluvien laitteiden tai järjestelmien suorituskykyä.

RYHMÄ 2 MATERIAALIN KÄSITTELY

2A Tekn. huom.

Järjestelmät, laitteet ja komponentit Huom. Hiljaiset laakerit: katso asetarvikeluettelo. 2A001 Seuraavat kitkaa vähentävät laakerit ja laakerointijärjestelmät ja niiden komponentit: Huom. KATSO MYÖS 2A101. Huom. 2A001 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi kuulia, joille valmistajan määrittelemä toleranssi on ISO 3290:n mukaisesti luokkaa 5 tai huonompi. 2A101 Muut kuin 2A001 kohdassa määritellyt pallomaiset kuulalaakerit, joiden kaikki määritellyt toleranssit ovat ISO 492:n toleranssiluokan 2 (tai ANSI/ABMA Std 20:n toleranssiluokka ABEC-9:n tai muiden kansallisten standardien) mukaiset tai niitä paremmat ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: 2A225 Nestemäisiä aktinidimetalleja kestävistä aineista tehdyt upokkaat seuraavasti: 2A226 Venttiilit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: Niiden venttiilien osalta, joiden sisäänmenon ja ulostulon halkaisijat ovat erilaiset, kohdassa 2A226 nimelliskoolla tarkoitetaan pienintä halkaisijaa.

2A a.

Kuulalaakerit tai massiivirullalaakerit, joiden kaikki valmistajan määrittelemät toleranssit ovat ISO 492:n toleranssiluokan 4 (tai vastaavien kansallisten standardien) mukaiset tai niitä paremmat ja joiden renkaat ja pyörivät osat (ISO 5593) on valmistettu monelmetallista tai berylliumista; Huom. 2A001.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi kartiorullalaakereita.

b.

2A001 Ei käytössä;

c.

Aktiiviset magneettilaakerijärjestelmät, jotka käyttävät jotain seuraavista:

1. Materiaaleja, joiden vuontiheys on 2,0 T tai enemmän ja myötöraja suurempi kuin 414 MPa;

2. Täyssähkömagneettisia 3D yksinapaisia esimagnetointikonstruktioita toimimoottoreita varten; tai

3. Korkeita lämpötiloja (430 K (177 C) astetta tai enemmän) kestäviä asentoantureita.

a.

Sisärenkaan sisähalkaisija 12 mm–50 mm;

b.

Ulkorenkaan ulkohalkaisija 25 mm–100 mm; ja

c.

Leveys 10 mm–20 mm.

a.

Upokkaat, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:

1. Vetoisuus 150 cm3–8000 cm3; ja

2. Valmistus- tai pinnoitusaineena jokin seuraavista materiaaleista tai seuraavien materiaalien yhdistelmästä (epäpuhtaustaso enintään 2 painoprosenttia):

2. a.

Kalsiumfluoridi (CaF2);

b.

Kalsiumsirkonaatti (metasirkonaatti) (CaZrO3);

c.

Keriumsulfidi (Ce2S3);

d.

Erbiumoksidi (erbia) (Er2O3);

e.

Hafniumoksidi (hafnia) (HfO2);

f.

Magnesiumoksidi (MgO);

g.

Typetetty niobi-titaani-volframiseos (noin 50 % Nb, 30 % Ti, 20 % W);

h.

Yttriumoksidi (yttria) (Y2O3); tai

i.

Zirkoniumoksidi (zirkonia) (ZrO2);

b.

Upokkaat, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:

1. Vetoisuus 50 cm3–2000 cm3; ja

2. Valmistus- tai vuorausaineena on tantaali, jonka pitoisuus on vähintään 99,9 painoprosenttia;

c.

Upokkaat, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1. Vetoisuus 50 cm3–2000 cm3;

2. Valmistus- tai vuorausaineena tantaali, jonka pitoisuus on vähintään 98 painoprosenttia; ja

3. Pinnoitettu tantaalikarbidilla, -nitridillä tai -boridilla tai jollakin näiden yhdisteellä.

a.

nimelliskoko 5 mm tai suurempi;

b.

Paljetiiviste; ja

c.

Kokonaisuudessaan valmistus- tai vuorausaineena alumiini, alumiiniseos, nikkeli tai nikkeliseos, jonka sisältää enemmän kuin 60 painoprosenttia nikkeliä.

2B Tekn. huom. 1.2.3.4.5.6. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2.

Testaus-, tarkastus- ja tuotantolaitteet Ääriviiva-akselien kokonaismäärään ei lasketa yhdensuuntaisia ääriviivasivuakseleita, (esim. vaakakaraisen avarruskoneen w-akselia, tai pyörivää sivuakselia, jonka keskilinja on samansuuntainen pyörivän pääakselin kanssa). Pyörivien akselien ei tarvitse pyörähtää yli 360:tä astetta. Pyörivää akselia voi käyttää lineaarinen laite (esim. ruuvi tai hammastanko). Sovellettaessa 2 B kohtaa niiden akseleiden määrä, joita voidaan samanaikaisesti koordinoida ääriviivaohjauksessa, on niiden akseleiden määrä, joita pitkin tai joiden ympäri suoritetaan työkappaleen prosessoinnin aikana samanaikaisia ja toisiinsa liittyviä työkappaleen ja työkalun välisiä liikkeitä. Tähän eivät sisälly muut akselit, joita pitkin tai joiden ympäri suoritetaan muita suhteellisia liikkeitä koneen sisällä, kuten: Akselien nimeämisen tulee olla ISO 841 standardin (International Standard, Numerical Control Machines – Axis and Motion Nomenclature) mukainen. 2B001–2B009 kohdassa kieppikara katsotaan pyöriväksi akseliksi. Taattua paikannustarkkuutta, joka poikkeaa ISO 230/2:n tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti tehdyistä mittauksista, voidaan käyttää työstökonemalleille vaihtoehtona erillisille konetesteille. Taatulla paikannustarkkuudella tarkoitetaan sen jäsenvaltion toimivaltaisille viranomaisille toimitettua tarkkuusarvoa, johon viejä on sijoittautunut tietyn konemallin tarkkuuden edustajana. Taatun paikannustarkkuuden määrittäminen 2B001.a–2B001.c kohdissa työstökoneiden paikannustarkkuuden mittausepävarmuutta, sellaisena kuin se on määriteltynä ISO 230/2 (2006) -standardissa tai vastaavissa kansallisissa standardeissa, ei oteta huomioon. 2B001 Seuraavat työstökoneet ja niiden yhdistelmät, jotka on tarkoitettu työstämään (tai leikkaamaan) metalleja, keraamisia aineita tai komposiitteja ja jotka valmistajan teknisten eritelmien mukaan voidaan varustaa numeerisella ohjauksella; Huom. KATSO MYÖS 2B201 KOHTA. Huom. 1: 2B001 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi erikoistyöstökoneita, joiden käyttö on rajattu hammaspyörien valmistukseen. Tällaisten koneiden osalta katso 2B003. Huom. 2: 2B001 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi erikoistyöstökoneita, joiden käyttö on rajattu joidenkin seuraavien tuotteiden valmistukseen: Huom. 3: Työstökone, jolla on ainakin kaksi kaikkiaan kolmesta sorvaamista, jyrsintää ja hiontaa koskevasta ominaisuudesta (esim. sorvaamiskone, jossa on jyrsintäominaisuus), on arvioitava kunkin sovellettavan kohdan 2B001a, b tai c osalta. Huom. Optisten viimeistelytyöstökoneiden osalta katso 2B002. 2B002 Numeerisesti ohjatut optiset viimeistelytyöstökoneet, jotka on varustettu valikoivaa materiaalin työstämistä varten tuottamaan ei-pallomaisia optisia pintoja ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: Sovellettaessa 2B002 kohtaa: 2B003 Numeerisesti ohjatut tai käsiohjatut työstökoneet ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit, ohjaukset ja varusteet, jotka on erityisesti suunniteltu höyläämään, viimeistelemään, hiomaan tai hoonaamaan karkaistuja (Rc = 40 tai yli) lieriöhammaspyöriä, ruuvipyöriä tai kaksoisruuvipyöriä, joiden jakohalkaisija on enemmän kuin 1250 mm ja hampaan leveys on 15 % jakohalkaisijasta tai enemmän, ja jotka on koneistettu AGMA 14:n laatuisiksi tai paremmiksi (vastaa ISO 1328:n 3 luokkaa). 2B004 Seuraavat kuumaisostaattiset puristimet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit ja lisälaitteet: Huom. KATSO MYÖS 2B104 ja 2B204 KOHTA. Kammion sisähalkaisija tarkoittaa sen tilan kokoa, jossa sekä työlämpötila että työpaine saavutetaan, eikä siihen sisällytetä kiinnittimiä. Tämä mitta on joko painekammion sisähalkaisija tai eristetyn kuumakammion sisähalkaisija ja on se, joka on pienempi, riippuen siitä kumpi kammioista on toisen sisällä. Huom. Erityisesti suunnitellut suulakkeet, muotit ja laitteet: katso 1B003 ja 9B009 kohta sekä asetarvikeluettelo. 2B005 Seuraavat erityisesti suunnitellut laitteet pinnoitusta, prosessointia ja pinnoitteen laadun prosessin aikaista ohjausta varten, joilla aikaansaadaan epäorgaanisia pinnoitteita tai pintamodifikaatioita johtamattomille substraateille käyttäen menetelmiä, jotka on kuvattu 2E003.f kohdan jäljessä olevassa taulukossa ja siihen liittyvissä huomautuksissa, sekä näitä laitteita varten erityisesti suunnitellut automaattiset kuljetus-, sijoitus-, käsittely- ja ohjauskomponentit: Huom. 2B005 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi leikkaus- tai työstötyökaluja varten erityisesti suunniteltuja kaasufaasipinnoitus-, katodikaari-, sputterointipinnoitus-, ionipäällystys- tai ioni-istutuslaitteita. 2B006 Seuraavat dimensioiden tarkastus- ja mittausjärjestelmät, -laitteet ja elektroniset kokoonpanot: Huom. KATSO MYÖS 2B206 KOHTA. Huom. 2B006 kohta sisältää muut kuin 2B001 kohdassa määritellyt työstökoneet, joita voidaan käyttää mittauskoneina, jos niiden ominaisuudet täyttävät tai ylittävät mittauskoneille määritellyt kriteerit. 2B007 Robotit ja niitä varten erityisesti suunnitellut ohjausyksiköt ja päätetyövälineet: Huom. KATSO MYÖS 2B207 KOHTA. 2B008 Seuraavat erityisesti työstökoneita tai mittojen tarkastus- tai mittausjärjestelmiä tai -laitteita varten suunnitellut kokoonpanot tai yksiköt: Huom. 2B008.a ja 2B008.b kohdat asettavat valvonnanalaisiksi säätöyksiköt, jotka on suunniteltu määrittämään asematiedot takaisinkytkentäsäätöä varten, kuten induktiiviset laitteet, kalibroidut asteikot, infrapunajärjestelmät tai laserjärjestelmät. 2B009 Dreijaussorvit ja painesorvit, jotka valmistajan teknisen eritelmän mukaan voidaan varustaa numeerisella ohjausyksiköillä tai tietokoneohjauksella ja joilla on seuraavat ominaisuudet: Huom. KATSO MYÖS 2B109 JA 2B209 KOHTA. 2B009 kohdassa koneet, joissa yhdistyvät dreijaus- ja painesorvauksen toiminnot, katsotaan painesorveiksi. 2B104 Muut kuin 2B004 kohdassa määritellyt isostaattiset puristimet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: Huom. KATSO MYÖS 2B204 KOHTA. 2B105 Muut kuin 2B005.a kohdassa määritellyt uunit kemiallista kaasufaasipinnoitusta (CVD) varten, jotka on suunniteltu tai muunnettu hiili-hiilikomposiittien tiivistämiseen. 2B109 Seuraavat, muut kuin 2B009 kohdassa määritellyt painesorvit ja erityisesti suunnitellut komponentit: Huom. KATSO MYÖS 2B209 KOHTA. Huom. 2B109 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi koneita, joita ei voida käyttää 9A005, 9A007.a tai 9A105.a kohdissa määriteltyjen työntövoimakomponenttien ja -laitteiden (kuten moottorikoppien) tuottamiseen. Koneet, joissa yhdistyvät dreijaus- ja painesorvauksen toiminnot, katsotaan 2B109 kohdan tarkoituksessa painesorveiksi. 2B116 Seuraavat tärinäntestausjärjestelmät sekä laitteet ja komponentit niitä varten: 2B116 kohdassa tarkoitetaan paljaalla alustalla tasaista alustaa tai pintaa ilman kiinnittimiä tai liittimiä. 2B117 Prosessinohjaus- ja muut laitteet, paitsi 2B004, 2B005a, 2B104 tai 2B105 kohdassa määritellyt, jotka on suunniteltu tai muunneltu rakettien suuttimien ja ilmakehään palaamaan tarkoitettujen alusten kärkikartioiden komposiittirakenteiden tiivistämällä tai pyrolysoimalla tapahtuvaa valmistusta varten. 2B119 Tasapainotuskoneet ja niihin liittyvät laitteet seuraavasti: Huom. KATSO MYÖS 2B219 KOHTA. 2B120 Liikesimulaattorit tai pyörityspöydät, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: Huom. 1: 2B120 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi työstökoneita tai lääkinnällisiä laitteita varten suunniteltuja tai muunnettuja pyöröpöytiä. Työstökoneiden pyöröpöytien valvonnan osalta katso 2B008 kohta. Huom. 2: 2B120 kohdassa määritellyt liikesimulaattorit tai pyörityspöydät ovat valvonnanalaisia riippumatta siitä, ovatko liukurenkaat tai integroidut kosketuksettomat laitteet asennettuina niihin vientiajankohtana. 2B121 Muut kuin 2B120 kohdassa määritellyt asemointipöydät (laitteet täsmälliseen pyöröasemointiin minkä tahansa akselin osalta), joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: Huom. 2B121 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi työstökoneita tai lääkinnällisiä laitteita varten suunniteltuja tai muunnettuja pyöröpöytiä. Työstökoneiden pyöröpöytien valvonnan osalta katso 2B008 kohta. 2B122 Lingot, joilla voidaan saavuttaa yli 100 g:n kiihdytys ja jotka on suunniteltu tai muunnettu niin, että niihin sisältyvät liukurenkaat tai integroidut kosketuksettomat laitteet, joilla voidaan välittää sähkötehoa, signaalitietoa tai molempia. Huom. 2B122 kohdassa määritellyt lingot ovat valvonnanalaisia riippumatta siitä, ovatko liukurenkaat tai integroidut kosketuksettomat laitteet asennettuina niihin vientiajankohtana. 2B201 Seuraavat, muut kuin 2B001 kohdassa määritellyt työstökoneet ja niiden kaikki yhdistelmät, jotka on tarkoitettu työstämään (tai leikkaamaan) metalleja, keraamisia aineita tai komposiitteja ja jotka valmistajan teknisten spesifikaatioiden mukaan voidaan varustaa elektronisilla laitteilla kahden tai useamman akselin samanaikaista ääriviivaohjausta varten; Huom. 1: 2B201 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi erikoistyöstökoneita, joiden käyttö on rajattu joidenkin seuraavien osien valmistukseen: Huom. 2: Työstökone, jolla on ainakin kaksi kaikkiaan kolmesta sorvaamista, jyrsintää ja hiontaa koskevasta ominaisuudesta (esim. sorvaamiskone, jossa on jyrsintäominaisuus), on arvioitava kunkin sovellettavan kohdan 2B001.a tai 2B201.a tai b osalta. 2B204 Muut kuin 2B004 tai 2B104 kohdassa määritellyt isostaattiset puristimet ja niihin liittyvät laitteet seuraavasti: 2B204 kohdassa kammion sisämitta on sen kammion mitta, jossa saavutetaan sekä toimintalämpötila että toimintapaine, eikä siinä oteta huomioon kiinnittimiä. Tämä mitta on pienempi seuraavista: painekammion sisähalkaisija tai eristetyn kuumakammion sisähalkaisija, riippuen siitä kumpi kammioista on toisen sisällä. 2B206 Seuraavat, muut kuin 2B006 kohdassa määritellyt, mittatarkastuskoneet, -instrumentit ja järjestelmät: Huom. 1: Työstökoneet, joita voidaan käyttää mittauskoneina, ovat valvonnanalaisia, jos niiden ominaisuudet täyttävät tai ylittävät työstökoneille tai mittauskoneille määritellyt kriteerit. Huom. 2: 2B206 kohdassa määritelty kone on valvonnanalainen, jos se ylittää valvontakynnyksen missä tahansa toiminta-alueellaan. Kaikki 2B206 kohdassa esitetyt mittausarvot tarkoittavat positiivista tai negatiivista poikkeamaa viitearvosta, eivät koko välystä. 2B207 Seuraavat muut kuin 2B007 kohdassa määritellyt robotit, päätetyövälineet ja ohjausyksiköt: 2B209 Seuraavat, muut kuin 2B009 ja 2B109 kohdassa määritellyt painesorvit ja dreijaussorvit, jotka kykenevät painesorvin toimintoihin, sekä karat: Huom. 2B209.a kohta sisältää koneet, joissa on vain yksi metallin muotoiluun suunniteltu valssi ja kaksi lisävalssia, jotka kannattelevat karaa mutta eivät suoraan osallistu muodonmuutosprosessiin. 2B219 Seuraavat kiinteät tai kannettavat, vaaka- tai pystysuuntaiset keskipakovoimaan perustuvat monitasotasapainotuskoneet: 2B225 Kaukokäsittelylaitteet, joita voidaan käyttää kaukotyöskentelyyn radiokemiallisessa erotuksessa tai kuumakammiot, joilla on jompikumpi seuraavista ominaisuuksista: Kaukokäsittelylaitteilla välitetään operaattorin liikkeet käyttövarteen ja päätetyökaluun. Ne voivat olla isäntä-orja -tyyppisiä tai niitä käytetään ohjaimella tai näppäimistöltä. 2B226 Kontrolloidun ympäristön (tyhjiö- tai inerttikaasu)induktiouunit ja niiden teholähteet seuraavasti: Huom. KATSO MYÖS 3B KOHTA. Huom. 2B226.a kohdassa ei tarkoiteta puolijohdekiekkojen valmistukseen suunniteltuja uuneja. 2B227 Seuraavat kontrolloidun ympäristön metallurgiset sulatus- ja valu-uunit sekä niihin liittyvät laitteet: 2B228 Seuraavat roottorien valmistus- tai kokoonpanolaitteet, roottorien suoruuden varmistavat laitteet, sekä paljemuovaustuurnat ja muotit: 2B230 Kaikentyyppiset painelähettimet, jotka pystyvät mittaamaan absoluuttista painetta ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: 2B230 kohdassa painelähetin tarkoittaa laitetta, joka muuntaa paineen mittaustulokset signaaleiksi. 2B230 kohdassa tarkkuuteen sisältyy epälineaarisuus, hystereesi ja toistettavuus ympäristön lämpötilassa. 2B231 Tyhjöpumput, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: Pumppausnopeus määritetään mittauspisteessä typpikaasulla tai ilmalla. Lopullinen tyhjö määritetään pumpun syötepäässä syöteputken ollessa suljettuna. 2B232 Suurnopeustykkijärjestelmät (ajoaine-, kaasu- ja käämityypit sekä sähkömagneettiset ja sähkötermiset tyypit ja muut pitkälle kehitetyt järjestelmät), joiden avulla ammukset voidaan kiihdyttää 1,5 km/s tai suurempiin nopeuksiin. Huom. KATSO MYÖS ASETARVIKELUETTELO. 2B233 Paljetiivisteiset spiraalityyppiset kompressoripumput ja paljetiivisteiset spiraalityyppiset tyhjöpumput, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: Huom. KATSO MYÖS 2B350.i. KOHTA. 2B350 Seuraavat kemikaalien valmistuslaitokset, laitteet ja komponentit: Huom. 2B350 kohdassa tiivisterenkaisiin, tiivisteisiin ja ruuveihin käytetyt materiaalit tai muut tiivisteenä toimivat materiaalit eivät määritä valvonnanalaisuutta, edellyttäen että nämä komponentit on suunniteltu vaihtokelpoisiksi. Grafiittihiili on amorfisesta hiilestä ja grafiitista koostuva seos, jonka koostumuksesta vähintään kahdeksan painoprosenttia on grafiittia. Edellä olevissa kohdissa lueteltujen materiaalien osalta silloin, kun pitoisuuksia ei ole erikseen ilmoitettu, termillä seos tarkoitetaan seosta, jonka koostumuksessa on kohdassa mainittua metallia painoprosenttina ilmaistuna enemmän kuin mitään muuta ainetta. 2B351 Seuraavat, muut kuin 1A004 kohdassa määritellyt myrkyllisten kaasujen valvontajärjestelmät ja niiden erityiset ilmaisinkomponentit, sekä ilmaisimet, sensorilaitteet ja niiden vaihdettavat kasetit: 2B352 Seuraavat biologisten aineiden käsittelyyn soveltuvat laitteet:

2B Tekn. huom. 1.2. a.

Hiomakoneiden laikan pyöristinjärjestelmät;

b.

Yhdensuuntaiset pyörivät akselit, jotka on suunniteltu erillisten työkappaleiden asentamiseen;

c.

Kollineaariset pyörivät akselit, jotka on suunniteltu saman työkappaleen käsittelyyn pitelemällä sitä puristuksissa eri puolilta.

2B Tekn. huom. 1.2.3.4.5. a.

Valitse viisi arvioitavan mallin konetta;

b.

Mittaa ISO 230/2:n mukaisesti lineaarisen akselin tarkkuudet;

c.

Määrittele jokaisen koneen jokaisen akselin A-arvo. A-arvon laskemismenetelmä on kuvattu ISO-standardeissa;

d.

Määrittele jokaisen akselin A-arvon keskiarvo. Tästä keskiarvosta  tulee mallin kunkin akselin mainittu arvo (Âx Ây …);

e.

Koska 2 ryhmää koskevassa luettelossa viitataan jokaiseen lineaariseen akseliin, mainittuja arvoja on oltava yhtä monta kuin lineaarisia akseleita;

f.

Jos sellaisen työstökonemallin, jota ei ole asetettu valvonnanalaiseksi 2B001.a–2B001.c tai 2B201 kohdissa, jollekin akselille on määritelty taattu tarkkuus Â, joka on yhtä suuri tai pienempi kuin kunkin työstökonemallin erityinen paikannustarkkuus plus 2 μm, valmistajan olisi vahvistettava tarkkuustaso kerran 18 kuukaudessa.

2B Tekn. huom. 1.2.3.4.5.6. a.

Kampiakselit tai nokka-akselit;

b.

Työkalut tai leikkuuterät;

c.

Puristimen syöttöruuvi;

d.

Kaiverretut tai viisteiseksi hiotut korujen osat; tai

e.

Hammasproteesit.

a.

Työstökoneet sorvaamista varten, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: Huom. 2B001.a kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi kontaktilinssien valmistusta varten suunniteltuja sorveja, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1. Paikannustarkkuus kaikkine käytettävissä olevine kompensointeineen on saman suuruinen tai vähemmän (parempi) kuin 3,0 μm ISO 230/2:n (2006) tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti määriteltynä yhden tai useamman lineaarisen akselin suuntaan; ja

2. Kaksi tai useampia akseleita, joita voidaan samanaikaisesti koordinoida ääriviivaohjauksessa;

a.

Koneohjain on rajoitettu käyttämään silmätautioppiin perustuvaa ohjelmistoa tuotteen määrittelyyn kuuluvaa tietojen syöttämistä varten; ja

b.

Niissä ei ole imua.

b.

Työstökoneet jyrsintää varten, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1. Niillä on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1. a.

Paikannustarkkuus kaikkine käytettävissä olevine kompensointeineen on saman suuruinen tai vähemmän (parempi) kuin 3,0 μm ISO 230/2:n (2006) tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti määriteltynä yhden tai useamman lineaarisen akselin suuntaan; ja

b.

Kolme lineaarista ja yksi pyörivä akseli, joita voidaan samanaikaisesti koordinoida ääriviivaohjauksessa;

2. Viisi tai useampia akseleita, joita voidaan samanaikaisesti koordinoida ääriviivaohjauksessa ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: Huom. Rinnakkaismekanismilla toimivat työstökoneet määritellään 2B001.b.2.d kohdassa.

2. a.

Paikannustarkkuus kaikkine käytettävissä olevine kompensointeineen on saman suuruinen tai vähemmän (parempi) kuin 3,0 μm ISO 230/2:n (2006) tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti määriteltynä yhden tai useamman lineaarisen akselin suuntaan ja liikepituus on alle 1 m;

b.

2B001 b. 2. Paikannustarkkuus kaikkine käytettävissä olevine kompensointeineen on saman suuruinen tai vähemmän (parempi) kuin 4,5 μm ISO 230/2:n (2006) tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti määriteltynä yhden tai useamman lineaarisen akselin suuntaan ja liikepituus on 1 m tai enemmän mutta alle 2 m;

c.

Paikannustarkkuus kaikkine käytettävissä olevine kompensointeineen on saman suuruinen tai vähemmän (parempi) kuin 4,5 + 7(L-2) μm (L on liikepituus metreinä) ISO 230/2:n (2006) tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti määriteltynä yhden tai useamman lineaarisen akselin suuntaan ja liikepituus on 2 m tai enemmän; tai

d. Tekn. huom.

Kyseessä on rinnakkaismekanismilla toimiva työstökone; Rinnakkaismekanismilla toimiva työstökone on työstökone, jossa on useita sauvoja, jotka on yhdistetty alustaan ja toimilaitteisiin; jokainen toimilaite hoitaa vastaavan sauvan toimintaa samanaikaisesti ja itsenäisesti.

3. Tarkkuusporakoneiden paikannustarkkuus, kaikkine käytettävissä olevine kompensointeineen on saman suuruinen tai vähemmän (parempi) kuin 3,0 mikrometriä ISO 230/2:n (2006) tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti määriteltynä yhden tai useamman akselin suuntaan; tai

4. Nokkateräkoneet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

4. a.

Karan poikkeaman ja aksiaalisiirtymän kokonaislukema on vähemmän (parempi) kuin 0,0004 mm TIR; ja

b.

Luistinliikkeen kulmapoikkeaman (kiertymä pysty-, poikittais- ja pituusakselin ympäri) kokonaislukema on 300 mm:n matkalla vähemmän (parempi) kuin 2 kaarisekuntia TIR;

c.

Hiontaa varten tarkoitetut työstökoneet, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: Huom. 2B001.c kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi seuraavia hiomakoneita:

1. Niillä on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1. a.

Paikannustarkkuus kaikkine käytettävissä olevine kompensointeineen on saman suuruinen tai vähemmän (parempi) kuin 3,0 μm ISO 230/2:n (2006) tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti määriteltynä yhden tai useamman lineaarisen akselin suuntaan; ja

b.

Kolme lineaarista ja yksi pyörivä akseli, joita voidaan samanaikaisesti koordinoida ääriviivaohjauksessa; tai

2. Viisi tai useampia akseleita, joita voidaan samanaikaisesti koordinoida ääriviivaohjauksessa;

a.

