Regulamento Delegado (UE) n.o 1382/2014 da Comissão de 22 de outubro de 2014 que altera o Regulamento (CE) n.o 428/2009 do Conselho que cria um regime comunitário de controlo das exportações, transferências, corretagem e trânsito de produtos de dupla utilização

Em vigorVersão 2014-10-22desde 2014-12-31

Classificação B

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Índice

Preâmbulo
1. Artigo 1.o
2. Artigo 2.o
ANNEX
ANEXO
ANEXO I Lista referida no artigo 3.o do presente regulamento
LISTA DE PRODUTOS DE DUPLA UTILIZAÇÃO
a.
1. a.
b.
c.
ACRÓNIMOS E ABREVIATURAS UTILIZADOS NO PRESENTE ANEXO
d.
e.
f.
CATEGORIA 0 MATERIAIS, INSTALAÇÕES E EQUIPAMENTOS NUCLEARES
0A a.
0B Nota técnica:
0B a.
7. a.
13. a.
14. a.
5. a.
6. a.
0C a.
CATEGORIA 1 MATERIAIS ESPECIAIS E EQUIPAMENTO CONEXO
1A Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica:
1A a.
1. a.
4. a.
1A Notas técnicas: 1.2. a.
1A Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. a.
1A Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: a.
1B Nota técnica: 1.2. Nota técnica:
1B a.
1B Nota técnica: 1.2. a.
a.
b.
c.
1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica 1: Nota técnica 2: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3.
1C Nota técnica: a.
a.
b.
c.
1. Nota técnica:
1. a.
d.
1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. a.
1. a.
2. a.
3. a.
4. a.
5. a.
1. Nota técnica:
1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: a.
1. Nota técnica:
2. Nota técnica:
3. a.
1. a.
1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica:
4. a.
1. a.
2. a.
1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. a.
a.
b.
c.
d.
1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. d.
1. a.
2. a.
a.
b.
a. 1C011 a.Nota técnica:
1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: a.
a.
b.
1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica: a.
1. Nota técnica:
2. a. Nota técnica:
3. a.
4. a.
5. Nota técnica:
5. a.
6. a.
1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica 1:
1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica 1: Nota técnica 2: a.
1. a.
2. a.
1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica 1: Nota técnica 2: Nota técnica: a.
1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica 1: Nota técnica 2: Nota técnica: Nota técnica: a.
1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica 1: Nota técnica 2: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.
1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica 1: Nota técnica 2: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.
1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica 1: Nota técnica 2: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.
1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica 1: Nota técnica 2: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.
4. a.
6. Nota técnica:
5. a.
1E a.
1. a.
3. a.
CATEGORIA 2 TRATAMENTO DE MATERIAIS
2A Nota técnica:
2A a.
2. a.
2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2.
2B Notas técnicas: 1.2. a.
2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5. a.
2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. a.
a.
b.
1. a.
2. a.
4. a.
c.
2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas:
2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas: Nota técnica: a.
1. a.
2. a.
1. Nota técnica:
1. a.
2. a.
2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: a.
2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.
2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.
1. a.
a.
b.
2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a. Nota técnica:
2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: a.
2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: a.
2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Notas técnicas: 1.2. a.
2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. a.
1. a.
2. a.
3. a.
a.
b.
c.
d.
e.
f.
g.
h.
i.
2. a.
1. a.
2D a.
2E Quadro 1.2.3.A.B.B.1.B.2.B.3.B.4.C.D.E.F.G. Técnicas de deposição
2E a.
1. a.
2. a.
a.
b.
c.
d.
e.
f.
g.
CATEGORIA 3 ELETRÓNICA
3A Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2.
3A a.
1. a.
2. a.
5. Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6.7.8.9. 3A001 a. 5.Notas técnicas: 1.2.3.4.
5. a.
5. Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6.7.8.9. b.
2. a.
6. a.
7. 3A001 a. 7.Notas técnicas: 1.2.3.
7. a.
10. a.
11. a.
12. Nota técnica:
13. Nota técnica:
13. a.
4. a.
3. a.
4. a.
3. Nota técnica:
8. a.
9. Notas técnicas: 1.2.
9. a.
10. Nota técnica:
1. Nota técnica:
1. Notas técnicas: 1.2.3.4.
4. Nota técnica:
5. Notas técnicas: 1.2.
6. Nota técnica:
3. Nota técnica:
3A Notas técnicas: 1.2. a.
1. a.
2. a.
3A Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. a.
3A Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. a.
3B a.
1. a.
3. a.
3C a.
3D Nota técnica:
3E a.
CATEGORIA 4 COMPUTADORES
4A a.
4D a.
4E a.
Abreviaturas utilizadas na presente nota técnica
Descrição do método de cálculo do PDA 1.2.3.4. Nota técnica:
Descrição do método de cálculo do PDA 1.2.3.4.
CATEGORIA 5 TELECOMUNICAÇÕES E SEGURANÇA DA INFORMAÇÃO
PARTE 1 TELECOMUNICAÇÕES
5A1 Nota técnica:
5A1 a.
1. a.
2. a.
3. a.
a.
b.
4. a.
5. Notas técnicas:
5. a.
6. Notas técnicas: 1.2.
a.
b.
c.
5B1 a.
2. a.

A COMISSÃO EUROPEIA,

Tendo em conta o Tratado sobre o Funcionamento da União Europeia,

Tendo em conta o Regulamento (CE) n.o 428/2009 do Conselho, de 5 de maio de 2009, que cria um regime comunitário de controlo das exportações, transferências, corretagem e trânsito de produtos de dupla utilização, nomeadamente o artigo 15.o, n.o 3,

Considerando o seguinte:

(1) O Regulamento (CE) n.o 428/2009 do Conselho estabelece que os produtos de dupla utilização devem ser sujeitos a um controlo eficaz quando são exportados a partir da União, quando nela transitam ou quando são entregues num país terceiro através de um serviço de corretagem prestado por um corretor residente ou estabelecido na União.

(2) O anexo I do Regulamento (CE) n.o 428/2009 estabelece a lista comum de produtos de dupla utilização que estão sujeitos a controlos na União. As decisões sobre os produtos sujeitos a controlos são tomadas no âmbito do Grupo da Austrália, do Regime de Controlo da Tecnologia dos Mísseis, do Grupo de Fornecedores Nucleares, do Acordo de Wassenaar e da Convenção sobre Armas Químicas.

(3) A lista dos produtos de dupla utilização estabelecida no anexo I do Regulamento (CE) n.o 428/2009 necessita de ser atualizada regularmente, de modo a assegurar o pleno cumprimento das obrigações de segurança internacionais, a fim de garantir a transparência e manter a competitividade dos exportadores. A fim de facilitar a consulta das autoridades responsáveis pelo controlo das exportações e dos operadores, deve ser publicada uma versão atualizada e consolidada do anexo do Regulamento (CE) n.o 428/2009.

(4) O Regulamento (CE) n.o 428/2009 habilita a Comissão a atualizar a lista de produtos de dupla utilização estabelecida no anexo I por meio de atos delegados, em conformidade com as obrigações e compromissos pertinentes, e com qualquer alteração dos mesmos, que tenham sido aceites pelos Estados-Membros no âmbito de regimes de não-proliferação e de acordos em matéria de controlo das exportações internacionais, ou através da ratificação de tratados internacionais pertinentes.

(5) O Regulamento (CE) n.o 428/2009 deve, por conseguinte, ser alterado em conformidade,

ADOTOU O PRESENTE REGULAMENTO:

Artigo 1.o

O anexo I do Regulamento (CE) n.o 428/2009 é substituído pelo texto do anexo do presente regulamento.

Artigo 2.o

O presente regulamento entra em vigor no dia seguinte ao da sua publicação no Jornal Oficial da União Europeia.

O presente regulamento é obrigatório em todos os seus elementos e diretamente aplicável em todos os Estados-Membros. Feito em Bruxelas, em 22 de outubro de 2014. Pela Comissão O Presidente José Manuel Barroso

ANNEX

ANEXO

ANEXO I Lista referida no artigo 3.o do presente regulamento

LISTA DE PRODUTOS DE DUPLA UTILIZAÇÃO

A presente lista dá aplicação aos controlos internacionalmente acordados sobre bens de dupla utilização, nomeadamente no Acordo de Wassenaar, no Regime de Controlo da Tecnologia dos Mísseis (MTCR), no Grupo de Fornecedores Nucleares (NSG), no Grupo da Austrália e na Convenção sobre Armas Químicas (CWC).

NOTAS GERAIS AO ANEXO I 1.2.3.4.

Para o controlo dos bens concebidos ou modificados para uso militar, consultar a(s) lista(s) correspondente(s) de controlo de bens para uso militar mantida(s) por cada um dos Estados-Membros. As referências VER TAMBÉM A LISTA DE MATERIAL DE GUERRA contidas no presente anexo remetem para essas listas. O objetivo dos controlos contidos no presente anexo não deve ser contrariado pela exportação de bens não controlados (incluindo instalações) que contenham um ou mais componentes sujeitos a controlo, quando o ou os componentes sujeitos a controlo forem o elemento principal desses bens e puderem ser removidos ou utilizados para outros fins. N.B.: Para avaliar se o(s) componente(s) controlados deve(m) ou não ser considerado(s) o elemento principal, é necessário ponderar fatores como a quantidade, o valor e o saber-fazer técnico em jogo, bem como outras circunstâncias especiais que possam justificar a classificação do ou dos componentes controlados como elemento principal das mercadorias em questão. Os bens especificados no presente anexo incluem tanto os bens novos como os usados. Nalguns casos, os produtos químicos estão indicados na lista pelo nome e pelo número CAS. A lista aplica-se aos produtos químicos com a mesma fórmula estrutural (incluindo os hidratos), seja qual for o seu nome ou número CAS. A apresentação dos números CAS destina-se a ajudar a identificar determinado produto químico ou mistura química, independentemente da nomenclatura. Os números CAS não podem ser utilizados como identificadores únicos, uma vez que algumas formas de um produto químico enumerado na lista têm números CAS diferentes e que as misturas que contêm determinado produto químico enumerado também podem ter números CAS diferentes.

NOTA SOBRE TECNOLOGIA NUCLEAR (NTN)

(Ler em conjugação com a Secção E da Categoria 0.) A tecnologia diretamente associada a qualquer dos bens incluídos na categoria 0 será alvo de controlo em conformidade com o disposto para a categoria 0. A tecnologia para o desenvolvimento, produção ou utilização de bens sujeitos a controlo mantém-se sujeita a controlo mesmo quando aplicável a bens não controlados. A aprovação de bens para exportação autoriza também a exportação para o mesmo utilizador final da tecnologia mínima necessária para a instalação, exploração, manutenção e reparação desses bens. O controlo da transferência de tecnologia não se aplica às informações do domínio público nem à investigação científica de base.

NOTA GERAL SOBRE TECNOLOGIA (NGT)

(Ler em conjugação com a secção E das categorias 1 a 9.) A exportação da tecnologia necessária para o desenvolvimento, produção ou utilização de bens incluídos nas categorias 1 a 9 é controlada de acordo com o disposto para as categorias 1 a 9. A tecnologia necessária para o desenvolvimento, produção ou utilização de bens sujeitos a controlo mantém-se sujeita a controlo mesmo quando aplicável a bens não controlados. Os controlos não se aplicam à tecnologia mínima necessária para a instalação, exploração, manutenção (verificação) ou reparação de bens não controlados ou cuja exportação tenha sido autorizada. N.B.: Isto não isenta a tecnologia especificada em 1E002.e., 1E002.f., 8E002.a. e 8E002.b. O controlo da transferência de tecnologia não se aplica às informações do domínio público, à investigação científica de base, nem à informação mínima necessária a fornecer nos pedidos de patente.

NOTA GERAL SOBRE O SOFTWARE (NGS)

(A presente nota revoga todo e qualquer controlo no âmbito da secção D das categorias 0 a 9.) As categorias 0 a 9 da presente lista não abrangem o software que:

a.

Esteja geralmente à disposição do público em virtude de ser: N.B.: O ponto a. da Nota Geral sobre o Software não isenta o software especificado na Categoria 5 - Parte 2 (Segurança da informação).

1. Vendido diretamente, sem restrições, em postos de venda a retalho, mediante:

1. a.

Venda direta;

Venda por correspondência;

Venda por via eletrónica; ou

Encomenda por telefone; e

2. Concebido para ser instalado pelo utilizador sem necessidade de assistência técnica importante por parte do fornecedor;

b.

Seja do domínio público; ou

c.

O código-objeto mínimo necessário para a instalação, exploração, manutenção (verificação) ou reparação dos produtos cuja exportação tenha sido autorizada. N.B.: O ponto c. da Nota Geral sobre o Software não isenta o software especificado na categoria 5, parte 2 (Segurança da informação).

DEFINIÇÕES DOS TERMOS UTILIZADOS NO JORNAL OFICIAL DA UNIÃO EUROPEIA

Em conformidade com as regras estabelecidas no n.o 6.5 da página 108 do Código de Redação Interinstitucional (edição de 2011), para os textos em língua inglesa publicados no Jornal Oficial da União Europeia: O texto reproduzido no presente anexo segue a prática acima descrita.

é utilizada uma vírgula para separar números inteiros de decimais (p. ex. 3,67 cm),

é utilizado um espaço para indicar milhares em números inteiros (p. ex. 100000).

ACRÓNIMOS E ABREVIATURAS UTILIZADOS NO PRESENTE ANEXO

Os acrónimos ou abreviaturas, quando utilizados como termos definidos, encontram-se nas Definições dos termos utilizados no presente anexo. ACRÓNIMO OU ABREVIATURA SIGNIFICADO ABEC Annular Bearing Engineers Committee AGMA American Gear Manufacturers' Association AHRS attitude and heading reference systems (sistemas de referência de atitude e de rumo) AISI American Iron and Steel Institute ALU arithmetic logic unit (unidade lógica aritmética) ANSI American National Standards Institute ASTM American Society for Testing and Materials ATC controlo do tráfego aéreo AVLIS separação isotópica por laser de vapor atómico CAD conceção assistida por computador CAS Chemical Abstracts Service CDU unidade de controlo e visualização CEP erro circular provável CNTD decomposição térmica com nucleação controlada CRISLA reação química por ativação laser seletiva de isótopos CVD deposição em fase vapor por processo químico CW guerra química CW (lasers) onda contínua DME equipamento de medição de distâncias DS solidificação dirigida EB-PVD deposição em fase vapor por processo físico com feixe de eletrões EBU União Europeia de Radiodifusão ECM maquinagem eletroquímica ECR ressonância eletrão-ciclotrão EDM máquinas de eletroerosão EEPROM memórias programáveis apagáveis eletricamente somente para leitura EIA Electronic Industries Association EMC compatibilidade eletromagnética ETSI Instituto Europeu de Normas de Telecomunicações FFT Transformação Rápida de Fourier GLONASS sistema global de navegação por satélite GPS sistema global de determinação da posição HBT transístores heterobipolares HDDR registo digital de alta densidade HEMT transístores de elevada mobilidade eletrónica ICAO International Civil Aviation Organisation (Organização da Aviação Civil Internacional) IEC International Electro-technical Commission IEEE Institute of Electrical and Electronic Engineers IFOV campo de visão instantâneo ILS sistema de aterragem por instrumentos IRIG Inter-range instrumentation group ISA atmosfera standard internacional ISAR radar de abertura sintética inversa ISO Organização Internacional de Normalização UIT União Internacional das Telecomunicações JIS norma industrial japonesa JT Joule-Thomson LIDAR light detection and ranging LRU unidade substituível na linha da frente MAC código de autenticação de mensagem Mach relação entre a velocidade de um objeto e a velocidade do som (de Ernst Mach) MLIS separação isotópica por laser de moléculas MLS sistemas de aterragem por micro-ondas MOCVD deposição de organometálicos em fase vapor por processo químico MRI imagem por ressonância magnética MTBF tempo médio entre falhas Mtops milhões de operações teóricas por segundo MTTF tempo médio sem falhas NBC nuclear, biológico e químico NDT ensaio não destrutivo PAR radar de aproximação de precisão PIN número de identificação pessoal ppm partes por milhão PSD densidade espectral de potência QAM modulação de amplitude em quadratura RF radiofrequência SACMA Suppliers of Advanced Composite Materials Association SAR radar de abertura sintética SC monocristalino SLAR radar a bordo com observação lateral SMPTE Society of Motion Picture and Television Engineers SRA módulo substituível em oficina SRAM memória estática de acesso aleatório SRM métodos recomendados pela SACMA SSB banda lateral única SSR radares de vigilância secundários TCSEC trusted computer system evaluation criteria TIR leitura total indicada UV ultravioleta UTS resistência à rutura VOR Radiofarol de alinhamento omnidirecional VHF YAG yttrium/aluminium garnet (granada de ítrio/alumínio)

DEFINIÇÕES DOS TERMOS UTILIZADOS NO PRESENTE ANEXO Nota técnica: Nota técnica: Notas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica:

As definições dos termos entre aspas simples são dadas em Notas Técnicas nos pontos a que se referem. As definições dos termos entre aspas duplas são as que a seguir se apresentam: N.B.: As referências às categorias são dadas entre parênteses após o termo definido. Precisão (2 6) — Característica geralmente medida em termos de imprecisão e definida como o desvio máximo, positivo ou negativo, de um valor indicado em relação a uma norma aceite ou a um valor verdadeiro. Sistemas de controlo ativo de voo (7) — Sistemas que têm por função impedir movimentos ou cargas estruturais indesejáveis da aeronave ou do míssil, através do processamento autónomo dos dados de saída de vários sensores e do fornecimento subsequente das instruções preventivas necessárias para assegurar um controlo automático. Píxel ativo (6 8) — Elemento mínimo (único) do conjunto no estado sólido que realiza uma função de transferência fotoelétrica quando exposto a uma radiação luminosa (eletromagnética). Adaptado para fins militares (1) — Qualquer modificação ou seleção (como alteração da pureza, do tempo de conservação, da virulência, das características de disseminação ou da resistência às radiações UV) destinada a aumentar a sua capacidade para causar vítimas humanas ou animais, degradar equipamento, destruir colheitas ou danificar o ambiente. Pico de desempenho ajustado (4) — Taxa de pico ajustada a que os computadores digitais efetuam somas e multiplicações de vírgula flutuante de 64 bits ou mais e é expresso em TeraFLOPS ponderados (TP), em unidades de 1012 operações ajustadas de vírgula flutuante por segundo. N.B.: Ver categoria 4, nota técnica. Aeronave (1 7 9) — Veículo aéreo de asa fixa, de asa de geometria variável ou de asa rotativa (helicóptero), de rotor basculante ou de asas basculantes. N.B.: Ver também aeronave civil. Dirigível (9) — Veículo aéreo autopropulsado que é mantido a flutuar por um depósito de gás (habitualmente, hélio, antigamente hidrogénio) que é mais leve do que o ar. Todas as compensações disponíveis (2) – depois de consideradas todas as medidas à disposição do fabricante para minimizar todos os erros sistemáticos de posicionamento do modelo específico de máquina-ferramenta em questão ou os erros de medição da máquina de medição por coordenadas em questão. Atribuído pela UIT (3 5) — Atribuição de bandas de frequência de acordo com a atual edição do Regulamento de Radiocomunicações da UIT para serviços primários, autorizados e secundários. N.B.: Não se incluem as atribuições adicionais e alternativas. Desvio angular de posição (2) — Diferença máxima entre a posição angular e a posição angular real medida com grande precisão depois de o porta-peças ter sido deslocado da sua posição inicial Percurso aleatório angular (7) — Erro angular acumulado com o tempo que é devido ao ruído branco da velocidade angular. (IEEE STD 528-2001) PDA (4) — Sigla equivalente a Pico de desempenho ajustado. Algoritmo assimétrico (5) — Algoritmo criptográfico que utiliza códigos de tipo matemático diferentes para a cifragem e a decifragem. N.B.: Uma utilização comum de algoritmos assimétricos é a gestão de códigos. Seguimento automático do alvo (6) — Técnica de processamento que permite determinar e fornecer automaticamente como saída um valor extrapolado da posição mais provável do alvo, em tempo real. Potência média de saída (6) — Total da energia de saída laser, em joules, dividida pelo período durante o qual uma série de impulsos consecutivos é emitida, em segundos. Para uma série de impulsos uniformemente espaçados, é igual ao total da energia de saída laser num único impulso, em joules, multiplicado pela frequência do impulso laser, em Hertz. Tempo de propagação por porta lógica elementar (3) — Valor do atraso de propagação correspondente à porta lógica elementar utilizado num circuito integrado monolítico. Para uma família de circuitos integrados monolíticos, este valor pode ser especificado quer como o tempo de propagação por porta típica, quer como o tempo de propagação típico por porta, dentro da família em causa. N.B. 1: O tempo de propagação por porta lógica elementar não deve ser confundido com o tempo de propagação de entrada/saída de um circuito integrado monolítico complexo. N.B. 2: A família é constituída por todos os circuitos integrados aos quais se aplicam todos os requisitos seguintes em termos de metodologia e especificações de fabrico, mas não em termos de funções: Investigação científica de base (NGT NTN) — Trabalhos experimentais ou teóricos, empreendidos principalmente para adquirir novos conhecimentos sobre os princípios fundamentais de fenómenos ou factos observáveis, e não especialmente orientados para um fim ou objetivo específico. Polarização (acelerómetro) (7) — Média, num período de tempo especificado, da saída de um acelerómetro medida em condições de operação especificadas, que não tem correlação com a aceleração ou rotação de entrada. A polarização é expressa em g ou metros por segundo ao quadrado (g ou m/s2). (IEEE Std 528-2001) (Micro g = 1 × 10-6 g). Polarização (giroscópio) (7) — Média, num período de tempo especificado, da saída de um giroscópio medida em condições de operação especificadas, que não tem correlação com a aceleração ou rotação de entrada. A polarização é geralmente expressa em graus por hora (deg/hr). (IEEE STD 528-2001). Desalinhamento (2) — Deslocamento axial do fuso principal numa rotação, medido num plano perpendicular ao prato porta-ferro do fuso, num ponto junto da periferia do prato (Referência: ISO 230/1 1986, ponto 5.63). Pré-formas de fibras de carbono (1) — Disposição ordenada de fibras, revestidas ou não, destinada a servir de estrutura de suporte de um componente antes de a matriz ser introduzida para a formação de um compósito. Círculo de probabilidade igual (7) — Medida de precisão, que representa o raio do círculo centrado no alvo, a uma distância específica, no qual têm impacto 50 % das cargas úteis. Laser químico (6) — Laser em que a espécie excitada é produzida pela energia libertada numa reação química. Mistura química (1) — Produto sólido, líquido ou gasoso constituído por dois ou mais componentes que não reagem entre si nas condições em que a mistura é armazenada. Sistemas antitorque ou sistemas de controlo direcional controlados por circulação (7) — Sistemas que utilizam ar insuflado sobre as superfícies aerodinâmicas para aumentar ou controlar as forças produzidas por essas superfícies. Aeronave civil (1 3 4 7) – As aeronaves mencionadas pela sua designação própria nas listas de certificados de navegabilidade publicadas pelas autoridades de aviação civil, para operar em rotas comerciais civis, domésticas e internacionais, ou destinadas a utilização legal civil, privada ou de negócios. N.B.: Ver também aeronave. Misturado (1) — Mistura, filamento a filamento, de fibras termoplásticas e fibras de reforço, de modo a obter-se uma mistura fibras de reforço matriz totalmente fibrosa. Cominuição (1) — Processo de redução de um material a partículas, por trituração ou moagem. Controlador de canal de comunicações (4) — Interface física que controla o fluxo de informação digital síncrona ou assíncrona. É um conjunto que pode ser integrado em equipamentos informáticos ou de telecomunicações para assegurar o acesso às comunicações. Sistemas de compensação (6) — Sensor escalar primário e um ou mais sensores de referência (p. ex. magnetómetros vetoriais), acompanhados de software que permita a redução do ruído de rotação do corpo rígido da plataforma. Compósito (1 2 6 8 9) — Conjunto de uma matriz e de uma ou mais fases constituintes na forma de partículas, cristais capilares, fibras ou combinações destas fases, cuja presença está ligada a um ou mais fins específicos. Mesa rotativa composta (2) – Mesa que permite à peça a maquinar rodar e inclinar-se em torno de dois eixos não paralelos que podem ser coordenados simultaneamente para controlo de contorno. Compostos III/V (3 6) – Produtos policristalinos ou monocristalinos binários ou complexos constituídos por elementos dos grupos IIIA e VA da tabela de classificação periódica de Mendeleiev (por ex., arsenieto de gálio, arsenieto de alumínio e gálio, fosforeto de índio). Controlo de contorno (2) — Dois ou mais movimentos sujeitos a controlo numérico, executados segundo instruções que designam a posição requerida seguinte e as velocidades de avanço necessárias para essa posição. Estas velocidades variam umas em relação às outras de forma a produzir o contorno pretendido (ref.a ISO/DIS 2806 - 1980). Temperatura crítica (1 3 5) — A temperatura crítica de um material supercondutor específico (por vezes designada por temperatura de transição) é a temperatura à qual a resistência de um material à passagem de uma corrente elétrica contínua passa a ser nula. Ativação criptográfica (5) — Qualquer técnica que ative ou possibilite uma capacidade criptográfica, através de um mecanismo securizado implementado pelo fabricante do produto e ligado de forma unívoca ao produto ou cliente para o qual a capacidade criptográfica é ativada ou possibilitada (p. ex., uma chave de licença baseada num número de série ou um instrumento de autenticação como um certificado com assinatura digital). As técnicas e mecanismos de ativação criptográfica podem ser implementados através de hardware, software ou tecnologia. Criptografia (5) — Disciplina que engloba os princípios, meios e métodos de transformação de dados, com o fim de dissimular o seu conteúdo de informação, impedir a sua modificação não detetada ou impedir a sua utilização não autorizada. A criptografia limita-se à transformação da informação utilizando um ou mais parâmetros secretos (por exemplo, variáveis criptográficas) ou a gestão de códigos associada. Nota: A criptografia não inclui a compressão fixa dos dados nem as técnicas de codificação. Parâmetro secreto é uma constante ou código desconhecido de outras pessoas ou partilhado unicamente no seio de um grupo. Laser contínuo (6) – Laser que produz uma energia nominalmente constante durante, pelo menos, 0,25 segundos. Sistemas de navegação referenciada com recurso a bases de dados (7) — Sistemas que utilizam várias fontes integradas de dados geocartográficos previamente medidos por forma a fornecer informações rigorosas para efeitos de navegação em condições dinâmicas. As fontes de dados incluem cartas batimétricas, cartas estelares, cartas gravimétricas, cartas magnéticas ou cartas digitais do terreno em 3-D. Espelhos deformáveis (6) (também conhecidos como espelhos óticos adaptáveis) — Espelhos que têm: Urânio empobrecido (0) — Urânio empobrecido no isótopo 235 em comparação com o urânio de ocorrência natural. Desenvolvimento (NGT NTN Todas as categorias) — Operação ligada a todas as fases que precedem a produção em série, como: conceção (projeto), investigação de conceção, análises de conceção, conceitos de conceção, montagem e ensaio de protótipos, planos de produção-piloto, dados de conceção, processo de transformação dos dados de conceção num produto, conceção de configuração, conceção de integração e planos. Soldadura por difusão (1 2 9) — Técnica de ligação atómica no estado sólido de, pelo menos, dois metais diferentes para formar uma peça única, em que a resistência do conjunto é igual à do material menos resistente. Computador digital (4 5) - Equipamento que pode, sob a forma de uma ou mais variáveis discretas: N.B.: As modificações de uma sequência de instruções armazenadas incluem a substituição de dispositivos fixos de memória, mas não a substituição da cablagem ou das interligações. Débito de transferência digital (def) – Velocidade total da informação transferida diretamente em qualquer tipo de suporte. N.B.: Ver também débito total de transferência digital. Prensagem hidráulica por ação direta (2) — Processo de deformação que utiliza um reservatório flexível cheio de líquido que se coloca em contacto direto com a peça. Velocidade de deriva (giroscópio) (7) — Componente de saída do giroscópio que é funcionalmente independente da rotação de entrada. É expressa em velocidade angular. (IEEE STD 528-2001). Grama efetivo (0 1) de um material cindível especial: Conjunto eletrónico (2 3 4 5) – Grupo de componentes eletrónicos (elementos de circuito, componentes discretos, circuitos integrados, etc.), ligados entre si para desempenhar uma ou mais funções específicas, substituíveis conjuntamente e normalmente desmontáveis. N.B. 1: Elemento de circuito é um elemento funcional ativo ou passivo único num circuito eletrónico, como um díodo, um transístor, uma resistência, um condensador, etc. N.B. 2: Componente discreto é um elemento de circuito, encapsulado em separado e que possui as suas próprias ligações exteriores. Agregados de antenas com relação de fase orientáveis eletronicamente (5 6) – Antenas que formam um feixe mediante um acoplamento de fase, isto é, a direção do feixe é controlada pelos coeficientes de excitação complexos dos elementos radiantes e pode ser modificada em azimute, em elevação, ou ambos, por meio de um sinal elétrico, tanto na emissão como na receção. Materiais energéticos (1) – Substâncias ou misturas que reagem quimicamente para libertar a energia necessária à aplicação a que se destinam. Os explosivos, os produtos pirotécnicos e os propulsantes são subclasses dos materiais energéticos. Operadores terminais (2) - Dispositivos, como pinças, ferramentas ativas ou qualquer outra ferramenta, ligados à placa de base da extremidade do braço manipulador de um robot. N.B.: Ferramenta ativa é um dispositivo destinado a aplicar à peça a trabalhar força motriz, a energia necessária ao processo ou meios de deteção. Densidade equivalente (6) — Massa de uma ótica por unidade de superfície ótica projetada numa superfície ótica. Explosivos (1) — Substâncias ou misturas de substâncias sólidas, líquidas ou gasosas que, aplicadas como cargas primárias, detonadoras ou principais, em ogivas, na demolição e noutras aplicações, se destinam a deflagrar. Sistemas FADEC (7 9) — Sistemas de comando digital de motor com controlo total — Sistema de controlo eletrónico digital para motores com turbinas a gás que permite controlar autonomamente o motor em toda a sua gama de funcionamento, desde o arranque comandado até à paragem comandada, em condições normais e de avaria. Materiais fibrosos ou filamentosos (0 1 8) - São os seguintes materiais: Circuitos integrados do tipo película (3) - Conjuntos de elementos de circuito e de interligações metálicas formados por depósito de uma película fina ou espessa sobre um substrato isolante. N.B.: Elemento de circuito é um elemento funcional ativo ou passivo único num circuito eletrónico, como um díodo, um transístor, uma resistência, um condensador, etc. Fixo (5) - O algoritmo de codificação ou de compressão não pode aceitar parâmetros fornecidos do exterior (por exemplo, variáveis criptográficas ou de código) nem pode ser modificado pelo utilizador. Sistema de sensores óticos de controlo de voo (7) — Rede de sensores óticos distribuídos que utiliza feixes laser, destinada a fornecer dados de controlo de voo em tempo real para processamento a bordo. Otimização da trajetória de voo (7) – Processo que reduz ao mínimo os desvios em relação a uma trajetória tetradimensional pretendida (espaço e tempo) definida com base num desempenho e numa eficácia máximos no cumprimento de missões. Matriz de plano focal (6 8) – Uma camada linear ou bidimensional plana, ou uma combinação de camadas planas, de elementos detetores, com ou sem eletrónica de visualização, que funcionam no plano focal. N.B.: Nesta definição não se inclui uma pilha de elementos detetores simples ou detetores de dois, três ou quatro elementos, desde que o atraso e a integração não sejam efetuados dentro do elemento. Largura de banda fracionada (3 5) – Largura de banda instantânea dividida pela frequência central, expressa em percentagem. Saltos de frequência (5) — Forma de espetro alargado em que a frequência de emissão de um único canal de comunicação é modificada através de uma sequência aleatória ou pseudoaleatória de passos discretos. Ativador por máscara de frequência (3) para analisadores de sinais — Mecanismo em que a função de ativação é capaz de selecionar uma gama de frequências para ser ativada como um subconjunto largura de banda de aquisição, ignorando ao mesmo tempo outros sinais que podem também estar presentes na mesma largura de banda de aquisição. Um ativador por máscara de frequência pode conter mais do que um conjunto independente de limites. Tempo de comutação de frequência (3) — Tempo (isto é, demora) utilizado por um sinal, quando se efetua uma comutação a partir de uma frequência de saída inicial especificada, para alcançar um valor situado entre ± 0,05 %, inclusive, de uma frequência de saída final especificada. Os produtos com uma gama de frequências especificada inferior a ± 0,05 % da sua frequência central definem-se como sendo incapazes de comutação de frequência. Sintetizador de frequência (3) — Qualquer tipo de fonte de frequências, independentemente da técnica efetivamente utilizada, que forneça, a partir de uma ou mais saídas, diversas frequências de saída simultâneas ou alternadas, controladas, derivadas ou regidas por um número reduzido de frequências-padrão (ou de oscilador principal). Pilha de combustível (8) – Dispositivo eletroquímico que transforma diretamente a energia química em eletricidade de corrente contínua consumindo combustível proveniente de uma fonte externa. Fusível (1) — O que pode ser reticulado ou polimerizado em maior grau (vulcanizado) mediante o uso de calor, radiações, catalisadores, etc., ou que pode ser fundido sem pirólise (carbonização). Atomização por gás (1) — Processo destinado a transformar o vazamento de uma liga metálica fundida em gotículas de diâmetro igual ou inferior a 500 micrómetros, por meio de uma corrente gasosa a alta pressão. Geograficamente dispersos (6) – Diz-se dos equipamentos cujo afastamento entre si, em qualquer direção, é superior a 1500 m. Os sensores móveis são sempre considerados como geograficamente dispersos. Conjunto de orientação (7) — Sistemas que integram o processo de medição e cálculo da posição e velocidade de um veículo (ou seja, navegação) com o processo de cálculo e envio de ordens de comando para os sistemas de controlo de voo do veículo, de forma a corrigir a trajetória. Densificação isostática a quente (2) — Processo em que, recorrendo a diversos meios (gases, líquidos, partículas sólidas, etc.), se pressuriza uma peça fundida a uma temperatura superior a 375 K (102 °C) num espaço fechado, produzindo-se uma força de igual intensidade em todas as direções, a fim de reduzir ou eliminar os chochos dessa peça fundida. Circuito integrado híbrido (3) — Combinação de circuitos integrados, ou circuito integrado que possui elementos de circuito ou componentes discretos ligados entre si para executar uma ou mais funções específicas, e com todas as seguintes características: N.B. 1: Elemento de circuito é um elemento funcional ativo ou passivo único num circuito eletrónico, como um díodo, um transístor, uma resistência, um condensador, etc. N.B. 2: Componente discreto é um elemento de circuito, encapsulado em separado e que possui as suas próprias ligações exteriores. Melhoramento de imagens (4) — Tratamento de imagens exteriores portadoras de informação, por meio de algoritmos, como compressão de tempos, filtragem, extração, seleção, correlação, convolução, ou transformações entre domínios (por exemplo Transformada Rápida de Fourier ou Transformada de Walsh). Não são incluídos os algoritmos que apenas utilizam a transformação linear ou angular de uma imagem simples, como a tradução, a extração de parâmetros, o registo ou a falsa coloração. Imunotoxina (1) — Conjugação de um anticorpo monoclonal específico de uma célula com uma toxina, ou subunidade de toxina, que afeta seletivamente células doentes. Do domínio público (NGT NTN NGS) — Designa a tecnologia ou o software que foram divulgados e sem qualquer restrição quanto à sua utilização posterior. (As restrições resultantes do direito de propriedade intelectual não impedem que a tecnologia ou o software sejam considerados do domínio público.) Segurança da informação (4 5) — Todos os meios e funções que asseguram a acessibilidade, a confidencialidade ou a integridade da informação ou das comunicações, com exceção dos previstos para a proteção contra avarias. Compreende, nomeadamente, a criptografia, a ativação criptográfica, a criptoanálise, a proteção contra as emanações comprometedoras e a segurança do computador. N.B.: Criptoanálise: é a análise de um sistema criptográfico ou das suas entradas ou saídas para obter variáveis confidenciais ou dados sensíveis, incluindo texto transparente. Largura de banda instantânea (3 5 7) — Largura de banda em que a potência de saída permanece constante com uma tolerância de 3 dB, sem ajustamento de outros parâmetros de funcionamento. Cobertura efetiva do radar (6) — Alcance especificado de visualização não ambígua de um radar. Isolamento (9) — Aplica-se nos componentes de um motor de foguete, isto é, cárter, tubeiras, entradas, fechos do cárter, e inclui folhas de borracha endurecida ou semiendurecida contendo material isolante ou refratário. Pode também ser incorporado como manga ou elemento de alívio da tensão (stress relief boots or flaps). Revestimento interior (9) — Material adequado para formar a interface de ligação entre o propulsante sólido e o cárter ou a camisa de isolamento. Normalmente, trata-se de uma dispersão líquida de materiais refratários ou isolantes numa base polimérica, por exemplo, de polibutadieno acabado em oxidrilo (HTPB) com enchimento de carbono, ou de outro polímero, com adição de endurecedores, que é pulverizada ou aplicada na superfície interior de uma blindagem. Gradiómetro magnético intrínseco (6) — Elemento simples de deteção de gradientes de campos magnéticos e equipamentos eletrónicos associados, que produzem uma medida do gradiente do campo magnético. N.B.: Ver também gradiómetro magnético. Software de intrusão (4) — Software especialmente concebido ou modificado para evitar a deteção através de ferramentas de monitorização, ou para ultrapassar contramedidas de proteção, de um computador ou de um dispositivo suscetível de ligação em rede e que desempenhe qualquer das seguintes ações: Software de intrusão não inclui nenhum dos seguintes programas: Os dispositivos suscetíveis de ligação em rede incluem os dispositivos móveis e contadores inteligentes. Ferramentas de monitorização – Software ou dispositivos de hardware que monitorizam comportamentos de sistemas ou processos que funcionam num dispositivo. Tal inclui produtos antivírus (AV), produtos de segurança de ponto final, produtos de segurança pessoal (PSP), sistemas de deteção de intrusão (IDS), sistemas de prevenção de intrusão (IPS) ou barreiras de proteção (firewalls). Contramedidas de proteção: Técnicas destinadas a assegurar a execução segura de um código, tais como prevenção de execução de dados (DEP), distribuição aleatória do espaço de endereçamento (ASLR) ou isolamento de processos (sandboxing). Culturas vivas isoladas (1) incluem culturas vivas na forma dormente e em preparações secas. Prensas isostáticas (2) — Equipamento que, recorrendo a diversos meios (gases, líquidos, partículas sólidas, etc.), é capaz de pressurizar uma cavidade fechada, criando dentro desta uma pressão igual em todas as direções sobre uma peça ou um material. Laser (0 2 3 5 6 7 8 9) — Conjunto de componentes que produzem luz coerente no espaço e no tempo, amplificada por emissão estimulada de radiação. N.B.: Ver também: Laser químico; Laser de super alta potência Laser de transferência. Veículos mais leves do que o ar (9) — Balões e dirigíveis que utilizam o ar quente ou outros gases mais leves do que o ar, como o hélio ou o hidrogénio, para a sua capacidade ascensional. Linearidade (2) — Característica que é geralmente medida em termos de não-linearidade e que é definida como o desvio máximo, positivo ou negativo, da característica real (média das leituras no sentido ascendente e descendente da escala) em relação a uma linha reta situada de forma a que se igualem e reduzam ao mínimo os desvios máximos. Rede local (4 5) – Sistema de comunicação de dados que: N.B.: Dispositivos de dados — Equipamentos capazes de emitir ou receber sequências de informações sob a forma digital. Gradiómetro magnético (6) — Instrumento concebido para detetar a variação espacial de campos magnéticos originários de fontes que lhe são exteriores. São constituídos por magnetómetros múltiplos e pelos equipamentos eletrónicos associados, que produzem uma medida do gradiente do campo magnético. N.B.: Ver também gradiómetro magnético intrínseco. Magnetómetro (6) — Instrumento concebido para detetar campos magnéticos originários de fontes que lhe são exteriores. É constituído por um único elemento de deteção de campos magnéticos e pelo equipamento eletrónico associado, que produzem uma medida do campo magnético. Memória principal (4) — Memória primária de dados ou instruções para acesso rápido a partir da unidade central de processamento. É constituída pela memória interna de um computador digital e qualquer extensão hierarquizada da mesma, como a memória cache ou memória alargada de acesso não sequencial. Materiais resistentes à corrosão pelo UF6 (0) — Cobre, aço inoxidável, alumínio, óxido de alumínio, ligas de alumínio, níquel ou ligas contendo 60 % ou mais, em massa, de níquel e polímeros de hidrocarbonetos fluorados. Matriz (1 2 8 9) — Fase praticamente contínua que preenche o espaço entre partículas, cristais capilares ou fibras. Incerteza de medição (2) — Parâmetro característico que indica, com um grau de confiança de 95 %, em que intervalo em torno do valor de saída se situa o valor correto da variável a medir. Este parâmetro abrange os desvios sistemáticos e as folgas/valores residuais não corrigidos e os desvios aleatórios (ref.a ISO 10360-2). Obtenção de ligas por meios mecânicos (1) — Processo de obtenção de ligas resultante da ligação, fratura e nova ligação de pós elementares e de pós de ligas de adição, por impacto mecânico. Podem incorporar-se partículas não metálicas na liga recorrendo à adição de pós apropriados. Solidificação em extração com enregelamento (1) — Processo destinado a solidificar rapidamente e a extrair um produto ligado em forma de tira pela introdução de um pequeno segmento de um bloco rotativo refrigerado num banho de liga metálica fundida. N.B.: Solidificar rapidamente significa a solidificação de um material fundido a velocidades de arrefecimento superiores a 1000 K/s. Solidificação em rotação com enregelamento (1) — Processo destinado a solidificar rapidamente um fluxo de metal fundido que colide com um bloco rotativo refrigerado, para obter um produto sob a forma de flocos, tira ou vara. N.B.: Solidificar rapidamente significa a solidificação de um material fundido a velocidades de arrefecimento superiores a 1000 K/s. Microcircuito microcomputador (3) — Circuito integrado monolítico ou circuito integrado multipastilhas que contém uma unidade aritmética e lógica (UAL) capaz de executar instruções elementares a partir de uma memória interna, sobre dados nesta contidos. N.B.: A memória interna pode ser reforçada por uma memória externa. Microcircuito microprocessador (3) — Circuito integrado monolítico ou circuito integrado multipastilhas que contém uma unidade aritmética e lógica (UAL) capaz de executar uma série de instruções elementares a partir de uma memória externa. N.B. 1: O microcircuito microprocessador não contém normalmente memória acessível ao utilizador incorporada, mas pode utilizar a memória existente na pastilha para realizar a sua função lógica. N.B. 2: Inclui conjuntos de pastilhas concebidos para operar conjuntamente para desempenhar a função de microcircuito microprocessador. Microrganismos (1 2) — Bactérias, vírus, micoplasmas, rickettsias, clamídias ou fungos, naturais, melhorados ou modificados, quer sob a forma de culturas vivas isoladas, quer sob a forma de materiais, incluindo materiais vivos, deliberadamente inoculados ou contaminados com essas culturas. Mísseis (1 3 6 7 9) — Sistemas completos de foguetes e sistemas de veículos aéreos não tripulados, capazes de transportar pelo menos uma carga útil de 500 kg a uma distância de, pelo menos, 300 km. Monofilamento (1) ou filamento — O menor aumento da fibra, geralmente com vários micrómetros de diâmetro. Circuito integrado monolítico (3) - Combinações de vários elementos de circuito passivos ou ativos, ou de ambos, que: N.B.: Elemento de circuito é um elemento funcional ativo ou passivo único num circuito eletrónico, como um díodo, um transístor, uma resistência, um condensador, etc. Sensor de imagem monoespetral (6) — Sensor capaz de efetuar a aquisição simultânea de dados de formação de imagens a partir de uma banda espetral discreta. Circuitos integrados multipastilhas (3) — Circuitos que contêm, pelo menos, dois circuitos integrados monolíticos fixados num substrato comum. Sensor de imagem multiespetral (6) — Sensor capaz de efetuar a aquisição simultânea ou em série de dados de formação de imagens a partir de duas ou mais bandas espetrais discretas. Os sensores com mais de 20 bandas espetrais discretas são por vezes denominados sensores de formação de imagens hiperespetrais. Urânio natural (0) — Urânio que contém as misturas de isótopos que ocorrem na natureza. Controlador de acesso à rede (4) — Interface física para uma rede de comutação distribuída. Utiliza um suporte comum que funciona em permanência com o mesmo débito de transferência digital e que utiliza a arbitragem (por exemplo, deteção de testemunho e de portadora) para a transmissão. Independentemente de outros dispositivos, seleciona os pacotes de dados ou os grupos de dados (por exemplo, IEEE 802) que lhe são dirigidos. É um conjunto que pode ser integrado em equipamentos informáticos ou de telecomunicações para assegurar o acesso às comunicações. Computador neuronal (4) — Dispositivo de cálculo concebido ou modificado para imitar o comportamento de um neurónio ou conjunto de neurónios, isto é, dispositivo de cálculo que se distingue pela sua capacidade de modular os pesos e números das interligações de uma série de componentes de cálculo, com base em dados anteriores. Reator nuclear (0) — Reator completo capaz de funcionar mantendo uma reação de cisão em cadeia controlada e autossustentada. Um reator nuclear inclui todos os componentes situados no interior ou diretamente ligados ao corpo do reator, o equipamento que controla o nível de potência no núcleo, e os componentes que normalmente contêm, entram em contacto direto ou controlam o refrigerante primário do núcleo do reator. Controlo numérico (2) — Comando automático de um processo, realizado por um dispositivo que interpreta dados numéricos, introduzidos à medida que a operação se processa (ref.a ISO 2382). Código-objeto (NGS) — Forma executável pelo equipamento de uma expressão adequada de um ou mais processos [código-fonte (ou linguagem-fonte)], que foi convertida pelo sistema de programação. Amplificação ótica (5) — Técnica de amplificação que, nas comunicações óticas, introduz um ganho nos sinais óticos que tenham sido gerados por uma fonte ótica distinta, sem conversão em sinais elétricos, isto é, utilizando amplificadores óticos à base de semicondutores, ou amplificadores luminescentes de fibras óticas. Computador ótico (4) — Computador concebido ou modificado para utilizar a luz para representar os dados, e cujos elementos lógicos de cálculo se baseiam em dispositivos óticos ligados diretamente. Circuito integrado ótico (3) — Circuito integrado monolítico ou circuito integrado híbrido que integra um ou mais elementos concebidos para funcionar como detetores ou emissores óticos ou para realizar uma ou mais funções óticas ou eletróticas. Comutação ótica (5) — Encaminhamento ou comutação de sinais óticos sem conversão em sinais elétricos. Densidade total de corrente (3) — Número total de amperes-espira da bobina (isto é, o número de espiras multiplicado pela corrente máxima transportada por cada espira), dividido pela secção transversal total da bobina (incluindo os filamentos supercondutores, a matriz metálica onde estes são incorporados, o material de encapsulagem, os canais de refrigeração, etc.). Estado participante (7 9) — Estado que participa no Acordo de Wassenaar (Ver www.wassenaar.org) Potência de pico (6) — Nível máximo de energia que pode ser atingido na duração de impulso. Rede pessoal (5) — Sistema de comunicação de dados que: Dispositivos de dados — Equipamentos capazes de emitir ou receber sequências de informações sob a forma digital. Gestão de potência (7) — Alteração da potência transmitida do sinal do altímetro, de forma que a potência recebida à altitude da aeronave esteja sempre ao nível mínimo necessário para determinar a altitude. Previamente separado (0 1) — Aplicação de qualquer processo que tenha por objetivo aumentar a concentração do isótopo submetido a controlo. Controlo primário de voo (7) – Controlo de estabilidade ou de manobra de uma aeronave que utiliza geradores de força/momento, ou seja, superfícies de controlo aerodinâmico ou a vetorização do impulso propulsor. Elemento principal (4) – Na aceção de categoria 4, é um elemento cujo valor de substituição representa mais de 35 % do valor total do sistema onde está integrado. O valor do elemento é o preço pago pelo fabricante do sistema ou por quem monta o sistema. O valor total é o preço de venda internacional normalmente praticado com quem não tem qualquer ligação com o vendedor, no local de fabrico ou de expedição. Produção (NGT, NTN, Todas as categorias) — Todas as fases da produção, designadamente construção, produção, projeto, fabrico, integração, montagem, inspeção, ensaios e garantia da qualidade. Equipamento de produção (1 7 9) — Ferramentas, escantilhões, calibres, mandris, moldes, matrizes, gabaritos, mecanismos de alinhamento, equipamento de ensaio, outra maquinaria e componentes a ela destinados, desde que tenham sido especialmente concebidos ou modificados para desenvolvimento ou para uma ou mais fases de produção. Instalações de produção (7 9) – Equipamento de produção e software especialmente concebido para esse equipamento, integrado em instalações, para desenvolvimento ou para uma ou mais fases de produção. Programa (2 6) — Sequência de instruções para levar a cabo um processo sob forma executável por um computador eletrónico, ou nela convertível. Compressão de impulsos (6) — Codificação e processamento de um impulso de sinal de radar de longa duração, num impulso de curta duração, mantendo as vantagens de uma energia pulsada elevada. Duração de impulso (6) (duração de um impulso laser) — Intervalo de tempo entre os pontos com metade da potência no flanco ascendente e no flanco descendente do impulso. Laser pulsado (6) – Laser com uma duração de impulso inferior ou igual a 0,25 segundos. Criptografia quântica (5) — Família de técnicas de criação de uma chave partilhada para a criptografia através da medição das propriedades quântico-mecânicas de um sistema físico (incluindo as propriedades físicas explicitamente regidas pela ótica quântica, a teoria quântica do campo e a eletrodinâmica quântica). Agilidade de frequência de radar (6) — Técnica por meio da qual a frequência portadora de um emissor de radar pulsado é modificada segundo uma sequência pseudoaleatória, entre impulsos ou grupos de impulsos, sendo o valor da modificação superior ou igual à largura de banda pulsada. Espetro de radar alargado (6) — Técnica de modulação por meio da qual a energia de um sinal com uma banda relativamente estreita se expande sobre uma banda de frequências muito mais larga, utilizando um código aleatório ou pseudoaleatório. Sensibilidade radiante (6) — A sensibilidade radiante (mA/W) é igual a 0,807 × (comprimento de onda em nm) × eficiência quântica (QE). A eficiência quântica é habitualmente expressa em percentagem; todavia, para efeitos desta fórmula, é expressa como número decimal inferior a um; p. ex., 78 % é expresso como 0,78. Largura de banda em tempo real (3) – Para analisadores de sinais é a maior gama de frequências em relação a que o analisador pode transformar continuamente dados no domínio do tempo inteiramente em resultados no domínio das frequências, utilizando a transformação de Fourier ou outras transformações de tempo discretas, que processam cada ponto de tempo de entrada, sem lacunas ou efeitos de janelamento (windowing) que causem uma redução da amplitude medida de mais de 3 dB abaixo do sinal efetivo de amplitude, fornecendo e apresentando ao mesmo tempo os dados transformados. Processamento em tempo real (2 6 7) – Processamento de dados por um computador que presta um determinado nível de serviço necessário, em função dos recursos disponíveis, dentro de um tempo de resposta garantido, independentemente da carga no sistema, quando estimulado por um evento externo. Repetibilidade (7) — Frequência do acordo entre medições repetidas da mesma variável nas mesmas condições de funcionamento, quando entre as medições ocorrerem alterações nas condições ou períodos de não funcionamento. [Referência: IEEE STD 528-2001 (desvio-padrão de 1 sigma)] Necessário (NGT 1-9) — Quando aplicado a tecnologia, designa unicamente a parte específica da tecnologia que permite alcançar ou exceder os níveis de comportamento funcional, as características ou as funções submetidos a controlo. Essa tecnologia necessária pode ser partilhada por diferentes produtos. Resolução (2) — O menor incremento de um dispositivo de medida; em equipamentos digitais é o bit menos significativo (ref.a ANSI B-89.1.12). Agente antimotim (1) — Substância que, nas condições de utilização previstas para fins antimotim, provoca rapidamente nos seres humanos uma irritação sensorial ou uma incapacidade física que desaparecem pouco depois de ter cessado a exposição. Os gases lacrimogéneos são um subconjunto dos agentes antimotim. Robot (2 8) — Mecanismo de manipulação que pode ser do tipo de trajetória contínua ou do tipo ponto a ponto, que pode utilizar sensores e que apresenta as seguintes características: N.B.: A definição anterior não inclui: Atomização centrífuga (1) — Processo destinado a reduzir um fluxo ou um banho de metal fundido em gotículas de diâmetro igual ou inferior a 500 micrómetros, por ação de força centrífuga. Mecha (1) — Feixe (normalmente 12-120) de cordões mais ou menos paralelos. N.B.: Cordão — Feixe de monofilamentos (normalmente mais de 200) dispostos de forma mais ou menos paralela. Excentricidade (2) — Deslocamento radial do fuso principal numa rotação, medido num plano perpendicular ao eixo do fuso, num ponto da superfície rotativa interior ou exterior a examinar (referência: ISO 230/1 1986, ponto 5.61). Fator de escala (giroscópio ou acelerómetro) (7) — Relação entre uma alteração à saída e uma alteração à entrada, a medir. O fator de escala é geralmente avaliado como o gradiente da reta que pode ser ajustada, pelo método dos quadrados mínimos, aos dados de entrada-saída obtidos fazendo variar a entrada de forma cíclica ao longo da gama de valores de entrada. Tempo de estabilização (3) — Tempo requerido para que o valor de saída atinja o valor final com uma aproximação de meio bit na comutação entre quaisquer dois níveis do conversor. SHPL — Sigla equivalente a laser de super - alta potência. Analisadores de sinais (3) - Aparelhos capazes de medir e visualizar as propriedades fundamentais dos componentes de frequência única de sinais multifrequência. Processamento de sinais (3 4 5 6) – Processamento de sinais exteriores, portadores de informação, por meio de algoritmos como compressão de tempos, filtragem, extração, seleção, correlação, convolução ou transformações entre domínios (por exemplo, transformada de Fourier rápida ou transformada de Walsh). Software (NGS, Todas as listas) – Conjunto de um ou mais programas ou microprogramas, fixados em qualquer suporte material. N.B.: Microprograma – Sequência de instruções elementares, conservadas numa memória especial, cuja execução é iniciada pela introdução da sua instrução de referência num registo de instruções. Código-fonte (ou linguagem-fonte) (6 7 9) – Expressão adequada de um ou mais processos que pode ser transformada por um sistema de programação numa outra forma executável pelo equipamento [código-objeto (ou linguagem-objeto)]. Veículo espacial (7 9) — Satélites ativos e passivos e sondas espaciais. Qualificado para uso espacial (3 6 7) – Concebido, fabricado ou qualificado por meio de testes positivos para funcionar a altitudes superiores a 100 km acima da superfície terrestre. N.B.: O facto de determinado produto ser qualificado para uso espacial em resultado dos testes a que tenha sido sujeito não significa que outros produtos da mesma fase de produção ou da mesma série sejam qualificados para uso espacial se estes não tiverem sido igualmente testados. Material cindível especial (0) — O plutónio-239, urânio-233, urânio enriquecido nos isótopos 235 ou 233 e qualquer material que contenha estes componentes. Módulo de elasticidade específico (0 1 9) — Módulo de Young em pascal (equivalente a N/m2) dividido pelo peso específico em N/m3, medido a uma temperatura de (296 ± 2) K [(23 ± 2) °C] e com uma humidade relativa de (50 ± 5) %. Resistência específica à tração (0 1 9) – Tensão de rutura à tração em pascal (equivalente a N/m2) dividida pelo peso específico em N/m3, medida a uma temperatura de (296 ± 2) K [(23 ± 2) °C] e com uma humidade relativa de (50 ± 5) %. Giroscópios de massa rotativa (7) – Giroscópios que utilizam uma massa em contínua rotação para detetar o movimento angular. Solidificação com impacto (1) - Processo destinado a solidificar rapidamente um vazamento de metal fundido que colide com um bloco rotativo refrigerado para obter um produto sob a forma de escamas. N.B.: Solidificar rapidamente significa a solidificação de um material fundido a velocidades de arrefecimento superiores a 1000 K/s. Espetro alargado (5) — Técnica em que a energia de um canal de comunicações de banda relativamente estreita se estende sobre um espetro de energia muito mais largo. Radar de espetro alargado (6) – Ver Espetro de radar alargado. Estabilidade (7) — Desvio-padrão (1 sigma) da variação de um determinado parâmetro em relação ao seu valor calibrado, medido em condições térmicas estáveis. Pode ser expressa em função do tempo. Estado (não) Parte na Convenção sobre Armas Químicas (1) — Estado para o qual a Convenção sobre a Proibição do Desenvolvimento, Produção, Armazenagem e Utilização de Armas Químicas e sobre a sua Destruição (não) entrou em vigor. (Ver www.opcw.org) Substrato (3) - Placa de material de base com ou sem uma estrutura de interligações, sobre a qual ou dentro da qual se posicionam componentes discretos, circuitos integrados ou ambos. N.B. 1: Componente discreto é um elemento de circuito, encapsulado em separado e que possui as suas próprias ligações exteriores. N.B. 2: Elemento de circuito é um elemento funcional ativo ou passivo único num circuito eletrónico, como um díodo, um transístor, uma resistência, um condensador, etc. Substratos em bruto (3 6) — Compostos monolíticos de dimensões adequadas para a produção de elementos óticos, como espelhos ou janelas óticas. Subunidade de toxina (1) — Componente estrutural e funcionalmente discreto de uma toxina inteira. Superligas (2 9) — Ligas cujo metal base é o níquel, o cobalto ou o ferro e cuja resistência a temperaturas superiores a 922 K (649 °C), em condições de ambiente e de funcionamento extremas, é superior à das ligas da série AISI 300. Supercondutores (1 3 5 6 8) — Materiais (metais, ligas ou compostos) que podem perder toda a resistência elétrica, isto é, podem atingir uma condutividade elétrica infinita e transportar correntes elétricas muito elevadas sem aquecimento por efeito Joule. N.B.: O estado supercondutor de um material é individualmente caracterizado por uma temperatura crítica, um campo magnético crítico, função da temperatura, e uma densidade de corrente crítica que é, no entanto, função do campo magnético e da temperatura. Laser de super-alta potência (SHPL) (6) — Laser capaz de fornecer a totalidade ou uma parte da energia de saída superior a 1 kJ em 50 ms, ou caracterizado por uma potência média ou em ondas contínuas superior a 20 kW. Enformação superplástica (1 2) – Processo térmico de deformação aplicado a metais que se caracterizam, normalmente, por pequenos alongamentos (inferiores a 20 %) no ponto de rutura, determinados à temperatura ambiente através de ensaios clássicos de resistência à tração, de modo a obter, durante o processamento, alongamentos pelo menos duplos daqueles. Algoritmo simétrico (5) — Algoritmo criptográfico que utiliza códigos idênticos para a cifragem e a decifragem. N.B.: Uma utilização comum de algoritmos simétricos é a confidencialidade dos dados. Informações do eco do radar (6) — Informações do eco do radar de uma aeronave correlacionadas com o seu plano de voo (associação entre o sinal radar e os dados constantes no plano de voo) e a sua atualização, destinadas aos controladores dos centros de Controlo do Tráfego Aéreo. Computador sistólico matricial (4) — Computador onde o fluxo e a alteração dos dados são dinamicamente controlados pelo utilizador ao nível da porta lógica. Banda (1) - Material constituído por monofilamentos, cordões, mechas, cabos de fibras, fios, etc. entrelaçados ou unidirecionais, normalmente pré-impregnados de resina. N.B.: Cordão — Feixe de monofilamentos (normalmente mais de 200) dispostos de forma mais ou menos paralela. Tecnologia (NGT, NTN, Todas as categorias) — Informação específica necessária para o desenvolvimento, a produção ou a utilização de um produto. Esta informação pode apresentar-se sob a forma de dados técnicos ou de assistência técnica. N.B. 1: A assistência técnica pode assumir formas como instruções, técnicas, formação, conhecimentos práticos e serviços de consultoria, e pode incluir a transferência de dados técnicos. N.B. 2: Os dados técnicos podem assumir formas como esquemas, planos, diagramas, modelos, fórmulas, tabelas, projetos e especificações de engenharia, manuais e instruções, escritos ou registados noutros suportes ou dispositivos como discos, fitas magnéticas, memórias ROM. Circuito integrado tridimensional (3) — Coleção de pastilhas de semicondutor, conjuntamente integradas, e com vias que atravessam completamente pelo menos uma pastilha para estabelecer interconexões entre pastilhas. Fuso basculante (2) — Fuso porta-ferramentas que modifica, no decurso da operação de maquinagem, a posição angular do seu eixo em relação a qualquer outro eixo. Constante de tempo (6) — Tempo que decorre entre a aplicação de um estímulo luminoso e o momento em que o aumento de corrente atinge o valor de 1–1/e vezes o valor final (isto é, 63 % desse valor). Proteção das extremidades (9) — Componente estacionário em forma de anel (numa só peça ou segmentado) fixado na superfície interior do invólucro da turbina do motor ou um elemento situado na extremidade exterior da lâmina da turbina, que serve essencialmente de junta estanque aos gases entre os componentes estacionários e rotativos. Controlo total de voo (7) — Controlo automático das variáveis de estado da aeronave e da trajetória de voo para cumprir objetivos de missão em resposta a alterações em tempo real dos dados relativos a objetivos, riscos ou outras aeronaves. Débito total de transferência digital (5) — Número de bits, incluindo os de codificação em linha, os suplementares, etc., que passam por unidade de tempo, entre equipamentos correspondentes num sistema de transmissão digital. N.B.: Ver também débito de transferência digital. Cabo de fibras (1) — Feixe de monofilamentos, em geral aproximadamente paralelos. Toxinas (1 2) — Toxinas, na forma de preparações ou misturas deliberadamente isoladas, seja qual for o seu modo de produção, com exceção das toxinas presentes como contaminantes de outros materiais, como espécimes patológicos, culturas, géneros alimentícios ou estirpes de microrganismos. Laser de transferência (6) — Laser excitado por uma transferência de energia obtida pela colisão de átomos ou de moléculas que não produzem efeito laser com átomos ou moléculas que produzem esse efeito. Sintonizável (6) — Capacidade de um laser para produzir uma energia de saída contínua em todos os comprimentos de onda numa gama de várias transições laser. Um laser de seleção de raio produz comprimentos de onda discretos quando de uma transição laser e não é considerado sintonizável. Veículo aéreo não tripulado (UAV) (9) — Qualquer aeronave capaz de iniciar um voo e de manter um voo e uma navegação controlados sem uma presença humana a bordo. Urânio enriquecido nos isótopos 235 ou 233 (0) – Urânio cujo teor de isótopos 235 ou 233, ou de ambos, é tal que a relação entre a soma dos teores isotópicos destes isótopos e o teor do isótopo 238 é superior à relação entre os teores dos isótopos 235 e 238 que ocorre na natureza (relação isotópica de 0,71 %). Utilização (NGT, NTN, Todas as categorias) — Exploração, instalação (incluindo a instalação in situ), manutenção (verificação), reparação, revisão geral e renovação. Programação acessível ao utilizador (6) — Meio que permite ao utilizador inserir, modificar ou substituir programas, por outros métodos que não os seguintes: Vacina (1) — Produto medicinal em fórmula farmacêutica, com licença ou autorização de comercialização ou utilização em ensaios clínicos concedida pelas autoridades reguladoras do país de fabrico ou de utilização, destinado a estimular uma resposta imunológica protetora no homem ou nos animais, por forma a prevenir a doença naqueles a que é administrado. Atomização sob vácuo (1) — Processo de redução de um fluxo de metal fundido a gotículas de diâmetro igual ou inferior a 500 micrómetros, pela evolução rápida de um gás dissolvido após exposição ao vácuo. Perfis aerodinâmicos de geometria variável (7) — Superfícies que utilizam alhetas (flaps) nos bordos de fuga ou compensadores, ou slats nos bordos de ataque (bordos de ataque avançados) ou abatimentos articulados de ogivas, cuja posição pode ser controlada em voo. Fio (1) — Feixe de cordões torcidos. N.B.: Cordão — Feixe de monofilamentos (normalmente mais de 200) dispostos de forma mais ou menos paralela.

