Rozporządzenie delegowane Komisji (UE) nr 1382/2014 z dnia 22 października 2014 r. zmieniające rozporządzenie Rady (WE) nr 428/2009 ustanawiające wspólnotowy system kontroli wywozu, transferu, pośrednictwa i tranzytu w odniesieniu do produktów podwójnego zastosowania

ObowiązujeWersja 2014-10-22od 2014-12-31

Ocena B

odwzorowane ze znaczników wydawcy. Ocena mówi, w jaki sposób uzyskano strukturę dokumentu, a nie jak wiarygodne jest prawo.

Zapytaj Gelex o ten akt

Adres https://gelex.eu/eli/EU/act/2014/1382@2014-10-22/pl

Spis treści

Preambuła
1. Artykuł 1
2. Artykuł 2
ANNEX
ZAŁĄCZNIK
ZAŁĄCZNIK I Wykaz, o którym mowa w art. 3 niniejszego rozporządzenia
WYKAZ PRODUKTÓW PODWÓJNEGO-ZASTOSOWANIA
a.
1. a.
b.
c.
AKRONIMY I SKRÓTY UŻYWANE W NINIEJSZYM ZAŁĄCZNIKU
d.
e.
f.
KATEGORIA 0 MATERIAŁY, INSTALACJE I URZĄDZENIA JĄDROWE
0A a.
0B Uwaga techniczna:
0B a.
7. a.
13. a.
14. a.
5. a.
6. a.
0C a.
KATEGORIA 1 MATERIAŁY SPECJALNE I ZWIĄZANE Z NIMI URZĄDZENIA
1A Uwagi techniczne: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna:
1A a.
1. a.
4. a.
1A Uwagi techniczne: 1.2. a.
1A Uwagi techniczne: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. a.
1A Uwagi techniczne: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. Uwaga techniczna: a.
1B Uwaga techniczna: 1.2. Uwaga techniczna:
1B a.
1B Uwaga techniczna: 1.2. a.
a.
b.
c.
1C Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: 1.2.3. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna 1: Uwaga techniczna 2: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: 1.2.3.
1C Uwaga techniczna: a.
a.
b.
c.
1. Uwaga techniczna:
1. a.
d.
1C Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: 1.2.3. a.
1. a.
2. a.
3. a.
4. a.
5. a.
1. Uwaga techniczna:
1C Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: 1.2.3. Uwaga techniczna: a.
1. Uwaga techniczna:
2. Uwaga techniczna:
3. a.
1. a.
1C Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: 1.2.3. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna:
4. a.
1. a.
2. a.
1C Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: 1.2.3. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: 1.2. a.
a.
b.
c.
d.
1C Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: 1.2.3. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. d.
1. a.
2. a.
a.
b.
a. 1C011 a.Uwaga techniczna:
1C Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: 1.2.3. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. Uwaga techniczna: a.
a.
b.
1C Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: 1.2.3. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.
1. Uwaga techniczna:
2. a. Uwaga techniczna:
3. a.
4. a.
5. Uwaga techniczna:
5. a.
6. a.
1C Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: 1.2.3. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna 1:
1C Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: 1.2.3. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna 1: Uwaga techniczna 2: a.
1. a.
2. a.
1C Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: 1.2.3. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna 1: Uwaga techniczna 2: Uwaga techniczna: a.
1C Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: 1.2.3. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna 1: Uwaga techniczna 2: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.
1C Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: 1.2.3. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna 1: Uwaga techniczna 2: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.
1C Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: 1.2.3. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna 1: Uwaga techniczna 2: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.
1C Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: 1.2.3. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna 1: Uwaga techniczna 2: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.
1C Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: 1.2.3. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna 1: Uwaga techniczna 2: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.
4. a.
6. Uwaga techniczna:
5. a.
1E a.
1. a.
3. a.
KATEGORIA 2 PRZETWARZANIE MATERIAŁÓW
2A Uwaga techniczna:
2A a.
2. a.
2B Uwagi techniczne: 1.2.3.4.5.6. Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2.
2B Uwagi techniczne: 1.2. a.
2B Uwagi techniczne: 1.2.3.4.5. a.
2B Uwagi techniczne: 1.2.3.4.5.6. a.
a.
b.
1. a.
2. a.
4. a.
c.
2B Uwagi techniczne: 1.2.3.4.5.6. Uwagi techniczne:
2B Uwagi techniczne: 1.2.3.4.5.6. Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: a.
1. a.
2. a.
1. Uwaga techniczna:
1. a.
2. a.
2B Uwagi techniczne: 1.2.3.4.5.6. Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.
2B Uwagi techniczne: 1.2.3.4.5.6. Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.
2B Uwagi techniczne: 1.2.3.4.5.6. Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.
1. a.
a.
b.
2B Uwagi techniczne: 1.2.3.4.5.6. Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a. Uwaga techniczna:
2B Uwagi techniczne: 1.2.3.4.5.6. Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: a.
2B Uwagi techniczne: 1.2.3.4.5.6. Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: a.
2B Uwagi techniczne: 1.2.3.4.5.6. Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: 1.2. a.
2B Uwagi techniczne: 1.2.3.4.5.6. Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. a.
1. a.
2. a.
3. a.
a.
b.
c.
d.
e.
f.
g.
h.
i.
2. a.
1. a.
2D a.
2E Tabela 1.2.3.A.B.B.1.B.2.B.3.B.4.C.D.E.F.G. Techniki osadzania
2E a.
1. a.
2. a.
a.
b.
c.
d.
e.
f.
g.
KATEGORIA 3 ELEKTRONIKA
3A Uwagi techniczne: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2.
3A a.
1. a.
2. a.
5. Uwagi techniczne: 1.2.3.4.5.6.7.8.9. 3A001 a. 5.Uwagi techniczne: 1.2.3.4.
5. a.
5. Uwagi techniczne: 1.2.3.4.5.6.7.8.9. b.
2. a.
6. a.
7. 3A001 a. 7.Uwagi techniczne: 1.2.3.
7. a.
10. a.
11. a.
12. Uwaga techniczna:
13. Uwaga techniczna:
13. a.
4. a.
3. a.
4. a.
3. Uwaga techniczna:
8. a.
9. Uwagi techniczne: 1.2.
9. a.
10. Uwaga techniczna:
1. Uwaga techniczna:
1. Uwagi techniczne: 1.2.3.4.
4. Uwaga techniczna:
5. Uwagi techniczne: 1.2.
6. Uwaga techniczna:
3. Uwaga techniczna:
3A Uwagi techniczne: 1.2. a.
1. a.
2. a.
3A Uwagi techniczne: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. a.
3A Uwagi techniczne: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. a.
3B a.
1. a.
3. a.
3C a.
3D Uwaga techniczna:
3E a.
KATEGORIA 4 KOMPUTERY
4A a.
4D a.
4E a.
Skróty stosowane w niniejszej uwadze technicznej
Omówienie sposobu obliczania APP 1.2.3.4. Uwaga techniczna:
Omówienie sposobu obliczania APP 1.2.3.4.
KATEGORIA 5 TELEKOMUNIKACJA I OCHRONA INFORMACJI
CZEŚĆ 1 TELEKOMUNIKACJA
5A1 Uwaga techniczna:
5A1 a.
1. a.
2. a.
3. a.
a.
b.
4. a.
5. Uwagi techniczne:
5. a.
6. Uwagi techniczne: 1.2.
a.
b.
c.
5B1 a.
2. a.

KOMISJA EUROPEJSKA,

uwzględniając Traktat o funkcjonowaniu Unii Europejskiej,

uwzględniając rozporządzenie Rady (WE) nr 428/2009 z dnia 5 maja 2009 r. ustanawiające wspólnotowy system kontroli wywozu, transferu, pośrednictwa i tranzytu w odniesieniu do produktów podwójnego zastosowania, a w szczególności jego art. 15 ust. 3,

a także mając na uwadze, co następuje:

(1) Rozporządzenie Rady (WE) nr 428/2009 wprowadziło wymóg skutecznej kontroli produktów podwójnego zastosowania podczas wywozu z Unii, tranzytu przez Unię lub dostawy do państwa trzeciego w wyniku usług pośrednictwa świadczonych przez pośrednika mającego miejsce pobytu lub siedzibę w Unii.

(2) W załączniku I do rozporządzenia (WE) nr 428/2009 określono wspólny wykaz produktów podwójnego zastosowania podlegających kontroli w Unii. Decyzje dotyczące produktów podlegających kontroli podejmowane są w ramach Grupy Australijskiej, Reżimu Kontrolnego Technologii Rakietowych, Grupy Dostawców Jądrowych, porozumienia z Wassenaar oraz Konwencji o zakazie prowadzenia badań, produkcji, składowania i użycia broni chemicznej oraz o zniszczeniu jej zapasów.

(3) Wykaz produktów podwójnego zastosowania określony w załączniku I do rozporządzenia (WE) nr 428/2009 należy regularnie aktualizować w celu zapewnienia pełnej zgodności z międzynarodowymi zobowiązaniami w dziedzinie bezpieczeństwa, zagwarantowania przejrzystości oraz utrzymania konkurencyjności eksporterów. W celu ułatwienia stosowania odesłań przez władze i podmioty kontroli wywozu należy opublikować uaktualnioną i skonsolidowaną wersję załącznika I do rozporządzenia (WE) nr 428/2009.

(4) Rozporządzenie (WE) nr 428/2009 upoważnia Komisję do aktualizowania wykazu produktów podwójnego zastosowania określonego w załączniku I poprzez przyjmowanie aktów delegowanych zgodnie z odpowiednimi zobowiązaniami i obowiązkami oraz wszelkimi ich modyfikacjami, które państwa członkowskie przyjęły jako członkowie międzynarodowych systemów nieproliferacyjnych i porozumień w sprawie kontroli wywozu lub w drodze ratyfikacji stosownych traktatów międzynarodowych.

(5) Należy zatem odpowiednio zmienić rozporządzenie (WE) nr 428/2009,

PRZYJMUJE NINIEJSZE ROZPORZĄDZENIE:

Artykuł 1

Załącznik I do rozporządzenia (WE) nr 428/2009 zastępuje się tekstem znajdującym się w załączniku do niniejszego rozporządzenia.

Artykuł 2

Niniejsze rozporządzenie wchodzi w życie następnego dnia po jego opublikowaniu w Dzienniku Urzędowym Unii Europejskiej.

Niniejsze rozporządzenie wiąże w całości i jest bezpośrednio stosowane we wszystkich państwach członkowskich. Sporządzono w Brukseli dnia 22 października 2014 r. W imieniu Komisji José Manuel Barroso Przewodniczący

ANNEX

ZAŁĄCZNIK

ZAŁĄCZNIK I Wykaz, o którym mowa w art. 3 niniejszego rozporządzenia

WYKAZ PRODUKTÓW PODWÓJNEGO-ZASTOSOWANIA

Niniejszy wykaz wprowadza uzgodnioną na szczeblu międzynarodowym kontrolę produktów i technologii podwójnego zastosowania, w tym przez Porozumienie z Wassenaar, Reżim Kontrolny Technologii Rakietowych (MTCR), Grupę Dostawców Jądrowych (GDJ), Grupę Australijską i Konwencję o Zakazie Broni Chemicznej (CWC).

UWAGI OGÓLNE DO ZAŁĄCZNIKA I 1.2.3.4.

W przypadku towarów, które są zaprojektowane lub zmodyfikowane do zastosowań wojskowych, należy sprawdzić także odpowiedni wykaz kontrolny uzbrojenia publikowany w danym państwie członkowskim. Odsyłacz, który mówi ZOB. TAKŻE WYKAZ UZBROJENIA, odnosi się do tych wykazów. Cel kontroli przewidzianej w niniejszym wykazie nie może być omijany przez eksportowanie jakichkolwiek towarów niepodlegających kontroli (łącznie z instalacjami) zawierających jeden lub więcej składników podlegających kontroli, gdy kontrolowany składnik lub składniki są zasadniczymi elementami tych towarów i możliwe jest ich wydzielenie lub zastosowanie do innych celów. N.B.: Przy rozstrzyganiu, czy kontrolowany składnik lub składniki mają być uważane za elementy zasadnicze, konieczne jest rozważenie czynników: ilości, wartości, zawartości technologicznego know-how i innych szczególnych okoliczności, które mogą zdecydować, że kontrolowany składnik lub składniki są zasadniczymi elementami dostarczanych towarów. Towary wymienione w niniejszym wykazie obejmują zarówno towary nowe, jak i używane. W niektórych przypadkach podana jest nazwa i numer CAS chemikaliów. Wykaz ma zastosowanie do chemikaliów o tym samym wzorze strukturalnym (w tym do hydratów), niezależnie od nazwy i numeru CAS. Numery CAS są podane, by ułatwiać identyfikację danych chemikaliów lub mieszanin, bez względu na nomenklaturę. Numery CAS nie mogą być stosowane jako jedyne źródło informacji służące do identyfikacji chemikaliów, gdyż niektóre postacie wymienionych chemikaliów mają różne numery CAS, a mieszaniny zawierające chemikalia wymienione w wykazie mogą także mieć różne numery CAS.

UWAGA DO TECHNOLOGII JĄDROWEJ (UdTJ)

(Czytać łącznie z grupą E kategorii 0) Technologia bezpośrednio związana z którymikolwiek towarami wymienionymi w kategorii 0 objęta jest kontrolą zgodnie z postanowieniami kategorii 0. Technologia służąca rozwojowi, produkcji lub użytkowaniu towarów objętych kontrolą pozostaje pod taką samą kontrolą nawet wtedy, gdy może być stosowana do towarów nieobjętych taką kontrolą. Zgoda na wywóz określonych towarów upoważnia również do wywozu do tego samego użytkownika minimalnej technologii wymaganej dla zainstalowania, eksploatacji, utrzymania i naprawy tych towarów. Kontrole transferu technologii nie mają zastosowania do informacji będących własnością publiczną lub związanych z podstawowymi badaniami naukowymi.

UWAGA OGÓLNA DO TECHNOLOGII (UOdT)

(Czytać łącznie z grupą E kategorii od 1 do 9) Wywóz technologii, która jest niezbędna do rozwoju, produkcji lub użytkowania towarów wymienionych w kategoriach od 1 do 9, podlega kontroli na warunkach podanych w każdej z tych kategorii. Technologia, która jest niezbędna do rozwoju, produkcji lub użytkowania towarów objętych kontrolą, pozostaje pod taką samą kontrolą nawet wtedy, gdy może być stosowana do towarów nieobjętych taką kontrolą. Kontrolą nie obejmuje się minimalnej technologii wymaganej do zainstalowania, eksploatacji, utrzymania lub naprawy towarów niekontrolowanych lub takich, które uzyskały odrębnie zgodę na wywóz. N.B.: Powyższe nie zwalnia od kontroli technologii wymienionych w pozycjach 1E002.e, 1E002.f, 8E002.a i 8E002.b. Kontrola transferu technologii nie ma zastosowania do informacji będących własnością publiczną, związanych z podstawowymi badaniami naukowymi lub minimum informacji koniecznych przy składaniu wniosków patentowych.

UWAGA OGÓLNA DO OPROGRAMOWANIA (UOdO)

(Niniejsza uwaga jest nadrzędna w stosunku do kontroli określonych w grupie D kategorii od 0 do 9) Kategorie 0 do 9 niniejszego wykazu nie obejmują kontrolą oprogramowania, będącego którymkolwiek z poniższych:

a.

oprogramowanie jest ogólnie dostępne poprzez: N.B.: Punkt a uwagi ogólnej do oprogramowania nie zwalnia od kontroli oprogramowania wymienionego w kategorii 5 – część 2 (Bezpieczeństwo informacji).

1. sprzedaż gotowego oprogramowania w punktach sprzedaży detalicznej bez żadnych ograniczeń w wyniku:

1. a.

bezpośrednich transakcji sprzedaży;

transakcji realizowanych na zamówienie pocztowe;

transakcji zawieranych drogą elektroniczną; lub

transakcji zawieranych telefonicznie; oraz

2. przygotowanie do samodzielnej instalacji przez użytkownika bez konieczności dalszej znacznej pomocy ze strony sprzedawcy;

b.

oprogramowanie jest uznawane za będące własnością publiczną; lub

c.

jest minimalnym kodem obiektu wymaganym do zainstalowania, eksploatacji, utrzymania lub naprawy towarów, które uzyskały odrębnie zgodę na wywóz. N.B.: Punkt c uwagi ogólnej do oprogramowania nie zwalnia od kontroli oprogramowania wymienionego w kategorii 5 – część 2 (Bezpieczeństwo informacji).

PRAKTYKA REDAKCYJNA W DZIENNIKU URZĘDOWYM UNII EUROPEJSKIEJ

Zgodnie z zasadami określonymi w pkt 6.5 na str. 108 Międzyinstytucjonalnego przewodnika redakcyjnego (wydanie z 2011 r.) w tekstach w języku angielskim publikowanych w Dzienniku Urzędowym Unii Europejskiej: W tekście zamieszczonym w niniejszym załączniku stosowane są wyżej wymienione zasady.

do oddzielenia liczby całkowitej od wartości dziesiętnych używa się przecinka (np. 3,67 cm),

w liczbach wielocyfrowych rząd tysięcy jest oddzielony spacją (np. 100000).

AKRONIMY I SKRÓTY UŻYWANE W NINIEJSZYM ZAŁĄCZNIKU

Akronimy lub skróty użyte jako zdefiniowany termin znajdują się w Definicjach terminów używanych w niniejszym załączniku. AKRONIM LUB SKRÓT ZNACZENIE ABEC Komitet Inżynierów Łożysk Pierścieniowych AGMA Amerykańskie Stowarzyszenie Producentów Przekładni AHRS układy informujące o położeniu i kursie AISI Amerykański Instytut Żelaza i Stali ALU jednostka arytmetyczno-logiczna ANSI Amerykański Narodowy Instytut Normalizacji ASTM Amerykańskie Towarzystwo Materiałoznawcze ATC kontrola ruchu lotniczego AVLIS instalacje do rozdzielania izotopów za pomocą laserów w parach atomowych CAD projektowanie wspomagane komputerowo CAS Serwis Dokumentacji Chemicznej CDU jednostka sterowania i wyświetlania CEP krąg równego prawdopodobieństwa CNTD rozkład termiczny z regulowanym zarodkowaniem CRISLA reakcja chemiczna wywołana selektywną laserową aktywacją izotopów CVD osadzanie chemiczne z pary CW wojna chemiczna CW (dotyczy laserów) fala ciągła (w laserach) DME radiodalmierz DS ukierunkowane krzepnięcie EB-PVD fizyczne osadzanie pary z wiązką elektronów EBU Europejska Unia Nadawców ECM elektromechaniczne techniki obróbki ECR rezonans elektronowo-cyklotronowy EDM elektroiskrowe obrabiarki EEPROMS elektronicznie wymazywalna programowana pamięć tylko do odczytu EIA Stowarzyszenie Przemysłu Elektronicznego EMC kompatybilność elektromagnetyczna ETSI Europejski Instytut Norm Telekomunikacyjnych FFT szybka transformata Fouriera GLONASS globalny system nawigacji satelitarnej GPS globalny system lokalizacji HBT tranzystory heterobipolarne HDDR cyfrowy zapis magnetyczny z dużą gęstością HEMT tranzystory o wysokiej ruchliwości elektronów ICAO Międzynarodowa Organizacja Lotnictwa Cywilnego IEC Międzynarodowa Komisja Elektrotechniczna IEEE Instytut Inżynierów Elektryki i Elektroniki IFOV chwilowe pole widzenia ILS system lądowania na przyrządy IRIG grupa oprzyrządowania międzyzakresowego ISA międzynarodowa atmosfera wzorcowa ISAR radar z odwróconą syntezą apertury ISO Międzynarodowa Organizacja Normalizacyjna ITU Międzynarodowy Związek Telekomunikacyjny JIS Japońska Norma Przemysłowa JT Joule-Thomson LIDAR radar optyczny LRU liniowy element wymienny MAC kod uwierzytelniania wiadomości Mach stosunek prędkości obiektu do prędkości dźwięku (od nazwiska Ernsta Macha) MLIS instalacje do rozdzielania izotopów za pomocą laserów molekularnych MLS mikrofalowe systemy lądowania MOCVD osadzanie z par lotnych związków metaloorganicznych MRI tworzenie obrazów za pomocą rezonansu magnetycznego MTBF średni czas międzyawaryjny Mtops milion teoretycznych operacji na sekundę MTTF średni czas do awarii NBC jądrowy, biologiczny i chemiczny NDT badanie nieniszczące PAR urządzenia radiolokacyjne dokładnego podejścia do lądowania PIN osobisty numer identyfikacyjny ppm części na milion PSD gęstość widmowa mocy QAM modulacja kwadraturowa RF częstotliwość radiowa SACMA Stowarzyszenie Dostawców Wysokojakościowych Materiałów Kompozytowych SAR radar z syntezą apertury SC monokryształ SLAR radar pokładowy obserwacji bocznej SMPTE Stowarzyszenie Inżynierów Filmowych i Telewizyjnych SRA warsztatowy zespół wymienny SRAM statyczna pamięć o dostępie swobodnym SRM metody zalecane przez SACMA SSB pojedyncza wstęga boczna SSR radar wtórnego nadzorowania TCSEC kryteria oszacowania poufnych systemów komputerowych TIR całkowity wskazany odczyt UV nadfiolet UTS wytrzymałość na rozciąganie VOR radiolatarnia kierunkowa wysokiej częstotliwości YAG granat itrowo-aluminiowy

DEFINICJE TERMINÓW UŻYWANYCH W NINIEJSZYM ZAŁĄCZNIKU Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwagi: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna:

Definicje terminów w cudzysłowie pojedynczym podano w uwadze technicznej do odpowiedniej pozycji. Definicje terminów w cudzysłowie podwójnym są następujące: N.B.: Odnośniki do kategorii podano w nawiasach po zdefiniowanym terminie. Dokładność (2, 6), zazwyczaj określana w kategoriach niedokładności, oznacza maksymalne odchylenie, dodatnie lub ujemne, danej wartości od uznanej wartości standardowej lub prawdziwej. Układy aktywnego sterowania lotem (7) oznaczają układy zapobiegające niepożądanym ruchom lub obciążeniom konstrukcyjnym statku powietrznego lub pocisku rakietowego przez autonomiczne przetwarzanie sygnałów z wielu czujników i wydawanie niezbędnych poleceń do realizacji sterowania automatycznego. Piksel aktywny (6, 8) oznacza najmniejszy (pojedynczy) element sieci elementów półprzewodnikowych mający możliwość realizacji funkcji fotoelektrycznych w odpowiedzi na promieniowanie świetlne (elektromagnetyczne). Przystosowany do użycia w działaniach wojennych (1) oznacza dowolną modyfikację lub dobór (np. zmiana czystości, dopuszczalnego okresu magazynowania, agresywności, charakterystyki propagacji lub odporności na promieniowanie nadfioletowe), których celem jest wzmocnienie efektów wywoływania strat w ludności lub zwierzętach, unieszkodliwiania sprzętu lub powodowania strat w uprawach rolnych lub środowisku. Skorygowana wydajność szczytowa (4) oznacza skorygowaną największą prędkość, z jaką komputery cyfrowe wykonują zmiennoprzecinkowe operacje dodawania i mnożenia na liczbach 64-bitowych lub dłuższych; wyraża się w teraflopsach ważonych (WT), jednostkach wynoszących 1012 skorygowanych operacji zmiennoprzecinkowych na sekundę. N.B.: Zob. kategoria 4, uwaga techniczna. Statek powietrzny (1, 7, 9) oznacza stałopłat, statek z obrotowymi skrzydłami, wiropłat (helikopter), statek ze zmiennym wirnikiem lub zmiennopłat. N.B.: Zob. również cywilne statki powietrzne. Pojazd powietrzny (9) oznacza napędzany mechanicznie pojazd utrzymujący się w powietrzu dzięki korpusowi wypełnionemu gazem (zwykle helem, wcześniej wodorem), który jest lżejszy od powietrza. Wszystkie dostępne kompensacje (2) - oznacza to, że uwzględniono wszystkie wykonalne środki, jakie może zastosować producent w celu zminimalizowania wszystkich systematycznych błędów pozycjonowania określonego modelu obrabiarki lub błędów pomiarowych określonego urządzenia do pomiaru współrzędnych. Przydzielone przez ITU (3, 5) oznacza przydział pasm częstotliwości zgodnie z Przepisami Radiowymi ITU (International Telecommunication Union – Międzynarodowej Unii Telekomunikacyjnej) dla służb podstawowych, dopuszczonych i pomocniczych. N.B.: Nie obejmuje to przydziałów dodatkowych i alternatywnych. Odchylenie położenia kątowego (2) oznacza maksymalną różnicę pomiędzy położeniem kątowym a rzeczywistym, bardzo dokładnie zmierzonym położeniem kątowym po obróceniu stołu montażowego w stosunku do jego położenia początkowego. Kąt błądzenia losowego (7) oznacza narastanie błędu kątowego w czasie, spowodowane białym szumem w prędkości kątowej. (IEEE STD 528-2001). APP (4) – zob. Skorygowana wydajność szczytowa. Algorytm asymetryczny (5) oznacza algorytm kryptograficzny, w którym stosuje się różne, powiązane matematycznie, klucze do szyfrowania i deszyfrowania N.B.: Powszechnym zastosowaniem algorytmu asymetrycznego jest zarządzanie kluczami. Automatyczne śledzenie celu (6) oznacza technikę przetwarzania umożliwiającą automatyczne określanie i podawanie na wyjściu w czasie rzeczywistym ekstrapolowanej wartości najbardziej prawdopodobnego położenia celu. Przeciętna moc wyjściowa (6) oznacza całkowitą energię wyjściową lasera wyrażoną w dżulach podzieloną przez czas emitowania pojedynczego impulsu lub serii kolejnych impulsów wyrażony w sekundach. Dla serii jednolicie rozmieszczonych impulsów jest ona równa całkowitej energii wyjściowej lasera w jednym impulsie wyrażonej w dżulach pomnożonej przez częstotliwość impulsów lasera wyrażonej w hercach. Opóźnienie sygnału bramki podstawowej (3) oznacza wartość opóźnienia sygnału odpowiadająca bramce podstawowej, używanej w rodzinie monolitycznych układów scalonych. Można ją wyznaczyć dla danej rodziny monolitycznych układów scalonych jako opóźnienie sygnału na bramkę typową w ramach danej rodziny lub jako typowe opóźnienie na bramkę w ramach danej rodziny. N.B. 1: Nie należy mylić opóźnienia sygnału bramki podstawowej z opóźnieniem wyjścia/wejścia złożonego monolitycznego układu scalonego. N.B. 2: Do rodziny zalicza się wszystkie układy scalone, których metody produkcji i specyfikacje techniczne, z wyjątkiem ich odpowiednich funkcji, spełniają wszystkie następujące kryteria: Podstawowe badania naukowe (UOdT, UdTJ) oznaczają prace doświadczalne lub teoretyczne prowadzone głównie w celu uzyskania nowej wiedzy o podstawach danego zjawiska lub obserwowalnych jego efektach, nienakierowane bezpośrednio na konkretne cele lub zadania praktyczne. Wychylenie wstępne akcelerometru (7) oznacza średnią wartość wskazywaną przez akcelerometr przez określony czas, mierzoną w określonych warunkach eksploatacyjnych i niewykazującą współzależności z przyspieszeniem wejściowym ani z wejściową prędkością obrotową. Wychylenie wstępne akcelerometru wyrażone jest w gramach lub w metrach na sekundę do kwadratu (g lub m/s2). (Norma IEEE 528-2001). (Mikrogram równy jest 1 × 10-6 g). Wychylenie wstępne żyroskopu (7) oznacza średnią wartość wskazywaną przez żyroskop przez określony czas, mierzoną w określonych warunkach eksploatacyjnych i niewykazującą współzależności z wejściową prędkością obrotową ani z przyspieszeniem wejściowym. Wychylenie wstępne żyroskopu wyrażone jest z reguły w stopniach na godzinę (o/h). (Norma IEEE Std 528-2001). Bicie osiowe (2) oznacza przemieszczenie osiowe wrzeciona głównego podczas jednego obrotu, mierzone w płaszczyźnie prostopadłej do czoła wrzeciona, w punkcie sąsiadującym z obwodem czoła wrzeciona (zob. ISO 230 część 1-1986, pkt 5.63). Preformy włókien węglowych (1) oznaczają uporządkowany układ powlekanych lub niepowlekanych włókien przeznaczony do tworzenia struktur składowych przed użyciem matrycy do tworzenia materiału kompozytowego. Krąg Równego Prawdopodobieństwa (CEP) (7) to miara dokładności wyrażana jako promień okręgu ze środkiem w miejscu znajdowania się celu, w który wpada 50 % ładunków użytecznych, przy określonym zasięgu. Laser chemiczny (6) oznacza laser, w którym wzbudzanie czynnika następuje za pomocą energii pochodzącej z reakcji chemicznej. Mieszanina chemiczna (1) oznacza produkt stały, płynny lub gazowy składający się z dwóch lub więcej składników, które nie reagują ze sobą w warunkach, w których mieszanina jest przechowywana. Cyrkulacyjne układy równoważenia momentu lub cyrkulacyjne układy sterowania kierunkiem (7) oznaczają układy, w których przepływ powietrza wokół powierzchni aerodynamicznych jest wykorzystywany do zwiększenia powstających na nich sił lub do kierowania nimi. Cywilne statki powietrzne (1, 3, 4, 7) oznaczają statki powietrzne wymienione i określone przez organy lotnictwa cywilnego w podawanych do wiadomości publicznej wykazach świadectw zdatności do lotu jako zdatne do użytkowania do komercyjnych celów cywilnych na liniach wewnętrznych i zewnętrznych lub do legalnych celów cywilnych, prywatnych lub związanych z prowadzeniem działalności gospodarczej. N.B.: Zob. również statek powietrzny. Mieszanie (1) oznacza mieszanie włókien materiałów termoplastycznych z włóknami materiałów wzmacniających w celu wytworzenia mieszanki włókien wzmacniających z matrycą, mającej w całości formę włóknistą. Rozdrabnianie (1) oznacza proces wprowadzania materiału w postać drobnocząstkową przez zgniatanie lub mielenie. Sterownik toru telekomunikacyjnego (4) oznacza interfejs fizyczny sterujący przepływem cyfrowych informacji synchronicznych lub asynchronicznych. Jest to zespół, który może być wbudowany w komputer lub urządzenie telekomunikacyjne z zadaniem zapewniania dostępu do łączy telekomunikacyjnych. Systemy kompensacji (6) składają się z głównego czujnika skalarnego, co najmniej jednego czujnika odniesienia (np. magnetometru wektorowego) wraz z oprogramowaniem zezwalającym na zmniejszenie szumu ruchu obrotowego korpusu sztywnego platformy. Materiał kompozytowy (1, 2, 6, 8, 9) oznacza matrycę oraz dodatkową fazę lub dodatkowe fazy, składające się z cząstek, włókienek, włókien lub dowolnej ich kombinacji, dodawanych w określonym celu lub celach. Stół obrotowo-przechylny (2) oznacza stół umożliwiający obracanie i przechylanie obrabianego przedmiotu względem dwóch osi nierównoległych, które mogą być równocześnie koordynowane, co umożliwia sterowanie kształtowe. Związki III/V (3, 6) oznaczają substancje polikrystaliczne, binarne lub złożone substancje monokrystaliczne składające się z pierwiastków grupy IIIA i VA układu okresowego pierwiastków (np. arsenek galu, arsenek galu i glinu, fosforek indu). Sterowanie kształtowe (2) oznacza co najmniej dwa ruchy sterowane numerycznie, realizowane zgodnie z instrukcjami określającymi następne położenie oraz potrzebne do osiągnięcia tego położenia prędkości posuwów. Prędkości posuwów nie są jednakowe, wskutek czego powstaje wymagany kształt (zob. ISO/DIS 2806 - 1980). Temperatura krytyczna (1, 3, 5) (nazywana czasami temperaturą przemiany) danego materiału nadprzewodzącego jest temperaturą, w której materiał całkowicie traci oporność dla przepływu elektrycznego prądu stałego. Aktywacja kryptograficzna (5) oznacza dowolną technikę, która aktywuje lub umożliwia funkcje kryptograficzne za pomocą bezpiecznego mechanizmu zastosowanego przez producenta danego artykułu i jest w sposób niepowtarzalny związana z tym artykułem lub z klientem, na którego potrzeby aktywuje lub umożliwia się funkcje kryptograficzne (np. klucz licencyjny powiązany z numerem seryjnym lub instrument uwierzytelniający, jak np. certyfikat z podpisem cyfrowym). Techniki i mechanizmy aktywacji kryptograficznej mogą być realizowane w postaci sprzętu, oprogramowania lub technologii. Kryptografia (5) to dziedzina wiedzy zajmująca się zasadami, narzędziami i metodami przekształcania danych w celu ukrycia zawartych w nich informacji, zapobiegania możliwości niepostrzeżonego ich modyfikowania lub uniemożliwienia dostępu do nich osobom niepowołanym. Kryptografia ogranicza się do przekształcania informacji za pomocą jednego lub większej liczby tajnych parametrów (np. szyfrów) lub związanego z tym zarządzania kluczami. Uwaga: Kryptografia nie obejmuje technik kompresji ani kodowania danych. Tajny parametr: wartość stała lub klucz trzymany w tajemnicy przed osobami postronnymi lub znany wyłącznie pewnej grupie osób. Laser o fali ciągłej (6) oznacza laser dający nominalnie stałą energię wyjściową w czasie dłuższym niż 0,25 s. Nawigacja na bazie danych z wielu źródeł (DBRN) (7) oznacza systemy oparte na danych z wielu źródeł uprzednio zmierzonych danych geograficznych zintegrowanych w celu uzyskania dokładnych informacji nawigacyjnych w warunkach dynamicznych. Do źródeł danych należą mapy batymetryczne, mapy nieba, mapy grawitacji, mapy magnetyczne lub trójwymiarowe cyfrowe mapy terenowe. Zwierciadła odkształcalne (6) (określane również jako zwierciadła piezoelektryczne). Są to zwierciadła mające: Uran zubożony (0) oznacza uran, w którym zawartość izotopu 235 obniżono do ilości mniejszej niż w warunkach naturalnych. Rozwój (Wszystkie UOdT, UdTJ) odnosi się do wszystkich etapów poprzedzających produkcję seryjną, takich jak: projektowanie, badania projektowe, analiza projektowa, koncepcja projektowania, montaż i testowanie prototypów, plany produkcji pilotowej, dane projektowe, proces przetwarzania danych projektowych w produkt, projektowanie konfiguracji, projektowanie montażu całościowego, rozplanowanie. Zgrzewanie dyfuzyjne (1, 2, 9) oznacza łączenie molekularne w stanie stałym co najmniej dwóch oddzielnych elementów metali w jeden element, przy czym wytrzymałość miejsca połączenia jest równa wytrzymałości najsłabszego z materiałów, a podstawowym mechanizmem jest interdyfuzja atomów na styku obu elementów. Komputer cyfrowy (4, 5) oznacza urządzenie zdolne do wykonywania, w postaci jednej lub kilku zmiennych dyskretnych, wszystkich poniższych funkcji: N.B.: Modyfikacje zapamiętanej sekwencji instrukcji dotyczą wymiany trwałych urządzeń pamięciowych, ale nie fizycznych zmian przewodów lub połączeń. Szybkość transmisji danych cyfrowych (def) oznacza całkowitą szybkość informacji w bitach, przesyłanych bezpośrednio na dowolnym typie nośnika. N.B.: Zob. także całkowita szybkość transmisji danych cyfrowych. Bezpośrednie wytłaczanie hydrauliczne (2) oznacza technikę odkształcania, w której stosowana jest napełniona płynem odkształcalna poduszka, działająca bezpośrednio na powierzchnię obrabianego przedmiotu. Współczynnik dryftu (żyroskopu) (7) oznacza składową wyjściową rotacji żyroskopu funkcjonalnie niezależną od rotacji wejściowej. Jest wyrażany jako prędkość kątowa. (IEEE STD 528-2001). Gram efektywny (0, 1) specjalnego materiału rozszczepialnego oznacza: Zespół elektroniczny (2, 3, 4, 5) oznacza pewną liczbę elementów elektronicznych (tj. elementów obwodu, elementów dyskretnych, układów scalonych itp.) połączonych ze sobą w celu realizacji określonej(-ych) funkcji, wymienialną w całości, która zazwyczaj może być demontowana. N.B. 1: Element obwodu: pojedyncza czynna lub bierna funkcjonalna część układu elektronicznego, np. jedna dioda, jeden tranzystor, jeden rezystor, jeden kondensator itp. N.B. 2: Element dyskretny: oddzielnie obudowany układ elementarny z własnymi końcówkami wyjściowymi. Sterowany elektronicznie układ antenowy fazowany (5, 6) oznacza antenę kształtującą wiązkę za pomocą sprzężenia fazowego, tj. kierunek wiązki jest utrzymywany za pomocą elementów promieniujących o złożonych współczynnikach wzbudzenia, przy czym kierunek takiej wiązki (azymut lub podniesienie kątowe) można zmieniać za pomocą sygnału elektrycznego, zarówno dla nadawania, jak i odbioru. Materiały energetyczne (1) oznaczają substancje lub mieszanki wchodzące w reakcje chemiczne, by uwolnić energię potrzebną do ich zamierzonego zastosowania. Podklasami materiałów energetycznych są materiały wybuchowe, materiały pirotechniczne i paliwa. Manipulatory (2) obejmują uchwyty, aktywne jednostki oprzyrządowania lub wszelkie inne oprzyrządowanie zamontowane na podstawowej (bazowej) płycie na końcu ramienia manipulacyjnego robota. N.B.: Aktywne jednostki oprzyrządowania: urządzenia do przyłożenia mocy napędowej, energii procesowej lub czujnika do przedmiotu obrabianego. Gęstość zastępcza (6) oznacza masę elementu optycznego na jednostkę pola powierzchni optycznej rzutowanej na powierzchnię optyczną. Materiały wybuchowe (1) oznaczają stałe, ciekłe lub gazowe substancje lub mieszaniny substancji, które mają za zadanie detonować w charakterze ładunku inicjującego, detonatora pośredniego lub ładunku głównego w głowicach bojowych, w robotach rozbiórkowych lub w innych zastosowaniach. Systemy FADEC (7, 9) oznaczają całkowicie autonomiczne systemy cyfrowego sterowania silnikami, czyli cyfrowe elektroniczne systemy sterowania silnikami turbospalinowymi, które są w stanie autonomicznie sterować tymi silnikami w całym zakresie ich pracy, od uruchamiania do wyłączania ich na żądanie, zarówno w warunkach ich normalnej, jak i nieprawidłowej pracy. Materiały włókniste lub włókienkowe (0, 1, 8) obejmują następujące pojęcia: Układ scalony warstwowy (3) oznacza układ elementów obwodu i metalowych łączników, wytworzony techniką osadzania grubej lub cienkiej warstwy na podłożu o właściwościach izolujących. N.B.: Element obwodu: pojedyncza czynna lub bierna funkcjonalna część układu elektronicznego, np. jedna dioda, jeden tranzystor, jeden rezystor, jeden kondensator itp. Ustalony (5) oznacza algorytm kodowania lub kompresji, który nie może akceptować parametrów dostarczonych z zewnątrz (np. zmiennych do szyfrowania lub kluczy) i nie może być modyfikowany przez użytkownika. Układ czujników optycznych sterowania lotem (7) oznacza układ rozproszonych czujników optycznych, wykorzystujący promień lasera do dostarczania w czasie rzeczywistym danych dotyczących sterowania lotem w celu ich przetwarzania na pokładzie. Optymalizacja toru lotu (7) oznacza procedurę minimalizującą odchylenia od czterowymiarowej (przestrzeń i czas) planowanej trajektorii lotu opartą na zasadzie maksymalizacji osiągów lub efektywności realizacji zadania. Matryca detektorowa płaszczyzny ogniskowej (6, 8) oznacza płaską warstwę o strukturze liniowej lub dwuwymiarowej lub połączenie takich płaskich warstw, złożonych z oddzielnych elementów detekcyjnych, z elektronicznym urządzeniem odczytującym lub bez, pracująca w płaszczyźnie ogniskowej. N.B.: Definicja ta nie obejmuje stosu pojedynczych elementów detekcyjnych ani detektorów dwu-, trzy- lub czteroelementowych, pod warunkiem że w elemencie nie są realizowane opóźnienie ani integracja. Ułamkowa szerokość pasma (3, 5) oznacza szerokość chwilową pasma podzieloną przez częstotliwość środkową, wyrażoną w procentach. Rozrzucanie częstotliwości (frequency hopping) (5) oznacza formę rozproszenia widma polegającą na krokowo-dyskretnej zmianie częstotliwości nośnej pojedynczego kanału telekomunikacyjnego, w sposób losowy lub pseudolosowy. Metoda wyzwalania maską częstotliwości (3), w analizatorach sygnału, oznacza mechanizm, w którym funkcja wyzwalania jest zdolna do wybrania zakresu częstotliwości, który ma być wyzwalany, jako podzbioru odbieranej szerokości pasma, ignorując inne sygnały, które również mogą być obecne w tej samej odbieranej szerokości pasma. Metoda wyzwalania maską częstotliwości może obejmować więcej niż jeden niezależny zbiór wartości granicznych. Czas przełączania częstotliwości (3) oznacza czas (tj. opóźnienie), jakiego potrzebuje sygnał przy przełączaniu się z początkowej zgodnej ze specyfikacjami częstotliwości wyjściowej, by osiągnąć zgodną ze specyfikacjami końcową częstotliwość wyjściową na poziomie zadanym lub w przedziale ± 0,05 % wokół tego poziomu. Produkty, których zgodna ze specyfikacjami częstotliwość mieści się w przedziale węższym niż ± 0,05 % wokół ich częstotliwości środkowej, definiowane są jako niezdolne do przełączania. Syntetyzator częstotliwości (3) oznacza dowolny rodzaj źródła częstotliwości, bez względu na stosowaną technikę, zapewniający uzyskanie wielu równoczesnych lub naprzemiennych częstotliwości wyjściowych z jednego lub kilku wyjść, uzyskanych z mniejszej liczby częstotliwości wzorcowych (lub głównych) lub sterowanych lub regulowanych za ich pomocą. Ogniwo paliwowe (8) oznacza urządzenie elektrochemiczne, które zużywając paliwo ze źródła zewnętrznego, przetwarza energię chemiczną bezpośrednio w prąd stały. Topliwy (1) oznacza taki, który może być dalej sieciowany lub polimeryzowany (utwardzany) przy użyciu ciepła, promieniowania, katalizatora itd. lub stopiony bez pirolizy (zwęglania). Atomizacja gazowa (1) oznacza proces rozpylania strumienia stopionego metalu na kropelki o średnicy 500 μm lub mniejszej za pomocą strumienia gazu o wysokim ciśnieniu. Rozrzucone geograficznie (6) odnosi się do przypadku, kiedy każdy element znajduje się w odległości większej niż 1500 m od innego w dowolnym kierunku. Czujniki ruchome są zawsze traktowane jako rozrzucone geograficznie. Instalacje do naprowadzania (7) oznaczają systemy scalające proces pomiaru i obliczania położenia pojazdu i jego prędkości (tj. nawigację) z obliczeniami i wysyłaniem poleceń do systemów sterowania lotem pojazdu w celu skorygowania jego toru lotu. Izostatyczne zagęszczanie na gorąco (2) oznacza technikę ciśnieniowania odlewu w temperaturach powyżej 375 K (102 °C) w zamkniętej formie za pomocą różnych czynników (gaz, ciecz, cząstki stałe itp.), której celem jest wytworzenie jednakowej siły we wszystkich kierunkach w celu zmniejszenia lub wyeliminowania jam wewnętrznych w odlewie. Hybrydowy układ scalony (3) oznacza dowolne połączenie układu(-ów) scalonego(-ych) lub układu scalonego z elementami układu lub składnikami dyskretnymi połączonymi ze sobą w celu realizacji określonej(-ych) funkcji, mające wszystkie wymienione poniżej cechy: N.B. 1: Element układu: pojedyncza czynna lub bierna funkcjonalna część układu elektronicznego, np. jedna dioda, jeden tranzystor, jeden rezystor, jeden kondensator itp. N.B. 2: Składnik dyskretny: element układu w oddzielnej obudowie z własnymi końcówkami wyjściowymi. Wzmacnianie obrazu (4) oznacza przetwarzanie obrazów zawierających informacje, uzyskanych ze źródeł zewnętrznych, za pomocą algorytmów, takich jak kompresja czasu, filtrowanie, ekstrahowanie, selekcja, korelacja, splatanie lub przemieszczanie pomiędzy domenami (np. za pomocą szybkiej transformacji Fouriera lub transformacji Walsha). Nie obejmuje kontrolą algorytmów, w których stosowane są wyłącznie przekształcenia liniowe lub obrotowe pojedynczego obrazu, takie jak przesunięcie, ekstrahowanie jakiejś cechy, rejestracja lub fałszywe barwienie. Immunotoksyna (1) oznacza koniugat jednokomórkowego przeciwciała monoklonalnego i toksyny lub podjednostki toksyny, który wpływa selektywnie na komórki chorobowo zmienione. Będące własnością publiczną (UOdT UdTJ UOdO), w odniesieniu do niniejszego dokumentu, oznacza technologię lub oprogramowanie dostępne bez żadnych ograniczeń co do ich dalszego rozpowszechniania (ograniczenia wynikające z praw autorskich nie wykluczają uznania technologii lub oprogramowania za będące własnością publiczną). Ochrona informacji (4, 5) oznacza wszystkie środki i funkcje zapewniające dostęp, poufność lub nienaruszalność informacji lub komunikacji, z wyłączeniem środków i funkcji mających zabezpieczać przed wadliwym działaniem. Obejmuje kryptografię, aktywację kryptograficzną, kryptoanalizę, ochronę przed przypadkowym przekazywaniem sygnałów odnoszących się do tajnych informacji oraz zabezpieczanie komputerów. N.B.: Kryptoanaliza: analiza systemów kryptograficznych lub ich wejść i wyjść w celu uzyskania tajnych informacji lub danych, włączając w to tajne teksty. Chwilowa szerokość pasma (3, 5, 7) oznacza szerokość pasma, w którym moc wyjściowa pozostaje na stałym poziomie z dokładnością do 3 dB bez regulacji innych parametrów roboczych. Zasięg przyrządowy (6) oznacza jednoznacznie określony zasięg radaru. Izolacja (9) jest pojęciem stosowanym do podzespołów silnika rakietowego, tj. osłony, dyszy, wlotów, zamknięć osłon, obejmującym utrwalone lub półutrwalone maty kauczukowe zawierające materiał ogniotrwały lub izolacyjny. Można je również stosować na klatki lub klapy odprężające. Wykładzina wewnętrzna (9) oznacza warstwę pośrednią pomiędzy paliwem stałym a obudową lub warstwą izolacyjną. Zazwyczaj jest to płynna polimerowa zawiesina materiału ogniotrwałego lub izolacyjnego, np. polibutadien z łańcuchami zakończonymi grupami hydroksylowymi (HTPB) wypełniony węglem lub inny polimer z dodatkiem środków utrwalających, rozpylonych lub rozsmarowanych na wewnętrznej powierzchni osłony. Miernik gradientu magnetycznego właściwego (6) oznacza pojedynczy element do pomiaru gradientu pola magnetycznego oraz związane z nim urządzenia elektroniczne, służący do pomiaru gradientu pola magnetycznego. N.B.: Zob. również Miernik gradientu magnetycznego. Złośliwe oprogramowanie (4) oznacza oprogramowanie specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane w celu uniknięcia wykrycia przez narzędzia monitorujące lub złamania środków zabezpieczających komputera lub urządzenia zdolnego do pracy w sieci, wykonujące następujące działania: Złośliwe oprogramowanie nie obejmuje żadnego z poniższych pojęć: Urządzenia zdolne do pracy w sieci obejmują urządzenia przenośne i inteligentne liczniki. Narzędzia monitorujące: oprogramowanie lub sprzęt monitorujące zachowanie systemu lub procesów wykonywanych na urządzeniu. Obejmuje to programy antywirusowe, produkty zapewniające bezpieczeństwo punktów końcowych, produkty bezpieczeństwa osobistego (Personal Security Products - PSP), systemy wykrywania wtargnięcia (Intrusion Detection Systems - IDS), systemy ochrony przed wtargnięciem (Intrusion Detection Systems - IPS) oraz zapory sieciowe. Środki zabezpieczające: techniki opracowane w celu zapewnienia bezpiecznego wykonania kodu, takie jak Data Execution Prevention (DEP), Address Space Layout Randomisation (ASLR) lub sandboxing. Izolowane żywe kultury (1) obejmują żywe kultury w postaci uśpionej i w postaci suchych preparatów. Prasy izostatyczne (2) oznaczają urządzenia umożliwiające ciśnieniowanie zamkniętych komór za pomocą różnych czynników roboczych (gazu, cieczy, cząstek stałych itp.) w celu wytwarzania w komorze we wszystkich kierunkach równych ciśnień na obrabiany element lub materiał. Laser (0, 2, 3, 5, 6, 7, 8, 9) oznacza zespół elementów wytwarzający wiązkę światła spójnego zarówno w przestrzeni, jak i w czasie, wzmocnioną za pomocą stymulowanej emisji promieniowania. N.B.: Zob. również: Laser chemiczny; Laser o super wysokiej mocy; Laser z przekazaniem energii. Pojazdy lżejsze od powietrza (9) oznaczają balony i statki powietrzne, które są wypełniane gorącym powietrzem lub innymi gazami lżejszymi od powietrza, takimi jak hel lub wodór. Liniowość (2) (zazwyczaj określana w kategoriach nieliniowości) stanowi maksymalne odchylenie parametru rzeczywistego (przeciętnej wartości górnego i dolnego odczytu na skali), w kierunku dodatnim lub ujemnym, od linii prostej poprowadzonej w taki sposób, żeby maksymalne odchylenia zostały wyrównane i zminimalizowane. Sieć lokalna (4, 5) oznacza system przesyłania danych mający wszystkie następujące cechy: N.B.: Urządzenie do przetwarzania danych: urządzenie mające możliwość nadawania lub odbierania ciągów informacji cyfrowych. Mierniki gradientu magnetycznego (6) oznaczają przyrządy do wykrywania zmian przestrzennych pól magnetycznych ze źródeł zewnętrznych w stosunku do przyrządu pomiarowego. Składają się z wielu magnetometrów i przynależnych układów elektronicznych, służących do pomiaru gradientu pola magnetycznego. N.B.: Zob. również Miernik gradientu magnetycznego właściwego. Magnetometry (6) oznaczają przyrządy do wykrywania pól magnetycznych źródeł zewnętrznych względem przyrządu pomiarowego. Składają się z pojedynczego czujnika pola magnetycznego i odpowiedniego układu elektronicznego, na którego wyjściu jest wartość mierzonego pola magnetycznego. Pamięć operacyjna (4) oznacza podstawową pamięć na dane lub instrukcje szybko dostępną dla jednostki centralnej. Składa się z pamięci wewnętrznej komputera cyfrowego oraz jednej z dodatkowych pamięci o strukturze hierarchicznej, takich jak pamięć podręczna (cache) lub pamięć dodatkowa z dostępem niesekwencyjnym. Materiały odporne na korozyjne działanie UF6 (0) obejmują miedź, stopy miedzi, stal nierdzewną, glin, tlenek glinu, stopy glinu, nikiel lub stopy zawierające 60 % masy lub więcej niklu oraz fluorowane polimery węglowodorowe. Matryca (1, 2, 8, 9) oznacza fazę o strukturze w zasadzie ciągłej wypełniającą przestrzeń pomiędzy cząstkami, wiskerami lub włóknami. Niepewność pomiarowa (2) oznacza parametr charakterystyczny określający, na poziomie ufności 95 %, w jakiej odległości od wartości prawidłowej leży zmienna pomiarowa. W jego skład wchodzą niedające się skorygować odchylenia systematyczne, niedający się skorygować luz oraz odchylenia losowe (zob. ISO 10360-2). Stapianie mechaniczne (1) oznacza technikę wykonywania stopów polegającą na mechanicznym łączeniu, kruszeniu i ponownym łączeniu sproszkowanych pierwiastków i głównego składnika stopowego. Przez dodawanie odpowiednich proszków można wprowadzać do stopu cząstki niemetaliczne. Formowanie ekstrakcyjne z fazy stopionej (1) oznacza technikę gwałtownego krzepnięcia i ekstrahowania wyrobu stopowego podobnego do wstęgi, polegającą na zanurzaniu krótkiego odcinka wirującego chłodzonego bloku w wannie stopionego stopu metalowego. N.B.: Gwałtowne krzepnięcie: krzepnięcie roztopionego materiału podczas chłodzenia z szybkością powyżej 1000 K/s. Formowanie rotacyjne z fazy stopionej (1) oznacza technikę gwałtownego krzepnięcia polegającą na uderzaniu strumienia stopionego metalu w wirujący chłodzony blok, wskutek czego powstaje wyrób w postaci płatków, wstęgi lub pręcików. N.B.: Gwałtowne krzepnięcie: krzepnięcie roztopionego materiału podczas chłodzenia z szybkością powyżej 1000 K/s. Układ mikrokomputerowy (3) oznacza monolityczny układ scalony lub wieloukład scalony, w którego skład wchodzi jednostka arytmetyczno-logiczna (ALU) zdolna do realizacji instrukcji ogólnych, zawartych w pamięci wewnętrznej, na danych znajdujących się w pamięci wewnętrznej. N.B.: Pamięć wewnętrzna może być wspomagana przez pamięć zewnętrzną. Układ mikroprocesorowy (3) oznacza monolityczny układ scalony lub wieloukład scalony, w którego skład wchodzi jednostka arytmetyczno-logiczna (ALU) zdolna do realizacji szeregu instrukcji ogólnych zawartych w pamięci zewnętrznej. N.B. 1: Układ mikroprocesorowy zazwyczaj nie jest wyposażony w integralną pamięć dostępną dla użytkownika, ale do realizacji jego funkcji logicznych może być wykorzystywana pamięć istniejąca w mikroukładzie. N.B. 2: Definicja ta obejmuje zespoły układów przeznaczone do pracy razem, w celu realizacji funkcji układu mikroprocesorowego. Mikroorganizmy (1, 2) oznaczają bakterie, wirusy, mikoplazmy, riketsje, chlamydie lub grzyby, naturalne, wzmocnione lub zmodyfikowane, w postaci izolowanych żywych kultur lub materiału zawierającego żywe organizmy, który rozmyślnie zaszczepiono lub zakażono takimi kulturami. Pociski rakietowe (1, 3, 6, 7, 9) oznaczają kompletne systemy rakietowe i systemy bezpilotowych statków powietrznych, zdolne do przenoszenia ładunku użytecznego o masie co najmniej 500 kg na odległość co najmniej 300 km. Włókno elementarne (lub – włókno) (1) oznacza najmniejszy inkrement włókna, zazwyczaj mający średnicę kilku mikrometrów. Monolityczny układ scalony (3) oznacza połączenie elementów obwodu czynnych lub biernych lub obu rodzajów, o następujących cechach charakterystycznych: N.B.: Element obwodu: pojedyncza czynna lub bierna funkcjonalna część układu elektronicznego, taka jak jedna dioda, tranzystor, rezystor, kondensator itp. Monospektralne czujniki obrazowe (6) oznaczają czujniki pozwalające na zbieranie danych obrazowych z pojedynczego pasma widma dyskretnego. Wieloukład scalony (3) oznacza dwa lub więcej monolityczne układy scalone, spojone ze wspólnym podłożem. Wielospektralne analizatory obrazowe (6) umożliwiają równoczesne lub szeregowe odbieranie danych obrazowych z dwóch lub więcej dyskretnych pasm spektralnych. Analizatory o więcej niż dwudziestu dyskretnych pasmach spektralnych są czasami nazywane hiperspektralnymi analizatorami obrazowymi. Uran naturalny (0) oznacza uran zawierający mieszaninę izotopów występujących w naturze. Sterownik dostępu do sieci (4) oznacza interfejs fizyczny do sieci rozproszonej. Używa się w nim wspólnego nośnika działającego z taką samą szybkością transmisji danych cyfrowych w systemie transmisji z arbitrażem (np. w sensie znacznika lub nośnika). Niezależnie od innych wybiera on adresowane do niego pakiety z danymi lub grupami danych (np. IEEE 802). Jest to zespół, który może być wbudowany w komputer lub urządzenie telekomunikacyjne z zadaniem zapewniania dostępu do łączy telekomunikacyjnych. Komputer neuronowy (4) oznacza urządzenie obliczeniowe zaprojektowane lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do naśladowania działalności neuronu lub zbioru neuronów, tj. urządzenie obliczeniowe wyróżniające się możliwością sprzętowego modulowania znaczenia i liczby połączeń pomiędzy wieloma elementami obliczeniowymi w oparciu o poprzednie dane. Reaktor jądrowy (0) oznacza kompletny reaktor zdolny do pracy w taki sposób, żeby mogła w nim przebiegać kontrolowana, samopodtrzymująca się reakcja łańcuchowa rozszczepiania. Reaktor jądrowy obejmuje wszystkie obiekty znajdujące się wewnątrz zbiornika reaktora lub bezpośrednio przymocowane do niego, wyposażenie sterujące poziomem mocy w rdzeniu oraz elementy, które zazwyczaj zawierają chłodziwo pierwotne rdzenia reaktora lub wchodzą z nim w bezpośrednią styczność lub nim sterują. Sterowanie numeryczne (2) oznacza automatyczne sterowanie procesem wykonywane przez urządzenie korzystające z danych numerycznych zazwyczaj wprowadzanych podczas realizacji operacji (zob. ISO 2382). Kod wynikowy (UOdO) oznacza sprzętowo wykonywalną postać wygodnego wyrażenia jednego lub większej liczby procesów (kod źródłowy (język źródłowy)), które zostały skompilowane przez system programowania. Wzmocnienie optyczne (5) oznacza w telekomunikacji optycznej technikę wzmacniania polegającą na uzyskiwaniu sygnałów optycznych generowanych przez oddzielne źródło optyczne bez ich przetwarzania na sygnały elektryczne, tj. za pomocą półprzewodnikowych wzmacniaczy optycznych lub światłowodowych wzmacniaczy luminescencyjnych. Komputer optyczny (4) oznacza komputer zaprojektowany lub zmodyfikowany z przeznaczeniem do używania światła jako nośnika danych oraz taki, którego elementy obliczeniowo-logiczne działają bezpośrednio na sprzężonych urządzeniach optycznych. Optyczny układ scalony (3) oznacza monolityczny układ scalony lub hybrydowy układ scalony, zaopatrzony w co najmniej jedną część przeznaczoną do działania jako fotoczujnik lub fotoemiter lub do wykonywania funkcji optycznych lub elektrooptycznych. Komutacja optyczna (5) oznacza przekazywanie lub komutację sygnałów w postaci optycznej bez przetwarzania na sygnały elektryczne. Całkowita gęstość prądu (3) oznacza całkowitą liczbę amperozwojów w cewce (tj. sumę liczby zwojów pomnożoną przez maksymalne natężenie prądu przenoszone przez każdy zwój) podzieloną przez całkowity przekrój poprzeczny cewki (składającej się z włókienek nadprzewodzących, matrycy metalowej, w której osadzone są włókienka nadprzewodzące, materiału stanowiącego obudowę, kanałów chłodzących itp.). Państwo uczestniczące (7, 9) oznacza każde z państw uczestniczących w Porozumieniu z Wassenaar. (zob. www.wassenaar.org) Moc szczytowa (6) oznacza najwyższy poziom mocy osiągany w czasie trwania impulsu. Sieć osobista (5) oznacza system przesyłania danych mający wszystkie następujące cechy: Urządzenie do przetwarzania danych: urządzenie mające możliwość nadawania lub odbierania ciągów informacji cyfrowych. Sterowanie mocą (7) oznacza zmianę mocy sygnału nadawanego przez wysokościomierz w taki sposób, żeby moc odbierana w statku powietrznym na danej wysokości była zawsze na minimalnym poziomie niezbędnym do określenia wysokości. Uprzednio separowany (0, 1) oznacza oddzielony dowolną techniką, której celem jest zwiększenie zawartości kontrolowanego izotopu. Podstawowe sterowanie lotem (7) oznacza sterowanie stabilnością i manewrowością statku powietrznego za pomocą generatorów siły lub momentu, tj. za pomocą aerodynamicznych powierzchni sterujących lub sterowania wektorem ciągu. Element o podstawowym znaczeniu (4) w odniesieniu do kategorii 4 jest elementem o podstawowym znaczeniu, jeżeli wartość jego wymiany stanowi ponad 35 % całkowitej wartości systemu, w którego skład wchodzi. Wartość elementu jest ceną płaconą za element przez producenta systemu lub przez firmę montującą system. Wartość całkowita jest zwykłą ceną sprzedaży osobom postronnym w miejscu produkcji lub w miejscu przygotowywania wysyłek towarów. Produkcja (Wszystkie UOdT, UdTJ) oznacza wszystkie etapy związane z produkcją, takie jak: prace konstrukcyjne, technologia produkcji, wytwarzanie, scalanie, montaż (składanie), kontrola, testowanie, zapewnienie jakości. Urządzenia produkcyjne (1, 7, 9) oznaczają oprzyrządowanie, szablony, przyrządy obróbkowe, trzpienie, formy, matryce, uchwyty, mechanizmy synchronizujące, urządzenia testujące, inne maszyny i ich części składowe, z ograniczeniem do urządzeń specjalnie zaprojektowanych lub zmodyfikowanych z przeznaczeniem do rozwoju lub do jednej lub więcej faz produkcji. Instalacje produkcyjne (7, 9) oznaczają urządzenia produkcyjne i specjalnie do nich opracowane oprogramowanie, wbudowane w instalacje w celu rozwoju lub do jednej lub więcej faz produkcji. Program (2, 6) oznacza sekwencję instrukcji do realizacji procesu, mającą postać wykonywalną lub dającą się przekształcić na wykonywalną przez komputer elektroniczny. Kompresja impulsów (6) oznacza kodowanie i przetwarzanie długiego impulsowego sygnału radarowego na krótki, przy zachowaniu korzyści wynikających z wysokiej energii impulsu. Czas trwania impulsu (6) oznacza czas trwania impulsu lasera zdefiniowany jako czas upływający między momentami osiągnięcia połowy mocy przez zbocze narastające i zbocze opadające poszczególnego impulsu. Laser impulsowy (6) oznacza laser, w którym czas trwania impulsu jest równy lub mniejszy niż 0,25 s. Kryptografia kwantowa (5) oznacza grupę technik pozwalających uzyskiwać wspólny klucz do celów kryptografii poprzez pomiar własności kwantowych układu fizycznego (w tym własności fizycznych jawnie zależnych od praw optyki kwantowej, kwantowej teorii pola lub elektrodynamiki kwantowej). Ruchliwość częstotliwości w radarach (6) oznacza dowolną technikę zmiany, wg sekwencji pseudolosowej, częstotliwości nośnej impulsowego nadajnika radarowego pomiędzy impulsami lub pomiędzy grupami impulsów, o wartość równą lub większą od szerokości pasma impulsu. Rozproszone widmo radarowe (6) oznacza dowolną technikę modulacji służącą do rozpraszania energii sygnału o stosunkowo wąskim paśmie częstotliwości na dużo szersze pasmo częstotliwości, za pomocą kodowania losowego lub pseudolosowego. Czułość promieniowania (6) oznacza czułość promieniowania (mA/W) = 0,807 × (długość fali w nm) × sprawność kwantowa (QE). Sprawność kwantową wyraża się zwykle w postaci procentowej; jednakże do celów niniejszego wzoru sprawność kwantowa wyrażona jest jako liczba dziesiętna mniejsza niż jeden, np. 78 % to 0,78. Szerokość pasma czasu rzeczywistego (3), w dynamicznych analizatorach sygnałów, oznacza największy zakres częstotliwości, dla jakiego analizator może przekształcać w trybie ciągłym dane z domeny czasowej całkowicie w wyniki z domeny częstotliwości za pomocą transformacji Fouriera lub innej dyskretnej w czasie transformacji, która przetwarza każdy przychodzący punkt czasu bez przerwy lub efektów okna (windowing) powodujących zmniejszenie mierzonej amplitudy o więcej niż 3 dB poniżej rzeczywistej amplitudy sygnału, i jednocześnie wydać i wyświetlić przekształcone dane. Przetwarzanie w czasie rzeczywistym (2, 6, 7) oznacza przetwarzanie danych przez system komputerowy, zapewniające żądany poziom realizacji zadań w funkcji dostępnych środków, w gwarantowanym czasie odpowiedzi, bez względu na obciążenie systemu, kiedy jest on stymulowany przez wydarzenia zewnętrzne. Powtarzalność (7) oznacza stopień zgodności powtarzanych pomiarów tej samej zmiennej w tych samych warunkach operacyjnych w sytuacji, gdy pomiędzy pomiarami występują zmiany warunków lub przerwy w działaniu. (Zob. IEEE STD 528-2001 (odchylenie standardowe wielkości 1 sigma)). Niezbędne (UOdT 1-9) - w odniesieniu do technologii - dotyczy tylko tej części technologii, która jest szczególnie odpowiedzialna za osiągnięcie lub przekroczenie wartości parametrów, właściwości lub funkcji objętych kontrolą. Taka niezbędna technologia może być wspólna dla różnych produktów. Rozdzielczość (2) oznacza najmniejszą działkę urządzenia pomiarowego; w przyrządach cyfrowych jest to najmniej znaczący bit (zob. ANSI B-89-1.12). Środek rozpraszania tłumu (1) oznacza substancje, które w warunkach użycia dla rozproszenia tłumu szybko wywołują u ludzi podrażnienie receptorów zmysłów lub psychiczny efekt unieszkodliwienia, znikający po krótkim czasie od usunięcia przyczyny. Gazy łzawiące stanowią podzbiór środków rozpraszania tłumu. Robot (2, 8) oznacza mechanizm manipulacyjny poruszający się po ścieżce ciągłej lub od punktu do punktu, mogący korzystać z czujników i mający wszystkie następujące cechy: N.B.: Niniejsza definicja nie obejmuje kontrolą następujących urządzeń: Atomizacja rotacyjna (1) oznacza proces rozpylania strumienia lub jeziorka stopionego metalu na kropelki o średnicy 500 μm lub mniejszej za pomocą siły odśrodkowej. Rowing (1) oznacza wiązkę (zazwyczaj 12-120 szt.) uporządkowanych w przybliżeniu równolegle skrętek. N.B.: Skrętka oznacza wiązkę włókien elementarnych (zazwyczaj ponad 200) uporządkowanych w przybliżeniu równolegle. Bicie promieniowe (odchylenie od właściwego ruchu) (2) oznacza promieniowe przemieszczenie głównego wrzeciona w ciągu jednego obrotu, mierzone w płaszczyźnie prostopadłej do osi wrzeciona w punkcie znajdującym się na zewnętrznej lub wewnętrznej badanej powierzchni obrotowej (zob. ISO 230 część 1-1986, pkt 5.61). Współczynnik skalowania (żyroskopu lub akcelerometru) (7) oznacza stosunek zmiany wartości wyjściowej do zmiany wartości wejściowej, która ma być mierzona. Współczynnik skalowania jest na ogół szacowany jako nachylenie linii prostej, którą można poprowadzić metodą najmniejszych kwadratów pomiędzy punktami określającymi parametry wejściowe/wyjściowe, uzyskanymi poprzez cykliczną zmianę parametrów wejściowych w przedziale ich wartości. Czas ustalania (3) oznacza czas, jaki podczas przełączania przetwornika z jednego poziomu na drugi potrzebny jest do otrzymania na wyjściu wartości różniącej się o połowę bitu od wartości końcowej. SHPL – zob. Laser o super wysokiej mocy. Analizatory sygnałów (3) oznaczają urządzenia do pomiaru i pokazywania podstawowych parametrów sygnałów o jednej częstotliwości, będących składowymi sygnałów wieloczęstotliwościowych. Przetwarzanie sygnałów (3, 4, 5, 6) oznacza przetwarzanie sygnałów zawierających informacje, uzyskanych ze źródeł zewnętrznych, za pomocą algorytmów, takich jak kompresja czasu, filtrowanie, ekstrahowanie, selekcja, korelacja, splatanie lub przemieszczanie pomiędzy domenami (np. za pomocą szybkiej transformacji Fouriera lub transformacji Walsha). Oprogramowanie (cała UOdO) oznacza zbiór jednego lub większej liczby programów lub mikroprogramów, utrwalony na dowolnym materialnym nośniku. N.B.: Mikroprogram oznacza sekwencję elementarnych instrukcji, przechowywanych w specjalnej pamięci, realizowanych po wprowadzeniu do rejestru instrukcji specjalnej dla niej instrukcji odwołania. Kod źródłowy (lub język źródłowy) (6, 7, 9) oznacza wygodny sposób wyrażenia jednego lub kilku procesów, który może być przekształcony przez system programowania w postać dającą się wykonać na urządzeniu (kod wynikowy (lub język wynikowy)). Statek kosmiczny (7, 9) oznacza czynne i bierne satelity i sondy kosmiczne. Klasy kosmicznej (3, 6, 7) - odnosi się do produktów zaprojektowanych, wykonanych lub po pomyślnych testach zakwalifikowanych do użycia na wysokości powyżej 100 km nad powierzchnią Ziemi. N.B.: Stwierdzenie na podstawie testu, że konkretny przedmiot jest klasy kosmicznej, nie oznacza, że inne przedmioty z tej samej partii produkcyjnej lub serii modelu są klasy kosmicznej, jeżeli nie przeszły one indywidualnych testów. Specjalny materiał rozszczepialny (0) oznacza pluton-239, uran-233, uran wzbogacony w izotopy 235 lub 233 oraz dowolne zawierające je materiały. Moduł właściwy (0, 1, 9) oznacza moduł Younga w paskalach (1 paskal = 1 N/m2) podzielony przez ciężar właściwy w N/m3, mierzony w temperaturze (296 ± 2) K ((23 ± 2) °C) i przy wilgotności względnej (50 ± 5) %. Wytrzymałość właściwa na rozciąganie (0, 1, 9) oznacza wytrzymałość na rozciąganie w paskalach (1 paskal = 1 N/m2) podzieloną przez ciężar właściwy w N/m3, mierzoną w temperaturze (296 ± 2) K ((23 ± 2) °C) i przy wilgotności względnej (50 ± 5) %. Żyroskopy wirujące (7) to żyroskopy wykorzystujące stale obracającą się masę do wykrywania ruchu obrotowego. Chłodzenie ultraszybkie (1) oznacza technikę gwałtownego krzepnięcia polegającą na uderzaniu stopionego strumienia metalu w chłodzony blok, w wyniku czego powstaje produkt w postaci płatków. N.B.: Gwałtowne krzepnięcie: krzepnięcie roztopionego materiału podczas chłodzenia z szybkością powyżej 1000 K/s. Widmo rozproszone (5) oznacza dowolną technikę służącą do rozpraszania energii sygnału ze stosunkowo wąskiego kanału telekomunikacyjnego na dużo szersze widmo energii. Radar o rozproszonym widmie (6) - zob. Rozproszone widmo radarowe. Stabilność (7) oznacza odchylenie standardowe (1 sigma) zmienności danego parametru od jego wartości wzorcowej zmierzonej w ustalonych warunkach temperaturowych. Można ją wyrażać w funkcji czasu. Państwa (nie)będące stronami konwencji o zakazie broni chemicznej (1) są to te państwa, w których Konwencja o zakazie rozwijania, produkcji, składowania i stosowania broni chemicznej (nie) weszła w życie. (zob. www.opcw.org) Podłoże (3) oznacza płytkę materiału głównego z naniesionymi połączeniami lub bez nich, na której lub wewnątrz której można umieszczać składniki dyskretne lub układy scalone. N.B. 1: Składnik dyskretny: element układu w oddzielnej obudowie z własnymi końcówkami wyjściowymi. N.B. 2: Element układu: pojedyncza czynna lub bierna funkcjonalna część układu elektronicznego, np. jedna dioda, jeden tranzystor, jeden rezystor, jeden kondensator itp. Półprodukt podłoży (3, 6) oznacza materiał monolityczny o wymiarach umożliwiających wytworzenie z niego elementów optycznych, takich jak zwierciadła lub okienka optyczne. Podjednostka toksyny (1) oznacza strukturalnie i funkcjonalnie oddzielny składnik toksyny. Nadstopy (2, 9) oznaczają stopy na osnowie niklu, kobaltu lub żelaza o bardzo wysokiej wytrzymałości w porównaniu z innymi stopami serii AISI 300 w temperaturach powyżej 922 K (649 °C), w skrajnych warunkach środowiskowych i eksploatacyjnych. Nadprzewodniki (1, 3, 5, 6, 8) oznaczają materiały, tj. metale, stopy lub związki, które mogą całkowicie stracić swoją oporność, tj. które mogą uzyskać nieskończoną przewodność elektryczną i przewodzić prąd elektryczny o bardzo wysokich natężeniach bez wytwarzania ciepła Joule’a. N.B.: Nadprzewodzący stan materiału jest indywidualnie scharakteryzowany temperaturą krytyczną, krytycznym polem magnetycznym, będącym funkcją temperatury, oraz krytyczną gęstością prądu, która jest funkcją zarówno pola magnetycznego, jak i temperatury. Laser o super wysokiej mocy (SHPL) (6) oznacza laser, który może dostarczyć energię wyjściową (całkowitą lub częściową) powyżej 1 kJ w ciągu 50 ms lub taki, którego moc przeciętna lub moc w przypadku fali ciągłej wynosi powyżej 20 kW. Formowanie w stanie nadplastycznym (1, 2) oznacza technikę odkształcania termicznego metali, których wydłużenie całkowite do zerwania, mierzone w temperaturze pokojowej tradycyjnymi technikami badania wytrzymałości na rozciąganie, w normalnych warunkach, jest bardzo małe (poniżej 20 %); jej celem jest co najmniej dwukrotne powiększenie tych wartości podczas obróbki. Algorytm symetryczny (5) oznacza algorytm kryptograficzny, w którym stosuje się identyczne klucze do szyfrowania i deszyfrowania. N.B.: Powszechnym zastosowaniem algorytmu symetrycznego jest utajnianie danych. Ścieżki systemowe (6) oznaczają przetworzone, skorelowane (połączenie radiolokacyjnych danych o celu z położeniem lecącego statku powietrznego) i zaktualizowane dane dotyczące położenia lecącego statku powietrznego, przekazane kontrolerom w ośrodku kontroli ruchu powietrznego. Komputer z dynamiczną modyfikacją tablic (4) oznacza komputer, w którym przepływ i modyfikacja danych są dynamicznie sterowane przez użytkownika na poziomie bramek logicznych. Taśma (1) oznacza materiał zbudowany z przeplatanych lub jednakowo ukierunkowanych włókien elementarnych, skrętek, rowingów, kabli lub przędz itp., zazwyczaj impregnowany żywicą. N.B.: Skrętka oznacza wiązkę włókien elementarnych (zazwyczaj ponad 200) uporządkowanych w przybliżeniu równolegle. Technologia (wszystkie UOdT UdTJ) oznacza specyficzny rodzaj informacji, niezbędny do rozwoju, produkcji lub użytkowania danego wyrobu. Informacja ta ma postać danych technologicznych lub pomocy technicznej. N.B. 1: Pomoc techniczna może przybierać takie formy, jak: przekazanie instrukcji, umiejętności, szkolenie, przekazanie wiedzy na temat eksploatacji oraz usługi konsultacyjne i może obejmować transfer danych technologicznych. N.B. 2: Dane technologiczne mogą mieć formę odbitek, planów, wykresów, modeli, wzorów, tabel, projektów technicznych i opisów, podręczników i instrukcji w formie pisemnej lub zarejestrowanej na innych nośnikach lub urządzeniach, takich jak dyski, taśmy, pamięci wyłącznie do odczytu. Trójwymiarowy układ scalony (3) oznacza zbiór płytek półprzewodnikowych zintegrowanych ze sobą i mających otwory przechodzące całkowicie przez co najmniej jedną płytkę w celu utworzenia połączenia między płytkami. Wrzeciono wahadłowe (2) oznacza wrzeciono (uchwyt) do narzędzi, zmieniające podczas procesu obróbki położenie kątowe swojej osi względem dowolnej innej osi. Stała czasowa (6) oznacza czas, który upływa od pojawienia się bodźca świetlnego do momentu, kiedy prąd wzrośnie do wartości równej wielkości końcowej pomnożonej przez 1-1/e (tj. 63 % wartości końcowej). Bandaż (9) oznacza element składowy pierścienia stacjonarnego (jednolity lub o budowie segmentowej) zamocowany na powierzchni wewnętrznej korpusu turbiny lub element znajdujący się na końcówce łopatki turbiny, który służy przede wszystkim jako uszczelnienie gazodynamiczne między elementami stacjonarnymi a wirującymi. Kompleksowe sterowanie lotem (7) oznacza automatyczne sterowanie zmiennymi stanu statku powietrznego i toru lotu dla zrealizowania zadania bojowego odpowiednio do zmian w czasie rzeczywistym danych dotyczących celu, zagrożeń lub innych statków powietrznych. Całkowita szybkość transmisji danych cyfrowych (5) oznacza liczbę bitów, łącznie z bitami kodowymi linii, bitami nieinformacyjnymi i podobnymi, przepływających w jednostce czasu pomiędzy odpowiednimi urządzeniami w cyfrowym systemie transmisji. N.B.: Zob. także szybkość transmisji danych cyfrowych. Kabel (1) oznacza wiązkę włókien elementarnych, zazwyczaj uporządkowanych w przybliżeniu równolegle. Toksyny (1, 2) oznaczają toksyny w postaci celowo wyizolowanych preparatów lub mieszanek, bez względu na sposób produkcji, różne od toksyn istniejących jako zanieczyszczenia innych materiałów, takich jak próbki patogenne, plony, żywność lub posiewy mikroorganizmów. Laser z przekazaniem energii (6) oznacza Laser, w którym czynnik emitujący promieniowanie laserowe jest wzbudzany dzięki transferowi energii wskutek zderzeń atomów lub molekuł, niebiorących udziału w akcji laserowej, z atomami lub molekułami czynnika emitującego promieniowanie laserowe. Przestrajalność (6) oznacza zdolność lasera do wytwarzania ciągłego sygnału wyjściowego we wszystkich długościach fal w przedziale kilku przejść laserowych. Laser z selekcją liniową wytwarza dyskretne długości fal w ramach jednego przejścia laserowego i nie jest uważany za przestrajalny. Bezzałogowy statek powietrzny (UAV) (9) oznacza każdy statek powietrzny zdolny do wzniesienia się w powietrze i kontynuowania kontrolowanego lotu i nawigacji bez obecności ludzi na pokładzie. Uran wzbogacony w izotopy 235 lub 233 (0) oznacza uran zawierający izotopy 235 lub 233 w takich ilościach, że stosunek łącznej zawartości tych izotopów do izotopu 238 jest większy niż stosunek zawartości izotopu 235 do izotopu 238 występujący w naturze (stosunek izotopowy 0,71 procent). Użytkowanie (wszystkie UOdT UdTJ) oznacza eksploatację, instalowanie (łącznie z instalowaniem na miejscu), konserwację (kontrolę), naprawę, remonty i modernizację. Możliwość programowania przez użytkownika (6) oznacza możliwość wprowadzania, modyfikacji lub wymiany programów przez użytkownika na innej drodze niż poprzez: Szczepionka (1) oznacza produkt leczniczy w postaci wyrobu farmaceutycznego, w odniesieniu do którego władze kraju produkcji lub kraju stosowania wydały zezwolenie na wprowadzanie do obrotu lub na prowadzenie badań klinicznych, a który wprowadzony do ustroju ludzkiego lub zwierzęcego ma za zadanie wytworzenie w nim ochronnej odporności immunologicznej w celu zapobiegania chorobom. Atomizacja próżniowa (1) oznacza proces rozpylania strumienia stopionego metalu na kropelki o średnicy 500 μm lub mniejszej poprzez szybkie uwolnienie rozpuszczonego gazu w warunkach podciśnienia. Profile o zmiennej geometrii (7) oznaczają profile, w których zastosowano klapy lub inne płaszczyzny na krawędzi spływu lub sloty lub osadzone przegubowo noski na krawędzi natarcia, którymi można sterować w locie. Przędza (1) oznacza wiązkę skręconych skrętek. N.B.: Skrętka oznacza wiązkę włókien elementarnych (zazwyczaj ponad 200) uporządkowanych w przybliżeniu równolegle.

