Règlement délégué (UE) no 1382/2014 de la Commission du 22 octobre 2014 modifiant le règlement (CE) no 428/2009 du Conseil instituant un régime communautaire de contrôle des exportations, des transferts, du courtage et du transit de biens à double usage

En vigueurVersion 2014-10-22depuis le 2014-12-31

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Sommaire

Préambule
1. Article premier
2. Article 2
ANNEX
ANNEXE
ANNEXE I Liste visée à l’article 3 du présent règlement
LISTE DES BIENS À DOUBLE USAGE
a.
1. a.
b.
c.
d.
e.
f.
CATÉGORIE 0 MATIÈRES, INSTALLATIONS ET ÉQUIPEMENTS NUCLÉAIRES
0A a.
0B Note technique:
0B a.
7. a.
13. a.
14. a.
5. a.
6. a.
0C a.
CATÉGORIE 1 MATIÈRES SPÉCIALES ET ÉQUIPEMENTS APPARENTÉS
1A Notes techniques: 1.2. Notes techniques: 1.2. Note technique: Note technique:
1A a.
1. a.
4. a.
1A Notes techniques: 1.2. a.
1A Notes techniques: 1.2. Notes techniques: 1.2. a.
1A Notes techniques: 1.2. Notes techniques: 1.2. Note technique: a.
1B Notes techniques: 1.2. Note technique:
1B a.
1B Notes techniques: 1.2. a.
a.
b.
c.
1C Notes techniques: Notes techniques: 1.2.3. Note technique: Note technique: Notes techniques: 1.2. Note technique: 1.2. Note technique: Note technique: Note technique 1: Note technique 2: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Notes techniques: 1.2.3.
1C Notes techniques: a.
a.
b.
c.
1. Note technique:
1. a.
d.
1C Notes techniques: Notes techniques: 1.2.3. a.
1. a.
2. a.
3. a.
4. a.
5. a.
1. Note technique:
1C Notes techniques: Notes techniques: 1.2.3. Note technique: a.
1. Note technique:
2. Note technique:
3. a.
1. a.
1C Notes techniques: Notes techniques: 1.2.3. Note technique: Note technique:
4. a.
1. a.
2. a.
1C Notes techniques: Notes techniques: 1.2.3. Note technique: Note technique: Notes techniques: 1.2. a.
a.
b.
c.
d.
1C Notes techniques: Notes techniques: 1.2.3. Note technique: Note technique: Notes techniques: 1.2. Note technique: 1.2. d.
1. a.
2. a.
a.
b.
a. 1C011 a.Note technique:
1C Notes techniques: Notes techniques: 1.2.3. Note technique: Note technique: Notes techniques: 1.2. Note technique: 1.2. Note technique: a.
a.
b.
1C Notes techniques: Notes techniques: 1.2.3. Note technique: Note technique: Notes techniques: 1.2. Note technique: 1.2. Note technique: Note technique: a.
1. Note technique:
2. a. Note technique:
3. a.
4. a.
5. Note technique:
5. a.
6. a.
1C Notes techniques: Notes techniques: 1.2.3. Note technique: Note technique: Notes techniques: 1.2. Note technique: 1.2. Note technique: Note technique: Note technique 1:
1C Notes techniques: Notes techniques: 1.2.3. Note technique: Note technique: Notes techniques: 1.2. Note technique: 1.2. Note technique: Note technique: Note technique 1: Note technique 2: a.
1. a.
2. a.
1C Notes techniques: Notes techniques: 1.2.3. Note technique: Note technique: Notes techniques: 1.2. Note technique: 1.2. Note technique: Note technique: Note technique 1: Note technique 2: Note technique: a.
1C Notes techniques: Notes techniques: 1.2.3. Note technique: Note technique: Notes techniques: 1.2. Note technique: 1.2. Note technique: Note technique: Note technique 1: Note technique 2: Note technique: Note technique: a.
1C Notes techniques: Notes techniques: 1.2.3. Note technique: Note technique: Notes techniques: 1.2. Note technique: 1.2. Note technique: Note technique: Note technique 1: Note technique 2: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: a.
1C Notes techniques: Notes techniques: 1.2.3. Note technique: Note technique: Notes techniques: 1.2. Note technique: 1.2. Note technique: Note technique: Note technique 1: Note technique 2: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: a.
1C Notes techniques: Notes techniques: 1.2.3. Note technique: Note technique: Notes techniques: 1.2. Note technique: 1.2. Note technique: Note technique: Note technique 1: Note technique 2: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: a.
1C Notes techniques: Notes techniques: 1.2.3. Note technique: Note technique: Notes techniques: 1.2. Note technique: 1.2. Note technique: Note technique: Note technique 1: Note technique 2: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: a.
4. a.
6. Note technique:
5. a.
1E a.
1. a.
3. a.
CATÉGORIE 2 TRAITEMENT DES MATÉRIAUX
2A Note technique:
2A a.
2. a.
2B Notes techniques: 1.2.3.4.5.6. Notes techniques: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Notes: 1.2. Notes techniques: 1.2. Notes techniques: 1.2.
2B Notes techniques: 1.2. a.
2B Notes techniques: 1.2.3.4.5. a.
2B Notes techniques: 1.2.3.4.5.6. a.
a.
b.
1. a.
2. a.
4. a.
c.
2B Notes techniques: 1.2.3.4.5.6. Notes techniques:
2B Notes techniques: 1.2.3.4.5.6. Notes techniques: Note technique: a.
1. a.
2. a.
1. Note technique:
1. a.
2. a.
2B Notes techniques: 1.2.3.4.5.6. Notes techniques: Note technique: Note technique: a.
2B Notes techniques: 1.2.3.4.5.6. Notes techniques: Note technique: Note technique: Note technique: a.
2B Notes techniques: 1.2.3.4.5.6. Notes techniques: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: a.
1. a.
a.
b.
2B Notes techniques: 1.2.3.4.5.6. Notes techniques: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: a. Note technique:
2B Notes techniques: 1.2.3.4.5.6. Notes techniques: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: a.
2B Notes techniques: 1.2.3.4.5.6. Notes techniques: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: a.
2B Notes techniques: 1.2.3.4.5.6. Notes techniques: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Notes: 1.2. a.
2B Notes techniques: 1.2.3.4.5.6. Notes techniques: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Notes: 1.2. Notes techniques: 1.2. a.
1. a.
2. a.
3. a.
a.
b.
c.
d.
e.
f.
g.
h.
i.
2. a.
1. a.
2D a.
2E Tableau 1.2.3.A.B.B.1.B.2.B.3.B.4.C.D.E.F.G. Méthodes de dépôt
2E a.
1. a.
2. a.
a.
b.
c.
d.
e.
f.
g.
CATÉGORIE 3 ÉLECTRONIQUE
3A Notes techniques: 1.2. Notes techniques: 1.2. Notes techniques: 1.2. Notes techniques: 1.2.
3A a.
1. a.
2. a.
5. Notes techniques: 1.2.3.4.5.6.7.8.9. 3A001 a. 5.Notes techniques: 1.2.3.4.
5. a.
5. Notes techniques: 1.2.3.4.5.6.7.8.9. b.
2. a.
6. a.
7. 3A001 a. 7.Notes techniques: 1.2.3.
7. a.
10. a.
11. a.
12. Note technique:
13. Note technique:
13. a.
4. a.
3. a.
4. a.
3. Note technique:
8. a.
9. Notes techniques: 1.2.
9. a.
10. Note technique:
1. Note technique:
1. Notes techniques: 1.2.3.4.
4. Note technique:
5. Notes techniques: 1.2.
6. Note technique:
3A Notes techniques: 1.2. a.
1. a.
2. a.
3A Notes techniques: 1.2. Notes techniques: 1.2. a.
3A Notes techniques: 1.2. Notes techniques: 1.2. Notes techniques: 1.2. a.
3B a.
1. a.
3. a.
3C a.
3D Note technique:
3E a.
CATÉGORIE 4 CALCULATEURS
4A a.
4D a.
4E a.
Abréviations utilisées dans la présente note technique
Description de la méthode de calcul de la PCC 1.2.3.4. Note technique:
Description de la méthode de calcul de la PCC 1.2.3.4.
CATÉGORIE 5 TÉLÉCOMMUNICATIONS ET SÉCURITÉ DE L’INFORMATION
PARTIE 1 TÉLÉCOMMUNICATIONS
5A1 Note technique:
5A1 a.
1. a.
2. a.
3. a.
a.
b.
4. a.
5. Notes techniques:
5. a.
6. Notes techniques: 1.2.
a.
b.
c.
5B1 a.
2. a.

LA COMMISSION EUROPÉENNE,

vu le traité sur le fonctionnement de l’Union européenne,

vu le règlement (CE) no 428/2009 du Conseil du 5 mai 2009 instituant un régime communautaire de contrôle des exportations, des transferts, du courtage et du transit de biens à double usage, et notamment son article 15, paragraphe 3,

considérant ce qui suit:

(1) Le règlement (CE) no 428/2009 exige que les biens à double usage soient soumis à un contrôle efficace lorsqu’ils sont exportés de l’Union, ou transitent par celle-ci, ou lorsqu’ils sont livrés à un pays tiers grâce à des services de courtage fournis par un intermédiaire résidant ou établi dans l’Union.

(2) L’annexe I du règlement (CE) no 428/2009 établit la liste commune des biens à double usage qui sont soumis à des contrôles dans l’Union. Les décisions sur les biens soumis à des contrôles sont prises dans le cadre du groupe Australie, du régime de contrôle de la technologie des missiles, du groupe des fournisseurs nucléaires, de l’arrangement de Wassenaar et de la convention sur les armes chimiques.

(3) La liste des biens à double usage figurant à l’annexe I du règlement (CE) no 428/2009 doit être mise à jour régulièrement, de manière à assurer le plein respect des obligations internationales en matière de sécurité, à garantir la transparence et à maintenir la compétitivité des exportateurs. Afin de faciliter la consultation par les autorités chargées des contrôles à l’exportation et par les opérateurs, il y a lieu de publier une version actualisée et consolidée de l’annexe I du règlement (CE) no 428/2009.

(4) Le règlement (CE) no 428/2009 habilite la Commission à mettre à jour la liste des biens à double usage figurant à l’annexe I au moyen d’actes délégués, dans le respect des obligations et des engagements pertinents, et de toute modification de ces derniers, que les États membres ont acceptés en tant que membres des régimes internationaux de non-prolifération et de contrôle des exportations, ou du fait de la ratification des traités internationaux en la matière.

(5) Il y a donc lieu de modifier le règlement (CE) no 428/2009 en conséquence,

A ADOPTÉ LE PRÉSENT RÈGLEMENT:

Article premier

L’annexe I du règlement (CE) no 428/2009 est remplacée par le texte figurant à l’annexe du présent règlement.

Article 2

Le présent règlement entre en vigueur le jour suivant celui de sa publication au Journal officiel de l’Union européenne.

Le présent règlement est obligatoire dans tous ses éléments et directement applicable dans tout État membre. Fait à Bruxelles, le 22 octobre 2014. Par la Commission Le président José Manuel Barroso

ANNEX

ANNEXE

ANNEXE I Liste visée à l’article 3 du présent règlement

LISTE DES BIENS À DOUBLE USAGE

La présente liste met en œuvre les accords internationaux sur le contrôle des biens à double usage, comprenant l’arrangement de Wassenaar, le régime de contrôle de la technologie des missiles (RCTM), le groupe des fournisseurs nucléaires (GFN), le groupe Australie et la convention sur les armes chimiques (CAC).

REMARQUES GÉNÉRALES CONCERNANT L’ANNEXE I 1.2.3.4.

Concernant le contrôle des biens conçus ou modifiés pour des usages militaires, se rapporter à la ou aux listes ad hoc relatives au contrôle des biens à usage militaire tenues par chaque État membre. Dans la présente annexe, la mention VOIR ÉGALEMENT LISTE DES MATÉRIELS DE GUERRE renvoie à ces listes. Les contrôles dont il est question dans la présente annexe ne doivent pas être rendus inopérants par le biais de l’exportation de biens non soumis à contrôle (y compris des installations) contenant un ou plusieurs composants soumis à contrôle, lorsque lesdits composants sont l’élément principal de ces biens et peuvent en pratique en être détachés et utilisés à d’autres fins. N.B.: Pour décider si le ou les composants soumis à contrôle doivent être considérés comme l’élément principal, il convient d’évaluer les facteurs de quantité, de valeur et de savoir-faire technologique les concernant, ainsi que d’autres circonstances particulières qui pourraient faire du ou des composants soumis à contrôle l’élément principal des biens fournis. Les biens figurant dans la présente annexe s’entendent comme neufs ou usagés. Dans certains cas, les substances chimiques sont classées par dénomination et numéro CAS. La liste vise les substances chimiques ayant la même formule développée (y compris les hydrates), indépendamment de la dénomination ou du numéro CAS. L’indication des numéros CAS vise à permettre l’identification d’une substance ou d’un mélange chimique spécifique, indépendamment de la nomenclature. Les numéros CAS ne peuvent être utilisés comme identifiants uniques, étant donné que certaines formes des substances chimiques de la liste ont des numéros CAS différents et que des mélanges contenant une même substance chimique de la liste peuvent également avoir des numéros CAS différents.

NOTE RELATIVE À LA TECHNOLOGIE NUCLÉAIRE (NTN)

(À lire en relation avec le chapitre E de la catégorie 0) La technologie directement associée à des biens soumis à contrôle de la catégorie 0 est soumise à contrôle conformément aux dispositions de la catégorie 0. La technologie relative au développement, à la production ou à l’utilisation de biens soumis à contrôle demeure soumise à contrôle même lorsqu’elle s’applique à des biens non soumis à contrôle. La licence délivrée pour l’exportation de biens couvre également l’exportation, au bénéfice du même utilisateur final, de la technologie minimale nécessaire à l’installation, à l’exploitation, à l’entretien et à la réparation de ces biens. Le contrôle portant sur les transferts de technologie ne s’applique pas aux connaissances qui sont du domaine public ou relèvent de la recherche scientifique fondamentale.

NOTE GÉNÉRALE RELATIVE À LA TECHNOLOGIE (NGT)

(À lire en relation avec le chapitre E des catégories 1 à 9) L’exportation de technologie nécessaire au développement, à la production ou à l’utilisation des biens relevant des catégories 1 à 9 est soumise à contrôle selon les dispositions des catégories 1 à 9. La technologie relative au développement, à la production ou à l’utilisation de biens soumis à contrôle demeure soumise à contrôle même lorsqu’elle s’applique à des biens non soumis à contrôle. Les contrôles ne s’appliquent pas à la technologie minimale nécessaire à l’installation, à l’exploitation, à l’entretien (vérification) ou à la réparation des biens qui ne sont pas contrôlés ou dont l’exportation a été autorisée. N.B.: Cela ne couvre pas la technologie visée aux alinéas 1E002.e., 1E002.f., 8E002.a. et 8E002.b. Le contrôle portant sur les transferts de technologie ne s’applique pas aux connaissances qui sont du domaine public, à la recherche scientifique fondamentale ou aux connaissances minimales nécessaires pour les demandes de brevet.

NOTE GÉNÉRALE RELATIVE AUX LOGICIELS (NGL)

(La présente note exempte des contrôles prévus au chapitre D des catégories 0 à 9) Les catégories 0 à 9 de la présente liste ne sont pas applicables aux logiciels présentant l’une des caractéristiques suivantes:

a.

sont couramment à la disposition du public, en étant: N.B.: L’alinéa a. de la note générale relative aux logiciels n’exempte pas les logiciels mentionnés dans la catégorie 5, partie 2 (Sécurité de l’information).

1. vendus directement sur stock, sans restriction, à des points de vente au détail, que cette vente soit effectuée:

1. a.

en magasin;

par correspondance;

par transaction électronique; ou

par téléphone; et

2. conçus pour être installés par l’utilisateur sans assistance ultérieure importante de la part du fournisseur;

b.

sont du domaine public; ou

c.

le code objet minimum requis pour l’installation, l’exploitation et l’entretien (vérification) ou la réparation des articles étant autorisés pour l’exportation. N.B.: L’alinéa c. de la Note générale relative aux logiciels n’exempte pas les logiciels mentionnés dans la catégorie 5, partie 2 (Sécurité de l’information).

PRATIQUES ÉDITORIALES DU JOURNAL OFFICIEL DE L’UNION EUROPÉENNE

Conformément aux règles établies au paragraphe 6.5 à la page 108 du Code de rédaction interinstitutionnel (édition de 2011), pour les textes publiés en anglais dans le Journal officiel de l’Union européenne: Le texte reproduit dans la présente annexe suit les règles susmentionnées.

une virgule est utilisée pour séparer les nombres entiers des décimales (ex: 3,67 cm),

les nombres entiers sont présentés par séries de trois, séparées par un petit espace (ex: 100000).

ACRONYMES ET ABRÉVIATIONS UTILISÉS DANS LA PRÉSENTE ANNEXE

Les acronymes ou abréviations utilisés en tant que termes définis figurent dans la rubrique Définition des termes utilisés dans la présente annexe. ACRONYME OU ABRÉVIATION SIGNIFICATION (CW) (lasers) onde entretenue (ECM) usinage électrochimique (EDM) usinage par électroérosion (HDDR) module d’enregistrement numérique à haute densité (SC) monocristal ABEC Annular Bearing Engineers Committee AGMA American Gear Manufacturers Association AHRS systèmes de référence de cap et d’altitude AISI American Iron and Steel Institute ANSI American National Standards Institute ASTM American Society for Testing and Materials ATC contrôle de la circulation aérienne BLU bande latérale unique CAO conception assistée par ordinateur CAS Chemical Abstracts Service CDU unité de contrôle et visualisation CEI Commission électrotechnique internationale CNTD décomposition thermique par nucléation contrôlée CRISLA réaction chimique par activation laser isotopiquement sélective CVD dépôt chimique en phase vapeur DME équipement de mesure de distance DSP densité spectrale de puissance EB-PVD dépôt en phase vapeur par procédé physique par faisceau d’électrons ECP erreur circulaire probable ECR résonance électron cyclotron EEPROM mémoire morte programmable effaçable électriquement EIA Groupe consultatif de fabricants chargé aux États-Unis de la rédaction des normes relatives aux équipements électroniques EMC compatibilité électromagnétique END essai non destructif ETSI Institut européen des normes de télécommunications FFT transformée de Fourier rapide GC guerre chimique GLONASS système global de navigation par satellites GPS positionnement global par satellite HBT transistors hétéro-bipolaires HEMT transistors à haute mobilité d’électrons IEEE Institut de l’ingénierie électrique et électronique IFOV champ de vision instantané ILS système d’atterrissage aux instruments IRIG Inter-range instrumentation group IRM imagerie par résonance magnétique ISA atmosphère type internationale ISAR radar à ouverture synthétique inverse ISO Organisation internationale de normalisation JIS norme industrielle japonaise JT Joule-Thomson LIDAR système laser de localisation MAC code d’authentification de message Mach rapport entre la vitesse d’un objet et la vitesse du son (d’après Ernst Mach) MLS système d’atterrissage à micro-ondes MOCVD dépôt en phase vapeur par procédé chimique organométallique Motps millions d’opérations théoriques par seconde MTBF temps moyen de bon fonctionnement MTTF temps moyen jusqu’à défaillance NBC nucléaire, biologique et chimique OACI Organisation de l’aviation civile internationale PAR radar d’approche de précision PIN numéro d’identification personnel ppm parties par million QAM modulation d’amplitude en quadrature RAAL radar aéroporté à antenne latérale RF radiofréquence SACMA Suppliers of Advance Composite Materials Association SAR radar à ouverture synthétique SD solidification dirigée SILMO séparation des isotopes par irradiation au laser de molécules SILVA séparation des isotopes par laser sur vapeur atomique SMPTE Society of Motion Picture and Television Engineers SRAM mémoire vive statique SRM méthodes recommandées de la SACMA SSR radar secondaire de surveillance TCSEC Trusted Computer System Évaluation Criteria (Critères d’évaluation du système informatique à sécurité multiniveau) TIR lecture complète de l’aiguille UAL unité arithmétique et logique UER Union européenne de radiodiffusion UIT Union internationale des télécommunications URA unité remplaçable en atelier URP unité remplaçable en piste UTS résistance limite à la rupture UV ultraviolet VOR radiophare omnidirectionnel VHF YAG grenat d’yttrium/aluminium

assurent la ou les fonctions d’un circuit.

DÉFINITION DES TERMES UTILISÉS DANS LA PRÉSENTE ANNEXE Note technique: Note technique: Remarque

a.

pour les isotopes de plutonium et l’uranium 233, la masse des isotopes en grammes;

b.

pour l’uranium enrichi à 1 % ou plus en isotope U235, la masse des éléments en grammes, multiplié par le carré de son enrichissement exprimé en fraction décimale de masse;

c.

pour l’uranium enrichi à moins de 1 % en isotope U235, la masse des éléments en grammes, multiplié par 0,0001.

a.

extraction de données ou d’informations à partir d’un ordinateur ou d’un dispositif de réseau, ou modification des données système ou utilisateur; ou

b.

modification du chemin d’exécution standard d’un programme ou d’un processus afin de permettre l’exécution d’instructions provenant de l’extérieur.

DÉFINITION DES TERMES UTILISÉS DANS LA PRÉSENTE ANNEXE Note technique: Note technique: Remarque Remarques: 1.

a.

hyperviseurs, programmes de débogage ou outils de rétro-ingénierie de logiciels (SRE);

b.

logiciel de gestion des droits numériques (GDN); ou

c.

DÉFINITION DES TERMES UTILISÉS DANS LA PRÉSENTE ANNEXE Note technique: Note technique: Remarque Remarques: 1.2. Notes techniques: 1.2. Note technique:

a.

l’architecture commune du matériel et du logiciel;

b.

la technologie commune de conception et de fabrication; et

c.

les caractéristiques de base commune.

a.

à fonctions multiples;

b.

capable de positionner ou d’orienter des matériaux, des pièces, des outils ou des dispositifs spéciaux par des mouvements variables dans un espace tridimensionnel;

c.

comportant trois ou plus de trois dispositifs d’asservissement en boucle ouverte ou fermée pouvant inclure des moteurs pas à pas; et

d.

doté d’une programmabilité accessible à l’utilisateur par la méthode de l’apprentissage ou par un ordinateur qui peut être une unité de programmation logique, c’est-à-dire sans intervention mécanique.

1. Mécanismes de manipulation exclusivement à commande manuelle ou commandés par téléopérateur;

2. Mécanismes de manipulation à séquence fixe constituant des dispositifs mobiles automatisés dont les mouvements sont programmés et délimités par des moyens mécaniques. Les mouvements programmés sont délimités mécaniquement par des butées fixes telles que tiges ou cames. La séquence des mouvements et la sélection des trajectoires ou des angles ne sont pas variables ou modifiables par des moyens mécaniques, électroniques ou électriques;

3. Mécanismes de manipulation à séquence variable et à commande mécanique constituant des dispositifs mobiles automatisés dont les mouvements sont programmés et délimités par des moyens mécaniques. Les mouvements programmés sont délimités mécaniquement par des butées fixes mais réglables telles que tiges ou cames. La séquence des mouvements et la sélection des trajectoires ou des angles sont variables dans le cadre de la configuration programmée. Les variations ou modifications de la configuration programmée (par exemple, le changement de tiges ou de cames) selon un ou plusieurs axes de mouvement sont effectuées uniquement par des opérations mécaniques;

4. Mécanismes de manipulation à séquence variable, à commande non asservie, constituant des dispositifs mobiles automatisés, dont les mouvements sont programmés et délimités par des moyens mécaniques. Le programme est variable, mais la séquence ne progresse qu’en fonction du signal binaire provenant des dispositifs binaires électriques ou d’arrêts réglables délimités mécaniquement;

5. Gerbeurs définis comme des systèmes manipulateurs fonctionnant en coordonnées cartésiennes, fabriqués en tant que parties intégrantes d’un ensemble vertical de casiers de stockage et conçus pour l’accès à ces casiers en vue du stockage et du déstockage.

CATÉGORIE 0 MATIÈRES, INSTALLATIONS ET ÉQUIPEMENTS NUCLÉAIRES

0A Systèmes, équipements et composants 0A001 Réacteurs nucléaires et leurs équipements et composants spécialement conçus ou préparés:

0A a.

réacteurs nucléaires;

cuves métalliques, ou leurs principaux éléments préfabriqués, y compris le couvercle de la cuve sous pression du réacteur, spécialement conçus ou préparés pour contenir le cœur d’un réacteur nucléaire;

matériel de manutention spécialement conçu ou préparé pour introduire ou extraire le combustible d’un réacteur nucléaire;

barres de commande spécialement conçues ou préparées pour régler le processus de fission dans un réacteur nucléaire, leurs structures de support ou de suspension, les mécanismes de réglage des barres de commande et les tubes de guidage de ces barres;

tubes de force spécialement conçus ou préparés pour contenir les éléments combustibles et le fluide de refroidissement primaire dans un réacteur nucléaire.

tubes de zirconium métallique ou tubes en alliages à base de zirconium (ou assemblages de tubes) spécialement conçus ou préparés pour être utilisés comme gaines de combustible dans un réacteur nucléaire, dans des quantités supérieures à 10 kg; N.B.: Pour les tubes de force en zirconium voir l’alinéa 0A001.e., et pour les tubes de cuve voir l’alinéa 0A001.h.

pompes de refroidissement ou accélérateurs spécialement conçus ou préparés pour faire circuler le fluide de refroidissement primaire de réacteurs nucléaires;

h. Note technique:

internes d’un réacteur nucléaire spécialement conçus ou préparés pour être utilisés dans un réacteur nucléaire, y compris les colonnes de support du cœur, les canaux de combustible, les tubes de cuve, les écrans thermiques, les chicanes, les plaques à grille du cœur et les plaques de diffuseur; À l’alinéa 0A001.h., l’expression internes d’un réacteur nucléaire désigne toute structure majeure située à l’intérieur d’une cuve de réacteur et remplissant une ou plusieurs des fonctions suivantes: support du cœur, maintien de l’alignement du combustible, guidage du fluide de refroidissement primaire, blindage de la cuve du réacteur contre les radiations et réglage des instruments du cœur.

échangeurs de chaleur: Note: L’alinéa 0A001.i. ne vise pas les échangeurs de chaleur destinés aux systèmes auxiliaires du réacteur, par exemple le système de refroidissement d’urgence ou le système de refroidissement par évacuation de la chaleur de désintégration.

1. générateurs de vapeur spécialement conçus ou préparés pour le circuit du fluide de refroidissement primaire ou intermédiaire d’un réacteur nucléaire;

2. autres échangeurs de chaleur spécialement conçus ou préparés pour être utilisés dans le circuit du fluide de refroidissement primaire d’un réacteur nucléaire;

détecteurs de neutrons spécialement conçus ou préparés pour déterminer les niveaux des flux de neutrons dans le cœur d’un réacteur nucléaire;

k. Note technique:

écrans thermiques externes spécialement conçus ou préparés pour une utilisation dans un réacteur nucléaire afin de réduire la perte de chaleur et d’assurer la protection du récipient de confinement. À l’alinéa 0A001.k., écrans thermiques externes désigne toute structure majeure placée au-dessus de la cuve du réacteur et destinée à réduire la perte de chaleur du réacteur ainsi que la température dans le récipient de confinement.

0B Note technique:

Équipements d’essai, d’inspection et de production 0B001 Installations de séparation des isotopes de l’uranium naturel, de l’uranium appauvri et des matières fissiles spéciales, ainsi que les équipements et composants spécialement conçus ou préparés à cet effet, comme suit: 0B002 Systèmes auxiliaires, équipements et composants spécialement conçus ou préparés, pour les usines de séparation isotopique spécifiées au paragraphe 0B001, constitués ou revêtus de matériaux résistant à la corrosion par l’UF6: 0B003 Usines de conversion de l’uranium et matériel spécialement conçu ou préparé: 0B004 installations de production ou de concentration d’eau lourde, de deutérium ou de composés de deutérium, et les équipements et composants spécialement conçus ou préparés: 0B005 Installations spécialement conçues pour la fabrication d’éléments combustibles pour réacteurs nucléaires et équipements spécialement conçus ou préparés à cet effet. Une installation de fabrication d’éléments combustibles pour réacteurs nucléaires comprend le matériel qui: 0B006 Installations de retraitement des éléments irradiés de combustible pour réacteurs nucléaires et les équipements et composants spécialement conçus ou préparés à cet effet. Note: Le paragraphe 0B006 inclut: 0B007 Installations de conversion de plutonium et les équipements spécialement conçus ou préparés à cet effet, comme suit:

0B a.

installations spécialement conçues pour la séparation des isotopes de l’uranium naturel, de l’uranium appauvri et des matières fissiles spéciales, comme suit:

1. installations de séparation à centrifugeuses à gaz;

2. installations de séparation à diffusion gazeuse;

3. installations de séparation aérodynamiques;

4. installations de séparation par échange chimique;

5. installations de séparation à échange ionique;

6. installations de séparation des isotopes par laser sur vapeur atomique (SILVA);

7. installations de séparation des isotopes par irradiation au laser de molécules (SILMO);

8. installations de séparation à plasma;

9. installations de séparation électromagnétique;

b. Note technique:

centrifugeuses à gaz et assemblages et composants, spécialement conçus ou préparés pour le procédé de séparation par centrifugeuses à gaz, comme suit: À l’alinéa 0B001.b., on entend par matériau ayant un rapport résistance-densité élevé l’un des matériaux suivants:

1. acier maraging ayant une résistance maximale à la traction égale ou supérieure à 1,95 MPa;

2. alliages d’aluminium ayant une résistance maximale à la traction égale ou supérieure à 0,46 MPa; ou

3. matériaux fibreux ou filamenteux ayant un module spécifique supérieur à 3,18 × 106 m et une résistance spécifique à la traction supérieure à 7,62 × 104 m;

1. centrifugeuses à gaz;

2. assemblages de rotors complets;

3. cylindres tubes de rotor d’une épaisseur égale ou inférieure à 12 mm, d’un diamètre compris entre 75 et 650 mm, constitués de matériaux ayant un rapport résistance-densité élevé;

4. bagues ou soufflets d’une épaisseur de paroi égale ou inférieure à 3 mm et d’un diamètre compris entre 75 et 650 mm, destinés à supporter localement un tube de rotor ou à assembler un certain nombre de tubes de rotor, constitués de matériaux ayant un rapport résistance-densité élevé;

5. chicanes d’un diamètre compris entre 75 et 650 mm destinées à être montées à l’intérieur d’un tube de rotor, constituées de matériaux ayant un rapport résistance-densité élevé;

6. couvercles supérieurs ou inférieurs d’un diamètre compris entre 75 et 650 mm conçus pour s’adapter aux extrémités d’un tube de rotor et constitués de matériaux ayant un rapport résistance-densité élevé;

7. Supports magnétiques, comme suit:

7. a.

assemblages de roulements consistant en un aimant en forme d’anneau suspendu à l’intérieur d’un logement constitué ou revêtu de matériaux résistant à la corrosion par l’UF6, contenant un fluide amortisseur. L’aimant est couplé à une pièce polaire ou à un second aimant fixé au couvercle supérieur du rotor;

roulements magnétiques actifs spécialement conçus ou préparés pour une utilisation avec les centrifugeuses à gaz.

8. paliers spécialement préparés constitués d’un ensemble pivot-écuelle monté sur un amortisseur;

9. 0B001 b. pompes moléculaires consistant en cylindres présentant des rainures hélicoïdales usinées ou filées intérieures et des alésages usinés intérieurement;

10. stators toriques de moteur pour moteurs multiphase à courant alternatif et à hystérésis (ou à réluctance) destinés à fonctionner sous vide de manière synchrone à une fréquence d’au moins 600 Hz et une puissance d’au moins 40 VA;

11. enceintes/enveloppes de centrifugeuses destinées à contenir l’assemblage rotor tubulaire d’une centrifugeuse à gaz, constituées d’un cylindre rigide possédant une paroi d’au plus 30 mm d’épaisseur, ayant subi un usinage de précision aux extrémités qui sont parallèles l’une à l’autre et perpendiculaires à l’axe longitudinal du cylindre, avec un jeu maximum de 0,05 degrés;

12. écopes composées de tubes spécialement conçues ou préparées pour l’extraction du gaz UF6 contenu dans le bol selon le principe du tube de Pitot, et pouvant être fixées sur le système d’extraction central de gaz;

13. changeurs de fréquences (convertisseurs ou inverseurs) spécialement conçus ou préparés pour alimenter les stators de moteur en vue de l’enrichissement par centrifugeuses à gaz et ayant toutes les caractéristiques suivantes, ainsi que les composants spécialement conçus à cet effet:

13. a.

une sortie de fréquence multiphase d’au moins 600 Hz; et

une stabilité élevée (avec contrôle de fréquences supérieur à 0,2 %);

14. vannes d’arrêt et de contrôle comme suit:

14. a.

vannes d’arrêt spécialement conçues ou préparées pour agir sur l’alimentation, le produit ou les rejets dans les flux gazeux d’UF6 d’une centrifugeuse à gaz individuelle;

vannes à soufflet, d’arrêt ou de contrôle, constituées ou revêtues de matériaux résistant à la corrosion par l’UF6, d’un diamètre interne compris entre 10 mm et 160 mm, spécialement conçues ou préparées pour une utilisation dans les systèmes principaux ou auxiliaires d’usines d’enrichissement utilisant des centrifugeuses à gaz;

équipements et composants, comme suit, spécialement conçus ou préparés pour le procédé de séparation par diffusion gazeuse:

1. barrières de diffusion gazeuse en matériaux métalliques, polymères ou céramiques poreux résistant à la corrosion par l’UF6, d’une dimension des pores de 10 à 100 mm, d’une épaisseur égale ou inférieure à 5 mm et, pour les configurations tubulaires, d’un diamètre égal ou inférieur à 25 mm;

2. caissons de diffusion gazeuse constitués ou revêtus de matériaux résistant à la corrosion par l’UF6;

3. compresseurs (axiaux, centrifuges ou volumétriques) ou soufflantes à gaz ayant une capacité d’aspiration de 1 m3/min ou plus d’UF6, une pression de sortie pouvant atteindre 500 kPa, et un rapport de pression égal ou inférieur à 10:1, et constitués ou revêtus de matériaux résistant à la corrosion par l’UF6;

4. garnitures d’étanchéité d’arbre de compresseurs ou de soufflantes spécifiées à l’alinéa 0B001.c.3. et conçues pour un taux de pénétration du gaz tampon inférieur à 1000 cm3/min;

5. échangeurs de chaleur constitués ou revêtus de matériaux résistant à la corrosion par l’UF6, et conçus pour un taux de perte de pression due à une fuite inférieur à 10 Pa par heure sous une pression différentielle de 100 kPa;

6. vannes à soufflet, manuels ou automatiques, d’arrêt ou de contrôle, constituées ou revêtues de matériaux résistant à la corrosion par l’UF6;

équipements et composants spécialement conçus ou préparés pour le procédé de séparation aérodynamique:

1. tuyères de séparation consistant en conduites courbes à fentes avec un rayon de courbure inférieure à 1 mm, résistant à la corrosion par l’UF6 (à l’intérieur de la tuyère se trouve un couteau de répartition qui sépare le flux passant par la tuyère en deux flux);

2. 0B001 d. tubes cylindriques ou coniques à canaux d’admission tangentiels commandés par le flux (tubes vortex), constitués ou revêtus de matériaux résistant à la corrosion par l’UF6 et munis d’un ou de plusieurs canaux d’admission tangentiels;

3. compresseurs ou soufflantes à gaz constitués ou revêtus de matériaux résistant à la corrosion par l’UF6, et garnitures de palier correspondantes;

4. échangeurs de chaleur constitués ou revêtus de matériaux résistant à la corrosion par l’UF6;

5. enceintes pour les éléments de séparation aérodynamique, constituées ou revêtues de matériaux résistant à la corrosion par l’UF6, destinées à recevoir les tubes vortex ou les tuyères de séparation;

6. vannes à soufflet, manuels ou automatiques, d’arrêt ou de contrôle, constituées ou revêtues de matériaux résistant à la corrosion par l’UF6, d’un diamètre égal ou supérieur à 40 mm;

7. systèmes de séparation de l’UF6 et du gaz porteur (hydrogène ou hélium) pour réduire la teneur en UF6 à 1 ppm ou moins comprenant les équipements suivants:

7. a.

échangeurs de chaleur cryogéniques et cryoséparateurs capables d’atteindre des températures inférieures ou égales à 153 K (- 120 °C);

appareils de réfrigération cryogénique capables d’atteindre des températures inférieures ou égales à 153 K (- 120 °C);

tuyères de séparation ou tubes vortex pour séparer l’UF6 du gaz porteur;

pièges à froid capables de congeler l’UF6;

équipements et composants spécialement conçus ou préparés pour le procédé de séparation par échange chimique:

1. colonnes d’échange rapide liquide-liquide pulsées ayant un temps de séjour correspondant à un étage de 30 secondes ou moins et résistant à la corrosion par les solutions d’acide chlorhydrique concentré (par exemple constituées ou revêtues de matériaux plastiques appropriés tels que polymères d’hydrocarbures fluorés ou verre);

2. contacteurs centrifuges rapide liquide-liquide pulsées ayant un temps de séjour correspondant à un étage de 30 secondes ou moins et résistant à la corrosion par les solutions d’acide chlorhydrique concentré (par exemple constituées ou revêtues de matériaux plastiques appropriés tels que polymères d’hydrocarbures fluorés ou verre);

3. cellules de réduction électrochimique résistant à la corrosion par les solutions d’acide chlorhydrique concentré pour la conversion de l’uranium par réduction d’un état de valence en un autre;

4. systèmes situés à l’extrémité de la cascade des cellules de réduction électrochimique conçus pour prélever U+4 sur le flux organique et, pour les parties en contact avec le flux, constitués ou revêtus de matériaux appropriés (par exemple verre, fluorocarbures polymères, sulfate de polyphényle, polyéther sulfone et graphite imprégné de résine);

5. systèmes de préparation de l’alimentation pour produire des solutions de chlorure d’uranium de grande pureté constitués d’équipements de purification par dissolution, extraction par solvants et/ou échange d’ions, ainsi que de cellules électrolytiques pour réduire l’uranium U+6 ou U+4 en U+3;

6. systèmes d’oxydation de l’uranium pour oxyder l’U+3 en U+4;

équipements et composants spécialement conçus ou préparés pour le procédé de séparation par échange d’ions, comme suit:

1. résines à échange d’ions à réaction rapide, résines poreuses macroréticulées ou pelliculaires dans lesquelles les groupes actifs d’échanges chimiques se limitent à un revêtement superficiel sur un support poreux inactif et autres structures composites sous une forme appropriée, et notamment sous forme de particules ou de fibres d’un diamètre inférieur ou égal à 0,2 mm, résistant à l’acide chlorhydrique concentré et conçues pour obtenir une vitesse d’échange à temps de demi-réaction inférieur à 10 secondes et efficaces à des températures comprises entre 373 K (100 °C) et 473 K (200 °C);

2. 0B001 f. colonnes d’échange d’ions (cylindriques) de plus de 1000 mm de diamètre constituées ou revêtues de matériaux résistant à l’acide chlorhydrique concentré (par exemple titane ou plastiques à base de fluorocarbure) et pouvant fonctionner à des températures comprises entre 373 K (100 °C) et 473 K (200 °C) et à des pressions supérieures à 0,7 MPa;

3. systèmes d’échange d’ions à reflux (systèmes d’oxydation ou de réduction chimique ou électrochimique) pour la régénération des agents chimiques de réduction ou d’oxydation utilisés dans les cascades d’enrichissement à échange d’ions;

équipements et composants spécialement conçus ou préparés pour les méthodes utilisant la vapeur atomique:

1. systèmes de vaporisation d’uranium conçus pour atteindre une puissance fournie à la cible égale ou supérieure à 1 kW pour une utilisation en rapport avec l’enrichissement au laser;

2. systèmes de manipulation de l’uranium métal liquide ou vaporisé spécialement conçus ou préparés pour manipuler l’uranium fondu, les alliages d’uranium fondus ou l’uranium métal vaporisé, pour une utilisation en rapport avec l’enrichissement au laser, et leurs composants spécialement conçus; N.B.: VOIR ÉGALEMENT 2A225.

3. assemblages collecteurs pour les produits et les rejets pour l’uranium métal liquide ou vaporisé, constitués ou revêtus de matériaux résistant à la chaleur et à la corrosion par l’uranium métal vaporisé ou liquide tels que du tantale ou du graphite revêtu d’oxyde d’yttrium;

4. enceintes de modules séparateurs (conteneurs cylindriques ou rectangulaires) pour loger la source de vapeur d’uranium métal, le canon à électrons et les collecteurs du produit et des résidus;

5. lasers ou systèmes lasers spécialement conçus ou préparés pour la séparation des isotopes de l’uranium munis d’un stabilisateur de fréquence pour pouvoir fonctionner pendant de longues périodes; N.B.: VOIR ÉGALEMENT 6A005 ET 6A205.

équipements et composants spécialement conçus ou préparés pour les méthodes moléculaires ou les systèmes lasers:

1. tuyères de détente supersonique pour refroidir les mélanges d’UF6 et de gaz porteur jusqu’à 150 K (- 123 °C) ou moins et constitués de matériaux résistant à la corrosion par l’UF6;

2. composants ou dispositifs collecteurs pour les produits ou les rejets spécialement conçus ou préparés pour collecter les rejets de d’uranium et de matériel à base d’uranium produits par l’exposition au flux lumineux du laser, constitués de matériaux résistant à la corrosion par l’UF6;

3. compresseurs de chaleur constitués ou revêtus de matériaux résistant à la corrosion par l’UF6, et garnitures de palier correspondantes;

4. équipement servant à la fluoration d’UF5 (solide) en UF6 (gaz);

5. systèmes de séparation de l’UF6 et du gaz porteur (par exemple azote ou argon ou autres gaz) comprenant les équipements suivants:

5. a.

échangeurs de chaleur cryogéniques et cryoséparateurs capables d’atteindre des températures inférieures ou égales à 153 K (- 120 °C);

appareils de réfrigération cryogénique capables d’atteindre des températures inférieures ou égales à 153 K (- 120 °C);

pièges à froid capables de congeler l’UF6;

6. lasers ou systèmes lasers spécialement conçus ou préparés pour la séparation des isotopes de l’uranium munis d’un stabilisateur de fréquence pour pouvoir fonctionner pendant de longues périodes; N.B.: VOIR ÉGALEMENT 6A005 ET 6A205.

0B001 équipements et composants spécialement conçus ou préparés pour le procédé de séparation à plasma:

1. sources d’énergie hyperfréquence et antennes pour produire ou accélérer des ions et ayant les caractéristiques suivantes: fréquence de sortie supérieure à 30 GHz et puissance de sortie moyenne supérieure à 50 kW;

2. bobines excitatrices d’ions à haute fréquence pour des fréquences supérieures à 100 kHz et capables de supporter une puissance moyenne supérieure à 40 kW;

3. systèmes générateurs de plasma d’uranium;

4. non utilisé;

5. assemblages collecteurs pour les produits et les rejets pour l’uranium métal sous forme solide, constitués ou revêtus de matériaux résistant à la chaleur et à la corrosion par l’uranium vaporisé ou liquide tel que du tantale ou du graphite revêtu d’oxyde d’yttrium;

6. enceintes de modules séparateurs (cylindriques) destinées à loger la source de plasma d’uranium, la bobine excitatrice à haute fréquence et les collecteurs du produit et des résidus, et constituées d’un matériau non magnétique approprié (par exemple acier inoxydable);

équipements et composants, spécialement conçus ou préparés pour le procédé de séparation électromagnétique, comme suit:

1. sources d’ions uniques ou multiples, comprenant la source de vapeur, l’ionisateur et l’accélérateur de faisceau, constituées de matériaux non magnétiques appropriés (par exemple graphite, acier inoxydable ou cuivre) et capables de fournir un courant d’ionisation total égal ou supérieur à 50 mA;

2. plaques collectrices d’ions comportant des fentes ou des poches (deux ou plus) pour collecter les faisceaux d’ions d’uranium enrichis ou appauvris, et constitués de matériaux non magnétiques appropriés (par exemple le graphite ou l’acier inoxydable);

3. enceintes à vide pour les séparateurs électromagnétiques d’uranium, constituées de matériaux non magnétiques (par exemple l’acier inoxydable) et conçues pour fonctionner à des pressions inférieures ou égales à 0,1 Pa;

4. pièces polaires d’un diamètre supérieur à 2 m;

5. alimentations en haute tension pour sources d’ions ayant toutes les caractéristiques suivantes: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 3A227.