DEFINIÇÕES DOS TERMOS UTILIZADOS NO PRESENTE ANEXO

a.

Arquitetura comum do hardware e software;

b.

Conceção e tecnologia de processo comum; e

c.

a.

A extração de dados ou informações de um computador ou dispositivo suscetível de ligação em rede, ou a alteração de dados do sistema ou do utilizador; ou

b.

A alteração do percurso de execução normal de um programa ou processo, a fim de permitir a execução de instruções externas.

DEFINIÇÕES DOS TERMOS UTILIZADOS NO PRESENTE ANEXO Nota técnica: Nota técnica: Notas: 1.

a.

Hipervisores, debuggers (programa de depuração) ou Software Reverse Engineering (SRE) tools (ferramentas de engenharia reversa);

b.

Software de Gestão de direitos digitais (GDD); ou

c.

Software concebido para ser instalado por fabricantes, administradores ou utilizadores, para efeitos de deteção ou recuperação de bens.

DEFINIÇÕES DOS TERMOS UTILIZADOS NO PRESENTE ANEXO Nota técnica: Nota técnica: Notas: 1.2. Notas técnicas: 1.2.

a.

Permite a comunicação direta entre um número arbitrário de dispositivos de dados independentes; e

b.

Cubas metálicas, ou partes principais prefabricadas das mesmas, incluindo a cabeça da cuba de pressão do reator, especialmente concebidas ou preparadas para a contenção do núcleo de um reator nuclear;

Equipamento de manuseamento especialmente concebido ou preparado para a introdução ou remoção de combustível num reator nuclear;

Barras de controlo especialmente concebidas ou preparadas para o controlo do processo de cisão num reator nuclear e respetivas estruturas de suporte e suspensão, mecanismos de comando das barras e tubos de guia das barras;

Tubos de pressão especialmente concebidos ou preparados para conter tanto os elementos do combustível como o fluido de arrefecimento primário num reator nuclear;

Tubos metálicos de zircónio ou tubos de ligas de zircónio (ou conjuntos de tubos) especialmente concebidos ou preparados para serem utilizados como revestimentos de combustível num reator nuclear, e em quantidades superiores a 10 kg; N.B.: Para tubos de pressão de zircónio ver 0A001.e. e para tubos da calandra ver 0A001.h.

Bombas de arrefecimento especialmente concebidas ou preparadas para fazer circular o fluido de arrefecimento primário dos reatores nucleares;

h. Nota técnica:

Componentes internos de um reator nuclear especialmente concebidos ou preparados para serem utilizados num reator nuclear, incluindo colunas de suporte do núcleo, condutas de combustível, tubos da calandra, blindagens térmicas, chicanas, placas superiores do núcleo e placas do difusor; Em 0A001.h., a expressão componentes internos de um reator nuclear abrange qualquer estrutura importante no interior de uma cuba de reator que possua uma ou mais funções, tais como suportar o núcleo, manter o alinhamento do combustível, dirigir o fluido de arrefecimento primário, fornecer proteção antirradiações para a cuba do reator e comandar instrumentação no interior do núcleo.

Permutadores de calor, como se segue: Nota: 0A001.i. não abrange os permutadores de calor para os sistemas de apoio do reator, por exemplo, o sistema de arrefecimento de emergência ou o sistema de arrefecimento de calor de decaimento.

1. Geradores de vapor especialmente concebidos ou preparados para serem utilizados no circuito de arrefecimento primário, ou intermédio, de um reator nuclear;

2. Outros permutadores de calor especialmente concebidos ou preparados para serem utilizados no circuito de arrefecimento primário de um reator nuclear;

Detetores de neutrões especialmente concebidos ou preparados para determinar os níveis dos fluxos de neutrões no interior do núcleo de um reator nuclear;

k. Nota técnica:

Blindagens térmicas exteriores especialmente concebidas ou preparadas para serem utilizadas num reator nuclear para a redução das perdas de calor e também para a proteção do recipiente de contenção. Em 0A001.k., blindagens térmicas exteriores são grandes estruturas colocadas sobre o invólucro do reator que reduzem as perdas térmicas do reator e reduzem a temperatura dentro do invólucro de contenção.

0B Nota técnica:

Equipamentos de ensaio, de inspeção e de produção 0B001 Instalações de separação de isótopos de urânio natural, urânio empobrecido, materiais cindíveis especiais, e ainda equipamento e componentes especialmente concebidos ou preparados para as mesmas, a saber: 0B002 Sistemas auxiliares, equipamento e componentes especialmente concebidos ou preparados para fábricas de separação de isótopos especificadas em 0B001, seguidamente enumerados, feitos de ou protegidos com materiais resistentes à corrosão pelo UF6: 0B003 Instalações para a conversão de urânio e equipamento especialmente concebido ou preparado para o efeito, a saber: 0B004 Instalações de produção ou concentração de água pesada, deutério ou compostos de deutério, e equipamento e componentes especialmente concebidos ou preparados para as mesmas, a seguir enumerados: 0B005 Instalações especialmente concebidas para o fabrico de elementos de combustível para reatores nucleares, e equipamento especialmente concebido ou preparado para essas instalações. Uma instalação de fabrico de elementos de combustível para reatores nucleares inclui equipamento que: 0B006 Instalações de reprocessamento de elementos de combustível irradiados de reatores nucleares ou equipamento e componentes especialmente concebidos ou preparados para essas instalações. Nota: 0B006 inclui: 0B007 Instalações para a conversão de plutónio e equipamento especialmente concebido ou preparado para o efeito, a saber:

0B a.

Instalações especialmente concebidas para a separação de isótopos de urânio natural, urânio empobrecido e materiais cindíveis especiais, a saber:

1. Fábricas de separação por centrifugação a gás;

2. Fábricas de separação por difusão gasosa;

3. Fábricas de separação aerodinâmica;

4. Fábricas de separação por permuta química;

5. Fábricas de separação por permuta iónica;

6. Fábricas de separação isotópica por laser de vapor atómico (AVLIS);

7. Fábricas de separação isotópica por laser de moléculas (MLIS);

8. Fábricas de separação do plasma;

9. Fábricas de separação eletromagnética;

b. Nota técnica:

Centrifugadoras a gás, conjuntos e componentes especialmente concebidos ou preparados para o processo de separação por centrifugação a gás, a saber: Em 0B001.b., a expressão material com uma elevada relação resistência/densidade abrange qualquer dos seguintes materiais:

1. Aço maraging dotado de uma resistência à rutura à tração igual ou superior a 1,95 GPa;

2. Ligas de alumínio dotadas de uma resistência à rutura à tração igual ou superior a 0,46 GPa; ou

3. Materiais fibrosos ou filamentosos com um módulo de elasticidade específico superior a 3,18 × 106 m e uma resistência específica à tração superior a 7,62 × 104 m;

1. Centrifugadoras a gás;

2. Conjuntos de rotor completos;

3. Cilindros de tubos de rotor com uma espessura de paredes igual ou inferior a 12 mm, diâmetros compreendidos entre 75 mm e 650 mm, feitos de materiais com uma elevada relação resistência/densidade;

4. Anéis ou foles com uma espessura de paredes igual ou inferior a 3 mm e diâmetros compreendidos entre 75 mm e 650 mm, concebidos para dar apoio localizado a um tubo de rotor ou para reunir vários desses tubos, feitos de materiais com uma elevada relação resistência/densidade;

5. Chicanas com diâmetros compreendidos entre 75 mm e 650 mm, concebidas para serem montadas no interior de um tubo de rotor, feitas de materiais com uma elevada relação resistência/densidade

6. Tampas superior e inferior, com diâmetros compreendidos entre 75 mm e 650 mm, concebidas para se adaptarem às extremidades dos tubos do rotor, feitas de materiais com uma elevada relação resistência/densidade;

7. Suportes de suspensão magnética, a saber:

7. a.

Conjuntos de suportes constituídos por um magneto anular suspenso no interior de uma caixa feita de ou protegida por materiais resistentes à corrosão pelo UF6, que contenham um meio de amortecimento e tenham o magneto ligado a um polo ou a um segundo magneto fixado na tampa superior do rotor;

Chumaceiras magnéticas ativas, especialmente concebidas ou preparadas para utilização em centrifugadoras a gás.

8. Suportes especialmente preparados, constituídos por um conjunto pivot-copo montado num amortecedor;

9. 0B001 b. Bombas moleculares constituídas por cilindros providos de sulcos helicoidais fresados ou obtidos por extrusão e de furos fresados;

10. Estatores de motor, em forma de anel, para motores de histerese multifásicos de corrente alternada (ou relutância magnética), destinados a funcionamento sincronizado no vácuo na gama de frequências de 600 Hz ou mais e na gama de potências de 40 VA ou mais;

11. Caixas/recipientes de centrifugadora para conter o conjunto dos tubos dos rotores das centrifugadoras a gás, constituídas por um cilindro rígido com uma espessura de paredes até 30 mm com extremidades maquinadas com precisão e que estão paralelamente umas às outras e perpendiculares ao eixo longitudinal do cilindro com uma aproximação de 0,05 graus ou menos;

12. Conchas constituídas por tubos especialmente concebidos ou preparados para a extração de gás de UF6 de dentro do tubo do rotor através da ação de um tubo de Pitot e suscetíveis de ser fixadas ao sistema central de extração de gás;

13. Modificadores de frequência (conversores ou inversores) especialmente concebidos ou preparados para a alimentação de estatores de motor para enriquecimento por centrifugação a gás, dotados de todas as características seguintes, e componentes especialmente concebidos para os mesmos:

13. a.

Frequência elétrica multifásica de saída de 600 Hz ou superior; e

Estabilidade elevada (com controlo de frequência melhor que 0,2 %);

14. Válvulas de fecho e de controlo:

14. a.

Válvulas de fecho especialmente concebidas ou preparadas para atuar sobre materiais de alimentação, produtos ou resíduos provenientes dos fluxos de gás UF6 de uma centrifugadora a gás individual;

Válvulas com vedante de fole, de fecho ou de controlo, feitas de ou protegidas com materiais resistentes à corrosão pelo UF6, com um diâmetro interior de 10 mm a 160 mm, especialmente concebidas ou preparadas para utilização em sistemas principais ou auxiliares de instalações de enriquecimento por centrifugação gasosa;

Equipamento e componentes especialmente concebidos ou preparados para o processo de separação por difusão gasosa, seguidamente enumerados:

1. Barreiras de difusão gasosa feitas de materiais porosos, poliméricos ou cerâmicos, resistentes à corrosão pelo UF6, com uma dimensão de poro compreendida entre 10 e 100 nm, uma espessura igual ou inferior a 5 mm e, no caso das formas tubulares, um diâmetro igual ou inferior a 25 mm;

2. Câmaras de difusão gasosa feitas de ou protegidas com materiais resistentes à corrosão pelo UF6;

3. Compressores ou ventiladores de gás com uma capacidade de volume de aspiração de 1 m3/min ou mais de UF6, uma pressão de descarga até 500 kPa e uma taxa de compressão de 10:1 ou menos, feitos de ou protegidos com materiais resistentes à corrosão pelo UF6;

4. Vedantes de veios rotativos para compressores ou ventiladores especificados em 0B001.c.3. e concebidos para uma taxa de entrada de gases-tampão inferior a 1000 cm3/min.;

5. Permutadores de calor feitos de ou protegidos com materiais resistentes à corrosão pelo UF6, e concebidos para uma taxa de pressão de fuga inferior a 10 Pa por hora com uma diferença de pressão de 100 kPa;

6. Válvulas com vedante de fole, manuais ou automáticas, de fecho ou de controlo, feitas de ou protegidas com materiais resistentes à corrosão pelo UF6;

Equipamento e componentes especialmente concebidos ou preparados para o processo de separação aerodinâmica, a saber:

1. Bicos de separação constituídos por canais curvos, em forma de fenda, com um raio de curvatura inferior a 1 mm, resistentes à corrosão pelo UF6 e com uma lâmina que separa o fluxo de gás que passa pelo bico em duas correntes;

2. 0B001 d. Tubos, cilíndricos ou cónicos, (tubos de vórtice), feitos de ou protegidos com materiais resistentes à corrosão pelo UF6 e com uma ou mais entradas tangenciais;

3. Compressores feitos de ou protegidos com materiais resistentes à corrosão pelo UF6 e vedantes para os respetivos veios;

4. Permutadores de calor feitos de ou protegidos com materiais resistentes à corrosão pelo UF6;

5. Caixas de elementos de separação, feitas de ou protegidas com materiais resistentes à corrosão pelo UF6, para conter tubos de vórtice ou bicos de separação;

6. Válvulas com vedante de fole, manuais ou automáticas, de fecho ou de controlo, feitas de ou protegidas com materiais resistentes à corrosão pelo UF6, de diâmetro igual ou superior a 40 mm;

7. Sistemas de processo para a separação do UF6 do gás portador (hidrogénio ou hélio) até um teor igual ou inferior a 1 ppm de UF6, incluindo:

7. a.

Permutadores de calor criogénicos e criosseparadores capazes de atingir temperaturas iguais ou inferiores a 153 K (- 120 °C);

Unidades de refrigeração criogénicas capazes de atingir temperaturas iguais ou inferiores a 153 K (- 120 °C);

Unidades com bicos de separação ou tubos de vórtice para a separação do UF6 do gás portador;

Armadilhas frias de UF6 adequadas para congelação de UF6;

Equipamento e componentes especialmente concebidos ou preparados para o processo de separação por permuta química, a saber:

1. Colunas pulsantes de permuta rápida líquido-líquido com tempo de estadia no estágio igual ou inferior a 30 segundos e resistentes ao ácido clorídrico concentrado (p. ex., feitas de ou protegidas com materiais plásticos adequados tais como polímeros de hidrocarbonetos fluorados ou vidro);

2. Contactores centrífugos de permuta rápida líquido-líquido com tempo de estadia no estágio igual ou inferior a 30 segundos e resistentes ao ácido clorídrico concentrado (p. ex., feitos de ou protegidos com materiais plásticos adequados tais como polímeros de hidrocarbonetos fluorados ou vidro);

3. Células de redução eletroquímica resistentes a soluções de ácido clorídrico concentrado, para a redução do urânio de um estado de valência para outro;

4. Equipamentos de alimentação de células de redução eletroquímica para retirar o U+4 da corrente orgânica e, no que diz respeito às peças em contacto com a corrente de processo, feitas de ou protegidas com materiais adequados (p. ex., vidro, polímeros de fluorcarbonetos, polissulfato de fenilo, polietersulfonas e grafite impregnada de resina);

5. Sistemas de preparação da alimentação para a produção de soluções de cloreto de urânio de elevada pureza constituídos por equipamento de dissolução, de extração de solventes e/ou permuta de iões para a purificação e células eletrolíticas para a redução do urânio U+6 ou U+4 a U+3;

6. Sistemas de oxidação do urânio para a oxidação do U+3 em U+4;

Equipamento e componentes especialmente concebidos ou preparados para o processo de separação por permuta iónica, a saber:

1. Resinas de permuta iónica de reação rápida, resinas peliculares ou porosas macrorreticuladas em que os grupos ativos de permuta química são limitados a um revestimento na superfície de uma estrutura de suporte porosa inativa, e outras estruturas compósitas sob qualquer forma adequada, incluindo partículas ou fibras, com diâmetros iguais ou inferiores a 0,2 mm, resistentes ao ácido clorídrico concentrado e concebidas para ter um tempo de meia permuta inferior a 10 segundos, e capazes de operar a temperaturas na gama dos 373 K (100 °C) a 473 K (200 °C);

2. 0B001 f. Colunas (cilíndricas) de permuta de iões de diâmetro superior a 1000 mm, feitas de ou protegidas com materiais resistentes ao ácido clorídrico concentrado (p. ex., titânio ou plásticos de fluorocarbonetos) e capazes de operar a temperaturas na gama dos 373 K (100 °C) a 473 K (200 °C) e a pressões superiores a 0,7 MPa;

3. Sistemas de refluxo de permuta de iões (sistemas de oxidação ou redução química ou eletroquímica) para a regeneração dos agentes redutores ou oxidantes químicos utilizados nas cascatas de enriquecimento por permuta de iões;

Equipamento e componentes especialmente concebidos ou preparados para métodos à base de vapor atómico, a saber:

1. Sistemas de vaporização de urânio metálico destinados a obter uma potência de saída de 1 kW no alvo para utilização no enriquecimento por laser;

2. Sistemas de manuseamento de urânio metálico líquido ou gasoso, especialmente concebidos ou preparados para o manuseamento de urânio fundido, ligas de urânio fundidas ou vapores de urânio metálico para utilização no enriquecimento por laser, e componentes especialmente concebidos para os mesmos; N.B.: VER TAMBÉM 2A225.

3. Assemblagens coletoras de produtos e resíduos de urânio metálico em forma líquida ou sólida, feitas ou protegidas por materiais resistentes ao calor e à corrosão pelo vapor ou líquido de urânio metálico, tais como grafite revestida com ítria ou tântalo;

4. Alojamentos de módulos separadores (recipientes cilíndricos ou retangulares) para conter a fonte de vapores de urânio metálico, o canhão de feixe eletrónico e os coletores do produto e dos resíduos;

5. Lasers ou sistemas de laser especialmente concebidos ou preparados para a separação de isótopos de urânio com um estabilizador de frequências do espetro para operação durante grandes períodos de tempo; N.B.: VER TAMBÉM 6A005 E 6A205.

Equipamento e componentes especialmente concebidos ou preparados para métodos de base molecular ou sistemas de laser, a saber:

1. Bicos de expansão supersónica concebidos para arrefecer misturas de UF6 e gás portador a 150 K (- 123 °C) ou menos e feitos de materiais resistentes à corrosão pelo UF6;

2. Componentes ou dispositivos de coletor de produtos ou resíduos especialmente concebidos ou preparados para recolha de material de urânio ou material de resíduos de urânio na sequência de iluminação com luz laser, feitos de materiais resistentes à corrosão pelo UF6;

3. Compressores feitos de ou protegidos com materiais resistentes à corrosão pelo UF6 e vedantes para os respetivos veios;

4. Equipamento para fluoração do UF5 (sólido) em UF6 (gás);

5. Sistemas de processo para a separação do UF6 do gás portador (p.ex., azoto, árgon ou outro gás) incluindo:

5. a.

Permutadores de calor criogénicos e criosseparadores capazes de atingir temperaturas iguais ou inferiores a 153 K (- 120 °C);

Unidades de refrigeração criogénicas capazes de atingir temperaturas iguais ou inferiores a 153 K (- 120 °C);

Armadilhas frias de UF6 adequadas para congelação de UF6;

6. Lasers ou sistemas de laser especialmente concebidos ou preparados para a separação de isótopos de urânio com um estabilizador de frequências do espetro para operação durante grandes períodos de tempo; N.B.: VER TAMBÉM 6A005 E 6A205.

0B001 Equipamento e componentes especialmente concebidos ou preparados para o processo de separação do plasma, a saber:

1. Fontes e antenas de micro-ondas para produzir ou acelerar iões, com uma frequência de saída superior a 30 GHz e uma potência média de saída superior a 50 kW;

2. Bobinas de excitação iónica por radiofrequência, para frequências superiores a 100 kHz, capazes de suportar potências médias superiores a 40 kW;

3. Sistemas de geração de plasma de urânio;

4. Não utilizado;

5. Assemblagens coletoras de produtos e resíduos de urânio metálico em forma líquida ou sólida, feitas de ou protegidas por materiais resistentes ao calor e à corrosão pelo vapor de urânio, tais como grafite revestida com ítria ou tântalo;

6. Alojamentos dos módulos separadores (cilíndricos) para conter a fonte de plasma de urânio, a bobina de comando das radiofrequências e os coletores de produto e resíduos, feitos de material não magnético adequado (p. ex., aço inoxidável);

Equipamento e componentes especialmente concebidos ou preparados para o processo de separação eletromagnética, a saber:

1. Fontes de iões, simples ou múltiplas, constituídas por uma fonte de vapor, um ionizador e um acelerador de feixes, feitas de materiais não magnéticos adequados (p. ex., grafite, aço inoxidável ou cobre) e capazes de fornecer uma corrente total de feixes de iões igual ou superior a 50 mA;

2. Placas coletoras de iões para a recolha de feixes de iões de urânio enriquecido ou empobrecido, constituídas por duas ou mais fendas e bolsas e feitas de materiais não magnéticos adequados (p. ex., grafite ou aço inoxidável);

3. Caixas de vácuo para separadores eletromagnéticos de urânio, feitas de materiais não magnéticos (p. ex., aço inoxidável) e concebidas para operar a pressões iguais ou inferiores a 0,1 Pa;

4. Polos magnéticos de diâmetro superior a 2 m;

5. Fontes de alimentação de alta tensão para fontes de iões, com todas as seguintes características: N.B.: VER TAMBÉM 3A227.

5. a.

Capacidade para funcionamento contínuo;

Tensão de saída igual ou superior a 20000 V;

Corrente de saída igual ou superior a 1 A; e

Regulação de tensão com uma variação inferior a 0,01 % durante um período de oito horas;

6. Fontes de alimentação de eletromagnetos (alta potência, corrente contínua) com todas as seguintes características: N.B.: VER TAMBÉM 3A226.

6. a.

Capacidade para funcionamento contínuo com uma corrente de saída igual ou superior a 500 A a uma tensão igual ou superior a 100 V; e

Regulação da corrente ou da tensão com uma variação inferior a 0,01 % durante um período de 8 horas.

Autoclaves de alimentação, fornos ou sistemas utilizados para a passagem do UF6 para o processo de enriquecimento;

Dessublimadores ou armadilhas frias, utilizados para remover o UF6 do processo de enriquecimento para transferência subsequente após aquecimento;

Estações de produtos e materiais residuais utilizadas para a transferência do UF6 para os contentores;

Estações de liquefação ou de solidificação utilizadas para remover o UF6 do processo de enriquecimento através da compressão, arrefecimento e conversão do UF6 numa forma líquida ou sólida;

Sistemas de tubagens e sistemas de coletores especialmente concebidos ou preparados para o manuseamento do UF6 dentro das cascatas de difusão gasosa, de centrifugação gasosa ou aerodinâmicas;

Sistemas e bombas de vácuo, a saber:

1. Distribuidores de vácuo, coletores de vácuo ou bombas de vácuo, com uma capacidade de aspiração igual ou superior a 5 m3/minuto;

2. Bombas de vácuo especialmente concebidas para utilização em atmosferas contendo UF6, feitas de ou protegidas com materiais resistentes à corrosão pelo UF6; ou

3. Sistemas de vácuo constituídos por distribuidores de vácuo, coletores de vácuo e bombas de vácuo, e concebidos para utilização em atmosferas contendo UF6;

Espetrómetros de massa/fontes de iões de UF6 capazes de colher amostras em contínuo dos fluxos de gás UF6 e com todas as seguintes características:

1. Capazes de medir iões com uma massa atómica igual ou superior a 320 u.m.a. e com uma resolução melhor que 1 parte em 320;

2. Fontes de iões construídas com ou protegidas por níquel, ligas de níquel-cobre, com um teor de níquel igual ou superior a 60 % em peso, ou ligas de níquel-nicrómio;

3. Fontes de ionização por bombardeamento com eletrões; e

4. Com um sistema coletor adequado para análise isotópica.

Sistemas para a conversão de concentrados de minério de urânio em UO3;

Sistemas para a conversão de UO3 em UF6;

Sistemas para a conversão de UO3 em UO2;

Sistemas para a conversão de UO2 em UF4;

Sistemas para a conversão de UF4 em UF6;

Sistemas para a conversão de UF4 em urânio metálico;

Sistemas para a conversão de UF6 em UO2;

Sistemas para a conversão de UF6 em UF4;

Sistemas para a conversão de UO2 em UCl4.

Instalações de produção de água pesada, deutério ou compostos de deutério, a saber:

1. Instalações de permuta água-ácido sulfídrico;

2. Instalações de permuta amoníaco-hidrogénio;

0B004 Equipamento e componentes, a seguir enumerados:

1. Colunas de permuta de água-ácido sulfídrico de diâmetro igual ou superior a 1,5 m, capazes de funcionar a pressões iguais ou superiores a 2 MPa;

2. Ventiladores ou compressores centrífugos de um só andar, a baixa pressão (ou seja, 0,2 MPa), para circulação de gás de ácido sulfídrico (ou seja, gás contendo mais de 70 % de H2S) com uma capacidade de débito igual ou superior a 56 m3/segundo ao funcionarem a pressões de sucção iguais ou superiores a 1,8 MPa e munidos de vedantes concebidos para funcionar em meio húmido com H2S;

3. Colunas de permuta amoníaco-hidrogénio de altura igual ou superior a 35 m e diâmetros entre 1,5 e 2,5 m, capazes de funcionar a pressões superiores a 15 MPa;

4. Componentes internos das colunas, incluindo contactores de andares e bombas de andares, incluindo as bombas submergíveis, para a produção de água pesada utilizando o processo de permuta amoníaco-hidrogénio;

5. Fracionadores de amoníaco, com pressões de funcionamento iguais ou superiores a 3 MPa, para produção de água pesada utilizando o processo de permuta amoníaco-hidrogénio;

6. Analisadores de absorção de infravermelhos, capazes de analisar a relação hidrogénio-deutério em contínuo quando as concentrações de deutério forem iguais ou superiores a 90 %;

7. Queimadores catalíticos para a conversão de deutério gasoso enriquecido em água pesada pelo processo de permuta amoníaco-hidrogénio;

8. Sistemas completos de enriquecimento de água pesada, ou respetivas colunas, para o enriquecimento de água pesada até à concentração em deutério necessária ao funcionamento do reator;

9. Conversores para a síntese do amoníaco ou unidades para a síntese de amoníaco especialmente concebidas ou preparadas para produção de água pesada utilizando o processo de permuta amoníaco-hidrogénio.

0B Nota técnica:

1. Entra normalmente em contacto direto, ou processa diretamente, ou controla o fluxo de produção de materiais nucleares;

2. Confina hermeticamente os materiais nucleares no interior da blindagem;

3. Verifica a integridade da bainha ou do seu confinamento;

4. Verifica o tratamento final do combustível; ou

5. é utilizado para reunir elementos de reatores.

Instalações de reprocessamento de elementos de combustível irradiados de reatores nucleares, incluindo o equipamento e os componentes que entram normalmente em contacto direto e controlam diretamente o combustível irradiado e os principais fluxos de processamento de material nuclear e de produtos de cisão;

Máquinas para cortar ou rasgar elementos de combustível, isto é, equipamento telecomandado destinado a cortar, talhar ou cisalhar feixes, varas ou conjuntos irradiados de combustível de reatores nucleares;

Tanques de dissolução, isto é, tanques criticamente seguros (por exemplo, tanques de pequeno diâmetro, anulares ou de pequena altura), especialmente concebidos ou preparados para a dissolução do combustível irradiado do reator nuclear, capazes de suportar líquidos quentes e altamente corrosivos, e que possam ser alimentados e manutencionados por controlo remoto;

0B006 Nota: Extratores de solventes, tais como colunas de enchimento ou pulsadas, misturadores-decantores ou contractores centrífugos, resistentes aos efeitos corrosivos do ácido nítrico, especialmente concebidos ou preparados para utilização numa instalação de reprocessamento de urânio natural, urânio empobrecido ou materiais cindíveis especiais irradiados;

e. Nota técnica:

Recipientes de retenção ou de armazenagem especialmente concebidos de forma a serem criticamente seguros e resistentes aos efeitos corrosivos do ácido nítrico; Os recipientes de retenção ou de armazenagem podem ter as seguintes características:

1. Paredes ou estruturas internas com um equivalente de boro de pelo menos 2 %, (calculado para todos os elementos constituintes de acordo com a definição contida na nota ao ponto 0C004);

2. Diâmetro máximo de 175 mm para os recipientes cilíndricos; ou

3. Largura máxima de 75 mm no caso dos recipientes de pouca altura ou anulares.

Sistemas de medição de neutrões, especialmente concebidos ou preparados para a integração e a utilização com sistemas de controlo de processos automatizados numa instalação de reprocessamento de urânio natural, urânio empobrecido ou materiais cindíveis especiais irradiados.

Sistemas para a conversão de nitrato de plutónio em óxido de plutónio;

Sistemas para a produção de plutónio metálico.

0C Materiais 0C001 Urânio natural ou urânio empobrecido ou tório sob a forma de metal, liga, composto químico ou concentrado e qualquer outro material que contenha um ou mais dos elementos anteriores; Nota: 0C001 não abrange o seguinte: 0C002 Materiais cindíveis especiais Nota: 0C002 não abrange quantidades iguais ou inferiores a quatro gramas efetivos, quando contidas num componente sensor de um instrumento. 0C003 Deutério, água pesada (óxido de deutério) e outros compostos de deutério, e misturas e soluções que contenham deutério, em que a relação isotópica entre o deutério e o hidrogénio exceda 1:5000. 0C004 Grafite com um grau de pureza superior a 5 partes por milhão de equivalente de boro e com uma densidade superior a 1,50 g/cm3 para utilização num reator nuclear, em quantidades superiores a 1 kg. N.B.: VER TAMBÉM 1C107 Nota 1: Para efeitos do controlo das exportações, as autoridades competentes do Estado-Membro onde o exportador está estabelecido determinarão se as exportações de grafite que satisfazem as especificações acima referidas são ou não para utilização em reator nuclear. Nota 2: Em 0C004, equivalente de boro (BE) é definido como a soma de BEz para as impurezas (excluindo BEcarbono, uma vez que o carbono não é considerado uma impureza) incluindo o boro, em que: BEZ (ppm) = CF × concentração do elemento Z em ppm; em que CF é o fator de conversãoσZABσBAZ e σΒ e σΖ são as secções eficazes da captura de neutrões térmicos (em barns), respetivamente para o boro e o elemento Z, e AB e AZ são, respetivamente, as massas atómicas do boro e do elemento Z tal como ocorrem na natureza. 0C005 Outros compostos ou pós especialmente preparados, resistentes à corrosão pelo UF6 (por exemplo, níquel ou ligas que contenham 60 % em massa, ou mais, de níquel, óxido de alumínio ou polímeros de hidrocarbonetos totalmente fluorados), para fabrico de barreiras de difusão gasosa, com uma pureza igual ou superior a 99,9 % em massa e uma granulometria média inferior a 10 μm medida de acordo com a norma B330 da American Society for Testing and Materials (ASTM) e com um elevado grau de uniformidade no tamanho das partículas.

0C a.

Quantidades iguais ou inferiores a quatro gramas de urânio natural ou urânio empobrecido, quando contidas num componente sensor de um instrumento;

Urânio empobrecido especialmente fabricado para as seguintes aplicações civis não nucleares:

1. Blindagem;

2. Embalagem;

3. Lastro com massa igual ou inferior a 100 kg;

4. Contrapesos com massa igual ou inferior a 100 kg;

Ligas com menos de 5 % de tório;

Produtos cerâmicos que contenham tório, fabricados para usos não nucleares.

0D Software 0D001 Software especialmente concebido ou modificado para o desenvolvimento, produção ou utilização dos produtos especificados na presente categoria.

0E Tecnologia 0E001 Tecnologia nos termos da Nota sobre Tecnologia Nuclear para o desenvolvimento, produção ou utilização dos produtos especificados na presente categoria.

