Regolamento delegato (UE) n. 1382/2014 della Commissione del 22 ottobre 2014 che modifica il regolamento (CE) n. 428/2009 del Consiglio che istituisce un regime comunitario di controllo delle esportazioni, del trasferimento, dell’intermediazione e del transito di prodotti a duplice uso

In vigoreVersione 2014-10-22dal 2014-12-31

Grado B

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Indirizzo https://gelex.eu/eli/EU/act/2014/1382@2014-10-22/it

Indice

Preambolo
1. Articolo 1
2. Articolo 2
ANNEX
ALLEGATO
ALLEGATO I Elenco di cui all’articolo 3 del presente regolamento
ELENCO DEI PRODOTTI A DUPLICE USO
a.
1. a.
b.
c.
ACRONIMI E ABBREVIAZIONI UTILIZZATI NEL PRESENTE ALLEGATO
d.
e.
f.
CATEGORIA 0 MATERIALI NUCLEARI, IMPIANTI E APPARECCHIATURE
0A a.
0B Nota tecnica:
0B a.
7. a.
13. a.
14. a.
5. a.
6. a.
0C a.
CATEGORIA 1 MATERIALI SPECIALI E RELATIVE APPARECCHIATURE
1A Note tecniche: 1.2. Note tecniche: 1.2. Nota tecnica: Nota tecnica:
1A a.
1. a.
4. a.
1A Note tecniche: 1.2. a.
1A Note tecniche: 1.2. Note tecniche: 1.2. a.
1A Note tecniche: 1.2. Note tecniche: 1.2. Nota tecnica: a.
1B Nota tecnica: 1.2. Nota tecnica:
1B a.
1B Nota tecnica: 1.2. a.
a.
b.
c.
1C Nota tecnica: Note tecniche: 1.2.3. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: 1.2. Note tecniche: 1.2. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica 1: Nota tecnica 2: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Note tecniche: 1.2.3.
1C Nota tecnica: a.
a.
b.
c.
1. Nota tecnica:
1. a.
d.
1C Nota tecnica: Note tecniche: 1.2.3. a.
1. a.
2. a.
3. a.
4. a.
5. a.
1. Nota tecnica:
1C Nota tecnica: Note tecniche: 1.2.3. Nota tecnica: a.
1. Nota tecnica:
2. Nota tecnica:
3. a.
1. a.
1C Nota tecnica: Note tecniche: 1.2.3. Nota tecnica: Nota tecnica:
4. a.
1. a.
2. a.
1C Nota tecnica: Note tecniche: 1.2.3. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: 1.2. a.
a.
b.
c.
d.
1C Nota tecnica: Note tecniche: 1.2.3. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: 1.2. Note tecniche: 1.2. d.
1. a.
2. a.
a.
b.
a. 1C011 a.Nota tecnica:
1C Nota tecnica: Note tecniche: 1.2.3. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: 1.2. Note tecniche: 1.2. Nota tecnica: a.
a.
b.
1C Nota tecnica: Note tecniche: 1.2.3. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: 1.2. Note tecniche: 1.2. Nota tecnica: Nota tecnica: a.
1. Nota tecnica:
2. a. Nota tecnica:
3. a.
4. a.
5. Nota tecnica:
5. a.
6. a.
1C Nota tecnica: Note tecniche: 1.2.3. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: 1.2. Note tecniche: 1.2. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica 1:
1C Nota tecnica: Note tecniche: 1.2.3. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: 1.2. Note tecniche: 1.2. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica 1: Nota tecnica 2: a.
1. a.
2. a.
1C Nota tecnica: Note tecniche: 1.2.3. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: 1.2. Note tecniche: 1.2. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica 1: Nota tecnica 2: Nota tecnica: a.
1C Nota tecnica: Note tecniche: 1.2.3. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: 1.2. Note tecniche: 1.2. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica 1: Nota tecnica 2: Nota tecnica: Nota tecnica: a.
1C Nota tecnica: Note tecniche: 1.2.3. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: 1.2. Note tecniche: 1.2. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica 1: Nota tecnica 2: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: a.
1C Nota tecnica: Note tecniche: 1.2.3. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: 1.2. Note tecniche: 1.2. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica 1: Nota tecnica 2: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: a.
1C Nota tecnica: Note tecniche: 1.2.3. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: 1.2. Note tecniche: 1.2. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica 1: Nota tecnica 2: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: a.
1C Nota tecnica: Note tecniche: 1.2.3. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: 1.2. Note tecniche: 1.2. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica 1: Nota tecnica 2: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: a.
4. a.
6. Nota tecnica:
5. a.
1E a.
1. a.
3. a.
CATEGORIA 2 TRATTAMENTO E LAVORAZIONE DEI MATERIALI
2A Nota tecnica:
2A a.
2. a.
2B Note tecniche: 1.2.3.4.5.6. Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Note tecniche: Nota tecnica: Note tecniche: 1.2. Note tecniche: 1.2. Note tecniche: 1.2.
2B Note tecniche: 1.2. a.
2B Note tecniche: 1.2.3.4.5. a.
2B Note tecniche: 1.2.3.4.5.6. a.
a.
b.
1. a.
2. a.
4. a.
c.
2B Note tecniche: 1.2.3.4.5.6. Note tecniche:
2B Note tecniche: 1.2.3.4.5.6. Note tecniche: Nota tecnica: a.
1. a.
2. a.
1. Nota tecnica:
1. a.
2. a.
2B Note tecniche: 1.2.3.4.5.6. Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: a.
2B Note tecniche: 1.2.3.4.5.6. Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: a.
2B Note tecniche: 1.2.3.4.5.6. Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: a.
1. a.
a.
b.
2B Note tecniche: 1.2.3.4.5.6. Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: a. Nota tecnica:
2B Note tecniche: 1.2.3.4.5.6. Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Note tecniche: a.
2B Note tecniche: 1.2.3.4.5.6. Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Note tecniche: Nota tecnica: a.
2B Note tecniche: 1.2.3.4.5.6. Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Note tecniche: Nota tecnica: Note tecniche: 1.2. a.
2B Note tecniche: 1.2.3.4.5.6. Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Note tecniche: Nota tecnica: Note tecniche: 1.2. Note tecniche: 1.2. a.
1. a.
2. a.
3. a.
a.
b.
c.
d.
e.
f.
g.
h.
i.
2. a.
1. a.
2D a.
2E Tabella 1.2.3.A.B.B.1.B.2.B.3.B.4.C.D.E.F.G. Metodi di deposizione
2E a.
1. a.
2. a.
a.
b.
c.
d.
e.
f.
g.
CATEGORIA 3 MATERIALI ELETTRONICI
3A Note tecniche: 1.2. Note tecniche: 1.2. Note tecniche: 1.2. Note tecniche: 1.2.
3A a.
1. a.
2. a.
5. Note tecniche: 1.2.3.4.5.6.7.8.9. 3A001 a. 5.Note tecniche: 1.2.3.4.
5. a.
5. Note tecniche: 1.2.3.4.5.6.7.8.9. b.
2. a.
6. a.
7. 3A001 a. 7.Note tecniche: 1.2.3.
7. a.
10. a.
11. a.
12. Nota tecnica:
13. Nota tecnica:
13. a.
4. a.
3. a.
4. a.
3. Nota tecnica:
8. a.
9. Note tecniche: 1.2.
9. a.
10. Nota tecnica:
1. Nota tecnica:
1. Note tecniche: 1.2.3.4.
4. Nota tecnica:
5. Note tecniche: 1.2.
6. Nota tecnica:
3. Nota tecnica:
3A Note tecniche: 1.2. a.
1. a.
2. a.
3A Note tecniche: 1.2. Note tecniche: 1.2. a.
3A Note tecniche: 1.2. Note tecniche: 1.2. Note tecniche: 1.2. a.
3B a.
1. a.
3. a.
3C a.
3D Nota tecnica:
3E a.
CATEGORIA 4 CALCOLATORI
4A a.
4D a.
4E a.
Abbreviazioni utilizzate nella presente nota tecnica
Schema del metodo di calcolo della APP 1.2.3.4. Nota tecnica:
Schema del metodo di calcolo della APP 1.2.3.4.
CATEGORIA 5 TELECOMUNICAZIONI E SICUREZZA DELL’INFORMAZIONE
PARTE 1 TELECOMUNICAZIONI
5A1 Nota tecnica:
5A1 a.
1. a.
2. a.
3. a.
a.
b.
4. a.
5. Note tecniche:
5. a.
6. Note tecniche: 1.2.
a.
b.
c.
5B1 a.

LA COMMISSIONE EUROPEA,

visto il trattato sul funzionamento dell’Unione europea,

visto il regolamento (CE) n. 428/2009 del Consiglio, del 5 maggio 2009, che istituisce un regime comunitario di controllo delle esportazioni, del trasferimento, dell’intermediazione e del transito di prodotti a duplice uso, in particolare l’articolo 15, paragrafo 3,

considerando quanto segue:

(1) Il regolamento (CE) n. 428/2009 prescrive che i prodotti a duplice uso siano sottoposti ad un controllo efficace quando sono esportati dall’Unione o vi transitano, o quando sono forniti a un paese terzo attraverso servizi di intermediazione prestati da intermediari residenti o stabiliti nell’Unione.

(2) L’allegato I del regolamento (CE) n. 428/2009 stabilisce l’elenco di controllo comune dei prodotti a duplice uso soggetti a controlli nell’Unione europea. Le decisioni sui prodotti sottoposti ad autorizzazione sono prese nel quadro del gruppo Australia, del regime di non proliferazione nel settore missilistico, del gruppo dei fornitori nucleari, dell’intesa di Wassenaar e della convenzione sulle armi chimiche.

(3) L’elenco dei prodotti a duplice uso di cui all’allegato I del regolamento (CE) n. 428/2009 va aggiornato regolarmente per assicurare la piena conformità agli obblighi internazionali di sicurezza, garantire la trasparenza e mantenere la competitività degli esportatori. Al fine di agevolare la consultazione alle autorità responsabili del controllo delle esportazioni e agli operatori è opportuno pubblicare una versione aggiornata e consolidata dell’allegato I del regolamento (CE) n. 428/2009.

(4) Il regolamento (CE) n. 428/2009 conferisce alla Commissione il potere di aggiornare mediante atti delegati l’elenco dei prodotti a duplice uso di cui all’allegato I conformemente ai pertinenti obblighi e impegni, e relative modifiche, accettati dagli Stati membri in qualità di membri di regimi internazionali di non proliferazione e di accordi in materia di controllo delle esportazioni o a seguito della ratifica di pertinenti trattati internazionali.

(5) È opportuno pertanto modificare di conseguenza il regolamento (CE) n. 428/2009,

HA ADOTTATO IL PRESENTE REGOLAMENTO:

Articolo 1

L’allegato I del regolamento (CE) n. 428/2009 è sostituito dal testo riportato nell’allegato del presente regolamento.

Articolo 2

Il presente regolamento entra in vigore il giorno successivo alla pubblicazione nella Gazzetta ufficiale dell’Unione europea.

Il presente regolamento è obbligatorio in tutti i suoi elementi e direttamente applicabile in ciascuno degli Stati membri. Fatto a Bruxelles, il 22 ottobre 2014 Per la Commissione Il presidente José Manuel Barroso

ANNEX

ALLEGATO

ALLEGATO I Elenco di cui all’articolo 3 del presente regolamento

ELENCO DEI PRODOTTI A DUPLICE USO

Il presente elenco attua gli accordi internazionali sul controllo dei prodotti a duplice uso, in particolare l’intesa di Wassenaar, il regime di non proliferazione nel settore missilistico (MTCR), il gruppo dei fornitori nucleari (GFN), il gruppo Australia e la convenzione sulle armi chimiche (CWC).

NOTE GENERALI ALL’ALLEGATO I 1.2.3.4.

Per l’autorizzazione di beni progettati o modificati per uso militare si vedano i pertinenti elenchi dei singoli Stati membri. I riferimenti CFR. ANCHE ELENCO DEI MATERIALI DI ARMAMENTO del presente allegato rimandano agli stessi elenchi. Sono sottoposti ad autorizzazione per l’esportazione tutti i beni (compresi gli impianti) non specificati nel presente elenco qualora in tali beni siano contenuti componenti - specificati nell’elenco - che ne costituiscano l’elemento principale e da questi possano essere facilmente rimossi per altre utilizzazioni. N.B.: Per giudicare se i componenti specificati nel presente elenco devono essere considerati l’elemento principale occorre tener conto della loro quantità, valore e contenuto tecnologico nonché di altre circostanze particolari che potrebbero far individuare tali componenti come l’elemento principale dei beni in esportazione. I beni specificati nel presente allegato sono da intendersi sia nuovi che usati. In taluni casi le sostanze chimiche sono elencate con il nome e il numero CAS. L’elenco si applica alle sostanze chimiche aventi la stessa formula strutturale (compresi gli idrati) indipendentemente dal nome o dal numero CAS. I numeri CAS sono indicati come ausilio per identificare una particolare sostanza chimica o miscela, a prescindere dalla nomenclatura. I numeri CAS non possono essere utilizzati come identificatori unici, poiché alcune forme delle sostanze chimiche elencate hanno diversi numeri CAS e le miscele contenenti una di tali sostanze hanno anch’esse numeri CAS diversi.

NOTA SULLA TECNOLOGIA NUCLEARE (NTN)

(Da leggersi congiuntamente alla sezione E della categoria 0) La tecnologia direttamente associata ad un qualsiasi bene specificato nella categoria 0 è sottoposta ad autorizzazione dalle disposizioni di cui alla categoria 0. La tecnologia per lo sviluppo, la produzione o l’utilizzazione di beni specificati nell’elenco rimane sottoposta ad autorizzazione anche quando utilizzabile per beni non specificati nell’elenco. L’autorizzazione all’esportazione di un qualsiasi bene comprende anche la cessione allo stesso utente finale della quantità minima di tecnologia necessaria per l’installazione, il funzionamento, la manutenzione e la riparazione di quel bene. L’autorizzazione al trasferimento di tecnologia non è richiesta per le informazioni di pubblico dominio o per la ricerca scientifica di base.

NOTA GENERALE SULLA TECNOLOGIA (NGT)

(Da leggersi congiuntamente alla sezione E delle categorie da 1 a 9. L’esportazione della tecnologia necessaria per lo sviluppo, la produzione o l’utilizzazione di beni specificati nelle categorie da 1 a 9 è sottoposta ad autorizzazione dalle disposizioni riportate in ciascuna di queste categorie. La tecnologia necessaria per lo sviluppo, la produzione o l’utilizzazione di prodotti specificati nell’elenco rimane sottoposta ad autorizzazione anche quando utilizzabile per prodotti non specificati nell’elenco. L’autorizzazione all’esportazione non è richiesta per la quantità minima di tecnologia necessaria per l’installazione, il funzionamento, la manutenzione (il controllo) o la riparazione dei prodotti che non sono sottoposti ad autorizzazione o di cui è stata autorizzata l’esportazione. N.B.: La presente disposizione non si applica alla tecnologia specificata in 1E002.e., 1E002.f., 8E002.a. ed 8.E002.b. L’autorizzazione all’esportazione di tecnologia non è richiesta per le informazioni di pubblico dominio, per la ricerca scientifica di base o per la quantità minima di informazioni necessarie per le domande di brevetto.

NOTA GENERALE SUL SOFTWARE (NGS)

In base alla presente nota non è sottoposto ad autorizzazione il software specificato alla sezione D delle categorie da 0 a 9 quando è:

a.

generalmente disponibile al pubblico in quanto: N.B.: La lettera a. della nota generale sul software non si applica al software specificato alla categoria 5, parte 2 (Sicurezza dell’informazione).

1. venduto direttamente, senza restrizioni, nei punti di vendita al dettaglio:

1. a.

al banco;

per corrispondenza;

per transazione elettronica, o

su ordinazione telefonica; e

2. progettato per essere installato dall’utilizzatore senza ulteriore significativa assistenza da parte del fornitore;

b.

di pubblico dominio, o

c.

La quantità minima di codice oggetto necessaria per l’installazione, il funzionamento, la manutenzione (il controllo) e la riparazione dei prodotti di cui è stata autorizzata l’esportazione. N.B.: La lettera c. della nota generale sul software non si applica al software specificato alla categoria 5, parte 2 (Sicurezza dell’informazione).

PRATICHE EDITORIALI DELLA GAZZETTA UFFICIALE DELL’UNIONE EUROPEA

In conformità alle regole indicate al paragrafo 6.5 a pagina 112 del Manuale interistituzionale di convenzioni redazionali (edizione 2011), per i testi in italiano pubblicati nella Gazzetta ufficiale dell’Unione europea: Il testo riportato nel presente allegato è conforme a queste indicazioni.

per separare le unità dai decimali si usa la virgola (per esempio 3,67 cm),

per indicare le migliaia nei numeri interi si usa uno spazio (per esempio 100000).

ACRONIMI E ABBREVIAZIONI UTILIZZATI NEL PRESENTE ALLEGATO

Gli acronimi e le abbreviazioni utilizzati come termini definiti si trovano nelle Definizioni dei termini usati nel presente allegato. ACRONIMO O ABBREVIAZIONE SIGNIFICATO ABEC Annular Bearing Engineers Committee AGMA American Gear Manufacturers’ Association AHRS sistemi di riferimento di rotta e di assetto AISI American Iron and Steel Institute ALU unità logica aritmetica ANSI American National Standards Institute ASTM società americana per le prove e i materiali ATC controllo del traffico aereo AVLIS separazione isotopica di vapore atomico a laser CAD progettazione assistita da calcolatore CAS Chemical Abstracts Services CEI commissione elettrotecnica internazionale CEP errore circolare probabile CNTD deposizione termica a nucleazione controllata CRISLA reazione chimica mediante attivazione isotopica selettiva a laser CVD deposizione in fase di vapore di elementi chimici CW guerra chimica CW (laser) onda continua DME apparecchiature per la misurazione della distanza DS solidificazione direzionale EB-PVD deposizione fisica in fase di vapore per mezzo di fascio elettronico EBU European Broadcasting Union ECM lavorazione elettrochimica ECR risonanza elettrociclotrone EDM lavorazione elettroerosiva EEPROM memoria di sola lettura cancellabile e programmabile elettricamente EIA Electronic Industries Association EMC compatibilità elettromagnetica ETSI Istituto europeo per le norme di telecomunicazione FFT trasformata rapida di Fourier GLONASS sistemi globali di navigazione via satellite GPS posizionamento globale a mezzo satellite HBT transistori etero bipolari HDDR modulo di registrazione numerica ad alta densità HEMT transistori ad elevata mobilità di elettroni ICAO organizzazione dell’aviazione civile internazionale IEEE Institute of Electrical and Electronics Engineers IFOV campo di visione istantaneo ILS sistema di atterraggio strumentale IRIG Inter Range Instrumentation Group ISA atmosfera standard internazionale ISAR radar ad apertura sintetica inversa ISO organizzazione internazionale per la standardizzazione JIS Japanese Industrial Standard JT Joule-Thomson LIDAR rivelazione e misura della distanza a mezzo della luce MAC codice di autenticazione del messaggio Mach rapporto tra la velocità di un corpo e la velocità del suono (da Ernst Mach) MLIS separazione isotopica molecolare a laser MLS sistemi di atterraggio a microonde MOCVD deposito in fase di vapore di elementi chimici organo-metallici MRI immagine a risonanza magnetica MTBF tempo medio tra due guasti Mtop/s milioni di operazioni teoriche al secondo MTTF tempo medio specificato prima del guasto NBC nucleare, biologico e chimico NDT tecniche non distruttive PAR radar di avvicinamento di precisione PIN numero personale di identificazione ppm parti per milione PSD densità spettrale di potenza QAM modulazione di ampiezza in quadratura RF radio frequenza SACMA Suppliers of Advanced Composite Materials Association SAR radar ad apertura sintetica SC cristallo singolo SLAR radar avionico a scansione laterale SMPTE Society of Motion Pictures and Television Engineers SRA assieme rimpiazzabile in laboratorio SRAM memoria statica ad accesso casuale SRM metodi raccomandati dalla SACMA SSB banda laterale unica SSR radar secondari di sorveglianza TCSEC Trusted Computer System Evaluation Criteria TIR lettura totale del misuratore UCV unità di controllo e di visualizzazione UIL unità intercambiabile in linea UIT unione internazionale delle telecomunicazioni UTS carico di rottura UV ultravioletto VOR radiofaro VHF onnidirezionale YAG laser a granato di ittrio e alluminio

b.

è limitata alla comunicazione tra dispositivi situati nelle immediate vicinanze di un singolo individuo o controllore di dispositivo (per esempio stanza, ufficio o automobile e loro vicinanze).

DEFINIZIONI DEI TERMINI USATI NEL PRESENTE ALLEGATO Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica:

a.

l’architettura comune dell’hardware e del software.

b.

la tecnologia comune di progettazione e produzione; e

c.

le caratteristiche comuni di base.

a.

in grado di eseguire più funzioni;

b.

in grado di posizionare od orientare materiali, pezzi, utensili o dispositivi speciali tramite movimenti variabili nello spazio tridimensionale;

c.

avente tre o più dispositivi di asservimento a circuito chiuso o aperto (compresi i motori passo-passo); e

d.

dotato di programmabilità accessibile all’utente usando il metodo di apprendimento (impara e ripeti) o mediante calcolatore elettronico che può essere un controllore logico programmabile, ad esempio senza intervento meccanico.

1. meccanismi di manipolazione a comando esclusivamente manuale o controllabili tramite telecomando;

2. meccanismi di manipolazione a sequenza fissa, cioè dispositivi che si muovono in modo automatizzato funzionanti secondo movimenti programmati con limitazione meccanica. I movimenti programmati sono limitati meccanicamente da fermi fissi quali spine o camme. La sequenza dei movimenti e la scelta delle traiettorie o degli angoli non sono variabili o modificabili con mezzi meccanici, elettronici o elettrici;

aventi elementi ottici multipli di riflessione che possono essere riposizionati in modo individuale e dinamico con l’applicazione di coppie o di forze al fine di compensare le distorsioni presenti nella forma d’onda ottica incidente sullo specchio.

CATEGORIA 0 MATERIALI NUCLEARI, IMPIANTI E APPARECCHIATURE

0A Sistemi, apparecchiature e componenti 0A001 Reattori nucleari e loro apparecchiature e componenti appositamente progettati o preparati, come segue:

0A a.

reattori nucleari;

contenitori metallici, o loro parti principali fabbricate in officina, compresa la copertura del contenitore in pressione del reattore, appositamente progettati o preparati per contenere il nocciolo di un reattore nucleare;

apparecchiature di manipolazione appositamente progettate o preparate per l’introduzione o la rimozione del combustibile in reattori nucleari;

barre di controllo appositamente progettate o preparate per il controllo del processo di fissione in reattori nucleari, loro strutture di supporto o di sospensione, meccanismi di regolazione delle barre e tubi guida per barre;

tubi resistenti alla pressione, appositamente progettati o preparati per contenere gli elementi di combustibile ed il fluido refrigerante primario in un reattore nucleare;

tubi o assiemi di tubi di zirconio metallo o leghe di zirconio, appositamente progettati o preparati per essere utilizzati come guaina del combustibile in un reattore nucleare, e in quantità superiori a 10 kg; N.B.: Per i tubi di zirconio resistenti alla pressione cfr. 0A001.e., e per i tubi della calandria cfr. 0A001.h.

pompe o circolatori per il refrigerante appositamente progettate o preparate per la circolazione del refrigerante primario di reattori nucleari;

h. Nota tecnica:

elementi interni del reattore appositamente progettati o preparati per essere utilizzati in reattori nucleari, comprendenti colonne di supporto del nocciolo, canali del combustibile, tubi della calandria, schermi termici, deflettori, piastre a griglie del nocciolo e piastre del diffusore; In 0A001.h. si intende per elementi interni del reattore qualsiasi struttura principale all’interno del contenitore del reattore avente una o più funzioni, ad esempio sostenere il nocciolo, mantenere l’allineamento del combustibile, dirigere il flusso del refrigerante primario, fornire schermi all’irraggiamento per il contenitore del reattore e dirigere la strumentazione del nocciolo.

scambiatori di calore come segue: Nota: 0 A 001.i. non sottopone ad autorizzazione gli scambiatori di calore per i sistemi di supporto del reattore, ad esempio il sistema di raffreddamento di emergenza o il sistema di raffreddamento del calore di decadimento.

1. generatori di vapore appositamente progettati o preparati per essere utilizzati nel circuito del refrigerante primario o intermedio di reattori nucleari;

2. altri scambiatori di calore appositamente progettati o preparati per essere utilizzati nel circuito del refrigerante primario di reattori nucleari;

strumenti di rivelazione dei neutroni appositamente progettati o preparati per determinare i livelli di flusso dei neutroni nel nocciolo di reattori nucleari.

k. Nota tecnica:

scudi termici esternì appositamente progettati o preparati per essere utilizzati in un reattore nucleare, per la riduzione delle perdite di calore e per la protezione del sistema di contenimento. In 0A001.k. schermi termici esternì indica le strutture principali situate al di sopra del contenitore del reattore che riducono la perdita di calore dal reattore e che riducono la temperatura all’interno del sistema di contenimento.

0B Nota tecnica:

Apparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione 0B001 Impianti per la separazione di isotopi di uranio naturale, di uranio impoverito e di materie fissili speciali e loro apparecchiature e componenti appositamente progettati o preparati, come segue: 0B002 Sistemi ausiliari appositamente progettati o preparati, apparecchiature e componenti come segue, per impianti di separazione isotopica specificati in 0B001, costruiti o protetti con materiali resistenti alla corrosione dell’UF6: 0B003 Impianti per la conversione dell’uranio e loro apparecchiature appositamente progettate o preparate, come segue: 0B004 Impianti per la produzione o la concentrazione di acqua pesante, deuterio e composti di deuterio, e loro apparecchiature e componenti appositamente progettati o preparati, come segue: 0B005 Impianti appositamente progettati per la fabbricazione di elementi di combustibile per reattori nucleari e loro apparecchiature appositamente progettate o preparate. un impianto per la fabbricazione di elementi di combustibile per reattori nucleari comprende apparecchiature che: 0B006 Impianti per il ritrattamento di elementi di combustibile irraggiato per reattori nucleari e loro apparecchiature e componenti appositamente progettati o preparati. Nota: 0B006 comprende: 0B007 Impianti per la conversione del plutonio e loro apparecchiature appositamente progettate o preparate:

0B a.

impianti appositamente progettati per separare gli isotopi di uranio naturale, di uranio impoverito e di materie fissili speciali, come segue:

1. impianti di separazione con centrifuga a gas;

2. impianti di separazione per diffusione gassosa;

3. impianti di separazione aerodinamica;

4. impianti di separazione a scambio chimico;

5. impianti di separazione a scambio ionico;

6. impianti di separazione isotopica di vapore atomico a laser (AVLIS),

7. impianti di separazione isotopica molecolare a laser(MLIS),

8. impianti di separazione a plasma;

9. impianti di separazione elettromagnetica;

b. Nota tecnica:

centrifughe a gas, assiemi e componenti, appositamente progettati o preparati per il processo di separazione con centrifuga a gas, come segue: In 0B001.b. si intende per materiale ad alto rapporto resistenza/densità uno qualsiasi dei materiali seguenti:

1. acciaio Maraging avente carico di rottura uguale o superiore a 1,95 GPa;

2. leghe di alluminio aventi carico di rottura uguale o superiore a 0,46 GPa; o

3. materiali fibrosi o filamentosi aventi modulo specifico superiore a 3,18 × 106 m e carico di rottura specifico superiore a 7,62 × 104 m;

1. centrifughe a gas;

2. assiemi rotori completi;

3. tubi cilindrici rotori, con spessore di parete uguale o inferiore a 12 mm, diametro compreso tra 75 e 650 mm e costruiti con materiali ad alto rapporto resistenza/densità;

4. anelli o soffietti con spessore di parete uguale o inferiore a 3 mm, diametro compreso tra 75 e 650 mm, progettati per rinforzare localmente il tubo rotore o per collegarne un certo numero tra di loro, e costruiti con materiali ad alto rapporto resistenza/densità;

5. diaframmi con diametro compreso tra 75 e 650 mm da montare all’interno dei tubi rotori, e costruiti con materiali ad alto rapporto resistenza/densità;

6. coperchi superiori e inferiori con diametro compreso tra 75 e 650 mm sagomati in modo da permetterne l’alloggiamento alle estremità dei tubi rotori, costruiti con materiali ad alto rapporto resistenza/densità;

7. Cuscinetti a sospensione magnetica, come segue:

7. a.

assiemi di cuscinetti costituiti da un magnete anulare sospeso in alloggiamento costruito o protetto con materiali resistenti alla corrosione dell’UF6 contenenti un mezzo di smorzamento ed aventi l’accoppiamento magnetico con una espansione polare o con un secondo magnete sistemato nel coperchio superiore del rotore;

cuscinetti magnetici attivi appositamente progettati o preparati per l’impiego in centrifughe a gas.

8. cuscinetti appositamente preparati comprendenti un assieme con coperchio a perno rotante montato su smorzatore;

9. 0B001 b. pompe molecolari comprendenti cilindri aventi scanalature elicoidali interne ottenute per estrusione o per lavorazione e fori interni ottenuti per lavorazione;

10. statori di forma anulare per motori polifase a corrente alternata, del tipo ad isteresi (o riluttanza) per funzionamento sincrono sottovuoto a una frequenza uguale o superiore a 600 Hz e una potenza uguale o superiore a 40 VA;

11. contenitori/alloggiamenti di centrifuga per contenere l’assieme tubo rotore di una centrifuga a gas, costituiti da un cilindro rigido con spessore di parete uguale o inferiore a 30 mm e con i terminali lavorati di precisione paralleli tra loro e perpendicolari all’asse longitudinale del cilindro entro 0,05 gradi o meno;

12. prese di estrazione costituite da tubi appositamente progettati o preparati per l’estrazione del gas UF6 dall’interno del tubo rotore per azione di un tubo di Pitot e che possono essere fissati al sistema centrale di estrazione del gas;

13. variatori di frequenza (convertitori o invertitori) appositamente progettati o preparati per alimentare gli statori dei motori delle centrifughe di arricchimento a gas, aventi tutte le caratteristiche seguenti, e loro componenti appositamente progettati:

13. a.

frequenza di uscita polifase di 600 Hz o superiore; e

elevata stabilità (con controllo di frequenza migliore rispetto allo 0,2 %);

14. valvole di intercettazione e di controllo come segue:

14. a.

valvole di intercettazione appositamente progettate o preparate per agire sull’alimentazione, il prodotto o le code dei flussi di UF6 gassoso di una centrifuga a gas individuale;

valvole con tenuta a soffietto, di intercettazione o di controllo, costruite o protette con materiali resistenti alla corrosione dell’UF6, con un diametro interno da 10 a 160 mm, appositamente progettate o preparate per l’utilizzo in sistemi principali o ausiliari di impianti di centrifughe di arricchimento a gas;

apparecchiature e componenti, appositamente progettati o preparati per il processo di separazione per diffusione gassosa, come segue:

1. barriere di diffusione gassosa costruite con materiali resistenti alla corrosione dell’UF6 porosi metallici, polimeri o ceramici con dimensione dei pori compresa tra 10 e 100 nm, spessore uguale o inferiore a 5 mm e, per le forme tubolari, un diametro uguale o inferiore a 25 mm;

2. alloggiamenti dei diffusori gassosi costruiti o protetti con materiali resistenti alla corrosione dell’UF6;

3. compressori o ventilatori per gas con capacità di aspirazione volumetrica uguale o superiore a 1 m3/min di UF6, pressione di mandata sino a 500 kPa e un rapporto di compressione di 10:1 o inferiore, costruiti o protetti con materiali resistenti alla corrosione dell’UF6;

4. dispositivi di tenuta dell’asse rotante per compressori o ventilatori specificati in 0B001.c.3. e progettati per limitare le infiltrazioni di gas tampone ad un tasso inferiore a 1000 cm3/min;

5. scambiatori di calore costruiti o protetti con materiali resistenti alla corrosione dell’UF6 e progettati per un tasso di perdita di pressione inferiore a 10 Pa per h con differenziale di pressione di 100 kPa;

6. valvole con tenuta a soffietto, manuali o automatiche, costruite o protette con materiali resistenti alla corrosione dell’UF6;

apparecchiature e componenti, appositamente progettati o preparati per il processo di separazione aerodinamica, come segue:

1. ugelli di separazione costituiti da canali curvi fessurati con raggio di curvatura inferiore ad 1 mm resistenti alla corrosione dell’UF6 ed aventi all’interno dell’ugello un separatore a lama per suddividere in due correnti il flusso di gas;

2. 0B001 d. tubi di ingresso cilindrici o conici, (tubi vortex), costruiti o protetti con materiali resistenti alla corrosione dell’UF6 e con uno o più ingressi tangenziali;

3. compressori o ventilatori per gas costruiti o protetti con materiali resistenti alla corrosione dell’UF6 e loro dispositivi di tenuta dell’asse rotante;

4. scambiatori di calore costruiti o protetti con materiali resistenti alla corrosione dell’UF6;

5. alloggiamenti di elementi di separazione, costruiti o protetti con materiali resistenti alla corrosione dell’UF6 per contenere i tubi vortex o gli ugelli di separazione;

6. valvole con tenuta a soffietto, manuali o automatiche, costruite o protette con materiali resistenti alla corrosione dell’UF6, con un diametro uguale o inferiore a 40 mm;

7. sistemi di processo per la separazione dell’UF6 dal veicolo gassoso (idrogeno o elio) sino ad un contenuto uguale o inferiore a 1 ppm di UF6 comprendenti:

7. a.

scambiatori di calore criogenici e crioseparatori in grado di raggiungere temperature uguali o inferiori a 153 k (– 120 °C);

unità di refrigerazione criogeniche in grado di raggiungere temperature uguali o inferiori a 153 k (– 120 °C);

ugelli di separazione o unità a tubi vortex per la separazione dell’UF6 dal veicolo gassoso;

trappole fredde per UF6 capaci di congelare gli UF6;

apparecchiature e componenti, appositamente progettati o preparati per il processo di separazione a scambio chimico, come segue:

1. colonne ad impulso liquido-liquido a scambio rapido con tempo di permanenza di stadio uguale o inferiore a 30 secondi e resistenti all’acido cloridrico concentrato (ad esempio costruite o protette con idonei materiali plastici quali polimeri di idrocarburi fluorurati o rivestite con vetro);

2. contattori centrifughi liquido-liquido a scambio rapido con tempo di permanenza di stadio uguale o inferiore a 30 secondi e resistenti all’acido cloridrico concentrato (ad esempio costruite o protette con idonei materiali plastici quali polimeri di idrocarburi fluorurati o rivestite con vetro);

3. celle di riduzione elettrochimiche resistenti a soluzioni di acido cloridrico concentrate intese a modificare la valenza dell’uranio;

4. apparecchiature di alimentazione per celle di riduzione elettrochimiche per prelevare l’U+4 dal flusso organico e, per quelle parti in contatto con il flusso di processo, costruite o protette con idonei materiali (ad esempio vetro, polimeri al fluorocarbonio, solfato di polifenile, polietere solfone e grafite impregnata di resina);

5. sistemi di preparazione della carica per la produzione di soluzione di cloruro di uranio ad alta purezza costituiti da apparecchiature di dissoluzione, estrazione di solvente e/o scambio ionico per la purificazione e per le celle elettrolitiche per ridurre l’uranio U+6 o U+4 a U+3;

6. sistemi di ossidazione dell’uranio per l’ossidazione di U+3 a U+4;

apparecchiature e componenti, appositamente progettati o preparati per il processo di separazione a scambio ionico, come segue:

1. resine a scambio ionico a reazione rapida, resine pellicolari o resine porose a macroreticolo nelle quali i gruppi attivi di scambio chimico sono limitati ad un rivestimento sulla superficie di una struttura di supporto porosa inattiva ed altre strutture composite di qualsiasi forma, comprese particelle o fibre di diametro uguale o inferiore a 0,2 mm, resistenti all’acido cloridrico concentrato e progettate per avere un periodo di dimezzamento della velocità di scambio inferiore a 10 secondi ed in grado di funzionare a temperature nella gamma da 373 K (100 °C) a 473 K (200 °C);

2. 0B001 f. colonne (di forma cilindrica) a scambio ionico con diametro superiore a 1000 mm, costruite o protette con materiali resistenti all’acido cloridrico concentrato (ad esempio titanio o materiali plastici al fluorocarbonio) ed in grado di funzionare a temperature nella gamma da 373 K (100 °C) a 473 K (200 °C) e pressioni superiori a 0,7 MPa;

3. sistemi di reflusso a scambio ionico (sistemi di ossidazione o riduzione chimica o elettrochimica) per la rigenerazione degli agenti chimici ossidanti o riducenti usati negli stadi a cascata di arricchimento a scambio ionico;

apparecchiature e componenti, appositamente progettati o preparati per i metodi basati sul vapore atomico, come segue:

1. sistemi di vaporizzazione dell’uranio metallo, progettati per raggiungere una potenza utile pari o superiore a 1 kW sul bersaglio per l’uso nell’arricchimento a laser;

2. sistemi di manipolazione del liquido o del vapore di uranio metallo appositamente progettati o preparati per la manipolazione dell’uranio fuso, delle leghe di uranio fuse o del vapore di uranio metallo per l’uso nell’arricchimento a laser, e loro componenti appositamente progettati; N.B.: CFR. ANCHE 2A225.

3. assiemi di collettori del prodotto e delle code per l’uranio metallo in forma liquida o solida, costruiti o protetti con materiali resistenti al calore e alla corrosione del vapore o del liquido di uranio metallo, quali la grafite rivestita di ossido di ittrio o il tantalio;

4. alloggiamenti del modulo di separazione (serbatoi cilindrici o rettangolari) per contenere la sorgente di vapore di uranio metallo, il cannone a fascio elettronico ed i collettori del prodotto e delle code;

5. laser o sistemi laser appositamente progettati o preparati per la separazione di isotopi di uranio con una stabilizzazione di frequenza dello spettro per funzionamento su periodi di tempo estesi; N.B.: CFR. ANCHE 6A005 E 6A205.

apparecchiature e componenti, appositamente progettati o preparati per i metodi a base molecolare o i sistemi a laser come segue:

1. ugelli ad espansione supersonica per il raffreddamento di miscele di UF6 e del veicolo gassoso a temperature uguali o inferiori a 150 K (- 123 °C) e costruiti con materiali resistenti alla corrosione dell’UF6;

2. prodotti o componenti collettori di code o dispositivi appositamente progettati o preparati per la raccolta di materiale di uranio o delle code di uranio a seguito dell’illuminazione con luce laser, costruiti con materiali resistenti alla corrosione dell’UF6;

3. compressori costruiti o protetti con materiali resistenti alla corrosione dell’UF6 e loro dispositivi di tenuta dell’asse rotante;

4. apparecchiature per fluorurare l’UF5 (solido) in UF6 (gassoso);

5. sistemi di processo per la separazione dell’UF6 dal veicolo gassoso (azoto o argon o altro gas) comprendenti:

5. a.

scambiatori di calore criogenici e crioseparatori in grado di raggiungere temperature uguali o inferiori a 153 K (- 120 °C);

unità di refrigerazione criogeniche in grado di raggiungere temperature uguali o inferiori a 153 K (- 120 °C);

trappole fredde per UF6 capaci di congelare gli UF6;

6. laser o sistemi laser appositamente progettati o preparati per la separazione di isotopi di uranio con una stabilizzazione di frequenza dello spettro per funzionamento su periodi di tempo estesi; N.B.: CFR. ANCHE 6A005 E 6A205.

0B001 apparecchiature e componenti, appositamente progettati o preparati per il processo di separazione a plasma, come segue:

1. sorgenti di potenza a microonde e antenne per la produzione e l’accelerazione di ioni, aventi una frequenza di uscita superiore a 30 GHz ed una potenza di uscita media superiore a 50 kW;

2. bobine di eccitazione di ioni a radiofrequenza per frequenze superiori a 100 kHz ed in grado di sopportare una potenza media superiore a 40 kW;

3. sistemi di generazione di plasma di uranio;

4. non utilizzato;

5. assiemi di collettori del prodotto e delle code per l’uranio metallo in forma solida, costruiti o protetti con materiali resistenti al calore e alla corrosione del vapore di uranio, quali la grafite rivestita di ossido di ittrio o il tantalio;

6. alloggiamenti (di forma cilindrica) del modulo di separazione per contenere la sorgente del plasma di uranio, le bobine di eccitazione a radiofrequenza ed i collettori del prodotto e delle code e costruiti con idoneo materiale non magnetico (ad esempio acciaio inossidabile);

apparecchiature e componenti appositamente progettati o preparati per il processo di separazione elettromagnetica, come segue:

1. sorgenti di ioni, singole o multiple, consistenti in una sorgente di vapore, ionizzatore ed acceleratore del fascio costruiti con idonei materiali non magnetici (ad esempio grafite, acciaio inossidabile o rame) ed in grado di fornire una corrente totale del fascio ionico uguale o superiore a 50 mA;

2. piastre collettrici di ioni per ricevere i fasci ionici di uranio arricchito o impoverito, consistenti in due o più fenditure e cavità e costruite con idonei materiali non magnetici (ad esempio grafite o acciaio inossidabile);

3. alloggiamenti sotto vuoto per i separatori elettromagnetici di uranio costruiti con materiali non magnetici (ad esempio acciaio inossidabile) e progettati per funzionare a pressioni uguali o inferiori a 0,1 Pa;

4. espansioni polari magnetiche con diametro superiore a 2 m;

5. alimentatori ad alta tensione per sorgenti ioniche, aventi tutte le caratteristiche seguenti: N.B.: CFR. ANCHE 3A227.

5. a.

in grado di funzionare in modo continuo;

tensione di uscita uguale o superiore a 20000 V;

corrente di uscita uguale o superiore a 1 A; e

regolazione della tensione migliore dello 0,01 % per un periodo di 8 ore;

6. alimentatori per magneti (di elevata potenza, corrente continua) aventi tutte le caratteristiche seguenti: N.B.: CFR. ANCHE 3A226.