5. a.

capables d’un fonctionnement permanent;

tension de sortie supérieure ou égale à 20000 V;

courant de sortie supérieur ou égal à 1 A; et

régulation de tension meilleure que 0,01 % sur une période de 8 heures;

6. alimentations des aimants (haute intensité, courant continu) ayant toutes les caractéristiques suivantes: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 3A226.

6. a.

capables d’un fonctionnement permanent avec un courant de sortie supérieur ou égal à 500 A sous une tension supérieure ou égale à 100 V; et

régulation du courant ou de la tension meilleure que 0,01 % sur une période de 8 heures.

autoclaves d’alimentation, fours ou systèmes, utilisés pour introduire l’UF6 dans le système d’enrichissement;

condenseurs ou pièges à froid utilisés pour extraire l’UF6 du système d’enrichissement pour un transfert par réchauffage;

stations pour produits et résidus pour le transfert de l’UF6 dans les conteneurs;

stations de liquéfaction ou de solidification utilisées pour extraire l’UF6 du système d’enrichissement par compression, refroidissement et conversion de l’UF6 sous forme liquide ou solide;

tuyauteries et collecteurs spécialement conçus pour la manipulation de l’UF6 à l’intérieur des cascades de diffusion, de centrifugation ou aérodynamiques;

systèmes et pompes de vide:

1. distributeurs à vide, collecteurs à vide ou pompes à vide ayant une capacité d’aspiration égale ou supérieure à 5 m3/minute; ou

2. pompes à vide spécialement conçues pour fonctionner en atmosphère d’UF6; constituées ou revêtues de matériaux résistant à la corrosion par l’UF6; ou

3. Installations de vide constituées de distributeurs à vide, collecteurs à vide ou pompes à vide, et conçues pour fonctionner en atmosphère d’UF6;

spectromètres de masse pour l’UF6/sources d’ions capables de prélever des échantillons en ligne dans les flux gazeux d’UF6 et présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. capables de mesurer des ions de 320 unités de masse atomique ou davantage, et d’avoir une résolution meilleure que 1 partie pour 320:

2. sources d’ions constituées ou revêtues de nickel, d’alliage de nickel-cuivre contenant au moins 60 % de nickel en poids, ou alliages de nickel-chrome;

3. sources d’ionisation par bombardement électronique; et

4. ayant un système de collecteur adapté à l’analyse isotopique.

systèmes pour la conversion des concentrés de minerai d’uranium en UO3;

systèmes pour la conversion d’UO3 en UF6;

systèmes pour la conversion d’UO3 en UO2;

systèmes pour la conversion d’UO2 en UF4;

systèmes pour la conversion d’UF4 en UF6;

systèmes pour la conversion d’UF4 en uranium métal;

systèmes pour la conversion d’UF6 en UO2;

systèmes pour la conversion d’UF6 en UF4;

systèmes pour la conversion d’UO2 en UCl4.

installations de production d’eau lourde, de deutérium ou de composés de deutérium, comme suit:

1. installations d’échange eau-sulfure d’hydrogène;

2. installations d’échange ammoniac-hydrogène;

0B004 équipements et composants, comme suit:

1. tours d’échange eau-sulfure d’hydrogène d’un diamètre égal ou supérieur à 1,5 m, capables de fonctionner à des pressions supérieures ou égales à 2 MPa;

2. soufflantes ou compresseurs centrifuges à étage unique sous basse pression (c’est-à-dire 0,2 MPa) pour la circulation de sulfure d’hydrogène (c’est-à-dire un gaz contenant plus de 70 % de H2S) avec une capacité de débit supérieure ou égale à 56 m3/s lorsqu’ils fonctionnent à des pressions d’aspiration supérieures ou égales à 1,8 MPa et sont équipés de joints conçus pour être utilisés en milieu humide en présence de H2S;

3. tours d’échange ammoniac-hydrogène d’une hauteur supérieure ou égale à 35 m, ayant un diamètre compris entre 1,5 et 2,5 m et pouvant fonctionner à des pressions supérieures à 15 MPa;

4. internes de tour, y compris les contacteurs d’étage, et les pompes d’étage, y compris les pompes submersibles, pour la production d’eau lourde par le procédé d’échange ammoniac-hydrogène;

5. craqueurs d’ammoniac ayant une pression de fonctionnement supérieure ou égale à 3 MPa pour la production d’eau lourde par le procédé d’échange ammoniac-hydrogène;

6. analyseurs à absorption d’infrarouge capables d’analyser le rapport hydrogène deutérium en continu avec des concentrations de deutérium égales ou supérieures à 90 %;

7. brûleurs catalytiques pour la conversion en eau lourde du deutérium enrichi par le procédé d’échange ammoniac-hydrogène;

8. systèmes complets d’enrichissement de l’eau lourde ou colonnes conçues à cet effet, pour l’enrichissement de l’eau lourde jusqu’au niveau de concentration du deutérium requis pour les réacteurs.

9. convertisseurs pour la synthèse de l’ammoniac ou unités de synthèse de l’ammoniac spécialement conçus ou préparés pour la production d’eau lourde par le procédé d’échange ammoniac-hydrogène.

0B Note technique:

1. entre normalement en contact direct avec le flux de production des matières nucléaires, le traite directement ou en assure directement le réglage;

2. assure le scellage des matières nucléaires à l’intérieur de la gaine;

3. vérifie l’intégrité de la gaine ou du scellage;

4. vérifie le traitement de finition du combustible scellé; ou

5. sert à l’assemblage des éléments du réacteur.

les installations de retraitement des éléments combustibles nucléaires irradiés, y compris les équipements et composants qui sont normalement en contact direct avec le combustible irradié et qui contrôlent directement les flux les plus importants de traitement des matières nucléaires et des produits de fission;

les machines à hacher ou à déchiqueter les éléments de combustible, c’est-à-dire des équipements télécommandés destinés à couper, hacher ou cisailler les assemblages, faisceaux ou barres de combustible nucléaire irradié;

les dissolveurs, récipients de sûreté anti-criticité (par exemple récipients de petit diamètre, annulaires ou plats) spécialement conçus ou préparés pour la dissolution du combustible nucléaire irradié, capables de supporter des liquides chauds et hautement corrosifs et pouvant être chargés et entretenus à distance;

0B006 Note: extracteurs à solvant, tels les colonnes chargées ou pulsées, mélangeurs-décanteurs ou contacteurs centrifuges, résistant aux effets corrosifs de l’acide nitrique, et spécialement conçus ou préparés pour une utilisation dans une installation de retraitement d’uranium naturel, d’uranium appauvri ou de matières fissiles spéciales;

e. Note technique:

les cuves de stockage ou d’entreposage spécialement conçues de façon à éviter la criticité ou à résister à l’action corrosive de l’acide nitrique; Les cuves de stockage ou d’entreposage peuvent présenter les caractéristiques suivantes:

1. parois ou structures internes ayant un équivalent en bore (calculé pour tous les constituants tels qu’ils sont définis dans la note au paragraphe 0C004) d’au moins 2 %;

2. un diamètre maximal de 175 mm pour les configurations cylindriques; ou

3. une largeur maximale de 75 mm pour une configuration plate ou annulaire.

systèmes de mesure des neutrons spécialement conçus ou préparés pour une intégration et une utilisation de systèmes de commande de processus automatisé dans une installation de retraitement d’uranium naturel, d’uranium appauvri ou de matières fissiles spéciales.

systèmes de conversion de nitrate de plutonium en oxyde de plutonium;

systèmes de production de plutonium métal.

0C Matières 0C001 Uranium naturel ou uranium appauvri ou thorium sous la forme d’un métal, d’un alliage, d’un composé chimique ou d’un concentré et toute autre matière contenant une ou plusieurs des substances qui précèdent. Note: Le paragraphe 0C001 ne vise pas: 0C002 Matières fissiles spéciales Note: Le paragraphe 0C002 ne vise pas les charges de quatre grammes effectifs ou moins lorsqu’elles sont contenues dans un organe détecteur d’un instrument. 0C003 Deutérium, eau lourde (oxyde de deutérium) et autres composés du deutérium ainsi que les mélanges et solutions contenant du deutérium, dans lesquels le rapport isotopique deutérium/hydrogène est supérieur à 1/5000 0C004 Graphite ayant un degré de pureté inférieur à 5 parties par million d’équivalent de bore et une densité supérieure à 1,50 g/cm3 pour une utilisation dans un réacteur nucléaire, dans des quantités dépassant 1 kg. N.B.: VOIR ÉGALEMENT 1C107. Notes 1: Aux fins de contrôler les exportations, les autorités compétentes de l’État membre où est établi l’exportateur détermineront si les exportations de graphite satisfaisant les spécifications précitées sont destinées à une utilisation dans un réacteur nucléaire ou non. Notes 2: Au paragraphe 0C004, équivalent de bore (EB) est défini comme le total de EBZ pour les impuretés (à l’exclusion de l’EBcarbone puisque le carbone n’est pas considéré comme une impureté), y compris le bore, où: EBZ (ppm) = FC × concentration de l’élément Z en ppm; où FC est le facteur de conversionσZABσBAZ et où σΒ et σΖ sont les sections de capture de neutrons thermiques exprimées (en barns) respectivement pour le bore présent dans la nature et l’élément Z; AB et AZ étant les masses atomiques du bore présent dans la nature et de l’élément Z, respectivement. 0C005 Composés ou poudres spécialement préparés pour la formation de barrières de diffusion gazeuse, résistant à la corrosion par l’UF6 (par exemple nickel ou un alliage contenant 60 % en poids ou plus de nickel, d’oxyde d’aluminium et de polymères d’hydrocarbures entièrement fluorés), ayant un degré de pureté de 99,9 % en poids ou plus, une dimension particulaire moyenne inférieure à 10 micromètres — mesurée selon la norme B330 de l’ASTM — et un haut degré d’uniformité des dimensions des particules.

0C a.

les charges de quatre grammes ou moins d’uranium naturel ou d’uranium appauvri lorsqu’elles sont contenues dans un organe détecteur d’un instrument;

l’uranium appauvri spécialement fabriqué pour les applications non nucléaires civiles suivantes:

1. blindage;

2. remblai;

3. lest d’une masse maximale de 100 kg;

4. contrepoids d’une masse maximale de 100 kg;

les alliages contenant moins de 5 % de thorium;

les produits céramiques contenant du thorium, qui ont été fabriqués pour des usages non nucléaires.

0D Logiciel 0D001 Logiciel spécialement conçu ou modifié pour le développement, la production ou l’utilisation des biens figurant dans la présente catégorie.

0E Technologie 0E001 Technologie, au sens de la note relative à la technologie nucléaire, pour le développement, la production ou l’utilisation des biens figurant dans la présente catégorie.

CATÉGORIE 1 MATIÈRES SPÉCIALES ET ÉQUIPEMENTS APPARENTÉS

1A Notes techniques: 1.2. Notes techniques: 1.2. Note technique: Note technique:

Systèmes, équipements et composants 1A001 Composants constitués de composés fluorés, comme suit: 1A002 Structures ou produits laminés composites: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 1A202, 9A010 et 9A110. Notes 1: Le paragraphe 1A002 ne vise pas les structures ou produits laminés composites fabriqués à partir de matériaux fibreux ou filamenteux de carbone imprégnés de résine époxyde, destinés à la réparation de structures ou produits laminés d'aéronefs civils, présentant toutes les caractéristiques suivantes: Notes 2: Le paragraphe 1A002 ne vise pas les produits semi-finis, spécialement conçus pour les applications purement civiles suivantes: Notes 3: L'alinéa 1A002.b.1 ne vise pas les produits semi-finis contenant jusqu'à deux dimensions de filaments entrecroisés et spécialement conçus pour les applications suivantes: Notes 4: Le paragraphe 1A002 ne vise pas les produits finis spécialement conçus pour une application spécifique. 1A003 Produits manufacturés en polyimides aromatiques non fusibles sous forme de film, de feuille, de bande ou de ruban, présentant l'une des caractéristiques suivantes: Note: Le paragraphe 1A003 ne vise pas les produits manufacturés revêtus de, ou stratifiés avec, du cuivre et conçus pour la production de cartes de circuits imprimés électroniques. N.B.: Pour les polyimides aromatiques fusibles sous quelque forme que ce soit, voir alinéa 1C008.a.3. 1A004 Équipements et composants de protection et de détection non spécialement conçus pour un usage militaire: N.B.: VOIR ÉGALEMENT LA LISTE DES MATÉRIELS DE GUERRE, 2B351 ET 2B352. 1A004Note: Le paragraphe 1A004 ne vise pas: Le paragraphe 1A004 vise les équipements et les composants qui ont été identifiés, testés avec succès selon les normes nationales ou, à défaut, ayant démontré leur efficacité, pour la détection ou la protection contre les substances radioactives adaptées pour usage de guerre, les agents biologiques adaptés pour usage de guerre, les toxiques de guerre, les simulants ou les agents antiémeutes, même si ces équipements ou composants sont utilisés dans les industries civiles, telles que les exploitations minières, les carrières, l'agriculture, l'industrie pharmaceutique, le secteur médical et vétérinaire, l'environnement, la gestion des déchets ou l'industrie alimentaire. Un simulant est une substance ou une matière utilisée à la place d'un agent toxique (chimique ou biologique) dans le cadre de formations, de travaux de recherche, de tests ou d'évaluations. 1A005 Gilets pare-balles et leurs composants: N.B.: VOIR ÉGALEMENT LISTE DES MATÉRIELS DE GUERRE. N.B.: En ce qui concerne les matériaux fibreux ou filamenteux entrant dans la fabrication des gilets pare-balles, voir le paragraphe 1C010. Notes 1: Le paragraphe 1A005 ne vise pas les gilets pare-balles utilisés par l'usager pour sa protection personnelle. Notes 2: Le paragraphe 1A005 ne vise pas les gilets pare-balles conçus pour la seule protection frontale contre les éclats et le souffle de dispositifs explosifs non militaires. Notes 3: Le paragraphe 1A005 ne vise pas les gilets pare-balles conçus pour la seule protection contre les couteaux, les piques, les aiguilles ou traumatismes contondants. 1A006 Équipements, spécialement conçus ou modifiés pour la destruction des engins explosifs improvisés, comme suit, et leurs composants et accessoires spécialement conçus: N.B.: VOIR ÉGALEMENT LISTE DES MATÉRIELS DE GUERRE. Note: Le paragraphe 1A006 ne vise pas les équipements utilisés par leur opérateur. 1A007 Équipements et dispositifs, spécialement conçus pour amorcer des charges et des dispositifs contenant des matières énergétiques, par des moyens électriques, comme suit: N.B.: VOIR ÉGALEMENT LA LISTE DES MATÉRIELS DE GUERRE, 3A229 ET 3A232. Le terme initiateur ou allumeur est parfois employé au lieu du terme détonateur. Au titre de l'alinéa 1A007.b., les détonateurs visés utilisent tous un petit conducteur électrique (amorce à pont, fil à exploser ou feuille) qui se vaporise avec un effet explosif lorsqu'une impulsion électrique rapide à haute intensité passe par ledit conducteur. Dans les détonateurs de type sans percuteur, l'exploseur amorce une détonation chimique dans un matériau de contact fortement explosif comme le PETN (tétranitrate de pentaérythritol). Dans les détonateurs à percuteur, les gaz d'explosion du conducteur électrique amènent un percuteur à franchir l'espace de séparation et l'impact du percuteur sur un explosif amorce une détonation chimique. Dans certains cas, le percuteur est actionné par une force magnétique. L'expression détonateur à feuille explosive peut se référer à un détonateur AP ou à un détonateur à percuteur. 1A008 Charges, dispositifs et composants, comme suit: Les charges formées sont des charges explosives dont la forme vise à concentrer les effets de l'explosion. 1A102 Composants carbone-carbone réimprégnés et pyrolisés, conçus pour les lanceurs spatiaux visés au paragraphe 9A004 ou les fusées sondes visées au paragraphe 9A104. 1A202 Structures composites autres que celles visées au paragraphe 1A002, sous forme de tubes et présentant les deux caractéristiques suivantes: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 9A010 ET 9A110. 1A225 Catalyseurs platinés spécialement conçus ou préparés pour provoquer la réaction d'échange des isotopes d'hydrogène entre l'hydrogène et l'eau en vue de la récupération du tritium de l'eau lourde ou de la production d'eau lourde. 1A226 Charges spéciales pouvant être utilisées pour la séparation de l'eau lourde et de l'eau ordinaire et présentant les deux caractéristiques suivantes: 1A227 Fenêtres de blindage antirayonnements à haute densité (verre au plomb ou autre matériau), présentant toutes les caractéristiques suivantes, ainsi que leurs cadres spécialement conçus: Au paragraphe 1A227, l'expression superficie du côté froid désigne la superficie de vision de la fenêtre exposée au niveau de radiation le plus bas dans l'application.

1A a.

joints, garnitures d'étanchéité, agents d'étanchéité ou réservoirs souples à carburant spécialement conçus pour des applications spatiales ou aéronautiques, constitués de plus de 50 % de l'une des substances visées aux alinéas 1C009.b. ou 1C009.c.;

polymères et copolymères piézo-électriques constitués des substances de fluorure de vinylidène (CAS 75-38-7) visées à l'alinéa 1C009.a, présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. sous forme de film ou de feuille; et

2. ayant une épaisseur supérieure à 200 μm;

joints, garnitures d'étanchéité, sièges de soupapes, réservoirs souples ou membranes présentant toutes les caractéristiques suivantes: Note: À l'alinéa 1A001.c, le terme missile désigne des systèmes complets de fusée et des systèmes de véhicules aériens sans équipage.

1. constitués de fluoroélastomères contenant au moins un groupe de vinyléther comme élément constitutif; et

2. spécialement conçus pour des applications aéronautiques, spatiales ou dans les missiles.

constitués d'une matrice organique et des matériaux visés aux alinéas 1C010.c, 1C010.d. ou 1C010.e.; ou

constitués d'une matrice métallique ou de carbone et de l'un des matériaux suivants:

1. matériaux fibreux ou filamenteux au carbone présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. a.

un module spécifique supérieur à 10,15 × 106 m; et

une résistance spécifique à la traction supérieure à 17,7 × 104 m; ou

2. matériaux visés à l'alinéa 1C010.c.

une superficie ne dépassant pas 1 m2;

une longueur ne dépassant pas 2,5 m; et

une largeur supérieure à 15 mm.

matériel de sport;

industrie automobile;

industrie de la machine-outil;

applications médicales.

fours à traitement thermique pour le revenu des métaux;

équipements de production de boules de silicium.

ayant une épaisseur supérieure à 0,254 mm; ou

revêtus de, ou stratifiés avec, du carbone, du graphite, des métaux ou des substances magnétiques.

a. Note technique:

1A004 masques complets, cartouches filtrantes et équipements de décontamination conçus ou modifiés pour la protection contre l'un des produits suivants et leurs composants spécialement conçus: Note: Le paragraphe 1A004.a. inclut les Systèmes respiratoires filtrants à ventilation assistée (PAPR) conçus ou modifiés pour la défense contre des agents ou des matières repris au paragraphe 1A004.a. Aux fins du paragraphe 2B1A004.a.:

1. les masques complets sont également connus sous le nom de masques à gaz.

2. les cartouches filtrantes incluent les éléments filtrants.

1. agents biologiques adaptés pour usage de guerre;

2. substances radioactives adaptées pour usage de guerre;

3. toxiques de guerre; ou

4. agents antiémeutes, y compris:

4. a.

bromophénylacétonitrile (cyanure de bromobenzyle) (CA) (CAS 5798-79-8);

[(chloro-2 phényl) méthylène] propanedinitrile (o chlorobenzylidènemalononitrile) (CS) (CAS 2698-41-1);

2-chloroacétophénone, chlorure de phénylacyle (chloroacétophénone) (CN) (CAS 532-27-4);

dibenzo-(b,f)-1,4-oxazéphine (CR) (CAS 257-07-8);

10-Chloro-5, 10-dihydrophénarsazine, (chlorure de phénarsazine), (Adamsite), (DM) (CAS 578-94-9);

N-Nonanoylmorpholine, (MPA) (CAS 5299-64-9);

vêtements, gants et chaussures de protection spécialement conçus ou modifiés pour la protection contre l'un des produits suivants;

1. agents biologiques adaptés pour usage de guerre;

2. substances radioactives adaptées pour usage de guerre; ou

3. toxiques de guerre;

systèmes de détection spécialement conçus ou modifiés pour la détection ou l'identification de l'un des produits suivants, et leurs composants spécialement conçus:

1. agents biologiques adaptés pour usage de guerre;

2. substances radioactives adaptées pour usage de guerre; ou

3. toxiques de guerre.

d. Note technique:

équipements électroniques conçus pour détecter automatiquement la présence de résidus d'explosifs et utilisant des techniques de détection de traces (par exemple, onde acoustique de surface, spectrométrie de mobilité ionique, spectrométrie de mobilité différentielle, spectrométrie de masse). La détection de traces désigne la capacité de détecter moins de 1 ppm de vapeur, ou 1 mg de solide ou de liquide. Notes 1: L'alinéa 1A004.d ne vise pas les équipements spécialement conçus pour une utilisation en laboratoire. Notes 2: L'alinéa 1A004.d ne vise pas les portiques de sécurité sans contact.

les dosimètres personnels de surveillance de l'irradiation;

les équipements de santé et sécurité au travail limités par leur conception ou leur fonction à la protection contre les risques propres à la sécurité domestique ou aux industries civiles, dont:

1. les exploitations minières;

2. les carrières;

3. l'agriculture;

4. l'industrie pharmaceutique;

5. le secteur médical;

6. le secteur vétérinaire;

7. l'environnement;

8. la gestion des déchets;

9. l'industrie alimentaire.

1A Notes techniques: 1.2. a.

gilets pare-balles mous autres que ceux fabriqués selon les normes ou spécifications militaires, ou leurs équivalents, et leurs composants spécialement conçus;

gilets pare-balles durs offrant une protection balistique égale ou inférieure au niveau IIIA (NIJ 0101.06, juillet 2008) ou équivalents nationaux.

véhicules télécommandés;

b. Note technique:

disrupteurs. Les disrupteurs sont des dispositifs spécialement conçus pour éviter la détonation d'un engin explosif par la projection d'un projectile liquide, solide ou frangible.

dispositifs de mise à feu de détonateurs d'explosifs conçus pour actionner les détonateurs d'explosifs visés à l'alinéa 1A007.b;

détonateurs d'explosifs à commande électrique, comme suit:

1. amorce à pont (AP);

2. fils à exploser (FE);

3. percuteur;

4. initiateur à feuille explosive (IFE).

1A Notes techniques: 1.2. Notes techniques: 1.2. a.

charges formées présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. poids net d'explosif supérieur à 90 g; et

2. diamètre de l'enveloppe égal ou supérieur à 75 mm;

charges coupantes de forme linéaire présentant toutes les caractéristiques suivantes, et leurs composants spécialement conçus:

1. charge explosive de plus de 40 g/m; et

2. largeur égale ou supérieure à 10 mm;

cordeau détonant avec âme explosive de plus de 64 g/m;

outils de coupe, autres que ceux visés à l'alinéa 1A008.b, et outils de découpage ayant un poids net d'explosif supérieur à 3,5 kg.

1A Notes techniques: 1.2. Notes techniques: 1.2. Note technique: a.

un diamètre intérieur compris entre 75 mm et 400 mm; et

fabriquées avec l'un des matériaux fibreux ou filamenteux visés aux alinéas 1C010.a ou 1C010.b ou 1C210.a, ou avec des matériaux préimprégnés au carbone visés à l'alinéa 1C210.c.

fabriquées en mailles de bronze phosphoreux ayant subi un traitement chimique améliorant leur mouillabilité; et

conçues pour être utilisées dans des tours de distillation sous vide.

une superficie du côté froid supérieure à 0,09 m2;

une masse volumique supérieure à 3 g/cm3; et

une épaisseur égale ou supérieure à 100 mm.

1B Notes techniques: 1.2. Note technique:

Équipements d'essai, d'inspection et de production 1B001 Équipements pour la production ou l'inspection de structures ou produits laminés composites visés au paragraphe 1A002 ou de matériaux fibreux ou filamenteux visés au paragraphe 1C010, comme suit, et leurs composants et accessoires spécialement conçus: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 1B101 ET 1B201. Aux fins du paragraphe 1B001, les axes servo-positionnés primaires commandent, par un programme informatique, la position spatiale de l'effecteur final (c'est-à-dire la tête) en orientation et direction par rapport à la pièce pour le processus souhaité. Aux fins de l'alinéa 1B001, une bande de filaments est une bande, mèche ou fibre simple de largeur constante, complètement ou partiellement imprégnée de résine. 1B002 Équipements pour la production des alliages métalliques, poudres d'alliages métalliques ou matériaux alliés, spécialement conçus pour éviter la contamination et spécialement conçus pour être utilisés dans l'un des procédés visés à l'alinéa 1C002.c.2. N.B.: VOIR ÉGALEMENT 1B102. 1B003 Outils, matrices, moules ou montages, pour le formage à l'état de superplasticité ou le soudage par diffusion du titane, de l'aluminium ou de leurs alliages, spécialement conçus pour la fabrication de l'un des produits suivants: 1B101 Équipements autres que ceux visés au paragraphe 1B001, pour la production de structures composites comme suit, et leurs composants et accessoires spécialement conçus: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 1B201. Note: Les composants et accessoires visés au paragraphe 1B101 comprennent les moules, mandrins, matrices, montages et outils servant à ébaucher, polymériser, couler, fritter ou assembler les structures composites, les stratifiés et leurs produits manufacturés. 1B102 Équipements de production de poudre de métal, autres que ceux visés au paragraphe 1B002, et composants, comme suit: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 1B115.b. 1B115 Équipements, autres que ceux visés aux paragraphes 1B002 ou 1B102, pour la production de propergols et de constituants de propergols, comme suit, et leurs composants spécialement conçus: Notes 1: Pour les équipements de production spécialement conçus pour un usage militaire, voir la liste des matériels de guerre. Notes 2: Le paragraphe 1B115 ne vise pas les équipements de production, de manipulation et d'essai de réception du carbure de bore. 1B116 Tuyères spécialement conçues pour la fabrication de matériaux dérivés par pyrolyse mis en forme sur un moule, un mandrin ou un autre support à partir de précurseurs gazeux qui se décomposent à une température comprise entre 1573 K (1300 °C) et 3173 K (2900 °C) et à une pression comprise entre 130 Pa et 20 kPa. 1B117 Mélangeurs par charge capables de mélanger sous vide dans la fourchette de zéro à 13,326 kPa et de contrôler la température dans le caisson de mélange, et présentant toutes les caractéristiques suivantes et leurs composants spécialement conçus: 1B118 Mélangeurs en continu capables de mélanger sous vide dans la fourchette de zéro à 13,326 kPa et de contrôler la température dans le caisson de mélange, présentant l'une des caractéristiques suivantes, et leurs composants spécialement conçus: 1B119 Broyeurs à jet liquide pouvant servir à meuler ou broyer les substances visées aux alinéas 1C011.a., 1C011.b., ou au paragraphe 1C111 ou sur la liste des biens à usage militaire, et leurs composants spécialement conçus. 1B201 Machines pour le bobinage de filaments, autres que celles visées aux paragraphes 1B001 ou 1B101, et les équipements connexes, comme suit: 1B225 Cellules électrolytiques pour la production de fluor, dont la capacité de production dépasse 250 g de fluor par heure. 1B226 Séparateurs électromagnétiques d'isotopes, conçus pour ou équipés de sources ioniques uniques ou multiples capables de produire un courant total de faisceau ionique égal ou supérieur à 50 mA. Note: Le paragraphe 1B226 comprend les séparateurs: 1B228 Colonnes de distillation cryogéniques à hydrogène possédant toutes les caractéristiques suivantes: Au paragraphe 1B228, le terme longueur effective qualifie la hauteur active du matériel d'emballage dans une colonne de type paquet, ou la hauteur active des plaques de contacteur internes dans une colonne de type plaques. 1B229 Colonnes d'échange à plateaux eau-acide sulfhydrique et contacteurs internes, comme suit: N.B.: Pour les colonnes spécialement conçues ou préparées pour la production d'eau lourde, voir 0B004. 1B230 Pompes capables de faire circuler des solutions d'un catalyseur d'amidure de potassium concentré ou dilué dans de l'ammoniaque liquide (KNH2/NH3), possédant toutes les caractéristiques suivantes: 1B231 Installations ou unités, et équipements concernant le tritium, comme suit: 1B232 Turbodétendeurs ou turbodétendeurs-compresseurs présentant les deux caractéristiques suivantes: 1B233 Installations ou unités, et systèmes équipements pour la séparation des isotopes du lithium, comme suit: 1B234 Cuves, chambres, conteneurs et autres dispositifs similaires de confinement pour contenu hautement explosif conçus pour procéder à des essais sur des explosifs puissants ou d'engins explosifs, et présentant tous les caractéristiques suivantes: N.B.: VOIR ÉGALEMENT LISTE DES MATÉRIELS DE GUERRE.

1B a.

machines d'enroulement filamentaire, dont les mouvements de mise en position, d'enroulement et de bobinage de la fibre sont coordonnés et programmés selon trois ou plus de trois axes servo-positionnés primaires, spécialement conçues pour fabriquer des structures ou des produits laminés composites à partir de matériaux fibreux ou filamenteux;

b. Note technique:

machines pour la pose de bandes, dont les mouvements de mise en position et de pose de bandes sont coordonnés et programmés selon cinq ou plus de cinq axes servo-positionnés primaires, spécialement conçues pour la fabrication de structures composites pour cellules d'avions ou de missiles; Note: À l'alinéa 1B001.b., le terme missile désigne des systèmes complets de fusée et des systèmes de véhicules aériens sans équipage. Aux fins de l'alinéa 1B001.b., les machines pour la pose de bandes sont capables de poser une ou plusieurs bandes de filaments d'une largeur comprise entre 25 mm et 305 mm, et de couper et redémarrer le défilement de chaque bande de filaments pendant le processus de pose.

c. Note technique:

1B001 machines de tissage multidirectionnel/multidimensionnel ou machines à entrelacer, y compris les adaptateurs et les ensembles de modification, spécialement conçues ou modifiées pour tisser, entrelacer ou tresser les fibres pour les structures composites; Aux fins de l'alinéa 1B001.c, la technique d'entrelacement inclut le tricotage.

équipements spécialement conçus ou adaptés pour la production de fibres de renforcement, comme suit:

1. équipements pour la transformation de fibres polymères (telles que polyacrylonitrile, rayonne, brai ou polycarbosilane) en fibres de carbone ou en fibres de carbure de silicium, y compris le dispositif spécial pour la tension du fil au cours du chauffage;

2. équipements pour le dépôt en phase vapeur par procédé chimique d'éléments ou de composés sur des substrats filamenteux chauffés pour la fabrication de fibres de carbure de silicium;

3. équipements pour l'extrusion par voie humide de céramique réfractaire (telle que l'oxyde d'aluminium);

4. équipements pour la transformation, par traitement thermique, d'aluminium contenant des fibres de matériaux précurseurs en fibres d'alumine;

équipements pour la production, par la méthode de fusion à chaud, des fibres préimprégnées visées à l'alinéa 1C010.e;

équipements de vérification non destructive spécialement conçus pour les matériaux composites, comme suit:

1. systèmes de radiotomographie pour la vérification en trois dimensions des défauts;

2. machines à commande numérique de contrôle par ultrasons, dont les mouvements de positionnement des émetteurs ou des récepteurs sont coordonnés et programmés simultanément selon quatre axes ou davantage afin de suivre les contours en trois dimensions du composant inspecté;

g. Note technique:

machines pour le placement de câbles de filaments, dont les mouvements de mise en position et de pose de câbles de filaments ou de feuilles sont coordonnés et programmés selon deux ou plus de deux axes servo-positionnés primaires, spécialement conçues pour la fabrication de structures composites pour cellules d'avions ou de missiles. Aux fins de l'alinéa 1B001.g., les machines pour le placement de câbles de filaments sont capables de placer une ou plusieurs bandes de filaments d'une largeur inférieure ou égale à 25 mm, et de couper et redémarrer le défilement de chaque bande de filaments pendant le processus de placement.

1B Notes techniques: 1.2. a.

structures pour cellules d'avions ou structures aérospatiales;

moteurs aéronautiques ou aérospatiaux; ou

composants spécialement conçus pour les structures visées à l'alinéa 1B003.a ou pour les moteurs visés à l'alinéa 1B003.b.

machines pour le bobinage de filaments ou machines de placement de fibres dont les mouvements de mise en position, de bobinage et d'enroulement des fibres sont coordonnés et programmés selon trois ou plus de trois axes, spécialement conçues pour la fabrication de structures composites ou de produits stratifiés à partir de matériaux fibreux ou filamenteux, ainsi que les commandes de programmation et de coordination;

machines pour la pose de bandes dont les mouvements de mise en position et de pose de bandes et de feuilles sont coordonnés et programmés selon deux ou plus de deux axes, spécialement conçues pour la réalisation de structures composites pour cellules de véhicules aériens et de missiles;

équipements spécialement conçus ou adaptés pour la production de matériaux fibreux ou filamenteux, comme suit:

1. équipements pour la transformation de fibres polymères (telles que polyacrylonitrile, rayonne ou polycarbosilane), y compris le dispositif spécial pour la tension du fil pendant le chauffage;

2. équipements pour le dépôt en phase gazeuse d'éléments ou de composés sur des substrats filamenteux chauffés;

3. équipements pour l'extrusion par voie humide de céramique réfractaire (telle que l'oxyde d'aluminium);

équipements spécialement conçus ou adaptés pour le traitement de la surface des fibres ou pour la réalisation des préimprégnés et des préformés visés au paragraphe 9C110. Note: Les équipements visés à l'alinéa 1B101.d incluent les rouleaux, tendeurs, matériels de revêtement, matériels de coupe et matrices clickers.

équipements de production de poudre de métal pouvant servir à la production, en environnement contrôlé, de matériaux sphériques, sphéroïdaux ou atomisés visés aux alinéas 1C011.a., 1C011.b., 1C111.a.1., 1C111.a.2. ou sur la liste des biens à usage militaire;

composants spécialement conçus pour les équipements de production visés au paragraphe 1B002 ou à l'alinéa 1B102.a. Note: Le paragraphe 1B102 comprend:

a.

les générateurs de plasma (propulseurs électrothermiques à arc à haute fréquence) pouvant servir pour obtenir des poudres métalliques déposées par pulvérisation ou sphériques, le processus étant organisé dans un environnement argon-eau;

b.

les équipements d'électro-explosion utilisables pour l'obtention de poudres métalliques sphériques ou atomisées, le processus étant organisé dans un environnement argon-eau;

c.

les équipements pouvant servir pour la production de poudres d'aluminium sphériques par injection d'une matière fondue dans un support inerte (par exemple l'azote).

équipements de production pour la production, la manipulation ou les essais de réception des propergols liquides ou de leurs constituants visés aux alinéas 1C011.a., 1C011.b., ou au paragraphe 1C111 ou à la liste des matériels de guerre;

équipements de production pour la production, la manipulation, le mélange, la polymérisation, le moulage, l'emboutissage, l'usinage, l'extrusion ou les essais de réception des propergols solides ou de leurs constituants visés aux alinéas 1C011.a., 1C011.b., ou au paragraphe 1C111 ou à la liste des matériels de guerre. Note: L'alinéa 1B115.b. ne vise pas les mélangeurs par charge, les mélangeurs en continu ou les broyeurs à jet liquide. Pour le contrôle des mélangeurs par charge, des mélangeurs en continu ou des broyeurs à jet liquide, voir les paragraphes 1B117, 1B118 et 1B119.

une capacité volumétrique totale supérieure ou égale à 110 litres; et

au moins un bras à mélanger/pétrir excentré. Note: à l'alinéa 1B117.b., le terme bras à mélanger/pétrir ne renvoie pas à un désagglomérateur ou à un couteau rotatif.

au moins deux bras à mélanger/pétrir; ou

un seul bras rotatif oscillant et présence de dents/broches à pétrir sur le bras et à l'intérieur du caisson de mélange.

machines pour le bobinage de filaments présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. les mouvements de mise en position, d'enroulement et d'embobinage de la fibre sont coordonnés et programmés selon deux ou plus de deux axes;

2. spécialement conçues pour fabriquer des structures ou des produits stratifiés composites à partir de matériaux fibreux ou filamenteux; et

3. capables de faire tourner des tubes cylindriques d'un diamètre interne compris entre 75 et 650 mm et d'une longueur égale ou supérieure à 300 mm;

commandes servant à coordonner et programmer les machines pour le bobinage de filaments spécifiées à l'alinéa 1B201.a;

mandrins de précision destinés aux machines pour le bobinage de filaments spécifiées à l'alinéa 1B201.a.

capables d'enrichir des isotopes stables;

dans lesquels les sources d'ions et les collecteurs se trouvent à l'intérieur du champ magnétique et ceux dans lesquels ils sont extérieurs au champ.

conçues pour fonctionner à une température intérieure de 35 K (238 °C) ou moins;

conçues pour fonctionner à une pression intérieure de 0,5 à 5 MPa (5 à 50 atmosphères);

fabriquées:

1. soit en acier inoxydable de la série 300 avec une faible teneur en soufre, dont le numéro de grain, selon la norme ASTM (ou une norme équivalente), est égal ou supérieur à 5; ou

2. soit en matériaux équivalents compatibles avec H2 et la cryogénie; et

avec un diamètre intérieur égal ou supérieur à 30 cm et une longueur effective égale ou supérieure à 4 m.

1B Notes techniques: 1.2. Note technique: a.

colonnes d'échange à plateaux eau-acide sulfhydrique, présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. capables de fonctionner à des pressions de 2 MPa ou plus;

2. fabriquées en acier au carbone dont le numéro de grain, selon la norme ASTM (ou une norme équivalente), est égal ou supérieur à 5; et

3. ayant un diamètre de 1,8 m ou plus.

b. Note technique:

contacteurs internes pour les colonnes d'échange à plateaux eau-acide sulfhydrique visés à l'alinéa 1B229.a. Les contacteurs internes des colonnes sont des plateaux segmentés dont le diamètre utile assemblé est égal ou supérieur à 1,8 m; ils sont conçus pour faciliter le contact à contrecourant et fabriqués en aciers inoxydables dont la teneur en carbone est égale ou inférieure à 0,03 %. Il peut s'agir de plateaux perforés, de plateaux à soupape, de plateaux à calotte ou de plateaux à turbogrille.

parfaitement étanches à l'air (c'est-à-dire scellées hermétiquement);

une capacité supérieure à 8,5 m3/h; et

l'une des caractéristiques suivantes:

1. pour les solutions d'amidure de potassium concentré (1 % ou plus), une pression de fonctionnement de 1,5 à 60 MPa; ou

2. pour les solutions d'amidure de potassium dilué (moins de 1 %), une pression de fonctionnement de 20 à 60 MPa.

installations, ou unités pour la production, la récupération, l'extraction, la concentration ou la manipulation de tritium;

équipements pour les installations ou unités de tritium, comme suit:

1. unités de refroidissement à l'hydrogène ou à l'hélium, capables de refroidir jusqu'à 23 K (-250 °C) ou moins, avec une capacité d'extraction de la chaleur supérieure à 150 W;

2. systèmes de stockage ou de purification des isotopes de l'hydrogène utilisant des hydrures métalliques comme support de stockage ou de purification.

conçus pour fonctionner à une température égale ou inférieure à 35 K (-238 °C); et

conçus pour un débit d'hydrogène égal ou supérieur à 1000 kg/h.

installations ou unités pour la séparation des isotopes du lithium;

équipements pour la séparation des isotopes du lithium à l'aide du processus d'amalgame du lithium et du mercure, comme suit:

1. colonnes chargées d'échange liquide-liquide spécialement conçues pour les amalgames du lithium;

2. pompes à mercure ou amalgame de lithium;

3. cellules d'électrolyse pour amalgame de lithium;

4. évaporateurs pour solution concentrée d'hydroxyde de lithium.

systèmes d'échange d'ions spécialement conçus pour la séparation des isotopes du lithium, et leurs composants spécialement conçus;

systèmes d'échange chimique (utilisant des éthers couronnes, des agents cryptants ou des éthers LARIAT), spécialement conçus pour la séparation des isotopes du lithium, et leurs composants spécialement conçus.

conçus pour pouvoir contenir une explosion équivalente à au moins 2 kg de TNT; et

contenant des éléments ou des caractéristiques de conception permettent le transfert en temps-réel ou différé des informations de diagnostic ou de mesure.

1C Notes techniques: Notes techniques: 1.2.3. Note technique: Note technique: Notes techniques: 1.2. Note technique: 1.2. Note technique: Note technique: Note technique 1: Note technique 2: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Notes techniques: 1.2.3.