CATEGORIA 1 MATERIAIS ESPECIAIS E EQUIPAMENTO CONEXO

1A Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica:

Sistemas, equipamentos e componentes 1A001 Componentes fabricados a partir de compostos fluorados, a saber: 1A002 Estruturas ou laminados compósitos com qualquer das seguintes características: N.B.: VER TAMBÉM 1A202, 9A010 E 9A110. Nota 1: 1A002 não abrange as estruturas ou laminados compósitos fabricados com materiais fibrosos ou filamentosos de carbono impregnados de resinas epoxídicas destinados à reparação de estruturas ou laminados de aeronaves civis com todas as seguintes características: Nota 2: 1A002 não abrange os produtos semiacabados especialmente concebidos para aplicações de caráter puramente civil, a saber: Nota 3: 1A002.b.1. não abrange os produtos semiacabados que contenham o máximo de duas dimensões de filamentos entrecruzados e especialmente concebidos para as seguintes aplicações: Nota 4: 1A002 não abrange os produtos acabados especialmente concebidos para uma aplicação específica. 1A003 Produtos fabricados com polimidas aromáticas não fusíveis, sob a forma de película, folha, banda ou fita, com qualquer das seguintes características: Nota: 1A003 não abrange os produtos revestidos ou laminados com cobre destinados à produção de placas de circuitos impressos eletrónicos. N.B.: Para polimidas aromáticas fusíveis, sob qualquer forma, ver 1C008.a.3. 1A004 Equipamento de proteção e deteção e seus componentes não especialmente concebidos para uso militar, designadamente: N.B.: VER TAMBÉM A LISTA DE MATERIAL DE GUERRA, 2B351 E 2B352. 1A004Nota: 1A004 não abrange: 1A004 abrange equipamento e componentes que tenham sido identificados, ensaiados com êxito segundo as normas nacionais ou cuja eficácia tenha sido demonstrada por outros meios, para a deteção ou defesa contra materiais radioativos adaptados para fins militares, agentes biológicos adaptados para fins militares, agentes utilizados na guerra química, simuladores ou agentes antimotim, mesmo que esse equipamento ou componentes sejam utilizados em indústrias civis como a mineração, a exploração de pedreiras, a agricultura, a indústria farmacêutica, a medicina, a veterinária, a proteção do ambiente, a gestão de resíduos ou a indústria alimentar. Simulador é uma substância ou um material utilizado em substituição de um agente tóxico (químico ou biológico) em situações de formação, investigação, ensaio ou avaliação. 1A005 Fatos blindados e componentes para os mesmos, a saber: N.B.: VER TAMBÉM A LISTA DE MATERIAL DE GUERRA. N.B.: Para materiais fibrosos ou filamentosos utilizados no fabrico de fatos blindados, ver 1C010. Nota 1: 1A005 não abrange os fatos blindados que acompanhem o utilizador para efeitos da sua proteção pessoal. Nota 2: 1A005 não abrange os fatos blindados concebidos para assegurar a proteção frontal apenas contra estilhaços e explosões provocadas por dispositivos não militares. Nota 3: 1A005 não abrange os fatos blindados concebidos para assegurar a proteção apenas contra facas, pregos, agulhas ou traumatismos contundentes. 1A006 Equipamento especialmente concebido ou modificado para a eliminação de explosivos improvisados, como se segue, e componentes e acessórios especialmente concebidos para esse equipamento: N.B.: VER TAMBÉM A LISTA DE MATERIAL DE GUERRA. Nota: 1A006 não abrange o equipamento de controlo quando acompanha o seu operador. 1A007 Equipamento e dispositivos especialmente concebidos para detonar cargas explosivas e dispositivos contendo materiais energéticos, por meios elétricos, como se segue: N.B.: VER TAMBÉM A LISTA DE MATERIAL DE GUERRA, 3A229 E 3A232. Em lugar do termo detonador utiliza-se por vezes desencadeador ou acendedor. Para efeitos de 1A007.b., os detonadores em causa utilizam um pequeno condutor elétrico (ponte, fio de ponte ou folha fina) que se vaporiza explosivamente quando percorrido por um impulso elétrico rápido de alta intensidade. Nos tipos desprovidos de percussor, o condutor explosivo dá início a uma detonação química num material de contacto altamente explosivo como o PETN (tetranitrato de pentaeritritol). Nos detonadores com percussor, a vaporização explosiva do condutor elétrico aciona um gatilho ou percussor através de uma abertura e o impacto do percussor sobre um explosivo dá início a uma detonação química. O percussor é acionado, em alguns modelos, por uma força magnética. A expressão detonador de folha fina explosiva pode referir-se tanto a um detonador EB como a um detonador com percussor. 1A008 Cargas, dispositivos e componentes, como se segue: Cargas moldadas são cargas explosivas moldadas para concentrar os efeitos da explosão. 1A102 Componentes de carbono-carbono pirolizado ressaturado, concebidos para os veículos lançadores espaciais especificados em 9A004 ou para os foguetes-sonda especificados em 9A104. 1A202 Estruturas compósitas, exceto as especificadas em 1A002, na forma de tubos e com ambas as seguintes características; N.B.: VER TAMBÉM 9A010 E 9A110. 1A225 Catalisadores platinados especialmente concebidos ou preparados para promover a reação de permuta isotópica do hidrogénio entre o hidrogénio e a água, para a recuperação de trítio da água pesada ou para a produção de água pesada. 1A226 Enchimentos especiais que possam ser utilizados na separação de água pesada da água natural e que tenham ambas as seguintes características: 1A227 Janelas de proteção contra radiações de grande densidade (vidro de chumbo ou outro), com todas as seguintes características, e caixilhos especialmente concebidos para essas janelas: Em 1A227, entende-se por zona fria a zona de observação da janela exposta ao menor nível de radiações no caso da aplicação de projeto.

1A a.

Vedantes, juntas ou reservatórios flexíveis de combustível especialmente concebidos para aplicação aeronáutica ou espacial e constituídos em mais de 50 % em massa de qualquer dos materiais referidos em 1C009.b. ou 1C009.c.;

Polímeros e copolímeros piezoelétricos de fluoreto de vinilideno (CAS 75-38-7) especificados em 1C009.a., com todas as seguintes características:

1. Em forma de folha ou de película; e

2. De espessura superior a 200 μm;

Vedantes, juntas, sedes de válvula, reservatórios flexíveis ou diafragmas, com todas as seguintes características: Nota: Em 1A001.c, por mísseis entende-se os sistemas completos de foguetes e os sistemas de veículos aéreos não tripulados.

1. Fabricados com fluoroelastómeros com pelo menos um grupo de vinil éter como elemento constituinte, e

2. Especialmente concebidos para aplicação aeronáutica, espacial ou em mísseis.

Constituídos por uma matriz orgânica e pelos materiais especificados em 1C010.c.,1C010.d. ou 1C010.e.; ou

Constituídos por uma matriz metálica ou de carbono e qualquer dos seguintes materiais:

1. Materiais fibrosos ou filamentosos de carbono com todas as seguintes características:

1. a.

Módulo de elasticidade específico superior a 10,15 × 106 m; e

Resistência específica à tração superior a 17,7 × 104 m; ou

2. Os materiais especificados em 1C010.c.

Área não superior a 1 m2;

Comprimento não superior a 2,5 m; e

Largura superior a 15 mm.

Artigos desportivos;

Indústria automóvel;

Indústria das máquinas-ferramentas;

Aplicações médicas.

Fornos de tratamento térmico de para a têmpera de metais;

Equipamentos de produção de bolas de silício.

Espessura superior a 0,254 mm; ou

Revestidos ou laminados com carbono, grafite, metais ou substâncias magnéticas.

a. Nota técnica:

1A004 Máscaras completas, filtros e equipamento para a sua descontaminação, concebidos ou modificados para defesa contra qualquer um dos seguintes agentes ou materiais, e componentes especialmente concebidos para os mesmos: Nota: 1A004.a. inclui os respiradores purificadores de ar motorizados (PAPR) concebidos ou modificados para defesa contra agentes ou materiais enumerados em 1A004.a. Para efeitos do 1A004.a.:

1. As máscaras completas são igualmente conhecidas como máscaras antigás.

2. Os filtros incluem cartuchos de filtragem.

1. Agentes biológicos adaptados para fins militares;

2. Materiais radioativos adaptados para fins militares;

3. Agentes utilizados na guerra química (CW) ou

4. Agentes antimotim, nomeadamente:

4. a.

α-Bromobenzeneacetonitrilo, (Cianeto de bromobenzilo) (CA) (CAS 5798-79-8);

[(2-clorofenil) metileno] propanodinitrilo, (Ortoclorobenzilidenomalononitrilo(CS) (CAS 2698-41-1);

2-cloro-1-feniletanona, Cloreto de fenilacilo (ω-cloroacetofenona) (CN) (CAS 532-27-4);

Dibenzo-(b, f)-1,4-oxazefina (CR) (CAS 257-07-8);

10-cloro-5,10-dihidrofenarsazina, (Cloreto de fenarsazina), (Adamsita), (DM) (CAS 578-94-9);

N-Nonanoilmorfolina, (MPA) (CAS 5299-64-9);

Fatos, luvas e calçado de proteção especialmente concebidos ou modificados para defesa contra qualquer um dos seguintes agentes ou materiais:

1. Agentes biológicos adaptados para fins militares;

2. Materiais radioativos adaptados para fins militares; ou

3. Agentes utilizados na guerra química (CW);

Sistemas de deteção especialmente concebidos ou modificados para a deteção ou identificação de qualquer um dos seguintes agentes ou materiais, e componentes especialmente concebidos para os mesmos:

1. Agentes biológicos adaptados para fins militares;

2. Materiais radioativos adaptados para fins militares; ou

3. Agentes utilizados na guerra química (CW).

d. Nota técnica:

Equipamentos eletrónicos concebidos para detetar ou identificar automaticamente a presença de resíduos de explosivos utilizando as técnicas de deteção de resíduos (por exemplo onda acústica de superfície, espetrometria de mobilidade iónica, espetrometria de mobilidade diferencial, espetrometria de massa). Por deteção de resíduos entende-se a capacidade de detetar quantidades inferiores a 1 ppm de vapor ou inferiores a 1 mg de sólido ou líquido. Nota 1: 1A004.d. não abrange equipamentos de controlo especialmente concebidos para uso laboratorial. Nota 2: 1A004.d. não abrange pórticos de segurança sem contacto.

Dosímetros pessoais de controlo de radiações;

Equipamento de medicina no trabalho e segurança limitado, por projeto ou função, a proteger contra riscos específicos da segurança dos edifícios residenciais ou das indústrias civis, incluindo:

1. a mineração;

2. a exploração de pedreiras;

3. a agricultura;

4. a indústria farmacêutica;

5. a medicina;

6. a veterinária;

7. a proteção do ambiente;

8. a gestão de resíduos;

9. a indústria alimentar.

1A Notas técnicas: 1.2. a.

Fatos blindados não fabricados segundo normas ou especificações militares, ou equivalentes, e componentes especialmente concebidos para os mesmos;

As chapas rígidas para os fatos blindados que conferem uma proteção balística de nível IIIA ou inferior (norma NIJ 0101.06, de julho de 2008) ou normas nacionais equivalentes).

Veículos de controlo remoto;

b. Nota técnica:

Disruptores. Disruptores são dispositivos especialmente concebidos para a prevenção do funcionamento de um dispositivo explosivo mediante a projeção de material líquido, sólido ou frangível.

Dispositivos de ignição de detonadores explosivos concebidos para ativar detonadores de explosivos referidos em 1A007.b.;

Detonadores explosivos controlados eletricamente:

1. Ponte explosiva (EB);

2. Fio de ponte explosiva (EBW);

3. Percussor;

4. Desencadeadores de folha fina explosiva (EFI).

1A Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. a.

Cargas moldadas com todas as seguintes características:

1. Peso líquido de explosivo superior a 90 g; e

2. Diâmetro do invólucro externo igual ou superior a 75 mm;

Cargas de corte linear com todas as seguintes características, e os componentes especificamente desenhados para elas:

1. Carga explosiva superior a 40 g/m; e

2. Largura igual ou superior a 10 mm;

Cordão detonador com alma explosiva de mais de 64 g/m;

Instrumentos de corte, não especificados em 1A008.b., e ferramentas de separação, que tenham um peso líquido de explosivo superior a 3,5 kg.

1A Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: a.

Diâmetro interior compreendido entre 75 mm e 400 mm; e

Fabricadas com os materiais fibrosos ou filamentosos especificados em 1C010.a. ou b. ou 1C210.a. ou com materiais de carbono pré-impregnados especificados em 1C210.c.

Serem constituídos por malhas de bronze fosforoso ou de cobre (ambos tratados quimicamente para melhorar a molhabilidade); e

Estarem concebidos para ser utilizados em colunas de destilação de vácuo.

Zona fria de dimensão superior a 0,09 m2;

Densidade superior a 3 g/cm3; e

Espessura igual ou superior a 100 mm.

1B Nota técnica: 1.2. Nota técnica:

Equipamentos de ensaio, de inspeção e de produção 1B001 Equipamentos para a produção ou inspeção de estruturas ou laminados compósitos especificados em 1A002 ou materiais fibrosos ou filamentosos especificados em 1C010 e componentes e acessórios especialmente concebidos para esses equipamentos: N.B.: VER TAMBÉM 1B101 E 1B201. Para efeitos de 1B001, os eixos de posicionamento do servo primário controlam, através de programas informáticos, a posição espacial da garra terminal (isto é, a cabeça) em relação à peça a trabalhar, de modo a dar-lhe uma orientação e direção corretas para a realização do processo pretendido. Para efeitos de 1B001, uma banda de filamentos é uma largura contínua única de bandas, cabos de fibras ou fibras total ou parcialmente impregnados de resina. 1B002 Equipamento para a produção das ligas metálicas, pós de ligas metálicas ou materiais ligados especialmente concebidos para evitar a contaminação e para utilização num dos processos referidos em 1C002.c.2. N.B.: VER TAMBÉM 1B102. 1B003 Ferramentas, matrizes, moldes ou dispositivos fixos, para enformação superplástica ou soldadura por difusão de titânio, alumínio ou ligas destes metais, especialmente concebidos para o fabrico de qualquer dos seguintes: 1B101 Equipamentos, que não os especificados em 1B001, para a produção de materiais compósitos estruturais, bem como componentes e acessórios especialmente concebidos para esses equipamentos: N.B.: VER TAMBÉM 1B201: Nota: Os componentes e acessórios especificados em 1B101 compreendem moldes, mandris, matrizes, dispositivos fixos e ferramentas para a compressão, cura, vazamento, sinterização ou soldadura de pré-formas de estruturas e laminados compósitos e respetivos produtos. 1B102 Equipamento de produção de pós metálicos, que não o especificado em 1B002, e respetivos componentes, designadamente: N.B.: VER TAMBÉM 1B115.b. 1B115 Equipamentos, que não os especificados em 1B002 ou 1B102, para a produção de propulsantes e elementos constituintes de propulsantes, e componentes especialmente concebidos para esses equipamentos, a saber: Nota 1: No que se refere ao equipamento especialmente concebido para a produção de material de guerra, ver a Lista de Material de Guerra. Nota 2: 1B115 não abrange o equipamento para a produção, o manuseamento e os ensaios de receção do carboneto de boro. 1B116 Tubeiras especialmente concebidas para a produção de materiais por processos pirolíticos, formados em moldes, mandris ou outros substratos, a partir de gases precursores que se decomponham a temperaturas entre 1573 K (1300 °C) e 3173 K (2900 °C), sob pressões de 130 Pa a 20 kPa. 1B117 Misturadores descontínuos com capacidade para efetuar misturas sob vácuo entre 0 e 13,326 kPa e dotados de controlo da temperatura da câmara de mistura, com todas as características a seguir indicadas, e componentes especialmente concebidos para os mesmos: 1B118 Misturadores contínuos com capacidade para efetuar misturas sob vácuo entre 0 e 13,326 kPa e dotados de controlo da temperatura da câmara de mistura, com qualquer das características a seguir indicadas, e componentes especialmente concebidos para os mesmos: 1B119 Moinhos de jato de fluido utilizáveis para moer ou triturar substâncias especificadas em 1C011.a, 1C011.b, 1C111 ou na Lista de Material de Guerra, e componentes especialmente concebidos para os mesmos. 1B201 Máquinas de bobinar filamentos, exceto as especificadas em 1B001 ou 1B101, e equipamento conexo: 1B225 Células eletrolíticas para a produção de flúor com uma capacidade de produção superior a 250 g de flúor por hora. 1B226 Separadores eletromagnéticos de isótopos concebidos para ou equipados com fontes de iões simples ou múltiplas, capazes de produzir um feixe iónico de intensidade de corrente total igual ou superior a 50 mA. Nota: 1B226 abrange os separadores: 1B228 Colunas de destilação criogénica do hidrogénio com todas as seguintes características: Em 1B228, por comprimento efetivo entende-se a altura ativa do material de enchimento numa coluna tipo placa ou a altura ativa das placas internas do contactor numa coluna tipo placa. 1B229 Colunas de pratos de permuta de água-sulfureto de hidrogénio e contactores internos, como se segue: N.B.: No que se refere às colunas especialmente concebidas ou preparadas para a produção de água pesada, ver 0B004. 1B230 Bombas capazes de garantir a circulação de soluções concentradas ou diluídas do catalisador amida de potássio em amoníaco líquido (KNH2/NH3) com todas as seguintes características: 1B231 Instalações para trítio e equipamento a elas destinado: 1B232 Turboexpansores ou conjuntos turboexpansor-compressor com ambas as seguintes características: 1B233 Instalações para a separação de isótopos de lítio e sistemas e equipamento a elas destinado: 1B234 Invólucros, câmaras, contentores e outros dispositivos de contenção semelhantes para conteúdos altamente explosivos concebidos para o ensaio de explosivos ou dispositivos explosivos, com ambas as seguintes características: N.B.: VER TAMBÉM A LISTA DE MATERIAL DE GUERRA.

1B a.

Máquinas de bobinar filamentos em que os movimentos de posicionamento, enrolamento e bobinagem das fibras sejam coordenados e programados em três ou mais eixos de posicionamento do servo primário, especialmente concebidas para o fabrico de estruturas ou laminados compósitos a partir de materiais fibrosos ou filamentosos.

b. Nota técnica:

Máquinas para a colocação de bandas em que os movimentos de posicionamento e colocação das bandas ou folhas sejam coordenados e programados em cinco ou mais eixos de posicionamento do servo primário, especialmente concebidas para o fabrico de estruturas compósitas de células ou mísseis. Nota: Em 1B001.b., por mísseis entende-se os sistemas completos de foguetes e os sistemas de veículos aéreos não tripulados. Para efeitos de 1B001.b., as máquinas para a colocação de bandas têm capacidade para colocar uma ou mais bandas de filamentos limitadas a larguras superiores a 25 mm e inferiores ou iguais a 305 mm, e cortar e reiniciar camadas individuais de bandas de filamentos durante o processo de colocação.

c. Nota técnica:

1B001 Máquinas de tecer multidirecionais e multidimensionais ou máquinas de entrelaçar, incluindo adaptadores e conjuntos de modificação, especialmente concebidos ou modificados para tecer, entrelaçar ou entrançar fibras destinadas a estruturas compósitas; Para efeitos de 1B001.c., a técnica de entrelaçamento inclui a tricotagem.

Equipamentos especialmente concebidos ou adaptados para o fabrico de fibras de reforço:

1. Equipamentos para a conversão de fibras poliméricas (por exemplo, poliacrilonitrilo, rayon, breu ou policarbossilano) em fibras de carbono ou de carboneto de silício, incluindo equipamentos especiais para a estiragem das fibras durante o aquecimento;

2. Equipamentos para a deposição química de vapores de elementos ou de compostos em substratos filamentosos aquecidos, para o fabrico de fibras de carboneto de silício;

3. Equipamentos para a extrusão húmida de materiais cerâmicos refratários (por exemplo, óxido de alumínio);

4. Equipamentos para a conversão de fibras precursoras com alumínio em fibras de alumina, por tratamento térmico;

Equipamentos para a produção dos pré-impregnados referidos em 1C010.e. pelo método da fusão a quente;

Equipamentos para a inspeção não destrutiva especialmente concebidos para materiais compósitos:

1. Sistemas de tomografia por raios X para inspeção tridimensional de defeitos;

2. Máquinas de ensaio ultrassónicas de controlo numérico em que os movimentos de posicionamento dos transmissores ou dos recetores sejam simultaneamente coordenados e programados em quatro ou mais eixos por forma a acompanhar os contornos tridimensionais da componente a inspecionar.

g. Nota técnica:

Máquinas para a colocação de cabos de fibras (tows) em que os movimentos de posicionamento e colocação dos cabos de fibras (tows) sejam coordenados e programados em dois ou mais eixos de posicionamento do servo primário, especialmente concebidas para o fabrico de estruturas compósitas de células ou mísseis. Para efeitos de 1B001.g., as máquinas para a colocação de cabos de fibras (tows) têm a possibilidade de colocar uma ou mais bandas de filamentos com larguras inferiores ou iguais a 25 mm e a cortar e reiniciar cursos individuais de banda de filamentos durante o processo de colocação.

1B Nota técnica: 1.2. a.

Células ou estruturas aeroespaciais;

Motores aeronáuticos ou aeroespaciais; ou

Componentes especialmente concebidos para as estruturas especificadas em 1B003.a. ou para os motores especificados em 1B003.b.

Máquinas de bobinar filamentos ou máquinas de colocação de fibras em que os movimentos de posicionamento, enrolamento e bobinagem das fibras possam ser coordenados e programados em três ou mais eixos, concebidas para o fabrico de estruturas ou laminados compósitos a partir de materiais fibrosos ou filamentosos, bem como os respetivos comandos de coordenação e de programação;

Máquinas para a colocação de bandas em que os movimentos de posicionamento e colocação das bandas e folhas possam ser coordenados e programados em dois ou mais eixos, concebidas para o fabrico de estruturas compósitas de células e mísseis;

Equipamentos concebidos ou modificados para a produção de materiais fibrosos ou filamentosos, a saber:

1. Equipamentos para a conversão de fibras poliméricas (por exemplo, poliacrilonitrilo, rayon ou policarbossilano), incluindo equipamentos especiais para a estiragem das fibras durante o aquecimento;

2. Equipamentos para a deposição de vapores de elementos ou de compostos em substratos filamentosos aquecidos;

3. Equipamentos para a extrusão húmida de materiais cerâmicos refratários (por exemplo, óxido de alumínio);

Equipamentos concebidos ou modificados para tratamentos especiais da superfície de fibras ou para a produção dos pré-impregnados e pré-formas referidos em 9C110. Nota: 1B101.d. abrange cilindros, estiradores, equipamentos de revestimento, equipamentos de corte e clicker dies.

Equipamento de produção de pós metálicos utilizável para a produção, em ambiente controlado, dos materiais esferulados, esferoidais ou atomizados referidos em 1C011.a., 1C011.b., 1C111.a.1., 1C111.a.2. ou na Lista de Material de Guerra.

Componentes especialmente concebidos para o equipamento de produção especificado em 1B002 ou 1B102.a. Nota: 1B102 abrange:

a.

Geradores de plasma (jato de arco elétrico de alta frequência) utilizáveis para a obtenção de pós metálicos esferulados ou atomizados, com organização do processo em ambiente árgon-água;

b.

Equipamento de eletroexplosão utilizável para a obtenção de pós metálicos esferulados ou atomizados, com organização do processo em ambiente árgon-água;

c.

Equipamento utilizável para a produção de pó de alumínio esferulado por pulverização de massa fundida em atmosfera inerte (por exemplo, azoto).

Equipamento de produção para a produção, manuseamento ou ensaio de receção dos propulsantes ou componentes de propulsantes líquidos especificados em 1C011.a., 1C011.b., 1C111 ou na Lista de Material de Guerra;

Equipamento de produção, para a produção, manuseamento, mistura, cura, vazamento, compressão, maquinagem, extrusão ou ensaio dos propulsantes ou componentes de propulsantes sólidos referidos em 1C011.a., 1C011.b., 1C111 ou na Lista de Material de Guerra. Nota: 1B115.b. não abrange os misturadores descontínuos, os misturadores contínuos nem os moinhos de jato de fluido. Para estes equipamentos, ver 1B117, 1B118 e 1B119.

Capacidade volumétrica total igual ou superior a 110 litros; e

Pelo menos uma pá misturadora/malaxadora excêntrica. Nota: Em 1B117.b., o termo pá misturadora/malaxadora não se refere a desaglomeradores ou molinetes.

Duas ou mais pás misturadoras/malaxadoras; ou

Uma única pá rotativa com movimento de oscilação e dentes/pinos malaxadores tanto na própria pá como no interior da câmara misturadora.

Máquinas de bobinar filamentos com todas as seguintes características:

1. Movimentos de posicionamento, enrolamento e bobinagem das fibras coordenados e programados em dois ou mais eixos;

2. Especialmente concebidas para o fabrico de estruturas ou laminados compósitos a partir de materiais fibrosos ou filamentosos; e

3. Com capacidade para bobinar tubos cilíndricos de diâmetro interno compreendido entre 75 mm e 650 mm e comprimento igual ou superior a 300 mm;

Comandos de coordenação e programação para as máquinas de bobinar filamentos especificadas em 1B201.a.;

Mandris de precisão para as máquinas de bobinar filamentos especificadas em 1B201.a.

Capazes de enriquecer isótopos estáveis;

Cujas fontes de iões e coletores se situem no interior do campo magnético, bem como as configurações em que estes sejam exteriores ao campo.

Concebidas para funcionamento a temperaturas interiores iguais ou inferiores a 35 K (-238 °C);

Concebidas para funcionamento a pressões interiores compreendidas entre 0,5 e 5 MPa;

Construídas:

1. Em aço inoxidável austenítico de grão fino da série 300 com baixo teor de enxofre e com uma granulometria ASTM (ou equivalente) igual ou superior a 5; ou

2. Em materiais equivalentes que sejam simultaneamente criogénicos e compatíveis com o H2; e

De diâmetro interior igual ou superior a 30 cm e comprimento efetivo igual ou superior a 4 m.

1B Nota técnica: 1.2. Nota técnica: a.

Colunas de pratos de permuta de água-ácido sulfídrico com todas as seguintes características:

1. Capazes de funcionar a pressões iguais ou superiores a 2 MPa;

2. Construídas em aço ao carbono austenítico de grão fino, com uma granulometria ASTM (ou equivalente) igual ou superior a 5; e

3. De diâmetro igual ou superior a 1,8 m;

b. Nota técnica:

Contactores internos para as colunas de pratos de permuta de água-ácido sulfídrico especificadas em 1B229.a. Os contactores internos das colunas são pratos segmentados de diâmetro efetivo, após montagem, igual ou superior a 1,8 m, concebidos para facilitar o contacto em contracorrente e construídos de aço inoxidável com um teor de carbono igual ou inferior a 0,03 %. Podem ser pratos perfurados, pratos de válvulas, pratos de campânulas ou pratos de grelha (Turbogrid).

Estanques ao ar (isto é, hermeticamente fechadas);

Capacidade superior a 8,5 m3/h; e

Uma das seguintes características:

1. Para soluções concentradas de amida de potássio (1 % ou mais), pressão de serviço de 1,5 a 60 MPa; ou

2. Para soluções diluídas de amida de potássio (menos de 1 %), pressão de serviço de 20 a 60 MPa.

Instalações para a produção, recuperação, extração, concentração ou manuseamento de trítio;

Equipamento para instalações de trítio:

1. Unidades de refrigeração a hidrogénio ou hélio capazes de arrefecer até temperaturas iguais ou inferiores a 23 K (- 250 °C), com capacidade de refrigeração superior a 150 W;

2. Sistemas de armazenagem ou de purificação de isótopos de hidrogénio que utilizem hidretos metálicos como meio de armazenagem ou de purificação.

Concebidos para funcionamento com uma temperatura de saída igual ou inferior a 35 K (-238 °C); e

Concebidos para um caudal de hidrogénio gasoso igual ou superior a 1000 kg/h.

Instalações para a separação de isótopos de lítio;

Equipamento para a separação de isótopos de lítio, baseada no processo de amálgama de lítio e mercúrio, a saber:

1. Colunas de permuta líquido-líquido com enchimento compacto especialmente concebidas para amálgamas de lítio;

2. Bombas de amálgama de mercúrio ou de lítio;

3. Células de eletrólise da amálgama de lítio;

4. Evaporadores para soluções de hidróxido de lítio concentradas;

Sistemas de permuta iónica especialmente concebidos para a separação de isótopos de lítio, e componentes especialmente concebidos para os mesmos;

Sistemas de permuta química (que utilizam éteres-coroa, criptandos ou éteres-laço), especialmente concebidos para a separação de isótopos de lítio, e componentes especialmente concebidos para os mesmos.

Concebidos para conter plenamente uma explosão equivalente a 2 kg de TNT ou superior; e

Com elementos ou características de conceção que permitem a transferência, em tempo real ou diferida, de informações de diagnóstico ou de medição.

1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica 1: Nota técnica 2: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3.

Materiais Metais e ligas: Salvo disposição em contrário, os termos metais e ligas em 1C001 a 1C012 abrangem formas em bruto e semiacabadas, como se segue: Formas em bruto: Ânodos, esferas, barras (incluindo barras entalhadas e barras para arame), biletes, blocos, blooms, brickets, cakes, cátodos, cristais, cubos, dados, grãos, grânulos, lingotes, linguados, pellets, salmões, pó, rondelles, grenalha, brames, esponja, varas; Formas semimanufaturadas (revestidas, chapeadas, perfuradas ou não): O objetivo dos controlos não deve ser contrariado pela exportação de formas não incluídas na lista declaradas como produtos acabados mas que são na realidade formas em bruto ou semimanufaturadas. 1C001 Materiais especialmente concebidos para absorver ondas eletromagnéticas ou polímeros intrinsecamente condutores, como se segue: N.B.: VER TAMBÉM 1C101. 1C002 Ligas metálicas, pós de ligas metálicas ou materiais ligados: N.B.: VER TAMBÉM 1C202. Nota: 1C002 não abrange as ligas metálicas, os pós de ligas metálicas e os materiais ligados para o revestimento de substratos. As ligas metálicas abrangidas por 1C002 são ligas com uma percentagem mássica do metal indicado maior do que a de qualquer outro elemento. A resistência à rutura deve ser medida de acordo com a norma ASTM E-139 ou normas nacionais equivalentes. A resistência à fadiga de baixo ciclo deve ser medida de acordo com a norma ASTM E-606 Recommended Practice for Constant-Amplitude Low-Cycle Fatigue Testing (Método recomendado para o ensaio à fadiga de baixo ciclo a amplitude constante) ou normas nacionais equivalentes. O ensaio deve ser axial, com uma razão de tensões média igual a 1 e um coeficiente de concentração de tensões (Kt) igual a 1. A razão de tensões média define-se como sendo a diferença entre as tensões máxima e mínima dividida pela tensão máxima. 1C003 Metais magnéticos, de todos os tipos e em todas as formas, com qualquer das seguintes características: 1C004 Ligas de urânio e titânio ou ligas de tungsténio com matriz à base de ferro, níquel ou cobre, com todas as seguintes características: 1C005 Condutores de materiais compósitos supercondutores, com comprimentos superiores a 100 m ou massa superior a 100 g, como se segue: Para efeitos de 1C005, os filamentos podem ter a forma de fio, cilindro, película, fita ou banda. 1C006 Fluidos e produtos lubrificantes: Para efeitos de 1C006: 1C007 Materiais cerâmicos de base, materiais cerâmicos não compósitos, materiais compósitos de matriz cerâmica e materiais precursores, como se segue: N.B.: VER TAMBÉM 1C107. 1C008 Polímeros não fluorados, como se segue: A temperatura de transição vítrea (Tg) para os materiais termoplásticos referidos em 1C008.a.2 e materiais referidos em 1C008.a.4 determina-se pelo método descrito na norma ISO 11357-2 (1999) ou em normas nacionais equivalentes. A temperatura de transição vítrea (Tg) para os materiais termoestáveis especificados em 1C008.a.2 e os materiais especificados em 1C008.a.3 é determinada pelo método de flexão em 3 pontos descrito na norma ASTM D 7028-07 ou em equivalentes nacionais. O ensaio deve ser realizado utilizando um espécime de ensaio seco que tenha atingido um mínimo de 90 % do grau de cura, tal como especificado na norma ASTM E 2160-04 ou norma nacional equivalente, e tenha sido curado através da combinação de processos normais de cura e pós-cura que produzem a maior Tg. 1C009 Compostos fluorados não tratados, como se segue: 1C010 Materiais fibrosos ou filamentosos: N.B.: VER TAMBÉM 1C210 e 9C110. Para efeitos do cálculo da resistência específica à tração, módulo de elasticidade específico ou peso específico de materiais fibrosos ou filamentosos em 1C010.a., 1C010.b. ou 1C010.c., a resistência à tração e módulo de elasticidade devem ser determinados utilizando o método A descrito na norma ISO 10618 (2004) ou em normas nacionais equivalentes. A avaliação da resistência específica à tração, do módulo de elasticidade específico ou do peso específico de materiais fibrosos ou filamentosos não unidirecionais (por exemplo, tecidos, emaranhados irregulares e entrançados) em 1C010 deve basear-se nas propriedades mecânicas dos monofilamentos unidirecionais constituintes (por exemplo, monofilamentos, fios, mechas ou cabos de fibras (tows)), antes da transformação em materiais fibrosos ou filamentosos não unidirecionais. 1C011 Metais e compostos a seguir enumerados: N.B.: VER TAMBÉM A LISTA DE MATERIAL DE GUERRA e 1C111. N.B.: Ver também a Lista de Material de Guerra para os pós metálicos misturados com outras substâncias para formar uma mistura formulada para fins militares. 1C012 Materiais, como se segue: Estes materiais são normalmente utilizados para fontes de calor nucleares. 1C101 Materiais e dispositivos que reduzam parâmetros de deteção, como a refletividade ao radar e as assinaturas no ultravioleta/infravermelho e acústicas, não referidos em 1C001 e utilizáveis em mísseis, subsistemas de mísseis, ou veículos aéreos não tripulados especificados em 9A012. Nota 1: 1C101 abrange: Nota 2: 1C101 não abrange os revestimentos especialmente utilizados no controlo térmico dos satélites. Em 1C101, por mísseis entende-se os sistemas completos de foguetes e os sistemas de veículos aéreos não tripulados capazes de um alcance superior a 300 km. 1C102 Materiais de carbono-carbono pirolizados ressaturados, concebidos para veículos lançadores espaciais referidos em 9A004 ou para foguetes-sonda referidos em 9A104. 1C107 Grafite e materiais cerâmicos com exceção dos especificados em 1C007: 1C111 Propulsantes e produtos químicos utilizados em propulsantes, exceto os especificados em 1C011: Nota: No que se refere aos propulsantes e aos produtos químicos utilizados em propulsantes não especificados em 1C111, ver a Lista de Material de Guerra. 1C116 Aços maraging, utilizáveis em mísseis, com todas as seguintes características: N.B.: VER TAMBÉM 1C216. Aços maraging são ligas de ferro: Em 1C116, por mísseis entende-se os sistemas completos de foguetes e os sistemas de veículos aéreos não tripulados capazes de um alcance superior a 300 km. 1C117 Materiais para o fabrico de componentes de mísseis: Em 1C117, por mísseis entende-se os sistemas completos de foguetes e os sistemas de veículos aéreos não tripulados capazes de um alcance superior a 300 km. 1C118 Aço inoxidável duplex estabilizado ao titânio (Ti-DSS), com todas as seguintes características: 1C202 Ligas, exceto as especificadas em 1C002.b.3. ou b.4., como se segue: A expressão ligas capazes de aplica-se às ligas antes ou depois do tratamento térmico. 1C210 Materiais fibrosos ou filamentosos, exceto os especificados em 1C010.a., b. ou e., como se segue: Nota: Em 1C210, os materiais fibrosos ou filamentosos restringem-se a monofilamentos, fios, mechas, bandas ou cabos de fibras (tows) contínuos. 1C216 Aços maraging não abrangidos por 1C116, capazes de uma tensão de rutura à tração igual ou superior a 1950 MPa a 293 K (20 °C). Nota: 1C216 não abrange formas em que todas as dimensões lineares sejam iguais ou inferiores a 75 mm. A expressão aços maraging capazes de aplica-se aos aços maraging antes ou depois do tratamento térmico. 1C225 Boro enriquecido no isótopo boro-10 (10B) de modo a apresentar uma abundância isotópica superior à natural, sob as seguintes formas: boro elementar, compostos e misturas com boro, e produtos, resíduos ou sucata de qualquer destes materiais. Nota: Em 1C225, as misturas com boro incluem os materiais com adição de boro. A abundância isotópica natural do boro-10 é de aproximadamente 18,5 % em massa (20 átomos em cada cem). 1C226 Tungsténio, carboneto de tungsténio e ligas com mais de 90 % em massa de tungsténio, exceto os especificados em 1C117, com ambas as seguintes características: Nota: 1C226 não abrange peças especialmente concebidas para utilização como pesos ou colimadores de raios gama. 1C227 Cálcio com ambas as seguintes características: 1C228 Magnésio com ambas as seguintes características: 1C229 Bismuto com ambas as seguintes características: 1C230 Berílio metálico, ligas com mais de 50 %, em massa, de berílio, compostos de berílio e produtos, resíduos ou sucata destes materiais, exceto os especificados na Lista de Material de Guerra. N.B.: VER TAMBÉM A LISTA DE MATERIAL DE GUERRA. Nota: 1C230 não abrange: 1C231 Háfnio metálico, ligas de háfnio com mais de 60 %, em massa, de háfnio, compostos de háfnio com mais de 60 %, em massa, de háfnio e produtos, resíduos e sucata destes materiais. 1C232 Hélio-3 (3He), misturas que contenham hélio-3, e produtos ou dispositivos com qualquer destes materiais. Nota: 1C232 não abrange produtos ou dispositivos que contenham menos de 1 g de hélio-3. 1C233 Lítio enriquecido no isótopo lítio-6 (6Li) de modo a apresentar uma abundância isotópica superior à natural, e produtos ou dispositivos que contenham lítio enriquecido, sob as seguintes formas: lítio elementar, ligas, compostos e misturas com lítio, e produtos, resíduos ou sucata de qualquer destes materiais. Nota: 1C233 não abrange os dosímetros de termoluminescência. A abundância isotópica natural do lítio-6 é de aproximadamente 6,5 % em massa (7,5 átomos em cada cem). 1C234 Zircónio com um teor de háfnio inferior a 1 parte de háfnio para 500 partes de zircónio, em massa, sob as seguintes formas: metal, ligas com mais de 50 %, em massa, de zircónio, compostos de zircónio, e produtos, resíduos ou sucata de qualquer destes materiais, não especificados em 0A001.f. Nota: 1C234 não abrange o zircónio sob a forma de folhas de espessura igual ou inferior a 0,10 mm. 1C235 Trítio, compostos de trítio e misturas com trítio nas quais a relação entre o número de átomos de trítio e de hidrogénio exceda 1:1000, e produtos ou dispositivos que contenham qualquer destes materiais. Nota: 1C235 não abrange produtos ou dispositivos que contenham menos de 1,48 × 103 GBq (40 Ci) de trítio. 1C236 Radionuclídeos adequados para fazer fontes neutrónicas com base em reação alpha-n, não referidos em 0C001 e 1C012.a., sob as seguintes formas: Nota: 1C236 não abrange produtos ou dispositivos que contenham menos de 3,7 GBq (100 milicuries) de atividade. Em 1C236, radionuclídeos são quaisquer dos seguintes: 1C237 Rádio-226 (226Ra), ligas de rádio-226, compostos de rádio-226, misturas com rádio-226 e produtos ou dispositivos que contenham qualquer destes materiais. Nota: 1C237 não abrange: 1C238 Trifluoreto de cloro (ClF3). 1C239 Produtos altamente explosivos, não especificados na Lista de Material de Guerra, ou substâncias ou misturas com mais de 2 %, em massa, desses explosivos, de densidade cristalina superior a 1,8 g/cm3 e com uma velocidade de detonação superior a 8000 m/s. 1C240 Pó de níquel e níquel metálico poroso, exceto os especificados em 0C005, nomeadamente: Nota: 1C240 não abrange: 1C240.b. refere-se a metal poroso formado por compactação e sinterização dos materiais referidos em 1C240.a. por forma a obter um material metálico com poros finos interligados em toda a estrutura. 1C241 Rénio e ligas com 90 % ou mais, em massa, de rénio; e ligas de rénio e tungsténio contendo, em peso, 90 % ou mais de qualquer combinação de rénio e tungsténio, com ambas as seguintes características: 1C350 Produtos químicos que podem ser utilizados como precursores de agentes químicos tóxicos, dos seguintes tipos, bem como as misturas químicas que contenham um ou vários desses produtos: N.B.: VER TAMBÉM A LISTA DE MATERIAL DE GUERRA E 1C450. Nota 1: Para as exportações para os Estados não Parte na Convenção sobre Armas Químicas, 1C350 não abrange as misturas químicas que contenham uma ou várias das substâncias químicas especificadas nas entradas 1C350.1, .3, .5, .11, .12, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36, .54, .55, .56, .57 e .63 em que nenhuma das substâncias especificadas tomada isoladamente constitua mais de 10 %, em massa, da mistura. Nota 2: Para as exportações para os Estados não Parte na Convenção sobre Armas Químicas, 1C350 não abrange as misturas químicas que contenham uma ou várias das substâncias químicas especificadas nas entradas 1C350.1, .3, .5, .11, .12, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36, .54, .55, .56, .57 e .63 em que nenhuma das substâncias especificadas tomada isoladamente constitua mais de 30 %, em massa, da mistura. Nota 3: 1C350 não abrange as misturas químicas que contenham uma ou várias das substâncias químicas especificadas nas entradas 1C350.2, .6, .7, .8, .9, .10, .14, .15, .16, .19, .20, .24, .25, .30, .37, .38, .39, .40, .41, .42, .43, .44, .45, .46, .47, .48, .49, .50, .51, .52, .53, .58, .59, .60, .61 e .62 em que nenhuma das substâncias especificadas tomada isoladamente constitua mais de 30 %, em massa, da mistura. Nota 4: 1C350 não abrange os produtos identificados como bens de consumo acondicionados para venda a retalho para uso pessoal ou acondicionados para uso individual. 1C351 Agentes patogénicos para o homem e para os animais e toxinas, como se segue: Nota: 1C351 não abrange as vacinas nem as imunotoxinas. 1C352 Não utilizado 1C353 Elementos genéticos e organismos geneticamente modificados, como se segue: Organismos geneticamente modificados abrange os organismos cujo material genético (sequências de ácidos nucleicos) tenha sido alterado de uma forma que não ocorre naturalmente, por cruzamento e/ou recombinação natural, e abrange os produzidos artificialmente no todo ou em parte. Os elementos genéticos incluem, nomeadamente, cromossomas, genomas, plasmídeos, transposões e vetores, geneticamente modificados ou não, ou de síntese química, no todo ou em parte. As sequências de ácidos nucleicos associadas à patogenicidade de quaisquer dos microrganismos indicados em 1C351.a., 1C351.c., 1C351.e. ou 1C354 significam qualquer sequência específica do microrganismo especificado que: Nota: 1C353 não abrange as sequências de ácidos nucleicos associadas à patogenicidade da Escherichia coli enterohemorrágica, serotipo O157 e de outras estirpes produtoras de verotoxina, com exceção das que codifiquem a verotoxina ou as suas subunidades. 1C354 Agentes patogénicos para as plantas, como se segue: 1C450 Produtos químicos tóxicos e precursores de produtos químicos tóxicos, como segue, e misturas químicas que contenham um ou vários desses produtos e precursores: N.B.: VER TAMBÉM 1C350, 1C351.d E A LISTA DE MATERIAL DE GUERRA.

1C Nota técnica: a.

1C Materiais forjados ou manufaturados obtidos por laminagem, estiramento, extrusão, forjamento, extrusão por impacto, prensagem, granulação, atomização e trituração, isto é: cantoneiras, Us, bolachas, discos, pó, palhetas, folhas, peças forjadas, chapas, peças prensadas e estampadas, fitas, anéis, varetas (incluindo elétrodos de soldadura não revestidos, fio-máquina e arame laminado), perfis, placas, arco, canos e tubos (incluindo tubos de secção redonda, quadrada e barras ocas), arame obtido por estiramento ou extrusão;

Material moldado produzido por vazamento em moldes de areia, cunhos, metal, gesso ou outros, incluindo peças moldadas a alta pressão, formas sinterizadas, e formas obtidas por metalurgia à base de pó.

Materiais para absorção de frequências superiores a 2 × 108 Hz, mas inferiores a 3 × 1012 Hz; Nota 1: 1C001.a. não abrange: Nota 2: Nada na nota 1 a 1C001.a. isenta os materiais magnéticos de garantir a absorção quando contidos em tintas.

a.

Absorventes de tipo capilar, constituídos por fibras naturais ou sintéticas, com carga não magnética para permitir a absorção;

b.

Absorventes sem perda magnética com superfície incidente não plana, compreendendo pirâmides, cones, prismas e superfícies curvas:

c.

Absorventes planos com todas as seguintes características:

1. Nota técnica:

Fabricados com: As amostras para os ensaios de absorção respeitantes a 1C001.a., nota 1.c.1., devem ter a forma de um quadrado de lado igual ou superior a cinco vezes o comprimento de onda da frequência central e situado no campo afastado da fonte radiante.

1. a.

Espumas plásticas (flexíveis ou não flexíveis) com carga de carbono, ou materiais orgânicos, incluindo ligantes, que produzam um eco superior a 5 %, relativamente aos metais, numa banda de frequências de largura superior a ± 15 %, da frequência central da energia incidente, e que sejam incapazes de resistir a temperaturas superiores a 450 K (177 °C); ou

Materiais cerâmicos que produzam um eco superior a 20 %, relativamente aos metais, numa banda de frequências de largura superior a ± 15 % da frequência central da energia incidente, e que sejam incapazes de resistir a temperaturas superiores a 800 K (527 °C);

2. Resistência à tração inferior a 7 × 106 N/m2; e

3. Resistência à compressão inferior a 14 × 106 N/m2;

d.

Absorventes planos fabricados em ferrite sinterizada com todas as seguintes características:

1. Densidade superior a 4,4; e

2. Temperatura máxima de funcionamento de 548 K (275 °C).

1C001 Materiais para a absorção de frequências superiores a 1,5 × 1014 Hz mas inferiores a 3,7 × 1014 Hz, e não transparentes à luz visível; Nota: 1C001.b. não abrange os materiais especialmente concebidos ou formulados para qualquer das seguintes aplicações:

a.

Marcação a laser de polímeros; ou

b.

Soldadura a laser de polímeros.

c. Nota técnica:

Materiais poliméricos intrinsecamente condutores, de condutividade elétrica global superior a 10000 S/m (Siemens por metro) ou resistividade superficial inferior a 100 ohms/quadrado, à base de qualquer dos seguintes polímeros: Nota: 1C001.c. não abrange materiais em forma líquida. A condutividade elétrica global e a resistividade superficial devem ser determinadas de acordo com a norma ASTM D-257 ou normas nacionais equivalentes.

1. Polianilina;

2. Polipirrol;

3. Politiofeno;

4. Poli(fenileno-vinileno); ou

5. Poli(tienileno-vinileno).

1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. a.

Aluminetos:

1. Aluminetos de níquel com um teor mínimo de alumínio de 15 %, em massa, um teor máximo de alumínio de 38 %, em massa, e pelo menos um elemento de liga adicional;

2. Aluminetos de titânio com um teor de alumínio igual ou superior a 10 %, em massa, e pelo menos um elemento de liga adicional;

Ligas metálicas obtidas a partir dos pós ou partículas referidos em 1C002.c:

1. Ligas de níquel com qualquer das seguintes características:

1. a.

Resistência à rutura igual ou superior a 10000 horas, a 923 K (650 °C) e a uma tensão de 676 MPa; ou

Resistência à fadiga de baixo ciclo igual ou superior a 10000 ciclos, a 823 K (550 °C) e a uma tensão máxima de 1095 MPa;

2. 1C002 b. Ligas de nióbio com qualquer das seguintes características:

2. a.

Resistência à rutura igual ou superior a 10000 horas, a 1073 K (800 °C) e a uma tensão de 400 MPa; ou

Resistência à fadiga de baixo ciclo igual ou superior a 10000 ciclos, a 973 K (700 °C) e a uma tensão máxima de 700 MPa;

3. Ligas de titânio com qualquer das seguintes características:

3. a.

