Komisijas Deleģētā regula (ES) Nr. 1382/2014 (2014. gada 22. oktobris), ar kuru groza Padomes Regulu (EK) Nr. 428/2009, ar ko izveido Kopienas režīmu divējāda lietojuma preču eksporta, pārvadājumu, starpniecības un tranzīta kontrolei

In forceVersion 2014-10-22from 2014-12-31

Grade B

mapped from publisher markup. A grade says how a document's structure was obtained, not how reliable the law is.

Ask Gelex about this law

Address https://gelex.eu/eli/EU/act/2014/1382@2014-10-22/lv

Contents

Preamble
ANNEX
DIVĒJĀDA LIETOJUMA PREČU UN TEHNOLOĢIJU SARAKSTS
a.
1. a.
b.
c.
d.
e.
f.
0. KATEGORIJA – KODOLMATERIĀLI, TELPAS UN IEKĀRTAS
0A a.
0B Tehniska piezīme:
0B a.
7. a.
13. a.
14. a.
5. a.
6. a.
0C a.
1. KATEGORIJA – ĪPAŠI MATERIĀLI UN AR TIEM SAISTĪTAS IEKĀRTAS
1A Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme:
1A a.
1. a.
4. a.
1A Tehniskas piezīmes: 1.2. a.
1A Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. a.
1A Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniska piezīme: a.
1B Tehniska piezīme: 1.2. Tehniska piezīme:
1B a.
1B Tehniska piezīme: 1.2. a.
a.
b.
c.
1C Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: 1.2.3. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1. tehniskā piezīme: 2. tehniskā piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: 1.2.3.
1C Tehniska piezīme: a.
a.
b.
c.
1. Tehniska piezīme:
1. a.
d.
1C Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: 1.2.3. a.
1. a.
2. a.
3. a.
4. a.
5. a.
1. Tehniska piezīme:
1C Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: 1.2.3. Tehniska piezīme: a.
1. Tehniska piezīme:
2. Tehniska piezīme:
3. a.
1. a.
1C Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: 1.2.3. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme:
4. a.
1. a.
2. a.
1C Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: 1.2.3. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1.2. a.
a.
b.
c.
d.
1C Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: 1.2.3. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. d.
1. a.
2. a.
a.
b.
a. 1C011 a.Tehniska piezīme:
1C Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: 1.2.3. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniska piezīme: a.
a.
b.
1C Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: 1.2.3. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: a.
1. Tehniska piezīme:
2. a. Tehniska piezīme:
3. a.
4. a.
5. Tehniska piezīme:
5. a.
6. a.
1C Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: 1.2.3. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1. tehniskā piezīme:
1C Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: 1.2.3. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1. tehniskā piezīme: 2. tehniskā piezīme: a.
1. a.
2. a.
1C Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: 1.2.3. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1. tehniskā piezīme: 2. tehniskā piezīme: Tehniska piezīme: a.
1C Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: 1.2.3. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1. tehniskā piezīme: 2. tehniskā piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: a.
1C Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: 1.2.3. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1. tehniskā piezīme: 2. tehniskā piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: a.
1C Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: 1.2.3. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1. tehniskā piezīme: 2. tehniskā piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: a.
1C Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: 1.2.3. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1. tehniskā piezīme: 2. tehniskā piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: a.
1C Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: 1.2.3. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1. tehniskā piezīme: 2. tehniskā piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: a.
4. a.
6. Tehniska piezīme:
5. a.
1E a.
1. a.
3. a.
2. KATEGORIJA – MATERIĀLU APSTRĀDE UN PĀRSTRĀDE
2A Tehniska piezīme:
2A a.
2. a.
2B Tehniskas piezīmes: 1.2.3.4.5.6. Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2.
2B Tehniskas piezīmes: 1.2. a.
2B Tehniskas piezīmes: 1.2.3.4.5. a.
2B Tehniskas piezīmes: 1.2.3.4.5.6. a.
a.
b.
1. a.
2. a.
4. a.
c.
2B Tehniskas piezīmes: 1.2.3.4.5.6. Tehniskas piezīmes:
2B Tehniskas piezīmes: 1.2.3.4.5.6. Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme: a.
1. a.
2. a.
1. Tehniska piezīme:
1. a.
2. a.
2B Tehniskas piezīmes: 1.2.3.4.5.6. Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: a.
2B Tehniskas piezīmes: 1.2.3.4.5.6. Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: a.
2B Tehniskas piezīmes: 1.2.3.4.5.6. Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: a.
1. a.
a.
b.
2B Tehniskas piezīmes: 1.2.3.4.5.6. Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: a. Tehniska piezīme:
2B Tehniskas piezīmes: 1.2.3.4.5.6. Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: a.
2B Tehniskas piezīmes: 1.2.3.4.5.6. Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme: a.
2B Tehniskas piezīmes: 1.2.3.4.5.6. Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: 1.2. a.
2B Tehniskas piezīmes: 1.2.3.4.5.6. Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. a.
1. a.
2. a.
3. a.
a.
b.
c.
d.
e.
f.
g.
h.
i.
2. a.
1. a.
2D a.
2E Tabula 1.2.3.A.B.B.1.B.2.B.3.B.4.C.D.E.F.G. Pārklāšanas metodes
2E a.
1. a.
2. a.
a.
b.
c.
d.
e.
f.
g.
3. KATEGORIJA – ELEKTRONIKA
3A Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2.
3A a.
1. a.
2. a.
5. Tehniskas piezīmes: 1.2.3.4.5.6.7.8.9. 3A001 a. 5.Tehniskas piezīmes: 1.2.3.4.
5. a.
5. Tehniskas piezīmes: 1.2.3.4.5.6.7.8.9. b.
2. a.
6. a.
7. 3A001 a. 7.Tehniskas piezīmes: 1.2.3.
7. a.
10. a.
11. a.
12. Tehniska piezīme:
13. Tehniska piezīme:
13. a.
4. a.
3. a.
4. a.
3. Tehniska piezīme:
8. a.
9. Tehniskas piezīmes: 1.2.
9. a.
10. Tehniska piezīme:
1. Tehniska piezīme:
1. Tehniskas piezīmes: 1.2.3.4.
4. Tehniska piezīme:
5. Tehniskas piezīmes: 1.2.
6. Tehniska piezīme:
3. Tehniska piezīme:
3A Tehniskas piezīmes: 1.2. a.
1. a.
2. a.
3A Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. a.
3A Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. a.
3B a.
1. a.
3. a.
3C a.
3D Tehniska piezīme:
3E a.
4. KATEGORIJA – DATORI
4A a.
4D a.
4E a.
Tehniskajā piezīmē lietotie saīsinājumi
Īss izklāsts par APP aprēķinu metodi 1.2.3.4. Tehniska piezīme:
Īss izklāsts par APP aprēķinu metodi 1.2.3.4.
5. KATEGORIJA – TELESAKARI UN INFORMĀCIJAS DROŠĪBA
1. DAĻA – TELESAKARI
5A1 Tehniska piezīme:
5A1 a.
1. a.
2. a.
3. a.
a.
b.
4. a.
5. Tehniskas piezīmes:
5. a.
6. Tehniskas piezīmes: 1.2.
a.
b.
c.
5B1 a.
2. a.

EIROPAS KOMISIJA,

ņemot vērā Līgumu par Eiropas Savienības darbību,

ņemot vērā Padomes 2009. gada 5. maija Regulu (EK) Nr. 428/2009, ar ko izveido Kopienas režīmu divējāda lietojuma preču eksporta, pārvadājumu, starpniecības un tranzīta kontrolei, un jo īpaši tās 15. panta 3. punktu,

tā kā:

(1) Padomes Regulā (EK) Nr. 428/2009 ir paredzēts, ka attiecībā uz divējāda lietojuma precēm jānosaka efektīva kontrole, kad tās eksportē no Savienības vai pārvadā tranzītā caur Savienību, vai piegādā uz trešo valsti, izmantojot starpniecības pakalpojumus, kurus sniedz starpnieks, kas ir rezidents vai veic uzņēmējdarbību Savienībā.

(2) Regulas (EK) Nr. 428/2009 I pielikumā izstrādāts kopējais saraksts ar divējāda lietojuma precēm, kuras kontrolē Savienībā. Lēmumus par kontrolējamajām precēm pieņem Austrālijas grupas, Raķešu tehnoloģiju kontroles režīma, Kodolmateriālu piegādātāju valstu grupas, Vasenāras vienošanās un Ķīmisko ieroču konvencijas ietvaros.

(3) Regulas (EK) Nr. 428/2009 I pielikumā iekļautais divējāda lietojuma preču saraksts ir regulāri jāatjaunina, lai nodrošinātu tā pilnīgu atbilstību starptautiskajām saistībām drošības jomā, garantētu pārredzamību un saglabātu eksportētāju konkurētspēju. Lai eksporta kontroles iestādēm un uzņēmējiem būtu vieglāk izmantot šo sarakstu, būtu jāpublicē Regulas (EK) Nr. 428/2009 I pielikuma atjaunināta un konsolidēta redakcija.

(4) Regula (EK) Nr. 428/2009 pilnvaro Komisiju ar deleģētajiem aktiem atjaunināt divējāda lietojuma preču sarakstu regulas I pielikumā atbilstīgi dalībvalstu saistībām un pienākumiem un jebkādiem to grozījumiem, ko tās uzņēmušās kā attiecīgo starptautisko kodolieroču neizplatīšanas režīmu un eksporta kontroles pasākumu dalībnieces vai ratificējot atbilstīgus starptautiskos līgumus.

(5) Tāpēc būtu attiecīgi jāgroza Regula (EK) Nr. 428/2009,

IR PIEŅĒMUSI ŠO REGULU.

1. pants Regulas (EK) Nr. 428/2009 I pielikumu aizstāj ar šīs regulas pielikumā ietverto tekstu.

2. pants Šī regula stājas spēkā nākamajā dienā pēc tās publicēšanas Eiropas Savienības Oficiālajā Vēstnesī.

Šī regula uzliek saistības kopumā un ir tieši piemērojama visās dalībvalstīs. Briselē, 2014. gada 22. oktobrī Komisijas vārdā – priekšsēdētājs José Manuel Barroso

ANNEX

PIELIKUMS

I PIELIKUMS Šīs regulas 3. pantā minētais saraksts

DIVĒJĀDA LIETOJUMA PREČU UN TEHNOLOĢIJU SARAKSTS

Ar šo sarakstu tiek īstenota starptautiski, tostarp Vasenāras vienošanās, Raķešu tehnoloģiju kontroles režīmā (MTCR), Kodolmateriālu piegādātāju valstu grupā (NSG), Austrālijas grupā un Ķīmisko ieroču konvencijā (CWC), pieņemta divējāda lietojuma preču kontrole.

VISPĀRĒJAS PIEZĪMES PAR I PIELIKUMU 1.2.3.4.

Attiecībā uz militārām vajadzībām ražotu vai pielāgotu preču kontroli sk. attiecīgo (-os) konkrētu dalībvalstu sastādītos militārām vajadzībām ražoto preču sarakstu (-us). Šajā pielikumā minētās atsauces SK. ARĪ MILITĀRO PREČU KONTROLES SARAKSTUS attiecas uz tādiem sarakstiem. Šajā pielikumā noteiktās kontroles nedrīkst padarīt neefektīvas, eksportējot nekontrolējamas preces (arī iekārtas), kurās ir viens vai vairāki kontrolējami komponenti, ja kontrolējamais komponents vai komponenti ir galvenā preču sastāvdaļa un tos ir iespējams atdalīt vai izmantot citiem mērķiem. NB! Vērtējot to, vai kontrolējamo komponentu vai komponentus var uzskatīt par galveno sastāvdaļu, jāņem vērā tādi faktori kā daudzums, vērtība, izmantotā tehnoloģiskā zinātība un citi īpaši apstākļi, kas var palīdzēt noteikt to, vai kontrolējamais komponents vai komponenti ir uzskatāmi par iegādājamo preču galveno sastāvdaļu. Šajā pielikumā minētās preces ietver gan jaunas, gan lietotas preces. Dažos gadījumos ķīmiskās vielas ir iekļautas sarakstā ar nosaukumu un CAS numuru. Saraksts attiecas uz ķīmiskajām vielām ar tādu pašu strukturālu formulu (tostarp hidrātiem) neatkarīgi no nosaukuma un CAS numura. CAS numuri ir norādīti, lai palīdzētu noteikt konkrētu ķīmisko vielu vai maisījumu neatkarīgi no nomenklatūras. CAS numurus nevar izmantot kā vienīgos identifikatorus, jo dažām no sarakstā iekļauto ķīmisko vielu formām ir atšķirīgi CAS numuri, un maisījumiem, kuru sastāvā ir sarakstā iekļauta ķīmiska viela, arī var būt atšķirīgi CAS numuri.

PIEZĪME PAR KODOLTEHNOLOĢIJĀM (PK)

(Jālasa saistībā ar 0. kategorijas E sadaļu.) Tehnoloģijas, kas ir tieši saistītas ar visām 0. kategorijā kontrolētajām precēm, kontrolē saskaņā ar 0. kategorijas noteikumiem. Tehnoloģijas kontrolējamu preču pilnveidošanai, ražošanai vai lietošanai kontrolē arī tad, ja tās izmanto precēm, uz ko neattiecas kontrole. Preču eksporta atļauja nozīmē arī to, ka tam pašam gala lietotājam drīkst eksportēt tehnoloģijas tādā apjomā, kas noteikti vajadzīgs preču uzstādīšanai, ekspluatācijai, apkopei un remontam. Tehnoloģiju nodošanas kontrole neattiecas uz atklātībā pieejamu informāciju vai fundamentāliem zinātnes pētījumiem.

VISPĀRĒJA PIEZĪME PAR TEHNOLOĢIJĀM (VPT)

(Jālasa saistībā ar 1. līdz 9. kategorijas E sadaļu) To tehnoloģiju eksportu, kas ir nepieciešamas 1. līdz 9. kategorijas preču pilnveidošanai, ražošanai vai lietošanai, kontrolē saskaņā ar 1. līdz 9. kategorijas noteikumiem. Tehnoloģijas, kas nepieciešamas kontrolējamo preču pilnveidošanai, ražošanai vai lietošanai, kontrolē arī tad, ja tās lieto precēm, uz ko neattiecas kontrole. Kontroli neattiecina uz tām tehnoloģijām, kas ir obligāti vajadzīgas to preču uzstādīšanai, ekspluatācijai, apkopei (pārbaudei) vai remontam, kuras nav pakļautas kontrolei vai kuras ir atļauts eksportēt. NB! Minētais neattiecas uz tehnoloģijām, kas minētas 1E002.e., 1E002.f., 8E002.a. un 8E002 b. pozīcijā. Tehnoloģiju nodošanas kontrole neattiecas uz atklātībā pieejamu informāciju un fundamentāliem zinātnes pētījumiem, kā arī uz informācijas minimumu, kas vajadzīgs patentu pieteikumiem.

VISPĀRĒJA PIEZĪME PAR PROGRAMMATŪRU (VPP)

(Šai piezīmei ir lielāks spēks par visiem kontroles pasākumiem 0. līdz 9. kategorijas D sadaļā.) Šā saraksta 0. līdz 9. kategorijai noteiktā kontrole neattiecas uz programmatūru, kas atbilst kādam no turpmāk minētajiem kritērijiem, proti, tā ir:

a.

vispārpieejama, jo tā ir: NB! Vispārējās piezīmēs par programmatūru a. punkts neattiecas uz 5. kategorijas 2. daļā (Informācijas drošība) minēto programmatūru.

1. bez ierobežojumiem nopērkama mazumtirdzniecībā:

1. a.

klātienē ir brīvi pieejama tirdzniecības vietās;

pasūtot pa pastu;

noslēdzot darījumu elektroniskā veidā vai

pasūtot pa tālruni, un

2. izveidota tā, lai lietotājs varētu pats instalēt bez turpmākas būtiskas piegādātāja palīdzības;

b.

atklātībā pieejama; vai

c.

obligāti vajadzīgais objektkods to preču uzstādīšanai, ekspluatācijai, apkopei (pārbaudei) vai remontam, kuras ir atļauts eksportēt. NB! Vispārējās piezīmēs par programmatūru c. punkts neattiecas uz 5. kategorijas 2. daļā (Informācijas drošība) minēto programmatūru.

NOFORMĒŠANA EIROPAS SAVIENĪBAS OFICIĀLAJĀ VĒSTNESĪ

Saskaņā ar noteikumiem, kas izklāstīti 2011. gada Iestāžu publikāciju noformēšanas rokasgrāmatas 108. lpp. 6.5. punktā, tekstiem latviešu valodā, kurus publicē Eiropas Savienības Oficiālajā Vēstnesī: Teksts šajā pielikumā atbilst minētajai praksei.

skaitļa veselo daļu no decimāldaļas atdala ar komatu (piemēram, 3,67 cm),

skaitļa veselajā daļā ciparus grupē pa trim, katru grupu atdalot ar saistīto atstarpi (piemēram, 100000).

PIELIKUMĀ LIETOTIE AKRONĪMI UN SAĪSINĀJUMI

Akronīmu vai saīsinājumu, kad to lieto kā definētu terminu, var atrast sadaļā Šajā pielikumā lietoto terminu definīcijas. AKRONĪMS VAI SAĪSINĀJUMS NOZĪME ABEC Gredzenveida gultņu inženieru komiteja AGMA Amerikas Piedziņas mehānismu ražotāju asociācija AHRS stāvokļa un kursa etalonsistēmas AISI Amerikas Dzelzs un tērauda institūts ALU aritmētiskās loģikas elements ANSI Amerikas Nacionālais standartu institūts ASTM Amerikas Testēšanas un materiālu biedrība ATC gaisa satiksmes kontrole AVLIS izotopu atdalīšana ar atomu tvaiku lāzeru CAD datorprojektēšana CAS Informatīvais ķīmijas dienests CDU indikācijas un kontroles bloks CEP varbūtīgā cirkulārā kļūda CNTD termopārklāšana, izmantojot vadāmu nukleāciju CRISLA ķīmiskā reakcija ar izotopselektīva lāzera aktivāciju CVD ķīmiska pārklāšana, izmantojot tvaiku CW ķīmiskā karadarbība CW (lāzeriem) nepārtrauktas darbības DME iekārta attāluma mērīšanai DS virzīti sacietināts EB-PVD fizikāla tvaika pārklāšana, izmantojot elektronu kūli EBU Eiropas Raidorganizāciju savienība ECM elektroķīmiskā apstrāde ECR elektronu ciklotrona rezonanse EDM elektriskās izlādes iekārtas EEPROMS elektriski pārprogrammējama lasāmatmiņa EIA Elektroniskās rūpniecības asociācija EMC elektromagnētiskā savietojamība ETSI Eiropas Telekomunikāciju standartu institūts FFT ātrais Furjē pārveidojums GLONASS globālā navigācijas satelītu sistēma GPS globālā pozicionēšanas sistēma HBT heterobipolārie tranzistori HDDR augsta blīvuma ciparu ieraksts HEMT augsta elektronu kustīguma tranzistori ICAO Starptautiskā Civilās aviācijas organizācija IEC Starptautiskā Elektrotehnikas komisija IEEE Elektronikas un elektrotehnikas inženieru institūts IFOV momentānais redzes leņķis ILS instrumentālās nosēšanās sistēma IRIG standartizācijas grupa IRIG ISA starptautiskā standartatmosfēra ISAR inversās sintētiskās diafragmas radars ISO Starptautiskā Standartizācijas organizācija ITU Starptautiskā Telesakaru savienība JIS Japānas rūpnieciskais standarts JT Džoula-Tomsona LIDAR detektēšana un attāluma noteikšana ar gaismu LRU viegli nomaināms bloks MAC ziņas autentifikācijas kods Mach objekta ātruma attiecība pret skaņas ātrumu (pēc Ernsta Maha) MLIS izotopu molekulārā lāzeratdalīšana MLS nolaišanās vadības mikroviļņu sistēmas MOCVD ķīmiska pārklāšana, izmantojot metālorganisku savienojumu tvaiku MRI kodolmagnētiskās rezonanses attēla veidošana MTBF vidējais laiks starp atteicēm Mtops miljoni teorētisko operāciju sekundē MTTF vidējais laiks līdz atteicei NBC kodol-, bioloģiskais un ķīmiskais NDT nesagraujoša testēšana PAR precīza pielidojuma radars PIN personas identifikācijas numurs ppm miljondaļas PSD jaudas spektrālais blīvums QAM kvadrātiskā amplitūdas modulācija RF radiofrekvence SACMA Augstu tehnoloģiju kompozītmateriālu ražotāju asociācija SAR sintētiskās diafragmas radars SC monokristāls SLAR lidaparāta sānskata radars SMPTE Kino un televīzijas inženieru biedrība SRA nomaināms agregāts SRAM statiskā brīvpiekļuves atmiņa SRM SACMA ieteiktas metodes SSB individuāla blakusfrekvenču josla SSR sekundārs pārraudzības radars TCSEC datoru standarts Trusted computer system evaluation criteria TIR kopējais rādījums UV ultravioletais UTS stiepes robežstiprība VOR ļoti augstas frekvences vienvirziena diapazons YAG itrija/alumīnija granāts

ŠAJĀ PIELIKUMĀ LIETOTO TERMINU DEFINĪCIJAS Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Piezīmes: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme:

Terminu definīcijas vienpēdiņās ir dotas tehniskajās piezīmēs par katru attiecīgo preci. Terminu definīcijas pēdiņās ir šādas: NB! Iekavās aiz termina dota atsauce uz preču kategoriju. Precizitāte (2 6) ir rādījuma maksimālā pozitīvās vai negatīvās vērtības novirze no pieņemta standarta vai patiesās skaitliskās vērtības; to parasti mēra kā neprecizitāti. Aktīvas lidojumu vadības sistēmas (7) ir sistēmas, kuru funkcija ir novērst nevēlamas lidaparātu un raķešu kustības vai struktūras slodzes, autonomi apstrādājot daudzu sensoru datus un dodot vajadzīgās preventīvās komandas automātiskas vadības īstenošanai. Aktīvais punkts (6 8) ir mazākais (individuālais) cietas fāzes kopuma elements, kas gaismas (elektromagnētiskā) starojuma iedarbībā darbojas kā fotoelektrisks pārveidotājs. Pārveidots militārām vajadzībām (1) nozīmē jebkuru modifikāciju vai selekciju (piemēram, mainīt tīrības pakāpi, glabāšanas laiku, virulenci, izplatīšanas īpašības vai noturību pret ultravioleto starojumu), lai cilvēkiem, dzīvniekiem, iekārtām, ražai vai apkārtējai videi nodarītu pēc iespējas lielāku kaitējumu vai postījumus. Koriģētā maksimālā jauda (4) ir koriģēts maksimālais ātrums, kādā ciparu datori veic 64-bitu vai apjomīgāku summēšanu un reizināšanu peldošā komata režīmā, un to izsaka svērtās TeraFLOPS (WT) vienībās pa 1012 peldošā komata koriģētām darbībām sekundē. NB! Sk. 4. kategorijas tehnisko piezīmi. Lidaparāts (1 7 9) ir gaisa transportlīdzeklis ar fiksētiem spārniem, šarnīra spārniem, ar rotējošiem spārniem (helikopteri), ar slīpu rotoru vai slīpspārniem. NB! Sk. arī civils lidaparāts. Gaisa kuģis (9) ir mehānisks gaisa satiksmes līdzeklis, kuru gaisā notur ķermenis, kas pildīts ar gāzi (parasti hēliju, agrāk ūdeņradi), kura ir vieglāka par gaisu. Ar visām iespējamām kompensācijām (2) nozīmē to, ka ir ņemti vērā visi iespējamie ražotājam pieejamie līdzekļi konkrētu metālapstrādes darbgaldu sistemātisku pozicionēšanas kļūdu vai konkrētu koordinātu mērīšanas darbgaldu kļūdu mazināšanai. ITU piešķirts (3 5) nozīmē frekvenču joslu piešķiršanu saskaņā ar ITU Radio noteikumu pašreizējo redakciju pamatpakalpojumu, atļauto pakalpojumu un papildpakalpojumu sniegšanai. NB! Nav ietvertas papildu vai alternatīvas frekvences. Leņķiskā pozīcijas novirze (2) ir maksimālā atšķirība starp leņķisko pozīciju un faktisko, ļoti precīzi izmērīto leņķisko pozīciju pēc fiksētā darba objekta izkustināšanas no sākotnējā stāvokļa. Leņķa nejaušība (7) ir pakāpenisks leņķveidīgs kļūdas palielinājums, ko rada leņķiskā ātruma baltais troksnis (IEEE STD 528-2001). APP (4) ir koriģētā maksimālā jauda. Asimetriskais algoritms (5) ir kriptogrāfisks algoritms, kas šifrēšanai un atšifrēšanai izmanto dažādas matemātiski saistītas kodu atslēgas. NB! Parastais asimetriskā algoritma pielietojums ir atslēgas pārvaldība. Automātiska mērķa izsekošana (6) ir datu apstrādes paņēmiens, ar ko automātiski nosaka un uzrāda reālā laikā ekstrapolētu visiespējamāko mērķa atrašanās vietu. Vidējā izejas jauda (6) ir kopējā lāzera enerģija džoulos, kas dalīta ar ilgumu (sekundēs), kurā tiek emitēta secīgu impulsu virkne. Vienādos atstatumos emitētu impulsu virknē tā ir vienāda ar lāzera enerģiju vienā impulsā (džoulos), kas reizināta ar lāzera impulsu frekvenci (hercos). Pamatelementa signāla nodošanas kavējuma laiks (3) ir nodošanas kavējuma laika vērtība pamatelementam, kas lietots monolītā integrālā shēmā. Monolītu integrālo shēmu saimē šo terminu var precizēt konkrētai saimei kā signāla kavējuma laiku tipiskam elementam šajā saimē vai kā tipisku signāla kavējuma laiku elementam konkrētajā saimē. NB! 1.: Pamatelementa signāla nodošanas kavējuma laiku nedrīkst jaukt ar kompleksas monolītas integrālās shēmas ieejas vai izejas kavējuma laiku. NB! 2.: Saimē ietilpst visas integrālās shēmas, kā izgatavošanas metodēm un specifikācijām ir viss turpmāk minētais, izņemot to attiecīgās funkcijas: Fundamentāli zinātnes pētījumi (VPT, PK) ir eksperimentāls vai teorētisks darbs, ko veic galvenokārt, lai iegūtu jaunas zināšanas par parādību vai novēroto faktu pamatprincipiem, un kas nav speciāli vērsts uz konkrētu praktisku izmantojumu vai mērķi. Novirze (akselerometra) (7) ir noteiktā laikposmā iegūts akselerometra izejas datu vidējais rādītājs, ko mēra konkrētos darbības apstākļos, kuri nav saistīti ar ieejas paātrinājumu vai rotāciju. Novirzi izsaka g vai m/s2. (IEEE STD 528-2001) (Mikro g ir vienāds ar 1 × 10-6 g). Novirze (žiroskopa) (7) ir noteiktā laikposmā iegūts žiroskopa izejas datu vidējais rādītājs, ko mēra konkrētos darbības apstākļos, kuri nav saistīti ar ieejas rotāciju vai paātrinājumu. Novirzi parasti izsaka grādos stundā (grādi/st.) (IEEE STD 528-2001). Izvirzījums (2) ir aksiāla galvenās vārpstas nobīde viena apgrieziena laikā, ko mēra vārpstas virsmai perpendikulārā plaknes punktā uz ass aploces (sk. ISO 230/1 1986, 5.63. punkts). Oglekļa šķiedru sagataves (1) ir noteiktā veidā sakārtotas pārklātas vai nepārklātas šķiedras, kas veido daļas armatūru, pirms ievada matricu kompozīta izveidošanai. CEP (vienādas varbūtības aplis) (7) ir precizitātes mērs; noteikta garuma rādiuss aplim, kā centrs ir noteiktā attālumā novietotā mērķī, kuram trāpa ar 50 % varbūtību. Ķīmiskais lāzers (6) ir lāzers, kurā ierosinātās daļiņas rodas ķīmiskas reakcijas izdalītās enerģijas rezultātā. Ķīmisko vielu maisījums (1) ir ciets, šķidrs vai gāzveida produkts no vismaz diviem komponentiem, kas maisījuma glabāšanas apstākļos savstarpēji nereaģē. Cirkulācijas kontrolētas pretmomenta vai cirkulācijas kontrolētas virziena kontroles sistēmas (7) ir sistēmas, kas izmanto gaisa plūsmas iedarbību uz aerodinamiskām virsmām šo virsmu radīto spēku palielināšanai vai kontrolei. Civils lidaparāts (1 3 4 7) ir lidaparāts, kas minēts publicētos civilās aviācijas iestāžu sertifikācijas sarakstos kā derīgs lidojumiem komerciālos iekšzemes un ārzemju maršrutos vai likumīgām civilām, privātām vai uzņēmējdarbības vajadzībām. NB! Sk. arī lidaparāts. Sajauktas (1) ir šķiedras, kas rodas, sajaucot un formējot termoplastiskas un armatīvas šķiedras, lai veidotu armētu šķiedru matricu. Smalcināšana (1) ir process, ar ko materiālu sadala daļiņās, drupinot vai maļot. Sakaru kanāla kontrolieris (4) ir fiziska saskarne, kas kontrolē sinhronas vai asinhronas digitālas informācijas plūsmu. Šādu iekārtu var iebūvēt datorā vai telesakaru sistēmā, lai nodrošinātu pieeju sakariem. Kompensācijas sistēmas (6) sastāv no primāra skalāra sensora, viena vai vairākiem kontrolsensoriem (piem., vektora magnetometriem) līdz ar programmatūru, kas ļauj mazināt platformas cietā korpusa rotācijas trokšņus. Kompozīts (1 2 6 8 9) ir matrica un papildu fāze vai fāzes, kas sastāv no daļiņām, matiņiem, šķiedrām vai no jebkuras to kombinācijas, kuras pievienotas ar īpašu nolūku. Salikts rotējošais galds (2) ir galds, kas ļauj darba objektam griezties un sagāzties slīpi pa divām neparalēlām asīm, kuras var reizē koordinēt konturēšanas kontrolei. III/V savienojumi (3 6) ir polikristāliski, bināri vai kompleksi monokristāliski produkti, kas sastāv no Mendeļejeva elementu periodiskās sistēmas tabulas IIIA un VA grupas elementiem (piemēram, gallija arsenīds, gallija-alumīnija arsenīds, indija fosfīds). Konturēšanas kontrole (2) ir divas vai vairākas ar digitālu vadāmierīci kontrolētas kustības, kas darbojas saskaņā ar instrukcijām, kuras nosaka nākamo vajadzīgo pozīciju un vajadzīgos padeves ātrumus šai pozīcijai. Minētos padeves ātrumus maina savā starpā, lai var radītu vēlamo kontūru (sk. ISO/DIS 2806-1980). Kritiskā temperatūra (1 3 5) ir konkrētā supravadītāja materiāla temperatūra (dažreiz saukta par pārejas temperatūru), kurā materiāls zaudē jelkādu pretestību līdzstrāvas plūsmai. Kriptogrāfijas aktivizēšana (5) ir jebkāds paņēmiens, ar kuru kriptogrāfijas iespējas aktivizē vai dara pieejamas, izmantojot drošu mehānismu, ko precē ir iestrādājis tās ražotājs un kas ir piesaistīts tikai konkrētajai precei vai klientam, kura vajadzībām kriptogrāfijas spējas tiek aktivizētas vai tiek darītas pieejamas (piemēram, izmantojot uz sērijas numuru balstītu licences kodu vai autentifikācijas instrumentu, piemēram, sertifikātu ar digitālu parakstu). Kriptogrāfijas aktivizēšanas paņēmienus un mehānismus var izstrādāt gan kā aparatūru, gan arī kā programmatūru vai tehnoloģijas. Kriptogrāfija (5) ir disciplīna, kurā ietilpst datu pārveides principi, līdzekļi un metodes, lai slēptu to informatīvo saturu, aizsargātu pret neatļautu lietošanu vai slepenu pārveidošanu. Kriptogrāfija aprobežojas ar informācijas pārvēršanu, lietojot vienu vai vairākus slepenus parametrus (piem., kriptomainīgos lielumus) vai piesaistītas atslēgas pārvaldību. Piezīme: Kriptogrāfija neietver fiksētas datu kompresijas vai kodēšanas metodes. Slepens parametrs ir konstante vai koda atslēga, ko slēpj no citiem vai kas ir zināma tikai kādai personu grupai. CW lāzers (6) ir lāzers, kas izstaro nomināli konstantu enerģiju ilgāk par 0,25 sekundēm. Uz datiem balstītas navigācijas (DBRN) (7) sistēmas ir sistēmas, kuras izmanto dažādus iepriekš mērītu ģeokartografēšanas datu avotus, kas integrēti, lai sniegtu precīzu navigācijas informāciju mainīgos apstākļos. Datu avoti ietver batimetriskās kartes, zvaigžņu kartes, gravitācijas kartes, magnētiskās kartes vai digitālas trīsdimensiju topogrāfiskās kartes. Deformējami spoguļi (6) (ko dēvē arī par pielāgojamiem optiskiem spoguļiem) ir spoguļi, kam ir: Vājināts urāns (0) ir urāns, kurā izotopa 235 ir mazāk nekā dabā sastopamajā urānā. ″Pilnveidošana″ (VPT, PK un visā sarakstā) attiecas uz visiem posmiem pirms sērijveida ražošanas, piemēram, projektēšanu, projektu pētījumiem, projekta analīzi, projekta koncepcijām, prototipu montāžu un izmēģinājumiem, eksperimentālo ražošanu, projekta datiem, projektēšanas datu pārtapšanu izstrādājumā, konfigurācijas izstrādi, integrācijas izstrādi, izvietojumu. Difūzā savienošanās (1 2 9) ir vismaz divu atsevišķu metāla gabalu cietā stāvoklī savienošanās vienā gabalā, kura savienojuma vietas stiprība ir ekvivalenta vājākā materiāla stiprībai, un šajā procesā galvenais mehānisms ir atomu savstarpēja difūzija caur saskares robežvirsmu. Ciparu dators (4 5) ir iekārta, kas viena vai vairāku diskrētu mainīgo lielumu formā var veikt visas šīs operācijas: NB! Pie saglabātās instrukciju secības maiņām pieder fiksētu datu glabāšanas ierīču nomaiņa, nevis fiziskas pārmaiņas slēgumā vai savienojumos. Ciparu datu pārsūtīšanas ātrums (def) ir kopējais bitu pārsūtīšanas ātrums tādai informācijai, ko tieši pārnes uz jebkuru datu nesēju. NB! Sk. arī Kopējais ciparu datu pārsūtīšanas ātrums. Tieša hidrauliska presēšana (2) ir deformācijas process, kurā izmanto ar šķidrumu pildītu elastīgu kameru, kas ir tiešā saskarē ar apstrādājamo objektu. Dreifa ātrums (žiroskopiem) (7) ir žiroskopu izejas signāla sastāvdaļa, kas funkcionāli nav atkarīga no ieejas rotācijas. To izsaka kā leņķisko ātrumu (IEEE STD 528-2001). Speciālo skaldmateriālu efektīvais grams (0 1) ir: Elektronisks mezgls (2 3 4 5) ir vairāki elektroniski komponenti (t.i., shēmas elementi, diskrēti komponenti, integrālās shēmas u. c.), kas savstarpēji savienoti, lai veiktu kādas (-u) konkrētas (-u) funkcijas (-u), un kas ir maināmi kā bloki, un ko parasti var demontēt. NB! 1.: Shēmas elements ir individuāla aktīva vai pasīva elektroniskas ķēdes daļa, piemēram, viena diode, viens tranzistors, viena pretestība, viens kondensators u.c. NB! 2.: Diskrētais komponents ir individuāls shēmas elements ar ārējiem izvadiem. Elektroniski vadāma fāzētu bloku antena (5 6) ir antena, kas formē fāzētu staru, t. i., stara virzienu kontrolē, izmantojot kompleksus izstaroto elementu ierosināšanas koeficientus, un stara virzienu var mainīt pēc azimuta vai augstuma, vai reizē abējādi, gan elektrisko signālu pārraides, gan uztveršanas režīmā. Energoietilpīgi materiāli (1) ir vielas vai vielu maisījumi, kuri ķīmiskā reakcijā izdala enerģiju, kas vajadzīga to iecerētajam pielietojumam. Energoietilpīgu materiālu paveidi ir sprāgstvielas, pirotehnika un propelenti. Manipulācijas orgāni (2) ir spīles, aktīvās instrumentu aprīkojuma vienības un citi instrumenti, kas ir nostiprināti uz robota manipulatora rokas galā esošas balsta plātnes. NB! Aktīvā instrumentu aprīkojuma vienība ir ierīce, ar ko apstrādājamai detaļai pievada dzinējspēku, apstrādes enerģiju vai nodrošina sensora funkciju. Ekvivalentais blīvums (6) ir optiskā masa uz optiskā laukuma vienību, kas projicēta uz optiskās virsmas. Sprāgstvielas (1) ir cieta, šķidra vai gāzveida agregātstāvokļa vielas vai vielu maisījumi, kuriem jāsprāgst, ja tos izmanto kā injicētājlādiņus, palīglādiņus vai galvenos lādiņus kaujas uzgaļos, spridzināšanā un citos lietojumos. FADEC sistēmas (7 9) ir pilnīgi autonomas dzinēju digitālās kontroles sistēmas – digitāla elektroniska vadāmierīce gāzturbīnas dzinējam, kura var autonomi kontrolēt dzinēju visā tā darbības diapazonā no dzinēja piespiedu palaišanas līdz dzinēja piespiedu apturēšanai gan parastos apstākļos, gan bojājuma gadījumā. Šķiedrveida vai pavedienveida materiāli (0 1 8) ietver: Plēves tipa integrālās shēmas (3) ir shēmas elementu kopums un to savstarpēji metāla savienojumi, kas izveidoti, uzklājot biezu vai plānu plēvi uz izolatora substrāta. NB! Shēmas elements ir individuāla aktīva vai pasīva elektroniskas ķēdes daļa, piemēram, viena diode, viens tranzistors, viena pretestība, viens kondensators u.c. Fiksēts (5) nozīmē to, ka kodēšanas vai kompresijas algoritms nevar pieņemt parametrus no ārienes (t.i., kriptogrāfiskus vai atslēgu mainīgos lielumus) un to nevar pārveidot lietotājs. Lidojuma vadības optisko sensoru bloks (7) ir izkliedētu optisko sensoru tīkls, kas izmanto lāzera starus, lai reālā laikā nodrošinātu lidojumu vadības datu apstrādi lidaparātā. Lidojuma maršruta optimizācija (7) ir procedūra, kas mazina novirzes no vēlamās četrdimensiju (laika un telpas) trajektorijas, maksimāli izmantojot aparatūras jaudas vai tehniskās iespējas, lai izpildītu doto uzdevumu. Fokālās plaknes bloki (6 8) ir plakans lineārs vai divdimensiju individuālu detektorelementu slānis vai plakanu individuālu detektorelementu slāņu kombinācija ar nolasīšanas iekārtu vai bez tās, kura darbojas fokālajā plaknē. NB! Nav paredzēts tajā ietvert individuālu detektorelementu blokus vai jebkādus detektorus no diviem, trijiem vai četriem elementiem, ja kavēšana un integrēšana nenotiek pašā elementā. Frakcionālais joslas platums (3 5) ir procentos izteikta momentānā joslas platuma attiecība pret diapazona centrālo frekvenci. Frekvenču lēciens (5) ir izkliedes spektra forma, kurā kāda sakaru kanāla raidfrekvenci pakāpeniski maina ar nejauši izvēlētiem vai šķietami nejauši izvēlētiem diskrētiem soļiem. Frekvenču maskēšanas trigers (3) saistībā ar signālu analizatoriem ir mehānisms, ar kuru trigera funkcija spēj atlasīt frekvenču diapazonu, kas darbojas kā trigers uztveršanas joslas platumā, ignorējot citus signālus, kas arī varētu būt tajā pašā uztveršanas joslas platumā. Frekvenču maskēšanas trigeram var būt vairāk nekā viens neatkarīgs ierobežojumu kopums. Frekvenču pārslēgšanās laiks (3) ir laiks (signāla kavējums), kad to pārslēdz no konkrētas sākotnējās izejas frekvences, lai precīzi vai ar precizitāti ± 0,05 % sasniegtu konkrētu beigu frekvenci. Preces, kuru noteiktais frekvenču diapazons ir mazāks par ± 0,05 % ap to centrālo frekvenci, ir tādas, kurām nav iespējama frekvenču pārslēgšanās. Frekvenču sintezators (3) ir jebkurš frekvenču avots, kurš neatkarīgi no faktiski lietotā paņēmiena nodrošina vienlaicīgu vai mainīgu izejas frekvenču kopumu vienā vai vairākās izejās, ko kontrolē ar, iegūst no vai pārvalda ar mazāku skaitu standarta vai etalonfrekvenču. Kurināmā elements (8) ir elektroķīmiska ierīce, kura ķīmisku enerģiju tieši pārveido līdzstrāvā, patērējot kurināmo no ārēja avota. Kausējams (1) – tāds, kurā siltuma, radiācijas, katalizatoru utt. ietekmē var veidoties šķērssaites vai kuru var papildus polimerizēt (vulkanizēt) vai izkausēt bez pirolīzes. Gāzes atomizācija (1) ir process, kurā izkausēta metāla sakausējuma plūsmu augstspiediena gāzes plūsmā sadala daļiņās, kā diametrs nepārsniedz 500 μm. Ģeogrāfiski izkliedēts (6) attiecas uz ģeogrāfiskiem punktiem, kas cits no cita atrodas vairāk nekā 1500 m attālumā. Mobilos sensorus vienmēr uzskata par ģeogrāfiski izkliedētiem. Vadības kompleksi (7) ir sistēmas, kas integrē transportlīdzekļa atrašanās vietas un ātruma (t.i., navigācijas) mērīšanu un izskaitļošanu ar komandu izskaitļošanu un sūtīšanu transportlīdzekļa lidojuma vadības sistēmām, lai koriģētu trajektoriju. Karstā izostatiskā sabiezināšana (2) ir lējuma presēšanas process slēgtā telpā dažādās vidēs (gāzes, šķidruma, cieto daļiņu u. c.) temperatūrā virs 375 K (102 °C), pieliekot vienādu spēku visos virzienos, lai mazinātu vai novērstu iekšējus tukšumus lējumā. Hibrīda integrālā shēma (3) ir jebkāds integrālo shēmu slēgums vai integrālo shēmu slēgums ar shēmas elementiem vai diskrētiem komponentiem, kas savienoti kādu noteiktu funkciju izpildei un kam piemīt visas turpmāk minētās īpašības: NB! 1.: Shēmas elements: individuāla aktīva vai pasīva elektroniskas ķēdes daļa, piemēram, viena diode, viens tranzistors, viena pretestība, viens kondensators u.c. NB! 2.: Diskrētais komponents: individuāls shēmas elements ar ārējiem izvadiem. Attēlu korekcija (4) ir ārējas izcelsmes informācijas nesēju attēlu apstrāde, izmantojot algoritmus, piemēram, laika kompresiju, filtrāciju, ekstrakciju, selekciju, korelāciju, konvolūciju vai pārveidošanu domēnu starpā (piem., ar ātriem Furjē vai Volša pārveidojumiem). Tas neietver algoritmus, ar ko veic tikai viena attēla lineāru vai rotācijas transformāciju, piemēram, translāciju, būtiskās daļas izdalīšanu, reģistrāciju vai nepatieso iekrāsošanu. Imūntoksīns (1) ir vienas specifiskas šūnas monoklonālā antiviela un toksīns jeb toksīna pirmējā vienība, kas selektīvi iedarbojas uz slimām šūnām. Atklātībā pieejama (PK VPT VPP) šajā kontekstā nozīmē tehnoloģijas vai programmatūru, kas ir darīta pieejama bez ierobežojumiem turpmākai izplatīšanai (autortiesību noteiktie ierobežojumi tehnoloģijas vai programmatūru nepadara par tādu, kas nav atklātībā pieejama). Informācijas drošība (4 5) ir visi līdzekļi un funkcijas, kas nodrošina informācijas vai komunikāciju pieejamību, konfidencialitāti vai integritāti, izņemot tos līdzekļus un funkcijas, kas paredzētas kā nodrošinājums pret disfunkciju. Tas ietver kriptogrāfiju, kriptogrāfijas aktivizēšanu, kriptoanalīzi, datoru drošību un aizsardzību pret informācijas noplūdi. NB! Kriptoanalīze ir kriptogrāfiskas sistēmas vai tās ieejas un izejas datu analīze, lai iegūtu konfidenciālus mainīgos lielumus vai konfidenciālus datus, ieskaitot lasāmu tekstu. Momentāns joslas platums (3 5 7) ir frekvenču joslas platums, kurā izejas signāla līmenis ir konstants 3 dB robežās bez citu parametru pieregulēšanas. Instrumentālais attālums (6) ir konkrēti norādītais radara darbības attālums. Izolācija (9) tiek izmantota raķešu dzinēju komponentiem, t. i., apvalkam, sprauslai, ieplūdes caurulēm, apvalka savienojumiem, un pie tās pieder vulkanizētas vai pusvulkanizētas gumijas loksnes, kurās iestrādāts izolācijas vai ugunsizturīgs materiāls. Izolāciju var lietot arī kā slodzes izlīdzināšanas elementu. Iekšējais pārklājums (9): izmanto par atdalošo virsmu starp cieto propelentu un apvalku vai izolācijas slāni. Parasti izmanto ugunsizturīgu vai siltumizolācijas materiālu dispersijas uz šķidru polimēru bāzes, piemēram, ar oglekli pildītu polibutadiēnu (HTPB) ar gala hidroksilgrupām vai citus polimēru materiālus, kam pievienoti cietināšanas aģenti un ko izsmidzina vai uzklāj apvalka iekšējai virsmai. Patiesais magnētiskais gradiometrs (6) ir atsevišķs magnētiskā lauka gradientu mērīšanas elements un attiecīgā elektronika, kā izejas signāls ir magnētiskā lauka gradienta mērījums. NB! Sk. arī magnētisks gradiometrs. Ielaušanās programmatūra (4) ir programmatūra, kas īpaši paredzēta vai pielāgota, lai izvairītos no tā, ka to atklāj novērošanas instrumenti, vai lai pārvarētu datora vai tīkla ierīces aizsardzības pretpasākumus un veiktu kādu no turpmākajām darbībām: Ielaušanās programmatūra neietver neko no turpmākā: Tīkla ierīces ietver arī mobilās ierīces un viedos skaitītājus. Novērošanas instrumenti: programmatūra vai aparatūra, kura uzrauga sistēmas darbību vai procesus, kas ierīcē norisinās. Tas ietver antivīrusu (AV) produktus, termināļu drošības produktus, personiskās drošības izstrādājumus (PSP), ielaušanās atklāšanas sistēmas (IDS), ielaušanās novēršanas sistēmas (IPS) vai ugunsmūrus. Aizsardzības pretpasākumi: metodes, kas izveidotas, lai nodrošinātu drošu koda izpildi, piemēram, aizsardzība pret datu izpildi (DEP), datu atrašanās vietas maiņa pēc nejaušības principa (ASLR) vai drošības mehānisms darbojošos programmu nodalīšanai. Izolētas dzīvkultūras (1) ietver dzīvkultūras anabiotiskās formās un žāvētos preparātos. Izostatiskas preses (2) ir iekārtas, kas spēj dažādās vidēs (gāzēs, šķidrumos, cietās daļiņās u. c.) slēgtā telpā iedarboties uz apstrādājamo detaļu vai materiālu ar vienādu spiedienu no visām pusēm. Lāzers (0 2 3 5 6 7 8 9) ir komponentu kopums, kas rada telpā un laikā koherentu staru, ko pastiprina ierosināta starojuma emisija. NB! sk. arī: Ķīmiskais lāzers; Superjaudīgs lāzers; Pārneses lāzers. Par gaisu vieglāki lidaparāti (9) ir baloni un gaisa kuģi, kas kā cēlējspēku izmanto karstu gaisu vai citas par gaisu vieglākas gāzes, piemēram, hēliju un ūdeņradi. Linearitāte (2) (parasti to mēra kā nelinearitāti) ir maksimālā pozitīvā vai negatīvā faktiskās vērtības novirze no taisnas līnijas, kas novietota tā, lai izlīdzinātu un samazinātu lielākās novirzes. Vietējais tīkls (LAN) (4 5) ir datu pārraides sistēma, kam piemīt visas šīs īpašības: NB! Datu ierīce ir iekārta, kas spēj nosūtīt vai saņemt ciparu informācijas sekvences. Magnētiskie gradiometri (6) ir instrumenti, kas paredzēti, lai noteiktu ārpus instrumenta esoša magnētiska lauka izmaiņas apkārtējā telpā. Tie sastāv no daudziem magnetometriem un ar tiem saistītām elektroniskām ierīcēm, kuru izejas signāls ir magnētiskā lauka gradienta mērījums. NB! Sk. arī patiesais magnētiskais gradiometrs. Magnetometri (6) ir instrumenti, kas paredzēti, lai noteiktu ārpus instrumenta esošus magnētiskos laukus. Tie sastāv no viena elementa, kas spēj noteikt magnētisko lauku, un ar šo elementu saistīta elektronikas bloka, kā izejas signāls ir magnētiskā lauka mērījums. Galvenā atmiņa (4) ir primārā, centrālajam procesoram ātri pieejama datu vai instrukciju krātuve. Tā sastāv no ciparu datora iekšējās atmiņas un tās hierarhiska paplašinājuma, piemēram, buferatmiņas vai nesekvenciāli izmantojamas paplašinātas atmiņas. Materiāli, izturīgi pret UF6 koroziju (0) ir varš, vara sakausējumi, nerūsējošais tērauds, alumīnijs, alumīnija oksīds, alumīnija sakausējumi, niķelis un tā sakausējumi, kuros ir 60 % vai vairāk niķeļa, un fluorogļūdeņražu polimēri. Matrica (1 2 8 9) (saistviela) ir viendabīga viela, kas aizpilda telpu starp daļiņām, matiņiem vai šķiedrām. Mērījuma nenoteiktība (2) ir raksturojošs parametrs, ar ko norāda, kādā intervālā ap iegūto vērtību ar 95 % ticamību ir mērāmā lieluma patiesā vērtība. Tā ietver nekoriģētas sistemātiskās novirzes, nekoriģētu brīvgājienu un gadījuma novirzes (sk. ISO 10360-2). Mehāniska kausēšana (1) ir kausēšanas process, kurā ar mehānisku iedarbību saista, sagrauj un no jauna savieno pievienojamā kausējuma pulveri ar ligatūras pulveri. Nemetāliskas daļiņas kausējumā var iekļaut, pievienojot attiecīgus pulverus. Kausējuma ekstrakcija (1) ir ātras cietināšanas process, iegūstot lentveida sakausējumus, vannā ar izkausētu metālu sakausējumu iegremdējot atdzesēta rotējoša bloka nelielu segmentu. NB! Ātrā cietināšana ir izkausēta materiāla cietināšana ar dzesēšanas ātrumu virs 1000 K/s. Kausējuma vērpšana (1) ir ātrās cietināšanas process, kurā izkausēta metāla plūsma kontaktā ar atdzesētu rotējošu bloku veido pārslveida, lentveida vai stieņveida produktus. NB! Ātrā cietināšana ir izkausēta materiāla cietināšana ar dzesēšanas ātrumu virs 1000 K/s. Mikrodatora mikroshēma (3) ir monolīta integrālā shēma jeb daudzelementu (čipu) integrālā shēma ar aritmētisko loģisko elementu (ALU), kura no iekšējas atmiņas var izpildīt vispārējas instrukcijas attiecībā uz iekšējas atmiņas datiem. NB! Iekšējo atmiņu var papildināt ar ārēju atmiņu. Mikroprocesora mikroshēma (3) ir monolīta integrālā shēma jeb daudzelementu (čipu) integrālā shēma ar aritmētisko loģisko elementu (ALU), kura var izpildīt vispārēju instrukciju sekvences no ārējas atmiņas. NB! 1.: Mikroprocesora mikroshēma parasti nesatur integrālu, lietotājiem pieejamu atmiņu, kaut arī čipā esošo atmiņu var izmantot čipa loģisko funkciju veikšanai. NB! 2.: Iepriekš minētais attiecas arī uz čipu kompleksiem, kas paredzēti, lai darbotos kopā, nodrošinot mikroprocesora mikroshēmas funkcijas. Mikroorganismi (1 2) ir baktērijas, vīrusi, mikoplazmīdas, riketsijas, hlamīdijas vai sēnītes, dabā sastopamas, pavairotas vai pārveidotas, vai nu izolētu dzīvkultūru veidā, vai ar šādām kultūrām apzināti inokulēta vai inficēta materiāla veidā, ieskaitot dzīvu šūnu kultūras. Raķetes (1 3 6 7 9) ir nokomplektētas raķešu sistēmas un bezpilota lidaparātu sistēmas, kas spēj nogādāt vismaz 500 kg smagu kravu vismaz 300 km attālumā. Monošķiedra (1) ir smalkākais šķiedrveida materiāls, parasti dažu mikronu diametrā. Monolīta integrālā shēma (3) ir aktīvu un pasīvu vai abējādu shēmas elementu kombinācija: NB! Shēmas elements ir individuāla aktīva vai pasīva elektroniskas ķēdes daļa, piemēram, viena diode, viens tranzistors, viena pretestība, viens kondensators u.c. Monospektrālu attēlu sensori (6) ir sensori, kas spēj iegūt attēla datus no viena diskrēta spektra viļņu garuma. Daudzelementu integrālā shēma (3) ir divas vai vairākas monolītas integrālās shēmas, kas saistītas pie kopīga substrāta. Multispektrālu attēlu sensori (6) spēj reizē vai pēc kārtas iegūt attēlu datus no divām vai vairākām diskrētām spektra joslām. Sensorus, kam ir vairāk par 20 diskrētām spektra joslām, dažkārt dēvē par hiperspektrāliem attēlu sensoriem. Dabīgais urāns (0) ir urāns, kas satur dabā sastopamo izotopu maisījumus. Tīkla piekļuves kontrolieris (4) ir fiziska saskarne sadalītam komutācijas tīklam. Tas izmanto vienu kopīgu vidi, kas viscaur darbojas vienā un tajā pašā ciparu datu pārsūtīšanas ātrumā, pārraidei izmantojot arbitrāciju (piem., marķējot informāciju). Neatkarīgi no citām saskarnēm tas atlasa datu paketes vai datu grupas (piem., IEEE 802), kas tam nosūtītas. Šādu iekārtu var iebūvēt datorā vai telesakaru sistēmā, lai nodrošinātu pieeju sakariem. Neirodators (4) ir skaitļošanas ierīce, kas konstruēta vai pārveidota, lai atdarinātu kāda neirona vai neironu grupas darbību, t. i., skaitļošanas ierīce, kas izceļas ar tās iespējām modulēt daudzu skaitļošanas komponentu savstarpējo slēgumu noslodzi un skaitu, balstoties uz agrākiem datiem. Kodolreaktors (0) ir nokomplektēts reaktors, kas spēj darboties, saglabājot kontrolētu pašuzturošu kodoldalīšanās ķēdes reakciju. Kodolreaktors ietver visus objektus, kas atrodas reaktora korpusā vai ir tieši saistīti ar to, iekārtas, kas kontrolē jaudu aktīvajā zonā, un komponentus, kuri parasti satur reaktora aktīvās zonas primāro dzesēšanas aģentu, ir tiešā saskarē ar to vai to kontrolē. Ciparu vadība (2) ir automātiska procesa vadība, ko veic ierīce, kura izmanto ciparu datus, ko parasti ievada darbības laikā (sk. ISO 2382). Objektkods (VPP) ir iekārtām izpildāms viena vai vairāku procesu apzīmējums (pirmkods (pirmvaloda)), kas kompilēts programmēšanas sistēmā. Optisks pastiprinājums (5) optiskās saziņas sistēmās ir pastiprināšanas metode, kas pastiprina atsevišķa optiska avota ģenerētus optiskus signālus, tos nepārvēršot elektriskos signālos, piemēram, izmantojot pusvadītāju optiskos pastiprinātājus vai optisko šķiedru luminiscences pastiprinātājus. Optisks dators (4) ir dators, kas izveidots vai pārveidots tā, lai datu attēlošanai izmantotu gaismu, un kā skaitļošanas loģiskie elementi ir balstīti uz tieši savienotām optiskām ierīcēm. Optiska integrālā shēma (3) ir monolīta integrālā shēma vai hibrīda integrālā shēma, kurā ir viena vai vairākas detaļas, kas paredzētas, lai darbotos kā fotosensori vai fotoemiteri vai lai izpildītu optisku vai elektrooptisku funkciju vai funkcijas. Optiska pārslēgšana (5) ir optisko signālu maršrutēšana vai pārslēgšana, tos nepārveidojot elektriskos signālos. Kopējais strāvas blīvums (3) ir kopējais spoles ampērvijumu skaits (t.i., vijumu skaits, kas reizināts ar maksimālo strāvas stiprumu katrā vijumā), dalīts ar kopējo spoles šķērsgriezumu (ieskaitot supravadošos pavedienus, metāla matricu, kurā supravadītāja pavedieni iestrādāti, iekapsulētājmateriālu, visus dzesēšanas kanālus, utt.). Dalībvalsts (7 9) ir Vasenāras vienošanās dalībvalsts (sk. www.wassenaar.org). Maksimāla jauda (6) ir lielākā impulsa ilguma laikā sasniegtā jauda. Personālais tīkls (5) ir datu pārraides sistēma, kam piemīt visas turpmākās īpašības: Datu ierīce ir iekārta, kas spēj nosūtīt vai saņemt ciparu informācijas sekvences. Jaudas pārvaldīšana (7) ir altimetra signāla pārraidītās jaudas maiņa, lai saņemtā jauda lidaparāta augstumā vienmēr būtu tik liela, cik minimāli nepieciešams augstuma noteikšanai. Iepriekš atdalīts (0 1) – jebkura procesa izmantošana, lai palielinātu kontrolētā izotopa koncentrāciju. Primārā lidojuma vadība (7) ir lidaparāta stabilitātes vai manevrēšanas kontrole, izmantojot spēka/momenta ģeneratorus, t. i., mainot aerodinamisko virsmas vai dzinējspēka pielikšanas virzienu (vektoru). Galvenais elements (4) 4. kategorijas izpratnē ir galvenais elements gadījumos, kad tā aizstāšanas vērtība ir lielāka par 35 % no visas sistēmas kopvērtības, kurā tas ietilpst. Elementa vērtība ir cena, ko par elementu maksā sistēmas ražotājs vai komplektētājs. Kopējā vērtība ir parastā starptautiskā pārdošanas cena nesaistītām personām ražošanas vai sūtījuma komplektācijas vietā. Ražošana (VPT PK un visur sarakstā) ir visas ražošanas fāzes, piemēram, konstruēšana, ražošanas iekārtu projektēšana, izgatavošana, integrācija, montāža (uzstādīšana), inspekcija, testēšana, kvalitātes sertifikācija. Ražošanas iekārtas (1 7 9) ir tikai tie darbarīki, vadules, spīles, liešanas formas, veidnes, krāsas, armatūra, iestatīšanas mehānismi, pārbaudes iekārtas, citas iekārtas un to komponenti, kas īpaši paredzēti vai pielāgoti pilnveidošanai vai vienai vai vairākām ražošanas fāzēm. Ražošanas aprīkojums (7 9) ir ražošanas iekārtas un speciāli izveidota, iekārtās integrēta programmatūra, lai pilnveidotu vienu vai vairākas ražošanas fāzes. Programma (2 6) ir kāda procesa izpildei paredzētas secīgas instrukcijas, kas ir izstrādātas vai ir pārvēršamas elektroniskam datoram saprotamā formā. Impulsu kompresija (6) ir garu radara signāla impulsu kodēšana un apstrāde, lai iegūtu īsus impulsus, reizē saglabājot lielas impulsa enerģijas priekšrocības. Impulsa ilgums (6) ir lāzera impulsa ilgums, proti, laiks starp atsevišķa impulsa kāpjošo un krītošo līkni, mērot pusē no impulsa intensitātes. Impulsu lāzers (6) ir lāzers, kā impulsa ilgums līdzinās 0,25 sekundēm vai ir īsāks par to. Kvantu kriptogrāfija (5) ir paņēmienu kopums, ar ko izstrādā vienotu kriptogrāfijas atslēgu, mērot kādas fiziskas sistēmas kvantu un mehāniskās īpašības (tostarp tādas fiziskas īpašības, kas skaidri attiecas uz kvantu optikas, kvantu lauka teorijas vai kvantu elektrodinamikas jomu). Radara frekvenču lēkāšana (6) ir jebkura metode, ar kuru šķietami nejauši izvēlētā secībā maina raidītājradara nesējfrekvenci starp impulsiem vai impulsu grupām par lielumu, kas līdzinās impulsa joslas platumam vai ir lielāks par to. Radara izkliedes spektrs (6) ir jebkura modulācijas metode, ar ko relatīvi šaurā frekvenču joslā raidīto signāla enerģiju izplata daudz plašākā frekvenču diapazonā, izmantojot nejaušus vai šķietami nejauši izvēlētus kodus. Izstarojuma jutība (6) – izstarojuma jutība (mA/W) = 0,807 × (viļņu garums nm) x kvantu efektivitāte (QE). QE parasti izsaka procentos; tomēr šajā formulā QE ir izteikts kā decimāldaļskaitlis, kas ir mazāks par 1, piemēram, 78 % ir 0,78. Reālā laika joslas platums (3) saistībā ar signālu analizatoriem ir plašākais frekvenču diapazons, kur analizators var pastāvīgi pilnīgi transformēt laika domēna datus frekvences domēna rezultātos, izmantojot Furjē vai citu diskrēto laika pārveidojumu, kas apstrādā katru ienākošo laika punktu bez atstarpēm vai logošanas efektiem, samazinot mērīto amplitūdu par vairāk nekā 3 dB zem faktiskās signāla amplitūdas, izlaižot vai parādot transformētos datus. Apstrāde reālā laikā (2 6 7) ir datu apstrāde ar datorsistēmu, kas, izmantojot pieejamos resursus, nodrošina vajadzīgo servisa līmeni garantētā atbildes laikā neatkarīgi no sistēmas noslodzes, kad to ierosina ārējs notikums. Atkārtojamība (7) ir viena un tā paša mainīgā lieluma atkārtotu mērījumu rezultātu tuva sakritība vienādos darba apstākļos, ja mērījumu starplaikā mainās apstākļi vai gadās dīkstāves. (sk: IEEE STD 528-2001 (1 sigma standartnovirze)). Nepieciešamais (VPT, 1-9), to piemērojot tehnoloģijām, attiecas tikai uz to tehnoloģiju daļu, kas ir tieši atbildīga par kontrolējamā snieguma līmeņa, raksturlielumu vai funkciju sasniegšanu vai pārsniegšanu. Šādu nepieciešamo tehnoloģiju var attiecināt uz vairākām precēm reizē. Izšķiršanas spēja (2) ir mēriekārtas mazākā izmērāmā vienība; digitāliem instrumentiem – vismazākais nozīmīgais bits (sk. ANSI B-89.1.12). Vielas nekārtību novēršanai (1) ir vielas, kuras paredzētos izmantošanas apstākļos nekārtību novēršanā cilvēkiem ātri izraisa sensorisku kairinājumu vai fizisku vājumu, kas pazūd īsā laikā pēc iedarbības beigām. Asaru gāzes ir vielu nekārtību novēršanai apakšklase. Robots (2 8) ir manipulācijas mehānisms, kas var būt konveijertipa vai darboties pēc principa no punkta uz punktu, tas var izmantot sensorus un tam ir visas šīs īpašības: NB! Iepriekš minētā definīcija neattiecas uz šādām ierīcēm: Rotācijas pulverizācija (1) ir process 500 μm vai mazāku metāla daļiņu iegūšanai, ar centrbēdzes spēkiem iedarbojoties uz izkausētu metālu vai izkausēta metāla strūklu. Paralēlu šķiedru kūlis (1) ir (parasti 12-120) aptuveni paralēlu šķiedru kūlis. NB! Šķiedra ir aptuveni paralēlu monopavedienu (parasti virs 200) kūlītis. Mešana (2) ir galvenās vārpstas radiāla nobīde vienā apgriezienā, to mēra asij perpendikulārā plaknes punktā uz testējamās iekšējās vai ārējās rotācijas virsmas (sk. ISO 230/1 1986, 5.61. punkts). Mēroga koeficients (žiroskopam vai akselerometram) (7) ir izejas signāla izmaiņas attiecība pret mērāmā ieejas signāla izmaiņām. Mēroga koeficientu parasti aprēķina kā tādas taisnes slīpumu, ko var konstruēt pēc mazāko kvadrātu metodes no ieejas un izejas datiem, kurus iegūst, ieejas datus cikliski mainot visā ieejas diapazonā. Stabilizācijas laiks (3) ir laiks, kas vajadzīgs, lai, pārslēdzoties starp jebkuriem diviem pārveidotāja līmeņiem, beigu vērtība būtu pusbita robežās. SHPL ir superjaudīgs lāzers. Signālu analizatori (3) ir aparāti, ar ko var mērīt un attēlot daudzfrekvenču signālu vienfrekvences komponentu galvenās īpašības. Signālu apstrāde (3 4 5 6) ir ārējas izcelsmes informācijas nesēju signālu apstrāde, izmantojot algoritmus, piemēram, laika kompresiju, filtrāciju, ekstrakciju, selekciju, korelāciju, konvolūciju vai pārveidošanu domēnu starpā (piem., ar ātriem Furjē vai Volša pārveidojumiem). Programmatūra (VPP, visur sarakstā) ir vienas vai vairāku programmu vai mikroprogrammu kopums, kas fiksēts jebkādā taustāmā nesējā. NB! Mikroprogramma ir īpašā atmiņā glabāta elementāru instrukciju secība, kuras izpildi ierosina ar attiecīgu instrukciju no instrukciju reģistra. Pirmkods (jeb pirmvaloda) (6 7 9) ir izteiksme vienam vai vairākiem procesiem, ko programmēšanas sistēma var pārvērst iekārtai izpildāmā formā (objektkodā (jeb objektvalodā)). Kosmiskais kuģis (7 9) ir aktīvs vai pasīvs pavadonis vai kosmiskā zonde. Lietojams kosmosā (3 6 7) ir konstruēts, izgatavots vai veiksmīgā testēšanā atzīts par ekspluatējamu augstumā virs 100 km no Zemes virsmas. NB! Konkrētas preces noteikšana par lietojamu kosmosā, izmantojot testēšanu, nenozīmē, ka lietojamas kosmosā ir arī citas preces no tās pašas ražošanas partijas vai modeļa sērijas, ja tās nav atsevišķi testētas. Speciālie skaldmateriāli (0) ir plutonijs-239, urāns-233, ar U-235 vai U-233 izotopiem bagātināts urāns vai jebkurš cits materiāls, kas tos satur. Īpatnējais modulis (0 1 9) ir Junga modulis Pa, kas ekvivalents N/m2 dalījumam ar blīvumu N/m3 un ko mēra (296 ± 2) K ((23 ± 2) °C) temperatūrā pie relatīvā gaisa mitruma (50 ± 5) %. Īpatnējā stiepes stiprība (0 1 9) ir maksimālā stiepes stiprība Pa, kas ekvivalenta N/m2 dalījumam ar blīvumu N/m3 un ko mēra (296 ± 2) K ((23 ± 2) °C) temperatūrā pie relatīvā gaisa mitruma (50 ± 5) %. Rotējošas masas žiroskops (7) ir žiroskops, kas izmanto pastāvīgi rotējošu masu, lai uztvertu leņķisku kustību. Uzsmidzināšana (1) ir ātrās cietināšanas process, kurā izkausēta metāla strūkla nonāk kontaktā ar atdzesētu bloku, veidojot pārslveida produktu. NB! Ātrā cietināšana ir izkausēta materiāla cietināšana ar dzesēšanas ātrumu virs 1000 K/s. Izkliedētais spektrs (5) ir tehnoloģija, kas ļauj relatīvi šaura sakaru kanāla enerģiju izvērst daudz plašākā enerģijas spektrā. Izkliedētā spektra radars (6) – sk. Radara izkliedes spektrs. Stabilitāte (7) ir attiecīgā parametra noviržu vidējā izkliede (1 sigma) no kalibrētās vērtības, kura mērīta stabilas temperatūras apstākļos. Stabilitāti var izteikt kā laika funkciju. Valstis, (kas nav) Ķīmisko ieroču konvencijas dalībvalstis, (1) ir valstis, kurās (nav) stājusies spēkā Konvencija par ķīmisko ieroču izstrādāšanas, ražošanas, glabāšanas un lietošanas aizliegšanu (sk. www.opcw.org). Substrāts (3) ir pamatmateriāla loksne ar savienojumu zīmējumu vai bez tā, uz kuras vai kurā var izvietot diskrētos komponentus un/vai integrālās shēmas. NB! 1.: Diskrētais komponents: individuāls shēmas elements ar ārējiem izvadiem. NB! 2.: Shēmas elements: individuāla aktīva vai pasīva elektroniskas ķēdes daļa, piemēram, viena diode, viens tranzistors, viena pretestība, viens kondensators u.c. Substrātu sagataves (3 6) ir monolīti savienojumi ar atbilstošiem izmēriem, lai varētu izgatavot tādus optiskos elementus kā spoguļus vai optiskos logus. Toksīna pirmējā vienība (1) ir vesela toksīna strukturāli un funkcionāli diskrēts komponents. Supersakausējumi (2 9) ir niķeļa, kobalta vai dzelzs sakausējumi, kas ir izturīgāki par jebkuru no AISI 300 sērijas sakausējumiem temperatūrā virs 922 K (649 °C) un smagos vides un ekspluatācijas apstākļos. Supravadoši (1 3 5 6 8) ir materiāli, piemēram, metāli, sakausējumi vai savienojumi, kas var pilnībā zaudēt elektrisko pretestību, t. i., var sasniegt bezgalīgu elektrovadītspēju un vadīt ļoti stipru elektrisko strāvu bez siltuma zudumiem. NB! Materiāla supravadītāja stāvokli konkrēti raksturo kritiskā temperatūra, kritiskais magnētiskais lauks, kas ir temperatūras funkcija, un kritiskais strāvas blīvums, kas tomēr ir gan magnētiskā lauka, gan temperatūras funkcija. Superjaudīgs lāzers (SHPL) (6) ir lāzers, kas spēj sasniegt izejas enerģiju (kopējo vai daļu) virs 1 kJ 50 milisekundēs vai kura vidējā vai CW jauda ir lielāka par 20 kW. Superplastiskā formēšana (1 2) ir karsts tādu metālu deformācijas process, kuriem parasti raksturīgi zemi izstiepšanas rādītāji (zem 20 %) pārraušanas punktā, ko nosaka, stiepes stiprību testējot istabas temperatūrā, lai iegūtu izstiepšanas rādītājus, kas vismaz divkārt pārsniedz šīs vērtības. Simetrisks algoritms (5) ir kriptogrāfisks algoritms, kurā šifrēšanai un atšifrēšanai izmanto identisku atslēgu. NB! Simetrisko algoritmu parasti izmanto konfidenciālu datu aizsardzībai. Sistēmsekošana (6) ir apstrādāti, korelēti (radara mērķa datu apvienošana ar lidojuma plāna pozīciju) un atjaunināti dati lidaparāta atrašanās vietas noteikšanai, kas ir pieejami gaisa satiksmes kontroles centra operatoriem. Sistoliska bloka dators (4) ir dators, kurā datu plūsma un modifikācija ir lietotājam dinamiski kontrolējama loģiskā elementa līmenī. Lente (1) ir no savītām vai paralēlām monošķiedrām, pavedieniem, paralēlu šķiedru kūļiem, tauvām vai dzijām u. c. izgatavots materiāls, kas parasti iepriekš piesūcināts ar sveķiem. NB! Šķiedra ir aptuveni paralēlu monopavedienu (parasti virs 200) kūlītis. Tehnoloģijas (VPT PK, visur sarakstā) ir specifiska informācija, kas vajadzīga preču pilnveidošanai, ražošanai vai lietošanai. Šī informācija ir tehnisko datu vai tehniskās palīdzības veidā. NB! 1.: Tehniskā palīdzība (VPT, PK) var būt instrukciju, prasmju, mācību, darba prasmes un konsultēšanas pakalpojumu veidā un var ietvert tehnisko datu nodošanu. NB! 2.: Tehniskie dati (VPT, PK) var būt rasējumu, plānu, diagrammu, modeļu, formulu, tabulu, inženierdizaina, specifikāciju, rokasgrāmatu un instrukciju veidā, kas var būt rakstveidā vai ierakstītas, piemēram, uz diska, lentē vai nolasāmās atmiņas ierīcēs. Trīsdimensiju integrētā shēma (3) ir integrētu pusvadītāju mikroshēmu kopums, kam ir ceļi, kuri pilnībā šķērso vismaz vienu mikroshēmu, veidojot saikni starp mikroshēmām. Noliecama vārpsta (2) ir metālgriešanas instrumenta saturētāja vārpsta ar apstrādes procesa laikā maināmu centra līnijas leņķi attiecībā pret citām asīm. Laika konstante (6) ir laiks no gaismas stimula piemērošanas līdz brīdim, kad strāvas palielinājums sasniedz vērtību 1-1/e reizes no galīgās vērtības (t.i., 63 % galīgās vērtības). Uzgaļa apvalks (9) ir stacionārs gredzenveida komponents (viengabalains vai segmentēts), kas piestiprināts dzinēja turbīnas apvalka iekšējai virsmai, vai elements uz turbīnas lāpstiņas ārējā gala, kura galvenā funkcija ir nodrošināt gāzes blīvi starp stacionāriem un rotējošiem komponentiem. Pilnīga lidojuma vadība (7) ir lidaparāta stāvokļa mainīgo lielumu un lidojuma maršruta automātiska kontrole, lai izpildītu konkrētu uzdevumu, reaģējot uz datu par doto uzdevumu, apdraudējumiem vai citiem lidaparātiem izmaiņām reālajā laikā. Kopējais ciparu datu pārsūtīšanas ātrums (5) ir bitu skaits laika vienībā, ieskaitot līnijkodēšanu, protokolu signālus utt., kas vajadzīgs signāla pārraidīšanai starp attiecīgajām ciparu pārraides sistēmas iekārtām. NB! Sk. arī Ciparu datu pārsūtīšanas ātrums. Tauva (1) ir aptuveni paralēlu monopavedienu kūlis. Toksīni (1 2) ir preparātu vai maisījumu veidā speciāli izolēti toksīni, neatkarīgi no to izgatavošanas veida, izņemot toksīnus, kas piesārņojuma veidā sastopami citos materiālos, piemēram, patoloģiskos paraugos, labībā, pārtikas produktos vai mikroorganismu sporās. Pārneses lāzers (6) ir lāzers, kurā notiek enerģijas pārnese neierosināta atoma vai molekulas sadursmē ar atomu vai molekulu, kas ģenerē starojumu. Noskaņojams (6) ir lāzera spēja radīt nepārtrauktu starojumu visos viļņa garumos vairākos lāzera impulsos. Līnijselektējams lāzers rada diskrēta viļņa garuma starojumu vienā lāzera impulsā un nav uzskatāms par noskaņojamu. Bezpilota lidaparāts (UAV) (9) ir jebkurš lidaparāts, kas spēj sākt lidojumu, veikt kontrolētu lidojumu un navigēt bez cilvēku klātbūtnes tajā. Ar U-235 vai U-233 izotopiem bagātināts urāns (0) ir urāns, kurā ir izotops 235 vai 233 (vai abi) tādā daudzumā, ka šo izotopu kopējā satura attiecība pret izotopa 238 saturu ir lielāka nekā dabā sastopamā izotopa 235 attiecība pret izotopu 238 (izotopu attiecība 0,71 %). Lietošana (VPT, PK, visur sarakstā) ir ekspluatācija, uzstādīšana (ieskaitot uzstādīšanu darbības vietā), apkopi (pārbaudi), remontu, kapitālo remontu un atjaunošanu. Lietotājam pieejama programmējamība (6) ir iespēja lietotājam ievietot, pārveidot vai aizvietot programmas citādi, nevis: Vakcīna (1) ir medikaments ar farmaceitisku formulu, kuru ražotāja vai lietotāja valsts regulatīvās iestādes ir licencējušas vai par kuru ir izsniegušas tirdzniecības vai klīnisko izmēģinājumu atļauju, un kurš ir paredzēts cilvēku vai dzīvnieku imunoloģiskas aizsargreakcijas stimulēšanai, lai novērstu slimības tajos, kam tā iepotēta. Vakuumpulverizācija (1) ir process, ar ko izkausēta metāla strūklu vakuumā pārvērš 500 μm vai mazākās metāla daļiņās, izmantojot izšķīdušas gāzes strauju izdalīšanos. Maināmas ģeometrijas aerodinamiskie elementi (7) ir eleronu vai plākšņu izmantošana spārna priekšējās vai aizmugurējās malas formas maiņai vai noliecams lidaparāta priekšgals; visu minēto var kontrolēt lidojuma laikā. Dzija (1) ir savērptu šķiedru pavediens. NB! Šķiedra ir aptuveni paralēlu monopavedienu (parasti virs 200) kūlītis.