6. a.

in grado di funzionare in modo continuo con una corrente di uscita uguale o superiore a 500 A ad una tensione uguale o superiore a 100 V; e

regolazione della corrente o della tensione migliore dello 0,01 % per un periodo di 8 ore.

autoclavi di alimentazione, forni o sistemi usati per trasferire l’UF6 al processo di arricchimento;

desublimatori o trappole fredde, utilizzati per eliminare l’UF6 dal processo di arricchimento per il successivo trasferimento alla fase di riscaldamento;

stazioni del prodotto e delle code per il trasferimento dell’UF6 nei contenitori;

stazioni di liquefazione o solidificazione usate per eliminare l’UF6 dal processo di arricchimento mediante compressione, raffreddamento e conversione dell’UF6 in forma liquida o solida;

sistemi di tubazioni e sistemi di intestazione appositamente progettati o preparati per trasportare l’UF6 negli stadi a cascata a diffusione gassosa, centrifuga o aerodinamica;

sistemi e pompe da vuoto, come segue:

1. collettori o intestazioni o pompe da vuoto aventi capacità di aspirazione uguale o superiore a 5 m3/min;

2. pompe da vuoto appositamente progettate per funzionare in atmosfere contenenti l’UF6; costruite o protette con materiali resistenti alla corrosione dell’UF6, o

3. sistemi a vuoto costituiti da collettori sotto vuoto e pompe da vuoto, progettati per funzionare in atmosfere contenenti l’UF6

spettrometri di massa/sorgenti ioniche per l’UF6 in grado di prelevare campioni in linea dai flussi di UF6 gassoso e aventi tutte le seguenti caratteristiche:

1. in grado di misurare ioni di unità di massa atomica uguale o superiore a 320 e aventi una risoluzione migliore di 1 su 320;

2. sorgenti ioniche costruite o protette con nichelio, leghe di nichelio e rame con un tenore del 60 % o più, in peso, di nichelio, o leghe di nichelio e cromo;

3. sorgenti di ionizzazione a bombardamento di elettroni; e

4. sistema collettore per l’analisi isotopica.

sistemi per la conversione di concentrati di minerale uranio in UO3;

sistemi per la conversione di UO3 in UF6;

sistemi per la conversione di UO3 in UO2;

sistemi per la conversione di UO2 in UF4;

sistemi per la conversione di UF4 in UF6;

sistemi per la conversione di UF4 in uranio metallo;

sistemi per la conversione di UF6 in UO2;

sistemi per la conversione di UF6 in UF4;

sistemi per la conversione di UO2 in UCl4.

impianti per la produzione di acqua pesante, deuterio o composti di deuterio, come segue:

1. impianti per lo scambio acqua-idrogeno solforato;

2. impianti per lo scambio ammoniaca-idrogeno;

0B004 apparecchiature e componenti, come segue:

1. torri di scambio acqua-idrogeno solforato con diametro pari o superiore a 1,5 m, in grado di funzionare a pressioni pari o superiori a 2 MPa;

2. ventilatori o compressori centrifughi a stadio unico a bassa pressione (cioè 0,2 MPa) per la circolazione di gas di idrogeno solforato (cioè gas contenente più del 70 % di H2S) aventi una capacità di flusso uguale o superiore a 56 m3/s quando fatti funzionare a pressioni uguali o superiori a 1,8 MPa e dotati di dispositivi di tenuta progettati per funzionare con H2S umido;

3. torri di scambio ammoniaca-idrogeno aventi un’altezza uguale o superiore a 35 m e diametro compreso tra 1,5 m e 2,5 m in grado di funzionare a pressioni superiori a 15 MPa;

4. elementi interni delle torri, compresi contattori di stadio, e pompe di stadio incluse quelle immerse, per la produzione di acqua pesante che utilizzano il processo di scambio ammoniaca-idrogeno;

5. piroscissori di ammoniaca con pressioni di esercizio uguali o superiori a 3 MPa per la produzione di acqua pesante che utilizzano il processo di scambio ammoniaca-idrogeno;

6. analizzatori ad assorbimento infrarosso in grado di analizzare in tempo reale il rapporto idrogeno/deuterio, quando le concentrazioni di deuterio sono uguali o superiori al 90 %;

7. bruciatori catalitici per la conversione di gas deuterio arricchito in acqua pesante che utilizzano il processo di scambio ammoniaca-idrogeno;

8. sistemi completi di arricchimento dell’acqua pesante o loro colonne per aumentare la concentrazione di deuterio nell’acqua pesante fino alla qualità per reattori;

9. convertitori di sintesi di ammoniaca o unità di sintesi appositamente progettate o preparate per la produzione di acqua pesante con il processo di scambio ammoniaca-idrogeno.

0B Nota tecnica:

1. entrano normalmente in contatto diretto con il flusso produttivo di materiali nucleari o ne trattano o ne assicurano direttamente la regolazione;

2. sigillano il materiale nucleare nell’involucro;

3. verificano l’integrità dell’involucro o del sigillo;

4. verificano il trattamento di finitura del combustibile sigillato; o

5. sono impiegate per montare gli elementi del reattore.

impianti per il ritrattamento di elementi di combustibile irraggiato per reattori nucleari comprendenti le apparecchiature e i componenti che normalmente entrano in contatto diretto con il combustibile irraggiato e con i flussi di trattamento dei principali materiali nucleari e dei prodotti di fissione e ne assicurano la regolazione;

macchine per tagliare o sminuzzare elementi di combustibile, cioè apparecchiature telecomandate destinate a tagliare, affettare, sminuzzare o tranciare assiemi, fasci o barre di combustibile irraggiato per reattori nucleari;

dissolutori, recipienti di sicurezza anticriticità (ad esempio recipienti di piccolo diametro, anulari o piatti) appositamente progettati o preparati per la dissoluzione del combustibile irraggiato per reattori nucleari, in grado di sopportare liquidi caldi altamente corrosivi e con possibilità di essere caricati e revisionati a distanza;

0B006 Nota: apparecchi per l’estrazione con solventi, quali colonne a riempimento o pulsate o contattori centrifughi, resistenti all’effetto corrosivo dell’acido nitrico e appositamente progettati o preparati per l’impiego in impianti di riprocessamento di uranio naturale irraggiato, uranio impoverito o materie fissili speciali a rie;

e. Nota tecnica:

recipienti di contenimento o di stoccaggio appositamente progettati come recipienti di sicurezza anticriticità e resistenti agli effetti corrosivi dell’acido nitrico; I recipienti di contenimento o di stoccaggio hanno normalmente le caratteristiche seguenti:

1. pareti o strutture interne con un equivalente di boro (calcolato per tutti gli elementi costitutivi secondo quanto specificato nella nota allo 0C004) di almeno il 2 %;

2. diametro non superiore a 175 mm per i recipienti cilindrici; o

3. larghezza non superiore a 75 mm per recipienti piatti o anulari.

sistemi di misurazione dei neutroni appositamente progettati o preparati per l’integrazione e l’uso con sistemi di controllo automatico in impianti di ritrattamento di uranio naturale, uranio impoverito o materie fissili speciali irraggiati.

sistemi per la conversione del nitrato di plutonio in ossido di plutonio;

sistemi per la produzione di plutonio metallo.

0C Materiali 0C001 Uranio naturale, uranio impoverito o torio sotto forma di metallo, lega, composto chimico o concentrato e qualsiasi altro materiale contenente uno o più dei prodotti sopra citati. Nota: 0C001 non sottopone ad autorizzazione le sostanze e i prodotti seguenti: 0C002 Materie fissili speciali Nota: 0C002 non sottopone ad autorizzazione quattro grammi effettivi o meno se sono contenuti in un componente sensibile di strumenti. 0C003 Deuterio, acqua pesante (ossido di deuterio) ed altri composti di deuterio e miscele e soluzioni contenenti deuterio nelle quali il rapporto isotopico deuterio/idrogeno superi 1:5000. 0C004 Grafite avente un grado di purezza migliore di 5 parti per milione di boro equivalente e densità superiore a 1,50 g/cm3, per utilizzo in un reattore nucleare, in quantità superiori a 1 kg. N.B.: CFR. ANCHE 1C107 Nota 1: ai fini del controllo delle esportazioni, le competenti autorità dello Stato membro in cui l’esportatore è stabilito determineranno se le esportazioni di grafite conforme alle suddette specifiche siano o meno per utilizzo in reattori nucleari. Nota 2: In 0C004 il boro equivalente (BE) è definito come la somma di BEz per le impurità (ad esclusione del BEcarbonio in quanto il carbonio non è considerato un’impurità), compreso il boro, dove: BEz (ppm) = CF × concentrazione dell’elemento Z in ppm; dove CF è il fattore di conversioneσZABσBAZ e σB e σZ sono le sezioni d’urto di cattura dei neutroni termici (in barns) rispettivamente per il boro naturale e per l’elemento Z; e AB e AZ sono i pesi atomici rispettivamente del boro naturale e dell’elemento Z. 0C005 Composti o polveri appositamente preparati, resistenti alla corrosione dell’UF6 (ad esempio nichelio o leghe contenenti il 60 % o più in peso di nichelio, ossido di alluminio e polimeri di idrocarburi completamente fluorurati), per la costruzione di barriere di diffusione gassosa, aventi una purezza uguale o superiore al 99,9 % in peso e dimensione delle particelle inferiore a 10 micrometri misurata secondo la norma ASTM B330 ed un elevato grado di uniformità della dimensione delle particelle.

0C a.

quattro grammi o meno di uranio naturale o di uranio impoverito se contenuti in un componente sensibile di strumenti;

uranio impoverito appositamente fabbricato per le applicazioni civili non nucleari seguenti:

1. schermi;

2. imballaggi;

3. zavorre aventi una massa non superiore a 100 kg;

4. contrappesi aventi una massa non superiore a 100 kg;

leghe contenenti meno del 5 % di torio;

prodotti ceramici contenenti torio fabbricati per usi non nucleari.

0D Software 0D001 Software appositamente progettato o modificato per lo sviluppo, la produzione o l’utilizzazione di beni specificati nella presente categoria.

0E Tecnologia 0E001 Tecnologia in conformità della nota sulla tecnologia nucleare per lo sviluppo, la produzione o l’utilizzazione di beni specificati nella presente categoria.

CATEGORIA 1 MATERIALI SPECIALI E RELATIVE APPARECCHIATURE

1A Note tecniche: 1.2. Note tecniche: 1.2. Nota tecnica: Nota tecnica:

Sistemi, apparecchiature e componenti 1A001 Componenti costituiti di composti fluorurati, come segue: 1A002 Strutture o prodotti laminati compositi aventi una delle caratteristiche seguenti: N.B.: CFR. ANCHE 1A202, 9A010 e 9A110 Nota 1: 1A002 non sottopone ad autorizzazione strutture o prodotti laminati compositi costruiti con materiali fibrosi o filamentosi al carbonio impregnati con resine epossidiche utilizzati per la riparazione di prodotti laminati o di strutture di aeromobili civili, aventi tutte le caratteristiche seguenti: Nota 2: 1A002 non sottopone ad autorizzazione prodotti semilavorati appositamente progettati per solo uso civile, quali: Nota 3: 1A002.b.1. non sottopone ad autorizzazione prodotti semilavorati contenenti filamenti intrecciati disposti al massimo su due dimensioni e appositamente progettati per le seguenti applicazioni: Nota 4: 1A002 non sottopone ad autorizzazione prodotti lavorati appositamente progettati per una specifica applicazione. 1A003 Manufatti realizzati con poliimmidi aromatiche non fusibili sotto forma di pellicole, fogli, nastri o strisce aventi una delle caratteristiche seguenti: Nota: 1A003 non sottopone ad autorizzazione i manufatti rivestiti o laminati con rame e progettati per circuiti elettronici stampati. N.B.: Per le poliimmidi aromatiche fusibili sotto qualsiasi forma, cfr. 1C008.a.3. 1A004 Apparecchiature e componenti di protezione e rivelazione non appositamente progettati per uso militare, come segue: N.B.: CFR. ANCHE ELENCO DEI MATERIALI DI ARMAMENTO, 2B351 E 2B352. 1A004Nota: 1A004 non sottopone ad autorizzazione: 1A004 include apparecchiature e componenti che sono stati individuati, collaudati con successo in conformità delle norme nazionali o altrimenti dimostrati efficaci, per la rivelazione di materiali radioattivi modificati per uso bellico, agenti biologici modificati per uso bellico, agenti di guerra chimica, simulantì o agenti antisommossa o la difesa da essi, anche se tali apparecchiature o componenti sono impiegati nelle attività industriali civili nei settori estrattivo, agricolo, farmaceutico, medico, veterinario, ambientale, della gestione dei rifiuti e alimentare. Il simulante è una sostanza o un materiale usato al posto di un agente tossico (chimico o biologico) nell’addestramento, nella ricerca, nel collaudo o nella valutazione. 1A005 Indumenti corazzati e loro componenti, come segue: N.B.: CFR. ANCHE ELENCO DEI MATERIALI DI ARMAMENTO. N.B.: Per i materiali fibrosi o filamentosi utilizzati per la fabbricazione di indumenti corazzati, cfr. 1C010. Nota 1: 1A005 non sottopone ad autorizzazione gli indumenti corazzati o indumenti protettivi se al seguito dell’utente a scopo di protezione personale. Nota 2: 1A005 non sottopone ad autorizzazione gli indumenti corazzati per la protezione frontale unicamente da frammenti e onde d’urto provocati da congegni esplosivi non militari. Nota 3: 1A005 non sottopone ad autorizzazione gli indumenti corazzati progettati per la protezione da coltelli, lance, aghi o da traumi da corpo contundente. 1A006 Apparecchiature, appositamente progettate o modificate per la disattivazione di ordigni esplosivi improvvisati, come segue, e loro componenti e accessori appositamente progettati: N.B.: CFR. ANCHE ELENCO DEI MATERIALI DI ARMAMENTO. Nota: 1A006 non sottopone ad autorizzazione le apparecchiature al seguito dell’operatore. 1A007 Apparecchiature e dispositivi, appositamente progettati per innescare cariche e dispositivi contenenti materiali energetici, con mezzi elettrici, come segue: N.B.: CFR. ANCHE ELENCO DEI MATERIALI DI ARMAMENTO, 3A229 E 3A232. Il termine innesco o ignitore è usato a volte al posto della parola detonatore. Ai fini di 1A007.b., i detonatori in esame utilizzano tutti un piccolo conduttore elettrico (ponte, filo o lamina) che vaporizza in modo esplosivo quando viene attraversato da un impulso elettrico rapido ad alta intensità. Nei tipi non a slapper, il conduttore che esplode innesca una detonazione chimica in un materiale altamente esplosivo al contatto come il PETN (pentaeritritetetranitrato). Nei detonatori a slapper la vaporizzazione in modo esplosivo di un conduttore elettrico spinge una lamina mobile (flyer) o uno slapper attraverso un varco e l’impatto dello slapper su di un esplosivo innesca la detonazione chimica. Lo slapper in alcune realizzazioni è azionato dalla forza magnetica. Il termine detonatore a lamina esplodente può riferirsi sia ad un detonatore EB che di tipo a slapper. 1A008 Cariche, dispositivi e loro componenti, come segue: Le cariche cave sono cariche esplosive sagomate per concentrare gli effetti dell’esplosione. 1A102 Componenti risaturati pirolizzati carbonio-carbonio progettati per i veicoli di lancio nello spazio specificati in 9A004 o i razzi sonda specificati in 9A104. 1A202 Strutture composite, diverse da quelle specificate in 1A002, di forma tubolare aventi tutte le caratteristiche seguenti: N.B.: CFR. ANCHE 9A010 E 9A110. 1A225 Catalizzatori platinati appositamente progettati o preparati per favorire la reazione di scambio dell’isotopo idrogeno tra l’idrogeno e l’acqua per il recupero del trizio dall’acqua pesante o per la produzione di acqua pesante. 1A226 Filtri speciali che possono essere utilizzati per la separazione dell’acqua pesante dall’acqua comune e aventi tutte le caratteristiche seguenti: 1A227 Finestre ad alta densità schermate contro le radiazioni (vetri al piombo o altri materiali) aventi tutte le caratteristiche seguenti, e loro cornici appositamente progettate In 1A227 con il termine zona freddà si intende la zona di visualizzazione esposta al più basso livello di radiazione nella progettazione.

1A a.

dispositivi di tenuta, guarnizioni, sigillanti o serbatoi elastici per carburante, appositamente progettati per impiego su aeromobili o impiego aerospaziale, costituiti da più del 50 % in peso di uno qualsiasi dei materiali specificati in 1C009.b. o 1C009.c.;

polimeri e copolimeri piezoelettrici, costituiti da fluoruro di vinilidene (CAS 75-38-7), specificati in 1C009.a., aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. sotto forma di fogli o pellicole; e

2. con spessore superiore a 200 μm;

dispositivi di tenuta, guarnizioni, sedi di valvole, serbatoi elastici o membrane, aventi tutte le caratteristiche seguenti: Nota: In 1A001.c., per missilì si intendono sistemi completi a razzo e sistemi di veicoli aerei senza equipaggio.

1. costituiti da fluoroelastomeri contenenti almeno un gruppo di viniletere come unità costitutiva; e

2. appositamente progettati per impiego su aeromobili, missilì o impiego aerospaziale.

costituiti da una matrice organica e materiali specificati in 1C010.c., 1C010.d. o 1C010.e.; o

costituiti da una matrice metallica o di carbonio e aventi una delle caratteristiche seguenti:

1. materiali fibrosi o filamentosi al carbonio con:

1. a.

un modulo specifico superiore a 10,15 × 106 m; e

un carico di rottura specifico superiore a 17,7 × 104 m; o

2. materiali specificati in 1C010.c.

area non superiore a 1 m2;

lunghezza non superiore a 2,5 m; e

larghezza non superiore a 15 mm.

articoli sportivi;

industria automobilistica;

industria delle macchine utensili;

settore medico.

forni per trattamento termico e rinvenimento di metalli;

apparecchiature di produzione di cristalli sintetici di silicone.

spessore superiore a 0,254 mm; o

rivestiti o laminati con carbonio, grafite, metalli o sostanze magnetiche.

a. Nota tecnica:

1A004 maschere complete, filtri e relative apparecchiature di decontaminazione, progettati o modificati per la difesa da uno degli agenti o materiali seguenti, e loro componenti appositamente progettati: Nota: 1 A 004.a. include respiratori motorizzati con sistema di purificazione dell’aria (PAPR) progettati o modificati per la difesa da agenti o materiali, elencati in 1A004.a. Ai fini di 1A004.a.:

1. le maschere complete sono note anche come maschere antigas.

2. i filtri comprendono le cartucce filtranti.

1. agenti biologici modificati per uso bellico;

2. materiali radioattivi modificati per uso bellico;

3. agenti di guerra chimica (CN); o

4. agenti antisommossa, inclusi:

4. a.

α-bromobenzeneacetonitrile, (cianuro di bromobenzile) (CA) (CAS 5798-79-8)

[(2-Clorofenil) metilene)] propanedinetrile, (o-clorobenzilidenemalononitrile) (CS) (CAS 2698-41-1);

2-cloro-1-feniletanone, fenil-acil-cloruoro (ω-cloroacetofenone) (CN) (CAS 532-27-4);

dibenz-(b,f)-1,4-ossazina, (CR) (CAS 257-07-8);

10-cloro-5,10-diidrofenarsazina (cloruro di fenarsazina) (adamsite), (DM) (CAS 578-94-9);

N-nonanoilmorfolina (MPA) (CAS 5299-64-9);

abiti, guanti e calzature protettivi, appositamente progettati o modificati per la difesa da uno dei seguenti agenti o materiali:

1. agenti biologici modificati per uso bellico;

2. materiali radioattivi modificati per uso bellico; o

3. agenti di guerra chimica (CN);

sistemi di rivelazione, appositamente progettati o modificati per rivelare o individuare uno degli agenti o materiali seguenti, e loro componenti appositamente progettati:

1. agenti biologici modificati per uso bellico;

2. materiali radioattivi modificati per uso bellico; o

3. agenti di guerra chimica (CN).

d. Nota tecnica:

apparecchiature elettroniche progettate per la rivelazione o l’individuazione automatica della presenza di residui di esplosivi facenti uso di tecniche di rivelazione di tracce (per esempio onde acustiche di superficie, spettrometria a mobilità ionica, spettrometria a mobilità differenziale, spettrometria di massa). Per rivelazione di tracce si intende la capacità di rivelare meno di 1 ppm di vapore, o 1 mg di solido o di liquido. Nota 1: 1A004.d. non sottopone ad autorizzazione le apparecchiature appositamente progettate per uso di laboratorio. Nota 2: 1A004.d. non sottopone ad autorizzazione i portali elettromagnetici di sicurezza senza contatto.

dosimetri per il controllo delle radiazioni assorbite dalle persone;

apparecchiature per la salute e la sicurezza sul lavoro esclusivamente destinate, per progettazione o per applicazione, alla protezione dai rischi specifici connessi con le attività industriali civili, inclusi i settori:

1. estrattivo delle miniere;

2. estrattivo delle cave;

3. agricolo;

4. farmaceutico;

5. medico;

6. veterinario;

7. ambientale;

8. della gestione dei rifiuti;

9. alimentare.

1A Note tecniche: 1.2. a.

indumenti corazzati leggeri non fabbricati in accordo con norme o specifiche militari, o loro equivalenti, e loro componenti appositamente progettati;

piastre per indumenti corazzati pesanti che offrono protezione balistica uguale o inferiore al livello IIIA (NIJ 0101.06, luglio 2008) o equivalenti nazionali.

veicoli telecomandati;

b. Nota tecnica:

inibitorì (disruptors). Gli inibitorì sono dispositivi appositamente progettati per impedire il funzionamento di un ordigno esplosivo mediante il lancio di un proiettile liquido, solido o frangibile.

apparecchi di innesco per detonatori ad esplosioni progettati per azionare i detonatori esplosivi specificati in 1A007.b.;

detonatori esplosivi azionati elettricamente, come segue:

1. a ponte esplodente (EB);

2. a filo esplodente (EBW);

3. trasmettitore d’impulso (slapper);

4. a lamina esplodente (EFI).

1A Note tecniche: 1.2. Note tecniche: 1.2. a.

cariche cave aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. quantità netta di esplosivo (NEQ) superiore a 90 g; e

2. diametro dell’involucro esterno uguale o superiore a 75 mm;

cariche da taglio lineare aventi tutte le caratteristiche seguenti e loro componenti appositamente progettati:

1. carico esplosivo superiore a 40 g/m; e

2. ampiezza uguale o superiore a 10 mm;

cordone detonante con carico del nucleo esplosivo superiore a 64 g/m;

cariche da taglio, diverse da quelle specificate in 1A008.b., ed utensili da recisione aventi una quantità netta di esplosivo (NEQ) superiore a 3,5 kg.

1A Note tecniche: 1.2. Note tecniche: 1.2. Nota tecnica: a.

diametro interno compreso tra 75 mm e 400 mm; e

costruite con uno qualsiasi dei materiali fibrosi o filamentosi specificati in 1C010.a. o 1C010.b. o 1C210.a. o con i materiali preimpregnati al carbonio specificati in 1C210.c.

costituiti da una rete a maglia fitta di bronzo fosforoso trattata chimicamente per migliorarne la bagnabilità; e

progettati per essere utilizzati in torri di distillazione sottovuoto.

una zona freddà di dimensioni superiori a 0,09 m2;

una densità superiore a 3 g/cm3; e

uno spessore uguale o superiore a 100 mm.

1B Nota tecnica: 1.2. Nota tecnica:

Apparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione 1B001 Apparecchiature per la produzione o l’ispezione di strutture o prodotti laminati compositi, specificati in 1A002, o di materiali fibrosi o filamentosi, specificati in 1C010, come segue, e loro componenti ed accessori appositamente progettati N.B.: CFR. ANCHE 1B101 e 1B201. Ai fini di 1B001, le assi di servoposizionamento primario controllano, sotto la direzione di un programma informatico, la posizione del dispositivo di estremità (testa) rispetto al pezzo, al fine di garantire che sia correttamente orientato e diretto per realizzare il processo perseguito. Ai fini di 1B001, una banda di filamenti è un’ampiezza unica ininterrotta di nastro, cavo o fibra completamente o parzialmente impregnata di resina. 1B002 Apparecchiature per la produzione di leghe metalliche, polveri di leghe metalliche o materiali legati e appositamente progettate per evitare la contaminazione e appositamente progettate per l’utilizzazione in uno dei processi specificati in 1C002.c.2. N.B.: CFR. ANCHE 1B102. 1B003 Attrezzature, matrici, forme o montaggi per la formatura superplastica o la saldatura per diffusione del titanio, dell’alluminio o di loro leghe, appositamente progettati per la fabbricazione di uno dei seguenti prodotti: 1B101 Apparecchiature, diverse da quelle specificate in 1B001, per la produzione di materiali compositi strutturali, come segue, e loro componenti ed accessori appositamente progettati: N.B.: CFR. ANCHE 1B201. Nota: I componenti ed accessori specificati in 1B101 comprendono: forme, mandrini, matrici, attrezzature ed utensili per la compressione dei preformati, per l’indurimento, per la fusione, per la sinterizzazione o incollaggio di strutture composite, loro laminati e manufatti. 1B102 Apparecchiature per la produzione di polveri di metallo, diverse da quelle specificate in 1B002, e loro componenti, come segue: N.B.: CFR. ANCHE 1B115.b. 1B115 Apparecchiature, diverse da quelle specificate in 1B002 o 1B102, per la produzione di propellenti o costituenti di propellenti e loro componenti appositamente progettati: Nota 1: Per le apparecchiature appositamente progettate per uso militare, cfr. l’elenco dei materiali di armamento. Nota 2: 1B115 non sottopone ad autorizzazione le apparecchiature per la produzione, il trattamento ed il collaudo di accettazione del carburo di boro. 1B116 Iniettori appositamente progettati per la produzione di materiali derivati per pirolisi formati su stampo, anima o altro supporto a partire da gas precursori che si decompongono nella gamma di temperatura da 1573 K (1300 °C) a 3173 K (2900 °C) a pressioni da 130 Pa a 20 kPa. 1B117 Miscelatori a colata discontinua in grado di mescolare sotto vuoto nella gamma di pressioni da 0 a 13,326 kPa e con capacità di controllo della temperatura della camera di miscelazione, aventi tutte le caratteristiche seguenti e loro componenti appositamente progettati: 1B118 Miscelatori a colata continua in grado di mescolare sotto vuoto nella gamma di pressioni da 0 a 13,326 kPa e con capacità di controllo della temperatura della camera di miscelazione, aventi una delle caratteristiche seguenti e loro componenti appositamente progettati: 1B119 Mulini a getto fluido utilizzabili per rettificare o fresare le sostanze specificate in 1C011.a., 1C011.b., 1C111 o nell’elenco dei materiali di armamento e loro componenti appositamente progettati. 1B201 Macchine per l’avvolgimento di filamenti, diverse da quelle specificate in 1B001 o 1B101, e attrezzature connesse, come segue: 1B225 Celle elettrolitiche per la produzione di fluoro, con resa in uscita superiore a 250 g/h di fluoro. 1B226 Separatori elettromagnetici di isotopi, progettati od equipaggiati con sorgenti ioniche singole o multiple in grado di assicurare una corrente totale del fascio ionico uguale o superiore a 50 mA. Nota: In 1B226 sono compresi i separatori: 1B228 Colonne di distillazione criogenica dell’idrogeno aventi tutte le caratteristiche seguenti: In 1B228 per lunghezza effettivà si intende l’altezza effettiva del materiale di riempimento in una colonna a riempimento o l’altezza effettiva dei piatti contattori interni in una colonna di tipo a piatti. 1B229 Colonne a piatti per lo scambio acqua-idrogeno solforato e contattori internì, come segue: N.B.: Per le colonne appositamente progettate o preparate per la produzione di acqua pesante, cfr. 0B004. 1B230 Pompe in grado di far circolare soluzioni di catalizzatori di ammide di potassio concentrate o diluite in ammoniaca liquida (KNH2/NH3), aventi tutte le caratteristiche seguenti: 1B231 Attrezzature o impianti e relative apparecchiature per il trizio, come segue: 1B232 Turbine di espansione o gruppi turbina di espansione-compressore aventi tutte le caratteristiche seguenti: 1B233 Attrezzature o impianti e relativi sistemi e apparecchiature per la separazione degli isotopi del litio, come segue: 1B234 Serbatoi, camere e contenitori di contenimento per esplosivi ad alto potenziale e altri analoghi dispositivi di contenimento progettati per il collaudo di congegni esplosivi o congegni esplosivi ad alto potenziale e aventi tutte le caratteristiche seguenti: N.B.: CFR. ANCHE ELENCO DEI MATERIALI DI ARMAMENTO.

1B a.

macchine per l’avvolgimento di filamenti, i cui movimenti di posizionamento, avvolgimento e bobinatura delle fibre sono coordinati e programmati secondo tre o più assi di servoposizionamento primario, appositamente progettate per fabbricare strutture o prodotti laminati compositi utilizzando materiali fibrosi o filamentosi;

b. Nota tecnica:

macchine per la messa in opera di nastrì, i cui movimenti di posizionamento e di messa in opera di nastri sono coordinati e programmati secondo cinque o più assi di servoposizionamento primario, appositamente progettate per la fabbricazione di strutture composite per cellule di aerei o di missilì; Nota: In 0B001.b. per missilì si intendono sistemi completi a razzo e sistemi di veicoli aerei senza equipaggio. Ai fini di 1B001.b. le macchine per la messa in opera di nastrì hanno la capacità di mettere in opera una o più bande di filamentì di larghezza superiore a 25 mm e inferiore o uguale a 305 mm, e di tagliare e riavviare la direzione individuale delle bande di filamentì durante il processo di messa in opera.

c. Nota tecnica:

1B001 macchine per la tessitura e macchine per interallacciare a più dimensioni o direzioni, compresi gli adattatori e gli assiemi di modifica, appositamente progettate o modificate per tessere, interallacciare o intrecciare le fibre, per strutture composite; Ai fini di 1B001.c., la tecnica dell’interallacciatura include il lavoro a maglia.

apparecchiature appositamente progettate o adattate per la produzione di fibre di rinforzo come segue:

1. apparecchiature per la trasformazione di fibre polimeriche (quali poliacrilonitrile, rayon, resina o policarbosilano) in fibre di carbonio o in fibre di carburo di silicio, compresi i dispositivi speciali per la tensione della fibra durante il riscaldamento;

2. apparecchiature per la deposizione sotto forma di vapore con processo chimico di elementi o composti, su substrati filamentosi riscaldati, per la fabbricazione di fibre di carburo di silicio;

3. apparecchiature per la filatura a umido di ceramiche refrattarie (quali l’ossido di alluminio);

4. apparecchiature per la trasformazione, con trattamento termico, di alluminio contenente fibre di materiali precursori in fibre di allumina;

apparecchiature per la produzione, con il metodo della fusione a caldo, di preimpregnati specificati in 1C010.e.;

apparecchiature per l’ispezione non distruttiva appositamente progettate per i materiali compositi, come segue:

1. sistemi di tomografia a raggi X per la rilevazione dei difetti nelle tre dimensioni;

2. apparecchiature di collaudo a ultrasuoni con controllo numerico i cui movimenti per il posizionamento di trasmettitori o ricevitori sono coordinati e programmati simultaneamente su quattro o più assi per seguire il contorno tridimensionale del componente ispezionato;

g. Nota tecnica:

macchine per la posa di cavi di filamenti, i cui movimenti di posizionamento e di messa in opera di cavi sono coordinati e programmati secondo due o più assi di servoposizionamento primario, appositamente progettate per la fabbricazione di strutture composite per cellule di aerei o di missilì; Ai fini di 1B001.g. le macchine per la posa di cavì hanno la capacità di piazzare una o più bande di filamentì di larghezza superiore a 25 mm e inferiore o uguale a 25 mm, e di tagliare e riavviare la direzione individuale delle bande di filamentì durante il processo di piazza

1B Nota tecnica: 1.2. a.

strutture di cellule o strutture aerospaziali;

motori per aeromobili o motori aerospaziali; o

componenti appositamente progettati per le strutture specificate in 1B003.a. o per i motori specificati in 1B003.b.

macchine per l’avvolgimento di filamenti o macchine per la posa di fibre i cui movimenti di posizionamento, avvolgimento e bobinatura delle fibre possono essere coordinati e programmati secondo tre o più assi, progettate per fabbricare strutture composite o prodotti laminati compositi utilizzando materiali fibrosi o filamentosi, e controlli di coordinazione e di programmazione;

macchine per la messa in opera di nastri i cui movimenti di posizionamento e di messa in opera del nastro e dei fogli possono essere coordinati e programmati secondo due o più assi, progettate per la fabbricazione di strutture composite per cellule di aerei e di missili;

apparecchiature progettate o modificate per la produzione di materiali fibrosi o filamentosi, come segue:

1. apparecchiature per la trasformazione di fibre polimeriche (quali poliacrilonitrile, rayon, o policarbosilano) compresi i dispositivi speciali per la tensione della fibra durante il riscaldamento;

2. apparecchiature per la deposizione sotto forma di vapore di elementi o composti su substrati filamentosi riscaldati;

3. apparecchiature per la filatura a umido di ceramiche refrattarie (quali l’ossido di alluminio);

apparecchiature progettate o modificate per il trattamento speciale della superficie delle fibre o per la produzione di preimpregnati o di preformati specificati in 9C110. Nota: In 1B101.d. sono compresi rulli, tenditori, apparecchiature per rivestimenti, apparecchiature di taglio e matrici di taglio.

apparecchiature per la produzione di polveri di metallo utilizzabili per la produzione, in ambiente controllato, dei materiali sferici, sferoidali o atomizzati specificati in 1C011.a., 1C011.b., 1C111.a.1., 1C111.a.2. o nell’elenco dei materiali di armamento.

componenti appositamente progettati per le apparecchiature per la produzione specificate in 1B002 o 1B102.a. Nota: 1B102 comprende:

a.

i generatori di plasma (getto ad arco ad alta frequenza) utilizzabili per ottenere polveri metalliche atomizzate o sferiche con organizzazione del processo in ambiente argon-acqua;

b.

apparecchiature per elettroesplosione utilizzabili per ottenere polveri metalliche atomizzate o sferiche con organizzazione del processo in ambiente argon-acqua;

c.

apparecchiature utilizzabili per la produzione di polveri sferiche di alluminio mediante polverizzazione di una colata in ambiente inerte (ad esempio azoto).

apparecchiature di produzione per la produzione, il trattamento o il collaudo di accettazione dei propellenti liquidi o loro costituenti specificati in 1C011.a., 1C011.b., 1C111 o nell’elenco dei materiali di armamento;

apparecchiature di produzione per la produzione, il trattamento, la miscelazione, l’indurimento, la fusione, la compressione, la lavorazione, l’estrusione o il collaudo di accettazione dei propellenti solidi o loro costituenti specificati in 1C011.a., 1C011.b., 1C111 o nell’elenco dei materiali di armamento. Nota: 1B115.b. non sottopone ad autorizzazione i miscelatori a colata discontinua, i miscelatori a colata continua o i mulini a getto fluido. Tali apparecchiature sono contemplate in 1B117, 1B118 e 1B119.

capacità volumetrica totale uguale o superiore a 110 litri; e

almeno un albero per miscelare/impastare montato fuori centro. Nota: In 1B 117.b. albero per miscelare/impastare non si riferisce a deagglomeratori o a coltelli-mandrino.

due o più alberi per miscelare/impastare; o

un unico albero rotante a movimento oscillatorio dotato di denti/punte per impastare sia sull’albero che all’interno dell’alloggiamento della camera di miscelazione.

macchine per l’avvolgimento di filamenti aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. movimenti di posizionamento, avvolgimento e bobinatura delle fibre coordinati e programmati secondo due o più assi;

2. appositamente progettate per fabbricare strutture o prodotti laminati compositi utilizzando materiali fibrosi o filamentosi; e

3. in grado di avvolgere tubi cilindrici di diametro interno compreso tra 75 mm e 650 mm e lunghezze uguali o superiori a 300 mm;

controlli di coordinamento e di programmazione per le macchine per l’avvolgimento di filamenti specificate in 1B201.a.;

mandrini di precisione per le macchine per l’avvolgimento di filamenti specificate in 1B201.a.

in grado di arricchire gli isotopi stabili;

aventi le sorgenti ioniche ed i collettori immersi entrambi nel campo magnetico e le configurazioni nelle quali entrambi risultino esterni al campo.

progettate per funzionare con temperature interne uguali o inferiori a 35° K (- 238 °C);

progettate per funzionare con pressioni interne da 0,5 MPa a 5 Mpa;

costruite con:

1. acciai inossidabili appartenenti alla serie 300 con basso tenore di zolfo e con indice di dimensioni della grana austenitica ASTM (o norma equivalente) n. 5 o superiore; o

2. materiali equivalenti che sono insieme criogenici e compatibili con H2; e

aventi un diametro interno uguale o superiore ad 30 cm e lunghezza effettivà uguale o superiore a 4 m.

1B Nota tecnica: 1.2. Nota tecnica: a.

colonne a piatti per lo scambio acqua-idrogeno solforato, aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. in grado di funzionare a pressioni di 2 MPa o superiori;

2. costruite con acciaio al carbonio avente un indice di dimensione della grana austenitica ASTM (o norma equivalente) n. 5 o superiore; e

3. di diametro uguale o superiore a 1,8 m;

b. Nota tecnica:

contattori internì delle colonne a piatti per lo scambio acqua-idrogeno solforato specificate in 1B229.a. i contattori internì delle colonne sono piatti segmentati con diametro effettivo di assemblaggio uguale o superiore a 1,8 m, sono progettati per facilitare il contatto controcorrente e sono costruiti con acciaio inossidabile a grana fine con un contenuto di carbonio dello 0,03 % o inferiore. Possono essere costituiti da piatti a crivello, piatti a valvola, piatti a campana di gorgogliamento o piatti a turbogriglia.

a tenuta di aria (cioè sigillate ermeticamente);

portata superiore a 8,5 m3/h; e

una delle caratteristiche seguenti:

1. per soluzioni di ammide di potassio concentrate (1 % o superiore), pressione di funzionamento compresa tra 1,5 e 60 MPa; o

2. per soluzioni di ammide di potassio diluite (inferiori all’1 %), pressione di funzionamento compresa tra 20 e 60 MPa.

attrezzature o impianti per la produzione, il recupero, l’estrazione, la concentrazione o il trattamento del trizio;

apparecchiature per attrezzature o impianti per il trizio, come segue:

1. unità di refrigerazione a idrogeno o ad elio in grado di raffreddare ad una temperatura inferiore o uguale a 23 K (- 250 °C), con capacità di assorbimento del calore superiore a 150 W;

2. sistemi di immagazzinamento o di purificazione dell’isotopo di idrogeno che impiegano idruri metallici come mezzo di immagazzinamento o di purificazione.

progettati per funzionare a una temperatura all’uscita uguale o inferiore a 35 K (-238 °C); e

progettati con un flusso di idrogeno-gas uguale o superiore a 1000 kg/h.

attrezzature o impianti per la separazione degli isotopi del litio;

apparecchiature per la separazione degli isotopi del litio basate sul processo di amalgamazione litio-mercurio, come segue:

1. colonne di scambio liquido-liquido a riempimento appositamente progettate per gli amalgami di litio;

2. pompe per amalgama di mercurio o litio;

3. cellule di elettrolisi dell’amalgama di litio;

4. evaporatori per soluzione concentrata di idrossido di litio.

sistemi a scambio ionico, appositamente progettati per la separazione degli isotopi del litio, e loro componenti appositamente progettati;

sistemi a scambio chimico (che utilizzano eteri corona, crittanti, o eteri lariat), appositamente progettati per la separazione degli isotopi del litio, e loro componenti appositamente progettati.

progettati per contenere un’esplosione equivalente o superiore a 2 kg di TNT; e

aventi elementi o caratteristiche di progettazione che consentono il trasferimento successivo o in tempo reale di informazioni diagnostiche o di misurazione.

1C Nota tecnica: Note tecniche: 1.2.3. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: 1.2. Note tecniche: 1.2. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica 1: Nota tecnica 2: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Note tecniche: 1.2.3.