Ulkopuoliset, sisäpuoliset tai ulko-sisäpuoliset pyöröhiomakoneet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1. Kone on rajoitettu vain pyöröhiontaan; ja

2. Hiomakoneen työkappaleen maksimikoko on ulkohalkaisijaltaan tai pituudeltaan 150 mm.

b.

Koneet, jotka on erityisesti suunniteltu mallinehiomakoneeksi, joilla ei ole z-akselia eikä w-akselia ja joiden paikannustarkkuus kaikkine käytettävissä olevine kompensointeineen on vähemmän (parempi) kuin 3,0 μm ISO 230/2:n (2006) tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti.

c.

Pintahiomakoneet.

d.

Langattomat kipinätyöstökoneet (EDM), joilla on kaksi tai useampia pyöriviä akseleita, joita voidaan samanaikaisesti koordinoida ääriviivaohjauksessa;

e.

2B001 Metallin, keraamisten aineiden tai komposiittien työstämiseen tarkoitetut koneet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1. Ne käyttävät materiaalin työstämiseen jotakin seuraavista keinoista:

1. a.

Vesi- tai muuta nestesuihkua, mukaan lukien ne, jotka käyttävät hiomalisäaineita;

b.

Elektronisuihkua; tai

c.

Lasersädettä; ja

2. Niissä on vähintään kaksi pyörivää akselia, ja niillä on kaikki seuraavat ominaisuudet:

2. a.

Niitä voidaan samanaikaisesti koordinoida ääriviivaohjauksessa; ja

b.

Paikannustarkkuus on vähemmän (parempi) kuin 0,003 astetta;

f.

Syväreikäporauskoneet ja sorvit, jotka on muunnettu sopiviksi syväreikäporaukseen, joilla maksimiporaussyvyys ylittää 5 m.

a.

Muodon viimeistely alle (paremmaksi kuin) 1,0 μm:iin;

b.

Karheuden viimeistely alle (paremmaksi kuin) 100 nm rms:iin.

c.

Neljä tai useampia akseleita, jotka voidaan koordinoida yhtäaikaisesti ääriviivaohjausta varten; ja

d.

Ne käyttävät jotain seuraavista prosesseista:

1. Magnetoreologinen viimeistely (MRF);

2. Elektroreologinen viimeistely (ERF);

3. Suurenerginen hiukkassuihkuviimeistely;

4. Viimeistely ilmatäytteisellä kalvotyökalulla; tai

5. Nestesuihkuviimeistely.

2B Tekn. huom. 1.2.3.4.5.6. Tekn. huom.

1. MRF on materiaalin poistoprosessi, jossa käytetään hiovaa magneettista nestettä, jonka viskositeetti muuttuu magneettikentässä.

2. ERF on poistoprosessi, jossa käytetään hiovaa nestettä, jonka viskositeettia ohjataan sähkökentällä.

3. Suurenergisessä hiukkassuihkuviimeistelyssä käytetään reaktiivisia atomiplasmoja (RAP) tai ionisuihkuja materiaalin poistamiseksi valikoivasti.

4. Viimeistely ilmatäytteisellä kalvotyökalulla on prosessi, jossa paineistettu kalvo on pienaluekontaktissa työstettävään kappaleeseen.

5. Nestesuihkuviimeistelyssä käytetään nestesuihkua materiaalin työstöön.

a.

Suljetussa tilassaan säädettävä lämpötila, ja kammiotilan sisähalkaisija on 406 mm tai enemmän; ja

b.

Niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1. Maksimityöpaine ylittää 207 MPa;

2. Säädettävä lämpötila ylittää 1773 K (1500 °C) astetta; tai

3. Niissä on edellytykset hiilivetykyllästykseen ja syntyvien kaasumaisten hajoamistuotteiden poistoon.

2B Tekn. huom. 1.2.3.4.5.6. Tekn. huom. Tekn. huom. a.

Tuotantolaitteet kemiallista kaasufaasipinnoitusta varten (CVD), joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista: Huom. KATSO MYÖS 2B105 KOHTA.

1. Prosessi, joka on muunnettu jotakin seuraavaa varten:

1. a.

Syke-CVD (pulsating CVD);

b.

Säädeltävä ydintymis-lämpöhajoaminen (CNTD); tai

c.

Plasma-CVD; ja

2. Niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:

2. a.

Sisältävät pyörivät tyhjiötiivisteet (0,01 Pa tai vähemmän); tai

b.

Sisältävät prosessin aikaisen kerrospaksuuden säädön;

b.

Ioni-istutustuotantolaitteet, joiden ionisuihkun virta on 5 mA tai enemmän;

c.

Tuotantolaitteet elektronisuihkun avulla tapahtuvaa fysikaalista kaasufaasipinnoitusta varten (EB-PVD), joihin sisältyvien tehojärjestelmien nimellisteho ylittää 80 kW ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1. Nestelähteen pinnan lasersäätöjärjestelmä, joka tarkasti ohjaa tankojen syöttönopeutta; tai

2. Tietokoneohjattu nopeuden seuranta, jolla ohjataan kahta tai useampaa elementtiä sisältävän pinnoitteen kasvunopeutta ja joka perustuu höyryvirrassa olevien ionisoitujen atomien fotoluminesenssiin;

d.

2B005 Plasmaruiskutustuotantolaitteet, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1. Toimivat säädettävässä alennetussa paineessa (10 kPa tai vähemmän, mitattuna 300 mm:n sisältä suuttimen ulostulon yläpuolelta) tyhjökammiossa, joka ennen suihkutusprosessia voidaan tyhjentää 0,01 Pa:iin asti; tai

2. Sisältävät prosessin aikaisen kerrospaksuuden säädön;

e.

Sputterointituotantolaitteet, joiden virtatiheys voi olla 0,1 mA/mm2 tai suurempi, kun pinnoitusnopeus on 15 μm tunnissa tai suurempi;

f.

Katodikaaripinnoitustuotantolaitteet, jotka sisältävät sähkömagneeteista koostuvan hilan kaaren pisteen ohjaamiseksi katodilla;

g.

Ionipinnoitustuotantolaitteet, jotka pystyvät jonkin seuraavan prosessin aikaiseen mittaukseen:

1. Kerrospaksuuden mittaus substraatin päältä ja pinnoitusnopeuden säätö; tai

2. Optisten ominaisuuksien mittaus.

a. Tekn. huom.

Tietokoneohjatut tai numeerisesti ohjatut koordinaattimittauskoneet (KMK), joiden kolmen dimension (tilavuuden) pituuden mittauksen suurin sallittu virhe (E0,MPE) koneen toiminta-alueen missä tahansa kohdassa (akselien pituuden puitteissa) on (1,7 + L/1000) μm tai pienempi (parempi) (L on mitattu pituus millimetreinä) ISO 10360-2 (2009) -standardin mukaisesti; Valmistajan määrittelemän koordinaattimittauskoneen tarkimman konfiguraation E0,MPE:tä (esim. parhaat seuraavista: mittapää, mittakärjen pituus, liikeparametrit, ympäristöolosuhteet) ja kaikkien kompensaatioiden ollessa käytettävissä on verrattava 1,7 + L/1000 μm:n raja-arvoon.

b.

Seuraavat lineaarisen ja kulmasiirtymän mittausinstrumentit:

1. Tekn. huom.

Lineaarisen siirtymän mittausinstrumentit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: Huom. Siirtymää mittaavat laserinterferometrit asetetaan valvonnanalaisiksi vain 2B006.b.1.c kohdassa. 2B006.b.1 kohdassa lineaarisella siirtymällä tarkoitetaan mittapään ja mitattavan kohteen välisen etäisyyden muutosta. Huom. 2B006.b.1 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi interferometrimittausjärjestelmiä, joissa on automaattinen valvontajärjestelmä, joka on suunniteltu niin, ettei se käytä takaisinkytkentätekniikoita, ja jotka sisältävät laserin työstökoneen, mittatarkastuskoneen tai vastaavien laitteiden luistin liikkeen virheitä.

a.

Kosketuksettomat mittausjärjestelmät, joiden resoluutio on 0,2 μm tai vähemmän (parempi) 0,2 mm:n mittausalueella;

b. Tekn. huom.

2B006 b. 1. Lineaariset differentiaalimuuntajajärjestelmät (LVDT), joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: 2B006.b.1.b kohdassa täysi toiminta-alue on puolet LVDT:n mahdollisesta lineaarisesta kokonaissiirtymästä. Esimerkiksi LVDT:ssä, jonka täysi toiminta-alue on enintään ± 5 mm, voidaan mitata 10 mm:n mahdollinen lineaarinen kokonaissiirtymä.

b.

1. Niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1. a.

Lineaarisuus on yhtä suuri tai vähemmän (parempi) kuin 0,1 % mitattuna 0:sta täyteen toiminta-alueeseen sellaisten LVDT:iden osalta, joiden täysi toiminta-alue on enintään ± 5 mm; tai

b.

Lineaarisuus on yhtä suuri tai vähemmän (parempi) kuin 0,1 % mitattuna 0:sta 5 mm:iin sellaisten LVDT:iden osalta, joiden täysi toiminta-alue on suurempi kuin ± 5 mm; ja

2. Ryömintä on 0,1 % tai vähemmän (parempi) päivässä testaushuoneen vakiolämpötilassa ± 1 K astetta;

c.

Mittausjärjestelmät, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1. Sisältävät laserin; ja

2. Säilyttävät vähintään 12 tuntia 20 ± 1 °C:n lämpötilassa kaikki seuraavat ominaisuudet:

2. a.

Resoluutio on 0,1 μm tai vähemmän (parempi) koko mittausalueella; ja

b.

Pystyvät saavuttamaan mittauksen epävarmuuden, joka on (0,2 + L/2000) μm tai vähemmän (parempi) (L on mitattu pituus millimetreinä) missä tahansa mittausalueella, kompensoituna ilman taitekertoimen osalta; tai

d.

Elektroniset kokoonpanot, jotka on erityisesti suunniteltu mahdollistamaan takaisinkytkentäkyvyn 2B006.b.1.c kohdassa määritellyissä järjestelmissä;

2. Kulmasiirtymän mittausinstrumentit, joiden kiertymiskulman tarkkuus on 0,00025 astetta tai vähemmän (parempi); Huom. 2B006.b.2 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi optisia instrumentteja, kuten autokollimaattoreita, jotka käyttävät kollimoitua valoa (esimerkiksi laservaloa) peilin kulmasiirtymän ilmaisemiseen.

c.

Laitteet, joilla mitataan pinnan epätasaisuutta (myös pintavikoja) mittaamalla optista sirontaa ja joiden herkkyys on 0,5 nm tai vähemmän (parempi).

a. Tekn. huom.

Kykenevät tosiaikaisesti täyteen kolmiulotteiseen kuvan käsittelyyn tai täyteen kolmiulotteiseen näkökentän analysointiin tuottaakseen tai muuntaakseen ohjelmia tai numeerista ohjelmatietoa; Näkökentän analysointiin liittyvä rajoitus ei sisällä kolmannen ulottuvuuden approksimointia annetusta kulmasta eikä rajoitettua harmaasävyjen tulkinnan avulla tapahtuvaa syvyyden tai pintarakenteen havaitsemista (2 1/2 D) hyväksyttyjen tehtävien suorittamiseksi.

b.

2B007 On erityisesti suunniteltu vastaamaan kansallisia turvallisuusstandardeja, joita sovelletaan potentiaalisesti räjähtävien sotatarvikkeiden ympäristössä; Huom. 2B007.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi robotteja, jotka on erityisesti suunniteltu ruiskumaalauskaappeja varten.

c. Tekn. huom.

On erityisesti suunniteltu tai mitoitettu kestämään säteilyä jonka kokonaissäteilymäärä on enemmän kuin 5 × 103 Gy (pii) ilman, että toimivuus huononee; tai Termillä Gy (pii) tarkoitetaan jouleina kilogrammaa kohti ilmaistua energiaa, jonka suojaamaton piinäyte imee itseensä altistuessaan ionisoivalle säteilylle.

d.

On erityisesti suunniteltu toimimaan yli 30000 m:n korkeuksissa.

a.

Lineaariset aseman takaisinkytkentäyksiköt, joiden kokonaistarkkuus on vähemmän (parempi) kuin (800 + (600 × L/1000)) nm (L on tehollinen pituus mm:inä); Huom. Laserjärjestelmät: katso myös huomautusta 2B006.b1.c ja d kohdassa.

b.

Pyörähdysaseman takaisinkytkentäyksiköt, joiden tarkkuus on vähemmän (parempi) kuin 0,00025 astetta; Huom. Laserjärjestelmät: katso myös huomautusta 2B006.b.2 kohdassa.

c.

Yhdistelmäpyöröpöydät ja kieppikarat, joilla valmistajan spesifikaatioiden mukaan voidaan parantaa työstökoneiden laatua yli niiden tasojen, jotka on määritelty 2B kohdassa.

a.

Kolme lineaarista ja yksi pyörivä akseli, joita voidaan samanaikaisesti koordinoida ääriviivaohjauksessa; ja

b.

Niiden valssausvoima on suurempi kuin 60 kN.

2B Tekn. huom. 1.2.3.4.5.6. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. a.

Suurin toimintapaine on 69 MPa tai enemmän;

b.

Ne on suunniteltu saavuttamaan ja säilyttämään 873 K (600 C) asteen kontrolloitu lämpötila tai tätä korkeampi lämpötila; ja

c.

Niiden kammion sisähalkaisija on 254 mm tai suurempi.

a.

Painesorvit, joilla on seuraavat ominaisuudet:

1. Ne voidaan valmistajan teknisen eritelmän mukaan voidaan varustaa numeerisella ohjauksella tai tietokoneohjauksella, silloinkin kun niitä ei ole varustettu sellaisilla yksiköillä; ja

2. Niissä on useampi kuin kaksi akselia, joita voidaan samanaikaisesti koordinoida ääriviivaohjauksessa.

b.

2B009 tai 2B109.a kohdassa määritettyjä painesorveja varten erityisesti suunnitellut komponentit.

2B Tekn. huom. 1.2.3.4.5.6. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. a.

Tärinäntestausjärjestelmät, joissa käytetään takaisinkytkentä- tai suljetun silmukan tekniikkaa, joissa on digitaalinen ohjain, jolla koejärjestelmää voidaan tärisyttää 10 g:n rms tai suuremmalla kiihdytysarvolla 20 Hz–2 kHz:n taajuusalueella ja tuottaa samalla 50 kN:n tai sitä suurempia voimia paljaalla alustalla mitattuna;

b. Tekn. huom.

Digitaaliset ohjaimet, joissa on erityisesti suunnitellut tärinäntestausohjelmistot, joiden tosiaikainen ohjauskaistanleveys on suurempi kuin 5 kHz ja jotka on suunniteltu 2B116.a kohdassa mainittujen tärinäntestausjärjestelmien käyttöä varten; 2B116.b kohdassa tosiaikaisella ohjauskaistanleveydellä tarkoitetaan suurinta nopeutta, jolla ohjain pystyy suorittamaan näytteenoton, tiedonkäsittelyn ja ohjaussignaalien lähettämisen täysiä kierroksia.

c.

Täristimet (täristinyksiköt), vahvistimien kanssa tai ilman, joilla voidaan tuottaa 50 kN:n tai suurempi tärinävoima paljaalla alustalla mitattuna ja joita voidaan käyttää 2B116.a kohdassa mainituissa tärinäntestausjärjestelmissä;

d.

Koekappaleen kannatinrakenteet ja elektroniset yksiköt, jotka on suunniteltu yhdistämään useita erillisiä täristinyksiköitä järjestelmäksi, joka pystyy tuottamaan 50 kN:n tai suuremman yhdistetyn tehollisen voiman paljaalla alustalla mitattuna ja joita voidaan käyttää 2B116.a kohdassa mainituissa tärinäntestausjärjestelmissä.

2B Tekn. huom. 1.2.3.4.5.6. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. a.

Tasapainotuskoneet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: Huom. 2B119.a kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi hammashoitolaitteita tai muita lääkinnällisiä laitteita varten suunniteltuja tai muunnettuja tasapainotuskoneita.

1. Eivät pysty tasapainottamaan roottoreita/kokoonpanoja, joiden massa on suurempi kuin 3 kg;

2. Pystyvät tasapainottamaan roottoreita/kokoonpanoja nopeuksilla, jotka ovat suurempia kuin 12500 kierrosta minuutissa;

3. 2B119 a. Pystyvät korjaamaan epätasapainon kahdessa tai useammassa tasossa; ja

4. Pystyvät tasapainottamaan siten, että jäännösepätasapaino on 0,2 g mm roottorin massan kutakin kiloa kohden;

b. Tekn. huom.

2B119.a kohdassa määriteltyjen koneiden kanssa käytettäväksi suunnitellut tai muunnetut ilmaisinpäät. Ilmaisinpäistä käytetään toisinaan nimitystä tasapainotuslaitteisto.

a.

Niissä on kaksi akselia tai enemmän;

b.

Ne on suunniteltu tai muunnettu niin, että niihin sisältyvät liukurenkaat tai integroidut kosketuksettomat laitteet, joilla voidaan välittää sähkötehoa, signaalitietoa tai molempia; ja

c.

Niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1. Yksittäisen akselin osalta kaikki seuraavat ominaisuudet:

1. a.

Kulmanopeus 400 astetta/s tai enemmän taikka 30 astetta/s tai vähemmän; ja

b.

Kulmanopeuden erottelukyky 6 astetta/s tai vähemmän ja tarkkuus 0,6 astetta/s tai vähemmän;

2. Huonoin kulmanopeuden stabiilisuus sama tai parempi (vähemmän) kuin plus tai miinus 0,05 prosenttia keskiarvotettuna 10:lle tai useammalle asteelle; tai

3. Asemointitarkkuus 5 kaarisekuntia tai vähemmän (parempi).

a.

Kaksi akselia tai enemmän; ja

b.

Asemointitarkkuus 5 kaarisekuntia tai vähemmän (parempi).

a.

Työstökoneet jyrsintää varten, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: Huom. 2B201.a kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi jyrsintäkoneita, joilla on seuraavat ominaisuudet:

1. Paikannustarkkuus kaikkine käytettävissä olevine kompensointeineen on saman suuruinen tai vähemmän (parempi) kuin 6 μm ISO 230/2:n (1988) tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti määriteltynä minkä tahansa lineaarisen akselin suuntaan; tai

2. Kaksi tai useampia pyöriviä ääriviiva-akseleita.

a.

X-akselin liikkuma on suurempi kuin 2 m; ja

b.

X-akselin kokonaispaikannustarkkuus on enemmän (huonompi) kuin 30 μm.

b.

Työstökoneet hiontaa varten, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: Huom. 2B001.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi seuraavia hiomakoneita:

1. Paikannustarkkuus kaikkine käytettävissä olevine kompensointeineen on saman suuruinen tai vähemmän (parempi) kuin 4 μm ISO 230/2:n (1988) tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti määriteltynä minkä tahansa lineaarisen akselin suuntaan; tai

2. Kaksi tai useampia pyöriviä ääriviiva-akseleita.

a.

Ulkopuoliset, sisäpuoliset tai ulko-sisäpuoliset pyöröhiomakoneet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1. Työkappalekapasiteetti on rajoitettu enintään 150 mm:n ulkohalkaisijaan tai pituuteen; ja

2. Akselit rajoitettu x:ään, z:aan ja c:hen;

b.

Mallinetyöstökoneet, joissa ei ole z-akselia tai w-akselia ja joiden kokonaispaikannustarkkuus on vähemmän (parempi) kuin 4 μm ISO 230/2:n (1988) tai vastaavien kansallisten standardien mukaisesti.

a.

Hammaspyörät;

b.

Kampiakselit tai nokka-akselit;

c.

Työkalut tai leikkuuterät;

d.

Puristimen syöttöruuvit.

a.

Isostaattiset puristimet, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:

1. Ne kykenevät saavuttamaan 69 MPa tai suuremman maksimitoimintapaineen; ja

2. Niiden kammion sisähalkaisija on suurempi kuin 152 mm;

b.

2B204 2B204.a kohdassa määriteltyjä isostaattisia puristimia varten erityisesti suunnitellut muotit ja ohjauslaitteet.

2B Tekn. huom. 1.2.3.4.5.6. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. a. Tekn. huom.

Tietokoneohjatut tai numeerisesti ohjatut koordinaattimittauskoneet (KMK), joilla on jompikumpi seuraavista ominaisuuksista: Valmistajan määrittelemän koordinaattimittauskoneen tarkimman konfiguraation E0,MPE:tä (esim. parhaat seuraavista: mittapää, mittakärjen pituus, liikeparametrit, ympäristöolosuhteet) ja kaikkien kompensaatioiden ollessa käytettävissä on verrattava 1,7 + L/1000 μm:n raja-arvoon.

a.

1. Niissä on vain kaksi akselia ja pituusmittauksen suurin sallittu virhe millä tahansa akselilla (yhdessä ulottuvuudessa), määritettynä minkä tahansa seuraavien yhdistelmänä E0X,MPE, E0Y,MPE tai E0Z,MPE on (1,25 + L/1000) μm tai pienempi (parempi) (L on mitattu pituus mm:inä) koneen toiminta-alueen missä tahansa kohdassa (akselin pituuden puitteissa) standardin ISO 10360-2 (2009) mukaisesti; tai

2. Niissä on vähintään kolme akselia ja kolmen ulottuvuuden (tilavuuden) pituuden mittauksen suurin sallittu virhe suurin sallittu virhe (E0,MPE) on (1,7 + L/800) μm tai pienempi (parempi) (L on mitattu pituus mm:inä) koneen toiminta-alueen missä tahansa kohdassa (akselin pituuden puitteissa) standardin ISO 10360-2 (2009) mukaisesti;

b.

Lineaarisen ja kulmasiirtymän samanaikaiseen tarkasteluun kykenevät järjestelmät, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:

1. Mittauksen epävarmuus mitä tahansa lineaarista akselia pitkin on 3,5 μm tai vähemmän (parempi) 5 mm matkalla; ja

2. Kiertymiskulman poikkeama on 0,02 astetta tai vähemmän.

2B Tekn. huom. 1.2.3.4.5.6. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. a.

Robotit ja päätetyövälineet, jotka on erityisesti suunniteltu täyttämään voimakkaiden räjähteiden käsittelyä koskevat kansalliset turvamääräykset (täyttävät esimerkiksi voimakkaita räjähteitä koskevat sähkösäännökset);

b.

Ohjausyksiköt, jotka on erityisesti suunniteltu 2B207.a kohdassa määriteltyjä robotteja ja päätetyövälineitä varten.

a.

Koneet, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:

1. Kolme tai useampia valsseja (aktiivisia tai ohjaavia); ja

2. Jotka valmistajan teknisten spesifikaatioiden mukaan voidaan varustaa numeerisella ohjausyksiköillä tai tietokoneohjauksella;

b.

Roottorin muotoilukarat, jotka on suunniteltu muotoilemaan lieriömäisiä roottoreita, joiden sisähalkaisija on 75–400 mm.

a.

Joustavien, vähintään 600 mm pitkien roottoreiden tasapainottamiseen tarkoitetut keskipakovoimaan perustuvat monitasotasapainotuskoneet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1. Niiden pyörähdyshalkaisija tai akselitapin halkaisija on suurempi kuin 75 mm;

2. Niiden massankäsittelykyky on 0,9–23 kg; ja

3. Ne pystyvät tasapainottamaan, kun kierrosnopeus on yli 5000 kierrosta minuutissa;

b.

Onttojen lieriömäisten roottorinosien tasapainottamiseen tarkoitetut keskipakotasapainotuskoneet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1. Niiden akselitapin halkaisija on suurempi kuin 75 mm;

2. Niiden massankäsittelykyky on 0,9–23 kg;

3. Ne kykenevät tasapainottamaan niin, että jäännösepätasapaino kussakin tasossa on enintään 0,010 kg × mm/kg; ja

4. Ne ovat hihnakäyttöisiä.

a.

Ne pystyvät läpäisemään 0,6 m paksun tai paksumman kuumakammion seinän (seinänläpityöskentely); tai

b.

Ne pystyvät kurottamaan 0,6 m paksun tai paksumman kammion seinän yli (seinänylityöskentely).

2B Tekn. huom. 1.2.3.4.5.6. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. a.

Uunit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1. Niitä voidaan käyttää yli 1123 K (850 °C) asteen lämpötiloissa;

2. Niiden induktiokelojen halkaisija on 600 mm tai pienempi; ja

3. Niitä käytetään 5 kW:n tai suuremmalla syöttöteholla;

b.

Erityisesti 2B226.a kohdassa määritetyille uuneille suunnitellut teholähteet, joiden määritelty teho on 5 kW tai suurempi.

a.

Valokaaritoistosulatus- ja valu-uunit, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:

1. Niiden sulavaelektrodikapasiteetti on 1000 cm3–20000 cm3; ja

2. Ne kykenevät toimimaan yli 1973 K (1700 C) asteen sulatuslämpötiloissa;

b.

Elektronisuihkusulatusuunit sekä plasmasumutus- ja sulatusuunit, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:

1. Niiden teho on 50 kW tai suurempi; ja

2. Ne kykenevät toimimaan yli 1473 K (1200 C) asteen sulatuslämpötiloissa;

c.

2B227 a tai b kohdassa määriteltyjä uuneja varten erityisesti konfiguroidut tietokoneohjaus- ja valvontajärjestelmät.

a.

Roottorien kokoonpanolaitteet, kaasusentrifugien roottorilohkojen, ohjauslevyjen ja päätylaippojen kokoamiseen; Huom. 2B228.a kohtaan sisältyvät tarkkuustuurnat, puristimet ja kutistussovituskoneet.

b. Tekn. huom.

Roottorien suoruuden varmistavat laitteet, joiden avulla kaasusentrifugien roottorien lohkot linjataan yhteiselle akselille; 2B228.b kohdassa tällaiset laitteet koostuvat yleensä tietokoneeseen kytketyistä tarkkuusmittapäistä, joiden avulla tietokone ohjaa roottoriputkilohkojen linjaukseen käytettävien, esimerkiksi paineilmakäyttöisten, iskumäntien toimintaa.

c. Tekn. huom.

Paljemuovaustuurnat ja muotit, joiden avulla valmistetaan yksikierteisiä palkeita. 2B228.c kohdassa tarkoitetuilla palkeilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1. Sisähalkaisija 75–400 mm;

2. Pituus 12,7 mm tai suurempi;

3. Yhden kierteen syvyys yli 2 mm; ja

4. Valmistusaineina lujat alumiiniseokset, maraging-teräs tai lujat kuitu- tai säiemateriaalit.

a.

Paineanturielementit, jotka on valmistettu alumiinista, alumiiniseoksesta, alumiinioksidista (alumiinioksidista tai safiirista), nikkelistä tai nikkeliä yli 60 painoprosenttia sisältävästä nikkeliseoksesta taikka täysin fluoratuista hiilivetypolymeereistä tai suojattu niillä;

b.