ŠAJĀ PIELIKUMĀ LIETOTO TERMINU DEFINĪCIJAS

a.

kopīga datoru fizisko komponentu un programmatūras arhitektūra;

b.

kopīga projektēšanas un procesa tehnoloģija; un

c.

a.

datu vai informācijas iegūšana no datora vai tīkla ierīces vai sistēmas vai lietotāja datu mainīšana; vai

b.

programmas vai procesa standarta izpildes ceļa mainīšana, lai ļautu izpildīt no ārienes sniegtas norādes.

ŠAJĀ PIELIKUMĀ LIETOTO TERMINU DEFINĪCIJAS Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Piezīmes: 1.

a.

hipervizorus, atkļūdotājus vai programmatūras reversās izstrādes (SRE) instrumentus;

b.

digitālās autortiesību aizsardzības (DRM) programmatūru; vai

c.

programmatūru, kas izstrādāta, lai to instalētu ražotāji, administratori vai lietotāji preču izsekošanas vai atgūšanas nolūkā.

ŠAJĀ PIELIKUMĀ LIETOTO TERMINU DEFINĪCIJAS Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Piezīmes: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2.

a.

tā ļauj jebkuram skaitam neatkarīgu datu ierīču tieši sazināties savā starpā; un

b.

metāla tilpnes vai galvenie to rūpnieciski izgatavotie komponenti, tostarp reaktora spiediena tilpnes vāks, kas īpaši paredzētas vai sagatavotas, lai ietvertu kodolreaktora aktīvo zonu;

manipulācijas iekārtas, kas īpaši paredzētas vai sagatavotas degvielas ievietošanai kodolreaktorā un izņemšanai no tā;

kontrolstieņi, kas īpaši paredzēti vai sagatavoti, lai regulētu kodoldalīšanās procesu kodolreaktorā, to balstu konstrukcijas vai piekares struktūras, kā arī kontrolstieņu piedziņas mehānismi un vadulas;

spiediena caurules, kuras speciāli paredzētas vai sagatavotas kā degvielas elementu, tā primārā dzesēšanas aģenta ietvars kodolreaktorā;

cirkonija metāla caurules vai cirkonija sakausējuma caurules (vai cauruļu komplekti), kas īpaši paredzētas vai sagatavotas lietošanai par kodoldegvielas apvalku kodolreaktorā, daudzumos virs 10 kg; NB! attiecībā uz cirkonija spiediena caurulēm sk. 0A001.e pozīciju un attiecībā uz kalandrija (aktīvās zonas) kanāliem - 0A001.h pozīciju.

dzesēšanas sūkņi jeb cirkulācijas sūkņi, kas īpaši paredzēti vai sagatavoti primārā dzesēšanas aģenta cirkulācijai kodolreaktorā;

h. Tehniska piezīme:

kodolreaktora iekšējie komponenti, īpaši paredzēti vai sagatavoti izmantošanai kodolreaktorā, ieskaitot reaktora aktīvās zonas balstu struktūras, degvielas kanālus, kalandrija (aktīvās zonas) kanālus, siltumekrānus, atstarotājus, serdeņa sietplates un difuzora plates; 0A001.h. pozīcijā kodolreaktora iekšējie komponenti ir jebkuras pamatstruktūras reaktora iekšienē, kurām ir viena vai vairākas funkcijas, piemēram, aktīvās zonas atbalsts, degvielas elementu izkārtojuma fiksēšana, primārā dzesēšanas aģenta plūsmas virzība, reaktora starojuma ekranēšana un instrumentu vadīšana aktīvajā zonā.

šādi siltummaiņi: Piezīme: Kontroli 0A001.i pozīcijā neattiecina uz reaktora atbalsta sistēmu siltummaiņiem, piemēram, ārkārtas dzesēšanas sistēmu vai sabrukšanas siltuma aizvadīšanas sistēmu.

1. tvaika ģeneratori, kas īpaši paredzēti vai sagatavoti izmantošanai kodolreaktora primārajā vai sekundārajā dzesēšanas kontūrā;

2. citi siltummaiņi, kas īpaši paredzēti vai sagatavoti izmantošanai kodolreaktora primārajā dzesēšanas kontūrā;

neitronu detektori, kas īpaši paredzēti vai sagatavoti neitronu plūsmas noteikšanai kodolreaktora aktīvajā zonā.

k. Tehniska piezīme:

ārējie siltumekrāni, kas īpaši paredzēti vai sagatavoti izmantošanai kodolreaktorā, siltuma zudumu samazināšanai un arī reaktora apvalkstruktūras aizsardzībai; 0A001.k. pozīcijā ārējie siltumekrāni ir lielas struktūras, kas uzliktas virs reaktora korpusa un kas samazina siltuma zudumus no reaktora, kā arī samazina temperatūru reaktora apvalkstruktūrā.

0B Tehniska piezīme:

Testēšanas, inspekcijas un ražošanas iekārtas 0B001 Rūpnīcas, kas speciāli paredzētas dabīgā urāna, vājinātā urāna un speciālo skaldmateriālu izotopu atdalīšanai, kā tiem īpaši paredzēti vai sagatavoti komponenti un iekārtas: 0B002 Īpaši paredzētas vai sagatavotas palīgsistēmas, iekārtas un komponenti 0B001. pozīcijā minētajai izotopu atdalīšanas iekārtai, kas izgatavoti no materiāliem, izturīgiem pret UF6 koroziju vai aizsargāti ar tiem: 0B003 Urāna pārstrādes ražotnes un tām īpaši paredzētas vai sagatavotas iekārtas: 0B004 Ražotnes smagā ūdens, deitērija un deitērija savienojumu ražošanai vai koncentrēšanai, un tām īpaši paredzētas vai sagatavotas iekārtas un komponenti: 0B005 Ražotnes, kas speciāli paredzētas kodolreaktoru kodoldegvielas elementu ražošanai un speciāli tām konstruētas vai pielāgotas iekārtas. Kodolreaktoru degvielas elementu ražošanas ražotnē ietilpst iekārtas, kuras: 0B006 Rūpnīcas izstrādātās kodolreaktoru kodoldegvielas elementu pārstrādei un šim nolūkam speciāli konstruētas vai pielāgotas iekārtas un komponenti. Piezīme: 0B006. pozīcija ietver: 0B007 Rūpnīcas plutonija pārveidošanai un šim nolūkam īpaši paredzētas vai sagatavotas iekārtas:

0B a.

šādas rūpnīcas, kas speciāli paredzētas dabīgā urāna, vājinātā urāna un speciālo skaldmateriālu izotopu atdalīšanai:

1. gāzu centrifūgu atdalīšanas ražotnes;

2. gāzu difūzijas atdalīšanas ražotnes;

3. aerodinamiskās atdalīšanas ražotnes;

4. ķīmiskās apmaiņas atdalīšanas ražotnes;

5. jonu apmaiņas atdalīšanas ražotnes;

6. ražotnes izotopu atdalīšanai ar atomu tvaiku lāzeru (AVLIS);

7. molekulāro lāzeru izotopu atdalīšanas (MLIS) ražotnes;

8. plazmas atdalīšanas ražotnes;

9. elektromagnētiskās atdalīšanas ražotnes;

b. Tehniska piezīme:

gāzu centrifūgas, agregāti un to komponenti, kas īpaši paredzēti vai sagatavoti gāzu centrifūgas atdalīšanas procesam: 0A001.b. pozīcijā materiāls ar augstu stiprības attiecību pret blīvumu ir jebkurš no turpmākajiem:

1. martensīta tēraudi ar stiepes robežstiprību 1,95 GPa vai vairāk;

2. alumīnija sakausējumi ar stiepes robežstiprību 0,46 GPa vai vairāk; vai

3. šķiedrveida vai pavedienveida materiāli ar īpatnējo moduli, kas lielāks par 3,18 × 106 m, un īpatnējo stiepes stiprību, kas lielāka par 7,62 × 104 m;

1. gāzu centrifūgas;

2. nokomplektēti rotoru kompleksi;

3. rotora cauruļu cilindri ar sieniņu biezumu 12 mm vai mazāk un diametru no 75 līdz 650 mm, kas izgatavoti no materiāliem ar augstu stiprības attiecību pret blīvumu;

4. gredzeni un balsti ar sieniņu biezumu 3 mm vai mazāku un diametru no 75 līdz 650 mm, kuru konstrukcija nodrošina vietēju atbalstu rotora caurulei vai vairākām savstarpēji saistītām caurulēm un kuri izgatavoti no materiāliem ar augstu stiprības attiecību pret blīvumu;

5. rotora caurulē iemontējami deflektori, kuru diametrs ir no 75 līdz 650 mm un kuri izgatavoti no materiāliem ar augstu stiprības attiecību pret blīvumu;

6. augšējie un apakšējie rotora caurules slēgi, kuru diametrs ir no 75 līdz 650 mm, kas pieguļ rotora caurules galiem un izgatavoti no materiāliem ar augstu stiprības attiecību pret blīvumu;

7. šādi magnētiskās piekares gultņi:

7. a.

gultņu bloki, kas sastāv no riņķveida magnēta ar aizsargapvalku, kurš izgatavots no materiāliem, izturīgiem pret UF6 koroziju vai ar tiem aizsargāts un kuriem ir vibrācijas slāpējoša vide un magnētiska saite ar polu vai ar citu magnētu, kas uzmontēts rotora virsējam slēgam;

aktīvi magnētiskie gultņi, kas īpaši paredzēti vai sagatavoti izmantošanai gāzu centrifūgās.

8. speciāli gultņi ar šarnīra bloku, kas uzmontēti uz amortizatoriem;

9. 0B001 b. molekulāri sūkņi, kas sastāv no cilindriem ar iestrādātām vai ekstrudētām spirālveida rievām un iekšējās virsmās iestrādātiem kanāliem;

10. gredzenveida motora statori daudzfāzu maiņstrāvas histerēzes (vai magnētiskās pretestības) motoriem sinhronai darbībai vakuumā 600 Hz frekvencē ar jaudu 40 VA vai vairāk;

11. centrifūgu apvalki/nodalījumi gāzu centrifūgu rotoru cauruļu ievietošanai, kas sastāv no nekustīga cilindra ar sieniņu biezumu līdz 30 mm ar precīzi apstrādātiem galiem, kuri ir savstarpēji paralēli un perpendikulāri cilindra garenvirziena asij ar novirzi līdz 0,05 grādiem;

12. ekstrakcijas iekārtas uztvērējkausi, kas īpaši paredzēti vai sagatavoti UF6 gāzes ekstrakcijai no rotora caurules, izmantojot Pito cauruļu efektu, un ko var piestiprināt centrālajai gāzu ekstrakcijas sistēmai;

13. frekvences pārveidotāji (konvertori vai invertori) un īpaši tiem izgatavoti komponenti, kas ir īpaši paredzēti vai sagatavoti gāzu centrifūgu bagātināšanas iekārtu motoru statoru barošanai, un kam ir visas šīs īpašības:

13. a.

daudzfāzu frekvences jauda 600 Hz un lielāka; un

liela stabilitāte (frekvenču kontrole labāka par 0,2 %);

14. šādi slēgvārsti un kontroles vārsti:

14. a.

slēgvārsti, kas ir īpaši paredzēti vai sagatavoti darbībai ar UF6 gāzes plūsmām individuālā gāzes centrifūgā – ienākošo plūsmu, produkta vai astu plūsmām;

slēgvārsti vai kontroles vārsti ar silfona noblīvējumu, kas izgatavoti no materiāliem, izturīgiem pret UF6 koroziju vai ko minētie materiāli aizsargā, ar iekšējo diametru no 10 mm līdz 160 mm un kas ir īpaši paredzēti vai sagatavoti izmantošanai gāzu centrifūgu bagātināšanas iekārtu galvenajās sistēmās vai palīgsistēmās;

iekārtas un komponenti, kas ir īpaši paredzēti vai sagatavoti gāzu centrifūgu atdalīšanas procesiem:

1. gāzu difūzijas barjeru membrānas, kas izgatavotas no porainiem metāla, polimēriem vai keramikas materiāliem, izturīgiem pret UF6 koroziju ar poru izmēru no 10 līdz 100 nm, biezumu 5 mm vai mazāku, vai cauruļveida formām, kuru diametrs ir 25 mm vai mazāks;

2. gāzu difuzoru apvalki, kas izgatavoti no materiāliem, izturīgiem pret UF6 koroziju vai aizsargāti ar tiem;

3. kompresori vai gāzpūtēji, kas izgatavoti no materiāliem, izturīgiem pret UF6 koroziju vai aizsargāti ar tiem, ar ražību 1 m3/min UF6 vai vairāk un ar spiedienu attiecību 10:1 vai mazāku pie izejas spiediena līdz 500 kPa;

4. pozīcijā 0B00l.c.3. minēto gāzpūtēju vai kompresoru rotējošo vārpstu blīvslēgi, kas izgatavoti tā, lai bufera gāzes ieplūdes ātrums būtu mazāks par 1000 cm3/min;

5. siltummaiņi, kas izgatavoti no materiāliem, izturīgiem pret UF6 koroziju vai aizsargāti ar tiem, un konstruēti plūsmas spiedienam zem 10 Pa stundā pie spiediena starpības 100 kPa;

6. manuāli vai automātiski slēgvārsti vai kontroles vārsti ar silfona noblīvējumu, kas izgatavoti no materiāliem, izturīgiem pret UF6 koroziju vai aizsargāti ar tiem;

iekārtas un komponenti, kas ir īpaši paredzēti vai sagatavoti aerodinamiskās atdalīšanas procesiem:

1. pret UF6 koroziju izturīgas atdalīšanas sprauslas, kas sastāv no šķelta veida liektiem kanāliem, kuru liekuma rādiuss ir mazāks par 1 mm, un šķēlējplaknes, kas sadala caurplūstošo gāzi divās plūsmās;

2. 0B001 d. Cilindriskās vai koniskās caurules (virpuļcaurules), kas izgatavotas no materiāliem, izturīgiem pret UF6 koroziju vai aizsargātas ar tiem un kam ir viena vai vairākas tangenciālās ieejas;

3. kompresori vai gāzpūtēji, kas izgatavoti no materiāliem, izturīgiem pret UF6 koroziju vai aizsargāti ar tiem un to rotējošo vārpstu blīvslēgi;

4. siltummaiņi, kas izgatavoti no materiāliem, izturīgiem pret UF6 koroziju vai aizsargāti ar tiem;

5. atdalīšanas elementu apvalki, kas satur virpuļcaurules vai atdalīšanas sprauslas un izgatavoti no materiāliem, izturīgiem pret UF6 koroziju vai aizsargāti ar tiem;

6. manuāli vai automātiski slēgvārsti vai kontroles vārsti ar silfona noblīvējumu 40 mm diametrā vai lielāki, kas izgatavoti no materiāliem, izturīgiem pret UF6 koroziju vai aizsargāti ar tiem;

7. pārstrādes sistēmas UF6 atdalīšanai no nesējgāzes (hēlija vai ūdeņraža) līdz UF6 saturam 1 ppm vai zemākam, ieskaitot:

7. a.

kriogēnus siltummaiņus un krioseparātorus darbam 153 K (- 120 °C) vai zemākā temperatūrā;

kriogēnās saldēšanas iekārtas darbam 153 K (- 120 °C) vai zemākā temperatūrā;

atdalīšanas sprauslas vai virpuļcaurules UF6 atdalīšanai no nesējgāzes;

UF6 izsaldētāji, ar ko var izsaldēt UF6;

iekārtas un komponenti, kas īpaši paredzēti vai sagatavoti ķīmiskās apmaiņas atdalīšanas procesiem:

1. ātras šķidruma-šķidruma pulsācijas kolonnas, kuru fāzu kontaktlaiks ir 30 s vai mazāks, izturīgas pret koncentrētas sālsskābes iedarbību (piemēram, izgatavotas no piemērotiem plastmasu materiāliem, piemēram fluorogļūdeņražu polimēriem vai stikla, vai ar tiem pārklātas);

2. ātrdarbīgi šķidruma - šķidruma centrifugālie ekstraktori, kuru fāzu kontaktlaiks ir 30 s vai mazāks, izturīgi pret koncentrētas sālsskābes iedarbību (piemēram, izgatavoti no piemērotiem plastmasu materiāliem, tādiem kā fluorogļūdeņražu polimēriem vai stikla, vai ar tiem pārklāti);

3. pret koncentrētas sālsskābes šķīdumu iedarbību izturīgi elektroķīmiskās reducēšanas elementi urāna reducēšanai no vienas vērtības uz citu;

4. elektroķīmiskās reducēšanas elementu barošanas iekārtas U+4 atdalīšanai no organisko vielu plūsmas, kurām daļas, kas ar to saskaras, ir izgatavotas no piemērotiem materiāliem (piemēram, no fluorogļūdeņražu polimēriem, polifenilsulfāta, poliētera sulfona vai grafīta, kas piesūcināts ar sveķiem) vai ar šādu materiālu pārklājumu;

5. barošanas sagatavošanas sistēmas augstas tīrības urāna hlorīda šķīduma ražošanai, kas sastāv no šķīdināšanas, šķīdinātāja ekstrakcijas un/vai jonu apmaiņas iekārtām bagātināšanai un elektrolītiskajiem elementiem U+6 vai U+4 reducēšanai par U+3;

6. urāna oksidēšanas sistēmas U+3 oksidēšanai par U+4;

iekārtas un komponenti, kas īpaši paredzēti vai sagatavoti jonu apmaiņas atdalīšanas procesiem:

1. ātri reaģējoši jonu apmaiņas sveķi, šūnveida vai poraini sašūti sveķi, kuros aktīvās ķīmiskās apmaiņas grupas ir tikai inertā porainā pamata virsmas pārklājumā, kā arī citas piemērotas formas kompozītu struktūras, ieskaitot daļiņas vai šķiedras, kuru diametrs ir 0,2 mm vai mazāks un kuras ir izturīgas pret koncentrētas sālsskābes iedarbību un to paredzētais apmaiņas pusperiods ir mazāks par 10 s un temperatūras intervālā no 373 K (100 °C) līdz 473 K (200 °C);

2. 0B001 f. jonu apmaiņas kolonnas (cilindriskas), kuru diametrs lielāks par 1000 mm un kuras izgatavotas no materiāliem, kas ir izturīgi pret koncentrētas sālsskābes iedarbību (piemēram, no titāna vai no fluorogļūdeņražu polimēriem), vai aizsargātas ar šiem materiāliem un spēj darboties temperatūras intervālā no 373 K (100 °C) līdz 473 K (200 °C) un pie spiediena virs 0,7 MPa;

3. jonu apmaiņas sistēmas (ķīmiskās vai elektroķīmiskās oksidēšanas vai reducēšanas sistēmas) jonu apmaiņas bagātināšanas iekārtu kaskādēs izmantojamo ķīmiskās reducēšanas vai oksidēšanas aģentu reģenerācijai;

iekārtas un komponenti, kas īpaši paredzēti vai sagatavoti atomizēta tvaika procesiem:

1. metāliska urāna sublimācijas sistēmas ar vismaz 1 kW izejas jaudu uz mērķa, paredzētas izmantošanai lāzerbagātināšanai;

2. sistēmas manipulācijām ar šķidru urānu vai tā tvaikiem, kas īpaši paredzētas vai sagatavotas manipulācijām ar izkausētu urānu, izkausētiem urāna sakausējumiem vai urāna tvaikiem lāzerbagātināšanai un īpaši paredzēti to komponenti; NB! SK. ARĪ 2A225. POZĪCIJU.

3. produkta un astu kolektoru komplekti urānam vai šķidram urānam, kuri izgatavoti no karstumizturīgiem materiāliem, kas izturīgi pret šķidra urāna vai tā tvaiku vai koroziju, piemēram, no grafīta vai tantala ar itrija pārklājumu, vai ar tiem aizsargāti;

4. separatoru moduļu apvalki (cilindriski vai taisnstūrveida trauki), kuros ir metāliska urāna tvaiku avots, elektronu staru lielgabals un produkta un astu kolektors;

5. lāzeri vai lāzeru sistēmas, kas speciāli īpaši paredzētas vai sagatavotas ilgstošam urāna izotopu atdalīšanas procesam ar spektra frekvenču stabilizāciju; NB! SK. ARĪ 6A005 UN 6A205. POZĪCIJU.

turpmākās iekārtas un komponenti, kas īpaši paredzēti vai sagatavoti molekulāriem procesiem vai lāzersistēmām:

1. virsskaņas diverģējošas sprauslas UF6 un nesējgāzes maisījumu atdzesēšanai līdz 150 K (- 123 °C) vai mazāk, kas izgatavotas no materiāliem, izturīgiem pret UF6 koroziju;

2. produktu un astu kolektoru komponenti vai ierīces, kas ir īpaši paredzētas vai sagatavotas urāna materiāla vai urāna astu materiāla savākšanai pēc izgaismošanas ar lāzeru un ir izgatavotas no materiāliem, izturīgiem pret UF6 koroziju;

3. kompresori, kas izgatavoti no materiāliem, izturīgiem pret UF6 koroziju vai aizsargāti ar tiem, un to rotējošo vārpstu blīvslēgi;

4. iekārtas UF5 (cietā fāze) fluorēšanai par UF6 (gāzes fāze);

5. sistēmas UF6 atdalīšanai no nesējgāzes (piemēram, slāpekļa vai argona vai citas gāzes), ieskaitot:

5. a.

kriogēnus siltummaiņus un krioseparātorus darbam 153 K (- 120 °C) vai zemākā temperatūrā;

kriogēnās saldēšanas iekārtas darbam 153 K (- 120 °C) vai zemākā temperatūrā;

aukstie UF6 slazdi, ar ko var izsaldēt UF6;

6. lāzeri vai lāzeru sistēmas ar spektra frekvenču stabilizāciju, kas īpaši paredzētas vai sagatavotas ilgstošam urāna izotopu atdalīšanas procesam; NB! SK. ARĪ 6A005. UN 6A205. POZĪCIJU.

0B001 iekārtas un komponenti, kas ir īpaši paredzētas vai sagatavotas plazmas atdalīšanas procesiem:

1. mikroviļņu avoti un antenas jonu veidošanai vai paātrināšanai ar izejas frekvenci virs 30 GHz un vidējo izejas jaudu virs 50 kW;

2. radio frekvences jonu ierosmes spoles frekvencēm virs 100 kHz, kas spēj uzturēt vidējo jaudu virs 40 kW;

3. urāna plazmas ģeneratoru sistēmas;

4. nepiemēro;

5. produktu un astu kolektoru komplekti urānam cietā veidā, kas izgatavoti no materiāliem, kuri ir karstumizturīgi un izturīgi pret urāna tvaiku koroziju, piemēram, no grafīta vai tantala ar itrija pārklājumu, vai ar aizsargpārklājumu no šādiem materiāliem;

6. separatoru moduļu apvalki (cilindriski) urāna plazmas avotam, radiofrekvences piedziņas spolei, produktu un astu kolektoriem, kas izgatavoti no piemērota nemagnētiska materiāla (piemēram, nerūsējošā tērauda);

iekārtas un komponenti, kas ir īpaši paredzēti vai sagatavoti elektromagnētiskās atdalīšanas procesiem:

1. jonu avoti, individuāli vai salikti, kas sastāv no tvaiku avota, jonizētāja un staru kūļa paātrinātāja, izgatavoti no piemērotiem nemagnētiskiem materiāliem (piemēram, grafīta, nerūsējošā tērauda vai vara) un var nodrošināt 50 mA vai lielāku kopējo jonu staru kūļa strāvu;

2. jonu kolektoru plates bagātinātā vai vājinātā urāna jonu staru kūļa savākšanai, kuras sastāv no diviem vai vairākiem šķēlumiem un kabatām un ir izgatavotas no piemērotiem nemagnētiskiem materiāliem (piemēram, grafīta vai nerūsējošā tērauda);

3. urāna elektromagnētisko separatoru vakuumapvalki, kas izgatavoti no nemagnētiskiem materiāliem (piemēram, nerūsējošā tērauda) un paredzēti darbam pie 0,1 Pa vai zemāka spiediena;

4. magnētu poli, kuru diametrs ir lielāks par 2 m;

5. augstsprieguma energoavoti jonu avotiem, kuriem ir visas šīs īpašības: NB! SK. ARĪ 3A227. POZĪCIJU.

5. a.

spēj darboties nepārtraukti;

izejas spriegums ir 20000 V vai lielāks;

izejas strāva ir 1 A vai lielāka; un

sprieguma regulācijas precizitāte ir labāka par 0,01 % 8 stundu laikā;

6. magnētu enerģijas avoti (lieljaudas, līdzstrāvas), kam piemīt visas šīs īpašības: NB! SK. ARĪ 3A226. POZĪCIJU.

6. a.

spēj nepārtraukti nodrošināt izejas strāvu 500 A vai vairāk pie sprieguma 100 V vai lielāka; un

strāvas vai sprieguma regulācijas precizitāte ir labāka par 0,01 % 8 stundu laikā.

padeves autoklāvi, krāsnis vai sistēmas UF6 ievadīšanai bagātināšanas procesā;

desublimatori un izsaldētāji, ko lieto UF6 uztveršanai no bagātināšanas procesa un turpmākai aizvadīšanai pēc uzkarsēšanas;

produkta un astu stacijas UF6 iepildīšanai konteineros;

sašķidrinātāji vai cietināšanas ierīces, ko lieto UF6 uztveršanai no bagātināšanas procesa, saspiežot, atdzesējot un pārvēršot UF6 šķidrā vai cietā fāzē;

cauruļvadu un kolektoru sistēmas, kas īpaši paredzētas vai sagatavotas darbam ar UF6 ar gāzu difūzijas, centrifūgu vai aerodinamiskām kaskādēm;

šādas vakuumsistēmas un sūkņi:

1. vakuumaģistrāles, vakuumkolektori un vakuumsūkņi, kuru sūknēšanas ātrums ir 5 m3/min vai lielāks;

2. vakuumsūkņi, kuri speciāli paredzēti izmantošanai UF6 nesēju atmosfērās un izgatavoti no materiāliem, izturīgiem pret UF6 koroziju vai aizsargāti ar tiem; vai

3. vakuumsistēmas, kas sastāv no vakuumaģistrālēm, vakuumkolektoriem un vakuumsūkņiem un kas paredzētas izmantošanai UF6 nesēju atmosfērās;

UF6 masas spektrometri/jonu avoti, ar ko var tiešsaistē ņemt UF6 gāzes plūsmas paraugus un kam piemīt visi turpmākie parametri:

1. spēja reģistrēt jonus ar atommasu 320 vienības vai lielāku, un to izšķiršanas spēja ir labāka nekā 1. daļa uz 320;

2. jonu avoti ir konstruēti no niķeļa, niķeļa - vara sakausējumiem ar niķeļa saturu 60 % vai vairāk, vai no niķeļa un hroma sakausējumiem, vai aizsargāti ar tiem;

3. ir elektronu bombardēšanas jonizācijas avoti; un

4. ir izotopu analīzei piemērota kolektoru sistēma.

sistēmas UO3 iegūšanai no urāna rūdas koncentrāta;

sistēmas UF6 iegūšanai no UO3;

sistēmas UF2 iegūšanai no UO3;

sistēmas UF4 iegūšanai no UO2;

sistēmas UF6 iegūšanai no UF4;

sistēmas metāliskā urāna iegūšanai no UF4;

sistēmas UO2 iegūšanai no UF6;

sistēmas UF4 iegūšanai no UF6;

sistēmas UCl4 iegūšanai no UO2.

ražotnes smagā ūdens, deitērija un deitērija savienojumu ražošanai:

1. ūdens-sērūdeņraža apmaiņas ražotnes;

2. amonjaka-ūdeņraža apmaiņas ražotnes;

0B004 iekārtas un komponenti:

1. ūdens un sērūdeņraža apmaiņas kolonnas, kuru diametrs ir 1,5 m vai lielāks un kuras piemērotas darba spiedieniem 2 MPa vai vairāk;

2. vienpakāpes zemspiediena (t.i., 0,2 MPa) centrifugālie gāzpūtēji vai kompresori gāzveida sērūdeņraža cirkulācijai (t.i., gāzei, kas satur vairāk par 70 % H2S) ar caurplūdes jaudu, kas vienāda ar vai lielāka par 56 m3/s pie darba spiediena, kas vienāds ar vai lielāks par 1,8 MPa, kuriem ir blīvslēgi, kas piemēroti kontaktam ar mitru H2S;

3. amonjaka-ūdeņraža apmaiņas kolonnas, kuru augstums ir 35 m vai lielāks, bet diametrs – no 1,5 līdz 2,5 m, un kuras piemērotas darba spiedieniem virs 15 MPa;

4. kolonnu iekšējās sastāvdaļas, ieskaitot pakāpju kontaktorus un pakāpju sūkņus, arī iegremdējamos sūkņus, smagā ūdens ražošanai, izmantojot amonjaka - ūdeņraža apmaiņas procesu;

5. amonjaka sašķelšanas iekārtas ar 3 MPa vai lielāku spiedienu smagā ūdens ražošanai, izmantojot amonjaka-ūdeņraža apmaiņas procesu;

6. infrasarkanās absorbcijas analizatori, kas spēj nepārtraukti noteikt ūdeņraža un deitērija attiecību, ja deitērija koncentrācija ir 90 % vai lielāka;

7. katalītiskie degļi bagātināta deitērija pārvēršanai smagajā ūdenī, izmantojot amonjaka-ūdeņraža apmaiņas procesu;

8. nokomplektētas smagā ūdens koncentrēšanas sistēmas vai kolonnas smagā ūdens koncentrēšanai līdz reaktora kvalitātes deitērija koncentrācijai;

9. amonjaka sintēzes konvertori vai sintēzes iekārtas, kas īpaši paredzētas vai sagatavotas smagā ūdens ražošanai, izmantojot amonjaka-ūdeņraža apmaiņas procesu.

0B Tehniska piezīme:

1. parasti ir tiešā kontaktā ar kodolmateriāliem vai tieši vada vai kontrolē to ražošanas norisi;

2. iekapsulē kodolmateriālus to apvalkā;

3. pārbauda iekapsulējuma vai apvalka viendabību;

4. pārbauda cietās iekapsulētās degvielas beigu apstrādi; vai

5. tiek izmantotas reaktora degvielas elementu salikšanai.

rūpnīcas izstrādātās kodolreaktora degvielas elementu pārstrādei, ieskaitot iekārtas un komponentus, kas parasti nonāk kontaktā ar izstrādāto degvielu un tieši vada galvenās izstrādātās degvielas, kodolmateriāla un kodoldalīšanās produktu apstrādes plūsmas;

degvielas elementu skaldīšanas vai smalcināšanas mašīnas, t. i., tālvadāmas izstrādātās kodolreaktora degvielas komplektu, stieņu vai pakešu griešanas, skaldīšanas vai smalcināšanas iekārtas;

šķīdināšanas tvertnes, pret kodolkritiskumu nodrošinātas tvertnes (t.i., maza diametra, apaļas, cilindriskas vai taisnstūrveida tvertnes), kas ir īpaši paredzētas vai sagatavotas izstrādātās kodolreaktora degvielas šķīdināšanai un spēj izturēt karstu, stipri korozīvu šķidrumu iedarbību un ko var iekraut/izkraut un apkopt ar tālvadību;

0B006 Piezīme: šķīdinātāju ekstraktori, piemēram, pildītas kolonnas vai pulsējošas kolonnas, sajaukšanas-noslāņošanas separatori vai centrifūgu sajaucēji, kas ir izturīgi pret slāpekļskābes radīto koroziju un kas īpaši paredzēti vai sagatavoti lietošanai lietotas kodoldegvielas – dabīgā urāna – vai vājinātā urāna, vai speciālo skaldmateriālu pārstrādes rūpnīcās;

e. Tehniska piezīme:

turēšanas vai uzglabāšanas tvertnes, kas speciāli konstruētas izturīgas pret slāpekļskābes koroziju un nodrošinātas pret kodolkritiskumu; Turēšanas vai uzglabāšanas tvertnēm vai traukiem var būt šādas īpašības:

1. sienas vai iekšējās konstrukcijas ir ar minimālo bora ekvivalentu vismaz 2 % (rēķinot visiem elementiem, kā definēts piezīmē pie 0C004. pozīcijas);

2. maksimālais diametrs cilindriskām tvertnēm ir 175 mm; vai

3. maksimālais izmērs apaļām vai taisnstūrveida tvertnēm ir 75 mm.

neitronu mērīšanas sistēmas, kas īpaši paredzētas vai sagatavotas iekļaušanai automatizētās procesa kontroles sistēmās un lietošanai tajās dabīgā urāna, vājinātā urāna vai speciālo skaldmateriālu pārstrādes ražotnē.

sistēmas plutonija nitrāta pārvēršanai oksīdā,

sistēmas metāliska plutonija iegūšanai.

0C Materiāli 0C001 Dabīgs urāns, vājināts urāns vai torijs metāla, sakausējuma, ķīmiska savienojuma vai koncentrāta veidā, un visi citi materiāli, kas satur vienu vai vairākus no iepriekš minētajiem; Piezīme: Kontroli 0C001. pozīcijā neattiecina uz: 0C002 Speciālie skaldmateriāli. Piezīme: Kontroli 0C002. pozīcijā neattiecina uz četriem vai mazāk efektīvajiem gramiem, ja tos satur instrumentu sensora komponents. 0C003 Deitērijs, smagais ūdens (deitērija oksīds) un citi deitērija savienojumi, kā arī citi deitēriju saturoši maisījumi un šķīdumi, kuros deitērija attiecība pret ūdeņradi ir lielāka par 1:5000. 0C004 Grafīts, kura tīrības pakāpe ir augstāka par 5 ppm bora ekvivalenta, bet blīvums ir lielāks par 1,50 g/cm3, izmantošanai kodolreaktorā daudzumā, kas pārsniedz 1 kg. NB! SK. ARĪ 1C107. POZĪCIJU. 1. piezīme: Eksporta kontroles nolūkos kompetentās iestādes dalībvalstī, kurā eksportētājs veic uzņēmējdarbību, nosaka, vai minētajām specifikācijām atbilstoša grafīta eksports ir paredzēts lietošanai kodolreaktorā. 2. piezīme: 0C004. pozīcijā bora ekvivalents (BE) definēts kā piemaisījumu BEz summa (izņemot BEogleklim, jo oglekli neuzskata par piemaisījumu), ieskaitot boru, kur: BEZ (ppm) – CF × elementa Z koncentrācija, ppm; kur CF ir pārrēķināšanas koeficientsσZABσBAZ un σB un σZ ir siltuma neitronu absorbcijas efektīvais šķērsgriezums (barnos) attiecīgi dabā sastopamajiem boram un elementam Z; un AB un AZ ir attiecīgi dabā sastopamā bora un elementa Z atommasas. 0C005 Speciāli pielāgoti savienojumi vai pulveri pret UF6 koroziju izturīgu gāzu difūzijas membrānu izgatavošanai, (piemēram, niķelis vai sakausējums, kurā ir 60 % vai vairāk niķeļa, alumīnija oksīds un perfluorogļūdeņražu polimēri), ar tīrības pakāpi 99,9 % vai vairāk un vidējo daļiņu izmēru mazāk par 10 μm, ko mēra pēc ASTM B330 standarta, un augstu daļiņu izmēru viendabīguma pakāpi.

0C a.

četriem vai mazāk gramiem dabīgā urāna vai vājinātā urāna, ja tos satur instrumentu sensora komponents;

vājināto urānu, kas speciāli ražots šādiem civiliem, ar kodoldegvielas ciklu nesaistītiem pielietojumiem:

1. ekranēšanai;

2. iepakošanai;

3. balastam ar masu ne lielāku par 100 kg;

4. atsvaram ar masu ne lielāku par 100 kg;

sakausējumiem, kuri satur mazāk par 5 % torija;

keramikas izstrādājumiem, kuri satur toriju un izgatavoti ar kodoldegvielas ciklu nesaistītai izmantošanai.

0D Programmatūra 0D001 Programmatūra, kas ir īpaši paredzēta vai pielāgota šajā kategorijā minēto preču pilnveidošanai, ražošanai vai lietošanai.

0E Tehnoloģija 0E001 Tehnoloģijas saskaņā ar piezīmi par kodoltehnoloģijām šajā kategorijā minēto preču pilnveidošanai, ražošanai vai lietošanai.