Materiali Metalli e leghe: ove non altrimenti specificato i termini metallì e leghe in 1C001 fino a 1C012 coprono le forme grezze e semilavorate, come segue: forme grezze: anodi, sfere, barre (comprese barrette intagliate e barre da filo), billette, blocchi, blumi, mattoni, panelli, catodi, cristalli, cubi, dadi, grani, granuli, lingotti, pezzi, palline, pani, polveri impalpabili, rondelle, graniglie, lastre, spezzoni, spugne, bacchette; forme semilavorate (rivestite, placcate, forate, punzonate o meno): Sono sottoposte ad autorizzazione per l’esportazione le forme non contenute nel precedente elenco presentate come prodotti finiti ma consistenti in realtà in forme grezze o semilavorate. 1C001 Materiali appositamente progettati per assorbire le onde elettromagnetiche, o polimeri intrinsecamente conduttori, come segue: N.B.: CFR. ANCHE 1C101. 1C002 Leghe metalliche, polveri di leghe metalliche o materiali legati, come segue: N.B.: CFR. ANCHE 1C202. Nota: 1C002 non sottopone ad autorizzazione le leghe metalliche, le polveri di leghe metalliche o i materiali legati per il rivestimento di substrati. Le leghe metalliche specificate in 1C002 sono leghe contenenti una percentuale in peso del materiale indicato più elevata rispetto a qualsiasi altro elemento. La vita fino alla rottura sotto sforzo deve essere misurata conformemente alla norma ASTM E-139 o norme nazionali equivalenti. La resistenza alla fatica oligociclicà deve essere misurata conformemente alla norma ASTM E-606 Metodo raccomandato per la prova di resistenza alla fatica oligociclica ad ampiezza costante o norme nazionali equivalenti. La prova deve essere assiale con un rapporto di carico medio uguale a 1 e coefficiente di concentrazione dei carichi (Kt) uguale ad 1. Il carico medio è definito come carico massimo meno carico minimo diviso il carico massimo. 1C003 Metalli magnetici di qualsiasi tipo e forma, aventi una delle caratteristiche seguenti: 1C004 Leghe di uranio titanio o leghe di tungsteno con una matrice a base di ferro, nichelio o rame, aventi le caratteristiche seguenti: 1C005 Conduttori compositi superconduttori di lunghezza superiore a 100 m o con massa superiore a 100 g, come segue: Ai fini di 1C005, i filamentì possono essere in forma di fili, cilindri, pellicole, nastri e strisce. 1C006 Fluidi e sostanze lubrificanti, come segue: Ai fini di 1C006: 1C007 Materiali ceramici di base, materiali ceramici non compositi, materiali compositi a matrice ceramica e materiali precursori, come segue: N.B.: CFR. ANCHE 1C107 1C008 Sostanze polimeriche non fluorurate, come segue: La temperatura di transizione vetrosa (Tg) per i materiali termoplastici in 1C008.a.2. e i materiali in 1C008.a.4. è determinata con il metodo descritto nella norma ISO 11357-2 (1999) o norme nazionali equivalenti. La temperatura di transizione vetrosa (Tg) per i materiali termoindurenti in 1C008.a.2. e i materiali in 1C008.a.3. è determinata con il metodo di flessione in tre punti descritto nella norma ASTM D 7028-07 o equivalenti nazionali. La prova va effettuata utilizzando un campione asciutto, che ha raggiunto un minimo grado di indurimento del 90 % quale specificato da ASTM E 2160-04 o norma nazionale equivalente, ed è stato indurito mediante la combinazione di norme e processi post-indurimento che produce il Tg più elevato. 1C009 Composti fluorurati, non trattati, come segue: 1C010 Materiali fibrosi o filamentosi come segue: N.B.: CFR. ANCHE 1C210 E 9C110. Ai fini del calcolo del carico di rottura specifico, del modulo specifico o del peso specifico di materiali fibrosi o filamentosi in 1C010.a., 1C010.b. o 1C010.c., il carico di rottura e i moduli dovrebbero essere determinati utilizzando il metodo A descritto nella norma ISO 10618 (2004) o norme nazionali equivalenti. La valutazione del carico di rottura specifico, del modulo specifico o del peso specifico dei materiali fibrosi o filamentosi non unidirezionali (ad esempio, tessuti, tappeti irregolari o trecce) in 1C010. deve essere basata sulle proprietà meccaniche dei monofilamenti unidirezionali costituenti (ad esempio, monofilamenti, filati, fasci di fibre o cavi) prima della trasformazione in materiali fibrosi o filamentosi non unidirezionali. 1C011 Metalli e composti, come segue: N.B.: CFR. ANCHE ELENCO DEI MATERIALI DI ARMAMENTO e 1C111 N.B.: Cfr. anche elenco dei materiali di armamento per le polveri di metallo mescolate con altre sostanze per ottenere una miscela formulata per uso militare. 1C012 Materiali, come segue: Questi materiali sono utilizzati di norma per sorgenti di calore nucleari. 1C101 Materiali e dispositivi per la riduzione di caratteristiche osservabili quali la riflettività radar, la segnatura ultravioletta/infrarossa e la segnatura acustica, diversi da quelli specificati in 1C001, utilizzabili in missilì, sottosistemi di missilì o veicoli aerei senza equipaggio specificati in 9A012. Nota 1: 1C101 comprende: Nota 2: 1C101 non comprende i rivestimenti appositamente utilizzati per il controllo termico dei satelliti. In 1C101 per missilì si intendono sistemi completi a razzo e sistemi di veicoli aerei senza equipaggio con una portata superiore a 300 km. 1C102 Materiali risaturati pirolizzati carbonio-carbonio progettati per i veicoli di lancio nello spazio specificati in 9A004 o i razzi sonda specificati in 9A104. 1C107 Grafite e materiali ceramici, diversi da quelli specificati in 1C007, come segue: 1C111 Propellenti e costituenti chimici per propellenti diversi da quelli in 1C011, come segue: Nota: Per i propellenti e costituenti chimici per i propellenti non specificati in 1C111, cfr. l’elenco dei materiali di armamento. 1C116 Acciai Maraging, utilizzabili in missilì, aventi tutte le caratteristiche seguenti: N.B.: CFR. ANCHE 1C216. Gli acciai Maraging sono leghe di ferro: In 1C116 per missilì si intendono sistemi completi a razzo e sistemi di veicoli aerei senza equipaggio capaci di una gittata superiore a 300 km. 1C117 Materiali per la fabbricazione di componenti di missilì come segue: In 1C117 per missilì si intendono sistemi completi a razzo e sistemi di veicoli aerei senza equipaggio capaci di una gittata superiore a 300 km. 1C118 Acciaio Duplex inossidabile stabilizzato al titanio (Ti-DSS): 1C202 Leghe diverse da quelle specificate in 1C002.b.3. o b.4., come segue: La frase con un carico di rottura superiore a riguarda le leghe prima o dopo il trattamento termico. 1C210 Materiali fibrosi o filamentosì o materiali preimpregnati diversi da quelli specificati in 1C010.a., b. o e., come segue: Nota: in 1C210 i materiali fibrosi o filamentosì sono limitati a monofilamenti, filati, fasci di fibre, cavi, o nastri continui. 1C216 Acciaio Maraging diverso da quello specificato in 1C116, avente carico di rottura uguale o superiore a 1950 MPa alla temperatura di 293 K (20 °C). Nota: 1C216 non sottopone ad autorizzazione le forme nelle quali tutte le dimensioni lineari siano uguali o inferiori a 75 mm. La frase con un carico di rottura superiore a riguarda l’acciaio Maraging prima o dopo il trattamento termico. 1C225 Boro arricchito in isotopo di boro -10 (10B) oltre al tenore isotopico naturale, come segue: boro elementare, composti, miscele contenenti boro, relativi manufatti, scarti o avanzi di uno dei suddetti elementi. Nota: In 1C225 le miscele contenenti boro includono i materiali caricati di boro. Il tenore isotopico naturale del boro-10 è pari a circa il 18,5 percento in peso (20 percento di atomi). 1C226 Tungsteno, carburo di tungsteno e leghe di tungsteno contenenti in peso più del 90 % di tungsteno, diversi da quelli specificati da 1C117, aventi entrambe le caratteristiche seguenti: Nota: 1C226 non sottopone ad autorizzazione manufatti appositamente progettati per essere utilizzati come contrappesi o collimatori a raggi gamma. 1C227 Calcio avente entrambe le caratteristiche seguenti: 1C228 Magnesio avente entrambe le caratteristiche seguenti: 1C229 Bismuto avente tutte le caratteristiche seguenti: 1C230 Berillio metallo, leghe contenenti in peso più del 50 % di berillio, composti di berillio, relativi manufatti e scarti o avanzi di uno dei suddetti elementi, diversi da quelli specificati nell’elenco dei materiali di armamento. N.B.: CFR. ANCHE ELENCO DEI MATERIALI DI ARMAMENTO. Nota: 1C230 non sottopone ad autorizzazione le sostanze e i prodotti seguenti: 1C231 Afnio metallo, leghe contenenti in peso più del 60 % di afnio, composti di afnio contenenti in peso più del 60 % di afnio, relativi manufatti e scarti o avanzi di uno dei suddetti elementi. 1C232 Elio-3 (3He) miscele contenenti elio-3 e prodotti o dispositivi contenenti uno dei suddetti elementi. Nota: 1C232 non sottopone ad autorizzazione prodotti o dispositivi contenenti meno di 1 g di elio-3. 1C233 Litio arricchito in isotopo litio 6 (6Li) con tenore isotopico superiore a quello naturale e prodotti o dispositivi contenenti litio arricchito, come segue: litio elementare, leghe, composti, miscele contenenti litio, relativi manufatti e scarti o avanzi di uno dei suddetti elementi. Nota: 1C233 non sottopone ad autorizzazione dosimetri termoluminescenti. Il tenore isotopico naturale del litio 6 è pari a circa il 6,5 percento in peso (7,5 percento di atomi). 1C234 Zirconio con un contenuto di afnio inferiore a 1/500 in peso come segue: metallo, leghe contenenti più del 50 % di zirconio in peso, composti, loro manufatti e scarti o avanzi di uno dei suddetti elementi, diversi da quelli specificati in 0A001.f. Nota: 1C234 non sottopone ad autorizzazione zirconio in lamine aventi spessore uguale o inferiore a 0,10 mm. 1C235 Trizio, composti e miscele contenenti trizio nei quali il rapporto in atomi trizio/idrogeno è superiore a 1/1000, e prodotti o dispositivi contenenti uno dei suddetti elementi. Nota: 1C235 non sottopone ad autorizzazione prodotti o dispositivi contenenti meno di 1,48 × 103 GBq (40 Ci) di trizio. 1C236 Radionuclidì appropriati per creare fonti di neutroni in base a una reazione alfa-n, diversi da quelli specificati in 0C001 e 1C012.a., nelle seguenti forme: Nota: 1C236 non sottopone ad autorizzazione prodotti o dispositivi contenenti meno di 3,7 GBq (100 millicurie) di attività. In 1C 236 si intende per radionuclidì: 1C237 Radio-226 (226Ra), leghe di radio-226, composti di radio-226, miscele contenenti radio-226, relativi manufatti e prodotti o dispositivi contenenti uno degli elementi summenzionati. Nota: 1C237 non sottopone ad autorizzazione i prodotti seguenti: 1C238 Trifluoruro di cloro (ClF3). 1C239 Esplosivi ad alto potenziale, diversi da quelli specificati nell’elenco dei materiali di armamento, o sostanze o miscele contenenti più del 2 % in peso di qualsiasi esplosivo con densità dei cristalli superiore a 1,8 g/cm3 ed aventi una velocità di detonazione superiore a 8000 m/s. 1C240 Polvere di nichelio e nichelio metallo poroso, diversi da quelli specificati in 0C005, come segue: Nota: 1C240 non sottopone ad autorizzazione: 1C240.b. fa riferimento al metallo poroso fabbricato tramite compattazione e sinterizzazione dei materiali in 1C240.a. per formare un materiale metallico con pori di piccole dimensioni comunicanti in tutta la struttura. 1C241 Renio e leghe contenenti il 90 % o più in peso di renio; e leghe di renio e tungsteno contenenti il 90 % in peso o più di qualsiasi combinazione di renio e tungsteno, aventi tutte le seguenti caratteristiche: 1C350 Prodotti chimici, che possono essere utilizzati come precursori per agenti tossicologici, come segue e miscele chimiche contenenti una o più delle seguenti sostanze: N.B.: CFR. ANCHE ELENCO DEI MATERIALI DI ARMAMENTO E 1C450. Nota 1: Per le esportazioni verso gli Stati che non aderiscono alla convenzione sulle armi chimiche, 1C350 non sottopone ad autorizzazione le miscele chimiche contenenti una o più delle sostanze chimiche specificate alle voci 1C350.1, .3, .5, .11, .12, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36, .54, .55, .56, .57 e.63 nelle quali nessuna sostanza chimica singolarmente specificata costituisce più del 10 % in peso della miscela. Nota 2: Per le esportazioni verso gli Stati che aderiscono alla convenzione sulle armi chimiche, 1C350 non sottopone ad autorizzazione le miscele chimiche contenenti una o più delle sostanze chimiche specificate alle voci 1C350.1., .3., .5., .11., .12., .13., .17., .18., .21., .22., .26., .27., .28., .31., .32., .33., .34., .35., .36., .54., .55., .56., .57. e.63. nelle quali nessuna sostanza chimica singolarmente specificata costituisce più del 30 % in peso della miscela. Nota 3: 1C350 non sottopone ad autorizzazione le miscele chimiche contenenti una o più delle sostanze chimiche specificate alle voci 1C350.2., .6., .7., .8., .9., .10., .14., .15., .16., .19., .20., .24., .25., .30., .37., .38., .39., .40., .41., .42., .43., .44., .45., .46., .47., .48., .49., .50., .51., .52., .53., .58., .59., .60., .6.1 e .62. nelle quali nessuna sostanza chimica singolarmente specificata costituisce più del 30 % in peso della miscela. Nota 4: 1C350 non sottopone ad autorizzazione i prodotti identificati come beni di consumo imballati per la vendita al dettaglio ad uso personale o imballati per uso individuale. 1C351 Agenti patogeni per gli animali e l’uomo e tossine, come segue: Nota: 1C351 non sottopone ad autorizzazione i vaccini o le immunotossine. 1C352 Non utilizzato. 1C353 Elementi genetici e organismi geneticamente modificati, come segue: Gli organismi geneticamente modificati (OGM) comprendono gli organismi il cui materiale genetico (le sequenze di acidi nucleici) è stato modificato in modo diverso da quanto avviene in natura con l’accoppiamento e/o la ricombinazione genetica naturale, e includono quelli prodotti artificialmente in tutto o in parte. Gli elementi genetici includono, tra l’altro, cromosomi, genomi, plasmidi, trasposoni e vettori geneticamente modificati o non geneticamente modificati, o di sintesi chimica, in tutto o in parte. Per sequenze di acido nucleico associate alla patogenicità dei microrganismi specificati in 1C351.a., 1C351.c., 1C351.e. o 1C354 si intende una qualsiasi sequenza propria del microrganismo specificato che: Nota: 1C353 non sottopone ad autorizzazione le sequenze di acido nucleico associate alla patogenicità da Escherichia coli enteromorragica, serotipo 0157 e ad altri ceppi produttori di verotossine diverse da quelle che codificano la verotossina o le relative sottounità. 1C354 Agenti fitopatogeni per le piante, come segue: 1C450 Prodotti chimici tossici e precursori di prodotti chimici tossici, come segue: N.B.: CFR. ANCHE 1C350, 1C351.d. E ELENCO DEI MATERIALI DI ARMAMENTO.

1C Nota tecnica: a.

1C materiali forgiati o lavorati ottenuti mediante laminazione, stiratura, estrusione, fucinatura, estrusione per urto, stampaggio, granitura, atomizzazione e molatura, cioè: angoli, profilati ad U, pezzi circolari, dischi, polveri, pagliuzze, lamine e foglie, fucinati, lamiere, polveri impalpabili, stampati e imbutiti, nastri, anelli, aste (compresi bacchette nude per saldatura, tondini e fili laminati), profilati, sagomati, fogli, reggette, tubi (anche tondi, quadri e concavi), fili trafilati e fili estrusi;

getti colati in forme di sabbia, conchiglie, forme di metallo, di gesso e di altro tipo, comprese colate ad alta pressione, forme sinterizzate e forme ottenute mediante procedimenti di metallurgia delle polveri.

materiali per l’assorbimento di frequenze superiori a 2 × 108 Hz e inferiori a 3 × 1012 Hz; Nota 1: 1C001.a. non sottopone ad autorizzazione: Nota 2: I materiali magnetici assorbenti, quando contenuti nelle vernici, non godono dell’esclusione dall’autorizzazione di cui alla nota 1 dell’1C001.a.

a.

materiali assorbenti di tipo filiforme costituiti da fibre naturali o sintetiche, a carica non magnetica per consentire l’assorbimento;

b.

materiali assorbenti senza perdita magnetica e con superficie incidente non planare, comprendenti piramidi, coni, prismi e superfici spiraliformi;

c.

materiali assorbenti di tipo planare, aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. Nota tecnica:

costituiti da almeno uno dei materiali seguenti: I campioni per le prove di assorbimento in 1C00 1.a. Nota: 1.c.1. dovranno essere di forma quadrata con un lato di almeno 5 lunghezze d’onda della frequenza centrale situati lontano dal campo prodotto dalla sorgente radiante.

1. a.

materiali in schiuma plastica (flessibili o non flessibili) a carica di carbonio, o materiali organici, compresi i leganti, in grado di produrre una eco superiore al 5 % dell’eco del metallo su larghezza di banda superiore al ± 15 % della frequenza centrale dell’energia incidente e non in grado di resistere a temperature superiori a 450 K (177 °C); o

materiali ceramici in grado di produrre una eco superiore al 20 % dell’eco del metallo su larghezza di banda superiore al ± 15 % della frequenza centrale dell’energia incidente e non in grado di resistere a temperature superiori a 800 K (527 °C);

2. resistenza alla trazione inferiore a 7 × 106 N/m2; e

3. resistenza alla compressione inferiore a 14 × 106 N/m2;

d.

materiali assorbenti di tipo planare costituiti da ferrite sinterizzata, aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. gravità specifica superiore a 4,4; e

2. temperatura massima di funzionamento di 548 K (275 °C).

1C001 materiali per l’assorbimento di frequenze superiori a 1,5 × 1014 Hz e inferiori a 3,7 × 1014 Hze non trasparenti nel dominio visibile; Nota: 1C 001.b. non sottopone ad autorizzazione i materiali appositamente progettati o formulati per una delle applicazioni seguenti:

a.

marcatura laser di polimeri; o

b.

saldatura laser di polimeri.

c. Nota tecnica:

materiali polimerici intrinsecamente conduttivi con conduttività elettrica di volume superiore a 10000 S/m (Siemens per metro) o resistività superficiale inferiore a 100 ohm/quadrato, basati su uno qualsiasi dei polimeri seguenti: Nota: 1C001.c. non sottopone ad autorizzazione i materiali in forma liquida. La conduttività elettrica di volume e la resistività superficiale sono determinate con l’ausilio della norma ASTM D-257 o norme nazionali equivalenti.

1. polianilina;

2. polipirrolo;

3. politiofene;

4. poli fenilene-vinilene; o

5. poli tienilene-vinilene.

1C Nota tecnica: Note tecniche: 1.2.3. a.

alluminuri, come segue:

1. alluminuri di nichelio contenenti in peso almeno il 15 % e non oltre il 38 % di alluminio e almeno un elemento di lega supplementare;

2. alluminuri di titanio contenenti in peso il 10 % o più di alluminio e almeno un elemento di lega supplementare;

leghe metalliche costituite da polveri o particelle specificate in 1C002.c., come segue:

1. leghe di nichelio aventi una delle caratteristiche seguenti:

1. a.

vita fino alla rottura sotto sforzo di 10000 ore o più alla temperatura di 923 K (650 °C) e sotto un carico di 676 MPa; o

resistenza alla fatica oligociclicà di 10000 cicli o più alla temperatura di 823 K (550 °C) e sotto un carico massimo di 1095 MPa;

2. 1C002 b. leghe di niobio aventi una delle caratteristiche seguenti:

2. a.

vita fino alla rottura sotto sforzo di 10000 ore o più alla temperatura di 1073 K (800 °C) e sotto un carico di 400 MPa; o

resistenza alla fatica oligociclicà di 10000 cicli o più alla temperatura di 973 K (700 °C) e sotto un carico massimo di 700 MPa;

3. leghe di titanio aventi una delle caratteristiche seguenti:

3. a.

vita fino alla rottura sotto sforzo di 10000 ore o più alla temperatura di 723 K (450 °C) e sotto un carico di 200 MPa; o

resistenza alla fatica oligociclicà di 10000 cicli o più alla temperatura di 723 K (450 °C) e sotto un carico massimo di 400 MPa;

4. leghe di alluminio aventi una delle caratteristiche seguenti:

4. a.

resistenza alla trazione uguale o superiore a 240 MPa alla temperatura di 473 K (200 °C); o

resistenza alla trazione uguale o superiore a 415 MPa alla temperatura di 298 K (25 °C);

5. leghe di magnesio aventi una delle caratteristiche seguenti:

5. a.

resistenza alla trazione uguale o superiore a 345 MPa; e

tasso di corrosione inferiore a 1 mm/anno in una soluzione acquosa di cloruro di sodio al 3 % misurato conformemente alla norma ASTM G-31 o norme nazionali equivalenti;

polveri o particelle di leghe metalliche aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. Nota tecnica:

costituite da uno dei sistemi di composizione seguenti: Nelle formule che seguono X = uno o più elementi della lega.

leghe di nichelio (Ni-Al-X, Ni-X-Al), qualificate per parti o componenti di motori a turbina, cioè con meno di 3 particelle non metalliche (introdotte nel corso del processo di fabbricazione) con dimensioni superiori a 100 μm per 109 particelle di lega;

leghe di niobio (Nb-Al-X o Nb-X-Al, Nb-Si-X o Nb-X-Si, Nb-Ti-X o Nb-X-Ti);

leghe di titanio (Ti-Al-X o Ti-X-Al);

leghe di alluminio (Al-Mg-X o Al-X-Mg, Al-Zn-X o Al-X-Zn, Al-Fe-X o Al-X-Fe); o

leghe di magnesio (Mg-Al-X o Mg-X-Al);

2. ottenute in ambiente controllato con uno dei processi seguenti:

2. a.

atomizzazione sottovuoto;

atomizzazione a gas;

atomizzazione centrifuga;

tempra rapida;

tempra su cilindro e polverizzazione;

estrazione in fusione e polverizzazione; o

lega meccanica; e

3. in grado di formare i materiali specificati in 1C002.a. o 1C002.b.

1C002 materiali legati aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. costituiti da uno dei sistemi di composizione specificati in 1C002.c.1.;

2. sotto forma di pagliuzze, nastri o bacchette sottili, non polverizzati; e

3. ottenuti in ambiente controllato con uno dei processi seguenti:

3. a.

tempra rapida;

tempra su cilindro; o

estrazione in fusione.

a. Nota tecnica:

permeabilità iniziale relativa di 120000 o più e spessore di 0,05 mm o inferiore; La misura della permeabilità iniziale relativa deve essere effettuata sui materiali dopo completa ricottura.

leghe magnetostrittive aventi una delle caratteristiche seguenti:

1. magnetostrizione di saturazione superiore a 5×10-4, o

2. fattore di accoppiamento magnetomeccanico (k) superiore a 0,8; o

c. Nota tecnica:

strisce di leghe amorfe o nanocristalline aventi tutte le caratteristiche seguenti: I materiali nanocristallinì di cui all’1.C003.c. sono materiali aventi una grana cristallina uguale o inferiore a 50 nm, determinata mediante diffrazione di raggi X.

1. composizione avente almeno il 75 % in peso di ferro, cobalto o nichelio;

2. induzione magnetica di saturazione (Bs) di 1,6 T o superiore; e

3. una delle caratteristiche seguenti:

3. a.

spessore della striscia di 0,02 mm o inferiore; o

resistività elettrica di 2 × 10-4 ohm cm o superiore.

densità superiore a 17,5 g/cm3;

limite di elasticità superiore a 880 MPa;

carico di rottura superiore a 1270 MPa; e

allungamento superiore all’8 %.

conduttori compositi superconduttori contenenti uno o più filamentì al niobio-titanio, aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. integrati in una matrice diversa da una matrice di rame o da una matrice mista a base di rame; e

2. aventi area della sezione trasversale inferiore a 0,28 × 10-4 mm2 (6 μm di diametro per i filamentì circolari);

1C005 conduttori compositi superconduttori costituiti da uno o più filamenti superconduttori diversi dal niobio-titanio aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. temperatura critica, ad induzione magnetica nulla, superiore a 9,85 K (-263,31 °C), e

2. mantenimento dello stato superconduttore ad una temperatura di 4,2 K (-268,96 °C), quando esposti ad un campo magnetico orientato in qualsiasi direzione perpendicolare all’asse longitudinale del conduttore e corrispondente a una induzione magnetica di 12 T con densità di corrente critica superiore a 1750 A/mm2sulla sezione trasversale totale del conduttore;

conduttori compositi superconduttori costituiti da uno o più filamentì superconduttorì che mantengono lo stato superconduttore a una temperatura superiore a 115 K (-158,16 °C).

1C Nota tecnica: Note tecniche: 1.2.3. Nota tecnica: a.

fluidi idraulici che contengono come ingredienti principali uno dei composti o delle sostanze seguenti:

1. Nota tecnica:

oli di idrocarburi al silicone sintetici aventi tutte le caratteristiche seguenti: Ai fini di 1C006.a.1., gli oli di idrocarburi al silicone contengono esclusivamente silicio, idrogeno e carbonio.

punto di infiammabilità superiore a 477 K (204 °C);

punto di scorrimento a 239 K (- 34 °C) o inferiore;

indice di viscosità di 75 o superiore; e

stabilità termicà a 616 K (343 °C); o

2. Nota tecnica:

clorofluorocarburì con: Ai fini di 1C006.a.2., i clorofluorocarburì contengono esclusivamente carbonio, fluoro e cloro.

nessun punto di infiammabilità;

temperatura di autoaccensione superiore a 977 K (704 °C);

punto di scorrimento a 219 K (- 54 °C) o inferiore;

indice di viscosità di 80 o superiore; e

punto di ebollizione a 473 K (200 °C) o superiore;

sostanze lubrificanti contenenti come ingredienti principali uno dei composti o sostanze seguenti:

1. eteri o tio-eteri di fenilene o di alchilfenilene o loro miscele contenenti più di due funzioni etere o tio-etere o loro miscele; o

2. fluidi fluorurati al silicone, aventi viscosità cinematica, misurata a 298 K (25 °C), inferiore a 5000 mm2/s (5000 centistokes);

1C006 fluidi di ammortizzamento o di flottazione aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. purezza superiore al 99,8 %;

2. contenenti meno di 25 particelle di dimensione uguale o superiore a 200 μm per 100 ml; e

3. costituiti per l’85 % almeno di uno dei seguenti:

3. a.

dibromotetrafluoroetano (CAS 25497-30-7, 124-73-2, 27336-23-8);

policlorotrifluoroetilene (solo modificazioni oleose e cerose); o

polibromotrifluoroetilene;

fluidi di raffreddamento ai fluorocarburi per parti elettroniche, aventi tutte le caratteristiche seguenti: Nota: 1C006.d. non sottopone ad autorizzazione i materiali specificati e confezionati come prodotti medici.

1. contenuto in peso pari all’85 % o più di uno degli elementi seguenti o loro miscele:

1. a.

forme monomeriche di perfluoropolialchiletertriazine o perfluoro-eteri-alifatici;

perfluoroalchilammine;

perfluorocicloalcani; o

perfluoroalcani;

2. densità uguale o superiore a 1,5 g/ml a 298 K (25 °C);

3. stato liquido a 273 K (0 °C); e

4. contenuto in peso del 60 % o più di fluoro.

1C Nota tecnica: Note tecniche: 1.2.3. Nota tecnica: Nota tecnica:

1. il punto di infiammabilità è determinato con il metodo Cleveland a vaso aperto, indicato nella norma ASTM D-92 o norme nazionali equivalenti;

2. il punto di scorrimento è determinato con il metodo descritto nella norma ASTM D-97 o norme nazionali equivalenti;

3. lindice di viscosità è determinato con il metodo descritto nella norma ASTM D-2270 o norme nazionali equivalenti;

4. la stabilità termicà è determinata con la procedura di prova seguente o con altre procedure nazionali equivalenti: 20 ml di fluido da provare sono introdotti in una camera d’acciaio inossidabile tipo 317 di 46 ml contenente una sfera di ciascuno dei materiali seguenti: acciaio per utensili M-10, acciaio 52100 e bronzo di qualità marina (60 % Cu, 39 % Zn, 0,75 % Sn), ciascuna sfera con diametro (nominale) di 12,5 mm. La camera è pulita con azoto, sigillata alla pressione atmosferica e la temperatura viene portata a 644 K ± 6 K (371 ± 6 °C) e mantenuta a questo livello per 6 ore. Il campione è considerato termicamente stabile se al termine del processo sopra descritto sono verificate tutte le condizioni seguenti:

4. a.

la perdita di peso di ciascuna sfera è inferiore a 10 mg/mm2 della superficie della sfera;

la diminuzione della viscosità iniziale, stabilita a 311 K (38 °C), è inferiore al 25 %; e

l’indice di basicità o di acidità totale è inferiore a 0,40;

5. la temperatura di autoaccensione è determinata con il metodo descritto nella norma ASTM E-659 o norme nazionali equivalenti.

materiali di base di boruri di titanio semplici o complessi, aventi impurità metalliche totali, non comprese le aggiunte intenzionali, minori di 5000 ppm, dimensione media della particella uguale o inferiore a 5 μm e non più del 10 % di particelle superiori a 10 μm;

materiali ceramici non compositi, sotto forma grezza o semilavorata, composti di boruri di titanio con densità uguale o superiore al 98 % del valore teorico; Nota: 1C007.b. non sottopone ad autorizzazione gli abrasivi.

materiali compositi ceramica-ceramica, a matrice di vetro o di ossido, rinforzati con fibre aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. costituiti da uno dei seguenti materiali:

1. a.

Si-N;

Si-C;

Si-AI-O-N; o

Si-O-N; e

2. con un carico di rottura specifico superiore a 12,7 × 103 m;

materiali compositi ceramica-ceramica, con o senza fase metallica continua, contenenti particelle, materiale filiforme o fibre nei quali i carburi o i nitruri di silicio, di zirconio o di boro costituiscono la matrice;

materiali precursori (cioè materiali speciali polimerici o metallo-organici) per la produzione di qualsiasi fase o fasi di materiali specificati in 1C007.c., come segue:

1. polidiorganosilani (per la produzione di carburo di silicio);

2. polisilazani (per la produzione di nitruro di silicio);

3. policarbosilazani (per la produzione di ceramiche comprendenti componenti di silicio, di carbonio e di azoto);

materiali compositi ceramica-ceramica a matrice di vetro o di ossido, rinforzati con fibre continue corrispondenti a uno dei sistemi seguenti: Nota: 1C007.f. non sottopone ad autorizzazione i materiali compositi contenenti fibre corrispondenti a detti sistemi con un carico di rottura specifico della fibra inferiore a 700 MPa a 1273 K (1000 °C) o una resistenza allo scorrimento della fibra superiore all’1 % dell’allungamento da scorrimento ad un carico di 100 MPa e ad una temperatura di 1273 K (1000 °C) per un periodo di 100 ore.

1. Al2O3 (CAS 1344-28-1); o

2. Si-C-N.

immidi, come segue: Nota: 1C008.a. sottopone ad autorizzazione le sostanze in forma fusibile liquida o solida, incluse resine, polveri, palline, pellicole, fogli, nastri o strisce. N.B.: Per le poliimmidi aromatiche non fusibili sotto forma di pellicole, fogli, nastri o strisce vedere 1A003.

1. bismaleimmidi;

2. poliammidi-immidi aromatiche (PAI) aventi temperatura di transizione vetrosa (Tg) superiore a 563 K (290 °C);

3. poliimmidi aromatiche aventi temperatura di transizione vetrosa (Tg) superiore a 505 K (232 °C);

4. 1C008 a. polieteriimmidi aromatiche aventi temperatura di transizione vetrosa (Tg) superiore a 563 K (290 °C);

copolimeri cristalli liquidi termoplastici aventi una temperatura di distorsione superiore a 523 K (250 °C) misurata in conformità alla norma ISO 75-2 (2004), metodo A o norme nazionali equivalenti, sotto un carico di 1,80 N/mm2, e composti da:

1. uno dei composti seguenti:

1. a.

fenilene, bifenilene o naftalene; o

metile, butile terziario o fenile sostituiti al fenilene, bifenilene o naftalene; e

2. uno degli acidi seguenti:

2. a.

acido tereftalico (CAS 100-21-0);

acido 6-idrossi-2- naftoico (CAS 16712-64-4); o

acido 4- idrossibenzoico (CAS 99-96-7);

non utilizzato;

poliarilene chetoni;

poliarilene solfuri, dove il gruppo arilene è costituito da bifenilene, trifenilene o una loro combinazione;

polibifenilenetere solfone avente temperatura di transizione vetrosa (Tg) superiore a 563 K (290 °C).

1C Nota tecnica: Note tecniche: 1.2.3. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: 1.2. a.

copolimeri di fluoruro di vinilidene aventi struttura cristallina beta del 75 % o più senza stiramento;

poliimmidi fluorurate, contenenti in peso 10 % o più di fluoro combinato;

elastomeri di fosfazene fluorurato, contenenti 30 % o più in peso di fluoro combinato.

materiali fibrosi o filamentosi organici aventi entrambe le caratteristiche seguenti: Nota: 1C010.a. non sottopone ad autorizzazione il polietilene.

1. modulo specifico superiore a 12,7 × 106 m; e

2. carico di rottura specifico superiore a 23,5 × 104 m;

1C010 materiali fibrosi o filamentosi al carbonio, aventi tutte le caratteristiche seguenti: Nota: 1C010.b. non sottopone ad autorizzazione:

1. modulo specifico superiore a 14,65 × 106 m; e

2. carico di rottura specifico superiore a 26,82 × 104 m;

a.

materiali fibrosi o filamentosi per la riparazione di prodotti laminati o di strutture di aeromobili civili, aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. area non superiore a 1 m2;

2. lunghezza non superiore a 2,5 m; e

3. larghezza superiore a 15 mm.

b.

materiali fibrosi o filamentosi al carbonio affettati, fresati o tagliati meccanicamente, di lunghezza uguale o inferiore a 25 mm.

materiali fibrosi o filamentosi inorganici aventi tutte le caratteristiche seguenti: Nota: 1C010.c. non sottopone ad autorizzazione:

1. modulo specifico superiore a 2,54 × 106 m; e

2. punto di fusione, rammollimento, decomposizione o sublimazione superiore a 1922 K (1649 °C) in ambiente inerte;

a.

le fibre di allumina policristalline, polifasate e discontinue, a forma di fibre tagliate o di piastre irregolari, contenenti il 3 % o più in peso di silice ed aventi modulo specifico inferiore a 10 × 106 m;

b.

le fibre di molibdeno e leghe di molibdeno;

c.

le fibre di boro;

d.

le fibre di ceramiche discontinue il cui punto di fusione, rammollimento, decomposizione o sublimazione in ambiente inerte è inferiore a 2043 K (1770 °C);

1C Nota tecnica: Note tecniche: 1.2.3. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: 1.2. Note tecniche: 1.2. d.

materiali fibrosi o filamentosi aventi una delle caratteristiche seguenti:

1. costituiti da uno degli elementi seguenti:

1. a.

polieteriimmidi specificate in 1C008.a.; o

materiali specificati in 1C008.b., fino a 1C008.f.; o

2. costituiti da materiali specificati in 1C010.d.1.a. o 1C010.d.1.b. e miscelati con altre fibre specificate in 1C010.a., 1C010.b. o 1C010.c.;

e. Nota tecnica:

1C010 materiali fibrosi o filamentosi completamente o parzialmente impregnati di resina o di catrame (preimpregnati), materiali fibrosi o filamentosi rivestiti di metallo o di carbonio (preformati) o preformati di fibre di carbonio, aventi tutte le caratteristiche seguenti: Nota 1: I materiali fibrosi o filamentosi rivestiti di metallo o di carbonio (preformati) o i preformati di fibre di carbonio, non impregnati di resina o di catrame, sono specificati da materiali fibrosi o filamentosi in 1C010.a., 1C010.b. o 1C010.c. Nota 2: 1C010.e. non sottopone ad autorizzazione: La temperatura di transizione vetrosa per analisi meccanica dinamica (DMA Tg) dei materiali specificati da 1C010.e. è determinata con il metodo descritto nella norma ASTM D-702807, o norma nazionale equivalente, su un campione asciutto. Nel caso dei materiali termoindurenti, il grado di indurimento di un campione asciutto deve essere almeno del 90 % quale definito dalla norma ASTM E 2160-04 o norma nazionale equivalente.

1. aventi una delle caratteristiche seguenti:

1. a.

materiali fibrosi o filamentosi inorganici specificati in 1C010.c.; o

materiali fibrosi o filamentosi organici o al carbonio, aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. modulo specifico superiore a 10,15 × 106 m; e

2. carico di rottura specifico superiore a 17,7 × 104 m; e

2. aventi una delle caratteristiche seguenti:

2. a.

resina o catrame specificati in 1C008 o 1C009.b.;

temperatura di transizione vetrosa per analisi meccanica dinamica (DMA Tg) uguale o superiore a 453 K (180 °C) e con resina fenolica; o

temperatura di transizione vetrosa per analisi meccanica dinamica (DMA Tg) uguale o superiore a 505 K (232 °C) e con una resina o un catrame non specificati in 1C008 o 1C009.b. e che non è resina fenolica;

a.

i materiali fibrosi o filamentosi al carbonio impregnati in una matrice di resina epossidica (preimpregnati) per la riparazione di prodotti laminati o di strutture di aeromobili civili, aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. area non superiore a 1 m2;

2. lunghezza non superiore a 2,5 m; e

3. larghezza superiore a 15 mm.

b.

materiali fibrosi o filamentosi al carbonio affettati, fresati o tagliati meccanicamente, di lunghezza uguale o inferiore a 25,0 mm, completamente o parzialmente impregnati di resina o di catrame. quando utilizzano resina o catrame diversi da quelli specificati da 1C008 o 1C009.b.

a. 1C011 a.Nota tecnica:

metalli con particelle di dimensioni inferiori a 60 μm di forma sferica, atomizzata, sferoidale, in scaglie o macinate, ricavate da materiali costituiti per il 99 % o più di zirconio, magnesio e loro leghe; Il contenuto naturale di afnio nello zirconio (normalmente dal 2 % al 7 %) è conteggiato con lo zirconio. Nota: I metalli o le leghe in 1C011.a. sono sottoposti ad autorizzazione indipendentemente dal fatto che siano incapsulati in alluminio, magnesio, zirconio o berillio.

boro o leghe di boro aventi particelle di dimensioni uguali o inferiori a 60 μm, come segue: Nota: I metalli o le leghe in 1C011.b. sono sottoposti ad autorizzazione indipendentemente dal fatto che siano incapsulati in alluminio, magnesio, zirconio o berillio.

1. boro con un grado di purezza pari o superiore all’85 % in peso;

2. leghe di boro con un tenore di boro pari o superiore all’85 % in peso;

nitrato di guanidina (CAS 506-93-4);

nitroguanidina (NQ) (CAS 556-88-7).

1C Nota tecnica: Note tecniche: 1.2.3. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: 1.2. Note tecniche: 1.2. Nota tecnica: a.

plutonio sotto qualsiasi forma, con tenore isotopico di plutonio 238 maggiore del 50 % in peso; Nota: 1C012.a. non sottopone ad autorizzazione:

a.

le spedizioni contenenti un grammo di plutonio o meno;

b.

le spedizioni contenenti tre grammi effettivi o meno se contenuti in un componente sensibile di strumenti.

nettunio 237 precedentemente separato sotto qualsiasi forma. Nota: 1C012.b. non sottopone ad autorizzazione le spedizioni contenenti un grammo di nettunio 237 o meno.

materiali strutturali e rivestimenti appositamente progettati per ridurre la riflettività radar;

rivestimenti, incluse le vernici, appositamente progettati per ridurre o adattare opportunamente la capacità di emissione o di riflessione negli spettri a microonde, infrarosso o ultravioletto dello spettro elettromagnetico.

1C Nota tecnica: Note tecniche: 1.2.3. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: 1.2. Note tecniche: 1.2. Nota tecnica: Nota tecnica: a.

grafiti a grani fini con densità di massa uguale o superiore a 1,72 g/cm3 misurata a 288 K (15 °C) ed aventi una dimensione dei grani uguale o inferiore a 100 μm, utilizzabili per ugelli di razzi e per punte di ogive di veicoli di rientro, che possono essere lavorate in uno dei seguenti prodotti: N.B.: Cfr. anche 0C004

1. cilindri aventi diametro uguale o superiore a 120 mm e lunghezza uguale o superiore a 50 mm;

2. tubi aventi diametro interno uguale o superiore a 65 mm, spessore di parete uguale o superiore a 25 mm e lunghezza uguale o superiore a 50 mm; o

3. blocchi di dimensioni pari o superiori a 120 mm × 120 mm × 50 mm;

grafiti ottenute per pirolisi o grafiti rinforzate con fibre, utilizzabili per ugelli di motori a razzo e per punte di ogive di veicoli di rientro utilizzabili in missili, veicoli di lancio nello spazio specificati in 9A004 o razzi sonda specificati in 9A104; N.B.: Cfr. anche 0C004

materiali ceramici compositi (con costante dielettrica inferiore a 6 per frequenze comprese tra 100 MHz e 100 GHz), per l’uso in cupole di protezione di antenne (radome) utilizzabili in missili, veicoli di lancio nello spazio specificati in 9A004 o razzi sonda specificati in 9A104;

ceramiche rinforzate al carburo di silicio non ossidate lavorabili a macchina utilizzabili per punte di ogive utilizzabili in missili, veicoli di lancio nello spazio specificati in 9A004 o razzi sonda specificati in 9A104;

materiali ceramici compositi rinforzati al carburo di silicio utilizzabili per punte di ogive, veicoli di rientro e alette di ogive utilizzabili in missili, veicoli di lancio nello spazio specificati in 9A004 o razzi sonda specificati in 9A104.

sostanze propulsive:

1. Nota tecnica:

polvere sferica o sferoidale di alluminio, diversa da quella specificata nell’elenco dei materiali di armamento, con particelle di dimensione inferiore a 200 μm e contenuto di alluminio in peso uguale o superiore al 97 % se almeno il 10 % del peso totale è costituito di particelle di diametro inferiore a 63 μm conformemente alla norma ISO 2591:1988 o a norme nazionali equivalenti; Una dimensione di particella di 63 μm (ISO R-565) corrisponde a una rete a maglia fitta 250 (Tyler) o 230 (ASTM E-11).

2. Polveri di metalli, diverse da quelle specificate nell’elenco dei materiali di armamento, come segue: Nota: 1C111a.2.a. e 1C111a.2.b. sottopongono ad autorizzazione le miscele di polveri con una distribuzione multimodale delle particelle (per esempio le miscele con grane differenti) se una o più modalità sono sottoposte ad autorizzazione.

2. a. Nota tecnica:

polveri di metallo di zirconio, berillio o magnesio, o leghe di questi metalli, se almeno il 90 % del totale delle particelle in volume o in peso delle particelle è costituito da particelle di dimensioni inferiori a 60 μm (determinate mediante tecniche di misurazione quali utilizzo di un setaccio, diffrazione mediante laser o scansione ottica), di forma sferica, atomizzata, sferoidale, in scaglie o macinate, costituite per il 97 % o più in peso da uno degli elementi seguenti: Il contenuto naturale di afnio nello zirconio (normalmente dal 2 % al 7 %) è conteggiato con lo zirconio.

1. zirconio,

2. berillio; o

3. magnesio;

1C111 a. 2. polveri di metallo di boro o leghe di boro con un contenuto pari o superiore all’85 % di boro in peso, se almeno il 90 % del totale delle particelle in volume o in peso delle particelle è costituito da particelle di dimensioni inferiori a 60 μm (determinate mediante tecniche di misurazione quali utilizzo di un setaccio, diffrazione mediante laser o scansione ottica), di forma sferica, atomizzata, sferoidale, in scaglie o macinate;

3. sostanze ossidanti utilizzabili per motori a razzo a propellente liquido, come segue:

3. a.

triossido di diazoto (CAS 10544-73-7);

diossido di azoto (CAS 10102-44-0)/tetraossido di diazoto (CAS 10544-72-6);

pentossido di diazoto (CAS 10102-03-1);

d. Nota tecnica:

ossidi misti di azoto (MON); Gli ossidi misti di azoto (MON) sono soluzioni di ossido nitrico (NO) in triossido di diazoto/diossido di azoto (N2O4/NO2) che possono essere utilizzati in sistemi missilistici. Esiste una serie di composizioni che possono essere definite MONi o MONij, dove i e j sono interi che rappresentano la percentuale di ossido di azoto nella miscela (ad esempio MON3 contiene il 3 % di ossido di azoto, MON25 il 25 % di ossido di azoto. Un limite massimo è MON40, 40 % in peso).

per l’acido nitrico fumante rosso inibito (IRFNA), CFR. ELENCO DEI MATERIALI DI ARMAMENTO;

per i composti contenenti fluoro e uno o più alogeni, ossigeno o azoto, CFR. ELENCO DEI MATERIALI DI ARMAMENTO E 1C238;

4. derivati dell’idrazina, come segue: N.B.: CFR. ANCHE ELENCO DEI MATERIALI DI ARMAMENTO.

4. a.

trimetilidrazina (CAS 1741-01-1);

tetrametilidrazina (CAS 6415-12-9);

N,N diallilidrazina;

allilidrazina (CAS 7422-78-8);

etilen-diidrazina;

dinitrato di monometilidrazina;

nitrato di dimetilidrazina asimmetrica;

azide di idrazinio, (CAS 14546-44-2);

azide di dimetilidrazinio;

dinitrato di idrazinio;

diidrazina dell’acido di diimmidoossalico (CAS 3457-37-2);

nitrato di 2-idrossietilidrazina;

per il perclorato di idrazinio, cfr. l’elenco dei materiali di armamento;

diperclorato di idrazinio (CAS 13812-39-0);

1C111 a. 4. nitrato di metilidrazina (MHN);

nitrato di dietilidrazina (DEHN);

nitrato di 3,6-diidrotetrazina (nitrato di 1,4-diidrotetrazina) (DHTN);

5. Nota tecnica:

materiali ad alta densità di energia, diversi da quelli specificati nell’elenco dei materiali di armamento, utilizzabili nei missilì o veicoli aerei senza equipaggio specificati in 9A012; In 1C111.a.5. per missili si intendono sistemi completi a razzo e sistemi di veicoli aerei senza equipaggio con una portata superiore a 300 km.

5. a.

combustibile misto che incorpora combustibili sia solidi che liquidi, quali l’impasto di boro, aventi densità di energia in base alla massa uguale o superiore a 40 × 106 J/kg;

altri combustibili e additivi di combustibili ad alta densità di energia (quali cubano, soluzioni ioniche, JP-10) aventi densità di energia in base al volume uguale o superiore a 37,5 × 109 J/m3, misurata a 20 °C e pressione di un’atmosfera (101,325 kPa); Nota: 1C111.a.5.b. non sottopone ad autorizzazione i combustibili fossili raffinati e biocombustibili derivati da vegetali, inclusi i combustibili per motori omologati per l’uso nell’aviazione civile, a meno che non siano appositamente formulati per i missilì o veicoli aerei senza equipaggio specificati in 9A012.

sostanze polimeriche:

1. polibutadiene con terminali carbossilici (CTPB);

2. polibutadiene con terminali idrossilici (HTPB), diverso da quello specificato nell’elenco dei materiali di armamento;

3. polibutadieneacido acrilico (PBAA);

4. polibutadiene-acido acrilico-acrilonitrile (PBAN);

5. Nota tecnica:

politetraidrofurano-polietilenglicole (TPEG); Il politetraidrofurano-polietilenglicole è un copolimero a blocchi del poli 1,4-butandiolo e polietilenglicole (PEG).

altri additivi e agenti per propellenti:

1. per carborani, decarborani, pentaborani e relativi derivati, CFR. ELENCO DEI MATERIALI DI ARMAMENTO;

2. trietileneglicoldinitrato (TEGDN) (CAS 111-22-8);

3. 2-nitrodifenilammina (CAS 119-75-5);

4. trimetiloletano trinitrato (TMETN, CAS 3032-55-1);

5. dinitrato glicol dietilenico (DEGDN) (CAS 693-21-0);

6. derivati del ferrocene:

6. a.

per il catocene cfr. elenco dei materiali di armamento;

etil-ferrocene, (CAS 1273-89-8);

propil-ferrocene;

1C111 c. 6. per l’n-butil-ferrocene cfr. elenco dei materiali di armamento;

pentil-ferrocene (CAS 1274-00-6);

diciclopentil-ferrocene;

dicicloesil-ferrocene;

dietil-ferrocene (CAS 1273-97-8);

dipropil-ferrocene;

dibutil-ferrocene (CAS 1274-08-04);

diesil-ferrocene (CAS 93894-59-8);

acetil-ferrocene (CAS 1271-55-2)/1,1’-diacetil-ferrocene (CAS 1273 94-5);

per gli acidi carbossilici del ferrocene cfr. elenco dei materiali di armamento;

per il butacene cfr. elenco dei materiali di armamento;

altri derivati del ferrocene utilizzabili come modificatori della velocità di combustione del propellente per razzi, diversi da quelli specificati nell’elenco dei materiali di armamento. Nota: 1C111.c.6.o. non sottopone ad autorizzazione i derivati del ferrocene che contengono un gruppo funzionale aromatico di sei atomi di carbonio legato alla molecola di ferrocene.