Paineanturielementin tiivistämiseen mahdollisesti tarvittavat tiivisteet, jotka ovat suorassa kontaktissa prosessin väliaineeseen ja jotka on valmistettu alumiinista, alumiiniseoksesta, alumiinioksidista (alumiinioksidista tai safiirista), nikkelistä tai nikkeliä yli 60 painoprosenttia sisältävästä nikkeliseoksesta taikka täysin fluoratuista hiilivetypolymeereistä tai suojattu niillä; ja

c.

2B230 Niillä on jompikumpi seuraavista ominaisuuksista:

1. Kokonaismitta-alue alle 13 kPa ja tarkkuus parempi kuin ± 1 % täydestä mitta-alueesta; tai

2. Kokonaismitta-alue 13 kPa tai suurempi ja tarkkuus parempi kuin ± 130 Pa mitattuna 13 kPa:ssa.

2B Tekn. huom. 1.2.3.4.5.6. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2. a.

Syöttöliitännän sisähalkaisija on 380 mm tai suurempi;

b.

Pumppausnopeus on 15 m3/s tai suurempi; ja

c.

Niiden avulla pystytään saamaan aikaan parempi kuin 13 mPa:n lopullinen tyhjö.

2B Tekn. huom. 1.2.3.4.5.6. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. a.

Tuloaukon virtausnopeus on 50 m3 tai suurempi,

b.

Painesuhde on 2:1 tai suurempi; ja

c.

Kaikki pinnat, jotka joutuvat kosketukseen prosessikaasun kanssa, on valmistettu seuraavista materiaaleista:

1. Alumiini tai alumiiniseos;

2. Alumiinioksidi;

3. Ruostumaton teräs;

4. Nikkeli tai nikkeliseos;

5. Fosforipronssi; tai

6. Fluoripolymeerit.

a.

Sekoittajilla tai ilman niitä varustetut reaktioastiat, joiden sisätilavuus on suurempi kuin 0,1 m3 (100 l) ja pienempi kuin 20 m3 (20000 l) ja joissa kaikki pinnat, jotka joutuvat suoraan kosketukseen valmistettavan tai säilytettävän kemikaalin (kemikaalien) kanssa, on valmistettu seuraavista materiaaleista:

1. Seokset, joissa on enemmän kuin 25 painoprosenttia nikkeliä ja enemmän kuin 20 painoprosenttia kromia;

2. Fluoripolymeerit (polymeeriset tai elastomeeriset materiaalit, joissa on enemmän kuin 35 painoprosenttia fluoria);

3. 2B350 a. Lasi (mukaan lukien lasitettu tai emaloitu pinnoitus tai lasivuoraus);

4. Nikkeli tai seokset, joissa on enemmän kuin 40 painoprosenttia nikkeliä;

5. Tantaali tai tantaaliseokset;

6. Titaani tai titaaniseokset;

7. Zirkonium tai zirkoniumseokset; tai

8. Niobium (columbium) tai niobiumseokset;

b.

Sekoittajat, jotka on suunniteltu käytettäväksi kohdassa 2B350.a määritellyissä reaktioastioissa tai reaktoreissa; ja tällaisissa sekoittajissa käytettävät juoksupyörät, siivet ja akselit, joissa kaikki sekoittajan pinnat, jotka joutuvat suoraan kosketukseen valmistettavan tai säilytettävän kemikaalin (kemikaalien) kanssa, on valmistettu seuraavista materiaaleista:

1. Seokset, joissa on enemmän kuin 25 painoprosenttia nikkeliä ja enemmän kuin 20 painoprosenttia kromia;

2. Fluoripolymeerit (polymeeriset tai elastomeeriset materiaalit, joissa on enemmän kuin 35 painoprosenttia fluoria);

3. Lasi (mukaan lukien lasitettu tai emaloitu pinnoitus tai lasivuoraus);

4. Nikkeli tai seokset, joissa on enemmän kuin 40 painoprosenttia nikkeliä;

5. Tantaali tai tantaaliseokset;

6. Titaani tai titaaniseokset;

7. Zirkonium tai zirkoniumseokset; tai

8. Niobium (columbium) tai niobiumseokset;

c.

Varastosäiliöt, säiliöt tai keräysastiat, joiden sisätilavuus on suurempi kuin 0,1 m3 (100 l) ja joissa kaikki pinnat, jotka joutuvat suoraan kosketukseen valmistettavan tai säilytettävän kemikaalin (kemikaalien) kanssa, on valmistettu seuraavista materiaaleista:

1. Seokset, joissa on enemmän kuin 25 painoprosenttia nikkeliä ja enemmän kuin 20 painoprosenttia kromia;

2. Fluoripolymeerit (polymeeriset tai elastomeeriset materiaalit, joissa on enemmän kuin 35 painoprosenttia fluoria);

3. Lasi (mukaan lukien lasitettu tai emaloitu pinnoitus tai lasivuoraus);

4. Nikkeli tai seokset, joissa on enemmän kuin 40 painoprosenttia nikkeliä;

5. Tantaali tai tantaaliseokset;

6. Titaani tai titaaniseokset;

7. Zirkonium tai zirkoniumseokset; tai

8. Niobium (columbium) tai niobiumseokset;

d.

Lämmönvaihtimet tai lauhduttimet, joiden lämmönvaihtopinta on suurempi kuin 0,15 m2 ja pienempi kuin 20 m2; ja tällaisissa vaihtimissa tai lauhduttimissa käytettävät putket, levyt, kelat tai lohkot (ytimet), joissa kaikki pinnat, jotka joutuvat suoraan kosketukseen valmistettavan kemikaalin (kemikaalien) kanssa, on valmistettu seuraavista materiaaleista:

1. Seokset, joissa on enemmän kuin 25 painoprosenttia nikkeliä ja enemmän kuin 20 painoprosenttia kromia;

2. Fluoripolymeerit (polymeeriset tai elastomeeriset materiaalit, joissa on enemmän kuin 35 painoprosenttia fluoria);

3. Lasi (mukaan lukien lasitettu tai emaloitu pinnoitus tai lasivuoraus);

4. Grafiitti tai grafiittihiili;

5. 2B350 d. Nikkeli tai seokset, joissa on enemmän kuin 40 painoprosenttia nikkeliä;

6. Tantaali tai tantaaliseokset;

7. Titaani tai titaaniseokset;

8. Zirkonium tai zirkoniumseokset;

9. Piikarbidi;

10. Titaanikarbidi; tai

11. Niobium (columbium) tai niobiumseokset;

e.

Tislaus- tai imeytyskolonnit, joiden sisähalkaisija on suurempi kuin 0,1 m ja tällaisissa tislaus- tai imeytyskolonneissa käytettävät nestejakelijat, höyryjakelijat ja nestekerääjät, joissa kaikki pinnat, jotka joutuvat suoraan kosketukseen valmistettavan kemikaalin (kemikaalien) kanssa, on valmistettu seuraavista materiaaleista:

1. Seokset, joissa on enemmän kuin 25 painoprosenttia nikkeliä ja enemmän kuin 20 painoprosenttia kromia;

2. Fluoripolymeerit (polymeeriset tai elastomeeriset materiaalit, joissa on enemmän kuin 35 painoprosenttia fluoria);

3. Lasi (mukaan lukien lasitettu tai emaloitu pinnoitus tai lasivuoraus);

4. Grafiitti tai grafiittihiili;

5. Nikkeli tai seokset, joissa on enemmän kuin 40 painoprosenttia nikkeliä;

6. Tantaali tai tantaaliseokset;

7. Titaani tai titaaniseokset;

8. Zirkonium tai zirkoniumseokset; tai

9. Niobium (columbium) tai niobiumseokset;

f.

Kauko-ohjatut täyttölaitteet, joiden kaikki pinnat, jotka joutuvat suoraan kosketukseen valmistettavan kemikaalin (kemikaalien) kanssa, on valmistettu seuraavista materiaaleista:

1. Seokset, joissa on enemmän kuin 25 painoprosenttia nikkeliä ja enemmän kuin 20 painoprosenttia kromia; tai

2. Nikkeli tai seokset, joissa on enemmän kuin 40 painoprosenttia nikkeliä;

g. Tekn. huom. 1.2.

Venttiilit ja komponentit seuraavasti: 2B350.g kohdassa korroosiota kestävät materiaalit tarkoittavat seuraavia materiaaleja: Nimelliskoolla tarkoitetaan sisäänmenon ja ulostulon halkaisijoista pienempää.

g.

1. Venttiilit, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:

1. a.

Nimelliskoko on suurempi kuin 10 mm (3/8″); ja

b.

Kaikki pinnat, jotka joutuvat suoraan kosketukseen valmistettavien, käsiteltävien tai säilytettävien kemikaalien kanssa, on valmistettu korroosiota kestävistä materiaaleista;

2. Muut kuin 2B350.g.1 kohdassa määritellyt venttiilit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

2. a.

Nimelliskoko 25,4 mm (1″) tai suurempi ja enintään 101,6 mm (4″);

b.

Pesät (venttiilin rungot) tai muotoon puristetut runkotiivisteet;

c.

Sulkuelin, joka on suunniteltu vaihtokelpoiseksi; ja

d.

Kaikki pesän (venttiilin rungon) tai muotoon puristetun runkotiivisteen pinnat, jotka joutuvat suoraan kosketukseen valmistettavien, käsiteltävien tai säilytettävien kemikaalien kanssa, on valmistettu korroosiota kestävistä materiaaleista;

3. 2B350 g. 2B350.g.1 tai 2B350.g.2 kohdassa määriteltyjä venttiilejä varten suunnitellut komponentit, jotka joutuvat suoraan kosketukseen valmistettavien, käsiteltävien tai säilytettävien kemikaalien kanssa, on valmistettu korroosiota kestävistä materiaaleista seuraavasti:

3. a.

Pesät (venttiilin rungot);

b.

Muotoon puristetut runkotiivisteet;

g. Tekn. huom. 1.

a.

Nikkeli tai seokset, joissa on enemmän kuin 40 painoprosenttia nikkeliä;

b.

Seokset, joissa on enemmän kuin 25 painoprosenttia nikkeliä ja enemmän kuin 20 painoprosenttia kromia;

c.

Fluoripolymeerit (polymeeriset tai elastomeeriset materiaalit, joissa on enemmän kuin 35 painoprosenttia fluoria);

d.

Lasi tai lasivuorattu (mukaan lukien lasitettu tai emaloitu pinnoitus);

e.

Tantaali tai tantaaliseokset;

f.

Titaani tai titaaniseokset;

g.

Zirkonium tai zirkoniumseokset;

h.

Niobium (columbium) tai niobiumseokset; tai

i.

Seuraavat keraamiset materiaalit:

1. Piikarbidi, jonka puhtaus on vähintään 80 painoprosenttia;

2. Alumiinioksidi, jonka puhtaus on vähintään 99,9 painoprosenttia;

3. Zirkoniumoksidi.

h.

Moniseinämäiset putkistot, joihin sisältyy vuodonilmaisuventtiili, joiden kaikki pinnat, jotka joutuvat suoraan kosketukseen käsiteltävien tai säilytettävien kemikaalien kanssa, on valmistettu seuraavista materiaaleista:

1. Seokset, joissa on enemmän kuin 25 painoprosenttia nikkeliä ja enemmän kuin 20 painoprosenttia kromia;

2. Fluoripolymeerit (polymeeriset tai elastomeeriset materiaalit, joissa on enemmän kuin 35 painoprosenttia fluoria);

3. Lasi (mukaan lukien lasitettu tai emaloitu pinnoitus tai lasivuoraus);

4. Grafiitti tai grafiittihiili;

5. Nikkelistä tai seoksista, joissa on enemmän kuin 40 painoprosenttia nikkeliä;

6. Tantaali tai tantaaliseokset;

7. Titaani tai titaaniseokset;

8. Zirkonium tai zirkoniumseokset; tai

9. Niobium (columbium) tai niobiumseokset;

i. Tekn. huom.

2B350 Muut kuin 2B233 kohdassa määritellyt monitiivisteiset ja tiivisteettömät pumput, joiden valmistajan ilmoittama maksimivirtausnopeus on suurempi kuin 0,6 m3/h, tai tyhjöpumput, joiden valmistajan ilmoittama maksimivirtausnopeus on suurempi kuin 5 m3/h (vakiolämpötilassa (273 K (0 C) astetta) ja -ilmanpaineessa (101,3 kPa)); ja tällaisissa pumpuissa käytettävät rungot (pumppujen rungot), muotoon puristetut runkotiivisteet, juoksupyörät, roottorit tai suihkupumppusuuttimet, joissa kaikki pinnat, jotka joutuvat suoraan kosketukseen käsiteltävien kemikaalien kanssa, on valmistettu seuraavista materiaaleista: 2B350.i. tiivisteellä tarkoitetaan vain niitä tiivisteitä, jotka joutuvat (tai on tarkoitettu) suoraan kosketukseen käsiteltävien kemikaalien kanssa ja jotka toimivat tiivisteenä, kun pyörivä tai edestakaisin liikkuva akseli kulkee pumppukammion läpi.

i.

1. Seokset, joissa on enemmän kuin 25 painoprosenttia nikkeliä ja enemmän kuin 20 painoprosenttia kromia;

2. Keraamiset aineet;

3. Ferropiistä (piipitoisuudeltaan korkeat rautaseokset);

4. Fluoripolymeerit (polymeeriset tai elastomeeriset materiaalit, joissa on enemmän kuin 35 painoprosenttia fluoria);

5. Lasi (mukaan lukien lasitettu tai emaloitu pinnoitus tai lasivuoraus);

6. Grafiitti tai grafiittihiili;

7. Nikkeli tai seokset, joissa on enemmän kuin 40 painoprosenttia nikkeliä;

8. Tantaali tai tantaaliseokset;

9. Titaani tai titaaniseokset;

10. Zirkonium tai zirkoniumseokset; tai

11. Niobium (columbium) tai niobiumseokset;

j.

C350 kohdassa määriteltyjen kemikaalien hävittämiseen tarkoitetut polttolaitokset, joissa on erityisesti suunnitellut jätteen syöttöjärjestelmät, erityiset käsittelylaitteet ja keskimääräinen polttokammion lämpötila suurempi kuin 1273 K (1000 C) astetta, joissa kaikki jätteensyöttöjärjestelmän pinnat, jotka joutuvat suoraan kosketukseen jätetuotteiden kanssa, on valmistettu tai vuorattu (pinnoitettu) seuraavilla materiaaleilla:

1. Seokset, joissa on enemmän kuin 25 painoprosenttia nikkeliä ja enemmän kuin 20 painoprosenttia kromia;

2. Keraamiset aineet; tai

3. Nikkeli tai seokset, joissa on enemmän kuin 40 painoprosenttia nikkeliä.

2B Tekn. huom. 1.2.3.4.5.6. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. a.

Jotka on suunniteltu jatkuvaan toimintaan ja joita käytetään ilmaisemaan kemiallisia taisteluaineita tai 1C350 kohdassa määriteltyjä kemikaaleja pitoisuuksina, jotka ovat vähemmän kuin 0,3 mg/m3; tai

b.

Jotka on tarkoitettu ilmaisemaan yhdisteitä, joilla on koliiniesteraasia estävä aktiivisuus.

a. Tekn. huom.

Täydelliset biologiset turvatilat, joiden turvataso on P3 ja P4; P3 ja P4 (BL3, BL4, L3, L4) turvatasot on määritelty WHO:n (Maailman terveysjärjestö) Laboratorion bioturvakäsikirjassa (Laboratory biosafety manual) (kolmas painos, Geneve 2004).

b. Tekn. huom.

Fermenttorit ja komponentit seuraavasti: 2B352.b kohdassa fermenttoreihin kuuluvat bioreaktorit, kertakäyttöiset bioreaktorit, kemostaatit sekä jatkuvan virtausperiaatteen järjestelmät

b.

1. Fermenttorit, joilla voidaan kasvattaa patogeenisiä mikro-organismeja tai eläviä soluja patogeenisten virusten tai toksiinien tuottamiseksi ilman aerosolien muodostusta ja joiden kokonaiskapasiteetti on vähintään 20 litraa;

2. 2B352.b.1 kohdan fermenttoreja varten tarkoitetut komponentit seuraavasti:

2. a.

Kasvatuskammiot, jotka on tarkoitettu sterilisoitavaksi tai desinfioitavaksi paikalla;

b.

Kasvatuskammioiden kannattimet;

c.

Prosessinohjausyksiköt, jotka pystyvät samanaikaisesti seuraamaan ja ohjaamaan kahta tai useampaa fermentaatiojärjestelmän parametriä (esim. lämpötila, pH, ravinteet, ravistaminen, liuennut happi, ilmavirta, vaahdon valvonta);

c. Tekn. huom.

Keskipakoerottimet, jotka pystyvät jatkuvaan erotukseen ilman aerosolimuodostusta ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: Keskipakoerottimet sisältävät dekantterit.

c.

1. Virtausnopeus ylittää 100 litraa tunnissa;

2. Komponentit ovat kiillotettua ruostumatonta terästä tai titaania;

3. Niissä on yksi tai useampi tiivistesulku höyrysteriloitavalla alueella; ja

4. Ne voidaan steriloida höyryllä paikalla ja suljettuna;

d.

Risti(tangentiaali)virtaussuodatinlaitteet ja -komponentit seuraavasti: Huom. 2B352.d kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi käänteisosmoosilaitteita, sellaisina kuin valmistaja on ne määritellyt.

1. Risti(tangentiaali)virtaussuodatinlaitteet, joilla pystytään erottamaan patogeeniset mikro-organismit, virukset, toksiinit tai soluviljelmät ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1. a.

Kokonaissuodatuspinnan koko on vähintään 1 m2; ja

b. Tekn. huom.

Niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista: d.1.b kohdassa tarkoitetaan steriloimisella kaikkien elävien mikrobien poistamista laitteesta käyttämällä joko fysikaalisia (esimerkiksi höyry) tai kemiallisia tekijöitä. Desinfioimisella tarkoitetaan mahdollisen mikrobisen infektiivisyyden tuhoamista laitteesta käyttämällä kemiallisia tekijöitä, joilla on germisidinen vaikutus. Steriloiminen ja desinfioiminen ovat eri asioita kuin sanitointi, jolla tarkoitetaan puhdistusmenettelyjä, joiden tarkoituksena on alentaa laitteen mikrobisisältöä poistamatta välttämättä kaikkea mikrobista infektiivisyyttä tai eläviä mikrobeja.

b.

1. Ne voidaan steriloida tai desinfioida paikalla; tai

2. Niissä käytetään kertakäyttöisiä suodatinkomponentteja;

2. 2B352 d. Risti(tangentiaali)virtaussuodatinkomponentit (esimerkiksi moduulit, elementit, kasetit, säiliöt, yksiköt tai levyt), joiden suodatuspinta on vähintään 0,2 m2 kunkin komponentin osalta ja jotka on tarkoitettu käytettäviksi 2B352.d kohdassa mainituissa risti(tangentiaali)virtaussuodatinlaitteissa;

e.

Höyrysteriloitavat kylmäkuivauslaitteet, joiden kondensaatiokapasiteetti ylittää 10 kg jäätä 24 tunnissa ja enintään 1000 kg jäätä 24 tunnissa;

f.

Seuraavat suoja- ja turvalaitteet:

1. Puoli- ja kokosuojapuvut tai huuvat, jotka ovat riippuvaisia niihin kytketystä ulkoisesta ilmansyötöstä ja jotka toimivat ylipaineella; Huom. 2B352.f.1 kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi pukuja, jotka on tarkoitettu käytettäviksi itsenäisen hengityslaitteen kanssa.

2. Luokan III biologiset suojakaapit tai isolaattorit, jotka täyttävät vastaavat suoritusvaatimukset; Huom. 2B352.f.2 kohdassa isolaattoreihin kuuluvat joustavat isolaattorit, kuivakaapit, anaerobikammiot, hansikaskaapit ja laminaarivirtaushuuvat (suljettu pystyvirtauksella).

g.

Kammiot, jotka on suunniteltu mikro-organismeilla, viruksilla tai toksiineilla tehtäviä aerosolialtistuskokeita varten ja joiden kammiotilavuus on 1 m3 tai suurempi;

h.

Sumutuskuivauslaitteet, jotka pystyvät kuivaamaan toksiineja tai patogeenisia mikro-organismeja ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1. Vedenhaihdutuskapasiteetti ≥ 0,4 kg/h ja ≤ 400 kg/h;

2. Kyky tuottaa tuotteen tyypillinen keskimääräinen partikkelikoko (≤ 10 μm) olemassa olevilla varusteilla tai tekemällä minimaalisia muutoksia sumutuskuivaimeen, jossa on sumutussuuttimia, jotka mahdollistavat vaaditun partikkelikoon tuottamisen; ja

3. Ne ovat steriloitavissa tai desinfioitavissa paikalla.

2C Materiaalit Ei ole.

2D Ohjelmistot 2D001 Muut kuin 2D002 kohdassa määritellyt ohjelmistot seuraavasti: Huom. 2D001 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi työstöohjelmien ohjelmistoja, jotka luovat numeerisia ohjauskoodeja eri osien koneistamista varten. 2D002 Elektronisten laitteiden ohjelmistot, myös pysyvästi elektroniseen laitteeseen tai järjestelmään sijoitetut, jotka mahdollistavat näiden laitteiden tai järjestelmien toiminnan numeerisena ohjausyksikkönä ja pystyvät koordinoimaan samanaikaisesti useampaa kuin neljää akselia ääriviivaohjauksessa. Huom. 1: 2D002 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi ohjelmistoja, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu tuotteille, joita ei ole määritelty ryhmässä 2. Huom. 2: 2D002 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi 2B002 kohdassa mainituille tuotteille tarkoitettuja ohjelmistoja. Katso 2D001 ja 2D003 kohdat 2B002 kohdassa mainituille tuotteille tarkoitettujen ohjelmistojen osalta. Huom. 3: 2D002 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi ohjelmistoja, jotka viedään yhdessä tuotteiden kanssa, joita ei ole määritelty ryhmässä 2, ja jotka ovat välttämättömiä niiden toiminnalle. 2D003 Ohjelmistot, jotka on suunniteltu tai muunnettu 2B002 kohdassa määriteltyjen laitteiden toimintaa varten ja joilla muunnetaan optinen suunnittelu, työkappalemittaukset ja materiaalinpoistotoiminnot numeerisiksi ohjauskäskyiksi, jotta saadaan haluttu työkappaleen muoto. 2D101 Ohjelmistot, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 tai 2B119–2B122 kohdassa määriteltyjen laitteiden käyttöä varten. Huom. KATSO MYÖS 9D004 KOHTA. 2D201 Ohjelmistot, jotka on erityisesti suunniteltu 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 tai 2B227 kohdassa määriteltyjen tuotteiden käyttöä varten. 2D202 Ohjelmistot, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu 2B201 kohdassa määriteltyjen laitteiden kehittämistä, tuotantoa tai käyttöä varten. Huom. 2D202 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi työstöohjelmien ohjelmistoja, jotka luovat numeerisia ohjauskoodeja mutteivät mahdollista eri osien koneistamiseen tarkoitettujen laitteiden suoraa käyttöä. 2D351 Muut kuin 1D003 kohdassa määritellyt ohjelmistot, jotka on erityisesti suunniteltu 2B351 kohdassa määriteltyjen laitteiden käyttöä varten.

2D a.

Ohjelmistot, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu 2A001 tai 2B001 kohdassa määriteltyjen laitteiden kehittämistä tai tuotantoa varten

b.

Ohjelmistot, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu 2A001.c, 2B001 tai 2B003–2B009 kohdassa määriteltyjen laitteiden käyttöä varten.