DEFINICJE TERMINÓW UŻYWANYCH W NINIEJSZYM ZAŁĄCZNIKU

a.

wspólna architektura sprzętowa i oprogramowania;

b.

wspólna technologia projektowania i przetwarzania; oraz

c.

a.

pobieranie danych i informacji z komputera lub urządzenia zdolnego do pracy w sieci lub modyfikacja systemu lub danych użytkownika; lub

b.

modyfikacja standardowych ścieżek wykonywania programu lub procesu w celu umożliwienia wykonania instrukcji pochodzących z zewnątrz.

DEFINICJE TERMINÓW UŻYWANYCH W NINIEJSZYM ZAŁĄCZNIKU Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwagi: 1.

a.

hiperwizorów, programów do usuwania błędów oraz narzędzi inżynierii wstecznej oprogramowania (Software Reverse Engineering - SRE)

b.

oprogramowania dotyczącego zarządzania prawami cyfrowymi; lub

c.

oprogramowania przeznaczonego do zainstalowania przez producentów, administratorów lub użytkowników do celów śledzenia lub znajdowania towarów;

DEFINICJE TERMINÓW UŻYWANYCH W NINIEJSZYM ZAŁĄCZNIKU Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwagi: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2.

a.

umożliwiający bezpośrednie połączenie ze sobą dowolnej liczby niezależnych urządzeń do przetwarzania danych; oraz

b.

metalowe zbiorniki lub główne prefabrykowane części do nich, w tym górne pokrywy zbiornika ciśnieniowego reaktora, specjalnie zaprojektowane lub przystosowane do umieszczania w nich rdzenia reaktora jądrowego;

urządzenia manipulacyjne specjalnie zaprojektowane lub przystosowane do załadunku i wyładunku elementów paliwowych reaktorów jądrowych;

pręty regulacyjne specjalnie zaprojektowane lub przystosowane do sterowania procesem rozszczepienia w reaktorze jądrowym, odpowiednie elementy nośne lub zawieszenia, mechanizmy napędu oraz prowadnice rurowe do prętów regulacyjnych;

przewody ciśnieniowe reaktora specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem zarówno na elementy paliwowe, jak i chłodziwo w reaktorze jądrowym;

rury (lub zespoły rur) z cyrkonu metalicznego lub jego stopów specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do zastosowania jako okładzina paliwa w reaktorach jądrowych, w ilościach przekraczających 10 kg; N.B.: W przypadku rur ciśnieniowych z cyrkonu zob. 0A001.e, zaś w przypadku rur calandrii zob. 0A001.h.

pompy pierwotnego obiegu lub pompy cyrkulacyjne specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do przetaczania chłodziwa w reaktorach jądrowych;

h. Uwaga techniczna:

zespoły wewnętrzne reaktora specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do pracy w reaktorze jądrowym, w tym elementy nośne rdzenia, kanały paliwowe, rury calandrii, osłony termiczne, przegrody, siatki dystansujące rdzenia i płyty rozpraszające; W pozycji 0A001.h zespoły wewnętrzne reaktora oznaczają dowolną większą strukturę wewnątrz zbiornika reaktora wypełniającą jedną lub więcej funkcji, takich jak podtrzymywanie rdzenia, utrzymywanie osiowania elementów paliwowych, kierowanie przepływem chłodziwa w obiegu pierwotnym, zapewnienie osłon radiacyjnych zbiornika reaktora i oprzyrządowania wewnątrzrdzeniowego.

wymienniki ciepła, takie jak: Uwaga: Pozycja 0A001.i nie obejmuje kontroli wymienników ciepła w systemach wspierających reaktora, np. systemie chłodzenia awaryjnego lub systemie odprowadzania ciepła powyłączeniowego.

1. wytwornice pary specjalnie zaprojektowane lub przystosowane do obiegu pierwotnego lub pośredniego reaktora jądrowego;

2. inne wymienniki ciepła specjalnie zaprojektowane lub przystosowane do stosowania w obiegu pierwotnym reaktora jądrowego;

detektory neutronów specjalnie zaprojektowane lub przystosowane do określania poziomu strumienia neutronów wewnątrz rdzenia reaktora jądrowego;

k. Uwaga techniczna:

zewnętrzne tarcze termiczne specjalnie zaprojektowane lub przystosowane do użytku w reaktorach jądrowych w celu zmniejszenia strat ciepła oraz ochrony zbiornika. W pozycji 0A001.k zewnętrzne tarcze termiczne oznaczają dużego rozmiaru struktury umieszczone nad zbiornikiem reaktora, służące do ograniczania strat ciepła z reaktora i do zmniejszania temperatury wewnątrz zbiornika.

0B Uwaga techniczna:

Urządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne 0B001 Następujące instalacje do separacji izotopów z uranu naturalnego, uranu zubożonego i specjalnych materiałów rozszczepialnych oraz urządzenia specjalnie do nich zaprojektowane lub wykonane: 0B002 Następujące specjalnie zaprojektowane lub wykonane pomocnicze instalacje, urządzenia i podzespoły do instalacji separacji izotopów wymienionych w pozycji 0B001, wykonane z materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6 lub chronione materiałami tego typu: 0B003 Następujące instalacje do przetwarzania uranu i urządzenia specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do nich: 0B004 Następujące instalacje do produkcji lub stężania ciężkiej wody, deuteru i związków deuteru oraz specjalnie do nich zaprojektowane i wykonane urządzenia i podzespoły: 0B005 Instalacje specjalnie zaprojektowane do wytwarzania elementów paliwowych do reaktorów jądrowych oraz specjalnie dla nich zaprojektowane lub przystosowane urządzenia. Instalacje do wytwarzania elementów paliwowych do reaktorów jądrowych obejmują urządzenia, które: 0B006 Instalacje do przerobu napromieniowanych (wypalonych w różnym stopniu) elementów paliwowych reaktorów jądrowych oraz specjalnie dla nich zaprojektowane lub wykonane urządzenia i podzespoły. Uwaga: Pozycja 0B006 obejmuje: 0B007 Instalacje do przetwarzania plutonu oraz specjalnie dla nich zaprojektowane lub wykonane urządzenia i podzespoły:

0B a.

następujące instalacje specjalnie zaprojektowane do separacji izotopów uranu naturalnego, uranu zubożonego oraz specjalnych materiałów rozszczepialnych:

1. instalacje do rozdzielania gazów metodą wirowania;

2. instalacje do dyfuzyjnego rozdzielania gazów;

3. instalacje do rozdzielania metodami aerodynamicznymi;

4. instalacje do rozdzielania metodami wymiany chemicznej;

5. instalacje do rozdzielania techniką wymiany jonów;

6. instalacje do rozdzielania izotopów w postaci par metalu za pomocą laserów (AVLIS);

7. instalacje do rozdzielania izotopów w postaci molekularnej za pomocą laserów (MLIS);

8. instalacje do rozdzielania metodami plazmowymi;

9. instalacje do rozdzielania metodami elektromagnetycznymi;

b. Uwaga techniczna:

następujące wirówki gazowe oraz zespoły i urządzenia, specjalnie zaprojektowane lub wykonane do stosowania w procesach wzbogacania metodą wirowania gazów: W pozycji 0B001.b materiał o wysokim stosunku wytrzymałości mechanicznej do gęstości oznacza którekolwiek z poniższych:

1. stal maraging o wytrzymałości na rozciąganie równej 1,95 GPa lub większej;

2. stopy glinu o wytrzymałości na rozciąganie równej 0,46 GPa lub większej; lub

3. materiały włókniste lub włókienkowe o module właściwym powyżej 3,18 × 106 m i wytrzymałości właściwej na rozciąganie powyżej 7,62 × 104 m;

1. wirówki gazowe;

2. kompletne zespoły wirników;

3. cylindryczne zespoły wirników o grubości 12 mm lub mniejszej, średnicy od 75 do 650 mm, wykonane z materiałów o wysokim stosunku wytrzymałości mechanicznej do gęstości;

4. pierścienie lub mieszki ze ściankami o grubości 3 mm lub mniejszej i średnicy od 75 mm do 650 mm przeznaczone do lokalnego osadzenia cylindra wirnika lub do połączenia ze sobą wielu cylindrów wirników, wykonane z materiałów o wysokim stosunku wytrzymałości mechanicznej do gęstości;

5. deflektory o średnicy od 75 mm do 650 mm przeznaczone do instalowania wewnątrz cylindra wirnika odśrodkowego, wykonane z materiałów o wysokim stosunku wytrzymałości mechanicznej do gęstości;

6. pokrywy górne lub dolne o średnicy od 75 mm do 650 mm pasujące do końców cylindra wirnika, wykonane z materiałów o wysokim stosunku wytrzymałości mechanicznej do gęstości;

7. następujące łożyska na poduszce magnetycznej:

7. a.

zespoły łożysk składające się z pierścieniowego magnesu zawieszonego w obudowie wykonanej z materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6 lub chronionej takimi materiałami, zawierającej wewnątrz czynnik tłumiący i posiadające magnes sprzężony z nabiegunnikiem lub drugim magnesem osadzonym w pokrywie górnej wirnika;

aktywne łożyska magnetyczne specjalnie zaprojektowane lub wykonane do stosowania w wirówkach gazowych;

8. specjalnie wykonane łożyska składające się z zespołu czop-panewka osadzonego na amortyzatorze;

9. 0B001 b. pompy molekularne zawierające cylindry z wewnętrznymi, obrobionymi techniką skrawania lub wytłoczonymi, spiralnymi rowkami i wewnętrznymi wywierconymi otworami;

10. pierścieniowe stojany do wysokoobrotowych wielofazowych silników histerezowych (lub reluktancyjnych) do pracy synchronicznej w próżni z częstotliwością 600 Hz lub większą i mocą 40 woltoamperów lub większą;

11. obudowy (komory) wirówek, w których znajdują się zespoły wirników cylindrycznych wirówki gazowej, składające się ze sztywnego cylindra ze ściankami o grubości do 30 mm z precyzyjnie obrobionymi końcami, które są równoległe do siebie i prostopadłe do osi wzdłużnej cylindra w zakresie 0,05 stopnia lub mniej;

12. zbieraki składające się ze specjalnie zaprojektowanych lub przystosowanych rurek, przeznaczone do ekstrahowania gazowego UF6 z wirnika na zasadzie rurki Pitota, które mogą być zamocowane w centralnym układzie ekstrakcji gazu;

13. przemienniki częstotliwości (konwertery lub inwertery) specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do zasilania stojanów silników wirówek gazowych do wzbogacania, posiadające wszystkie następujące cechy charakterystyczne i specjalnie do nich zaprojektowane podzespoły:

13. a.

wyjście wielofazowe o częstotliwości 600 Hz lub większej; oraz

wysoka stabilność (z regulacją częstotliwości z dokładnością lepszą niż 0,2 %);

14. następujące zawory odcinające i sterujące:

14. a.

zawory odcinające specjalnie zaprojektowane lub przystosowane do pracy z surowcem, produktem lub frakcjami końcowymi ze strumieni zawierających UF6 poszczególnych wirówek gazowych;

zawory mieszkowe odcinające lub sterujące o średnicy wewnętrznej od 10 do 160 mm wykonane z materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6 lub chronione takimi materiałami, specjalnie zaprojektowane lub przystosowane do użytku w głównych i pomocniczych układach zakładów wzbogacania stosujących wirówki gazowe;

następujące urządzenia i podzespoły, specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do separacji metodą dyfuzji gazowej:

1. przegrody do dyfuzji gazowej wykonane z porowatych metalowych, polimerowych lub ceramicznych materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6, posiadające pory o średnicach od 10 do 100 nm, grubość 5 mm lub mniejszą oraz, w przypadku elementów cylindrycznych, średnicę 25 mm lub mniejszą;

2. obudowy dyfuzorów gazowych wykonane lub chronione materiałami odpornymi na korozyjne działanie UF6;

3. sprężarki lub dmuchawy do gazów o objętościowej pojemności ssania UF6 wynoszącej 1 m3/min lub więcej, o ciśnieniu wylotowym do 500 kPa oraz stosunku ciśnienia 10:1 lub mniejszym, wykonane z materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6 lub chronione takimi materiałami;

4. uszczelnienia wirujących wałów sprężarek lub dmuchaw wymienionych w pozycji 0B001.c.3, skonstruowane w taki sposób, żeby objętościowe natężenie przepływu gazu buforowego przez nieszczelności wynosiło poniżej 1000 cm3/min;

5. wymienniki ciepła wykonane z materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6 lub chronione takimi materiałami, zaprojektowane do pracy z natężeniem przepływu przez nieszczelności na poziomie mniejszym niż 10 Pa na godzinę przy różnicy ciśnień rzędu 100 kPa;

6. zawory mieszkowe odcinające lub sterujące, obsługiwane ręcznie lub automatycznie, wykonane z materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6 lub chronione takimi materiałami;

następujące urządzenia i podzespoły specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do aerodynamicznego wzbogacania materiałów:

1. dysze separujące składające się ze szczelinowych zakrzywionych kanałów o promieniu krzywizny poniżej 1 mm, odporne na korozyjne działanie UF6, zawierające w środku ostre krawędzie rozdzielające gaz płynący w dyszach na dwa strumienie;

2. 0B001 d. cylindryczne lub stożkowe rury (rurki wirowe) wykonane z materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6 lub też zabezpieczone takimi materiałami, mające co najmniej jeden wlot styczny;

3. sprężarki lub dmuchawy do gazów wykonane z materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6 lub zabezpieczone takimi materiałami oraz uszczelnienia wirujących wałów do nich;

4. wymienniki ciepła wykonane z materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6 lub zabezpieczone takimi materiałami;

5. obudowy elementów rozdzielających, wykonane z materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6 lub zabezpieczone takimi materiałami, przeznaczone na rurki wirowe lub dysze rozdzielające;

6. zawory mieszkowe odcinające lub sterujące, obsługiwane ręcznie lub automatycznie, wykonane z materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6 lub chronione takimi materiałami, mające średnicę 40 mm lub większą;

7. instalacje przetwórcze do oddzielania UF6 od gazu nośnego (wodoru lub helu) do zawartości 1 ppm UF6 lub mniejszej, w tym:

7. a.

kriogeniczne wymienniki ciepła i separatory zdolne do pracy w temperaturach 153 K (- 120 °C) lub niższych;

zamrażarki kriogeniczne zdolne do wytwarzania temperatur 153 K (- 120 °C) lub niższych;

urządzenia z dyszami rozdzielającymi lub rurkami wirowymi do oddzielania UF6 od gazu nośnego;

wymrażarki UF6 zdolne do wymrażania UF6;

następujące urządzenia i podzespoły do nich, specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do wzbogacania materiałów techniką wymiany chemicznej:

1. cieczowo-cieczowe kolumny impulsowe do szybkiej wymiany chemicznej z czasem przebywania czynnika w stopniu urządzenia wynoszącym 30 sekund lub krótszym oraz odporne na stężony kwas solny (np. wykonane z odpowiednich tworzyw sztucznych, takich jak polimery fluorowęglowodorowe lub szkło, lub pokryte takimi materiałami);

2. cieczowo-cieczowe kontaktory odśrodkowe do szybkiej wymiany chemicznej z czasem przebywania czynnika w stopniu urządzenia wynoszącym 30 sekund lub krótszym oraz odporne na stężony kwas solny (np. wykonane z odpowiednich tworzyw sztucznych, takich jak polimery fluorowęglowodorowe lub szkło, lub pokryte takimi materiałami);

3. elektrochemiczne ogniwa redukcyjne, odporne na działanie roztworów kwasu solnego, do obniżania wartościowości uranu;

4. urządzenia do zasilania elektrochemicznych ogniw redukcyjnych, pobierające U+4 ze strumieni substancji organicznych, wykonane w strefach kontaktu z przetwarzanym strumieniem z odpowiednich materiałów lub chronione takimi materiałami (na przykład szkło, polimery fluorowęglowe, polisiarczan fenylu, polisulfon eteru i grafit nasycany żywicą);

5. urządzenia do przygotowywania półproduktów do wytwarzania roztworu chlorku uranu o wysokiej czystości, składające się z zespołów do rozpuszczania, ekstrakcji rozpuszczalnikowej i/lub wymiany jonowej, przeznaczone do oczyszczania, oraz ogniwa elektrolityczne do redukowania uranu U+6 lub U+4 do U+3;

6. urządzenia do utleniania uranu ze stanu U+3 do U+4;

następujące urządzenia i podzespoły specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do wzbogacania materiałów techniką wymiany jonów:

1. szybko reagujące żywice jonowymienne, żywice błonkowate lub porowate makrosiatkowe, w których grupy chemiczne biorące aktywny udział w wymianie znajdują się wyłącznie w powłoce na powierzchni nieaktywnej porowatej struktury nośnej, oraz inne materiały kompozytowe w dowolnej stosownej formie, w tym w postaci cząstek lub włókien, ze średnicami wynoszącymi 0,2 mm lub mniej, odporne na stężony kwas solny i wykonane w taki sposób, że ich półczas wymiany wynosi poniżej 10 sekund, oraz zdolne do pracy w temperaturach w zakresie od 373 K (100 °C) do 473 K (200 °C);

2. 0B001 f. kolumny jonitowe (cylindryczne) o średnicy powyżej 1000 mm, wykonane z materiałów odpornych na stężony kwas solny lub chronione takimi materiałami (np. tytan lub tworzywa fluorowęglowe) i zdolne do pracy w temperaturach w zakresie od 373 K (100 °C) do 473 K (200 °C) i przy ciśnieniach powyżej 0,7 MPa;

3. jonitowe urządzenia zwrotne (urządzenia do chemicznego lub elektrochemicznego utleniania lub redukcji) przeznaczone do regeneracji substancji do chemicznej redukcji lub utleniania, stosowanych w jonitowych kaskadach do wzbogacania materiałów;

następujące urządzenia i podzespoły, specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do zastosowania w technologii opartej na parach metalu:

1. urządzenia do przeprowadzania uranu w stan pary przeznaczone do uzyskiwania docelowej mocy wyjściowej 1 kW lub większej do zastosowania w technologii wzbogacania za pomocą laserów;

2. systemy operowania uranem metalicznym w stanie cieczy lub pary, specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do operowania stopionym uranem, stopami uranu stopionego lub uranem metalicznym w stanie pary do zastosowania w technologii wzbogacania za pomocą laserów, jak również specjalnie do nich zaprojektowane podzespoły; N.B.: ZOB. TAKŻE POZYCJA 2A225.

3. zespoły do gromadzenia produktów lub frakcji końcowych uranu metalicznego w postaci ciekłej lub stałej, wykonane z materiałów odpornych na działanie cieplne i korozyjne uranu metalicznego w postaci pary lub cieczy, takich jak grafit powlekany tlenkiem itru lub tantal, lub chronione takimi materiałami;

4. obudowy modułów urządzeń rozdzielających (zbiorniki cylindryczne lub prostopadłościenne) przeznaczone na źródła par uranu metalicznego, działa elektronowe oraz urządzenia do gromadzenia produktu i frakcji końcowych;

5. lasery lub systemy laserów specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do rozdzielania izotopów uranu, wyposażone w stabilizatory częstotliwości przystosowane do pracy przez dłuższe okresy; N.B.: ZOB. TAKŻE POZYCJE 6A005 I 6A205.

następujące urządzenia i podzespoły, specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do technologii molekularnych lub systemów laserowych:

1. naddźwiękowe dysze rozprężne do chłodzenia mieszanin UF6 z gazem nośnym do temperatur 150 K (- 123 °C) lub niższych, wykonane z materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6;

2. podzespoły lub urządzenia do gromadzenia produktów lub frakcji końcowych, specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do gromadzenia materiału uranowego i materiału frakcji końcowych uranu po naświetleniu światłem lasera, wykonane z materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6;

3. sprężarki wykonane z materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6 lub zabezpieczone takimi materiałami oraz uszczelnienia wirujących wałów do nich;

4. urządzenia do fluorowania UF5 (stałego) do UF6 (gazowego);

5. urządzenia przetwórcze do oddzielania UF6 od gazu nośnego (np. azotu, argonu lub innego gazu), w tym:

5. a.

kriogeniczne wymienniki ciepła i separatory zdolne do pracy w temperaturach 153 K (- 120 °C) lub niższych;

zamrażarki kriogeniczne zdolne do wytwarzania temperatur 153 K (- 120 °C) lub niższych;

wymrażarki UF6 zdolne do wymrażania UF6;

6. lasery lub systemy laserów specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do rozdzielania izotopów uranu, wyposażone w stabilizatory częstotliwości przystosowane do pracy przez dłuższe okresy; N.B.: ZOB. TAKŻE POZYCJE 6A005 I 6A205.

0B001 następujące urządzenia i podzespoły specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do plazmowego rozdzielania materiałów:

1. źródła mikrofal i anteny do wytwarzania lub przyspieszania jonów, o częstotliwości wyjściowej powyżej 30 GHz i średniej mocy wyjściowej powyżej 50 kW;

2. wysokoczęstotliwościowe cewki do wzbudzania jonów pracujące w zakresie częstotliwości powyżej 100 kHz i zdolne do pracy w warunkach średniej mocy powyżej 40 kW;

3. urządzenia do wytwarzania plazmy uranowej;

4. nieużywane;

5. zespoły do gromadzenia produktów lub frakcji końcowych uranu metalicznego w postaci stałej, wykonane z materiałów odpornych na działanie cieplne i korozyjne uranu w postaci pary, takich jak grafit powlekany tlenkiem itru lub tantal, lub chronione takimi materiałami;

6. obudowy modułów separatorów (cylindryczne) na źródło plazmy uranowej, cewki na prądy wysokiej częstotliwości oraz kolektory do produktu i frakcji końcowych, wykonane z odpowiednich materiałów niemagnetycznych (np. ze stali nierdzewnej);

następujące urządzenia i podzespoły, specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do wzbogacania materiałów metodami elektromagnetycznymi:

1. źródła jonów, pojedyncze lub wielokrotne, składające się ze źródła pary, jonizatora oraz akceleratora wiązki wykonane z odpowiednich materiałów niemagnetycznych (np. grafitu, stali nierdzewnej lub miedzi) i zdolne do wytwarzania wiązki jonów o całkowitym natężeniu 50 mA lub większym;

2. płytkowe kolektory jonów do gromadzenia wzbogaconych lub zubożonych wiązek jonów uranu, składające się z dwóch lub więcej szczelin i kieszeni i wykonane z odpowiednich materiałów niemagnetycznych (np. grafitu lub stali nierdzewnej);

3. obudowy próżniowe do elektromagnetycznych separatorów uranu wykonane z materiałów niemagnetycznych (np. ze stali nierdzewnej) i skonstruowane z przeznaczeniem do pracy przy ciśnieniach 0,1 Pa lub niższych;

4. elementy biegunów magnesów o średnicy powyżej 2 m;

5. wysokonapięciowe zasilacze do źródeł jonów, posiadające wszystkie następujące cechy: N.B.: ZOB. TAKŻE POZYCJA 3A227.

5. a.

zdolność do pracy w trybie ciągłym;

napięcie wyjściowe 20000 V lub większe;

natężenie prądu na wyjściu 1 A lub większe; oraz

regulacja napięcia z dokładnością lepszą niż 0,01 % w ciągu 8 godzin;

6. zasilacze magnesów (wysokiej mocy, prądu stałego), posiadające wszystkie następujące cechy: N.B.: ZOB. TAKŻE POZYCJA 3A226.

6. a.

zdolność do pracy w trybie ciągłym z prądem wyjściowym o natężeniu 500 A lub większym i napięciu 100 V lub większym; oraz

regulacja natężenia lub napięcia prądu z dokładnością lepszą niż 0,01 % w ciągu 8 godzin.

autoklawy, piece lub instalacje do doprowadzania UF6 do instalacji do wzbogacania;

desublimatory lub wymrażarki do odprowadzania UF6 z instalacji przetwórczych i dalszego jego transportu po ogrzaniu;

instalacje do produktu lub frakcji końcowych do transportu UF6 do zbiorników;

instalacje do skraplania lub zestalania stosowane do usuwania UF6 z procesu wzbogacania drogą sprężania, chłodzenia i przetwarzania UF6 w ciecz lub ciało stałe;

instalacje rurociągowe i zbiorniki specjalnie zaprojektowane lub wykonane do transportu i manipulowania UF6 w procesach rozdzielania izotopów metodą dyfuzji, ultrawirowania lub kaskady aerodynamicznej;

następujące układy próżniowe i pompy:

1. próżniowe instalacje rur rozgałęźnych lub zbiorników lub pompy próżniowe o wydajności ssania wynoszącej 5 m3 na minutę lub więcej;

2. pompy próżniowe specjalnie zaprojektowane do pracy w atmosferze zawierającej UF6, wykonane z materiałów odpornych na korozyjne działanie UF6 lub zabezpieczone takimi materiałami; lub

3. układy próżniowe składające się z próżniowych instalacji rur rozgałęźnych lub zbiorników i pomp próżniowych, zaprojektowane do pracy w atmosferze zawierającej UF6;

spektrometry masowe (źródła jonów) zdolne do bieżącego (on-line) pobierania próbek ze strumieni zawierających UF6, posiadające wszystkie wymienione poniżej cechy:

1. zdolność do pomiaru mas jonów o wartości 320 mas atomowych lub większa i rozdzielczość lepsza niż 1 część na 320;

2. źródła jonów wykonane z niklu, stopu niklu i miedzi o zawartości niklu 60 % masy lub większej lub stopów niklu i chromu lub nimi zabezpieczone;

3. elektronowe źródła jonizacyjne; oraz

4. wyposażenie w kolektory umożliwiające analizę izotopową.

instalacje do przetwarzania koncentratów rudy uranowej na UO3;

instalacje do przetwarzania UO3 na UF6;

instalacje do przetwarzania UO3 na UO2;

instalacje do przetwarzania UO2 na UF4;

instalacje do przetwarzania UF4 na UF6;

instalacje do przetwarzania UF4 na uran metaliczny;

instalacje do przetwarzania UF6 na UO2;

instalacje do przetwarzania UF6 na UF4;

instalacje do przetwarzania UO2 na UCl4.

następujące instalacje do produkcji ciężkiej wody, deuteru i związków deuteru:

1. instalacje do produkcji metodą wymiany woda-siarkowodór;

2. instalacje do produkcji metodą wymiany amoniak-wodór;

0B004 następujące urządzenia i podzespoły:

1. kolumnowe wymienniki typu woda-siarkowodór mające średnicę 1,5 m lub większą i zdolność do pracy przy ciśnieniach równych lub większych niż 2 MPa;

2. jednostopniowe, niskociśnieniowe (np. 0,2 MPa), odśrodkowe dmuchawy lub kompresory wymuszające cyrkulację gazowego siarkowodoru (tj. gazu zawierającego więcej niż 70 % H2S), o przepustowości równej lub większej niż 56 m3/s podczas pracy przy ciśnieniach zasysania równych lub większych niż 1,8 MPa, posiadające uszczelnienia umożliwiające pracę w środowisku wilgotnego H2S;

3. kolumnowe wymienniki typu amoniak-wodór o wysokości równej lub większej niż 35 m i średnicy od 1,5 m do 2,5 m, zdolne do pracy przy ciśnieniach większych niż 15 MPa;

4. konstrukcje wewnętrzne kolumn łącznie z kontaktorami stopniowymi i pompami stopniowymi, w tym zanurzeniowymi, do produkcji ciężkiej wody w procesie wymiany amoniak-wodór;

5. instalacje do krakowania amoniaku zdolne do pracy przy ciśnieniach równych lub większych niż 3 MPa przy produkcji ciężkiej wody w procesie wymiany amoniak-wodór;

6. podczerwone analizatory absorpcyjne zdolne do bieżącej (on-line) analizy stosunku wodoru do deuteru w warunkach, w których stężenia deuteru są równe lub większe niż 90 %;

7. palniki katalityczne do konwersji wzbogaconego deuteru w ciężką wodę przy użyciu procesu wymiany amoniak-wodór;

8. kompletne systemy wzbogacania ciężkiej wody lub przeznaczone dla nich kolumny, przeznaczone do zwiększania koncentracji deuteru w ciężkiej wodzie do poziomu reaktorowego.

9. Konwertery do syntezy amoniaku lub urządzenia do syntezy amoniaku specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do produkcji ciężkiej wody w procesie wymiany amoniak-wodór.

0B Uwaga techniczna:

1. pozostają w bezpośrednim kontakcie z materiałami jądrowymi lub bezpośrednio je przetwarzają lub sterują procesem ich produkcji;

2. uszczelniają materiały jądrowe wewnątrz ich koszulek;

3. kontrolują szczelność koszulek;

4. kontrolują końcową obróbkę paliwa stałego; lub

5. są wykorzystywane do montażu elementów reaktora.

instalacje do przerobu napromieniowanych (wypalonych w różnym stopniu) elementów paliwowych reaktorów jądrowych, w tym urządzenia i podzespoły, które zazwyczaj wchodzą w bezpośredni kontakt z materiałami jądrowymi, służą do ich bezpośredniego przetwarzania lub sterowania ich przepływem;

maszyny do rozdrabniania lub kruszenia elementów paliwowych, tj. zdalnie sterowane urządzenia do cięcia lub krojenia napromieniowanych (wypalonych w różnym stopniu) zespołów, wiązek lub prętów paliwowych reaktorów jądrowych;

urządzenia do rozpuszczania, zbiorniki podkrytyczne (np. zbiorniki o małych średnicach, pierścieniowe lub płaskie), specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do rozpuszczania napromieniowanego (wypalonego w różnym stopniu) paliwa do reaktorów jądrowych, odporne na działanie gorących, silnie żrących płynów oraz przystosowane do zdalnego załadunku i obsługi;

0B006 Uwaga: ekstraktory rozpuszczalnikowe, takie jak kolumny z wypełnieniem lub impulsowe, mieszalniki odstojniki lub kontaktory odśrodkowe odporne na żrące działanie kwasu azotowego, specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do wykorzystania w instalacjach do przerobu napromieniowanego (wypalonego w różnym stopniu) uranu naturalnego, uranu zubożonego lub specjalnego materiału rozszczepialnego;

e. Uwaga techniczna:

zbiorniki technologiczne lub magazynowe, specjalnie zaprojektowane w taki sposób, że są podkrytyczne i odporne na żrące działanie kwasu azotowego; Zbiorniki technologiczne lub magazynowe mogą mieć następujące właściwości:

1. ścianki lub struktury wewnętrzne z co najmniej dwuprocentowym ekwiwalentem borowym (obliczonym dla wszystkich składowych pierwiastków w sposób zdefiniowany w uwadze do pozycji 0C004);

2. maksymalną średnicę 175 mm w przypadku zbiorników cylindrycznych; lub

3. maksymalną szerokość 75 mm w przypadku zbiorników płytowych lub pierścieniowych;

Neutronowe systemy pomiaru specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do zamontowania i zastosowania wraz automatycznymi systemami sterowania procesami w instalacjach do przerobu napromieniowanego (wypalonego w różnym stopniu) uranu naturalnego, uranu zubożonego lub specjalnego materiału rozszczepialnego;

instalacje do przetwarzania azotanu plutonu na tlenek plutonu;

instalacje do wytwarzania plutonu metalicznego.