1. KATEGORIJA – ĪPAŠI MATERIĀLI UN AR TIEM SAISTĪTAS IEKĀRTAS

1A Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme:

Sistēmas, iekārtas un komponenti 1A001 No fluorētiem savienojumiem izgatavoti komponenti: 1A002 Kompozītu struktūras vai lamināti, kam ir jebkuras no šīm īpašībām: NB! SK. ARĪ 1A202., 9A010. un 9A110. POZĪCIJU. 1. piezīme: Kontroli 1A002. pozīcijā neattiecina uz kompozītu stuktūrām vai laminātiem, kas izgatavoti no oglekļa šķiedrveida vai pavedienveida materiāliem, kuri piesūcināti ar epoksīdsveķiem, un kas paredzēti civilu lidaparātu remontam, un kam piemīt visas šīs īpašības: 2. piezīme: Kontroli 1A002. pozīcijā neattiecina uz šādiem pusfabrikātiem, kas ir speciāli paredzēti civiliem mērķiem: 3. piezīme: Kontroli 1A002.b.1 pozīcijā neattiecina uz pusfabrikātiem, kuros maksimāli ir divdimensionāli saaustas šķiedras un kuri īpaši izgatavoti šādam lietojumam: 4. piezīme: Kontroli 1A002. pozīcijā neattiecina uz gataviem izstrādājumiem, kas speciāli izgatavoti konkrētam lietojumam. 1A003 Izstrādājumi no nekausējamiem aromātiskajiem poliimīdiem plēvju, lokšņu vai lenšu veidā, kam piemīt kāda no šīm īpašībām: Piezīme: Kontroli 1A003. pozīcijā neattiecina uz ražojumiem, kas pārklāti vai laminēti ar varu un paredzēti elektronisko iespiedshēmas plašu ražošanai. NB! Attiecībā uz visu veidu kausējamiem aromātiskajiem poliimīdiem sk. 1C008.a.3. pozīciju. 1A004 Aizsardzības un detektoru iekārtas un to komponenti, kas nav speciāli konstruēti militārai lietošanai: NB! SK. ARĪ MILITĀRO PREČU KONTROLES SARAKSTUS, 2B351. UN 2B352. POZĪCIJU. 1A004Piezīme: Kontroli 1A004. pozīcijā neattiecina uz: 1A004. pozīcijā ietilpst iekārtas un komponenti, kas izgatavoti, veiksmīgi testēti saskaņā ar valsts standartiem vai citādi pierādījuši savu efektivitāti, lai atklātu vai aizsargātos pret radioaktīviem materiāliem, kuri pārveidoti militārām vajadzībām, bioloģiskiem aģentiem, kuri pārveidoti militārām vajadzībām, ķīmiskās kaujas vielām, imitatoriem vielām nekārtību novēršanai, pat ja šādas iekārtas un komponentus izmanto civilajā rūpniecībā, piemēram, kalnrūpniecībā, derīgo izrakteņu ieguvē, lauksaimniecībā, farmaceitiskajā rūpniecībā, medicīnā, veterinārijā, vides aizsardzībā, atkritumu apsaimniekošanā vai pārtikas rūpniecībā. Imitators ir viela vai materiāls, ko izmanto kā toksiska (ķīmiska vai bioloģiska) aģenta aizstājēju mācībās, pētniecībā, testēšanā vai novērtēšanā. 1A005 Bruņuvestes un to sastāvdaļas: NB! SK. ARĪ MILITĀRO PREČU KONTROLES SARAKSTUS. NB! Par šķiedrveida vai pavedienveida materiāliem, ko izmanto bruņuvestu izgatavošanai, sk. 1C010. pozīciju. 1. piezīme: Kontroli 1A005. pozīcijā neattiecina uz bruņuvestēm, kas ir līdzi to lietotājiem un tiek izmantotas personīgajai aizsardzībai. 2. piezīme: Kontroli 1A005. pozīcijā neattiecina uz bruņuvestēm, kas paredzētas tikai frontālai aizsardzībai pret šķembām un triecienvilni no nemilitāru spridzināšanas iekārtu sprādzieniem. 3. piezīme: Kontroli 1A005. pozīcijā neattiecina uz bruņuvestēm, kas paredzētas tikai aizsardzībai pret traumām, kuras gūst ar nazi, smailu priekšmetu, adatu vai ar truliem priekšmetiem. 1A006 Iekārtas, kas īpaši paredzētas vai pielāgotas, lai likvidētu improvizētas spridzināšanas ierīces, un to īpaši izstrādātas sastāvdaļas un piederumi: NB! SK. ARĪ MILITĀRO PREČU KONTROLES SARAKSTUS. Piezīme: Kontroli 1A006. pozīcijā neattiecina uz iekārtām, kas ir līdzi to operatoram. 1A007 Iekārtas un ierīces, kas speciāli izstrādātas, lai, izmantojot elektrību, ierosinātu lādiņus un ierīces, kurās ir energoietilpīgi materiāli: NB! SK. ARĪ MILITĀRO PREČU KONTROLES SARAKSTUS, 3A229. UN 3A232. POZĪCIJU. Dažkārt detonatoru dēvē arī par ierosinātāju vai aizdedzinātāju. Visiem 1A007.b. pozīcijā minētajiem detonatoriem izmanto mazu elektrovadošu elementu (tiltiņu, tiltiņa vadu vai foliju), kas eksplozīvi iztvaiko, ja caur to novada ātru lielas strāvas impulsu. Bezbelžņa tipu gadījumā eksplodējošais elektrovadošais elements ierosina ķīmisku detonāciju kontaktā esošajā spēcīgajā sprāgstvielā, piemēram, pentaeritrīttetranitrātā (PETN). Belžņu detonatoros elektrovadošā elementa iztvaikošana izraisa belžņa kustību cauri spraugai, un tā trieciens pa eksplozīvo vielu ierosina ķīmisko detonāciju. Dažās konstrukcijās belzni iedarbina magnētiskais spēks. Eksplodējošas folijas detonators var attiekties vai nu uz EB, vai belžņa tipa detonatoriem. 1A008 Šādi lādiņi, ierīces un komponenti: Formas lādiņi ir lādiņi ar īpašu formu, kas izveidota, lai koncentrētu triecenviļņa efektu. 1A102 Atkārtoti piesātināti pirolizēti oglekļa-oglekļa komponenti, kas paredzēti 9A004. pozīcijā minētajām kosmiskajām nesējraķetēm vai 9A104. pozīcijā minētajām raķešzondēm. 1A202 Kompozītu materiāli, izņemot 1A002. pozīcijā minētās, cauruļu veidā, kurām piemīt abas šīs īpašības: NB! SK. ARĪ 9A010. UN 9A110. POZĪCIJU. 1A225 Platinēti katalizatori, kas īpaši paredzēti vai sagatavoti ūdeņraža izotopu apmaiņas reakcijas paātrināšanai starp ūdeni un ūdeņradi, lai iegūtu tritiju no smagā ūdens, vai smagā ūdens ražošanai. 1A226 Speciālas paketes, ko var izmantot smagā ūdens atdalīšanai no parastā ūdens un kam ir abas šādas īpašības: 1A227 Augsta blīvuma (svina stikla vai cita materiāla) aizsargstikli darbam ar jonizējošo starojumu un tiem speciāli izgatavoti rāmji, kam piemīt visas šīs īpašības: 1A227. pozīcijā aukstais laukums ir aizsargstikla skata laukums ar paredzētajam lietojumam zemāko radiācijas līmeni.

1A a.

blīvslēgi, blīves, blīvējuma materiāli un elastīgas degvielas tvertnes, kas speciāli izgatavotas lidaparātu vai kosmiskās aviācijas vajadzībām un satur vairāk par 50 % no lC009.b. vai 1C009. c. pozīcijā minētajiem materiāliem;

pjezoelektriskie polimēri un kopolimēri no lC009.a. pozīcijā minētajiem vinilidēnfluorīda (CAS 75-38-7) materiāliem, kam piemīt visas šīs īpašības:

1. ir plākšņu vai plēvju formā; un

2. ir biezāki par 200 μm;

blīvslēgi, blīves, vārstu ligzdas, elastīgas tvertnes un diafragmas, kam piemīt visas šīs īpašības: Piezīme: Raķetes 1A001.c. pozīcijā ir nokomplektētas raķešu sistēmas un bezpilota lidaparātu sistēmas.

1. izgatavoti no fluorelastomēriem, kas satur vismaz vienu vinilētera monomēru; un

2. īpaši paredzēti lidaparātu, kosmiskās aviācijas vai raķešu tehnikas vajadzībām.

tās sastāv no organiskas matricas un no 1C010.c, 1C010.d vai 1C010.e pozīcijā minētajiem materiāliem; vai

tās sastāv no metāla vai oglekļa matricas un kāda no šiem materiāliem:

1. oglekļa šķiedrveida vai pavedienveida materiāliem, kam ir visas šīs īpašības:

1. a.

īpatnējais modulis lielāks par 10,15 × 106 m; un

īpatnējā stiepes stiprība lielāka par 17,7 × 104 m; vai

2. 1C010.c. pozīcijā minētajiem materiāliem.

to virsmas laukums nepārsniedz 1 m2;

to garums nepārsniedz 2,5 m; un

to platums pārsniedz 15 mm.

sporta precēm;

automobiļu rūpniecībai;

metālapstrādes darbgaldu nozarei;

lietojumam medicīnā.

metālu termiskās apstrādes krāsnīm metālu rūdīšanai;

silīcija kristāla ražošanas iekārtām.

biezāki par 0,254 mm; vai

klāti vai laminēti ar oglekli, grafītu, metāliem vai vielām ar magnētiskām īpašībām.

a. Tehniska piezīme:

1A004 Visas sejas maskas, filtru elementi un dekontaminācijas iekārtas un to īpaši izstrādātas sastāvdaļas, kuras izgatavotas vai pielāgotas aizsardzībai pret jebkuru no turpmāk minētajiem materiāliem vai vielām: Piezīme: 1A004.a. pozīcija ietver ar strāvu darbināmus gaisa attīrīšanas respiratorus (PAPR), kas konstruēti vai pielāgoti aizsardzībai pret vielām vai materiāliem 1A004.a. pozīcijā. 1A004.a. pozīcijas nolūkos:

1. visas sejas maskas dēvē arī par gāzmaskām;

2. filtru elementi ietver filtru kārtridžus.

1. bioloģiskie aģenti, kuri pārveidoti militārām vajadzībām;

2. radioaktīvie materiāli, kuri pārveidoti militārām vajadzībām;

3. ķīmiskās kaujas vielas; vai

4. vielas nekārtību novēršanai, tostarp:

4. a.

α-brombenzacetonitrils (brombenzilcianīds) (CA) (CAS 5798-79-8);

[(2-hlorfenil) metilēn] propāndinitrils (o-hlorbenzilidēnmalonnitrils) (CS)(CAS 2698-41-1);

2-hlor-1-feniletanons, fenilacilhlorīds (ω-hloracetofenons) (CN) (CAS 532-27-4);

dibenz-(b,f)-1,4-oksazepīns (CR) (CAS 257-07-8);

10-hlor-5,10-dihidrofenarsazīns (fenarsazīnhlorīds) (adamsīts) (DM) (CAS 578-94-9);

N-nonanoilmorfolīns (MPA) (CAS 5299-64-9);

aizsargtērpi, cimdi un apavi, kas īpaši paredzēti vai pielāgoti aizsardzībai pret jebkuru no turpmāk minētajiem materiāliem vai vielām:

1. bioloģiskie aģenti, kuri pārveidoti militārām vajadzībām;

2. radioaktīvie materiāli, kuri pārveidoti militārām vajadzībām; vai

3. ķīmiskās kaujas vielas;

detektorsistēmas un to īpaši izstrādātas sastāvdaļas, kuras īpaši paredzētas vai pielāgotas jebkuru turpmāk minēto materiālu vai vielu detektēšanai vai identifikācijai:

1. bioloģiskie aģenti, kuri pārveidoti militārām vajadzībām;

2. radioaktīvie materiāli, kuri pārveidoti militārām vajadzībām; vai

3. ķīmiskās kaujas vielas;

d. Tehniska piezīme:

elektroniskas iekārtas, kas paredzētas automātiskai sprāgstvielu atlikumu klātbūtnes detektēšanai un noteikšanai un mikrodaļiņu detektēšanas paņēmienu izmantošanai (piemēram, virsmas akustisko viļņu ierīces, jonu kustīguma spektrometrijas, diferenciālās kustības spektrometrijas, masas spektrometrijas ierīces). Mikrodaļiņu detektēšana ir spēja detektēt daļiņas, kas mazākas par 1 ppm gāzveida vielā vai par 1 mg cietā vielā vai šķidrumā. 1. piezīme: Kontroli 1A004.d. pozīcijā neattiecina uz iekārtām, kas īpaši izstrādātas lietošanai laboratorijā. 2. piezīme: Kontroli 1A004.d. pozīcijā neattiecina uz bezkontakta caurskates drošības vārtiem.

individuāliem radiācijas dozimetriem;

darba aizsardzības iekārtām, kuru lietošana funkcionāli vai konstruktīvi ierobežota ar aizsardzību pret kaitīgajiem faktoriem dzīvojamo ēku drošībā vai civilā ražošanā, tostarp:

1. kalnrūpniecībā;

2. derīgo izrakteņu ieguvē karjeros;

3. lauksaimniecībā;

4. farmaceitiskajā rūpniecībā;

5. medicīnā;

6. veterinārijā;

7. vides aizsardzībā;

8. atkritumu apsaimniekošanā;

9. pārtikas rūpniecībā.

1A Tehniskas piezīmes: 1.2. a.

mīkstas bruņuvestes, kas nav ražotas atbilstīgi militāriem standartiem, militārām specifikācijām vai to ekvivalentiem, un tām īpaši paredzētas sastāvdaļas;

cietas bruņuvestu plāksnes, kas nodrošina aizsardzību pret lodēm līdzvērtīgu IIIA līmenim vai zemāku (NIJ 0101.06, 2008. gada jūlijs) vai atbilstīgi valsts ekvivalentam.

transportlīdzekļi ar tālvadību;

b. Tehniska piezīme:

neitralizētāji; Neitralizētāji ir ierīces, kas speciāli izstrādātas, lai novērstu spridzināšanas ierīču darbību, izmetot šķidru, cietu vai trauslu šāviņu.

spridzināšanas ierīču detonācijas komplekti, kas paredzēti 1A007.b. pozīcijā minēto spridzekļu detonatoru ierosināšanai;

sprāgstvielu elektrodetonatori:

1. eksplodējošs tiltiņš (EB);

2. eksplodējoša tiltiņa vads (EBW);

3. trieciendarbības tipa;

4. eksplodējošas folijas ierosinātāji (EFI).

1A Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. a.

kumulatīvie lādiņi, kam piemīt visas šīs īpašības:

1. tīrais sprāgstvielas saturs (NEQ) pārsniedz 90 g; un

2. ārējā apvalka diametrs ir 75 mm vai lielāks;

lineāras formas griezējlādiņi, kam piemīt visas turpmāk minētās īpašības, un tiem īpaši konstruēti komponenti:

1. sprāgstviela pārsniedz 40 g/m; un

2. platums ir 10 mm un vairāk;

detonējošās šņores ar sprāgstvielas pamatdevu, kas pārsniedz 64 g/m;

griežņi, kas nav minēti 1A008.b. pozīcijā, un šķelšanas līdzekļi ar tīro sprāgstvielas saturu (NEQ) virs 3,5 kg.

1A Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniska piezīme: a.

iekšējais diametrs no 75 līdz 400 mm; un

izgatavotas no 1C010.a. vai 1C010.b. vai 1C210.a. pozīcijā minētajiem šķiedrveida vai pavedienveida materiāliem vai 1C210.c. pozīcijā minētajiem oglekļa prepregiem.

izgatavoti no fosfora bronzas pinuma, kas ķīmiski apstrādāts saslapināmības palielināšanai; un

paredzēti izmantošanai vakuumdestilācijas kolonnās.

aukstais laukums ir lielāks par 0,09 m2;

blīvums ir lielāks par 3 g/cm3; un

biezums ir 100 mm vai lielāks.

1B Tehniska piezīme: 1.2. Tehniska piezīme:

Testēšanas, inspekcijas un ražošanas iekārtas 1B001 Iekārtas 1A002. pozīcijā minēto kompozītu struktūru vai laminātu vai 1C010. pozīcijā minēto šķiedrveida vai pavedienveida materiālu ražošanai vai inspekcijai, kā izklāstīts turpmāk, un speciāli tām konstruēti komponenti un piederumi: NB! SK. ARĪ 1B101. UN 1B201. POZĪCIJU. 1B001. pozīcijā primāras servopozicionēšanas asis datorprogrammas vadībā vada manipulācijas orgāna (galviņas) atrašanos telpā attiecībā pret apstrādājamo detaļu, to pareizi orientējot un virzot, lai panāktu vēlamo apstrādi. 1B001. pozīcijā pavediena elements ir atsevišķa, nepārtraukta platuma pilnīgi vai daļēji ar sveķiem piesūcināta lenta, tauva vai šķiedra. 1B002 Iekārtas metālu sakausējumu, metālu sakausējumu pulveru vai kausējumu materiālu ražošanai, kas speciāli konstruētas, lai novērstu piemaisījumu rašanos, un speciāli konstruētas izmantošanai 1C002.c.2. pozīcijā minētajiem procesiem. NB! SK. ARĪ 1B102. POZĪCIJU. 1B003 Instrumenti, presformas, liešanas formas un citas iekārtas titāna, alumīnija vai to sakausējumu superplastiskai formēšanai vai difūzajai savienošanās, kas speciāli konstruētas, lai izgatavotu turpmāko: 1B101 Iekārtas, kas nav ietvertas 1B001. pozīcijā un paredzētas turpmāk norādīto konstrukcijām izmantojamo kompozītmateriālu ražošanai, to īpašas sastāvdaļas un piederumi: NB! SK. ARĪ 1B201. POZĪCIJU. Piezīme: 1B101. pozīcijā minētajos komponentos un piederumos ietilpst liešanas formas, štances, presformas, armatūra un instrumenti kompozītu struktūru, laminātu un to izstrādājumu sagatavju presēšanai, vulkanizācijai, liešanai, izgulsnēšanai vai saistīšanai. 1B102 Metālu pulveru ražošanas iekārtas un to komponenti, izņemot 1B002. pozīcijā minētos: NB! SK. ARĪ 1B115.b POZĪCIJU. 1B115 Propelentu un to sastāvdaļu ražošanas iekārtas, izņemot 1B002. vai 1B102. pozīcijā minētās, kā arī speciāli šīm iekārtām izgatavotas sastāvdaļas: 1. piezīme: Iekārtas, kas ir speciāli konstruētas militāras nozīmes preču ražošanai, sk. militāro preču kontroles sarakstus. 2. piezīme: Kontroli 1B115. pozīcijā neattiecina uz iekārtām bora karbīda ražošanai, apstrādei un kvalitātes testēšanai. 1B116 Speciāli konstruētas sprauslas pirolītiski iegūstamu materiālu formēšanai uz veidņa, serdeņa vai citās ierīcēs no prekursoru gāzēm, kas sadalās temperatūrā no 1573 K (1300 °C) līdz 3173 K (2900 °C) un pie spiediena no 130 Pa līdz 20 kPa. 1B117 Periodiskas darbības maisītāji, kas nodrošina sajaukšanu vakuumā no 0 līdz 13,326 kPa, ar iespēju regulēt temperatūru sajaukšanas kamerā, kam ir visas turpmāk minētās īpašības, un tiem speciāli konstruēti komponenti: 1B118 Nepārtrauktas darbības maisītāji, kas nodrošina sajaukšanu vakuumā pie 0 līdz 13,326 kPa spiediena, ar iespēju regulēt sajaukšanas kameras temperatūru, un tiem speciāli konstruētas sastāvdaļas, kam ir visas šīs īpašības: 1B119 Šķidruma enerģijas dzirnavas, kas piemērotas 1C011.a., 1C011.b., 1C111. pozīcijā vai militāro preču kontroles sarakstos minēto vielu sasmalcināšanai vai malšanai, un tām speciāli konstruētas sastāvdaļas. 1B201 Pavedienu uztīšanas mašīnas, izņemot 1B001. vai 1B101. pozīcijā minētās, un ar tām saistītās iekārtas: 1B225 Elektrolīzes elementi fluora ražošanai, kuru ražība ir lielāka par 250 g fluora stundā. 1B226 Elektromagnētiskie izotopu separatori, kas paredzēti darībām ar vienu vai vairākiem jonu avotiem vai kas ar tādiem aprīkoti un spēj nodrošināt jonu kūļa strāvu 50 mA vai lielāku. Piezīme: 1B226. pozīcijā ietilpst separatori: 1B228 Ūdeņraža kriogēnās destilācijas kolonnas, kam ir visas šīs īpašības: 1B228. pozīcijā efektīvais garums ir pakojuma materiāla aktīvais augstums kompaktajā kolonnā vai iekšējo kontaktierīču aktīvais augstums plākšņu tipa kolonnā. 1B229 Ūdens-sērūdeņraža apmaiņas šķīvju kolonnas un iekšējās kontaktierīces: NB! Attiecībā uz kolonnām, kas ir īpaši paredzētas vai sagatavotas smagā ūdens ražošanai, sk. 0B004. pozīciju. 1B230 Sūkņi atšķaidīta vai koncentrēta kālija amīda katalizatora šķīduma cirkulācijai šķidrā amonjakā (KNH2/NH3), kuriem ir visas šīs īpašības: 1B231 Tritija ražotnes vai rūpnīcas un tām paredzētas iekārtas: 1B232 Turboekspanderi un turboekspanderu-kompresoru kompleksi, kam piemīt abas šīs īpašības: 1B233 Litija izotopu atdalīšanas ražotnes vai rūpnīcas un sistēmas un tām paredzētas iekārtas: 1B234 Tvertnes, kameras, konteineri un līdzīgas lokalizācijas iekārtas spēcīgu sprāgstvielu izolācijai, kas paredzētas spēcīgu sprāgstvielu vai spridzekļu testēšanai un kam ir abas turpmāk minētās īpašības: NB! SK. ARĪ MILITĀRO PREČU KONTROLES SARAKSTUS.

1B a.

pavedienu uztīšanas mašīnas, kurās uztīšanas un vērpšanas pozicionēšanas kustības var koordinēt un programmēt pa trīs vai vairākām primārām servopozicionēšanas asīm un kuras ir speciāli konstruētas kompozītu struktūru vai laminātu ražošanai no šķiedrveida vai pavedienveida materiāliem;

b. Tehniska piezīme:

lentes veidošanas mašīnas, kurās lentes veidošanas pozicionēšanas kustības koordinē un programmē pa piecām vai vairākām primārām servopozicionēšanas asīm un kuras ir speciāli konstruētas lidaparātu vai raķešu kompozītu struktūru ražošanai; Piezīme: 1B001.b. pozīcijā raķetes ir nokomplektētas raķešu sistēmas un bezpilota lidaparātu sistēmas. 1B001.b. pozīcijā lentes veidošanas mašīnas spēj likt vienu vai vairākus pavediena elementus platumā no 25 mm līdz 305 mm, kā arī likšanas procesā pārtraukt un atsākt atsevišķus pavediena elementa gājienus.

c. Tehniska piezīme:

1B001 daudzvirzienu, daudzdimensiju stelles vai pinējmašīnas, ieskaitot adapterus un pārveidošanas komplektus, kas īpaši paredzēti vai pielāgoti aušanai, pīšanai vai ārējā tinuma veidošanai, kompozītām struktūrām. 1B001.c. pozīcijā pīšanas tehnika ietver adīšanu.

armatūras šķiedru ražošanai īpaši paredzētas vai pielāgotas iekārtas:

1. iekārtas oglekļa vai silīcija karbīda šķiedru ražošanai no polimēru materiālu šķiedrām (piemēram, poliakrilnitrila, viskozes, polikarbosilāna), kā arī speciālas iekārtas šķiedru nospriegošanai karsēšanas laikā;

2. iekārtas silīcija karbīda šķiedras ražošanai, karstu šķiedru substrātu pārklājot ar elementiem vai to savienojumiem ar ķīmiskas pārklāšanas, izmantojot tvaiku, metodi;

3. iekārtas ugunsizturīgu keramikas materiālu (piemēram, alumīnija oksīda) mitrai formēšanai;

4. termiskās apstrādes iekārtas alumīnija oksīda šķiedru ieguvei no prekursoru šķiedrām, kurās ir alumīnijs;

iekārtas 1C010.e. pozīcijā minēto prepregu ražošanai ar karstas kausēšanas metodi;

šādas nesagraujošās inspekcijas iekārtas, kas speciāli konstruētas kompozītu materiāliem:

1. rentgena tomogrāfijas sistēmas defektu trīsdimensiju inspekcijai;

2. ciparu vadības ultraskaņas testēšanas iekārtas, kuru pozicionēšanas kustības raidītāji vai uztvērēji tiek vienlaicīgi koordinēti un programmēti četrās vai vairākās asīs, sekojot inspicējamo sastāvdaļu trīsdimensiju kontūrām.

g. Tehniska piezīme:

Tauvas veidošanas mašīnas, kurās tauvas veidošanas pozicionēšanas kustības koordinē un programmē pa divām vai vairākām primārām servopozicionēšanas asīm un kuras ir īpaši konstruētas lidaparātu vai raķešu kompozītu struktūru ražošanai. 1B001.g. pozīcijā tauvas veidošanas mašīnas spēj likt vienu vai vairākus pavediena elementus 25 mm platumā vai šaurākus, kā arī veidošanas procesā pārtraukt un atsākt atsevišķus pavediena elementa gājienus.

1B Tehniska piezīme: 1.2. a.

lidaparāta korpusus vai kosmiskās aviācijas iekārtu konstrukcijas;

lidaparātu vai kosmiskās aviācijas dzinējus; vai

speciāli 1B003.a. pozīcijā noteiktajām konstrukcijām vai 1B003.b. pozīcijā noteiktajiem dzinējiem paredzētus komponentus.

pavedienu uztīšanas mašīnas vai šķiedru formēšanas mašīnas, kurās šķiedru tīšanas kustību pozicionēšanu var koordinēt un programmēt trijās vai vairākās asīs un kuras ir speciāli konstruētas kompozītu struktūru vai laminātu ražošanai no šķiedru vai pavedienu materiāliem, kā arī attiecīgas koordinācijas un programmvadības iekārtas;

lentes veidošanas mašīnas, kurās lenšu vai slokšņu veidošanas kustību pozicionēšanu var koordinēt un programmēt divās vai vairākās asīs un kuras ir paredzētas lidaparātu korpusu vai raķešu konstrukciju ražošanai no kompozītiem.

šķiedrveida vai pavedienveida materiālu ražošanai konstruētas vai pārveidotas iekārtas:

1. iekārtas polimēru materiālu šķiedru (tādu kā poliakrilonitrils, viskoze vai polikarbosilāns) konvertēšanai, ieskaitot speciālu aprīkojumu šķiedras nospriegošanai karsēšanas laikā;

2. iekārtas elementu vai savienojumu tvaiku uzklāšanai uz sakarsētiem pavedienu substrātiem;

3. iekārtas ugunsizturīgu keramikas materiālu (piemēram, alumīnija oksīda) mitrai formēšanai;

iekārtas, kas konstruētas vai pielāgotas speciālai šķiedru virsmas apstrādei vai 9C110. pozīcijā minēto prepregu vai sagatavju ražošanai. Piezīme: 1B101.d. pozīcijā ietilpst arī valči, ekstrūderi, pārklājumu veidošanas iekārtas, griešanas mašīnas un filjēras.

metālu pulveru ražošanas iekārtas, kas izmantojamas 1C011.a., 1C011.b., 1C111.a.1., 1C111.a.2. pozīcijā vai militāro preču kontroles sarakstos minēto sfērisko, sferoidālo vai atomizēto materiālu ražošanai kontrolējamā vidē;

1B002. vai 1B102.a. pozīcijā minētajām ražošanas iekārtām speciāli konstruēti komponenti. Piezīme: 1B102. pozīcijā ietilpst:

a.

plazmas ģeneratori (augstfrekvences lokizlādes), ko var izmantot pārslveida vai sfērisku metālu pulveru iegūšanai argona - ūdens vidē;

b.

elektrotrieciena iekārtas, ko var izmantot pārslveida vai sfērisku metālu pulveru iegūšanai argona - ūdens vidē;

c.

iekārtas, ko var izmantot alumīnija pulvera ražošanai sfērisku daļiņu veidā, pārvēršot kausējumu pulverī inertā vidē (piemēram, slāpeklī).

ražošanas iekārtas 1C011.a., 1C011.b., 1C111. pozīcijā vai militāro preču kontroles sarakstos minēto šķidro propelentu vai to sastāvdaļu ražošanai, glabāšanai un kvalitātes testēšanai;

ražošanas iekārtas 1C011.a., 1C011.b., 1C111. pozīcijā vai militāro preču kontroles sarakstos minēto cieto propelentu vai to sastāvdaļu ražošanai, apstrādei, sajaukšanai, uzlabošanai, liešanai, presēšanai, ekstrūdēšanai un kvalitātes testēšanai; Piezīme: Kontroli 1B115.b. pozīcijā neattiecina uz dozācijas maisītājiem, caurplūdes maisītājiem vai šķidruma enerģijas dzirnavām. Attiecībā uz dozācijas maisītāju, caurplūdes maisītāju un šķidruma enerģijas dzirnavu kontroli sk. 1B117., 1B118. un 1B119. pozīciju.

kopējais tilpums 110 litri vai vairāk; un

ir vismaz viena ekscentriska sajaukšanas vārpsta. Piezīme: 1B117.b. pozīcijā termins sajaukšanas vārpsta neattiecas uz deaglomeratoriem vai nažveida vārpstām.

divas vai vairākas sajaukšanas vārpstas; vai

individuāla rotējoša vārpsta, kas svārstās, un uz šīs vārpstas un sajaukšanas kameras apvalka iekšpusē ir mīcīšanas zobi/adatas.

pavedienu uztīšanas mašīnas, kam piemīt visas šīs īpašības:

1. pozicionēšanas kustības, šķiedru uztīšanu un vērpšanu var koordinēt un programmēt pa divām vai vairākām asīm;

2. speciāli konstruētas kompozītu stuktūru vai laminātu ražošanai no šķiedrveida vai pavedienveida materiāliem; un

3. spēj tīt cilindriskas caurules ar iekšējo diametru no 75 mm līdz 650 mm un garumu 300 mm vai vairāk;

koordinācijas un programmēšanas kontroles iekārtas 1B201.a. pozīcijā minētajām pavedienu uztīšanas mašīnām;

precīzijas serdeņi 1B201.a. pozīcijā minētajām pavedienu uztīšanas mašīnām.

kuros var bagātināt stabilos izotopus;

ar magnētiskajā laukā ievietotiem jonu avotiem un kolektoriem, kā arī konfigurācijas, kuros tie ir ārpus magnētiskā lauka.

paredzētas ekspluatācijai 35 K (-238 C) vai zemākā temperatūrā;

darba spiediens kolonnas iekšienē ir no 0,5 līdz 5 MPa;

tās ir izgatavotas no jebkura šāda materiāla

1. 300. sērijas nerūsējošā tērauda ar pazeminātu sēra saturu, kurā pēc ASTM (vai ekvivalenta standarta) noteiktais austenīta graudu izmēra numurs ir 5 vai lielāks; vai

2. ekvivalentiem materiāliem, kas ir gan kriogēni, gan saderīgi ar H2; un

iekšējais diametrs ir 30 cm vai lielāks, bet efektīvais garums ir 4 m vai lielāks.

1B Tehniska piezīme: 1.2. Tehniska piezīme: a.

ūdens-sērūdeņraža apmaiņas šķīvju kolonnas, kam piemīt visas šīs īpašības:

1. darba spiediens ir 2 MPa vai lielāks;

2. izgatavotas no oglekļa tērauda, kurā pēc ASTM (vai ekvivalenta standarta) noteiktais austenīta graudu izmēra numurs ir 5 vai lielāks; un

3. diametrs ir 1,8 m vai lielāks;

b. Tehniska piezīme:

iekšējās kontaktierīces 1B229.a. pozīcijā minētajām ūdens-sērūdeņraža apmaiņas šķīvju kolonnām. Kolonnu iekšējās kontaktierīces ir segmentēti šķīvji ar efektīvo komplektēto diametru 1,8 m vai lielāku, kas paredzēti, lai atvieglotu pretplūsmas kontaktus, un ir izgatavoti no nerūsējošā tērauda ar oglekļa saturu 0,03 % vai mazāk. Tie var būt sietveida šķīvji, vārstu šķīvji, zvaniņu šķīvji vai turbosietu šķīvji.

hermētiskums (t.i., tie ir hermētiski noslēgti);

ražība ir lielāka par 8,5 m3/h; un

piemīt kāda no šīm īpašībām:

1. koncentrētiem kālija amīda šķīdumiem (1 % vai vairāk) darba spiediens ir no 1,5 līdz 60 MPa; vai

2. atšķaidītiem kālija amīda šķīdumiem (mazāk par 1 %) darba spiediens ir no 20 līdz 60 MPa.

ražotnes vai rūpnīcas tritija ražošanai, reģenerācijai, ekstrakcijai, koncentrēšanai vai pārkraušanai;

tritija ražotņu vai rūpnīcu iekārtas:

1. ūdeņraža vai hēlija saldēšanas iekārtas dzesēšanai līdz 23 K (- 250 °C) vai zemākai temperatūrai ar siltuma absorbcijas jaudu virs 150 W;

2. ūdeņraža izotopu glabāšanas un attīrīšanas sistēmas, kurās par glabāšanas vai attīrīšanas aģentiem izmanto metālu hidrīdus.

paredzēti ekspluatācijai 35 K (- 238 °C) vai zemākā izejas temperatūrā; un

paredzēti 1000 kg/h vai lielākai ūdeņraža caurlaides spējai.

litija izotopu atdalīšanas ražotnes vai rūpnīcas;

iekārtas litija izotopu atdalīšanai, izmantojot litija-dzīvsudraba amalgamas procesu:

1. piepildītas šķidruma-šķidruma apmaiņas kolonnas litija izotopu apmaiņai, kas īpaši paredzētas darbam ar litija amalgamu;

2. dzīvsudraba vai litija amalgamu sūkņi;

3. litija amalgamas iegūšanas šūnas;

4. ietvaicētāji koncentrētam litija hidroksīda šķīdumam;

litija izotopu atdalīšanai speciāli konstruētas jonu apmaiņas sistēmas un tām speciāli konstruēti komponenti;

litija izotopu atdalīšanai speciāli konstruētas ķīmiskās apmaiņas sistēmas (kurās izmanto kraunēterus, kriptandus un lariatēterus) un tām speciāli konstruēti komponenti.

tie paredzēti pilnīgai 2 kg TNT eksplozijas vai lielākas eksplozijas lokalizēšanai; un

to konstrukcijas elementi vai iezīmes ļauj reālajā laikā vai ar aizturi pārvadīt diagnostisko vai mērījumu informāciju.

1C Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: 1.2.3. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1. tehniskā piezīme: 2. tehniskā piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: 1.2.3.

Materiāli Metāli un sakausējumi: ja nav norādīts citādi, tad vārdi metāli un sakausējumi 1C001. līdz 1C012. pozīcijā attiecas uz turpmāk minētajām neapstrādātām formām un pusfabrikātiem. Neapstrādātas formas: anodi, lodītes, lielgabarīta sagataves, stieņi (ieskaitot iezāģētus stieņus un sagataves stieplēm), kvadrātveida sagataves, bloki, lielizmēra kvadrātveida sagataves, pikas, katodi, kristāli, kubi, diski, graudi, granulas, pārslas, pulveri, kluči, vairogi, sfēras, stabi (taisnstūra velmējumi), sagataves kalšanai, poraini gabali, stienīši. Pusfabrikāti (ar pārklājumu vai bez tā, galvanizēti, urbti vai štancēti): Eksporta kontrole attiecas arī uz sarakstā neiekļautām formām, kas deklarētas kā gatavi produkti, bet faktiski ir neapstrādātās formas vai pusfabrikāti. 1C001 Materiāli, kas speciāli paredzēti elektromagnētisko viļņu absorbcijai, vai polimēru materiāli ar elektrovadītspēju: NB! SK. ARĪ 1C101. POZĪCIJU. 1C002 Metālu sakausējumi, metālu sakausējumu pulveri vai sakausējumu materiāli: NB! SK. ARĪ 1C202. POZĪCIJU. Piezīme: Kontroli 1C002. pozīcijā neattiecina uz metālu sakausējumiem, metālu sakausējumu pulveriem un sakausējumu materiāliem substrātu virsmas pārklāšanai. Metālu sakausējumi 1C002. pozīcijā ir tie, kuros attiecīgo metālu masas daļa ir lielāka par visu citu elementu saturu; Mehāniskās izturības ilgums jānosaka pēc ASTM standarta E-139 vai ekvivalenta valsts standarta; Zemāko noguruma ciklu skaits jānosaka pēc ASTM standarta E-606 Recommended Practice for Constant-Amplitude Low-Cycle Fatigue Testing vai ekvivalenta valsts standarta. Testēšanai jābūt aksiālai ar vidējo slodzes koeficientu vienādu ar 1 un sprieguma koncentrācijas koeficientu (Kt) vienādu ar 1. Vidējo spriegumu nosaka šādi: maksimālais spriegums mīnus minimālais spriegums un dalīts ar maksimālo spriegumu. 1C003 Visu tipu un formu magnētiskie metāli, kam piemīt jebkura no šīm īpašībām: 1C004 Urāna sakausējumi ar titānu vai volframa sakausējumi ar matricu uz dzelzs, niķeļa vai vara bāzes, kuriem piemīt visas šīs īpašības: 1C005 Kompozītu materiāli ar supravadītspējas īpašībām, kuru garums ir lielāks par 100 m vai masa lielāka par par 100 g: Saistībā ar 1C005. pozīciju pavedieni var būt stieples, cilindra, plēves vai lentes formā. 1C006 Šķidrumi un lubrikanti: 1C006. pozīcijā minētajiem materiāliem: 1C007 Materiāli uz keramikas bāzes, keramikas materiāli, kas nav kompozīti, keramikas matricas, kompozītu materiāli un prekursoru materiāli: NB! SKAT. ARĪ 1C107. POZĪCIJU. 1C008 Fluoru nesaturoši polimēri: 1C008.a.2. pozīcijā minēto termoplastisko materiālu un 1C008.a.4. pozīcijā minēto materiālu stiklošanās temperatūru (Tg) nosaka, izmantojot ISO 11357-2 (1999) vai ekvivalentu valsts standartu. 1C008.a.2. pozīcijā minēto termoreaktīvo materiālu un 1C008.a.3. pozīcijā minēto materiālu stiklošanās temperatūru (Tg) nosaka, izmantojot 3. punktu liekšanas metodi, kas aprakstīta ASTM D 7028-07, vai ekvivalentu valsts standartu. Testu veic, izmantojot sausu testēšanas paraugu, kura sacietēšanas pakāpe ir vismaz 90 %, kā aprakstīts ASTM E 2160-04 vai ekvivalentā valsts standartā, un kurš ir sacietināts, kombinējot standarta un pēccietināšanas procesus, ar ko var sasniegt visaugstāko Tg. 1C009 Neapstrādāti fluorēti savienojumi: 1C010 Šķiedrveida vai pavedienveida materiāli: NB! SK. ARĪ 1C210. UN 9C110. POZĪCIJU. Lai aprēķinātu šķiedrveida vai pavedienveida materiālu īpatnējo stiepes stiprību, īpatnējo moduli vai blīvumu 1C010.a., 1C010.b. vai 1C010.c. pozīcijā, stiepes stiprība un modulis būtu jānosaka ar A metodi, kas aprakstīta ISO 10618 (2004) vai ekvivalentā valsts standartā. Novērtējums attiecībā uz neparalēlu šķiedrveida vai pavedienveida materiālu (piemēram, auduma, neausta materiāla vai pinuma) īpatnējo stiepes stiprību, īpatnējo moduli vai blīvumu 1C010. pozīcijā balstāms uz attiecīgo paralēlo monošķiedru (piemēram, monošķiedru, dziju, paralēlu šķiedru kūļu vai tauvu) mehāniskajām īpašībām pirms to pārstrādes neparalēlu šķiedrveida vai pavedienveida materiālos. 1C011 Metāli un savienojumi: NB! SK. ARĪ MILITĀRO PREČU KONTROLES SARAKSTUS UN 1C111. POZĪCIJU. NB! Sk. arī militāro preču kontroles sarakstus attiecībā uz metāla pulveriem, kas sajaukti ar citām vielām, lai izveidotu maisījumu, kas paredzēts militāriem nolūkiem. 1C012 Materiāli: Šos materiālus parasti izmanto kodoltermiskos siltuma avotos. 1C101 Materiāli un ierīces atklājamības samazināšanai, piemēram, radaru atstarojuma mazināšanai vai ultravioletās/infrasarkano staru un akustiskās signatūras vājināšanai, izņemot 1C001. pozīcijā minētos, lietojumam raķetēs, raķešu apakšsistēmās vai bezpilota lidaparātos 9A012. pozīcijā. 1. piezīme: 1C101. pozīcijā ietilpst: 2. piezīme: 1C101. pozīcija neietver pārklājumus, ja tie speciāli lietoti pavadoņu termoizolācijai. Raķetes 1C101. pozīcijā ir nokomplektētas raķešu sistēmas un bezpilota lidaparātu sistēmas, kuru darbības rādiuss pārsniedz 300 km. 1C102 Atkārtoti piesātināti pirolizēti oglekļa-oglekļa materiāli, kas izstrādāti 9A004. pozīcijā minētajām kosmiskajām nesējraķetēm vai 9A104. pozīcijā minētajām raķešzondēm. 1C107 Grafīta un keramikas materiāli, izņemot 1C007. pozīcijā minētos: 1C111 Propelenti un tajos ietilpstošas ķīmiskās vielas, izņemot 1C011. pozīcijā minētās: Piezīme: Attiecībā uz propelentiem un to sastāvā ietilpstošajām ķīmiskajām vielām, kas nav minētas 1C111. pozīcijā, sk. militāro preču kontroles sarakstus. 1C116 Raķetēs izmantojams martensīta tērauds, kam piemīt visas turpmākās īpašības: NB! SK. ARĪ 1C216. POZĪCIJU Martensīta tēraudi ir dzelzs sakausējumi, Raķetes 1C116. pozīcijā ir nokomplektētas raķešu sistēmas un bezpilota lidaparātu sistēmas, kuru darbības rādiuss pārsniedz 300 km. 1C117 Materiāli raķešu sastāvdaļu ražošanai: Raķetes 1C117. pozīcijā ir nokomplektētas raķešu sistēmas un bezpilota lidaparātu sistēmas, kuru darbības rādiuss pārsniedz 300 km. 1C118 Ar titānu stabilizēts dupleksa nerūsošais tērauds (Ti-DSS), kam piemīt visas šīs īpašības: 1C202 Sakausējumi, izņemot 1C002.b.3. vai.b.4. pozīcijā minētos: Minētais termins var sasniegt attiecas uz sakausējumiem gan pirms, gan pēc to termiskās apstrādes. 1C210 Šķiedru vai pavedienu materiāli vai prepregi, kas nav minēti 1C010.a., b. vai e. pozīcijā: Piezīme: 1C210. pozīcijā minētie šķiedru vai pavedienu materiāli attiecas tikai uz nepārtrauktiem monopavedieniem, dzijām, paralēlu šķiedru kūļiem, tauvām vai lentēm. 1C216 Martensīta tēraudi, izņemot 1C116. pozīcijā minētos, kas var sasniegt stiepes robežstiprību 1950 MPa vai vairāk 293 K (20 °C) temperatūrā. Piezīme: Kontroli 1C216. pozīcijā neattiecina uz formām, kuru lineārie izmēri nepārsniedz 75 mm. Minētais termins var sasniegt attiecas uz martensīta tēraudu gan pirms, gan pēc tā termiskās apstrādes. 1C225 Bors, bagātināts līdz bora-10 (10B) izotopa saturam, kas lielāks par dabā sastopamo, proti: bors elementa veidā, bora savienojumi, boru saturoši maisījumi, bora izstrādājumi, kā arī visa iepriekš minētā lūžņi vai atkritumi. Piezīme: Pie 1C225. pozīcijā minētajiem bora maisījumiem pieder materiāli, kuros bors ir pildviela. Dabā sastopamais bora-10 izotopa saturs ir aptuveni 18,5 % (20 atomprocenti). 1C226 Volframs, volframa karbīds un sakausējumi, kuros volframa saturs pārsniedz 90 %, izņemot 1C117. pozīcijā minētos, un kuriem piemīt abas šīs īpašības: Piezīme: Kontroli 1C226. pozīcijā neattiecina uz izstrādājumiem, kas speciāli konstruēti kā atsvari vai gamma staru kolimatori. 1C227 Kalcijs, kam piemīt šīs abas īpašības: 1C228 Magnijs, kam piemīt abas šīs īpašības: 1C229 Bismuts, kam piemīt abas šīs īpašības: 1C230 Metālisks berilijs, sakausējumi, kuros berilija saturs pārsniedz 50 %, berilija savienojumi, to izstrādājumi, atkritumi vai lūžņi, izņemot militāro preču kontroles sarakstos minētos. NB! SK. ARĪ MILITĀRO PREČU KONTROLES SARAKSTUS. Piezīme: Kontroli 1C230. pozīcijā neattiecina uz: 1C231 Metālisks hafnijs, sakausējumi, kuros hafnija saturs ir virs 60 %, hafnija savienojumi, kuros hafnija saturs ir virs 60 %, to izstrādājumi, atkritumi un lūžņi. 1C232 Hēlijs-3 (3He), hēliju-3 saturoši maisījumi, kā arī tos saturoši produkti un ierīces. Piezīme: Kontroli 1C232. pozīcijā neattiecina uz produktiem vai ierīcēm, kas satur mazāk par 1 g hēlija-3. 1C233 Litijs, bagātināts līdz litija-6 (6Li) izotopa saturam, kas lielāks par dabā sastopamo, un šādi bagātinātu litiju saturoši produkti vai ierīces: litijs elementa veidā, litija sakausējumi, savienojumi, litiju saturoši maisījumi, izstrādājumi, kā arī atkritumi un lūžņi. Piezīme: Kontroli 1C233. pozīcijā neattiecina uz termoluminiscences dozimetriem. Dabā sastopamais litija-6 izotopa saturs ir aptuveni 6,5 % (7,5 atomprocenti). 1C234 Cirkonijs ar tādu hafnija saturu, kas nepārsniedz 1 masas daļu hafnija uz 500 masas daļām cirkonija šādās formās: metāla sakausējumi, kuros cirkonija saturs ir virs 50 %, savienojumi, izstrādājumi, kā arī minētā atkritumi un lūžņi, izņemot 0A001.f. pozīcijā minētos. Piezīme: Kontroli 1C234. pozīcijā neattiecina uz cirkoniju folijas veidā ar biezumu 0,10 mm vai mazāku. 1C235 Tritijs, tritija savienojumi, maisījumi, kuros tritija atomu attiecība pret ūdeņraža atomiem ir lielāka par 1:1000, tos saturoši produkti vai ierīces. Piezīme: Kontroli 1C235. pozīcijā neattiecina uz produktiem vai ierīcēm, kas satur mazāk par 1,48 × 103 GBq (40 Ci) tritija. 1C236 Šādas radionuklīdu formas, kas derīgas neitronu avotu radīšanai (alfa-n reakcija), izņemot 0C001. un 1C012.a. pozīcijā minētās: Piezīme: Kontroli 1C236. pozīcijā neattiecina uz produktiem vai ierīcēm ar starojuma aktivitāti, kas mazāka par 3,7 GBq (100 mCi). Radionuklīdi 1C236. pozīcijā ir kāds no turpmākajiem: 1C237 Rādijs-226 (226Ra), rādija-226 sakausējumi, rādija-226 savienojumi, maisījumi, kas satur rādiju-226, to izstrādājumi, kā arī tos saturoši produkti vai ierīces. Piezīme: Kontroli 1C237. pozīcijā neattiecina uz: 1C238 Hlora trifluorīds (ClF3). 1C239 Spēcīgas sprāgstvielas, kas nav minētas militāro preču kontroles sarakstos, vai vai vielas un maisījumi, kas satur tās vairāk par 2 %, ar kristālu blīvumu, kas lielāks par 1,8 g/cm3, un detonācijas ātrumu, kas lielāks par 8000 m/s. 1C240 Niķeļa pulveris un porains metālisks niķelis, izņemot 0C005. pozīcijā minētos: Piezīme: Kontroli 1C240. pozīcijā neattiecina uz: 1C240.b. pozīcija attiecas uz porainu metālu, ko veido, presējot un sacepinot (sinterējot) 1C240.a. pozīcijas materiālus, lai veidotu metāla materiālu ar smalkām porām, kas struktūrā savstarpēji saistītas. 1C241 Rēnijs un sakausējumi, kuros rēnija saturs ir vismaz 90 %; rēnija un volframa sakausējumi, kuros rēnija un volframa daudzums jebkādā kombinācijā ir vismaz 90 % un kuriem ir abas turpmāk minētās īpašības: 1C350 Ķīmiskās vielas, ko var izmantot par toksisku ķīmisko vielu prekursoriem, un ķīmisko vielu maisījumi, kuros ir viena vai vairākas no šīm vielām: NB! SK. ARĪ MILITĀRO PREČU KONTROLES SARAKSTUS UN 1C450. POZĪCIJU. 1. piezīme: Eksportam uz valstīm, kas nav Ķīmisko ieroču konvencijas dalībvalstis kontroli 1C350. pozīcijā neattiecina uz ķīmisko vielu maisījumiem, kuros ir vismaz viena no 1C350.1., .3., .5., .11., .12., .13., .17., .18., .21., .22., .26., .27., .28., .31., .32., .33., .34., .35., .36., .54., .55., .56., .57. un.63. pozīcijā minētajām vielām, ja atsevišķās ķīmiskās vielas daudzums maisījumā nav vairāk par 10 %. 2. piezīme: Eksportam uz valstīm, kas nav Ķīmisko ieroču konvencijas dalībvalstis kontroli 1C350. pozīcijā neattiecina uz ķīmisko vielu maisījumiem, kuros ir vismaz viena no 1C350.1., .3., .5., .11., .12., .13., .17., .18., .21., .22., .26., .27., .28., .31., .32., .33., .34., .35., .36., .54., .55., .56., .57. un.63. pozīcijā minētajām vielām, ja atsevišķās ķīmiskās vielas daudzums maisījumā nav vairāk par 10 %. 3. piezīme: Kontroli 1C350. pozīcijā neattiecina uz ķīmisko vielu maisījumiem, kuros ir vismaz viena no 1C350.2., .6., .7., .8., .9., .10., .14., .15., .16., .19., .20., .24., .25., .30., .37., .38., .39., .40., .41., .42., .43., .44., .45., .46., .47., .48., .49., .50., .51., .52., .53., .58., .59., .60., .61. un .62. pozīcijā minētajām vielām, ja atsevišķās ķīmiskās vielas daudzums maisījumā nav vairāk par 30 %. 4. piezīme: Kontroli 1C350. pozīcijā neattiecina uz produktiem, ko identificē kā patēriņa preces, kuras mazumtirdzniecībai iepakotas personiskam lietojumam vai iepakotas individuālam lietojumam. 1C351 Cilvēka un dzīvnieku patogēni un toksīni: Piezīme: Kontroli 1C351. pozīcijā neattiecina uz vakcīnām un imūntoksīniem. 1C352 nepiemēro 1C353 Ģenētiski elementi un ģenētiski modificēti organismi: Ģenētiski modificēti organismi ietver organismus, kuru ģenētiskais materiāls (nukleīnskābes sekvences) ir izmainītas tādā veidā, kas nav dabiskā kopulācija un/vai dabiskā krustmija, un aptver tos, kas pilnīgi vai daļēji radīti mākslīgi. Pie ģenētiskiem elementiem pieder arī hromosomas, genomi, plazmīdas, transposoni un vektori – ģenētiski modificēti, nemodificēti vai pilnīgi vai daļēji ķīmiski sintezēti. Nukleīnskābju sekvences, kas saistītas ar 1C351.a., 1C351.c, 1C351.e. vai 1C354. pozīcijā minēto organismu patogenitāti, ir visas konkrētiem mikroorganismiem raksturīgas sekvences, kuras: Piezīme: Kontroli IC353. pozīcijā neattiecina uz patogēnām nukleīnskābju sekvencēm, kas ir saistītas ar enterohemorāģiskā vīrusa Escherichia coli serotipu 0157 un citiem verotoksīnu ražojošiem paveidiem, izņemot tos, kuri kodēti kā verotoksīns vai tā apakšgrupas. 1C354 Augu patogēni: 1C450 Toksiskas ķīmiskās vielas, toksisku ķīmisko vielu prekursori un ķīmisko vielu maisījumi, kuru sastāvā ir viena vai vairākas šīs vielas: NB! SK. ARĪ 1C350. UN 1C351.d. POZĪCIJU UN MILITĀRO PREČU KONTROLES SARAKSTUS.

1C Tehniska piezīme: a.

1C izgatavoti velmējot, velkot, ekstrudējot, kaļot, štancējot, presējot, granulējot, pulverizējot, slīpējot, piemēram, leņķmetāli, profili, apļsagataves, diski, smalks pulveris, pārslas, folijas, lapiņas, kalumi, biezas loksnes, pulveri, presētas detaļas un presēšanas pārpalikumi, lentes, gredzeni, apaļi stieņi (ieskaitot elektrodu sagataves, tievus velmētus stienīšus un velmētu stiepli), profili, fasonmetāls, skārds, lentes, caurules un plānsienu caurules (ieskaitot apaļas, kvadrātiskas un dubultsienu caurules), vilkta un ekstrudēta stieple;

lietie materiāli, kas izgatavoti, lejot smiltīs, kokilēs, metāla, ģipša vai citās formās, ieskaitot augstspiediena liešanu, sinterētās un pulvermetalurģijas formas.

materiāli, kas absorbē frekvences, kuras pārsniedz 2×108 Hz, bet ir mazākas par 3×1012 Hz; 1. piezīme: Kontroli 1A004. pozīcijā neattiecina uz: 2. piezīme: 1C001.a. pozīcijas 1. piezīme attiecas arī uz tiem magnētiskajiem materiāliem absorbcijas nodrošināšanai, ko satur krāsas.

a.

matiņu tipa absorbētājiem, kas izgatavoti no dabīgām vai sintētiskām šķiedrām ar nemagnētisku pildījumu absorbcijas nodrošināšanai;

b.

absorbētājiem, kuriem nav magnētisko zudumu un kuru saskarsmes virsma pēc formas nav plakana, piemēram, piramīdas, konusi, ķīļveida un viļņotas virsmas;

c.

plakaniem absorbētājiem, kam ir visas šīs īpašības:

1. Tehniska piezīme:

tie ir izgatavoti no jebkura šī materiāla: Absorbcijas testa paraugi 1C001.a. pozīcijas 1.c.1. piezīmē ir jāņem kā vidējais kvadrātiskais lielums no vismaz 5 viļņa garumiem attiecībā pret centrālo frekvenci un jānovieto attālināti no starojuma avota.

1. a.

putuplastiem (elastīgiem vai cietiem) ar oglekļa daļu, vai organiskiem materiāliem, tostarp saistvielu, kas nodrošina atstarošanu vairāk par 5 % salīdzinot ar metālu, frekvenču joslas platumā, kura ir lielāka par ± 15 % no krītoša starojuma centrālās frekvences, un kas neiztur temperatūru lielāku par 450 K (177 °C); vai

keramikas materiāliem, kas nodrošina atstarošanu vairāk par 20 %, salīdzinot ar metālu, frekvenču joslas platumā, kura ir lielāka par ± 15 % no krītošā starojuma centrālās frekvences, un kas neiztur temperatūru lielāku par 800 K (527 °C);

2. to stiepes stiprība ir mazāka par 7 × 106 N/m2; un

3. to spiedes izturība ir mazāka par 14 × 106 N/m2;

d.

plakaniem absorbētājiem no sinterēta ferīta, kam ir visas šādas īpašības:

1. ar relatīvo blīvumu, kas lielāks par 4,4; un

2. ar maksimālo darba temperatūru 548 K (275 °C).