2E Taulukko 1.2.3.A.B.B.1.B.2.B.3.B.4.C.D.E.F.G. Pinnoitustekniikat

Teknologia 2E001 Teknologia yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 2A, 2B tai 2D kohdassa määriteltyjen laitteiden tai ohjelmistojen kehittämistä varten. Huom. 2E001 kohta sisältää teknologian mittapääjärjestelmien integroimiseksi 2B006.a kohdassa määriteltyihin koordinaattimittauskoneisiin. 2E002 Teknologia yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 2A tai 2B kohdassa määriteltyjen laitteiden tuotantoa varten. 2E003 Muu teknologia seuraavasti: 2E101 Teknologia Yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119–2B122 tai 2D101 kohdassa määriteltyjen laitteiden tai ohjelmistojen käyttöä varten. 2E201 Teknologia Yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b, 2B007.c, 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225–2B233, 2D201 tai 2D202 kohdassa määriteltyjen laitteiden tai ohjelmistojen käyttöä varten. 2E301 Teknologia Yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 2B350–2B352 kohdassa määriteltyjen tuotteiden käyttöä varten. Pinnoitusprosessi (1) Substraatti Pinnoitetulos Kemiallinen kaasu-faasipinnoitus (CVD) superseokset aluminidit sisäisiin kanaviin keraamiset aineet (19) ja vähän laajenevat lasit (14) silisidit karbidit dielektriset kerrokset (15) timantti timantin kaltainen hiili (17) hiili-hiili-, keraami- ja metalli-matriisikomposiitit silisidit karbidit tulenkestävät metallit niiden sekoitukset (4) dielektriset kerrokset (15) aluminidit seostetut aluminidit (2) boorinitridi volframikarbidi-kovametalli (16), piikarbidi (18) karbidit volframi niiden sekoitukset (4) dielektriset kerrokset (15) molybdeeni ja molybdeeniseokset dielektriset kerrokset (15) beryllium ja berylliumseokset dielektriset kerrokset (15) timantti timantin kaltainen hiili (17) anturi-ikkunamateriaalit (9) dielektriset kerrokset (15) timantti timantin kaltainen hiili (17) Terminen höyrystys-fysikaalinen höyrypinnoitus (TE-PVD) PVD tai EB-PVD superseokset seostetut silisidit seostetut aluminidit (2) MCrAlX (5) muunnettu zirkoniumoksidi (12) silisidit aluminidit niiden sekoitukset(4) keraamiset aineet (19) ja vähän laajenevat lasit (14) dielektriset kerrokset (15) korroosionkestävä teräs (7) MCrAlX (5) muunnettu zirkoniumoksidi (12) niiden sekoitukset (4) hiili-hiili-, keraami- ja metalli-matriisikomposiitit silisidit karbidit tulenkestävät metallit niiden sekoitukset(4) dielektriset kerrokset (15) boorinitridi volframikarbidi-kovametalli (16), piikarbidi (18) karbidit volframi niiden sekoitukset(4) dielektriset kerrokset (15) molybdeeni ja molybdeeniseokset dielektriset kerrokset (15) beryllium ja berylliumseokset dielektriset kerrokset (15) boridit beryllium anturi-ikkunamateriaalit (9) dielektriset kerrokset (15) titaaniseokset (13) boridit nitridit Ioniavusteinen resistiivinen kuumennus PVD (ionipinnoitus) keraamiset aineet (19) ja vähän laajenevat lasit (14) dielektriset kerrokset (15) timantin kaltainen hiili (17) hiili-hiili-, keraamiset ja metalli-matriisikomposiitit dielektriset kerrokset (15) volframikarbidi-kovametalli (16), piikarbidi dielektriset kerrokset (15) molybdeeni ja molybdeeniseokset dielektriset kerrokset (15) beryllium ja berylliumseokset dielektriset kerrokset (15) anturi-ikkunamateriaalit (9) dielektriset kerrokset (15) timantin kaltainen hiili (17) Laser-PVD keraamiset aineet (19) ja vähän laajenevat lasit (14) silisidit dielektriset kerrokset (15) timantin kaltainen hiili (17) hiili-hiili-, keraami- ja metalli-matriisikomposiitit dielektriset kerrokset (15) volframikarbidi-kovametalli (16), piikarbidit dielektriset kerrokset (15) molybdeeni ja molybdeeniseokset dielektriset kerrokset (15) beryllium ja berylliumseokset dielektriset kerrokset (15) anturi-ikkunamateriaalit (9) dielektriset kerrokset (15) timantin kaltainen hiili Katodikaari- Purkaus PVD superseokset seostetut silisidit seostetut aluminidit (2) MCrAlX (5) polymeerit (11) ja komposiitit, joilla on orgaaninen matriisi boridit karbidit nitridit timantin kaltainen hiili (17) Hiilletyslaatikkokarkaisu (katso edellä A kohta muun kuin laatikkokarkaisun osalta) (10). hiili-hiili-, keraami- ja metalli-matriisikomposiitit silisidit karbidit niiden sekoitukset (4) titaaniseokset (13) silisidit aluminidit seostetut aluminidit (2) tulenkestävät metallit ja niiden seokset (8) silisidit oksidit Plasmaruiskutus superseokset MCrAlX (5) muunnettu zirkoniumoksidi (12) niiden sekoitukset (4) muovattava nikkeligrafiitti muovattavat Ni-Cr-Al-pitoiset aineet muovattavat Al-Si-polyesteri seostetut aluminidit (2) alumiiniseokset (6) MCrAlX (5) muunnettu zirkoniumoksidi (12) silisidit niiden sekoitukset (4) tulenkestävät metallit ja seokset (8) aluminidit silisidit karbidit korroosionkestävät teräkset (7) MCrAIX (5) muunnettu zirkoniumoksidi (12) niiden sekoitukset (4) titaaniseokset (13) karbidit aluminidit silisidit seostetut aluminidit (2) muovattava nikkeligrafiitti muovattavat Ni-Cr-Al-pitoiset aineet muovattava Al-Si-polyesteri Lietepinnoitus tulenkestävät metallit ja seokset (8) fuusatut silisidit fuusatut aluminidit paitsi lämmitysvastuselementit hiili-hiili-, keraami- ja metalli-matriisikomposiitit silisidit karbidit niiden sekoitukset (4) Sputterointi superseokset seostetut silisidit seostetut aluminidit (2) jalometallimuunnetut aluminidit (3) MCrAlX (5) muunnettu zirkoniumoksidi (12) platina niiden sekoitukset (4) keraamiset aineet ja vähän laajenevat lasit (14) silisidit platina niiden sekoitukset (4) dielektriset kerrokset (15) timantin kaltainen hiili (17) titaaniseokset (13) boridit nitridit oksidit silisidit aluminidit seostetut aluminidit (2) karbidit hiili-hiili-, keraami- ja metalli-matriisikomposiitit silisidit karbidit tulenkestävät metallit niiden sekoitukset (4) dielektriset kerrokset (15) boorinitridi volframikarbidi-kovametalli (16), piikarbidi (18) karbidit volframi niiden sekoitukset (4) dielektriset kerrokset (15) boorinitridi molybdeeni ja molybdeeniseokset dielektriset kerrokset (15) beryllium ja berylliumseokset boridit dielektriset kerrokset (15) berylium anturi-ikkunamateriaalit (9) dielektriset kerrokset (15) timantin kaltainen hiili (17) tulenkestävät metallit ja seokset (8) aluminidit silisidit oksidit karbidit Ioni-istutus korkean lämpötilan laakeriteräkset kromi-, tantaali- tai niobium-(columbium)lisäaineet titaaniseokset (13) boridit nitridit beryllium ja berylliumseokset boridit volframikarbidi-kovametalli (16) karbidit nitridit

2E a.

Teknologia numeerisen ohjausyksikön integroituna osana olevan työstöohjelmien laatimiseksi tai muuntamiseksi tarvittavan interaktiivisen grafiikan kehittämistä varten;

b.

Teknologia metalliteollisuuden valmistusprosesseja varten seuraavasti:

1. Seuraavia prosesseja varten erityisesti suunniteltujen työkalujen, muottien tai kiinnittimien suunnitteluteknologia:

1. a.

Superplastinen muovaus;

b.

Diffuusioliittäminen; tai

c.

Suoravaikutteinen hydraulipuristus;

2. Tekninen tieto, joka koostuu alla luetelluista prosessimenetelmistä tai niiden parametreista ja jolla ohjataan:

2. a.

Alumiiniseosten, titaaniseosten tai superseostensuperplastisen muovauksen:

1. Pinnan valmistelua;

2. Jännityksen tasoa;

3. Lämpötilaa;

4. Painetta;

b.

2E003 b. 2. Superseosten tai titaaniseosten diffuusioliittämisen:

1. Pinnan valmistelua;

2. Lämpötilaa;

3. Painetta;

c.

Alumiiniseosten tai titaaniseosten suoravaikutteisen hydraulipuristuksen:

1. Painetta;

2. Jakson aikaa;

d.

Titaaniseosten, alumiiniseosten tai superseostenkuumaisostaattisen puristuksen:

1. Lämpötilaa;

2. Painetta;

3. Jakson aikaa;

c.

Teknologia ilma-alusten runkorakenteiden valmistukseen tarkoitettujen hydraulisten venytysmuovauskoneiden ja niiden muottien kehittämistä tai tuotantoa varten;

d.

Teknologia numeerisessa ohjausyksikössä olevasta suunnittelutiedosta tuotettavien työstökonekäskyjen (esim. työstöohjelmien) ohjelmakehittimien kehittämistä varten;

e.

Teknologia valmistusosaston toimintojen kehittyneen päätöksenteon tukemiseksi numeerisiin ohjausyksiköihin asiantuntijajärjestelmiä sisällyttävien integrointiohjelmistojen kehittämistä varten;

f.

Teknologia, jolla epäorgaanisilla päällystyspinnoitteilla tai epäorgaanisilla pinnanmuunnospinnoitteilla (määritelty seuraavan taulukon 3 sarakkeessa) pinnoitetaan johtamattomia substraatteja (määritelty seuraavan taulukon 2 sarakkeessa) seuraavan taulukon 1 sarakkeessa määritellyillä ja Teknisessä Huomautuksessa kuvatuilla prosesseilla. Huom. Taulukko ja tekniset huomautukset on esitetty 2E301 kohdan jälkeen. Huom. Tätä taulukkoa olisi tulkittava niin, että siinä määritellään tietyn pinnoitusprosessin teknologia vain silloin, kun 3 sarakkeessa mainittu pinnoitetulos esitetään vastaavassa kohdassa kuin asiaankuuluva substraatti 2 sarakkeessa. Esimerkiksi kemiallista kaasufaasipinnoitusta (CVD) koskevat pinnoitusprosessin tekniset tiedot koskevat niitä tapauksia, joissa silisideillä pinnoitetaan hiili-hiili-, keraami- ja metallimatriisikomposiitti-substraatteja, mutta ne eivät koske tapauksia, joissa silisideillä pinnoitetaan volframikarbidikovametalli (16)- ja piikarbidi (18) -substraatteja. Jälkimmäisessä tapauksessa pinnoitetulosta (silisidit) ei mainita 3 sarakkeen kohdassa, joka vastaa 2 sarakkeen kohtaa, jossa mainitaan volframikarbidikovametalli (16) ja piikarbidi (18).

2E Taulukko 1.2.3.A.B.B.1.B.2.B.3.B.4.C.D.E.F.G. Pinnoitustekniikat PINNOITUSTEKNIIKKOJA KUVAAVAAN TAULUKKOON LIITTYVÄT HUOMAUTUKSET 1.2.3.4.5.6.7.8.9.10.11.12.13.14.15.16.17.18.19.

Termi pinnoitusprosessi sisältää, paitsi alkuperäisen pinnoituksen, myös sen korjauksen tai uusimisen. Termi seostettu aluminidipinnoitus sisältää yksi- ja monivaiheiset pinnoitukset, joissa substraatti pinnoitetaan ensin tai samanaikaisesti aluminidipinnoituksen kanssa muulla alkuaineella tai -aineilla silloinkin, kun näillä alkuaineilla pinnoitetaan jotain muuta prosessia käyttäen. Se ei kuitenkaan sisällä yksivaiheista hiiletyslaatikkokarkaisuprosessia, jota käytetään useampaan kertaan seostetun aluminidin aikaansaamiseksi substraatin pinnalle. Termi jalometallimuunnettu aluminidipinnoitus sisältää monivaiheiset pinnoitukset, joissa jalometallia tai jalometalleja aikaansaadaan substraatin pinnalle jollakin muulla prosessilla ennen aluminidipinnoitusta. Termi niiden sekoitukset sisältää suodatettuja aineita, lajiteltuja seoksia sekä lisä- ja monikerrospinnoitteita ja niitä aikaansaadaan yhden tai useamman taulukossa mainitun prosessin avulla. McrAlX tarkoittaa metalliseospinnoitetta, jossa M vastaa kobolttia, rautaa, nikkeliä tai niiden yhdistelmiä ja X vastaa hafniumia, yttriumia, piitä, tantaalia missä tahansa määrässä tai muuta tarkoituksellista lisäainetta yli 0,01 painoprosenttia erilaisissa suhteissa ja yhdistelmissä, paitsi: Termi alumiiniseos tarkoittaa metalliseoksia, joiden murtovetolujuus on 190 MPa tai enemmän mitattuna 20 °C (293 K) asteen lämpötilassa. Termi korroosionkestävä teräs tarkoittaa AISI (American Iron and Steal Institute) 300 -sarjaa tai vastaavia kansallisia standarditeräksiä. Tulenkestävät metallit ja seokset sisältävät seuraavia metalleja ja niiden seoksia: niobium (columbium), molybdeeni, volframi ja tantaali. Anturi-ikkunamateriaaleja ovat seuraavat: alumiinioksidi, pii, germanium, sinkkisulfidi, sinkkiselenidi, galliumarsenidi, timantti, galliumfosfidi, safiiri ja seuraavat metallihalidit: zirkoniumfluoridista ja hafniumfluoridista koostuvat anturi-ikkunamateriaalit, joiden halkaisija on yli 40 mm. Kiinteiden turbiininsiipilevyjen yksivaiheinen hiiletyslaatikkokarkaisu teknologia ei ole valvonnanalaista 2 ryhmässä. Polymeerit seuraavasti: polyimidi, polyesteri, polysulfidi, polykarbonaatit ja polyuretaanit. Muunnettu zirkoniumoksidi tarkoittaa, että siinä on muiden metallien oksideja lisäaineena, kuten kalsiumoksidi, magnesiumoksidi, ytriumoksidi, hafniumoksidi ja harvinaisten maametallien oksidit jne. zirkoniin asti, joita käytetään stabiloimaan tiettyjä kiteisiä faaseja ja faasikombinaatioita. Lämpöeristyspinnoitukset, jotka on valmistettu zirkoniumoksidista, joka on muunnettu kalsiumoksidia tai magnesiumoksidia sekoittamalla tai fuusaamalla, eivät ole valvonnanalaisia. Titaaniseokset tarkoittaa vain ilmailu- tai avaruuskäyttöön tarkoitettuja seoksia, joiden murtovetolujuus on 900 MPa tai enemmän mitattuna 20 °C (293 K) asteen lämpötilassa. Vähän laajenevat lasit tarkoittaa laseja, joiden lämpölaajenemiskerroin on 1 × 10–7 K–1 tai vähemmän mitattuna 20 °C (293 K) asteen lämpötilassa. Dielektriset kerrokset ovat pinnoitteita, jotka rakentuvat eristysmateriaalien useista kerroksista, joissa eri taitekertoimen omaavien materiaalien interferenssiominaisuuksia käytetään heijastamaan, lähettämään tai absorboimaan eri aallonpituuskaistoja. Dielektriset kerrokset tarkoittavat enemmän kuin neljää dielektristä kerrosta tai dielektristä/metallikomposiittikerrosta. Volframikarbidikovametalli ei sisällä lastuamis- ja muovaustyökalumateriaaleja, joilla on seuraava koostumus: volframikarbidi/(koboltti, nikkeli), titaanikarbidi/(koboltti, nikkeli), kromikarbidi/nikkeli-kromi tai kromikarbidi/nikkeli. Teknologiaa, joka on erityisesti tarkoitettu pinnoittamaan timantin kaltaisella hiilellä seuraavia, ei valvota: magneettiset levyasemat ja magneettipäät, kertakäyttötuotteiden valmistukseen käytettävät laitteet, hanaventtiilit, kaiuttimien akustiset kalvot, moottorien osat autoihin, terätyökalut, lävistyspuristinmatriisit, toimistoautomaatiolaitteet, mikrofonit tai lääkinnälliset laitteet tai muovien valamiseen tai muovaamiseen tarkoitetut muotit, jotka on valmistettu alle 5 prosenttia berylliumia sisältävistä seoksista. Piikarbidi ei sisällä terätyökaluihin tai muototeriin käytettäviä aineita. Tässä tarkoitetut keraamiset substraatit eivät sisällä keraamisia aineita, joissa on vähintään 5 painoprosenttia savea tai sementtiä erillisinä ainesosina tai yhdisteinä.

PINNOITUSTEKNIIKKOJA KUVAAVAAN TAULUKKOON LIITTYVÄT HUOMAUTUKSET 1.2.3.4.5.

a.

CoCrAlY-pinnoitteet, jotka sisältävät vähemmän kuin 22 painoprosenttia kromia, vähemmän kuin 7 painoprosenttia alumiinia ja vähemmän kuin 2 painoprosenttia yttriumia;

b.

CoCrAlY-pinnoitteet, jotka sisältävät 22–24 painoprosenttia kromia, 10–12 painoprosenttia alumiinia ja 0,5–0,7 painoprosenttia yttriumia; tai

c.

NiCrAlY-pinnoitteet, jotka sisältävät 21–23 painoprosenttia kromia, 10–12 painoprosenttia alumiinia ja 0,9–1,1 painoprosenttia yttriumia.

PINNOITUSTEKNIIKKOJA KUVAAVAAN TAULUKKOON LIITTYVÄT TEKNISET HUOMAUTUKSET

Taulukon 1 sarakkeessa mainitut prosessit määritellään seuraavasti:

a.

Kemiallinen kaasufaasipinnoitus (CVD) on pinnoitus- tai pinnan muunnosprosessi, jossa metallia, metalliseosta, komposiittia, dielektristä ainetta tai keraamia depositioidaan kuumennetulle substraatille. Kaasumaiset reagoivat aineet hajoavat tai yhdistyvät substraatin välittömässä läheisyydessä, jonka seurauksena haluttu alkuaine, metalliseos tai yhdiste asettuu substraatille. Hajoamisen tai kemiallisen reaktioprosessin tarvitsema energia saadaan substraatin lämmöstä, hohtopurkaus plasmasta tai lasersäteilytyksestä. Huom. 1: CVD sisältää seuraavat prosessit: suunnatun kaasuvirtauksen ei-pakkauspinnoitus, sykkivä CVD, säädettävä ydintymislämpöhajoaminen (CNTD), plasma- tai plasma-avusteinen CVD. Huom. 2: Pakkaus tarkoittaa jauheseokseen upotettua substraattia. Huom. 3: Kaasumaiset, reagoivat aineet, joita käytetään ei-pakkausprosessissa, tuotetaan käyttämällä samoja perusreaktioita ja parametreja kuin pakkauspinnoitusprosessissakin, paitsi että siinä pinnoitettava substraatti ei ole kosketuksissa jauheseokseen.

b.

Terminen höyrystys-fysikaalinen höyrypinnoitus (TE-PVD = Thermal Evaporation-Physical Vapour Deposition) on pinnoitusprosessi, joka suoritetaan tyhjössä paineen ollessa alle 0,1 Pa, jossa termistä energiaa käytetään höyrystämään pinnoitusmateriaalia. Tässä prosessissa höyrystyneet ainesosat kondensoituvat tai depositioituvat sopivasti asetetun substraatin pinnalle. Kaasujen lisääminen tyhjökammioon pinnoitusprosessin aikana on tavallinen prosessin muunnos. Ioni- tai elektronisäteen tai plasman käyttö aktivoimaan tai avustamaan pinnoitusprosessia on myös tavallinen tämän tekniikan muunnos. Monitorien käyttö mahdollistamaan prosessin aikana optisten ominaisuuksien tai pinnoitteen paksuuden mittauksen voi olla näiden prosessien lisäpiirre. Eri TE-PVD prosessit ovat seuraavat:

1. Elektronisuihku-PVD -prosessissa käytetään elektronisuihkua kuumentamaan ja höyrystämään pinnoitteen muodostavaa materiaalia.

2. Ioniavusteinen resistiivinen-kuumennus-PVD -prosessissa käytetään resistiivisiä kuumennuslähteitä yhdessä iskeytyvän(-vien) ionisäte(id)en kanssa tuottamaan kontrolloidun ja yhtenäisen höyrystyneiden pinnoiteaineksien vuon.

3. Laserhöyrystys-(PVD) käyttää joko pulssi- tai jatkuvan aallon lasersäteitä höyrystämään pinnoituksen muodostavia materiaaleja;

4. Katodikaaripinnoitus(-PVD) käyttää kuluvaa katodia, joka on pinnoitteen muodostavaa materiaalia sekä kaaripurkausta, joka aikaansaadaan koskettamalla hetkellisesti sen pintaa maaliipaisimella. Ohjaamalla kaarta erotetaan katodin pinnasta ionisoitua plasmaa. Anodina voi olla joko kartio, joka on kiinnitetty katodin läheisyyteen, eristeen tai kammion läpi. Substraatin (jännite)biassointia käytetään näkymättömissä tapahtuvaan pinnoitukseen. Huom. Tämä määritelmä ei koske satunnaista katodikaaripinnoitusta biassoimattomia substraatteja käytettäessä.

5. Ioni-pinnoitus (-PVD) on TE-PVD -prosessin muunnos, jossa plasma- tai ionilähdettä käytetään ionisoimaan pinnoitettavia aineksia ja negatiivinen biasjännite johdetaan substraattiin pinnoitusaineksien erottamiseksi plasmasta. Reagoivien aineksien käyttäminen, kiinteiden aineiden höyrystäminen prosessikammiossa ja monitorien käyttö mahdollistamaan prosessin aikaisen, pinnoitteen optisten ominaisuuksien ja paksuuden mittaamiseksi ovat tavallisia prosessin muunnoksia.

c.

Pakkasementointi on pinnan muunnos- tai pinnoitusprosessi, jossa substraatti upotetaan jauheseokseen (pakkaan), joka koostuu: Substraatti ja jauheseos asetetaan retorttiin, joka kuumennetaan 1030–1375 K (757–1102 C) asteeseen riittäväksi ajaksi pinnoitteen aikaansaamiseksi.

1. Depositioitavista metallijauheista (tavallisesti alumiinia, kromia, piitä tai niiden yhdistelmiä);

2. Aktivaattorista (tavallisesti halidisuola); ja

3. Reagoimattomasta aineesta, useimmiten alumiinioksidista.

d.

Plasmaruiskutus on pinnoitusprosessi, jossa plasmaa tuottavaan ja ohjaavaan sumuttimeen syötetään pinnoitemateriaalia jauheena tai lankana, ne sulatetaan ja kiihdytetään substraattia kohden. Plasmaruiskutus on joko matalapaineessa tai suurinopeuksista plasmaruiskutusta. Huom. 1: Matalapaineella tarkoitetaan alle ilmakehän painetta. Huom. 2: Suurinopeuksisella tarkoitetaan kaasun lähtönopeutta suuttimesta, kun se ylittää 750 m/s laskettuna 20 °C (293 K) asteen lämpötilassa ja 0,1 MPa paineessa.

e.

Lietepinnoitus on pinnan muunnos- tai pinnoitusprosessi, jossa orgaanisen aineen sitomaa metalli- tai keraamijauhetta riippuu nesteessä ja sumuttamalla, kastamalla tai maalaamalla se aikaansaadaan substraatille, jota seuraa ilmassa tai uunissa tapahtuva kuivaus sekä lämpökäsittely halutun pinnoitteen aikaansaamiseksi.

f.

Sputterointi on pinnoitusprosessi, joka perustuu liikemäärän siirto -ilmiöön, jossa positiiviset ionit kiihdytetään sähkökentässä kohti pinnoitemateriaalin pintaa. Iskeytyvien ionien kineettinen energia on riittävä irroittamaan atomeja sen pinnasta ja pinnoittamaan sopivasti asetettua substraattia. Huom. 1: Taulukko viittaa vain triodi-, magnetroni- tai reaktiiviseen sputterointiin, jota käytetään lisäämään pinnoitteen kiinnittymistä ja depositionopeutta ja radiotaajuudella voimistettuun sputterointiin, jota käytetään mahdollistamaan ei-metallisten pinnoitemateriaalien höyrystämisen. Huom. 2: Matalaenergisiä (alle 5 keV) ionisäteitä voidaan käyttää aktivoimaan depositiota.

g.

Ioni-istutus on pinnan muunnospinnoitusprosessi, jossa seostettava elementti ionisoidaan, kiihdytetään potentiaaligradientin läpi ja istutetaan substraatin pinnan tietylle alueelle. Tämä sisältää prosessit, joissa ioni-istutus suoritetaan samanaikaisesti elektronisuihku-PVD:llä tai sputteroinnilla.

RYHMÄ 3 ELEKTRONIIKKA

3A Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2.

Järjestelmät, laitteet ja komponentit Huom. 1: 3A001 tai 3A002 kohdassa kuvattujen laitteiden ja komponenttien, 3A001.a.3–3A001.a.10, 3A001.a.12 tai 3A001.a.13 kohdassa kuvattuja lukuun ottamatta, jotka on erityisesti suunniteltu jotain muuta laitetta varten, tai joilla on samat toiminnalliset ominaisuudet kuin jollain muulla laitteella, valvonnanalaisuus määräytyy näiden muiden laitteiden mukaan. Huom. 2: 3A001.a.3–3A001.a.9, 3A001.a.12 tai 3A001.a.13 kohdassa kuvattujen integroitujen piirien, jotka on ohjelmoitu ei-muutettavasti tai jotka on suunniteltu jonkin muun laitteen erityistä toimintoa varten, valvonnanalaisuus määräytyy näiden muiden laitteiden mukaan. Huom. Jos valmistaja tai vientiluvan hakija ei pysty määrittelemään näiden muiden laitteiden valvonnanalaisuutta, valvonnanalaisuus määräytyy 3A001.a.3–3A001.a.9, 3A001.a.12 tai 3A001.a.13 kohdan mukaan. 3A 3A001 Elektroniset komponentit ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit seuraavasti: 3A002 Yleiskäyttöiset elektroniset laitteet: 3A003 Suihkujäähdytteiset lämmönsäätelyjärjestelmät, joissa käytetään suljettua nesteenkäsittely- ja uudelleenkäsittelylaitteistoa umpinaisessa rakenteessa ja joissa dielektristä nestettä suihkutetaan elektronisiin komponentteihin käyttäen erityisesti suunniteltuja suihkusuuttimia ja jotka on suunniteltu pitämään elektroniset komponentit niiden käyttölämpötilan alueella sekä niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit. 3A101 Seuraavat, muut kuin 3A001 kohdassa määritellyt elektroniset laitteet, laitteet ja komponentit: 3A102 Ohjuksia varten suunnitellut tai muunnetut lämpöakut. 3A102 kohdassa lämpöakut ovat kertakäyttöisiä akkuja, jotka sisältävät elektrolyytinä kiinteän johtamattoman epäorgaanisen suolan. Nämä akut sisältävät pyrolyyttisen materiaalin, joka sytytettynä sulattaa elektrolyytin ja aktivoi akun. 3A102 kohdassa ohjus tarkoittaa täydellisiä rakettijärjestelmiä ja miehittämättömiä ilma-alusjärjestelmiä, jotka pystyvät kuljettamaan hyötykuorman vähintään 300 km:n etäisyydelle. 3A201 Seuraavat muut kuin 3A001 kohdassa määritellyt elektroniset komponentit: 3A225 Muut kuin 0B001.b.13 kohdassa määritellyt taajuusmuuntimet tai generaattorit, joita voidaan käyttää vaihtuvalla tai kiinteällä taajuudella toimivana moottorina ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: Huom. 1: Ohjelmistot, jotka on erityisesti suunniteltu vahvistamaan tai heikentämään taajuusmuuntimen tai generaattorin suorituskykyä, jotta 3A225 kohdan ominaisuudet täyttyvät, määritellään 3D225 kohdassa. Huom. 2: Teknologia koodien tai avainten muodossa vahvistamaan tai heikentämään taajuusmuuntimen tai generaattorin suorituskykyä, jotta 3A225 kohdan ominaisuudet täyttyvät, määritellään 3E225 kohdassa. Huom. 3A225 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi taajuusmuuntimia tai generaattoreita, jos niissä on laitteistoa, ohjelmistoa tai teknologiaa koskevia rajoitteita, jotka rajaavat suorituskyvyn alemmaksi kuin edellä määritelty, edellyttäen että ne täyttävät jonkin seuraavista vaatimuksista: 3A225 kohdan taajuusmuuntimia kutsutaan myös konverttereiksi tai inverttereiksi. 3A225 kohdan taajuusmuuntimia voidaan markkinoida generaattoreina, sähköisinä testauslaitteina, vaihtovirtalähteinä ja seuraavina: Variable Speed Motors Drives, Variable Speed Drives (VSDs), Variable Frequency Drives (VFDs), Adjustable Frequency Drives (AFDs) tai Adjustable Speed Drives (ASDs). 3A226 Muut kuin 0B001.j.6 kohdassa mainitut tasavirtasuurteholähteet, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet: 3A227 Muut kuin 0B001.j.5 kohdassa määritellyt tasavirtakorkeajännitelähteet, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet: 3A228 Seuraavat kytkinlaitteet: 3A229 Seuraavat suurvirtapulssigeneraattorit: Huom. KATSO MYÖS ASETARVIKELUETTELO. 3A230 Erittäin nopeat pulssigeneraattorit, ja niiden pulssinmuokkausverkot, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista: 3A230 kohdassa pulssin nousuaika määritellään ajaksi, jonka kuluessa jännite nousee 10 prosentista 90 prosenttiin jännitteen amplitudista. Pulssinmuokkausverkot ovat impulsseja muodostavia verkkoja, jotka on suunniteltu ottamaan vastaan jänniteporrasfunktion ja muokkaamaan sen erilaisiksi pulssimuodoiksi, joita voivat olla suorakaide, kolmio, porras, impulssi, eksponentiaalinen ja monosyklinen. Pulssinmuokkausverkot voivat olla olennainen osa pulssigeneraattoria, laitteeseen kytkettävä moduuli tai ulkoisesti liitetty laite. 3A231 Neutronigeneraattorijärjestelmät, mukaan lukien putket, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet: 3A232 Seuraavat, muut kuin 1A007 kohdassa määritellyt monipistesytytinjärjestelmät: Huom. KATSO MYÖS ASETARVIKELUETTELO. Huom. Katso 1A007.b sytyttimet. Huom. 3A232 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi sytyttimiä, joissa käytetään vain ensiöräjähteitä, esimerkiksi lyijyatsidia. 3A233 Seuraavat, muut kuin 0B002.g kohdassa määritellyt massaspektrometrit, jotka kykenevät mittaamaan atomipainoltaan 230 tai raskaampia ioneja ja joiden resoluutio on parempi kuin 2 osaa 230:stä ja niiden ionilähteet: a. Induktiivisesti kytketyt plasmamassaspektrometrit (ICP/MS = Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometers); 3A233.d kohdan elektronipommitusmassaspektrometreistä käytetään myös nimitystä elektronitörmäysmassaspektrometrit tai elektroni-ionisaatiomassaspektrometrit. 3A233.d.2 kohdassa kylmäloukku tarkoittaa laitetta, jolla kerätään kaasumolekyylit kondensoimalla tai jäädyttämällä ne kylmillä pinnoilla. Sovellettaessa 3A233.d.2 kohtaa suljettuun heliumkiertoon perustuva kryotyhjöpumppu ei ole kylmäloukku. 3A234 Liuskajohdot, jotka tarjoavat matalan induktanssin polun sytyttimille ja joilla on seuraavat ominaisuudet:

3A a.