0C Materiały 0C001 Uran naturalny lub uran zubożony lub tor w postaci metalu, stopu, związku chemicznego lub koncentratu i dowolny inny materiał zawierający jeden lub więcej z powyższych materiałów. Uwaga: Pozycja 0C001 nie obejmuje kontrolą: 0C002 Specjalne materiały rozszczepialne Uwaga: Pozycja 0C002 nie obejmuje kontrolą czterech gramów efektywnych lub mniejszej ilości w przypadku ich stosowania w czujnikach instrumentów pomiarowych. 0C003 Deuter, ciężka woda (tlenek deuteru) i inne związki deuteru oraz ich mieszaniny i roztwory, w których stosunek liczby atomów deuteru do atomów wodoru jest większy niż 1:5000. 0C004 Grafit o stopniu zanieczyszczenia poniżej 5 części na milion ekwiwalentu boru oraz gęstości większej niż 1,50 g/cm3 przeznaczony do zastosowania w reaktorach jądrowych, w ilościach przekraczających 1 kg. N.B.: ZOB. TAKŻE POZYCJA 1C107. Uwaga 1: Dla celów kontroli wywozu właściwe organy państwa członkowskiego, w którym eksporter ma swoją siedzibę, stwierdzą, czy wywóz grafitu spełniającego powyższe specyfikacje ma na celu zastosowanie w reaktorach jądrowych. Uwaga 2: W pozycji 0C004 ekwiwalent boru (BE) zdefiniowany jest jako suma BEZ dla domieszek (z pominięciem BEcarbon dla węgla, ponieważ węgiel nie jest uważany za domieszkę) z uwzględnieniem boru, gdzie: BEZ (ppm) = CF × stężenie pierwiastka Z określane w ppm (częściach na milion) gdzie CF jest współczynnikiem przeliczeniowymσZABσBAZ zaś σB i σZ są przekrojami czynnymi na wychwyt neutronów termicznych (w barnach) odpowiednio dla boru pochodzenia naturalnego i pierwiastka Z; a AB i AZ są masami atomowymi odpowiednio boru naturalnego i pierwiastka Z. 0C005 Specjalnie wzbogacone związki lub proszki do wyrobu przegród do dyfuzji gazowej, odporne na korozyjne działanie UF6 (np. nikiel lub stop zawierający 60 % wagowych lub więcej niklu, tlenek glinu i całkowicie fluorowane polimery węglowodorowe) o procentowym stopniu czystości w proporcji wagowej 99,9 % lub więcej i średniej wielkości cząstek poniżej 10 μm, mierzonej według normy Amerykańskiego Towarzystwa Materiałoznawczego (ASTM) B330 i wysokim stopniu jednorodności wymiarowej cząstek.

0C a.

czterech gramów lub mniejszej ilości uranu naturalnego lub uranu zubożonego, jeżeli znajduje się on w czujnikach instrumentów pomiarowych;

uranu zubożonego specjalnie wyprodukowanego z przeznaczeniem do wyrobu następujących produktów cywilnych spoza dziedziny jądrowej:

1. osłony;

2. wypełnienia;

3. balasty o masie nieprzekraczającej 100 kg;

4. przeciwwagi o masie nieprzekraczającej 100 kg;

stopów zawierających mniej niż 5 % toru;

produktów ceramicznych zawierających tor, ale wykonanych do zastosowań poza dziedziną jądrową.

0D Oprogramowanie 0D001 Oprogramowanie specjalnie opracowane lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do rozwoju, produkcji lub użytkowania towarów wymienionych w tej kategorii.

0E Technologia 0E001 Technologie zgodnie z uwagą do technologii jądrowej służące do rozwoju, produkcji lub użytkowania towarów wymienionych w tej kategorii.

KATEGORIA 1 MATERIAŁY SPECJALNE I ZWIĄZANE Z NIMI URZĄDZENIA

1A Uwagi techniczne: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna:

Systemy, urządzenia i części składowe 1A001 Następujące elementy wykonane ze związków fluorowych: 1A002 Wyroby lub laminaty kompozytowe spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: N.B.: ZOB. TAKŻE POZYCJE 1A202, 9A010 i 9A110. Uwaga 1: Pozycja 1A002 nie dotyczy wyrobów kompozytowych ani laminatów wykonanych z żywic epoksydowych impregnowanych węglowymi materiałami włóknistymi lub włókienkowymi, przeznaczonych do naprawy elementów lub laminatów cywilnych statków powietrznych i spełniających wszystkie z poniższych kryteriów: Uwaga 2: Pozycja 1A002 nie obejmuje kontrolą produktów półgotowych, specjalnie zaprojektowanych do następujących, wyłącznie cywilnych, zastosowań: Uwaga 3: Pozycja 1A002.b.1 nie obejmuje kontrolą produktów półgotowych zawierających maksymalnie dwie warstwy plecionych włókien, specjalnie zaprojektowanych do następujących zastosowań: Uwaga 4: Pozycja 1A002 nie obejmuje kontrolą produktów gotowych, specjalnie zaprojektowanych do konkretnych zastosowań. 1A003 Wyroby z innych niż topliwe poliimidów aromatycznych, w postaci folii, arkuszy, taśm lub wstęg, które spełniają którekolwiek z poniższych kryteriów: Uwaga: Pozycja 1A003 nie obejmuje kontrolą wyrobów powlekanych lub laminowanych miedzią, przeznaczonych do produkcji elektronicznych płytek drukowanych. N.B.: Topliwe poliimidy aromatyczne w każdej postaci, zob. pozycja 1C008.a.3. 1A004 Następujące urządzenia, wyposażenie i części ochronne i detekcyjne, inne niż specjalnie zaprojektowane do zastosowania wojskowego: N.B.: ZOB. TAKŻE WYKAZ UZBROJENIA, POZYCJE 2B351 I 2B352. 1A004Uwaga: Pozycja 1A004 nie obejmuje kontrolą: Pozycja 1A004 obejmuje urządzenia i części, które uznano za skuteczne, przetestowano z wynikiem pozytywnym według norm krajowych lub w inny sposób dowiedziono ich skuteczności w zakresie wykrywania materiałów promieniotwórczych przystosowanych do użycia w działaniach wojennych, czynników biologicznych przystosowanych do użycia w działaniach wojennych, chemicznych środków bojowych, nietoksycznych substancji zastępczych lub środków rozpraszania tłumu, a także obrony przed wymienionymi materiałami, czynnikami i środkami, także wtedy, gdy takie wyposażenie lub części stosowane są w cywilnych gałęziach działalności, takich jak: górnictwo, przemysł wydobywczy, rolnictwo, przemysł farmaceutyczny, medycyna, weterynaria, ochrona środowiska, gospodarka odpadami lub przemysł spożywczy. Nietoksyczna substancja zastępcza oznacza substancję lub materiał stosowany zamiast środków toksycznych (chemicznych lub biologicznych) w ramach szkoleń, badań naukowych, testów lub ocen. 1A005 Następujące kamizelki i okrycia kuloodporne oraz elementy do nich: N.B.: ZOB. TAKŻE WYKAZ UZBROJENIA. N.B.: W odniesieniu do materiałów włóknistych lub włókienkowych, stosowanych do produkcji kamizelek kuloodpornych zob. 1C010. Uwaga 1: Pozycja 1A005 nie obejmuje kontrolą indywidualnych okryć kuloodpornych, gdy służą one ich użytkownikowi do osobistej ochrony. Uwaga 2: Pozycja 1A005 nie obejmuje kontrolą kamizelek kuloodpornych zaprojektowanych wyłącznie do ochrony czołowej zarówno przed odłamkami, jak i siłą podmuchu z niewojskowych urządzeń wybuchowych. Uwaga 3: Pozycja 1A005 nie obejmuje pancerzy osobistych zaprojektowanych wyłącznie do ochrony przed urazami na skutek pchnięcia nożem, szpikulcem, igłą lub tępym narzędziem. 1A006 Wyposażenie specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do celów unieszkodliwiania następujących improwizowanych urządzeń wybuchowych oraz specjalnie zaprojektowanych części i akcesoriów do nich: N.B.: ZOB. TAKŻE WYKAZ UZBROJENIA. Uwaga: Pozycja 1A006 nie obejmuje kontrolą wyposażenia obsługiwanego przez operatora. 1A007 Następujące wyposażenie i urządzenia specjalnie zaprojektowane w celu inicjowania ładunków oraz urządzeń zawierających materiały energetyczne za pomocą środków elektrycznych: N.B.: ZOB. TAKŻE WYKAZ UZBROJENIA, pozycje 3A229 I 3A232. Zamiast słowa detonator używa się czasami słowa inicjator lub zapłonnik. Do celów pozycji 1A007.b. wszystkie przedmiotowe detonatory wykorzystują małe przewodniki elektryczne (mostki, połączenia mostkowe lub folie) gwałtownie odparowujące po przepuszczeniu przez nie szybkich, wysokoprądowych impulsów elektrycznych. W przypadku zapłonników nieudarowych wybuchający przewodnik inicjuje eksplozję chemiczną w zetknięciu się z kruszącym materiałem wybuchowym, takim jak PETN (czteroazotan pentaerytrytu). W zapłonnikach udarowych wybuchowe odparowanie przewodnika elektrycznego zwalnia przeskok bijnika przez szczelinę, a jego uderzenie w materiał wybuchowy inicjuje eksplozję chemiczną. W niektórych przypadkach bijnik napędzany jest siłami magnetycznymi. Termin detonator w postaci folii eksplodującej może odnosić się zarówno do detonatorów typu EB, jak i udarowych. 1A008 Następujące ładunki, urządzenia i części: Ładunki kumulacyjne to ładunki wybuchowe ukształtowane tak, by ukierunkować siłę wybuchu. 1A102 Elementy z przesyconego pirolizowanego materiału typu węgiel-węgiel przeznaczone do kosmicznych pojazdów nośnych określonych w pozycji 9A004 lub do rakiet meteorologicznych określonych w pozycji 9A104. 1A202 Elementy kompozytowe, inne niż wymienione w pozycji 1A002, w postaci rur i mające obie z następujących cech: N.B.: ZOB. TAKŻE POZYCJE 9A010 I 9A110. 1A225 Katalizatory platynowe specjalnie opracowane lub przygotowane do wspomagania reakcji wymiany izotopów wodoru pomiędzy wodorem a wodą w celu separacji trytu z ciężkiej wody lub w celu produkcji ciężkiej wody. 1A226 Wyspecjalizowane wkłady do oddzielania ciężkiej wody od wody zwykłej, mające obydwie z następujących cech: 1A227 Przeciwradiacyjne okna ochronne o wysokiej gęstości (ze szkła ołowiowego lub podobnych materiałów), mające wszystkie z następujących cech, oraz specjalnie do nich zaprojektowane ramy: Na użytek poz. 1A227 termin obszar nieradioaktywny oznacza pole widzenia okna wystawionego na promieniowanie o poziomie najniższym w danym zastosowaniu.

1A a.

uszczelnienia, uszczelki, masy uszczelniające lub przepony w układach paliwowych, które są specjalnie zaprojektowane do statków powietrznych lub rakiet kosmicznych i w których ponad 50 % zawartości wagowej stanowi jeden z materiałów objętych kontrolą według pozycji 1.C009.b lub 1C009.c;

polimery i kopolimery piezoelektryczne wykonane z kopolimerów fluorku winylidenu (CAS 75-38-7), wymienione w pozycji 1C009.a, spełniające wszystkie z poniższych kryteriów:

1. w postaci arkuszy lub folii; oraz

2. o grubości większej niż 200 μm;

uszczelnienia, uszczelki, gniazda zaworów, przepony lub membrany spełniające wszystkie z poniższych kryteriów: Uwaga: W pozycji 1A001.c pocisk rakietowy oznacza kompletne systemy rakietowe i systemy bezzałogowych statków powietrznych.

1. wykonane z elastomerów fluorowych zawierających co najmniej jeden monomer eteru winylowego; oraz

2. specjalnie opracowane do statków powietrznych, rakiet kosmicznych lub pocisków rakietowych.

składające się z matrycy organicznej i z materiałów objętych kontrolą według pozycji 1C010.c, 1C010.d lub 1C010.e; lub

składające się z matrycy metalowej lub węglowej i z któregokolwiek spośród niżej wymienionych materiałów:

1. węglowych materiałów włóknistych lub włókienkowych, które spełniają wszystkie z poniższych kryteriów:

1. a.

ich moduł właściwy przekracza 10,15 × 106 m; oraz

ich wytrzymałość właściwa na rozciąganie przekracza 17,7 × 104 m; lub

2. materiałów wymienionych w pozycji 1C010.c.

mających powierzchnię nieprzekraczającą 1 m2;

mających długość nieprzekraczającą 2,5 m; oraz

mających szerokość nieprzekraczającą 15 mm.

sprzęt sportowy;

przemysł motoryzacyjny;

przemysł obrabiarkowy;

zastosowania medyczne.

piec do obróbki cieplnej metali służący do odpuszczania metalu;

urządzenia do produkcji monokryształu krzemu.

o grubości większej niż 0,254 μm; lub

są powlekane lub laminowane węglem, grafitem, metalami lub substancjami magnetycznymi.

a. Uwaga techniczna:

1A004 maski przeciwgazowe, pochłaniacze i wyposażenie dekontaminacyjne do nich, zaprojektowane lub zmodyfikowane dla ochrony przed którymkolwiek z poniższych czynników, a także części specjalnie do nich zaprojektowane: Uwaga: Pozycja 1A004.a. obejmuje respiratory oczyszczające powietrze z własnym zasilaniem (PARP), zaprojektowane lub zmodyfikowane do celów ochrony przed środkami i materiałami wymienionymi w pozycji 1A004.a. Do celów pozycji 1A004.a.:

1. Maski przeciwgazowe są również nazywane maskami gazowymi.

2. Pochłaniacze obejmują również wkłady do filtrów.

1. czynniki biologiczne przystosowane do użycia w działaniach wojennych;

2. materiały promieniotwórcze przystosowane do użycia w działaniach wojennych;

3. chemiczne środki bojowe; lub

4. środki rozpraszania tłumu, w tym:

4. a.

α-bromobenzenoacetonitryl (cyjanek bromobenzylu) (CA) (CAS 5798-79-8);

dinitryl [(2-chlorofenylo)metyleno]propanu, (o-chlorobenzylidenomalanonitryl) (CS) (CAS 2698-41-1);

2-chloro-1-fenyloetanon, chlorek fenylacylu (-chloroacetofenon) (CN) (CAS 532-27-4);

dibenzo-(b,f)-1,4-oksazepina (CR) (CAS 257-07-8);

10-chloro-5, 10-dihydrofenarsazyna, (chlorek fenarsazyny), (adamsyt), (DM) (CAS 578-94-9);

N-nonanoilomorfolina (MPA) (CAS 5299-64-9);

ubrania, rękawice i obuwie ochronne specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane dla ochrony przed którymkolwiek z poniższych:

1. czynniki biologiczne przystosowane do użycia w działaniach wojennych;

2. materiały promieniotwórcze przystosowane do użycia w działaniach wojennych; lub

3. chemiczne środki bojowe;

systemy detekcji, specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane dla wykrywania lub identyfikacji którychkolwiek z poniższych czynników, a także części specjalnie do nich zaprojektowane:

1. czynniki biologiczne przystosowane do użycia w działaniach wojennych;

2. materiały promieniotwórcze przystosowane do użycia w działaniach wojennych; lub

3. chemiczne środki bojowe;

d. Uwaga techniczna:

urządzenia elektroniczne zaprojektowane do automatycznego wykrywania lub określania obecności pozostałości materiałów wybuchowych przy użyciu technik wykrywania substancji śladowych (np. powierzchniowa fala akustyczna, spektrometria w oparciu o ruchliwość jonów, spektrometria w oparciu o rozkład ruchliwości, spektrometria masowa). Wykrywanie substancji śladowych oznacza zdolność do wykrywania poniżej 1 ppm gazu lub 1 mg substancji stałej lub cieczy. Uwaga 1: Pozycja 1A004.d nie obejmuje kontrolą urządzeń specjalnie zaprojektowanych do użytku laboratoryjnego. Uwaga 2: Pozycja 1A004.d nie obejmuje kontrolą stacjonarnych bezstykowych bramek bezpieczeństwa.

osobistych monitorujących dozymetrów promieniowania jądrowego;

urządzeń BHP ograniczonych projektowo lub funkcjonalnie do spełniania ochrony przed zagrożeniami typowymi dla bezpieczeństwa mieszkańców i domostw lub przemysłu cywilnego, w tym w:

1. górnictwie;

2. eksploatacji kamieniołomów;

3. rolnictwie;

4. przemyśle farmaceutycznym;

5. medycynie;

6. weterynarii;

7. ochronie środowiska;

8. gospodarowaniu odpadami;

9. przemyśle spożywczym.

1A Uwagi techniczne: 1.2. a.

miękkie pancerze osobiste lub odzież ochronna, niewyprodukowane zgodnie z normami lub wymaganiami wojskowymi albo normami lub wymaganiami równoważnymi oraz specjalnie zaprojektowane do nich elementy składowe;

twarde płyty opancerzone do pancerzy osobistych dające ochronę balistyczną na poziomie IIIA lub niższym (NIJ 0101.06, lipiec 2008) lub odpowiedniki krajowe.

pojazdy zdalnie sterowane;

b. Uwaga techniczna:

neutralizatory Neutralizatory to urządzenia specjalnie zaprojektowane, by uniemożliwić działanie urządzenia wybuchowego przez wyrzucenie pocisku płynnego, stałego lub kruchego.

zestawy zapłonowe do detonatorów, zaprojektowane do detonatorów wymienionych w pozycji 1A007.b;

następujące zapłonniki elektryczne:

1. eksplodujące zapłonniki mostkowe (EB);

2. eksplodujące zapłonniki połączeń mostkowych (EBW);

3. zapłonniki udarowe;

4. eksplodujące zapłonniki foliowe (EFI).

1A Uwagi techniczne: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. a.

ładunki kumulacyjne spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. zawartość materiałów wybuchowych netto (NEQ) większa niż 90 g; oraz

2. zewnętrzna średnica obudowy równa lub większa niż 75 mm;

ładunki tnące o kształcie liniowym spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów i specjalnie zaprojektowane do nich części:

1. zawartość materiałów wybuchowych większa niż 40 g/m; oraz

2. szerokość równa lub większa niż 10 mm;

lont detonujący o zawartości materiałów wybuchowych większej niż 64 g/m;

urządzenia tnące, inne niż wyszczególnione w 1A008.b, oraz narzędzia odcinające o zawartości materiałów wybuchowych netto (NEQ) większej niż 3,5 kg.

1A Uwagi techniczne: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. Uwaga techniczna: a.

średnicę wewnętrzną od 75 mm do 400 mm; oraz

są wykonane z jednego z materiałów włóknistych lub włókienkowych wymienionych w pozycji 1C010.a, 1C010.b lub 1C210.a lub z materiałów węglowych wyspecyfikowanych w pozycji 1C210.c.

są wykonane z siatek z brązu fosforowego obrabianych chemicznie dla zwiększenia nasiąkliwości; oraz

są przeznaczone do stosowania w próżniowych wieżach destylacyjnych.

powierzchnię w obszarze nieradioaktywnym powyżej 0,09 m2;

gęstość powyżej 3 g/cm3; oraz

grubość 100 mm lub większą.

1B Uwaga techniczna: 1.2. Uwaga techniczna:

Urządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne 1B001 Następujące urządzenia do produkcji lub kontroli wyrobów lub laminatów kompozytowych wyszczególnionych w pozycji 1A002 lub materiałów włóknistych lub włókienkowych wyszczególnionych w pozycji 1C010 oraz specjalnie do nich skonstruowane elementy i akcesoria: N.B.: ZOB. TAKŻE POZYCJE 1B101 I 1B201. Do celów poz. 1B001 główne osie serwosterowania sterują pod kontrolą programu komputerowego pozycją manipulatora (tj. głowicą) w przestrzeni w odniesieniu do obrabianego elementu, nadając mu właściwe położenie i kierunek, by osiągnąć pożądany wynik. Do celów poz. 1B001 pasmo włókna oznacza pojedynczą ciągłą szerokość taśmy, kabla lub włókna częściowo impregnowanych żywicą. 1B002 Urządzenia do produkcji stopów metali, proszków ze stopów metali lub materiałów stopowych specjalnie zaprojektowane w celu zabezpieczenia przed zanieczyszczeniem i specjalnie zaprojektowane do wykorzystania w jednym z procesów wyszczególnionych w pozycji 1C002.c.2. N.B.: ZOB. TAKŻE POZYCJA 1B102. 1B003 Narzędzia, matryce, formy lub osprzęt o specjalnej konstrukcji do przetwarzania tytanu, glinu lub ich stopów w stanie nadplastycznym lub metodą zgrzewania dyfuzyjnego z przeznaczeniem do produkcji którychkolwiek z poniższych: 1B101 Następujące urządzenia, inne niż wyszczególnione w pozycji 1B001, do produkcji kompozytów konstrukcyjnych oraz specjalnie do nich skonstruowane elementy i akcesoria: N.B.: ZOB. TAKŻE POZYCJA 1B201. Uwaga: Do wyszczególnionych w pozycji 1B101 elementów i akcesoriów należą formy, trzpienie, matryce, uchwyty i oprzyrządowanie do wstępnego prasowania, utrwalania, odlewania, spiekania lub spajania elementów kompozytowych, laminatów i wytworzonych z nich wyrobów. 1B102 Urządzenia produkcyjne do wytwarzania proszków metali, inne niż wyszczególnione w poz. 1B002, i specjalnie zaprojektowane elementy do nich: N.B.: ZOB. TAKŻE POZYCJA 1B115.b. 1B115 Urządzenia, inne niż wyszczególnione w pozycjach 1B002 lub 1B102, do produkcji paliw i składników paliw oraz specjalnie do nich skonstruowane podzespoły: Uwaga 1: Urządzenia specjalnie zaprojektowane do produkcji wyrobów militarnych wymagają każdorazowo sprawdzenia wykazu uzbrojenia. Uwaga 2: Pozycja 1B115 nie obejmuje kontrolą urządzeń do produkcji, manipulowania i testowania odbiorczego węgliku boru. 1B116 Dysze o specjalnej konstrukcji, przeznaczone do wytwarzania materiałów pochodzenia pirolitycznego, formowanych w matrycy, na trzpieniu lub innym podłożu, z gazów macierzystych rozkładających się w zakresie temperatur od 1573 K (1300 °C) do 3173 K (2900 °C) przy ciśnieniach w zakresie od 130 Pa do 20 kPa. 1B117 Mieszarki okresowe umożliwiające mieszanie próżniowe w zakresie od zera do 13,326 kPa, w których można regulować temperaturę w komorze mieszania, spełniające wszystkie poniższe kryteria i specjalnie zaprojektowane do nich elementy: 1B118 Mieszarki ciągłe umożliwiające mieszanie próżniowe w zakresie od zera do 13,326 kPa, w których można regulować temperaturę w komorze mieszania i które spełniają którekolwiek z poniższych kryteriów, oraz specjalnie zaprojektowane do nich elementy: 1B119 Młyny wykorzystujące energię płynów, nadające się do rozdrabniania i mielenia substancji wyszczególnionych w pozycjach 1C011.a, 1C011.b i 1C111 lub w wykazie uzbrojenia, i specjalnie zaprojektowane do nich elementy. 1B201 Następujące maszyny do nawijania włókien i związane z nimi wyposażenie, inne niż wyszczególnione w pozycji 1B001 lub 1B101: 1B225 Ogniwa elektrolityczne do produkcji fluoru o wydajności większej niż 250 gramów fluoru na godzinę. 1B226 Elektromagnetyczne separatory izotopów, skonstruowane z przeznaczeniem do współpracy z jednym lub wieloma źródłami jonów zdolnymi do uzyskania wiązki jonów o całkowitym natężeniu rzędu 50 mA lub więcej. Uwaga: Pozycja 1B226 obejmuje następujące separatory: 1B228 Kolumny do kriogenicznej destylacji wodoru posiadające wszystkie wymienione poniżej cechy: W pozycji 1B228 długość efektywna oznacza aktywną wysokość materiału wypełniającego w kolumnach z wypełnieniem lub aktywną wysokość płyt kontaktora wewnętrznego w kolumnach płytowych. 1B229 Następujące kolumny półkowe do wymiany typu woda-siarkowodór oraz kontaktory wewnętrzne do nich: N.B.: W przypadku kolumn specjalnie zaprojektowanych lub przygotowanych do produkcji ciężkiej wody zob. 0B004. 1B230 Pompy do przetłaczania roztworów katalizatora z amidku potasu rozcieńczonego lub stężonego w ciekłym amoniaku (KNH2/NH3), posiadające wszystkie wymienione poniżej cechy: 1B231 Następujące urządzenia i instalacje do obróbki trytu lub ich podzespoły: 1B232 Turborozprężarki lub zestawy turborozprężarka-sprężarka mające obie z wymienionych niżej cech: 1B233 Następujące urządzenia i instalacje do separacji izotopów litu oraz ich układy i podzespoły do nich: 1B234 Pojemniki do materiałów wybuchowych, komory, kontenery i inne podobne urządzenia zaprojektowane do testowania materiałów wybuchowych lub urządzeń wybuchowych, mające obie poniższe cechy: N.B.: ZOB. TAKŻE WYKAZ UZBROJENIA.

1B a.

maszyny nawojowe do włókien, z koordynowanymi i programowanymi w trzech lub więcej głównych osiach serwosterowania ruchami związanymi z ustawianiem, owijaniem i nawijaniem włókien, specjalnie zaprojektowane z przeznaczeniem do produkcji wyrobów kompozytowych lub laminatów, z materiałów włóknistych lub włókienkowych;

b. Uwaga techniczna:

maszyny do układania taśm, z koordynowanymi i programowanymi w co najmniej pięciu głównych osiach serwosterowania ruchami związanymi z ustawianiem w odpowiednim położeniu i układaniem taśm, specjalnie zaprojektowane do produkcji kompozytowych elementów konstrukcyjnych płatowca lub pocisku rakietowego; Uwaga: W pozycji 1B001.b pocisk rakietowy oznacza kompletne systemy rakietowe i systemy bezzałogowych statków powietrznych. Na użytek poz. 1B001.b maszyny do układania taśm są zdolne do układania jednego lub więcej pasm włókien ograniczonych do szerokości większej niż 25 mm, lecz mniejszej lub równej 305 mm oraz do cięcia i ponownego rozpoczynania pojedynczych pasm włókien podczas procesu układania.

c. Uwaga techniczna:

1B001 wielokierunkowe, wielowymiarowe maszyny tkackie lub maszyny do przeplatania, łącznie z zestawami adaptacyjnymi i modyfikacyjnymi, zaprojektowane lub zmodyfikowane specjalnie do tkania, przeplatania lub splatania włókien na potrzeby elementów kompozytowych; Na użytek poz. 1B001.c technika przeplatania obejmuje również dzianie.

następujące urządzenia specjalnie zaprojektowane lub przystosowane do produkcji włókien wzmocnionych:

1. urządzenia do przetwarzania włókien polimerowych (takich jak poliakrylonitryl, włókno z celulozy regenerowanej, paku lub polikarbosilanu) we włókna węglowe lub włókna węglika krzemu, łącznie ze specjalnymi urządzeniami do naprężania włókien podczas ogrzewania;

2. urządzenia do chemicznego osadzania par pierwiastków lub związków chemicznych na ogrzanych podłożach włóknistych w celu wyprodukowania włókien z węglika krzemu;

3. urządzenia do mokrego przędzenia ogniotrwałych materiałów ceramicznych (takich jak tlenek glinu);

4. urządzenia do przetwarzania za pomocą obróbki cieplnej włókien macierzystych zawierających aluminium we włókna tlenku glinu;

urządzenia do produkcji prepregów, wyszczególnionych w pozycji 1C010.e, metodą topienia termicznego (hot melt);

następujące urządzenia do badań nieniszczących specjalnie zaprojektowane do materiałów kompozytowych:

1. systemy tomografii rentgenowskiej do kontroli wad w trzech wymiarach;

2. sterowane numerycznie ultradźwiękowe urządzenia badawcze, w których ruchy nadajników lub odbiorników do pozycjonowania są równocześnie sterowane i programowane w co najmniej czterech osiach w celu śledzenia trójwymiarowych kształtów badanych elementów;

g. Uwaga techniczna:

maszyny do układania kabli z włókien, z koordynowanymi i programowanymi w co najmniej dwóch głównych osiach serwosterowania ruchami związanymi z ustawianiem w odpowiednim położeniu i układaniem kabli, specjalnie zaprojektowane do produkcji kompozytowych elementów konstrukcyjnych płatowca lub pocisku rakietowego; Do celów poz. 1B001.g maszyny do układania kabli są zdolne do układania jednego lub więcej pasm włókien o szerokości mniejszej lub równej 25 mm oraz do cięcia i ponownego rozpoczynania pojedynczych pasm włókien podczas procesu układania.

1B Uwaga techniczna: 1.2. a.

konstrukcji lotniczych lub kosmicznych;

silników do statków powietrznych i rakiet kosmicznych; lub

specjalnie zaprojektowanych zespołów do konstrukcji wyszczególnionych w pozycji 1B003.a lub silników wyszczególnionych w pozycji 1B003.b.

maszyny nawojowe do włókien lub maszyny do zbrojenia włóknami, z koordynowanymi i programowanymi w trzech lub więcej osiach ruchami związanymi z ustawianiem, owijaniem i nawijaniem włókien, specjalnie zaprojektowane z przeznaczeniem do produkcji wyrobów kompozytowych lub laminatów z materiałów włóknistych lub włókienkowych;

maszyny do układania taśm z koordynowanymi i programowanymi w co najmniej dwóch osiach ruchami związanymi z ustawianiem w odpowiednim położeniu i układaniem taśm i arkuszy, specjalnie zaprojektowane z przeznaczeniem do kompozytowych elementów konstrukcyjnych płatowca lub pocisku rakietowego;

następujące urządzenia zaprojektowane lub przystosowane do produkcji materiałów włóknistych lub włókienkowych:

1. urządzenia do przetwarzania włókien polimerowych (takich jak poliakrylonitryl, włókno z celulozy regenerowanej lub polikarbosilan) łącznie ze specjalnymi urządzeniami do naprężania włókien podczas ogrzewania;

2. urządzenia do chemicznego osadzania par pierwiastków lub związków chemicznych na ogrzanych podłożach włóknistych;

3. urządzenia do mokrego przędzenia ogniotrwałych materiałów ceramicznych (takich jak tlenek glinu);

urządzenia skonstruowane lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do specjalnej obróbki powierzchniowej włókien lub do wytwarzania prepregów i preform wyszczególnionych w pozycji 9C110. Uwaga: Do urządzeń ujętych w pozycji 1B101.d zalicza się rolki, naprężacze, zespoły powlekające, urządzenia do cięcia i formy zatrzaskowe.

urządzenia produkcyjne do wytwarzania proszków metali umożliwiające produkcję, w kontrolowanej atmosferze, sferycznych, sferoidalnych lub pylistych materiałów wyszczególnionych w pozycjach: 1C011.a, 1C011.b, 1C111.a.1, 1C111.a.2 lub w wykazie uzbrojenia;

specjalnie zaprojektowane elementy do urządzeń produkcyjnych wyszczególnionych w poz. 1B002 lub 1B102.a. Uwaga: Pozycja 1B102 obejmuje:

a.

generatory plazmowe (na zasadzie łuku elektrycznego wysokiej częstotliwości) nadające się do otrzymywania pylistych lub sferycznych proszków metali, z organizacją procesu w środowisku argon-woda;

b.

urządzenia elektroimpulsowe umożliwiające otrzymywanie pylistych lub sferycznych proszków metali, z organizacją procesu w środowisku argon-woda;

c.

urządzenia umożliwiające produkcję sferycznych proszków aluminiowych przez rozpylanie roztopionego metalu w atmosferze obojętnej (np. azocie).

urządzenia produkcyjne do produkcji, manipulowania i testowania odbiorczego paliw płynnych i składników paliw wyszczególnionych w pozycjach 1C011.a, 1C011.b i 1C111 lub w wykazie uzbrojenia;

urządzenia produkcyjne do produkcji, manipulowania, mieszania, utrwalania, odlewania, prasowania, obrabiania, wytłaczania lub testowania odbiorczego paliw stałych i składników paliw wyszczególnionych w pozycjach 1C011.a, 1C011.b i 1C111 lub w wykazie uzbrojenia. Uwaga: Pozycja 1B115.b nie obejmuje kontrolą mieszarek okresowych, mieszarek ciągłych lub młynów wykorzystujących energię płynów. W sprawie kontroli mieszarek okresowych, mieszarek ciągłych lub młynów wykorzystujących energię płynów zob. pozycje 1B117, 1B118 i 1B119.

całkowita wydajność objętościowa 110 litrów lub większa; oraz

co najmniej jeden wał mieszający/ugniatający osadzony mimośrodowo. Uwaga: W pozycji 1B117.b wał mieszający/ugniatający nie obejmuje rozdrabniaczy i głowic nożowych.

dwa lub więcej wałów mieszających/ugniatających; lub

jeden oscylujący wał obrotowy z zębami/kołkami ugniatającymi na nim, jak również wewnątrz obudowy komory mieszalniczej.

maszyny do nawijania włókien, mające wszystkie z następujących cech:

1. koordynację i programowanie ruchów związanych z ustawianiem, owijaniem i nawijaniem włókien, w dwóch lub więcej osiach;

2. są specjalnie zaprojektowane z przeznaczeniem do produkcji wyrobów kompozytowych lub laminatów z materiałów włóknistych lub włókienkowych; oraz

3. są zdolne do nawijania cylindrycznych rurek o średnicy od 75 mm do 650 mm i długości 300 mm lub większej;

sterowniki koordynujące i programujące do maszyn do nawijania włókien wyszczególnionych w 1B201.a;

trzpienie precyzyjne do maszyn do nawijania włókien wyszczególnionych w 1B201.a.

zdolne do wzbogacania izotopów trwałych;

ze źródłami i kolektorami jonów zarówno w polu magnetycznym, jak i w takich instalacjach, w których zespoły te znajdują się na zewnątrz pola.

zaprojektowane z przeznaczeniem do pracy przy temperaturach wewnętrznych 35 K (-238 °C) lub niższych;

zaprojektowane z przeznaczeniem do pracy przy ciśnieniach wewnętrznych od 0,5 do 5 MPa;

skonstruowane:

1. z drobnoziarnistych stali nierdzewnych klasy 300 o niskiej zawartości siarki i o wielkości ziarna austenitu 5 lub większym według norm ASTM (lub równoważnych); lub

2. z materiałów równoważnych nadających się zarówno do działań w warunkach kriogenicznych, jak i w atmosferze H2-; oraz

o średnicach wewnętrznych 30 cm lub większych i długościach efektywnych 4 m lub większych.

1B Uwaga techniczna: 1.2. Uwaga techniczna: a.

kolumny półkowe do wymiany typu woda-siarkowodór, mające wszystkie z następujących cech:

1. są przeznaczone do pracy przy ciśnieniu znamionowym 2 MPa lub wyższym;

2. są wykonane z drobnoziarnistej stali węglowej o wielkości ziarna 5 lub większym według norm ASTM (lub równoważnych); oraz

3. mają średnicę 1,8 m lub większą;

b. Uwaga techniczna:

kontaktory wewnętrzne dla kolumn półkowych do wymiany typu woda-siarkowodór zdefiniowanych w poz. 1B229.a. Kontaktory wewnętrzne w kolumnach są segmentowymi półkami o zespołowej średnicy roboczej 1,8 m lub większej, skonstruowanymi w sposób ułatwiający kontakt czynników w przepływie przeciwprądowym, wykonanymi ze stali nierdzewnej o zawartości węgla 0,03 % lub mniejszej. Mogą one mieć postać półek sitowych, półek zaworowych, półek dzwonowych lub rusztowych.

szczelność dla powietrza (tj. hermetycznie zamknięte);

wydajność powyżej 8,5 m3/godz.; oraz

nadające się do:

1. stężonych roztworów amidku potasu (1 % lub powyżej) – ciśnienie robocze 1,5–60 MPa; lub

2. rozcieńczonych roztworów amidku potasu (poniżej 1 %) – ciśnienie robocze 20–60 MPa.

urządzenia lub instalacje do produkcji, odzyskiwania, ekstrakcji, stężania trytu lub manipulowania trytem;

następujące urządzenia dla instalacji lub fabryk trytu:

1. urządzenia do chłodzenia wodoru lub helu zdolne do chłodzenia do temperatury 23 K (-250 °C) lub poniżej, o wydajności odprowadzania ciepła powyżej 150 watów;

2. instalacje do magazynowania i oczyszczania izotopów wodoru za pomocą wodorków metali jako środków do magazynowania lub oczyszczania.

zaprojektowane do działania przy temperaturze wylotowej poniżej 35 K (-238 °C) lub niższej; oraz

posiadające przepustowość wodoru większą lub równą 1000 kg/h.

urządzenia i instalacje do separacji izotopów litu;

następujące podzespoły do separacji izotopów litu w oparciu o proces amalgamacji litu i rtęci:

1. kolumny z wypełnieniem do wymiany cieczowo-cieczowej specjalnie zaprojektowane do amalgamatów litu;

2. pompy do pompowania rtęci lub amalgamatu litu;

3. ogniwa do elektrolizy amalgamatu litu;

4. aparaty wyparne do zagęszczonych roztworów wodorotlenku litu;

układy wymiany jonowej specjalnie zaprojektowane do separacji izotopów litu oraz specjalnie do nich zaprojektowane elementy;

układy wymiany chemicznej (wykorzystujące etery kronowe, kryptandy lub etery lariatowe) specjalnie zaprojektowane do separacji izotopów litu oraz specjalnie do nich zaprojektowane elementy.

są zaprojektowane do całkowitego przyjęcia wybuchu równoważnego 2 kg TNT lub więcej: oraz

mają elementy konstrukcyjne lub cechy, które umożliwiają przekazywanie danych diagnostycznych lub pomiarowych w czasie rzeczywistym lub z opóźnieniem.

1C Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: 1.2.3. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna 1: Uwaga techniczna 2: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: 1.2.3.

Materiały Metale i stopy: Jeżeli nie zastrzeżono inaczej, terminy metale i stopy używane w pozycjach od 1C001 do 1C012 dotyczą następujących wyrobów surowych i półfabrykatów: Wyroby surowe: Anody, kule, pręty (łącznie z prętami karbowanymi i ciągnionymi), kęsy, bloki, bochny, brykiety, placki, katody, kryształy, kostki, struktury, ziarna, sztaby, bryły, pastylki, surówki, proszki, podkładki, śruty, płyty, owale osadnicze, gąbki i drążki; Półfabrykaty (zarówno powlekane, pokrywane galwanicznie, wiercone i wykrawane, jak i niepoddane żadnej z tych obróbek): Cel kontroli nie powinien być omijany przez eksportowanie form niewymienionych w wykazie jako produktów rzekomo finalnych, ale będących w rzeczywistości formami surowymi lub półfabrykatami. 1C001 Następujące materiały specjalnie opracowane z przeznaczeniem na pochłaniacze fal elektromagnetycznych lub polimery przewodzące samoistnie: N.B.: ZOB. TAKŻE POZYCJA 1C101. 1C002 Następujące stopy metali, proszki stopów metali lub materiały stopowe: N.B.: ZOB. TAKŻE POZYCJA 1C202. Uwaga: Pozycja 1C002 nie obejmuje kontrolą stopów metali, proszków stopów metali ani materiałów stopowych do powlekania podłoży. Do stopów metalu według pozycji 1C002 zalicza się takie, które zawierają wyższy procent wagowy danego metalu niż dowolnego innego pierwiastka. Trwałość w próbie pełzania do zerwania należy określać według normy ASTM E-139 lub jej krajowych odpowiedników. Trwałość w niskocyklowych badaniach zmęczeniowych należy określać według normy ASTM E-606 Zalecana metoda niskocyklowego badania zmęczeniowego przy stałej amplitudzie lub jej krajowych odpowiedników. Badania należy prowadzić przy obciążeniu skierowanym osiowo, przy średniej wartości współczynnika asymetrii cyklu 1 oraz wartości współczynnika spiętrzenia naprężeń (Kt) równej 1. Naprężenie średnie definiuje się jako różnicę naprężenia maksymalnego i minimalnego podzieloną przez naprężenie maksymalne. 1C003 Metale magnetyczne, bez względu na typ i postać, spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: 1C004 Stopy uranowo-tytanowe lub stopy wolframu na matrycy z żelaza, niklu lub miedzi spełniające wszystkie poniższe kryteria: 1C005 Następujące nadprzewodzące przewodniki kompozytowe o długości powyżej 100 m lub masie powyżej 100 g: Do celów pozycji 1C005 włókna mogą być w postaci drutu, cylindra, folii, taśmy lub wstęgi. 1C006 Następujące płyny i materiały smarne: Dla celów pozycji 1C006: 1C007 Następujące materiały na osnowie ceramicznej, niekompozytowe materiały ceramiczne, materiały kompozytowe na matrycy ceramicznej oraz materiały macierzyste: N.B.: ZOB. TAKŻE POZYCJA 1C107. 1C008 Następujące materiały polimerowe niezawierające fluoru: Temperatura zeszklenia (Tg) dla materiałów termoplastycznych z pozycji 1C008.a.2 oraz materiałów z pozycji 1C008.a.4 określana jest przy użyciu metody opisanej w normie ISO 11357-2 (1999) lub jej odpowiednikach krajowych. Temperatura zeszklenia (Tg) dla materiałów termoutwardzalnych z pozycji 1C008.a.2 oraz materiałów z pozycji 1C008.a.3 określana jest przy użyciu metody trzypunktowego zginania opisanej w normie ASTM D 7028-07 lub jej odpowiednikach krajowych. Test ten przeprowadza się na suchej próbce, która osiągnęła poziom utwardzenia co najmniej 90 %, jak określono w normie ASTM E 2160-04 lub jej odpowiednikach krajowych, i była utwardzana przy zastosowaniu połączenia procesu utwardzania standardowego i utwardzania dodatkowego, który daje najwyższą wartość Tg. 1C009 Następujące nieprzetworzone związki fluorowe: 1C010 Następujące materiały włókniste lub włókienkowe: N.B.: ZOB. TAKŻE POZYCJE 1C210 ORAZ 9C110. Do celów obliczenia wytrzymałości właściwej na rozciąganie, modułu właściwego lub ciężaru właściwego materiałów włóknistych i włókienkowych z pozycji 1C010.a, 1C010.b lub 1C010.c wytrzymałość na rozciąganie i moduł należy określać za pomocą metody A opisanej w normie ISO 10618 (2004) lub jej odpowiednikach krajowych Ocenę wytrzymałości właściwej na rozciąganie, modułu właściwego lub ciężaru właściwego niejednokierunkowych materiałów włóknistych i włókienkowych (np. tkanin, mat lub oplotów) z pozycji 1C010 należy oprzeć na mechanicznych właściwościach składowych włókien jednakowo ukierunkowanych (np. włókien elementarnych, przędz, rowingów lub kabli) przed ich przetworzeniem w niejednokierunkowe materiały włókniste i włókienkowe. 1C011 Następujące metale i związki: N.B.: ZOB. TAKŻE WYKAZ UZBROJENIA I POZYCJĘ 1C111. N.B.: Zob. także wykaz uzbrojenia – proszki metali zmieszane z innymi substancjami dające w wyniku mieszaninę przeznaczoną do celów wojskowych. 1C012 Następujące materiały: Materiały te są typowo wykorzystywane do jądrowych źródeł ciepła. 1C101 Materiały i urządzenia do obiektów o zmniejszonej wykrywalności za pomocą odbitych fal radarowych, śladów w zakresie promieniowania nadfioletowego lub podczerwonego i śladów akustycznych, inne niż określone w pozycji 1C001, możliwe do zastosowania w pociskach rakietowych, podsystemach pocisków rakietowych lub bezzałogowych statkach powietrznych wyszczególnionych w pozycji 9A012. Uwaga 1: Pozycja 1C101 obejmuje: Uwaga 2: Pozycja 1C101 nie dotyczy powłok, które są specjalnie używane do regulacji temperatur w satelitach. W pozycji 1C101 pocisk rakietowy oznacza kompletne systemy rakietowe i systemy bezzałogowych statków powietrznych o zasięgu przekraczającym 300 km. 1C102 Przesycane pirolizowane materiały węglowo-węglowe przeznaczone do pojazdów kosmicznych wyszczególnionych w pozycji 9A004 lub do rakiet meteorologicznych (sondujących) wyszczególnionych w poz. 9A104. 1C107 Następujące materiały grafitowe i ceramiczne, inne niż wyszczególnione w pozycji 1C007: 1C111 Następujące substancje napędowe i związki chemiczne do nich, inne niż wyszczególnione w pozycji 1C011: Uwaga: Dla substancji miotających oraz chemikaliów składowych materiałów miotających, niewyszczególnionych w pozycji 1C111 zob. wykaz uzbrojenia. 1C116 Stale maraging, stosowane w pociskach rakietowych, spełniające wszystkie z poniższych kryteriów: N.B.: ZOB. TAKŻE POZYCJA 1C216. Stale maraging są stopami żelaza: W pozycji 1C116 pocisk rakietowy oznacza kompletne systemy rakietowe i systemy bezzałogowych statków powietrznych o zasięgu przekraczającym 300 km. 1C117 Następujące materiały służące do wytwarzania elementów pocisków rakietowych: W pozycji 1C117 pocisk rakietowy oznacza kompletne systemy rakietowe i systemy bezzałogowych statków powietrznych o zasięgu przekraczającym 300 km. 1C118 Stabilizowana tytanem stal nierdzewna dupleksowa (Ti-DSS) spełniająca wszystkie poniższe kryteria: 1C202 Stopy, inne niż wyszczególnione w pozycji 1C002.b.3 lub b.4, takie jak: Określenie stopy zdolne do obejmuje stopy przed obróbką cieplną lub po obróbce cieplnej. 1C210 Materiały włókniste lub włókienkowe lub prepregi, inne niż wyszczególnione w pozycji 1C010.a, b lub e, takie jak: Uwaga: W pozycji 1C210 pojęcie materiały włókniste lub włókienkowe ogranicza się do ciągłych włókien elementarnych, przędz, rowingów, kabli lub taśm. 1C216 Stal maraging, inna niż wyszczególniona w pozycji 1C116, zdolna do osiągania wytrzymałości na rozciąganie większej lub równej 1950 MPa, w temperaturze 293 K (20 °C). Uwaga: Pozycja 1C216 nie obejmuje kontrolą form, w których wszystkie wymiary liniowe są mniejsze niż lub równe 75 mm. Określenie stal maraging zdolna do obejmuje stal maraging przed obróbką cieplną lub po obróbce cieplnej. 1C225 Bor wzbogacony izotopem boru-10 (10B) w stopniu większym niż jego naturalna liczebność izotopowa, taki jak: bor pierwiastkowy, związki i mieszaniny zawierające bor, wyroby oraz złom i odpady powstałe z wyżej wymienionych. Uwaga: W pozycji 1C225 mieszaniny zawierające bor obejmują materiały obciążone borem. Naturalna liczebność izotopowa boru-10 wynosi wagowo ok. 18,5 % (atomowo 20 %). 1C226 Wolfram, węglik wolframu oraz stopy zawierające wagowo powyżej 90 % wolframu, inne niż wymienione w poz. 1C117, posiadające obydwie z niżej wyszczególnionych cech: Uwaga: Pozycja 1C226 nie obejmuje kontrolą wyrobów specjalnie zaprojektowanych jako odważniki lub kolimatory promieniowania gamma. 1C227 Wapń posiadający obydwie z niżej wyszczególnionych cech: 1C228 Magnez posiadający obydwie z niżej wyszczególnionych cech: 1C229 Bizmut posiadający obydwie z niżej wyszczególnionych cech: 1C230 Beryl metaliczny, stopy zawierające wagowo więcej niż 50 % berylu, związki berylu, wyroby oraz złom i odpady powstałe z wyżej wymienionych, inne niż wyszczególnione w wykazie uzbrojenia. N.B.: ZOB. TAKŻE WYKAZ UZBROJENIA. Uwaga: Pozycja 1C230 nie obejmuje kontrolą: 1C231 Hafn metaliczny, stopy oraz związki hafnu zawierające wagowo więcej niż 60 % hafnu, wyroby oraz złom i odpady z powstałe z wyżej wymienionych. 1C232 Hel-3 (3He), mieszaniny zawierające hel-3 oraz wyroby lub urządzenia zawierające dowolne z wyżej wymienionych substancji. Uwaga: Pozycja 1C232 nie obejmuje kontrolą wyrobów lub urządzeń zawierających mniej niż 1 g helu-3. 1C233 Lit wzbogacony izotopem litu-6 (6Li) w stopniu większym niż naturalna liczebność izotopowa oraz produkty lub urządzenia zawierające wzbogacony lit, takie jak: lit pierwiastkowy, stopy, związki, mieszaniny zawierające lit, wyroby oraz złom i odpady powstałe z wyżej wymienionych. Uwaga: Pozycja 1C233 nie obejmuje kontrolą dozymetrów termoluminescencyjnych. Naturalna liczebność izotopowa litu-6 wynosi wagowo ok. 6,5 % (atomowo 7,5 %). 1C234 Cyrkon z zawartością wagową hafnu mniejszą niż 1 część hafnu do 500 części cyrkonu, taki jak: metal, stopy zawierające wagowo ponad 50 % cyrkonu, związki, wyroby oraz złom i odpady powstałe z wyżej wymienionych, inne niż wyszczególnione w pozycji 0A001.f. Uwaga: Pozycja 1C234 nie obejmuje kontrolą cyrkonu w postaci folii o grubości mniejszej lub równej 0,10 mm. 1C235 Tryt, związki trytu i mieszanki zawierające tryt, w których stosunek atomów trytu do wodoru przewyższa 1 część na 1000, oraz wyroby lub urządzenia zawierające te materiały. Uwaga: Pozycja 1C235 nie obejmuje kontrolą wyrobów lub urządzeń zawierających mniej niż 1,48 × 103 GBq (40 Ci) trytu. 1C236 Radionuklidy do tworzenia źródeł neutronów w oparciu o reakcję cząstek alfa-neutron, inne niż wyszczególnione w pozycjach 0C001 and 1C012.a, w następujących postaciach: Uwaga: Pozycja 1C236 nie obejmuje kontrolą wyrobów lub urządzeń o aktywności alfa poniżej 3,7 GBq (100 mCi). W pozycji 1C236 radionuklidy oznaczają którekolwiek z poniższych: 1C237 Rad-226 (226Ra), stopy oraz związki radu-226, mieszaniny zawierające rad-226, powstałe z nich wyroby, oraz produkty i urządzenia powstałe z wyżej wymienionych. Uwaga: Pozycja 1C237 nie obejmuje kontrolą: 1C238 Trifluorek chloru (ClF3). 1C239 Kruszące materiały wybuchowe, inne niż wymienione w wykazie uzbrojenia, substancje lub mieszaniny zawierające wagowo więcej niż 2 % tych materiałów, o gęstości krystalicznej większej niż 1,8 g/cm3 i prędkości detonacji powyżej 8000 m/s. 1C240 Proszek niklu i porowaty nikiel metaliczny, inny niż wyszczególniony w pozycji 0C005, taki jak: Uwaga: Pozycja 1C240 nie obejmuje kontrolą: Pozycja 1C240.b odnosi się do porowatego metalu wyrabianego metodą zagęszczania lub spiekania materiałów wyszczególnionych w pozycji 1C240.a, celem otrzymania metalu z drobnymi porami, wzajemnie łączącymi się w całości struktury. 1C241 ren i jego stopy zawierające wagowo co najmniej 90 % renu; oraz stopy renu i wolframu zawierające wagowo powyżej 90 % jakiejkolwiek kombinacji renu i wolframu, posiadające obydwie z niżej wyszczególnionych cech: 1C350 Następujące substancje chemiczne, które mogą być wykorzystane jako prekursory dla toksycznych środków chemicznych, oraz mieszaniny chemiczne zawierające jedną lub więcej z niżej wymienionych substancji: N.B.: ZOB. TAKŻE WYKAZ UZBROJENIA ORAZ POZYCJĘ 1C450. Uwaga 1: Dla wywozu do państw niebędących stronami konwencji o zakazie broni chemicznej pozycja 1C350 nie obejmuje kontrolą mieszanin chemicznych zawierających jedną lub więcej substancji chemicznych wyszczególnionych w podpunktach 1C350.1, .3, .5, .11, .12, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36, .54, .55, .56, .57 i.63, w których żadna z indywidualnie wyszczególnionych substancji chemicznych nie stanowi wagowo więcej niż 10 % mieszaniny. Uwaga 2: Dla wywozu do państw będących stronami konwencji o zakazie broni chemicznej pozycja 1C350 nie obejmuje kontrolą mieszanin chemicznych zawierających jedną lub więcej substancji chemicznych wyszczególnionych w podpunktach 1C350.1, .3, .5, .11, .12, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36, .54, .55, .56, .57 i.63, w których żadna z indywidualnie wyszczególnionych substancji chemicznych nie stanowi wagowo więcej niż 30 % mieszaniny. Uwaga 3: Pozycja 1C350 nie obejmuje kontrolą mieszanin chemicznych zawierających jedną lub więcej substancji chemicznych wyszczególnionych w podpunktach 1C350.2, .6, .7, .8, .9, .10, .14, .15, .16, .19, .20, .24, .25, .30, .37, .38, .39, .40, .41, .42, .43, .44, .45, .46, .47, .48, .49, .50, .51, .52, .53, .58, .59, .60, .61 i .62, w których żadna z indywidualnie wyszczególnionych substancji chemicznych nie stanowi wagowo więcej niż 30 % mieszaniny. Uwaga 4: Pozycja 1C350 nie obejmuje kontrolą wyrobów określanych jako towary konsumpcyjne pakowane do sprzedaży detalicznej do osobistego użytku lub pakowane do indywidualnego użytku. 1C351 Ludzkie i zwierzęce czynniki chorobotwórcze oraz toksyny, takie jak: Uwaga: Pozycja 1C351 nie obejmuje kontrolą szczepionek ani immunotoksyn. 1C352 Nieużywane. 1C353 Elementy genetyczne oraz zmodyfikowane genetycznie organizmy: Zmodyfikowane genetycznie organizmy obejmują organizmy, w których materiał genetyczny (sekwencje kwasów nukleinowych) został zmieniony w sposób niezachodzący w warunkach naturalnych wskutek krzyżowania lub naturalnej rekombinacji, oraz organizmy wytworzone w całości lub w części sztucznie. Elementy genetyczne zawierają między innymi chromosomy, genomy, plazmidy, transpozony oraz wektory, bez względu na to, czy są modyfikowane genetycznie lub czy są w całości lub częściowo syntetyzowane chemicznie. Sekwencje kwasów nukleinowych połączone z czynnikami chorobotwórczymi mikroorganizmów wyszczególnionych w pozycjach 1C351.a, 1C351.c, 1C351.e lub 1C354 oznaczają wszelkie sekwencje właściwe dla określonych mikroorganizmów, które: Uwaga: Pozycja 1C353 nie obejmuje kontrolą sekwencji kwasów nukleinowych połączonych z czynnikami chorobotwórczymi pałeczki okrężnicy o odmianie serologicznej O157 oraz innych szczepów wytwarzających werotoksyny, innych niż te przypisane do werotoksyn lub ich podjednostek. 1C354 Roślinne czynniki chorobotwórcze, takie jak: 1C450 Toksyczne związki chemiczne, prekursory toksycznych związków chemicznych oraz mieszaniny chemiczne zawierające jedną lub więcej z tych substancji, takie jak: N.B.: ZOB. TAKŻE POZYCJE 1C350, 1C351.d ORAZ WYKAZ UZBROJENIA.

1C Uwaga techniczna: a.

1C przerobione plastycznie lub obrobione materiały wyprodukowane poprzez walcowanie, wyciąganie, wytłaczanie, kucie, prasowanie, granulowanie, rozpylanie, mielenie, tj.: kątowniki, ceowniki, koła, tarcze, pyły, płatki, folie, odkuwki, płyty, proszki, wytłoczki, wypraski, wstęgi, pierścienie, pręty (w tym pręty spawalnicze, walcówki i druty walcowane), kształtowniki, arkusze, taśmy, rury, rurki (w tym rury bezszwowe, rury o przekroju kwadratowym i tuleje rurowe), druty ciągnione i tłoczone;

materiały odlewnicze produkowane przez odlewanie w piasku, kokilach, formach metalowych, gipsowych i innych, w tym przez odlewanie pod ciśnieniem, formy spiekane i formy wykonywane w metalurgii proszkowej.

materiały pochłaniające fale o częstotliwościach powyżej 2 × 108 Hz, ale poniżej 3 × 1012 Hz; Uwaga 1: Pozycja 1C001.a nie obejmuje kontrolą: Uwaga 2: Żadne sformułowanie w uwadze 1 do pozycji 1C001.a nie zwalnia z kontroli materiałów magnetycznych użytych jako pochłaniacze fal w farbach.

a.

pochłaniaczy typu włosowego, wykonanych z włókien naturalnych lub syntetycznych, w których pochłanianie osiąga się innym sposobem niż magnetyczny;

b.

pochłaniaczy niewykazujących strat magnetycznych oraz takich, których powierzchnia, na którą pada promieniowanie, nie jest planarna, w tym ostrosłupów, stożków, klinów i powierzchni zwichrowanych;

c.

pochłaniaczy planarnych spełniających wszystkie poniższe kryteria:

1. Uwaga techniczna:

wykonane z któregokolwiek z poniższych: Próbki do badania stopnia pochłaniania materiałów wyszczególnionych w uwadze 1.c.1 do pozycji 1C001.a powinny być kwadratami o boku równym co najmniej 5 długościom fali o częstotliwości centralnej i umieszczone w polu dalekim elementu promieniującego fale elektromagnetyczne.