Resistência à rutura igual ou superior a 10000 horas, a 723 K (450 °C) e a uma tensão de 200 MPa; ou

Resistência à fadiga de baixo ciclo igual ou superior a 10000 ciclos, a 723 K (450 °C) e a uma tensão máxima de 400 MPa;

4. Ligas de alumínio com qualquer das seguintes características:

4. a.

Resistência à tração igual ou superior a 240 MPa a 473 K (200 °C); ou

Resistência à tração igual ou superior a 415 MPa a 298 K (25 °C);

5. Ligas de magnésio com todas as seguintes características:

5. a.

Resistência à tração igual ou superior a 345 MPa; e

Velocidade de corrosão inferior a 1 mm/ano numa solução aquosa de cloreto de sódio a 3 %, medida de acordo com a norma ASTM G-31 ou normas nacionais equivalentes;

Pós ou partículas de ligas metálicas, com todas as seguintes características:

1. Nota técnica:

Obtidos a partir de qualquer um dos seguintes sistemas componentes: Nos pontos a seguir, X representa um ou mais elementos de liga.

Ligas de níquel (Ni-Al-X, Ni-X-Al), qualificadas para peças ou componentes de motores de turbina, ou seja, com menos de três partículas não metálicas (introduzidas durante o processo de fabrico) de dimensões superiores a 100 μm por 109 partículas da liga;

Ligas de nióbio (Nb-Al-X ou Nb-X-Al, Nb-Si-X ou Nb-X-Si, Nb-Ti-X ou Nb-X-Ti);

Ligas de titânio (Ti-Al-X ou Ti-X-Al);

Ligas de alumínio (Al–Mg–X ou Al-X-Mg, Al-Zn-X ou Al-X-Zn, Al-Fe-X ou Al-X-Fe); ou

Ligas de magnésio (Mg-Al-X ou Mg-X-Al);

2. Obtidos, em atmosfera controlada, por qualquer dos seguintes processos:

2. a.

Atomização sob vácuo;

Atomização por gás;

Atomização centrífuga;

Solidificação com impacto;

Solidificação em rotação com enregelamento e cominuição;

Solidificação em extração com enregelamento e cominuição; ou

Obtenção de ligas por meios mecânicos; e

3. Capazes de formar os materiais referidos em 1C002.a. ou 1C002.b.;

1C002 Materiais ligados, com todas as seguintes características:

1. Obtidos a partir de qualquer dos sistemas componentes especificados em 1C002.c.1.;

2. Na forma de palhetas, fitas ou varetas delgadas; e

3. Obtidos em ambiente controlado por qualquer dos seguintes métodos:

3. a.

Solidificação com impacto;

Solidificação em rotação com enregelamento; ou

Solidificação em extração com enregelamento.

a. Nota técnica:

Permeabilidade relativa inicial igual ou superior a 120000 e espessura igual ou inferior a 0,05 mm; A permeabilidade relativa inicial deve ser medida em materiais totalmente recozidos.

Ligas magnetoestrictivas com qualquer das seguintes características:

1. Magnetoestricção de saturação superior a 5 × 10-4; ou

2. Fator de acoplamento magnetomecânico (k) superior a 0,8; ou

c. Nota técnica:

Bandas de liga amorfa ou nanocristalina com todas as seguintes características: Por materiais nanocristalinos, em 1C003.c., entende-se os materiais com cristais de granulometria igual ou inferior a 50 nm, determinada por difração aos raios X.

1. No mínimo, 75 %, em massa, de ferro, cobalto ou níquel;

2. Indução magnética de saturação (Bs) igual ou superior a 1,6 T; e

3. Qualquer das seguintes características:

3. a.

Espessura igual ou inferior a 0,02 mm; ou

Resistividade elétrica igual ou superior a 2 × 10-4 ohm cm.

Densidade superior a 17,5 g/cm3;

Limite de elasticidade superior a 880 MPa;

Tensão de rutura à tração superior a 1270 MPa; e

Alongamento superior a 8 %.

Compósitos supercondutores com um ou mais filamentos de nióbio-titânio, com todas as seguintes características:

1. Integrados numa matriz que não seja de cobre ou de uma mistura à base de cobre; e

2. Com uma secção transversal de área inferior a 0,28 × 10-4 mm2 (6 μm de diâmetro no caso de filamentos de secção circular);

1C005 Condutores de materiais compósitos supercondutores, constituídos por um ou mais filamentos supercondutores que não sejam de nióbio-titânio, com todas as seguintes características:

1. Temperatura crítica, a indução magnética nula, superior a 9,85 K (–263,31 °C), e

2. Que permaneçam no estado supercondutor à temperatura de 4,2 K (–268,96 °C), quando expostos a um campo magnético orientado em qualquer direção perpendicular ao eixo longitudinal do condutor e correspondente a uma indução magnética de 12 T com uma densidade de corrente crítica superior a 1750 A/mm2 na secção transversal do condutor;

Condutores de materiais compósitos supercondutores, constituídos por um ou mais filamentos supercondutores que permaneçam no estado supercondutor a uma temperatura superior a 115 K (-158,16 °C).

1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: a.

Fluidos hidráulicos que contenham, como ingredientes principais, qualquer dos seguintes compostos ou produtos:

1. Nota técnica:

Óleos de síntese constituídos por hidrocarbonetos silícicos, com todas as seguintes características: Para efeitos de 1C006.a.1., os óleos de hidrocarbonetos silícicos são compostos que contêm apenas silício, hidrogénio e carbono.

Ponto de inflamação superior a 477 K (204 °C);

Ponto de fluidez inferior ou igual a 239 K (-34 °C);

Índice de viscosidade igual ou superior a 75; e

Estabilidade térmica a 616 K (343 °C); ou

2. Nota técnica:

Clorofluorcarbonetos com todas as seguintes características: Para efeitos de 1C006.a.2., os clorofluorcarbonetos são compostos que contêm apenas carbono, flúor e cloro.

Sem ponto de inflamação;

Com temperatura de autoignição superior a 977 K (704 °C);

Ponto de fluidez igual ou inferior a 219 K (-54 °C);

Índice de viscosidade igual ou superior a 80; e

Ponto de ebulição igual ou superior a 473 K (200 °C);

Produtos lubrificantes que contenham, como ingredientes principais, qualquer dos seguintes compostos ou produtos:

1. Éteres ou tio éteres fenilénicos ou alquilfenilénicos, ou suas misturas que contenham mais de duas funções éter ou tio éter, ou suas misturas; ou

2. Fluidos de silicone fluorado de viscosidade cinemática inferior a 5000 mm2/s (5000 centistokes), medida a 298 K (25 °C);

1C006 Fluidos de amortecimento ou de flotação com todas as seguintes características:

1. O seu grau de pureza é superior a 99,8 %;

2. Contêm menos de 25 partículas de dimensões iguais ou superiores a 200 μm por 100 ml; e

3. São constituídos, em pelo menos 85 %, por qualquer dos seguintes compostos ou produtos:

3. a.

Dibromotetrafluoroetano (CAS 25497-30-7, 124-73-2, 27336-23-8);

Poli(clorotrifluoroetileno) (apenas nas suas formas oleosas e cerosas); ou

Poli(bromotrifluoroetileno);

Fluidos de arrefecimento eletrónico de fluorcarbonetos, com todas as seguintes características: Nota: 1C006.d. não abrange materiais especificados e embalados como medicamentos.

1. 85 %, em massa, de qualquer dos seguintes materiais ou suas misturas:

1. a.

Formas monoméricas de perfluoropolialquiléter-triazinas ou éteres perfluoroalifáticos;

Perfluoroalquilaminas;

Perfluorocicloalcanos; ou

Perfluoroalcanos;

2. Densidade a 298 K (25 °C) igual ou superior a 1,5 g/ml;

3. No estado líquido a 273 K (0 °C); e

4. Com 60 % ou mais, em massa, de flúor.

1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica:

1. O ponto de inflamação é determinado pelo método Cleveland em vaso aberto, descrito na norma ASTM D-92 ou em normas nacionais equivalentes.

2. O ponto de fluidez é determinado pelo método descrito na norma ASTM D-97 ou em normas nacionais equivalentes.

3. O índice de viscosidade é determinado pelo método descrito na norma ASTM D-2270 ou em normas nacionais equivalentes.

4. A estabilidade térmica é determinada pelo método de ensaio seguinte ou por métodos nacionais equivalentes: Coloca-se 20 ml do fluido a ensaiar numa câmara de 46 ml de aço inoxidável 317, onde foi introduzida uma esfera de 12,5 mm de diâmetro (nominal) de cada um dos seguintes materiais: aço ferramenta M-10, aço 52100 e bronze naval (60 % Cu, 39 % Zn, 0,75 % Sn). Purga-se a câmara com azoto, fecha-se hermeticamente à pressão atmosférica e eleva-se a temperatura a 644 ± 6 K (371 ± 6 °C); mantém-se esta temperatura durante 6 horas. A amostra considera-se termicamente estável se, no final do processo acima descrito, forem satisfeitas todas as condições a seguir enumeradas:

4. a.

Perda de massa de cada esfera inferior a 10 mg/mm2 de superfície da esfera;

Variação da viscosidade inicial, determinada a 311 K (38 °C), inferior a 25 %; e

Índice de acidez total ou índice de alcalinidade total inferior a 0,40;

5. A temperatura de autoignição é determinada pelo método descrito na norma ASTM E-659 ou em normas nacionais equivalentes.

Materiais de base constituídos por boretos de titânio simples ou complexos, com um total de impurezas metálicas, excluindo aditivos intencionalmente incorporados, inferior a 5000 ppm, com uma granulometria média das partículas igual ou inferior a 5 μm e com não mais de 10 % de partículas de dimensão superior a 10 μm;

Materiais cerâmicos não compósitos constituídos por boretos de titânio, em bruto ou em semiprodutos, de densidade igual ou superior a 98 % do valor teórico; Nota: 1C007.b. não abrange os abrasivos;

Materiais compósitos cerâmicos-cerâmicos com matriz de vidro ou de óxidos, reforçados com fibras, com todas as seguintes características:

1. Obtidos a partir de qualquer dos seguintes materiais:

1. a.

Si-N;

Si-C;

Si-Al-O-N; ou

Si-O-N; e

2. Com uma resistência específica à tração superior a 12,7 × 103m;

Materiais compósitos cerâmicos-cerâmicos com ou sem uma fase metálica contínua e com partículas ou fases finamente dispersas de qualquer material fibroso ou na forma de cristais capilares (whiskers), em que a matriz seja constituída por carbonetos ou nitretos de silício, de zircónio ou de boro;

Materiais precursores (isto é, materiais poliméricos ou metalo-orgânicos para fins especiais) para a produção de qualquer das fases dos materiais referidos em 1C007.c., como se segue:

1. Polidiorganossilanos (para a produção de carboneto de silício);

2. Polissilazanos (para a produção de nitreto de silício);

3. Policarbossilazanos (para a produção de materiais cerâmicos com compostos de silício, de carbono e de azoto);

Materiais compósitos cerâmicos-cerâmicos com matriz de vidro ou de óxidos, reforçados com fibras de qualquer dos seguintes sistemas: Nota: 1C007.f não abrange compósitos que contenham fibras destes sistemas com uma resistência à tração inferior a 700 MPa a 1273 K (1000 °C) ou com uma resistência à fluência superior a 1 % de deformação à fluência sob uma solicitação de 100 MPa a 1273 K (1000 °C) durante 100 horas.

1. Al2O3 (CAS 1344-28-1); ou

2. Si-C-N.

Imidas, como segue; Nota: 1C008.a. abrange substâncias fusíveis na forma líquida ou sólida, incluindo resinas, pós, granulados, películas, folhas, fitas ou bandas. N.B.: Para poliimidas aromáticas não fusíveis sob a forma de película, folha, banda ou fita, ver 1A003.

1. Bismaleimidas;

2. Poliamidimidas aromáticas (PAI) com temperaturas de transição vítrea (Tg) superiores a 563 K (290 °C);

3. Poliimidas aromáticas com temperaturas de transição vítrea (Tg) superiores a 505 K (232 °C);

4. 1C008 a. Polieterimidas aromáticas com temperaturas de transição vítrea (Tg) superiores a 563 K (290 °C);

Copolímeros de cristais líquidos termoplásticos com uma temperatura de deformação térmica superior a 523 K (250 °C), medida de acordo com a norma ISO 75-2 (2004), método A, ou normas nacionais equivalentes, para uma carga de 1,80 N/mm2, constituídos por:

1. Qualquer dos seguintes compostos:

1. a.

Fenileno, bifenileno ou naftaleno; ou

Derivados metilados, t-butilados ou fenilados de fenileno, bifenileno ou naftaleno; e

2. Qualquer dos seguintes ácidos:

2. a.

Ácido tereftálico (CAS 100-21-0);

Ácido 6-hidroxi-2-naftóico (CAS 16712-64-4); ou

Ácido 4-hidroxibenzóico (CAS 99-96-7);

Não utilizado;

Polímeros do tipo poli(arileno-cetona);

Poli(sulfuretos de arileno) em que o grupo arileno seja bifenileno, trifenileno ou uma combinação destes grupos;

Poli(bifenilenoetersulfona) com temperaturas de transição vítrea (Tg) superiores a 563 K (290 °C).

1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. a.

Copolímeros de fluoreto de vinilideno com 75 % ou mais de estrutura cristalina beta, sem estiramento;

Poliimidas fluoradas com 10 % em massa, ou mais, de flúor combinado;

Elastómeros de fosfazenos fluorados com 30 % em massa, ou mais, de flúor combinado;

Materiais fibrosos ou filamentosos orgânicos com todas as seguintes características: Nota: 1C010.a. não abrange o polietileno.

1. Módulo de elasticidade específico superior a 12,7 × 106 m; e

2. Resistência específica à tração superior a 23,5 × 104 m;

1C010 Materiais fibrosos ou filamentosos de carbono com todas as seguintes características: Nota: 1C010.b. não abrange:

1. Módulo de elasticidade específico superior a 14,65 × 106 m; e

2. Resistência específica à tração superior a 26,82 × 104 m;

a.

Os materiais fibrosos ou filamentosos destinados à reparação de estruturas ou laminados de aeronaves civis com todas as seguintes características:

1. Área não superior a 1 m2;

2. Comprimento não superior a 2,5 m; e

3. Largura superior a 15 mm.

b.

Os materiais fibrosos ou filamentosos de carbono triturados, moídos ou cortados mecanicamente, de comprimento inferior ou igual a 25,0 mm.

Materiais fibrosos ou filamentosos inorgânicos com todas as seguintes características: Nota: 1C010.c. não abrange:

1. Módulo de elasticidade específico superior a 2,54 × 106 m; e

2. Ponto de fusão, de decomposição ou de sublimação em ambiente inerte superior a 1922 K (1649 °C);

a.

Fibras policristalinas, multifásicas e descontínuas de alumina sob a forma de fibras cortadas ou de emaranhados irregulares com teor, em massa, de sílica igual ou superior a 3 % e módulo de elasticidade específico inferior a 10×106 m;

b.

Fibras de molibdénio e de ligas de molibdénio;

c.

Fibras de boro;

d.

Fibras cerâmicas descontínuas com ponto de fusão, de decomposição ou de sublimação em ambiente inerte inferior a 2043 K (1770 °C).

1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. d.

Materiais fibrosos ou filamentosos com qualquer das seguintes características:

1. Constituídos por:

1. a.

Polieterimidas especificadas em 1C008.a.; ou

Materiais especificados em 1C008.b. a 1C008.f.; ou

2. Constituídos por materiais especificados em 1C010.d.1.a. ou 1C010.d.1.b. e misturados com outras fibras especificadas em 1C010.a., 1C010.b. ou 1C010.c.;

e. Nota técnica:

1C010 Materiais fibrosos ou filamentosos total ou parcialmente impregnados de resinas ou de breu (pré-impregnados), materiais fibrosos ou filamentosos revestidos de metal ou de carbono (preformas) ou pré-formas de fibras de carbono, com todas as seguintes características: Nota 1: Os materiais fibrosos ou filamentosos revestidos de metal ou de carbono (pré-formas) ou as pré-formas de fibras de carbono não impregnados de resinas ou de breu encontram-se referidos como materiais fibrosos ou filamentosos em 1C010.a., 1C010.b. ou 1C010.c. Nota 2: 1C010.e. não abrange: A temperatura de transição vítrea por Análise Mecânica Dinâmica (DMA Tg) para os materiais especificados em 1C010.e. é determinada pelo método descrito na norma ASTM D 7028-07, ou outra norma nacional equivalente, num espécime de ensaio seco. No caso dos materiais termocurados, o grau de cura do espécime de ensaio seco deve ser de pelo menos 90 %, como definido na norma ASTM E 2160-04 ou noutra norma nacional equivalente.

1. Com qualquer das seguintes características:

1. a.

Materiais fibrosos ou filamentosos inorgânicos especificados em 1C010.c.; ou

Materiais fibrosos ou filamentosos orgânicos ou de carbono com todas as seguintes características:

1. Módulo de elasticidade específico superior a 10,15 × 106 m; e

2. Resistência específica à tração superior a 17,7 × 104 m; e

2. Com qualquer das seguintes características:

2. a.

Resina ou breu especificados em 1C008 ou 1C009.b.;

Temperatura de transição vítrea por Análise Mecânica Dinâmica (DMA Tg) igual ou superior a 453 K (180 °C) e com uma resina fenólica; ou

Temperatura de transição vítrea por Análise Mecânica Dinâmica (DMA Tg) igual ou superior a 505 K (232 °C) e com uma resina ou breu não referidos em 1C008 ou 1C009.b., e que não seja uma resina fenólica;

a.

Os materiais fibrosos ou filamentosos de carbono impregnados em matrizes de resina epoxídica (pré-impregnados), destinados à reparação de estruturas ou laminados de aeronaves civis, com todas as seguintes características:

1. Área não superior a 1 m2;

2. Comprimento não superior a 2,5 m; e

3. Largura superior a 15 mm.

b.

Os materiais fibrosos ou filamentosos de carbono triturados, moídos ou cortados mecanicamente, total ou parcialmente impregnados de resinas ou de breu e de comprimento inferior ou igual a 25,0 mm, quando sejam utilizados uma resina ou breu não referidos em 1C008 ou 1C009.b.

a. 1C011 a.Nota técnica:

Metais em partículas de granulometria inferior 60 μm, esféricas, atomizadas, esferoidais, em palhetas ou moídas, fabricados a partir de material constituído por 99 % ou mais de zircónio, magnésio ou ligas destes metais; O teor natural de háfnio no zircónio (normalmente de 2 % a 7 %) conta como zircónio. Nota: Os metais ou ligas especificados em 1C011.a. são sempre controlados, quer se encontrem ou não encapsulados em alumínio, magnésio, zircónio ou berílio.

Boro ou ligas de boro com uma granulometria igual ou inferior a 60 μm, como segue: Nota: Os metais ou ligas especificados em 1C011.b. são sempre controlados, quer se encontrem ou não encapsulados em alumínio, magnésio, zircónio ou berílio.

1. Boro com um grau de pureza igual ou superior a 85 %, em massa;

2. Ligas de boro com um teor de boro igual ou superior a 85 %, em massa;

Nitrato de guanidina (CAS 506-93-4);

Nitroguanidina (NQ) (CAS 556-88-7).

1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: a.

Plutónio sob qualquer forma, com um teor do isótopo plutónio-238 superior a 50 % em massa; Nota: 1C012.a. não abrange:

a.

Exportações com um teor de plutónio igual ou inferior a 1 g;

b.

Exportações de 3 gramas efetivos ou menos, quando contidas em elementos sensores de instrumentos.

Neptúnio-237 previamente separado, sob qualquer forma. Nota: 1C012.b. não abrange exportações com um teor de neptúnio-237 igual ou inferior a 1 g.

Materiais estruturais e revestimentos especialmente concebidos para uma reduzida refletividade ao radar;

Revestimentos, incluindo tintas, especialmente concebidos para uma refletividade ou emissividade reduzida, ou por medida, nas regiões de micro-ondas infravermelha ou ultravioleta do espetro eletromagnético.

1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica: a.

Grafites de grão fino, com uma densidade aparente igual ou superior a 1,72 g/cm3, medida a 288 K (15 °C), e com uma granulometria igual ou inferior a 100 μm, utilizáveis em tubeiras de foguetes e em pontas de ogiva de veículos de reentrada, que possam ser utilizados para o fabrico de qualquer dos seguintes produtos: N.B.: Ver também 0C004.

1. Cilindros de diâmetro igual ou superior a 120 mm e comprimento igual ou superior a 50 mm;

2. Tubos de diâmetro interior, igual ou superior a 65 mm, espessura igual ou superior a 25 mm e comprimento igual ou superior a 50 mm; ou

3. Blocos de dimensões iguais ou superiores a 120 × 120 × 50 mm.

Grafites pirolíticas ou reforçadas com fibras utilizáveis em tubeiras de roquetes e nas pontas de ogiva dos veículos de reentrada utilizáveis em mísseis, veículos lançadores espaciais especificados em 9A004 ou foguetes-sonda especificados em 9A104; N.B.: Ver também 0C004.

Materiais compósitos cerâmicos (de constante dielétrica inferior a 6 a quaisquer frequências compreendidas entre 100 MHz e 100 GHz), aplicáveis em radomes utilizáveis em mísseis, veículos lançadores espaciais especificados em 9A004 ou foguetes-sonda especificados em 9A104;

Materiais cerâmicos maquináveis crus, reforçados com carboneto de silício, a granel, aplicáveis em pontas de ogiva utilizáveis em mísseis, veículos lançadores espaciais especificados em 9A004 ou foguetes-sonda especificados em 9A104;

Materiais compósitos cerâmicos reforçados com carboneto de silício aplicáveis em pontas de ogiva, veículos de reentrada e aletas de tubeira utilizáveis em mísseis, veículos lançadores espaciais especificados em 9A004 ou foguetes-sonda especificados em 9A104.

Substâncias propulsoras:

1. Nota técnica:

Pó esferulado ou esferoidal de alumínio não especificado na Lista de Material de Guerra, de granulometria inferior a 200 μm e teor de alumínio igual ou superior a 97 %, em massa, se pelo menos 10 % da massa total foi constituída por partículas com menos de 63 μm de acordo com a norma ISO 2591/1988 ou normas nacionais equivalentes; Uma granulometria de 63 μm (ISO R-565) corresponde à malha 250 (Tyler) ou à malha 230 (norma ASTM E-11).

2. Pós de metais, exceto os especificados na Lista de Material de Guerra, como se segue: Nota: 1C111a.2.a e 1C111a.2.b. abrangem misturas de pós com uma distribuição de partículas multimodal (por exemplo, misturas de grãos de diferentes dimensões) se um ou mais modos estiverem abrangidos.

2. a. Nota técnica:

Pós metálicos de zircónio, berílio ou magnésio, ou ligas destes metais, se pelo menos 90 % do total de partículas por volume ou peso de partículas são constituídos por partículas de granulometria inferior a 60 μm (determinadas por medições técnicas tais como utilizando um crivo, difração por laser ou leitura ótica), esféricas, atomizadas, esferoidais, em palhetas ou moídas, com um teor igual ou superior a 97 %, em massa, de: O teor natural de háfnio no zircónio (normalmente de 2 % a 7 %) conta como zircónio.

1. Zircónio;

2. Berílio; ou

3. Magnésio;

1C111 a. 2. Pós metálicos de boro ou ligas de boro, com um teor de boro igual ou superior a 85 %, em massa, se pelo menos 90 % do total de partículas por volume ou peso de partículas são constituídos por partículas de granulometria inferior a 60 μm (determinadas por medições técnicas tais como utilizando um crivo, difração por laser ou leitura ótica), esféricas, atomizadas, esferoidais, em palhetas ou moídas;

3. Substâncias oxidantes utilizáveis em motores de foguete de combustível líquido:

3. a.

Trióxido de diazoto (CAS 10544-73-7);

Dióxido de azoto (CAS 10102-44-0)/tetróxido de diazoto (CAS 10544-72-6);

Pentóxido de diazoto (CAS 10102-03-1);

d. Nota técnica:

Misturas de óxidos de azoto (MON); As misturas de óxidos de azoto (MON) são soluções de monóxido de azoto (NO) em tetróxido de diazoto/dióxido de azoto (N2O4/NO2) que podem ser utilizadas em sistemas de mísseis. Há uma série de composições que podem ser designadas por MONi ou MONij, em que i e j representam a percentagem de monóxido de azoto na mistura (por exemplo, MON3 contém 3 % de monóxido de azoto e MON25, 25 % de monóxido de azoto. O limite máximo é MON 40, que contém 40 % de NO, em massa).

VER A LISTA DE MATERIAL DE GUERRA para Ácido nítrico fumante inibido (IRFNA);

VER A LISTA DE MATERIAL DE GUERRA e 1C238 para compostos constituídos por flúor e outro ou outros halogéneos, oxigénio ou azoto.

4. Derivados da hidrazina: N.B.: VER TAMBÉM A LISTA DE MATERIAL DE GUERRA.

4. a.

Trimetil-hidrazina (CAS 1741-01-1);

Tetrametil-hidrazina (CAS 6415-12-9);

N,N dialil-hidrazina;

Alil-hidrazina (CAS 7422-78-8);

Etileno dihidrazina;

Dinitrato de Monometil-hidrazina;

Nitrato de dimetil-hidrazina assimétrica;

Azida de hidrazínio (CAS 14546-44-2);

Azida de dimetil-hidrazínio;

Dinitrato de hidrazínio;

Diimido ácido oxálico dihidrazina (CAS 3457-37-2);

Nitrato de 2-hidroxietil-hidrazina (HEHN);

Ver a lista de Material de Guerra para Perclorato de hidrazínio;

Diperclorato de hidrazínio (CAS 13812-39-0);

1C111 a. 4. Nitrato de metil-hidrazina (MHN);

Nitrato de dietil-hidrazina (DEHN);

Nitrato de 3,6-dihidrazino tetrazina (Nitrato de 1,4-dihidrazina) (DHTN);

5. Nota técnica:

Materiais de alta densidade de energia, exceto os especificados na Lista de Material de Guerra, utilizáveis em mísseis ou veículos aéreos não tripulados especificados em 9A012; Em 1C111.a.5., por mísseis entende-se os sistemas completos de foguetes e os sistemas de veículos aéreos não tripulados capazes de um alcance superior a 300 km.

5. a.

Combustíveis mistos que contêm combustíveis sólidos e líquidos, como a pasta de boro, com densidade de energia por massa igual ou superior a 40 × 106 J/kg;

Outros combustíveis e aditivos para combustíveis de alta densidade de energia (ex. cubano, soluções iónicas, JP-10), com densidade de energia por volume igual ou superior a 37,5 × 109 J/m3, à temperatura de 20 °C e à pressão de uma atmosfera (101,325 kPa); Nota: 1C111.a.5.b. não abrange os combustíveis e biocombustíveis refinados produzidos a partir de vegetais, incluindo os combustíveis destinados a motores aprovados para utilização na aviação civil, a não ser que sejam especialmente formulados para mísseis ou veículos aéreos não tripulados especificados em 9A012.

Substâncias poliméricas:

1. Polibutadienos com extremidades carboxilo (incluindo polibutadienos com extremidades carboxil) (CTPB);

2. Polibutadienos com extremidades hidroxilo (incluindo polibutadienos com extremidades hidroxil) (HTPB), exceto os especificados na Lista de Material de Guerra;

3. Poli(butadieno-ácido acrílico) (PBAA);

4. Poli(butadieno-ácido acrílico acrilonitrilo) (PBAN);

5. Nota técnica:

Politetrahidrofurano polietileno glicol (TPEG); O politetrahidrofurano polietileno glicol (TPEG) é um copolímero em bloco de poli 1,4-butanodiol e polietilenoglicol (PEG).

Outros aditivos e agentes utilizados em propulsantes:

1. No que se refere aos carboranos, decaboranos, pentaboranos e respetivos derivados, VER A LISTA DE MATERIAL DE GUERRA;

2. Dinitrato de trietilenoglicol (TEGDN) (CAS 111-22-8);

3. 2-Nitrodifenilamina (CAS 119-75-5);

4. Trinitrato de trimetiloletano (TMETN) (CAS 3032-55-1);

5. Dinitrato de dietilenoglicol (DEGDN) (CAS 693-21-0);

6. Derivados do ferroceno, como se segue:

6. a.

No que se refere ao catoceno, ver a Lista de Material de Guerra;

Etilferroceno (CAS 1273-89-8);

Propilferroceno;

1C111 c. 6. No que se refere ao n-butil-ferroceno, ver a Lista de Material de Guerra;

Pentilferroceno (CAS 1274-00-6);

Diciclopentilferroceno;

Diciclohexilferroceno;

Dietilferroceno (CAS 1273-97-8);

Dipropilferroceno;

Dibutilferroceno (CAS 1274-08-4);

Dihexilferroceno (CAS 93894-59-8);

Acetilferroceno (CAS 1271-55-2)/1,1’-diacetilferroceno (CAS 1273 94-5);

No que se refere aos ácidos ferroceno-carboxílicos, ver a Lista de Material de Guerra;

No que se refere ao butaceno, ver a Lista de Material de Guerra;

Outros derivados do ferroceno utilizáveis como modificadores da velocidade de combustão do propulsante para foguetes, exceto os especificados na Lista de Material de Guerra. Nota: 1C111.c.6.o. não abrange os derivados do ferroceno que contêm um grupo funcional aromático de seis átomos de carbono ligado à molécula de ferroceno.

7. 4,5 diazidometilo-2-metilo-1,2,3-triazol (iso-DAMTR), exceto os especificados na Lista de Material de Guerra.

Com tensão de rutura à tração, medida a 293 K (20 °C), igual ou superior a:

1. 0,9 GPa na solução do recozimento; ou

2. 1,5 GPa na fase endurecida de precipitação; e

Em qualquer das seguintes formas:

1. Folhas, chapas ou tubagens de espessura de parede ou de chapa igual ou inferior a 5,0 mm;

2. Formas tubulares com uma espessura de parede igual ou inferior a 50 mm e de diâmetro interior igual ou superior a 270 mm.

1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica 1:

1. Normalmente caracterizadas por um elevado teor de níquel e baixo teor de carbono e pela utilização de outros elementos de liga ou de precipitados para promover o reforço e o endurecimento por envelhecimento da liga; e

2. Submetidas a ciclos de tratamento térmico para facilitar o processo de transformação martensítica (fase de recozimento da solução) e, subsequentemente, endurecidas por envelhecimento (fase endurecida de precipitação).

1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica 1: Nota técnica 2: a.

Tungsténio e ligas na forma de partículas com teor de tungsténio igual ou superior a 97 %, em massa, e granulometria inferior ou igual a 50 × 10-6 m (50 μm);

Molibdénio e ligas na forma de partículas com teor de molibdénio igual ou superior a 97 %, em massa, e granulometria inferior ou igual a 50 × 10-6 m (50 μm);

Materiais de tungsténio sob a forma sólida com todas as seguintes características:

1. Com qualquer das seguintes composições materiais:

1. a.

Tungsténio e ligas com 97 % ou mais, em massa, de tungsténio;

Tungsténio infiltrado com cobre, com 80 % ou mais, em massa, de tungsténio; ou

Tungsténio infiltrado com prata, com 80 % ou mais, em massa, de tungsténio; e

2. Que possam ser utilizados para o fabrico de qualquer dos seguintes produtos:

2. a.

Cilindros de diâmetro igual ou superior a 120 mm e comprimento igual ou superior a 50 mm;

Tubos de diâmetro interior, igual ou superior a 65 mm, espessura igual ou superior a 25 mm e comprimento igual ou superior a 50 mm; ou

Blocos de dimensões iguais ou superiores a 120 × 120 × 50 mm.

1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica 1: Nota técnica 2: Nota técnica: a.

Com todas as seguintes características:

1. 17,0 % a 23,0 %, em massa, de crómio e 4,5 % a 7,0 %, em massa, de níquel;

2. Um teor de titânio superior a 0,10 %, em massa; e

3. Microestrutura ferritico-austenítica (também conhecida por microestrutura difásica) da qual, pelos menos, 10 % em volume são constituídos por austenite (de acordo com a norma ASTM E-1181-87 ou normas nacionais equivalentes); e

Em qualquer das seguintes formas:

1. Lingotes ou barras em que todas as dimensões sejam iguais ou superiores a 100 mm;

2. Chapas de largura igual ou superior a 600 mm e espessura igual ou inferior a 3 mm; ou

3. Tubos de diâmetro exterior igual ou superior a 600 mm e espessura igual ou inferior a 3 mm.

Ligas de alumínio com ambas as seguintes características:

1. Capazes de uma tensão de rutura à tração igual ou superior a 460 MPa a 293 K (20 °C); e

2. Sob a forma de tubos ou formas cilíndricas maciças (incluindo peças forjadas) de diâmetro exterior superior a 75 mm;

Ligas de titânio com ambas as seguintes características:

1. Capazes de uma tensão de rutura à tração igual ou superior a 900 MPa a 293 K (20 °C); e

2. Sob a forma de tubos ou formas cilíndricas maciças (incluindo peças forjadas) de diâmetro exterior superior a 75 mm.

1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica 1: Nota técnica 2: Nota técnica: Nota técnica: a.

Materiais fibrosos ou filamentosos de carbono ou de aramida com uma das seguintes características: Nota: 1C210.a. não abrange materiais fibrosos ou filamentosos de aramida com 0,25 % ou mais, em massa, de um modificador de superfície das fibras à base de ésteres;

1. Módulo de elasticidade específico igual ou superior a 12,7 × 106 m; ou

2. Resistência específica à tração igual ou superior a 23,5 × 104 m;

Materiais fibrosos ou filamentosos de vidro com ambas as seguintes características:

1. Módulo de elasticidade específico igual ou superior a 3,18 × 106 m; e

2. Resistência específica à tração igual ou superior a 7,62x 104 m;

c. Nota técnica:

Fios, mechas, bandas ou cabos de fibras (tows) contínuos impregnados de resina termocurada, de largura igual ou inferior a 15 mm (pré-impregnados), fabricados a partir dos materiais fibrosos ou filamentosos de carbono ou vidro especificados em 1C210 a. ou b. A resina forma a matriz do compósito.

1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica 1: Nota técnica 2: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.

Em formas de simetria cilíndrica oca (incluindo segmentos cilíndricos) de diâmetro interior compreendido entre 100 mm e 300 mm; e

Massa superior a 20 kg.

Menos de 1000 ppm, em massa, de impurezas metálicas que não magnésio; e

Menos de 10 ppm, em massa, de boro.

Menos de 200 ppm, em massa, de impurezas metálicas que não cálcio; e

Menos de 10 ppm, em massa, de boro.

Grau de pureza de 99,99 %, em massa, ou superior; e

Menos de 10 ppm, em massa, de prata.

Janelas metálicas para máquinas de raios-X ou para sondas de perfuração;

Peças de óxidos em formas acabadas ou semiacabadas, especialmente concebidas para componentes eletrónicos ou para substratos de circuitos eletrónicos;

Berilo (silicato de berílio e alumínio) sob a forma de esmeraldas e águas-marinhas.

1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica 1: Nota técnica 2: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.

Elementar;

Compostos com uma atividade total igual ou superior a 37 GBq/kg (1 Ci/kg);

Misturas com uma atividade total igual ou superior a 37 GBq/kg (1 Ci/kg);

Produtos ou dispositivos que contenham qualquer destes materiais.

Actínio-225 (Ac-225)

Actínio-227 (Ac-227)

Califórnio-253 (Cf-253)

Cúrio-240 (Cm-240)

Cúrio-241 (Cm-241)

Cúrio-242 (Cm-242)

Cúrio-243 (Cm-243)

Cúrio-244 (Cm-244)

Einsteinio-253 (Es-253)

Einsteinio-254 (Es-254)

Gadolínio-148 (Gd-148)

Plutónio-236 (Pu-236)

Plutónio-238 (Pu-238)

Polónio-208 (Po-208)

Polónio-209 (Po-209)

Polónio-210 (Po-210)

Rádio-223 (Ra-223)

Tório-227 (Th-227)

Tório-228 (Th-228)

Urânio-230 (U-230)

Urânio-232 (U-232)

1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica 1: Nota técnica 2: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.

Aplicadores médicos;

Produtos ou dispositivos que contenham menos de 0,37 GBq (10 milicuries) de rádio-226.

Pó de níquel com ambas as seguintes características:

1. Grau de pureza em termos de teor de níquel igual ou superior a 99,0 %, em massa; e

2. Granulometria média inferior a 10 μm, medida de acordo com a norma ASTM B 330;

Níquel metálico poroso produzido a partir dos materiais especificados em 1C240.a.

Pós de níquel filamentoso;

Folhas simples de níquel poroso com uma área igual ou inferior a 1000 cm2 cada uma.

1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica 1: Nota técnica 2: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.

Em formas de simetria cilíndrica oca (incluindo segmentos cilíndricos) de diâmetro interior compreendido entre 100 e 300 mm; e

Massa superior a 20 kg.

1. Tiodiglicol (111-48-8);

2. Oxicloreto de fósforo (10025-87-3);

3. Metilfosfonato de dimetilo (756-79-6);

4. No que se refere ao difluoreto de metilfosfonilo (676-99-3), VER A LISTA DE MATERIAL DE GUERRA.

5. Dicloreto de metilfosfonilo (676-97-1);

6. Fosfito de dimetilo (DMP) (868-85-9);

7. Tricloreto de fósforo (7719-12-2);

8. Fosfito de trimetilo (TMP) (121-45-9);

9. Cloreto de tionilo (7719-09-7);

10. 3-Hidroxi-1-metilpiperidina (3554-74-3);

11. Cloreto de N,N-diisopropil-ß-aminoetilo (96-79-7);

12. N,N-Diisopropil-ß-aminoetanotiol (5842-07-9);

13. 1C350 3-Quinuclidinol (1619-34-7);

14. Fluoreto de potássio (7789-23-3);

15. 2-Cloroetanol (107-07-3);

16. Dimetilamina (124-40-3);

17. Etilfosfonato de dietilo (78-38-6);

18. N,N-Dimetilfosforamidato de dietilo (2404-03-7);

19. Fosfito de dietilo (762-04-9);

20. Cloridrato de dimetilamina (506-59-2);

21. Dicloreto de etilfosfinilo (dicloreto do ácido etilfosfonoso) (1498-40-4);

22. Dicloreto de etilfosfonilo (1066-50-8);

23. No que se refere ao difluoreto de etilfosfonilo (753-98-0), VER A LISTA DE MATERIAL DE GUERRA;

24. Fluoreto de hidrogénio (7664-39-3);

25. Benzilato de metilo (76-89-1);

26. Dicloreto de metilfosfinilo (676-83-5);

27. N,N-Diisopropil-ß-aminoetanol (2-(N,N-diisopropilamino)etanol) (96-80-0);

28. Álcool pinacolílico (464-07-3);

29. VER A LISTA DE MATERIAL DE GUERRA para metilfosfonito de o-etil-2-diisopropilaminoetilo (QL) (57856-11-8);

30. Fosfito de trietilo (122-52-1);

31. Tricloreto de arsénio (7784-34-1);

32. Ácido benzílico (76-93-7);

33. Metilfosfonito de dietilo (15715-41-0);

34. Etilfosfonato de dimetilo (6163-75-3);

35. Difluoreto de etilfosfinilo (430-78-4);

36. Difluoreto de metilfosfinilo (753-59-3);

37. 3-Quinuclidona (3731-38-2);

38. Pentacloreto de fósforo (10026-13-8);

39. Pinacolona (75-97-8);

40. Cianeto de potássio (151-50-8);

41. Bifluoreto de potássio (7789-29-9);

42. Hidrogenodifluoreto de amónio ou bifluoreto de amónio (1341-49-7);

43. Fluoreto de sódio (7681-49-4);

44. 1C350 Bifluoreto de sódio (1333-83-1);

45. Cianeto de sódio (143-33-9);

46. Trietanolamina (102-71-6);

47. Pentassulfureto de difósforo (1314-80-3);

48. Di-isopropilamina (108-18-9);

49. Dietilaminoetanol (100-37-8);

50. Sulfureto de sódio (1313-82-2);

51. Monocloreto de enxofre (10025-67-9);

52. Dicloreto de enxofre (10545-99-0);

53. Cloridrato de trietanolamina (637-39-8);

54. Cloreto de N,N-diisopropil-ß-aminoetilo (4261-68-1);

55. Ácido metilfosfónico (993-13-5);

56. Metilfosfonato de dietilo (683-08-9);

57. Dicloreto de N,N-dimetilaminofosforilo (677-43-0);

58. Fosfito de triisopropilo (116-17-6);

59. Etildietanolamina (139-87-7);

60. Fosforotionato de O,O-dietilo (2465-65-8);

61. Fosforoditioato de O,O-dietilo (298-06-6);

62. Hexafluorossilicato de sódio (16893-85-9);

63. Dicloreto metilfosfonotióico (676-98-2).

Vírus, naturais, melhorados ou modificados, quer sob a forma de culturas vivas isoladas, quer sob a forma de materiais, incluindo materiais vivos, deliberadamente inoculados ou contaminados com essas culturas:

1. Vírus da febre do cavalo africano;

2. Vírus da peste suína africana;

3. Vírus Andes;

4. Vírus da gripe aviária:

4. a.

Não caracterizados; ou

Definidos no anexo I, ponto 2, da Diretiva 2005/94/CE (JO L 10 de 14.1.2006, p.16) como vírus de elevada patogenicidade:

1. Vírus do tipo A com índice de patogenicidade intravenosa (IVPI) superior a 1,2 em frangos com 6 semanas; ou

2. Subtipos H5 ou H7 do vírus do tipo A, com sequências genómicas que codificam múltiplos aminoácidos básicos no local de clivagem da molécula de hemaglutinina semelhantes às observadas em outros vírus da GAAP, indicando que a molécula de hemaglutinina pode ser clivada por uma protease ubíqua do hospedeiro.

5. Vírus da língua azul;

6. Vírus Chapare;

7. Vírus Chikungunya;

8. Vírus Choclo;

9. Vírus da febre hemorrágica da Crimeia-Congo;

10. Vírus da dengue;

11. Vírus de Dobrava-Belgrade;

12. Vírus da encefalite equina do Leste;

13. Vírus de Ebola;

14. Vírus da febre aftosa;

15. Vírus da varíola caprina;

16. Vírus Guanarito;

17. Vírus de Hantaan;

18. Vírus Hendra (morbilivírus equino);

19. Vírus do herpes (doença de Aujeszky);

20. Vírus da cólera suína (vírus da peste suína);

21. Vírus da encefalite japonesa;

22. Vírus de Junin;

23. Vírus da doença da floresta de Kyasanur;

24. Vírus Laguna Negra;

25. Vírus da febre de Lassa;

26. 1C351 a. Vírus da encefalomielite ovina (louping ill);

27. Vírus Lujo;

28. Vírus da lumpy skin;

29. Vírus da coriomeningite linfocítica;

30. Vírus de Machuco;

31. Vírus de Marburgo;

32. Vírus da varíola símia;

33. Vírus da encefalite de Murray Valley;

34. Vírus da doença de Newcastle;

35. Vírus Nipah;

36. Vírus da febre hemorrágica de Omsk;

37. Vírus da febre do Oropouche;

38. Vírus da peste dos pequenos ruminantes;

39. Enterovírus porcino do tipo 9 (vírus da doença vesicular do porco);

40. Vírus da doença de Powassan;

41. Vírus da raiva e todos os outros membros do género Lyssavirus;

42. Vírus da febre do vale do Rift;

43. Vírus da peste bovina;

44. Vírus Rocio;

45. Vírus Sabia;

46. Vírus de Seúl;

47. Vírus da varíola ovina;

48. Vírus Sem Nome;

49. Vírus da encefalite de St. Louis;

50. Vírus da doença de Teschen;

51. Vírus da encefalite da carraça (vírus da encefalite verno-estival da Rússia);

52. Vírus da varíola;

53. Vírus da encefalite equina venezuelana;

54. Vírus da estomatite vesicular;

55. Vírus da encefalite equina do Oeste;

56. Vírus da febre amarela;

Não utilizado;

1C351 Bactérias, naturais, melhoradas ou modificadas, quer sob a forma de culturas vivas isoladas, quer sob a forma de materiais, incluindo materiais vivos, deliberadamente inoculados ou contaminados com essas culturas:

1. Bacillus anthracis;

2. Brucella abortus;

3. Brucella melitensis;

4. Brucella suis;

5. Burkholderia mallei (Pseudomonas mallei);

6. Burkholderia pseudomallei (Pseudomonas pseudomallei);

7. Chlamydophila psittaci (formalmente conhecida como Chlamydia psittaci);

8. Clostridium argentinense (anteriormente conhecida como Clostridium botulinum Tipo G), estirpes produtoras de neurotoxina botulínica;

9. Clostridium baratii, estirpes produtoras de neurotoxina botulínica;

10. Clostridium botulinum

11. Clostridium butyricum, estirpes produtoras de neurotoxina botulínica;

12. Tipos produtores da toxina clostridium perfringens epsilon;

13. Coxiella burnetii;

14. Francisella tularensis;

15. Mycoplasma capricolum subespécie capripneumoniae (estirpe F 38);

16. Mycoplasma mycoides subespécie mycoides SC (pequena colónia);

17. Rickéttsia prowasecki;

18. Salmonella typhi;

19. Escherichia coli produtora de toxina Shiga (STEC) dos serogrupos O26, O45, O103, O104, O111, O121, O145, O157, e outros serogrupos produtores de toxina Shiga;

20. Shigella dysenteriae;

21. Vibrio cholerae;

22. Yersinia pestis;

Toxinas e respetivas subunidades de toxina: Nota: 1C351.d. não abrange as toxinas ou conotoxinas de botulinum sob a forma de produtos que satisfaçam todos os seguintes critérios:

1. Toxinas de botulinum;

2. Toxinas alfa, beta 1, beta 2, epsilon e iota do clostridium perfringens;

3. Conotoxina;

4. Rícino;

5. Saxitoxina;

6. Nota técnica:

1C351 d. Toxina de Shiga; A escherichia coli produtora de toxina Shiga (STEC) também é conhecida como E. coli enterohemorrágica (EHEC) ou E. Coli produtora de verocitotoxina (VTEC).

7. Enterotoxinas do staphylococcus aureus, toxina alfa hemolisina e toxina do síndroma do choque tóxico (anteriormente designada enterotoxina F do staphylococcus);

8. Tetrodotoxina;

9. Verotoxina e proteínas tipo Shiga destruidoras dos ribossomas;

10. Microcistina (Cianoginosina);

11. Aflatoxinas;

12. Abrina;

13. Toxina da cólera;

14. Toxina de diacetoxiscirpenol;

15. Toxina T-2;

16. Toxina HT-2;

17. Modecina;

18. Volkensina;

19. Viscum album Lectin 1 (Viscumina);

1. Serem fórmulas farmacêuticas para administração a seres humanos no tratamento de doenças;

2. Serem pré-embalados para distribuição como medicamentos;

3. Poderem ser comercializados como medicamentos, com autorização de uma entidade oficial competente.

Fungos, naturais, melhorados ou modificados, quer sob a forma de culturas vivas isoladas, quer sob a forma de materiais, incluindo materiais vivos, deliberadamente inoculados ou contaminados com essas culturas:

1. Coccidioides immitis;

2. Coccidioides posadasii.

Organismos geneticamente modificados ou elementos genéticos que contenham sequências de ácidos nucleicos associadas a patogenicidade e sejam obtidos a partir dos organismos referidos em 1C351.a., 1C351.c., 1C351.e. ou 1C354;

1C353 Organismos geneticamente modificados ou elementos genéticos que contenham sequências de ácidos nucleicos que codifiquem qualquer das toxinas especificadas em 1C351.d. ou respetivas subunidades de toxina.

1C Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica 1: Nota técnica 2: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: 1.2.3. a.

Por si mesma ou através dos seus produtos transcritos ou transpostos apresente um risco significativo para a saúde humana, animal ou vegetal; ou

Possua a capacidade reconhecida de reforçar a atividade de um microrganismo específico, ou de qualquer outro organismo em que possa ser inserido, ou integrado por outros processos, por forma a provocar sérios danos à saúde humana, animal ou vegetal.