Seuraavat yleiskäyttöiset integroidut piirit: Huom. 1: (Valmiiden tai puolivalmiiden) piikiekkojen, joissa toiminto on määritelty, valvonnanalaisuus arvioidaan 3A001.a kohdan parametrien mukaan. Huom. 2: Integroidut piirit sisältävät seuraavat tyypit:

Monoliittiset integroidut piirit;

Integroidut hybridipiirit;

Integroidut monipalapiirit;

Integroidut kalvopiirit, integroidut pii-safiiripiirit mukaan lukien;

Optiset integroidut piirit.

Kolmiulotteiset integroidut piirit.

1. Integroidut piirit, jotka on suunniteltu tai mitoitettu kestämään jotakin seuraavista:

1. a.

Säteilyä kokonaisannoksena 5 × 103 Gy (Pii) tai enemmän;

b.

Säteilyä, jonka annosnopeus 5 × 106 Gy (Pii)/s tai enemmän; tai

c.

Neutronien integroitua vuontiheyttä (1 MeV:n vastaavuus), joka on 5 × 1013 n/cm2 tai enemmän piin osalta tai sitä vastaavan aineen osalta muiden materiaalien ollessa kyseessä; Huom. 3A001.a.1.c kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi metallieristepuolijohteita (MIS).

2. Mikroprosessoripiirit, mikrotietokonepiirit, mikro-ohjainpiirit, integroidut muistipiirit, jotka on valmistettu yhdistepuolijohteesta, analogia-digitaalimuuntimet, digitaali-analogiamuuntimet, sähköoptiset tai optiset integroidut piirit signaalinkäsittelyä varten, käyttäjän ohjelmoitavat logiikkapiirit, sellaiset asiakaskohtaiset integroidut piirit, joiden toiminta on tuntematon tai jotka on tarkoitettu laitteisiin, joiden valvonnanalaisuus on tuntematon, nopea Fourier-muunnos (FFT)-prosessorit, elektronisesti pyyhittävät ohjelmoitavat lukumuistit (EEPROMSit), pikamuistipiirit taikka staattiset luku-/kirjoitusmuistit (SRAMit), jotka on joko Huom. 3A001.a.2 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi siviiliautoihin tai juniin tarkoitettuja integroituja piirejä.

2. a.

Suunniteltu toimimaan yli 398 K (125 °C) asteen lämpötiloissa;

b.

Suunniteltu toimimaan alle 218 K (- 55 °C) asteen lämpötiloissa; tai

c.

Mitoitettu toimimaan koko lämpötila-alueella 218–398 K (- 55–125 °C);

3. Mikroprosessoripiirit, mikrotietokonepiirit ja mikro-ohjainpiirit, jotka on valmistettu yhdistepuolijohteesta ja toimivat kellotaajuudella, joka ylittää 40 MHz; Huom. 3A001.a.3 kohta sisältää digitaaliset signaaliprosessorit, digitaaliset matriisiprosessorit ja digitaaliset apuprosessorit.

4. Ei käytössä;

5. Tekn. huom. 1.2.3.4.5.6.7.8.9. 3A001 a. 5.Tekn. huom. 1.2.3.4.

3A001 a. Seuraavat integroidut analogia-digitaalimuunnin- tai digitaali-analogiamuunninpiirit: N:n bitin resoluutio vastaa 2n:n vertailutason kvantisointia. Ulostulevan sanan bittien lukumäärä on yhtä suuri kuin analogia-digitaalimuuntimen resoluutio. Ulostulonopeus on muuntimen maksimiulostulonopeus arkkitehtuurista tai ylinäytteistyksestä riippumatta. Monikanavaisten analogia-digitaalimuuntimien osalta ulostulot eivät ole aggregoituja ja ulostulonopeus on minkä tahansa yksittäisen kanavan suurin ulostulonopeus. Limitettyjen analogia-digitaalimuuntimien osalta tai niiden monikanavaisten analogia-digitaalimuuntimien osalta, joilla on määritelty olevan limitetty toimintatapa, ulostulot ovat aggregoidut ja ulostulonopeus on kaikkien ulostulojen suurin yhdistetty kokonaisulostulonopeus. Myyjä voi kutsua ulostulonopeutta myös näytteenottonopeudeksi, muunnosnopeudeksi tai suoritusnopeudeksi. Se ilmaistaan usein suureilla megahertsi (MHz) tai miljoona näytettä sekunnissa (MSPS). Ulostulonopeuden mittaamisessa yksi ulostuleva sana sekunnissa vastaa yhtä hertsiä tai yhtä näytettä sekunnissa. Monikanavaiset analogia-digitaalimuuntimet määritellään laitteiksi, joihin sisältyy useampi kuin yksi analogia-digitaalimuunnin ja jotka on suunniteltu siten, että kullakin analogia-digitaalimuuntimella on erillinen analoginen sisääntulo. Limitetyt analogia-digitaalimuuntimet määritellään laitteiksi, joissa on useita analogia-digitaalimuunninyksikköjä, jotka ottavat näytteitä samasta analogisesta sisääntulosta eri aikoina siten, että kun ulostulot aggregoidaan, analogisesta sisääntulosta on tosiasiallisesti otettu näytteet ja se on muunnettu korkeammalla näytteenottonopeudella. Häiriötön dynaaminen alue (SFDR) määritellään digitaali-analogiamuuntimen sisääntulossa olevan kantotaajuuden (korkein signaalikomponentti) RMS-arvon suhteeksi sen ulostulossa olevan seuraavaksi suurimman melu- tai harmonisen särön komponentin RMS-arvoon. SFDR määritetään suoraan spesifikaatiotaulukosta tai SFDR:tä ja taajuutta koskevista kuvauksista. Signaalin määritellään olevan täyden asteikon signaali kun sen suuruus on enemmän kuin – 3 dBfs (täysi asteikko). Digitaali-analogiamuuntimien korjattu muunnosnopeus:

5. a.

Analogia-digitaalimuuntimet, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: Huom. KATSO MYÖS 3A101 KOHTA.

1. Resoluutio 8 bittiä tai enemmän mutta alle 10 bittiä ja ulostulonopeus suurempi kuin 1000 miljoonaa sanaa sekunnissa;

2. Resoluutio 10 bittiä tai enemmän mutta alle 12 bittiä ja ulostulonopeus suurempi kuin 300 miljoonaa sanaa sekunnissa;

3. Resoluutio 12 bittiä ja ulostulonopeus suurempi kuin 200 miljoonaa sanaa sekunnissa;

4. Resoluutio yli 12 bittiä mutta enintään 14 bittiä ja ulostulonopeus suurempi kuin 125 miljoonaa sanaa sekunnissa; tai

5. Resoluutio yli 14 bittiä ja ulostulonopeus suurempi kuin 20 miljoonaa sanaa sekunnissa;

5. Tekn. huom. 1.2.3.4.5.6.7.8.9. b.

Digitaali-analogiamuuntimet, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1. Resoluutio 10 bittiä tai enemmän ja korjattu muunnosnopeus 3500 MSPS tai suurempi; tai

2. Resoluutio 12 bittiä tai enemmän ja korjattu muunnosnopeus 1250 MSPS tai suurempi, ja mikä tahansa seuraavista ominaisuuksista:

2. a.

Asettumisaika vähemmän kuin 9 ns 0,024 prosenttiin täydestä asteikosta tietystä täyden asteikon vaiheesta, tai tai

b.

Häiriötön dynaaminen alue (SFDR) suurempi kuin 68 dBc (kantotaajuus) syntesoitaessa täyden asteikon 100 MHz:n analoginen signaali tai korkein määritelty täyden asteikon analogisen signaalin taajuus alle 100 MHz:n alueella.

5. Tekn. huom. 1.2.3.4.5.6.7.8.9. 3A001 a. 5.Tekn. huom. 1.2.3.4. a.

Konventionaalisten (ei-interpoloivien) digitaali-analogiamuuntimien osalta korjattu muunnosnopeus on nopeus, jolla digitaali-analogiamuunnin muuntaa digitaalisen signaalin analogiseksi signaaliksi ja muuttaa ulostulon analogiset arvot. Niiden digitaali-analogiamuuntimien osalta, joissa interpolointitoiminto voidaan ohittaa (interpolointikerroin yksi), kyseessä olevaa digitaali-analogiamuunninta olisi pidettävä konventionaalisena (ei-interpoloivana) digitaali-analogiamuuntimena.

b.

Interpoloivien digitaali-analogiamuuntimien (poimivien muuntimien) osalta korjattu muunnosnopeus määritellään digitaali-analogiamuuntimen muunnosnopeudeksi jaettuna pienimmällä interpolointikertoimella. Interpoloivien digitaali-analogiamuuntimien osalta korjattuun muunnosnopeuteen voidaan viitata eri termeillä, mukaan lukien:

sisääntulon datanopeus

sisääntulon sananopeus

sisääntulon näytteenottonopeus

sisääntulon suurin kokonaisväylänopeus

suurin digitaali-analogiamuuntimen siirtonopeus digitaali-analogiamuuntimen kellosisääntulon osalta.

6. Sähköoptiset tai optiset integroidut piirit signaalinkäsittelyä varten, joilla on kaikki seuraavat:

6. a.

Yksi tai useampi sisäinen laserdiodi;

b.

Yksi tai useampi sisäinen valoa ilmaiseva elementti; ja

c.

Optisia aaltoputkia;

7. 3A001 a. 7.Tekn. huom. 1.2.3.

Käyttäjäohjelmoitavat logiikkapiirit, joilla on jokin seuraavista; Huom. 3A001.a.7 kohtaan sisältyvät: Käyttäjäohjelmoitavat logiikkapiirit tunnetaan myös nimellä ohjelmoitavat porttimatriisit tai ohjelmoitavat logiikkaverkot. 3A001.a.7.a kohdassa mainittuun digitaalisten tulo-lähtöjen suurimpaan määrään viitataan myös käyttäjän tulo-lähtöjen suurimpana määränä tai käytettävissä olevien tulo-lähtöjen suurimpana määränä riippumatta siitä, onko integroitu piiri koteloitu vai päällystämätön siru. Yksisuuntaisen sarjaliikennelähetin-vastaanottimen yhteenlaskettu huippudatanopeus on yksisuuntaisen sarjaliikennelähetin-vastaanottimen huippudatanopeus kerrottuna lähetin-vastaanottimien lukumäärällä ohjelmoitavassa porttimatriisissa (FPGA).

7. a.

Yksipuolisten digitaalisten tulo-lähtöjen suurin määrä on 500 tai enemmän; tai

b.

Yksisuuntaisen sarjaliikennelähetin-vastaanottimen yhteenlaskettu huippudatanopeus 200 Gb/s tai enemmän;

Yksinkertaiset ohjelmoitavat logiikkapiirit (SPLD:t)

Monimutkaiset ohjelmoitavat logiikkapiirit (CPLD:t)

Ohjelmoitava porttimatriisit (FPGA:t)

Ohjelmoitavat logiikkamatriisit (FPLA:t)

Ohjelmoitavat yhdyskomponentit (FPIC:t)

8. Ei käytössä;

9. Integroidut hermoverkkopiirit;

10. Asiakaskohtaiset integroidut piirit, joiden toiminta on tuntematon tai jotka on tarkoitettu laitteisiin, joiden valvonnanalaisuus on valmistajalle tuntematon ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

10. a.

Liitospisteiden lukumäärä ylittää 1500;

b.

Tyypillinen perusportin etenemisviive on vähemmän kuin 0,02 ns; tai

c.

Toimintataajuus ylittää 3 GHz;

11. Muut digitaaliset integroidut piirit kuin 3A001.a.3–3A001.a.10 tai 3A001.a.12 kohdassa kuvatut, jotka perustuvat yhdistepuolijohteisiin ja joilla on jokin seuraavista:

11. a.

Ekvivalenttinen porttiluku on enemmän kuin 3000 (2 sisäänmenoa porttia kohti); tai

b.

Kellotaajuus ylittää 1,2 GHz;

12. Tekn. huom.

Nopea Fourier-muunnos -prosessorit (FFT), joiden nimellinen suoritusaika N:n pisteen kompleksiselle FFT-muunnokselle on vähemmän kuin (N log2 N)/20480 ms, jossa N on pisteiden lukumäärä; Kun N on yhtä kuin 1024 pistettä, 3A001.a.12 kohdan kaavan mukainen suoritusaika on 500 μs.

13. Tekn. huom.

Suoran digitaalisen syntetisaattorin (DDS) integroidut piirit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: DAC-kellotaajuus voidaan määritellä päätaajuutena tai sisääntulotaajuutena.

13. a.

Digitaali-analogiamuuntimen (DAC) kellotaajuus on vähintään 3,5 GHz ja DAC-resoluutio vähintään 10 bittiä mutta alle 12 bittiä; tai

b.

DAC-kellotaajuus on vähintään 1,25 GHz ja DAC-resoluutio vähintään 12 bittiä;

b. Tekn. huom.

Mikroaalto- tai millimetriaaltolaitteet: 3A001.b kohdassa parametriin kyllästynyt huippulähtöteho voidaan viitata tuotetiedoissa myös lähtötehona, kyllästyneenä antotehona, enimmäislähtötehona, huippulähtötehona tai lähdön modulaatiohuipputehona.

1. 3A001 b. Seuraavat elektroniset tyhjöputket ja katodit: Huom. 1: 3A001.b.1 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi putkia, jotka on suunniteltu tai mitoitettu toimimaan taajuuskaistalla, jolla on kaikki seuraavat ominaisuudet: Huom. 2: 3A001.b.1 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi muita kuin avaruuskelpoisia putkia, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1. a.

Se ei ylitä 31,8 GHz:iä; ja

b.

ITU on allokoinut sen radioviestintäpalveluille mutta ei radiomääritykselle.

a.

Niiden keskimääräinen lähtöteho on 50 W tai vähemmän; ja

b.

Ne on suunniteltu tai mitoitettu toimimaan taajuuskaistalla, jolla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1. Se ylittää 31,8 GHz mutta ei ylitä 43,5 GHz:iä; ja

2. ITU on allokoinut sen radioviestintäpalveluille mutta ei radiomääritykselle.

a.

Seuraavat kulkuaaltoputket pulssi- tai jatkuville aalloille:

1. Putket, jotka toimivat yli 31,8 GHz:n taajuuksilla;

2. Putket, joiden hehkukatodien käynnistysaika nimelliseen RF-tehoon asti on vähemmän kuin 3 sekuntia;

3. Kytketyt onteloputket tai niiden muunnokset, joiden suhteellinen kaistanleveys on enemmän kuin 7 % tai huipputeho ylittää 2,5 kW;

4. Kierukkaputket tai niiden muunnokset, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

4. a.

Hetkellinen kaistanleveys on enemmän kuin puoli oktaavia tai enemmän ja nimellisen keskimääräisen lähtötehon (kilowatteina) ja maksimitoimintataajuuden (gigahertseinä) tulo on enemmän kuin 0,5;

b.

Hetkellinen kaistanleveys on yksi oktaavia tai alle ja nimellisen keskimääräisen lähtötehon (kilowatteina) ja maksimitoimintataajuuden (gigahertseinä) tulo on enemmän kuin 1; tai

c.

Ovat avaruuskelpoisia;

b.

Ristikenttävahvistinputket, joiden vahvistus on enemmän kuin 17 dB;

c.

Elektroniputkien kyllästetyt katodit, jotka tuottavat nimellisissä olosuhteissa jatkuvan emissiovirran tiheyden, joka ylittää 5 A/cm2;

2. Monoliittisina integroituina mikroaaltopiireinä (MMIC) toteutetut tehovahvistimet, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: Huom. 1: Ei käytössä. Huom. 2: Niiden MMIC-piirien valvonta-asema, joiden nimelliseen toimintataajuuteen sisältyvät taajuudet, jotka on lueteltu useammalla kuin yhdellä taajuusalueella, sellaisina kuin ne on määritelty 3A001.b.2.a–3A001.b.2.h kohdassa, määräytyy alimman kyllästyneen huippulähtötehon kynnyksen mukaan. Huom. 3: Ryhmässä 3A olevat huomautukset 1 ja 2 tarkoittavat sitä, että 3A001.b.2 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi MMIC-piirejä, jos ne on erityisesti suunniteltu muita sovelluksia, esimerkiksi televiestintää, tutkia tai autoja varten.

2. a.

Ne toimivat yli 2,7 GHz:n ja enintään 6,8 GHz:n taajuuksilla, niiden suhteellinen kaistanleveys on yli 15 prosenttia, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1. Niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 75 W (48,75 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 2,7 GHz ja enintään 2,9 GHz;

2. Niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 55 W (47,4 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 2,9 GHz ja enintään 3,2 GHz;

3. Niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 40 W (46 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 3,2 GHz ja enintään 3,7 GHz; tai

4. Niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 20 W (43 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 3,7 GHz ja enintään 6,8 GHz;

b.

3A001 b. 2. Ne toimivat yli 6,8 GHz:n ja enintään 16 GHz:n taajuuksilla, niiden suhteellinen kaistanleveys on yli 10 prosenttia, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1. Niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 10 W (40 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 6,8 GHz ja enintään 8,5 GHz; tai

2. Niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 5 W (37 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 8,5 GHz ja enintään 16 GHz;

c.

Ne toimivat yli 3 W:n (34,77 dBm) kyllästyneellä huippulähtöteholla kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 16 GHz ja enintään 31,8 GHz, ja niiden suhteellinen kaistanleveys on yli 10 prosenttia;

d.

Ne toimivat yli 0,1 nW:n (-70 dBm) kyllästyneellä huippulähtöteholla kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 31,8 GHz ja enintään 37 GHz;

e.

Ne toimivat yli 1 W:n (30 dBm) kyllästyneellä huippulähtöteholla kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 37 GHz ja enintään 43,5 GHz, ja niiden suhteellinen kaistanleveys on yli 10 prosenttia;

f.

Ne toimivat yli 31,62 mW:n (15 dBm) kyllästyneellä huippulähtöteholla kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 43,5 GHz ja enintään 75 GHz, ja niiden suhteellinen kaistanleveys on yli 10 prosenttia;

g.

Ne toimivat yli 10 mW:n (10 dBm) kyllästyneellä huippulähtöteholla kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 75 GHz ja enintään 90 GHz, ja niiden suhteellinen kaistanleveys on yli 5 prosenttia; tai

h.

Ne toimivat yli 0,1 nW:n (-70 dBm) kyllästyneellä huippulähtöteholla kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 90 GHz;

3. Erillismikroaaltotransistorit, jotka ovat joitakin seuraavassa luetelluista: Huom. 1: Niiden transistorien valvonta-asema, joiden nimelliseen toimintataajuuteen sisältyvät taajuudet, jotka on lueteltu useammalla kuin yhdellä taajuusalueella, sellaisina kuin ne on määritelty 3A001.b.2.a–3A001.b.2.e kohdassa, määräytyy alimman kyllästyneen huippulähtötehon kynnyksen mukaan. Huom. 2: 3A001.b.3 kohtaan sisältyvät päällystämättömät sirut, alustoille asennetut sirut tai koteloidut sirut. Joihin erillistransistoreihin voidaan viitata myös tehovahvistimina, mutta näiden erillistransistoreiden asema määritellään 3A001.b.3 kohdassa.

3. a.

Ne toimivat yli 2,7 GHz:n ja enintään 6,8 GHz:n taajuuksilla, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1. Niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 400 W (56 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 2,7 GHz ja enintään 2,9 GHz;

2. Niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 205 W (53,12 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 2,9 GHz ja enintään 3,2 GHz;

3. Niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 115 W (50,61 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 3,2 GHz ja enintään 3,7 GHz; tai

4. Niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 60 W (47,78 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 3,7 GHz ja enintään 6,8 GHz;

b.

Ne toimivat yli 6,8 GHz:n ja enintään 31,8 GHz:n taajuuksilla, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1. Niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 50 W (47 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 6,8 GHz ja enintään 8,5 GHz;

2. 3A001 b. 3. b. Niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 15 W (41,76 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 8,5 GHz ja enintään 12 GHz;

3. Niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 40 W (46 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 12 GHz ja enintään 16 GHz; tai

4. Niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 7 W (38,45 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 16 GHz ja enintään 31,8 GHz;

c.

Ne toimivat yli 0,5 W:n (27 dBm) kyllästyneellä huippulähtöteholla kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 31,8 GHz ja enintään 37 GHz;

d.

Ne toimivat yli 1 W:n (30 dBm) kyllästyneellä huippulähtöteholla kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 37 GHz ja enintään 43,5 GHz;

e.

Ne toimivat yli 0,1 nW:n (-70 dBm) kyllästyneellä huippulähtöteholla kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 43,5 GHz;

4. Puolijohde-mikroaaltovahvistimet ja puolijohde-mikroaaltovahvistimia sisältävät mikroaaltokokoonpanot/moduulit, jotka ovat joitakin seuraavista: Huom. MMIC-tehovahvistimet olisi arvioitava 3A001.b.2 kohdan vaatimuksiin nähden. Huom. 1: Ei käytössä. Huom. 2: Niiden tuotteiden valvonta-asema, joiden nimelliseen toimintataajuuteen sisältyvät taajuudet, jotka on lueteltu useammalla kuin yhdellä taajuusalueella, sellaisina kuin ne on määritelty 3A001.b.4.a–3A001.b.4.e kohdassa, määräytyy alimman kyllästyneen huippulähtötehon kynnyksen mukaan. Huom. 3: 3A001.b.4 kohtaan sisältyvät lähetin-/vastaanotinmoduulit ja lähetinmoduulit.

4. a.

Ne toimivat yli 2,7 GHz:n ja enintään 6,8 GHz:n taajuuksilla, niiden suhteellinen kaistanleveys on yli 15 prosenttia, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1. Niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 500 W (57 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 2,7 GHz ja enintään 2,9 GHz;

2. Niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 270 W (54,3 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 2,9 GHz ja enintään 3,2 GHz;

3. Niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 200 W (53 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 3,2 GHz ja enintään 3,7 GHz; tai

4. Niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 90 W (49,54 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 3,7 GHz ja enintään 6,8 GHz;

b.

Ne toimivat yli 6,8 GHz:n ja enintään 31,8 GHz:n taajuuksilla, niiden suhteellinen kaistanleveys on yli 10 prosenttia, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1. Niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 70 W (48,54 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 6,8 GHz ja enintään 8,5 GHz;

2. Niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 50 W (47 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 8,5 GHz ja enintään 12 GHz;

3. Niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 30 W (44,77 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 12 GHz ja enintään 16 GHz; tai

4. Niiden kyllästynyt huippulähtöteho ylittää 20 W (43 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 16 GHz ja enintään 31,8 GHz;

c.

Ne toimivat yli 0,5 W:n (27 dBm) kyllästyneellä huippulähtöteholla kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 31,8 GHz ja enintään 37 GHz;

d.

3A001 b. 4. Ne toimivat yli 2 W:n (33 dBm) kyllästyneellä huippulähtöteholla kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 37 GHz ja enintään 43,5 GHz, ja niiden suhteellinen kaistanleveys on yli 10 prosenttia;

e.

Ne toimivat yli 43,5 GHz:n taajuuksilla, ja niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1. Niiden kyllästynyt huippulähtöteho on yli 0,2 W (23 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 43,5 GHz ja enintään 75 GHz, ja niiden suhteellinen kaistanleveys on yli 10 prosenttia;

2. Niiden kyllästynyt huippulähtöteho on yli 20 mW (13 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 75 GHz ja enintään 90 GHz, ja niiden suhteellinen kaistanleveys on yli 5 prosenttia; tai

3. Niiden kyllästynyt huippulähtöteho on yli 0,1 nW (-70 dBm) kaikilla taajuuksilla, jotka ovat yli 90 GHz; tai

f.

Ne toimivat yli 2,7 GHz:n taajuuksilla, ja niillä on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1. Niiden kyllästynyt huippulähtöteho (watteina), Psat, on suurempi kuin 400 jaettuna toiseen potenssiin korotetulla suurimmalla toimintataajuudella (GHz:einä)[Psat > 400 W*GHz2/fGHz2];

2. Niiden suhteellinen kaistanleveys on 5 prosenttia tai suurempi; ja

3. Tekninen huomautus

Minkä tahansa kahden kohtisuorassa toisiaan vasten olevan sivun pituus d (cm:einä) on yhtä suuri tai pienempi kuin 15 jaettuna alimmalla toimintataajuudella (GHz:einä) [d ≤ 15 cm*GHz/fGHz]. Arvoa 2,7 GHz olisi käytettävä alimpana toimintataajuutena (fGHz) 3A001.b.4.f.3 kohdan kaavassa niiden vahvistimien osalta, joiden nimellinen toiminta-alue ulottuu alaspäin arvoon 2,7 GHz ja sen alle [d ≤ 15 cm * GHz/2,7 GHz].

5. Elektronisesti tai magneettisesti viritettävät kaistanpäästö- tai kaistanestosuotimet, joissa on enemmän kuin 5 viritettävää resonaattoria, jotka voidaan virittää vähemmässä kuin 10 mikrosekunnissa taajuuskaistalle, jonka fmax./fmin. on 1,5:1, ja joiden:

5. a.

Päästökaistan leveys on enemmän kuin 0,5 % keskitaajuudesta; tai

b.