1. a.

ze spienionych tworzyw sztucznych (elastycznych lub nieelastycznych) wzmacnianych węglem lub z materiałów organicznych, łącznie z materiałami wiążącymi, dających więcej niż 5 % echa w porównaniu z metalami, w paśmie o szerokości wyższej o ± 15 % od częstotliwości centralnej padającej fali, i nieodpornych na temperatury przekraczające 450 K (177 °C); lub

z materiałów ceramicznych dających o ponad 20 % echa więcej w porównaniu z metalami, w paśmie o szerokości wyższej o ± 15 % od częstotliwości centralnej padającej fali, i nieodpornych na temperatury przekraczające 800 K (527 °C);

2. wytrzymałość na rozciąganie poniżej 7 × 106 N/m2; oraz

3. wytrzymałość na ściskanie poniżej 14 × 106 N/m2;

d.

pochłaniaczy planarnych wykonanych ze spieku ferrytowego, spełniających wszystkie poniższe kryteria:

1. gęstość względna powyżej 4,4; oraz

2. maksymalna temperatura robocza na poziomie 548 K (275 °C).

1C001 materiały pochłaniające fale o częstotliwościach w zakresie od 1,5x 1014 Hz do 3,7 × 1014 Hz i nieprzezroczyste dla promieniowania widzialnego; Uwaga: Pozycja 1C001.b nie obejmuje kontrolą materiałów specjalnie zaprojektowanych lub opracowanych do któregokolwiek z poniższych zastosowań:

a.

laserowe znakowanie polimerów; lub

b.

laserowe spawanie polimerów;

c. Uwaga techniczna:

materiały polimerowe przewodzące samoistnie, o objętościowej przewodności elektrycznej powyżej 10000 S/m (simensów na metr) lub oporności powierzchniowej poniżej 100 omów/m2, których podstawową częścią składową jest którykolwiek z następujących polimerów: Uwaga: Pozycja 1C001.c nie obejmuje kontrolą materiałów w postaci ciekłej. Objętościową przewodność elektryczną oraz oporność powierzchniową należy określać zgodnie z normą ASTM D-257 lub jej odpowiednikami.

1. polianilina;

2. polipirol;

3. politiofen;

4. polifenylenowinylen; lub

5. polietylenowinylen;

1C Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: 1.2.3. a.

następujące glinki:

1. glinki niklu zawierające wagowo co najmniej 15 %, a co najwyżej 38 % glinu i przynajmniej jeden dodatek stopowy;

2. glinki tytanu zawierające wagowo 10 % lub więcej glinu i przynajmniej jeden dodatek stopowy;

następujące stopy metali wykonane z materiałów w postaci proszków lub pyłów wyszczególnionych w pozycji 1C002.c:

1. stopy niklu spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. a.

ich trwałość w próbie pełzania do zerwania wynosi 10000 lub więcej godzin w temperaturze 923 K (650 °C) przy naprężeniach 676 MPa; lub

ich trwałość w niskocyklowych badaniach zmęczeniowych wynosi 10000 lub więcej cykli w temperaturze 823 K (550 °C) przy maksymalnym naprężeniu 1095 MPa;

2. 1C002 b. stopy niobu spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

2. a.

ich trwałość w próbie pełzania do zerwania wynosi 10000 lub więcej godzin w temperaturze 1073 K (800 °C) przy naprężeniu 400 MPa; lub

ich trwałość w niskocyklowych badaniach zmęczeniowych wynosi 10000 lub więcej cykli w temperaturze 973 K (700 °C) przy maksymalnym naprężeniu 700 MPa;

3. stopy tytanu spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

3. a.

ich trwałość w próbie pełzania do zerwania wynosi 10000 lub więcej godzin w temperaturze 723 K (450 °C) przy naprężeniu 200 MPa; lub

ich trwałość w niskocyklowych badaniach zmęczeniowych wynosi 10000 lub więcej cykli w temperaturze 723 K (450 °C) przy maksymalnym naprężeniu 400 MPa;

4. stopy glinu spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

4. a.

ich wytrzymałość na rozciąganie wynosi 240 MPa lub więcej w temperaturze 473 K (200 °C); lub

ich wytrzymałość na rozciąganie wynosi 415 MPa lub więcej w temperaturze 298 K (25 °C);

5. stopy magnezu spełniające wszystkie poniższe kryteria:

5. a.

ich wytrzymałość na rozciąganie wynosi 345 MPa lub więcej; oraz

szybkość korozji w 3 % wodnym roztworze chlorku sodowego, mierzona według normy ASTM G-31 lub jej krajowych odpowiedników, wynosi poniżej 1 mm/rok;

proszki lub pyły stopów metali spełniające wszystkie poniższe kryteria:

1. Uwaga techniczna:

wykonane z dowolnego materiału o podanych poniżej składach: W podanych poniżej związkach X oznacza jeden lub większą liczbę składników stopu.

stopów niklu (Ni-Al-X, Ni-X-Al) przeznaczonych do wyrobu części lub zespołów silników turbinowych, tj. zawierających mniej niż 3 cząsteczki niemetaliczne (wprowadzone podczas procesu produkcji) o wielkości przekraczającej 100 μm na 109 cząsteczek stopu;

stopów niobu (Nb-Al-X lub Nb-X-Al, Nb-Si-X lub Nb-X-Si, Nb-Ti-X lub Nb-X-Ti);

stopów tytanu (Ti-Al-X lub Ti-X-Al);

stopów glinu (Al-Mg-X lub Al-X-Mg, Al-Zn-X lub Al-X-Zn, Al-Fe-X lub Al-X-Fe); lub

stopów magnezu (Mg-Al-X lub Mg-X-Al);

2. wyprodukowane w atmosferze o regulowanych parametrach jedną z następujących metod:

2. a.

rozpylania próżniowego;

rozpylania gazowego;

rozpylania rotacyjnego;

chłodzenia ultraszybkiego;

formowania rotacyjnego z fazy stopionej i rozdrabniania;

formowania ekstrakcyjnego z fazy stopionej i rozdrabniania; lub

stapiania mechanicznego; oraz

3. nadające się do formowania materiałów wyszczególnionych w poz. 1C002.a lub 1C002.b;

1C002 materiały stopowe spełniające wszystkie poniższe kryteria:

1. wykonane z dowolnego materiału o składzie wyszczególnionym w poz. 1C002.c.1;

2. w postaci niesproszkowanych płatków, wstążek lub cienkich pręcików; oraz

3. wyprodukowane w atmosferze o regulowanych parametrach jedną z następujących metod:

3. a.

chłodzenia ultraszybkiego;

formowania rotacyjnego z fazy stopionej; lub

formowania ekstrakcyjnego z fazy stopionej.

a. Uwaga techniczna:

ich początkowa względna przenikalność magnetyczna wynosi 120000 lub więcej, a grubość 0,05 mm lub mniej; Początkową względną przenikalność magnetyczną należy mierzyć na materiałach całkowicie wyżarzonych.

stopy magnetostrykcyjne spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. magnetostrykcja nasycenia powyżej 5 × 10-4; lub

2. współczynnik sprzężenia żyromagnetycznego (k) powyżej 0,8; lub

c. Uwaga techniczna:

taśmy ze stopów amorficznych lub nanokrystalicznych spełniające wszystkie poniższe kryteria: Pod pojęciem materiały nanokrystaliczne w pozycji 1C003.c rozumie się materiały o rozmiarze ziarna krystalicznego wynoszącym 50 nm lub mniej, zmierzonym metodą dyfrakcji promieniowania rentgenowskiego.

1. skład zawierający co najmniej 75 % wagowych żelaza, kobaltu lub niklu;

2. indukcja magnetyczna nasycenia (Bs) wynosząca 1,6 T lub więcej; oraz

3. spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

3. a.

grubość taśmy 0,02 mm lub mniejsza; lub

oporność właściwa 2 × 10-4 omów cm lub większa.

gęstość powyżej 17,5 g/cm3;

granica sprężystości powyżej 880 MPa;

wytrzymałość na rozciąganie powyżej 1270 MPa; oraz

wydłużenie powyżej 8 %.

nadprzewodzące przewodniki kompozytowe, w których skład wchodzi co najmniej jedno włókno niobowo-tytanowe, spełniające oba poniższe kryteria:

1. osadzone w matrycy różnej od miedzianej lub matrycy mieszanej na osnowie miedzi; oraz

2. mające pole przekroju poprzecznego poniżej 0,28 × 10-4 mm2 (o średnicy 6 μm w przypadku włókien o przekroju kołowym);

1C005 nadprzewodzące przewodniki kompozytowe, w których skład wchodzi co najmniej jedno włókno nadprzewodzące inne niż niobowo-tytanowe, spełniające wszystkie poniższe kryteria:

1. temperatura krytyczna przy zerowej indukcji magnetycznej powyżej 9,85 K (-263,31 °C); oraz

2. Pozostawanie w stanie nadprzewodzącym w temperaturze 4,2 K (-268,96 °C) pod działaniem pola magnetycznego działającego w jakimkolwiek kierunku prostopadłym do osi podłużnej przewodnika oraz równoważnego indukcji magnetycznej 12 T o krytycznej gęstości prądu większej niż 1750 A/mm2 w całkowitym polu przekroju poprzecznego przewodnika;

nadprzewodzące przewodniki kompozytowe, w których skład wchodzi co najmniej jedno włókien nadprzewodzące, które nadal są nadprzewodzące w temperaturze powyżej 115 K (-158,16 °C).

1C Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: 1.2.3. Uwaga techniczna: a.

płyny hydrauliczne zawierające jako składnik podstawowy którekolwiek z poniższych:

1. Uwaga techniczna:

syntetyczne oleje krzemowęglowodorowe spełniające wszystkie poniższe kryteria: Do celów pozycji 1C006.a.1 zakłada się, że oleje krzemowęglowodorowe zawierają wyłącznie krzem, wodór i węgiel.

temperatura zapłonu powyżej 477 K (204 °C);

temperatura krzepnięcia 239 K (-34 °C) lub niższa;

wskaźnik lepkości 75 lub więcej; oraz

stabilność termiczna w temperaturze 616 K (343 °C); lub

2. Uwaga techniczna:

chlorofluoropochodne węglowodorów spełniające wszystkie poniższe kryteria: Do celów pozycji 1C006.a.2 zakłada się, że chlorofluoropochodne węglowodorów zawierają wyłącznie węgiel, fluor i chlor.

brak temperatury zapłonu;

temperatura samozapłonu powyżej 977 K (704 °C);

temperatura krzepnięcia 219 K (-54 °C) lub niższa;

wskaźnik lepkości 80 lub więcej; oraz

temperatura wrzenia 473 K (200 °C) lub wyższa;

materiały smarne zawierające jako części składowe podstawowe którekolwiek z poniższych:

1. etery lub tioetery fenylenowe lub alkilofenylenowe lub ich mieszaniny, zawierające powyżej dwóch grup funkcyjnych eteru lub tioeteru lub ich mieszaninę; lub

2. fluorowe oleje silikonowe o lepkości kinematycznej poniżej 5000 mm2/s (5000 centystokesów) mierzonej w temperaturze 298 K (25 °C);

1C006 płyny zwilżające lub flotacyjne spełniające wszystkie poniższe kryteria:

1. czystość powyżej 99,8 %;

2. zawierające mniej niż 25 cząstek o średnicy 200 μm lub większej w 100 ml; oraz

3. wykonane co najmniej w 85 % z któregokolwiek z poniższych:

3. a.

dibromotetrafluoroetanu (CAS 25497-30-7, 124-73-2, 27336-23-8);

polichlorotrifluoroetylenu (tylko modyfikowanego olejem lub woskiem); lub

polibromotrifluoroetylenu;

fluorowęglowe elektroniczne płyny chłodzące spełniające wszystkie poniższe kryteria: Uwaga: Pozycja 1C006.d nie obejmuje kontrolą materiałów określonych i pakowanych jako produkty medyczne.

1. zawartość wagowa 85 % lub więcej następujących związków lub ich mieszanin:

1. a.

monomeryczne postacie perfluoropolialkiloeterotriazyn lub perfluoropolialkiloeterów;

perfluoroalkiloaminy;

perfluorocykloalkany; lub

perfluoroalkany;

2. gęstość przy 298 K (25 °C) wynosząca 1,5 g/ml lub więcej;

3. stan ciekły w temperaturze 273 K (0 °C); oraz

4. zawartość wagowa fluoru 60 % lub więcej.

1C Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: 1.2.3. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna:

1. temperaturę zapłonu określa się metodą Cleveland Open Cup Method (Otwartego Kubka) opisaną w normie ASTM D-92 lub jej krajowych odpowiednikach;

2. temperaturę krzepnięcia określa się metodą opisaną w normie ASTM D-97 lub jej krajowych odpowiednikach;

3. wskaźnik lepkości określa się metodą opisaną w normie ASTM D-2270 lub jej krajowych odpowiednikach;

4. stabilność termiczną określa się według przedstawionej poniżej procedury lub jej krajowych odpowiedników: Umieścić dwadzieścia ml badanej cieczy w komorze ze stali nierdzewnej typu 317 o pojemności 46 ml, w której znajdują się trzy kulki o średnicy (znamionowej) 12,5 mm, jedna ze stali narzędziowej M-10, druga ze stali 52100, a trzecia z mosiądzu morskiego dwufazowego (60 % Cu, 39 % Zn, 0,75 % Sn). Następnie napełnić komorę azotem, zamknąć pod ciśnieniem atmosferycznym, podnieść temperaturę do 644 ± 6 K (371 ± 6 °C) i utrzymać ją na tym poziomie przez sześć godzin. Próbkę uznaje się za stabilną termicznie, jeżeli po zakończeniu badania spełnione są wszystkie następujące warunki:

4. a.

spadek wagi każdej z kulek jest mniejszy niż 10 mg/mm2 powierzchni kulki;

zmiana lepkości początkowej określonej w temperaturze 311 K (38 °C) jest mniejsza niż 25 %; oraz

całkowita liczba kwasowa lub zasadowa jest mniejsza niż 0,40;

5. temperaturę samozapłonu wyznacza się metodą opisaną w normie ASTM E-659 lub w jej krajowych odpowiednikach.

materiały podłożowe z pojedynczych lub złożonych borków tytanowych, w których łączna ilość zanieczyszczeń metalicznych, z wyłączeniem dodatków zamierzonych, wynosi poniżej 5000 ppm (części na milion), w których przeciętne wymiary cząstek są równe lub mniejsze niż 5 μm oraz które zawierają nie więcej niż 10 % cząstek o wielkości powyżej 10 μm;

niekompozytowe materiały ceramiczne w postaci nieprzerobionej lub półprzetworzonej, złożone z borków tytanowych o gęstości stanowiącej 98 % lub więcej gęstości teoretycznej; Uwaga: Pozycja 1C007.b nie obejmuje kontrolą materiałów ściernych.

materiały kompozytowe ceramiczno-ceramiczne na matrycy szklanej lub tlenkowej, wzmacniane włóknami, spełniające wszystkie poniższe kryteria:

1. wykonane z któregokolwiek z następujących materiałów:

1. a.

Si-N;

Si-C;

Si-Al-O-N; lub

Si-O-N; oraz

2. mające wytrzymałość właściwą na rozciąganie większą niż 12,7 × 103 m;

materiały kompozytowe ceramiczno-ceramiczne, z fazą metaliczną o strukturze ciągłej lub bez tej fazy, zawierające cząstki, wiskery lub włókna, w których matrycę stanowią węgliki lub azotki krzemu, cyrkonu lub boru;

następujące materiały macierzyste (tj. specjalne polimery lub materiały metaloorganiczne) do wytwarzania dowolnej fazy lub faz materiałów ujętych w pozycji 1C007.c:

1. polidiorganosilany (do produkcji węglika krzemu);

2. polisilazany (do produkcji azotku krzemu);

3. polikarbosilazany (do produkcji materiałów ceramicznych zawierających części składowe krzemowe, węglowe i azotowe);

materiały kompozytowe ceramiczno-ceramiczne na matrycy szklanej lub tlenkowej, wzmacniane ciągłymi włóknami wykonanymi z jednego z następujących materiałów: Uwaga: Pozycja 1C007.f nie obejmuje kontrolą materiałów kompozytowych zawierających włókna z wyszczególnionych w niej materiałów, posiadające wytrzymałość na rozciąganie mniejszą niż 700 MPa przy temperaturze 1273 K (1000 °C) lub odporność na pełzanie większą niż 1 % odkształcenia przy obciążeniu 100 MPa i temperaturze 1273 K (1000 °C) w czasie 100 godzin.

1. Al2O3 (CAS 1344-28-1); lub

2. Si-C-N.

następujące imidy: Uwaga: Pozycja 1C008.a obejmuje kontrolą substancje ciekłe lub stałe w formie topliwej, w tym w postaci żywicy, proszku, granulek, folii, arkuszy, taśmy lub wstęgi. N.B.: Wyroby z poliimidów aromatycznych innych niż topliwe, w postaci folii, arkuszy, taśm lub wstęg, zob. 1A003.

1. bismaleimidy;

2. poliamidoimidy aromatyczne (PAI) o temperaturze zeszklenia (Tg) powyżej 563 K (290 °C);

3. poliimidy aromatyczne o temperaturze zeszklenia (Tg) powyżej 505 K (232 °C);

4. 1C008 a. polieteroimidy aromatyczne o temperaturze zeszklenia (Tg) powyżej 563 K (290 °C);

ciekłe kryształy z kopolimerów termoplastycznych o temperaturze ugięcia pod obciążeniem powyżej 523 K (250 °C) mierzonej według normy ISO 75-2 (2004) lub jej krajowych odpowiedników, przy obciążeniu 1,80 N/mm2, w których skład wchodzą:

1. którykolwiek z poniższych związków:

1. a.

fenylen, bifenylen lub naftalen; lub

fenylen, bifenylen lub naftalen z podstawnikiem metylowym, trzeciorzędowym butylowym lub fenylowym; oraz

2. którykolwiek z poniższych kwasów:

2. a.

kwas tereftalowy (CAS 100-21-0);

kwas 6-hydroksy-2 naftoesowy (CAS 16712-64-4); lub

kwas 4-hydroksybenzoesowy (CAS 99-96-7);

nieużywane;

poliketony arylenowe;

polisiarczki arylenowe, w których grupą arylenową jest bifenylen, trifenylen lub ich kombinacja;

polisulfon bifenylenoeterowy o temperaturze zeszklenia (Tg) powyżej 563 K (290 °C);

1C Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: 1.2.3. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: 1.2. a.

kopolimery fluorku winylidenu posiadające w 75 % lub więcej strukturę beta krystaliczną bez rozciągania;

poliimidy fluorowane zawierające 10 % wagowych lub więcej związanego fluoru;

fluorowane elastomery fosfazenowe zawierające 30 % wagowych lub więcej związanego fluoru.

organiczne materiały włókniste lub włókienkowe, spełniające oba poniższe kryteria: Uwaga: Pozycja 1C010.a nie obejmuje kontrolą polietylenu.

1. moduł właściwy powyżej 12,7 × 106 m; oraz

2. wytrzymałość właściwa na rozciąganie powyżej 23,5 × 104 m;

1C010 włókniste i włókienkowe materiały węglowe, spełniające oba poniższe kryteria: Uwaga: Pozycja 1C010.b nie obejmuje kontrolą:

1. moduł właściwy powyżej 14,65 × 106 m; oraz

2. wytrzymałość właściwa na rozciąganie powyżej 26,82 × 104 m;

a.

materiałów włóknistych lub włókienkowych przeznaczonych do naprawy konstrukcji lub laminatów cywilnych statków powietrznych, które spełniają wszystkie z poniższych kryteriów:

1. mają powierzchnię nieprzekraczającą 1 m2;

2. mają długość nieprzekraczającą 2,5 m; oraz

3. mają szerokość nieprzekraczającą 15 mm.

b.

mechanicznie siekanych lub ciętych materiałów włóknistych lub włókienkowych o długości nieprzekraczającej 25,0 mm.

nieorganiczne materiały włókniste i włókienkowe, spełniające oba poniższe kryteria: Uwaga: Pozycja 1C010.c nie obejmuje kontrolą:

1. moduł właściwy powyżej 2,54 × 106 m; oraz

2. temperatura topnienia, mięknienia, rozkładu lub sublimacji powyżej 1922 K (1649 °C) w środowisku obojętnym;

a.

nieciągłych, wielofazowych, polikrystalicznych włókien z tlenku glinu w postaci włókien ciętych lub mat o strukturze bezładnej, zawierających wagowo 3 % lub więcej tlenku krzemu i mających moduł właściwy poniżej 10 × 106 m;

b.

włókien molibdenowych i ze stopów molibdenowych;

c.

włókien borowych;

d.

nieciągłych włókien ceramicznych o temperaturze topnienia, mięknienia, rozkładu lub sublimacji poniżej 2043 K (1770 °C) w środowisku obojętnym.

1C Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: 1.2.3. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. d.

materiały włókniste lub włókienkowe spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. zawierające którekolwiek z poniższych:

1. a.

polieteroimidy określone w pozycji 1C008.a; lub

materiały ujęte w pozycjach od 1C008.b do 1C008.f; lub

2. złożone z materiałów ujętych w pozycji 1C010.d.1.a lub 1C010.d.1.b i zmieszane z innymi materiałami włóknistymi ujętymi w pozycjach 1C010.a, 1C010.b lub 1C010.c;

e. Uwaga techniczna:

1C010 materiały włókniste lub włókienkowe w pełni lub częściowo impregnowane żywicą lub pakiem (prepregi), materiały włókniste lub włókienkowe powlekane metalem lub węglem (preformy) lub preformy włókien węglowych spełniające wszystkie z poniższych kryteriów: Uwaga 1: Materiały włókniste lub włókienkowe powlekane metalem lub węglem (preformy) lub preformy włókien węglowych nieimpregnowane żywicą ani pakiem są wyszczególnione jako materiały włókniste lub włókienkowe w poz. 1C010.a, 1C010.b i 1C010.c. Uwaga 2: Pozycja 1C010.e nie obejmuje kontrolą: Temperatura zeszklenia wyznaczona metodą dynamicznej analizy mechanicznej (DMA Tg) dla materiałów wyszczególnionych w pozycji 1C010.e jest określana za pomocą metody opisanej w normie ASTM D 7028-07 lub równoważnej normie krajowej przy użyciu suchej próbki. W przypadku materiałów termoutwardzalnych stopień utwardzenia suchej próbki musi wynosić co najmniej 90 % zgodnie z normą ASTM E 2160-04 lub równoważną normą krajową.

1. spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. a.

zawierające nieorganiczne materiały włókniste lub włókienkowe określone w pozycji 1C010.c; lub

zawierające organiczne lub węglowe materiały włókniste lub włókienkowe spełniające wszystkie z poniższych kryteriów:

1. moduł właściwy powyżej 10,15 × 106 m; oraz

2. wytrzymałość właściwa na rozciąganie powyżej 17,7 × 104 m; oraz

2. spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

2. a.

zawierające żywicę lub pak określone w poz. 1C008 lub 1C009.b;

mające temperaturę zeszklenia wyznaczoną metodą dynamicznej analizy mechanicznej (DMA Tg) równą lub przekraczającą 453 K (180 °C) i zawierające żywice fenolowe; lub

mające temperaturę zeszklenia wyznaczoną metodą dynamicznej analizy mechanicznej (DMA Tg) równą lub przekraczającą 505 K (232 °C) i zawierające żywicę lub pak, które nie są wymienione w poz. 1C008 ani 1C009.b i nie są żywicami fenolowymi.

a.

impregnowanych matrycą z żywicy epoksydowej węglowych materiałów włóknistych lub włókienkowych (prepregów) przeznaczonych do naprawy konstrukcji lub laminatów cywilnych statków powietrznych, które spełniają wszystkie z poniższych kryteriów:

1. mają powierzchnię nieprzekraczającą 1 m2;

2. mają długość nieprzekraczającą 2,5 m; oraz

3. mają szerokość nieprzekraczającą 15 mm.

b.

w pełni lub częściowo impregnowanych żywicą lub pakiem mechanicznie siekanych, mielonych lub ciętych węglowych materiałów włóknistych lub włókienkowych o długości nieprzekraczającej 25,0 mm, w przypadku gdy zastosowano żywicę lub pak inne niż określone w pozycji 1C008 lub 1C009.b.

a. 1C011 a.Uwaga techniczna:

metale o rozmiarach ziarna mniejszych niż 60 μm, zarówno w postaci sferycznej, rozpylanej, sferoidalnej, płatków, jak i zmielonej, wykonane z materiałów zawierających 99 % lub więcej cyrkonu, magnezu lub ich stopów; Naturalna zawartość hafnu w cyrkonie (zwykle od 2 % do 7 %) jest liczona razem z cyrkonem. Uwaga: Metale lub stopy wyszczególnione w pozycji 1C011.a są objęte kontrolą bez względu na to, czy są zamknięte w kapsułkach z glinu, magnezu lub berylu.

bor lub stopy boru o rozmiarach ziarna 60 μm lub mniejszych, jak następuje: Uwaga: Metale lub stopy wyszczególnione w pozycji 1C011.b są objęte kontrolą bez względu na to, czy są zamknięte w kapsułkach z glinu, magnezu lub berylu.

1. bor o czystości 85 % wagowo lub większej;

2. stopy boru o zawartości boru 85 % wagowo lub większej;

azotan guanidyny (CAS 506-93-4);

nitroguanidyna (NQ) (CAS 556-88-7).

1C Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: 1.2.3. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. Uwaga techniczna: a.

pluton w dowolnej postaci zawierający izotop pluton-238 w ilości powyżej 50 % wagowych; Uwaga: Pozycja 1C012.a nie obejmuje kontrolą:

a.

dostaw zawierających pluton w ilości 1 grama lub mniejszej;

b.

dostaw zawierających 3 gramy efektywne lub mniej, w przypadku gdy pluton jest zawarty w czujnikach instrumentów pomiarowych;

uprzednio separowany neptun-237 w dowolnej formie. Uwaga: Pozycja 1C012.b nie obejmuje kontrolą dostaw zawierających neptun-237 w ilości 1 grama lub mniejszej.

materiały strukturalne i powłoki specjalnie opracowane pod kątem zmniejszenia ich echa radarowego;

powłoki, w tym farby, specjalnie opracowane pod kątem zmniejszenia ilości odbijanego lub emitowanego promieniowania z zakresu mikrofalowego, podczerwonego lub nadfioletowego promieniowania elektromagnetycznego.

1C Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: 1.2.3. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.

drobnoziarniste materiały grafitowe o gęstości nasypowej co najmniej 1,72 g/cm3 lub większej, mierzonej w temperaturze 288 K (15 °C) i o wymiarach ziarna 100 μm lub mniejszych, możliwe do zastosowania w dyszach do rakiet i stożkach czołowych rakiet, umożliwiające uzyskanie w drodze obróbki następujących produktów: N.B.: Zob. także pozycja 0C004.

1. cylindry o średnicy 120 mm lub większej i długości 50 mm lub większej;

2. rury o średnicy wewnętrznej 65 mm lub większej i grubości ścianki 25 mm lub większej i długości 50 mm lub większej; lub

3. bloki o wymiarach 120 mm × 120 mm × 50 mm lub większe;

pirolityczne lub wzmacniane włóknami materiały grafitowe nadające się do zastosowania w dyszach rakiet i stożkach czołowych używanych w pociskach rakietowych, kosmicznych pojazdach nośnych wyszczególnionych w pozycji 9A004 lub w rakietach meteorologicznych wyszczególnionych w pozycji 9A104; N.B.: Zob. także pozycja 0C004.

ceramiczne materiały kompozytowe (o stałej dielektrycznej poniżej 6 przy każdej częstotliwości od 100 MHz do 100 GHz), do użytku w osłonach anten radiolokatora używanych w pociskach rakietowych, kosmicznych pojazdach nośnych wyszczególnionych w pozycji 9A004 lub w rakietach meteorologicznych wyszczególnionych w pozycji 9A104;

skrawalne, niewypalane materiały ceramiczne wzmacniane włóknami krzemo-węglowymi, do użytku w stożkach czołowych używanych w pociskach rakietowych, kosmicznych pojazdach nośnych wyszczególnionych w pozycji 9A004 lub w rakietach meteorologicznych wyszczególnionych w pozycji 9A104;

wzmocnione krzemo-węglowe ceramiczne materiały kompozytowe do użytku w stożkach czołowych, rakietach ponownie wchodzących w atmosferę i klapach dysz używanych w pociskach rakietowych, kosmicznych pojazdach nośnych wyszczególnionych w pozycji 9A004 lub w rakietach meteorologicznych wyszczególnionych w pozycji 9A104.

substancje napędowe:

1. Uwaga techniczna:

sferyczny lub sferoidalny proszek aluminiowy, inny niż wyszczególniony w wykazie uzbrojenia, złożony z cząstek o wielkości poniżej 200 μm, o zawartości glinu wynoszącej 97 % wagowych lub większej, jeżeli co najmniej 10 % ciężaru ogólnego stanowią cząstki o wielkości mniejszej niż 63 μm, zgodnie z ISO 2591:1988 lub równoważnymi normami krajowymi; Wielkość cząstek 63 μm (ISO R-565) odpowiada siatce 250 (Tyler) lub siatce 230 (norma ASTM E-11).

2. Następujące proszki metali, inne niż wyszczególnione w wykazie uzbrojenia: Uwaga: Pozycje 1C111a.2.a oraz 1C111a.2.b obejmują kontrolą mieszaniny proszków o multimodalnej dystrybucji cząstek (np. mieszaniny różnej wielkości ziaren), jeżeli kontrolą objęta jest co najmniej jedna z form.

2. a. Uwaga techniczna:

Proszki cyrkonu, berylu lub magnezu lub stopów tych metali, jeżeli co najmniej 90 % wagi lub objętości wszystkich cząstek stanowią cząstki o wielkości mniejszej niż 60 μm (zmierzone przy pomocy technik pomiaru, takich jak przesiewanie, dyfrakcja laserowa lub skanowanie optyczne), w postaci sferycznej, zatomizowanej, sferoidalnej, płatków lub silnie rozdrobnionego proszku, zawierające 97 % wagowych lub więcej któregokolwiek z poniższych: Naturalna zawartość hafnu w cyrkonie (zwykle od 2 % do 7 %) jest liczona razem z cyrkonem.

1. cyrkonu;

2. berylu; lub

3. magnezu;

1C111 a. 2. Proszki boru lub stopów boru o zawartości boru 85 % wagi lub większej, jeżeli co najmniej 90 % wagi lub objętości wszystkich cząstek stanowią cząstki o wielkości mniejszej niż 60 μm (zmierzone przy pomocy technik pomiaru, takich jak przesiewanie, dyfrakcja laserowa lub skanowanie optyczne), w postaci sferycznej, zatomizowanej, sferoidalnej, płatków lub silnie rozdrobnionego proszku;

3. następujące utleniacze używane w silnikach rakietowych na paliwo ciekłe:

3. a.

tritlenek diazotu (CAS 10544-73-7);

ditlenek azotu (CAS 10102-44-0)/tetratlenek diazotu (CAS 10544-72-6);

pentatlenek diazotu (CAS 10102-03-1);

d. Uwaga techniczna:

mieszaniny tlenków azotu (MON); Mieszaniny tlenków azotu stanowią roztwory tlenku azotu (NO) w tetratlenku diazotu/ditlenku azotu (N2O4/NO2), które mogą być wykorzystane w systemach rakietowych. Istnieje cała skala mieszanin, które mogą być oznaczone jako MONi lub MONij, gdzie i oraz j są liczbami całkowitymi przedstawiającymi procentową zawartość tlenku azotu w danej mieszaninie (np. MON3 zawiera 3 % tlenku azotu, MON25 – 25 % tlenku azotu. Górną granicę stanowi MON40 – 40 % zawartości wagowej).

ZOB. WYKAZ UZBROJENIA dla inhibitowanego dymiącego na czerwono kwasu azotowego (IRFNA);

ZOB. WYKAZ UZBROJENIA ORAZ POZYCJĘ 1C238 dla związków chemicznych składających się z fluoru oraz jednego lub więcej ilości innych fluorowców, tlenu lub azotu;

4. następujące pochodne hydrazyny: N.B.: ZOB. TAKŻE WYKAZ UZBROJENIA.

4. a.

trimetylohydrazyna (CAS 1741-01-1);

tetrametylohydrazyna (CAS 6415-12-9);

N,N-diallilohydrazyna;

allilohydrazyna (CAS 7422-78-8);

etylenodihydrazyna;

diazotan monometylohydrazyny;

niesymetryczny diazotan monometylohydrazyny;

azydek hydrazyny (CAS 14546-44-2);

azydek dimetylohydrazyny;

diazotan hydrazyny;

diimido szczawian dihydrazyny (CAS 3457-37-2);

azotan 2-hydroksyetylohydrazyny (HEHN);

zob. wykaz uzbrojenia dla nadchloranu hydrazyny;

dinadchloran hydrazyny (CAS 13812-39-0);

1C111 a. 4. azotan metylohydrazyny (MHN);

azotan dietylohydrazyny (DEHN);

azotan 3,6-dihydrazynotetrazyny (azotan 1,4-dihydrazyny) (DHTN);

5. Uwaga techniczna:

materiały o wysokiej gęstości energetycznej inne niż wymienione w wykazie uzbrojenia, które mogą być wykorzystywane w pociskach rakietowych lub bezzałogowych statkach powietrznych wyszczególnionych w poz. 9A012; W poz. 1C111.a.5 pocisk rakietowy oznacza kompletne systemy rakietowe i systemy bezzałogowych statków powietrznych o zasięgu przekraczającym 300 km.

5. a.

paliwa mieszane składające się z paliw stałych i ciekłych, takie jak paliwo borowodorowe, o gęstości energetycznej na jednostkę masy na poziomie 40 × 106 J/kg lub większej;

inne mające wysoką gęstość energetyczną paliwa i dodatki do paliw (np. kuban, roztwory jonowe, JP-10) o gęstości energetycznej na jednostkę objętości na poziomie 37,5 × 109 J/m3 lub większej zmierzonej w temperaturze 20 °C i przy ciśnieniu jednej atmosfery (101,325 kPa); Uwaga: Pozycja 1C111.a.5.b nie obejmuje kontrolą rafinowanych paliw kopalnych ani biopaliw wytworzonych z warzyw, w tym paliw silnikowych dopuszczonych do stosowania w lotnictwie cywilnym, chyba że są przeznaczone specjalnie do pocisków rakietowych lub bezzałogowych statków powietrznych wyszczególnionych w poz. 9A012.

substancje polimerowe:

1. polibutadien o łańcuchach zakończonych grupą karboksylową (CTPB);

2. polibutadien o łańcuchach zakończonych grupą hydroksylową (HTPB), inny niż wyszczególniony w wykazie uzbrojenia;

3. kopolimer butadienu z kwasem akrylowym (PBAA);

4. kopolimer butadienu z kwasem akrylowym i akrylonitrylem (PBAN);

5. Uwaga techniczna:

glikol polietylenowo-politetrahydrofuranowy (TPEG); Glikol polietylenowo-politetrahydrofuranowy (TPEG) jest kopolimerem blokowym polibutano-1,4-diolu i glikolu polietylenowego (PEG).

inne dodatki i środki do materiałów miotających:

1. ZOB. WYKAZ UZBROJENIA DLA węgloborowodorów, dekaborowodorów, pentaborowodorów oraz i ich pochodnych;

2. diazotan glikolu trietylenowego (TEGDN) (CAS 111-22-8);

3. 2-nitrodifenyloamina (CAS 119-75-5);

4. triazotan trimetyloetanu (TMETN) (CAS 3032-55-1);

5. diazotan glikolu dietylenowego (DEGDN) (CAS 693-21-0);

6. pochodne ferrocenu, takie jak:

6. a.

zob. wykaz uzbrojenia dla katocenu;

ferrocen etylu (CAS 1273-89-8);

ferrocen propylu;

1C111 c. 6. zob. wykaz uzbrojenia dla ferrocenu n-butylu;

ferrocen pentylu (CAS 1274-00-6);

ferrocen dicyklopentylu;

ferrocen dicykloheksylu;

ferrocen dietylu (CAS 1273-97-8);

ferrocen dipropylu;

ferrocen dibutylu (CAS 1274-08-4);

ferrocen diheksylu (CAS 93894-59-8);

ferrocen acetylu (CAS 1271-55-2)/1,1’-ferrocen diacetylu (CAS 1273-94-5);

zob. wykaz uzbrojenia dla kwasów karboksylowych ferrocenu;

zob. wykaz uzbrojenia dla butacenu;

inne pochodne ferrocenu wykorzystywane jako modyfikatory szybkości spalania paliwa rakietowego, różne od wyszczególnionych w wykazie uzbrojenia; Uwaga: Pozycja 1C111.c.6.o nie obejmuje kontrolą pochodnych ferrocenu, które zawierają sześciowęglową aromatyczną grupę funkcyjną połączoną z cząsteczką ferrocenu.

7. 4,5 diazydometylo-2-metylo-1,2,3-triazol (izo-DAMTR), inny niż wyszczególniony w wykazie uzbrojenia.

mające wytrzymałość na rozciąganie, mierzoną w temperaturze 293 K (20 °C), równą lub większą niż:

1. 0,9 GPa w fazie wyżarzenia roztworu; lub

2. 1,5 GPa w fazie utwardzenia wydzieleniowego; oraz

posiadające którąkolwiek z następujących postaci:

1. blachy, płyty lub rury o grubości ścianek lub płyt mniejszej lub równej 5,0 mm;

2. formy cylindryczne o grubości ścianek mniejszej lub równej 50 mm i średnicy wewnętrznej większej lub równej 270 mm.

1C Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: 1.2.3. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna 1:

1. charakteryzującymi się ogólnie wysoką zawartością niklu, bardzo niską zawartością węgla i wykorzystaniem składników substytucyjnych lub przyspieszających, które umożliwiają wzmocnienie i utwardzenie wydzieleniowe tego stopu; oraz

2. poddawanymi cyklom obróbki cieplnej w celu ułatwienia procesu transformacji martenzytycznej (faza wyżarzenia roztworu), a następnie utwardzanymi (faza utwardzenia wydzieleniowego).

1C Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: 1.2.3. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna 1: Uwaga techniczna 2: a.

wolfram i jego stopy w postaci pyłu zawierające wagowo co najmniej 97 % wolframu o wielkości cząstek nie większej niż 50 × 10-6 m (50 μm);

molibden i jego stopy w postaci pyłu zawierające wagowo co najmniej 97 % molibdenu o wielkości cząstek nie większej niż 50 × 10-6 m (50 μm);

materiały zawierające wolfram w postaci stałej, spełniające wszystkie z poniższych kryteriów:

1. wszelkie materiały o następującym składzie:

1. a.

wolfram i jego stopy zawierające wagowo co najmniej 97 % wolframu;

wolfram nasycony miedzią zawierający wagowo co najmniej 80 % wolframu; lub

wolfram nasycony srebrem zawierający wagowo co najmniej 80 % wolframu; oraz

2. umożliwiające uzyskanie w drodze obróbki skrawaniem następujących produktów:

2. a.

walce o średnicy 120 mm lub większej i długości 50 mm lub większej;

rury o średnicy wewnętrznej 65 mm lub większej, grubości ścianki 25 mm lub większej i długości 50 mm lub większej; lub

bloki o wymiarach 120 mm × 120 mm × 50 mm lub większe;

1C Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: 1.2.3. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna 1: Uwaga techniczna 2: Uwaga techniczna: a.

spełniająca wszystkie poniższe kryteria:

1. zawartość wagowa chromu 17,0 – 23,0 % oraz zawartość wagowa niklu 4,5 – 7,0 %;

2. zawartość wagowa tytanu większa niż 0,10 %; oraz

3. obecność mikrostruktury ferrytowo-austenitowej (nazywanej także mikrostrukturą dwufazową), w której co najmniej 10 % objętości stanowi austenit (zgodnie z normą ASTM E-1181-87 lub jej odpowiednikiem krajowym); oraz

posiadająca którąkolwiek z następujących postaci:

1. sztaby lub pręty o wielkości większej lub równej 100 mm w każdym z wymiarów;

2. arkusze o szerokości większej lub równej 600 mm i grubości mniejszej lub równej 3 mm; lub

3. rury o średnicy zewnętrznej większej lub równej 600 mm i grubości ścianek mniejszej lub równej 3 mm.

stopy glinu posiadające obydwie wyszczególnione niżej cechy:

1. zdolne do osiągnięcia wytrzymałości na rozciąganie większej lub równej 460 MPa w temperaturze 293 K (20 °C); oraz

2. posiadające postać rur lub litych elementów cylindrycznych (w tym odkuwek) o średnicy zewnętrznej powyżej 75 mm;

stopy tytanu posiadające obydwie wyszczególnione niżej cechy:

1. zdolne do osiągnięcia wytrzymałości na rozciąganie większej lub równej 900 MPa w temperaturze 293 K (20 °C); oraz

2. posiadające postać rur lub litych elementów cylindrycznych (w tym odkuwek) o średnicy zewnętrznej powyżej 75 mm.

1C Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: 1.2.3. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna 1: Uwaga techniczna 2: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.

węglowe lub aramidowe materiały włókniste lub włókienkowe posiadające którąkolwiek z niżej wyszczególnionych cech: Uwaga: Pozycja 1C210.a nie obejmuje kontrolą aramidowych materiałów włóknistych lub włókienkowych, zawierających wagowo 0,25 % lub więcej dowolnego modyfikatora powierzchni włókien opartego na estrach.

1. moduł właściwy większy lub równy 12,7 × 106 m; lub

2. wytrzymałość właściwa na rozciąganie większa lub równa 23,5 × 104 m;

szklane materiały włókniste lub włókienkowe posiadające obydwie z niżej wyszczególnionych cech:

1. moduł właściwy większy lub równy 3,18 × 106 m; oraz

2. wytrzymałość właściwa na rozciąganie większa lub równa 7,62 × 104 m;

c. Uwaga techniczna:

termoutwardzalne, impregnowane żywicą, ciągłe przędze, rowingi, kable lub taśmy o szerokości nieprzekraczającej 15 mm (prepregi), wykonane z węglowych lub szklanych materiałów włóknistych lub włókienkowych wyszczególnionych w pozycji 1C210.a lub b. Żywice tworzą matryce kompozytów.

1C Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: 1.2.3. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna 1: Uwaga techniczna 2: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.

w postaci form wydrążonych o symetrii cylindrycznej (łącznie z segmentami cylindrycznymi) o średnicy wewnętrznej od 100 do 300 mm; oraz

masa większa niż 20 kg.

zawartość wagowa zanieczyszczeń metalami różnymi od magnezu poniżej 1000 części na milion; oraz

zawartość wagowa boru poniżej 10 części na milion.

zawartość wagowa zanieczyszczeń metalami różnymi od wapnia poniżej 200 części na milion; oraz

zawartość wagowa boru poniżej 10 części na milion.

czystość wagowa większa niż lub równa 99,99 %; oraz

zawartość wagowa srebra poniżej 10 części na milion.

metalowych okien do aparatury rentgenowskiej lub do urządzeń wiertniczych;

profili tlenkowych w postaci przetworzonej lub półprzetworzonej, zaprojektowanych specjalnie do elementów zespołów elektronicznych lub jako podłoża do obwodów elektronicznych;

berylu (krzemianu berylu i glinu) w postaci szmaragdów lub akwamarynów.

1C Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: 1.2.3. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna 1: Uwaga techniczna 2: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.

pierwiastki;

związki o całkowitej aktywności alfa większej lub równej 37 GBq/kg (1 Ci/kg);

mieszaniny o całkowitej aktywności alfa większej lub równej 37 GBq/kg (1 Ci/kg);

wyroby lub urządzenia zawierające wyżej wymienione substancje.

aktyn-225 (Ac-225)

aktyn-227 (Ac-227)

kaliforn-253 (Cf-253)

kiur-240 (Cm-240)

kiur-241 (Cm-241)

kiur-242 (Cm-242)

kiur-243 (Cm-243)

kiur-244 (Cm-244)

einstein-253 (Es-253)

einstein-254 (Es-254)

gadolin-148 (Gd-148)

pluton-236 (Pu-236)

pluton-238 (Pu-238)

polon-208 (Po-208)

polon-209 (Po-209)

polon-210 (Po-210)

rad-223 (Ra-223)

tor-227 (Th-227)

tor-228 (Th-228)

uran-230 (U-230)

uran-232 (U-232)

1C Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: 1.2.3. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna 1: Uwaga techniczna 2: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.

aplikatorów medycznych;

wyrobów lub urządzeń zawierających mniej niż 0,37 GBq (10 mCi) radu-226.

proszek niklu posiadający obydwie z niżej wymienionych cech:

1. czystość niklowego składnika wagowego większa niż lub równa 99,0 %; oraz

2. średnia wielkość cząstek mniejsza niż 10 μm, mierzona według normy B330 Amerykańskiego Towarzystwa Materiałoznawczego (ASTM);

porowaty nikiel metaliczny wytwarzany z materiałów wyszczególnionych w pozycji 1C240.a.

włókienkowych proszków niklu;

pojedynczych porowatych blach niklowych o polu powierzchni arkusza mniejszym lub równym 1000 cm2.

1C Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: 1.2.3. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna 1: Uwaga techniczna 2: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.

w postaci form wydrążonych o symetrii cylindrycznej (łącznie z segmentami cylindrycznymi) o średnicy wewnętrznej od 100 do 300 mm; oraz

o masie większej niż 20 kg.

1. tiodiglikol (111-48-8);

2. tlenochlorek fosforu (10025-87-3);

3. metylofosfonian dimetylu (756-79-6);

4. ZOB. WYKAZ UZBROJENIA dla: difluorek metylofosfonowy (676-99-3);

5. dichlorek metylofosfonowy (676-97-1);

6. fosforyn dimetylu (DMP)(868-85-9);

7. trichlorek fosforu (7719-12-2);

8. fosforyn trimetylu (TMP)(121-45-9);

9. chlorek tionylu (7719-09-7);

10. 3-hydroksy-1-metylopiperydyna (3554-74-3);

11. chlorek N,N-diizopropylo-(beta)-aminoetylu (96-79-7);

12. N,N-diizopropylo-(beta)-tioloetanoamina (5842-07-9);

13. 1C350 3-chinuklidynol (1619-34-7);

14. fluorek potasu (7789-23-3);

15. 2-chloroetanol (107-07-3);

16. dimetyloamina (124-40-3);

17. etylofosfonian dietylu (78-38-6);

18. N,N-dimetylofosforoamidan dietylu (2404-03-7);

19. fosfonian dietylu (762-04-9);

20. chlorowodorek dimetyloaminy (506-59-2);

21. dichloro(etylo)fosfina (1498-40-4);

22. dichlorek etylofosfonowy (1066-50-8);

23. ZOB. WYKAZ UZBROJENIA dla: difluorek etylofosfonowy (753-98-0);

24. fluorowodór (7664-39-3);

25. benzilan metylu (76-89-1);

26. dichloro(metylo)fosfina (676-83-5);

27. N,N-diizopropylo-(beta)-amino etanol (96-80-0);

28. alkohol pinakolinowy (464-07-3);

29. ZOB. WYKAZ UZBROJENIA dla: O-etylo-2-diizopropyloaminoetylo metylofosfinin (QL) (57856-11-8);

30. fosforyn trietylu (122-52-1);

31. trichlorek arsenu (7784-34-1);

32. kwas benzilowy (76-93-7);

33. metylofosfonin dietylu (15715-41-0);

34. etylofosfonian dimetylu (6163-75-3);

35. etylodifluorofosfina (430-78-4);

36. metylodifluorofosfina (753-59-3);

37. 3-chinuklidynon (3731-38-2);

38. pentachlorek fosforu (10026-13-8);

39. pinakolon (75-97-8);

40. cyjanek potasu (151-50-8);

41. wodorofluorek potasu (7789-29-9);

42. wodorofluorek amonu lub bifluorek amonu (1341-49-7);

43. fluorek sodu (7681-49-4);

44. 1C350 wodorofluorek sodu (1333-83-1);

45. cyjanek sodu (143-33-9);

46. trietanoloamina (102-71-6);

47. pentasiarczek fosforawy (1314-80-3);

48. di-izopropyloamina (108-18-9);

49. dietyloaminoetanol (100-37-8);

50. siarczek sodu (1313-82-2);

51. monochlorek siarki (10025-67-9);

52. dichlorek siarki (10545-99-0);

53. chlorowodorek trietanoloaminy (637-39-8);

54. chlorowodorek chlorku N,N-diizopropylo-(beta)-aminoetylu (4261-68-1);

55. kwas metylofosfonowy (993-13-5);

56. metylofosfonian dietylu (683-08-9);

57. dichlorek N,N-dimetylofosforoamidowy (677-43-0);

58. fosforyn triizopropylu (116-17-6);

59. etylodietanoloamina (139-87-7);

60. O,O-dietylo fosforotionian (2465-65-8);

61. O,O-dietylo fosforoditionian (298-06-6);

62. heksafluorokrzemian sodu (16893-85-9);

63. dichlorek metylotiofosfonowy (676-98-2).

następujące wirusy pochodzenia naturalnego, wzmocnione lub zmodyfikowane, w postaci izolowanych żywych kultur lub jako materiał łącznie z materiałem żywym, który został celowo zaszczepiony lub zakażony takimi kulturami:

1. wirus afrykańskiej choroby koni;

2. wirus afrykańskiego pomoru świń;

3. wirus Andes;

4. wirusy grypy ptaków, które są:

4. a.

niescharakteryzowane; lub

określone w załączniku I pkt 2 do unijnej dyrektywy 2005/94/WE (Dz.U. L 10 z 14.1.2006, s. 16) jako posiadające wysokie właściwości chorobotwórcze, w tym:

1. wirusy typu A o wartości IVPI (wskaźnik dożylnej chorobotwórczości) dla sześciotygodniowych kurcząt powyżej 1,2; lub

2. wirusy typu A podtypów H5 i H7, z sekwencjami genomu kodującymi liczne aminokwasy zasadowe w miejscu cięcia cząsteczki hemaglutyniny podobnymi do sekwencji obserwowanych w innych wirusach HPAI, wskazujących na możliwość rozszczepienia cząsteczki hemaglutyniny przez większość proteaz gospodarza;

5. wirus choroby niebieskiego języka;

6. wirus Chapare;

7. wirus gorączki Chikungunya;

8. wirus Choclo;

9. wirus gorączki krwotocznej kongijsko-krymskiej;

10. wirus gorączki denga;

11. wirus Dobrava-Belgrade;

12. wirus wschodnioamerykańskiego końskiego zapalenia mózgu;

13. wirus Ebola;

14. wirus pryszczycy;

15. wirus ospy koziej;

16. wirus Guanarito;

17. wirus Hantaan;

18. wirus Hendra;

19. wirus opryszczki (choroba Aujeszkyego);

20. wirus klasycznego pomoru świń;

21. wirus japońskiego zapalenia mózgu;

22. wirus Junin;

23. wirus Lasu Kyasanur;

24. wirus Laguna Negra;

25. wirus gorączki Lassa;

26. 1C351 a. wirus choroby skokowej owiec;

27. wirus Lujo;

28. wirus choroby zgrudowacenia skóry;

29. wirus limfocytowego zapalenia opon mózgowych;

30. wirus Machupo;

31. wirus marburski;

32. wirus małpiej ospy;

33. wirus zapalenia mózgu z Murray Valley;

34. wirus rzekomego pomoru drobiu (wirus z Newcastle);

35. wirus Nipah;

36. wirus omskiej gorączki krwotocznej;

37. wirus Oropouche;

38. wirus pomoru przeżuwaczy;

39. enterowirus świński, typ 9 (wirus choroby pęcherzykowej u świń);

40. wirus Powassan;

41. wirus wścieklizny i wszystkie inne wirusy należące do rodzaju Lyssa;

42. wirus gorączki z Rift Valley;

43. wirus zarazy bydlęcej;

44. wirus Rocio;

45. wirus Sabia;

46. wirus Seoul;

47. wirus ospy owczej;

48. wirus Sin Nombre;

49. wirus zapalenia mózgu z St Louis;

50. wirus choroby cieszyńskiej;

51. wirus kleszczowego zapalenia mózgu (rosyjski wiosenno-letni wirus zapalenia mózgu);

52. wirus ospy naturalnej;

53. wirus wenezuelskiego końskiego zapalenia mózgu;

54. wirus pęcherzykowego zapalenia jamy gębowej;

55. wirus zachodnioamerykańskiego końskiego zapalenia mózgu;

56. wirus żółtej gorączki;

nieużywane;

1C351 następujące bakterie pochodzenia naturalnego, wzmocnione lub zmodyfikowane, w postaci izolowanych żywych kultur lub jako materiał łącznie z materiałem żywym, który został celowo zaszczepiony lub zakażony takimi kulturami:

1. laseczka wąglika (Bacillus anthracis);

2. pałeczka ronienia bydła (Brucella abortus bovis);

3. pałeczka maltańska (Brucella melitensis);

4. pałeczka ronienia świń (Brucella abortus suis);

5. pałeczka nosacizny Burkholderia mallei (Pseudomonas mallei);

6. pałeczka melioidozy Burkholderia pseudomallei (Pseudomonas pseudomallei);

7. zarazek papuzicy Chlamydophila psittaci (znany wcześniej jako Chlamydia psittaci);

8. laseczka jadu kiełbasianego gatunku Clostridium argentinense (znana wcześniej jako Clostridium botulinum typ G), szczepy wytwarzające neurotoksynę botulinową;

9. Clostridium baratii, szczep wytwarzający neurotoksynę botulinową;

10. laseczka jadu kiełbasianego (Clostridium botulinum);

11. Clostridium butyricum, szczep wytwarzający neurotoksynę botulinową;

12. laseczka zgorzeli gazowej wytwarzająca odmiany egzotoksyn (Clostridium perfringens);

13. riketsja gorączki Q (Coxiella burnetii);

14. pałeczka tularemii (Francisella tularensis);

15. Mycoplasma capricolum podgatunek capripneumoniae (szczep F38);

16. Mycoplasma mycoides ssp. mycoides SC (mała kolonia);

17. riketsja duru plamistego (Riketsja prowasecki);

18. pałeczka duru (Salmonella typhi);

19. pałeczka okrężnicy (Escherichia coli) wytwarzająca toksynę Shiga (STEC) z grup serologicznych O26, O45, O103, O104, O111, O121, O145, O157 oraz innych grup serologicznych wytwarzających toksynę Shiga;

20. pałeczka czerwonki (Shigella dysenteriae);

21. przecinkowiec cholery (Vibrio cholerae);

22. pałeczka dżumy (Yersinia pestis);

następujące toksyny i ich podjednostki toksyn: Uwaga: Pozycja 1C351.d nie obejmuje kontrolą toksyn botulinowych ani konotoksyn w postaci wyrobów spełniających wszystkie poniższe kryteria:

1. toksyny botulinowe;

2. toksyny alfa, beta 1, beta 2, epsilon i jota laseczki zgorzeli gazowej;

3. konotoksyna;

4. rycyna;

5. saksytoksyna;

6. Uwaga techniczna:

1C351 d. toksyna Shiga; Pałeczka Escherichia coli wytwarzająca toksynę Shiga (STEC) występuje również jako szczep enterokrwotoczny (enterohaemorrhagic E. coli – EHEC) lub szczep werotoksyczny (verocytotoxin producing E. coli – VTEC).