1C001 materiāli, kas absorbē frekvences, kuras pārsniedz 1,5×1014 Hz, bet ir mazākas par 3,7×1014 Hz, un nelaiž cauri redzamo gaismu; Piezīme: Kontroli 1C001.b pozīcijā neattiecina uz materiāliem, kas īpaši paredzēti vai izgatavoti kādam no šiem lietojumiem:

a.

polimēru marķēšana ar lāzeru; vai

b.

polimēru metināšana ar lāzeru.

c. Tehniska piezīme:

Polimēru materiāli ar elektrovadītspējas īpašībām un tilpuma elektrisko vadītspēju, kas ir lielāka par 10000 S/m (sīmensi uz metru), vai ar īpatnējo (virsmas) pretestību, kas mazāka par 100 omi2, izgatavoti uz jebkura no šo polimēru bāzes: Piezīme: Kontroli 1C001.c. pozīcijā neattiecina uz materiāliem šķidrā veidā. Tilpuma elektrovadītspēju un īpatnējo (virsmas) pretestību nosaka pēc ASTM D-257 standarta vai ekvivalenta valsts standarta.

1. polianilīns;

2. polipirols;

3. politiofēns;

4. polifenilēnvinilēns; vai

5. politienilēnvinilēns;

1C Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: 1.2.3. a.

aluminīdi:

1. niķeļa aluminīdi, kas satur vismaz 15 %, bet ne vairāk par 38 % alumīnija un vismaz vēl vienu leģējošo elementu;

2. titāna aluminīdi, kas satur 10 % vai vairāk alumīniju un vismaz vēl vienu leģējošo elementu;

metālu sakausējumi no 1C002.c. pozīcijā minētajiem pulveru vai daļiņu materiāliem:

1. niķeļa sakausējumi, kuriem ir kāda no šīm iezīmēm:

1. a.

mehāniskās izturības ilgums pie 676 MPa slodzes 923 K (650 °C) temperatūrā ir 10000 stundas vai lielāks; vai

zemākais noguruma ciklu skaits pie maksimālās slodzes 1095 MPa, un pie 823 K (550 °C) temperatūras ir 10000 vai vairāk ciklu;

2. 1C002 b. niobija sakausējumi, kuriem ir kāda no šīm iezīmēm:

2. a.

mehāniskās izturības ilgums pie 400 MPa slodzes 1073 K (800 C) temperatūrā ir 10000 stundas vai lielāks; vai

zemākais noguruma ciklu skaits pie maksimālās slodzes 700 MPa un pie 973 K (700 C) temperatūras ir 10000 vai vairāk ciklu;

3. titāna sakausējumi, kuriem ir kāda no šīm iezīmēm:

3. a.

mehāniskās izturības ilgums pie 200 MPa slodzes 723 K (450 C) temperatūrā ir 10000 stundas vai lielāks; vai

zemākais noguruma ciklu skaits pie maksimālās slodzes 400 MPa un pie 723 K (450 °C) temperatūras ir 10000 vai vairāk ciklu;

4. alumīnija sakausējumi, kuriem ir kāda no šīm iezīmēm:

4. a.

stiepes stiprība ir 240 MPa vai augstāka 473 K (200 °C) temperatūrā; vai

stiepes stiprība ir 415 MPa vai augstāka 298 K (25 °C) temperatūrā;

5. magnija sakausējumi, kuriem ir kāda no šīm iezīmēm:

5. a.

stiepes stiprība 345 MPa vai lielāka; un

korozijas ātrums 3 % nātrija hlorīda šķīdumā, ko nosaka pēc ASTM standarta G-31 vai ekvivalenta valsts standarta, nepārsniedz 1 mm/gadā;

metāla sakausējumu pulveru vai daļiņu materiāls ar visām šīm īpašībām:

1. Tehniska piezīme:

tie ir izgatavoti no jebkura turpmāk minētā sastāva: Ar X turpmāk apzīmēti viens vai vairāki leģētāji elementi.

niķeļa sakausējumi (Ni-Al-X, Ni-X-Al), kas piemēroti turbīnu sastāvdaļām vai komponentiem, t. i., ar mazāk par trim nemetālu daļiņām ar izmēru virs 100 μm (ko pievieno ražošanas procesā) uz 109 sakausējuma daļiņām;

niobija sakausējumi (Nb-Al-X vai Nb-X-Al, Nb-Si-X vai Nb-X-Si, Nb-Ti-X vai Nb-X-Ti);

titāna sakausējumi (Ti-Al-X vai Ti-X-Al);

Alumīnija sakausējumi (Al-Mg-X vai Al-X-Mg, Al-Zn-X vai Al-X-Zn, Al-Fe-X, vai Al-X-Fe); vai

magnija sakausējumi (Mg-Al-X vai Mg-X-Al);

2. iegūti kontrolētā vidē ar kādu no šiem procesiem:

2. a.

vakuumpulverizācija;

gāzes atomizācija;

rotācijas pulverizācija;

uzsmidzināšana;

kausējuma vērpšana un smalcināšana;

kausējuma ekstrakcija un smalcināšana; vai

mehāniska kausēšana; un

3. ko var izmantot 1C002.a. un 1C002.b. pozīcijā minēto materiālu veidošanā.

1C002 kausējumu materiāli, kam ir visas šīs īpašības:

1. tie izgatavoti no kāda 1C002.c.1. pozīcijā minētā sastāva;

2. ir smalcinātu pārslu, lenšu vai tievu stienīšu veidā; un

3. iegūti kontrolējamas vides apstākļos ar kādu no šiem procesiem:

3. a.

uzsmidzināšana;

kausējuma vērpšana; vai

kausējuma ekstrakcija.

a. Tehniska piezīme:

kuru sākotnējā relatīvā magnētiskā caurlaidība ir 120000 vai lielāka, bet biezums –0,05 mm vai mazāks; Sākotnējās relatīvās caurlaidības mērījumi jāveic pilnīgi atlaidinātiem materiāliem.

magnetostriktīvi sakausējumi, kam piemīt kāda no šīm īpašībām:

1. piesātinājuma magnetostrikcija ir lielāka par 5 × 10-4; vai

2. magnetomehāniskās pievilkšanās koeficients (k) ir lielāks par 0,8; vai

c. Tehniska piezīme:

amorfu vai nanokristālisko sakausējumu lentes ar visām šādām īpašībām: 1C003.c. pozīcijā minētie nanokristāliskie materiāli ir tādi, kuru kristālu graudu izmērs, nosakot ar rentgenstaru difrakcijas metodi, ir 50 nm vai mazāks.

1. to sastāvā ir vismaz 75 % dzelzs, kobalta vai niķeļa;

2. piesātinājuma magnētiskā indukcija (Bs) ir 1,6 T vai lielāka; un

3. kam piemīt kāda no šīm īpašībām:

3. a.

lentes biezums 0,02 mm vai mazāks; vai

īpatnējā elektriskā pretestība ir 2 × 10-4 omi/cm vai lielāka.

blīvums ir lielāks par 17,5 g/cm3;

elastības modulis ir lielāks par 880 MPa;

stiepes robežstiprība ir lielāka par 1270 MPa; un

relatīvais pagarinājums pārsniedz 8 %.

kompozītu materiāli ar supravadītspējas īpašībām, kuros ir viens vai vairāki niobija-titāna pavedieni un kuriem piemīt visas šīs īpašības:

1. ir ievietoti matricā, izņemot vara matricu vai jaukto materiālu matrica uz vara bāzes; un

2. ir ar šķērsgriezumu mazāku par 0,28 × 10-4 mm2 (ar diametru 6 μm – pavedieniem ar apaļu šķērsgriezumu);

1C005 kompozītu materiāli ar supravadītspējas īpašībām, kuri satur vienu vai vairākus pavedienus ar supravadītspēju, izņemot niobija-titāna pavedienus, un kuriem piemīt visas šīs īpašības:

1. kritiskā temperatūra pie 0 magnētiskās indukcijas pārsniedz 9,85 K (– 263,31 °C); un

2. tie saglabā supravadītspēju 4,2 K (–268,96 °C) temperatūrā magnētiskā laukā, kas orientēts jebkurā virzienā perpendikulāri strāvas vadītāja garenasij un atbilst 12 T magnētiskai indukcijai ar kritisko strāvas blīvumu lielāku par 1750 A/mm2 visā strāvas vadītāja šķērsgriezumā;

kompozītu materiāli ar supravadītspējas īpašībām, kuros ir viens vai vairāki supravadoši pavedieni un kuri saglabā supravadītspēju temperatūrā virs 115 K (- 158,16 C).

1C Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: 1.2.3. Tehniska piezīme: a.

hidrauliski šķidrumi, kuru galvenā sastāvdaļa ir kāda no turpmākā:

1. Tehniska piezīme:

sintētiskās silīcijogļūdeņražu eļļas, kam piemīt visas šīs īpašības: 1C006.a.1. pozīcijā silīcijogļūdeņražu eļļas satur vienīgi silīciju, ūdeņradi un oglekli.

uzliesmošanas temperatūra ir virs 477 K (204 °C);

sastingšanas temperatūra ir 239 K (- 34 °C) vai zemāka;

viskozitātes indekss ir 75 vai lielāks; un

ir termiski stabili pie 616 K (343 °C); vai

2. Tehniska piezīme:

hlorfluorogļūdeņraži, kam piemīt visas šīs īpašības: 1C006.a.2. pozīcija attiecas uz hlorfluorogļūdeņražiem, kuru sastāvā ir tikai ogleklis, fluors un hlors.

nav uzliesmošanas temperatūras;

pašaizdegšanās temperatūra augstāka par 977 K (704 °C);

sastingšanas temperatūra ir 219 K (- 54 °C) vai zemāka;

viskozitātes indekss ir 80 vai lielāks; un

viršanas temperatūra ir 473 K (200 °C) vai augstāka;

lubrikanti, kuru galvenā sastāvdaļa ir kāda no turpmākā:

1. fenilēnēteri, alkilfenilēnēteri, tioēteri, vai to maisījumi, kas satur vairāk par divām ētera vai tioētera funkcijām, vai to maisījumi; vai

2. fluorēts silikons ar kinemātisko viskozitāti, kas 298 K (25 °C) temperatūrā ir mazāka par 5000 mm2/s (5000 centistoksi);

1C006 mitrināšanas vai flotācijas šķidrumi, kuriem ir visas šīs īpašības:

1. tīrības pakāpe augstāka par 99,8 %;

2. 100 ml satur mazāk nekā 25. daļiņas ar diametru 200 μm vai lielākas; un

3. izgatavoti no kāda no šiem savienojumiem vai materiāliem (vismaz 85 %):

3. a.

dibromtetrafluoretāns (CAS 25497-30-7, 124-73-2, 27336-23-8);

polihlortrifluoretilēns (tikai eļļveidīgās vai vaskveidīgās modifikācijas); vai

polibromtrifluoretilēns;

fluorogļūdeņraža šķidrumi elektronikas dzesēšanai, kuriem ir visas šīs īpašības: Piezīme: Kontroli 1C001.c. pozīcijā neattiecina uz materiāliem, kas norādīti un iepakoti kā medicīnas produkti.

1. satur 85 % vai vairāk jebkuras šīs vielas vai to maisījumu:

1. a.

perfluorpolialkilētertriazīnus vai perfluoralifātiskos ēterus monomēru formās;

perfluoralkilamīnus;

perfluorcikloalkānus; vai

perfluoralkānus;

2. blīvums 298 K (25 °C) temperatūrā ir 1,5 g/ml vai lielāks;

3. ir šķidrā agregātstāvoklī 273 K (0 °C) temperatūrā; un

4. satur 60 % vai vairāk fluora.

1C Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: 1.2.3. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme:

1. uzliesmošanas temperatūru nosaka pēc Klīvlenda vaļējā tīģeļa metodes saskaņā ar ASTM D-92 standartu vai ekvivalentu valsts standartu;

2. sastingšanas temperatūru nosaka pēc ASTM D-97 standarta vai ekvivalenta valsts standarta;

3. viskozitātes indeksu nosaka pēc ASTM D-2270 standartā noteiktās metodes vai ekvivalenta valsts standarta;

4. termisko stabilitāti nosaka ar šādu vai ekvivalentu attiecīgajā valstī pieņemtu testa procedūru: 20 ml testējamā šķidruma iepilda 46 ml 317. tipa nerūsējošā tērauda kamerā, kurā ir ievietota viena 12,5 mm (nomināls) lodīte no M-10 instrumentu tērauda, viena no 52100. markas tērauda un viena no jūras misiņa (60 % Cu, 39 % Zn, 0,75 % Sn). Kameru izskalo ar slāpekli, hermetizē atmosfēras spiedienā un temperatūru paaugstina līdz 644 ± 6 K (371 ± 6 °C) un šādu temperatūru uztur sešas stundas; paraugu uzskata par termiski stabilu, ja pēc minētās procedūras tas atbilst visiem šiem parametriem:

4. a.

masas zudums uz katru lodīti ir mazāks par 10 mg/mm2 no lodītes virsmas laukuma;

sākotnējās viskozitātes izmaiņa pie 311 K (38 °C) ir mazāka par 25 %; un

kopējais skābes vai bāzes skaitlis ir mazāks par 0,40;

5. pašaizdegšanās temperatūru nosaka pēc ASTM E-659 standartā noteiktās metodes vai ekvivalenta valsts standarta.

vienkāršo vai komplekso titāna borīdu bāzes materiāli, kuros metālisko piemaisījumu kopējais saturs nepārsniedz 5000 ppm, bet daļiņu vidējais diametrs ir vienāds ar vai mazāks par 5 μm, un ne vairāk kā 10 % daļiņu ir lielākas par 10 μm;

titāna borīda, kas nav kompozīts keramikas materiāls, neapstrādātās formas vai pusfabrikāti, kuru blīvums ir vismaz 98 % no teorētiskā blīvuma; Piezīme: Kontroli 1C007.b. pozīcijā neattiecina uz abrazīviem materiāliem.

keramikas-keramikas kompozītu materiāli ar stikla vai oksīdu matricu, kuri ir armēti ar šķiedrām un kuriem ir visas šīs īpašības:

1. izgatavoti no jebkura šī materiāla:

1. a.

Si-N;

Si-C;

Si-Al-O-N; vai

Si-O-N; un

2. īpatnējā stiepes stiprība lielāka par 12,7×103 m;

keramikas-keramikas kompozītu materiāli ar vienlaidus metālisko fāzi vai bez tās, kuri satur daļiņas, matiņus vai šķiedras un kuros matricu veido silīcija, cirkonija vai bora karbīdi vai nitrīdi;

prekursoru materiāli (t.i., speciālie polimēru vai metālorganiskie materiāli) jebkuras 1C007.c. pozīcijā minēto materiālu fāzes vai fāžu ražošanai:

1. polidiorganosilāni (silīcija karbīda ražošanai);

2. polisilazāni (silīcija nitrīda ražošanai);

3. polikarbosilazāni (silīciju, oglekli un slāpekli saturošu keramikas materiālu ražošanai);

keramikas-keramikas kompozītu materiāli ar oksīda vai stikla matricu, kas armēti ar viengabala šķiedrām no jebkuras šīs sistēmas: Piezīme: Kontroli 1C007.f. pozīcijā neattiecina uz kompozītiem ar šo sistēmu šķiedrām ar stiepes robežstiprību zem 700 MPa pie 1273 K (1000 °C) temperatūras vai ar šķiedru tecēšanas deformāciju lielāku par 1 %, ja noslodze ir 100 MPa un temperatūra 1273 K (1000 °C), 100 stundās.

1. Al2O3 (CAS 1344-28-1); vai

2. Si-C-N.

Šādi imīdi: Piezīme: Kontroli 1C008.a. pozīcijā attiecina uz vielām šķidrā vai cietā kausējamā formā, ietverot arī sveķus, pulverus, granulas, plēves, loksnes vai lentes. NB! Attiecībā uz nekausējamiem aromātiskiem poliimīdiem plēves, loksnes vai lentes veidā sk. 1A003. pozīciju.

1. bismaleimīdi;

2. aromātiskie poliamīdi-imīdi (PAI), kuru stiklošanās temperatūra (Tg) ir lielāka par 563 K (290 °C);

3. aromātiskie polimīdi ar stiklošanās temperatūru (Tg) lielāku par 505 K (232 C);

4. 1C008 a. aromātiskie poliēterimīdi ar stiklošanās temperatūru (Tg) lielāku par 563 K (290 C);

termoplastiskie šķidro kristālu kopolimēri ar siltuma deformācijas temperatūru augstāku par 523 K (250 °C), ko nosaka pēc ISO 75-2 (2004) A metodes vai ekvivalenta valsts standarta, pie slodzes 1,80 N/mm2, kuri sastāv no:

1. kāda no šiem savienojumiem:

1. a.

fenilēns, bifenilēns vai naftalīns; vai

metil-, terc-butil- vai fenil- aizvietots fenilēns, bifenilēns vai naftalīns; un

2. kādas no šīm skābēm:

2. a.

tereftālskābe (CAS 100-21-0);

6-oksi-2-naftalīnkarbonskābe (CAS 16712-64-4); vai

4-oksibenzoskābe (CAS 99-96-7);

nepiemēro;

poliarilēnketoni;

poliarilēnsulfīdi, kuros arilēna grupas ir bifenilēngrupa, trifenilēngrupa vai to kombinācija;

polibifenilenētersulfons, kura stiklošanās temperatūra (Tg) pārsniedz 563 K (290 °C).

1C Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: 1.2.3. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1.2. a.

nespriegoti vinilidēnfluorīda kopolimēri ar 75 % vai vairāk beta-kristālisko struktūru bez stiepšanas;

fluorēti poliimīdi, kas satur 10 % vai vairāk saistītā fluora;

fluorēti fosfazēna elastomēri, kas satur 30 % vai vairāk saistītā fluora.

organiskie šķiedrveida vai pavedienveida materiāli, kam piemīt visas turpmākās īpašības: Piezīme: Kontroli 1C010.a. pozīcijā neattiecina uz polietilēnu.

1. to īpatnējais modulis lielāks par 12,7 × 106 m; un

2. to īpatnējā stiepes stiprība lielāka par 23,5 × 104 m;

1C010 oglekļa šķiedrveida vai pavedienveida materiāli, kam ir visas šīs īpašības: Piezīme: Kontroli 1C010.b. pozīcijā neattiecina uz:

1. to īpatnējais modulis lielāks par 14,65 × 106 m; un

2. to īpatnējā stiepes stiprība lielāka par 26,82 × 104 m;

a.

šķiedru vai pavedienu materiāliem, kas paredzēti civilu lidaparātu struktūru vai laminātu remontam un kam piemīt visas šīs īpašības:

1. to virsmas laukums nepārsniedz 1 m2;

2. to garums nepārsniedz 2,5 m; un

3. to platums pārsniedz 15 mm.

b.

mehāniski smalcinātiem, maltiem vai grieztiem oglekļa šķiedrveida vai pavedienveida materiāliem, kuru garums nepārsniedz 25,0 mm.

neorganiskie šķiedrveida vai pavedienveida materiāli, kam piemīt visas turpmākās īpašības: Piezīme: Kontroli 1C010.c. pozīcijā neattiecina uz:

1. īpatnējais modulis lielāks par 2,54 × 106 m; un

2. kušanas, mīksttapšanas, sadalīšanās vai sublimēšanās punkta temperatūra inertā vidē ir augstāka par 1922 K (1694 °C);

a.

sadrumstalotu, daudzfāžu, polikristālisku alumīnija oksīda šķiedru neausta materiāla veidā, kas satur 3 % vai vairāk silīcija dioksīda, ar īpatnējo moduli, kas mazāks par 10 × 106 m;

b.

molibdēna vai molibdēna sakausējumu šķiedrām;

c.

bora šķiedrām;

d.

sadrumstalotām keramikas šķiedrām, kuru kušanas, mīksttapšanas, sadalīšanās vai sublimācijas temperatūra inertā vidē ir zemāka par 2043 K (1770 °C).

1C Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: 1.2.3. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. d.

šķiedrveida vai pavedienveida materiāli, kam piemīt kāda no šīm īpašībām:

1. kas satur jebkuru no šīm vielām:

1. a.

1C008.a. pozīcijā minētos poliēterimīdus; vai

1C008.b. līdz 1C008.f. pozīcijā minētos materiālus; vai

2. sastāv no 1C010.d.1.a. vai 1C010.d.1.b. pozīcijā minētajiem materiāliem un sajaukti ar citām 1C010.a., 1C010.b. vai 1C010.c. pozīcijā minētajām šķiedrām;

e. Tehniska piezīme:

1C010 ar sveķiem vai darvu pilnībā vai daļēji piesūcināti šķiedrveida vai pavedienveida materiāli (prepregi), ar metālu vai oglekli pārklāti šķiedrveida vai pavedienveida materiāli (sagataves) vai oglekļa šķiedru sagataves, kam piemīt visas šīs īpašības: 1. piezīme: Ar metālu vai oglekli pārklāti šķiedrveida vai pavedienveida materiāli (sagataves) vai oglekļa šķiedru sagataves, kuri nav piesūcināti ar sveķiem vai darvu, ir norādīti kā šķiedrveida vai pavedienveida materiāli 1C010.a., 1C010.b. vai 1C010.c. pozīcijā. 2. piezīme: Kontroli 1C010.e. pozīcijā neattiecina uz: 1C010.e. pozīcijā minēto materiālu dinamiskās mehāniskās analīzes stiklošanās temperatūru (DMA Tg) nosaka pēc ASTM D-7028-07 standartā vai ekvivalentā valsts standartā aprakstītās metodes sausam testa paraugam. Termoreaktīvu materiālu gadījumā sausā testa parauga sacietēšanas pakāpei jābūt vismaz 90 %, kā norādīts ASTM E 216004 standartā vai ekvivalentā valsts standartā.

1. kam ir šādas īpašības:

1. a.

neorganiskie 1C010.c. pozīcijā minētie šķiedrveida vai pavedienveida materiāli; vai

organiskie vai oglekļa šķiedrveida vai pavedienveida materiāli, kam piemīt visas šīs īpašības:

1. to īpatnējais modulis lielāks par 10,15 × 106 m; un

2. to īpatnējā stiepes stiprība lielāka par 17,7 × 104 m; un

2. kam ir šādas īpašības:

2. a.

sveķi vai darva, kā minēts 1C008. vai 1C009.b. pozīcijā;

to dinamiskās mehāniskās analīzes stiklošanās temperatūra (DMA Tg) ir ne mazāka par 453 K (180 °C) un tie satur fenola sveķus; vai

to dinamiskās mehāniskās analīzes stiklošanās temperatūra (DMA Tg) ir ne mazāka par 505 K (232 °C) un tie satur sveķus vai darvu, kas nav minēta 1C008. vai 1C009.b. pozīcijā, un tie nav fenola sveķi;

a.

epoksīdsveķu matricas piesūcinātiem šķiedrveida vai pavedienveida materiāliem (prepregiem), kuri paredzēti civilu lidaparātu struktūru vai laminātu remontam un kuriem piemīt visas šīs īpašības:

1. to virsmas laukums nepārsniedz 1 m2;

2. to garums nepārsniedz 2,5 m; un

3. to platums pārsniedz 15 mm.

b.

pilnīgi vai daļēji ar sveķiem vai darvu piesūcinātiem, mehāniski smalcinātiem, maltiem vai grieztiem oglekļa šķiedrveida vai pavedienveida materiāliem, kuru garums nepārsniedz 25,0 mm, ja ir izmantoti tādi sveķi vai darva, kas nav minēti 1C008. vai 1C009.b. pozīcijā.

a. 1C011 a.Tehniska piezīme:

metāli daļiņās, kas mazākas par 60 μm, sfēriskā, atomizētā, sferoidālā, pārslu vai samaltā formā un ražotas no materiāliem, kuros ir 99 % vai vairāk cirkonija, magnija vai to sakausējumu; Dabīgo hafnija saturu cirkonijā (parasti no 2 līdz 7 %) pieskaita cirkonijam. Piezīme: Uz 1C011.a. pozīcijā definētajiem metāliem vai sakausējumiem attiecināma kontrole neatkarīgi no tā, vai tie ir vai nav iekapsulēti alumīnijā, magnijā, cirkonijā vai berilijā.

šāds bors vai bora sakausējumi ar daļiņu izmēru 60 μm vai mazāku: Piezīme: Uz 1C011.b. pozīcijā definētajiem metāliem vai sakausējumiem attiecināma kontrole neatkarīgi no tā, vai tie ir vai nav iekapsulēti alumīnijā, magnijā, cirkonijā vai berilijā.

1. bors ar tīrības pakāpi 85 % vai augstāku;

2. bora sakausējumi ar bora saturu 85 % vai lielāku;

guanidīna nitrāts (CAS 506-93-4);

nitroguanidīns (CAS 556-88-7).

1C Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: 1.2.3. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniska piezīme: a.

plutonijs jebkurā formā, kura izotopu sastāvā vairāk par 50 % ir plutonijs-238; Piezīme: Kontroli 1C012.a. pozīcijā neattiecina uz:

a.

sūtījumiem, kuros plutonija saturs ir 1 g vai mazāks;

b.

sūtījumiem, kas satur 3 vai mazāk efektīvos gramus, ja tos satur instrumentu sensora komponents.

iepriekš atdalīts neptūnijs-237 jebkurā formā. Piezīme: Kontroli 1C012.b. pozīcijā neattiecina uz sūtījumiem, kuros neptūnija-237 saturs ir 1 g vai mazāk.

konstrukciju materiāli un pārklājumi, kas speciāli izstrādāti radaru atstarojuma mazināšanai;

pārklājumi, arī krāsojums, kas speciāli izstrādāts, lai samazinātu vai konkrētai vajadzībai pielāgotu elektromagnētiskās viļņu skalas mikroviļņu, infrasarkano staru un ultravioleto atstarojumu vai izstarojumu.

1C Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: 1.2.3. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: a.

smalkgraudains grafīts ar 1,72 g/cm3 vai lielāku tilpuma blīvumu 288 K (15 °C) temperatūrā ar graudiņu izmēru 100 μm vai mazāku raķešu sprauslu vai atgriešanās moduļu priekšgala smaiļu izgatavošanai, ko var iestrādāt jebkurā no šiem ražojumiem: NB! Sk. arī 0C004. pozīciju.

1. cilindri ar diametru vismaz 120 mm un garumu vismaz 50 mm;

2. caurules ar iekšējo diametru vismaz 65 mm, sieniņu biezumu vismaz 25 mm un garumu vismaz 50 mm; vai

3. bloki, kuru izmērs ir 120 mm × 120 mm × 50 mm vai lielāki;

pirolītisks vai šķiedrains armēts grafīts raķešu sprauslu vai atgriešanās moduļu priekšgala smaiļu izgatavošanai, ko var izmantot raķetēs, 9A004. pozīcijā minētajās kosmiskajās nesējraķetēs vai 9A104. pozīcijā minētajās raķešzondēs; NB! Sk. arī 0C004. pozīciju.

keramikas kompozītmateriāli (dielektriskā konstante mazāka par 6 frekvencēs no 100 MHz līdz 100 GHz), ko lieto aptecētāju izgatavošanai raķetēm, 9A004. pozīcijā minētajām kosmiskajām nesējraķetēm vai 9A104. pozīcijā minētajām raķešzondēm;

mehāniski iegūta birstoša ar silīcija karbīdu armēta keramika priekšgala smaiļu izgatavošanai, ko var izmantot raķetēs, 9A004. pozīcijā minētajās kosmiskajās nesējraķetēs vai 9A104. pozīcijā minētajās raķešzondēs;

ar silīcija karbīdu armētas keramikas kompozītu materiāli priekšgala smaiļu, atgriešanās moduļu un eleronu izgatavošanai, ko var izmantot raķetēs, 9A004. pozīcijā minētajās kosmiskajās nesējraķetēs vai 9A104. pozīcijā minētajās raķešzondēs.

propelentu vielas:

1. Tehniska piezīme:

sfēriskas vai sferiodālas formas alumīnija daļiņu pulveris, izņemot militāro preču kontroles sarakstos minēto, ar daļiņu izmēru, kas mazāks par 200 μm, un alumīnija saturu ne mazāk par 97 %, ja vismaz 10 % no kopējās masas veido daļiņas, kuru izmērs mazāks par 63 μm, ko nosaka saskaņā ar ISO 2591:1988 vai ekvivalentiem valstu standartiem; Daļiņu izmērs 63 μm (pēc ISO R-565) atbilst tīkla acs izmēram 250 (Tyler) vai 230 (ASTM standarts E-11).

2. šādi metāla pulveri, kas nav minēti militāro preču kontroles sarakstos: Piezīme: Kontroli 1C111a.2.a. un 1C111a.2.b. pozīcijā attiecina uz pulveru maisījumiem ar multimodālu daļiņu sadalījumu (piemēram, maisījumiem ar dažādiem graudiņu izmēriem), ja kontrolē vienu vai vairākus veidus.

2. a. Tehniska piezīme:

metāla pulveri no cirkonija, berilija vai magnija, vai šo metālu sakausējumiem, ja vismaz 90 % no visām daļiņām pēc daļiņu tilpuma vai masas ir daļiņas izmērā zem 60 μm (to nosakot ar tādām mērīšanas metodēm kā sieta izmantošana, lāzera difrakcija vai optiskā skenēšana); tās var būt sfēriskā, atomizētā, sferoidālā, pārslu vai samaltā formā un 97 % sastāv no kāda no turpmākajiem elementiem: Dabīgo hafnija saturu cirkonijā (parasti no 2 līdz 7 %) pieskaita cirkonijam.

1. cirkonija;

2. berilija; vai

3. magnija;

1C111 a. 2. metāla pulveri no bora vai bora sakausējumiem ar bora saturu 85 % vai vairāk, ja vismaz 90 % no visām daļiņām pēc daļiņu tilpuma vai masas ir daļiņas izmērā zem 60 μm (to nosakot ar tādām mērīšanas metodēm kā sieta izmantošana, lāzera difrakcija vai optiskā skenēšana); tās var būt sfēriskā, atomizētā, sferoidālā, pārslu vai samaltā formā;

3. oksidētāji, ko var izmantot raķešu dzinējos ar šķidro propelentu:

3. a.

dislāpekļa trioksīds (CAS 10544-73-7);

slāpekļa dioksīds (CAS 10102-44-0)/dislāpekļa tetroksīds (CAS 10544-72-6);

dislāpekļa pentoksīds (CAS 10102-03-1);

d. Tehniska piezīme:

slāpekļa oksīdu maisījums (MON); Slāpekļa oksīdu maisījums (MON) ir slāpekļa oksīda (NO) šķīdumi dislāpekļa tetroksīdā/slāpekļa dioksīdā (N2O4/NO2), ko var izmantot raķešu sistēmās. Ir sastāvu spektrs, ko var nosaukt par MONi vai MONij, kur i un j ir veseli skaitļi, kas raksturo slāpekļa oksīda masas daļu maisījumā (piem., MON3 satur 3 % slāpekļa oksīda, MON25 25 % slāpekļa oksīda. Augšējā robeža ir MON40, 40 %).

SK. MILITĀRO PREČU KONTROLES SARAKSTUS attiecībā uz inhibēto kūpošo slāpekļskābi (IRFNA);

SK. MILITĀRO PREČU SARAKSTUS UN 1C238. POZĪCIJU attiecībā uz savienojumiem, kuru sastāvā ir fluors un viens vai vairāki citi halogēni, skābeklis vai slāpeklis;

4. hidrazīna atvasinājumi: NB! SK. ARĪ MILITĀRO PREČU KONTROLES SARAKSTUS.

4. a.

trimetilhidrazīns (CAS 1741-01-1);

tetrametilhidrazīns (CAS 6415-12-9);

N,N-dialilhidrazīns;

alilhidrazīns (CAS 7422-78-8);

etilēndihidrazīns;

monometilēnhidrazīna dinitrāts;

nesimetriskais dimetilhidrazīna nitrāts;

hidrazīnija azīds (CAS 14546-44-2);

dimetilhidrazīnija azīds;

hidrazīnija dinitrāts;

diimidoskābeņskābes hidrazīns (CAS 3457-37-2);

2-oksietilhidrazīna nitrāts (HEHN);

sk. militāro preču kontroles sarakstus attiecībā uz hidrazīnija perhlorātu;

hidrazīnija diperhlorāts (CAS 13812-39-0);

1C111 a. 4. metilhidrazīna nitrāts (MHN);

dietilhidrazīna nitrāts (DEHN);

3,6-dihidrazīntetrazīna nitrāts (1,4-dihidrazīna nitrāts) (DHTN);

5. Tehniska piezīme:

augsta enerģijas blīvuma materiāli, kas nav norādīti militāro preču kontroles sarakstos un ko var izmantot raķetēs vai 9A012. pozīcijā minētajos bezpilota lidaparātos; 1C111.a.5. pozīcijā raķetes ir nokomplektētas raķešu sistēmas un bezpilota lidaparātu sistēmas, kuru darbības rādiuss pārsniedz 300 km.

5. a.

jaukta degviela, kas sastāv no cietas un šķidras degvielas, piemēram, bora suspensija, un kā enerģijas blīvums uz masas vienību ir ne mazāks kā 40 × 106 J/kg;

citas augsta enerģijas blīvuma degvielas un degvielas piedevas (piemēram, kubāns, jonu šķīdumi, JP-10), kuru enerģijas blīvums uz tilpuma vienību 20 °C temperatūrā un vienas atmosfēras spiedienā (101,325 kPa) ir ne mazāks par 37,5 × 109 J/m3; Piezīme: Kontroli 1C111.a.5.b. pozīcijā neattiecina uz pārstrādātu fosilo degvielu un no dārzeņiem ražotu biodegvielu, tostarp degvielu, kas paredzēta dzinējiem, kuri sertificēti izmantošanai civilajā aviācijā, ja vien tā nav īpaši izveidota izmantošanai raķetēs vai 9A012. pozīcijā minētajos bezpilota lidaparātos.

polimēru materiāli:

1. polibutadiēns ar gala karboksigrupām (tostarp polibutadiēns ar gala karboksilgrupām) (CTPB);

2. polibutadiēns ar gala hidroksigrupām (tostarp polibutadiēns ar gala hidroksilgrupām) (HTPB), kas nav minēts militāro preču kontroles sarakstos;

3. polibutadiēnakrilskābe (PBAA);

4. polibutadiēnakrilskābes akrilnitrils (PBAN);

5. Tehniska piezīme:

politetrahidrofurāna polietilēnglikols (TPEG); Politetrahidrofurāna polietilēna glikols (TPEG) ir poli 1,4-butanediola un polietilēna glikola (PEG) blokkopolimērs.

citas propelentu piedevas un sastāvdaļas:

1. SK. MILITĀRO PREČU KONTROLES SARAKSTUS ATTIECĪBĀ UZ karborāniem, dekarborāniem, pentaborāniem un to atvasinājumiem;

2. trietilēnglikoldinitrāts (TEGDN) (CAS 111-22-8);

3. 2-nitrodifenilamīns (CAS 119-75-5);

4. trimetiloletāna trinitrāts (TMETN) (CAS 3032-55-1);

5. dietilēnglikola dinitrāts (DEGDN) (CAS 693-21-0);

6. šādi ferocēna atvasinājumi:

6. a.

sk. militāro preču kontroles sarakstus attiecībā uz katocēnu:

etilferocēns (CAS 1273-89-8);

propilferocēns;

1C111 c. 6. sk. militāro preču kontroles sarakstus attiecībā uz n-butilferocēnu;

pentilferocēns (CAS 1274-00-6);

diciklopentilferocēns;

dicikloheksilferocēns;

dietilferocēns (CAS 1273-97-8);

dipropilferocēns;

dibutilferocēns (CAS 1274-08-4);

diheksilferocēns (CAS 93894-59-8);

acetilferocēns (CAS 1271-55-2)/1,1’-diacetilferocēns (CAS 1273-94-5);

sk. militāro preču kontroles sarakstus attiecībā uz ferocēna karbonskābēm;

sk. militāro preču kontroles sarakstus attiecībā uz butacēnu;

citi ferocēna atvasinājumi, ko lieto kā raķešu propelentu sadegšanas ātruma modifikatorus, izņemot militāro preču kontroles sarakstos minētos. Piezīme: Kontroli 1C111.c.6.o. pozīcijā neattiecina uz ferocēna atvasinājumiem, kuri satur sešu oglekļa atomu aromātisko funcionālo grupu, kas piesaistīta ferocēna molekulai.

7. 4,5 diazidometil-2-metil-1,2,3-triazols (iso-DAMTR), kas nav minēts militāro preču kontroles sarakstos.

stiepes robežstiprība 293 K (20 °C) temperatūrā ir vismaz:

1. 0,9 GPa pie atdzesēšanas šķīdumā; vai

2. 1,5 GPa vecināšanas posmā; un

jebkurā no turpmāk minētajām formām:

1. plākšņu vai cauruļu formā ar sienas vai plāksnes biezumu līdz 5,0 mm;

2. cauruļveida formā ar sienas biezumu līdz 50 mm un ar iekšējo diametru vismaz 270 mm.

1C Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: 1.2.3. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1. tehniskā piezīme:

1. kas parasti ir ar lielu niķeļa un ļoti mazu oglekļa saturu un leģējošām piedevām, kuras palielina sakausējuma stiprību un cietēšanu ekspluatācijas laikā, un

2. tiek pakļauti termiskās apstrādes cikliem, lai veicinātu martensītisko transformācijas procesu (atdzesēšana šķīdumā) un turpmāko cietēšanu (vecināšanas posmā).

1C Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: 1.2.3. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1. tehniskā piezīme: 2. tehniskā piezīme: a.

volframs un sakausējumi sīku daļiņu veidā, kuros volframa saturs ir vismaz 97 % un daļiņu lielums nepārsniedz 50 × 10-6 m (50 μm);

molibdēns un sakausējumi sīku daļiņu veidā, kuros molibdēna saturs ir vismaz 97 % un daļiņu lielums nepārsniedz 50 × 10-6 m (50 μm);

volframa materiāli cietā veidā, kuriem piemīt visas šīs īpašības:

1. to sastāvā ietilpst jebkurš no šiem savienojumiem:

1. a.

volframs un sakausējumi, kuros volframa saturs ir vismaz 97 %;

ar varu piesūcināts volframs, kurā volframa saturs ir vismaz 80 %; vai

ar sudrabu piesūcināts volframs, kurā volframa saturs ir vismaz 80 %; un

2. to var pārstrādāt jebkurā no šiem ražojumiem:

2. a.

cilindri ar diametru vismaz 120 mm un garumu vismaz 50 mm;

caurules ar iekšējo diametru vismaz 65 mm, sieniņu biezumu vismaz 25 mm un garumu vismaz 50 mm; vai

bloki, kuru izmērs ir 120 mm × 120 mm × 50 mm vai lielāki.

1C Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: 1.2.3. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1. tehniskā piezīme: 2. tehniskā piezīme: Tehniska piezīme: a.

kam ir visi šādi raksturlielumi:

1. satur 17,0-23,0 % hroma un 4,5-7,0 % niķeļa;

2. satur titānu vairāk par 0,10 %; un

3. ferīta-austenīta struktūra (ko dēvē arī par divfāzu mikrostruktūru), no kuras vismaz 10 tilpuma % ir austenīts (ko nosaka ar ASTM E-1181-87 vai ekvivalentiem valstu standartiem); un

kam piemīt kāda no šīm formām:

1. lējumi vai stieņi, ar izmēriem visās dimensijās 100 mm vai lielākiem;

2. loksnes, 600 mm platas vai platākas un 3 mm biezas vai plānākas; vai

3. caurules ar ārējo diametru 600 mm vai lielāku, un sieniņu biezumu 3 mm vai plānāku.

alumīnija sakausējumi, kam piemīt abas šīs īpašības:

1. var sasniegt stiepes robežstiprību 460 MPa vai augstāku 293 K (20 °C) temperatūrā; un

2. ir cietu cauruļu vai cilindru formā (ieskaitot kaltos izstrādājumus), ar ārējo diametru vairāk par 75 mm;

titāna sakausējumi, kam piemīt abas šīs īpašības:

1. var sasniegt stiepes robežstiprību 900 MPa vai augstāku 293 K (20 °C) temperatūrā; un

2. ir cietu cauruļu vai cilindru formā (ieskaitot kaltos izstrādājumus), ar ārējo diametru vairāk par 75 mm.

1C Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: 1.2.3. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1. tehniskā piezīme: 2. tehniskā piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: a.

oglekļa vai aramīda šķiedru vai pavedienu materiāli, kam piemīt jebkura šī īpašība: Piezīme: Kontroli 1C210.a. pozīcijā neattiecina uz aramīda šķiedru vai pavedienu materiāliem, kuros 0,25 % vai vairāk ir šķiedras virsmas modifikators uz esteru bāzes.

1. īpatnējais modulis ir 12,7 × 106 m vai lielāks; vai

2. īpatnējā stiepes stiprība ir 23,5 × 104 m vai lielāka;

stikla šķiedru vai pavedienu materiāli ar abām šīm īpašībām:

1. īpatnējais modulis ir 3,18 × 106 m vai lielāks; un

2. īpatnējā stiepes stiprība ir 7,62 × 104 m vai lielāka;

c. Tehniska piezīme:

ar termoreaktīviem sveķiem piesūcinātas dzijas, paralēlu šķiedru kūļi, tauvas vai lentes (prepregi) ar platumu 15 mm vai mazāk, kas izgatavotas no 1C210.a. vai b. pozīcijā minētajiem oglekļa vai stikla šķiedru vai pavedienu materiāliem; Kompozīta matrica ir sveķi.

1C Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: 1.2.3. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1. tehniskā piezīme: 2. tehniskā piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: a.

izveidoti dobu simetrisku cilindrisku formu veidā (ieskaitot cilindru segmentus), kuru iekšējais diametrs ir no 100 līdz 300 mm; un

masa ir virs 20 kg.

satur mazāk par 1000 ppm citu metālu piemaisījumu, izņemot magniju; un

satur mazāk par 10 ppm bora.

satur mazāk par 200 ppm citu metālu piemaisījumu, izņemot kalciju; un

satur mazāk par 10 ppm bora.

tīrības pakāpe ir 99,99 % vai augstāka; un

satur mazāk par 10 ppm sudraba.

rentgenstaru iekārtu metāla logiem vai urbumos ievietotiem devējiem;

gatavām oksīda vai tā sagatavju formām, kas speciāli konstruētas elektronikā izmantojamu sastāvdaļu vai elektronisko shēmu substrātu izgatavošanai;

berilu (berilija un alumīnija silikātu), smaragdu un akvamarīnu formā.

1C Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: 1.2.3. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1. tehniskā piezīme: 2. tehniskā piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: a.

elementa veidā;

savienojumu veidā, ar kopējo starojuma aktivitāti 37 GBq/kg (1 Ci/kg) vai vairāk;

maisījumu veidā, ar kopējo starojuma aktivitāti 37 GBq/kg (1 Ci/kg) vai vairāk;

produkti vai ierīces, kas satur kādu no iepriekš minētajiem.

aktīnijs-225 (Ac-225)

aktīnijs-227 (Ac-227)

kalifornijs-253 (Cf-253)

kirijs-240 (Cm-240)

kirijs-241 (Cm-241)

kirijs-242 (Cm-242)

kirijs-243 (Cm-243)

kirijs-244 (Cm-244)

einšteinijs-253 (Es-253)

einšteinijs-254 (Es-254)

gadolīnijs-148 (Gd-148)

plutonijs-236 (Pu-236)

plutonijs-238 (Pu-238)

polonijs-208 (Po-208)

polonijs-209 (Po-209)

polonijs-210 (Po-210)

rādijs-223 (Ra-223)

torijs-227 (Th-227)

torijs-228 (Th-228)

urāns-230 (U-230)

urāns-232 (U-232)

1C Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: 1.2.3. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1. tehniskā piezīme: 2. tehniskā piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: a.

medicīnas aparatūru;

produktiem vai ierīcēm, kurās ir mazāk nekā 0,37 GBq (10 mCi) rādija-226.

niķeļa pulveris, kam ir abas šīs īpašības:

1. niķeļa tīrības pakāpe ir 99,0 % vai augstāka; un

2. daļiņu vidējais izmērs ir mazāks par 10 μm, ko nosaka pēc ASTM standarta B330 metodes;

porains metālisks niķelis, ko ražo no 1C240.a. pozīcijā minētajiem materiāliem.

pavedienveida niķeļa pulveriem;

atsevišķām porainā niķeļa plāksnēm, kuru virsmas laukums nepārsniedz 1000 cm2.

1C Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: 1.2.3. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1. tehniskā piezīme: 2. tehniskā piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: a.

tie ir dobu simetrisku cilindrisku formu veidā (ieskaitot cilindru segmentus), kuru iekšējais diametrs ir no 100 līdz 300 mm; un

to masa ir virs 20 kg.

1. tiodiglikols (111-48-8);

2. fosfora oksihlorīds (10025-87-3);

3. dimetilmetilfosfonāts (756-79-6);

4. SK. MILITĀRO PREČU KONTROLES SARAKSTUS attiecībā uz metilfosfonildifluorīdu (676-99-3);

5. metilfosfonildihlorīds (676-97-1);

6. dimetilfosfīts (DMP) (868-85-9);

7. fosfora trihlorīds (7719-12-2);

8. trimetilfosfīts (TMP) (121-45-9);

9. tionilhlorīds (7719-09-7);

10. 3-oksi-1-metilpiperidīns (3554-74-3);

11. N,N-diizopropil-(beta)-aminoetilhlorīds (96-79-7);

12. N,N-diizopropil-(beta)-aminoetāntiols (5842-07-9);

13. 1C350 3-hinuklidinols (1619-34-7);

14. kālija fluorīds (7789-23-3);

15. 2-hloretanols (107-07-3);

16. dimetilamīns (124-40-3);

17. dietiletilfosfonāts (78-38-6);

18. dietil-N,N-dimetilfosfoamidāts (2404-03-7);

19. dietilfosfīts (762-04-9);

20. dimetilamīna hidrogēnhlorīds (506-59-2);

21. etilfosfinildihlorīds (1498-40-4);

22. etilfosfonildihlorīds (1066-50-8);

23. SK. MILITĀRO PREČU KONTROLES SARAKSTUS attiecībā uz etilfosfonildifluorīdu (753-98-0);

24. fluorūdeņradis (7664-39-3);

25. metilbenzilāts (76-89-1);

26. metilfosfinildihlorīds (676-83-5);

27. N,N-diizopropil-(beta)-aminoetanols (96-80-0);

28. pinakolilspirts (464-07-3);

29. SK. MILITĀRO PREČU KONTROLES SARAKSTUS attiecībā uz O-etil-2-diizopropilaminoetilmetilfosfonītu (QL) (57856-11-8);

30. trietilfosfīts (122-52-1);

31. arsēna trihlorīds (7784-34-1);

32. benzilskābe (76-93-7);

33. dietilmetilfosfonīts (15715-41-0);

34. dimetiletilfosfonāts (6163-75-3);

35. etilfosfinildifluorīds (430-78-4);

36. metilfosfinildifluorīds (753-59-3);

37. 3-hinuklidons (3731-38-2);

38. fosfora pentahlorīds (10026-13-8);

39. pinakolons (75-97-8);

40. kālija cianīds (151-50-8);

41. kālija bifluorīds (7789-29-9);

42. amonija hidrogēnfluorīds jeb amonija bifluorīds (1341-49-7);

43. nātrija fluorīds (7681-49-4);

44. 1C350 nātrija bifluorīds (1333-83-1);

45. nātrija cianīds (143-33-9);

46. trietanolamīns (102-71-6);

47. fosfora pentasulfīds (1314-80-3);

48. diizopropilamīns (108-18-9);

49. dietilaminoetanols (100-37-8);

50. nātrija sulfīds (1313-82-2);

51. sēra monohlorīds (10025-67-9);

52. sēra dihlorīds (10545-99-0);

53. trietanolamīna hidrogēnhlorīds (637-39-8);

54. N,N-diizopropil-(beta)-aminoetilhlorīda hidrohlorīds (4261-68-1);

55. metilfosfonskābe (993-13-5);

56. dietilmetilfosfonāts (683-08-9);

57. N,N-dimetilaminofosforildihlorīds (677-43-0);

58. triizopropilfosfīts (116-17-6);

59. etildietanolamīns (139-87-7);

60. O,O-dietilfosfortioāts (2465-65-8);

61. O,O-dietilfosforditioāts (298-06-6);

62. nātrija heksafluorsilikāts (16893-85-9);

63. metilfosfontiodihlorīds (676-98-2).

dabā sastopami, pavairoti vai pārveidoti vīrusi vai nu izolētu dzīvkultūru veidā, vai ar šādām kultūrām apzināti inokulēta vai inficēta materiāla veidā, ieskaitot dzīvu šūnu kultūras:

1. Āfrikas zirgu mēra vīruss;

2. Āfrikas cūku mēra vīruss;

3. Andu vīruss;

4. putnu gripas vīrusi, kas:

4. a.

nav raksturoti; vai

EK Direktīvas 2005/94/EK (OV L 10, 14.1.2006., 16. lpp.), I pielikuma 2. punktā definēti kā augstas patogenitātes vīrusi:

1. A tipa vīrusi, kuru IVPI (intravenozās patogenitātes indekss) 6 nedēļas veciem cāļiem ir lielāks par 1,2; vai

2. A tipa vīrusi, kuri pieder apakštipam H5 un H7 ar genomu secības kodējumu daudzām pamataminoskābēm hemaglutinīna molekulas šķelšanās punktā, kas līdzīgs citos APPG vīrusos novērotajam un norāda, ka hemaglutinīna molekulu var šķelt saimnieka visuresošā proteāze;

5. infekciozā katarālā drudža vīruss;

6. Čapares vīruss;

7. Čikungunjas drudža vīruss;

8. Hoklo vīruss;

9. Kongo-Krimas hemorāģiskā drudža vīruss;

10. tropu drudža vīruss;

11. Dobravas-Belgradas vīruss;

12. austrumu zirgu encefalomielīta vīruss;

13. Ebolas vīruss;

14. mutes un nagu sērgas vīruss;

15. kazu baku vīruss;

16. Gvanarito vīruss;

17. Hantanas (Korejas hemorāģiskā drudža) vīruss;

18. Hendra vīruss (zirgu morbilivīruss);

19. cūku herpesvīruss (Aujeski slimība);

20. cūku drudža vīruss (cūku holēras vīruss);

21. Japāņu encefalīta vīruss;

22. Argentīnas hemorāģiskā drudža vīruss;

23. Kjasanuras meža vīruss;

24. Laguna Negra vīruss;

25. Lasas drudža vīruss;

26. 1C351 a. Louping ill vīruss;

27. Lujo vīruss;

28. nodulārā dermatīta vīruss;

29. limfocītu apvalku meningīta vīruss;

30. Mačupo vīruss;

31. Mārburgas vīruss;

32. pērtiķu baku vīruss;

33. Austrālijas encefalīta vīruss (Murray Valley encefalīta vīruss);

34. Ņūkāslas slimības vīruss;

35. Nipah vīruss;

36. Omskas hemorāģiskā drudža vīruss;

37. Oropučes vīruss;

38. atgremotāju neīstā mēra vīruss;

39. cūku 9. tipa enterovīruss (cūku vezikulārās slimības vīruss);

40. Powassan vīruss;

41. trakumsērgas vīruss un visi pārējie lisavīrusa ģints locekļi;

42. infekciozā enzootiskā hepatīta (Rifta ielejas drudža) vīruss;

43. govju mēra vīruss;

44. Rocio vīruss;

45. Sabia vīruss;

46. Seulas vīruss;

47. aitu baku vīruss;

48. Sin nombre vīruss;

49. Sentluisas encefalīta vīruss;

50. enzootiskā encefalomielīta (Tešenas slimības) vīruss;

51. ērču encefalīta vīruss (Krievijas pavasara-vasaras encefalīta vīruss);

52. baku vīruss

53. Venecuēlas zirgu encefalīta vīruss;

54. vezikulārā stomatīta vīruss;

55. rietumu zirgu encefalīta vīruss;

56. dzeltenā drudža vīruss;

nepiemēro;

1C351 dabā sastopamas, pavairotas vai pārveidotas baktērijas vai nu izolētu dzīvkultūru veidā, vai ar šādām kultūrām apzināti inokulēta vai inficēta materiāla veidā, ieskaitot dzīvu šūnu kultūras:

1. Bacillus anthracis;

2. Brucella abortus;

3. Brucella melitensis;

4. Brucella suis;

5. Burkholderia mallei (Pseudomonas mallei);

6. Burkholderia pseudomallei (Pseudomonas pseudomallei);

7. Chlamydophila psittaci (oficiālais nosaukums Chlamydia psittaci);

8. Clostridium argentinense (iepriekš ar nosaukumu Clostridium botulinum Type G), botulīna neirotoksīnu ražojoši paveidi;

9. Clostridium baratii, botulīna neirotoksīnu ražojoši paveidi;

10. Clostridium botulinum;

11. Clostridium butyricum, botulīna neirotoksīnu ražojoši paveidi;

12. Clostridium perfringens epsilon toksīnu ražojoši paveidi;

13. Coxiella burnetii;

14. Francisella tularensis;

15. Mycoplasma capricolum pasuga capripneumoniae (celms F38);

16. Mycoplasma mycoides pasuga mycoides SC (neliela kolonija);

17. Rickettsia prowasecki;

18. Salmonella typhi;

19. Šigas toksīns, kas ražo Escherichia coli (STEC) serogrupas O26, O45, O103, O104, O111, O121, O145, O157, un citas šigas toksīnu ražojošas serogrupas;

20. Shigella dysenteriae;

21. Vibrio cholerae;

22. Yersinia pestis;

Turpmāk minētie toksīni un šo toksīnu pirmējās vienības: Piezīme: Kontroli 1C351.d. pozīcijā neattiecina uz botulīna toksīnu vai konotoksīnu tādā formā, kas atbilst visiem turpmākajiem kritērijiem:

1. botulīna toksīni;

2. Clostridium perfringens alpha, beta 1, beta 2, epsilon un iota toksīni;

3. konotoksīns;

4. rīcins;

5. saksitoksīns;

6. Tehniska piezīme:

1C351 d. Šigas toksīns; Šigas toksīnu, kas ražo Escherichia coli (STEC), dēvē arī par enterohemorāģisko E. coli (EHEC) jeb verocitotoksīnu ražojošo E. coli (VTEC).

7. Staphylococcus aureus enterotoksīni, hemolysin alpha toksīns un toksiskā šoka sindroma toksīns (iepriekš pazīstams ar nosaukumu Staphylococcus enterotoxin F);

8. tetrodotoksīns;

9. verotoksīns un Šigas toksīnam līdzīgi ribosomu dezaktivācijas proteīni;

10. mikrocistīns (ciānginosīns);

11. aflatoksīns;

12. abrīns;

13. holēras toksīns;

14. diacetoksicirpenola toksīns;

15. T-2 toksīns;

16. HT-2 toksīns;

17. modecīns;

18. volkensīns;

19. Viscum album Lectin 1 (viskumīns);

1. tas ir farmaceitiski izveidots ārstnieciskai lietošanai cilvēkiem;

2. tas ir fasēts kā medikaments izplatīšanai;

3. valsts veselības aizsardzības iestādes to atļauj tirgot kā medikamentu.

dabā sastopamas, pavairotas vai pārveidotas sēnītes vai nu izolētu dzīvkultūru veidā, vai ar šādām kultūrām apzināti inokulēta vai inficēta materiāla veidā, ieskaitot dzīvu šūnu kultūras:

1. Coccidioides immitis;

2. Coccidioides posadasii.

ģenētiski modificēti organismi vai ģenētiski elementi, kuros ir 1C351.a., 1C351.c, 1C351.e. vai 1C354. pozīcijā uzskaitītās ar organismu patogenitāti saistītas nukleīnskābju sekvences;

1C353 ģenētiski modificēti organismi vai ģenētiski elementi, kuros ir 1C351.d. pozīcijā uzskaitīto toksīnu vai to toksīnu pirmējo vienību nukleīnskābju sekvenču kodi.

1C Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: 1.2.3. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: 1. tehniskā piezīme: 2. tehniskā piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: 1.2.3. a.

pašas vai ar tās pārrakstīto vai pārtulkoto produktu starpniecību rada nopietnus draudus cilvēku, dzīvnieku vai augu veselībai; vai

par ko ir zināms, ka tās spēj vairot kāda konkrēta mikroorganisma vai cita organisma – kurā tās var ievietot vai citādi iekļaut – spēju radīt nopietnus draudus cilvēku, dzīvnieku vai augu veselībai.