Estokaistan leveys on vähemmän kuin 0,5 % keskitaajuudesta;

6. Ei käytössä;

7. Muuntimet ja harmoniset sekoittajat (harmonic mixers), jotka on suunniteltu ulottamaan 3A002.c, 3A002.d, 3A002.e tai 3A002.f kohdassa määriteltyjen laitteiden taajuusalueen kohdissa mainittujen rajojen ulkopuolelle;

8. 3A001 b. Mikroaaltotehovahvistimet, jotka sisältävät 3A001.b.1 kohdassa määriteltyjä putkia ja joilla on kaikki seuraavat: Huom. 3A001.b.8 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi laitteita, jotka on suunniteltu tai mitoitettu toimimaan taajuuskaistalla, jonka ITU on allokoinut radioviestintäpalveluille, mutta ei radiomääritykselle.

8. a.

Toimintataajuudet ovat yli 3 GHz;

b.

Keskimääräinen ulostuloteho suhteessa massaan on yli 80 W/kg; ja

c.

Tilavuus on vähemmän kuin 400 cm3;

9. Tekn. huom. 1.2.

Mikroaaltotehomoduulit (MPM), jotka koostuvat vähintään kulkuaaltoputkesta, monoliittisesta integroidusta mikroaaltopiiristä ja integroidusta elektronisesta teholähteestä ja joilla on kaikki seuraavista ominaisuuksista: Tilavuuden laskemiseksi 3A001.b.9.b kohdassa annetaan seuraava esimerkki: jos suurin nimellisteho on 20 W, tilavuus on: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3. 3A001.b.9.a kohdassa tarkoitettu kytkeytymisaika viittaa aikaan, joka kuluu täydestä nolla-asennosta täyteen toimintavalmiuteen eli siihen sisältyy MPM:n lämpenemisaika.

9. a.

Kytkeytymisaika nolla-asennosta täyteen toimintavalmiuteen vähemmän kuin 10 sekuntia;

b.

Tilavuus vähemmän kuin suurin nimellisteho watteina kerrottuna 10 cm3/W:llä; ja

c.

Hetkellinen kaistanleveys enemmän kuin 1 oktaavi (fmax. > 2fmin.) ja jokin seuraavista:

1. Enintään 18 GHz:n taajuuksien osalta RF-lähtöteho on enemmän kuin 100 W; tai

2. Taajuus on enemmän kuin 18 GHz;

10. Tekninen huomautus

Oskillaattorit tai oskillaatorikokoonpanot, jotka on määritelty toimimaan kaikilla seuraavilla ominaisuuksilla: 3A001.b.10 kohdassa F on toimintataajuuden poikkeama hertseinä ja f on toimintataajuus megahertseinä.

10. a.

Yksisivukaistan (SSB) vaihekohina dBc/Hz:einä on parempi kuin - (126 + 20log10F-20log10f) taajuuksilla 10 Hz < F < 10 kHz; ja

b.

Yksisivukaistan (SSB) vaihekohina dBc/Hz:einä on parempi kuin - (114 + 20log10F-20log10f) taajuuksilla 10 kHz ≤ F < 500 kHz;

11. Elektroniset taajuussyntetisoijakokoonpanot, joiden taajuuden vaihtoaika on jokin seuraavista: Huom. Yleiskäyttöiset signaalianalysaattorit, signaaligeneraattorit, verkkoanalysaattorit ja mikroaaltotestivastaanottimet: katso. 3A002.c, 3A002.d, 3A002.e ja 3A002.f kohta.

11. a.

Vähemmän kuin 156 ps;

b.

Vähemmän kuin 100 μs kaikkien niiden taajuusmuutosten osalta, jotka ovat enemmän kuin 1,6 GHz syntesoidulla taajuusalueella, joka on yli 4,8 GHz mutta ei ole yli 10,6 GHz;

c.

Vähemmän kuin 250 μs kaikkien niiden taajuusmuutosten osalta, jotka ovat enemmän kuin 550 MHz syntesoidulla taajuusalueella, joka on yli 10,6 GHz mutta ei ole yli 31,8 GHz;

d.

Vähemmän kuin 500 μs kaikkien niiden taajuusmuutosten osalta, jotka ovat enemmän kuin 550 MHz syntesoidulla taajuusalueella, joka on yli 31,8 GHz mutta ei ole yli 43,5 GHz;

e.

3A001 b. 11. Vähemmän kuin 1 ms kaikkien niiden taajuusmuutosten osalta, jotka ovat enemmän kuin 550 MHz syntesoidulla taajuusalueella, joka on yli 43,5 GHz mutta ei ole yli 56 GHz;

f.

Vähemmän kuin 1 ms kaikkien niiden taajuusmuutosten osalta, jotka ovat enemmän kuin 2,2 GHz syntesoidulla taajuusalueella, joka on yli 56 GHz mutta ei ole yli 75 GHz; tai

g.

Vähemmän kuin 1 ms syntesoidulla taajuusalueella, joka on yli 75 GHz;

c.

Seuraavat akustiset aaltolaitteet ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit: Huom. 3A001.c kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi akustisia aaltolaitteita, jotka rajoittuvat yhteen kaistanpäästöön, alipäästö-, ylipäästö- tai imusuodatukseen tai resonointitoimintoon.

1. Tekninen huomautus

Pinta-akustiset aaltolaitteet ja matalatila-akustiset laitteet, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: Taajuuden sivukeilan vaimennus on suurin datalehdellä mainittu vaimennusarvo.

1. a.

Kantoaallon taajuus on yli 6 GHz;

b.

Kantoaallon taajuus on yli 1 GHz mutta ei ole yli 6 GHz, ja sillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1. Taajuuden sivukeilan vaimennus ylittää 65 dB;

2. Maksimiviiveen ja kaistanleveyden tulo (aika mikrosekunteina ja kaistanleveys megahertseinä) on enemmän kuin 100

3. Kaistanleveys suurempi kuin 250 MHz; tai

4. Dispersiivinen viive on enemmän kuin 10 mikrosekuntia; tai

c.

Kantoaallon taajuus on 1 GHz tai vähemmän, ja sillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1. Maksimiviiveen ja kaistanleveyden tulo (aika mikrosekunteina ja kaistanleveys megahertseinä) on enemmän kuin 100

2. Dispersiivinen viive on enemmän kuin 10 mikrosekuntia; tai

3. Taajuuden sivukeilan vaimennus ylittää 65 dB ja kaistanleveys suurempi kuin 100 MHz;

2. Kappaleakustiset (tila-akustiset) laitteet, jotka sallivat signaalien suoran prosessoinnin yli 6 GHz:n taajuuksilla;

3. Akusto-optiset signaalinkäsittelylaitteet, jotka käyttävät hyväkseen ääniaaltojen (kappale- tai pinta-aaltojen) ja valoaaltojen vuorovaikutusta, ja jotka sallivat signaalien tai kuvien suoran käsittelyn, mukaan lukien spektrianalyysi, korrelaatio tai konvoluutio;

d.

Elektroniset laitteet tai piirit, jotka sisältävät suprajohtavista materiaaleista valmistettuja komponentteja ja jotka on erityisesti suunniteltu toimimaan ainakin yhden suprajohtavan ainesosansa kriittisen lämpötilan alapuolella, ja joilla on jokin seuraavista:

1. Virtakytkentä digitaalipiireissä, joissa käytetään suprajohtavia portteja, joiden porttikohtaisen viiveen (sekunteina) ja porttikohtaisen tehohäviön (watteina) tulo on vähemmän kuin 10–14 J; tai

2. Taajuuden valinta kaikilla taajuuksilla käyttäen resonanssipiirejä, joiden Q-arvot ylittävät 10000;

e.

3A001 Seuraavat suurenergialaitteet:

1. Tekn. huom. 1.2.3.4.

Seuraavat parit: 3A001.e.1 kohdassa energiatiheys lasketaan nimellisjännitteestä kerrottuna nimelliskapasiteetilla ampeeritunteina (Ah) jaettuna massalla kilogrammoina. Jos nimelliskapasiteettia ei ole esitetty, energiatiheys lasketaan neliöidystä nimellisjännitteestä kerrottuna purkauksen kestolla tunteina jaettuna purkauskuormalla ohmeina ja massalla kilogrammoina. 3A001.e.1.a kohdassa pari määritellään sähkökemialliseksi laitteeksi, jolla on positiivinen ja negatiivinen elektrodi ja elektrolyytti ja joka on sähköenergian lähde. Se on pariston peruslohko. 3A001.e.1.a.a kohdassa ensiöpari on pari, jota ei ole suunniteltu ladattavaksi mistään muusta lähteestä. 3A001.e.1.b.a kohdassa toisiopari on pari, joka on suunniteltu ladattavaksi ulkoisesta sähkölähteestä. Huom. 3A001.e.1 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi paristoja, mukaan lukien yksipariset paristot.

1. a.

Ensiöparit, joiden energiatiheys ylittää 550 Wh/kg 20 °C:ssa;

b.

Toisioparit, joiden energiatiheys ylittää 300 Wh/kg 20 °C:ssa;

2. Seuraavat suurenergiset varauskondensaattorit: Huom. KATSO MYÖS 3A001.a KOHTA JA ASETARVIKELUETTELO.

2. a.

Kondensaattorit, joiden toistotiheys on alle 10 Hz (kertatoimiset kondensaattorit) ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1. Nimellisjännite 5 kV tai enemmän;

2. Energiatiheys 250 J/kg tai enemmän; ja

3. Kokonaisenergia 25 kJ tai enemmän;

b.

Kondensaattorit, joiden toistotiheys on 10 Hz tai enemmän (toistuvatoimiset kondensaattorit) ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1. Nimellisjännite 5 kV tai enemmän;

2. Energiatiheys 50 J/kg tai enemmän;

3. Kokonaisenergia 100 J tai enemmän; ja

4. Lataus-purkuikä on 10000 tai enemmän;

3. Suprajohtavat sähkömagneetit tai solenoidit, jotka on erityisesti suunniteltu täysin ladattaviksi tai purettaviksi alle 1 sekunnissa ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: Huom. KATSO MYÖS 3A201.b KOHTA. Huom. 3A001.e.3 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi suprajohtavia sähkömagneetteja tai solenoideja, jotka on erityisesti suunniteltu magneettiresonanssikuvausta (MRI) varten lääketieteellisiin laitteisiin.

3. a.

Purkauksen aikana luovutettu maksimienergia on enemmän kuin 10 kJ ensimmäisen sekunnin aikana;

b.

Virtakäämien sisähalkaisija on yli 250 mm; ja

c.

Magneettisen induktion nimellisarvo on enemmän kuin 8 T tai kokonaisvirrantiheys käämissä on yli 300 A/mm2;

4. Tekn. huom.

3A001 e. Aurinkokennot, CIC-järjestelmät ja aurinkopaneelit, jotka ovat avaruuskelpoisia ja joiden keskimääräinen vähimmäistehokkuus on enemmän kuin 20 prosenttia 301 K:n (28 °C:n) toimintalämpötilassa simuloidussa AM0-valaistuksessa, jonka säteilyvoimakkuus on 1367 wattia neliömetriä kohden (W/m2); AM0 tai ilmamassan arvo 0 (Air Mass Zero) tarkoittaa auringonvalon spektraalista säteilyvoimakkuutta maapallon uloimmassa ilmakehässä, kun maapallon ja auringon välinen etäisyys on yksi astronominen yksikkö (AU).

f.

Pyöriväsyötteiset absoluuttisen asennon kooderit, joiden tarkkuus on ± 1,0 kaarisekuntia tai pienempi (parempi);

g. Tekn. huom.

Solid state -pulssivirtakytkintyristorilaitteet ja tyristorimoduulit, joissa käytetään joko sähköisesti, optisesti ja elekronisäteilyllä ohjattuja kytkentämenetelmiä ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: Huom. 1: 3A001.g kohtaan sisältyvät: Huom. 2: 3A001.g kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi tyristorilaitteita ja tyristorimoduuleja, jotka on sisällytetty laitteisiin, jotka on suunniteltu rautateiden siviilisovelluksia tai siviili-ilma-alusten sovelluksia varten. 3A001.g.a kohdassa tyristorimoduuliin sisältyy yksi tai useampi tyristorilaite.

g.

1. Suurin kytkentävirran nousunopeus (di/dt) on suurempi kuin 30000 A/μs ja estojännite on suurempi kuin 1100 V; tai

2. Suurin kytkentävirran nousunopeus (di/dt) on suurempi kuin 2000 A/μs ja kaikki seuraavista:

2. a.

Suurin estojännite on yhtä suuri tai suurempi kuin 3000 V; ja

b.

Huippuvirta (syöksyvirta) on yhtä suuri tai suurempi kuin 3000 A.

Ohjatut piitasasuuntaajat (SCR)

ETT-tyristorit (Electrical Triggering Thyristors) (ETT)

LTT-tyristorit (Light Triggering Thyristors) (LTT)

IGCT-tyristorit (Integrated Gate Commutated Thyristors) (IGCT)

Hilalta sammutettavat tyristorit (Gate Turn-off Thyristors) (GTO)

MOS-tyristorit (MOS Controlled Thyristors) (MCT)

Solidtronit.

h. Tekn. huom.

Solid-state -puolijohdevirtakytkimet, diodit, tai modulit, joilla kaikki seuraavat ominaisuudet: Huom. 1: Myötäestojännitteen suurin toistuva hetkellisarvo 3A001.h kohdassa käsittää nielu-lähdejännitteen, kollektori-emitterijännitteen, vastaestojännitteen suurimman toistuvan hetkellisarvon ja sulkujännitteen suurimman toistuvan hetkellisarvon. 3A001 h.Huom. 2: 3A001.h kohta käsittää seuraavaa: Huom. 3: 3A001.h kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi virtakytkimiä, diodeja tai moduuleja, jotka sisältyvät laitteistoihin, jotka on tarkoitettu siviilikäytössä olevissa autoissa, siviilikäytössä olevilla rautateillä tai siviili-ilma-aluksissa käytettäviin sovelluksiin. 3A001.h kohdassa moduulit käsittävät yhden tai useita solid-state -puolijohdevirtakytkimiä tai- diodeja.

h.

1. Suurin rajapinnan toimintalämpötila on korkeampi kuin 488 K (215 °C),

2. Myötäestojännitteen (sulkujännitteen) suurin toistuva hetkellisarvo on yli 300 V, ja

3. Jatkuva virta suurempi kuin 1 A.

Liitoskanavatransistorit (JFET)

Vertikaaliset liitoskanavatransistorit (VJFET)

Metallioksidipuolijohdekanavatransistorit (MOSFET)

Kaksoisdiffusoidut metallioksidipuolijohdekanavatransistorit (DMOSFET)

Eristettyhilaiset bipolaaritransistorit (IGBT)

Korkean elektroniliikkuvuuden transistorit (HEMT)

Bipolaariset liitostransistorit (BJT)

Tyristorit ja ohjatut piitasasuuntaajat (SCR)

Hilalta sammutettavat tyristorit (GTO)

Emitteriltä sammutettavat tyristorit (ETO)

Pin-diodit

Schottky-diodit.

a.

Seuraavat nauhoituslaitteet laitteet ja oskilloskoopit:

1. Ei käytössä;

2. Ei käytössä;

3. Ei käytössä;

4. Ei käytössä;

5. Tekn. huom. 1.2.

Aaltomuodon digitointilaitteet ja transienttitallentimet, joilla on seuraavat ominaisuudet: Laitteille, joissa on rinnakkaisväyläarkkitehtuuri, jatkuva käsittelykyky on suurin sanansiirtonopeus kerrottuna sanan bittien lukumäärällä. Jatkuva käsittelykyky tarkoittaa suurinta tiedonsiirtonopeutta, jonka laite voi tulostaa massamuistiin tietoa menettämättä samalla kun se ylläpitää näytteenottonopeutta ja analogia-digitaalimuunnosta.

5. a.

Digitointinopeus on 200 miljoonaa näytteenottoa sekunnissa tai enemmän ja resoluutio 10 bittiä tai enemmän; ja

b.

Jatkuva käsittelykyky, joka on vähintään 2 Gbit/s;

6. Tekn. huom.

3A002 a. Digitaaliset instrumentointitietonauhoitinjärjestelmät, joissa käytetään magneettilevymuistitekniikkaa ja joissa on kaikki seuraavat ominaisuudet, ja niitä varten erityisesti suunnitellut digitaaliset nauhurit: Digitaaliset instrumentointitietonauhoitinjärjestelmät voidaan konfiguroida digitoijalla, joka on joko integroitu digitaaliseen nauhuriin tai on sen ulkopuolella.

6. a.

Digitoitu instrumentointitietonopeus on 100 miljoonaa näytteenottoa sekunnissa tai enemmän ja resoluutio 8 bittiä tai enemmän; ja

b.

Jatkuva käsittelykyky on vähintään 1 Gbit/s;

7. Tosiaikaiset oskilloskoopit, joiden kohinajännitteen vertikaalinen tehollisarvo (rms) on alle 2 % täydestä asteikosta pystyasteikon asetuksella, joka antaa alimman kohina-arvon kaikille signaaleille vähintään 60 GHz:n kaistanleveydellä 3 dB:n teholla kanavaa kohti; Huom. 3A002.a.7 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi ETS-oskilloskooppeja (equivalent-time sampling).

b.

Ei käytössä;

c.

Seuraavat radiotaajuus signaalianalysaattorit:

1. Signaalianalysaattorit, joilla on yli 10 MHz:n resoluutiokaistanleveys (RBW) 3 dB:n teholla missä tahansa taajuusalueella, joka on yli 31,8 GHz mutta enintään 37,5 GHz;

2. Signaalianalysaattorit, joiden keskimääräinen kohinataso (Displayed Average Noise Level (DANL)) on alle (parempi) kuin –150 dBm/Hz missä tahansa taajuusalueella, joka on yli 43,5 GHz mutta enintään 75 GHz;

3. Signaalianalysaattorit, joiden taajuus ylittää 75 GHz;

4. Signaalianalysaattorit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: Huom. 3A002.c.4 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi niitä signaalianalysaattoreita, jotka käyttävät vain vakiosuhteisia kaistasuotimia (kutsutaan myös oktaavi- tai osaoktaavisuotimiksi).

4. a.

Tosiaikainen kaistanleveys on yli 85 MHz; ja

b. Tekn. huom. 1.2.

100 %:n havaintotodennäköisyys ja alle 3 dB:n aleneminen täydestä amplitudista sellaisten signaalien katkojen tai ikkunointivaikutusten vuoksi, joiden kesto on enintään 15 μs; 3A002.c.4.b kohdan ilmaisusta havaintotodennäköisyys käytetään myös nimitystä sieppaustodennäköisyys. 3A002.c.4.b kohdassa 100 %:n havaintotodennäköisyyden kesto vastaa signaalin vähimmäiskestoa, joka on tarpeen mittauksen epävarmuuden määriteltyä tasoa varten.

5. Signaalianalysaattorit, joilla on taajuusmaskin liipaisin toiminto ja 100 %:n todennäköisyys liipaista (siepata) signaaleja, joiden kesto on enintään 15 μs;

d. Tekn. huom. 1.2.

Taajuussyntetisoivat signaaligeneraattorit, joiden tuottamien lähtötaajuuksien tarkkuus ja lyhyen tai pitkän aikavälin stabiilius on sisäisen perusvertailuoskillaattorin ohjaama, siitä johdettu tai sen määräämä ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: Huom. 1: d kohdassa taajuussyntetisoivat signaaligeneraattorit sisältyvät satunnaisaalto- ja satunnaisfunktiogeneraattorit. Huom. 2: 3A002.d kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi laitteita, joissa lähtötaajuus aikaansaadaan joko laskemalla yhteen tai vähentämällä toisistaan kahden tai useamman kideoskillaattorin taajuuksia ja kertomalla siten saatu tulos. Satunnaisaalto- tai satunnaisfunktiogeneraattorin syntesoitu maksimitaajuus lasketaan jakamalla näytteenottonopeus (näytettä/sekunti) kertoimella 2,5. 3A002.d.1.a kohdassa pulssin kestolla tarkoitetaan aikaa, joka kuluu pulssin etureunan kohdasta, joka on 50 % pulssin amplitudista, pulssin takareunan kohtaan, joka on 50 % pulssin amplitudista.

d.

1. Määritetty tuottamaan pulssimoduloituja signaaleja, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet, missä tahansa syntesoidulla taajuusalueella, joka ylittää 31,8 GHz mutta ei ylitä 75 GHz:iä;

1. a.

Pulssin kesto on alle 100 ns; ja

b.

signaalin ja tauon suhde on vähintään 65 dB;

2. 3A002 d. Lähtöteho ylittää 100 mW (20 dBm) missä tahansa syntesoidulla taajuusalueella, joka ylittää 43,5 GHz mutta ei ylitä 75 GHz:iä;

3. Taajuuden vaihtoaika on jokin seuraavista:

3. a.

Ei käytössä;

b.

Vähemmän kuin 100 μs kaikkien niiden taajuusmuutosten osalta, jotka ovat enemmän kuin 1,6 GHz syntesoidulla taajuusalueella, joka on yli 4,8 GHz mutta ei ole yli 10,6 GHz;

c.

Vähemmän kuin 250 μs kaikkien niiden taajuusmuutosten osalta, jotka ovat enemmän kuin 550 MHz syntesoidulla taajuusalueella, joka on yli 10,6 GHz mutta ei ole yli 31,8 GHz;

d.

Vähemmän kuin 500 μs kaikkien niiden taajuusmuutosten osalta, jotka ovat enemmän kuin 550 MHz syntesoidulla taajuusalueella, joka on yli 31,8 GHz mutta ei ole yli 43,5 GHz;

e.

Vähemmän kuin 1 ms kaikkien niiden taajuusmuutosten osalta, jotka ovat enemmän kuin 550 MHz syntesoidulla taajuusalueella, joka ylittää 43,5 GHz mutta ei 56 GHz:iä; tai

f.

Vähemmän kuin 1 ms kaikkien niiden taajuusmuutosten osalta, jotka ovat enemmän kuin 2,2 GHz syntesoidulla taajuusalueella, joka ylittää 56 GHz mutta ei 75 GHz:iä;

4. Tekn. huom.

Yksisivukaistan (SSB) vaihekohina dBc/Hz:einä määriteltynä niin, että sillä on kaikki seuraavat ominaisuudet: 3A002.d.4 kohdassa F on toimintataajuuden poikkeama hertseinä ja f on toimintataajuus megahertseinä;

4. a.

Alle (parempi kuin) - (126 + 20log10F-20log10f) taajuuksilla 10 Hz < F < 10 kHz missä tahansa syntesoidulla taajuusalueella, joka on yli 3,2 GHz mutta ei ole yli 75 GHz; ja

b.

Alle (parempi kuin) - (114 + 20log10F-20log10f) taajuuksilla 10 kHz ≤ F < 500 kHz missä tahansa syntesoidulla taajuusalueella, joka on yli 3,2 GHz mutta ei ole yli 75 GHz; tai

5. Syntesoitu maksimitaajuus ylittää 75 GHz;

e.

Verkkoanalysaattorit, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1. Lähtöteho ylittää 31,62 mW (15 dBm) missä tahansa toimintataajuusalueella, joka on yli 43,5 GHz mutta ei ole yli 75 GHz;

2. Lähtöteho ylittää 1 mW (0 dBm) missä tahansa toimintataajuusalueella, joka on yli 75 GHz mutta ei ole yli 110 GHz;

3. Tekn. huom.

3A002 e. Epälineaarinen vektorinmittaustoiminto taajuudella, joka on yli 50 GHz mutta ei ole yli 110 GHz; tai Epälineaarinen vektorinmittaustoiminto on instrumentin kyky analysoida sellaisten laitteiden testituloksia, joita on käytetty suursignaalialueella tai epälineaarisella vääristymäalueella.

4. Maksimitoimintataajuus ylittää 110 GHz;

f.

Mikroaaltotestivastaanottimet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1. Maksimitoimintataajuus ylittää 110 GHz; ja

2. Ne kykenevät mittaamaan samanaikaisesti sekä amplitudia että vaihetta;

g.

Atomitaajuusstandardit, jotka ovat jotakin seuraavista:

1. Ne ovat avaruuskelpoisia;

2. Rubidiumittomia ja pitkän aikavälin stabiilius on vähemmän (parempi) kuin 1 × 10–11 kuukaudessa; tai

3. Ei-avaruuskelpoiset, joilla on kaikki seuraavista ominaisuuksista:

3. a.

Niillä on rubidiumstandardi;

b.

Pitkän aikavälin stabiilius on vähemmän (parempi) kuin 1 × 10–11 kuukaudessa; ja

c.

Tehonkulutus vähemmän kuin 1 W.

a.

Ohjuksissa käyttökelpoiset analogia-digitaalimuuntimet, jotka on suunniteltu vastaamaan sotilasspesifikaatioiden kovaan käyttöön tarkoitettujen laitteiden vaatimuksia;

b.

Kiihdyttimet, joilla pystytään lähettämään sähkömagneettista säteilyä, joka tuotetaan 2 MeV:n energiaan tai sen yli kiihdytettyjen elektronien jarrutussäteilyn (bremsstrahlung) avulla, sekä näitä kiihdyttimiä sisältävät järjestelmät. Huom. 3A101.b kohdassa ei määritellä laitteita, jotka on erityisesti suunniteltu lääketieteellisiin tarkoituksiin.

3A Tekn. huom. 1.2. a.

Kondensaattorit, joilla on seuraavat joko 1 tai 2 kohdassa luetellut ominaisuudet:

1. a.

Nimellisjännite suurempi kuin 1,4 kV;

b.

Energian varastointikyky suurempi kuin 10 J;

c.

Kapasitanssi suurempi kuin 0,5 μF ja

d.

Sarjainduktanssi vähemmän kuin 50 nH; tai

2. a.

Nimellisjännite suurempi kuin 750 V;

b.

Kapasitanssi suurempi kuin 0,25 μF ja

c.

Sarjainduktanssi vähemmän kuin 10 nH;

b.

Suprajohtavat solenoidisähkömagneetit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: Huom. 3A201.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi magneetteja, jotka on erityisesti suunniteltu lääketieteellisten ydinmagneettiseen resonanssiin (NMR) perustuvien kuvanmuodostusjärjestelmien osiksi. Sana osiksi ei välttämättä tarkoita saman toimituksen fyysistä osaa; erilliset toimitukset ovat sallittuja eri lähteistä, mikäli niihin liittyvissä vientiasiakirjoissa selvästi mainitaan, että toimitukset lähetetään kuvanmuodostusjärjestelmän osiksi.

1. Pystyvät muodostamaan yli 2 T:n magneettikenttiä;

2. Pituuden suhde sisähalkaisijaan on suurempi kuin 2;

3. Sisähalkaisija yli 300 mm; ja

4. Magneettikenttä poikkeaa vähemmän kuin 1 % tasaisesta kentästä sisätilavuuden keskeisen puoliskon (50 %) alueella;

c. Tekn. huom. 1.2.3.4.