Matières Métaux et alliages: Sauf disposition contraire, aux paragraphes 1C001 à 1C012, on entend par métaux et alliages les formes brutes et demi-produits suivants: Formes brutes: Anodes, billes, barreaux (y compris barreaux entaillés et barres à fil), billettes, blocs, blooms, briques, tourteaux, cathodes, cristaux, cubes, dés, grains, lingots, masses, granulés, gueuses (de fonte), poudre, rondelles, grenaille, brames, lopins, éponge, bâtonnets; Demi-produits (revêtus ou non, plaqués, perforés, poinçonnés): Le contrôle ne doit pas être rendu inopérant par le biais de l'exportation de formes non énumérées prétendues être des produits finis mais constituant en fait des formes brutes ou des demi-produits. 1C001 Matériaux spécialement conçus pour absorber les ondes électromagnétiques ou polymères intrinsèquement conducteurs, comme suit: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 1C101. 1C002 Alliages métalliques, poudres d'alliages métalliques ou matériaux alliés, comme suit: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 1C202. Note: Le paragraphe 1C002 ne vise pas les alliages métalliques, poudres d'alliages métalliques ou matériaux alliés pour le revêtement de substrats. Les alliages métalliques cités au paragraphe 1C002 sont les alliages contenant un pourcentage plus élevé en poids du métal indiqué que de tout autre élément. La tenue au fluage-rupture doit être mesurée conformément à la norme E-139 de l'ASTM ou à des équivalents nationaux. La résistance à la fatigue oligocyclique doit être mesurée conformément à la norme E-606 de l'ASTM, méthode recommandée pour l'essai de résistance à la fatigue oligocyclique à amplitude constante, ou ses équivalents nationaux. L'essai doit être axial avec un rapport moyen de l'effort minimal à l'effort maximal égal à 1 et un coefficient de concentration des contraintes (kt) égal à 1. Le rapport moyen de l'effort minimal à l'effort maximal désigne la contrainte maximale moins la contrainte minimale divisée par la contrainte maximale. 1C003 Métaux magnétiques, de tous types et sous toutes formes, présentant l'une des caractéristiques suivantes: 1C004 Alliages d'uranium titane ou alliages de tungstène à matrice à base de fer, de nickel ou de cuivre, présentant toutes les caractéristiques suivantes: 1C005 Conducteurs composites supraconducteurs en longueurs supérieures à 100 m ou ayant une masse supérieure à 100 g, comme suit: Aux fins du paragraphe 1C005, les filaments peuvent se présenter sous forme de fils, cylindres, films, bandes ou rubans. 1C006 Fluides et substances lubrifiantes, comme suit: Aux fins du paragraphe 1C006: 1C007 Matériaux de base pour céramiques, matériaux céramiques non composites, matériaux composites à matrice céramique et matériaux précurseurs, comme suit: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 1C107. 1C008 Substances polymères non fluorées, comme suit: La température de transition vitreuse (Tg) des substances thermoplastiques visées à l'alinéa 1C008.a.2. et aux substances visées à l'alinéa 1C008a.4. est déterminée conformément à la méthode décrite dans la norme ISO 113572 (1999) ou équivalents nationaux. La température de transition vitreuse (Tg) des substances thermodurcissables visées à l'alinéa 1C008.a.2. et aux substances visées à l'alinéa 1C008a.3. est déterminée conformément à la méthode de flexion en trois points décrite dans la norme ASTM D 7028-07 ou une norme nationale équivalente. L'essai doit être mené sur un spécimen d'essai sec polymérisé à 90 % au minimum, comme requis par la norme ASTM E 2160-04 ou une norme nationale équivalente, à l'aide d'une combinaison de procédés de polymérisation standard et ultérieure générant la Tg. la plus élevée. 1C009 Composés fluorés non traités, comme suit: 1C010 Matériaux fibreux ou filamenteux, comme suit: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 1C210 ET 9C110. Afin de calculer la résistance spécifique à la traction, le module spécifique ou le poids spécifique d'un matériau fibreux ou filamenteux mentionnés aux alinéas 1C010.a., 1C010.b. ou 1C010.c., la résistance à la traction et le module doivent être définis à l'aide de la méthode décrite par la norme ISO 10618 (2004) ou une norme nationale équivalente. L'évaluation de la résistance spécifique à la traction, du module spécifique ou du poids spécifique des matériaux fibreux ou filamenteux non unidirectionnels (par ex. tissus, nattes irrégulières ou tresses) au paragraphe 1C010. doit se baser sur les propriétés mécaniques des monofilaments unidirectionnels qui les composent (par ex. monofilaments, torons, nappes ou mèches) avant transformation en matériaux fibreux ou filamenteux non unidirectionnels. 1C011 Métaux et composés, comme suit: N.B.: VOIR ÉGALEMENT LISTE DES MATÉRIELS DE GUERRE et 1C111. N.B.: Voir également la liste des matériels de guerre pour les poudres métalliques mélangées à d'autres substances pour former un mélange formulé à des fins militaires. 1C012 Matières comme suit: Ces matières sont généralement utilisées pour des sources de chaleur nucléaires. 1C101 Matériaux et dispositifs servant à la réduction des éléments observables tels que la réflectivité radar, les signatures ultraviolettes/infrarouges et acoustiques, autres que ceux visés au paragraphe 1C001, utilisables dans les missiles et leurs sous-systèmes ou dans les véhicules aériens sans équipage visés au paragraphe 9A012. Notes 1: Le paragraphe 1C101 couvre: Notes 2: Le paragraphe 1C101 ne couvre pas les revêtements utilisés spécialement pour l'isolation thermique des satellites. Au paragraphe 1C101, le terme missile désigne des systèmes complets de fusée et des systèmes de véhicules aériens sans équipage, dont la portée est au moins égale à 300 km. 1C102 Matériaux carbone-carbone resaturés et pyrolisés, conçus pour les lanceurs spatiaux visés au paragraphe 9A004 ou les fusées sondes visées au point 9A104. 1C107 Graphite et matériaux céramiques autres que ceux visés au paragraphe 1C007, comme suit: 1C111 Propergols et leurs composants chimiques, autres que ceux spécifiés au paragraphe 1C011, comme suit: Note: Pour les propergols et leurs composants chimiques ne figurant pas au paragraphe 1C111, voir la liste des matériels de guerre. 1C116 Aciers maraging utilisables dans des missiles, présentant toutes les caractéristiques suivantes: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 1C216. Les aciers maraging sont un alliage de fer: Au paragraphe 1C116, le terme missile désigne des systèmes complets de fusée et des systèmes de véhicules aériens sans équipage, dont la portée est au moins égale à 300 km. 1C117 Matériaux servant à la fabrication de composants pour missiles, comme suit: Au paragraphe 1C117, le terme missile désigne des systèmes complets de fusée et des systèmes de véhicules aériens sans équipage, dont la portée est au moins égale à 300 km. 1C118 Acier inoxydable duplex stabilisé au titane (Ti-DSS): 1C202 Alliages, autres que ceux visés aux alinéas 1C002.b.3. ou 1C002.b.4., comme suit: L'expression alliages ayant couvre les alliages avant ou après traitement thermique. 1C210 Matériaux fibreux ou filamenteux ou préimprégnés, autres que ceux visés aux alinéas 1C010.a., b. ou e., comme suit: Note: Au paragraphe 1C210, les termes matériaux fibreux ou filamenteux sont limités aux monofilaments, torons, nappes, mèches ou bandes continus. 1C216 Aciers maraging, autres que ceux visés au paragraphe 1C116, ayant une résistance maximale à la traction égale ou supérieure à 1950 MPa à 293 K (20 °C); Note: Le paragraphe 1C216 ne vise pas les formes dont aucune dimension linéaire n'excède 75 mm. L'expression acier maraging ayant couvre les aciers maraging, avant ou après traitement thermique. 1C225 Bore enrichi dans l'isotope bore-10 (10B) au-delà de sa teneur isotopique naturelle, comme suit: bore élémentaire, composés, mélanges contenant du bore, produits fabriqués avec du bore, déchets ou rebuts desdites matières. Note: Au paragraphe 1C225, les mélanges contenant du bore incluent les matériaux chargés de bore. La teneur isotopique naturelle du bore-10 est d'environ 18,5 pour cent en valeur pondérale (20 pour cent en valeur atomique). 1C226 Tungstène, carbure de tungstène et alliages contenant plus de 90 % de tungstène en poids, autres que ceux visés au paragraphe 1C117, présentant les deux caractéristiques suivantes: Note: Le paragraphe 1C226 ne vise pas les pièces spécialement conçues pour être utilisées comme poids ou comme collimateurs de rayons gamma. 1C227 Calcium présentant les deux caractéristiques suivantes: 1C228 Magnésium présentant les deux caractéristiques suivantes: 1C229 Bismuth présentant les deux caractéristiques suivantes: 1C230 Béryllium métal, alliages contenant plus de 50 % en poids de béryllium, composés contenant du béryllium et produits fabriqués avec ces substances, et déchets ou rebuts desdites matières, autres que ceux visés sur la liste des matériels de guerre. N.B.: VOIR ÉGALEMENT LISTE DES MATÉRIELS DE GUERRE. Note: Le paragraphe 1C230 ne vise pas: 1C231 Hafnium métal, alliages contenant plus de 60 % en poids de ce métal, composés à base d'hafnium contenant plus de 60 % en poids de ce métal, produits fabriqués avec ces matériaux et déchets ou rebuts desdites matières. 1C232 Hélium-3 (3He), mélanges contenant de l'hélium-3 et produits ou dispositifs contenant l'un de ces éléments. Note: Le paragraphe 1C232 ne vise pas les produits ou dispositifs contenant moins de 1 g d'hélium-3. 1C233 Lithium enrichi en isotope 6 (6Li) jusqu'à une concentration supérieure à 7,5 % d'atomes, et les produits ou dispositifs contenant du lithium enrichi, comme suit: lithium élémentaire; alliages, composés, mélanges contenant du lithium, produits fabriqués avec du lithium, déchets ou rebuts de l'une des matières précitées. Note: Le paragraphe 1C233 ne vise pas les dosimètres thermoluminescents. La teneur isotopique naturelle du lithium-6 est d'environ 6,5 pour cent en valeur pondérale (7,5 pour cent en valeur atomique). 1C234 Zirconium contenant de l'hafnium dans lequel le rapport hafnium/zirconium est inférieur à 1/500 en poids, comme suit: métal, alliages contenant en poids plus de 50 % de zirconium, composés, produits fabriqués avec ces éléments, déchets ou rebuts de l'une des matières précitées, other than those specified in 0A001.f. Note: Le paragraphe 1C234 ne vise pas le zirconium sous forme de feuilles ayant une épaisseur égale ou inférieure à 0,10 mm. 1C235 Tritium, composés et mélanges du tritium dans lesquels le rapport du tritium à l'hydrogène, en atomes, est supérieur à 1/1000, ou produits ou dispositifs comprenant l'un de ces éléments. Note: Le paragraphe 1C235 ne vise pas les produits ou dispositifs contenant au maximum 1,48 × 103 GBq (40 Ci) de tritium. 1C236 Radionucléides appropriés pour créer des sources de neutrons à l'aide d'une réaction alpha-n, autres que ceux visés au paragraphe 0C001 et à l'alinéa 1C0012.a, sous les formes suivantes: Note: Le paragraphe 1C236 ne vise pas les produits ou dispositifs dont l'activité est inférieure à 3,7 GBq (100 millicuries). Au paragraphe 1C236, les radionucléides incluent les éléments suivants: 1C237 Radium 226 (226Ra), alliages de radium 226, composés du radium 226, mélanges contenant du radium 226, produits fabriqués avec du radium 226, et produits ou dispositifs contenant l'un de ces éléments. Note: Le paragraphe 1C237 ne vise pas: 1C238 Trifluorure de chlore (ClF3). 1C239 Substances à haut pouvoir explosif, autres que celles visées par la liste des matériels de guerre, ou substances ou mélanges contenant plus de 2 % en poids de ces substances explosives, dont la densité cristalline excède 1,8 g/cm3 et dont la vitesse de détonation dépasse 8000 m/s. 1C240 Poudre de nickel et nickel sous forme de métal poreux, autres que ceux visés au paragraphe 0C005, comme suit: Note: Le paragraphe 1C240 ne vise pas: L'alinéa 1C240.b concerne le métal poreux formé par la compression et le frittage des matières visées à l'alinéa 1C240.a pour former un matériau à pores fins traversant la structure. 1C241 Rhénium, et alliages contenant au moins 90 % en poids de rhénium; et alliages de rhénium et de tungstène contenant au moins 90 % en poids d'un mélange de rhénium et de tungstène, et présentant les deux caractéristiques suivantes: 1C350 Substances chimiques pouvant servir de précurseurs à des agents chimiques toxiques, comme suit, et mélanges chimiques contenant une ou plusieurs de ces substances: N.B.: VOIR ÉGALEMENT LA LISTE DES MATÉRIELS DE GUERRE ET 1C450. Notes 1: Pour les exportations vers des États non parties à la Convention sur les armes chimiques, le paragraphe 1C350 ne vise pas les mélanges chimiques contenant une ou plusieurs des substances chimiques visées aux alinéas 1C350.1, .3, .5, .11, .12, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36, .54, .55, .56, .57 et.63, dont aucune des substances spécifiées ne constitue plus de 10 % en poids du mélange. Notes 2: Pour les exportations vers des États parties à la Convention sur les armes chimiques, le paragraphe 1C350 ne vise pas les mélanges chimiques contenant une ou plusieurs des substances chimiques visées aux alinéas 1C350.1, .3, .5, .11, .12, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36, .54, .55, .56, .57 et.63, dont aucune des substances spécifiées ne constitue plus de 30 % en poids du mélange. Notes 3: Le paragraphe 1C350 ne vise pas les mélanges chimiques contenant une ou plusieurs des substances chimiques visées aux alinéas 1C350.2, .6, .7, .8, .9, .10, .14, .15, .16, .19, .20, .24, .25, .30, .37, .38, .39, .40, .41, .42, .43, .44, .45, .46, .47, .48, .49, .50, .51, .52, .53, .58, .59, .60, .61 et .62 dont aucune des substances spécifiées ne constitue plus de 30 % en poids du mélange. Notes 4: Le paragraphe 1C350 ne vise pas les produits définis comme des biens de consommation conditionnés pour la vente au détail en vue d'un usage personnel ou conditionnés pour un usage individuel. 1C351 Agents pathogènes humains, animaux et toxines comme suit: Note: Le paragraphe 1C351 ne vise pas les vaccins ou immunotoxines. 1C352 Non utilisés 1C353 Éléments génétiques et organismes génétiquement modifiés, comme suit: Les organisme génétiquement modifiés incluent les organismes dont le matériel génétique (séquences d'acide nucléique) a été transformé d'une manière qui ne s'effectue pas par multiplication ou recombinaison naturelle, et englobent les organismes complètement ou partiellement artificiels. Les éléments génétiques comprennent, notamment, les chromosomes, génomes, plasmides, transposons et vecteurs, qu'ils soient ou non génétiquement modifiés, ou complètement ou partiellement synthétisés chimiquement. Les séquences d'acide nucléique associées au caractère pathogène de l'un quelconque des micro-organismes visés aux alinéas 1C351.a., 1C351.c. ou 1C351.e. ou au paragraphe 1C354 signifient toute séquence propre au micro-organisme déterminé qui: Note: Le paragraphe 1C353 ne vise pas les séquences d'acides nucléiques liées à la pathogénicité d'Escherichia coli entérohémorragique de sérotype O157 et autres souches productrices de vérotoxines, autres que celles codant pour la vérotoxine, ou ses sous-unités. 1C354 Agents pathogènes des plantes, comme suit: 1C450 Produits chimiques toxiques et précurseurs chimiques toxiques, comme suit, et mélanges chimiques contenant une ou plusieurs de ces substances: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 1C350, 1C351.d ET LISTE DES MATÉRIELS DE GUERRE.

1C Notes techniques: a.

1C Matériaux corroyés ou travaillés, fabriqués par laminage, étirage, extrusion, forgeage, filage par choc, pressage, grenage, atomisation et broyage, à savoir: cornières, profilés/laminés, cercles, disques, poussière, paillettes, feuilles et lames, pièces forgées, tôle, poudre, objets pressés, pièces embouties/frappées, rubans, anneaux, barres/baguettes [y compris les baguettes de soudage nues, le fil machine et le fil laminé), profilé, laminé, tôles fines, feuillards, tuyaux et tubes (y compris des ronds, des carrés et des creux)], fil étiré ou filé;

Matériaux moulés produits en sable, sous pression, en moule métallique, en moule de plâtre ou un autre type de moule, y compris le moulage sous haute pression, les formes frittées et les formes obtenues par métallurgie des poudres.

matériaux pour l'absorption de fréquences supérieures à 2 × 108 Hz et inférieures à 3 × 1012 Hz; Notes 1: L'alinéa 1C001.a. ne vise pas: Notes 2: La note 1 de l'alinéa 1C001.a. n'exclut aucunement des contrôles, les matières magnétiques assurant l'absorption lorsqu'elles sont incorporées dans la peinture.

a.

les absorbeurs de type cheveu, constitués de fibres naturelles ou synthétiques, à charge non magnétique pour permettre l'absorption;

b.

les absorbeurs n'ayant pas de perte magnétique, dont la surface incidente est de forme non plane, comprenant pyramides, cônes, prismes et surfaces spiralées;

c.

les absorbeurs plans présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. Note technique:

constitués: Les échantillons pour essais d'absorption concernant l'alinéa 1C001.a., note 1.c.1., devraient être un carré dont le côté mesure au moins 5 longueurs d'onde de la fréquence centrale et placé dans le champ lointain de la source rayonnante.

1. a.

de matériaux en mousse plastique (flexibles ou non flexibles) à charge de carbone, ou de matériaux organiques, y compris les liants, produisant un écho de plus de 5 % par rapport au métal sur une largeur de bande supérieure à ± 15 % de la fréquence centrale de l'énergie incidente, et incapables de résister à des températures de plus de 450 K (177 °C); ou

de matériaux céramiques produisant un écho de plus de 20 % par rapport au métal sur une largeur de bande supérieure à ± 15 % de la fréquence centrale de l'énergie incidente, et incapables de résister à des températures de plus de 800 K (527 °C);

2. résistance à la traction inférieure à 7 × 106 N/m2; et

3. résistance à la compression inférieure à 14 × 106 N/m2;

d.

les absorbeurs plans constitués de ferrite frittée, présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. densité supérieure à 4,4; et

2. température de fonctionnement maximale de 548 K (275 °C).

1C001 matériaux pour l'absorption de fréquences supérieures à 1,5 × 1014 Hz et inférieures à 3,7 × 1014 Hz et non transparents dans le domaine visible; Note: L'alinéa 1C001.b. ne vise pas les matériaux spécialement conçus ou formulés pour l'une des applications suivantes:

a.

marquage des polymères au laser; ou

b.

soudage des polymères au laser.

c. Note technique:

matériaux polymères intrinsèquement conducteurs ayant une conductivité électrique volumique supérieure à 10000 S/m (Siemens par mètre) ou une résistivité surfacique (superficielle) inférieure à 100 ohms/m2, à base d'un ou de plusieurs des polymères suivants: Note: L'alinéa 1C001.c. ne vise pas les matières sous forme liquide. La conductivité électrique volumique et la résistivité surfacique (superficielle) sont déterminées conformément à la norme ASTM D-257 ou à des équivalents nationaux.

1. polyaniline;

2. polypyrrole;

3. polythiophène;

4. polyphénylène-vinylène; ou

5. polythiénylène-vinylène.

1C Notes techniques: Notes techniques: 1.2.3. a.

aluminiures, comme suit:

1. aluminiures de nickel contenant au minimum 15 % en poids d'aluminium, au maximum 38 % en poids d'aluminium, et au moins un élément d'alliage additionnel;

2. aluminiures de titane contenant 10 % en poids ou plus d'aluminium, et au moins un élément d'alliage additionnel;

alliages métalliques, comme suit, fabriqués à partir des poudres ou particules visées à l'alinéa 1C002.c:

1. alliages de nickel présentant l'une des caractéristiques suivantes:

1. a.

une tenue au fluage-rupture de 10000 heures ou plus à 923 K (650 °C) sous une contrainte de 676 MPa; ou

une résistance à la fatigue oligocyclique de 10000 cycles ou plus à 823 K (550 °C) sous une contrainte maximale de 1095 MPa;

2. 1C002 b. alliages de niobium présentant l'une des caractéristiques suivantes:

2. a.

une tenue au fluage-rupture de 10000 heures ou plus à 1073 K (800 °C) sous une contrainte de 400 MPa; ou

une résistance à la fatigue oligocyclique de 10000 cycles ou plus à 973 K (700 °C) sous une contrainte maximale de 700 MPa;

3. alliages de titane présentant l'une des caractéristiques suivantes:

3. a.

une tenue au fluage-rupture de 10000 heures ou plus à 723 K (450 °C) sous une contrainte de 200 MPa; ou

une résistance à la fatigue oligocyclique de 10000 cycles ou plus à 723 K (450 °C) sous une contrainte maximale de 400 MPa;

4. alliages d'aluminium présentant l'une des caractéristiques suivantes:

4. a.

une résistance à la traction égale ou supérieure à 240 MPa à 473 K (200 °C); ou

une résistance à la traction égale ou supérieure à 415 MPa à 298 K (25 °C);

5. alliages de magnésium présentant toutes les caractéristiques suivantes:

5. a.

une résistance à la traction égale ou supérieure à 345 MPa; et

un taux de corrosion inférieur à 1 mm/an dans une solution aqueuse de chlorure de sodium à 3 % mesuré conformément à la norme G-31 de l'ASTM ou à des équivalents nationaux;

poudres ou particules d'alliages métalliques, présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. Note technique:

constituées de l'un des systèmes de composition suivants: Dans les points suivants, X = un ou plusieurs éléments d'alliages:

alliages de nickel (Ni-Al-X, Ni-X-Al) qualifiés pour les pièces et composants de moteurs à turbine, c'est-à-dire avec moins de trois particules non métalliques (introduites au cours du processus de fabrication) de plus de 100 μm pour 109 particules d'alliages;

alliages de niobium [(Nb-Al-X ou Nb-X-Al, Nb-Si-X ou Nb-X-Si, Nb-Ti-X ou Nb-X-Ti);

alliages de titane (Ti-Al-X ou Ti-X-Al);

alliages d'aluminium (Al-Mg-X ou Al-X-Mg, Al-Zn-X ou Al-X-Zn, Al-Fe-X ou Al-X-Fe); ou

Al-Fe-X ou Al-X-Fe); ou

2. obtenues dans un environnement contrôlé par l'un des procédés suivants:

2. a.

atomisation sous vide;

atomisation par gaz;

atomisation centrifuge;

trempe brusque;

trempe sur rouleau et pulvérisation;

extraction en fusion et pulvérisation; ou

alliage mécanique; et

3. capables de constituer les matériaux visés aux alinéas 1C002.a ou 1C002.b;

1C002 matériaux alliés, présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. constituées de l'un des systèmes de composition suivants:

2. sous forme de paillettes, rubans ou barres minces; et

3. obtenus dans un environnement contrôlé par l'un des procédés suivants:

3. a.

trempe brusque;

trempe sur rouleau; ou

extraction en fusion.

a. Note technique:

perméabilité relative initiale égale ou supérieure à 120000 et épaisseur égale ou inférieure à 0,05 mm; La mesure de la perméabilité relative initiale doit être effectuée sur des métaux entièrement recuits.

alliages magnétostrictifs présentant l'une des caractéristiques suivantes:

1. une magnétostriction à saturation supérieure à 5 × 10-4; ou

2. un facteur de couplage magnétomécanique (k) supérieur à 0,8; ou

c. Note technique:

feuillards d'alliage amorphe ou nanocristallin présentant toutes les caractéristiques suivantes: À l'alinéa 1C003.c, on entend par nanocristallins les matériaux ayant une granularité cristalline, déterminée par diffraction de rayons X, inférieure ou égale à 50 nm.

1. une composition comprenant au moins 75 % en poids de fer, de cobalt ou de nickel;

2. une induction magnétique à saturation (Bs) égale ou supérieure à 1,6 T; et

3. une des caractéristiques suivantes:

3. a.

une épaisseur égale ou inférieure à 0,02 mm; ou

une résistivité électrique égale ou supérieure à 2 × 10-4 ohm/cm.

masse volumique supérieure à 17,5 g/cm3;

limite élastique supérieure à 880 MPa;

résistance à la rupture supérieure à 1270 MPa; et

allongement supérieur à 8 %.

conducteurs composites supraconducteurs contenant un ou plusieurs filaments au niobiumtitane, présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. intégrés dans une matrice autre qu'une matrice de cuivre ou d'un mélange à base de cuivre; et

2. ayant une section transversale d'une surface inférieure à 0,28 × 10-4 mm2 (6 μm de diamètre pour les filaments circulaires);

1C005 conducteurs composites supraconducteurs constitués d'un ou de plusieurs filaments supraconducteurs autres qu'au niobium-titane, présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. température critique, à une induction magnétique nulle, supérieure à 9,85 K (-263,31 °C); et

2. persistance de l'état supraconducteur à une température de 4,2 K (-268,96 °C) lorsqu'ils sont exposés à un champ magnétique orienté dans toute direction perpendiculaire à l'axe longitudinal du conducteur et correspondant à une induction magnétique de plus de 12 T, avec une densité de courant critique supérieure à 1750 A/mm2 sur l'ensemble de la section transversale du conducteur;

conducteurs composites supraconducteurs contenant un ou plusieurs filaments supraconducteurs dont l'état supraconducteur persiste au-delà d'une température de 115 K (158,16 °C).

1C Notes techniques: Notes techniques: 1.2.3. Note technique: a.

fluides hydrauliques contenant comme ingrédient principal l'un des produits suivants:

1. Note technique:

huiles d'hydrocarbures siliconés synthétiques, présentant toutes les caractéristiques suivantes: Aux fins de l'alinéa 1C006.a.1., les huiles d'hydrocarbures siliconés contiennent exclusivement du silicium, de l'hydrogène et du carbone.

Un point d'éclair à plus de 477 K (204 °C);

Un point d'écoulement à 239 K (-34 °C) ou moins;

Un indice de viscosité de 75 ou plus; et

Une stabilité thermique à 616 K (343 °C); ou

2. Note technique:

chlorofluorocarbures présentant toutes les caractéristiques suivantes: Aux fins de l'alinéa 1C006.a.2., les chlorofluorocarbures contiennent exclusivement du carbone, du fluor et du chlore.

Pas de point d'éclair;

Une température d'allumage spontané à plus de 977 K (704 °C);

Un point d'écoulement à 219 K (-54 °C) ou moins;

Un indice de viscosité de 80 ou plus; et

Un point d'ébullition à 473 K (200 °C) ou plus;

substances lubrifiantes contenant comme ingrédient principal l'un des produits suivants:

1. éthers ou thio-éthers de phénylènes, d'alkylphénylène, ou leurs mélanges, contenant plus de deux fonctions éther ou thio-éther ou leurs mélanges; ou

2. fluides silicones fluorés ayant une viscosité cinématique mesurée à 298 K (25 °C) inférieure à 5000 mm2/s (5000 centistokes);

1C006 fluides d'amortissement ou de flottaison présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. pureté supérieure à 99,8 %;

2. contenant moins de 25 particules d'une taille égale ou supérieure à 200 μm pour 100 ml; et

3. constitués de 85 % au moins de l'un des produits suivants:

3. a.

dibromotétrafluoréthane (CAS 25497-30-7, 124-73-2, 27336-23-8);

polychlorotrifluoroéthylène (modifications huileuses et cireuses seulement); ou

polybromotrifluoroéthylène;

liquides de refroidissement électroniques fluorocarbonés présentant toutes les caractéristiques suivantes: Note: L'alinéa 1C006.d. ne vise pas les matériaux qualifiés et emballés sous le nom de produits médicaux.

1. une teneur en poids de 85 % ou plus de l'une des substances suivantes ou de leurs mélanges:

1. a.

formes monomères de perfluoropolyalkylether-triazines ou d'éthers perfluoroaliphatiques;

perfluoroalkylamines;

perfluorocyclanes; ou

perfluoroalcanes;

2. une masse volumique de 1,5 g/ml ou plus à 298 K (25 °C);

3. à l'état liquide à 273 K (0 °C); et

4. une teneur en poids en fluor supérieure ou égale à 60 %.

1C Notes techniques: Notes techniques: 1.2.3. Note technique: Note technique:

1. le point d'éclair est déterminé au moyen de la méthode Cleveland à vase ouvert, décrite dans la norme D-92 de l'ASTM, ou des équivalents nationaux;

2. le point d'écoulement est déterminé au moyen de la méthode décrite dans la norme D-97 de l'ASTM, ou des équivalents nationaux;

3. l'indice de viscosité est déterminé au moyen de la méthode décrite dans la norme D2270 de l'ASTM, ou des équivalents nationaux;

4. la stabilité thermique est déterminée au moyen de la méthode suivante, ou équivalents nationaux: 20 ml du fluide à l'essai sont placés dans une chambre de 46 ml en acier inoxydable du type 317, contenant une bille de chacun des matériaux suivants: acier à outils M 10, acier 52100 et bronze de qualité de marine (60 % Cu, 39 % Zn, 0,75 % Sn); ces billes ont un diamètre (nominal) de 12,5 mm. La chambre est purgée à l'azote, scellée sous pression atmosphérique et la température est portée à 644 ± 6 K (371 ± 6 °C) et maintenue à ce niveau pendant 6 heures. L'échantillon est considéré comme thermiquement stable si, à la fin du processus décrit ci-dessus, toutes les conditions suivantes sont remplies:

4. a.

la perte de poids pour chaque bille de métal est inférieure à 10 mg/mm2 de la surface de la bille;

l'abaissement de la viscosité initiale, établie à 311 K (38 °C), est inférieur à 25 %; et

l'indice d'acidité totale ou l'indice d'alcalinité totale est inférieur à 0,40;

5. la température d'allumage spontané est déterminée au moyen de la méthode décrite dans la norme E-659 de l'ASTM, ou des équivalents nationaux.

matériaux de base constitués de borures de titane simples ou complexes, ayant un total d'impuretés métalliques, non comprises les adjonctions intentionnelles, de moins de 5000 ppm, et une dimension particulaire moyenne égale ou inférieure à 5 micromètres, et n'ayant pas plus de 10 % de particules de plus de 10 μm;

matériaux céramiques non composites, sous forme brute ou de demi-produits, composés de borures de titane ayant une densité égale ou supérieure à 98 % de la valeur théorique; Note: L'alinéa 1C007.b. ne vise pas les abrasifs.

matériaux composites céramiques-céramiques à matrice de verre ou d'oxyde renforcés avec des fibres, présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. obtenus à partir de l'un quelconque des matériaux suivants:

1. a.

Si-N;

Si-C;

Si-Al-O-N; ou

Si-O-N; et

2. ayant une résistance spécifique à la traction supérieure à 12,7 × 103 m;

matériaux composites céramiques-céramiques, avec ou sans phase métallique continue, contenant des particules, des trichites ou des fibres, dans lesquels les carbures ou nitrures de silicium, de zirconium ou de bore constituent la matrice;

matériaux précurseurs, à savoir matériaux polymères ou métallo-organiques spéciaux, pour la production de toute(s) phase(s) des matériaux visés par l'alinéa 1C007.c., comme suit:

1. polydiorganosilanes (pour la production de carbure de silicium);

2. polysilazanes (pour la production de nitrure de silicium);

3. polycarbosilazanes (pour la production de céramiques à base de silicium, de carbone et d'azote);

matériaux composites céramiques-céramiques à matrice d'oxyde ou de verre, renforcés avec des fibres continues correspondant à l'un quelconque des systèmes suivants: Note: L'alinéa 1C007.f. ne vise pas les matériaux composites contenant des fibres correspondant à l'un de ces systèmes qui ont une résistance à la traction de moins de 700 MPa à 1273 K (1000 °C) ou une résistance au fluage en traction de plus de 1 % de déformation par fluage pour une charge de 100 MPa à 1273 K (1000 °C) pendant 100 heures.

1. Al2O3 (CAS 1344-28-1); ou

2. Si-C-N.

imides, comme suit: Note: L'alinéa 1C008.a vise les substances sous forme fusible liquide ou solide, y compris sous forme de résine, de poudre, de pastille, de film, de feuille, de bande ou de ruban. N.B.: Pour les polyimides aromatiques non fusibles sous forme de film, de feuille, de bande ou de ruban, voir paragraphe 1A003.

1. bismaléimides;

2. polyamidimides (PAI) aromatiques ayant une température de transition vitreuse (Tg) supérieure à 563 K (290 °C);

3. polyimides aromatiques ayant une température de transition vitreuse (Tg) supérieure à 505 K (232 °C);

4. 1C008 a. polyétherimides aromatiques ayant une température de transition vitreuse (Tg) supérieure à 563 K (290 °C);

copolymères cristaux liquides thermoplastiques, ayant une température de déformation supérieure à 523 K (250 °C) mesurée conformément à la norme ISO 752 (2004), méthode A, ou équivalents nationaux, sous une charge de 1,80 N/mm2, et composés de:

1. l'une des substances suivantes:

1. a.

phénylène, biphénylène ou naphtalène; ou

phénylène, biphénylène ou naphtalène substitués par du méthyle, du butyle tertiaire ou du phényle; et

2. l'un des acides suivants:

2. a.

acide téréphtalique (CAS 100-21-0);

acide 6-hydroxy 2-naphtoïque (CAS 16712-64-4); ou

acide 4-hydroxybenzoïque (CAS 99-96-7);

non utilisé;

polyarylène cétones;

sulfures de polyarylène, dans lesquels le groupe arylène est constitué de biphénylène, de triphénylène ou de leurs combinaisons;

polybiphénylènéthersulfone ayant une température de transition vitreuse (Tg) supérieure à 563 K (290 °C).

1C Notes techniques: Notes techniques: 1.2.3. Note technique: Note technique: Notes techniques: 1.2. a.

copolymères de fluorure de vinylidène ayant une structure cristalline bêta de 75 % ou plus sans étirage;

polyimides fluorés, contenant 10 % ou plus de fluor combiné;

élastomères en phosphazène fluoré, contenant 30 % ou plus de fluor combiné.

matériaux fibreux ou filamenteux organiques présentant toutes les caractéristiques suivantes: Note: L'alinéa 1C010.a ne vise pas le polyéthylène.

1. module spécifique supérieur à 12,7 × 106 m; et

2. résistance spécifique à la traction supérieure à 23,5 × 104 m;

1C010 matériaux fibreux ou filamenteux au carbone présentant toutes les caractéristiques suivantes: Note: L'alinéa 1C010.b. ne vise pas:

1. module spécifique supérieur à 14,65 × 106 m; et

2. résistance spécifique à la traction supérieure à 26,82 × 104 m;

a.

les matériaux fibreux ou filamenteux destinés à la réparation de structures ou produits laminés d'aéronefs civils, présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. une superficie ne dépassant pas 1 m2;

2. une longueur ne dépassant pas 2,5 m; et

3. une largeur supérieure à 15 mm.

b.

les matériaux fibreux ou filamenteux au carbone coupés, broyés ou coupés en morceaux ayant une longueur égale ou inférieure à 25 mm.

matériaux fibreux ou filamenteux inorganiques présentant toutes les caractéristiques suivantes: Note: L'alinéa 1C010.c. ne vise pas:

1. module spécifique supérieur à 2,54 × 106 m; et

2. point de fusion, de dissociation ou de sublimation supérieur à 1922 K (1649 °C) en environnement inerte;

a.

les fibres d'alumine polycristalline, polyphasée et discontinue, sous forme de fibres hachées ou de nattes irrégulières, contenant 3 % ou plus en poids de silice et ayant un module spécifique inférieur à 10 × 106 m;

b.

les fibres de molybdène et d'alliages de molybdène;

c.

les fibres de bore;

d.

les fibres céramiques discontinues dont le point de fusion, de dissociation ou de sublimation est inférieur à 2043 K (1770 °C) en environnement inerte.

1C Notes techniques: Notes techniques: 1.2.3. Note technique: Note technique: Notes techniques: 1.2. Note technique: 1.2. d.

matériaux fibreux ou filamenteux au carbone présentant l'une des caractéristiques suivantes:

1. polyétherimides visés à l'alinéa 1C008.a; ou

1. a.

constitués de l'un des éléments suivants:

substances visées aux alinéas 1C008.b à 1C008.f; ou

2. constitués de matériaux visés par les alinéas 1C010.d.1.a ou 1C010.d.1.b et mélangés à d'autres fibres visées aux alinéas 1C010.a, 1C010.b ou 1C010.c;

e. Note technique:

1C010 matériaux fibreux ou filamenteux imprégnés en tout ou en partie de résine ou de brai (préimprégnés), matériaux fibreux ou filamenteux revêtus de métal ou de carbone (préformés) ou préformes de fibre de carbone, comme suit: Notes 1: Les matériaux fibreux ou filamenteux revêtus de métal ou de carbone (préformés) ou préformes de fibre de carbone, non imprégnés de résine ou de brai, sont visés par les matériaux fibreux ou filamenteux visés aux alinéas 1C010.a, 1C010.b ou 1C010.c. Notes 2: L'alinéa 1C010.e ne vise pas: La température de transition vitreuse mesurée par analyse dynamomécanique (DMA Tg) des matériaux visés à l'alinéa 1C010.e est déterminée selon la méthode décrite dans la norme ASTM D 7028-07, ou une norme nationale équivalente, sur un spécimen d'essai sec. Dans le cas des matériaux thermodurcis, le taux de polymérisation d'un spécimen d'essai sec sera d'au moins 90 % conformément à la norme ASTM E 2160-04 ou une norme nationale équivalente.

1. présentant l'une des caractéristiques suivantes:

1. a.

matériaux fibreux ou filamenteux inorganiques visés à l'alinéa 1C010.c; ou

matériaux fibreux ou filamenteux organiques ou au carbone, présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. module spécifique supérieur à 10,15 × 106 m; et

2. résistance spécifique à la traction supérieure à 17,7 × 104 m; et

2. présentant l'une des caractéristiques suivantes:

2. a.

résine ou brai visés au paragraphe 1C008 ou à l'alinéa 1C009.b;

température de transition vitreuse mesurée par analyse dynamomécanique (DMA Tg) égale ou supérieure à 453 K (180 °C) et ayant une résine phénolique; ou

température de transition vitreuse mesurée par analyse dynamomécanique (DMA Tg) égale ou supérieure à 505 K (232 °C) et ayant une résine ou un brai, non visés au paragraphe 1C008 ou à l'alinéa 1C009.b, et n'étant pas une résine phénolique;

a.

les matériaux fibreux ou filamenteux au carbone imprégnés de résines époxydes (préimprégnés) destinés à la réparation de structures ou produits laminés d'aéronefs civils, présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. une superficie ne dépassant pas 1 m2;

2. une longueur ne dépassant pas 2,5 m; et

3. une largeur supérieure à 15 mm.

b.

les matériaux fibreux ou filamenteux au carbone coupés, broyés ou coupés en morceaux, imprégnés en tout ou en partie de résine ou de brai et ayant une longueur égale ou inférieure à 25,0 mm, lors de l'utilisation d'une résine ou d'un brai autre que ceux visés au paragraphe 1C008 ou à l'alinéa 1C009.b.

a. 1C011 a.Note technique:

métaux dont la dimension particulaire est inférieure à 60 μm, qu'ils soient à grains sphériques, atomisés, sphéroïdaux, en flocons ou pulvérisés, fabriqués à partir d'un matériau ayant une teneur de 99 % ou plus de zirconium, de magnésium et de leurs alliages; La teneur naturelle du zirconium en hafnium (généralement de 2 à 7 %) est comptée avec le zirconium. Note: Les métaux ou alliages énumérés à l'alinéa 1C011.a sont visés, qu'ils soient ou non encapsulés dans de l'aluminium, du magnésium, du zirconium ou du béryllium.

le bore ou les alliages de bore, dont la dimension particulaire est égale ou inférieure à 60 μm, comme suit: Note: Les métaux ou alliages énumérés à l'alinéa 1C011.b sont visés, qu'ils soient ou non encapsulés dans de l'aluminium, du magnésium, du zirconium ou du béryllium.

1. le bore d'une pureté de 85 % en poids ou plus;

2. les alliages de bore contenant 85 % ou plus en poids de bore;

le nitrate de guanine (CAS 506-93-4);

la nitroguanidine (NQ) (CAS 556-88-7).

1C Notes techniques: Notes techniques: 1.2.3. Note technique: Note technique: Notes techniques: 1.2. Note technique: 1.2. Note technique: a.

plutonium sous une forme quelconque dont la teneur isotopique en plutonium 238 est supérieure à 50 % en poids; Note: L'alinéa 1C012.a ne vise pas:

a.

des envois portant sur une teneur en plutonium égale ou inférieure à 1 gramme;

b.

des envois égaux ou inférieurs à trois grammes effectifs lorsqu'ils sont contenus dans un organe détecteur d'un instrument.

neptunium 237 préalablement séparé, sous une forme quelconque. Note: L'alinéa 1C012.b. ne vise pas les envois ayant une teneur en neptunium 237 égale ou inférieure à 1 gramme.

les matériaux de structure et les revêtements spécialement conçus pour réduire la réflectivité radar;

les revêtements, y compris les peintures, spécialement conçus pour réduire ou adapter la réflectivité ou l'émissivité dans les bandes micro-onde, infrarouge ou ultraviolet du spectre électromagnétique.

1C Notes techniques: Notes techniques: 1.2.3. Note technique: Note technique: Notes techniques: 1.2. Note technique: 1.2. Note technique: Note technique: a.

graphites à grain fin dont la masse volumique est égale ou supérieure à 1,72 g/cm3, mesurée à 288 K (15 °C), et dont la taille des grains est inférieure ou égale à 100 μm, utilisables dans les tuyères de fusées et les nez de corps de rentrée, qui peuvent être usinés pour obtenir les produits suivants: N.B.: Voir également 0C004

1. cylindres d'un diamètre égal ou supérieur à 120 mm et d'une longueur égale ou supérieure à 50 mm;

2. tubes d'un diamètre intérieur égal ou supérieur à 65 mm et d'une épaisseur de paroi égale ou supérieure à 25 mm et d'une longueur égale ou supérieure à 50 mm; ou

3. blocs ayant des dimensions égales ou supérieures à 120 mm × 120 mm × 50 mm;

graphites pyrolytiques ou fibreux renforcés utilisables dans les tuyères de fusées et les nez de corps de rentrée utilisables dans les missiles, les lanceurs spatiaux visés au paragraphe 9A004 ou les fusées sondes visées au paragraphe 9A104; N.B.: Voir également 0C004

matériaux composites céramiques (constante diélectrique inférieure à 6 à toute fréquence entre 100 MHz et 100 GHz) utilisables sur les radomes utilisables dans les missiles, les lanceurs spatiaux visés au paragraphe 9A004 ou les fusées sondes visées au paragraphe 9A104;

blocs bruts usinables de céramiques non cuites renforcées au carbure de silicium, utilisables dans les nez utilisables dans les missiles, les lanceurs spatiaux visés au paragraphe 9A004 ou les fusées sondes visées au paragraphe 9A104;

matériaux composites céramiques renforcés au carbure de silicium utilisables dans les pointes, les véhicules de rentrée et les volets de tuyère utilisables dans les missiles, les lanceurs spatiaux visés au paragraphe 9A004 ou les fusées sondes visées au paragraphe 9A104.

substances propulsives:

1. Note technique:

poudre d'aluminium à grain sphérique ou sphéroïdal, autre que celle visée sur la liste des matériels de guerre, composée de particules d'une taille de 200 μm, fabriquée à partir d'un matériau ayant une teneur en poids en aluminium supérieure ou égale à 97 %, si au moins 10 % du poids total est constitué de particules de moins de 63 μm selon la norme ISO 2591:1988 ou des normes nationales équivalentes; Une taille de particule de 63 μm (ISO R-565) correspond à 250 mesh (Tyler) ou 230 mesh (norme ASTM E-11).

2. Les poudres métalliques, autres que celles visées par la liste des matériels de guerre: Note: Les alinéas 1C111a.2.a. et 1C111a.2.b. visent les mélanges de poudres présentant une distribution multi-modale des particules (par ex. mélanges de grains de différentes tailles) lorsqu'il s'agit d'un ou de plusieurs modes.

2. a. Note technique:

les poudres métalliques de zirconium, béryllium ou magnésium, ou les alliages de ces métaux, pourvu qu'au moins 90 % de l'ensemble des particules par volume ou poids de particule sont composés de particules d'une taille inférieure à 60 μm (selon les techniques de mesure telles le passage au tamis, la diffraction par laser ou le balayage optique), qu'ils soient à grains sphériques, atomisés, sphéroïdaux, en flocons ou pulvérisés, constitués à 97 % de l'un des matériaux suivants: La teneur naturelle du zirconium en hafnium (généralement de 2 à 7 %) est comptée avec le zirconium.

1. zirconium;

2. béryllium; ou

3. magnésium;

1C111 a. 2. les poudres métalliques de bores ou d'alliage de bores, avec une teneur en bores d'au moins 85 % par poids, pourvu qu'au moins 90 % de l'ensemble des particules par volume ou poids de particule sont composés de particules d'une taille inférieure à 60 μm (selon les techniques de mesure telles le passage au tamis, la diffraction par laser ou le balayage optique), qu'ils soient à grains sphériques, atomisés, sphéroïdaux, en flocons ou pulvérisés;

3. oxydants utilisables dans des moteurs fusée à propergol liquide, comme suit:

3. a.

trioxyde d'azote (CAS 10544-73-7);

dioxyde d'azote (CAS 10102-44-0)/tétroxyde d'azote (CAS 10544-72-6);

pentoxyde d'azote (CAS 10102-03-1);

d. Note technique:

oxydes d'azote mélangés (MON); Les oxydes d'azote mélangés (MON) sont des solutions d'oxyde nitrique (NO) dans des peroxydes d'azote/dioxydes d'azote (N2O4/NO2) pouvant être utilisés dans des systèmes de missiles. Plusieurs compositions peuvent être qualifiées de MONi ou MONij, où i et j sont des nombres entiers représentant le pourcentage d'oxyde d'azote dans le mélange (par exemple MON3 contient 3 % d'oxyde d'azote, MON25 contient 25 % d'oxyde d'azote. Une limite supérieure est MON40, 40 % en poids).

VOIR LISTE DES MATÉRIELS DE GUERRE POUR l'acide nitrique fumant rouge inhibé (ANFRI);

VOIR LISTE DES MATÉRIELS DE GUERRE ET 1C238 pour les composés constitués de fluor et d'un ou plusieurs des éléments suivants: autres halogènes, oxygène, azote.

4. dérivés de l'hydrazine, comme suit: N.B.: VOIR ÉGALEMENT LISTE DES MATÉRIELS DE GUERRE.

4. a.

triméthylhydrazine (CAS 1741-01-1);

tétraméthylhydrazine (CAS 6415-12-9);

N,N-diallylhydrazine;

allylhydrazine (CAS 7422-78-8);

éthylène dihydrazine;

dinitrate de méthylhydrazine;

nitrate de diméthylhydrazine dissymétrique;

azoture d'hydrazinium (CAS 14546-44-2);

azoture de diméthylhydrazinium;

dinitrate d'hydrazine;

acide diimido oxalique dihydrazine (CAS 3457-37-2);

nitrate de 2-hydroxyéthylhydrazine;

voir la liste des matériels de guerre pour le nitrate d'hydrazinium;

diperchlorate d'hydrazinium (CAS 13812-39-0);

1C111 a. 4. nitrate de méthylhydrazine;

nitrate de diéthylhydrazine;

nitrate de tétrazine (3,6-dihydrazino) (nitrate de 1,4-dihydrazine);

5. Note technique:

Matières à haute densité d'énergie, autres que celles visées sur la liste des matériels de guerre, utilisables dans les missiles ou les véhicules aériens sans équipage visés au paragraphe 9A012; À l'alinéa 1C111.a.5, le terme missile désigne des systèmes complets de fusée et des systèmes de véhicules aériens sans équipage dont la portée est au moins égale à 300 km.