1. Vírus andino latente da batateira (potato Andean latent tymovirus);

2. Viroide do afuselamento do tubérculo da batateira (potato spindle tuber viroid);

Bactérias, naturais, melhoradas ou modificadas, quer sob a forma de culturas vivas isoladas, quer sob a forma de materiais deliberadamente inoculados ou contaminados com essas culturas:

1. Xanthomonas albilineans;

2. Xanthomonas axonopodis pv. citri (Xanthomonas campestris pv. citri A) [Xanthomonas campestris pv. citri];

3. Xanthomonas oryzae pv. Oryzae (Pseudomonas campestris pv. Oryzae);

4. Clavibacter michiganensis subsp. Sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. Sepedonicum ou Corynebacterium Sepedonicum);

5. Ralstonia solanacearum, race 3, biovar 2;

Fungos, naturais, melhorados ou modificados, quer sob a forma de culturas vivas isoladas, quer sob a forma de materiais deliberadamente inoculados ou contaminados com essas culturas:

1. Colletotrichum kahawae (Colletotrichum coffeanum var. virulans);

2. Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae);

3. Microcyclus ulei (sinónimo: Dothidella ulei);

4. Puccinia graminis ssp. graminis var. graminis/Puccinia graminis ssp. graminis var. stakmanii (Puccinia graminis [sinónimo: Puccinia graminis f. sp. tritici]);

5. 1C354 c. Puccinia striiformis (sinónimo: Puccinia glumarum);

6. Magnaporthe oryzae (Pyricularia oryzae);

7. Peronosclerospora philippinensis (Peronosclerospora sacchari);

8. Sclerophthora rayssiae var. zeae;

9. Synchytrium endobioticium;

10. Tilletia indica;

11. Thecaphora solani.

Produtos químicos tóxicos, como se segue: Nota 1: Para as exportações para Estados não Partes na Convenção sobre Armas Químicas, 1C450 não abrange as misturas químicas que contenham uma ou várias das substâncias químicas especificadas nas entradas 1C450.a.1. e .a.2. em que nenhuma das substâncias especificadas tomada isoladamente constitua mais de 1 %, em massa, da mistura. Nota 2: Para as exportações para Estados não Partes na Convenção sobre Armas Químicas, 1C450 não abrange as misturas químicas que contenham uma ou várias das substâncias químicas especificadas nas entradas 1C450.a.1. e .a.2. em que nenhuma das substâncias especificadas tomada isoladamente constitua mais de 30 %, em massa, da mistura. Nota 3: 1C450 não abrange as misturas químicas que contenham uma ou várias das substâncias químicas especificadas nas entradas 1C450.a.4., .a.5., .a.6. e .a.7. em que nenhuma das substâncias especificadas tomada isoladamente constitua mais de 30 %, em massa, da mistura. Nota 4: 1C450 não abrange os produtos identificados como bens de consumo acondicionados para venda a retalho para uso pessoal ou acondicionados para uso individual.

1. Amitão: O,O-dietilo S-[2-(dietilamino)etil] fosforotiolato (78-53-5) e correspondentes sais alquilados e protonados;

2. PFIB: 1,1,3,3,3-pentafluoro-2(trifluorometil) –1-propeno (382-21-8);

3. VER A LISTA DE MATERIAL DE GUERRA para BZ: benzilato de 3-quinoclidinilo (6581-06-2);

4. Fosgénio: dicloreto de carbonilo (75-44-5);

5. Cloreto de cianogénio (506-77-4);

6. Cianeto de hidrogénio (74-90-8);

7. Cloropicrina: tricloronitrometano (76-06-2);

Produtos químicos tóxicos precursores: Nota 1: Para as exportações para Estados não Partes na Convenção sobre Armas Químicas, 1C450 não abrange misturas químicas que contenham uma ou mais das substâncias químicas especificadas nos pontos 1C450.b.1., .b.2., .b.3., .b.4., .b.5. e .b.6. em que nenhuma das substâncias especificadas tomada isoladamente constitua mais de 10 %, em massa, da mistura. Nota 2: Para as exportações para Estados não Partes na Convenção sobre Armas Químicas, 1C450 não abrange misturas químicas que contenham uma ou mais das substâncias químicas especificadas nos pontos 1C450.b.1., .b.2., .b.3., .b.4., .b.5. e .b.6. em que nenhuma das substâncias especificadas tomada isoladamente constitua mais de 30 %, em massa, da mistura. Nota 3: 1C450 não abrange misturas químicas que contenham uma ou mais das substâncias químicas especificadas no ponto 1C450.b.8., em que nenhuma das substância especificadas tomada isoladamente constitua mais de 30 %, em massa, da mistura. Nota 4: 1C450 não abrange os produtos identificados como bens de consumo acondicionados para venda a retalho para uso pessoal ou acondicionados para uso individual.

1. Produtos químicos, exceto os especificados na Lista de Material de Guerra ou em 1C350, que contenham um átomo de fósforo ligado a um grupo metilo, etilo ou propilo (normal ou iso) mas sem outros átomos de carbono; Nota: 1C450.b.1 não abrange os Fonofos: etilfosfonotiolotionato de O-etilo e de S-fenilo (944-22-9);

2. 1C450 b. Dihalogenetos fosforamídicos N,N-dialquilo [metil, etil, ou propil (normal ou iso)] com exceção do dicloreto de N,N-dimetilaminofosforilo; N.B.: Ver 1C350.57 para o dicloreto de N,N-dimetilaminofosforilo.

3. N, N-dialquilo [metil, etil, ou propil (normal ou iso)] fosforamidatos de dialquilo [metil, etil, ou propil (normal ou iso)], com exceção do N,N-dimetilfosforamidato de dietilo, que é especificado em 1C350;

4. Cloretos de N,N-dialquilo [metil, etil, ou propil (normal ou iso)] -2-aminoetilo e sais protonados correspondentes, com exceção do cloreto de N,N-diisopropil-(beta)-aminoetilo ou cloreto de N,N-diisopropil-(beta)-aminoetilo na forma de cloridrato, que são especificados em 1C350;

5. N-dialquilo [metil, etil, ou propil (normal ou iso)]-2-aminoetanóis e correspondentes sais protonados, com exceção do N,N-diisopropil-(beta)-aminoetanol (96-80-0) e N,N-dietilaminoetanol (100-37-8), que são especificados em 1C350; Nota: 1C450.b.5. não abrange:

5. a.

N,N-dimetilaminoetanol (108-01-0) e correspondentes sais protonados;

Sais protonados de N,N-dietilaminoetanol (100-37-8);

6. N,N-dialquilo [metil, etil, ou propil (normal ou iso)]-2-aminoetanotióis e correspondentes sais protonados, com exceção do N,N-diisopropil-(beta)-aminoetanotiol, que é especificado em 1C350;

7. Ver 1C350 para a etildietanolamina (139-87-7);

8. Metildietanolamina (105-59-9).

1D Software 1D001 Software especialmente concebido ou modificado para o desenvolvimento, produção ou utilização dos equipamentos especificados em 1B001 a 1B003. 1D002 Software para o desenvolvimento de laminados ou compósitos com matriz orgânica, metálica ou de carbono. 1D003 Software especialmente concebido ou modificado para permitir que equipamentos desempenhem as funções do equipamento especificado em 1A004.c. ou 1A004.d. 1D101 Software especialmente concebido ou modificado para operação ou manutenção dos bens especificados em 1B101, 1B102, 1B115, 1B117, 1B118 ou 1B119. 1D103 Software especialmente concebido para a análise de parâmetros de deteção reduzidos, como a refletividade ao radar e as assinaturas no ultravioleta/infravermelho e acústicas. 1D201 Software especialmente concebido para a utilização dos bens especificados em 1B201.

1E Tecnologia 1E001 Tecnologia, na aceção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o desenvolvimento ou produção dos equipamentos ou materiais referidos em 1A001.b., 1A001.c., 1A002 a 1A005, 1A006.b., 1A007, 1B ou 1C. 1E002 Outras tecnologias, como se segue: 1E101 Tecnologia, na aceção da Nota Geral sobre Tecnologia, para a utilização dos bens especificados em 1A102, 1B001, 1B101, 1B102, 1B115 a 1B119, 1C001, 1C101, 1C107, 1C111 a 1C118, 1D101 ou 1D103. 1E102 Tecnologia, na aceção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o desenvolvimento do software referido em 1D001, 1D101 ou 1D103. 1E103 Tecnologia para a regulação da temperatura, da pressão ou da atmosfera em autoclaves ou hidroclaves utilizados na produção de materiais compósitos ou de materiais compósitos parcialmente transformados. 1E104 Tecnologia para a produção de materiais obtidos por processos pirolíticos, formados em moldes, mandris ou outros substratos, a partir de gases precursores que se decomponham entre 1573 K (1300 °C) e 3173 K (2900 °C), sob pressões de 130 Pa a 20 kPa. Nota: 1E104 abrange a tecnologia utilizada na composição de gases precursores, e os programas e parâmetros de comando de caudais e de processos. 1E201 Tecnologia, na aceção da Nota Geral sobre Tecnologia, para a utilização dos bens especificados em 1A002, 1A007, 1A202, 1A225 a 1A227, 1B201, 1B225 a 1B234, 1C002.b.3. ou b.4., 1C010.b., 1C202, 1C210, 1C216, 1C225 a 1C241 ou 1D201. 1E202 Tecnologia, na aceção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o desenvolvimento ou produção dos bens especificados em 1A007, 1A202 ou 1A225 a 1A227. 1E203 Tecnologia, na aceção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o desenvolvimento do software especificado em 1D201.

1E a.

Tecnologia para o desenvolvimento ou produção de polibenzotiazolos ou de polibenzoxazolos;

Tecnologia para o desenvolvimento ou produção de compostos fluoroelastómeros com pelo menos um monómero de viniléter;

Tecnologia para a conceção ou produção dos materiais de base ou dos materiais cerâmicos não compósitos a seguir enumerados:

1. Materiais de base com todas as seguintes características:

1. a.

Qualquer das seguintes composições:

1. Óxidos de zircónio simples ou complexos e óxidos de silício ou de alumínio complexos;

2. Nitretos de boro simples (formas cristalinas cúbicas);

3. Carbonetos de silício ou de boro simples ou complexos; ou

4. Nitretos de silício simples ou complexos;

Qualquer dos seguintes totais de impurezas metálicas (excluindo aditivos intencionalmente incorporados):

1. Menos de 1000 ppm, no caso dos óxidos ou carbonetos simples; ou

2. Menos de 5000 ppm, no caso dos compostos complexos ou dos nitretos simples; e

Constituídos por:

1. Óxido de zircónio (CAS 1314-23-4) com uma granulometria média igual ou inferior a 1 μm e não mais de 10 % das partículas com dimensões superiores a 5 μm;

2. Outros materiais de base com granulometria média igual ou inferior a 5 μm e não mais de 10 % das partículas com dimensões superiores a 10 μm; ou

3. Com todas as seguintes características:

3. a.

Plaquetas com uma relação comprimento/espessura superior a 5;

Cristais capilares (whiskers) com uma relação comprimento/diâmetro superior a 10, para diâmetros inferiores a 2 μm; e

Fibras contínuas ou cortadas com diâmetros inferiores a 10 μm;

2. Materiais cerâmicos não compósitos constituídos por materiais especificados em 1E002.c.1; Nota: 1E002.c.2. não abrange a tecnologia para a conceção ou produção de abrasivos.

Tecnologia para a produção de fibras de poliamidas aromáticas;

1E002 Tecnologia para a instalação, manutenção ou reparação dos materiais especificados em 1C001;

Tecnologia para a reparação das estruturas, laminados ou materiais compósitos referidos em 1A002, 1C007.c. ou 1C007.d.; Nota: 1E002.f. não abrange a tecnologia para a reparação de estruturas de aeronaves civis com materiais fibrosos ou filamentosos e resinas epoxídicas, descrita nos manuais dos fabricantes de aeronaves.

g. Nota técnica:

Bibliotecas (bases de dados técnicos paramétricos) especialmente concebidas ou modificadas para permitir que equipamentos desempenhem as funções do equipamento especificado em 1A004.c. ou 1A004.d. Para efeitos de 1E002.g., por biblioteca (base de dados técnicos paramétricos) entende-se um conjunto de informações técnicas, cuja consulta permite melhorar o desempenho dos equipamentos ou sistemas pertinentes.

CATEGORIA 2 TRATAMENTO DE MATERIAIS

2A Nota técnica:

Sistemas, equipamentos e componentes N.B.: Para chumaceiras de regime regular, ver a Lista de Material de Guerra. 2A001 Chumaceiras antifricção e sistemas de chumaceiras ou rolamentos e respetivos componentes: N.B.: VER TAMBÉM 2A101. Nota: 2A001 não abrange as esferas com tolerâncias especificadas pelo fabricante como sendo de grau 5 ou piores, de acordo com a norma ISO 3290. 2A101 Rolamentos radiais de esferas, não referidos em 2A001, com todas as tolerâncias de fabrico de acordo com a norma ISO 492, Classe de Tolerância 2 (ou com as normas ANSI/ABMA Std 20, Classe de Tolerância ABEC-9, ou outras normas nacionais equivalentes) ou superiores, e com todas as seguintes características: 2A225 Cadinhos de materiais resistentes aos metais actinídeos líquidos: 2A226 Válvulas com todas as seguintes características: No caso das válvulas com diâmetros de entrada e de saída diferentes, a dimensão nominal em 2A226 refere-se ao diâmetro menor.

2A a.

Rolamentos de esferas e rolamentos de rolos maciços com todas as tolerâncias de fabrico de acordo com a norma ISO 492 Classe de Tolerância 4 (ou normas nacionais equivalentes) ou superiores, e em que tanto os anéis como os elementos de rolamento (ISO 5593) sejam de monel ou de berílio; Nota: 2A001.a. não abrange os rolamentos de rolos cónicos.

2A001 Não utilizado;

Sistemas de chumaceiras magnéticas ativas que utilizem:

1. Materiais com densidades de fluxo iguais ou superiores a 2,0 T e uma resistência limite superior a 414 MPa;

2. Atuadores 3D totalmente eletromagnéticos com polarização homopolar; ou

3. Sensores de posição de alta temperatura (450 K (177 °C) ou mais).

Um diâmetro do canal do anel interno entre 12 e 50 mm;

Um diâmetro do canal do anel externo entre 25 e 100 mm; e

Uma largura entre 10 e 20 mm.

Cadinhos com ambas as seguintes características:

1. Volume compreendido entre 150 cm3 e 8000 cm3; e

2. Fabricados ou revestidos de qualquer dos seguintes materiais, ou combinação dos seguintes materiais, com um grau de pureza igual ou inferior a 2 %, em massa:

2. a.

Fluoreto de cálcio (CaF2);

Zirconato de cálcio (metazirconato de cálcio) (CaZrO3);

Sulfureto de cério (Ce2S3);

Óxido de érbio (érbia) (Er2O3);

Óxido de háfnio (háfnia) (HfO2);

Óxido de magnésio (MgO);

Liga nitretada de nióbio-titânio-tungsténio (aproximadamente 50 % de Nb, 30 % de Ti e 20 % de W);

Óxido de ítrio (ítria) (Y2O3); ou

Óxido de zircónio (zircónia) (ZrO2);

Cadinhos com ambas as seguintes características:

1. Volume compreendido entre 50 cm3 e 2000 cm3; e

2. Fabricados ou revestidos de tântalo, com um grau de pureza igual ou superior a 99,9 %, em massa;

Cadinhos com todas as seguintes características:

1. Volume compreendido entre 50 cm3 e 2000 cm3;

2. Fabricados ou revestidos de tântalo, com um grau de pureza igual ou superior a 98 %, em massa; e

3. Revestidos de carboneto, nitreto ou boreto de tântalo ou de combinações destes compostos.

Uma dimensão nominal igual ou superior a 5 mm;

Empanque de fole; e

Totalmente fabricadas ou revestidas de alumínio, liga de alumínio, níquel ou liga de níquel com mais de 60 % em massa de níquel.

2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2.

Equipamentos de ensaio, de inspeção e de produção Os eixos secundários de contorno paralelo (por exemplo, o eixo w nas mandriladoras horizontais ou um eixo de rotação secundário cuja linha de centro seja paralela ao eixo de rotação primário) não são contabilizados no número total de eixos de contorno. Os eixos de rotação não têm necessariamente de rodar a 360°. Os eixos de rotação podem ser acionados por dispositivos lineares (por exemplo, um parafuso ou um sistema de pinhão e cremalheira). Para efeitos de 2B, o número de eixos que podem ser coordenados em simultâneo para o controlo de contorno é o número de eixos ao longo ou em torno dos quais, durante o processamento da peça, são executados movimentos simultâneos e inter-relacionados entre a peça e a ferramenta. Tal não inclui quaisquer eixos adicionais ao longo ou em torno dos quais sejam executados outros movimentos relativos dentro da máquina, como: A nomenclatura dos eixos deve estar de acordo com a norma internacional ISO 841, Numerical Control Machines – Axis and Motion Nomenclature (máquinas de controlo numérico – nomenclatura dos eixos e dos movimentos). Para efeitos de 2B001 a 2B009, um fuso basculante é contado como eixo rotativo. A precisão de posicionamento declarada derivada de medições efetuadas de acordo com a norma ISO 230/2 ou normas nacionais equivalentes pode ser utilizada para cada modelo de máquina-ferramenta, em alternativa aos ensaios individuais. Por precisão de posicionamento declarada entende-se o valor da precisão transmitido às autoridades competentes do Estado-Membro onde o exportador está estabelecido como sendo representativo da precisão de um modelo específico de máquina-ferramenta. Determinação da precisão de posicionamento declarada Para efeitos de 2B001.a. a 2B001.c., não deve ser considerada a incerteza de medição para a precisão de posicionamento de máquinas-ferramentas, como definido na norma internacional ISO 230/2 (2006) ou em normas nacionais equivalentes. 2B001 Máquinas-ferramentas e suas combinações para a remoção ou corte de metais ou de materiais cerâmicos ou compósitos que, de acordo com as especificações técnicas do fabricante, possam ser equipadas com dispositivos eletrónicos de controlo numérico, como se segue: N.B.: VER TAMBÉM 2B201. Nota 1: 2B001 não abrange as máquinas-ferramentas para fins especiais destinadas exclusivamente ao fabrico de engrenagens. Para este tipo de máquinas, ver 2B003. Nota 2: 2B001 não abrange as máquinas-ferramentas para fins especiais destinadas exclusivamente ao fabrico de: Nota 3: As máquinas-ferramentas que possuam pelo menos duas das três capacidades – tornear, fresar ou retificar – (por exemplo, um torno com capacidade para fresar) devem ser avaliadas relativamente a cada entrada aplicável 2B001.a., b. ou c. N.B.: Para as máquinas de acabamento ótico, ver 2B002. 2B002 Máquinas-ferramentas de acabamento ótico, com controlo numérico, equipadas para remoção seletiva para produzir superfícies óticas não esféricas com as seguintes características: Para efeitos de 2B002: 2B003 Máquinas-ferramentas com controlo numérico ou manuais, especialmente concebidas para talhar, acabar, retificar ou polir engrenagens de dentes retos, helicoidais e helicoidais duplas endurecidas (Rc = 40 ou mais) com um diâmetro da circunferência primitiva superior a 1250 mm e uma largura de dente igual a 15 % ou mais do diâmetro da circunferência primitiva, com acabamento de qualidade AGMA 14 ou superior (equivalente à classe 3 da norma ISO 1328). 2B004 Prensas isostáticas a quente com todas as seguintes características e componentes e acessórios especialmente concebidos para essas prensas: N.B.: VER TAMBÉM 2B104 e 2B204. A dimensão interior da câmara é a da câmara em que se atingem a temperatura e a pressão de trabalho, e não inclui os acessórios. Esta dimensão será a menor de duas dimensões – o diâmetro interior da câmara de pressão e o diâmetro interior da câmara isolada do forno –, dependendo de qual das duas câmaras esteja localizada no interior da outra. N.B.: No que se refere às matrizes, moldes e ferramentas especialmente concebidos, ver 1B003, 9B009 e a Lista de Material de Guerra. 2B005 Equipamentos especialmente concebidos para a deposição, tratamento e controlo durante o processo de recobrimentos, revestimentos e modificações de superfícies inorgânicos, para aplicação em substratos não eletrónicos pelos processos descritos no quadro que se segue ao ponto 2E003.f. e nas notas subsequentes, bem como componentes automatizados de movimentação, posicionamento, manipulação e controlo especialmente concebidos para esses equipamentos: Nota: 2B005 não abrange os equipamentos de deposição química em fase vapor, de arco catódico, de deposição por pulverização, de metalização iónica ou de implantação iónica especialmente concebidos para ferramentas de corte ou de maquinagem. 2B006 Sistemas, equipamentos e conjuntos eletrónicos de controlo dimensional ou de medição, nomeadamente: N.B.: VER TAMBÉM 2B206. Nota: 2B006 abrange as máquinas-ferramentas, exceto as especificadas em 2B001, que possam ser utilizadas como máquinas de medição se corresponderem aos critérios especificados para a função de máquina de medição. 2B007 Robots, com qualquer das características a seguir enumeradas, bem como controladores e operadores terminais especialmente concebidos para os mesmos: N.B.: VER TAMBÉM 2B207. 2B008 Conjuntos ou unidades especialmente concebidos para máquinas-ferramentas ou para sistemas e equipamentos de medição ou de inspeção dimensional: Nota: 2B008.a. e 2B008.b. abrangem unidades que são concebidas para determinar a informação do posicionamento para controlo de retroalimentação, como, por exemplo, dispositivos do tipo indutivo, escalas graduadas, sistemas de infravermelhos ou sistemas de laser. 2B009 Máquinas de enformação por rotação e máquinas de enformação contínua que, de acordo com as especificações técnicas do fabricante, possam ser equipadas com unidades de controlo numérico ou com comando computorizado e com todas as seguintes características: N.B.: VER TAMBÉM 2B109 E 2B209. Para efeitos de 2B009, as máquinas que combinem as funções de enformação por rotação e enformação contínua são consideradas como máquinas de enformação contínua. 2B104 Prensas isostáticas, exceto as especificadas em 2B004, com todas as seguintes características: N.B.: VER TAMBÉM 2B204. 2B105 Fornos para deposição em fase vapor por processo químico (CVD), exceto os especificados em 2B005.a., concebidos ou modificados para a densificação de materiais compósitos carbono–carbono. 2B109 Máquinas de enformação contínua, exceto as especificadas em 2B009, e componentes especialmente concebidos para essas máquinas: N.B.: VER TAMBÉM 2B209. Nota: 2B109 não abrange as máquinas que não sejam utilizáveis na produção de equipamentos e componentes (por exemplo, cárteres de motores) para os sistemas de propulsão especificados em 9A005, 9A007.a. ou 9A105.a.: As máquinas que combinem as funções de enformação por rotação e enformação contínua são, para efeitos de 2B109, consideradas como máquinas de enformação contínua. 2B116 Sistemas para ensaios de vibrações e respetivos equipamentos e componentes: Em 2B116, por mesa nua entende-se uma mesa ou superfície plana sem qualquer dispositivo de fixação ou equipamento acessório. 2B117 Comandos de equipamentos e processos, diferentes dos especificados em 2B004, 2B005.a, 2B104 ou 2B105, concebidos ou modificados para a densificação e pirólise de materiais compósitos estruturais de tubeiras de foguetes e de pontas de narizes de veículos de reentrada. 2B119 Máquinas de equilibragem e equipamento conexo: N.B.: VER TAMBÉM 2B219. 2B120 Simuladores de movimento ou mesas rotativas (rate tables) com todas as seguintes características: Nota 1: 2B120 não abrange as mesas rotativas concebidas ou modificadas para máquinas-ferramentas ou para equipamento médico. No que se refere ao controlo de mesas rotativas de máquinas-ferramentas, ver 2B008. Nota 2: Os simuladores de movimento ou as mesas rotativas referidas em 2B120 continuam a estar abrangidas independentemente de anéis coletores ou dispositivos integrados de tipo sem contacto terem ou não sido instalados aquando da exportação. 2B121 Mesas de posicionamento (equipamento capaz de garantir um posicionamento rotativo preciso em quaisquer eixos), exceto as especificadas em 2B120, com todas as seguintes características: Nota: 2B121 não abrange as mesas rotativas concebidas ou modificadas para máquinas-ferramentas ou para equipamento médico. No que se refere ao controlo de mesas rotativas de máquinas-ferramentas, ver 2B008. 2B122 Centrifugadoras com capacidade para imprimir acelerações acima de 100 g concebidas ou modificadas para incorporar anéis coletores ou dispositivos integrados de tipo sem contacto, capazes de transferir potência elétrica, informações sob a forma de sinais ou ambas. Nota: As centrifugadoras especificadas em 2B122 continuam a estar abrangidas independentemente de anéis coletores ou dispositivos integrados de tipo sem contacto terem ou não sido instalados aquando da exportação. 2B201 Máquinas-ferramentas ou qualquer combinação das mesmas diferentes das especificadas em 2B001 para remoção ou corte de metais ou de materiais cerâmicos ou compósitos que, de acordo com as especificações técnicas do fabricante, possam ser equipadas com dispositivos eletrónicos para controlo de contorno simultâneo em dois ou mais eixos: Nota 1: 2B201 não abrange as máquinas-ferramentas para fins especiais destinadas exclusivamente ao fabrico de quaisquer dos seguintes elementos: Nota 2: As máquinas-ferramentas que tenham, pelo menos, duas das três capacidades de tornear, fresar ou retificar (p. ex., um torno capaz de fresar) devem ser avaliadas em relação a cada um dos pontos 2B001.a. ou 2B201.a. ou b. 2B204 Prensas isostáticas, exceto as especificadas em 2B004 ou 2B104, bem como equipamentos conexos: Em 2B204, a dimensão interior da câmara é a da câmara em que se atingem a temperatura e a pressão de trabalho e não inclui os acessórios. Esta dimensão será a menor de duas dimensões – o diâmetro interior da câmara de pressão e o diâmetro interior da câmara isolada do forno –, dependendo de qual das duas câmaras esteja localizada no interior da outra. 2B206 Máquinas, instrumentos ou sistemas de controlo dimensional, exceto os especificados em 2B006: Nota 1: As máquinas-ferramentas que possam ser utilizadas como máquinas de medição serão controladas se corresponderem aos critérios especificados para a função de máquina-ferramenta ou de máquina de medição, ou se excederem esses critérios. Nota 2: As máquinas especificadas em 2B06 serão controladas se ultrapassarem os limites estipulados em qualquer ponto da sua gama de funcionamento. Todos os parâmetros dos valores de medição especificados em 2B206 representam parâmetros mais/menos, isto é, não a banda total. 2B207 Robots, operadores terminais e unidades de controlo, exceto os especificados em 2B007: 2B209 Máquinas de enformação contínua e máquinas de enformação por rotação capazes de executar enformação contínua, exceto as especificadas em 2B009 ou 2B109, e mandris, como se segue: Nota: 2B209.a. abrange as máquinas com um único rolo concebido para deformar metal e dois rolos auxiliares de suporte do mandril mas que não participam diretamente no processo de deformação. 2B219 Máquinas centrifugadoras de equilibragem em múltiplos planos, fixas ou portáteis, horizontais ou verticais: 2B225 Manipuladores de comando a distância que possam ser utilizados para executar ações comandadas à distância em operações de separação radioquímica ou em células quentes, com uma das seguintes características: Os manipuladores de comando a distância permitem a transmissão das ações de um operador humano a um braço e a um equipamento terminal telecomandados. Podem ser do tipo servomecanismo ou comandados por um joystick ou um teclado. 2B226 Fornos de indução de atmosfera controlada (vácuo ou gás inerte), bem como fontes de alimentação especialmente concebidas para esses fornos: N.B.: VER TAMBÉM 3B. Nota: 2B226.a. não abrange os fornos concebidos para o tratamento de bolachas semicondutoras. 2B227 Fornos metalúrgicos de fusão e de fundição sob vácuo ou sob outra forma de atmosfera controlada, e equipamentos conexos: 2B228 Equipamentos para o fabrico ou a montagem de rotores, equipamentos para o alinhamento de rotores, e mandris, cunhos e matrizes para a enformação de foles: 2B230 Todos os tipos de transdutores de pressão capazes de medir pressões absolutas e com todas as seguintes características: Em 2B230, por transdutor de pressão entende-se um dispositivo que converte uma medição de pressão num sinal. Para efeitos de 2B230, a precisão inclui a não-linearidade, a histerese e a repetibilidade à temperatura ambiente. 2B231 Bombas de vácuo com todas as seguintes características: A velocidade de bombagem é determinada no ponto de medição com azoto ou ar. O vácuo máximo deve ser determinado à entrada da bomba, estando esta fechada. 2B232 Sistemas de canhão de alta velocidade (sistemas de propulsante, gás, bobina, de tipo eletromagnético e eletrotérmico e outros sistemas avançados), capazes de acelerar projéteis a velocidades iguais ou superiores a 1,5 km/s. N.B.: VER TAMBÉM A LISTA DE MATERIAL DE GUERRA. 2B233 Compressores de tipo scroll com vedante de fole e bombas de vácuo de tipo scroll com vedante de fole, com todas as seguintes características: N.B.: VER TAMBÉM 2B350.i. 2B350 Equipamentos, dispositivos e componentes da indústria química: Nota: Para efeitos de 2B350, os materiais utilizados para juntas, enchimentos, vedantes, parafusos, anilhas ou outros materiais que desempenham uma função de vedação não determinam o estatuto de controlo, desde que esses componentes sejam concebidos para serem intermutáveis. O carbono-grafite é um composto de carbono amorfo e grafite cujo teor de grafite é igual ou superior a 8 %, em massa. Para os materiais enumerados nas entradas supra, entende-se que o termo liga, quando não acompanhado de uma concentração elementar específica, designa as ligas em que o metal identificado está presente numa percentagem, em massa, mais elevada do que qualquer outro elemento. 2B351 Sistemas de monitorização de gases tóxicos e respetivos componentes de deteção, exceto os especificados em 1A004, como se segue; e detetores, dispositivos sensores, e respetivos cartuxos de sensores substituíveis: 2B352 Equipamento capaz de ser utilizado na manipulação de materiais biológicos:

2B Notas técnicas: 1.2. a.

Sistemas de ajuste da posição da mó nas retificadoras:

Eixos rotativos paralelos destinados à montagem de peças separadas;

Eixos rotativos colineares destinados à manipulação da mesma peça mantendo-a numa brecha por extremidades diferentes.

2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5. a.

Selecionam-se cinco máquinas de um modelo a avaliar;

Procede-se à medição da precisão do eixo linear de acordo com a ISO 230/2;

Determinam-se os valores A de cada eixo de cada máquina. O método para calcular o valor A é descrito na norma ISO;

Determina-se o valor médio do valor A de cada eixo. Este valor médio Â passa a ser o valor declarado de cada eixo do modelo (Âx Ây …);

Dado que a lista da categoria 2 se refere a cada eixo linear, haverá tantos valores declarados quantos os eixos lineares;

Se qualquer eixo de um modelo de máquina não abrangido por 2B001.a. a 2B001.c. ou 2B201 tiver uma precisão declarada Â igual a ou inferior à precisão de posicionamento especificada de cada modelo de máquina-ferramenta mais 2 μm, deverá ser solicitado ao fabricante que reitere o nível de precisão de 18 em 18 meses.

2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. a.

Cambotas ou árvores de cames;

Ferramentas ou ferros de corte;

Sem-fins para extrusoras;

Peças de joalharia gravadas ou facetadas; ou

Próteses dentárias.

Máquinas-ferramentas para tornear, com todas as seguintes características: Nota: 2B001.a. não abrange os tornos especialmente concebidos para produzir lentes de contacto com todas as seguintes características:

1. Precisão de posicionamento em qualquer eixo linear com todas as compensações disponíveis igual ou inferior a (melhor que) 3,0 μm de acordo com a norma ISO 230/2 (2006) ou normas nacionais equivalentes; e

2. Dois ou mais eixos que possam ser coordenados simultaneamente para o controlo de contorno;

a.

Controlador do torno limitado à utilização de software de base oftalmológica para a introdução de dados relativos à programação de peça; e

b.

Sem torneamento a vácuo.

Máquinas-ferramentas para fresar, com qualquer das seguintes características:

1. Com todas as seguintes características:

1. a.

Precisão de posicionamento em qualquer eixo linear com todas as compensações disponíveis igual ou inferior a (melhor que) 3,0 μm de acordo com a norma ISO 230/2 (2006) ou normas nacionais equivalentes; e

Três eixos lineares mais um eixo de rotação que possam ser coordenados simultaneamente para o controlo de contorno;

2. Cinco ou mais eixos que possam ser coordenados simultaneamente para o controlo de contorno com qualquer das seguintes características; N.B.: As máquinas-ferramentas de mecanismo paralelo são especificadas em 2B001.b.2.d.

2. a.

Precisão de posicionamento com todas as compensações disponíveis igual ou inferior a (melhor que) 3,0 μm, de acordo com a norma ISO 230/2 (2006) ou normas nacionais equivalentes, em um ou mais eixos lineares com um percurso inferior a 1 m;

2B001 b. 2. Precisão de posicionamento com todas as compensações disponíveis igual ou inferior a (melhor que) 4,5 μm, de acordo com a norma ISO 230/2 (2006) ou normas nacionais equivalentes, em um ou mais eixos lineares com um percurso igual ou superior a 1 m e inferior a 2 m;

Precisão de posicionamento com todas as compensações disponíveis igual ou inferior a (melhor que) 4,5 + 7(L-2) μm (L é o comprimento de inserção em metros), de acordo com a norma ISO 230/2 (2006) ou normas nacionais equivalentes, em um ou mais eixos lineares com percurso igual ou superior a 2 m; ou

d. Nota técnica:

Serem uma máquina-ferramenta de mecanismo paralelo; Uma máquina-ferramenta de mecanismo paralelo é uma máquina-ferramenta com múltiplas barras ligadas com uma plataforma e atuadores; cada um dos atuadores opera a respetiva barra de forma simultânea e independente.

3. Precisão de posicionamento em um ou mais eixos lineares, no caso das mandriladoras por coordenadas, com todas as compensações disponíveis, igual ou inferior a (melhor que) 3,0 μm, de acordo com a norma ISO 230/2 (2006) ou normas nacionais equivalentes; ou

4. Máquinas de corte de volante com todas as seguintes características:

4. a.

Excentricidade e desalinhamento do fuso inferiores a (melhores que) 0,0004 mm TIR; e

Desvio angular do movimento do carro (desvio de direção, inclinação longitudinal e inclinação transversal) inferior a (melhor que) 2 segundos de arco, TIR, num percurso de 300 mm;

Máquinas-ferramentas para retificar, com qualquer das seguintes características: Nota: 2B001.c. não abrange as seguintes retificadoras:

1. Com todas as seguintes características:

1. a.

Precisão de posicionamento em um ou mais eixos lineares com todas as compensações disponíveis igual ou inferior a (melhor que) 3,0 μm de acordo com a norma ISO 230/2 (2006) ou normas nacionais equivalentes; e

Três ou mais eixos que possam ser coordenados simultaneamente para o controlo de contorno; ou

2. Cinco ou mais eixos que possam ser coordenados simultaneamente para o controlo de contorno;

a.

Retificadoras cilíndricas de exteriores, de interiores ou de exteriores e interiores com todas as seguintes características:

1. Estarem limitadas à retificação cilíndrica; e

2. Só poderem maquinar peças de diâmetro exterior ou comprimento não superiores a 150 mm.

b.

Máquinas especialmente concebidas como retificadoras por coordenadas que não tenham um eixo z ou um eixo w, com uma precisão de posicionamento com todas as compensações disponíveis inferiores a (melhores do que) 3,0 μm, de acordo com a norma ISO 230/2 (2006) ou normas nacionais equivalentes.

c.

Retificadoras de superfícies.

Máquinas de eletroerosão (EDM) não por fio com dois ou mais eixos de rotação que possam ser coordenados simultaneamente para o controlo de contorno;

2B001 Máquinas–ferramentas para remover metais ou materiais cerâmicos ou compósitos com todas as seguintes características:

1. Remoção de material por qualquer dos seguintes meios:

1. a.

Jatos de água ou de outros líquidos, incluindo as que utilizam aditivos abrasivos;

Feixes de eletrões; ou

Feixes de laser; e

2. Pelo menos dois eixos de rotação com todas as seguintes características:

2. a.

Podem ser coordenados simultaneamente para o controlo de contorno; e

Precisão de posicionamento inferior a (melhor que) 0,003°;

Fresadoras e tornos modificados para abertura de furos profundos, com capacidade para perfurar a profundidades máximas superiores a 5 m.

Permitam obter um acabamento inferior a (melhor do que) 1,0 μm;

Permitam obter um acabamento com uma rugosidade inferior a (melhor do que) 100 nm rms.

Com quatro ou mais eixos que possam ser coordenados simultaneamente para controlo de contorno; e

Utilizem qualquer dos processos seguintes:

1. Acabamento magnetoreológico (MRF);

2. Acabamento eletroreológico (ERF);

3. Acabamento por feixe de partículas energéticas;

4. Acabamento com instrumento de membrana deformável; ou

5. Acabamento por jato de fluido.

2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas:

1. Por MRF entende-se um processo de remoção de material que utiliza um fluido magnético abrasivo de viscosidade controlada por um campo magnético.

2. Por ERF entende-se um processo de remoção de material que utiliza um fluido abrasivo de viscosidade controlada por um campo elétrico.

3. O acabamento por feixe de partículas energéticas utiliza Plasmas de Átomos Reativos ou feixes de iões para a remoção de material de forma seletiva.

4. O acabamento com instrumento de membrana deformável é um processo que utiliza uma membrana pressurizada que se deforma ao contacto com a peça numa área reduzida.

5. O acabamento por jato de fluido utiliza uma corrente de fluido para a remoção de material.

Com ambiente térmico controlado na cavidade fechada e uma câmara de trabalho de diâmetro interior igual ou superior a 406 mm; e

Com qualquer das seguintes características:

1. Pressão máxima de trabalho superior a 207 MPa;

2. Ambiente térmico controlado superior a 1773 K (1500 °C); ou

3. Meios que possibilitem a impregnação com hidrocarbonetos e a remoção dos produtos gasosos resultantes da sua degradação.

2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas: Nota técnica: a.

Equipamentos de produção para deposição em fase vapor por processo químico (CVD) com todas as seguintes características: N.B.: VER TAMBÉM 2B105.

1. Modificados para aplicação de um dos seguintes processos:

1. a.

Deposição em fase vapor, por processo químico, pulsante;

Deposição térmica com nucleação controlada (CNTD); ou

Deposição em fase vapor, por processo químico, ativada ou assistida por plasma; e

2. Com qualquer das seguintes características:

2. a.

Vedantes rotativos para alto vácuo (igual ou inferior a 0,01 Pa); ou

Controlo in situ da espessura do revestimento;

Equipamentos de produção para implantação iónica, com feixes de intensidade de corrente igual ou superior a 5 mA;

Equipamentos de produção para deposição em fase vapor por processo físico com feixe de eletrões (EB-PVD), equipados com sistemas de potência dimensionados para mais de 80 kW, e com qualquer das seguintes características:

1. Um sistema de controlo por laser do nível do banho líquido que regule com precisão a velocidade de avanço dos lingotes; ou

2. Um monitor controlado por computador, funcionando com base no princípio da fotoluminescência dos átomos ionizados na corrente evaporada, para controlar a velocidade de deposição de revestimentos que contenham dois ou mais elementos;

2B005 Equipamentos de produção para pulverização por plasma, com qualquer das seguintes características:

1. Funcionamento em atmosfera controlada a pressão reduzida (igual ou inferior a 10 kPa, sendo a medição efetuada acima e a não mais de 300 mm da saída do pulverizador do canhão), numa câmara de vácuo com capacidade de evacuação até uma pressão de 0,01 Pa antes do início do processo de pulverização; ou

2. Controlo in situ da espessura do revestimento;

Equipamentos de produção para deposição por pulverização catódica, com capacidade para densidades de corrente iguais ou superiores a 0,1 mA/mm2, para velocidades de deposição iguais ou superiores a 15 μm/hora;

Equipamentos de produção para deposição por arco catódico, com um conjunto de eletroímans para controlo automático da direção do arco no cátodo;

Equipamentos de produção para metalização iónica, com capacidade para a medição in situ de qualquer das seguintes características:

1. Espessura do revestimento no substrato e controlo da velocidade de deposição; ou

2. Características óticas;

a. Nota técnica:

Máquinas de medição por coordenadas (CMM) comandadas por computador ou com controlo numérico com um erro máximo admissível para a medição do comprimento (E0,MPE) tridimensional (volumétrico) em qualquer ponto, dentro da gama de funcionamento da máquina (ou seja, dentro do comprimento dos eixos), igual ou inferior a (melhor que) (1,7 + L/1000) μm, (L é o comprimento medido, em mm) de acordo com a norma ISO 10360-2 (2009); O E0,MPE da configuração mais precisa da CMM especificada pelo fabricante (p. ex., melhores valores em termos de sonda, comprimento do estilete, parâmetros de movimento, ambiente) e com todas as compensações disponíveis deve ser comparado como limiar de 1,7 + L/1000 μm.

Instrumentos para a medição de deslocamentos lineares e angulares:

1. Nota técnica:

Instrumentos de medição de deslocamentos lineares com qualquer das seguintes características: Nota: Os interferómetros laser de medição de deslocamentos apenas são abrangidos em 2B006.b.1.c. Para efeitos do ponto 2B006.b.1., por deslocamento linear entende-se a variação da distância entre a sonda de medida e o objeto medido. Nota: 2B006.b.1. não abrange os sistemas de medida com interferómetro, com um sistema de controlo automático concebido para não utilizar técnicas de realimentação negativa (feedback), com um laser para medir os erros de deslocação do carro da máquina-ferramenta, máquinas de controlo dimensional ou equipamento semelhante.

Sistemas de medição do tipo sem contacto, com resolução igual ou inferior a (melhor que) 0,2 μm numa gama de medida até 0,2 mm;

b. Nota técnica:

2B006 b. 1. Sistemas de transformadores diferenciais de variável linear (LVDT) com todas as seguintes características: Para efeitos de 2B006.b.1.b., por plena gama de funcionamento entende-se a metade do deslocamento linear possível total do LVDT. Por exemplo, LVDT com uma plena gama de funcionamento até ± 5 mm, inclusive, podem medir um deslocamento linear possível total de 10 mm.

1. Com qualquer das seguintes características:

1. a.

Linearidade igual ou inferior a (melhor que) 0,1 %, medida de 0 à plena gama de funcionamento, para LVDT com uma plena gama de funcionamento até ± 5 mm, inclusive; ou

Linearidade igual ou inferior a (melhor que) 0,1 %, medida de 0 a ± 5 mm, para LVDT com uma plena gama de funcionamento superior a ± 5 mm; e

2. Desvio igual ou inferior a (melhor que) 0,1 % por dia à temperatura ambiente normal das salas de ensaio ± 1 K;

Sistemas de medição com todas as seguintes características:

1. Um laser; e

2. Sejam capazes de manter, durante pelo menos 12 horas, a uma temperatura de 20 ± 1 °C:

2. a.

Uma resolução igual a 0,1 μm ou menos (melhor) na totalidade da escala; e

Capazes de atingir uma incerteza de medição igual ou inferior a (melhor que) (0,2 + L/2000) μm (L é a distância medida em mm) em qualquer ponto dentro do intervalo de medição, quando compensada pelo índice de refração do ar; ou

Conjuntos eletrónicos especialmente concebidos para disporem de uma capacidade de realimentação negativa (feedback) em sistemas especificados em 2B006.b.1.c.;

2. Instrumentos de medição de deslocamentos angulares com precisão angular de posição igual ou inferior a (melhor que) 0,00025°; Nota: 2B006.b.2 não abrange os instrumentos óticos, por exemplo, autocolimadores, que utilizem luz colimada (por exemplo, luz laser) para detetar deslocamentos angulares de espelhos.

Equipamentos para a medição de rugosidade (incluindo defeitos superficiais) através da dispersão ótica, com sensibilidades iguais ou inferiores a (melhores que) 0,5 nm.

a. Nota técnica:

Com capacidade de processamento de imagens tridimensionais efetivas ou de análise de cenas tridimensionais efetivas em tempo real, para gerar ou modificar programas ou gerar ou modificar dados numéricos de programas; A limitação imposta à análise de cenas não abrange a aproximação à terceira dimensão por visionamento num determinado ângulo, nem a interpretação de escalas de cinzentos limitadas para perceção de profundidades ou de texturas para fins aprovados (2 1/2 D).

2B007 Especialmente concebidos para satisfazerem normas nacionais de segurança aplicáveis a ambientes onde se encontrem munições potencialmente explosivas; Nota: 2B007.b. não abrange os robots especialmente concebidos para cabines de pintura à pistola.

c. Nota técnica:

Especialmente concebidos ou dimensionados para resistirem a uma dose total de radiações superior a 5 × 103 Gy (silício) sem degradação do funcionamento; ou O termo Gy (silício) refere-se à energia em Joule por quilograma absorvida por uma amostra de silício desprotegida quando exposta a radiações ionizantes.

Especialmente concebidos para operar a altitudes superiores a 30000 m.

Unidades de realimentação negativa da posição linear de precisão total inferior a (melhor que) [800 + (600 × L/1000)] nm (L é a distância efetiva em mm); N.B.: Para sistemas de laser ver também a nota a 2B006.b.1.c. e d.

Unidades de retroalimentação da posição angular de precisão inferior a (melhor que) 0,00025°; N.B.: Para sistemas de laser ver também a nota a 2B006.b.2.

Mesas rotativas de movimentos compostos e fusos basculantes, capazes de melhorar, de acordo com as especificações do fabricante, as capacidades de máquinas-ferramentas para níveis iguais ou superiores aos especificados em 2B.

Três ou mais eixos que possam ser coordenados simultaneamente para controlo de contorno; e

Uma força dos rolos superior a 60 kN.

2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: a.

Pressão máxima de trabalho igual ou superior a 69 MPa;

Capacidade para atingir e manter um ambiente térmico controlado igual ou superior a 873 K (600 °C); e

Câmara de trabalho de diâmetro interior igual ou superior a 254 mm.

Máquinas de enformação contínua com todas as seguintes características:

1. Poderem, de acordo com as especificações técnicas do fabricante, ser equipadas com unidades de controlo numérico ou com comando computorizado, ainda que não estejam equipadas com tais unidades; e

2. Possuírem mais de dois eixos que possam ser coordenados simultaneamente para o controlo de contorno.

Componentes especialmente concebidos para as máquinas de enformação contínua especifiadas em 2B009 ou 2B109.a.

2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.

Sistemas para ensaios de vibrações que utilizem técnicas de realimentação negativa ou de ciclo fechado e disponham de um controlador digital, capazes de fazer vibrar um sistema a uma aceleração igual ou superior a 10 g rms entre 20 Hz e 2 kHz transmitindo simultaneamente forças iguais ou superiores a 50 kN, medidas em mesa nua;

b. Nota técnica:

Controladores digitais, combinados com software especialmente concebido para ensaios de vibrações, com uma largura de banda controlada em tempo real superior a 5 kHz e concebidos para utilização com os sistemas para ensaios de vibrações referidos em 2B116.a; Em 2B116.b., largura de banda controlada em tempo real designa a frequência máxima a que um controlador pode executar ciclos completos de amostragem, processamento de dados e transmissão de sinais de controlo.

Impulsores de vibrações (agitadores), com ou sem amplificadores associados, capazes de transmitir forças iguais ou superiores a 50 kN, medidas em mesa nua, e utilizáveis nos sistemas para ensaios de vibrações especificados em 2B116.a.;

Estruturas de suporte da peça a ensaiar e unidades eletrónicas concebidas para combinar múltiplos agitadores num sistema capaz de comunicar forças combinadas efetivas iguais ou superiores a 50 kN, medidas em mesa nua, e utilizáveis nos sistemas para ensaios de vibrações especificados em 2B116.a.

2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a.

Máquinas de equilibragem com todas as seguintes características: Nota: 2B119.a. não abrange as máquinas de equilibragem concebidas ou modificadas para equipamento dentário ou outro equipamento médico.