7. 4,5 diazidometil-2-metil-1,2,3-triazolo (iso-DAMTR), diverso da quello specificato nell’elenco dei materiali di armamento.

Carico di rottura, misurato alla temperatura di 293 K (20 °C), pari o superiore a:

1. 0,9 GPa nella soluzione allo stato ricotto, o

2. 1,5 GPa nella soluzione in fase di indurimento per precipitazione, e

una delle forme seguenti:

1. fogli, lamiere o tubi con spessore delle lamiere o delle pareti uguale o inferiore a 5,0 mm;

2. forme tubolari con spessore delle pareti uguale o inferiore a 50 mm e con diametro interno uguale o superiore a 270 mm.

1C Nota tecnica: Note tecniche: 1.2.3. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: 1.2. Note tecniche: 1.2. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica 1:

1. generalmente caratterizzate da alto contenuto di nichelio, contenuto molto basso di carbonio e l’uso di elementi sostitutivi o precipitati per ottenere un aumento di resistenza e di durezza per invecchiamento della lega; e

2. sottoposte a cicli di trattamento termico per facilitare il processo di trasformazione martensitico (soluzione allo stato ricotto) e successivamente induriti per invecchiamento (fase di indurimento per precipitazione).

1C Nota tecnica: Note tecniche: 1.2.3. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: 1.2. Note tecniche: 1.2. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica 1: Nota tecnica 2: a.

tungsteno e sue leghe sotto forma di particelle con un tenore di tungsteno uguale o superiore al 97 % in peso e dimensione delle particelle uguale o inferiore a 50 × 10-6 m (50 μm);

molibdeno e sue leghe sotto forma di particelle con un tenore di molibdeno uguale o superiore al 97 % in peso e dimensione delle particelle uguale o inferiore a 50 × 10-6 m (50 μm);

materiali in tungsteno sotto forma solida aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. una delle composizioni seguenti dei materiali:

1. a.

tungsteno e sue leghe, contenenti in peso 97 % o più di tungsteno;

tungsteno infiltrato con rame contenente in peso 80 % o più di tungsteno; o

tungsteno infiltrato con argento contenente in peso 80 % o più di tungsteno; e

2. utilizzabili per fabbricare uno dei prodotti seguenti:

2. a.

cilindri aventi diametro uguale o superiore a 120 mm e lunghezza uguale o superiore a 50 mm;

tubi aventi diametro interno uguale o superiore a 65 mm, spessore di parete uguale o superiore a 25 mm e lunghezza uguale o superiore a 50 mm; o

blocchi di dimensioni uguali o superiori a 120 mm × 120 mm × 50 mm.

1C Nota tecnica: Note tecniche: 1.2.3. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: 1.2. Note tecniche: 1.2. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica 1: Nota tecnica 2: Nota tecnica: a.

avente tutte le caratteristiche seguenti:

1. contenuto di cromo in peso compreso tra 17,0 e 23,0 in percentuale e contenuto di nichel in peso compreso tra 4,5 e 7,0 in percentuale;

2. contenuto di titanio in peso superiore a 0,10 in percentuale; e

3. microstruttura ferritica-austenitica (definita anche come microstruttura a due fasi) contenente almeno il 10 % in volume di austenite (conformemente alla norma ASTM E-1181-87 o a norme nazionali equivalenti); e

avente una delle seguenti forme:

1. lingotti o barre di dimensioni uguali o superiori a 100 mm in ogni dimensione;

2. fogli di larghezza uguale o superiore a 600 mm e spessore uguale o inferiore a 3 mm; o

3. tubi aventi diametro esterno uguale o superiore a 600 mm e spessore di parete uguale o inferiore a 3 mm.

leghe di alluminio aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. carico di rottura uguale o superiore a 460 MPa alla temperatura di 293 K (20 °C); e

2. in forma di tubi o altre forme cilindriche piene (compresi i forgiati) con diametro esterno superiore a 75 mm;

leghe di titanio aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. carico di rottura uguale o superiore a 900 MPa alla temperatura di 293 K (20 °C); e

2. in forma di tubi o altre forme cilindriche piene (compresi i forgiati) con diametro esterno superiore a 75 mm.

1C Nota tecnica: Note tecniche: 1.2.3. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: 1.2. Note tecniche: 1.2. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica 1: Nota tecnica 2: Nota tecnica: Nota tecnica: a.

materiali fibrosi o filamentosì al carbonio o aramidici aventi una delle caratteristiche seguenti: Nota: 1C210.a. non sottopone ad autorizzazione materiali fibrosi o filamentosì aramidici contenenti lo 0,25 % o più in peso di un modificatore di superficie di fibre a base di estere;

1. modulo specifico uguale o superiore a 12,7 × 106 m; o

2. carico di rottura specifico uguale o superiore a 23,5 × 104 m;

materiali fibrosi o filamentosì di vetro aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. modulo specifico uguale o superiore a 3,18 × 106 m, e

2. carico di rottura specifico uguale o superiore a 7,62 × 104 m;

c. Nota tecnica:

filati, fasci di fibre, cavi o nastri continui impregnati di resina termoindurente di larghezza uguale o inferiore a 15 mm (materiali preimpregnati), costituiti dai materiali fibrosi o filamentosi di vetro o di carbonio specificati in 1C210.a. o b. la resina costituisce la matrice del composito.

1C Nota tecnica: Note tecniche: 1.2.3. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: 1.2. Note tecniche: 1.2. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica 1: Nota tecnica 2: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: a.

in forme aventi una simmetria cilindrica della parte cava (compresi segmenti di cilindro) con diametro interno tra 100 mm e 300 mm; e

una massa maggiore di 20 kg.

contenere meno di 1000 parti per milione in peso di impurità metalliche tranne il magnesio; e

contenere meno di 10 parti per milione in peso di boro.

contenere meno di 200 parti per milione in peso di impurità metalliche tranne il calcio; e

contenere meno di 10 parti per milione in peso di boro.

purezza uguale o superiore al 99,99 % in peso; e

contenuto di argento inferiore a 10 ppm (parti per milione) in peso.

finestre di metallo per apparecchiature a raggi X o per dispositivi di profilo stratigrafico dei pozzi;

forme di ossido finite o semilavorate, appositamente progettate per parti di componenti elettronici o come substrati per circuiti elettronici;

berillo (silicato di berillio e alluminio) sotto forma di smeraldi o acquamarine.

1C Nota tecnica: Note tecniche: 1.2.3. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: 1.2. Note tecniche: 1.2. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica 1: Nota tecnica 2: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: a.

elementare;

composti aventi attività totale uguale o superiore a 37 GBq/kg (1 Ci/kg);

miscele aventi attività totale uguale o superiore a 37 GBq/kg (1 Ci/kg);

prodotti o dispositivi contenenti uno degli elementi summenzionati.

attinio-225 (Ac- 225)

attinio-227 (Ac- 227)

californio-253 (Cf-253)

curio-240 (Cm-240)

curio-241 (Cm-241)

curio-242 (Cm-242)

curio-243 (Cm-243)

curio-244 (Cm-244)

einsteinio-253 (Es-253)

einsteinio-254 (Es-254)

gadolinio-148 (Gd-148)

plutonio-236 (Pu-236)

plutonio-238 (Pu-238)

polonio-208 (Po-208)

polonio-209 (Po-209)

polonio-210 (Po-210)

radio-223 (Ra-223)

torio-227 (Th-227)

torio-228 (Th-228)

uranio-230 (U-230)

uranio-232 (U-232)

1C Nota tecnica: Note tecniche: 1.2.3. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: 1.2. Note tecniche: 1.2. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica 1: Nota tecnica 2: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: a.

applicazioni medicali;

prodotti o dispositivi contenenti meno di 0,37 GBq (10 millicurie) di radio-226.

polvere di nichelio avente tutte le caratteristiche seguenti:

1. un contenuto di nichelio puro uguale o superiore al 99,0 % in peso;

2. dimensione media delle particelle inferiore a 10 μm misurata secondo la norma ASTM B330;

nichelio metallo poroso prodotto con materiali specificati in 1C240.a.

polveri di nichelio filamentoso;

fogli singoli di nichelio poroso con area uguale o inferiore a 1000 cm2 per foglio.

1C Nota tecnica: Note tecniche: 1.2.3. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: 1.2. Note tecniche: 1.2. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica 1: Nota tecnica 2: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: a.

in forme aventi una simmetria cilindrica della parte cava (compresi segmenti di cilindro) con diametro interno tra 100 e 300 mm; e

massa superiore a 20 kg.

1. tiodiglicole (111-48-8);

2. ossicloruro di fosforo (10025-87-3);

3. metilfosfonato di dimetile (756-79-6);

4. CFR. L’ELENCO DEI MATERIALI DI ARMAMENTO per il difluoruro di metil-fosfonile (df) (676-99-3);

5. dicloruro di metil-fosfonile (676-97-1);

6. fosfito di dimetile (868-85-9);

7. tricloruro di fosforo (7719-12-2);

8. fosfito di trimetile (121-45-9);

9. cloruro di tionile (7719-09-7);

10. 3-idrossi-1-metilpiperidina (3554-74-3);

11. cloruro di N,N-diisopropile-2-amminoetile (96-79-7);

12. N,N-diisopropile-2-amminoetanetiolo (5842-07-9);

13. 1C350 chinuclidin-3 olo (1619-34-7);

14. fluoruro di potassio (7789-23-3);

15. 2-cloroetanolo (107-07-3);

16. dimetilammina (124-40-3);

17. etilfosfonato di dietile (78-38-6);

18. N,N-dimetilfosforammidato di dietile (2404-03-7);

19. fosfito di dietile (762-04-9);

20. cloridrato di dimetilammina (506-59-2);

21. dicloruro di etilfosfinile (1498-40-4);

22. dicloruro di etilfosfonile (1066-50-8);

23. CFR. L’ELENCO DEI MATERIALI DI ARMAMENTO per il difloruro di etilfosfonile (753-98-0);

24. acido fluoridrico (7664-39-3);

25. benzilato di metile (76-89-1);

26. dicloruro di metilfosfinile (676-83-5);

27. N,N-diisopropile-2-amminoetanolo (96-80-0);

28. alcool pinacolilico (464-07-3);

29. CFR. L’ELENCO DEI MATERIALI DI ARMAMENTO per l’o-etil-2-diisopropilammino-etil-metilfosfonato (ql) (57856-11-8);

30. fosfito di trietile (122-52-1);

31. tricloruro di arsenico (7784-34-1);

32. acido benzilico (76-93-7);

33. metilfosfonito di dietile (15715-41-0);

34. etilfosfonato di dimetile (6163-75-3);

35. difluoruro di etilfosfinile (430-78-4);

36. difluoruro di metilfosfinile (753-59-3);

37. 3-chinuclidinone (3731-38-2);

38. pentacloruro di fosforo (10026-13-8);

39. pinacolone (75-97-8);

40. cianuro di potassio (151-50-8);

41. bifluoruro di potassio (7789-29-9);

42. bifluoruro di ammonio (1341-49-7);

43. fluoruro di sodio (7681-49-4);

44. 1C350 bifluoruro di sodio (1333-83-1);

45. cianuro di sodio (143-33-9);

46. trietanolammina (102-71-6);

47. pentasolfuro di fosforo (1314-80-3);

48. diisopropilammina (108-18-9);

49. dietilamminoetanolo (100-37-8);

50. solfuro di sodio (1313-82-2);

51. monocloruro di zolfo (10025-67-9);

52. dicloruro di zolfo (10545-99-0);

53. cloridrato di trietanolamina (637-39-8);

54. cloridrato di N,N-diisopropile-2-amminoetilcloruro (4261-68-1);

55. acido metilfosfonico (993-13-5);

56. dietilmetilfosfonato (683-08-9);

57. 57. N,N-Dimetilfosforamidedicloruro (677-43-0);

58. triisopropilfosfito (116-17-6);

59. etildietanolammina (139-87-7);

60. O,O-Dietilfosforotioato (2465-65-8);

61. O,O-Dietilfosforoditioato (298-06-6);

62. esafluorosilicato di sodio (16893-85-9);

63. acido diclorometilfosfonico (676-98-2).

virus, naturali, potenziati o modificati, sia nella forma di colture vive isolate che in quella di materiale vivo deliberatamente inoculato o contaminato con tali colture, come segue:

1. virus della peste equina.

2. virus della peste suina africana;

3. virus Ande;

4. virus dell’influenza aviaria, come segue:

4. a.

non caratterizzato; o

appartenente a quelli definiti nell’allegato I, punto 2, della direttiva 2005/94/CE (GU L 10 del 14.1.2006, pag. 16) ed aventi elevata patogenicità, come segue:

1. virus di tipo A con un IVPI (indice di patogenicità intravenosa) superiore a 1,2 nei polli di 6 settimane; o

2. virus di tipo A dei sottotipi H5 o H7 con una sequenza genomica che codifica per molteplici amminoacidi basici a livello del sito di clivaggio dell’emoagglutinina, analoga a quella osservata per altri virus dell’HPAI, indicativa del fatto che l’emoagglutinina può essere clivata da una proteasi ubiquitaria dell’ospite;

5. virus della bluetongue;

6. virus Chapare;

7. virus Chikungunya;

8. virus Choclo;

9. virus della febbre emorragica del Congo-Crimea;

10. virus della dengue;

11. virus Dobrava-Belgrado;

12. virus dell’encefalite equina orientale;

13. virus di Ebola;

14. virus dell’afta epizootica;

15. virus del vaiolo caprino;

16. virus di Guanarito;

17. virus di Hantaan;

18. virus Hendra (Morbillivirus equino);

19. virus dell’herpes (morbo di Aujeszky);

20. virus della febbre suina (virus della peste suina);

21. virus dell’encefalite giapponese;

22. virus di Junin;

23. virus della Foresta di Kyasanur;

24. virus della Laguna Negra;

25. virus della febbre di Lassa;

26. 1C351 a. virus Louping ill;

27. virus Lujo;

28. virus della dermatite modulare del bovino;

29. virus della coriomeningite linfatica;

30. virus di Machupo;

31. virus di Marburg;

32. virus del vaiolo delle scimmie;

33. virus dell’encefalite della Valle Murray;

34. virus della malattia di Newcastle;

35. virus Nipah;

36. virus della febbre emorragica di Omsk;

37. virus Oropouche;

38. virus della peste dei piccoli ruminanti;

39. enterovirus porcino tipo 9 (virus della malattia vescicolare dei suini);

40. virus Powassan;

41. Virus della rabbia e tutti gli altri membri del genere Lyssavirus;

42. virus della febbre valle del Rift;

43. virus della peste bovina;

44. virus Rocio;

45. virus Sabia;

46. virus Seoul;

47. virus del vaiolo ovino;

48. virus Sin nombre;

49. virus dell’encefalite di St. Louis;

50. virus della malattia di Teschen;

51. virus dell’encefalite da zecche (virus dell’encefalite russa primaverile-estiva);

52. virus del vaiolo;

53. virus dell’encefalite equina venezuelana;

54. virus della stomatite vescicolare;

55. virus dell’encefalite equina occidentale;

56. virus della febbre gialla;

non utilizzato;

1C351 batteri, naturali, potenziati o modificati, sia nella forma di colture vive isolate che in quella di materiale vivo deliberatamente inoculato o contaminato con tali colture, come segue:

1. Bacillus anthracis;

2. Brucella abortus;

3. Brucella melitensis;

4. Brucella suis;

5. Burkholderia mallei (pseudomonas mallei);

6. Burkholderia pseudomallei (pseudomonas pseudomallei);

7. Chlamydophila psittaci (denominazione ufficiale chlamydia psittaci);

8. Clostridium argentinense (denominazione ufficiale clostridium botulinum Type G), ceppi produttori di neurotossina botulinica;

9. Clostridium baratii, ceppi produttori di neurotossina botulinica;

10. Clostridium botulinum;

11. Clostridium butyricum, ceppi produttori di neurotossina botulinica;

12. Tipi di clostridium perfringens che producono tossine epsiloni;

13. Coxiella burnetii;

14. Francisella tularensis;

15. Micoplasma capricolum sottospecie capripneumoniae (ceppo F 38);

16. Micoidi di micoplasma sottospecie micoidi SC (tipo Small colony);

17. Rickettsia prowasecki;

18. Salmonella typhi;

19. Escherichia coli produttore della tossina Shiga (STEC) di sierogruppi O26, O45, O103, O104, O111, O121, O145, O157, e altri sierogruppi produttori della tossina Shiga;

20. Shigella dysenteriae;

21. Vibrio cholerae;

22. Yersinia pestis;

tossine e relative sottounità di tossine, come segue: Nota: 1C351.d. non sottopone ad autorizzazione le tossine Botulinum o le conotossine sotto forma di prodotti che rispettino tutti i criteri seguenti:

1. tossine Botulinum;

2. tossine Clostridium perfringens alpha, beta 1, beta 2, epsilon e iota;

3. conotossina;

4. ricino;

5. sassitossina;

6. Nota tecnica:

1C351 d. tossina Shiga; l’Escherichia coli produttore della tossina Shiga (STEC) è noto anche come Escherichia coli enteroemorragico (EHEC) o Escherichia coli produttore di verocitotossina (VTEC).

7. enterotossine dello staffilococco aureo, tossina alfa emolitica e tossina della sindrome da shock tossico (nota in precedenza come tossina F staffilococcica);

8. tetrodotossina;

9. verotossina e proteine inattivanti i ribosani tipo Shiga;

10. microcistina (Cyanginosin);

11. aflatossine;

12. abrina;

13. tossina del colera;

14. diacetossiscirpenolo-tossina;

15. tossina T-2;

16. tossina Ht-2;

17. modexina;

18. volkensina;

19. lectina 1 Viscum album (viscumina);

1. essere formulazioni farmaceutiche destinate ad essere somministrate all’uomo nell’ambito di trattamenti medici;

2. essere preimballate per la distribuzione come prodotti medici;

3. essere autorizzate da un’autorità statale ai fini della commercializzazione come prodotti medici.

funghi, anche naturali, potenziati o modificati, sia in forma di colture vive isolate o come materiale comprendente materiale vivo intenzionalmente inoculato o contaminato con tali colture, come segue:

1. Coccidioides immitis;

2. Coccidiodes posadasii.

organismi geneticamente modificati o elementi genetici che contengono sequenze di acido nucleico associate alla patogenicità di organismi specificati in 1C351.a., 1C351.c., IC351.e. o 1C354;

1C353 organismi geneticamente modificati o elementi genetici che contengono sequenze di acido nucleico che codificano una qualsiasi delle tossine specificate in 1C351.d. o le relative sottounità di tossine.

1C Nota tecnica: Note tecniche: 1.2.3. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: 1.2. Note tecniche: 1.2. Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica 1: Nota tecnica 2: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Note tecniche: 1.2.3. a.

in quanto tale o tramite i suoi prodotti trascritti o trasposti rappresenta un rischio significativo per la salute degli esseri umani, degli animali o delle piante; o

ha la proprietà riconosciuta di accrescere la capacità di un microrganismo specifico, o di qualsiasi altro organismo in cui possa essere inserito o altrimenti integrato, di provocare gravi danni alla salute degli esseri umani, degli animali o delle piante.

virus, naturali, potenziati o modificati, sia nella forma di colture vive isolate che in quella di materiale vivo deliberatamente inoculato o contaminato con tali colture, come segue:

1. tymavirus latente andino della patata;

2. viroide del tubero fusiforme della patata;

batteri, naturali, potenziati o modificati, sia nella forma di colture vive isolate che in quella di materiale deliberatamente inoculato o contaminato con tali colture, come segue:

1. Xanthomonas albilineans;

2. Xanthomonas axonopodis pv. citri (Xanthomonas campestris pv. citri A) [Xanthomonas campestris pv. citri];

3. Xanthomonas oryzae pv. oryzae (Pseudomonas campestris pv. oryzae);

4. Clavibacter michiganensis subsp. sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. sepedonicum o Corynebacterium sepedonicum);

5. Ralstonia solanacearum, razza 3, biovar 2;

funghi, naturali, potenziati o modificati, sia nella forma di colture vive isolate che in quella di materiale deliberatamente inoculato o contaminato con tali colture, come segue:

1. Colletotrichum kahawae (Colletotrichum coffeanum var. virulans);

2. Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae);

3. Microcyclus ulei (sin. Dothidella ulei);

4. Puccinia graminis ssp. graminis var. graminis/Puccinia graminis ssp. graminis var. stakmanii (Puccinia graminis [sin. puccinia graminis f. sp. tritici]);

5. 1C354 c. Puccinia striiformis (sin. Puccinia glumarum);

6. Magnaporthe oryzae (Pyricularia oryzae);

7. Peronosclerospora philippinensis (Peronosclerospora sacchari);

8. Sclerophthora rayssiae var. zeae;

9. Synchytrium endobioticium;

10. Tilletia indica;

11. Thecaphora solani.

prodotti chimici tossici, come segue: Nota 1: Per le esportazioni verso gli Stati che non aderiscono alla convenzione sulle armi chimiche, 1C450 non sottopone ad autorizzazione le miscele chimiche contenenti una o più delle sostanze chimiche specificate alle voci 1C450.a.1. e.a.2. nelle quali nessuna sostanza chimica singolarmente specificata costituisce più dell’1 % in peso della miscela. Nota 2: Per le esportazioni verso gli Stati che aderiscono alla convenzione sulle armi chimiche, 1C450 non sottopone ad autorizzazione le miscele chimiche contenenti una o più delle sostanze chimiche specificate alle voci 1C450.a.1. e.a.2. nelle quali nessuna sostanza chimica singolarmente specificata costituisce più del 30 % in peso della miscela. Nota 3: 1C450 non sottopone ad autorizzazione le miscele chimiche contenenti una o più delle sostanze chimiche specificate alle voci 1C450.a.4., .a.5., .a.6. e.a.7. nelle quali nessuna sostanza chimica singolarmente specificata costituisce più del 30 % in peso della miscela. Nota 4: 1C450 non sottopone ad autorizzazione i prodotti identificati come beni di consumo imballati per la vendita al dettaglio ad uso personale o imballati per uso individuale.

1. amiton: O,O-dietil-S-[2-(dietilammino)etil] tiofosfato (78-53-5) e corrispondenti sali alchilati e protonati;

2. PFIB: 1,1,3,3,3-pentafluoro-2-(trifluorometil)1-propene (382-21-8);

3. cfr. l’elenco dei materiali di armamento per BZ: 3-benzilato di 3-chinuclidinile (6581-06-2);

4. fosgene: dicloruro di carbonile (75-44-5);

5. cloruro di cianogeno (506-77-4);

6. cianuro di idrogeno (74-90-8);

7. cloropicrina: tricloronitrometano (76-06-2);

precursori di prodotti chimici tossici, come segue: Nota 1: Per le esportazioni verso gli Stati che non aderiscono alla convenzione sulle armi chimiche, 1C450 non sottopone ad autorizzazione le miscele chimiche contenenti una o più delle sostanze chimiche specificate alle voci 1C450.b.1., .b.2., .b.3., .b.4., .b.5. e.b.6. nelle quali nessuna sostanza chimica singolarmente specificata costituisce più del 10 % in peso della miscela. Nota 2: Per le esportazioni verso gli Stati che aderiscono alla convenzione sulle armi chimiche, 1C450 non sottopone ad autorizzazione le miscele chimiche contenenti una o più delle sostanze chimiche specificate alle voci 1C450.b.1., .b.2., .b.3., .b.4., .b.5. e.b.6. nelle quali nessuna sostanza chimica singolarmente specificata costituisce più del 30 % in peso della miscela. Nota 3: 1C450 non sottopone ad autorizzazione le miscele chimiche contenenti una o più delle sostanze chimiche specificate alla voce 1C450.b.8. nella quale nessuna sostanza chimica singolarmente specificata costituisce più del 30 % in peso della miscela. Nota 4: 1C450 non sottopone ad autorizzazione i prodotti identificati come beni di consumo imballati per la vendita al dettaglio ad uso personale o imballati per uso individuale.

1. prodotti chimici, diversi da quelli specificati nell’elenco dei materiali di armamento o in 1C350, contenenti un atomo di fosforo cui è collegato un gruppo di metile, etile o propile (normale o iso) ma non altri atomi di carbonio; Nota: IC450.b.1 non sottopone ad autorizzazione il Fonofos: etilditiofosfonato di 0-etile e fenile (944-22-9);

2. 1C450 b. dialogenuri fosforammidici di N,N-dialchile [metile, etile o propile (normale o iso)] diversi dall’N,N-dimetilfosforamidedicloruro; N.B.: per il N,N-dimetilfosforamidedicloruro cfr. 1C350.57.

3. N,N-dialchile [metile, etile o propile (normale o iso)] - fosforammidati di dialchile [metile, etile o propile (normale o iso)], diversi dall’N,N-dimetilfosforammidato di dietile specificato in 1C350;

4. N,N-dialchile [metile, etile o propile (normale o iso)] -amminoetil-2-cloruri e corrispondenti sali protonati, diversi dal cloruro di N,N-diisopropile-2-amminoetile e dal cloridrato di N,N-diisopropile-2-amminoetilcloruro specificati in 1C350;

5. N,N-dialchile [metile, etile o propile (normale o iso)]-amminoetan-2-oli e corrispondenti sali protonati, diversi dal N,N-diisopropile-2-amminoetanolo (96-80-0) e dall’N,N-dietilamminoetanolo (100-37-8) specificati in 1C350; Nota: 1C450.b.5. non sottopone ad autorizzazione le sostanze e i prodotti seguenti:

5. a.

N,N-dimetilamminoetanolo (108-01-0) e corrispondenti sali protonati;

sali protonati dell’N,N-dietilamminoetanolo (100-3-78);

6. N,N-dialchile [metile, etile o propile (normale o iso)] -amminoetane-2-tioli e corrispondenti sali protonati, diversi dall’N,N-diisopropile-2-amminoetanetiolo specificato in 1C350;

7. cfr. 1C350 per etildietanoloammina (139-87-7);

8. metildietanoloammina (105-59-9).

1D Software 1D001 Software appositamente progettato o modificato per lo sviluppo, la produzione o l’utilizzazione delle apparecchiature specificate in 1B001 fino a 1B003. 1D002 Software per lo sviluppo di prodotti laminati o di materiali compositi a matrice organica, a matrice metallica o a matrice di carbonio. 1D003 Software appositamente progettato o modificato per consentire alle apparecchiature di eseguire le funzioni delle apparecchiature specificate in 1A004.c. o 1A004.d. 1D101 Software appositamente progettato o modificato per l’utilizzazione dei beni specificati in 1B101, 1B102, 1B115, 1B117, 1B118 o 1B119. 1D103 Software appositamente progettato per l’analisi di caratteristiche osservabili ridotte, quali riflettività radar, segnatura ultravioletta/infrarossa e segnatura acustica. 1D201 Software appositamente progettato per l’utilizzazione dei beni specificati in 1B201.

1E Tecnologia 1E001 Tecnologia, in conformità alla nota generale sulla tecnologia per lo sviluppo o la produzione di apparecchiature o materiali specificati in 1A001.b., 1A001.c., 1A002 fino a 1A005, 1A006.b., 1A007, 1B o 1C. 1E002 Altre tecnologie, come segue: 1E101 Tecnologia, in conformità alla nota generale sulla tecnologia per l’utilizzazione di beni specificati in 1A102, 1B001, 1B101, 1B102, 1B115 fino a 1B119, 1C001, 1C101, 1C107, 1C111 fino a 1C118, 1D101 o 1D103. 1E102 Tecnologia, in conformità alla nota generale sulla tecnologia per lo sviluppo di software specificato in 1D001, 1D101 o 1D103. 1E103 Tecnologia per la regolazione di temperatura, pressione o atmosfera in autoclavi o idroclavi quando utilizzate per la produzione di materiali compositi o di materiali compositi parzialmente lavorati. 1E104 Tecnologia per la produzione di materiali derivati per pirolisi formati su stampo, anima o altro supporto a partire da gas precursori che si decompongono nella gamma di temperature da 1573 K (1300 °C) a 3173 K (2900 °C) e pressioni da 130 Pa a 20 kPa. Nota: 1E104 comprende la tecnologia per la composizione dei gas precursori, della velocità di flusso e del controllo temporale del processo e dei relativi parametri. 1E201 Tecnologia in conformità alla nota generale sulla tecnologia per l’utilizzazione di beni specificati in 1A002, 1A007, 1A202, 1A225 fino a 1A227, 1B201, 1B225 fino a 1B234, 1C002.b.3. o b.4., 1C010.b., 1C202, 1C210, 1C216, 1C225 fino a 1C241 o 1D201. 1E202 Tecnologia in conformità alla nota generale sulla tecnologia per lo sviluppo o la produzione di beni specificati in 1A007, 1A202, 1A225 fino a 1A227. 1E203 Tecnologia in conformità alla nota generale sulla tecnologia per lo sviluppo di software specificato in 1D201.

1E a.

tecnologia per lo sviluppo o la produzione di polibenzotiazoli o polibenzossiazoli;

tecnologia per lo sviluppo o la produzione di composti fluoroelastomeri contenenti almeno un monomero di viniletere;

tecnologia per la progettazione o la produzione di materiali di base o di materiali ceramici non compositi, come segue:

1. materiali di base aventi tutto quanto segue:

1. a.

una delle composizioni seguenti:

1. ossidi semplici o complessi di zirconio e ossidi complessi di silicio o di alluminio;

2. nitruri semplici di boro (forme cristalline cubiche);

3. carburi semplici o complessi di silicio o di boro; o

4. nitruri semplici o complessi di silicio;

una delle seguenti impurità metalliche totali (escluse le aggiunte intenzionali):

1. inferiori a 1000 ppm ppm per gli ossidi semplici o i carburi semplici; o

2. inferiori a 5000 ppm per i composti complessi o i nitruri semplici; e

aventi una delle caratteristiche seguenti:

1. ossido di zirconio (CAS 1314-23-4) con dimensione della particella media uguale o inferiore a 1 μm e non più del 10 % delle particelle con dimensione superiore a 5 μm;

2. altri materiali di base con dimensione della particella media uguale o inferiore a 5 μm e non più del 10 % delle particelle con dimensione superiore a 10 μm; o

3. aventi tutte le caratteristiche seguenti:

3. a.

placchette con il rapporto lunghezza/spessore superiore a 5;

materiali filiformi con il rapporto lunghezza/diametro superiore a 10 per diametri inferiori a 2 μm; e

fibre continue o tagliate con diametro inferiore a 10 μm;

2. materiali ceramici non compositi, composti da materiali specificati in 1E002.c.1.; Nota: 1E002.c.2. non sottopone ad autorizzazione la tecnologia per la progettazione o la produzione di abrasivi.

tecnologia per la produzione di fibre di poliammidi aromatiche;

1E002 tecnologia per l’installazione, la manutenzione o la riparazione di materiali specificati in 1C001;

tecnologia per la riparazione di strutture composite, laminati o materiali specificati in 1A002, 1C007.c. o 1C007.d.; Nota: 1E002.f. non sottopone ad autorizzazione la tecnologia per la riparazione di strutture di aeromobili civili con l’impiego di materiali fibrosi o filamentosi al carbonio e resine epossidiche, contenuta nei manuali del fabbricante degli aeromobili.

g. Nota tecnica:

biblioteche (raccolte di parametri tecnici) appositamente progettate o modificate per consentire alle apparecchiature di eseguire le funzioni delle apparecchiature specificate in 1A004.c. o 1A004.d. Ai fini di 1E002.g., per biblioteca (raccolta di parametri tecnici) si intende una raccolta di informazioni tecniche il riferimento alle quali può migliorare le prestazioni delle apparecchiature o dei sistemi pertinenti.

CATEGORIA 2 TRATTAMENTO E LAVORAZIONE DEI MATERIALI

2A Nota tecnica:

Sistemi, apparecchiature e componenti N.B.: per i cuscinetti a funzionamento silenzioso, cfr. l’elenco dei materiali di armamento. 2A001 Sistemi di cuscinetti e cuscinetti antifrizione e loro componenti, come segue: N.B.: CFR. ANCHE 2A101. Nota: 2A001 non sottopone ad autorizzazione sfere aventi tolleranze specificate di grado 5 o meno specificate dal fabbricante secondo la norma ISO 3290. 2A101 Cuscinetti radiali a sfere, diversi da quelli specificati in 2A001, aventi tutte le tolleranze specificate secondo la norma ISO 492, classe di tolleranza 2 (o ANSI/ABMA Standard 20, classe di tolleranza ABEC-9 o norme nazionali equivalenti) o migliori e aventi tutte le caratteristiche seguenti: 2A225 Crogioli costruiti con materiali resistenti ai metalli attinidi liquidi, come segue: 2A226 Valvole aventi tutte le caratteristiche seguenti: Per le valvole con diametri di entrata e di uscita differenti, la dimensione nominale in 2A226 si riferisce al diametro più piccolo.

2A a.

cuscinetti a sfere e cuscinetti a rulli pieni, aventi tutte le tolleranze specificate dal fabbricante secondo la norma ISO 492, classe di tolleranza 4 (o norme nazionali equivalenti) o migliori e aventi sia anelli sia elementi volventi (ISO 5593), costruiti con monel o berillio; Nota: 2A001.a. non sottopone ad autorizzazione i cuscinetti a rulli conici.

2A001 non utilizzato;

sistemi di cuscinetti magnetici attivi costituiti da uno degli elementi seguenti:

1. materiali con densità di flusso uguali o superiori a 2,0 T e resistenza allo snervamento superiore a 414 MPa;

2. tutti i tipi progettati per la polarizzazione omopolare di elettromagneti tridimensionali per attuatori; o

3. sensori di posizione ad alta temperatura [450 K (177 °C) e superiore].

diametro del foro dell’anello interno compreso tra 12 e 50 mm;

diametro del foro dell’anello esterno compreso tra 25 e 100 mm; e

larghezza compresa tra 10 e 20 mm.

crogioli aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. volume compreso tra 150 cm3 e 8000 cm3; e

2. costruiti o rivestiti con uno dei materiali seguenti, o combinazione dei materiali seguenti, aventi un tasso di impurità complessivo pari o inferiore al 2 % in peso:

2. a.

fluoruro di calcio (CaF2);

zirconato di calcio (CaZrO3);

solfuro di cerio (Ce2S3);

ossido di erbio (Er2O3);

ossido di afnio (HfO2);

ossido di magnesio (MgO);

lega nitruro di niobio-titanio-tungsteno (circa 50 % Nb, 30 % Ti, 20 %W);

ossido di ittrio (Y2O3); o

ossido di zirconio (ZrO2);

crogioli aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. volume compreso tra 50 cm3 e 2000 cm3; e

2. costruiti o rivestiti con tantalio, avente una purezza del 99,9 % o superiore in peso;

crogioli aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. volume compreso tra 50 cm3 e 2000 cm3;

2. costruiti o rivestiti con tantalio, avente una purezza del 98 % o superiore in peso; e

3. ricoperti con carburo di tantalio, nitruro di tantalio o boruro di tantalio, o una loro combinazione.

una dimensione nominale uguale o superiore a 5 mm;

tenuta a soffietti; e

interamente costruite o rivestite con alluminio, leghe di alluminio, nichelio o leghe di nichelio contenenti oltre il 60 % in peso di nichelio.

2B Note tecniche: 1.2.3.4.5.6. Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Note tecniche: Nota tecnica: Note tecniche: 1.2. Note tecniche: 1.2. Note tecniche: 1.2.

Apparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione Gli assi di contornatura secondari paralleli (ad esempio un asse W su fresalesatrici orizzontali o un asse di rotazione secondario il cui asse centrale è parallelo a quello dell’asse di rotazione primario) non sono conteggiati nel numero totale degli assi di contornatura. Gli assi di rotazione non devono necessariamente ruotare su 360°. Un asse di rotazione può essere mosso da un dispositivo lineare (ad esempio una vite o una cremagliera). Ai fini di 2B, il numero di assi che possono essere coordinati simultaneamente per il controllo di contornatura è pari al numero di assi lungo o intorno ai quali, durante la lavorazione del pezzo, sono effettuati movimenti simultanei e interconnessi tra un pezzo e un utensile. Non sono inclusi assi supplementari lungo o intorno ai quali sono effettuati altri movimenti relativi all’interno della macchina, quali ad esempio: La nomenclatura degli assi deve essere conforme alla norma internazionale ISO 841, Macchine a controllo numerico — Nomenclatura degli assi e dei movimentì. Ai fini dei punti da 2B001 a 2B009 un mandrino basculante è conteggiato come asse di rotazione. Per ciascun modello di macchina utensile può essere impiegata una precisione di posizionamento dichiaratà conseguente a misurazioni effettuate secondo la norma ISO 230/2 o norme nazionali equivalenti in alternativa alle prove con le singole macchine. Per precisione di posizionamento dichiaratà si intende il valore di precisione, rappresentativo della precisione del modello di macchina, fornito alle competenti autorità dello Stato membro in cui l’esportatore è stabilito. Determinazione della precisione di posizionamento dichiaratà: Ai fini di 2B001.a. fino a 2B001.c., l’incertezza di misura relativa alla precisione di posizionamento delle macchine utensili, come definita nella norma internazionale ISO 230/2 (2006) o norme nazionali equivalenti, non è presa in considerazione. 2B001 Macchine utensili per l’asportazione (o il taglio) di metalli, ceramiche o materiali compositi e qualsiasi loro combinazione, che, conformemente alle specifiche tecniche del fabbricante, possono essere equipaggiate con dispositivi elettronici per il controllo numerico, come segue: N.B.: CFR. 2B201 Nota 1: 2B001 non sottopone ad autorizzazione macchine utensili a fini speciali limitate alla produzione di ingranaggi. Per queste macchine cfr. 2B003. Nota 2: 2B001 non sottopone ad autorizzazione macchine utensili a fini speciali limitate alla produzione di uno dei seguenti: Nota 3: Una macchina utensile dotata di almeno due delle tre funzionalità di tornitura, fresatura o rettifica (ad esempio una macchina di tornitura con funzioni di fresatura) deve essere valutata a fronte di ogni voce applicabile definita in 2B001.a., 2B001.b., o 2B001.c. N.B.: Per le macchine per la rifinitura ottica, cfr. 2B002. 2B002 Macchine utensili per la rifinitura ottica a controllo numerico equipaggiate per l’asportazione selettiva di materiali per produrre superfici ottiche non sferiche aventi tutte le caratteristiche seguenti: Ai fini di 2B002: 2B003 Macchine utensili a controllo numerico o manuale e loro componenti, controlli ed accessori appositamente progettati, appositamente progettate per sbarbare, finire, rettificare o levigare gli ingranaggi dritti induriti (Rc = 40 o superiore) a dentatura elicoidale e doppia-elicoidale aventi passo diametrale superiore a 1250 mm e larghezza del dente del 15 % o più del passo diametrale, con qualità di finitura uguale o migliore della qualità AGMA 14 (equivalente alla norma ISO 1328 classe 3). 2B004 Presse isostatiche a caldo aventi tutte le caratteristiche seguenti, e loro componenti e accessori appositamente progettati: N.B.: CFR. ANCHE 2B104 e 2B204 La dimensione interna della cavità di lavoro si riferisce alla dimensione della cavità nella quale sono realizzate la temperatura e la pressione di lavoro senza considerare i dispositivi di montaggio. La dimensione sarà quella minore tra il diametro interno della camera pressurizzata e il diametro interno della camera di combustione isolata, a seconda di quale delle due si trova all’interno dell’altra. N.B.: Per stampi, matrici e utensili appositamente progettati, cfr. 1B003, 9B009 e elenco dei materiali di armamento. 2B005 Apparecchiature appositamente progettate per la deposizione, il processo ed il controllo durante il processo di strati inorganici, rivestimenti e modificazioni superficiali, come segue, per substrati non elettronici mediante processi indicati nella tavola e relative note riportate dopo 2E003.f. e loro componenti appositamente progettati per la movimentazione, il posizionamento, la manipolazione e il controllo automatici: Nota: 2B005 non sottopone ad autorizzazione le apparecchiature per la deposizione di vapore con processo chimico, per la deposizione ad arco catodico, per mezzo di polverizzazione catodica, per la produzione di placcatura ionica o le apparecchiature con processo di impiantazione ionica appositamente progettate per utensili di taglio o di lavorazione. 2B006 Sistemi, apparecchiature e assiemi elettronici di controllo dimensionale o di misura, come segue: N.B.: CFR. ANCHE 2B206 Nota: 2B006 include le macchine utensili, diverse da quelle specificate da 2B001, che possono essere usate come macchine di misura se corrispondono ai criteri stabiliti per la funzione di macchine di misura o se oltrepassano tali limiti. 2B007 Robot aventi una delle caratteristiche seguenti, e loro unità di controllo e dispositivi di estremità appositamente progettati: N.B.: CFR. ANCHE 2B207. 2B008 Assiemi o unità appositamente progettati per le macchine utensili o per sistemi o apparecchiature di controllo dimensionato o di misura, come segue: Nota: 2B 008.a. e 2B 008.b. sottopongono ad autorizzazione unità progettate per determinare l’informazione sul posizionamento per il controllo di retroazione, quali dispositivi di tipo induttivo, scale graduate, sistemi a infrarossi o sistemi laser. 2B009 Macchine per tornitura in lastra e per fluotornitura che possono essere equipaggiate, sulla base delle specifiche tecniche del fabbricante, con unità di controllo numerico o unità di controllo a calcolatore e aventi tutte le caratteristiche seguenti: N.B.: CFR. ANCHE 2B109 e 2B209. Ai fini di 2B009 sono considerate macchine di fluotornitura anche le macchine che combinano la funzione di tornitura in lastra e di fluotornitura. 2B104 Presse isostatiche diverse da quelle specificate in 2B004, aventi tutte le caratteristiche seguenti: N.B.: CFR. ANCHE 2B204. 2B105 Forni per la deposizione in fase di vapore di elementi chimici, diversi da quelli specificati in 2B005.a., progettati o modificati per l’addensamento di compositi carbonio-carbonio. 2B109 Macchine per fluotornitura diverse da quelle specificate in 2B009 e loro componenti appositamente progettati, come segue: N.B.: CFR. ANCHE 2B209. Nota: 2B109 non sottopone ad autorizzazione macchine non utilizzabili nella produzione di componenti ed apparecchiature per propulsione (cioè corpi di contenimento di motori) per sistemi specificati in 9A005, 9A007.a. o 9A105.a. Ai fini di 2B109 sono considerate macchine di fluotornitura anche le macchine che combinano la funzione di tornitura in lastra e di fluotornitura. 2B116 Sistemi di collaudo a vibrazioni, apparecchiatura e loro componenti come segue: In 2B116 per tavola vuotà si intende una tavola o superficie piatta priva di accessori o di attrezzi di fissaggio. 2B117 Apparecchiature e controlli di processo, diversi da quelli specificati in 2B004, 2B005.a., 2B104 o 2B105, progettati o modificati per l’addensamento e la pirolisi dei compositi strutturali di ugelli per razzi e di ogive per veicoli di rientro. 2B119 Macchine di bilanciamento e relative apparecchiature, come segue: N.B.: CFR. ANCHE 2B219. 2B120 Simulatori di movimento o tavole di velocità aventi tutte le caratteristiche seguenti: Nota 1: 2B120 non sottopone ad autorizzazione le tavole di rotazione progettate o modificate per macchine utensili o apparecchiature medicali. Per le tavole di rotazione per macchine utensili, cfr. 2B008. Nota 2: I simulatori di movimento o le tavole di velocità restano sottoposti ad autorizzazione indipendentemente dal fatto che al momento dell’esportazione vi siano incorporati contatti rotanti o dispositivi integrati senza contatto. 2B121 Tavole di posizionamento (apparecchiature in grado di posizionamenti per rotazione precisi su qualsiasi asse) diverse da quelle specificate in 2B120, aventi tutte le caratteristiche seguenti: Nota: 2B121 non sottopone ad autorizzazione le tavole di rotazione progettate o modificate per macchine utensili o apparecchiature medicali. Per le tavole di rotazione per macchine utensili, cfr. 2B008. 2B122 Centrifughe in grado di imprimere accelerazioni superiori a 100 g e progettate o modificate per incorporare contatti rotanti o dispositivi integrati senza contatto in grado di trasferire energia elettrica, segnale di misura o entrambi. Nota: Le centrifughe specificate in 2B122 restano sottoposte ad autorizzazione indipendentemente dal fatto che al momento dell’esportazione vi siano incorporati contatti rotanti o dispositivi integrati senza contatto. 2B201 Macchine utensili, e qualsiasi loro combinazione, diverse da quelle specificate in 2B001, per l’asportazione o il taglio di metalli, ceramiche o materiali compositi, come segue, che, conformemente alle specifiche tecniche del fabbricante, possono essere equipaggiate con dispositivi elettronici per il controllo di contornatura simultaneo su due o più assi: Nota 1: 2B201 non sottopone ad autorizzazione macchine utensili a fini speciali limitate alla produzione di una delle seguenti parti: Nota 2: Una macchina utensile dotata di almeno due delle tre funzionalità di tornitura, fresatura o rettifica (ad esempio una macchina di tornitura con funzioni di fresatura) deve essere valutata a fronte di ogni voce applicabile definita in 2B001.a., 2B201.a. o 2B201.b. 2B204 Presse isostatiche, diverse da quelle specificate in 2B004 o 2B104, e relative apparecchiature, come segue: In 2B204 la dimensione della camera interna è quella della camera in cui vengono raggiunte sia la temperatura di lavoro che la pressione di lavoro e non include gli accessori. La dimensione sarà quella minore tra il diametro interno della camera pressurizzata e il diametro interno della camera di combustione isolata, a seconda di quale delle due si trova all’interno dell’altra. 2B206 Macchine, strumenti o sistemi di controllo dimensionale diversi da quelli specificati in 2B006, come segue: Nota 1: Le macchine utensili che possono essere usate come macchine di misura sono sottoposte ad autorizzazione se corrispondono ai criteri specificati per la funzione di macchine utensili o per la funzione di macchine di misura o se oltrepassano tali limiti. Nota 2: Una macchina specificata in 2B206 è sottoposta ad autorizzazione se supera la soglia di controllo in un punto qualunque della sua gamma di funzionamento. Tutti i parametri dei valori di misura in 2B206 si intendono con ±, cioè non si intendono come banda di escursione totale. 2B207 Robot, dispositivi di estremità e unità di controllo diversi da quelli specificati in 2B007 come segue: 2B209 Macchine di fluotornitura o macchine di tornitura in lastra in grado di eseguire funzioni di fluotornitura diverse da quelle specificate in 2B009 o 2B109 e mandrini, come segue: Nota: 2B209.a. include macchine con un unico rullo progettate per deformare il metallo più due rulli ausiliari che sostengono il mandrino ma non partecipano direttamente al processo di deformazione. 2B219 Macchine fisse o portatili, orizzontali o verticali, per il bilanciamento centrifugo su più piani, come segue: 2B225 Manipolatori a distanza che possono essere usati per azioni a distanza nelle operazioni di separazione radiochimica o nelle celle calde, aventi una delle caratteristiche seguenti: I manipolatori a distanza consentono di effettuare una traslazione delle azioni di un operatore umano ad un braccio operante a distanza e a dispositivi terminali. Possono essere del tipo asservito o azionati tramite leva di comando o tastiera. 2B226 Forni ad induzione in atmosfera controllata (sottovuoto o gas inerte), e loro alimentatori, come segue: N.B.: CFR. ANCHE 3B. Nota: 2B226.a. non sottopone ad autorizzazione i forni progettati per il trattamento di fette di semiconduttori. 2B227 Forni di fusione e di colata di metalli, sottovuoto o in altra atmosfera controllata, e relative apparecchiature, come segue: 2B228 Apparecchiature di assemblaggio o di fabbricazione di rotori, apparecchiature di raddrizzatura del rotore, mandrini e matrici di formatura di soffietti, come segue: 2B230 Tutti i tipi di trasduttori di pressione in grado di misurare pressioni assolute e aventi tutte le seguenti caratteristiche: In 2B230 per trasduttore di pressione si intende un dispositivo che trasforma un valore misurato della pressione in un segnale. Ai fini di 2B230, la precisione include la non linearità, l’isteresi e la ripetibilità a temperatura ambiente. 2B231 Pompe da vuoto aventi tutte le caratteristiche seguenti: La velocità di pompaggio è determinata al punto di misurazione con azoto gas o aria. Il vuoto finale è determinato all’ingresso della pompa con l’ingresso della pompa completamente ostruito. 2B232 Sistemi di cannoni ad alta velocità (dei tipi a propellente, a gas, a bobina, elettromagnetici e elettrotermici e altri sistemi avanzati) in grado di accelerare proiettili ad una velocità uguale o superiore a 1,5 km/s. N.B.: CFR. ANCHE ELENCO DEI MATERIALI DI ARMAMENTO. 2B233 Compressori a spirale con tenuta a soffietto e pompe da vuoto a spirale con tenuta a soffietto aventi tutte le caratteristiche seguenti: N.B.: CFR. ANCHE 2B350.i. 2B350 Apparecchiature, componenti e mezzi di produzione di sostanze chimiche, come segue: Nota: Ai fini di 2B350, i materiali utilizzati come guarnizioni, imballaggi, dispositivi di tenuta, viti, rondelle o altri materiali che svolgono una funzione di tenuta non determinano le condizioni dell’autorizzazione, purché detti componenti siano progettati per essere intercambiabili. Il carbonio grafite è una composizione formata da carbonio amorfo e grafite, contenente in peso almeno l’8 % di grafite. Per i materiali elencati alle voci precedenti, il termine legà se non accompagnato da una specifica concentrazione elementare si intende individuare quelle leghe in cui il metallo identificato è presente in percentuale maggiore in peso rispetto a qualsiasi altro elemento. 2B351 Sistemi di monitoraggio di gas tossico e le apposite componenti di rilevazione, diversi da quelli specificati in 1A004, come segue, e loro rivelatori; sensori e cartucce di ricambio dei sensori: 2B352 Apparecchiature utilizzabili nel trattamento dei materiali biologici, come segue:

2B Note tecniche: 1.2. a.

sistemi di preparazione della mola nelle macchine di rettifica;

assi di rotazione paralleli progettati per il montaggio di pezzi separati;

assi di rotazione colineari progettati per manipolare lo stesso pezzo trattenendolo in una morsa a partire da estremità diverse.

2B Note tecniche: 1.2.3.4.5. a.

scegliere cinque macchine del modello da valutare;

misurare le precisioni degli assi lineari secondo la norma ISO 230/20;

determinare i valori A per ciascun asse di ciascuna macchina. Il metodo di calcolo del valore A è indicato nella norma ISO;

determinare il valore medio del valore A di ciascun asse. Il valore medio Â è il livello dichiarato di ciascun asse del modello in questione (Âx Ây …);

poiché l’elenco della categoria 2 si riferisce a ciascun asse lineare, vi saranno tanti valori dichiarati quanti sono gli assi lineari;

se un asse di un modello di macchina non sottoposto ad autorizzazione da 2B001.a. fino a 2B001.c. o 2B201 ha una precisione dichiarata Â uguale o inferiore alla precisione di posizionamento specificata di ciascun modello di macchina utensile più 2 μm, il fabbricante è tenuto a confermare il livello di precisione ogni diciotto mesi.

2B Note tecniche: 1.2.3.4.5.6. a.

alberi a gomito o alberi a camme;

utensili o utensili da taglio;

estrusori a vite;

parti di gioielli con incisioni o sfaccettature; o

protesi dentarie.

macchine utensili di tornitura aventi tutte le caratteristiche seguenti: Nota: 2B001.a. non sottopone ad autorizzazione le macchine di tornitura appositamente progettate per la produzione di lenti a contatto aventi quanto segue:

1. precisione di posizionamento con tutte le compensazioni disponibili uguale o minore (migliore) di 3,0 μm secondo la norma ISO 230/2 (2006) o norme equivalenti su uno o più degli assi lineari; e

2. due o più assi che possono essere coordinati simultaneamente per il controllo di contornatura;

a.

controllore macchina limitato all’uso di software oftalmico per l’inserimento dei dati per la programmazione delle parti; e

b.

senza mandrinatura a vuoto.

macchine utensili di fresatura aventi uno degli elementi seguenti:

1. aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. a.

precisione di posizionamento con tutte le compensazioni disponibili uguale o minore (migliore) di 3,0 μm secondo la norma ISO 230/2 (2006) o norme equivalenti su uno o più degli assi lineari; e

tre assi lineari più un asse di rotazione che possono essere coordinati simultaneamente per il controllo di contornatura;

2. cinque o più assi che possono essere coordinati simultaneamente per il controllo di contornatura aventi una delle caratteristiche seguenti; N.B.: Le macchine utensili a meccanismo parallelo sono specificate in 2B001.b.2.d.

2. a.

precisione di posizionamento con tutte le compensazioni disponibili uguale o minore (migliore) di 3,0 μm secondo la norma ISO 230/2 (2006) o norme equivalenti su uno o più degli assi lineari con una lunghezza del percorso inferiore a 1 m;

2B001 b. 2. precisione di posizionamento con tutte le compensazioni disponibili uguale o minore (migliore) di 4,5 μm secondo la norma ISO 230/2 (2006) o norme equivalenti su uno o più degli assi lineari con una lunghezza del percorso uguale o superiore a 1 m e inferiore a 2 m;

precisione di posizionamento con tutte le compensazioni disponibili uguale o minore (migliore) di 4,5 + 7(L-2) μm (L è la lunghezza del percorso in metri) secondo la norma ISO 230/2 (2006) o norme equivalenti su uno o più degli assi lineari con una lunghezza del percorso uguale o superiore a 2 m; o

d. Nota tecnica:

essere una macchina utensile a meccanismo parallelo: Una macchina utensile a meccanismo parallelo è una macchina utensile avente varie barre collegate a una piattaforma e degli attuatori; ciascun attuatore opera la barra corrispondente in maniera simultanea e indipendente.

3. precisione di posizionamento per alesatrici a coordinate con tutte le compensazioni disponibili uguale o minore (migliore) di 3,0 μm secondo la norma ISO 230/2 (2006) o norme nazionali equivalenti su uno qualsiasi degli assi lineari; o

4. fresatrici ad un solo tagliente aventi tutte le caratteristiche seguenti:

4. a.

fuori rotondità ed eccentricità del mandrino minore (migliore) di 0,0004 mm lettura totale del misuratore; e

deviazione angolare del movimento del carrello (oscillazione, rollio e beccheggio) minore (migliore) di 2 secondi di arco, lettura totale del misuratore su 300 mm di corsa;

macchine utensili di rettifica aventi una delle caratteristiche seguenti: Nota: 2B001.c. non sottopone ad autorizzazione le macchine di rettifica seguenti:

1. aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. a.

precisione di posizionamento con tutte le compensazioni disponibili uguale o minore (migliore) di 3,0 μm secondo la norma ISO 230/2 (2006) o norme equivalenti su uno o più degli assi lineari; e

tre o più assi che possono essere coordinati simultaneamente per il controllo di contornatura; o

2. cinque o più assi che possono essere coordinati simultaneamente per il controllo di contornatura;

a.

macchine di rettifica esterna, interna, ed esterna-interna di cilindri, aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. limitate alla rettifica di cilindri; e

2. limitate ad una capacità massima del pezzo da lavorare di 150 mm di diametro esterno o di lunghezza;

b.

macchine appositamente progettate come rettificatrici a coordinate, che non hanno un asse z o un asse w, aventi precisione di posizionamento con tutte le compensazioni disponibili minore (migliore) di 3,0 μm secondo la norma ISO 230/2 (2006) o norme nazionali equivalenti;

c.

rettificatrici per piani.

macchine a scarica elettrica diverse dal tipo a filo aventi possibilità di coordinazione simultanea per controllo di contornatura su due o più assi di rotazione;

2B001 macchine utensili per asportazione di metalli, ceramiche o materiali compositi aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. asportano materiale per mezzo di uno dei seguenti procedimenti:

1. a.

getti di acqua o di altri liquidi, compresi quelli utilizzanti additivi abrasivi;

fascio elettronico; o

fascio laser; e

2. almeno due assi di rotazione aventi tutte le caratteristiche seguenti:

2. a.

possono essere coordinati simultaneamente per controllo di contornatura; e

hanno una precisione di posizionamento minore (migliore) di 0,003 °;

macchine foratrici per fori profondi e tornitrici modificate per la foratura profonda in grado di eseguire fori di lunghezza superiore a 5 m.

rifinitura della forma minore (migliore) di 1,0 μm;

rifinitura a una scabrezza minore (migliore) di 100 nm rms;

quattro o più assi che possono essere coordinati simultaneamente per il controllo di contornatura; e

che utilizza uno dei seguenti processi:

1. rifinitura magnetoreologica (MRF);

2. rifinitura electroreologica (ERF);

3. rifinitura con fascio di particelle energetico;

4. rifinitura con utensile a membrana gonfiabile; o

5. rifinitura a getto fluido.

2B Note tecniche: 1.2.3.4.5.6. Note tecniche:

1. per MRF si intende un processo di asportazione di materiali mediante un fluido magnetico abrasivo la cui viscosità è controllata da un campo magnetico;

2. per ERF si intende un processo di asportazione mediante un fluido abrasivo la cui viscosità è controllata da un campo elettrico;

3. la rifinitura con fascio di particelle energetico utilizza plasma di atomi reattivi (RAP) o fasci di ioni per asportare selettivamente il materiale;

4. la rifinitura con utensile a membrana gonfiabile è un processo che utilizza una membrana pressurizzata che deformandosi entra in contatto con una superficie ridotta del pezzo;

5. la rifinitura a getto fluido utilizza un flusso fluido per l’asportazione del materiale.

un ambiente termicamente controllato nella cavità chiusa ed una cavità di lavoro con diametro interno uguale o superiore a 406 mm; e

aventi una delle caratteristiche seguenti:

1. pressione di lavoro massima superiore a 207 MPa;

2. ambiente termicamente controllato a temperature superiori a 1773 K (1500 °C); e

3. capacità di impregnazione con idrocarburi ed eliminazione dei prodotti di decomposizione gassosa risultanti.

2B Note tecniche: 1.2.3.4.5.6. Note tecniche: Nota tecnica: a.

apparecchiature di produzione per la deposizione in fase di vapore di elementi chimici (CVD) aventi tutte le caratteristiche seguenti: N.B.: CFR. ANCHE 2B105.

1. un processo modificato per:

1. a.

CVD pulsante;

deposizione termica a nucleazione controllata (CNTD); o

CVD intensificata o assistita per mezzo di plasma; e

2. aventi una delle caratteristiche seguenti:

2. a.

comprendenti dispositivi di tenuta rotanti a vuoto spinto (minore o uguale a 0,01 Pa); o

comprendenti un controllo di spessore dello strato in situ;

apparecchiature di produzione con processo di impiantazione ionica con correnti di fascio uguali o superiori a 5 mA;

apparecchiature di produzione con processo di deposizione fisica in fase di vapore per mezzo di fascio elettronico (EB-PVD) comprendenti sistemi di alimentazione previsti per potenza superiore a 80 kW, che presentano uno degli elementi seguenti:

1. un sistema di controllo a laser del livello del pozzetto liquido per regolare in modo preciso il ritmo di ingresso dei lingotti; o

2. un indicatore di velocità basato su calcolatore funzionante sul principio della fotoluminescenza degli atomi ionizzati nel flusso evaporante per controllare la velocità di deposizione di uno strato contenente due o più elementi;

2B005 apparecchiature di produzione con processo di polverizzazione per mezzo di plasma aventi una delle caratteristiche seguenti:

1. funzionanti in atmosfera controllata a pressione ridotta (uguale o inferiore a 10 kPa misurata al di sopra ma non oltre 300 mm dall’uscita del polverizzatore della torcia) in una camera a vuoto in grado di produrre vuoto fino a 0,01 Pa prima del processo di polverizzazione; o

2. comprendenti un controllo di spessore dello strato in situ;

apparecchiature di produzione con processo di deposizione per polverizzazione catodica in grado di sopportare densità di corrente uguali o superiori a 0,1 mA/mm2 con velocità di deposizione uguale o superiore a 15 μm/h;

apparecchiature di produzione con processo di deposizione per arco catodico comprendenti una griglia di elettromagneti per controllare la direzione dell’area di impatto dell’arco sul catodo;

apparecchiature di produzione di placcatura ionica in grado di effettuare la misura in situ di una delle caratteristiche seguenti:

1. controllo dello spessore del rivestimento sul substrato e della velocità di deposizione; o

2. caratteristiche ottiche.

a. Nota tecnica:

macchine di misura a coordinate (CMM) con controllo a calcolatore o con controllo numerico aventi un errore massimo tollerato di misura della lunghezza (E0,MPE) in un punto qualunque della gamma di funzionamento della macchina (ossia tra la lunghezza degli assi) uguale o minore (migliore) di (1,7 + L/1000) μm (L rappresenta la lunghezza misurata espressa in millimetri), in base alla norma ISO 10360-2 (2009); L’E0,MPE della configurazione più accurata delle CMM specificate dal fabbricante (ad esempio il migliore tra i seguenti: sonda, lunghezza della punta, parametri di movimento, ambiente) e con tutte le compensazioni disponibili è paragonato alla soglia di 1,7 + L/1000 μm.

strumenti di misura dello spostamento lineare e angolare come segue:

1. Nota tecnica:

strumenti di misura dello spostamento lineare aventi una delle caratteristiche seguenti: Nota: Gli interferometri a laser per la misurazione del dislocamento sono sottoposti ad autorizzazione solamente in 2B006.b.1.c. Ai fini di 2B006.b.1. si intende per spostamento lineare la variazione di distanza tra la sonda di misura e l’oggetto misurato. Nota: 2B006.b.1. non sottopone ad autorizzazione i sistemi interferometrici di misura dotati di un sistema di controllo automatico progettato per non utilizzare tecniche di retroazione contenenti un laser per misurare gli errori di movimento del carrello delle macchine utensili, delle macchine di controllo dimensionale o di apparecchiature similari.

sistemi di misura del tipo non a contatto con risoluzione uguale o minore (migliore) di 0,2 μm nella gamma di misura fino a 0,2 mm;

b. Nota tecnica:

2B006 b. 1. sistemi di trasformatori differenziali (LVDT) aventi tutte le seguenti caratteristiche: Ai fini di 2B006.b.1.b., per gamma completa di funzionamento si intende la metà del totale possibile spostamento lineare del trasformatore differenziale. Ad esempio, i trasformatori differenziali con una gamma completa di funzionamento fino a ± 5 mm possono misurare un totale possibile spostamento lineare di 10 mm.

1. aventi una delle caratteristiche seguenti:

1. a.

linearità uguale o minore (migliore) di 0,1 % misurata da 0 alla gamma completa di funzionamento, per LVDT con gamma completa di funzionamento fino ad un massimo di ± 5 mm; o

linearità uguale o minore (migliore) di 0,1 % misurata da 0 a 5 mm, per LVDT con gamma completa di funzionamento superiore a ± 5 mm; e

2. deriva uguale o minore (migliore) di 0,1 % al giorno alla temperatura normale dell’ambiente di collaudo di ± 1 K;

sistemi di misura aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. contenenti un laser; e

2. in grado di mantenere per almeno 12 ore, a una temperatura di 20 ± 1 °C, tutte le caratteristiche seguenti:

2. a.

risoluzione a fondo scala di 0,1 μm o minore (migliore); e

la capacità di raggiungere un’incertezza di misura, tenuto conto dell’indice di rifrazione dell’aria, uguale o minore (migliore) di (0,2 + L/2000) μm (L rappresenta la lunghezza misurata espressa in millimetri) in qualsiasi punto della gamma di misurazione;

Assiemi elettronici appositamente progettati per fornire funzionalità di retroazione nei sistemi specificati in 2B006.b.1.c.;

2. strumenti di misura dello spostamento angolare aventi precisione di posizione angolare uguale o inferiore a (migliore di) 0,00025°; Nota: 2B006.b.2. non sottopone ad autorizzazione gli strumenti ottici quali gli autocollimatori che utilizzano la luce collimata (ad esempio la luce laser) per rivelare lo spostamento angolare di uno specchio.

apparecchiature che misurano la scabrezza (inclusi i difetti superficiali) di superficie misurando la dispersione ottica con sensibilità uguale o inferiore a (migliore di) 0,5 nm.

a. Nota tecnica:

aventi una capacità di trattamento in tempo reale dell’immagine in tre dimensioni reali o di una analisi della scenà in tre dimensioni reali al fine di creare o modificare programmi o dati numerici di programma; La limitazione della capacità di analisi della scenà non comprende l’approssimazione della terza dimensione tramite la ripresa della scena sotto un angolo prestabilito né una ridotta interpretazione della scala dei grigi per la percezione della profondità o della trama nell’ambito degli obiettivi operativi approvati (2 1/2 D).

2B007 appositamente progettati per rispondere alle norme nazionali di sicurezza relative ad ambienti contenenti potenziali esplosivi per munizionamento; Nota: 2B007.b. non controlla i robot progettati specificatamente per le cabine di verniciatura.

c. Nota tecnica:

appositamente progettati o garantiti come resistenti alle radiazioni per sopportare una dose di radiazione totale superiore a 5 × 103 Gy (silicio) senza degradazione funzionale; o Il termine Gy (silicio) si riferisce all’energia, espressa in Joule per kg, assorbita da un campione di silicio non schermato esposto a radiazioni ionizzanti.

appositamente progettati per funzionare ad altitudini superiori a 30000 m.

unità di ritrasmissione di posizione di tipo lineare, aventi una precisione globale inferiore a (migliore di) [800 + (600 × L/1000)] nm (L rappresenta la lunghezza effettiva espressa in mm); N.B.: Per i sistemi a laser cfr. anche la nota relativa in 2B006.b.1.c. e d.

unità di ritrasmissione di posizione di tipo rotativo, aventi una precisione inferiore (migliore di) 0,00025°; N.B.: per i sistemi a laser cfr. anche la nota relativa in 2B006.b.2.

tavole rotanti basculanti e mandrini basculanti in grado di migliorare, conformemente alle specifiche tecniche del fabbricante, le macchine utensili fino a livelli uguali o superiori a quelli specificati in 2B.

tre o più assi che possono essere coordinati simultaneamente per il controllo di contornatura; e

forza esercitata dal rullo superiore a 60 kN.

2B Note tecniche: 1.2.3.4.5.6. Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: a.

pressione massima di funzionamento uguale o superiore a 69 MPa;

progettate per raggiungere e mantenere un ambiente a temperatura controllata uguale o superiore a 873 K (600 °C); e

cavità di lavoro con diametro interno uguale o superiore a 254 mm.

macchine per fluotornitura aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. possibilità di essere equipaggiate, sulla base delle specifiche tecniche del fabbricante, con unità di controllo numerico o unità di controllo a calcolatore, anche se non ne sono equipaggiate; e

2. più di due assi che possono essere coordinati simultaneamente per il controllo di contornatura;

componenti appositamente progettati per le macchine per la fluotornitura specificate in 2B009 o 2B109.a.

2B Note tecniche: 1.2.3.4.5.6. Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: a.

sistemi di collaudo a vibrazione che impiegano tecniche a retroazione o a circuito chiuso e incorporano un controllore numerico, in grado di vibrare un sistema ad un’accelerazione uguale o superiore a 10 g in valore efficace tra 20 Hz e 2 kHz ed in grado di imprimere forze uguali o superiori a 50 kN, misurate a tavola vuotà;

b. Nota tecnica:

controllori numerici, combinati con software di collaudo a vibrazione appositamente progettato, con larghezza di banda di controllo in tempo reale superiore a 5 kHz e progettati per essere utilizzati con i sistemi di collaudo a vibrazione specificati in 2B116.a; In 2B116.b. per larghezza di banda di controllo in tempo reale si intende la velocità massima alla quale il controllore può eseguire cicli completi di campionamento, elaborazione di dati e trasmissione di segnali di controllo.

dispositivi di spinta per vibrazione (unità di vibrazione), con o senza amplificatori associati, in grado di imprimere una forza uguale o superiore a 50 kN, misurata a tavola vuotà, ed utilizzabili nei sistemi di collaudo a vibrazione specificati in 2B116.a.;

strutture di supporto del pezzo da collaudare ed unità elettroniche progettate per combinare più unità di vibrazione in un sistema completo in grado di fornire una forza effettiva combinata uguale o superiore a 50 kN, misurata a tavola vuotà, ed utilizzabili nei sistemi di collaudo a vibrazione specificati in 2B116.a.

2B Note tecniche: 1.2.3.4.5.6. Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: a.

Macchine di bilanciamento aventi tutte le caratteristiche seguenti: Nota: 2B119.a. non sottopone ad autorizzazione le macchine di bilanciamento progettate o modificate per apparecchiature dentistiche o altre apparecchiature medicali.

1. che non siano in grado di bilanciare rotori/assiemi aventi massa superiore a 3 kg;

2. che siano in grado di bilanciare rotori/assiemi a velocità superiore a 12500 rpm;

3. 2B119 a. che siano in grado di effettuare correzioni di equilibratura su due o più piani; e

4. che siano in grado di realizzare l’equilibratura sino a uno sbilanciamento specifico residuo di 0,2 g mm per kg di massa rotante;

b. Nota tecnica:

teste indicatrici progettate o modificate per essere utilizzate con le macchine specificate in 2B119.a. Le teste indicatrici sono conosciute talvolta come strumentazione per il bilanciamento.

due o più assi;

progettati o modificati per incorporare contatti rotanti o dispositivi integrati senza contatto in grado di trasferire energia elettrica, segnale di misura o entrambi; e

aventi una delle caratteristiche seguenti:

1. aventi tutte le caratteristiche seguenti per ogni singolo asse:

1. a.

in grado di realizzare velocità uguali o superiori a 400 gradi/s o uguali o inferiori a 30 gradi/s; e

risoluzione di velocità uguale o inferiore a 6 gradi/s e precisione uguale o inferiore a 0,6 gradi/s;

2. stabilità di velocità nelle condizioni peggiori uguale o migliore (inferiore) a più o meno 0,05 % calcolata in media su 10 gradi o più; o

3. precisione di posizionamento uguale o minore (migliore) di 5 archi al secondo.

due o più assi; e

precisione di posizionamento uguale o minore (migliore) di 5 archi al secondo.

macchine utensili di fresatura aventi una delle caratteristiche seguenti: Nota: 2B201.a. non sottopone ad autorizzazione le macchine di fresatura aventi le caratteristiche seguenti:

1. precisioni di posizionamento con tutte le compensazioni disponibili uguali o inferiori a (migliori) di 6 μm secondo la norma ISO 230/2 (1988) o norme nazionali equivalenti su uno qualsiasi degli assi lineari; o

2. due o più assi di rotazione di contornatura;

a.

corsa dell’asse x superiore a 2 m; e

b.

precisione di posizionamento globale sull’asse x superiore a (peggiore di) 30 μm.

macchine utensili di rettifica aventi una delle caratteristiche seguenti: Nota: 2B201.b. non sottopone ad autorizzazione le macchine di rettifica seguenti:

1. precisioni di posizionamento con tutte le compensazioni disponibili uguali o inferiori a (migliori) di 4 μm secondo la norma ISO 230/2 (1988) o norme nazionali equivalenti su uno qualsiasi degli assi lineari; o

2. o più assi di rotazione di contornatura.

a.

macchine di rettifica esterna, interna, ed esterna-interna di cilindri, aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. limitate a una capacità massima di diametro esterno o lunghezza del pezzo da lavorare di 150 mm; e

2. assi limitati agli assi x, z e c;

b.

rettificatrici a coordinate non aventi asse z o asse w con precisione di posizionamento globale minore (migliore) di 4 μm secondo la norma ISO 230/2 (1988) o norme nazionali equivalenti.

ingranaggi;

alberi a gomito o alberi a camme;

utensili o utensili da taglio;

estrusori a vite.

Presse isostatiche avente tutte le caratteristiche seguenti:

1. in grado di assicurare una pressione di lavoro massima uguale o superiore a 69 Mpa; e

2. cavità di lavoro con diametro interno superiore a 152 mm;

2B204 loro matrici, stampi e controlli appositamente progettati per presse isostatiche, specificati in 2B204.a.

2B Note tecniche: 1.2.3.4.5.6. Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: a. Nota tecnica:

macchine di misura a coordinate (CMM) con controllo a calcolatore o con controllo numerico aventi una delle caratteristiche seguenti: L’E0,MPE della configurazione più accurata delle CMM specificate dal fabbricante in base alla ISO 10360-2(2009) (ad esempio il migliore tra i seguenti: sonda, lunghezza della punta, parametri di movimento, ambienti) e con tutte le compensazioni disponibili è paragonato alla soglia di 1,7 + L/800 μm.

1. aventi solo due assi e con un errore massimo tollerato di misura della lunghezza lungo qualsiasi asse (monodimensionale), individuato come qualsiasi combinazione di E0x,MPE, E0y,MPE, o E0z,MPE, secondo una dimensione uguale o inferiore a (migliore di) (1,25 + L/1000) μm (dove L rappresenta la lunghezza misurata espressa in mm) in qualsiasi punto della gamma di funzionamento della macchina (ad esempio all’interno della lunghezza dell’asse) in base alla norma ISO 10360-2(2009); o

2. tre o più assi e con un massimo tollerato di errore tridimensionale (volumetrico) di misura della lunghezza (E0,MPE) uguale o inferiore a (migliore di) (1,7 + L/800) μm (dove L rappresenta la lunghezza misurata espressa in mm) in qualsiasi punto della gamma di funzionamento della macchina (ad esempio all’interno della lunghezza dell’asse) in base alla norma ISO 10360-2(2009);

sistemi per il controllo simultaneo lineare-angolare di semigusci, aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. incertezza di misura lungo un asse lineare qualsiasi uguale o inferiore a (migliore di) 3,5 μm per 5 mm: e

2. deviazione di posizione angolare uguale o inferiore a 0,02 °.

2B Note tecniche: 1.2.3.4.5.6. Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Note tecniche: a.

robot o dispositivi di estremità, appositamente progettati per rispondere alle norme nazionali di sicurezza applicabili al maneggio di esplosivi ad alto potenziale (ad esempio rispondenti alla classifica del codice elettrico per gli esplosivi ad alto potenziale);

unità di controllo appositamente progettate per robot o dispositivi di estremità specificati in 2B207.a.

macchine aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. tre o più rulli (attivi o di guida); e

2. previste per essere equipaggiate, conformemente alle specifiche tecniche del fabbricante, con unità di controllo numerico o di controllo a calcolatore;

mandrini, appositamente progettati per sagomare rotori cilindrici di diametro interno compreso tra 75 mm e 400 mm.

macchine di bilanciamento centrifugo progettate per il bilanciamento di rotori flessibili di lunghezza uguale o superiore a 600 mm ed aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. diametro del perno o dell’asse uguale o superiore a 75 mm;

2. capacità di massa compresa tra 0,9 e 23 kg; e

3. capacità di bilanciamento con velocità di rotazione superiori a 5000 giri/min;

macchine di bilanciamento centrifugo progettate per il bilanciamento di componenti di rotori cilindrici cavi ed aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. diametro del perno uguale o superiore a 75 mm;

2. capacità di massa compresa tra 0,9 e 23 kg;

3. in grado di bilanciare fino ad uno sbilanciamento residuo uguale o inferiore a 0,01 kg × mm/kg per piano; e

4. azionamento a cinghia.

capacità di penetrazione uguale o superiore a 0,6 m della parete della cella calda (operazione attraverso la parete); o

capacità di superare la sommità della parete di una cella calda di spessore uguale o superiore a 0,6 m (funzionamento sopra la parete).

2B Note tecniche: 1.2.3.4.5.6. Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Note tecniche: Nota tecnica: a.

forni aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. in grado di funzionare a temperature superiori a 1123 K (850 °C);

2. aventi bobine di induzione di diametro uguale o inferiore a 600 mm; e

3. progettati per potenze di ingresso uguali o superiori a 5 kW;

alimentatori aventi potenza di uscita specifica uguale o superiore a 5 kW, appositamente progettati per forni specificati in 2B226.a.

forni ad arco di rifusione e di colata aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. ad elettrodo consumabile di capacità compresa tra 1000 cm3 e 20000 cm3, e

2. in grado di funzionare con temperature di colata superiori a 1973 K (1700 °C);

forni di fusione a fascio elettronico e forni di atomizzazione e fusione a plasma, aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. potenza uguale o superiore a 50 kW, e

2. in grado di funzionare con temperature di colata superiori a 1473 K (1200 °C);

sistemi di controllo e monitoraggio a calcolatore appositamente configurati per i forni specificati in 2B227.a. o b.

apparecchiature di assemblaggio del rotore per l’assemblaggio delle sezioni del tubo, di diaframmi e di coperchi terminali del rotore di centrifughe a gas; Nota: 2B228.a. comprende i mandrini di precisione, i morsetti e le macchine di accoppiamento per forzatura.

b. Nota tecnica:

apparecchiature di raddrizzatura del rotore per l’allineamento delle sezioni del tubo rotore di centrifughe a gas su un asse comune; In 2B228.b. normalmente tali apparecchiature consistono in sonde di misura di precisione collegate ad un calcolatore che controlla di conseguenza, ad esempio, l’azione di pistoni pneumatici usati per l’allineamento delle sezioni del tubo rotore.

c. Nota tecnica:

mandrini e matrici di formatura di soffietti, per la produzione di soffietti a spira singola. In 2B228.c. i soffietti hanno tutte le caratteristiche seguenti:

1. diametro interno compreso tra 75 mm e 400 mm;

2. lunghezza uguale o superiore a 12,7 mm;

3. profondità della singola spira maggiore di 2 mm; e

4. costruiti con leghe di alluminio ad alta resistenza, con acciaio Maraging o materiali fibrosi o filamentosi ad alta resistenza.

elementi sensibili alla pressione costituiti di o protetti da alluminio, leghe di alluminio, ossido di alluminio (allumina o zaffiro), nichelio, leghe di nichelio con più del 60 % di nichelio in peso; o polimeri di idrocarburi completamente fluorurati;

sigilli, se del caso, essenziali per sigillare gli elementi sensibili alla pressione, e a contatto diretto con i mezzi impiegati nel processo, costituiti di o protetti da alluminio, leghe di alluminio, ossido di alluminio (allumina o zaffiro), nichelio, leghe di nichelio con più del 60 % di nichelio in peso, o polimeri di idrocarburi interamente fluorurati; e

2B230 aventi una delle caratteristiche seguenti:

1. fondo scala inferiore a 13 kPa e precisione migliore di ± 1 % (fondo scala); o

2. fondo scala di 13 kPa o superiore e precisione migliore di ± 130 Pa quando misurata a 13 kPa.

2B Note tecniche: 1.2.3.4.5.6. Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Note tecniche: Nota tecnica: Note tecniche: 1.2. a.

dimensione della sezione minima di ingresso uguale o superiore a 380 mm;

velocità di pompaggio uguale o superiore a 15 m3/s; e

in grado di produrre un vuoto finale migliore di 13 mPa.

2B Note tecniche: 1.2.3.4.5.6. Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Note tecniche: Nota tecnica: Note tecniche: 1.2. Note tecniche: 1.2. a.

in grado di assicurare un flusso volumetrico all’ingresso di 50 m3/h

in grado di assicurare rapporto di compressione di 2:1 o superiori; e

aventi tutte le superfici che vengono a contatto con i gas impiegati nel processo costituite da uno dei seguenti materiali:

1. alluminio o lega di alluminio;

2. ossido d’alluminio:

3. acciaio inossidabile.

4. nichelio o lega di nichelio;

5. bronzo fosforoso; o

6. fluoropolimeri.

contenitori per reazioni o reattori, con o senza agitatori di volume totale interno (geometrico) superiore a 0,1 m3 (100 litri) ma inferiore a 20 m3 (20000 litri), aventi tutte le superfici di contatto diretto con le sostanze chimiche contenute o da trattare costruite con uno qualsiasi dei materiali seguenti:

1. leghe contenenti in peso più del 25 % di nichelio e 20 % di cromo;

2. fluoropolimeri (materiali polimerici o elastomerici contenenti in peso più del 35 % di fluoro);

3. 2B350 a. vetro (compresi i rivestimenti vetrificati o smaltati o rivestiti in vetro);

4. nichelio o leghe contenenti in peso più del 40 % di nichelio;

5. tantalio o leghe di tantalio;

6. titanio o leghe di titanio;

7. zirconio o leghe di zirconio; o

8. niobio (columbiom) o leghe di niobio;

agitatori progettati per l’impiego in contenitori per reazioni o in reattori specificati in 2B350.a. e giranti, pale o assi progettati per detti agitatori aventi tutte le superfici dell’agitatore in diretto contatto con le sostanze chimiche contenute o da trattare costruite con uno dei materiali seguenti:

1. leghe contenenti in peso più del 25 % di nichelio e 20 % di cromo;

2. fluoropolimeri (materiali polimerici o elastomerici contenenti in peso più del 35 % di fluoro);

3. vetro (compresi i rivestimenti vetrificati o smaltati o rivestiti in vetro);

4. nichelio o leghe contenenti in peso più del 40 % di nichelio;

5. tantalio o leghe di tantalio;

6. titanio o leghe di titanio;

7. zirconio o leghe di zirconio; o

8. niobio (columbiom) o leghe di niobio;

serbatoi di stoccaggio, contenitori o serbatoi di accumulo di volume totale interno (geometrico) superiore a 0,1 m3 (100 litri), aventi tutte le superfici di contatto diretto con le sostanze chimiche contenute o da trattare costruite con uno dei materiali seguenti:

1. leghe contenenti in peso più del 25 % di nichelio e 20 % di cromo;

2. fluoropolimeri (materiali polimerici o elastomerici contenenti in peso più del 35 % di fluoro);

3. vetro (compresi i rivestimenti vetrificati o smaltati o rivestiti in vetro);

4. nichelio o leghe contenenti in peso più del 40 % di nichelio;

5. tantalio o leghe di tantalio;

6. titanio o leghe di titanio;

7. zirconio o leghe di zirconio; o

8. niobio (columbiom) o leghe di niobio;

scambiatori di calore o unità di condensazione aventi l’area della superficie di trasferimento del calore superiore a 0,15 m2 e inferiore a 20 m2 e tubi, piastre, serpentine o blocchi (nuclei) progettati per detti scambiatori di calore o unità di condensazione aventi tutte le superfici in diretto contatto con le sostanze chimiche da trattare costruite con uno dei materiali seguenti:

1. leghe contenenti in peso più del 25 % di nichelio e 20 % di cromo;

2. fluoropolimeri (materiali polimerici o elastomerici contenenti in peso più del 35 % di fluoro);

3. vetro (compresi i rivestimenti vetrificati o smaltati o rivestiti in vetro);

4. grafite o carbonio grafite;

5. 2B350 d. nichelio o leghe contenenti in peso più del 40 % di nichelio;

6. tantalio o leghe di tantalio;

7. titanio o leghe di titanio;

8. zirconio o leghe di zirconio;

9. carburo di silicio;

10. carburo di titanio; o

11. niobio (columbiom) o leghe di niobio;

colonne di distillazione o torri di assorbimento di diametro interno superiore a 0,1 m e distributori di liquido, distributori di vapore o collettori di liquido progettati per dette colonne di distillazione o torri di assorbimento aventi tutte le superfici in diretto contatto con le sostanze chimiche da trattare costruite con uno dei materiali seguenti:

1. leghe contenenti in peso più del 25 % di nichelio e 20 % di cromo;

2. fluoropolimeri (materiali polimerici o elastomerici contenenti in peso più del 35 % di fluoro);

3. vetro (compresi i rivestimenti vetrificati o smaltati o rivestiti in vetro);

4. grafite o carbonio grafite;

5. nichelio o leghe contenenti in peso più del 40 % di nichelio;

6. tantalio o leghe di tantalio;

7. titanio o leghe di titanio;

8. zirconio o leghe di zirconio; o

9. niobio (columbiom) o leghe di niobio;

apparecchiature di riempimento manovrate a distanza aventi tutte le superfici in diretto contatto con le sostanze chimiche da trattare costruite con uno dei materiali seguenti:

1. leghe contenenti in peso più del 25 % di nichelio e 20 % di cromo;

2. nichelio o leghe contenenti in peso più del 40 % di nichelio;

g. Note tecniche: 1.2.

valvole e componenti, come segue: Ai fini di 2B350.g., per materiali resistenti alla corrosione si intende uno qualsiasi dei materiali seguenti: La dimensione nominale è definita come il più piccolo tra i diametri di entrata e di uscita.

1. valvole aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. a.

una dimensione nominale superiore a 10 mm (3/8″); e

tutte le superfici in diretto contatto con le sostanze chimiche prodotte, trasformate o contenute sono costituite da materiali resistenti alla corrosione;

2. valvole diverse da quelle specificate in 2B350.g.1., aventi tutte le caratteristiche seguenti:

2. a.

una dimensione nominale uguale o superiore a 25,4 mm (1″) e pari o inferiore a 101,6 mm (4″);

involucri (corpi delle valvole) o rivestimenti degli involucri preformati;

un elemento di chiusura progettato per essere intercambiabile; e

tutte le superfici degli involucri (corpi delle valvole) o dei rivestimenti degli involucri preformati in diretto contatto con le sostanze chimiche prodotte, trasformate o contenute sono costituite da materiali resistenti alla corrosione;

3. 2B350 g. componenti, progettati per le valvole specificate in 2B350.g.1. o 2B350.g.2., aventi tutte le superfici in diretto contatto con le sostanze chimiche prodotte, trasformate o contenute sono costituiti da materiali resistenti alla corrosione;

3. a.

involucri (corpi delle valvole);

rivestimenti degli involucri preformati;

g. Note tecniche: 1.

a.

nichelio o leghe contenenti in peso più del 40 % di nichelio;

b.

leghe contenenti in peso più del 25 % di nichelio e 20 % di cromo;

c.

fluoropolimeri (materiali polimerici o elastomerici contenenti in peso più del 35 % di fluoro);

d.

vetro o rivestiti di vetro (compresi i rivestimenti vetrificati o smaltati);

e.

tantalio o leghe di tantalio;

f.

titanio o leghe di titanio;

g.

zirconio o leghe di zirconio;

h.

niobio (columbiom) o leghe di niobio; o

i.

materiali ceramici, come segue:

1. carburo di silicio avente una purezza uguale o superiore all’80 % in peso;

2. ossido di alluminio (allumina) avente una purezza uguale o superiore al 99,9 % in peso;

3. ossido di zirconio;

tubazioni a pareti multiple che incorporano una porta di rivelazione delle perdite, aventi tutte le superfici in diretto contatto con le sostanze chimiche contenute o da trattare costruite con uno dei materiali seguenti:

1. leghe contenenti in peso più del 25 % di nichelio e 20 % di cromo;

2. fluoropolimeri (materiali polimerici o elastomerici contenenti in peso più del 35 % di fluoro);

3. vetro (compresi i rivestimenti vetrificati o smaltati o rivestiti in vetro);

4. grafite o carbonio grafite;

5. nichelio o leghe contenenti in peso più del 40 % di nichelio;

6. tantalio o leghe di tantalio;

7. titanio o leghe di titanio;

8. zirconio o leghe di zirconio; o

9. niobio (columbiom) o leghe di niobio;

i. Nota tecnica:

2B350 pompe dotate di tenuta multipla e senza tenuta, aventi una portata massima specificata dal fabbricante superiore a 0,6 m3/ora o pompe da vuoto aventi portata massima specificata dal fabbricante superiore a 5 m3/ora [alla temperatura standard di 273 K (0 °C) e pressione standard di 101,3 kPa], diverse da quelle specificate in 2B233; e involucri (corpi delle pompe), rivestimenti degli involucri preformati, giranti, rotori o ugelli a getto della pompa progettati per dette pompe, aventi tutte le superfici in diretto contatto con le sostanze chimiche da trattare costruite con uno dei materiali seguenti: In 2B350.i. si intende per tenute esclusivamente le tenute che entrano in contatto diretto con le sostanze chimiche da trattare (o destinate al trattamento), e forniscono una funzione di tenuta dove un albero di trasmissione rotante o alternativo passa attraverso il corpo di una pompa.