5. a.

Carburant mixte contenant des carburants à la fois solides et liquides, tels que des boues au bore, ayant une densité d'énergie massique égale ou supérieure à 40 × 106 J/kg;

Autres carburants à haute densité d'énergie et additifs pour carburants (par exemple, cubane, solutions ioniques, JP-10) ayant une densité d'énergie volumique égale ou supérieure à 37,5 × 109 J/m3, mesurée à 20 °C et à une pression d'une atmosphère (101,325 kPa); Note: L'alinéa 1C111.a.5.b ne vise pas les carburants fossiles raffinés ni les biocarburants produits à partir de végétaux, y compris les carburants pour moteurs certifiés en vue de leur utilisation dans l'aviation civile, à moins qu'ils ne soient spécialement destinés aux missiles ou aux véhicules aériens sans équipage visés au paragraphe 9A012.

substances polymères:

1. polybutadiène carboxytéléchélique (y compris polybutadiène carboxylé) (PBCT);

2. polybutadiène hydroxytéléchélique (y compris polybutadiène hydroxylé) (PBHT), autre que celui visé sur la liste des matériels de guerre;

3. polybutadiène acide acrylique (PBAA);

4. polybutadiène-acrylonitrile (PBAN);

5. Note technique:

polytétrahydrofurane polyéthylène glycol (TPEG); Le polytétrahydrofurane polyéthylène glycol (TPEG) est un copolymère de polybutan 1,4-diol et de polyéthylèneglycol (PEG).

autres additifs et agents de propulsion:

1. VOIR LISTE DES MATÉRIELS DE GUERRE POUR Carboranes, décaboranes, pentaboranes et leurs dérivés;

2. dinitrate de triéthylène glycol (TEGDN) (CAS 111-22-8);

3. 2-nitrodiphénylamine (CAS 119-75-5);

4. trinitrate de triméthyloéthane (TMETN) (CAS 3032-55-1);

5. dinitrate de triéthylène glycol (TEGDN) (CAS 693-21-0);

6. dérivés du ferrocène, comme suit:

6. a.

voir la liste des matériels de guerre pour le catocène;

ferrocène éthylique (CAS 1273-89-8);

ferrocène propylique;

1C111 c. 6. voir la liste des matériels de guerre pour le ferrocène n-butylique;

ferrocène pentylique (CAS 1274-00-6);

ferrocène dicyclopentylique;

ferrocène dicyclohexylique;

ferrocène diéthylique (CAS 1273-97-8);

ferrocène dipropylique;

ferrocène dibutylique (CAS 1274-08-4);

ferrocène dihexylique (CAS 93894-59-8);

ferrocène acétylique (CAS 1271-55-2)/1,1'-ferrocène diacétylique (CAS 1273-94-5);

voir la liste des matériels de guerre pour les acides ferrocènecarboxyliques;

voir la liste des matériels de guerre pour le butacène;

autres dérivés du ferrocène utilisables comme modifiants de la vitesse de combustion du propergol pour fusées, autres que ceux visés sur la liste des matériels de guerre; Note: L'alinéa 1C111.c.6.o ne vise pas les dérivés du ferrocène qui contiennent un groupe fonctionnel aromatique à six atomes de carbone attaché à la molécule de ferrocène.

7. 4,5 diazidométhyl-2-méthyl-1,2,3-triazole (iso- DAMTR), autre que celui visé sur la liste des matériels de guerre.

ayant une résistance à la rupture supérieure, mesurée à 293 K (20 °C), égale ou supérieure à:

1. 0,9 GPa lors du traitement de mise en solution; ou

2. 1,5 GPa à l'étape de durcissement structural; et

l'une des formes suivantes:

1. feuilles, de tôles ou de tubes dont la paroi ou la tôle a une épaisseur égale ou inférieure à 5,0 mm;

2. formes tubulaires dont la paroi a une épaisseur égale ou inférieure à 50 mm, et dont le diamètre interne est égal ou supérieur à 270 mm.

1C Notes techniques: Notes techniques: 1.2.3. Note technique: Note technique: Notes techniques: 1.2. Note technique: 1.2. Note technique: Note technique: Note technique 1:

1. généralement caractérisés par une haute teneur en nickel, une très faible teneur en carbone et l'emploi d'éléments de substitution ou de précipités pour produire un durcissement par vieillissement; et

2. soumis à des cycles de traitement thermique afin de favoriser le processus de transformation martensitique (traitement de mise en solution), puis durcis par vieillissement (durcissement structural).

1C Notes techniques: Notes techniques: 1.2.3. Note technique: Note technique: Notes techniques: 1.2. Note technique: 1.2. Note technique: Note technique: Note technique 1: Note technique 2: a.

tungstène et alliages sous forme de particules contenant au moins 97 % en poids de tungstène et dont la taille des particules est égale ou inférieure à 50 × 10-6 m (50 μm);

molybdène et alliages sous forme de particules contenant au moins 97 % en poids de molybdène et dont la taille des particules est égale ou inférieure à 50 × 10-6 m (50 μm);

matériaux de tungstène sous forme solide présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. une des compositions suivantes:

1. a.

tungstène et alliages contenant au moins 97 % en poids de tungstène;

tungstène infiltré de cuivre contenant au moins 80 % en poids de tungstène; ou

tungstène infiltré d'argent contenant au moins 80 % en poids de tungstène; et

2. pouvant servir à la production de:

2. a.

cylindres d'un diamètre d'au moins 120 mm et d'une longueur d'au moins 50 mm;

tubes ayant un diamètre intérieur égal ou supérieur à 65 mm, une épaisseur de paroi égale ou supérieure à 25 mm et une longueur d'au moins 50 mm; ou

blocs d'une taille égale ou supérieure à 120 mm sur 120 mm sur 50 mm.

1C Notes techniques: Notes techniques: 1.2.3. Note technique: Note technique: Notes techniques: 1.2. Note technique: 1.2. Note technique: Note technique: Note technique 1: Note technique 2: Note technique: a.

présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. contenant de 17,0 à 23,0 pour cent en poids de chrome et de 4,5 à 7,0 pour cent en poids de nickel;

2. une teneur en titane supérieure à 0,10 pour cent en poids; et

3. une microstructure ferro-austénitique (appelée aussi microstructure biphase) dont au moins 10 pour cent en volume est constitué d'austénite (selon la norme ASTM E118187 ou des normes nationales équivalentes); et

se présentant sous l'une des formes suivantes:

1. lingots ou lames d'une taille égale ou supérieure à 100 mm dans chaque dimension;

2. feuilles d'une largeur égale ou supérieure à 600 m et d'une épaisseur égale ou inférieure à 3 mm; ou

3. tubes ayant un diamètre extérieur égal ou supérieur à 600 m et une épaisseur de paroi égale ou inférieure à 3 m.

alliages d'aluminium présentant les deux caractéristiques suivantes:

1. ayant une résistance maximale à la traction égale ou supérieure à 460 MPa à 293 K (20 °C); et

2. sous forme de tubes ou de cylindres pleins (y compris des pièces forgées), dont le diamètre extérieur excède 75 mm;

alliages de titane présentant les caractéristiques suivantes:

1. ayant une résistance maximale à la traction égale ou supérieure à 900 MPa à 293 K (20 °C); et

2. sous forme de tubes ou de cylindres pleins (y compris des pièces forgées), dont le diamètre extérieur excède 75 mm;

1C Notes techniques: Notes techniques: 1.2.3. Note technique: Note technique: Notes techniques: 1.2. Note technique: 1.2. Note technique: Note technique: Note technique 1: Note technique 2: Note technique: Note technique: a.

matériaux fibreux ou filamenteux au carbone ou à l'aramide, présentant l'une des caractéristiques suivantes: Note: L'alinéa 1C210.a. ne vise pas les matériaux fibreux ou filamenteux à l'aramide recouverts d'un modificateur d'aspect superficiel à base d'ester, selon une teneur en poids de 0,25 % ou plus.

1. un module spécifique égal ou supérieur à 12,7 × 106 m; ou

2. une résistance spécifique à la traction égale ou supérieure à 23,5 × 104 m;

matériaux fibreux ou filamenteux à base de verre, présentant les deux caractéristiques suivantes:

1. un module spécifique égal ou supérieur à 3,18 × 106 m; et

2. une résistance spécifique à la traction égale ou supérieure à 7,62 × 104 m;

c. Note technique:

torons, nappes, mèches ou bandes continus imprégnés de résine thermodurcie dont la largeur est égale ou inférieure à 15 mm (une fois préimprégnés), fabriqués en matériaux fibreux ou filamenteux au carbone ou à base de verre visés à l'alinéa 1C210.a ou 1C210.b. La résine constitue la matrice du composite.

1C Notes techniques: Notes techniques: 1.2.3. Note technique: Note technique: Notes techniques: 1.2. Note technique: 1.2. Note technique: Note technique: Note technique 1: Note technique 2: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: a.

en formes ayant une cylindricosymétrie creuse (y compris des segments de cylindre) avec un diamètre intérieur entre 100 mm et 300 mm; et

une masse supérieure à 20 kg.

contenant moins de 1000 ppm en poids d'impuretés métalliques autres que du magnésium; et

contenant moins de 10 ppm en poids de bore.

contenant à la fois moins de 200 ppm en poids d'impuretés métalliques autres que du calcium; et

contenant moins de 10 ppm en poids de bore.

une pureté de 99,99 % ou plus en poids; et

contenant moins de 10 ppm (parties par million) en poids d'argent.

les fenêtres métalliques pour appareillages à rayon X ou pour dispositifs de diagraphie;

les formes d'oxyde finies ou semi-finies spécialement conçues pour des pièces de composants électroniques ou comme supports de circuits électroniques;

le béryl (silicate de béryllium et d'aluminium) sous la forme d'émeraudes ou d'aigues-marines.

1C Notes techniques: Notes techniques: 1.2.3. Note technique: Note technique: Notes techniques: 1.2. Note technique: 1.2. Note technique: Note technique: Note technique 1: Note technique 2: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: a.

élémentaires;

composés dont l'activité totale est de 37 GBq/kg (1 Ci/kg) ou plus;

mélanges dont l'activité totale est de 37 GBq/kg (1 Ci/kg) ou plus;

produits ou dispositifs contenant l'un de ces éléments.

Actinium-225 (Ac-225)

Actinium-227 (Ac-227)

Californium-253 (Voir-253)

Curium-240 (Cm-240)

Curium-241 (Cm-241)

Curium-242 (Cm-242)

Curium-243 (Cm-243)

Curium-244 (Cm-244)

Einsteinium-253 (Es-253)

Einsteinium-254 (Es-254)

Gadolinium-148 (Gd-148)

Plutonium-236 (Pu-236)

Plutonium-238 (Pu-238)

Polonium-208 (Po-208)

Polonium-209 (Po-209)

Polonium-210 (Po-210)

Radium-223 (Ra-223)

Thorium-227 (Th-227)

Thorium-228 (Th-228)

Uranium-230 (U-230)

Uranium-232 (U-232)

1C Notes techniques: Notes techniques: 1.2.3. Note technique: Note technique: Notes techniques: 1.2. Note technique: 1.2. Note technique: Note technique: Note technique 1: Note technique 2: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: a.

les applicateurs médicaux;

les produits ou dispositifs contenant moins de 0,37 GBq (100 millicuries) de radium 226.

poudre de nickel présentant les deux caractéristiques suivantes:

1. un degré de pureté de 99,0 % en poids ou plus; et

2. une dimension particulaire moyenne inférieure à 10 μm, mesurée selon la norme B-330 de l'ASTM;

nickel sous forme de métal poreux obtenu à partir des matières spécifiées à l'alinéa 1C240.a.

les poudres de nickel filamenteux;

les feuilles simples de nickel poreux d'une superficie de 1000 cm2 par feuille ou moins.

1C Notes techniques: Notes techniques: 1.2.3. Note technique: Note technique: Notes techniques: 1.2. Note technique: 1.2. Note technique: Note technique: Note technique 1: Note technique 2: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: a.

en formes ayant une cylindricosymétrie creuse (y compris des segments de cylindre) avec un diamètre intérieur entre 100 et 300 mm; et

une masse supérieure à 20 kg.

1. Thiodiglycol (111-48-8);

2. Oxychlorure de phosphore (10025-87-3);

3. Méthylphosphonate de diméthyle (756-79-6);

4. VOIR LISTE DES MATÉRIELS DE GUERRE pour Difluorure de méthylphosphonyle (676-99-3);

5. Dichlorure méthylphosphonique (676-97-1);

6. Phosphonate de diméthyle (DMP) (868-85-9);

7. Trichlorure de phosphore (7719-12-2);

8. Phosphite de triméthyle (TMP) (121-45-9);

9. Dichlorure de thionyl (7719-09-7);

10. 1-méthylpipéridine3-ol (3554-74-3);

11. 2-chloro-N, N-diisopropyléthylamine (96-79-7);

12. N,N-diisopropyl-2-aminoéthanethiol (5842-07-9);

13. 1C350 Quinuclidine-3-ol (1619-34-7);

14. Fluorure de potassium (7789-23-3);

15. 2-chloroéthanol (107-07-3);

16. Diméthylamine (124-40-3);

17. Éthylphosphonate de diéthyle (78-38-6);

18. N,N-diméthylphosphoramidate de diéthyle (2404-03-7);

19. Phosphonate de diéthyle (762-04-9);

20. Chlorure de diméthylammonium (506-59-2);

21. Dichloroéthylphosphine (1498-40-4);

22. Dichlorure éthylphosphonique (1066-50-8);

23. VOIR LISTE DES MATÉRIELS DE GUERRE pour Difluorure d'éthylphosphinyle (753-78-4);

24. Fluorure d'hydrogène (7664-39-3);

25. Benzylate de méthyle (76-89-1);

26. Dichlorure méthylphosphoneux (676-83-5);

27. N,Ndiisopropyl-(beta)-aminoéthanol (96-80-0);

28. Alcool pinacolique (464-07-3);

29. VOIR LISTE DES MATÉRIELS DE GUERRE pour O-éthyl2-diisopropylamino éthylméthylphosphonite (QL) (57856-11-8);

30. Phosphite de triéthyle (122-52-1);

31. Trichlorure d'arsenic (7784-34-1);

32. Acide benzylique (76-93-7);

33. Méthylphosphonite de O,O-diéthyle (15715-41-0);

34. Diméthyléthylphosphonate (6163-75-3);

35. Difluorure d'éthylphosphinyle (430-78-4);

36. Difluorure de méthylphosphinyle (753-59-3);

37. Quinuclidine-3-one (3731-38-2);

38. Pentachlorure de phosphore (10026-13-8);

39. 3,3-diméthylbutanone (pinacolone) (75-97-8);

40. Cyanure de potassium (151-50-8);

41. Hydrogénodifluorure de potassium (bifluorure de potassium) (7789-29-9);

42. Hydrogénodifluorure d'ammonium (bifluorure d'ammonium) (1341-49-7);

43. Fluorure de sodium (7681-49-4);

44. 1C350 Bifluorure de sodium (1333-83-1);

45. Cyanure de sodium (143-33-9);

46. 2,2,2-nitriloéthanol (triéthanolamine) (102-71-6);

47. Pentasulphure de diphosphore (1314-80-3);

48. Diisopropylamine (108-18-9);

49. 2-diéthylaminoéthanol (100-37-8);

50. Sulfure de sodium (1313-82-2);

51. Chlorure de soufre (10025-67-9);

52. Dichlorure de soufre (10545-99-0);

53. Chlorure de tris(2-hydroxyéthyl) ammonium (637-39-8);

54. Chlorure de 2-chloroéthyldiisopropylammonium (4261-68-1);

55. Acide méthylphosphonique (993-13-5);

56. Méthylphosphonate de diéthyle (683-08-9);

57. Dichlorure de N,N-diméthylaminophosphoryle (677-43-0);

58. Phosphite de triisopropyle (116-17-6);

59. Éthyldiéthanolamine (139-87-7);

60. Phosphorothioate de O,O-diéthyle (2465-65-8);

61. Phosphorodithioate de O,O-diéthyle (298-06-6);

62. Hexafluorosilicate de sodium (16893-85-9);

63. Dichlorure méthylphosphonothioïque (676-98-2).

virus (qu'ils soient naturels, renforcés ou modifiés, sous forme de cultures vivantes isolées ou de matériel, y compris du matériel vivant délibérément inoculé ou contaminé avec ces cultures), comme suit:

1. virus de la peste équine;

2. virus de la fièvre porcine africaine;

3. virus Andes;

4. virus de l'influenza aviaire, qui sont:

4. a.

non caractérisés; ou

tels que définis à l'annexe I, point 2), de la directive 2005/94/CE (JO L 10 du 14.1.2006, p. 16) comme étant hautement pathogènes, comme suit:

1. Virus de type A ayant un IPIV (indice de pathogénéité intraveineuse) supérieur à 1,2 chez des poulets de 6 semaines; ou

2. des virus du type A, appartenant aux sous-types H5 ou H7 avec des séquences génomiques codant pour de multiples acides aminés basiques sur le site de clivage de la molécule hémagglutinine similaires à celles observées pour d'autres virus IAHP, indiquant que la molécule d'hémagglutinine peut subir un clivage par une protéase ubiquitaire de l'hôte;

5. virus langue bleue;

6. virus Chapare;

7. virus Chikungunya;

8. virus Choclo;

9. virus de la fièvre hémorragique de Crimée-Congo;

10. virus de la fièvre de la dengue;

11. virus Dobrava-Belgrade;

12. virus de l'encéphalite équine de l'Est;

13. virus Ebola;

14. virus de la fièvre aphteuse;

15. virus de la variole caprine;

16. virus Guanarito;

17. virus Hantaan;

18. virus Hendra (morbillivirus équin);

19. virus de l'herpès (maladie d'Aujesky);

20. virus du choléra de Hog (virus de la fièvre ovine);

21. virus de l'encéphalite japonaise;

22. virus Junin;

23. virus de la maladie de la forêt de Kyasanur;

24. virus Laguna Negra;

25. virus de la fièvre de Lassa;

26. 1C351 a. virus de l'encéphalomyélite ovine;

27. virus Lujo;

28. virus de la dermatose nodulaire contagieuse;

29. virus de la chorioméningite lymphocytaire;

30. virus Machupo;

31. virus Marburg;

32. virus de la variole du singe;

33. virus de l'encéphalite de Murray Valley;

34. virus de la maladie de Newcastle;

35. virus Nipah;

36. virus de la fièvre hémorragique d'Omsk;

37. virus Oropouche;

38. virus de la peste des petits ruminants;

39. entérovirus porcin de type 9 (virus de la maladie vésiculaire du porc);

40. virus de Powassan;

41. virus de la rage et tous les autres membres du genre lyssavirus;

42. virus de la fièvre de la vallée du Rift;

43. virus de la peste bovine;

44. virus Rocio;

45. virus Sabia;

46. virus de Séoul;

47. virus de la variole ovine;

48. virus Sin Nombre;

49. virus de l'encéphalite de Saint-Louis;

50. virus de la maladie de Teschen;

51. virus des encéphalites transmises par les tiques (virus de l'encéphalite vernoestivale russe);

52. virus de la variole;

53. virus de l'encéphalite équine du Venezuela;

54. virus de la stomatite vésiculaire;

55. virus de l'encéphalite équine de l'Ouest;

56. virus de la fièvre jaune;

non utilisé;

1C351 bactéries (qu'elles soient naturelles, renforcées ou modifiées, sous forme de cultures vivantes isolées ou de matériel, y compris du matériel vivant délibérément inoculé ou contaminé par ces cultures), comme suit:

1. Bacillus anthracis;

2. Brucella abortus;

3. Brucella melitensis;

4. Brucella suis;

5. Burkholderia mallei (Pseudomonas mallei);

6. Burkholderia pseudomallei (Pseudomonas pseudomallei);

7. Chlamydophila psittaci (anciennement connu sous le nom Chlamydia psittaci);

8. Clostridium argentinense (anciennement connu sous le nom Clostridium botulinum Type G), souches productrices de neurotoxine botulique;

9. Clostridium baratii, souches productrices de neurotoxine botulique;

10. Clostridium botulinum;

11. Clostridium butyricum, souches productrices de neurotoxine botulique;

12. Clostridium perfringens, types producteurs de la toxine epsilon;

13. Coxiella burnetii;

14. Francisella tularensis;

15. Mycoplasma capricolum subspecies capripneumoniae (strain F38);

16. Mycoplasma mycoïdes subspecies mycoides SC (small colony);

17. Rickettsia prowasecki;

18. Salmonella typhi;

19. Escherichia coli (STEC) producteur de shigatoxine de sérogroupes de O26, O45, O103, O104, O111, O121, O145, O157, et autres sérogroupes producteurs de shigatoxine;

20. Shigella dysenteriae;

21. Vibrio cholerae;

22. Yersinia pestis;

toxines, comme suit, ainsi que leurs sous-unités de toxines: Note: L'alinéa 1C351.d. ne vise pas les toxines botuliniques contenues dans des produits répondant à tous les critères suivants:

1. Toxines botuliques;

2. Clostridium perfringens alpha, beta 1, beta 2, epsilon et toxines iota;

3. Conotoxine;

4. Ricine;

5. Saxitoxine;

6. Note technique:

1C351 d. Shigatoxine; L'Escherichia coli (STEC) producteur de shigatoxine est aussi connu sous le nom d'E. coli (VTEC) producteur d'Escherichia coli entérohémorragique (EHEC) ou de vérocytotoxine.

7. Enterotoxine du staphylococcus aureus, toxine alpha-hémolysine et toxine, et toxine du syndrome de choc toxique (anciennement connu sous le nom d'enterotoxine Staphylococcus F);

8. Tétrodotoxine;

9. Vérotoxine et protéines de type shiga inactivant les ribosomes;

10. Microcystine (Cyanginosine);

11. Aflatoxines;

12. Abrine;

13. Toxine cholérique;

14. Toxine de diacetoxyscirpenol;

15. Toxine T-2;

16. Toxine HT-2;

17. Modeccine;

18. Volkensine;

19. Viscum album Lectin 1 (Viscumine);

1. formulations pharmaceutiques destinées à être administrées à l'homme dans le cadre d'un traitement médical;

2. préemballés en vue de leur distribution comme produits médicaux;

3. autorisés par une autorité publique à être commercialisés comme produits médicaux.

champignons, qu'ils soient naturels, renforcés ou modifiés, sous forme soit de cultures vivantes isolées soit de matières, y compris des matières vivantes auxquelles ces cultures ont été délibérément inoculées ou qui ont été délibérément contaminées avec ces cultures:

1. coccidioides immitis;

2. coccidioides posadasii.

organismes génétiquement modifiés ou éléments génétiques qui contiennent des séquences d'acide nucléique associées au caractère pathogène des organismes visés aux alinéas 1C351.a., 1C351.c. ou 1C351.e. ou au paragraphe 1C354;

1C353 organismes génétiquement modifiés ou éléments génétiques qui contiennent des séquences d'acide nucléique pouvant coder l'une quelconque des toxines visées à l'alinéa 1C351.d ou de leurs sous-unités de toxines.

1C Notes techniques: Notes techniques: 1.2.3. Note technique: Note technique: Notes techniques: 1.2. Note technique: 1.2. Note technique: Note technique: Note technique 1: Note technique 2: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Notes techniques: 1.2.3. a.

représente, en elle-même ou à travers les produits issus de sa transcription ou de sa traduction, un danger important pour la santé humaine, animale ou végétale; ou

est réputée renforcer la capacité d'un micro-organisme déterminé, ou de tout autre organisme dans lequel elle peut être insérée ou intégrée d'une autre manière, à nuire gravement aux hommes, aux animaux ou à la santé des plantes.

1. Virus andin latent de la pomme de terre (Potato Andean latent tymovirus);

2. Viroïde de la filosité des tubercules de la pomme de terre;

bactéries (qu'elles soient naturelles, renforcées ou modifiées, sous forme de cultures vivantes isolées ou de matériel qui a délibérément été inoculé ou contaminé par ces cultures), comme suit:

1. Xanthomonas albilineans;

2. Xanthomonas axonopodis pv. citri (Xanthomonas campestris pv. citri A) [Xanthomonas campestris pv. citri];

3. Xanthomonas oryzae pv. oryzae (Pseudomonas campestris pv. oryzae);

4. Clavibacter michiganensis subsp. sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. sepedonicum or Corynebacterium sepedonicum);

5. Ralstonia solanacearum, race 3, biovar 2;

champignons (qu'ils soient naturels, renforcés ou modifiés, sous forme de cultures vivantes isolées ou de matériel qui a délibérément été inoculé ou contaminé par de telles cultures), comme suit:

1. Colletotrichum kahawae (Colletotrichum coffeanum var. virulans);

2. Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae);

3. Microcyclus ulei (syn. Dothidella ulei);

4. Puccinia graminis ssp. graminis var. graminis/Puccinia graminis ssp. graminis var. stakmanii (Puccinia graminis [syn. Puccinia graminis f. sp. tritici]);

5. 1C354 c. Puccinia striiformis (syn. Puccinia glumarum);

6. Magnaporthe oryzae (Pyricularia oryzae);

7. Peronosclerospora philippinensis (Peronosclerospora sacchari);

8. Sclerophthora rayssiae var. zeae;

9. Synchytrium endobioticium;

10. Tilletia indica;

11. Thecaphora solani.

Produits chimiques toxiques, comme suit: Notes 1: Pour les exportations vers des États non parties à la Convention sur les armes chimiques, le paragraphe 1C450 ne vise pas les mélanges chimiques contenant une ou plusieurs des substances chimiques visées aux alinéas 1C450.a.1. et.a.2. dont aucune des substances spécifiées ne constitue plus de 1 % en poids du mélange. Notes 2: Pour les exportations vers des États parties à la Convention sur les armes chimiques, le paragraphe 1C450 ne vise pas les mélanges chimiques contenant une ou plusieurs des substances chimiques visées aux alinéas 1C450.a.1. et.a.2. dont aucune des substances spécifiées ne constitue plus de 30 % en poids du mélange. Notes 3: Le paragraphe 1C450 ne vise pas les mélanges chimiques contenant une ou plusieurs des substances chimiques visées aux alinéas 1C450.a.4., .a.5., .a.6. et.a.7. dont aucune des substances spécifiées ne constitue plus de 30 % en poids du mélange. Notes 4: Le paragraphe 1C450 ne vise pas les produits définis comme des biens de consommation conditionnés pour la vente au détail en vue d'un usage personnel ou conditionnés pour un usage individuel.

1. Amiton: phosphorothiolate de O,O-diéthyle et de S[2(2diéthylamino)éthyle] (78-53-5) et les sels alkylés ou protonés correspondants;

2. PFIB: 1,1,3,3,3-pentafluoro-(trifluorométhyle) propène (382-21-8);

3. VOIR LISTE DES MATÉRIELS DE GUERRE pour BZ: benzilate de 3-quinuclidinyle (6581-06-2);

4. Phosgène (dichlorure de carbonyle) (75-44-5);

5. Chlorure de cyanogène (506-77-4);

6. Cyanure d'hydrogène (74-90-8);

7. Chloropicrine: trichloronitrométhane (76-06-2);

précurseurs de produits chimiques toxiques, comme suit: Notes 1: Pour les exportations vers des États non parties à la Convention sur les armes chimiques, le paragraphe 1C450 ne vise pas les mélanges chimiques contenant une ou plusieurs des substances chimiques visées aux alinéas 1C450.b.1., .b.2., .b.3., .b.4., .b.5. et.b.6. dont aucune des substances spécifiées ne constitue plus de 10 % en poids du mélange. Notes 2: Pour les exportations vers des États parties à la Convention sur les armes chimiques, le paragraphe 1C450 ne vise pas les mélanges chimiques contenant une ou plusieurs des substances chimiques visées aux alinéas 1C450.b.1., .b.2., .b.3., .b.4., .b.5. et.b.6. dont aucune des substances spécifiées ne constitue plus de 30 % en poids du mélange. Notes 3: Le paragraphe 1C450 ne vise pas les mélanges chimiques contenant une ou plusieurs des substances chimiques visées à l'alinéa 1C450.b.8. dont aucune des substances spécifiées ne constitue plus de 30 % en poids du mélange. Notes 4: Le paragraphe 1C450 ne vise pas les produits définis comme des biens de consommation conditionnés pour la vente au détail en vue d'un usage personnel ou conditionnés pour un usage individuel.

1. produits chimiques, autres que ceux cités sur la liste des matériels de guerre ou au paragraphe 1C350, contenant un atome de phosphore auquel est lié un groupe méthyle, éthyle, n-propyle ou iso-propyle, sans autres atomes de carbone; Note: L'alinéa 1C450.b.1 ne vise pas le Fonofos: éthyldithiophosphonate de O éthyle et de S phényle (944-22-9).

2. 1C450 b. dihalogénures N,N-dialkyl [Me, Et, n-Pr ou iso-Pr] phosphoramidiques, autres que le dichlorure de N,N-diméthylaminophosphoryle; N.B.: voir l'alinéa 1C350.57. en ce qui concerne le dichlorure de N,Ndiméthylaminophosphoryle.

3. N,N-dialkyl [Me, Et, n-Pr ou iso-Pr] phosphoramidates de dialkyle [Me, Et, n-Pr ou iso-Pr], autres que N, N diméthylphosphoramidate de diéthyle visé au paragraphe 1C350;

4. chlorures de N,N-dialkyl [Me, Et, n-Pr ou iso-Pr] aminoéthyle et les sels protonés correspondants, autres que 2-chloro-N,N-diisopropyléthylamine et chlorure de 2-chloroéthyldiisopropylammonium visés au paragraphe 1C350;

5. dialkyl [Me, Et, n-Pr ou iso-Pr] aminoéthanols et les sels protonés correspondants, autres que 2-diisopropylaminoéthanol (96-80-0) et 2-diéthylaminoéthanol (100-37-8) visés au paragraphe 1C350; Note: L'alinéa 1C450.b.5 ne vise pas:

5. a.

le N,N-Diméthylaminoéthanol (108-01-0) et les sels protonés correspondants;

les sels protonés de N,N-Diéthylaminoéthanol (100-37-8).

6. N,N-dialkyl [Me, Et, n-Pr ou iso-Pr] aminoéthanethiol et les sels protonés correspondants, autres que N,N-diisopropyl-2-aminoéthanethiol visé au paragraphe 1C350;

7. pour l'éthyldiéthanolamine (139-87-7), voir le paragraphe 1C350;

8. méthyldiéthanolamine (105-59-9).

1D Logiciel 0D001 Logiciel spécialement conçu ou modifié pour le développement, la production ou l'utilisation des équipements visés aux paragraphes 1B001 à 1B003. 1D002 Logiciel pour le développement de produits laminés ou de matériaux composites à matrice organique, métallique ou de carbone. 1D003 Logiciel spécialement conçu ou modifié pour permettre à des équipements d'exécuter les fonctions des équipements visés à l'alinéa 1A004.c. ou 1A004.d. 1D101 Logiciel spécialement conçu ou modifié pour l'utilisation des biens visés aux paragraphes 1B101, 1B102, 1B115, 1B117, 1B118 ou 1B119. 1D103 Logiciel spécialement conçu pour l'analyse des observables réduits tels que la réflectivité radar, les signatures infrarouges/ultraviolettes et les signatures acoustiques. 1D201 Logiciel spécialement conçu pour l'utilisation des produits visés au paragraphe 1B201.

1E Technologie 1E001 Technologie, selon la note générale relative à la technologie pour le développement ou la production des équipements ou du matériel visés aux alinéas 1A001.b., 1A001.c., paragraphes 1A002 à 1A005, alinéa 1A006.b., paragraphes 1A007, 1B o 1C. 1E002 Autres technologies, comme suit: 1E101 Technologie, au sens de la note générale relative à la technologie, pour l'utilisation des produits visés aux paragraphes 1A102, 1B001, 1B101, 1B102, 1B115 à 1B119, 1C001, 1C101, 1C107, 1C111 à 1C118, 1D101 ou 1D103. 1E102 Technologie, selon la note générale relative à la technologie, pour le développement des logiciels visés aux paragraphes 1D001, 1D101 ou 1D103. 1E103 Technologie pour le réglage de la température, de la pression ou de l'atmosphère des autoclaves ou des hydroclaves utilisés pour la production de composites ou de composites partiellement traités. 1E104 Technologie relative à la production de matériaux obtenus par pyrolyse mis en forme sur un moule, un mandrin ou un autre support à partir de précurseurs gazeux qui se décomposent à une température comprise entre 1573 K (1300 °C) et 3173 K (2900 °C) et à une pression comprise entre 130 Pa et 20 kPa. Note: Le paragraphe 1E104 comprend la technologie pour la composition de précurseurs gazeux, des schémas et paramètres de commande des débits et des processus. 1E201 Technologie, au sens de la note générale relative à la technologie, pour l'utilisation des produits visés aux paragraphes 1A002, 1A007, 1A202, 1A225 à 1A227, 1B201, 1B225 à 1B234, aux alinéas 1C002.b.3. ou b.4., 1C010.b., et aux paragraphes 1C202, 1C210, 1C216, 1C225 à 1C241 ou 1D201. 1E202 Technologie, selon la note générale relative à la technologie, pour le développement ou la production des produits visés aux paragraphes 1A007, 1A202 ou 1A225 à 1A227. 1E203 Technologie, selon la note générale relative à la technologie, pour le développement des logiciels visés au paragraphe 1D201.

1E a.

technologie pour le développement ou la production des polybenzothiazoles ou des polybenzoxazoles;

technologie pour le développement ou la production de composés de fluoroélastomères contenant au moins un monomère de vinyléther;

technologie pour la conception ou la production des matériaux de base ou des matériaux céramiques non composites suivants:

1. matériaux de base présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. a.

l'une des compositions ci-après:

1. oxydes de zirconium simples ou complexes et oxydes complexes de silicium ou d'aluminium;

2. nitrures de bore simples (formes cristallines cubiques);

3. carbures de silicium ou de bore simples ou complexes; ou

4. nitrures de silicium simples ou complexes;

l'une des impuretés métalliques totales suivantes (non comprises les adjonctions intentionnelles):

1. moins de 1000 ppm pour les oxydes simples ou les carbures simples; ou

2. moins de 5000 ppm pour les composés complexes ou les nitrures simples;

et l'un des matériaux suivants:

1. oxyde de zirconium (CAS 1314-23-4) ayant une dimension moyenne des particules égale ou inférieure à 1 μm et n'ayant pas plus de 10 % de particules d'une dimension supérieure à 5 μm;

2. autres matériaux de base ayant une dimension moyenne de particule égale ou inférieure à 5 μm et n'ayant pas plus de 10 % de particules d'une dimension supérieure à 10 μm; ou

3. présentant toutes les caractéristiques suivantes:

3. a.

plaquettes dont le rapport longueur/épaisseur est supérieur à 5;

trichites dont le rapport longueur/diamètre est supérieur à 10 pour des diamètres inférieurs à 2 μm; et

fibres continues ou hachées d'un diamètre inférieur à 10 μm;

2. matériaux céramiques non composites composés des matériaux visés à l'alinéa 1E002.c.1; Note: L'alinéa 1E002.c.2. ne vise pas la technologie pour la conception ou la production d'abrasifs.

technologie pour la production de fibres polyamides aromatiques;

1E002 technologie pour l'installation, la maintenance ou la réparation des matériaux visés par le paragraphe 1C001;

technologie pour la réparation des structures, produits laminés ou matériaux composites visés au paragraphe 1A002 ou aux alinéas 1C007.c ou 1C007.d; Note: L'alinéa 1E002.f ne vise pas la technologie pour la réparation de structures d'aéronefs civils au moyen de matériaux fibreux ou filamenteux au carbone et de résines époxydes, qui figure dans les manuels des fabricants.

g. Note technique:

bibliothèques (bases de données techniques paramétriques) spécialement conçues ou modifiées pour permettre à des équipements d'exécuter les fonctions des équipements visés à l'alinéa 1A004.c ou 1A004.d. Aux fins de l'alinéa 1E002.g, le terme bibliothèque (base de données technique paramétrique) désigne un ensemble d'informations techniques dont la consultation permet d'augmenter la performance des équipements ou des systèmes pertinents.

CATÉGORIE 2 TRAITEMENT DES MATÉRIAUX

2A Note technique:

Systèmes, équipements et composants N.B.: Pour les roulements silencieux, voir la liste des matériels de guerre. 2A001 Roulements antifriction et systèmes de roulement suivants et leurs composants: N.B.: VOIR AUSSI LE PARAGRAPHE 2A101. Note: Le paragraphe 2A001 ne vise pas les billes ayant des tolérances spécifiées par le fabricant classées suivant la norme ISO 3290 classe 5 ou pires. 2A101 Roulements à billes radiaux, autres que ceux visés au paragraphe 2A001, ayant toutes les tolérances spécifiées par le fabricant classées suivant la norme ISO 492 Classe de tolérance 2 (ou ANSI/ABMA Std 20 Classe de tolérance ABEC-9, ou autres équivalents nationaux) ou meilleures et présentant toutes les caractéristiques suivantes: 2A225 Creusets fabriqués en matériaux résistant aux métaux actinides liquides, comme suit: 2A226 Vannes et soupapes présentant les caractéristiques suivantes: Pour les vannes et soupapes ayant des diamètres différents à l’entrée et à la sortie, on entend par taille nominale au paragraphe 2A226 le diamètre le plus petit.

2A a.

roulements à billes ou roulements à rouleaux massifs, ayant toutes les tolérances spécifiées par le fabricant classées suivant la norme ISO 492 Classe de tolérance 4 (ou équivalents nationaux) ou meilleures, et ayant des bagues ainsi que des éléments rotatifs en métal monel ou en béryllium; Note: L’alinéa 2A001.a ne vise pas les roulements à rouleaux coniques.

2A001 non utilisé;

systèmes de paliers magnétiques actifs utilisant l’un des éléments suivants:

1. matériaux ayant des densités de flux de 2,0 T ou plus et des limites élastiques supérieures à 414 MPa;

2. polariseurs homopolaires tridimensionnels entièrement électromagnétiques pour actionneurs; ou

3. capteurs de position à haute température [450 K (177 °C) ou plus].

bague intérieure d’un diamètre d’alésage compris entre 12 et 50 mm;

bague extérieure d’un diamètre externe compris entre 25 et 100 mm; et

largeur comprise entre 10 et 20 mm.

creusets présentant les deux caractéristiques suivantes:

1. un volume compris entre 150 et 8000 cm3; et

2. constitués ou revêtus de l’un des matériaux suivants, ou d’une combinaison de ces matériaux, ayant un niveau global d’impureté égal ou supérieur à 2 % en poids:

2. a.

fluorure de calcium (CaF2);

zirconate de calcium (métazirconate) (CaZrO3);

sulfure de cérium (Ce2S3);

oxyde d’erbium (erbine) (Er2O3);

oxyde de hafnium (hafnone) (HfO2);

oxyde de magnésium (MgO);

alliage nitruré niobium-titane-tungstène (environ 50 % Nb, 30 % Ti,20 % W);

oxyde d’yttrium (yttria) (Y2O3); ou

oxyde de zirconium (zircone) (ZrO2);

creusets présentant les deux caractéristiques suivantes:

1. un volume compris entre 50 et 2000 cm3; et

2. fabriqués ou à revêtement interne en tantale d’une pureté égale ou supérieure à 99,9 % en poids;

creusets présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. un volume compris entre 50 et 2000 cm3;

2. fabriqués ou à revêtement interne en tantale d’une pureté égale ou supérieure à 98 % en poids; et

3. recouverts d’une couche de carbure, nitrure ou borure de tantale, ou d’une combinaison quelconque de ces trois substances.

une taille nominale égale ou supérieure à 5 mm;

munies d’un obturateur à soufflet; et

faites entièrement ou revêtues intérieurement d’une couche d’aluminium, d’alliage d’aluminium, de nickel ou d’alliage de nickel contenant plus de 60 % de nickel en poids.

2B Notes techniques: 1.2.3.4.5.6. Notes techniques: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Notes: 1.2. Notes techniques: 1.2. Notes techniques: 1.2.