1. kartupeļu Andu latentais vīruss;

2. kartupeļu vārpstveida bumbuļu viroīds;

dabā sastopamas, pavairotas vai pārveidotas baktērijas vai nu izolētu dzīvkultūru veidā, vai ar šādām kultūrām apzināti inokulēta vai inficēta materiāla veidā:

1. Xanthomonas albilineans;

2. Xanthomonas axonopodis pv. citri (Xanthomonas campestris pv. citri A) [Xanthomonas campestris pv. citri];

3. Xanthomonas oryzae pv. oryzae (Pseudomonas campestris pv. oryzae);

4. Clavibacter michiganensis subsp. sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. sepedonicum jeb Corynebacterium sepedonicum);

5. Ralstonia solanacearum, race 3, biovar 2;

dabā sastopamas, pavairotas vai pārveidotas sēnītes vai nu izolētu dzīvkultūru veidā, var ar šādām kultūrām apzināti inokulēta vai inficēta materiāla veidā:

1. Colletotrichum kahawae (Colletotrichum coffeanum var. virulans);

2. Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae);

3. Microcyclus ulei (syn. Dothidella ulei);

4. Puccinia graminis ssp. graminis var. graminis/Puccinia graminis ssp. graminis var. stakmanii (Puccinia graminis [syn. Puccinia graminis f. sp. tritici]);

5. 1C354 c. Puccinia striiformis (syn. Puccinia glumarum);

6. Magnaporthe oryzae (Pyricularia oryzae);

7. Peronosclerospora philippinensis (Peronosclerospora sacchari);

8. Sclerophthora rayssiae var. zeae;

9. Synchytrium endobioticium;

10. Tilletia indica;

11. Thecaphora solani.

toksiskas ķīmiskās vielas: 1. piezīme: Eksportam uz valstīm, kas nav Ķīmisko ieroču konvencijas dalībvalstis kontroli 1C450. pozīcijā neattiecina uz ķīmisko vielu maisījumiem, kuros ir vismaz viena no 1C450.a.1. un a.2. pozīcijā minētajām vielām, ja atsevišķas ķīmiskās vielas maisījumā nav vairāk par 1 %. 2. piezīme: Eksportam uz valstīm, kas ir Ķīmisko ieroču konvencijas dalībvalstis kontroli 1C450. pozīcijā neattiecina uz ķīmisko vielu maisījumiem, kuros ir vismaz viena no 1C450.a.1. un a.2. pozīcijā minētajām vielām, ja atsevišķas ķīmiskās vielas maisījumā nav vairāk par 30 % no masas. 3. piezīme: Kontroli 1C450. pozīcijā neattiecina uz ķīmisko vielu maisījumiem, kuros ir vismaz viena no 1C450.a.4., .a.5., .a.6. un.a.7. pozīcijā minētajām vielām, ja atsevišķas ķīmiskās vielas maisījumā nav vairāk par 30 %. 4. piezīme: Kontroli 1C450. pozīcijā neattiecina uz ražojumiem, ko identificē kā patēriņa preces, kas mazumtirdzniecībai iepakotas personiskam lietojumam vai iepakotas individuālam lietojumam.

1. amitons: O,O-dietil S-[2-(dietilamino)etil] fosfortiolāts (78-53-5) un attiecīgie alkilētie un protonētie sāļi;

2. PFIB: 1,1,3,3,3-pentafluor-2- (trifluormetil)-1-propēns (382-21-8);

3. SK. MILITĀRO PREČU KONTROLES SARAKSTUS attiecībā uz BZ: 3-hinuklidinilbenzilāts (6581-06-2);

4. fosgēns: karbonildihlorīds (75-44-5);

5. hlorciāns (506-77-4);

6. ciānūdeņradis (74-90-8);

7. hlorpikrīns: trihlornitrometāns (76-06-2);

toksisku ķīmisko vielu prekursori: 1. piezīme: Eksportam uz valstīm, kas nav Ķīmisko ieroču konvencijas dalībvalstis kontroli 1C450. pozīcijā neattiecina uz ķīmisko vielu maisījumiem, kuros ir vismaz viena no 1C450.b.1, .b.2., .b.3., .b.4., .b.5. un.b.6. pozīcijā minētajām ķīmiskajām vielām, ja atsevišķas ķīmiskās vielas daudzums maisījumā nav vairāk par 10 %. 2. piezīme: Eksportam uz valstīm, kas ir Ķīmisko ieroču konvencijas dalībvalstis kontroli 1C450. pozīcijā neattiecina uz ķīmisko vielu maisījumiem, kuros ir vismaz viena no 1C450.b.1, .b.2., .b.3., .b.4., .b.5. un.b.6. pozīcijā minētajām ķīmiskajām vielām, ja atsevišķas ķīmiskās vielas daudzums maisījumā nav vairāk par 30 %. 3. piezīme: Kontroli 1C450. pozīcijā neattiecina uz ķīmisko vielu maisījumiem, kuros ir vismaz viena no 1C450. b.8. pozīcijā minētajām ķīmiskajām vielām, ja atsevišķas ķīmiskās vielas daudzums maisījumā nav vairāk par 30 %. 4. piezīme: Kontroli 1C450. pozīcijā neattiecina uz ražojumiem, ko identificē kā patēriņa preces, kas mazumtirdzniecībai iepakotas personiskam lietojumam vai iepakotas individuālam lietojumam.

1. ķīmiskās vielas, izņemot 1C350. pozīcijā vai militāro preču sarakstos minētās, saturošas fosfora atomu, ar ko saistīta tikai viena metil-, etil- vai propil- (taisnas vai zarotas virknes) grupa, bet ne papildus oglekļa atomi; Piezīme: Kontroli 1C450.b.1. pozīcijā neattiecina uz fonofosu: O-etil-S-feniletilfosfontioltionātu (944-22-9);

2. 1C450 b. N,N-dialkil[metil-, etil- un propil- (taisnas un zarotas virknes)]fosfamīdu dihalogenīdi, izņemot N,N-dimetilaminofosforildihlorīdu NB! Attiecībā uz N,N-dimetilamidofosfora dihlorīdu sk. 1C350.57. pozīciju.

3. dialkil[metil-, etil- un propil- (taisnas un zarotas virknes)] N,N-dialkil[metil-, etil- un propil- (taisnas un zarotas virknes)]-fosfamīdāti, izņemot dietil-N,N-dimetilosfamīdātu, kas minēts 1C350. pozīcijā;

4. N,N-dialkil [metil-, etil- un propil- (taisnas un zarotas virknes)] aminoetil-2-hlorīdi un attiecīgie protonētie sāļi, izņemot N,N-diizopropil-(beta)-aminoetilhlorīdu un N,N-diizopropil-(beta)-aminoetilhlorīda hidrohlorīdu, kas minēti 1C350. pozīcijā;

5. N-dialkil [metil-, etil- un propil- (taisnas un zarotas virknes)] aminoetān-2-ols un attiecīgie protonētie sāļi, izņemot N,N-diizopropil-(beta)-aminoetanolu (96-80-0) un N,N-dietilaminoetanolu (100-37-8), kas minēti 1C350. pozīcijā; Piezīme: Kontroli 1C450.b.5. pozīcijā neattiecina uz:

5. a.

N,N-dimetilaminoetanolu (108-01-0) un attiecīgajiem protonētajiem sāļiem;

N,N-dietilaminoetanola (100-37-8) protonētajiem sāļiem;

6. N,N-dialkil [metil-, etil- un propil- (taisnas un zarotas virknes)] aminoetān-2-tioli un attiecīgie protonētie sāļi, izņemot N,N-diizopropil-(beta)-aminoetāntiolu, kas minēts 1C350. pozīcijā;

7. attiecībā uz etildietanolamīnu (139-87-7) sk. 1C350. pozīciju;

8. metildietanolamīns (105-59-9).

1D Programmatūra 1D001 Programmatūra, kas īpaši paredzēta vai pielāgota 1B001. līdz 1B003. pozīcijā minēto iekārtu pilnveidošanai, ražošanai vai lietošanai. 1D002 Programmatūra organisko matricu, metālisku matricu, oglekļa matricu, laminātu vai kompozītu materiālu pilnveidošanai. 1D003 Programmatūra, kas īpaši paredzēta vai pielāgota, lai liktu iekārtām veikt 1A004.c. vai 1A004.d. pozīcijā minēto iekārtu funkcijas. 1D101 Programmatūra, kas īpaši paredzēta vai pielāgota 1B101., 1B102., 1B115., 1B117., 1B118. vai 1B119. pozīcijā minēto preču ekspluatēšanai vai uzturēšanai. 1D103 Programmatūra, kas speciāli izstrādāta, lai analizētu grūti izšķiramus signālus, piemēram, radaru atstarošanu, ultravioleto/infrasarkano staru un akustiskās signatūras. 1D201 Programmatūra, kas speciāli izstrādāta 1B201. pozīcijā minēto preču lietošanai.

1E Tehnoloģija 1E001 Tehnoloģijas saskaņā ar vispārējo piezīmi par tehnoloģijām 1A001.b., 1A001.c., 1A002. līdz 1A005., 1A006.b., 1A007., 1B. vai 1C. pozīcijā minēto iekārtu vai material pilnveidošanai vai ražošanai. 1E002 Šādas citas tehnoloģijas: 1E101 Tehnoloģijas saskaņā ar vispārējo piezīmi par tehnoloģijām 1A102., 1B001., 1B101., 1B102., 1B115. līdz 1B119., 1C001., 1C101., 1C107., 1C111. līdz 1C118., 1D101. vai 1D103. pozīcijā minēto preču lietošanai. 1E102 Tehnoloģijas saskaņā ar vispārējo piezīmi par tehnoloģijām 1D001., 1D101. vai ID103. pozīcijā minētās programmatūras pilnveidošanai. 1E103 Tehnoloģijas temperatūras, spiediena vai atmosfēras regulācijai autoklāvos vai hidroklāvos, ražojot kompozītus vai daļēji apstrādātus kompozītus. 1E104 Tehnoloģijas, kuras saistītas ar pirolītiski atvasinātu materiālu ražošanu formās, veidnēs vai citā substrātā no gāzveida prekursoriem, kas sadalās temperatūras intervālā no 1573 K (1300 °C) līdz 3173 K (2900 °C) pie spiediena no 130 Pa līdz 20 kPa. Piezīme: 1E104. pozīcijā ietilpst gāzveida prekursoru sastāvu veidošanas, plūsmas ātruma mērīšanas un procesa režīma un parametru kontroles tehnoloģijas. 1E201 Tehnoloģijas saskaņā ar vispārējo piezīmi par tehnoloģijām 1A002., 1A007., 1A202., 1A225. līdz 1A227., 1B201., 1B225. līdz 1B234., 1C002.b.3. vai.b.4., 1C010.b., 1C202., 1C210., 1C216., 1C225. līdz 1C241. vai 1D201. pozīcijā minēto preču lietošanai. 1E202 Tehnoloģijas saskaņā ar vispārējo piezīmi par tehnoloģijām 1A007., 1A202. vai 1A225. līdz 1A227. pozīcijā minēto preču pilnveidošanai vai ražošanai. 1E203 Tehnoloģijas saskaņā ar vispārējo piezīmi par tehnoloģijām 1D201. pozīcijā minētās programmatūras pilnveidošanai.

1E a.

tehnoloģijas polibenztiazolu vai polibenzoksazolu pilnveidošanai vai ražošanai;

tehnoloģijas tādu fluoru saturošu elastomēru savienojumu pilnveidošanai un ražošanai, kas satur vismaz vienu vinilētera monomēru;

tehnoloģijas šādu keramikas pamatmateriālu vai keramikas materiālu, kas nav kompozīti, pilnveidošanai un ražošanai:

1. pamatmateriāli, kam ir visas šīs īpašības:

1. a.

jebkurš no turpmāk minētajiem sastāviem:

1. cirkonija mono- vai kompleksie oksīdi, un kompleksie silīcija vai alumīnija oksīdi;

2. bora nitrīdi (kubiskā kristālu formā);

3. silīcija vai bora mono- vai kompleksie karbīdi; vai

4. silīcija mono- vai kompleksie nitrīdi;

jebkurš turpmāk minētais metālu piemaisījumu kopējais daudzums (izņemot pievienotas piedevas):

1. mazāk par 1000 ppm monooksīdu vai karbīdu; vai

2. mazāk par 5000 ppm kompleksiem savienojumiem vai mononitrīdiem; un

ir viens no šādiem:

1. cirkonijs (CAS 1314-23-4), kura daļiņu vidējais izmērs ir vienāds ar vai mazāks par 1 μm, bet ne vairāk kā 10 % daļiņu izmērs ir lielāks par 5 μm;

2. citi pamatmateriāli, kuru daļiņu vidējais izmērs ir vienāds ar vai mazāks par 5 μm, bet ne vairāk kā 10 % daļiņu izmērs ir lielāks par 10 μm; vai

3. ir visi šie raksturlielumi:

3. a.

plāksnītes, kuru garuma un biezuma attiecību ir lielāka par 5;

matiņi, kuru garuma attiecība pret diametru ir lielāka par 10, ja diametrs mazāks par 2 μm; un

viendabīgas vai smalcinātas šķiedras, kuru diametrs ir mazāks par 10 μm;

2. keramikas materiāli, kas nav kompozīti un sastāv no 1E002.c.1. pozīcijā definētajiem materiāliem; Piezīme: Kontroli 1E002.c.2. pozīcijā neattiecina uz abrazīvu projektēšanas vai ražošanas tehnoloģijām.

tehnoloģijas aromātisko poliamīdu šķiedru ražošanai;

1E002 tehnoloģijas 1C001. pozīcijā minēto materiālu uzstādīšanai, apkalpošanai vai remontam;

tehnoloģijas 1A002, 1C007.c. vai lC007.d. pozīcijā minēto materiālu, laminātu vai kompozītu struktūru remontam; Piezīme: Kontroli 1E002.f. pozīcijā neattiecina uz civilu lidaparātu struktūru remonta tehnoloģijām, izmantojot oglekļa šķiedrveida vai pavedienveida materiālus un epoksīdsveķus, kas paredzēti lidaparātu ražotāju rokasgrāmatās.

g. Tehniska piezīme:

bibliotēkas (tehnisko parametru datu bāzes), kas īpaši paredzētas vai pielāgotas, lai liktu iekārtām veikt 1A004.c. vai 1A004.d. pozīcijā norādīto iekārtu funkcijas. 1E002.g. pozīcijā bibliotēka (tehnisko parametru datu bāze) nozīmē tehniskās informācijas kopumu, ar ko var uzlabot attiecīgu iekārtu vai sistēmu darbību.

2. KATEGORIJA – MATERIĀLU APSTRĀDE UN PĀRSTRĀDE

2A Tehniska piezīme:

Sistēmas, iekārtas un komponenti NB! Klusinātos gultņus sk. militāro preču kontroles sarakstos. 2A001 Antifrikcijas gultņi, gultņu sistēmas un to komponenti: NB! SK. ARĪ 2A101. POZĪCIJU. Piezīme: Kontroli 2A001. pozīcijā neattiecina uz lodītēm, kuru ražotāja minētā izmēru pielaide saskaņā ar standartu ISO 3290 ir 5. klase vai zemāka. 2A101 Radiāli lodīšu gultņi, izņemot 2A001. pozīcijā minētos, kuru pielaides saskaņā ar standartu ISO 492 atbilst 2. klasei (vai ANSI/ABMA Std 20 ABEC-9 klasei vai ekvivalentam valsts standartam) vai augstākai klasei un kuriem piemīt visas šīs īpašības: 2A225 Pret šķidru aktinīdu metālu iedarbību izturīgu materiālu tīģeļi: 2A226 Ventiļi ar visiem šiem raksturlielumiem: Ventiļiem ar atšķirīgu ieejas un izejas diametru 2A226. pozīcijā minētais nominālais izmērs attiecas uz mazāko diametru.

2A a.

lodīšu un cieto rullīšu gultņi, kuru ražotāja dotā izmēru pielaide saskaņā ar standartu ISO 492 atbilst 4. klasei vai augstākai (vai ekvivalentam valsts standartam), kuru gredzeni un ritošie elementi (ISO 5593) izgatavoti no monela vai berilija; Piezīme: Kontroli 2A001.a. pozīcijā neattiecina uz koniskiem rullīšu gultņiem.

2A001 nepiemēro;

aktīvu magnētisko gultņu sistēmas, kas izmanto jebkuru no šiem:

1. materiālus ar plūsmas blīvumu 2,0 T vai lielāku un spēku lielāku par 414 MPa;

2. pilnīgi elektromagnētisku 3 dimensiju homopolārās nobīdes manipulatoru konstrukciju; vai

3. augsttemperatūru (450 K (177 °C) un augstāka) pozīciju devējus.

iekšējā gredzena urbuma diametrs ir no 12 līdz 50 mm;

ārējā gredzena ārējais diametrs ir no 25 līdz 100 mm; un

platums ir no 10 mm līdz 20 mm.

tīģeļi ar abiem šiem raksturlielumiem:

1. tilpumu no 150 cm3 līdz 8000 cm3; un

2. izgatavoti no jebkura turpmāk minētā materiāla vai to kombinācijas, vai ar tiem pārklāti un ar kopējo piemaisījumu saturu 2 % vai mazāk:

2. a.

kalcija fluorīds (CaF2);

kalcija cirkonāts (metacirkonāts) (CaZrO3);

cērija sulfīds (Ce2S3);

erbija oksīds (Er2O3);

hafnija oksīds (HfO2);

magnija oksīds (MgO);

nitridēts niobija-titāna-volframa sakausējums (apm. 50 % Nb, 30 % Ti, 20 % W);

itrija oksīds (Y2O3); vai

cirkonija oksīds (ZrO2);

tīģeļi ar abiem šiem raksturlielumiem:

1. tilpumu no 50 cm3 līdz 2000 cm3; un

2. izgatavoti no tantala, kura tīrība ir 99,9 % vai augstāka, vai ar tā oderējumu;

tīģeļi ar visiem šiem raksturlielumiem:

1. tilpumu no 50 cm3 līdz 2000 cm3;

2. izgatavoti no tantala, kura tīrība ir 98 % vai augstāka, vai ar tā oderējumu; un

3. tantala karbīda, nitrīda, borīda, vai to maisījumu pārklājumu.

nominālais izmērs ir 5 mm vai lielāks;

ar silfona noblīvējumu; un

izgatavoti no alumīnija vai alumīnija sakausējuma, niķeļa vai tā sakausējuma, kurā niķeļa saturs ir vismaz 60 %, vai ar tiem oderēti.

2B Tehniskas piezīmes: 1.2.3.4.5.6. Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2.

Testēšanas, inspekcijas un ražošanas iekārtas Sekundārās paralēlās kontūrasis (piemēram, horizontālo izvirpošanas mašīnu w-ass vai sekundārā rotējošā ass, kuras centra līnija ir paralēla primārai rotējošai asij) netiek ieskaitītas kontūrasu kopējā skaitā. Ass rotācijai nav jābūt lielākai par 360°. Rotējošo asi var vadīt ar lineāru ierīci (piem., skrūvi vai zobrata-zobstieņa ierīci). 2B sadaļā to asu skaitu, kuras var vienlaicīgi koordinēt konturēšanas kontrolei, nosaka pēc to asu skaita, gar kurām vai ap kurām, apstrādājot detaļu, veic vienlaicīgas un savstarpēji saistītas kustības starp apstrādājamo detaļu un instrumentu. Pie tām nepieder papildu asis, gar kurām vai ap kurām var veikt citas relatīvās kustības iekārtā, piemēram, šīs asis ir: Asu nomenklatūra atbilst starptautiskajam standartam ISO 841 Numerical Control Machines - Axis and Motion Nomenclature. Noliecamo vārpstu 2B001. līdz 2B009. pozīcijā uzskata par rotējošu asi. Katram atsevišķam darbgaldam testēšanu var neveikt, bet deklarēto pozicionēšanas precizitāti noteikt to modelim saskaņā ar ISO 230/2 vai ekvivalentu valsts standartu. Deklarētā pozicionēšanas precizitāte nozīmē precizitātes līmeni, par ko informē kompetentās iestādes dalībvalstī, kurā eksportētājs veic uzņēmējdarbību kā pārstāvis, kas atbild par konkrēta darbgalda modeļa precizitāti. Deklarētās pozicionēšanas precizitātes noteikšana: 2B001.a. līdz 2B001.c. pozīcijā neņem vērā darbgaldu pozicionēšanas precizitātes mērījuma nenoteiktību, kā definēts starptautiskajā standartā ISO 230/2 (2006) vai ekvivalentos valstu standartos. 2B001 Darbgaldi un to jebkāda to kombinācija/apvienojums metālu, keramikas vai kompozītu materiālu atdalīšanai (vai griešanai), kurus saskaņā ar ražotāja tehniskajām specifikācijām var aprīkot ar elektroniskām ciparu vadības ierīcēm: NB! SK. ARĪ 2B201. POZĪCIJU. 1. piezīme: Kontroli 2B001. pozīcijā neattiecina uz speciāliem darbgaldiem, ko izmanto tikai zobratu ražošanai. Attiecībā uz tādām mašīnām sk. 2B003. pozīciju. 2. piezīme: Kontroli 2B001. pozīcijā neattiecina uz speciāliem darbgaldiem, ko izmanto jebkuru šādu detaļu izgatavošanai: 3. piezīme: Darbgalds ar vismaz divām no trim izvirpošanas, frēzēšanas vai slīpēšanas iespējām (piemēram, izvirpošanas mašīna ar frēzēšanas iespējām) jānosaka pēc katras atbilstīgās pozīcijas, proti, 2B001.a., b. vai c. NB! Attiecībā uz optiskās apstrādes darbgaldiem sk. 2B002. pozīciju. 2B002 Optiskās apstrādes darbgaldi ar ciparu vadību, kas piemēroti selektīvai materiāla noņemšanai, lai veiktu nesfērisku optisku virsmu apstrādi, un kam piemīt visas turpmāk uzskaitītās iezīmes: 2B002. pozīcijā: 2B003 Ciparu vadības vai manuāli darbgaldi un speciāli tām radītas sastāvdaļas, vadības ierīces un piederumi, kas paredzēti rūdītu (Rc = 40 vai lielāks) konisko zobratu, paralēlo asu slīpzobu un dubulto slīpzobu zobratu ar kāpes diametru lielāku par 1250 mm un virsmas platumu 15 % no diametra un lielāku zobu griešanai, slīpēšanai vai honēšanai ar virsmas apstrādes kvalitāti AGMA 14 vai labāku (ekvivalents ISO 1328 3. klasei). 2B004 Karstas presēšanas izostatiskās preses, speciāli tām izgatavotas sastāvdaļas un piederumi, kam piemīt visas šīs īpašības: NB! SK. ARĪ 2B104. UN 2B204. POZĪCIJU. Kameras iekšējās dimensijas nosaka tās daļā, kurā sasniedz darba temperatūru un spiedienu, neskaitot armatūru. Šīs dimensijas būs mazākais lielums no spiediena kameras iekšējā diametra vai izolētās krāsns kameras iekšējā diametra, atkarībā no tā, kura kamera atrodas otras iekšpusē. NB! Speciālās presformas, veidņus un piederumus sk. 1B003., 9B009. pozīcijā, kā arī militāro preču kontroles sarakstos. 2B005 Speciāli konstruētas iekārtas neorganisko pārklājumu un oderējumu pārklāšanai, klāšanai vai virsmu modifikācijai, apstrādei un darba procesu kontrolei neelektroniskajiem substrātiem procesos, kas uzrādīti tabulā un tai pievienotajās piezīmēs pēc 2E003.f. pozīcijas, un tām speciāli konstruētas sastāvdaļas automātiskai pārvietošanai, pozicionēšanai, manipulācijai un kontrolei: Piezīme: Kontroli 2B005. pozīcijā neattiecina uz ķīmiskas pārklāšanas, izmantojot tvaiku, katoda lokizlādes vai izsmidzināšanas pārklāšanas, jonu pārklāšanas vai jonu implantācijas iekārtām, kas speciāli paredzētas griešanas vai apstrādes darbgaldu instrumentiem. 2B006 Izmēru inspekcijas vai mērīšanas sistēmas, iekārtas un elektroniski mezgli: NB! SK. ARĪ 2B206. POZĪCIJU. Piezīme: 2B006. pozīcija ietver darbgaldus, izņemot tos, kas minēti 2B001. pozīcijā, kurus var izmantot kā mērīšanas mašīnas, ja tie atbilst kritērijiem, kas noteikti mērīšanas mašīnas funkcijām, vai tos pārsniedz. 2B007 Roboti, kam piemīt jebkura no šīm īpašībām, un tiem speciāli konstruētas vadības ierīces un manipulācijas orgāni: NB! SK. ARĪ 2B107. POZĪCIJU. 2B008 Mezgli vai agregāti, kas speciāli konstruēti darbgaldiem vai dimensiju inspekcijas vai mērīšanas sistēmām un iekārtām: Piezīme: 2B008.a. un 2B008.b. pozīcijā kontrolierīces, kas paredzētas lineārās pozicionēšanas atgriezeniskās saites nodrošināšanai, piemēram, induktīvā tipa ierīces, graduētas skalas, infrasarkano staru vai lāzeru sistēmas. 2B009 Vērpes formēšanas un plūsmas formēšanas mašīnas, ko saskaņā ar ražotāja tehniskajām specifikācijām var apgādāt ar ciparu vadības iekārtām vai datorvadību un kurām ir viss turpmāk minētais: NB! SK. ARĪ 2B109. UN 2B209. POZĪCIJU. Piemērojot 2B009. pozīciju, mašīnas, kurās kombinēta vērpes formēšana un plūsmas formēšana, uzskata par plūsmas formēšanas mašīnām. 2B104 Izostatiskās preses, izņemot 2B004. pozīcijā minētās, kam ir visi šie raksturlielumi: NB! SK. ARĪ 2B204. POZĪCIJU. 2B105 Krāsnis ķīmiskai pārklāšanai, izmantojot tvaiku (CVD), izņemot 2B005.a. pozīcijā minētās, kas speciāli konstruētas vai pārveidotas oglekļa un oglekļa kompozītu blīvēšanai. 2B109 Plūsmas formēšanas mašīnas, izņemot 2B009. pozīcijā minētās, un speciāli tām izgatavotas sastāvdaļas: NB! SK. ARĪ 2B209. POZĪCIJU. Piezīme: Kontroli 2B109. pozīcijā neattiecina uz mašīnām, ko nevar izmantot 9A005., 9A007.a. vai 9A105.a. pozīcijā minēto vilces iekārtu vai sastāvdaļu (piemēram, motoru korpusu) ražošanai. Mašīnas, kurās kombinēta vērpes formēšana un plūsmas formēšana, 2B009. pozīcijā uzskata par plūsmas formēšanas mašīnām. 2B116 Vibrācijas testu sistēmas, iekārtas un to komponenti: 2B116. pozīcijā minētais testēšanas galds ir plakana virsma bez nostiprināšanas palīgierīcēm un citām palīgierīcēm. 2B117 Iekārtu un procesu kontroles ierīces, izņemot 2B004., 2B005.a., 2B104. vai 2B105. pozīcijā minētās, kas izveidotas vai pielāgotas raķešu sprauslu vai atgriešanās moduļu priekšgalu konstrukcijas kompozītmateriālu blīvēšanai un pirolīzei. 2B119 Balansēšanas mašīnas un ar tām saistītās iekārtas: NB! SK. ARĪ 2B219. POZĪCIJU. 2B120 Kustību imitatori vai rotējošie galdi, kam piemīt visas šīs īpašības: 1. piezīme: Kontroli 2B120. pozīcijā neattiecina uz rotējošiem galdiem, kas paredzēti vai pielāgoti izmantojumam darbgaldos vai medicīnas iekārtās. Attiecībā uz darbgaldiem paredzēto rotējošo galdu kontroli sk. 2B008. pozīciju. 2. piezīme: Uz 2B120. pozīcijā minētajiem kustību imitatoriem vai rotējošiem galdiem attiecas kontrole, neatkarīgi no tā, vai eksporta laikā ir iemontēti slīdkontaktu gredzeni vai bezkontakta ierīces. 2B121 Pozicionēšanas galdi (iekārtas, ko var precīzi pozicionēt pa jebkuru asi), izņemot 2B120. pozīcijā minētos, un kam piemīt visas šīs īpašības: Piezīme: Kontroli 2B121. pozīcijā neattiecina uz rotējošajiem galdiem, kas paredzēti vai pielāgoti izmantojumam darbgaldos vai medicīnas iekārtās. Attiecībā uz darbgaldiem paredzēto rotējošo galdu kontroli sk. 2B008. pozīciju. 2B122 Centrifūgas, kurās var sasniegt paātrinājumu virs 100 g un kuras ir konstruētas var pārveidotas, lai iemontētu slīdkontaktu gredzenus vai integrētas bezkontaktu ierīces, kas var pārraidīt elektrību vai signālinformāciju, vai abus. Piezīme: Uz 2B122. pozīcijā minētajām centrifūgām kontroli attiecina neatkarīgi no tā, vai eksporta laikā ir iemontēti slīdkontaktu gredzeni vai bezkontakta ierīces. 2B201 Darbgaldi un jebkāds to apvienojums, izņemot 2B001. pozīcijā minētos, metālu, keramikas vai kompozītu noņemšanai vai griešanai, kuriem saskaņā ar ražotāja tehniskajām specifikācijām var pierīkot elektroniskas ierīces vienlaicīgai konturēšanas kontrolei divās vai vairākās asīs: 1. piezīme: Kontroli 2B201. pozīcijā neattiecina uz speciāliem darbgaldiem, ko izmanto tikai jebkuru šādu detaļu izgatavošanai: 2. piezīme: Darbgaldi, kam ir vismaz divas no trijām iespējām – virpošanas, frēzēšanas vai slīpēšanas (piemēram, virpa ar frēzēšanas iespēju) – jāvērtē saskaņā ar katru attiecīgo pozīciju – 2B001.a. vai 2B201.a. vai b. 2B204 Izostatiskās preses, izņemot 2B004. vai 2B104. pozīcijā minētās, un ar tām saistītās iekārtas: 2B204. pozīcijā kameras iekšējās dimensijas nosaka tās daļā, kurā sasniedz darba temperatūru un spiedienu, neskaitot armatūru. Šīs dimensijas būs mazākais lielums no spiediena kameras iekšējā diametra vai izolētās termokameras iekšējā diametra, atkarībā no tā, kura kamera atrodas otras iekšpusē. 2B206 Izmēru inspekcijas mašīnas, instrumenti vai sistēmas, izņemot 2B006. pozīcijā minētās: 1. piezīme: Metālgriešanas darbgaldi, kurus var izmantot kā mērīšanas mašīnas, pakļauti kontrolei, ja tie atbilst kritērijiem, kas noteikti darbgalda instrumenta funkcijām vai mērīšanas mašīnas funkcijām, vai tos pārsniedz. 2. piezīme: Uz 2B006. pozīcijā minētajām mašīnām attiecina kontroli, ja kāds no to darba parametriem pārsniedz kontroles robežu. Visi 2B206. pozīcijā dotie mērlielumi minēti ar pielaidi – plus/mīnus, proti, nav pilnīgs diapazons. 2B207 Roboti, manipulācijas orgāni un kontrolierīces, izņemot 2B007. pozīcijā minētās: 2B209 Plūsmas formēšanas mašīnas, vērpes formēšanas mašīnas, kas spēj veikt plūsmas formēšanas funkcijas, izņemot 2B009. vai 2B109. pozīcijā minētās, un formas: Piezīme: 2B209.a. pozīcijā ietvertas mašīnas, kam ir tikai viens metāla deformācijai paredzēts rullītis un divi papildu rullīši formas atbalstam, kuri tieši nepiedalās deformācijas procesā. 2B219 Centrifugālās daudzplakņu balansēšanas mašīnas, stacionāras vai portatīvas, horizontālas vai vertikālas: 2B225 Manipulatori ar tālvadību, ko izmanto radioķīmiskai atdalīšanai vai karstajās kamerās un kam ir kāds no šiem raksturlielumiem: Tālvadības manipulatori nodrošina operatora (cilvēka) darbību nosūtīšanu uz attālumā esošu izpildmehānismu un termināļa palīgierīcēm. Tie var darboties pēc vedēja-sekotāja principa vai darboties ar vadības sviru vai tastatūru. 2B226 Kontrolētas atmosfēras (vakuuma vai inertas gāzes) indukcijas krāsnis un to barošanas iekārtas: NB! SK. ARĪ 3B. Piezīme: Kontroli 2B226.a. pozīcijā neattiecina uz krāsnīm, kas paredzētas pusvadītāju substrātu apstrādei. 2B227 Vakuuma krāsnis vai citas kontrolētas atmosfēras kausējamās un lejamās metalurģijas krāsnis un ar tām saistītās iekārtas: 2B228 Rotoru izgatavošanas un montāžas iekārtas, rotoru iztaisnošanas iekārtas un silfona formēšanas serdeņi un presformas: 2B230 Visu veidu spiediena devēji absolūtā spiediena mērīšanai, kam ir visas turpmāk minētās īpašības: 2B230. pozīcijā spiediena devējs ir ierīce, kas pārvērš spiediena mērījumu signālā. 2B230. pozīcijā precizitāte ietver nelinearitāti, histerēzi un atkārtojamību pie normālas apkārtējās vides temperatūras. 2B231 Vakuumsūkņi, kam ir visi šie raksturlielumi: Sūkņa ražību mērīšanas punktā nosaka, izmantojot gāzveida slāpekli vai gaisu. Galīgais vakuums tiek noteikts pie sūkņa ieejas ar noslēgtu ieeju. 2B232 Ātrdarbīgu lielgabalu sistēmas (propelentu, gāzes, indukcijas, elektromagnētiskā, elektrotermālā tipa un citas modernas sistēmas), kas var nodrošināt šāviņa paātrināšanu līdz 1,5 km/s vai lielākam ātrumam. NB! SK. ARĪ MILITĀRO PREČU KONTROLES SARAKSTUS. 2B233 Spirālveida kompresori ar silfona noblīvējumu un spirālveida vakuumsūkņi ar silfona noblīvējumu, kam ir visas turpmāk minētās īpašības: NB! SK. ARĪ 2B350.i. POZĪCIJU. 2B350 Ķīmisko vielu ražošanas aprīkojums, iekārtas un to sastāvdaļas: Piezīme: Saistībā ar 2B350. pozīciju materiāli, kas izmantoti starplikām, iepakojumam, blīvēm, skrūvēm, paplāksnēm un citiem materiāliem, kuri veic noslēgšanas funkciju, nenosaka kontroles statusu, ja šie komponenti pēc konstrukcijas ir nomaināmi. Oglekļa grafīts ir amorfā oglekļa un grafīta maisījums, kas satur 8 % vai vairāk grafīta. Materiālos, kas iekļauti iepriekšējās pozīcijās, ar jēdzienu sakausējums, ja tam nav norādīta īpaša elementu koncentrācija, apzīmē tādus sakausējumus, kuru sastāvā nosauktā metāla saturs procentos ir augstāks nekā jebkura cita elementa saturs. 2B351 Toksisku gāzu monitoringa sistēmas un tām paredzētie detektoru komponenti, kas nav precizētas 1A004. pozīcijā, kā arī detektori, sensoriekārtas un maināmas sensoru kasetnes: 2B352 Iekārtas darbībām ar bioloģiskiem materiāliem:

2B Tehniskas piezīmes: 1.2. a.

slīpmašīnu dimanta sistēmas;

paralēlas rotācijas asis, kas paredzētas dažādu apstrādājamo detaļu nostiprināšanai;

kolineāras rotācijas asis, kas paredzētas iedarbībai uz vienu un to pašu apstrādājamo detaļu, to noturot patronā no abiem galiem.

2B Tehniskas piezīmes: 1.2.3.4.5. a.

izvēlas piecus novērtējamā modeļa darbgaldus;

saskaņā ar ISO 230/2 izmēra lineāro asu precizitāti;

visām iekārtām nosaka katras ass A-vērtības. A-vērtību noteikšanas metode aprakstīta ISO standartā;

katrai asij nosaka A-vērtības vidējo lielumu. Â-vērtības vidējais lielums ir modeļa katras ass deklarētā pozicionēšanas precizitāte (Âx-Ây…);

tā kā 2. kategorija attiecas uz visām lineārajām asīm, deklarēto vērtību skaits ir vienāds ar asu skaitu;

ja kādam darbgalda modelim, uz kuru neattiecina kontroli 2B001.a. līdz 2B001.c. vai 2B201. pozīcijā, kādas ass deklarētā precizitāte Â ir vienāda ar vai mazāka par katram darbgalda modelim norādīto pozicionēšanas precizitāti plus 2 μm, ražotājam precizitātes līmenis atkārtoti jāapstiprina ik pēc astoņpadsmit mēnešiem;

2B Tehniskas piezīmes: 1.2.3.4.5.6. a.

kloķvārpstas vai sadales vārpstas;

instrumenti vai griežņi;

ekstrūderu gliemeži;

gravētas vai slīpētas juvelierizstrādājumu detaļas; vai

zobu protēzes.

virpošanas darbgaldi, kam piemīt visas šīs īpašības: Piezīme: Kontroli 2B001.a. pozīcijā neattiecina uz virpošanas darbgaldiem, kas speciāli paredzēti kontaktlēcu ražošanai un kam piemīt visas šīs iezīmes:

1. pozicionēšanas precizitāte ar visām iespējamām kompensācijām, kas noteikta saskaņā ar ISO 230/2 (2006) vai ekvivalentu valsts standartu, ir vismaz 3,0 μm pa vienu vai vairākām lineārajām asīm; un

2. ir divas vai vairāk asis, ko var reizē koordinēt konturēšanas kontrolei;

a.

iekārtas vadības blokā var izmantot tikai oftalmoloģijas programmatūru iekārtas programmēšanas datu ievadei; un

b.

nav iespējama vakuuma štancēšana.

frēzēšanas darbgaldi, kam piemīt kāda no šīm īpašībām:

1. ir visi šie raksturlielumi:

1. a.

pozicionēšanas precizitāte ar visām iespējamām kompensācijām, kas noteikta saskaņā ar ISO 230/2 (2006) vai ekvivalentu valsts standartu, ir vismaz 3,0 μm pa vienu vai vairākām lineārajām asīm; un

ir trīs lineārās asis plus viena rotējošā ass, ko var reizē koordinēt konturēšanas kontrolei;

2. ir piecas vai vairākas asis, kuras var reizē koordinēt konturēšanas kontrolei, ar kādu no turpmākajām īpašībām: NB! Paralēlu mehānismu darbgaldi ir aprakstīti 2B001.b.2.d. pozīcijā.

2. a.

2B001 b. 2. pozicionēšanas precizitāte ar visām iespējamām kompensācijām, kas noteikta saskaņā ar ISO 230/2 (2006) vai ekvivalentu valsts standartu, ir vismaz 4,5 μm pa vienu vai vairākām lineārajām asīm, bet pārvietošanās garums ir 1 m vai vairāk, bet nepārsniedz 2m;

pozicionēšanas precizitāte ar visām iespējamām kompensācijām, kas noteikta saskaņā ar ISO 230/2 (2006) vai ekvivalentu valsts standartu, ir vismaz 4,5 + 7(L-2) μm pa vienu vai vairākām lineārajām asīm (L ir pārvietošanās garums metros), bet pārvietošanās garums ir 2 m vai vairāk; vai

d. Tehniska piezīme:

tas ir paralēlu mehānismu darbgalds; Paralēlu mehānismu darbgalds ir darbgalds, kuram ir vairākas sviras, kas saistītas ar platformu un manipulatoriem; ar katru manipulatoru var vadīt attiecīgo sviru vienlaicīgi un neatkarīgi.

3. koordinātizvirpošanas darbgaldu pozicionēšanas precizitāte ar visām iespējamām kompensācijām, kas noteikta saskaņā ar ISO 230/2 (2006) vai ekvivalentu valsts standartu, ir vismaz 3,0 μm pa vienu vai vairākām lineārajām asīm; vai

4. frēzmašīnas ar kustīgu griezni, kam piemīt visas šīs īpašības:

4. a.

vārpstas mešana un izvirzījums ir mazāks (labāks) nekā 0,0004 mm kopējā rādījuma (TIR); un

bīdes kustības leņķiskā novirze (kustības virzienā, šķērsvirzienā un vertikāli) ir mazāka (labāka) par 2 loka sekundēm, TIR gājiena vairāk par 300 mm;

slīpēšanas darbgaldi, kam piemīt kāda no šīm īpašībām: Piezīme: Kontroli 2B001.c. pozīcijā neattiecina uz šādām slīpmašīnām:

1. ir visi šie raksturlielumi:

1. a.

ir trīs vai vairāk asis, ko var reizē koordinēt konturēšanas kontrolei; vai

2. ir piecas vai vairākas asis, kuras var reizē koordinēt konturēšanas kontrolei;

a.

uz cilindriskām ārējām, iekšējām un kombinētām iekšējām un ārējām slīpmašīnām, kam piemīt visas šīs īpašības:

1. tās paredzētas tikai cilindrisku virsmu slīpēšanai; un

2. to apstrādājamo detaļu garums vai ārējais diametrs nepārsniedz 150 mm.

b.

uz speciāli projektētām profilslīpmašīnām, kurām nav z ass vai w ass, kuru pozicionēšanas precizitāte ar visām iespējamām kompensācijām ir mazāka (labāka) par 3,0 μm saskaņā ar ISO 230/2 (2006) vai ekvivalentu valsts standartu.

c.

uz plakanu virsmu slīpmašīnām.

bezstieples tipa elektriskās izlādes iekārtas (EDM) ar divām vai vairākām rotējošām asīm, ko var reizē koordinēt konturēšanas kontrolei;

2B001 darbgaldi metālu, keramikas vai kompozītu materiālu noņemšanai, kuriem ir visas šīs īpašības:

1. noņem materiālu ar jebkuru šo līdzekli:

1. a.

ūdens vai cita šķidruma strūklu, ieskaitot šķidrumus ar abrazīvu materiālu piedevu;

elektronu kūli; vai

lāzera staru; un

2. vismaz divas rotējošās asis, kurām ir visas šīs īpašības:

2. a.

tās vienlaicīgi var koordinēt konturēšanas kontrolei; un

to pozicionēšanas precizitāte ir mazāka (labāka) par 0,003°;

dziļurbumu urbjmašīnas un virpošanas iekārtas, kas pielāgotas dziļurbšanai un kā maksimālā dziļurbšanas jauda pārsniedz 5 m.

formas apstrāde līdz nelīdzenumam mazākam (labākam) par 1,0 μm;

apstrāde līdz nelīdzenumam mazākam (labākam) par 100 nm (vidējais kvadrātiskais).

četras vai vairākas asis, ko var vienlaicīgi koordinēt konturēšanas kontroles vajadzībām; un

tajos izmanto jebkurus šādus procesus:

1. magnetorheoloģiska apstrāde (MRF);

2. elektrorheoloģiska apstrāde (ERF);

3. apstrāde ar enerģijas daļiņu strūklu;

4. apstrāde ar piepūšamas membrānas instrumentu; vai

5. apstrāde ar augstspiediena šķidruma strūklu.

2B Tehniskas piezīmes: 1.2.3.4.5.6. Tehniskas piezīmes:

1. MRF ir materiāla noņemšana, lietojot abrazīvu magnētisku šķidrumu, kura viskozitāti kontrolē ar magnētisku lauku.

2. ERF ir materiāla noņemšana, izmantojot abrazīvu šķidrumu, kura viskozitāti kontrolē ar elektrisku lauku.

3. Apstrādē ar enerģijas daļiņu strūklu lieto reaktīvas atomu plazmas (RAP) vai jonu strūklu, lai selektīvi noņemtu materiālu.

4. Apstrādē ar piepūšamas membrānas instrumentu lieto membrānu zem spiediena, kura tiek deformēta, lai saskartos ar apstrādājamo objektu mazā platībā.

5. Apstrādē ar augstspiediena šķidruma strūklu lieto šķidruma strūklu, lai noņemtu materiālu.

ir kontrolējama termiskā vide slēgtā telpā, ar kameras iekšējo diametru 406 mm vai vairāk; un

kam ir kāda no šīm īpašībām:

1. maksimālais darba spiediens virs 207 MPa;

2. kontrolējama termiskā vide, kuras temperatūra ir lielāka par 1773 K (1500 °C); vai

3. ir iekārta, kas piesūcina ar ogļūdeņražiem un aizvada gāzveida sadalīšanās produktus, kuri izdalās procesā.

2B Tehniskas piezīmes: 1.2.3.4.5.6. Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme: a.

iekārtas ķīmiskai pārklāšanai, izmantojot tvaiku (CVD), kam ir visas šīs īpašības: NB! SK. ARĪ 2B105. POZĪCIJU.

1. to darbības process ir pārveidots, lai veiktu kādu no šiem procesiem:

1. a.

impulsu CVD;

termopārklāšanu, izmantojot vadāmu nukleāciju (CNTD); vai

plazmas veicinātu vai plazmas ierosinātu CVD; un

2. kam ir šādas īpašības:

2. a.

dziļa vakuuma (kas ir 0,01 Pa vai mazāks) rotējoši blīvslēgi; vai

pārklājuma biezuma kontrole in situ;

jonu implantācijas ražošanas iekārtas, kam staru plūsmas strāva ir 5 mA vai vairāk;

iekārtas fizikālai tvaika pārklāšanai, izmantojot elektronu kūli (EB-PVD), kas satur energosistēmas ar jaudu lielāku par 80 kW un kam ir jebkas no uzskaitītā:

1. šķidruma tvertnes līmeņa lāzera kontroles sistēma, ar ko precīzi regulē kausējamā stieņa padeves ātrumu; vai

2. datorvadāms pārklāšanas ātruma monitors, kura darbības pamatā ir iztvaicētāja strūklas jonizēto atomu fotoluminiscences parādības izmantošana divu vai vairāku pārklājošo elementu pārklāšanas ātruma regulēšanai,

2B005 plazmas izsmidzināšanas pārklāšanas ražošanas iekārtas, kam piemīt kāda no šīm īpašībām:

1. darbojas atmosfērā ar pazeminātu regulējamu spiedienu (spiediens vienāds ar 10 kPa vai mazāks, mērot 300 mm virs plazmas izplūdes sprauslas) vakuumkamerā, kuru var vakuumēt līdz 0,01 Pa pirms procesa sākšanas; vai

2. pārklājuma biezuma kontrole in situ;

izsmidzināšanas iekārtas ar strāvas blīvumu 0,1 mA/mm2 vai vairāk pie pārklāšanas ātruma 15 μm/h vai vairāk;

katoda lokizlādes pārklāšanas iekārtas, kuras ietver elektromagnētu sistēmu izlādes loka punkta vadīšanai uz katoda;

jonu pārklājumu ražošanas iekārtas, kas spēj pārklāšanas laikā in situ mērīt kādu no šiem parametriem:

1. substrāta pārklājuma biezumu un pārklāšanas ātrumu; vai

2. optiskās īpašības.

a. Tehniska piezīme:

datorkontrolētas vai ar digitālu vadāmierīci koordinātu mēriekārtas (CMM), kam trīsdimensiju (tilpuma) maksimālā pieļaujamā garuma mērījuma kļūda (E0,MPE) jebkurā punktā iekārtas darbības rādiusā (t.i., asu garumā) līdzinās (1,7 + L/1000) μm vai ir mazāka (labāka) par to (L ir mērāmais garums milimetros) saskaņā ar ISO 10360-2 (2009); CMM visprecīzākās konfigurācijas E0,MPE, kā norādījis ražotājs (piemēram, labākais no turpmāk uzskaitītajiem rādītājiem: mērzonde, spalvas garums, kustības parametri, vide), un ar visām iespējamām kompensācijām salīdzina ar 1,7+L/1000 μm robežvērtību.

lineāro vai leņķa noviržu mērinstrumenti:

1. Tehniska piezīme:

lineāro noviržu mērinstrumenti, kam piemīt kāda no šīm īpašībām: Piezīme: Noviržu mērīšanas lāzera interferometrus kontrolē vienīgi 2B006.b.1.c. pozīcijā. 2B006.b.1. pozīcijā lineārā novirze ir attāluma maiņa starp taustu un mērīto objektu. Piezīme: Kontroli 2B006.b.1. pozīcijā neattiecina uz interferometru sistēmām ar automātisku vadības sistēmu, kurām atgriezeniskās saites metodes nav paredzētas, un kurās ir lāzers metālgriešanas darbgaldu virzes kustības kļūdu mērīšanai, izmēru inspekcijas mašīnas vai līdzīgas iekārtas.

bezkontakta tipa mērīšanas sistēmas ar izšķiršanas spēju vienādu ar 0,2 μm vai ir mazāku (labāku) mērījumu diapazonā līdz 0,2 mm;

b. Tehniska piezīme:

2B006 b. 1. lineārās mainīgās diferenciālās transformējošās (LVDT) sistēmas, kam piemīt visas turpmāk minētās īpašības: 2B006.b.1.b. pozīcijā pilns darbības diapazons ir puse no LVDT kopējās iespējamās lineārās novirzes. Piemēram, LVDT ar pilnu darbības diapazonu līdz ± 5 mm ieskaitot var izmērīt kopējo iespējamo lineāro novirzi 10 mm.

1. kam ir kāda no šādām īpašībām:

1. a.

linearitāte vienāda ar vai mazāka (labāka) par 0,1 %, mērot no 0 līdz pilnam darbības diapazonam LVDT sistēmām ar pilnu darbības diapazonu līdz ± 5 mm ieskaitot; vai

linearitāte vienāda ar vai mazāka (labāka) par 0,1 %, mērot no 0 līdz 5 mm LVDT sistēmām ar pilnu darbības diapazonu virs ± 5 mm; un

2. dreifs vienāds vai ir mazāks (labāks) par 0,1 % dienā standarta testēšanas telpas temperatūrā ± 1 K;

mērīšanas sistēmas, kam piemīt visas šīs īpašības:

1. tajās ietilpst lāzers; un

2. var vismaz 12 stundas 20 ± 1 °C temperatūrā uzturēt visus šos parametrus:

2. a.

izšķiršanas spēju 0,1 μm vai mazāku (labāku) visā mērījumu diapazonā; un

ņemot vērā gaisa refrakcijas koeficientu, var panākt mērījuma nenoteiktību, kas vienāda ar (0,2 + L/2000) μm vai mazāka (labāka) par to (L ir mērāmais garums mm) jebkurā mērīšanas diapazona punktā; vai

tie ir elektroniski mezgli, kas speciāli izstrādāti, lai nodrošinātu atgriezenisko saiti 2B006.b.1.c. pozīcijā minētajās sistēmās;

2. leņķiskās nobīdes mērinstrumenti, kam leņķiskās pozīcijas precizitāte ir vienāda ar 0,00025° vai mazāka (labāka); Piezīme: Kontroli 2B006.b.2. pozīcijā neattiecina uz tādiem optiskiem instrumentiem kā autokolimatori, kuros izmanto paralēlu staru kūli (piem., lāzera staru kūli), lai atklātu spoguļu leņķisko nobīdi.

iekārtas virsmas nelīdzenuma (tostarp virsmas defektu) mērīšanai, mērot optisko izkliedi ar jutību 0,5 nm vai mazāku (labāku).

a. Tehniska piezīme:

spējīgi reālā laikā apstrādāt pilnu trīsdimensiju attēlu vai dot pilnu trīsdimensiju ainas analīzi, lai ģenerētu vai pārveidotu programmas vai ciparu programmas datus; Ainas analīze neietver trešās dimensijas aproksimāciju, skatoties no noteikta leņķa, vai ierobežotu pelēkās krāsas gradācijas interpretāciju dziļuma vai tekstūras noteikšanai, kas vajadzīga uzdevuma veikšanai (2 1/2 D).

2B007 speciāli konstruēti atbilstīgi valsts drošības standartiem, ko piemēro sprādzienbīstamas munīcijas videi; Piezīme: Kontroli 2B007.b. pozīcijā neattiecina uz robotiem, kas speciāli konstruēti krāsas izsmidzināšanas kabīnēm.

c. Tehniska piezīme:

īpaši paredzēti izturīgi pret radiāciju vai klasificēti kā tādi, kas varētu izturēt kopējo apstarojuma dozu virs 5×103 Gy (silīcijs) bez ekspluatācijas īpašību samazināšanās; vai Termins Gy (silīcijs) nozīmē enerģiju džoulos uz kilogramu, ko absorbē neekranēts jonizējošam starojumam pakļauts silīcija paraugs.

speciāli paredzēti darbam augstumā virs 30000 metriem.

lineārās pozicionēšanas atgriezeniskās saites ierīces, kuru kopējā precizitāte ir mazāka (labāka) par (800 + (600×L/1000)) nm (L ir faktiskais garums mm); NB! Attiecībā uz lāzeru sistēmām sk. arī piezīmi pie 2B006.b.1.c. un 2B006.b.1.d. pozīcijas.

to pozicionēšanas precizitāte ir mazāka (labāka) par 0,00025°; NB! Attiecībā uz lāzeru sistēmām sk. arī piezīmi pie 2B006.b.2. pozīcijas.

salikti rotējošie galdi un noliecamās vārpstas, ar ko saskaņā ar ražotāja specifikāciju var apstrādes darbgaldus uzlabot vismaz līdz 2B sadaļā minētajam līmenim.

ir trīs vai vairāk asis, ko var reizē koordinēt konturēšanas kontrolei; un

valču spēks lielāks par 60 kN.

2B Tehniskas piezīmes: 1.2.3.4.5.6. Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: a.

maksimālais darba spiediens ir 69 MPa vai lielāks;

konstruētas, lai varētu sasniegt un uzturēt kontrolētu 873 K (600 °C) vai augstāku temperatūru; un

presēšanas kameras dobuma iekšējais diametrs ir 254 mm vai lielāks.

plūsmas formēšanas mašīnas, kam piemīt visas turpmāk minētās īpašības:

1. saskaņā ar ražotāja tehnisko specifikāciju var tikt aprīkotas ar ciparu vadības iekārtām vai datorkontroli, arī tad, ja tās nav aprīkotas ar minētajām iekārtām; un

2. ar vairāk nekā divām asīm, ko var vienlaikus koordinēt konturēšanas kontrolei;

2B009. vai 2B109.a. pozīcijā minētajām plūsmas formēšanas mašīnām speciāli izgatavotas sastāvdaļas.

2B Tehniskas piezīmes: 1.2.3.4.5.6. Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: a.

vibrācijas testu sistēmas, kuras izmanto atgriezeniskās saites vai noslēgtā kontūra metodes un kurās iekļautas digitālas vadāmierīces, kas spēj likt sistēmai vibrēt ar paātrinājumu, kurš vienāds ar 10 g (vid. kvadrātiskais) vai lielāks diapazonā no 20 Hz un 2 kHz, vienlaikus attīstot spēku, kas vienāds ar 50 kN vai lielāks par to, mērot uz testēšanas galda;

b. Tehniska piezīme:

ciparu vadības bloki kombinācijā ar īpašu programmu vibrācijas testiem reālā laika kontroles frekvenču diapazonā, kas lielāks par 5 kHz, izmantošanai 2B116.a. pozīcijā minētajās vibrācijas testu sistēmās; 2B116.b. pozīcijā reālā laika kontroles frekvenču diapazons ir maksimālais ātrums, kādā vadības bloks var veikt pilnīgu datu datu paraugu ņemšanas to apstrādes un kontrolsignālu nosūtīšanas ciklus.

vibrodzinekļi (vibrobloki) ar pastiprinātājiem vai bez tiem, kas spēj attīstīt spēku, kurš vienāds ar 50 kN vai lielāks par to, mērot uz testēšanas galda, lietojumam 2B116.a. pozīcijā minētajās vibrācijas testu sistēmās;

pārbaudāmās detaļas balsta konstrukcijas un elektroniskās ierīces vairāku vibrobloku savienošanai kompleksā vibrosistēmā, kas var radīt summāro spēku, kurš vienāds ar 50 kN vai lielāks par to, mērot uz testēšanas galda, lietojumam 2B116.a. pozīcijā minētajās vibrācijas testu sistēmās.

2B Tehniskas piezīmes: 1.2.3.4.5.6. Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: a.

balansēšanas mašīnas, kam piemīt visas šīs īpašības: Piezīme: Kontroli 2B119.a. pozīcijā neattiecina uz balansēšanas mašīnām, kas konstruētas vai pārveidotas izmantojumam zobārstniecības vai citās medicīniskās iekārtās.