1. leghe contenenti in peso più del 25 % di nichelio e 20 % di cromo;

2. materiali ceramici;

3. ferrosilicio (leghe di ferro con elevato tenore di silicio);

4. fluoropolimeri (materiali polimerici o elastomerici contenenti in peso più del 35 % di fluoro);

5. vetro (compresi i rivestimenti vetrificati o smaltati o rivestiti in vetro);

6. grafite o carbonio grafite;

7. nichelio o leghe contenenti in peso più del 40 % di nichelio;

8. tantalio o leghe di tantalio;

9. titanio o leghe di titanio;

10. zirconio o leghe di zirconio; o

11. niobio (columbiom) o leghe di niobio;

inceneritori progettati per la distruzione di sostanze chimiche specificate in 1C350, aventi sistemi di alimentazione dei rifiuti appositamente progettati, attrezzature speciali per la manipolazione e temperatura media nella camera di combustione superiore a 1273K (1000 °C) e tutte le superfici di smaltimento dei rifiuti, in diretto contatto con tali prodotti, costruite o rivestite con uno dei materiali seguenti:

1. leghe contenenti in peso più del 25 % di nichelio e 20 % di cromo;

2. materiali ceramici; o

3. nichelio o leghe contenenti in peso più del 40 % di nichelio.

2B Note tecniche: 1.2.3.4.5.6. Note tecniche: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Nota tecnica: Note tecniche: Nota tecnica: Note tecniche: 1.2. Note tecniche: 1.2. Note tecniche: 1.2. a.

progettati per funzionamento continuo ed utilizzabili per la rilevazione di agenti di guerra chimica o di sostanze chimiche specificate in 1C350, con concentrazioni inferiori a 0,3 mg/m3; o

progettati per rivelare l’attività di inibizione della colinesterasi.

a. Nota tecnica:

mezzi di contenimento biologico completi a livello di contenimento P3, P4; I livelli di contenimento P3 o P4 (BL3, BL4, L3, L4) sono specificati nel manuale WHO Laboratory Biosafety (terza edizione, Ginevra 2004).

b. Nota tecnica:

fermentatori e componenti, come segue: Ai fini di 2B352.b. i fermentatori includono bioreattori, bioreattori monouso, chemostati ed sistemi a flusso continuo.

1. fermentatori, in grado di coltivare microrganismi patogeni o cellule vive per la produzione di virus patogeni o di tossine, senza emissione di aerosol, aventi una capacità totale pari o superiore a 20 litri;

2. componenti progettati per i fermentatori in 2B352.b.1. come segue:

2. a.

camere di coltura progettate per essere sterilizzate o disinfettate in situ;

dispositivi di supporto per le camere di coltura;

unità di controllo del processo in grado di monitorare e controllare simultaneamente due o più parametri del sistema di fermentazione (per esempio, temperatura, pH, nutrienti, agitazione, ossigeno disciolto, flusso d’aria, schiume di controllo);

c. Nota tecnica:

separatori centrifughi, in grado di effettuare una separazione continua senza la propagazione di aerosol, aventi tutte le caratteristiche seguenti: I separatori centrifughi includono i decantatori.

1. flusso superiore a 100 l/h;

2. componenti costruiti con acciaio inossidabile lucidato o titanio;

3. uno o più giunti di tenuta entro l’area di contenimento del vapore; e

4. in grado di realizzare la sterilizzazione in situ in condizione di chiusura;

apparecchiature di filtraggio a flusso incrociato (tangenziale) e loro componenti, come segue: Nota: 2B352.d. non sottopone ad autorizzazione le apparecchiature per l’osmosi inversa, quali specificate dal fabbricante.

1. apparecchiature di filtraggio a flusso incrociato (tangenziale) in grado di effettuare la separazione di microrganismi patogeni, virus, tossine o colture cellulari, aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. a.

una superficie di filtraggio totale uguale o superiore a 1 m2; e

b. Nota tecnica:

aventi una delle caratteristiche seguenti: In 2B352.d.1.b. per sterilizzazione si intende l’eliminazione di tutti i microbi vitali dalle apparecchiature mediante l’uso di agenti fisici (ad esempio vapore) o chimici. Per disinfettazione si intende la distruzione della potenziale infettività microbica nelle apparecchiature mediante l’uso di agenti chimici a effetto germicida. La disinfettazione e la sterilizzazione si distinguono dalla sanificazione, che si riferisce a procedimenti di pulizia volti a ridurre il contenuto microbico delle apparecchiature senza necessariamente eliminare l’intera infettività o vitalità microbica.

1. in grado di essere sterilizzate o disinfettate in situ; o

2. che impiegano apparecchiature di filtraggio a perdere o monouso;

2. 2B352 d. componenti di filtraggio a flusso incrociato (tangenziale) (ad esempio moduli, elementi, cassette, cartucce, unità o piastre) con superficie di filtraggio uguale o superiore a 0,2 m2 per ogni componente e progettati per l’uso nelle apparecchiature di filtraggio a flusso incrociato (tangenziale) specificate in 2B352.d.;

apparecchiature di disidratazione per congelamento sterilizzabili a vapore con capacità del condensatore superiore a 10 kg di ghiaccio in 24 ore e inferiore a 1000 kg di ghiaccio in 24 ore;

apparecchiature protettive e di contenimento, come segue:

1. abiti protettivi completi o parziali o cappe collegate ad un rifornimento d’aria esterno e funzionanti a pressione positiva; Nota: 2B352.f.1. non sottopone ad autorizzazione gli abiti progettati per essere indossati con autorespiratori.

2. cabine di sicurezza biologica di classe III o isolatori con prestazioni di caratteristiche similari; Nota: In 2B352.f.2 gli isolatori comprendono anche gli isolatori flessibili, i contenitori asciutti, le camere anaerobiche, le celle a guanti e le cappe a flusso laminare (con chiusura a flusso verticale).

camere progettate per il confronto aerosol con microrganismi, virus o tossine ed aventi una capacità uguale o superiore a 1 m3.

apparecchiature di essiccazione a spruzzo in grado di essiccare tossine o microrganismi patogeni aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. capacità di evaporazione dell’acqua ≥ 0,4 kg/h e ≤ 400 kg/h;

2. capacità di generare una dimensione particolare media delle particelle ≤ 10 μm con accessori esistenti o con minime modifiche dell’essiccatore a spruzzo con ugelli di atomizzazione che consentono la produzione della dimensione richiesta; e

3. in grado di essere sterilizzate o disinfettate in situ;

2C Materiali Nessuno.

2D Software 2D001 Software diverso da quello specificato in 2D002, come segue: Nota: 2D001 non sottopone ad autorizzazione il software di programmazione delle parti che genera codici di controllo numerico per la lavorazione delle diverse parti. 2D002 Software per dispositivi elettronici, anche integrato in un dispositivo o sistema elettronico, che consenta a tali dispositivi o sistemi di operare come unità di controllo numerico in grado di coordinare simultaneamente più di quattro assi per il controllo di contornatura. Nota 1: 2D002 non sottopone ad autorizzazione il software appositamente progettato o modificato per il funzionamento di elementi non specificati nella categoria 2. Nota 2: 2D002 non sottopone ad autorizzazione il software per i prodotti specificati in 2B002. Per il software per i prodotti specificati in 2B002, cfr. 2D001 e 2D003. Nota 3: 2D002 non sottopone ad autorizzazione il software esportato con elementi non specificati nella categoria 2, e il minimo necessario per il funzionamento degli elementi non specificati nella categoria 2. 2D003 Software progettato o modificato per il funzionamento di apparecchiature specificate in 2B002, che converte le funzioni di progettazione ottica, misurazione dei pezzi da lavorare e asportazione dei materiali in comandi a controllo numerico per ottenere la forma voluta del pezzo da lavorare. 2D101 Software appositamente progettato o modificato per l’utilizzazione di apparecchiature specificate in 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 o da 2B119 fino a 2B122. N.B.: CFR. ANCHE 9D004. 1D201 Software appositamente progettato per l’utilizzazione delle apparecchiature specificate in 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 o 2B227. 2D202 Software appositamente progettato o modificato per lo sviluppo, la produzione o l’utilizzazione delle apparecchiature specificate in 2B201. Nota: 2D202 non sottopone ad autorizzazione il software di programmazione delle parti che genera codici di comando a controllo numerico ma non permette l’uso diretto di attrezzature per la lavorazione delle diverse parti. 2D351 Software diverso da quello specificato in 1D003, appositamente progettato per l’utilizzazione delle apparecchiature specificate in 2B351.

2D a.

Software appositamente progettato o modificato per lo sviluppo o la produzione di apparecchiature specificate in 2A001 o 2B001

Software appositamente progettato o modificato per l’utilizzazione delle apparecchiature specificate in 2A001.c., 2B001 o 2B003 fino a 2B009.

2E Tabella 1.2.3.A.B.B.1.B.2.B.3.B.4.C.D.E.F.G. Metodi di deposizione

Tecnologia 2E001 Tecnologia in conformità alla nota generale sulla tecnologia per lo sviluppo, di apparecchiature o di software specificati in 2 A, 2B o 2D. Nota: 2E001 comprende la tecnologia per l’integrazione dei sistemi a sonda nelle macchine di misura coordinate specificate in 2B006.a. 2E002 Tecnologia in conformità alla nota generale sulla tecnologia per la produzione di apparecchiature specificate in 2 A o 2B. 2E003 Altre tecnologie, come segue: 2E101 Tecnologia in conformità alla nota generale sulla tecnologia per l’utilizzazione di apparecchiature o di software specificati in 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 fino a 2B122 o 2D101. 2E201 Tecnologia in conformità alla nota generale sulla tecnologia per l’utilizzazione di apparecchiature o di software specificati in 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 fino a 2B233, 2D201 o 2D202. 2E301 Tecnologia in conformità alla nota generale sulla tecnologia per l’utilizzazione dei beni specificati in 2B350 fino a 2B352. Processo di rivestimento (1) Substrato Rivestimento risultante Deposizione in fase di vapore di elementi chimici (CVD) Superleghe Alluminuri per passaggi interni Ceramiche (19) e vetri a bassa dilatazione (14) Siliciuri Carburi Strati dielettrici (15) Diamante Carbonio tipo diamante (17) Carbonio-carbonio, Materiali compositi a matrice ceramica o a matrice metallica Siliciuri Carburi Metalli refrattari Loro miscele (4) Strati dielettrici (15) Alluminuri Alluminuri legati (2) Nitruro di boro Carburo di tungsteno cementato (16), Carburo di silicio (18) Carburi Tungsteni Loro miscele (4) Strati dielettrici (15) Molibdeno e leghe di molibdeno Strati dielettrici (15) Berillio e leghe di berillio Strati dielettrici (15) Diamante Carbonio tipo diamante (17) Materiali per finestre di sensori (9) Strati dielettrici (15) Diamante Carbonio tipo diamante (17) Deposizione fisica, in fase di vapore, per evaporazione termica (TE-PVD) Deposizione física in fase di vapore(PVD): fascio elettronico (EB-PVD) Superleghe Siliciuri legati Alluminuri legati (2) MCrAlX (5) Ossido di zircónio modificato (12) Siliciuri Alluminuri Loro miscele (4) Ceramiche (19) e vetri-a bassa dilatazione (14) Strati dielettrici (15) Acciaio anticorrosione (7) MCrAlX (5) Ossido di zircónio modificato (12) Loro miscele (4) Carbonio-carbonio, Materiali compositi a matrice metallica o a matrice ceramica Siliciuri Carburi Metalli refrattari Loro miscele (4) Strati dielettrici (15) Nitruro di boro Carburo di tungsteno cementato (16), Carburo di silicio(18) Carburi Tungsteno Loro miscele (4) Strati dielettrici (15) Molibedeno e leghe di molibdeno Strati dielettrici (15) Berillio e leghe di berillio Strati dielettrici (15) Boruri Berillio Materiali per finestre di sensori (9) Strati dielettrici (15) Leghe di titanio (13) Boruri Nitruri Deposizione fisica in fase di vapore (PVD) per riscaldamento con resistenza assistita da fascio ionico (placcatura ionica) Ceramiche (19) e vetri a bassa espansione (14) Strati dielettrici (15) Carbonio tipo diamante (17) Carbonio-carbonio, Materiali compositi a matrice ceramica o a matrice metallica Strati dielettrici (15) Carburo di tungsteno cementato (16), Carburo di silicio Strati dielettrici (15) Molibedeno e leghe di molibdeno Strati dielettrici (15) Berillio e leghe di berillio Strati dielettrici (15) Materiali per finestre di sensori (9) Strati dielettrici (15) Carbonio tipo diamante (17) Deposizione física in fase di vapore(PVD): per vaporizzazione a laser Ceramiche (19) e vetri a bassa espansione (14) Siliciuri Strati dielettrici (15) Carbonio tipo diamante (17) Carbonio-carbonio, Materiali compositi a matrice ceramica o a matrice metallica Strati dielettrici (15) Carburo di tungsteno cementato (16), Carburo di silicio Strati dielettrici (15) Molibedeno e leghe di molibdeno Strati dielettrici (15) Berillio e leghe di berillio Strati dielettrici (15) Materiali per finestre di sensori (9) Strati dielettrici (15) Carbonio tipo diamante Deposizione física in fase di vapore (PVD): scarica ad arco catodico Superleghe Siliciuri legati Alluminuri legati (2) MCrAlX (5) Polimeri (11) e materiali compositi a matrice organica Boruri Carburi Nitruri Carbonio tipo diamante (17) Cementazione in cassetta (vedere sopra A per cementazione fuori cassetta) (10) Carbonio-carbonio, Materiali compositi a matrice ceramica o a matrice metallica Siliciuri Carburi Loro miscele (4) Leghe di titanio (13) Siliciuri Alluminuri Alluminuri legati (2) Metalli e leghe refrattari(8) Siliciuri Ossidi Polverizzazione a plasma Superleghe MCrAlX (5) Ossidi di zircónio modificati (12) Loro miscele (4) Nichelio-grafite soggetto ad abrasione Materiali contenenti Ni-Cr-Al soggetti ad abrasione Al-Si-poliestere soggetto ad abrasione Alluminuri legati (2) Leghe di alluminio (6) MCrAlX (5) Ossidi di zircónio modificati (12) Siliciuri Loro miscele (4) Leghe e metalli refrattari (8) Alluminuri Siliciuri Carburi Acciaio anticorrosione (7) MCrAlX (5) Ossidi di zircónio modificati (12) Loro miscele (4) Leghe di titanio(13) Carburi Alluminuri Siliciuri Alluminuri legati (2) Nichelio-grafite soggetto ad abrasione Materiali contenenti Ni-Cr-Al soggetti ad abrasione Al-Si-poliestere soggetto ad abrasione Deposizione a impasto liquido Metalli e leghe refrattari (8) Siliciuri fusi Alluminuri fusi esclusi gli elementi riscaldatori per resistenze Carbonio-carbonio, Materiali compositi a matrice ceramica o a matrice metallica Siliciuri Carburi Loro miscele (4) Deposizione per polverizzazione catodica Superleghe Siliciuri legati Alluminuri legati (2) Alluminuri modificati con metalli nobili(3) MCrAIX (5) Ossidi di zirconio modificati (12) Platino Loro miscele (4) Ceramiche e vetri a bassa dilatazione (14) Siliciuri Platino Loro miscele (4) Strati dielettrici (15) Carbonio tipo diamante (17) Leghe di titanio (13) Boruri Nitruri Ossidi Siliciuri Alluminuri Alluminuri legati (2) Carburi Carbonio-carbonio, Materiali compositi a matrice ceramica o a matricemetallica Siliciuri Carburi Metalli refrattari Loro miscele (4) Strati dielettrici (15) Nitruro di boro Carburo di tungsteno cementato (16), Carburo di silicio(18) Carburi Tungsteno Loro miscele (4) Strati dielettrici (15) Nitruro di boro Molibedeno e leghe di molibdeno Strati dielettrici (15) Berillio e leghe di berillio Boruri Strati dielettrici (15) Berillio Materiali per finestre di sensori (9) Strati dielettrici (15) Carbonio tipo diamante (17) Metalli e leghe refrattari (8) Alluminuri Siliciuri Ossidi Carburi Impiantazione ionica Acciai per cuscinetti ad alta temperatura Aggiunte di cromo tantalio o niobio (Columbium) Leghe di titanio (13) Boruri Nitruri Berillio e leghe di berillio Boruri Carburo di tungsteno cementato (16) Carburi Nitruri

2E a.

tecnologia per lo sviluppo di grafica interattiva come elemento integrato alle unità di controllo numerico per la preparazione o la modifica di programmi pezzo;

tecnologia per i processi di fabbricazione per la lavorazione dei metalli, come segue:

1. tecnologia per la progettazione di utensili, matrici o montaggi appositamente progettati per i processi seguenti:

1. a.

formatura superplastica;

saldatura per diffusione; o

stampaggio idraulico ad azione diretta;

2. dati tecnici consistenti in parametri o metodi di processo sotto elencati ed utilizzati per controllare:

2. a.

la formatura superplastica di leghe di alluminio, di leghe di titanio o superleghe:

1. preparazione delle superfici;

2. velocità di applicazione del carico;

3. temperatura;

4. pressione;

2E003 b. 2. la saldatura per diffusione di superleghe o leghe di titanio:

1. preparazione delle superfici;

2. temperatura;

3. pressione;

lo stampaggio idraulico ad azione diretta di leghe di alluminio o leghe di titanio:

1. pressione;

2. durata del ciclo;

l’addensamento isostatico a caldo di leghe di titanio, leghe di alluminio o superleghe:

1. temperatura;

2. pressione;

3. durata del ciclo;

tecnologia per lo sviluppo o la produzione di macchine di stiro-imbutitura idraulica e loro matrici per la fabbricazione di strutture di cellule di aerei;

tecnologia per lo sviluppo di generatori di istruzioni per macchine utensili (ad esempio programmi pezzo) a partire dai dati di progettazione residenti nelle unità di controllo numerico;

tecnologia per lo sviluppo del software di integrazione per l’incorporazione nelle unità di controllo numerico di sistemi esperti per il supporto di decisioni ad un livello elevato delle operazioni in officina;

tecnologia per l’applicazione di rivestimenti inorganici per la ricopertura o per la modifica della superficie (specificati nella colonna 3 della successiva tabella) su substrati non elettronici (specificati nella colonna 2 della successiva tabella), con i processi specificati nella colonna 1 della successiva tabella e definiti nella nota tecnica. Nota: La tabella e la nota tecnica sono riportate dopo 2E301. N.B.: Questa tabella dovrebbe essere letta per specificare la tecnologia di un particolare processo di rivestimento solo quando il rivestimento risultante, nella colonna 3, figura in un paragrafo direttamente di fronte al pertinente substrato sotto la colonna 2. Ad esempio, i dati tecnici relativi al processo di rivestimento della deposizione in fase di vapore di elementi chimici (CVD) sono inclusi per l’applicazione dei siliciuri a carbonio-carbonio, materiali compositi a matrice ceramica o a matrice metallica, ma non per l’applicazione dei siliciuri a substrati di carburo di tungsteno cementato (16), carburo di silicio (18). Nel secondo caso, il rivestimento risultante non è elencato nel paragrafo sotto la colonna 3 direttamente di fronte al paragrafo sotto la colonna 2 che elenca il carburo di tungsteno cementato (16), carburo di silicio (18).

2E Tabella 1.2.3.A.B.B.1.B.2.B.3.B.4.C.D.E.F.G. Metodi di deposizione TABELLA - METODI DI DEPOSIZIONE - NOTE 1.2.3.4.5.6.7.8.9.10.11.12.13.14.15.16.17.18.19.

Il termine processo di rivestimento comprende sia strati originali, sia riparazione e rimessa a nuovo di strati. Il termine rivestimento di alluminuri legatì comprende i rivestimenti realizzati in uno o più stadi nei quali uno o più elementi sono depositati prima o durante l’applicazione del rivestimento dell’alluminuro anche se questi elementi sono depositati con altro processo di rivestimento. Esso non comprende comunque l’uso multiplo dei processi di cementazione in cassetta in un solo stadio, per realizzare gli alluminuri legati. Il termine rivestimento di alluminuri modificati con metallo nobile comprende anche i rivestimenti realizzati in più stadi nei quali uno o più metalli nobili sono depositati con altro processo di rivestimento prima della applicazione del rivestimento dell’alluminuro. Il termine loro miscele comprende i materiali infiltrati, le composizioni graduate, i depositi simultanei e i depositi multistrato e le miscele sono ottenute con uno o più dei processi di rivestimento specificati nella tabella. McrAlX rappresenta una lega di rivestimento in cui M equivale a cobalto, ferro, nichelio o combinazioni di questi elementi ed X equivale ad afnio, ittrio, silicio, tantalio in qualsiasi quantità od altre aggiunte intenzionali superiori a 0,01 % in peso in proporzioni e combinazioni diverse, con l’esclusione: Il termine leghe di alluminio, si riferisce a leghe aventi carico di rottura uguale o superiore a 190 MPa misurato alla temperatura di 293 K (20 °C). Il termine acciaio anticorrosione si riferisce agli acciai AISI (American Iron and Steel Institute) della serie 300 o agli acciai corrispondenti a norme nazionali equivalenti. Il termine metalli e leghe refrattarì comprende i metalli seguenti e loro leghe: niobio (Columbium), molibdeno, tungsteno e tantalio. I materiali per finestre di sensorì sono i seguenti: allumina, silicio, germanio, solfuro di zinco, seleniuro di zinco, arseniuro di gallio, diamante, fosfuro di gallio, zaffiro ed i seguenti alogenuri metallici: materiali per finestre di sensori aventi un diametro superiore a 40 mm per il fluoruro di zirconio ed il fluoruro di afnio. La tecnologia relativa alla cementazione in cassetta in una sola fase dei profili aerodinamici di un singolo pezzo non è sottoposta ad autorizzazione dalla Categoria 2. I polimerì sono i seguenti: poliimmidi, poliesteri, polisolfuri, policarbonati e poliuretani. Per ossidi di zirconio modificatì, si intendono ossidi di zirconio che hanno subito aggiunte di altri ossidi metallici (cioè ossidi di calcio, di magnesio, di ittrio, di afnio, di terre rare) al fine di stabilizzare certe fasi cristallografiche e composizioni di queste fasi. I rivestimenti che servono da barriera termica costituiti da ossidi di zirconio, modificati con l’aiuto di ossido di calcio o di magnesio per miscelazione o fusione, non sono sottoposti ad autorizzazione. Per leghe di titanio si intendono soltanto le leghe utilizzate nel campo aerospaziale, aventi carico di rottura uguale o superiore a 900 MPa, misurato alla temperatura di 293 K (20 °C). Per vetri a bassa dilatazione si intendono vetri aventi un coefficiente di dilatazione termico uguale o inferiore a 1 × 10-7 K-1 misurato alla temperatura di 293 K (20 °C). Gli strati dielettricì sono rivestimenti composti da più strati di materiali isolanti nei quali le proprietà di interferenza di un assieme di diversi materiali aventi indici di rifrazione diversi sono utilizzati per riflettere, trasmettere od assorbire bande differenti di lunghezze d’onda. Per strati dielettrici si intendono più di 4 strati dielettrici o strati compositi dielettrico/metallo. Il carburo di tungsteno cementato non comprende i materiali per utensili di taglio e di formatura consistenti in carburo di tungsteno/(cobalto, nichelio), carburo di titanio/(cobalto, nichelio), carburo di cromo/nichelio-cromo e carburo di cromo/nichelio. La tecnologia destinata specificamente a depositare carbonio tipo diamante su una delle apparecchiature o uno dei materiali appresso elencati non è sottoposta ad autorizzazione: unità disco e testine magnetiche, apparecchiature per la fabbricazione di articoli monouso, valvole per rubinetti, diaframmi acustici per altoparlanti, componenti per motori di automobili, utensili di taglio, matrici di punzonamento/imbutitura, apparecchiature per l’automazione di uffici, microfoni o stampati medici, o dispositivi per la colatura o foggiatura a stampo della plastica, fabbricati con leghe contenenti meno del 5 % di berillio. Il carburo di silicio non comprende i materiali per utensili di taglio e di formatura. I substrati ceramici elencati nella tabella non comprendono i materiali ceramici contenenti il 5 % o più in peso di argilla o cemento, sia come costituenti distinti che in combinazione.

TABELLA - METODI DI DEPOSIZIONE - NOTE 1.2.3.4.5.

a.

dei rivestimenti di CoCrAlY contenenti meno del 22 % in peso di cromo, meno del 7 % in peso di alluminio e meno del 2 % in peso di ittrio;

b.

dei rivestimenti di CoCrAlY contenenti dal 22 al 24 % in peso di cromo, dal 10 al 12 % in peso di alluminio e dallo 0,5 allo 0,7 % in peso di ittrio; o

c.

dei rivestimenti di NiCrAlY contenenti dal 21 al 23 % in peso di cromo, dal 10 al 12 % in peso di alluminio e dallo 0,9 all’1,1 % in peso di ittrio.

TABELLA - METODI DI DEPOSIZIONE - NOTE TECNICHE

I processi specificati nella colonna 1 della tabella sono definiti come segue:

a.

la deposizione in fase di vapore di elementi chimici (CVD) è un processo di rivestimento per ricopertura o rivestimento con modifica della superficie per cui un metallo, una lega, un materiale composito, un dielettrico o una ceramica è depositato su uno strato riscaldato. I gas reagenti sono ridotti o combinati in prossimità del substrato provocando il deposito del materiale elementare, della lega o del materiale composto sul substrato. L’energia necessaria a questo processo di decomposizione o a questa reazione chimica può essere fornita dal calore del substrato, da un plasma a scarica luminescente o da una radiazione laser; N.B. 1: La deposizione in fase di vapore di elementi chimici comprende i processi seguenti: deposizione fuori cassetta con flusso di gas diretto, deposizione in fase di vapore di elementi chimici ad impulsi (CVD), deposizione termica per nucleazione controllata (CNTD), deposizione in fase di vapore di elementi chimici migliorato a plasma o assistito da plasma. N.B. 2: Il termine cassetta indica un substrato immerso in una miscela di polveri. N.B. 3: I gas reagenti utilizzati nel processo fuori cassetta sono ottenuti usando le stesse reazioni e parametri elementari del processo di cementazione in cassetta, tranne per il substrato da rivestire che non è in contatto con la miscela di polveri.

b.

la deposizione fisica in fase di vapore per evaporazione termica (TE-PVD) è un processo di rivestimento per ricopertura sotto vuoto con pressione inferiore a 0,1 Pa per cui una sorgente di energia termica è utilizzata per la vaporizzazione del materiale di rivestimento. Questo processo dà luogo alla condensazione o alla deposizione del materiale evaporato su substrati disposti in modo appropriato. L’aggiunta di gas alla camera sotto vuoto durante il processo di rivestimento al fine di sintetizzare i rivestimenti composti costituisce una variante corrente del processo. L’utilizzazione di fasci di ioni o di elettroni o di plasma per attivare o assistere la deposizione del rivestimento è anche una variante corrente di questa tecnica. Si possono anche utilizzare strumenti di controllo per misurare nel corso del processo le caratteristiche ottiche e lo spessore dei rivestimenti. Le tecniche specifiche di deposizione fisica in fase di vapore per evaporazione termica sono le seguenti:

1. la deposizione fisica in fase di vapore per fascio di elettroni impiega un fascio di elettroni per riscaldare il materiale costituente il rivestimento e provocarne l’evaporazione;

2. la deposizione fisica in fase di vapore per riscaldamento tramite resistenza assistita da fascio ionico impiega resistenze elettriche come sorgenti di riscaldamento in combinazione con fasci ionici d’urto per produrre un flusso controllato ed uniforme di materiali di rivestimento evaporati;

3. la vaporizzazione a laser impiega fasci laser ad impulsi o in onda continua per vaporizzare il materiale costituente il rivestimento;

4. la deposizione ad arco catodico impiega un catodo consumabile di materiale costituente il rivestimento che emette una scarica ad arco sulla superficie innescata da un contatto momentaneo con la massa. I movimenti controllati della formazione dell’arco attaccano la superficie del catodo creando un plasma fortemente ionizzato. L’anodo può essere sia un cono fissato sull’estremità del catodo tramite un isolatore sia la camera stessa. La polarizzazione del substrato è usata per la deposizione fuori della portata visiva; N.B.: Questa definizione non comprende la deposizione casuale ad arco catodico con substrati non polarizzati.

5. la placcatura ionica è una variante particolare di un processo generale di deposizione fisica in fase di vapore per evaporazione termica (TE-PVD) per cui una sorgente di ioni o un plasma sono utilizzati per ionizzare il materiale da depositare; una polarizzazione negativa viene applicata al substrato per facilitare l’estrazione del materiale dal plasma. L’introduzione di materiali reagenti, l’evaporazione di solidi all’interno della camera di trattamento e l’impiego di strumenti di controllo per misurare nel corso del processo le caratteristiche ottiche e lo spessore dei rivestimenti sono varianti ordinarie di questo processo;

c.

la cementazione in cassetta è un processo di rivestimento con modifica della superficie o un processo di rivestimento per ricopertura per cui un substrato viene immerso in una miscela di polveri (cassetta) comprendente: Il substrato e la miscela di polveri sono posti in una storta portata ad una temperatura compresa tra 1030 K (757 °C) e 1375 K (1102 °C) per un tempo sufficiente a permettere la deposizione del rivestimento;

1. le polveri metalliche che devono essere depositate (generalmente alluminio, cromo, silicio o loro combinazioni);

2. un attivatore (generalmente un sale alogenuro); e

3. una polvere inerte, più frequentemente allumina.

d.

la polverizzazione a plasma è un processo di rivestimento per ricopertura per cui un cannone (torcia di vaporizzazione) che produce e controlla un plasma, riceve materiali di rivestimento sotto forma di polvere o filo, li fa fondere e li proietta su un substrato sul quale si forma un rivestimento integralmente aderente. La polverizzazione a plasma può essere una polverizzazione a bassa pressione o una polverizzazione a grande velocità; N.B. 1: Per bassa pressione si intende una pressione inferiore alla pressione atmosferica ambiente. N.B. 2: Per grande velocità si intende una velocità del gas in uscita dalla torcia superiore a 750 m/s calcolata a una temperatura di 293 K (20 °C) e ad una pressione di 0,1 MPa.

e.

la deposizione ad impasto liquido è un processo di rivestimento con modifica della superficie o un processo di rivestimento per ricopertura per cui una polvere di metallo o di ceramica, associata ad un legante organico e in sospensione in un liquido, viene applicata su un substrato tramite spruzzatura, immersione o verniciatura. L’assieme viene essiccato in aria o in forno e poi sottoposto ad un trattamento termico per ottenere il rivestimento desiderato.

f.

la deposizione per polverizzazione catodica è un processo di rivestimento per ricopertura, basato sul fenomeno di trasferimento di quantità di moto, per cui gli ioni positivi sono accelerati da un campo elettrico verso la superficie di un bersaglio (materiale di rivestimento). L’energia cinetica ottenuta dall’impatto degli ioni è sufficiente perché gli atomi della superficie del bersaglio siano liberati per depositarsi sul substrato situato in modo adeguato; N.B. 1: La tabella si riferisce solo alla deposizione per polverizzazione catodica tramite un triodo, un magnetron o un reagente utilizzato per aumentare l’aderenza del rivestimento e la velocità di deposizione nonché alla deposizione per polverizzazione catodica aumentata a radiofrequenze, utilizzata per permettere la vaporizzazione di materiali di rivestimento non metallici. N.B. 2: Fasci ionici a bassa energia (minore di 5 keV) possono essere utilizzati per attivare la deposizione.

g.

l’impiantazione ionica è un processo di rivestimento con modifica della superficie per cui l’elemento da legare è ionizzato, accelerato da un gradiente di potenziale e impiantato nella zona superficiale del substrato. Ciò comprende i processi nei quali l’impiantazione ionica viene effettuata contemporaneamente alla deposizione fisica in fase di vapore per fascio elettronico o alla deposizione per polverizzazione catodica.

CATEGORIA 3 MATERIALI ELETTRONICI

3A Note tecniche: 1.2. Note tecniche: 1.2. Note tecniche: 1.2. Note tecniche: 1.2.

Sistemi, apparecchiature e componenti Nota 1: La condizione di esportabilità delle apparecchiature, dei dispositivi e dei componenti descritti in 3A001 o 3A002, tranne quelli descritti in 3A001.a.3 fino a 3A001.a.1.0. o in 3A001.a.12. o 3A001.a.13., appositamente progettati o aventi le stesse caratteristiche funzionali di altre apparecchiature è determinata dalle condizioni stabilite per queste altre apparecchiature. Nota 2: La condizione di esportabilità dei circuiti integrati descritti in 3A001.a.3. fino a 3A001.a.9. o in 3A001.a.12. o 3A001.a.13., programmati o progettati in maniera non modificabile per una specifica funzione di altre apparecchiature è determinata dalle condizioni stabilite per queste altre apparecchiature. N.B.: Se il fabbricante o il richiedente non è in grado di determinare la condizione di esportabilità delle altre apparecchiature, la condizione di esportabilità dei circuiti integrati è allora determinata in 3A001.a.3. fino a 3A001.a.9. e in 3A001.a.12. e 3A001.a.13. 3A 3A001 Dispositivi e componenti elettronici e relativi componenti appositamente progettati: 3A002 Apparecchiature elettroniche di uso generale: 3A003 Sistemi di gestione termica a raffreddamento per aspersione che utilizzano apparecchiature per la gestione e il ricondizionamento a ciclo chiuso del fluido in uno spazio a tenuta stagna in cui un fluido dielettrico viene nebulizzato sui componenti elettronici mediante nebulizzatori appositamente progettati per mantenere i componenti elettronici entro la relativa gamma di temperature operative, e loro componenti appositamente progettati. 3A101 Apparecchiature, componenti e dispositivi elettronici, diversi da quelli specificati in 3A001, come segue: 3A102 Batterie termiche progettate o modificate per missilì. In 3A102 per batterie termiche si intendono batterie monouso contenenti un sale inorganico non conduttivo come elettrolito. Queste batterie incorporano un materiale pirolitico che, quando innescato, scioglie l’elettrolito e attiva la batteria. In 3A102 per missilì si intendono sistemi completi a razzo e sistemi di veicoli aerei senza equipaggio con una portata superiore a 300 km; 3A201 Componenti elettronici, diversi da quelli specificati in 3A001, come segue: 3A225 Variatori o generatori di frequenza, diversi da quelli specificati in 0B001.b.13., utilizzabili per azionare motori a frequenza variabile o fissa, aventi tutte le caratteristiche seguenti: N.B. 1: il software appositamente progettato per aumentare o sbloccare le prestazioni di un variatore o generatore di frequenza per soddisfare le caratteristiche di 3A225 è specificato in 3D225. N.B. 2: la tecnologia sotto forma di codici o chiavi per aumentare o sbloccare le prestazioni di un variatore o generatore di frequenza per soddisfare le caratteristiche di 3A225 è specificata in 3D225. Nota: 3A225 non sottopone ad autorizzazione i variatori o generatori di frequenza che hanno vincoli relativi all’hardware, al software o alla tecnologia che comportano una prestazione inferiore a quella sopra indicata, a condizione che soddisfino una delle condizioni seguenti: I variatori di frequenza in 3A225 sono conosciuti anche come convertitori o invertitori. I variatori di frequenza in 3A225 possono essere commercializzati come generatori, apparecchiature elettroniche di collaudo, alimentatori a corrente alternata, variatori di velocità per motori, variatori di velocità (VSD), variatori di frequenza (VFD), unità di comando a frequenza variabile (AFD), azionamenti a velocità regolabile (ASD). 3A226 Alimentatori in corrente continua di elevata potenza diversi da quelli specificati in 0B001.j.6., aventi tutte le caratteristiche seguenti: 3A227 Alimentatori in corrente continua ad alta tensione diversi da quelli specificati in 0B001.j.5., aventi tutte le caratteristiche seguenti: 3A228 Dispositivi di commutazione, come segue: 3A229 Generatori di impulso ad elevata intensità di corrente come segue: N.B.: CFR. ANCHE ELENCO DEI MATERIALI DI ARMAMENTO. 3A230 Generatori di impulsi ad alta velocità e loro teste d’impulso, aventi tutte le seguenti caratteristiche: In 3A230, il tempo di transizione dell’impulso è definito come l’intervallo di tempo per passare da un valore di tensione del 10 % a quello del 90 %. Le teste di impulsì sono degli impulsi che formano reti progettate per accettare una tensione con funzione a gradino e trasformarla in una varietà di forme di impulso che includono tipi rettangolari, triangolari, a gradino, a impulso, esponenziali o monocicli. Le teste di impulsì possono essere parte integrante del generatore di impulsi, un modulo plug-in del dispositivo o un dispositivo collegato all’esterno. 3A231 Sistemi generatori di neutroni, compresi i tubi, aventi tutte le caratteristiche seguenti: 3A232 Sistemi di accensione multipunto diversi da quelli specificati in 1A007, come segue: N.B.: CFR. ANCHE ELENCO DEI MATERIALI DI ARMAMENTO. N.B.: Per i detonatori cfr. 1A007.b. Nota: 3A232 non sottopone ad autorizzazione i detonatori che usano solamente esplosivi primari come l’azoturo di piombo. 3A233 Spettrometri di massa, diversi da quelli specificati in 0B002.g., in grado di misurare ioni di unità di massa atomica uguale o superiore a 230 ed aventi una risoluzione migliore di 2 parti su 230, come segue, e loro sorgenti di ioni: gli spettrometri di massa a bombardamento di elettroni in 3A233.d. sono noti anche come spettrometri di massa per impatto elettronico o spettrometri di massa a ionizzazione elettronica. In 3A233.d.2. per trappola freddà si intende un dispositivo che intrappola le molecole di gas condensandole o congelandole su superfici fredde. Ai fini di 3A233.d.2., una pompa da vuoto criogenica a elio gassoso a circuito chiuso non è una trappola freddà. 3A234 Stripline per fornire un percorso a bassa induttanza ai detonatori con le caratteristiche seguenti:

3A a.

circuiti integrati di uso generale, come segue: Nota 1: La condizione di esportabilità delle fette (finite o non finite) nelle quali la funzione sia stata determinata deve essere valutata in funzione dei parametri definiti in 3A001.a. Nota 2: I circuiti integrati comprendono i tipi seguenti:

circuiti integrati monolitici,

circuiti integrati ibridi,

circuiti integrati multichip,

circuiti integrati a film compresi i circuiti integrati di silicio su zaffiro;

circuiti integrati ottici;

circuiti integrati tridimensionali.

1. circuiti integrati progettati o previsti come circuiti resistenti alle radiazioni per sopportare:

1. a.

una dose totale di 5 × 103 Gy (silicio) o più;

un tasso della dose di 5 × 106 Gy (silicio)/s o più; o

una fluenza (flusso integrato) di neutroni (1 MeV equivalente) di 5 × 1013 n/cm2 o superiore sul silicio, o il valore equivalente per altri materiali; Nota: 3A001.a.1.c. non sottopone ad autorizzazione i metalli isolanti semiconduttori (MIS).

2. microcircuiti microprocessori, microcircuiti microcalcolatori, microcircuiti microcontrollori, memorie a circuiti integrati fabbricate a partire da un semiconduttore composto, convertitori analogico-numerici, convertitori numerico-analogici, circuiti elettro-ottici o circuiti ottici integrati progettati per il trattamento del segnale, dispositivi logici programmabili dall’utilizzatore, circuiti integrati costruiti su richiesta del cliente per i quali non è conosciuta la funzione o la condizione di esportabilità dell’apparecchiatura nella quale tali circuiti integrati saranno usati, processori di trasformata rapida di Fourier (FFT), memorie di sola lettura cancellabili e programmabili elettricamente (EEPROM), memorie flash o memorie statiche ad accesso casuale (SRAM), aventi una delle caratteristiche seguenti: Nota: 3A001.a.2. non sottopone ad autorizzazione i circuiti integrati per applicazioni automobilistiche o ferroviarie civili.

2. a.

previsti per funzionare ad una temperatura ambiente superiore a 398 K (125 °C);

previsti per funzionare ad una temperatura ambiente inferiore a 218 K (- 55 °C); o

previsti per funzionare nell’intera gamma di temperatura ambiente da 218 K (- 55 °C) a 398 K (125 °C);

3. microcircuiti microprocessori, microcircuiti microcalcolatori e microcircuiti microcontrollori, fabbricati a partire da un semiconduttore composto e funzionanti con frequenza di clock superiore a 40 MHz; Nota: 3A001.a.3 comprende i processori di segnali numerici, i processori matriciali numerici ed i coprocessori numerici;

4. non utilizzato;

5. Note tecniche: 1.2.3.4.5.6.7.8.9. 3A001 a. 5.Note tecniche: 1.2.3.4.

3A001 a. convertitori a circuiti integrati analogico-numerici (ADC) e convertitori a circuiti integrati numerico-analogici (DAC), come segue: Una risoluzione di n bit corrisponde a una quantizzazione di 2n livelli. Il numero di bit nella parola in uscita è pari alla risoluzione del convertitore analogico-numerico. La velocità d’uscita è la massima velocità d’uscita del convertitore, indipendentemente dall’architettura o dal supercampionamento. Per i convertitori analogico-numerici multicanale, le uscite non sono aggregate e la velocità d’uscita è la massima velocità d’uscita di ogni singolo canale. Per i convertitori analogico-numerici interlacciatì o per i convertitori analogico-numerici multicanale specificati per avere un modo di funzionamento interlacciato, le uscite sono aggregate e la velocità d’uscita è la massima velocità d’uscita totale combinata di tutte le uscite. I venditori possono riferirsi alla velocità d’uscita anche come velocità di campionamento, velocità di conversione o velocità di flusso. È spesso misurata in Megahertz (MHz) o in mega campionamenti al secondo. Ai fini della misurazione della velocità d’uscita, una parola in uscita al secondo è uguale a un Hertz o a un campionamento al secondo. I convertitori analogico-numerici multicanale sono dispositivi che integrano più di un convertitore numerico-analogico, progettati in modo che ciascun convertitore numerico-analogico abbia un’entrata analogica separata. I convertitori analogico-numerici interlacciatì sono dispositivi aventi più convertitori analogico-numerici che campionano la stessa entrata analogica in momenti diversi in modo tale che, quando le uscite sono aggregate, l’entrata analogica è stata effettivamente campionata e convertita a una velocità di campionamento superiore. Il campo di variazione dinamico privo di componenti spurie (SFDR) è il rapporto tra il valore efficace della frequenza portante (componente massima del segnale) all’ingresso del convertitore numerico-analogico e il valore efficace immediatamente superiore del rumore o della componente di distorsione armonica all’uscita. Il campo di variazione dinamico privo di componenti spurie (SFDR) è determinato direttamente dalla tabella di specificazione o dai grafici di caratterizzazione dell’SFDR in funzione della frequenza. Un segnale è definito di fondo scala quando la sua ampiezza è maggiore di - 3 dBfs (fondo scala). Frequenza di aggiornamento adattatà per i convertitori numerico-analogici:

5. a.

convertitori analogico-numerici aventi una delle caratteristiche seguenti: N.B.: CFR. ANCHE 3A101.