7. enterotoksyny gronkowca złocistego, hemolizyna alfa oraz toksyna wywołująca zespół wstrząsu toksycznego (wcześniej znana jako enterotoksyna F gronkowca);

8. tetrodotoksyna;

9. werotoksyna i podobne do toksyny Shiga białka dezaktywujące rybosomy;

10. mikrocystyna (Cyanginosin);

11. aflatoksyny;

12. abryna;

13. toksyna cholery;

14. toksyna diacetoksyscyrpenolowa;

15. toksyna T-2;

16. toksyna HT-2;

17. modekcyna;

18. wolkenzyna;

19. lektyna 1 jemioły pospolitej (wiskotoksyna);

1. są wyrobami farmaceutycznymi przeznaczonymi do podawania ludziom w leczeniu schorzeń;

2. są opakowane do rozprowadzania jako wyroby lecznicze;

3. są dopuszczone przez władze państwowe do obrotu jako wyroby lecznicze.

następujące grzyby, naturalne, wzmocnione lub zmodyfikowane, w postaci izolowanych żywych kultur lub materiału zawierającego żywe organizmy, który został celowo zaszczepiony lub zakażony takimi kulturami:

1. Coccidioides immitis;

2. Coccidioides posadasii.

zmodyfikowane genetycznie organizmy lub elementy genetyczne zawierające sekwencje kwasów nukleinowych połączone z czynnikami chorobotwórczymi organizmów wyszczególnionych w pozycjach 1C351.a, 1C351.c, 1C351.e lub 1C354;

1C353 zmodyfikowane genetycznie organizmy lub elementy genetyczne zawierające sekwencje kwasów nukleinowych przypisanych do jakiejkolwiek z toksyn wyszczególnionych w pozycji 1C351.d lub należących do nich podjednostek toksyn.

1C Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: 1.2.3. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna 1: Uwaga techniczna 2: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: 1.2.3. a.

same lub przez swoje produkty transkrybowane lub transponowane stanowią istotne zagrożenie dla zdrowia ludzi, zwierząt lub roślin; lub

wiadomo, że zwiększają zdolność określonych mikroorganizmów lub jakichkolwiek innych organizmów, do których mogą zostać wprowadzone lub z którymi mogą zostać w inny sposób zintegrowane, do spowodowania istotnych szkód dla zdrowia ludzi, zwierząt lub roślin.

1. andyjski utajony wirus ziemniaka;

2. wiroid wrzecionowatości bulw ziemniaka;

następujące bakterie pochodzenia naturalnego, wzmocnione lub zmodyfikowane, w postaci izolowanych żywych kultur lub jako materiał łącznie z materiałem żywym, który został celowo zaszczepiony lub zakażony takimi kulturami:

1. Xantomonas albilineans;

2. Xanthomonas axonopodis pv. citri (Xanthomonas campestris pv. citri A) [Xanthomonas campestris pv. citri];

3. Xanthomonas oryzae pv. oryzae (Pseudomonas campestris pv. oryzae);

4. Clavibacter michiganensis subsp. sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. sepedonicum lub Corynebacterium sepedonicum);

5. Ralstonia solanacearum, rasa 3, biowar 2;

następujące grzyby pochodzenia naturalnego, wzmocnione lub zmodyfikowane, w postaci izolowanych żywych kultur lub jako materiał łącznie z materiałem żywym, który został celowo zaszczepiony lub zakażony takimi kulturami:

1. Colletotrichum kahawae (Colletotrichum coffeanum var. virulans);

2. Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae);

3. Microcyclus ulei (synonim Dothidella ulei);

4. Puccinia graminis ssp. graminis var. graminis/Puccinia graminis ssp. graminis var. stakmanii (Puccinia graminis [syn. Puccinia graminis f. sp. tritici]);

5. 1C354 c. Puccinia striiformis (synonim Puccinia glumarum);

6. Magnaporthe oryzae (Pyricularia oryzae);

7. Peronosclerospora philippinensis (Peronosclerospora sacchari);

8. Sclerophthora rayssiae var. zeae;

9. Synchytrium endobioticium;

10. Tilletia indica;

11. Thecaphora solani.

toksyczne związki chemiczne, takie jak: Uwaga 1: Dla wywozu do państw niebędących stronami konwencji o zakazie broni chemicznej pozycja 1C450 nie obejmuje kontrolą mieszanin chemicznych zawierających jedną lub więcej substancji chemicznych wyszczególnionych w podpunktach 1C450.a.1 oraz.a.2, w których żadna z indywidualnie wyszczególnionych substancji chemicznych nie stanowi wagowo więcej niż 1 % mieszaniny. Uwaga 2: Dla wywozu do państw będących stronami konwencji o zakazie broni chemicznej pozycja 1C450 nie obejmuje kontrolą mieszanin chemicznych zawierających jedną lub więcej substancji chemicznych wyszczególnionych w podpunktach 1C450.a.1 oraz.a.2, w których żadna z indywidualnie wyszczególnionych substancji chemicznych nie stanowi wagowo więcej niż 30 % mieszaniny. Uwaga 3: Pozycja 1C450 nie obejmuje kontrolą mieszanin chemicznych zawierających jedną lub więcej substancji chemicznych wyszczególnionych w podpunktach 1C450.a.4, .a.5, .a.6 oraz.a.7, w których żadna z indywidualnie wyszczególnionych substancji chemicznych nie stanowi wagowo więcej niż 30 % mieszaniny. Uwaga 4: Pozycja 1C450 nie obejmuje kontrolą wyrobów określanych jako towary konsumpcyjne pakowane do sprzedaży detalicznej do osobistego użytku lub pakowane do indywidualnego użytku.

1. Amiton: O,O-dietylo-S-[2-(dietyloamino)etylo] fosforotiolan (78-53-5) oraz odpowiednie alkilowane lub protonowane sole;

2. PFIB: 1,1,3,3,3-pentafluoro-2-(trifluorometylo)-1-propen (382-21-8);

3. ZOB. WYKAZ UZBROJENIA dla BZ: 3-chinuklidylo benzylan (6581-06-2);

4. fosgen: dichlorek karbonylu (75-44-5);

5. chlorocyjan (506-77-4);

6. cyjanowodór (74-90-8);

7. chloropikryna: trichloronitrometan (76-06-2);

prekursory toksycznych związków chemicznych, takie jak: Uwaga 1: Dla wywozu do państw niebędących stronami konwencji o zakazie broni chemicznej pozycja 1C450 nie obejmuje kontrolą mieszanin chemicznych zawierających jedną lub więcej substancji chemicznych wyszczególnionych w podpunktach 1C450.b.1, .b.2, .b.3, .b.4, .b.5 oraz .b.6, w których żadna z indywidualnie wyszczególnionych substancji chemicznych nie stanowi wagowo więcej niż 10 % mieszaniny. Uwaga 2: Dla wywozu do państw będących stronami konwencji o zakazie broni chemicznej pozycja 1C450 nie obejmuje kontrolą mieszanin chemicznych zawierających jedną lub więcej substancji chemicznych wyszczególnionych w podpunktach 1C450.b.1, .b.2, .b.3, .b.4, .b.5 oraz .b.6, w których żadna z indywidualnie wyszczególnionych substancji chemicznych nie stanowi wagowo więcej niż 30 % mieszaniny. Uwaga 3: Pozycja 1C450 nie obejmuje kontrolą mieszanin chemicznych zawierających jedną lub więcej substancji chemicznych wyszczególnionych w podpunkcie 1C450.b.8, w których żadna z indywidualnie wyszczególnionych substancji chemicznych nie stanowi wagowo więcej niż 30 % mieszaniny. Uwaga 4: Pozycja 1C450 nie obejmuje kontrolą wyrobów określanych jako towary konsumpcyjne pakowane do sprzedaży detalicznej do osobistego użytku lub pakowane do indywidualnego użytku.

1. związki chemiczne, inne niż wymienione w wykazie uzbrojenia lub w pozycji 1C350, posiadające atom fosforu, z którym związana jest jedna grupa metylowa, etylowa, propylowa lub izopropylowa, lecz nie więcej atomów węgla; Uwaga: Pozycja 1C450.b.1 nie obejmuje kontrolą fonofosu: O-etylo S-fenylo-etylofosfonotiolotionianu (944-22-9).

2. 1C450 b. dihalogenki N,N-dialkilo (metylo, etylo, propylo lub izopropylo) fosforoamidowe, inne niż dichlorek N,N-dimetylofosforoamidowy; N.B.: Zob. pozycja 1C350.57 dla dichlorku N,N-dimetylofosforoamidowego.

3. N,N-dialkilo (metylo, etylo, propylo lub izopropylo)-fosforoamidany dialkilu (metylu, etylu, propylu lub izopropylu), inne niż N,N-dimetylofosforoamidan dietylu wyszczególniony w pozycji 1C350;

4. chlorki 2-N,N-dialkilo (metylo, etylo, propylo lub izopropylo) aminoetylu i odpowiednie protonowane sole, inne niż chlorek N,N-diizopropylo-(beta)-aminoetylu lub chlorowodorek chlorku N,N-diizopropylo-(beta)-aminoetylu wyszczególnione w pozycji 1C350;

5. N-dialkilo (metylo, etylo, propylo lub izopropylo) aminoetan-2-ole i odpowiednie protonowane sole, inne niż N,N-diizopropylo-(beta)-aminoetanol (96-80-0) i N,N-dietyloaminoetanol (100-37-8) wyszczególnione w pozycji 1C350; Uwaga: Pozycja 1C450.b.5 nie obejmuje kontrolą:

5. a.

N,N-dimetyloaminoetanolu (108-01-0) i odpowiednich protonowanych soli;

protonowanych soli N,N-dietyloaminoetanolu (100-37-8).

6. N,N-dialkilo (metylo, etylo, propylo lub izopropylo) aminoetano-2-tiole i odpowiednie protonowane sole, inne niż N,N-diizopropylo-(beta)-aminoetanotiol wyszczególniony w pozycji 1C350;

7. etylodietanoloamina (139-87-7) – zob. 1C350;

8. metylodietanoloamina (105-59-9).

1D Oprogramowanie 1D001 Oprogramowanie specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do rozwoju, produkcji lub użytkowania urządzeń wyszczególnionych w pozycjach od 1B001 do 1B003. 1D002 Oprogramowanie do rozwoju matryc organicznych, matryc metalowych, matryc węglowych do laminatów oraz kompozytów. 1D003 Oprogramowanie specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane, aby umożliwić urządzeniom wypełnianie funkcji urządzeń wyszczególnionych w pozycjach 1A004.c lub 1A004.d. 1D101 Oprogramowanie specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do celów obsługi lub konserwacji wyrobów wyszczególnionych w pozycjach 1B101, 1B102, 1B115, 1B117, 1B118 lub 1B119. 1D103 Oprogramowanie specjalnie zaprojektowane do badania obiektów o zmniejszonej wykrywalności za pomocą odbitych fal radarowych, śladów w zakresie promieniowania nadfioletowego/podczerwonego i śladów akustycznych. 1D201 Oprogramowanie specjalnie zaprojektowane do użytkowania wyrobów wyszczególnionych w pozycji 1B201.

1E Technologia 1E001 Technologia, zgodnie z uwagą ogólną do technologii, służąca do rozwoju lub produkcji sprzętu lub materiałów wyszczególnionych w pozycjach 1A001.b, 1A001.c, 1A002 do 1A005, 1A006.b, 1A007, 1B lub 1C. 1E002 Inne technologie, takie jak: 1E101 Technologia, zgodnie z uwagą ogólną do technologii, służąca do użytkowania wyrobów wyszczególnionych w pozycjach 1A102, 1B001, 1B101, 1B102, 1B115 do 1B119, 1C001, 1C101, 1C107, 1C111 do 1C118, 1D101 lub 1D103. 1E102 Technologia, zgodnie z uwagą ogólną do technologii, służąca do rozwoju oprogramowania wyszczególnionego w pozycjach 1D001, 1D101 lub 1D103. 1E103 Technologia do regulacji temperatur, ciśnień lub atmosfery w autoklawach lub hydroklawach w przypadku wykorzystania do produkcji kompozytów lub kompozytów częściowo przetworzonych. 1E104 Technologia związana z produkcją pirolitycznie wytwarzanych materiałów, formowanych w matrycy, na trzpieniu lub innym podłożu z gazów prekursorowych, ulegających rozkładowi w temperaturach od 1573 K (1300 °C) do 3173 K (2900 °C) przy ciśnieniach od 130 Pa do 20 kPa. Uwaga: Pozycja 1E104 obejmuje technologię do łączenia gazów prekursorowych, wartości natężeń przepływu, harmonogramy oraz parametry sterowania procesem. 1E201 Technologia, zgodnie z uwagą ogólną do technologii, służąca do użytkowania wyrobów wyszczególnionych w pozycjach 1A002, 1A007, 1A202, 1A225 to 1A227, 1B201, 1B225 do 1B234, 1C002.b.3. lub.b.4., 1C010.b., 1C202, 1C210, 1C216, 1C225 do 1C241 lub 1D201. 1E202 Technologia, zgodnie z uwagą ogólną do technologii, służąca do rozwoju lub produkcji wyrobów wyszczególnionych w pozycjach 1A007, 1A202 lub 1A225 do 1A227. 1E203 Technologia, zgodnie z uwagą ogólną do technologii, służąca do rozwoju oprogramowania wyszczególnionego w pozycji 1D201.

1E a.

technologia do rozwoju lub produkcji polibenzotiazoli lub polibenzoksazoli;

technologia do rozwoju lub produkcji związków elastomerów fluorowych, zawierających co najmniej jeden monomer eteru winylowego;

technologia do projektowania lub produkcji materiałów podstawowych lub innych niż kompozytowe materiałów ceramicznych, takich jak:

1. materiały podstawowe spełniające wszystkie poniższe kryteria:

1. a.

zawierające którykolwiek z następujących związków:

1. pojedyncze lub kompleksowe tlenki cyrkonu oraz kompleksowe tlenki krzemu lub glinu;

2. pojedyncze azotki boru (w postaci regularnych kryształów);

3. pojedyncze lub kompleksowe węgliki krzemu lub boru; lub

4. pojedyncze lub kompleksowe azotki krzemu;

posiadające całkowitą zawartość zanieczyszczeń metalicznych (z wyłączeniem celowych domieszek) w którejkolwiek z poniższych wysokości:

1. poniżej 1000 ppm dla pojedynczych tlenków lub węglików; lub

2. poniżej 5000 ppm dla związków kompleksowych lub pojedynczych azotków; oraz

będące którymkolwiek z poniższych:

1. tlenkiem cyrkonu (CAS 1314-23-4) o przeciętnych wymiarach cząsteczek mniejszych lub równych 1 μm, niezawierającym więcej niż 10 % cząsteczek większych niż 5 μm;

2. innymi materiałami podstawowymi o przeciętnych wymiarach cząsteczek mniejszych lub równych 5 μm, niezawierającymi więcej niż 10 % cząsteczek większych niż 10 μm; lub

3. spełniające wszystkie poniższe kryteria:

3. a.

postać płytek o stosunku długości do grubości większym niż 5;

postać wiskerów o stosunku długości do średnicy większym niż 10 przy średnicach poniżej 2 μm; oraz

postać ciągłych lub pociętych włókien o średnicy poniżej 10 μm;

2. nie-kompozytowe materiały ceramiczne składające się z materiałów wyszczególnionych w pozycji 1E002.c.1; Uwaga: Pozycja 1E002.c.2 nie obejmuje kontrolą technologii do projektowania lub produkcji materiałów ściernych.

technologia do produkcji włókien z poliamidów aromatycznych;

1E002 technologia do instalacji, obsługiwania lub naprawy materiałów wyszczególnionych w pozycji 1C001;

technologia do naprawy struktur kompozytowych, laminatów lub materiałów wyszczególnionych w pozycji 1A002, 1C007.c lub 1C007.d; Uwaga: Pozycja 1E002.f nie obejmuje kontrolą technologii do naprawy struktur cywilnych statków powietrznych za pomocą węglowych materiałów włóknistych lub włókienkowych oraz żywic epoksydowych, zawartych w instrukcjach producenta statku powietrznego.

g. Uwaga techniczna:

biblioteki (parametryczne techniczne bazy danych) specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane, aby umożliwić urządzeniom wypełnianie funkcji urządzeń wyszczególnionych w pozycjach 1A004.c lub 1A004.d. Do celów pozycji 1E002.g biblioteka (parametryczna techniczna baza danych) oznacza zbiór informacji technicznych, którego wykorzystanie może poprawić wyniki osiągane przez odpowiednie systemy lub sprzęt.

KATEGORIA 2 PRZETWARZANIE MATERIAŁÓW

2A Uwaga techniczna:

Systemy, urządzenia i części składowe N.B.: Dla łożysk bezgłośnych zob. wykaz uzbrojenia. 2A001 Łożyska, zespoły łożysk oraz ich części składowe: N.B.: ZOB. TAKŻE POZYCJA 2A101. Uwaga: Pozycja 2A001 nie obejmuje kontrolą kulek o tolerancji określanej przez producenta zgodnie z normą ISO 3290, klasy 5 lub gorszej. 2A101 Łożyska kulkowe promieniowe, inne niż wyszczególnione w pozycji 2A001, o tolerancjach określonych zgodnie z normą ISO 492, 2. klasy tolerancji (lub zgodnie z normą ANSI/ABMA Std 20 – klasa tolerancji ABEC 9 lub według innych odpowiedników krajowych) lub lepszej, mające wszystkie wymienione poniżej cechy: 2A225 Tygle, wykonane z materiałów odpornych na płynne aktynowce, takie jak: 2A226 Zawory posiadające wszystkie z następujących cech: Dla zaworów o różnych średnicach otworu wlotowego i wylotowego pojęcie wymiar nominalny w pozycji 2A226 odnosi się do najmniejszej średnicy.

2A a.

łożyska kulkowe lub pełne wałeczkowe o tolerancjach, określonych przez producenta zgodnie z normą ISO 492 (lub według innych odpowiedników krajowych), 4 klasy tolerancji lub lepszej, posiadające pierścienie oraz elementy toczne (ISO 5593) wykonane z monelu lub berylu; Uwaga: Pozycja 2A001.a nie obejmuje kontrolą łożysk z wałeczkami stożkowymi.

2A001 nieużywane;

aktywne zespoły łożysk magnetycznych, wykorzystujące którekolwiek z poniższych:

1. materiały o gęstości strumienia 2,0 T lub większej, przenoszące obciążenia większe niż 414 MPa;

2. całkowicie elektromagnetyczne, trójwymiarowe jednobiegunowe konstrukcje dla siłowników; lub

3. wysokotemperaturowe (450 K (177 °C) i więcej) czujniki położenia.

średnica wewnętrzna 12–50 mm;

średnica zewnętrzna 25–100 mm; oraz

szerokość 10–20 mm.

tygle spełniające oba poniższe kryteria:

1. mające pojemność od 150 cm3 do 8000 cm3; oraz

2. wykonane z jednego z następujących materiałów lub ich kombinacji lub nimi powlekane, o ogólnym poziomie wagowym domieszek 2 % lub mniejszym:

2. a.

fluorek wapnia (CaF2);

cyrkonian wapnia (metacyrkonian) (CaZrO3);

siarczek ceru (Ce2S3);

tlenek erbowy (erbia) (Er2O3);

tlenek hafnowy (hafnia) (HfO2);

tlenek magnezowy (MgO);

azotowany stop niobu z tytanem i wolframem (około 50 % Nb, 30 % Ti, 20 % W);

tlenek itrowy (itria) (Y2O3); lub

tlenek cyrkonowy (cyrkonia) (ZrO2);

tygle spełniające oba poniższe kryteria:

1. mające pojemność od 50 cm3 do 2000 cm3; oraz

2. wykonane z tantalu lub nim pokryte, o czystości wagowej tantalu 99,9 % lub większej;

tygle spełniające wszystkie poniższe kryteria:

1. mające pojemność od 50 cm3 do 2000 cm3;

2. wykonane z tantalu lub nim pokryte, o czystości wagowej tantalu 98 % lub większej; oraz

3. powlekane węglikiem, azotkiem lub borkiem tantalu lub jakąkolwiek ich kombinacją.

wymiar nominalny 5 mm lub większy;

wyposażone w uszczelnienia mieszkowe; oraz

w całości wykonane z glinu, stopu glinu, niklu lub stopu niklu zawierającego wagowo ponad 60 % niklu lub pokryte nimi.

2B Uwagi techniczne: 1.2.3.4.5.6. Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2.

Urządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne Pomocnicze, równoległe osie konturowe (np. oś w w wiertarkach poziomych lub pomocnicza oś obrotowa, której linia centralna biegnie równolegle do głównej osi obrotu) nie są zaliczane do całkowitej liczby osi kształtowych. Osie obrotowe nie muszą obracać się o 360 °. Oś obrotowa może być napędzana za pomocą urządzenia liniowego (np. śruby lub mechanizmu zębatkowego). Dla celów pozycji 2B za liczbę osi, które mogą być koordynowane jednocześnie w celu sterowania kształtowego, uznaje się liczbę osi, wzdłuż których lub dookoła których w trakcie obrabiania przedmiotu wykonywane są ruchy jednoczesne i wzajemnie powiązane pomiędzy obrabianym przedmiotem a narzędziem. Nie obejmuje to żadnych dodatkowych osi, wzdłuż lub dookoła których wykonywane są inne ruchy względne maszyny, takich jak: Nazewnictwo osi powinno być zgodne z Międzynarodową Normą ISO 841, Maszyny sterowane numerycznie – Nazewnictwo osi i ruchów. Na potrzeby pozycji od 2B001 do 2B009 wrzeciono wahliwe jest zaliczane do osi obrotowych. Jako rozwiązanie alternatywne w stosunku do indywidualnych testów dla każdego modelu obrabiarki można stosować poziomy gwarantowanej dokładności pozycjonowania, ustalone przy pomiarach wykonanych stosownie do normy ISO 230/2 lub jej odpowiednika krajowego. Poziom gwarantowanej dokładności pozycjonowania oznacza wartość dokładności, przyjętą przez właściwe organy państwa członkowskiego, w którym eksporter ma siedzibę, jako reprezentatywną dokładność określonego modelu maszyny. Określanie poziomu gwarantowanej dokładności pozycjonowania: Dla celów pozycji 2B001.a do 2B001.c nie uwzględnia się niepewności pomiarowej w odniesieniu do dokładności pozycjonowania obrabiarek, jak zdefiniowano w Międzynarodowej Normie ISO 230/2 (2006) lub jej równoważnikach krajowych. 2B001 Obrabiarki oraz ich różne kombinacje, do skrawania (lub cięcia) metali, materiałów ceramicznych lub kompozytów, które, według danych technicznych producenta, mogą być wyposażone w urządzenia elektroniczne do sterowania numerycznego, w tym: N.B.: ZOB. TAKŻE POZYCJA 2B201. Uwaga 1: Pozycja 2B001 nie obejmuje kontrolą obrabiarek do specjalnych zastosowań ograniczonych do wytwarzania kół zębatych. Dla takich maszyn zob. pozycja 2B003. Uwaga 2: Pozycja 2B001 nie obejmuje kontrolą obrabiarek do specjalnych zastosowań ograniczonych do wytwarzania którychkolwiek z poniższych: Uwaga 3: Obrabiarki posiadające co najmniej dwie z trzech następujących zdolności: toczenia, frezowania lub szlifowania (np. tokarka ze zdolnością do frezowania), muszą być oszacowane stosownie odpowiednio do każdej pozycji 2B001.a, .b lub.c. N.B.: W odniesieniu do maszyn wykorzystujących optyczną obróbkę wykańczającą – zob. pozycja 2B002. 2B002 Obrabiarki sterowane numerycznie wykorzystujące optyczną obróbkę wykańczającą przystosowane do selektywnego usuwania materiału w celu uzyskania optycznych powierzchni asferycznych spełniające wszystkie poniższe kryteria: Do celów pozycji 2B002: 2B003 Obrabiarki sterowane numerycznie lub ręcznie oraz specjalnie do nich zaprojektowane podzespoły, urządzenia sterujące i oprzyrządowanie, specjalnie opracowane do skrawania, obróbki, wykańczania, szlifowania lub gładzenia hartowanych (Rc = 40 lub więcej) kół zębatych o zębach prostych, kół zębatych śrubowych i daszkowych o średnicy toczonej powyżej 1250 mm i szerokości wieńca wynoszącej 15 % średnicy toczonej lub większej, wykończone do jakości AGMA 14 lub wyższej (równoważnej Klasie 3 normy ISO 1328). 2B004 Pracujące na gorąco prasy izostatyczne spełniające wszystkie poniższe kryteria oraz specjalnie zaprojektowane do nich podzespoły i oprzyrządowanie, takie jak: N.B.: ZOB. TAKŻE POZYCJE 2B104 I 2B204. Wewnętrzny wymiar komory oznacza wymiar komory, w którym osiąga się zarówno temperaturę roboczą jak i ciśnienie robocze; termin ten nie obejmuje kontrolą osprzętu. Wymiar ten będzie mniejszą ze średnic wewnętrznych komory ciśnieniowej lub izolowanej komory paleniskowej, w zależności od tego, która z tych komór jest umieszczona wewnątrz drugiej. N.B.: W przypadku specjalnie zaprojektowanych matryc, form i oprzyrządowania zob. pozycje 1B003, 9B009 oraz wykaz uzbrojenia. 2B005 Sprzęt specjalnie zaprojektowany do osadzania, przetwarzania i automatycznej kontroli w czasie obróbki pokryć i powłok nieorganicznych oraz modyfikacji warstw powierzchniowych, przeznaczony do wytwarzania podłoży nieelektronicznych, technikami wyszczególnionymi w tabeli oraz uwagach umieszczonych po pozycji 2E003.f oraz specjalnie do nich opracowane zautomatyzowane podzespoły do obsługiwania, ustalania położenia, manipulowania i sterowania, w tym: Uwaga: Pozycja 2B005 nie obejmuje kontrolą urządzeń do chemicznego osadzania warstw z faz gazowych, napylania katodowego, napylania jonowego, jonowego powlekania lub implantacji jonów, specjalnie zaprojektowanych do narzędzi tnących i skrawających. 2B006 Systemy, sprzęt oraz zespoły elektroniczne do kontroli wymiarowej lub pomiarów, takie jak: N.B.: ZOB. TAKŻE POZYCJA 2B206. Uwaga: Pozycja 2B006 obejmuje obrabiarki, inne niż wyszczególnione w pozycji 2B001, które można wykorzystać do celów pomiarowych, jeżeli spełniają lub przewyższają kryteria określone dla funkcji maszyny pomiarowej. 2B007 Roboty, posiadające którąkolwiek z niżej wymienionych cech charakterystycznych, oraz specjalnie zaprojektowane do nich urządzenia sterujące i manipulatory, w tym; N.B.: ZOB. TAKŻE POZYCJA 2B207. 2B008 Zespoły lub podzespoły specjalnie zaprojektowane do obrabiarek, systemów i sprzętu do kontroli wymiarów oraz systemów pomiarowych i sprzętu pomiarowego, takie jak: Uwaga: Pozycje 2B008.a. i 2B008.b. obejmują kontrolą podzespoły, które są zaprojektowane do określania informacji dotyczącej położenia do celów kontroli sprzężenia zwrotnego, takie jak urządzenia typu indukcyjnego, z podziałką stopniową i systemy na podczerwień lub laserowe. 2B009 Maszyny do wyoblania i tłoczenia kształtowego, które według danych technicznych producenta mogą być wyposażone w zespoły sterowania numerycznego lub komputerowego oraz spełniające oba poniższe kryteria: N.B.: ZOB. TAKŻE POZYCJE 2B109 I 2B209. Do celów pozycji 2B009 maszyny łączące funkcje wyoblania i tłoczenia kształtowego są traktowane jako urządzenia do tłoczenia kształtowego. 2B104 Prasy izostatyczne, inne niż wyszczególnione w pozycji 2B004, spełniające wszystkie poniższe kryteria: N.B.: ZOB. TAKŻE POZYCJA 2B204. 2B105 Piece do CVD (chemical vapour deposition – chemicznego osadzania warstw z faz gazowych), inne niż wyszczególnione w pozycji 2B005.a, zaprojektowane lub zmodyfikowane dla zagęszczania kompozytów węglowo-węglowych. 2B109 Maszyny do tłoczenia kształtowego, inne niż wyszczególnione w pozycji 2B009, oraz specjalnie zaprojektowane komponenty, takie jak: N.B.: ZOB. TAKŻE POZYCJA 2B209. Uwaga: Pozycja 2B109 nie obejmuje kontrolą maszyn nienadających się do produkcji części składowych systemów napędowych i sprzętu napędowego (np. osłon silników) do systemów wyszczególnionych w pozycjach 9A005, 9A007.a lub 9A105.a. Maszyny łączące funkcje wyoblania i tłoczenia kształtowego są na potrzeby pozycji 2B109 traktowane jako urządzenia do tłoczenia kształtowego. 2B116 Następujące systemy do badań wibracyjnych, sprzęt i części składowe z nimi związane: W pozycji 2B116 pojęcie nagi stół oznacza płaski stół lub powierzchnię, bez osprzętu i wyposażenia. 2B117 Środki do sterowania sprzętem i przebiegiem procesów, inne niż wyszczególnione w pozycjach 2B004, 2B005.a, 2B104 lub 2B105, zaprojektowane lub zmodyfikowane dla zagęszczania i pirolizy kompozytów strukturalnych do dysz rakietowych oraz głowic powracających do atmosfery. 2B119 Następujące maszyny do wyważania i powiązany z nimi sprzęt: N.B.: ZOB. TAKŻE POZYCJA 2B219. 2B120 Symulatory ruchu lub stoły obrotowe spełniające wszystkie poniższe kryteria: Uwaga 1: Pozycja 2B120 nie obejmuje kontrolą stołów obrotowych zaprojektowanych lub zmodyfikowanych dla obrabiarek lub sprzętu medycznego. Dla uregulowań dotyczących obrabiarkowych stołów obrotowych zob. pozycja 2B008. Uwaga 2: Symulatory ruchu lub stoły obrotowe wyszczególnione w pozycji 2B120 są objęte kontrolą niezależnie od tego, czy w momencie wywozu miały już zamontowane pierścienie ślizgowe lub zintegrowane urządzenia bezstykowe. 2B121 Stoły pozycjonujące (sprzęt zdolny do precyzyjnego ustawiania położenia kątowego w dowolnej osi), inne niż wyszczególnione w pozycji 2B120, posiadające wszystkie następujące cechy: Uwaga: Pozycja 2B121 nie obejmuje kontrolą stołów obrotowych zaprojektowanych lub zmodyfikowanych dla obrabiarek lub sprzętu medycznego. Dla uregulowań dotyczących obrabiarkowych stołów obrotowych zob. pozycja 2B008. 2B122 Wirówki umożliwiające nadanie przyśpieszenia ponad 100 g i posiadające pierścienie ślizgowe lub zintegrowane urządzenia bezstykowe zaprojektowane lub zmodyfikowane tak, aby były zdolne do przekazywania zasilania elektrycznego lub sygnałów sterowniczych. Uwaga: Wirówki wyszczególnione w pozycji 2B122 są objęte kontrolą niezależnie od tego, czy w momencie wywozu miały już zamontowane pierścienie ślizgowe lub zintegrowane urządzenia bezstykowe. 2B201 Obrabiarki i wszelkie ich zestawy poza wyszczególnionymi poniżej w pozycji 2B001, do skrawania lub cięcia metali, materiałów ceramicznych lub kompozytowych, które stosownie do specyfikacji technicznej producenta mogą być wyposażone w urządzenia elektroniczne do jednoczesnego sterowania kształtowego w dwóch lub więcej osiach: Uwaga 1: Pozycja 2B201 nie obejmuje kontrolą obrabiarek do specjalnych zastosowań ograniczonych do wytwarzania dowolnych z następujących części: Uwaga 2: Obrabiarki mogące wykonywać co najmniej dwie z trzech funkcji obejmujących: toczenie, frezowanie lub szlifowanie (np. tokarka z możliwością frezowania), podlegają ocenie na podstawie kryteriów dotyczących każdej stosownej pozycji 2B001.a, 2B201.a lub b. 2B204 Prasy izostatyczne, inne niż wyszczególnione w pozycjach 2B004 lub 2B104 i sprzęt z nimi związany, w tym: W pozycji 2B204 wewnętrzny wymiar komory oznacza wymiar, w którym osiąga się zarówno temperaturę roboczą, jak i ciśnienie robocze, a termin ten nie obejmuje osprzętu. Wymiar ten będzie mniejszą ze średnic wewnętrznych komory ciśnieniowej lub izolowanej komory paleniskowej, w zależności od tego, która z tych komór jest umieszczona wewnątrz drugiej. 2B206 Następujące maszyny, przyrządy oraz systemy do kontroli wymiarów, inne niż wyszczególnione w pozycji 2B006: Uwaga 1: Obrabiarki, które można wykorzystać do celów pomiarowych, są objęte kontrolą, jeżeli spełniają lub przekraczają kryteria określone dla funkcji obrabiarki lub maszyny pomiarowej. Uwaga 2: Maszyna wyszczególniona w pozycji 2B206 jest objęta kontrolą, jeżeli jej zakres pracy przekracza w jakikolwiek sposób próg objęcia kontrolą. Wszystkie parametry wartości pomiarowych w pozycji 2B206 reprezentują wartości plus/minus, tj. pasmo niepełne. 2B207 Roboty, manipulatory i jednostki sterujące, inne niż wyszczególnione w pozycji 2B007, takie jak: 2B209 Następujące maszyny do tłoczenia kształtowego, maszyny do wyoblania kształtowego posiadające możliwość realizacji funkcji tłoczenia kształtowego, inne niż wyszczególnione w pozycjach 2B009 lub 2B109, oraz trzpienie: Uwaga: Pozycja 2B209.a obejmuje maszyny posiadające tylko pojedynczy wałek przeznaczony do odkształcania metalu oraz dwa pomocnicze wałki podtrzymujące trzpień, ale nieuczestniczące bezpośrednio w procesie odkształcania. 2B219 Następujące odśrodkowe maszyny do wielopłaszczyznowego wyważania, stałe lub przenośne, poziome lub pionowe: 2B225 Zdalnie sterowane manipulatory, które mogą być stosowane do zdalnego wykonywania prac podczas rozdzielania radiochemicznego oraz w komorach gorących, posiadające wszystkie niżej wymienione cechy: Zdalnie sterowane manipulatory przekształcają działanie człowieka operatora na ramię robocze i uchwyt końcowy. Mogą być typu master/slave lub być sterowane joystickiem lub z klawiatury. 2B226 Piece indukcyjne z regulowaną atmosferą (próżniowe lub z gazem obojętnym) i instalacje do ich zasilania, takie jak: N.B.: ZOB. TAKŻE POZYCJA 3B. Uwaga: Pozycja 2B226.a nie obejmuje kontrolą pieców przeznaczonych do przetwarzania płytek półprzewodnikowych. 2B227 Próżniowe oraz posiadające inną regulowaną atmosferę, roztapiające i odlewnicze piece metalurgiczne, oraz sprzęt z nimi związany, w tym: 2B228 Sprzęt do wytwarzania, montażu oraz prostowania wirników, trzpienie i matryce do formowania mieszków, w tym: 2B230 Wszystkie rodzaje przetworników ciśnienia zdolne do pomiaru ciśnienia bezwzględnego, posiadające wszystkie niżej wymienione cechy W pozycji 2B230 przetwornik ciśnienia oznacza urządzenie, które przekształca pomiar ciśnienia na sygnał. Na potrzeby pozycji 2B230 pojęcie dokładność obejmuje nieliniowość, histerezę i powtarzalność w temperaturze otoczenia. 2B231 Pompy próżniowe posiadające wszystkie niżej wymienione cechy: Wydajność pompowania jest określona w pomiarze z użyciem azotu lub powietrza. Próżnia końcowa jest określana na wlocie do pompy po jego zatkaniu. 2B232 Wysokoprędkościowe systemy miotające (napędowe, gazowe, cewkowe, elektromagnetyczne, elektrotermiczne lub inne rozwinięte systemy) zdolne do przyspieszania pocisków do prędkości 1,5 km/s lub większej. N.B.: ZOB. TAKŻE WYKAZ UZBROJENIA. 2B233 Sprężarki śrubowe o uszczelnieniu mieszkowym oraz śrubowe pompy próżniowe o uszczelnieniu mieszkowym, spełniające wszystkie poniższe kryteria: N.B.: ZOB. TAKŻE POZYCJA 2B350.i. 2B350 Następujące obiekty, sprzęt i części składowe do produkcji substancji chemicznych: Uwaga: Dla celów pozycji 2B350 materiały używane na uszczelki, wypełnienia, uszczelnienia, śruby, podkładki i inne materiały pełniące funkcję uszczelniającą nie decydują o statusie kontroli, pod warunkiem że części te są wymienialne. Grafit węglowy jest substancją składającą się z węgla amorficznego i grafitu, w której zawartość wagowa grafitu wynosi 8 % lub więcej. W przypadku materiałów wymienionych w powyższych pozycjach termin stop, jeżeli nie towarzyszy mu szczegółowe określenie stężenia pierwiastków, należy rozumieć jako oznaczający taki stop, w którym wagowa zawartość określonego metalu jest procentowo wyższa niż jakiegokolwiek innego pierwiastka. 2B351 Systemy monitorowania gazów toksycznych i przeznaczone do nich części detekcyjne, inne niż wyszczególnione w pozycji 1A004, oraz detektory, czujniki i wymienne moduły czujnikowe do nich: 2B352 Następujący sprzęt, który może być wykorzystany przy postępowaniu z materiałami biologicznymi:

2B Uwagi techniczne: 1.2. a.

systemów obciągania ściernic w szlifierkach;

równoległych osi obrotowych, przeznaczonych do mocowania oddzielnych przedmiotów obrabianych;

współliniowych osi obrotowych przeznaczonych do manipulowania tym samym przedmiotem poprzez zamocowanie go w uchwytach z oddzielnych końców.

2B Uwagi techniczne: 1.2.3.4.5. a.

wybrać pięć egzemplarzy modelu maszyny, który ma być oceniany;

zmierzyć liniowe dokładności osi zgodnie z ISO 230/2;

określić wartość A dla każdej osi każdej maszyny. Metoda określania wartości A opisana jest w normie ISO;

określić wartości średnie wartości A dla każdej osi. Średnia wartość Â staje się gwarantowaną wartością dla każdej osi modelu (Â x, Â y,…);

ponieważ wykaz kategorii 2 odnosi się do każdej osi liniowej, wartości gwarantowanych będzie tyle, ile jest osi liniowych;

jeżeli któraś z osi modelu maszyny nieobjętego kontrolą przez podpunkty od 2B001.a do 2B001.c lub 2B201 posiada gwarantowaną dokładność Â równą wyspecyfikowanej gwarantowanej dokładności każdego z modeli obrabiarek plus 2 μm lub lepszą, od producenta powinno się wymagać potwierdzania poziomu dokładności raz na osiemnaście miesięcy.

2B Uwagi techniczne: 1.2.3.4.5.6. a.

wałów korbowych lub rozrządowych;

narzędzi lub noży do obrabiarek;

ślimaków do wytłaczarek;

grawerowanych lub szlifowanych części biżuterii. lub

protez dentystycznych.

tokarki spełniające wszystkie poniższe kryteria: Uwaga: Pozycja 2B001.a nie obejmuje kontrolą tokarek specjalnie zaprojektowanych do wytwarzania soczewek kontaktowych i spełniających wszystkie poniższe kryteria:

1. dokładność pozycjonowania, z uwzględnieniem wszystkich możliwych kompensacji, równa 3,0 μm lub mniej (lepsza), zgodnie z ISO 230/2 (2006) lub równoważną normą krajową, mierzona wzdłuż jednej lub więcej osi liniowych; oraz

2. dwie lub więcej osi, które można jednocześnie koordynować w celu sterowania kształtowego;

a.

sterownik obrabiarki jest ograniczony do wykorzystywania oprogramowania służącego do programowania obróbki detali opartego na oprogramowaniu okulistycznym; oraz

b.

brak uchwytów próżniowych.

frezarki spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. posiadające wszystkie niżej wymienione cechy:

1. a.

dokładność pozycjonowania, z uwzględnieniem wszystkich możliwych kompensacji, równa 3,0 μm lub mniej (lepsza), zgodnie z ISO 230/2 (2006) lub równoważną normą krajową, mierzona wzdłuż jednej lub więcej osi liniowych; oraz

trzy osie liniowe oraz dodatkowo jedną oś obrotową, które można jednocześnie koordynować w celu sterowania kształtowego;

2. pięć lub więcej osi, które można jednocześnie koordynować w celu sterowania kształtowego, spełniające jedno z poniższych kryteriów: N.B.: Obrabiarki z mechanizmem równoległym są zdefiniowane w pozycji 2B001.b.2.d.

2. a.

2B001 b. 2. dokładność pozycjonowania, z uwzględnieniem wszystkich możliwych kompensacji, równa 4,5 μm lub mniej (lepsza), zgodnie z ISO 230/2 (2006) lub równoważną normą krajową, mierzona wzdłuż jednej lub więcej osi liniowych przy długości ruchu co najmniej 1 m i mniejszej niż 2 m;

dokładność pozycjonowania, z uwzględnieniem wszystkich możliwych kompensacji, równa 4,5 + 7(L-2) μm lub mniej (lepsza) (L oznacza długość ruchu w metrach), zgodnie z ISO 230/2 (2006) lub równoważną normą krajową, mierzona wzdłuż jednej lub więcej osi liniowych przy długości ruchu mniejszej niż 2 m; lub

d. Uwaga techniczna:

będące obrabiarkami z mechanizmem równoległym. Obrabiarka z mechanizmem równoległym jest obrabiarką mającą kilka cylindrów, które są połączone z platformą i siłownikami; każdy z siłowników operuje danym cylindrem jednocześnie i niezależnie.

3. dokładność pozycjonowania dla wiertarek współrzędnościowych, z uwzględnieniem wszystkich możliwych kompensacji, równa 3,0 μm lub mniej (lepsza), zgodnie z ISO 230/2 (2006) lub równoważną normą krajową, mierzona wzdłuż jednej lub więcej osi liniowych; lub

4. maszyny do obróbki frezem jednoostrzowym spełniające wszystkie poniższe kryteria:

4. a.

wartość bicia promieniowego i bicia osiowego wrzeciona mniejsza (lepsza) niż 0,0004 mm; oraz

wartość odchylenia kątowego posuwu (odchyłu, skoku i obrotu) mniejsza (lepsza) niż 2 sekundy kątowe, na 300 mm odcinku ruchu;

szlifierki spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: Uwaga: Pozycja 2B001.c nie obejmuje kontrolą następujących szlifierek:

1. posiadające wszystkie niżej wymienione cechy:

1. a.

trzy lub więcej osi, które można jednocześnie koordynować w celu sterowania kształtowego; lub

2. pięć lub więcej osi, które można jednocześnie koordynować w celu sterowania kształtowego;

a.

szlifierek do zewnętrznego, wewnętrznego i zewnętrzno-wewnętrznego szlifowania na okrągło, spełniających wszystkie poniższe kryteria:

1. ograniczenie do szlifowania na okrągło; oraz

2. ograniczenie do maksymalnych wymiarów przedmiotu obrabianego do 150 mm średnicy zewnętrznej lub długości;

b.

obrabiarek skonstruowanych specjalnie jako szlifierki współrzędnościowe, nieposiadających osi z ani osi w, o dokładności pozycjonowania z uwzględnieniem wszystkich możliwych kompensacji wynoszącej mniej (lepszej) niż 3,0 μm zgodnie z ISO 230/2 (2006) lub odpowiednikami krajowymi;

c.

szlifierek powierzchniowych.

obrabiarki elektroiskrowe (EDM), niedrutowe, posiadające dwie lub więcej osi obrotowych, które można jednocześnie koordynować w celu sterowania kształtowego;

2B001 obrabiarki do obróbki skrawaniem metali, materiałów ceramicznych lub kompozytowych spełniające wszystkie poniższe kryteria:

1. usuwające materiał za pomocą któregokolwiek z niżej wymienionych sposobów:

1. a.

wysokociśnieniowym strumieniem wody lub innej cieczy roboczej, w tym zawierającej substancje ścierne;

wiązką elektronów; lub

wiązką laserową; oraz

2. posiadające co najmniej dwie osie obrotowe i spełniające wszystkie poniższe kryteria:

2. a.

można je jednocześnie koordynować w celu sterowania kształtowego; oraz

posiadają dokładność pozycjonowania mniejszą (lepszą) niż 0,003°;

wiertarki do głębokich otworów i tokarki zmodyfikowane do wiercenia głębokich otworów posiadające maksymalną zdolność do wiercenia otworów o głębokości przekraczającej 5 m.

obróbka wykańczająca z tolerancją mniejszą (lepszą) niż 1,0 μm;

obróbka wykańczająca pozwalająca na uzyskanie chropowatości mniejszej (lepszej) niż 100 nm (wartość średnia kwadratowa);

cztery lub więcej osi, które można jednocześnie koordynować w celu sterowania kształtowego; oraz

przy wykorzystaniu któregokolwiek z następujących procesów:

1. magnetoreologiczna obróbka wykańczająca (MRF);

2. elektroreologiczna obróbka wykańczająca (ERF);

3. obróbka wykończeniowa wiązką cząstek wysokoenergetycznych;

4. obróbka narzędziami z membranami ciśnieniowymi; lub

5. obróbka strumieniem płynu.

2B Uwagi techniczne: 1.2.3.4.5.6. Uwagi techniczne:

1. MRF oznacza proces usuwania materiału, wykorzystujący ścierny płyn magnetyczny, którego lepkość sterowana jest polem magnetycznym.

2. ERF oznacza proces usuwania materiału, wykorzystujący ścierny płyn, którego lepkość sterowana jest polem elektrycznym.

3. Obróbka wykończeniowa wiązką cząstek wysokoenergetycznych wykorzystuje plazmy atomów reaktywnych (RAP) lub wiązki jonowe do selektywnego usuwania materiału.

4. Obróbka narzędziami z membranami ciśnieniowymi oznacza proces wykorzystujący membranę pod ciśnieniem, która ulega deformacji, w celu zetknięcia z obrabianym przedmiotem na małej powierzchni.

5. Podczas obróbki strumieniem płynu do usuwania materiału wykorzystuje się strugę płynu.

posiadające możliwość regulacji warunków termicznych w zamkniętej formie oraz wyposażone w komorę formy o średnicy wewnętrznej 406 mm lub większej; oraz

spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. maksymalne ciśnienie robocze powyżej 207 MPa;

2. regulacja warunków termicznych powyżej 1773 K (1500 °C); lub

3. łatwość nasycania węglowodorami i usuwania powstających gazowych produktów rozkładu.

2B Uwagi techniczne: 1.2.3.4.5.6. Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: a.

sprzęt produkcyjny do chemicznego osadzania warstw z faz gazowych (CVD) spełniający oba poniższe kryteria: N.B.: ZOB. TAKŻE POZYCJA 2B105.

1. modyfikacja procesu do wymienionego poniżej:

1. a.

CVD pulsujące;

rozkład termiczny z regulowaną nukleacją (CNTD); lub

CVD intensyfikowane lub wspomagane plazmowo; oraz

2. spełniający którekolwiek z poniższych kryteriów:

2. a.

zawierający wysokopróżniowe (równe lub mniejsze od 0,01 Pa) uszczelnienia wirujące; lub

zawierający wbudowane urządzenia do regulowania grubości powłoki;

sprzęt produkcyjny do implantacji jonów o natężeniu wiązki 5 mA lub większym;

sprzęt produkcyjny do elektronowego naparowywania próżniowego (EB-PVD) zaopatrzony w układy zasilania o mocy powyżej 80 kW i posiadający którekolwiek z poniższych:

1. laserowy system regulacji poziomu cieczy, umożliwiający precyzyjne sterowanie podawaniem materiału wsadowego; lub

2. system kontroli wydajności, sterowany komputerowo, działający na zasadzie fotoluminescencji zjonizowanych atomów w strumieniu odparowanego czynnika, umożliwiający sterowanie wydajnością napylania pokrycia, składającego się z dwóch lub więcej pierwiastków;

2B005 sprzęt produkcyjny do napylania plazmowego spełniający którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. możliwość pracy w atmosferze o regulowanym niskim ciśnieniu (równym lub mniejszym od 10 kPa, mierzonym powyżej i w zakresie 300 mm od wylotu dyszy natryskowej) w komorze próżniowej, w której przed rozpoczęciem napylania można obniżyć ciśnienie do 0,01 Pa; lub

2. zawierający wbudowane urządzenia do regulowania grubości powłoki;

sprzęt produkcyjny do napylania jonowego zdolny do osiągania prądu o gęstości 0,1 mA/mm2 lub większej przy wydajności napylania 15 μm/h lub wyższej;

sprzęt produkcyjny do napylania łukowo-katodowego zawierający siatki elektromagnesów do sterowania łukiem na katodzie;

sprzęt produkcyjny do powlekania jonowego zdolny do przeprowadzenia na miejscu pomiaru jednego z niżej wymienionych parametrów:

1. grubości powłoki na podłożu i wydajności procesu; lub

2. właściwości optycznych.

a. Uwaga techniczna:

sterowane komputerowo lub sterowane numerycznie urządzenia do pomiaru współrzędnych (CMM), posiadające maksymalny dopuszczalny błąd pomiaru długości (E0,MPE), wzdłuż trzech osi (objętościowy), w dowolnym punkcie zakresu roboczego maszyny (tj. w długości osi) równy lub mniejszy (lepszy) niż (1,7 + L/1000) μm (gdzie L jest długością, mierzoną w mm), zgodnie z ISO 10360-2 (2009); Maksymalny dopuszczalny błąd pomiaru długości (E0,MPE) najdokładniejszej konfiguracji urządzenia do pomiaru współrzędnych określonej przez producenta (np. najlepsze: czujnik, długość ramienia, parametry ruchu, warunki środowiskowe) przy wszystkich dostępnych kompensacjach porównuje się do progu 1,7 + L/1000 μm.

przyrządy do pomiaru odchylenia liniowego i kątowego:

1. Uwaga techniczna:

przyrządy do pomiaru odchylenia liniowego, posiadające którąkolwiek z niżej wymienionych cech: Uwaga: Interferometry laserowe do pomiaru odchylenia są objęte kontrolą tylko w pozycji 2B006.b.1.c. Dla celów pozycji 2B006.b.1 odchylenie liniowe oznacza zmianę odległości pomiędzy czujnikiem a obiektem mierzonym. Uwaga: Pozycja 2B006.b.1 nie obejmuje kontrolą interferometrycznych systemów pomiarowych z automatycznym systemem sterowania niewykorzystującym technik sprzężenia zwrotnego, zawierających laser do pomiaru błędów ruchu posuwistego obrabiarek, urządzeń kontroli wymiarów lub podobnego wyposażenia.

bezstykowe systemy pomiarowe o rozdzielczości równej lub mniejszej (lepszej) niż 0,2 μm w zakresie pomiarowym do 0,2 mm;

b. Uwaga techniczna:

2B006 b. 1. systemy transformatorowych różnicowych czujników położenia liniowego (LVDT) spełniające wszystkie poniższe kryteria: Dla celów pozycji 2B006.b.1.b. pełny zakres roboczy jest równy połowie całego odchylenia liniowego, jakie może zmierzyć LVDT. Przykładowo LVDT o pełnym zakresie roboczym do ± 5 mm włącznie może zmierzyć całkowite możliwe odchylenie liniowe wynoszące 10 mm.

1. spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. a.

mające liniowość równą lub mniejszą (lepszą) niż 0,1 %, mierzoną od 0 do pełnego zakresu roboczego dla LVDT o pełnym zakresie roboczym do ± 5 mm włącznie; lub

mające liniowość równą lub mniejszą (lepszą) niż 0,1 %, mierzoną od 0 do 5 mm dla LVDT o pełnym zakresie roboczym większym niż ± 5 mm; oraz

2. dryf równy lub mniejszy (lepszy) niż 0,1 % na dzień w standardowej temperaturze pomieszczenia pomiarowego ± 1 K;

systemy pomiarowe spełniające wszystkie poniższe kryteria:

1. zawierające laser; oraz

2. utrzymujące, przez co najmniej 12 godzin przy temperaturze 20 ± 1 °C, wszystkie z poniższych parametrów:

2. a.

rozdzielczość w pełnym zakresie wynoszącą 0,1 μm lub mniej (lepszą); oraz

zdolne do osiągnięcia niepewności pomiaru równej lub mniejszej (lepszej) niż (0,2 + L/2000) μm (gdzie L jest długością mierzoną w mm) w każdym miejscu w ramach zakresu pomiaru, przy uwzględnieniu kompensacji ze względu na współczynnik refrakcji powietrza; lub

zespoły elektroniczne specjalnie zaprojektowane do realizacji funkcji sprzężenia zwrotnego w systemach wyszczególnionych w pozycji 2B006.b.1.c;

2. przyrządy do pomiaru przesunięć kątowych o dokładności położenia kątowego równej lub mniejszej (lepszej) niż 0,00025°; Uwaga: Pozycja 2B006.b.2 nie obejmuje kontrolą przyrządów optycznych, takich jak autokolimatory, wykorzystujących światło kolimowane (np. światło lasera), w celu wykrycia odchylenia kątowego zwierciadła.

sprzęt do pomiaru szorstkości powierzchni (w tym wad powierzchni) poprzez pomiar rozproszenia światła, o czułości 0,5 nm lub mniejszej (lepszej);

a. Uwaga techniczna:

posiadające możliwość pełnego trójwymiarowego przetwarzania obrazów lub pełnej trójwymiarowej analizy obrazów w czasie rzeczywistym, w celu tworzenia lub modyfikacji programów lub tworzenia lub modyfikacji numerycznych danych programowych; Ograniczenie dotyczące analizy obrazów nie obejmuje kontrolą aproksymacji trzeciego wymiaru przez rzutowanie pod zadanym kątem ani stosowanego w ograniczonym zakresie cieniowania według skali szarości, wykorzystywanego do postrzegania głębi lub tekstury dla określonych zadań (2 1/2 D).

2B007 specjalnie zaprojektowane w celu spełniania wymagań krajowych norm bezpieczeństwa, stosowanych w środowiskach środków potencjalnie wybuchowych; Uwaga: Pozycja 2B007.b nie obejmuje kontrolą robotów specjalnie zaprojektowanych do komór lakierniczych.

c. Uwaga techniczna:

specjalnie zaprojektowane lub odpowiednio wzmocnione przed promieniowaniem w celu przeciwstawienia się dawce promieniowania wynoszącej 5 × 103 Gy (Si) bez pogorszenia parametrów działania; lub Termin Gy (Si) odnosi się do energii w dżulach na kilogram pochłoniętej przez nieekranowaną próbkę krzemu poddaną promieniowaniu jonizującemu.

specjalnie zaprojektowane do działania na wysokościach przekraczających 30000 m.

podzespoły położenia liniowego ze sprzężeniem zwrotnym, posiadające całkowitą dokładność mniejszą (lepszą) niż (800 + (600 × L/1000)) nm (gdzie L równa się efektywnej długości w mm); N.B.: Dla systemów laserowych zob. także uwaga do pozycji 2B006.b.1.c i 2B006.b.1.d.

podzespoły położenia obrotowego ze sprzężeniem zwrotnym, posiadające dokładność mniejszą (lepszą) niż 0,00025°; N.B.: Dla systemów laserowych zob. także uwaga do pozycji 2B006.b.2.

stoły obrotowo-przechylne oraz wrzeciona wychylne umożliwiające, według danych technicznych producenta, polepszenie parametrów obrabiarek do poziomów określonych w pozycji 2B lub ponad te poziomy.

trzy lub więcej osi, które można jednocześnie koordynować w celu sterowania kształtowego; oraz

nacisk wałka większy niż 60 kN.

2B Uwagi techniczne: 1.2.3.4.5.6. Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.

maksymalne ciśnienie robocze 69 MPa lub większe;

skonstruowane dla osiągnięcia i utrzymania środowiska o regulowanych parametrach termicznych rzędu 873 K (600 °C) lub większych; oraz

posiadające komorę o średnicy wewnętrznej 254 mm lub większej.

maszyny do tłoczenia kształtowego spełniające wszystkie poniższe kryteria:

1. mogące być wyposażone, według specyfikacji technicznej producenta, w zespoły sterowania numerycznego lub komputerowego, nawet wtedy, kiedy nie są wyposażone w takie zespoły; oraz

2. posiadające więcej niż dwie osie, które można jednocześnie koordynować w celu sterowania kształtowego;

specjalnie zaprojektowane części składowe do maszyn tłoczenia kształtowego, wyszczególnionych w pozycjach 2B009 i 2B109.a.