Équipements d’essai, d’inspection et de production Les axes de contournage secondaires parallèles, par exemple un axe w sur des aléseuses horizontales ou un axe de rotation secondaire dont l’axe de référence est parallèle à celui de l’axe de rotation principal, ne sont pas comptés dans le nombre total des axes de contournage. Les axes de rotation ne doivent pas nécessairement tourner sur 360°. Un axe de rotation peut être entraîné par un dispositif linéaire (par exemple une vis ou une crémaillère). Aux fins de la sous-catégorie 2B, le nombre d’axes pouvant être coordonnés simultanément pour la commande de contournage est le nombre d’axes le long ou autour desquels s’effectuent, pendant le traitement de la pièce usinée, des mouvements simultanés et corrélés entre la pièce usinée et un outil. Il ne comprend pas les autres axes le long ou autour desquels sont effectués d’autres mouvements relatifs à l’intérieur de la machine. Ces axes sont notamment: La nomenclature des axes sera conforme à la norme ISO 841, Machines à commande numérique nomenclature des axes et des mouvements. Pour les besoins des paragraphes 2B001 à 2B009, une broche basculante est assimilée à un axe de rotation. Une précision de positionnement garantie dérivée de mesures effectuées selon la norme ISO 230/2 ou des normes nationales équivalentes peut être utilisée en lieu et place des protocoles d’essai individuels pour chaque modèle de machine-outil. La précision de positionnement garantie signifie la valeur précise fournie par les autorités compétentes de l’État membre où l’exportateur est établi comme représentative de la précision d’un modèle de machine spécifique. Détermination de la précision de positionnement garantie Aux fins des alinéas 2B001.a. à 2B001.c., l’incertitude de mesure pour la précision garanties des machines-outils, telle que définie par la norme standard internationale ISO 203/2 (2006) ou une autre norme nationale équivalente, ne doit pas être prise en compte. 2B001 Machines-outils et toute combinaison de ceux-ci, pour l’enlèvement (ou la découpe) des métaux, céramiques ou matériaux composites pouvant, conformément aux spécifications techniques du fabricant, être équipées de dispositifs électroniques pour la commande numérique, comme suit: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 2B201. Notes 1: Le paragraphe 2B001 ne vise pas les machines-outils spéciales limitées à la fabrication d’engrenages. Pour ces machines, voir le paragraphe 2B003. Notes 2: Le paragraphe 2B001 ne vise pas les machines-outils spéciales limitées à la fabrication de l’un des composants suivants: Notes 3: Une machine-outil présentant au moins deux des trois propriétés suivantes: tournage, fraisage ou meulage (par exemple: une machine à tourner permettant le fraisage), doit faire l’objet d’une évaluation en fonction de chaque alinéa pertinent 2B001.a., b. ou c. N.B.: Pour les machines de finition optique, voir paragraphe 2B002. 2B002 Machines-outils de finition optique à commande numérique, équipées pour l’abrasion sélective pour produire des surfaces optiques non sphériques et présentant toutes les caractéristiques suivantes: Aux fins du paragraphe 2B002: 2B003 Machines-outils à commande numérique ou manuelles et leurs composants, commandes et accessoires spécialement conçus, spécialement conçues pour raser, finir, rectifier ou roder les engrenages droits et à denture hélicoïdale et hélicoïdale double, durcis (Rc = 40 ou supérieur), ayant un diamètre du cercle primitif supérieur à 1250 mm et une largeur de denture de 15 % ou plus du diamètre du cercle primitif, finis jusqu’à une qualité AGMA 14 ou meilleure (équivalent à ISO 1328 classe 3). 2B004 Presses isostatiques à chaud, présentant toutes les caractéristiques suivantes, et leurs composants et accessoires spécialement conçus: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 2B104 et 2B204. La dimension de la cavité de travail désigne le diamètre intérieur de la cavité de travail de la presse dans laquelle la température et la pression de travail sont réalisées et ne comprend pas les dispositifs de montage. Cette dimension désignera, selon celle des deux chambres qui contient l’autre, soit le diamètre intérieur de la chambre haute pression, soit le diamètre intérieur de la chambre isolée du four, la valeur prise en considération étant la plus petite. N.B.: Pour les matrices, moules et outils spécialement conçus, voir 1B003, 9B009 et les listes de matériels de guerre. 2B005 Équipements spécialement conçus pour le dépôt, le traitement et le contrôle en cours d’opération de recouvrements, revêtements et modifications de surfaces inorganiques, comme suit, pour les substrats non électroniques, par des procédés mentionnés dans le tableau suivant l’alinéa 2E003.f. et dans les notes associées, leurs composants de manutention, placement, manipulation et commande automatisés spécialement conçus: Note: Le paragraphe 2B005 ne vise pas les équipements pour le dépôt chimique en phase vapeur, pour le dépôt par arc cathodique, pour le dépôt par pulvérisation cathodique, pour le placage ionique ou pour l’implantation ionique, spécialement conçus pour outils de coupe ou d’usinage. 2B006 Systèmes de contrôle dimensionnel ou de mesure, équipements et ensembles électroniques comme suit: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 2B206. Note: Le paragraphe 2B006 inclut les machines-outils, autres que celles figurant au paragraphe 2B001, pouvant servir de machines de mesure si elles correspondent aux critères établis pour la fonction de machines de mesure, ou si elles dépassent ces critères. 2B007 Robots présentant l’une des caractéristiques suivantes et leurs unités de commande et effecteurs terminaux spécialement conçus: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 2B207. 2B008 Ensembles ou unités spécialement conçus pour machines-outils, ou les systèmes ou équipements de contrôle dimensionnel ou de mesure, comme suit: Note: Les alinéas 2B008.a. et 2B008.b. visent les unités conçues pour déterminer les informations de positionnement à des fins de contrôle par rétroaction, tels les dispositifs de type inductif, échelles graduées, systèmes à infrarouges ou systèmes à laser. 2B009 Machines de tournage centrifuge et machines de fluotournage qui, conformément aux spécifications techniques du fabricant, peuvent être équipées d’unités de commande numérique ou d’une commande par ordinateur et présentant toutes les caractéristiques suivantes: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 2B109 ET 2B209. Aux fins du paragraphe 2B009, les machines combinant les fonctions de tournage centrifuge et de fluotournage sont assimilées à des machines de fluotournage. 2B104 Presses isostatiques, autres que celles visées au paragraphe 2B004, présentant toutes les caractéristiques suivantes: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 2B204. 2B105 Fours pour dépôt chimique en phase vapeur (CVD), autres que ceux visés à l’alinéa 2B005.a, conçus ou modifiés pour la densification des matériaux composites carbone-carbone. 2B109 Machines de fluotournage, autres que celles visées au paragraphe 2B009, et leurs composants spécialement conçus, comme suit: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 2B209. Note: Le paragraphe 2B109 ne vise pas les machines non utilisables pour la production des composants et équipements de propulsion (par exemple les corps de propulseurs) pour les systèmes visés au paragraphe 9A005, aux alinéas 9A007.a ou 9A105.a. Aux fins du paragraphe 2B109, les machines combinant les fonctions de tournage centrifuge et de fluotournage sont assimilées à des machines de fluotournage. 2B116 Systèmes d’essai aux vibrations, équipements et composants, comme suit: Au paragraphe 2B116, l’expression table nue désigne une table plate ou une surface sans installation ni équipement. 2B117 Commandes des équipements et processus, autres que ceux spécifiés au paragraphe 2B004, à l’alinéa 2B005.a, aux paragraphes 2B104 ou 2B105, conçus ou modifiés pour la densification et la pyrolyse des pièces composites des tuyères de fusées et des nez de véhicules de rentrée. 2B119 Machines d’équilibrage et équipements connexes, comme suit: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 2B219. 2B120 Simulateurs de mouvement ou tables rotatives présentant toutes les caractéristiques suivantes: Note 1: Le paragraphe 2B120 ne vise pas les tables rotatives conçues ou modifiées pour des machines-outils ou des équipements médicaux. Pour les commandes de tables rotatives de machines-outils, voir le paragraphe 2B008. Note 2: Les simulateurs de mouvement ou tables rotatives mentionnés au paragraphe 2B120 restent visés, qu’ils soient ou non pourvus de bagues collectrices ou de dispositifs intégrés sans contact au moment de l’exportation. 2B121 Tables de positionnement (équipements capables d’effectuer un positionnement rotatif précis dans n’importe quel axe), autres que celles visées au paragraphe 2B120, présentant toutes les caractéristiques suivantes: Note: Le paragraphe 2B121 ne vise pas les tables rotatives conçues ou modifiées pour des machines-outils ou des équipements médicaux. Pour les contrôles des tables rotatives de machines-outils, voir le paragraphe 2B008. 2B122 Centrifugeuses capables d’imprimer des accélérations supérieures à 100 g et conçues ou modifiées pour incorporer des bagues collectrices ou des dispositifs intégrés sans contact capables de transmettre l’alimentation électrique, des signaux d’information ou les deux. Note: Les centrifugeuses mentionnées au paragraphe 2B122 restent visées, qu’elles soient ou non pourvues de bagues collectrices ou de dispositifs intégrés sans contact au moment de l’exportation. 2B201 Machines-outils et toutes combinaisons de celles-ci, autres que celles visées au paragraphe 2B001, comme suit, pour l’enlèvement ou la découpe des métaux, céramiques ou matériaux composites pouvant, conformément aux spécifications techniques du fabricant, être équipées de dispositifs électroniques pour la commande de contournage simultanée sur deux axes ou plus: Note 1: Le paragraphe 2B201 ne vise pas les machines-outils spéciales limitées à la fabrication de l’un des composants suivants: Note 2: Une machine-outil présentant au moins deux des trois propriétés suivantes: tournage, fraisage ou meulage (par exemple: une machine à tourner permettant le fraisage), doit faire l’objet d’une évaluation en fonction de chaque alinéa pertinent 2B001.a. ou 2B201.a. ou b. 2B204 Presses isostatiques, autres que celles visées aux paragraphes 2B004 ou 2B104, et équipements correspondants, comme suit: Au paragraphe 2B204, la dimension intérieure de la chambre est celle de la chambre dans laquelle sont obtenues la pression et la température de travail et n’inclut pas les fixations. Cette dimension désignera, selon celle des deux chambres qui contient l’autre, soit le diamètre intérieur de la chambre haute pression, soit le diamètre intérieur de la chambre isolée du four, la valeur prise en considération étant la plus petite. 2B206 Machines, instruments ou systèmes de contrôle dimensionnel, autres que ceux cités au paragraphe 2B006, comme suit: Note 1: Les machines-outils pouvant servir de machines de mesure sont visées si elles correspondent aux critères établis pour la fonction de machines-outils ou la fonction de machines de mesure, ou si elles dépassent ces critères. Note 2: Une machine décrite au paragraphe 2B206 est visée si elle dépasse la limite de contrôle, à un point quelconque de sa gamme de fonctionnement. Toutes les valeurs de mesure figurant dans le paragraphe 2B206 représentent des déviations positives ou négatives autorisées par rapport à la valeur prescrite, c’est-à-dire pas la totalité de la gamme. 2B207 Robots, effecteurs terminaux et leurs unités de commande, autres que ceux visés au paragraphe 2B007, comme suit: 2B209 Machines de fluotournage ou de tournage centrifuge capables de remplir des fonctions de fluotournage, autres que celles visées aux paragraphes 2B009 ou 2B109, et mandrins, comme suit: Note: L’alinéa 2B209.a vise les machines qui n’ont qu’un seul galet conçu pour déformer le métal et deux galets auxiliaires pour retenir le mandrin, mais ne participant pas directement au processus de déformation. 2B219 Machines centrifuges d’équilibrage multiplans, fixes ou déplaçables, horizontales ou verticales, comme suit: 2B225 Manipulateurs à distance pouvant être utilisés pour agir à distance dans des opérations de séparation radiochimique ou des cellules chaudes, présentant l’une des caractéristiques suivantes: Les manipulateurs à distance assurent la transmission des commandes du conducteur humain à un bras de manœuvre à distance et à un dispositif terminal. Ils peuvent être du type maître/esclave ou être commandés par un manche à balai ou un clavier. 2B226 Fours à induction (à vide ou à gaz inerte) sous atmosphère contrôlée et leurs systèmes d’alimentation électrique, comme suit: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 3B. Note: L’alinéa 2B226.a ne vise pas les fours conçus pour le traitement des plaquettes de semi-conducteurs. 2B227 Fours de fusion et de coulée sous vide ou autres fours à environnement contrôlé pour métallurgie et leurs équipements connexes, comme suit: 2B228 Équipements de fabrication ou d’assemblage de rotors, équipements à dresser pour rotors, mandrins et matrices pour la formation de soufflets, comme suit: 2B230 Capteurs de pression de type quelconque capables de mesurer des pressions absolues et présentant toutes les caractéristiques suivantes: Au paragraphe 2B230, capteur de pression désigne un dispositif qui transforme les mesures de pression en signal électrique. Aux fins du paragraphe 2B230, la précision inclut la non-linéarité, l’hystérésis et la répétabilité à la température ambiante. 2B231 Pompes à vide présentant toutes les caractéristiques suivantes: La capacité de pompage est déterminée au point de mesure avec de l’azote ou de l’air. Le vide final est déterminé à l’entrée de la pompe, l’entrée de la pompe étant fermée. 2B232 Systèmes à canon à grande vitesse (systèmes à propulsion, au gaz, à bobine, électromagnétiques ou électrothermiques, et autres systèmes avancés) capables d’accélérer des projectiles jusqu’à 1,5 km/s ou plus. N.B.: VOIR ÉGALEMENT LISTE DES MATÉRIELS DE GUERRE. 2B233 Compresseurs à vis, à soufflet d’étanchéité et pompes à vide, à vis, à soufflet d’étanchéité. N.B.: VOIR ÉGALEMENT 2B350.i. 2B350 Installations, équipements et composants pour la production de substances chimiques, comme suit: Note: Aux fins du paragraphe 2B350, les matériaux utilisés pour les garnitures d’étanchéité, les presse-étoupes, les joints, les vis, les rondelles et tout autre matériel offrant une fonction d’étanchéité ne déterminent pas le statut, étant donné que ces composants sont interchangeables. Le carbone-graphite est un composé de carbone et de graphite amorphes dont la teneur en graphite est égale ou supérieure à 8 % en poids. Pour les matériaux susmentionnés, le terme alliage, lorsqu’il n’est pas accompagné d’une concentration spécifique d’un élément, désigne les alliages contenant un pourcentage plus élevé en poids du métal indiqué que de tout autre élément. 2B351 Systèmes d’identification de gaz toxiques et leurs éléments de détection associés, autres que ceux visés au paragraphe 1A004, comme suit, et détecteurs; capteurs; et cartouches de capteurs remplaçables: 2B352 Équipements pouvant être utilisés lors de la manipulation de matériels biologiques, comme suit:

2B Notes techniques: 1.2. a.

les systèmes de dressage dans les machines à rectifier;

les axes rotatifs parallèles conçus pour le montage de plusieurs pièces à usiner;

les axes rotatifs colinéaires conçus pour manipuler la même pièce à usiner en la maintenant dans un mandrin à différentes extrémités.

2B Notes techniques: 1.2.3.4.5. a.

sélectionner cinq machines d’un modèle à évaluer;

mesurer les précisions d’axe linéaire selon la norme ISO 230/2;

déterminer les valeurs A pour chaque axe de chaque machine. La méthode de calcul de la valeur A est décrite dans la norme ISO;

déterminer la valeur moyenne de la valeur A de chaque axe. Cela signifie que la valeur Â devient la valeur garantie de chaque axe pour le modèle (Âx, Ây …);

la liste de la catégorie 2 se référant à chaque axe linéaire, il y aura autant de valeurs garanties qu’il y a d’axes linéaires;

si un axe quelconque d’un modèle de machine non visé par les alinéas 2B001.a. à 2B001.c. ou par le paragraphe 2B201 a une précision garantie Â égale ou inférieure à celle de chaque modèle de machine-outil plus 2 μm, le fabricant devrait être tenu de réaffirmer le niveau de précision tous les dix-huit mois.

2B Notes techniques: 1.2.3.4.5.6. a.

vilebrequins ou arbres à cames;

outils ou outils de coupe;

vers d’extrudeuse;

pièces de joaillerie gravées ou à facettes; ou

prothèses dentaires.

Machines-outils de tournage, présentant toutes les caractéristiques suivantes: Note: L’alinéa 2B001 a. ne vise pas les machines de tournage spécialement conçues pour la production de lentilles de contact présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. précision de positionnement, avec toutes les corrections disponibles, égale ou inférieure à (meilleure que) 3,0 μm le long d’un ou de plusieurs axes linéaires selon la norme ISO 230/2 (2006) ou des normes nationales équivalentes; et

2. ayant deux axes ou plus pouvant être coordonnés simultanément pour la commande de contournage.

a.

contrôleur de machine limité à l’utilisation d’un logiciel ophtalmique pour la programmation partielle de la saisie de données; et

b.

pas de dispositif de succion.

machines-outils de fraisage, présentant l’une des caractéristiques suivantes:

1. présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. a.

précision de positionnement, avec toutes les corrections disponibles, égale ou inférieure à (meilleure que) 3,0 μm le long d’un ou de plusieurs axes linéaires selon la norme ISO 230/2 (2006) ou des normes nationales équivalentes; et

trois axes linéaires et un axe de rotation pouvant être coordonnés simultanément pour la commande de contournage;

2. ayant cinq axes ou plus pouvant être coordonnés simultanément pour la commande de contournage présentant l’une des caractéristiques suivantes; N.B.: Les machines-outils à mécanisme parallèle sont définies à l’alinéa 2B001b.2.d.

2. a.

précision de positionnement, avec toutes les corrections disponibles, égale ou inférieure à (meilleure que) 3,0 μm le long de l’un quelconque des axes linéaires selon la norme ISO 230/2 (2006) ou des normes nationales équivalentes, avec une longueur de déplacement inférieure à 1 m;

2B001 b. 2. précision de positionnement, avec toutes les corrections disponibles, égale ou inférieure à (meilleure que) 4,5 μm le long de l’un quelconque des axes linéaires selon la norme ISO 230/2 (2006) ou des normes nationales équivalentes, avec une longueur de déplacement égale ou supérieure à 1 m et inférieure à 2 m;

précision de positionnement, avec toutes les corrections disponibles, égale ou inférieure à (meilleure que) 4,5 + 7(L-2) μm (L correspond à la longueur de déplacement en mètres) le long de l’un quelconque des axes linéaires selon la norme ISO 230/2 (2006) ou des normes nationales équivalentes, avec une longueur de déplacement égale ou supérieure à 2 m; ou

d. Note technique:

étant une machine-outil à mécanisme parallèle; Une machine-outil à mécanisme parallèle est une machine-outil dotée de plusieurs barres reliées à une plate-forme et à des actionneurs; chaque actionneur fait fonctionner la barre correspondante de façon simultanée et indépendante.

3. précision de positionnement pour les perceuses en coordonnées, avec toutes les corrections disponibles, égale ou inférieure à (meilleure que) 3,0 μm le long de l’un quelconque des axes linéaires selon la norme ISO 230/2 (2006)

4. machines à tailler à volant, présentant toutes les caractéristiques suivantes:

4. a.

faux-rond de rotation et voile de la broche inférieurs à (meilleurs que) 0,0004 mm, lecture complète de l’aiguille (TIR); et

déviation angulaire du mouvement du chariot (lacets, roulis et tangage) inférieure à (meilleure que) 2 secondes d’arc, lecture complète de l’aiguille (TIR), sur 300 mm de déplacement;

machines-outils de rectification, présentant l’une des caractéristiques suivantes: Note: L’alinéa 2B001.c. ne vise pas les machines de rectification suivantes:

1. présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. a.

trois axes ou plus pouvant être coordonnés simultanément pour la commande de contournage; ou

2. ayant cinq axes ou plus pouvant être coordonnés simultanément pour la commande de contournage;

a.

machines de rectification externe, interne, ou externe et interne, des cylindres, présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. limitées à la rectification cylindrique; et

2. limitées à une dimension ou à un diamètre extérieur maximal des pièces usinables de 150 mm;

b.

machines spécialement conçues en tant que rectifieuses en coordonnées, n’ayant pas d’axe z ni d’axe w, ayant une précision de positionnement, avec toutes les corrections disponibles, inférieure à (meilleure que) 3,0 μm selon la norme ISO 230/2 (2006)

c.

rectifieuses de surfaces planes.

machines à décharge électrique autres qu’à fil ayant deux axes de rotation ou plus pouvant être coordonnés simultanément pour la commande de contournage;

2B001 machines-outils pour l’enlèvement des métaux, céramiques ou matériaux composites, présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. élimination de matériau au moyen de l’un des procédés suivants:

1. a.

jets d’eau ou d’autres liquides, y compris ceux utilisant des additifs abrasifs;

électrons; ou

faisceaux laser; et

2. au moins deux axes de rotation présentant toutes les caractéristiques suivantes:

2. a.

peuvent être coordonnés simultanément pour la commande de contournage; et

précision de positionnement inférieure à (meilleure que) 0,003;

machines de perçage pour trous profonds et machines de tournage modifiées pour le perçage de trous profonds, ayant une capacité maximale de profondeur de l’alésage supérieure à 5 m.

finition de la forme inférieure à (meilleure que) 1,0 μm;

finition de la rugosité inférieure à (meilleure que) 100 nm, (valeur quadratique moyenne);

quatre axes ou plus pouvant être coordonnés simultanément pour la commande de contournage; et

utilisant l’une des techniques suivantes:

1. finition magnétorhéologique;

2. finition électrorhéologique;

3. finition par faisceau de particules énergétiques;

4. finition par membrane expansible; ou

5. finition par jet de fluide.

2B Notes techniques: 1.2.3.4.5.6. Notes techniques:

1. La technique de finition magnétorhéologique est une technique d’abrasion utilisant un fluide magnétique abrasif dont la viscosité est contrôlée par un champ magnétique.

2. La technique de finition électrorhéologique est une technique d’abrasion utilisant un fluide abrasif dont la viscosité est contrôlée par un champ électrique.

3. La technique de finition par faisceau de particules énergétiques consiste à utiliser des plasmas atomiques réactifs ou des faisceaux d’ions pour effectuer une abrasion sélective.

4. La technique de finition par membrane expansible est une technique utilisant une membrane pressurisée qui se déforme pour entrer en contact avec la pièce à usiner sur une petite surface.

5. La technique de finition par jet de fluide utilise un courant fluide pour l’abrasion.

comportant un environnement thermique contrôlé dans la cavité fermée et possédant une cavité de travail d’un diamètre intérieur égal ou supérieur à 406 mm; et

présentant l’une des caractéristiques suivantes:

1. une pression de travail maximale supérieure à 207 MPa;

2. un environnement thermique contrôlé supérieur à 1773 K (1500 °C); ou

3. une capacité d’imprégnation aux hydrocarbures et d’élimination des produits gazeux de décomposition résultants.

2B Notes techniques: 1.2.3.4.5.6. Notes techniques: Note technique: a.

équipements de production pour le dépôt en phase vapeur par procédé chimique (CVD), présentant toutes les caractéristiques suivantes: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 2B105.

1. un procédé modifié par l’une des techniques suivantes:

1. a.

dépôt en phase vapeur par procédé chimique pulsatoire

déposition thermique par nucléation contrôlée (CNTD); ou

dépôt en phase vapeur par procédé chimique assisté ou amélioré par plasma; et

2. présentant l’une des caractéristiques suivantes:

2. a.

joints rotatifs sous vide poussé (inférieur ou égal à 0,01 Pa); ou

dispositif de commande de l’épaisseur du revêtement in situ;

équipements de production pour l’implantation ionique, ayant des courants du faisceau de 5 mA ou plus;

équipements de production pour le dépôt en phase vapeur par procédé physique par faisceau d’électrons (EB-PVD), comportant des systèmes d’alimentation de plus de 80 kW et présentant l’une des caractéristiques suivantes:

1. un système de commande à laser du niveau du bain liquide, qui règle avec précision la vitesse d’avance du lingot; ou

2. un dispositif de surveillance de la vitesse commandé par ordinateur, fonctionnant selon le principe de la photoluminescence des atomes ionisés dans le flux en évaporation, destiné à contrôler la vitesse de dépôt d’un revêtement contenant deux éléments ou plus;

2B005 équipements de production pour la pulvérisation de plasma, présentant l’une des caractéristiques suivantes:

1. fonctionnement sous atmosphère contrôlée à pression réduite (inférieure ou égale à 10 kPa, mesurée à 300 mm au-dessus de la sortie du pulvérisateur du pistolet) dans une chambre à vide capable d’évacuer l’air jusqu’à 0,01 Pa avant le processus de pulvérisation; ou

2. dispositif de commande de l’épaisseur du revêtement in situ;

équipements de production pour le dépôt par pulvérisation cathodique pouvant avoir des densités de courant égales ou supérieures à 0,1 mA/mm2 à une vitesse de dépôt égale ou supérieure à 15 μm/heure;

équipements de production pour le dépôt par arc cathodique, comportant une grille d’électro-aimants pour la commande de direction du spot d’arc à la cathode;

équipements de production pour le placage ionique permettant la mesure in situ de l’une des caractéristiques suivantes:

1. épaisseur du revêtement sur le substrat et contrôle du débit; ou

2. caractéristiques optiques.

a. Note technique:

machines de mesure à coordonnées (CMM) à commande par calculateur ou à commande numérique, présentant, en tout point situé dans la plage de fonctionnement de la machine (c’est-à-dire à l’intérieur de la longueur des axes), une erreur maximale admissible de la mesure de la longueur (E0,MPE) à trois dimensions (volumétrique) égale ou inférieure à (meilleure que) (1,7 + L/1000) μm (L représentant la longueur mesurée, exprimée en mm), conformément à la norme ISO 10360-2(2009); L’E0,MPE de la configuration la plus précise de la CMM spécifiée par le fabricant (par exemple, le mieux de ce qui suit: palpeur, longueur du stylet, paramètres de mouvement, environnement), avec toutes les corrections disponibles, doit être comparée au seuil de 1,7+L/1000 μm.

instruments de mesure de déplacement linéaire et angulaire, comme suit:

1. Note technique:

instruments de mesure de déplacement linéaire présentant l’une des caractéristiques suivantes: Note: Les interféromètres laser de mesure du déplacement ne sont visés qu’à l’alinéa 2B006.b.1.c. Aux fins du paragraphe 2B006.b.1. déplacement linéaire signifie le changement de distance entre la sonde de mesure et l’objet mesuré. Note: L’alinéa 2B006.b.1. ne vise pas les systèmes de mesure à interféromètres, avec un système de contrôle automatique conçu pour n’utiliser aucune technique de rétroaction, contenant un laser afin de mesurer les erreurs du mouvement du chariot des machines-outils, des machines de contrôle dimensionnel, ou des équipements similaires.

systèmes de mesure de type non à contact, ayant une résolution égale ou inférieure à (meilleure que) 0,2 μm dans une gamme de mesure égale ou inférieure à 0,2 mm;

b. Note technique:

2B006 b. 1. systèmes transformateurs différentiels à variable linéaire présentant les deux caractéristiques suivantes: Aux fins de l’alinéa 2B006.b.1.b., la plage complète de fonctionnement correspond à la moitié du déplacement linéaire total possible du LVDT. Par exemple, les LVDT ayant une plage complète de fonctionnement égale et supérieure à +/- 5 mm peuvent entraîner un déplacement linéaire total possible de 10 mm.

1. présentant l’une des caractéristiques suivantes:

1. a.

linéarité égale ou inférieure à (meilleure que) 0,1 % mesurée de 0 à la plage de fonctionnement complète pour les LVDT dont la plage est égale ou supérieure à 5 mm; ou

linéarité égale ou inférieure à (meilleure que) 0,1 % mesurée de 0 à 5 mm pour les LVDT dont la plage est supérieure à +/- 5 mm; et

2. dérive égale ou inférieure à (meilleure que) 0,1 % par jour à une température ambiante normale de la salle d’essai ± 1 K;

systèmes de mesure présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. contenant un laser; et

2. capables de maintenir, pendant au moins 12 heures, à une température de 20 ± 1 °C, tous les éléments suivants:

2. a.

une résolution pour la pleine échelle de 0,1 μm ou moins (meilleure); et

capables de parvenir à une incertitude de mesure, lorsqu’ils sont compensés pour l’indice de réfraction de l’air, égale ou inférieure à (meilleure que) (0,2 + L/2000) μm (L représentant la longueur mesurée, exprimée en mm) en tout point situé dans la plage de mesure, lorsqu’ils sont compensés pour l’indice de réfraction de l’air; ou

Ensembles électroniques conçus spécialement pour fournir une capacité de rétroaction dans les systèmes visés à l’alinéa 2B006.b.1.c.;

2. instruments de mesure de déplacement angulaire présentant une précision de positionnement angulaire égale ou inférieure à (meilleur que) 0,00025°; Note: L’alinéa 2B006.b.2. ne vise pas les instruments optiques tels que les autocollimateurs utilisant la lumière collimatée (par exemple, la lumière laser) pour détecter le déplacement angulaire d’un miroir.

équipements destinés à mesurer la rugosité de surface (y compris les défauts de surface), en mesurant la dispersion optique, avec une sensibilité égale ou inférieure à (meilleure que) 0,5 nm.

a. Note technique:

ayant une capacité, en temps réel, de traitement de l’image en trois dimensions réelles ou d’analyse de scène’ en trois dimensions réelles, afin de créer ou de modifier des programmes ou des données de programmes numériques; La limitation visant l’analyse de scène’ ne comprend pas l’approximation de la troisième dimension par la vision sous un angle donné ni l’interprétation d’une échelle de gris limitée en vue de la perception de la profondeur ou de la texture pour les tâches autorisées (2 1/2 D).

2B007 spécialement conçus pour satisfaire aux normes nationales de sécurité relatives aux environnements d’armements potentiellement explosifs; Note: L’alinéa 2B007.b ne vise pas les robots spécialement conçus pour les cabines de peinture au pistolet.

c. Note technique:

spécialement conçus ou durcis au rayonnement pour résister à une dose de radiation totale de plus de 5 × 103 Gy (silicium) sans que leur fonctionnement soit altéré; ou Le terme Gy (silicium) désigne l’énergie en Joules par kilogramme absorbé par un échantillon de silicium non blindé lorsqu’il est exposé à une radiation ionisante.

spécialement conçus pour opérer à des altitudes supérieures à 30000 m.

unités de rétroaction en position linéaire ayant une précision globale inférieure à (meilleure que) (800 + (600 × L/1000)] nm (L représentant la longueur réelle exprimée en mm); N.B.: pour les systèmes laser, voir également la note à l’alinéa 2B006.b.1.c et d.

unités de rétroaction en position rotative ayant une précision inférieure à (meilleure que) 0,00025°; N.B.: Pour les systèmes laser, voir également la note à l’alinéa 2B006.b.2.

tables rotatives inclinables et broches basculantes qui, conformément aux spécifications techniques du fabricant, peuvent renforcer des machines-outils, de sorte qu’elles atteignent ou dépassent les limites fixées à la sous-catégorie 2B.

trois axes ou plus pouvant être coordonnés simultanément pour la commande de contournage; et

une force de roulage de plus de 60 kN.

2B Notes techniques: 1.2.3.4.5.6. Notes techniques: Note technique: Note technique: a.

pression de travail maximale égale ou supérieure à 69 MPa;

conçues pour atteindre et maintenir un environnement thermique contrôlé de 873 K (600 °C) ou plus; et

une chambre d’un diamètre égal ou supérieur à 254 mm.

machines de fluotournage présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. pouvant, conformément aux spécifications techniques du fabricant, être équipées d’unités de commande numérique ou d’une commande par ordinateur, même si elles ne le sont pas à l’origine; et

2. ayant plus de deux axes pouvant être coordonnés simultanément pour la commande de contournage;

composants spécialement conçus pour les machines de fluotournage visées au paragraphe 2B009 ou à l’alinéa 2B109.a.

2B Notes techniques: 1.2.3.4.5.6. Notes techniques: Note technique: Note technique: Note technique: a.

systèmes d’essai aux vibrations faisant appel à des techniques de rétroaction ou de servo-commande à boucle fermée et comprenant une commande numérique, capables de faire vibrer un système à 10 g de valeur efficace (moyenne quadratique) ou plus entre 20 Hz et 2 kHz tout en transmettant des forces égales ou supérieures à 50 kN, mesurées table nue;

b. Note technique:

commandes numériques, associées aux logiciels d’essais aux vibrations spécialement conçus, avec une bande passante du contrôle en temps réel supérieure à 5 kHz conçues pour être utilisées avec les systèmes d’essai aux vibrations visés à l’alinéa 2B116.a; À l’alinéa 2B116.b, la bande passante du contrôle en temps réel est le débit maximum auquel une commande peut exécuter des cycles complets d’échantillonnage, de traitement de données et de transmission de signaux de contrôle.

pots vibrants, avec ou sans amplificateurs associés, capables de transmettre une force égale ou supérieure à 50 kN, mesurée table nue, et utilisables dans les systèmes d’essai aux vibrations visés à l’alinéa 2B116.a;

structures support des pièces à tester et équipements électroniques conçus pour combiner plusieurs pots vibrants en un système vibrant complet capable de fournir une force combinée effective égale ou supérieure à 50 kN, mesurée table nue, utilisables dans les systèmes d’essai aux vibrations visés à l’alinéa 2B116.a.

2B Notes techniques: 1.2.3.4.5.6. Notes techniques: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: a.

machines d’équilibrage présentant toutes les caractéristiques suivantes: Note: L’alinéa 2B119.a. ne vise pas les machines d’équilibrage conçues ou modifiées pour des équipements dentaires ou autres équipements médicaux.

1. ne pouvant pas équilibrer des rotors/ensembles d’une masse supérieure à 3 kg;

2. capables d’équilibrer des rotors/ensembles à des vitesses supérieures à 12500 tours/min;

3. 2B119 a. capables d’effectuer des corrections d’équilibrage selon deux plans ou plus; et

4. capables de réaliser l’équilibrage jusqu’à un balourd résiduel de 0,2 g × mm par kg de masse du rotor;

b. Note technique:

têtes indicatrices conçues ou modifiées pour être utilisées avec les machines visées à l’alinéa 2B119.a. Les têtes indicatrices sont parfois connues sous le nom d’instruments d’équilibrage.

deux axes ou plus;

conçus ou modifiés pour incorporer des bagues collectrices ou des dispositifs intégrés sans contact capables de transmettre l’alimentation électrique, des signaux d’information ou les deux; et

présentant l’une des caractéristiques suivantes:

1. pour chaque axe présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. a.

pouvant atteindre des taux de 400 degrés/s ou plus, ou 30 degrés/s ou moins; et

une résolution de taux égale ou inférieure à 6 degrés/s et une précision égale ou inférieure à 0,6 degré/s;

2. ayant, dans le pire des cas, une stabilité de taux égale à ou meilleure que (inférieure à) plus ou moins 0,05 %, calculée en moyenne sur 10 degrés ou plus; ou

3. une précision de positionnement égale ou inférieure à (meilleure que) 5 secondes d’arc.

deux axes ou plus; et

une précision de positionnement égale ou inférieure à (meilleure que) 5 secondes d’arc.

machines-outils de fraisage, présentant l’une des caractéristiques suivantes: Note: L’alinéa 2B201.a. ne vise pas les fraiseuses présentant les caractéristiques suivantes:

1. précisions de positionnement, avec toutes les corrections disponibles, égales ou inférieures à (meilleures que) 6 μm le long de l’un quelconque des axes linéaires selon la norme ISO 230/2 (1988) ou des normes nationales équivalentes; ou

2. deux axes de rotation de contournage ou plus;

a.

un déplacement de l’axe X de plus de 2 m; et

b.

une précision de positionnement globale sur l’axe X supérieure à (pire que) 30 μm.

Machines-outils de rectification, présentant l’une des caractéristiques suivantes: Note: L’alinéa 2B201.b. ne vise pas les machines de rectification suivantes:

1. précisions de positionnement, avec toutes les corrections disponibles, inférieures à (meilleures que) 4 μm le long de l’un quelconque des axes linéaires selon la norme ISO 230/2 (1988) ou des normes nationales équivalentes; ou

2. deux axes de rotation de contournage ou plus;

a.

machines de rectification externe, interne, ou externe et interne, des cylindres, présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. limitées à une capacité maximale des pièces usinables de 150 mm de dimension ou de diamètre extérieur; et

2. axes limités à x, z et c;

b.

rectifieuses en coordonnées dépourvues d’axe z ou w dont la précision de positionnement globale est inférieure à (meilleure que) 4 μm selon la norme ISO 230/2 (1988) ou des normes nationales équivalentes.

engrenages;

vilebrequins ou arbres à cames;

outils ou outils de coupe;

vers d’extrudeuse.

presses isostatiques présentant les deux caractéristiques suivantes:

1. capables d’atteindre une pression maximale de travail égale ou supérieure à 69 MPa; et

2. ayant une chambre d’un diamètre intérieur supérieur à 152 mm;

2B204 mandrins, moules et commandes spécialement conçus pour les presses isostatiques visées à l’alinéa 2B204.a.

2B Notes techniques: 1.2.3.4.5.6. Notes techniques: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: a. Note technique:

machines de mesure à coordonnées (CMM) à commande par calculateur ou à commande numérique présentant l’une des caractéristiques suivantes: L’E0,MPE de la configuration la plus précise de la CMM spécifiée conformément à la norme ISO 10360-2(2009) par le fabricant (par exemple, le mieux de ce qui suit: palpeur, longueur du stylet, paramètres de mouvement, environnement), avec toutes les corrections disponibles, doit être comparée au seuil de 1,7+L/800 μm.

1. ayant seulement deux axes; et une erreur maximale admissible de mesure de la longueur le long de tout axe (unidimensionnel) - toute combinaison de E0x,MPE, E0y,MPE, ou E0z,MPE - égale ou inférieure à (meilleure que) (1,25 + L/1000) μm (L représentant la longueur mesurée, exprimée en mm), en tout point situé dans la plage de fonctionnement de la machine (c’est-à-dire à l’intérieur de la longueur des axes), conformément à la norme ISO 10360-2(2009); ou

2. deux axes ou plus ayant une erreur maximale admissible de mesure de la longueur (E0,MPE) égale ou inférieure à (meilleure que) (1,7 + L/800) μm (L représentant la longueur mesurée, exprimée en mm), en tout point situé dans la plage de fonctionnement de la machine (c’est-à-dire à l’intérieur de la longueur des axes), conformément à la norme ISO 10360-2(2009);

systèmes pour la vérification linéaire-angulaire simultanée des demi-coques présentant les deux caractéristiques suivantes:

1. incertitude de mesure sur un axe linéaire quelconque égale ou inférieure à (meilleure que) 3,5 μm par 5 mm; et

2. écart de positionnement angulaire égal ou inférieur à (meilleur que) 0,02°.

2B Notes techniques: 1.2.3.4.5.6. Notes techniques: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: a.

robots ou effecteurs terminaux spécialement conçus pour répondre aux normes nationales de sécurité applicables à la manipulation d’explosifs brisants (par exemple répondant aux spécifications de la codification relative à l’électricité pour les explosifs brisants);

unités de commande spécialement conçues pour l’un des robots ou effecteurs terminaux visés à l’alinéa 2B207.a.

machines présentant les deux caractéristiques suivantes:

1. ayant trois galets ou plus (actifs ou de guidage); et

2. pouvant, conformément aux spécifications du fabricant, être équipées d’unités de commande numérique ou de commande par ordinateur;

mandrins de tournage conçus pour tourner des rotors cylindriques d’un diamètre intérieur variant entre 75 et 400 mm.

machines centrifuges d’équilibrage conçues pour équilibrer des rotors flexibles d’une longueur égale ou supérieure à 600 mm et présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. diamètre utile ou diamètre de tourillon supérieur à 75 mm;

2. capacité de masse de 0,9 à 23 kg; et

3. pouvant effectuer des équilibrages à une vitesse de rotation supérieure à 5000 tours/min;

machines centrifuges d’équilibrage conçues pour équilibrer des composants de rotors cylindriques, creux et présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. diamètre de tourillon supérieur à 75 mm;

2. capacité de masse de 0,9 à 23 kg;

3. capables de limiter le déséquilibre résiduel à 0,01 kg × mm/kg par plan ou moins; et

4. être du type actionné par courroie.

la capacité de pénétrer une paroi de cellule chaude égale ou supérieure à 0,6 m (pénétration de la paroi); ou

la capacité de franchir le sommet d’une paroi de cellule chaude d’une épaisseur égale ou supérieure à 0,6 m (franchissement de la paroi).

2B Notes techniques: 1.2.3.4.5.6. Notes techniques: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: a.

fours présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. capables de fonctionner au-dessus de 1123 K (850 °C);

2. ayant des bobines d’induction d’un diamètre inférieur ou égal à 600 mm; et

3. conçus pour des puissances de 5 kW ou plus;

systèmes d’alimentation électrique d’une puissance de 5 kW ou plus, spécialement conçus pour les fours visés à l’alinéa 2B226.a.

fours de refonte et de coulée à arc présentant les deux caractéristiques suivantes:

1. capacité des électrodes consommables comprise entre 1000 cm3 et 20000 cm3, et

2. capables de fonctionner à des températures de fusion supérieures à 1973 K (1700 °C);

fours de fusion à faisceau d’électrons et fours à atomisation et à fusion de plasma présentant les deux caractéristiques suivantes:

1. puissance égale ou supérieure à 50 kW; et

2. capables de fonctionner à des températures de fusion supérieures à 1473 K (1200 °C);

systèmes de commande et de surveillance par ordinateur spécialement mis au point pour l’un des fours visés aux alinéas 2B227.a ou b.

équipements d’assemblage de rotors pour l’assemblage de sections, chicanes et bouchons de tubes de rotors de centrifugeuses à gaz; Note: L’alinéa 2B228.a inclut les mandrins de précision, les dispositifs de fixation et les machines d’ajustement fretté.

b. Note technique:

équipements à dresser pour rotors en vue de l’alignement des sections de tubes de rotors de centrifugeuses à gaz par rapport à un axe commun; À l’alinéa 2B228.b, pareil équipement comprendra normalement des capteurs de mesure de précision reliés à un ordinateur qui commande ensuite l’action de dispositifs de serrage pneumatique (par exemple, en vue d’aligner les sections de tubes de rotor).

c. Note technique:

mandrins et matrices de formation de soufflets pour la production de soufflets à circonvolution unique. À l’alinéa 2B228.c, les soufflets présentent toutes les caractéristiques suivantes:

1. diamètre intérieur entre 75 et 400 mm;

2. longueur égale ou supérieure à 12,7 mm;

3. circonvolution unique ayant une profondeur supérieure à 2 mm; et

4. fabriqués en alliages d’aluminium à résistance élevée, en acier maraging ou en matériaux fibreux ou filamenteux ayant une résistance élevée.

les éléments sensibles constitués ou revêtus d’aluminium, d’alliage d’aluminium, d’oxyde d’aluminium (alumine ou saphir), de nickel ou d’alliage de nickel contenant plus de 60 % de nickel en poids, ou de polymères d’hydrocarbures entièrement fluorés;

joints, le cas échéant, indispensables pour sceller les éléments sensibles et en contact direct avec le médium de procédé, constitués ou revêtus d’aluminium, d’alliage d’aluminium, d’oxyde d’aluminium (alumine ou saphir), de nickel ou d’alliage de nickel contenant plus de 60 % de nickel en poids, ou de polymères d’hydrocarbures entièrement fluorés; et

2B230 présentant l’une des caractéristiques suivantes:

1. une pleine échelle inférieure à 13 kPa et une précision meilleure que ± 1 % (pleine échelle); ou

2. une pleine échelle égale ou supérieure à 13 kPa et une précision meilleure que ± 130 Pa lorsqu’elle est mesurée à 13 kPa.

2B Notes techniques: 1.2.3.4.5.6. Notes techniques: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Notes: 1.2. a.

un col d’entrée égal ou supérieur à 380 mm;

une capacité de pompage égale ou supérieure à 15 m3/s; et

la capacité de produire un vide final meilleur que 13 mPa.

2B Notes techniques: 1.2.3.4.5.6. Notes techniques: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Notes: 1.2. Notes techniques: 1.2. a.

capables de fournir un débit d’entrée d’un volume égale ou supérieur à 50 m3/h;

capable d’atteindre un taux de compression égal ou supérieur à 2:1; et

dont toutes les surfaces entrant en contact avec le gaz de procédé sont constituées de l’un des matériaux suivants:

1. aluminium ou alliage d’aluminium;

2. oxyde d’aluminium;

3. acier inoxydable;

4. nickel ou alliage de nickel;

5. bronze phosphoreux; ou

6. fluoropolymères.

réacteurs ou cuves de réaction, avec ou sans agitateurs, d’un volume (géométrique) interne total supérieur à 0,1 m3 (100 litres) et inférieur à 20 m3 (20000 litres), dans lesquels toutes les surfaces venant en contact direct avec les substances chimiques contenues ou à produire sont constituées de l’un des matériaux suivants:

1. alliages contenant plus de 25 % en poids de nickel et 20 % en poids de chrome;

2. fluoropolymères (matériaux polymères ou élastomères contenant plus de 35 % en poids de fluor);

3. 2B350 a. verre (y compris revêtement vitrifié, émaillé ou en verre);

4. nickel ou alliages contenant plus de 40 % en poids de nickel;

5. tantale ou alliages de tantale;

6. titane ou alliages de titane;

7. zirconium ou alliages de zirconium; ou

8. niobium (columbium) ou alliages de niobium;

agitateurs conçus pour utilisation dans des réacteurs ou cuves de réaction visés à l’alinéa 2B350.a.; et les hélices, pales ou tiges conçus pour ces agitateurs, dans lesquels toutes les surfaces des agitateurs venant en contact direct avec les substances chimiques contenues ou à produire sont constituées de l’un des matériaux suivants:

1. alliages contenant plus de 25 % en poids de nickel et 20 % en poids de chrome;

2. fluoropolymères (matériaux polymères ou élastomères contenant plus de 35 % en poids de fluor);

3. verre (y compris revêtement vitrifié, émaillé ou en verre);

4. nickel ou alliages contenant plus de 40 % en poids de nickel;

5. tantale ou alliages de tantale;

6. titane ou alliages de titane;

7. zirconium ou alliages de zirconium; ou

8. niobium (columbium) ou alliages de niobium;

cuves, citernes ou receveurs d’un volume (géométrique) interne total supérieur à 0,1 m3 (100 litres) dans lesquels toutes les surfaces venant en contact direct avec les substances chimiques contenues ou à produire sont constituées de l’un des matériaux suivants:

1. alliages contenant plus de 25 % en poids de nickel et 20 % en poids de chrome;

2. fluoropolymères (matériaux polymères ou élastomères contenant plus de 35 % en poids de fluor);

3. verre (y compris revêtement vitrifié, émaillé ou en verre);

4. nickel ou alliages contenant plus de 40 % en poids de nickel;

5. tantale ou alliages de tantale;

6. titane ou alliages de titane;

7. zirconium ou alliages de zirconium; ou

8. niobium (columbium) ou alliages de niobium;

échangeurs de chaleur ou condenseurs avec une surface de transfert de chaleur supérieure à 0,15 m2 et inférieure à 20 m2; et les tuyaux, plaques, serpentins ou blocs (noyaux) conçus pour ces échangeurs de chaleur ou condenseurs, dans lesquels toutes les surfaces venant en contact direct avec les substances chimiques à produire sont constituées de l’un des matériaux suivants:

1. alliages contenant plus de 25 % en poids de nickel et 20 % en poids de chrome;

2. fluoropolymères (matériaux polymères ou élastomères contenant plus de 35 % en poids de fluor);

3. verre (y compris revêtement vitrifié, émaillé ou en verre);

4. graphite ou carbone graphite;

5. 2B350 d. nickel ou alliages contenant plus de 40 % en poids de nickel;

6. tantale ou alliages de tantale;

7. titane ou alliages de titane;

8. zirconium ou alliages de zirconium;

9. carbure de silicium;

10. carbure de titane; ou

11. niobium (columbium) ou alliages de niobium;

colonnes de distillation ou d’absorption de diamètre intérieur supérieur à 0,1 mètre; et les distributeurs de liquide, distributeurs de vapeur ou collecteurs de liquide conçus pour ces colonnes de distillation ou d’absorption, dans lesquels toutes les surfaces venant en contact direct avec les substances chimiques à produire sont constituées de l’un des matériaux suivants:

1. alliages contenant plus de 25 % en poids de nickel et 20 % en poids de chrome;

2. fluoropolymères (matériaux polymères ou élastomères contenant plus de 35 % en poids de fluor);

3. verre (y compris revêtement vitrifié, émaillé ou en verre);

4. graphite ou carbone graphite;

5. nickel ou alliages contenant plus de 40 % en poids de nickel;

6. tantale ou alliages de tantale;

7. titane ou alliages de titane;

8. zirconium ou alliages de zirconium; ou

9. niobium (columbium) ou alliages de niobium;

équipements de remplissage fonctionnant à distance dans lesquels toutes les surfaces venant en contact direct avec les substances chimiques à produire sont constituées de l’un des matériaux suivants:

1. alliages contenant plus de 25 % en poids de nickel et 20 % en poids de chrome; ou

2. nickel ou alliages contenant plus de 40 % en poids de nickel;

g. Notes techniques: 1.2.

vannes et soupapes, et leurs composants: Aux fins de l’alinéa 2B350.g., les matériaux résistant à la corrosion désignent l’un des matériaux suivants: La taille nominale désigne le plus petit des diamètres à l’entrée et à la sortie.