1. risoluzione uguale o superiore a 8 bit, ma inferiore a 10 bit, con velocità di uscita superiore a 1000 milioni di parole al secondo;

2. risoluzione uguale o superiore a 10 bit, ma inferiore a 12 bit, con velocità di uscita superiore a 300 milioni di parole al secondo;

3. risoluzione pari a 12 bit, con velocità di uscita superiore a 200 milioni di parole al secondo;

4. risoluzione superiore a 12 bit, ma uguale o inferiore a 14 bit, con velocità di uscita superiore a 125 milioni di parole al secondo; o

5. risoluzione superiore a 14 bit, con velocità di uscita superiore a 20 milioni di parole al secondo;

5. Note tecniche: 1.2.3.4.5.6.7.8.9. b.

convertitori numerico-analogici aventi una delle caratteristiche seguenti:

1. risoluzione uguale o superiore a 10 bit, con frequenza di aggiornamento adattatà uguale o superiore a 3500 mega campionamenti al secondo; o

2. risoluzione uguale o superiore a 12 bit, con frequenza di aggiornamento adattatà uguale o superiore a 1250 mega campionamenti al secondo e aventi una delle caratteristiche seguenti:

2. a.

tempo di assestamento inferiore a 9 ns allo 0,024 % del fondo scala prescelto; o

campo di variazione dinamico privo di componenti spurie (SFDR) superiore a 68 dBc (portante) quando si sintetizza un segnale analogico a fondo scala di 100 MHz o la massima frequenza a fondo scala del segnale analogico specificata inferiore a 100 MHz.

5. Note tecniche: 1.2.3.4.5.6.7.8.9. 3A001 a. 5.Note tecniche: 1.2.3.4. a.

per i convertitori numerico-analogici convenzionali (non a interpolazione), la frequenza di aggiornamento adattatà è la frequenza alla quale il segnale numerico è convertito in un segnale analogico e i valori analogici in uscita sono modificati dal convertitore numerico-analogico. I convertitori numerico-analogici il cui metodo di interpolazione può essere bypassato (fattore di interpolazione pari a uno) dovrebbero essere considerati convertitori numerico-analogici convenzionali (non a interpolazione).

per i convertitori numerico-analogici a interpolazione (convertitori numerico-analogici a sovracampionamento), la frequenza di aggiornamento adattatà è la frequenza di aggiornamento del convertitore numerico-analogico divisa per il più piccolo fattore di interpolazione. Per i convertitori numerico-analogici a interpolazione, si può fare riferimento alla frequenza di aggiornamento adattatà impiegando vari termini, ad esempio:

frequenza dei dati di ingresso,

frequenza di parola in ingresso,

frequenza di campionamento in ingresso,

massima frequenza totale di bus in ingresso,

massima frequenza di clock del convertitore numerico-analogico per ingresso di clock del convertitore numerico-analogico.

6. circuiti integrati ottici e elettro-ottici per il trattamento del segnale, aventi tutte le caratteristiche seguenti:

6. a.

uno o più diodi laser interni;

uno o più elementi interni di rivelazione della luce; e

guide d’onda ottiche;

7. 3A001 a. 7.Note tecniche: 1.2.3.

dispositivi logici programmabili dall’utilizzatore, aventi una delle caratteristiche seguenti: Nota: 3A001.a.7. comprende: I dispositivi logici programmabili dall’utilizzatore sono noti anche come reti di porte programmabili dall’utilizzatore o reti logiche programmabili dall’utilizzatore. Il numero massimo di entrate/uscite numeriche in 3A001.a.7.a. è anche indicato come numero massimo di entrate/uscite dell’utilizzatore o numero massimo di entrate/uscite disponibili, indipendentemente dal fatto che il circuito integrato sia imballato o in formato bare die. la velocità di trasmissione di dati aggregati di picco di un ricetrasmettitore in serie unidirezionale è il prodotto della velocità di trasmissione dei dati di picco del ricetrasmettitore in serie unidirezionale per il numero di trasmettitori sulla FPGA.

7. a.

numero massimo di entrate/uscite numeriche uguale o superiore a 500; o

una velocità di trasmissione di dati aggregati di picco di un ricetrasmettitore in serie unidirezionale pari o superiore a 200 Gb/s;

dispositivi logici programmabili semplici (SPLD),

dispositivi logici programmabili complessi (CPLD),

reti di porte programmabili dall’utilizzatore (FPGA),

reti logiche programmabili dall’utilizzatore (FPLA),

interconnessioni programmabili dall’utilizzatore (FPIC).

8. non utilizzato;

9. circuiti integrati per reti neurali;

10. circuiti integrati costruiti su richiesta del cliente, per i quali non è conosciuta dal fabbricante né la funzione né la condizione di esportabilità dell’apparecchiatura nella quale tali circuiti integrati saranno usati, aventi una delle caratteristiche seguenti:

10. a.

oltre 1500 terminali di uscita;

ritardo di propagazione della porta di base tipico inferiore a 0,02 ns; o

frequenza di funzionamento superiore a 3 GHz;

11. circuiti integrati numerici diversi da quelli descritti in 3A001.a.3. fino a 3A001.a.10. e in 3A001.a.12. basati su qualsiasi semiconduttore composto ed aventi una delle caratteristiche seguenti:

11. a.

oltre 3000 porte di conteggio equivalenti (porte a 2 ingressi); o

frequenza di commutazione di stato superiore a 1,2 GHz;

12. Nota tecnica:

processori di trasformata rapida di Fourier (FFT) aventi un tempo di esecuzione nominale per una FFT di N punti complessi inferiore a (N log2 N)/20480 ms, essendo N il numero dei punti; Quando N è uguale a 1024 punti, la formula in 3A001.a.12 dà un tempo di esecuzione di 500 μs.

13. Nota tecnica:

circuiti integrati per sintetizzatore digitale diretto (DDS) aventi una delle caratteristiche seguenti: La frequenza di clock del DAC può essere descritta la frequenza di clock pilota o la frequenza di clock di entrata.

13. a.

frequenza di clock del convertitore numerico-analogico (DAC) pari o superiore a 3,5 GHz e risoluzione del DAC uguale o superiore a 10 bit, ma inferiore a 12 bit; o

frequenza di clock del convertitore numerico-analogico pari o superiore a 1,25 GHz e una risoluzione del DAC pari o superiore a 12 bit;

b. Nota tecnica:

componenti a microonde o ad onde millimetriche, come segue: Ai fini di3A001.b., il parametro potenza di uscita di picco satura può anche essere indicato sulle schede informative del prodotto come potenza di uscita, potenza di uscita satura, massima potenza di uscita, potenza di picco in uscita, o potenza di uscita al picco di inviluppo.

1. 3A001 b. tubi elettronici a vuoto e catodi come segue: Nota 1: 3A001.b.1. non sottopone ad autorizzazione i tubi progettati o previsti per funzionare in qualsiasi banda di frequenza aventi tutte le caratteristiche seguenti: Nota 2: 3A001.b.1. non sottopone ad autorizzazione i tubi non qualificati per impiego spaziale aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. a.

non superiore a 31,8 GHz; e

assegnata all’UIT per servizi di radiocomunicazione ma non di radiolocalizzazione.

potenza media di uscita uguale o inferiore a 50 W; e

progettati o previsti per funzionare a qualsiasi frequenza di banda aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. superiore a 31,8 GHz ma inferiore o uguale a 43,5 GHz; e

2. assegnata dall’UIT per servizi di radiocomunicazione ma non di radiolocalizzazione.

tubi ad onde progressive, ad impulsi o ad onda continua, come segue:

1. funzionanti a frequenze superiori a 31,8 GHz;

2. aventi l’elemento riscaldante del catodo con un tempo inferiore a 3 secondi tra l’accensione e l’emissione di potenza a RF (radio frequenza) nominale;

3. tubi a cavità accoppiate o loro derivati con banda passante frazionaria superiore al 7 % o con potenza di picco superiore a 2,5 kW;

4. tubi ad elica, o loro derivati, aventi una delle caratteristiche seguenti:

4. a.

banda passante istantanea superiore ad una ottava e prodotto della potenza media (espressa in kW) per la frequenza (espressa in GHz) superiore a 0,5;

banda passante istantanea uguale o inferiore ad una ottava e prodotto della potenza media (espressa in kW) per la frequenza (espressa in GHz) superiore a 1; o

qualificati per impiego spaziale;

tubi amplificatori a campi incrociati con guadagno superiore a 17 dB;

catodi impregnati progettati per tubi elettronici in grado di produrre una densità di corrente in emissione continua nelle condizioni di funzionamento nominali superiore a 5 A/cm2;

2. amplificatori di potenza a circuiti integrati monolitici a microonde (MMIC) aventi una delle caratteristiche seguenti: Nota 1: Non utilizzato. Nota 2: La condizione di esportabilità degli MMIC la cui frequenza operativa prevista include frequenze elencate in più gamme di frequenza, quali definite da 3A001.b.2.a. a 3A001.b.2.h. è determinata dalla soglia della più bassa potenza di uscita di picco satura. Nota 3: Con le note 1 e 2 in 3 A si intende che 3A001.b.2. non sottopone ad autorizzazione gli MMIC specificamente progettati per altre applicazioni, ad esempio telecomunicazioni, radar, automobili.

2. a.

previsti per funzionare a frequenze superiori a 2,7 GHz fino a 6,8 GHZ compresi, con una banda passante frazionaria superiore al 15 % e aventi una delle caratteristiche seguenti:

1. potenza di uscita di picco satura superiore a 75 W (48,75 dBm) a frequenze superiori a 2,7 GHz fino a 2,9 GHz (inclusi);

2. potenza di uscita di picco satura superiore a 55 W (47,4 dBm) a frequenze superiori a 2,9 GHz fino a 3,2 GHz (inclusi);

3. potenza di uscita di picco satura superiore a 40 W (46 dBm) a frequenze superiori a 3,2 GHz fino a 3,7 GHz (inclusi); o

4. potenza di uscita di picco satura superiore a 20 W (43 dBm) a frequenze superiori a 3,7 GHz fino a 6,8 GHz (inclusi);

3A001 b. 2. previsti per funzionare a frequenze superiori a 6,8 GHz fino a 16 GHZ compresi, con una banda passante frazionaria superiore al 10 % e aventi una delle caratteristiche seguenti:

1. potenza di uscita di picco satura superiore a 10 W (40 dBm) a frequenze superiori a 6,8 GHz fino a 8,5 GHz (inclusi); o

2. potenza di uscita di picco satura superiore a 5 W (37 dBm) a frequenze superiori a 8,5 GHz fino a 16 GHz (inclusi);

previsti per funzionare con potenza di uscita di picco satura superiore a 3 W (34,77 dBm) e a qualsiasi frequenza superiore a 16 GHz fino a 31,8 GHz (inclusi), con banda passante frazionaria superiore del 10 %;

previsti per funzionare con potenza di uscita di picco satura superiore a 0,1 nW (-70 dBm) a frequenze superiori a 31,8 GHz fino a 37 GHz (inclusi);

previsti per funzionare con potenza di uscita di picco satura superiore a 1 W (30 dBm) e a qualsiasi frequenza superiore a 37 GHz fino a 43,5 GHz (inclusi), con banda passante frazionaria superiore del 10 %;

previsti per funzionare con potenza di uscita di picco satura superiore a 31,62 mW (15 dBm) e a qualsiasi frequenza superiore a 43,5 GHz fino a 75 GHz (inclusi), con banda passante frazionaria superiore del 10 %;

previsti per funzionare con potenza di uscita di picco satura superiore a 10 mW (10 dBm) e a qualsiasi frequenza superiore a 75 GHz fino a 90 GHz (inclusi), con banda passante frazionaria superiore del 5 %; o

previsti per funzionare con potenza di uscita di picco satura superiore a 0,1 nW (-70 dBm) a frequenze superiori a 90 GHz;

3. transistor a microonde discreti aventi una delle caratteristiche seguenti: Nota 1: La condizione di esportabilità di un transistor la cui frequenza operativa prevista include frequenze elencate in più gamme di frequenza, quali definite da 3A001.b.3.a. a 3A001.b.3.e., è determinata dalla soglia della potenza di uscita di picco satura più bassa. Nota 2: I transistor discreti possono essere anche indicati come amplificatori di potenza, ma la condizione di tali transistor discreti è determinata in 3 A 001.b.3.

3. a.

previsti per funzionare a frequenze superiori a 2,7 GHz fino a 6,8 GHZ compresi e aventi una delle caratteristiche seguenti:

1. potenza di uscita di picco satura superiore a 400 W (56 dBm) a frequenze superiori a 2,7 GHz fino a 2,9 GHz (inclusi);

2. potenza di uscita di picco satura superiore a 205 W (53,12 dBm) a frequenze superiori a 2,9 GHz fino a 3,2 GHz (inclusi);

3. potenza di uscita di picco satura superiore a 115 W (50,61 dBm) a frequenze superiori a 3,2 GHz fino a 3,7 GHz (inclusi); o

4. potenza di uscita di picco satura superiore a 60 W (47,78 dBm) a frequenze superiori a 3,7 GHz fino a 6,8 GHz (inclusi);

previsti per funzionare a frequenze superiori a 6,8 GHz fino a 31,8 GHZ compresi e aventi una delle caratteristiche seguenti:

1. potenza di uscita di picco satura superiore a 50 W (47 dBm) a frequenze superiori a 6,8 GHz fino a 8,5 GHz (inclusi);

2. 3A001 b. 3. b. potenza di uscita di picco satura superiore a 15 W (41,76 dBm) a frequenze superiori a 8,5 GHz fino a 12 GHz (inclusi);

3. potenza di uscita di picco satura superiore a 40 W (46 dBm) a frequenze superiori a 12 GHz fino a 16 GHz (inclusi); o

4. potenza di uscita di picco satura superiore a 7 W (38,45 dBm) a frequenze superiori a 16 GHz fino a 31,8 GHz (inclusi);

previsti per funzionare con potenza di uscita di picco satura superiore a 0,5 nW (27 dBm) a frequenze superiori a 31,8 GHz fino a 37 GHz (inclusi);

previsti per funzionare con potenza di uscita di picco satura superiore a 1 nW (30 dBm) a frequenze superiori a 37 GHz fino a 43,5 GHz (inclusi);

previsti per funzionare con potenza di uscita di picco satura superiore a 0,1 nW (-70 dBm) a frequenze superiori a 43,5 GHz;

4. amplificatori a microonde a stato solido e assiemi/moduli a microonde contenenti amplificatori a microonde a stato solido aventi una delle caratteristiche seguenti: N.B.: Gli amplificatori di potenza MMIC devono essere valutati a fronte dei criteri di cui alla voce 3A001.b.2. Nota 1: Non utilizzato. Nota 2: La condizione di esportabilità di un prodotto la cui frequenza operativa prevista include frequenze elencate in più gamme di frequenza, quali definite da 3A001.b.4.a. a 3A001.b.4.e., è determinata dalla soglia di controllo della potenza di uscita di picco satura più bassa. Nota 3: 3A001.b.4. comprende moduli trasmittenti/riceventi e moduli trasmittenti.

4. a.

previsti per funzionare a frequenze superiori a 2,7 GHz fino a 6,8 GHZ compresi, con una banda passante frazionaria superiore al 15 % e aventi una delle caratteristiche seguenti:

1. potenza di uscita di picco satura superiore a 500 W (57 dBm) a frequenze superiori a 2,7 GHz fino a 2,9 GHz (inclusi);

2. potenza di uscita di picco satura superiore a 270 W (54,3 dBm) a frequenze superiori a 2,9 GHz fino a 3,2 GHz (inclusi);

3. potenza di uscita di picco satura superiore a 200 W (53 dBm) a frequenze superiori a 3,2 GHz fino a 3,7 GHz (inclusi); o

4. potenza di uscita di picco satura superiore a 90 W (49,54 dBm) a frequenze superiori a 3,7 GHz fino a 6,8 GHz (inclusi);

previsti per funzionare a frequenze superiori a 6,8 GHz fino a 31,8 GHZ compresi, con una banda passante frazionaria superiore al 10 % e aventi una delle caratteristiche seguenti:

1. potenza di uscita di picco satura superiore a 70 W (48,54 dBm) a frequenze superiori a 6,8 GHz fino a 8,5 GHz (inclusi);

2. potenza di uscita di picco satura superiore a 50 W (47 dBm) a frequenze superiori a 8,5 GHz fino a 12 GHz (inclusi);

3. potenza di uscita di picco satura superiore a 30 W (44,77 dBm) a frequenze superiori a 12 GHz fino a 16 GHz (inclusi); o

4. potenza di uscita di picco satura superiore a 20 W (43 dBm) a frequenze superiori a 16 GHz fino a 31,8 GHz (inclusi);

previsti per funzionare con potenza di uscita di picco satura superiore a 0,5 nW (27 dBm) a frequenze superiori a 31,8 GHz fino a 37 GHz (inclusi);

3A001 b. 4. previsti per funzionare con potenza di uscita di picco satura superiore a 2 W (33 dBm) e a qualsiasi frequenza superiore a 37 GHz fino a 43,5 GHz (inclusi), con banda passante frazionaria superiore del 10 %;

previsti per funzionare a frequenze superiori a 43,5 GHz e aventi una delle caratteristiche seguenti:

1. potenza di uscita di picco satura superiore a 0,2 W (23 dBm) e a qualsiasi frequenza superiore a 43,5 GHz fino a 75 GHz (inclusi), con banda passante frazionaria superiore del 10 %;

2. potenza di uscita di picco satura superiore a 20 mW (13 dBm) e a qualsiasi frequenza superiore a 75 GHz fino a 90 GHz (inclusi), con banda passante frazionaria superiore del 5 %; o

3. potenza di uscita di picco satura superiore a 0,1 nW (-70 dBm) a frequenze superiori a 90 GHz; o

previsti per funzionare a frequenze superiori a 2,7 GHz e aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. potenza di uscita di picco satura (in watt) Psat, superiore a 400 divisa per la frequenza operativa massima (in GHz) al quadrato [Psat > 400 W*GHz2/fGHz2];

2. una banda passante frazionaria del 5 % o superiore; e

3. Nota tecnica:

due lati qualsiasi perpendicolari l’uno all’altro con una delle lunghezze d (in cm) uguale o inferiore a 15 divisa per la più bassa frequenza operativa in GHz [d ≤ 15 cm*GHz/fGHz]; 2,7 GHz dovrebbe essere utilizzata come la più bassa frequenza operativa (fGHz) nella formula in 3A001.b.4.f.3, per gli amplificatori la cui gamma di funzionamento prevista si estende verso il basso a 2,7 GHz e oltre [d ≤ 15 cm*GHz/2,7 GHz].

5. filtri passa banda o eliminatori di banda accordabili elettronicamente o magneticamente, aventi più di 5 risonatori accordabili in grado di accordarsi su una banda di frequenza di 1,5:1 (fmax./fmin.) in meno di 10 μs e aventi una delle caratteristiche seguenti:

5. a.

banda passante superiore allo 0,5 % della frequenza centrale; o

banda passante dell’eliminatore di banda inferiore allo 0,5 % della frequenza centrale;

6. non utilizzato;

7. convertitori e miscelatori armonici progettati per estendere la gamma di frequenza delle apparecchiature descritte in 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. o 3A002.f. oltre i limiti ivi indicati;

8. 3A001 b. amplificatori di potenza a microonde contenenti tubi specificati in 3A001.b.1. e aventi tutte le caratteristiche seguenti: Nota: 3A001.b.8. non sottopone ad autorizzazione le apparecchiature progettate o previste per funzionare in qualsiasi banda di frequenza assegnata dall’UIT per servizi di radiocomunicazione ma non di radiolocalizzazione.

8. a.

frequenze di funzionamento superiori a 3 GHz;

rapporto fra potenza media di uscita e massa superiore a 80 W/kg; e

volume inferiore a 400 cm3;

9. Note tecniche: 1.2.

moduli di potenza a microonde (MPM), costituiti come minimo da un tubo ad onde progressive, un circuito integrato monolitico a microonde e un convertitore di potenza elettronico integrato, aventi tutte le caratteristiche seguenti: Per calcolare il volume in 3A001.b.9.b., è fornito il seguente esempio: per una potenza nominale massima di 20 W, il volume corrisponderebbe a: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3. Il tempo di accensione in 3A001.b.9.a. si riferisce al tempo che intercorre tra lo stato di inattività completa e lo stato di piena operatività, ossia include il tempo di riscaldamento dei MPM.

9. a.

un tempo di accensione da spento a completamente operativo inferiore a 10 secondi;

un volume inferiore alla potenza nominale massima in Watt moltiplicata per 10 cm3/W; e

banda passante istantanea superiore di una ottava e una delle caratteristiche seguenti:

1. per frequenze uguali o inferiori a 18 GHz, una potenza di uscita a RF (radio frequenza) superiore a 100 W; o

2. frequenza superiore a 18 GHz;

10. Nota tecnica:

Oscillatori o assiemi di oscillatori, specificati per funzionare con tutto quanto segue: In 3A001.b.10., F rappresenta lo spostamento espresso in Hz rispetto alla frequenza di funzionamento e f la frequenza di funzionamento espressa in MHz.

10. a.

rumore di fase in banda laterale unica (SSB), espresso in dBc/Hz, migliore di - (126 + 20log10F-20log10f) ovunque nella gamma di 10 Hz < F < 10 kHz; e

rumore di fase in banda laterale unica (SSB), espresso in dBc/Hz, migliore di - (114 + 20log10F-20log10f) ovunque nella gamma di 10 kHz ≤ F < 500 kHz;

11. assiemi elettronicisintetizzatori di frequenza aventi tempo di commutazione della frequenza come specificato da una delle seguenti caratteristiche: N.B.: per analizzatori di segnali, generatori di segnali, analizzatori di rete e ricevitori di collaudo a microonde di uso generale, cfr. rispettivamente 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. e 3A002.f.

11. a.

inferiore a 156 ps;

inferiore a 100 μs per qualsiasi variazione di frequenza superiore a 1,6 GHz entro la gamma di frequenze sintetizzate superiore a 4,8 GHz ma non superiore a 10,6 GHz;

inferiore a 250 μs per qualsiasi variazione di frequenza superiore a 550 MHz entro la gamma di frequenze sintetizzate superiore a 10,6 GHz ma non superiore a 31,8 GHz;

inferiore a 500 μs per qualsiasi variazione di frequenza superiore a 550 MHz entro la gamma di frequenze sintetizzate superiore a 31,8 GHz ma non superiore a 43,5 GHz;

3A001 b. 11. inferiore a 1 ms per qualsiasi variazione di frequenza superiore a 550 MHz entro la gamma di frequenze sintetizzate superiore a 43,5 GHz ma non superiore a 56 GHz;

inferiore a 1 ms per qualsiasi variazione di frequenza superiore a 2,2 GHz entro la gamma di frequenze sintetizzate superiore a 56 GHz ma non superiore a 75 GHz; o

inferiore a 1 ms entro la gamma di frequenze sintetizzate superiore a 75 GHz.

dispositivi utilizzanti le onde acustiche come segue e loro componenti appositamente progettati: Nota: 3A001.c. non sottopone ad autorizzazione i dispositivi utilizzanti le onde acustiche che sono limitati alla funzione di filtraggio con filtro passa banda singola, passa basso, passa alto o a reiezione di banda, o alla funzione di risonanza.

1. Nota tecnica:

dispositivi utilizzanti le onde acustiche di superficie e le onde acustiche rasenti (poco profonde), aventi una delle caratteristiche seguenti: Per reiezione del lobo laterale di frequenzà si intende il valore massimo di reiezione specificato nella scheda tecnica.

1. a.

frequenza portante superiore a 6 GHz;

frequenza portante superiore a 1 GHz ma uguale o inferiore a 6 GHz, aventi una delle caratteristiche seguenti:

1. reiezione del lobo laterale di frequenzà superiore a 65 dB;

2. prodotto del ritardo massimo (espresso in μs) per la banda passante (espressa in MHz) superiore a 100;

3. banda passante superiore a 250 MHz; o

4. ritardo di dispersione superiore a 10 μs; o

frequenza portante inferiore o uguale a 1 GHz, aventi una delle caratteristiche seguenti:

1. prodotto del ritardo massimo (espresso in μs) per la banda passante (espressa in MHz) superiore a 100;

2. ritardo di dispersione superiore a 10 μs; o

3. reiezione del lobo laterale di frequenzà superiore a 65 dB e banda passante superiore a 100 MHz;

2. dispositivi utilizzanti le onde acustiche di volume che permettono il trattamento diretto di segnali a frequenze superiori a 6 GHz;

3. dispositivi di trattamento del segnale acustico-ottici basati sull’interazione tra onde acustiche (di volume o di superficie) e onde luminose che permettono il trattamento diretto di segnali o immagini, compresa l’analisi spettrale, la correlazione o la convoluzione;

dispositivi e circuiti elettronici contenenti componenti, fabbricati a partire da materiali superconduttori, appositamente progettati per funzionare a temperature inferiori alla temperatura critica di almeno uno dei costituenti superconduttori, aventi una delle funzioni seguenti:

1. commutazione di corrente per circuiti numerici che impiegano porte superconduttrici con prodotto del ritardo per porta (espresso in secondi) per la potenza dissipata per porta (espressa in Watt) inferiore a 10-14 J; o

2. selezione di frequenza a tutte le frequenze con circuiti risonanti aventi fattori Q superiori a 10000;

3A001 dispositivi ad alta energia come segue:

1. Note tecniche: 1.2.3.4.

celle come segue: Ai fini di 3A001.e.1., la densità di energià (Wh/kg) è calcolata moltiplicando la tensione nominale per la capacità nominale espressa in ampere/ore (Ah) e dividendo il prodotto ottenuto per la massa espressa in chilogrammi. Se la capacità nominale non è definita, la densità di energia è calcolata moltiplicando il quadrato della tensione nominale per la durata della scarica, espressa in ore, e dividendo il prodotto ottenuto per il carico di scarica espresso in ohm e la massa espressa in chilogrammi. Ai fini di 3A001.e.1., per cellà si intende un dispositivo elettrochimico dotato di elettrodi positivi e negativi, un elettrolito e una sorgente di energia elettrica. È l’elemento costitutivo principale di una batteria. Ai fini di 3A001.e.1.a., per cella primarià si intende una cellà che non è progettata per essere caricata da un’altra sorgente. Ai fini di 3A001.e.1.b., per cella secondarià si intende una cellà progettata per essere caricata da una sorgente elettrica esterna. Nota: 3A001.e.1. non sottopone ad autorizzazione le batterie, incluse le batterie a cella singola.

1. a.

celle primarie aventi una densità di energià superiore a 550 Wh/kg a 20 °C;

celle secondarie aventi una densità di energià superiore a 300 Wh/kg a 20 °C;

2. condensatori con elevata capacità di immagazzinare energia come segue: N.B.: CFR ANCHE 3A201.a. e l’elenco dei materiali di armamento.

2. a.

condensatori con cadenza di ripetizione inferiore a 10 Hz (condensatori a scarica in un solo colpo) aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. tensione nominale uguale o superiore a 5 kV;

2. densità di energia uguale o superiore a 250 J/kg; e

3. energia totale uguale o superiore a 25 kJ;

condensatori con cadenza di ripetizione uguale o superiore a 10 Hz (a scariche successive) aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. tensione nominale uguale o superiore a 5 kV;

2. densità di energia uguale o superiore a 50 J/kg;

3. energia totale uguale o superiore a 100 J; e

4. durata di vita uguale o superiore a 10000 cicli carica/scarica;

3. elettromagneti e solenoidi superconduttori, appositamente progettati per un tempo di carica o di scarica completo inferiore ad un secondo, aventi tutte le caratteristiche seguenti: N.B.: CFR. ANCHE 3A201.b. Nota: 3A001.e.3. non sottopone ad autorizzazione gli elettromagneti o i solenoidi superconduttori appositamente progettati per le apparecchiature medicali ad immagine a risonanza magnetica (MRI).

3. a.

energia fornita durante la scarica superiore a 10 kJ nel primo secondo;

diametro interno degli avvolgimenti percorsi da corrente superiore a 250 mm; e

previsti per una induzione magnetica superiore a 8 T o per una densità di corrente globale nell’avvolgimento superiore a 300 A/mm2;

4. Nota tecnica:

3A001 e. celle solari, assiemi di coperture vetrose interconnesse (CIC), pannelli solari e mosaici solari, qualificati per impiego spaziale, aventi efficienza media minima superiore al 20 % a una temperatura di funzionamento di 301 K (28 °C) a illuminazione simulata AMO con un irradiamento di 1367 watt per metro quadrato (W/m2); AMO o massa d’aria zero si riferisce all’irradiamento spettrale della luce solare nell’atmosfera esterna della terra quando la distanza tra la terra e il sole è pari a un’unità astronomica (UA).

codificatori di posizione assoluta di tipo rotante, aventi una precisione uguale o inferiore a (migliore di) ± 1,0 secondo d’arco;

g. Nota tecnica:

dispositivi di commutazione a tiristori a energia pulsata a stato solido e moduli di tiristorì che utilizzano metodi di commutazione controllati elettricamente, otticamente o a radiazione di elettroni, aventi una delle seguenti caratteristiche: Nota 1: 3A001.g. include: Nota 2: 3A001.g. non include i dispositivi a tiristori e i moduli di tiristorì incorporati in apparecchiature progettate per applicazioni ferroviarie civili o per aeromobili civili. Ai fini di 3A001.g., un modulo di tiristorì contiene uno o più tiristori.

1. velocità massima di salita della corrente di accensione (di/dt) superiore a 30000 A/μs e tensione a vuoto superiore a 1100 V; o

2. velocità massima di salita della corrente di accensione (di/dt) superiore a 2000 A/μs e tutte le caratteristiche seguenti:

2. a.

tensione di picco a vuoto uguale o superiore a 3000 V; e

corrente di picco (transitorio) uguale o superiore a 3000 A.

raddrizzatori controllati al silicio (SCR),

tiristori a innesco elettrico (ETT),

tiristori a innesco leggero (LTT),

tiristori a commutazione a circuito integrato (IGCT),

tiristori a spegnimento forzato (GTO),

tiristori controllati da transistor MOS (MCT),

Solidtron.

h. Nota tecnica:

commutatori, diodi o modulì a semiconduttore a energia allo stato solido aventi tutte le caratteristiche seguenti: Nota 1: la tensione di picco ripetitiva a vuoto in 3A001.h. comprende la tensione pozzo-sorgente, la tensione collettore-emettitore, la tensione inversa di picco ripetitiva e la tensione di picco ripetitiva a vuoto (tensione di blocco). 3A001 h.Nota 2: 3A001.h. comprende: Nota 3: 3A001.h. non sottopone ad autorizzazione i commutatori, i diodi o i modulì incorporati in apparecchiature progettate per applicazioni automobilistiche o ferroviarie civili o per aeromobili civili. Ai fini di 3A001.h. i modulì contengono uno o più commutatori o diodi a semiconduttore a energia allo stato solido.

1. previsti per una temperatura massima di esercizio della giunzione superiore a 488 K (215 °C);

2. tensione di picco ripetitiva a vuoto (tensione di blocco) superiore a 300 V; e

3. corrente continua superiore a 1 A.

transistor a effetto di campo a giunzione (JFET),

transistor verticali a effetto di campo a giunzione (VJFET),

transistor a effetto di campo in tecnologia MOS (MOSFET),

transistor a effetto di campo in tecnologia MOS a diffusione doppia (DMOSFET),

transistor bipolari a porta isolata (IGBT),

transistor ad elevata mobilità elettronica (HEMT),

transistor bipolari a giunzione (BJT),

tiristori e raddrizzatori controllati al silicio (SCR),

tiristori a spegnimento forzato (GTO),

tiristori a spegnimento attivato dall’emettitore (ETO),

diodi PIN,

diodi Schottky.

apparecchiature di registrazione e oscilloscopi, come segue:

1. non utilizzato;

2. non utilizzato;

3. non utilizzato;

4. non utilizzato;

5. Note tecniche: 1.2.

digitalizzatori di forme d’onda e registratori di transitori, aventi tutte le caratteristiche seguenti: Per gli strumenti aventi una architettura a bus parallelo, il flusso continuo è la velocità di parola più elevata moltiplicata per il numero di bit in una parola. Il flusso continuo è il flusso più veloce dei dati che lo strumento può immagazzinare nella memoria di massa senza alcuna perdita di informazione mentre assicura la velocità di campionamento e la conversione numerico-analogico.

5. a.

velocità di digitalizzazione uguale o superiore a 200 milioni di campioni al secondo e risoluzione di 10 bit o più; e

flusso continuo di 2 Gbit/s o più;

6. Nota tecnica:

3A002 a. Sistemi di registratori numerici di dati per strumentazione che utilizzano tecniche di immagazzinamento su dischi magnetici aventi tutte le caratteristiche seguenti, e loro registratori numerici appositamente progettati: i sistemi di registratori numerici di dati possono essere configurati sia con un digitalizzatore integrato che con un registratore numerico esterno.

6. a.

velocità di trasmissione dei dati dei sistemi di strumentazione numerici uguale o superiore a 100 milioni di campioni al secondo e risoluzione di 8 bit o più; e

flusso continuo di 1 Gbit/s o più;

7. Oscilloscopi in tempo reale aventi una tensione di rumore con scarto quadratico medio verticale inferiore del 2 % del fondo scala con impostazione della scala verticale che fornisce il più basso valore del rumore con qualsiasi banda passante di input di 3 dB pari o superiore a 60 GHz per canale; Nota: 3A002.a.7. non sottopone ad autorizzazione gli oscilloscopi per il campionamento in tempo equivalente.

non utilizzato;

analizzatori di segnali di radiofrequenze come segue:

1. analizzatori di segnali con banda passante di risoluzione a 3 dB superiore a 10 MHz in qualsiasi punto entro la gamma di frequenze superiore a 31,8 GHz ma non superiore a 37,5 GHz;

2. analizzatori di segnali con livello medio di rumore visualizzato (DANL) inferiore a (migliore di) -150 dBm/Hz in qualsiasi punto entro la gamma di frequenze superiore a 43,5 GHz ma non superiore a 75 GHz;

3. analizzatori di segnali con frequenza superiore a 75 GHz;

4. analizzatori di segnale aventi tutte le caratteristiche seguenti: Nota: 3A002.c.4. non sottopone ad autorizzazione gli analizzatori di segnali che utilizzano solo filtri di banda passante a percentuale costante (noti anche come filtri di ottava o filtri di frazioni di ottava).

4. a.

banda passante superiore a 85 MHz; e

b. Note tecniche: 1.2.

probabilità di scoperta del 100 % con una riduzione inferiore a 3 dB rispetto all’ampiezza massima a causa di salti o effetti di windowing dei segnali aventi una durata di 15 μs o meno; La probabilità di scoperta in 3A002.c.4.b. è anche indicata come probabilità di intercettamento o probabilità di cattura. Ai fini di 3A002.c.4.b., la durata della probabilità di scoperta del 100 % è equivalente alla durata del segnale minima necessaria per l’incertezza di misura del livello specificato.

5. analizzatori di segnali con una funzione di trigger delle maschere di frequenza con una probabilità di trigger (cattura) del 100 % per segnali aventi una durata pari o inferiore a 15 μs;

d. Note tecniche: 1.2.

generatori di segnali a sintetizzazione di frequenza in grado di produrre frequenze di uscita la cui stabilità a breve e a lungo termine e precisione sono controllate, derivate o regolate dall’oscillatore di riferimento interno principale e aventi una delle caratteristiche seguenti: Nota 1: Ai fini di 3A002.d. i generatori di segnali a sintetizzazione di frequenza includono i generatori di forme d’onde arbitrarie e i generatori di funzione. Nota 2: 3A002.d. non sottopone ad autorizzazione le apparecchiature nelle quali la frequenza di uscita è prodotta dalla addizione o dalla sottrazione di due o più frequenze ottenute da oscillatori a quarzo, o dalla addizione o dalla sottrazione seguita da una moltiplicazione del risultato. La frequenza massima sintetizzata di una forma d’onda arbitraria o di un generatore di funzioni è calcolata dividendo la velocità di campionamento, espressa in campioni/secondo, per un fattore di 2,5. Ai fini di 3A002.d.1.a., la durata dell’impulso è definita come l’intervallo di tempo dal punto sul fronte ascendente che è pari al 50 % dell’ampiezza dell’impulso al punto sul fronte discendente che è pari al 50 % dell’ampiezza dell’impulso.

1. specificati per generare segnali modulati a impulsi aventi tutte le caratteristiche seguenti, in qualsiasi punto entro la gamma di frequenze sintetizzata superiore a 31,8 GHz ma non superiore a 75 GHz;

1. a.

durata dell’impulso inferiore a 100 ns; o

tempi di accensione e spegnimento pari o superiori a 65 dB;

2. 3A002 d. potenza di uscita superiore a 100 mW (20 dBm) in qualsiasi punto entro la gamma di frequenze sintetizzata superiore a 43,5 GHz ma non superiore a 75 GHz;

3. tempo di commutazione delle frequenza come specificato da una delle seguenti caratteristiche:

3. a.

non utilizzato;

inferiore a 100 μs per qualsiasi variazione di frequenza superiore a 1,6 GHz entro la gamma di frequenze sintetizzate superiore a 4,8 GHz ma non superiore a 10,6 GHz;

inferiore a 250 μs per qualsiasi variazione di frequenza superiore a 550 MHz entro la gamma di frequenze sintetizzate superiore a 10,6 GHz ma non superiore a 31,8 GHz;

inferiore a 500 μs per qualsiasi variazione di frequenza superiore a 550 MHz entro la gamma di frequenze sintetizzate superiore a 31,8 GHz ma non superiore a 43,5 GHz;

inferiore a 1 ms per qualsiasi variazione di frequenza superiore a 550 MHz entro la gamma di frequenze sintetizzate superiore a 43,5 GHz ma non superiore a 56 GHz; o

inferiore a 1 ms per qualsiasi variazione di frequenza superiore a 2,2 GHz entro la gamma di frequenze sintetizzate superiore a 56 GHz ma non superiore a 75 GHz;

4. Nota tecnica:

rumore di fase in banda laterale unica (SSB), espresso in dBc/Hz, specificato con tutte le seguenti caratteristiche: In 3A002.d.4., F rappresenta lo spostamento espresso in Hz rispetto alla frequenza di funzionamento e f la frequenza di funzionamento espressa in MHz;

4. a.

inferiore a (migliore di) - (126 + 20log10F-20log10f) ovunque nella gamma di 10 Hz < F < 10 kHz in qualsiasi punto entro la gamma di frequenze sintetizzata superiore a 3,2 GHz ma non superiore a 75 GHz; e

inferiore a (migliore di) - (114 + 20log10F-20log10f) ovunque nella gamma di 10 kHz ≤ F < 500 kHz in qualsiasi punto entro la gamma di frequenze sintetizzata superiore a 3,2 GHz ma non superiore a 75 GHz; o

5. frequenza massima sintetizzata superiore a 75 GHz;

analizzatori di rete aventi una delle caratteristiche seguenti:

1. potenza di uscita superiore a 31,62 mW (15 dBm) in qualsiasi punto entro la gamma di frequenze di funzionamento superiore a 43,5 GHz ma non superiore a 75 GHz;

2. potenza di uscita superiore a 1 mW (0 dBm) in qualsiasi punto entro la gamma di frequenze di funzionamento superiore a 75 GHz ma non superiore a 110 GHz;

3. Nota tecnica:

3A002 e. funzionalità di misura vettoriale non lineare a frequenze superiori a 50 GHz ma non superiori a 110 GHz; o la funzionalità di misura vettoriale non lineare è la capacità di uno strumento di misurare i risultati delle prove di dispositivi utilizzati nel dominio dei grandi segnali o nella gamma della distorsione non lineare.

4. frequenza di funzionamento massima superiore a 110 GHz;

ricevitori di collaudo a microonde aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. frequenza di funzionamento massima superiore a 110 GHz; e

2. in grado di misurare simultaneamente l’ampiezza e la fase;

campioni di frequenza atomici con una delle caratteristiche seguenti:

1. qualificati per impiego spaziale;

2. non al rubidio e con stabilità a lungo termine inferiore a (migliore di) 1 × 10-11/mese; o

3. non qualificati per impiego spaziale aventi tutte le caratteristiche seguenti:

3. a.

campione di frequenza al rubidio;

con stabilità a lungo termine inferiore a (migliore di) 1 × 10-11/mese; e

consumo energetico totale inferiore a 1 W.

convertitori analogico-numerici, utilizzabili in missili, progettati per rispondere alle specifiche militari per apparecchiature rinforzate;

acceleratori in grado di fornire radiazione elettromagnetica, prodotta per radiazione di frenamento (bremsstrahlung) di elettroni accelerati, uguale o superiore a 2 MeV, e sistemi contenenti tali acceleratori. Nota: 3A101.b. non specifica le apparecchiature appositamente progettate per usi medicali.

3A Note tecniche: 1.2. a.

condensatori aventi una delle serie di caratteristiche seguenti:

1. a.

tensione nominale superiore a 1,4 kV;

capacità di immagazzinare energia superiore a 10 J;

capacità superiore a 0,5 μF; e

induttanza serie inferiore a 50 nH; o

2. a.

tensione nominale superiore a 750 V;

capacità superiore a 0,25 μF; e

induttanza serie inferiore a 10 nH;

elettromagneti a bobina superconduttrice aventi tutte le caratteristiche seguenti: Nota: 3A201.b. non sottopone ad autorizzazione i magneti appositamente progettati ed esportati come parte deì sistemi di immagine della risonanza magnetica nucleare per applicazioni medicali. La frase come parte deì non significa necessariamente parte fisica nella stessa spedizione. Sono consentite spedizioni separate da diverse provenienze a condizione che i relativi documenti di esportazione dichiarino in maniera esplicita che le spedizioni sono effettuate come parte deì sistemi di immagine.

1. in grado di produrre campi magnetici superiori a 2 T;

2. rapporto lunghezza-diametro interno maggiore di 2;

3. diametro interno superiore a 300 mm; e

4. uniformità del campo magnetico migliore dell’1 % sul 50 % della parte centrale del volume interno;

c. Note tecniche: 1.2.3.4.

generatori di raggi X con scarica a lampo o acceleratori di elettroni ad impulsi aventi una delle due serie di caratteristiche seguenti: Nota: 3A201.c. non sottopone ad autorizzazione gli acceleratori che sono parti componenti di dispositivi progettati per scopi diversi dal fascio elettronico o dalla radiazione a raggi X (ad esempio microscopi elettronici) e quelli progettati per impieghi medicali: La cifra di merito K è definita come segue: K = 1,7 × 103 × V2,65 × Q V è l’energia di picco dell’elettrone espressa in milioni di eV. Se la durata dell’impulso del fascio acceleratore è inferiore o uguale a 1 μs, Q è la carica totale accelerata espressa in coulomb. Se la durata dell’impulso del fascio acceleratore è superiore a 1 μs.Q è la carica accelerata massima in 1 μs. Q è uguale all’integrale di i rispetto a t scegliendo per t il valore più piccolo tra 1 μs e la durata dell’impulso del fascio (Q = ∫ idt) in cui i è la corrente del fascio espressa in ampère e t è il tempo espresso in secondi. potenza di picco = (potenziale di picco espresso in Volt) × (corrente di picco del fascio espressa in ampère). 3A201 c. Nelle macchine basate su cavità di accelerazione a microonde, la durata dell’impulso del fascio è il valore più piccolo tra 1 μs e la durata del pacchetto di un fascio a pacchetti risultante da un impulso di un modulatore a microonde. Nelle macchine basate su cavità di accelerazione a microonde, la corrente di picco del fascio è la corrente media nella durata di tempo di un pacchetto di un fascio a pacchetti.