2B Uwagi techniczne: 1.2.3.4.5.6. Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.

systemy do badań wibracyjnych, wykorzystujące techniki sprzężenia zwrotnego lub pętli zamkniętej, zawierające sterowniki cyfrowe, przystosowane do przyspieszenia o wartości równej lub większej niż 10 g rms między 20 Hz a 2 kHz i przekazujące jednocześnie siły równe lub większe niż 50 kN, mierzone na nagim stole;

b. Uwaga techniczna:

sterowniki cyfrowe współpracujące ze specjalnie opracowanym oprogramowaniem do badań wibracyjnych, cechujące się pasmem sterowania w czasie rzeczywistym powyżej 5 kHz, zaprojektowane do użytku w systemach do badań wibracyjnych, wyszczególnionych w pozycji 2B116.a; W pozycji 2B116.b pasmo sterowania w czasie rzeczywistym oznacza maksymalną szybkość, z jaką sterownik może wykonać całkowite cykle próbkowania, przetwarzania danych i przesyłania sygnałów sterowniczych.

mechanizmy do wymuszania wibracji (wstrząsarki) wyposażone lub nie wyposażone w odpowiednie wzmacniacze, zdolne do przekazywania sił 50 kN lub większych, mierzonych na nagim stole, używane w systemach do badań wibracyjnych wyszczególnionych w pozycji 2B116.a;

konstrukcje podtrzymujące próbki do badań oraz urządzenia elektroniczne, zaprojektowane do łączenia wielu wstrząsarek w system umożliwiający uzyskanie łącznej siły skutecznej 50 kN lub większej, mierzonej na nagim stole, używane w systemach do badań wibracyjnych wyszczególnionych w pozycji 2B116.a.

2B Uwagi techniczne: 1.2.3.4.5.6. Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a.

maszyny do wyważania, posiadające wszystkie wymienione niżej cechy: Uwaga: Pozycja 2B119.a nie obejmuje kontrolą wyważarek zaprojektowanych lub zmodyfikowanych dla urządzeń dentystycznych i innego sprzętu medycznego.

1. nienadające się do wyważania wirników/zespołów o masie większej niż 3 kg;

2. nadające się do wyważania wirników/zespołów przy prędkościach obrotowych większych niż 12500 obr./min;

3. 2B119 a. nadające się do korekcji niewyważenia w dwu lub więcej płaszczyznach; oraz

4. nadające się do wyważania resztkowego niewyważenia właściwego wynoszącego 0,2 gmm/kg masy wirnika;

b. Uwaga techniczna:

głowice wskaźników zaprojektowane lub zmodyfikowane do wykorzystania w maszynach wyszczególnionych w pozycji 2B119.a. Głowice wskaźników określane są czasami jako oprzyrządowanie wyważające.

mające dwie lub więcej osi;

zaprojektowane lub zmodyfikowane tak, by zawierać pierścienie ślizgowe lub zintegrowane urządzenia bezstykowe zdolne do przekazywania zasilania elektrycznego lub sygnałów sterowniczych; oraz

spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. spełniające wszystkie poniższe kryteria dla jakiejkolwiek pojedynczej osi:

1. a.

zdolność do osiągania prędkości obrotowej równej 400 °/s lub większej lub 30 °/s lub mniejszej; oraz

rozdzielczość tempa obracania równa 6 °/s lub mniejsza z dokładnością równą 0,6 °/s lub mniejszą;

2. posiadające stabilność dla najgorszego przypadku równą ± 0,05 % lub lepszą, uśrednioną w zakresie 10 ° lub większym; lub

3. mające dokładność pozycjonowania równą 5 sekund kątowych lub mniej (lepszą).

mające dwie lub więcej osi; oraz

mające dokładność pozycjonowania równą 5 sekund kątowych lub mniej (lepszą).

frezarki posiadające którąkolwiek z wymienionych poniżej cech: Uwaga: Pozycja 2B201.a nie obejmuje kontrolą frezarek posiadających następujące cechy:

1. dokładność pozycjonowania, z uwzględnieniem wszystkich możliwych kompensacji, równa 6 μm lub mniej (lepsza), zgodnie z ISO 230/2 (1988) lub równoważną normą krajową, wzdłuż dowolnej osi liniowej; lub

2. dwie lub więcej konturowe osie obrotu;

a.

robocza długość osi x większa niż 2 m; oraz

b.

ogólna dokładność pozycjonowania wzdłuż osi x większa (gorsza) niż 30 μm;

szlifierki posiadające którąkolwiek z wymienionych poniżej cech: Uwaga: Pozycja 2B201.b nie obejmuje kontrolą następujących szlifierek:

1. dokładność pozycjonowania, z uwzględnieniem wszystkich możliwych kompensacji, równa 4 μm lub mniej (lepsza), zgodnie z ISO 230/2 (1988) lub równoważną normą krajową, wzdłuż dowolnej osi liniowej; lub

2. lub więcej konturowe osie obrotu.

a.

szlifierek do zewnętrznego, wewnętrznego i zewnętrzno-wewnętrznego szlifowania na okrągło, posiadających wszystkie niżej wymienione cechy:

1. ograniczenie do maksymalnych wymiarów przedmiotu obrabianego do 150 mm średnicy zewnętrznej lub długości; oraz

2. osie ograniczone do x, z i c;

b.

szlifierek współrzędnościowych nieposiadających osi z lub osi w przy ogólnej dokładności pozycjonowania mniejszej (lepszej) niż 4 μm zgodnie z ISO 230/2 (1988) lub równoważną normą krajową.

kół zębatych;

wałów korbowych lub rozrządowych;

narzędzi lub noży do obrabiarek;

ślimaków do wytłaczarek;

prasy izostatyczne posiadające obydwie niżej wymienione cechy:

1. zdolność do osiągnięcia maksymalnego ciśnienia roboczego równego 69 MPa lub większego; oraz

2. wnękę komorową o średnicy wewnętrznej przekraczającej 152 mm;

2B204 matryce, formy i zespoły sterujące specjalnie zaprojektowane do pras izostatycznych wyszczególnionych w pozycji 2B204.a.

2B Uwagi techniczne: 1.2.3.4.5.6. Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: a. Uwaga techniczna:

sterowane komputerowo lub sterowane numerycznie urządzenia do pomiaru współrzędnych spełniające jedno z poniższych kryteriów: Maksymalny dopuszczalny błąd pomiaru długości (E0,MPE) najdokładniejszej konfiguracji urządzenia do pomiaru współrzędnych określonej zgodnie z ISO 10360-2(2009) przez producenta (np. najlepsze: czujnik, długość ramienia, parametry ruchu, warunki środowiskowe) przy wszystkich dostępnych kompensacjach porównuje się do progu 1,7 + L/800 μm.

1. mające tylko dwie osie i dające maksymalny dopuszczalny błąd pomiaru długości wzdłuż jakiejkolwiek osi (w układzie jednowymiarowym), oznaczony jako kombinacja E0X,MPE E0Y,MPE E0Z,MPE, równy lub mniejszy (lepszy) niż (1,25 + L/1000) μm (gdzie L jest długością mierzoną w mm) w dowolnym punkcie zakresu roboczego maszyny (tj. na całej długości osi), zgodnie z ISO 10360-2(2009); lub

2. mające trzy lub więcej osi i dające maksymalny dopuszczalny błąd pomiaru długości (E0,MPE) wzdłuż trzech osi (tj. objętościowy) równy lub mniejszy (lepszy) niż (1,7 + L/800) μm (gdzie L jest długością mierzoną w mm) w dowolnym punkcie zakresu roboczego maszyny (tj. na całej długości osi), zgodnie z ISO 10360-2(2009);

systemy do jednoczesnej liniowo-kątowej kontroli półpowłok, posiadające obie z niżej wymienionych cech:

1. niepewność pomiarową, wzdłuż dowolnej osi liniowej, równą lub mniejszą (lepszą) niż 3,5 μm na 5 mm; oraz

2. odchylenie położenia kątowego równe lub mniejsze niż 0,02°.

2B Uwagi techniczne: 1.2.3.4.5.6. Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: a.

roboty lub manipulatory specjalnie zaprojektowane tak, aby spełniały krajowe normy bezpieczeństwa stosowane przy obchodzeniu się z kruszącymi materiałami wybuchowymi (np. spełniające warunki ujęte w przepisach elektrycznych, stosowanych wobec kruszących materiałów wybuchowych);

jednostki sterujące, specjalnie zaprojektowane do robotów i manipulatorów wyszczególnionych w pozycji 2B207.a.

maszyny spełniające oba poniższe kryteria:

1. mające trzy lub więcej wałki (aktywne lub prowadzące); oraz

2. mogące być wyposażone, według specyfikacji technicznej producenta, w zespoły sterowania numerycznego lub komputerowego;

trzpienie do formowania wirników zaprojektowane do formowania wirników cylindrycznych o średnicy wewnętrznej pomiędzy 75 mm a 400 mm.

wyważarki odśrodkowe zaprojektowane do wyważania wyważania elastycznych wirników o długości 600 mm lub większej, posiadające wszystkie niżej wymienione cechy:

1. wychylenie lub średnica czopa powyżej 75 mm;

2. zdolność do wyważania zespołów o masie od 0,9 do 23 kg; oraz

3. zdolność do osiągania prędkości obrotowych w czasie wyważania powyżej 5000 obr./min;

wyważarki odśrodkowe zaprojektowane do wyważania cylindrycznych zespołów wirnika, posiadające wszystkie niżej wymienione cechy:

1. średnica czopa powyżej 75 mm;

2. zdolność do wyważania zespołów o masie od 0,9 do 23 kg;

3. zdolność wyważania z niewyważeniem szczątkowym rzędu 0,01 kg × mm/kg dla jednej płaszczyzny lub mniejszym; oraz

4. napęd pasowy.

możliwość pokonania ściany komory gorącej o grubości 0,6 m lub większej (dla operacji wykonywanych poprzez ścianę); lub

możliwość zmostkowania ponad szczytem ściany komory gorącej o grubości 0,6 m lub większej (dla operacji wykonywanych ponad ścianą).

2B Uwagi techniczne: 1.2.3.4.5.6. Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: a.

piece posiadające wszystkie niżej wymienione cechy:

1. zdolność do pracy w temperaturach powyżej 1123 K (850 °C);

2. wyposażone w cewki indukcyjne o średnicy 600 mm lub mniejszej; oraz

3. zaprojektowane do poboru mocy wynoszącego 5 kW lub więcej;

instalacje zasilające, o wydajności znamionowej 5 kW lub większej, specjalnie zaprojektowane do pieców wyszczególnionych w pozycji 2B226.a.

piece łukowe do przetapiania i odlewania, posiadające obydwie niżej wymienione cechy:

1. wydajność elektrody topliwej pomiędzy 1000 cm3 a 20000 cm3; oraz

2. zdolne do pracy w temperaturach topienia powyżej 1973 K (1700 °C);

piece do topienia wiązką elektronów oraz plazmowe piece do atomizacji i topienia, posiadające obydwie niżej wymienione cechy:

1. moc 50 kW lub większa; oraz

2. zdolne do pracy w temperaturach topienia powyżej 1473 K (1200 °C);

komputerowe systemy do sterowania i śledzenia przebiegu procesów, specjalnie skonfigurowane do jakichkolwiek pieców wyszczególnionych w pozycji 2B227.a lub b.

sprzęt do montażu wirników, przeznaczony do montażu sekcji rurowych wirników odśrodkowych wirówek gazowych, przegród oraz pokryw; Uwaga: Pozycja 2B228.a obejmuje precyzyjne trzpienie, zaciski i maszyny do pasowania skurczowego.

b. Uwaga techniczna:

sprzęt do prostowania wirników, przeznaczony do osiowania sekcji rurowych wirników odśrodkowych wirówek gazowych na wspólnej osi; W pozycji 2B228.b taki sprzęt składa się zazwyczaj z dokładnych czujników pomiarowych, podłączonych do komputera, sterującego następnie pracą np. pneumatycznego bijaka wykorzystywanego do ustawiania sekcji rurowych wirnika.

c. Uwaga techniczna:

trzpienie i matryce do formowania mieszków, służące do wytwarzania mieszków jednozwojowych. Mieszki, o których mowa w pozycji 2B228.c, posiadają wszystkie niżej wymienione cechy:

1. średnica wewnętrzna pomiędzy 75 mm a 400 mm;

2. długość równa lub większa niż 12,7 mm;

3. głębokość pojedynczego zwoju większa niż 2 mm; oraz

4. wykonane z wysokowytrzymałych stopów glinu, stali maraging lub wysokowytrzymałych materiałów włóknistych lub włókienkowych.

wyposażone w czujniki ciśnień wykonane z glinu, stopów glinu, tlenku glinu (aluminy lub szafiru), niklu, stopów niklu o zawartości wagowej niklu ponad 60 % lub polimerów fluorowęglowodorowych lub też zabezpieczone tymi materiałami;

wyposażone ewentualnie w uszczelnienia, istotne dla uszczelniania czujników ciśnień i stykające się bezpośrednio z przetwarzanym medium, wykonane z glinu, stopów glinu, tlenku glinu (aluminy lub szafiru), niklu, stopów niklu o zawartości wagowej niklu ponad 60 % lub polimerów fluorowęglowodorowych lub też zabezpieczone tymi materiałami; oraz

2B230 spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. pełny zakres pomiarowy poniżej 13 kPa oraz dokładność lepsza niż ± 1 % (w całym zakresie); lub

2. pełny zakres pomiarowy wynoszący 13 kPa lub więcej oraz dokładność lepsza niż ± 130 Pa przy pomiarze na poziomie 13 kPa.

2B Uwagi techniczne: 1.2.3.4.5.6. Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: 1.2. a.

gardziel wlotową o średnicy równej lub większej niż 380 mm;

wydajność pompowania równą lub większą niż 15 m3/s; oraz

są zdolne do wytwarzania próżni końcowej o ciśnieniu lepszym niż 13 mPa.

2B Uwagi techniczne: 1.2.3.4.5.6. Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. a.

objętościowy współczynnik przepływu na wlocie wynoszący 50 m3/h lub więcej;

stopień sprężania 2:1 lub wyższy; oraz

wszystkie ich powierzchnie mające bezpośredni kontakt z medium gazowym są wykonane z jednego z następujących materiałów:

1. glin lub stop glinu;

2. tlenek glinu;

3. stal nierdzewna;

4. nikiel lub stop niklu;

5. brąz fosforowy; lub

6. polimery fluorowe.

zbiorniki reakcyjne lub reaktory, wyposażone lub niewyposażone w mieszadła, o całkowitej pojemności wewnętrznej (geometrycznej) powyżej 0,1 m3 (100 litrów) i poniżej 20 m3 (20000 litrów), w których wszystkie powierzchnie mające bezpośredni kontakt z przetwarzaną lub znajdującą się w nich substancją chemiczną (substancjami chemicznymi) są wykonane z jednego z następujących materiałów:

1. stopów o zawartości wagowej powyżej 25 % niklu i 20 % chromu;

2. polimerów fluorowych (materiałów polimerowych lub elastomerowych o zawartości wagowej fluoru powyżej 35 %);

3. 2B350 a. szkła (w tym materiałów powlekanych szkliwami lub emaliowanych lub wykładanych szkłem);

4. niklu lub stopów o zawartości wagowej niklu powyżej 40 %;

5. tantalu lub stopów tantalu;

6. tytanu lub stopów tytanu;

7. cyrkonu lub stopów cyrkonu; lub

8. niobu lub stopów niobu;

mieszadła do zbiorników reakcyjnych lub reaktorów, wyszczególnionych w pozycji 2B350.a, oraz wirniki napędzane, łopatki lub wały do takich mieszadeł, w których wszystkie powierzchnie mające bezpośredni kontakt z przetwarzaną lub znajdującą się w nich substancją chemiczną (substancjami chemicznymi) są wykonane z jednego z następujących materiałów:

1. stopów o zawartości wagowej powyżej 25 % niklu i 20 % chromu;

2. polimerów fluorowych (materiałów polimerowych lub elastomerowych o zawartości wagowej fluoru powyżej 35 %);

3. szkła (w tym materiałów powlekanych szkliwami lub emaliowanych lub wykładanych szkłem);

4. niklu lub stopów o zawartości wagowej niklu powyżej 40 %;

5. tantalu lub stopów tantalu;

6. tytanu lub stopów tytanu;

7. cyrkonu lub stopów cyrkonu; lub

8. niobu lub stopów niobu;

zbiorniki magazynowe, zasobniki lub odbiorniki o całkowitej pojemności wewnętrznej (geometrycznej) powyżej 0,1 m3 (100 litrów), w których wszystkie powierzchnie mające bezpośredni kontakt z przetwarzaną lub znajdującą się w nich substancją chemiczną (substancjami chemicznymi) są wykonane z jednego z następujących materiałów:

1. stopów o zawartości wagowej powyżej 25 % niklu i 20 % chromu;

2. polimerów fluorowych (materiałów polimerowych lub elastomerowych o zawartości wagowej fluoru powyżej 35 %);

3. szkła (w tym materiałów powlekanych szkliwami lub emaliowanych lub wykładanych szkłem);

4. niklu lub stopów o zawartości wagowej niklu powyżej 40 %;

5. tantalu lub stopów tantalu;

6. tytanu lub stopów tytanu;

7. cyrkonu lub stopów cyrkonu; lub

8. niobu lub stopów niobu;

wymienniki ciepła lub skraplacze o polu powierzchni wymiany ciepła powyżej 0,15 m2 oraz poniżej 20 m2, w których wszystkie powierzchnie mające bezpośredni kontakt z przetwarzaną lub znajdującą się w nich substancją chemiczną (substancjami chemicznymi) są wykonane z jednego z następujących materiałów:

1. stopów o zawartości wagowej powyżej 25 % niklu i 20 % chromu;

2. polimerów fluorowych (materiałów polimerowych lub elastomerowych o zawartości wagowej fluoru powyżej 35 %);

3. szkła (w tym materiałów powlekanych szkliwami lub emaliowanych lub wykładanych szkłem);

4. grafitu lub grafitu węglowego;

5. 2B350 d. niklu lub stopów o zawartości wagowej niklu powyżej 40 %;

6. tantalu lub stopów tantalu;

7. tytanu lub stopów tytanu;

8. cyrkonu lub stopów cyrkonu;

9. węglika krzemu;

10. węglika tytanu; lub

11. niobu lub stopów niobu;

kolumny destylacyjne lub absorpcyjne o średnicy wewnętrznej powyżej 0,1 m oraz rozdzielacze cieczy i par, kolektory cieczy, zaprojektowane do takich kolumn destylacyjnych lub absorpcyjnych, w których wszystkie powierzchnie mające bezpośredni kontakt z przetwarzaną lub znajdującą się w nich substancją chemiczną (substancjami chemicznymi) są wykonane z jednego z następujących materiałów:

1. stopów o zawartości wagowej powyżej 25 % niklu i 20 % chromu;

2. polimerów fluorowych (materiałów polimerowych lub elastomerowych o zawartości wagowej fluoru powyżej 35 %);

3. szkła (w tym materiałów powlekanych szkliwami lub emaliowanych lub wykładanych szkłem);

4. grafitu lub grafitu węglowego;

5. niklu lub stopów o zawartości wagowej niklu powyżej 40 %;

6. tantalu lub stopów tantalu;

7. tytanu lub stopów tytanu;

8. cyrkonu lub stopów cyrkonu; lub

9. niobu lub stopów niobu;

zdalnie sterowany sprzęt napełniający, w którym wszystkie powierzchnie mające bezpośredni kontakt z przetwarzaną lub znajdującą się w nich substancją chemiczną (substancjami chemicznymi) są wykonane z jednego z następujących materiałów:

1. stopów o zawartości wagowej powyżej 25 % niklu i 20 % chromu; lub

2. niklu lub stopów o zawartości wagowej niklu powyżej 40 %;

g. Uwagi techniczne: 1.2.

zawory i ich części, takie jak: Dla celów pozycji 2B350.g materiały odporne na korozję oznaczają jeden z poniższych materiałów: Rozmiar znamionowy oznacza mniejszą ze średnic: wlotu lub wylotu.

1. zawory spełniające oba poniższe kryteria:

1. a.

o rozmiarze znamionowym większym niż 10 mm (3/8″); oraz

których wszystkie powierzchnie mające bezpośredni kontakt z wytwarzaną, przetwarzaną lub znajdującą się w nich substancją chemiczną (substancjami chemicznymi) są wykonane z materiałów odpornych na korozję;

2. Zawory, inne niż wyszczególnione w pozycji 2B350.g.1, spełniające wszystkie poniższe kryteria:

2. a.

o rozmiarze znamionowym równym lub większym niż 25,4 mm (1″) oraz równym lub mniejszym niż 101,6 mm (4″);

mające obudowę (korpus zaworu) lub preformowane wkładki doosłonowe;

mające część zamykającą, która może być wymieniana; oraz

których wszystkie powierzchnie obudowy (korpusu zaworu) lub preformowanych wkładek doosłonowych mające bezpośredni kontakt z wytwarzaną, przetwarzaną lub znajdującą się w nich substancją chemiczną (substancjami chemicznymi) są wykonane z materiałów odpornych na korozję;

3. 2B350 g. Następujące części do zaworów wyszczególnionych w pozycjach 2B350.g.1 lub 2B350.g.2, których wszystkie powierzchnie mające bezpośredni kontakt z wytwarzaną, przetwarzaną lub znajdującą się w nich substancją chemiczną (substancjami chemicznymi) są wykonane z materiałów odpornych na korozję:

3. a.

obudowy (korpusy zaworów);

preformowane wkładki doosłonowe;

g. Uwagi techniczne: 1.

a.

nikiel lub stopy o zawartości wagowej niklu powyżej 40 %;

b.

stopy o zawartości wagowej powyżej 25 % niklu i 20 % chromu;

c.

polimery fluorowe (materiały polimerowe lub elastomerowe o zawartości wagowej fluoru powyżej 35 %);

d.

szkło lub okładziny szklane (w tym materiały powlekane szkliwami lub emaliowane);

e.

tantal lub stopy tantalu;

f.

tytan lub stopy tytanu;

g.

cyrkon lub stopy cyrkonu;

h.

niob lub stopy niobu; lub

i.

następujące materiały ceramiczne:

1. węglik krzemu o czystości wagowej co najmniej 80 %;

2. tlenek glinu o czystości wagowej co najmniej 99,9 %;

3. tlenek cyrkonu (cyrkonia);

rury wielościenne, zawierające okna do wykrywania nieszczelności, w których wszystkie powierzchnie mające bezpośredni kontakt z przetwarzaną lub znajdującą się w nich substancją chemiczną (substancjami chemicznymi) są wykonane z jednego z następujących materiałów:

1. stopów o zawartości wagowej powyżej 25 % niklu i 20 % chromu;

2. polimerów fluorowych (materiałów polimerowych lub elastomerowych o zawartości wagowej fluoru powyżej 35 %);

3. szkła (w tym materiałów powlekanych szkliwami lub emaliowanych lub wykładanych szkłem);

4. grafitu lub grafitu węglowego;

5. niklu lub stopów o zawartości wagowej niklu powyżej 40 %;

6. tantalu lub stopów tantalu;

7. tytanu lub stopów tytanu;

8. cyrkonu lub stopów cyrkonu; lub

9. niobu lub stopów niobu;

i. Uwaga techniczna:

2B350 pompy wielokrotnie uszczelnione i nieuszczelnione, o maksymalnym natężeniu przepływu, według specyfikacji producenta, powyżej 0,6 m3/h lub pompy próżniowe o maksymalnym natężeniu przepływu, według specyfikacji producenta, powyżej 5 m3/h (w warunkach znormalizowanej temperatury (273 K (0 °C)) oraz ciśnienia (101,3 kPa)), inne niż wyszczególnione w pozycji 2B233, oraz obudowy (korpusy pomp), preformowane wkładki pomp, wirniki, tłoki lub dysze do pomp strumieniowych skonstruowane do takich pomp, w których wszystkie powierzchnie mające bezpośredni kontakt z przetwarzaną lub znajdującą się w nich substancją chemiczną (substancjami chemicznymi), wykonane są z jednego z następujących materiałów: W pozycji 2B350.i. termin uszczelnienie odnosi się tylko do uszczelnień, które mają bezpośredni kontakt z przetwarzaną substancją chemiczną (substancjami chemicznymi) (lub są do tego zaprojektowane) oraz pełnią funkcję uszczelniacza podczas przesuwu wału napędowego obrotowego lub posuwisto-zwrotnego przez korpus pompy.

1. stopów o zawartości wagowej powyżej 25 % niklu i 20 % chromu;

2. materiałów ceramicznych;

3. żelazokrzemu (stopów żelaza o wysokiej zawartości krzemu);

4. polimerów fluorowych (materiałów polimerowych lub elastomerowych o zawartości wagowej fluoru powyżej 35 %);

5. szkła (w tym materiałów powlekanych szkliwami lub emaliowanych lub wykładanych szkłem);

6. grafitu lub grafitu węglowego;

7. niklu lub stopów o zawartości wagowej niklu powyżej 40 %;

8. tantalu lub stopów tantalu;

9. tytanu lub stopów tytanu;

10. cyrkonu lub stopów cyrkonu; lub

11. niobu lub stopów niobu;

piece do unieszkodliwiania termicznego, zaprojektowane do niszczenia chemikaliów wyszczególnionych w pozycji 1C350, posiadające specjalnie zaprojektowane systemy doprowadzania odpadów, specjalne urządzenia obsługujące oraz przeciętną temperaturę w komorze spalania powyżej 1273 K (1000 °C), w których wszystkie powierzchnie w systemie doprowadzania odpadów mające bezpośredni kontakt z odpadami są wykonane z jednego z następujących materiałów lub nim pokryte:

1. stopów o zawartości wagowej powyżej 25 % niklu i 20 % chromu;

2. materiałów ceramicznych; lub

3. niklu lub stopów o zawartości wagowej niklu powyżej 40 %;

2B Uwagi techniczne: 1.2.3.4.5.6. Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: Uwaga techniczna: Uwagi techniczne: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. a.

zaprojektowane do ciągłej pracy i wykorzystywane do wykrywania bojowych środków chemicznych lub środków chemicznych wyszczególnionych w pozycji 1C350, w stężeniach poniżej 0,3 mg/m3; lub

zaprojektowane do wykrywania aktywności wstrzymującej cholinoesterazę.

a. Uwaga techniczna:

kompletne biologiczne obudowy zabezpieczające dla poziomu zabezpieczenia P3, P4; Poziomy zabezpieczenia P3 lub P4 (BL3, BL4, L3, L4) są wyszczególnione w instrukcji WHO dotyczącej bezpieczeństwa biologicznego laboratoriów (wydanie trzecie, Genewa 2004 r.).

b. Uwaga techniczna:

kadzie fermentacyjne i ich części, takie jak: Dla celów pozycji 2B352.b. do kadzi fermentacyjnych zalicza się bioreaktory, bioreaktory jednorazowego użytku, chemostaty oraz instalacje o przepływie ciągłym.

1. kadzie fermentacyjne, pozwalające na namnażanie mikroorganizmów chorobotwórczych lub żywych komórek wykorzystywanych do wytwarzania wirusów chorobotwórczych lub toksyn, bez rozprzestrzeniania aerozoli, posiadające pojemność całkowitą równą 20 litrów lub większą;

2. części przeznaczone do kadzi fermentacyjnych określonych w pozycji 2B352.b.1., takie jak:

2. a.

komory do hodowli przeznaczone do sterylizacji i odkażania na miejscu;

urządzenia do chwytania w komorach do hodowli;

jednostki sterowania procesami umożliwiające jednoczesne monitorowanie i kontrolowanie dwóch lub większej liczby parametrów układu fermentacji (np. temperatury, pH, składników odżywczych, stopnia wzbudzenia, rozpuszczonego tlenu, natężenia przepływu powietrza, kontrola piany);

c. Uwaga techniczna:

separatory odśrodkowe, zdolne do ciągłego oddzielania bez rozprzestrzeniania aerozoli, posiadające wszystkie niżej wymienione cechy: Do separatorów odśrodkowych zalicza się również dekantery.

1. natężenie przepływu powyżej 100 l/h;

2. wykonanie elementów z polerowanej stali nierdzewnej lub tytanu;

3. jedno lub więcej złączy uszczelnianych w obszarze występowania pary wodnej; oraz

4. przystosowane do wysterylizowania w stanie zamkniętym na miejscu;

sprzęt filtrujący o poprzecznym (stycznym) przepływie i jego części składowe, w tym: Uwaga: Pozycja 2B352.d nie obejmuje kontrolą sprzętu do odwrotnej osmozy określonego jako taki przez producenta.

1. sprzęt filtrujący o poprzecznym (stycznym) przepływie, zdolny do ciągłego rozdzielania chorobotwórczych mikroorganizmów, wirusów, toksyn i kultur komórkowych, posiadający wszystkie poniższe cechy:

1. a.

całkowite pole powierzchni filtrującej równe lub większe niż 1 m2; oraz

b. Uwaga techniczna:

posiadający którąkolwiek z poniższych cech: W pozycji 2B352.d.1.b sterylizacja oznacza likwidację wszystkich żyjących mikroorganizmów ze sprzętu poprzez użycie czynnika fizycznego (np. para wodna) lub chemicznego. Odkażenie oznacza zniszczenie potencjalnego zagrożenia mikrobiologicznego sprzętu poprzez użycie czynników chemicznych o właściwościach bakteriobójczych. Odkażenie i sterylizacja różnią się od oczyszczania, które odnosi się do procedur oczyszczenia, zaprojektowanych w celu obniżenia składnika mikrobiologicznego w sprzęcie bez konieczności dokonania likwidacji wszystkich zagrożeń mikrobiologicznych lub utrzymujących się przy życiu mikroorganizmów.

1. może być wysterylizowany lub odkażony na miejscu; lub

2. działający przy wykorzystaniu elementów filtrujących jednorazowego użytku;

2. 2B352 d. elementy do filtracji o poprzecznym (stycznym) przepływie (np. moduły, elementy, kasety, pojemniki, zespoły lub płyty) o powierzchni filtrującej równej lub większej niż 0,2 m2 dla każdego komponentu i zaprojektowane do użycia w sprzęcie do filtracji o poprzecznym (stycznym) przepływie wyszczególnionym w pozycji 2B352.d;

sterylizowany parą wodną sprzęt do liofilizacji o wydajności kondensora przekraczającej 10 kg lodu na dobę i mniejszej niż 1000 kg lodu na dobę;

następujący sprzęt służący do zabezpieczania i fizycznego ograniczania:

1. pełne lub częściowe obudowy ochronne lub kołpaki uzależnione od dowiązanego zewnętrznego źródła powietrzna, pracujące pod nadciśnieniem; Uwaga: Pozycja 2B352.f.1 nie obejmuje kontrolą kombinezonów zaprojektowanych do noszenia z niezależnym aparatem do oddychania.

2. komory klasy III bezpieczeństwa biologicznego lub izolatory o podobnych znormalizowanych wymaganiach; Uwaga: W pozycji 2B352.f.2 izolatory obejmują elastyczne pojemniki izolowane, komory suche, komory anaerobowe oraz komory rękawowe (zamknięte z pionowym przepływem).

komory zaprojektowane do testowania tożsamości aerozoli zawierających mikroorganizmy, wirusy lub toksyny oraz posiadające pojemność 1 m3 lub większą.

Urządzenia do suszenia rozpryskowego umożliwiające odwadnianie toksyn lub mikroorganizmów chorobotwórczych, posiadające wszystkie z następujących cech:

1. zdolność do odparowywania wody wynoszącą ≥ 0,4 kg/h i ≤ 400 kg/h;

2. zdolność do wytwarzania typowych cząstek produktu o średniej wielkości ≤ 10 μm przy pomocy aktualnego wyposażenia lub po niewielkiej modyfikacji suszarki rozpryskowej przy pomocy dysz atomizujących, które umożliwiają wytwarzanie pożądanej wielkości cząstek; oraz

3. mogą być wysterylizowane lub odkażone na miejscu;

2C Materiały Żadne.

2D Oprogramowanie 2D001 Oprogramowanie, inne niż wyszczególnione w pozycji 2D002, takie jak: Uwaga: Pozycja 2D001 nie obejmuje kontrolą oprogramowania do programowania części służącego do generowania kodów sterowania numerycznego do obróbki różnych części. 2D002 Oprogramowanie urządzeń elektronicznych, nawet rezydujące w elementach elektronicznych urządzenia lub systemu, pozwalające działać tym urządzeniom lub systemom jako jednostki sterowania numerycznego, umożliwiające jednoczesną koordynację więcej niż czterech osi w celu sterowania kształtowego. Uwaga 1: Pozycja 2D002 nie obejmuje kontrolą oprogramowania specjalnie zaprojektowanego lub zmodyfikowanego do użytkowania obiektów niewyszczególnionych w kategorii 2. Uwaga 2: Pozycja 2D002 nie obejmuje kontrolą oprogramowania do obiektów wyszczególnionych w pozycji 2B002. W odniesieniu do oprogramowania do obiektów wyszczególnionych w pozycji 2B002 zob. pozycja 2D001 oraz 2D003. Uwaga 3: Pozycja 2D002 nie obejmuje kontrolą oprogramowania, które jest wywożone wraz z obiektami niewyszczególnionymi w kategorii 2 i jest niezbędnym minimum dla ich funkcjonowania. 2D003 Oprogramowanie zaprojektowane lub zmodyfikowane do użytkowania urządzeń wyszczególnionych w pozycji 2B002, które przekształca układ optyczny, wymiary obrabianego przedmiotu i funkcje usuwania materiału w polecenia sterowania numerycznego służące uzyskiwaniu pożądanej formy obrabianego przedmiotu. 2D101 Oprogramowanie specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do użytkowania sprzętu wyszczególnionego w pozycjach 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 lub 2B119 do 2B122. N.B.: ZOB. TAKŻE POZYCJA 9D004. 2D201 Oprogramowanie specjalnie zaprojektowane do użytkowania sprzętu wyszczególnionego w pozycjach 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 lub 2B227. 2D202 Oprogramowanie specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do rozwoju, produkcji lub użytkowania sprzętu wyszczególnionego w pozycji 2B201. Uwaga: Pozycja 2D202 nie obejmuje kontrolą oprogramowania do programowania części służącego do generowania kodów sterowania numerycznego, ale nieumożliwiającego bezpośredniego wykorzystania urządzeń do obróbki różnych części. 2D351 Oprogramowanie, inne niż wyszczególnione w pozycji 1D003, specjalnie zaprojektowane do użytkowania sprzętu wyszczególnionego w pozycji 2B351.

2D a.

oprogramowanie specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do rozwoju lub produkcji urządzeń wyszczególnionych w pozycjach 2A001 lub 2B001.

oprogramowanie specjalnie opracowane lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do użytkowania urządzeń wyszczególnionych w pozycjach 2A001.c, 2B001 lub 2B003 do 2B009.

2E Tabela 1.2.3.A.B.B.1.B.2.B.3.B.4.C.D.E.F.G. Techniki osadzania

Technologia 2E001 Technologia, zgodnie z uwagą ogólną do technologii, służąca do rozwoju sprzętu lub oprogramowania wyszczególnionego w pozycjach 2 A, 2B lub 2D. Uwaga: Pozycja 2E001 obejmuje technologię przeznaczoną do montowania systemów czujników w urządzenia do pomiaru współrzędnych wyszczególnione w pozycji 2B006.a. 2E002 Technologia, zgodnie z uwagą ogólną do technologii, służąca do produkcji sprzętu wyszczególnionego w pozycjach 2 A lub 2B. 2E003 Inne technologie, takie jak: 2E101 Technologia, zgodnie z uwagą ogólną do technologii, przeznaczona do użytkowania sprzętu lub oprogramowania wyszczególnionego w pozycjach 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 do 2B122 lub 2D101. 2E201 Technologia, zgodnie z uwagą ogólną do technologii, przeznaczona do użytkowania sprzętu lub oprogramowania wyszczególnionego w pozycjach 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b, 2B007.c, 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 do 2B233, 2D201 lub 2D202. 2E301 Technologia, zgodnie z uwagą ogólną do technologii, przeznaczona do użytkowania towarów wyszczególnionych w pozycjach 2B350 do 2B352. Technika powlekania (1) Podłoże Powłoka wynikowa Osadzanie z pary lotnej (CVD) Nadstopy Glinki na kanały wewnętrzne Podłoża ceramiczne (19) i szkło o małym współczynniku rozszerzalności cieplnej (14) Krzemki Węgliki Warstwy dielektryczne (15) Diament Węgiel diamentopodobny (17) Materiały kompozytowe na matrycy węgiel-węgiel, ceramicznej i metalowej Krzemki Węgliki Metale ognioodporne Mieszaniny powyższych (4) Warstwy dielektryczne (15) Glinki Glinki stopowe (2) Azotek boru Spiekany węglik wolframu (16), węglik krzemu (18) Węgliki Wolfram Mieszaniny powyższych (4) Warstwy dielektryczne (15) Molibden i stopy molibdenu Warstwy dielektryczne (15) Beryl i stopy berylu Warstwy dielektryczne (15) Diament Węgiel diamentopodobny (17) Materiały na okienka wziernikowe (9) Warstwy dielektryczne (15) Diament Węgiel diamentopodobny (17) Termiczne naparowywanie próżniowe (TE-PVD) Naparowywanie próżniowe (PVD) wiązką elektronów (EB-PVD) Nadstopy Krzemki stopowe. Glinki stopowe (2) MCrAlX (5) Zmodyfikowany tlenek cyrkonowy (12) Krzemki Glinki Mieszaniny powyższych (4) Podłoża ceramiczne (19) i szkło o małym współczynniku rozszerzalności cieplnej (14) Warstwy dielektryczne (15) Stale odporne na korozję (7) MCrAlX (5) Zmodyfikowany tlenek cyrkonowy (12) Mieszaniny powyższych (4) Materiały kompozytowe na matrycy węgiel-węgiel, ceramicznej i metalowej Krzemki Węgliki Metale ognioodporne Mieszaniny powyższych (4) Warstwy dielektryczne (15) Azotek boru Spiekany węglik wolframu (16), węglik krzemu (18) Węgliki Wolfram Mieszaniny powyższych (4) Warstwy dielektryczne (15) Molibden i stopy molibdenu Warstwy dielektryczne (15) Beryl i stopy berylu Warstwy dielektryczne (15) Borki Beryl Materiały na okienka wziernikowe (9) Warstwy dielektryczne (15) Stopy tytanu (13) Borki Azotki Napylanie techniką ogrzewania oporowego wspomaganego (PVD) (Pokrywanie jonowe) Podłoża ceramiczne (19) i szkło o małym współczynniku rozszerzalności cieplnej (14) Warstwy dielektryczne (15) Węgiel diamentopodobny (17) Materiały kompozytowe na matrycy węgiel-węgiel, ceramicznej i metalowej Warstwy dielektryczne (15) Spiekany węglik wolframu (16), węglik krzemu Warstwy dielektryczne (15) Molibden i stopy molibdenu Warstwy dielektryczne (15) Beryl i stopy berylu Warstwy dielektryczne (15) Materiały na okienka wziernikowe (9) Warstwy dielektryczne (15) Węgiel diamentopodobny (17) Napylanie próżniowe (PVD): odparowywanie laserowe Podłoża ceramiczne (19) i szkło o małym współczynniku rozszerzalności cieplnej (14) Krzemki Warstwy dielektryczne (15) Węgiel diamentopodobny (17) Materiały kompozytowe na matrycy węgiel-węgiel, ceramicznej i metalowej Warstwy dielektryczne (15) Spiekany węglik wolframu (16), węglik krzemu Warstwy dielektryczne (15) Molibden i stopy molibdenu Warstwy dielektryczne (15) Beryl i stopy berylu Warstwy dielektryczne (15) Materiały na okienka wziernikowe (9) Warstwy dielektryczne (15) Węgiel diamentopodobny Naparowywanie próżniowe (PVD): za pomocą łuku katodowego Nadstopy Krzemki stopowe. Glinki stopowe (2) MCrAlX (5) Polimery (11) oraz materiały kompozytowe na matrycy organicznej Borki Węgliki Azotki Węgiel diamentopodobny (17) Osadzanie fluidyzacyjne (zob. A powyżej dla innych technik) (10) Materiały kompozytowe na matrycy węgiel-węgiel, ceramicznej i metalowej Krzemki Węgliki Mieszaniny powyższych (4) Stopy tytanu (13) Krzemki Glinki Glinki stopowe (2) Metale i stopy ognioodporne (8) Krzemki Tlenki Napylanie plazmowe Nadstopy MCrAlX (5) Zmodyfikowany tlenek cyrkonowy (12) Mieszaniny powyższych (4) Materiał ścierny nikiel-grafit Materiał ścierny Ni-Cr-Al Materiał ścierny Al-Si-poliester Glinki stopowe (2) Stopy glinu (6) MCrAlX (5) Zmodyfikowany tlenek cyrkonowy (12) Krzemki Mieszaniny powyższych (4) Metale i stopy ognioodporne (8) Glinki Krzemki Węgliki Stale odporne na korozję (7) MCrAlX (5) Zmodyfikowany tlenek cyrkonowy (12) Mieszaniny powyższych (4) Stopy tytanu (13) Węgliki Glinki Krzemki Glinki stopowe (2) Materiał ścierny nikiel-grafit Materiał ścierny Ni-Cr-Al Materiał ścierny Al-Si-poliester Powlekanie zawiesinowe Metale i stopy ognioodporne (8) Krzemki stopione Glinki stopione z wyjątkiem elementów do nagrzewania oporowego Materiały kompozytowe na matrycy węgiel-węgiel, ceramicznej i metalowej Krzemki Węgliki Mieszaniny powyższych (4) Rozpylanie jonowe Nadstopy Krzemki stopowe. Glinki stopowe (2) Glinki zmodyfikowane metalem szlachetnym (3) MCrAlX (5) Zmodyfikowany tlenek cyrkonowy (12) Platyna Mieszaniny powyższych (4) Podłoża ceramiczne i szkło o małym współczynniku rozszerzalności cieplnej (14) Krzemki Platyna Mieszaniny powyższych (4) Warstwy dielektryczne (15) Węgiel diamentopodobny (17) Stopy tytanu (13) Borki Azotki Tlenki Krzemki Glinki Glinki stopowe (2) Węgliki Materiały kompozytowe na matrycy węgiel-węgiel, ceramicznej i metalowej Krzemki Węgliki Metale ognioodporne Mieszaniny powyższych (4) Warstwy dielektryczne (15) Azotek boru Spiekany węglik wolframu (16), węglik krzemu (18) Węgliki Wolfram Mieszaniny powyższych (4) Warstwy dielektryczne (15) Azotek boru Molibden i stopy molibdenu Warstwy dielektryczne (15) Beryl i stopy berylu Borki Warstwy dielektryczne (15) Beryl Materiały na okienka wziernikowe (9) Warstwy dielektryczne (15) Węgiel diamentopodobny (17) Metale i stopy ognioodporne (8) Glinki Krzemki Tlenki Węgliki Implantacja jonów Żarowytrzymałe stale łożyskowe Dodatki chromu, tantalu lub niobu Stopy tytanu (13) Borki Azotki Beryl i stopy berylu Borki Spiekany węglik wolframu (16) Węgliki Azotki

2E a.

technologia do rozwoju grafiki interakcyjnej jako integralnej części jednostek sterowanych numerycznie, przeznaczonych do przygotowania lub modyfikacji programów obróbki części;

technologia do procesów wytwórczych wykorzystujących obróbkę metali:

1. technologia projektowania narzędzi, form lub uchwytów specjalnie zaprojektowanych do jednego z następujących procesów:

1. a.

formowania w stanie nadplastycznym;

zgrzewania dyfuzyjnego; lub

bezpośredniego wytłaczania hydraulicznego;

2. dane techniczne, zawierające metody lub parametry procesu, wykorzystywane do sterowania, takie jak:

2. a.

formowanie w stanie nadplastycznym stopów glinu, stopów tytanu lub nadstopów:

1. przygotowanie powierzchni;

2. właściwości plastyczne;

3. temperatura;

4. ciśnienie;

2E003 b. 2. zgrzewanie dyfuzyjne nadstopów lub stopów tytanu:

1. przygotowanie powierzchni;

2. temperatura;

3. ciśnienie;

bezpośrednie wytłaczanie hydrauliczne stopów glinu lub tytanu:

1. ciśnienie;

2. czas cyklu;

izostatyczne zagęszczanie na gorąco stopów tytanu, glinu lub nadstopów:

1. temperatura;

2. ciśnienie;

3. czas cyklu;

technologia do rozwoju lub produkcji obciągarek hydraulicznych i form do nich, wykorzystywanych do wytwarzania struktur płatowca;

technologia do rozwoju generatorów instrukcji dla obrabiarek (np. programów do obróbki części) na podstawie danych konstrukcyjnych rezydujących w urządzeniach sterowanych numerycznie;

technologia do rozwoju zintegrowanego oprogramowania do wprowadzania systemów eksperckich do wspomagania procesu decyzyjnego pracy warsztatowej, przeznaczonego do urządzeń sterowanych numerycznie;

technologia do nakładania powłok nieorganicznych lub powłok nieorganicznych modyfikowanych powierzchniowo (wyszczególnionych w kolumnie 3 poniższej tabeli) na podłoża nieelektroniczne (wyszczególnione w kolumnie 2 poniższej tabeli) za pomocą procesów wyszczególnionych w kolumnie 1 poniższej tabeli i zdefiniowanych w uwadze technicznej; Uwaga: Tabela i uwaga techniczna znajdują się za pozycją 2E301. N.B.: Z tabeli należy korzystać w celu określenia konkretnej techniki powlekania tylko w przypadku, gdy powłoka wynikowa w kolumnie 3 znajduje się w polu bezpośrednio obok odnośnego podłoża w kolumnie 2. Na przykład dane techniczne procesu powlekania za pomocą osadzania z pary lotnej są podane w przypadku powlekania krzemkami podłoży z materiałów kompozytowych na matrycy węgiel-węgiel, ceramicznej i metalowej, lecz nie są podane w przypadku powlekania krzemkami podłoży będących spiekanymi węglikami wolframu (16) lub węglikami krzemu (18). W drugim przypadku powłoka wynikowa nie jest wymieniona w kolumnie 3 w polu bezpośrednio przylegającym do pola, w którym w kolumnie 2 znajdują się spiekane węgliki wolframu (16) i węglik krzemu (18).

2E Tabela 1.2.3.A.B.B.1.B.2.B.3.B.4.C.D.E.F.G. Techniki osadzania TABELA – TECHNIKI OSADZANIA – UWAGI 1.2.3.4.5.6.7.8.9.10.11.12.13.14.15.16.17.18.19.

Termin technika powlekania obejmuje zarówno naprawę i odnawianie powłok, jak i powłoki pierwotne. Termin powłoka z glinku stopowego obejmuje powłoki uzyskane w procesie jedno- lub wieloetapowym, w którym każdy pierwiastek lub pierwiastki są nakładane przed lub podczas nakładania powłoki glinkowej, nawet jeżeli pierwiastki te są nakładane podczas innego procesu powlekania. Nie obejmuje to jednak przypadku wieloetapowego stosowania jednostopniowych procesów osadzania fluidyzacyjnego, mającego na celu uzyskanie glinków stopowych. Termin powłoka z glinku modyfikowanego metalem szlachetnym obejmuje powłoki wytwarzane w procesie wieloetapowym, podczas którego przed położeniem powłoki z glinku na podłoże nakładany jest, w innym procesie powlekania, jeden lub kilka metali szlachetnych. Termin mieszaniny powyższych obejmuje przesycony materiał powłoki podłoża, części składowe pośrednie, materiał współosadzony oraz wielowarstwowy materiał osadzony uzyskane jedną lub kilkoma technikami powlekania wyszczególnionymi w tabeli. Przez termin MCrAlX należy rozumieć powłokę stopową, w której M oznacza kobalt, żelazo, nikiel lub ich kombinację, a X oznacza hafn, itr, krzem, tantal w dowolnych ilościach lub inne zamierzone dodatki w ilościach powyżej 0,01 % wagowo, w różnych proporcjach i kombinacjach, z wyjątkiem: Termin stopy glinu dotyczy stopów, których wytrzymałość na rozciąganie, mierzona w temperaturze 293 K (20 °C), wynosi 190 MPa lub więcej. Termin stale odporne na korozję odnosi się do stali serii 300 według AISI (American Iron and Steel Institute) lub równoważnych norm krajowych. Termin metale i stopy ognioodporne obejmuje następujące metale i ich stopy: niob, molibden, wolfram i tantal. Materiały na okienka wziernikowe, takie jak: tlenek glinu, krzem, german, siarczek cynku, selenek cynku, arsenek galu, diament, fosforek galu, szafir oraz następujące halogenki metali: materiały na okienka wziernikowe o średnicy powyżej 40 mm z fluorku cyrkonu i fluorku hafnu. Kategoria 2 nie obejmuje kontrolą technologii jednostopniowych procesów osadzania fluidyzacyjnego w przypadku litych profili aerodynamicznych. Polimery, takie jak: poliimidy, poliestry, polisiarczki, poliwęglany i poliuretany. Termin zmodyfikowany tlenek cyrkonowy odnosi się do tlenku cyrkonowego z dodatkami innych tlenków metali (np. tlenku wapnia, tlenku magnezu, tlenku itru, tlenku hafnu, tlenków metali ziem rzadkich) dodanymi w celu stabilizacji pewnych faz krystalicznych i składników faz. Powłoki przeciwtermiczne wykonane z tlenku cyrkonowego modyfikowanego poprzez mieszanie lub stapianie z tlenkiem wapnia lub magnezu nie są objęte kontrolą. Termin stopy tytanu odnosi się jedynie do stopów stosowanych w technice kosmicznej i lotniczej, których wytrzymałość na rozciąganie, mierzona w temperaturze 293 K (20 °C), wynosi 900 MPa lub więcej. Termin szkło o małym współczynniku rozszerzalności cieplnej odnosi się do szkieł, dla których wartość współczynnika rozszerzalności cieplnej, mierzona w temperaturze 293 K (20 °C), wynosi 1 × 10-7 K-1 lub mniej. Termin warstwy dielektryczne odnosi się do powłok wielowarstwowych z materiałów izolacyjnych, w których interferencyjne właściwości konstrukcji złożonej z materiałów o różnych współczynnikach załamania są wykorzystywane do odbijania, przepuszczania lub pochłaniania fal o różnych długościach. Warstwy dielektryczne odnoszą się do materiałów składających się z więcej niż czterech warstw dielektrycznych lub warstw kompozytów dielektryk/metal. Spiekany węglik wolframu nie obejmuje kontrolą materiałów na narzędzia skrawające i formujące wykonane z węglika wolframu/(kobaltu, niklu), węglika tytanu/(kobaltu, niklu), węglika chromu/niklu-chromu i węglika chromu/niklu. Nie jest objęta kontrolą technologia specjalnie zaprojektowana do nakładania węgla diamentopodobnego na którykolwiek z niżej wymienionych produktów: dyski i głowice magnetyczne, urządzenia do wytwarzania produktów jednorazowych, zawory do kranów, membrany do głośników, części silników samochodowych, narzędzia tnące, matryce do tłoczenia-wykrawania, sprzęt do automatyzacji prac biurowych, mikrofony lub urządzenia lub formy medyczne służące do odlewu lub formowania tworzyw sztucznych, wykonane ze stopów zawierających mniej niż 5 % berylu. Węglik krzemu nie obejmuje kontrolą materiałów na narzędzia do cięcia i formowania. Podłoża ceramiczne, w rozumieniu tej pozycji, nie obejmują materiałów ceramicznych zawierających wagowo 5 % lub więcej gliny lub cementu, zarówno w postaci oddzielnych składników, jak i ich kombinacji.

TABELA – TECHNIKI OSADZANIA – UWAGI 1.2.3.4.5.

a.

powłok CoCrAlY, w których znajduje się poniżej 22 % wagowo chromu, poniżej 7 % wagowo glinu i poniżej 2 % wagowo itru;

b.

powłok CoCrAlY, w których znajduje się 22 do 24 % wagowo chromu, 10 do 12 % wagowo glinu i 0,5 do 0,7 % wagowo itru; lub

c.

powłok NiCrAlY, w których znajduje się 21 do 23 % wagowo chromu, 10 do 12 % wagowo glinu i 0,9 do 1,1 % wagowo itru;

TABELA – TECHNIKI OSADZANIA - UWAGA TECHNICZNA

Definicje procesów wyszczególnionych w kolumnie 1 tabeli:

a.

Osadzanie z pary lotnej (CVD) jest procesem nakładania powłoki lub modyfikacji powierzchni podłoża, polegającym na osadzaniu na rozgrzanym podłożu metalu, stopu, kompozytu, dielektryka lub materiału ceramicznego. W sąsiedztwie podłoża następuje rozkład lub łączenie gazowych substratów reakcji, wskutek czego osadza się na nim pożądany pierwiastek, stop lub związek. Potrzebna do rozkładu związków lub do reakcji chemicznych energia może być dostarczana przez rozgrzane podłoże, plazmę z wyładowań jarzeniowych lub za pomocą promieniowania lasera. N.B. 1: CVD obejmuje następujące procesy: osadzanie w ukierunkowanym przepływie gazów bez zanurzania w proszku, CVD pulsujące, rozkład termiczny z regulowanym zarodkowaniem (CNTD), CVD intensyfikowane lub wspomagane za pomocą plazmy. N.B. 2: Zanurzanie w proszku polega na zanurzaniu podłoża w mieszaninie sproszkowanych substancji. N.B. 3: Gazowe substraty reakcji, wykorzystywane w technice, w której nie stosuje się zanurzania w proszku, są wytwarzane podczas takich samych reakcji podstawowych i przy takich samych parametrach, jak w przypadku osadzania fluidyzacyjnego: z tym wyjątkiem, że powlekane podłoże nie styka się z mieszaniną proszku.

b.

Naparowywanie termiczne – fizyczne osadzanie par (TE-PVD) – jest procesem powlekania w próżni przy ciśnieniach poniżej 0,1 Pa, w którym do odparowania materiału powlekającego używa się energii termicznej. Rezultatem tego procesu jest kondensacja lub osadzenie odparowanych składników na odpowiednio usytuowanych powierzchniach. Zwykle proces ten jest modyfikowany poprzez wpuszczanie dodatkowych gazów do komory próżniowej podczas powlekania, co umożliwia wytwarzanie powłok o złożonym składzie. Innym powszechnie stosowanym sposobem jego modyfikacji jest używanie wiązki jonów lub elektronów lub plazmy do intensyfikacji lub wspomagania osadzania powłoki. W technice tej można stosować monitory do bieżącego pomiaru parametrów optycznych i grubości powłoki. Wyróżnia się poszczególne procesy TE-PVD, takie jak:

1. PVD z zastosowaniem wiązki elektronów – do rozgrzania i odparowania materiału, który ma stanowić powłokę, używa się wiązki elektronów;

2. PVD z ogrzewaniem oporowym – do wytwarzania odpowiedniego i równomiernego strumienia odparowanych składników powłokowych wykorzystywane są źródła elektrycznego ogrzewania oporowego w kombinacji z uderzającą wiązką jonów;

3. odparowanie laserowe wykorzystujące ciągłą lub impulsową wiązkę laserową do ogrzania materiału przeznaczonego na powłokę;

4. metoda osadzania za pomocą łuku katodowego wykorzystująca zużywającą się katodę wykonaną z materiału mającego stanowić powłokę; łuk wywoływany jest na powierzchni tego materiału poprzez chwilowy kontakt inicjujący. Kontrolowany ruch łuku powoduje erozję powierzchni katody, wytwarzając wysoko zjonizowaną plazmę. Anodę może stanowić stożek osadzony w izolatorze na obwodzie katody lub sama komora. Osadzanie w miejscach nieleżących na linii biegu wiązki uzyskuje się dzięki odpowiedniej polaryzacji podłoża. N.B.: Definicja ta nie obejmuje bezładnego osadzania wspomaganego łukiem katodowym w przypadku powierzchni niepolaryzowanych.

5. Powlekanie jonowe stanowi specjalną modyfikację procesu TE-PVD, w której do jonizacji osadzanych składników jest wykorzystywane źródło plazmy lub jonów, natomiast podłoże jest polaryzowane ujemnie, co ułatwia wychwytywanie z plazmy tych składników, które mają być osadzone. Do często spotykanych odmian tej techniki należą: wprowadzanie składników aktywnych, odparowywanie substancji stałych wewnątrz komory roboczej oraz bieżący pomiar parametrów optycznych i grubości powłok za pomocą monitorów.

c.

Osadzanie fluidyzacyjne jest procesem powlekania lub modyfikacji powierzchni podłoża, w której podłoże jest zanurzane w mieszaninie proszków, składającej się z: Podłoże wraz z mieszaniną proszków znajduje się w retorcie, która jest podgrzewana do temperatury od 1030 K (757 °C) do 1375 K (1102 °C) przez okres wystarczający do osadzenia powłoki.