1. vannes et soupapes présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. a.

une taille nominale supérieure à 10 mm (3/8″);

toutes les surfaces venant en contact direct avec les substances chimiques produites, traitées ou contenues sont constituées de l’un des matériaux résistant à la corrosion suivants:

2. vannes et soupapes, autres que celles visées à l’alinéa 2B350.g.1., présentant toutes les caractéristiques suivantes:

2. a.

une taille nominale égale ou supérieure à 25,4 mm (1″) et égale ou inférieure à 101,6 mm (4″);

boîtiers (corps de valve) ou chemises préformées;

un élément obturateur interchangeable; et

toutes les surfaces du boîtier (corps de valve) ou de la chemise préformée venant en contact direct avec les substances chimiques produites, traitées ou contenues sont constituées de l’un des matériaux résistant à la corrosion;

3. 2B350 g. composants conçus pour les vannes et soupapes visées aux alinéas 2B350.g.1. ou 2B350.g.2., dans lesquels toutes les surfaces venant en contact direct avec les substances chimiques produites, traitées ou contenues sont constituées de l’un des matériaux résistant à la corrosion;

3. a.

boîtiers (corps de valve);

chemises préformées;

g. Notes techniques: 1.

a.

nickel ou alliages contenant plus de 40 % en poids de nickel;

b.

alliages contenant plus de 25 % en poids de nickel et 20 % en poids de chrome;

c.

fluoropolymères (matériaux polymères ou élastomères contenant plus de 35 % en poids de fluor);

d.

verre (y compris revêtement vitrifié ou émaillé);

e.

tantale ou alliages de tantale;

f.

titane ou alliages de titane;

g.

zirconium ou alliages de zirconium;

h.

niobium (columbium) ou alliages de niobium; ou

i.

matériaux céramiques, comme suit:

1. carbure de silicium d’une pureté de 80 % ou plus en poids;

2. oxyde d’aluminium (alumine) d’une pureté de 99,9 % ou plus en poids;

3. oxyde de zirconium (zircone).

tuyauterie à multiples parois incorporant un orifice de détection des fuites, dans laquelle les surfaces venant en contact direct avec les substances chimiques contenues ou à produire sont constituées de l’un des matériaux suivants:

1. alliages contenant plus de 25 % en poids de nickel et 20 % en poids de chrome;

2. fluoropolymères (matériaux polymères ou élastomères contenant plus de 35 % en poids de fluor);

3. verre (y compris revêtement vitrifié, émaillé ou en verre);

4. graphite ou carbone graphite;

5. nickel ou alliages contenant plus de 40 % en poids de nickel;

6. tantale ou alliages de tantale;

7. titane ou alliages de titane;

8. zirconium ou alliages de zirconium; ou

9. niobium (columbium) ou alliages de niobium;

i. Note technique:

2B350 pompes à joints d’étanchéité multiples et pompes sans joints d’étanchéité, avec un débit maximal spécifié par le constructeur supérieur à 0,6 m3 par heure, ou pompes à vide avec un débit maximal spécifié par le constructeur supérieur à 5 m3 par heure [dans les conditions de température (273 K, ou 0 °C) et de pression (101,3 kPa) standard], autres que celles visées au paragraphe 2B233; et les boîtiers (corps de pompe), chemises préformées, roues, rotors ou gicleurs conçus pour ces pompes, dans lesquels les surfaces venant en contact direct avec les substances chimiques à produire sont constituées de l’un des matériaux suivants: À l’alinéa 2B350.i., le terme joint concerne uniquement les joints venant en contact direct avec les substances chimiques traitées (ou à traiter), et offrant une fonction d’étanchéité à l’endroit de passage d’un arbre de transmission rotatif ou alternatif à travers le corps d’une pompe.

1. alliages contenant plus de 25 % en poids de nickel et 20 % en poids de chrome;

2. céramiques;

3. ferrosilicium (alliages de fer à haute teneur en silicium);

4. fluoropolymères (matériaux polymères ou élastomères contenant plus de 35 % en poids de fluor);

5. verre (y compris revêtement vitrifié, émaillé ou en verre);

6. graphite ou carbone graphite;

7. nickel ou alliages contenant plus de 40 % en poids de nickel;

8. tantale ou alliages de tantale;

9. titane ou alliages de titane;

10. zirconium ou alliages de zirconium; ou

11. niobium (columbium) ou alliages de niobium;

incinérateurs conçus pour détruire les substances chimiques visées au paragraphe 1C350, équipés de dispositifs spécialement conçus pour l’introduction des déchets, de dispositifs de manutention spéciaux et ayant une température moyenne de chambre de combustion supérieure à 1273 K (1000 °C), dans lesquels toutes les surfaces du système d’introduction des déchets venant en contact direct avec les déchets chimiques sont constituées ou fabriquées avec l’un des matériaux suivants:

1. alliages contenant plus de 25 % en poids de nickel et 20 % en poids de chrome;

2. céramiques; ou

3. nickel ou alliages contenant plus de 40 % en poids de nickel.

2B Notes techniques: 1.2.3.4.5.6. Notes techniques: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Note technique: Notes: 1.2. Notes techniques: 1.2. Notes techniques: 1.2. a.

conçus pour opérer en continu et capables de détecter les toxiques de guerre et les substances chimiques visés au paragraphe 1C350, à des concentrations inférieures à 0,3 mg/m3 d’air; ou

conçus pour détecter l’inhibition de l’activité des cholinestérases.

a. Note technique:

installations complètes de confinement biologique de type P3 et P4; Les niveaux de confinement P3 ou P4 (BL3, BL4, L3, L4) sont conformes à la description du Manuel de sécurité biologique en laboratoire de l’OMS (3e édition, Genève, 2004).

b. Note technique:

fermenteurs et leurs composants: Aux fins de l’alinéa 2B352.b., les fermenteurs comprennent les bioréacteurs, les bioréacteurs à usage unique (jetables), les chémostats et les systèmes à flux continu.

1. fermenteurs utilisables pour la culture de micro-organismes pathogènes, ou de cellules vivantes pour la production de de virus pathogènes ou de toxines, sans propagation d’aérosols, et d’une capacité totale égale ou supérieure à 20 litres;

2. composants conçus pour les fermenteurs visés à l’alinéa 2B352. b.1.:

2. a.

chambres de culture conçues pour être stérilisées ou désinfectées in situ;

chambres de culture dotées de dispositifs;

unités de commande de processus capables de surveiller et de contrôler simultanément deux paramètres ou plus d’un système de fermentation (par ex. commande de température, pH, nutriments, agitation, oxygène dissout, débit d’air, mousse);

c. Note technique:

séparateurs centrifuges pouvant effectuer la séparation en continu et sans propagation d’aérosols et possédant toutes les caractéristiques suivantes: Les séparateurs centrifuges comprennent les décanteurs.

1. débit supérieur à 100 litres par heure;

2. composants en acier inoxydable poli ou en titane;

3. un ou plusieurs joints d’étanchéité dans la zone de confinement de la vapeur; et

4. capables d’effectuer une stérilisation in situ à la vapeur en milieu fermé;

dispositifs et composants de filtration à courant (tangentiel) transversal, et leurs composants, comme suit: Note: L’alinéa 2B352.d. ne vise pas les dispositifs à osmose inverse, conformément aux indications du fabricant.

1. dispositifs de filtration à courant (tangentiel) transversal utilisables pour la séparation de micro-organismes pathogènes, de virus, de toxines ou de cultures de cellules présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. a.

une surface de filtrage totale d’au moins 1 m2; et

b. Note technique:

présentant l’une des caractéristiques suivantes: Aux fins de l’alinéa 2B352.d.1.b., le terme stérilisé désigne l’élimination, dans le dispositif, de tous les microbes viables au moyen d’agents physiques (par exemple, de la vapeur) ou chimiques. Le terme désinfecté désigne la destruction, dans le dispositif, des sources possibles d’infection microbienne au moyen d’agents chimiques ayant un effet germicide. La désinfection et la stérilisation sont des formes distinctes de nettoyage, la dernière faisant référence à des procédures conçues pour diminuer le contenu microbien du dispositif sans nécessairement permettre l’élimination de toute infectiosité ou viabilité microbienne.

1. permettant une stérilisation ou une désinfection in situ; ou

2. utilisant des composants de filtration jetables ou à usage unique;

2. 2B352 d. composants de filtration à courant (tangentiel) transversal (par exemple: modules, éléments, cassettes, cartouches, unités ou plaques) ayant une surface de filtrage d’au moins 0,2 m2 pour chaque composant et conçus pour être utilisés dans les dispositifs de filtration à courant (tangentiel) transversal visés à l’alinéa 2B352.d.;

dispositifs de lyophilisation stérilisables à la vapeur ayant un condenseur d’une capacité supérieure à 10 kg et inférieure à 1000 kg de glace par 24 heures;

équipements de protection et de confinement, comme suit:

1. combinaisons protectrices complètes ou partielles, ou cagoules dépendant d’un apport d’air extérieur relié et fonctionnant sous pression positive; Note: L’alinéa 2B352.f.1. ne vise pas les combinaisons conçues pour être portées avec un appareil de respiration autonome.

2. postes de sécurité microbiologique ou isolateur assurant un environnement équivalent à la classe 3 de sécurité biologique; Note: À l’alinéa 2B352.f.2., les isolateurs comprennent les isolateurs flexibles, les boîtes sèches, les chambres d’anaérobie, les boîtes à gants et les hottes à flux laminaire (fermées par un flux vertical).

chambres conçues pour les essais par détection d’aérosol avec des micro-organismes, des virus ou des toxines, dont la capacité est égale ou supérieure à 1 m3.

équipement de séchage par pulvérisation capable de sécher les toxines ou les microorganismes pathogènes présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. capacité d’évaporation d’eau de ≥ 0,4 kg/h et ≤ 400 kg/h;

2. capable de produire une taille particulaire moyenne de ≤ 10 μm avec l’équipement existant ou par légère modification du sécheur par pulvérisation avec tuyères d’atomisation permettant la production de la taille particulaire requise; et

3. pouvant être stérilisé ou désinfecté in situ.

2C Matières Néant.

2D Logiciels 2D001 Logiciels, autres que ceux visés au paragraphe 2D002: Note: Le paragraphe 2D001 ne vise pas les logiciels de programmation de pièces générant des codes de commande numérique pour l’usinage des diverses pièces. 2D002 Logiciels destinés aux dispositifs électroniques, même lorsqu’ils résident dans un système ou dispositif électronique, permettant à ces dispositifs ou systèmes de fonctionner en tant qu’unité de commande numérique, capables d’effectuer la coordination simultanée de plus de quatre axes pour la commande de contournage. Note 1: Le paragraphe 2D002 ne vise pas les logiciels spécialement conçus ou modifiés pour le fonctionnement des articles non visés par la catégorie 2. Note 2: Le paragraphe 2D002 ne vise pas les logiciels destinés aux produits précisés au paragraphe 2B002. Voir les paragraphes 2D001 et 2D003 pour les logiciels destinés aux produits visés au paragraphe 2B002. Note 3: Le paragraphe 2D002 ne vise par les logiciels exportés avec, et le minimum nécessaire pour le fonctionnement des articles non visés par la catégorie 2. 2D003 Logiciels conçus ou modifiés pour l’exploitation de l’équipement visé au paragraphe 2B002 et qui convertit les fonctions de conception optique, de mesure des pièces usinables et d’abrasion en commandes numériques afin d’obtenir la forme de pièce usinable souhaitée. 2D101 Logiciels spécialement conçus ou modifiés pour l’utilisation des équipements spécifiés aux paragraphes 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 ou 2B119 à 2B122. N.B.: VOIR ÉGALEMENT 9D004. 2D201 Logiciels spécialement conçus pour l’utilisation des équipements visés aux paragraphes 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 ou 2B227. 2D202 Logiciels spécialement conçus ou modifiés pour le développement, la production ou l’utilisation des équipements visés au paragraphe 2B201. Note: Le paragraphe 2D202 ne vise par les logiciels de programmation de pièces qui génèrent des codes de commande numérique mais ne permettent pas l’utilisation directe de l’équipement destiné à usiner diverses pièces. 2D351 Logiciels, autres que ceux visés au paragraphe 1D003, spécialement conçus pour l’utilisation des équipements visés au paragraphe 2B351.

2D a.

Logiciels spécialement conçus ou modifiés pour le développement ou la production d’équipements visés aux paragraphes 2A001 ou 2B001.

Logiciels spécialement conçus ou modifiés pour l’utilisation d’équipements visés à l’alinéa 2A001.c., aux paragraphes 2B001 ou 2B003 à 2B009.

2E Tableau 1.2.3.A.B.B.1.B.2.B.3.B.4.C.D.E.F.G. Méthodes de dépôt

Technologie 2E001 Technologie, selon la note générale relative à la technologie, pour le développement des équipements ou du logiciel visés dans les sous-catégories 2A, 2B ou 2D. Note: Le paragraphe 2E001 inclut la technologie permettant d’intégrer les systèmes de capteur aux machines de mesure à cordonnées visées à l’alinéa 2B006.a. 2E002 Technologie, selon la note générale relative à la technologie, pour la production des équipements visés dans les sous-catégories 2A ou 2B. 2E003 Autres technologies, comme suit: 2E101 Technologie, au sens de la note générale relative à la technologie, pour l’utilisation des équipements ou du logiciel visés aux paragraphes 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 à 2B122 ou 2D101. 2E201 Technologie, au sens de la note générale relative à la technologie, pour l’utilisation des équipements ou du logiciel visés aux paragraphes 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, aux alinéas 2B007.b. et 2B007.c., aux paragraphes 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 à 2B233, 2D201 ou 2D202. 2E301 Technologie, au sens de la note générale relative à la technologie, pour l’utilisation des produits visés aux paragraphes 2B350 à 2B352. Procédé de revêtement (1) Substrat Revêtement résultant Dépôt chimique en phase vapeur (CVD) Superalliages Aluminiures pour passages internes Céramiques (19) et verres à faible dilatation (14) Siliciures Carbures Couches diélectriques (15) Diamant Carbone adamantin (17) Carbone-carbone, Composites à matrice céramique et à matrice métallique Siliciures Carbures Métaux réfractaires Leurs mélanges (4) Couches diélectriques (15) Aluminiures Aluminiures alliés(2) Nitrure de bore Carbure de tungstène cémenté (16), carbure de silicium (18) Carbures Tungstène Leurs mélanges (4) Couches diélectriques (15) Molybdène et alliages de molybdène Couches diélectriques (15) Béryllium et alliages de béryllium Couches diélectriques (15) Diamant Carbone adamantin (17) Matériaux pour fenêtres de capteurs (9) Couches diélectriques (15) Diamant Carbone adamantin (17) Dépôt physique en phase vapeur par évaporation thermique (TE-PVD) Dépôt physique en phase vapeur par faisceau d’électrons (EB-PVD) Superalliages Siliciures alliés Aluminiures alliés (2) MCrAlX (5) Zircones modifiées (12) Siliciures Aluminiures Leurs mélanges (4) Céramiques (19) et verres à faible dilatation (14) Couches diélectriques (15) Acier anticorrosion (7) MCrAlX (5) Zircones modifiées (12) Leurs mélanges (4) Carbone-carbone, Composites à matrice céramique et à matrice métallique Siliciures Carbures Métaux réfractaires Leurs mélanges (4) Couches diélectriques (15) Nitrure de bore Carbure de tungstène cémenté (16), carbure de silicium (18) Carbures Tungstène Leurs mélanges (4) Couches diélectriques (15) Molybdène et alliages de molybdène Couches diélectriques (15) Béryllium et alliages de béryllium Couches diélectriques (15) Borures Béryllium Matériaux pour fenêtres de capteurs (9) Couches diélectriques (15) Alliages de titane (13) Borures Nitrures Dépôt physique en phase vapeur (PVD) par chauffage par résistance assisté par faisceau d’ions (dépôt ionique) Céramiques (19) et verres à faible expansion (14) Couches diélectriques (15) Carbone adamantin (17) Carbone-carbone, Composites à matrice céramique et à matrice métallique Couches diélectriques (15) Carbure de tungstène cémenté (16), carbure de silicium (18) Couches diélectriques (15) Molybdène et alliages de molybdène Couches diélectriques (15) Béryllium et alliages de béryllium Couches diélectriques (15) Matériaux pour fenêtres de capteurs (9) Couches diélectriques (15) Carbone adamantin (17) Dépôt physique en phase vapeur (PVD) par vaporisation par laser Céramiques (19) et verres à faible expansion (14) Siliciures Couches diélectriques (15) Carbone adamantin (17) Carbone-carbone, Composites à matrice céramique et à matrice métallique Couches diélectriques (15) Carbure de tungstène cémenté (16), carbure de silicium (18) Couches diélectriques (15) Molybdène et alliages de molybdène Couches diélectriques (15) Béryllium et alliages de béryllium Couches diélectriques (15) Matériaux pour fenêtres de capteurs (9) Couches diélectriques (15) Carbone adamantin Dépôt physique en phase vapeur (PVD) par évaporation cathodique par arc Superalliages Siliciures alliés Aluminiures alliés (2) MCrAlX (5) Polymères (11) et composites à matrice organique Borures Carbures Nitrures Carbone adamantin (17) Cémentation métallique en caisse (voir paragraphe À ci-dessus pour la cémentation hors caisse) (10) Carbone-carbone, Composites à matrice céramique et à matrice métallique Siliciures Carbures Leurs mélanges (4) Alliages de titane (13) Siliciures Aluminiures Aluminiures alliés (2) Métaux et alliages réfractaires (8) Siliciures Oxydes Projection de plasma Superalliages MCrAlX (5) Zircones modifiées (12) Leurs mélanges (4) Nickel-graphite sujet à abrasion Matériaux sujets à abrasion contenant du Ni-Cr-Al Al-Si-polyester sujet à abrasion Aluminiures alliés (2) Alliages d’aluminium (6) MCrAlX (5) Zircones modifiées (12) Siliciures Leurs mélanges (4) Métaux et alliages réfractaires (8) Aluminiures Siliciures Carbures Acier anticorrosion (7) MCrAlX (5) Zircones modifiées (12) Leurs mélanges (4) Alliages de titane (13) Carbures Aluminiures Siliciures Aluminiures alliés (2) Nickel-graphite sujet à abrasion Matériaux sujets à abrasion contenant du Ni-Cr-Al Al-Si-polyester sujet à abrasion Dépôt de barbotine Métaux et alliages réfractaires (8) Siliciures fondus Siliciures fondus à l’exclusion des éléments de chauffage par résistance Carbone-carbone, Composites à matrice céramique et à matrice métallique Siliciures Carbures Leurs mélanges (4) Dépôt par pulvérisation superalliages Superalliages Siliciures alliés Aluminiures alliés (2) Aluminiures modifies en métal noble(3) MCrAlX (5) Zircones modifiées (12) Platine Leurs mélanges (4) Céramiques et verres à faible dilatation (14) Siliciures Platine Leurs mélanges (4) Couches diélectriques (15) Carbone adamantin (17) Alliages de titane (13) Borides Nitrides Oxides Siliciures Aluminides Aluminides alliés (2) Carbures Carbone-carbone, Composites à matrice céramique et à matrice métallique Siliciures Carbures Métaux réfractaires Leurs mélanges (4) Couches diélectriques (15) Nitrure de bore Carbure de tungstène cémenté (16), carbure de silicium (18) Carbures Tungstène Leurs mélanges (4) Couches diélectriques (15) Nitrure de bore Molybdène et alliages de molybdène Couches diélectriques (15) Béryllium et alliages de béryllium Borures Couches diélectriques (15) Béryllium Matériaux pour fenêtres de capteurs (9) Couches diélectriques (15) Carbone adamantin (17) Métaux et alliages réfractaires (8) Aluminiures Siliciures Oxydes Carbures Implantation ionique Acier pour roulement à haute température Adjonctions de Chrome de Tantale ou de Niobium (Columbium) Alliages de titane (13) Borures Nitrures Béryllium et alliages de béryllium Borures Carbure de tungstène cémenté (16) Carbures Nitrures

2E a.

technologie pour le développement de l’infographie interactive en tant qu’élément intégré aux unités de commande numérique pour la préparation ou la modification de programmes pièces;

technologie des procédés de fabrication par travail des métaux, comme suit:

1. technologie de conception des outils, matrices ou montages spécialement conçus pour les procédés suivants:

1. a.

formage à l’état de superplasticité;

soudage par diffusion; ou

pressage hydraulique par action directe;

2. données techniques constituées des méthodes de processus ou des paramètres énumérés ci-dessous et servant à contrôler:

2. a.

le formage à l’état de superplasticité des alliages d’aluminium, des alliages de titane ou des superalliages:

1. préparation des surfaces;

2. taux de déformation;

3. température;

4. pression;

2E003 b. 2. le soudage par diffusion des superalliages ou des alliages de titane:

1. préparation des surfaces;

2. température;

3. pression;

le pressage hydraulique par action directe des alliages d’aluminium ou des alliages de titane:

1. pression;

2. durée du cycle;

la densification isostatique à chaud des alliages de titane, des alliages d’aluminium ou des superalliages:

1. température;

2. pression;

3. durée du cycle;

technologie pour le développement ou la production des machines et matrices de formage hydraulique par étirage, pour la fabrication de structures de cellules d’aéronef;

technologie pour le développement de générateurs d’instructions (par exemple de programmes pièces) pour machines-outils à partir de données de conception se trouvant à l’intérieur d’unités de commande numérique;

technologie pour le développement de logiciel d’intégration pour l’incorporation dans des unités de commande numérique de systèmes experts servant à la prise en charge, par des décisions à un niveau élevé, des opérations en atelier;

technologie pour l’application des revêtements inorganiques par recouvrement ou modification de surface (spécifiés dans la colonne 3 du tableau ci-après) sur des substrats non électroniques (spécifiés dans la colonne 2 du tableau ci-après) à l’aide des procédés spécifiés dans la colonne 1 du tableau ci-après et définis dans la note technique du tableau ci-après. Note: Le tableau et la note technique se trouvent après le paragraphe 2E301. N.B.: ce tableau devrait servir à définir la technologie utilisée pour un procédé particulier de revêtement, uniquement dans les cas où le revêtement résultant (colonne 3) se trouve dans un paragraphe situé exactement en regard du substrat correspondant (colonne 2). Par exemple, les données techniques du procédé de revêtement par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) sont indiquées pour l’application de siliciures aux substrats suivants: carbone-carbone et composites matrice céramique et à matrice métallique. Elles ne sont en revanche pas indiquées pour l’application de siliciures au carbure de tungstène cémenté (16) et au carbure de silicium (18). Dans le deuxième cas, le revêtement résultant ne figure pas dans le paragraphe de la colonne 3 situé exactement en regard du paragraphe de la colonne 2 concernant le carbure de tungstène cémenté (16) et le carbure de silicium (18).

2E Tableau 1.2.3.A.B.B.1.B.2.B.3.B.4.C.D.E.F.G. Méthodes de dépôt NOTES RELATIVES AU TABLEAU – MÉTHODES DE DÉPÔT 1.2.3.4.5.6.7.8.9.10.11.12.13.14.15.16.17.18.19.

Les termes procédé de revêtement désignent aussi bien le revêtement initial que les retouches ou remises en état du revêtement. Les termes revêtement d’aluminiure allié couvrent les revêtements réalisés en un ou plusieurs stades dans lesquels un ou des éléments sont déposés avant ou pendant l’application du revêtement d’aluminiure, même si ce dépôt est effectué par un autre procédé de revêtement. Ces termes ne couvrent pas l’usage multiple de procédés de cémentation en caisse en un seul stade pour réaliser des aluminiures alliés. Les termes revêtement d’aluminiure modifié par un métal noble’ couvrent les revêtements réalisés en plusieurs stades dans lesquels le ou les métaux nobles sont déposés par un autre procédé de revêtement avant l’application du revêtement d’aluminiure. Les termes leurs mélanges couvrent les matériaux infiltrés, compositions graduées, dépôts simultanés et dépôts multicouches, qui sont obtenus par un ou plusieurs des procédés de revêtement énumérés dans le tableau ci-dessus. MCrAlX désigne un alliage de revêtement où M équivaut à du cobalt, du fer, du nickel ou à des combinaisons de ces éléments, et X à du hafnium, de l’yttrium, du silicium, du tantale en toute quantité ou à d’autres adjonctions intentionnelles de plus de 0,01 % en poids en proportions et combinaisons diverses, à l’exclusion: Les termes alliages d’aluminium désignent des alliages ayant une résistance à la traction maximale égale ou supérieure à 190 MPa, mesurée à une température de 293 K (20 °C). Les termes acier anticorrosion désignent les aciers de la série AISI (American Iron and Steel Institute) 300 ou les aciers correspondant à une norme nationale équivalente. Les métaux et alliages réfractaires sont les métaux suivants et leurs alliages: niobium (columbium), molybdène, tungstène et tantale. Les matériaux pour fenêtres de capteurs sont les suivants: alumine, silicium, germanium, sulfure de zinc, séléniure de zinc, arséniure de gallium, diamant, gallium phosphoré, saphir et les halogénures métalliques suivants: matériaux pour fenêtres de capteurs ayant un diamètre supérieur à 40 mm pour le fluorure de zirconium et le fluorure de hafnium. La technologie afférente à la cémentation en caisse en une seule phase de profils de voilure d’une seule pièce n’est pas visée par la catégorie 2. Les polymères sont les suivants: polyimides, polyesters, polysulfures, polycarbonates et polyuréthanes. Par zircones modifiées, on entend des zircones ayant subi des additions d’autres oxydes métalliques (oxydes de calcium, de magnésium, d’yttrium, de hafnium ou de terres rares, par exemple) afin de stabiliser certaines phases cristallographiques et compositions de ces phases. Les revêtements servant de barrière thermique, constitués de zircones modifiées à l’aide d’oxyde de calcium ou de magnésium par mélange ou fusion, ne sont pas visés. Alliages de titane renvoie aux seuls alliages utilisés dans l’aérospatiale, ayant une résistance à la traction maximale égale ou supérieure à 900 MPa, mesurée à 293 K (20 °C). Verres à faible dilatation renvoie à des verres ayant un coefficient de dilatation thermique égal ou inférieur à 1 × 10-7 K-1 mesuré à 293 K (20 °C). Les couches diélectriques sont des revêtements composés de plusieurs couches de matériaux isolants dans lesquelles les propriétés d’interférence d’un ensemble de divers matériaux ayant des indices de réfraction différents sont utilisées pour réfléchir, transmettre ou absorber différentes bandes de longueur d’onde. Les couches diélectriques renvoient à plus de quatre couches diélectriques ou couches composites diélectrique/métal. Le carbure de tungstène cémenté ne comprend pas les matériaux d’outils de coupe et de formage consistant en carbure de tungstène (cobalt, nickel), en carbure de titane (cobalt, nickel), en carbure de chrome/nickel-chrome et carbure de chrome/nickel. N’est pas visée ici la technologie spécialement conçue pour déposer du carbone adamantin sur les articles suivants: lecteurs de disquettes et têtes magnétiques, matériel servant à la fabrication de produits à usage éphémère, vannes et soupapes pour robinetterie, membranes acoustiques pour enceintes, pièces de moteurs d’automobiles, outils de coupe, matrices d’emboutissage-pressage, matériel de bureautique, microphones, dispositifs médicaux ou moules pour le moulage de plastiques, fabriqués à partir d’alliage contenant moins de 5 % de béryllium. Le carbure de silicium ne couvre pas les matériaux d’outils de coupe et de formage. Les substrats céramiques ici mentionnés ne comprennent pas les matériaux céramiques contenant 5 % en poids, ou davantage, d’argile ou de ciment, soit en tant que constituants distincts, soit en combinaison.

NOTES RELATIVES AU TABLEAU – MÉTHODES DE DÉPÔT 1.2.3.4.5.

a.

des revêtements de CoCrAIY contenant moins de 22 % en poids de chrome, moins de 7 % en poids d’aluminium et moins de 2 % en poids d’yttrium;

b.

des revêtements de CoCrAIY contenant moins de 24 % en poids de chrome, moins de 12 % en poids d’aluminium et moins de 0,7 % en poids d’yttrium; ou

c.

des revêtements de NiCrAIY contenant de 21 à 23 % en poids de chrome, de 10 à 12 % en poids d’aluminium et de 0,9 à 1,1 % en poids d’yttrium;

NOTES TECHNIQUES RELATIVES AU TABLEAU – MÉTHODES DE DÉPÔT

Les procédés spécifiés dans la colonne 1 du tableau sont définis comme suit:

a.

Le dépôt en phase vapeur par procédé chimique (CVD) est un procédé de revêtement par recouvrement ou revêtement par modification de surface par lequel un métal, un alliage, un matériau composite, un diélectrique ou une céramique est déposé sur un substrat chauffé. Les gaz réactifs sont décomposés ou combinés au voisinage du substrat, ce qui entraîne le dépôt du matériau élémentaire, de l’alliage ou du composé souhaité sur le substrat. L’énergie nécessaire à cette décomposition ou réaction chimique peut être fournie par la chaleur du substrat, par un plasma à décharge luminescente ou par un rayonnement laser. N.B. 1: Le dépôt en phase vapeur par procédé chimique (CVD) comprend les procédés suivants: dépôt hors caisse à flux de gaz dirigé, dépôt en phase vapeur par procédé chimique pulsatoire, dépôt thermique par nucléation contrôlée (CNTD), dépôt en phase vapeur par procédé chimique amélioré par plasma ou assisté par plasma. N.B. 2: Le terme caisse désigne un substrat plongé dans un mélange de poudres. N.B. 3: Les gaz réactifs utilisés dans le procédé hors caisse sont obtenus à l’aide des mêmes réactions et paramètres élémentaires qu’avec le procédé de cémentation en caisse, à ceci près que le substrat à revêtir n’est pas en contact avec le mélange de poudres.

b.

Le dépôt en phase vapeur par procédé physique par évaporation thermique (TE-PVD) est un procédé de revêtement par recouvrement exécuté dans un vide, à une pression inférieure à 0,1 Pa, par lequel une source d’énergie thermique est utilisée pour la vaporisation du matériau de revêtement. Ce procédé donne lieu à la condensation ou au dépôt du matériau évaporé sur des substrats disposés de façon adéquate. L’addition de gaz à la chambre sous vide pendant le processus de revêtement afin de synthétiser les revêtements composés constitue une variante courante du procédé. L’utilisation de faisceaux d’ions ou d’électrons ou de plasma, pour activer ou assister le dépôt du revêtement, est également une variante courante. On peut également utiliser des instruments de contrôle pour mesurer en cours de processus les caractéristiques optiques et l’épaisseur des revêtements. Les techniques spécifiques de dépôt en phase vapeur par procédé physique par évaporation thermique (TE-PVD) sont les suivantes:

1. dépôt en phase vapeur (PVD) par faisceau d’électrons, qui fait appel à un faisceau d’électrons pour chauffer le matériau constituant le revêtement et en provoquer l’évaporation;

2. dépôt en phase vapeur (PVD) par chauffage par résistance assisté par faisceau d’ions, qui fait appel à des sources de chauffage par résistance électrique en combinaison avec un (des) faisceau(x) d’ions convergents afin de produire un flux contrôlé et uniforme du matériau évaporé;

3. vaporisation par laser qui utilise des faisceaux lasers pulsés ou en ondes entretenues pour vaporiser le matériau constituant le revêtement;

4. dépôt par évaporation cathodique par arc qui utilise une cathode consommable du matériau constituant le revêtement et qui émet une décharge d’arc provoquée à la surface par le contact momentané d’un déclencheur mis à la masse. Les mouvements contrôlés de la formation d’arc attaquent la surface de la cathode, ce qui crée un plasma fortement ionisé. L’anode peut être soit un cône fixé à la périphérie de la cathode par l’intermédiaire d’un isolant, soit la chambre elle-même. La polarisation du substrat sert au dépôt hors de portée visuelle. N.B.: Cette définition ne s’applique pas au dépôt par arc cathodique aléatoire avec des substrats non polarisés.

5. Le dépôt ionique est une modification spéciale d’une technique générale de dépôt en phase vapeur par procédé physique par évaporation thermique (TE-PVD) par laquelle une source d’ions ou un plasma est utilisé pour ioniser le matériau à déposer, une polarisation négative étant appliquée au substrat afin de faciliter l’extraction, hors du plasma, du matériau. L’introduction de matériaux réactifs, l’évaporation de solides à l’intérieur de la chambre de traitement, ainsi que l’utilisation d’instruments de contrôle pour mesurer en cours de processus les caractéristiques optiques et l’épaisseur des revêtements sont des variantes ordinaires de ce procédé.

c.

La cémentation métallique en caisse est un procédé de revêtement par modification de surface ou revêtement par recouvrement, par lequel un substrat est plongé dans un mélange de poudres (caisse) comprenant: Le substrat et le mélange de poudres sont placés dans une cornue qui est portée à une température comprise entre 1030 K (757 °C) et 1375 K (1102 °C) pendant un temps suffisant pour permettre le dépôt du revêtement.

1. les poudres métalliques à déposer (généralement de l’aluminium, du chrome, du silicium ou des combinaisons de ces métaux);

2. un activant (généralement un sel halogéné); et

3. une poudre inerte (la plupart du temps de l’alumine).

d.

La projection de plasma est un procédé de revêtement (par recouvrement) par lequel un canon (chalumeau ou torche à plasma) produisant et contrôlant un plasma reçoit des matériaux de revêtement sous forme de poudre ou de fil, les fait fondre et les projette sur un substrat où se forme ainsi un revêtement intégralement adhérent. La pulvérisation de plasma peut être une pulvérisation à faible pression ou une pulvérisation à grande vitesse. N.B. 1: Par basse pression, on entend une pression inférieure à la pression atmosphérique ambiante. N.B. 2: Par grande vitesse, on entend une vitesse du gaz à la sortie du chalumeau supérieure à 750 m/s, calculée à 293 K (20 °C) et à une pression de 0,1 MPa.

e.

Le dépôt de barbotine est un procédé de revêtement par modification de surface ou revêtement par recouvrement par lequel une poudre de métal ou de céramique, associée à un liant organique et en suspension dans un liquide, est appliquée à un substrat par pulvérisation, trempage ou étalement. L’ensemble est ensuite séché à l’air ou dans un four puis soumis à un traitement thermique afin d’obtenir le revêtement voulu.

f.

Le dépôt par pulvérisation cathodique est un procédé de revêtement par recouvrement, fondé sur un phénomène de transfert d’énergie cinétique, par lequel des ions positifs sont accélérés par un champ électrique et projetés sur la surface d’une cible (matériau de revêtement). L’énergie cinétique dégagée par le choc des ions est suffisante pour que des atomes de la surface de la cible soient libérés et se déposent sur le substrat placé de façon adéquate. N.B. 1: Le tableau se réfère uniquement au dépôt par triode, par magnétron ou par pulvérisation cathodique, qui est utilisé pour augmenter l’adhérence du revêtement et la vitesse de dépôt, et au dépôt par pulvérisation cathodique amélioré par radiofréquence, utilisé pour permettre la vaporisation de matériaux de revêtement non métalliques. N.B. 2: Des faisceaux ioniques à faible énergie (< 5 keV) peuvent être utilisés pour activer le dépôt.

g.

L’implantation ionique est un procédé de revêtement par modification de surface par lequel l’élément à allier est ionisé, accéléré par un gradient de potentiel et implanté dans la zone superficielle du substrat. Cela comprend les procédés dans lesquels l’implantation ionique est effectuée en même temps que le dépôt en phase vapeur par procédé physique par faisceau d’électrons ou le dépôt par pulvérisation cathodique.

CATÉGORIE 3 ÉLECTRONIQUE

3A Notes techniques: 1.2. Notes techniques: 1.2. Notes techniques: 1.2. Notes techniques: 1.2.

Équipements, ensembles et composants Note 1: Le statut des équipements, dispositifs et composants décrits aux paragraphes 3A001 ou 3A002 autres que ceux décrits aux alinéas 3A001.a.3. à 3A001.a.10., 3A001.a.12. ou 3A001.a.13., qui sont spécialement conçus pour ou qui présentent les mêmes caractéristiques fonctionnelles que d’autres équipements, est déterminé par le statut de ces autres équipements. Note 2: Le statut des circuits intégrés décrits aux alinéas 3A001.a.3. à 3A001.a.9., 3A001.a.12. ou 3A001.a.13., qui sont programmés ou conçus, de façon non modifiable, pour une fonction spécifique pour d’autres équipements, est déterminé par le statut des autres équipements. N.B.: Lorsque le fabricant ou le demandeur de la licence ne peut déterminer le statut de ces autres équipements, le statut des circuits intégrés est déterminé aux alinéas 3A001.a.3. à 3A001.a.9., 3A001.a.12. et 3A001.a.13. 3A 3A001 Composants électriques et leurs composants spécialement conçus, comme suit: 3A002 Équipements électroniques à usage général, comme suit: 3A003 Systèmes de gestion thermique à refroidissement par pulvérisation utilisant des dispositifs de traitement et de régénération des fluides en boucle fermée pourvus d’une enveloppe scellée, dans lesquels le fluide diélectrique est pulvérisé sur les composants électroniques à l’aide de tuyères de pulvérisation spécialement conçues pour maintenir les composants électroniques à leur température de fonctionnement, et leurs composants spécialement conçus. 3A101 Dispositifs, équipements, systèmes et composants électroniques autres que ceux visés au paragraphe 3A001, comme suit: 3A102 Piles thermiques conçues ou modifiées pour des missiles. Aux fins du paragraphe 3A102, le terme piles thermiques désigne des piles à usage unique, dont l’électrolyte est un sel inorganique. Ces piles contiennent un matériau pyrolytique qui, une fois allumé, fait fondre l’électrolyte et active la pile. Aux fins du paragraphe 3A102, le terme missile désigne des systèmes complets de fusée et des systèmes de véhicules aériens sans équipage, dont la portée est au moins égale à 300 km. 3A201 Composants électroniques, autres que ceux visés au paragraphe 3A001, comme suit: 3A225 Changeurs de fréquence ou générateurs, autres que ceux visés à l’alinéa 0B001.b.13., utilisable comme moteur à fréquences variables ou fixes, et présentant toutes les caractéristiques suivantes: N.B. 1: Les logiciels spécialement conçus pour renforcer ou libérer les performances d’un changeur ou générateur de fréquence afin de répondre aux caractéristiques du paragraphe 3A225 sont définis au paragraphe 3D225. N.B. 2: La technologie sous forme de codes ou de clés pour renforcer ou libérer les performances d’un changeur ou générateur de fréquence afin de répondre aux caractéristiques du paragraphe 3A225 est définie au paragraphe 3E225. Note: Le paragraphe 3A225 ne vise pas les changeurs ou générateurs de fréquence ayant des contraintes matérielles, logicielles ou technologiques limitant les performances à des valeurs inférieures à celles indiquées plus haut, pourvu qu’ils remplissent l’une des conditions suivantes: Les changeurs de fréquence visés au paragraphe 3A225 sont aussi appelés convertisseurs ou inverseurs. Les changeurs de fréquence visés au paragraphe 3A225 peuvent être commercialisés sous le nom de générateurs, équipement d’essai électronique, alimentations CA, moteurs à vitesse variable, entraînements à vitesse variable, entraînements à fréquence variable, entraînements à fréquence réglable ou entraînements à vitesse réglable. 3A226 Alimentations à forte intensité continue, autres que celles visées à l’alinéa 0B001.j.6., présentant les deux caractéristiques suivantes: 3A227 Alimentations en courant continu à haute tension, autres que celles visées à l’alinéa 0B001.j.5., présentant les deux caractéristiques suivantes: 3A228 Commutateurs, comme suit: 3A229 Générateurs d’impulsions à haute intensité, comme suit: N.B.: VOIR ÉGALEMENT LISTE DES MATÉRIELS DE GUERRE 3A230 Générateurs d’impulsions à grande vitesse et leurs têtes d’impulsion, présentant les deux caractéristiques suivantes: Au paragraphe 3A230, le temps de transition des impulsions est défini comme le temps nécessaire pour passer de 10 à 90 % d’amplitude de la tension. Les têtes d’impulsion sont des impulsions formant des réseaux qui sont conçus pour accepter une fonction de saut de tension et la transformer en une variété de formes d’impulsions pouvant inclure des types rectangulaires, triangulaires, de saut, d’impulsion, exponentiels ou monocycles. Les têtes d’impulsion peuvent faire partie intégrante du générateur d’impulsions, être un module à brancher au dispositif ou un dispositif connecté extérieurement. 3A231 Systèmes générateurs de neutrons, y compris des tubes, présentant les deux caractéristiques suivantes: 3A232 Systèmes multipoints d’amorçage, autres que ceux visés au paragraphe 1A007, comme suit: N.B.: VOIR ÉGALEMENT LISTE DES MATÉRIELS DE GUERRE. N.B.: Voir l’alinéa 1A007.b. pour les détonateurs. Note: Le paragraphe 3A232 ne vise pas les détonateurs faisant appel uniquement à des explosifs primaires, tels que l’azoture de plomb. 3A233 Spectromètres de masse, autres que ceux visés à l’alinéa 0B002.g., capables de mesurer des ions de 230 unités de masse atomique ou davantage, et d’avoir une résolution meilleure que 2 parties pour 230, comme suit, et leurs sources d’ions: Les spectromètres de masse à bombardement d’électrons visés à l’alinéa 3A233.d. sont également connus sous le nom de spectromètres de masse à ionisation par bombardement électronique ou de spectromètres de masse à ionisation électronique. Aux fins de l’alinéa 3A233.d.2., un piège à froid est un dispositif qui capture les molécules de gaz par condensation ou congélation sur des surfaces froides. Aux fins de l’alinéa 3A233.d.2., une pompe à vide cryogénique à l’hélium gazeux en boucle fermée n’est pas un piège à froid. 3A234 Guides d’ondes à rubans procurant un chemin à faible inductance vers les détonateurs, et présentant les caractéristiques suivantes:

3A a.

Circuits intégrés d’usage général, comme suit: Note 1: Le statut des plaquettes (finies ou non finies) dans lesquelles la fonction a été déterminée doit être évalué en fonction des paramètres de l’alinéa 3A001.a. Note 2: Les circuits intégrés comprennent les types suivants:

circuits intégrés monolithiques;

circuits intégrés hybrides;

circuits intégrés à multipuces;

circuits intégrés à film, y compris les circuits intégrés silicium sur saphir;

circuits intégrés optiques;

circuits intégrés tridimensionnels.

1. Circuits intégrés conçus ou prévus comme circuits résistants aux radiations pour supporter un des éléments suivants:

1. a.

une dose totale de 5 × 103 Gy (silicium) ou plus;

un débit de dose de 5 × 106 Gy (silicium)/s ou plus; ou

une fluence (flux intégré) de neutrons (1 MeV équivalent) de 5 × 1013 n/cm2 ou plus sur le silicium, ou son équivalent pour d’autres matériaux; Note: L’alinéa 3A001.a.1.c. ne vise par les métal-isolant-semi-conducteurs (MIS).

2. Microcircuits microprocesseurs, microcircuits micro-ordinateurs, microcircuits microcontrôleurs, circuits intégrés mémoires fabriqués à partir d’un semi-conducteur composé, convertisseurs analogique-numérique, convertisseurs numérique-analogique, circuits intégrés électro-optiques et circuits intégrés optiques pour le traitement du signal, dispositifs logiques programmables par l’utilisateur, circuits intégrés pour réseaux neuronaux, circuits intégrés à la demande dont soit la fonction, soit le statut de l’équipement dans lesquels ils seront utilisés, n’est pas connu, processeurs de transformée de Fourier rapide (FFT), mémoires mortes programmables effaçables électriquement (EEPROM), mémoires flash, mémoires vives statiques (SRAM), comme suit: Note: L’alinéa 3A001.a.2. ne vise pas les circuits intégrés destinés aux automobiles ou aux trains civils.