1. a.

energia di picco dell’acceleratore di elettroni uguale o superiore a 500 keV ma inferiore a 25 MeV; e

cifra di merito (K) uguale o superiore a 0,25; o

2. a.

energia di picco dell’acceleratore di 25 MeV o superiore; e

potenza di picco superiore a 50 MW.

uscita polifase che eroga una potenza uguale o superiore a 40 W;

funzionanti ad una frequenza di 600 Hz o superiore; e

controllo di frequenza migliore (inferiore) dello 0,2 %.

1. devono essere restituiti al fabbricante iniziale per apportare i miglioramenti o eliminare i vincoli;

2. richiedono il software specificato in 3D225 per migliorare o sbloccare le prestazioni al fine di soddisfare le caratteristiche di 3A225; o

3. richiedono la tecnologia sotto forma di chiavi o codici specificata in 3E225 per migliorare o sbloccare le prestazioni al fine di soddisfare le caratteristiche di 3A225.

3A Note tecniche: 1.2. Note tecniche: 1.2. a.

in grado di erogare costantemente, per un periodo di 8 ore, una tensione uguale o superiore a 100 V con corrente di uscita uguale o superiore a 500 A; e

stabilità della tensione o della corrente migliore dello 0,1 % per un periodo di 8 ore.

in grado di erogare costantemente, per un periodo di 8 ore, una tensione uguale o superiore a 20 kV con corrente di uscita uguale o superiore a 1 A; e

stabilità della tensione o della corrente migliore dello 0,1 % per un periodo di 8 ore.

tubi a catodo freddo riempiti o meno di gas, con funzionamento simile a quello di uno spinterometro ed aventi tutte le caratteristiche seguenti: Nota: 3A228 comprende i tubi a gas tipo Krytron e i tubi a vuoto tipo Sprytron.

1. contenenti tre o più elettrodi;

2. tensione anodica nominale massima di picco uguale o superiore a 2,5 kV;

3. corrente anodica nominale di picco uguale o superiore a 100 A; e

4. tempo di ritardo anodico uguale o inferiore a 10 μs;

scintillatori ad impulso aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. tempo di ritardo anodico uguale o inferiore a 15 μs, e

2. corrente nominale di picco uguale o superiore a 500 A;

moduli o assiemi con funzioni di commutazione rapida, diversi da quelli specificati in 3A001.g. o in 3A001.h., aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. tensione anodica nominale di picco superiore a 2 kV;

2. corrente anodica nominale di picco uguale o superiore a 500 A; e

3. tempo di accensione uguale o inferiore a 1 μs.

dispositivi di innesco per detonatori (sistemi di accensione, innesco), compresi dispositivi di innesco a carica elettronica, ad azionamento con esplosivi o ad azionamento ottico, diversi da quelli specificati in 1A007.a., progettati per innescare i detonatori a controllo multiplo specificati in 1A007.b.:

generatori modulari di impulso elettrico (pulser) aventi tutte le caratteristiche seguenti: Nota: 3A229.b. comprende le unità di comando delle lampade con lampo allo xenon.

1. progettati per uso portatile, mobile o corazzato;

2. in grado di rilasciare la loro energia in meno di 15 μs su un carico minore di 40 ohm;

3. corrente di uscita superiore a 100 A;

4. dimensioni non superiori a 30 cm;

5. peso inferiore a 30 kg; e

6. specificati per funzionare in una gamma estesa di temperatura da 223 K (- 50 °C) a 373 K (100 °C) o specificati come idonei per applicazioni aerospaziali.

micro unità di innesco aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. dimensioni non superiori a 35 mm;

2. tensione nominale uguale o superiore a 1 kV; e

3. capacità uguale o superiore a 100 nF.

tensioni di uscita superiori a 6 V su un carico resistivo inferiore a 55 ohm; e

tempo di transizione dell’impulso inferiore a 500 ps.

3A Note tecniche: 1.2. Note tecniche: 1.2. Note tecniche: 1.2. a.

progettati per funzionare senza sistema esterno a vuoto; e

che utilizzano uno dei seguenti:

1. accelerazione elettrostatica per provocare una reazione nucleare trizio-deuterio, o

2. accelerazione elettrostatica per provocare una reazione nucleare deuterio-deuterio e capace di produrre di 3 × 109neutroni/s o più.

non utilizzato;

congegni che utilizzano detonatori singoli o multipli progettati per innescare quasi simultaneamente una superficie esplosiva superiore ai 5000 mm2 con un unico segnale di accensione con un tempo di innesco, in tutta la superficie, inferiore a 2,5 μs.

spettrometri di massa a plasma ad accoppiamento induttivo (ICP/MS);

spettrometri di massa con scarica a bagliore (GDMS);

spettrometri di massa a ionizzazione termica (TIMS);

spettrometri di massa a bombardamento di elettroni aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. sistema di aspirazione a fascio molecolare che inietta un fascio collimato di molecole da analizzare in una regione della sorgente di ioni in cui le molecole sono ionizzate da un fascio di elettroni; e

2. una o più trappole fredde che possono essere raffreddate ad una temperatura di 193 K (- 80 °C);

non utilizzato;

spettrometri di massa equipaggiati con una sorgente ionica di microfluorurazione progettati per attinidi o fluoruri di attinidi.

3A Note tecniche: 1.2. Note tecniche: 1.2. Note tecniche: 1.2. Note tecniche: 1.2. a.

tensione nominale superiore a 2 kV; e

induttanza inferiore a 20 nH.

3B Apparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione 3B001 Apparecchiature per la fabbricazione di dispositivi o di materiali semiconduttori, come segue, e loro componenti ed accessori appositamente progettati: 3B002 Apparecchiature di collaudo appositamente progettate per collaudare dispositivi semiconduttori finiti o non finiti, come segue, e loro componenti e accessori appositamente progettati:

3B a.

apparecchiature progettate per la crescita epitassiale, come segue:

1. apparecchiature in grado di realizzare uno strato di qualsiasi materiale diverso dal silicio con uniformità di spessore entro ± 2,5 % lungo una distanza di 75 mm o più; Nota: 3B001.a.1. comprende le apparecchiature per epitassia per strati atomici (ALE).

2. reattori MOCVD progettati per la crescita epitassiale di semiconduttori composti di materiali aventi due o più dei seguenti elementi: alluminio, gallio, indio, arsenico, fosforo, antimonio o azoto;

3. apparecchiature di crescita epitassiale a fascio molecolare che utilizzano sorgenti gassose o solide;

apparecchiature progettate per l’impiantazione ionica, aventi una delle caratteristiche seguenti:

1. non utilizzato;

2. essere progettate ed ottimizzate per funzionare con una energia del fascio uguale o superiore a 20 keV e corrente del fascio uguale o superiore a 10 mA in grado di impiantare idrogeno, deuterio o elio;

3. capacità di scrittura diretta;

4. energia del fascio uguale o superiore a 65 keV e corrente del fascio uguale o superiore a 45 mA in grado di impiantare ad alta energia ossigeno in un substrato di materiale semiconduttore riscaldato; o

5. essere progettate ed ottimizzate per funzionare con una energia del fascio uguale o superiore a 20 keV e corrente del fascio uguale o superiore a 10 mA in grado di impiantare silicone in un substrato di materiale semiconduttore riscaldato a 600 °C o più;

apparecchiature di incisione con metodi a secco anisotropi a plasma aventi tutte le caratteristiche seguenti:

1. progettate o ottimizzate per produrre dimensioni critiche uguali o inferiori a 65 nm; e

2. disuniformità all’interno della fetta uguale o inferiore al 10 % (3 sigma) misurata con un’esclusione dei bordi uguali o inferiori a 2 mm;

non utilizzato;

e. Note tecniche: 1.2.

sistemi centrali a camere multiple di manipolazione di fette a caricamento automatico aventi tutte le caratteristiche seguenti: Nota: 3B001.e. non sottopone ad autorizzazione i sistemi robotizzati automatici di manipolazione delle fette specialmente progettati per il trattamento parallelo delle fette. Ai fini di 3B001.e., gli strumenti per il trattamento dei semiconduttorì rinviano a strumenti modulari che eseguono i trattamenti fisici per la produzione di semiconduttori che sono funzionalmente differenti, quali deposito, erosione, impiantazione o trattamento termico. Ai fini di 3B001.e., per trattamento sequenziale di fette multiple si intende la capacità di ciascuna fetta nei differenti strumenti per il trattamento dei semiconduttorì, come il trasferimento di ciascuna fetta da uno strumento a un secondo e a un terzo strumento con sistemi centrali a camere multiple di manipolazione di fette a caricamento automatico.

1. interfacce per l’ingresso e l’uscita delle fette, cui devono essere collegati più di due strumenti per il trattamento dei semiconduttorì funzionalmente differenti di cui a 3B001.a., 3B001.b. o 3B001.c.; e

2. progettati in modo da formare un sistema integrato per il trattamento sequenziale multiplo delle fette in un ambiente sotto vuoto;

3B001 apparecchiature di litografia, come segue:

1. apparecchiature di allineamento e di esposizione a ripetizione in sequenza (sequenza continua sulla fetta) o di scansione in sequenza (scanner) per il trattamento delle fette che utilizzano metodi foto-ottici o a raggi X, aventi una delle caratteristiche seguenti:

1. a.

lunghezza d’onda della sorgente luminosa inferiore a 245 nm; o

b. Nota tecnica:

in grado di produrre un tracciato in cui la dimensione dell’elemento di risoluzione minimo (ERM) è uguale o inferiore a 95 nm; La dimensione dell’elemento di risoluzione minimo (ERM) è calcolata con la formula seguente: MRFlunghezza d’onda della sorgente luminosa di esposifattore Kapertura numerica dove il fattore K = 0,35

2. apparecchiature di impressione litografica in grado di produrre elementi uguali o inferiori a 95 nm; Nota: 3B001.f.2. comprende:

dispositivi di stampa a microcontatto

dispositivi di termoimpressione

dispositivi litografici per nanostampa

dispositivi di impressione litografica Step and Flash (S-FIL).

3. apparecchiature appositamente progettate per la produzione di maschere o per il trattamento di dispositivi semiconduttori con metodi di scrittura diretta, aventi tutte le caratteristiche seguenti:

3. a.

utilizzanti un fascio elettronico focalizzato deflesso, un fascio ionico o un fascio laser; e

aventi una delle caratteristiche seguenti:

1. dimensione del punto del fascio inferiore a 0,2 μm;

2. in grado di produrre un tracciato con dimensione del tratto inferiore a 1 μm; o

3. precisione di sovrapposizione migliore di ± 0,20 μm (3 sigma);

maschere e reticoli, progettati per i circuiti integrati specificati in 3A001;

maschere multistrato con uno strato a spostamento di fase non specificate in 3B001.g., aventi una delle caratteristiche seguenti: Nota: 3B001.h. non sottopone ad autorizzazione le maschere multistrato con uno strato a spostamento di fase progettate per la fabbricazione di dispositivi di memoria non sottoposti ad autorizzazione in 3A001.

1. fatte su una maschera substrato grezzo da vetro specificato come avente meno di 7 nm/cm di rifrazione doppia; o

2. progettate per essere utilizzate da apparecchiature di litografia con lunghezza d’onda della sorgente luminosa inferiore a 245 nm;

sagome di impressione litografica progettate per i circuiti integrati specificati in 3A001.

per il collaudo dei parametri S dei dispositivi a transistor a frequenze superiori a 31,8 GHz;

non utilizzato;

per il collaudo di circuiti integrati a microonde specificati in 3A001.b.2.

3C Materiali 3C001 Materiali etero-epitassiali consistenti di un substrato con strati multipli sovrapposti ottenuti per crescita epitassiale di uno degli elementi seguenti; Nota: 3C001.d. non sottopone ad autorizzazione i substrati aventi uno o più strati epitassiali di tipo P di GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP or InGaAlP, indipendente dalla sequenza degli elementi, tranne qualora lo strato epitassiale di tipo P sia tra strati di tipo N. 3C002 Resine fotosensibili (resist) e substrati rivestiti di resine fotosensibili come segue: 3C003 Composti organici-inorganici come segue: Nota: 3C003 sottopone ad autorizzazione solo i composti il cui elemento metallico, parzialmente metallico o non metallico è direttamente legato al carbonio nella parte organica della molecola. 3C004 Idruri di fosforo, di arsenico o di antimonio, aventi una purezza superiore al 99,999 %, anche se diluiti in gas inerti o idrogeno. Nota: 3C004 non sottopone ad autorizzazione gli idruri contenenti il 20 % molare o più di gas inerti o di idrogeno. 3C005 Substrati di semiconduttori, lingotti o monocristalli di carburo di silicio (SiC), nitruro di gallio (GaN), nitruro di alluminio (AlN) o nitruro di gallio alluminio (AlGaN) o altre preforme di tali materiali, aventi resistività superiore a 10000 ohm-cm a 20 °C. 3C006 Substrati specificati in 3C005 aventi almeno uno strato epitassiale di carburo di silicio, nitruro di gallio, nitruro di alluminio o nitruro di gallio alluminio.

3C a.

silicio (Si);

germanio (Ge);

carburo di silicio (SiC); o

composti III/V di gallio o di indio.

resine fotosensibili (resist) progettate per la litografia di semiconduttori, come segue:

1. resine fotosensibili positive adattate (ottimizzate) per l’impiego con lunghezze d’onda inferiori a 245 nm ma uguali o superiori a 15 nm;

2. resine fotosensibili positive adattate (ottimizzate) per l’impiego con lunghezze d’onda inferiori a 15 nm ma superiori a 1 nm;

tutte le resine fotosensibili (resist) progettate per essere utilizzate sotto l’effetto di fasci elettronici o ionici, aventi sensibilità di 0,01 μcoulomb/mm2 o migliore;

non utilizzato;

tutte le resine fotosensibili (resist) ottimizzate per tecnologie di formazione di immagini di superficie;

tutte le resine fotosensibili progettate o ottimizzate per essere utilizzate con apparecchiature di impressione litografica specificate in 3B001.f.2. che utilizzano un processo di invecchiamento prodotto dal calore o dalla luce.

composti metallo-organici di alluminio, gallio o indio, aventi una purezza (purezza del metallo) superiore al 99,999 %;

composti organici di arsenico, antimonio e fosforo, aventi una purezza (purezza dell’elemento inorganico) superiore al 99,999 %.

3D Nota tecnica:

Software 3D001 Software appositamente progettato per lo sviluppo o la produzione di apparecchiature specificate in 3A001.b. fino a 3A002.g. o in 3B. 3D002 Software appositamente progettato per l’utilizzazione di apparecchiature specificate in 3B001.a. fino a 3B001.f., in 3B002 o in 3A225. 3D003 Software di simulazione basato sulla fisicà appositamente progettato per lo sviluppo di processi di litografia, di attacco o di deposizione per trasformare dei tracciati di maschere in specifici tracciati topografici nei materiali conduttori, dielettrici o semiconduttori. Per basato sulla fisicà in 3.D003 si intende l’utilizzo di calcoli per determinare una sequenza di eventi fisici causa-effetto basati su proprietà fisiche (ad esempio temperatura, pressione, costanti di diffusione e proprietà dei materiali semiconduttori). Nota: Sono considerati tecnologia le biblioteche, le caratteristiche di progettazione o i dati associati per la progettazione di dispositivi semiconduttori o di circuiti integrati. 3D004 Software appositamente progettato per lo sviluppo di apparecchiature specificate in 3A003. 3D101 Software appositamente progettato o modificato per l’utilizzazione di apparecchiature specificate in 3A101.b. 3D225 Software appositamente progettato per aumentare o sbloccare le prestazioni di un variatore o generatore di frequenza per soddisfare le caratteristiche di 3A225.

3E Tecnologia 3E001 Tecnologia in conformità alla nota generale sulla tecnologia, per lo sviluppo o la produzione di apparecchiature o materiali specificati in 3 A, 3B o 3C. Nota 1: 3E001 non sottopone ad autorizzazione la tecnologia per la produzione di apparecchiature o componenti sottoposti ad autorizzazione in 3A003. Nota 2: 3E001 non sottopone ad autorizzazione la tecnologia per lo sviluppo o la produzione di circuiti integrati specificati in 3A001.a.3. fino a 3A001.a.12., aventi tutte le caratteristiche seguenti: 3E002 Tecnologia in conformità alla nota generale sulla tecnologia diversa da quella specificata in 3E001 per lo sviluppo o la produzione di un microcircuito microprocessore, microcircuito microcalcolatore o nucleo di microcircuito microcontrollore con un’unità logica aritmetica con larghezza di accesso uguale o superiore a 32 bit ed avente una delle caratteristiche o elementi seguenti: Nota 1: 3E002 non sottopone ad autorizzazione la tecnologia per lo sviluppo o la produzione di nuclei di microprocessore aventi tutte le caratteristiche seguenti: Nota 2: 3E002 comprende la tecnologia per i processori di segnali numerici. 3E003 Altre tecnologie per lo sviluppo o la produzione di: 3E101 Tecnologia in conformità alla nota generale sulla tecnologia, per l’utilizzazione di apparecchiature o di software specificati in 3A001.a.1. o 3A001.a.2., 3A101, 3A102 o 3D101. 3E102 Tecnologia in conformità alla nota generale sulla tecnologia, per lo sviluppo di software specificato in 3D101. 3E201 Tecnologia in conformità alla nota generale sulla tecnologia, per l’utilizzazione di apparecchiature specificate in 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 fino a 3A234. 3E225 Tecnologia sotto forma di codici o chiavi per aumentare o sbloccare le prestazioni di un variatore o generatore di frequenza per soddisfare le caratteristiche di 3A225.

3E a.

impiego della tecnologia uguale o superiore a 0,130 μm, e

con incorporazione di strutture multistrato, con tre o meno strati metallici.

a. Nota tecnica:

un processore vettoriale progettato per eseguire più di due calcoli simultanei su vettori in virgola mobile (matrici unidimensionali con numeri uguali o maggiori di 32 bit); Un processore vettoriale è un processore progettato per eseguire più di due calcoli simultanei su vettori in virgola mobile (matrici unidimensionali con numeri uguali o maggiori di 32 bit), e che ha almeno un’unità logica aritmetica vettoriale.

progettato per fornire più di quattro risultati di operazione per ciclo in virgola mobile a 64 o più bit; o

3E002 progettato per fornire più di quattro risultati di moltiplicazione-addizione per ciclo in virgola fissa a 16 bit (per esempio manipolazione numerica di informazioni analogiche che sono state precedentemente convertite in forma numerica, nota anche come elaborazione di segnale numerica). Nota: 3E002.c. non sottopone ad autorizzazione la tecnologia per estensioni multimediali.

impiego della tecnologia uguale o superiore a 0,130 μm, e

incorporazione di strutture multistrato con cinque o meno strati metallici.

dispositivi microelettronici sotto vuoto;

dispositivi elettronici semiconduttori a struttura eterogenea quali i transistori ad elevata mobilità di elettroni (HEMT), i transistori etero bipolari (HBT), i dispositivi a pozzo quantico e a super reticolo; Nota: 3E003.b. non sottopone ad autorizzazione la tecnologia per transistori ad elevata mobilità di elettroni (HEMT) in grado di funzionare a frequenze inferiori a 31,8 GHz e per transistori bipolari ad eterogiunzione (HBT) in grado di operare a frequenze inferiori a 31,8 GHz.

dispositivi elettronici superconduttori;

substrati di film di diamante per componenti elettronici;

substrati di silicio su isolante (SOI) per circuiti integrati in cui l’isolante è il biossido di silicio;

substrati di carburo di silicio per componenti elettronici;

tubi elettronici a vuoto in grado di funzionare a frequenze uguali o superiori a 31,8 GHz.

CATEGORIA 4 CALCOLATORI

Nota 1: I calcolatori, le apparecchiature collegate e il software che assicurano funzioni di telecomunicazioni o di reti locali devono essere valutati anche a fronte delle caratteristiche di prestazione della categoria 5, parte 1 (Telecomunicazioni). Nota 2: Le unità di controllo che assicurano una interconnessione diretta dei bus o dei canali di unità centrale di trattamento, di memoria principale o di unità di controllo di dischi non sono considerate come apparecchiature di telecomunicazione descritte nella categoria 5, parte 1 (Telecomunicazioni). N.B.: Per le condizioni di esportabilità del software appositamente progettato per la commutazione di pacchetto, cfr. 5D001. Nota 3: I calcolatori, le apparecchiature collegate e il software che assicurano funzioni crittografiche, crittoanalitiche, di sicurezza certificabile a più livelli o di isolamento certificabile dell’utilizzatore, o che limitano la compatibilità elettromagnetica (EMC), devono essere valutati anche a fronte delle caratteristiche di prestazione definite nella categoria 5, parte 2 (Sicurezza dell’informazione).

4A Sistemi, apparecchiature e componenti 4A001 Calcolatori elettronici ed apparecchiature collegate, aventi una delle caratteristiche seguenti, e loro assiemi elettronici e loro componenti appositamente progettati: N.B.: CFR. ANCHE 4A101. 4A003 Calcolatori numerici, assiemi elettronici e loro apparecchiature collegate, come segue, e loro componenti appositamente progettati: Nota 1: 4A003 comprende quanto segue: Nota 2: La condizione di esportabilità dei calcolatori numerici e delle apparecchiature collegate descritti in 4A003 è determinata dalle condizioni di esportabilità di altre apparecchiature o sistemi, a condizione che: 4A004 Calcolatori come segue e loro apparecchiature collegate, assiemi elettronici e componenti appositamente progettati: 4A005 Sistemi, apparecchiature, e loro componenti, appositamente progettati o modificati per la generazione, il funzionamento, la consegna di, o la comunicazione con il software di intrusione. 4A101 Calcolatori analogici, calcolatori numerici o analizzatori differenziali numerici, diversi da quelli specificati in 4A001.a.1., di tipo rinforzato e progettati o modificati per essere utilizzati nei veicoli di lancio nello spazio specificati in 9A004 o nei razzi sonda specificati in 9A104. 4A102 Calcolatori ibridi appositamente progettati per modellare, simulare o effettuare l’integrazione di progetto dei veicoli di lancio nello spazio specificati in 9A004 o dei razzi sonda specificati in 9A104. Nota: L’autorizzazione per l’esportazione deve essere richiesta solo se tali apparecchiature sono fornite con il software specificato in 7D103 o 9D103.

4A a.

appositamente progettati per presentare una delle caratteristiche seguenti:

1. previsti per funzionare ad una temperatura ambiente inferiore a 228 K (-45 °C) o superiore a 358 K (85 °C); o Nota: 4A001.a.1. non sottopone ad autorizzazione i calcolatori appositamente progettati per applicazioni automobilistiche o ferroviarie civili o per aeromobili civili.

2. capacità di resistere a livelli di radiazione superiori ad uno dei valori seguenti: a. dose totale di 5 × 103 Gy (silicio); b. tasso della dose di 5 × 106 Gy (silicio)/s; o c. variazione dell’evento singolo 1 × 10-8 errore/bit/giorno; Nota: 4A001.a.2. non sottopone ad autorizzazione i calcolatori appositamente progettati per applicazioni per aeromobili civili.

non utilizzato.

processori vettorialì;

processori matriciali;

processori numerici di segnale;

processori logici;

apparecchiature progettate per il miglioramento dell’immagine;

apparecchiature progettate per il trattamento del segnale.

i calcolatori numerici o apparecchiature collegate siano essenziali al funzionamento delle altre apparecchiature o sistemi;

i calcolatori numerici o apparecchiature collegate non siano un elemento principale delle altre apparecchiature o sistemi; e N.B. 1: la condizione di esportabilità di apparecchiature per il trattamento del segnale o il miglioramento dell’immagine appositamente progettate per altre apparecchiature ed aventi funzioni limitate a quelle necessarie al funzionamento di queste ultime apparecchiature è determinata dalla condizione di esportabilità di queste ultime apparecchiature anche se le apparecchiature eccedono il criterio di elemento principale. N.B. 2: la condizione di esportabilità di calcolatori numerici o apparecchiature collegate per le apparecchiature di telecomunicazione è regolata dalla categoria 5, parte 1 (Telecomunicazioni).

la tecnologia relativa ai calcolatori numerici e apparecchiature collegate sia determinata dal 4E.

non utilizzato;

calcolatori numerici aventi una prestazione di picco adattata (APP) superiore a 8,0 teraflop ponderati (WT);

4A003 assiemi elettronici appositamente progettati o modificati per essere in grado di migliorare la prestazione mediante aggregazione di processori in modo che la APP dell’aggregazione superi i limiti specificati in 4A003.b.; Nota 1: 4A003.c. sottopone ad autorizzazione solo gli assiemi elettronici e interconnessioni programmabili che non superano i limiti previsti in 4A003.b., quando spediti come assiemi elettronici non integrati. Non sottopone ad autorizzazione gli assiemi elettronici intrinsecamente limitati per la natura della loro progettazione, per essere impiegati come apparecchiature collegate specificate in 4A003.e. Nota 2: 4A003.c. non sottopone ad autorizzazione gli assiemi elettronici appositamente progettati per un prodotto o una famiglia di prodotti la cui configurazione massima non supera i limiti specificati in 4A003.b.

non utilizzato;

apparecchiature che effettuano conversioni analogico-numeriche che superano i limiti specificati in 3A001.a.5.;

non utilizzato;

apparecchiature appositamente progettate per aggregare il rendimento di calcolatori numerici fornendo interconnessioni esterne in grado di consentire comunicazioni con una velocità trasmissione dati unidirezionale superiore a 2,0 Gbyte/s per collegamento. Nota: 4A003.g. non sottopone ad autorizzazione le apparecchiature di interconnessione interne (cioè pannelli posteriori, bus) le apparecchiature di interconnessione passiva le unità di controllo di accesso alla rete o controllori di canale di comunicazioni.

calcolatori a reti sistoliche;

calcolatori neurali;

calcolatori ottici.

4B Apparecchiature di collaudo, di ispezione e di produzione Nessuno.

4C Materiali Nessuno.

4D Software Nota: La condizione di esportabilità del software per le apparecchiature descritte in altre categorie è trattata dalla categoria pertinente. 4D 4D001 Software come segue: 4D002 Software appositamente progettato o modificato a supporto della tecnologia specificata in 4E. 4D003 Non utilizzato. 4A005 Software appositamente progettato o modificato per la generazione, il funzionamento, la consegna di, o la comunicazione con il software di intrusione.

4D a.

Software appositamente progettato o modificato per lo sviluppo o la produzione di apparecchiature o software specificati in 4A001 fino a 4A004 o in 4D.

Software diverso da quello specificato in 4D001.a., appositamente progettato o modificato per lo sviluppo o la produzione delle apparecchiature seguenti:

1. calcolatori numerici aventi una prestazione di picco adattata (APP) superiore a 0,60 teraflop ponderati (WT);

2. assiemi elettronici appositamente progettati o modificati per essere in grado di migliorare la prestazione mediante aggregazione di processori in modo che la APP dell’aggregazione superi i limiti di cui in 4D001.b.1.

4E Tecnologia 4E001

4E a.

Tecnologia in conformità alla nota generale sulla tecnologia per lo sviluppo, la produzione o l’utilizzazione di apparecchiature o software specificati in 4 A o in 4D.

Tecnologia diversa da quella specificata in 4E001.a., appositamente progettata o modificata per lo sviluppo o la produzione delle apparecchiature seguenti:

1. calcolatori numerici aventi una prestazione di picco adattata (APP) superiore a 0,60 teraflop ponderati (WT);

tecnologia per lo sviluppo di software di intrusione:

NOTA TECNICA RELATIVA ALLA PRESTAZIONE DI PICCO ADATTATA (APP)

Per prestazione di picco adattata (APP) si intende la velocità di picco adattata alla quale i calcolatori numerici eseguono addizioni e moltiplicazioni in virgola mobile a 64 o più bit. La APP è espressa in teraflop ponderati (WT), in unità pari a 12 operazioni al secondo adattate in virgola mobile.

Abbreviazioni utilizzate nella presente nota tecnica

n numero di processori nel calcolatore numerico i numero di processore (i,…n) ti tempo di ciclo del processore (ti = 1/Fi) Fi frequenza del processore Ri velocità di picco del calcolo in virgola mobile Wi coefficiente di adeguamento architettura

Schema del metodo di calcolo della APP 1.2.3.4. Nota tecnica:

Per ciascun processore i, determinare il numero di picco delle operazioni in virgola mobile a 64 o più bit, FPOi, eseguite per ogni ciclo da ciascun processore nel calcolatore numerico. Nota: Nel determinare le FPO, includere solo addizioni e/o moltiplicazioni in virgola mobile a 64 o più bit. Tutte le operazioni in virgola mobile devono essere espresse come operazioni per ciclo del processore; le operazioni che richiedono cicli multipli possono essere espresse come risultati frazionari per ciclo. Per i processori che non sono in grado di eseguire calcoli su operandi in virgola mobile di 64 o più bit, la velocità di calcolo R effettiva è pari a zero. Calcolare la velocità in virgola mobile R per ciascun processore Ri = FPOi/ti. Calcolare APP come APP = W1 × R1 + W2 × R2 + … + Wn × Rn. Per processori vettorialì, Wi = 0,9. Per processori non vettorialì, Wi = 0,3. Nota 1: Per i processori che eseguono operazioni composite in un ciclo, quali addizioni e moltiplicazioni, viene contata ciascuna operazione. Nota 2: Per un processore pipeline, la velocità di calcolo effettiva R è la più veloce delle velocità pipeline, una volta che la pipeline è piena, oppure la velocità non pipeline. Nota 3: La velocità di calcolo R per ciascun processore che contribuisce al calcolo deve essere calcolata al suo valore massimo teoricamente possibile prima che la APP della combinazione venga valutata. Si suppone che esistano operazioni simultanee quando il fabbricante del calcolatore dichiara in un manuale o in un opuscolo l’esistenza di funzionamento o di esecuzione in modo contemporaneo, parallelo o simultaneo del calcolatore. Nota 4: Per il calcolo della APP non includere processori che sono limitati alle funzioni entrata/uscita e alle funzioni periferiche (ad esempio unità a disco, display di comunicazione e unità video) Nota 5: I valori di APP non devono essere calcolati per combinazioni di processori (inter)connessi mediante reti locali, reti geografiche, connessioni/dispositivi condivisi di ingresso/uscita, controllori ingresso/uscita e qualsiasi interconnessione di comunicazioni realizzate da software. Nota 6: I valori di APP devono essere calcolati per: Tutti i processori e gli acceleratori che funzionano simultaneamente e sono situati sulle stesse matrici vanno aggregati. Nota 7: Per processore vettoriale si intende un processore con istruzioni incorporate che eseguono calcoli multipli su vettori in virgola mobile (matrici unidimensionali di 64 bit o numeri maggiori) simultaneamente, e che hanno almeno 2 unità funzionali vettoriali e almeno 8 registri vettoriali con non meno di 64 elementi ciascuno.

Schema del metodo di calcolo della APP 1.2.3.4.

1. combinazioni di processori contenenti processori appositamente progettati per aumentare le prestazioni mediante aggregazione, funzionamento simultaneo e condivisione di memoria; o

2. combinazioni di memoria multipla/processori funzionanti simultaneamente e che utilizzano hardware appositamente progettato.

CATEGORIA 5 TELECOMUNICAZIONI E SICUREZZA DELL’INFORMAZIONE

PARTE 1 TELECOMUNICAZIONI

5A1 Nota tecnica:

Sistemi, apparecchiature e componenti 5A001 Sistemi, apparecchiature, componenti ed accessori di telecomunicazione come segue: 5A101 Apparecchiature di telemetria e di telecomando, comprese le apparecchiature a terra, progettate o modificate per missilì. In 5A101 per missilì si intendono sistemi completi a razzo e sistemi di veicoli aerei senza equipaggio con una portata superiore a 300 km; Nota: 5A101 non sottopone ad autorizzazione:

5A1 a.

apparecchiature di telecomunicazione di qualsiasi tipo, aventi una delle caratteristiche, funzioni o elementi seguenti: Nota: 5A001.a.2. e 5A001.a.3. non sottopongono ad autorizzazione le apparecchiature progettate o modificate per essere utilizzate a bordo di satelliti.

1. appositamente progettate per resistere agli effetti transitori elettronici o agli effetti dell’impulso elettromagnetico entrambi conseguenti ad una esplosione nucleare;

2. appositamente resistenti alle radiazioni gamma, neutroniche o ioniche, o

3. appositamente progettate per funzionare al di fuori della gamma di temperature da 218 K (– 55 °C) a 397 K (124 °C); Nota: 5A001.a.3. si applica solo alle apparecchiature elettroniche.

sistemi e apparecchiature di telecomunicazione, e loro componenti ed accessori appositamente progettati, aventi una delle caratteristiche, funzioni o elementi seguenti:

1. sistemi di comunicazione subacquei non collegati aventi una delle caratteristiche seguenti:

1. a.

frequenza portante acustica situata al di fuori della gamma compresa tra 20 kHz e 60 kHz;

frequenza portante elettromagnetica inferiore a 30 kHz;

impiego di tecniche elettroniche di orientamento del fascio; o

impiego di laser o di diodi ad emissione di luce (LED) con una lunghezza d’onda di uscita superiore a 400 nm ed inferiore a 700 nm, in una rete locale;

2. apparecchiature radio funzionanti nella banda da 1,5 MHz a 87,5 MHz ed aventi tutte le caratteristiche seguenti:

2. a.

previsione e selezione automatica delle frequenze e velocità di trasferimento numeriche totali per canale al fine di ottimizzare la trasmissione; e

incorporazione di una configurazione di un amplificatore di potenza lineare avente la capacità di trattare simultaneamente segnali multipli ad una potenza di uscita di 1 kW o più nella gamma di frequenza di 1,5 MHz o più, ma inferiore a 30 MHz o una potenza di 250 W o più nella gamma di frequenza di 30 MHz o più, ma non superiore a 87,5 MHz, su una banda passante istantanea di una ottava o più con un contenuto armonico di uscita e di distorsione migliore di – 80 dB;

3. apparecchiature radio basate su tecniche di spettro esteso, comprese le tecniche di salti di frequenza, diverse da quelle specificate in 5A001.b.4. ed aventi una delle caratteristiche seguenti: Nota: 5A001.b.3. non sottopone ad autorizzazione apparecchiature progettate per funzionare ad una potenza di uscita uguale o inferiore a 1,0 W.

3. a.

codici di estensione programmabili dall’utente; o

banda passante totale di trasmissione di 100 o più volte superiore alla banda passante di uno qualunque dei canali di informazione e superiore a 50 kHz; Nota: 5A001.b.3.b. non sottopone ad autorizzazione apparecchiature radio appositamente progettate per l’uso con sistemi di comunicazione radio cellulari civili.

a.

sistemi di comunicazione radio cellulari civili; o

b.

stazioni terrestri per satelliti fissi o mobili per le telecomunicazioni commerciali civili.

4. 5A001 b. apparecchiature radio basate su tecniche di modulazione a banda ultra larga e provviste di codici di canalizzazione, di rimescolamento, o di identificazione di rete programmabili dall’utente aventi una delle caratteristiche seguenti:

4. a.

banda passante superiore a 500 MHz; o

banda passante frazionaria uguale o superiore al 20 %;

5. Note tecniche:

ricevitori radio a controllo numerico aventi tutte le caratteristiche seguenti: Nota: 5A001.b.5. non sottopone ad autorizzazione apparecchiature radio appositamente progettate per l’uso con sistemi di comunicazione radio cellulari civili. tempo di commutazione di canale indica il tempo (cioè il ritardo) per passare da una frequenza di ricezione all’altra per arrivare alla frequenza finale di ricezione specificata, con un margine di ± 0,05 %. I prodotti aventi una gamma di frequenza specificata inferiore a ± 0,05 % rispetto alla loro frequenza centrale sono definiti incapaci di commutazione di frequenza di canale.

5. a.

più di 1000 canali;

tempo di commutazione di canale inferiore a 1 ms;

esplorazione o scansione automatica di una parte dello spettro elettromagnetico; e

identificazione dei segnali ricevuti o del tipo di trasmettitore; o

6. Note tecniche: 1.2.

che utilizzano funzioni di trattamento del segnale numerico onde assicurare la codifica della voce in uscita a velocità inferiori a 2400 bit/s; Per la codifica della voce a velocità variabile, 5A001.b.6. si applica alla codifica della voce in uscita nel parlato continuo. Ai fini di 5A001.b.6., per codifica della voce si intende la tecnica che consiste nel raccogliere campioni di voce umana e convertirli poi in un segnale numerico, tenendo conto delle caratteristiche specifiche del parlato umano.

c. Nota tecnica:

fibre ottiche di lunghezza superiore a 500 m e specificate dal fabbricante per sopportare un carico di rottura al collaudo della messa in operà, uguale o superiore a 2 × 109 N/m2; N.B.: Per i cavi ombelicali, vedere 8A002.a.3. Collaudo della messa in operà: collaudo di produzione in linea o fuori linea basato sull’applicazione dinamica di una data sollecitazione a trazione su una fibra, di lunghezza da 0,5 a 3 m ad una velocità di spostamento da 2 a 5 m/s, al suo passaggio fra rulli di circa 150 mm di diametro. La temperatura ambiente nominale è di 293 K (20 °C) e l’umidità relativa del 40 %. Sono ammesse anche norme nazionali equivalenti per effettuare il collaudo della messa in opera.

antenne ad allineamento di fase a fascio orientabile elettronicamente funzionanti al di sopra di 31,8 GHz; Nota: 5A001.d. non sottopone ad autorizzazione le antenne ad allineamento di fase a fascio orientabile elettronicamente per sistemi di atterraggio che utilizzano strumenti rispondenti alle norme dell’ICAO relative ai sistemi di atterraggio a microonde (MLS).

5A001 le apparecchiature radiogoniometriche funzionanti a frequenze superiori a 30 MHz e aventi tutte le caratteristiche seguenti, e loro componenti appositamente progettati:

1. banda passante istantanea uguale o superiore a 10 MHz, e

2. in grado di individuare una linea di rilevamento (LOB) per radiotrasmettitori non cooperanti con una durata di segnale inferiore a 1 ms;

apparecchiature di intercettazione o di disturbo delle telecomunicazioni mobili, loro apparecchiature di monitoraggio, come segue, e loro componenti appositamente progettati: Nota: 5A001.f.1. e 5A001.f.2. non sottopongono ad autorizzazione: N.B. 1: Cfr. anche ELENCO DEI MATERIALI DI ARMAMENTO. N.B. 2: Per i ricevitori radio cfr. 5A001.b.5.

1. apparecchiature di intercettazione progettate per l’estrazione di voce o dati trasmessi via interfaccia aria;

2. apparecchiature di intercettazione non specificate in 5A001.f.1., progettate per l’estrazione degli identificativi del dispositivo dei clienti o degli abbonati (ad esempio, IMSI, TIMSI o IMEI), della segnalazione, o di altri metadati trasmessi via interfaccia aria;

3. apparecchiature di disturbo appositamente progettate o modificate per interferire con, rifiutare, inibire, degradare o sviare i servizi di comunicazione cellulare, intenzionalmente e selettivamente, ed eseguire una delle funzioni seguenti:

3. a.

simulare le funzioni di apparecchiature per reti di accesso radio (RAN); o

individuare e sfruttare caratteristiche specifiche del protocollo di comunicazione mobile impiegato (ad esempio GSM); o

sfruttare caratteristiche specifiche del protocollo di comunicazione mobile impiegato (ad esempio GSM);

4. apparecchiature di monitoraggio RF progettate o modificate per identificare il funzionamento degli elementi specificati in 5A001.f.1., 5A001.f.2. o 5A001.f.3.;

a.

apparecchiature appositamente progettazione per l’intercettazione delle radiomobili private analogiche (PMR), IEEE 802.11 WLAN;

b.

apparecchiature progettate per gli operatori di reti di telecomunicazioni mobili; o

c.

apparecchiature progettate per lo sviluppo o la produzione di apparecchiature o sistemi di telecomunicazione mobile.

g. Nota tecnica:

sistemi e apparecchiature di localizzazione coerente passiva appositamente progettati per la rivelazione o l’inseguimento di oggetti in movimento misurando le riflessioni delle emissioni in radiofrequenza nell’aria ambiente prodotte da trasmettitori non radar; I trasmettitori non radar possono includere radio, televisioni o stazioni base per telecomunicazioni cellulari commerciali. Nota: 5A001.g. non sottopone ad autorizzazione:

a.

apparecchiature radio-astronomiche; o

b.

sistemi o apparecchiature che abbiano emissioni radio dal bersaglio.

5A001 apparecchiature per la lotta agli ordigni esplosivi improvvisati (IED) e apparecchiature connesse, come segue: N.B.: Cfr. anche ELENCO DEI MATERIALI DI ARMAMENTO.

1. apparecchiature di trasmissione a radiofrequenza, non specificate in 5A001.f., progettate o modificate per attivare prematuramente o impedire l’innesco di ordigni esplosivi improvvisati (IED);

2. apparecchiature che utilizzano tecniche volte a consentire comunicazioni radio sugli stessi canali di frequenza sui quali emettono le apparecchiature ubicate nello stesso luogo specificate in 5A001.h.1.

non utilizzato;

j. Nota tecnica:

sistemi o apparecchiature di sorveglianza delle comunicazioni su rete funzionante con protocollo Internet (IP) e componenti appositamente progettati, aventi tutte le caratteristiche seguenti: Nota: 5A001.j. non sottopone ad autorizzazione i sistemi e le apparecchiature di controllo appositamente progettati per: criteri restrittivì indica i dati o una serie di dati relativi a una persona fisica (ad esempio cognome, nome, indirizzo e-mail, indirizzo, numero di telefono o affiliazioni a gruppi).

1. eseguire quanto segue su una rete IP carrier class (ad esempio backbone IP di livello nazionale)

1. a.

analisi al livello applicazioni [ad esempio, livello 7 del modello di interconnessione di sistemi aperti (OSI) (ISO/IEC 7498-1)];

estrazioni di dati e contenuti di applicazioni selezionati (ad esempio voce, video, messaggi, allegati), e

indicizzazione dei dati estratti; e

2. appositamente progettati per eseguire:

2. a.

ricerche sulla base di criteri restrittivì; e

mappatura della rete di rapporti di una persona o di un gruppo di persone.

a.

fini di marketing;

b.

rete di qualità del servizio (QoS); o

c.

qualità delle esperienze (QoE).

5A1 Nota tecnica: a.

apparecchiature progettate o modificate per aeromobili con equipaggio o satelliti;

apparecchiature a terra progettate o modificate per applicazioni terrestri o marine;

apparecchiature progettate per servizi GNSS commerciali, civili o di tipo sicurezza della vità (ad esempio integrità dei dati, sicurezza di volo).

5B1 a.

apparecchiature, e loro componenti ed accessori appositamente progettati, che siano appositamente progettate per lo sviluppo o la produzione di apparecchiature, funzioni o elementi specificati in 5A001; Nota: 5B001.a. non sottopone ad autorizzazione le apparecchiature di caratterizzazione di fibre ottiche.

1. non utilizzato;

Altre 1288 disposizioni non sono mostrate qui; ognuna ha il proprio indirizzo.

Versioni

2014-10-22