1. nevar balansēt rotorus/mezglus, kuru masa ir lielāka par 3 kg;

2. var balansēt rotorus/mezglus, kuru griešanās ātrums pārsniedz 12500 apgr./min.;

3. 2B119 a. var koriģēt disbalansu divās vai vairākās plaknēs; un

4. var balansēt līdz paliekošajam īpatnējam disbalansam 0,2 g mm uz 1 kg rotora masas;

b. Tehniska piezīme:

indikatoru galviņas, kas konstruētas vai pārveidotas lietošanai 2B119.a. pozīcijā minētajās mašīnās. Indikatoru galviņas dažkārt dēvē par balansēšanas instrumentiem.

ir divas vai vairākas asis;

ir konstruēti vai pielāgoti, lai iekļautu slīdkontaktu gredzenus vai integrētas bezkontakta ierīces, kas var pārraidīt elektrību vai signālinformāciju, vai abus; un

ir jebkura šāda īpašība:

1. katrai asij ir visas šīs īpašības:

1. a.

spēj attīstīt leņķisko ātrumu 400 grādi/s vai lielāku vai 30 grādi/s un mazāku; un

kustības ātruma izšķirtspēja līdzinās 6 grādiem/s vai mazāk, un precizitāte ir vienāda vai mazāka par 0,6 grādiem/s;

2. ātruma nestabilitāte ir vienāda ar vai labāka (mazāka) par 0,05 % vidēji uz 10 grādiem vai vairāk; vai

3. pozicionēšanas precizitāte ir 5 loka sekundes vai mazāka (labāka).

ir divas vai vairākas asis; un

pozicionēšanas precizitāte ir 5 loka sekundes vai mazāka (labāka).

frēzēšanas darbgaldi, kam piemīt kāda no šīm īpašībām: Piezīme: Kontroli 2B201.a. pozīcijā neattiecina uz frēzmašīnām, kam ir šādas īpašības:

1. pozicionēšanas precizitāte ar visām iespējamām kompensācijām, kas noteikta saskaņā ar ISO 230/2 (1988) vai ekvivalentu valsts standartu, ir vismaz 6 μm pa jebkuru lineāro asi; vai

2. ir divas vai vairākas rotējošas asis konturēšanai;

a.

gājiens pa X-asi ir lielāks par 2 m; un

b.

kopējā pozicionēšanas precizitāte uz x-ass pārsniedz (sliktāka par) 30 μm.

slīpēšanas darbgaldi, kam piemīt kāda no šīm īpašībām: Piezīme: Kontroli 2B201.b. pozīcijā neattiecina uz šādām slīpmašīnām:

1. pozicionēšanas precizitāte ar visām iespējamām kompensācijām, kas noteikta saskaņā ar ISO 230/2 (1988) vai ekvivalentu valsts standartu, ir vismaz 4 μm pa jebkuru lineāro asi; vai

2. divas vai vairākas rotējošas asis konturēšanai.

a.

cilindriskās ārējas, iekšējas un kombinētas iekšējas un ārējas slīpmašīnas, kam piemīt visas turpmākās īpašības:

1. paredzētas tādu detaļu apstrādei, kuru ārējais diametrs vai garums nav lielāks par 150 mm; un

2. ir tikai x, z un c asis;

b.

profilslīpmašīnas bez z ass vai w ass, kuru pozicionēšanas precizitāte kopumā ir mazāka (labāka) par 4 μm saskaņā ar ISO 230/2 (1988) vai ekvivalentu valsts standartu.

zobratiem;

kloķvārpstas vai sadales vārpstas;

instrumenti vai griežņi;

ekstrūzijas gliemeži.

izostatiskās preses, kam ir abi šie raksturlielumi:

1. var sasniegt maksimālo darba spiedienu 69 MPa vai lielāku; un

2. kameras dobuma iekšējais diametrs pārsniedz 152 mm;

2B204 2B204.a. pozīcijā minētajām izostatiskajām presēm speciāli paredzētas presformas, liešanas formas un kontroles ierīces.

2B Tehniskas piezīmes: 1.2.3.4.5.6. Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: a. Tehniska piezīme:

koordinātu mērīšanas darbgaldi (CMM) ar datorkontroli vai digitālu vadāmierīci, kam ir kāds no šiem raksturlielumiem: CMM visprecīzākās konfigurācijas E0,MPE, kā saskaņā ar ISO 10360-2(2009) norādījis ražotājs (piemēram, labākais no turpmāk uzskaitītajiem rādītājiem: mērzonde, spalvas garums, kustības parametri, vide), un ar visām iespējamām kompensācijām salīdzina ar 1,7+L/800 μm robežvērtību.

1. tikai divas asis un maksimāli pieļaujamā garuma mērījuma kļūda pa jebkuru asi (viendimensijas), kas apzīmēta ar jebkādu E0x,MPE, E0y,MPE vai E0z,MPE kombināciju, ir vienāda ar vai mazāka (labāka) par (1,25 + L/1000) μm (kur L ir izmērītais garums mm) jebkurā iekārtas darbības diapazona punktā (proti, ass garumā) atbilstīgi ISO 10360-2(2009); vai

2. trīs vai vairāk asis un trīsdimensiju (tilpuma) maksimāli pieļaujamā garuma mērījuma kļūda (E0,MPE) ir vienāda ar vai mazāka (labāka) par (1,7 + L/800) μm (L ir izmērītais garums mm) jebkurā iekārtas darbības diapazona punktā (proti, ass garumā) atbilstīgi ISO 10360-2(2009);

sistēmas vienlaicīgai lineārai un leņķiskai pusložu inspekcijai, kurām piemīt abi šie raksturlielumi:

1. mērījuma nenoteiktība pa jebkuru lineāru asi ir vienāda ar vai mazāka (labāka) par 3,5 μm uz 5 mm; un

2. leņķiskās pozīcijas novirze ir vienāda ar vai mazāka par 0,02°.

2B Tehniskas piezīmes: 1.2.3.4.5.6. Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: a.

roboti vai manipulācijas orgāni, kas speciāli konstruēti, lai atbilstu attiecīgo valstu drošības standartiem, kurus piemēro, darbojoties ar spēcīgām sprāgstvielām (piemēram, lai atbilstu elektrodrošības prasībām attiecībā uz spēcīgām sprāgstvielām);

visiem 2B207.a. pozīcijā minētajiem robotiem vai manipulācijas orgānam īpaši paredzētās kontroles ierīces.

mašīnas ar abām šīm īpašībām:

1. ar trim vai vairākiem (aktīviem vai pasīviem) rullīšiem; un

2. saskaņā ar ražotāja dotiem parametriem var tikt aprīkotas ar ciparu vadību vai datorkontroli;

rotoru veidošanas formas, kas paredzētas cilindrisku rotoru izgatavošanai ar iekšējo diametru no 75 līdz 400 mm.

centrifugālās balansēšanas mašīnas, kuras paredzētas 600 mm garu vai garāku elastīgo rotoru balansēšanai un kurām ir visi šie parametri:

1. šarnīra vai vārpstas diametrs ir 75 mm vai lielāks;

2. spēja balansēt masu no 0,9 kg līdz 23 kg; un

3. balansēšanas ātrums ir lielāks par 5000 apgr./min;

centrifugālās balansēšanas mašīnas, kuras paredzētas tukšu cilindrisku rotoru komponentu balansēšanai un kurām ir visi šie parametri:

1. vārpstas diametrs ir lielāks par 75 mm;

2. spēja balansēt masu no 0,9 kg līdz 23 kg;

3. atlikuma disbalanss ir 0,01 kg × mm/kg uz vienu pakāpi vai mazāks; un

4. siksnas tipa piedziņa.

nodrošina vadību caur vismaz 0,6 m biezai karstās kameras sienai (operācijām caur sienu); vai

spēj sniegties pāri par 0,6 m biezas sienas augšējai malai (operācijām pāri sienai).

2B Tehniskas piezīmes: 1.2.3.4.5.6. Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme: a.

krāsnis ar visiem šiem parametriem:

1. var darboties temperatūrā virs 1123 K (850 °C);

2. indukcijas spoļu diametrs ir 600 mm vai mazāks; un

3. paredzētas 5 kW vai lielākai ieejas jaudai;

barošanas iekārtas ar nominālo izejas jaudu 5 kW vai lielāku, kas speciāli paredzēta 2B226.a. pozīcijā minētajām krāsnīm.

elektriskā loka pārkausēšanas un liešanas krāsnis ar abiem šiem parametriem:

1. izlietojamo elektrodu tilpums no 1000 cm3 līdz 20000 cm3; un

2. var darboties kušanas temperatūrā virs 1973 K (1700 °C);

elektronstaru kausēšanas vai plazmas izsmidzināšanas krāsnis ar abiem šiem parametriem:

1. 50 kW un lielāku jaudu; un

2. var darboties kušanas temperatūrā virs 1473 K (1200 °C);

datorizētas kontroles un vadības sistēmas, kas speciāli konfigurētas jebkurām 2B227.a. vai b. pozīcijā minētajām krāsnīm.

rotoru montāžas iekārtas gāzu centrifūgu rotoru cauruļu sekciju, lāpstiņu un galvu montāžai; Piezīme: 2B228.a. pozīcija ietver arī precīzijas serdeņus, skavas un sarukuma kompensācijas ierīces.

b. Tehniska piezīme:

rotora iztaisnošanas iekārtas gāzu centrifūgas rotora cauruļu sekciju salāgošanai ar centrifūgas kopējo asi; 2B228.b. pozīcijā ietvertās iekārtas parasti sastāv no precīzās mērīšanas taustiem, kuras saistītas ar datoru, kas kontrolē, piemēram, pneimatisko zveltņu darbību, kurus lieto rotora cauruļu sekciju iztaisnošanai.

c. Tehniska piezīme:

veidņi un serdeņi vienas konvolūcijas silfona izgatavošanai. 2B228.c. pozīcijā ietverts silfons, kam ir visi šie raksturlielumi:

1. iekšējais diametrs ir no 75 līdz 400 mm;

2. garums ir 12,7 mm vai lielāks;

3. vienas konvolūcijas dziļums ir lielāks par 2 mm; un

4. izgatavots no augstas stiprības alumīnija sakausējumiem, martensīta tērauda vai augstas izturības šķiedrveida vai pavedienveida materiāliem.

spiediena devēja jutīgie elementi izgatavoti no vai aizsargāti ar alumīniju, alumīnija sakausējumu, alumīnija oksīdu (alumīnija oksīdu vai safīru) niķeli, niķeļa sakausējumu, kurā ir vairāk nekā 60 % niķeļa, vai perfluorogļūdeņražu polimēriem;

blīvslēgi, ja tādi ir, kas ir būtiski spiediena sensora noslēgšanai un atrodas tiešā saskarē ar procesa saskarni, izgatavoti no vai aizsargāti ar alumīniju, alumīnija sakausējumu, alumīnija oksīdu (alumīnija oksīdu vai safīru) niķeli, niķeļa sakausējumu, kurā ir vairāk nekā 60 % niķeļa, vai perfluorogļūdeņražu polimēriem; un

2B230 ir jebkura no šādām īpašībām:

1. pilna skala ir mazāka par 13 kPa un precizitāte augstāka par ± 1 % no pilnas skalas vērtības; vai

2. pilna skala ir 13 kPa vai lielāka un precizitāte augstāka par ± 130 Pa, mērot pie 13 kPa.

2B Tehniskas piezīmes: 1.2.3.4.5.6. Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: 1.2. a.

iesūkšanas īscaurules diametrs ir 380 mm vai lielāks;

sūknēšanas ātrums 15 m3/s vai vairāk; un

var radīt galīgo vakuumu labāku par 13 mPa.

2B Tehniskas piezīmes: 1.2.3.4.5.6. Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. a.

var sasniegt maksimālo ieejas plūsmu 50 m3/h vai lielāku;

var darboties ar spiediena attiecību 2:1 vai lielāku; un

visas virsmas, kas tieši saskaras ar procesa gāzi, ir izgatavotas no jebkura turpmāk minētā materiāla:

1. alumīnijs vai alumīnija sakausējums;

2. alumīnija oksīds;

3. nerūsējošais tērauds;

4. niķelis vai niķeļa sakausējums;

5. fosfora bronza; vai

6. fluoru saturoši polimēri.

reakcijas tilpes vai reaktori ar vai bez maisītājiem ar kopējo iekšējo (ģeometrisko) tilpumu lielāku par 0,1 m3 (100 l), bet mazāku par 20 m3 (20000 l), kam visas virsmas, kuras tieši saskaras ar tajos esošām vai apstrādājamām ķīmiskajām vielām, ir izgatavotas no kāda turpmāk minētā materiāla:

1. sakausējumi, kuros ir vairāk par 25 % niķeļa un 20 % hroma;

2. fluoru saturoši polimēri (polimēri vai elastomēri materiāli, kuros ir vairāk nekā 35 % fluora);

3. 2B350 a. stikls (arī stiklveida un emaljas pārklājums vai stikla oderējums);

4. niķelis vai sakausējumi, kuros ir vairāk par 40 % niķeļa;

5. tantals vai tantala sakausējumi;

6. titāns vai titāna sakausējumi;

7. cirkonijs vai cirkonija sakausējumi; vai

8. niobijs (kolumbijs) vai niobija sakausējumi;

maisītāji, kas paredzēti vai pārveidoti izmantošanai 2B350.a. pozīcijā minētajās reakcijas tilpēs vai reaktoros, un tādiem maisītājiem paredzēti lāpstiņrati, lāpstiņas vai vārpstas, kam visas virsmas, kuras tiešā saskaras ar reaktorā esošajām vai apstrādājamajām ķīmiskajām vielām, ir izgatavotas no jebkura turpmāk minētā materiāla:

1. sakausējumi, kuros ir vairāk par 25 % niķeļa un 20 % hroma;

2. fluoru saturoši polimēri (polimēri vai elastomēri materiāli, kuros ir vairāk nekā 35 % fluora);

3. stikla (arī stiklveida un emaljas pārklājumi vai stikla oderējums);

4. niķelis vai sakausējumi, kuros ir vairāk par 40 % niķeļa;

5. tantals vai tantala sakausējumi;

6. titāns vai titāna sakausējumi;

7. cirkonijs vai cirkonija sakausējumi; vai

8. niobijs (kolumbijs) vai niobija sakausējumi;

glabāšanas tvertnes, konteineri vai resīveri ar kopējo iekšējo (ģeometrisko) tilpumu lielāku par 0,1 m3 (100l), kam visas virsmas, kuras tieši saskaras ar tajos esošajām vai apstrādājamajām ķīmiskajām vielām, ir izgatavotas no jebkura turpmāk minētā materiāla:

1. sakausējumi, kuros ir vairāk par 25 % niķeļa un 20 % hroma;

2. fluoru saturoši polimēri (polimēri vai elastomēri materiāli, kuros ir vairāk nekā 35 % fluora);

3. stikla (arī stiklveida un emaljas pārklājumi vai stikla oderējums);

4. niķelis vai sakausējumi, kuros ir vairāk par 40 % niķeļa;

5. tantals vai tantala sakausējumi;

6. titāns vai titāna sakausējumi;

7. cirkonijs vai cirkonija sakausējumi; vai

8. niobijs (kolumbijs) vai niobija sakausējumi;

siltummaiņi vai kondensatori ar siltuma apmaiņas virsmu lielāku par 0,15 m2, bet mazāku par 20 m2; tādiem siltummaiņiem vai kondensatoriem paredzētas caurules, plāksnes, glodenes vai bloki (serdeņi), kam visas virsmas, kuras tieši saskaras ar apstrādājamajām ķīmiskajām vielām, ir izgatavotas no jebkura turpmāk minētā materiāla:

1. sakausējumi, kuros ir vairāk par 25 % niķeļa un 20 % hroma;

2. fluoru saturoši polimēri (polimēri vai elastomēri materiāli, kuros ir vairāk nekā 35 % fluora);

3. stikla (arī stiklveida un emaljas pārklājumi vai stikla oderējums);

4. grafīts vai oglekļa grafīts;

5. 2B350 d. niķelis vai sakausējumi, kuros ir vairāk par 40 % niķeļa;

6. tantals vai tantala sakausējumi;

7. titāns vai titāna sakausējumi;

8. cirkonijs vai cirkonija sakausējumi;

9. silīcija karbīds;

10. titāna karbīds; vai

11. niobijs (kolumbijs) vai niobija sakausējumi;

destilācijas vai absorbcijas kolonnas ar iekšējo diametru, kas lielāks par 0,1 m, un tādām destilācijas vai absorbcijas kolonnām paredzēti šķidruma sadalītāji, tvaika sadalītāji vai šķidruma kolektori, kam visas virsmas, kuras tieši saskaras ar apstrādājamajām ķīmiskajām vielām, ir izgatavotas no jebkura turpmāk minētā materiāla:

1. sakausējumi, kuros ir vairāk par 25 % niķeļa un 20 % hroma;

2. fluoru saturoši polimēri (polimēri vai elastomēri materiāli, kuros ir vairāk nekā 35 % fluora);

3. stikla (arī stiklveida un emaljas pārklājumi vai stikla oderējums);

4. grafīts vai oglekļa grafīts;

5. niķelis vai sakausējumi, kuros ir vairāk par 40 % niķeļa;

6. tantals vai tantala sakausējumi;

7. titāns vai titāna sakausējumi;

8. cirkonijs vai cirkonija sakausējumi; vai

9. niobijs (kolumbijs) vai niobija sakausējumi;

no attāluma vadāmas uzpildes iekārtas, kam visas virsmas, kuras tieši saskaras ar apstrādājamām ķīmiskajām vielām, ir izgatavotas no jebkura turpmāk minētā materiāla:

1. sakausējumi, kuros ir vairāk par 25 % niķeļa un 20 % hroma; vai

2. niķelis vai sakausējumi, kuros ir vairāk par 40 % niķeļa;

g. Tehniskas piezīmes: 1.2.

šādi vārsti un to sastāvdaļas: 2B350.g. pozīcijā materiāls, kas izturīgs pret koroziju, ir jebkurš no turpmāk minētajiem materiāliem: Nominālais izmērs ir mazākais diametrs starp ieejas un izejas diametriem.

1. vārsti, kam ir abas šādas īpašības:

1. a.

nominālais izmērs ir lielāks par 10 mm (3/8″); un

visas virsmas, kas tieši saskaras ar ražojamajām, apstrādājamajām vai glabājamajām ķīmiskajām vielām, ir izgatavotas no materiāla, kas izturīgs pret koroziju;

2. vārsti, izņemot 2B350.g.1. pozīcijā minētos, kam ir viss turpmāk minētais:

2. a.

nominālais izmērs ir vienāds ar vai lielāks par 25,4 mm (1″) un vienāds ar vai mazāks par 101,6 mm (4″);

vārsta korpuss vai iepriekš sagatavots korpusa oderējums;

noslēdzējelements ir konstruēts tā, ka tas ir maināms; un

visas vārsta korpusa vai iepriekš sagatavota vārsta oderējuma virsmas, kas tieši saskaras ar ražojamajām, apstrādājamajām vai glabājamajām ķīmiskajām vielām, ir izgatavotas no materiāla, kas izturīgs pret koroziju;

3. 2B350 g. šādi komponenti, kas konstruēti vārstiem 2B350.g.1 vai 2B350.g.2. pozīcijā, kuros visas virsmas, kas tieši saskaras ar ražojamajām, apstrādājamajām vai glabājamajām ķīmiskajām vielām, ir izgatavotas no materiāla, kas izturīgs pret koroziju;

3. a.

vārsta korpuss;

iepriekš sagatavots vārsta oderējums;

g. Tehniskas piezīmes: 1.

a.

niķelis vai sakausējumi, kuros ir vairāk par 40 % niķeļa;

b.

sakausējumi, kuros ir vairāk par 25 % niķeļa un 20 % hroma;

c.

fluoru saturoši polimēri (polimēri vai elastomēri materiāli, kuros ir vairāk nekā 35 % fluora);

d.

stikls vai stikla odere (tostarp stiklveida vai emaljas pārklājumi);

e.

tantals vai tantala sakausējumi;

f.

titāns vai titāna sakausējumi;

g.

cirkonijs vai cirkonija sakausējumi;

h.

niobijs (kolumbijs) vai niobija sakausējumi; vai

i.

šādi keramikas materiāli:

1. silīcija karbīds, kura tīrības pakāpe ir 80 % vai augstāka;

2. alumīnija oksīds, kura tīrības pakāpe ir 99,9 % vai augstāka;

3. cirkonija oksīds.

daudzsienu cauruļvadi ar noplūdes detektēšanas portu, kam visas virsmas, kuras tieši saskaras ar apstrādājamajām vai glabājamajām ķīmiskajām vielām, ir izgatavotas no jebkura turpmāk minētā materiāla:

1. sakausējumi, kuros ir vairāk par 25 % niķeļa un 20 % hroma;

2. fluoru saturoši polimēri (polimēri vai elastomēri materiāli, kuros ir vairāk nekā 35 % fluora);

3. stikla (arī stiklveida un emaljas pārklājumi vai stikla oderējums);

4. grafīts vai oglekļa grafīts;

5. niķelis vai sakausējumi, kuros ir vairāk par 40 % niķeļa.

6. tantals vai tantala sakausējumi;

7. titāns vai titāna sakausējumi;

8. cirkonijs vai cirkonija sakausējumi; vai

9. niobijs (kolumbijs) vai niobija sakausējumi;

i. Tehniska piezīme:

2B350 sūkņi ar daudzkārtējiem blīvslēgiem un bezblīvslēga sūkņi ar ražotāja paredzētu maksimālo plūsmas jaudu, kas lielāka par 0,6 m3/h, vai vakuumsūkņi ar ražotāja paredzētu maksimālo plūsmas jaudu, kas lielāka par 5 m3/h (pie standarta temperatūras 273 K (0 °C)) un spiediena (101,3 kPa), izņemot 2B233. pozīcijā minētos, un tādiem sūkņiem paredzēti korpusi, iepriekš sagatavoti korpusu oderējumi, lāpstiņrati, rotori vai ežektoru sprauslas, kam visas virsmas, kuras tieši saskaras ar apstrādājamajām ķīmiskajām vielām, ir izgatavotas no jebkura turpmāk minētā materiāla: Ar 2B350.i. pozīcijā minētajiem blīvslēgiem saprotami vienīgi tie blīvslēgi, kuri nonāk tiešā saskarē ar apstrādājamajām ķīmiskajām vielām (vai šādai saskarei paredzēti) un nodrošina noslēgšanu, ja rotējošā vai virzuļu dzenvārpsta iet cauri sūkņa korpusam.

1. sakausējumi, kuros ir vairāk par 25 % niķeļa un 20 % hroma;

2. keramika;

3. ferosilīcijs (dzelzs sakausējumi ar augstu silīcija saturu);

4. fluoru saturoši polimēri (polimēri vai elastomēru materiāli, kuros ir vairāk nekā 35 % fluora);

5. stikla (arī stiklveida un emaljas pārklājumi vai stikla oderējums);

6. grafīts vai oglekļa grafīts;

7. niķelis vai sakausējumi, kuros ir vairāk par 40 % niķeļa;

8. tantals vai tantala sakausējumi;

9. titāns vai titāna sakausējumi;

10. cirkonijs vai cirkonija sakausējumi; vai

11. niobijs (kolumbijs) vai niobija sakausējumi;

dedzināšanas iekārtas 1C350. pozīcijā minēto ķīmisko vielu iznīcināšanai, kam ir īpašas atkritumu padeves sistēmas un iekraušanas ierīces un kā sadegšanas kamerā vidējā temperatūra ir lielāka par 1273 K (1000 °C), bet visas atkritumu padeves sistēmas virsmas, kas ir tieši saskaras ar atkritumiem, ir izgatavotas no jebkura turpmāk minētā materiāla vai ar tiem oderētas:

1. sakausējumi, kuros ir vairāk par 25 % niķeļa un 20 % hroma;

2. keramika; vai

3. niķelis vai sakausējumi, kuros ir vairāk par 40 % niķeļa.

2B Tehniskas piezīmes: 1.2.3.4.5.6. Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: Tehniska piezīme: Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. a.

nepārtrauktas darbības iekārtas ķīmisko kaujas vielu vai 1C350. pozīcijā minēto ķīmisko vielu detektēšanai pie to koncentrācijas mazāk par 0,3 mg/m3; vai

iekārtas, kas paredzētas holīnesterāzes inhibēšanas detektēšanai.

a. Tehniska piezīme:

nokomplektētas bioloģiski izolētas laboratorijas ar P3, P4 izolācijas līmeni; P3 un P4 (BL3, BL4, L3, L4) izolācijas līmenis ir definēts Pasaules veselības organizācijas (WHO) izdevumā Laboratory Biosafety manual (3. izdevums, Ženēva, 2004).

b. Tehniska piezīme:

šādi fermentatori un to sastāvdaļas: Par fermentatoriem 2B352.b. pozīcijā uzskata arī bioreaktorus, vienreizlietojamos bioreaktorus, hemostatus un caurplūdes sistēmas.

1. fermentatori ar 20 litru vai lielāku kopējo tilpumu, kuros, neradot aerosolus, var kultivēt patogēnos mikroorganismus vai dzīvas šūnas patogēnu vīrusu vai toksīnu ražošanai;

2. šādas 2B352.b.1. pozīcijā minēto fermentatoru sastāvdaļas:

2. a.

kultivācijas kameras, kuras paredzēts sterilizēt vai dezinficēt in situ;

kultivācijas kameru turētāji;

procesa vadības ierīces, ar ko var vienlaikus uzraudzīt un regulēt divu vai vairāku fermentācijas sistēmu parametrus (piemēram, temperatūru, pH, barības vielu saturu, maisīšanu, izšķīdušo skābekli, gaisa plūsmu, putošanos);

c. Tehniska piezīme:

nepārtrauktas darbības centrifugālie separatori, kas nerada aerosolus un kam ir visi šie raksturlielumi: Pie centrifugālajiem separatoriem pieder dekantatori.

1. caurplūde lielāka par 100 l/h;

2. sastāvdaļas no pulēta nerūsējošā tērauda vai titāna;

3. viens vai vairāki blīvslēgi, kas norobežo tvaika izolācijas zonu; un

4. iespēja noslēgtā stāvoklī in situ sterilizēt ar tvaiku;

nepārtrauktas darbības šķērsplūsmas (tangenciālās plūsmas) filtrēšanas iekārtas un to sastāvdaļas: Piezīme: Kontroli 2B352.d. pozīcijā neattiecina uz ražotāja deklarētajām atgriezeniskās osmozes iekārtām.

1. nepārtrauktas darbības šķērsplūsmas (tangenciālās plūsmas) filtrēšanas iekārtas, kas spēj atdalīt patogēnos mikroorganismus, vīrusus, toksīnus vai šūnu kultūras un kam ir visi šie raksturlielumi:

1. a.

kopējais filtrācijas virsmas laukums ir 1 m2 vai lielāks; un

b. Tehniska piezīme:

ir jebkura šāda īpašība: Sterilizēts 2B352.d.1.b. pozīcijā nozīmē visu dzīvotspējīgo mikrobu likvidāciju iekārtā, lietojot fiziskus aģentus (piem., tvaiku) vai ķīmiskus aģentus. Dezinficēt nozīmē iznīcināt potenciālu mikrobu infekciju iekārtā, lietojot ķīmiskus aģentus ar baktericīdu iedarbību. Dezinfekcija un sterilizācija atšķiras no sanitārās apstrādes; pēdējā ir tīrīšanas procedūra, kas paredzēta, lai mazinātu mikrobu saturu iekārtā, ne vienmēr novēršot mikroorganismu infekciozitāti vai dzīvotspēju.

1. tās var sterilizēt vai dezinficēt in situ; vai

2. tajās izmanto vienreizējas lietošanas filtrēšanas komponentus;

2. 2B352 d. šķērsplūsmas (tangenciālās plūsmas) filtrācijas komponenti (piem., moduļi, elementi, kasetes, kasetnes, bloki vai plāksnes) ar 0,2 m2 vai lielāku filtrācijas laukumu katram komponentam, kas izstrādāti lietojumam 2B352.d. pozīcijā minētajās nepārtrauktas darbības šķērsplūsmas (tangenciālās plūsmas) filtrācijas iekārtās:

ar tvaiku sterilizējamas liofilizācijas iekārtas ar kondensatora ražību lielāku par 10 kg ledus 24 stundās un mazāku par 1000 kg ledus 24 stundās;

aizsardzības un izolācijas iekārtas:

1. pilni vai daļēji aizsargtērpi vai kapuces ar ārēju gaisa padevi un darbojas zem pārspiediena; Piezīme: Kontroli 2B352.f.1. pozīcijā neattiecina uz tērpiem, kuri paredzēti valkāšanai ar autonomiem elpošanas aparātiem.

2. III klases bioloģiski drošas kameras vai izolatori ar līdzīgiem darbības raksturlielumiem; Piezīme: 2B352.f.2. pozīcijā par izolatoriem uzskata arī elastīgus izolatorus, sausās kameras, anaerobās kameras, boksus ar cimdiem un lamināras plūsmas pārsegus (kas noslēgti ar vertikālu plūsmu).

kameras ar tilpumu 1 m3 vai lielāku, kas paredzētas patogēno mikroorganismu un toksīnu aerosolu signāltestēšanai;

iekārtas žāvēšanai ar izsmidzināšanu, ar kuru var žāvēt toksīnus vai patogēnus mikroorganismus un kurai ir visas turpmāk minētās īpašības:

1. ūdens iztvaikošanas jauda ≥ 0,4 kg/h un ≤ 400 kg/h;

2. spēja radīt tipisku vidējo produkta daļiņu ar izmēru ≤ 10 μm ar esošo aprīkojumu vai minētā žāvētāja minimālu modificēšanu, lai izsmidzināšanas sprauslas radītu nepieciešamā izmēra daļiņas; un

3. tās var sterilizēt vai dezinficēt in situ.

2C Materiāli Nav.

2D Programmatūra 2D001 Programmatūra, izņemot 2D002. pozīcijā minēto: Piezīme: Kontroli 2D001. pozīcijā neattiecina uz iekārtu programmēšanas programmatūru, kas ģenerē ciparu vadības kodus iekārtas daļu datorizētai vadībai. 2D002 Programmatūra elektroniskām ierīcēm, ieskaitot programmatūru, kas ir elektronisku ierīču vai sistēmu sastāvdaļa, kura ļauj šādām ierīcēm vai sistēmām funkcionēt kā ciparu vadības iekārtām, kas vienlaicīgi var koordinēt konturēšanas kontrolei vairāk nekā četras asis. 1. piezīme: Kontroli 2D002. pozīcijā neattiecina uz programmatūru, kas īpaši paredzēta vai pielāgota 2. kategorijā neminētu darbgaldu ekspluatācijai. 2. piezīme: Kontroli 2D002. pozīcijā neattiecina uz 2B002. pozīcijā minēto preču programmatūru. Attiecībā uz 2B002. pozīcijā minēto preču programmatūru sk. 2D001. un 2D003. pozīciju. 3. piezīme: Kontroli 2D002. pozīcijā neattiecina uz programmatūru, kas tiek eksportēta kopā ar 2. kategorijā neminētām precēm un kas ir obligāti nepieciešama šo preču ekspluatācijai. 2D003 Programmatūra, kas izstrādāta vai pārveidota 2B002. pozīcijā minēto iekārtu ekspluatācijai un kas pārvērš optisko dizainu, apstrādājamā izstrādājuma mērījumus un materiāla noņemšanas funkcijas ciparu vadības komandās, lai iegūtu vēlamo apstrādājamā izstrādājuma formu. 2D101 Programmatūra, kas īpaši paredzēta vai pielāgota 2B104., 2B105., 2B109., 2B116., 2B117. vai 2B119. līdz 2B122. pozīcijā minēto iekārtu lietošanai. NB! SK. ARĪ 9D004. POZĪCIJU. 2D201 Programmatūra, kas speciāli izstrādāta 2B204., 2B206., 2B207., 2B209., 2B219. vai 2B227. pozīcijā minēto iekārtu lietošanai. 2D202 Programmatūra, kas īpaši paredzēta vai pielāgota 2B201. pozīcijā minēto iekārtu pilnveidošanai, ražošanai vai lietošanai. Piezīme: Kontroli 2D202. pozīcijā neattiecina uz iekārtu programmēšanas programmatūru, kas ģenerē ciparu vadības kodus, taču neļauj tieši izmantot aprīkojumu iekārtas daļu datorizētai vadībai. 2D351 Programmatūra, kas nav minēta 1D003. pozīcijā un kas īpaši izstrādāta 2B351. pozīcijā minēto iekārtu lietošanai.

2D a.

programmatūra, kas īpaši paredzēta vai pielāgota 2A001. vai 2B001. pozīcijā minēto iekārtu pilnveidošanai vai ražošanai,

programmatūra, kas īpaši paredzēta vai pielāgota 2A001.c., 2B001. vai 2B003. līdz 2B009. pozīcijā minēto iekārtu lietošanai.

2E Tabula 1.2.3.A.B.B.1.B.2.B.3.B.4.C.D.E.F.G. Pārklāšanas metodes

Tehnoloģija 2E001 Tehnoloģijas saskaņā ar vispārējo piezīmi par tehnoloģijām 2A, 2B vai 2D sadaļā minēto iekārtu vai programmatūras pilnveidošanai. Piezīme: 2E001. pozīcija ietver arī tehnoloģiju zondes sistēmu integrēšanai 2B006.a. pozīcijā norādītajās koordinātu mēriekārtās. 2E002 Tehnoloģijas saskaņā ar vispārējo piezīmi par tehnoloģijām 2A vai 2B sadaļā minēto iekārtu ražošanai. 2E003 Šādas citas tehnoloģijas: 2E101 Tehnoloģijas saskaņā ar vispārējo piezīmi par tehnoloģijām 2B004., 2B009., 2B104., 2B109., 2B116., 2B119. līdz 2B122. vai 2D101. pozīcijā minēto iekārtu vai programmatūras lietošanai. 2E201 Tehnoloģijas saskaņā ar vispārējo piezīmi par tehnoloģijām 2A225., 2A226., 2B001., 2B006., 2B007.b., 2B007.c., 2B008., 2B009., 2B201., 2B204., 2B206., 2B207., 2B209., 2B225. līdz 2B233., 2D201. vai 2D202. pozīcijā minēto iekārtu vai programmatūras lietošanai. 2E301 Tehnoloģijas saskaņā ar vispārējo piezīmi par tehnoloģijām 2B350. līdz 2B352. pozīcijā minēto preču lietošanai. Pārklāšanas process (1) Substrāts Iegūstamais pārklājums Ķīmiska pārklāšana, izmantojot Supersakausējumi Aluminīdi iekšējām virsmām Keramika (19) un stikls ar zemu izplešanās koeficientu (14) Silicīdi Karbīdi Dielektriķu slāņi (15) Dimants Dimantveida ogleklis (17) Kompozīti ar oglekļa-oglekļa, keramikas un metāla matricu Silicīdi Karbīdi Grūti kūstoši metāli To maisījumi (4) Dielektriķu slāņi (15) Aluminīdi Leģēti aluminīdi (2) Bora nitrīds Cementēts volframa karbīds (16), silīcija karbīds (18) Karbīdi Volframs To maisījumi (4) Dielektriķu slāņi (15) Molibdēns un molibdēna sakausējumi Dielektriķu slāņi (15) Berilijs un berilija sakausējumi Dielektriķu slāņi (15) Dimants Dimantveida ogleklis (17) Sensoru logu materiāli (9) Dielektriķu slāņi (15) Dimants Dimantveida ogleklis (17) Fizikāli termiskā tvaika pārklāšana (TE-PVD) Fizikāla tvaika pārklāšana (PVD): elektronu kūlis (EB-PVD) Supersakausējumi Leģēti silicīdi Leģēti aluminīdi (2) MCrAlX (5) Modificēts cirkonija dioksīds (12) Silicīdi Aluminīdi To maisījumi (4) Keramika (19) un stikls ar zemu izplešanās koeficientu (14) Dielektriķu slāņi (15) Pret koroziju izturīgs tērauds (7) MCrAlX (5) Modificēts cirkonija dioksīds (12) To maisījumi (4) Kompozīti ar oglekļa-oglekļa, keramikas un metāla matricu Silicīdi Karbīdi Grūti kūstoši metāli To maisījumi (4) Dielektriķu slāņi (15) Bora nitrīds Cementēts volframa karbīds (16), silīcija karbīds (18) Karbīdi Volframs To maisījumi (4) Dielektriķu slāņi (15) Molibdēns un molibdēna sakausējumi Dielektriķu slāņi (15) Berilijs un berilija sakausējumi Dielektriķu slāņi (15) Borīdi Berilijs Sensoru logu materiāli (9) Dielektriķu slāņi (15) Titāna sakausējumi (13) Borīdi Nitrīdi Fizikāli termiskā tvaika pārklāšana (PVD) ar pretestības karsēšanu un jonu klātbūtni (jonu pārklājumi) Keramika (19) un stikls ar zemu izplešanās koeficientu (14) Dielektriķu slāņi (15) Dimantveida ogleklis(17) Kompozīti ar oglekļa-oglekļa, keramikas un metāla matricu Dielektriķu slāņi (15) Cementēts volframa karbīds (16), silīcija karbīds Dielektriķu slāņi (15) Molibdēns un molibdēna sakausējumi Dielektriķu slāņi (15) Berilijs un berilija sakausējumi Dielektriķu slāņi (15) Sensoru logu materiāli (9) Dielektriķu slāņi (15) Dimantveida ogleklis (17) Fizikāla tvaika pārklāšana (PVD): lāzera iztvaicēšana Keramika (19) un stikls ar zemu izplešanās koeficientu(14) Silicīdi Dielektriķu slāņi (15) Dimantveida ogleklis (17) Kompozīti ar oglekļa-oglekļa, keramikas un metāla matricu Dielektriķu slāņi (15) Cementēts volframa karbīds (16), silīcija karbīds Dielektriķu slāņi (15) Molibdēns un molibdēna sakausējumi Dielektriķu slāņi (15) Berilijs un berilija sakausējumi Dielektriķu slāņi (15) Sensoru logu materiāli (9) Dielektriķu slāņi (15) Dimantveida ogleklis Fizikāla tvaika pārklāšana (PVD): katoda lokizlāde Supersakausējumi Leģēti silicīdi Leģēti aluminīdi (2) MCrAlX (5) Polimēri (11) un organisko vielu matricas kompozīti Borīdi Karbīdi Nitrīdi Dimantveida ogleklis (17) Cementēšana karbonizatorā (sk. A iepriekš attiecībā uz cementēšanu bez karbonizatora) (10) Kompozīti ar oglekļa-oglekļa, keramikas un metāla matricu Silicīdi Karbīdi To maisījumi (4) Titāna sakausējumi (13) Silicīdi Aluminīdi Leģēti aluminīdi (2) Grūti kūstoši metāli un sakausējumi (8) Silicīdi Oksīdi Plazmas izsmidzināšana Supersakausējumi MCrAlX (5) Modificēts cirkonija dioksīds (12) To maisījumi (4) Abrazīvs niķelis-grafīts Abrazīvi materiāli, kas satur Ni-Cr-Al Abrazīvs Al-Si-poliesteris Leģēti aluminīdi (2) Alumīnija sakausējumi (6) MCrAlX (5) Modificēts cirkonija dioksīds (12) Silicīdi To maisījumi (4) Grūti kūstoši metāli un sakausējumi (8) Aluminīdi Silicīdi Karbīdi Pret koroziju izturīgs tērauds (7) MCrAlX (5) Modificēts cirkonija dioksīds (12) To maisījumi (4) Titāna sakausējumi (13) Karbīdi Aluminīdi Silicīdi Leģēti aluminīdi (2) Abrazīvs niķelis-grafīts Abrazīvi materiāli, kas satur Ni-Cr-Al Abrazīvs Al-Si-poliesteris Suspensijas pārklāšana Grūti kūstoši metāli un sakausējumi (8) Kausētie silicīdi Kausētie aluminīdi izņemot pretestības sildelementus Kompozīti ar oglekļa-oglekļa, keramikas un metāla matricu Silicīdi Karbīdi To maisījumi (4) Uzputināšanas pārklājumi Supersakausējumi Leģēti silicīdi Leģēti aluminīdi (2) Ar cēlmetāliem leģēti aluminīdi (3) MCrAlX (5) Modificēts cirkonija dioksīds (12) Platīns To maisījumi (4) Keramika un stikls ar zemu izplešanās koeficientu (14) Silicīdi Platīns To maisījumi (4) Dielektriķu slāņi (15) Dimantveida ogleklis (17) Titāna sakausējumi (13) Borīdi Nitrīdi Oksīdi Silicīdi Aluminīdi Leģēti aluminīdi (2) Karbīdi Kompozīti ar oglekļa-oglekļa, keramikas un metāla matricu Silicīdi Karbīdi Grūti kūstoši metāli To maisījumi (4) Dielektriķu slāņi (15) Bora nitrīds Cementēts volframa karbīds (16), silīcija karbīds (18) Karbīdi Volframs To maisījumi (4) Dielektriķu slāņi (15) Bora nitrīds Molibdēns un molibdēna sakausējumi Dielektriķu slāņi (15) Berilijs un berilija sakausējumi Borīdi Dielektriķu slāņi (15) Berilijs Sensoru logu materiāli (9) Dielektriķu slāņi (15) Dimantveida ogleklis (17) Grūti kūstoši metāli un sakausējumi (8) Aluminīdi Silicīdi Oksīdi Karbīdi Jonu implantācija Augsttemperatūras gultņu tēraudi Hroma, tantala vai niobija (kolumbija) piedevas Titāna sakausējumi (13) Borīdi Nitrīdi Berilijs un berilija sakausējumi Borīdi Cementēts volframa karbīds (16) Karbīdi Nitrīdi

2E a.

tehnoloģija interaktīvās grafikas pilnveidošanai, kas ir ciparu vadības ierīču kompleksa daļu programmu daļas izstrādes vai modificēšanas sastāvdaļa;

metālapstrādes procesu tehnoloģijas:

1. tādu instrumentu, formu vai to iestiprināšanas armatūras projektēšanas tehnoloģijas, kas speciāli paredzētas jebkuram no šiem procesiem:

1. a.

superplastiskā formēšana;

difūzā savienošanās; vai

tiešas darbības hidrauliskā presēšana;

2. tehniskie dati, kas sastāv no procesu metodes vai parametriem, lai kontrolētu:

2. a.

alumīnija sakausējumu, titāna sakausējumu vai supersakausējumu superplastisko formēšanu:

1. virsmas sagatavošanu;

2. ātro deformāciju;

3. temperatūru;

4. spiedienu;

2E003 b. 2. titāna sakausējumu vai supersakausējumu difūzo savienošanos:

1. virsmas sagatavošanu;

2. temperatūru;

3. spiedienu;

alumīnija sakausējumu vai titāna sakausējumu tiešas darbības hidraulisko presēšanu:

1. spiedienu;

2. cikla ilgumu;

titāna sakausējumu, alumīnija sakausējumu vai supersakausējumu karsto izostatisko blīvēšanu:

1. temperatūru;

2. spiedienu;

3. cikla ilgumu;

tehnoloģijas hidrauliskās stiepes-formēšanas mašīnu un to presformu pilnveidošanai un ražošanai, kas paredzētas lidaparātu korpusu konstrukciju izgatavošanai;

tehnoloģijas instrukciju ģeneratoru (piem., daļprogrammu) pilnveidošanai apstrādes instrumentiem, izmantojot projektēšanas datus, kas atrodas ciparu vadības blokos;

tehnoloģijas integrācijas programmatūras pilnveidošanai, lai iekļautu ekspertu sistēmas ciparu vadības blokos lēmumu pieņemšanai darba plānošanas operācijām;

tehnoloģijas neorganisko pārklājumu vai neorganisko virsmas modifikācijas pārklājumu lietošanai (minētas tabulas 3. ailē turpmāk) uz neelektroniskiem substrātiem (minēti tabulas 2. ailē turpmāk) ar tabulas 1. ailē minētā un tehniskajā piezīmē definētā procesa palīdzību. Piezīme: Tabula un tehniskā piezīme sarakstā ievietota aiz 2E301. pozīcijas. NB! Lai noteiktu konkrētā pārklāšanas procesā izmantoto tehnoloģiju, šajā tabulā sniegtā informācija jāizmanto tikai tad, ja iegūstamais pārklājums, kas minēts 3. ailē, ir tieši pretī punktam ar attiecīgo substrātu 2. ailē. Piemēram, pārklāšanas procesā izmantotās ķīmiskās pārklāšanas, izmantojot tvaiku (CVD), tehniskie dati ir ietverti saistībā ar silicīdu klāšanu uz kompozītiem ar oglekļa-oglekļa, keramikas un metāla matricu substrātiem, bet nav ietverti saistībā ar silicīdu klāšanu uz cementēta volframa karbīda (16), silikona karbīda (18) substrātiem. Pēdējā gadījumā iegūstamais pārklājums nav ietverts 3. ailes punktā, kas ir tieši pretī 2. ailes punktam, kurā minēts cementēts volframa karbīds (16), silīcija karbīds (18).

2E Tabula 1.2.3.A.B.B.1.B.2.B.3.B.4.C.D.E.F.G. Pārklāšanas metodes TABULA – PĀRKLĀŠANAS METODES – PIEZĪMES 1.2.3.4.5.6.7.8.9.10.11.12.13.14.15.16.17.18.19.

Termins pārklāšanas process attiecas arī uz pārklājumu remontu, atjaunošanu un jauniem pārklājumiem. Termins leģētu aluminīdu pārklājumi nozīmē vienslāņa vai daudzslāņu pārklājumus, kuros kāds elements vai elementi tiek uzklāti pirms aluminīda uzklāšanas vai tā uzklāšanas laikā arī tad, ja šie elementi tiek uzklāti ar citu pārklāšanas metodi. Tomēr tas neietver vairākkārtēju vienpakāpes cementēšanas procesu karbonizatorā, lai iegūtu leģētus aluminīdus. Termins ar cēlmetāliem modificētu aluminīdu pārklājums nozīmē daudzpakāpju pārklāšanas procesu, kurā cēlmetāls vai cēlmetāli pirms pārklāšanas ar aluminīdu tiek uzklāti citā procesā. Termins to maisījumi nozīmē infiltrētu materiālu, frakcionētus sastāvus, vienā pārklājuma slānī uzklātus maisījumus un daudzslāņu pārklājumus, ko iegūst ar kādu no tabulā minētajiem pārklāšanas procesiem. MCrAlX ir leģēts pārklājums, kurā M ir kobalts, dzelzs, niķelis vai to kombinācija, un X ir hafnijs, itrijs, silīcijs, tantals jebkurā daudzumā, vai jebkura cita piedeva daudzumā, kas pārsniedz 0,01 % dažādās attiecībās un kombinācijās, izņemot: Termins alumīnija sakausējumi nozīmē sakausējumus, kuriem 293 K (20 °C) temperatūrā stiepes robežstiprība ir 190 MPa vai augstāka. Termins pret koroziju izturīgs tērauds nozīmē AISI 300. markas vai ekvivalenta valsts standarta tēraudu. Termins grūti kūstoši metāli un sakausējumi ietver šādus metālus un to sakausējumus: niobijs (kolumbijs), molibdēns, volframs un tantals. Šādi sensoru logu materiāli: alumīnija oksīds, silīcijs, ģermānijs, cinka sulfīds, cinka selenīds, gallija arsenīds, dimants, gallija fosfīds, safīrs; šādi metālu halogenīdi: cirkonija fluorīds un hafnija fluorīds sensoru logu materiāliem, kā diametrs ir lielāks par 40 mm. Kontroli 2. kategorijā neattiecina uz tehnoloģiju cieto aerodinamisko formu vienpakāpes cementēšanai karbonizatorā. Šādi polimēri: poliimīdi, poliesteri, polisulfīdi, polikarbonāti un poliuretāni. Modificēts cirkonija dioksīds ir tāds cirkonija dioksīds, kuram pievienoti citu metālu oksīdi (piemēram, kalcija, magnija, itrija, hafnija, citu retzemju metālu oksīdi) noteiktas kristalografisko fāzu vai fāzu maisījuma stabilizācijai. Kontroli neattiecina uz termiskās barjeras pārklājumiem no cirkonija dioksīda, kas modificēts ar tam piejauktu vai ar to sakausētu kalcija vai magnija oksīdu. Titāna sakausējumi ir tikai tie titāna sakausējumi, ko izmanto kosmiskās aviācijas tehnikai un kā stiepes robežstiprība 293 K (20 °C) temperatūrā ir 900 MPa vai augstāka. Stikls ar zemu izplešanās koeficientu ir stikls, kura termiskās izplešanās koeficients 293 K (20 °C) temperatūrā ir 1 × 10-7 K-1 vai mazāks. Dielektriķu slāņi ir daudzslāņu izolējošu materiālu pārklājumi, kuros interferences īpašības materiālu kompozīcijām ar atšķirīgiem refrakcijas koeficientiem tiek izmantotas, lai atstarotu, caurlaistu vai absorbētu dažādu viļņu garumu joslas. Dielektriķu slāņi attiecas uz vairāk kā četriem dielektriķu vai dielektriķa-metāla kompozītu slāņiem. Cementēts volframa karbīds neietver materiālus metālgriešanas un presēšanas instrumentiem no volframa karbīda/(kobalta, niķeļa), titāna karbīda/(kobalta, niķeļa), hroma karbīda/niķeļa-hroma un hroma karbīda/niķeļa. Kontroli neattiecina uz tehnoloģijām, kas speciāli izstrādātas dimantveidīga oglekļa pārklājumiem uz jebko no turpmāk uzskaitītā: magnētiskajiem diskiem un galviņām, iekārtām vienreiz lietojamu priekšmetu ražošanai, izlietņu krāniem, skaļruņu akustiskajām diafragmām, automobiļu motoru daļām, griezējinstrumentiem, štancēšanas-presēšanas formām, biroju darba automatizācijas iekārtām, mikrofoniem un medicīniskajām iekārtām vai liešanas formām plastmasas liešanai vai veidošanai, kas ir izgatavotas no sakausējumiem, kuri satur mazāk par 5 % berilija. Silīcija karbīds neietver materiālus griešanas un profilveidošanas instrumentiem. Pie šajā pozīcijā minētajiem keramikas substrātiem nepieder keramikas materiāli, kas satur 5 % vai vairāk par mālu vai cementu kā atsevišķas piedevas vai kombinācijā.

TABULA – PĀRKLĀŠANAS METODES – PIEZĪMES 1.2.3.4.5.

a.

CoCrAlY pārklājumus, kas satur mazāk par 22 % hroma, mazāk par 7 % alumīnija un mazāk par 2 % itrija;

b.

CoCrAlY pārklājumus, kas satur 22 līdz 24 % hroma, 10 līdz 12 % alumīnija un 0,5 līdz 0,7 % itrija; vai

c.

NiCrAlY pārklājumus, kas satur 21 līdz 23 % hroma, 10 līdz 12 % alumīnija un 0,9 līdz 1,1 % itrija.

TABULA – PĀRKLĀŠANAS METODES – TEHNISKA PIEZĪME

Tabulas 1. ailē minētie pārklāšanas procesi ir šādi:

a.

ķīmiska pārklāšana, izmantojot tvaiku (CVD), ir virsmas pārklāšanas vai modifikācijas process, kurā sakarsētam substrātam uzklāj metālus, to sakausējumus, kompozītus, dielektriskus vai keramikas materiālus. Gāzveida reaģenti tiek sadalīti vai veidoti pie substrāta, un iegūstamajā substrāta pārklājumā nogulsnējas vajadzīgais elements, sakausējums vai savienojums. Šim sadalīšanās vai ķīmiskās reakcijas procesam vajadzīgo enerģiju var nodrošināt ar substrātā esošo siltumenerģiju, plazmas kvēles izlādi vai lāzera starojumu; 1. NB! CVD ietver šādus procesus: cementēšana ārpus karbonizatora virzītā gāzes plūsmā, impulsu CVD, termopārklāšana, izmantojot vadāmu nukleāciju (CNTD), plazmas ierosināti vai veicināti CVD procesi. 2. NB! Cementēšana karbonizatorā nozīmē substrāta iegremdēšanu pulverveida maisījumā. 3. NB! Gāzveida reaģentus, ko izmanto cementēšanai ārpus karbonizatora, pārklāšanas procesā iegūst tāpat, kā cementējot karbonizatorā, taču pārklājamais substrāts nav tiešā kontaktā ar pulverveida maisījumu.

b.

fizikāli termiskā tvaiku kondensācijas pārklāšana (TE-PVD) ir virsmas pārklāšanas process vakuumā, kas dziļāks par 0,1 Pa, kurā pārklājuma materiālu iztvaicēšanai izmanto termiskās enerģijas avotu. Šajā procesā uz attiecīgi pozicionētiem substrātiem kondensējas vai izgulsnējas pārklājuma materiāls. Parastākā šā procesa modifikācija ir gāzu ievadīšana vakuumkamerā, pārklāšanas procesa laikā veidojot saliktus pārklājumus. Šīs metodes parastās modifikācijas ir jonu vai elektronu kūļa vai plazmas izmantošana pārklāšanas procesa aktivizēšanai. Monitora izmantošana optisko parametru un pārklājuma biezuma mērīšanai procesa gaitā var būt viena no šā procesa īpatnībām. Specifiski TE-PVD procesi ir šādi:

1. elektronu kūļa PVD izmanto elektronu kūli lai uzkarsētu un pārtvaicētu materiālu no kura veido pārklājumu;

2. jonu pārklāšanas PVD izmanto elektriskās pretestības siltums avotu kombinācijā ar jonu kūli, kas atsitoties veido regulējamu un viendabīgu pārklājumu ar iztvaicēto materiālu;

3. lāzera iztvaicēšanai izmanto nepārtrauktā viļņa vai impulsu lāzera staru, ar ko iztvaicē materiālu, kurš veido pārklājumu;

4. katoda lokizlādes pārklāšanai izmanto katodu no pārklājumu veidojošā materiāla, un lokizlādi uz virsmas izraisa īslaicīgs kontakts ar iezemētu trigeri. Ar vadāmu loka kustību erodē katoda virsmu, veidojot stipri jonizētu plazmu. Anods var būt ar izolatoru pie katoda perifērijas pievienots konuss vai kamera. Nelineārajā pārklāšanā izmanto substrāta nobīdi; NB! Šī definīcija neattiecas uz nejaušiem katoda lokizlādes pārklājumiem ar nenobīdāmiem substrātiem.

5. jonu pārklājumi ir īpaša TE-PVD pamatprocesa modifikācija, kurā pārklājuma materiālu jonizē ar plazmas vai jonu avotu, bet, lai no plazmas ekstrahētu pārklājuma materiālu, uz substrātu iedarbojas ar negatīvi lādētiem joniem. Šā procesa parastās modifikācijas ir reaģentu pievienošana vai cietu vielu iztvaicēšana kamerā, kurā veic procesu, kā arī monitora izmantošana optisko parametru un pārklājuma biezuma mērīšanai procesa laikā;

c.

cementēšana karbonizatorā ir virsmas pārklāšanas vai virsmas modificēšanas process, ievietojot substrātu pulverveida maisījumā (karbonizatorā), kas sastāv no: Substrātu un pulvera maisījumu ievieto retortē, kuru uzkarsē līdz 1030 – 1375 K (757 – 1102 °C) temperatūrai, un šādu temperatūru uztur pārklājuma veidošanai vajadzīgo laiku;

1. uzklājamā metāla pulveriem (parasti alumīnija, hroma, silīcija vai to maisījumiem);

2. aktivatora (parasti – halogenīda); un

3. inerta pulvera, visbiežāk alumīnija oksīda.

d.

plazmas izsmidzināšana ir virsmas pārklāšanas process, kura laikā ar pulverizācijas degli, ar ko veido un vada plazmu, iedarbojas uz pulveri vai pārklājamā materiāla stiepli, to izkausē un virza uz pārklājamo substrātu, uz kura veidojas integrāli saistīts pārklājums. Pārklājumus plazmā veic ar pazemināta spiediena vai liela ātruma plazmas izsmidzināšanu; 1. NB! Pazemināts spiediens ir spiediens, kas mazāks par parasto atmosfēras spiedienu. 2. NB! Liels ātrums ir gāzes ātrums sprauslas izejā, kas pie 293 K (20 °C) temperatūras un pie spiediena 0,1 MPa pārsniedz 750 m/s.

e.

suspensijas pārklāšana ir virsmas modificēšana ar pārklāšanu, kurā metālu vai keramikas pulveri ar organisku saistvielu suspendē šķidrumā un to uzklāj substrātam, uzsmidzinot, iegremdējot vai uzklājot ar otu, pēc tam žāvējot gaisā vai krāsnī, un vēlamā pārklājuma iegūšanai veicot termisko apstrādi;

f.

pārklāšana uzsmidzinot ir virsmas pārklāšanas process, kas pamatojas uz inerces pārneses parādību, pie kuras pozitīvie joni elektriskā laukā iegūst lielāku paātrinājumu, tuvojoties mērķim (pārklājamam materiālam). Jonu triecienu kinētiskā enerģija ir pietiekama, lai atbrīvotu atomus uz mērķa virsmas un ar tiem pārklātu attiecīgi novietotu substrātu; 1. NB! Tabulas dati attiecas tikai uz pārklāšanu uzputinot, izmantojot triodes, magnetronus vai reaktīvo uzputināšanu, ko lieto pārklājuma adhēzijas un pārklājuma veidošanas ātruma palielināšanai, kā arī uzputināšanu radiofrekvencēs (RF), ko lieto nemetālisku pārklājuma materiālu uzputināšanai. 2. NB! Pārklāšanas procesa aktivācijai var izmantot zemas enerģijas (zem 5 keV) jonu staru kūļu avotus.

g.

jonu implantācija ir virsmas modificēšanas process ar pārklāšanu, kurā leģējošo elementu jonizē, ar potenciālu starpību paātrina un implantē noteiktā substrāta virsmas apgabalā. Pie jonu implantācijas pieder arī procesi, kuros jonu implantāciju veic reizē ar elektronu kūļa vai uzputināšanas pārklāšanu.