1. proszków metalicznych, które mają być osadzone (zazwyczaj glin, chrom, krzem lub ich kombinacje);

2. aktywatora (zazwyczaj sól halogenkowa); oraz

3. proszku obojętnego, najczęściej tlenku glinu.

d.

Napylanie plazmowe jest procesem powlekania, w którym do pistoletu (palnika natryskowego) służącego do wytwarzania strumienia plazmy i sterowania nim jest doprowadzany materiał do powlekania w postaci proszku lub pręta. Pistolet topi materiał i wyrzuca go na podłoże, na którym powstaje silnie z nim związana powłoka. Odmianami tego procesu jest napylanie plazmowe niskociśnieniowe oraz napylanie plazmowe z wysoką prędkością. N.B. 1: Niskociśnieniowe oznacza pod ciśnieniem niższym od ciśnienia atmosferycznego otoczenia. N.B. 2: Wysoka prędkość odnosi się do prędkości gazów na wylocie z dyszy przekraczającej wartość 750 m/s w temperaturze 293 K (20 °C) i ciśnieniu 0,1 MPa.

e.

Osadzanie zawiesinowe jest procesem powlekania lub modyfikacji powierzchni, w której stosowana jest zawiesina proszku metalicznego lub ceramicznego ze spoiwem organicznym w cieczy, nakładana na podłoże techniką natryskiwania, zanurzania lub malowania. Następnym etapem jest suszenie w powietrzu lub w piecu i obróbka cieplna, w wyniku czego powstaje powłoka o odpowiedniej charakterystyce.

f.

Rozpylanie jonowe jest procesem powlekania, opartym na zjawisku przenoszenia pędu, w której naładowane dodatnio jony są przyspieszane przez pole elektryczne w kierunku powierzchni docelowej (materiał powłokowy). Energia kinetyczna padających jonów jest wystarczająca do wyrwania atomów z powierzchni materiału powłokowego i osadzenia ich na odpowiednio usytuowanej powierzchni podłoża. N.B. 1: Tabela dotyczy tylko rozpylania jonowego za pomocą triody, magnetronowego i reakcyjnego, które jest wykorzystywane do zwiększania przyczepności powłoki i wydajności osadzania oraz do rozpylania jonowego wspomaganego prądami wysokiej częstotliwości, wykorzystywanego do intensyfikacji odparowania niemetalicznych materiałów powłokowych. N.B. 2: Do aktywacji osadzania można zastosować wiązki jonów o niskiej energii (poniżej 5 keV).

g.

Implantacja jonowa jest procesem modyfikacji powierzchni polegającym na jonizacji pierwiastka, który ma być stopiony, przyspieszaniu go za pomocą różnicy potencjałów i wstrzeliwaniu w odpowiedni obszar powierzchni podłoża. Technika ta może być stosowana równocześnie z napylaniem jonowym wspomaganym za pomocą wiązki elektronów lub rozpylaniem jonowym.

KATEGORIA 3 ELEKTRONIKA

3A Uwagi techniczne: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2.

Systemy, urządzenia i części składowe Uwaga 1: Poziom kontroli sprzętu i części składowych opisanych w pozycjach 3A001 lub 3A002, innych niż opisane w pozycji 3A001.a.3 do 3A001.a.10, 3A001.a.12 lub 3A001.a.13, specjalnie do nich zaprojektowanych lub posiadających te same cechy funkcjonalne co inny sprzęt, jest taki sam jak poziom kontroli innego sprzętu. Uwaga 2: Poziom kontroli układów scalonych opisanych w pozycjach 3A001.a.3 do 3A001.a.9, 3A001.a.12 lub 3A001.a.13, zaprogramowanych na stałe bez możliwości wprowadzenia zmian lub zaprojektowanych do specjalnych funkcji dla innego sprzętu jest taki sam jak poziom kontroli innego sprzętu. N.B.: W razie, gdy producent lub wnioskodawca nie jest w stanie określić poziomu kontroli innego sprzętu, poziom kontroli danych układów scalonych jest określony w pozycjach 3A001.a.3 do 3A001.a.9, 3A001.a.12 i 3A001.a.13. 3A 3A001 Następujące elementy elektroniczne i specjalnie zaprojektowane do nich części składowe: 3A002 Następujący sprzęt elektroniczny ogólnego przeznaczenia: 3A003 Systemy sterowania temperaturą z chłodzeniem natryskowym, wykorzystujące umieszczone w uszczelnionych obudowach urządzenia z zamkniętym obiegiem do transportu i regenerowania płynu, w których płyn dielektryczny jest przy użyciu specjalnie zaprojektowanych dysz rozpylany na elementy elektroniczne w celu utrzymania ich w dopuszczalnym przedziale temperatur pracy, a także specjalnie zaprojektowane do nich części składowe. 3A101 Sprzęt, przyrządy i elementy elektroniczne, inne niż wyszczególnione w pozycji 3A001, takie jak: 3A102 Baterie termiczne zaprojektowane lub zmodyfikowane dla pocisków rakietowych W pozycji 3A102 baterie termiczne oznaczają baterie jednorazowego użycia zawierające jako elektrolit nieprzewodzący sól nieorganiczną w stanie stałym. Baterie te zawierają materiał pirolityczny, który po zapaleniu topi elektrolit i uruchamia baterię. W pozycji 3A102 pociski rakietowe oznaczają kompletne systemy rakietowe i systemy bezzałogowych statków powietrznych, o zasięgu przekraczającym 300 km. 3A201 Podzespoły elektroniczne, inne niż wyszczególnione w pozycji 3A001, takie jak: 3A225 Przemienniki częstotliwości lub generatory, inne niż wyszczególnione w pozycji 0B001.b.13, które mogą być używane jako napęd silnikowy zmiennej lub stałej częstotliwości, posiadające wszystkie niżej wymienione cechy: N.B. 1: Oprogramowanie specjalnie zaprojektowane w celu poprawy lub wykorzystania wydajności przemiennika częstotliwości lub generatora, tak by odpowiadały cechom pozycji 3A225 jest wymienione w pozycji 3D225. N.B. 2: Technologia w postaci kodów lub kluczy, służąca do poprawy lub wykorzystania wydajności przemiennika częstotliwości lub generatora, tak by odpowiadały cechom pozycji 3A225 jest wymieniona w pozycji 3E225. Uwaga: Pozycja 3A225 nie obejmuje kontrolą przemienników częstotliwości lub generatorów, jeśli posiadają osprzęt, oprogramowanie lub technologię, których pewne cechy ograniczają skuteczność bądź wydajność do poziomu niższego niż określony powyżej, pod warunkiem że spełniają którekolwiek z poniższych kryteriów: Przemienniki częstotliwości w pozycji 3A225 nazywane są również konwerterami lub inwerterami. Przemienniki częstotliwości w pozycji 3A225 mogą być wprowadzane na rynek jako generatory, elektroniczne urządzenia testowe, zasilacze prądu zmiennego, napędy silnikowe zmiennej prędkości, napędy zmiennej prędkości (VSD), falowniki, napędy z regulowaną częstotliwością (AFD) lub napędy z regulowaną prędkością (ASD). 3A226 Wysokoenergetyczne zasilacze prądu stałego, inne niż wyszczególnione w pozycji 0B001.j.6, posiadające obydwie niżej wymienione cechy: 3A227 Wysokoenergetyczne zasilacze prądu stałego, inne niż wyszczególnione w pozycji 0B001.j.5, posiadające obydwie niżej wymienione cechy: 3A228 Następujące urządzenia przełączające: 3A229 Generatory impulsów wysokoprądowych, takie jak: N.B.: ZOB. TAKŻE WYKAZ UZBROJENIA. 3A230 Szybkie generatory impulsowe oraz ich głowice impulsowe, posiadające obydwie niżej wymienione cechy: W pozycji 3A230 czas narastania impulsów definiuje się jako przedział czasowy pomiędzy 10 % a 90 % amplitudy napięcia. Głowice impulsowe oznaczają sieci formowania impulsów zaprojektowane do przyjmowania funkcji skokowej napięcia i kształtowania różnych przebiegów, np. prostokątnych, trójkątowych, skokowych, impulsowych lub wykładniczych. Głowice impulsowe mogą stanowić integralną część generatora impulsów, moduł podłączany do urządzenia lub też zewnętrznie podłączane urządzenie. 3A231 Generatory neutronów, w tym lampy, mające obie następujące właściwości: 3A232 Następujące wielopunktowe instalacje inicjujące, inne niż wymienione w pozycji 1A007: N.B.: ZOB. TAKŻE WYKAZ UZBROJENIA. N.B.: Zob. pozycja 1A007.b w odniesieniu do detonatorów. Uwaga: Pozycja 3A232 nie obejmuje kontrolą zapłonników wykorzystujących wyłącznie inicjujące materiały wybuchowe, takie jak azydek ołowiawy. 3A233 Następujące spektrometry masowe, inne niż wyszczególnione w pozycji 0B002.g, zdolne do pomiaru mas jonów o wartości 230 mas atomowych lub większej oraz posiadające rozdzielczość lepszą niż 2 części na 230, oraz źródła jonów do tych urządzeń: spektrometry masowe z zespołami do bombardowania elektronami wymienione w pozycji 3A233.d. znane są również jako spektrometry masowe z jonizacją strumieniem elektronów lub spektrometry masowe z jonizacją elektronową. W pozycji 3A233.d.2., wymrażarka jest urządzeniem, które przechwytuje molekuły gazu kondensując je lub zamrażając na zimnych powierzchniach. Do celów pozycji 3A233.d.2., kriogeniczna pompa próżniowa z zamkniętym obwodem helu w stanie gazowym nie jest wymrażarką. 3A234 linie paskowe zapewniające ścieżkę o małej indukcyjności do detonatorów, posiadające następujące cechy:

3A a.

następujące układy scalone ogólnego przeznaczenia: Uwaga 1: Poziom kontroli płytek (gotowych lub niegotowych) posiadających wyznaczoną funkcję należy określać na podstawie parametrów podanych w pozycji 3A001.a. Uwaga 2: Wśród układów scalonych rozróżnia się następujące typy:

monolityczne układy scalone,

hybrydowe układy scalone,

wieloukłady scalone,

układy scalone warstwowe, łącznie z układami scalonymi typu krzem na szafirze,

optyczne układy scalone,

trójwymiarowe układy scalone.

1. układy scalone zaprojektowane lub oznaczone znamionowo jako zabezpieczone przed promieniowaniem jonizującym, wytrzymujące którekolwiek z poniższych:

1. a.

dawkę całkowitą 5 × 103 Gy (Si) lub wyższą;

wzrost dawki o 5 × 106 Gy (Si)/s lub większy; lub

fluencję (zintegrowany strumień) neutronów (ekwiwalent 1 MeV) o wartości 5 × 1013 n/cm2 lub większej na krzemie, lub jej ekwiwalent na innym materiale; Uwaga: Pozycja 3A001.a.1.c nie obejmuje kontrolą struktur metal- izolator- półprzewodnik (MIS).

2. układy mikroprocesorowe, układy mikrokomputerowe i układy do mikrosterowników, układy scalone pamięci wykonane z półprzewodników złożonych, przetworniki analogowo-cyfrowe i cyfrowo-analogowe, układy elektrooptyczne lub optyczne układy scalone do przetwarzania sygnałów, sieci bramek programowalne przez użytkownika, robione na zamówienie układy scalone o nieznanej ich producentowi funkcji lub poziomie kontroli urządzenia, w którym miałyby być zainstalowane, procesory do Szybkiej Transformacji Fouriera (FFT), wymazywalne elektrycznie programowalne pamięci stałe (EEPROM), pamięci błyskowe lub statyczne pamięci o dostępie swobodnym (SRAM), spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: Uwaga: Pozycja 3A001.a.2 nie obejmuje kontrolą układów scalonych do silników pojazdów cywilnych ani kolejowych.

2. a.

przystosowane do pracy w temperaturze otoczenia powyżej 398 K (125 °C),

przystosowane do pracy w temperaturze otoczenia poniżej 218 K (- 55 °C), lub

przystosowane do pracy w całym przedziale wartości temperatur od 218 K (- 55 °C) do 398 K (125 °C).

3. układy mikroprocesorowe, układy mikrokomputerowe i układy do mikrosterowników wykonane z półprzewodników złożonych, pracujące z częstotliwością zegara przekraczającą 40 MHz; Uwaga: Pozycja 3A001.a.3 obejmuje cyfrowe procesory sygnałowe, cyfrowe procesory tablicowe i koprocesory cyfrowe.

4. nieużywane;

5. Uwagi techniczne: 1.2.3.4.5.6.7.8.9. 3A001 a. 5.Uwagi techniczne: 1.2.3.4.

3A001 a. następujące przetworniki analogowo-cyfrowe (przetworniki AC) i cyfrowo-analogowe (przetworniki DA) na układach scalonych: Rozdzielczość n bitów odpowiada kwantowaniu na 2n poziomach. Liczba bitów w słowie wyjściowym jest równa rozdzielczości przetwornika analogowo-cyfrowego. Wielkość wyjściowa jest to maksymalna wielkość wyjściowa przetwornika, bez względu na architekturę czy oversampling. W przypadku wielokanałowych przetworników AC wielkości wyjściowe nie są agregowane i wielkość wyjściowa jest maksymalną wielkością wyjściową pojedynczego kanału. W przypadku przetworników AC z przeplotem lub w przypadku wielokanałowych przetworników AC, których specyfikacje przewidują tryb pracy z przeplotem, wielkości wyjściowe są agregowane i wielkość wyjściowa jest maksymalną łączną całkowitą wielkością wyjściową wszystkich kanałów. Sprzedawcy mogą także określać wielkość wyjściową jako wielkość próbkową, wielkość przetwarzania, lub przepustowość. Jest ona określana często w megahercach (MHz) lub megapróbkach na sekundę (MSPS). Dla celów pomiarów wielkości wyjściowej jedno słowo wyjściowe na sekundę odpowiada jednemu hercowi lub jednej próbce na sekundę. Wielokanałowe przetworniki analogowo-cyfrowe definiuje się jako urządzenia zawierające więcej niż jeden przetwornik AC, zaprojektowane tak, by każdy AC miał odrębne wejście analogowe. Przetworniki AC z przeplotem definiuje się jako urządzenia mające wiele jednostek AC próbkujących ten sam wejściowy sygnał analogowy w różnych momentach, tak że po zagregowaniu sygnałów wyjściowych analogowy sygnał wejściowy został skutecznie spróbkowany i przekształcony z większą częstotliwością próbkowania. Zakres dynamiki wolny od zafałszowań (SFDR) jest definiowany jako stosunek średniej kwadratowej częstotliwości nośnej (maksymalny element składowy sygnału) na wejściu przetwornika CA do średniej kwadratowej najbliższego dużego składnika szumu lub zniekształcenia harmonicznego na jego wyjściu. SFDR określa się bezpośrednio z tabel specyfikacji lub z wykresów przedstawiających charakterystyki SFDR w funkcji częstotliwości. Sygnał definiuje się jako pełnoskalowy, gdy jego amplituda jest większa niż -3 dBfs (pełna skala). Skorygowana prędkość aktualizacji dla przetwornika CA:

5. a.

przetworniki analogowo-cyfrowe spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: N.B.: ZOB. TAKŻE POZYCJA 3A101.

1. rozdzielczość 8 bitów lub więcej, lecz poniżej 10 bitów i wielkość wyjściowa większa niż 1000 mln słów/sek;

2. rozdzielczość 10 bitów lub więcej, lecz poniżej 12 bitów i wielkość wyjściowa większa niż 300 mln słów/sek;

3. rozdzielczość 12 bitów i wielkość wyjściowa większa niż 200 mln słów/sek;

4. rozdzielczość powyżej 12 bitów lecz równa lub mniejsza niż 14 bitów i wielkość wyjściowa większa niż 125 mln słów/sek; lub

5. rozdzielczość powyżej 14 bitów i wielkość wyjściowa większa niż 20 mln słów/sek;

5. Uwagi techniczne: 1.2.3.4.5.6.7.8.9. b.

przetworniki cyfrowo-analogowe (przetworniki CA) spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. rozdzielczość 10 bitów lub większa, przy skorygowanej prędkości aktualizacji wynoszącej 3500 MSPS lub więcej; lub

2. rozdzielczość 12 bitów lub większa przy skorygowanej prędkości aktualizacji wynoszącej 1250 MSPS lub więcej i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

2. a.

czas ustalania krótszy niż 9 ns do 0,024 % pełnej skali od pełnego stopnia skali; lub

zakres dynamiki wolny od zafałszowań (SFDR) większy niż 68 dBc (nośna) przy syntetyzowaniu pełnoskalowego sygnału analogowego o częstotliwości 100 MHz lub najwyższej częstotliwości pełnoskalowego sygnału analogowego wyspecyfikowanej poniżej 100 MHz;

5. Uwagi techniczne: 1.2.3.4.5.6.7.8.9. 3A001 a. 5.Uwagi techniczne: 1.2.3.4. a.

w przypadku konwencjonalnych (nieinterpolujących) przetworników CA skorygowana prędkość aktualizacji jest to prędkość, z jaką sygnał cyfrowy jest przekształcany na sygnał analogowy i analogowe wartości wyjściowe są zmieniane przez przetwornik CA. Przetworniki cyfrowo-analogowe, w których można obejść tryb interpolacji (współczynnik interpolacji wynoszący jeden), należy uznać za konwencjonalne przetworniki CA (nieinterpolujące);

w przypadku przetworników CA interpolujących (przetworniki CA z oversamplingiem) skorygowana prędkość aktualizacji jest definiowana jako prędkość aktualizacji przetwornika CA podzielona przez najmniejszy współczynnik interpolacji. W przypadku interpolujących przetworników CA skorygowana prędkość aktualizacji bywa stosowana zamiennie z innymi terminami, w tym:

prędkość przesyłania danych na wejściu,

prędkość transmisji słów na wejściu,

częstotliwość próbkowania na wejściu,

maksymalna całkowita prędkość magistrali na wejściu,

maksymalna częstotliwość cyklu zegara DAC dla danych wejściowych zegara DAC.

6. elektrooptyczne układy scalone lub optyczne układy scalone zaprojektowane do przetwarzania sygnałów i spełniające wszystkie poniższe kryteria:

6. a.

jedna lub więcej wewnętrzna dioda laserowa;

jeden lub więcej wewnętrzny element wykrywający światło; oraz

prowadnica światłowodowa;

7. 3A001 a. 7.Uwagi techniczne: 1.2.3.

programowalne przez użytkownika urządzenia logiczne spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: Uwaga: Pozycja 3A001.a.7 zawiera: Programowalne przez użytkownika urządzenia logiczne znane są również jako bramki programowalne przez użytkownika lub tablice logiczne programowalne przez użytkownika. Maksymalna liczba cyfrowych wejść/wyjść w pozycji 3A001.a.7.a jest również nazywana maksymalną liczbą wejść/wyjść użytkowników lub maksymalną liczbą dostępnych wejść/wyjść niezależnie od tego, czy obwód scalony jest obudowany czy surowy. łączna jednokierunkowa szczytowa prędkość przesyłu danych nadajnika-odbiornika szeregowego oznacza iloczyn jednokierunkowej szczytowej prędkości przesyłu danych nadajnika-odbiornika i liczby nadajników-odbiorników na tablicach bramek programowalnych przez użytkownika (FPGA).

7. a.

maksymalna liczba asynchronicznych cyfrowych wejść/wyjść wynosząca 500 lub więcej; lub

łączna jednokierunkowa szczytowa prędkość przesyłu danych nadajnika-odbiornika szeregowego wynosząca 200 Gb/s lub więcej;

proste programowalne urządzenia logiczne (SPLD),

złożone programowalne urządzenia logiczne (CPLD),

tablice bramek programowalne przez użytkownika (FPGA),

tablice logiczne programowalne przez użytkownika (FPLA),

połączenia wewnętrzne programowalne przez użytkownika (FPIC).

8. nieużywane;

9. obwody scalone do sieci neuronowych;

10. wykonywane na zamówienie układy scalone o nieznanej ich producentowi funkcji lub poziomie kontroli sprzętu, w którym będzie zastosowany dany układ scalony, spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

10. a.

ponad 1500 końcówek;

typowe podstawowe opóźnienie przechodzenia sygnału przez bramkę mniejsze niż 0,02 ns; lub

częstotliwość robocza powyżej 3 GHz;

11. cyfrowe układy scalone, różne od przedstawionych w pozycji 3A001.a.3 do 3A001.a.10 lub 3A001.a.12, oparte na dowolnym układzie półprzewodników złożonych oraz spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

11. a.

zastępczą liczbę bramek powyżej 3000 (bramki dwuwejściowe); lub

częstotliwość przełączania powyżej 1,2 GHz;

12. Uwaga techniczna:

procesory do szybkiej transformacji Fouriera (FFT) posiadające nominalny czas realizacji dla N-punktowej zespolonej transformaty FFT poniżej (N log2 N)/20480 ms, gdzie N jest liczbą punktów; Gdy N jest równe 1024 punkty, wynik formuły w pozycji 3A001.a.12, określającej czas realizacji, wynosi 500 μs.

13. Uwaga techniczna:

obwody scalone bezpośredniego syntezera cyfrowego (DDS) spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: Częstotliwość zegara przetwornika DAC można określić jako częstotliwość zegara głównego lub częstotliwość zegara wejścia

13. a.

częstotliwość zegara przetwornika cyfrowo-analogowego (przetwornika DAC) wynosząca co najmniej 3,5 GHz i rozdzielczość przetwornika DAC wynosząca co najmniej 10 bit, ale mniej niż 12 bitów; lub

częstotliwość zegara przetwornika DAC wynosząca co najmniej 1,25 GHz i rozdzielczość przetwornika DAC wynosząca co najmniej 12 bitów;

b. Uwaga techniczna:

następujące elementy mikrofalowe lub pracujące na falach milimetrowych: Do celów pozycji 3A001.b. parametr mocy wyjściowej na granicy nasycenia może być również określany w arkuszu danych produktu jako moc wyjściowa, nasycona moc wyjściowa, maksymalna moc wyjściowa, szczytowa moc wyjściowa lub szczytowa wartość obwiedni mocy.

1. 3A001 b. następujące elektronowe lampy próżniowe i katodowe: Uwaga 1: Pozycja 3A001.b.1 nie obejmuje kontrolą lamp zaprojektowanych lub przystosowanych do działania w jakimkolwiek paśmie częstotliwości i spełniających wszystkie poniższe kryteria: Uwaga 2: Pozycja 3A001.b.1 nie obejmuje kontrolą lamp innych niż klasy kosmicznej, spełniających wszystkie poniższe kryteria:

1. a.

szerokość pasma nie przekracza 31,8 GHz; oraz

jest rozdzielone przez ITU dla służb radiokomunikacyjnych, ale nie w celu namierzania radiowego.

średnia moc wyjściowa równa lub mniejsza niż 50 W; oraz

zaprojektowanych lub przystosowane do działania w jakimkolwiek paśmie częstotliwości i spełniających wszystkie poniższe kryteria:

1. szerokość przekracza 31,8 Ghz, lecz nie przekracza 43,5 GHz; oraz

2. jest rozdzielone przez ITU dla służb radiokomunikacyjnych, ale nie w celu namierzania radiowego.

następujące lampy o fali bieżącej, fali impulsowej lub ciągłej:

1. lampy pracujące na częstotliwościach powyżej 31,8 GHz;

2. lampy posiadające element podgrzewający katodę, z czasem uzyskania mocy znamionowej w zakresie fal radiowych wynoszącym poniżej 3 sekund;

3. sprzężone lampy wnękowe lub ich pochodne o ułamkowej szerokości pasma powyżej 7 % lub mocy szczytowej powyżej 2,5 kW;

4. lampy spiralne lub ich pochodne, spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

4. a.

chwilowa szerokość pasma powyżej jednej oktawy oraz iloczyn mocy przeciętnej (wyrażonej w kW) i częstotliwości (wyrażonej w GHz) powyżej 0,5;

chwilowa szerokość pasma poniżej jednej oktawy oraz iloczyn mocy przeciętnej (wyrażonej w kW) i częstotliwości (wyrażonej w GHz) powyżej 1; lub

są klasy kosmicznej;

wzmacniacze lampowe o skrzyżowanych polach o wzmocnieniu powyżej 17 dB;

impregnowane katody zaprojektowane do lamp elektronicznych, wytwarzające ciągły prąd emisyjny w znamionowych warunkach pracy o gęstości powyżej 5 A/cm2;

2. mikrofalowe monolityczne układy scalone (MMIC) wzmacniaczy mocy spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: Uwaga 1: nieużywane. Uwaga 2: Poziom kontroli MMIC, których znamionowa częstotliwość robocza obejmuje częstotliwości zawarte w więcej niż jednym paśmie, zgodnie z definicjami w pozycjach 3A001.b.2.a do 3A001.b.2.h, jest określony przez najniższy próg mocy wyjściowej na granicy nasycenia. Uwaga 3: Uwagi 1 i 2 w kategorii 3 A oznaczają, że pozycja 3A001.b.2 nie obejmuje kontrolą MMIC, jeśli są one specjalnie zaprojektowane do innych zastosowań, np. telekomunikacyjnych, radiolokacyjnych, motoryzacyjnych.

2. a.

przystosowane do pracy na częstotliwościach przewyższających 2,7 GHz, do 6,8 GHz włącznie, o ułamkowej szerokości pasma powyżej 15 % i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 75 W (48,75 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 2,7 GHz do 2,9 GHz włącznie;

2. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 55 W (47,4 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 2,9 GHz do 3,2 GHz włącznie;

3. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 40 W (46 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 3,2 GHz do 3,7 GHz włącznie; lub

4. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 20 W (43 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 3,7 GHz do 6,8 GHz włącznie;

3A001 b. 2. przystosowane do pracy na częstotliwościach przekraczających 6,8 GHz, do 16 GHz włącznie, o ułamkowej szerokości pasma powyżej 10 % i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 10 W (40 dBm) przy dowolnej częstotliwości przewyższającej 6,8 GHz, do 8,5 GHz włącznie; lub

2. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 5 W (37 dBm) przy dowolnej częstotliwości przewyższającej 8,5 GHz, do 16 GHz włącznie;

przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 3 W (34,77 dBm) na częstotliwościach przewyższających 16 GHz, do 31,8 GHz włącznie, i przy ułamkowej szerokości pasma wynoszącej powyżej 10 %;

przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 0,1 nW (-70 dBm) na częstotliwościach przewyższających 31,8 GHz, do 37 GHz włącznie;

przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 1 W (30 dBm) na częstotliwościach przewyższających 37 GHz, do 43,5 GHz włącznie, i przy ułamkowej szerokości pasma wynoszącej powyżej 10 %;

przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 31,62 mW (15 dBm) na częstotliwościach przewyższających 43,5 GHz, do 75 GHz włącznie, i przy ułamkowej szerokości pasma wynoszącej powyżej 10 %;

przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 10 mW (10 dBm) na częstotliwościach przewyższających 75 GHz, do 90 GHz włącznie, i przy ułamkowej szerokości pasma wynoszącej powyżej 5 %; lub

przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 0,1 nW (-70 dBm) na częstotliwościach przewyższających 90 GHz;

3. dyskretne tranzystory mikrofalowe spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: Uwaga 1: Poziom kontroli tranzystora, którego znamionowa częstotliwość robocza obejmuje częstotliwości zawarte w więcej niż jednym paśmie, zgodnie z definicjami w pozycjach 3A001.b.3.a do 3A001.b.3.e, jest określony przez najniższy próg mocy wyjściowej na granicy nasycenia. Uwaga 2: Pozycja 3A001.b.3. obejmuje surowe płytki półprzewodnikowe, płytki zamontowane na nośnikach oraz płytki zamontowane w zestawach. Niektóre dyskretne tranzystory mogą być również określane jako wzmacniacze mocy, jednak status tych dyskretnych tranzystorów jest podany w pozycji 3A001.b.3.

3. a.

przystosowane do działania w zakresie częstotliwości powyżej 2,7 GHz i do 6,8 GHz włącznie i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 400 W (56 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 2,7 GHz do 2,9 GHz włącznie;

2. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 205 W (53,12 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 2,9 GHz do 3,2 GHz włącznie;

3. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 115 W (50,61 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 3,2 GHz do 3,7 GHz włącznie; lub

4. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 60 W (47,78 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 3,7 GHz do 6,8 GHz włącznie;

przystosowane do działania w zakresie częstotliwości powyżej 6,8 GHz i do 31,8 GHz włącznie i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 50 W (47 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 6,8 GHz do 8,5 GHz włącznie;

2. 3A001 b. 3. b. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 15 W (41,76 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 8,5 GHz do 12 GHz włącznie;

3. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 40 W (46 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 12 GHz do 16 GHz włącznie; lub

4. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 7 W (38,45 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 16 GHz do 31,8 GHz włącznie;

przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 0,5 W (27 dBm) na częstotliwościach przewyższających 31,8 GHz, do 37 GHz włącznie;

przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 1 W (30 dBm) na częstotliwościach przewyższających 37 GHz, do 43,5 GHz włącznie;

przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 0,1 nW (-70 dBm) na częstotliwościach przewyższających 43,5 GHz;

4. mikrofalowe wzmacniacze półprzewodnikowe oraz mikrofalowe zespoły/moduły zawierające mikrofalowe wzmacniacze półprzewodnikowe spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: N.B.: Mikrofalowe monolityczne układy scalone (MMIC) wzmacniaczy mocy należy oceniać wg kryteriów zawartych w pozycji 3A001.b.2. Uwaga 1: nieużywane. Uwaga 2: Poziom kontroli elementu, którego znamionowa częstotliwość robocza obejmuje częstotliwości zawarte w więcej niż jednym paśmie, zgodnie z definicjami w pozycjach 3A001.b.4.a do 3A001.b.4.e, jest określony przez najniższy próg mocy wyjściowej na granicy nasycenia. Uwaga 3: Pozycja 3A001.b.4. obejmuje moduły nadawcze/odbiorcze i moduły nadawcze.

4. a.

przystosowane do działania w zakresie częstotliwości powyżej 2,7 GHz i do 6,8 GHz włącznie, o ułamkowej szerokości pasma powyżej 15 % i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 500 W (57 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 2,7 GHz do 2,9 GHz włącznie;

2. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 270 W (54,3 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 2,9 GHz do 3,2 GHz włącznie;

3. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 200 W (53 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 3,2 GHz do 3,7 GHz włącznie; lub

4. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 90 W (49,54 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 3,7 GHz do 6,8 GHz włącznie;

przystosowane do działania w zakresie częstotliwości powyżej 6,8 GHz i do 31,8 GHz włącznie, o ułamkowej szerokości pasma powyżej 10 % i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 70 W (48,54 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 6,8 GHz do 8,5 GHz włącznie;

2. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 50 W (47 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 8,5 GHz do 12 GHz włącznie;

3. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 30 W (44,77 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 12 GHz do 16 GHz włącznie; lub

4. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 20 W (43 dBm) przy dowolnej częstotliwości w zakresie powyżej 16 GHz do 31,8 GHz włącznie;

przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 0,5 W (27 dBm) na częstotliwościach przewyższających 31,8 GHz, do 37 GHz włącznie;

3A001 b. 4. przystosowane do pracy z mocą wyjściową na granicy nasycenia powyżej 2 W (33 dBm) na częstotliwościach przewyższających 37 GHz, do 43,5 GHz włącznie, i przy ułamkowej szerokości pasma wynoszącej powyżej 10 %;

przystosowane do pracy na częstotliwościach powyżej 43,5 GHz oraz spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 0,2 W (23 dBm) na częstotliwościach przewyższających 43,5 GHz, do 75 GHz włącznie, i przy ułamkowej szerokości pasma wynoszącej powyżej 10 %;

2. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 20 mW (13 dBm) na częstotliwościach przewyższających 75 GHz, do 90 GHz włącznie, i przy ułamkowej szerokości pasma wynoszącej powyżej 5 %; lub

3. moc wyjściowa na granicy nasycenia powyżej 0,1 nW (-70 dBm) na częstotliwościach przewyższających 90 GHz; lub

przystosowane do pracy na częstotliwościach powyżej 2,7 GHz oraz spełniające wszystkie poniższe kryteria:

1. Moc wyjściowa na granicy nasycenia (w watach), Psat, większa niż 400 dzielone przez maksymalną częstotliwość pracy (w GHz) podniesione do potęgi drugiej [Psat > 400 W*GHz2/fGHz2];

2. ułamkowa szerokość pasma wynosząca 5 % lub więcej; oraz

3. Uwaga techniczna:

jakiekolwiek dwustronne, wzajemnie prostopadłe d siebie, o długości d (w cm) mniejszej niż 15 lub równej 15 podzielone przez najniższą częstotliwość roboczą (w GHz) [d ≤ 15 cm*GHz/fGHz]; Częstotliwość 2,7 GHz należy przyjąć jako najniższą częstotliwość roboczą (fGHz) we wzorze w pozycji 3A001.b.4.f.3 dla wzmacniaczy, których dolna granica znamionowej częstotliwości roboczej osiąga wartość 2,7 GHz lub niższą [d ≤ 15 cm*GHz/2,7 GHz].

5. filtry środkowo-przepustowe i środkowo-zaporowe, przestrajalne elektronicznie lub magnetycznie, posiadające więcej niż 5 przestrajalnych rezonatorów umożliwiających strojenie w zakresie pasma częstotliwości 1,5:1 (fmax./fmin.) w czasie poniżej 10 μs i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

5. a.

szerokość pasma środkowo-przepustowego powyżej 0,5 % częstotliwości nośnej; lub

szerokość pasma środkowo-zaporowego poniżej 0,5 % częstotliwości nośnej;

6. nieużywane;

7. konwertery i mieszacze harmoniczne przeznaczone do rozszerzania przedziału częstotliwości sprzętu opisanego w pozycjach 3A002.c, 3A002.d, 3A002.e lub 3A002.f powyżej podanych tam wartości granicznych;

8. 3A001 b. mikrofalowe wzmacniacze mocy zawierające lampy wyszczególnione w pozycji 3A001.b.1 i spełniające wszystkie poniższe kryteria: Uwaga: Pozycja 3A001.b.8 nie obejmuje kontrolą sprzętu zaprojektowanego lub przystosowanego do działania w jakimkolwiek paśmie częstotliwości, które jest przydzielane przez ITU dla służb radiokomunikacyjnych, ale nie w celu namierzania radiowego.

8. a.

częstotliwości robocze powyżej 3 GHz;

średni stosunek mocy wyjściowej do masy większy niż 80 W/kg; oraz

objętość mniejsza niż 400 cm3;

9. Uwagi techniczne: 1.2.

mikrofalowe moduły mocy (MPM) składające się co najmniej z lampy o fali bieżącej, mikrofalowego monolitycznego układu scalonego i zintegrowanego elektronicznego kondycjonera mocy i spełniające wszystkie poniższe kryteria: Do obliczenia objętości w pozycji 3A001.b.9.b podaje się następujący przykład: dla maksymalnej mocy znamionowej wynoszącej 20 W objętość wyniosłaby: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3. Czas włączania, o którym mowa w pozycji 3A001.b.9.a, odnosi się do czasu upływającego od stanu całkowitego wyłączenia do osiągnięcia całkowitej gotowości do pracy, a zatem obejmuje on również czas rozgrzewania MPM.

9. a.

czas włączania od stanu wyłączenia do stanu całkowitej gotowości krótszy niż 10 sekund;

objętość mniejszą niż iloczyn maksymalnej mocy znamionowej w watach i 10 cm3/W; oraz

Chwilową szerokość pasma większą niż 1 oktawa (fmax. > 2fmin.) oraz spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. dla częstotliwości równych lub mniejszych niż 18 GHz – moc wyjściowa w zakresie fal radiowych większą niż 100 W; lub

2. częstotliwość większa niż 18 GHz;

10. Uwaga techniczna:

Oscylatory lub zespoły oscylatorów przewidziane do działania z jednoczesnym spełnieniem wszystkich poniższych kryteriów: W pozycji 3A001.b.10 F oznacza przesunięcie w stosunku do częstotliwości roboczej w Hz, a f oznacza częstotliwość roboczą w MHz.

10. a.

zakłócenie fazowe pojedynczej wstęgi bocznej (SSB) w dBc/Hz lepsze niż - (126 + 20log10F-20log10f) w dowolnym punkcie w zakresie 10 Hz < F < 10 kHz; oraz

zakłócenie fazowe pojedynczej wstęgi bocznej (SSB) w dBc/Hz lepsze niż - (114 + 20log10F-20log10f) w dowolnym punkcie w zakresie 10 kHz ≤ F < 500 kHz;

11. zespoły elektroniczne będące syntezatorami częstotliwości, których czas przełączania częstotliwości określony jest przez którykolwiek z poniższych parametrów: N.B.: Używane do zastosowań ogólnych: analizatory sygnału – zob. poz. 3A002.c, generatory sygnałowe – 3A002.d, analizatory sieci – 3A002.e, kontrolne odbiorniki mikrofalowe – 3A002.f.

11. a.

krótszy niż 156 ps;

krótszy niż 100 μs dla każdej zmiany częstotliwości przewyższającej 1,6 GHz w zakresie syntetyzowanych częstotliwości przekraczającym 4,8 GHz, ale nieprzekraczającym 10,6 GHz;

krótszy niż 250 μs dla każdej zmiany częstotliwości przewyższającej 550 MHz w zakresie syntetyzowanych częstotliwości przekraczającym 10,6 GHz, ale nieprzekraczającym 31,8 GHz;

krótszy niż 500 μs dla każdej zmiany częstotliwości przewyższającej 550 MHz w zakresie syntetyzowanych częstotliwości przekraczającym 31,8 GHz, ale nieprzekraczającym 43,5 GHz;

3A001 b. 11. krótszy niż 1 ms dla każdej zmiany częstotliwości przewyższającej 550 MHz w zakresie syntetyzowanych częstotliwości przekraczającym 43,5 GHz, ale nieprzekraczającym 56 GHz;

krótszy niż 1 ms dla każdej zmiany częstotliwości przewyższającej 2,2 GHz w zakresie syntetyzowanych częstotliwości przekraczającym 56 GHz, ale nieprzekraczającym 75 GHz; lub

krótszy niż 1 ms w zakresie syntetyzowanych częstotliwości przekraczającym 75 GHz;

następujące urządzenia wykorzystujące fale akustyczne oraz specjalnie zaprojektowane do nich komponenty: Uwaga: Pozycja 3A001.c nie obejmuje kontrolą urządzeń wykorzystujących fale akustyczne ograniczone do pojedynczego filtra środkowoprzepustowego, filtra dolnoprzepustowego, filtra górnoprzepustowego, filtra antysprzężeniowego lub funkcji rezonacyjnej.

1. Uwaga techniczna:

urządzenia wykorzystujące powierzchniowe fale akustyczne oraz szumiące powierzchniowo (płytkie) fale akustyczne, spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: Tłumienie pasma bocznego częstotliwości oznacza maksymalną wartość tłumienia wyszczególnioną na arkuszu danych.

1. a.

częstotliwość nośną powyżej 6 GHz;

częstotliwość nośną większą niż 1 GHz, ale nieprzekraczającą 6 GHz oraz spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. tłumienie pasma bocznego częstotliwości powyżej 65 dB;

2. iloczyn maksymalnego czasu zwłoki i szerokości pasma (czas w μs, a szerokość pasma w MHz) powyżej 100;

3. szerokość pasma większa, niż 250 MHz; lub

4. opóźnienie dyspersyjne powyżej 10 μs; lub

częstotliwość nośną wynoszącą 1 GHz lub mniejszą oraz spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. iloczyn maksymalnego czasu zwłoki i szerokości pasma (czas w μs, a szerokość pasma w MHz) powyżej 100;

2. opóźnienie dyspersyjne powyżej 10 μs; lub

3. tłumienie pasma bocznego częstotliwości powyżej 65 dB i szerokość pasma większa niż 100 MHz;

2. urządzenia wykorzystujące przestrzenne fale akustyczne, umożliwiające bezpośrednie przetwarzanie sygnałów z częstotliwościami powyżej 6 GHz;

3. urządzenia do przetwarzania sygnałów optyczno-akustycznych wykorzystujące oddziaływania pomiędzy falami akustycznymi (przestrzennymi lub powierzchniowymi) a falami świetlnymi do bezpośredniego przetwarzania sygnałów lub obrazów, łącznie z analizą widmową, korelacją lub splataniem;

urządzenia i układy elektroniczne, zawierające części składowe wykonane z materiałów nadprzewodzących, specjalnie zaprojektowane do pracy w temperaturach poniżej temperatury krytycznej co najmniej jednego z elementów nadprzewodzących i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. przełączanie prądowe dla obwodów cyfrowych za pomocą bramek nadprzewodzących, dla którego iloczyn czasu zwłoki na bramkę (w sekundach) i rozproszenia mocy na bramkę (w watach) wynosi poniżej 10-14 J; lub

2. selekcję częstotliwości dla wszystkich częstotliwości za pomocą obwodów rezonansowych o wartościach Q przekraczających 10000;

3A001 następujące urządzenia wysokoenergetyczne:

1. Uwagi techniczne: 1.2.3.4.

ogniwa, takie jak: Do celów pozycji 3A001.e.1 gęstość energii (Wh/kg) otrzymuje się, mnożąc napięcie znamionowe przez pojemność znamionową w amperogodzinach (Ah) i dzieląc powyższe przez masę w kilogramach. Jeżeli pojemność znamionowa nie jest podana, gęstość energii otrzymuje się przez podniesienie napięcia znamionowego do kwadratu, a następnie pomnożenie przez czas rozładowania wyrażony w godzinach oraz podzielenie przez obciążenie rozładowania wyrażone w omach i całkowitą masę ogniwa wyrażoną w kilogramach. Do celów pozycji 3A001.e.1 ogniwo definiuje się jako urządzenie elektrochemiczne zawierające elektrody dodatnie i ujemne, elektrolit i będące źródłem energii elektrycznej. Jest to podstawowy element składowy baterii. Do celów pozycji 3A001.e.1.a ogniwo pierwotne jest ogniwem, które nie jest przeznaczone do ładowania z jakiegokolwiek innego źródła. Do celów pozycji 3A001.e.1.b ogniwo wtórne jest ogniwem, które jest przeznaczone do ładowania z zewnętrznego źródła energii elektrycznej. Uwaga: Pozycja 3A001.e.1 nie obejmuje kontrolą baterii, w tym również baterii pojedynczych.

1. a.

ogniwa pierwotne o gęstości energii powyżej 550 Wh/kg w temperaturze 20 °C;

ogniwa wtórne o gęstości energii powyżej 300 Wh/kg w temperaturze 20 °C;

2. wysokoenergetyczne kondensatory magazynujące, takie jak: N.B.: ZOB. TAKŻE 3A201.a. i Wykaz uzbrojenia.

2. a.

kondensatory o częstotliwości powtarzania poniżej 10 Hz (kondensatory jednokrotne) i spełniające wszystkie poniższe kryteria:

1. napięcie znamionowe równe lub wyższe niż 5 kV;

2. gęstość energii równa lub wyższa niż 250 J/kg; oraz

3. energia całkowita równa lub wyższa niż 25 kJ;

kondensatory o częstotliwości powtarzania 10 Hz lub wyższej (kondensatory powtarzalne) i spełniające wszystkie poniższe kryteria:

1. napięcie znamionowe równe lub wyższe niż 5 kV;

2. gęstość energii równa lub wyższa niż 50 J/kg;

3. energia całkowita równa lub wyższa niż 100 J; oraz

4. żywotność mierzona liczbą cykli ładowanie/rozładowanie wynosząca więcej niż 10000;

3. nadprzewodzące elektromagnesy lub cewki, specjalnie zaprojektowane w sposób umożliwiający ich pełne ładowanie i rozładowanie w czasie mniejszym niż 1 s i spełniające wszystkie poniższe kryteria: N.B.: ZOB. TAKŻE POZYCJA 3A201.b. Uwaga: Pozycja 3A001.e.3 nie obejmuje kontrolą elektromagnesów ani cewek nadprzewodzących specjalnie zaprojektowanych do aparatury obrazowania rezonansem magnetycznym (MRI), wykorzystywanej w medycynie.

3. a.

energia dostarczona podczas wyładowania jest większa od 10 kJ w pierwszej sekundzie;

średnica wewnętrzna uzwojenia prądowego cewki wynosi powyżej 250 mm; oraz

zostały dostosowane do indukcji magnetycznej powyżej 8 T lub posiadają całkowitą gęstość prądu w uzwojeniu powyżej 300 A/mm2;

4. Uwaga techniczna:

3A001 e. ogniwa słoneczne, zespoły ogniwo-łącznik-szkło osłonowe (CIC), panele słoneczne i baterie słoneczne klasy kosmicznej, mające minimalną średnią sprawność wyższą niż 20 % w temperaturze roboczej 301 K (28 °C) w symulowanym oświetleniu AM0 o irradiancji 1367 watów na metr kwadratowy (W/m2); AM0 lub masa powietrza 0 odpowiada irradiancji widmowej światła słonecznego w zewnętrznej atmosferze Ziemi przy odległości Ziemi od Słońca wynoszącej 1 jednostkę astronomiczną (AU).

urządzenia kodujące bezwzględne położenie o dokładności równej ± 1,0 sekunda kątowa lub mniejszej (lepszej);

g. Uwaga techniczna:

półprzewodnikowe impulsowe tyrystorowe wyłączniki zasilania i moduły tyrystorowe oparte na metodach wyłączania sterowanych elektrycznie, optycznie lub promieniowaniem elektronowym spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: Uwaga 1: Pozycja 3A001.g obejmuje: Uwaga 2: Pozycja 3A001.g nie obejmuje kontrolą urządzeń tyrystorowych i modułów tyrystorowych wbudowanych w urządzenia przeznaczone do zastosowań w kolejnictwie cywilnym lub cywilnych statkach powietrznych. Do celów pozycji 3A001.g moduł tyrystorowy zawiera co najmniej jedno urządzenie tyrystorowe.

1. maksymalna szybkość narastania prądu włączenia (di/dt) większa niż 30000 A/μs i napięcie w stanie wyłączenia większe niż 1100 V; lub

2. maksymalna szybkość narastania prądu włączenia (di/dt) większa niż 2000 A/μs i spełniające wszystkie poniższe kryteria:

2. a.

napięcie szczytowe w stanie wyłączonym równe lub większe niż 3000 V; oraz

prąd szczytowy (udarowy) równy lub większy niż 3000 A.

krzemowe prostowniki sterowane (SCR),

tyrystory wyzwalane elektrycznie (ETT),

tyrystory wyzwalane optycznie (LTT),

tyrystory o komutowanej bramce (IGCT),

tyrystory sterowane MOS (MCT),

tyrystory wyłączalne prądem bramki (GTO),

urządzenia typu Solidtron.

h. Uwaga techniczna:

półprzewodnikowe przełączniki mocy, diody mocy lub moduły mocy spełniające wszystkie poniższe kryteria: Uwaga 1: Szczytowe powtarzalne napięcie w stanie wyłączonym w pozycji 3A001.h obejmuje napięcie dren-źródło, napięcie kolektor-emiter, szczytowe powtarzalne napięcie wsteczne i szczytowe powtarzalne napięcie blokujące w stanie wyłączonym. 3A001 h.Uwaga 2: Pozycja 3A001.h obejmuje: Uwaga 3: Pozycja 3A001.h nie obejmuje kontrolą przełączników, diod ani modułów znajdujących się w urządzeniach przeznaczonych do zastosowania w cywilnych pojazdach drogowych, cywilnych pojazdach kolejowych lub cywilnych statkach powietrznych. Do celów pozycji 3A001.h moduły zawierają jeden lub więcej półprzewodnikowych przełączników lub diod.

1. nominalna maksymalna temperatura robocza złącza wyższa niż 488 K (215 °C);

2. szczytowe powtarzalne napięcie w stanie wyłączonym (napięcie blokujące) przekraczające 300 V; oraz

3. prąd ciągły większy niż 1 A.

tranzystory polowe złączowe (JFET),

pionowe tranzystory polowe złączowe (VJFET),

tranzystory polowe o strukturze metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET),

podwójny dyfuzyjny tranzystor polowy o strukturze metal-tlenek-półprzewodnik (DMOSFET),

tranzystor bipolarny z izolowaną bramką (IGBT),

tranzystory z wysoką ruchliwością elektronów (HEMT),

tranzystory bipolarne złączowe (BJT),

tyrystory i krzemowe prostowniki sterowane (SCR),

tyrystory wyłączalne prądem bramki (GTO),

tyrystory wyłączalne emiterem (ETO),

diody PiN,

diody Schottky’ego.

następujący sprzęt do rejestracji i oscyloskopy:

1. nieużywane;

2. nieużywane;

3. nieużywane;

4. nieużywane;

5. Uwagi techniczne: 1.2.

przetworniki falowe oraz rejestratory stanów przejściowych spełniające wszystkie poniższe kryteria: W przypadku urządzeń o równoległej architekturze szyn, przepustowość ciągłą określa się jako iloczyn największej prędkości transmisji słów i liczby bitów w słowie. Przepustowość ciągła oznacza największą prędkość przesyłania danych przez urządzenie do pamięci masowej, bez utraty informacji, z utrzymaniem prędkości próbkowania i przetwarzania analogowo-cyfrowego;

5. a.

szybkość przetwarzania cyfrowego równa lub większa niż 200 milionów próbek na sekundę i rozdzielczość 10 bitów lub większa; oraz

przepustowość ciągła 2 Gbit/s lub większa;

6. Uwaga techniczna:

3A002 a. cyfrowe oprzyrządowanie do rejestracji danych wykorzystujące techniki składowania na dyskach magnetycznych i spełniające wszystkie poniższe kryteria oraz zaprojektowane specjalnie do tego celu rejestratory cyfrowe: cyfrowe oprzyrządowanie do rejestracji danych może być konfigurowane przy pomocy przetwornika cyfrowego zintegrowanego z rejestratorem cyfrowym lub zewnętrznego.

6. a.

szybkość przesyłu danych oprzyrządowania cyfrowego równa lub większa niż 100 milionów próbek na sekundę przy rozdzielczości 8 bitów lub większej; oraz

przepustowość ciągła 1 Gbit/s lub większa;

7. Oscyloskopy pracujące w trybie próbkowania w czasie rzeczywistym, w których napięcie szumów ma pionową wartość średniokwadratową (rms) mniejszą niż 2 % pełnej skali na skali pionowej, na której najmniejsza wartość szumów dla każdej wejściowej szerokości pasma 3 dB wynosi 60 GHz lub więcej na kanał; Uwaga: Pozycja 3A002.a.7. nie obejmuje kontrolą oscyloskopów pracujących w trybie próbkowania ekwiwalentnego (ETS).

nieużywane;

analizatory sygnałów o częstotliwościach radiowych, takie jak:

1. analizatory sygnałów, w których szerokość pasma o rozdzielczości 3 dB przekracza 10 MHz w dowolnym punkcie zakresu częstotliwości przekraczających 31,8 GHz, lecz nieprzekraczających 37,5 GHz;

2. analizatory sygnałów, w których średni wyświetlany poziom szumu (DANL) jest mniejszy/a (lepszy/a) niż -150 dBm/Hz w dowolnym punkcie zakresu częstotliwości przekraczających 43,5 GHz, lecz nieprzekraczających 75 GHz;

3. analizatory sygnałów o częstotliwości powyżej 75 GHz;

4. analizatory sygnałów spełniające wszystkie poniższe kryteria: Uwaga: Pozycja 3A002.c.4 nie obejmuje kontrolą analizatorów sygnałów, w których zastosowano jedynie filtry o stałoprocentowej szerokości pasma (znanych również jako filtry oktawowe lub ułamkowo-oktawowe).

4. a.

szerokość pasma przekraczająca 85 MHz; oraz

b. Uwagi techniczne: 1.2.

100 % prawdopodobieństwa odkrycia przy mniejszej niż 3 dB redukcji w stosunku do pełnej amplitudy w związku z przerwami lub okienkowaniem sygnałów o długości trwania wynoszącej 15 μs lub mniej; Prawdopodobieństwo odkrycia, o którym mowa w pozycji 3A002.c.4.b., określane jest również jako prawdopodobieństwo przechwycenia. Do celów pozycji 3A002.c.4.b., czas trwania dla 100 % prawdopodobieństwa odkrycia równy jest minimalnej długości trwania sygnału niezbędnej dla określonej niepewności pomiaru poziomu.

5. analizatory sygnałów posiadające funkcję wyzwalania maską częstotliwości ze 100 % prawdopodobieństwem wyzwolenia (przechwycenia) dla sygnałów o czasie trwania nie dłuższym niż 15 μs;

d. Uwagi techniczne: 1.2.

generatory sygnałowe z syntezą częstotliwości, wytwarzające częstotliwości wyjściowe, których dokładność oraz stabilność krótko- i długoterminowa pochodzi z wewnętrznego podstawowego oscylatora referencyjnego lub jest za jego pomocą sterowana lub regulowana, spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: Uwaga 1: Do celów pozycji 3A002.d generatory sygnałowe z syntezą częstotliwości obejmują także generatory funkcji i przebiegów arbitralnych. Uwaga 2: Pozycja 3A002.d nie obejmuje kontrolą sprzętu, w którym częstotliwość wyjściowa jest wytwarzana poprzez dodawanie lub odejmowanie dwóch lub więcej częstotliwości oscylatorów kwarcowych, lub poprzez dodawanie lub odejmowanie, a następnie mnożenie uzyskanego wyniku. Maksymalna częstotliwość syntetyzowana generatora funkcji i przebiegów arbitralnych obliczana jest przez podzielenie częstotliwości próbkowania, w liczbie próbek na sekundę, przez współczynnik 2,5. Do celów pozycji 3A002.d.1 czas trwania impulsu definiuje się jako czas upływający między momentem osiągnięcia przez zbocze narastające impulsu wartości 50 % amplitudy impulsu a momentem osiągnięcia przez zbocze opadające wartości 50 % amplitudy impulsu.

1. przewidziane według specyfikacji do generowania sygnałów modulowanych impulsowo spełniające wszystkie następujące kryteria, w dowolnym punkcie zakresu częstotliwości syntetyzowanej przekraczającego 31,8 GHz, lecz nieprzekraczającego 75 GHz:

1. a.

czas trwania impulsu krótszy niż 100 ns; oraz

stosunek on/off równy lub większy niż 65 dB;

2. 3A002 d. moc wyjściowa przekraczająca 100 mW (20 dBm) w dowolnym punkcie zakresu częstotliwości syntetyzowanej przekraczającego 43,5 GHz, lecz nieprzekraczającego 75 GHz;

3. czas przełączania częstotliwości określony przez jeden z poniższych parametrów:

3. a.

nieużywane;

krótszy niż 100 μs dla każdej zmiany częstotliwości przewyższającej 1,6 GHz w zakresie syntetyzowanych częstotliwości przekraczającym 4,8 GHz, ale nieprzekraczającym 10,6 GHz;

krótszy niż 250 μs dla każdej zmiany częstotliwości przewyższającej 550 MHz w zakresie syntetyzowanych częstotliwości przekraczającym 10,6 GHz, ale nieprzekraczającym 31,8 GHz;

krótszy niż 500 μs dla każdej zmiany częstotliwości przewyższającej 550 MHz w zakresie syntetyzowanych częstotliwości przekraczającym 31,8 GHz, ale nieprzekraczającym 43,5 GHz;

krótszy niż 1 ms dla każdej zmiany częstotliwości przewyższającej 550 MHz w zakresie syntetyzowanych częstotliwości przekraczającym 43,5 GHz, ale nieprzekraczającym 56 GHz; lub

krótszy niż 1 ms dla każdej zmiany częstotliwości przewyższającej 2,2 GHz w zakresie syntetyzowanych częstotliwości przekraczającym 56 GHz, ale nieprzekraczającym 75 GHz;

4. Uwaga techniczna:

zakłócenie fazowe pojedynczej wstęgi bocznej (SSB) w dBc/Hz, spełniające wszystkie poniższe kryteria: W pozycji 3A002.d.4 F oznacza przesunięcie w stosunku do częstotliwości roboczej w Hz, a f oznacza częstotliwość roboczą w MHz.