2. a.

prévus pour fonctionner à une température ambiante supérieure à 398 K (125 °C);

prévus pour fonctionner à une température ambiante inférieure à 218 K (- 55 °C); ou

prévus pour fonctionner dans toute la gamme de températures ambiantes comprise entre 218 K (- 55 °C) et 398 K (125 °C);

3. Microcircuits microprocesseurs, microcircuits microcalculateurs et microcircuits de microcommande, fabriqués à partir d’un semi-conducteur composé et fonctionnant à une fréquence d’horloge supérieure à 40 MHz; Note: L’alinéa 3A001.a.3. comprend les processeurs de signaux numériques, les processeurs matriciels numériques et les coprocesseurs numériques.

4. Non utilisé.

5. Notes techniques: 1.2.3.4.5.6.7.8.9. 3A001 a. 5.Notes techniques: 1.2.3.4.

3A001 a. Circuits intégrés convertisseurs analogique-numérique (CAN) et numérique-analogique (CNA), comme suit: Une résolution de n bits correspond à une quantification de 2n niveaux. Le nombre de bits dans le mot de sortie est égal à la résolution du CAN. Le débit de sortie est le débit de sortie maximal du convertisseur, indépendamment de l’architecture ou du suréchantillonnage. Pour les CAN multicanaux, les sorties ne sont pas agrégées et le débit de sortie est le débit de sortie maximal d’un quelconque canal pris séparément. Pour les CAN entrelacés ou pour les CAN multicanaux dont il est spécifié qu’ils fonctionnent en mode entrelacé, les sorties sont agrégées et le débit de sortie est le débit de sortie total maximal combiné de toutes les sorties. Les fabricants peuvent aussi désigner le débit de sortie sous l’appellation de taux d’échantillonnage, taux de conversion ou débit continu. Il est souvent exprimé en mégahertz (MHz) ou en méga échantillons par seconde (MSPS). Pour la mesure du débit de sortie, un mot de sortie par seconde est équivalent à un Hertz ou à un échantillon par seconde. Les CAN multicanaux se définissent comme des appareils comportant deux ou plusieurs CAN, conçus de manière que chacun d’entre eux ait une entrée analogique distincte. Les CAN entrelacés se définissent comme des appareils dotés de plusieurs CAN qui échantillonnent la même entrée analogique à des moments différents, de sorte que, lorsque les sorties sont agrégées, l’entrée analogique a été effectivement échantillonnée et convertie à un taux d’échantillonnage plus élevé. La dynamique de modulation sans parasites (SFDR) se définit comme le rapport entre la valeur RMS de la fréquence porteuse (composante maximale du signal) à l’entrée dans le CNA et la valeur RMS du bruit le plus fort suivant ou de la composante de distorsion harmonique à sa sortie. La SFDR est déterminée directement à partir du tableau des spécifications ou des graphiques de caractérisation de la SFDR par rapport à la fréquence. Un signal est dit à pleine échelle lorsque son amplitude est supérieure à - 3 dBfs (pleine échelle). vitesse de conversion pour les CNA:

5. a.

CAN présentant l’une des caractéristiques suivantes: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 3A101

1. résolution de 8 bits ou plus mais inférieure à 10 bits, avec un débit de sortie supérieur à 1000 millions de mots par seconde;

2. résolution de 10 bits ou plus mais inférieure à 12 bits, avec un débit de sortie supérieur à 300 millions de mots par seconde;

3. résolution de 12 bits avec un débit de sortie supérieur à 200 millions de mots par seconde;

4. résolution supérieure à 12 bits, mais égale ou inférieure à 14 bits, avec un débit de sortie supérieur à 125 millions de mots par seconde; ou

5. résolution supérieure à 14 bits avec un débit de sortie supérieur à 20 millions de mots par seconde;

5. Notes techniques: 1.2.3.4.5.6.7.8.9. b.

Convertisseurs numériques-analogiques (CNA) présentant l’une des caractéristiques suivantes:

1. résolution de 10 bits ou plus avec une vitesse de conversion égal ou supérieur à 3500 MSPS; ou

2. résolution de 12 bits ou plus avec une vitesse de conversion égal ou supérieur à 1250 MSPS et présentant une des caractéristiques suivantes:

2. a.

un temps d’établissement inférieur à 9 ns à 0,024 % de la pleine échelle pour un échelon à pleine échelle; ou

une dynamique de modulation sans parasites (SFDR) supérieure à 68 dBc (porteuse) lors de la synthétisation d’un signal analogique à pleine échelle de 100 MHz ou la fréquence de signal analogique à pleine échelle la plus élevée qui ait été spécifiée sous les 100 MHz.

5. Notes techniques: 1.2.3.4.5.6.7.8.9. 3A001 a. 5.Notes techniques: 1.2.3.4. a.

pour les CNA conventionnels (non entrelacés), la vitesse de conversion est la vitesse à laquelle le signal numérique est converti en un signal analogique et les valeurs analogiques de sortie sont modifiées par le CNA. Pour les CNA dans lesquels le mode entrelacé peut être contourné (facteur d’entrelacement égal à un), le CNA devrait être considéré comme un CNA conventionnel (non entrelacé);

pour les CNA entrelacés (CNA suréchantillonneurs), la vitesse de conversion se définit comme la vitesse de conversion du CNA divisée par le plus petit facteur d’entrelacement. Pour les CNA entrelacés, la vitesse de conversion peut être nommée des différentes manières suivantes:

débit de données en entrée

débit de mots en entrée

fréquence d’échantillonnage en entrée

débit total maximal du bus d’entrée

fréquence d’horloge maximale pour l’entrée de l’horloge du CNA.

6. circuits intégrés électro-optiques et circuits intégrés optiques conçus pour le traitement de signal, et présentant toutes les caractéristiques suivantes:

6. a.

une ou plusieurs diodes laser internes;

un ou plusieurs photodétecteurs internes; et

des guides d’onde optiques;

7. 3A001 a. 7.Notes techniques: 1.2.3.

réseaux logiques programmables présentant l’une des caractéristiques suivantes: Note: L’alinéa 3A001.a.7 inclut: Les dispositifs logiques programmables par l’utilisateur sont également connus sous le nom de réseaux de portes programmables ou de réseaux logiques programmables. Le nombre maximum d’entrées/sorties numériques mentionné à l’alinéa 3A001.a.7.a. représente également le nombre maximum d’entrées/sorties utilisateur ou le nombre maximum d’entrées/sorties disponibles, que le circuit intégré soit encapsulé ou nu. La vitesse cumulée de transfert de données du transmetteur en série une voie correspond au produit de la vitesse de données de ce transmetteur par le nombre de transmetteurs sur le FPGA.

7. a.

un nombre maximum d’entrées/sorties numériques monofilaires égal ou supérieur à 500; ou

un taux de transfert par transmetteur une voie en série de crête égal ou inférieur à 200 Gb/s;

les dispositifs logiques programmables simples (SPLD);

les dispositifs logiques programmables complexes (CPLD);

les prédiffusés programmables (FPGA);

les réseaux logiques programmables par l’utilisateur (FPLA);

les interconnexions programmables par l’utilisateur (FPIC).

8. non utilisé;

9. circuits intégrés pour réseaux neuronaux;

10. circuits intégrés à la demande dont soit la fonction, soit le statut de l’équipement dans lesquels ils seront utilisés, n’est pas connu du fabricant, présentant l’une des caractéristiques suivantes:

10. a.

plus de 1500 sorties;

temps de propagation de la porte de base typique de moins de 0,02 ns; ou

fréquence de fonctionnement supérieure à 3 GHz;

11. circuits intégrés numériques, autres que ceux décrits aux alinéas 3A001.a.3. à 3A001.a.10. et 3A001.a.12., fabriqués à partir de tout semi-conducteur composé et présentant l’une des deux caractéristiques suivantes:

11. a.

nombre de portes équivalent de plus de 3000 (portes à deux entrées); ou

fréquence d’inversion supérieure à 1,2 GHz;

12. Note technique:

processeurs de transformée de Fourier rapide (FFT), présentant une durée d’exécution nominale pour une transformée de Fourier rapide de N points complexe inférieure à (N log2N)/20480 ms, N étant le nombre de points; Lorsque N est égal à 1024 points, la formule de l’alinéa 3A001.a.12. donne une durée d’exécution de 500 μs

13. Note technique:

circuits intégrés pour synthétiseur numérique direct présentant l’une des caractéristiques suivantes: La fréquence d’horloge CNA peut être qualifiée de fréquence d’horloge de référence ou fréquence d’horloge d’entrée 3A001 suite

13. a.

une fréquence d’horloge du convertisseur numérique-analogique (CNA) égale ou supérieure à 3,5 GHz, et une résolution CNA égale ou supérieure à 10 bits, mais inférieure à 12 bits; ou

une fréquence d’horloge égale ou supérieure à 1,25 GHz et une résolution CNA égale ou supérieure à 12 bits;

b. Note technique:

dispositifs hyperfréquences ou à ondes millimétriques, comme suit: Aux fins de l’alinéas 3A001.b., le paramètre de sortie de puissance de crête saturée peut également être appelé, dans les fiches techniques des produits, puissance de sortie, sortie de puissance saturée, sortie de puissance maximale, sortie de puissance de crête, ou sortie de puissance de crête de modulation.

1. 3A001 b. tubes électroniques à vide et cathodes, comme suit: Note 1: L’alinéa 3A001.b.1. ne vise pas les tubes conçus ou prévus pour fonctionner dans une bande de fréquences quelconque et présentant toutes les caractéristiques suivantes: Note 2: L’alinéa 3A001.b.1. ne vise pas les tubes non qualifiés pour l’usage spatial et présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. a.

ne dépasse pas 31,8 GHz; et

est allouée par l’UIT pour les services de radiocommunications, mais pas pour le radiorepérage.

une puissance de sortie moyenne égale ou inférieure à 50 W; et

conçus ou prévus pour fonctionner dans une bande de fréquences quelconque et présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. dépasse 31,8 GHz mais ne dépasse pas 43,5 GHz; et

2. est allouée par l’UIT pour les services de radiocommunications, mais pas pour la radiodétermination.

tubes à ondes progressives, à impulsions ou à ondes entretenues, comme suit:

1. tubes opérant sur des fréquences supérieures à 31,8 GHz;

2. tubes comportant un élément chauffant de cathode ayant un temps de montée inférieur à 3 secondes jusqu’à la puissance HF nominale;

3. tubes à cavités couplées, ou leurs dérivés, ayant une bande passante fractionnelle de plus de 7 % ou une puissance de crête supérieure à 2,5 kW;

4. tubes à hélices ou leurs dérivés, présentant l’une des caractéristiques suivantes:

4. a.

bande passante instantanée de plus d’une octave, et produit de la puissance moyenne (exprimée en kW) par la fréquence (exprimée en GHz) supérieur à 0,5;

bande passante instantanée d’une octave ou moins et produit de la puissance moyenne (exprimée en kW) par la fréquence (exprimée en GHz) supérieur à 1; ou

qualifiés pour l’usage spatial;

tubes amplificateurs à champs croisés ayant un gain supérieur à 17 dB;

cathodes imprégnées pour tubes électroniques produisant une densité de courant en émission continue dans les conditions de fonctionnement nominales dépassant 5 A/cm2;

2. amplificateurs de puissance à circuits intégrés monolithiques hyperfréquences, présentant l’une des caractéristiques suivantes: Note 1: Non utilisé. Note 2: Le statut des circuits intégrés monolithiques hyperfréquences dont la fréquence de fonctionnement prévue inclut des fréquences énumérées dans plus d’une gamme de fréquences, tels que définis aux alinéas 3A001.b.2.a à 3A001.b.2.h, est déterminé par le seuil minimum de sortie de puissance de crête saturée. Note 3: Les notes 1 et 2 figurant au chapitre 3A signifient que l’alinéa 3A001.b.2. ne vise pas les circuits intégrés monolithiques hyperfréquences lorsque ceux-ci sont spécialement conçus pour d’autres applications, par exemple: télécommunications, radars, automobiles.

2. a.

prévus pour fonctionner à des fréquences supérieures à 2,7 GHz et pouvant atteindre 6,8 GHz, ayant une bande passante fractionnelle supérieure à 15 %, et présentant l’une des caractéristiques suivantes;

1. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 75 W (48,75 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 2,7 GHz et pouvant atteindre 2,9 GHz;

2. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 55 W (47,4 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 2,9 GHz et pouvant atteindre 3,2 GHz;

3. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 40 W (46 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 3,2 GHz et pouvant atteindre 3,7 GHz; ou

4. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 20 W (43 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 3,7 GHz et pouvant atteindre 6,8 GHz;

3A001 b. 2. prévus pour fonctionner à des fréquences supérieures à 6,8 GHz et pouvant atteindre 16 GHz, ayant une bande passante fractionnelle supérieure à 10 %, et présentant l’une des caractéristiques suivantes;

1. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 10 W (40 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 6,8 GHz et pouvant atteindre 8,5 GHz; ou

2. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 5 W (37 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 8,5 GHz et pouvant atteindre 16 GHz;

prévus pour fonctionner avec une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 3 W (34,77 dBm) à quelconque fréquence supérieure à 16 GHz et pouvant atteindre 31,8 GHz, et ayant une bande passante fractionnelle supérieure à 10 %;

prévus pour fonctionner avec une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 0,1 nW (-70 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 31,8 GHz et pouvant atteindre 37 GHz;

prévus pour fonctionner avec une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 1 W (30 dBm) à quelconque fréquence supérieure à 37 GHz et pouvant atteindre 43,5 GHz, et ayant une bande passante fractionnelle supérieure à 10 %;

prévus pour fonctionner avec une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 31,62 mW (15 dBm) à quelconque fréquence supérieure à 43,5 GHz et pouvant atteindre 75 GHz, et ayant une bande passante fractionnelle supérieure à 10 %;

prévus pour fonctionner avec une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 10 mW (10 dBm) à quelconque fréquence supérieure à 75 GHz et pouvant atteindre 90 GHz, et ayant une bande passante fractionnelle supérieure à 5 %;

prévus pour fonctionner avec une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 0,1 nW (-70 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 90 GHz;

3. transistors hyperfréquences discrets présentant l’une des caractéristiques suivantes: Note 1: Le statut des circuits intégrés monolithiques hyperfréquences dont la fréquence de fonctionnement prévue inclut des fréquences énumérées dans plus d’une gamme de fréquences, tels que définis aux alinéas 3A001.b.2.a à 3A001.b.2.e, est déterminé par le seuil minimum de sortie de puissance de crête saturée. Note 2: L’alinéa 3A001.b.3. inclut les dés simples, les dés montés sur supports, ou les dés montés sur des ensembles. Certains transistors discrets sont également connus sous le nom d’amplificateurs de puissance; toutefois, le statut de ces transistors discrets est défini à l’alinéa 3A001.b.3.

3. a.

prévus pour fonctionner à des fréquences supérieures à 2,7 GHz et pouvant atteindre 6,8 GHz, et présentant l’une des caractéristiques suivantes;

1. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 400 W (56 dBm) à une fréquence supérieure à 2,7 GHz et pouvant atteindre 2,9 GHz;

2. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 205 W (53,12 dBm) à une fréquence supérieure à 2,9 GHz et pouvant atteindre 3,2 GHz;

3. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 115 W (50,61 dBm) à une fréquence supérieure à 3,2 GHz et pouvant atteindre 3,7 GHz; ou

4. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 60 W (47,78 dBm) à une fréquence supérieure à 3,7 GHz et pouvant atteindre 6,8 GHz;

prévus pour fonctionner à des fréquences supérieures à 6,8 GHz et pouvant atteindre 31,8 GHz, et présentant l’une des caractéristiques suivantes;

1. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 50 W (47 dBm) à une fréquence supérieure à 6,8 GHz et pouvant atteindre 8,5 GHz;

2. 3A001 b. 3. b. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 15 W (41,76 dBm) à une fréquence supérieure à 8,5 GHz et pouvant atteindre 12 GHz;

3. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 40 W (46 dBm) à une fréquence supérieure à 12 GHz et pouvant atteindre 16 GHz; ou

4. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 7 W (38,45 dBm) à une fréquence supérieure à 16 GHz et pouvant atteindre 31,8 GHz;

prévus pour fonctionner avec une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 0,5 W (27 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 31,8 GHz et pouvant atteindre 37 GHz;

prévus pour fonctionner avec une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 1 W (30 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 37 GHz et pouvant atteindre 43,5 GHz;

prévus pour fonctionner avec une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 0,1 nW (-70 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 43,5 GHz;

4. amplificateurs à semi-conducteurs hyperfréquences et ensembles/modules comportant des amplificateurs à semi-conducteurs hyperfréquences, présentant l’une des caractéristiques suivantes: N.B.: Il conviendrait d’évaluer les amplificateurs de puissance à circuits intégrés monolithiques hyperfréquences en fonction des critères énoncés à l’alinéa 3A001.b.2. Note 1: Non utilisé. Note 2: Le statut des produits dont la fréquence de fonctionnement prévue inclut des fréquences énumérées dans plus d’une gamme de fréquences, tels que définis aux alinéas 3A001.b.4.a. à 3A001.b.4.e., est déterminé par le seuil minimum de sortie de puissance de crête saturée. Note 3: L’alinéa 3A001.b.4. inclut les modules de transmission/réception et les modules de transmission.

4. a.

1. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 500 W (57 dBm) à une fréquence supérieure à 2,7 GHz et pouvant atteindre 2,9 GHz;

2. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 270 W (54,3 dBm) à une fréquence supérieure à 2,9 GHz et pouvant atteindre 3,2 GHz;

3. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 200 W (53 dBm) à une fréquence supérieure à 3,2 GHz et pouvant atteindre 3,7 GHz; ou

4. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 90 W (49,54 dBm) à une fréquence supérieure à 3,7 GHz et pouvant atteindre 6,8 GHz;

prévus pour fonctionner à des fréquences supérieures à 6,8 GHz et pouvant atteindre 31,8 GHz, ayant une bande passante fractionnelle supérieure à 10 %, et présentant l’une des caractéristiques suivantes;

1. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 70 W (48,54 dBm) à une fréquence supérieure à 6,8 GHz et pouvant atteindre 8,5 GHz;

2. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 50 W (47 dBm) à une fréquence supérieure à 8,5 GHz et pouvant atteindre 12 GHz;

3. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 30 W (44,77 dBm) à une fréquence supérieure à 12 GHz et pouvant atteindre 16 GHz; ou

4. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 20 W (43 dBm) à une fréquence supérieure à 16 GHz et pouvant atteindre 31,8 GHz;

prévus pour fonctionner avec une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 0,5 W (27 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 31,8 GHz et pouvant atteindre 37 GHz;

3A001 b. 4. prévus pour fonctionner avec une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 2 W (33 dBm) à quelconque fréquence supérieure 37 GHz et pouvant atteindre 43,5 GHz, et ayant une bande passante fractionnelle supérieure à 10 %;

prévus pour fonctionner à des fréquences supérieures à 43,5 GHz et présentant l’une des caractéristiques suivantes:

1. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 0,2 W (23 dBm) à quelconque fréquence supérieure 43,5 GHz et pouvant atteindre 75 GHz, et ayant une bande passante fractionnelle supérieure à 10 %;

2. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 20 mW (13 dBm) à quelconque fréquence supérieure 75 GHz et pouvant atteindre 90 GHz, et ayant une bande passante fractionnelle supérieure à 5 %;

3. une sortie de puissance de crête saturée supérieure à 0,1 nW (-70 dBm) à une quelconque fréquence supérieure à 90 GHz; ou

prévus pour fonctionner à des fréquences supérieures à 2,7 GHz et présentant l’une des caractéristiques suivantes:

1. Une puissance de sortie moyenne (en watts), Psat, supérieure à 400 divisés par la fréquence de fonctionnement maximale (en GHz) au carré [Psat > 400 W*GHz2/fGHz2];

2. une bande passante fractionnelle supérieure ou égale à 5 %; et

3. Note technique:

les deux côtés perpendiculaires l’un à l’autre, soit d’une longueur d (en cm) égale ou inférieure à 15, divisée par la fréquence de fonctionnement minimale en GHz [d ≤ 15 cm*GHz/fGHz]; Il conviendrait d’utiliser 2,7 GHz comme fréquence de fonctionnement la plus basse (fGHz) dans la formule de l’alinéa 3A001.b.4.f.3.pour les amplificateurs dont la gamme de fonctionnement descend jusqu’à 2,7 GHz et en-deçà [d ≤ 15 cm*GHz/2,7 GHz].

5. filtres passe-bande ou coupe-bande accordables électroniquement ou magnétiquement, comportant plus de 5 résonateurs accordables capables de s’accorder sur une bande de fréquences de 1,5:1 (fmax./fmin.) en moins de 10 μs et présentant l’une des caractéristiques suivantes:

5. a.

bande passante de plus de 0,5 % de la fréquence centrale; ou

bande de réjection de moins de 0,5 % de la fréquence centrale;

6. non utilisé;

7. convertisseurs et mélangeurs harmoniques conçus pour étendre la gamme de fréquences des équipements décrits aux alinéas 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. ou 3A002.f. au-delà des limites qui y sont mentionnées;

8. 3A001 b. amplificateurs de puissance hyperfréquences contenant des tubes visés à l’alinéa 3A001.b.1. et présentant toutes les caractéristiques suivantes: Note: L’alinéa 3A001.b.8. ne vise pas les équipements conçus ou prévus pour fonctionner dans une bande de fréquences quelconque allouée par l’UIT pour les services de radiocommunications, mais pas pour la radiolocalisation.

8. a.

fonctionnement à des fréquences supérieures à 3 GHz;

rapport de la puissance de sortie moyenne sur la masse supérieur à 80 W/kg; et

volume inférieur à 400 cm3;

9. Notes techniques: 1.2.

modules de puissance hyperfréquences comprenant au moins un tube à ondes progressives, un circuit intégré monolithique hyperfréquence et un conditionneur électronique de puissance intégré et présentant toutes les caractéristiques suivantes: Aux fins du calcul du volume visé au point 3A001.b.9.b., il est fourni l’exemple suivant: pour une puissance nominale maximum de 20 W, le volume serait de: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3. Le temps de montée visé à l’alinéa 3A001.b.9.b. désigne le temps compris entre l’arrêt complet et la disponibilité totale, c’est-à-dire qu’il comprend le temps de préchauffage du module.

9. a.

temps de montée inférieur à 10 secondes;

volume inférieur à la puissance nominale maximum en watts multipliée par 10 cm3/W; et

bande passante instantanée de plus d’une octave (fmax. > 2fmin.) et présentant l’une des caractéristiques suivantes:

1. pour les fréquences égales ou inférieures à 18 GHz, une puissance de sortie RF supérieure à 100 W; ou

2. une fréquence supérieure à 18 GHz;

10. Note technique:

Oscillateurs ou ensembles d’oscillateurs prévus pour fonctionner avec ce qui suit: À l’alinéa 3A001.b.10., F représente le décalage par rapport à la fréquence de fonctionnement exprimée en Hz et f la fréquence de fonctionnement exprimée en MHz.

10. a.

un bruit de phase en bande latérale unique (BLU), exprimé en dBc/Hz, meilleur que - (126 + 20log10F-20log10f) à tout point de la plage de 10 Hz < F < 10 kHz; et

un bruit de phase en bande latérale unique (BLU), exprimé en dBc/Hz, meilleur que - (114 + 20log10F-20log10f) à tout point de la plage de 10 kHz ≤ F < 500 kHz;

11. Ensembles électroniques synthétiseurs de fréquences ayant un temps de commutation de fréquence présentant l’une des caractéristiques suivantes: N.B.: À des fins générales, générateurs de signaux, analyseurs de réseaux et récepteurs d’essai hyperfréquences, voir 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. et 3A002.f. respectivement.

11. a.

inférieur à 156 ps;

inférieur à 100 μs pour tout changement de fréquence supérieur à 1,6 GHz dans la gamme de fréquences synthétisées comprise entre 4,8 GHz et 10,6 GHz;

inférieur à 250 μs pour tout changement de fréquence supérieur à 550 MHz dans la gamme de fréquences synthétisées comprise entre 10,6 GHz et 31,8 GHz;

inférieur à 500 μs pour tout changement de fréquence supérieur à 550 MHz dans la gamme de fréquences synthétisées comprise entre 31,8 GHz et 43,5 GHz;

3A001 b. 11. inférieur à 1 ms pour tout changement de fréquence supérieur à 550 MHz dans la gamme de fréquences synthétisées comprise entre 43,5 GHz et 56 GHz;

inférieur à 1 ms pour tout changement de fréquence supérieur à 2,2 GHz dans la gamme de fréquences synthétisées comprise entre 56 GHz et 75 GHz; ou

inférieur à 1 ms dans la gamme de fréquences synthétisées supérieure à 75 GHz;

dispositifs utilisant les ondes acoustiques, comme suit, et leurs composants spécialement conçus: Note: L’alinéa 3A001.c. ne vise pas les dispositifs utilisant les ondes acoustiques qui n’ont qu’une capacité unique de filtrage passe-bande, filtrage passe-bas, filtrage passe-haut ou filtrage coupe-bande, ou une fonction de résonance.

1. Note technique:

dispositifs utilisant les ondes acoustiques de surface et les ondes acoustiques rasantes (peu profondes), présentant l’une des caractéristiques suivantes: La réjection de fréquence des lobes latéraux est la valeur de réjection maximale spécifiée dans la fiche technique.

1. a.

fréquence porteuse supérieure à 6 GHz;

fréquence porteuse supérieure à 1 GHz mais n’excédant pas 6 GHz et présentant l’une des caractéristiques suivantes:

1. réjection de fréquence des lobes latéraux supérieure à 65 dB;

2. produit du temps de propagation maximal (exprimé en μs) par la bande passante (exprimée en MHz) supérieur à 100;

3. largeur de bande supérieure à 250 MHz; ou

4. temps de propagation dispersif supérieur à 10 μs; ou

fréquence porteuse de 1 GHz ou moins et présentant l’une des caractéristiques suivantes:

1. produit du temps de propagation maximal (exprimé en μs) par la bande passante (exprimée en MHz) supérieur à 100;

2. temps de propagation dispersif supérieur à 10 μs; ou

3. réjection de fréquence des lobes latéraux supérieure à 65 dB et largeur de bande supérieure à 100 MHz;

2. dispositifs utilisant les ondes acoustiques (de volume) qui permettent un traitement direct du signal à des fréquences supérieures à 6 GHz;

3. dispositifs de traitement de signal acousto-optiques, faisant appel à une interaction entre ondes acoustiques (de volume ou de surface) et ondes lumineuses permettant le traitement direct du signal ou d’images, y compris l’analyse spectrale, la corrélation ou la convolution;

dispositifs ou circuits électroniques contenant des composants fabriqués à partir de matériaux supraconducteurs, spécialement conçus pour fonctionner à des températures inférieures à la température critique d’au moins un des constituants supraconducteurs et présentant l’une des caractéristiques suivantes:

1. commutation de courant pour circuits numériques utilisant des portes supraconductrices avec un produit du temps de propagation par porte (exprimé en secondes) par la puissance dissipée par porte (exprimée en watts) inférieur à 10-14 J; ou

2. sélection de fréquence à toutes les fréquences utilisant des circuits résonants ayant des facteurs de qualité (Q) dépassant 10000;

3A001 dispositifs à haute énergie, comme suit:

1. Notes techniques: 1.2.3.4.

éléments comme suit: Aux fins de l’alinéa 3A001.e.1., la densité d’énergie (Wh/kg) est calculée à partir du voltage nominal, multiplié par la capacité nominale en ampères heures (Ah), divisé par la masse en kilogrammes. Si la capacité nominale n’est pas indiquée, la densité d’énergie est calculée à partir du voltage nominal au carré puis multiplié par la durée de décharge exprimée en heures et divisé par la résistance de décharge en ohms et la masse en kilogrammes. Aux fins de l’alinéa 3A001.e.1, on entend par élément un dispositif électrochimique, doté d’électrodes positives et négatives et d’un électrolyte, qui constitue une source d’énergie électrique. Il s’agit du composant de base d’une pile ou batterie. Aux fins de l’alinéa 3A001.e.1.a., on entend par élément primaire un élément qui n’est pas conçu pour être chargé par une autre source. Aux fins de l’alinéa 3A001.e.1.b., on entend par élément secondaire un élément conçu pour être chargé par une source électrique externe. Note: L’alinéa 3A001.e.1. ne vise pas les batteries, y compris les piles et batteries à élément unique.

1. a.

éléments primaires ayant une densité d’énergie supérieure à 550 Wh/kg à 20 °C;

éléments secondaires ayant une densité d’énergie supérieure à 300 Wh/kg à 20 °C;

2. condensateurs à capacité de stockage d’énergie élevée, comme suit: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 3A201.a. et la liste des matériels de guerre.

2. a.

condensateurs à décharge unique ayant une fréquence de répétition inférieure à 10 Hz et présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. tension nominale égale ou supérieure à 5 kV;

2. densité d’énergie égale ou supérieure à 250 J/kg; et

3. énergie totale égale ou supérieure à 25 kJ;

condensateurs ayant une fréquence de répétition de 10 Hz ou plus (à décharges successives) et présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. tension nominale égale ou supérieure à 5 kV;

2. densité d’énergie égale ou supérieure à 50 J/kg;

3. énergie totale égale ou supérieure à 100 J; et

4. durée de vie égale ou supérieure à 10000 cycles charge/décharge;

3. électro-aimants et solénoïdes supraconducteurs, spécialement conçus pour un temps de charge/décharge complète inférieur à une seconde et présentant toutes les caractéristiques suivantes: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 3A201.b. Note: L’alinéa 3A001.e.3. ne vise pas les électro-aimants ou solénoïdes supraconducteurs spécialement conçus pour les équipements médicaux d’imagerie par résonance magnétique (IRM).

3. a.

énergie délivrée pendant la décharge supérieure à 10 kJ au cours de la première seconde;

diamètre intérieur des bobinages porteurs de courant supérieur à 250 mm; et

prévus pour une induction magnétique supérieure à 8 T ou une densité de courant globale à l’intérieur des bobinages de plus de 300 A/mm2;

4. Note technique:

3A001 e. cellules solaires, ensembles de fenêtres d’interconnexion de cellules, panneaux solaires et générateurs photovoltaïques qualifiés pour l’usage spatial et dont l’efficacité moyenne minimum est supérieure à 20 % à une température de fonctionnement de 301 K (28 °C) sous flux lumineux AM0 simulé, avec un éclairement énergétique de 1367 watts par mètre carré (W/m2); Par AM0 ou masse d’air nulle, on entend le spectre du flux de lumière solaire dans l’atmosphère terrestre extérieure lorsque la distance entre la Terre et le soleil est égale à une unité astronomique.

codeurs de position absolue de type à entrée rotative ayant une précision égale ou inférieure (meilleure que) à ± 1,0 seconde d’arc;

g. Note technique:

modules et dispositifs dotés de thyristors de commutation à alimentation pulsée et à commutation électrique, optique ou contrôlée par rayonnement électronique et présentant l’une des caractéristiques suivantes: Note 1: L’alinéa 3A001.g. inclut: Note 2: L’alinéa 3A001.g. ne vise pas les dispositifs de thyristors et les modules de thyristors intégrés dans des équipements destinés aux chemins de fer civils ou aux aéronefs civils. Aux fins de l’alinéa 3A001.g., un module de thyristors contient un ou plusieurs dispositifs de thyristors.

1. un temps de montée maximum du courant de mise sous tension (di/dt) supérieur à 30000A/μs et une tension à l’état bloqué supérieure à 1100 V; ou

2. un temps de montée maximum du courant de mise sous tension (di/dt) supérieur à 2000A/μs et présentant toutes les caractéristiques suivantes:

2. a.

une tension de crête à l’état bloqué égale ou supérieure à 3000 V; et

un courant (de surcharge) crête égal ou supérieur à 3000 A.

les redresseurs commandés au silicium (SCR);

les thyristors à amorçage électrique (ETT);

les thyristors à amorçage par impulsion de lumière (LTT);

les thyristors commutés à gâchette intégrée (IGCT);

les thyristors blocables (GTO);

les thyristors commandés par MOS (MCT);

les solidtrons.

h. Note technique:

commutateurs, diodes ou modules de puissance à semi-conducteur présentant toutes les caractéristiques suivantes: Note 1: La tension de pointe répétitive à l’état bloqué visée à l’alinéa 3A001.h. inclut la tension drain-source, la tension collecteur-émetteur, la tension inverse de pointe répétitive et la tension de pointe répétitive à l’état bloqué. 3A001 h.Note 2: L’alinéa 3A001.h. inclut: Note 3: L’alinéa 3A001 h. ne vise pas les commutateurs, diodes ou modules intégrés dans des équipements destinés aux automobiles civiles, aux trains civils ou aux aéronefs civils. Aux fins de l’alinéa 3A001.h., les modules contiennent un ou plusieurs commutateurs ou diodes d’alimentation à semi-conducteurs.

1. prévus pour une température maximale de jonction en fonctionnement supérieure à 488 K (215 °C);

2. tension de pointe répétitive à l’état bloqué (tension de blocage) supérieure à 300 V; et

3. courant continu supérieur à 1 A.

les transistors à effet de champ à jonction (JFET);

les transistors à effet de champ à jonction verticale (VJFET);

les transistors à effet de champ à oxydes métalliques (MOSFET);

les transistors à double diffusion à effet de champ à oxydes métalliques (DMOSFET);

les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT);

les transistors à haute mobilité électronique (HEMT);

les transistors bipolaires à jonctions (BJT);

les thyristors ou redresseurs commandés au silicium (SCR);

les thyristors blocables (GTO);

les thyristors de puissance (ETO);

les diodes PiN;

les diodes Schottky.

matériels d’enregistrement et oscilloscopes comme suit:

1. non utilisé

2. non utilisé

3. non utilisé

4. non utilisé

5. Notes techniques: 1.2.

numériseurs de formes d’ondes et enregistreurs de transitoires, présentant toutes les caractéristiques suivantes: Pour les instruments ayant une structure de bus parallèle, le débit continu est la vitesse de mots la plus élevée multipliée par le nombre de bits dans un mot. Le débit continu est le débit de données le plus rapide que l’instrument peut stocker en mémoire de masse sans aucune perte d’information tout en assurant le taux d’échantillonnage et la conversion analogique-numérique.

5. a.

taux de numérisation égal ou supérieur à 200 millions d’échantillons par seconde et résolution de 10 bits ou plus; et

débit continu de 2 Gbits/s ou plus;

6. Note technique:

3A002 a. systèmes d’enregistrement numériques de données d’instrumentation, utilisant la technique de stockage sur disque magnétique et présentant toutes les caractéristiques suivantes, et leurs enregistreurs numériques spécialement conçus: Les systèmes d’enregistrement numériques de données d’instrumentation peuvent être configurés avec un numériseur intégré soit à l’intérieur soit à l’extérieur de l’enregistreur numérique.

6. a.

taux de Digitised instrumentation data égal ou supérieur à 100 millions d’échantillons par seconde à une résolution de 8 bits ou plus; et

débit continu de 1 Gbits/s ou plus;

7. Les oscilloscopes en temps réel ayan une tension parasite d’une valeur quadratique moyenne verticale inférieure à 2 % de la pleine échelle au réglage d’échelle verticale fournissant la valeur minimale de parasites pour toute bande passante d’entrée de 3 dB égale ou supérieure à 60 GHz par canal; Note: L’alinéa 3A002.a.7. ne vise pas les oscilloscopes à échantillonnage en temps équivalent.

Non utilisé;

analyseurs de signaux de radiofréquence, comme suit:

1. analyseurs de signaux ayant une résolution de bande passante à 3 dB supérieure à 10 MHz partout dans la gamme de fréquences comprise entre 31,8 GHz et 37,5 GHz;

2. analyseurs de signaux ayant un niveau de bruit moyen affiché (DANL) inférieur à (meilleur que) -150 dBm/Hz partout dans la gamme de fréquences supérieures comprise entre 43,5 GHz et 75 GHz;

3. analyseurs de signaux ayant une fréquence supérieure à 75 GHz;

4. analyseurs de signaux présentant l’une des caractéristiques suivantes: Note: L’alinéa 3A002.c.4. ne vise pas les analyseurs de signaux utilisant uniquement des filtres de bande passante à pourcentage constant (également connus sous le nom de filtres d’octaves ou de filtres d’octave partiels).

4. a.

bande passante en temps réel supérieure à 85 MHz; et

b. Notes techniques: 1.2.

probabilité de découverte à 100 % avec une réduction inférieure à 3 dB par rapport à la pleine amplitude en raison des écarts ou des effets de fenêtrage des signaux d’une durée égale ou inférieure à 15 μs; La probabilité de découverte visée à l’alinéa 3A002.c.4.b. est également connue sous le nom de probabilité d’interception ou de probabilité de capture. Aux fins de l’alinéa 3A002.c.4.b., la durée de la probabilité de découverte à 100 % correspond à la durée de signal minimale nécessaire pour l’incertitude indiquée de mesure du niveau.

5. analyseurs de signaux ayant une fonction de déclenchement sur masque de fréquence avec une probabilité de déclenchement (ou capture) de 100 % pour les signaux d’une durée égale ou inférieure à 15 μm;

d. Notes techniques: 1.2.

générateurs de signaux de fréquence synthétisés produisant des fréquences de sortie dont la stabilité à court et à long terme et la précision sont commandées par, dérivées de, ou assujetties à l’oscillateur de référence étalon interne et présentant l’une des caractéristiques suivantes: Note 1: Aux fins de l’alinéa 3A002.d., les générateurs de signaux de fréquence synthétisés incluent les générateurs de formes d’ondes et de fonctions arbitraires. Note 2: L’alinéa 3A002.d. ne vise pas les équipements dans lesquels la fréquence de sortie est produite par l’addition ou la soustraction de deux fréquences ou de plus de deux fréquences obtenues par des oscillateurs à quartz, ou par une addition ou une soustraction suivie d’une multiplication du résultat. La fréquence maximale synthétisée d’un générateur de formes d’ondes et de fonctions arbitraires est calculée en divisant la fréquence d’échantillonnage, exprimée en échantillons/seconde, par un facteur de 2,5. Aux fins de l’alinéa 3A002.d.1.a, on entend par durée d’impulsion le temps compris entre le moment où le bord d’attaque de l’impulsion atteint 50 % de l’amplitude et celui où le bord de fuite de l’impulsion atteint 50 % de l’amplitude.

1. spécifié pour générer des signaux modulés par impulsions présentant toutes les caractéristiques suivantes, partout dans la gamme de fréquences synthétisées comprise entre 31,8 GHz et 75 GHz;

1. a.

durée d’impulsion inférieure à 100 ns; et

rapport marche/arrêt égal ou supérieur à 65 dB;

2. 3A002 d. puissance de sortie supérieure à 100 mW (20 dBm) partout dans la gamme de fréquences synthétisées comprise entre 43,5 GHz et 75 GHz;

3. temps de commutation de fréquence présentant l’une des caractéristiques suivantes:

3. a.

non utilisé;

inférieur à 100 μs pour tout changement de fréquence supérieur à 1,6 GHz dans la gamme de fréquences synthétisées comprise entre 4,8 GHz et 10,6 GHz;

inférieur à 250 μs pour tout changement de fréquence supérieur à 550 MHz dans la gamme de fréquences synthétisées comprise entre 10,6 GHz et 31,8 MHz;

inférieur à 500 μs pour tout changement de fréquence supérieur à 550 MHz dans la gamme de fréquences synthétisées comprise entre 31,8 GHz et 43,5 GHz;

inférieur à 1 ms pour tout changement de fréquence supérieur à 550 MHz dans la gamme de fréquences synthétisées comprise entre 43,5 GHz et 56 GHz; ou

inférieur à 1 ms pour tout changement de fréquence supérieur à 2,2 GHz dans la gamme de fréquences synthétisées comprise entre 56 GHz et 75 GHz;

4. Note technique:

bruit de phase en bande latérale unique (BLU), exprimé en dBc/Hz, défini comme présentant toutes les caractéristiques suivantes: À l’alinéa 3A002.d., F représente le décalage par rapport à la fréquence de fonctionnement exprimée en Hz et f la fréquence de fonctionnement exprimée en MHz.

4. a.

inférieur à (meilleur que) - (126 + 20log10F-20log10f) en tout point situé dans la plage de 10 Hz < F < 10 kHz, partout dans la gamme de fréquences synthétisées comprise entre 3,2 GHz et 75 GHz; et

inférieur à (meilleur que) - (114 + 20log10F-20log10f) en tout point situé dans la plage de 10 kHz ≤ F < 500 kHz, partout dans la gamme de fréquences synthétisées comprise entre 3,2 GHz et 75 GHz; ou

5. fréquence maximale synthétisée supérieure à 75 GHz;

analyseurs de réseaux présentant l’une des caractéristiques suivantes:

1. une puissance de sortie supérieure à 31,62 mW (15 dBm) partout dans la gamme de fréquences de fonctionnement comprise entre 43,5 GHz et 75 GHz;

2. une puissance de sortie supérieure à 1 mW (0 dBm) partout dans la gamme de fréquences de fonctionnement comprise entre 75 GHz et 110 GHz;

3. 3A002 e. la fonctionnalité de mesure de vecteur non linéaire correspond à la capacité d’un instrument d’analyser les résultats de dispositifs utilisés dans le domaine des grands signaux ou dans la plage de distorsion non linéaire.

4. fréquence maximale de fonctionnement supérieure à 110 GHz;

récepteurs d’essai hyperfréquences présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. fréquence maximale de fonctionnement supérieure à 110 GHz; et

2. capacité de mesure simultanée de l’amplitude et de la phase;

étalons de fréquence atomiques présentant l’une des caractéristiques suivantes:

1. qualifiés pour l’usage spatial;

2. non au rubidium et ayant une stabilité à long terme inférieure à (meilleure que) 1 × 10-11/mois; ou

3. non qualifiés pour l’usage spatial et présentant toutes les caractéristiques suivantes:

3. a.

étalon au rubidium;

stabilité à long terme inférieure à (meilleure que) 1 × 10-11/mois; et

puissance consommée totale inférieure à 1 W.

convertisseurs analogique-numérique, utilisables dans les missiles, conçus pour respecter les spécifications militaires relatives aux équipements renforcés;

accélérateurs capables de délivrer des rayonnements électromagnétiques produits par Bremsstrahlung à partir d’électrons accélérés à 2 MeV ou plus, et systèmes contenant ces accélérateurs. Note: L’alinéa 3A101.b. ci-dessus ne vise pas les systèmes ou équipements conçus à des fins médicales.

3A Notes techniques: 1.2. a.

condensateurs possédant l’un des ensembles de caractéristiques suivants:

1. a.

voltage nominal supérieur à 1,4 kV;

stockage d’énergie supérieur à 10 J;

capacité supérieure à 0,5 μF; et

inductance série inférieure à 50 nH; ou

2. a.

voltage nominal supérieur à 750 V;

capacité supérieure à 0,25 μF; et

inductance série inférieure à 10 nH;

électro-aimants solénoïdaux supraconducteurs possédant toutes les caractéristiques suivantes: Note: L’alinéa 3A201.b. ci-dessus ne vise pas les aimants spécialement conçus et exportés comme éléments de systèmes médicaux d’imagerie à résonance magnétique nucléaire (RMN). Il est entendu que les termes comme éléments de ne signifient pas nécessairement que ces produits font physiquement partie du même envoi. Des envois séparés de sources différentes sont permis, à condition que les documents d’exportation correspondants précisent clairement le fait que les envois sont réalisés comme éléments de systèmes d’imagerie médicale.

1. capables de créer des champs magnétiques supérieurs à 2 T;

2. ayant un rapport L/D (longueur divisée par diamètre intérieur) supérieur à 2;

3. d’un diamètre intérieur supérieur à 300 mm; et

4. possédant un champ magnétique uniforme à moins de 1 % sur la moitié centrale du volume intérieur;

c. Notes techniques: 1.2.3.4.

générateurs de rayons X à décharge éclair ou accélérateurs d’électrons à impulsion présentant l’un des ensembles de caractéristiques suivants: Note: L’alinéa 3A201.c. ne vise pas les accélérateurs qui sont des composants de dispositifs conçus à des fins autres que l’irradiation par faisceaux électroniques ou par rayons X (par exemple, microscopie électronique), et ceux conçus à des fins médicales. Le facteur de mérite K se définit comme suit: K = 1,7 × 103 × V2,65 × Q V étant l’énergie de crête des électrons exprimée en millions d’électronvolts. Q est la charge totale accélérée exprimée en coulombs lorsque la durée d’impulsion du faisceau de l’accélérateur est inférieure ou égale à 1 μs. Si la durée d’impulsion du faisceau de l’accélérateur est supérieure à 1 μs, Q représente la charge maximale accélérée en 1 μs. Q est l’intégrale de i par rapport à t, pendant une μs ou pendant la durée de l’impulsion du faisceau si celle-ci est inférieure à 1 μs (Q = ∫ idt) où i représente le courant du faisceau exprimé en ampères et t le temps exprimé en secondes). Puissance de crête = (potentiel de crête en volts) × (courant de crête du faisceau en ampères). 3A201 c. Dans les machines fonctionnant avec des cavités d’accélération hyperfréquences, la durée de l’impulsion du faisceau est soit 1 μs, soit la durée du paquet de faisceaux produit par une impulsion du modulateur hyperfréquence si celle-ci est inférieure à 1 μs. Dans les machines fonctionnant avec des cavités d’accélération hyperfréquences, le courant de crête du faisceau représente le courant moyen pendant la durée d’un paquet de faisceaux groupés.