1. Incapacidade para equilibrar rotores/conjuntos de massa superior a 3 kg;

2. Capacidade para equilibrar rotores/conjuntos a velocidades superiores a 12500 rpm;

3. 2B119 a. Capacidade para corrigir desequilíbrios em dois ou mais planos; e

4. Capacidade para efetuar a equilibragem com um desequilíbrio residual específico de 0,2 g mm por kg de massa do rotor;

b. Nota técnica:

Cabeças indicadoras concebidas ou modificadas para utilização com as máquinas especificadas em 2B119.a. As cabeças indicadoras são por vezes conhecidas como instrumentos de equilibragem.

Dois ou mais eixos;

Concebidos ou modificados para incorporar anéis coletores ou dispositivos integrados de tipo sem contacto capazes de transferir potência elétrica, informações sob a forma de sinais ou ambas; e

Com qualquer das seguintes características:

1. Todas as características seguintes, para qualquer dos eixos:

1. a.

Capacidade para velocidades iguais ou superiores a 400 graus/s ou iguais ou inferiores a 30 graus/s; e

Resolução igual ou inferior a 6 graus/s e precisão igual ou inferior a 0,6 graus/s;

2. Estabilidade de movimento, no pior dos casos, igual a ou melhor que (inferior a) ± 0,05 %, em média, em 10 graus ou mais; ou

3. Precisão de posicionamento inferior ou igual a (melhor que) 5 arc/s.

Dois ou mais eixos; e

Precisão de posicionamento inferior ou igual a (melhor que) 5 arc/s.

Máquinas-ferramentas para fresar, com qualquer das seguintes características: Nota: 2B201.a. não abrange as fresadoras com as seguintes características:

1. Precisão de posicionamento em qualquer eixo linear, com todas as compensações disponíveis, igual ou inferior a (melhor que) 6 μm, de acordo com a norma ISO 230/2 (1988) ou normas nacionais equivalentes; ou

2. Dois ou mais eixos de rotação de contorno.

a.

Curso no eixo X superior a 2 m; e

b.

Precisão de posicionamento global no eixo X superior a (pior que) 30 μm.

Máquinas-ferramentas para retificar, com qualquer das seguintes características: Nota: 2B201.b. não abrange as seguintes retificadoras:

1. Precisão de posicionamento em qualquer eixo linear, com todas as compensações disponíveis, igual ou inferior a (melhor que) 4 μm, de acordo com a norma ISO 230/2 (1988) ou normas nacionais equivalentes; ou

2. Dois ou mais eixos de rotação de contorno.

a.

Retificadoras cilíndricas de exteriores, de interiores ou de exteriores e interiores, com todas as seguintes características:

1. Estarem limitadas a uma capacidade máxima de maquinação de peças de diâmetro exterior ou comprimento não superiores a 150 mm; e

2. Eixos limitados a x, z e c;

b.

Retificadoras por coordenadas sem eixos z ou w, com uma precisão de posicionamento geral superior a (melhor do que) 4 μm, de acordo com a norma ISO 230/2 (1988) ou normas nacionais equivalentes.

Engrenagens;

Cambotas ou árvores de cames;

Ferramentas ou ferros de corte;

Sem-fins para extrusoras.

Prensas isostáticas com ambas as seguintes características:

1. Capazes de atingir uma pressão máxima de trabalho igual ou superior a 69 Mpa; e

2. Com uma câmara de trabalho de diâmetro interior superior a 152 mm;

2B204 Matrizes, moldes e comandos especialmente concebidos para as prensas isostáticas especificadas em 2B204.a.

2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: a. Nota técnica:

Máquinas de medição por coordenadas (CMM) comandadas por computador ou com controlo numérico com uma das seguintes características: O E0,MPE da configuração mais precisa da CMM especificada de acordo com a norma ISO 10360-2(2009) pelo fabricante (p. ex., melhores valores em termos de: sonda, comprimento do estilete, parâmetros de movimento, ambiente) e com todas as compensações disponíveis deve ser comparado como limiar de 1,7 + L/800 μm.

1. Com apenas dois eixos e um erro máximo admissível para a medição do comprimento em qualquer eixo (unidimensional), identificado como qualquer combinação de E0x,MPE, E0y,MPE, ou E0z,MPE, igual ou inferior a (melhor que) (1,25 + L/1000) μm (L é o comprimento medido, em mm) em qualquer ponto dentro da gama de funcionamento da máquina (ou seja, dentro do comprimento do eixo), de acordo com a norma ISO 10360-2(2009); ou

2. Três ou mais eixos e com um erro máximo admissível tridimensional (volumétrico) para a medição do comprimento (E0,MPE), igual ou inferior a (melhor que) (1,7 + L/800) μm, (L é o comprimento medido, em mm) em qualquer ponto, dentro da gama de funcionamento da máquina (ou seja, dentro do comprimento do eixo), de acordo com a norma ISO 10360-2(2009);

Sistemas de controlo simultâneo linear-angular de peças hemisféricas, com as seguintes características:

1. Incerteza de medição em qualquer eixo linear igual ou inferior a (melhor que) 3,5 μm por 5 mm; e

2. Desvio angular de posição igual ou inferior a 0,02°.

2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: a.

Robots ou operadores terminais especialmente concebidos para satisfazer normas nacionais de segurança aplicáveis no manuseamento de produtos altamente explosivos (por exemplo, que cumpram as especificações elétricas para produtos altamente explosivos);

Unidades de comando especialmente concebidas para qualquer dos robots ou operadores terminais especificados em 2B207.a.

Máquinas com ambas as seguintes características:

1. Três ou mais rolos (ativos ou de guiamento); e

2. Que, de acordo com as especificações técnicas do fabricante, possam ser equipadas com uma unidade de controlo numérico ou com comando por computador;

Mandris para a enformação de rotores, concebidos para enformar rotores cilíndricos de diâmetro interior compreendido entre 75 mm e 400 mm.

Máquinas centrifugadoras de equilibragem concebidas para equilibrar rotores flexíveis de comprimento igual ou superior a 600 mm, com todas as seguintes características:

1. Diâmetro útil ou diâmetro do moente superior a 75 mm;

2. Capacidade para massas compreendidas entre 0,9 e 23 kg; e

3. Capacidade para efetuar a equilibragem a velocidades de rotação superiores a 5000 rpm;

Máquinas centrifugadoras de equilibragem concebidas para equilibrar componentes cilíndricos ocos de rotores, com todas as seguintes características:

1. Diâmetro do moente igual ou superior a 75 mm;

2. Capacidade para massas compreendidas entre 0,9 e 23 kg;

3. Capacidade para efetuar a equilibragem com um desequilíbrio residual igual ou inferior a 0,01 kg × mm/kg por plano; e

4. Do tipo com transmissão por correia.

Capazes de penetrar em paredes de células quentes de espessura igual ou superior a 0,6 m (funcionamento através da parede); ou

Capazes de transpor, em ponte, a parte superior de paredes de células quentes de espessura igual ou superior a 0,6 m (funcionamento por cima da parede).

2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: a.

Fornos com todas as seguintes características:

1. Capazes de funcionar a temperaturas superiores a 1123 K (850 °C);

2. Bobinas de indução de diâmetro igual ou inferior a 600 mm; e

3. Concebidos para potências de alimentação iguais ou superiores a 5 kW;

Fontes de alimentação com uma potência de saída especificada igual ou superior a 5 kW, especialmente concebidas para os fornos especificados em 2B226.a.

Fornos de arco para refusão e fundição com ambas as seguintes características:

1. Capacidades para elétrodos consumíveis situadas entre 1000 cm3e 20000 cm3; e

2. Capazes de funcionar a temperaturas de fusão superiores a 1973 K (1700 °C);

Fornos de fusão por feixes de eletrões e fornos de atomização e fusão por plasma com ambas as seguintes características:

1. Potência igual ou superior a 50 kW; e

2. Capazes de funcionar a temperaturas de fusão superiores a 1473 K (1200 °C).

Sistemas de controlo e de monitorização por computador especialmente configurados para qualquer dos fornos referidos em 2B227.a. ou b.

Equipamentos para a montagem de rotores, utilizados na montagem de secções tubulares, defletores e tampas de rotores de centrifugadoras de gases; Nota: 2B228.a. inclui mandris de precisão, braçadeiras e máquinas de ajustamento por retração.

b. Nota técnica:

Equipamentos para o alinhamento de rotores, utilizados no alinhamento de secções tubulares de rotores de centrifugadoras de gases em relação a um eixo comum; Em 2B228.b., estes equipamentos são normalmente constituídos por sondas de medição de precisão ligadas a um computador que, em seguida, comanda, por exemplo, a ação dos macacos pneumáticos utilizados para alinhar as secções tubulares do rotor.

c. Nota técnica:

Mandris, cunhos e matrizes para a enformação de foles utilizados no fabrico de foles de espira única. Em 2B228.c., os foles têm todas as seguintes características:

1. Diâmetro interior compreendido entre 75 mm e 400 mm;

2. Comprimento igual ou superior a 12,7 mm;

3. Profundidade da espira única superior a 2 mm; e

4. Fabricados de ligas de alumínio de alta resistência, de aço maraging ou de materiais fibrosos ou filamentosos de alta resistência.

Elementos sensores da pressão fabricados ou protegidos com alumínio, liga de alumínio, óxido de alumínio (alumina ou safira), níquel ou liga de níquel com mais de 60 %, em massa, de níquel, ou polímeros de hidrocarbonetos totalmente fluorados;

Vedantes, se existirem, essenciais para vedar o elemento sensor da pressão, e em contacto direto com o meio de processo, fabricados ou protegidos com alumínio, liga de alumínio, óxido de alumínio (alumina ou safira), níquel ou liga de níquel com mais de 60 %, em massa, de níquel, ou polímeros de hidrocarbonetos totalmente fluorados; e

2B230 Com uma das seguintes características:

1. Uma escala completa de menos de 13 kPa e precisão superior (melhor que) a + 1 % de escala completa; ou

2. Uma escala completa de 13 kPa ou mais e precisão superior a (melhor que) ± 130 Pa, quando medida a 13 kPa.

2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Notas técnicas: 1.2. a.

Garganta de entrada de dimensão igual ou superior a 380 mm;

Velocidade de bombagem igual ou superior a 15 m3/s; e

Capazes de produzir um vácuo máximo melhor do que 13 mPa.

2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. a.

Capazes de um caudal volúmico de admissão de 50 m3/h, ou superior;

Capazes de uma razão de pressão de 2:1 ou superior; e

Com todas as superfícies que entram em contacto com o gás de processo constituídas por qualquer dos seguintes materiais:

1. Alumínio ou liga de alumínio;

2. Óxido de alumínio;

3. Aço inoxidável;

4. Níquel ou liga de níquel;

5. Bronze fosforoso; ou

6. Fluoropolímeros.

Vasos de reação ou reatores, com ou sem agitadores, de volume interior (geométrico) total superior a 0,1 m3 (100 l), mas inferior a 20 m3 (20000 l), caracterizados pelo facto de todas as superfícies que entram em contacto direto com o(s) produto(s) químico(s) processado(s) ou contido(s) serem constituídas por qualquer dos seguintes materiais:

1. Ligas com mais de 25 % de níquel e mais de 20 % de crómio, em massa;

2. Fluoropolímeros (materiais poliméricos ou elastoméricos com mais de 35 %, em massa, de flúor);

3. 2B350 a. Vidro (incluindo superfícies vitrificadas ou esmaltadas e revestimentos de vidro);

4. Níquel ou ligas com mais de 40 %, em massa, de níquel;

5. Tântalo ou ligas de tântalo;

6. Titânio ou ligas de titânio;

7. Zircónio ou ligas de zircónio; ou

8. Nióbio ou ligas de nióbio;

Agitadores concebidos para vasos de reação ou reatores especificados em 2B350.a., e rodas, pás ou veios para esses agitadores caracterizados pelo facto de todas as superfícies que entram em contacto direto com o(s) produto(s) químico(s) processado(s) ou contido(s) serem constituídas por um dos seguintes materiais:

1. Ligas com mais de 25 % de níquel e mais de 20 % de crómio, em massa;

2. Fluoropolímeros (materiais poliméricos ou elastoméricos com mais de 35 %, em massa, de flúor);

3. Vidro (incluindo superfícies vitrificadas ou esmaltadas e revestimentos de vidro);

4. Níquel ou ligas com mais de 40 %, em massa, de níquel;

5. Tântalo ou ligas de tântalo;

6. Titânio ou ligas de titânio;

7. Zircónio ou ligas de zircónio; ou

8. Nióbio ou ligas de nióbio;

Recipientes, tanques ou reservatórios de armazenagem de volume interior (geométrico) total superior a 0,1 m3 (100 l), caracterizados pelo facto de todas as superfícies que entram em contacto direto com o(s) produto(s) químico(s) processado(s) ou contido(s) serem constituídas por qualquer dos seguintes materiais:

1. Ligas com mais de 25 % de níquel e mais de 20 % de crómio, em massa;

2. Fluoropolímeros (materiais poliméricos ou elastoméricos com mais de 35 %, em massa, de flúor);

3. Vidro (incluindo superfícies vitrificadas ou esmaltadas e revestimentos de vidro);

4. Níquel ou ligas com mais de 40 %, em massa, de níquel;

5. Tântalo ou ligas de tântalo;

6. Titânio ou ligas de titânio;

7. Zircónio ou ligas de zircónio; ou

8. Nióbio ou ligas de nióbio;

Permutadores de calor ou condensadores com uma superfície de transferência de calor superior a 0,15 m2 e inferior a 20 m2, e tubos, placas, serpentinas ou blocos (núcleos) para esses permutadores ou condensadores caracterizados pelo facto de todas as superfícies que entram em contacto direto com o(s) produto(s) químico(s) processado(s) serem constituídas por qualquer dos seguintes materiais:

1. Ligas com mais de 25 % de níquel e mais de 20 % de crómio, em massa;

2. Fluoropolímeros (materiais poliméricos ou elastoméricos com mais de 35 %, em massa, de flúor);

3. Vidro (incluindo superfícies vitrificadas ou esmaltadas e revestimentos de vidro);

4. Grafite ou carbono grafite;

5. 2B350 d. Níquel ou ligas com mais de 40 %, em massa, de níquel;

6. Tântalo ou ligas de tântalo;

7. Titânio ou ligas de titânio;

8. Zircónio ou ligas de zircónio;

9. Carboneto de silício;

10. Carboneto de titânio; ou

11. Nióbio ou ligas de nióbio;

Colunas de destilação ou de absorção de diâmetro interior superior a 0,1 m, e distribuidores de líquido, distribuidores de vapor ou coletores de líquido concebidos para essas colunas de destilação ou de absorção, caracterizados pelo facto de todas as superfícies que entram em contacto direto com o(s) produto(s) químico(s) processado(s) serem constituídas por qualquer dos seguintes materiais:

1. Ligas com mais de 25 % de níquel e mais de 20 % de crómio, em massa;

2. Fluoropolímeros (materiais poliméricos ou elastoméricos com mais de 35 %, em massa, de flúor);

3. Vidro (incluindo superfícies vitrificadas ou esmaltadas e revestimentos de vidro);

4. Grafite ou carbono grafite;

5. Níquel ou ligas com mais de 40 %, em massa, de níquel;

6. Tântalo ou ligas de tântalo;

7. Titânio ou ligas de titânio;

8. Zircónio ou ligas de zircónio; ou

9. Nióbio ou ligas de nióbio;

Equipamentos de enchimento com comando à distância, caracterizados pelo facto de todas as superfícies que entram em contacto direto com o(s) produto(s) químico(s) processado(s) serem constituídas por qualquer dos seguintes materiais:

1. Ligas com mais de 25 % de níquel e mais de 20 % de crómio, em massa; ou

2. Níquel ou ligas com mais de 40 %, em massa, de níquel;

g. Notas técnicas: 1.2.

Válvulas e componentes, como se segue: Para efeitos de 2B350.g., entende-se por materiais resistentes à corrosão qualquer dos seguintes materiais: Por dimensão nominal entende-se o menor dos diâmetros de entrada e de saída.

1. Válvulas com ambas as seguintes características:

1. a.

Uma dimensão nominal superior a 10 mm (3/8″); e

Todas as superfícies que entram em contacto direto com o(s) produto(s) químico(s) produzido(s), processado(s) ou contido(s) serem constituídas por materiais resistentes à corrosão;

2. Válvulas, exceto as especificadas em 2B350.g.1., com todas as seguintes características:

2. a.

Uma dimensão nominal igual ou superior a 25,4 mm (1″) e igual ou inferior a 101,6 mm (4″);

Corpos de válvula ou revestimentos interiores preformados;

Um elemento de fecho concebido para ser intercambiável; e

Todas as superfícies do corpo de válvula ou revestimento interior preformado que entram em contacto direto com o(s) produto(s) químico(s) produzido(s), processado(s) ou contido(s) serem constituídas por materiais resistentes à corrosão;

3. 2B350 g. Componentes concebidos para válvulas especificadas em 2B350.g.1 ou 2B350.g.2., caracterizados pelo facto de todas as superfícies que entram em contacto direto com o(s) produto(s) químico(s) produzido(s), processado(s) ou contido(s) serem constituídas por materiais resistentes à corrosão:

3. a.

Corpos de válvula;

Revestimentos interiores preformados;

g. Notas técnicas: 1.

a.

Níquel ou ligas com mais de 40 %, em massa, de níquel;

b.

Ligas com mais de 25 % de níquel e mais de 20 %, em massa, de crómio;

c.

Fluoropolímeros (materiais poliméricos ou elastoméricos com mais de 35 %, em massa, de flúor);

d.

Vidro ou revestimento de vidro (incluindo superfícies vitrificadas ou esmaltadas);

e.

Tântalo ou ligas de tântalo;

f.

Titânio ou ligas de titânio;

g.

Zircónio ou ligas de zircónio;

h.

Nióbio ou ligas de nióbio; ou

i.

Materiais cerâmicos:

1. Carboneto de silício com uma pureza de 80 % ou mais em massa;

2. Óxido de alumínio com uma pureza de 99,9 % ou mais em massa;

3. Óxido de zircónio.

Tubagens de paredes múltiplas dotadas de um orifício de deteção de fugas, caracterizadas pelo facto de todas as superfícies que entram em contacto direto com o(s) produto(s) químico(s) processado(s) ou contido(s) serem constituídas por qualquer dos seguintes materiais:

1. Ligas com mais de 25 % de níquel e mais de 20 % de crómio, em massa;

2. Fluoropolímeros (materiais poliméricos ou elastoméricos com mais de 35 %, em massa, de flúor);

3. Vidro (incluindo superfícies vitrificadas ou esmaltadas e revestimentos de vidro);

4. Grafite ou carbono grafite;

5. Níquel ou ligas com mais de 40 %, em massa, de níquel;

6. Tântalo ou ligas de tântalo;

7. Titânio ou ligas de titânio;

8. Zircónio ou ligas de zircónio; ou

9. Nióbio ou ligas de nióbio;

i. Nota técnica:

2B350 Bombas com vedante múltiplo ou sem vedante cujo caudal máximo especificado pelo fabricante seja superior a 0,6 m3/h, ou bombas de vácuo cujo caudal máximo especificado pelo fabricante seja superior a 5 m3/h [nas condições normais de pressão (101,3 kPa) e temperatura (273 K (0 °C)], exceto as especificadas em 2B233; e carcaças (corpos de bomba), revestimentos interiores preformados, impulsores, rotores ou tubeiras para essas bombas, caracterizados pelo facto de todas as superfícies que entram em contacto direto com o(s) produto(s) químico(s) processado(s) serem constituídas pelos seguintes materiais: Em 2B350.i., o termo vedante refere-se apenas aos vedantes que entram em contacto direto com o(s) produto(s) químico(s) em processamento (ou a processar), e fornecem uma função de vedação onde um veio motor rotativo ou alternativo passa através de um corpo de bomba.

1. Ligas com mais de 25 % de níquel e mais de 20 % de crómio, em massa;

2. Materiais cerâmicos;

3. Ferrossilício (ligas de ferro com alto teor de silício);

4. Fluoropolímeros (materiais poliméricos ou elastoméricos com mais de 35 %, em massa, de flúor);

5. Vidro (incluindo superfícies vitrificadas ou esmaltadas e revestimentos de vidro);

6. Grafite ou carbono grafite;

7. Níquel ou ligas com mais de 40 %, em massa, de níquel;

8. Tântalo ou ligas de tântalo;

9. Titânio ou ligas de titânio;

10. Zircónio ou ligas de zircónio; ou

11. Nióbio ou ligas de nióbio;

Incineradores concebidos para destruir os produtos químicos especificados em 1C350, equipados com sistemas de alimentação de resíduos especificamente concebidos e com dispositivos de manipulação especiais, com uma temperatura média na câmara de combustão superior a 1273 K (1000 °C) e caracterizados pelo facto de todas as superfícies do sistema de alimentação de resíduos que entram em contacto direto com estes últimos serem constituídas ou revestidas por qualquer dos seguintes materiais:

1. Ligas com mais de 25 % de níquel e mais de 20 % de crómio, em massa;

2. Materiais cerâmicos, ou

3. Níquel ou ligas com mais de 40 %, em massa, de níquel.

2B Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6. Notas técnicas: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Nota técnica: Notas técnicas: Nota técnica: Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. a.

Concebidos para funcionar em contínuo e utilizáveis na deteção de concentrações inferiores a 0,3mg/m3 de agentes de guerra química ou dos produtos químicos especificados em 1C350; ou

Concebidos para a deteção de atividade inibidora da colinesterase.

a. Nota técnica:

Instalações completas para a contenção de materiais biológicos de nível de contenção P3 e P4; Os níveis de contenção P3 ou P4 (BL3, BL4, L3, L4) estão definidos no Laboratory Biosafety Manual da OMS (3.a edição, Genebra, 2004).

b. Nota técnica:

Fermentadores e componentes, como se segue: Para efeitos de 2B352.b., os fermentadores incluem os biorreatores, os biorreatores de utilização única (descartáveis), os quimióstatos e os sistemas de débito contínuo.

1. Fermentadores adequados para a cultura de microrganismos patogénicos ou células vivas para a produção de vírus ou toxinas, sem propagação de aerossóis, que possuam uma capacidade igual ou superior a 20 litros;

2. Componentes concebidos para fermentadores em 2B352.b.1., nomeadamente:

2. a.

Câmaras de cultura concebidas para serem esterilizadas ou desinfetadas in situ;

Dispositivos de suporte de câmara de cultura;

Unidades de controlo de processos capazes de monitorizar e controlar simultaneamente dois ou mais parâmetros do sistema de fermentação (por exemplo, temperatura, pH, nutrientes, agitação, oxigénio dissolvido, caudal de ar, controlo de espuma);

c. Nota técnica:

Separadores centrífugos capazes de separação contínua sem propagação de aerossóis, com todas as seguintes características: Os separadores centrífugos incluem os decantadores.

1. Caudal superior a 100 litros por hora;

2. Componentes de titânio ou de aço inoxidável polido;

3. Uma ou mais juntas de vedação na zona de contenção do vapor; e

4. Em que possa ser efetuada a esterilização in situ a vapor com o centrifugador fechado;

Equipamentos de filtragem em contracorrente (corrente tangencial) e respetivos componentes: Nota: 2B352.d. não abrange o equipamento de osmose inversa, especificado pelo fabricante.

1. Equipamento de filtragem em contracorrente (corrente tangencial) concebido para separação de microrganismos patogénicos, vírus, toxinas ou culturas de células, com todas as seguintes características:

1. a.

Superfície total de filtragem igual ou superior a 1 m2; e

b. Nota técnica:

Com qualquer das seguintes características: Em 2B352.d.1.b, por esterilização entende-se a eliminação de todos os micróbios viáveis do equipamento mediante a utilização de agentes físicos (por exemplo, vapor) ou químicos. Por desinfeção entende-se a destruição da potencial infecciosidade microbiana do equipamento mediante a utilização de agentes químicos com efeito germicida. A desinfeção e a esterilização são distintas da sanitização, que designa os procedimentos de limpeza destinados a reduzir o teor microbiano do equipamento, sem necessariamente chegar a eliminar toda a infecciosidade ou viabilidade microbiana.

1. Capacidade de esterilização ou desinfeção in situ; ou

2. Utilização de componentes de filtragem descartáveis ou de utilização única.

2. 2B352 d. Componentes para equipamento de filtragem em contracorrente (corrente tangencial) (por exemplo, módulos, elementos, cassetes, cartuchos, unidades ou placas) com uma superfície de filtragem igual ou superior a 0,2 m2 para cada componente e destinados a utilização nos equipamento de filtragem em contracorrente (corrente tangencial) especificados em 2B352.d.;

Equipamentos de liofilização esterilizáveis a vapor, equipados com um condensador de capacidade superior a 10 kg de gelo em 24 horas e inferior a 1000 kg de gelo em 24 horas;

Equipamentos de proteção e de contenção, como se segue:

1. Fatos de proteção completos ou parciais ou capacetes dependentes de uma fonte de ar exterior e funcionando a pressão positiva: Nota: 2B352.f.1 não abrange fatos destinados a serem utilizados com aparelho de respiração autónomo.

2. Compartimentos ou isoladores de segurança biológica de classe III, com normas de desempenho semelhantes; Nota: Em 2B352.f.2., os isoladores incluem isoladores flexíveis, caixas secas, câmaras anaeróbias, caixas com luvas e exaustores de escoamento laminar (fechados, com fluxo vertical).

Câmaras concebidas para ensaios de deteção de aerossóis com toxinas, vírus ou microrganismos, de capacidade igual ou superior a 1 m3;

Equipamento de secagem por pulverização concebido para secar toxinas ou microrganismos patogénicos, com todas as seguintes características:

1. Capacidade de evaporação de água de ≥ 0,4 kg/h e ≤ 400 kg/h;

2. Capacidade de gerar um tamanho médio típico de partículas de produto ≤ 10 μm com dispositivos existentes ou com uma modificação mínima do secador por pulverização com bicos de atomização que permitam a geração do tamanho de partículas requerido; e

3. Capacidade de esterilização ou desinfeção in situ.

2C Materiais Nenhum.

2D Software 2D001 Software, exceto o especificado em 2D002, como se segue: Nota: 2D001 não abrange o software de programação de partes que gera códigos de controlo numérico para maquinagem de diversas partes. 2D002 Software para dispositivos eletrónicos, mesmo quando residentes no próprio dispositivo eletrónico, que permita que esses dispositivos ou sistemas funcionem como unidades de controlo numérico, capazes de fazer a coordenação simultânea de mais de quatro eixos para controlo de contorno. Nota 1: 2D002 não abrange o software especialmente concebido ou modificado para o comando de máquinas-ferramentas não especificadas na categoria 2. Nota 2: 2D002 não abrange o software para o equipamento especificado em 2B002. Ver 2D001 e 2D003 para software destinado a produtos especificados em 2B002. Nota 3: 2D002 não abrange o software que é exportado com, e o mínimo necessário para a operação de, produtos não especificados na categoria 2. 2D003 Software concebido ou modificado para a operação dos equipamentos especificados em 2B002, que converte as funções de conceção ótica, medições de peças e de remoção de material em comandos de controlo numérico para alcançar a forma desejada da peça. 2D101 Software especialmente concebido ou modificado para a utilização dos equipamentos especificados em 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 ou 2B119 a 2B122. N.B.: VER TAMBÉM 9D004. 2D201 Software especialmente concebido para a utilização dos equipamentos especificados em 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 ou 2B227. 2D202 Software especialmente concebido ou modificado para o desenvolvimento, produção ou utilização do equipamento especificado em 2B201. Nota: 2D202 não abrange o software de programação de partes que gera códigos de controlo numérico, mas não permite a utilização direta de equipamentos para maquinagem de diversas partes. 2D351 Software, exceto o especificado em 1D003, especialmente concebido para a utilização do equipamento especificado em 2B351.

2D a.

Software especialmente concebido ou modificado para o desenvolvimento ou a produção dos equipamentos especificados em 2A001 ou 2B001;

Software especialmente concebido ou modificado para a utilização dos equipamentos especificados em 2A001.c, 2B001 ou 2B003 a 2B009.

2E Quadro 1.2.3.A.B.B.1.B.2.B.3.B.4.C.D.E.F.G. Técnicas de deposição

Tecnologia 2E001 Tecnologia na aceção da Nota Geral sobre Tecnologia para o desenvolvimento dos equipamentos ou do software especificados em 2A, 2B ou 2D. Nota: 2E001 inclui tecnologia para a integração de sistemas de sonda em máquinas de medição por coordenadas especificadas em 2B006.a. 2E002 Tecnologia, na aceção da Nota Geral sobre Tecnologia, para a produção dos equipamentos especificados em 2A ou 2B. 2E003 Outra tecnologia: 2E101 Tecnologia, na aceção da Nota Geral sobre Tecnologia, para a utilização dos equipamentos ou software especificados em 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 a 2B122 ou 2D101. 2E201 Tecnologia, na aceção da Nota Geral sobre Tecnologia, para a utilização dos equipamentos ou software especificados em 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 a 2B233, 2D201 ou 2D202. 2E301 Tecnologia, na aceção da Nota Geral sobre Tecnologia, para a utilização dos bens especificados em 2B350 a 2B352. Processo de revestimento (1) Substrato Revestimento resultante Deposição em fase vapor por processo químico (CVD) Superligas Aluminetos para tubulações internas Materiais cerâmicos (19) e vidros de pequena dilatação (14) Silicietos Carbonetos Camadas dielétricas (15) Diamante Carbono diamante (17) Materiais compósitos carbono-carbono, cerâmicos e de matriz metálica Silicietos Carbonetos Metais refratários Misturas destes (4) Camadas dielétricas (15) Aluminetos Aluminetos ligados (2) Nitreto de boro Carboneto de tungsténio cementado (16), Carboneto de silício (18) Carbonetos Tungsténio Misturas destes (4) Camadas dielétricas (15) Molibdénio e ligas de molibdénio Camadas dielétricas (15) Berílio e ligas de berílio Camadas dielétricas (15) Diamante Carbono diamante (17) Materiais para janelas de sensores (9) Camadas dielétricas (15) Diamante Carbono diamante (17) Deposição em fase vapor por processo físico com evaporação térmica (TE–PVD) Deposição em fase vapor por processo físico (PVD): Feixe de eletrões (EB-PVD) Superligas Silicietos ligados Aluminetos ligados (2) MCrAlX (5) Zircónio modificado (12) Silicietos Aluminetos Misturas destes (4) Materiais cerâmicos (19) e vidros de pequena dilatação (14) Camadas dielétricas (15) Aço resistente à corrosão (7) MCrAlX (5) Zircónio modificado (12) Misturas destes (4) Materiais compósitos carbono-carbono, cerâmicos e de matriz metálica Silicietos Carbonetos Metais refratários Misturas destes (4) Camadas dielétricas (15) Nitreto de boro Carboneto de tungsténio cementado (16), Carboneto de silício (18) Carbonetos Tungsténio Misturas destes (4) Camadas dielétricas (15) Molibdénio e ligas de molibdénio Camadas dielétricas (15) Berílio e ligas de berílio Camadas dielétricas (15) Boretos Berílio Materiais para janelas de sensores (9) Camadas dielétricas (15) Ligas de titânio (13) Boretos Nitretos Deposição em fase vapor por processo físico com aquecimento por resistência assistida por feixe de iões (PVD) (metalização iónica) Materiais cerâmicos (19) e vidros de pequena dilatação (14) Camadas dielétricas (15) Carbono diamante (17) Materiais compósitos carbono-carbono, cerâmicos e de matriz metálica Camadas dielétricas (15) Carboneto de tungsténio cementado (16), Carboneto de silício Camadas dielétricas (15) Molibdénio e ligas de molibdénio Camadas dielétricas (15) Berílio e ligas de berílio Camadas dielétricas (15) Materiais para janelas de sensores (9) Camadas dielétricas (15) Carbono diamante (17) Deposição em fase vapor por processo físico (PVD): Vaporização por laser Materiais cerâmicos (19) e vidros de pequena dilatação (14) Silicietos Camadas dielétricas (15) Carbono diamante (17) Materiais compósitos carbono-carbono, cerâmicos e de matriz metálica Camadas dielétricas (15) Carboneto de tungsténio cementado (16), Carboneto de silício Camadas dielétricas (15) Molibdénio e ligas de molibdénio Camadas dielétricas (15) Berílio e ligas de berílio Camadas dielétricas (15) Materiais para janelas de sensores (9) Camadas dielétricas (15) Carbono diamante Deposição em fase vapor por processo físico (PVD): Descarga por arco catódico Superligas Silicietos ligados Aluminetos ligados (2) MCrAlX (5) Polímeros (11) e materiais compósitos de matriz orgânica Boretos Carbonetos Nitretos Carbono diamante (17) Cementação em caixa (ver A para a cementação fora de caixa) (10) Materiais compósitos carbono-carbono, cerâmicos e de matriz metálica Silicietos Carbonetos Misturas destes (4) Ligas de titânio (13) Silicietos Aluminetos Aluminetos ligados (2) Metais e ligas refratários (8) Silicietos Óxidos Pulverização por plasma Superligas MCrAlX (5) Zircónio modificado (12) Misturas destes (4) Níquel-grafite que possa ser submetido a abrasão Materiais que contenham Ni-Cr-Al e possam ser submetidos a abrasão Al-Si-poliéster que possa ser submetido a abrasão Aluminetos ligados (2) Ligas de alumínio (6) MCrAlX (5) Zircónio modificado (12) Silicietos Misturas destes (4) Metais e ligas refratários (8) Aluminetos Silicietos Carbonetos Aço resistente à corrosão (7) MCrAlX (5) Zircónio modificado (12) Misturas destes (4) Ligas de titânio (13) Carbonetos Aluminetos Silicietos Aluminetos ligados (2) Níquel-grafite que possa ser submetido a abrasão Materiais que contenham Ni-Cr-Al e possam ser submetidos a abrasão Al-Si-poliéster que possa ser submetido a abrasão Deposição de mistura pastosa líquida Metais e ligas refratários (8) Silicietos fundidos Aluminetos fundidos exceto no que se refere a elementos de aquecimento por resistência elétrica Materiais compósitos carbono-carbono, cerâmicos e de matriz metálica Silicietos Carbonetos Misturas destes (4) Deposição por pulverização catódica Superligas Silicietos ligados Aluminetos ligados (2) Aluminetos modificados por metais nobres (3) MCrAlX (5) Zircónio modificado (12) Platina Misturas destes (4) Materiais cerâmicos e vidros de pequena dilatação (14) Silicietos Platina Misturas destes (4) Camadas dielétricas (15) Carbono diamante (17) Ligas de titânio (13) Boretos Nitretos Óxidos Silicietos Aluminetos Aluminetos ligados (2) Carbonetos Materiais compósitos carbono-carbono, cerâmicos e de matriz metálica Silicietos Carbonetos Metais refratários Misturas destes (4) Camadas dielétricas (15) Nitreto de boro Carboneto de tungsténio cementado (16), Carboneto de silício (18) Carbonetos Tungsténio Misturas destes (4) Camadas dielétricas (15) Nitreto de boro Molibdénio e ligas de molibdénio Camadas dielétricas (15) Berílio e ligas de berílio Boretos Camadas dielétricas (15) Berílio Materiais para janelas de sensores (9) Camadas dielétricas (15) Carbono diamante (17) Metais e ligas refratários (8) Aluminetos Silicietos Óxidos Carbonetos Implantação iónica Aços para rolamentos para altas temperaturas Incorporação de crómio, tântalo ou nióbio Ligas de titânio (13) Boretos Nitretos Berílio e ligas de berílio Boretos Carboneto de tungsténio cementado (16) Carbonetos Nitretos

2E a.

Tecnologia para o desenvolvimento de gráficos interativos integrados em unidades de controlo numérico, para a preparação ou modificação de programas de peças;

Tecnologia para processos que envolvam o trabalho de metais, como se segue:

1. Tecnologia para a conceção de ferramentas, matrizes ou dispositivos fixos especialmente concebidos para qualquer dos seguintes processos:

1. a.

Enformação superplástica;

Soldadura por difusão; ou

Prensagem hidráulica por ação direta;

2. Dados técnicos constituídos por métodos ou parâmetros de processo, a seguir enumerados, utilizados para controlar:

2. a.

A enformação superplástica de ligas de alumínio, ligas de titânio ou superligas:

1. Preparação das superfícies;

2. Velocidade de deformação;

3. Temperatura;

4. Pressão;

2E003 b. 2. A soldadura por difusão de superligas ou de ligas de titânio:

1. Preparação das superfícies;

2. Temperatura;

3. Pressão;

A prensagem hidráulica por ação direta de ligas de alumínio ou de ligas de titânio:

1. Pressão;

2. Duração do ciclo;

A densificação isostática a quente de ligas de titânio, de ligas de alumínio ou de superligas:

1. Temperatura;

2. Pressão;

3. Duração do ciclo;

Tecnologia para o desenvolvimento ou produção de máquinas de enformação por estiramento hidráulico e respetivos cunhos e matrizes, para o fabrico de estruturas de células;

Tecnologia para o desenvolvimento de geradores de instruções (por exemplo, programas de peças) de máquinas-ferramentas a partir de dados de projeto residentes em unidades de controlo numérico;

Tecnologia para o desenvolvimento de software de integração, para a incorporação, em unidades de controlo numérico, de sistemas periciais de apoio avançado a decisões no âmbito de operações a nível da fábrica;

Tecnologia para a aplicação de revestimentos inorgânicos por cobertura ou modificação da superfície (especificados na coluna 3 do quadro seguinte) em substratos não eletrónicos (especificados na coluna 2 do quadro seguinte) por processos especificados na coluna 1 do quadro seguinte e definidos nas Notas Técnicas. Nota: O quadro e as Notas Técnicas encontram-se após a entrada 2E301. N.B.: Este quadro destina-se apenas a especificar a tecnologia de cada processo de revestimento no caso de o revestimento resultante mencionado na coluna 3 figurar no parágrafo diretamente correspondente ao substrato pertinente mencionado na coluna 2. Por exemplo, os dados técnicos do processo de revestimento deposição em fase vapor por processo químico (CVD) são incluídos no que se refere à aplicação de silicietos aos substratos materiais compósitos carbono–carbono, cerâmicos e de matriz metálica, mas não são incluídos no que se refere à aplicação de silicietos aos substratos carboneto de tungsténio cementado (16) e carboneto de silício (18). No segundo caso, o revestimento resultante não consta do parágrafo da coluna 3 diretamente correspondente aos substratos carboneto de tungsténio cementado (16) e carboneto de silício (18) da coluna 2.

2E Quadro 1.2.3.A.B.B.1.B.2.B.3.B.4.C.D.E.F.G. Técnicas de deposição QUADRO – TÉCNICAS DE DEPOSIÇÃO – NOTAS 1.2.3.4.5.6.7.8.9.10.11.12.13.14.15.16.17.18.19.

A designação processo de revestimento abrange tanto o revestimento original como a reparação ou renovação do revestimento. A designação revestimento de alumineto ligado abrange os revestimentos executados numa única ou em várias fases, no decorrer das quais são depositados um ou mais elementos, antes ou durante a aplicação do revestimento de alumineto, ainda que esses elementos sejam depositados por outro processo de revestimento. Contudo, esta designação não abrange os aluminetos ligados obtidos por sucessivos processos de cementação em caixa numa só fase. A designação revestimento de alumineto modificado por metais nobres abrange os revestimentos executados em várias fases, no decorrer das quais são depositados um ou mais elementos, antes ou durante a aplicação do revestimento de alumineto, ainda que esses elementos sejam depositados por outro processo de revestimento. A designação misturas destes abrange os materiais infiltrados, as composições graduadas, as codeposições e os depósitos de camadas múltiplas, obtidos por um ou mais dos processos de revestimento enumerados no quadro. MCrAlX designa as ligas de revestimento; M representa cobalto, ferro, níquel ou combinações destes elementos e X representa háfnio, ítrio, silício ou tântalo, em qualquer quantidade, ou outras incorporações intencionais que representem mais de 0,01 %, em massa, em proporções e combinações diversas, exceto: A designação ligas de alumínio abrange as ligas com tensão de rutura à tração igual ou superior a 190 MPa, medida a 293 K (20 °C). A designação aço resistente à corrosão abrange os aços da série 300 do AISI (American Iron and Steel Institute) ou os aços correspondentes a normas nacionais equivalentes. Metais e ligas refratários abrange os seguintes metais e respetivas ligas: nióbio, molibdénio, tungsténio e tântalo. A designação materiais para janelas de sensores abrange os seguintes materiais: alumina, silício, germânio, sulfureto de zinco, selenieto de zinco, arsenieto de gálio, diamante, fosforeto de gálio, safira e os seguintes halogenetos metálicos: no que se refere a materiais para janelas de sensores com mais de 40 mm de diâmetro, fluoreto de zircónio e fluoreto de háfnio. A tecnologia para a cementação em caixa numa só fase de perfis aerodinâmicos maciços não é abrangida pela categoria 2. A designação polímeros abrange os seguintes polímeros: poliimidas, poliésteres, polissulfuretos, policarbonatos e poliuretanos. A designação zircónio modificado abrange os zircónios em que tenham sido incorporados outros óxidos metálicos (por exemplo, óxidos de cálcio, de magnésio, de ítrio, de háfnio, de terras raras), para estabilizar determinadas fases cristalográficas e composições de fases. Não são abrangidos os revestimentos de zircónio, modificados com óxidos de cálcio ou de magnésio por mistura ou fusão, que sirvam de barreira térmica. A designação ligas de titânio abrange apenas as ligas utilizadas na indústria aeroespacial com uma resistência à rutura à tração igual ou superior a 900 MPa, medida a 293 K (20 °C). A designação vidros de pequena dilatação abrange os vidros com coeficiente de dilatação térmica igual ou inferior a 1 × 10-7 K-1, medido a 293 K (20 °C). As camadas dielétricas são revestimentos constituídos por várias camadas de materiais isolantes, utilizando-se as propriedades de interferência de um conjunto de materiais com índices de refração distintos para refletir, transmitir ou absorver diferentes bandas de comprimento de onda. A designação camadas dielétricas diz respeito a mais de quatro camadas dielétricas ou camadas compósitas dielétrico/metal. A designação carboneto de tungsténio cementado não abrange os materiais para ferramentas de corte e de enformação quando se tratar de carboneto de tungsténio/(cobalto, níquel), carboneto de titânio/(cobalto, níquel), carboneto de crómio/níquel–crómio e carboneto de crómio/níquel. Não é abrangida a tecnologia especialmente concebida para a deposição de carbono diamante sobre a superfície de qualquer dos objetos a seguir indicados: cabeças e unidades de disco magnéticas, equipamento para o fabrico de objetos descartáveis, válvulas para torneiras, diafragmas acústicos para altifalantes, peças de motores de automóvel, ferramentas de corte, matrizes de perfurar ou de estampar, equipamentos de burótica, microfones ou instrumentos médicos, ou moldes para o vazamento ou moldagem de plásticos, fabricados a partir de ligas com menos de 5 % de berílio. A designação carboneto de silício não abrange os materiais para ferramentas de corte e de enformação. Os materiais cerâmicos a que aqui se faz referência não abrangem os materiais cerâmicos que contenham, em massa, 5 % ou mais de argila ou cimento, quer como constituintes separados, quer combinados.

QUADRO – TÉCNICAS DE DEPOSIÇÃO – NOTAS 1.2.3.4.5.

a.

Revestimentos de CoCrAlY com menos de 22 %, em massa, de crómio, menos de 7 %, em massa, de alumínio e menos de 2 %, em massa, de ítrio;

b.

Revestimentos de CoCrAlY com 22 % a 24 %, em massa, de crómio, 10 % a 12 %, em massa, de alumínio e 0,5 % a 0,7 %, em massa, de ítrio; ou

c.

Revestimentos de NiCrAlY com 21 % a 23 %, em massa, de crómio, 10 % a 12 %, em massa, de alumínio e 0,9 % a 1,1 %, em massa, de ítrio;

QUADRO – TÉCNICAS DE DEPOSIÇÃO – NOTAS TÉCNICAS

Aos processos enumerados na coluna 1 do quadro correspondem as seguintes definições:

a.

A deposição em fase vapor por processo químico (CVD) é um processo de revestimento por cobertura ou por modificação da superfície caracterizado pela deposição de um metal, liga, material compósito, material dielétrico ou material cerâmico num substrato aquecido. Os reagentes gasosos são decompostos ou combinados na vizinhança de um substrato, o que dá lugar à deposição do elemento, liga ou material composto desejado nesse substrato. A energia necessária para o processo de decomposição ou de reação química poderá ser fornecida pelo calor do próprio substrato, por um plasma de descarga luminescente ou por uma irradiação laser. N.B. 1: A designação deposição em fase vapor por processo químico abrange os seguintes processos: deposição fora de caixa com fluxo de gás dirigido, CVD pulsante, deposição térmica com nucleação controlada (CNTD) e processos de deposição em fase vapor por processo químico ativados ou assistidos por plasma. N.B. 2: O termo caixa designa um substrato imerso numa mistura de pós. N.B. 3: Os reagentes gasosos utilizados no processo fora de caixa são obtidos recorrendo às mesmas reações e parâmetros básicos utilizados no processo de cementação em caixa, com a diferença de que o substrato a revestir não está em contacto com a mistura de pós.

b.

A deposição em fase vapor por processo físico com vaporização térmica (TE-PVD) é um processo de revestimento por cobertura conduzido em câmara de vácuo, a uma pressão inferior a 0,1 Pa, caracterizado por se utilizar uma fonte de energia térmica para vaporizar o material de revestimento. Este processo dá lugar à condensação, ou à deposição, das espécies vaporizadas sobre substratos convenientemente posicionados. A introdução de gases na câmara de vácuo durante o processo de revestimento, para sintetizar revestimentos compostos, constitui uma variante corrente do processo. A utilização de feixes de iões ou de eletrões, ou de plasma, para ativar ou assistir a deposição do revestimento constitui também uma modificação corrente desta técnica. É ainda possível utilizar instrumentos de controlo para medir as características óticas e a espessura dos revestimentos no decurso destes processos. A deposição em fase vapor por processo físico com vaporização térmica (TE-PVD) abrange os seguintes processos:

1. A deposição em fase vapor por processo físico com feixe de eletrões, na qual se utiliza um feixe de eletrões para aquecer e vaporizar o material que irá constituir o revestimento;

2. A deposição em fase vapor por processo físico com aquecimento por resistência assistida por feixes de iões, na qual se utilizam fontes de aquecimento por resistência elétrica em associação com o impacto de feixes de iões de forma a produzir um fluxo controlado e uniforme do material vaporizado que irá constituir o revestimento;

3. A vaporização por laser, na qual se utilizam feixes laser contínuos ou pulsados para aquecer o material que irá constituir o revestimento;

4. A deposição por arco catódico, na qual se utiliza um cátodo consumível do material que irá constituir o revestimento e se produz uma descarga de arco na superfície, por contacto momentâneo de um disparador ligado à terra. A movimentação controlada do arco desgasta a superfície do cátodo, criando um plasma fortemente ionizado. O ânodo poderá ser um cone, fixado na periferia do cátodo com um isolador, ou a própria câmara. A polarização do substrato permite efetuar a deposição em zonas fora da linha de visão. N.B.: Esta definição não abrange a deposição por arco catódico não dirigido em substratos não polarizados.

5. A metalização iónica, que é uma modificação especial do processo geral TE-PVD, na qual se utiliza uma fonte de iões ou um plasma para ionizar a espécie a depositar e se aplica uma polarização negativa ao substrato, de modo a facilitar a extração da espécie do plasma. A introdução de espécies reativas, a vaporização de sólidos na câmara onde decorre o processo e a utilização de instrumentos de controlo para medir as características óticas e a espessura dos revestimentos no decurso do processo constituem modificações correntes deste processo.

c.

A cementação em caixa é um processo de revestimento por modificação da superfície ou por cobertura, no qual um substrato é imerso numa mistura de pós (caixa), da qual fazem parte: O substrato e a mistura de pós são introduzidos numa retorta, que é aquecida a uma temperatura compreendida entre 1030 K (757 °C) e 1375 K (1102 °C) durante o tempo necessário para a deposição do revestimento.