4. a.

mniejsze (lepsze) niż - (126 + 20log10F-20log10f) w dowolnym punkcie w zakresie 10 Hz < F < 10 kHz w dowolnym punkcie zakresu częstotliwości syntetyzowanej przekraczającego 3,2 GHz lecz nieprzekraczającego 75 GHz; oraz

mniejsze (lepsze) niż - (114 + 20log10F-20log10f) w dowolnym punkcie w zakresie 10 kHz ≤ F < 500 kHz w dowolnym punkcie zakresu częstotliwości syntetyzowanej przekraczającego 3,2 GHz lecz nieprzekraczającego 75 GHz; lub

5. maksymalna częstotliwość syntetyzowana przekraczająca 75 GHz;

analizatory sieci spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. moc wyjściowa przekraczająca 31,62 mW (15 dBm) w dowolnym punkcie zakresu częstotliwości roboczej przekraczającego 43,5 GHz, lecz nieprzekraczającego 75 GHz;

2. moc wyjściowa przekraczająca 1 mW (0 dBm) w dowolnym punkcie zakresu częstotliwości roboczej przekraczającego 75 GHz, lecz nieprzekraczającego 110 GHz;

3. Uwaga techniczna:

3A002 e. funkcja pomiaru wektora nieliniowego przy częstotliwościach przekraczających 50 GHz, ale nieprzekraczających 110 GHz; lub Funkcja pomiaru wektora nieliniowego to zdolność instrumentu do analizowania wyników testów urządzeń stosowanych w modelach wielkosygnałowych lub w zakresie zakłóceń nieliniowych.

4. maksymalna częstotliwość robocza przewyższająca 110 GHz;

kontrolne odbiorniki mikrofalowe spełniające wszystkie poniższe kryteria:

1. maksymalna częstotliwość robocza przewyższająca 110 GHz; oraz

2. posiadające możliwość jednoczesnego pomiaru amplitudy i fazy;

atomowe wzorce częstotliwości, które spełniają którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. są klasy kosmicznej;

2. są nierubidowe, a ich stabilność długookresowa jest mniejsza (lepsza) niż 1 × 10–11/miesiąc; lub

3. nie są klasy kosmicznej i spełniają wszystkie poniższe kryteria:

3. a.

są rubidowymi wzorcami częstotliwości;

ich stabilność długookresowa jest mniejsza (lepsza) niż 1 × 10–11/miesiąc; oraz

ich całkowite zużycie energii jest niższe niż 1 W.

przetworniki analogowo-cyfrowe, wykorzystywane w pociskach rakietowych, spełniające wymagania wojskowe dla urządzeń odpornych na wstrząsy;

akceleratory zdolne do generowania promieniowania elektromagnetycznego, wytwarzanego w wyniku hamowania elektronów o energii 2 MeV lub większej oraz systemy zawierające takie akceleratory. Uwaga: Pozycja 3A101.b nie określa sprzętu specjalnie zaprojektowanego do zastosowań medycznych.

3A Uwagi techniczne: 1.2. a.

kondensatory posiadające jeden z następujących zestawów cech:

1. a.

napięcie znamionowe większe niż 1,4 kV;

zgromadzona energia większa niż 10 J;

reaktancja pojemnościowa większa niż 0,5 μF; oraz

indukcyjność szeregowa mniejsza niż 50 nH; lub

2. a.

napięcie znamionowe większe niż 750 V;

reaktancja pojemnościowa większa niż 0,25 μF; oraz

indukcyjność szeregowa mniejsza niż 10 nH;

nadprzewodnikowe elektromagnesy solenoidalne posiadające wszystkie niżej wymienione cechy: Uwaga: Pozycja 3A201.b nie obejmuje kontrolą magnesów specjalnie zaprojektowanych i eksportowanych jako części medycznych systemów do obrazowania metodą jądrowego rezonansu magnetycznego (NMR). Sformułowanie jako części niekoniecznie oznacza fizyczną część wchodzącą w skład tej samej partii wysyłanego wyrobu; dopuszcza się możliwość oddzielnych wysyłek z różnych źródeł, pod warunkiem że w towarzyszącej im dokumentacji eksportowej wyraźnie określa się, że wysyłane wyroby są dostarczane jako część systemu obrazowania.

1. zdolne do wytwarzania pól magnetycznych o natężeniu większym niż 2 T;

2. o stosunku długości do średnicy wewnętrznej większym niż 2;

3. o średnicy wewnętrznej większej niż 300 mm; oraz

4. wytwarzające pole magnetyczne o równomierności rozkładu lepszej niż 1 % w zakresie środkowych 50 % objętości wewnętrznej.

c. Uwagi techniczne: 1.2.3.4.

generatory błyskowe promieniowania rentgenowskiego lub impulsowe akceleratory elektronów posiadające jeden z następujących zestawów cech: Uwaga: Pozycja 3A201.c nie obejmuje kontrolą akceleratorów stanowiących elementy składowe urządzeń zaprojektowanych do innych celów niż wytwarzanie wiązek elektronów lub promieniowania rentgenowskiego (np. mikroskopy elektronowe) ani urządzeń zaprojektowanych do zastosowań medycznych. Współczynnik dobroci K jest zdefiniowany jako: K = 1,7 × 103 × V2,65 × Q gdzie V jest szczytową energią elektronów w milionach elektronowoltów. Jeżeli czas trwania impulsu wiązki akceleratora jest równy 1 μs lub krótszy, to Q jest całkowitym ładunkiem przyspieszanym, wyrażonym w kulombach. Jeżeli czas trwania impulsu wiązki akceleratora jest większy niż 1 μs, to Q jest maksymalnym ładunkiem przyspieszanym w 1 μs. Q równa się całce z i po t, w przedziale o długości równym mniejszej z dwóch wartości: 1 μs lub czasu trwania impulsu wiązki (Q = ∫ idt), gdzie i jest prądem wiązki w amperach, a t jest czasem w sekundach; Moc szczytowa = (napięcie szczytowe w woltach) × (szczytowy prąd wiązki w amperach). 3A201 c. W maszynach bazujących na mikrofalowych akceleratorach rezonatorowych czas trwania impulsu wiązki jest mniejszą z następujących dwóch wartości: 1 μs lub czas emisji pakietu wiązek wynikających z jednego impulsu modulatora mikrofalowego. W maszynach bazujących na mikrofalowych akceleratorach rezonatorowych szczytowa wartość prądu wiązki jest wartością średnią prądu podczas emisji pakietu wiązek.

1. a.

energia szczytowa akceleratora elektronów równa 500 keV lub większa, ale mniejsza niż 25 MeV; oraz

współczynnik dobroci (K) równy 0,25 lub większy; lub

2. a.

energia szczytowa akceleratora elektronów równa 25 MeV lub większa; oraz

moc szczytowa powyżej 50 MW.

wyjście wielofazowe zapewniające moc równą 40 W lub większą;

pracujące w zakresie częstotliwości równym lub większym niż 600 Hz; oraz

dokładność regulacji częstotliwości lepsza (mniejsza) niż 0,2 %.

1. w celu dokonania w nich ulepszeń lub zmniejszenia ograniczeń muszą zostać odesłane do pierwotnego producenta;

2. w celu poprawy lub wykorzystania wydajności, pozwalających na spełnienie wymogów wymienionych w pozycji 3A225 wymagają oprogramowania określonego w pozycji 3D225; lub

3. w celu poprawy lub wykorzystania wydajności, pozwalających na spełnienie wymogów wymienionych w pozycji 3A225 wymagają technologii w postaci kluczy lub kodów określonej w pozycji 3E225;

3A Uwagi techniczne: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. a.

zdolność do ciągłego wytwarzania, przez okres 8 godzin, napięcia 100 V lub większego z wyjściem prądowym 500 A lub większym; oraz

stabilność prądu lub napięcia, przez okres 8 godzin, lepsza niż 0,1 %.

zdolność do ciągłego wytwarzania, przez okres 8 godzin, napięcia 20 kV lub większego z wyjściem prądowym 1 A lub większym; oraz

stabilność prądu lub napięcia, przez okres 8 godzin, lepsza niż 0,1 %.

lampy elektronowe o zimnej katodzie, bez względu na to, czy są napełnione gazem, czy też nie, pracujące podobnie do iskiernika i posiadające wszystkie niżej wymienione cechy: Uwaga: Pozycja 3A228 obejmuje gazowe lampy kriotronowe i próżniowe lampy sprytronowe.

1. składające się z trzech lub więcej elektrod;

2. szczytową wartość napięcia anody 2,5 kV lub więcej;

3. szczytowa wartość natężenia prądu anodowego równa 100 A lub więcej; oraz

4. czas zwłoki dla anody równy 10 μs lub mniej;

iskierniki wyzwalane, posiadające obydwie niżej wymienione cechy:

1. czas zwłoki dla anody równy 15 μs lub mniej; oraz

2. przystosowane do znamionowych prądów szczytowych równych 500 A lub większych;

moduły lub zespoły do szybkiego przełączania funkcji, inne niż wyszczególnione w pozycji 3A001.g lub 3A001.h, posiadające wszystkie niżej wymienione cechy:

1. szczytowa wartość napięcia anody równa 2 kV lub więcej;

2. szczytowa wartość natężenia prądu anodowego równa 500 A lub więcej; oraz

3. czas włączania równy 1 μs lub mniej.

Zestawy zapłonowe do detonatorów (zapalniki, zapłonniki), w tym zestawy zapłonowe uruchamiane elektronicznie, eksplozją i optycznie, inne niż te wymienione w pozycji 1A007.a., zaprojektowane do uruchamiania kontrolowanych detonatorów wielokrotnych wymienionych w 1A007.b.;

modułowe generatory impulsów elektrycznych (impulsatory) posiadające wszystkie niżej wymienione cechy: Uwaga: Pozycja 3A229.b obejmuje wzbudnice ksenonowych lamp błyskowych.

1. zaprojektowane do urządzeń przenośnych, przewoźnych lub innych narażonych na wstrząsy;

2. zdolne do dostarczenia swojej energii w czasie krótszym niż 15 μs przy obciążeniu poniżej 40 Ω;

3. posiadające wyjście prądowe powyżej 100 A;

4. żaden z wymiarów nie przekracza 30 cm;

5. masa mniejsza niż 30 kg; oraz

6. zaprojektowane do pracy w rozszerzonym zakresie temperatur 223 K (-50 °C) do 373 K (100 °C) lub nadające się do stosowania w przestrzeni powietrznej.

jednostki mikrowyładowcze posiadające wszystkie z następujących cech:

1. żaden z wymiarów nie przekracza 35 mm;

2. napięcie znamionowe równe lub większe niż 1 kV; oraz

3. reaktancja pojemnościowa równa lub większa niż 100 nF;

a. napięcie wyjściowe większe niż 6 V, przy obciążeniu rezystancyjnym mniejszym niż 55 Ω; oraz

czas narastania impulsów mniejszy niż 500 ps.

3A Uwagi techniczne: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. a.

zaprojektowane do pracy bez zewnętrznych instalacji próżniowych; oraz

wykorzystujące którekolwiek z poniższych:

1. przyspieszanie elektrostatyczne do wzbudzania reakcji jądrowej trytu z deuterem, lub

2. przyspieszanie elektrostatyczne do wzbudzania reakcji jądrowej deuteru z deuterem i pozwalające uzyskać wynik 3 × 109 neutronów/s lub większy.

nieużywane;

instalacje z detonatorami pojedynczymi lub wielokrotnymi, przeznaczone do prawie równoczesnego inicjowania wybuchów na obszarze większym niż 5000 mm2 za pomocą pojedynczego sygnału zapłonowego przy opóźnieniu synchronizacji na całej powierzchni mniejszym niż 2,5 μs.

plazmowe spektrometry masowe ze sprzężeniem indukcyjnym (ICP/MS);

jarzeniowe spektrometry masowe (GDMS);

termojonizacyjne spektrometry masowe (TIMS);

spektrometry masowe z zespołami do bombardowania elektronami posiadające obydwie poniższe cechy:

1. układ wlotowy wiązki molekularnej, który wprowadza skolimowaną wiązkę molekuł do celów analitycznych w rejon źródła jonów, gdzie molekuły są jonizowane przez wiązkę elektronów; oraz

2. co najmniej jedną wymrażarkę, którą można schłodzić do temperatury 193 K (-80 °C);

nieużywane;

spektrometry masowe ze źródłem jonów do mikrofluoryzacji zaprojektowane do pracy w obecności aktynowców lub fluorków aktynowców.

3A Uwagi techniczne: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. Uwagi techniczne: 1.2. a.

napięcie znamionowe większe niż 2 kV; oraz

indukcyjność mniejsza niż 20 nH.

3B Urządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne 3B001 Sprzęt do wytwarzania urządzeń lub materiałów półprzewodnikowych oraz specjalnie zaprojektowane do niego części składowe i akcesoria, w tym: 3B002 Następujący sprzęt testujący specjalnie zaprojektowany do testowania gotowych i niegotowych elementów półprzewodnikowych oraz specjalnie zaprojektowane do niego części składowe i akcesoria:

3B a.

następujący sprzęt zaprojektowany do osadzania warstwy epitaksjalnej:

1. sprzęt zdolny do wytwarzania powłok o równomiernej grubości z materiałów różnych od krzemu, wykonanych z dokładnością poniżej ± 2,5 % na odcinku o długości 75 mm lub większym; Uwaga: Pozycja 3B001.a.1 obejmuje urządzenia do epitaksji warstw atomowych.

2. reaktory do osadzania z par lotnych związków metaloorganicznych (MOCVD), specjalnie zaprojektowane do wytwarzania warstw epitaksjalnych półprzewodników z materiałów posiadających co najmniej dwa następujące elementy: glin, gal, ind, arsen, fosfor, antymon lub azot;

3. sprzęt wykorzystujący wiązkę molekularną do wytwarzania warstw epitaksjalnych z surowca gazowego lub stałego;

sprzęt zaprojektowany do implantacji jonów i spełniający którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. nieużywane;

2. zaprojektowany i optymalizowany do działania z energią wiązki wynoszącą 20 keV lub więcej i prądem wiązki o wartości 10 mA lub więcej w celu implantacji wodoru, deuteru lub helu;

3. zdolność bezpośredniego zapisu;

4. posiadający energię wiązki wynoszącą 65 keV lub większą oraz natężenie wiązki równe 45 mA lub większe, w celu wysokoenergetycznej implantacji tlenu w podgrzany półprzewodnikowy materiał podłoża; lub

5. zaprojektowany i optymalizowany do działania z energią wiązki wynoszącą 20 keV lub więcej i prądem wiązki o wartości 10 mA lub więcej w celu implantacji krzemu w półprzewodnikowy materiał podłoża podgrzany do temperatury 600 °C lub wyższej;

sprzęt do suchego trawienia za pomocą plazmy anizotropowej spełniający wszystkie poniższe kryteria:

1. zaprojektowany lub optymalizowany do produkcji z wymiarem krytycznym 65 nm lub mniejszym; oraz

2. niejednorodność wewnątrz płytek nieprzekraczająca 10 % 3σ mierzona z wyłączeniem krawędzi do 2 mm włącznie;

nieużywane;

e. Uwagi techniczne: 1.2.

automatycznie ładujące się, wielokomorowe, centryczne systemy do wytwarzania płytek elektronicznych spełniające wszystkie poniższe kryteria: Uwaga: Pozycja 3B001.e nie obejmuje kontrolą automatycznych zrobotyzowanych systemów wytwarzania płytek elektronicznych, specjalnie zaprojektowanych do równoległego wytwarzania płytek. Do celów poz. 3B001.e urządzenia do produkcji półprzewodników to urządzenia modularne umożliwiające zachodzenie procesów fizycznych wymaganych do wytwarzania półprzewodników; pełnią one różne funkcje, takie jak: osadzanie, trawienie, implantacja lub obróbka cieplna. Do celów poz. 3B001.e sekwencyjne wytwarzanie płytek metodą powielania oznacza zdolność do obrabiania każdej płytki w innym urządzeniu wytwarzającym półprzewodniki, np. przez przeniesienie każdej płytki z jednego urządzenia do drugiego i do kolejnego przy pomocy automatycznego wielokomorowego centralnego systemu podawania płytek.

1. interfejsy wejściowe i wyjściowe do płytek, zaprojektowane z myślą o podłączeniu więcej niż dwóch pełniących różne funkcje urządzeń do produkcji półprzewodników wymienionych w poz. 3B001.a, 3B001.b lub 3B001.c; oraz

2. zaprojektowane do tworzenia zintegrowanego systemu, działającego w warunkach próżni, do sekwencyjnego wytwarzania płytek metodą powielania;

3B001 następujący sprzęt litograficzny:

1. sprzęt do wytwarzania płytek elektronicznych poprzez pozycjonowanie, naświetlanie oraz powielanie (bezpośredni krok na płytkę) lub skanowanie (skaner), z wykorzystaniem metody fotooptycznej lub promieni rentgenowskich, spełniający którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. a.

źródło światła o długości fali krótszej niż 245 nm; lub

b. Uwaga techniczna:

zdolny do wytwarzania wzorów o rozmiarze minimalnej rozdzielczości wymiarowej (MRF) 95 nm lub mniejszej; Rozmiar minimalnej rozdzielczości wymiarowej (MRF) obliczany jest według poniższego wzoru: MRFdługość fali źródła światła napromieniowującego wwspółczynnik Kapertura liczbowa gdzie współczynnik K = 0,35

2. urządzenia do litografii nanodrukowej zdolne do drukowania elementów o wielkości 95 nm lub mniejszych; Uwaga: pozycja 3B001.f.2 obejmuje:

narzędzia do mikrodruku kontaktowego,

narzędzia do wytłaczania na gorąco,

narzędzia do litografii nanodrukowej,

narzędzia do litografii step-and-flash (S-FIL).

3. sprzęt specjalnie zaprojektowany do wytwarzania masek lub przyrządów półprzewodnikowych wykorzystujący metody bezpośredniego nadruku i spełniający wszystkie poniższe kryteria:

3. a.

wykorzystujący odchylaną, zogniskowaną wiązkę elektronów, jonów lub wiązkę laserową; oraz

spełniający którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. apertura plamki poniżej 0,2 μm;

2. zdolność wytwarzania obrazów o wielkości charakterystycznej poniżej 1 μm; lub

3. dokładność nakładania warstw lepsza niż ± 0,20 μm (3 sigma);

maski i siatki optyczne zaprojektowane do układów scalonych wyszczególnionych w pozycji 3A001;

maski wielowarstwowe z warstwą z przesunięciem fazowym niewyszczególnione w pozycji 3B001.g. i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: Uwaga: Pozycja 3B001.h nie obejmuje kontrolą wielowarstwowych masek z warstwą z przesunięciem fazowym, zaprojektowanych do wytwarzania urządzeń pamięciowych, nieobjętych kontrolą przez pozycję 3A001.

1. wykonany na masce półprodukt podłoży ze szkła, którego dwójłomność zgodnie ze specyfikacją wynosi poniżej 7 nm/cm; lub

2. zaprojektowane do stosowania w urządzeniach litograficznych, w których długość fali źródła światła jest mniejsza niż 245 nm;

szablony do litografii nanodrukowej układów scalonych wyszczególnionych w pozycji 3A001.

do testowania S-parametrów urządzeń tranzystorowych przy częstotliwościach powyżej 31,8 GHz;

nieużywane;

do testowania mikrofalowych układów scalonych wyszczególnionych w pozycji 3A001.b.2.

3C Materiały 3C001 Materiały heteroepitaksjalne składające się z podłoża i wielu nałożonych epitaksjalnie warstw z któregokolwiek z poniższych: Uwaga: Pozycja 3C001.d. nie obejmuje kontrolą podłoża posiadającego co najmniej jedną warstwę epitaksjalną typu P z GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP lub InGaAlP, bez względu na kolejność pierwiastków, z wyjątkiem sytuacji, gdy warstwa epitaksjalna typu P znajduje się między warstwami typu N. 3C002 Następujące materiały fotorezystywne i podłoża powlekane następującymi materiałami ochronnymi: 3C003 Związki organiczno-nieorganiczne, takie jak: Uwaga: Pozycja 3C003 obejmuje kontrolą wyłącznie związki, w których składnik metalowy, częściowo metalowy lub składnik niemetalowy jest bezpośrednio związany z węglem w organicznym składniku molekuły. 3C004 Wodorki fosforu, arsenu lub antymonu o czystości powyżej 99,999 %, nawet rozpuszczone w gazach obojętnych lub w wodorze. Uwaga: Pozycja 3C004 nie obejmuje kontrolą wodorków zawierających molowo 20 %, lub więcej, gazów obojętnych lub wodoru. 3C005 Podłoża półprzewodnikowe z węglika krzemu (SiC), azotku galu (GaN), azotku glinu (AlN) lub z azotku galu i glinu (AlGaN), lub wlewki, monokryształy lub inne preformy tych materiałów o rezystywności powyżej 10000 Ω/cm w temperaturze 20 °C. 3C006 Podłoża wyszczególnione w pozycji 3C005 z co najmniej jedną warstwą epitaksjalną z węglika krzemu, azotku galu, azotku glinu lub azotku galu i glinu.

3C a.

krzemu (Si);

germanu (Ge);

węglika krzemu (SiC); lub

związków III/V galu lub indu.

następujące materiały fotorezystywne zaprojektowane do litografii półprzewodnikowej:

1. materiały fotorezystywne pozytywowe wyregulowane (zoptymalizowane) do stosowania w zakresie długości fali poniżej 245 nm, ale nie mniejszym niż 15 nm;

2. materiały fotorezystywne wyregulowane (zoptymalizowane) do stosowania w zakresie długości fali poniżej 15 nm, ale większym niż 1 nm;

wszystkie materiały fotorezystywne zaprojektowane do użytku z wiązkami elektronowymi lub jonowymi, o czułości 0,01 μC/mm2 lub lepszej;

nieużywane;

wszystkie materiały fotorezystywne zoptymalizowane do technologii tworzenia obrazów powierzchniowych;

wszystkie materiały fotorezystywne zaprojektowane lub zoptymalizowane do użytku z urządzeniami do litografii nanodrukowej wyszczególnionymi w pozycji 3B001.f.2 wykorzystującymi proces termiczny lub proces fotoutwardzania.

związki metaloorganiczne glinu, galu lub indu o czystości (na bazie metalu) powyżej 99,999 %;

związki arsenoorganiczne, antymonoorganiczne i fosforoorganiczne o czystości (na bazie składnika nieorganicznego) powyżej 99,999 %.

3D Uwaga techniczna:

Oprogramowanie 3D001 Oprogramowanie specjalnie zaprojektowane do rozwoju lub produkcji sprzętu objętego kontrolą, wymienionego w pozycji 3A001.b do 3A002.g, lub 3B. 3D002 Oprogramowanie specjalnie zaprojektowane do użytkowania sprzętu wymienionego w pozycjach 3B001.a do 3B001.f, w pozycji 3B002 lub w pozycji 3A225. 3D003 Oprogramowanie symulacyjne, bazujące na fizyce, specjalnie zaprojektowane do rozwoju procesów litografii, wytrawiania lub osadzania w celu przekształcenia maskujących kształtów w konkretną topografię obszarów przewodzących, dielektrycznych lub półprzewodnikowych. Bazujące na fizyce w 3D003 oznacza wykorzystanie obliczeń do określenia sekwencji przyczyn fizycznych oraz skutków zdarzeń, opierających się na właściwościach fizycznych (np. temperatura, ciśnienie, stałe dyfuzji oraz właściwości materiałów półprzewodnikowych). Uwaga: Biblioteki, związane z nimi atrybuty i inne dane służące do projektowania urządzeń półprzewodnikowych lub układów scalonych są postrzegane jako technologia. 3D004 Oprogramowanie specjalnie zaprojektowane do rozwoju sprzętu wymienionego w pozycji 3A003. 3D101 Oprogramowanie specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do użytkowania sprzętu wymienionego w pozycji 3A101.b. 3D225 Oprogramowanie specjalnie zaprojektowane w celu poprawy lub wykorzystania wydajności przemienników częstotliwości lub generatorów, tak by odpowiadały cechom wymienionym w pozycji 3A225.

3E Technologia 3E001 Technologia, zgodnie z uwagą ogólną do technologii, służąca do rozwoju lub produkcji sprzętu lub materiałów wyszczególnionych w pozycji 3 A, 3B lub 3C. Uwaga 1: Pozycja 3E001 nie obejmuje kontrolą technologii do produkcji sprzętu lub części składowych objętych kontrolą przez pozycję 3A003. Uwaga 2: Pozycja 3E001 nie obejmuje kontrolą technologii do rozwoju lub produkcji układów scalonych wyszczególnionych w pozycji 3A001.a.3 do 3A001.a.12 spełniające wszystkie poniższe kryteria: 3E002 Technologia, zgodnie z uwagą ogólną do technologii, inna niż wyszczególnione w pozycji 3E001, do rozwoju lub produkcji układu mikroprocesorowego, układu mikrokomputerowego lub rdzenia układu mikrosterowników posiadającego jednostkę arytmetyczno-logiczną z szyną dostępu na 32 bity lub więcej i którąkolwiek z poniższych właściwości: Uwaga 1: Pozycja 3E002 nie obejmuje kontrolą technologii do rozwoju lub produkcji rdzeni mikroprocesorów spełniających wszystkie poniższe kryteria: Uwaga 2: Pozycja 3E002 obejmuje technologię dla procesorów sygnałowych i procesorów macierzowych. 3E003 Inna technologia do rozwoju lub produkcji następujących produktów: 3E101 Technologia, zgodnie z uwagą ogólną do technologii, służąca do użytkowania sprzętu lub oprogramowania wymienionego w pozycji 3A001.a.1 lub 3A001.a.2, 3A101, 3A102 lub 3D101. 3E102 Technologia, zgodnie z uwagą ogólną do technologii, służąca do rozwoju oprogramowania wymienionego w pozycji 3D101. 3E201 Technologia, zgodnie z uwagą ogólną do technologii, służąca do użytkowania sprzętu wymienionego w pozycji 3A001.e.2, 3A001.e.3, 3A001.g, 3A201, 3A225 do 3A234. 3E225 Technologia w postaci kodów lub kluczy, służąca do poprawy lub wykorzystania wydajności przemienników częstotliwości lub generatorów, tak by odpowiadały cechom wymienionym w pozycji 3A225.

3E a.

wykorzystujące technologię 0,130 μm lub więcej; oraz

posiadające strukturę wielowarstwową z nie więcej niż trzema warstwami metalu.

a. Uwaga techniczna:

procesor wektorowy zaprojektowany do jednoczesnego wykonywania więcej niż dwu operacji na wektorach zmiennoprzecinkowych (jednowymiarowych tablicach złożonych z liczb 32-bitowych lub dłuższych); Procesor wektorowy jest zdefiniowany jako procesor wyposażony w wewnętrzne instrukcje pozwalające równocześnie wykonywać wielokrotne operacje na wektorach zmiennoprzecinkowych (jednowymiarowych tablicach złożonych z liczb 32-bitowych lub dłuższych), posiadający co najmniej jedną jednostkę wektorową arytmetyczno-logiczną.

zaprojektowany do wykonywania w jednym cyklu więcej niż czterech wyników operacji zmiennoprzecinkowych na liczbach 64-bitowych lub dłuższych; lub

3E002 zaprojektowany do wykonywania w jednym cyklu więcej niż czterech wyników operacji stałoprzecinkowych typu multiply-accumulate na liczbach 16-bitowych (np. obróbka cyfrowa informacji analogowych, które uprzednio zostały przekształcone na postać cyfrową, znana również jako cyfrowe przetwarzanie sygnału). Uwaga: Pozycja 3E002.c nie obejmuje kontrolą technologii do rozszerzeń multimedialnych.

zastosowanie technologii na poziomie 0,130 μm lub powyżej; oraz

wykorzystywanie struktur wielowarstwowych o co najwyżej pięciu warstwach metalu.

próżniowych urządzeń mikroelektronicznych;

heterostrukturalnych elektronicznych urządzeń półprzewodnikowych, takich jak tranzystory o wysokiej ruchliwości elektronów (HEMT), tranzystory heterobipolarne (HBT), urządzenia nadstrukturalne oraz ze studnią kwantową; Uwaga: Pozycja 3E003.b nie obejmuje kontrolą technologii dla tranzystorów o wysokiej ruchliwości elektronów (HEMT), pracujących na częstotliwościach niższych od 31,8 GHz oraz tranzystorów heterobipolarnych (HBT), pracujących na częstotliwościach niższych od 31,8 GHz.

urządzeń elektronicznych opartych na Nadprzewodnikach;

podłoży folii diamentowych do podzespołów elektronicznych;

podłoży do układów scalonych, typu krzem na izolatorze (SOI), gdzie izolatorem jest dwutlenek krzemu;

podłoży z węglika krzemu do części elektronicznych;

elektronicznych lamp próżniowych, pracujących na częstotliwościach równych 31,8 GHz lub wyższych.

KATEGORIA 4 KOMPUTERY

Uwaga 1: Komputery, towarzyszące im sprzęt i oprogramowanie wypełniające funkcje telekomunikacyjne lub działające w ramach lokalnej sieci komputerowej, muszą również być analizowane pod kątem spełniania charakterystyk, przynależnych do kategorii 5 część 1 – Telekomunikacja. Uwaga 2: Jednostki sterujące podłączone bezpośrednio do szyn lub łączy jednostek centralnych, pamięci operacyjnych lub sterowników dysków nie są uważane za urządzenia telekomunikacyjne ujęte w kategorii 5 część 1 – Telekomunikacja. N.B.: Dla ustalenia poziomu kontroli oprogramowania specjalnie zaprojektowanego do komutacji pakietów, zob. pozycja 5D001. Uwaga 3: Komputery, towarzyszące im urządzenia i oprogramowanie spełniające funkcje szyfrowania, rozszyfrowywania, systemu zabezpieczeń wymagającego potwierdzania wielopoziomowego lub w wymagających potwierdzania systemach wyodrębnienia użytkownika lub które ograniczają zgodność elektromagnetyczną (EMC), należy również analizować pod kątem spełniania charakterystyk, przynależnych do kategorii 5 część 2 – Ochrona informacji.

4A Systemy, urządzenia i części składowe 4A001 Komputery elektroniczne i towarzyszący im sprzęt spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów i zespoły elektroniczne oraz specjalnie do nich zaprojektowane części składowe: N.B.: ZOB. TAKŻE POZYCJA 4A101. 4A003 Następujące komputery cyfrowe, zespoły elektroniczne i sprzęt im towarzyszący oraz specjalnie zaprojektowane dla nich części składowe: Uwaga 1: Pozycja 4A003 obejmuje: Uwaga 2: Poziom kontroli komputerów cyfrowych i towarzyszącego im sprzętu opisany w pozycji 4A003 wynika z poziomu kontroli innego sprzętu lub systemów, pod warunkiem że: 4A004 Następujące komputery i specjalnie do nich zaprojektowany sprzęt towarzyszący, zespoły elektroniczne i ich części składowe: 4A005 Systemy, wyposażenie i ich części składowe, specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do tworzenia, obsługi lub dostarczania złośliwego oprogramowania lub komunikacji z nim. 4A101 Komputery analogowe, komputery cyfrowe lub cyfrowe analizatory różniczkowe, inne niż wyszczególnione w pozycji 4A001.a.1, zabezpieczone przed narażeniami mechanicznymi lub podobnymi i specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do użycia w kosmicznych pojazdach nośnych, wyszczególnionych w pozycji 9A004 lub w rakietach meteorologicznych wyszczególnionych w pozycji 9A104. 4A102 Komputery hybrydowe, specjalnie zaprojektowane do modelowania, symulowania lub integrowania konstrukcyjnego kosmicznych pojazdów nośnych wyszczególnionych w pozycji 9A004 lub rakiet meteorologicznych wyszczególnionych w pozycji 9A104. Uwaga: Kontrola dotyczy wyłącznie takich sytuacji, w których sprzęt jest dostarczany z oprogramowaniem wymienionym w pozycji 7D103 lub 9D103.

4A a.

specjalnie zaprojektowane, aby spełniać którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. możliwość działania w temperaturze otoczenia poniżej 228 K (-45 °C) lub powyżej 358 K (85 °C); lub Uwaga: Pozycja 4A001.a.1 nie obejmuje kontrolą komputerów specjalnie zaprojektowanych do zastosowania w samochodach cywilnych, kolejnictwie lub cywilnych statkach powietrznych.

2. zabezpieczone przed promieniowaniem jonizującym, o następujących parametrach minimalnych: a. dawka całkowita 5 × 103 Gy (Si); b. narastanie natężenia dawki 5 × 106 Gy (Si)/s; lub c. pojedyncze przypadkowe zakłócenie 1 × 10-8 błędów/bit/dzień; Uwaga: Pozycja 4A001.a.2 nie obejmuje kontrolą komputerów specjalnie zaprojektowanych do zastosowania w cywilnych statkach powietrznych.

nieużywane.

procesory wektorowe,

procesory tablicowe,

cyfrowe procesory sygnałowe,

procesory logiczne,

sprzęt zaprojektowany do wzmacniania obrazów,

sprzęt zaprojektowany do przetwarzania sygnałów.

komputery cyfrowe lub towarzyszący im sprzęt mają zasadnicze znaczenie dla działania innego sprzętu lub systemów;

komputery cyfrowe lub towarzyszący im sprzęt nie są elementem o podstawowym znaczeniu innego sprzętu lub systemów; oraz N.B. 1: Poziom kontroli sprzętu do przetwarzania sygnałów lub wzmacniania obrazów, specjalnie zaprojektowanych do innego sprzętu i ograniczonych funkcjonalnie do wymogów pracy tego sprzętu wynika z poziomu kontroli innego sprzętu, nawet, gdy wykracza to poza kryterium elementu o podstawowym znaczeniu. N.B. 2: W przypadku poziomu kontroli komputerów cyfrowych lub towarzyszącego im sprzętu, do sprzętu telekomunikacyjnego zob. kategoria 5 część 1 – Telekomunikacja.

technologia do komputerów cyfrowych i towarzyszącego im sprzętu jest określona przez pozycję 4E.

nieużywane;

komputery cyfrowe posiadające skorygowaną wydajność szczytową (APP) powyżej 8,0 teraflopsa ważonego (WT);

4A003 zespoły elektroniczne, specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane w celu polepszenia mocy obliczeniowej poprzez agregację procesorów, w taki sposób, że APP agregatu przekracza wartość graniczną określoną w pozycji 4A003.b; Uwaga 1: Pozycja 4A003.c obejmuje kontrolą wyłącznie zespoły elektroniczne i programowane połączenia, których moc obliczeniowa nie wykracza poza wartości graniczne określone w pozycji 4A003.b, w przypadku dostarczania ich jako zespoły elektroniczne w stanie rozłożonym. Pozycja ta nie obejmuje kontrolą zespołów elektronicznych, które ze względu na charakter swojej konstrukcji nie mogą z natury rzeczy być wykorzystywane jako urządzenia towarzyszące, wyszczególnione w pozycji 4A003.e. Uwaga 2: Pozycja 4A003.c nie obejmuje kontrolą zespołów elektronicznych, specjalnie zaprojektowanych do wyrobu lub rodziny wyrobów, których maksymalna konfiguracja nie wykracza poza ograniczenia wyszczególnione w pozycji 4A003.b.

nieużywane;

sprzęt do przetwarzania analogowo-cyfrowego o parametrach wykraczających poza wartości graniczne określone w pozycji 3A001.a.5;

nieużywane;

sprzęt specjalnie zaprojektowany w celu łączenia wydajności komputerów cyfrowych przez nawiązywanie połączeń zewnętrznych pozwalających na wymianę danych z szybkościami przekraczającymi 2,0 Gb/s w jednym kierunku dla każdego połączenia. Uwaga: Pozycja 4A003.g nie obejmuje kontrolą sprzętu zapewniającego połączenia wewnętrzne (np. tablice połączeń, szyny), urządzeń łączących o charakterze pasywnym, sterowników dostępu do sieci ani sterowników torów telekomunikacyjnych.

komputery z dynamiczną modyfikacją zestawu procesorów;

komputery neuronowe;

komputery optyczne.

4B Urządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne Żadne.

4C Materiały Żadne.

4D Oprogramowanie Uwaga: Poziom kontroli oprogramowania do urządzeń opisanych w innych kategoriach wynika z odpowiedniej kategorii. 4D 4D001 Następujące oprogramowanie: 4D002 Oprogramowanie specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do wspomagania technologii wyszczególnionych w pozycji 4E. 4D003 nieużywane. 4D004 Oprogramowanie specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do tworzenia, obsługi lub dostarczania złośliwego oprogramowania lub komunikacji z nim.

4D a.

oprogramowanie specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do rozwoju lub produkcji sprzętu lub oprogramowania wyszczególnionych w pozycji 4A001 do 4A004 lub 4D;

oprogramowanie, inne niż wyszczególnione w pozycji 4D001.a, specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane do rozwoju lub produkcji następującego sprzętu:

1. komputery cyfrowe posiadające skorygowaną wydajność szczytową (APP) powyżej 0,60 teraflopsa ważonego (WT);

2. zespoły elektroniczne, specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane w celu polepszenia mocy obliczeniowej poprzez agregację procesorów, w taki sposób, że APP agregatu przekracza wartość graniczną określoną w pozycji 4D001.b.1.

4E Technologia 4E001

4E a.

Technologia, zgodnie z uwagą ogólną do technologii, służąca do rozwoju, produkcji lub użytkowania sprzętu lub oprogramowania wyszczególnionych w pozycji 4 A lub 4D;

technologia, inna niż wyszczególniona w pozycji 4E001.a, specjalnie zaprojektowana lub zmodyfikowana do rozwoju lub produkcji następującego sprzętu:

1. komputery cyfrowe posiadające skorygowaną wydajność szczytową (APP) powyżej 0,60 teraflopsa ważonego (WT);

Technologia służąca do opracowywania złośliwego oprogramowania.

UWAGA TECHNICZNA DOTYCZĄCA SKORYGOWANEJ WYDAJNOŚCI SZCZYTOWEJ (APP)

APP oznacza skorygowaną największą prędkość, z jaką komputery cyfrowe wykonują zmiennoprzecinkowe operacje dodawania i mnożenia na liczbach 64-bitowych lub dłuższych. APP wyraża się w teraflopsach ważonych (WT), w jednostkach wynoszących 1012 skorygowanych operacji zmiennoprzecinkowych na sekundę.

Skróty stosowane w niniejszej uwadze technicznej

n liczba procesorów w komputerze cyfrowym i numer procesora (i,…n) ti czas cyklu procesora (ti = 1/Fi) Fi częstotliwość procesora Ri szczytowa szybkość obliczeniowa dla operacji zmiennoprzecinkowych Wi współczynnik korygujący związany z architekturą systemu

Omówienie sposobu obliczania APP 1.2.3.4. Uwaga techniczna:

Dla każdego procesora i określić szczytową liczbę operacji zmiennoprzecinkowych (FPOi) na liczbach 64-bitowych lub dłuższych wykonywanych w jednym cyklu przez każdy procesor komputera cyfrowego. Uwaga: Określając FPO, należy brać pod uwagę wyłącznie zmiennoprzecinkowe operacje dodawania lub mnożenia na liczbach 64-bitowych lub dłuższych. Wszystkie operacje zmiennoprzecinkowe muszą być wyrażone w operacjach na cykl procesora; operacje wymagające wielu cykli można wyrażać w postaci wyniku ułamkowego na jeden cykl. W przypadku procesorów niezdolnych do wykonywania operacji na argumentach zmiennoprzecinkowych o długości 64 bitów lub dłuższych, efektywna szybkość obliczeniowa R wynosi zero. Obliczyć szybkość operacji zmiennoprzecinkowych R dla każdego procesora, Ri = FPOi/ti. Obliczyć APP z wzoru APP = W1 × R1 + W2 × R2 + … + Wn × Rn. Dla procesorów wektorowych, Wi = 0,9. Dla procesorów niebędących procesorami wektorowymi, Wi = 0,3. Uwaga 1: W przypadku procesorów wykonujących w jednym cyklu operacje złożone, takie jak dodawanie i mnożenie, liczy się każda operacja. Uwaga 2: W przypadku procesora działającego w trybie potokowym, jako efektywną szybkość obliczeniową R przyjmuje się większą z następujących prędkości: prędkość w trybie potokowym przy pełnym wykorzystaniu potoku i prędkości w trybie niepotokowym. Uwaga 3: Do celów obliczenia APP całego zespołu przyjmuje się dla każdego procesora składowego jego maksymalną teoretycznie możliwą szybkość obliczeniową R. Przyjmuje się, że zachodzi równoczesne wykonywanie operacji, jeżeli producent komputera stwierdza w broszurze lub podręczniku użytkownika, że komputer przetwarza dane w sposób współbieżny, równoległy lub równoczesny. Uwaga 4: Przy obliczaniu APP nie uwzględnia się procesorów, których rola ogranicza się do funkcji wejścia/wyjścia i peryferyjnych (np. w napędzie dysków, urządzeniach komunikacyjnych i wyświetlaczu wideo). Uwaga 5: Nie oblicza się wartości APP dla zespołów procesorów połączonych ze sobą i z innymi w ramach lokalnych sieci komputerowych, rozległych sieci komputerowych (WAN), dzielonych wspólnych połączeń lub urządzeń wejścia/wyjścia, kontrolerów wejścia/wyjścia oraz we wszelkich połączeniach komunikacyjnych implementowanych przez oprogramowanie. Uwaga 6: Konieczne jest obliczenie wartości APP dla: łącznie wszystkie procesory i akceleratory działające równocześnie i znajdujące się na tej samej płytce. Uwaga 7: Procesor wektorowy jest zdefiniowany jako procesor wyposażony w wewnętrzne instrukcje pozwalające równocześnie wykonywać wielokrotne operacje na wektorach zmiennoprzecinkowych (jednowymiarowych tablicach złożonych z liczb 64-bitowych lub dłuższych), posiadający co najmniej dwie funkcjonalne jednostki wektorowe i co najmniej 8 rejestrów wektorowych, każdy o pojemności co najmniej 64 elementów.

Omówienie sposobu obliczania APP 1.2.3.4.

1. zespołów procesorów zawierających procesory specjalnie zaprojektowane w celu zwiększenia wydajności poprzez agregację, równoczesne działanie i współdzielenie pamięci; lub

2. większej liczby zespołów pamięć/procesor działających równocześnie z wykorzystaniem specjalnie zaprojektowanego sprzętu.

KATEGORIA 5 TELEKOMUNIKACJA I OCHRONA INFORMACJI

CZEŚĆ 1 TELEKOMUNIKACJA

5A1 Uwaga techniczna:

Systemy, urządzenia i części składowe 5A001 Następujące systemy telekomunikacyjne, urządzenia telekomunikacyjne, części składowe i osprzęt: 5A101 Sprzęt do zdalnego przekazywania wyników pomiarów i do zdalnego sterowania, w tym sprzęt naziemny, zaprojektowany lub zmodyfikowany do użycia w pociskach rakietowych. W pozycji 5A101 pocisk rakietowy oznacza kompletne systemy rakietowe oraz systemy bezzałogowych statków powietrznych, zdolnych do pokonania odległości przekraczającej 300 km. Uwaga: Pozycja 5A101 nie obejmuje kontrolą:

5A1 a.

dowolny typ sprzętu telekomunikacyjnego, posiadający jedną z niżej wymienionych cech lub właściwości lub realizujący jedną z wymienionych funkcji: Uwaga: Pozycje 5A001.a.2 i 5A001.a.3 nie obejmują kontrolą sprzętu zaprojektowanego lub zmodyfikowanego do stosowania w satelitach.

1. specjalnie zabezpieczone przed skutkami przejściowych zjawisk elektronicznych lub impulsu elektromagnetycznego, powstających w wyniku wybuchu jądrowego;

2. specjalnie zabezpieczone przed promieniowaniem gamma, neutronowym lub jonizacyjnym; lub

3. specjalnie zaprojektowane do eksploatacji w zakresie temperatur poza przedziałem od 218 K (- 55 °C) do 397 K (+ 124 °C); Uwaga: Pozycja 5A001.a.3 odnosi się wyłącznie do sprzętu elektronicznego.

systemy i urządzenia telekomunikacyjne oraz specjalnie do nich zaprojektowane części składowe i osprzęt, posiadające którąkolwiek z niżej wymienionych cech i właściwości lub realizujące którąkolwiek z wymienionych poniżej funkcji:

1. będące bezprzewodowymi systemami komunikacji podwodnej spełniającymi którekolwiek z poniższych kryteriów:

1. a.

akustyczna częstotliwość nośna poza przedziałem 20 kHz do 60 kHz;

działające w zakresie elektromagnetycznej częstotliwości nośnej poniżej 30 kHz;

działające z wykorzystaniem technik sterowania za pomocą wiązki elektronów; lub

działające z wykorzystaniem laserów lub diod elektroluminescencyjnych (LED) o fali wyjściowej, której długość przekracza 400 nm, lecz nie osiąga 700 nm, w lokalnej sieci komputerowej;

2. będące sprzętem radiowym działającym w paśmie od 1,5 do 87,5 MHz i spełniające wszystkie z poniższych kryteriów:

2. a.

automatyczne przewidywanie i wybieranie częstotliwości oraz całkowite szybkości transmisji danych cyfrowych na kanał, umożliwiające optymalizację transmisji; oraz

zaopatrzenie w liniowy wzmacniacz mocy umożliwiający równoczesną obróbkę wielu sygnałów przy mocy wyjściowej 1 kW lub wyższej, w zakresie częstotliwości od 1,5 do 30 MHz, lub 250 W lub wyższej w zakresie częstotliwości od 30 do 87,5 MHz, w zakresie pasma chwilowego o szerokości jednej oktawy lub większej oraz z wyjściem o zniekształceniach harmonicznych lub innych lepszych niż -80 dB;

3. będące sprzętem radiowym, w którym zastosowano techniki widma rozproszonego w tym rozrzucanie częstotliwości, poza wyszczególnionymi w pozycji 5A001.b.4, i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów: Uwaga: Pozycja 5A001.b.3 nie obejmuje kontrolą urządzeń o mocy wyjściowej 1 W lub mniejszej.

3. a.

programowane przez użytkownika kody rozpraszania; lub

całkowita szerokość przesyłanego pasma 100 lub więcej razy większa od szerokości pasma dowolnego z kanałów informacyjnych w nadmiarze 50 kHz; Uwaga: Pozycja 5A001.b.3.b nie obejmuje kontrolą sprzętu radiowego specjalnie zaprojektowanego do stosowania w którychkolwiek z poniższych:

a.

sieci telekomunikacyjnych w układzie terytorialnym (komórkowym) działających w zakresie pasm cywilnych; lub

b.

Stałe lub ruchome naziemne stacje satelitarne do zastosowań w komercyjnych cywilnych systemach telekomunikacji.

4. 5A001 b. będące sprzętem radiowym, w którym zastosowano ultraszerokopasmowe techniki modulacji, posiadające programowane przez użytkownika kody przydzielania kanałów, szyfrowania (scrambling) lub identyfikacji sieci i spełniające którekolwiek z poniższych kryteriów:

4. a.

szerokość pasma przekraczająca 500 MHz; lub

ułamkowa szerokość pasma wynosząca 20 % lub więcej;

5. Uwagi techniczne:

będące sterowanymi cyfrowo odbiornikami radiowymi, które spełniają wszystkie poniższe kryteria: Uwaga: Pozycja 5A001.b.5 nie obejmuje kontrolą sprzętu specjalnie zaprojektowanego do komórkowych radiowych sieci telekomunikacyjnych, działających w zakresie pasm cywilnych. Czas przełączania kanałów oznacza czas (tj. opóźnienie) do zmiany z jednej częstotliwości odbiorczej na inną, by osiągnąć zgodną ze specyfikacjami końcową częstotliwość odbiorczą na poziomie zadanym lub w przedziale ± 0,05 % wokół tego poziomu. Produkty, których zgodna ze specyfikacjami częstotliwość mieści się w przedziale węższym niż ± 0,05 % wokół ich częstotliwości środkowej, definiowane są jako niezdolne do przełączania częstotliwości kanałów.

5. a.

posiadają ponad 1000 kanałów;

charakteryzują się czasem przełączania kanałów niższym od 1 ms;

umożliwiają automatyczne przeszukiwanie lub skanowanie części widma fal elektromagnetycznych; oraz

umożliwiają identyfikację odbieranych sygnałów lub typu nadajnika; lub

6. Uwagi techniczne: 1.2.

będące urządzeniami wykorzystującymi funkcje cyfrowego przetwarzania sygnałów dla realizacji kodowania mowy z szybkością poniżej 2400 bitów/s; Dla zmiennych współczynników kodowania mowy, pozycja 5A001.b.6 dotyczy kodowania mowy w odniesieniu do wyjścia ciągłego sygnału głosowego. Do celów pozycji 5A001.b.6 kodowanie mowy określa się jako technikę próbkowania głosu ludzkiego, a następnie przetwarzania próbek na sygnał cyfrowy, z uwzględnieniem cech szczególnych mowy ludzkiej.

c. Uwaga techniczna:

światłowody o długości ponad 500 m i określone przez producenta, jako mogące się oprzeć podczas testu kontrolnego naprężeniom rozciągającym wynoszącym 2 × 109 N/m2 lub większe; N.B.: Dla kabli startowych (pępowinowych) zob. także pozycja 8A002.a.3. Test kontrolny: prowadzona na bieżąco (on line) lub poza linią produkcyjną (off-line) kontrola zupełna, podczas której wszystkie włókna są obciążane dynamicznie z góry określonymi naprężeniami rozciągającymi, działającymi na odcinek światłowodu o długości od 0,5 do 3 m, przeciągany z szybkością 2 do 5 m/s pomiędzy bębnami nawijającymi o średnicy około 150 mm. Temperatura otoczenia powinna wynosić 293 K (20 °C), a wilgotność względna 40 %. Testy kontrolne można przeprowadzić według równoważnych norm krajowych.

elektronicznie sterowane fazowane układy antenowe pracujące w zakresie częstotliwości powyżej 31,8 GHz; Uwaga: Pozycja 5A001.d nie obejmuje kontrolą elektronicznie sterowanych fazowanych układów antenowych do systemów kontroli lądowania oprzyrządowanych według wymagań norm ICAO obejmujących mikrofalowe systemy kontroli lądowania (MLS).

5A001 sprzęt radiowy do namierzania kierunku działający na częstotliwościach powyżej 30 MHz i spełniający wszystkie poniższe kryteria, jak również specjalnie zaprojektowane podzespoły do tego sprzętu:

1. chwilowa szerokość pasma wynosząca 10 MHz lub więcej; oraz

2. zdolność określania namiaru na niewspółpracujące nadajniki radiowe emitujące sygnał o czasie trwania krótszym niż 1 ms;

następujące urządzenia przechwytujące lub zakłócające telekomunikacji mobilnej i urządzenia monitorujące do nich oraz specjalnie zaprojektowane do nich części składowe: Uwaga: Pozycje 5A001.f.1 i 5A001.f.2 nie obejmują kontrolą żadnych z poniższych: N.B. 1: ZOB. TAKŻE WYKAZ UZBROJENIA. N.B. 2: Odbiorniki radiowe - zob. pozycja 5A001.b.5.

1. urządzenia przechwytujące zaprojektowane do ekstrahowania głosu lub danych, transmitowanych przez interfejs radiowy;

2. urządzenia przechwytujące niewymienione w pozycji 5A001.f.1., zaprojektowane do ekstrahowania identyfikatorów urządzeń klientów lub abonentów (np. IMSI, TIMSI lub IMEI), sygnałów lub innych metadanych transmitowanych przez interfejs radiowy;

3. sprzęt zakłócający zaprojektowany lub zmodyfikowany specjalnie na potrzeby celowego i selektywnego zakłócania, blokowania, utrudniania, pogarszania jakości lub wprowadzania w błąd systemów usług telekomunikacyjnych w sieciach ruchomych i wypełniający którekolwiek z poniższych kryteriów:

3. a.

zdolność symulowania funkcji sprzętu sieci dostępu radiowego (RAN);

wykrywanie i wykorzystywanie cech szczególnych stosowanego protokołu telekomunikacji ruchomej (np. GSM); lub

wykorzystywanie cech szczególnych stosowanego protokołu telekomunikacji ruchomej (np. GSM);

4. urządzenia do monitorowania częstotliwości radiowych zaprojektowane lub zmodyfikowane do wykrywania działania podzespołów określonych w pozycjach 5A001.f.1., 5A001.f.2. lub 5A001.f.3.;

a.

urządzeń zaprojektowanych specjalnie do przechwytywania analogowych prywatnych systemów radiowej łączności ruchomej (PMR), IEEE 802.11 WLAN;

b.

urządzeń zaprojektowanych na potrzeby operatorów sieci telekomunikacji mobilnej; lub

c.

urządzeń zaprojektowanych do rozwoju lub produkcji urządzeń lub systemów telekomunikacji mobilnej.

g. Uwaga techniczna:

systemy lub urządzenia do pasywnej koherentnej lokacji (PCL) specjalnie zaprojektowane do wykrywania i śledzenia obiektów ruchomych za pomocą pomiaru odbić emisji częstotliwości radiowych z otoczenia, pochodzących od nadajników nieradarowych; Nadajniki nieradarowe mogą obejmować stacje bazowe radiowe, telewizyjne i telefonii komórkowej. Uwaga: Pozycja 5A001.g nie obejmuje kontrolą żadnych z poniższych:

a.

urządzeń radioastronomicznych; lub

b.

systemów lub urządzeń wymagających, aby cel nadawał jakikolwiek sygnał radiowy.

5A001 następujące urządzenia do unieszkodliwiania improwizowanych urządzeń wybuchowych (IED) i powiązany sprzęt: N.B.: ZOB. TAKŻE WYKAZ UZBROJENIA.

1. urządzenia do transmisji w częstotliwości radiowej (RF), niewyszczególnione w pozycji 5A001.f., zaprojektowane lub zmodyfikowane do przedwczesnej aktywacji lub zapobiegania inicjacji improwizowanych urządzeń wybuchowych;

2. urządzenia wykorzystujące techniki zaprojektowane w celu umożliwienia komunikacji radiowej na tych samych kanałach częstotliwości, na których transmitują urządzenia towarzyszące określone w pozycji 5A001.h.1.

nieużywane;

j. Uwaga techniczna:

Systemy lub urządzenia do nadzorowania komunikacji w sieci z wykorzystaniem protokołu IP oraz specjalnie zaprojektowane do nich części składowe, spełniające wszystkie poniższe kryteria: Uwaga: Pozycja 5A001.j nie obejmuje kontrolą systemów lub sprzętu specjalnie zaprojektowanego do którychkolwiek z poniższych: Twarde parametry oznaczają dane lub zestaw danych powiązanych z daną osobą (np. nazwisko, imię, adres e-mail, adres zamieszkania, numer telefonu lub powiązania grupowe).

1. wykonujące wszystkie poniższe działania w sieci IP klasy operatorskiej (np. krajowa sieć szkieletowa IP):

1. a.

analiza w warstwie aplikacji (np. warstwa 7 modelu OSI (Open Systems Interconnection) (ISO/IEC 7498-1));

ekstrakcja wybranych metadanych i zawartości aplikacji (np. głos, obraz wideo, wiadomości, załączniki); oraz

indeksowanie wyekstrahowanych danych; oraz

2. specjalnie zaprojektowane do wykonywania wszystkich następujących czynności:

2. a.

przeprowadzania wyszukiwania w oparciu o twarde parametry oraz

mapowanie sieci powiązań pojedynczej osoby lub grupy ludzi.

a.

cel rynkowy;

b.

sieciowa jakość usługi (QoS); lub

c.

postrzegalna jakość usług (QoE);

5A1 Uwaga techniczna: a.

sprzętu zaprojektowanego lub zmodyfikowanego do załogowych statków powietrznych lub satelitów;

sprzętu naziemnego, zaprojektowanego lub zmodyfikowanego do zastosowań lądowych lub morskich;

sprzętu zaprojektowanego do celów usług GNSS (np. integralności danych, bezpieczeństwa lotów) o charakterze komercyjnym, cywilnym lub dla ratowania życia.

5B1 a.

sprzęt i specjalnie zaprojektowane do niego elementy i akcesoria, specjalnie zaprojektowane do rozwoju lub produkcji urządzeń, materiałów, funkcji lub właściwości ujętych w pozycji 5A001; Uwaga: Pozycja 5B001.a nie obejmuje kontrolą sprzętu do cechowania światłowodów.

1. nieużywane;

2. a.

długość fali nadawczej przekraczająca 1750 nm;

dający wzmocnienie optyczne przy wykorzystaniu wzmacniaczy światłowodowych fluorkowych domieszkowanych prazeodymem (PDFFA);

Kolejne przepisy (1286) nie są tu pokazane; każdy ma własny adres.

Wersje

2014-10-22