Seuraavat välähtävät röntgensalamageneraattorit tai pulssitoimiset elektronikiihdyttimet, joilla on joko a tai b kohdassa luetellut ominaisuudet: Huom. 3A201.c kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi kiihdyttimiä, jotka ovat muuhun kuin elektronisuihku- tai röntgensäteilytykseen (esimerkiksi elektronimikroskopiaan) suunniteltujen laitteiden komponentteja eikä niitä, jotka on suunniteltu lääketieteellisiä laitteita varten: Hyvyysluku K on määritelty seuraavasti: K = 1,7 × 103 × V2,65 × Q V on huippuelektronienergia miljoonina elektronivoltteina. Jos elektronipulssin kesto on pienempi tai yhtä suuri kuin 1 mikrosekunti, Q on kiihdytetty kokonaisvaraus coulombeina. Jos elektronipulssin kesto on suurempi kuin 1 mikrosekunti, Q on 1 mikrosekunnissa kiihdytetty maksimisähkövaraus. Q on yhtä kuin elektronivirran i integraali ajan t suhteen (Q = ∫ idt), jossa i on säteen virta ampeereina ja t aika sekunneissa. Huipputeho = (huippujännite voltteina) × (säteen huippuvirta ampeereina). Mikroaaltokiihdytysonteloihin perustuvissa koneissa pulssin kesto on pienempi kahdesta seuraavasta: 3A201 c. Mikroaaltokiihdytysonteloihin perustuvissa koneissa pulssin kesto on pienempi kahdesta seuraavasta: 1 μs tai yhden mikroaaltomodulaattorin pulssin tuottaman tiivistetyn pulssipaketin kesto. Mikroaaltokiihdytysonteloihin perustuvissa koneissa säteen huippuvirta on tiivistetyn pulssipaketin keskimääräinen virta sen keston aikana.

c.

1. a.

Kiihdyttimen huippuelektronienergia on 500 keV tai suurempi, mutta pienempi kuin 25 MeV; ja

b.

Hyvyysluku (K) on 0,25 tai suurempi; tai

2. a.

Kiihdyttimen huippuelektronienergia on 25 MeV tai suurempi; ja

b.

Huipputeho on suurempi kuin 50 MW.

a.

Monivaiheulostulo, joka antaa 40 VA tai suuremman tehon;

b.

Toimii taajuudella 600 Hz tai enemmän; ja

c.

Taajuuden säätö on parempi (pienempi) kuin 0,2 %.

1. Ne on palautettava alkuperäiselle valmistajalle, jotta niiden suorituskykyä voidaan vahvistaa tai rajoitteita vapauttaa;

2. Ne vaativat 3D225 kohdassa määriteltyjä ohjelmistoja suorituskyvyn vahvistamiseksi tai heikentämiseksi, jotta ne täyttäisivät 3A225 kohdan ominaisuuksia koskevat vaatimukset; tai

3. Ne vaativat 3E225 kohdassa määriteltyä teknologiaa suorituskyvyn vahvistamiseksi tai heikentämiseksi, jotta ne täyttäisivät 3A225 kohdan ominaisuuksia koskevat vaatimukset;

3A Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. a.

Ne kykenevät 8 tunnin jakson aikana jatkuvasti tuottamaan 100 V:n tai korkeamman jännitteen 500 A:n tai suuremmalla virralla; ja

b.

Niiden jännitteen tai virran stabiilius on parempi kuin 0,1 % 8 tunnin jakson aikana.

a.

Ne kykenevät 8 tunnin jakson aikana jatkuvasti tuottamaan 20 kV:n tai korkeamman jännitteen 1 A:n tai suuremmalla virralla; ja

b.

Niiden jännitteen tai virran stabiilius on parempi kuin 0,1 % 8 tunnin jakson aikana.

a.

Kylmäkatodiputket, olivatpa ne sitten kaasutäytteisiä tai ei, jotka toimivat kipinävälin tavoin ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: Huom. 3A228 kohtaan sisältyvät kaasukryptonputket ja tyhjösprytronputket.

1. Ne sisältävät kolme tai useampia elektrodeja;

2. Huippuanodijännitteen nimellisarvo on 2,5 kV tai enemmän;

3. Huippuanodivirran nimellisarvo on 100 A tai enemmän; ja

4. Anodin viiveaika on 10 μs tai lyhyempi;

b.

Liipaistavat kipinävälit, joilla on molemmat seuraavat ominaisuudet:

1. Anodin viiveaika on 15 μs tai lyhyempi; ja

2. Huippuvirran nimellisarvo 500 A tai enemmän;

c.

Muut kuin 3A001.g tai 3A001.h kohdassa määritellyt nopeatoimiset kytkinmoduulit tai -kokoonpanot, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1. Huippuanodijännitteen nimellisarvo on suurempi kuin 2 kV;

2. Huippuanodivirran nimellisarvo on 500 A tai enemmän; ja

3. Kytkentäaika on 1 μs tai vähemmän.

a.

Sytyttimien laukaisulaitteet (sytytinjärjestelmät, laukaisulaitteet), mukaan luettuna muut kuin 1A007.a kohdassa määritellyt sähköiseen, räjähtävään ja optiseen sytytykseen perustuvat laukaisulaitteet, jotka on suunniteltu laukaisemaan 1A007.b kohdassa määriteltyjä valvonnanalaisia monipistesytyttimiä;

b.

Moduulirakenteiset sähköpulssigeneraattorit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: Huom. 3A229.b kohtaan sisältyvät ksenonsalamavalon käyttölaitteet.

1. Ne on suunniteltu liikkuviksi tai vaativissa olosuhteissa käytettäviksi;

2. Ne pystyvät luovuttamaan energiansa alle 15 μs:ssa alle 40 ohmin kuormituksella;

3. Lähtövirta on suurempi kuin 100 A;

4. Mikään ulottuvuus ei ole suurempi kuin 30 cm;

5. Paino on alle 30 kg; ja

6. Ne on määritelty käytettäväksi laajalla lämpötila-alueella (223–373 K (–50–100 °C) astetta) tai sopiviksi avaruussovelluksiin.

c.

Mikrolaukaisuyksiköt, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1. Mikään ulottuvuus ei ole suurempi kuin 35 mm;

2. Nimellisjännite on yhtä suuri tai suurempi kuin 1 kV; ja

3. Kapasitanssi on yhtä suuri tai suurempi kuin 100 nF;

a.

Lähtöjännite on yli 6 V alle 55 ohmin resistiivisellä kuormalla; ja

b.

Pulssin nousuaika on lyhyempi kuin 500 ps.

3A Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. a.

Ne on suunniteltu toimimaan ilman ulkoista tyhjöjärjestelmää; ja

b.

Ne käyttävät jotakin seuraavista:

1. Sähköstaattista kiihdytystä tritium-deuteriumydinreaktion synnyttämiseen; tai

2. Sähköstaattista kiihdytystä deuterium-deuteriumydinreaktion synnyttämiseen ja pystyvät tuottamaan vähintään 3 × 109 neutronia/s.

a.

Ei käytössä;

b.

Järjestelyt, joita käyttäen voidaan yhdellä tai usealla sytyttimellä sytyttää räjähdyspinta yli 5000 mm2:n alalla yhdellä laukaisusignaalilla lähes samanaikaisesti, sytytyksen ajoitus leviää koko pinta-alalle vähemmässä kuin 2,5 μs:ssa.

a.

Induktiivisesti kytketyt plasmamassaspektrometrit (ICP/MS = Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometers);

b.

Hehkupurkausmassaspektrometrit (GDMS = Glow Discharge Mass Spectrometers);

c.

Termistä ionisaatiota käyttävät massaspektrometrit (TIMS = Thermal Ionization Mass Spectrometers);

d.

Elektronipommitusmassaspektrometrit, joilla on molemmat seuraavista ominaisuuksista:

1. Molekyylisäteen syöttöjärjestelmä, joka injektoi analyyttimolekyylien sädekimpun ionilähteen alueelle, jossa elektronisäde ionisoi molekyylit; ja

2. Yksi tai useampia kylmäloukkuja, jotka voidaan jäähdyttää 193 K (– 80 °C) asteen lämpötilaan;

e.

Ei käytössä;

f.

Massaspektrometrit, jotka on varustettu aktinideja tai aktinidifluorideja varten käytettäväksi suunnitellulla mikrofluorausionilähteellä.

3A Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. Tekn. huom. 1.2. a.

Nimellisjännite suurempi kuin 2 kV; ja

b.

Induktanssi vähemmän kuin 20 nH;

3B Testaus-, tarkastus- ja tuotantolaitteet 3B001 Seuraavat puolijohdekomponenttien tai -materiaalien valmistuslaitteet ja niitä varten erityisesti suunnitellut osat ja komponentit: 3B002 Seuraavat testauslaitteet, jotka on erityisesti suunniteltu valmiiden tai puolivalmiiden puolijohteiden ja erityisesti niitä varten suunniteltujen komponenttien ja tarvikkeiden testaamiseen:

3B a.

Seuraavat epitaksikasvatusta varten suunnitellut laitteet:

1. Laitteet, jotka kykenevät tuottamaan vähintään 75 mm:n matkalla kerroksen muuta materiaalia kuin piitä, jonka kerrospaksuuden vaihtelu on alle ± 2,5 %; Huom. 3B001.a.1 kohta käsittää ALE-laitteet (atomikerroskasvatus).

2. Metalliorgaanista kemiallista kaasufaasipinnoitusta (MOCVD) suorittavat reaktorit, jotka on suunniteltu sellaisen materiaalin yhdistepuolijohdekiteiden epitaksikasvatusta varten, jolla on kaksi tai useampia seuraavista alkuaineista: alumiini, gallium, indium, arseeni, fosfori, antimoni tai typpi;

3. Molekyylisuihku-epitaksikasvatuslaitteet, jotka käyttävät kaasu- tai kiinteitä lähteitä;

b.

Laitteet, jotka on suunniteltu ioni-istutusta varten ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1. Ei käytössä;

2. Ne on suunniteltu ja optimoitu toimimaan niin, että säteen energia on vähintään 20 keV ja säteen virta vähintään 10 mA:n vety-, deuterium- tai heliumistutusta varten;

3. Ne mahdollistavat kuvion suoran istutuksen;

4. Säteen energia on vähintään 65 keV ja säteen virta vähintään 45 mA, jotta voidaan suorittaa korkeaenerginen happi-istutus kuumennettuun puolijohdesubstraattiin; tai

5. Ne on suunniteltu ja optimoitu toimimaan niin, että säteen energia on vähintään 20 keV ja säteen virta vähintään 10 mA, jotta pii-implantti voidaan istuttaa puolijohdesubstraattiin, joka on kuumennettu vähintään 600 °C asteeseen;

c.

Anisotrooppiset plasmakuivasyövytyslaitteet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

1. Ne on suunniteltu tai optimoitu tuottamaan minimiviivanleveys, joka on 65 nm tai vähemmän; ja

2. Kiekon sisäinen epäyhdenmukaisuus on enintään 10 % 3σ:sta mitattuna siten, että enintään 2 mm reunaa jätetään ottamatta huomioon;

d.

Ei käytössä;

e. Tekn. huom. 1.2.

Automaattisyöttöiset monikammioiset puolijohdekiekkojen käsittelyjärjestelmät, joilla on kaikki seuraavat: Huom. 3B001.e kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi automaattisia kiekkojen robottikäsittelijöitä, jotka on suunniteltu erityisesti kiekkojen rinnakkaista prosessointia varten. 3B001.e kohdassa puolijohteiden valmistuslaitteilla tarkoitetaan modulaarisia välineitä, jotka tuottavat toiminnaltaan erilaisia puolijohdetuotannon fysikaalisia prosesseja, kuten pinnoitus-, syövytys-, istutus- ja lämpöprosessointi. 3B001.e kohdassa useiden kiekkojen peräkkäisellä prosessoinnilla tarkoitetaan mahdollisuutta prosessoida kukin kiekko erilaisissa puolijohteiden valmistuslaitteissa esimerkiksi siirtämällä kiekko yhdeltä välineeltä toiselle ja edelleen kolmannelle käyttämällä automaattisyöttöisiä monikammioisia puolijohdekiekkojen käsittelyjärjestelmiä.

e.

1. Niissä on sellaiset liitännät kiekkojen syöttöä ja ulosottoa varten, joihin voidaan liittää enemmän kuin kaksi 3B001.a, 3B001.b tai 3B001.c kohdassa eriteltyä toiminnaltaan erilaista puolijohteiden valmistuslaitetta; ja

2. Ne on suunniteltu muodostamaan tyhjössä toimiva integroitu järjestelmä useiden kiekkojen peräkkäistä prosessointia varten.

f.

3B001 Seuraavat litografialaitteet:

1. Askeltavat kohdistus- ja valotuslaitteet (suora kohdistus kiekkoon) tai kohdistus- ja pyyhkäisy- (skanneri) laitteet kiekkojen prosessointia varten, jotka käyttävät foto-optisia tai röntgenmenetelmiä ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1. a.

Valolähteen aallonpituus lyhyempi kuin 245 nm; tai

b. Tekn. huom.

Ne pystyvät tuottamaan kuvion, jonka pienin erottuva kuvion koko (MRF) on 95 nm tai vähemmän; Pienin erottuva kuvion koko (MRF) lasketaan seuraavalla kaavalla: jossa: MRFaallonpituus nanometreinäK kerroinnumeerinen aukko K kerroin = 0,35

2. Kohokuviointilaitteet, joilla pystytään tuottamaan kuvioita, joiden koko on 95 nm tai vähemmän; Huom. 3B001.f.2 kohtaan sisältyvät:

Pehmytkuviointivälineet

Kuumapakotusvälineet

Nanomuokkauskuviointivälineet

Step and flash -kuviointi (S-FIL) -välineet

3. Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu maskien valmistukseen tai puolijohdekomponenttien prosessointiin käyttäen suoria kirjoitusjärjestelmiä (direct writing methods), joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

3. a.

Ne käyttävät poikkeutettua ja fokusoitua elektronisuihkua, ionisuihkua tai lasersädettä; ja

b.

Niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1. Suihkun tai säteen pisteen koko on pienempi kuin 0,2 μm;

2. Ne kykenevät tuottamaan kuvioita, joiden viivaleveys on vähemmän kuin 1 μm; tai

3. Niiden kohdistustarkkuus on parempi kuin ± 0,20 μm (3 sigmaa);

g.

Maskit tai retikkelit, jotka on suunniteltu 3A001 kohdassa määriteltyjä integroituja piirejä varten;

h.

Monikerrosmaskit, joissa on vaihesiirtokerros, joita ei ole määritelty 3B001.g kohdassa ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: Huom. 3B001.h kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi monikerrosmaskeja, joissa on vaihesiirtokerros ja jotka on suunniteltu sellaisten muistilaitteiden valmistukseen, joita ei aseteta valvonnanalaiseksi 3A001 kohdassa.

1. Ne on tehty maskin substraattiaihiolle (substrate blank) lasista, joka on määritelty niin, että siinä on kahtaistaittumista alle 7 nm/cm; tai

2. Ne on suunniteltu käytettäväksi litografialaitteissa, joiden valolähteen aallonpituus on lyhyempi kuin 245 nm;

i.

Kohokuviointimallineet, jotka on suunniteltu 3A001 kohdassa määriteltyjä integroituja piirejä varten.

a.

Laitteet transistorien S-parametrien testaukseen yli 31,8 GHz:n alueella;

b.

Ei käytössä;

c.

Laitteet 3A001.b.2 kohdassa määriteltyjen integroitujen mikroaaltopiirien testaukseen.

3C Materiaalit 3C001 Hetero-epitaksimateriaalit, jotka koostuvat substraatista, jonka päälle on epitaksisti kasvatettu useita kerroksia seuraavia aineita: Huom. 3C001.d kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi substraattia, jolla on yksi tai useampia P-tyypin epitaksisia kerroksia GaN:a, InGaN:a, AlGaN:a, InAlN:a, InAlGaN:a, GaP:a, InGaP:a, AlInP:a tai InGaAlP:a, riippumatta alkuaineiden järjestyksestä, paitsi jos P-tyypin epitaksinen kerros on N-tyypin kerrosten välissä. 3C002 Seuraavat estopinnoitemateriaalit ja seuraavilla estopinnoitteilla pinnoitetut substraatit: 3C003 Seuraavat orgaanis-epäorgaaniset yhdisteet: Huom. 3C003 kohdassa asetetaan valvonnanalaiseksi vain yhdisteet, joiden metallinen, osittain metallinen tai ei-metallinen elementti on suoraan liittynyt hiileen molekyylin orgaanisessa osassa. 3C004 Fosfori-, arseeni- tai antimonihydridit, joiden puhtaus on parempi kuin 99,999 %, myös jalokaasuilla tai vedyllä laimennettuina. Huom. 3C004 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi hydridejä, jotka sisältävät 20 mooliprosenttia tai enemmän jalokaasuja tai vetyä. 3C005 Piikarbidi- (SiC), galliumnitridi- (GaN), aluminiumnitridi- (AIN) tai aluminiumgalliumnitridi- (AIGaN) puolijohde substraatit, tai näiden materiaalien harkot, boulet tai muut preformit, joiden resistiivisyys on enemmän kuin 10000 ohmisenttimetriä 20 °C:ssa. 3C006 3C005 kohdassa määritellyt substraatit, joissa on vähintään yksi epitaksinen kerros piikarbidia, galliumnitridiä, aluminiumnitridiä tai aluminiumgalliumnitridiä.

3C a.

Pii (Si);

b.

Germanium (Ge);

c.

Piikarbidi (SiC); tai

d.

Galliumin tai indiumin III/V-yhdisteet.

a.

Estopinnoitteet, jotka on suunniteltu puolijohdelitografiaa varten seuraavasti:

1. Positiiviestopinnoitteet, joiden spektrivaste on sovitettu (optimoitu) alle 245 nm:n mutta vähintään 15 nm:n aallonpituuksille;

2. Estopinnoitteet, joiden spektrivaste on sovitettu (optimoitu) alle 15 nm:n mutta yli 1 nm:n aallonpituuksille;

b.

Kaikki estopinnoitteet, jotka on suunniteltu käytettäväksi elektroni- tai ionisuihkun kanssa ja joiden herkkyys on 0,01 mikrocoulombia/mm2 tai parempi;

c.

Ei käytössä;

d.

Kaikki estopinnoitteet, jotka on optimoitu pintakuvausteknologiaa varten;

e.

Kaikki estopinnoitteet, jotka on suunniteltu tai optimoitu käytettäväksi lämpö- tai säteilykovetusprosessia käyttävien 3B001.f.2 kohdassa määriteltyjen kohokuviointilaitteiden kanssa.

a.

Metalliorgaaniset alumiini-, gallium- tai indiumyhdisteet, joiden (perusmetallin) puhtaus (metalleista) on parempi kuin 99,999 %;

b.

Arseeniorgaaniset, antimoni-orgaaniset ja fosfori-orgaaniset yhdisteet, joiden puhtaus (epäorgaanisista aineista) on parempi kuin 99,999 %.

3D Tekn. huom.

Ohjelmistot 3D001 Ohjelmistot, jotka on erityisesti suunniteltu 3A001.b–3A002.g tai 3B kohdassa määriteltyjen laitteiden kehittämistä tai tuotantoa varten. 3D002 Ohjelmistot, jotka on erityisesti suunniteltu 3B001.a–f, 3B002 tai 3A225 kohdassa määriteltyjen laitteiden käyttöä varten. 3D003 Fysiikkapohjaiset simulaatio-ohjelmistot, jotka on erityisesti suunniteltu sellaisten litografia-, syövytys- ja pinnoitusprosessien kehittämiseen, jotka muuntavat maskin kuviot erityisiksi topografisiksi johtimien, eristeiden ja puolijohdemateriaalien kuvioiksi. Fysiikkapohjaisella tarkoitetaan 3D003 kohdassa laskelmien käyttämistä fysikaalisten syy ja seuraus -tapahtumien jakson määrittämiseen fysikaalisten ominaisuuksien perusteella (esimerkiksi lämpötila, paine, diffuusiovakiot ja puolijohdemateriaalien ominaisuudet). Huom. Kirjastot, suunnitteluparametrit sekä niihin liittyvät tiedot puolijohdekomponenttien ja integroitujen piirien suunnittelua varten käsitetään teknologiaksi. 3D004 Ohjelmistot, jotka on erityisesti suunniteltu 3A003 kohdassa määriteltyjen laitteiden kehittämistä varten. 3D101 Ohjelmistot, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu 3A101.b kohdassa määriteltyjen laitteiden käyttöä varten. 3D225 Ohjelmistot, jotka on erityisesti suunniteltu vahvistamaan tai heikentämään taajuusmuuntimien tai generaattoreiden suorituskykyä, jotta 3A225 kohdan ominaisuudet täyttyvät.

3E Teknologia 3E001 Teknologia yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 3A, 3B tai 3C kohdassa määriteltyjen laitteiden ja materiaalien kehittämistä ja tuotantoa varten. Huom. 1: 3E001 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi 3A003 kohdassa valvottujen laitteiden tai komponenttien tuotantoa varten tarvittavaa teknologiaa. Huom. 2: 3E001 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi sellaisten 3A001.a.3–3A001.a.12 kohtien mukaan valvonnanalaisten integroitujen piirien, kehittämistä tai tuotantoa varten tarvittavaa teknologiaa, joilla on seuraavat ominaisuudet: 3E002 Muu kuin 3E001 kohdassa määritelty teknologia yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti sellaisen mikroprosessorimikropiirin, mikrotietokonemikropiirin tai mikro-ohjainmikropiiriytimen kehittämistä ja tuotantoa varten, jonka aritmeettisloogisen yksikön hakuleveys on 32 bittiä tai enemmän ja jolla on jokin seuraavista piirteistä tai ominaisuuksista: Huom. 1: 3E002 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi teknologiaa yleisen sellaisten mikroprosessoriytimien kehittämistä ja tuotantoa varten, joilla on kaikki seuraavista: Huom. 2: 3E002 kohtaan sisältyy teknologia digitaalisia signaalinkäsittelijöitä ja digitaalisia taulukkosuorittimia varten. 3E003 Muu teknologia seuraavien komponenttien kehittämistä ja tuotantoa varten: 3E101 Teknologia yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 3A001.a.1 tai 2, 3A101, 3A102 tai 3D101 kohdassa määriteltyjen laitteiden ja ohjelmistojen käyttöä varten. 3E102 Teknologia yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 3D101 kohdassa määriteltyjen ohjelmistojen kehittämistä varten. 3E201 Teknologia yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti 3A001.e.2, 3A001.e.3, 3A001.g, 3A201, 3A225–3A234 kohdassa määriteltyjen laitteiden käyttöä varten. 3E225 Teknologia koodien tai avainten muodossa vahvistamaan tai heikentämään taajuusmuuntimien tai generaattoreiden suorituskykyä, jotta 3A225 kohdan ominaisuudet täyttyvät.

3E a.

Ne käyttävät teknologiaa, jonka koko on 0,130 μm tai enemmän; ja

b.

Ne sisältävät monikerrosrakenteita, joissa on korkeintaan kolme metallikerrosta.

a. Tekn. huom.

Vektoriprosessoriyksikkö, joka on suunniteltu suorittamaan enemmän kuin kaksi laskutoimitusta liukulukuvektoreille (32-bittisten tai sitä suurempien lukujen yksiulotteiset matriisit) samanaikaisesti; Vektoriprosessoriyksikkö on prosessorielementti, jossa on sisäänrakennetut käskyt, jotka suorittavat useita laskutoimituksia liukulukuvektoreille (32-bittisten tai sitä suurempien lukujen yksiulotteiset matriisit) samanaikaisesti, ja jossa on vähintään yhden vektorin aritmeettislooginen yksikkö.

b.

Suunniteltu suorittamaan enemmän kuin neljä 64-bittistä tai sitä suurempaa liukulukutoimitusta kierrosta kohden; tai

c.

3E002 Suunniteltu suorittamaan enemmän kuin neljä 16-bittistä kiintolukutoimitusta kertolasku-summausta käyttäen kierrosta kohden (esimerkiksi sellaisen analogisen tiedon digitaalinen käsittely, joka on aiemmin muunnettu digitaaliseen muotoon eli digitaalinen signaalinkäsittely) Huom. 3E002.c kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi multimedialaajennuksia varten olevaa teknologiaa.

a.

Ne käyttävät teknologiaa, jonka koko on 0,130 μm tai enemmän; ja

b.

Niihin sisältyy monikerroksisia rakenteita, joissa on viisi metallikerrosta tai vähemmän.

a.

Tyhjö-mikroelektroniset komponentit;

b.

Heterorakenteiset elektroniset puolijohdekomponentit, kuten korkean elektroniliikkuvuuden transistorit (HEMT), heterobipolaaritransistorit (HBT), kvanttikuoppa- tai superhilakomponentit; Huom. 3E003.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi teknologiaa alle 31,8 GHz:n taajuuksilla toimivia HEMT-transistoreja varten ja alle 31,8 GHz:n taajuuksilla toimivia heteroliitosbipolaaritransistoreja (HBT) varten.

c.

Suprajohtavat elektroniset komponentit;

d.

Elektronisten komponenttien timanttifilmisubstraatit;

e.

Piieristyssubstraatit integroiduille piireille, joissa eristysaineena on piidioksidi;

f.

Piikarbidisubstraatit elektronisille komponenteille;

g.

Elektroniset tyhjöputket, jotka toimivat 31,8 GHz:n tai suuremmilla taajuuksilla.

RYHMÄ 4 TIETOKONEET

Huom. 1: Tietokoneet, niihin liittyvät laitteet tai ohjelmistot, jotka suorittavat tietoliikenteen tai paikallisverkon toimintoja, tulee arvioida myös 5 ryhmän 1 osa (Tietoliikenne) toimintaparametreja vasten. Huom. 2: Ohjausyksiköitä, jotka yhdistävät suoraan keskusyksikön, keskusmuistin tai levyohjaimien väyliä tai kanavia, ei katsota 5 ryhmän 1 osa (Tietoliikenne) määrittelemiksi tietoliikennelaitteiksi. Huom. Pakettikytkentää varten erityisesti suunniteltujen ohjelmistojen valvonnanalaisuus: katso 5D001 kohta. Huom. 3: Tietokoneet, niihin liittyvät laitteet tai ohjelmistot, jotka suorittavat salausta, salauksen analysointia tai sertifioitavissa olevaa monitasoista turvallisuuden valvontaa tai sertifioitavissa olevaa käyttöoikeuden rajaamista tai jotka rajoittavat sähkömagneettista mukautuvuutta (EMC), tulee arvioida myös 5 ryhmän 2 osa (Tiedon suojaus) toimintaparametreja vasten.