1. Os pós metálicos a depositar (em geral, de alumínio, crómio, silício ou combinações destes);

2. Um ativador (normalmente um halogeneto); e

3. Um pó inerte, quase sempre alumina.

d.

A pulverização por plasma é um processo de revestimento por cobertura no qual um canhão (maçarico pulverizador), que produz e controla um plasma, contém os materiais que irão constituir o revestimento, sob a forma de pó ou de fio, procede à sua fusão e os projeta contra um substrato, onde se forma um revestimento totalmente aderente. A pulverização por plasma poderá ser uma pulverização por plasma a baixa pressão ou uma pulverização por plasma a alta velocidade. N.B. 1: Por baixa pressão entende-se uma pressão inferior à pressão atmosférica ambiente. N.B. 2: Por alta velocidade entende-se uma velocidade do gás à saída do canhão superior a 750 m/s, calculada a 293 K (20 °C) para uma pressão de 0,1 MPa.

e.

A deposição de barbotina é um processo de revestimento por modificação da superfície ou por cobertura, no qual um pó metálico ou cerâmico com um ligante orgânico, em suspensão num líquido, é aplicado a um substrato por pulverização, imersão ou pintura. Depois de seco ao ar ou num forno, o conjunto é submetido a um tratamento térmico, a fim de se obter o revestimento pretendido.

f.

A deposição por pulverização catódica é um processo de revestimento por cobertura baseado num fenómeno de transferência de quantidade de movimento, no qual iões positivos são acelerados por um campo elétrico até à superfície de um alvo (do material que irá constituir o revestimento). A energia cinética dos iões que chocam com o alvo é suficiente para libertar átomos da sua superfície, indo estes depositar-se num substrato convenientemente posicionado. N.B. 1: O quadro diz respeito, unicamente, à deposição por pulverização catódica com tríodo, com magnetrão ou reativa, utilizadas para aumentar a aderência do revestimento e a velocidade de deposição, e à deposição por pulverização catódica intensificada por radiofrequência (RF), utilizada para permitir a vaporização de materiais de revestimento não metálicos. N.B. 2: Para ativar a deposição podem ser utilizados feixes iónicos de baixa energia (inferior a 5 keV).

g.

A implantação iónica é um processo de revestimento por modificação da superfície, no qual o elemento a ligar é ionizado, acelerado num gradiente de potencial e implantado na zona superficial do substrato. Esta definição abrange processos em que a implantação iónica seja concomitante com uma deposição em fase vapor por processo físico com feixe de eletrões ou com uma deposição por pulverização catódica.

CATEGORIA 3 ELETRÓNICA

3A Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2.

Sistemas, equipamentos e componentes Nota 1: O estatuto dos equipamentos e componentes referidos em 3A001 ou 3A002, exceto os referidos em 3A001.a.3.a 3A001.a.10., 3A001.a.12. ou 3A001.a.13., que sejam especialmente concebidos para apresentar as mesmas características funcionais que outros equipamentos ou que possuam essas mesmas características, é determinado pelo estatuto desses outros equipamentos. Nota 2: O estatuto dos circuitos integrados referidos em 3A001.a.3.a 3A001.a.9. ou 3A001.a.12., concebidos ou programados de forma inalterável para uma função específica para outros equipamentos, é determinado pelo estatuto dos outros equipamentos. N.B.: Caso o fabricante ou o requerente não possam determinar o estatuto dos outros equipamentos, o estatuto dos circuitos integrados é determinado em 3A001.a.3.a 3A001.a.9., 3A001.a.12. e 3A001.a.13. 3A 3A001 Componentes eletrónicos e componentes especialmente concebidos para os mesmos: 3A002 Equipamentos eletrónicos de uso geral: 3A003 Sistemas de gestão térmica por spray cooling (arrefecimento por pulverização) que utilizem equipamento de circulação e recondicionamento do fluido em circuito fechado numa cápsula selada em que um fluido dielétrico é aspergido sobre os componentes eletrónicos usando tubeiras especialmente concebidas para o efeito a fim de os manter dentro da respetiva gama de temperaturas de funcionamento, e componentes especialmente concebidos para os mesmos. 3A101 Equipamentos, dispositivos e componentes eletrónicos, exceto os especificados em 3A001: 3A102 Baterias térmicas concebidas ou modificadas para mísseis. Em 3A102, baterias térmicas são baterias de utilização única cujo eletrólito é um sal inorgânico sólido não condutor. Estas baterias integram um material pirolítico que, quando inflamado, funde o eletrólito e ativa a bateria. Em 3A102, por mísseis entende-se os sistemas completos de foguetes e os sistemas de veículos aéreos não tripulados capazes de um alcance superior a 300 km. 3A201 Componentes eletrónicos, exceto os especificados em 3A001, como se segue: 3A225 Modificadores ou geradores de frequência, exceto os especificados em 0B001.b.13., utilizáveis como um controlador de frequência variável ou fixa, com todas as seguintes características: N.B. 1: O software especialmente concebido para melhorar ou libertar o desempenho de um modificador ou gerador de frequência para satisfazer as características de 3A225 é especificado em 3D225. N.B. 2: A tecnologia, sob a forma de códigos ou chaves para melhorar ou libertar o desempenho de um modificador ou gerador de frequência para satisfazer as características de 3A225 é especificada em 3E 225. Nota: 3A225 não abrange os modificadores ou geradores de frequência se tiverem restrições de hardware, software ou tecnologia que limitem o desempenho a valores inferiores ao especificado supra, na condição de satisfazerem qualquer das seguintes características: Os modificadores de frequência em 3A225 são igualmente conhecidos por conversores ou inversores. Os modificadores de frequência em 3A 225 podem ser comercializados como geradores, equipamento eletrónico de ensaio, fontes de alimentação de corrente alterna, variadores de velocidade para motores, variadores de velocidade (VSD), variadores de frequência (VFD), reguladores de frequência (AFD) ou reguladores de velocidade (ASD). 3A226 Fontes de alimentação de corrente contínua de alta potência, exceto as especificadas em 0B001.j.6., com ambas as seguintes características: 3A227 Fontes de alimentação de corrente contínua de alta tensão, exceto as especificadas em 0B001.j.5., com ambas as seguintes características: 3A228 Dispositivos de comutação, como se segue: 3A229 Geradores de impulsos de alta corrente equivalentes. N.B.: VER TAMBÉM A LISTA DE MATERIAL DE GUERRA. 3A230 Geradores de impulsos de alta velocidade e cabeças de impulso, com ambas as seguintes características: Em 3A230, por tempo de transição de impulsos entende-se o intervalo de tempo que corresponde à transição de 10 % para 90 % da amplitude da tensão. Cabeças de impulso são redes geradoras de impulsos concebidas para aceitar uma função de salto de tensão e transformá-la numa variedade de formas de impulso que podem incluir tipos retangulares, triangulares, a intervalos, a impulsos, exponenciais ou monociclo. As cabeças de impulso podem ser parte integrante do gerador de impulsos, podem ser um módulo de conexão ao dispositivo ou podem ser um dispositivo externo conectado. 3A231 Sistemas geradores de neutrões, incluindo válvulas, com ambas as seguintes características: 3A232 Sistemas de desencadeamento multipontos não especificados em 1A007: N.B.: VER TAMBÉM A LISTA DE MATERIAL DE GUERRA. N.B.: Ver 1A007.b. para os detonadores. Nota: 3A232 não abrange detonadores que utilizem apenas explosivos primários, como azida de chumbo. 3A233 Espetrómetros de massa, exceto os especificados em 0B002.g., capazes de medir iões com uma massa atómica igual ou superior a 230 u.m.a., com uma resolução melhor que duas partes em 230 e respetivas fontes iónicas: Os espetrómetros de massa de bombardeamento de eletrões em 3A233.d. são igualmente conhecidos por espetrómetros de massa de impacto de eletrões ou espetrómetros de massa de ionização de eletrões. Em 3A233.d.2., por armadilha fria entende-se um dispositivo que armadilha as moléculas de gás condensando-as ou congelando-as em superfícies frias. Para efeitos de 3A233.d.2., uma bomba de vácuo criogénica em circuito fechado de hélio gasoso não é uma armadilha fria. 3A234 Striplines para fornecer uma trajetória de baixa indutância aos detonadores com as seguintes características:

3A a.

Circuitos integrados de uso geral, como se segue: Nota 1: O estatuto das bolachas (acabadas ou não acabadas), nas quais tenha sido determinada a função, será avaliado em função dos parâmetros apresentados em 3A001.a. Nota 2: Nos circuitos integrados estão incluídos os seguintes tipos:

Circuitos integrados monolíticos;

Circuitos integrados híbridos;

Circuitos integrados multipastilhas;

Circuitos integrados do tipo película, incluindo circuitos integrados de silício sobre safira;

Circuitos integrados óticos;

Circuitos integrados tridimensionais.

1. Circuitos integrados concebidos ou classificados como reforçados contra radiações, capazes de suportar:

1. a.

uma dose total de 5 × 103 Gy (silício) ou superior;

uma taxa de aumento da dose de 5 × 106 Gy (silício)/s ou superior; ou

uma fluência (fluxo integrado) de neutrões (equivalente de 1 MeV) igual ou superior a 5 × 1013 n/cm2 em silício, ou o seu equivalente noutros materiais; Nota: 3A001.a.1.c. não se aplica aos semicondutores isolantes metálicos (MIS).

2. Microcircuitos microprocessadores, microcircuitos microcomputadores, microcircuitos microcontroladores, circuitos integrados de memória fabricados a partir de um semicondutor composto, conversores analógico-digitais, conversores digital-analógicos, circuitos integrados óticos ou eletro-óticos para processamento de sinais, dispositivos de campo programáveis, circuitos integrados por encomenda (custom) cuja função é desconhecida ou que se destinem a ser utilizados em equipamentos cujo estatuto é desconhecido, processadores de transformação de Fourier rápida (TFR), memórias programáveis apagáveis eletronicamente somente para leitura (EEPROM), memórias instantâneas ou memórias estáticas de acesso aleatório (SRAM), com qualquer das seguintes características: Nota: 3A001.a.2. não abrange circuitos integrados destinados a aplicações em automóveis civis ou comboios dos caminhos-de-ferro.

2. a.

Classificados como aptos a funcionar a uma temperatura ambiente superior a 398 K (125 °C);

Classificados como aptos a funcionar a uma temperatura ambiente inferior a 218 K (- 55 °C); ou

Classificados como aptos a funcionar em toda a gama de temperaturas ambientes de 218 K (- 55 °C) a 398 K (125 °C);

3. Microcircuitos microprocessadores, microcircuitos microcomputadores e microcircuitos microcontroladores fabricados a partir de um semicondutor composto e funcionando com uma frequência de relógio superior a 40 MHz; Nota: 3A001.a.3. inclui processadores de sinais digitais, processadores matriciais digitais e coprocessadores digitais.

4. Não utilizado;

5. Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6.7.8.9. 3A001 a. 5.Notas técnicas: 1.2.3.4.

3A001 a. Circuitos integrados conversores analógico-digitais (ADC) e conversores digital-analógicos (DAC), como se segue: Uma resolução de n bits corresponde a uma quantização de 2n níveis. O número de bits na palavra debitada é igual à resolução do ADC. O débito de saída é o débito de saída máximo do conversor, independentemente da arquitetura ou da sobre amostragem. Para os ADC de canais múltiplos, as saídas não são agregadas e o débito de saída é o débito de saída máximo de qualquer dos canais individuais. Para os ADC entrelaçados ou os ADC de canais múltiplos cujas especificações indicam que possuem um modo de operação entrelaçado, as saídas são agregadas e o débito de saída é o débito de saída combinado total máximo de todas as saídas. Os vendedores podem igualmente fazer referência ao débito de saída como taxa de amostragem, taxa de conversão ou taxa de transmissão. É frequentemente especificado em megahertz (MHz) ou mega amostras por segundo (MSPS). Para efeitos de medição do débito de saída, uma palavra debitada por segundo é equivalente a um Hertz ou a uma amostra por segundo. Por ADC de canais múltiplos entende-se dispositivos que integram mais de um ADC, concebidos de modo a que cada ADC tenha uma entrada analógica distinta. Por ADC entrelaçados entende-se dispositivos que possuem múltiplas unidades ADC que fazem a amostragem da mesma entrada analógica em momentos diferentes, de modo que, quando as saídas são agregadas, a entrada analógica foi efetivamente amostrada e convertida a uma taxa de amostragem mais elevada. Por gama dinâmica livre de espúrios (SFDR, Spurious Free Dynamic Range) entende-se a razão entre o valor RMS da frequência portadora (componente máxima do sinal) à entrada do DAC e o valor RMS do maior valor de ruído seguinte ou componente de distorção harmónica à saída. A SFDR é determinada diretamente a partir do quadro de especificações ou a partir dos gráficos de caracterização (plots) de SFDR vs. frequência. Por sinal de fundo de escala entende-se um sinal cuja amplitude é superior a –3 dBfs (fundo de escala). Taxa de atualização ajustada para os DAC:

5. a.

Conversores analógico-digitais (ADC) com qualquer das seguintes características: N.B.: VER TAMBÉM 3A101

1. Resolução igual ou superior a 8 bits, mas inferior a 10 bits, com um débito de saída superior a 1000 milhões de palavras por segundo;

2. Resolução igual ou superior a 10 bits, mas inferior a 12 bits, com um débito de saída superior a 300 milhões de palavras por segundo;

3. Resolução de 12 bits com um débito de saída superior a 200 milhões de palavras por segundo;

4. Resolução superior a 12 bits, mas igual ou inferior a 14 bits, com um débito de saída superior a 125 milhões de palavras por segundo; ou

5. Resolução superior a 14 bits com um débito de saída superior a 20 milhões de palavras por segundo;

5. Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6.7.8.9. b.

Conversores digital-analógicos (DAC) com qualquer das seguintes características:

1. Resolução igual ou superior a 10 bits, com uma taxa de atualização ajustada igual ou superior a 3500 MSPS; ou

2. Resolução igual ou superior a 12 bits, com uma taxa de atualização ajustada igual ou superior a 1250 MSPS e com qualquer das seguintes características:

2. a.

Um tempo de estabilização inferior a 9 ns para 0,024 % do fundo de escala (full scale) a partir de um degrau de fundo de escala (full scale step); ou

Uma gama dinâmica livre de espúrios (SFDR, Spurious Free Dynamic Range) superior a 68 dBc (portadora) quando se sintetiza um sinal analógico de fundo de escala de 100 MHz ou a mais alta frequência de sinal analógico de fundo de escala especificada abaixo de 100 MHz.

5. Notas técnicas: 1.2.3.4.5.6.7.8.9. 3A001 a. 5.Notas técnicas: 1.2.3.4. a.

Para os DAC convencionais (sem interpolação), a taxa de atualização ajustada é a taxa a que o sinal digital é convertido em sinal analógico e os valores analógicos de saída são modificados pelo DAC. Os DAC cujo modo de interpolação possa ser contornado (bypassed) (fator de interpolação de um) devem ser considerados DAC convencionais (sem interpolação).

Para os DAC com interpolação (DAC de sobre amostragem), a taxa de atualização ajustada é a taxa de atualização do DAC dividida pelo fator de interpolação mais baixo. Para os DAC com interpolação, a taxa de atualização ajustada pode ser designada por diferentes termos, incluindo:

débito de dados à entrada;

débito de palavras à entrada;

débito de amostragem à entrada;

taxa máxima total de bus de entrada;

taxa de relógio máxima do DAC para a entrada de relógio DAC.

6. Circuitos integrados óticos ou eletroóticos para processamento de sinais e com todas as seguintes características:

6. a.

Um ou mais díodos laser internos;

Um ou mais elementos fotodetetores internos; e

Guias de ondas óticas;

7. 3A001 a. 7.Notas técnicas: 1.2.3.

Dispositivos lógicos de campo programáveis com qualquer das seguintes características: Nota: 3A001.a.7. inclui: Os dispositivos lógicos de campo programáveis são também conhecidos por matrizes de portas de campo programáveis ou matrizes lógicas de campo programáveis. O número máximo de entradas/saídas digitais mencionado em 3A001.a.7.a. é também denominado número máximo de entradas/saídas utilizador ou número máximo de entradas/saídas disponíveis, independentemente de o circuito integrado ser ou não ser encapsulado. Débito de dados unidirecional global de pico de emissão-receção em série é o produto do débito de dados unidirecional de pico de emissão-receção em série pelo número de transcetores na FPGA.

7. a.

Um número máximo de entradas/saídas digitais ponta-massa igual ou superior a 500; ou

Um débito de dados unidirecional global de pico de emissão-receção em série de 200 Gb/s ou superior;

Dispositivos lógicos programáveis simples (SPLD);

Dispositivos lógicos programáveis complexos (CPLD);

Redes de portas programáveis (FPGA);

Matrizes de lógicas de campo programáveis (FPLA);

Interligações de campo programáveis (FPIC).

8. Não utilizado;

9. Circuitos integrados de redes neuronais;

10. Circuitos integrados por encomenda (custom) cuja função é desconhecida ou que se destinem a ser utilizados em equipamentos cujo estatuto o fabricante desconhece, com qualquer das seguintes características:

10. a.

Mais de 1500 terminais;

Um tempo de propagação por porta lógica elementar típico inferior a 0,02 ns; ou

Uma frequência de funcionamento superior a 3 GHz;

11. Circuitos integrados digitais, com exceção dos referidos em 3A001.a.3.a 3A001.a.10. e 3A001.a.12., fabricados a partir de um semicondutor composto e com qualquer das seguintes características:

11. a.

Um número equivalente de portas lógicas superior a 3000 (portas lógicas de duas entradas); ou

Uma frequência de comutação superior a 1,2 GHz;

12. Nota técnica:

Processadores de transformação de Fourier rápida (TFR) com um tempo de execução nominal de uma TFR complexa de N pontos inferior a (N log2 N)/20480 ms, em que N é o número de pontos; Quando N é igual a 1024 pontos, a fórmula apresentada em 3A001.a.12. dá um tempo de execução de 500 μs.

13. Nota técnica:

Circuitos integrados de sintetizador digital direto (DDS) com qualquer das seguintes características: A frequência de relógio do DAC pode ser especificada como a frequência de relógio-mestre ou a frequência de relógio de entrada

13. a.

Uma frequência de relógio do conversor digital-analógico (DAC) de 3,5 GHz ou superior e uma resolução do DAC igual ou superior a 10 bits, mas inferior a 12 bits; ou

Uma frequência de relógio do DAC de 1,25 GHz ou superior e uma resolução do DAC igual ou superior a 12 bits;

b. Nota técnica:

Componentes de micro-ondas ou de ondas milimétricas: Para efeitos de 3A001.b., nas folhas de dados dos produtos pode também fazer-se referência ao parâmetro pico de potência saturada de saída como potência de saída, potência saturada de saída, potência máxima de saída, potência pico de saída ou potência pico da envolvente à saída.

1. 3A001 b. Cátodos e válvulas eletrónicas de vácuo: Nota 1: 3A001.b.1. não abrange as válvulas concebidas ou classificadas como aptas para funcionar em qualquer banda de frequência com todas as seguintes características: Nota 2: 3A001.b.1. não abrange válvulas não qualificadas para uso espacial com todas as seguintes características:

1. a.

Não exceder 31,8 GHz; e

Atribuídas pela UIT para serviços de radiocomunicações mas não para radiodeterminação.

Potência média de saída igual ou inferior a 50 W; e

Concebidas ou dimensionadas para funcionar em qualquer banda de frequências com todas as seguintes características:

1. Superiores a 31,8 GHz mas sem exceder 43,5 GHz; e

2. Atribuídas pela UIT para serviços de radiocomunicações mas não para radiodeterminação.

Válvulas de onda progressiva, onda pulsada ou contínua:

1. Válvulas que funcionem a frequências superiores a 31,8 GHz;

2. Válvulas que tenham um elemento para aquecimento do cátodo com um tempo de arranque para a potência RF nominal inferior a 3 segundos;

3. Válvulas de cavidades acopladas ou seus derivados, com uma largura de banda fracionada superior a 7 % ou uma potência de pico superior a 2,5 kW;

4. Válvulas de hélice, ou seus derivados, com qualquer das seguintes características:

4. a.

Largura de banda instantânea superior a uma oitava e produto da potência média, (expressa em kW) pela frequência, (expressa em GHz) superior a 0,5;

Largura de banda instantânea igual ou inferior a uma oitava e produto da potência média (expressa em kW) pela frequência (expressa em GHz) superior a 1; ou

Qualificadas para uso espacial;

Válvulas amplificadoras de campo cruzado com ganho superior a 17 dB;

Cátodos impregnados para válvulas eletrónicas que produzam uma densidade de corrente em emissão contínua nas condições nominais de funcionamento superior a 5 A/cm2;

2. Amplificadores de potência com Circuitos Integrados Monolíticos de micro-ondas (MMIC) com qualquer das seguintes características: Nota 1: Não utilizado. Nota 2: O estatuto dos MMIC cuja classificação de frequência de funcionamento inclua frequências referidas em mais do que uma das gamas de frequência definidas em 3A001.b.2.a. a 3A001.b.2.h. é determinado pelo limiar inferior do pico de potência saturada de saída. Nota 3: Das notas 1 e 2 em 3A resulta que 3A001.b.2. não abrange os MMIC que sejam especialmente concebidos para outras aplicações, por exemplo, telecomunicações, radar, automóveis.

2. a.

Classificados para funcionamento a frequências superiores a 2,7 GHz até 6,8 GHz, inclusive, com uma largura de banda fracionada superior a 15 %, e com qualquer das seguintes características:

1. Um pico de potência saturada de saída superior a 75 W (48,75 dBm) a quaisquer frequências superiores a 2,7 GHz até 2,9 GHz, inclusive;

2. Um pico de potência saturada de saída superior a 55 W (47,4 dBm) a quaisquer frequências superiores a 2,9 GHz até 3,2 GHz. inclusive;

3. Um pico de potência saturada de saída superior a 40 W (46 dBm) a quaisquer frequências superiores a 3,2 GHz até 3,7 GHz, inclusive; ou

4. Um pico de potência saturada de saída superior a 20 W (43 dBm) a quaisquer frequências superiores a 3,7 GHz até 6,8 GHz, inclusive;

3A001 b. 2. Classificados para funcionamento a frequências superiores a 6,8 GHz até 16 GHz, inclusive, com uma largura de banda fracionada superior a 10 %, e com qualquer das seguintes características:

1. Um pico de potência saturada de saída superior a 10 W (40 dBm) a quaisquer frequências superiores a 6,8 GHz até 8,5 GHz, inclusive; ou

2. Um pico de potência saturada de saída superior a 5 W (37 dBm) a quaisquer frequências superiores a 8,5 GHz até 16 GHz, inclusive;

Classificados para funcionamento com um pico de potência saturada de saída superior a 3 W (34,77 dBm) a qualquer frequências superior a 16 GHz até 31,8 GHz, inclusive, e com uma largura de banda fracionada superior a 10 %;

Classificados para funcionamento com um pico de potência saturada de saída superior a 0,1 nW (-70 dBm) a quaisquer frequências superiores a 31,8 GHz até 37 GHz, inclusive;

Classificados para funcionamento com um pico de potência saturada de saída superior a 1 W (30 dBm) a quaisquer frequências superiores a 37 GHz até 43,5 GHz, inclusive, e com uma largura de banda fracionada superior a 10 %;

Classificados para funcionamento com um pico de potência saturada de saída superior a 31,62 mW (15 dBm) a quaisquer frequências superiores a 43,5 GHz até 75 GHz, inclusive, e com uma largura de banda fracionada superior a 10 %;

Classificados para funcionamento com um pico de potência saturada de saída superior a 10 mW (10 dBm) a quaisquer frequências superiores a 75 GHz até 90 GHz, inclusive, e com uma largura de banda fracionada superior a 5 %; ou

Classificados para funcionamento com um pico de potência saturada de saída superior a 0,1 nW (-70 dBm) a quaisquer frequências superiores a 90 GHz;

3. Transístores de micro-ondas discretos com qualquer das seguintes características: Nota 1: O estatuto dos transístores cuja classificação de frequência de funcionamento inclua frequências referidas em mais do que uma das gamas de frequência definidas em 3A001.b.3.a. a 3A001.b.3.e. é determinado pelo limiar inferior do pico de potência saturada de saída. Nota 2: 3A001.b.3. inclui pastilhas nuas, pastilhas montadas em portadores ou pastilhas montadas em pacotes. Alguns transístores discretos podem também ser referidos como amplificadores de potência, mas o estatuto desses transístores discretos é determinado em 3A001.b.3.

3. a.

Classificados para funcionamento a frequências superiores a 2,7 GHz até 6,8 GHz, inclusive e com qualquer das seguintes características:

1. Um pico de potência saturada de saída superior a 400 W (56 dBm) a quaisquer frequências superiores a 2,7 GHz até 2,9 GHz, inclusive;

2. Um pico de potência saturada de saída superior a 205 W (53,12 dBm) a quaisquer frequências superiores a 2,9 GHz até 3,2 GHz, inclusive;

3. Um pico de potência saturada de saída superior a 115 W (50,61 dBm) a quaisquer frequências superiores a 3,2 GHz até 3,7 GHz, inclusive; ou

4. Um pico de potência de saída em estado de saturação superior a 60 W (47,78 dBm) a quaisquer frequências superiores a 3,7 GHz até 6,8 GHz, inclusive;

Classificados para funcionamento a frequências superiores a 6,8 GHz até 31,8 GHz, inclusive e com qualquer das seguintes características:

1. Um pico da potência de saída em estado de saturação superior a 50 W (47 dBm) a quaisquer frequências superiores a 6,8 GHz até 8,5 GHz, inclusive;

2. 3A001 b. 3. b. Um pico de potência saturada de saída superior a 15 W (41,76 dBm) a quaisquer frequências superiores a 8,5 GHz até 12 GHz, inclusive;

3. Um pico de potência saturada de saída superior a 40 W (46 dBm) a quaisquer frequências superiores a 12 GHz até 16 GHz, inclusive; ou

4. Um pico de potência saturada de saída superior a 7 W (38,45 dBm) a quaisquer frequências superiores a 16 GHz até 31,8 GHz, inclusive;

Classificados para funcionamento com um pico de potência saturada de saída superior a 0,5 W (27 dBm) a quaisquer frequências superiores a 31,8 GHz até 37 GHz, inclusive;

Classificados para funcionamento com um pico de potência saturada de saída superior a 1 W (30 dBm) a quaisquer frequências superiores a 37 GHz até 43,5 GHz, inclusive;

Classificados para funcionamento com um pico de potência saturada de saída superior a 0,1 nW (-70 dBm) a quaisquer frequências superiores a 43,5 GHz;

4. Amplificadores de micro-ondas de estado sólido e conjuntos/módulos de micro-ondas que contenham amplificadores de micro-ondas de estado sólido, com qualquer das seguintes características: N.B.: Os amplificadores de potência com MMIC devem ser avaliados segundo os critérios enunciados em 3A001.b.2. Nota 1: Não utilizado. Nota 2: O estatuto dos produtos cuja classificação de frequência de funcionamento inclua frequências referidas em mais do que uma das gamas de frequência definidas em 3A001.b.4.a. a 3A001.b.4.e. é determinado pelo limiar inferior do pico de potência de saturação. Nota 3: 3A001.b.4. inclui módulos de transmissão/receção e módulos de transmissão.

4. a.

Classificados para funcionamento a frequências superiores a 2,7 GHz até 6,8 GHz, inclusive, com uma largura de banda fracionada superior a 15 %, e com qualquer das seguintes características:

1. Um pico de potência saturada de saída superior a 500 W (57 dBm) a qualquer frequência superior a 2,7 GHz até 2,9 GHz, inclusive;

2. Um pico de potência saturada de saída superior a 270 W (54,3 dBm) a quaisquer frequências superiores a 2,9 GHz até 3,2 GHz, inclusive;

3. Um pico de potência saturada de saída superior a 200 W (53 dBm) a quaisquer frequências superiores a 3,2 GHz até 3,7 GHz, inclusive; ou

4. Um pico de potência saturada de saída superior a 90 W (49,54 dBm) a quaisquer frequências superiores a 3,7 GHz até 6,8 GHz, inclusive;

Classificados para funcionamento a frequências superiores a 6,8 GHz até 31,8 GHz, inclusive, com uma largura de banda fracionada superior a 10 %, e com qualquer das seguintes características:

1. Um pico de potência saturada de saída superior a 70 W (48,54 dBm) a quaisquer frequências superiores a 6,8 GHz até 8,5 GHz, inclusive;

2. Um pico de potência saturada de saída superior a 50 W (47 dBm) a quaisquer frequências superiores a a 8,5 GHz até 12 GHz, inclusive;

3. Um pico de potência saturada de saída superior a 30 W (44,77 dBm) a quaisquer frequências superiores a a 12 GHz até 16 GHz, inclusive; ou

4. Um pico de potência saturada de saída superior a 20 W (43 dBm) a quaisquer frequências superiores a a 16 GHz até 31,8 GHz, inclusive;

Classificados para funcionamento com um pico de potência saturada de saída superior a 0,5 W (27 dBm) a quaisquer frequências superiores a 31,8 GHz até 37 GHz, inclusive;

3A001 b. 4. Classificados para funcionamento com um pico de potência saturada de saída superior a 2 W (33 dBm) a quaisquer frequências superiores a 37 GHz até 43,5 GHz, inclusive, e com uma largura de banda fracionada superior a 10 %;

Classificados para funcionamento a frequências superiores a 43,5 GHz e com todas as seguintes características:

1. Um pico de potência saturada de saída superior a 0,2 W (23 dBm) a quaisquer frequências superiores a 43,5 GHz até 75 GHz, inclusive, e com uma largura de banda fracionada superior a 10 %;

2. Um pico de potência saturada de saída superior a 20 mW (13 dBm) a quaisquer frequências superiores a 75 GHz até 90 GHz, inclusive, e com uma largura de banda fracionada superior a 5 %; ou

3. Um pico de potência saturada de saída superior a 0,1 nW (-70 dBm) a quaisquer frequências superiores a a 90 GHz; ou

Classificados para funcionamento a frequências superiores a 2,7 GHz e com todas as seguintes características:

1. Um pico de potência de saturação (em watts), Psat, superior a 400 a dividir pela frequência máxima de serviço (em GHz) elevada ao quadrado [Psat > 400 W*GHz2/fGHz2];

2. Largura de banda fracionada igual ou superior a 5 %; e

3. Nota técnica:

Dois lados perpendiculares entre si com um comprimento d (em cm) igual ou inferior a 15 a dividir pela frequência mínima de serviço em GHz [d ≤ 15 cm*GHz/fGHz]. Nos amplificadores classificados com uma gama de funcionamento que desça até 2,7 GHz e abaixo, deve utilizar-se a frequência 2,7 GHz como frequência de funcionamento mais baixa (fGHz) na fórmula contida em 3A001.b.4.f.3. [d ≤ 15 cm*GHz/2,7 GHz].

5. Filtros passa-banda ou corta-banda sintonizáveis eletrónica ou magneticamente com mais de cinco ressoadores sintonizáveis capazes de sintonização numa banda de frequências de 1,5:1 (fmax./fmin.) em menos de 10 μs e com qualquer das seguintes características:

5. a.

Largura da banda passante superior a 0,5 % da frequência central; ou

Largura da banda suprimida inferior a 0,5 % da frequência central;

6. Não utilizado;

7. Conversores e misturadores harmónicos concebidos para alargar a gama de frequências dos equipamentos referidos nos pontos 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. ou 3A002.f. para além dos limites neles indicados;

8. 3A001 b. Amplificadores de potência de micro-ondas que contenham válvulas referidas em 3A001.b.1. e com todas as seguintes características: Nota: 3A001.b.8. não abrange o equipamento concebido ou classificado como apto para funcionamento em qualquer banda de frequências atribuída pela UIT para serviços de radiocomunicações, mas não para radiodeterminação.

8. a.

Frequências de funcionamento superiores a 3 GHz;

Potência média de saída em relação à massa superior a 80 W/kg; e

Volume inferior a 400 cm3;

9. Notas técnicas: 1.2.

Módulos de potência de micro-ondas (MPM) formados por, no mínimo, um tubo de ondas progressivas, um circuito integrado monolítico de micro-ondas e um adaptador de potência eletrónico integrado e, com todas as seguintes características: Para calcular a capacidade em 3A001.b.9.b., apresenta-se o seguinte exemplo: para uma potência nominal máxima de 20 W, a capacidade seria: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3. O tempo de arranque em 3A001.b.9.b. refere-se ao tempo que decorre entre a fase de completamente desligado à de operacionalidade plena, ou seja, inclui o tempo de aquecimento do MPM.

9. a.

Um tempo de arranque, desde o momento em que a ligação é ativada até à operacionalidade plena, inferior a 10 segundos;

Uma capacidade inferior à potência nominal máxima, em watts, multiplicada por 10 cm3/W; e

Uma largura de banda instantânea superior a uma oitava (fmax. > 2fmin.) e com qualquer das seguintes características:

1. Para frequências iguais ou inferiores a 18 GHz, uma potência de saída RF superior a 100 W; ou

2. Uma frequência superior a 18 GHz;

10. Nota técnica:

Osciladores ou conjuntos de osciladores; especificados para funcionar com todas as seguintes características: Em 3A001.b.10., F representa o desvio expresso em Hz em relação à frequência de funcionamento e f a frequência de funcionamento expressa em MHz.

10. a.

Ruído de fase em banda lateral única (SSB), expresso em dBc/Hz, melhor que - (126 + 20log10F-20log10f), em qualquer ponto na gama de 10 Hz < F < 10 kHz; e

Ruído de fase em banda lateral única (SSB), expresso em dBc/Hz, melhor que - (114 + 20log10F-20log10f), em qualquer ponto na gama de 10 kHz ≤ F < 500 kHz;

11. Conjuntos eletrónicos sintetizadores de frequências com um tempo de comutação de frequência com qualquer das seguintes especificações: N.B.: Para os analisadores de sinais, geradores de sinais, analisadores de rede e recetores de ensaio de micro-ondas de uso geral, ver 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. e 3A002.f., respetivamente.

11. a.

Inferior a 156 ps;

Inferior a 100 μs para qualquer mudança de frequência superior a 1,6 GHz dentro da gama de frequências sintetizadas superiores a 4,8 GHz mas não superiores a 10,6 GHz;

Inferior a 250 μs para qualquer mudança de frequência superior a 550 MHz dentro da gama de frequências sintetizadas superiores a 10,6 GHz mas não superiores a 31,8 GHz;

Inferior a 500 μs para qualquer mudança de frequência superior a 550 MHz dentro da gama de frequências sintetizadas superiores a 31,8 GHz mas não superiores a 43,5 GHz;

3A001 b. 11. Inferior a 1 ms para qualquer mudança de frequência superior a 550 MHz dentro da gama de frequências sintetizadas superiores a 43,5 GHz mas não superiores a 56 GHz;

Inferior a 1 ms para qualquer mudança de frequência superior a 2,2 GHz dentro da gama de frequências sintetizadas superiores a 56 GHz mas não superiores a 75 GHz; ou

Inferior a 1 ms dentro da gama de frequências sintetizadas superiores a 75 GHz;

Dispositivos de ondas acústicas e componentes especialmente concebidos para os mesmos: Nota: 3A001.c. não abrange os dispositivos que utilizam ondas acústica limitadas a uma única função de filtragem passa-banda, passa-baixo, passa-alto ou supressor de banda, ou a uma função de ressonância.

1. Nota técnica:

Dispositivos de ondas acústicas superficiais e de ondas acústicas de superfície deslizante (carga superficial) com qualquer das seguintes características: Por rejeição dos lóbulos laterais de frequência entende-se o valor de rejeição máximo especificado na folha de dados.

1. a.

Frequência portadora superior a 6 GHz;

Frequência portadora superior a 1 GHz, mas não a 6 GHz e com qualquer das seguintes características:

1. Rejeição dos lóbulos laterais de frequência superior a 65 dB;

2. Produto do tempo de atraso máximo pela largura da banda (tempo em μs e largura de banda em MHz) superior a 100;

3. Largura da banda superior a 250 Mhz; ou

4. Atraso dispersivo superior a 10 μs; ou

Frequência portadora igual ou inferior a 1 GHz e com qualquer das seguintes características:

1. Produto do tempo de atraso máximo pela largura da banda (tempo em μs e largura de banda em MHz) superior a 100;

2. Atraso dispersivo superior a 10 μs; ou

3. Rejeição dos lóbulos laterais de frequência superior a 65 dB e largura da banda superior a 100 MHz;

2. Dispositivos de ondas acústicas volumétricas que permitam o processamento direto de sinais a frequências superiores a 6 GHz;

3. Dispositivos acústico-óticos de processamento de sinais que utilizem a interação de ondas acústicas (onda volumétrica ou onda superficial) e ondas de luz que permitam o processamento direto de sinais ou imagens, incluindo análise espetral, correlação ou convolução;

Dispositivos ou circuitos eletrónicos que contenham componentes fabricados a partir de materiais supercondutores especialmente concebidos para funcionamento a temperaturas inferiores à temperatura crítica de pelo menos um dos constituintes supercondutores, e com qualquer das seguintes características:

1. Comutação de corrente para circuitos digitais que utilizam portas lógicas supercondutoras com um produto do tempo de propagação por porta lógica (em segundos) pela dissipação de potência por porta lógica (em watts) inferior a 10-14J; ou

2. Seleção de frequências em todas as frequências com utilização de circuitos ressonantes com valores de Q superiores a 10000;

3A001 Dispositivos de alta energia, como se segue:

1. Notas técnicas: 1.2.3.4.

Pilhas, como se segue: Para efeitos de 3A001.e.1., a densidade de energia (Wh/kg) é calculada a partir da voltagem nominal multiplicada pela capacidade nominal em ampere-hora (Ah) dividida pela massa em quilogramas. Se a capacidade nominal não estiver indicada, a densidade de energia é calculada a partir da voltagem nominal ao quadrado que é depois multiplicada pela duração da descarga, em horas, dividida pela descarga total, em ohms, e pela massa, em quilogramas. Para efeitos de 3A001.e.1., uma pilha é um dispositivo eletroquímico, que dispõe de elétrodos positivo e negativo, de um eletrólito, e constitui uma fonte de energia elétrica. Constitui a componente de base de uma bateria. Para efeitos de 3A001.e.1.a., uma pilha primária é uma pilha que não está concebida para ser carregada a partir de outra fonte. Para efeitos de 3A001.e.1.b., uma pilha secundária é uma pilha concebida para ser carregada a partir de uma fonte elétrica externa. Nota: 3A001.e.1. não abrange baterias, incluindo baterias de pilha única.

1. a.

Pilhas primárias com uma densidade de energia superior a 550 Wh/kg a 20 °C;

Pilhas secundárias com uma densidade de energia superior a 300 Wh/kg a 20 °C;

2. Condensadores de armazenamento de alta energia: N.B.: VER TAMBÉM 3A201.a. e a Lista de Material de Guerra.

2. a.

Condensadores com um ritmo de repetição inferior a 10 Hz (condensadores monodisparo) e com todas as seguintes características:

1. Tensão nominal igual ou superior a 5 kV;

2. Densidade da energia igual ou superior a 250 J/kg; e

3. Energia total igual ou superior a 25 kJ;

Condensadores com um ritmo de repetição igual ou superior a 10 Hz (condensadores de repetição) e com todas as seguintes características:

1. Tensão nominal igual ou superior a 5 kV;

2. Densidade de energia igual ou superior a 50 J/kg;

3. Energia total igual ou superior a 100 J; e

4. Vida em ciclos carga/descarga igual ou superior a 10000;

3. Eletroímanes ou solenoides supercondutores especialmente concebidos para uma carga ou descarga completa em menos de um segundo e com todas as seguintes características: N.B.: VER TAMBÉM 3A201.b. Nota: 3A001.e.3. não abrange eletroímanes ou solenoides supercondutores especialmente concebidos para equipamento médico de imagem por ressonância magnética (MRI).

3. a.

Energia fornecida durante a descarga superior a 10 kJ no primeiro segundo;

Diâmetro interior dos enrolamentos que transportam a corrente superior a 250 mm; e

Previstos para uma indução magnética superior a 8 T ou uma densidade total de corrente no enrolamento superior a 300 A/mm2;

4. Nota técnica:

3A001 e. Células solares, conjuntos de janelas de células solares interligadas (CIC), painéis solares e grupos solares qualificados para uso espacial, com uma eficiência média mínima superior a 20 % a uma temperatura de funcionamento de 301 K (28 °C) em condições de iluminação simulada AM0 com uma irradiância de 1367 watts por metro quadrado (W/m2); AM0 ou massa atmosférica zero refere-se à irradiância espetral da luz solar na atmosfera exterior da Terra quando a distância entre a Terra e o Sol é de uma unidade astronómica (UA).

Codificadores de posição absoluta com entrada rotativa com uma precisão igual ou inferior a (melhor que) ± 1,0 segundos de arco;

g. Nota técnica:

Dispositivos tiristores sólidos pulsados de interrupção de potência e módulos tirístores que utilizem métodos de comutação elétricos, óticos ou por radiação de eletrões e com qualquer das seguintes características: Nota 1: 3A001.g. inclui: Nota 2: 3A001.g. não abrange dispositivos tiristores nem módulos tirístores integrados em equipamento concebido para aplicações em comboios civis ou aeronaves civis. Para efeitos de 3A001.g., um módulo tirístor contém um ou mais dispositivos tirístores.

1. Um crescimento máximo da corrente de arranque (di/dt) superior a 30000 A/μs e uma tensão de estado de bloqueio superior a 1100 V; ou

2. Um crescimento máximo da corrente de arranque (di/dt) superior a 2000 A/μs e com ambas as seguintes características:

2. a.

Uma tensão de pico de estado de bloqueio igual ou superior a 3000 V; e

Um pico (oscilação) de corrente igual ou superior a 3000 A;

Retificadores de silício controlados (SCR)

Tirístores de comutação elétrica (ETT)

Tirístores de comutação luminosa (LTT)

Tirístores de comutação por porta integrada (IGCT)

Tirístores de bloqueio por porta (GTO)

Tirístores controlados por transístor MOS (MCT)

Solidtrons

h. Nota técnica:

Comutadores, díodos ou módulos com semicondutores de energia no estado sólido, com todas as seguintes características: Nota 1: Em 3A001.h., a tensão de pico repetitiva em estado de bloqueio inclui a tensão saída-fonte, a tensão coletor-emissor, a tensão inversa de pico repetitiva e a tensão de pico repetitiva em estado de bloqueio. 3A001 h.Nota 2: 3A001.h. inclui: Nota 3: 3A001.h. não abrange comutadores, díodos, ou módulos de controlo incorporados em equipamentos concebidos para aplicações em automóveis civis, comboios civis ou aeronaves civis. Para efeitos de 3A001.h., os módulos contêm um ou mais comutadores ou díodos de semicondutores de energia no estado sólido.

1. Previstos para uma temperatura máxima da junção em funcionamento superior a 488 K (215 °C);

2. Tensão de pico repetitiva em estado de bloqueio (tensão de bloqueio) superior a 300 V; e

3. Corrente contínua superior a 1 A.

Transístores de efeito de campo de junção (JFETs)

Transístores de efeito de campo de junção vertical (VJFETs)

Transístores de efeito de campo em tecnologia MOS (MOSFETs)

Transístores de efeito de campo em tecnologia MOS com difusão dupla (DMOSFET)

Transístores bipolares de porta isolada (IGBT)

Transístores de elevada mobilidade de eletrões (HEMTs)

Transístores bipolares de junção (BJTs)

Tirístores e retificadores controlados por silício (SCRs)

Tirístores de bloqueio por porta (GTO)

Tirístores de bloqueio por emissor (ETOs)

Díodos PiN

Díodos Schottky

Equipamentos de registo e osciloscópios:

1. Não utilizado;

2. Não utilizado;

3. Não utilizado;

4. Não utilizado;

5. Notas técnicas: 1.2.

Digitalizadores de onda e gravadores de fenómenos transitórios com todas as seguintes características: Para os instrumentos com uma arquitetura de barramentos em paralelo, o débito contínuo é o produto do débito mais elevado de palavras pelo número de bits de uma palavra. Débito contínuo é o débito de dados mais elevado que o instrumento pode passar a um dispositivo de memória de massa sem perda de qualquer informação, suportando simultaneamente a frequência de amostragem e a conversão analógico-digital.

5. a.

Frequência de digitalização igual ou superior a 200 milhões de amostras por segundo e resolução igual ou superior a 10 bits; e

Débito contínuo igual ou superior a 2 Gbit/s;

6. Nota técnica:

3A002 a. Sistemas de gravadores de dados com instrumentação digital que utilizam técnicas de registo em disco magnético, com todas as seguintes características, e gravadores digitais especialmente concebidos para os mesmos: Os sistemas de gravadores de dados com instrumentação digital podem ser configurados tanto com um digitalizador integrado dentro ou fora do gravador digital.

6. a.

Frequência de dados com instrumentação de digitalização igual ou superior a 100 milhões de amostras por segundo a uma resolução igual ou superior a 8 bits; e

Débito contínuo igual ou superior a 1 Gbit/s;

7. Osciloscópios em tempo real com uma tensão de ruído vertical eficaz (rms) inferior a 2 % da escala total na escala vertical que proporciona o valor mais baixo de ruído para qualquer entrada a 3 dB de largura de banda de 60 GHz ou mais por canal; Nota: 3A002.a.7. não abrange osciloscópios de amostragem de tempo equivalente.

Não utilizado;

Analisadores de sinais de radiofrequência:

1. Analisadores de sinais com uma largura de banda de 3 dB de resolução superior a 10 MHz em qualquer ponto dentro da gama de frequências superiores a 31,8 GHz mas não superiores a 37,5 GHz;

2. Analisadores de sinais com nível de ruído médio apresentado (DANL, Displayed Average Noise Level) inferior a (melhor que) -150 dBm/Hz em qualquer ponto dentro da gama de frequências superiores a 43,5 GHz mas não superiores a 75 GHz;

3. Analisadores de sinais com frequência superior a 75 GHz;

4. Analisadores de sinais com todas as seguintes características: Nota: 3A002.c.4. não abrange os analisadores de sinais dinâmicos que utilizam apenas filtros de largura de banda de percentagem constante (também conhecidos por filtros de oitava ou fração de oitava).

4. a.

Largura de banda em tempo real superior a 85 MHz; e

b. Notas técnicas: 1.2.

100 % de probabilidade de deteção com menos de redução de 3 dB da plena amplitude devido a lacunas ou efeitos de janelamento (windowing) de sinais com uma duração de 15μs ou menos; A probabilidade de deteção em 3A002.c.4.b. é também referida como probabilidade de interceção ou probabilidade de captura. Para efeitos de 3A002.c.4.b., a duração para 100 % de probabilidade de deteção é equivalente à duração de sinal mínima necessária para o nível especificado de incerteza de medição.

5. Analisadores de sinais com uma função de ativador por máscara de frequência com 100 % de probabilidade de ativação (captura) de sinais com uma duração de 15 μs ou menos;

d. Notas técnicas: 1.2.

Geradores de sinais de frequência sintetizada que produzam frequências de saída cuja precisão e estabilidade a curto e longo prazos sejam controladas, derivadas ou impostas pelo oscilador de referência interno principal, com qualquer das seguintes características: Nota 1: Para efeitos de 3A002.d., os geradores de sinais de frequência sintetizada incluem geradores de funções e de formas de onda arbitrárias. Nota 2: 3A002.d. não abrange equipamentos em que a frequência de saída seja obtida pela adição ou subtração de duas ou mais frequências de osciladores de cristal, ou por uma adição ou subtração seguida de uma multiplicação do resultado. A frequência sintetizada máxima de um gerador de funções ou de formas de onda arbitrárias é calculada dividindo a frequência de amostragem, em amostras/segundo, por um fator de 2,5. Para efeitos de 3A002.d.1.a, por duração de impulso entende-se o tempo decorrido entre o ponto no flanco ascendente que é 50 % da amplitude do impulso e o ponto no flanco descendente que é 50 % da amplitude do impulso.