3. KATEGORIJA – ELEKTRONIKA

3A Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2.

Sistēmas, iekārtas un komponenti 1. piezīme: 3A001. un 3A002. pozīcijas iekārtām un to komponentiem, izņemot 3A001.a.3. līdz 3A001.a.10. un 3A001.a.12. vai 3A001.a.13. pozīcijā minēto, kas speciāli paredzēts citām iekārtām vai kam ir tādi paši funkcionālie raksturlielumi kā citām iekārtām, nosaka tādu pašu kontroles režīmu kā šīm citām iekārtām. 2. piezīme: 3A001.a.3. līdz 3A001.a.9. un 3A001.a.12. vai 3A001.a.13. pozīcijā aprakstītajām integrālajām shēmām, kas ir nemaināmi programmētas vai ir paredzētas konkrētām funkcijām citā aprīkojumā, nosaka tādu pašu kontroles režīmu kā šīm citām iekārtām. NB! Ja ražotājs vai pieteikuma iesniedzējs šo citu iekārtu kontroles režīmu noteikt nevar, integrālajām shēmām kontroles režīmu nosaka saskaņā ar 3A001.a.3 līdz 3A001.a.9., 3A001.a.12. un 3A001.a.13. pozīciju. 3A 3A001 Elektroniskie komponenti un to īpaši izstrādātas sastāvdaļas: 3A002 Šādas vispārēja lietojuma elektroniskas iekārtas: 3A003 Temperatūras regulācijas sistēmas, kuras dzesē smidzinot un kurās izmanto slēgta cikla šķidrumu glabāšanas un atjaunināšanas iekārtas noslēgtā vidē, kurā dielektrisku šķidrumu smidzina uz elektroniskiem komponentiem, izmantojot speciāli konstruētas sprauslas, kas darbojas tā, lai uzturētu elektroniskos komponentus paredzētā darba temperatūrā, kā arī tām speciāli konstruētas sastāvdaļas. 3A101 Elektroniskas iekārtas, ierīces un to sastāvdaļas, kas nav definētas 3A001. pozīcijā: 3A102 Termiskas baterijas, kas izstrādātas vai pārveidotas izmantojumam raķetēs. 3A102. pozīcijā termiskas baterijas ir vienreiz izmantojamas baterijas, kurās kā elektrolītu izmanto cietu neorganisku sāli, kas nevada elektrību. Tādās baterijās ir pirolītisks materiāls, ko aizdedzina, lai, izkausētu elektrolītu un aktivētu bateriju. Raķetes 3A102. pozīcijā ir nokomplektētas raķešu sistēmas un bezpilota lidaparātu sistēmas, kuru darbības rādiuss pārsniedz 300 km. 3A201 Elektroniski komponenti, kas nav definēti 3A001. pozīcijā: 3A225 Frekvences pārveidotāji vai ģeneratori, izņemot 0B001.b.13. pozīcijā minētos, kas izmantojami kā maināmas vai fiksētas frekvences motora pievadiekārtas un kam ir visi šie raksturlielumi: NB! 1.: Programmatūra, kas īpaši izveidota, lai veicinātu vai nodrošinātu to, ka frekvences pārveidotājs vai ģenerators atbilst 3A225. pozīcijas prasībām, ir norādīta 3D225. pozīcijā. NB! 2.: Tehnoloģijas kodu vai atslēgu veidā, lai veicinātu vai nodrošinātu to, ka frekvences pārveidotājs vai ģenerators atbilst 3A225. pozīcijas prasībām, ir norādītas 3E225. pozīcijā. Piezīme: Kontroli 3A225. pozīcijā neattiecina uz frekvences pārveidotājiem vai ģeneratoriem, ja tiem ir tehniskā nodrošinājuma, programmatūras vai tehnoloģiju ierobežojumi, kas neļauj tiem sasniegt iepriekš norādītos raksturlielumus, ja tie atbilst kādam no turpmāk minētajiem nosacījumiem: 3A225. pozīcijā minētos frekvences pārveidotājus dēvē arī par konvertoriem vai invertoriem. 3A225. pozīcijā minētos frekvences pārveidotājus var tirgot kā ģeneratorus, elektroniskas testēšanas iekārtas, maiņstrāvas enerģijas avotus, regulējama ātruma pievadiekārtas, maināmas frekvences pievadiekārtas, frekvencregulējamas pievadiekārtas. 3A226 Lieljaudas līdzstrāvas barošanas bloki, izņemot 0B001.j.6. pozīcijā minētos, kam ir abi šie raksturlielumi: 3A227 Augstsprieguma līdzstrāvas barošanas avoti, izņemot 0B001.j.5. pozīcijā minētos, kam ir abi šie raksturlielumi: 3A228 Komutācijas ierīces: 3A229 Spēcīgas strāvas impulsu ģeneratori: NB! SK. ARĪ MILITĀRO PREČU KONTROLES SARAKSTUS. 3A230 Augstfrekvences impulsu ģeneratori un to impulsa galviņas, kam ir abas šīs īpašības: 3A230. pozīcijā impulsu periods ir laiks starp 10 % un 90 % no sprieguma amplitūdas. Impulsa galviņas ir impulsu radošie tīkli, kas ir paredzēti, lai uztvertu spriegumu un pārvērstu to dažādos impulsa veidos (piemēram, taisnstūra, trijstūra, soļa, impulsa, eksponenciāla vai viencikla). Impulsa galviņas var būt impulsa ģeneratora neatņemama sastāvdaļa, bet tās var būt arī kā ierīcei pieslēdzams modulis vai kā ārēji pieslēdzama ierīce. 3A231 Neitronu ģeneratoru sistēmas, ieskaitot caurulītes, kam ir abas šīs īpašības: 3A232 Šādas daudzpunktu ierosinātājsistēmas, kas nav 1A007. pozīcijā minētās sistēmas: NB! SK. ARĪ MILITĀRO PREČU KONTROLES SARAKSTUS. NB! Attiecībā uz detonatoriem sk. 1A007. pozīciju. Piezīme: Kontroli 3A232. pozīcijā neattiecina uz detonatoriem, kuros izmanto tikai primārās sprāgstvielas, piemēram, svina azīdu. 3A233 Masas spektrometri, izņemot 0B002.g. pozīcijā minētos, kuri spēj reģistrēt jonus ar atommasu 230 vai vairāk un kuru izšķiršanas spēja ir lielāka par 2. daļiņām uz 230, kā arī tiem paredzētie jonu avoti: Elektronu bombardēšanas masas spektrometri 3A233.d. pozīcijā tiek dēvēti arī par elektronu ietekmes masas spektrometriem vai elektronu jonizācijas masas spektrometriem. 3A233.d.2. pozīcijā izsaldētājs ir ierīce, kas savāc gāzes molekulas, kondensējot vai sasaldējot tās uz aukstām virsmām. 3A233.d.2. pozīcijā noslēgtās sistēmas gāzveida hēlija kriogēniskais vakuumsūknis nav izsaldētājs. 3A234 Transversālas elektromagnētisko viļņu pārraides elementi, kas nodrošina zemas induktivitātes ceļu detonatoriem, ar šādām īpašībām:

3A a.

universālās integrālās shēmas: 1. piezīme: Kontroles režīmu pusvadītāju sagatavēm (pabeigtām un nepabeigtām), kuru funkcijas jau ir noteiktas, nosaka pēc 3A001.a. pozīcijā dotajiem parametriem. 2. piezīme: Integrālajām shēmām ir šādi tipi:

monolītas integrālās shēmas;

hibrīdas integrālās shēmas;

daudzelementu integrālās shēmas;

plēves tipa integrālās shēmas, arī silīcija-uz-safīra integrālās shēmas;

optiskās integrālās shēmas;

trīsdimensiju integrālās shēmas.

1. integrālās shēmas, kas ir paredzētas vai klasificētas kā tādas, kurām ir paaugstināta izturība pret radiācijas iedarbību un kuras iztur:

1. a.

kopējo apstarojuma dozu 5×103 Gy (silīcijs) vai lielāku;

apstarojuma dozas intensitāti 5×106 Gy (silīcijs)/s vai lielāku; vai

kopējo neitronu plūsmu (1 MeV ekvivalents) 5 × 1013 n/cm2 vai lielāku uz silīcija, vai tās ekvivalentu uz citiem materiāliem; Piezīme: Kontroli 3A001.a.1.c. pozīcijā neattiecina uz metāla izolācijas pusvadītājiem (MIS).

2. mikroprocesoru mikroshēmas, mikrodatoru mikroshēmas, mikrovadības mikroshēmas, datu uzkrājējas integrālas shēmas, kas izgatavotas no saliktiem pusvadītājiem, analogu-ciparu konvertori ciparu-analogu konvertori, elektrooptiskas vai optiskas integrālas shēmas, kas konstruētas signālu apstrādei, uz vietas programmējamas loģiskas iekārtas, uz pasūtījumu izgatavotas integrālas shēmas, kuru funkcijas nav zināmas, vai arī nav zināms to iekārtu kontroles režīms, kuras izmantos šīs shēmas, ātrā Furjē pārveidojuma (FFT) procesori, elektriski izdzēšami, programmējami, tikai nolasāmi atmiņas elementi (EEPROM) vai statiskas brīvpiekļuves atmiņas (SRAM) elementi, kurām ir kāda no šīm īpašībām: Piezīme: Kontroli 3A001.a.2. pozīcijā neattiecina uz integrālām mikroshēmām, ko lieto civilas nozīmes automobiļos vai vilcienos.

2. a.

paredzētas ekspluatācijai vidē ar temperatūru virs 398 K (125 °C);

paredzētas ekspluatācijai vidē ar temperatūru zem 218 K (- 55 °C); vai

paredzētas ekspluatācijai apkārtējās vides temperatūru diapazonā no 218 K (- 55 °C) līdz 398 K (125 °C);

3. mikroprocesoru mikroshēmas, mikrodatoru mikroshēmas un mikrokontrolleru mikroshēmas, kas izgatavotas no saliktiem pusvadītājiem un darbojas ar takts frekvenci lielāku par 40 MHz; Piezīme: 3A001.a.3. pozīcijā ietilpst ciparu signālu procesori, ciparu procesoru bloki un ciparu līdzprocesori.

4. nepiemēro;

5. Tehniskas piezīmes: 1.2.3.4.5.6.7.8.9. 3A001 a. 5.Tehniskas piezīmes: 1.2.3.4.

3A001 a. analogciparu pārveidotāju (ADC) un ciparanalogu pārveidotāju (DAC) integrālas shēmas: n bitu izšķirtspēja atbilst 2n līmeņu kvantizācijai. Bitu skaits izvades vārdā līdzinās ADC izšķirtspējai. Izvades ātrums ir maksimālais konvertera izvades līmenis, neatkarīgi no arhitektūras vai liekās diskreditizācijas. Daudzkanālu ADC izvades ātrums netiek summēts un to izvades ātrums ir jebkura atsevišķa kanāla maksimālais izvades ātrums. reizinošā algoritma ADC vai daudzkanālu ADC, kuros ir paredzēts reizinošā algoritma darbības režīms, izvadi summē un izvades ātrums ir maksimālais kopējais izvades ātrums, ko kopā nodrošina visi izvades kanāli. Pārdevēji var izvades ātrumu dēvēt arī par diskretizācijas frekvenci, konversijas līmeni vai caurplūdumu. To dažkārt norāda megahercos (MHz) vai mega paraugos (samples) sekundē (MSPS). Lai mērītu izvades ātrumu, viens izvades vārds sekundē ir ekvivalents vienam hercam vai vienam paraugam sekundē. Daudzkanālu ADC definē kā ierīces, kurās integrēts vairāk nekā viens ADC un kuras ir izstrādātas tā, lai katram ADC būtu atsevišķs analogs ieejas kanāls. Reizinošā algoritma ADC definē kā ierīces, kurās ir vairākas ADC vienības, kas dažādos laikos veic nolasījumus no vienas un tās pašas analogās ieejas, tā, lai, apkopojot izvades rezultātus, paraugi no analogās ieejas būtu ņemti efektīvāk un būtu konvertēti augstākā diskretizācijas frekvencē. Dinamisko diapazonu bez blakuskomponentiem (SFDR) definē kā attiecību starp nesējfrekvences (maksimālā signāla komponenta) RMS vērtību pie DAC ieejas un nākamā lielākā trokšņa vai harmoniskā kropļojuma RMS vērtību pie tā izvades. SFDR nosaka tieši, izmantojot specifikāciju tabulu vai raksturojošu diagrammu, kas ataino SFDR un frekvences attiecību. Signālu definē kā pilnas skalas signālu, ja tā amplitūda ir lielāka nekā - 3 dBfs (pilna skala). DAC regulējams atjaunošanas ātrums:

5. a.

ADC, kuriem ir kāda no šīm īpašībām: NB! SK. ARĪ 3A101. POZĪCIJU.

1. izšķiršanas spēja – 8 bitu vai vairāk, bet mazāk par 10 bitiem, ar izvades ātrumu lielāku par 1000 miljoniem vārdu sekundē;

2. izšķiršanas spēja –10 bitu vai vairāk, bet mazāk par 12 bitiem, ar izvades ātrumu lielāku par 300 miljoniem vārdu sekundē;

3. izšķiršanas spēja –12 biti ar izvades ātrumu lielāku par 200 miljoniem vārdu sekundē;

4. izšķiršanas spēja – vairāk nekā 12 bitu, bet nepārsniedz 14 bitu (ieskaitot), ar izvades ātrumu lielāku par 125 miljoniem vārdu sekundē; vai

5. izšķiršanas spēja – vairāk par 14 bitiem ar izvades ātrumu lielāku par 20 miljoniem vārdu sekundē;

5. Tehniskas piezīmes: 1.2.3.4.5.6.7.8.9. b.

ciparanalogu pārveidotāji (DAC), kuriem ir kāda no šīm īpašībām:

1. izšķiršanas spēja ir 10 biti vai vairāk un regulējams atjaunošanas ātrums ir 3500 MSPS vai lielāks; vai

2. izšķiršanas spēja ir 12 biti vai vairāk un regulējams atjaunošanas ātrums ir 1250 MSPS vai lielāks, un ir kāda no šīm īpašībām:

2. a.

stabilizācijas laiks ir mazāks nekā 9 ns no pilnas skalas pakāpes uz 0,024 % no pilnas skalas; vai

dinamiskais diapazons bez blakuskomponentiem (SFDR) ir lielāks nekā 68 dBc (nesējs), sintezējot pilnas skalas analogu signālu 100 MHz vai augstāko pilnas skalas analogā signāla frekvenci, kas noteikta zem 100 MHz.

5. Tehniskas piezīmes: 1.2.3.4.5.6.7.8.9. 3A001 a. 5.Tehniskas piezīmes: 1.2.3.4. a.

Parastos (bez interpolācijas) DAC regulējams atjaunošanas ātrums ir ātrums, kādā DAC ciparu signālu konvertē analogā signālā un maina izvades analogās vērtības. Tādus DAC, kuru interpolācijas režīmu ir iespējams apiet (interpolācijas faktors 1), būtu jāuzskata par parastiem (bez interpolācijas) DAC.

DAC ar interpolāciju (liekās diskreditizācijas DAC), regulējamu atjaunošanas ātrumu definē kā DAC atjaunošanas ātrumu, dalītu ar vismazāko interpolācijas faktoru. DAC ar interpolāciju regulējamu atjaunošanas ātrumu var saukt dažādi, tostarp:

ieejas datu ātrums;

ieejas vārdu caurlaides ātrums;

ieejas apstrādes ātrums;

maksimālais summārais ieejas kopnes ātrums;

maksimālais DAC frekvences lielums priekš DAC ieejas.

6. frekvences. elektrooptiskās un optiskās integrālās shēmas, kas konstruētas signālu apstrādei un kam ir visas šīs pazīmes:

6. a.

viena vai vairākas iekšējas lāzera diodes;

viens vai vairāki iekšēji gaismas detektorelementi; un

optiski viļņvadi;

7. 3A001 a. 7.Tehniskas piezīmes: 1.2.3.

uz vietas programmējamas loģiskās iekārtas ar kādu no šīm īpašībām: Piezīme: 3A001.a.7. pozīcijā ietilpst: Uz vietas programmējamas loģiskās iekārtas dēvē arī par uz vietas programmējamiem elementiem vai uz vietas programmējamiem loģiskiem blokiem. Pozīcijā 3A001.a.7.a minētais maksimālais ciparu ievades/izvades skaits attiecas arī uz maksimālo lietotāja ievades/izvades skaitu vai maksimāli iespējamo ievades/izvades skaitu, ja integrālās shēmas ir iepakotas vai tikai plāksnes veidā. kopējais vienvirziena seriālā raiduztvērēja maksimālais datu ātrums ir vienvirziena seriālā raiduztvērēja maksimālā datu ātruma reizinājums ar raiduztvērēju skaitu FPGA.

7. a.

maksimālais vienvirziena ciparu ievades/izvades skaits ir 500 vai lielāks; vai

kopējais vienvirziena seriālā raiduztvērēja maksimālais datu ātrums ir 200 Gb/s vai lielāks;

vienkāršas programmējamās loģiskās iekārtas (SPLD);

kompleksas programmējamās loģiskās iekārtas (CPLD);

uz vietas programmējamu elementu bloki (FPGA);

uz vietas programmējamie loģiskie bloki (FPLA);

uz vietas programmējamie savstarpējie slēgumi (FPIC).

8. nepiemēro;

9. neirotīklu integrālās shēmas;

10. uz pasūtījumu izgatavotas integrālās shēmas, kuru izpildāmās funkcijas nav zināmas vai arī ražotājam nav zināms, kādās iekārtās šīs shēmas izmantos, ja tām ir kāda no šīm īpašībām:

10. a.

vairāk nekā 1500 termināļu;

raksturīgais pamatelementa signāla nodošanas kavējuma laiks mazāks par 0,02 ns; vai

darbības takts frekvence ir lielāka par 3 GHz;

11. ciparu integrālās shēmas, izņemot tās, kas aprakstītas no 3A001.a.3. līdz 3A001.a.10. un 3A001.a.12. pozīcijā, kas bāzētas uz jebkuru saliktu pusvadītāju un kam ir kāda no šīm īpašībām:

11. a.

ekvivalento elementu skaits ir lielāks par 3000 (2 ieejas elementi); vai

komutācijas frekvence ir lielāka par 1,2 GHz;

12. Tehniska piezīme:

ātrā Furjē pārveidojuma (FFT) procesori, kuru nominālais operācijas izpildes laiks N-punktu kompleksam ir mazāks par (N log2 N)/20480 ms, kur N ir punktu skaits; Ja N ir 1024. punkti, pēc 3A001.a.12. pozīcijā dotās formulas aprēķinātais izpildes laiks ir 500 μs.

13. Tehniska piezīme:

tiešās ciparu sintēzes (DDS) integrētās shēmas, kam ir kāds no šiem raksturlielumiem: DAC takts frekvenci var norādīt kā pamata takts frekvenci vai ievades takts frekvenci.

13. a.

ciparanalogu pārveidotāja (DAC) takts frekvence ir 3,5 GHz vai augstāka un DAC izšķiršanas spēja ir 10 biti vai augstāka, bet ne augstāka kā 12 biti; vai

DAC takts frekvence ir 1,25 GHz vai augstāka un DAC izšķiršanas spēja ir 12 biti vai augstāka;

b. Tehniska piezīme:

mikroviļņu vai milimetru viļņu ierīču komponenti: 3A001.b. pozīcijā tehnisko datu sarakstā var būt minēts jebkurš no šādiem parametriem: maksimālā izejas jauda piesātinājumā, izejas jauda, izejas jauda piesātinājumā, maksimālā izejas jauda, izejas jaudas maksimums vai pakešu izejas jaudas maksimums.

1. 3A001 b. elektroniskas vakuumlampas un katodi: 1. piezīme: Kontroli 3A001.b.1. pozīcijā neattiecina uz elektronu lampām, kas paredzētas vai klasificētas ekspluatācijai jebkurā frekvenču diapazonā un kam ir visas šīs īpašības: 2. piezīme: Kontroli 3A001.b.1. pozīcijā neattiecina uz lampām, kas nav lietojamas kosmosā un kam piemīt visas šīs īpašības:

1. a.

nepārsniedz 31,8 GHz; un

paredzētas radiosakaru pakalpojumiem ITU atvēlētajos diapazonos, izņemot radiopeilēšanu.

vidējā izejas jauda vienāda ar vai mazāka par 50 W; un

kas paredzētas vai klasificētas ekspluatācijai visos frekvenču diapazonos un kam ir visas turpmākās īpašības:

1. pārsniedz 31,8 GHz, bet nepārsniedz 43,5 GHz; un

2. paredzētas radiosakaru pakalpojumiem ITU atvēlētajos diapazonos, izņemot radiopeilēšanu.

skrejošo viļņu lampas ar pulsējošu vai nepārtrauktu vilni:

1. lampas, kas darbojas frekvencē, kura lielāka par 31,8 GHz;

2. lampas ar katodu karsētāju elementu, kura ierosinājuma laiks līdz nominālai radiofrekvences (RF) jaudai ir īsāks par 3 sekundēm;

3. savietotas rezonatorlampas vai to modifikācijas, kuru frakcionālais joslas platums lielāks par 7 % vai maksimālā jauda ir lielāka par 2,5 kW;

4. spirālveida lampas vai to modifikācijas ar kādu no šīm īpašībām:

4. a.

momentānā frekvenču diapazona joslas platums ir lielāks par vienu oktāvu, bet vidējās jaudas (kW) reizinājums ar frekvenci (GHz) ir lielāks par 0,5;

momentānā frekvenču diapazona joslas platums ir vienāds vai mazāks par vienu oktāvu, bet vidējās jaudas (kW) reizinājums ar frekvenci (GHz), ir lielāks par 1; vai

lietojamas kosmosā;

krustotu lauku pastiprinātāju lampas ar pastiprinājumu, kas lielāks par 17 dB;

impregnētie katodi elektroniskām lampām, kurās nepārtrauktās emisijas strāvas blīvums nominālos darba apstākļos ir lielāks par 5 A/cm2;

2. mikroviļņu monolītās integrālās shēmas (MMIC) jaudas pastiprinātāji ar kādu no šiem raksturlielumiem: 1. piezīme: Nepiemēro. 2. piezīme: Kontroles režīmu MMIC, kuru nominālā darbības frekvence ietver frekvences, kas ietilpst vairāk nekā vienā frekvenču diapazonā, kā definēts 3A001.b.2.a. līdz 3A001.b.2.h. pozīcijā, nosaka maksimālās izejas jaudas piesātinājumā zemākā robeža. 3. piezīme: 1. un 2. piezīme 3A sadaļā nozīmē, ka kontroli 3A001.b.2. pozīcijā neattiecina uz MMIC, ja tās ir speciāli konstruētas citām vajadzībām, piem., telesakariem, radariem vai automobiļiem.

2. a.

paredzēti ekspluatācijai darbības frekvencē virs 2,7 GHz un līdz 6,8 GHz (ieskaitot) un ar frakcionālo joslas platumu virs 15 %, un tiem ir kāds no šādiem raksturlielumiem:

1. maksimālā izejas jauda piesātinājumā pārsniedz 75 W (48,75 dBm) jebkurā frekvencē virs 2,7 GHz un līdz 2,9 GHz (ieskaitot);

2. maksimālā izejas jauda piesātinājumā pārsniedz 55 W (47,4 dBm) jebkurā frekvencē virs 2,9 GHz un līdz 3,2 GHz (ieskaitot);

3. maksimālā izejas jauda piesātinājumā pārsniedz 40 W (46 dBm) jebkurā frekvencē virs 3,2 GHz un līdz 3,7 GHz (ieskaitot); vai

4. maksimālā izejas jauda piesātinājumā pārsniedz 20 W (43 dBm) jebkurā frekvencē virs 3,7 GHz un līdz 6,8 GHz (ieskaitot);

3A001 b. 2. paredzēti ekspluatācijai darbības frekvencē virs 6,8 GHz un līdz 16 GHz (ieskaitot) un ar frakcionālo joslas platumu virs 10 %, un tiem ir kāds no šādiem raksturlielumiem:

1. maksimālā izejas jauda piesātinājumā pārsniedz 10 W (40 dBm) jebkurā frekvencē virs 6,8 GHz un līdz 8,5 GHz (ieskaitot); vai

2. maksimālā izejas jauda piesātinājumā pārsniedz 5 W (37 dBm) jebkurā frekvencē virs 8,5 GHz un līdz 16 GHz (ieskaitot);

paredzēti ekspluatācijai ar maksimālo izejas jaudu piesātinājumā virs 3 W (34,77 dBm) jebkurā frekvencē virs 16 GHz un līdz 31,8 GHz (ieskaitot) un ar frakcionālo joslas platumu virs 10 %;

paredzēti ekspluatācijai ar maksimālo izejas jaudu piesātinājumā virs 0,1 nW (-70 dBm) jebkurā frekvencē virs 31,8 GHz un līdz 37 GHz (ieskaitot);

paredzēti ekspluatācijai ar maksimālo izejas jaudu piesātinājumā virs 1 W (30 dBm) jebkurā frekvencē virs 37 GHz un līdz 43,5 GHz (ieskaitot) un ar frakcionālo joslas platumu virs 10 %;

paredzēti ekspluatācijaim ar maksimālo izejas jaudu piesātinājumā virs 31,62 mW (15 dBm) jebkurā frekvencē virs 43,5 GHz un līdz 75 GHz (ieskaitot) un ar frakcionālo joslas platumu virs 10 %;

paredzēti ekspluatācijai ar maksimālo izejas jaudu piesātinājumā virs 10 mW (10 dBm) jebkurā frekvencē virs 75 GHz un līdz 90 GHz (ieskaitot) un ar frakcionālo joslas platumu virs 5 %; vai

paredzēti ekspluatācijai ar maksimālo izejas jaudu piesātinājumā virs 0,1 nW (-70 dBm) jebkurā frekvencē virs 90 GHz;

3. diskrēti mikroviļņu tranzistori, kam ir kāda no šīm īpašībām: 1. piezīme: Kontroles režīmu tranzistoram, kura nominālā darbības frekvence ietver frekvences, kas ietilpst vairāk nekā vienā frekvenču diapazonā, kā definēts 3A001.b.3.a. līdz 3A001.b.3.e. pozīcijā, nosaka maksimālās izejas jaudas piesātinājumā zemākā robeža. 2. piezīme: 3A001.b.3. pozīcijā ietilpst neapstrādātas pusvadītāju matricas, pusvadītāju matricas apvalkos vai pakās. Daži diskrētie tranzistori var tikt dēvēti arī par jaudas pastiprinātājiem, bet šo diskrēto tranzistoru statusu nosaka 3A001.b.3. pozīcija.

3. a.

paredzēti ekspluatācijai darbības frekvencē virs 2,7 GHz un līdz 6,8 GHz (ieskaitot) un tiem ir kāds no šādiem raksturlielumiem:

1. maksimālā izejas jauda piesātinājumā pārsniedz 400 W (56 dBm) jebkurā frekvencē virs 2,7 GHz un līdz 2,9 GHz (ieskaitot);

2. maksimālā izejas jauda piesātinājumā pārsniedz 205 W (53,12 dBm) jebkurā frekvencē virs 2,9 GHz un līdz 3,2 GHz (ieskaitot);

3. maksimālā izejas jauda piesātinājumā pārsniedz 115 W (50,61 dBm) jebkurā frekvencē virs 3,2 GHz un līdz 3,7 GHz (ieskaitot); vai

4. maksimālā izejas jauda piesātinājumā pārsniedz 60 W (47,78 dBm) jebkurā frekvencē virs 3,7 GHz un līdz 6,8 GHz (ieskaitot);

paredzēti ekspluatācijai darbības frekvencē virs 6,8 GHz un līdz 31,8 GHz (ieskaitot) un tiem ir kāds no šādiem raksturlielumiem:

1. maksimālā izejas jauda piesātinājumā pārsniedz 50 W (47 dBm) jebkurā frekvencē virs 6,8 GHz un līdz 8,5 GHz (ieskaitot);

2. 3A001 b. 3. b. maksimālā izejas jauda piesātinājumā pārsniedz 15 W (41,76 dBm) jebkurā frekvencē virs 8,5 GHz un līdz 12 GHz (ieskaitot);

3. maksimālā izejas jauda piesātinājumā pārsniedz 40 W (46 dBm) jebkurā frekvencē virs 12 GHz un līdz 16 GHz (ieskaitot); vai

4. maksimālā izejas jauda piesātinājumā pārsniedz 7 W (38,45 dBm) jebkurā frekvencē virs 16 GHz un līdz 31,8 GHz (ieskaitot);

paredzēti ekspluatācijai ar maksimālo izejas jaudu piesātinājumā virs 0,5 W (27 dBm) jebkurā frekvencē virs 31,8 GHz un līdz 37 GHz (ieskaitot);

paredzēti ekspluatācijai ar maksimālo izejas jaudu piesātinājumā virs 1 W (30 dBm) jebkurā frekvencē virs 37 GHz un līdz 43,5 GHz (ieskaitot);

paredzēti ekspluatācijai ar maksimālo izejas jaudu piesātinājumā virs 0,1 nW (-70 dBm) jebkurā frekvencē virs 43,5 GHz;

4. mikroviļņu cietvielas pastiprinātāji un mikroviļņu iekārtas/moduļi ar mikroviļņu cietvielas pastiprinātājiem, kam ir kāds no šiem raksturlielumiem: NB! MMIC jaudas pastiprinātājus jānovērtē pēc 3A001.b.2. pozīcijā dotajiem parametriem. 1. piezīme: Nepiemēro. 2. piezīme: Kontroles režīmu precei, kuras nominālā darbības frekvence ietver frekvences, kas ietilpst vairāk nekā vienā frekvenču diapazonā, kā definēts 3A001.b.4.a. līdz 3A001.b.4.e. pozīcijā, nosaka maksimālās izejas jauda piesātinājumā zemākā robeža. 3. piezīme: 3A001.b.4. pozīcijā ietilpst raidītāju/uztvērēju moduļi un raidītāju moduļi.

4. a.

paredzēti ekspluatācijai darbības frekvencē virs 2,7 GHz un līdz 6,8 GHz (ieskaitot) un ar frakcionālo joslas platumu virs 15 %, un tiem ir kāds no šādiem raksturlielumiem:

1. maksimālā izejas jauda piesātinājumāpārsniedz 500 W (57 dBm) jebkurā frekvencē virs 2,7 GHz un līdz 2,9 GHz (ieskaitot);

2. maksimālā izejas jauda piesātinājumā pārsniedz 270 W (54,3 dBm) jebkurā frekvencē virs 2,9 GHz un līdz 3,2 GHz (ieskaitot);

3. maksimālā izejas jauda piesātinājumā pārsniedz 200 W (53 dBm) jebkurā frekvencē virs 3,2 GHz un līdz 3,7 GHz (ieskaitot); vai

4. maksimālā izejas jauda piesātinājumā pārsniedz 90 W (49,54 dBm) jebkurā frekvencē virs 3,7 GHz un līdz 6,8 GHz (ieskaitot);

paredzēti ekspluatācijai darbības frekvencē virs 6,8 GHz un līdz 31,8 GHz (ieskaitot) un ar frakcionālo joslas platumu virs 10 %, un tiem ir kāds no šādiem raksturlielumiem:

1. maksimālā izejas jauda piesātinājumā pārsniedz 70 W (48,54 dBm) jebkurā frekvencē virs 6,8 GHz un līdz 8,5 GHz (ieskaitot);

2. maksimālā izejas jauda piesātinājumā pārsniedz 50 W (47 dBm) jebkurā frekvencē virs 8,5 GHz un līdz 12 GHz (ieskaitot);

3. maksimālā izejas jauda piesātinājumā pārsniedz 30 W (44,77 dBm) jebkurā frekvencē virs 12 GHz un līdz 16 GHz (ieskaitot); vai

4. maksimālā izejas jauda piesātinājumā pārsniedz 20 W (43 dBm) jebkurā frekvencē virs 16 GHz un līdz 31,8 GHz (ieskaitot);

paredzēti ekspluatācijai ar maksimālo izejas jaudu piesātinājumā virs 0,5 W (27 dBm) jebkurā frekvencē virs 31,8 GHz un līdz 37 GHz (ieskaitot);

3A001 b. 4. paredzēti ekspluatācijai ar maksimālo izejas jaudu piesātinājumā virs 2 W (33 dBm) jebkurā frekvencē virs 37 GHz un līdz 43,5 GHz (ieskaitot) un ar frakcionālo joslas platumu virs 10 %;

paredzēti ekspluatācijai darbības frekvencē virs 43,5 GHz un tiem ir kāds no šādiem raksturlielumiem:

1. maksimālā izejas jauda piesātinājumā virs 0,2 W (23 dBm) jebkurā frekvencē virs 43,5 GHz un līdz 75 GHz (ieskaitot) un ar frakcionālo joslas platumu virs 10 %;

2. maksimālā izejas jauda piesātinājumā virs 20 mW (13 dBm) jebkurā frekvencē virs 75 GHz un līdz 90 GHz (ieskaitot) un ar frakcionālo joslas platumu virs 5 %; vai

3. maksimālā izejas jauda piesātinājumā virs 0,1 nW (-70 dBm) jebkurā frekvencē virs 90 GHz; vai

ekspluatācijai frekvencē, kura lielāka par 2,7 GHz, un kam ir visi šie raksturlielumi:

1. maksimālā jauda piesātinājumā (vatos) Psat, kas ir lielāka par 400, dalot ar maksimālo darba frekvenci (GHz) kvadrātā [Psat > 400 W*GHz2/fGHz2];

2. frakcionālais joslas platums ir 5 % vai lielāks; un

3. Tehniska piezīme:

jebkuras divas savstarpēji perpendikulāras malas ar garumu d (centimetros) ir 15, dalot ar vismazāko darba frekvenci GHz, vai mazāku garumu [d ≤ 15 cm*GHz/fGHz]; Pastiprinātājiem, kuru nominālie darba parametri tuvinās uz leju 2,7 GHz un zemāk, 2,7 GHz būtu jāizmanto kā mazākā darba frekvence (fGHz) 3A001b.4.f.3. pozīcijā minētajā formulā [d ≤ 15 cm*GHz/2,7 GHz].

5. elektroniski vai magnētiski noskaņojami frekvenču joslu caurlaides vai aiztures filtri, kam ir vairāk par 5 noskaņojamiem rezonatoriem, kuri spēj noskaņoties 1,5:1 frekvenču diapazonā (fmax./fmin.) ātrāk par 10 μs, un kam piemīt kāda no turpmāk minētajām īpašībām:

5. a.

frekvenču caurlaides joslas platums lielāks par 0,5 % no centrālās frekvences; vai

frekvenču aiztures joslas platums mazāks par 0,5 % no centrālās frekvences;

6. nepiemēro;

7. konverteri un harmoniski mikseri, kas paredzēti 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. vai 3A002.f. pozīcijā minēto iekārtu frekvenču diapazonu paplašināšanai ārpus tur minētajām robežām;

8. 3A001 b. mikroviļņu jaudas pastiprinātāji, kuros izmanto 3A001.b.1. pozīcijā minētās lampas un kuriem ir visi šie raksturlielumi: Piezīme: Kontroli 3A001.b.8. pozīcijā neattiecina uz iekārtām, kas ir paredzētas vai klasificētas ekspluatācijai radiosakaru pakalpojumiem ITU atvēlētās frekvencēs, kas nav radiopeilēšana.

8. a.

darbības frekvence pret masas attiecību ir lielāka par 3 GHz;

vidējā izejas jauda ir lielāka par 80 W/kg; un

tilpums līdz 400 cm3;

9. Tehniskas piezīmes: 1.2.

mikroviļņu jaudas moduļi (MPM), kuros ir vismaz skrejošo viļņu lampa, mikroviļņu monolīta integrāla shēma un integrēts elektroniskais jaudas stabilizators un kuriem piemīt visas šīs iezīmes: Piemērs tilpuma aprēķināšanai 3A001.b.9.b. pozīcijā: 20 W nominālajai maksimālajai jaudai šis tilpums būtu: 20 W x 10 cm3/W = 200 cm3. Ierosinājuma laiks 3A001.b.9.a. pozīcijā ir laiks no pilnībā izslēgta līdz pilnīgam darba stāvoklim; proti, tajā ietverts MPM iesilšanas laiks.

9. a.

ierosinājuma laiks no izslēgta stāvokļa līdz pilnīgam darba stāvoklim ir īsāks par 10 sekundēm.

tilpums ir mazāks par nominālo maksimālo jaudu vatos, reizinātu ar 10 cm3/W; un

momentāns joslas platums ir lielāks par vienu oktāvu (fmax. > 2fmin.), un ir ievērots kāds no šiem nosacījumiem:

1. frekvencēm līdz 18 GHz (ieskaitot) radiofrekvences izejas jauda lielāka par 100 W; vai

2. frekvence lielāka par 18 GHz.

10. Tehniska piezīme:

oscilatori vai oscilatora bloki, par kuriem norādīts, ka tie darbojas ar visiem šādiem elementiem: 3A001.b.10. pozīcijā F ir nobīde no darbības frekvences Hz un f ir darbības frekvence MHz.

10. a.

individuālas blakusfrekvenču joslas (SSB) fāzes trokšņu raksturojums, izteikts dBc/Hz, ir labāks nekā - (126 + 20log10F-20log10f) jebkur 10 Hz < F < 10 kHz frekvencē; un

individuālas blakusfrekvenču joslas (SSB) fāzes trokšņu raksturojums, izteikts dBc/Hz, ir labāks nekā - (114 + 20log10F-20log10f) jebkur 10 kHz ≤ F < 500 kHz frekvencē;

11. frekvences sintezatoru elektroniski mezgli, kuru frekvenču pārslēgšanās laiku raksturo kaut kas no turpmāk minētā: NB! Attiecībā uz universāla pielietojuma signālu analizatoriem, signālu ģeneratoriem, tīklu analizatoriem un mikroviļņu testa uztvērējiem sk. attiecīgi 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. un 3A002.f. pozīciju.

11. a.

tas ir īsāks par 156 ps;

ir īsāks par 100 μs sintezētu frekvenču diapazonā, kas pārsniedz 4,8 GHz, bet nepārsniedz 10,6 GHz, jebkurai frekvenču izmaiņai lielākai par 1,6 GHz;

ir īsāks par 250 μs sintezētu frekvenču diapazonā, kas pārsniedz 10,6 GHz, bet nepārsniedz 31,8 GHz, jebkurai frekvenču izmaiņai lielākai par 550 MHz;

ir īsāks par 500 μs sintezētu frekvenču diapazonā, kas pārsniedz 31,8 GHz, bet nepārsniedz 43,5 GHz, jebkurai frekvenču izmaiņai lielākai par 550 MHz;

3A001 b. 11. ir īsāks par 1 ms sintezētu frekvenču diapazonā, kas pārsniedz 43,5 GHz, bet nepārsniedz 56 GHz, jebkurai frekvenču izmaiņai lielākai par 550 MHz;

ir īsāks par 1 ms sintezētu frekvenču diapazonā, kas pārsniedz 56 GHz, bet nepārsniedz 75 GHz, jebkurai frekvenču izmaiņai lielākai par 2,2 GHz; vai

ir īsāks par 1 ms sintezētu frekvenču diapazonā, kas pārsniedz 75 GHz;

šādas akustisku viļņu ierīces un tām speciāli konstruētas sastāvdaļas: Piezīme: Kontroli 3A001.c. pozīcijā neattiecina uz akustiskām viļņu ierīcēm, kurām ir tikai frekvenču joslas filtrs, zemo frekvenču filtrs, augsto frekvenču filtrs vai frekvenču aiztures filtrēšanas vai resonanses funkcija.

1. Tehniska piezīme:

virsmas akustisku viļņu un virsmas virskārtas akustisku viļņu ierīces ar kādu no šiem raksturlielumiem: Frekvences blakuspīķu atdalīšana (pavājinājums) ir maksimālais atdalīšanas rādītājs, kas norādīts tehnisko datu sarakstā.

1. a.

nesošā frekvence ir lielāka par 6 MHz;

nesošā frekvence ir lielāka par 1 GHz, bet nepārsniedz 6 GHz, un tai ir kāda no šīm īpašībām:

1. frekvences blakuspīķu atdalīšana (pavājinājums) lielāks par 65 dB;

2. maksimālā aiztures laika un f joslas platuma reizinājums (laiks μs × joslas platums MHz) ir lielāks par 100;

3. joslas platums ir lielāks par 250 MHz; vai

4. dispersā aizture ilgāka par 10 μs; vai

nesošā frekvence ir 1 GHz vai mazāka, un ir kāds no šiem raksturlielumiem:

1. maksimālā aiztures laika un f joslas platuma reizinājums (laiks μs × joslas platums MHz) ir lielāks par 100;

2. dispersā aizture ilgāka par 10 μs; vai

3. frekvences blakuspīķu atdalīšana (pavājinājums) lielāks par 65 dB un joslas platumu virs 100 MHz;

2. masas (tilpuma) akustisku viļņu ierīces, ar ko var tieši apstrādāt signālus par 6 GHz lielākās frekvencēs;

3. akustiskas un optiskas signālu apstrādes ierīces, kurās izmanto akustisku viļņu (tilpuma viļņu vai virsmas viļņu) mijiedarbību ar gaismas viļņiem, ļaujot tieši apstrādāt signālus vai attēlus, ieskaitot spektrālanalīzi, korelāciju vai konvolūciju;

elektroniskas ierīces vai shēmas ar elementiem, kas ražoti no supravadošiem materiāliem, kuras ir speciāli konstruētas ekspluatācijai temperatūrā, kas zemāka par vismaz vienas supravadošas sastāvdaļas kritisko temperatūru, un kurām ir kāds no šiem raksturlielumiem:

1. strāvas komutācija ciparu shēmu supravadošo elementu katra elementa kavējuma laika (s) un elementa jaudas izkliedes (W) reizinājums ir mazāks par 10-14 J; vai

2. frekvenču selekcijai visās frekvencēs ir izmantotas rezonanses ķēdes ar Q vērtībām virs 10000;

3A001 augstas enerģijas ierīces:

1. Tehniskas piezīmes: 1.2.3.4.

galvaniski elementi: 3A001.e.1. pozīcijā enerģijas blīvumu (Wj/kg) aprēķina, reizinot nominālo spriegumu ar nominālo kapacitāti ampērstundās (Ah), dalot ar masu kilogramos. Ja nominālā kapacitāte nav norādīta, enerģijas blīvumu aprēķina, nominālo spriegumu kāpinot kvadrātā un reizinot ar izlādes ilgumu stundās, dalot ar izlādes slodzi omos un ar masu kilogramos. Pozīcijā 3A001.e.1 galvaniskais elements ir elektroķīmiska ierīce, kam ir pozitīvs un negatīvs elektrods, elektrolīts un kas ir elektroenerģijas avots. Tas ir baterijas pamatsastāvdaļa. Pozīcijā 3A001.e.1 primārais galvaniskais elements ir galvaniskais elements, ko nav paredzēts uzlādēt no cita avota. 3A001.e.1. pozīcijā sekundārais galvaniskais elements ir galvaniskais elements, ko paredzēts uzlādēt no ārēja elektrības avota. Piezīme: Kontroli 3A001.e. pozīcijā neattiecina uz baterijām, ieskaitot baterijas ar vienu elementu.

1. a.

primāri galvaniski elementi ar enerģijas blīvumu lielāku par 550 Wh/kg pie 20 °C;

sekundāri galvaniski elementi ar enerģijas blīvumu lielāku par 300 Wh/kg pie 20 °C;

2. augstas enerģijas ietilpības kondensatori: NB! Sk. arī 3A201.a. pozīciju un militāro preču kontroles sarakstus.

2. a.

kondensatori ar atkārtojuma frekvenci mazāku par 10 Hz (vienas izlādes kondensatori), kuriem ir visi šie raksturlielumi:

1. nominālais spriegums vienāds ar 5 kV vai lielāks;

2. enerģijas blīvums vienāds ar 250 J/kg vai lielāks; un

3. pilna uzlādes enerģija vienāda ar 25 kJ vai lielāka;

kondensatori ar atkārtojuma frekvenci 10 Hz un lielāku (kondensatori atkārtotas izlādes nominālajam režīmam), kuriem ir visi šie raksturlielumi:

1. nominālais spriegums vienāds ar 5 kV vai lielāks;

2. enerģijas blīvums vienāds ar 50 J/kg vai lielāks;

3. pilna uzlādes enerģija vienāda ar 100 J vai lielāka; un

4. kalpošanas laiks – uzlādes un izlādes ciklu skaits – vienāds ar 10000 vai lielāks;

3. supravadoši elektromagnēti un solenoīdi, kas ir speciāli izstrādāti, lai pilnībā uzlādētos vai izlādētos laikā mazākā par vienu sekundi, un kam ir visi šie raksturlielumi: NB! SK. ARĪ 3A201.b. POZĪCIJU. Piezīme: Kontroli 3A001.e.3. pozīcijā neattiecina uz supravadošiem elektromagnētiem un solenoīdiem, ko paredzēts izmantot medicīnā magnētiskas rezonanses caurskates (MRI) iekārtās.

3. a.

enerģijas atdeve izlādes pirmajā sekundē ir lielāka par 10 kJ;

strāvas vadītāju vijumu iekšējais diametrs ir lielāks par 250 mm; un

nominālā magnētiskā indukcija ir lielāka par 8 T vai kopējais strāvas blīvums vijumos ir lielāks par 300 A/mm2;

4. Tehniska piezīme:

3A001 e. saules enerģijas elementi, elementu, to savienojumu un stikla apvalku (CIC) bloki, saules enerģijas paneļi, kā arī fotoelementu virknes, kas ir lietojami kosmosā un kā minimālais vidējais lietderības koeficients 301 K (28 °C) darba temperatūrā simulētā AM0 apgaismojumā ar starojumu 1367 vati uz kvadrātmetru (W/m2) ir lielāks par 20 %; AM0 jeb gaisa nulles masa ir īpašs Saules gaismas starojums Zemes atmosfēras augšējos slāņos, ja Zemes attālums no Saules ir viena astronomiskā vienība (AV).

rotācijas ieejas absolūtā stāvokļa kodēšanas ierīces, kam precizitāte ir ± 1,0 loka sekunde vai mazāka (labāka);

g. Tehniska piezīme:

cietvielu pulsējošas jaudas tiristoru slēdži un tiristoru moduļi, kuros izmanto elektriski, optiski vai ar elektronu starojumu vadāmas ieslēgšanas metodes un kuriem ir kādi no šiem raksturlielumiem: 1. piezīme: 3A001.g. pozīcijā ietilpst: 2. piezīme: Kontroli 3A001.g. pozīcijā neattiecina uz ierīcēm un tiristoru moduļiem, kas iebūvēti iekārtās, kuras konstruētas izmantojumam civilā dzelzceļu transportā vai civilos lidaparātos. 3A001.g. pozīcijā minētajā tiristoru modulī ir viena vai vairākas tiristoru ierīces.

1. maksimālais ieslēgšanas strāvas pieauguma koeficients (di/dt) ir lielāks par 30000 A/μs un izslēgtā stāvoklī spriegums ir lielāks par 1100 V; vai

2. maksimālais ieslēgšanas strāvas pieauguma koeficients (di/dt) ir lielāks par 2000 A/μs un ir visi no šiem raksturlielumiem:

2. a.

izslēgtā stāvoklī maksimālais spriegums ir 3000 V vai lielāks; un

maksimālais (pārsprieguma) strāvas stiprums ir 3000 A vai lielāks.

silīcija vadāmie taisngrieži (SCR)

elektriski pārslēdzami tiristori (ETT)

ar gaismu pārslēdzami tiristori (LTT)

komutējoši tiristori ar integrētu aizvaru (IGCT)

ar vadības elektrodu aizverami tiristori (GTO)

tiristori ar MOS vadību (MCT)

solidtroni

h. Tehniska piezīme:

cietvielu jaudas pusvadītāju slēdži, diodes vai moduļi, kam piemīt visas šīs īpašības: 1. piezīme: 3A001.h. pozīcijā minētais atkārtoti maksimālais spriegums izslēgtā stāvoklī aptver avota pieplūdes spriegumu, spriegumu no kolektora uz izstarotāju, atkārti maksimālo pretspriegumu un atkārtoti maksimālo apturošo spriegumu izslēgtā stāvoklī. 3A001 h.2. piezīme: 3A001.h. pozīcijā ietilpst: piezīme: Kontroli 3A001.h. pozīcijā neattiecina uz slēdžiem, diodēm un moduļiem, kas iemontēti iekārtās, ko paredzēts izmantot civilas jomas automobiļos, dzelzceļā un lidaparātos. 3A001.h. pozīcijā moduļos ir viens vai vairāki cietvielu jaudas pusvadītāju slēdži vai diodes.

1. paredzētā maksimālā darba pievades temperatūra ir augstāka par 488 K (215 °C);

2. izslēgtā stāvoklī atkārtotais stāvokļa maksimālais spriegums (bloķējošais spriegums) pārsniedz 300 V; un

3. pastāvīgā strāva ir lielāka par 1 A.

savienojuma kanāltranzistori (JFET)

vertikālā tipa lauktranzistori (VJFET)

metālu oksīdu pusvadītāju kanāltranzistori (MOSFET)

dubultais kliedētais metālu oksīdu pusvadītāju kanāltranzistors (DMOSFET)

izolēta slēdža bipolārais tranzistors (IGBT)

augsta elektronu kustīguma tranzistori (HEMT)

bipolāri savienojuma tranzistori (BJT)

tiristori un silīcija regulētie taisngrieži (SCR)

ar vadības elektrodu aizverami tiristori (GTO)

emitera aizveramie tiristori (ETO)

PiN diodes

Šotkija diodes

šādas ierakstu iekārtas un osciloskopi:

1. nepiemēro;

2. nepiemēro;

3. nepiemēro;

4. nepiemēro;

5. Tehniskas piezīmes: 1.2.

viļņu formu pārveidotāji ciparu formātā un pārejas procesu reģistrēšanas iekārtas ar visiem šiem raksturlielumiem: Minētajiem aparātiem ar paralēlo kopņu arhitektūru nepārtrauktā caurlaides spēja ir lielākais vārdu caurlaides ātrums, kas reizināts ar bitu skaitu vārdā. Nepārtrauktā caurlaide ir ātrākais datu ātrums, ko instruments var izvadīt lielapjoma atmiņā, nezaudējot informāciju, reizē nodrošinot stabilu diskretizācijas ātrumu un informācijas analogciparu pārveidošanu.

5. a.

ciparu informācijas diskretizācijas ātrums vienāds vai lielāks par 200 miljoniem paraugu sekundē ar izšķiršanas spēju 10 biti vai augstāku; un

nepārtrauktas caurlaides spēja ir 2 Gbit/s vai lielāka;

6. Tehniska piezīme:

3A002 a. ciparu datu ierakstītāju sistēmas, kas informāciju glabā magnētiskos diskos un kam ir visas turpmāk minētās īpašības, kā arī tām īpaši konstruētas ciparu ierakstīšanas iekārtas: Ciparu instrumentu datu ierakstītāju sistēmas var konfigurēt vai nu ar integrētu ierīci pārveidošanai ciparu formātā, vai ārpus ciparu ierakstīšanas iekārtas.

6. a.

ciparu formāta informācijas ātrums vienāds ar vai lielāks par 100 miljoniem paraugu sekundē ar izšķiršanas spēju 8 biti vai augstāku; un

nepārtrauktas caurlaides spēja ir 1 Gbit/s vai lielāka;

7. Reālā laika osciloskopi ar trokšņa voltāžas vidējo kvadrātisko vērtību (rms) mazāk par 2 % no pilnas skalas vertikālas skalas iestatījumā, kas dod vismazāko trokšņa vērtību 3 dB joslas platumā un 60 GHz vai augstākā frekvencē katrā kanālā; Piezīme: Kontroli 3A002.a.7. pozīcijā neattiecina uz ekvivalentā laika osciloskopiem.

nepiemēro;

šādi radio frekvenču signālu analizatori:

1. signālu analizatori, kam ir 3 dB frekvenču josla ar izšķiršanas spēju (RBW) augstāku par 10 HMZ frekvenču diapazonā no 31,8 GHz līdz 37,5 GHz;

2. signālu analizatori, kuriem norādītais vidējais trokšņa līmenis (DANL) ir mazāks (labāks) par -150 dBm/Hz frekvenču diapazonā no 43,5 GHz līdz 75 GHz;

3. signālu analizatori ar frekvenču diapazonu virs 75 GHz;

4. signālu analizatori, kuriem piemīt visas turpmāk minētās īpašības: Piezīme: Kontroli 3A002.c.4. pozīcijā neattiecina uz tādiem signālu analizatoriem, kuros izmanto tikai filtrus ar frekvenču joslu, kas noteikta kā konstanti frekvenču joslas procenti (tos dēvē arī par oktāvas vai oktāvas daļas filtriem).

4. a.

reālā laika joslas platums ir lielāks par 85 MHz; un

b. Tehniskas piezīmes: 1.2.

100 % atklāšanas iespējamība ar mazāk nekā 3 dB samazinājumu no pilnās amplitūdas sakarā ar signālu, kuru ilgums ir 15 s vai mazāk, atstarpēm vai logošanas efektiem; 3A002.c.4.b. pozīcijā minēto atklāšanas iespējamību dēvē arī par pārtveršanas vai uztveršanas iespējamību. 3A002.c.4.b. pozīcijā 100 % atklāšanas iespējamības ilgums ir ekvivalents minimālajam signāla ilgumam, kas nepieciešams konkrētā līmeņa mērījuma nenoteiktībai.

5. signālu analizatori ar frekvenču maskēšanas trigera funkciju ar 100 % uztveršanas iespēju signāliem, kuru ilgums ir 15 s vai mazāks;

d. Tehniskas piezīmes: 1.2.

sintezētu frekvenču signālu ģeneratori, kas rada izejas frekvences, kuru precizitāte un īslaicīga un ilglaicīga stabilitāte tiek kontrolēta un kuras ir atvasinātas vai stabilizētas ar iebūvētu atbalsta kontroles oscilatoru, un kam ir kāda no šīm iezīmēm: 1. piezīme: Piemērojot 3A002.d. pozīciju, sintezētu frekvenču signālu ģeneratori attiecas uz nenoteiktas viļņu formas un funkciju ģeneratoriem. 2. piezīme: Kontroli 3A002.d. pozīcijā neattiecina uz iekārtām, kuru izejas frekvenci iegūst, saskaitot vai atņemot divu vai vairāku kristāla oscilatoru frekvences, vai arī reizinot tādas saskaitīšanas vai atņemšanas rezultātus. Nenoteiktas viļņu formas un funkciju ģeneratora maksimālo sintezēto frekvenci aprēķina, dalot apstrādes ātrumu (paraugos sekundē) ar koeficientu 2,5. 3A002.d.1.a. pozīcijā impulsa ilgums ir laiks no brīža impulsa sākumā, kad tiek sasniegti 50 % no signāla amplitūdas, līdz brīdim impulsa beigās, kad tiek sasniegti 50 % no signāla amplitūdas.