4A Järjestelmät, laitteet ja komponentit 4A001 Seuraavat elektroniset tietokoneet ja niihin liittyvät laitteet, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista, sekä elektroniset kokoonpanot ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit: Huom. KATSO MYÖS 4A101 KOHTA. 4A003 Seuraavat digitaaliset tietokoneet, elektroniset kokoonpanot ja niihin liittyvät laitteet sekä niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit: Huom. 1: 4A003 kohta sisältää seuraavat: Huom. 2: Muihin laitteisiin tai järjestelmiin sisältyvien 4A003 kohdassa kuvattujen digitaalisten tietokoneiden ja niihin liittyvien laitteiden valvonnanalaisuus määräytyy näiden muiden laitteiden tai järjestelmien valvonnanalaisuuden mukaan edellyttäen, että: 4A004 Seuraavat tietokoneet ja niitä varten erityisesti suunnitellut niihin liittyvät laitteet, elektroniset kokoonpanot ja komponentit: 4A005 Järjestelmät, laitteet ja niiden komponentit, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu tunkeutumisohjelmiston luomista, käyttöä tai toimitusta taikka sen kanssa viestimistä varten. 4A101 Muut kuin 4A001.a.1 kohdassa määritellyt analogiset tietokoneet, digitaaliset tietokoneet tai digitaaliset differentiaalianalysaattorit, jotka on suunniteltu kovaan käyttöön ja suunniteltu tai muunnettu 9A004 kohdassa määriteltyjen avaruuteen laukaisussa käytettävien kantorakettien tai 9A104 kohdassa määriteltyjen luotainrakettien käyttöä varten. 4A102 Hybriditietokoneet, jotka on erityisesti suunniteltu 9A004 kohdassa määriteltyjen avaruuteen laukaisussa käytettävien kantorakettien tai 9A104 kohdassa määriteltyjen luotainrakettien mallintamista, simulointia tai konstruktioiden integrointia varten. Huom. Tätä valvonnanalaisuutta sovelletaan ainoastaan, kun laitteita toimitetaan 7D103 tai 9D103 kohdassa määriteltyjen ohjelmistojen kanssa.

4A a.

Jotka on erityisesti suunniteltu niin, että niillä on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1. Mitoitettu toimimaan ympäröivässä lämpötilassa alle 228 K (–45 °C) astetta tai yli 358 K (85 °C) astetta; tai Huom. 4A001.a.1 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi siviiliajoneuvo-, rautatie- tai siviili-ilma-alussovelluksiin erityisesti suunniteltuja tietokoneita.

2. Kestävät säteilyä yli jonkin seuraavista rajoista: a. Kokonaisannos 5 × 103 Gy (pii); b. Annosnopeus 5 × 106 Gy (pii)/s; tai c. Kertahäiriö 1 × 10–8 virhettä/bit/vrk; Huom. 4A001.a.2 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi siviili-ilma-alussovelluksiin erityisesti suunniteltuja tietokoneita.

b.

Ei käytössä.

Vektoriprosessorit;

Matriisiprosessorit;

Digitaaliset signaaliprosessorit;

Logiikkaprosessorit;

Laitteet kuvan laadun parantamista varten;

Laitteet signaalinkäsittelyä varten.

a.

Digitaaliset tietokoneet tai niihin liittyvät laitteet ovat näiden muiden laitteiden tai järjestelmien toiminnan kannalta välttämättömiä;

b.

Digitaaliset tietokoneet tai niihin liittyvät laitteet eivät ole näiden muiden laitteiden tai järjestelmien olennaisin osa; ja Huom. 1: Muita laitteita varten erityisesti suunniteltujen signaalin käsittely– tai kuvan laatua parantavien laitteiden valvonnanalaisuuden määrittelee näiden muiden laitteiden valvonnanalaisuus, vaikka ne ylittäisivätkin olennaisimman osan kriteerin, mikäli ne suorittavat vain näiden muiden laitteiden vaatimia toimintoja. Huom. 2: Tietoliikenteessä käytettävien digitaalisten tietokoneiden ja niihin liittyvien laitteiden valvonnanalaisuus: katso 5 ryhmä 1 osa (Tietoliikenne).

c.

Digitaalisten tietokoneiden ja niihin liittyvien laitteiden teknologia on määritelty 4E kohdassa.

a.

Ei käytössä;

b.

Digitaaliset tietokoneet, joiden mukautettu huipputehokkuus (APP) ylittää 8,0 painotettua teraliukulukutoimitusta sekunnissa (WT);

c.

4A003 Seuraavat elektroniset kokoonpanot, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu nostamaan tehokkuutta yhdistämällä prosessoreja siten, että yhdistelmän APP ylittää 4A003.b kohdassa määritellyn rajan; Huom. 1: 4A003.c kohdassa asetetaan valvonnanalaiseksi ainoastaan elektroniset kokoonpanot ja ohjelmoitavat keskinäiset kytkennät, jotka eivät ylitä 4A003.b kohdassa määriteltyä rajaa, kun ne toimitetaan erillisinä elektronisina kokoonpanoina. Siinä ei aseteta valvonnanalaiseksi elektronisia kokoonpanoja, joita voidaan rakenteensa vuoksi käyttää ainoastaan 4A003.e kohdassa määriteltyinä liittyvinä laitteina. Huom. 2: 4A003.c kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi tuotteita tai tuoteperheitä varten erityisesti suunniteltuja elektronisia kokoonpanoja, jotka maksimikokoonpanossaan eivät ylitä 4A003.b kohdassa määriteltyä rajaa.

d.

Ei käytössä;

e.

Laitteet, jotka suorittavat analogia-digitaalimuunnoksia tai digitaali-analogiamuunnoksia ja jotka ylittävät 3A001.a.5 kohdassa määritellyt rajat;

f.

Ei käytössä;

g.

Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu digitaalisten tietokoneiden toiminnan yhdistämiseen ulkoisella keskinäisliitännällä, jonka avulla viestiliikenne toimii yksisuuntaisella tiedonsiirtonopeudella yli 2,0 Gbyte/s/liityntä. Huom. 4A003.g kohdassa ei aseteta valvonnanalaisiksi sisäisiä liitäntälaitteita (esim. emolevyjä ja väyliä), passiivisia kytkentälaitteita, verkkoliityntäohjaimia tai tietoliikenneohjaimia.

a.

Systoliset matriisitietokoneet;

b.

Hermoverkkotietokoneet;

c.

Optiset tietokoneet.

4B Testaus-, tarkastus- ja tuotantolaitteet Ei ole.

4C Materiaalit Ei ole.

4D Ohjelmistot Huom. Muissa ryhmissä kuvattuja laitteita varten tarkoitettujen ohjelmistojen valvonnanalaisuutta käsitellään kyseisissä ryhmissä. 4D 4D001 Seuraavat ohjelmistot: 4D002 4E kohdassa määritellyn teknologian tukemiseen erityisesti suunnitellut tai muunnetut ohjelmistot. 4D003 Ei käytössä. 4D004 Ohjelmistot, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu tunkeutumisohjelmiston luomista, käyttöä tai toimitusta taikka sen kanssa viestimistä varten.

4D a.

4A001–4A004 tai 4D kohdassa määriteltyjen laitteiden tai ohjelmistojen kehittämistä tai tuotantoa varten erityisesti suunnitellut tai muunnetut ohjelmistot.

b.

Muut kuin 4D001.a kohdassa määritellyt ohjelmistot, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu seuraavien laitteiden kehittämiseen tai tuotantoon:

1. Digitaaliset tietokoneet, joiden mukautettu huipputehokkuus (APP) ylittää 0,60 painotettua teraliukulukutoimitusta sekunnissa (WT);

2. Elektroniset kokoonpanot, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu suorituskyvyn tehostamiseksi yhdistämällä prosessoreja siten, että yhdistelmän APP ylittää 4D001.b.1 kohdassa määritellyn rajan;

4E Teknologia 4E001

4E a.

Yleisen teknologiahuomautuksen mukaisesti teknologia, joka on tarkoitettu 4A tai 4D kohdassa määriteltyjen laitteiden tai ohjelmistojen kehittämistä, tuotantoa tai käyttöä varten.

b.

Muu kuin 4E001.a kohdassa määritelty teknologia, joka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu seuraavien laitteiden kehittämiseen tai tuotantoon:

1. Digitaaliset tietokoneet, joiden mukautettu huipputehokkuus (APP) ylittää 0,60 painotettua teraliukulukutoimitusta sekunnissa (WT);

2. Elektroniset kokoonpanot, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu suorituskyvyn tehostamiseksi yhdistämällä prosessoreja siten, että yhdistelmän APP ylittää 4E001.b.1 kohdassa määritellyn rajan.

c.

Teknologia tunkeutumisohjelmistojen kehittämistä varten.

MUKAUTETTUA HUIPPUTEHOKKUUTTA (APP) KOSKEVA TEKNINEN HUOMAUTUS

APP on mukautettu huippunopeus, jolla digitaaliset tietokoneet suorittavat 64-bittisten tai sitä suurempien liukulukujen yhteenlasku- ja kertolaskutoimituksia. APP ilmaistaan painotettuina teraliukulukutoimituksina sekunnissa (WT), yksikköinä, jotka koostuvat 1012:sta mukautetusta liukulukutoimituksesta sekunnissa.

Tässä teknisessä huomautuksessa käytetyt lyhenteet

n digitaalisen tietokoneen prosessorien lukumäärä i prosessorin numero (i,…n) ti prosessorin kierrosaika (ti = 1/Fi) Fi prosessorin taajuus Ri liukulukujen laskennan huippunopeus Wi arkkitehtuurin mukautustekijä

Yhteenveto APP:n laskentamenetelmästä 1.2.3.4. Tekn. huom.

Määritetään kunkin prosessorin i osalta 64-bittisten tai sitä suurempien liukulukujen toimitusten huippumäärä FPOi, joka suoritetaan kierrosta kohden digitaalisen tietokoneen kunkin prosessorin osalta. Huomautus FPO:ta määritettäessä otetaan huomioon ainoastaan 64-bittisten tai sitä suurempien liukulukujen yhteenlasku- ja kertolaskutoimitukset. Kaikki liukulukutoimitukset on ilmaistava toimituksina prosessorin kierrosta kohden; useita kierroksia vaativat toimitukset voidaan ilmaista murto-osina kierrosta kohden. Niiden prosessorien, jotka eivät pysty suorittamaan laskuja 64-bittisillä tai sitä suuremmilla liukulukuoperandeilla, todellinen laskentanopeus R on nolla. Lasketaan liukulukunopeus R kunkin prosessorin osalta Ri = FPOi/ti. Lasketaan APP seuraavasti: APP = W1 × R1 + W2 × R2 + … + Wn × Rn. Vektoriprosessorien osalta Wi = 0,9. Muiden kuin vektoriprosessorien osalta Wi = 0,3. Huomautus 1: Jokainen toimitus lasketaan niiden prosessorien osalta, jotka suorittavat yhdistettyjä toimituksia, kuten yhteen- ja kertolaskuja, kierroksen aikana. Huomautus 2: Liukuhihnaprosessorien osalta todellinen laskentanopeus R on liukuhihnanopeudesta (liukuhihnan ollessa täynnä) tai muusta kuin liukuhihnanopeudesta se, kumpi on nopeampi. Huomautus 3: Kunkin osallistuvan prosessorin laskentanopeus R lasketaan sen maksiminopeudessa, joka on teoreettisesti mahdollinen ennen kuin yhdistelmän APP johdetaan. Yhtäaikaisten toimitusten oletetaan olevan olemassa, kun tietokoneen valmistaja mainitsee tietokoneen käyttöohjeissa tai esitteessä yhdessä vaikuttavat, rinnakkaiset tai yhtäaikaiset toimitukset tai suoritukset. Huomautus 4: APP:ta laskettaessa ei oteta huomioon prosessoreja, jotka rajoittuvat syöttö/tulostus- ja oheistoimintoihin (esimerkiksi levyasema, viestintä- ja videonäyttö). Huomautus 5: APP-arvoja ei lasketa seuraavien osalta: prosessoriyhdistelmät, jotka on yhdistetty (toisiinsa) paikallisverkoilla, alueverkoilla, yhteisillä siirräntäyhteyksillä/-laitteilla, siirräntäohjausjärjestelmillä ja muilla ohjelmistojen avulla toteutetuilla tietoliikenneyhteyksillä. Huomautus 6: APP-arvot on laskettava seuraavien osalta: Yhdistetään kaikki prosessorit ja kiihdyttimet, jotka toimivat yhtäaikaisesti ja sijaitsevat samassa sirussa. Huom. 7 Vektoriprosessori määritellään prosessoriksi, jossa on sisäänrakennetut käskyt, jotka suorittavat useita laskutoimituksia liukulukuvektoreille (64-bittisten tai sitä suurempien lukujen yksiulotteiset matriisit) samanaikaisesti, ja jossa on vähintään kaksi vektoripääyksikköä ja vähintään kahdeksan vektorirekisteriä, joissa on kussakin ainakin 64 elementtiä.

Yhteenveto APP:n laskentamenetelmästä 1.2.3.4.

1. Prosessoriyhdistelmät, joihin sisältyy prosessoreja, jotka on erityisesti suunniteltu tehostamaan suorituskykyä toimimalla yhdistelmänä, toimimalla yhtäaikaisesti ja jakamalla muistia; tai

2. Monimuisti-/prosessoriyhdistelmät, jotka toimivat yhtäaikaisesti käyttäen erityisesti suunniteltuja laitteita.

RYHMÄ 5 TIETOLIIKENNE JA TIEDON SUOJAUS

1 OSA – TIETOLIIKENNE

5A1 Tekn. huom.

Järjestelmät, laitteet ja komponentit 5A001 Seuraavat tietoliikennejärjestelmät, laitteet, komponentit ja varusteet: 5A101 Kaukomittaus- tai kaukohallintalaitteet, mukaan lukien maalaitteet, jotka on suunniteltu tai muunnettu ohjuksia varten. 5A101 kohdassa tarkoitetaan ohjuksella täydellisiä rakettijärjestelmiä ja miehittämättömiä ilma-alusjärjestelmiä, joiden kantomatka on yli 300 kilometriä. Huom. 5A101 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi

5A1 a.

Tietoliikennelaitteet, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista, toiminnoista tai piirteistä: Huom. 5A001.a.2 ja 5A001.a.3 kohta ei koske satelliiteissa käytettäviksi suunniteltuja tai muunnettuja laitteita.

1. Erityisesti suunniteltu kestämään ydinräjähdyksestä aiheutuvia hetkellisiä elektronisia vaikutuksia tai sähkömagneettista pulssia;

2. Erityisesti suojattu kestämään gamma-, neutroni- tai ionisäteilyä; tai

3. Erityisesti suunniteltu toimimaan lämpötila-alueen 218–397 K (– 55–124 °C) astetta ulkopuolella; Huom. 5A001.a.3 kohta koskee vain elektronisia laitteita.

b.

Tietoliikennejärjestelmät ja -laitteet ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit tai tarvikkeet, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista, toiminnoista tai piirteistä:

1. Kytkemättömät vedenalaiset viestintäjärjestelmät, joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

1. a.

Akustinen kantoaaltotaajuus, joka on alueen 20–60 kHz ulkopuolella;

b.

Käyttävät sähkömagneettista kantoaaltotaajuutta alle 30 kHz;

c.

Käyttävät elektronista keilanohjaustekniikkaa; tai

d.

Käyttävät lasereita tai valodiodeita (LED), joiden lähtöaallonpituus ylittää 400 nm mutta ei ylitä 700 nm:iä paikallisverkossa;

2. Radiolaitteet, jotka toimivat 1,5–87,5 MHz:n kaistalla ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet:

2. a.

Ennakoivat ja valitsevat automaattisesti kanavakohtaisia taajuuksia ja digitaalisia kokonaissiirtonopeuksia optimoidakseen lähetystä; ja

b.

Sisältävät lineaarisen tehovahvistinkonfiguraation, joka kykenee tukemaan useampia signaaleja samanaikaisesti 1 kW:n tai suuremmalla lähtöteholla 1,5–30 MHz:n taajuusalueella tai 250 W:n tai suuremmalla lähtöteholla 30–87,5 MHz:n taajuusalueella, yhden tai useamman oktaavin hetkellisen taajuuskaistan yli, siten että ulostulon yliaalto- ja särösisältö on parempi kuin –80 dB;

3. Muut kuin 5A001.b.4 kohdassa määritellyt radiolaitteet, jotka käyttävät hajaspektritekniikkaa, mukaan lukien taajuushyppelytekniikka, ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista: Huom. 5A001.b.3 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi laitteita, jotka on suunniteltu toimiviksi 1 W tai sitä alemmalla ulostuloteholla.

3. a.

Hajautuskoodit ovat käyttäjän ohjelmoitavissa; tai

b.

Lähetettävän kaistan kokonaisleveys on vähintään 100 kertaa minkä tahansa informaatiokanavan kaistan leveys ja se ylittää 50 kHz; Huom. 5A001.b.3.b kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi radiolaitteita, jotka on erityisesti suunniteltu käytettäväksi jonkin seuraavista kanssa:

a.

Siviilikäytössä olevat solukkoradiojärjestelmät; tai

b.

Kiinteät tai liikkuvat satelliittimaa-asemat siviilikäyttöön tarkoitettua kaupallista tietoliikennettä varten;

4. 5A001 b. Radiolaitteet, jotka käyttävät ultralaajakaistamodulointitekniikoita ja joiden kanavointi-, sekoitus- tai verkkotunnuskoodit ovat käyttäjän ohjelmoitavissa ja joilla on jokin seuraavista ominaisuuksista:

4. a.

Kaistanleveys yli 500 MHz; tai

b.

Suhteellinen kaistanleveys 20 prosenttia tai enemmän;

5. Tekn. huom.

Digitaalisesti ohjatut radiovastaanottimet, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: Huom. 5A001.b.5 kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi radiolaitteita, jotka on erityisesti suunniteltu käytettäväksi siviilikäytössä olevissa solukkoradiojärjestelmissä Kanavanvaihtoaika tarkoittaa aikaa (eli viivettä) vaihdettaessa vastaanottavalta taajuudelta toiselle, jotta saavutetaan lopullinen määritetty vastaanottotaajuus tai taajuus, joka on ± 0,05 prosentin sisällä siitä. Tuotteiden, joiden määritetty taajuusalue on vähemmän kuin ± 0,05 prosenttia niiden keskitaajuuden ympärillä, määritellään olevan kykenemättömiä kanavataajuuden vaihtoon.

5. a.

Yli 1000 kanavaa;

b.

Kanavanvaihtoaika alle 1 ms;

c.

Tutkivat tai pyyhkivät automaattisesti osaa sähkömagneettisesta spektristä; ja

d.

Identifioivat vastaanotetut signaalit tai lähettimen tyypin; tai

6. Tekn. huom. 1.2.

Käyttävät digitaalisia signaalin käsittely toimintoja puheenkoodauksen ulostuloon alle 2400 bit/s nopeuksilla; Nopeudeltaan vaihtelevan puheenkoodauksen osalta sovelletaan 5A001.b.6 kohtaa jatkuvan puheen puheenkoodauksen ulostuloon. Sovellettaessa 5A001.b.6 kohtaa puheenkoodauksella tarkoitetaan tekniikkaa, jossa ihmisen äänestä otetaan näytteitä, minkä jälkeen nämä näytteet muunnetaan digitaaliseksi signaaliksi ottaen huomioon ihmisen puheen erityispiirteet.

c. Tekn. huom.

Yli 500 m pitkät optiset kuidut, jotka valmistajan ilmoituksen mukaan kykenevät kestämään vetolujuuskokeessa yli 2 × 109 N/m2:n tai tätä suurempaa vetorasitusta; Huom. Veden alla käytettävien yhdyskaapelien osalta katso 8A002a.3 kohta. Vetolujuuskoe: on-line tai off-line tuotantotesti, jossa kuituun dynaamisesti kohdistetaan ennalta määrätty vetorasitus 0,5–3 metrin matkalla kuidun kulkiessa nopeudella 2–5 m/s kahden halkaisijaltaan n. 150 mm:n vetopyörän välillä ympäristön lämpötilan ollessa 293 K (20 C) astetta ja suhteellisen kosteuden 40 %. Vastaavia kansallisia standardeja voidaan käyttää vetolujuuskoetta suoritettaessa.

d.

Elektronisesti ohjattavat vaiheistetut ryhmäantennit, jotka toimivat yli 31,8 GHz:n alueella; Huom. 5A001.d kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi elektronisesti ohjattavia vaiheistettuja ryhmäantenneja laskeutumisjärjestelmissä, joissa on mikroaalloilla toimivat laskeutumisjärjestelmät (MLS) kattavien ICAO:n standardien mukaiset instrumentit.

e.

5A001 Radiosuuntimalaitteet, jotka toimivat yli 30 MHz:n taajuuksilla ja joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet, sekä niitä varten suunnitellut komponentit:

1. Hetkellinen kaistanleveys 10 MHz tai enemmän; ja

2. Pystyvät löytämään suuntimaviivan niiden kanssa toimimattomiin radiolähettimiin, kun signaalin kesto on alle 1 ms;

f.

Seuraavat matkaviestinyhteyksien sieppaamiseen tai häirintään tarkoitetut laitteet ja niiden seurantalaitteet sekä niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit: Huom. 5A001.f.1 ja 5A001.f.2 kohdat eivät aseta valvonnanalaiseksi seuraavia: Huom. 1: KATSO MYÖS ASETARVIKELUETTELO. Huom. 2: Radiovastaanottimien osalta katso 5A001.b.5.

1. Sieppauslaitteet, jotka on suunniteltu ilmarajapinnan kautta lähetettävän äänen tai tiedon poimimiseen;

2. Sieppauslaitteet, joita ei ole määritelty 5A001.f.1 kohdassa ja jotka on suunniteltu asiakaslaite- tai tilaajatunnisteiden (esim. IMSI, TIMSI tai IMEI), signalointitiedon tai muun ilmarajapinnan kautta lähetettävän metatiedon poimimiseen;

3. Häirintälaitteet, jotka on erityisesti suunniteltu tai muunnettu siten, että ne tarkoituksellisesti ja valikoivasti häiritsevät, estävät, ehkäisevät, huonontavat tai johtavat harhaan matkaviestinpalveluja ja joilla on jokin seuraavista toiminnoista:

3. a.

Simuloivat radioliityntäverkon (Radio Access Network, RAN) laitteiden toimintoja;

b.

Havaitsevat ja hyödyntävät käytetyn matkaviestinyhteyskäytännön (esimerkiksi GSM) erityispiirteitä; tai

c.

Hyödyntävät käytetyn matkaviestinyhteyskäytännön (esimerkiksi GSM) erityispiirteitä;

4. RF-seurantalaitteet, jotka on suunniteltu tai muunnettu havaitsemaan 5A001.f.1, 5A001.f.2 tai 5A001.f.3 kohdassa määriteltyjen tuotteiden toiminta;

a.

Laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu analogisen yksityisen yritysradioverkon (PMR) ja WLANin (standardi IEEE 802.11) sieppaamiseen;

b.

Laitteet, jotka on suunniteltu matkaviestintäverkko-operaattoreita varten; tai

c.

Laitteet, jotka on suunniteltu matkaviestintälaitteiden tai -järjestelmien kehittämistä tai tuotantoa varten.

g. Tekn. huom.

Passiiviset koherentit paikantamisjärjestelmät (ns. passiiviset tutkat) tai -laitteet, jotka on erityisesti suunniteltu havaitsemaan ja jäljittämään liikkuvia esineitä mittaamalla muista lähettimistä kuin tutkista lähtöisin olevien ympäröivien radiotaajuusemissioiden heijastuksia; Muut lähettimet kuin tutkat voivat olla kaupallisessa radio-, televisio- tai solukkopohjaisessa televerkkoliikenteessä käytettäviä tukiasemia. Huom. 5A001.g kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi:

a.

Radioastronomisia laitteita; tai

b.

Järjestelmiä tai laitteita, joiden toiminta edellyttää kohteesta peräisin olevia radiolähetyksiä.

h.

5A001 Improvisoitujen räjähteiden (IED) torjuntaan tarkoitetut laitteet ja niihin liittyvät laitteet seuraavasti: Huom. KATSO MYÖS ASETARVIKELUETTELO.

1. Radiotaajuuslähetyslaitteet, joita ei ole määritelty 5A001.f kohdassa ja jotka on suunniteltu tai muunnettu ennenaikaisesti aktivoimaan tai estämään omatekoisten räjähteiden laukaisu;

2. Laitteet, jotka hyödyntävät tekniikkaa, joka on suunniteltu mahdollistamaan radioviestintä saman taajuuden kanavilla, joita 5A001.h.1 kohdassa määritellyt samalla alueella sijaitsevat laitteet käyttävät.

i.

Ei käytössä;

j. Tekn. huom.

IP-verkkoviestinnän seurantajärjestelmät tai -laitteet ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit, joilla on kaikki seuraavat ominaisuudet: Huom. 5A001.j kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi järjestelmiä tai laitteita, jotka on erityisesti suunniteltu jotakin seuraavaa varten: Kiinteät kriteerit (hard selectors) tarkoittavat tietoa tai tietojoukkoa, joka liittyy yksittäiseen henkilöön (esim. sukunimi, etunimi, sähköpostiosoite, katuosoite, puhelinnumero tai erilaisiin ryhmiin kuuluminen).

j.

1. Ne suorittavat kaikkia seuraavia IP-runkoverkossa (esim. kansallisen tason IP-runkoverkko):

1. a.

Ne analysoivat sovelluskerroksessa (esim. avointen järjestelmien yhteenliittämismallin (OSI) 7. kerros (ISO/IEC 7498-1));

b.

Ne poimivat valittua metatietoa ja sovellussisältöä (esim. ääntä, videota, viestejä, liitteitä); ja

c.

Ne indeksoivat poimittuja tietoja; ja

2. Ne on erityisesti suunniteltu suorittamaan kaikki seuraavista:

2. a.

Hakujen suorittaminen kiinteiden kriteereiden perusteella; ja

b.

Yksittäisen henkilön tai ihmisryhmän suhdeverkoston kartoittaminen.

a.

Myyntitarkoitus;

b.

Verkkopalvelujen laatu (Network Quality of Service (QoS)); tai

c.

Käyttäjäkokemuksen laatu (Quality of Experience (QoE)).

5A1 Tekn. huom. a.

Laitteita, jotka on suunniteltu tai muunnettu miehitettyjä ilma-aluksia tai satelliitteja varten;

b.

Maassa sijaitsevia laitteita, jotka on suunniteltu tai muunnettu maa- tai merisovelluksia varten;

c.

Laitteita, jotka on suunniteltu kaupallisia, siviili- tai ihmishenkien turvallisuutta koskevia (esimerkiksi eheys, lentoturvallisuus) GNSS-palveluja varten.

5B1 a.

Laitteet ja niitä varten erityisesti suunnitellut komponentit ja varusteet, jotka on erityisesti suunniteltu 5A001 kohdassa määriteltyjen laitteiden, toimintojen tai ominaisuuksien kehittämistä tai tuotantoa varten. Huom. 5B001.a kohdassa ei aseteta valvonnanalaiseksi optisten kuitujen karakterisointilaitteita.

b.

1. Ei käytössä;

2. a.

Siirrossa käytetty aallonpituus ylittää 1750 nm;

b.

Suorittavat optista vahvistusta käyttämällä praseodyymikyllästettyjä fluoridikuituvahvistimia (PDFFA);

1286 more provisions are not shown here; each has its own address.

Versions

1. 2014-10-22