1. Especificação para gerar sinais modulados por impulsos com todas as seguintes características, em qualquer ponto dentro da gama de frequências sintetizadas superiores a 31,8 GHz mas não superiores a 75 GHz;

1. a.

Duração de impulso inferior a 100 ns; e

Relação ligado/desligado igual ou superior a 65 dB;

2. 3A002 d. Potência de saída superior a 100 mW (20 dBm) em qualquer ponto dentro da gama de frequências sintetizadas superiores a 43,5 GHz mas não superiores a 75 GHz;

3. Tempo de comutação de frequência com qualquer das seguintes especificações:

3. a.

Não utilizado;

Inferior a 100 μs para qualquer mudança de frequência superior a 1,6 GHz dentro da gama de frequências sintetizadas superiores a 4,8 GHz mas não superiores a 10,6 GHz;

Inferior a 250 μs para qualquer mudança de frequência superior a 550 MHz dentro da gama de frequências sintetizadas superiores a 10,6 GHz mas não superiores a 31,8 GHz;

Inferior a 500 μs para qualquer mudança de frequência superior a 550 MHz dentro da gama de frequências sintetizadas superiores a 31,8 GHz mas não superiores a 43,5 GHz;

Inferior a 1 ms para qualquer mudança de frequência superior a 550 MHz dentro da gama de frequências sintetizadas superiores a 43,5 GHz mas não superiores a 56 GHz; ou

Inferior a 1 ms para qualquer mudança de frequência superior a 2,2 GHz dentro da gama de frequências sintetizadas superiores a 56 GHz mas não superiores a 75 GHz;

4. Nota técnica:

Ruído de fase em banda lateral única (SSB), expresso em dBc/Hz, especificado como tendo todas as seguintes características: Em 3A002.d.4, F é a diferença em relação à frequência de funcionamento em Hz e f a frequência de funcionamento em MHz;

4. a.

Inferior a (melhor que) - (126 + 20log10F-20log10f) em qualquer ponto da gama de 10 Hz < F < 10 kHz em qualquer ponto da gama de frequências sintetizadas superiores a 3,2 GHz mas não superiores a 75 GHz; e

Inferior a (melhor que) - (114 + 20log10F-20log10f) em qualquer ponto da gama de 10 kHz ≤ F < 500 kHz em qualquer ponto da gama de frequências sintetizadas superiores a 3,2 GHz mas não superiores a 75 GHz; ou

5. Frequência sintetizada máxima superior a 75 GHz;

Analisadores de rede com qualquer das seguintes características:

1. Potência de saída superior a 31,62 mW (15 dBm) em qualquer ponto dentro da gama de frequências de funcionamento superiores a 43,5 GHz mas não superiores a 75 GHz;

2. Potência de saída superior a 1 mW (0 dBm) em qualquer ponto dentro da gama de frequências de funcionamento superiores a 75 GHz mas não superiores a 110 GHz;

3. Nota técnica:

3A002 e. Funcionalidade de medição do vetor não linear a frequências superiores a 50 GHz mas não superiores a 110 GHz; ou Funcionalidade de medição do vetor não linear é a capacidade de um instrumento analisar os resultados do ensaio de dispositivos acionados no domínio de sinal largo ou na gama de distorção não linear.

4. Frequência máxima de funcionamento superior a 110 GHz;

Recetores de ensaio de micro-ondas com todas as seguintes características:

1. Frequência máxima de funcionamento superior a 110 GHz; e

2. Capacidade de medição simultânea de amplitude e fase;

Padrões atómicos de frequência com qualquer das seguintes características:

1. Qualificados para uso espacial;

2. Não-rubídio e com uma estabilidade a longo prazo inferior a (melhor que) 1 × 10-11/mês; ou

3. Não qualificados para uso espacial e com todas as seguintes características:

3. a.

Ser um padrão de rubídio;

Estabilidade a longo prazo inferior a (melhor que) 1 × 10-11/mês; e

Consumo total de energia inferior a 1 W.

Conversores analógico-digitais, utilizáveis em mísseis, concebidos para responder a especificações militares relativas a equipamentos robustecidos;

Aceleradores capazes de fornecer uma radiação eletromagnética produzida por radiação de travagem (Bremsstrahlung) a partir de eletrões acelerados com uma energia igual ou superior a 2 MeV e sistemas que contenham estes aceleradores. Nota: 3A101.b. não abrange equipamentos especialmente concebidos para fins médicos.

3A Notas técnicas: 1.2. a.

Condensadores com um dos seguintes conjuntos de características:

1. a.

Tensão nominal superior a 1,4 kV;

Armazenamento de energia superior a 10 J;

Capacidade superior a 0,5 μF; e

Indutância série inferior a 50 nH; ou

2. a.

Tensão nominal superior a 750 V;

Capacidade superior a 0,25 μF; e

Indutância série inferior a 10 nH;

Eletroímanes solenoidais supercondutores, com todas as seguintes características: Nota: 3A201.b. não abrange ímanes especialmente concebidos e exportados como componentes de sistemas médicos de imagiologia por ressonância magnética nuclear (NMR). A expressão como componente de não significa necessariamente como componente física incluída no mesmo envio. São permitidos envios separados de diferentes origens, desde que os respetivos documentos de exportação especifiquem claramente que os envios são feitos como componentes dos sistemas de imagiologia.

1. Capazes de criar campos magnéticos superiores a 2 T;

2. Relação entre comprimento e diâmetro interior superior a 2;

3. Diâmetro interior superior a 300 mm; e

4. Campo magnético de uniformidade melhor que 1 % nos 50 % centrais do volume interno.

c. Notas técnicas: 1.2.3.4.

Geradores de raios X de relâmpago ou aceleradores de eletrões pulsados, com um dos seguintes conjuntos de características: Nota: 3A201.c. não abrange os aceleradores que são componentes de dispositivos concebidos para fins que não abrangem feixes eletrónicos ou radiação de raios X (microscopia eletrónica, por exemplo) nem os concebidos para fins médicos: O coeficiente de mérito K é definido como: K = 1,7 × 103 × V2,65 × Q V é a energia eletrónica de pico em milhões de eletrões-volt. Caso a duração de impulso do feixe do acelerador seja inferior ou igual a 1 μs, Q é a carga acelerada total em coulombs. Se a duração de impulso do feixe do acelerador for superior a 1 μs, Q é a carga acelerada máxima em 1 μs. Q = integral de i em ordem a t, ao longo do menor de dois intervalos de tempo: 1 μs ou a duração do impulso do feixe (Q = ∫ idt), em que i é a corrente do feixe em amperes e t é o tempo em segundos. Potência de pico = (potencial de pico em volts) × (corrente de pico do feixe em amperes). 3A201 c. Em máquinas baseadas em cavidades de aceleração de micro-ondas, a duração do impulso do feixe é o menor de dois intervalos de tempo: 1 μs ou a duração do pacote de feixes resultante de um impulso modulador de micro-ondas. Em máquinas baseadas em cavidades de aceleração de micro-ondas, a corrente de pico do feixe é a corrente média durante o tempo em que existe um pacote de feixes.

1. a.

Uma energia eletrónica de pico do acelerador igual ou superior a 500 keV mas inferior a 25 MeV; e

Um coeficiente de mérito (K) igual ou superior a 0,25; ou

2. a.

Uma energia eletrónica de pico do acelerador igual ou superior a 25 MeV; e

Uma potência de pico superior a 50 MW.

Saída multifásica capaz de fornecer uma potência igual ou superior a 40 VA;

Funcionamento numa frequência igual ou superior a 600 Hz; e

Controlo de frequência melhor que (inferior a) 0,2 %.

1. Devem ser devolvidos ao fabricante original para proceder a melhorias ou à libertação das restrições;

2. Necessitam de software como especificado em 3D225 para melhorar ou libertar o desempenho a fim de satisfazer as características de 3A225; ou

3. Necessitam de tecnologia sob a forma de códigos ou chaves como especificado em 3E225 para melhorar ou libertar o desempenho a fim de satisfazer as características de 3A225.

3A Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. a.

Capacidade para produzir continuamente, durante um período de oito horas, uma tensão igual ou superior a 100 V com uma corrente de saída igual ou superior a 500 A; e

Estabilidade da corrente ou tensão melhor que 0,1 %, durante um período de oito horas.

Capacidade para produzir continuamente, durante um período de oito horas, uma tensão igual ou superior a 20 kV com uma corrente de saída igual ou superior a 1 A; e

Estabilidade da corrente ou tensão melhor que 0,1 %, durante um período de oito horas.

Válvulas de cátodo frio, cheias ou não com gás, que funcionam como espinterómetros, com todas as seguintes características: Nota: 3A228 inclui válvulas de gás kryton e válvulas de vácuo sprytron.

1. Três ou mais elétrodos;

2. Tensão anódica nominal de pico igual ou superior a 2,5 kV;

3. Corrente anódica nominal de pico igual ou superior a 100 A; e

4. Tempo de atraso no ânodo igual ou inferior a 10 μs.

Espinterómetros-controlados por impulso com ambas as seguintes características:

1. Tempo de atraso no ânodo igual ou inferior a 15 μs; e

2. Corrente nominal de pico igual ou superior a 500 A;

Módulos ou conjuntos com uma função de comutação rápida, com exceção dos referidos em 3A001.g. ou 3A001.h., com todas as seguintes características:

1. Tensão anódica nominal de pico superior a 2 kV;

2. Corrente anódica nominal de pico igual ou superior a 500 A; e

3. Tempo de arranque igual ou inferior a 1 μs.

Dispositivos de ignição de detonadores (sistemas iniciadores, firesets), incluindo dispositivos de ignição ativados eletronicamente, oticamente e por explosivos, exceto os especificados em 1A007.a., concebidos para ativar detonadores controlados de forma múltipla especificados em 1A007.b.;

Geradores modulares de impulsos elétricos (pulsadores), com todas as seguintes características: Nota: 3A229.b. abrange acionadores de lâmpadas de arco de xénon.

1. Concebidos para equipamentos portáteis, móveis ou robustecidos;

2. Capazes de fornecer a sua energia em menos de 15 μs em cargas inferiores a 40 ohms;

3. Com uma corrente de saída superior a 100 A;

4. Sem dimensões superiores a 30 cm;

5. Com peso inferior a 30 kg; e

6. Especificados para utilização numa gama alargada de temperaturas [223 K (-50 °C) a 373 K (100 °C)] ou especificados como aptos para aplicações aeroespaciais.

Unidades de microignição com todas as seguintes características:

1. Sem dimensões superiores a 35 mm;

2. Tensão nominal igual ou superior a 1 kV;

3. Capacitância igual ou superior a 100 nF.

Tensão de saída superior a 6 V em cargas resistentes inferiores a 55 ohms, e

Tempos de transição de impulsos inferiores a 500 ps.

3A Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. a.

Concebidos para funcionamento sem sistema de vácuo externo; e

Com qualquer das seguintes características:

1. Aeleração eletrostática para induzir uma reação nuclear trítio-deutério; ou

2. Aceleração eletrostática para induzir uma reação nuclear deutério-deutério e capaz de uma potência de 3 × 109 neutrões/s ou superior.

Não utilizado;

Dispositivos que utilizam detonadores simples ou múltiplos concebidos para o desencadeamento quase simultâneo de uma superfície explosiva maior que 5000 mm2 a partir de um único sinal de ignição, com um tempo de desencadeamento em toda a superfície inferior a 2,5 μs.

Espectrómetros de massa de plasma com acoplamento por indução (ICP/MS);

Espectrómetros de massa de descarga luminescente (GDMS);

Espectrómetros de massa de ionização térmica (TIMS);

Espetrómetros de massa de bombardeamento de eletrões, com ambos as seguintes características:

1. Um sistema de admissão de feixe molecular que injeta um feixe colimado de moléculas de analito numa região da fonte de iões onde as moléculas são ionizadas por um feixe de eletrões; e

2. Uma ou mais armadilhas frias que podem ser arrefecidas a uma temperatura de 193 K (-80 °C);

Não utilizado;

Espetrómetros de massa equipados com uma fonte iónica de microfluoração concebida para actinídeos ou fluoretos de actinídeos.

3A Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. Notas técnicas: 1.2. a.

Tensão nominal superior a 2 kV; e

Indutância inferior a 20 nH.

3B Equipamentos de ensaio, de inspeção e de produção 3B001 Equipamentos para o fabrico de dispositivos ou materiais semicondutores e componentes e acessórios especialmente concebidos para os mesmos: 3B002 Equipamentos de ensaio especialmente concebidos para o ensaio de dispositivos de semicondutores, terminados ou não, e componentes e acessórios especialmente concebidos para os mesmos:

3B a.

Equipamentos concebidos para crescimento epitaxial, como se segue:

1. Equipamentos capazes de produzir uma camada de qualquer material, com exceção do silício, de espessura uniforme, com uma tolerância inferior a ± 2,5 % numa extensão igual ou superior a 75 mm; Nota: 3B001.a.1. inclui os equipamentos de epitaxia por camadas atómicas (ALE).

2. Reatores de Deposição de Organometálicos em fase Vapor por Processo Químico (MOCVD) concebidos para o crescimento epitaxial de semicondutores compostos de material com dois ou mais dos seguintes elementos: alumínio, gálio, índio, arsénio, fósforo, antimónio ou azoto;

3. Equipamentos de crescimento epitaxial através de feixe molecular que utilizem fontes de gás ou sólidos.

Equipamentos concebidos para implantação iónica e com qualquer das seguintes características:

1. Não utilizado;

2. Concebidos e otimizados para funcionar com uma energia do feixe igual ou superior a 20 keV e corrente do feixe igual ou superior a 10 mA para a implantação de hidrogénio, deutério ou hélio;

3. Capacidade de escrita direta;

4. Energia do feixe igual ou superior a 65 keV e corrente do feixe igual ou superior a 45 mA para a implantação de oxigénio com elevada energia num substrato de material semicondutor aquecido; ou

5. Concebidos e otimizados para funcionar com uma energia do feixe igual ou superior a 20 keV e corrente do feixe igual ou superior a 10 mA para a implantação de silício num substrato de material semicondutor aquecido a uma temperatura de 600 °C ou mais;

Equipamentos de erosão seca através de plasma anisotrópico, com todas as seguintes características:

1. Concebidos ou otimizados para produzir dimensões críticas iguais ou inferiores a 65 nm; e

2. Não uniformidade na bolacha igual ou inferior a 10 % 3σ medido com exclusão da borda igual ou inferior a 2 mm;

Não utilizado;

e. Notas técnicas: 1.2.

Sistemas centrais multicâmaras de tratamento de bolachas com carregamento automático, com todas as seguintes características: Nota: 3B001.e. não abrange sistemas robóticos de tratamento automático de bolachas especialmente concebidos para o tratamento paralelo de bolachas. Para efeitos de 3B001.e., por equipamentos de tratamento de semicondutores entende-se os equipamentos modulares que realizam processos físicos funcionalmente diferentes para a produção de semicondutores, tais como deposição, erosão, implantação ou tratamento térmico. Para efeitos de 3B001.e., por tratamento sequencial múltiplo de bolachas entende-se a capacidade de tratar cada bolacha em diferentes equipamentos de tratamento de semicondutores, por exemplo transferindo cada bolacha de um equipamento para outro e depois para um terceiro utilizando sistemas centrais multicâmaras de tratamento de bolachas com carregamento automático.

1. Interfaces para entrada e saída de bolachas, às quais podem ser ligadas mais de dois equipamentos de tratamento de semicondutores funcionalmente diferentes especificados em 3B001.a., 3B001.b., 3B001.c. ou 3B001.d.; e

2. Concebidos para formar um sistema integrado em ambiente de vácuo para o tratamento sequencial múltiplo de bolachas;

3B001 Equipamentos litográficos:

1. Equipamentos com repetição de alinhamento e exposição (avanço em bolacha) ou avanço e varrimento (dispositivo de varrimento) para o processamento de bolachas através de métodos de raios X ou foto-óticos e com qualquer das seguintes características:

1. a.

Comprimento de onda da fonte de luz inferior a 245 nm; ou

b. Nota técnica:

Capazes de produzir um padrão com dimensão do Traço Mínimo Resolúvel (TMR) igual ou inferior a 95 nm; A dimensão do Traço Mínimo Resolúvel (TMR) é calculada pela seguinte fórmula: MRFcomprimento de onda da fonte de luz de exposição efator Kabertura numérica em que o fator K = 0,35

2. Equipamentos de impressão litográfica capazes de produzir traços de 95 nm ou menos; Nota: 3B001.f.2. abrange:

Instrumentação de impressão por microcontacto

Instrumentação de embossagem a quente

Instrumentação de nanoimpressão litográfica

Instrumentação de impressão litográfica step and flash (S-FIL)

3. Equipamentos especialmente concebidos para a realização de máscaras ou para o tratamento de dispositivos de semicondutores por métodos de escrita direta, com todas as seguintes características:

3. a.

Utilização de feixes de eletrões, iões ou laser focados e refletidos; e

Com qualquer das seguintes características:

1. Dimensão de ponto inferior a 0,2 μm;

2. Capacidade para produzir um padrão com uma dimensão de traço inferior a 1 μm; ou

3. Precisão no revestimento melhor que ± 0,20 μm (3 sigma);

Máscaras e retículas concebidas para circuitos integrados referidos em 3A001;

Máscaras multicamadas com uma camada de deslocamento de fase não abrangidas por 3B001.g. e com qualquer das seguintes características: Nota: 3B001.h. não abrange as máscaras multicamadas com uma camada de deslocamento de fase concebidas para o fabrico de elementos de memória não abrangidos por 3A001.

1. Fabricadas numa máscara de substrato em branco de vidro definido como tendo menos de 7 nm/cm de birrefringência; ou

2. Concebidas para serem utilizadas por equipamentos litográficos com um comprimento de onda da fonte de luz inferior a 245 nm;

Placas de impressão litográfica concebidas para circuitos integrados especificados em 3A001.

Para ensaio dos parâmetros S de dispositivos com transístores a frequências superiores a 31,8 GHz;

Não utilizado;

Para ensaio dos circuitos integrados de micro-ondas especificados em 3A001.b.2.

3C Materiais 3C001 Materiais hétero-epitaxiais constituídos por um substrato com múltiplas camadas sobrepostas obtidas por crescimento epitaxial de: Nota: 3C001.d. não abrange um substrato com uma ou mais camadas epitaxiais de tipo P de GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, InGaP, AlInP ou InGaAlP, independente da sequência dos elementos, exceto se a camada epitaxial do tipo P estiver entre camadas de tipo N. 3C002 Resinas fotossensíveis e substratos revestidos das seguintes resinas fotossensíveis: 3C003 Compostos organo-inorgânicos: Nota: 3C003 abrange apenas os compostos cujo elemento metálico, semimetálico ou não metálico está diretamente ligado a átomos de carbono da parte orgânica da molécula. 3C004 Hidretos de fósforo, de arsénio ou de antimónio com um grau de pureza superior a 99,999 %, mesmo quando diluídos em gases inertes ou em hidrogénio. Nota: 3C004 não abrange hidretos com 20 % molar ou mais de gases inertes ou de hidrogénio. 3C005 Substratos semicondutores de carboneto de silício (SiC), nitreto de gálio (GaN), nitreto de alumínio (AlN) ou nitreto de gálio-alumínio (AlGaN), ou lingotes, compostos sintéticos ou outras preformas daqueles materiais, com uma resistividade superior a 10000 ohm-cm a 20 °C. 3C006 Substratos especificados em 3C005 com pelo menos uma camada de carboneto de silício, nitreto de gálio, nitreto de alumínio ou nitreto de gálio-alumínio.

3C a.

Silício (Si);

Germânio (Ge);

Carboneto de silício (SiC); ou

Compostos III/V de gálio ou índio.

Resinas fotossensíveis concebidas para litografia de semicondutores:

1. Resinas fotossensíveis positivas ajustadas para utilização em comprimentos de onda inferiores a 245 nm mas iguais ou superiores a 15 nm;

2. Resinas fotossensíveis ajustadas para utilização em comprimentos de onda inferiores a 15 nm mas superiores a 1 nm;

Todas as resinas fotossensíveis concebidas para utilização com feixes de eletrões ou iões, com uma sensibilidade igual ou superior a 0,01 μcoulomb/mm2;

Não utilizado;

Todas as resinas fotossensíveis otimizadas para as tecnologias de imagem em superfície;

Todas as resinas fotossensíveis concebidas ou otimizadas para serem utilizadas com o equipamento de impressão litográfica especificado em 3B001.f.2. que utilizam um processo térmico ou fotocurável.

Compostos organo-metálicos de alumínio, gálio ou índio, com um grau de pureza (no que respeita ao elemento metálico) superior a 99,999 %;

Compostos orgânicos de arsénio, antimónio ou fósforo com um grau de pureza (no que respeita ao elemento inorgânico) superior a 99,999 %.

3D Nota técnica:

Software 3D001 Software especialmente concebido para o desenvolvimento ou produção de equipamentos especificados em 3A001.b. a 3A002.g. ou 3B. 3D002 Software especialmente concebido para a utilização dos equipamentos especificados em 3B001.a.a.f., 3B002 ou 3A225. 3D003 Software de simulação com base nas leis da física especialmente concebidos para o desenvolvimento de processos litográficos, de erosão ou de deposição para a transposição de padrões de máscaras para padrões topográficos específicos em materiais condutores, dielétricos ou semicondutores. Em 3D003, por com base nas leis da física entende-se a utilização de cálculos para determinar sequências de fenómenos físicos de causa e efeito com base em propriedades físicas (por exemplo, temperatura, pressão, constantes de difusão e propriedades dos materiais semicondutores). Nota: Bibliotecas, atributos de desenho ou dados associados à conceção de dispositivos de semicondutores ou circuitos integrados são considerados tecnologia. 3D004 Software especialmente concebido para o desenvolvimento dos equipamentos especificados em 3A003. 3D101 Software especialmente concebido ou modificado para a utilização de equipamentos especificados em 3A101.b. 3D225 Software especialmente concebido para melhorar ou libertar o desempenho de um modificador ou gerador de frequência para atender às características de 3A225.

3E Tecnologia 3E001 Tecnologia, na aceção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o desenvolvimento ou produção de equipamentos ou materiais especificados em 3A, 3B ou 3C; Nota 1: 3E001 não abrange tecnologia para a produção dos equipamentos ou componentes abrangidos por 3A003. Nota 2: 3E001 não abrange tecnologia para o desenvolvimento ou produção de circuitos integrados referidos em 3A001.a.3.a 3A001.a.12. com todas as seguintes características: 3E002 Tecnologia, na aceção da Nota Geral sobre Tecnologia, exceto a especificada em 3E001, para o desenvolvimento ou produção de um microcircuito microprocessador, microcircuito microcomputador ou núcleo de microcircuito microcontrolador com uma unidade lógica aritmética com uma largura de acesso de 32 bits ou mais e qualquer das seguintes especificidades ou características: Nota 1: 3E002 não abrange tecnologia para o desenvolvimento ou produção de núcleos de microprocessadores com todas as seguintes características: Nota 2: 3E002 inclui tecnologia para processadores digitais de sinais e processadores matriciais digitais. 3E003 Outras tecnologias para o desenvolvimento ou produção de: 3E101 Tecnologia, na aceção da Nota Geral sobre Tecnologia, para a utilização de equipamentos ou software especificados em 3A001.a.1. ou 2, 3A101, 3A102 ou 3D101. 3E102 Tecnologia, na aceção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o desenvolvimento de software especificado em 3D101. 3E201 Tecnologia, na aceção da Nota Geral sobre Tecnologia, para a utilização de equipamentos especificados em 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 a 3A234. 3E225 Tecnologia, sob a forma de códigos ou chaves para melhorar ou libertar o desempenho de um modificador ou gerador de frequência para satisfazer as características de 3A225.

3E a.

Utilização de tecnologia igual ou superior a 0,130 μm; e

Incorporarem estruturas multicamadas com três ou menos camadas metálicas.

a. Nota técnica:

Uma unidade processadora vetorial concebida para executar simultaneamente mais de dois cálculos sobre vetores de vírgula flutuante (matrizes unidimensionais de 32 bits ou mais); Uma unidade processadora vetorial é um elemento processador com instruções integradas que efetua em simultâneo múltiplos cálculos sobre vetores de vírgula flutuante (matrizes unidimensionais de 32 bits ou mais), com pelo menos uma unidade lógica aritmética vetorial.

Concebida para efetuar mais de quatro resultados de operações de vírgula flutuante de 64 bits ou mais por ciclo; ou

3E002 Concebida para efetuar mais de quatro resultados de operações de multiplicação-acumulação de vírgula fixa de 16 bits por ciclo (p. ex., tratamento digital de informação analógica que tinha sido previamente convertida em formato digital, também conhecido por processamento de sinais digital). Nota: 3E002.c. não abrange tecnologia para as extensões multimédia.

Utilização de tecnologia igual ou superior a 0,130 μm; e

Incorporação de estruturas multicamadas com cinco ou menos camadas de metal.

Dispositivos microeletrónicos de vácuo;

Dispositivos eletrónicos de semicondutores com heteroestrutura como transístores de elevada mobilidade eletrónica (HEMT), transístores heterobipolares (HBT), e dispositivos de poços quânticos ou de super-redes; Nota: 3E003.b. não abrange a tecnologia para transístores de elevada mobilidade eletrónica (HEMT) que funcionem a frequências inferiores a 31,8 GHz nem para transístores bipolares de heterojunção (HBT) que funcionem a frequências inferiores a 31,8 GHz.

Dispositivos eletrónicos supercondutores;

Substratos de películas de diamante para componentes eletrónicos.

Substratos de silício sobre isolador (SOI) para circuitos integrados, nos quais o isolador é o dióxido de silício;

Substratos de carboneto de silício para componentes eletrónicos;

Válvulas eletrónicas de vácuo que funcionem a frequências iguais ou superiores a 31,8 GHz.

CATEGORIA 4 COMPUTADORES

Nota 1: Os computadores, equipamentos associados ou software que realizam funções de telecomunicações ou de redes locais devem ser também avaliados face às características de desempenho da categoria 5, parte 1 (Telecomunicações). Nota 2: As unidades de comando que estabelecem uma interconexão direta de barramentos ou canais de unidades centrais de processamento, de memória principal ou de controladores de disco não são consideradas como equipamentos de telecomunicações descritos na categoria 5, parte 1 (Telecomunicações). N.B.: Para o estatuto do software especialmente concebido para comutação de pacotes, ver 5D001. Nota 3: Os computadores, equipamentos associados e software que realizam funções criptográficas, criptanalíticas, de segurança certificável multiníveis ou de isolamento certificável de utilizadores, ou que limitam a compatibilidade eletromagnética (EMC), devem ser também avaliados face às características de desempenho definidas na categoria 5, parte 2 (Segurança da informação).

4A Sistemas, equipamentos e componentes 4A001 Computadores eletrónicos e equipamentos associados com qualquer das seguintes características, bem como conjuntos eletrónicos e componentes especialmente concebidos para os mesmos: N.B.: VER TAMBÉM 4A101. 4A003 Computadores digitais, conjuntos eletrónicos e equipamentos associados, bem como componentes especialmente concebidos para os mesmos: Nota 1: 4A003 abrange: Nota 2: O estatuto dos computadores digitais ou equipamentos associados descritos em 4A003 é determinado pelo estatuto de outros equipamentos ou sistemas, desde que: 4A004 Computadores, bem como equipamentos associados, conjuntos eletrónicos e componentes especialmente concebidos para os mesmos: 4A005 Sistemas, equipamentos e componentes para os mesmos, especialmente concebidos ou modificados para a geração, operação ou distribuição de, ou comunicação com, software de intrusão. 4A101 Computadores analógicos, computadores digitais ou analisadores digitais diferenciais, com exceção dos referidos em 4A001.a.1., que sejam robustecidos e concebidos ou modificados para utilização em veículos lançadores espaciais referidos em 9A004 ou em foguetes-sonda especificados em 9A104. 4A102 Computadores híbridos especialmente concebidos para modelização, simulação ou integração da conceção de veículos lançadores espaciais referidos em 9A004 ou de foguetes-sonda especificados em 9A104. Nota: Aplica-se apenas quando os equipamentos são fornecidos com o software especificado em 7D103 ou 9D103.

4A a.

Especialmente concebidos para apresentarem qualquer das seguintes características:

1. Classificados como aptos para funcionamento a uma temperatura ambiente inferior a 228 K (-45 °C) ou superior a 358 K (85 °C); ou Nota: 4A001.a.1. não abrange os computadores especialmente concebidos para aplicações em automóveis civis, comboios civis ou aeronaves civis.

2. Reforçados contra radiações de modo a superarem qualquer das seguintes especificações: a. Dose total 5 × 103 Gy (silício); b. Limite do fluxo de radiação 5 × 106 Gy (silício)/s; ou c. Limite de evento único 1 × 10-8 erros/bit/dia; Nota: 4A001.a.2. não abrange os computadores especialmente concebidos para aplicações em aeronaves civis.

Não utilizado.

Processadores vetoriais;

Processadores matriciais;

Processadores de sinais digitais;

Processadores lógicos;

Equipamentos concebidos para melhoramento de imagens;

Equipamentos concebidos para processamento de sinais.

Os computadores digitais ou equipamentos associados sejam essenciais para o funcionamento dos outros equipamentos ou sistemas;

Os computadores digitais ou equipamentos associados não sejam um elemento principal dos outros equipamentos ou sistemas; e N.B. 1: O estatuto dos equipamentos de processamento de sinais ou melhoramento de imagens especialmente concebidos para outros equipamentos com funções limitadas às requeridas pelos outros equipamentos é determinado pelo estatuto dos outros equipamentos, ainda que o critério de elemento principal seja superado. N.B. 2: Para o estatuto dos computadores digitais ou equipamentos associados para equipamentos de telecomunicações, ver categoria 5, parte 1 (Telecomunicações).

A tecnologia para os computadores digitais e equipamentos associados seja determinada por 4E.

Não utilizado;

Computadores digitais com um pico de desempenho ajustado (PDA) superior a 8,0 TeraFLOPS ponderados (TP);

4A003 Conjuntos eletrónicos especialmente concebidos ou modificados para poderem melhorar o desempenho através da agregação de processadores, de modo a que o PDA do agregado ultrapasse o limite especificado em 4A003.b.; Nota 1: 4A003.c. abrange apenas conjuntos eletrónicos e interligações programáveis que não excedam o limite especificado em 4A003.b., quando expedidos como conjuntos eletrónicos não integrados. Não controla conjuntos eletrónicos intrinsecamente limitados, devido à sua conceção, a utilização como equipamento associado especificado em 4A003.e. Nota 2: 4A003.c. não abrange conjuntos eletrónicos especialmente concebidos para um produto ou família de produtos cuja configuração máxima não exceda o limite especificado em 4A003.b.

Não utilizado;

Equipamentos que efetuem conversões analógico-digitais que excedam os limites especificados em 3A001.a.5.;

Não utilizado;

Equipamentos especialmente concebidos para agregar o desempenho de computadores digitais fornecendo interconexões externas que possibilitam comunicações com um débito unidirecional de dados superior a 2,0 Gbyte/s por ligação. Nota: 4A003.g. não abrange equipamentos de interconexão interna (p. ex. painéis posteriores, barramentos), equipamentos de interconexão passiva, controladores de acesso à rede ou controladores de canais de comunicação.

Computadores sistólicos matriciais;

Computadores neuronais;

Computadores óticos.

4B Equipamentos de ensaio, de inspeção e de produção Nenhum.

4C Materiais Nenhum.

4D Software Nota: O estatuto do software para equipamentos descritos noutras categorias é tratado na respetiva categoria. 4D 4D001 Software: 4D002 Software especialmente concebido ou modificado para servir de suporte a tecnologias especificadas em 4E. 4D003 Não utilizado. 4D004 Software especialmente concebido ou modificado para a geração, operação ou distribuição de, ou comunicação com, software de intrusão.

4D a.

Software especialmente concebido ou modificado para o desenvolvimento, produção de equipamentos ou software especificados em 4A001 a 4A004 ou 4D.

Software diferente do especificado em 4D001.a., especialmente concebido ou modificado para o desenvolvimento ou produção de equipamento, como se segue:

1. Computadores digitais com um pico de desempenho ajustado (PDA) superior a 0,60 TeraFLOPS ponderados (TP);

2. Conjuntos eletrónicos especialmente concebidos ou modificados para melhorar o desempenho através da agregação de processadores de modo a que o PDA do agregado ultrapasse o limite indicado em 4D001.b.1.

4E Tecnologia 4E001

4E a.

Tecnologia na aceção da Nota Geral sobre Tecnologia, para o desenvolvimento, produção ou utilização de equipamentos ou software especificados em 4A ou 4D.

Tecnologia diferente da especificada em 4E001.a., especialmente concebida ou modificada para o desenvolvimento ou produção de equipamento, como se segue:

1. Computadores digitais com um pico de desempenho ajustado (PDA) superior a 0,60 TeraFLOPS ponderados (TP);

Tecnologia para o desenvolvimento de software de intrusão.

NOTA TÉCNICA SOBRE O PICO DE DESEMPENHO AJUSTADO (PDA)

O PDA é uma taxa de pico ajustada a que os computadores digitais efetuam somas e multiplicações de vírgula flutuante de 64 bits ou mais. O PDA é expresso em TeraFLOPS ponderados (TP), em unidades de 1012 operações ajustadas de vírgula flutuante por segundo.

Abreviaturas utilizadas na presente nota técnica

n número de processadores existentes no computador digital i número do processador (i = l, … n) ti tempo de ciclo do processador (ti = 1/Fi) Fi frequência do processador Ri pico da taxa de cálculo da vírgula flutuante Wi fator de ajustamento da arquitetura

Descrição do método de cálculo do PDA 1.2.3.4. Nota técnica:

Para cada processador i, determinar o número de pico das operações de vírgula flutuante (OVFi), de 64 bits ou mais, efetuadas por ciclo para cada processador existente no computador digital. Nota: Ao determinar as OVF, incluir apenas as somas e/ou multiplicações de vírgula flutuante de 64 bits ou mais. Todas as operações de vírgula flutuante devem ser expressas em operações por ciclo de processador; as operações que requeiram ciclos múltiplos podem ser expressas em resultados fracionados por ciclo. Para os processadores incapazes de efetuar cálculos sobre operandos de vírgula flutuante de 64 bits ou mais, a taxa de cálculo R efetiva é igual a zero. Calcular a taxa R da vírgula flutuante para cada processador Ri = FPOi/ti. Calcular o PDA como PDA = W1 × R1 + W2 × R2 + … + Wn × Rn. Para os processadores vetoriais, Wi = 0,9. Para os processadores não vetoriais, Wi = 0,3. Nota 1: Para os processadores que executam operações compostas num ciclo, tais como somas e multiplicações, conta-se cada operação. Nota 2: Para um processador em conduta, a taxa de cálculo R efetiva é a mais rápida da taxa em conduta, uma vez que a conduta esteja cheia, ou a taxa não em conduta. Nota 3: A taxa de cálculo R de cada processador contribuinte deve ser calculada no seu valor máximo teoricamente possível antes de derivar o PDA da combinação. Parte-se do princípio de que existem operações simultâneas quando o fabricante afirme no manual ou nas instruções do computador que este é capaz de efetuar operações simultâneas ou paralelas. Nota 4: Ao calcular o PDA, não incluir os processadores que apenas têm funções de entrada/saída e periféricas (p. ex., leitura/escrita em discos, comunicação e afixação no monitor). Nota 5: Os valores PDA não devem ser calculados para combinações de processadores (inter)ligados por redes locais, redes de área ampla, conexões/aparelhos partilhados I/O, controladores I/O e quaisquer interconexões de comunicação implementadas por software. Nota 6: Os valores PDA devem ser calculados para: Agregar todos os processadores e aceleradores que funcionam em simultâneo e localizados na mesma pastilha. Nota 7: Um processador vetorial é definido como um processador com instruções no próprio que efetua em simultâneo múltiplos cálculos sobre vetores de vírgula flutuante (redes unidimensionais de 64 bits ou mais), com pelo menos duas unidades funcionais vetoriais e, no mínimo, oito registos vetoriais de, pelo menos, 64 elementos cada.

Descrição do método de cálculo do PDA 1.2.3.4.

1. As combinações de processadores que contenham processadores especialmente concebidos para melhorar o desempenho por agregação, operando em simultâneo e partilhando a memória; ou

2. As combinações múltiplas de memória/processador que funcionem em simultâneo utilizando hardware especialmente concebido para o efeito.

CATEGORIA 5 TELECOMUNICAÇÕES E SEGURANÇA DA INFORMAÇÃO

PARTE 1 TELECOMUNICAÇÕES

5A1 Nota técnica:

Sistemas, equipamentos e componentes 5A001 Sistemas, equipamentos e componentes e acessórios de telecomunicações, como se segue: 5A101 Equipamentos de telemetria e telecomando, incluindo equipamentos utilizados no solo, concebidos ou modificados para mísseis. Em 5A101, por mísseis entende-se os sistemas completos de foguetes e os sistemas de veículos aéreos não tripulados capazes de um alcance superior a 300 km. Nota: 5A101 não abrange:

5A1 a.

Quaisquer tipos de equipamentos de telecomunicações com qualquer das seguintes características, funções ou elementos: Nota: 5A001.a.2. e 5A001.a.3. não abrangem equipamentos concebidos ou modificados para utilização a bordo de satélites.

1. Especialmente concebidos para resistir a efeitos eletrónicos ou a efeitos de impulsos eletromagnéticos transitórios, ambos resultantes de uma explosão nuclear;

2. Especialmente reforçados para resistir a radiações gama, de neutrões ou de iões; ou

3. Especialmente concebidos para funcionar fora da gama de temperaturas que vai de 218 K (- 55 °C) a 397 K (124 °C); Nota: 5A001.a.3. aplica-se apenas a equipamentos eletrónicos.

Sistemas e equipamentos para telecomunicações, bem como componentes e acessórios especialmente concebidos para os mesmos, com qualquer das seguintes características, funções ou elementos:

1. Serem sistemas de comunicações subaquáticos, livres, com qualquer das seguintes características:

1. a.

Terem uma frequência portadora acústica não compreendida entre 20 kHz e 60 kHz;

Utilizarem uma frequência portadora eletromagnética inferior a 30 kHz;

Utilizarem técnicas eletrónicas de orientação do feixe; ou

Utilizarem lasers ou díodos emissores de luz (LED) com um comprimento de onda de saída superior a 400 nm e inferior a 700 nm numa rede local;

2. Serem equipamentos de radiocomunicações que funcionem na banda de 1,5 a 87,5 MHz e terem todas as seguintes características:

2. a.

Previsão e seleção automáticas de frequências e débitos totais de transferência digital por canal para otimização da transmissão; e

Inclusão da configuração de um amplificador linear de potência com capacidade de tratamento simultâneo de sinais múltiplos, com uma potência de saída igual ou superior a 1 kW em bandas de frequências iguais ou superiores a 1,5 MHz mas inferiores a 30 MHz, ou igual ou superior a 250 W em bandas de frequências iguais ou superiores a 30 MHz mas não superiores a 87,5 MHz, sobre uma largura de banda instantânea de uma oitava ou mais e com uma taxa de harmónicas e distorção na saída melhor que -80 dB;

3. Serem equipamentos de radiocomunicações que utilizem técnicas de espetro alargado, incluindo técnicas de saltos de frequência, não especificadas em 5A001.b.4. e com qualquer das seguintes características: Nota: 5A001.b.3. não abrange equipamentos com uma potência de saída igual ou inferior a 1 W.

3. a.

Códigos de expansão programáveis pelo utilizador; ou

Largura de banda total de transmissão igual ou superior a 100 vezes a largura de banda de qualquer canal único de informação e superior a 50 kHz; Nota: 5A001.b.3.b. não abrange os equipamentos de rádio especialmente concebidos para utilização com:

a.

Sistemas de radiocomunicações celulares para uso civil; ou

b.

Estações terrestres do serviço fixo ou móvel por satélite para telecomunicações civis comerciais.

4. 5A001 b. Serem equipamentos de radiocomunicações que utilizem técnicas de modulação ultralargas, com códigos de encaminhamento, de distorção/criptagem ou de identificação da rede programáveis pelo utilizador e com qualquer das seguintes características:

4. a.

Largura de banda superior a 500 MHz; ou

Largura de banda fracionada de 20 % ou mais;

5. Notas técnicas:

Serem recetores de radiocomunicações de comando digital com todas as seguintes características: Nota: 5A001.b.5. não abrange os equipamentos de rádio especialmente concebidos para utilização em sistemas de radiocomunicações celulares para uso civil. Por tempo de comutação de canais entende-se o tempo (isto é, demora) para mudar de uma frequência de receção para outra, para atingir a frequência de receção final especificada ou um valor situado entre ± 0,05 % da mesma. Os produtos com uma gama de frequências especificada inferior a ± 0,05 % da sua frequência central são definidos como incapazes de comutação de frequência de canal.

5. a.

Mais de 1000 canais;

Um tempo de comutação de canais inferior a 1 ms;

Procura ou varrimento automáticos de uma parte do espetro eletromagnético; e

Identificação dos sinais recebidos ou do tipo de emissor; ou

6. Notas técnicas: 1.2.

Utilizarem funções de processamento de sinais digital para fornecerem codificação vocal com débitos inferiores a 2400 bit/s. No caso da codificação vocal com débito variável, 5A001.b.6. aplica-se à codificação vocal do discurso contínuo. Para efeitos de 5A001.b.6., codificação vocal é definida como a técnica de recolha de amostras de voz humana e sua conversão num sinal digital, tomando em consideração as características próprias do discurso humano.

c. Nota técnica:

Fibras óticas de comprimento superior a 500 m, especificadas pelo fabricante como capazes de suportar uma tensão à tração, em ensaios de avaliação, igual ou superior a 2 × 109 N/m2; N.B.: Para os cabos de ligação subaquáticos, ver 8A002.a.3. Ensaio de avaliação designa os ensaios de produção em linha ou fora de linha que aplicam dinamicamente uma tensão à tração previamente definida sobre uma fibra com comprimento de 0,5 a 3 m a uma velocidade de 2 a 5 m/s, aquando da sua passagem entre cabrestantes com cerca de 150 mm de diâmetro. A temperatura ambiente nominal é de 293 K (20 °C) e a humidade relativa é de 40 %. Podem ser utilizadas normas nacionais equivalentes na execução dos ensaios de avaliação.

Agregados de antenas com relação de fase orientáveis eletronicamente que funcionem acima de 31,8 GHz; Nota: 5A001.d. não abrange os agregados de antenas com relação de fase orientáveis eletronicamente para sistemas de aterragem por instrumentos que respeitem as normas da ICAO relativas aos Sistemas de Aterragem por Micro-ondas (MLS).

5A001 Equipamentos de radiogonometria que funcionem em frequências superiores a 30 MHz e com todas as seguintes características, e componentes especialmente concebidos para os mesmos:

1. Largura de banda instantânea igual ou superior a 10 MHz; e

2. Capacidade de encontrar uma Linha de Ligação com Radiotransmissores (LOB) não cooperantes com uma duração de sinal inferior a 1 ms.

Equipamento de interceção ou empastelamento de telecomunicações móveis e equipamento de monitorização para o efeito, como se segue, e componentes especialmente concebidos para os mesmos: Nota: 5A001.f.1. e 5A001.f.2. não abrangem nenhum dos seguintes equipamentos: N.B. 1: Ver também a LISTA DE MATERIAL DE GUERRA. N.B. 2: Para recetores de radiocomunicações, ver 5A001.b.5.

1. Equipamento de interceção concebido para extração de voz ou dados transmitidos através de uma interface aérea;

2. Equipamento de interceção não especificado em 5A001.f.1., concebido para a extração dos identificadores do dispositivo do assinante e do dispositivo cliente (por exemplo, IMSI, TIMSI ou IMEI), de sinalização, ou de outros metadados transmitidos através de uma interface aérea;

3. Equipamento de empastelamento especialmente concebido ou alterado para, intencional e seletivamente, interferir, recusar, inibir, degradar ou seduzir serviços de telecomunicações móveis e realizar qualquer das seguintes funções:

3. a.

Simulação das funções de equipamento de rede radiofónica (RAN);

Deteção e exploração das características específicas do protocolo de telecomunicações móveis utilizado (p. ex., GSM); ou

Exploração das características específicas do protocolo de telecomunicações móveis utilizado (p. ex., GSM);

4. Equipamento de monitorização RF concebido ou modificado para identificar o funcionamento dos elementos especificados em 5A001.f.1., 5A001.f.2. ou 5A001.f.3.;

a.

Equipamento especialmente concebido para a interceção de radiocomunicações móveis privadas analógicas (PMR), IEEE 802.11 WLAN;

b.

Equipamento concebido para os operadores de redes de telecomunicações móveis; ou

c.

Equipamento concebido para o desenvolvimento ou a produção de equipamento ou sistemas de telecomunicações móveis.

g. Nota técnica:

Sistemas Coerentes de Localização Passiva (PCL) ou equipamentos especialmente concebidos para a deteção e seguimento de objetos móveis através da medição da reflexão de emissões de radiofrequências no ambiente feitas por emissores não-radar. Os emissores não radar podem incluir rádio com fins comerciais, televisão ou estações de base de telecomunicações celulares. Nota: 5A001.g. não abrange nenhum dos seguintes:

a.

Equipamento radioastronómico; ou

b.

Sistemas ou equipamento que exija qualquer tipo de transmissão rádio a partir do alvo.

5A001 Equipamento de luta contra engenhos explosivos improvisados (IED) e equipamento conexo: N.B.: Ver também a LISTA DE MATERIAL DE GUERRA.

1. Equipamentos de transmissão de radiofrequência (RF), não especificados em 5A001.f., concebidos ou modificados para ativar prematuramente ou impedir o funcionamento de engenhos explosivos improvisados;

2. Equipamento que utiliza técnicas concebidas para permitir comunicações rádio nos mesmos canais de frequência em que está a transmitir equipamento co-localizado especificado em 5A001.h.1.

Não utilizado;

j. Nota técnica:

Sistemas ou equipamentos de vigilância de comunicações em rede Internet (IP), e componentes especialmente concebidos para os mesmos, com todas as seguintes características: Nota: 5A001.j. não abrange os sistemas ou equipamentos especialmente concebidos para: Por seletores concretos entende-se dados ou conjunto de dados relacionados com um indivíduo (por exemplo, apelido, nome próprio, correio eletrónico, endereço, número de telefone ou filiações em grupos).

1. Execução de todas as seguintes tarefas numa rede dorsal Internet (IP) (por exemplo, rede dorsal IP nacional):

1. a.

Análise na camada de aplicação (por exemplo, Camada 7 de modelo de Interligação de Sistemas Abertos (OSI) (ISO/IEC 7498-1));

Extração de metadados selecionados e conteúdo de aplicação (por exemplo, voz, vídeo, mensagens, anexos); e

Indexação dos dados extraídos; e

2. Especialmente concebidos para apresentarem todas as seguintes características:

2. a.

Realização de pesquisas com base em seletores concretos; e

Mapeamento da rede de relações de um indivíduo ou de um grupo de pessoas.

a.

Efeitos de comercialização;

b.

Qualidade de serviço da rede (QoS); ou

c.

Qualidade da experiência (QoE).

5A1 Nota técnica: a.

Equipamentos concebidos ou modificados para veículos aéreos tripulados ou satélites;

Equipamento instalado no solo concebido ou modificado para aplicações terrestres ou marítimas;

Equipamento concebido para serviços de GNSS comerciais, civis ou de salvaguarda da vida (por exemplo, integridade de dados, segurança de voo).

5B1 a.

Equipamentos, bem como componentes e acessórios especialmente concebidos para os mesmos, especialmente concebidos para o desenvolvimento ou produção dos equipamentos, funções ou elementos referidos em 5A001. Nota: 5B001.a. não abrange equipamentos de caracterização de fibras óticas.

1. Não utilizado;

2. a.

Comprimento de onda de transmissão superior a 1750 nm;

Efetuarem a amplificação ótica utilizando amplificadores de fibras fluoretadas com adição de praseodímio (PDFFA);

Mais 1286 disposições não são mostradas aqui; cada uma tem o seu próprio endereço.

Versões

2014-10-22