1. paredzēts, lai radītu impulsa modulētus signālus ar visām turpmāk minētajām īpašībām jebkur sintezētās frekvences diapazonā, kas ir augstāks par 31,8 GHz, bet ne augstāks par 75 GHz;

1. a.

impulsa ilgums ir mazāks par 100 ns; un

ieslēgšanas/izslēgšanas attiecība ir 65 dB vai lielāka;

2. 3A002 d. izejas jauda ir lielāka par 100 mW (20 dBm) jebkur sintezētās frekvences diapazonā, kas ir augstāks par 43,5 GHz, bet ne augstāks par 75 GHz;

3. frekvenču pārslēgšanas laiks atbilst jebkurai no šīm īpašībām:

3. a.

nepiemēro;

ir īsāks par 100 μs sintezētu frekvenču diapazonā, kas pārsniedz 4,8 GHz, bet nepārsniedz 10,6 GHz, jebkurai frekvenču izmaiņai lielākai par 1,6 GHz;

ir īsāks par 250 μs sintezētu frekvenču diapazonā, kas pārsniedz 10,6 GHz, bet nepārsniedz 31,8 GHz, jebkurai frekvenču izmaiņai lielākai par 550 MHz;

ir īsāks par 500 μs sintezētu frekvenču diapazonā, kas pārsniedz 31,8 GHz, bet nepārsniedz 43,5 GHz, jebkurai frekvenču izmaiņai lielākai par 550 MHz;

ir īsāks par 1 ms sintezētu frekvenču diapazonā, kas pārsniedz 43,5 GHz, bet nepārsniedz 56 GHz, jebkurai frekvenču izmaiņai lielākai par 550 MHz; vai

ir īsāks par 1 ms sintezētu frekvenču diapazonā, kas pārsniedz 56 GHz, bet nepārsniedz 75 GHz, jebkurai frekvenču izmaiņai lielākai par 2,2 GHz;

4. Tehniska piezīme:

individuālas blakusfrekvenču joslas (SSB) fāzes trokšņu dBc/Hz raksturojums ir šāds: 3A002.d.4. pozīcijā F ir nobīde no darba frekvences Hz un f ir darba frekvence MHz;

4. a.

ir mazāks (labāks) nekā - (126 + 20log10F-20log10f) jebkur 10 Hz < F < 10 kHz frekvencē sintezētu frekvenču diapazonā, kas pārsniedz 3,2 GHz, bet nepārsniedz 75 GHz; un

ir mazāks (labāks) nekā - (114 + 20log10F-20log10f) jebkur 10 kHz ≤ F < 500 kHz frekvencē sintezētu frekvenču diapazonā, kas pārsniedz 3,2 GHz, bet nepārsniedz 75 GHz; vai

5. maksimālā sintezētā frekvence pārsniedz 75 GHz;

tīklu analizatori, kuriem piemīt kāda no šīm īpašībām:

1. izejas jauda ir lielāka par 31,62 mW (15 dBm) jebkur darbības frekvences diapazonā, kas ir augstāks par 43,5 GHz, bet ne augstāks par 75 GHz;

2. izejas jauda ir lielāka par 1 mW (0 dBm) jebkur darbības frekvences diapazonā, kas ir augstāks par 75 GHz, bet ne augstāks par 110 GHz;

3. Tehniska piezīme:

3A002 e. nelineāra vektora mērīšanas iespēja frekvencēs, kas pārsniedz 50 GHz, bet nepārsniedz 110 GHz; vai Nelineāra vektora mērīšanas iespēja ir instrumenta spēja analizēt ierīču testa rezultātus plašo signālu jomā vai nelineāro traucējumu jomā.

4. maksimālā darba frekvence ir lielāka par 110 GHz;

mikroviļņu testa uztvērēji, kam ir visi šie raksturlielumi:

1. maksimālā darba frekvence ir lielāka par 110 GHz; un

2. spēja reizē mērīt amplitūdu un fāzi;

atomāro frekvenču standarti, kam ir jebkurš no šiem raksturlielumiem:

1. lietojami kosmosā;

2. nav rubīdija standarti, un to ilgtermiņa stabilitāte mazāka (labāka) nekā 1 × 10-11/mēnesī; vai

3. nav lietojami kosmosā un tiem ir visi šie raksturlielumi:

3. a.

ir rubīdija standarti;

to ilgtermiņa stabilitāte mazāka (labāka) nekā 1×1011/mēnesī; un

kopējais enerģijas patēriņš ir mazāks par 1 W.

analogdigitālie pārveidotāji, kas izmantojami raķetēs un kas konstruēti ar paaugstinātu izturību atbilstoši militārajām specifikācijām;

paātrinātāji, kas var formēt elektromagnētisku starojumu, kuru rada līdz 2 MeV vai augstākai enerģijai paātrinātu elektronu bremzēšana, un sistēmas, kurās ir šādi paātrinātāji. Piezīme: 3A101.b. pozīcija neattiecas uz medicīnas vajadzībām paredzētām iekārtām.

3A Tehniskas piezīmes: 1.2. a.

kondensatori ar kādu no šīm parametru grupām:

1. a.

nominālais spriegums virs 1,4 kV;

uzkrājamās enerģijas daudzums virs 10J;

kapacitāte virs 0,5μF; un

virknes slēguma induktivitāte zem 50nH; vai

2. a.

nominālais spriegums virs 750 V;

kapacitāte virs 0,25μF; un

virknes slēguma induktivitāte zem 10nH;

supravadoši solenoidālie elektromagnēti, kam ir visi šie raksturlielumi: Piezīme: Kontroli 3A201.b. pozīcijā neattiecina uz magnētiem, kas speciāli paredzēti un tiek eksportēti kā medicīnisko kodolmagnētiskās rezonanses aparātu attēlu veidošanas sistēmu daļas. Šeit daļas nenozīmē tikai tā paša sūtījuma daļu; atļauti sūtījumi no dažādiem avotiem ar nosacījumu, ka eksporta izvešanas dokumentos skaidri norādīts, ka kravas nosūtītas kā attēlu veidošanas sistēmas daļas.

1. var radīt magnētisko lauku ar indukciju, kas lielāka par 2 T;

2. garuma attiecība pret iekšējo diametru ir lielāka par 2;

3. iekšējais diametrs ir lielāks par 300 mm; un

4. magnētiskā lauka viendabīgums augstāks par 1 % iekšējā tilpuma centrālajos 50 %;

c. Tehniskas piezīmes: 1.2.3.4.

impulsa tipa rentgenstaru ģeneratori vai pulsējošas darbības elektronu paātrinātāji, kam ir kāda no šo raksturlielumu grupām: Piezīme: Kontroli 3A201.c. pozīcijā neattiecina ne uz paātrinātājiem, kuri ir tādu iekārtu sastāvdaļas, kas paredzētas citiem nolūkiem, izņemot elektronu kūļa vai rentgenstaru iegūšanai, elektronu staru mikroskopiem), ne arī uz medicīniskajām iekārtām paredzētiem: Labuma skaitli K aprēķina šādi: K = 1,7 × 103 × V2,65 × Q, kur V ir maksimālā elektronu enerģija miljonos elektronvoltu. Ja paātrinātāja staru kūļa impulsa ilgums ir mazāks par vai vienāds ar 1 μs, tad Q ir vienāds ar kopējo paātrināto lādiņu kulonos. Ja paātrinātāja staru kūļa impulsa ilgums ir lielāks par 1 μs, tad Q ir maksimālais paātrinātais lādiņš 1 μs. Q ir vienāds ar integrāli no i pēc t, laikā mazākā par 1 μs vai staru impulsa laikā (Q = ∫ idt), kur i ir staru kūļa strāva ampēros, un t ir laiks sekundēs. maksimālā jauda = (maksimālais potenciāls voltos) × (maksimālā staru kūļa strāva ampēros). 3A201 c. Mašīnām, kuru princips balstās uz mikroviļņu paātrinošiem iedobumiem, staru kūļa impulsa laiks ir mazāks par 1 μs vai tās kopējās staru kūļa paketes ilgums, kuru rada viens mikroviļņu modulatora impulss. Mašīnām, kuru darbības princips balstās uz mikroviļņu paātrinošajiem iedobumiem, staru kūļa maksimālā strāva ir vidējā strāva kopējās staru kūļa paketes laikā.

1. a.

paātrinātāja maksimālā elektronu enerģija ir 500 keV vai lielāka, bet mazāka par 25 MeV; un

labuma skaitlis ir (K) 0,25 vai lielāks; vai

2. a.

paātrinātāja maksimālā elektronu enerģija ir lielāka par 25 MeV; un

maksimālā jauda ir lielāka par 50 MW.

daudzfāzu izeja ar jaudu 40 VA vai vairāk;

darba frekvence 600 Hz vai augstāka; un

frekvences regulācijas precizitāte ir labāka (mazāka) par 0,2 %.

1. tos jānosūta atpakaļ sākotnējam ražotājam uzlabojumu veikšanai vai ierobežojumu novēršanai;

2. tiem nepieciešama 3D225. pozīcijā norādītā programmatūra, lai veicinātu vai nodrošinātu atbilstību 3A225. pozīcijas prasībām; vai

3. tiem nepieciešamas 3E225. pozīcijā norādītās tehnoloģijas kodu vai atslēgu veidā, lai veicinātu vai nodrošinātu atbilstību 3A225. pozīcijas prasībām.

3A Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. a.

8 stundas bez pārtraukuma spēj ģenerēt 100 V vai lielāku spriegumu ar izejas strāvu 500 A vai lielāku; un

8 stundu laikā strāvas vai sprieguma stabilizācija ir labāka par 0,1 %.

8 stundas bez pārtraukuma spēj ģenerēt 20 kV vai lielāku spriegumu ar izejas strāvu 1 A vai lielāku; un

8 stundu laikā strāvas vai sprieguma stabilizācija ir labāka par 0,1 %.

aukstā katoda lampas ar gāzes pildījumu vai bez tā, kas darbojas līdzīgi dzirksteļizlādei un kam ir visi šie raksturlielumi: Piezīme: 3A228. pozīcijā iekļauj gāzu kritronlampas un vakuuma spritronlampas.

1. 3 vai vairāk elektrodi;

2. anoda maksimālais spriegums ir 2,5 kV vai augstāks;

3. anoda maksimālā strāva ir 100 A vai lielāka; un

4. anoda aizkavēšanās laiks 10 μs vai mazāks;

vadāmās dzirksteļu izlādes ierīces, kam piemīt abi šie raksturlielumi:

1. anoda aizkavēšanas laiks 15 μs vai mazāks; un

2. anoda maksimālā strāva ir 500 A vai lielāka;

moduļi vai bloki ātrai komutācijai, kuri nav uzskaitīti 3A001.g. vai 3A001.h. pozīcijā un kuriem ir visi šie raksturlielumi:

1. anoda maksimālais spriegums lielāks par 2 kV;

2. anoda maksimālā strāva ir 500 A vai lielāka; un

3. ieslēgšanas laiks ir 1 μs vai īsāks.

detonatoru palaišanas ierīces (ierosinātāju sistēmas, palaidēji), tostarp elektroniski ierosināmas, ar eksploziju ierosināmas un optiski ierosināmas palaidējierīces, izņemot tās, kas minētas 1A007.a. pozīcijā, kuras paredzētas, lai ierosinātu 1A007.b. pozīcijā minētos vairākveidu kontrolējamos detonatorus;

moduļu tipa elektrisko impulsu ģeneratori (pulsatori), kam ir visi šie raksturlielumi: Piezīme: 3A229.b. pozīcijā ietverti ksenona zibspuldžu ierosinātāji.

1. portatīvā, mobilā vai īpaši izturīgā izpildījumā;

2. spēj izlādēt uzkrāto enerģiju mazāk nekā 15 μs paketēs zem 40 omiem;

3. izejas strāva lielāka par 100 A;

4. neviens no izmēriem nepārsniedz 30 cm;

5. masa nepārsniedz 30 kg; un

6. paredzēti izmantošanai temperatūras diapazonā no 223 K (- 50 °C) līdz 373 K (100 °C) vai piemēroti kosmiskās aviācijas lietojumiem;

pavisam mazas palaišanas vienības, kam ir visas turpmāk minētās īpašības:

1. neviens izmērs nepārsniedz 35 mm;

2. spriegums vienāds ar vai lielāks par 1 kV; un

3. kapacitāte vienāda ar vai lielāka par 100 nF.

izejas spriegums ir lielāks par 6 V pie pretestības slodzes mazākas par 55 omiem; un

impulsu periods ir mazāks par 500 ps.

3A Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. a.

paredzētas ekspluatācijai bez ārējām vakuumsistēmām; un

izmanto kaut ko no turpmāk minētā:

1. tritija-deitērija kodolreakcijas izraisīšanai izmanto elektrostatisko paātrināšanu; vai

2. deitērija-deitērija kodolreakcijas izraisīšanai izmanto elektrostatisko paātrināšanu, un jauda var sasniegt 3 x 109 neitronus/s vai vairāk.

nepiemēro;

kompleksi, kuros izmanto individuālus detonatorus vai to kopas, un kuri ir paredzēti, lai ar vienu pašu ierosinātāju impulsu ar ierosmes izplatīšanās laiku virsmā mazāku par 2,5 μs gandrīz reizē ierosinātu eksplozīvu virsmu lielāku par 5000 mm2.

plazmas masas spektrometri ar induktīvo saiti (ICP/MS);

kvēles izlādes masas spektrometri (GDMS);

termiskās jonizācijas masas spektrometri (TIMS):

elektronu bombardēšanas masas spektrometri, kam ir abi šie raksturlielumi:

1. molekulārā stara ievades sistēma, kas ievada analizējamo molekulu kollimētu staru tajā jonu avota vietā, kur molekulas jonizē ar elektronu staru; un

2. viens vai vairāki izsaldētāji, ko var atdzesēt līdz temperatūrai 193 K (- 80 °C);

nepiemēro;

masas spektrometri, kas aprīkoti ar mikrofluorizācijas jonu avotu, kuri paredzēti lietošanai kopā ar aktinīdiem vai aktinīdu fluorīdiem.

3A Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. Tehniskas piezīmes: 1.2. a.

nominālais spriegums virs 2 kV; un

induktivitāte mazāka par 20 nH.

3B Testēšanas, inspekcijas un ražošanas iekārtas 3B001 Pusvadītāju ierīču vai materiālu ražošanas iekārtas un to speciālās sastāvdaļas un piederumi: 3B002 Testēšanas iekārtas, kas speciāli konstruētas korpusos neieslēgtu pusvadītāju un gatavu pusvadītāju ierīču pārbaudei, un tām speciāli konstruētas sastāvdaļas un piederumi:

3B a.

iekārtas epitaksiālā slāņa audzēšanai:

1. iekārtas, ar ko var mazāk nekā ± 2,5 % viendabīgā biezumā veidot tāda materiāla slāni, kas nav silīcijs, 75 mm vai lielākā attālumā; Piezīme: 3B001.a.1. pozīcija aptver arī atomārā slāņa epitaksijas (ALE) iekārtas.

2. reaktori ķīmiskai pārklāšanai, izmantojot metālorganisku savienojumu tvaiku (MOCVD), kas konstruēti saliktu pusvadītāju materiāla epitaksiālai audzēšanai, ar diviem vai vairākiem šādiem elementiem: alumīnijs, gallijs, indijs, arsēns, fosfors, antimons, slāpeklis;

3. molekulāro staru kūļa epitaksiālās audzēšanas iekārtas, kurās izmanto gāzveida vai cietus avotus;

iekārtas, kas paredzētas jonu implantācijai un kam ir kāds no šiem raksturlielumiem:

1. nepiemēro;

2. ir konstruētas un uzlabotas, lai darbotos pie staru kūļa enerģijas, kas ir 20 keV vai lielāka, un staru kūļa strāvas, kas ir 10 mA vai lielāka, ūdeņraža, deitērija vai hēlija jonu implantācijai;

3. ir tiešā ieraksta iespējas;

4. staru kūļa enerģija ir 65 keV vai lielāka un staru kūļa strāva ir 45 mA vai lielāka augstas enerģijas skābekļa jonu implantācijai uzkarsētā pusvadītāju materiāla substrātā; vai

5. ir konstruētas un uzlabotas, lai darbotos pie staru kūļa enerģijas, kas ir 20 keV vai lielāka, un staru kūļa strāvas, kas ir 10 mA vai lielāka, silīcija jonu implantācijai pusvadītāju materiāla substrātā, kurš sakarsēts vismaz līdz 600 °C;

iekārtas sausai kodināšanai ar anizotropo plazmu, kurām piemīt visas šīs īpašības:

1. tās ir konstruētas vai optimizētas, lai iegūtu kritiskos izmērus 65 nm vai mazākus; un

2. neviendabība sagatavē ir 10 % 3σ vai mazāk, kura izmērīta, izslēdzot malas, kas nepārsniedz 2 mm;

nepiemēro;

e. Tehniskas piezīmes: 1.2.

daudzkameru automātiskas ielādēšanas sistēmas manipulācijām ar pusvadītāju sagatavēm, kam piemīt visas šīs īpašības: Piezīme: Kontroli 3B001.e. pozīcijā neattiecina uz automātiskām robotizētām sistēmām manipulācijām ar pusvadītāju sagatavju diskiem, kuras ir īpaši paredzētas sagatavoju paralēlai apstrādei. 3B001.e. pozīcijā pusvadītāju apstrādes iekārtas ir modulāri instrumenti, kuri nodrošina funkcionāli atšķirīgus fizikālus procesus pusvadītāju ražošanai, piemēram, pārklāšana, izkodināšana, implantēšana vai termiska apstrāde. 3B001.e. pozīcijā secīga daudzkārtēja pusvadītāju sagatavju disku apstrāde ir spēja apstrādāt katru sagatavi atšķirīgās pusvadītāju apstrādes iekārtās, piemēram, pārnest katru sagatavi no vienas iekārtas uz otru iekārtu un uz trešo iekārtu ar automātiskās ielādēšanas centrālām daudzkameru sistēmām manipulācijām ar pusvadītāju sagatavēm.

1. ir pusvadītāju pamatņu disku ieejas un izejas saskarnes, kuras ir projektētas tā, lai tām varētu pievienot vairāk nekā divas funkcionāli atšķirīgas pusvadītāju apstrādes iekārtas, kas norādītas 3B001.a., 3B001.b. vai 3B001.c. pozīcijā; un

2. ir paredzētas integrētu sistēmu veidošanai vakuumā un secīgai daudzkārtējai pusvadītāju sagatavju disku apstrādei;

3B001 litogrāfijas iekārtas:

1. salāgošanas un eksponēšanas soļa un atkārtošanas (tiešais solis uz sagataves) vai soļa un skenēšanas iekārtas pusvadītāju sagatavju disku apstrādei, izmantojot fotooptisku vai rentgenstaru metodi, kurām ir kāds no šiem raksturlielumiem:

1. a.

gaismas avota viļņu garums mazāks par 245 nm; vai

b. Tehniska piezīme:

spēj formēt trafaretattēlu ar mazāko atšķiramu detaļu lielumu (MRF) 95 nm vai mazāku; Mazāko atšķiramu detaļu lielumu (MRF) aprēķina ar šādu formulu: MRFekspozīcijas gaismas avota viļņu garums nmK koeficientsciparu atvērums kur K koeficients = 0,35

2. litogrāfijas iespiediekārtas, ar ko var iespiest 95 nm vai mazākus elementus; Piezīme: 3B001.f.2. pozīcija attiecas uz:

kontakta mikrodrukas ierīcēm;

karstspieduma ierīcēm;

nanodrukas litogrāfijas ierīcēm;

Step and flash drukas (S-FIL) litogrāfijas ierīces

3. speciālas iekārtas masku izgatavošanai vai pusvadītāju iekārtu apstrādei, izmantojot tiešās rakstīšanas metodes, kam ir visi šie raksturlielumi:

3. a.

izmanto novirzītu fokusētu elektronu kūli, jonu kūli vai lāzera staru kūli; un

kam ir kāda no turpmāk minētajām īpašībām:

1. punkta izmērs ir mazāks par 0,2 μm;

2. spēj formēt trafaretattēlu ar detaļu lielumu mazāku par 1 μm; vai

3. pārklājuma precizitāte ir labāka par ± 0,20 μm (3 sigma);

maskas un rastri, kas konstruēti 3A001. pozīcijā minētajām integrālajām shēmām;

daudzslāņu maskas ar fāžu nobīdes slāni, kas nav precizētas 3B001.g. pozīcijā un kam ir kāda no turpmāk minētajām īpašībām: Piezīme: Kontroli 3B001.h. pozīcijā neattiecina uz daudzslāņu maskām ar fāžu nobīdes slāni, kas paredzētas tādu atmiņu iekārtu ražošanai, uz kurām neattiecina kontroli 3A001. pozīcijā.

1. izgatavotas uz substrātu sagataves maskas no stikla, par kuru norādīts, ka dubultlaušana tam ir mazāka par 7 nm/cm; vai

2. paredzētas izmantošanai ar litogrāfijas iekārtām, kam gaismas avota viļņu garums nepārsniedz 245 mm;

drukas litogrāfijas veidnes, kas paredzētas 3A001. pozīcijā minētajām integrālajām shēmām.

tranzistoru S-parametru testēšanai pie frekvencēm, kas pārsniedz 31,8 GHz;

nepiemēro;

3A001.b.2. pozīcijā minēto mikroviļņu integrālo shēmu testēšanai.

3C Materiāli 3C001 Hetero-epitaksiāli materiāli, ko veido substrāts ar sapakotiem daudzslāņu materiāliem, kas izaudzēti ar epitaksijas paņēmienu no kāda turpmāk minētā: Piezīme: Kontroli 3C001.d. pozīcijā neattiecina uz substrātu, kam ir viens vai vairāki P-veida GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP vai InGaAlP epitaksiāli slāņi neatkarīgi no elementu secības, izņemot gadījumus, kad P-veida epitaksiālais slānis ir starp N-veida slāņiem. 3C002 Aizsargpārklājumu materiāli un substrāti, kas pārklāti ar šādiem vadāmu īpašību aizsargpārklājumiem: 3C003 Šādi organiski-neorganiskie savienojumi: Piezīme: Kontroli 3C003. pozīcijā attiecina tikai uz tiem savienojumiem, kuru metāliskais, amfotērais vai nemetāliskais elements molekulas organiskajā daļā ir tieši saistīts ar oglekli. 3C004 Fosfora, arsēna vai antimona hidrīdi ar tīrības pakāpi lielāku par 99,999 %, arī tad, ja tie izšķīdināti inertā gāzē vai ūdeņradī. Piezīme: Kontroli 3C004. pozīcijā neattiecina uz hidrīdiem, kas satur 20 mol % vai vairāk inerto gāzu vai ūdeņraža. 3C005 Silīcija karbīda (SiC), gallija nitrīda (GaN), alumīnija nitrīda (AlN) vai alumīnija gallija nitrīda (AlGaN) pusvadītāju substrāti vai lējumi, lietņi vai citas šo materiālu sagataves ar īpatnējo pretestību, kas pie 20 °C ir lielāka par 10000 omi/cm. 3C006 3C005. pozīcijā minētie substrāti ar vismaz vienu silīcija karbīda, gallija nitrīda, alumīnija nitrīda vai alumīnija gallija nitrīda epitaksiālo slāni

3C a.

silīcija (Si);

ģermānija (Ge);

silīcija karbīda (SiC); vai

gallija vai indija III/V savienojumiem.

aizsargpārklājumi pusvadītāju litogrāfijai:

1. pozitīvi aizsargpārklājumi, kas pielāgoti (optimizēti) lietošanai viļņu garumos, kas mazāki par 245 nm, bet ir vismaz 15 nm;

2. aizsargpārklājumi, kas pielāgoti (optimizēti) lietošanai viļņu garumos, kas mazāki par 15 nm, bet lielāki par 1 nm;

visi aizsargpārklājumi, kas paredzēti lietojumam elektronu kūļa vai jonu kūļa starojuma tehnoloģijām, ar jutību ir 0,01 mikrokuloni/mm2 vai lielāku;

nepiemēro;

visi aizsargpārklājumi, kas optimizēti attēlu formēšanas tehnoloģijām;

visi aizsargpārklājumi, kas paredzēti un optimizēti lietošanai 3B001.f.2. pozīcijā definētajās litogrāfijas iespiediekārtās un kuros lieto vai nu termiskas, vai fotoķīmiskas cietināšanas procesu.

organometāliskie alumīnija, gallija un indija savienojumi ar (metāla bāzes) tīrības pakāpi lielāku par 99,999 %;

organiskie arsēna, antimona un fosfora savienojumi ar (neorganiskā elementa bāzes) tīrības pakāpi lielāku par 99,999 %.

3D Tehniska piezīme:

Programmatūra 3D001 Programmatūra, kas speciāli paredzēta 3A001.b. līdz 3A001.g. vai 3B sadaļā minēto iekārtu pilnveidošanai vai ražošanai. 3D002 Programmatūra, kas speciāli paredzēta 3B001.a. līdz.f. pozīcijā, 3B002. vai 3A225. pozīcijā minēto iekārtu lietošanai. 3D003 Uz fizikālu īpašību pamata izveidota imitācijas programmatūra, kas ir speciāli paredzēta tādu litogrāfisko, kodināšanas un uzklāšanas procesu pilnveidošanai, ar kuriem pārveido masku trafaretus specifiskās topogrāfiskās struktūrās strāvas vadītāja, dielektriķa vai pusvadītāja materiālos. 3D003. pozīcijā uz fizikālu īpašību pamata izveidots nozīmē veikt aprēķinu, lai noteiktu fizisku cēloņu un seku notikumu secību, ņemot par pamatu fizikālas īpašības (piem., temperatūra, spiediens, difūzijas konstantes un pusvadītāju materiālu īpašības). Piezīme: Bibliotēkas, projektu daļas vai ar tiem saistītas datu bāzes pusvadītāju ierīču vai integrālo shēmu konstruēšanai uzskata par tehnoloģijām. 3D004 Programmatūra, kas speciāli paredzēta 3A003. pozīcijā minēto iekārtu pilnveidošanai. 3D101 Programmatūra, kas īpaši paredzēta vai pielāgota 3A101.b. pozīcijā minēto iekārtu lietošanai. 3D225 Programmatūra, kas īpaši izveidota, lai veicinātu vai nodrošinātu to, ka frekvences pārveidotāji vai ģeneratori atbilst 3A225. pozīcijas prasībām.

3E Tehnoloģija 3E001 Tehnoloģijas saskaņā ar vispārējo piezīmi par tehnoloģijām 3A, 3B vai 3C sadaļā minēto iekārtu vai materiālu pilnveidošanai vai ražošanai. 1. piezīme: Kontroli 3E001. pozīcijā neattiecina uz 3A003. pozīcijā minēto iekārtu vai komponentu ražošanas tehnoloģijām: 2. piezīme: Kontroli 3E001 pozīcijā neattiecina uz tehnoloģijām 3A001.a.3. un 3A001.a.12. pozīcijā minēto integrālo shēmu pilnveidošanai vai ražošanai, kam piemīt visas šīs īpašības: 3E002 Tehnoloģijas saskaņā ar vispārējo piezīmi par tehnoloģijām, kas nav minētas 3E001. pozīcijā, tādu mikroprocesoru mikroshēmu, mikrodatoru mikroshēmu vai mikrokontrolleru mikroshēmu kodolu pilnveidošanai vai ražošanai, kuros loģiskā aritmētiskā elementa ieejas signāla koda platums ir 32 biti vai lielāks, un kuriem ir kāda no šīm iezīmēm: 1. piezīme: Kontroli 3E002. pozīcijā neattiecina uz tehnoloģijām mikroprocesoru kodolu pilnveidošanai vai ražošanai, kas atbilst visiem turpmāk minētajiem kritērijiem: 2. piezīme: 3E002. pozīcija attiecas arī uz ciparu signālu procesoru un ciparu bloku procesoru tehnoloģijām. 3E003 Citas tehnoloģijas šādu izstrādājumu pilnveidošanai vai ražošanai: 3E101 Tehnoloģijas saskaņā ar vispārējo piezīmi par tehnoloģijām 3A001.a.1. vai 2., 3A101., 3A102. vai 3D101. pozīcijā minēto iekārtu vai programmatūras lietošanai. 3E102 Tehnoloģijas saskaņā ar vispārējo piezīmi par tehnoloģijām 3D101. pozīcijā minētās programmatūras pilnveidošanai. 3E201 Tehnoloģijas saskaņā ar vispārējo piezīmi par tehnoloģijām 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201. un 3A225. līdz 3A234. pozīcijā minēto iekārtu lietošanai. 3E225 Tehnoloģijas kodu vai atslēgu veidā, lai veicinātu vai nodrošinātu to, ka frekvences pārveidotāji vai ģeneratori atbilst 3A225. pozīcijas prasībām.

3E a.

izmantotas 0,130 μm vai augstākas tehnoloģijas; un

ietver daudzslāņu struktūras ar trīs vai mazāk metāla slāņiem.

a. Tehniska piezīme:

vektorprocesora bloks ir konstruēts tā, lai vienlaikus aprēķinātu vairāk par diviem vektoriem ar peldošo komatu (viendimensijas bloki no 32 bitu vai lielākiem skaitļiem); Vektorprocesora bloks ir procesora elements ar iestrādātām instrukcijām, kas ļauj vienlaikus aprēķināt vairākus vektorus ar peldošo komatu (viendimensijas bloki no 32 bitu vai lielākiem skaitļiem), kam ir vismaz viens aritmētisks loģisks vektora elements.

tie ir konstruēti tā, lai veiktu vairāk nekā četras 64 bitu vai lielākas operācijas ar peldošo komatu vienā ciklā; vai

3E002 tie ir konstruēti tā, lai ciklā veiktu vairāk nekā četrus 16 bitu fiksēta komata reizināšanas un uzkrāšanas rezultātus (piem., ciparu darbības ar analogu informāciju, kas iepriekš pārveidota ciparu formātā, dēvē arī par ciparu signālu apstrādi). Piezīme: Kontroli 3E002.c pozīcijā neattiecina uz tehnoloģiju multivides paplašinājumiem.

izmantotas 0,130 μm vai augstākas tehnoloģijas; un

tiem ir vairākslāņu struktūra ar pieciem vai mazāk metāla slāņiem.

vakuuma mikroelektronikas ierīces;

heterostruktūras pusvadītāju elektroniskas ierīces, piemēram, augstas elektronu mobilitātes tranzistori (HEMT), heterobipolārie tranzistori (HBT), ierīces, kurās izmanto kvantu potenciāla bedres vai superrežģus; Piezīme: Kontroli 3E003.b. pozīcijā neattiecina uz tehnoloģijām, kas saistītas ar augsta elektronu kustīguma tranzistoriem (HEMT), kuru darba frekvences ir zemākas par 31,8 GHz, un heterobipolāriem tranzistoriem (HBT), kuru darba frekvences ir zemākas par 31,8 GHz.

supravadāmības elektroniskās ierīces;

dimanta plēves substrāti elektronikas komponentiem;

substrāti ar silīciju uz izolatora (SOI) integrālajām shēmām, kurās izolators ir silīcija dioksīds;

silīcija karbīda substrāti elektronikas elementiem;

elektroniskās vakuuma lampas, kas darbojas pie frekvencēm 31,8 GHz vai lielākām.

4. KATEGORIJA – DATORI

1. piezīme: Datori, ar tiem saistītās iekārtas vai programmatūra, kas veic telesakaru vai vietējā tīkla funkcijas, jānovērtē arī pēc 5. kategorijas 1. daļā (Sakari) minētajiem darbības raksturlielumiem. 2. piezīme: Vadības bloki, kuri tieši savstarpēji savieno centrālo procesoru blokus vai kanālus, galvenās atmiņas vai disku kontrolieru kopnes vai kanālus, netiek uzskatīti par 5. kategorijas 1. daļā (Telesakari) aprakstītajām telesakaru iekārtām. NB! Attiecībā uz kontroles režīmu programmatūrai, kas speciāli paredzēta pakešu komutēšanai, sk. 5D001. pozīciju. 3. piezīme: Datori, ar tiem saistītās iekārtas vai programmatūra, kas realizē šifrēšanas, atšifrēšanas, garantētas daudzpakāpju drošības vai garantētas lietotāja izolēšanas funkcijas vai kas ierobežo elektromagnētisko savienojamību (EMC), jānovērtē arī pēc funkcionālajiem raksturlielumiem 5. kategorijas 2. daļā (Informācijas drošība).

4A Sistēmas, iekārtas un komponenti 4A001 Elektroniski datori un ar tiem saistītas iekārtas, kam ir kāda no turpmāk minētajām īpašībām, kā arī elektroniski mezgli, un tiem speciāli konstruēti komponenti: NB! SK. ARĪ 4A101. POZĪCIJU. 4A003 Ciparu datori, elektroniski mezgli, ar tiem saistītas iekārtas un tām speciāli konstruēti komponenti: 1. piezīme: 4A003. pozīcijā ietilpst: 2. piezīme: 4A003. pozīcijā minēto ciparu datoru vai saistīto iekārtu kontroles režīmu nosaka pārējo piegādājamo iekārtu vai sistēmu kontroles režīms, ja: 4A004 Datori un ar tiem saistītas speciāli konstruētas iekārtas, elektroniski mezgli un komponenti: 4A005 Sistēmas, iekārtas un to komponenti, kas īpaši paredzēti vai pielāgoti ielaušanās programmatūras radīšanai, ekspluatācijai, piegādei vai sakariem ar to. 4A101 Analogie datori, ciparu datori vai ciparu diferenciālanalizatori, neskaitot 4A001.a.1. pozīcijā minētos, kas paredzēti darbam ekstrēmos apstākļos un speciāli izgatavoti vai pielāgoti lietošanai 9A004. pozīcijā minētajās kosmiskajās nesējraķetēs vai 9A104. pozīcijā minētajās raķešzondēs. 4A102 Hibrīdie datori, kas kas speciāli projektēti 9A004. pozīcijā minēto kosmisko nesējraķešu vai 9A104. pozīcijā minēto raķešzondu modelēšanai, imitācijai vai konstrukciju integrēšanai. Piezīme: Kontroli veic tikai gadījumos, kad šīs iekārtas piegādā kopā ar 7D103. vai 9D103. pozīcijā minēto programmatūru.

4A a.

speciāli konstruēti, lai tām būtu kāda no šīm īpašībām:

1. paredzēti ekspluatācijai temperatūrā, kas zemāka par 228 K (-45 °C) vai augstāka par 358 K (85 °C); vai Piezīme: Kontroli 4A001.a.1. pozīcijā neattiecina uz datoriem, kas paredzēti izmantojumam civilos automobiļos, vilcienos vai civilos lidaparātos.

2. izveidoti ar paaugstinātu izturību pret radiāciju, lai izturētu jebkuru no šiem parametriem: a. kopējā apstarojuma deva: 5 × 103 Gy (silīcijs); b. kļūdu izsaucošā apstarojuma dozas intensitāte: 5 × 106 Gy (silīcijs)/s; vai c. atsevišķa gadījuma kļūda: 1 × 10-8 kļūda/bits/diena; Piezīme: Kontroli 4A001.a.2. pozīcijā neattiecina uz datoriem, kas speciāli izstrādāti izmantojumam civilos lidaparātos.

nepiemēro.

vektorprocesori;

matricu procesori;

ciparu signālu procesori;

loģiski procesori;

iekārtas attēlu korekcijai;

iekārtas signālu apstrādei.

ciparu datori vai saistītās iekārtas ir būtiskas pārējo iekārtu vai sistēmu ekspluatācijai;

ciparu datori vai saistītās iekārtas nav pārējo iekārtu vai sistēmu galvenais elements; un NB! 1.: Kontroles režīmu signālu apstrādes vai attēlu korekcijas iekārtām, kas speciāli paredzētas izmantošanai citās iekārtās, kuru funkcijas šo iekārtu prasības ierobežo, nosaka pārējās iekārtas kontroles režīms, pat ja šajā gadījumā tiek pārsniegts galvenajam elementam noteiktais kritērijs. NB! 2.: Lai noteiktu kontroles režīmu ciparu datoriem vai saistītām iekārtām, kas paredzēti sakariem, sk. 5. kategorijas 1. daļu (Telesakari).

ciparu datoru un saistīto iekārtu tehnoloģiju nosaka pēc 4E sadaļas.

nepiemēro;

ciparu datorus, kuru koriģētā maksimālā jauda ir lielāka par 8,0 svērto TeraFLOPS (WT) vienību;

4A003 elektroniski mezgli, kas īpaši paredzēti vai pielāgoti, lai veicinātu ātrdarbību, apvienojot procesorus tā, ka to APP ir lielāka par 4A003.b. pozīcijā noteikto robežlielumu; 1. piezīme: Kontroli 4A003.c. pozīcijā attiecina tikai uz elektroniskiem mezgliem un programmējamiem savienotājelementiem, kuri nepārsniedz 4A003.b. pozīcijā noteikto robežu, ja tos piegādā kā individuālus elektroniskos mezglus. Kontroli neattiecina uz elektroniskiem mezgliem, kuri pēc savas konstrukcijas ir paredzēti vienīgi lietojumam par 4A003.e. pozīcijā minētajām saistītajām iekārtām. 2. piezīme: Kontroli 4A003.c. pozīcijā neattiecina uz elektroniskiem mezgliem, kuri paredzēti izstrādājumam vai izstrādājumu grupai, kā maksimālā konfigurācija nepārsniedz 4A003.b. pozīcijā noteikto robežu.

nepiemēro;

analogciparu pārveidošanas iekārtas, kuru parametri pārsniedz 3A001.a.5. pozīcijā noteiktos robežlielumus;

nepiemēro;

iekārtas, kas speciāli paredzētas ciparu datoru jaudas apvienošanai, nodrošinot ārējus savstarpējus savienojumus ar datu apmaiņas ātrumu vienā virzienā lielāku par 2,0 GB/s vienā savienojumā. Piezīme: Kontroli 4A003.g. pozīcijā neattiecina uz iekšējām savstarpējo savienojumu iekārtām (piemēram, aizmugures paneļiem, kopnēm), pasīvu savienojumu iekārtām, tīkla piekļuves kontrolieriem vai sakaru kanāla kontrolieriem.

sistolisku bloku datori;

neirodatori;

optiski datori.

4B Testēšanas, inspekcijas un ražošanas iekārtas Nav.

4C Materiāli Nav.

4D Programmatūra Piezīme: Kontroles režīms programmatūrai, kas paredzēta citās kategorijās aprakstītām iekārtām, aprakstīts attiecīgajā kategorijā. 4D 4D001 Šāda programmatūra: 4D002 Programmatūra, kas īpaši paredzēta vai pielāgota 4E sadaļā minēto tehnoloģiju atbalstam. 4D003 nepiemēro. 4D004 Programmatūra, kas ir īpaši paredzēta vai pielāgota ielaušanās programmatūras radīšanai, darbībai, piegādei vai sakariem ar to.

4D a.

programmatūra, kas īpaši paredzēta vai pielāgota 4A001. līdz 4A004. pozīcijā vai 4D sadaļā minēto iekārtu vai programmatūras pilnveidošanai vai ražošanai.

Programmatūra, izņemot pozīcijā 4D001.a. minēto, kas īpaši paredzēta vai pielāgota, lai pilnveidotu vai ražotu turpmāk minētās iekārtas:

1. ciparu datorus, kuru koriģētā maksimālā jauda ir lielāka par 0,60 svērto TeraFLOPS (WT) vienību;

2. elektroniskus mezglus, kas īpaši paredzēti vai pielāgoti, lai palielinātu ātrdarbību, apvienojot procesorus tā, ka to kopējā APP ir lielāka par 4D001.b.1. pozīcijā paredzēto robežlielumu;

4E Tehnoloģija 4E001

4E a.

Tehnoloģijas saskaņā ar vispārējo piezīmi par tehnoloģijām 4A vai 4D sadaļā minēto iekārtu vai programmatūras pilnveidošanai, ražošanai vai lietošanai.

Tehnoloģijas, izņemot 4E001.a. pozīcijā minētās, kas īpaši paredzētas vai pielāgotas, lai pilnveidotu vai ražotu turpmāk minētās iekārtas:

1. ciparu datorus, kuru koriģētā maksimālā jauda ir lielāka par 0,60 svērto TeraFLOPS (WT) vienību;

2. elektroniski mezgli, kas īpaši paredzēti vai pielāgoti, lai palielinātu ātrdarbību, apvienojot procesorus tā, ka bloka APP ir lielāka par 4E001.b.1 pozīcijā paredzēto robežlielumu.

Tehnoloģijas ielaušanās programmatūras pilnveidošanai.

TEHNISKA PIEZĪME PAR KORIĢĒTO MAKSIMĀLO JAUDU (APP)

APP ir koriģēta maksimālā jauda, kādā ciparu datori veic 64-bitu vai apjomīgāku summēšanu un reizināšanu peldošā komata režīmā. APP izsaka svērtās TeraFLOPS (WT) koriģētā peldošā komata 1012 darbībām sekundē vienībās.

Tehniskajā piezīmē lietotie saīsinājumi

n procesoru skaits ciparu datorā i procesora skaitlis (i,…n) ti procesora cikla ilgums (ti = 1/Fi) Fi procesora frekvence Ri maksimālais peldošā komata skaitļošanas ātrums Wi arhitektūras korekcijas koeficients

Īss izklāsts par APP aprēķinu metodi 1.2.3.4. Tehniska piezīme:

Katram procesora i nosaka maksimālo skaitu 64-bitu vai apjomīgāku peldošā komata operāciju, FPOi, ko vienā ciklā veic katrs ciparu datora procesors. Piezīme: Nosakot FPO, ņem vērā tikai 64-bitu vai apjomīgākas peldošā komata summēšanas un/vai reizināšanas darbības. Visas peldošā komata operācijas jāizsaka operācijās procesora cikla izteiksmē; operācijas, kam vajadzīgi vairāki cikli, var izteikt kā daļu no rezultāta vienā ciklā. Procesoriem, kas nespēj veikt aprēķinus par 64 bitu vai lielākiem peldošā komata operandiem, faktiskais skaitļošanas ātrums R ir nulle. Aprēķina peldošā komata ātrumu R katram procesoram Ri = FPOi/ti. Aprēķina APP pēc šādas formulas: APP = W1 × R1 + W2 × R2 + … + Wn × Rn. Vektorprocesoriem Wi = 0,9. Procesoriem, kas nav vektorprocesori, Wi = 0,3. 1. piezīme: Procesoriem, kas cikliski veic saliktas operācijas, piemēram, saskaitīšanu un reizināšanu, ņem vērā katru operāciju. 2. piezīme: Virknē slēgtiem procesoriem faktiskais skaitļošanas ātrums R ir ātrākais no virknes ātrumiem, kad virkne ir pilna, vai ātrums ārpus virknes. 3. piezīme: Katra iesaistītā procesora skaitļošanas ātrums R jāaprēķina atbilstīgi teorētiski iespējamai maksimālai vērtībai, pirms atvasina bloka APP. Pieņem, ka operācijas notiek reizē, ja datora ražotājs datora rokasgrāmatā vai brošūrā apliecina, ka dators operācijas veic vai izpilda līdztekus, paralēli vai reizē. 4. piezīme: Aprēķinot APP, neņem vērā procesorus, kuri paredzēti vienīgi ievadei/izvadei un perifērām funkcijām (piem., ārējiem cietajiem diskiem, komutācijai un videoekrāniem). 5. piezīme: APP vērtības neaprēķina tādu procesoru blokiem, kas ir (savstarpēji) savienoti vietējos tīklos, teritoriālos tīklos, ar vispārēji pieejamām ievades un izvades ierīcēm, ievades un izvades kontrolieriem vai jebkādu ar programmatūru īstenojamu sakaru iekārtu. 6. piezīme: APP vērtības jāaprēķina: Summē visus procesorus un paātrinātājus, kas darbojas vienlaicīgi un atrodas uz vienas mikroshēmas. 7. piezīme: Vektorprocesors ir procesors ar iebūvētām instrukcijām, kas reizē veic daudzkārtējus peldošā komata vektoru aprēķinus (viendimensijas bloki no 64 bitu vai lielākiem skaitļiem), un kam ir vismaz 2 vektoru funkcionālas vienības un vismaz 8 vektoru reģistri, kuri katrs sastāv no vismaz 64 elementiem.

Īss izklāsts par APP aprēķinu metodi 1.2.3.4.

1. procesoru blokiem, kuros ir procesori, kas speciāli izstrādāti, lai paātrinātu ātrdarbību, tos apvienojot, tiem darbojoties reizē un izmantojot kopīgu atmiņu; vai

2. daudzkārtīgas atmiņas/procesoru blokiem, kas darbojas reizē, izmantojot speciālu aparatūru.

5. KATEGORIJA – TELESAKARI UN INFORMĀCIJAS DROŠĪBA

1. DAĻA – TELESAKARI

5A1 Tehniska piezīme:

Sistēmas, iekārtas un komponenti 5A001 Šādas telesakaru sistēmas, iekārtas, to sastāvdaļas un piederumi: 5A101 Telemetrijas un tālvadības iekārtas, arī uz zemes bāzētas iekārtas, kas konstruētas vai pielāgotas izmantošanai raķetēm. Raķetes 5A101. pozīcijā ir nokomplektētas raķešu sistēmas un bezpilota lidaparātu sistēmas, kuru darbības rādiuss pārsniedz 300 km. Piezīme: Kontroli 5A101. pozīcijā neattiecina uz:

5A1 a.

visu tipu telesakaru iekārtas ar jebkuru no šiem raksturlielumiem, funkcijām vai īpašībām: Piezīme: Kontroli 5A001.a.2. un 5A001.a.3. pozīcijā neattiecina uz iekārtām, kas speciāli izgatavotas vai pielāgotas uzstādīšanai kosmiskos pavadoņos.

1. speciāli izstrādātas, lai izturētu kodolsprādziena radītā īslaicīgā elektroniskā efekta un elektromagnētiskā impulsa iedarbību;

2. īpaši izturīgas pret gamma, neitronu vai jonu radiāciju; vai

3. speciāli izstrādātas, lai varētu darboties temperatūrā zem 218 K (– 55 °C) un virs 397 K (124 °C); Piezīme: 5A001.a.3. pozīcija attiecas tikai uz elektroniskām iekārtām.

telesakaru iekārtu sistēmas un iekārtas, kā arī to speciālie komponenti un piederumi, kam ir kāds no šiem raksturlielumiem, funkcijām vai īpašībām:

1. tās ir nepiestiprinātas zemūdens sakaru sistēmas, kam ir kāda no šīm īpašībām:

1. a.

akustiskā nesējfrekvence ir ārpus diapazona joslas no 20 līdz 60 kHz;

izmanto elektromagnētisko nesējfrekvenci, kas mazāka par 30 kHz;

izmanto elektronu staru vadības tehniku; vai

vietējā tīklā izmanto lāzerus vai gaismas diodes (LED), kuru izejas viļņa garums ir lielāks par 400 nm un mazāks par 700 nm;

2. tās ir radioiekārtas, kas darbojas frekvenču joslā no 1,5 MHz līdz 87,5 MHz un kam ir visas šīs īpašības:

2. a.

automātiski nosaka un izvēlas frekvences un kopējo ciparu datu pārsūtīšanas ātrumu katram kanālam, lai optimizētu pārraidi; un

tam ir lineāro jaudas pastiprinātāju konfigurācija, kas spēj reizē nodrošināt vairāku signālu pastiprinājumu, ar izejas jaudu 1 kW vai lielāku 1,5 līdz 30 MHz frekvenču diapazonā vai 250 W un lielāku 30 līdz 87,5 MHz frekvenču diapazonā ar vienas oktāvas vai lielāku momentāno joslas platumu un par -80 dB labāku izejas harmoniskiem kropļojumiem;

3. tās ir radioiekārtas, kurās izmanto spektra izkliedes vai frekvences maiņas (frekvenču lēciena) paņēmienus, kas nav norādīti 5A001.b.4. pozīcijā, un kurām ir kāda no šīm īpašībām: Piezīme: Kontroli 5A001.b.3. pozīcijā neattiecina uz iekārtām, kuru izejas jauda ir 1 W vai mazāka.

3. a.

tām ir lietotāju programmējami izkliedes kodi; vai

kopējais pārraidāmo frekvenču joslas platums ir vismaz 100 reižu lielāks par jebkura informācijas kanāla joslas platumu un pārsniedz 50 kHz; Piezīme: Kontroli 5A001.b.3.b. pozīcijā neattiecina uz radioiekārtām, kas speciāli paredzētas šādai izmantošanai:

a.

mobilo radiosakaru sistēmām, ko izmanto civilām vajadzībām; vai

b.

fiksētām vai mobilām stacijām uz zemes satelītu signāla uztveršanai komerciālajos civilajos telesakaros.

4. 5A001 b. tās ir radioiekārtas, kas izmanto ultra-platjoslas modulācijas paņēmienu ar lietotāja programmējamiem kanālu sadales kodiem, jaukšanas kodiem vai tīkla identifikācijas kodiem, un kam piemīt kāda no šīm īpašībām:

4. a.

joslas platums ir lielāks par 500 MHz; vai

frakcionālais joslas platums ir 20 % vai lielāks.

5. Tehniskas piezīmes:

tā ir radio uztvērējiekārta ar digitālu vadāmierīci ar visām šīm īpašībām: Piezīme: Kontroli 5A001.b.5. pozīcijā neattiecina uz radioiekārtām, kuras speciāli paredzētas mobilo radiosakaru sistēmām, ko izmanto civilām vajadzībām. Kanālu pārslēgšanās laiks ir laiks (kavējums), lai pārslēgtos no vienas uztveršanas frekvences uz citu, precīzi vai ar precizitāti ± 0,05 % sasniedzot noteikto uztveršanas frekvenci. Preces, kuru noteiktais frekvenču diapazons ir mazāks par ± 0,05 % ap to centrālo frekvenci, definē kā tādas, kurām nav iespējama kanālu frekvenču pārslēgšanās.

5. a.

vairāk nekā 1000 kanālu;

kanālu pārslēgšanās laiks ir mazāks par 1 ms;

automātiska elektromagnētiskā spektra daļas pārmeklēšana vai skenēšana; un

kas identificē uztvertos signālus vai raidītāja tipu; vai

6. Tehniskas piezīmes: 1.2.

izmanto ciparu signālu apstrādi, lai nodrošinātu balss kodējumu ar ātrumu mazāku par 2400 bitiem sekundē. Mainīga ātruma balss kodēšanā pozīciju 5A001.b.6. attiecina uz nepārtrauktas runas balss kodēšanu. 5A001.b.6. pozīcijā balss kodēšana ir metode cilvēka balss paraugu ņemšanai un šo paraugu pārvēršanai ciparu signālā, ņemot vērā cilvēka balss īpatnības.

c. Tehniska piezīme:

optiskas šķiedras, kas garākas par 500 m un pēc ražotāja datiem spēj izturēt izturības testa stiepes spriegumu 2×109 N/m2 vai vairāk; NB! Attiecībā uz zemūdens savienotājkabeļiem sk. 8A002.a.3. pozīciju. Izturības tests: pievienotu vai nepievienotu produkciju testē no 0,5 m līdz 3 m garai šķiedrai, dinamiski pieliekot paredzēto slodzi, velkot šķiedru ar ātrumu no 2 līdz 5 m/s caur divām apmēram 150 mm diametra grieztuvēm. Vides standartapstākļi: temperatūra ir 293 K (20 °C), relatīvais mitrums ir 40 %. Izturības testu var veikt arī pēc ekvivalentiem valsts standartiem.

elektroniski vadāmas fāzētu bloku antenas, kas darbojas virs 31,8 GHz; Piezīme: Kontroli 5A001.d. pozīcijā neattiecina uz ICAO standartiem atbilstošām elektroniski vadāmām fāzētu bloku antenām, kas paredzētas nolaišanās vadības sistēmām ar instrumentiem, kas atbilst ICAO noteiktajiem nolaišanās vadības mikroviļņu sistēmām (MLS) noteiktajām prasībām.

5A001 radiopeilēšanas iekārtas ar darba frekvenci lielāku par 30 MHz, kam ir visas turpmāk minētās īpašības, un tām speciāli izstrādātas sastāvdaļas:

1. momentānais joslas platums ir 10 MHz vai lielāks; un

2. spēja noteikt peilējuma līnijas (LOB) uz pasīviem radio raidītājiem, kuru raidītu signālu ilgums ir mazāks par 1 ms;

iekārtas mobilo telesakaru pārtveršanai vai traucēšanai un to uzraudzības iekārtas, kā arī tām speciāli izstrādāti komponenti: Piezīme: Kontroli 5A001.f.1. un 5A001.f.2. pozīcijā neattiecina uz turpmāko: 1. NB! SK. ARĪ MILITĀRO PREČU KONTROLES SARAKSTUS. 2. NB! Attiecībā uz radiouztvērējiem sk. 5A001.b.5. pozīciju.

1. pārtveršanas iekārtas, kas paredzētas pa gaisu pārraidītu balss vai datu izgūšanai;

2. pārtveršanas iekārtas, kas nav minētas 5A001.f.1. pozīcijā un ir paredzētas klienta ierīces vai abonenta identifikācijas informācijas (piemēram, IMSI, TIMSI vai IMEI), signālu vai citu pa gaisu pārraidītu metadatu izgūšanai;

3. traucētājiekārtas, kas īpaši paredzētas vai pielāgotas apzinātai un selektīvai mobilo telesakaru pakalpojumu traucēšanai, nomākšanai, kavēšanai, bojāšanai vai novirzīšanai un ar ko veic šādas darbības:

3. a.

imitē radio piekļuves tīkla (RAN) iekārtu funkcijas;

nosaka un izmanto lietotā mobilo telesakaru protokola (piem., GSM) konkrētās īpašības; vai

izmanto lietotā mobilo telesakaru protokola (piem., GSM) konkrētās īpašības:

4. RF uzraudzības iekārtas, kas speciāli konstruētas vai pārveidotas 5A001.f.1., 5A001.f.2. vai 5A001.f.3. pozīcijā minēto iekārtu darbības noteikšanai;

a.

iekārtām, kas īpaši paredzētas analogo privāto mobilo radiosakaru (PMR), IEEE 802.11 WLAN pārtveršanai;

b.

iekārtām, kas paredzētas mobilo telesakaru tīklu operatoriem; vai

c.

iekārtām, kas paredzētas mobilo telesakaru iekārtu vai sistēmu pilnveidošanai vai ražošanai.

g. Tehniska piezīme:

pasīvas koherentas atrašanās vietas (PLC) noteikšanas sistēmas vai iekārtas, kas speciāli konstruētas kustīgu objektu atklāšanai vai izsekošanai, mērot apkārtējās radiofrekvences, ko raida raidītāji, kas nav radari; Raidītāji, kas nav radari, var būt komerciālas radio, televīzijas vai mobilo telesakaru bāzes stacijas. Piezīme: Kontroli 5A001.g. pozīcijā neattiecina uz turpmāko:

a.

radioastronomijas iekārtām; vai

b.

sistēmām vai iekārtām, kam vajadzīga jebkāda radioviļņu raidīšana no mērķa.

5A001 iekārtas, lai novērstu improvizētu spridzināšanas ierīču (IED) iedarbināšanu, un ar tām saistītas iekārtas: NB! SK. ARĪ MILITĀRO PREČU KONTROLES SARAKSTUS.

1. radiofrekvences (RF) pārraidītājas iekārtas, kas nav minētas 5A001.f. pozīcijā un kas konstruētas vai pārveidotas, lai priekšlaicīgi aktivētu vai novērstu improvizētu spridzināšanas ierīču iedarbināšanu;

2. iekārtas, kurās izmanto metodes radiosakaru nodrošināšanai tajos pašos frekvenču kanālos, kuros jau atrodas un raida 5A001.h.1. pozīcijā minētās iekārtas.

nepiemēro;

j. Tehniska piezīme:

interneta protokola (IP) tīkla sakaru uzraudzības sistēmas vai iekārtas un tām speciāli paredzēti komponenti, kam ir visas turpmākās īpašības: Piezīme: Kontroli 5A001.j. pozīcijā neattiecina uz kontroles sistēmām vai iekārtām, kas speciāli konstruētas turpmākajam: Konkrēta pazīme ir dati vai datu kopums saistībā ar kādu personu (piemēram, uzvārds, vārds, e-pasts, adrese, tālruņa numurs vai piesaiste grupai).

1. veic visas turpmākās darbības nesējklases interneta protokola (IP) tīklā (piemēram, valsts mēroga IP pamats):

1. a.

analīze aplikāciju līmenī (piemēram, 7. līmenis Atvērto sistēmu sadarbības (OSI) modelī (ISO/IEC 7498-1));

atlasītu metadatu un aplikāciju satura izguve (piemēram, balss, video, ziņas, pielikumi); un

izgūto datu indeksēšana; un

2. ir speciāli konstruēti, lai veiktu visas turpmākās darbības:

2. a.

meklēšana atbilstīgi konkrētai pazīmei; un

personas vai personu grupas saistību tīkla kartēšana.

a.

mārketings;

b.

tīkla pakalpojuma kvalitāte (QoS); vai

c.

pieredzes kvalitāte (QoE).

5A1 Tehniska piezīme: a.

iekārtām, kas konstruētas vai pārveidotas pilotējamiem lidaparātiem vai pavadoņiem;

iekārtām, kas bāzētas uz zemes un kas konstruētas vai pārveidotas lietošanai uz sauszemes vai jūrā;

iekārtām, kas izstrādātas GNSS komerciāliem, civiliem vai dzīvības drošības (piem., datu integritātes, lidojumu drošības) dienestiem.

5B1 a.

iekārtas, tām speciāli konstruētas sastāvdaļas vai piederumi, kas īpaši paredzēti 5A001. pozīcijā minēto iekārtu, funkciju vai īpašību pilnveidošanai vai ražošanai; Piezīme: Kontroli 5B001.a. pozīcijā neattiecina uz optisko šķiedru raksturlīkņu noteikšanas iekārtām.

1. nepiemēro;

2. a.

pārraides viļņu garums ir lielāks par 1750 nm;

veic optisko pastiprināšanu, izmantojot ar prazeodīmu leģētu fluora šķiedru pastiprinātājus (PDFFA);

1286 more provisions are not shown here; each has its own address.

Versions

2014-10-22