1. a.

une énergie de crête des électrons de l’accélérateur égale ou supérieure à 500 KeV mais inférieure à 25 MeV; et

un facteur de mérite (K) égal ou supérieur à 0,25, K; ou

2. a.

une énergie de crête des électrons de l’accélérateur égale ou supérieure à 25 MeV; et

une puissance de crête supérieure à 50 MW.

une sortie polyphasée fournissant une puissance égale ou supérieure à 40 VA;

fonctionnant à une fréquence égale ou supérieure à 600 Hz;

une précision de réglage de la fréquence meilleure que 0,2 %.

1. ils doivent être renvoyés au fabricant d’origine afin de faire les mises à niveau ou d’éliminer les contraintes;

2. ils requièrent un logiciel tel que spécifié au paragraphe 3D225 pour renforcer ou libérer les performances afin de répondre aux caractéristiques du paragraphe 3A225; ou

3. ils requièrent une technologie sous la forme de clés ou de codes, tel que spécifié au paragraphe 3E225 pour renforcer ou libérer les performances afin de répondre aux caractéristiques du paragraphe 3A225.

3A Notes techniques: 1.2. Notes techniques: 1.2. a.

capables de produire de façon continue, pendant une période de huit heures, 100 V ou plus, avec une intensité de courant supérieure ou égale à 500 A; et

une stabilité de l’intensité ou de la tension meilleure que 0,1 % pendant une période de 8 heures.

capables de produire de façon continue, pendant une période de 8 heures, 20 kV ou plus, avec une intensité de courant supérieure ou égale à 1 A; et

une stabilité de l’intensité ou de la tension meilleure que 0,1 % pendant une période de 8 heures.

tubes à cathode froide, qu’ils soient ou non remplis de gaz, fonctionnant de manière similaire à un éclateur à étincelle et présentant toutes les caractéristiques suivantes: Note: Le paragraphe 3A228 vise également les tubes krytron à gaz et les tubes sprytron à vide.

1. trois électrodes ou plus;

2. tension anodique nominale de crête égale ou supérieure à 2,5 kV;

3. courant anodique nominal de crête égal ou supérieur à 100 A; et

4. temporisation de l’anode égale ou inférieure à 10 μs;

éclateurs à étincelle présentant les deux caractéristiques suivantes:

1. déclenchés avec une temporisation de l’anode égale ou inférieure à 15 μs; et

2. fonctionnant avec un courant nominal de crête égal ou supérieur à 500 A;

modules ou ensembles possédant une fonction de commutation rapide autres que ceux visés à l’alinéa 3A001.g. ou à l’alinéa 3A001.h. et présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. tension anodique nominale de crête supérieure à 2 kV;

2. courant anodique nominal de crête égal ou supérieur à 500 A; et

3. temps de commutation égal ou inférieur à 1 μs.

Dispositifs de mise à feu de détonateurs (systèmes amorceurs, dispositifs de mise à feu), y compris dispositifs électroniques, explosifs et optiques, autres que les dispositifs visés à l’alinéa 1A007.a., conçus pour actionner les détonateurs d’explosifs visés à l’alinéa 1A007.b;

générateurs d’impulsions électriques modulaires (contacteurs) présentant toutes les caractéristiques suivantes: Note: L’alinéa 3A229.b. vise également les dispositifs de commande de lampes éclairs au xénon.

1. portables, mobiles ou pour une utilisation exigeant une robustesse élevée;

2. capables de fournir leur énergie en moins de 15 μs dans des charges inférieures à 40 ohms;

3. produisant un courant de plus de 100 A;

4. n’ayant aucune dimension supérieure à 30 mm;

5. ayant un poids inférieur à 30 kg; et

6. conçus pour fonctionner sur une plage de température allant de 223 K (- 50 °C) à 373 K (100 °C) ou conçus pour des applications aérospatiales.

Micro-unités de mise à feu présentant la totalité des caractéristiques suivantes:

1. aucune dimension supérieure 35 mm;

2. tension nominale supérieure ou égale à 1 kV;

3. capacitance supérieure ou égale à 100 nF.

tension de sortie supérieure à 6 volts dans une charge ohmique inférieure à 55 ohms, et

temps de transition des impulsions inférieur à 500 ps.

3A Notes techniques: 1.2. Notes techniques: 1.2. Notes techniques: 1.2. a.

conçus pour fonctionner sans installation de vide extérieure;

utilisant au choix:

1. une accélération électrostatique pour pour déclencher une réaction nucléaire tritium-deutérium;

2. une accélération électrostatique pour déclencher une réaction nucléaire tritium-deutérium et capable de produire au moins 3 × 109 neutrons/s.

non utilisé;

systèmes utilisant un détonateur unique ou des détonateurs multiples conçus pour amorcer quasi simultanément une surface explosive de plus de 5000 mm2 au moyen d’un signal unique de mise à feu avec un temps de propagation de l’amorçage sur toute la surface inférieure à 2,5 μs.

spectromètres de masse au plasma associés par couplage inductifs;

spectromètres de masse à décharge luminescente;

spectromètres de masse à ionisation thermique;

spectromètres de masse à bombardement d’électrons présentant les deux caractéristiques suivantes:

1. système d’admission à faisceau moléculaire qui injecte un faisceau collimaté de molécules à analyser dans une zone de la source d’ions où les molécules sont ionisées par un faisceau d’électrons; et

2. un ou plusieurs pièges à froid pouvant être refroidi à une température de 193 K (- 80 °C);

non utilisé;

spectromètres de masse équipés d’une source d’ions à microfluoration conçue pour les actinides ou les fluorures d’actinide.

3A Notes techniques: 1.2. Notes techniques: 1.2. Notes techniques: 1.2. Notes techniques: 1.2. a.

tension nominale supérieure à 2 kV; et

inductance inférieure à 20 nH.

3B Équipements d’essai, d’inspection et de production 3B001 Équipements pour la fabrication de dispositifs ou de matériaux semi-conducteurs, comme suit, et leurs composants et accessoires spécialement conçus: 3B002 Équipements de test spécialement conçus pour le test de dispositifs semi-conducteurs finis ou non finis comme suit, et leurs composants et accessoires spécialement conçus:

3B a.

équipements spécialement conçus pour la croissance épitaxiale, comme suit:

1. équipements capables de produire une couche de tout matériau autre que le silicium d’épaisseur uniforme avec une précision de ± 2,5 % sur une distance de 75 mm ou plus; Note: L’alinéa 3B001.a.1. inclut les équipements d’épitaxie par couche atomique (ALE).

2. réacteurs de dépôt en phase de vapeur par procédé chimique organométallique (MOCVD) conçus pour la croissance épitaxiale de semi-conducteurs composés de matériaux possédant au moins deux des éléments suivants: aluminium, gallium, indium, arsenic, phosphore, antimoine ou azote;

3. équipement de croissance épitaxiale à jet moléculaire utilisant des sources gazeuses ou solides;

équipements conçus pour l’implantation ionique et présentant l’une des caractéristiques suivantes:

1. non utilisé;

2. conçus et optimisés pour fonctionner à une énergie de faisceau égale ou supérieure à 20 keV, et un courant de faisceau égal ou supérieur à 10 mA pour les implantations d’hydrogène, de deutérium ou d’hélium;

3. capacité d’écriture directe;

4. énergie de faisceau d’au moins 65 keV et courant de faisceau d’au moins 45 mA pour une implantation à haute énergie d’oxygène dans un substrat de matériau semi-conducteur chauffé; ou

5. conçus et optimisés pour fonctionner à une énergie de faisceau égale ou supérieure à 20 keV, et un courant de faisceau égal ou supérieur à 10 mA pour une implantation de silicone dans un substrat de matériau semi-conducteur chauffé à au moins 600 °C;

équipements pour l’élimination par des méthodes sèches anisotropiques par plasma présentant toutes les caractéristiques suivantes:

1. conçu ou optimisé pour produire des dimensions critiques de 65 nm ou moins; et

2. non-uniformité à l’intérieur des plaquettes inférieure ou égale à 10 % 3 σ avec une exclusion de 2 mm ou moins;

non utilisé;

e. Notes techniques: 1.2.

systèmes centraux de manipulation des plaquettes pour le chargement automatique à chambres multiples, présentant toutes les caractéristiques suivantes: Note: L’alinéa 3B001.e. ne vise pas les systèmes automatiques robotisés de manipulation de plaquettes qui sont spécialement conçus pour le traitement parallèle de plaquettes. Aux fins de l’alinéa 3B001.e., on entend par instruments de traitement des semi-conducteurs les instruments modulaires qui permettent des traitements physiques pour la production de semi-conducteurs, différents du point de vue fonctionnel, tels que le dépôt, la gravure l’implant et le traitement thermique. Aux fins de l’alinéa 3B001. e., on entend par traitement séquentiel multiple des plaquettes la capacité de traiter chaque plaquette dans divers instruments de traitement de semi-conducteurs, par exemple en transférant chaque plaquette d’un instrument à un second instrument puis à un troisième instrument avec les systèmes centraux de manipulation des plaquettes pour le chargement automatique à chambres multiples.

1. des interfaces pour l’entrée et la sortie des plaquettes auxquelles sont connectées plus de deux outils de traitement de semi-conducteurs différents du point de vue fonctionnel, visés aux alinéas 3B001a., 3B001b ou 3B001c, et conçus à cet effet; et

2. ayant été conçus pour former un système intégré dans un environnement sous vide pour le traitement séquentiel multiple des plaquettes;

3B001 équipements de lithographie, comme suit:

1. photorépéteurs d’alignement et d’exposition (réduction directe sur la plaquette) ou photorépéteurs-balayeurs (scanners) pour le traitement de plaquettes utilisant des méthodes optiques ou à rayon X, et présentant l’une des caractéristiques suivantes:

1. a.

longueur d’onde de la source lumineuse inférieure à 245 nm; ou

b. Note technique:

capables de produire des figures dont la dimension de l’élément résoluble minimal (MRF) est égale ou inférieure à 95 nm; La dimension de l’élément résoluble minimal (MRF) est calculée à l’aide de la formule suivante: MRFlongueur d’onde de la source lumineuse d’expositiofacteur Kouverture numérique où le facteur K = 0,35.

2. équipements de lithographie par impression capables de produire des éléments égaux ou inférieurs à 95 nm; Note: L’alinéa 3B001.f.2. inclut:

les outils d’impression par microcontact;

les outils de gaufrage à chaud;

les outils de lithographie par nanoimpression;

les outils de lithographie par impression step and flash.

3. équipements spécialement conçus pour la production de masques ou le traitement de dispositifs semi-conducteurs, utilisant des méthodes d’écriture directe et présentant toutes les caractéristiques suivantes:

3. a.

utilisant un faisceau électronique, un faisceau ionique ou un faisceau laser avec focalisation et balayage du faisceau; et

présentant l’une des caractéristiques suivantes:

1. ayant une dimension du spot inférieure à 0,2 μm;

2. capables de produire des figures d’une dimension inférieure à 1 μm; ou

3. précision de chevauchement meilleure que ± 0,20 μm (3 sigma);

masques ou réticules conçus pour circuits intégrés visés au paragraphe 3A001;

masques multicouches comportant une couche à décalage de phase, non visés à l’alinéa 3B001.g. et présentant l’une des caractéristiques suivantes: Note: L’alinéa 3B001.h. ne vise pas les masques multicouches comportant une couche à décalage de phase conçus pour la fabrication de dispositifs mémoire non visés par le paragraphe 3A001.

1. faits sur un masque de substrat brut à partir de verre ayant une double réfraction inférieure à 7 nm/cm; ou

2. conçus pour être utilisés par un équipement lithographique ayant une longueur d’onde de la source lumineuse inférieure à 245 nm;

gabarits de lithographie par impression conçus pour les circuits intégrés visés au paragraphe 3A001.

pour le test des paramètres S de transistors à une fréquence supérieure à 31,8 GHz;

non utilisé;

pour le test de circuits intégrés hyperfréquences visés à l’alinéa 3A001.b.2.

3C Matières 3C001 Matériaux hétéro-épitaxiés consistant en un substrat comportant des couches multiples empilées obtenues par croissance épitaxiale: Note: L’alinéa 3C001.d. ne vise pas les substrats ayant une ou plusieurs couches épitaxiales de type P de GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP ou InGaAlP, indépendamment de l’ordre des éléments, excepté si la couche épitaxiale de type P se situe entre des couches de type N. 3C002 Résines photosensibles (résists), comme suit, et substrats revêtus des résines photosensibles suivantes: 3C003 Composés organo-inorganiques, comme suit: Note: Le paragraphe 3C003 ne vise que des composés dont l’élément métallique, partiellement métallique ou non métallique est lié directement à un carbone de la partie organique de la molécule. 3C004 Hydrures de phosphore, d’arsenic ou d’antimoine, ayant une pureté supérieure à 99,999 %, même dilués dans des gaz inertes ou dans l’hydrogène. Note: Le paragraphe 3C004 ne vise pas les hydrures contenant 20 % molaire ou plus de gaz inertes ou d’hydrogène. 3C005 Substrats de semi-conducteurs de carbure de silicium (SiC), de nitrure de gallium (GaN), de nitrure d’aluminium (AlN) ou de nitrure de gallium d’aluminium (AlGaN), ou lingots, boules ou autres préformes de ces matières, ayant une résistivité supérieure à 10000 ohm-cm à 20 °C. 3C006 Substrats visés au paragraphe 3C005 comportant au moins une couche épitaxiale de carbure de silicium, de nitrure de gallium, de nitrure d’aluminium ou de nitrure de gallium d’aluminium.

3C a.

silicium (Si);

germanium (Ge);

carbure de silicium (SiC); ou

composés III/V de gallium ou d’indium.

résines photosensibles (résists) pour lithographie des semi-conducteurs:

1. résines photosensibles (résists) positives adaptées (optimisées) pour l’emploi à des longueurs d’onde inférieures à 245 nm; mais égales ou supérieures à 15 nm;

2. résines photosensibles (résists) adaptées (optimisées) pour l’emploi à des longueurs d’onde inférieures à 15 nm mais supérieures à 1 nm;

toutes résines photosensibles (résists) destinées à être utilisées sous l’effet de faisceaux électroniques ou ioniques, ayant une sensibilité de 0,01 μcoulomb/mm2 ou meilleure;

non utilisé;

toutes résines photosensibles (résists) optimisées pour des technologies de formation d’images de surface;

toutes résines photosensibles (résists) conçues ou optimisées pour les équipements de lithographie par impression visés à l’alinéa 3B001.f.2 qui utilisent un procédé soit thermique soit photoréticulable.

composés organométalliques d’aluminium, de gallium et d’indium ayant une pureté (pureté du métal) supérieure à 99,999 %;

composés organoarséniés, organoantimoniés et organophosphorés ayant une pureté (pureté de l’élément inorganique) supérieure à 99,999 %.

3D Note technique:

Logiciel 3D001 Logiciel spécialement conçu pour le développement ou la production des équipements visés aux alinéas 3A001.b. à 3A002.g. ou dans la sous-catégorie 3B. 3D002 Logiciel spécialement conçu pour l’utilisation des équipements visés aux alinéas 3B001.a. à f., au paragraphe 3B002 ou 3A225 3D003 Logiciel de simulation basé sur la physique, spécialement conçu pour le développement de procédés de lithographie, de gravure et de dépôt pour transformer des figures de masque en figures topographiques spécifiques dans les conducteurs, les diélectriques ou les matériaux semi-conducteurs. Aux fins du paragraphe 3D003, on entend par basé sur la physique le recours à des calculs afin de déterminer une séquence d’événements physiques, impliquant une relation de cause à effet, sur la base de propriétés physiques (par exemple: température, pression, constantes de diffusion et propriétés des matériaux semi conducteurs). Note: Les bibliothèques, caractéristiques de conception ou données connexes pour la conception de dispositifs semi-conducteurs ou de circuits intégrés sont considérées comme de la technologie. 3D004 Logiciel spécialement conçu pour le développement des équipements visés au paragraphe 3A003. 3D101 Logiciel spécialement conçu ou modifié pour l’utilisation des équipements visés à l’alinéa 3A101.b. 3D225 Logiciel spécialement conçu pour renforcer ou libérer les performances des changeurs ou générateurs de fréquence afin de répondre aux caractéristiques du paragraphe 3A225.

3E Technologie 3E001 Technologie, selon la note générale relative à la technologie, pour le développement ou la production des équipements ou matériaux visés dans les sous-catégories 3A, 3B ou 3C; Note 1: Le paragraphe 3E001 ne vise pas la technologie pour la production des dispositifs ou composants visés par le paragraphe 3A003. Note 2: Le paragraphe 3E001 ne vise pas les technologies pour le développement ou la production des circuits intégrés visés aux alinéas 3A001.a.3. à 3A001.a.12., présentant toutes les caractéristiques suivantes: 3E002 Technologie, selon la note générale relative à la technologie, autre que celle visée au paragraphe 3E001, pour le développement ou la production de noyaux de microcircuits microprocesseurs, de microcircuits micro-ordinateurs ou de microcircuits microcontrôleurs, ayant une largeur d’accès égale ou supérieure à 32 bits et présentant l’un des éléments ou caractéristiques suivants: Note 1: Le paragraphe 3E002 ne vise pas la technologie destinée au développement ou à la production de noyaux de microprocesseurs présentant toutes les caractéristiques suivantes: Note 2: Le paragraphe 3E002 vise la technologie destinée aux processeurs de signaux numériques et aux processeurs matriciels numériques. 3E003 Autres technologies pour le développement ou la production des éléments suivants: 3E101 Technologie, au sens de la note générale relative à la technologie, pour l’utilisation des équipements ou logiciels visés aux alinéas 3A001.a.1. ou 2., et aux paragraphes 3A101, 3A102 ou 3D101. 3E102 Technologie, selon la note générale relative à la technologie, pour le développement des logiciels visés au paragraphe 3D101. 3E201 Technologie, au sens de la note générale relative à la technologie, pour l’utilisation des équipements visés aux alinéas 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., et aux paragraphes 3A201, 3A225 à 3A234. 3E225 Technologie sous forme de codes ou de clés pour renforcer ou libérer les performances des changeurs ou générateurs de fréquence afin de répondre aux caractéristiques du paragraphe 3A225.

3E a.

faisant appel à une technologie de 0,130 μm ou plus; et

comprenant des structures multicouches composées d’au maximum trois couches métalliques.

a. Note technique:

une unité de traitement vectoriel conçue pour exécuter simultanément plus de deux calculs sur des vecteurs à virgule flottante (tableaux unidimensionnels de 32 bits ou plus); Une unité de traitement vectoriel est un élément de processeur comportant des instructions incorporées exécutant simultanément des calculs multiples sur des vecteurs à virgule flottante (tableaux unidimensionnels de 32 bits ou plus) et ayant au moins une unité arithmétique et logique vectorielle.

conçus pour exécuter plus de quatre opérations en virgule flottante de 64 bits ou plus par cycle; ou

3E002 conçus pour exécuter plus de quatre opérations de multiplication-accumulation en virgule fixe de 16 bits par cycle (par exemple: traitement numérique d’information analogique préalablement convertie dans un format numérique, également appelé traitement numérique du signal). Note: L’alinéa 3E002.c. ne vise pas la technologie des extensions multimédias.

utilisant une technologie de 0,130 μm ou plus; et

intégrant des structures multicouches comptant au maximum cinq couches métalliques.

dispositifs micro-électroniques à vide;

dispositifs électroniques semi-conducteurs à hétérostructure tels que les transistors à haute mobilité d’électrons (HEMT), transistors hétéro-bipolaires (HBT), dispositifs à puits quantique ou à super-réseaux; Note: L’alinéa 3E003.b. ne vise pas les technologies pour les transistors à haute mobilité d’électrons (HEMT) fonctionnant à des fréquences inférieures à 31,8 GHz et les transistors hétéro-bipolaires (HBT) fonctionnant à des fréquences inférieures à 31,8 GHz.

dispositifs électroniques à supraconducteurs;

substrats de films de diamant pour composants électroniques;

substrats de silicium sur isolant (SOI) pour circuits intégrés dont l’isolant est le dioxyde de silicium;

substrats de carbure de silicium pour composants électroniques;

tubes électroniques à vide fonctionnant à des fréquences égales ou supérieures à 31,8 GHz.

CATÉGORIE 4 CALCULATEURS

Note 1: Les calculateurs, matériels connexes ou logiciels assurant des fonctions de télécommunications ou de réseaux locaux doivent être évalués également en regard des caractéristiques de performances définies dans la catégorie 5, partie 1 (Télécommunications). Note 2: Les unités de commande assurant une interconnexion directe des bus ou des voies d’unités centrales de traitement, de mémoire centrale ou de contrôleurs de disques ne sont pas considérées comme des matériels de télécommunications décrits dans la catégorie 5, partie 1 (Télécommunications). N.B.: Pour le statut du logiciel spécialement conçu pour la commutation par paquets, voir 5D001. Note 3: Les calculateurs, matériels connexes ou logiciels assurant des fonctions cryptographiques ou cryptoanalytiques, une sécurité multiniveau certifiée ou une isolation de l’utilisateur certifiée, ou limitant la compatibilité électromagnétique (EMC), doivent être évalués également en regard des caractéristiques de performance définies dans la catégorie 5, partie 2 (Sécurité de l’information).

4A Équipements, ensembles et composants 4A001 Calculateurs électroniques et matériels connexes présentant l’une des caractéristiques suivantes et ensembles électroniques et leurs composants spécialement conçus: N.B.: VOIR ÉGALEMENT 4A101. 4A003 Calculateurs numériques, ensembles électroniques et leurs matériels connexes, comme suit, et leurs composants spécialement conçus: Note 1: Le paragraphe 4A003 comprend: Note 2: Le statut des calculateurs numériques ou matériels connexes décrits au paragraphe 4A003 est régi par le statut d’autres équipements ou systèmes, à condition que: 4A004 Calculateurs comme suit et matériels connexes spécialement conçus, ensembles électroniques et leurs composants: 4A005 Systèmes, équipements et composants spécialement conçus ou modifiés pour la génération, l’exploitation ou la livraison de, ou pour la communication avec, le logiciel d’intrusion. 4A101 Calculateurs analogiques, calculateurs numériques ou analyseurs différentiels numériques, autres que ceux visés à l’alinéa 4A001.a.1., à haute robustesse et conçus ou modifiés pour être utilisés dans les lanceurs spatiaux visés au paragraphe 9A004 ou les fusées sondes visées au paragraphe 9A104. 4A102 Calculateurs hybrides spécialement conçus pour le modelage, la simulation ou l’intégration des lanceurs spatiaux visés au paragraphe 9A004 ou les fusées sondes visées au paragraphe 9A104. Note: Le présent paragraphe ne vise que les équipements fournis avec le logiciel visé aux paragraphes 7D103 ou 9D103.

4A a.

spécialement conçus pour présenter l’une des caractéristiques suivantes:

1. prévus pour fonctionner à une température ambiante inférieure à 228 K (-45 °C) ou supérieure à 358 K (85 °C); ou Note: L’alinéa 4A001.a.1 ne vise pas les calculateurs spécialement conçus pour les automobiles, les trains ou les aéronefs civils.

2. résistance aux radiations à un niveau dépassant l’une quelconque des spécifications suivantes: a. dose totale 5 × 103 Gy (silicium); b. débit de dose 5 × 106 Gy (silicium)/s; ou c. modification par événement unique 1 × 10-8 erreur/bit/jour; Note: L’alinéa 4A001.a21 ne vise pas les calculateurs spécialement conçus pour les aéronefs civils.

Non utilisé.

les processeurs vectoriels;

les processeurs matriciels;

les processeurs de signaux numériques;

les processeurs logiques;

les équipements conçus pour le renforcement d’image;

les équipements conçus pour le traitement de signal.

les calculateurs numériques ou matériels connexes soient essentiels au fonctionnement de ces autres équipements ou systèmes;

les calculateurs numériques ou matériels connexes ne soient pas un élément principal de ces autres équipements ou systèmes; et N.B. 1: Le statut des matériels pour le traitement de signal ou le renforcement d’image spécialement conçus pour d’autres équipements, ayant des fonctions limitées à celles nécessaires au fonctionnement desdits équipements, est déterminé par le statut de ces équipements, même s’ils dépassent le critère d’élément principal. N.B. 2: En ce qui concerne le statut des calculateurs numériques ou de leurs matériels connexes pour matériels de télécommunications, voir la catégorie 5, partie 1 (Télécommunications).

la technologie afférente aux calculateurs numériques et matériels connexes soit déterminée par la sous-catégorie 4E.

non utilisé;

calculateurs numériques ayant une performance de crête corrigée (PCC) dépassant 8,0 Teraflops pondérés (TP);

4A003 ensembles électroniques spécialement conçus ou modifiés afin de renforcer les performances par agrégation de processeurs de sorte que la PCC de l’agrégation dépasse la limite définie à l’alinéa 4A003.b.; Note 1: L’alinéa 4A003.c. ne vise que les ensembles électroniques et aux interconnexions programmables ne dépassant pas la limite visée à l’alinéa 4A003.b., lorsqu’ils sont expédiés sous forme d’ensembles électroniques non intégrés. Il ne vise pas les ensembles électroniques intrinsèquement limités par la nature de leur conception à servir comme matériel connexe visé par l’alinéa 4A003.e. Note 2: L’alinéa 4A003.c. ne vise pas les ensembles électroniques spécialement conçus pour un produit ou une famille de produits dont la configuration maximale ne dépasse pas la limite définie à l’alinéa 4A003.b.

non utilisé;

équipements effectuant des conversions analogique-numérique dépassant les limites définies à l’alinéa 3A001.a.5.;

non utilisé;

équipements spécialement conçus pour permettre l’agrégation des performances des calculateurs numériques en fournissant des interconnexions externes autorisant des communications à des débits unidirectionnels supérieurs à 2,00 Goctets/par lien. Note: L’alinéa 4A003.g. ne vise pas les équipements d’interconnexion interne (tels que fonds de panier ou bus), les équipements d’interconnexion passive, les contrôleurs d’accès au réseau ou les contrôleurs de communication.

calculateurs à réseaux systoliques;

calculateurs neuronaux;

calculateurs optiques.

4B Équipements d’essai, d’inspection et de production Néant.

4C Matières Néant.

4D Logiciel Note: Le statut du logiciel pour les équipements décrits dans d’autres catégories est régi par la catégorie pertinente. 4D 4D001 Logiciel, comme suit: 4D002 Logiciel spécialement conçu ou modifié pour renforcer la technologie visée dans la sous-catégorie 4D003 Non utilisé. 4D004 Logiciel spécialement conçu ou modifié pour la génération, l’exploitation ou la livraison de, ou pour la communication avec, le logiciel d’intrusion.

4D a.

logiciel spécialement conçu ou modifié pour le développement ou la production des équipements ou logiciels visés aux paragraphes 4A001 à 4A004 ou dans la sous-catégorie 4D;

logiciel autre que celui visé à l’alinéa 4D001.a., spécialement conçu ou modifié pour le développement ou la production des équipements, comme suit:

1. calculateurs numériques ayant une performance de crête corrigée (PCC) dépassant 0,60 Teraflops pondérés (TP);

2. ensembles électroniques spécialement conçus ou modifiés afin de renforcer les performances par agrégation de processeurs de sorte que la PCC de l’agrégation dépasse la limite définie à l’alinéa 4D001.b.1.

4E Technologie 4E001

4E a.

Technologie, selon la note générale relative à la technologie, pour le développement, la production ou l’utilisation des équipements ou logiciels visés dans les sous-catégories 4A ou 4D.

Technologie autre que celle visée à l’alinéa 4E001.a., spécialement conçue ou modifiée pour le développement ou la production des équipements, comme suit:

1. calculateurs numériques ayant une performance de crête corrigée (PCC) dépassant 0,60 Teraflops pondérés (TP);

Technologie pour le développement d’un logiciel d’intrusion.

NOTE TECHNIQUE SUR LA PERFORMANCE DE CRÊTE CORRIGÉE (PCC)

La PCC est un taux de crête corrigé auquel les calculateurs numériques exécutent des additions et des multiplications en virgule flottante de 64 bits ou plus. La PCC est exprimée en Teraflops pondérés (TP), en unités de 1012 opérations en virgule flottante corrigées par seconde.

Abréviations utilisées dans la présente note technique

n nombre de processeurs dans le calculateur numérique i numéro du processeur (i,…n) ti temps de cycle du processeur (ti = 1/Fi) Fi fréquence du processeur Ri vitesse calculée maximale en virgule flottante Wi facteur d’ajustement de l’architecture

Description de la méthode de calcul de la PCC 1.2.3.4. Note technique:

Pour chaque processeur i, déterminer le nombre maximal d’opérations en virgule flottante de 64 bits ou plus, OVFi, exécuté par cycle pour chaque processeur du calculateur numérique. Note: Pour déterminer OVF, n’inclure que les additions et/ou multiplications de 64 bits ou plus. Toutes les opérations en virgule flottante doivent être exprimées en opérations par cycle de processeur; les opérations qui exigent plusieurs cycles peuvent être exprimées en résultats fractionnaires par cycle. Pour les processeurs incapables d’exécuter des calculs sur des opérandes en virgule flottante de 64 bits ou plus, la vitesse efficace calculée V est zéro. Calculer la vitesse en virgule flottante V pour chaque processeur Vi = OVFi/ti. Calculer PCC comme PCC = W1 × V1 + W2 × V2 + … + Wn × Rn. Pour les processeurs vectoriels, Wi = 0,9. Pour les non processeurs non vectoriels, Wi = 0,3. Note 1: Pour les processeurs exécutant des opérations composées au cours d’un cycle, telles que des additions et des multiplications, chaque opération est comptée. Note 2: Pour un processeur en pipeline, la vitesse efficace calculée V est la vitesse en pipeline (une fois que le pipeline est rempli) ou la vitesse non en pipeline, le chiffre à retenir étant celui de la vitesse la plus élevée. Note 3: La vitesse calculée V de chaque processeur concerné doit être agrégée sous sa valeur maximale théoriquement possible, avant que la PCC de la combinaison n’en soit déduite. Des opérations simultanées sont supposées exister lorsque le fabricant du calculateur stipule, dans un manuel ou une brochure du calculateur, l’existence d’un fonctionnement ou d’une exécution en mode concurrent, parallèle ou simultané. Note 4: Les processeurs qui sont limités aux fonctions entrée-sortie ou aux fonctions de périphériques (par exemple les unités de disques, les communications et les écrans vidéo) ne sont pas inclus dans le calcul de la PCC. Note 5: Les valeurs de PCC ne doivent pas être calculées pour les combinaisons de processeurs (inter)connectées par des réseaux locaux, réseaux étendus, connexions/dispositifs à entrées/sorties partagées, contrôleurs d’entrée/sortie et toutes interconnexions de communications mises en œuvre par du logiciel. Note 6: Les valeurs PCC doivent être calculées pour: Tous les processeurs et accélérateurs fonctionnant simultanément et situés sur le même dé doivent être agrégés. Note 7: Un processeur vectoriel est défini comme un processeur ayant des instructions incorporées qui visent à exécuter simultanément des calculs multiples sur des vecteurs à virgule flottante (tableaux unidimensionnels de 64 bits ou plus), avec au moins 2 unités fonctionnelles vectorielles et 8 registres vectoriels d’au moins 64 éléments chacun.

Description de la méthode de calcul de la PCC 1.2.3.4.

1. les combinaisons de processeurs comprenant des processeurs spécialement conçus pour améliorer les performances par agrégation, fonctionnant simultanément et partageant leur mémoire; ou

2. les combinaisons mémoires/processeurs multiples fonctionnant simultanément et utilisant du matériel spécialement conçu.

CATÉGORIE 5 TÉLÉCOMMUNICATIONS ET SÉCURITÉ DE L’INFORMATION

PARTIE 1 TÉLÉCOMMUNICATIONS

5A1 Note technique:

Équipements, ensembles et composants 5A001 Systèmes de télécommunications, équipements, composants et accessoires, comme suit: 5A101 Équipements de télémesure et de télécommande, y compris les équipements au sol, conçus ou modifiés pour les missiles. Aux fins du paragraphe 5A101, le terme missile désigne un système complet de fusée et de véhicule aérien non habité, dont la portée est au moins égale à 300 km. Note: Le paragraphe 5A101 ne vise pas:

5A1 a.

tout type d’équipement de télécommunications présentant l’une des caractéristiques, réalisant l’une des fonctions ou comportant l’un des éléments suivants: Note: Les alinéas 5A001.a.2. et 5A001.a.3. ne visent pas les équipements conçus ou modifiés pour être utilisés à bord de satellites.

1. spécialement conçus pour résister aux effets transitoires électroniques ou à l’impulsion électromagnétique consécutifs à une explosion nucléaire;

2. spécialement durcis contre les rayonnements gamma, neutroniques ou ioniques; ou

3. spécialement conçus pour fonctionner en dehors de la gamme de température allant de 218 K (– 55 °C) à 397 K (124 °C); Note: L’alinéa 5A001.a.3. s’applique uniquement aux équipements électroniques.

systèmes et matériels de télécommunications, et leurs composants et accessoires spécialement conçus, présentant l’une des caractéristiques, réalisant l’une des fonctions ou comportant l’un des éléments suivants:

1. étant des systèmes de communications sous-marins non attachés présentant l’une des caractéristiques suivantes:

1. a.

fréquence porteuse acoustique située en dehors de la gamme comprise entre 20 et 60 kHz;

employant une fréquence porteuse électromagnétique inférieure à 30 kHz;

employant des techniques électroniques d’orientation du faisceau; ou

employant des lasers ou des diodes émettrices de lumière (DEL) avec une longueur d’onde de sortie supérieure à 400 nm et inférieure à 700 nm dans un réseau local;

2. étant des matériels radios fonctionnant dans la bande de 1,5 à 87,5 MHz et présentant toutes les caractéristiques suivantes:

2. a.

prévision et sélection automatiques des fréquences et des taux de transfert numériques totaux par voie afin d’optimiser l’émission; et

comprenant une configuration d’amplificateur de puissance linéaire ayant la capacité de traiter simultanément des signaux multiples à une puissance de sortie de 1 kW ou plus dans la gamme de fréquences de 1,5 MHz ou plus mais inférieure à 30 MHz, ou de 250 W ou plus dans la gamme de fréquences de 30 MHz ou plus mais ne dépassant pas 87,5 MHz, sur une bande passante instantanée d’une octave ou plus avec un taux d’harmonique de sortie et de distorsion meilleur que -80 dB;

3. étant des équipements radio employant des techniques à spectre étalé, y compris des techniques à sauts de fréquences, autres que ceux mentionnés à l’alinéa 5A001.b.4. et présentant l’une des caractéristiques suivantes: Note: L’alinéa 5A001.b.3. ne vise pas les équipements conçus pour fonctionner à une puissance de sortie de 1 Watt ou moins.

3. a.

codes d’étalement programmables par l’utilisateur; ou

bande passante d’émission totale égale à 100 fois ou plus de 100 fois la bande passante de l’une quelconque des voies d’information et supérieure à 50 kHz; Note: L’alinéa 5A001.b.3.b. ne vise pas les équipements radio spécialement conçus pour être utilisés avec l’un des équipements suivants:

a.

systèmes de radiocommunications cellulaires civiles; ou

b.

stations terrestres de satellites fixes ou mobiles pour les télécommunications civiles commerciales.

4. 5A001 b. étant des équipements radio employant des techniques de modulation à bande ultralarge, ayant des codes de découpage en canaux programmables, des codes de brouillage ou des codes d’identification de réseau et présentant l’une des caractéristiques suivantes:

4. a.

une largeur de bande supérieure à 500 MHz; ou

une bande passante fractionnelle de 20 % ou plus;

5. Notes techniques:

étant des récepteurs radio à commande numérique présentant toutes les caractéristiques suivantes: Note: L’alinéa 5A001.b.5. ne vise pas les équipements radio spécialement conçus pour être utilisés avec des systèmes de radiocommunications cellulaires civiles. Le temps de commutation de canal correspond au temps nécessaire pour passer d’une fréquence reçue à une autre, afin d’atteindre la fréquence reçue définitive visée, avec une marge de ± 0,05 %. Les éléments ayant une gamme de fréquences inférieure à leur fréquence centrale (avec une marge de ± 0,05 %) sont incapables de commuter la fréquence de canal.

5. a.

ayant plus de 1000 canaux;

ayant un temps de commutation de canal inférieur à 1 ms;

explorant ou balayant automatiquement une partie du spectre électromagnétique; et

identifiant les signaux reçus ou le type d’émetteur; ou

6. Notes techniques: 1.2.

employant les fonctions du traitement de signal numérique pour assurer le signal de sortie de vocodage à des vitesses inférieures à 2400 bits/s. Pour le vocodage à vitesse variable, l’alinéa 5A001.b.6. est applicable au signal de sortie de vocodage de la parole continue. Aux fins de l’alinéa 5A001.b.6, le vocodage est défini comme la technique permettant de prendre des échantillons de la voix humaine et ensuite de les convertir en un signal numérique, compte tenu des caractéristiques spécifiques du langage humain.

c. Note technique:

Fibres optiques d’une longueur de plus de 500 m et spécifiées par le fabricant comme ayant la capacité de supporter une charge de rupture aux essais de mise à l’épreuve égale ou supérieure à 2 × 109 N/m2; N.B.: Pour les câbles ombilicaux, voir l’alinéa 8A002.a.3. Essais de mise à l’épreuve: essais de production en continu ou en différé qui appliquent dynamiquement une charge de rupture définie sur une fibre de 0,5 à 3 m de long à une vitesse de défilement de 2 à 5 m/s, lors du passage entre des cabestans d’approximativement 150 mm de diamètre. La température ambiante nominale est de 293 K (20 °C) et l’humidité relative de 40 %. Les normes nationales équivalentes pourront être utilisées pour effectuer les essais de mise à l’épreuve.

antennes à réseaux phasés, électroniquement orientables, fonctionnant au-dessus de 31,8 GHz; Note: L’alinéa 5A001.d. ne vise pas les antennes à réseaux phasés électroniquement orientables pour les systèmes d’atterrissage aux instruments répondant aux normes de l’OACI couvrant les systèmes d’atterrissage hyperfréquences (MLS).

5A001 équipements radiogoniométriques opérant à des fréquences supérieures à 30 MHz et présentant toutes les caractéristiques suivantes, et leurs composants spécialement conçus:

1. bande passante instantanée de 10 MHz ou plus; et

2. capable de trouver une ligne de relèvement pour les transmetteurs radio non coopérants avec une durée de signal inférieure à 1 ms;

matériels d’interception des télécommunications mobiles ou de brouillage, et équipements de surveillance, comme suit, et les composants spécialement conçus à cet effet: Note: Les alinéas 5A001.f.1. et 5A001.f.2. ne visent pas les éléments suivants: N.B. 1: Voir également la LISTE DES MATÉRIELS DE GUERRE. N.B. 2: Pour les récepteurs radio, voir l’alinéa 5A001.b.5.

1. matériels d’interception conçus pour l’extraction de voix ou de données transmises par le biais de l’interface aérienne;

2. matériels d’interception non visés à l’alinéa 5A001.f.1., conçus pour l’extraction d’identifiants pour les dispositifs de clients ou les abonnés (par ex: IMSI, TIMSI ou IMEI), de signaux, ou d’autres métadonnées transmises par le biais de l’interface aérienne;

3. matériels de brouillage spécialement conçus ou modifiés pour interférer avec, bloquer, neutraliser, détériorer ou détourner, intentionnellement et sélectivement, des services de télécommunication mobile, et assurant l’une des fonctions suivantes:

3. a.

simulation des fonctions des équipements d’un réseau fonctionnant par liaison radio;

détection et exploitation des caractéristiques spécifiques du protocole de télécommunication mobile utilisé (par exemple GSM); ou

exploitation des caractéristiques spécifiques du protocole de télécommunication mobile utilisé (par exemple GSM);

4. matériels de contrôle RF spécialement conçus ou modifiés pour identifier l’utilisation des éléments visés aux alinéas 5A001.f.1., 5A001.f.2. ou 5A001.f.3.;

a.

matériels spécialement conçus pour l’interception de réseaux de radiocommunications analogiques à usage privé (PMR), IEEE 802.11 WLAN;

b.

matériels conçus pour les opérateurs de réseaux de télécommunications mobiles; ou

c.

matériels conçus pour le développement ou la production de matériels ou de systèmes de télécommunications mobiles.

g. Note technique:

systèmes et matériels de localisation cohérente passive spécialement conçus pour détecter et suivre des objets en mouvement en mesurant les réflexions d’émissions de radiofréquences émises par des transmetteurs non-radars; Les transmetteurs non-radars peuvent comprendre les stations de base de radio, de télévision ou de téléphonie cellulaire à usage commercial. Note: L’alinéa 5A001.g. ne vise aucun des éléments suivants:

a.

le matériel de radioastronomie; ou

b.

les systèmes et matériels nécessitant une transmission radio depuis la cible.

5A001 équipements contre les dispositifs explosifs de circonstance (IED) et équipements connexes, comme suit: N.B.: Voir également LA LISTE DES MATÉRIELS DE GUERRE.

1. équipements émetteurs de radiofréquences (RF) non visés à l’alinéa 5A001.f., conçus ou modifiés pour prématurément activer ou empêcher l’amorçage de dispositifs explosifs de circonstance;

2. équipements utilisant des techniques conçus pour permettre les communications radio sur les mêmes canaux de fréquence sur lesquels les équipements coimplantés visés à l’alinéa 5A001.h.1. sont en train d’émettre.

non utilisé;

j. Note technique:

systèmes ou équipements de surveillance des communications sur un réseau de protocole internet (IP), et composants spécialement conçus à cet effet, et présentant toutes les caractéristiques suivantes: Note: L’alinéa 5A001.j. ne vise pas les systèmes ou les équipements spécialement conçus pour l’une des fins suivantes: Les sélecteurs stricts désignent des données ou un ensemble de données liées à un individu (par ex., nom de famille, prénom, e-mail:, adresse postale, numéro de téléphone ou appartenance à un groupe).

1. effectuant toutes les opérations suivantes sur un réseau de protocole internet de calibre transporteur (par ex., réseau de base IP national):

1. a.

analyse de la couche d’application (par ex., couche 7 du modèle d’interconnexion des systèmes ouverts (OSI) (ISO/IEC 7498-1)];

extraction des métadonnées sélectionnées et du contenu de l’application (par ex. voix, vidéos, messages, pièces jointes); et

indexation des données extraites; et

2. étant spécialement conçus pour accomplir toutes les opérations suivantes:

2. a.

exécution de recherches sur base de sélecteurs stricts; et

mappage du réseau relationnel d’un individu ou d’un groupe d’individus.

a.

fins commerciales;

b.

qualité de service du réseau; ou

c.

qualité de l’expérience.

5A1 Note technique: a.

les équipements conçus ou modifiés pour les aéronefs avec équipage ou les satellites;

les équipements au sol conçus ou modifiés pour des applications terrestres ou maritimes;

les équipements conçus pour des services GNSS commerciaux, civils ou liés à la sécurité de la vie humaine (p. ex. intégrité des données, sécurité des vols).

5B1 a.

équipements et leurs composants et accessoires spécialement conçus, spécialement conçus pour le développement ou la production des équipements, des fonctions ou des éléments visés au paragraphe 5A001; Note: L’alinéa 5B001.a. ne vise pas les équipements de caractérisation des fibres optiques.

1. non utilisé.

2. a.

ayant une longueur d’onde de transmission supérieure à 1750 nm;

effectuant l’amplification optique en employant des amplificateurs à fibre fluorée dopés au praséodyme (PDFFA);

1286 autres dispositions ne sont pas affichées ici ; chacune a sa propre adresse.

Versions

2014-10-22