Berigtigelse til Kommissionens delegerede forordning (EU) 2018/1922 af 10. oktober 2018 om ændring af Rådets forordning (EF) nr. 428/2009 om en fællesskabsordning for kontrol med udførsel, overførsel, mæglervirksomhed og transit i forbindelse med produkter med dobbelt anvendelse (Den Europæiske Unions Tidende L 319 af 14. december 2018)
Karakter B
afledt af udgiverens opmærkning. En karakter siger, hvordan et dokuments struktur er hentet, ikke hvor pålidelig loven er.
Adresse https://gelex.eu/eli/EU/corrigendum/oj/L/2019/105/09@2019-04-16/da
Indhold
Side 129, bilag I, under 3B001, litra f, berigtiges indrykningen for nr. 3 og 4: I stedet for: læses: (a) En afbøjet fokuseret elektronstråle, ionstråle eller laserstråle og (1) En fuld halvværdibredde (FWHM) pletstørrelse, der er mindre end 65 nm, og en billedplacering på mindre end 17 nm (gennemsnit + 3 sigma) eller (2) Ikke anvendt (3) Second-layer overlay error på mindre end 23 nm (gennemsnit + 3 sigma) på masken (a) En afbøjet fokuseret elektronstråle og (1) Stråle med en minimumstørrelse på højst 15 nm eller (2) Overlay error på mindre end 27 nm (gennemsnit + 3 sigma) (b) En eller flere af følgende egenskaber: (4) Udstyr, der er konstrueret til behandling af indretninger, og som bruger direkte skrivemetoder, med alle følgende egenskaber: (b) En eller flere af følgende egenskaber: (3) Udstyr, der er specielt konstrueret til maskefremstilling med alle følgende egenskaber: (a) En afbøjet fokuseret elektronstråle, ionstråle eller laserstråle og (1) En fuld halvværdibredde (FWHM) pletstørrelse, der er mindre end 65 nm, og en billedplacering på mindre end 17 nm (gennemsnit + 3 sigma) eller (2) Ikke anvendt (3) Second-layer overlay error på mindre end 23 nm (gennemsnit + 3 sigma) på masken (b) En eller flere af følgende egenskaber: Pt_3_. 2. Udstyr, der er specielt konstrueret til maskefremstilling med alle følgende egenskaber: (a) En afbøjet fokuseret elektronstråle og (1) Stråle med en minimumstørrelse på højst 15 nm eller (2) Overlay error på mindre end 27 nm (gennemsnit + 3 sigma). (b) En eller flere af følgende egenskaber: (4) Udstyr, der er konstrueret til behandling af indretninger, og som bruger direkte skrivemetoder, med alle følgende egenskaber:
corr_1
3. Udstyr, der er specielt konstrueret til maskefremstilling med alle følgende egenskaber: (a) En afbøjet fokuseret elektronstråle, ionstråle eller laserstråle og (1) En fuld halvværdibredde (FWHM) pletstørrelse, der er mindre end 65 nm, og en billedplacering på mindre end 17 nm (gennemsnit + 3 sigma) eller (2) Ikke anvendt (3) Second-layer overlay error på mindre end 23 nm (gennemsnit + 3 sigma) på masken (a) En afbøjet fokuseret elektronstråle og (1) Stråle med en minimumstørrelse på højst 15 nm eller (2) Overlay error på mindre end 27 nm (gennemsnit + 3 sigma) (b) En eller flere af følgende egenskaber: (4) Udstyr, der er konstrueret til behandling af indretninger, og som bruger direkte skrivemetoder, med alle følgende egenskaber: (b) En eller flere af følgende egenskaber:
3. a.
En afbøjet fokuseret elektronstråle, ionstråle eller laserstråle og
b.
En eller flere af følgende egenskaber: (1) En fuld halvværdibredde (FWHM) pletstørrelse, der er mindre end 65 nm, og en billedplacering på mindre end 17 nm (gennemsnit + 3 sigma) eller (2) Ikke anvendt (3) Second-layer overlay error på mindre end 23 nm (gennemsnit + 3 sigma) på masken (a) En afbøjet fokuseret elektronstråle og (1) Stråle med en minimumstørrelse på højst 15 nm eller (2) Overlay error på mindre end 27 nm (gennemsnit + 3 sigma) (b) En eller flere af følgende egenskaber: (4) Udstyr, der er konstrueret til behandling af indretninger, og som bruger direkte skrivemetoder, med alle følgende egenskaber:
1. En fuld halvværdibredde (FWHM) pletstørrelse, der er mindre end 65 nm, og en billedplacering på mindre end 17 nm (gennemsnit + 3 sigma) eller
2. Ikke anvendt
3. Second-layer overlay error på mindre end 23 nm (gennemsnit + 3 sigma) på masken
4. Udstyr, der er konstrueret til behandling af indretninger, og som bruger direkte skrivemetoder, med alle følgende egenskaber: (a) En afbøjet fokuseret elektronstråle og (1) Stråle med en minimumstørrelse på højst 15 nm eller (2) Overlay error på mindre end 27 nm (gennemsnit + 3 sigma) (b) En eller flere af følgende egenskaber:
4. a.
En afbøjet fokuseret elektronstråle og
b.
En eller flere af følgende egenskaber: (1) Stråle med en minimumstørrelse på højst 15 nm eller (2) Overlay error på mindre end 27 nm (gennemsnit + 3 sigma)
1. Stråle med en minimumstørrelse på højst 15 nm eller
2. Overlay error på mindre end 27 nm (gennemsnit + 3 sigma)
3. Udstyr, der er specielt konstrueret til maskefremstilling med alle følgende egenskaber: (a) En afbøjet fokuseret elektronstråle, ionstråle eller laserstråle og (1) En fuld halvværdibredde (FWHM) pletstørrelse, der er mindre end 65 nm, og en billedplacering på mindre end 17 nm (gennemsnit + 3 sigma) eller (2) Ikke anvendt (3) Second-layer overlay error på mindre end 23 nm (gennemsnit + 3 sigma) på masken (b) En eller flere af følgende egenskaber:
3. a.
En afbøjet fokuseret elektronstråle, ionstråle eller laserstråle og
b.
En eller flere af følgende egenskaber: (1) En fuld halvværdibredde (FWHM) pletstørrelse, der er mindre end 65 nm, og en billedplacering på mindre end 17 nm (gennemsnit + 3 sigma) eller (2) Ikke anvendt (3) Second-layer overlay error på mindre end 23 nm (gennemsnit + 3 sigma) på masken
1. En fuld halvværdibredde (FWHM) pletstørrelse, der er mindre end 65 nm, og en billedplacering på mindre end 17 nm (gennemsnit + 3 sigma) eller
2. Ikke anvendt
3. Second-layer overlay error på mindre end 23 nm (gennemsnit + 3 sigma) på masken
4. Udstyr, der er konstrueret til behandling af indretninger, og som bruger direkte skrivemetoder, med alle følgende egenskaber: (a) En afbøjet fokuseret elektronstråle og (1) Stråle med en minimumstørrelse på højst 15 nm eller (2) Overlay error på mindre end 27 nm (gennemsnit + 3 sigma). (b) En eller flere af følgende egenskaber:
4. a.
En afbøjet fokuseret elektronstråle og
b.
En eller flere af følgende egenskaber: (1) Stråle med en minimumstørrelse på højst 15 nm eller (2) Overlay error på mindre end 27 nm (gennemsnit + 3 sigma).
1. Stråle med en minimumstørrelse på højst 15 nm eller
2. Overlay error på mindre end 27 nm (gennemsnit + 3 sigma).