Rectificare la Regulamentul delegat (UE) 2018/1922 al Comisiei din 10 octombrie 2018 de modificare a Regulamentului (CE) nr. 428/2009 al Consiliului de instituire a unui regim comunitar pentru controlul exporturilor, transferului, serviciilor de intermediere și tranzitului de produse cu dublă utilizare (Jurnalul Oficial al Uniunii Europene L 319 din 14 decembrie 2018)
Grade B
mapped from publisher markup. A grade says how a document's structure was obtained, not how reliable the law is.
Address https://gelex.eu/eli/EU/corrigendum/oj/L/2019/105/09@2019-04-16/ro
La pagina 129, la secțiunea 3B001 litera f, la punctele 3 și 4, se corectează alinierea punctelor: în loc de: se citește:
corr_1
3. echipamente special concepute pentru executarea măștilor care au toate caracteristicile următoare:
3. a.
un fascicul de electroni, de ioni sau laser focalizat deflectat; și
b.
care prezintă oricare dintre următoarele caracteristici:
1. O dimensiune a spotului mai mică de 65 nm la lățimea integrală la jumătatea înălțimii maxime (FWHM) și o plasare a imaginii mai mică de 17 nm (medie aritmetică + 3 sigma); sau
2. neutilizate;
3. o eroare de suprapunere la nivelul celui de-al doilea strat mai mică de 23 nm (medie + 3 sigma) pe mască;
4. echipamente concepute pentru prelucrarea dispozitivelor care utilizează metode directe de scriere și care au toate caracteristicile următoare:
4. a.
un fascicul de electroni focalizat deflectat; și
b.
care prezintă oricare dintre următoarele caracteristici:
1. o dimensiune minimă a fasciculului mai mică sau egală cu 15 nm; sau
2. o eroare de suprapunere mai mică de 27 nm (medie + 3 sigma);,
3. echipamente special concepute pentru executarea măștilor care au toate caracteristicile următoare:
3. a.
un fascicul de electroni, de ioni sau laser focalizat deflectat; și
b.
care prezintă oricare dintre următoarele caracteristici:
1. O dimensiune a spotului mai mică de 65 nm la lățimea integrală la jumătatea înălțimii maxime (FWHM) și o plasare a imaginii mai mică de 17 nm (medie aritmetică + 3 sigma); sau
2. neutilizate;
3. o eroare de suprapunere la nivelul celui de-al doilea strat mai mică de 23 nm (medie + 3 sigma) pe mască;
4. echipamente concepute pentru prelucrarea dispozitivelor care utilizează metode directe de scriere și care au toate caracteristicile următoare:
4. a.
un fascicul de electroni focalizat deflectat; și
b.
care prezintă oricare dintre următoarele caracteristici:
1. o dimensiune minimă a fasciculului mai mică sau egală cu 15 nm; sau
2. o eroare de suprapunere mai mică de 27 nm (medie + 3 sigma);.